(57)【要約】【課題】ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を１個のブロックマスクを使用して一括露光できるようにし、半導体装置製造のスループット向上を図ることができるようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、これら複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造し、このブロックマスクを使用してウエハ上のレジストにパターンを電子ビームで転写する。【選択図】          図５
2006339469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成し、該ブロックマスク製造用露光データを使用して前記ブロックマスクを製造する工程と、
製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成し、該荷電粒子ビーム露光データと前記ブロックマスクを使用して前記ウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行う工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記荷電粒子ビーム露光データを作成する場合において、
前記設計データからブロック露光するＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出する場合に複数通りの方法がある場合、抽出し得るＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンのうち、面積が最も小さいＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、
製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を含む
ことを特徴とする荷電粒子ビーム露光データ作成方法。
【請求項４】
コンピュータに、
縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、
製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を
実行させるプログラムを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム。
【請求項５】
縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有する
ことを特徴とするブロックマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置の製造に使用する荷電粒子ビーム露光装置に与える荷電粒子ビーム露光データを作成する荷電粒子ビーム露光データ作成方法及び荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム、並びに、荷電粒子ビーム露光装置に搭載して使用するブロックマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、ウエハに塗布したレジストに、製造対象の半導体装置の回路パターン（回路図形）を転写するために、紫外光や電子ビームを使用した露光が行われる。電子ビーム露光は、紫外光露光よりも微細なパターンの転写が可能であり、次世代の露光方法として開発が進められている。
【０００３】
電子ビーム露光方法には、電子ビームのサイズを可変させてパターンを１つずつ転写する可変矩形露光方法と、複数のパターンを一括して転写する一括露光（ブロック露光）方法があり、図１２（Ａ）は可変矩形露光を行う場合の電子ビーム露光装置の状態、図１２（Ｂ）は一括露光を行う場合の電子ビーム露光装置の状態を概念的に示している。
【０００４】
図１２中、１は電子ビームを放射する電子銃、２は電子銃１から放射された電子ビームを、例えば、５μｍ四方の矩形に成形する第１アパーチャ、３は第１アパーチャ２で矩形に成形された電子ビームを任意サイズの矩形に成形する第２アパーチャであり、可変矩形露光を行う場合に使用するものである。
【０００５】
４は一括露光を行う場合に使用するブロックマスク、５、６はブロックマスク４中の２個のブロック、７、８、９はブロック５が有するパターン（開口パターン）、１０は露光対象であるレジストが塗布されたウエハである。なお、ブロック５、６は、例えば、５μｍ四方とされる。
【０００６】
可変矩形露光を行う場合には、図１２（Ａ）に示すように、第２アパーチャ３が使用され、電子銃１から放射された電子ビームは、第１アパーチャ２で、例えば、５μｍ四方の矩形に成形され、更に、第２アパーチャ３で任意サイズの矩形に成形され、ウエハ１０に塗布されたレジストに照射される。
【０００７】
一括露光を行う場合には、図１２（Ｂ）に示すように、ブロックマスク４が使用され、電子銃１から放射された電子ビームは、第１アパーチャ２で、例えば、５μｍ四方の矩形に成形され、更に、ブロックマスク４上のブロックに照射されてブロックが有するパターンの形状に成形され、ウエハ１０に塗布されたレジストに照射される。一括露光は、可変矩形露光よりもショット数（露光回数）が少なく、スループットの向上を図ることができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
一括露光を行う場合に電子ビーム露光装置に与えるべき半導体装置製造用露光データ（使用するブロックのブロックマスク上の位置や、電子ビームのウエハ上の照射位置等のデータ）は、製造対象の半導体装置の設計データ（回路パターンデータ）とブロックマスク製造用露光データ（ブロックマスクに搭載するブロックやその位置等のデータ）を使用して作成され、また、製造対象の半導体装置の設計データ及びブロックマスク製造用露光データは、基本的な回路を構築するためのパターン群（以下、論理セルライブラリと称する）を使用して作成される（例えば、特許文献２の図４参照。）。
【０００９】
図１３は従来の半導体装置の設計データ作成方法及びブロックマスク製造用露光データ作成方法の一例を示す図である。図１３中、１２は論理セルライブラリが格納されているパターンデータ、１３、１４、１５はパターンデータ１２の中の論理セルライブラリを組み合わせて作成された製造対象の半導体装置Ａ、Ｂ、Ｃの設計データである。
【００１０】
１６はパターンデータ１２から論理セルライブラリをブロックとして抽出し、ブロックマスク製造用露光データを作成するブロックマスク製造用露光データ作成装置、１７はブロックマスク製造用露光データ作成装置１６が作成したブロックマスク製造用露光データ、１８はブロックマスク製造用露光データ１７を使用して製造されたブロックマスクである。
