(57)【要約】【課題】  ＴＦＴ製造工程中に加わる各種の熱履歴によっても、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタがそのプラスチック基板とバッファ層との界面剥離に基づいて剥離することのない薄膜トランジスタ搭載パネルを提供する。【解決手段】  プラスチック基板１０上にバッファ層１２を介してポリシリコン薄膜１３が形成されてなる薄膜トランジスタ搭載パネルにおいて、プラスチック基板１０とバッファ層１２との間に無機密着層１１を形成する。無機密着層１１は、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかであることが好ましく、バッファ層１２は酸化シリコンであることが好ましい。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板上にバッファ層を介してポリシリコン薄膜が形成されてなる薄膜トランジスタ搭載パネルであって、前記プラスチック基板と前記バッファ層との間に、無機密着層が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ搭載パネル。
【請求項２】
前記無機密着層が、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ搭載パネル。
【請求項３】
前記バッファ層が、酸化シリコンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ搭載パネル。
【請求項４】
プラスチック基板上に無機密着層を形成する工程と、前記無機密着層上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成する工程と、前記ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールによって熱活性化して不純物拡散領域を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法。
【請求項５】
前記無機密着層が、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかからなることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ搭載パネル及びその製造方法に関し、更に詳しくは、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタが、そのプラスチック基板から剥離し難い構造からなる薄膜トランジスタ搭載パネル、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス駆動型の表示装置において、ポリシリコン薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという。）は、個々の画素に設けられるスイッチング素子や、表示装置のディスプレイ基板上の周辺回路を構成する回路素子等として利用されている。アクティブマトリクス駆動型の表示装置の一つである液晶ディスプレイパネルは、携帯電話やＰＤＡなど、モバイルディスプレイ用途に使用されることが多く、さらなる軽量化や耐衝撃性を有するＴＦＴ搭載パネルが望まれている。近年、ガラス基板の代わりにプラスチック基板を用いたＴＦＴ搭載パネルが提案されている。
【０００３】
プラスチック基板を用いたＴＦＴ搭載パネルの作製方法としては、主に２種類の作製方法が知られている。一つは、ガラス基板上に従来の技術でＴＦＴを作製し、その後、ガラス基板からＴＦＴを剥離し、剥離したＴＦＴをプラスチック基板に接着する方法である。他の一つは、プラスチック基板を用い、そのプラスチック基板上にバッファ層を介して直接ＴＦＴを作製する方法である（例えば特許文献１、２を参照）。
【特許文献１】特開２０００−６８５１８号公報（段落番号００１７）
【特許文献２】特開２０００−１８８４０２号公報（段落番号００２８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前者の方法は、ガラス基板上にＴＦＴを作製するという従来技術を使用できることから、高い性能を有するＴＦＴを作製できるが、剥離や接着という複雑なプロセスが加わるので、製造コストの上昇が避けられないという難点がある。
【０００５】
