(57)【要約】【課題】  低周波側及び高周波側の両方のスプリアスモードの周波数の間隔が広い誘電特性が得られる誘電体共振器を提供する。【解決手段】  軸方向に貫通した貫通孔１１１ｈを有する共振器部１１１と、軸方向に貫通した貫通孔１１２ｈを有し且つ貫通孔１１１ｈと貫通孔１１２ｈとが連通するように共振器部１１１に接合された支持台部１１２と、を有する本体部１１を備える誘電体共振器１０において、共振器部１１１は比誘電率εａが１５以上であり、支持台部１１２は比誘電率εｂが１１以上であり、且つ、比誘電率εａと比誘電率εｂとの差が１以上である誘電体共振器を得る。本誘電体共振器によると、所定共振モードに最も近い低周波側スプリアスモードの周波数ＳＬ（ＭＨｚ）とし、所定共振モードに最も近い高周波側スプリアスモードの周波数をＳＨ（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ−ＳＬ（ＭＨｚ）を４００ＭＨｚ以上にできる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向に貫通した共振器部貫通孔を有する共振器部と、軸方向に貫通した支持台部貫通孔を有し且つ該共振器部貫通孔と該支持台部貫通孔とが連通するように該共振器部に接合された支持台部と、を有する本体部を備える誘電体共振器において、
上記共振器部は比誘電率εａが１５以上である誘電体磁器からなり、上記支持台部は比誘電率εｂが１１以上である誘電体磁器からなり、且つ、該比誘電率εａと該比誘電率εｂとの差が１以上であることを特徴とする誘電体共振器。
【請求項２】
所定の共振モードに最も近い低周波側のスプリアスモードの周波数をＳＬ（ＭＨｚ）とし、該共振モードに最も近い高周波側のスプリアスモードの周波数をＳＨ（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ−ＳＬが４００ＭＨｚ以上である請求項１に記載の誘電体共振器。
【請求項３】
上記共振器部貫通孔内を軸方向に移動できるように配置された誘電体磁器からなる同調体を備える請求項１又は２に記載の誘電体共振器。
【請求項４】
上記同調体を構成する誘電体磁器の比誘電率εｃと上記共振器部を構成する誘電体磁器の比誘電率εａとの差が１未満である請求項３に記載の誘電体共振器。
【請求項５】
上記共振器部貫通孔の空間体積１００％のうち上記同調体により９０％が満たされた第１状態において、所定の第１共振モードに最も近い低周波側のスプリアスモードの周波数をＳＬ１（ＭＨｚ）とし、該第１共振モードに最も近い高周波側のスプリアスモードの周波数をＳＨ１（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ１−ＳＬ１が４００ＭＨｚ以上であり、且つ、
上記共振器部貫通孔の空間体積１００％のうち上記同調体により１０％が満たされた第２状態において、所定の第２共振モードに最も近い低周波側のスプリアスモードの周波数をＳＬ２（ＭＨｚ）とし、該第２共振モードに最も近い高周波側のスプリアスモードの周波数をＳＨ２（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ２−ＳＬ２が４００ＭＨｚ以上である請求項３又は４に記載の誘電体共振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体共振器に関する。更に詳しくは、低周波側及び高周波側の各々の直近のスプリアスモードの間隔が広い誘電特性が得られる誘電体共振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信基地局では周波数フィルタとして誘電体共振器が使用されている。誘電体共振器では、目的とする共振モードの共振周波数の近傍にスプリアスを生じることが知られている。このスプリアスは、目的とする共振モードの共振周波数に近接していると、周波数フィルタとして使用した場合にフィルタ特性を低下させる原因となる場合がある。
