(57)【要約】【課題】キャビティの底面に発光素子が実装され、且つ当該キャビティに充填される封止用樹脂が剥離しにくく保持されると共に、上記発光素子からの光を効率良く反射できる配線基板を提供する。【解決手段】複数のセラミック層（絶縁層）ｓ１〜ｓ３からなり、表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口部を有し、底面６および傾斜した側面７を有するキャビティ５と、を備え、かかるキャビティ５の側面７には、側面金属層８が形成され、上記基板本体２の表面３を形成する最上層のセラミック層ｓ３は、上記キャビティ５の側面７の上端よりも当該キャビティ５の開口部の中央側に張り出し、かかる最上層の絶縁層ｓ３の表面３に対向する裏面９に形成される裏面金属層１０は、上記側面金属層８の上端に接していると共に、上記裏面金属層１０と上記側面金属層８との上に金属メッキ層１１が連続して形成されている、配線基板１。【選択図】  図２
2006324558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層からなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口部を有し、底面および側面を有するキャビティと、を備え、
上記キャビティの側面には、側面金属層が形成され、
上記基板本体の表面を形成する最上層の絶縁層は、上記キャビティの側面の上端よりも当該キャビティの開口部の中央側に張り出し、かかる最上層の絶縁層の表面に対向する裏面に形成される裏面金属層は、上記側面金属層の上端に接していると共に、
上記裏面金属層と上記側面金属層との上に金属メッキ層が連続して形成されている、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記キャビティの側面は、前記底面から前記基板本体の表面に向かって、広がる傾斜面である、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティの底面に発光素子を実装する配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を実装する配線基板においては、かかる発光素子を実装するキャビティの側面に金属からなる光反射層を形成すると共に、当該キャビティ内に封止用樹脂をその表面が平坦になるようにして充填することで、上記発光素子から発光された光を鮮明なものとすることができる。
例えば、平板状のセラミック基体の上に、貫通穴を有するセラミック枠体を接合し、かかる貫通穴の内面に、ＷやＭｏなどの高融点金属を含む金属層およびＣｏを含む金属メッキ層を順次被着した発光素子収納用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
一方、パッケージの開口部内に光電素子を配置し、かかる開口部に充填したモールド樹脂が剥離しないように保持する保持手段を上記開口部の側面に有する光電装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２８５４９号公報（第１〜９頁、図１，４）
【特許文献２】特開平１１−７４５６１号公報（第１〜８頁、図１〜５）
【０００４】
ところで、発光素子を実装するキャビティの側面に被覆する光反射層のうち、最上層に位置するＡｇなどの金属メッキ層は、例えば、キャビティの側面における上端部では、かかる側面の中間位置よりも、当該Ａｇメッキ層の厚みが薄くなる。
しかも、前記特許文献２の光電装置のように、発光素子を配置する開口部の側面に、モールド樹脂を保持するための突出した断面形状の保持手段を設けると、かかる開口部の側面にＮｉ、Ａｕ、Ａｇなどの金属メッキ層を電解メッキする際に、上記保持手段の直下における直角の内隅部ではメッキ液が環流しにくくなる。この結果、かかる位置に被覆される金属メッキ層、特に最上層のＡｇメッキ層の厚みが薄くなり、下地の金属メッキ層の金属がＡｇメッキ層の表面に析出して変色し易くなるため、発光素子からの光を効率良く反射することが一層困難になる、という問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、キャビティの底面に発光素子が実装され、且つ当該キャビティに充填される封止用樹脂が剥離しにくく保持されると共に、上記発光素子からの光を効率良く反射できる配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、基板本体の表面を形成する最上層の絶縁層をキャビティの開口部の中央側に張り出すと共に、かかる絶縁層の裏面と上記キャビティの側面との間に金属メッキ層を確実に形