(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳスイッチングシステムの使用時の信頼性を向上させる。【解決手段】ＭＥＭＳスイッチングシステムは、一連のＭＥＭＳスイッチと、信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチとの間に介挿された電力転換器とを備える。そして、前記電力転換器は、前記信号源からの信号電力が前記一連のＭＥＭＳスイッチから逸れる活性状態と、前記信号源からの信号電力が前記一連のＭＥＭＳスイッチから逸れない非活性状態とを有し、前記活性状態と前記非活性状態は制御信号に従って選択される。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連のＭＥＭＳスイッチと、
信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチとの間に介挿された電力転換器とを備え、
前記電力転換器は、前記信号源からの信号電力が前記一連のＭＥＭＳスイッチから逸れる活性状態と、前記信号源からの信号電力が前記一連のＭＥＭＳスイッチから逸れない非活性状態とを有し、前記活性状態と前記非活性状態は制御信号に従って選択される
ＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項２】
前記制御信号は前記一連のＭＥＭＳスイッチ内の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチのスイッチング前に前記活性状態を選択し、前記制御信号は前記一連のＭＥＭＳスイッチ内の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチのスイッチング後に前記非活性状態を選択する請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項３】
前記一連のＭＥＭＳスイッチはＭＥＭＳスイッチ式減衰器内に構成された１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチを含む請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項４】
前記一連のＭＥＭＳスイッチはＭＥＭＳスイッチ式減衰器内に構成された１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチを含む請求項２に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項５】
前記電力転換器は電力吸収デバイスと電力反射デバイスのうち少なくとも１つを含む請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項６】
前記活性状態の電力転換器は前記信号源から十分な信号電力を逸らして前記一連のＭＥＭＳスイッチ内の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチの各々に入る信号電力が所定の閾値電力レベルを超えないようにする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項７】
前記電力転換器は、前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路に結合された、少なくとも１つの、１つまたは複数のダイオードのスタックによる短絡、を含む請求項４に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項８】
前記電力転換器は前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路内に結合された直列ＦＥＴ、前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路に結合された短絡ＦＥＴ、前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路内の直列／短絡構成のＦＥＴスイッチのうち少なくとも１つを含む請求項４に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項９】
一連のＭＥＭＳスイッチの中のＭＥＭＳスイッチのうち１つまたは複数をスイッチングする前に、信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間に介挿された電力転換器の活性状態を選択することと、
前記一連のＭＥＭＳスイッチの中の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチのスイッチング後に前記電力転換器の非活性状態を選択することとを含み、
