(57)【要約】  【課題】      基板の処理を、基板面内において均一に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。  【解決手段】  基板処理装置１００は、処理ガス１０６を用いて基板１０３を処理するための反応室１０１と、反応室１０１内に設けられ且つ基板１０３を設置するための基板支持部１０２と、反応室１０１内に処理ガス１０６を導入するためのシャワーヘッド１０４とを備え、シャワーヘッド１０４は、処理ガス１０６を拡散させるための複数の貫通孔１１０が形成され且つ基板支持部１０２に対向して設けられる板状のガス拡散プレート１０７を有し、ガス拡散プレート１０７は、中央部と、中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有しており、複数の貫通孔１１０のうち周縁部に設けられているものの長さは、複数の貫通孔１１０のうち中央部に設けられているものの長さよりも短いようになっている。【選択図】      図１
2006324610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを用いて基板を処理するための反応室と、
前記反応室内に設けられ、前記基板を設置するための基板支持部と、
前記反応室内に前記処理ガスを導入するためのシャワーヘッドとを備え、
前記シャワーヘッドは、前記処理ガスを拡散させるための複数の貫通孔が形成され且つ前記基板支持部に対向して設けられる板状のガス拡散プレートを有し、
前記ガス拡散プレートは、中央部と、前記中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有しており、
前記複数の貫通孔のうち前記周縁部に設けられているものの長さは、前記複数の貫通孔のうち前記中央部に設けられているものの長さよりも短いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ガス拡散プレートの厚さは、前記ガス拡散プレートの中心から遠い位部分ど薄く、
前記複数の貫通孔の長さは、前記ガス拡散プレートの中心から遠い位置に形成されているものほど短いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記周縁部の厚さは、前記中央部の厚さの半分以上であり、
前記複数の貫通孔のうち前記周縁部に設けられているものの長さは、前記複数の貫通孔のうち前記中央部に設けられているものの長さの半分以上であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つにおいて、
前記ガス拡散プレートの中央部に対向するように前記シャワーヘッドに接続され且つ前記シャワーヘッドに前記処理ガスを導入するためのガス導入口を更に備え、
前記ガス拡散プレートは、取り外しが可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つにおいて、
前記複数の貫通孔は、平面形状が円形であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
処理ガスを用いて基板を処理するための反応室と、
前記反応室内に設けられ、前記基板を設置するための基板支持部と、
前記反応室内に前記処理ガスを導入するための第１のシャワーヘッドと、
前記第１のシャワーヘッドを囲むように形成され且つ前記反応室内に前記処理ガスを吐出する第２のシャワーヘッドとを備え、
前記第１のシャワーヘッドは、前記処理ガスを拡散させるための複数の第１の貫通孔が形成された板状の第１のガス拡散プレートを有し、
前記第２のシャワーヘッドは、前記処理ガスを拡散させるための複数の第２の貫通孔が形成され且つ前記基板支持部に対向して設けられた第２のガス拡散プレートを有し、
前記第１のガス拡散プレート及び前記第２のガス拡散プレートのうちの少なくとも一方のガス拡散プレートは、中央部と、前記中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有しており、
前記複数の第１の貫通孔及び前記複数の第２の貫通孔のうち前記周縁部に設けられているものの長さは、前記複数の第１の貫通孔及び前記複数の第２の貫通孔のうち前記中央部に設けられているものの長さよりも短いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記少なくとも一方のガス拡散プレートは、前記第１のガス拡散プレート及び前記第２のガス拡散プレートの両方であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記少なくとも一方のガス拡散プレートの厚さは、前記少なくとも一方のガス拡散プレートの中心から遠い部分ほど薄く、
前記複数の第１の貫通孔及び前記複数の第２の貫通孔のうち前記少なくとも一方のガス拡散プレートに形成されたものの長さは、前記少なくとも一方のガス拡散プレートの中心から遠い位置に形成されているものほど短いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１つにおいて、
前記周縁部の厚さは、前記中央部の厚さの半分以上であり、
前記第１の貫通孔及び前記複数の第２の貫通孔のうち前記周縁部に設けられているものの長さは、前記第１の貫通孔及び前記複数の第２の貫通孔のうち前記中央部に設けられているものの長さの半分以上であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１つにおいて、
前記第１のガス拡散プレートの中央に対向するように前記第１のシャワーヘッドに接続され且つ前記第１のシャワーヘッドに前記処理ガスを供給するためのガス導入口を更に備え、
前記第１のガス拡散プレートは、取り外しが可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項７〜１１のいずれか１つにおいて、
前記少なくとも一方の複数の貫通孔は、平面形状が円形であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
処理ガスを用いて基板を処理するための反応室と、前記反応室内に設けられ、前記基板を設置するための基板支持部と、前記反応室内に前記処理ガスを導入するためのシャワーヘッドとを備え、前記シャワーヘッドは、前記処理ガスを拡散させるための複数の貫通孔が形成され且つ前記基板支持部に対向して設けられる板状のガス拡散プレートを有する基板処理装置を用いる基板処理方法において、