後者の方法は、プラスチック基板を用いることから、ガラス基材を用いるよりも材料コストと工数を抑制できるが、ＴＦＴの製造工程中に加わる熱履歴によってプラスチック基板とバッファ層との界面で剥離が生じてＴＦＴがプラスチック基板から剥離し易くなるという問題がある。ＴＦＴの製造工程中に加わる熱履歴としては、例えば、(i)プラスチック基板上に形成したアモルファスシリコンをポリシリコン化するためのレーザーアニール、(ii)ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後に熱活性化するためのレーザーアニール、(iii)ポリシリコン薄膜を欠陥低減処理するための酸素プラズマ処理、(iv)シリコン表面のダングリングボンドをなくし、ポリシリコンとゲート絶縁膜との界面のリークパスをなくすための水素プラズマ処理、(v)各工程後に行われる乾燥処理、等の熱履歴が挙げられる。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、ＴＦＴ製造工程中に加わる各種の熱履歴によっても、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタがそのプラスチック基板とバッファ層との界面剥離に基づいて剥離することのない薄膜トランジスタ搭載パネル、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は上記問題を解決するための検討を行っている過程で、プラスチック基板とバッファ層との間に無機密着層を形成したとき、ＴＦＴ製造工程中に加わる各種の熱履歴によっても、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタの剥離が生じ難いことを見出し、その知見に基づいて本発明を完成させた。
【０００８】
すなわち、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルは、プラスチック基板上にバッファ層を介してポリシリコン薄膜が形成されてなる薄膜トランジスタ搭載パネルであって、前記プラスチック基板と前記バッファ層との間に、無機密着層が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、プラスチック基板とバッファ層との間に無機密着層を形成することにより、薄膜トランジスタ作製時の各種の熱履歴が加わった場合であっても、プラスチック基板とバッファ層との界面での剥離を防ぐことができる。その結果、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタの剥離を防ぐことができ、製造歩留まりのよい薄膜トランジスタ搭載パネルを提供できる。
【００１０】
本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルにおいて、前記無機密着層が、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかからなることが好ましい。
【００１１】
本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルにおいて、前記バッファ層が、酸化シリコンであることが好ましい。
【００１２】
酸化シリコンからなるバッファ層は、プラスチック基板又は無機密着層に含まれる不純物イオン等が半導体薄膜に拡散するのを防ぐように作用するので、半導体薄膜の特性劣化を防ぐことができる。
【００１３】
上記課題を解決するための本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法は、プラスチック基板上に無機密着層を形成する工程と、前記無機密着層上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜をレーザーアニールしてポリシリコン薄膜を形成する工程と、前記ポリシリコン薄膜の所定領域に不純物イオンを添加した後にレーザーアニールによって熱活性化して不純物拡散領域を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、プラスチック基板とバッファ層との間に無機密着層を形成するので、その無機密着層がその後の工程で加わる熱履歴に基づく剥離を防ぐように作用する。その結果、製造工程中で発生する界面剥離を防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１５】
本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法において、前記無機密着層が、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかからなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルによれば、薄膜トランジスタ作製時の各種の熱履歴が加わった場合であっても、プラスチック基板とバッファ層との界面での剥離が起こり難いので、プラスチック基板上に形成された薄膜トランジスタの剥離を防ぐことができ、製造歩留まりのよい薄膜トランジスタ搭載パネルを提供できる。
【００１７】
