(57)【要約】【課題】半導体ウエハを薄型化したときの半導体ウエハの反りを防止する。【解決手段】半導体ウエハに半導体素子を形成し（Ｓ１）、半導体ウエハの表面に保護テープを貼付け（Ｓ２）、半導体ウエハの裏面を半導体ウエハが所定の厚みになるまで研削する（Ｓ３）。半導体ウエハの裏面にダイボンドフィルムを貼付け（Ｓ５）、半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼付ける（Ｓ６）。半導体ウエハに貼付けられたダイシングテープは、保持治具によって保持される。半導体ウエハの表面から保護テープを剥離し（Ｓ７）、ダイボンドフィルムを加熱（Ｓ８）して半導体ウエハとダイボンドフィルムとの密着性を向上させ、半導体ウエハをダイシング（Ｓ９）して各半導体チップに分離する。半導体チップを配線基板にダイボンディング（Ｓ１１）して、半導体装置が製造される。【選択図】図１
2006324703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）複数の半導体素子が形成されたウエハを準備する工程、
（ｂ）前記ウエハの第１の面に保護テープを貼り付ける工程、
（ｃ）前記ウエハの前記第１の面と反対側の第２の面を研削する工程、
（ｄ）前記ウエハの前記第２の面にダイボンドフィルムを貼り付ける工程、
（ｅ）前記ウエハの前記第２の面の前記ダイボンドフィルム上にダイシングテープを貼り付ける工程、
（ｆ）前記保護テープを前記ウエハの前記第１の面から剥離する工程、
（ｇ）前記ウエハをダイシングする工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムが熱可塑性樹脂材料を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウエハの前記第１の面が前記複数の半導体素子の形成面であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムは、前記ウエハをダイシングすることにより得られるチップをダイボンディングする際の接着剤層として機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後で前記（ｆ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムを加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程の後で前記（ｇ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムを加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程の後で前記（ｆ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムと前記ウエハとの密着性を向上するために前記ダイボンドフィルムを加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程の後で前記（ｇ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムと前記ウエハとの密着性を向上するために前記ダイボンドフィルムを加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程の後で前記（ｅ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムを第１の温度に加熱する工程を有し、
前記（ｅ）工程の後で前記（ｆ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムを前記第１の温度より高い第２の温度に加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程の後で前記（ｅ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムを第１の温度に加熱する工程を有し、
前記（ｆ）工程の後で前記（ｇ）工程の前に、前記ダイボンドフィルムを前記第１の温度より高い第２の温度に加熱する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程では、前記ダイシングテープは前記ウエハの周囲に配置された保持具によって保持され、
前記（ｇ）工程では、前記保持具によって保持された前記ダイシングテープに貼り付けられた前記ウエハがダイシングされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記ウエハは２００μｍ以下の厚みになるように研削されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ウエハに接着シートを貼り付けて行う半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開平１０−１１２４９４号公報には、半導体ウエハにダイボンディング用の接着シートを貼り付ける技術が記載されているが、接着シートから剥離フィルムをはがしてから半導体ウエハに接着シートを貼り付け、半導体ウエハの外周部分の接着シートを切断している（特許文献１参照）。
【０００３】
日本特開２００２−２６０３９号公報には、ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り付けてバックグラインド処理をした後、バックグラインド用保護テープを貼り付けた状態でウエハの裏面にダイスボンド用テープ状接着剤を貼り付け、その後、バックグラインド用保護テープを剥がし、プロービングし、ダイスボンド用テープ状接着剤にダイシング用保護テープを貼り付け、ダイシングした後、ダイスボンド用テープ状接着剤を利用してダイスボンドする技術が記載されている（特許文献２参照）。
【０００４】
日本特開平８−１８１１９７号公報には、ウエハの表面に保護テープを貼り付け、保護テープが貼り付けられているウエハの裏面を研削し、その後に保護テープが貼り付けられているウエハの裏面にダイシングテープを貼り付け、ウエハが貼り付けられているダイシングテープにおけるウエハの周辺にダイシングテープを保持するための保持治具を貼り付け、ダイシングする技術が記載されている（特許文献３参照）。
【０００５】
日本特開平７−２２３５８号公報には、ウエハの表面に保護・補強用テープを貼り付けた状態でウエハ裏面の研削を行い、ウエハの表面に保護・補強用テープを貼り付けたままでウエハ裏面をダイシングテープに貼り付け、その後、保護・補強用テープを剥離してダイシングする技術が記載されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開平１０−１１２４９４号公報