前記基板を前記基板処理部に設置する工程（ａ）と、
前記処理ガスを、前記ガス拡散プレートに形成された前記複数の貫通孔を通して前記反応室内に供給し、前記基板の処理を行なう工程（ｂ）とを備え、
前記工程（ｂ）において、前記ガス拡散プレートは、中央部と、前記中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有すると共に、前記複数の貫通孔のうち前記周縁部に設けられているものの長さは、前記複数の貫通孔のうち前記中央部に設けられているものの長さよりも短いことにより、前記処理ガスを前記基板上に均一に供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記複数の貫通孔の長さは、前記ガス拡散プレートの中心から遠い位置に形成されているものほど短いことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、特に、成膜及びエッチング等の処理について、均一性を向上することができる基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の高集積化及び低消費電力化がますます進む傾向にある一方で、半導体集積回路装置の製造コストは、半導体基板の大口径化などによって低コスト化が進んで来ている。これら半導体集積回路装置中の素子のパターン寸法を微細化し且つ基板を大口径化するためには、製造プロセスにおいて半導体集積回路装置の構成部材である絶縁膜における膜厚のばらつきを抑えること、ドライエッチング加工を基板全面に亘って均一に行なうこと等が必要とされる。
【０００３】
図５（ａ）は、基板処理装置、具体的には半導体基板上にシリコン酸化膜やポリシリコンなどの薄膜を形成する、従来の化学気相成長（ＣＶＤ、chemical vapoer deposition）装置の一例を示す断面図である。半導体基板の大口径化に伴って、同図に示すような枚葉式の装置が主流となっている。尚、ここでは熱ＣＶＤ装置を示している。
【０００４】
図５（ａ）に示す従来の化学気相成長装置１０は、反応室１１中に基板支持部１２を備え、基板支持部１２上に、基板１３が載置される。また、反応室１１上部に、基板支持部１２と対向するようにシャワーヘッド１４が設けられている。シャワーヘッド１４上部にはガス導入口１５が設けられ、ガス導入口１５を通して材料ガス１６がシャワーヘッド１４に導入される。また、シャワーヘッド１４の基板１２と対向する側（図５の化学気相成長装置１０においては、下側）にはガス拡散プレート１７が備えられ、シャワーヘッド１４とガス拡散プレート１７とによって、中空部分１８が形成されている。更に、反応室１１には排気口１９が設けられ、ポンプ（図示省略）によって反応室１１内からガスを排気することができるようになっている。また、基板支持部１２は、基板１３の温度を調整するためのヒーター（図示省略）を備えている。
【０００５】
ここで、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示したガス拡散プレート１７の一部を拡大して示す縦断面図である。図５（ｂ）に示すように、ガス拡散プレート１７には、材料ガス１６を反応室１１中に供給し且つ基板１２上に吹き付けるための小さな口径の貫通孔２０が多数設けられている。
【０００６】
シャワーヘッド１４とガス拡散プレート１７とは、一体成形することも可能である。しかし、一体成形である場合には製造及びメンテナンスが困難であるため、シャワーヘッド１４とガス拡散プレート１７とは分離可能な別の部品となっているのが普通である。
【０００７】
以上のような構成の従来の化学気相成長装置１０を用いて薄膜形成を行う場合、まず、基板１３を反応室１１内の基板支持部１２上に載置し、ヒーターを用いて所定の温度に加熱する。
【０００８】
次に、反応室１１内部の気体を排気口１９から排気しながら、ガス導入口１５を通じて成膜に必要な材料ガス１６をシャワーヘッド１４に導入する。導入された材料ガス１６は、ガス拡散プレート１７に設けられた貫通孔２０を通ってシャワーヘッド１４から反応室１１に供給され、基板１３上に吹き付けられることにより、基板１３上に薄膜が形成される。
【０００９】
ガス拡散プレート１７について、更に説明する。ガス拡散プレート１７は、具体的には、例えば直径が０．５ｍｍ程度である微細な多数の貫通孔２０が、円板のほぼ全域に一様に形成されたものである。図５（ｂ）に示すように、貫通孔２０は、ガス入口側から出口側まで一様な形状を有している。
【００１０】
成膜を行なう際、材料ガス１６はガス導入口１５を通じてシャワーヘッド１４の中央部に吹き付けるように導入される。導入された材料ガス１６は、ガス拡散プレート１７によって中空部分１８中において水平方向に分散され、貫通孔２０を通じて反応室１１内に吐出される。この結果、基板１３上には均等に材料ガス１６が供給されるため、基板１３上に堆積される薄膜の厚さを均一にすることができるようになっている。
【００１１】
以上のようなガス拡散プレート１７を採用した化学気相成長装置は、例えば特許文献１に記載されている。また、ドライエッチング装置について、エッチングの均一性が改善されたエッチングガス拡散プレートの構造が特許文献２に記載されている。
【特許文献１】特開２０００−２７３６３８号公報
【特許文献２】特開平０６−２０４１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、図５（ａ）及び（ｂ）に示す従来の化学気相成長装置１０及び薄膜の形成方法には、次のような課題があった。
【００１３】
半導体集積回路装置の微細化に伴って、より精密なプロセスコントロールが要求されるようになると、半導体集積回路装置を歩留まり良く製造するために十分な膜厚の均一性を有する膜を堆積することは困難になる。具体的には、例えば、基板１３上に形成される薄膜について、中央付近に比べて周辺付近において膜厚が薄くなる。これは、次のような理由によると考えられる。
【００１４】
図５（ａ）に示す化学気相成長装置を用いた成膜の際には、材料ガス１６の圧力が均一となり、シャワーヘッド１４の中央付近及び周辺付近において、貫通孔２０からそれぞれ同じ流量の材料ガス１６が供給されるのが理想的である。このようにするため、ガス拡散プレート１７には、全面に亘ってほぼ一様な密度をもって多数の貫通孔２０が形成されている。
【００１５】
