(57)【要約】【課題】粒子とゴースト粒子をするために、ゴースト粒子の放射線を実粒子の放射線から分解する検出器システムを提供する。【解決手段】検出器システムが、自身の一部に入射する放射線の強度に対応する複数の検出器信号を出力する。あるいは、検出器システムが、自身に入射する放射線の強度に対応する検出器信号を出力する。複数の検出器信号は各々、ゴースト粒子から放射線が所定の閾値レベルより高いレベルを有さず、粒子から放射線を受け取ると、閾値レベルより高いほぼ同じレベルを表示する。さらには、検出器システムが、所定部分に入射する放射線に応答して第一検出器信号を生成する放射線検出デバイスと、粒子からではない放射線が検出器デバイスの所定部分に入射するのを防止する放射線遮断アセンブリを有する。【選択図】図１
2006126205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクトの表面上の粒子を検出するように構成された粒子検出システムであって、
−  第一波長を有する放射線のビームを生成するように構成された第一放射線ソースを有し、放射線のビームはオブジェクトの表面にある検出区域に配向され、さらに、
−  放射線検出器システムに入射し、検出区域から受け取った放射線の強度に対応する複数の検出器信号を出力するように構成された放射線検出器システムと、
−  放射線検出器システムに結合され、複数の検出器信号からオブジェクトの表面上に粒子が存在するかを判断するように構成された検出回路とを有し、
粒子からの信号に対するゴースト粒子からの信号を解析することによって、粒子の存在を判断するものである粒子検出システム。
【請求項２】
検出回路が、複数の検出器信号それぞれを所定の閾値レベルと比較し、前記複数の検出器信号がそれぞれ、前記閾値レベルより高いレベルを有する場合に、オブジェクトの表面上に粒子が存在することを示すように構成される、請求項１に記載の粒子検出システム。
【請求項３】
さらに、オブジェクトの表面と放射線検出器システムとの間に位置決めされた十字形ダイヤフラムを有し、ダイヤフラム検出器システムが検出器デバイスを有し、前記検出器システムが、検出器システムの第一部分に入射する放射線の強度に対応する第一検出器信号を出力し、検出器システムの第二部分に入射する放射線の強度に対応する第二検出器信号を出力するように構成される、請求項２に記載の粒子検出システム。
【請求項４】
さらに、第二波長を有する放射線のビームを生成するように構成された第二放射線ソースを有し、放射線のビームはオブジェクトの表面に配向され、検出器システムは、第１波長を有して、第一検出器に入射する放射線の強度に対応する第一検出器信号を出力するように構成された第一検出器デバイスと、第二波長を有し、自身に入射する放射線の強度に対応する第二検出器信号を出力するように構成された第二検出器デバイスとを有する、請求項２に記載の粒子検出システム。
【請求項５】
検出器システムが、（１）第一検出器サブシステムを有し、第一検出器サブシステムは第一検出器サブシステムの第一部分に入射する放射線の強度に対応する第一検出器信号を出力し、第一検出器サブシステムの第二部分に入射する放射線の強度に対応する第二検出器信号を出力するように構成され、さらに（２）第二検出器サブシステムを有し、第二検出器サブシステムは、第二検出器サブシステムの第一部分に入射する放射線の強度に対応する第三検出器信号を出力し、第二検出器サブシステムの第二部分に入射する放射線の強度に対応する第四検出器信号を出力するように構成され、システムがさらに、オブジェクトの表面と各検出器の間に位置決めされた十字形ダイヤフラムを有する、請求項２に記載の粒子検出システム。
【請求項６】
検出回路が、（１）対応する複数の入力検出器信号を閾値レベルと比較するように構成された複数の比較器を有し、複数の比較器がそれぞれ論理比較器信号を出力し、さらに、（２）各論理比較器信号を受信して、複数の入力信号がそれぞれ閾値レベルより高い場合は、論理ＴＲＵＥ信号を出力するように構成されたＡＮＤ演算器を有する、請求項２に記載の粒子検出システム。
【請求項７】
検出回路がさらに、検出器信号に基づいて検出された粒子のサイズを判断するように構成される、請求項２に記載の粒子検出システム。
【請求項８】
検出された粒子のサイズが、１つの検出器信号、または少なくとも２つの検出器信号の組み合わせに基づいて判断される、請求項７に記載の粒子検出システム。
【請求項９】
放射線検出器システムが、検出器ピクセル要素のアレイを有する検出器デバイスを有し、複数の検出器信号の各検出器信号が、少なくとも１つの検出器ピクセル要素に入射する放射線の強度に対応し、それによって検出された粒子の粒子像を提供し、像が幾つかの像ピクセルを有し、検出回路が、
−  粒子像に基づいて、検出粒子が大きいか小さいかを検出し、
−  少なくとも１つの検出器ピクセル要素に入射する放射線強度に基づいて、小さい粒子のサイズを判断し、
−  粒子像の像形態に基づいて、大きい粒子のサイズを判断するように構成される、請求項７に記載の粒子検出システム。
【請求項１０】
検出回路は、検出された粒子に関する像ピクセルの総数が所定のピクセル数より小さい場合は、粒子が小さいと検出するように構成される、請求項９に記載の粒子検出システム。
【請求項１１】
粒子のサイズが、第一検出器からの信号、第二検出器からの信号、または第一および第二検出器からの信号の組み合わせに基づいて判断される、請求項４に記載の粒子検出システム。
【請求項１２】
放射線検出器システムが、
−  放射線検出器デバイスの少なくとも１つの所定部分に入射する放射線に応答して、第一検出器信号を生成する放射線検出器デバイスと、
−  オブジェクトの表面の周囲にある検出区域から発生したものではない放射線が、放射線検出器デバイスの所定部分に入射するのを防止する放射線遮断アセンブリとを有する、請求項１に記載の粒子検出システム。
【請求項１３】
放射線遮断アセンブリが、
検出区域から発生した放射線を放射線検出器デバイスの少なくとも１つの所定部分に集束する検出器レンズと、
検出区域から発生したものではない放射線が、検出器レンズによって検出器デバイスの所定部分に配向されるのを防止する遮断デバイスとを有する、請求項１２に記載の粒子検出システム。
【請求項１４】
放射線検出器システムが、ゴースト粒子信号を検出するために、放射線検出器デバイスの前記少なくとも１つの所定部分の外側で放射線が放射線検出器デバイスに入射したかを示す少なくとも第二の検出器信号をさらに出力するように構成される、請求項１２に記載の粒子検出システム。
【請求項１５】
検出回路がさらに、検出器信号に基づいて検出粒子のサイズを判断するように構成される、請求項１２に記載の粒子検出システム。
【請求項１６】
検出器システムが、検出器ピクセル要素のアレイを有する検出器デバイスを有し、複数の検出器信号の各検出器信号が、前記検出器ピクセル要素の少なくとも１つに入射する放射線の強度に対応し、これによって複数の検出器信号が、検出された粒子の粒子像を提供し、像が幾つかの像ピクセルを有し、検出回路が、
−  粒子像に基づいて、検出粒子が大きいか小さいかを検出し、
−  少なくとも１つの検出器ピクセル要素に入射する放射線強度に基づいて、小さい粒子のサイズを判断し、
−  粒子像の像形態に基づいて、大きい粒子のサイズを判断するように構成される、請求項１５に記載の粒子検出システム。
【請求項１７】
検出回路は、検出された粒子に関する像ピクセルの総数が所定のピクセル数より小さい場合は、粒子が小さいと検出するように構成される、請求項１６に記載の粒子検出システム。
【請求項１８】
リソグラフィ装置であって、
放射線のビームを調整するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造とを有し、パターニングデバイスが、放射線ビームの断面にパターンを与える働きをし、さらに、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成したビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
オブジェクトの表面の検出区域で粒子を検出するように構成された粒子検出システムとを有し、粒子からの信号からゴースト粒子からの信号を空間的に解析することによって粒子の存在が判断されるリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記粒子検出システムが、複数の検出器信号を所定の閾値レベルと比較し、前記複数の検出器信号が閾値レベルより高いレベルを有する場合、オブジェクトの表面に粒子が存在することを示すように構成される、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
粒子システムがさらに、オブジェクトの表面と検出器システムの間に位置決めされた十字形ダイヤフラムを有し、放射線検出器システムが検出器を有し、前記検出器が、検出器の第一部分に入射する放射線の強度に対応する第一検出器信号を出力し、検出器の第二部分に入射する放射線の強度に対応する第二検出器信号を出力するように構成される、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
粒子検出システムがさらに、第二波長を有する放射線のビームを生成するように構成された第二放射線ソースを有し、放射線のビームがオブジェクトの表面に配向され、検出器システムが、第一波長を有し、自身に入射する放射線の強度に対応する第一検出器信号を出力するように構成された第一検出器と、第二波長を有し、自身に入射する放射線の強度に対応する第二検出器信号を出力するように構成された第二検出器とを有する、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
