(57)【要約】【課題】反りが少ない積層体及び積層部品を提供する。【解決手段】無機組成物及び有機バインダを含む２種のセラミック層と、金属組成物及び有機バインダを含む導体層と、を積層してなり、前記セラミック層のうち、一方のセラミック層の焼成収縮開始温度Ｔ２が、他方のセラミック層の焼成収縮開始温度Ｔ１よりも高く、前記他方のセラミック層の収縮終了温度Ｔ３及び前記導体層の収縮終了温度Ｔ４よりも高いことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機組成物及び有機バインダを含む２種のセラミック層と、金属組成物及び有機バインダを含む導体層と、を積層してなり、前記２種のセラミック層のうち、一方のセラミック層の焼成収縮開始温度Ｔ２が、他方のセラミック層の収縮終了温度Ｔ３及び前記導体層の収縮終了温度Ｔ４よりも高いことを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記２種のセラミック層が、前記無機組成物として、ガラス組成物をそれぞれ含有することを特徴とする請求項１記載の積層体。
【請求項３】
前記導体層が、前記金属組成物として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔのうち少なくとも１種を主成分として含有することを特徴とする請求項１又は２記載の積層体。
【請求項４】
前記一方のセラミック層に含まれる無機組成物の体積含有率Ｂ２に対する前記他方のセラミック層の無機組成物の体積含有率Ｂ１の比Ｂ１／Ｂ２が、０．９０以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【請求項５】
前記無機組成物の体積含有率Ｂ２に対する前記導体層に含まれる金属組成物の体積含有率Ｂ３の比Ｂ３／Ｂ２が、０．９０以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の積層体を焼成してなることを特徴とする積層部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体及び積層部品に関するものであり、特に、例えば高密度多層配線基板、ＩＣ又はトランジスタパッケージ、電気絶縁用電子部品等に好適に使用できる積層体及び積層部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、セラミックスを絶縁基板とする回路基板が用いられているが、近年、回路基板に対して種々の機能の付加が求められ、異種セラミックスを組み合わせた回路基板が提案されている。例えば、強度の弱いセラミック絶縁層を強度の強い絶縁層で補強したり、回路基板の中に容量値の高いキャパシタを内蔵するために、低誘電率のセラミック絶縁層中に高誘電率のセラミック絶縁層などを積層した回路基板が知られている。
【０００３】
このような回路基板では、セラミックスのクラックやデラミネーション（層間剥離）を防止するために、異種のセラミック絶縁層間で最終的に焼成収縮率及び熱膨張係数を一致させるように絶縁層材料の特性を選択、制御することが通常行われている。
【０００４】
しかしながら、近年においては、回路基板の低コスト化や、部品実装時の高精度化のために、焼成時の収縮挙動の不整合による反り、変形を小さくすることが要求されているが、上記従来の回路基板では、この要求を達成することができなかった。
【０００５】
このような要求を満足するため、近年では、積層体の表面に、該積層体の焼成温度では焼結しない未焼成セラミック板を接着して焼成することによって積層体の収縮を未焼成セラミック板によって拘束し、厚み方向（ｚ方向）にのみ収縮させた後、未焼成セラミック板を削り取る方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
ところが、特許文献１に記載の方法では、未焼成のセラミック板によって拘束することができるため、回路基板の主面に平行な方向（Ｘ−Ｙ方向）への収縮を抑制することができるものの、焼成終了後に未焼成セラミック板を削り取る必要があるため、製造工程が増え、未焼成セラミック板を廃棄しなければならいため、コストが高くなるという問題があった。
【０００７】
