(57)【要約】【課題】  基材との密着性に優れ、高硬度で耐摩耗性に優れた水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜を有する摺動部材を提供する。【解決手段】  基材と、基材表面に形成された中間層と、中間層表面に形成され炭素を主成分とし水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜とを有し、中間層の酸素濃度が表面側から中間層内部に向かって増加し、かつ炭素濃度が表面側から中間層内部に向かって減少している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、基材表面に形成された中間層と、前記中間層表面に形成され炭素を主成分とし水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜とを有し、
前記中間層の酸素濃度が表面側から前記中間層内部に向かって増加し、かつ炭素濃度が表面側から前記中間層内部に向かって減少している摺動部材。
【請求項２】
前記非晶質硬質炭素皮膜のヤング率が６０ＧＰａ以上である請求項１に記載の摺動部材。
【請求項３】
前記中間層および前記非晶質硬質炭素皮膜が真空アーク蒸着法により形成されている請求項１又は２に記載の摺動部材。
【請求項４】
前記中間層が１００℃における酸化物の標準生成自由エネルギーが−６００ｋJ以下の金属層からなることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の摺動部材。
【請求項５】
前記中間層がＳｉ、Ｔｉ、及びＣｒの群から選ばれた１種又は２種以上を含む金属層からなる請求項１乃至４の何れかに記載の摺動部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車部品などの厳しい摺動条件下で使用される摺動部の表面に非晶質硬質炭素皮膜をコーティングした摺動部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドと同じ結合状態の炭素原子を比較的多く含む非晶質硬質炭素皮膜は、一般にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、使用する原料や成膜方法によって、皮膜の性質が異なることが知られている。
１）メタンやアセチレンなどの炭化水素系のガスを原料とし、ＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法等）により形成されるＤＬＣ皮膜は、膜中に３０ａｔ％から４０ａｔ％程度の水素を含有し、皮膜硬度がビッカース硬度でＨｖ１０００〜２０００程度である。
２）グラファイトなどを原料としたＰＶＤ法（スパッタリング法、真空アーク蒸着法等）により形成されるＤＬＣ皮膜は、水素含有量が５ａｔ％以下であり、皮膜硬度をビッカース硬度でＨｖ３０００以上とすることが可能であり、１）の皮膜と比べて高硬度で非常に優れた耐摩耗性を有する。これは、２）による皮膜は、１）による水素含有量の多い皮膜に比べてｓｐ３型結合（ダイヤモンド構造の結合）になっている割合が高いためと考えられる。
【０００３】
このように、ＤＬＣ皮膜は摩擦係数が低く耐摩耗性に優れている特徴を有することから摺動部材への適用が試みられ、近年では金型や工具などの表面処理へ適用されている。しかしながら、自動車部品などの厳しい摺動環境で使用される摺動部材へのＤＬＣ皮膜の適用はあまり進んでいない。
この理由としては、ＤＬＣ皮膜の基材に対する密着性の確保が難しいことが挙げられる。一般的に、金型や工具の基材としては超硬合金が用いられる場合が多い。この超硬合金はタングステンカーバイト等の安定な炭化物とコバルトとからなる複合合金であり硬度も高いので、その表面にＤＬＣ皮膜を密着性良くコーティングすることが出来る。一方、一般の機械部品や自動車部品の殆どは鉄系材料が使用されており、これら鉄系材料に対するＤＬＣ皮膜の密着性は充分ではなく、摺動部材の使用中に皮膜が剥離するという問題がある。
【０００４】