粒子検出システムの検出器システムが、（１）第一検出器を有し、第一検出器が、第一検出器の第一部分に入射する放射線の強度に対応する第一検出器信号を出力し、第一検出器の第二部分に入射する放射線の強度に対応する第二検出器信号を出力するように構成され、さらに（２）第二検出器を有し、第二検出器が、第二検出器の第一部分に入射する放射線の強度に対応する第三検出器信号を出力し、第二検出器の第二部分に入射する放射線の強度に対応する第四検出器信号を出力するように構成され、システムがさらに、オブジェクトの表面と各検出器の間に位置決めされた十字形ダイヤフラムを有する、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２３】
粒子検出システムの検出回路が、（１）対応する複数の入力検出器信号を閾値レベルと比較するように構成された複数の比較器を有し、複数の比較器がそれぞれ、論理比較器信号を出力し、さらに、（２）各論理比較器信号を受信し、複数の入力信号がそれぞれ閾値レベルより大きい場合は、論理ＴＲＵＥ信号を出力するように構成されたＡＮＤ演算器を有する、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
検出回路がさらに、検出器信号に基づいて検出された粒子のサイズを判断するように構成される、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２５】
検出された粒子のサイズが、１つの検出器信号または少なくとも２つの検出器信号の組み合わせに基づいて判断される、請求項２４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２６】
検出器デバイスの検出器システムが検出器ピクセル要素のアレイを有し、複数の検出器信号の各検出器信号が、少なくとも１つの検出器ピクセル要素に入射する放射線の強度に対応し、それによって検出された粒子の粒子像を提供し、像が幾つかの像ピクセルを有し、検出回路が、
−  粒子像に基づいて、検出粒子が大きいか小さいかを検出し、
−  少なくとも１つの検出器ピクセル要素に入射する放射線強度に基づいて、小さい粒子のサイズを判断し、
−  粒子像の像形態に基づいて、大きい粒子のサイズを判断するように構成される、請求項２４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２７】
検出回路は、検出された粒子に関する像ピクセルの総数が所定のピクセル数より小さい場合は、粒子が小さいと検出するように構成される、請求項２６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２８】
粒子のサイズが、第一検出器からの信号、第二検出器からの信号、または第一および第二検出器からの信号の組み合わせに基づいて判断される、請求項２１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２９】
前記オブジェクトが基板またはパターニングデバイスである、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３０】
粒子検出器システムが、
−  放射線検出器デバイスの少なくとも１つの所定部分に入射する放射線に応答して、第一検出器信号を生成する放射線検出器デバイスと、
−  オブジェクトの表面の周囲にある検出区域から発生したものではない放射線が、放射線検出器デバイスの所定部分に入射するのを防止する放射線遮断アセンブリとを有する、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３１】
放射線遮断アセンブリが、
検出区域から発生した放射線を放射線検出器デバイスの少なくとも１つの所定部分に集束する検出器レンズと、
検出区域から発生したものではない放射線が、検出器レンズによって検出器デバイスの所定部分に配向されるのを防止する遮断デバイスとを有する、請求項３０に記載の粒子検出システム。
【請求項３２】
放射線検出器システムが、ゴースト粒子信号を検出するために、放射線検出器デバイスの前記少なくとも１つの所定部分の外側で放射線が放射線検出器デバイスに入射したかを示す少なくとも第二の検出器信号をさらに出力するように構成される、請求項３１に記載の粒子検出システム。
【請求項３３】
デバイス製造方法であって、
パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、
オブジェクトの表面上の粒子を粒子検出システムで検出することとを含み、
前記粒子検出システムが検出回路を有し、これは、複数の検出器信号を所定の閾値レベルと比較し、前記複数の検出器信号が前記閾値レベルより高いレベルを有する場合に、オブジェクトの表面上に粒子が存在することを示すように構成されるものであるデバイス製造方法。
【請求項３４】
前記オブジェクトが基板、または放射線ビームのパターン形成に使用するパターニングデバイスである、請求項３３に記載のデバイス製造方法。
【請求項３５】
デバイス製造方法であって、
パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、
オブジェクトの表面上の粒子を粒子検出システムで検出することとを含み、
粒子検出システムが、
−放射線検出器デバイスの少なくとも１つの所定部分に入射する放射線に応答して、第一検出器信号を生成する放射線検出器デバイスと、
−オブジェクトの表面の周囲にある検出範囲から発生したものではない放射線が、検出器デバイスの所定部分に入射するのを防止する放射線遮断アセンブリとを有するものであるデバイス製造方法。
【請求項３６】
前記オブジェクトが放射線のビームのパターン形成に使用するパターニングデバイスである請求項３５に記載のデバイス製造方法。
【請求項３７】
デバイス製造方法であって、
パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、
オブジェクトの表面上の粒子を検出することとを含み、前記検出することが、
前記オブジェクトの表面に放射線のビームを提供することと、
前記粒子および／または前記オブジェクトによって再配向された放射線のビームを検出することと、
検出された放射線のビームの強度に対応する複数の信号を出力することと、
前記オブジェクトの表面上に粒子が存在するかを判断するために、複数の信号を所定の閾値レベルと比較することとを含むものであるデバイス製造方法。
【請求項３８】
デバイス製造方法であって、
パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、
オブジェクトの表面上の粒子を検出することとを含み前記検出することが、
前記オブジェクトの表面に放射線のビームを提供することと、
前記粒子および／または前記オブジェクトによって再配向された放射線のビームを検出することと、
オブジェクトの表面の周囲にある検出範囲内から発生した放射線のビームを、放射線検出デバイスの所定部分に配向することと、
オブジェクトの表面の周囲にある検出範囲から発生したものではない放射線が、放射線検出デバイスの所定部分に入射するのを防止することと、
放射線検出デバイスの所定部分に入射する検出放射線ビームの強度に対応する検出器信号に基づいて、前記オブジェクトの表面に粒子が存在するかを判断することとを含むものであるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粒子検出デバイス、粒子検出デバイスを含むリソグラフィ装置、およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。このような場合、マスクなどのパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができ、このパターンを、放射線感光原料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイの一部を含む）に描像することができる。一般的に、１枚の基板は、順次照射される近接目標部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「走査」方向）にパターンを投影ビームで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【０００３】
場合によっては薄膜によって保護される小さい構造を含むパターンの描像は、パターニングデバイスおよび基板の埃および他の汚染物資に非常に敏感である。したがって、描像する前に、パターニングデバイス（および／または薄膜で保護したその小さい構造）および試験に汚染物質、特に粒子がないか試験する。従来のリソグラフィ装置では、粒子検出システムが放射線のビーム、特に（しかし必然的ではなく）モノクローム放射線、つまりほぼ１つの波長しかない放射線を、オブジェクトの表面に配向する。このオブジェクトは例えばパターニングデバイスまたは基板であるが、それに限定されない。オブジェクトおよび／またはビームは、オブジェクトの表面を走査するために移動する。放射線のビームがオブジェクトの表面に当たると、放射線は反射の物理的法則（射出する角度は表面に直角の想像線（法線）に対して入射角度と同一である）に従って部分反射する。入射放射線の別の部分は、パターニングデバイスまたは基板などのオブジェクトに入って、屈折する。両方の場合で、ビームは異方性状態で再配向される。放射線ビームが汚染粒子に当たると、放射線が散乱する。つまり等方反射する。
