(57)【要約】【課題】広視野角を実現することができ、液晶の応答速度を向上した液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１絶縁基板と；第２絶縁基板と；第１絶縁基板と第２絶縁基板との間に位置する液晶層と；第１絶縁基板上に一方向に形成されている第１及び第２ゲート線と；第１及び第２ゲート線と絶縁膜を介して交差する方向に形成され、第１及び第２ゲート線と共に画素領域を定義するデータ線と；画素領域に形成されており、画素電極切開パターンを有する画素電極と；画素電極と電気的に分離されており、画素電極切開パターンの少なくとも一部分と重なって液晶層を制御する方向制御電極線と；第１ゲート線とデータ線との交差領域に形成されており、画素電極と連結されている  第１薄膜トランジスタと；第２ゲート線とデータ線との交差領域に形成されており、方向制御電極線と連結されている第２薄膜トランジスタと；を含む。【選択図】図１
2006313346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と；
第２絶縁基板と；
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に位置する液晶層と；
前記第１絶縁基板上に一方向に平行に形成されている第１ゲート線及び第２ゲート線と；
前記第１及び第２ゲート線と交差する方向に形成され、前記第１及び第２ゲート線と共に画素領域を定義するデータ線と；
前記画素領域に形成されており、画素電極切開パターンを有する画素電極と；
前記画素電極と電気的に分離されており、前記画素電極切開パターンの少なくとも一部分と重なって前記液晶層を制御する方向制御電極線と；
前記第１ゲート線と前記データ線との交差領域に形成されており、前記画素電極と連結されている第１薄膜トランジスタと；
前記第２ゲート線と前記データ線との交差領域に形成されており、前記方向制御電極線と連結されている第２薄膜トランジスタと；
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極切開パターンは、前記第１ゲート線に平行に形成されており前記画素電極を上下対称に区分する第１画素電極切開パターンと、前記第１画素電極切開パターンを中心に相互に上下対称的に位置し、前記第１ゲート線の方向と前記データ線の方向のいずれに対しても斜め方向（以下、斜め方向という）に設けられている、各々一対の第２画素電極切開パターン、第３、画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２画素電極切開パターンは前記第１画素電極切開パターンと最も近接して位置し、前記第３画素電極切開パターン及び前記第４画素電極切開パターンは前記第２画素電極切開パターンと平行に順次、所定の間隔だけ離隔して位置することを特徴とする、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記方向制御電極線は、前記第１画素電極切開パターン、第２画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンと少なくとも一部が重なることを特徴とする、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記方向制御電極線は、前記データ線と平行な部分と、斜め方向に延長されて前記画素電極切開パターンと重なる部分とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記方向制御電極線と前記データ線は同一層に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２薄膜トランジスタは前記第２ゲート線に連結されたゲート電極と、前記データ線から分岐して前記ゲート電極の上部に形成されているソース電極と、前記ソース電極に対向して前記ゲート電極の上部に形成されているドレーン電極とを含み、
前記方向制御電極線は前記ドレーン電極と連結されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２薄膜トランジスタの前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレーン電極は各々、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレーン電極であり、
前記第１薄膜トランジスタは前記第１ゲート線に連結されている第１ゲート電極と、前記データ線から分岐して前記第１ゲート電極上に形成されている第１ソース電極と、前記第１ソース電極に対向して前記第１ゲート電極の上部に形成されている第１ドレーン電極とを含み、
前記画素電極は前記第１ドレーン電極に連結されていることを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極切開パターンの幅と前記方向制御電極線の幅は各々、１μｍ乃至１６μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２ゲート線にゲート信号を印加するゲート駆動部と、前記データ線にデータ信号を印加するデータ駆動部と、前記ゲート駆動部及び前記データ駆動部を制御する信号制御部とをさらに含み、
前記信号制御部は、前記画素電極に印加される電圧より０．５Ｖ乃至５Ｖ大きい電圧を前記方向制御電極線に印加するように前記データ駆動部を制御することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記信号制御部は前記方向制御電極線と前記画素電極に同一極性の電圧が印加されるように前記データ駆動部を制御することを特徴とする、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記信号制御部は、前記第１薄膜トランジスタより前記第２薄膜トランジスタが先にオンし、前記第１薄膜トランジスタがオンする前に前記第２薄膜トランジスタがオフするように前記ゲート駆動部を制御することを特徴とする、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記信号制御部は、前記第２薄膜トランジスタに印加されるゲート信号が前記第１薄膜トランジスタに印加されるゲート信号より所定時間だけ先に騰落するように前記ゲート駆動部を制御することを特徴とする、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１薄膜トランジスタと前記第２薄膜トランジスタは各々独立して駆動されることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１絶縁基板と対向配置され、前記第２絶縁基板上に形成されている共通電極と、前記共通電極上に形成されており、所定の傾斜を有する山状をなして前記第１絶縁基板に向かって突出形成された有機膜山構造パターンとをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記有機膜山構造パターンは、前記有機膜山構造パターンの突出方向に沿って切断した断面が実質的に三角形状であることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記有機膜山構造パターンは、所定の形状の有機膜切開パターンによって各々分離されていることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記有機膜山構造パターンの頂上部は前記方向制御電極線と対応する位置に形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記共通電極は画素領域の全体にわたって形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記有機膜山構造パターンは頂上部から縁部に行くほど漸進的に薄い厚さを有するテーパ構造を成していることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記有機膜山構造パターンのテーパ傾斜は１度乃至５度であることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記有機膜山構造パターンの頂上部の厚さは０．５μｍ乃至３μｍであることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記有機膜山構造パターンの頂上部には前記第１絶縁基板に向かって突出した突起がさらに形成されていることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記突起部の一部は前記方向制御電極線に対応する位置に形成されていることを特徴とする、請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第１絶縁基板と対向配置され、前記第２絶縁基板上に形成されている共通電極、及び前記共通電極上に前記第１絶縁基板に向かって突出形成されたコラムスペーサをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記コラムスペーサは、前記第１絶縁基板上に形成された前記第１及び第２薄膜トランジスタ、前記第１及び第２ゲート線、前記データ線、及び前記第１及び第２ゲート線と前記データ線との交差点のうちの少なくともいずれか一つに対応する位置に形成されていることを特徴とする、請求項２５に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