【００１１】
即ち、半導体装置Ａ、Ｂ、Ｃを製造する場合には、一方において、パターンデータ１２の中の論理セルライブラリを組み合わせて半導体装置Ａ、Ｂ、Cの設計データ１３、１４、１５が作成され、他方において、ブロックマスク製造用露光データ作成装置１６により、パターンデータ１２から半導体装置Ａ、Ｂ、Ｃの製造に必要な論理セルライブラリがブロックとして抽出されてブロックマスク製造用露光データ１７が作成され、これに基づいてブロックマスク１８が製造される。
【００１２】
図１４は従来の半導体装置製造用露光データ作成方法の一例を示す図である。図１４（Ａ）は半導体装置Ａを製造する場合、図１４（Ｂ）は半導体装置Ｂを製造する場合、図１４（Ｃ）は半導体装置Ｃを製造する場合を示しており、１９は半導体装置製造用露光データ作成装置、２０、２１、２２は半導体装置製造用露光データ、２３は電子ビーム露光装置、２４、２５、２６はウエハである。
【００１３】
即ち、半導体装置Ａが製造される場合には、図１４（Ａ）に示すように、半導体装置Ａの設計データ１３とブロックマスク製造用露光データ１７とを使用し、半導体装置製造用露光データ作成装置１９により半導体装置Ａを製造するための半導体装置製造用露光データ２０が作成される。そして、半導体装置製造用露光データ２０とブロックマスク１８とが使用され、電子ビーム露光装置２３により半導体装置Ａを製造するためのウエハ２４に対する露光が行われる。
【００１４】
また、半導体装置Ｂが製造される場合には、図１４（Ｂ）に示すように、半導体装置Ｂの設計データ１４とブロックマスク製造用露光データ１７とを使用し、半導体装置製造用露光データ作成装置１９により半導体装置Ｂを製造するための半導体装置製造用露光データ２１が作成される。そして、半導体装置製造用露光データ２１とブロックマスク１８とが使用され、電子ビーム露光装置２３により半導体装置Ｂを製造するためのウエハ２５に対する露光が行われる。
【００１５】
また、半導体装置Ｃが製造される場合には、図１４（Ｃ）に示すように、半導体装置Ｃの設計データ１５とブロックマスク製造用露光データ１７とを使用し、半導体装置製造用露光データ作成装置１９により半導体装置Ｃを製造するための半導体装置製造用露光データ２２が作成される。そして、半導体装置製造用露光データ２２とブロックマスク１８とが使用され、電子ビーム露光装置２３により半導体装置Ｃを製造するためのウエハ２６に対する露光が行われる。
【００１６】
ところで、パターンデータ１２内の論理セルライブラリには、ウエハプロセス工程ごとに、アイソレーション、ゲート、コンタクト、メタル第１層などのパターンが格納されている。図１５は論理セルライブラリの第１例のメタル第１層を示す図であり、図１５中、２８、２９は電源配線パターン、３０〜３２は信号配線パターン、Ａは信号配線パターン幅、Ｂは信号配線パターン間サイズである。信号配線パターン幅Ａと信号配線パターン間サイズＢは、半導体装置の面積をなるべく小さくするため、製造上、許される最小のサイズに設定され、デザインルール（設計規則）としてテクノロジ（１３０ｎｍテクノロジ、９０ｎｍテクノロジ等)ごとに決まっている。
【００１７】
図１６、図１７は信号配線パターンの配置規則例を説明するための図であり、メタル第１層を例にしている。図１６、図１７において、３４、３５は電源配線パターンであり、通常、電源配線パターン３４、３５間に、各ウエハプロセス工程ごとの信号配線パターンが配置されるが、半導体装置の面積をなるべく小さくするために、縦方向と横方向にそれぞれ信号配線パターンを配置する領域と配置しない領域を格子状に設定する手法が多く用いられる。
【００１８】
図１６は縦方向に延びる信号配線パターンの配置規則例を説明するための図である。図１６中、３６〜４５は縦方向に延びる信号配線パターンの配置が許される領域（幅Ａの領域）であり、領域３６〜４５の隣の領域（幅Ｂの領域）は縦方向に延びる信号配線パターンの配置が禁止される領域である。したがって、例えば、信号配線パターン４７の配置は許されるが、信号配線パターン４８の配置は許されない。
【００１９】
図１７は横方向に延びる信号配線パターンの配置規則例を説明するための図である。図１７中、５０〜５５は横方向に延びる信号配線パターンの配置が許される領域（幅Ａの領域）であり、領域５０〜５５の隣の領域（幅Ｂの領域）は横方向に延びる信号配線パターンの配置が禁止される領域である。したがって、例えば、信号配線パターン５６の配置は許されるが、信号配線パターン５７の配置は許されない。
【００２０】
図１８は論理セルライブラリの第２例を示す図であり、図１６及び図１７に示す信号配線パターン配置規則に従って作成した論理セルライブラリの例である。電源配線パターン３４、３５間に、信号配線パターン５９〜６４が配置されている。
【００２１】
図１９は論理セルライブラリの第３例を示す図である。図１９中、６６、６７は電源配線パターン、６８はｎ型ＭＯＳトランジスタのゲートパターン、６９はｐ型ＭＯＳトランジスタのゲートパターン、７０、７１はコンタクトパターン、７２はメタル第１層の信号配線パターンを示している。
【００２２】
半導体装置の主流であるＣＭＯＳでは、図１９に示すように、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲートパターン６８とｐ型ＭＯＳトランジスタのゲートパターン６９が縦に並んで配置される場合が多い。また、メタル第１層の信号配線パターンは、２種類のトランジスタ間の配線を行うので、鈎状の形状を有するパターンになる場合が殆どである。
【００２３】
なお、図２０は鉤状パターンの例を示す図であり、鉤状パターン７４について可変矩形露光を行う場合には、鉤状のパターン７４は、２個の矩形パターン７５、７６に分割され、２ショットになるが、一括露光であれば、１ショットになる。
【特許文献１】特開２００１−１６０５２９号公報
【特許文献２】特開２００２−２５９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
ここで、例えば、半導体装置Ａの場合には、１番から８００番の論理セルライブラリを使用し、半導体装置Ｂの場合には、７００番から１０００番の論理セルライブラリを使用するというように、同一テクノロジでも、半導体装置の仕様が異なると、使用される論理セルライブラリも異なる場合がある。実際上、１種類のテクノロジで用意すべき論理セルライブラリの種類数は１０００以上にもなる。しかしながら、１個のブロックマスクに搭載できるブロックの最大数は１００〜４００個程度であり、全ての論理セルライブラリをブロックとして抽出し、１個のブロックマスクに搭載するのは不可能であり、これが、半導体装置製造のスループット低下を招いていた。
