(57)【要約】【課題】  本発明は光伝搬部材の上部に光素子や配線が配設される光モジュールの製造方法および光伝搬部材の製造方法に関し、ビアを用いることなく光導波路上の光素子と主基板とを簡単に電気的に接続することを課題とする。【解決手段】  銅張積層板１０上にビルドアップ層１７，１８を光導波路３２の厚さに相当する層数積層し第１のビルドアップ積層体３１を形成し、この第１のビルドアップ積層体３１に光導波路３２を内蔵するためのキャビティ３０を形成し、次にこのキャビティ３０に光導波路３２を装着し、続いて第１のビルドアップ積層体３１及び光導波路３２上にビルドアップ層３４を形成する。更に、このビルドアップ層３４に光導波路３２と光学的に接続した光通過路５４，５５を形成すると共に、この光通過路５４，５５と光学的に接続されるようＰＤ７４,ＶＣＳＥＬ７５を配設する。【選択図】  図１２
2006039045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝搬部材の上部に光素子が搭載される光モジュールの製造方法であって、
コア基板上に、第１のビルドアップ層を前記光伝搬部材の厚さに相当する層数積層する第１のビルドアップ層積層工程と、
積層された前記ビルドアップ層に、前記光伝搬部材を内蔵するためのキャビティを形成するキャビティ形成工程と、
前記キャビティに前記光伝搬部材を収納する収納工程と、
前記キャビティが形成されたビルドアップ層及び前記光伝搬部材に、更に第２のビルドアップ層を形成する第２のビルドアップ層積層工程と、
前記第２のビルドアップ層に前記光伝搬部材と光学的に接続される光通路を形成する光通路形成工程と、
前記光通路と接続するよう光素子を前記第２のビルドアップ層に搭載する光素子搭載工程と
を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光モジュールの製造方法において、
前記キャビティ形成工程では、レーザ加工法を用いてキャビティを形成することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の光モジュールの製造方法において、
前記第１のビルドアップ層積層工程を行う前に、前記コア基板の前記キャビティの形成位置に対応する位置にストッパー層を形成する工程を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法において、
前記光通路形成工程では、レーザ加工法を用いて前記光通路形を形成することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項５】
光伝搬部材の上部に光素子が搭載される光モジュールの製造方法であって、
コア基板上に、ビルドアップ層を形成する処理と、該ビルドアップ層の前記光伝搬部材が内蔵されるキャビティの形成位置と対応する位置に開口部を形成する処理とを繰り返し実施し、該開口部を有するビルドアップ層を前記光伝搬部材の厚さに相当する層数積層する第１のビルドアップ層積層工程と、
前記キャビティに前記光伝搬部材を収納する収納工程と、
前記キャビティが形成されたビルドアップ層及び前記光伝搬部材に、更にビルドアップ層を形成する第２のビルドアップ層積層工程と、
前記第２のビルドアップ層に前記光伝搬部材と光学的に接続される光通路を形成する光通路形成工程と、
前記光通路と接続するよう光素子を前記第２のビルドアップ層に搭載する光素子搭載工程と
を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項６】
光伝搬部材の上部に光素子が搭載される光モジュールの製造方法であって、
前記光伝搬部材が内蔵されるキャビティの形成位置と対応する位置に予め開口部が形成されたビルドアップ層を、前記光伝搬部材の厚さに相当する層数だけコア基板上に積層する第１のビルドアップ層積層工程と、
前記キャビティに前記光伝搬部材を収納する収納工程と、
前記キャビティが形成されたビルドアップ層及び前記光伝搬部材上に、更にビルドアップ層を形成する第２のビルドアップ層積層工程と、
前記第２のビルドアップ層に前記光伝搬部材と光学的に接続される光通路を形成する光通路形成工程と、
前記光通路と接続するよう光素子を前記第２のビルドアップ層に搭載する光素子搭載工程と
を有することを特徴とする光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光モジュールの製造方法および光伝搬部材の製造方法に係り、特に光伝搬部材の上部に光素子や配線が配設される光モジュールの製造方法および光伝搬部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信の高速化が図られており、これに伴い電気信号に変えて光を情報通信の媒体として使用することが行なわれている。このような光通信分野においては、光−電気変換及び電気−光変換を行う必要があり、また光通信において光に対して変調等の各種処理を行う必要があり、このため各種光モジュールが低起用されている。この種の光モジュールは種々の形態があるが、基本的には例えば特許文献１及び特許文献２に示されるように、光が伝搬される光導波路等の光伝搬部材上に、発光素子（垂直共振器レーザ等）や受光素子（ホトダイオード等）を設けた構成とされている。
【０００３】
図１は、この種の光モジュール１００の一例を示す断面図である。同図に示すように、光モジュール１００は、大略すると主基板１０２，光導波路１０３，ＰＤ（ホトダイオード）１０４，及びＶＣＳＥＬ（垂直共振器レーザ）１０５等により構成されている。
【０００４】
主基板１０２は銅張積層板であり、表裏両面に形成された銅箔をパターニングすることにより、下層配線１０９及び上層配線１１５を形成している。また、下層配線１０９と上層配線１１５は、基板本体１０８に形成されたスルーホール電極１１２を介して電気的に接続されている。また、基板本体１０８の下面には、下層配線１０９を保護するためにソルダーレジスト１１１が配設されている。このソルダーレジスト１１１は、半田ボール１１０の形成位置においては開口されており、この開口を介して外部接続端子となる半田ボール１１０が下層配線１０９に接続されている。
【０００５】
一方、主基板１０２の上面には、接着剤１１６により光導波路１０３が固定されると共に、ＰＤ１０４及びＶＣＳＥＬ１０５に接続されるアンプ１０６及びドライバ１０７も接着剤１１６により固定されている。このアンプ１０６及びドライバ１０７は、ワイヤ１２５を用いて上層配線１１５に電気的に接続されている。