そこで、ＤＬＣ皮膜と鉄系材料からなる基材との密着性を向上させる方法として、ＤＬＣ皮膜と基材の間に中間層を形成する技術が開示されている。例えば、中間層を複数の金属層から構成し、最表面の中間層を金属と炭素との非晶質層とすることにより、ＤＬＣ皮膜との密着性を向上させる技術が開示されている（特許文献１参照）。この技術において、上記非晶質層の炭素濃度を基材側から表面側に向けて増加させた傾斜組成とすることもできる。又、中間層として、Ti,Cr,Si等の金属の炭化物層を設ける技術が開示されている（特許文献２参照）。
さらに、ＤＬＣ皮膜と基材の間に炭素原子と注入原子との混合層を形成する技術が開示されている（特許文献３参照）。この混合層は、基材上にＤＬＣ皮膜を形成した後、窒素イオン等を注入することにより形成される。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３―１７１７５８号公報（段落００２５、００２７）
【特許文献２】特開２００１―３１６８００号公報
【特許文献３】特開平７―９０５５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した従来技術を用いたとしても、基材とのＤＬＣ皮膜との間の密着性が充分ではなかった。この理由としては、鉄系金属基材の表面に酸化皮膜が形成され易く、この酸化皮膜がＤＬＣ皮膜の密着性を低下させるためと考えられる。ＤＬＣ皮膜を形成する前に上記酸化皮膜を予め除去しておくことが望ましいが、酸化皮膜を完全に除去することは実際には困難である。
特に、上記１）のＰＶＤ法により形成されるＤＬＣ皮膜は薄く、皮膜硬度が高いことから、摺動時にかかる面圧が基材との界面にそのまま伝達されるため、剥離がさらに発生しやすい。従って、上記１）による皮膜を自動車部品などの厳しい摺動条件で用いると、特に内燃機関や動弁系部品のように摺動方向が変化する摺動部材に用いた場合、基材と皮膜との密着性を確保することが困難であった。
従って、本発明の目的は、基材との密着性に優れ、高硬度で耐摩耗性に優れた水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜を有する摺動部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するため、基材と中間層の界面付近に酸化物を多く形成させることにより、中間層表面の酸素濃度を低減してＤＬＣ皮膜との密着性を向上できることに着目した。
すなわち、本発明の摺動部材は、基材と、基材表面に形成された中間層と、前記中間層表面に形成され炭素を主成分とし水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜とを有し、前記中間層の酸素濃度が表面側から前記中間層内部に向かって増加し、かつ炭素濃度が表面側から前記中間層内部に向かって減少している。
【０００８】
前記非晶質硬質炭素皮膜のヤング率が６０ＧＰａ以上であることが好ましく、前記中間層および前記非晶質硬質炭素皮膜が真空アーク蒸着法により形成されていることが好ましい。
前記中間層が１００℃における酸化物の標準生成自由エネルギーが−６００ｋJ以下の金属層からなることが好ましく、前記中間層がＳｉ、Ｔｉ、及びＣｒの群から選ばれた１種又は２種以上を含む金属層からなることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基材との密着性に優れ、高硬度で耐摩耗性に優れた水素含有量が５ａｔ％以下の非晶質硬質炭素皮膜を有する摺動部材が得られる。そのため、例えば自動車などの内燃機関の動弁部品であるバルブリフター及びシム、内燃機関の部品であるピストンリング及びコンプレッサー、並びに油圧ポンプ用のベーン等、高面圧下で使用され耐久性を要求される摺動部材に本発明を好適に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態について説明する。
図１は本発明の実施形態に係る摺動部材の断面を示す模式図である。基材１の表面に中間層２が形成され、中間層２の表面に非晶質硬質炭素皮膜（ＤＬＣ皮膜）３が形成されている。
【００１１】
<基材>
