(57)【要約】【課題】本発明は横電界方式液晶表示装置で配向膜にラビング処理をした後に配向膜全面に光照射またはイオンビーム照射をして配向膜のプリチルト角を減らして視野角特性を改善する。【解決手段】本発明による横電界方式液晶表示装置は、第１基板及び第２基板と；前記第１基板上に相互に縦横に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成された薄膜トランジスタと；前記画素領域で所定間隔離隔されて互い違いに形成された画素電極及び共通電極と；前記画素電極及び共通電極上にプリチルト角が１゜を越えないように処理された配向膜と；前記第１、２基板間に形成された液晶層を含んで構成されたことを特徴とする。【選択図】図５
2006018231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び第２基板と；
前記第１基板上に相互に縦横に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；
前記第1基板上で、前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成された薄膜トランジスタと；
前記第１基板上で、前記画素領域で所定間隔離隔されて互い違いに形成され、横方向電界を生成する画素電極及び共通電極と；
前記画素電極及び共通電極上にプリチルト角が１゜を越えないように処理された配向膜と；
前記第１、２基板間に配置された液晶層を含んで構成されたことを特徴とする横電界方式液晶表示装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタはゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を間に置いて形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース及びドレイン電極を含んで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の横電界方式液晶表示装置。
【請求項３】
前記配向膜はポリイミドで構成されたことを特徴とする横電界方式液晶表示装置。
【請求項４】
第１基板上に水平方向で相互に所定間隔離隔してゲート配線と共通配線を形成する段階と；
前記ゲート配線と垂直方向でデータ配線を形成する段階と；
前記データ配線に平行する複数個の共通電極を形成して、前記共通電極と互い違いに交差する画素電極を形成する段階と；
前記画素電極を含む第１基板上に第１配向膜を形成する段階と；
前記第１配向膜はラビング工程を利用して一次配向処理する段階と；
前記ラビングされた第１配向膜全面に所定量のエネルギーを有するビームを照射して２次配向処理する段階と；
前記第１基板に対向した第２基板上にカラーフィルター層及びブラックマトリックスを形成する段階と；
前記第２基板上に第２配向膜を形成する段階と；
前記第２配向膜はラビング工程を利用して一次配向処理する段階と；
前記ラビングされた第１配向膜全面に所定量のエネルギーを有するビームが照射されて２次配向処理する段階と；
前記第１、２基板間に液晶層を配置する段階とからなり、
前記液晶層の第１と第２の配向膜に対するプレチルト角が１°以下である横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記一次配向処理する段階において、
前記第１、２配向膜は前記液晶層に対し１．５°〜５°にプリチルト角が形成されることを特徴とする請求項４に記載の横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記２次配向処理する段階において、
前記エネルギーの所定量は０．５（Ｊ／cm2）以上である請求項４に記載の横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記２次配向処理する段階において、
前記所定量のエネルギーを有するビームは線偏光、部分偏光、非偏光された光であることを特徴とする請求項４に記載の横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記２次配向処理する段階において、
前記所定量のエネルギーを有するビームはイオンビーム、プラズマビーム、電子ビームであることを特徴とする請求項４に記載の横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記所定量のエネルギーは２Ｊ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項４に記載の横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ビームは第１、２基板に垂直または傾斜するように照射されることを特徴とする請求項４に記載の横電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