この問題に対して、スプリアス抑制ピンを使用する誘電体共振器が下記特許文献１に、共振器部と支持台部との係合部分の形状を最適化させた誘電体共振器が下記特許文献２に開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−６１７０７号公報
【特許文献２】２００３−２７３６１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、目的とする所定の共振モード（以下、単に「ＴＥモード」ともいう）の周波数の高周波側及び低周波側の両方に複数のスプリアスモードを生じる。しかし、上記特許文献１及び２には、高周波側に生じるスプリアスモードの周波数を遠ざける技術のみが開示されており、両方のスプリアスモードの周波数の間隔を広くする方法については、なんら検討されていない。
本発明は、上記問題を解決するものであり、低周波側及び高周波側の両方のスプリアスモードの周波数の間隔が広い誘電特性が得られる誘電体共振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以下に示す通りである。
（１）軸方向に貫通した共振器部貫通孔を有する共振器部と、軸方向に貫通した支持台部貫通孔を有し且つ該共振器部貫通孔と該支持台部貫通孔とが連通するように該共振器部に接合された支持台部と、を有する本体部を備える誘電体共振器において、
上記共振器部は比誘電率εａが１５以上である誘電体磁器からなり、上記支持台部は比誘電率εｂが１１以上である誘電体磁器からなり、且つ、該比誘電率εａと該比誘電率εｂとの差が１以上であることを特徴とする誘電体共振器。
（２）所定の共振モードに最も近い低周波側のスプリアスモードの周波数をＳＬ（ＭＨｚ）とし、該共振モードに最も近い高周波側のスプリアスモードの周波数をＳＨ（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ−ＳＬが４００ＭＨｚ以上である上記（１）に記載の誘電体共振器。
（３）上記共振器部貫通孔内を軸方向に移動できるように配置された誘電体磁器からなる同調体を備える上記（１）又は（２）に記載の誘電体共振器。
（４）上記同調体を構成する誘電体磁器の比誘電率εｃと上記共振器部を構成する誘電体磁器の比誘電率εａとの差が１未満である上記（３）に記載の誘電体共振器。
（５）上記共振器部貫通孔の空間体積１００％のうち上記同調体により９０％が満たされた第１状態において、所定の第１共振モードに最も近い低周波側のスプリアスモードの周波数をＳＬ１（ＭＨｚ）とし、該第１共振モードに最も近い高周波側のスプリアスモードの周波数をＳＨ１（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ１−ＳＬ１が４００ＭＨｚ以上であり、且つ、
上記共振器部貫通孔の空間体積１００％のうち上記同調体により１０％が満たされた第２状態において、所定の第２共振モードに最も近い低周波側のスプリアスモードの周波数をＳＬ２（ＭＨｚ）とし、該第２共振モードに最も近い高周波側のスプリアスモードの周波数をＳＨ２（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ２−ＳＬ２が４００ＭＨｚ以上である上記（３）又は（４）に記載の誘電体共振器。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の誘電体共振器によると、ＴＥモードの周波数の低周波側に生じるスプリアスの周波数ＳＬと、ＴＥモードの周波数の高周波側に生じるスプリアスモードの周波数ＳＨとの間隔が広い誘電特性が得られる誘電体共振器が得られる。これにより、優れた周波数フィルタ特性を得ることができる。
ＳＨ−ＳＬが４００ＮＨｚ以上である誘電体共振器では、特にＴＥモードに対する影響が抑制された誘電特性が得られ、特に優れた周波数フィルタ特性が得られる。