【０００４】
放射線検出器は、表面で反射した放射線が検出器に入射せず、粒子または他の汚染物質によって散乱した、つまりほぼ全方向に反射した放射線の一部が検出器に入射するように、表面および放射線ビームに対して位置決めされる。したがって、検出器は放射線ビームが粒子または他の汚染物質によって散乱した場合にのみ、放射線を受け取る。
【０００５】
オブジェクトの表面に入射する放射線の一部はオブジェクトに入り、上述したように屈折する。オブジェクト内では、ビームはクロムパターンで屈折および／または回折するか、１回または複数回反射する、またはその両方である。材料、サイズ、幾何学的形状などのパラメータの数に応じて、オブジェクトに入る放射線の一部が、検出器の方向で再びオブジェクトを出る。その場合、検出器は粒子で散乱していない放射線を検出する。その結果、検出器から信号を受信した検出回路は粒子が存在すると判断するが、実際には粒子が存在しない。このように検出されるが、実際には存在しない粒子を、これ以降ゴースト粒子と呼ぶ。
【０００６】
粒子を検出する他の従来のシステムでは、顕微鏡を使用することがある。このようなシステムは、顕微鏡を使用して表面を走査し、検出された粒子の詳細な分析を実行することができる。しかし、このようなシステムは高価であり、単なる粒子のインライン検出にはそれほど適切ではない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の実施形態は、オブジェクトの表面上の粒子をインライン検出する単純で費用効果が高い粒子検出システムを含み、システムは、粒子からの信号と誤り信号、つまりゴースト粒子信号とを弁別することができる。ゴースト粒子からの放射線は、実際の粒子からの放射線から空間的に、またはその他の方法で取り除くことができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施形態によると、オブジェクトの表面上の粒子を検出するように構成された粒子検出システムが提供され、システムは、第一波長を有する放射線のビームを生成するように構成された第一放射線ソースを含み、ビームはオブジェクトの表面にて検出区域へと配向され、さらに検出区域から検出器システムに入射する放射線の強度に相当する少なくとも２つの検出器信号を出力するように構成された放射線検出器システムと、少なくとも２つの検出器信号から、オブジェクトの表面に粒子が存在するか否かを判断するようにされた検出回路とを有し、検出回路は、少なくとも２つの検出器信号を所定の閾値レベルと比較し、少なくとも２つの検出器信号がそれぞれ閾値レベルより高いレベルを有する場合に、オブジェクトの表面に粒子が存在することを表示するように構成される。
【０００９】
本発明の実施形態による粒子検出システムは、等方性放射線と異方性放射線とを弁別することができる。上述したように、粒子によって散乱した放射線は等方性放射線である。放射線ソースから発して、オブジェクトの内部で屈折、反射および回折し、その後に検出器システムに入射する放射線は、図面に関して以下で説明するように、異方性である。
【００１０】
オブジェクトの表面にある検出区域に配向された光のビームから開始して、等方性状態で再配向された放射線は、異方性状態で再配向、つまり散乱した放射線から弁別することができる。異方性放射線は所定の断面、つまり円形、長方形または他の任意の形状のような制限された断面を有するからである。このような制限されたビームの結果、検出器の表面または放射線ビームの軌跡にある他の任意の表面のような表面に入射すると、相応する制限されたスポットになる。これに対して、等方性状態で散乱した放射線は、このような制限されたスポットにならない。等方性散乱放射線は、実質的にどの方向にも配向される。したがって、検出器システムに入射する放射線の等方性部分は、放射線ビームに集中した光のスポットが存在するかを評価することによって、異方性部分から弁別することができる。検出器システムの表面上の放射線の分布および位置に基づく弁別を、これ以降、空間的弁別と呼ぶ。
【００１１】
検出器システムに入射する放射線は、例えば１つの検出器からの複数の信号、または複数の検出器それぞれからの１つの信号を使用して、少なくとも２つの信号を生成するように検出され、そこから入射放射線が等方性状態で再配向された放射線および／または異方性状態で再配向された放射線を含むか推定することができる。少なくとも２つの信号の組み合わせから空間情報を導出できるように、検出器システム上で放射線から少なくとも２つの信号を生成する。検出システムは、例えばゴースト粒子からの放射線と実際の粒子からの放射線を空間的に解像することによって、放射線が粒子から生じるか、ゴースト粒子から生じるかを判断することができる。
【００１２】
放射線ソースから来る放射線ビームの断面形状は、丸い（円形）か、任意の他の形状、例えば線を有する。第一波長を有する放射線はモノクローム放射線か、特定の範囲の波長を有する放射線を含んでもよい。特に、１つの放射線ソースしか使用しない場合は、白色光でも、つまり可視範囲に多くの波長を含む放射線でも使用することができる。
【００１３】
放射線検出器システムは、単純な放射線感光デバイスを含むか、１Ｄ（線形）または２Ｄ（平面）ＣＣＤ要素または１または２次元放射線感光フォトダイオード（ＰＳＤ）などの１次元または２次元放射線感光デバイスでよい。
【００１４】
粒子検出システムは、検出器信号に基づいて検出粒子のサイズを判断するように構成される。上述したように、検出器システムは、検出器ピクセル要素（例えば２Ｄ（平面）ＣＣＤ要素）のアレイを有する検出器デバイスを有してよく、複数の検出器信号の各検出器信号は、少なくとも１つの検出器ピクセル要素に入射する放射線の強度に対応し、それによって検出粒子の粒子像を提供して、像は像ピクセルのアレイを有し、検出回路は、
−  粒子像に基づいて、検出粒子が大きいか小さいかを検出し、
−  少なくとも１つの検出器ピクセル要素に入射する放射線強度に基づいて、小さい粒子のサイズを判断し、
−  粒子像の像形態に基づいて、大きい粒子のサイズを判断するように構成される。
【００１５】
本発明の実施形態によると、放射線のビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成された支持構造とを有し、パターニングデバイスが、放射線ビームの断面にパターンを与える働きをし、さらに基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターニングデバイスまたは基板の表面上に、ほぼ粒子が存在しないことを検証するように構成された粒子検出システムと、パターン形成したビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムとを有するリソグラフィ装置が提供され、粒子検出システムは検出回路を含み、これは少なくとも２つの検出器信号を所定の閾値レベルと比較し、少なくとも２つの検出器信号がそれぞれ閾値レベルより高いレベルを有する場合、オブジェクトの表面に粒子が存在することを示すように構成される。
【００１６】
本発明のさらなる実施形態によると、デバイス製造方法で、基板を提供することと、照明システムを使用して放射線のビームを提供することと、投影ビームの断面にパターンを与えるために、パターニングデバイスを使用することと、パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、粒子検出システムを使用して、パターニングデバイスまたは基板の表面上にほぼ粒子が存在しないことを検証することを含む方法が提供され、粒子検出システムは検出回路を含み、これは少なくとも２つの検出器信号を所定の閾値レベルと比較し、少なくとも２つの検出器信号がそれぞれ閾値レベルより高いレベルを有する場合、オブジェクトの表面に粒子が存在することを示すように構成される。
【００１７】
デバイス製造方法は、パターン形成した放射線のビームを基板の目標部分に投影することと、オブジェクトの表面上で粒子を検出することとを含み、検出することが、オブジェクトの表面の検出区域に配向された放射線のビームを提供することと、粒子が散乱した放射線のビームを検出することとを含み、さらに放射線の検出ビームの強度に対応する複数の信号を出力することと、オブジェクトの表面上に粒子が存在するかを判断するために、複数の信号を所定の閾値レベルと比較することとを含む。
【００１８】
本発明の実施形態によりオブジェクトの表面上の粒子を検出するように構成された粒子検出システムは、第一波長を有する放射線のビームを生成するように構成された第一放射線ソースを含み、放射線ビームはオブジェクトの表面に配向され、さらに、検出器システムに入射する放射線の強度に対応する複数の検出器信号を出力するように構成された放射線検出器システムと、放射線検出器システムに結合され、オブジェクトの表面上に粒子が存在するかを複数の検出器信号から判断するように構成された検出回路とを含み、検出回路は、複数の検出器信号を所定の閾値レベルと比較し、複数の検出器信号が閾値レベルより高いレベルを有する場合に、粒子がオブジェクトの表面上に存在することを示すように構成される。
【００１９】