絶縁基板と；
前記絶縁基板上に一方向（横方向とする）に形成されている第１ゲート線及び第２ゲート線と；
前記ゲート線と絶縁膜を介して交差する方向に形成され、前記第１及び第２ゲート線と共に画素領域を定義するデータ線と；
前記画素領域に形成されており、画素電極切開パターンを有する画素電極と；
前記画素電極と電気的に分離されており、前記画素電極切開パターンの少なくとも一部分と重なって液晶層を制御する方向制御電極線と；
前記第１ゲート線と前記データ線との交差領域に形成されており、前記画素電極と連結されている第１薄膜トランジスタと；
前記第２ゲート線と前記データ線との交差領域に形成されており、前記方向制御電極線と連結されている第２薄膜トランジスタと；
を含む薄膜トランジスタ基板を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２８】
第１及び第２絶縁基板を設ける段階と；
前記第１絶縁基板上に相互に、ある間隔だけ離隔している第１ゲート線及び第２ゲート線を形成する段階と；
前記第１ゲート線及び前記第２ゲート線と交差する方向に形成され、前記ゲート線と共に画素領域を定義するデータ線と、前記第１ゲート線と前記データ線が相互に交差する領域に位置する第１薄膜トランジスタと、前記第２ゲート線と前記データ線が相互に交差する領域に位置する方向制御電極線を有する第２薄膜トランジスタとを設ける段階と；
画素電極切開パターンを有する画素電極を形成する段階と；
前記第１絶縁基板と前記第２絶縁基板との間に液晶層を位置させる段階と；
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記画素電極切開パターンは、前記第１ゲート線に平行に形成されて前記画素電極を上下対称に区分する第１画素電極切開パターンと、前記第１画素電極切開パターンを中心に相互に上下対称的に位置し、斜め方向に形成さられている、一対の第２画素電極切開パターン、一対の第３画素電極切開パターン、及び一対の第４画素電極切開パターンを含むことを特徴とする、請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記画素電極を形成する段階は、前記第１画素電極切開パターンと最も近接した位置に第２画素電極切開パターンを設け、前記第２画素電極切開パターンと平行に順次、ある間隔だけ離隔して第３画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンを設けることを特徴とする、請求項２９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記第１画素電極切開パターン、第２画素電極切開パターン、及び第４画素電極切開パターンと少なくとも一部が重なるように前記方向制御電極線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記データ線に平行な部分と、斜め方向の部分であって、前記画素電極切開パターンの一部分と重なる部分とを有するように前記方向制御電極線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記方向制御電極線は前記データ線と同時に形成されることを特徴とする、請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記第２絶縁基板上に共通電極を形成し、前記共通電極上に、ある傾斜を有する山状に前記第１基板に向かって突出した有機膜山構造パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記有機膜山構造パターンの頂上部に前記第１絶縁基板に向かって突出した突起を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項３４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記突起を形成する段階は、前記有機膜山構造パターンの領域のうちの前記第１絶縁基板に最も近接した領域に前記突起を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項３５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記突起を形成する段階は、前記突起のうちの一部が前記方向制御電極線に対応して整列するように形成することを特徴とする、請求項３５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記第２絶縁基板上に共通電極を形成し、前記共通電極上に前記第１絶縁基板に向かって突出したコラムスペーサを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記コラムスペーサは前記第１絶縁基板に形成された前記第１及び第２薄膜トランジスタ、前記第１及び第２ゲート線、前記データ線、及び前記第１及び第２ゲート線と前記データ線との交差点のうちの少なくとも一つに対応する位置に形成されることを特徴とする、請求項３８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記コラムスペーサは前記有機膜山構造パターン及び前記突起のうちの少なくとも一つと同時に形成されることを特徴とする、請求項３８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記方向制御電極線は前記データ線と同時に形成されることを特徴とする、請求項２８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ａｎｄ  ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｓａｍｅ）に係り、より詳しくは、一つのピクセル（以下、画素という）を複数のドメインに分けて広視野角を実現し液晶の応答速度を向上した液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）として広く使用される液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）はＣＲＴに比べて薄くて軽く、また消費電力が小さいという長所を有していて多く使用されている。
【０００３】
液晶表示装置は薄膜トランジスタが形成されている薄膜トランジスタ基板、カラーフィルター層が形成されているカラーフィルター基板及びこれらの間に位置する液晶層からなる液晶パネルを含む。
液晶パネルは非発光素子であるので、薄膜トランジスタ基板の後方には光を照射するためのバックライトユニットが備えられる。
【０００４】
液晶表示装置は薄膜トランジスタ基板の画素電極とカラーフィルター基板の共通電極との間に電圧が印加されて両電極の間に形成された電界によって液晶分子の配列状態が決定され、前記配列状態によってバックライトユニットから照射された光の透過量が調節されて画像を形成する。
【０００５】
このような液晶表示装置が動画像を多く使用するテレビまたは大型表示装置に適用されるにつれて、液晶の応答速度（ｒｅｓｐｏｎｓｅ  ｔｉｍｅ）と広視野角の重要性が認識されている。
【０００６】
広視野角を実現し液晶の応答速度を向上するために画素電極または／及び共通電極に切開パターンまたは突起を形成する方法が知られている。
これら切開パターンまたは突起によって形成されるフリンジ電界（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）を利用して液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインを形成する。
これにより、液晶分子の横になる方向を調節することによって視野角を広くし、液晶分子の傾く方向を予め決定して応答速度を向上する。
例えば、本発明の出願人の出願になる特許文献１には、画素電極及び共通電極に各々このような切開パターンを設ける具体的方法が開示されている。
【０００７】
