(57)【要約】【課題】  レジスト液の塗布からウェハ周縁部上のレジスト膜の除去までの一連のレジスト塗布処理をより短時間で行う。【解決手段】  レジスト塗布装置２０に，レーザ光を照射するレーザ照射部１７３を設ける。レジスト塗布処理時には，回転されたウェハＷの中心部にレジスト液供給ノズル１３３によりレジスト液が吐出され，ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後，レーザ照射部１７３がウェハＷの外周部上に移動し，外周部上のレジスト膜にレーザ光が照射され，当該外周部上のレジスト膜が乾燥される。外周部上のレジスト膜が乾燥すると，引き続きレーザ光の照射が継続され，溶剤供給ノズル１５０がウェハＷの周縁部上まで移動し，ウェハＷの周縁部上のレジスト膜に溶剤が供給される。この溶剤の供給により，ウェハＷの周縁部上のレジスト膜が溶解し除去される。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布液を供給し，基板上に塗布膜を形成する工程と，
その後，基板の外周部上の塗布膜に熱を供給して当該外周部上の塗布膜を乾燥する工程と，
その後，前記基板の外周部上の塗布膜に引き続き熱を供給しながら，当該熱が供給されている領域における外側の基板の周縁部上の塗布膜に塗布膜の溶剤を供給して当該周縁部上の塗布膜を除去する工程と，を有することを特徴とする，塗布処理方法。
【請求項２】
基板上に塗布液を供給し，基板上に塗布膜を形成する塗布液供給部材と，
基板の裏面側から基板の外周部上の塗布膜に熱を供給する熱供給部材と，
前記熱供給部材により熱が供給される領域における外側の基板の周縁部上の塗布膜に塗布膜の溶剤を供給する溶剤供給部材と，を備えたことを特徴とする，塗布処理装置。
【請求項３】
前記熱供給部材と前記溶剤供給部材は，基板の外周部を挟んで対向する位置に移動できるように構成されていることを特徴とする，請求項２に記載の塗布処理装置。
【請求項４】
前記熱供給部材は，ランプヒータであり，
前記ランプヒータには，当該ランプヒータの熱線を基板の裏面側に向けて反射させる反射板が設けられ，
前記反射板は，前記ランプヒータの周囲を覆うように形成され，さらに熱線が通過する開口部を基板側に有し，
前記反射板は，前記基板側の開口部に近づくにつれて先細になるように形成されていることを特徴とする，請求項３に記載の塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板の塗布処理方法及び塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理が行われている。
【０００３】
このレジスト塗布処理では，通常ウェハがスピンチャックに保持され，ウェハが回転した状態で，ウェハの中心にレジスト液が供給される。ウェハの中心に供給されたレジスト液は遠心力によってウェハ表面の全面に拡散し，ウェハ上にレジスト膜が形成される。その後，ウェハの周縁部上のレジスト膜を除去するいわゆるエッジリンスが行われる（例えば，特許文献１参照。）。このエッジリンスにより，ウェハ上のレジスト膜が例えば搬送アームや他の装置のチャックに付着してパーティクルが発生することを防止できる。
【０００４】
ところで，上述したようにエッジリンスは，ウェハの周縁部上のレジスト膜のみを選択的に除去する処理であるが，ウェハ上のレジスト膜が十分に乾燥していない状態で行われると，ウェハの中央部のレジスト膜が，レジスト膜が除去されるウェハの周縁部上に流れ出し，基板の周縁部がレジスト液で汚れて，エッジリンスが無駄になる。このため，エッジリンスは，ウェハ上にレジスト膜が形成され，当該レジスト膜が十分に乾いてから行われていた。
【０００５】
しかしながら，レジスト膜が形成されてから十分に乾くまでには，長時間を要する。実際レジスト膜が十分に乾くまでに，ウェハを回転させても，レジスト液の種類によっては２分以上かかることがあった。
【０００６】
このようにレジスト膜の乾燥に時間が掛かり，エッジリンスの開始が遅れ，レジスト塗布処理のトータルの所要時間が長くなって，スループットが低下していた。また，ウェハの処理効率を向上するために，例えば一連のフォトリソグラフィ工程が連続的に行われる塗布現像処理システムに多数のレジスト塗布装置を搭載する必要があり，当該塗布現像処理システムが大型化していた。
【０００７】
【特許文献１】特開平８-１０７０５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，エッジリンスを含めたレジスト塗布処理などの塗布処理をより短時間で行うことができる塗布処理方法及び塗布処理装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する本発明によれば，基板上に塗布液を供給し，基板上に塗布膜を形成する工程と，その後，基板の外周部上の塗布膜に熱を供給して当該外周部上の塗布膜を乾燥する工程と，その後，前記基板の外周部上の塗布膜に引き続き熱を供給しながら，当該熱が供給されている領域における外側の基板の周縁部上の塗布膜に塗布膜の溶剤を供給して当該周縁部上の塗布膜を除去する工程と，を有することを特徴とする塗布処理方法が提供される。なお，基板の周縁部は，基板の端部から所定幅内側に入ったところまでの幅のある領域を示し，基板の外周部は，基板の端部から周縁部よりさらに内側に入ったところまでの幅のある領域を示す。