【００２５】
本発明は、かかる点に鑑み、ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を１個のブロックマスクを使用して一括露光できるようにし、半導体装置製造のスループット向上を図ることができるようにした半導体装置の製造方法、荷電粒子ビーム露光データ作成方法、荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム、及び、ブロックマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法は、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成し、該ブロックマスク製造用露光データを使用して前記ブロックマスクを製造する工程と、製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成し、該荷電粒子ビーム露光データと前記ブロックマスクを使用して前記ウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行う工程を含むものである。
【００２７】
本発明の荷電粒子ビーム露光データ作成方法は、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を含むものである。
【００２８】
本発明の荷電粒子ビーム露光データ作成プログラムは、コンピュータに、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を実行させるプログラムを含むものである。
【００２９】
本発明のブロックマスクは、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するものである。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、使用するブロックマスクは、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、これら複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有しているので、ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を一括露光でき、半導体装置製造のスループット向上を図ることができる。
【００３１】
本発明の荷電粒子ビーム露光データ作成方法によれば、本発明の半導体装置の製造方法で使用するブロックマスク製造用露光データ及び半導体装置製造用露光データを作成することができ、半導体装置製造のスループット向上を図ることができる。
【００３２】
本発明の荷電粒子ビーム露光データ作成方法プログラムによれば、本発明の半導体装置の製造方法で使用するブロックマスク製造用露光データ及び半導体装置製造用露光データを作成することができ、半導体装置製造のスループット向上を図ることができる。
【００３３】
本発明のブロックマスクによれば、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、これら複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するので、ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を一括露光でき、半導体装置製造のスループット向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図１〜図１１を参照して、本発明の半導体装置の製造方法、荷電粒子ビーム露光データ作成方法、荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム及びブロックマスクの一実施形態について説明するが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱することなく、種々の形態を取り得るものである。
【００３５】
図１は本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す流れ図である。本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態では、まず、デザインルールが記述された制御ファイルから、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、これら複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成し（ステップＰ１）、このブロックマスク製造用露光データを使用してブロックマスクを製造する（ステップＰ２）。
【００３６】
次に、製造対象の半導体装置の設計データ（回路パターンデータ）と、ステップＰ１で作成したブロックマスク製造用露光データを使用し、ウエハ上のレジストにパターンを電子ビームで転写するための半導体装置製造用露光データを作成し（ステップＰ３）、この半導体装置製造用露光データと、ステップＰ２で作成したブロックマスクを使用し、ウエハ上のレジストにパターンを電子ビームで転写する（ステップＰ４）。
【００３７】
なお、ブロックマスク製造用露光データ作成工程（ステップＰ１）と半導体装置製造用露光データ作成工程（ステップＰ３）は、本発明の荷電粒子ビーム露光データ作成方法の一実施形態を構成するものであり、これらは、ブロックマスク製造用露光データ作成プログラム及び半導体装置製造用露光データ作成プログラムを使用してコンピュータで実行することができる。
【００３８】
ここで、制御ファイルには、デザインルールとして、信号配線パターン幅、信号配線パターン間サイズ、及び、電子ビームサイズが記述される。電子ビームサイズは、図１２に示す電子ビーム露光装置の場合、第１アパーチャで成形された矩形の電子ビームのサイズである。
【００３９】
図２は制御ファイルへのデザインルールの記述例を示す図である。図２の例では、デザインルールは、信号配線パターン幅＝０.１３μｍ、信号配線パターン間サイズ＝０.２６μｍ、電子ビームサイズ（ブロックサイズ）＝５.００μｍ（縦と横ともに５.００μｍを意味する）とされているが、ブロックマスク製造用露光データ作成工程（ステップＰ１）では、制御ファイルに記述されているデザインルールから、ブロックに形成するＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンのサイズや、作成するブロックの数を決定することになる。