本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造方法によれば、形成された無機密着層がその後の工程で加わる熱履歴に基づく剥離を防ぐように作用するので、製造工程中で発生する界面剥離を防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
上記本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルは、フレキシブルなプラスチック基板上にＴＦＴが形成されているので、例えば有機ＥＬ素子等と組み合わせることにより、フレキシブルなディスプレイを設計することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネル及びその製造方法について詳細に説明する。図１は、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルのＴＦＴ素子部の一例を示す模式断面図であり、図２及び図３は、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造工程を示す説明図である。なお、本発明は図面の形態や以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２０】
本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルは、プラスチック基板上にバッファ層を介してポリシリコン薄膜が形成されてなるものであって、例えば、アクティブマトリックス駆動型の表示装置を構成するディスプレイパネルとして利用可能なものである。本発明においては、プラスチック基板とバッファ層との間に、無機密着層が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
より詳しくは、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルのＴＦＴ素子部１は、図１に示すように、プラスチック基板１０と、プラスチック基板１０上に形成された無機密着層１１と、無機密着層１１上に形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成されたポリシリコン半導体薄膜１３（ソース側拡散膜１３ｓ、半導体チャネル膜１３ｃ及びドレイン側拡散膜１３ｄ）と、そのポリシリコン半導体薄膜１３上に形成されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に、又はゲート絶縁膜のコンタクトホールを介して形成された電極１５（ソース電極１５ｓ、ゲート電極１５ｇ及びドレイン電極１５ｄ）とを有している。以下においては、図１に示すＴＦＴ素子部の構造形態を例にして、図２及び図３に基づいた製造工程順に説明するが、本発明の薄膜トランジスタ搭載パネル及びその製造方法は、図示の例に限定されず、少なくともプラスチック基板とバッファ層を介して形成されたポリシリコン半導体薄膜との間に、無機密着層が形成された形態であれば、他の形態であってもよい。
【００２２】
プラスチック基板１０は、薄膜トランジスタの回路基板をなすものであり、例えば、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリノルボルネン系樹脂、ポリサルホン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又は熱可塑性ポリイミド等からなる有機基材、又はそれらの複合基材を挙げることができる。プラスチック基板１０としては、厚さが５μｍ〜３００μｍ程度の薄いフレキシブルなフィルム状のものも使用することができ、薄膜トランジスタが形成されたパネルをフレキシブルなものとすることができる。
【００２３】
先ず、準備されたプラスチック基板１０上に無機密着層１１を形成する（図２（Ａ）を参照）。無機密着層１１は、ＴＦＴが形成される領域には少なくとも形成されている必要があるが、それ以外の領域には形成されていてもいなくてもよく、プラスチック基板１０上の全面に形成してもよい。無機密着層１１は、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかの材料で形成される。このうち、クロム、チタン、アルミニウム、又はシリコン等からなる金属系の無機密着層は、ＴＦＴの製造工程中の熱履歴によっても、プラスチック基板とバッファ層との剥離を効果的に防ぐことができる。また、酸化クロムや酸化チタン等の金属酸化物系の材料からなる無機密着層は、組成中に含まれる金属原子がプラスチック基板１０と作用するために密着効果を生み出し、ＴＦＴ製造工程中の熱履歴による剥離を防止する。
【００２４】
