(57)【要約】【課題】フォトフラッシュダイオードを効率よく駆動する回路および方法を提供する。【解決手段】本発明による回路は、フォトフラッシュダイオードを駆動するために用いられ、かつ電流シンク、フィードバック回路、およびＤＣ−ＤＣコンバータを具備する。前記電流シンクは、前記フォトフラッシュダイオードを流れる電流を制御するために前記フォトフラッシュダイオードに接続される。前記フィードバック回路は、前記電流シンクの電気的状態を示すフィードバック信号を受ける。前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記電流シンクの電気的状態を所定値に制御するように前記フォトフラッシュダイオードに電力を供給するために外部電力源と前記フィードバック回路とに接続される。【選択図】図１
2006158186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ダイオードと、
前記第１ダイオードを流れる電流を制御するために前記第１ダイオードに接続された第１電流レギュレータと、
前記第１電流レギュレータの電気的状態を示すフィードバック信号を受けるフィードバック回路と、
前記第１電流レギュレータの前記電気的状態を所定値に制御するように前記第１ダイオードに電力を供給するために、外部電力源と前記フィードバック回路とに接続されたＤＣ−ＤＣコンバータと、
を具備する駆動回路。
【請求項２】
前記第１ダイオードはフォトフラッシュダイオードである請求項１に記載の駆動回路。
【請求項３】
前記第１ダイオードに供給される電力を決定するように前記フィードバック信号の前記電気的状態と所定状態とを比較するためのエラー増幅器をさらに具備する請求項１に記載の駆動回路。
【請求項４】
前記エラー増幅器は、
前記第１ダイオードに供給される電力を決定するための前記増幅されたエラー信号を出力するために、前記フィードバック信号の前記電気的状態と所定状態とを比較するためのコンパレータと、
前記増幅されたエラー信号が固定信号より大きいときに前記コンパレータを使用不可能にし、かつ前記固定信号を出力するためのスイッチ回路と、
を具備する請求項３に記載の駆動回路。
【請求項５】
第２ダイオードと、
前記第２ダイオードを流れる電流を制御するために前記第２ダイオードに接続された第２電流レギュレータと、
前記第１電流レギュレータおよび前記第２電流レギュレータの電気的状態を示す前記フィードバック信号を生成するために前記第１電流レギュレータおよび前記第２電流レギュレータに接続された選択回路と、
をさらに具備する請求項１に記載の駆動回路。
【請求項６】
前記フィードバック信号は、前記第１電流レギュレータおよび前記第２電流レギュレータの電圧のうち低い方の電圧である請求項５に記載の駆動回路。
【請求項７】
前記電流レギュレータは電流シンクである請求項１に記載の駆動回路。
【請求項８】
前記電流シンクを駆動するために前記電流シンクに接続されたバイアスコントローラをさらに具備する請求項７に記載の駆動回路。
【請求項９】
前記バイアスコントローラは、
ゲートが前記電流シンクのゲートに接続され、線形領域で駆動される第１ＭＯＳＦＥＴと、
ゲートが前記フィードバック信号に接続された第２ＭＯＳＦＥＴと、
をさらに具備する請求項８に記載の駆動回路。
【請求項１０】
ダイオードを流れる電流を制御するために電流レギュレータを接続するステップと、
前記電流レギュレータの電気的状態を示すフィードバック信号を生成するステップと、
前記ダイオードに電力を供給するステップとを有し、
前記電力は、前記電流レギュレータの前記電気的状態を所定値に強制するように前記フィードバック信号に応答してダイオードを駆動する方法。
【請求項１１】
前記ダイオードはフォトフラッシュダイオードである請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ダイオードに供給される前記電力を決定するように前記フィードバック信号の前記電気的状態と前記所定値とを比較するステップをさらに有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
ダイオードを流れる複数の電流をそれぞれ制御するための複数の電流レギュレータを接続するステップと、
前記電流レギュレータの電気的状態を示すフィードバック信号を生成するステップと、
前記ダイオードに電力を供給するステップとを有し、
前記電力は、前記複数の電流レギュレータの前記電気的状態を所定値に強制するように前記フィードバック信号に応答して複数のダイオードを駆動する方法。
【請求項１４】
前記ダイオードはフォトフラッシュダイオードである請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