本発明の実施形態によりオブジェクトの表面上の粒子を検出するように構成された粒子検出システムは、放射線のビームを生成するように構成された放射線ソースを有し、放射線のビームはオブジェクトの表面に配向され、さらに、検出器システムに入射した放射線の強度に対応する少なくとも第一検出器信号を出力するように構成された放射線検出器システムと、放射線検出器システムに結合されて、少なくとも１つの検出器信号から、オブジェクトの表面上に粒子が存在するかを判断するように構成された検出回路とを有する。放射線検出器システムは、放射線検出器デバイスの少なくとも１つの所定部分に入射する放射線に応答して、第一検出器信号を生成する放射線検出器デバイスと、オブジェクトの表面の周囲で検出範囲から生じていない放射線が検出器デバイスの所定の部分に入射するのを防止する放射線遮断アセンブリとを有する。したがってゴースト粒子からの放射線および実際の粒子からの放射線は、検出器システムの検出器の面で空間的に解像される。その結果、検出器信号は、オブジェクトの表面上の粒子による散乱から生じた放射線にのみ依存する。
【００２０】
上記の実施形態では、放射線検出器システムは、放射線が検出器デバイスの前記少なくとも１つの所定部分の外側で検出器デバイスに入射したのかを示す少なくとも第二の検出器信号をさらに出力するように構成することができる。したがって、第二信号は、ゴースト粒子から生じる放射線の存在を示すことができる。
【００２１】
本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他にも用途を有することは理解されるべきである。例えば、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造の用途である。こうした代替的な用途の状況においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語と同義と見なされることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。
【００２２】
本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。
【００２３】
本明細書において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するように、放射線ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射線ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２４】
パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は小さなミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、異なる方向に入射の放射線ビームを反射するよう個々に傾斜することができる。この方法で、反射ビームにパターンが形成される。パターニングデバイスの各例で、支持構造は例えば枠またはテーブルでよく、これは固定されるか、必要に応じて動作可能でよく、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書で「マスク」または「マスク」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると見なすことができる。
【００２５】
本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システムおよび反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。
【００２６】
照明システムは、放射線の投影ビームを誘導、成形または制御するために屈折、反射、および反射屈折光学構成要素などの様々なタイプの光学構成要素を含むこともでき、このような構成要素を以下では集合的に、または単独で「レンズ」とも言う。
【００２７】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）あるいはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。
【００２８】
リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するよう、基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬するタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの最初の要素の間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野でよく知られている。
【００２９】
次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射線ビームＰＢ（例えばＵＶ放射線）を提供するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持しするように構成され、かつ、投影システムＰＬ（レンズ）に対して正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決めデバイスＰＭに連結を行った第一支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴとを含む。装置は、基板（例えばレジスト塗布したウェハ）Ｗを支持するように構成され、かつ、投影システムＰＬ（「レンズ」）に対して正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決めデバイスＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射線ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折性投影レンズシステム）ＰＬとを含む。
【００３１】
ここで示しているように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する）。
【００３２】
照明装置ＩＬは放射線ソースＳＯから放射線ビームを受け取る。ソースとリソグラフィ装置とは、例えばソースがエキシマレーザである場合に、別個の存在でよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはビーム拡大器などを含むビーム送出システムＢＤの助けにより、ソースＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、ソースが装置の一体部品でもよい。ソースＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム送出システムＢＤとともに放射線システムと呼ぶことができる。
【００３３】
照明装置ＩＬは、ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節デバイスＡＤを含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明装置ＩＬは、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する放射線ビームＰＢとも呼ばれる調整済み放射線ビームを提供する。
【００３４】
放射線ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。放射線ビームＰＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＢを通過する。第二位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決めデバイスＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に図示せず）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴおよびＷＴの運動は、位置決めデバイスＰＭおよびＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けで行われる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００３５】
ここに表した装置は以下のモードにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が１回で目標部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に基板テーブルＷＴがＸ方向および／あるいはＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルＷＴを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３６】
上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。
【００３７】
入射放射線による粒子検出の原理、およびいかにアーティファクトが生じるかを示すために、図２から図５には、放射線が等方性状態で、つまり散乱する粒子または他の汚染物質によって、および異方性状態で、例えば回折または反射していかに検出器システムに入射するかが示されている。
【００３８】