無機密着層１１の厚さは、層を構成する材質によってその範囲は若干異なるが、通常１〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、３〜５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。なお、クロム、チタン、アルミニウム、又はシリコンからなる金属系の無機密着層の場合には、３〜１０ｎｍの範囲内であることがより好ましく、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、又は酸窒化シリコンからなる化合物系の無機密着層の場合には、５〜５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００２５】
無機密着層１１の形成には、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法等の各種の方法で形成することができるが、実際には、層を構成する材質に応じた好ましい方法が採用される。通常は、ＤＣスパッタリング法やＲＦマグネトロンスパッタリング法等が好ましく用いられる。
【００２６】
次に、図２（Ａ）に示すように、無機密着層１１上にバッファ層１２を形成する。バッファ層１２は、ＴＦＴが形成される領域には少なくとも形成されている必要があるが、それ以外の領域には形成されていてもいなくてもよく、プラスチック基板１０上の全面に形成してもよい。バッファ層１２は、通常、酸化シリコンで形成される。バッファ層１２は、プラスチック基板又は無機密着層に含まれる不純物イオン等が半導体薄膜に拡散するのを防ぐように作用するので、半導体薄膜の特性劣化を防ぐことができる。
【００２７】
バッファ層１２の厚さは、通常１００〜３０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、膜応力の観点からは１００〜１５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。バッファ層１２の形成には、酸素雰囲気中でシリコンをスパッタするＲＦマグネトロンスパッタリング法や、プラズマＣＶＤ法等の方法で形成することができる。
【００２８】
次に、図２（Ｂ）に示すように、バッファ層１２上にノンドープのアモルファスシリコン薄膜２１ａを形成する。このアモルファスシリコン薄膜２１ａは、ＲＦマグネトロンスパッタリング法やＣＶＤ法等の各種の方法で成膜可能である。例えばＲＦマグネトロンスパッタリング法でアモルファスシリコン薄膜を成膜する場合には、例えば、成膜温度：室温、成膜圧力：１．０Ｐａ、ガス：アルゴンの成膜条件で例えば厚さ５０ｎｍの厚さで成膜できる。なお、ＣＶＤ法でアモルファスシリコン薄膜を成膜する場合も２５℃程度の成膜温度で成膜可能であるが、原料ガスとしてＳｉＨ４が使用されるので、成膜後に約４００℃の脱水素処理（真空中で１時間程度）が必要となる。上記の無機密着層１１は、この脱水素処理時に加わる熱に対して効果があり、この脱水素処理時の熱に基づいたプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００２９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、レーザーアニール２２を行ってアモルファスシリコン薄膜２１ａを結晶化して低抵抗のポリシリコン薄膜２１ｐに変化させる。レーザーアニール２２は、アモルファスシリコン薄膜２１ａを結晶化させてポリシリコン薄膜２１ｐ（多結晶シリコン薄膜）にする結晶化手段であり、ＸｅＣｌエキシマレーザー、ＣＷ（Continuous Wave）レーザー等の種々のレーザーで行うことができる。例えば、ＸｅＣｌエキシマレーザーを用いて結晶化を行う場合には、一例として、パルス幅：３０ｎsec、エネルギー密度：４００ｍＪ／ｃｍ２、室温の条件下で行うことができる。上記の無機密着層１１は、この工程で加わるレーザーアニールの熱に対して顕著に効果があり、このレーザーアニールの熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３０】
次に、図２（Ｄ）に示すように、ポリシリコン薄膜２１ｐ上にレジスト膜２３を形成し、その後レジスト膜２３をパターニングする。レジスト膜２３は、例えばポジ型フォトレジスト等が好ましく用いられる。レジスト膜２３は、レジストをスピンナー等の手段で全面に塗布し、乾燥硬化させて形成される。上記の無機密着層１１は、この工程で加わる乾燥処理の熱に対しても効果があり、この乾燥処理の熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３１】
レジスト膜をパターニングした後、図２（Ｄ）に示すようにイオン注入２４を行う。イオン注入２４は、例えば、リン（Ｐ）を注入電圧：１０ｋｅＶ、室温下で、２×１０１５／ｃｍ２のドープレベルとなるように注入される。こうしたイオン注入によりポリシリコン薄膜にソース側拡散膜１３ｓ及びドレイン側拡散膜１３ｄが形成され、さらに両膜１３ｓ，１３ｄの間に、半導体チャネル膜１３ｃが形成される
【００３２】