液晶表示装置用の第１の基板上に形成された配向膜を配向処理する方法であって、該第１の基板上には横方向電界を生成するための共通電極と画素電極とが配置され、そして該共通電極と画素電極上に該配向膜が形成されている、方法において、
該配向膜をラビング処理し、そして
ラビング処理された配向膜に、光、イオンビーム、プラズマビーム又は電子ビーム、又はそれらの組合せのエネルギーを照射する方法。
【請求項１２】
液晶がその間に配置される第１と第２の基板とからなり、該第１の基板上に横方向電界を生成するための共通電極と画素電極とが形成され、そして該共通電極と該画素電極上に配向膜が形成されている横方向電界方式液晶表示装置の製造方法において、
該第１の基板上の第１の配向膜にラビング処理をし、そしてラビング処理された第１の配向膜に光、イオンビーム、プラズマビーム、又は電子ビーム又はそれらの組合せのエネルギーを照射する第１の配向膜処理をし、
該第１の配向膜処理された第１の配向膜を有する第１の基板と、液晶層をその間に配置して、第２の基板とを合体させることからなり、
該第１と第２の間に配置された液晶層の該第１の配向膜に対するプレチルト角が１°以下である横方向電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記エネルギーを照射する前のラビング処理された第１の配向膜は、前記液晶層の該第１の配向膜に対するプレチルト角が１．５°〜５°であるよう、前記ラビング処理は行なわれる請求項１２の横方向電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の基板上の第２の配向膜にラビング処理をし、そしてラビング処理された第２の配向膜に、光、イオンビーム、プラズマビーム又は電子ビーム又はそれらの組合せのエネルギーを照射する第２の配向膜処理をし、
該第１の配向膜処理された第１の配向膜を有する第１の基板と、液晶層をその間に配置して、該第２の配向膜処理された第２の配向膜を有する第２の基板とを合体させることを含み、
該第１と第２の間に配置された液晶層のそれぞれ該第１と第２の配向膜に対するプレチルト角が１°以下である請求項１２又は１３の横方向電界方式液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
照射された前記エネルギーの量は、０．５（Ｊ／cm2）以上である請求項１２、１３又は１４の横方向電界方式液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に水平電界により液晶を駆動する横電界方式（ＩＰＳ：Ｉｎ  ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｍｏｄｅ）液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、画像情報を画面に示すディスプレー装置のうちからブラウン管表示装置（あるいはＣＲＴ）がいままで最も多く使われてきたが、これは表示面積に比べて体積が大きくて重いため使うのに多くの不便さがあった。
【０００３】
そして、今日では電子産業の発達と共にＴＶブラウン管などに制限的に使われてきたディスプレー装置が個人用コンピューター、ノートブック、無線端末機、自動車計器板、電光板などにまで拡大使用されて、情報通信技術の発達と共に大容量の画像情報を伝送できるようになるによってこれを処理して具現することができる次世代ディスプレー装置の重要性が大きくなっている。
【０００４】
このような次世代ディスプレー装置は軽薄短小、高輝度、大画面、低消費電力及び低価格化を実現できなければならないが、そのうち一つで最近に液晶表示装置が注目を集めている。
【０００５】
前記液晶表示装置（ＬＣＤ）は表示解像度が他の平板表示装置より優れていて、動画像を具現する時その品質がブラウン管に比べる程応答速度が速い特性を示している。
【０００６】
現在主に使われている液晶表示装置のうち一つでツイストネマティック（ＴＮ）方式の液晶表示装置を挙げることができる。前記ツイストネマティック方式は両基板にそれぞれ電極を設置して液晶方向子が９０゜ツイストされるように配列した次に電極に電圧を加えて液晶方向子を駆動する方式である。
【０００７】
しかし、前記ＴＮ方式液晶表示装置は視野角が狭いという大きい短所がある。
【０００８】