フィードバック信号を生成する前記ステップは、
前記電流レギュレータの電圧から最低電圧を選択するステップと、
前記最低電圧を示す前記フィードバック信号を生成するステップと、
をさらに有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ダイオードに供給される前記電力を決定するように前記フィードバック信号の前記電気的状態と前記所定値と比較するステップをさらに有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記電流レギュレータは電流シンクである請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
複数のダイオードを駆動するための駆動回路であって、
それぞれ、前記ダイオードを流れる電流を制御するために前記ダイオードに接続された複数の電流レギュレータと、
前記電流レギュレータのドロップアウト電圧から最低電圧を選択するために前記電流レギュレータに接続された選択回路と、
前記最低電圧を示すフィードバック信号を生成するためのフィードバック回路と、
前記電流レギュレータのドロップアウト電圧を所定電圧に強制することを可能とするように前記ダイオードに電力を供給するために、外部電力源と前記フィードバック回路とに接続されたＤＣ−ＤＣコンバータと、
を具備する駆動回路。
【請求項１９】
前記選択回路は、
それぞれ、ベースが前記電流レギュレータに接続され、共通のコレクタ電圧が前記電流レギュレータのドロップアウト電圧の最低電圧を示す、並列に接続された複数のトランジスタをさらに具備する請求項１８に記載の駆動回路。
【請求項２０】
前記電力を決定するために前記最低電圧と所定電圧との間の差分を示す出力信号を生成するように前記フィードバック信号の前記最低電圧と前記所定電圧とを比較するために、前記ＤＣ−ＤＣコンバータおよび前記フィードバック回路に接続されたエラー増幅器をさらに具備する請求項１８に記載の駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトフラッシュ（photoflash）ダイオードのためのドライバの分野に関し、より詳細には、低固定ドロップアウト電圧を有する電流シンクを用いたフォトフラッシュダイオードのためのドライバの分野に関する。
【０００２】
本出願は、発明の名称を“低固定電圧ドロップアウト電流シンクを用いたフォトフラッシュダイオードの高性能駆動”とし、２００４年１１月２９日に出願され、本発明の譲受人に譲渡された、共に係属中の米国仮特許出願第６０／６３１，８９９号、代理人番号（Attorney Docket Number）Ｏ２−ＩＰ−０２２０による優先権を主張し、その全体を引用してここに組み込む。
【背景技術】
【０００３】
携帯バッテリー機器は、バッテリー電力の使用を調整するコントローラを用いてフォトフラッシュダイオードを駆動する。既存の解決法は、固定電圧によってフォトダイオードを駆動し、そして制御された電流シンクまたは電流源を通じてダイオード電流を制御する。しかし、少ないダイオード電流において電力の大部分は電流シンクを通じて消耗される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、上述した欠点を克服することが可能な充電方式または回路の必要性が存在する。
【０００５】
本発明の目的は、携帯バッテリー機器において用いられるフォトフラッシュダイオードを駆動するための回路および制御方法を提供することである。特に、フォトフラッシュダイオードは、低固定ドロップアウト電圧を有する１つ以上の電流シンクを用いて駆動される。前記ダイオードは、ブーストまたはバックブーストコントローラによって駆動される。これは、閉ループフィードバック系を通じて電流シンクドロップアウト電圧をたいへん低い値に強制する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明は、フォトフラッシュダイオードを駆動するための回路を提供する。本発明による回路は、フォトフラッシュダイオード、電流シンク、フィードバック回路、およびＤＣ−ＤＣコンバータを具備する。前記電流シンクは、前記フォトフラッシュダイオードを流れる電流を制御するために前記フォトフラッシュダイオードに接続される。前記フィードバック回路は、前記電流シンクの電気的状態を示すフィードバック信号を受ける。前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、前記電流シンクの電気的状態を所定値に制御するように前記フォトフラッシュダイオードに電力を供給するために、外部電力源および前記フィードバック回路に接続される。
