(57)【要約】    【課題】  剥き出し配線部分が生じることなくディスプレイパネルと半導体装置とを、異方性導電膜を介して圧着させたディスプレイ装置およびその製造方法を提供すること。    【解決手段】  本発明に係るディスプレイ装置は、ソルダーレジスト層を有する半導体装置が、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着されたディスプレイ装置であって、該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜は、該ソルダーレジスト層の傾斜部に間隙なく圧着されていることを特徴とする。【選択図】  図３
2006126367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソルダーレジスト層を有する半導体装置が、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着されたディスプレイ装置であって、
該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、
該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜は、該ソルダーレジスト層の傾斜部に間隙なく圧着されていること
を特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
ソルダーレジスト層を有する半導体装置の外部端子部の一方が、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着され、他方がリジッドプリント回路基板に接続されたディスプレイ装置であって、
該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、
該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜は、該ソルダーレジスト層の傾斜部に間隙なく圧着されていること
を特徴とするディスプレイ装置。
【請求項３】
上記ソルダーレジスト層の傾斜部の幅が１００〜２０００μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１または２に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
ソルダーレジスト層を有する半導体装置を、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着させる工程を含むディスプレイ装置の製造方法であって、
該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、
該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜を該ソルダーレジスト層の縁部に重ねて間隙なく圧着させること
を特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
【請求項５】
ソルダーレジスト層を有する半導体装置の外部端子部の一方を、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着させ、他方をリジッドプリント回路板に接続する工程を含むディスプレイ装置の製造方法であって、
該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、
該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜を該ソルダーレジスト層の縁部に重ねて間隙なく圧着させること
を特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
【請求項６】
上記ソルダーレジスト層の傾斜部の幅が１００〜２０００μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項４または５に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置およびその製造方法に関し、より詳しくは、長傾斜ソルダーレジスト層を有する半導体装置が、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着されたディスプレイ装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）などのディスプレイ装置は、通常、ガラス基板等に電極等が形成された、液晶パネルなどのディスプレイパネル（以下、単に「パネル」ともいう。）に、該パネルを駆動するためのＩＣなどの電子部品が実装されている。
【０００３】
ＩＣなどの電子部品を実装する際には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、ＣＯＦ（Chip On Film）テープ、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、両面配線テープなどの電子部品実装用フィルムキャリアテープが使用されている。このような電子部品実装用フィルムキャリアテープは、絶縁フィルム表面に導電性金属からなる配線パターンを形成し、こうして形成された配線の一方の端部（内部端子）は電子部品と接続するために使用され、他の端部（外部端子）はパネルやリジッドなプリント回路板（Printed Circuit Board、以下「ＰＣＢ」ともいう。）等の電子機器に接続するため
に使用される。
【０００４】
したがって、配線パターンを形成した後には外部端子および内部端子は、接続のために使用されることから露出している必要があるが、その他の部分は接続には直接的には使用されないので、端子部分を除いてソルダーレジスト層を形成する。このソルダーレジスト層は、通常は熱硬化性樹脂を含有するソルダーレジスト塗布液を、スクリーンマスクを用いて端子部分が露出するように選択的に塗布し、硬化させることにより形成される。
【０００５】
ここで使用されるスクリーンマスクは、枠体と、この枠体内に張設された紗とからなり、この紗の表面に所望の形状の塗布液透過部が形成されている。ソルダーレジスト塗布液は、この塗布液透過部を透過して配線パターンの表面に塗布されるが、塗布液透過部が形成されていない部分ではソルダーレジスト塗布液がマスキングされる。