しかし、実際には、材料ガス１６はシャワーヘッド１４の中央付近に対向するように設けられたガス導入口１５から導入されるため、中空部分１８中において、周縁付近の材料ガス１６の圧力が中央付近の材料ガス１６の圧力よりも低くなる。このため、ガス拡散プレート１７の周縁付近における貫通孔２０には、中央付近における貫通孔２０よりも少ない流量の材料ガス１６が供給され、それぞれ反応室１１に吐出される。この結果として、ガス拡散プレート１７に対向する基板１３上に吹き付けられる材料ガス１６の流量は、基板１３上の位置に依存して異なる。つまり、基板１３の周縁付近においては、中央付近よりも少ない流量の材料ガス１６が供給される。
【００１６】
以上の理由により、基板１３上に形成される薄膜の厚さに分布が生じ、具体的には、基板１３の周縁付近における膜厚は、中央付近における膜厚よりも薄くなると考えられる
このような、枚葉式基板処理装置による成膜等の反応における不均一性を改善する技術が、ドライエッチング装置について、特許文献２に記載されている。これは、ガス拡散プレート１７に対応する電極板の全面から流出する反応ガスについて、密度を均一にするために、貫通孔の径に分布を持たせるという技術である。具体的には、電極板の中央部において貫通孔の径を小さくし且つ周縁部において貫通孔の径を大きくする。この方法によると、貫通孔径の分布を適切に設定することによって、エッチングの均一性（最大値と最小値との差を、平均値の二倍によって割った値）を３．３％まで改善することができる。
【００１７】
しかし、０.２５μｍ以下の寸法を有する微細な半導体集積回路を製造するためには、特許文献２の技術によるエッチングの均一性はまだ不十分であり、更なる均一性が必要と考えられる。
【００１８】
また、この技術を化学気相成長装置のガス拡散プレートに利用した場合、原料ガスの流量分布の均一性は、微細化された半導体集積回路の製造に十分なレベルには達しないと考えられている。
【００１９】
更に、前記の方法によって基板処理の均一性を改善するために貫通孔径及び貫通孔径の分布を調整する場合、微小な調整であっても基板処理の均一性が劣化し、例えば１０％以上となってしまうことがある（特許文献２を参照）。つまり、従来の方法では、貫通孔径及び貫通孔分布の調整に対して均一性が敏感に変動し、平均して３％以上の均一性を得ることは極めて困難であった。
【００２０】
つまり、ガス拡散プレート１７の中央付近における貫通孔２０の直径に比べて周縁付近における貫通孔２０の直径を大きくすることにより、材料ガス１６の吐出量の均一性を向上するためには、貫通孔２０の直径を極めて精度良く制御しなければならない。具体的には、化学気相成長装置による膜の堆積の場合、本願発明者らの実験によると、貫通孔２０の直径を例えば０．０１ｍｍ以下の精度をもって加工しなければならない。
【００２１】
しかし、貫通孔２０は、一般にはドリルを用いて穿孔されるのであり、このために必要となる前記のような加工精度が保証されるドリルは入手困難である。このため、貫通孔２０の直径を制御することによる膜厚均一性の向上は、実現が困難である。
【００２２】
本発明は、上記の課題に鑑みて、ＣＶＤ及びドライエッチング等の基板処理を、基板のウエハ面内において均一に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第１の基板処理装置は、処理ガスを用いて基板を処理するための反応室と、反応室内に設けられ、基板を設置するための基板支持部と、反応室内に処理ガスを導入するためのシャワーヘッドとを備え、シャワーヘッドは、処理ガスを拡散させるための複数の貫通孔が形成され且つ基板支持部に対向して設けられる板状のガス拡散プレートを有し、ガス拡散プレートは、中央部と、中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有しており、複数の貫通孔のうち周縁部に設けられているものの長さは、複数の貫通孔のうち中央部に設けられているものの長さよりも短いようになっている。
【００２４】
第１の基板処理装置によると、ガス拡散プレートは中央部と、該中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有しており、ガス拡散プレートの周縁部に設けられた貫通孔は、中央部に設けられた貫通孔よりも短い。このことから、周縁部に設けられた貫通孔を処理ガスが通過する際の抵抗は、中央部に設けられた貫通孔を処理ガスが通過する際の抵抗よりも小さい。つまり、周縁部に設けられた貫通孔は、中央部に設けられた貫通孔よりも処理ガスが通過し易い。このため、中央部におけるよりも処理ガスの圧力が小さくなる周縁部において、貫通孔を通過して反応室に吐出される処理ガスの量が少なくなるのを抑制し、ガス拡散プレート面内の位置による処理ガスの吐出量の差を小さくすることができる。この結果として、基板上に供給される処理ガスの量が基板面内において従来よりも均一になり、基板の処理を従来よりも均一に行なうことができる。
【００２５】
ここで、基板処理とは、例えば、ＣＶＤ法等による膜の堆積及びプラズマエッチング等のドライエッチング等を含むが、特に限定するものではない。
【００２６】
尚、ガス拡散プレートの厚さは、ガス拡散プレートの中心から遠い部分ほど薄いようになっており、複数の貫通孔は、ガス拡散プレートの中心から遠い位置に形成されているものほど短いことが好ましい。
【００２７】
このようにすると、ガス拡散プレートの中心からより離れた位置に設けられた貫通孔ほど、距離に応じて処理ガスが通過する際の抵抗をより小さくする（つまり、処理ガスをより通過させ易くする）ことができる。この結果、ガス拡散プレートに設けられた複数の貫通孔について、処理ガスの吐出量を確実に均一にすることができ、基板の処理を均一に行なうことが確実にできる。
【００２８】
また、周縁部の厚さは、中央部の厚さの半分以上であり、複数の貫通孔のうち周縁部に設けられているものの長さは、複数の貫通孔のうち中央部に設けられているものの長さの半分以上であることが好ましい。
【００２９】
このようにすると、ガス拡散プレートに設けられた複数の貫通孔について、処理ガスの吐出量を確実に均一にし、基板の処理を均一に行なうことが更に確実にできる。
【００３０】
また、ガス拡散プレートの中央部に対向するようにシャワーヘッドに接続され且つシャワーヘッドに処理ガスを導入するためのガス導入口を更に備え、ガス拡散プレートは、取り外しが可能であることが好ましい。
【００３１】