図２は、リソグラフィマスクまたは基板のようなオブジェクト２を示す。図２の左手側を参照すると、ビーム４Ａがオブジェクト２の表面に当たる。ビーム４Ａが表面に当たる位置には、法線６、つまり表面に対して直角の線が示されている。反射ビーム８は、当業者に知られている物理的法則（出射角度は法線６に対して入射角度と同じである）に従って反射する。入射ビーム４Ａは部分的に屈折することもあり、これは屈折ビーム１０で表される。オブジェクト２の材料の屈折率および放射線ビーム４Ａが通過する媒体の屈折率に応じて、屈折ビーム１０は法線６に向かうか、そこから離れる方向に屈曲する。屈折および／または反射する放射線の量は、特にオブジェクト２の材料、オブジェクト２の表面コーティングおよび／または入射角度に依存する。
【００３９】
検出器システム１２は、放射線ビーム４Ａの入射位置から来て、検出器システム１２に向かって配向される放射線を検出し、これは検出円錐１４で示される。図２の左手側で見られるように、入射ビーム４Ａは、反射ビーム８として異方反射するか、屈折ビーム１０として異方屈折する、あるいはその両方である。したがってこの場合は、検出器に入射する放射線がなく、検出器は、ノイズおよび／またはバイアスレベルはあるが有意の粒子検出レベルがない信号を出力する。
【００４０】
次に図２の右手側を参照すると、放射線ビーム４Ｂが、オブジェクト２の表面上に存在する汚染粒子１６に入射する。入射放射線の一部は粒子１６に吸収される。その他の部分は反射する。粒子１６の表面の表面形状のせいで、入射放射線は散乱、つまり等方反射する。等方性状態で反射した放射線は、矢印１８で示され、ほぼ全ての方向に配向される。したがって、反射放射線１８の一部は、検出器システム１２の検出円錐１４内にある。したがって、検出器システム１２は放射線を検出し、検出した放射線に対応し、粒子検出レベル、つまり閾値レベルより高いレベルを有する信号を出力する。
【００４１】
図３では、放射線４の入射ビームが、オブジェクト２の表面に当たるように図示されている。入射位置から、放射線ビーム１９は検出器システム１２の検出円錐１４内にあり、検出器システム１２に入射する。ビーム１９は、汚染粒子によって散乱した放射線でよく、したがって検出回路が粒子を適正に検出する。
【００４２】
しかし、以降で説明するような回折、屈折および／または反射の結果としてオブジェクト２の内側から来るビーム２０は、オブジェクト２を出て、屈折し、したがってビーム１９となる。したがって、法線に対して屈折ビーム１９が検出円錐１４内にあるような角度を有するビーム２０がオブジェクト２内から来ると、検出器システム１２は、汚染粒子によって散乱していない放射線を検出する。しかし、検出器システム１２からの信号を受信する検出回路は、信号が所定の閾値レベルより高いと判断し、誤って粒子が存在すると示す。このように検出されるが実際には存在しない粒子を、本明細書ではゴースト粒子と呼ぶ。
【００４３】
図４および図５に関して以下で詳細に説明するように、ゴースト粒子の検出にとって重要な原因は、回折パターンである。オブジェクトが、入った放射線が内部回折する表面にて例えば反射クロムパターンなどのパターンを含む場合は、回折パターンになる。回折パターンは、内部で反射し、屈折して、次に回折パターンの少なくとも一部が検出器に入射するようにオブジェクトから出ることができる。このような回折パターンは、検出器に入射する放射線の異方性因子である。
【００４４】
回折パターンは、幾つかの次数を含んでよい。つまりゼロ次パターン、１次パターンおよびそれより高い次数のパターンである。回折パターンの次数の形状、方向および間隔は、回折パターンの形状、方向および空間的周波数に依存する。回折パターンが２次元の周期的構造を有する場合は、関連する回折パターンも２次元である。回折次数のエネルギ（強度）は、特にパターンのデューティサイクル（つまりパターンの空間的特徴）およびパターンの高さの差に依存する。回折パターンの方向は、ゼロ次、１次またはそれ以上の次数の回折パターンが検出器システムに到達できるかを決定する。
【００４５】
回折パターンの一部は、回折パターンのその部分が検出器に入射する前に、ダイヤフラムによって遮断される。場合によっては、２次以上の回折パターンのような回折パターンの別の部分が、それでもダイヤフラムを通過する。本発明の実施形態によると、異方性放射線は等方性放射線から弁別される。放射線の等方性因子は、このようなダイヤフラムが存在しても検出器の両方の部分に入射するからである。したがって、検出器の各部分からの各信号が、所定の閾値またはノイズレベルより高いほぼ同じレベル（検出器デバイスの中心と放射線ビームが位置合わせされている場合は）であることを検証することによって、放射線に等方性因子があるか判断することができる。
【００４６】
上述したダイヤフラムは、検出器デバイスを２つの部分に分割する。ダイヤフラムが存在するにもかかわらず、多少の異方性放射線が検出器デバイスに入射することができる。さらに、異方性放射線は一部が検出器システムの第一部分に入射し、一部が検出器システムの第二部分に入射して、各検出器部分からほぼ同じ信号レベルが生じる。本発明のさらなる実施形態によると、第二ダイヤフラムは、検出器システムの部分の間にある区域を覆うことによって、このような入射を防止する。また、前記ダイヤフラムの幅は、入射放射線ビームに予想される幅と等しいか、それより大きくなる。これらの実施形態については、図６Ａから図６Ｄおよび図７Ａから図７Ｃに関して以下でさらに解明する。
【００４７】
図４では、オブジェクト２の内側からいかにビームが発生するかを示す。図示のオブジェクト２はマスクである。一方の表面上で、マスク２は例えばクロミウムなどで作成したマスクパターン２２を含む。マスク２の反対側表面に粒子がないか走査する。図４に示した例では、実際に粒子が存在しない。
【００４８】
ビーム４は、走査される表面に配向され、そこに入射する。入射放射線の一部は反射し（図示せず）、別の部分は吸収され、屈折し、屈折ビーム１０がマスクパターン２２に当たる。吸収され、反射したビーム１０はマスク２を通過する。反対側の表面では、屈折したビーム１０がマスクパターン２２に当たる。マスクパターン２２は周期的パターンである。周期性のせいで放射線は回折する。回折したビーム２４はマスク２を通過し、入射表面で反射する。その後に他の表面で内部反射が生じ、これは反射ビーム２６で示される。最終的に、内部反射ビーム２６は、ビーム４の入射位置に近づき、したがってマスク２を出て、ビーム１９で示すように検出器システム１２に向かって屈折する。したがって、ゴースト粒子が検出される。
【００４９】
図５では、この場合もマスク２の内側から来る屈折ビーム１９は検出器システム１２に入射するが、これは図４で示した例と比較すると別の一連の反射、屈折および／または回折によるものである。図５で示す例では、入射ビーム４はマスク２に入り、屈折ビーム１０として屈折する。入射角度および表面状態が与えられると、屈折ビーム１０が反対表面で回折または屈折し、回折ビーム２８としてマスク２を出る。回折ビーム２８が、薄膜などの別のオブジェクトの表面３２で反射すると、反射ビーム２６は再びマスク２の表面に当たる。
【００５０】
反射ビーム２６は、周期的マスクパターン２２で回折し、回折ビーム３０としてマスク２に入る。図示の回折ビーム３０は、検出器システム１２に向かって屈折して、検出されるように、マスク２を出る。図４と同様に、検出回路がゴースト粒子を検出するが、粒子は存在しない。
【００５１】
図３、図４および図５に関する以上の説明では、反射、屈折および回折が異方性であることに留意されたい。その結果、再配向された放射線が１本または複数のビームに含まれ、これに対して散乱した等方性放射線はほぼ全ての方向に再配向される。複数の回折ビームは（回折）次数として知られる。
【００５２】
回折パターンのビームの断面は、入射放射線ビームの断面形状に依存する。例えば、入射ビームが１本の丸い放射線ビームである場合、回折パターンは一連の単独の丸いビームになる。
【００５３】
さらに、光には他にも多くの軌跡が可能であるので、図２から図５は例示のみを目的とすることが分かる。例えば、図２から図５には図示されていないが、図示の円錐１４の内側以外の別の方向から来る放射線が検出器システム１２に入射することができ、したがってゴースト粒子が検出されることになる。他の一連の反射、屈折および／または回折の結果、放射線が検出器システムに配向され、したがってゴースト粒子が検出され得る。
【００５４】
図６Ａでは、検出器システム１２の表面が図示されている。検出器システム１２は、表面に入射する放射線を検出して、対応する信号を出力する。３つのスポット（ｎ次、（ｎ＋１）次および（ｎ＋２）次）を含む第一回折パターンは、一部が検出器表面１２に入射する。したがって、検出器システム１２は放射線を検出し、検出した放射線の強度に対応する信号を出力する。回折パターン４０は、粒子によって分散した放射線ではないので、信号を受信した検出回路は、誤って粒子が存在すると判断する。ゴースト粒子の検出を防止するために、図６Ｂで示すようなダイヤフラムを使用してよい。このようなダイヤフラムを、走査される表面と検出器の間に位置決めしてよい。
【００５５】
次に図６Ｂを参照すると、第一回折パターン４０を遮断するために細片形のダイヤフラム３４を使用することができる。粒子による散乱の結果生じる等方性反射も、細片形ダイヤフラム３４によって一部が遮断されるが、等方性放射線の別の部分は遮断されず、検出器システム１２に入射する。したがって、検出器システム１２は、等方性散乱放射線のみ検出し、出力信号は存在する粒子からのみ生じる。
【００５６】
検出器システム１２の前に細片形ダイヤフラム３４を使用するのではなく、図６Ｃで示すようなダイヤフラム３５を同様に使用してよいことが理解される。ダイヤフラムの開口３７が放射線を通過させる。細片３４が、ダイヤフラムの開口３７に位置決めされ、第一回折パターン４０を遮断する。
【００５７】