【０００６】
このようにしてソルダーレジスト層が形成された電子部品実装用フィルムキャリアテープにＩＣなどの電子部品を搭載した半導体装置の外部端子部の一方を、異方性導電膜（ＡＣＦ）を介してパネルに圧着させ、他方をＰＣＢに接続することにより、半導体装置の外部端子とパネルの電極とを接合し、同時にＰＣＢと接続している。なお、配線ピッチが狭ピッチの場合等においては、半導体装置とＰＣＢとの接続においてもＡＣＦが用いられることがある。この接合の際、従来は、半導体装置のソルダーレジスト層とＡＣＦとは重ね合わせずに圧着させていたため、ソルダーレジスト層とＡＣＦとの間に配線の剥き出し部分が生じていた。そのため、特にパネル側における剥き出し配線部分が断線や腐食の原因となり、不良品の発生率が高かった。
【０００７】
このようなパネル側の断線や腐食を防止するため、特許文献１（特開２００３−６６４７９号公報）には、ＡＣＦテープの幅をソルダーレジスト層にまで達する広幅に設定して、配線パターンの剥き出し部分を覆う方法が開示されている。
【０００８】
しかしながら、上記のような従来のソルダーレジスト層の形成方法では、図４に示すように、ソルダーレジスト層２０の縁部は盛り上がってしまうため、ＡＣＦ圧着時に充分な
圧力がかからず、ＡＣＦ２３と配線部分１７との間に間隙２５ができてしまう。そのため、この間隙部分の配線が断線しやすいといった問題が依然として解決されていない。
【０００９】
したがって、端子近傍ではソルダーレジスト層の厚さは薄いことが望ましい。このように端子近傍のソルダーレジスト層の塗布厚を薄くして、他の部分のソルダーレジスト層の塗布厚を厚くする方法としては、最初に薄いソルダーレジスト層を形成し、次いで、端子近傍をマスクしたスクリーンマスクを用いて中心部分にソルダーレジスト塗布液をさらに塗布する方法がある。しかしながら、この方法ではソルダーレジスト塗布液を２回塗布する必要があり、生産性に劣るという問題がある。さらに、ソルダーレジスト層を一度しか塗布していない端子近傍と、二度塗りした部分の境目に段差が形成されてしまい、フィルムキャリアの折り曲げ時に応力が集中し、配線が断線してしまうことがあり、また、折り曲げ自体が困難になることがあった。
【００１０】
なお、特許文献２（特開平６−１７１２５３号公報）には、紗と乳液からなるスクリーン版において、インクが通過するメッシュの少なくとも一箇所の部分の紗の一部を除去したことを特徴とするスクリーン版および該スクリーン版を用いたフィルムキャリアの製造方法が開示されている。このように紗の一部を除去したスクリーン版を用いることにより、塗布されるソルダーレジストインクに濃淡を形成することが可能であるが、紗の一部を除去することにより、スクリーン版の耐久性が低下するという新たな問題を生ずる。
【特許文献１】特開２００３−６６４７９号公報
【特許文献２】特開平６−１７１２５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の課題は、剥き出し配線部分が生じることなくディスプレイパネルと半導体装置とを、異方性導電膜を介して圧着させたディスプレイ装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るディスプレイ装置は、ソルダーレジスト層を有する半導体装置が、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着されたディスプレイ装置であって、該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜は、該ソルダーレジスト層の傾斜部に間隙なく圧着されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係るディスプレイ装置は、ソルダーレジスト層を有する半導体装置の外部端子部の一方が、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着され、他方がリジッドプリント回路基板に接続されたディスプレイ装置であって、該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜は、該ソルダーレジスト層の傾斜部に間隙なく圧着されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るディスプレイ装置の製造方法は、ソルダーレジスト層を有する半導体装置を、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着させる工程を含み、該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜を該ソルダーレジスト層の縁部に重ねて間隙なく圧着させることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係るディスプレイ装置の製造方法は、ソルダーレジスト層を有する半導体装置の外部端子部の一方を、異方性導電膜を介してディスプレイパネルに圧着させ、他
方をリジッド回路板に接続する工程を含み、該ソルダーレジスト層は、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部を縁部に有し、かつ、該ディスプレイパネルと半導体装置との間に介在させる異方性導電膜を該ソルダーレジスト層の縁部に重ねて間隙なく圧着させることを特徴とする。
【００１６】
本発明において、上記ソルダーレジスト層の傾斜部の幅は１００〜２０００μｍの範囲内にあることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のディスプレイ装置は、半導体装置におけるソルダーレジスト層の外部端子側等の縁部に傾斜部を形成しているので、剥き出し配線部分が生じることなく半導体装置をパネルやＰＣＢに圧着させることができる。そのため、特にパネル側の剥き出し配線部分において従来から生じていた断線や腐食などを防止することができ、信頼性の高いディスプレイ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係るディスプレイ装置およびその製造方法について詳細に説明する。