【特許文献２】特開２００２−２６０３９号公報
【特許文献３】特開平８−１８１１９７号公報
【特許文献４】特開平７−２２３５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
薄型の半導体装置を製造するために半導体ウエハを厚みを薄くすると、半導体ウエハが反りやすくなり、各製造工程中や各工程間の搬送時などに半導体ウエハが割れたり欠けたりしやすくなる。これは半導体装置の製造歩留まりを低下させ、半導体装置の製造コストを増大させる。
【０００７】
剥離フィルムをはがしてから接着シートを貼り付ける方法では、接着シートを半導体ウエハに貼り付ける際に、接着シートの張力のバランスなどにより半導体ウエハに貼り付けられた接着シートに皺（しわ）が発生しやすい等の問題がある。また、接着シートに皺が生じた場合は、接着シートの貼りなおしが困難であるため、その半導体ウエハを不良品として除去しなければならず、半導体装置の製造コストを著しく増大させる等の問題がある。
【０００８】
ウエハからバックグラインド用保護テープを剥がした後に、ダイスボンド用テープ状接着剤上にダイシング用保護テープを貼り付ける方法では、ダイシング用保護テープを貼る前や貼る工程中では、ウエハにはダイスボンド用テープ状接着剤しか存在せず、ウエハが反ってしまう恐れがある。半導体ウエハが反ると、半導体装置の製造工程中や各工程間の搬送時などに半導体ウエハが割れたり欠けたりしやすくなり、また半導体ウエハにひびなども生じやすくなる。これは半導体装置の製造歩留まりを低下させ、半導体装置の製造コストを増大させる。
【０００９】
ウエハにダイボンディング用の接着剤層は形成しないでダイシングテープを貼り付ける方法では、銀ペーストなどを用いて半導体チップのダイボンディングを行うことが必要であり、製造工程が複雑化し、半導体装置の製造コストが増大する等の問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、ウエハの反りを防止できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、半導体装置の製造コストを低減できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハの第１の面に保護テープを貼り付け、ウエハの第１の面と反対側の第２の面を研削し、ウエハの第２の面にダイボンドフィルムを貼り付け、ウエハの第２の面のダイボンドフィルム上にダイシングテープを貼り付け、保護テープをウエハの第１の面から剥離し、ウエハをダイシングするものである。
【００１５】
すなわち、裏面研削用の保護シートを貼り付けた状態で、ダイシングテープを貼り付けることにより、ウエハの反り等を防止するものである。
【００１６】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、ダイボンドフィルムとセパレータフィルムとの積層体をダイボンドフィルムが内側になるようにウエハの裏面に貼り付け、セパレータフィルムを剥離し、ダイボンドフィルムをウエハの外周に沿って切断するものである。
【００１７】
すなわち、セパレータフィルムごとダイボンドフィルムをウエハの裏面に貼り付けた後、セパレータフィルムを剥離することにより、セパレータフィルムのしわ等を防止するものである。
【００１８】
本願に内示されたその他の発明の概要は以下のごとくである。
【００１９】
項１：（ａ）複数の半導体素子が形成されたウエハを準備する工程、
（ｂ）前記ウエハの第１の面に保護テープを貼り付ける工程、
（ｃ）前記ウエハの前記第１の面と反対側の第２の面を研削する工程、
（ｄ）前記ウエハの前記第２の面にダイボンドフィルムを貼り付ける工程、
（ｅ）前記ウエハの前記第２の面の前記ダイボンドフィルム上にダイシングテープを貼り付ける工程、
（ｆ）前記保護テープを前記ウエハの前記第１の面から剥離する工程、
（ｇ）前記ウエハをダイシングする工程。
【００２０】
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程は、
（ｄ１）前記ダイボンドフィルムとセパレータフィルムとの積層体を前記ダイボンドフィルムが内側になるように前記ウエハの前記第２の面に貼り付ける工程、
（ｄ２）前記セパレータフィルムを剥離する工程、
（ｄ３）前記ダイボンドフィルムを前記ウエハの外周に沿って切断する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２１】
項２：以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）複数の半導体素子が形成されたウエハを準備する工程、
（ｂ）ダイボンドフィルムとセパレータフィルムとの積層体を前記ダイボンドフィルムが内側になるように前記ウエハの裏面に貼り付ける工程、
（ｃ）前記セパレータフィルムを剥離する工程、
（ｄ）前記ダイボンドフィルムを前記ウエハの外周に沿って切断する工程。
【００２２】
項３：項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムが熱可塑性樹脂材料を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２３】
項４：項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記セパレータフィルムは、前記ダイボンドフィルムよりも硬いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２４】
項５：項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムは、前記ウエハをダイシングすることにより得られるチップをダイボンディングする際の接着剤層として機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２５】
項６：以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）複数の半導体素子が形成されたウエハを準備する工程、
（ｂ）前記ウエハの第１の面に保護テープを貼り付ける工程、
（ｃ）前記ウエハの前記第１の面と反対側の第２の面を研削する工程、
（ｄ）ダイボンドフィルムとセパレータフィルムとの積層体を前記ダイボンドフィルムが内側になるように前記ウエハの前記第２の面に貼り付ける工程、
（ｅ）前記セパレータフィルムを剥離する工程、
（ｆ）前記ダイボンドフィルムを前記ウエハの外周に沿って切断する工程、
（ｇ）前記ウエハの前記第２の面の前記ダイボンドフィルム上にダイシングテープを貼り付ける工程、