同調体を備える場合は、共振周波数を調整を行うことができる。また、本誘電体共振器は同調体を備える場合にも、同調周波数に関わらず、ＳＬとＳＨとの間隔が広い誘電特性が得られる。
同調体を構成する誘電体磁器の比誘電率εｃと共振器部を構成する誘電体磁器の比誘電率εａとの差が１未満である場合は、周波数の調整を容易にすることができる。
ＳＨ１−ＳＬ１が４００ＭＨｚ以上であり且つＳＨ２−ＳＬ２が４００ＭＨｚ以上である場合は、通常の共振周波数の調整範囲において、常に、ＳＨ−ＳＬを４００ＭＨｚ以上に保持することができるため、特に優れた周波数フィルタ特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の誘電体共振器は、軸方向に貫通した共振器部貫通孔を有する共振器部と、軸方向に貫通した支持台部貫通孔を有し且つ該共振器部貫通孔と該支持台部貫通孔とが連通するように該共振器部に接合された支持台部と、を有する本体部を備える誘電体共振器において、
上記共振器部は比誘電率εａが１５以上である誘電体磁器からなり、上記支持台部は比誘電率εｂが１１以上である誘電体磁器からなり、且つ、該比誘電率εａと該比誘電率εｂとの差が１以上であることを特徴とする。
【０００８】
上記「誘電体共振器」は、共振器部と支持台部とが接合されてなる上記「本体部」を備える。この本体部には、共振器部に貫通された共振器部貫通孔と、支持台部に貫通された支持台部貫通孔とが連通して形成された本体部貫通孔が本体部の軸方向に貫通して形成されている。
即ち、本発明の誘電体共振器は以下の構成に限定されるものではないが、例えば、図１に示すように、誘電体共振器１０は、本体部１１と、同調体１２と、ケース１３とを備えることができる。更に、本体部１１は、共振器部１１１と、支持台部１１２とを備える。また、共振器部１１１の軸方向中心には共振器部貫通孔１１１ｈを有し、支持台部１１２の軸方向中心部には支持台部貫通孔１１２ｈを有する。これらの共振器部貫通孔１１１ｈと支持台部貫通孔１１２ｈとは連通されて、全体として本体部貫通孔となっている。
【０００９】
上記「共振器部」は、軸方向に貫通された共振器部貫通孔を有し、誘電体磁器（以下、「共振器部誘電体磁器」ともいう）からなる。また、共振器部誘電体磁器は比誘電率εａが１５以上であり、且つ、後述する支持台部誘電体磁器の比誘電率εｂとの差が１以上である。比誘電率εａは１５未満であってもよいが共振器部自体の大きさが大きくなるため、通常、１５以上である。比誘電率εａの上限は特に限定されないが、通常、２００以下である。この比誘電率εａは、目的とする誘電特性により適宜選択できる。即ち、例えば、比誘電率εａは１５〜１５０、また１５〜６０、更には１８〜４５、特に２０〜３０等とすることができる。また、支持台部を構成する支持台部比誘電率εｂとの組合せにより、ＴＥモードに最近接した高周波側スプリアスモードの周波数と低周波側のスプリアスモードの周波数との間の周波数差を大きくできる。
また、比誘電率εａと比誘電率εｂとの差が１以上である（即ち、比誘電率εａと比誘電率εｂとの差の絶対値が１以上であり、｜εａ−εｂ｜≧１である）とは、共振器部と支持台部とが異なる誘電体磁器からなることを意味する。共振器部と支持台部とは同じ誘電体磁器からなってもよいが、同じ材料からなる場合には、本発明の構成のようにこれらを別体に形成したうえで接合する必要がなく、一体的に形成し焼成されたものであることが好ましいからである。
【００１０】
更に、共振器部誘電体磁器は、上記条件（εａ≧１５且つ｜εａ−εｂ｜≧１）を満たせばよく、どのような誘電体磁器であってもよい。