(57)【要約】      （修正有）【課題】２層構造の相変化型情報記録媒体において、各層の消去比が優れ、コントラストも改善され、記録信号品質が優れた２層相変化型情報記録媒体を提供する。【解決手段】第１基板と第２基板との間に、中間層を挟んで下記の組成式で表される第１記録層と第２記録層とを設ける。（第１記録層）Ｇｅα１Ｓｂβ１Ｔｅγ１Ｍ１δ１（第２記録層）Ｇｅα２Ｓｂβ２Ｓｎγ２Ｍ２δ２（ただし、Ｍ１はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｍ２はＩｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｖ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素である。）【選択図】図１
2006256196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層とが順次設けられ、第１基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう２層相変化型情報記録媒体において、第１情報層、第２情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第１情報層に形成された第１記録層および第２情報層に形成された第２記録層が、組成式
Ｇｅα１Ｓｂβ１Ｔｅγ１Ｍ１δ１（第１記録層）
Ｇｅα２Ｓｂβ２Ｓｎγ２Ｍ２δ２（第２記録層）
（ただし、Ｍ１はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｍ２はＩｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｖ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、
０＜α１＜１０、２５＜β１＜４０、０＜γ１＜１０、０≦δ１＜１０、
５＜α２＜２５、４５＜β２＜７５、１０＜γ２＜３０、０≦δ２＜１５）
で表わされることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。
（ただし、α１＋β１＋γ１＋δ１＝α２＋β２＋γ２＋δ２＝１００）
【請求項２】
前記第２記録層がＧｅα２Ｓｂβ２Ｓｎγ２Ｍｎδ２であり、
１０＜α２＜２５、４５＜β２＜６５、１０＜γ２＜２５、３＜δ２＜１５、α２＋β２＋γ２＋δ２＝１００、
であることを特徴とする請求項１に記載の２層相変化型情報記録媒体。
【請求項３】
前記第２記録層にＧａが５ａｔ％以下添加されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の２層相変化型情報記録媒体。
【請求項４】
前記第１記録層の膜厚が１４ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
【請求項５】
前記第１情報層の反射層膜厚が１４ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザーなどの光により情報の記録、再生などを行なうことができる２層相変化型情報記録媒体に関し、光ディスク（ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＨＤ−ＤＶＤ（ＲＷ）、ＢＤ（ＲＷ））に応用される。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク（相変化型情報記録媒体）は、一般的にプラスチック基板の上に相変化型材料からなる記録層を設け、その上に記録層の光吸収率を向上させ、かつ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とし、基板面側からレーザー光を入射して、情報の記録再生を行なう。
相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間で相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録再生に応用したものである。
更に光照射による加熱によって起る記録層の酸化、蒸散或いは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）、及び記録層と反射層の間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）を設ける。更に、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
【０００３】
近年、コンピュータ等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度であり、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、更に高記録密度化の要求が高まることが予想される。
【０００４】
このような相変化型情報記録媒体を高記録密度化する方法として、例えば使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、或いは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが提案されている。
【０００５】
記録媒体自体を改良して記録容量を高める方法としては、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を２つ重ね、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着した構造の２層相変化型情報記録媒体が、例えば特許文献１〜４等において提案されている。
