(57)【要約】      （修正有）【課題】第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面と樹脂の下面との間に非常に狭い隙間が形成されてしまうのを回避しつつ、第１外部端子の第２外部端子側の端部の上面を半導体素子の下面よりも上側に配置する事ができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子１の下面と第１外部端子２とを接続し、半導体素子１の上面と第２外部端子３とを内部端子４を介して接続し、半導体素子１と内部端子４と第１外部端子２の一部と第２外部端子３の一部とを樹脂５によって封止し、第１外部端子２の下面と第２外部端子３の下面と樹脂５の下面とを同一平面上に配置し、第１外部端子２の第２外部端子３側の端部の上面が半導体素子１の下面よりも上側に位置するように、第１外部端子２の第２外部端子３側の端部を変形させる半導体装置の製造方法において、潰し加工によって第１外部端子２の第２外部端子３側の端部を変形させる。【選択図】図２
2006339568.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、前記半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、前記半導体素子と前記内部端子と前記第１外部端子の一部と前記第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、前記第１外部端子の下面と前記第２外部端子の下面と前記樹脂の下面とを同一平面上に配置し、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部の上面が前記半導体素子の下面よりも上側に位置するように、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部を変形させる半導体装置の製造方法において、潰し加工によって前記第１外部端子の第２外部端子側の端部を変形させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１外部端子の第２外部端子側の端部の一部の上側に金型を固定した状態で、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部をパンチによって下側から上側に押し潰すことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記パンチの第１外部端子側の端面を前記金型の第２外部端子側の端面よりも第１外部端子側に配置したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１外部端子の第２外部端子側の端部を押し潰す工程と、前記第１外部端子の側部を押し潰す工程とを別個に設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、半導体素子と内部端子と第１外部端子の一部と第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面と樹脂の下面とを同一平面上に配置し、第１外部端子の第２外部端子側の端部の上面が半導体素子の下面よりも上側に位置するように、第１外部端子の第２外部端子側の端部を変形させる半導体装置の製造方法に関し、特には、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面と樹脂の下面との間に非常に狭い隙間が形成されてしまうのを回避しつつ、第１外部端子の第２外部端子側の端部の上面を半導体素子の下面よりも上側に配置することができる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ペレット（半導体素子）の下面と第２リード（第１外部端子）とを接続し、半導体ペレット（半導体素子）の上面と第１リード（第２外部端子）とを内部リード（内部端子）を介して接続し、半導体ペレット（半導体素子）と内部リード（内部端子）と第２リード（第１外部端子）の一部と第１リード（第２外部端子）の一部とを樹脂によって封止し、第２リード（第１外部端子）の下面と第１リード（第２外部端子）の下面と樹脂の下面とを同一平面上に配置し、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の上面が半導体ペレット（半導体素子）の下面よりも上側に位置するように、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部を変形させた半導体装置が知られている。この種の半導体装置の例としては、例えば特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載されたものがある。
【０００３】
特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置では、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部が、例えばプレスによる曲げ加工によって上側に曲げられている。それにより、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の上面が半導体ペレット（半導体素子）の下面よりも上側に位置せしめられると共に、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の下面が、第２リード（第１外部端子）のその他の部分の下面よりも上側に位置せしめられている。更に、特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置では、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の下側に樹脂が配置されている。
【０００４】
その結果、特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置では、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部が上側に曲げられていない特開２００１−２９８１４２号公報の図１に記載された半導体装置よりも、第２リード（第１外部端子）と第１リード（第２外部端子）との間における樹脂の下面に沿った沿面距離、つまり、第２リード（第１外部端子）と第１リード（第２外部端子）との間の絶縁距離が、増加せしめられている。
【０００５】
また、特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置では、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部が上側に曲げられていない特開２００１−２９８１４２号公報の図１に記載された半導体装置よりも、第２リード（第１外部端子）と半導体ペレット（半導体素子）との間の余分な半田が第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の下面まで流れ出てしまうおそれを低減することができる。