本発明のディスプレイ装置は、ソルダーレジスト層を有する半導体装置の外部端子部の一方が、異方性導電膜（ＡＣＦ）を介してパネルに圧着され、他方がＰＣＢに接続されたディスプレイ装置であって、図３に示すように、ソルダーレジスト層２０の縁部に、ソルダーレジスト塗布厚が縁部先端に向かって連続的に減少する傾斜部２１が形成されており、パネル２６と半導体装置との間に介在させる異方性導電膜２３が、該ソルダーレジスト層２０の傾斜部２１に間隙なく圧着されている。
【００１９】
このような本発明のディスプレイ装置は、上記のような傾斜部が縁部に形成されているソルダーレジスト層（以下「長傾斜ソルダーレジスト層」ともいう。）を有する半導体装置の外部端子部の一方を、異方性導電膜（ＡＣＦ）を介してパネルの電極に圧着させ、他方をＰＣＢの配線回路に接続する際に、特に該ＡＣＦをパネル側の該ソルダーレジスト層の傾斜部に間隙なく重ねて圧着させる工程を含む方法により製造することができる。
【００２０】
なお、本発明におけるディスプレイ装置としては、ディスプレイパネルと半導体装置とがＡＣＦを介して接続されている構造を有するディスプレイ装置であれば特に限定されず、たとえば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）などが挙げられる。
【００２１】
本発明で用いられるＡＣＦは、ディスプレイ装置を製造する際に一般的に用いられているものであれば、特に限定されない。通常、このＡＣＦをパネルの電極部または半導体装置の外部端子部に予め貼り付けてから、パネルと半導体装置とを圧着させ、次いで、ＰＣＢと半導体装置とを接続する。なお、ＰＣＢと半導体装置との接続は、パネルと半導体装置との接続と同様に、ＡＣＦを介して圧着させてもよく、また、半田ボンディング等によって接続してもよい。一般に、配線ピッチが狭ピッチの場合には、ＡＣＦによる接続が行われる。
【００２２】
パネルおよびＰＣＢと、半導体装置との圧着方法は、上述したようにＡＣＦを半導体装置のソルダーレジスト傾斜部に間隙なく重ねて行うこと以外は、各種ディスプレイ装置の製造の際に一般的に行われている圧着方法を特に限定されることなく採用することができる。また、ディスプレイ装置を製造するための他の工程についても、各種ディスプレイ装置の製造において一般的に行われている方法を適宜採用することができる。
【００２３】
本発明のディスプレイ装置を構成する半導体装置は、上記のようなソルダーレジスト層
が形成された電子部品実装用フィルムキャリアテープ（以下「フィルムキャリアテープ」という。）に、パネルを駆動するためのＩＣなどの電子部品が実装されたものである。
【００２４】
上記フィルムキャリアテープは、図１（ｆ）に示すように、絶縁フィルム１０の表面に導電性金属箔１２からなる配線パターン１７が形成されており、この配線パターン１７の端部にはメッキ層２２を有する接続端子部分１８が形成されている。このフィルムキャアリアテープには、接続端子部分１８を除いて、配線パターン１７を保護するようにソルダーレジスト層２０が形成されている。このソルダーレジスト層２０は、接続端子に向かう縁部が他の部分よりも薄くなるように形成されており、しかも縁部に向かってソルダーレジスト層の塗布厚さが連続的に薄くなるソルダーレジスト傾斜部２１が形成されている。
【００２５】
このようなフィルムキャリアテープは、図１（ａ）に示すように、絶縁フィルム１０と、該絶縁フィルム１０の少なくとも一方の面に配置された導電性金属層１２とを有する複合積層体を用いて形成される。
【００２６】
上記絶縁フィルムとしては、耐熱性、耐薬品性、湿熱安定性などに優れた合成樹脂フィルムを使用することができる。このような合成樹脂フィルムとしては、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、耐熱性ポリエステルフィルム、ＢＴレジンフィルム、フェノール樹脂フィルム、液晶ポリマーフィルムなどを使用することができるが、本発明では卓越した耐熱性、耐薬品性、湿熱安定性を示すポリイミドフィルムを使用することが好ましい。
【００２７】
上記導電性金属層を構成する導電性金属としては、銅やアルミニウムなどが挙げられる。この導電性金属層は、絶縁フィルムの表面に直接配置されていてもよいし、絶縁フィルムの表面に接着剤を介して導電性金属箔を貼着することにより形成されたものであってもよい。また、導電性金属層は、絶縁フィルムの一方の表面に形成されていても、絶縁フィルムの両面に形成されていてもよい。
【００２８】
また、本発明では絶縁フィルムの表面にニッケルやクロムなどの金属をスパッタリングし、さらに銅などの金属をスパッタリングした後、メッキ処理により導電性金属を析出させることにより、導電性金属層を絶縁フィルムの表面に直接析出させた複合積層体を使用することもできる。また、絶縁フィルムを形成する樹脂中に金属微粒子を配合して金属微粒子を含有する絶縁フィルムを形成し、この絶縁フィルムを表面処理して該金属微粒子を露出させ、この露出した金属微粒子を種粒子としてメッキ技術を利用して導電性金属を析出させることにより、導電性金属層を形成した複合積層体を使用することもできる。
【００２９】
なお、上記導電性金属としては、銅が好適である。ここで導電性金属層を形成する際に使用可能な銅箔としては、電解銅箔および圧延銅箔があるが、エッチングにより配線パターンを形成する場合には、電解銅箔を使用することが好ましい。
【００３０】
上記絶縁フィルムの厚さは、通常は５〜１５０μｍ、好ましくは５〜１２５μｍの範囲内にある。また、上記導電性金属層の厚さは、通常は１〜３５μｍ、好ましくは８〜３５μｍの範囲内にある。
【００３１】
上記絶縁フィルムの幅方向の両縁部には、このフィルムを搬送するための、あるいは位置決め用のスプロケットホールが形成されている。スプロケットホールを形成する絶縁フィルムの幅方向の縁部には導電性金属層が形成されていなくてもよく、また絶縁フィルムの幅いっぱいに導電性金属層が形成されていてもよい。後者の場合、スプロケットホールは、通常は導電性金属層を形成した後、例えばパンチングにより、導電性金属層と絶縁フィルムとを一体にして打ち抜くことにより形成することができる。このようにスプロケッ
トホールにまで導電性金属層を形成することにより、スプロケットホールが導電性金属層によって補強されるので、絶縁フィルムとして薄いポリイミドフィルムなどを使用した場合でもスプロケットホールが変形、破損することを防止することができる。
【００３２】