前記電力転換器の活性状態では、前記信号源からの信号電力は前記一連のＭＥＭＳスイッチから逸らされ、前記電力転換器の非活性状態では、前記信号源からの信号電力は前記一連のＭＥＭＳスイッチから逸らされないＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項１０】
前記一連のＭＥＭＳスイッチはＭＥＭＳスイッチ式減衰器内に構成された１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチを含む請求項９に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項１１】
前記電力転換器は電力吸収デバイスと電力反射デバイスのうち少なくとも１つを含む請求項９あるいは請求項１０に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項１２】
前記活性状態の電力転換器は前記信号源から十分な信号電力を逸らして前記一連のＭＥＭＳスイッチ内の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチの各々に入る信号電力が所定の閾値電力レベルを超えないようにする請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項１３】
前記電力転換器は、前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路に結合された、少なくとも１つの、１つまたは複数のダイオードのスタックによる短絡、を含む請求項９に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【請求項１４】
前記電力転換器は、前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路内に結合された直列ＦＥＴ、前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路に結合された短絡ＦＥＴ、前記信号源と前記一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路内の直列／短絡構成のＦＥＴスイッチのうち少なくとも１つを含む請求項９に記載のＭＥＭＳスイッチングシステム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
ＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム：微細電子機械システム）技術で形成された接点スイッチは、広帯域の信号のスイッチングに適している。たとえば、ＭＥＭＳスイッチは、ＤＣから２０ＧＨｚ以上までの周波数を含む信号のスイッチングを提供できる。ＭＥＭＳスイッチは、従来の電気機械式のスイッチより物理的なサイズが小さくスイッチング速度が速い。また、従来の高周波数半導体スイッチと比較すると、ＭＥＭＳスイッチは、ＯＮ状態では挿入損失が少なく、ＯＦＦ状態では分離が優れ、ＯＮ状態とＯＦＦ状態の両方でひずみが少ない。ＭＥＭＳスイッチは「コールドスイッチング」の時、すなわち信号電力を供給せずにＯＮ状態とＯＦＦ状態またはＯＦＦ状態とＯＮ状態の間で切り替えているときには信頼性が高い。コールドスイッチの時、ＭＥＭＳスイッチは、１０9のスイッチングサイクルでも高い信頼性で動作できる。
【０００２】
ＭＥＭＳスイッチの重要な欠点は、ＭＥＭＳスイッチが「ホットスイッチイング」、すなわち、信号電力をＭＥＭＳスイッチに供給しているときにＯＮ状態とＯＦＦ状態またはＯＦＦ状態とＯＮ状態の間で切り替えると、信頼性が低下することである。ＭＥＭＳスイッチの信頼性は典型的にはスイッチングの間に供給される信号電力のレベルに対して逆比例するが、スイッチングの間に供給される信号電力が閾値電力レベルより大きいとＭＥＭＳスイッチの信頼性は急速に低下する。閾値電力レベルはＭＥＭＳスイッチのタイプに依存する。閾値電力レベルより大きなレベルの信号電力が供給されると、高い信頼性で動作できるスイッチングサイクル数は大きく低減しかねない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、ＭＥＭＳスイッチを有するＭＥＭＳスイッチングシステムの使用時の信頼性を向上させることが本発明の目的であり、特に、電力転換器を用いてホットスイッチイングにおける信号電力をＭＥＭＳスイッチから逸らす構成により該信頼性を向上とその応用とが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチングシステムは、信号源と一連のＭＥＭＳスイッチの間に配置される電力転換器を含む。電力転換器は、信号源からの信号電力を一連のＭＥＭＳスイッチから逸らす活性状態と、信号源からの信号電力を一連のＭＥＭＳスイッチから逸らさない非活性状態とを有する。制御信号が、電力転換器の活性状態と非活性状態を選択する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