【００１０】
本発明によれば，基板の外周部上に形成された塗布膜に熱を与えて乾燥させるので，外周部上の塗布膜を短時間で乾燥できる。また，溶剤を供給して基板の周縁部上の塗布膜を除去する際に，基板の外周部上の塗布膜に熱を供給し続けるので，基板の外周部付近の塗布膜が例えば溶剤により熱を奪われて又は溶剤を吸収して溶解し基板の端部側に流出することを防止できる。これにより，基板の周縁部上の塗布膜の除去が適正に行われる。
【００１１】
別の観点による本発明によれば，基板上に塗布液を供給し，基板上に塗布膜を形成する塗布液供給部材と，基板の裏面側から基板の外周部上の塗布膜に熱を供給する熱供給部材と，前記熱供給部材により熱が供給される領域における外側の基板の周縁部上の塗布膜に塗布膜の溶剤を供給する溶剤供給部材と，を備えたことを特徴とする塗布処理装置が提供される。
【００１２】
本発明によれば，基板の外周部上に形成された塗布膜に熱供給部材により熱を与えることができるので，基板の外周部上の塗布膜を短時間で乾燥できる。また，溶剤供給部材により基板の周縁部上の塗布膜に溶剤を供給して当該周縁部上の塗布膜を除去する際に，引き続き外周部の塗布膜に熱を供給し続けることができるので，例えば基板の周縁部よりも内側の塗布膜が溶剤により熱を奪われて又は溶剤を吸収して溶解し基板の端部側に流れ出ることを防止できる。これにより，基板の周縁部の塗布膜の除去が適正に行われる。また，基板の外周部上の塗布膜への熱の供給を基板の裏面側から行うので，例えば乾燥時の揮発成分が熱供給部材を汚染することがない。また，熱供給部材から基板上の塗布膜に塵埃などの不純物が落下することを防止できる。
【００１３】
前記熱供給部材と前記溶剤供給部材は，基板の外周部を挟んで対向する位置に移動できるように構成されていてもよい。かかる場合，熱供給部材による基板の裏面側からの熱の供給と，溶剤供給部材による基板の表面側からの溶剤の供給が平面から見て同じ位置で行われる。それ故，熱供給部材が放射された熱線が溶剤供給部材から供給される溶剤により遮断され吸収されるので，基板の外周部上の塗布膜以外の他の部分への熱線の散乱が防止できる。これにより，例えば外周部以外の部分の塗布膜に熱線が不均一に照射され塗布膜に悪影響を与えることを防止できる。
【００１４】
前記熱供給部材は，ランプヒータであり，前記ランプヒータには，当該ランプヒータの熱線を基板の裏面側に向けて反射させる反射板が設けられ，前記反射板は，前記ランプヒータの周囲を覆うように形成され，さらに熱線が通過する開口部を基板側に有し，前記反射板は，前記基板側の開口部に近づくにつれて先細になるように形成されていてもよい。かかる場合，ランプヒータを覆う反射板内に，例えば溶剤が入り込むことを抑制できるので，溶剤がランプヒータに付着し汚染することを抑制できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば，塗布処理時間が短縮するので，スループットの向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる塗布処理装置が搭載された塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００１７】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１８】
カセットステーション２では，カセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。カセットステーション２には，搬送路６上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体７が設けられている。ウェハ搬送体７は，カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり，Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。
【００１９】
ウェハ搬送体７は，Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり，後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温調装置６０やトランジション装置６１に対してもアクセスできる。
【００２０】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は，複数の処理装置が多段に配置された，例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には，カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１，第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には，カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には，第１の搬送装置１０が設けられている。第１の搬送装置１０は，第１の処理装置群Ｇ１，第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には，第２の搬送装置１１が設けられている。第２の搬送装置１１は，第２の処理装置群Ｇ２，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２１】