【０００６】
ところが、特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置では、上述したように、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部が、例えばプレスによる曲げ加工によって上側に曲げられている。そのため、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の下面の一部が円弧状になっている。その結果、第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の円弧状の下面と樹脂の下面との間に非常に狭い隙間が形成され、その非常に狭い隙間に非常に肉薄の樹脂層が形成されている。
【０００７】
それゆえ、特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置では、樹脂が成形された後に、上述した非常に肉薄の樹脂層が、樹脂バリとなって第２リード（第１外部端子）の第１リード（第２外部端子）側の端部の下面から剥離したり、欠けたりしてしまうおそれがある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２９８１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記問題点に鑑み、本発明は、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面と樹脂の下面との間に非常に狭い隙間が形成されてしまうのを回避しつつ、第１外部端子の第２外部端子側の端部の上面を半導体素子の下面よりも上側に配置することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明によれば、半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、前記半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、前記半導体素子と前記内部端子と前記第１外部端子の一部と前記第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、前記第１外部端子の下面と前記第２外部端子の下面と前記樹脂の下面とを同一平面上に配置し、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部の上面が前記半導体素子の下面よりも上側に位置するように、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部を変形させる半導体装置の製造方法において、潰し加工によって前記第１外部端子の第２外部端子側の端部を変形させることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
請求項２に記載の発明によれば、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部の一部の上側に金型を固定した状態で、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部をパンチによって下側から上側に押し潰すことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
請求項３に記載の発明によれば、前記パンチの第１外部端子側の端面を前記金型の第２外部端子側の端面よりも第１外部端子側に配置したことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
請求項４に記載の発明によれば、前記第１外部端子の第２外部端子側の端部を押し潰す工程と、前記第１外部端子の側部を押し潰す工程とを別個に設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１及び２に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが同一平面上に配置されている。そのため、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが異なる平面上に配置されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。
【００１５】
更に、請求項１及び２に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の下面と樹脂の下面とが同一平面上に配置されている。つまり、第１外部端子の下面が樹脂の外側に露出せしめられている。そのため、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも、半導体素子が発生した熱を第１外部端子の下面を介して外部に容易に拡散させることができる。つまり、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも半導体装置の放熱性を向上させることができる。
【００１６】
また、請求項１及び２に記載の半導体装置の製造方法では、樹脂による封止が行われた後にフォーミング加工が行われないため、半導体素子に機械ストレスが付与されるのに伴って半導体素子にクラックが発生してしまうのを回避することができる。
【００１７】
更に、請求項１及び２に記載の半導体装置の製造方法では、潰し加工によって第１外部端子の第２外部端子側の端部が変形せしめられる。詳細には、例えば第１外部端子の第２外部端子側の端部の一部の上側に金型を固定した状態で、第１外部端子の第２外部端子側の端部がパンチによって下側から上側に押し潰される。そのため、第１外部端子の第２外部端子側の端部が曲げ加工によって上側に曲げられるのに伴って、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面の一部が円弧状になり、第１外部端子の第２外部端子側の端部の円弧状の下面と樹脂の下面との間の非常に狭い隙間に非常に肉薄の樹脂層が形成されてしまうのを回避することができる。
【００１８】
その結果、請求項１及び２に記載の半導体装置の製造方法によれば、特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置のように、樹脂が成形された後に、非常に肉薄の樹脂層が樹脂バリとなって第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面から剥離したり、欠けたりするおそれが生じてしまうのを回避することができる。
【００１９】
つまり、請求項１及び２に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面と樹脂の下面との間に非常に狭い隙間が形成されてしまうのを回避しつつ、第１外部端子の第２外部端子側の端部の上面を半導体素子の下面よりも上側に配置することができる。