そこで、焼成収縮開始温度の異なる二種のセラミック成形体を積層して同時焼成する際に、高温側のセラミック絶縁層が収縮開始する時、焼成収縮開始温度が低温側のセラミック絶縁膜が、最終焼成収縮量の９０％以上焼成収縮が進行させることによって、寸法変化を抑制することが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
また、焼成収縮開始温度の異なる二種のセラミック成形体と配線層を積層して同時焼成する際に、導体層の体積収縮率と収縮開始温度を制御することで、導体層の界面付近の剥離やクラックを防止することが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特許第２５５４４１５号
【特許文献２】特開平１４−２６１４４３号公報
【特許文献３】特開平１４−２９００３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、近年の回路基板の低背化、高機能化に伴って、セラミック成形体は薄くなり、また、セラミック成形体中の導体層の体積比率が大きくなってきたため、引用文献２及び３では問題にならなかったが、セラミック成形体と導体層の焼成収縮挙動のバラツキによって反りが大きくなるという問題が生じてきた。
【００１０】
本発明は、厚みが小さくても、反りが少ない積層体及び積層部品を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の積層体は、無機組成物及び有機バインダを含む２種のセラミック層と、金属組成物及び有機バインダを含む導体層と、を積層してなり、前記２種のセラミック層のうち、一方のセラミック層の焼成収縮開始温度Ｔ２が、他方のセラミック層の収縮終了温度Ｔ３及び前記導体層の収縮終了温度Ｔ４よりも高いことを特徴とする。
【００１２】
特に、前記２種のセラミック層が、前記無機組成物として、ガラス組成物を含有することが好ましい。
【００１３】
前記２種のセラミック層が、前記無機組成物として、ガラス組成物をそれぞれ含有することが好ましい。
【００１４】
前記導体層が、前記金属組成物として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ及びＰｔのうち少なくとも１種を主成分として含有することが好ましい。
【００１５】
前記一方のセラミック層に含まれる無機組成物の体積含有率Ｂ２に対する前記他方のセラミック層の無機組成物の体積含有率Ｂ１の比Ｂ１／Ｂ２が、０．９０以上であることが好ましい。
【００１６】
前記無機組成物の体積含有率Ｂ２に対する前記導体層に含まれる金属組成物の体積含有率Ｂ３の比Ｂ３／Ｂ２が、０．９０以上であることが好ましい。
【００１７】
本発明の積層部品は、上記積層体を焼成してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、一方のセラミック層の焼成収縮開始温度が、他方のセラミック層の収縮終了温度及び導体層の焼成収縮終了温度よりも高い場合に、積層体のＸ−Ｙ方向の焼成収縮を最も抑制でき、且つ回路基板の反りを最も小さくできるとの知見に基づくものである。
【００１９】
即ち、前記他方のセラミック層と導体層との焼成収縮が終了するまでのＸ−Ｙ方向の焼成収縮を、焼成収縮開始前の前記一方のセラミック層が十分に抑制できて、前記一方のセラミック層が焼成収縮を開始する時には、焼成収縮が終了した前記他方のセラミック層と導体層とが、Ｘ−Ｙ方向の焼成収縮を十分に抑制できるためである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明による回路基板の一例の概略断面図を示すもので、図１において、回路基板１０は、セラミックグリーンシート１ａ〜１ｃと複合層２ａ、２ｂが積層されたセラミック絶縁基板１と、絶縁基板１の表裏面に形成された表面導体層２、基板１の内部に形成された内部導体層３、導体層間を接続するためのビアホール導体４を有する。
【００２１】
セラミック絶縁基板１中の複合層は、収縮開始温度が異なるセラミックグリーンシートによって形成されて、２ａ−（１）、２ｂ−（１）の焼成収縮開始温度は、他の２ａ−（２）、２ｂ−（２）、１ａ〜１ｃよりも低く、２ａ−（１）、２ｂ−（１）の焼成収縮終了温度は、他の２ａ−（２）、２ｂ−（２）、１ａ〜１ｃの焼成収縮開始温度よりも低いものである。また、表層導体層２と内部導体層３を形成する導体グリーンシートの焼成収縮終了温度は、２ａ−（２）、２ｂ−（２）、１ａ〜１ｃよりも低くいものである。