図６Ｄでは、第一回折パターン４０が図示されているばかりでなく、幾つかのスポットを含む第二回折パターン４２も図示されている。第二回折パターン４２は、マスクパターン２２（図４および図５参照）の別の部分から、または回折パターンの他の特徴によるものである。細片形ダイヤフラム３４は第一回折パターン４０を遮断するが、第二回折パターン４２はダイヤフラムを通過して、検出器システム１２に到達する。したがって、第２回折パターン４２が粒子の存在を示す信号をもたらすので、なおゴースト粒子を検出する可能性がある。
【００５８】
図７Ａから図７Ｃでは、垂直ダイヤフラム３４および水平ダイヤフラム３６を有する十字形ダイヤフラムが図示されている。図６の場合と同様に、垂直ダイヤフラム３４が第一回折パターン（図示せず）を遮断する。第二回折パターン４２は幾つかの位置をとり得る。ダイヤフラム３４、３６の幅は、幅が回折パターン４２のスポットの幅より大きくなるように選択される。
【００５９】
図７Ａでは、第二回折パターン４２が水平ダイヤフラム３６によって遮断される。したがって、検出器システム１２に入射する回折パターンがない。しかし図７Ｂでは、第二回折パターン４２が遮断されず、少なくとも部分的にダイヤフラム３４、３６を通過し、回折放射線が検出器システム１２に入射する。同じことが図７Ｃで示す状況に当てはまり、この状況では回折パターン４２が、図７Ｂで示す状況と比較して、水平ダイヤフラム３６の反対側へと通過する。
【００６０】
図７Ａで示す状況が生じると、ゴースト粒子が検出されない。検出器１２に入射する回折放射線がないからである。等方性散乱放射線のみ検出される。図７Ｂおよび図７Ｃでは、異方性回折放射線４２が検出器システム１２の半分にのみ入射する。それぞれ下半分または上半分である。その結果、検出器システム１２の他の半分は、散乱放射線を検出するのみで、これも回折放射線とは別に検出器システム１２の他の半分で検出される。したがって、検出器システム１２の対応する半分で検出される放射線に対応する２つの信号が、検出器システム１２で出力され、回折放射線が存在する場合は、異方性回折放射線の因子のせいで、一方の信号が他方より高いレベルを有する。
【００６１】
３つの状況のいずれかが生じ得る。
１．非等方性（回折、屈折、反射）放射線と等方性（散乱）放射線の両方が、検出器システム１２に入射する。
２．等方性（散乱）放射線のみが検出器に入射する。
３．非等方性（回折、屈折および／または反射）のみが検出器に入射する。
【００６２】
第一の状況では、両方の信号が所定のノイズ（閾値）レベルより高いレベルを有して、少なくとも等方性放射線のみが検出器システム１２に入射したことを示し、検出回路は、粒子が存在すると判断することができる。第二の状況では、検出器の両方の半分がほぼ同じ信号レベルを出力し、これはゴースト粒子の因子がなく、粒子のみが存在することを示す。第三の状況では、信号の１つのみがノイズ（閾値）レベルより高いレベルを有し、検出された放射線が回折、屈折および／または反射によるもので、粒子の散乱によるものではないことを示す。検出回路は、粒子が存在しないと判断する。
【００６３】
本発明の別の実施形態は、空間的弁別に依存せず、波長に関連する弁別に依存する。上述したように、ゴースト粒子が検出される重要な要因は、回折パターンである。しかし、回折パターンは、回折した入射放射線の波長に依存する。それぞれが自身の固有波長を有する２つ以上の放射線ソースを使用して、異なる回折パターンを生成する。波長ごとに検出器を使用して、各波長の回折パターンを個々の検出器で検出する。異なる波長の放射線ビームの様々な回折パターン、および他の内部反射および屈折も全て、対応する検出器に到達する可能性が非常に少ないように、波長を選択する。したがって、上述した実施形態の検出方法と同様に、各検出器からの各信号がノイズレベルより高いレベルを有することを検証することによって、検出した放射線に等方性因子があるかを判断することができる。
【００６４】
第一および第二検出器は、１つの検出器によって物理的に表され、その検出信号は、異なる波長を有する様々な放射線ビームからの幾つかの因子に分割できることが分かる。因子の数は、幾つかのビームを同時に検出した後に検出するか、例えばパルス状放射線ソースを使用して、幾つかの因子を次々に判断することができる。
【００６５】
図８は、本発明の上述した実施形態を示し、２つの放射線ソース３８Ａおよび３８Ｂが、異なる波長を有する２本の放射線ビーム４Ａおよび４Ｂを出力する。波長は、場合によって発生するような回折パターンが対応する検出器に向かう軌跡にて重なる可能性が低くなるように選択される。光学デバイス４４Ａが２本の放射線ビーム４Ａおよび４Ｂを結合し、結合したビームは、走査されるオブジェクトの表面に配向される。結合したビームは、他方の光学デバイス４６Ａを通過し、粒子１６に当たるか、当たらない。
【００６６】
散乱した後、反射、屈折および／または回折した放射線は、幾つかの光学デバイス４６Ｂが存在する場合に、それを通過する。次に、光学デバイス４４Ｂが放射線を、ビーム４Ａに対応する範囲の波長を有する放射線と、ビーム４Ｂに対応する範囲の波長を有する放射線に分割し、放射線を対応する検出器１２Ａまたは１２Ｂへと経路指示する。
【００６７】
ビーム４Ａおよび４Ｂは、上述したように異なる波長を有する。各ビーム４は、モノクローム放射線のビームであるか、特定の波長範囲内の波長を有する放射線を含んでよい。波長は、ビームが異なる回折パターンを確実に有するように、異なってよい。回折パターンは、入射放射線の波長に依存するからである。入射放射線ビーム４Ａおよび４Ｂがオブジェクトに入ると（したがって粒子に当たらないと）、回折、反射および／または屈折し、したがって入射放射線の一部が、検出器１２Ａまたは１２Ｂそれぞれの方向にてオブジェクトを出る。波長の違いによりその回折パターンが異なるので、両方の検出器１２Ａおよび１２Ｂがこのような異方性放射線を同時に受け取ることは、実質的に不可能である。したがって、ビーム４Ａおよび／または４Ｂからの放射線が回折、反射および／または屈折すると、個々の検出器１２Ａおよび１２Ｂのうち一方のみが、所定の閾値レベルより高いレベルを有する信号を出力することができ、したがって粒子が存在しないと判断される。
【００６８】
ビーム４Ａおよび４Ｂが粒子１６に当たると、両方のビーム４Ａおよび４Ｂは散乱し、両方のビーム４Ａおよび４Ｂから放射線の一部が、個々の検出器１２Ａおよび１２Ｂの方向に散乱／反射する。したがって、粒子が存在する場合、両方の検出器１２Ａおよび１２Ｂが、ある量の放射線を受け取り、所定のノイズレベルより高いレベルを有する放射線の受け取った量に対応する信号を出力し、したがって粒子が存在すると判断される。この実施形態では、第一および第二検出器は、１つの検出器で物理的に表され、検出された信号を、上述したように異なる波長を有する放射線の異なるビームからの幾つかの因子に分解することができる。
【００６９】
粒子が存在して、放射線を異方性状態で再配向し、等方性状態で再配向された放射線も検出器の一方に入射する場合は、両方の検出器が、閾値レベルより高いレベルを有する信号を出力する。しかし、一方の信号は、異方性および等方性状態で再配向された放射線を表すレベルを有し、別の信号は、異方性状態で再配向された放射線のみを表すレベルを有する。信号のレベルが違うにもかかわらず、両方の信号が、閾値レベルより高いレベルを有するので、汚染粒子が検出され、したがって粒子が存在すると判断される。波長の選択のせいで、両方の波長が対応する検出器に等方性（ゴースト）信号を提供するという結果になる可能性は低く、したがって粒子信号をゴースト信号から確実に弁別する。
【００７０】
本発明の上述した実施形態のそれぞれで、２つ以上の独立した信号が、閾値レベルより高いレベルを有することが検証される。全てのレベルが閾値レベルより高い場合、検出器回路は、表面上に粒子が存在すると判断する。このように、等方性の光が検出器に入射したことが検出されるからである。したがって、図９で示すような本発明の実施形態では、検出回路は、対応する数の入力信号を閾値レベルと比較するように構成された幾つかの比較器を含み、各比較器は論理的比較器信号を出力し、ＡＮＤ演算器は、各論理比較器信号を受信して、各論理比較し信号がＴＲＵＥを表す場合は、論理ＴＲＵＥ信号を出力するように構成される。したがって、表面上に粒子が存在する場合、検出回路は論理ＴＲＵＥを出力する。
【００７１】
図９は、表面上に粒子が存在するか否かを判断するために本発明の上述した実施形態で使用する検出回路を示す。幾つかの信号（検出回路の図示した実施形態では２つの信号）が、所定のノイズレベルを表す閾値レベルより高いレベルを有することを検証することによって、粒子が存在すると判断される。図９で示す例示的回路はディジタル回路である。しかし、回路はアナログ回路でもよい。
【００７２】
図９を参照すると、第一検出器システム１２Ａは、増幅器５０Ａへと信号を出力する。増幅器５０Ａの出力を、アナログ・ディジタル変換器５２Ａに入力する。しかし、増幅器５０Ａは検出回路の基本的構成要素ではない。検出器システム１２Ａの出力を、アナログ・ディジタル変換器５２Ａに直接入力してもよいからである。アナログ・ディジタル変換器５２Ａの出力を、第一入力として比較器５４Ａに供給し、所定のノイズレベルを表す閾値信号５６Ａを、第二入力として比較器５４Ａに入力する。比較器５４Ａは入力信号を比較して、論理的比較信号５８Ａを出力する。論理比較信号５８Ａを、第一入力としてＡＮＤ演算器６０に入力する。
【００７３】