（ｈ）前記保護テープを前記ウエハの前記第１の面から剥離する工程、
（ｉ）前記ウエハをダイシングする工程。
【００２６】
項７：項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムが熱可塑性樹脂材料を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２７】
項８：項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンドフィルムは、前記（ｉ）工程で前記ウエハをダイシングすることにより得られたチップをダイボンディングする際の接着剤層として機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２９】
ウエハの第１の面に保護テープを貼り付け、ウエハの第１の面と反対側の第２の面を研削し、ウエハの第２の面にダイボンドフィルムを貼り付け、ウエハの第２の面のダイボンドフィルム上にダイシングテープを貼り付け、保護テープをウエハの第１の面から剥離し、ウエハをダイシングするので、ウエハに反りが生じるのを防止できる。
【００３０】
ダイボンドフィルムとセパレータフィルムとの積層体をダイボンドフィルムが内側になるようにウエハの裏面に貼り付け、セパレータフィルムを剥離し、ダイボンドフィルムをウエハの外周に沿って切断するので、ウエハに貼り付けられたダイボンドフィルムに皺が生じるのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００３２】
１．ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等物質名を言う場合、特にその旨記載した場合を除き、表示された物質のみを示すものではなく、示された物質（元素,原子群,分子,高分子,共重合体,化合物等）を主要な成分,組成成分とするものを含むものとする。
【００３３】
すなわち、シリコン領域等といっても，特にそうでない旨明示したときを除き、純粋シリコン領域、不純物をドープしたシリコンを主要な成分とする領域、ＧｅＳｉのようにシリコンを主要な構成要素とする混晶領域等を含むものとする。更に、ＭＯＳというときの「Ｍ」は、特にそうでない旨明示したときを除き、純粋な金属に限定されるものではなく、ポリシリコン（アモルファスを含む）電極、シリサイド層、その他の金属類似の性質を示す部材を含むものとする。更に、ＭＯＳというときの「Ｏ」は、特にそうでない旨明示したときを除き、酸化シリコン膜等の酸化膜に限定されず、窒化膜，酸窒化膜、アルミナ膜その他の通常誘電体、高誘電体、強誘電体膜等を含むものとする。
【００３４】
２．ウエハとは、半導体集積回路の製造に用いるシリコンその他の半導体単結晶基板（一般にほぼ円板形、半導体ウエハ、その他それらを単位集積回路領域に分割した半導体チップ又はペレット並びにその基体領域）、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板を言う。
【００３５】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００３６】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００３７】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００３８】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００３９】
また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００４０】
また、本実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００４１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００４２】
図１は、本実施の形態の半導体装置（半導体集積回路装置）の製造工程を示す工程フロー図である。図２および図３は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【００４３】
まず、図２に示されるように、例えば単結晶シリコンなどからなるウエハ（半導体集積回路製造用半導体基板）または半導体ウエハ１を準備する。それから、半導体ウエハ（ウエハ）１に、公知の半導体装置製造技術などを用いて、複数の半導体素子、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などを形成する（ステップＳ１）。半導体ウエハ１に形成される半導体素子はＭＯＳＦＥＴには限定されず、種々の半導体素子を形成することができる。
【００４４】
次に、図３に示されるように、半導体ウエハ１の表面（半導体ウエハ１の半導体素子形成側の主面または半導体集積回路パターン形成面：第１の面）１ａに、裏面研削用の保護テープ（ＢＧシート、保護シート）２を貼り付ける（ステップＳ２）。保護テープ２は、後述する半導体ウエハ１の裏面研削（ＢＧ：バックグラインド）工程において半導体ウエハ１の表面１ａやそこに形成されている半導体素子を保護し、また裏面研削により薄くなった半導体ウエハ１の反りを防止するように機能する。保護テープ２は、常温で半導体ウエハの反りを防止できる程度の強度を有していればよい。保護テープ２の一方の面は粘着性（接着性）を有しており、その粘着性を有する面（粘着面、接着面）が半導体ウエハ１の表面１ａに接するように保護テープ２が貼り付けられる。保護テープ２は種々の材料により形成することができ、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）とＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）との積層体や塩化ビニルなどにより形成することができる。
【００４５】
図４〜図６は、半導体ウエハ１に保護テープ２を貼り付ける工程の説明図である。
【００４６】