図１Ａから図１Ｃは、本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチングシステム２０（図２に示す）に含めるのに適したＭＥＭＳスイッチ１０の代替の図である。図１ＡはＭＥＭＳスイッチ１０の概略図、図１Ｂは側面図、図１Ｃは平面図を示す。ＭＥＭＳスイッチ１０は典型的には、ＧａＡｓ、石英、高い固有抵抗のシリコン基板１２上に作成される。ＭＥＭＳスイッチは、ラダント（Ｒａｄａｎｔ）ＭＥＭＳ社、ＤＯＷ−ＫＥＹマイクロウエーブ社、他の製造業者等から市販されている。図１Ａから図１Ｃに示すＭＥＭＳスイッチ１０のスイッチング素子は、片持ち梁１４と、基板１２上に形成されたスイッチ接点ｄとを含む。片持ち梁１４とスイッチ接点ｄは典型的には、マイクロマシン加工された金属、または、金属メッキ領域を有するマイクロマシン加工されたシリコンから形成する。片持ち梁１４は、片持ち梁１４の自由端から伸びる指状片１５ａと１５ｂを含む。片持ち梁１４は典型的には、端子ｇと、片持ち梁１４に接続された端子ｓの間に供給される制御信号ＣＳ２に従って曲がる。「ＯＮ」状態即ち閉状態では、片持ち梁１４が曲がって、指状片１５ａ、１５ｂがスイッチ接点ｄと接触する。「ＯＦＦ」状態即ち開状態では、片持ち梁１４が曲がって、片持ち梁１４の指状片１５ａと１５ｂがスイッチ接点ｄと接触しなくなる。制御信号ＣＳ２は、典型的には静電力、または、磁力、圧電作用を介して、矢印Ａが示すように片持ち梁１４を曲げる。図１Ａから図１Ｃに示されるＭＥＭスイッチ１０では、片持ち梁１４は、制御信号ＣＳ２が供給する、端子ｇと端子ｓの間の電圧から生じる静電力を介して曲がる。この例では、端子ｇと端子ｓの間の約４０ボルトの電圧で十分に片持ち梁１４が曲がり、ＭＥＭスイッチ１０はＯＮ状態とＯＦＦ状態またはＯＦＦ状態とＯＮ状態の間で切り替わる。ＭＥＭＳスイッチ１０は物理的な大きさが小さく、片持ち梁１４の指状片１５ａ、１５ｂとスイッチ接点ｄの間の接触抵抗が小さいので、ＭＥＭスイッチ１０は、広い周波数範囲をカバーする信号のスイッチングに適している。片持ち梁１４を曲げる制御信号ＣＳ２と端子ｓに存在しうる信号電力の間の相互作用を限定するために、典型的には、抵抗またはインダクタなどの高インピーダンス素子（図示せず）を制御信号ＣＳ２の信号経路内に配置する。阻止コンデンサを含めて、ＭＥＭスイッチ１０の外部のＤＣ電圧が、制御信号ＣＳ２によるＭＥＭＳスイッチのスイッチングに影響を与えることを防ぐことができる。代替のタイプのＭＥＭＳスイッチでは、制御信号ＣＳ２は片持ち梁１４上の誘電領域により片持ち梁１４から絶縁されている。後者のタイプのＭＥＭＳスイッチ１０は阻止コンデンサがなくても、ＤＣの信号電力に対処する。
【０００６】
図２は、本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチングシステム２０の構成図を示す。ＭＥＭＳスイッチングシステム２０は、１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０を含む一連のＭＥＭＳスイッチ２４とカスケード状に配置される電力転換器２２を含む。ＭＥＭＳスイッチングシステム２０の典型的な用途では、電力転換器２２は信号源２６と一連のＭＥＭＳスイッチ２４の間に配置される。信号源２６は、電磁信号を導く伝送線であってもよいし、または、信号電力２１を一連のＭＥＭＳスイッチ２４に供給できる任意の他のデバイス、または、素子、器具、システムであってよい。１例では、信号源２６は、ＤＣから２０ＧＨｚの周波数範囲の信号電力２１を供給する。しかし信号電力２１は種々の周波数内容を有していてもよい。図２に示すように、電力転換器２２と一連のＭＥＭＳスイッチ２４は、ＭＥＭＳスイッチングシステム２０の別別の素子であってもよいし、または、電力転換器２２と一連のＭＥＭＳスイッチ２４は、ＭＥＭＳスイッチングシステム２０のモノリシック基板または回路に集積されてもよい。
【０００７】