【００４０】
図３は本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で実行するブロックマスク製造工程（ステップＰ１、Ｐ２）を示す図である。図３中、７８は制御ファイル、７９はブロックマスク製造用露光データを作成するブロックマスク製造用露光データ作成装置、８０はブロックマスク製造用露光データ作成装置７９で作成したブロックマスク製造用露光データ、８１はブロックマスク製造用露光データ８０を使用して作成したブロックマスクである。
【００４１】
図４はブロックマスク製造用露光データ作成装置７９の動作を示す流れ図である。ブロックマスク製造用露光データ作成装置７９は、制御ファイル７８を入力し（ステップＱ１）、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、これら複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを作成し（ステップＱ２）、ブロックとそのブロックマスク上の位置等の情報を含むブロックマスク製造用露光データ８０を作成して出力する（ステップＱ３）。
【００４２】
即ち、本実施形態で実行されるブロックマスク製造工程（ステップＰ１、Ｐ２）は、より具体的には、制御ファイル７８をブロックマスク製造用露光データ作成装置７９に入力し、ブロックマスク製造用露光データ作成装置７９で、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、これら複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データ８０を作成し、このブロックマスク製造用露光データ８０を使用してブロックマスク８１を製造するというものである。
【００４３】
図５はブロックマスク製造用露光データ作成装置７９で作成するＬ字状パターンを有するブロックを示す図である。図５中、８３−１、８３−２、８３−Ｎ、８４−１、８４−２、８４−Ｎ、８５−１、８５−２、８５−Ｎ、８６−１、８６−２、８６−Ｎはブロックであり、ブロック８３−３〜８３−（Ｎ−１）、８４−３〜８４−（Ｎ−１）、８５−３〜８５−（Ｎ−１）、８６−３〜８６−（Ｎ−１）は、図示を省略している。
【００４４】
ブロック８３−１は、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８７−１を有するものである。ブロック８４−１は、Ｌ字状パターン８７−１を反時計回りに９０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８８−１を有するものである。ブロック８５−１は、Ｌ字状パターン８７−１を反時計回りに１８０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８９−１を有するものである。ブロック８６−１は、Ｌ字状パターン８７−１を反時計回りに２７０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン９０−１を有するものである。
【００４５】
Ｌ字状パターン８７−１、８８−１、８９−１、９０−１は、幅を信号配線パターン幅とし、縦棒部の長さ９１−１、９２−１、９３−１、９４−１を電子ビームの一辺のサイズとし、横棒部の長さ９５−１、９６−１、９７−１、９８−１を｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×１｝としている。
【００４６】
ブロック８３−２は、縦棒部の方向をＬ字状パターン８７−１と同一とし、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８７−２を有するものである。ブロック８４−２は、Ｌ字状パターン８７−２を反時計回りに９０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８８−２を有するものである。ブロック８５−２は、Ｌ字状パターン８７−２を反時計回りに１８０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８９−２を有するものである。ブロック８６−２は、Ｌ字状パターン８７−２を反時計回りに２７０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン９０−２を有するものである。
【００４７】
なお、Ｌ字状パターン８７−２、８８−２、８９−２、９０−２は、横棒部の長さ９５−２、９６−２、９７−２、９８−２を｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×２｝としている。
【００４８】
ブロック８３−Ｎは、縦棒部の方向をＬ字状パターン８７−１と同一とし、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８７−Ｎを有するものである。ブロック８４−Ｎは、Ｌ字状パターン８７−Ｎを反時計回りに９０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８８−Ｎを有するものである。ブロック８５−Ｎは、Ｌ字状パターン８７−Ｎを反時計回りに１８０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン８９−Ｎを有するものである。ブロック８６−Ｎは、Ｌ字状パターン８７−Ｎを反時計回りに２７０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置したＬ字状パターン９０−Ｎを有するものである。
【００４９】
なお、Ｌ字状パターン８７−Ｎ、８８−Ｎ、８９−Ｎ、９０−Ｎは、横棒部の長さ９５−Ｎ、９６−Ｎ、９７−Ｎ、９８−Ｎを｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×Ｎ｝としている。
【００５０】
即ち、本実施形態では、ブロック８３−ｋ（但し、ｋ＝１、２、…、Ｎ）、８４−ｋ、８５−ｋ、８６−ｋが有するＬ字状パターン８７−ｋ、８８−ｋ、８９−ｋ、９０−ｋは、幅を信号配線パターン幅とし、縦棒部の長さ９１−ｋ、９２−ｋ、９３−ｋ、９４−ｋを電子ビームの一辺のサイズとし、横棒部の長さ９５−ｋ、９６−ｋ、９７−ｋ、９８−ｋを｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×ｋ｝とする。
【００５１】