【００２２】
この２つのセラミックグリーンシートと導体グリーンシートの焼成収縮挙動の概要について、図２の焼成収縮曲線に基づき説明する。本発明は、図２によればセラミックグリーンシートＡの収縮開始温度をＴ１、セラミックグリーンシートＢの収縮開始温度をＴ２とした場合、Ｔ１＜Ｔ２であり、セラミックグリーンシートＡの焼成収縮終了温度をＴ３、導体グリーンシートＣの焼成収縮終了温度をＴ４とした場合に、Ｔ２がＴ３およびＴ４より高いことが重要である。
【００２３】
図１の回路基板１０に当てはめると、セラミック絶縁基板１の２ａ−（１）、２ｂ−（２）はセラミックスグリーンシートＡ、絶縁層２ａ−（２）、２ｂ−（２）、１ａ〜１ｃはセラミックスグリーンシートＢ、表層導体層２、内部導体層３が導体グリーンシートＣと当てはめられる。
【００２４】
本発明によれば、焼成収縮開始温度が高温側のセラミックグリーンシートＢが焼成収縮を開始した時、セラミックグリーンシートＡと導体グリーンシートＣの焼成収縮が終了していることが重要である。
【００２５】
これは、上記高温側のセラミックグリーンシートＢの焼成収縮が始まる前に、セラミックグリーンシートＡと導体グリーンシートＣの焼成収縮が終わっていなければ、セラミックグリーンシートＡ、Ｂと導体グリーンシートＣの三者間の焼成収縮時の拘束力が充分に働かず、焼成収縮挙動の不整合による反りが発生するためである。
【００２６】
また、セラミックグリーンシートＢの収縮開始温度Ｔ２とセラミックグリーンシートＡ、導体グリーンシートＣの収縮終了温度Ｔ３、Ｔ４の差（Ｔ２−Ｔ３、Ｔ２−Ｔ４）が１０℃以上、特に２０℃以上であることが望ましい。
【００２７】
これは、互いのセラミックグリーンシートが共に焼成収縮する温度領域が減少するほど収縮の拘束の効果が大きくなるためである。なお、焼成収縮終了温度とは、焼成収縮が最終焼成体積収縮量の９９％に進行する温度を意味する。
【００２８】
本発明によれば、絶縁基板１を構成するセラミック材料は、絶縁体、誘電体、磁性体のいずれでも良く、焼成収縮開始温度が異なる少なくとも２種のセラミック材料は、例えば異なる組成のセラミック材料であったり、組成が全く同一であってセラミック粒子の粒度分布や比表面積の相違によって焼成収縮開始温度が異なるセラミック材料であってもよい。
【００２９】
なお、焼成収縮開始温度が異なる２種以上のセラミック材料は、例えば、焼結収縮開始温度の相違のみならず、目的に応じて、比誘電率が異なる、強度が異なる、誘電損失が異なるなどの他の特性が異なっていてもよい。
【００３０】
また、このセラミック材料は、前記の低抵抗の導体層と同時焼成が可能であることが望ましいために、１０５０℃以下の低温で焼成可能なセラミック材料、とりわけ、大気中で焼成できるＡｇと同時焼成が可能な９６０℃以下、特に９２０℃以下で焼成が可能なセ
ラミック材料が良い。上記のような低温焼成セラミック材料としては、ガラス粉末系、ガラス粉末とセラミック粉末との混合粉末系、酸化物粉末混合系などの周知の低温焼成セラミック材料が用いられる。
【００３１】
なお、上記ガラスとしては、非晶質ガラス、結晶化ガラスのいずれでもよい。例えば、ガラス粉末５０〜１００質量％とセラミック粉末０〜５０質量％からなることが望ましい。ガラス粉末の具体的な組成例としては、これに限られるものではないが、例えば、ＳｉＯ２２０〜７０質量％、Ａｌ２Ｏ３０．５〜３０質量％、ＭｇＯ３〜６０質量％、任意成分として、ＣａＯ０〜３５質量％、ＢａＯ０〜３０質量％、ＳｒＯ０〜３０質量％、Ｂ２Ｏ３０〜２０質量％、ＺｎＯ０〜３０質量％、ＴｉＯ２０〜１０質量％、Ｎａ２Ｏ０〜３質量％、Ｌｉ２Ｏ０〜５質量％を含むものが挙げられる。
【００３２】
また、セラミック粉末としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３、ＣａＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＢａＴｉ４Ｏ９、ＺｒＴｉＯ４、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２から選ばれる１種以上が挙げられる。
【００３３】