このようにすると、ガス拡散プレートの中央部に吹き付けるようにシャワーヘッドに対して処理ガスを導入することにより、ガス拡散プレートに設けられた複数の貫通孔について、処理ガスの吐出量を確実に均一にし、基板の処理を均一に行なうことが確実にできる。更に、ガス拡散プレートをシャワーヘッドから取り外すことが可能であるために、シャワーヘッド及びガス拡散プレートの加工及びメンテナンスが容易になる。
【００３２】
また、複数の貫通孔は、平面形状が円形であることが好ましい。円形の平面形状を有する貫通孔は形成が容易であり、このようにすると、均一な基板処理を可能とする本発明の効果が容易に実現する。
【００３３】
前記の目的を達成するため、本発明の第２の基板処理装置は、処理ガスを用いて基板を処理するための反応室と、反応室内に設けられ、基板を設置するための基板支持部と、反応室内に処理ガスを導入するための第１のシャワーヘッドと、第１のシャワーヘッドを囲むように形成され且つ反応室内に処理ガスを吐出する第２のシャワーヘッドとを備え、第１のシャワーヘッドは、処理ガスを拡散させるための複数の第１の貫通孔が形成された板状の第１のガス拡散プレートを有し、第２のシャワーヘッドは、処理ガスを拡散させるための複数の第２の貫通孔が形成され且つ基板支持部に対向して設けられた第２のガス拡散プレートを有し、第１のガス拡散プレート及び第２のガス拡散プレートのうちの少なくとも一方のガス拡散プレートは、中央部と、中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有しており、複数の第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔のうち周縁部に設けられているものの長さは、複数の第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔のうち中央部に設けられているものの長さよりも短いようになっている。
【００３４】
第２の基板処装置によると、第１のガス拡散プレート及び第２のガス拡散プレートのうちの少なくとも一方は、周縁部に設けられた貫通孔が中央部に設けられた貫通孔よりも短い。このため、周縁部に設けられた貫通孔は、中央部に設けられた貫通孔よりも処理ガスが通過する際の抵抗が小さいようになっている。このことにより、基板上には均一な供給量をもって処理ガスが供給されるため、均一な基板の処理を行なうことができる。
【００３５】
まず、第１のガス拡散プレートが、前記の構造を有している場合、第１のガス拡散プレートに設けられた第１の貫通孔から、第１のガス拡散プレート面内において均一に処理ガスが吐出される。このため、第１のシャワーヘッドを囲う第２のシャワーヘッドの内部において、処理ガスの圧力は第２のガス拡散プレート面内において均一になる。この結果、第２のガス拡散プレートを介して基板上に供給される処理ガスは、基板面内において供給量が均一になり、基板の処理を更に均一に行なうことができる。
【００３６】
また、第２のガス拡散プレートが前記の構造を有している場合、第１のシャワーヘッドからは、従来の基板処理装置の場合と同様に、第１のガス拡散プレート面内において不均一に処理ガスが吐出される。具体的には、第１のガス拡散プレートの周縁付近において、中央付近よりも吐出量が小さくなる。しかし、この後、第２のシャワーヘッドによって、処理ガスの吐出量の均一性を補正することができる。つまり、処理ガスは、第２のガス拡散プレートに設けられた複数の貫通孔を通し、第２のガス拡散プレートの面内において均一に吐出される。これにより、基板上に、基板面内において均一な供給量をもって供給されるため、基板の処理を基板面内において均一に行なうことが確実にできる。
【００３７】
尚、少なくとも一方のガス拡散プレートは、第１のガス拡散プレート及び第２のガス拡散プレートの両方であることも好ましい。
【００３８】
このようにすると、第１のガス拡散プレート及び第２のガス拡散プレートが、共に前記の構造を有していることから、処理ガスの基板面内における供給量を二段階にわたって均一化することができる。このため、より確実に処理ガスの供給量を均一化し、基板の処理を更に均一に行なうことができる。
【００３９】
以上のように、第１のガス拡散プレート及び第２のガス拡散プレートのどちらか一方又は両方が、先に説明したような構造を有していることにより、基板の処理を確実に均一に行なうことができる。
【００４０】
また、少なくとも一方のガス拡散プレートの厚さは、該少なくとも一方のガス拡散プレートの中心から遠い部分ほど薄く、複数の第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔のうち該少なくとも一方のガス拡散プレートに形成されたものの長さは、該少なくとも一方のガス拡散プレートの中心から遠い位置に形成されているものほど短いことが好ましい。
【００４１】
このようにすると、ガス拡散プレートの中心からより離れた位置に設けられた貫通孔ほど、処理ガスが通過する際の抵抗をより小さくする（つまり、処理ガスをより通過させやすくする）ことができる。この結果、ガス拡散プレートに設けられた複数の貫通孔について、処理ガスの吐出量を確実に均一にすることができ、基板の処理を均一に行なうことが確実にできる。
【００４２】
また、周縁部の厚さは、中央部の厚さの半分以上であり、第１の貫通孔及び複数の第２の貫通孔のうち周縁部に設けられているものの長さは、第１の貫通孔及び前記複数の第２の貫通孔のうち中央部に設けられているものの長さの半分以上であることが好ましい。
【００４３】
このようにすると、ガス拡散プレートに設けられた複数の貫通孔について、処理ガスの吐出量を確実に均一にし、基板の処理を均一に行なうことが更に確実にできる。
【００４４】
また、第１のガス拡散プレートの中央に対向するように前記第１のシャワーヘッドに接続され且つ第１のシャワーヘッドに処理ガスを供給するためのガス導入口を更に備え、第１のガス拡散プレートは、取り外しが可能であることが好ましい。
【００４５】
このようにすると、第１のガス拡散プレートの中央付近に吹き付けるように第１のシャワーヘッドに対して処理ガスを導入することにより、第１のガス拡散プレートに設けられた複数の第１の貫通孔について、処理ガスの吐出量を確実に均一にし、基板の処理を均一に行なうことが確実にできる。これと共に、第１のガス拡散プレートを取り外すことが可能であるために、第１のシャワーヘッド及び第１のガス拡散プレートの加工及びメンテナンスが容易になる。
【００４６】