【０００６】
光導波路１０３は、クラッド材１１７の内部にコア材１１８が内設された構成とされている。クラッド材１１７とコア材１１８とは屈折率が異なっており、具体的にはコア材１１８の屈折率がクラッド材１１７の屈折率よりも大きく設定されている。これにより、コア材１１８内に進入した光は全反射を繰り返し、これによりコア材１１８内を伝わってゆく。
【０００７】
このコア材１１８の両端部には、ミラー１１９が配設されている。ＶＣＳＥＬ１０５で生成された光（レーザ光）は、光導入孔１２２を通り光導波路１０３に進行し、ミラー１１９に反射されてコア材１１８内に進入する。そして、この進入した光はコア材１１８内を伝搬してゆき、他端部に配設されているミラー１１９によりＰＤ１０４に向け反射される。反射した光は、光導出孔１２３を通りＰＤ１０４に進入し、ここで光−電気信号変換が行われる。
【０００８】
ここで、ＰＤ１０４及びＶＣＳＥＬ１０５の配設位置に注目する。従来では、光導波路１０３のクラッド材１１７の上面に素子接合用配線１２０が形成されており、この素子接合用配線１２０にＰＤ１０４及びＶＣＳＥＬ１０５が接合され、これにより電気的に接続と機械的な固定が行われる構成とされていた。また、素子接合用配線１２０は主基板１０２の上面に形成された上層配線１１５と電気的に接続する必要があるが、従来では光導波路１０３のクラッド材１１７にビア１２１を形成し、このビア１２１を介して素子接合用配線１２０と主基板上の上層配線１１５とを電気的に接続する構成とされていた。
【特許文献１】特開平０８−１１０４２７号公報
【特許文献２】特開２０００−１３７１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、図１に示す光モジュール１００を製造する場合、光導波路１０３を構成するクラッド材１１７にビア１２１（ビア孔）を形成する必要がある。クラッド材１１７ではなく樹脂基板に対してビアを形成する方法としては、例えば波長355nmのレーザを用いたレーザ加工法が適用される。
【００１０】
しかしながら、この樹脂基板に対するビア形成方法をクラッド材１１７に対するビア孔の形成に適用しようとした場合、クラッド材１１７は透過率が高い透明樹脂で形成されているため、レーザ光がクラッド材１１７を透過してしまい、ビア１２１の形成が困難であるという問題点があった。
【００１１】
尚、短波長で高出力であるエキシマレーザを用いた場合には、透過率が高いクラッド材１１７に対してもビア孔の形成は可能であるが、エキシマレーザは設備コスト及び稼働コストが高く、低コストが望まれている光モジュール１００においては、これを適用することは現実的でない。
【００１２】
一方、光モジュール１００はＰＤ１０４及びＶＣＳＥＬ１０５等の電子素子を光導波路１０３の上面に搭載する必要があり、このためクラッド材１１７の上面に素子接合用配線１２０を形成する必要があり、また光モジュール１００の信頼性を高めるためには、クラッド材１１７と素子接合用配線１２０との接合強度を高める必要がある。
【００１３】
クラッド材１１７ではなく樹脂基板の場合には、樹脂基板の形成工程においてデスミア処理があり、このデスミア処理において樹脂基板の表面が同時に粗面化され、よって樹脂基板の表面と配線との接合性は良好であった。
【００１４】
しかしながら、クラッド材１１７では一般的なデスミア処理ではその表面を粗面化することができず、よって素子接合用配線１２０とクラッド材１１７との間の強度（配線ピール強度）を得ることができないという問題点があった。また、他の粗面化処理を実施する方法では、光モジュール１００の製造工程が複雑になり、製造コストの上昇及び製造効率の低下が生じてしまう。
【００１５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、配線をクラッド材の上面に強固に形成しうると共に、ビアを用いることなく光導波路上の光素子と主基板とを簡単に電気的に接続しうる光モジュールの製造方法および光伝搬部材の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１７】
請求項１記載の発明は、
光伝搬部材の上部に光素子が搭載される光モジュールの製造方法であって、
コア基板上に、第１のビルドアップ層を前記光伝搬部材の厚さに相当する層数積層する第１のビルドアップ層積層工程と、
積層された前記ビルドアップ層に、前記光伝搬部材を内蔵するためのキャビティを形成するキャビティ形成工程と、
前記キャビティに前記光伝搬部材を収納する収納工程と、
前記キャビティが形成されたビルドアップ層及び前記光伝搬部材に、更に第２のビルドアップ層を形成する第２のビルドアップ層積層工程と、
前記第２のビルドアップ層に前記光伝搬部材と光学的に接続される光通路を形成する光通路形成工程と、
前記光通路と接続するよう光素子を前記第２のビルドアップ層に搭載する光素子搭載工程とを有することを特徴とするものである。
【００１８】
上記発明によれば、光素子と電気的な接続を行うための配線を第２のビルドアップ層に形成することができる。よって、光伝搬部材上に直接配線を形成する必要がなくなり、よって配線を形成するために従来必要であった無電解メッキは不要となり製造コストの低減を図ることができる。また、配線はビルドアップ層上に形成されるため、光伝搬部材の表面を粗面化することなく、配線の光伝搬部材に対する固定強度を高めることができる。
【００１９】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の光モジュールの製造方法において、
前記キャビティ形成工程では、レーザ加工法を用いてキャビティを形成することを特徴とするものである。
【００２０】
上記発明によれば、エッチング法によりキャビティを形成する方法に比べ、加工設備の及びキャビティ形成工程の簡単化を図ることができる。
【００２１】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１または２記載の光モジュールの製造方法において、
前記第１のビルドアップ層積層工程を行う前に、前記コア基板の前記キャビティの形成位置に対応する位置にストッパー層を形成する工程を有することを特徴とするものである。
【００２２】
上記発明によれば、ビルドアップ層はコア基板に形成されストッパー層上に積層される。よって、この積層されたビルドアップ層にキャビティを形成する際、ストッパー層以上にキャビティが形成されることを防止でき、キャビティの深さを一定に保つことができる。