本発明の摺動部材の基材は特に制限されないが、例えば各種の金属や合金を用いることができる。特に、後述するように酸化皮膜が形成され易い鉄系材料を基材に用いる場合に本発明がさらに有効である。鉄系材料としては、例えば鋼、ステンレス鋼、各種合金鋼等を用いることができる。例えば、ＪＩＳ規格でＳＣＭ４１５などの浸炭材の他、ＳＫＤ１１、ＳＫＨ５１、ＳＵＪ−２等の鉄系材料を使用することができる。
【００１２】
<中間層>
中間層は、基材と非晶質硬質炭素皮膜との間に形成される。
（中間層の酸素濃度）
基材として各種の金属や合金を用いる場合（特に鉄系材料を用いる場合）、基材が大気中に放置されると表面が酸化され、酸化皮膜が形成される。この酸化皮膜はＤＬＣ皮膜の密着性を低下させるため、ＤＬＣ皮膜を形成する前に上記酸化皮膜を予め除去しておくことが望ましいが、酸化皮膜を完全に除去することは実際には困難である。
そこで、中間層の酸素濃度を表面側（ＤＬＣ皮膜側）から中間層内部に向かって増加させ、基材と中間層の界面付近に酸化物を多く形成させることにより、中間層表面の酸素濃度を低減してＤＬＣ皮膜との密着性を向上することができる。つまり、このようにすると、基材表面の酸化皮膜に由来する酸化物が基材と中間層の界面付近に固定化されるので、中間層表面の酸素濃度が低減する。
【００１３】
中間層表面の酸素濃度は５ａｔ％以下であることが望ましい。中間層表面の酸素濃度はオージェ分析やＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）などによるデプスプロファイルから測定することができる。
なお、中間層の酸素濃度を層方向に段階的又は連続的に変化させた傾斜組成とすることが好ましい。このようにすると、中間層の膜特性が急激に変化することがなく、応力集中による剥離等が防止される。
【００１４】
（中間層の炭素濃度）
さらに、中間層の炭素濃度を表面側（ＤＬＣ皮膜側）から中間層内部に向かって減少させる。この場合、中間層の表面側の炭素濃度を好ましくは１×１０１７atoms/cm3〜１×１０２０atoms/cm3に保つことで、ＤＬＣ皮膜と中間層との親和性を高め、両者の密着性を向上させることができる。また、中間層表面には炭化物や非晶質炭素層が形成されるため、表面硬度が増加する。そのため、中間層の表面に形成される高硬度のＤＬＣ皮膜との硬度の差が小さくなり、両者の密着性向上に寄与する。
中間層の炭素濃度を制御する方法としては、例えば、中間層形成後に中間層表面側から内部に向かって炭素イオンを照射する（イオン注入する）ことにより行うことができる。これにより、カーボンイオンが中間層表面から内部に侵入し、中間層表面付近にカーボン濃度の高い部分が形成される。
【００１５】
中間層の酸素濃度及び炭素濃度の分布はＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）法などにより測定することができる。
【００１６】
（中間層の形成）
【００１７】
中間層は、例えば各種金属又は合金の層から形成することができる。特に、基材表面の酸化層と反応して安定な酸化物を形成させるため、中間層として、１００℃における酸化物の標準生成自由エネルギー（G）が−６００ｋJ以下の金属からなる層を用いることが好ましく、特にＳｉ、Ｔｉ、及びＣｒの群から選ばれた１種又は２種以上の成分からなる層を用いることが好ましい。このような金属又は元素は容易に酸化物を形成するため、基材との界面に安定な酸化物を形成し、酸素を基材表面付近に固定化することができる。
中間層は、例えば真空蒸着法、スパッタ蒸着法、真空アーク蒸着法、イオンプレーティング法、及び各種ＣＶＤ法など公知の方法を用いて形成することができる。これらの中でもイオンプレーティング法、スパッタ蒸着法を用いることが好ましく、特に真空アーク蒸着法を用いると、原料のイオン化率が高く、イオンの基材への打ち込み効果などにより、中間層と基材との間の密着力が向上するため最も好ましい。
【００１８】
中間層の厚みは、例えば５ｎｍ〜３００ｎｍとすることができる。
また、中間層金属の密度は基材の密度より小さいことが好ましい。例えば、鉄系基材の場合、鉄の密度は７．８６であるが、これより低密度な材料を中間層材料として使用すると、後述する炭素イオン照射による注入効果が得やすくなり、中間層表面の炭素濃度を高くしやすくなる。