上記組成のガラス粉末とセラミック粉末との組み合わせによれば、１０００℃以下での低温焼結が可能となるとともに、導体層として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、また、低誘電率化も可能であり、高速伝送化に適している。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによって、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができる。
【００３４】
本発明によれば、焼成収縮開始温度が高温側の一方のセラミック層であるセラミックグリーンシートＢが焼成収縮を開始した時、他方のセラミック層であるセラミックグリーンシートＡと導体層である導体グリーンシートＣの焼成収縮が終了している積層体を作製する必要があるが、これらの積層体を作製する製法には、前記にあるように、セラミックグリーンシート中の組成物を変更する、導体グリーンシート中の金属粉末の粒径を変更する等のように多くあるが、セラミックグリーンシートＡ、セラミックグリーンシートＢ、導体グリーンシートＣを構成するグリーンシート中の無機組成物及び金属組成物の体積含有率％を適正化することが最良である。
【００３５】
具体的には、セラミックグリーンシートＡにおける無機組成物の体積含有率をＢ１、セラミックグリーンシートＢにおける無機組成物の体積含有率をＢ２、導体グリーンシートＣにおける金属組成物の体積含有率をＢ３とした場合に、Ｂ１／Ｂ２は０．９０以上、特に、０．９５以上であることが望ましい。これは、Ｔ２−Ｔ３の温度差が大きくなり、より安定して所望の積層体を作製できるためである。
【００３６】
また、Ｂ３／Ｂ２は０．９０以上、特に、０．９５以上であることが望ましい。これは、Ｔ２−Ｔ４の温度差が大きくなり、より安定して所望の積層体を作製できるためである。
【００３７】
また、前記の積層体を焼成する焼成プロファイルにおいて、Ｔ１とＴ２の温度域の昇温速度は１０℃以下、特に６℃以下であれば、より、安定して所望の積層体を作製することが可能になる。
【００３８】
本発明の回路基板の製造方法についてより具体的に説明すると、焼成収縮挙動が異なるセラミックグリーンシートＡ、セラミックグリーンシートＢを作製する。セラミックグリーンシートＡ、Ｂは、所定の無機組成物と有機バインダと有機溶剤、可塑剤及び必要に応じて分散剤とを混合し、スラリー化する。このスラリーを用いてドクターブレード法などによりテープ成形を行い、所定寸法に切断しグリーンシートを作製する。
【００３９】
その際に、セラミックグリーンシートＡの焼成収縮終了温度Ｔ３がセラミックグリーンシートＢの焼成収縮開始温度Ｔ２より低くなるように、セラミックグリーンシートＡの無機組成物の体積含有率Ｂ１とセラミックグリーンシートＢの無機組成物の体積含有率Ｂ２の比Ｂ１／Ｂ２を０．９０以上にする。このようなセラミックグリーンシートＡ、Ｂを作製するためには、スラリー組成物（バインダの官能基の選定、分散剤の選定及び添加量の適正化）または、混練条件などを適正化する必要がある。
【００４０】
次に、このセラミックグリーンシートＡ、Ｂにパンチングなどによって貫通孔を形成し、その貫通孔内に導体ペーストを充填し、表面導体層や内部導体層及び電極導体層を所定の導体材料を用いてペースト化したものをスクリーン印刷法などによって被着形成する。
【００４１】
その際に、導体グリーンシートＣの焼成収縮終了温度Ｔ４がセラミックグリーンシートＢの焼成収縮開始温度Ｔ２より低くなるように、導体グリーンシートＣの金属組成物の体積含有率Ｂ３とセラミックグリーンシートＢの無機組成物の体積含有率Ｂ２の比Ｂ３／Ｂ２を０．９０以上にする。このような導体グリーンシートＣを作製するためには、導体グリーンシートＣを作製するスラリー組成物（バインダの選定、分散剤の選定及び添加量の適正化）または、混練条件などを適正化する必要がある。
【００４２】
このようにして得られた各セラミックグリーンシートＡ、Ｂを、所定の積層順序に応じて積層して積層成形体を形成した後、焼成する。
【００４３】