また、少なくとも一方の複数の貫通孔は、平面形状が円形であることが好ましい。円形の平面形状を有する貫通孔は加工が容易であり、このようにすると、均一な基板処理を可能とする本発明の効果が容易に実現する。
【００４７】
前記の目的を達成するため、本発明に係る基板処理方法は、処理ガスを用いて基板を処理するための反応室と、反応室内に設けられ、基板を設置するための基板支持部と、反応室内に処理ガスを導入するためのシャワーヘッドとを備え、シャワーヘッドは、処理ガスを拡散させるための複数の貫通孔が形成され且つ基板支持部に対向して設けられる板状のガス拡散プレートを有する基板処理装置を用いる基板処理方法において、基板を基板処理部に設置する工程（ａ）と、処理ガスを、ガス拡散プレートに形成された複数の貫通孔を通して反応室内に供給し、基板の処理を行なう工程（ｂ）とを備え、工程（ｂ）において、ガス拡散プレートは、中央部と、中央部よりも厚さの薄い周縁部とを有すると共に、複数の貫通孔のうち周縁部に設けられているものの長さは、複数の貫通孔のうち中央部に設けられているものの長さよりも短いことにより、処理ガスを基板上に均一に供給するようになっている。
【００４８】
本発明の基板処理方法によると、ガス拡散プレートの周縁部に設けられた貫通孔は、ガス拡散プレート中央部に設けられた貫通孔よりも短いようにしている。このため、周縁部に設けられた貫通孔は、中央部に設けられた貫通孔に比べ、処理ガスが通過する際の抵抗が小さい。この結果、中央部におけるよりも処理ガスの圧力が低くなる周縁部において、吐出量の減少が抑制されるため、ガス拡散プレートの面内において均一な吐出量をもって処理ガスが吐出される。
【００４９】
この結果、工程（ｂ）において行なう基板処理は、基板面内において均一に行なわれることになる。
【００５０】
尚、複数の貫通孔の長さは、ガス拡散プレートの中心から遠い位置に形成されているものほど短いことが好ましい。
【００５１】
このようにすると、ガス拡散プレートの中央部からより離れた位置に設けられた貫通孔ほど、処理ガスが通過する際の抵抗をより小さくすることができる。この結果、処理ガスの吐出量をガス拡散プレートの面内において確実に均一にすることができ、基板の処理を均一に行なうことが確実にできる。
【発明の効果】
【００５２】
本発明の基板処理装置によると、ガス拡散プレートについて、周縁部の厚さを中央部よりも薄くし、ガス拡散プレートに設けられた周縁部における複数の貫通孔の長さを、中央部に設けられた貫通孔の長さよりも短くしている。これにより、複数の貫通孔から基板に向かって吐出される処理ガスの流量を従来よりも高い精度で均一にすることができる。この結果として、基板面内における基板の処理の均一性を従来よりも向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。
【００５４】
図１は、半導体集積回路を製造するために使用される本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置、より詳しくは、化学気相成長装置１００の内部構造を模式的に示す断面図である。本実施形態の化学気相成長装置１００と、図５（ａ）に示す従来の化学気相成長装置１０とは、シャワーヘッドが備えるガス拡散プレートの形状が異なっている。以下に、詳しく説明する。
【００５５】
化学気相成長装置１００は、膜成長を行なう反応室１０１中に基板支持部１０２を備え、基板支持部１０２上に、処理が行なわれる基板１０３が載置される。また、反応室１０１上部に、基板支持部１０２と対向するようにシャワーヘッド１０４が設けられている。シャワーヘッド１０４上部にはガス導入口１０５が設けられ、ガス導入口１０５を通して材料ガス１０６がシャワーヘッド１０４に導入される。
【００５６】
また、シャワーヘッド１０４の基板１０２と対向する側（例えば、図１の化学気相成長装置１００においては下側）には、ガス拡散プレート１０７が備えられている。これにより、シャワーヘッド１０４の内部には、ガス拡散プレート１０７によって閉じられた中空部分１０８が形成されている。また、後に詳しく述べるように、ガス拡散プレート１０７
は厚さの異なる複数の部分を備え、全面に複数の貫通孔１１０が設けられている。該複数の貫通孔１１０を通して、シャワーヘッド１０４に導入された材料ガス１０６が反応室１０１の内部に供給されるようになっている。
【００５７】
尚、シャワーヘッド１０４とガス拡散プレート１０７とは一体に成形されていても良い。しかし、分離可能な個別の部材として形成され、組み合わせて使用されるようにすると、シャワーヘッド１０４及びガス拡散プレート１０７の製造及びメンテナンスが容易になるので好ましい。
【００５８】
また、反応室１０１には排気口１０９が設けられ、ポンプ（図示省略）によって反応室１０１内からガスを排気することができるようになってる。また、基板支持部１０２は、基板１０３の温度を調整するためのヒーター（図示省略）を備えている。
【００５９】
次に、ガス拡散プレート１０７について、詳しく説明する。図２（ａ）は、本実施形態において用いられるガス拡散プレート１０７の平面構成を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）のIIb-IIb'線における断面を模式的に示す図である。
【００６０】
図２（ａ）に示すように、ガス拡散プレート１０７の平面形状は、円形である。これは、基板１０３の平面形状が円形であることに合わせたものであり、好ましい形状であるが、これに限定するものではない。また、ガス拡散プレート１０７には、ほぼ全面に亘って一様な密度であり且つ同心円状に配列するように、例えば数千個の円形をした貫通孔１１０が穿孔されている。
【００６１】
また、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ガス拡散プレート１０７は同心円状に３つの領域を有し、それぞれ厚さが異なっている。具体的には、ガス拡散プレート１０７の最も中央に位置し且つ最も厚さの厚い円形の中央部１０７ａと、中央部１０７ａの外側に位置し且つ中央部１０７ａよりも厚さが薄い環状の中間部１０７ｂと、中間部１０７ｂの外側（言い換えると、ガス拡散プレート１０７の最も外側）に位置し且つ中間部１０７ｂよりも厚さが薄い（言い換えると、最も厚さが薄い）環状の周縁部１０７ｃとの３つの領域である。
【００６２】
このことから、貫通孔１１０は、前記の３つの領域においてそれぞれ長さが異なり、外側ほど短いようになっている。具体的には、最も厚い中央部１０７ａにおいては最も長い貫通孔１１０ａであり、２番目に厚い中間部１０７ｂにおいては２番目に長い貫通孔１１０ｂであり、最も薄い周縁部１０７ｃにおいては最も短い貫通孔１１０ｃであるようになっている。