図４に示されるように、保護テープ２は粘着面にセパレータまたはセパレータフィルム３が貼り付けられた（積層された）状態で保護テープ繰出しロール４に巻かれている。保護テープ繰出しロール４からは、セパレータフィルム３がセパレータ巻取りロール５に送られて巻き取られ、セパレータフィルム３がはがされた保護テープ２が、ローラ６、７および８を介して保護テープ巻取りロール９に送られて巻き取られる。ローラ７および８は、図４の横方向（半導体ウエハ１の主面に平行な方向）に移動可能に構成されており、載置台１０上に（半導体ウエハ１の表面１ａ側が上になるように）配置された半導体ウエハ１上に保護テープ２を押圧しながら横方向に移動して、半導体ウエハ１の表面１ａ上に保護テープ２を貼り付ける。それから、シートカッタ１１が半導体ウエハ１上に降下し、図５に示されるように、シートカッタ１１のブレード１１ａによって保護テープ２を半導体ウエハ１の外周（形状）に沿って切断する。このとき、シートカッタ１１が回転することによって、シートカッタ１１のブレード１１ａが、半導体ウエハ１の外周に沿って移動し、保護テープ２を半導体ウエハ１の外周に沿って切断する。保護テープ２の切断後、シートカッタ１１は上昇し、図６に示されるように、ローラ７および８が横方向に移動して、半導体ウエハ１に接着した部分以外の保護テープ２（半導体ウエハ１に接着した部分がくりぬかれた状態の保護テープ２）が半導体ウエハ１から離され、保護テープ巻取りロール９で巻き取られる。これにより、半導体ウエハ１の表面１ａ上には保護テープ２が貼り付けられた（接着された）状態で残存する。
【００４７】
上記のようにして半導体ウエハ１の表面（第１の面）１ａ上に保護テープ２を貼り付けた後、半導体ウエハ１の表面１ａとは反対側の面、すなわち半導体ウエハ１の裏面（第２の面）１ｂを研削する（ステップＳ３）。これにより、半導体ウエハ１の厚みを薄くする。図７は、半導体ウエハ１の裏面研削工程の説明図である。
【００４８】
図７に示されるように、半導体ウエハ１の保護テープ２を貼り付けた表面１ａ側をＢＧチャックテーブル２１で保持し、半導体ウエハ１の裏面（第２の面）１ｂを研削（研磨）する。これは、例えば、ＢＧチャックテーブル２１で保持した半導体ウエハ１を回転させ、純粋などからなる研削水２２を供給しながら回転する砥石２３を半導体ウエハ１に押圧して半導体ウエハ１の裏面１ｂを削り取る（研磨する）ことなどにより行うことができる。
【００４９】
次に、必要に応じて、半導体ウエハ１の裏面１ｂをエッチング液などによってエッチングする（ステップＳ４）。これにより、半導体ウエハ１の裏面１ｂは清浄化され、より平坦化される。図８は、半導体ウエハ１の裏面のエッチング工程の説明図である。
【００５０】
図８に示されるように、半導体ウエハ１の保護テープ２を貼り付けた表面１ａ側をエッチャチャックテーブル２４で保持し、半導体ウエハ１の裏面１ｂをエッチングする。これは、例えば、エッチャチャックテーブル２４で保持した半導体ウエハ１を回転させ、フッ酸と硝酸の混合液などからなるエッチング液２５をノズル２６から半導体ウエハ１の裏面１ｂ上に供給して半導体ウエハ１の裏面１ｂをエッチングすることにより行われる。ノズル２６から半導体ウエハ１の裏面１ｂ上に供給されたエッチング液２５は、エッチング液回収窓２７から回収される。半導体ウエハ１の裏面１ｂのエッチング工程は省略することもできる。
【００５１】
次に、半導体ウエハ１の裏面１ｂにダイボンドフィルム３０を貼り付ける（ステップＳ５）。図９は、半導体ウエハ１にダイボンドフィルム３０を貼り付けた状態を示す断面図である。ダイボンドフィルム３０は、後述するように半導体ウエハ１をダイシングして各半導体チップ（チップ）に分離した後に、各半導体チップをダイボンディングするための接着層（接着剤層）として機能する。
【００５２】
半導体ウエハ１の裏面１ｂにダイボンドフィルム３０を貼り付ける工程を図１０〜図１２を参照してより詳細に説明する。
【００５３】
図１０に示されるように、ダイボンドフィルム３０を貼り付ける際には、ダイボンドフィルム３０にセパレータまたはセパレータフィルム３１を貼り付けた状態のシート（積層体）３２が使用される。セパレータフィルム３１は、例えばポリエステルやＰＥＴなどからなる。セパレータフィルム３１は比較的硬く（固く）てこしがあり、その厚さは比較的厚くすることもでき、例えば１００μｍ程度とすることができる。ダイボンドフィルム３０の主成分は熱可塑性樹脂材料からなり、例えばポリイミドなどからなる。ダイボンドフィルム３０は比較的薄くてやわらかく、その厚みは例えば２５μｍ程度とすることができる。
【００５４】
ダイボンドフィルム３０とセパレータフィルム３１とからなるシート（積層シート）３２は、ダイボンドフィルム繰出しロール３３に巻かれている。ダイボンドフィルム繰出しロール３３に巻かれたシート３２は、ダイボンドフィルム繰出しロール３３からローラ３４および３５を介して送られ、ローラ３５でダイボンドフィルム３０とセパレータフィルム３１とに剥離し、ダイボンドフィルム３０がダイボンドフィルム巻取りロール３６に巻き取られ、セパレータフィルム３１がセパレータ巻取りロール３７に巻き取られる。ローラ３７は、図１０の横方向（半導体ウエハ１の主面に平行な方向）に移動可能に構成されており、載置台３８上に（半導体ウエハ１の裏面１ｂ側が上になるように）配置された半導体ウエハ１の裏面１ｂ上にシート３２を押圧しながら横方向に移動して、半導体ウエハ１の裏面１ｂ上にシート３２を貼り付ける。この際、シート３２のダイボンドフィルム３０側が半導体ウエハ１の裏面１ｂに接するようにする。すなわち、ダイボンドフィルム３０とセパレータフィルム３１とからなるシート３２を、ダイボンドフィルム３０が内側になるように半導体ウエハ１の裏面１ｂに貼り付ける。
【００５５】
次に、図１１に示されるように、ローラ３５が（シート３２の貼り付け時とは逆方向に）移動し、セパレータ巻取りロール３７によってセパレータフィルム３１が巻き取られて、セパレータフィルム３１がダイボンドフィルム３０から剥がされる。これにより、半導体ウエハ１の裏面１ｂ上には、ダイボンドフィルム３０だけが残存した状態となる。それから、シートカッタ３９が半導体ウエハ１上に降下し、シートカッタ３９のブレード３９ａによってダイボンドフィルム３０を半導体ウエハ１の外周（形状）に沿って切断する。このとき、シートカッタ３９が回転することによって、シートカッタ３９のブレード３９ａが、半導体ウエハ１の外周に沿って移動し、ダイボンドフィルム３０を半導体ウエハ１の外周に沿って切断する。
【００５６】
ダイボンドフィルム３０の切断後、シートカッタ３９は上昇し、図１２に示されるように、ダイボンドフィルム巻取りロール３６の巻取りにより、半導体ウエハ１に接着した部分以外のダイボンドフィルム３０（半導体ウエハ１に接着した部分がくりぬかれた状態のダイボンドフィルム３０）が半導体ウエハ１から離され、ダイボンドフィルム巻取りロール３６で巻き取られる。これにより、半導体ウエハ１の裏面１ｂ上にはダイボンドフィルム３０が貼り付けられた（接着された）状態で残存する。そして、図示しない加熱装置（例えば載置台３８に内蔵したヒータ）などを用いて、半導体ウエハ１を加熱して半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０とを仮接着させる。このときの加熱温度（第１の温度）は、比較的低い温度であり、例えば１００℃程度である。この半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０の仮接着のための加熱温度は比較的低いので、半導体ウエハ１の表面１ａに貼り付けられている保護テープ２が反ることはない。従って、半導体ウエハ１が反るのを防止することができる。ここで、仮接着とは、この後の工程（後述する第２の温度での加熱工程まで）や工程間の搬送中などに半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０とが剥離しない程度の接着力を有していればよい。加熱しなくともダイボンドフィルム３０と半導体ウエハ１との接着性がある程度確保される場合は、この仮接着のための加熱工程は省略することもできる。