焼成にあたっては、まず、焼成温度がセラミックグリーンシートＡの収縮開始温度Ｔ１に到達し、その後、好ましくは昇温速度１５℃／分以下、より好ましくは１０℃／分以下で焼成が行なわれる。この時、セラミックグリーンシートＡ、導体グリーンシートＣは、その温度で焼成収縮しないセラミックグリーンシートＢによってｘ−ｙ方向への収縮が抑制されて、ｚ方向に焼成収縮する。焼成温度がさらに上昇し、セラミックグリーンシートＢの収縮開始温度Ｔ２に到達すると、セラミックグリーンシートＢは、焼成収縮がほぼ完了したセラミックグリーンシートＡ、導体グリーンシートＣによってｘ−ｙ方向への焼成収縮が抑制されて、ｚ方向に焼成収縮する。その結果、セラミックグリーンシートＡ、セラミックグリーンシートＢ及び導体グリーンシートＣともにｘ−ｙ方向への焼成収縮が抑制されて、ｚ方向に焼成収縮した反りの小さい基板を作製することができる。
【００４４】
また、本発明の積層成形体は、焼成時の積層成形体の表裏面の温度差を小さくすることが望ましく、具体的には、積層成形体とその裏面に設置する焼成セッターとの接触を小さくすることが望ましい。そのために、焼成セッターを気孔率が例えば３０％以上の多孔質焼結体で構成したり、また、焼成セッターに貫通孔や溝を形成しても良い。
【００４５】
一般に、焼成用治具（焼成セッター）を触れる積層成形体の裏面は、積層体成形体の表面に比べて温度が低くなる傾向がある。焼成セッターに触れたセラミックグリーンシートＡ、Ｂ及び導体グリーンシートＣの焼成終了までの時間が、積層体表面のセラミックグリーンシートＡ、Ｂ及び導体グリーンシートＣより遅れて、積層成形体の反りが大きくなる場合があった。これを解決するために、焼成セッターとの接触状態制御及び焼成セット方法の適正化によって、焼成時の積層成形体の表裏面の温度差を小さくでき、反りの小さい基板を作製することができる。
【００４６】
さらに、焼成セッターを積層成形体の表面に設置しても良い。このとき、積層成形体の表面に設置する焼成セッターは、積層成形体の上に直接設置してもかまわないし、積層成形体の裏面に設置するセッターあるいは焼成炉の上にスペーサを置き、そのスペーサの上に積層成形体の表面に設置する焼成セッターを置いて、積層成形体と積層成形体表面に設置する焼成セッターとが直接接触しないように設置してもかまわない。焼成セッターを積層成形体の上に直接設置することで、平坦な焼成セッターから荷重が加わることで積層成形体の反りをさらに抑制することができる。焼成セッターを積層成形体と直接接触しないように設置することで、焼成炉の輻射熱により直接加熱される焼成セッターから積層成形体への熱の伝導が抑制できて、積層成形体の表裏面の温度差を小さくすることができる。
【実施例】
【００４７】
以下の方法により、図１の構造の回路基板を作製した。まず、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＣａＯ−ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＴｉＯ２−Ｎａ２Ｏ−Ｌｉ２Ｏガラス粉末８０質量％と、平均粒径が約１μｍのＡｌ２Ｏ３粉末２０質量％からなるセラミック材料ＡとＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＣａＯ−ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｂ２Ｏ３ガラス粉末６０質量％と、平均粒径が約１μｍのＡｌ２Ｏ３粉末４０質量％からなるセラミック材料Ｂを準備した。セラミック材料Ｂに用いるガラス粉末には、平均粒径が３．２μｍのものと２．０μｍのものを準備した。平均粒径３．２μｍのガラス粉末を用いたグリーンシートの焼成収縮開始温度は、平均粒径２．０μｍのガラス粉末を用いたグリーンシートの焼成収縮開始温度よりも高くなる。このセラミック材料Ａ、Ｂに対して各々バインダ、それぞれの材料に適した分散剤を添加して混練したスラリーを、ドクターブレード法にてセラミックグリーンシートに加工して、表１のような無機組成物の体積含有率の異なるセラミックグリーンシートＡおよびセラミックグリーンシートＢを作製した。
【００４８】
層構成は、図１と同じにして、各グリーンシートに貫通孔を形成し、その貫通孔内にＡｇまたはＣｕ粉末を含む導体ペーストを充填した。そして、セラミックグリーンシートの表面に導体ペーストを用いて表面導体層、内部導体層及び裏面導体層を印刷形成し、乾燥して導体グリーンシートＣを作製した。表面導体層、内部導体層及び裏面導体層を形成する導体材料としては、ＡｇまたはＣｕ粉末を用い、有機ビヒクルと界面活性剤を添加して、ＡｇまたはＣｕ粉末の凝集体がなくなるまで３本ロールミルで混合しペースト化して、表１のような金属組成物の体積含有率の異なる導体グリーンシートＣを作製した。