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明における配線基板（請求項１）は、複数の絶縁層からなり、表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に開口部を有し、底面および側面を有するキャビティと、を備え、前記キャビティの側面には、側面金属層が形成され、上記基板本体の表面を形成する最上層の絶縁層は、上記キャビティの側面の上端よりも当該キャビティの開口部の中央側に張り出し、かかる最上層の絶縁層の表面に対向する裏面に形成される裏面金属層は、上記側面金属層の上端に接していると共に、上記裏面金属層と上記側面金属層との上に金属メッキ層が連続して形成されている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記最上層の絶縁層の裏面に形成される裏面金属層に接してキャビティの側面に形成される側面金属層の上端には、窪んだ断面形状の湾曲面などを含む幅広部が形成され得るため、上記裏面金属層と側面金属層との間において、鋭角ないし直角の窪みが解消される。あるいは、上記裏面金属層と側面金属層との内隅部は、かかる２つの導体層に挟まれ、それらの表面にまたがってメッキ金属の析出密度が高くなり得ることから、メッキ膜が厚く被覆され易いため、上記鋭角ないし直角の窪みが解消される。これらのため、上記裏面金属層および側面金属層に対し、電解メッキにより金属メッキ層を形成する際に、メッキ液の環流が容易となるので、形成される金属メッキ層の厚みがほぼ均一となる。この結果、下地の金属メッキ層を形成するＮｉなどの金属が最上層の金属メッキ層である例えばＡｇメッキ層などの表面に析出しにくくなり、結果的に最上層のＡｇメッキ層などが変色しにくくなる。従って、長期にわたり、キャビティの底面に実装する発光素子からの光を効率良く外部に放射することが可能となる。
しかも、前記最上層の絶縁層は、キャビティの開口部の中央側に向かって張り出しているため、上記キャビティ内に充填される封止用樹脂を、当該キャビティから剥離しないように保持することも可能となる。
【０００８】
尚、前記基板本体を形成する絶縁材には、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成の一種である例えばガラス−セラミック、あるいは、例えばエポキシ系樹脂などが含まれる。
また、前記キャビティには、開口部側に対し底面側が縮径されたほぼ円錐形状、ほぼ楕円錐形状、ほぼ長円錐形状、四角錐以上の多角錐形状のほか、全体が円柱形、楕円柱形、長円柱形、あるいは四角柱を含む多角柱形状の形態も含まれる。
更に、前記最上層の絶縁層におけるキャビティの中央側へ張り出す部分は、キャビティの開口部に沿った全周に位置する形態のほか、キャビティの開口部における複数の箇所に互いに離れて位置する形態も含まれる。
また、前記金属層には、絶縁材がセラミックまたはガラス−セラミックの場合、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇなどが用いられ、絶縁材が樹脂の場合、Ｃｕなどが用いられる。
加えて、前記発光素子には、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザ（ＬＤ）などが含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記キャビティの側面は、前記底面から前記基板本体の表面に向かって、広がる傾斜面である、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、キャビティの底面に実装される発光素子からの光を比較的広角度にて反射することが可能となる。
【００１０】
付言すれば、本発明には、前記キャビティの側面は、前記底面および前記基板本体の表面に対し垂直である、配線基板も含まれ得る。これによる場合、キャビティの底面に実装される発光素子からの光を効率良く反射することが可能となる。
また、本発明には、前記金属メッキ層は、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層、およびＡｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈの何れかからなる光反射メッキ層である、配線基板も含まれ得る。これによる場合、キャビティの底面に実装される発光素子からの光を比較的高い反射率で外部に反射することが可能となる。
【００１１】