【００６３】
尚、ガス導入口１０５は、ガス拡散プレート１０７の中心付近に材料ガス１０６を吹き付けるように設けられている。
【００６４】
ここで、ガス拡散プレート１０７について、好ましい寸法の具体例を挙げると、次のようになる。但し、ここでは、基板１０３の直径が２００ｍｍである場合に好ましい寸法の例を説明する。
【００６５】
まず、ガス拡散プレート１０７の直径は、１８０ｍｍ以上で且つ２２０ｍｍ以下であることが好ましく、例えば２００ｍｍとするのが良い。
【００６６】
ガス拡散プレート１０７における中心から半径６０ｍｍまでの範囲は、厚さ６．５ｍｍである中央部１０７ａであり、ここに設けられた貫通孔１１０ａの長さも６．５ｍｍである。次に、中央部１０７ａの外側である、中心から半径６０ｍｍ以上で且つ８０ｍｍ未満の範囲は、厚さ５．５ｍｍである中間部１０７ｂであり、ここに設けられた貫通孔１１０ｂの長さも５．５ｍｍである。更に、中間部１０７ｂの外側である、中心から８０ｍｍ以上であり且つ１００ｍｍ以下である範囲（言い換えると、ガス拡散プレート１０７の最も外側である範囲）は、厚さ４．５ｍｍである周縁部１０７ｃであり、ここに設けられた貫通孔１１０ｃの長さも４．５ｍｍである。
【００６７】
次に、以上に説明した化学気相成長装置１００を用いる基板１０３の処理方法、より具体的には、基板１０３上に対する成膜の方法について説明する。
【００６８】
まず、化学気相成長装置１００の反応室１０１中に設けられた基板支持部１０２上に、基板１０３を載置する。基板支持部１０２は、シャワーヘッド１０４のガス拡散プレート１０７と対向するように基板１０３を支持するようになっている。
【００６９】
次に、ポンプ（図示省略）を用いて排気口１０９から気体を排気し、反応室１０１を減圧する。また、基板支持部１０２に設置されたヒーター（図示省略）を用いて、基板１０３を所定の温度に加熱する。
【００７０】
次に、ガス導入口１０５からシャワーヘッド１０４に材料ガス１０６を導入する。材料ガス１０６は、シャワーヘッド１０４の中空部分１０８に対し、ガス拡散プレート１０７の中心付近に吹き付けるように導入される。導入された材料ガス１０６は、中空部分１０８内において、ガス拡散プレート１０７の周縁方向に拡散される。これと共に、ガス拡散プレート１０７に設けられた貫通孔１１０（１１０ａ、１１０ｂ及び１１０ｃ）を通して、反応室１０１中に設置されている基板１０３上に供給される。これにより、基板１０３上に膜が形成される。
【００７１】
具体例として、ＢＰＳＧ（boro-phospho silicate-glass ）膜を形成する場合、基板１０３は４００℃に加熱し、材料ガス１０６として、ＴＥＯＳガス（テトラエチルオルソシリケート）、オゾンガス、ＴＥＰＯ（リン酸トリエチル）ガス及びＴＥＢ（トリエトキシボロン）ガスの混合ガスを用いてもよい。このようにすると、該混合ガスの反応熱によって基板１０３上に成膜が行なわれる。
【００７２】
図３に、以上のようにして本実施形態の化学気相成長装置１００を用いて成膜を行なった際の膜厚分布Ａと、従来の化学気相成長装置を用いて成膜を行なった際の膜厚分布Ｂとをグラフとして示す。ここで、縦軸が形成される膜の膜厚である。また、横軸は基板１０３の中心からの距離を示しており、中心から直径上の一方に向かってプラス、他方に向かってマイナスとして距離を示している。また、図３中の１０７ａ、１０７ｂ及び１０７ｃの各領域は、順にガス拡散プレート１０７の中央部１０７ａ、中間部１０７ｂ及び周縁部１０７ｃに対応する範囲を示している。
【００７３】
図３に明らかなように、従来技術による膜厚分布Ｂに比べ、本実施形態の場合の膜の膜厚Ａは膜厚均一性が向上している。ここで、膜厚均一性とは、同一の基板面内における形成された膜の膜厚について、最大値と最小値との差を、平均値の二倍によって割った値である。このような膜厚均一性は、従来技術による膜厚分布Ｂのについては３％を越えているのに対し、本実施形態の場合には１．２％となっている。
【００７４】
図５（ａ）に示す、従来の化学気相成長装置１０のガス拡散プレート１７の場合、中央付近に設けられた貫通孔２０からの材料ガス１６の吐出量が周縁部付近に設けられた貫通孔２０からの吐出量に比べて多い等、ガス拡散プレート１７面内において材料ガスの吐出量が不均一であった。これは、形成される膜の膜厚均一性が低下する原因となる。
【００７５】
これに対し、本実施形態の化学気相成長装置１００が備えるガス拡散プレート１０７の場合、ガス拡散プレート１０７面内における貫通孔１１０からの材料ガスの吐出量は、従来よりも均一になっている。これは、ガス拡散プレート１０７が、中央から周縁に向かって順に厚さが薄くなるように中央部１０７ａ、中間部１０７ｂ及び周縁部１０７ｃを有しており、それぞれに設けられた貫通孔１１０ａ、貫通孔１１０ｂ及び貫通孔１１０ｃがこの順に周縁に向かって短くなることによって実現している。
【００７６】
更に説明すると、まず、中空部分１０８において、内側から外側に（中央部１０７ａ付近から周縁部１０７ｃの側に）向かって材料ガス１０６の圧力が低くなる。このことが、従来の化学気相成長装置１０において材料ガス１６の吐出量が不均一になる原因であった。これに対し、ガス拡散プレート１０７においては、内側から外側に向かって貫通孔１１０が短くなっているために材料ガス１０６貫通孔１１０を通過する際の抵抗が小さくなっており、外側ほど低い圧力によっても吐出されやすくなっている。この結果として、ガス拡散プレート１０７面内において、材料ガス１０６の吐出量は位置に対する依存性が軽減され、より均一になっている。
【００７７】
以上の結果、本実施形態の化学気相成長装置１００を用いて基板１０３上に成膜を行なうと、従来技術に比べて膜厚均一性が向上する。
【００７８】
従来技術である、貫通孔の直径を制御することによる膜厚均一性の向上は、要求される精度の加工（貫通孔の直径の制御）を行なうことが極めて困難であることから、実現が困難であった。
【００７９】
これに対し、本実施形態において、ガス拡散プレート１０７を厚さの異なる複数の部分からなる構成とし、これによって複数の異なる長さの貫通孔１１０を設けることは、要求される加工精度が比較的低く、容易に実現可能である。
【００８０】