【００２０】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の第２外部端子側の端部を下側から上側に押し潰すためのパンチの第１外部端子側の端面が、第１外部端子の第２外部端子側の端部の一部の上側に固定される金型の第２外部端子側の端面よりも第１外部端子側に配置されている。そのため、パンチの第１外部端子側の端面が、金型の第２外部端子側の端面よりも第２外部端子側に配置されている場合のように、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面の一部が円弧状になってしまうおそれを回避することができる。また、パンチの第１外部端子側の端面と金型の第２外部端子側の端面とが同一平面上に配置されている場合よりも、第１外部端子の第２外部端子側の端部が剪断されてしまうおそれを低減することができる。
【００２１】
第１外部端子の第２外部端子側の端部の押し潰しと、第１外部端子の側部の押し潰しとを同時に行うと、第１外部端子の第２外部端子側の端部のうちの第１外部端子の側部側の部分、および、第１外部端子の側部のうちの第１外部端子の端部側の部分が大きく張り出すように変形してしまう。
【００２２】
この点に鑑み、請求項４に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の第２外部端子側の端部を押し潰す工程と、第１外部端子の側部を押し潰す工程とが別個に設けられている。つまり、請求項４に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の第２外部端子側の端部の押し潰しと、第１外部端子の側部の押し潰しとが同時に行われない。
【００２３】
そのため、請求項４に記載の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子の第２外部端子側の端部の押し潰しと、第１外部端子の側部の押し潰しとを同時に行うのに伴って、第１外部端子の第２外部端子側の端部のうちの第１外部端子の側部側の部分、および、第１外部端子の側部のうちの第１外部端子の端部側の部分が大きく張り出すように変形してしまうのを低減することができる。つまり、第１外部端子の第２外部端子側の端部の押し潰しと、第１外部端子の側部の押し潰しとが同時に行われる場合よりも、第１外部端子の第２外部端子側の端部のうちの第１外部端子の側部側の部分、および、第１外部端子の側部のうちの第１外部端子の端部側の部分の変形量を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の平面図、図１（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の正面図、図１（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の左側面図、図１（Ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の底面図、図１（Ｅ）は第１の実施形態の半導体装置の斜視図である。
【００２５】
図２は図１に示した半導体装置の内部構造を明らかにするために図１に示した半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図である。詳細には、図２（Ａ）は図１（Ａ）に示した半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図、図２（Ｂ）は図１（Ｂ）に示した半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図、図２（Ｃ）は図１（Ｃ）に示した半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図、図２（Ｄ）は図１（Ｄ）に示した半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図、図２（Ｅ）は図１（Ｅ）に示した半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図である。
【００２６】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１および図２に示すように、例えば、リードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている第１外部端子２の上面と、半導体素子１の下面とが、例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される。また、リードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている第２外部端子３の上面と、半導体素子１の上面とが、内部端子４および例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される。
【００２７】
更に、第１外部端子２の下面と、第２外部端子３の下面と、樹脂５の下面とが同一平面上に位置するように、半導体素子１と、内部端子４と、第１外部端子２の一部と、第２外部端子３の一部とが、樹脂５によって封止される。次いで、第１外部端子２および第２外部端子３がリードフレーム（図示せず）から切断され、図１に示した状態の半導体装置が得られる。
【００２８】
図３は図１および図２に示した半導体装置の第１外部端子２を詳細に示した図である。詳細には、図３（Ａ）は図１および図２に示した第１外部端子２の平面図、図３（Ｂ）は図１および図２に示した第１外部端子２の正面図、図３（Ｃ）は図１および図２に示した第１外部端子２の左側面図、図３（Ｄ）は図１および図２に示したの第１外部端子２の底面図である。
【００２９】
図３において、２ａは第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部を示しており、２ａ１は第１外部端子２の端部２ａの下面を示しており、２ａ２は第１外部端子２の端部２ａの一部の上面を示しており、２ａ３は第１外部端子２の端部２ａの他の一部の上面を示しており、２ａ４は第１外部端子２の端部２ａの端面を示している。２ｂは第１外部端子２の前側の側部を示しており、２ｂ１は第１外部端子２の側部２ｂの下面を示しており、２ｂ２は第１外部端子２の側部２ｂの上面を示している。２ｃは第１外部端子２の後側の側部を示しており、２ｃ１は第１外部端子２の側部２ｃの下面を示しており、２ｃ２は第１外部端子２の側部２ｃの上面を示している。２ｄ１は第１外部端子２のうち、端部２ａおよび側部２ｂ，２ｃを除いた部分の下面を示している。
【００３０】