しかし、前記切開パターンと突起による方法は画素電極と共通電極に各々切開パターンまたは突起を形成するために別途の工程が必要になるという問題点がある。
【０００８】
そして、切開パターンまたは突起に隣接した液晶分子は電界の影響が強いので配向が決定されて速やかに再配列されるが、切開パターンまたは突起から遠く位置する液晶分子は切開パターンまたは突起に隣接した液晶分子の影響を受けて再配列されるので、全体的に液晶の応答速度が遅いという問題点がある。
【０００９】
また、前記切開パターンによる電界の影響が弱い場合、液晶分子が正しく配向されず応答速度が遅いという問題点がある。
【特許文献１】特開２００１−１０９００９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明の目的は、広視野角を実現することができ、液晶の応答速度を向上した液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、第１絶縁基板と；第２絶縁基板と；第１絶縁基板と第２絶縁基板との間に位置する液晶層と；第１絶縁基板上に一方向（横方向とする）に形成されている第１ゲート線及び第２ゲート線と；第１及び第２ゲート線と交差する方向に形成され、第１及び第２ゲート線と共に画素領域を定義するデータ線と；画素領域に形成されており、画素電極切開パターンを有する画素電極と；画素電極と電気的に分離されており、画素電極切開パターンの少なくとも一部分と重なって液晶層を制御する方向制御電極線と；第１ゲート線とデータ線との交差領域に形成されており、画素電極と連結されている第１（画素電極用）薄膜トランジスタと；第２ゲート線とデータ線との交差領域に形成されており、方向制御電極線と連結されている第２（方向制御電極用）薄膜トランジスタと；を含むことを特徴とする。
【００１２】
ここで、画素電極切開パターンは、第１ゲート線に平行に形成されており画素電極を上下対称ように区分する第１画素電極切開パターンと、第１画素電極切開パターンを中心に相互に上下対称的に位置し、斜め方向に設けられている、各々一対の第２画素電極切開パターン、第３画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンとを含む、ことが広視野角実現及び応答速度向上のために好ましい。
【００１３】
そして、第２画素電極切開パターンは第１画素電極切開パターンと最も近接して位置し、第３画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンは第２画素電極切開パターンと平行に順次、ある間隔だけ離隔して位置する、ことができる。
【００１４】
ここで、方向制御電極線は、第１画素電極切開パターン、第２画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンと少なくとも一部が重なる、ことが電界を強くして液晶の応答速度を向上するために好ましい。
【００１５】
そして、方向制御電極線はデータ線と平行な部分と、斜め方向に延長されて画素電極切開パターンと重なる部分を含む、ことができる。
【００１６】
また、方向制御電極線とデータ線は同一層に形成されている、ことができる。
【００１７】
ここで、第２薄膜トランジスタ（方向制御電極用薄膜トランジスタ）は第２ゲート線に連結されたゲート電極（第２ゲート電極）と、データ線から分岐して第２ゲート電極上に形成されているソース電極（第２ソース電極）と、第２ソース電極に対向して第２ゲート電極の上部に形成されている第２ドレーン電極とを含み、方向制御電極線は第２ドレーン電極と連結されているのが好ましい。
【００１８】
また、第２薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレーン電極は各々、第２ゲート電極、第２ソース電極及び第２ドレーン電極であり、
第１薄膜トランジスタは第１ゲート線に連結されている第１ゲート電極と、データ線から分岐して第１ゲート電極上に形成されている第１ソース電極と、第１ソース電極に対向して第１ゲート電極の上部に形成されている第１ドレーン電極とを含み、
画素電極は第１ドレーン電極に連結されている、ことが好ましい。
【００１９】
そして、画素電極切開パターンの幅と方向制御電極線の幅は各々、１μｍ乃至１６μｍである、のが好ましい。
【００２０】
ここで、第１及び第２ゲート線にゲート信号を印加するゲート駆動部と、データ線にデータ信号を印加するデータ駆動部と、ゲート駆動部及びデータ駆動部を制御する信号制御部とをさらに含み、信号制御部は画素電極に印加される電圧より０．５Ｖ乃至５Ｖ大きい電圧を方向制御電極線に印加するように前記データ駆動部を制御する、のが好ましい。
【００２１】
そして、信号制御部は方向制御電極線と画素電極に同一極性（ｐｏｌａｒｉｔｙ）の電圧が印加されるようにデータ駆動部を制御する、のが好ましい。
【００２２】
また、信号制御部は画素電極用薄膜トランジスタより方向制御電極用薄膜トランジスタが先にオン（ＯＮ）し、画素電極用薄膜トランジスタがオン（ＯＮ）する前に方向制御電極用薄膜トランジスタがオフ（ＯＦＦ）するようにゲート駆動部を制御する、のが好ましい。
【００２３】
ここで、信号制御部は方向制御電極用薄膜トランジスタに印加されるゲート信号が画素電極用薄膜トランジスタに印加されるゲート信号より所定時間だけ先に騰落するようにゲート駆動部を制御する、のが好ましい。
【００２４】
そして、画素電極用薄膜トランジスタと方向制御電極用薄膜トランジスタは各々独立して駆動される、のが好ましい。
【００２５】
ここで、第１基板と対向配置され、第２絶縁基板上に形成されている共通電極と、共通電極上に形成されており、所定の傾斜を有する山状をなして第１基板に向かって突出した有機膜山構造パターンとをさらに含む、ことができる。
【００２６】
また、有機膜山構造パターンは、有機膜山構造パターンの突出方向に沿って切断した断面が実質的に三角形状である、のが好ましい。
【００２７】
そして、有機膜山構造パターンは所定の形状の有機膜切開パターンによって各々分離されている、ことができる。
【００２８】
また、有機膜山構造パターンの頂上部は方向制御電極線と対応する位置に形成されている、のが好ましい。
【００２９】
ここで、共通電極は画素領域の全体にわたって形成されているのが、一つの切開パターン形成工程を除去して工程を単純化することができるので好ましい。
【００３０】
そして、有機膜山構造パターンは頂上部から縁部へ行くほど漸進的に薄い厚さを有するテーパ構造を成している、のが好ましい。
【００３１】
また、有機膜山構造パターンのテーパ傾斜は１度乃至５度である、のが好ましい。
【００３２】
そして、有機膜山構造パターンの頂上部の厚さは０．５μｍ乃至３μｍである、のが好ましい。
【００３３】
また、有機膜山構造パターンの頂上部には第１絶縁基板に向かって突出した突起がさらに形成されている、ことができる。
【００３４】
そして、突起部の一部は前記方向制御電極線に対応する位置に形成されている、ことができる。
【００３５】
ここで、第１絶縁基板と対向配置され、第２絶縁基板上に形成されている共通電極及び共通電極上に第１基板に向かって突出形成されたコラムスペーサをさらに含むことができる。
【００３６】
そして、コラムスペーサは第１絶縁基板上に形成された第１及び第２薄膜トランジスタ、第１及び第２ゲート線、データ線、及び第１及び第２ゲート線とデータ線の交差点のうちの少なくともいずれか一ケ所に対応する位置に形成されている、ことができる。
【００３７】
本発明の目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、絶縁基板と；絶縁基板上に一方向（横方向とする）に形成されている第１ゲート線及び第２ゲート線と；第１及び第２ゲート線と交差する方向に形成され、第１及び第２ゲート線と共に画素領域を定義するデータ線と；画素領域に形成されており、画素電極切開パターンを有する画素電極と；画素電極と電気的に分離されており、画素電極切開パターンの少なくとも一部分と重なって液晶層を制御する方向制御電極線と；第１ゲート線とデータ線の交差領域に形成されており、画素電極と連結されている第１薄膜トランジスタ（画素電極用薄膜トランジスタ）と；第２ゲート線とデータ線の交差領域に形成されており方向制御電極線と連結されている第２薄膜トランジスタ（方向制御電極用薄膜トランジスタ）と；を含む薄膜トランジスタ基板を備えることを特徴とする。
【００３８】
本発明の目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置の製造方法は、第１及び第２絶縁基板を設ける段階と；第１絶縁基板上に相互に、ある間隔だけ離隔している第１ゲート線及び第２ゲート線を形成する段階と；第１ゲート線及び第２ゲート線と交差する方向に形成され、前記ゲート線と共に画素領域を定義するデータ線と、第１ゲート線とデータ線が相互に交差する領域に位置する第１薄膜トランジスタ（画素電極用薄膜トランジスタ）と、第２ゲート線とデータ線が相互に交差する領域に位置する方向制御電極線を有する第２薄膜トランジスタ（方向制御電極用薄膜トランジスタ）とを設ける段階と；画素電極切開パターンを有する画素電極を形成する段階と；第１絶縁基板と第２絶縁基板の間に液晶層を位置させる段階とを含むことを特徴とする。