【００２３】
また、請求項４記載の発明は、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法において、
前記光通路形成工程では、レーザ加工法を用いて前記光通路形を形成することを特徴とするものである。
【００２４】
上記発明によれば、エッチング法や機械的方法により光通路を形成する方法に比べ、加工設備の及び光通路形成工程の簡単化を図ることができる。また、光伝搬部材はレーザ光により加工され難いため、光伝搬部材をレーザ加工のストッパーとして使用することができる。
また、請求項５記載の発明は、
光伝搬部材の上部に光素子が搭載される光モジュールの製造方法であって、
コア基板上に、ビルドアップ層を形成する処理と、該ビルドアップ層の前記光伝搬部材が内蔵されるキャビティの形成位置と対応する位置に開口部を形成する処理とを繰り返し実施し、該開口部を有するビルドアップ層を前記光伝搬部材の厚さに相当する層数積層する第１のビルドアップ層積層工程と、
前記キャビティに前記光伝搬部材を収納する収納工程と、
前記キャビティが形成されたビルドアップ層及び前記光伝搬部材に、更にビルドアップ層を形成する第２のビルドアップ層積層工程と、
前記第２のビルドアップ層に前記光伝搬部材と光学的に接続される光通路を形成する光通路形成工程と、
前記光通路と接続するよう光素子を前記第２のビルドアップ層に搭載する光素子搭載工程とを有することを特徴とするものである。
【００２５】
上記発明によれば、光伝搬部材の厚さをビルドアップ層の厚さ以下にする必要はなく、光モジュールのコスト低減及び歩留りの向上を図ることができる。また、各ビルドアップ層の積層毎に開口部を形成するため、開口部の形成時間を短縮することができ、よって光モジュールを効率良く短時間で製造することができる。
【００２６】
また、請求項６記載の発明は、
光伝搬部材の上部に光素子が搭載される光モジュールの製造方法であって、
前記光伝搬部材が内蔵されるキャビティの形成位置と対応する位置に予め開口部が形成されたビルドアップ層を、前記光伝搬部材の厚さに相当する層数だけコア基板上に積層する第１のビルドアップ層積層工程と、
前記キャビティに前記光伝搬部材を収納する収納工程と、
前記キャビティが形成されたビルドアップ層及び前記光伝搬部材上に、更にビルドアップ層を形成する第２のビルドアップ層積層工程と、
前記第２のビルドアップ層に前記光伝搬部材と光学的に接続される光通路を形成する光通路形成工程と、
前記光通路と接続するよう光素子を前記第２のビルドアップ層に搭載する光素子搭載工程とを有することを特徴とするものである。
【００２７】
上記発明によれば、光伝搬部材の厚さをビルドアップ層の厚さ以下にする必要はなく、光モジュールのコスト低減及び歩留りの向上を図ることができる。また、開口部は予め各ビルドアップ層に形成されているため、光モジュールの製造工程において開口部の形成時間を無くすることができ、光モジュールを更に効率良く短時間で製造することができる。
【発明の効果】
【００２８】
上述の如く本発明によれば、光伝搬部材上に直接配線を形成する必要がなくなり、よって配線を形成するために従来必要であった無電解メッキは不要となり製造コストの低減を図ることができる。また、配線はビルドアップ層上に形成されるため、光伝搬部材の表面を粗面化することなく、配線の光伝搬部材に対する固定強度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００３０】
図２乃至図１２は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を製造手順に沿って示す図である。特に、図１２は本実施例に係る製造方法により製造された光モジュール５０を示している。先ず、図１２を用いて、本実施例に係る製造方法により製造される光モジュール５０の構成について説明しておく。
【００３１】
同図に示すように、光モジュール５０はコア基板１１、ビルドアップ層１７，１８，２３，２４，３４，３５、光導波路３２、ＰＤ部７４，及びＶＣＳＥＬ７５等により構成されている。コア基板１１は、後述するように両面銅張積層板を加工したものであり、その両面に配線１４，１５が形成されている。
【００３２】
このコア基板１１の図中上部には、ビルドアップ層１７，２３，３４が順次積層された構成とされている。また、コア基板１１の図中下部には、ビルドアップ層１８，２４，３５が順次積層された構成とされている。
【００３３】
この各ビルドアップ層１７，１８，２３，２４，３４，３５は、絶縁層１７Ａ，１８Ａ，２３Ａ，２４Ａ，３４Ａ，３５Ａと、ビア１７Ｂ，１８Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂと、配線層１７Ｃ，１８Ｃ，２３Ｃ，２４Ｃ，３４Ｃ，３５Ｃとにより構成されている。この配線層１７Ｃ，１８Ｃ，２３Ｃ，２４Ｃ，３４Ｃ，３５Ｃは、ビア１７Ｂ，１８Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂにより層間接続された構成とされている。
【００３４】
本実施例に係る光モジュール５０は光導波路３２を有しており、この光導波路３２はビルドアップ積層体３１とビルドアップ層３４との間に埋設された構成となっている。即ち、光導波路３２は光モジュール５０内に内蔵された構成とされている。
【００３５】
最上層に位置するビルドアップ層３４の上部にはソルダーレジスト４１が形成されており、また最下層に位置するビルドアップ層３５の下部にはソルダーレジスト４２が形成されている。ソルダーレジスト４１には、ＰＤ（ホトダイオード）７４及びＶＣＳＥＬ（垂直共振器レーザ）７５に配設されたバンプ７４ｂ，７５ｂが配線層３４Ｃとフリップチップ接続するための開口４３が形成されている。また、ソルダーレジスト４２には、外部接続端子となるはんだボール５３が接続される開口４４が形成されている。
【００３６】
ここで、コア基板１１の上部に積層形成された各ビルドアップ層１７，２３，３４内における光導波路３２の内蔵状態に注目する。本実施例では、光導波路３２の厚さは、個々のビルドアップ層１７，２３，３４の厚さよりも大きくなっている。このため本実施例においては、ビルドアップ層１７とビルドアップ層２３とのふたつのビルドアップ層が積層された積層体（以下、第１のビルドアップ積層体３１という）内に、光導波路３２が埋設（内蔵）された構成となっている。