図４は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において第１外部端子２の端部２ａが加工される工程などを示した図である。詳細には、図４（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ａ１、下金型Ａ２および平頭パンチＡ３によって第１外部端子２の端部２ａが変形せしめられる前の状態を示しており、図４（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ａ１、下金型Ａ２および平頭パンチＡ３によって第１外部端子２の端部２ａが変形せしめられた後の状態を示している。図４（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ａ１、下金型Ａ２および平頭パンチＡ３によって加工された後の第１外部端子２の端部２ａを示しており、図４（Ｄ）は上金型Ａ１’、下金型Ａ２’および平頭パンチＡ３’によって第１外部端子の端部２ａ’が加工される比較例を示している。
【００３１】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように第１外部端子２の端部２ａが変形せしめられる工程が、第１外部端子２の上面と半導体素子１（図２参照）の下面とが例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される工程よりも前に設けられている。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２がリードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている状態で、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように第１外部端子２の端部２ａの加工が行われる。
【００３２】
図４（Ａ）、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）に示すように、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、平頭パンチＡ３による潰し加工によって、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａが上側に変形せしめられる。詳細には、半導体素子１（図２参照）の下面とほぼ同一平面上に位置する第１外部端子２の端部２ａの一部の上面２ａ２よりも、第１外部端子２の端部２ａの他の一部の上面２ａ３が上側に位置するように、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａが変形せしめられる。更に詳細には、第１外部端子２の端部２ａの一部の上面２ａ２の上側に上金型Ａ１を固定した状態で、平頭パンチＡ３によって、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａが下側から上側に押し潰される。その結果、図４（Ｃ）中のハッチング部分が押し潰される。
【００３３】
図４（Ｄ）に示すように、平頭パンチＡ３’の左側（第１外部端子２の側）の端面Ａ３ａ’と上金型Ａ１’の右側（第２外部端子３の側）の端面Ａ１ａ’とが同一平面上に配置されると、図４（Ｄ）中のハッチング部分が剪断されてしまうおそれがある。また、図示しないが、平頭パンチの左側（第１外部端子２の側）の端面が、上金型の右側（第２外部端子３の側）の端面よりも右側（第２外部端子３の側）に配置されると、第１外部端子（２）の第２外部端子（３）の側の端部（２ａ）の下面の一部が円弧状になってしまうおそれがある。
【００３４】
この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａを下側から上側に押し潰すための平頭パンチＡ３の左側（第１外部端子２の側）の端面Ａ３ａが、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの一部の上面２ａ２の上側に固定される上金型Ａ１の右側（第２外部端子３の側）の端面Ａ１ａよりも左側（第１外部端子２の側）に配置されている。そのため、平頭パンチの左側（第１外部端子の側）の端面が、上金型の右側（第２外部端子の側）の端面よりも右側（第２外部端子の側）に配置されている場合のように、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面の一部が円弧状になってしまうおそれを回避することができる。また、図４（Ｄ）に示すように平頭パンチＡ３’の左側（第１外部端子の側）の端面Ａ３ａ’と上金型Ａ１’の右側（第２外部端子の側）の端面Ａ１ａ’とが同一平面上に配置されている場合よりも、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａが剪断されてしまうおそれを低減することができる。
【００３５】
図５は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において第１外部端子２の前側の側部２ｂが加工される工程などを示した図である。詳細には、図５（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ｂ１、下金型Ｂ２および平頭パンチＢ３によって第１外部端子２の前側の側部２ｂが変形せしめられる前の状態を示しており、図５（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ｂ１、下金型Ｂ２および平頭パンチＢ３によって第１外部端子２の前側の側部２ｂが変形せしめられた後の状態を示している。図５（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ｂ１、下金型Ｂ２および平頭パンチＢ３によって加工された後の第１外部端子２の前側の側部２ｂを示している。図５（Ｄ）は、仮に図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す第１外部端子２の前側の側部２ｂの加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの加工とが同時に行われる場合の問題点を説明するための図である。
【００３６】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように第１外部端子２の前側の側部２ｂが変形せしめられる工程が、第１外部端子２の上面と半導体素子１（図２参照）の下面とが例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される工程よりも前であって、例えば図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように第１外部端子２の端部２ａが変形せしめられる工程よりも後に設けられている。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２がリードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている状態で、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように第１外部端子２の前側の側部２ｂの加工が行われる。