即ち、例えば、共振器部誘電体磁器を構成する誘電体組成物としては、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系誘電体磁器、ＳｎＯ２−ＴｉＯ２−ＭｇＯ系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ３系誘電体磁器、Ｂａ（ＭｇＴａ）Ｏ３−ＢａＳｎＯ３系誘電体磁器、Ｂａ（ＭｇＮｂ）Ｏ３−ＢａＳｎＯ３系誘電体磁器、Ｂａ（ＺｎＴａ）Ｏ３−ＫＴａＯ３系誘電体磁器、Ｂａ（ＺｎＴａＮｂ）Ｏ３−ＫＴａＯ３系誘電体磁器、ＢａＴｉ４Ｏ１２−ＺｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５系誘電体磁器、ＣａＴｉＯ３−ＬａＡｌＯ３系誘電体磁器、ＳｒＴｉＯ３−ＬａＡｌＯ３系誘電体磁器、Ｂａ−Ｔｉ酸化物系誘電体磁器（例えば、Ｂａ−Ｔｉ、Ｂａ−Ｓｍ−Ｔｉ酸化物、Ｂａ−Ｙ−Ｔｉ酸化物、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ酸化物等）、Ｂａ−Ｍｇ−Ｗ酸化物系誘電体磁器、Ｎｄ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ酸化物系誘電体磁器等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよいが、通常、１種のみを用いる。
【００１１】
更に、共振器部誘電体磁器は熱伝導性に優れていることが好ましい。即ち、例えば、１．５Ｗ／ｍ・ｋ以上（通常、１０Ｗ／ｍ・ｋ以下）であることが好ましく、１．８Ｗ／ｍ・ｋ以上であることがより好ましく、２Ｗ／ｍ・ｋ以上であることが特に好ましい。この範囲であれば、高周波（例えば、５００ＭＨｚ〜５ＧＨｚ）で使用する場合の発熱にも対応できる。
【００１２】
また、共振器部の形状は共振器部貫通孔を有すること以外、特に限定されない。即ち、例えば、円柱形、四角柱形、三角柱形などとすることができるが、通常、円柱形である。更に、共振器部貫通孔の形状（空間形状）も特に限定されず、例えば、円柱形、四角柱形、三角柱形などとすることができるが、通常、円柱形である。共振器部及び共振器部貫通孔の両方が円柱形であるばあい、共振器部貫通孔は共振器部に対して偏心して配置されていてもよいが、通常、共振器部貫通孔の中心軸が共振器部の中心軸と一致した同心に配置される。
【００１３】
更に、共振器部の大きさも特に限定されないが、上記円柱形である場合には、通常、その直径が１０〜２００ｍｍ（更には２０〜５０ｍｍ、特に３３〜３７ｍｍ）である。また、その高さは６〜１３５ｍｍ（更には１２〜３４、特に２０〜２５ｍｍ）である。この直径及び高さ等を調整することにより、共振器部の誘電特性を微調整できる。共振器部のうちの、後述する支持台部との接合部分等の細部の形状は特に限定されず、従来公知の形状とすることができる。更に、共振器部貫通孔の大きさも特に限定されないが、上記円柱形である場合には、通常、共振器部貫通孔の直径が、共振器部の直径の５５〜８５％である。
【００１４】
上記「支持台部」は、軸方向に貫通された支持台部貫通孔を有し、誘電体磁器（以下、「支持台部誘電体磁器」ともいう）からなる。また、支持台部誘電体磁器は比誘電率εｂが１１以上であり、且つ、共振器部誘電体磁器の比誘電率εａとの差が１以上（即ち、比誘電率εａと比誘電率εｂとの差の絶対値が１以上であり、｜εａ−εｂ｜≧１である）である。比誘電率εｂの上限は特に限定されないが、通常、２００以下である。この比誘電率εｂは、目的とする誘電特性により適宜選択できる。即ち、例えば、比誘電率εｂは１１〜２００、また１１〜１５０、更には１９〜８０、特に２１〜６０等とすることができる。比誘電率εｂが１１未満であると、目的とするＴＥモードに最近接した高周波側スプリアスモードの周波数と低周波側のスプリアスモードの周波数との間の周波数差が小さくなる（例えば、３８０ＭＨｚ未満）傾向にあるため好ましくない。
【００１５】
更に、支持台部誘電体磁器は、上記条件（εｂ≧１１且つ｜εａ−εｂ｜≧１）を満たせばよく、どのような誘電体磁器組成物であってもよい。従って、共振器部誘電体を構成する誘電体磁器としては、上記共振器部を構成する誘電体磁器をそのまま適用できる。これらの誘電体磁器は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよいが、通常、１種のみを用いる。