図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には，ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置，例えば本実施の形態にかかる塗布処理装置としてのレジスト塗布装置２０，２１，２２，露光処理時の光の反射を防止する下地膜としての反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３，２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には，液処理装置，例えばウェハＷに現像液を供給して現像する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また，第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には，各処理装置群Ｇ１及びＧ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０，４１がそれぞれ設けられている。
【００２２】
例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には，温調装置６０，ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１，精度の高い温度管理下でウェハＷを温度調節する高精度温調装置６２〜６４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置６５〜６８が下から順に９段に重ねられている。
【００２３】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えば高精度温調装置７０，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７１〜７４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２４】
第５の処理装置群Ｇ５では，ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置，例えば高精度温調装置８０〜８３，露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２５】
図１に示すように第１の搬送装置１０のＸ方向正方向側には，複数の処理装置が配置されており，例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０，９１，ウェハＷを加熱する加熱装置９２，９３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置１１のＸ方向正方向側には，例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４が配置されている。
【００２６】
インターフェイス部４には，例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と，バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は，Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり，インターフェイス部４に隣接した図示しない露光装置と，バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５内の処理装置に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２７】
次に，上述したレジスト塗布装置２０の構成について詳しく説明する。図４は，レジスト塗布装置２０の構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，レジスト塗布装置２０の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【００２８】
図４に示すようにレジスト塗布装置２０は，ケーシング２０ａを有し，当該ケーシング２０ａ内の中央部には，ウェハＷを保持する保持部材としてのスピンチャック１２０が設けられている。スピンチャック１２０は，水平な上面を有し，当該上面には，例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により，ウェハＷをスピンチャック１２０上に吸着できる。
【００２９】