この情報層間の接着部分である分離層（本発明においては中間層という）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生用レーザー光がなるべく多く奥側の情報層に到達する必要があるため、レーザー光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
この２層相変化型情報記録媒体については、例えば非特許文献１にもあるように、学会などでも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザー光が充分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録し再生することができないため、第１情報層を構成する反射層をなくすか又は極薄にするか、或いは第１情報層を構成する記録層を極薄にすることが考えられる。
相変化型情報記録媒体による記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射して急冷し、結晶を非晶質に変化させてマークを形成することにより行なわれるので、反射層を無くすか又は１０ｎｍ程度と非常に薄くすると、熱拡散効果が小さくなって、非晶質マークを形成することが困難になってしまう。
【０００６】
一方、第２情報層を記録、再生する場合は、レーザー光が第１情報層である程度吸収されてしまうため、第２情報層は、記録感度が高くなければならない。そのために、第１情報層とは違って充分な厚さの反射層を設けなくてはならない。
このことから、第１情報層と第２情報層は、熱特性が全く異なったものになり、第１情報層は第２情報層に比べて急冷しにくい、つまり非晶質化しにくくなる。この問題を解決するために、特許文献５〜６では、それぞれの情報層に異なる材料の記録層、具体的には第１情報層にＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系合金を、第２情報層にＳｂ７０Ｔｅ３０共晶組成近傍のＳｂ−Ｔｅ合金を用いている。しかしながらＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系合金は、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系合金に比べて再結晶化が小さく、融点も高い。そのため、第１情報層にもＳｂ−Ｔｅ共晶系合金を用いた方が、消去比、感度の点で最適である。
【０００７】
特許文献７では、第１記録層、第２記録層双方に、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系合金を用い、第１情報層の記録層のＳｂ，Ｔｅの原子比Ｓｂ／Ｔｅが、第２情報層の記録層よりも小さいことを特徴とする２層相変化型情報記録媒体を提案されている。Ｓｂ／Ｔｅ比を小さくすることによって、結晶化速度が小さくなり、急冷効果の少ない第１情報層でも良好に記録マークを形成することが可能である。しかし、第１情報層の透過率を上げるために記録層の厚さを薄くすると、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系合金では特に、結晶と非晶質との間での光学的特性の変化（コントラスト）が小さくなる傾向になるという問題があることが判明した。
青色レーザーを用いた場合は、特にその傾向が見られる。コントラストを大きくできれば、ジッターが小さくなるだけでなく、反射率を多段階に変えて復調する多値記録も可能となり、更なる容量の増大が可能となる。
【０００８】
我々は、特許文献８にて、２層相変化情報記録媒体であって、第１記録層と第２記録層の双方にＳｂＴｅ＋Ｇｅ系の材料を用い、第１、第２の層でＳｂ，Ｔｅ，Ｇｅの組成比を変えてなる情報記録媒体を提案している。
【０００９】
【特許文献１】特許第２７０２９０５号公報
【特許文献２】特開２０００−２１５５１６号公報
【特許文献３】特開２０００−２２２７７７号公報
【特許文献４】特開２００１−２４３６５５号公報
【特許文献５】特開平２００２−１４４７３６号公報
【特許文献６】特開平２００２−３６７２２２号公報
【特許文献７】特開平２００３−２４２６７６号公報
【特許文献８】特願２００４−１５３５０６号明細書
【非特許文献１】ＯＤＳ２００１  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ  Ｐ２２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、２層構造の相変化型情報記録媒体において、各層の消去比が優れ、コントラストも改善され、記録信号品質が優れた２層相変化型情報記録媒体の提供を目的とする。また、本発明の２層相変化型情報記録媒体は、多値記録が可能であり、通常の２値記録に対してもコントラストが大きくなることによって、記録再生のマージンが従来技術と比して大きく改善される。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題は、以下、本発明の（１）〜（５）によって解決される。
（１）「第１基板と第２基板の間に第１情報層、中間層、第２情報層とが順次設けられ、第１基板からレーザー光を入射して情報の記録・再生を行なう２層相変化型情報記録媒体において、第１情報層、第２情報層は、光の入射により、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起して情報を記録し得る記録層を有し、第１情報層に形成された第１記録層および第２情報層に形成された第２記録層が、組成式Ｇｅα１Ｓｂβ１Ｔｅγ１Ｍ１δ１（第１記録層）Ｇｅα２Ｓｂβ２Ｓｎγ２Ｍ２δ２（第２記録層）（Ｍ１はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｍ２はＩｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｖ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、０＜α１＜１０、２５＜β１＜４０、０＜γ１＜１０、０＜＝δ１＜１０、５＜α２＜２５、４５＜β２＜７５、１０＜γ２＜３０、０＜＝δ２＜１５）で表わされることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。（ただし、α１＋β１＋γ１＋δ１＝α２＋β２＋γ２＋δ２＝１００）」