検出回路の上述したブランチは、任意の回数存在してもよい。図９で示す実施形態では、検出器システム１２Ｂ、増幅器５０Ｂ、アナログ・ディジタル変換器５２Ｂ、比較器５４Ｂ、閾値信号５６Ｂおよび論理比較信号５８Ｂを含む第二ブランチがあり、信号５８ＢはＡＮＤ演算器６０にも入力する。同様に、検出回路には任意の数の同一ブランチが存在してもよい。これで、ＡＮＤ演算器６０は対応する数の入力を有する。論理ＡＮＤ演算器の出力６２は、粒子が存在するか否かを示す論理値を表す。
【００７４】
検出された散乱放射線の量は、検出された粒子のサイズの尺度である。したがって、検出回路は、粒子が存在するかを示すばかりでなく、粒子のサイズの推定値を示すような構成でもある。しかし、論理ＡＮＤ演算器の出力６２は、粒子が存在するか否かしか示さない。論理値は「ＴＲＵＥ」または「ＦＡＬＳＥ」しか表せないからである。サイズを示すためには、一方または両方の検出器の信号値を保存し、粒子が検出された場合は、検出回路の出力で表さなければならない。図９で示す検出回路は、粒子が検出された場合はサイズを出力し、粒子が検出されない場合は、ＮＵＬＬ信号を出力するように構成される。
【００７５】
また、検出回路にＡＤＤ演算器６６を設け、これは各アナログ・ディジタル変換器、図示の実施形態では変換器５２Ａおよび５２Ｂの出力を加算する。回路に存在するブランチが増加した場合、ＡＤＤ演算器６６は対応する数の入力部を有し、全ての入力信号を加算する。ＡＤＤ演算器６６の出力から、ＡＤＤ演算器の出力信号６８をＭＵＬ演算器７０に供給して、入力信号を乗じる。ＡＤＤ演算器の出力信号６８意外に、論理ＡＮＤ演算器の信号６２をＭＵＬ演算器７０に入力する。ＭＵＬ演算器の出力７２は、以下で説明するように、粒子が検出された場合に、そのサイズを表し、粒子が検出されない場合はＮＵＬＬを表す。
【００７６】
以下の説明から、当業者には検出回路が機能する方法が容易に理解される。回路は、任意の数の検出器信号に拡張してよいことが分かる。検出器１２Ａおよび１２Ｂは、検出器システム１２Ａおよび１２Ｂそれぞれが受け取る放射線の量を表す信号を出力する。出力は、増幅器５０Ａおよび５０Ｂそれぞれで増幅され、アナログ・ディジタル変換器５２Ａおよび５２Ｂそれぞれでディジタル化することができる。あるいは、ディジタル信号Ｓ１およびＳ２を、ソフトウェアで実行するアルゴリズムを使用して処理することができる。ソフトウェアでは、例えばより複雑なアルゴリズムを容易にプログラムし、使用することができる。検出回路は、アナログでもよく、したがって変換器５２Ａおよび５２Ｂを省略してよい。
【００７７】
変換器５２Ａおよび５２Ｂの出力は、このようにまだ検出器１２Ａおよび１２Ｂそれぞれの出力の信号値を表す。変換器５２Ａおよび５２Ｂの出力は個々の変換器５４Ａおよび５４Ｂに入力され、これは信号値を個々の閾値５６Ａおよび５６Ｂと比較して、検出器の出力が閾値より高いレベルを有するかを判断する。閾値５６Ａ、５６Ｂは、所定のノイズレベルを表す。検出器の出力がノイズレベルより低い場合は、検出器システム１２Ａ、１２Ｂが特定の最低量の放射線を受け取らず、その出力はノイズにすぎないと想定される。比較器５４Ａ、５４Ｂは、検出器の出力が閾値５６Ａ、５６Ｂより高い場合は、「ＴＲＵＥ」（「１」）を表し、検出器の出力が閾値５６Ａ、５６Ｂより低い場合は「ＦＡＬＳＥ」（「０」）を表す論理信号５８Ａ、５８Ｂを出力する。
【００７８】
両方の比較器５４Ａおよび５４Ｂが論理ＴＲＵＥ（「１」）を出力すると、ＡＮＤ演算器６０が、ＴＲＵＥを表す信号５８Ａ、５８Ｂしか受信せず、したがって論理ＴＲＵＥ（「１」）を出力する。一方またはどちらの入力５８Ａ、５８ＢもＦＡＬＳＥ（「０」）を表さない場合、ＡＮＤ演算器６０の出力６２はＦＡＬＳＥ（「０」）を表す。
【００７９】
ＡＤＤ演算器６６は、粒子が検出されるか否かに関係なく検出器の出力を加算する。検出器出力の加算は、図７の実施形態に関して説明した実施形態に特に適している。その実施形態では、受け取った量の放射線を検出器の２つの半分部分に分割し、２つの別個の信号として出力するからである。これで、相互に加算された２つの別個の信号は、受信した放射線の合計量を表す。図９で示す２つの検出器１２Ａおよび１２Ｂは、この場合、１つの検出器の２つの半分部分と解釈される。したがって、ＡＤＤ演算器の出力信号６８は、受け取った放射線の合計量を表す。
【００８０】
本発明の実施形態では、検出回路は、検出器信号に基づいて検出した粒子のサイズを判断するように構成することができる。検出器信号のレベルは、検出器に入射する検出放射線の強度を表す。入射放射線の強度は、検出粒子のサイズの尺度である。
【００８１】
ＡＤＤ演算器の出力信号６８は、ＭＵＬ演算器７０に入力される。ＭＵＬ演算器７０はさらに、粒子が存在する場合、および粒子が存在しない場合にそれぞれ、論理ＴＲＵＥ（「１」）またはＦＡＬＳＥ（「０」）も受信する。したがって、粒子が存在する場合、ＭＵＬ演算器７０はＡＤＤ演算器の出力信号６８と論理ＴＲＵＥ（「１」）を掛けて、その結果、ＡＤＤ演算器の出力信号６８と同じ信号値を有する出力信号７２になる。ＡＤＤ演算器の出力信号６８は、検出器１２Ａおよび１２Ｂが受け取った放射線の量を表し、したがって検出粒子のサイズの尺度である。したがって、ＭＵＬ演算器７０の出力７２は、検出した粒子のサイズを表す。粒子が検出されない場合は、ＡＤＤ演算器の出力信号６８に０（「ＦＡＬＳＥ」）を掛けるので、ＮＵＬＬを表す。
【００８２】
複数の信号を受信し、本発明の１つまたは複数の実施形態に関して上述したような検出器の各部分から１つ、または複数の検出器からの１つまたは複数の信号を受信した場合は、別個の各信号、または２つ以上の信号の組み合わせを使用して、粒子サイズを判断することができる。適切な組み合わせは、例えば１つの検出器から来た２つの信号の合計であり、したがって検出器全体に入射する放射線の強度を再構築する。
【００８３】
検出器に入射する光は、等方性および異方性状態で再配向された光、つまり粒子によって再配向された光およびゴースト粒子を表す光の両方を含むことがある。したがって、両方の信号が、閾値レベルより高いレベルを有し、第一信号が、第二信号よりはるかに高いレベルを有することがある。このような場合、第一信号は、入射光の等方性因子と異方性因子の両方により発生する。第二信号は、等方性因子、つまり粒子による散乱から生じた放射線のみを表す。したがって、検出回路の実施形態では、最低レベルを有する信号を粒子サイズの判断に使用する。
【００８４】
ＡＤＤ演算器６６を使用する代わりに、他の回路を使用して、粒子のサイズを表す信号を出力してよいことが分かる。例えば、両方の検出器１２Ａおよび１２Ｂが高い信号を出力する場合、その一方が散乱した等方性放射線ばかりでなく非等方性放射線も受け取ったと見なすことができる。したがって、一方の信号が他方よりはるかに高くなる。このような場合は、低い方の信号のみを使用するように考慮される。というのは、低い方の信号は、散乱放射線しか表さず、したがって散乱粒子のサイズをよりよく表すと想定されるからである。論理演算器またはアナログ回路を使用して回路を作成する方法は、当業者には容易に理解され、この回路は、低い方の信号を選択して、その信号を図９で示すＭＵＬ演算器７０へと出力する。
【００８５】
レチクルの汚染を検出し、汚染粒子のサイズを測定するために、内部または外部レチクル検査システムを使用することができる。これらのシステムは、レチクル表面（またはその一部）の２次元像を獲得するために、ディジタルカメラまたはスキャナを含んでよい。
【００８６】
２次元描像システムで分解能（ピクセルのサイズまたは走査ビームのスポットサイズ）より小さい粒子のサイズは、粒子を露光した時に最大反射信号強度（ピクセル強度）を測定し、それを既知の寸法の標準的ラテックス球で反射した光の量と比較することによって推定することができる。
【００８７】
形状およびサイズのような２次元ビットマップから粒子の特徴を抽出することも可能である。このような２次元ビットマップを使用して、２次元描像システムの分解能より大きい粒子のサイズを推定することができる。この方法を像特徴方法と呼ぶことができる。この方法は一般的に、２次元描像システムの分解能よりはるかに大きい粒子でのみ正確である。実際的な実施形態では、後者は約７０μｍである。
【００８８】
ラテックス等価球（ＬＥＳ）反射方法は、２次元描像システムの分解能より小さい汚染粒子にもうまく働くが、この方法は、比較的大きい粒子には望ましくない。というのは、非現実的な推定になり、基本的にこれらの粒子を小さすぎると分類するからである。反射方法で使用するラテックス球の範囲は、一般的に１０μｍから１００μｍに制限される。
【００８９】
粒子は、レチクルの上面および／または薄膜（硬質または軟質）の底面で検出されるので、粒子は常にレチクル上のパターンに対して焦点ずれの位置にあり、これは小さい粒子の方が描像に及ぼす影響が小さいので、小さい粒子は大きい粒子ほど重大ではないことを意味する。したがって、選択される汚染検出方法は、約６０μｍより大きい粒子のサイズも正確に推定しなければならない。
【００９０】
本発明の実施形態では、オブジェクト上の粒子を検出する新しい方法が提示される。第一に、レチクルの２次元像を取得する。この２次元像は粒子の反射強度を含む。次に、特定の閾値より高い強度を有し、接続したピクセルのクラスタにつき、この像を走査して、個々の粒子を突き止める。各ピクセルクラスタのサイズは、像特徴方法に従って判断することができるが、このサイズが所定値より小さい場合は、代わりにラテックス等価球反射方法を使用してもよい。像特徴方法による粒子サイズは、本発明の実施形態では全てのクラスタピクセルを含む長方形のバウンディングボックスの幅および高さを求めることによって、像から抽出する。あるいは、例えばクラスタピクセルの数、バウンディングボックスの対角線、または２つのクラスタピクセル間の最大距離を使用することができる。粒子は、極めて非対称のことがある（例えばバウンディングボックスの幅が高さより非常に大きい）ことが理解され、その場合は像特徴方法を使用してよい。