次に、図２（Ｅ）に示すように、形成されたソース側拡散膜１３ｓ及びドレイン側拡散膜１３ｄにエネルギービーム２５を照射して両膜１３ｓ，１３ｄを活性化する。エネルギービーム２５としては、上記と同様のＸｅＣｌエキシマレーザーを用いることができ、一例として、パルス幅：３０ｎsec、エネルギー密度：２５０ｍＪ／ｃｍ２、室温の条件下で行うことができる。上記の無機密着層１１は、この工程で加わるエネルギービームの熱に対しても効果があり、このエネルギービームの熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３３】
なお、上記の活性化処理の後には、通常、ポリシリコン薄膜の欠陥を低減処理するための酸素プラズマ処理が施される。酸素プラズマ処理は、一例として、ＲＦ１００Ｗ、１Ｔｏｒｒ、１５０℃の条件下で行われ、その後においては、１２０℃の条件下での乾燥処理が施される。上記の無機密着層１１は、この工程で加わる酸素プラズマ発生時の熱及びその後の乾燥時の熱に対しても効果があり、これらの熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３４】
次に、図３（Ｆ）に示すように、ドライエッチングを施してアイランドを形成する。エッチングガスとしては、ＳＦ６等を用いることができる。アイランドが形成された後においては、水洗、及び１２０℃の条件下での洗浄及び乾燥処理が施される。上記の無機密着層１１は、この工程で加わる乾燥時の熱に対しても効果があり、これらの熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３５】
次に、図３（Ｇ）に示すように、ソース側拡散膜１３ｓ、半導体チャネル膜１３ｃ及びドレイン側拡散膜１３ｄを含む全面にゲート絶縁膜１４を形成する。ゲート絶縁膜１４の形成方法は、例えばＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、８インチのＳｉＯ２ターゲットに投入電力：１．０ｋＷ（＝３Ｗ／ｃｍ２）、圧力：１．０Ｐａ、ガス：アルゴン＋Ｏ２（５０％）の成膜条件で厚さ約１００ｎｍの酸化シリコンを形成した。
【００３６】
次に、図３（Ｈ）に示すように、ソース側拡散膜１３ｓ及びドレイン側拡散膜１３ｄ上のゲート絶縁膜１４をマスクを用いて選択的にエッチングすることにより、コンタクトホール２６，２６を形成する。このときのエッチングとしては、例えば２％ＨＦ溶液を用いたウエットエッチングを適用できる。その後、洗浄工程と乾燥工程が施される。上記の無機密着層１１は、この乾燥工程で加わる熱に対しても効果があり、その熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３７】
次に、図３（Ｉ）に示すように、全面に例えば厚さ２００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜を蒸着した後、ウエットエッチングによりパターニングして、ソース電極１５ｓ、ドレイン電極１５ｄ及びゲート電極１５ｇを形成する。なお、電極材料は、Ｃｕ、その他の導電性材料であってもよく、スパッタリング等の他の成膜プロセスにより形成してもよい。上記の無機密着層１１は、この工程のウエットエッチング後に加わる洗浄・乾燥工程時の熱に対しても効果があり、その熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３８】
最後に、酸化シリコンからなる保護層（図示しない）を形成した後、図３（Ｊ）に示すように、水素プラズマ２７による処理を行って多結晶ポリシリコン薄膜のシリコンの欠陥をターミネートする。例えば、水素プラズマ処理により、シリコン表面のダングリングボンドをなくし、ポリシリコンとゲート絶縁膜との界面のリークパスをなくす方法がとられる。こうして図３（Ｊ）に示す一態様の薄膜トランジスタが製造される。上記の無機密着層１１は、この工程の水素プラズマ処理時に加わる熱に対しても効果があり、その熱に基づくプラスチック基板１０とバッファ層１２との界面剥離を防ぐことができる。
【００３９】
以上のように、本発明によれば、無機密着層が形成されていることにより、薄膜トランジスタ作製時の複数の工程での熱が加わった場合であっても、プラスチック基板とバッファ層との界面剥離を防ぐことができる。こうして製造された本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルは、フレキシブルなプラスチック基板の上にＴＦＴが形成された形態であるので、例えば有機ＥＬ素子等と組み合わせることにより、フレキシブルなディスプレイを設計することが可能となる。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例と比較例により本発明をさらに詳しく説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