第１記録層に消去比が優れた共晶ＳｂＴｅ系材料と、第２記録層に低融点で且つ高再生光耐性であるＧｅＳｂＳｎ系材料を併せて用いることにより、層構成等の記録媒体設計及び製造マージン、また、記録再生マージンが大きい。
（２）「前記第２記録層が、Ｇｅα２Ｓｂβ２Ｓｎγ２Ｍｎδ２であり、
１０＜α２＜２５、４５＜β２＜６５、１０＜γ２＜２５、３＜δ２＜１５、α２＋β２＋γ２＋δ２＝１００、であることを特徴とする前記（１）に記載の光情報記録媒体」
上記により、第２記録層の記録に適した熱特性であり、記録ジッターを低くすることができる。
（３）「前記第２記録層にＧａが５ａｔ％以下添加されていることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の光情報記録媒体」
上記により、記録条件に適した結晶化速度調整が容易となことから記録ジッターを低くすることができる。
（４）「前記第１記録層の膜厚が１４ｎｍ以上であることを特徴とする前記（１）乃至（３）のいずれかに記載光情報記録媒体」
上記により、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い。
（５）「前記第１情報層の反射層膜厚が１４ｎｍ以上であることを特徴とする前記（１）乃至（３）のいずれかに記載光情報記録媒体」
上記により、急冷構造となり、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い、また、高速記録への対応も可能である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の前記第（１）項記載の光情報記録媒体により、第１記録層に消去比が優れた共晶ＳｂＴｅ系材料と、第２記録層に低融点で且つ高再生光耐性であるＧｅＳｂＳｎ系材料を併せて用いることにより、層構成等の記録媒体設計及び製造マージン、また、記録再生マージンが大きい。
また、前記第（２）項記載の光情報記録媒体により、第２記録層の記録に適した熱特性であり、記録ジッターを低くすることができる。
また、前記第（３）項記載の光情報記録媒体により、記録条件に適した結晶化速度調整が容易となることから記録ジッターを低くすることができる。
また、前記第（４）項記載の光情報記録媒体により、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い。
また、前記第（５）項記載の光情報記録媒体により、急冷構造となり、信号のコントラストが大きく、再生信号のジッターが低い、また、高速記録への対応も可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の光記録媒体の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の２層相変化型情報記録媒体の一例を示す概略断面図であり、第１基板（３）の上に、第１情報層（１）、中間層（４）、第２情報層（２）、第２基板（５）を順次蓄積した構造からなるものである。
第１情報層（１）は、第１下部保護層（１１）、第１記録層（１２）、第１上部保護層（１３）、第１反射層（１４）、第１熱拡散層（１５）からなり、第２情報層（２）は、第２下部護層（２１）、第２記録層（２２）、第２上部保護層（２３）、第２反射層（２４）からなる。
第１上部保護層（１３）と第１反射層（１４）との間及び／又は第２上部保護層（２３）と第２反射層（２４）との間にバリア層（図示せず）を設けても構わない。なお、本発明の第１情報層（１）及び第２情報層（２）は、上記層構成に限定されるものではない。
【００１４】
また、図２は、本発明の２層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図であり、第１記録層（１２）に隣接するように第１下部界面層（１６）と第１上部界面層（１７）を設けたものである。
【００１５】
また図３は、本発明の２層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図であり、第１基板（３）と第１下部保護層（１１）との間に透明層（６）を設けたものである。このような透明層は、第１基板（３）に厚さの薄いシート状物を用い、製法が図１の記録媒体と相違する場合に設けられる。
【００１６】
第１基板（３）は、記録再生光が充分透過できる材質とする必要があるが、当該技術分野において従来から知られているものを用いればよい。
その材料としては、通常ガラス、セラミックス、樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
【００１７】
第１基板（３）の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザー光のトラッキング用のスパイラル状又は同心円状の溝などであって通常グルーブ部及びランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常、射出成形法又はフォトポリマー法などによって成型される。
また、第１基板（３）の厚さは、１０〜６００μｍ程度が好ましい。より好ましくは、７０〜１２０μｍ又は５５０〜６００μｍの範囲である。
【００１８】