【００３９】
ここで、画素電極を上下対称区分するようにゲート線に並行に形成されている第１画素電極切開パターンと、第１画素電極切開パターンを中心に相互に上下対称的に位置し、斜め方向に形成されている、各々一対の第２、第３、及び第４画素電極切開パターンとを設ける、ことができる。
【００４０】
そして、第１画素電極切開パターンと最も近接した位置に第２画素電極切開パターンを設け、第２画素電極切開パターンと平行に順次、ある間隔だけ離隔して第３画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンを設ける、ことができる。
【００４１】
ここで、第１画素電極切開パターン、第２画素電極切開パターン及び第４画素電極切開パターンと少なくとも一部が重なるように方向制御電極線を形成する、のが好ましい。
【００４２】
そして、データ線に平行な部分と、斜め方向の部分であって、画素電極切開パターンの一部分と重なる部分とを有するように方向制御電極線を形成する、のが好ましい。
【００４３】
ここで、方向制御電極線はデータ線と同時に形成される、のが好ましい。
【００４４】
また、第２絶縁基板上に共通電極を形成し、共通電極上に、ある傾斜を有する山状に第１基板に向かって突出した有機膜山構造パターンを形成する段階をさらに含む、ことができる。
【００４５】
そして、有機膜山構造パターンの頂上部に第１基板に向かって突出した突起を形成する段階をさらに含む、ことができる。
【００４６】
また、突起を形成する段階は、有機膜山構造パターンの領域のうちの第１絶縁基板に最も近接した領域に突起を形成する段階を含む、ことができる。
【００４７】
そして、突起を形成する段階は、突起のうちの一部が方向制御電極線に対応して整列するように形成する、ことができる。
【００４８】
ここで、第２絶縁基板上に共通電極を形成し、共通電極上に第１基板に向かって突出したコラムスペーサを形成する段階をさらに含む、ことができる。
【００４９】
そして、コラムスペーサは第１基板に形成された第１及び第２薄膜トランジスタ、第１及び第２ゲート線、データ線、及び第１及び第２ゲート線とデータ線の交差点のうちの少なくとも一ケ所に対応する位置に形成される、ことができる。
【００５０】
ここで、コラムスペーサは有機膜山構造パターンまたは突起と同時に形成される、のが好ましい。
【００５１】
さらに、方向制御電極線はデータ線と同時に形成される、ことが好ましい。
【発明の効果】
【００５２】
本発明によれば、広視野角を実現することができ、液晶の応答速度が向上した液晶表示装置及びその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
以下の説明で、ある膜（層）が他の膜（層）の‘上部に’形成されて（位置して）いるという場合、二つの膜（層）が接している場合だけでなく、二つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
【実施例１】
【００５４】
図１は本発明の第１実施例による液晶表示装置の、薄膜トランジスタ基板の１画素分の配置図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩによる液晶パネル部（前述のように、薄膜トランジスタ基板、液晶、及びカラーフィルター基板からなる）の断面図であり、図３は本発明の第１実施例による画素電極切開パターンを示す図面である。
【００５５】
本発明の実施例による液晶表示パネル１０は薄膜トランジスタ基板（第１基板）１００とこれに対面しているカラーフィルター基板（第２基板）２００、そしてこれらの間に位置している液晶層３００を含む。
【００５６】
最初に、薄膜トランジスタ基板１００について説明すれば次の通りである。
第１絶縁基板１１０の上方にゲート配線が形成されている。
ゲート配線は金属単一層または多重層からなり、多様な金属及びその合金を含むことができる。
ゲート配線は横方向に伸びている第１ゲート線１２１、第１ゲート線１２１に連結されている第１ゲート電極１２２、第１ゲート線１２１と相互に平行に所定の間隔だけ離隔して形成されている第２ゲート線１２５、第２ゲート線１２５に連結されている第２ゲート電極１２６、及び後述する画素電極１８０と重なって保存容量を形成する維持電極線（図示せず）を含む。
【００５７】
第１絶縁基板１１０の上方には、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１３０がゲート配線（１２１、１２２、１２５、１２６）を覆っている。
【００５８】
ゲート電極１２２、１２６のゲート絶縁膜１３０の上部には非晶質シリコンなどの半導体からなる第１半導体層１４１と第２半導体層１４５が形成されており、半導体層１４１、１４５の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成された第１抵抗性接触層１５１及び第２抵抗性接触層１５５が形成されている。
ドーピングは、半導体層の電気的特性を変化させるために半導体層に不純物を注入することである。
ここで、不純物はｎ型またはｐ型伝導度を確立するために半導体層に注入される。
後述するソース電極１６１、１６５とドレーン電極１６２、１６６の間のチャンネル部では抵抗性接触層１５１、１５５が除去されている。
【００５９】
抵抗性接触層１５１、１５５及びゲート絶縁膜１３０の上方にはデータ配線と方向制御電極線１６３が形成されている。
データ配線も金属単一層または多重層からなる。
データ配線は、縦方向に形成されゲート線１２１と交差して画素を形成するデータ線１６０と、データ線１６０から分枝し、各々抵抗性接触層１５１、１５５の上部まで伸びている第１ソース電極１６１及び第２ソース電極１６５と、ソース電極１６１、１６５と分離されておりソース電極１６１、１６５に対抗して各々抵抗性接触層１５１、１５５の上部に形成されている第１ドレーン電極１６２及び第２ドレーン電極１６６と、を含む。
【００６０】
方向制御電極線１６３はデータ線１６０と平行な部分と、第１ゲート線１２１の方向とデータ線１６０の方向のいずれに対しても斜め方向（以下、斜め方向という）に延長されて上下対称的に形成されている部分を含む。
図示したように、前述の斜め方向に延長されて上下対称的に形成されている部分は、データ線１６０に対してほぼ±４５度傾斜している
前記傾斜角は一実施例に過ぎず、他の角度で形成されることができるのは勿論である。
さらに具体的には、方向制御電極線１６３は、データ線１６０と平行な部分の両端から上下対称的に、各々斜め方向に折り曲げられて伸びた部分と、データ線１６０と平行な部分の中央からゲート線１２１、１２５に沿って伸びている途中で斜め方向に上下対称的に分岐される部分を含む。
即ち、方向制御電極線１６３は、データ線１６０と平行な第１部分と、前記第１部分のほぼ中央に位置し、第１部分からほぼ垂直に延伸された第２部分と、第１部分の一端から傾斜して延長された第３部分と、第２部分から傾斜して延長されており第３部分にほぼ平行な第４部分と、第２部分から傾斜して延長されており第４部分と実質的に垂直をなしている第５部分と、第１部分の他端から傾斜して延長されており第５部分に実質的に平行な第６部分と、第４部分の一端から延長されており前記第１部分に実質的に平行な第７部分と、第５部分の一端から延長されており第１部分に実質的に平行な第８部分とを含む。
従って、第２部分は方向制御電極線１６３全体の上下対称軸上に位置する。
即ち、第３、第４及び第７部分は第５、第６及び第８部分とそれぞれ対称的である。
また、第３、第４、第５及び第６部分は第２部分に対してほぼ±４５度の角度をなして延長されている。
ここで、傾斜角は一例に過ぎず、他の傾斜角も全て含まれることができるのは勿論である。
方向制御電極線１６３は第４部分の途中から延長された第９部分を含み、前記第９部分はさらに第２ドレーン電極１６６を含む。
方向制御電極線１６３の具体的な配置は図１及び前述の説明の通りであり、方向制御電極線１６３の、前述の斜め方向に延長されて上下対称的に形成されている部分は後述する画素電極切開パターン１９０の少なくとも一部と重なる。
このような方向制御電極線１６３の配置は多様な形態の液晶表示装置及び画素電極切開パターン１９０の配置との関係によって変更できるのは勿論である。
そして、方向制御電極線１６３の一部は後述する第２薄膜トランジスタＴ２に含まれて第２ドレーン電極１６６の役割を果たす。
方向制御電極線１６３はデータ配線（１６０、１６１、１６２、１６５、１６６）と同一層で形成できるので、別途の工程を要しない。