更に、本発明には、前記基板本体を形成する最上層の絶縁層と、最上層の絶縁層の直下に積層される絶縁層とを、積層してキャビティの側面および開口部を形成するに際し、最上層の絶縁層の裏面に形成した裏面金属層と、これに隣接する上記絶縁層の表面および当該絶縁層を貫通する貫通孔の側面とにまたがって形成される側面絶縁層と、の間に溶剤を塗布した後に、上記積層および圧着を行う工程を、含む配線基板の製造方法も含まれ得る。
これによる場合、裏面金属層に隣接するキャビティの側面に形成された側面金属層の上端に、窪んだ断面形状の湾曲面を含む幅広部が形成されるため、上記裏面金属層と側面金属層との間には、鋭角の窪みが存在しなくなる。この結果、上記裏面金属層および側面金属層に対し、電解メッキにより金属メッキ層を形成する際に、メッキ液の環流が容易となるため、形成される金属メッキ層の厚みを全体としてほぼ均一にすることが可能となる。尚、「ほぼ均一」とは、上記厚みの高低差が１０μｍ以内である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における第１の配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図、図３は、図２中の部分拡大断面図である。
配線基板１は、図１，２に示すように、表面３および裏面４を有し且つセラミック（絶縁材）のセラミック層（絶縁層）ｓ１〜ｓ３からなる基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ底面６に発光ダイオード（発光素子）１４が実装されるキャビティ５と、を含む。
基板本体２は、図１，図２に示すように、平面視がほぼ正方形で所要の厚みを有する直方体を呈し、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層して焼成したものである。因みに、基板本体２のサイズは、約５ｍｍ×５ｍｍ×０．９ｍｍであり、内部にはＷまたはＭｏを主成分とする図示しない所定パターンの配線層やビア導体が形成され、且つ裏面４には図示しないパッドが形成されている。
尚、基板本体２の絶縁材には、例えばガラス−アルミナ系のグリーンシートを複数枚積層して焼成したガラス−セラミックを適用しても良い。
【００１３】
図１，２に示すように、キャビティ５は、平面視が円形の底面６と、かかる底面６の周辺から基板本体２の表面３側に広がるように傾斜したほぼ円錐形の側面７とを有する。かかる側面７の仰角は、３０〜７０度の範囲で適宜選択される。因みに、キャビティ５のサイズは、上端の内径約３．６ｍｍ×深さ約０．４５ｍｍである。かかるキャビティ５は、グリーンシートに対し、所要のクリアランスを介するポンチとダイとによる打ち抜き加工することで、上記ほぼ円錐形状の貫通孔が形成されたグリーンシートと、その下側に平坦な別のグリーンシートとを積層して形成される。
【００１４】
図１〜図３に示すように、キャビティ５の側面７の開口部側には、基板本体２の表面３を含む最上層のセラミック層ｓ３が、当該開口部の中央側に向かって、リング形状に張り出している。かかるセラミック層ｓ３の裏面９には、ＷまたはＭｏからなる裏面金属層１０が全面に形成されている。
また、前記キャビティ５の傾斜した側面７には、ＷまたはＭｏからなる金属層８が形成され、かかる金属層８と上記裏面金属層１０とにまたがって、前記発光ダイオード１４からの光を反射する金属メッキ層１１が連続して形成されている。かかる金属メッキ層（以下、メッキ層と称する）１１は、図３に示すように、側面金属層８および裏面金属層１０の上に形成されるＮｉメッキ層１２と、その上に形成される光反射用のＡｇメッキ層１３と、から構成される。
【００１５】
更に、図２および図３に示すように、裏面金属層１０に接する側面金属層８の上端部には、キャビティ５の開口部の中央側が窪んだ湾曲面を含む幅広部８ｂが形成され得る。かかる幅広部８ｂは、後述するように、追って前記セラミック層ｓ３となる最上層のグリーンシートと、その直下に積層される中層のグリーンシートと、を積層してキャビティ５の側面７などを形成する際に、両者の間に溶剤を塗布した後に、上記最上層と中層の各グリーンシートとの積層および圧着を行うことで、中層のグリーンシートの貫通孔の側面に形成され且つその表面にもまたがる側面金属層８の上端部が、裏面金属層１０の表面に沿ってキャビティ５の開口部の中央側に延び出たものである。
上記幅広部８ｂの存在によって、裏面金属層１０とこれに接する側面金属層８との間には、鋭角の窪みがなくなるため、これらの上に電解メッキを施すことにより、前記メッキ層１１がほぼ均一に形成されている。
【００１６】
図１，図２に示すように、キャビティ５の底面６における中央部には、図示しないハンダまたはエポキシ系樹脂を介して、発光ダイオード１４が実装されると共に、その実装エリアを挟んだ底面６には、一対のパッド１６が対称に形成されている。かかるパッド１６も、ＷまたはＭｏからなり、その表面にはＮｉ、Ａｕ、またはＡｇメッキ層が形成され、図示しないボンディングワイヤを介して、発光ダイオード１４と個別に導通される。