【００３７】
また、上記した光導波路３２は、クラッド材３７の内部にコア材３８が内設された構成とされている。このコア材３８の屈折率は、クラッド材３７の屈折率よりも大きく設定されている。よって、コア材３８内に進入した光は全反射を繰り返し、これにより光はコア材３８内を伝わってゆく。
【００３８】
このコア材３８の両端部には、光導入ミラー３９Ａ及び光導出ミラー３９Ｂが配設されている。ＶＣＳＥＬ７５で生成され、光発光部７５ａから照射た光（レーザ光）は、ソルダーレジスト４１及びビルドアップ層３４に形成された光通過路５４を通り光導波路３２に進行し、光導入ミラー３９Ａに反射されてコア材３８内に進入する。この光は、コア材３８内を伝搬してゆき、他端部に配設されている光導出ミラー３９ＢでＰＤ７４に向け反射される。反射した光は、ソルダーレジスト４１及びビルドアップ層３４に形成された光通過路５５を通りＰＤ４４に進入し、ここで光−電気信号変換が行われる。
【００３９】
続いて、上記構成とされた光モジュール５０の製造方法について説明する。光モジュール５０を製造するには、先ず図２に示すような銅張積層板１０を用意する。この銅張積層板１０は、コア基板１１の両面に銅膜１２，１３が形成されたものである。
【００４０】
この銅張積層板１０の両面には感光性レジストが塗布されると共に露光・現像処理が順次行われ、所定の配線１４，１５及びストッパー層１６の形成位置を除きレジストが除去される。続いて、このパターニングされたレジストをマスクとして銅膜１２，１３に対してエッチング処理が行われる。続いてレジストの除去が行われ、これにより図３に示すようにコア基板１１上に配線１４，１５及びストッパー層１６が形成される。
【００４１】
上記のようにコア基板１１に配線１４，１５及びストッパー層１６が形成されると、続いてこのコア基板１１の両面に順次ビルドアップ層１７，１８，２３，２４，３４，３５が形成される。このビルドアップ層１７，１８，２３，２４，３４，３５の形成は、ビルドアップ法を用いて行われる。ビルドアップ法も種々の方法が知られているが、本実施例ではビルドアップ法としてセミアディティブ法を用いている。以下、ビルドアップ層１７，１８，２３，２４，３４，３５の具体的な形成方法について説明する。
【００４２】
ビルドアップ層１７，１８を形成するには、図４に示すようにコア基板１１の両面に絶縁層１７Ａ，１８Ａを形成する。具体的には、ビルドアップ用絶縁樹脂フィルム（以下、単にビルドアップフィルムという）がコア基板１１の両面に貼着され、続いてこのビルドアップフィルムに硬化処理が実施され、これにより絶縁層１７Ａ，１８Ａが形成される。
【００４３】
絶縁層１７Ａ，１７Ｂが形成されると、続いて周知の方法を用いてこの絶縁層１７Ａ，１７Ｂにビア１７Ｂ，１８Ｂ及び配線層１７Ｃ，１８Ｃが形成される。具体的には、絶縁層１７Ａ，１７Ｂのビア１７Ｂ，１８Ｂの形成位置にレーザを用いてビア孔を形成し、続いてビア孔が形成された絶縁層１７Ａ，１７Ｂの表面に無電解めっき法によりシード層を形成する。次に、このシード層を給電用の電極として電解銅めっき処理を実施し、絶縁層１７Ａ，１７Ｂの表面に銅層を形成する。続いて、銅層を上記した配線１４，１５及びストッパー層１６の形成方法と同様の方法にてパターニングし、これによりビア１７Ｂ，１８Ｂ及び配線層１７Ｃ，１８Ｃが形成される。図５は、コア基板１１にビルドアップ層１７，１８が形成された状態を示している。
【００４４】
上記のようにしてビルドアップ層１７，１８が形成されると、本実施例では続いてビルドアップ層２３，２４の形成処理を実施する（請求項１に記載の第１のビルドアップ層積層工程に相当する）。このビルドアップ層２３，２４の形成方法は、先に説明したビルドアップ層１７，１８の形成方法と同様なのでここではその説明を省略する（尚、後述するビルドアップ層３４，３５も同様とする）。図６は、ビア２３Ｂ，２４Ｂ及び配線層２３Ｃ，２４Ｃを有するビルドアップ層２３，２４が形成された状態を示している。
【００４５】
ビルドアップ層２３，２４が形成されると、続いてコア基板１１の図中上側に位置するビルドアップ層１７，２３に対しキャビティ３０が形成される（請求項１に記載のキャビティ形成工程に相当する）。本実施例では、キャビティ３０の形成方法としてレーザ加工法を用いており、図７に示すように、上部からレーザ光２９を照射してキャビティ３０を形成する。このキャビティ３０内には、後述するように光導波路３２が収納される。
【００４６】
上記のように本実施例では、キャビティ３０の形成方法としてレーザ加工法を用いている。このため、絶縁層１７Ａ，２３Ａをエッチング法等により除去する方法に比べ、比較的容易な加工設備で、かつ少ない加工工程でキャビティ３０を容易に形成することができる。
【００４７】
また、一般にレーザ加工法では加工深さの制御が難しいが、本実施例ではコア基板１１のキャビティ３０形成位置にストッパー層１６が形成されている。レーザ光２９による加工速度は、樹脂よりなる絶縁層１７Ａ，２３Ａに比べて銅よりなるストッパー層１６の方が遅い。
【００４８】
よって本実施例ではこの加工速度の差を利用し、レーザ光２９により絶縁層１７Ａ，２３Ａが除去されてストッパー層１６が露出するとレーザ光２９の照射位置を移動させ、そしてキャビティ３０の全ての加工が終了した時点でレーザ光２９の照射を停止する構成としている。この構成とすることにより、均一の深さＤを有するキャビティ３０を容易に形成することができる。
【００４９】
尚、キャビティ３０の形成方法はレーザ加工法に限定されるものではなく、ルータ加工、ドライエッチング、デスミア処理等によりキャビティ３０を形成してもよく、またこれらを組み合わせて（レーザ加工法も含む）キャビティ３０を加工することとしてもよい。
【００５０】
上記のようにキャビティ３０が形成されることにより、ビルドアップ層１７及びビルドアップ層２３には夫々開口部が形成されることになる。この開口部が形成されたビルドアップ層１７とビルドアップ層２３との積層体を、以下第１のビルドアップ積層体３１というものとする。尚、このキャビティ３０の深さＤは、ビルドアップ層１７，２３を形成する際に、絶縁層１７Ａ，２３Ａの厚さを適宜変更することにより容易に調整することが可能である。
【００５１】
キャビティ３０が形成されると、続いて図８に示すように、キャビティ３０内に光導波路３２が収納される（請求項１に記載の収納工程に相当する）。具体的には、光導波路３２の下面に接着剤３６が塗布され、この接着剤３６により光導波路３２はストッパー層１６上に固定される。この光導波路３２がキャビティ３０内に収納された状態において、光導波路３２の上面とビルドアップ層２３の上面は略面一となるよう構成されている。