【００９１】
その結果の方法は、小さい粒子と大きい粒子の両方を検出できることが分かり、その範囲は、実際には２次元像のサイズによってのみ制限される。
【００９２】
本発明の別の実施形態は、検出器デバイスの表面の空間的弁別に依存する。本発明のこの実施形態を示す図１０Ａおよび図１０Ｂを参照すると、放射線遮断アセンブリ１３０は、オブジェクト１０２の表面１０２Ａから放射線検出器デバイス１１２までの放射線軌跡１２０（光軸）に位置決めされる。放射線遮断アセンブリ１３０はレンズ１３１およびダイヤフラム１３２を有する。汚染粒子１１６は、オブジェクト１０２の表面１０２Ａ上に存在する。放射線ビーム１１０が粒子１１６に入射する。粒子１１６によって再配向されたその結果の散乱放射線ビームが、検出器デバイス１１２に向かって伝播する円錐１１４として図示されている。
【００９３】
レンズ１３１は、オブジェクト１０２の表面１０２Ａの面上の放射線ソースから来る放射線を、検出器デバイス１１２の面に集束するように構成される。したがって、粒子１１６によって散乱した放射線ビーム１１４が検出器デバイス１１２に集束する。しかし、ダイヤフラム１３２が、レンズ１３１に入射する放射線の一部を遮断する。円錐１１４の放射線の一部はダイヤフラム１３２を通過して、それでも検出器デバイス１１２に集束される。汚染粒子１１６の像に対するダイヤフラム１３２からの影響は、検出器デバイス１１２上で放射線の強度が失われることである。
【００９４】
次に、上述した実施形態をさらに示す図１０Ｃおよび図１０Ｄを参照すると、ダイヤフラム１３２は、オブジェクト１０２の表面１０２Ａから放射線検出器デバイス１１２までの放射線軌跡１２０（光軸）に位置決めされる。
【００９５】
図１０Ｃおよび図１０Ｄでは、オブジェクト１０２の表面１０２Ａに汚染粒子が存在しない。放射線ビーム（図示せず）が表面１０２Ａに入射する。ビームは、屈折してオブジェクト１０２に入り、オブジェクト１０２内で反射して、場合によってはパターン表面１０２Ｂで回折する。その結果の円錐１１８内の回折放射線ビームが、ビーム１１９として図示されている。円錐１１８は、ゴースト粒子１２２から来て、レンズ１３１へと配向される可能な異方性放射線ビームのアセンブリと見なすことができる。
【００９６】
ダイヤフラム１３２が、レンズ１３１に向かって廃校された等方性放射線の一部を遮断する。ダイヤフラム１３２を通過する円錐１１４の放射線の一部が、検出器デバイス１１２上に集束している。粒子１１６Ａの像に対してダイヤフラム１３２からの影響は、検出器デバイス１１２上での放射線の強度が失われることである。
【００９７】
異方性ビームがパターン表面１０２Ｂ内で生成される場合、このビームが表面１０２Ｂを出るポイントを、ゴースト粒子１２２の位置と見なすことができる。表面１０２Ａにおける屈折のせいで、ゴーストビームはオブジェクト１０２を出る時に異なる方向を有し、ゴーストが図１０Ｃで示すような仮想ゴースト粒子１２２Ａに起源を有するように見える。ビームが１３１に到達すると、これは円錐１１８内に位置する。円錐１１８内でゴースト粒子１２２から来る異方性ビームに関しては、２つの可能性がある。ビームはダイヤフラム１３２によって遮断されるか、ビームが（部分的に）ダイヤフラム１３２を通過し、レンズ１３１に入射して、ポイント１１７に集束するのである。ポイント１１７は、レンズ１３１によって作成されたゴースト粒子１２２の像である。ゴースト粒子１２２Ａは、粒子１１６よりもさらにレンズ１３１から離れているので、ポイント１１７の像は、光学描像の法則に従い、検出器デバイス１１２上の粒子１１６の像の前で多少の距離に位置する。ゴースト粒子１２２からの放射線は、ポイント１１７を通過した後、検出器デバイス１１２に向かってさらに伝播し、その結果、区域１１２Ａの外側で検出器デバイス１１２の区域１１２Ｂまたは１１２Ｃ内のスポットになる。
【００９８】
図１０Ｅでは、区域１１２Ａ、１１２Ｂおよび１１２Ｃが拡大して図示されている。区域１１２Ａは、粒子１２２から来て、ポイント１１７に集束した円錐１１８の全ての可能なビームによって作成されたダイヤフラム１３２の影と言うことができる。したがって、検出器デバイス１１２の部分１１２Ａには、ゴースト粒子１２２の結果生じた放射線がない。検出器デバイス１１２の部分１１２Ａを、これ以降、検出器デバイス１１２のゴースト非検出部分１１２Ａと呼ぶ。したがって、図１０Ａから図１０Ｄで示した状況では、区域１１２Ａからの信号は、粒子１１６にのみ関係し、ゴースト粒子１２２には関係しない。
【００９９】
しかし、例外的な場合には、２次元パターン上の二重回折により、ゴースト粒子が図１０Ｃの面の外側にあるように見えることがあり、そのような場合は、ゴースト粒子が区域１１２Ａ、および１１２Ｂまたは１１２Ｃに入ることがある。粒子の存在の不正確な判断を防止するために、実施形態では、ゴースト粒子１２２に関係する区域１１２Ｂまたは１１２Ｃからの信号を使用する。検出器デバイス１１２（図１０Ｅ）上の粒子１１６の像１３３が、区域１１２Ａ内にある。したがって、区域１１２Ｂまたは１１２Ｃからの信号は、ゴースト粒子１２２にのみ関係し、実際の粒子１１６には関係しない。区域１１２Ｂまたは１１２Ｃを使用して、ゴースト粒子１２２の存在を警告することができる。これは、区域１１２Ａからの信号を粒子１１６からの信号として誤って解釈することがあり、信号が実際にはゴースト粒子に関係するという、図１０Ｃの面の外側に位置するゴースト粒子の上述した状況に有用である。したがって、区域１１２Ｂまたは１１２Ｃからの信号は誤った解釈を補正することができる。
【０１００】
ゴースト非検出部分１１２Ａのサイズは、ゴースト粒子１２２とレンズ１３１の焦点との距離に依存する。レンズ１３１の焦点は、汚染粒子１１６によって散乱した放射線が検出器デバイス１１２の部分１１２Ａで集束するように選択される。ゴースト非検出部分１１２Ａのサイズは、特にレンズ１３１の焦点、検出器デバイス１１２とポイント１１７との距離、およびダイヤフラム１３２のサイズに依存する。
【０１０１】
当業者には、図１０Ａから図１０Ｅで図示し、上述したような実施形態を、図６から図９に関して説明したような実施形態と本発明の技術を使用せずに組み合わせられることが分かる。例えば、ダイヤフラム１３２は、図６Ａから図６Ｄまたは図７Ａから図７Ｃで示すような形状を有してよい。このような実施形態では、ダイヤフラム１３２の幅は、側面図および／または上面図でレンズ１３１の幅とほぼ等しい。
【０１０２】
以上、本発明を好ましい実施形態にて説明し、図示してきたが、本発明の範囲内でそこから逸脱できることを理解されたい。本発明は、本明細書で開示された詳細に制限されない。
【０１０３】
本発明の詳細な実施形態を、必要に応じて本明細書で開示しているが、開示された実施形態は本発明の例示にすぎず、これは様々な形態で実現できることを理解されたい。したがって、本明細書で開示された特定の構造および機能の詳細は、制限的なものではなく、請求の範囲のベースにすぎず、ほぼ全ての適切な詳細構造に本発明を様々に使用することを当業者に教示する代表的ベースとして解釈される。さらに、本明細書で使用する用語および句は、制限的であるように意図したものではなく、本発明を理解可能であるように説明したものである。
【０１０４】
本明細書で使用する「１つの」という用語は、１つまたは１つより多いものと定義される。本明細書で使用する複数という用語は、２つまたは２つより多いと定義される。本明細書で使用する別という用語は、少なくとも２つまたはそれより多いものと定義される。本明細書で使用する含むおよび／または有するという用語は、有するものと定義される（つまりオープン言語）。本明細書で使用する結合という用語は、必ずしも直接的ではなく、必ずしも機械的ではない接続と定義される。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。
【図２】オブジェクトまたは粒子への放射線ビームの再配向を概略的に示したものである。
【図３】オブジェクトを出て、検出器システムによって検出される放射線のビームを概略的に示したものである。
【図４】放射線のビームが、検出器システムの方向でオブジェクトを出る前に、いかに内部屈折、回折および／または反射するかを概略的に示したものである。
【図５】放射線のビームが、検出器システムの方向でオブジェクトを出る前に、いかに内部および外部屈折、回折および／または反射するかを概略的に示したものである。
【図６】ＡからＤは、１次回折パターンが検出器システムに入射するのを防止するように構成された従来通りのダイヤフラムを概略的に示したものである。
【図７】ＡからＣは、本発明の実施形態によるダイヤフラムを概略的に示したものである。
【図８】２つの放射線ソースおよび２つの放射線検出器デバイスを含む粒子検出システムを概略的に示したものである。
【図９】本発明の実施形態による検出回路の回路図である。
【図１０】Ａは放射線遮断アセンブリを有する粒子検出システムの実施形態の略側面図である。  Ｂは、Ａの実施形態の略上面図である。  Ｃは放射線遮断アセンブリを有する粒子検出システムの実施形態の略側面図である。  Ｄは、Ｃの実施形態の略上面図である。  Ｅは、ＡからＤの実施形態の検出器デバイスの検出器面を概略的に示したものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【外国語明細書】
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