【００１９】
中間層の酸素濃度を表面側から中間層内部に向かって増加させる方法としては以下がある。例えばスパッタ蒸着法や真空アーク蒸着法を中間層の形成に用いる場合、中間層を形成する前に基材を設置した真空チャンバー内の到達真空度を低真空として残留水分を多くし、基材表面を酸化しやすくする。これにより、基材と中間層の界面の酸素濃度を高くすることができる。この時、基材と中間層界面に存在する酸素は中間層の成分（金属等）と反応して安定な酸化物を形成する。その後、中間層の成膜が進むにつれて、真空チャンバー内の酸素が消費され、中間層の酸素濃度は低下する。
また、中間層形成前の基材のクリーニング処理時の雰囲気ガス（Ａｒガス等）の圧力を低く設定することによって、残留水分の影響を顕著にすることも可能である。さらに、中間層形成時の真空チャンバー内の雰囲気ガスの圧力やカソードへの印加電力を調整することにより、酸素濃度を制御することもできる。
【００２０】
中間層の酸素濃度及び炭素濃度の分布を以上のように規定することにより、第１に、基材表面の酸素が中間層と反応して酸化物となるために基材と中間層の密着性が向上する。第２に、基材表面の酸素が中間層との界面に固定化され、中間層表面の酸化物が少ないため、中間層とＤＬＣ皮膜との密着性が向上する。第３に、中間層表面にはＤＬＣ皮膜と親和性の高い炭化物や非晶質炭素層が形成されるため、中間層とＤＬＣ皮膜との密着性がさらに向上する。
【００２１】
<非晶質硬質炭素皮膜（ＤＬＣ皮膜）>
ＤＬＣ皮膜は中間層の表面に形成され、水素含有量が５ａｔ％以下である。ＤＬＣ皮膜の水素含有量は２ａｔ％以下であることが好ましい。ＤＬＣ皮膜は、好ましくはＰＶＤ法により形成され、より好ましくは真空アーク蒸着法により形成される。ＣＶＤ法によって形成したＤＬＣ皮膜は水素含有量が５ａｔ％を超えるため、硬度が低く、耐摩耗性が不充分となる可能性がある。
スパッタリング法（スパッタ蒸着法）によっても水素含有量が５ａｔ％以下のＤＬＣ皮膜を形成することは可能である。しかし、この方法は真空アーク蒸着法に比べてイオン化率が低く、カーボンイオンの照射効率が低くなるため、イオン化率の高い真空アーク蒸着法をカーボンイオン源として用いることが好ましい。真空アークからのカーボンの約７０％がイオン化されており、イオン化したカーボンの９６〜９８％は１価イオンであるが、残りは２価イオンであるとされている。又、パルス真空アーク源では２価イオンの比率がさらに増加することが知られている。このような多価イオン比率の高いカーボンイオン源を利用することにより、低いバイアス電圧でも高い照射効果を得ることができる。
【００２２】
ＤＬＣ皮膜中の水素濃度はＨＦＳ（Hydrogen Forward Scattering）法により求めることができる。また、ＤＬＣ皮膜の硬度（ナノインデンター硬度）およびヤング率は、ナノインデンテーション法（例えば東洋テクニカ株式会社製のナノインデンター）を用いて求めることができる。
好ましくは、ＤＬＣ皮膜のヤング率が６０ＧＰａ以上であると、応力が負荷された時の皮膜の歪みを低減することができ、皮膜の欠けや剥離が起こり難くなるため、より高い密着性を得ることができる。
【００２３】
ＤＬＣ皮膜のナノインデンテーション硬度を２０ＧＰa〜７０ＧＰaとし、ＤＬＣ皮膜の厚さを０．５μｍ〜５μｍとすることが好ましい。
【実施例】
【００２４】
以下、本発明の実施例についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２５】
<実施例１−１>
摺動部材の基材１としてＳＵＳ４４０Ｃを使用し、図１に示す皮膜構造を形成した。基材１を予めアセトン、イソプロピルアルコールで超音波洗浄した後、真空チャンバー内の基板ホルダーに基材を取り付けた。次に、基材１を加熱しながら真空チャンバー内を所定の真空度まで排気したのち、Ａｒガスによるクリーニング処理を行い、基材表面を清浄化した。この時、到達真空度を低真空とし、真空チャンバー内の残留水分の影響を受けやすくすることにより、基材と中間層の界面の酸素濃度を高くするようにした。また、クリーニング処理時のＡｒガス圧を低めに設定し、残留水分の影響を顕著にした。