図６はブロックマスク製造用露光データ作成装置７９で作成する逆Ｌ字状パターンを有するブロックを示す図である。図６中、１００−１、１００−２、１００−Ｎ、１０１−１、１０１−２、１０１−Ｎ、１０２−１、１０２−２、１０２−Ｎ、１０３−１、１０３−２、１０３−Ｎはブロックであり、ブロック１００−３〜１００−（Ｎ−１）、１０１−３〜１０１−（Ｎ−１）、１０２−３〜１０２−（Ｎ−１）、１０３−３〜１０３−（Ｎ−１）は、図示を省略している。
【００５２】
ブロック１００−１は、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０４−１を有するものである。ブロック１０１−１は、逆Ｌ字状パターン１０４−１を反時計回りに９０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０５−１を有するものである。ブロック１０２−１は、逆Ｌ字状パターン１０４−１を反時計回りに１８０度回転させた逆Ｌ字状パターン１０６−１を有するものである。ブロック１０３−１は、逆Ｌ字状パターン１０４−１を反時計回りに２７０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０７−１を有するものである。
【００５３】
なお、逆Ｌ字状パターン１０４−１、１０５−１、１０６−１、１０７−１は、横棒部の長さ１１２−１、１１３−１、１１４−１、１１５−１を｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×１｝としている。
【００５４】
ブロック１００−２は、縦棒部の方向を逆Ｌ字状パターン１０４−１と同一とし、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０４−２を有するものである。ブロック１０１−２は、逆Ｌ字状パターン１０４−２を反時計回りに９０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０５−２を有するものである。ブロック１０２−２は、逆Ｌ字状パターン１０４−２を反時計回りに１８０度回転させた逆Ｌ字状パターン１０６−２を有するものである。ブロック１０３−２は、逆Ｌ字状パターン１０４−２を反時計回りに２７０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０７−２を有するものである。
【００５５】
なお、逆Ｌ字状パターン１０４−２、１０５−２、１０６−２、１０７−２は、横棒部の長さ１１２−２、１１３−２、１１４−２、１１５−２を｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×２｝としている。
【００５６】
ブロック１００−Ｎは、縦棒部の方向を逆Ｌ字状パターン１０４−１と同一とし、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０４−Ｎを有するものである。ブロック１０１−Ｎは、逆Ｌ字状パターン１０４−Ｎを反時計回りに９０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０５−Ｎを有するものである。ブロック１０２−Ｎは、逆Ｌ字状パターン１０４−Ｎを反時計回りに１８０度回転させた逆Ｌ字状パターン１０６−Ｎを有するものである。ブロック１０３−Ｎは、逆Ｌ字状パターン１０４−Ｎを反時計回りに２７０度回転させ、縦棒部及び横棒部をブロックの辺に沿わせるように配置した逆Ｌ字状パターン１０７−Ｎを有するものである。
【００５７】
なお、逆Ｌ字状パターン１０４−Ｎ、１０５−Ｎ、１０６−Ｎ、１０７−Ｎは、横棒部の長さ１１２−Ｎ、１１３−Ｎ、１１４−Ｎ、１１５−Ｎは｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×Ｎ｝としている。
【００５８】
即ち、本実施形態では、ブロック１００−ｋ、１０１−ｋ、１０２−ｋ、１０３−ｋが有する逆Ｌ字状パターン１０４−ｋ、１０５−ｋ、１０６−ｋ、１０７−ｋは、幅を信号配線パターン幅とし、縦棒部の長さ１０８−ｋ、１０９−ｋ、１１０−ｋ、１１１−ｋを電子ビームの一辺のサイズとし、横棒部の長さ１１２−ｋ、１１３−ｋ、１１４−ｋ、１１５−ｋを｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×ｋ｝とする。
【００５９】
なお、本実施形態では、｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×Ｎ｝＝電子ビームの一辺のサイズとされているが、一般的には、Ｎの値は、Ｌ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの横棒部の長さが電子ビームのサイズを超えない範囲での最大値が許容値とされる。したがって、縦棒部の長さも、一般的には、｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×Ｎ｝とされる。
【００６０】
図７は本発明の荷電粒子ビーム露光方法の一実施形態で実行されるウエハに対する露光方法（ステップＰ３、Ｐ４）を示す図である。図７（Ａ）は半導体装置Ａを製造する場合、図７（Ｂ）は半導体装置Ｂを製造する場合、図７（Ｃ）は半導体装置Ｃを製造する場合を示している。
【００６１】
図７中、１１７は制御ファイル７８を使用して作成した製造対象の半導体装置Ａの設計データ（回路パターンデータ）、１１８は制御ファイル７８を使用して作成した製造対象の半導体装置Ｂの設計データ（回路パターンデータ）、１１９は制御ファイル７８を使用して作成した製造対象の半導体装置Ｃの設計データ（回路パターンデータ）、１２０は半導体装置製造用露光データを作成する半導体装置製造用露光データ作成装置である。
【００６２】
１２１は半導体装置Ａを製造するための半導体装置製造用露光データ、１２２は半導体装置Ｂを製造するための半導体装置製造用露光データ、１２３は半導体装置Ｃを製造するための半導体装置製造用露光データ、１２４は電子ビーム露光装置、１２５は半導体装置Ａを製造するためのウエハ、１２６は半導体装置Ｂを製造するためのウエハ、１２７は半導体装置Ｃを製造するためのウエハである。
【００６３】
図８は半導体装置製造用露光データ作成装置１２０の動作を示す流れ図である。半導体装置製造用露光データ作成装置１２０は、製造対象の半導体装置の設計データを入力し（ステップＳ１）、続いて、ブロックマスク製造用露光データを入力する（ステップＳ２）。次に、半導体装置を製造するために必要なＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを抽出し（ステップＳ３）、半導体装置製造用露光データを出力する（ステップＳ４）。