第２基板（５）の材料としては、第１基板（３）と同じ材料を用いることができるが、記録再生光に対して不透明な材料を用いても良く、第１基板（３）とは、材質、溝形状が異なっても良い。
第２基板（５）の厚さは特に限定されないが、第１基板（３）との合計の厚さが１．２ｍｍになるように第２基板（５）の厚さを選択することが好ましい。
第２基板（５）は、第１基板（３）と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
【００１９】
中間層（４）、透明層（６）は、記録再生光の波長における光吸収が小さい方が好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。また、光ディスク貼り合わせ用の両面粘着テープ（例えば日東電工（株）の粘着シートＤＡ−８３２０）なども用いることができる。
【００２０】
中間層（４）には、第１基板（３）と同様に、射出成形又はフォトポリマー法などによって成形される、グルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されていてもよい。
中間層（４）は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層（１）と第２情報層（２）とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと層間クロストークが生じ、また７０μｍより厚いと、第２記録層（２２）を記録再生する際に球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
【００２１】
透明層（６）の厚さは特に限定されないが、図１のような透明層（６）を設けない製法により作製した光情報記録媒体の最適な第１基板（３）の厚さと、図３のような製法の異なる光情報記録媒体の第１基板（３）と透明層（６）の厚さの合計が同程度となるように、第１基板（３）と透明層（６）の厚さを調整する必要がある。
例えば、ＮＡ＝０．８５の場合であって、図１の光情報媒体の第１基板（３）の厚さが７５μｍで良好な記録、消去性能が得られたとすると、図３の光情報媒体の第１基板（３）の厚さが５０μｍならば、透明層（６）の厚さを２５μｍとすることが好ましい。
【００２２】
本発明において、第１記録層（１２）および第２記録層（２２）の材料は、組成式
Ｇｅα１Ｓｂβ１Ｔｅγ１Ｍ１δ１（第１記録層）
Ｇｅα２Ｓｂβ２Ｓｎγ２Ｍ２δ２（第２記録層）
で表わされる。
Ｍ１はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、Ｍ２はＩｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ｖ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ａｕから選ばれる少なくとも１つの元素であり、組成比は０＜α１＜１０、２５＜β１＜４０、０＜γ１＜１０、０≦δ１＜１０、５＜α２＜２５、４５＜β２＜７５、１０＜γ２＜３０、０≦δ２＜１５、α１＋β１＋γ１＋δ１＝α２＋β２＋γ２＋δ２＝１００、で表わされる。また、本発明においては，第２記録層（２２）の材料は、１０＜α２＜２５、４５＜β２＜６５、１０＜γ２＜２５、０≦δ２＜１５であることが好ましい。
α１、α２を上記範囲とすることで再生光に対する安定性が向上する。α２を１０以上にした場合は特に再生光に対する安定性が高いため、再生光強度を大きくすることができ、第１記録層（１２）の透過率が低い場合でも再生信号のコントラストを確保することが可能である。β１、β２、γ１、γ２を上記範囲とすることで繰り返し記録特性を良好にすることができる。δ１、δ２を上記範囲とすることで、ジッターや保存信頼性を向上させることができる。
【００２３】
これらの記録層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できるが、中でもスパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００２４】
第１記録層（１２）の厚さは特に限定されないが、８ｎｍ〜１６ｎｍの範囲が好ましい。より好ましくは１４ｎｍ＋−２の範囲である。８ｎｍ未満では再生信号コントラストが小さくなる傾向があり、１６ｎｍを越えると透過率が１０％未満となるため第２記録層（２２）への記録再生が困難となる。
【００２５】
第２記録層（２２）の厚さも特に限定されないが、８〜２０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは３〜１５ｎｍの範囲である。３ｎｍ未満では、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、２０ｎｍを超えると記録感度が低下してしまう傾向があるので、好ましくない。
【００２６】
第１上部界面層（１７）、第１下部界面層（１６）は、それぞれ第１上部保護層（１３）と第１記録層（１２）との間、第１下部保護層（１１）と第１記録層（１２）との間で物質が移動するのを防止する。これらの界面層は、繰り返し記録によって生じる物質移動を防止したり、記録層の結晶化を促進させる効果があるため、界面層を設けることで、繰り返し記録特性が極めて良好となる。
材料の具体例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＴａＮ、ＧｅＮなどの窒化物ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；あるいはそれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、ＧｅＮが特に好ましい。
【００２７】