【０００７】
本発明の他の目的、効果、および新たな特徴は、添付図面とともに後述の詳細な説明から明らかになる。
【発明の効果】
【０００８】
上述した欠点を克服してフォトフラッシュダイオードを駆動することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
ここで、本発明であるフォトフラッシュダイオードを駆動する回路および方法の好ましい実施形態を詳細に参照する。本発明は好ましい実施形態とともに記載されるが、これらの実施形態は本発明を限定することを意図しないと解釈されるものである。逆に、本発明は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の思想および範囲内に含まれる変形、改良および均等物を含むことを意図する。
【００１０】
さらに、後述の本発明の詳細な説明において、本発明の完全な理解を与えるために、非常に多くの特定的な詳細が記載されている。しかし、本発明はこれらの特定的な詳細なしに実施することが可能であることは、この技術分野の当業者に理解される。他の例において、よく知られた方法、手順、構成要素、および回路は、本発明の構成を不必要に不明瞭にしないように、詳細な記載はされていない。
【００１１】
図１を参照すると、本発明の実施形態によるフォトフラッシュ駆動回路１００が表わされている。フォトフラッシュ駆動回路１００は、３つのフォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３を駆動するために用いられる。白色光源としての役割を果たすために、３つのフォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３はそれぞれ赤、緑、青のフォトフラッシュダイオードとすることが可能であることは、この技術分野の当業者に明らかである。さらに、フォトフラッシュ駆動回路１００は、１つ以上のフォトフラッシュダイオードを駆動するために用いることが可能である。駆動回路１００は、１つ以上のダイオードを駆動するために用いることが可能であることも理解すべきである。
【００１２】
入力電圧源は、フォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３を駆動する電圧を供給するようにフォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３に接続されるブーストまたはバックブースト１１０のようなＤＣ−ＤＣコンバータに接続される。
【００１３】
３つのＮ型ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）は、電流レギュレータ、すなわち電流シンク１２１、１２２、１２３としての役割を果たす。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレインは、それぞれフォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３に接続され、かつＮ型ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のソースは、グランドに接続される。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のゲートは、それぞれ３つのバイアスコントローラ１３１、１３２、１３３に接続される。電圧信号である、ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレインのＶｄｓ１、Ｖｄｓ２、Ｖｄｓ３は、バイアスコントローラ１３１、１３２、１３３に入力される。Ｉ２Ｃコントローラ１４６は、バイアスコントローラ１３１、１３２、１３３にそれぞれ接続される３つの電流ＤＡＣ（デジタル・アナログ・コンバータ）１４１、１４２、１４３に接続される。
【００１４】
フォトフラッシュ駆動回路１００は、電流シンク１２１、１２２、１２３の代わりに、電流シンクとしての役割を果たす３つのＰ型ＭＯＳＦＥＴを用いるように変更することも可能であることは、この技術分野の当業者に明らかである。
【００１５】
２つの電流制御信号であるクロック（Ｓｃｌ）およびデータ（Ｓｄａｔａ）は、Ｉ２Ｃコントローラが電流設定情報、例えば電流ＤＡＣ１４１、１４２、１４３への３ビットを提供するようにＩ２Ｃコントローラ１４６に入力される。前記電流設定情報に基づいて、電流ＤＡＣ１４１、１４２、１４３は、それぞれバイアスコントローラ１３１、１３２、１３３に伝達される３つの電流信号Ｉｓｅｔ１、Ｉｓｅｔ２、Ｉｓｅｔ３を生成する。
【００１６】