更に、上記発光ダイオード１４が実装され、且つこれと一対のパッド１６とがボンディングワイヤを介して導通されたキャビティ５内には、図２中の一点鎖線で示すように、固化前の封止用樹脂ｊが、例えば、基板本体２の表面３と面一となる位置まで充填され且つ固化される。
【００１７】
以上のような配線基板１によれば、最上層のセラミック層ｓ３の裏面９に形成される裏面金属層１０に隣接するキャビティ５の側面７に形成される側面金属層８の上端には、窪んだ断面形状の湾曲面を含む幅広部８ｂが位置するため、上記裏面金属層１０と側面金属層９との間には、鋭角の窪みが存在していない。あるいは、裏面金属層１０と側面金属層９との内隅部の表面には、メッキ膜が厚く被覆され易いため、上記鋭角の窪みが解消される。このため、上記裏面金属層１０および側面金属層９に対し、電解メッキにより金属メッキ層１１を形成する際に、メッキ液の環流が容易となるので、形成される金属メッキ層１１の厚みがほぼ均一となる。この結果、下地のＮｉメッキ層１２を形成するＮｉが最上層のＡｇメッキ層１３の表面に析出しにくくなり、かかるＡｇメッキ層などが変色しにくくなる。従って、長期にわたり、キャビティ５の底面６に実装する発光ダイオード１４からの光を効率良く外部に放射することが可能となる。しかも、前記最上層のセラミック層ｓ３は、キャビティ５の開口部の中央側に向かって張り出しているため、上記キャビティ５内に充填される封止用樹脂ｊを、当該キャビティ５から剥離しないように保持することも可能となる。
【００１８】
以下において、前記配線基板１の製造方法を説明する。尚、前記セラミック層ｓ１〜ｓ３と以下のグリーンシートｓ１〜ｓ３などの符号は、共通とする。
予め、図４の断面図で示すように、例えばアルミナを主成分とするセラミック材料からなるグリーンシートｓ１〜ｓ３を用意する。
図４で最下層のグリーンシートｓ１は、前記キャビティ５の底面６の一部となる表面６と裏面４とを有する平板形状を呈し、内部にＷまたはＭｏを主成分とする図示しない所定パターンの配線層やビア導体１７が形成されている複数枚のグリーンシートの積層体である。かかるグリーンシートｓ１の表面６は、スクリーン印刷法により、ＷまたはＭｏ粉末を含むペースト状のパッド１６が対称に一対形成される。
【００１９】
また、図４において、中層のグリーンシートｓ２は、所要のクリアランスを介するポンチとダイとによる打ち抜き加工、または最小限のクリアランスを介して打ち抜き加工で形成した貫通孔にほぼ円錐形の金型を押し込むことにより、ほぼ円錐形の貫通孔７が形成されている。かかる貫通孔７の側面とこれに隣接するグリーンシートｓ２の表面１８とにまたがって、公知の印刷法などにより、ＷまたはＭｏ粉末を含むペースト状の側面金属層８および表面金属層８ａが形成される。
図４において、最上層のグリーンシートｓ３は、前記基板本体２の表面３および前記セラミック層ｓ３の裏面９を有し、打ち抜き加工による偏平な円柱形の貫通孔を有している。かかる貫通孔の内径は、グリーンシートｓ２の貫通孔７における上端部の内径よりも小径である。グリーンシートｓ３の裏面９の全面には、ＷまたはＭｏ粉末を含むペースト状の裏面金属層１０が形成される。
【００２０】
更に、グリーンシートｓ２の表面１８および表面金属層８ａの上に、フタル酸ｎブチル、ひまし油、ｎブチル・アルコールなどの溶剤を所要の厚みで浸透するように塗布する。尚、グリーンシートｓ３の裏面金属層１０の表面に、上記溶剤を塗布しても良い。
次に、図４中の矢印で示すように、グリーンシートｓ１の表面６にグリーンシートｓ２の裏面１９が接し、グリーンシートｓ２の表面１８にグリーンシートｓ３の裏面９が接するように、グリーンシートｓ１〜ｓ３を積層した後、これらを厚み方向に沿って圧着する。または、グリーンシートｓ１〜ｓ３を隣接する順で積層するごとに圧着しても良い。
その結果、図５に示すように、グリーンシートｓ１の上にグリーンシートｓ２，ｓ３を積層・圧着して、グリーンシート積層体Ｓが形成され、且つ基板本体２とキャビティ５とが形成される。同時に、グリーンシートｓ２の表面金属層８ａは、前記溶剤で軟化され且つグリーンシートｓ２，ｓ３が積層・圧着された際の圧力で押し出され、裏面金属層１０の表面に沿ってキャビティ５の開口部の中央側に延びる。この結果、裏面金属層１０に接する側面金属層８の上端には、断面が窪んだ湾曲面を含む幅広部８ｂが形成される。
【００２１】
そして、グリーンシートｓ１〜ｓ３を積層・圧着して得られたグリーンシート積層体Ｓを、所要の温度帯で焼成した後、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｇメッキを順次施すことで、図３で示したように、側面金属層８と裏面金属層１０の上に、前記Ｎｉメッキ層１２とＡｇメッキ層１３とからなるメッキ層１１を連続して形成する。