界面層の厚さは、１〜１０ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２〜５ｎｍである。１ｎｍ未満では、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。１０ｎｍより厚いと、透過率が減少し第２情報層（２）の記録再生が困難になる。
また、第２上部保護層（２３）と第２記録層（２２）との界面および／又は第２記録層（２２）と第２下部保護層（２１）との界面に、上記の材料からなる界面層を設けても構わない。
【００２８】
第１反射層（１４）、第２反射層（２４）は、入射光を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化し易くするなどの機能を有するものであり、そのために通常、熱伝導率の高い金属が用いられ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ又はそれらの合金などを用いることができる。また、これらの元素の少なくとも１種を主成分とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｚｎなどから選ばれた少なくとも１種の元素を添加した材料を用いてもよい。ここで主成分とは、反射層材料全体の９０原子％以上、好ましくは９５原子％以上を占めることを意味する。
中でもＡｇ系材料は、青色波長領域でも屈折率が小さく、ｎが０．５以下で、光吸収を小さく抑えることができるので、本発明のような２層情報記録媒体の、特に第１情報層（１）の反射層（１４）に用いる材料として好ましいものである。
【００２９】
このような反射層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００３０】
第１情報層（１）は高い透過率が必要とされるため、第１反射層（１４）の材料として、屈折率が低く熱伝導率の高いＡｇ又はその合金を用いることが好ましい。また、その厚さは、３〜２０ｎｍ程度であることが好ましい。より好ましくは１４ｎｍ〜１６ｎｍの範囲である。３ｎｍ未満にすると、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し第２情報層の記録再生が困難になる。
【００３１】
また、第２情報層（２）を構成する第２反射層（２４）の厚さは、５０〜２００ｎｍ、より好ましくは８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎｍ未満になると繰り返し記録特性が低下し、２００ｎｍより厚くなると感度の低下を生じる傾向があるので好ましくない。
【００３２】
第１下部保護層（１１）と第２下部保護層（２１）及び第１上部保護層（１３）と第２上部保護層（２３）の機能と材質は、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様であり、第１記録層（１２）と第２記録層（２２）の劣化変質を防ぎ、接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有し、従来公知の材料が適用可能である。
材料の具体例としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンドライクカーボン；或いはそれらの混合物が挙げられる。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。最も好ましいのは、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物である。
【００３３】
このような保護層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１下部保護層（１１）と第２下部保護層（２１）の厚さは、３０〜２００ｎｍであることが好ましい。３０ｎｍ未満では、記録時の熱によって、第１基板又は中間層が変形してしまう恐れがあるし、２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じる傾向がある。従って、上記の範囲で、最適な反射率になるように膜厚の設計を行なう。
【００３４】
また、第１上部保護層（１３）と第２上部保護層（２３）の厚さは、３〜４０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは６〜２０ｎｍの範囲である。３ｎｍ未満になると記録感度が低下し、４０ｎｍより厚くなると放熱効果が得られなくなる傾向がある。
【００３５】
本発明の２層相変化型情報記録媒体は、上部保護層と反射層との間にバリア層を設けても構わない。前述のように、反射層としては、Ａｇ合金、保護層としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が最も好ましいが、この２層が隣接した場合、保護層中の硫黄が反射層のＡｇを腐食させる可能性があり、保存信頼性が低下する恐れがある。この不具合をなくすために、反射層にＡｇ系材料を用いた場合にはバリア層を設けることが好ましい。バリア層は、硫黄を含まず、かつ融点が記録層よりも高い必要があり、また、レーザー波長での吸収率が小さいことが望ましい。具体的にはＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；或いはそれらの混合物が挙げられる。中でもＳｉＣが好ましい。
【００３６】
バリア層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００３７】
バリア層の厚さは、２〜１０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは２〜５ｎｍの範囲である。２ｎｍ未満になると、Ａｇの腐食を防止する効果が得られなくなり保存信頼性が低下する。１０ｎｍより厚くなると、放熱効果が得られなくなったり透過率が低下する傾向がある。