【００６１】
ここで、方向制御電極線１６３の幅は１μｍ乃至１６μｍであるのが好ましい。
その理由は次の通りである。
方向制御電極線１６３は電界を形成して一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインを形成する。
このように、一つの画素を複数のドメインに分けることによって液晶表示装置の視野角が広くなるが、方向制御電極線１６３の幅が１μｍより小さければ、方向制御電極線１６３から発生する電気力線が実質的に形成されないので、一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界を形成することができず、幅が１６μｍより大きければ一つの画素内の開口率が低くなる問題点がある。
１μｍ乃至１６μｍ程度の幅で一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインを十分に形成することができる。
【００６２】
そして、方向制御電極線１６３は後述する画素電極切開パターン１９０の少なくとも一部と重ならなければならない。
これは方向制御電極線１６３から発生する電気力線によって電界を変形し液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界を形成するためである。
もし、画素電極１８０に切開パターンが形成されておらず方向制御電極線１６３が画素電極１８０によって覆われていると仮定すると、方向制御電極線１６３から発生するべき電気力線が画素電極１８０によって遮蔽されてしまい、一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界を形成することができなくなる。
したがって、方向制御電極線１６３は画素電極切開パターン１９０と少なくとも一部が重なるようにデザインされるのが好ましい。
【００６３】
ここで、第２ゲート電極１２６、第２ソース電極１６５、及び第２ドレーン電極１６６を設けることによって方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２が完成する。
方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２はデータ線１６０と第２ゲート線１２５の交差領域に形成されており、第２ドレーン電極１６６と連結されている方向制御電極線１６３に所定の電圧を印加して画素内の電界形成に寄与する。
【００６４】
データ配線（データ線１６０、第１ソース電極１６１、第１ドレーン電極１６２、第２ソース電極１６５、第２ドレーン電極１６６）、方向制御電極線１６３、及びこれらが覆わない半導体層１４１、１４５の上部には保護膜１７０が形成されている。
保護膜１７０には第１ドレーン電極１６２を露出する接触孔１８１が形成されている。
【００６５】
保護膜１７０の上部には画素電極１８０が形成されている。
画素電極１８０は通常ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電物質からなる。
画素電極１８０は接触孔１８１を通じて第１ドレーン電極１６２と電気的に連結されている。
そして、画素電極１８０には一つの画素を複数のドメインに区分して広視野角を実現するための手段である画素電極切開パターン１９０が形成されている。
【００６６】
図３に示すように、画素電極切開パターン１９０は、第１ゲート線１２１に平行に形成されて画素電極１８０全体を上下対称に区分する第１画素電極切開パターン１９１と、第１画素電極切開パターン１９１を中心に相互に対称的に位置し、斜め方向に形成されている各々一対の第２、第３、及び第４画素電極切開パターン１９２、１９３、１９４を含む。
画素電極１８０の第１部分は第１画素電極切開パターン１９１の一側に配置されており、画素電極１８０の第２部分は第１画素電極切開パターン１９１の他側に配置されている。
前記各々一対の第２、第３及び第４画素電極切開パターン１９２、１９３、１９４は画素電極１８０の第１及び第２部分に同等に、対称的に配置されている。
即ち、画素電極１８０の第１部分は画素電極１８０の第２部分と対称的な形状に形成されている。
第２画素電極切開パターン１９２は第１画素電極切開パターン１９１に最も近接して位置し、第３画素電極切開パターン１９３と第４画素電極切開パターン１９４は第２画素電極切開パターン１９２と平行に順次に所定の間隔だけ離隔して位置している。
第２、第３及び第４画素電極切開パターン１９２、１９３、１９４の傾斜角は方向制御電極線１６３の第３乃至第６部分と対応する。
例えば図３では、第２、第３及び第４画素電極切開パターン１９２、１９３、１９４は第１画素電極切開パターン１９１に対してほぼ４５度の傾斜角をなしている。
前記±４５度の傾斜角は一実施例に過ぎず、方向制御電極線１６３の斜め方向に延長されて上下対称的に形成されている部分が備える傾斜角に等しい他の傾斜角であってもよいのは勿論である。
第１画素電極切開パターン１９１は方向制御電極線１６３の第２部分と実質的に同一方向に延長することができる。
【００６７】
前述のように、方向制御電極線１６３は第１画素電極切開パターン１９１、第２画素電極切開パターン１９２及び第４画素電極切開パターン１９４と少なくとも一部が重なっている。
さらに具体的には、方向制御電極線１６３の第２部分は第１画素電極切開パターン１９１と重なり、方向制御電極線１６３の第３部分は画素電極１８０の第２部分で第４画素電極切開パターン１９４と重なり、方向制御電極線１６３の第４部分は画素電極１８０の第１部分で第２画素電極切開パターン１９２と重なり、方向制御電極線１６３の第５部分は画素電極１８０の第２部分で第２画素電極切開パターン１９２と重なり、方向制御電極線１６３の第６部分は画素電極１８０の第２部分で第４画素電極切開パターン１９４と重なる。
これによって、方向制御電極線１６３から発生する電気力線が形成され、電界を変形し、液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界を形成することができるので、広視野角を実現するために好ましい。
【００６８】
画素電極１８０は接触孔１８１を介して第１ドレーン電極１６２に連結されているので、第１ゲート電極１２２、第１ソース電極１６１及び第１ドレーン電極１６２を含む画素電極用薄膜トランジスタＴ１によって所定の電圧の印加を受けて液晶を再配列する電界を形成する。
【００６９】
画素電極切断パターン１９０は説明した実施例に限定されず多様な形状に形成できる。
【００７０】
次に、カラーフィルター基板２００について説明する。
【００７１】
第２絶縁基板２１０上にブラックマトリックス２２０が形成されている。
ブラックマトリックス２２０は一般に赤色、緑色及び青色フィルターの間を区分し、第１基板１００に位置する薄膜トランジスタへの直接的な光照射を遮断する役割を果たす。
ブラックマトリックス２２０は通常黒色顔料が添加された感光性有機物質からなっている。
前記黒色顔料としてはカーボンブラックやチタニウムオキシドなどを使用する。
【００７２】
カラーフィルター層２３０はブラックマトリックス２２０を境界として赤色、緑色、又は青色フィルターが画素毎に順次繰り返されて形成される。
カラーフィルター層２３０はバックライトユニット（図示せず）から照射されて液晶層３００を通過した光に色相を付与する役割を果たす。
カラーフィルター層２３０は通常感光性有機物質からなっている。
【００７３】
カラーフィルター層２３０とカラーフィルター層２３０が覆っていないブラックマトリックス２２０の上部にはオーバーコート膜２４０が形成されている。
オーバーコート膜２４０はカラーフィルター層２３０の上部を平坦化すると共に、カラーフィルター層２３０を保護する役割を果たし、通常アクリル系エポキシ材料が多く使用される。
【００７４】
共通電極２５０はオーバーコート膜２４０の上部に形成されている。
共通電極２５０はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電物質からなる。
共通電極２５０は薄膜トランジスタ基板１００の画素電極１８０と共に液晶層３００に直接電圧を印加する。
【００７５】
以下、図４及び図５を参照して本発明による液晶表示装置の駆動原理を詳細に説明する。
図４は本発明の第１実施例による液晶表示装置の１画素分の回路図を簡略に示した図面であり、図５は本発明の第１実施例による液晶表示装置の液晶駆動回路のブロック図である。
図４に示すように、画素電極１８０は第２基板２００の共通電極２５０と液晶蓄電器を形成し、その液晶容量はＣＬＣである。
また、画素電極１８０は、図１に示していない維持電極線に連結されている維持電極（図示せず）と保存蓄電器を形成し、その保存容量はＣＳＴである。
方向制御電極線１６３は共通電極２５０と方向制御蓄電器を形成し、その方向制御用量はＣＤＣＥである。