上記各メッキ時において、セラミック層ｓ３の裏面９の裏面金属層１０とこれに接する側面金属層８との間には、両者が形成する鋭角の内隅部を埋める前記幅広部８ｂが形成されているため、各メッキ液の環流がスムースに行われる。あるいは、幅広部８ｂが小さいか、これがなくても、裏面金属層１０と側面金属層８との内隅部の表面には、他の部分よりもＮｉメッキ層などの１２メッキ膜が厚く被覆され易いため、上記鋭角の内隅部が容易に解消される。この結果、前記図３で示したように、メッキ層１１におけるＮｉメッキ層１２とＡｇメッキ層１３とを、全体がほぼ均一の厚みとした配線基板１を得ることができる。かかる「ほぼ均一の厚み」とは、上記厚みの高低差が１０μｍ以内であることを指す。
【００２２】
図６は、本発明における異なる形態の配線基板２０を示す垂直断面図、図７は、図６中の部分拡大図である。
配線基板２０は、図６，７に示すように、セラミック（絶縁材）のセラミック層（絶縁層）ｓ１，ｓ３，ｓ４からなり、表面２３および裏面２４を有する前記同様の基板本体２２と、かかる基板本体２２の表面２３に開口し平面視が円形の底面２６およびその周辺から垂直に立設する円柱形の側面２７からなるほぼ円柱形のキャビティ２５と、を備えている。
図６に示すように、キャビティ２５の側面２７の開口部側には、基板本体２２の表面２３を形成するセラミック層ｓ３が、当該開口部の中央側に向かって、リング形状に張り出すると共に、その裏面９には裏面金属層１０が形成されている。
また、キャビティ２５の側面２７には、Ｗなどからなる側面金属層２８が形成され、上記裏面金属層１０と接する上端には、その一部が開口部の中央側に延出し、開口部の中央側が窪んだ円弧形断面の幅広部２８ｂが形成されている。
【００２３】
更に、キャビティ５に面する前記裏面金属層１０と側面金属層２８との上には、キャビティ２５の底面２６の中央付近に実装される発光ダイオード１４からの光を反射するメッキ層３１が連続して形成されている。
図７に示すように、メッキ層３１は、金属層３１上のＮｉメッキ層３２と光反射用のＡｇメッキ層３３とからなる。かかるメッキ層３１の上端部は、裏面金属層１０におけるキャビティ５の開口部側に達している。
また、図６，７に示すように、キャビティ２５の底面２６には、前記同様に発光ダイオード１４が実装され、その両側には、一対のパッド１６が対称に形成される。かかるパッド１６も、前記同様に発光ダイオード１４と個別に導通される。
【００２４】
更に、上記発光ダイオード１４が実装され、且つかかる発光ダイオード１４と一対のパッド１６とがボンディングワイヤを介して導通されたキャビティ２５内には、図６中の一点鎖線で示すように、固化した封止用樹脂ｊが、例えば、基板本体２２の表面２３と面一となる位置まで充填される。
以上のような配線基板２０においても、最上層のセラミック層ｓ３側の裏面金属層１０とキャビティ２５側の側面金属層２８との間に、後者の幅広部２８ｂが形成されているため、あるいは、裏面金属層１０と側面金属層２８との内隅部の表面にメッキ膜が厚く被覆され易いため、前記メッキ工程での各メッキ液の環流がスムースに行われる。
【００２５】
この結果、キャビティ２５に面する裏面金属層１０および側面金属層２８の上に、ほぼ均一な厚みのＮｉ・Ａｇメッキ層３２，３３からなるメッキ層３１が確実に形成される。このため、下地のＮｉメッキ層３２のＮｉが最上層のＡｇメッキ層３３の表面に析出せず、かかるＡｇメッキ層３３の変色を防止できる。従って、長期にわたり、キャビティ２５の底面２６に実装される発光ダイオード１４からの光を効率良く反射して、外部に放射することができる。
しかも、キャビティ２５の側面２７の開口部には、全周に沿ってセラミック層ｓ３の一部が張り出ているため、底面２６に発光ダイオード１４を実装し、かかるキャビティ２５に封止用樹脂ｊが充填され且つ固化させた際に、かかる封止用樹脂ｊは、セラミック層ｓ３の上記張り出し部分に包囲されるため、キャビティ２５から剥離し難く、安定して保持される。
【００２６】
以下において、前記配線基板２０の製造方法を説明する。尚、前記セラミック層ｓ１，ｓ３，ｓ４と以下のグリーンシートｓ１，ｓ３，ｓ４などの符号は、共通とする。
図８に示すように、予め、例えばアルミナを主成分とするセラミック材料からなるグリーンシートｓ１，ｓ３，ｓ４を用意する。図８で最下層のグリーンシートｓ１および最上層のグリーンシートｓ３は、前述したものと同じである。
図８で中層のグリーンシートｓ４は、最小限のクリアランスを介した打ち抜き加工で、表面３４と裏面３５との間を貫通する貫通孔（２７）が形成され、かかる貫通孔の側面２７と当該グリーンシートｓ４の表面３４とにまたがって、Ｗ粉末などを含むペースト状の側面金属層２８と表面金属層２８ａが形成される。