それで、最近に前記狭い視野角問題を解決するためにいろいろ新しい方式を採用した液晶表示装置に対する研究が活発に進行しているが、前記方式として横電界方式（ＩＰＳ）またはＯＣＢ方式（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  ｂｉｒｅｆｒｉｇｅｎｃｅ  ｍｏｄｅ）などがある。
【０００９】
このなかに前記横電界方式液晶表示装置は液晶分子を基板に対して水平を維持した状態で駆動させるために２個の電極を同一な基板上に形成して、前記２個の電極間に電圧を印加して基板に対して水平方向に電界を発生させる。すなわち、液晶分子の長軸が基板に対して立ち上がらなくなる。
【００１０】
このため、視覚方向に対した液晶の複屈折率の変化が小さくて従来のＴＮ方式液晶表示装置に比べて視野角特性がはるかに優秀である。
【００１１】
以下、添付した図面を参照にして従来技術による横電界方式液晶表示装置の構造を具体的に説明する。
【００１２】
図１Ａ及び図１Ｂは一般的な横電界方式液晶表示装置のオフ、オン状態の動作をそれぞれ示した断面図である。
【００１３】
図１Ａでは、オフ状態で水平電界が印加されないので液晶層２１１の動きがない状態である。
【００１４】
図１Ｂでは、電圧が印加されたオン状態での液晶の配列状態を示した図面であって、前記共通電極２１７及び画素電極２３０と対応する位置の液晶２１１ａの相変移はないが、共通電極２１７と画素電極２３０間の区間に位置した液晶２１１ｂは前記共通電極２１７と画素電極２３０間に電圧が印加されることによって形成される水平電界Ｋによって前記水平電界Ｋと同じ方向に配列するようになる。
【００１５】
すなわち、前記横電界方式液晶表示装置は液晶が水平電界により移動するので視野角が広くなる特性がある。
【００１６】
図２は一般的な横電界方式液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。
【００１７】
図２を参照すると、先に、横電界方式液晶表示装置の上、下基板を製作する（Ｓ１００）。
【００１８】
そして、多くのパターンが形成された基板上の異物を除去するために洗浄工程（Ｓ１１０）を行って、配向膜印刷装置を利用して基板上面に配向膜原料液であるポリイミドを印刷する配向膜印刷工程（Ｓ１２０）を経る。
【００１９】
次に、前記配向膜原料液に高温の熱を加えて溶媒を乾燥させて硬化させる配向膜焼成工程（Ｓ１３０）を行う。
【００２０】
続いて、ラビング装置を利用して焼成処理された配向膜表面を一定な方向にこすって溝を作ってくれる配向膜ラビング工程（Ｓ１４０）を経る。
【００２１】
前記の配向膜形成工程が終わった後には、上部基板の縁に接着剤役割をするシールパターンを液晶注入口を除外したのこり領域に形成させて、下部基板にボールスペーサーを散布する（Ｓ１５０）。
【００２２】
次に、前記両基板を対向合着させるが、与えられたマージンを外れると光が漏れるようになるので普通数マイクロメーター（μｍ）程度の精密度が要求される（Ｓ１６０）。
【００２３】
そして、前記のように対向合着された基板を単位セルに切断するセル切断工程を経るようになるが（Ｓ１７０）、前記セル切断工程は完全に合着された両基板を必要な大きさに切断するためのことであって、上、下部基板表面にラインを形成するスクライブ工程とスクライブされたラインに衝撃を与えて基板を分離するブレーク工程で構成される。
【００２４】
最終的に、前記単位セルに切断された両基板間に液晶を注入して液晶が流れ出ないように液晶注入口を封じすると希望する液晶表示装置が完成される（Ｓ１８０）。
【００２５】
ここで、液晶の物理的特性は分子配列状態により変わって、これにより電界などの外力に対する応答にも差が生じる。
【００２６】
前記のような液晶分子の性質のため液晶分子の配列制御は液晶物性の研究にはもちろん液晶表示装置の構成上でも必須的な技術である。
【００２７】
特に、液晶分子が一定な方向に均一するように配向されることができるようにするラビング工程は液晶ディスプレーの正常的な駆動と画面の均一なディスプレー特性を決定する重要な要素でこれに対する多くの研究が進められてきた。
【００２８】
ここで、従来液晶分子の初期配列方向を決定するための配向膜形成過程に対してさらに詳細に説明すると次のようである。
【００２９】
先に、配向膜の形成は高分子薄膜を塗布して配向膜を一定な方向に配列させる工程で構成される。
【００３０】
前記配向膜には一般的にポリイミド系列の有機物質が主に使われて、前記配向膜を配列させる方法としては主にラビング方法が利用されている。
【００３１】
このようなラビング方法は先に基板上にポリイミド系列の有機物質を塗布して、６０〜８０℃程度の温度で溶剤を飛ばして整列させた後、８０〜２００℃程度の温度で硬化させてポリイミド配向膜を形成した後、ベルベットなどを巻いたラビング布を利用して前記配向膜を一定な方向にこすってくれることによって配向方向を形成させる方法である。