【００５２】
前記したように、キャビティ３０の深さＤは、ビルドアップ層１７，２３を形成する際に、絶縁層１７Ａ，２３Ａの厚さを適宜変更することにより容易に調整することが可能である。よって、光導波路３２の厚さ（正確には、接着剤３６も含めた厚さ）とキャビティ３０の深さＤとを一致させること、換言すれば光導波路３２の上面とビルドアップ層２３の上面とを略面一とすることは容易に行うことができる。
【００５３】
また本実施例では、複数のビルドアップ層（本実施例では、ビルドアップ層１７とビルドアップ層２３との二層）が積層された第１のビルドアップ積層体３１に形成されたキャビティ３０内に光導波路３２が収納された構成となっている。即ち、本実施例では一つのビルドアップ層内ではなく、複数のビルドアップ層１７，２３内に光導波路３２が収納された構成となっている。
【００５４】
このように、コア基板１１上に光導波路３２の厚さに相当する層数だけビルドアップ層１７，２３を積層し、その後にキャビティ３０を形成し、このキャビティ３０内に光導波路３２を収納する構成とすることにより、個々のビルドアップ層１７，２３の厚さは光導波路３２の厚さよりも薄くても、複数積層されることにより積層された第１のビルドアップ積層体３１の厚さは光導波路３２の厚さに相当する厚さとすることが可能である。よって、キャビティ３０の深さＤは光導波路３２を内部に収納しうる深さとなり、光導波路３２を確実にキャビティ３０内に収納することができる。
【００５５】
これにより、光導波路３２の厚さをビルドアップ層１７，２３の厚さ以下にする必要はなくなる。光導波路３２を薄型化しようとした場合、光導波路３２のコストが上昇してしまうが、本実施例のように薄型化の必要がなくなることにより、光導波路３２の高コスト化を抑えることができ、光モジュール５０のコスト低減を図ることができる。
【００５６】
上記のようにキャビティ３０に光導波路３２が収納されると、続いて図９に示すように、キャビティ３０が形成された第１のビルドアップ積層体３１（ビルドアップ層１７，２３）及び光導波路３２の上部にビルドアップ層３４を、またビルドアップ層２４の下部にビルドアップ層３５を形成する（請求項１に記載の第２のビルドアップ層積層工程に相当）。このビルドアップ層３４は絶縁層３４Ａ，ビア３４Ｂ，及び配線層３４Ｃにより構成され、ドアップ層３５は絶縁層３５Ａ，ビア３５Ｂ，及び配線層３５Ｃにより構成される。
【００５７】
尚、本実施例では、ビルドアップ層２３及びビルドアップ層２４に１層のビルドアップ層３４，３５を積層した構成としているが、ビルドアップ層２３及びビルドアップ層２４に積層するビルドアップ層は１層に限定されるものではなく、多層形成する構成としてもよい。
【００５８】
また、図８に示すように、光導波路３２の収納時には、キャビティ３０の内壁と光導波路３２との間には収納性を高めるために間隙が形成されている。しかしながら、この間隙はビルドアップ層３４の絶縁層３４Ａを加熱硬化させる際に、絶縁層３４Ａを構成する樹脂が間隙の内部に流入して埋められる。よって、キャビティ３０内に空隙が形成されるようなことはない。
【００５９】
上記のようにビルドアップ層３４，３５が形成されると、ビルドアップ層３４の上面及びビルドアップ層３５の下面にソルダーレジスト４１，４２が形成されると共に、ＰＤ７４，ＶＣＳＥＬ７５，及びはんだボール５３を配設するための開口４３，４４が形成される。
【００６０】
続いて、ビルドアップ層３４及びソルダーレジスト４１を貫通して光通過路５４，５５が形成される。光通過路５４の形成位置は光導波路３２に配設された光導入ミラー３９Ａと対向する位置に設定されており、また光通過路５５の形成位置は光導波路３２に配設された光導出ミラー３９Ｂと対向する位置に設定されている。この光通過路５４，５５は、レーザ加工を用いて形成される。
【００６１】
前記したように、本実施例ではビア１７Ｂ，１８Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂの形成においてもビア孔の形成にレーザ加工を用いている。光通過路５４，５５の加工も、このビア孔の形成に用いているレーザ加工装置を転用することができる。よって、設備コストの低減を図ることができる。
【００６２】
また、光導波路３２を構成するクラッド材３７は、光透過性が良好な材料であり、よってレーザを用いた加工が行い難いことは前述した通りである。よって、この特性を利用して、本実施例では光通過路５４，５５をレーザ加工する際、光導波路３２をストッパー層として用いている。よって、ビルドアップ積層体３１内に別個にストッパー層を形成する必要がなくなり、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００６３】
上記のように光通過路５４，５５が形成されると、ＰＤ７４及びＶＣＳＥＬ７５に形成されてるバンプ７４ｂ，７５ｂを配線層３４Ｃにフリップチップ接合する。この際、ＰＤ７４の光受光部７４ａと光通過路５５、またＶＣＳＥＬ７５の光発光部７５ａと光通過路５４が高精度に位置決めされるようにして搭載処理を行う。
【００６４】
尚、図示を省略してるが、ＰＤ７４，ＶＣＳＥＬ７５にはアンプ及びドライバが近接配置される。ビルドアップ層３４にアンプ及びドライバ用の配線を形成しておき、ＰＤ７４及びＶＣＳＥＬ７５の搭載時にこのアンプ及びドライバも同時にビルドアップ層３４上に搭載する構成としてもよい。
【００６５】
上記のようにＰＤ７４及びＶＣＳＥＬ７５の搭載処理が終了すると、配線層３５Ｃにはんだボール５３が設けられ、これにより図１２に示す光モジュール５０が製造される。本実施例に係る光モジュール５０は、光導波路３２をビルドアップ積層体３１及びビルドアップ層３４の内部に埋設し、配線層３４Ｃを光導波路３２上に位置するビルドアップ層３４に形成する構成としたため、光導波路３２にビアを形成する必要がなくなる。よって、従来必要とされたレーザ加工装置（エキシマレーザ）は不要となり、光モジュール５０の製造の容易化及び製造工数の低減を図ることができ、また設備コスト及び稼働コストの低減を図ることもでき、光モジュール５０のコスト低減を図ることができる。
【００６６】
また、光導波路３２上に直接配線を形成するための無電解メッキは不要となり、製造コストの低減を図ることができる。また、光導波路３２（クラッド材３７）の表面を粗面化することなく、ＰＤ７４，ＶＣＳＥＬ７５が搭載される配線層３４Ｃを強固に形成することができる。