電力転換器２２は典型的には、反射性または吸収性のデバイス、または、素子、回路であり、制御信号ＣＳ１が電力転換器２２を活性化したときにＭＥＭＳスイッチ１０の「ホットスイッチング」を低減するかまたは他の方法で限定する。一連のＭＥＭＳスイッチ２４の中の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０が、片持ち梁１４またはスイッチ接点ｄ上に存在する信号電力との接続状態を変えると、ホットスイッチングが生じる。一連のＭＥＭスイッチ２４の中の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０のスイッチング状態が変化している間電力転換器２２を活性状態にすることによって、ＭＥＭＳスイッチングシステム２０内のホットスイッチングは低減または制限される。活性状態では、電力転換器２２は、電力転換器２２の非活性状態では一連のＭＥＭＳスイッチ２４に入るであろう信号電力２１を反射または吸収する。このように電力転換器２２が信号電力２１を逸らすことにより、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に入る信号電力２３は実質的に低減される。典型的には、一連のＭＥＭＳスイッチ２４の中のＭＥＭＳスイッチ１０のスイッチング中に信号電力２３を低減することにより、ＭＥＭＳスイッチ１０の信頼性が向上する。信号源２６が提供する信号電力２１が、所定のまたは他の方法で指定された最大電力レベルより小さい場合、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に入る信号電力２３は、電力転換器２２の作用を介して閾値電力レベル以下に維持することができる。十分に小さい閾値電力レベルを指定し、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に含まれる特定のタイプのＭＥＭＳスイッチ１０について信頼性の高い動作を提供することができる。１例では、閾値電力レベルは５ｄＢｍに指定される。
【０００８】
図３Ａから図３Ｂは、本発明の代替の実施形態による、ＭＥＭＳスイッチングシステム２０に含まれる電力転換器２２の実施例である電力転換器３２ａ、３２ｂを示す。図３Ａの電力転換器３２ａは、信号源２６と一連のＭＥＭＳスイッチの間の信号経路に短絡結合された１対のダイオードスタックＤ１、Ｄ２を含む。１対のダイオードスタックＤ１、Ｄ２は制御信号ＣＳ１によって活性化する。各々２つのダイオードを有する２つのダイオードスタックＤ１、Ｄ２を伴う電力転換器３２ａが示されているが、電力転換器３２ａは別法としては、各ダイオードスタックＤ１とＤ２の中に１つまたは複数のダイオードを使用するか、または、各ダイオードスタックＤ１とＤ２を並列構成で多数使用して構成することができる。ダイオードスタックＤ１とＤ２の対の中のダイオードは、典型的にはＰＩＮダイオード、ショットキ障壁ダイオード、変形障壁（modified barrier）ダイオードであるが、可変インピーダンス状態を有する他のデバイスまたは素子も電力転換器３２ａでの使用に適している。この例では、制御信号ＣＳ１は電圧Ｖの極性に依存して、ダイオードスタックＤ１、Ｄ２の対を順バイアスまたは逆バイアスする電圧Ｖを供給する。
【０００９】
電圧Ｖが１対のダイオードスタックＤ１、Ｄ２を逆バイアスする極性を有する場合、信号源２６からの信号電力２１は一連のＭＥＭＳスイッチ２４に送達される。この電力転換器３２ａの非活性状態では、１対のダイオードスタックＤ１とＤ２の中のダイオードは逆バイアスされるので、電力転換器３２ａは低い挿入損失を有し、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に入る信号に低い歪を導入する。電圧Ｖは、１対のダイオードスタックＤ１とＤ２に十分に高い逆バイアスを提供することにより、歪を最小レベルまたは他の十分に低いレベルまで低減する。制御信号ＣＳ１が提供する電圧Ｖが１対のダイオードスタックＤ１、Ｄ２を順バイアスする場合、電力転換器３２ａは活性状態になり、低いインピーダンスを有する。このためインピーダンス不整合が生じ、信号源２６からの信号電力２１は反射されて信号源２６に戻され、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に入る信号電力２３が実質的に低減される。
【００１０】
図３Ｂの電力転換器３２ｂは、直列／短絡構成のＦＥＴスイッチＦ１、Ｆ２を含む。ＦＥＴスイッチＦｌ、Ｆ２は制御信号ＣＳ１によって活性化する。電力転換器３２ｂの活性状態では、直列ＦＥＴスイッチＦ１は開き、短絡ＦＥＴスイッチＦ２は閉じる。閉じた短絡ＦＥＴスイッチＦ２は吸収負荷Ｒを信号源２６が供給する信号電力２１に結合し、開いた直列ＦＥＴスイッチＦ１は信号源２６と一連のＭＥＭＳスイッチ２４の間の信号経路を遮断する。電力転換器３２ｂのこの活性状態では、直列／短絡ＦＥＴスイッチＦ１、Ｆ２は、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に入る信号電力２３を実質的に低減する。代替の実施形態では、図３Ｂに示すように、電力転換器３２ｂは、短絡ＦＥＴスイッチＦ２を吸収負荷Ｒに結合するのではなくアースまたは他の低インピーダンスポイントに結合することによって、信号源２６が供給する信号電力２１に関して反射負荷を提供する。
【００１１】