本発明で用いられる電子部品実装用フィルムキャリアテープは、以下のようにして製造することができる。
まず、図１（ａ）に示すように、絶縁フィルム１０の少なくとも一方の表面に配置された導電性金属層１２の表面に、図１（ｂ）に示すように、フォトレジストを塗布してフォトレジスト層１５を形成し、このフォトレジスト層を露光・現像することにより、図１（ｃ）に示すように、フォトレジストからなる所望のパターン１６を形成する。そして、図１（ｄ）に示すように、このパターン１６をマスキング材として、絶縁フィルム１０表面の導電性金属層１２をエッチングして、パターン１６に対応した形態の配線パターン１７を形成する。このようにして形成された配線パターン１７の端部は、電子部品の端子や他の部材の端子と接合する端子部分１８となる。
【００３３】
上記のようにして形成された配線パターン１７の表面に、端子部分１８等を残してソルダーレジスト層２０を形成する。このようにして形成したソルダーレジスト層２０により配線パターン１７の端子部分１８等を除く配線を保護する。
【００３４】
配線パターン１７の保護という点からすれば、このソルダーレジスト層２０の厚さは、通常は１〜７５μｍ、好ましくは２〜５５μｍの範囲内である。ソルダーレジスト層２０の厚さが上記範囲であることにより、配線パターンが充分に被覆され、次の工程であるメッキ工程で、メッキ被膜が、ソルダーレジスト層２０が薄く塗布されるパターンエッジに付着することがなく、配線パターン間のイオンコンタミネーションによる電気的信頼性の低下は見られない。また、折り曲げによりソルダーレジスト層にクラックが生じることもない。
【００３５】
しかしながら、このようなフィルムキャリアテープに電子部品を実装する場合、あるいは、フィルムキャリアに電子部品が実装された半導体装置をパネルおよびＰＣＢに接合する場合においては、端子部分１８近傍のソルダーレジスト層２０の厚さを薄くすることにより、電子部品の実装、あるいは、端子の接合をより確実に行うことができる。
【００３６】
そこで、本発明では、図１（ｅ）および図２に示すように、確実に保護されるべき部分の配線パターン１７には、従来のソルダーレジスト層と同様に、通常は１〜７５μｍ、好ましくは２〜５５μｍの範囲内で所定厚さのソルダーレジスト層を形成し、他方、端子部分１８近傍には、ソルダーレジスト層の厚みが端子部分１８方向に向かって連続的もしくは段階的に減少する、ソルダーレジスト層の傾斜部２１を形成する。
【００３７】
この傾斜部２１の幅は、このフィルムキャリアの電気的接合が確実に行えるように適宜設定することができるが、通常は１００〜２０００μｍ、好ましくは２５０〜２０００μｍ、さらに好ましくは３００〜２０００μｍ、特に好ましくは４００〜１０００μｍである。
【００３８】
このようなソルダーレジスト層２０の縁部に形成される傾斜部２１は、ソルダーレジスト塗布用スクリーンを用いて、ソルダーレジスト塗布液の一度塗りにより形成することができる。
【００３９】
本発明で用いられるソルダーレジスト塗布用スクリーンは、図５、図６に示されるように、枠体３１と、この枠体３１内に張設された紗３２とから形成されており、この紗３２の表面に例えば感光性樹脂を塗布し、露光・現像することにより、マスキングがされてい
ない塗布液透過部３４を形成する。この塗布液透過部３４は、ソルダーレジスト塗布液が通過して、配線パターンの所定の位置にソルダーレジスト層を形成する。他方、この塗布液透過部３４が形成されていない紗３２の表面は、硬化した感光性樹脂などによってマスキング部分３３が形成されており、このマスキング部分３３には、ソルダーレジスト塗布液は通過しない。そして、上記ソルダーレジスト層の傾斜部２１は、該傾斜部２１に対応する部分の紗の目開を段階的もしくは連続的に変化させることにより形成することができる。
【００４０】
このようなソルダーレジスト塗布用スクリーンにおいて、紗は、金属細線、合成繊維糸などで形成されているが、ソルダーレジスト塗布液が通過する目開を段階的もしくは連続的に小さくすることにより、上記のようなソルダーレジスト塗布液を、図２に示すように、傾斜するような量で塗布することができる。
【００４１】
このようなフィルムキャリアテープの端子に最も近い部分の紗を露出させるように保護樹脂を塗布し、紗を形成するステンレス細線の表面に例えばメッキ処理を施し、この部分のステンレス細線からなる紗の目開を減少させる。次いで、ここで使用した保護樹脂を除去し、上記露出させてメッキ処理した部分およびその外側も露出するように保護樹脂を塗布して、再びメッキ処理を行い、最初にメッキ処理した部分および今回露出した部分をメッキ処理して、これらの部分のステンレス細線にメッキ処理を施して、紗の目開を減少させる。このようなステンレス細線の段階的なメッキ処理を繰り返すことにより、紗の目開を調整することができる。例えば、約１００μｍの目開を有する紗に対してメッキ処理を１〜５回繰り返すことにより、この紗の目開は約５０μｍ程度になる。このように、メッキ条件にもよるが、一回のメッキ処理により、目開は、通常１０〜５０μｍ程度減少する。
【００４２】
上記の操作を繰り返すことにより、最も目開の狭い部分の紗の目開を、通常は３０〜７０μｍ、好ましくは３０〜５０μｍの範囲内とし、さらに、このように紗の目開が調整された部分の幅を、通常は１００〜２０００μｍ、好ましくは２００〜１０００μｍの範囲内とする。このようにして形成されたスクリーンは図５に示すように、端子部分近傍のソルダーレジスト層が傾斜部を形成するように紗の目が詰まっている。
【００４３】
また、図７に示すように、上述したメッキ処理を繰り返すことにより、マスキング３３に近づくにしたがって、ステンレス細線の線径は太くなり、これとは逆に目開は小さくなる。図５に示す例では、ステンレス細線３５-９、３５-１０、３５-１１および３５-１２は、通常のステンレスメッシュ（例えばメッシュサイズ１５０メッシュ）を形成するステンレス細線であり、その線径は６０μｍであり、目開きｍ9、ｍ10およびｍ11の径は１０
９μｍである。しかしながら、ステンレス細線３５-８は、３５-９よりもステンレス細線の線径が太くなるようにステンレス細線３５-８の表面にニッケルメッキ層が形成されて