【００３７】
また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す第１外部端子２の前側の側部２ｂの加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの加工とが同時に行われない。すなわち、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように第１外部端子２の前側の側部２ｂが押し潰される工程と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように第１外部端子２の右側の端部２ａが押し潰される工程とが別個に設けられている。
【００３８】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）に示すように、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、平頭パンチＢ３による潰し加工によって、第１外部端子２の前側の側部２ｂが変形せしめられる。詳細には、第１外部端子２の前側の側部２ｂの上面２ｂ２の上側に上金型Ｂ１を固定した状態で、平頭パンチＢ３によって、第１外部端子２の前側の側部２ｂが下側から上側に押し潰される。その結果、図５（Ｃ）中のハッチング部分が押し潰される。
【００３９】
仮に図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す第１外部端子２の前側の側部２ｂの押し潰し加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの押し潰し加工とが同時に行われると、図５（Ｄ）に破線で示すように、第１外部端子２の前側の側部２ｂのうちの第１外部端子２の端部２ａの側（図５（Ｄ）の右側）の部分、および、第１外部端子２の端部２ａのうちの第１外部端子２の前側の側部２ｂの側（図５（Ｄ）の上側）の部分が大きく張り出すように変形してしまう。
【００４０】
この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、上述したように、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａを押し潰す工程と、第１外部端子２の前側の側部２ｂを押し潰す工程とが別個に設けられている。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の前側の側部２ｂの押し潰しとが同時に行われない。
【００４１】
そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の前側の側部２ｂの押し潰しとを同時に行うのに伴って、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａのうちの第１外部端子２の側部２ｂの側（図５（Ｄ）の上側）の部分、および、第１外部端子２の前側の側部２ｂのうちの第１外部端子２の端部２ａの側（図５（Ｄ）の右側）の部分が大きく張り出すように変形してしまうのを低減することができる。つまり、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の前側の側部２ｂの押し潰しとが同時に行われる場合よりも、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａのうちの第１外部端子２の側部２ｂの側（図５（Ｄ）の上側）の部分、および、第１外部端子２の前側の側部２ｂのうちの第１外部端子２の端部２ａの側（図５（Ｄ）の右側）の部分の変形量を低減することができる。
【００４２】
また、仮に図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す第１外部端子２の前側の側部２ｂの押し潰し加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの押し潰し加工とが同時に行われると、第１外部端子２の前側の側部２ｂの下面２ｂ１と平頭パンチＢ３の上面とがくっつくと共に、第１外部端子２の右側の端部２ａの下面２ａ１と平頭パンチＡ３の上面とがくっついてしまい、その結果、第１外部端子２を平頭パンチＡ３，Ｂ３から手動で取り外さなければならなくなるおそれがある。仮に下金型Ａ２，Ｂ２が設けられていない場合には、この問題点が顕著になる。
【００４３】
この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、上述したように、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａを押し潰す工程と、第１外部端子２の前側の側部２ｂを押し潰す工程とが別個に設けられている。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の前側の側部２ｂの押し潰しとが同時に行われない。
【００４４】
そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子２を平頭パンチＡ３，Ｂ３から手動で取り外さなければならなくなるおそれを低減することができる。
【００４５】
図６は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において第１外部端子２の後側の側部２ｃが加工される工程などを示した図である。詳細には、図６（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ｂ１、下金型Ｂ２および平頭パンチＢ４によって第１外部端子２の後側の側部２ｃが変形せしめられる前の状態を示しており、図６（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ｂ１、下金型Ｂ２および平頭パンチＢ４によって第１外部端子２の後側の側部２ｃが変形せしめられた後の状態を示している。図６（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法において上金型Ｂ１、下金型Ｂ２および平頭パンチＢ４によって加工された後の第１外部端子２の後側の側部２ｃを示している。図６（Ｄ）は、仮に図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す第１外部端子２の後側の側部２ｃの加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの加工とが同時に行われる場合の問題点を説明するための図である。