前述のように、方向制御電極線１６３から発生し液晶表示装置の画素電極切開パターン１９０（図３）を通過する電気力線が形成され、電界を変形し、一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界が形成される。
【００７６】
しかし、方向制御電極線１６３から発生する電気力線によって液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界を形成するためには、共通電極２５０に対する方向制御電極線１６３の電位差が共通電極２５０に対する画素電極１８０の電位差より０．５Ｖ乃至５Ｖの範囲でさらに大きくなければならない。
即ち、共通電極に印加される基準電圧（Ｖｃｏｍ）は一定なので、方向制御電極線１６３に印加される電圧と基準電圧の差の絶対値が画素電極１８０に印加される電圧と基準電圧の差の絶対値より大きいのが好ましい。
これは、方向制御電極線１６３から発生する電気力線によって、共通電極２５０と画素電極１８０の間に形成される電界を、一つの画素を複数のドメインに分けるように変形し、液晶分子がドメインごとに所定の傾斜を有して再配列されるようにするためである。
【００７７】
方向制御電極線１６３に画素電極１８０より高い電位差を印加する駆動原理は次の通りである。
図５に示すように、液晶表示装置はゲート線１２１、１２５にゲート信号を印加するゲート駆動部４１０、データ線１６０にデータ信号を印加するデータ駆動部４２０、及びゲート駆動部４１０とデータ駆動部４２０を各々、駆動電圧生成部４５０及び階調電圧生成部４４０を介して制御する信号制御部４３０を含む。
ここで駆動電圧生成部４５０は、薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２をオン（ＯＮ）させるゲートオン電圧（Ｖｏｎ）、薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２をオフ（ＯＦＦ）させるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）、及び共通電極２５０に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）などを生成する。
そして、階調電圧生成部４４０は液晶表示装置の輝度と関連する複数の階調電圧（ｇｒａｙ  ｓｃａｌｅ  ｖｏｌｔａｇｅ）を生成し、信号制御部４３０によって生成された電圧選択制御信号（ＶＳＣ）によって決定された電圧値を有する階調電圧をデータ駆動部４２０に供給する。
【００７８】
ここで信号制御部４３０は、画素電極１８０に印加される電圧と同一極性であるが、該電圧よりΔＶ（０．５Ｖ乃至５Ｖ）だけ大きい電圧を方向制御電極線１６３に印加するようにデータ駆動部４２０を制御する。
即ち、信号制御部４３０は階調電圧生成部４４０を制御して電圧選択制御信号（ＶＳＣ）によって決定されたそれぞれの階調電圧をデータ駆動部４２０の出力であるデータ線１６０（Ｄ１〜Ｄｍ）に供給させる。
これによって、データ駆動部４２０は相対的に高い電圧を方向制御電極線１６３に印加し、相対的に低い電圧を画素電極１８０に印加する。
【００７９】
また、信号制御部４３０は画素電極用薄膜トランジスタＴ１より方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２が先にオン（ＯＮ）し、画素電極用薄膜トランジスタＴ１がオン（ＯＮ）する前に方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２がオフ（ＯＦＦ）するようにゲート駆動部４１０を制御する。
ここで、画素電極用薄膜トランジスタＴ１向けの第１ゲート線１２１（Ｇ１〜Ｇｎ）と方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２向けの第２ゲート線１２５（Ｇ１−１〜Ｇｎ−１）は各々独立して駆動される。
【００８０】
以下、図６（ａ）及び図６（ｂ）を参照して本発明の第１実施例による駆動方法を説明する。
図６（ａ）は単一ゲート（ｓｉｎｇｌｅ  ｇａｔｅ）駆動モードにおいてデータ信号及びゲート信号を印加する方法を示した図面であり、図６（ｂ）はデュアルゲート（ｄｕａｌ  ｇａｔｅ）駆動モードにおいてデータ信号及びゲート信号を印加する方法を説明する図面である。
【００８１】
図６（ａ）に示すように、上段のグラフはデータ線１６０に印加される信号を示したものであって、第１ガンマ電圧は画素電極１８０に印加されるべき画像信号であり、第２ガンマ電圧は方向制御電極線１６３に印加されるべき方向制御信号である。
中段のグラフは方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２に印加されるゲート信号を示したものであり、下段のグラフは画素電極用薄膜トランジスタＴ１に印加されるゲート信号を示したものである。
その結果、Ｔ２のドレーン（１６６）に連結された方向制御電極線１６３に印加される方向制御信号は、Ｔ１のドレーン（１６２）に連結された画素電極１８０に印加される画像信号より所定時間だけ先に騰落し、方向制御電極線１６３に印加される電圧は画素電極１８０に印加される電圧よりΔＶだけ大きい。
ΔＶは０．５Ｖ乃至５Ｖである。
このようにシングルゲート（ｓｉｎｇｌｅ  ｇａｔｅ）駆動モードは、２つの薄膜トランジスタを制御するために時間的に重畳しない２つのゲート信号を印加する駆動方法であって、時間差をおいて方向制御電極用薄膜トランジスタと画素電極用薄膜トランジスタを各々オン（ＯＮ）させる。
即ち、一つの画素にデータ信号（第１ガンマ電圧、及び第２ガンマ電圧）が印加されるべき総時間が１Ｈであれば、方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２は１／２Ｈだけ先にオン（ＯＮ）し、その後、画素電極用薄膜トランジスタＴ１が１／２Ｈだけオン（ＯＮ）する。
即ち、両薄膜トランジスタが時間差をもって各々オン（ＯＮ）する時、それぞれのデータ信号（画像信号、方向制御信号）を画素電極１８０と方向制御信号線１６３に印加する。
この場合、画素電極１８０に印加される画像信号と方向制御電極線１６３に印加される方向制御信号は時間差をおいて重ならないように各々印加されるので、ΔＶが０であってもよい場合がある。
即ち、方向制御電極線１６３に先に電圧を印加して液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインを形成した後、時間差をおいて同一電圧を画素電極１８０に印加して液晶分子を再配列することによっても所定の目的を達成することができる。
【００８２】
図６（ｂ）に示すように、上段のグラフはデータ線１６０に印加されるデータ信号（画像信号、方向制御信号）を示したグラフであり、中段のグラフは方向制御電極用薄膜トランジスタに印加されるゲート信号を示したものであり、下段のグラフは画素電極用薄膜トランジスタに印加されるゲート信号を示したものである。
デュアルゲート（ｄｕａｌ  ｇａｔｅ）駆動モードは、２つの薄膜トランジスタを制御するために時間的に重畳した部分のある２つのゲート信号を印加する駆動方法であって、前述のシングルゲート（ｓｉｎｇｌｅ  ｇａｔｅ）駆動方法とは、２つのゲート信号に時間的に重畳する部分がある点で差がある。
この場合、両ゲート信号が印加される時間に重なる部分があるので、データ信号（上段のグラフ）に備えた電位差ΔＶ’は０であってはならない。
ΔＶ’は０．５Ｖ乃至５Ｖである。
【００８３】
前述の本発明の第１実施例による液晶表示装置によれば、図６（ａ）（ｂ）のいずれに示すゲート駆動モードによっても、方向制御電極線１６３から発生する電気力線によって電界が変形されて一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインが形成され、その後、画素電極１８０に所定の電圧が印加されて液晶分子が所望の画像を表示するように再配列される。
即ち、画素電極切開パターン１９０と、該切開パターンの一部に重畳する方向制御電極線１６３のパターンによって一つの画素が複数のドメインに区分され、各ドメインごとに液晶分子の配列状態が互いに異なるので広視野角を実現することができる。
【００８４】
このように本発明によれば、従来技術による場合のように共通電極２６０に切開パターンを設けなくてよいので、現像液塗布、現像及びエッチングなどの一連の工程を省略できる。
一方、方向制御電極線１６３及びその制御に必要な方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２は、前述のように、従来から不可欠のデータ線１６０及び画素電極用薄膜トランジスタＴ１などと同じ工程で形成され、別段の工程を要しないので、工程効率が向上し、製造費を節減できる。
【００８５】
また、既存の構造と比較して薄膜トランジスタの電圧漏れ（ＴＦＴ  ｌｅａｋａｇｅ）問題が解決される。