前記バイアスコントローラ１３１、１３２、１３３は、電流シンク１２１、１２２、１２３のドレイン電流、すなわちシンク電流を制御する。電流シンク１２１、１２２、１２３のドレイン電圧のようなフィードバック信号は、バイアスコントローラ１３１、１３２、１３３に入力される。バイアスコントローラ１３１、１３２、１３３は、正確な電流量を印加し、従ってフォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３の明るさを制御するように、電流ＤＡＣ１４１、１４２、１４３の電流信号と、電流シンク１２１、１２２、１２３のドレイン電圧とに従って、ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のゲートに印加される電圧を提供する。
【００１７】
前記ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレイン電圧は、電圧選択ロジック回路１６０に入力される。電圧設定信号（Ｖｓｅｔ）は、ドロップアウト電圧のために設定される電圧であり、かつ電圧選択ロジック回路１６０にも入力される。電圧選択ロジック回路１６０は、ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレイン電圧から最低電圧を選択するために用いられる。この最低電圧および電圧設定信号は、電圧選択ロジック回路１６０が最低電圧に対応する最低電圧信号Ｓ＿ｏｕｔ１と設定電圧に対応する設定電圧信号Ｓ＿ｏｕｔ２とを生成するように、電圧選択ロジック回路１６０において同じ処理手順において処理される。
【００１８】
前記最低電圧信号および前記設定電圧信号は、エラー増幅ブロック１５０に入力される。エラー増幅ブロック１５０は、最低電圧信号と設定電圧信号との間のエラー電圧を増幅する。エラー増幅ブロック１５０は、エラー増幅ブロック１５０の出力（ＥＡ）を補償する、すなわち増幅された電圧を補償するために、外部のコンデンサおよび抵抗器回路１５２に接続されるピン（ＥＡ−ｏｕｔ）を有する。コンデンサおよび抵抗器回路は、充電および放電電圧のスルーレートのために自己起動として２倍にされることもある。エラー増幅ブロック１５０には、さらに制限入力が提供される。例えば、１つの実施形態において、制限入力は、エラー増幅ブロック１５０の出力電圧レベルを制限電圧１．８８ボルトに制限するために、例えば図示されているように１．８８ボルトの制限電圧とすることが可能である。エラー増幅ブロック１５０の出力は、ブースト／バックブースト１１０の出力電圧を制御するための電圧フィードバック信号としての役割を果たすために、ブースト／バックブースト１１０に入力される。
【００１９】
前記ブースト／バックブースト１１０の出力電圧は、フォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３を駆動するために用いられる。フォトフラッシュダイオード１０１、１０２、１０３の出力電圧、または、電流シンク１２１、１２２、１２３のドロップアウト電圧、すなわちＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレイン電圧は、電圧選択ロジック回路１６０にサンプリングされ、そして電圧フィードバック信号を生成するためにエラー増幅ブロック１５０に入力される。ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレイン電圧は、電圧設定信号Ｖｓｅｔによって設定された電圧、例えば０．１ボルトに強制される。
【００２０】
図２を参照すると、本発明の実施形態による典型的なバイアスコントローラ２００が表わされ、かつバイアスコントローラ１３１、１３２、１３３としてフォトフラッシュ駆動回路１００において用いることが可能である。電流ＤＡＣからの電流信号Ｉｓｅｔは、電流値を設定するためにバイアスコントローラ２００に入力される。
【００２１】
例えば、前記バイアスコントローラ２００は、バイアスコントローラ１３１としてフォトフラッシュ駆動回路１００において用いられる。この場合、ＭＯＳＦＥＴ・１２１のドレイン電圧Ｖｄｓ１は、抵抗器２２６を通じてオペアンプ２０４へサンプリングされる。ＭＯＳＦＥＴ・２１０のドレイン電圧がＭＯＳＦＥＴ・１２１のドレイン電圧に強制されるように、オペアンプ２０４の出力はＭＯＳＦＥＴ・２１２のゲートに接続され、かつＭＯＳＦＥＴ・２１０のドレインはオペアンプ２０４の入力に接続される。上述したように、ＭＯＳＦＥＴ・１２１のドレイン電圧は、例えば０．１ボルトのようなかなり低い設定電圧に近づき、ＭＯＳＦＥＴ・１２１およびＭＯＳＦＥＴ・２１０は、三極管または線形領域において動作する。
【００２２】