【００２７】
更に、グリーンシートｓ４の表面３４および表面金属層２８ａの上に、フタル酸ｎブチル、ｎブチル・アルコールなどの溶剤を所要の厚みで浸透するように塗布する。次に、図８中の矢印で示すように、グリーンシートｓ１，ｓ４，ｓ３を順に積層した後、これらを厚み方向に沿って圧着する。
その結果、基板本体２２やキャビティ２５が形成されたグリーンシート積層体が得られる。同時に、グリーンシートｓ４の表面金属層２８ａは、前記溶剤で軟化され且つグリーンシートｓ４，ｓ３が積層・圧着された際の圧力で押し出され、裏面金属層１０の表面に沿ってキャビティ２５の開口部の中央側に延び出る。
これにより、裏面金属層１０に接する側面金属層２８の上端には、前記図７で示したように、キャビティ２５の開口部の中央側が窪んだ断面の湾曲面を含む幅広部２８ｂが形成される。
【００２８】
そして、前記グリーンシート積層体を前記同様に焼成した後、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｇメッキを順次施すことで、図７で示したように、側面金属層２８と裏面金属層１０との上に、前記Ｎｉメッキ層３２およびＡｇメッキ層３３からなるメッキ層３１を形成する。上記各メッキ時において、セラミック層ｓ３の裏面９の裏面金属層１０とこれに接する側面金属層２８との間には、両者が形成する鋭角の内隅部を埋める前記幅広部２８ｂが形成されているため、各メッキ液の環流がスムースに行われる。この結果、前記図７で示したように、メッキ層３１におけるＮｉメッキ層３２とＡｇメッキ層３３とを、全体がほぼ均一の厚みで形成した配線基板２０を得ることができる。
【００２９】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記基板本体２，２２などを形成する絶縁材であるセラミックは、例えばムライトや窒化アルミニウムを主成分とするものとしても良い。あるいは、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックとしても良く、この場合、前記金属層１１やパッド１６などは、ＣｕやＡｇなどが用いられる。
また、前記基板本体２，２２などを形成する絶縁材をエポキシ系樹脂などとしても良く、かかる樹脂の薄板または金属の薄板の表面上に、例えばエポキシ系樹脂からなる複数層の樹脂絶縁層を順次積層し、公知のフォトリソグラフィ技術によって、比較的上層の各樹脂絶縁層にキャビティを形成しても良い。
【００３０】
更に、キャビティの形状は、前記ほぼ円錐形やぼ円柱形の形態に限らず、開口部側に対し底面側が縮径されたほぼ楕円錐形状、ほぼ長円錐形状、四角錐以上の多角錐形状のほか、全体が楕円柱形、長円柱形、あるいは、四角柱を含む多角柱形状の形態にすると共に、これらの側面に金属層および光反射用のメッキ層を形成するようにしても良い。
また、前記最上層の絶縁層の張り出し部分は、キャビティの開口部に沿った全周に位置する形態のほか、キャビティの開口部における複数の箇所に互いに離れて位置する形態としても良い。
加えて、本発明配線基板は、１個の配線基板の表面に開口するキャビティを複数としたり、単一のキャビティの底面に複数の実装エリアを配置し、これらに発光素子を個別に実装する形態とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明における一形態の配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。
【図３】図２中における一部を拡大した部分断面図。
【図４】上記配線基板の一製造工程を示す概略図。
【図５】図４に続く製造工程を示す概略図。
【図６】異なる形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図７】図６中における一部を拡大した部分断面図。
【図８】上記配線基板の一製造工程を示す概略図。
【符号の説明】
【００３２】
１，２０………配線基板
２，２２………基板本体
３，２３………表面
４，２４………裏面
５，２５………キャビティ
６，２６………底面
７，２７………側面
８，２８………側面金属層
９……………最上層のセラミック（絶縁）層の裏面
１０…………裏面金属層
１１，３１…金属メッキ層
１２，３２…Ｎｉメッキ層
１３，３３…Ａｇメッキ層
１４…………発光ダイオード（発光素子）
ｓ１〜ｓ４…セラミック層（絶縁層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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