【００３８】
第１熱拡散層（１５）としては、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。また、奥側の情報層を記録再生できるよう、記録再生用レーザー波長での吸収率が小さいことが望まれる。情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数が０．５以下であることが好ましく、より好ましくは０．３以下である。０．５より大きいと第１情報層（１）での吸収率が増大し、第２情報層（２）の記録再生が困難になる。
また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、屈折率は１．６以上であることが好ましい。これより小さいと、第１情報層（１）の透過率を大きくするのが困難になる。
【００３９】
以上のことから、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を含むことが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＡＴＯ（酸化スズ−アンチモン）、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）、ＢＮなどが挙げられる。中でもＩｎ２Ｏ３を主成分とする材料が好ましく、より好ましくはＩＴＯあるいはＩＺＯである。
【００４０】
第１熱拡散層（１５）は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００４１】
第１熱拡散層（１５）の膜厚は、１０〜２００ｎｍが好ましい。より好ましくは２０〜１００ｎｍの範囲である。１０ｎｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
なお、熱拡散層を第１下部保護層（１１）と第１基板（３）との間にも設けて、熱拡散効果の更なる向上を図っても何ら問題はない。
【００４２】
また、第１情報層（１）は、記録再生用レーザー光波長３５０〜７００ｎｍでの光透過率が３０〜６０％であることが好ましく、より好ましくは、４０〜５０％である。
初期化後に記録を行なった２層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファス状態での光透過率は結晶状態での光透過率より小さくても構わない。
【００４３】
次に、本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法の一つは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図３は、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示すものでもあり、第１基板（３）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
成膜工程としては、第１基板（３）のグルーブが設けられた面に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）のグルーブが設けられた面に第２情報層（２）を形成したものを別途作成する。
第１情報層（１）、第２情報層（２）のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
初期化工程としては、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまう恐れがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層（１）及び第２情報層（２）の上にＵＶ樹脂などをスピンコートし、紫外線を照射して硬化させオーバーコートを施しても良い。また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板側（３）から、第１情報層（１）、第２情報層（２）を初期化しても構わない。
次に、以上のようにして初期化した、第１基板（３）面上に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）面上に第２情報層（２）を形成したものとを、第１情報層（１）と第２情報層（２）を向かい合わせながら、中間層（４）を介して貼り合わせる。
例えば、何れか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させる。
【００４４】
また、図３に示すような本発明に係る２層相変化型情報記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程及び初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行なう。
図３は、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示すものでもあり、中間層（４）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
第一成膜工程としては、第２基板（５）上の案内溝の設けられた面に第２情報層（２）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
中間層（４）形成工程としては、第２情報層（２）上に案内溝を有する中間層（４）を形成する。例えば、第２情報層（２）上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料で作られたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させ、溝を形成することができる。