【００３２】
このようなラビングによる方法は配向処理が容易で大量生産に適合して、安定した配向をすることができる長所がある。
【００３３】
しかし、前記ラビング方法はラビング処理時に欠陥があるラビング布が付着されたローラを用いる場合にはラビングの不良が生じるようになる。
【００３４】
すなわち、前記のようなラビング布を利用したラビング方法は配向膜とラビング布の直接的な接触を介して行われるのでホコリ発生による液晶セルの汚染、静電気発生によってあらかじめ基板に設置されたＴＦＴ素子の破壊、ラビング後の追加的な洗浄工程の必要、大面積適用時の配向の非均一性等のようないろいろ問題点が発生するようになって液晶表示装置の製造時収率を落とす問題点がある。
【００３５】
また、ＴＮ方式の液晶表示装置と違って横電界方式液晶表示装置は小さい値のプリチルト角を必要とする。
【００３６】
その理由は横電界方式液晶表示装置はＴＮ方式の液晶表示装置に比べてすべての視野角でグレーレベルによるリターデーション（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ）の変化が小さいため視野角は向上されるが、プリチルト角の値が大きい場合には方向による視野角の非対称性が生じるようになる問題点があるからである。
【００３７】
しかし、一般的に使われるポリイミドなどの配向膜にラビング処理のみをして配向膜を形成するとプリチルト角の値が大きくて（例えば１．５°〜５°）液晶の配向安定性を確保することができなくなって視野角の非対称性が発生する問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
本発明は横電界方式液晶表示装置でラビング処理をした配向膜基板全面にＵＶ照射またはイオンビーム照射方法を利用して基板全面に後処理することによって配向膜のプリチルト角を減らして視野角特性を改善させた横電界方式液晶表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００３９】
前記した目的を達成するために本発明による横電界方式液晶表示装置は、第１基板及び第２基板と；前記第１基板上に相互に縦横に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成された薄膜トランジスタと；前記画素領域で所定間隔離隔されて互い違いに形成された画素電極及び共通電極と；前記画素電極及び共通電極上にプリチルト角が１゜を越えないように処理された配向膜と；前記第１、２基板間に形成された液晶層を含んで構成されたことを特徴とする。
【００４０】
また、前記目的を達成するために本発明による横電界方式液晶表示装置の配向膜処理方法及び製造方法は、第１基板上に水平方向で相互に所定間隔離隔してゲート配線と共通配線を形成する段階と；前記ゲート配線と垂直方向でデータ配線を形成する段階と；前記データ配線に平行する複数個の共通電極を形成して、前記共通電極と互い違いに交差する画素電極を形成する段階と；前記画素電極を含む第１基板上に第１配向膜を形成する段階と；前記第１配向膜はラビング工程を利用して一次配向処理する段階と；前記ラビングされた第１配向膜全面に所定量のエネルギーを有するビーム（ｂｅａｍ）が照射されて２次配向処理する段階と；前記第１基板に対向した第２基板上にカラーフィルター層及びブラックマトリックスを形成する段階と；前記第２基板上に第２配向膜を形成する段階と；前記第２配向膜はラビング工程を利用して一次配向処理する段階と；前記ラビングされた第１配向膜全面に所定量のエネルギーを有するビームが照射されて２次配向処理する段階と；前記第１、２基板間に液晶層を形成する段階を含んで構成されることを特徴とする。
【００４１】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置製造方法は、
【００４２】
薄膜トランジスタと画素電極を具備した第１基板を形成する段階と；前記第１基板と対向して、ブラックマトリックスとカラーフィルター層を具備した第２基板を形成する段階と；前記第１基板と第２基板上に配向膜を形成して、第１配向処理と第２配向処理を次々と進行する段階；及び
【００４３】
前記配向処理した第１基板と第２基板を合着して、液晶を注入する段階を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００４４】
本発明は横電界方式液晶表示装置で配向膜にラビング処理をした後に配向膜全面に光照射またはイオンビーム照射をして配向膜のプリチルト角を減らして視野角特性を改善する効果がある。更に、段落［００３３］で説明した不均一性が改善される。