【００４９】
これらのセラミックグリーンシートを位置合わせした後、積層して積層体を作製し、これをＡｇ配線であれば大気中４００℃で脱バインダ処理し、さらに、大気中９１０℃で焼成して回路基板を作製した。また、Ｃｕ配線であれば、還元雰囲気中７００℃で脱バインダ処理し、さらに９１０℃で焼成して回路基板を作製した。
【００５０】
焼成セッターには、主成分がＡｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２の多孔質材料を用いた。積層体の裏面に設置する焼成セッターの厚みは３ｍｍで直径約１ｍｍの貫通穴がある焼成セッターと貫通穴のない焼成セッター、及び焼成セッター厚みが１ｍｍで貫通穴のない焼成セッターを用いた。更に、焼成セッターの底面と焼成炉の間にスペーサを設けて、焼成セッター底面から加熱されやすいようにセット方法を変更して焼成を行った。
【００５１】
また、一部の積層体は表面にも焼成セッターを設置して焼成した。積層体の表面に設置する焼成セッターは、厚みは３ｍｍで貫通穴のないものを用いた。そして、積層体の裏面に設置する焼成セッター上にスペーサを置き、そのスペーサの上に積層体の表面に設置する焼成セッターを置き、積層体と積層体の表面に設置する焼成セッターとが直接接触しない状態で焼成した。
【００５２】
なお、ここで、セラミックグリーンシートＡの厚みは５０μｍ、セラミックグリーンシートＢの厚みは１００μｍとした。各々のグリーンシートの無機組成物の体積含有率は、グリーンシートの生密度（ｇ／ｃｍ３）を測定して、その値と、無機組成物とスラリー添加剤の添加剤の密度とグリーンシート組成から算出した。
【００５３】
セラミックグリーンシートＡとセラミックグリーンシートＢ及び導体グリーンシートＣの焼成収縮挙動は、各グリーンシートに寸法評価用の穴を作製して、焼成途中の各々のグリーンシートを焼成炉から取り出して穴間隔寸法を測定して、その寸法変化から収縮率を算出してセラミックグリーンシートＡの収縮開始温度Ｔ１、セラミックグリーンシートＡの収縮終了温度Ｔ３、セラミックグリーンシートＢの収縮開始温度Ｔ２及び導体グリーンシートＣの収縮終了温度Ｔ４を求めた。ただし、導体グリーンシートＣは、印刷と乾燥を複数回繰り返し行って厚みを１００μｍとしたものを用いて測定した。
【００５４】
作製した回路基板に対して平面方向の反りを評価した。このサンプルには、図１の回路基板を用いて、表層導体の７ｍｍ□電極付近の凹凸を三次元測定機にて計測して、凹凸の最大、最小の差を反りとした。これらの結果を表１に示した。
【表１】
2006313878.tif 000003
【００５５】
この表１から、本発明の試料Ｎｏ．３〜１３、１５および１６はＴ２がＴ３およびＴ４より高温であるため、反りが５０μｍ以下と小さくなっていることが判る。さらに、Ｔ２がＴ３およびＴ４より高温であり、Ｂ１／Ｂ２が０．９０以上である試料Ｎｏ．３〜１３および１５では、反りが４５μｍ以下と小さくなっている。またさらに、Ｔ２がＴ３およびＴ４より高温であり、Ｂ１／Ｂ２が０．９０以上、Ｂ３／Ｂ２が０．９０以上でである試料Ｎｏ．３〜１３は、反りが３５μｍ以下と小さいことがわかる。一方、Ｔ２がＴ３およびＴ４より高温でない試料Ｎｏ．１、２および１４は反りが５０μｍ以上と、本発明品より反りが大きい。また、焼成時のＴ１〜Ｔ２の昇温速度が１０℃／分以下であれば、Ｔ２とＴ３、Ｔ２とＴ４との温度差を大きく出来て、反りも小さくできることが判る。また、試料の裏面に設置する焼成セッターを薄くする、貫通穴を設ける、スペーサを設ける、で試料表裏面の温度差異を小さく出来て、反りが小さくできることが判る。また、試料の表面に焼成セッターを設置することにより、反りを小さくできることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明のセラミック回路基板の概略断面図である。
【図２】本発明における収縮挙動を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・絶縁層
２・・・表面導体層
３・・・内部導体層
４・・・ビアホール導体
１０・・・回路基板
【図１】
2006313878.tif 000004
【図２】
2006313878.tif 000005