スピンチャック１２０には，例えばスピンチャック１２０を回転及び昇降させるためのチャック駆動機構１２１が設けられている。チャック駆動機構１２１は，例えばスピンチャック１２０を所定速度で回転させるモータなどの回転駆動部（図示せず）や，スピンチャック１２０を昇降させるモータ又はシリンダなどの昇降駆動部（図示せず）を備えている。このチャック駆動機構１２１により，スピンチャック１２０上のウェハＷを所定のタイミングで昇降したり，所定の速度で回転させることができる。
【００３０】
例えばスピンチャック１２０の周囲には，ウェハＷから飛散したレジスト液や溶剤などを受け止め，回収するためのカップ１２２が設けられている。カップ１２２は，上面が開口した略円筒形状を有し，スピンチャック１２０上のウェハＷの外方と下方とを囲むように形成されている。カップ１２２の下面１２２ａには，回収したレジスト液等を排液する排液管１２３とカップ１２２内を排気する排気管１２４とが設けられている。
【００３１】
カップ１２２の内側であって，スピンチャック１２０に保持されたウェハＷの下側には，ウェハＷの裏面に対向する略水平板形状の水平板１２５が形成されている。水平板１２５は，スピンチャック１２０を取り囲むように環状に形成されている。
【００３２】
図５に示すように例えばカップ１２２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には，Ｙ方向に沿って延伸するレール１３０が形成されている。レール１３０は，例えばカップ１２２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からカップ１２２のＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１３０には，例えば二本のアーム１３１，１３２が取り付けられている。第１のアーム１３１には，塗布液供給部材としてのレジスト液供給ノズル１３３が支持されている。第１のアーム１３１は，例えばノズル駆動部１３４によってレール１３０上をＹ方向に移動できる。この第１のアーム１３１により，レジスト液供給ノズル１３３は，カップ１２２のＹ方向負方向側の外方に設置された待機部１３５からカップ１２２内のウェハＷ上まで移動できる。また，第１のアーム１３１は，例えばノズル駆動部１３４によって上下方向にも移動自在であり，レジスト液供給ノズル１３３を昇降させることができる。
【００３３】
レジスト液供給ノズル１３３には，例えば図４に示すようにケーシング２０ａの外部に設置されたレジスト液供給源１４０に連通するレジスト液供給管１４１が接続されている。レジスト液供給管１４１には，開閉弁１４２が設けられており，この開閉弁１４２によりレジスト液の供給タイミングを制御できる。
【００３４】
図５に示すように第２のアーム１３２には，レジスト膜を除去するためのレジスト液の溶剤を供給する溶剤供給部材としての溶剤供給ノズル１５０が支持されている。第２のアーム１３２は，例えばノズル駆動部１５１によってレール１３０上をＹ方向に移動できる。この第２のアーム１３２により，溶剤供給ノズル１５０は，カップ１２２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１５２からカップ１２２内のウェハＷ上まで移動できる。また，第２のアーム１３２は，例えばノズル駆動部１５１によって上下方向にも移動自在であり，溶剤供給ノズル１５０を昇降させることができる。
【００３５】
溶剤供給ノズル１５０には，例えば図４に示すようにケーシング２０ａの外部に設置された溶剤供給源１６０に連通する溶剤供給管１６１が接続されている。溶剤供給管１６１には，開閉弁１６２が設けられており，この開閉弁１６２により溶剤の供給タイミングを制御できる。
【００３６】
図５に示すようにカップ１２２のＸ方向正方向（図５の上方向）側には，Ｙ方向に沿って延伸するレール１７０が形成されている。レール１７０は，例えばカップ１２２のＹ方向負方向側の外方からカップ１２２の中央部付近まで形成されている。レール１７０には，例えば第３のアーム１７１が取り付けられている。第３のアーム１７１は，例えば駆動部１７２によってレール１７０上をＹ方向に移動自在である。第３のアーム１７１には，熱供給部材としてのレーザ照射部材１７３が支持されている。第３のアーム１７１により，レーザ照射部材１７３は，カップ１２２のＹ方向負方向側の外方の待機部１７４からカップ１２２内のウェハＷ上まで移動できる。また，第３のアーム１７１は，例えば駆動部１７２によって上下方向にも移動自在であり，レーザ照射部材１７３を昇降させて，レーザ照射部材１７３の高さ調整を行うことができる。
【００３７】
レーザ照射部材１７３は，例えば図４に示すようにケーブル１８０によりレーザ発振器１８１に接続されている。本実施の形態においては，レーザ発振器１８１は，例えば，波長の長さが１０００〜１２００ｎｍ程度の遠赤外線のレーザ光を発振するものであり，レーザ照射部材１７３からは，遠赤外線のレーザ光を照射できる。
【００３８】
次に，上記レジスト塗布装置２０で行われるレジスト塗布処理のプロセスを，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００３９】