【００４５】
また、本発明はラビングを実施した配向膜に光照射時に非偏光された光を照射することができて別途の偏光装備なく希望するプリチルト角を確保することができて工程が簡単で製造費用を節減する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、添付した図面を参照にして本発明による横電界方式液晶表示装置に対して具体的に説明する。
【００４７】
図３は本発明による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を示す平面図であって、図４Ａないし図４Ｅは本発明の工程順序によって図示した工程順序図である。
【００４８】
図３に示したように、本発明による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板３１０は所定間隔離隔されて平行するように一方向に構成された複数のゲート配線３１２と、前記ゲート配線３１２に近接して平行するように一方向に構成された共通配線３１６と、前記両配線と交差して特にゲート配線３１２とは画素領域Ｐを定義するデータ配線３２４が構成される。
【００４９】
前記ゲート配線３１２とデータ配線３２４の交差地点にはゲート電極３１４と半導体層（図４Ａで３２７参照）とソース電極３２６及びドレイン電極３２８を含む薄膜トランジスタＴが構成され、前記ソース電極３２６は前記データ配線３２４と連結されて、前記ゲート電極３１４は前記ゲート配線データ配線３２４と連結される。
【００５０】
前記画素領域Ｐの上部には前記ドレイン電極３２８と連結される画素電極３３０と、前記画素電極３３０と平行するように構成されて前記共通配線３１６と連結される共通電極３１７が構成される。
【００５１】
前記画素電極３３０は前記ドレイン電極３２８から延長されてデータ配線３２４と平行するように形成されていて相互に所定間隔離隔された複数の垂直部３３０ｂと、前記共通配線３１６の上部で垂直部３３０ｂを一つに連結する水平部３３０ａで構成される。
【００５２】
前記共通電極３１７は前記共通配線３１６で下へ垂直に延長されて、前記画素電極３３０の垂直部３３０ｂと平行するように互い違いに構成される複数の垂直部３１７ｂと、前記各垂直部３１７ｂを一つに連結する水平部３１７ａで構成される。
【００５３】
この時、前記画素電極３３０の水平部３３０ａは共通配線３１６の水平部３１７ａ上の一部にゲート絶縁膜（図４Ａで３１９参照）を間に介して形成されており、前記共通配線３１６と共にストレージキャパシターＣを構成する。
【００５４】
ここで、前記データ配線３２４、画素電極３３０、共通電極３１７はその曲がる数が一つ以上であるジグザグ（ｚｉｇｚａｇ）構造で形成されることも可能である。
【００５５】
このように構成される横電界方式液晶表示装置の製造方法を説明すると次のようである。
【００５６】
図４Ａに示したように、アレイ基板３１０上に信号遅延の防止のために低い抵抗率を有する低抵抗金属を蒸着した後ホトリソグラフィ方法でパターニングして、前記ゲート配線３１２と薄膜トランジスタのゲート電極３１４を形成する。
【００５７】
前記低抵抗金属としては銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン−タングステン(ＭｏＷ)などを用いる。
【００５８】
前記ゲート配線３１２及びゲート電極３１４を形成する時、前記ゲート配線３１２と平行する共通配線（図３の３１６参照）及び前記共通配線３１６から分岐する複数個の共通電極３１７を同時に形成する。
【００５９】
続けて、前記ゲート配線３１２を含んだ全面にシリコーン窒化物（ＳｉＮｘ）またはシリコーン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質をＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法などで蒸着してゲート絶縁膜３１９を形成する。
【００６０】
そして、前記ゲート絶縁膜３１９上に非晶質シリコーンなどの物質を蒸着して選択的に除去して前記ゲート電極３１４上部のゲート絶縁膜３１９上にアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形態で半導体層３２７を形成する。
【００６１】
この時、図示しなかったが、前記非晶質シリコーンに不純物イオンを注入したオーミックコンタクト層をさらに形成してパターニングすることができる。
【００６２】