【００５７】
本実施の形態では、上記のように、ダイボンドフィルム３０をセパレータフィルム３１とともに半導体ウエハ１の裏面１ｂ上に貼り付け、その後セパレータフィルム３１のみを剥がしてダイボンドフィルム３０を所定の形状に切断する。もし、ダイボンドフィルム３０を単独で半導体ウエハ１の裏面１ｂ上に貼り付けたとしたら、ダイボンドフィルム３０は比較的薄くてやわらかいので、貼り付けられたダイボンドフィルム３０に皺ができ、ダイボンドフィルム３０と半導体ウエハ１との間に気泡が入りやすい。そのように半導体ウエハ１に貼ったダイボンドフィルム３０に皺ができたり気泡が侵入したりした場合、ダイボンドフィルム３０を剥がす（ダイボンドフィルム３０を剥がして別のダイボンドフィルムを貼りなおす）のは容易ではなく、半導体ウエハ１全体が不良となってしまい、半導体装置の製造には使用できなくなる。これは、半導体装置の製造歩留まりを著しく低下させ、半導体装置の製造コストを増大させる。本実施の形態では、半導体ウエハ１へのダイボンドフィルム３０貼り付け時には比較的固くてこしがあるセパレータフィルム３１とともにダイボンドフィルム３０を貼り付けるので、半導体ウエハ１の裏面１ｂ上に貼り付けられたダイボンドフィルム３０に皺などが生じるのを防止することができる。半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０との間に気泡などが侵入するのも防止できる。また、セパレータフィルム３１はダイボンドフィルム３０の切断前に剥離するので、セパレータフィルム３１の厚みは比較的厚くすることができ、セパレータフィルム３１を比較的硬く（固く）してダイボンドフィルム３０の皺を防止しやすくすることは容易である。また、本実施の形態ではダイボンドフィルム３０の主成分は熱可塑性樹脂からなるので、シート３２を半導体ウエハ１に貼り付けた後にセパレータフィルム３１だけを剥がすことが可能である。
【００５８】
また、半導体ウエハ１から保護テープ２を剥がした後に半導体ウエハ１の裏面１ｂにダイボンドフィルム３０を貼り付けた場合、半導体ウエハ１から保護テープ２が剥がされたことによって、薄い半導体ウエハ１が反ってしまい、反った状態の半導体ウエハ１にダイボンドフィルム３０を貼ることとなり、半導体ウエハ１の裏面１ｂに貼ったダイボンドフィルム３０に皺などができやすい。しかしながら、本実施の形態では、半導体ウエハ１の表面１ａに保護テープ２を貼り付けた状態で半導体ウエハ１の裏面１ｂにダイボンドフィルム３０を貼り付ける。このため、保護テープ２により半導体ウエハ１の反りを抑制した状態でダイボンドフィルム３０を貼り付けることができる。従って、半導体ウエハ１の裏面１ｂに貼ったダイボンドフィルム３０に皺などが生じるのをより確実に防止することができる。
【００５９】
上記のようにして半導体ウエハ１の裏面１ｂにダイボンドフィルム３０を貼り付けた後、半導体ウエハ１の裏面１ｂ（ダイボンドフィルム３０が貼り付けられた面：第２の面）側にダイシングテープ（ウエハシート）４０を貼り付ける（ウエハマウント：ステップＳ６）。図１３は、半導体ウエハ１にダイシングテープ４０を貼り付けた状態を示す平面（上面）図であり、図１４はそのＡ−Ａ線の断面図である。
【００６０】
ダイシングテープ４０は一方の面が粘着性を有する伸展性を有するテープ（シート）であり、その粘着性を有する面（粘着面）に半導体ウエハ１の裏面１ｂが貼り付けられる。従って、半導体ウエハ１の裏面１ｂ上のダイボンドフィルム３０上にダイシングテープ４０が貼り付けられる。ダイシングテープ４０は、半導体ウエハ１の周囲に配置された保持治具（キャリア治具、キャリアリング、フレーム：保持具）４１によって保持されている。保持治具４１は、例えば、金属材料（例えばＳＵＳ）などからなり、半導体ウエハ１より大きな例えばリング状の保持治具である。ダイシングテープ４０は、後述する半導体ウエハ１のダイシング工程後に各切断片（半導体チップ）を保持するように機能する。
【００６１】
図１５は、半導体ウエハ１にダイシングテープ４０を貼り付ける工程の説明図である。図１５に示されるように、半導体ウエハ１の裏面１ｂ側にダイシングテープ４０が貼り付けられ、半導体ウエハ１の周辺（周囲）のダイシングテープ４０に半導体ウエハ１より大きな例えばリング状の保持治具４１が貼り付けられ、半導体ウエハ１とダイシングテープ４０との密着性を高めるために、載置台４２上に配置した半導体ウエハ１の裏面１ｂ（ダイボンドフィルム３０）に貼り付けたダイシングテープ４０を貼り付けローラ４３によって押圧する。ダイシングテープ４０に半導体ウエハ１を貼り付けた後に、保持治具４１をダイシングテープ４０に貼り付けることができるが、保持治具４１にダイシングテープ４０を貼り付けた後に、保持治具４１に保持されたダイシングテープ４０に半導体ウエハ１の裏面１ｂ側を貼り付けることもできる。
【００６２】
次に、半導体ウエハ１の表面１ａから保護テープ２を剥離する（ステップＳ７）。図１６は、半導体ウエハ１から保護テープ２を剥離する工程の説明図である。
【００６３】
図１６に示されるように、剥離テープ繰出しロール５１に巻かれている剥離テープ５２は、ローラ５３および５４を介して送られて剥離テープ巻取りロール５５に巻き取られる。剥離テープ５２の一方の面は高い粘着性（保護テープ２の粘着面より強い粘着性）を有しており、その粘着性を有する面（粘着面）が図１６の横方向（半導体ウエハ１の主面に平行な方向）に移動するローラ５４によって半導体ウエハ１の表面１ａ、すなわち保護テープ２に押圧されて貼り付けられる。それから、ローラ５４が（剥離テープ５２の貼り付け時と逆方向に）移動し、剥離テープ５２が剥離テープ巻取りロール５５に巻き取られる。このとき、剥離テープ５２の保護テープ２に接する面は高い粘着性を有しているため、保護テープ２は剥離テープ５２とともに半導体ウエハ１から剥離する。これにより、半導体ウエハ１の表面１ａから保護テープ２を剥離することができ、半導体ウエハ１の表面（半導体素子形成面）１ａが露出する。
【００６４】
次に、半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０との間の密着性を上げる（向上する）ために、半導体ウエハ１（ダイボンドフィルム３０）を第２の温度に加熱する（ステップＳ８）。図１７は、半導体ウエハ１の加熱工程の説明図である。