【００４６】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように第１外部端子２の後側の側部２ｃが変形せしめられる工程が、第１外部端子２の上面と半導体素子１（図２参照）の下面とが例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される工程よりも前であって、例えば図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように第１外部端子２の端部２ａが変形せしめられる工程よりも後に設けられている。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２がリードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている状態で、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように第１外部端子２の後側の側部２ｃの加工が行われる。
【００４７】
また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す第１外部端子２の後側の側部２ｃの加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの加工とが同時に行われない。すなわち、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように第１外部端子２の後側の側部２ｃが押し潰される工程と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように第１外部端子２の右側の端部２ａが押し潰される工程とが別個に設けられている。
【００４８】
更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す第１外部端子２の後側の側部２ｃの加工と、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す第１外部端子２の前側の側部２ｂの加工とが同時に行われる。第２の実施形態の半導体装置の製造方法では、代わりに、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように第１外部端子２の後側の側部２ｃが押し潰される工程と、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように第１外部端子２の前側の側部２ｂが押し潰される工程とを別個に設けることも可能である。
【００４９】
図６（Ａ）、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）に示すように、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、平頭パンチＢ４による潰し加工によって、第１外部端子２の後側の側部２ｃが変形せしめられる。詳細には、第１外部端子２の後側の側部２ｃの上面２ｃ２の上側に上金型Ｂ１を固定した状態で、平頭パンチＢ４によって、第１外部端子２の後側の側部２ｃが下側から上側に押し潰される。その結果、図６（Ｃ）中のハッチング部分が押し潰される。
【００５０】
仮に図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す第１外部端子２の後側の側部２ｃの押し潰し加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの押し潰し加工とが同時に行われると、図６（Ｄ）に破線で示すように、第１外部端子２の後側の側部２ｃのうちの第１外部端子２の端部２ａの側（図６（Ｄ）の右側）の部分、および、第１外部端子２の端部２ａのうちの第１外部端子２の後側の側部２ｃの側（図５（Ｄ）の下側）の部分が大きく張り出すように変形してしまう。
【００５１】
この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、上述したように、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａを押し潰す工程と、第１外部端子２の後側の側部２ｃを押し潰す工程とが別個に設けられている。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の後側の側部２ｃの押し潰しとが同時に行われない。
【００５２】
そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の後側の側部２ｃの押し潰しとを同時に行うのに伴って、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａのうちの第１外部端子２の側部２ｃの側（図６（Ｄ）の下側）の部分、および、第１外部端子２の後側の側部２ｃのうちの第１外部端子２の端部２ａの側（図６（Ｄ）の右側）の部分が大きく張り出すように変形してしまうのを低減することができる。つまり、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の後側の側部２ｃの押し潰しとが同時に行われる場合よりも、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａのうちの第１外部端子２の側部２ｃの側（図６（Ｄ）の下側）の部分、および、第１外部端子２の後側の側部２ｃのうちの第１外部端子２の端部２ａの側（図６（Ｄ）の右側）の部分の変形量を低減することができる。
【００５３】
また、仮に図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す第１外部端子２の後側の側部２ｃの押し潰し加工と、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す第１外部端子２の右側の端部２ａの押し潰し加工とが同時に行われると、第１外部端子２の後側の側部２ｃの下面２ｃ１と平頭パンチＢ４の上面とがくっつくと共に、第１外部端子２の右側の端部２ａの下面２ａ１と平頭パンチＡ３の上面とがくっついてしまい、その結果、第１外部端子２を平頭パンチＡ３，Ｂ４から手動で取り外さなければならなくなるおそれがある。仮に下金型Ａ２，Ｂ２が設けられていない場合には、この問題点が顕著になる。
【００５４】
この点に鑑み、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、上述したように、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａを押し潰す工程と、第１外部端子２の後側の側部２ｃを押し潰す工程とが別個に設けられている。つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの押し潰しと、第１外部端子２の後側の側部２ｃの押し潰しとが同時に行われない。
【００５５】
そのため、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子２を平頭パンチＡ３，Ｂ４から手動で取り外さなければならなくなるおそれを低減することができる。