そして、図４Ｂに示したように、前記ゲート絶縁膜３１９上部の全面にＣｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、ＭｏＷ、Ａｌ合金などの金属を蒸着した後フォトエッチング技術でパターニングして、前記ゲート配線３１２と垂直方向に交差されて画素領域を定義するデータ配線３２４を形成して、前記データ配線３２４と同時に前記半導体層３２７両端にそれぞれ配置されるソース電極及びドレイン電極３２６、３２８を形成する。
【００６３】
そして、前記データ配線３２４を含んだアレイ基板３１０全面にシリコーン窒化膜または有機絶縁膜であるＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）を塗布して保護膜３３８を形成して、前記ドレイン電極３２８にコンタクトホール（図示せず）を形成する。
【００６４】
そして、全面に透明導電物質であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）を利用して透明導電膜を蒸着してパターニングして前記ドレイン電極３２８と連結されて前記データ配線３２４と平行しながら前記共通電極３１７間に位置されて前記共通電極３１７と相互に交番されるように複数の画素電極３３０を形成する。
【００６５】
ここで、前記画素電極３３０を金属物質で形成する場合、図面に示さなかったが、前記保護膜３３８を形成する前に前記データ配線３２４と同一物質で前記データ配線３２４と同時に形成することもできる。
【００６６】
図４Ｃに示したように、前記画素電極３３０を含んだ全面に耐熱性、液晶との親和性が優秀なポリイミド樹脂を基板上に印刷して乾燥させて第１配向膜３８１を形成してラビング工程を利用して一次配向処理をする。
【００６７】
そして、図４Ｄに示したように、前記一次配向処理が行われた第１配向膜３８１に光照射またはイオンビーム照射をして２次配向処理をする。
【００６８】
より具体的に説明すると、前記一次配向処理はポリイミドで構成される前記第１配向膜３８１上にベルベット（ｖｅｌｖｅｔ）、レーヨン、ナイロンなどを巻いたラビング布３３３を利用して前記第１配向膜３８１を一定な方向にこすってくれることによって配向方向を形成させるラビング方法である。
【００６９】
そして、前記のようにラビングされた第１配向膜３８１に光照射またはイオンビーム照射を利用して２次配向処理をする。
【００７０】
前記光は線偏光、部分偏光、または非偏光された光を用いることができる。
【００７１】
前記光の波長は２００ｎｍ〜４５０ｎｍ範囲の光を用いて、光照射エネルギーは２Ｊ／ｃｍ２以下程度にする。
【００７２】
そして、前記光を照射する方法は傾斜照射または垂直照射方法を利用することができる。
【００７３】
また、前記イオンビームに使われるイオンはアルゴンイオンにする。
【００７４】
そして、前記イオンビームを照射する装置または光を照射する装置は基板全面にイオンまたは光を照射する全面照射装置であるか基板をスキャニングして照射するスキャンタイプ装置がある。
【００７５】
このように一次配向処理を実施した第１配向膜３８１に光照射またはイオンビーム照射のような２次配向処理をすれば１゜以下のプリチルト角を安定的に確保することができるようになるので横電界方式液晶表示装置で方向による視野角の対称性が改善されて視野角特性が良くなる。
【００７６】
以後、図４Ｅに示したように、カラーフィルター基板３７０上に液晶を制御することができない部分、すなわち、ゲート配線、データ配線、薄膜トランジスタ部分での光漏れを防止するためにクロム（Ｃｒ）、クロム酸化物（ＣｒＯｘ）等のような反射率が高い金属またはブラックレジンを利用してブラックマトリックス３７３を形成する。
【００７７】
以後、前記ブラックマトリックス３７３間に電着法、顔料分散法、塗布法などを利用して色相具現のための赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター層３７５を形成して、図示しなかったが前記カラーフィルター層３７５を保護するためにカラーフィルター層３７５を含んだ全面にオーバーコート層３７９を形成することもできる。
【００７８】
次に、前記オーバーコート層３７９上部に液晶との親和性が優れていて感光特性を有したポリイミド物質を印刷して第２配向膜３７７を形成して前記第１配向膜３８１と相互に垂直方向に配向方向を形成し、前記で説明した第１配向膜３８１の配向処理方法のようにラビング工程である一次配向処理と光照射またはイオンビーム照射方法である２次配向処理を介して前記第２配向膜３７７を形成する。
【００７９】
続けて、前記アレイ基板３１０またはカラーフィルター基板３７０にカラムスペーサー（図示せず）を形成した後、前記アレイ基板３１０またはカラーフィルター３７０基板の表示領域に液晶注入方式または液晶滴下方式で液晶層３８８を形成して、前記アレイ基板３１０またはカラーフィルター基板３７０の縁にシール材を形成して前記アレイ基板３１０、カラーフィルター基板３７０を真空状態で合着する。