【００６５】
図１７に示されるように、保持治具４１によって保持されているダイシングテープ４０に貼り付けられている半導体ウエハ１は、ヒータ６０によって加熱される。このときの加熱温度（第２の温度）は、上記半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０とを仮接着するための加熱温度（第１の温度）よりも高く、例えば１８０℃程度（加熱時間は例えば２秒程度）である。これにより、熱可塑性樹脂材料を主成分とするダイボンドフィルム３０は軟化し、その後冷却により硬化（キュア）して、半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０とが密着する。
【００６６】
この加熱工程は、比較的高い温度（第２の温度：例えば１８０℃）で行われるので、半導体ウエハ１の反りを招きやすい。このため、半導体ウエハ１へのダイボンドフィルム３０の貼り付け後でダイシングテープ４０の貼り付け前に第２の温度への加熱が行われると、半導体ウエハ１が反る恐れがある。これは、以降の工程や搬送時における半導体ウエハ１の割れなどを引き起こす。本実施の形態では、第２の温度への加熱工程は、ダイシングテープ４０の貼り付け後に行う。このため、保持治具４１によって保持されているダイシングテープ４０に半導体ウエハ１が貼り付けられた状態で、第２の温度への加熱工程が行われる。保持治具４１によって保持されたダイシングテープ４０がそこに貼り付けられている半導体ウエハ１を保持（補強）するので、加熱工程における半導体ウエハ１の反りを的確に防止することができる。
【００６７】
また、本実施の形態では、この加熱工程（第２の温度での加熱工程）の前に保護テープ２が剥離されているので、保護テープ２には高耐熱性の材料を用いなくともよい。たとえ保護テープ２が第２の温度で変形するような材料から構成されていても、保護テープ２がない状態（剥離した後）で第２の温度に加熱するので、保護テープ２に起因して半導体ウエハ１が反ることはない。保護テープ２の剥離工程はこの加熱工程の後に行うこともでき、その場合は保護テープ２を耐熱性が高く第２の温度でも変形しにくい材料で形成することがより好ましい。そのような材料で保護テープ２を形成しておけば、保護テープ２が変形して半導体ウエハ１が反ることや、あるいは後で保護テープ２を剥離するときに剥離が困難となることを防止することができる。また、ダイシングテープ４０は、第２の温度にも耐え得る（変形しにくい）材料を用いることがより好ましい。
【００６８】
次に、半導体ウエハ１をダイシングする（ステップＳ９）。図１８は、半導体ウエハ１のダイシング工程の説明図である。
【００６９】
図１８に示されるように、載置台７１上に配置され、保持治具４１によって保持されたダイシングテープ４０に貼り付けられている半導体ウエハ１を、ダイシング装置のスピンドル７２によって高速回転されたブレード（ダイシングブレード）７３によって表面１ａ側からダイシングまたは切断する。半導体ウエハ１には、上記のように複数の半導体素子（図示せず）が形成されており、各半導体素子形成領域の間のスクライブ領域（スクライブライン）に沿ってダイシングされる。図１８においては、ダイシングテープ４０の途中までダイシングまたは切断されている。ダイシングにより半導体ウエハ１は、チップ領域（単位集積回路領域）または単にチップ（単位集積回路領域またはその基体部分）あるいは半導体チップ８０に分離され、各半導体チップ（チップ）８０はダイシングテープ４０によって保持される。また、ダイシングの深さをダイボンドフィルム３０の途中、あるいは半導体ウエハ１の途中までとすることもできる。また、半導体ウエハ１の厚みの半分程度の深さまでダイシングするハーフカット、半導体ウエハ１を若干残してダイシングするセミフルカット、あるいは半導体ウエハ１を完全に切断するフルカットなどのダイシング方式を用いることもできる。
【００７０】
次に、ダイシングテープ４０の接着性（粘着性）を低下させる処理を行う。例えば、紫外線（ＵＶ）を照射することによってダイシングテープ４０の接着性を低下させる（ステップＳ１０）。図１９は、ダイシングテープ４０の接着性を低下させる工程の説明図である。
【００７１】
図１９に示されるように、ＵＶ照射装置またはＵＶランプ（紫外線ランプ）８１を用いて、保持治具４１によって保持されたダイシングテープ４０に貼り付けられ、ダイシングされた半導体ウエハ１に対して、紫外線（ＵＶ）を照射する。ＵＶランプ８１からの紫外線は、直接または反射板８２で反射して、ダイシングテープ４０に照射される。本実施の形態では、ダイシングテープ４０（またはダイシングテープ４０の接着層）に、紫外線により接着性が低下する材料が用いられ、例えば紫外線硬化性樹脂などが用いられる。これにより、紫外線照射によってダイシングテープ４０の接着強度、すなわちダイシングテープ４０とダイボンドフィルム３０との接着強度を低下させることができる。
【００７２】
次に、半導体チップ（チップ）８０をダイボンディングする（ステップＳ１１）。図２０は、半導体チップ８０のダイボンディング工程の説明図である。
【００７３】
上記のように、ダイシング工程により半導体ウエハ１は複数の半導体チップ８０に分離され、各半導体チップ８０（およびその裏面のダイボンドフィルム３０）は、紫外線照射によってダイシングテープ４０との接着性が低下されている。図２０に示されるように、半導体チップ８０は、ダイボンダ（ダイボンディング装置）のコレット９０によって吸着され、配線基板９１上の所定の位置に配置（搭載）される。ダイシングされた半導体ウエハ１から半導体チップ８０をコレット９１で吸着して移送する際には、半導体ウエハ１の裏面側（ダイシングテープ４０側）から針状のピン９２を突き上げて（チップ突上げ）、半導体チップ８０を分離吸着させる。また、配線基板９１に半導体チップ８０を配置する際には、半導体チップ８０の裏面側（ダイボンドフィルム３０が接着している側：第２の面側）が配線基板９１側（下側）になるようにする。従って、半導体チップ８０はダイボンドフィルム３０を介して配線基板９１に配置される。
【００７４】
配線基板９１上に１つの半導体チップ８０だけを搭載することもできるが、図２０に示されるように、配線基板９１上に他の半導体チップ（半導体装置）８０ａをまず配置し、その半導体チップ８０ａ上に半導体チップ８０を配置することもできる。半導体チップ８０ａは半導体チップ８０と同様にして製造することができ、その裏面にはダイボンドフィルム３０と同様のダイボンドフィルム３０ａが貼り付けられている。配線基板９１上に積まれる（積層される）半導体チップの数は、任意の数とすることができる。
【００７５】