即ち、一つのゲート配線の両側に、前段画素を駆動する画素電極用薄膜トランジスタと、後段画素のドメインを形成する方向制御電極用薄膜トランジスタを形成した構造では、後段画素の方向制御電極線に高い電圧を印加するために、方向制御電極用薄膜トランジスタに前段画素の画素電極用薄膜トランジスタよりさらに高い電圧を印加しなければならなかった。
この場合、後段の方向制御電極用薄膜トランジスタにかかる電圧が前段の画素電極用薄膜トランジスタに逆流する薄膜トランジスタ電圧漏れの問題がある。
このような理由により、方向制御電極線に所望の電圧を印加できず一つの画素を所望の広視野角を有するような複数のドメインに分けられないか、又は多くの電力が浪費されるという問題があった。
【００８６】
しかし、本発明による液晶表示装置では互いに異なるゲート線を設け、各ゲート線に沿って画素電極用薄膜トランジスタＴ１と方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２を形成することによって上記の問題点が解決された。
【実施例２】
【００８７】
図７は本発明の第２実施例による液晶パネル部の断面図である。
図７に示すように、画素領域の全体にわたって形成されている共通電極２５０の上部には有機膜山構造パターン２６０が設けられている。
共通電極２５０には何らの切開パターンも設けられていない。
山構造パターン２６０は所定の傾斜を有する山状に第１基板１００に向かって突出形成された有機膜である。
有機膜山構造パターン２６０は所定形状の有機膜切開パターン２７０によって各々分離されており、図７の‘Ａ’部分のように、有機膜山構造パターン２６０の頂上部Ａは第１基板１００の方向制御電極線１６３と対応する位置に形成される。
即ち、第１画素電極切開パターン１９１、第２画素電極切開パターン１９２及び第４画素電極切開パターン１９４に対応する位置に有機膜山構造パターン２６０が設けられる。
【００８８】
そして、有機膜山構造パターン２６０は頂上部から縁部へ行くほど漸進的に薄い厚さを有するテーパ構造を構成しており、そのテーパ傾斜角は１度乃至５度である。
有機膜山構造パターン２６０の頂上部の厚さは０．５μｍ乃至３μｍである。
有機膜山構造パターン２６０は露光程度と現像工程を調節して形成できる。
【００８９】
前述の有機膜山構造パターン２６０を設けることにより、方向制御電極線１６３から発生する電気力線の形成が不十分で、液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界が十分形成されていない場合、電界の変形をさらに強して一つの画素内で複数のドメインに対応する電界を形成することができるようにする。
そして、有機膜山構造パターン２６０によって液晶分子が所定の先傾斜（ｐｒｅｔｉｌｔ）を有するようになり、次に図６（ａ）（ｂ）に示すように、画素電極１８０にＴ１ゲートパルスによって画素電極印加電圧が印加されると速かに先傾斜によって決定された方向に再配列される。
【００９０】
ここで、有機膜山構造パターン２６０のテーパ傾斜及び厚さの限定はこのような電界の変形効果を最適に達成するためのものである。
即ち、本発明のように共通電極２５０に切開パターンを設けないので、現像液塗布、現像及びエッチングなどの一連の工程を省略することができて工程効率が向上し、製造費を節減することができる。
また、有機膜山構造パターン２６０によって電界が強くなって液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインを形成することができ、液晶分子に先傾斜を付与することによって画素電極１８０に電圧が印加されると液晶分子が速やかに再配列されて応答速度が向上する。
【実施例３】
【００９１】
図８は本発明の第３実施例による液晶パネル部の部分断面図である。
図８のように、有機膜山構造パターン２６０の頂上部に第１基板１００上の方向制御電極線１６３に向かって突出した突起２６５を設けて電界の変形をさらに強くすることができる。
前述の方向制御電極線１６３と有機膜山構造パターン２６０によっても電界が弱くて一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインを形成することが難しい場合や、液晶分子に先傾斜が正しく付与されず応答速度の向上が微小な場合、突起２６５をさらに設けることによって広視野角を実現し、応答速度を向上することができる。
突起２６５は有機膜山構造パターン２６０を形成する時に露光及び現像程度を調節して設けることができる。
これによって、電界の変形がさらに強くなって液晶の応答速度が向上し、一つの画素が液晶の配列が互いに異なる複数のドメインに区分されて広視野角を実現することができる。
【００９２】
一方、図示しなかったが、第２及び第３実施例の場合には各々、有機膜山構造パターン２６０、または山構造の頂上部に突起２６５を備えた有機膜山構造パターン２６０を設けると共に、コラムスペーサを同時に設けることができる。
薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の間に適当なセルギャップを維持するためにコラムスペーサ（Ｃｏｌｕｍｎ  Ｓｐａｃｅｒ）を形成する。
コラムスペーサは第２基板上に円筒、円錐台または半球を含む形状に形成され、第１基板に形成された薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線及びゲート配線とデータ配線の交差点に対応するように形成される。
これによって、一つの工程で有機膜山構造パターン、突起及びコラムスペーサを同時に形成することができるので工程節減効果が大きい。
【００９３】
以下、本発明による液晶表示装置の製造方法を図面を利用して簡略に説明する。
説明のない工程は公知の方法に従う。
【００９４】
最初に、第１実施例による液晶表示装置の製造方法を前述の図２を参照して説明すると次の通りである。
第１に、第１絶縁基板１１０上にゲート配線物質を蒸着した後、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングしてゲート線１２１、１２５、ゲート電極１２２、１２６を含むゲート配線１２１、１２２、１２５、１２６を形成する。
ここで、ゲート線１２１、１２５は一つの画素内に相互に平行に所定の間隔だけ離隔して横方向に形成する。
そして前述の図１に示したように、ゲート電極１２２、１２６は各々ゲート線１２１、１２２に連結されて幅が拡張されるように形成する。
次に、ゲート絶縁膜１３０、半導体層１４１、１４５、抵抗性接触層１５１、１５５からなる３層膜を連続して順次積層する。
次に、半導体層１４１、１４５と抵抗性接触層１５１、１５５を写真エッチングしてゲート電極１２２、１２６の上部のゲート絶縁膜１３０上に島状の半導体層１４１、１４５と抵抗性接触層１５１、１５５を形成する。
【００９５】
次に、データ配線物質を蒸着した後、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして、ゲート線１２１、１２５と交差するデータ線１６０と、データ線１６０と連結されてゲート電極１２２、１２６の上部まで伸びているソース電極１６１、１６５と、これに対向するドレーン電極１６２、１６６とを含むデータ配線（１６０、１６１、１６２、１６５、１６６）、及びドレイン電極１６６に連結された方向制御電極線１６３を形成する。
前述の図１に示したように方向制御電極線１６３は、データ線１６０と平行な第１部分と、そのほぼ中央からほぼ垂直に延伸された第２部分と、第２部分を対称軸として第１、第２部分から斜め方向に上下対称的に延伸された部分を含むように形成する。
即ち、方向制御電極線１６３は、第１部分の両端の各々で斜め方向に折り曲げられて伸びた部分と、第２部分の一端から斜め方向に上下対称的に分岐する部分を含む。
第１、第２部分から斜め方向に上下対称的に延伸された部分は後述する画素電極切開パターン１９０の少なくとも一部と重なるように形成する。
そして、後述する方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２に含まれて第２ドレーン電極１６６に連結されるように、方向制御電極線１６３の一部を延長形成する。
方向制御電極線１６３はデータ配線（１６０、１６１、１６２、１６５、１６６）と同時に形成される。
ここで、方向制御電極線１６３の幅は１μｍ乃至１６μｍであるのが好ましい。
【００９６】
これによって、画素電極１８０を制御する画素電極用薄膜トランジスタＴ１と方向制御電極線１６３を制御する方向制御電極用薄膜トランジスタＴ２が完成する。
【００９７】
次に、抵抗性接触層１５１、１５５のうち、データ配線（１６１、１６２、１６５、１６６）で覆われなていない部分をエッチングして、抵抗性接触層１５１を第１ソース電極１６１の下の部分と第１ドレイン電極１６２の下の部分に分離し、抵抗性接触層１５５を第２ソース電極１６５の下の部分と第２ドレイン電極１６６の下の部分に分離する一方、半導体層１４１、１４５を露出させる。