先ず，ウェハ搬送体７によって，カセット載置台５上のカセットＣ内からウェハＷが一枚取り出され，第３の処理装置群Ｇ３の温調装置６０に搬送される。温調装置６０に搬送されたウェハＷは，所定温度に温度調節され，その後第１の搬送装置１０によってボトムコーティング装置２３に搬送され，反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは，第１の搬送装置１０によって加熱装置９２，高温度熱処理装置６５，高精度温調装置７０に順次搬送され，各装置で所定の処理が施され，その後レジスト塗布装置２０においてウェハＷ上にレジスト膜が形成される。
【００４０】
レジスト膜が形成されたウェハＷは，第１の搬送装置１０によってプリベーキング装置７１に搬送され，続いて第２の搬送装置１１によって周辺露光装置９４，高精度温調装置８３に順次搬送されて，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，インターフェイス部４のウェハ搬送体１０１によって図示しない露光装置に搬送される。この露光装置において，ウェハＷ上のレジスト膜に所定パターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体１０１によって例えばポストエクスポージャーベーキング装置８４に搬送され，加熱処理が施された後，第２の搬送装置１１によって高精度温調装置８１に搬送されて温度調節される。その後，ウェハＷは現像処理装置３０に搬送され，ウェハＷ上のレジスト膜が現像される。現像処理が終了したウェハＷは，例えば第２の搬送装置１１によってポストベーキング装置７５に搬送され，加熱処理が施され，その後高精度温調装置６３に搬送され温度調節される。ウェハＷは，その後第１の搬送装置１０によって，トランジション装置６１に搬送され，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻される。こうして，塗布現像処理システム１における一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００４１】
ここで，上述のレジスト塗布装置２０において行われるレジスト塗布処理について詳しく説明する。図６は，かかるレジスト塗布処理のフローを示す説明図である。先ず，ウェハＷがレジスト塗布装置２０内に搬入され，図４に示すようにスピンチャック１２０上に保持されると，待機部１３５で待機していたレジスト液供給ノズル１３３がＹ方向正方向側に移動し，ウェハＷの中心部の上方まで移動する。続いて例えばスピンチャック１２０によりウェハＷが回転され，当該回転されたウェハＷの中心部にレジスト液供給ノズル１３３から所定量のレジスト液が吐出される（図６の（ａ））。ウェハＷ上に吐出されたレジスト液は，遠心力により拡散し，ウェハＷの表面全面にレジスト液が塗布される。その後，所定時間ウェハＷの回転し続けることにより，ウェハ表面上の余分なレジスト液が飛散し，ウェハＷ上に所定の膜厚のレジスト膜Ｒが形成される。
【００４２】
レジスト液供給ノズル１３３は，ウェハＷの中心部に所定量のレジスト液を吐出し終えると，待機部１３５に退避し，代わってレーザ照射部材１７３が待機部１７４からウェハＷのＹ方向負方向側の外周部上に移動する（図６の（ｂ））。そして，ウェハＷ上に所定の膜厚のレジスト膜Ｒが形成された直後に，ウェハＷの回転が継続された状態で，ウェハＷの外周部の環状のレジスト膜Ｒ上に遠赤外線のレーザ光が照射される。これレーザ光の照射により，図７に示すようにウェハＷの外周部Ａ上のレジスト膜Ｒがレーザ光の熱エネルギにより乾燥される。
【００４３】
例えばウェハＷの外周部Ａ上のレジスト膜Ｒが乾燥するのを見計らって，溶剤供給ノズル１５０がウェハＷのＹ方向正方向側の周縁部Ａｅ上まで移動する（図６の（ｃ））。ウェハＷの回転とレーザ光の照射が継続された状態で，溶剤供給ノズル１５０からウェハＷの外周部Ａにおける外側の周縁部Ａｅのレジスト膜Ｒ上に溶剤が吐出される。これ溶剤の吐出により，例えば図８に示すようにウェハＷの外周部Ａにおける外側の所定幅の周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒが溶解して除去される（エッジリンス）。また，継続して行われているレーザ光の照射により，ウェハＷの周縁部Ａｅよりも内側のレジスト膜Ｒが溶剤により又は溶剤の低温度により溶解することなく，乾燥した状態が維持される。さらに，周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒを除去している間に，外周部Ａよりも内側のレジスト膜Ｒも乾燥し，レジスト膜Ｒ全体が乾燥する。
【００４４】
ウェハＷの周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒが除去されると，ウェハＷの回転が停止され，溶剤供給ノズル１５０からの溶剤の供給とレーザ照射部材１７３からのレーザ光の照射が停止される。その後，溶剤供給ノズル１５０が待機部１５２に戻され，レーザ照射部材１７３が待機部１７４に戻される。その後，スピンチャック１２０上のウェハＷが第１の搬送装置１０によってレジスト塗布装置２０から搬出されて，一連のレジスト塗布処理が終了する。