【００６７】
また、本実施例による光モジュール５０の製造方法ではビルドアップ層１７，１８，２３，２４，３４，３５の形成（第１及び第２のビルドアップ層積層工程）においてセミアディティブ法を用いているため、各ビルドアップ層１７，１８，２３，２４，３４，３５に形成される配線層１７Ｃ，１８Ｃ，２３Ｃ，２４Ｃ，３４Ｃ，３５Ｃの形成精度を高めることができ、光モジュール５０の高密度化を図ることができる。
【００６８】
次に、本発明の第２及び第３実施例である光モジュールの製造方法について説明する。
【００６９】
図１３乃至図２１は本発明の第２実施例である製造方法を説明するための図であり、図２２乃至図２６は本発明の第３実施例である製造方法を説明するための図である。尚、図１３乃至図２６において、図２乃至図１２に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。また、以下説明する第２及び第３実施例に係る製造方法は、第１のビルドアップ層積層工程及びキャビティ形成工程に特徴を有するものである。このため、第２及び第３実施例に係る製造方法の説明では、主にこの二つの工程について説明するもとする。
【００７０】
先ず、図１３乃至図２１を用いて第２実施例である光モジュールの製造方法に対説明する。
【００７１】
本実施例においても、光モジュールを製造するのに、先ず図１３に示すように銅張積層板１０を用意する。そして、第１実施例で説明した同様の方法により、図１４に示すようにコア基板１１に配線１４，１５及びストッパー層１６を形成する。続いて図１５に示すように、配線１４，１５及びストッパー層１６が形成されたコア基板１１の両面に絶縁層１７Ａ，１８Ａを形成する。この図１３乃至図１５に示す処理は、図２乃至図４に示した処理と同一の処理である。
【００７２】
本実施例では、上記のように形成された絶縁層１７Ａ上に金属マスク６１を配設する。この金属マスク６１は銅または金よりなり、キャビティ３０に対応した形状の開口パターン６２が形成されている。図１６は、絶縁層１７Ａ上に金属マスク６１を配設した状態を示している。
【００７３】
続いて、この金属マスク６１を用いて絶縁層１７Ａに対してエッチング処理を行う。絶縁層１７Ａに対するエッチング方法としては、例えば過マンガン酸ナトリウム等を用いたウェットエッチング法を用いることができる。
【００７４】
図１７は、ウェットエッチングを実施することにより、絶縁層１７Ａに開口部６３が形成された状態を示している。この開口部６３は、後にキャビティ３０を形成するものである。
【００７５】
この開口部６３を形成する際、本実施例においてもコア基板１１上のキャビティ３０の形成位置に対応する部分にストッパー層１６が形成されているため、上記のウェットエッチング時に絶縁層１７Ａが除去されストッパー層１６が露出した状態でウェットエッチングは停止される。よって、絶縁層１７Ａに開口部６３を精度良く形成することができる。
【００７６】
尚、本実施例では上記のように開口部６３を形成するマスクとして金属マスク６１を用いているが、これに代えてドライフイルムレジスト（ＤＦＲ）等を利用して樹脂マスクを形成することも可能である。しかしながら、樹脂マスクを用いてウェットエッチング法を実施した場合、樹脂マスクはエッチング液により劣化して精度良く開口部６３を形成できないおそれがある。
【００７７】
これに対し、本実施例のように金属マスク６１を用いてウェットエッチング法を実施することにより、マスクの耐久性を延ばすことができる。よって、金属マスク６１を繰り返し使用することが可能となり、１回毎に除去する樹脂マスクに比べてコスト低減を図ることができる。
【００７８】
上記のように開口部６３が形成されると、図１８に示すように絶縁層１７Ａから金属マスク６１が取り外され、続いて上記したビルドアップ法を用いて絶縁層１７Ａ，１８Ａにビア１７Ｂ，１８Ｂ及び配線層１７Ｃ，１８Ｃの形成が行われ、これによりコア基板１１の両面にビルドアップ層１７，１８が形成される。図１９は、ビルドアップ層１７，１８が形成された状態を示している。
【００７９】
上記のようにビルドアップ層１７，１８が形成されると、図１５乃至図１９を用いて説明した工程が繰り返して実施される。具体的には、先ずビルドアップ層１７，１８に絶縁層２３Ａ，２４Ａを積層形成する。そして、絶縁層２３Ａに金属マスク６１を配設した上で絶縁層２３Ａに対してウェットエッチングを実施し、開口部６４を形成する。この開口部６４は、前記した開口部６３と協働してキャビティ３０を形成する。
【００８０】
次に、絶縁層２３Ａから金属マスク６１が取り外され、続いて上記したビルドアップ法を用いて絶縁層２３Ａ，２４Ａにビア２３Ｂ，２４Ｂ及び配線層２３Ｃ，２４Ｃの形成が行われ、これによりビルドアップ層１７，１８に積層された状態でビルドアップ層２３，２４が形成される。
【００８１】
尚、この第１のビルドアップ層積層工程後に実施される収納工程及び第２のビルドアップ層積層工程は、先に説明した第１実施例と同一であるため、その説明は省略するものとする。
【００８２】
本実施例では、ビルドアップ層１７とビルドアップ層２３とのふたつのビルドアップ層が積層された時点、即ち第１のビルドアップ積層体３１が形成された時点でキャビティ３０が形成されている。また、ビルドアップ層１７とビルドアップ層２３が積層されることにより形成されるキャビティ３０の深さＤは、第１実施例と同様に光導波路３２が収納された状態において、光導波路３２の上面にビルドアップ層２３の上面と略面一となるよう構成されている。
【００８３】
このように、本実施例においてもコア基板１１上に光導波路３２の厚さに相当する層数だけビルドアップ層１７，２３を積層した第１のビルドアップ積層体３１にキャビティ３０を形成し、このキャビティ３０内に光導波路３２を収納する構成としたため、光導波路３２の厚さをビルドアップ層１７，２３の厚さ以下にする必要はなくなり、第１実施例と同様に光モジュール５０のコスト低減及び歩留りの向上を図ることができる。
【００８４】
また、本実施例では各ビルドアップ層１７，２３を形成する際に、個々のビルドアップ層１７，２３の形成時に開口部６３，６４を形成する。このため、約５０μｍの薄いビルドアップ層１７，ビルドアップ層２３に対し、ウェットエッチング法を用いて開口部６３，６４を形成すればよいため、開口部６３，６４の形成時間を短くすることができると共に、開口部６３，６４を高精度に形成することができる。よって、ビルドアップ層１７，２３を積層した後にウェットエッチング法を用いてキャビティ３０を形成する方法に比べ、本実施例に係るキャビティ３０の形成方法の方が短時間で精度良くキャビティ３０を形成することができる。