おり、ステンレス細線３５-７は、３５-８よりもニッケルメッキ層が厚く形成されており、同様に３５-６、３５-５、３５-４、３５-３、３５-２、３５-１の順にニッケルメッキ層の厚さを厚く形成する。したがって、マスキング３３に近づくにつれて、ステンレス細線の線径は太くなるようにする。そして、このようにメッキにより線径を段階的に変えたステンレス細線を一定の幅で配置した紗３２を用いることにより、目開きの径は、目開きｍ8からマスキング３３に向かって次第に狭くなり、図７においては、目開きｍ1が最も狭くなる。なお、図７におけるステンレス細線３５を中心に説明してきたが、このステンレス細線３５とともに紗３２を形成する他方のステンレス細線３６についても、上記と同様にメッキされる。
【００４４】
上記のようにして紗３２自体の目開（オープニング）を変えたスクリーン上面にソルダーレジスト塗布液を供給し、スキージを用いて塗布液を透過させることにより、紗の目開
に応じて塗布されるソルダーレジスト塗布液の量が変化し、傾斜部２１を縁部に有するソルダーレジスト層２０を形成することができる。
【００４５】
なお、上記以外の方法でも、ソルダーレジスト層２０の縁部に傾斜部２１を形成することができる。例えば、所望の配線パターンが形成された絶縁フィルムにソルダーレジスト塗布液を塗布する際に、該フィルムを載置する印刷ステージに突起を形成して、該フィルムとスクリーンとを圧接しながらソルダーレジスト塗布液を塗布する方法が挙げられる。
【００４６】
具体的には、上記方法と同様にして、図８（ａ）に示すように、絶縁フィルム１０の少なくとも一方の表面に配置された導電性金属層１２の表面に、図８（ｂ）に示すように、フォトレジストを塗布してフォトレジスト層１５を形成し、このフォトレジスト層を露光・現像することにより、図８（ｃ）に示すように、フォトレジストからなる所望のパターン１６を形成する。そして、このパターン１６をマスキング材として、絶縁フィルム１０表面の導電性金属層１２をエッチングして、図８（ｄ）に示すように、形成したパターンに対応した形態の配線パターン１７を形成する。このようにして形成された配線パターン１７の端部は、電子部品の端子や他の部材の端子と接合する端子部分１８となる。なお、図８にはデバイスホール１３が形成されたフィルムキャリアテープの長手方向の断面図が示されているが、上記方法は、デバイスホール１３を有していないフィルムキャリアテープの製造の際にも適用することができる。
【００４７】
上記のようにして形成された配線パターン１７の表面に、端子部分１８等を残してソルダーレジスト層２０を形成する。この際、図８（ｅ）に示すように、突起４２を有する印刷ステージ４０の上に搬送されてきて載置されたフィルムキャリアテープに、ソルダーレジスト塗布液を、スクリーン３０を介して塗布することにより、図８（ｆ）に示すように、傾斜部２１を有するソルダーレジスト層２０を形成することができる。
【００４８】
ここで用いられるスクリーン３０は、枠体３１とこの枠体３１内に張設された紗３２とから形成されており、この紗３２には、ソルダーレジスト塗布液の透過を阻止するためのマスキング部３３と、このマスキング部３３によって所望の形状に形付けられる塗布液透過部３４とを有する。なお、ここで用いられるスクリーン３０は、上述したようなメッキ処理によって紗３２の目開きを変化させる必要はない。
【００４９】
そして、このスクリーン３０上面にソルダーレジスト塗布液を供給し、スキージーを用いて、ソルダーレジスト塗布液を塗布液透過部３４に透過させることにより、フィルムキャリアテープの所定の位置にソルダーレジスト塗布液を塗布することができる。
【００５０】
ここで、ソルダーレジスト塗布液が塗布されるフィルムキャリアテープは、位置あわせされて印刷ステージ４０上に載置される。この印刷ステージ４０の上面には、図８（ｅ）に示すように、形成されるソルダーレジスト層の縁部に対応する位置に突起４２が形成されている。この突起４２によりフィルムキャリアテープは、部分的にスクリーン３０側に押し上げられる。このようにフィルムキャリアがスクリーンに当接するように上部に押し上げられて、この部分のスクリーン３０の紗３２とフィルムキャリアテープとの間隙幅が減少する。
【００５１】
そして、スクリーン上においてスキージーを移動させると、スクリーンの紗３２は下方向に押し下げられるので、上記突起４２により上方に押し上げられたフィルムキャリアテープと、スキージーにより押し下がられた紗３２とが圧接し、この部分におけるソルダーレジスト塗布液の塗布スペース（塗布厚さ）は非常に薄くなる。一方、上記突起４２が形成されていない部分のフィルムキャリアテープと紗３２との間には、ソルダーレジストを塗布するのに充分なスペースが確保されているので、所望の厚さにソルダーレジスト塗布
液を塗布することができる。
【００５２】
図９（ａ）は、上記突起４２が形成された印刷ステージ４０の例を示す断面図である。本発明で使用される印刷ステージ４０には、突起４２が形成されている。このような突起４２の高さＨ1は、たとえば、ソルダーレジスト層の通常の厚さに対して、通常は５０％
〜３００％、好ましくは１００〜２５０％であり、具体的には１０〜２００μｍ程度である。また、この突起４２の幅Ｗ1に特に制限はないが、このような突起４２の幅Ｗ1は、形成しようとする傾斜部２１の幅Ｗ2や、ソルダーレジスト層の通常の厚さＨ2、ソルダーレジスト塗布液の粘度などの物性値、塗布装置の塗布速度などの塗布条件等に応じて適宜選択すればよい。
【００５３】
たとえば、図９（ａ）において、突起４２の幅Ｗ1を８００μｍとした場合、この突起
４２により形成される硬化後の傾斜部２１の幅Ｗ2は約１０００μｍとすることができる
。なお、このようにして形成されるソルダーレジスト層２０の硬化後の厚さ（傾斜部２１を除く）は、通常は２０〜７５μｍ、好ましくは２５〜５５μｍである。
【００５４】
また、上記図９は、一条の突起４２を設けた例であるが、突起４２はこれに限られるものではなく、たとえば図１０に示すように階段状にすることもできる。図１０（ａ）には、付番４２-１、４２-２、４２-３、４２-４のように階段状に形成された突起４２を形成した印刷ステージの断面が示されている。この階段状突起４２の全体の幅Ｗ8は、形成し
ようとする傾斜部２１の幅Ｗ10や、ソルダーレジスト層の通常の厚さＨ7、ソルダーレジ
スト塗布液の粘度などの物性値、塗布装置の塗布速度などの塗布条件等に応じて適宜選択すればよい。
【００５５】
また、突起４２-１の高さＨ6は、形成しようとするソルダーレジスト層２０の通常の厚さに対して、通常は５０％〜３００％、好ましくは１００〜２５０％に設定することができる。また、階段状突起４２-２、４２-３、４２-４は、たとえば、突起４２-１の高さを段数で割って、それぞれの段の減少幅が同等になるように順次その高さを減じて形成することができる。