【００５６】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図２（Ｂ）に示したように、第１外部端子２の下面と第２外部端子３の下面とが同一平面上に配置されている。そのため、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが異なる平面上に配置されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。
【００５７】
更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図２（Ｂ）に示したように、第１外部端子２の下面と樹脂５の下面とが同一平面上に配置されている。つまり、図１（Ｄ）および図１（Ｅ）に示したように、第１外部端子２の下面が樹脂５の外側に露出せしめられている。そのため、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも、半導体素子１が発生した熱を第１外部端子２の下面を介して外部に容易に拡散させることができる。つまり、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも半導体装置１の放熱性を向上させることができる。
【００５８】
また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、樹脂５による封止が行われた後にフォーミング加工が行われないため、半導体素子に機械ストレスが付与されるのに伴って半導体素子にクラックが発生してしまうのを回避することができる。
【００５９】
更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示したように、潰し加工によって第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａが変形せしめられる。詳細には、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの一部の上面２ａ２の上側に上金型Ａ１を固定した状態で、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａが平頭パンチＡ３によって下側から上側に押し潰される。そのため、第１外部端子の第２外部端子側の端部が曲げ加工によって上側に曲げられるのに伴って、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面の一部が円弧状になり、第１外部端子の第２外部端子側の端部の円弧状の下面と樹脂の下面との間の非常に狭い隙間に非常に肉薄の樹脂層が形成されてしまうのを回避することができる。
【００６０】
その結果、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、特開２００１−２９８１４２号公報の図３に記載された半導体装置のように、樹脂が成形された後に、非常に肉薄の樹脂層が樹脂バリとなって第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面から剥離したり、欠けたりするおそれが生じてしまうのを回避することができる。
【００６１】
つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子の第２外部端子側の端部の下面と樹脂の下面との間に非常に狭い隙間が形成されてしまうのを回避しつつ、第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの上面２ａ３を半導体素子１の下面よりも上側に配置することができる。
【００６２】
すなわち、図２（Ｂ）に示すように、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子の第２外部端子側の端部が上側に変形せしめられていない半導体装置よりも、第１外部端子２と第２外部端子３との間における樹脂５の下面に沿った沿面距離、つまり、第１外部端子２と第２外部端子３との間の絶縁距離を増加させることができる。
【００６３】
また、図２（Ｂ）に示すように、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、第１外部端子の第２外部端子側の端部が上側に変形せしめられていない半導体装置よりも、第１外部端子２と半導体素子１との間の余分な半田、導電性接着剤などが第１外部端子２の右側（第２外部端子３の側）の端部２ａの下面まで流れ出てしまうおそれを低減することができる。
【００６４】
更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示したように、第１外部端子２の端部２ａの下面２ａ１の下側、側部２ｂの下面２ｂ１の下側、および、側部２ｃの下面２ｃ１の下側に凹部が形成され、それらの凹部内に樹脂５が充填される。そのため、そのような凹部が設けられていない場合よりも、第１外部端子２と樹脂５との密着性を高め、投錨効果を高めることができる。
【００６５】
また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）に示したように、第１外部端子２の端部２ａの端面２ａ４が潰し加工によって直線状に形成される。そのため、第１外部端子の端部の端面が曲げ加工によって形成される場合よりも、第１外部端子の端部の下面に樹脂バリが形成されてしまうおそれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。
【図２】図１に示した半導体装置の内部構造を明らかにするために図１に示した半導体装置から樹脂５を取り除いた状態を示した図である。
【図３】図１および図２に示した半導体装置の第１外部端子２を詳細に示した図である。
【図４】第１の実施形態の半導体装置の製造方法において第１外部端子２の端部２ａが加工される工程などを示した図である。
【図５】第１の実施形態の半導体装置の製造方法において第１外部端子２の前側の側部２ｂが加工される工程などを示した図である。
【図６】第１の実施形態の半導体装置の製造方法において第１外部端子２の後側の側部２ｃが加工される工程などを示した図である。
【符号の説明】
【００６７】
１          半導体素子
２          第１外部端子
２ａ        端部
２ａ１      下面
２ａ２      上面
２ａ３      上面
２ａ４      端面
２ｂ        側部
２ｂ１      下面
２ｂ２      上面
２ｃ        側部
２ｃ１      下面
２ｃ２      上面
２ｄ１      下面
３      第２外部端子
４      内部端子
５      樹脂
【図１】
2006339568.tif 000003
【図２】
2006339568.tif 000004
【図３】
2006339568.tif 000005
【図４】
2006339568.tif 000006
【図５】
2006339568.tif 000007
【図６】
2006339568.tif 000008