尚、本実施形態において、特にシリコン酸化膜や有機系のシリケート膜からなる配線層間絶縁膜、コンタクトホールを埋め込むタングステンプラグ用のタングステン金属膜等を形成した場合には、膜厚均一性が３％以下の膜を堆積した後に、化学機械研磨（ＣＭＰ）によって表面平坦化を行なうことにより、非常に制御性に優れた平坦化工程を実施することができる。
【００８１】
また、本実施形態において、ガス拡散プレート１０７の各部の厚さ及び貫通孔１１０の長さは、膜形成等を行なうための個々の製造プロセスに要求される均一性を満たすように、それぞれ決定する。
【００８２】
例えば、本実施形態のガス拡散プレート１０７は厚さの異なる３つの部分（中央部１０７ａ、中間部１０７ｂ及び周縁部１０７ｃ）を有することによって、３つの異なる長さの貫通孔１１０（貫通孔１１０ａ、貫通孔１１０ｂ及び貫通孔１１０ｃ）を有している。しかし、これには限らない。例えば、ガス拡散プレートに少なくとも２つの異なる長さの貫通孔が備えられ、周縁部における貫通孔の長さが短くなっているのであれば、本発明の効果は実現する。また、４つ以上の異なる長さの貫通孔となっているのであっても良い。
【００８３】
また、ガス拡散プレート１０７に関する具体的な寸法について、先に一例を挙げたが、これらに限定されるものではなく、基板１０３の直径、行なう処理の種類及び条件等に合わせて設定すればよい。
【００８４】
特に、中央部１０７ａにおける貫通孔１１０ａの長さと、周縁部１０７ｃにおける貫通孔１１０ｃの長さとには、０ｍｍを越える差があれば良く、特に好ましくは０．５ｍｍを越える長さの差が有ればよい。言い換えると、貫通孔１１０ｃが貫通孔１１０ａよりも短いのであれば、ガス拡散プレート１０７面内において材料ガス１０６の吐出量を均一化する効果は実現し、特に、０．５ｍｍ以上短い場合に、確実に効果が実現する。
【００８５】
また、周縁部１０７ｃにおける貫通孔１１０ｃの長さは、中央部１０７ａにおける貫通孔１１０ａの長さの二分の一以上であることが好ましい。このためには、周縁部１０７ｃの厚さが、中央部１０７ａの厚さの二分の一以上になっていればよい。
【００８６】
更に、本実施形態のガス拡散プレート１０７は、内側から外側に向かって段階的に厚さが薄くなっているが、これに代えて、内側から外側に向かって滑らかに薄くなる構成であっても良い。このようにすることによっても、内側から外側に向かって順に貫通孔の長さを短くすることができる。
【００８７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置について、図面を参照しながら説明する。
【００８８】
図４は、半導体集積回路を製造するために使用される本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置、より詳しくは、化学気相成長装置２００の内部構造を模式的に示す断面図である。
【００８９】
化学気相成長装置２００は、第１の実施形態の化学気相成長装置１００に対し、第２のシャワーヘッド２０４及び第２のガス拡散プレート２０７を追加した構成を有している。そのため、図４の化学気相成長装置２００において、第１の実施形態の化学気相成長装置１００と同じ構成要素については図１と同じ符号を付すことによって詳しい説明を省略する。
【００９０】
図４に示すように、本実施形態の化学気相成長装置２００には、第１の実施形態の化学気相成長装置１００におけるシャワーヘッド１０４及びガス拡散プレート１０７と同様の構成を有する第１のシャワーヘッド１５４及び第１のガス拡散プレート１５７を備えている。つまり、ガス導入口１０５から導入される材料ガス１０６は、第１のシャワーヘッド１５４と第１のガス拡散プレート１５７とによって構成される中空部分１０８において拡散され、第１のガス拡散プレート１５７に設けられた貫通孔１１０を通して吐出される。ここで、第１のガス拡散プレート１５７は、図２（ａ）及び（ｂ）に示した第１の実施形態のガス拡散プレート１０７と同様に、同心円状に外側ほど厚さが薄くなる３つの部分を有しており、これによって、貫通孔１１０には長さの異なる三種類が存在し、外側ほど短いようになっている。
【００９１】
更に、第１のシャワーヘッド１５４を囲うように、第２のガス拡散プレート２０７を備える第２のシャワーヘッド２０４が設けられている。このため、第１のガス拡散プレート１５７を通して吐出された材料ガス１０６は、第２のガス拡散プレート２０７に吹き付けられ、更に第２のガス拡散プレート２０７に設けられた複数の貫通孔２１０を通して反応室１０１に供給される。このようにして、反応室１０１内に設置された基板１０３上に、材料ガス１０６が供給される。
【００９２】
ここで、第２のガス拡散プレート２０７は、図２（ａ）及び（ｂ）に示したガス拡散プレート１０７と同様の構成を有している。つまり、最も厚い中央部２０７ａと、中央部２０７ａの外側に位置し且つ２番目に厚い中間部２０７ｂと、中間部２０７ｂの外側（第２のガス拡散プレート２０７において最も外側）に位置し且つ最も薄い周縁部２０７ｃとを有している。更に、このことによって、同心円状にそれぞれの部分においていずれも複数設けられた貫通孔２１０は、内側から順に、最も長い貫通孔２１０ａ、２番目に長い貫通孔２０１ｂ及び最も短い貫通孔２０１ｃとなっている。
【００９３】
第２のガス拡散プレート２０７は、このような構成を有するため、第１の実施形態のガス拡散プレート１０７と同様に、外側（周縁部１０７ｃ付近）におけるガスの圧力が内側（中央部２０７ａ付近）におけるガスの圧力よりも小さい場合に、第２のガス拡散プレート２０７面内において均一に材料ガス１０６を吐出することができる。
【００９４】
以上のように、本実施形態に係る化学気相成長装置２００において、第１のガス拡散プレート１５７から吐出された材料ガス１０６は、更に第２のガス拡散プレート２０７を通して基板１０３上に供給される。このため、基板１０３上に供給される材料ガス１０６の基板１０３面内における供給量を、より均一にすることができる。この結果、従来よりも均一性が高い処理を基板１０３に対して行なうことが確実にできる。例えば、基板１０３面内において、従来よりも膜厚の均一性が高い膜を形成することが確実にできる。
【００９５】
尚、化学気相成長装置２００において、第１のガス拡散プレート１５７及び第２のガス拡散プレート２０７の両方について、図２（ａ）及び（ｂ）に示した構成を有するガス拡散プレートを用いている。しかし、第１のガス拡散プレート１５７及び第２のガス拡散プレート２０７の内のいずれか一方のみを図２（ａ）及び（ｂ）に示した構成としても良い。この場合、他方のガス拡散プレートについては、同じ長さの貫通孔が一面に形成された従来のガス拡散プレートとする。このようにすることによっても、従来よりも基板１０３上に対する材料ガス１０６の供給量を均一にすることが可能である。