【００６４】
したがって、例えば、半導体装置Ａを製造する場合には、図７（Ａ）に示すように、半導体装置Ａの設計データ１１７とブロックマスク製造用露光データ８０を使用し、半導体装置製造用露光データ作成装置１２０により半導体装置Ａを製造するための半導体装置製造用露光データ１２１を作成する。そして、半導体装置製造用露光データ１２１とブロックマスク８１を使用し、電子ビーム露光装置１２４により半導体装置Ａを製造するためのウエハ１２５に対する露光を行う。
【００６５】
また、半導体装置Ｂを製造する場合には、図７（Ｂ）に示すように、半導体装置Ｂの設計データ１１８とブロックマスク製造用露光データ８０を使用し、半導体装置製造用露光データ作成装置１２０により半導体装置Ｂを製造するための半導体装置製造用露光データ１２２を作成する。そして、半導体装置製造用露光データ１２２とブロックマスク８１を使用し、電子ビーム露光装置１２４により半導体装置Ｂを製造するためのウエハ１２６に対する露光を行う。
【００６６】
また、半導体装置Ｃを製造する場合には、図７（Ｃ）に示すように、半導体装置Ｃの設計データ１１９とブロックマスク製造用露光データ８０を使用し、半導体装置製造用露光データ作成装置１２０により半導体装置Ｃを製造するための半導体装置製造用露光データ１２３を作成する。そして、半導体装置製造用露光データ１２３とブロックマスク８１を使用し、電子ビーム露光装置１２４により半導体装置Ｃを製造するためのウエハ１２７に対する露光を行う。
【００６７】
図９はブロックマスク８１上のブロックに対する電子ビームの照射例を示す図である。図９中、１２９はブロック、１３０はＬ字状パターン、１３１はＬ字状パターン１３０の縦棒部の長さ、１３２はＬ字状パターン１３０の横棒部の長さ、１３３は電子ビームであり、図９（Ａ）は電子ビーム１３３をブロック１２９に全面照射した場合、図９（Ｂ）、図９（Ｃ）は電子ビーム１３３をブロック１２９に部分照射した場合を示している。
【００６８】
図９（Ｄ）は図９（Ａ）に示すように電子ビーム１３３をブロック１２９に全面照射した場合に、ウエハ上のレジストに転写されるＬ字状パターンを示している。図９（Ｅ）は図９（Ｂ）に示すように電子ビーム１３３をブロック１２９に部分照射した場合に、ウエハ上のレジストに転写されるＬ字状パターンを示しており、１３４は縦棒部の長さを示している。図９（Ｆ）は図９（Ｃ）に示すように電子ビーム１３３をブロック１２９に部分照射した場合に、ウエハ上のレジストに転写されるＬ字状パターンを示しており、１３５は縦棒部の長さを示している。
【００６９】
なお、半導体装置製造用露光データ作成装置１２０は、設計データからＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを抽出する場合（ステップＳ３）、ブロックマスク製造用露光データ８０内のブロックに対する全面照射又は部分照射によりウエハ上のレジストへの転写が可能であるか否かを確認する。その際、ブロックに照射する部分の電子ビームのサイズを求める。
【００７０】
また、半導体装置製造用露光データ作成装置１２０は、設計データからＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出する場合に複数通りの回路パターン分割方法がある場合、複数通りに回路パターン分割した場合に抽出し得る複数のＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンの面積を比較し、面積が最も小さいＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出できるように回路パターンを分割する。なぜなら、パターンの面積が小さいほど、一括露光時に電子ビーム中で発生するクーロン相互作用が小さく、このクーロン相互作用が小さいほど、ウエハに対するパターン露光精度が上がるからである。
【００７１】
図１０は設計データからＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出する場合に２通りの回路パターン分割方法がある場合の例を示す図である。図１０（Ａ）中、１３７は設計データに含まれている回路パターンの１個を示しており、この回路パターン１３７を図５又は図６に示すブロックを使用して一括露光する場合には、図１０（Ｂ）に示すように、Ｌ字状パターン１３８と矩形パターン１３９に分割するか、図１０（Ｃ）に示すように、矩形パターン１４０と逆Ｌ字状パターン１４１に分解する必要がある。
【００７２】
この例の場合、Ｌ字状パターン１３８の面積と逆Ｌ字状パターン１４１の面積を比較すると、逆Ｌ字状パターン１４１の面積の方が小さいので、回路パターン１３７を矩形パターン１４０と逆Ｌ字状パターン１４１に分解し、逆Ｌ字状パターン１４１を抽出する。なお、回路パターン１３７を可変矩形露光する場合には、図１０（Ｄ）に示すように、矩形パターン１４２、１４３、１４４に分解し、それぞれを露光することになる。
【００７３】
図１１はブロックマスク製造用露光データ作成装置７９及び半導体装置製造用露光データ作成装置１２０として使用されるコンピュータ・システムの概念図である。図１１中、１４６はパーソナル・コンピュータやエンジニアリング・ワークステーション等を構成するコンピュータ本体、１４７は入力装置、１４８はディスプレイ装置、１４９は通信装置である。
【００７４】
入力装置１４７は、コンピュータ本体１４６を操作するための各種コマンドや、要求された指示に対する応答等を入力する場合に使用するものであり、キーボードやマウス等である。ディスプレイ装置１４８は、コンピュータ本体１４６で処理された結果や、コンピュータ本体１４６を操作する際にユーザとの対話を可能にするための様々な情報を表示するものである。通信装置１４９は、他の装置との通信を行うものであり、モデムやネットワークインタフェース等である。
【００７５】
コンピュータ本体１４６において、１５０はＣＰＵ（central processing unit）、１５１はＣＰＵ１５０が使用するＲＡＭ（random access memory）、１５２はプログラムの格納等に使用されるハードディスク装置（ＨＤＤ）、１５３は入力装置１４７、ディスプレイ装置１４８及び通信装置１４９との接続を図るインタフェース、１５４はバスである。
【００７６】
ハードディスク装置１５２には、制御ファイル７８や、ブロックマスク製造用露光データ８０の作成に使用するブロックマスク製造用露光データ作成プログラム１５５や、半導体装置製造用露光データ１２１、１２２、１２３の作成に使用する半導体装置製造用露光データ作成プログラム１５６等が格納される。
【００７７】