次に、Ｃｒターゲットを基材１表面にスパッタリングしてＣｒ中間層２を形成した。中間層形成中は真空チャンバー内に酸素を供給しなかった。
次に、Ｃｒ中間層２が形成された基材１に数１００Ｖの負のバイアス電圧を印加し、カーボンイオン照射（カーボンボンバード）により、Ｃｒ中間層２の表面に高濃度炭素層を形成した。引き続いてバイアス電圧を数１０Ｖ程度に下げ、非晶質硬質炭素皮膜３を形成し、実施例１−１の試料を得た。なお、数１００Ｖの高バイアス電圧を印加すると中間層表面にカーボンイオンの一部が侵入し、高濃度炭素層を形成することを別途確認した。又、低バイアス電圧にすると、カーボンイオンが中間層に侵入せずに中間層表面に堆積してＤＬＣ皮膜を形成することも別途確認した。
ＨＦＳ分析により非晶質硬質炭素皮膜３中の水素含有量を測定したところ、最表面で４ａｔ％程度、皮膜内部では１ａｔ％以下であった。
【００２６】
<実施例１−２>
中間層の形成用ターゲットとしてＴｉを用いたこと以外は、実施例１−１とまったく同様にして実施例１−２の試料を作製した。
【００２７】
<実施例１−３>
中間層の形成用ターゲットとしてＳｉを用いたこと以外は、実施例１−１とまったく同様にして実施例１−２の試料を作製した。
【００２８】
<実施例２>
実施例１−１と同一の基材について同様の手順で洗浄、真空チャンバー内への設置を行い、基材を加熱しながら真空チャンバー内を所定の真空度まで排気した。その後、基材に数１００Ｖの負のバイアス電圧を印加し、Ｃｒカソードを装着した真空アーク源によるＣｒイオンボンバードにより基材表面をクリーニングした。その後、バイアス電圧を下げてＣｒ中間層を基材上に形成した。
次に、実施例１−１とまったく同様にして中間層表面にカーボンイオン照射を行った後に非晶質硬質炭素皮膜を形成し、実施例２の試料を作製した。
【００２９】
<比較例１−１>
Ｃｒ中間層２の表面にカーボンイオン照射を行わなかったこと以外は、実施例１−１とまったく同様にして比較例１−１の試料を作製した。
【００３０】
<比較例１−２>
Ｔｉ中間層２の表面にカーボンイオン照射を行わなかったこと以外は、実施例１−２とまったく同様にして比較例１−２の試料を作製した。
【００３１】
<比較例１−３>
Ｓｉ中間層２の表面にカーボンイオン照射を行わなかったこと以外は、実施例１−３とまったく同様にして比較例１−３の試料を作製した。
【００３２】
<比較例１−４>
中間層の形成用ターゲットとしてＦｅを用いたと共に、中間層２の表面にカーボンイオン照射を行わなかったこと以外は、実施例１−１とまったく同様にして比較例１−４の試料を作製した。
【００３３】
<比較例１−５>
中間層形成の間、雰囲気中に酸素を添加したこと以外は、実施例１−２とまったく同様にして比較例１−５の試料を作製した。
【００３４】
<比較例２−１>
Ｃｒカソードの代わりにＷカソードを用いて中間層を形成したと共に、中間層２の表面にカーボンイオン照射を行わなかったこと以外は、実施例２とまったく同様にして比較例２−１の試料を作製した。
【００３５】
<比較例２−２>
中間層形成の間、雰囲気中に酸素を添加したこと以外は、実施例２とまったく同様にして比較例２−２の試料を作製した。
【００３６】
<比較例３>
基材としてＳＣＭ４２０浸炭材（表面炭素濃度１〜２ａｔ％程度）を使用し、実施例１−１と同様の手順で洗浄、真空チャンバー内への設置を行い、基材を加熱しながら真空チャンバー内を所定の真空度まで排気した。その後、基材に数１００Ｖの負のバイアス電圧を印加し、Ｃｒカソードを装着した真空アーク源によるＣｒイオンボンバードにより基材表面をクリーニングした。その後、中間層を形成せず、カーボンイオン照射を行わなかったこと以外は、実施例１−１とまったく同様にして比較例３の試料を作製した。
【００３７】
<評価>
１．中間層の酸素濃度及び炭素濃度の測定
ＳＩＭＳ分析により、試料のデプスプロファイルを測定した。図２、図３は実施例１−１の試料の皮膜のデプスプロファイルを示す。図２から明らかなように、中間層の酸素濃度は、表面から内部に向かって増加し、内部側（基材側）で最大の濃度となっていることが確認できた。一方、中間層の炭素濃度は、表面側で最大となり、内部に向かって減少していることが確認できた。