さらに、バイアスコントローラ２００のオペアンプ（オペレーションアンプ）２０２の入力は電流信号Ｉｓｅｔに接続され、かつオペアンプ２０２のもう１つの入力は２つの抵抗器２２２、２２４を通じてＩｓｅｔ信号に接続される。抵抗器２３８およびコンデンサ２３６は、オペアンプ２０２およびオペアンプ２０４の両方を補償するために、オペアンプ２０２の出力とオペアンプ２０４の出力との間に接続される。オペアンプ２０２の出力は、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ・２１０のゲートに接続される。ＭＯＳＦＥＴ・２１０のドレイン電流は、オペアンプ２０２によって設定電流に強制される。
【００２３】
ＭＯＳＦＥＴ・２１０のゲートは、本発明の１つの実施形態において、カレントミラーを構成するように電流シンク１２１のゲートの１つに接続されることに留意されるべきである。電流シンク１２１のドレイン電流は、ＭＯＳＦＥＴ・２１０のドレイン・ソース回路に比例する。例えば、ＭＯＳＦＥＴ・１２１がＭＯＳＦＥＴ・２１０の５００倍の大きさであるならば、ＭＯＳＦＥＴ・１２１のドレイン電流はＭＯＳＦＥＴ・２１０のドレイン電流、すなわち設定電流の５００倍の大きさである。
【００２４】
図３を参照すると、本発明の実施形態による典型的な電流ＤＡＣ・３００が表わされ、かつ電流ＤＡＣ・１４１、電流ＤＡＣ・１４２、または電流ＤＡＣ・１４３としてフォトフラッシュ駆動回路１００において用いることが可能である。電流設定情報は、電流ＤＡＣ・３００のデコーダ３１０に入力される。例えば、電流設定情報は、３ビットのデジタル情報で構成される。電流ＤＡＣ・３００は、さらに、８つのスイッチ３１４と、それぞれ８つのスイッチ３１４に接続された８つの電流源３１２とを有する。電流設定情報は、８つのスイッチ３１４を個別にターンオンまたはオフし、かつ電流信号Ｉｓｅｔ１を生成するようにデコーダ３１０によってデコードされる。１つの実施形態において、電流信号はスイッチ３１４がターンオンされた１つまたは複数の電流源３１２の電流の和である。
【００２５】
図４を参照すると、本発明の実施形態による典型的な電圧選択ロジック回路４００が表わされ、かつ電圧選択ロジック回路１６０としてフォトフラッシュ駆動回路１００において用いることが可能である。電圧選択ロジック回路４００は、電流源４１０、３つのＰ型ＭＯＳＦＥＴ・４１２、４１４、４１６、３つのトランジスタ４２１、４２２、４２３、および設定電圧トランジスタ４２８を具備する。設定電圧トランジスタ４２８のベースは、電圧設定信号Ｖｓｅｔに接続され、かつ３つのトランジスタ４２１、４２２、４２３のベースは、それぞれＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレインに接続される。最低電圧に対応する最低電圧信号Ｓ＿ｏｕｔ１は、トランジスタ４２１、４２２、４２３のベース・エミッタ電圧に、ＭＯＳＦＥＴ・１２１、１２２、１２３のドレイン電圧のうち最低電圧を加算した値に等しい。設定電圧Ｓ＿ｏｕｔ２は、トランジスタ４２８のベース・エミッタ電圧に電圧設定信号の電圧を加算した値に等しい。ＭＯＳＦＥＴ・４１４、４１６は電流整合のために用いられ、かつトランジスタ４２８のサイズはトランジスタ４２１、４２２、４２３のうち１つのサイズの３倍であると理解すべきである。
【００２６】
図５を参照すると、本発明の実施形態による典型的なエラー増幅ブロック５００が表わされ、かつエラー増幅ブロック１５０としてフォトフラッシュ駆動回路１００において用いることが可能である。エラー増幅ブロック５００は、その差分に従って増幅された電圧を出力するために、２つの入力がそれぞれ最低電圧信号および設定電圧信号に接続されたエラー増幅器５１２を具備する。ピン５２４は、外部のコンデンサおよび抵抗器回路１５２のような補償回路に接続され、かつエラー増幅ブロック１５０の出力ＥＡを補償するためにエラー増幅器５１２の出力にも接続されている。
【００２７】
前記エラー増幅ブロック５００の制限入力５４０は、コンパレータ５１４およびスイッチ５３６に接続されている。エラー増幅ブロック５００は、さらに、エラー増幅器５１２の出力をエラー増幅ブロック５００の出力ＥＡに接続するためのスイッチ５３８、設定電圧信号をエラー増幅器５１２の入力に接続するためのスイッチ５３２、およびエラー増幅器５１２の入力をグランドに接続するためのスイッチ５３４を具備する。スイッチ５３２はスイッチ５３８によって作動され、かつスイッチ５３４はスイッチ５３６によって作動される。エラー増幅器５１２の出力が制限入力５４０の電圧、例えば１．８８ボルトより小さいならば、コンパレータ５１４の出力はローに維持される。この場合、スイッチ５３６は開くかまたはターンオフされるとともに、スイッチ５３８は閉じるかまたはターンオンされる。さらに、スイッチ５３４が開くとともに、スイッチ５３２が閉じる。エラー増幅ブロック５００は、上述した機能に従って機能する。エラー増幅器５１２の出力が制限入力５４０の電圧、例えば１．８８ボルトより大きいならば、コンパレータ５１４の出力はハイに維持される。この場合、スイッチ５３６およびスイッチ５３４は閉じまたはターンオンされるとともに、スイッチ５３８およびスイッチ５３２は開きまたはターンオフされる。エラー増幅ブロック５００の出力ＥＡは、制限入力５４０の電圧、例えば１．８８ボルトである。