尚、共振器部と支持台部とが完全に同一な組成の誘電体磁器となる場合は本発明に含まれないが、例えば、共振器部も支持台部も同じＳｎＯ２−ＴｉＯ２−ＭｇＯ系誘電体磁器等（他の〜系誘電体磁器についても同様である）からなる場合は含まれる。即ち、例えば、共振器部がＳｎＯ２−ＴｉＯ２−ＭｇＯ誘電体磁器からなり、支持台部がＳｎＯ２−ＴｉＯ２−Ｍｇ２／３Ｃａ１／３Ｏ誘電体磁器かなる場合等が挙げられる。
【００１６】
また、支持台部の形状は支持台部貫通孔を有すること以外、特に限定されない。即ち、例えば、円柱形、四角柱形、三角柱形などとすることができるが、通常、円柱形である。更に、支持台部貫通孔の形状（空間形状）も特に限定されず、例えば、円柱形、四角柱形、三角柱形などとすることができるが、通常、円柱形である。支持台部及び支持台部貫通孔の両方が円柱形であるばあい、支持台部貫通孔は支持台部に対して偏心して配置されていてもよいが、通常、支持台部貫通孔の中心軸が支持台部の中心軸と一致した同心に配置される。
【００１７】
更に、支持台部の大きさも特に限定されないが、上記円柱形である場合には、通常、その直径が共振器部の直径の５０〜８５％である。より具体的には、支持台部の直径は例えば、５〜１５０（更には１２〜３８ｍｍ、特に２０〜２８ｍｍ）とすることができる。また、支持台部の高さは２０〜３０ｍｍとすることができる。この直径及び高さ等を調整することにより、誘電体共振器の誘電特性を微調整できる。支持台部のうちの、共振器部との接合部分等の細部の形状は特に限定されず、従来公知の形状とすることができる。更に、支持台部貫通孔の大きさも特に限定されないが、上記円柱形である場合には、通常、支持台部貫通孔の直径が、支持台部の直径の３５〜９０％である。また、上記共振器部貫通孔と同径とすることもできる。
【００１８】
本発明の誘電体共振器において、共振器部の比誘電率εａと支持台部の比誘電率εｂとは、εａ≧１５、εｂ≧１１且つ｜εａ−εｂ｜≧１を充足すればよい。各々の比誘電率についてはその他、特に限定れないが、例えば、比誘電率εａと比誘電率をεｂとはεａ≦εｂとすることができる。即ち、共振器の比誘電率よりも支持台部の比誘電率の方を大きくすることができる。この場合は、より確実に後述するＳＨ−ＳＬを大きくできる。例えば、ＳＨ−ＳＬを３８０ＭＨｚ以上（更には４００ＭＨｚ以上、特に４１０ＭＨｚ以上、通常８００ＭＨｚ以下）にすることができる。このように、共振器の比誘電率よりも支持台部の比誘電率の方を大きくする場合、εａ≧１５〜３０、εｂ≧１６〜５０、｜εａ−εｂ｜≧１、且つ、εａ≦εｂとすることができ、更にεａ≧１７〜３０、εｂ≧１９〜５０、｜εａ−εｂ｜≧１、且つ、εａ≦εｂとすることができ、特にεａ≧２０〜３０、εｂ≧２１〜５０、｜εａ−εｂ｜≧１、且つ、εａ≦εｂとすることができる。これにより、より確実にＳＨ−ＳＬを大きく（４００ＭＨｚ以上、更には４５０ＭＨｚ以上）できる。
【００１９】
本発明の誘電体共振器によると、ＴＥモードの周波数に最も近く且つ低周波側にあるスプリアスモード（以下、単に「ＳＬモード」ともいう）の周波数をＳＬ（ＭＨｚ）とし、ＴＥモードに最も近く且つ高周波側にあるスプリアスモード（以下、単に「ＳＨモード」ともいう）の周波数をＳＨ（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ−ＳＬ（ＭＨｚ）は、３８０ＭＨｚ以上（更には４００ＭＨｚ以上、特に４１０ＭＨｚ以上、通常８００ＭＨｚ以下）とすることができる。即ち、例えば、図３に示すようにＴＥモードに近接して３つのスプリアスモードが認められる場合、低周波側に認められる１つのスプリアスモードのピークにおける周波数がＳＬである。一方、高周波側におけるスプリアスモードのうち、ＴＥモードにより近接しているピークが本発明にいうスプリアスモードであり、このスプリアスモードのピークにおける周波数がＳＨである。このうちＳＨの値からＳＬの値を差し引いた値がＳＨ−ＳＬである。
【００２０】