電力転換器３２ｂの非活性状態では、電力転換器３２ｂの直列ＦＥＴスイッチＦｌは閉じており、電力転換器３２ｂの短絡ＦＥＴスイッチＦ２は開いている。閉じた直列ＦＥＴスイッチＦ１は、信号源２６と一連のＭＥＭＳスイッチ２４の間の信号経路を接続し、開いた短絡ＦＥＴスイッチＦ２は信号源２６が供給する信号電力２１の吸収負荷Ｒを切断する。これにより、信号源２６と一連のＭＥＭＳスイッチ２４の間の接続の挿入損失が小さくなる。この電力転換器３２ｂの非活性状態では、信号源２６からの信号電力２１は、電力転換器３２ｂが供給する低挿入損失接続を介して、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に入る。図３Ｂに示す電力転換器３２ｂは２つの直列／短絡ＦＥＴスイッチＦ１、Ｆ２を含むが、別法としては、電力転換器３２ｂは、単一の直列ＦＥＴスイッチＦ１、単一の短絡ＦＥＴスイッチＦ２、または他の数の直列／短絡構成のＦＥＴスイッチを使用して実装される。
【００１２】
図示された阻止コンデンサは、電力転換器３２ａ、３２ｂの中で、信号源２６と一連のＭＥＭＳスイッチ２４の間の信号経路から制御信号ＣＳ１を分離する。ＭＥＭＳスイッチングシステム２０の代替の実施形態では、一連のＭＥＳスイッチ２４の構成と電力転換器２２の特定の実施例に依存して、阻止コンデンサは省略してもよい。図３Ａから図３Ｂに示す電力転換器３２ａ、３２ｂは、図２のＭＥＭＳスイッチングシステム２０内に示す電力転換器２２の一実施例であるが、本発明の代替の実施形態では、電力転換器２２は、ＭＥＭＳスイッチ１０のスイッチングの間、信号電力２１を一連のＭＥＭＳスイッチ２４から転換するのに適した、機械スイッチ素子、光作動式半導体スイッチ、他の任意のスイッチング素子を使用して実装される。
【００１３】
図２に示された一連のＭＥＭＳスイッチ２４は、種々の配置または構成の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０を含む。典型的には、一連のＭＥＭＳスイッチ２４の中のＭＥＭＳスイッチ１０はスイッチネットワークに構成され、信号を種々の信号経路間でルーティングするか、または、ＭＥＭＳスイッチ１０は供給された信号を処理する回路またはシステムの一部として構成される。図４は、本発明の１実施形態による、ＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０を形成するように構成された一連のＭＥＭＳスイッチ２４を示す。ＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０は、１つまたは複数の減衰器素子Ｅ０からＥ３、多数のＭＥＭＳスイッチ１０、２つの電力転換器４２ａ、４２ｂを含む。電力転換器４２ａは、ＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０の第１のポート４４ａに入る信号電力２１から生じうるホットスイッチングを低減または限定し、電力転換器４２ｂはＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０の第２のポート４４ｂに入る信号電力２５から生じうるホットスイッチングを低減または限定する。図４では、２つの電力転換器４２ａ、４２ｂがＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０に含まれるように示されているが、別法としては、ＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０はポート４４ａまたはポート４４ｂのいずれかで１つの電力転換器を伴って構成してもよい。
【００１４】
図４に示す例においては、減衰器素子Ｅ０は最小減衰直通線、減衰器素子Ｅｌは５ｄＢの減衰器、減衰器素子Ｅ２は１０ｄＢの減衰器、減衰器素子Ｅ３は１５ｄＢの減衰器である。これにより、一連のＭＥＭＳスイッチ２４の中で指定された一部のＭＥＭＳスイッチ１０を制御信号ＣＳ２に従って切り替えることにより、減衰器のポート４４ａと４４ｂの間で、異なる減衰レベルが達成できる。図４を明瞭に示すために、ＭＥＭＳスイッチ１０の制御信号ＣＳ２は図示しない。図４に示す減衰器素子Ｅ０からＥ３とＭＥＭＳスイッチ１０の構成は、ＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０の一実施例である。しかし別法としては、ＭＥＭＳスイッチ式減衰器４０は、ＭＥＭＳスイッチ１０と減衰器素子の任意の構成を含むことができる。
【００１５】
図２と図４に示す一連のＭＥＭＳスイッチ２４のＭＥＭＳスイッチ１０のホットスイッチングは、電力転換器２２への制御信号ＣＳ１と、一連のＭＥＭＳスイッチ２４の中の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０へ制御信号ＣＳ２をシーケンス化することで低減される。図５は、本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチングシーケンス５０のフロー図を示す。ＭＥＭＳスイッチングシーケンス５０は、一連のＭＥＭＳスイッチ２４内の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０のうち１つまたは複数のスイッチングを開始すること（ステップ５１）を含む。ステップ５２では、電力転換器２２は、電力転換器２２を活性状態に切り替えることで活性化される。ここで、信号源２６からの信号電力２１は、電力転換器２２によって反射されるかまたは吸収される。