次に、半導体チップ８０および８０ａを搭載した配線基板９１を所定の温度（例えば約１８０℃）に加熱して（すなわちダイボンドフィルム３０および３０ａを加熱して）、ダイボンドフィルム３０および３０ａを軟化させる。これにより、半導体チップ８０をダイボンドフィルム３０を介して半導体チップ８０ａに接着し、半導体チップ８０ａをダイボンドフィルム３０ａを介して配線基板９１に接着する。その後冷却してダイボンドフィルム３０および３０ａを硬化し、半導体チップ８０をダイボンドフィルム３０を介して半導体チップ８０ａに固着させ、半導体チップ８０ａをダイボンドフィルム３０ａを介して配線基板９１に固着させる。半導体チップ８０が配線基板上９１に直接搭載される場合は、ダイボンドフィルム３０が加熱されて軟化し、その後冷却されて硬化して、半導体チップ８０がダイボンドフィルム３０を介して直接配線基板９１に固着される。
【００７６】
ダイボンドフィルム３０を用いずに銀ペーストなどを用いて半導体チップのダイボンディングを行った場合、有機溶剤を含んだ銀ペーストなどの接着剤を半導体チップの裏面に塗布するため、有機溶剤がクリーンルーム内で揮発して拡散する恐れがあり、作業環境上問題がある。また半導体チップの裏面に銀ペーストなどの接着剤を塗布して配線基板などに接着するため製造工程が複雑化して、半導体装置の製造コストを増大させる。また、上記のように半導体チップ上に他の半導体チップを搭載する場合（複数の半導体チップを積層する場合）には、上側の半導体チップを下側の半導体チップに接着するための銀ペーストが下側の半導体チップの電極パッドにまで広がる恐れがあり、半導体装置の信頼性を低下させてしまう。本実施の形態では、ダイボンドフィルム３０を用いて半導体チップ８０のダイボンディングを行う。ダイボンドフィルム３０によって半導体チップ８０をダイボンディング（接着）するので、作業環境上の問題もなくなり、また操作性が向上し、製造工程が簡略化される。また、複数の半導体チップの積層も容易に行うことができる。このため、半導体装置の信頼性が向上する。また、半導体装置の製造歩留まりが向上し、半導体装置の製造コストを低減することも可能となる。
【００７７】
上記のようなダイボンディング工程の後、図２１に示されるように、半導体チップ８０および８０ａの表面上の電極パッドと配線基板９１上の配線とをボンディングワイヤ９２および９２ａなどによってそれぞれ電気的に接続する。それから、半導体チップ８０および８０ａとボンディングワイヤ９２および９２ａとを覆うように配線基板９１上に封止樹脂（モールド樹脂）９３を形成し、配線基板９１の底面に外部接続端子として半田ボール９４などを形成し、必要に応じて配線基板９１を切断する。これにより、図２１に示されるような本実施の形態の半導体装置１００が製造される。
【００７８】
図２１の半導体装置１００は、配線基板９１上に、上記半導体チップ８０と同様にして製造され、半導体チップ８０とは外形寸法が異なる半導体チップ８０ａと、半導体チップ８０とが配線基板９１上に積層された２段積層型の半導体装置である。半導体チップ８０および半導体チップ８０ａには、必要に応じて種々の半導体素子が形成された半導体チップを用いることができるが、例えば、下層（下段）の半導体チップ８０ａは８ＭのＳＲＡＭであり、上層（上段）の半導体チップ８０は４ＭのＳＲＡＭである。図２１の半導体装置１００では、上層の半導体チップ８０および下層の半導体チップ８０ａの両方がワイヤボンディング９２および９２ａによって配線基板９１（の配線）に電気的に接続されているが、下層側の半導体チップ８０ａはフリップチップ接続などによって配線基板９１（の配線）に電気的に接続することもできる。
【００７９】
このような複数の半導体チップを積層した形態の半導体装置（多段積層型の半導体装置）では、複数の半導体チップを積むことによる半導体装置の厚みの増加を抑制するために、各半導体チップの厚みを比較的薄くする必要がある。例えば、図２１に示される半導体装置１００では、縦および横方向の寸法が６．５ｍｍ程度であり、厚み方向の寸法が１．４ｍｍ程度であり、半導体チップ８０および８０ａの厚みはそれぞれ例えば１５０μｍ程度である。このような厚みが比較的薄い半導体チップ８０および８０ａを製造する際には、半導体ウエハを（例えば１５０μｍ程度まで）薄くする必要がある。しかしながら、半導体ウエハを裏面研削などにより薄くすると、半導体ウエハが反りやすくなり、半導体ウエハが割れたり欠けたりしやすくなる。これは半導体装置の製造歩留まりを低減させる。本実施の形態では、半導体ウエハ１に保護テープ２を貼り付けた後は、ダイシング工程まで、保護テープ２または（保持治具４１によって保持された）ダイシングテープ４０によって半導体ウエハ１が保持（固定、補強）された状態にあり、半導体ウエハ１の反りを抑制または防止することができる。また、本実施の形態では、半導体ウエハ１の表面１ａに保護テープ２を貼り付けた状態で半導体ウエハ１の裏面１ｂにダイボンドフィルム３０を貼り付け、また、半導体ウエハ１を（保持治具４１によって保持された）ダイシングテープ４０に貼り付けて固定した後に半導体ウエハ１とダイボンドフィルム３０との密着性（接着性）を向上するための加熱を行うので、加熱による半導体ウエハ１の反りは防止される。従って、裏面研削により半導体ウエハ１の厚みを薄くしたとしても、半導体ウエハ１はほとんど反らず、各工程中や工程間の搬送中などでの半導体ウエハ１の割れや欠けなどを防止することができる。このため、半導体ウエハ１から製造される半導体チップ（半導体装置）およびその半導体チップを搭載した半導体装置の製造歩留まりを向上することができ、製造コストも低減できる。また、半導体装置の小型化、薄型化も可能となる。
【００８０】
図２２は、４つの半導体チップ８０ｂ〜８０ｅを積層した４段積層型の半導体装置１００ａである。配線基板９１上に積層された（積まれた）各半導体チップ８０ｂ〜８０ｅは、上記半導体チップ８０と同様にして製造することができ、ダイボンドフィルム３０と同様のダイボンドフィルム３０ｂ〜３０ｅによってダイボンディングされている。
【００８１】
図２２の半導体装置１００ａでは、配線基板９１上に半導体チップ８０ｂが搭載され、半導体チップ８０ｂ上にはスペーサ１０１が搭載され、スペーサ１０１上に半導体チップ８０ｃ〜８０ｅが順に搭載されている。各半導体チップ８０ｂ〜８０ｅの電極パッドは、ボンディングワイヤ９２ｂ〜９２ｅを介して配線基板９１の電極パッドに電気的に接続されている。半導体チップ８０ｂ〜８０ｅには、必要に応じて種々の半導体素子が形成された半導体チップを用いることができ、例えば、半導体チップ８０ｂは６４Ｍのフラッシュメモリであり、半導体チップ８０ｃは３２Ｍのフラッシュメモリであり、半導体チップ８０ｄは８ＭのＳＲＡＭであり、半導体チップ８０ｅは３２ＭのＰＳＲＡＭである。スペーサ１０１には、例えば、半導体素子を形成していない半導体ウエハを所定の形状にダイシングして得られたチップなどを用いることができ、ダイボンドフィルム１０２によって半導体チップ８０ｂ上に搭載されている。