【００５６】
たとえば、硬化後の通常のソルダーレジスト層２０の厚さを５０μｍに設定し、突起４２の高さＨ6を１００μｍとし、段数を４段とした場合、高さＨ6（１００μｍ）を段数４で割った値は２５μｍとなる。したがって、この場合、図１０（ａ）に示す高さＨ5、Ｈ4、Ｈ3が均等に減少するように、高さＨ5を７５μｍ、高さＨ4を５０μｍ、高さＨ3を２５μｍとすることができる。なお、階段状ではなく、連続的な傾斜面であってもよい。
【００５７】
また、このような階段状突起４２のそれぞれの幅は、適宜設定することができるが、たとえば、傾斜部２１の硬化後の幅Ｗ10を１２００μｍに設定した場合、この階段状突起４２の全幅Ｗ8は１０００μｍ程度にすることが好ましく、この場合、それぞれの階段状突
起の幅Ｗ4、Ｗ5、Ｗ6、Ｗ7は、全幅Ｗ8（１０００μｍ）を段数で割った値２５０μｍに
することができる。
【００５８】
なお、上記のような印刷ステージ４０に形成される突起４２の形成位置は、端子部分１８の形成方向によって決定され、ソルダーレジスト塗布液を塗布するためのスキージーの移動方向に対して平行であっても、直交していてもよい。
【００５９】
このような突起４２あるいは階段状突起４２を有する印刷ステージ４０を用いて、この印刷ステージ４０の上面にフィルムキャリアを搬送・位置決めして載置し、さらにこのフィルムキャリア上にスクリーンを配置してソルダーレジスト塗布液を塗布することにより、図９（ｂ）、図１０（ｂ）に示されるように、ソルダーレジスト層２０の縁部に傾斜部
２１を形成することができる。
【００６０】
なお、図９（ｂ）および図１０（ｂ）において付番１８は端子部分であり、この端子部分１８の先端からソルダーレジスト傾斜部２１までの距離Ｗ3、Ｗ11は、通常は１０００
〜５０００μｍ程度であるが、これに限定されるものではない。
【００６１】
上記のようにして傾斜部２１を有するソルダーレジスト層２０を形成するようにソルダーレジスト塗布液を塗布した後、ソルダーレジスト塗布液を硬化させてソルダーレジスト層２０を形成する。
【００６２】
このようにして形成されたソルダーレジスト層２０の厚さは、傾斜部２１を除いて、通常は１〜７５μｍ、好ましくは２〜５５μｍ、さらに好ましくは２５〜５５μｍの範囲内にある。このようにソルダーレジスト層２０を形成することにより、形成された配線パターンは確実に保護することができる。また、傾斜部２１においても、配線パターンを良好に保護することができる。
【００６３】
上記のようにして塗布されたソルダーレジスト塗布液は、たとえば、有機溶媒を含有する高粘度塗布液であり、紗を形成する細線の線径などに起因する塗布面の微小な凹凸や、傾斜部２１に段差などが形成された場合であっても、このソルダーレジスト塗布液が硬化するまでの間に均一化され、ほぼ連続したスロープになる。
【００６４】
このようにして塗布されたソルダーレジスト層塗布液中に含有される樹脂は、通常は熱硬化性樹脂であり、上記のようにソルダーレジスト塗布液を塗布した後、溶剤を除去し、さらに加熱することにより硬化させることができる。
【００６５】
このようにしてソルダーレジスト層を形成した後、図１(f)、図８（ｇ）に示すように
、ソルダーレジスト層から露出している端子部分にメッキ層２２を形成する。
ここで形成されるメッキ層２２の例としては、スズメッキ層、金メッキ層、ニッケルメッキ層、ニッケル下地−金メッキ層、ハンダメッキ層、亜鉛メッキ層、スズ−ビスマス合金メッキ層などを挙げることができる。このようなメッキ層は、金属種によって無電解メッキ、電解メッキのいずれか一方または両方の方法で形成することができる。また、このようなメッキ層の厚さは、例えばスズメッキの場合、０．１〜１．０μｍ、好ましくは０．３〜０．６μｍの範囲内にある。
【００６６】
なお、上記記載では、メッキ層は、ソルダーレジスト層を形成した後にメッキする態様を示したが、ソルダーレジスト層を形成する前に薄いメッキ層を形成し、次いで、ソルダーレジスト層を形成した後、再度メッキ層を形成してもよい。このようにプレメッキをした後、ソルダーレジスト層を形成し、さらに本メッキをすることにより、ソルダーレジスト層の下面にメッキ液が仮に回り込んだとしても、メッキ液による配線パターンの溶出などが防止できる。特にこの方法はスズメッキ層を形成する場合に有用性が高い。
【００６７】
図８においては、外部端子側のソルダーレジスト層に厚さが連続的に減少する傾斜部を設けたが、内部端子側にも同様に適用することができることは言うまでもない。
上記方法により製造されたフィルムキャリアテープは、端子部分のソルダーレジスト層に端子部分に向かって連続的にその厚さが減少する傾斜部を有するので、この端子部分においてソルダーレジスト層の厚さが端子の電気的接合の障害になりえず、該フィルムキャリアテープは、電気的接続安定性に優れている。
【００６８】
したがって、このようなフィルムキャリアテープにＩＣなどの電子部品を実装した半導体装置の出力側アウターリード端子を、ＡＣＦを介してパネルに圧着させ、入力側アウタ
ーリード端子をＰＣＢに接合させることにより、パネル側端子部分とＡＣＦとの間に間隙が形成されず、配線の断線や腐食、剥離による不良品発生率を大幅に低減することができ、信頼性の高いディスプレイ装置を得ることができる。
【００６９】
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００７０】
＜製造例１＞  長傾斜ソルダーレジスト層形成用スクリーンの製造
まず、線径６０μｍのステンレス細線を用いてメッシュサイズ１５０メッシュのスクリーンをアルミニウム製枠体に張設してソルダーレジスト塗布用スクリーンを作製した。このスクリーンに感光性樹脂を塗布して所定のパターンに露光・現像してソルダーレジスト塗布液を塗布するための塗布液透過部を形成した。
【００７１】
次いで、端子部分が形成される部分の塗布液透過部の縁から１７０μｍの幅をマスキングして樹脂液透過部を樹脂被覆した。被覆樹脂を硬化させた後、マスキングを除去し、次いで、このスクリーンを無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、マスキングされていた幅１７０μｍの部分にある線径６０μｍのステンレス細線の周囲にニッケルメッキ層を形成した。こうしてマスキングされていた幅１７０μｍの部分にあるステンレス細線の周囲に１回目のニッケルメッキ層を形成した後、このスクリーンをメッキ液から引き上げて塗布液透過部の樹脂被覆を除去した。