【００２８】
図６を参照すると、本発明の実施形態による複数のフォトフラッシュダイオードを駆動するための方法６００が表わされている。６１０において、フォトフラッシュダイオードは駆動される準備が行われる。６１２において、電流シンクとしての役割を果たすＭＯＳＦＥＴまたはトランジスタのような複数の電流レギュレータがフォトフラッシュダイオードに接続される。以下、電流シンクは、本発明の実施形態を記載するために、典型的な電流レギュレータとして考える。電流シンクはＭＯＳＦＥＴまたはトランジスタを具備する電流源と置き換えることが可能であることは、この技術分野の当業者によって当然に理解される。外部電源は、電流シンクの制御のもとでフォトフラッシュダイオードに電力を供給する。
【００２９】
６１４において、電流シンクの電気的状態がサンプリングされる。本発明の実施形態において、電気的状態は電圧である。６１６において、電気的状態の１つが電流シンクの全部の電気的状態を表わし、かつフィードバック信号としての役割を果たすために選択される。６１８において、フィードバック信号は、フィードバック信号と所定値との間の差分を取得するために、所定値と比較される。６２０において、フォトフラッシュダイオードに供給される電力は、電流シンクの電気的状態が所定値に強制されるように制御される。
【００３０】
上述の記載および図面は本発明の好ましい実施形態を表わすが、添付の特許請求の範囲において定義された本発明の技術的思想および技術的範囲から逸脱することなく様々な追加、変形および置換が可能であることが理解される。この技術分野の当業者は、本発明が、形式、構造、配置、比率、物質、成分、および要素の多くを変更したものとともに用いること、および、そうでなければ、本発明の技術的範囲から逸脱することなく、特定の環境および動作条件に特に適用される本発明の実施において用いることが可能であることを理解する。従って、ここで開示された実施形態は、全ての点で、添付の特許請求の範囲およびそれらの法的な均等物によって示され、かつ上記の記載に限定しない本発明の範囲の説明として、かつ限定しないものとして判断される。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態によるフォトフラッシュ駆動回路のブロック図である。
【図２】本発明の実施形態によるバイアスコントローラのブロック図である。
【図３】本発明の実施形態による電流ＤＡＣのブロック図である。
【図４】本発明の実施形態による電圧選択ロジック回路のブロック図である。
【図５】本発明の実施形態によるエラー増幅ブロックのブロック図である。
【図６】本発明の実施形態による複数のフォトフラッシュダイオードを駆動するための方法を表わす図である。
【符号の説明】
【００３２】
１００  フォトフラッシュ駆動回路
１０１、１０２、１０３  フォトフラッシュダイオード
１１０  ブースト／バックブースト
１２１、１２２、１２３  電流シンク
１３１、１３２、１３３  バイアスコントローラ
１４１、１４２、１４３、３００  電流ＤＡＣ
１４６  Ｉ２Ｃコントローラ
１５０、５００  エラー増幅ブロック
１５２  コンデンサおよび抵抗器回路
１６０、４００  電圧選択ロジック回路
２００  バイアスコントローラ
２０２、２０４  オペアンプ
２１０、２１２  ＭＯＳＦＥＴ
２２２、２２４、２２６、２３８  抵抗器
２３６  コンデンサ
３１０  デコーダ
３１２  電流源
３１４、５３２、５３４、５３６、５３８  スイッチ
４１２、４１４、４１６  Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ
４２１、４２２、４２３  トランジスタ
４２８  設定電圧トランジスタ
５１２  エラー増幅器
５１４  コンパレータ
５２４  ピン
５４０  制限入力  
【図１】
2006158186.tif 000003
【図２】
2006158186.tif 000004
【図３】
2006158186.tif 000005
【図４】
2006158186.tif 000006
【図５】
2006158186.tif 000007
【図６】
2006158186.tif 000008