【００９８】
次に、保護膜１７０を形成する。
保護膜１７０はシリコンソースガスと窒素ソースガスを利用してプラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法で形成する。
保護膜１７０に第１ドレーン電極１６２を露出する接触孔１８１を形成する。
そして、所定の画素電極切開パターン１９０を有する画素電極１８０を形成する。
前述の図３に示したように、画素電極切開パターン１９０は、第１ゲート線１２１に平行に形成されて画素電極１８０全体を上下対称に区分する第１画素電極切開パターン１９１と、第１画素電極切開パターン１９１を中心に相互に上下対称的に位置し斜め方向に形成されている第２、第３、及び第４画素電極切開パターン１９２、１９３、１９４を含む。
第２画素電極切開パターン１９２は第１画素電極切開パターン１９１と最も近接して位置し、第３画素電極切開パターン１９３と第４画素電極切開パターン１９４は第２画素電極切開パターン１９２と平行に順次、所定の間隔だけ離隔して位置している。
前述のように、方向制御電極線１６３は第１画素電極切開パターン１９１、第２画素電極切開パターン１９２及び第４画素電極切開パターン１９４と少なくとも一部が重なるように形成する。
【００９９】
これによって本発明の第１実施例による第１基板１００が完成する。
【０１００】
カラーフィルター基板２００は公知の方法で製造でき、共通電極２５０には、前述のように従来技術による場合に必要であった切開パターンを形成する必要がないので、共通電極形成には別段のマスク肯定を要しない。
その後、薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルター基板２００を対向配置し液晶層３００を注入してモジュール工程を経ると液晶表示装置が完成する。
【０１０１】
方向制御電極線１６３から発生する電気力線によって電界が変形されて一つの画素内で液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインに対応する電界が形成され、その後、画素電極１８０に所定の電圧が印加されて液晶分子が所望の画像を表示するために再配列される。
このように、画素電極切開パターン１９０と前記方向制御電極線１６３によって一つの画素が複数のドメインに区分され、各ドメインごとに液晶分子の配列状態が互いに異なる広視野角を実現することができる。
【０１０２】
また、本発明では共通電極２６０に切開パターンを設ける必要がないので、現像液塗布、現像及びエッチングなどの一連の工程を省略することができて工程効率が向上し、製造費を節減することができる。
【０１０３】
第２及び第３実施例による液晶表示装置の製造方法を前述の図７及び図８を参照して説明すると次の通りである。
第１基板１００の製造は前述の第１実施例の場合と同様に行い、第２基板２００の製造のうち、以下において説明のない製造段階は公知の方法によって行う。
【０１０４】
図７及び図８に示すように、共通電極２５０上に有機物質を塗布し露光及び現像して山構造パターン２６０を形成する。
有機膜山構造パターン２６０の頂上部Ａは第１基板１００の方向制御電極線１６３と対応する位置に形成されるようにする。
そして、有機膜山構造パターン２６０は頂上部から縁部へ行くほど漸進的に薄い厚さを有するテーパ構造を成すように形成し、そのテーパ傾斜は１度乃至５度で形成することができる。
有機膜山構造パターン２６０の頂上部の厚さは０．５μｍ乃至３μｍで形成することが好ましく、そのような有機膜山構造パターン２６０は露光程度と現像工程を調節して形成することができる。
【０１０５】
さらに露光の程度と現像工程を利用して第３実施例のような突起を形成することができる。
【０１０６】
その後、第１基板１００と第２基板２００を相互接合し、液晶層３００を注入した後、モジュール工程を経て液晶表示装置が完成する。
【０１０７】
方向制御電極線１６３から発生する電気力線によって変形される電界の変形の程度が弱く液晶分子の傾く方向が互いに異なる複数のドメインを形成できない場合、第２実施例のような有機膜山構造パターン２６０によって電界の変形の程度を強くして画素電極切開パターン１９０と前記方向制御電極線１６３によって一つの画素を複数のドメインに区分する電界を形成し、各ドメインごとに液晶分子の配列状態が互いに異なって広視野角を実現することができる。
【０１０８】
有機膜山構造パターン２６０によって周辺の液晶分子が所定の先傾斜を有するようになり、その後、画素電極１８０に所定の電圧が印加されて先傾斜によって予め決定された方向に液晶分子が速やかに再配列されて応答速度が向上する。
【０１０９】
また、有機膜山構造パターン２６０によっても電界の変形の程度が弱い場合に第３実施例のような突起を形成すれば、方向制御電極線１６３から発生する電気力線によって変形される電界の変形の程度が強化されて一つの画素が複数のドメインに区分され、各ドメインごとに液晶分子の配列状態が互いに異なって広視野角を実現することができる。
また、液晶分子に所定の先傾斜が付与され、画素電極に電圧が印加されると予め決定された先傾斜によって液晶分子が速やかに再配列されて応答速度が向上する。
そして、共通電極２６０に切開パターンを設ける必要がないので、現像液塗布、現像及びエッチングなどの一連の工程を省略することができて工程効率が向上し、製造費を節減することができる。
【０１１０】
一方、第２及び第３実施例による製造方法の場合、各々、有機膜山構造パターン２６０、または山構造の頂上部に突起２６５を備えた有機膜山構造パターン２６０を設けると共に、コラムスペーサを同時に設けることができる。
コラムスペーサは第２基板上に円筒、円錐台または半球を含む形状に形成され、第１基板に形成された薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線及びゲート配線とデータ配線の交差点に対応するように形成される。
これによって、一つの工程で有機膜山構造パターン、突起及びコラムスペーサを同時に形成することができるので工程節減効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ基板の１画素分の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩによる液晶パネル部の断面図である。
【図３】本発明の第１実施例による画素電極切開パターンを示す図面である。
【図４】本発明の第１実施例による液晶表示装置の１画素分の回路図である。
【図５】本発明の第１実施例による液晶表示装置の液晶駆動回路のブロック図である。
【図６】（ａ）（ｂ）は各々、本発明の第１実施例による液晶表示装置の、第１、第２の液晶駆動方法を示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施例による液晶パネル部の断面図である。
【図８】本発明の第３実施例による液晶パネル部の部分断面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１００      第１基板（薄膜トランジスタ基板）
１１０      第１絶縁基板
１２１      第１ゲート線
１２２      第１ゲート電極
１２５      第２ゲート線
１２６      第２ゲート電極
１３０      ゲート絶縁膜
１４１      第１半導体層
１４５      第２半導体層
１５１      第１抵抗性接触層
１５５      第２抵抗性接触層
１６０      データ線
１６１      第１ソース電極
１６２      第１ドレーン電極
１６３      方向制御電極線（ＤＣＥ）
１６５      第２ソース電極
１６６      第２ドレーン電極
１７０      保護膜
１８０      画素電極
１８１      接触孔
１９０      画素電極切開パターン
１９１、１９２、１９３、１９４      第１、２、３、４画素電極切開パターン
２００      第２基板（カラーフィルター基板）
２１０      第２絶縁基板
２２０      ブラックマトリックス
２３０      カラーフィルター層
２４０      オーバーコート膜
２５０      共通電極
２６０      有機膜山構造パターン
２７０      有機膜切開パターン
【図１】
2006313346.tif 000003
【図２】
2006313346.tif 000004
【図３】
2006313346.tif 000005
【図４】
2006313346.tif 000006
【図５】
2006313346.tif 000007
【図６】
2006313346.tif 000008
【図７】
2006313346.tif 000009
【図８】
2006313346.tif 000010