又、図３に対応する実施例１−１と比較例１−５の試料のデプスプロファイルの縦軸（酸素濃度）を相対比較したところ、実施例１−１に比べて比較例１−５の中間層表面の酸素濃度が約５倍高いことが判明した。
【００３８】
２．密着性の評価
２−１．ロックウェル圧痕試験
ロックウェル硬度計（Ｃスケール、ダイヤモンド圧子、荷重：１．４７×１０７Ｐａ（１５０ｋｇｆ））を用い、各試料の表面に圧痕を付けた。圧痕周辺部の剥離状態を光学顕微鏡により観察し、以下の基準で評価した。
○：皮膜の剥離が見られない
×：皮膜の剥離が見られる
２−２．スクラッチ試験
ダイヤモンド圧子（先端径２００μｍ）を使用し、負荷速度１００Ｎ／分、スクラッチ速度１０ｍｍ／分で各試料の表面をスクラッチし、皮膜の剥離開始荷重を測定した。測定機はＣＳＥＭ社製のＲＥＶＥＴＥＳＴを用いた。
２−３．実機試験
本発明の摺動部材として、実機のエンジンのピストンリングおよびバルブリフターに上記各実施例及び比較例の皮膜構造を成膜し、実機のエンジンに組み込んで摺動試験（エンジンの運転）を行った。試験条件は、ピストンリングの場合には実機エンジンで１０時間の運転を行い、バルブリフターの場合は実機ヘッドを用いて１００時間の耐久試験を行って、以下の基準で評価した。
○：試験後に皮膜の剥離が見られない
×：試験後に皮膜の剥離が見られる
【００３９】
３．硬度の測定
ナノインデンテーション（ダイヤモンド型の三角錐型鋭角圧子（バーコビッチ圧子）を用いた超微小硬度計であり、超低荷重で圧子を押込んだ時の押込み量を測定して硬度およびヤング率を求めるもの）により、各試料の厚み方向の皮膜硬度（ナノインデンター硬度）およびヤング率を測定した。ナノインデンターは、ＭＴＳシステムズ社製のＮａｎｏＩｎｄｅｎｔｅｒを用いた。
図４は実施例１−１と比較例２−１の試料について、ナノインデンテーションによる押し込み深さと硬度の関係を測定したグラフである。実施例１−１の場合、Ｃｒ中間層表面へカーボンイオンを照射した効果により、ＤＬＣ皮膜と中間層の界面領域の硬度が増加していることが確認された。
【００４０】
以上の結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
2006250348.tif 000003
【００４２】
表１から明らかなように、各実施例の場合、密着性の評価に優れ、実機のエンジンを用いた場合も皮膜が剥離しなかった。
【００４３】
一方、カーボンイオン照射を行わなかったため、中間層表面に炭化物が形成されなかった比較例１−１〜１−３、比較例２−１の場合、実機での密着性の評価が劣った。
又、中間層として基材と同じ材料（Ｆｅ）を用いたと共に、カーボンイオン照射を行わなかったため、中間層表面に炭化物が形成されなかった比較例１−４の場合、密着性の評価がいずれも劣った。
中間層として基材と同じ材料（Ｆｅ）を用いたと共に、カーボンイオン照射を行わなかったため、中間層表面に炭化物が形成されなかった比較例１−４の場合、密着性の評価がラボ評価と実機評価のいずれも劣った。
【００４４】
中間層形成の間、雰囲気中に酸素を添加したため、中間層表面の酸素濃度が実施例に比べて高くなった比較例１−５、比較例２−２の場合、密着性の評価がラボ評価と実機評価のいずれも劣った。
中間層を形成しなかった比較例３の場合、密着性の評価がラボ評価と実機評価のいずれも劣った。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態に係る摺動部材の断面を示す模式図である。
【図２】実施例１−１の試料の皮膜のデプスプロファイルを示す図である。
【図３】実施例１−１の試料の皮膜のデプスプロファイルを示す別の図である。
【図４】実施例の試料のナノインデンテーションによる押し込み深さと硬度の関係を測定したグラフを示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１          基材
２          中間層
３          非晶質硬質炭素皮膜
【図１】
2006250348.tif 000004
【図２】
2006250348.tif 000005
【図３】
2006250348.tif 000006
【図４】
2006250348.tif 000007