第二成膜工程としては、中間層（４）上に第１情報層（１）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
基板貼り合わせ工程としては、第１情報層（１）と第１基板（３）を、透明層（６）を介して貼り合わせる。例えば、第１情報層（１）上又は第１基板上（３）に、透明層（６）の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層（１）と第１基板（３）とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させる。また、透明層（６）を形成せずに、第１基板（３）の材料である樹脂を第１情報層（１）上に塗布し、硬化させることによって、第１基板（３）を形成してもよい。
初期化工程として、第１基板（３）側から、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより記録層全面を初期化（結晶化）する。第２情報層（２）に対しては、中間層（４）形成工程直後に初期化を行なっても何ら問題はない。
【実施例】
【００４５】
（実施例１〜５）、（比較例１）
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイド用の凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板（３）上に（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１下部保護層（１１）（厚さ１２０ｎｍ）、ＧｅＮからなる第１下部界面層（１６）（厚さ３ｎｍ）、組成式Ｓｂα１Ｔｅβ１Ｇｅγ１Ｍ１δ１からなる第１記録層（１２）（材料及び厚さを表１に記載）、ＧｅＮからなる第１上部界面層（１７）（厚さ３ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第１上部保護層（１３）（厚さ１５ｎｍ）、ＳｉＣからなる第１バリア層（３ｎｍ）、Ａｇからなる第１反射層（１４）（厚さは表１に記載）、ＩＺＯ（（Ｉｎ２Ｏ３）９０・（ＺｎＯ）１０）からなる第１熱拡散層（１５）（厚さ４０ｎｍ）の順にＢａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した（各実施例および比較例の第１記録層材料組成は表１参照）。
【００４６】
次に、第１基板（３）と同じ構成の第２基板（５）上にＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１からなる第２反射層（２４）（厚さ１２０ｎｍ）、ＳｉＣからなる第１バリア層（３ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２上部保護層（２３）（厚さ２０ｎｍ）、組成式Ｓｂα２Ｔｅβ２Ｇｅγ２Ｍ２δ２からなる第２記録層（２２）（厚さ１２ｎｍ）、（ＺｎＳ）７０・（ＳｉＯ２）３０からなる第２下部保護層（２１）（厚さ１３０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した（各実施例および比較例の第２記録層材料組成は表２参照）。
次に、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、それぞれ第１基板（３）側、第２情報層（２）膜面側からレーザー光を照射し、初期化処理を行なった。
次に、第１情報層（１）の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板（５）の第２情報層（２）面側と貼り合わせてスピンコートし、第１基板（３）側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層（４）とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層（４）の厚さは３５μｍとした。
【００４７】
上記のようにして作成した各記録媒体に対し、下記の条件で記録を行なった。
・レーザー波長：４０７ｎｍ
・ＮＡ＝０．６５
・線速：６．０ｍ／ｓ
・トラックピッチ０．４３μｍ
線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでＥＦＭ信号を記録したときの第１情報層（１）、第２情報層（２）の３Ｔマークのジッター、及び、１００回オーバーライト後の第１情報層（１）、第２情報層（２）の３Ｔマークのジッター及びモジュレーションを測定した。各記録媒体の測定結果を表１、表２に示す。
【００４８】
【表１】
2006256196.tif 000003
【００４９】
【表２】
2006256196.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の２層相変化型情報記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の２層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の２層相変化型情報記録媒体の他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  第１情報層
２  第２情報層
３  第１基板
４  中間層
５  第２基板
６  透明層
１１  第１下部保護層
１２  第１記録層
１３  第１上部保護層
１４  第１反射層
１５  第１熱拡散層
１６  第１下部界面層
１７  第１上部界面層
２１  第２下部保護層
２２  第２記録層
２３  第２上部保護層
２４  第２反射層
【図１】
2006256196.tif 000005
【図２】
2006256196.tif 000006
【図３】
2006256196.tif 000007