【００８２】
スペーサ１０１は、例えば、半導体チップ８０ｂに接続するボンディングワイヤ９２ｂが半導体チップ８０ｃに接触しないようにするために、半導体チップ８０ｂと半導体チップ８０ｃとの間に挿入され、半導体チップ８０ｂおよび８０ｃより小さい外形寸法を有している。例えば、半導体チップ８０ｂの外形寸法と半導体チップ８０ｃの外形寸法とが近い場合などに、半導体チップ８０ｂと半導体チップ８０ｃとの間にスペーサ１０１を挿入すれば有効である。
【００８３】
半導体装置１００ａは、縦および横方向の寸法が例えば１０ｍｍおよび１１．５ｍｍ程度であり、厚み方向の寸法が１．４ｍｍ程度である。図２２の半導体装置１００ａは、図２１の半導体装置１００よりも積層する半導体チップ（およびスペーサ）の数が多いので、半導体チップ８０ｂ〜８０ｅおよびスペーサ１０１の厚みは相対的に薄く、それぞれ例えば９０μｍ程度である。このため、半導体装置１００ａ（半導体チップ８０ｂ〜８０ｅ）を製造する場合は、半導体ウエハをより薄く（例えば９０μｍ程度まで）裏面研削する必要があるが、本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、そのように半導体ウエハを極めて薄くした場合でも、半導体ウエハの反りや割れなどを防止でき、半導体ウエハから製造される半導体チップおよびその半導体チップを用いた半導体装置の製造歩留まりを向上できる。従って、半導体チップおよび半導体装置の製造コストを低減できる。
【００８４】
本実施の形態の製造工程は、比較的厚みが薄い半導体チップ（半導体装置）を製造する場合に好適であり、例えば約２００μｍ以下の厚みに半導体ウエハを研削して約２００μｍ以下の厚みの半導体チップ（半導体装置）を製造するのにより好適である。半導体ウエハの厚みが約２００μｍ以下になると半導体ウエハが反りやすくなるが、本実施の形態によれば、半導体ウエハの反りを抑制して半導体装置を製造することが可能になる。また、（配線基板などの上に）複数の半導体チップを積層して形成される半導体装置を製造する場合も、各半導体チップの厚みが比較的薄くなるので、本実施の形態の半導体装置の製造工程を適用すれば、効果が大きい。
【００８５】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、例えばウエハに接着シートを貼り付けて行う半導体装置の製造方法に適用して好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程を示す工程フロー図である。
【図２】本発明の一実施の形態の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３】図２に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図４】半導体ウエハに保護テープを貼り付ける工程の説明図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程の説明図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程の説明図である。
【図７】半導体ウエハの裏面研削工程の説明図である。
【図８】半導体ウエハの裏面のエッチング工程の説明図である。
【図９】半導体ウエハにダイボンドフィルムを貼り付けた状態を示す断面図である。
【図１０】半導体ウエハの裏面にダイボンドフィルムを貼り付ける工程の説明図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程の説明図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程の説明図である。
【図１３】半導体ウエハにダイシングテープを貼り付けた状態を示す平面図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１５】半導体ウエハにダイシングテープを貼り付ける工程の説明図である。
【図１６】半導体ウエハから保護テープを剥離する工程の説明図である。
【図１７】半導体ウエハの加熱工程の説明図である。
【図１８】半導体ウエハのダイシング工程の説明図である。
【図１９】ダイシングテープの接着性を低下させる工程の説明図である。
【図２０】半導体チップのダイボンディング工程の説明図である。
【図２１】本発明の一実施の形態の半導体装置の断面図である。
【図２２】本発明の他の実施の形態である半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１  半導体ウエハ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
２  保護テープ
３  セパレータフィルム
４  繰出しロール
５  セパレータ巻取りロール
６  ローラ
７  ローラ
８  ローラ
９  保護テープ巻取りロール
１０  載置台
１１  シートカッタ
１１ａ  ブレード
２１  ＢＧチャックテーブル
２２  研削水
２３  砥石
２４  エッチャチャックテーブル
２５  エッチング液
２６  ノズル
２７  エッチング液回収窓
３０  ダイボンドフィルム
３０ｂ〜３０ｆ  ダイボンドフィルム
３１  セパレータフィルム
３２  シート
３３  ダイボンドフィルム繰出しロール
３４  ローラ
３５  ローラ
３６  ダイボンドフィルム巻取りロール
３７  セパレータ巻取りロール
３８  載置台
３９  シートカッタ
３９ａ  ブレード
４０  ダイシングテープ
４１  保持治具
４２  載置台
４３  貼り付けローラ
５１  剥離テープ繰出しロール
５２  剥離テープ
５３  ローラ
５４  ローラ
５５  剥離テープ巻取りロール
５６  載置台
６０  ヒータ
７１  載置台
７２  スピンドル
７３  ブレード
８０ａ〜８０ｅ  半導体チップ
８１  ＵＶランプ
８２  反射板
９０  コレット
９１  配線基板
９２ａ〜９２ｆ  ボンディングワイヤ
９３  封止樹脂
９４  半田ボール
１００  半導体装置
１００ａ  半導体装置
１０１  スペーサ
１０２  ダイボンドフィルム
【図１】
2006324703.tif 000003
【図２】
2006324703.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006324703.tif 000009
【図８】
2006324703.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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