【００４５】
以上の実施の形態によれば，ウェハＷ上にレジスト膜Ｒが形成された後，レーザ照射部材１７３によりウェハＷの外周部Ａ上のレジスト膜Ｒにレーザ光が照射され熱が与えられるので，外周部Ａ上のレジスト膜Ｒが短時間で乾燥する。この結果，溶剤供給ノズル１５０による周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒの除去を早期に開始できるので，トータルのレジスト塗布処理時間を短縮できる。また，溶剤供給ノズル１５０によって周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒに溶剤が供給されている間に，ウェハＷの外周部Ａ全体のレジスト膜Ｒに引き続きレーザ光が照射されるので，除去される周縁部Ａｅより内側のレジスト膜Ｒが溶剤により溶解して除去する部分に流れ込むことを防止できる。したがって，ウェハＷの周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒの除去を汚れが残らないように適正に行うことができる。
【００４６】
以上の実施の形態では，レーザ照射部材１７３がウェハＷの上方側からレーザ光を照射していたが，ウェハＷの裏面側からレーザ光を照射してもよい。かかる場合，例えば図９に示すようにスピンチャック１２０に保持されたウェハＷの裏面側に，レーザ照射部材１７３が設けられている。例えばスピンチャック１２０のＹ方向正方向側に位置する水平板１２５上に，図１０に示すようにウェハＷの径方向に沿って延伸したレール２００が設けられ，レーザ照射部材１７３は，当該レール２００上を移動するスライダ２０１に取り付けられている。レーザ照射部材１７３は，レール２００に沿って移動自在であり，ウェハＷのＹ方向正方向側の外周部Ａの下方まで移動できる。これにより，レーザ照射部材１７３は，溶剤を吐出するときの溶剤供給ノズル１５０とウェハＷを挟んで対向する位置に移動できる。
【００４７】
レジスト塗布処理の際には，ウェハＷ上に所定の膜厚のレジスト膜Ｒが形成されると，ウェハＷの回転が維持された状態で，レーザ照射部材１７３によりウェハＷの外周部Ａの裏面側に遠赤外線のレーザ光が照射される。このレーザ光の照射により，ウェハＷの外周部Ａ上のレジスト膜ＲにウェハＷを介して熱が供給され，外周部Ａ上のレジスト膜Ｒが乾燥される。その後，図１１に示すように溶剤供給ノズル１５０がレーザ照射部材１７３に対向する位置，つまりウェハＷのＹ方向正方向側の周縁部Ａｅ上まで移動する。レーザ照射部材１７３によるレーザ光の照射と，ウェハＷの回転が維持された状態で，溶剤供給ノズル１５０によりウェハＷの周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒに溶剤が供給され，周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒが除去される。
【００４８】
かかる例によれば，レーザ照射部材１７３がウェハＷの裏面側に設けられているので，例えばレーザ照射部材１７３やその駆動系からウェハＷ上に塵埃などの不純物が落下することがなく，レジスト膜Ｒに不純物が付着することを防止できる。またレジスト膜Ｒからの揮発物によってレーザ照射部材１７３が汚染されることを防止できる。
【００４９】
さらに，レーザ照射部材１７３を，溶剤を吐出する際の溶剤供給ノズル１５０に対向する位置に移動できるようにしたので，溶剤の供給とレーザ光の照射を同時に行っているときに，溶剤供給ノズル１５０から吐出された溶剤によって，レーザ照射部材１７３から放射されたレーザ光を遮断，吸収できる。これにより，レーザ光の一部がウェハＷの上方側に漏れてレーザ光がケーシング２０ａ内で散乱することが防止でき，例えばレーザ光による熱がレジスト膜Ｒの表面に不均一に与えられレジスト膜Ｒの膜質に斑ができることが防止できる。
【００５０】
前記実施の形態では，レーザ照射部材１７３を用いてウェハＷの外周部Ａ上のレジスト膜Ｒに熱を与えていたが，ランプヒータを用いて熱を与えてもよい。かかる場合，例えば図１２に示すようにスピンチャック１２０に保持されたウェハＷの裏面側に，ランプヒータ２１０が設けられている。ランプヒータ２１０は，ヒータ電源２１１からの給電により光を照射できる。ランプヒータ２１０の光には，ウェハＷを透過し，レジスト膜Ｒを乾燥できる例えば波長が１０００〜１２００ｎｍ程度の遠赤外線が用いられる。ランプヒータ２１０は，例えば図１３に示すように熱線をウェハＷの裏面側に反射させる反射板２１２に覆われている。反射板２１２は，ヒータランプ２１０を内包するような略球面状に形成され，ウェハＷの裏面側に熱線が通過する開口部２１２ａが形成されている。反射板２１２は，例えばウェハＷの裏面側の開口部２１２ａに近づくにつれて先細になるように形成されている。
【００５１】
反射板２１２は，例えば反射板２１２の下面に密着した支持部材２１３に支持されている。支持部材２１３は，例えば水平板１２５上をウェハＷの径方向に沿って延伸するレール２１４に取り付けられており，レール２１４上を移動できる。これにより，ランプヒータ２１０は，レール２１４に沿って，ウェハＷの外周部の下方まで移動し，溶剤を吐出する際の溶剤供給ノズル１５０とウェハＷを挟んで対向する位置に移動できる。