【００７２】
次いで、このスクリーンの端子部分が形成される部分の塗布液透過部の縁から３４０μｍの幅（１７０μｍ×２＝３４０μｍ）をマスキングして樹脂液透過部を樹脂被覆した。被覆樹脂を硬化させた後、マスキングを除去し、スクリーンを無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、マスキングされていた幅３４０μｍの部分にあるステンレス細線の周囲にニッケルメッキ層を形成した。したがって、ソルダーレジスト塗布液を塗布するための塗布液透過部から１７０μｍの幅のスクリーン細線は２度ニッケルメッキされており、この奥の１７０μｍの幅のスクリーン細線は、１度ニッケルメッキされている。このようにしてマスキングされていた幅３４０μｍの部分にあるステンレス細線の周囲にニッケルメッキ層を形成した後、このスクリーンをメッキ液から引き上げて塗布液透過部の樹脂被覆を除去した。
【００７３】
さらに、このスクリーンの端子部分が形成される部分の塗布液透過部の縁から約５００μｍ（１７０μｍ×３＝５１０μｍ）の幅をマスキングして樹脂液透過部を樹脂被覆した。被覆樹脂を硬化させた後、マスキングを除去し、スクリーンを無電解ニッケルメッキ液に浸漬して、マスキングされていた幅約５００μｍの部分にあるステンレス細線の周囲にニッケルメッキ層を形成した。したがって、ソルダーレジスト塗布液を塗布するための塗布液透過部から１７０μｍの幅のスクリーン細線は３度ニッケルメッキされており、この奥の１７０μｍの幅のスクリーン細線は、２度ニッケルメッキされており、さらにこの奥の約１７０μｍの幅のスクリーン細線は、１度ニッケルメッキされている。このようにしてマスキングされていた幅約５００μｍの部分にあるステンレス細線の周囲にニッケルメッキ層を形成した後、このスクリーンをメッキ液から引き上げて塗布液透過部の樹脂被覆を除去して、長傾斜ソルダーレジスト層形成用スクリーンを得た。
【００７４】
上記のようにして段階的に３回のニッケルメッキ処理を行うことにより、塗布液透過部を形成する硬化した感光性樹脂の縁から１７０μｍの幅にあるステンレス細線は３回ニッケルメッキされており、この部分の目開きは５０μｍであり、樹脂液透過部の中心部分に向かうにしたがって、その目開きは段階的に大きくなり、被覆樹脂により保護されてメッキ処理されていない部分の目開きは１０９μｍであった。
【００７５】
＜製造例２＞  半導体装置の製造
上記のようにして製造された長傾斜ソルダーレジスト層形成用スクリーンを用いて、長傾斜ソルダーレジスト層が形成されるとともに、配線パターンが連続して形成されたＣＯＦ用フィルムキャリアテープ（テープ幅４８ｍｍ、１ピースの長さ１４．２５ｍｍ）を製造した。
【００７６】
具体的には、図１（ａ）に示すように、平均厚さ４０μｍのポリイミドフィルムの一方の面に平均厚さ１２μｍの銅層が積層された二層テープの銅層の表面に、図１（ｂ）に示すように、フォトレジストを塗布し、図１（ｃ）に示すように、このフォトレジストを露光・現像することにより、硬化したフォトレジストからなるパターンを形成した。このようにしてパターンを形成した後、図１（ｄ）に示すように、上記パターンをマスキング材として、銅層をエッチングして配線パターンを形成した。
【００７７】
なお、配線パターンのエッチングは、ＰＣＢと接続する入力側アウターリードを、線幅が３０μｍ、ピッチが７０μｍとなるように、また、ガラスパネルと接続する出力側アウターリードを、線幅が２０μｍ、ピッチが５０μｍとなるように行った。
【００７８】
次いで、このようにして形成した配線パターンの上に、図１（ｅ）に示すように、製造例１で作製した長傾斜ソルダーレジスト層形成用スクリーンを用いてソルダーレジスト塗布液を塗布した。これにより、配線パターンの露出した端子部分（１．３ｍｍ）から約５００μｍの領域の配線パターンは、図２に示すようにソルダーレジスト傾斜部２１によって被覆され、この傾斜部分２１（長さ約５００μｍ）に続いて配線パターン１７は塗布厚さ（硬化後の厚さ）４４μｍのソルダーレジスト層２０によって被覆された。
【００７９】
その後ソルダーレジストを硬化させた後、フィルムキャリアテープを無電解スズメッキ槽中に連続的に供給して、ソルダーレジスト層から露出した端子部分に平均厚さ０．４５μｍのスズメッキ層を形成し、評価試験用ＩＣを搭載した後に樹脂封止して、長傾斜ソルダーレジスト層を有する半導体装置（１）を得た。
【００８０】
＜製造例３＞  半導体装置の製造
まず、製造例１においてメッキ処理を施さなかった以外は製造例１と同様にして、塗布液透過部を有するソルダーレジスト塗布用スクリーンを作製した。
【００８１】
次に、製造例２と同様にして、ポリイミドフィルムの一方の面に配線パターンを形成した後、上記ソルダーレジスト塗布用スクリーン（メッキ処理なし）を用いたこと以外は製造例２と同様の手法で、配線パターン上にソルダーレジスト塗布液を塗布した。これにより、配線パターンは塗布厚さ（硬化後の厚さ）４４μｍのソルダーレジスト層によって被覆されたが、配線パターンの露出した端子部分（１．３ｍｍ）近傍のソルダーレジスト層は、流れ出し量である５０μｍ程度が盛り上がって流れ出しており、図２に示すような傾斜状の断面ではなく図４に示すような隆起状の断面となっていた。
【００８２】
その後ソルダーレジストを硬化させた後、フィルムキャリアテープを無電解スズメッキ槽中に連続的に供給して、ソルダーレジスト層から露出した端子部分に平均厚さ０．４５μｍのスズメッキ層を形成し、評価試験用ＩＣを搭載した後に樹脂封止して、ソルダーレジスト層を有する半導体装置（２）を得た。
【００８３】
〔実施例１〕
製造例２で得られた半導体装置（１）を幅４０ｍｍ、長さ１３ｍｍの大きさに切り取り、図３に示すように、市販のＡＣＦ（日立化成社製「ＡＣ−４２５１ＦＹ−１６」、幅１
．５ｍｍ、厚さ１６μｍ）を該半導体装置（１）の出力側アウターリードの端子部分（１．３ｍｍ）全面が覆われるように、パルスヒート熱圧着機（日本アビオニクス社製「ＴＣＷ１２５」）で隙間なく仮接着した。仮圧着は、仮圧着温度８０℃、３秒間、ゲージ圧力１．５ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。仮圧着後、ＡＣＦの離型紙を剥がし、ガラスパネル