【００８５】
上記のようにキャビティ３０が形成されると、このキャビティ３０には図２１に示すように光導波路３２が搭載される。この光導波路３２が搭載された以降の工程は、図９乃至図１２を用いて説明した第１実施例と同一であるため、その説明は省略するものとする。
【００８６】
続いて、図２２乃至図２６を用いて第３実施例である光モジュールの製造方法に対説明する。
【００８７】
本実施例においては、光モジュールを製造するのに、図２２に示すように銅張積層板１０を用意する。この銅張積層板１０は、所定の位置に位置決めピン６５を立設した構成とされている。本実施例では、この位置決めピン６５を光モジュールが形成される部位の外周位置に設けている。また、位置決めピン６５の高さは、少なくとも光導波路３２の厚さよりも大きく設定されている。
【００８８】
この銅張積層板１０には、第１実施例で説明した同様の方法で銅膜１２，１３にパターニングが行われ、図２３に示すように配線１４，１５が形成される。尚、本実施例では、他の実施例と異なり、ストッパー層１６は形成されていない。
【００８９】
続いて、図２４に示すようにコア基板１１の図中上面には絶縁層１７Ａが積層されると共に、コア基板１１の図中下面には絶縁層１８Ａが積層される。絶縁層１７Ａは、予め位置決め孔６８及び開口部７０が形成されている。位置決め孔６８は位置決めピン６５と対応する位置に形成されており、また開口部７０はキャビティ３０の形成位置に対応するよう形成されている。そして、位置決め孔６８を位置決めピン６５に挿通することにより、絶縁層１７Ａはコア基板１１に装着される。
【００９０】
即ち、絶縁層１７Ａは、位置決め孔６８が位置決めピン６５に位置決めされた状態でコア基板１１に装着される。また、絶縁層１７Ａが上記のように位置決めされてコア基板１１に装着された状態において、開口部７０はコア基板１１上のキャビティ３０の形成位置に高精度に一致するよう構成されている。尚、ビルドアップ層１８は、他の実施例と同様の方法で、コア基板１１に形成される。
【００９１】
続いて、絶縁層１７Ａ，１８Ａには、上記したビルドアップ法を用いてビア１７Ｂ，１８Ｂ及び配線層１７Ｃ，１８Ｃの形成が行われる。これにより、コア基板１１の上面及び下面には、ビルドアップ層１７，１８が形成される。
【００９２】
上記のようにビルドアップ層１７，１８が形成されると、続いてビルドアップ層２３，２４の形成処理が行われる。ビルドアップ層２３，２４の形成は、上記したビルドアップ層１７，１８の形成方法に準じて行われる。具体的には、ビルドアップ層１７の上面には絶縁層２３Ａが積層されると共に、ビルドアップ層１８の下面には絶縁層２４Ａが積層される。
【００９３】
絶縁層２３Ａには、絶縁層１７Ａと同様に予め位置決め孔６９及び開口部７１が形成されている。位置決め孔６９は位置決めピン６５と対応する位置に形成されており、また開口部７１はキャビティ３０の形成位置に対応するよう形成されている。そして、位置決め孔６９を位置決めピン６５に挿通することにより、絶縁層２３Ａはビルドアップ層１７上に積層される。
【００９４】
即ち、絶縁層２３Ａは、位置決め孔６９が位置決めピン６５に位置決めされた状態でビルドアップ層１７上に積層される。また、絶縁層２３Ａが上記のように位置決めされてビルドアップ層１７に積層された状態において、開口部７０はビルドアップ層１７の開口部７０に高精度に一致し、これによりキャビティ３０を形成する。尚、ビルドアップ層２４は、他の実施例と同様の方法で、ビルドアップ層１８に積層形成される。
【００９５】
続いて、絶縁層２３Ａ，２４Ａには、上記したビルドアップ法を用いてビア２３Ｂ，２４Ｂ及び配線層２３Ｃ，２４Ｃの形成が行われる。これにより、図２５に示すように、ビルドアップ層１７上にビルドアップ層２３が積層されることにより、第１のビルドアップ積層体３１が形成される。また、ビルドアップ層１８にはビルドアップ層２４が積層形成される。
【００９６】
尚、この第１のビルドアップ層積層工程後に実施される収納工程及び第２のビルドアップ層積層工程は、先に説明した第１実施例と同一であるため、その説明は省略するものとする。
【００９７】
本実施例では、予め開口部７０，７１が形成されているビルドアップ層１７，２３を積層した時点、即ち第１のビルドアップ積層体３１が形成された時点でキャビティ３０が形成される。また、ビルドアップ層１７とビルドアップ層２３が積層されることにより形成されるキャビティ３０の深さＤは、第１及び第２実施例と同様に光導波路３２が収納された状態において、光導波路３２の上面にビルドアップ層２３の上面と略面一となるよう構成されている。
【００９８】
このように、本実施例においてもコア基板１１上に光導波路３２の厚さに相当する層数だけビルドアップ層１７，２３を積層した第１のビルドアップ積層体３１にキャビティ３０を形成し、このキャビティ３０内に光導波路３２を収納する構成としたため、光導波路３２の厚さをビルドアップ層１７，２３の厚さ以下にする必要はなくなり、第１実施例と同様に光モジュールのコスト低減及び歩留りの向上を図ることができる。
【００９９】
また、本実施例では絶縁層１７Ａ,絶縁層２３Ａとして、予め光モジュールの製造工程とは別工程で位置決め孔６８，６９及び開口部７０，７１が形成されたものを用いているため、光モジュールの製造工程の簡略化を図ることができる。また、各開口部７０，７１の位置決め（即ち、キャビティ３０の形成）は、各位置決め孔６８，６９をコア基板１１に立設された位置決め孔６８に挿通するだけで行えるため、簡単な作業で精度良く位置決め処理を行うことができる。
【０１００】
上記のようにキャビティ３０が形成されると、このキャビティ３０には図２６に示すように光導波路３２が搭載される。この光導波路３２が搭載された以降の工程は、図９乃至図１２を用いて説明した第１実施例と同一であるため、その説明は省略するものとする。
【０１０１】