【００５２】
支持部材２１３は，例えば熱伝導性の優れた材質で形成され，内部に冷却用の冷却水を流通させる冷却管２１５が設けられている。冷却管２１５は，例えばケーシング２０ａの外側に配置された冷却水供給源２１６に連通している。この冷却管２１５により，支持部材２１３と支持部材２１３に密着した反射板２１２を冷却し，ランプヒータ２１０から発生する熱が支持部材２１３を介してカップ１２２側に伝達することを防止できる。また，反射板２１２の温度が上昇してウェハＷに熱的な悪影響を与えることを防止できる。
【００５３】
そして，レジスト塗布処理の際には，ウェハＷ上に所定の膜厚のレジスト膜Ｒが形成されると，ウェハＷの回転が維持された状態で，ランプヒータ２１０によりウェハＷの外周部Ａの裏面側に遠赤外線の光が照射される。この光の照射により，ウェハＷの外周部Ａ上のレジスト膜ＲにウェハＷを介して熱が供給され，外周部Ａ上のレジスト膜Ｒが乾燥される。その後，溶剤供給ノズル１５０がランプヒータ２１０に対向する位置，つまりウェハＷのＹ方向正方向側の周縁部Ａｅ上まで移動する。ランプヒータ２１０による光の照射と，ウェハＷの回転が維持された状態で，溶剤供給ノズル１５０によりウェハＷの周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒに溶剤が供給され，周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒが除去される。
【００５４】
かかる例によっても，ウェハＷ上にレジスト膜Ｒが形成された後に，ウェハＷの外周部Ａ上のレジスト膜Ｒに熱が与えられるので，外周部Ａ上のレジスト膜Ｒを短時間で乾燥できる。また，周縁部Ａｅ上のレジスト膜Ｒに溶剤が供給されている間に，ウェハＷの外周部Ａ全体のレジスト膜Ｒに引き続き熱が与えられるので，周縁部Ａｅより内側のレジスト膜Ｒが溶剤により溶解して除去部分側に流れ込むことを防止できる。また，かかる例では，反射板２１２を，ランプヒータ２１０を覆うように形成し，ウェハＷの裏面側の開口部２１２ａに向けて先細になるように形成したので，溶剤供給ノズル１５０から吐出された溶剤が誤ってランプヒータ２１０上に落下しランプヒータ２１０を汚染することを防止できる。
【００５５】
以上の実施の形態で記載したウェハＷの裏面側に配置されたレーザ照射部材１７３若しくはランプヒータ２１０は，熱の放射時以外，例えばレジスト膜Ｒの形成時などにウェハＷの中心部側に移動するようにしてもよい。こうすることにより，レーザ照射部材１７３やランプヒータ２１０がウェハＷから飛散又は落下するレジスト液により汚れることを防止できる。
【００５６】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば以上の実施の形態では，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０について記載したが，本発明は，ウェハＷに対しレジスト液以外の他の塗布液，例えばＳＯＤ，ＳＯＧ（Spin  on  Glass）膜等を形成するための塗布液を塗布する塗布処理装置にも適用できる。また，本発明は，ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板に塗布液を塗布する場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は，基板に塗布膜を形成する塗布処理時間を短縮する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施の形態における塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図６】レジスト塗布処理のフローの説明図である。
【図７】ウェハの外周部上のレジスト膜にレーザ光を照射している様子を示すウェハの縦断面図である。
【図８】ウェハの周縁部上のレジスト膜を除去している様子を示すウェハの縦断面図である。
【図９】レーザ照射部材をウェハの下方に設けた場合のレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図１０】レーザ照射部材の移動機構を示す説明図である。
【図１１】レーザ光を照射しながら溶剤を供給している様子を示すウェハの縦断面図である。
【図１２】ウェハの下方にランプヒータを設けた場合のレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図１３】ランプヒータ周辺の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１    塗布現像処理システム
２０  レジスト塗布装置
１３３  レジスト液供給ノズル
１５０  溶剤供給ノズル
１７３  レーザ照射部材
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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