ブロックマスク製造用露光データ作成プログラム１５５は、ＣＰＵ１５０に、制御ファイル７８から、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、これら複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスク８１を製造するためのブロックマスク製造用露光データ８０を作成する工程を実行させるものである。
【００７８】
半導体装置製造用露光データ作成プログラム１５６は、ＣＰＵ１５０に、製造対象の半導体装置の設計データ１１７、１１８、１１９と、ブロックマスク製造用露光データ作成プログラム１５５により作成したブロックマスク製造用露光データ８０を使用し、ウエハ上のレジストにパターンを電子ビームで転写するための半導体装置製造用露光データ１２１、１２２、１２３を作成する工程を実行させるものである。
【００７９】
本例では、ブロックマスク製造用露光データ作成プログラム１５５及び半導体装置製造用露光データ作成プログラム１５６は、入力装置１４７からの実行指示によりハードディスク装置１５２からＲＡＭ１５１にロードされて実行されるようにしているが、これらブロックマスク製造用露光データ作成プログラム１５５及び半導体装置製造用露光データ作成プログラム１５６を、図１１に示すコンピュータ・システム外にある記憶装置から通信装置１４９及びインタフェース１５３を介してＲＡＭ１５１にロードするようにしても良い。
【００８０】
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態によれば、電子ビーム露光装置１２４で使用するブロックマスク８１は、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、縦棒部を同一方向とするＬ字状パターン８７−１〜８７−Ｎ及び逆Ｌ字状パターン１０４−１〜１０４−Ｎ、並びに、これらＬ字状パターン８７−１〜８７−Ｎ及び逆Ｌ字状パターン１０４−１〜１０４−Ｎを９０度、１８０度、２７０度回転させたＬ字状パターン８８−１〜８８−Ｎ、８９−１〜８９−Ｎ、９０−１〜９０−Ｎ及び逆Ｌ字状パターン１０５−１〜１０５−Ｎ、１０６−１〜１０６−Ｎ、１０７−１〜１０７−Ｎの各１個が形成されたブロック８３−１〜８３−Ｎ、８４−１〜８４−Ｎ、８５−１〜８５−Ｎ、８６−１〜８６−Ｎ、１００−１〜１００−Ｎ、１０１−１〜１０１−Ｎ、１０２−１〜１０２−Ｎ、１０３−１〜１０３−Ｎを有しているので、ウエハ上のレジストに信号配線パターンの大部分を一括露光でき、半導体装置製造のスループット向上を図ることができる。
【００８１】
ここで、本発明を整理すると、本発明には、少なくとも、以下の半導体装置の製造方法、荷電粒子ビーム露光データ作成方法、荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム、及び、ブロックマスクが含まれる。
【００８２】
（付記１）縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成し、該ブロックマスク製造用露光データを使用して前記ブロックマスクを製造する工程と、製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用してウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成し、該荷電粒子ビーム露光データと前記ブロックマスクを使用して前記ウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００８３】
（付記２）前記横棒部の長さは、｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×ｋ｝（但し、ｋは１以上、許容値以下の整数である。）とすることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００８４】
（付記３）前記荷電粒子ビーム露光データを作成する場合において、前記設計データからブロック露光するＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出する場合に複数通りの方法がある場合、抽出し得るＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンのうち、面積が最も小さいＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出することを特徴とする付記１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【００８５】
（付記４）縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用し、ウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を含むことを特徴とする荷電粒子ビーム露光データ作成方法。
【００８６】
（付記５）前記横棒部の長さは、｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×ｋ｝（但し、ｋは１以上、許容値以下の整数である。）とすることを特徴とする付記４記載の荷電粒子ビーム露光データ作成方法。
【００８７】
（付記６）前記荷電粒子ビーム露光データを作成する場合において、前記設計データからブロック露光するＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出する場合に複数通りの方法がある場合、抽出し得るＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンのうち、面積が最も小さいＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出することを特徴とする付記４又は５記載の荷電粒子ビーム露光データ作成方法。
【００８８】
（付記７）コンピュータに、縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有するブロックマスクを製造するためのブロックマスク製造用露光データを作成する工程と、製造対象の半導体装置の設計データと前記ブロックマスク製造用露光データを使用し、ウエハに対して荷電粒子ビーム露光を行うための荷電粒子ビーム露光データを作成する工程を実行させるプログラムを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム。
【００８９】