【００９６】
つまり、第１のガス拡散プレート１５７が図２（ａ）等に示した本発明における構造を有するのであれば、第１のシャワーヘッド１５４を介して第２のシャワーヘッド２０４に導入される材料ガス１０６は、第１のガス拡散プレート１５７の面内において均一な吐出量となっている。このため、第２のシャワーヘッド２０４により、基板１０３上に均一に材料ガス１０６を供給することができる。
【００９７】
また、第２のガス拡散プレート２０７が図２（ａ）等に示した構造を有する場合、従来の構造である第１のガス拡散プレート１５７によって、材料ガス１０６は不均一に供給される。つまり、第１のガス拡散プレート１５７の中央付近に比べて、周縁付近では貫通孔１１０からの材料ガス１０６の吐出量が少なくなる。しかし、第２のガス拡散プレート２０７を介することにより、基板１０３上に均一に材料ガス１０６を供給することができる。
【００９８】
更に、第１のガス拡散プレート１５７及び第２のガス拡散プレート２０７の両方について本発明における構造とすると、より確実に基板１０３上に対する材料ガス１０６の供給量を均一にすることができる。
【００９９】
第１のガス拡散プレート１５７及び第２のガス拡散プレート２０７について、従来の構造及び本発明における構造のどちらの構造とするかの決定、ガス拡散プレートの厚さの決定及び貫通孔の長さの決定等は、いずれも処理の条件に合わせて行なえばよい。
【０１００】
また、第１の実施形態及び第２の実施形態において、貫通孔は、いずれも円形の平面形状を有している。しかし、ガス拡散プレートに対してドリルを用いて穿孔することから円形となっているのであり、他の形状であっても良い。
【０１０１】
また、本発明の化学気相成長装置は、特に、大口径の基板（例えば、口径が２００ｍｍ〜３００ｍｍ等）を処理する際に顕著な効果がある。これは、基板が大口径化するとシャワーヘッド及びガス拡散プレートも大口径化するため、ガス拡散プレートの中央付近と周縁付近との材料ガスの圧力差が大きくなりやすいからである。つまり、このような場合にも、該圧力差の影響を緩和し、ガス拡散プレート面内における材料ガスの吐出量を均一にすることができる。
【０１０２】
また、第１及び第２の実施形態において、主に熱的気相成長工程の場合について説明したが、これに限るものではない。図１及び図４に示したのと同様に、ガス拡散プレートに設けられた複数の貫通孔を通して基板上にプロセスガスを供給する構成の基板処理装置であれば、貫通孔の長さに違いを設けることの効果が実現できる。例えば、プラズマＣＶＤ装置、ドライエッチング装置、各種のアッシング装置、その他のプラズマ表面処理装置及び表面ガス処理装置等において、本発明に係るガス拡散プレートを使用し、基板に対する処理の均一性を向上することができる。
【０１０３】
これによって、第１及び第２の実施形態として説明した、成膜の際の膜厚均一性に限らず、例えば、エッチング速度、エッチング量、アッシング量及び被膜成長量等についても、均一性が向上する。例えば、基板面内における均一性を３％以下とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明の基板処理装置によると、ガス拡散プレートの面内において均一な吐出量をもってガスを吐出することができるため、均一な基板の処理を行なうことができる。このため、例えばドライエッチング、プラズマエッチング及び成膜等を均一に行なうことができ、例えば半導体集積回路等の製品の生産に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置（化学気相成長装置１００）の内部構造を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は、第１の実施形態に係る化学気相成長装置１００に用いられるガス拡散プレート１０７を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すガス拡散プレート１０７のIIb-IIb'線における断面を示す図である。
【図３】図３は、基板１０３上に、第１の実施形態に係る化学気相成長装置１００を用いてシリコン酸化膜のを成膜したときの膜厚分布（曲線Ａ）と、従来の化学気相成長装置を用いてシリコン酸化膜を成膜したときの膜厚分布（曲線Ｂ）とを示すグラフである。
【図４】図４は、本発明の第２の実施形態に係る化学気相成長装置２００の内部構造を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）は、従来の化学気相成長装置１０の一例を示す断面図であり、図５（ｂ）は、従来の化学気相成長装置１０が備えるガス拡散プレート１７の一部を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１００              化学気相成長装置
１０１              反応室
１０２              基板支持部
１０３              基板
１０４              シャワーヘッド
１０５              ガス導入口
１０６              材料ガス
１０７              ガス拡散プレート
１０７ａ            中央部
１０７ｂ            中間部
１０７ｃ            周縁部
１０８              中空部分
１０９              排気口
１１０（１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）      貫通孔
１５４              第１のシャワーヘッド
１５７              第１のガス拡散プレート
２００              化学気相成長装置
２０４              第２のシャワーヘッド
２０７              第２のガス拡散プレート
２１０（２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ）      貫通孔
【図１】
2006324610.tif 000003
【図２】
2006324610.tif 000004
【図３】
2006324610.tif 000005
【図４】
2006324610.tif 000006
【図５】
2006324610.tif 000007