【００１６】
ＭＥＭＳスイッチング方法５０のステップ５４は、電力転換器２２が活性状態に切り替わるまでの十分な時間を待つことを含む。ステップ５５では、制御信号ＣＳ２は、一連のＭＥＭＳスイッチ２４の中のＭＥＭＳスイッチ１０のうち１つまたは複数のスイッチング状態を切り替えるかまたは変えるように設定される。制御信号ＣＳ２は、一連のＭＥＭＳスイッチ２４の中の１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０のうち１つまたは複数を、ＯＦＦ状態からＯＮ状態またはＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替える。ＭＥＭＳスイッチング方法５０のステップ５６は、１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０が整定するまでの十分な時間を待つことを含む。この整定時間は、１つまたは複数の（１つ以上の）ＭＥＭＳスイッチ１０のスイッチング速度と、１つまたは複数のＭＥＭＳスイッチ１０の跳ね返りに対応する。この整定時間は典型的には約１０μＳ未満であるが、一連のＭＥＭＳスイッチ２４に含まれるＭＥＭＳスイッチ１０のタイプに依存して変わりうる。ついでステップ５７で、電力転換器２２は、電力転換器２２を非活性状態に切り替えることにより非活性状態になる。ここで信号源２６からの信号電力２１は一連のＭＥＭＳスイッチ２４に送達される。ステップ５８は、電力転換器２２が非活性状態に切り替わるまでの十分な時間を待つことを含む。オプションとして含まれるステップ５９では、ステップ５８の待ち時間の終了時にスイッチ有効フラグが設定される。制御信号ＣＳ１、ＣＳ２は、コントローラ、または、コンピュータ、他のプロセッサ、他の任意の適切な回路またはシステムを介してシーケンス化される。
【００１７】
本発明の実施形態を詳細に示したが、当業者であれば、付随する請求項に示された本発明の範囲から離れることなく、これらの実施形態に対する変更例および適応例が明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチシステムに含めるのに適した代替のＭＥＭＳスイッチの概略図を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチシステムに含めるのに適した代替のＭＥＭＳスイッチの側面図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチシステムに含めるのに適した代替のＭＥＭＳスイッチの平面図である。
【図２】本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチングシステムの構成図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態によるＭＥＭスイッチングシステムに含めるのに適した電力転換器の一実施例を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態によるＭＥＭスイッチングシステムに含めるのに適した電力転換器の他の実施例を示す図である。
【図４】本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチ式減衰器を示す図である。
【図５】本発明の実施形態によるＭＥＭＳスイッチングシーケンスのフロー図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０  ＭＥＭＳスイッチ
１２  基板
１４  片持ち梁
１５  指状片
２０  ＭＥＭＳスイッチングシステム
２１  信号電力
２２  電力転換器
２３  信号電力
２４  ＭＥＭＳスイッチ
２６  信号源
３２  電力転換器
４０  ＭＥＭＳスイッチ式減衰器
４２  電力転換器
４４  ポート
【図１Ａ】
2006086121.tif 000003
【図１Ｂ】
2006086121.tif 000004
【図１Ｃ】
2006086121.tif 000005
【図２】
2006086121.tif 000006
【図３Ａ】
2006086121.tif 000007
【図３Ｂ】
2006086121.tif 000008
【図４】
2006086121.tif 000009
【図５】
2006086121.tif 000010