【００８０】
このように、前記アレイ基板及びカラーフィルター基板３１０、３７０に形成される第１、２配向膜３８１、３７７にラビング工程で一次配向処理した後に光照射またはイオンビーム照射工程を実施して２次配向処理することは配向膜のプリチルト角を１゜以下に形成して横電界方式液晶表示装置の方向による視野角特性の対称性を確保するためのことであって、図５に示したシミュレーション結果と同じである。
【００８１】
図５は横電界方式液晶表示装置でプリチルト角による視野角を示す図面であって、図５は横電界方式液晶表示装置で電極構造がジグザグパターンで形成されていて、セルギャップ及び電極構造を一定にした後にコントラストが１０以上である領域で配向膜のプリチルト角を０゜〜５゜に変化させた時方向による視野角の対称性を示している。
【００８２】
ここで、ジグザグ電極パターンを有する横電界方式液晶表示装置でプリチルト角が１゜以下で対称性が優れていることが分かる。
【００８３】
このように視野角の対称性を確保するためには配向膜のプリチルト角を１゜以下に形成するための第１次配向処理において、配向膜に１°以上のプレチルト角を与えるラビング工程である一次配向処理をして例えば約１．５゜〜５．０゜のプレチルト角にプリチルト角が形成されるようになる。
【００８４】
以後、前記プリチルト角が形成された配向膜に光照射またはイオンビーム照射工程を利用した２次配向処理を実施することによってプリチルト角を１゜以下に形成する。
【００８５】
図６は、ラビングによる１次配向処理をした配向膜がＵＶ光の照射エネルギーによってどのようにプレチルト角が減少されるかを示す例である。ラビング処理により約２．５°のプレチルト角は約０．５Ｊ／cm2の照射エネルギーで１°と減少している。余り強い照射エネルギーであると配向処理自体が失われるので、２Ｊ／cm2以下にあることが望ましい。
【００８６】
ここで、使われる光は線偏光だけでなく、部分偏光、非偏光された光を用いることができ、特に非偏光された光を利用する場合に高価の偏光システム装備が要らない長所がある。
【００８７】
前記光の代りにイオンビーム、プラズマビーム、電子ビームなどを用いることができる。
【００８８】
以上前述したように、本発明による横電界方式液晶表示装置はプリンティング方法を利用して簡単なパターニング工程で製作することができ、本発明による横電界方式液晶表示装置及びその製造方法はこれに限られないし、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によりその変形や改良が可能なことが明白である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１Ａ】一般的な横電界方式液晶表示装置のオフ、オン状態の動作をそれぞれ示す断面図。
【図１Ｂ】一般的な横電界方式液晶表示装置のオフ、オン状態の動作をそれぞれ示す断面図。
【図２】一般的な横電界方式液晶表示装置の製造方法を示す順序図。
【図３】本発明による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を示す平面図。
【図４Ａ】本発明の工程順序によって図示した工程順序図。
【図４Ｂ】本発明の工程順序によって図示した工程順序図。
【図４Ｃ】本発明の工程順序によって図示した工程順序図。
【図４Ｄ】本発明の工程順序によって図示した工程順序図。
【図４Ｅ】本発明の工程順序によって図示した工程順序図。
【図５】横電界方式液晶表示装置でプリチルト角による視野角の変化を示す図。
【図６】ＵＶ光照射エネルギーに対するプレチルト角の減少を示す図。
【符号の説明】
【００９０】
３１０：アレイ基板
３１２：ゲート配線
３１４：ゲート電極
３１７：共通電極
３１９：ゲート絶縁膜
３２４：データ配線
３２６：ソース電極
３２７：半導体層
３２８：ドレイン電極
３３０：画素電極
３３３：ラビング布
３３８：保護膜
３６５：スペーサー
３７０：カラーフィルター基板
３７３：ブラックマトリックス
３７５：カラーフィルター層
３７７：第２配向膜
３７９：オーバーコート層
３８１：第１配向膜
３８８：液晶層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2006018231.tif 000008
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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