（付記８）前記横棒部の長さは、｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×ｋ｝（但し、ｋは１以上、許容値以下の整数である。）とすることを特徴とする付記７記載の荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム。
【００９０】
（付記９）前記荷電粒子ビーム露光データを作成する場合において、前記設計データからブロック露光するＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出する場合に複数通りの方法がある場合、抽出し得るＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンのうち、面積が最も小さいＬ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出することを特徴とする付記７又は８記載の荷電粒子ビーム露光データ作成プログラム。
【００９１】
（付記１０）縦棒部の長さを同一、横棒部の長さを異にし、前記縦棒部を同一方向とする複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターン、並びに、該複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンを９０度、１８０度、２７０度回転させた複数のＬ字状パターン及び逆Ｌ字状パターンの各１個が形成された複数のブロックを有することを特徴とするブロックマスク。
【００９２】
（付記１１）前記横棒部の長さは、｛信号配線パターン幅＋（信号配線パターン間サイズ＋信号配線パターン幅）×ｋ｝（但し、ｋは１以上、許容値以下の整数である。）とすることを特徴とする付記１０記載のブロックマスク。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す流れ図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で使用する制御ファイルへのデザインルールの記述例を示す図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で実行するブロックマスク製造工程を示す図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で使用するブロックマスク製造用露光データ作成装置の動作を示す流れ図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で使用するブロックマスク製造用露光データ作成装置で作成するＬ字状パターンを有するブロックを示す図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で使用するブロックマスク製造用露光データ作成装置で作成する逆Ｌ字状パターンを有するブロックを示す図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で実行されるウエハに対する露光方法を示す図である
【図８】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で使用する半導体装置製造用露光データ作成装置の動作を示す流れ図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で実行されるブロックマスク上のブロックに対する電子ビームの照射例を示す図である。
【図１０】設計データから、Ｌ字状パターン又は逆Ｌ字状パターンを抽出する場合に、２通りの回路パターン分割方法がある場合の例を示す図である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態で使用するブロックマスク製造用露光データ作成装置及び半導体装置製造用露光データ作成装置として使用されるコンピュータ・システムの概念図である。
【図１２】電子ビーム露光方法を説明するための図である。
【図１３】従来の半導体装置の設計データ作成方法及びブロックマスク製造用露光データ作成方法の一例を示す図である。
【図１４】従来の半導体装置製造用露光データ作成方法の一例を示す図である。
【図１５】論理セルライブラリの第１例のメタル第１層を示す図である。
【図１６】信号配線パターンの配置規則例を説明するための図である。
【図１７】信号配線パターンの配置規則例を説明するための図である。
【図１８】論理セルライブラリの第２例を示す図である。
【図１９】論理セルライブラリの第３例を示す図である。
【図２０】鉤状パターンの例を示す図である。
【符号の説明】
【００９４】
８３−１、８３−２、８３−Ｎ…ブロック
８４−１、８４−２、８４−Ｎ…ブロック
８５−１、８５−２、８５−Ｎ…ブロック
８６−１、８６−２、８６−Ｎ…ブロック
８７−１、８７−２、８７−Ｎ…Ｌ字状パターン
８８−１、８８−２、８８−Ｎ…Ｌ字状パターン
８９−１、８９−２、８９−Ｎ…Ｌ字状パターン
９０−１、９０−２、９０−Ｎ…Ｌ字状パターン
１００−１、１００−２、１００−Ｎ…ブロック
１０１−１、１０１−２、１０１−Ｎ…ブロック
１０２−１、１０２−２、１０２−Ｎ…ブロック
１０３−１、１０３−２、１０３−Ｎ…ブロック
１０４−１、１０４−２、１０４−Ｎ…逆Ｌ字状パターン
１０５−１、１０５−２、１０５−Ｎ…逆Ｌ字状パターン
１０６−１、１０６−２、１０６−Ｎ…逆Ｌ字状パターン
１０７−１、１０７−２、１０７−Ｎ…逆Ｌ字状パターン
１３０…Ｌ字状パターン
１３３…電子ビーム
【図１】
2006339469.tif 000003
【図２】
2006339469.tif 000004
【図３】
2006339469.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006339469.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006339469.tif 000009
【図８】
2006339469.tif 000010
【図９】
2006339469.tif 000011
【図１０】
2006339469.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2006339469.tif 000017
【図１６】
2006339469.tif 000018
【図１７】
2006339469.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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