（長さ１２５ｍｍ、幅１２５ｍｍ、厚さ１．６ｍｍ）と半導体装置（１）の出力側アウターリードの端子部分との本圧着を、圧着温度１８０℃、１５秒間、ゲージ圧力２ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。入力側アウターリードについても同様にして、ＰＣＢ（長さ１５０
ｍｍ、幅２５ｍｍ、厚さ１．６ｍｍ）と圧着を行った。圧着ツールはスーパーインバー製で長さ１１０ｍｍ、幅２ｍｍのものを用い、ＣＣＤで位置合わせしてＡＣＦの上にツールが落ちるように調製した。なお、図１１に示すように、ガラスパネル５２およびＰＣＢ５３に対して、半導体装置５１を４５ｍｍ間隔で２ピース接続した。このようにして、評価試験用サンプルであるモジュールＡを作製した。
【００８４】
〔比較例１〕
製造例３で得られた半導体装置（３）を用いた以外は、実施例１と同様にして評価試験用サンプルであるモジュールＢを作製した。なお、モジュールＢは、半導体装置（３）のソルダーレジスト層が傾斜部を有していないため、図４に示すような幅約３０〜１００μｍ程度の間隙２５が形成され、導体が露出している点で、実施例１のモジュールＡと本質的に異なっている。
【００８５】
〔評価〕
実施例１および比較例１で得られた評価試験用サンプル（モジュール）の断線評価をするために、ＪＩＳ  Ｃ  ００２５（試験Ｎａ；温度急変）に準じてＴＣＴ（Thermal Cyclic Test）を行った。
【００８６】
具体的には、ＥＴＡＣ社製熱衝撃装置「ＮＴ５００」を使用し、モジュールを槽内に投入した。ただし、半導体装置は薄くて柔らかいことから、槽内の風で飛ばされて動いたり曲がったりするなどのＴＣＴ以外の要因で断線するのを避けるため、冶具でガラスパネルとＰＣＢを固定した。半導体装置の出力側アウターリードの断線評価ピースはｎ＝１０（すなわち、モジュール５個）で行った。温度は−４０℃と＋８５℃とし、それぞれの温度で１時間保持するサイクルを５００サイクルまで実施し、断線の発生状況を調査した。なお、本装置は各温度への移行をそれぞれ５分以内で完了できる構造となっている。
【００８７】
試験後の断線を電気抵抗および顕微鏡で測定・観察した結果、実施例１のモジュール
Ａの半導体装置は１０ピースとも電気抵抗に変化なく、断線も認められなかった。一方、比較例１のモジュールＢの半導体装置は、１０ピース中３ピースに断線が観察され、その場所はＡＣＦが被覆されていない図４に示される間隙２５のエリアであった。また、断線が生じたのは、図１１に示すように、いずれもガラスパネル側に接続した出力側アウターリードにおける最外部に位置するリード５４（図４におけるソルダーレジスト際の間隙２５のエリア。ガラスパネルはこの上にきていない。）であった。なお、ＰＣＢと接続した入力側アウターリードの断線は観察されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】図１は、本発明で用いられるフィルムキャリアテープの製造工程を、各工程におけるフィルムキャリアの断面の例を用いて説明する断面図である。
【図２】図２は、端子部分の断面の例を拡大して示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のディスプレイ装置における異方性導電膜と半導体装置との圧着状況の例を示す断面図である。
【図４】図４は、従来のディスプレイ装置における異方性導電膜と半導体装置との圧着状況の例を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明で用いられるフィルムキャリアテープを製造する際に使用することができるスクリーンの例を模式的に示す図である。
【図６】図６は、図５におけるＡ-Ａ断面を模式的に示す断面図である。
【図７】図７は、塗布液透過部の縁部の紗の状態の例を示す図である。
【図８】図８は、本発明で用いられるフィルムキャリアテープの製造工程を、各工程におけるフィルムキャリアの長手方向の断面の例を用いて説明する断面図である。
【図９】図９は、本発明で用いられるフィルムキャリアテープを製造する際に使用することができる、突起を有する印刷ステージの断面およびこの印刷ステージを用いて形成されるフィルムキュアリアテープのソルダーレジスト層の傾斜部の断面の例を拡大して示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明で用いられるフィルムキャリアテープを製造する際に使用することができる、階段状突起を有する印刷ステージの断面およびこの階段状突起を用いて形成されるフィルムキュアリアテープのソルダーレジスト層の傾斜部の断面の例を拡大して示す断面図である。
【図１１】図１１は、本実施例で用いた評価用サンプルの構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０・・・絶縁フィルム
１２・・・導電性金属層
１３・・・デバイスホール
１４・・・スプロケットホール
１５・・・フォトレジスト層
１６・・・レジストパターン
１７・・・配線パターン
１８・・・端子部分
２０・・・ソルダーレジスト層
２１・・・ソルダーレジスト傾斜部分
２２・・・メッキ層
２３・・・異方性導電膜
２４・・・ソルダーレジスト隆起部分
２５・・・間隙
２６・・・パネル
３０・・・スクリーン
３１・・・枠体
３２・・・紗
３３・・・塗布液透過部が形成されていない部分（マスキング）
３４・・・塗布液透過部
３５・・・ステンレス細線
３６・・・他方のステンレス細線
４０・・・印刷ステージ
４２・・・突起
５１・・・半導体装置
５２・・・ガラスパネル
５３・・・プリント回路基板（ＰＣＢ）
５４・・・断線箇所（最外部）
【図１】
2006126367.tif 000003
【図２】
2006126367.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006126367.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006126367.tif 000008
【図７】
2006126367.tif 000009
【図８】
2006126367.tif 000010
【図９】
2006126367.tif 000011
【図１０】
2006126367.tif 000012
【図１１】
2006126367.tif 000013