尚、上記した各実施例の説明では説明の便宜上、１枚の銅張積層板１０から一つの光モジュール５０を製造する例について説明したが、生産性を向上させるために１枚の銅張積層板１０から多数の光モジュール５０を製造する（いわゆる、多数個取り）こととしてもよい。この場合、上記した第３実施例では、位置決めピン６５を個々の光モジュール５０の形成領域毎に設ける必要はなく、銅張積層板１０の隅の位置に少数本（例えば３本）の位置決めピン６５を設ければよいため、位置決めピン６５の低減及び銅張積層板１０の有効利用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】図１は、従来の一例である光モジュールを説明するための図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図３】図３は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図４】図４は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その３）。
【図５】図５は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その４）。
【図６】図６は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その５）。
【図７】図７は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その６）。
【図８】図８は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その７）。
【図９】図９は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その８）。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その９）。
【図１１】図１１は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その１０）。
【図１２】図１２は、本発明の第１実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その１１）。
【図１３】図１３は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図１４】図１４は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図１５】図１５は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その３）。
【図１６】図１６は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その４）。
【図１７】図１７は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その５）。
【図１８】図１８は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その６）。
【図１９】図１９は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その７）。
【図２０】図２０は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その８）。
【図２１】図２１は、本発明の第２実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その９）。
【図２２】図２２は、本発明の第３実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図２３】図２３は、本発明の第３実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図２４】図２４は、本発明の第３実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その３）。
【図２５】図２５は、本発明の第３実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その４）。
【図２６】図２６は、本発明の第３実施例である光モジュールの製造方法を説明するための図である（その５）。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  銅張積層板
１１  コア基板
１６  ストッパー層
１７，１８，２３，２４，３４，３５  ビルドアップ層
１７Ａ，１８Ａ，２３Ａ，２４Ａ，３４Ａ，３５Ａ  絶縁層
１７Ｂ，１８Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ，３４Ｂ，３５Ｂ  ビア
１７Ｃ，１８Ｃ，２３Ｃ，２４Ｃ，３４Ｃ，３５Ｃ  配線層
２９  レーザ光
３１  第１のビルドアップ層
３２  光導波路
３７  クラッド材
３８  コア材
３９Ａ  光導入ミラー
３９Ｂ  光導出ミラー
５０  光モジュール
５４，５５  光通過孔
６５  位置決めピン
６８，６９  位置決め孔
７４  ＰＤ
７５  ＶＣＳＥＬ
【図１】
2006039045.tif 000003
【図２】
2006039045.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006039045.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006039045.tif 000011
【図１０】
2006039045.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2006039045.tif 000015
【図１４】
2006039045.tif 000016
【図１５】
2006039045.tif 000017
【図１６】
2006039045.tif 000018
【図１７】
2006039045.tif 000019
【図１８】
2006039045.tif 000020
【図１９】
2006039045.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2006039045.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2006039045.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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