プラスチック基板として厚さ０．２ｍｍで１００ｍｍ×１００ｍｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を用い、そのプラスチック基板上に、無機密着層としてのアルミニウム膜をＤＣスパッタリング法（成膜圧力０．２Ｐａ（アルゴン）、投入電力１ｋＷ、成膜時間１０秒）により厚さ５ｎｍ形成した後、さらにバッファ層としての酸化シリコンをＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜圧力０．３Ｐａ（アルゴン：酸素＝３：１）、投入電力２ｋＷ、成膜時間２時間）により厚さ１２００ｎｍ形成した。さらに、アモルファスシリコンをＲＦマグネトロンスパッタリング法（成膜温度：室温、成膜圧力：１．０Ｐａ（アルゴン））により厚さ５０ｎｍ形成した。
【００４２】
その後、上述した図２（Ｂ）〜図３（Ｊ）の工程の説明欄で例示した条件に基づいてＴＦＴ搭載パネルを作製した。なお、このＴＦＴ搭載パネル製造工程においては、具体的には以下に示すような熱履歴が加わった。先ず、図２（Ｂ）のアモルファスシリコン薄膜形成工程では、アモルファスシリコン薄膜を形成した後に４００℃の脱水素処理（真空中で１時間）を行った。次の図２（Ｃ）の結晶化工程では、ＸｅＣｌエキシマレーザーを用いたレーザーアニールをエネルギー密度４００ｍＪ／ｃｍ２、パルス幅３０nsec、室温、照射回数２０回の条件で照射した。図２（Ｄ）のパターニング及びイオン注入工程では、パターニング後に１２０℃の乾燥処理を行うと共に、さらにその後、リンを注入電圧１０ｋｅＶ、室温下で、２×１０１５／ｃｍ２のドープレベルとなるようにイオン注入した。図２（Ｅ）の活性化工程では、ＸｅＣｌエキシマレーザーを用い、パルス幅３０ｎsec、エネルギー密度２５０ｍＪ／ｃｍ２、室温の条件下で活性化処理を行った。その活性化処理後には、酸素プラズマ処理をＲＦ１００Ｗ、１Ｔｏｒｒ、１５０℃の条件下で行い、その後、１２０℃の条件下での乾燥処理を行った。次いで、図３（Ｆ）のアイランド形成工程では、１２０℃の乾燥処理を施し、その後、図３（Ｈ）のコンタクトホール形成工程では、１２０℃の乾燥処理を施し、さらに、図３（Ｉ）のウエットエッチング工程では、１２０℃の熱処理を施し、さらに、図３（Ｊ）の水素プラズマ処理工程では、ＲＦ２００Ｗ、１Ｔｏｒｒ、１５０℃の処理を行った。こうした各熱履歴を経てＴＦＴ搭載パネルを製造した。
【００４３】
（実施例２〜９）
無機密着層の種類、その膜厚又はプラスチック基板を表１に記載のように変更した以外は、実施例１と同様にして、薄膜トランジスタ搭載パネルを製造した。
【００４４】
（比較例１，２）
無機密着層を形成せず、その他の構成については実施例１と同様にして、薄膜トランジスタ搭載パネルを製造した。
【００４５】
（密着性評価）
密着性（耐剥離性）は、スコッチメンディングテープ（住友スリーエム製、長さ３０ｍ×幅１２ｍｍ）を用い、そのテープの一部（長さ３０ｍｍ）を作製したＴＦＴ上に貼り付けた後に一気に引き剥がして剥離の有無を評価するテープ剥離試験法で評価した。密着性の結果を表１に示した。密着性の評価は、剥離も亀裂も全く生じていなかったものを◎とし、エッジ部分などに変色が僅かに生じていたが実用上全く問題がないものを○とし、数回の剥離テストを繰り返すことで剥離が生じていたが実用上使用可能なものを△とし、素子部分に剥離が生じていて使用が難しいものを×とした。表１の結果からもわかるように、好ましい無機密着層としては、金属系の無機密着層を形成することが好ましく、特に好ましくはＡｌとＣｒであった。
【００４６】
【表１】
2006324368.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルのＴＦＴ素子部の一例を示す模式断面図である。
【図２】本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明の薄膜トランジスタ搭載パネルの製造工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  ＴＦＴ素子部
１０  プラスチック基板
１１  無機密着層
１２  バッファ層
１３  ポリシリコン半導体薄膜
１３ｓ  ソース側拡散膜
１３ｃ  半導体チャネル膜
１３ｄ  ドレイン側拡散膜
１４  ゲート絶縁膜
１５ｓ  ソース電極
１５ｇ  ゲート電極
１５ｄ  ドレイン電極
２１ａ  アモルファスシリコン薄膜
２１ｐ  ポリシリコン薄膜
２２  レーザーアニール
２３  レジスト膜
２４  イオン注入
２５  エネルギービーム
２６  コンタクトホール
２７  水素プラズマ
【図１】
2006324368.tif 000004
【図２】
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【図３】
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