尚、ＴＥモードとは、目的とする所定の共振モードであり、具体的な周波数等は限定されない。即ち、複数生じる共振モードのなかから目的に応じて適宜選択された共振モードである。このＴＥモードは、例えば、共振器部誘電体磁器から得られる強度が最も強い共振モードとすることができる（図３参照）。
また、本発明においていうスプリアスモードは、どのような強度の共振モードであってもよいが、通常、ＴＥモードの周波数におけるピーク強度に対して  20  ％以上であるモードがスプリアスモードである（図３参照）。
更に、ＴＥモードの周波数は、共振器部の形状変化による調整、支持台部との接合形状による調整、同調体を使用した調整などの調整方法により、ＳＨ及びＳＬが大きく変化することを抑制しつつ調整できる。このため、ＳＨ−ＳＬが大きければ、ＴＥモードはＳＨモード及びＳＬモードの影響を受けずに利用することができることとなる。
【００２１】
本発明の誘電体共振器は、本体部以外にも他部を備えることができる。他部としては、同調体が挙げられる。
上記同調体は誘電体磁器（以下、「同調体誘電体磁器」ともいう）からなる。また、その形状及び同調方法は特に限定されず、同調体としては、共振器部貫通孔内を軸方向に移動できるように配置された同調体、共振器部上方（支持台部が配置される側の反対側）を共振器部の軸方向に移動できるように配置された同調板などが挙げられる。これらのなかでも、本発明においては上記の共振器部貫通孔内を軸方向に移動できるように配置された同調体が好ましい。この同調体は、少なくとも共振部貫通孔内を移動できるものでればよく（図１に例示するように、矢印の方向へ移動できる）、例えば、支持台部貫通孔内を移動できてもよく、共振器部貫通孔外であり且つ支持台部貫通孔外に配置される場合があってもよい。
この同調体誘電体磁器の比誘電率εｃは特に限定されないが、共振器部誘電体磁器の比誘電率εａと差が１未満（即ち、εｃとεａとの差の絶対値）であることが好ましく、更には、両者の比誘電率が同じであることが好ましい。即ち、同調体誘電体磁器と共振器誘電体磁器とは、異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。両者の誘電体磁器が同じであることにより、周波数の調整が容易にできるからである。この同調体誘電体磁器としては、前記共振器用誘電体磁器をそのまま適用できる。
【００２２】
また、この同調体の形状は特に限定されない。即ち、例えば、円柱形、四角柱形、三角柱形などとすることができるが、通常、円柱形であり、共振器部貫通孔の概形と同じである。共振器部貫通孔と同調体との両方が円柱形である場合、これらの直径の大きさは特に限定されないが、共振器部貫通孔の直径に対して同調体の直径は５５〜９５％とすることができる。この範囲であれば、周波数の調整範囲を十分に確保でき、また、共振器部貫通孔内と同調体とのクリアランスも十分に確保できる。更に、同調体の高さも特に限定されないが、通常、共振器部の高さ（即ち、共振器部貫通孔の長さ）の６０％以上（１００％であってもよい。即ち、同調体の高さと共振器部の高さとが同じであってもよい）である。この範囲であれば、周波数の調整範囲を十分に確保できる。
【００２３】
同調体は、同調を行う際に同調体が共振器部貫通孔内を移動できるように制御する他部を備えることができる。この制御用の他部としては、同調体に嵌挿できる制御棒が挙げられる。制御棒は螺子部を有し、この螺子部を、例えば、ケースの一部と螺合させることにより同調体の位置を制御できる。
【００２４】
本発明の誘電体共振器において、同調体を備える場合には、共振器部貫通孔が同調体により９０％満たされた第１状態において、ＴＥモードの周波数に最も近く且つ低周波側にあるＳＬモードの周波数をＳＬ１（ＭＨｚ）とし、ＴＥモードの周波数に最も近く且つ高周波側にあるＳＨモードの周波数をＳＨ１（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ１−ＳＬ１（ＭＨｚ）が３８０ＭＨｚ以上であり、且つ、
共振器部貫通孔が同調体により１０％満たされた第２状態において、ＴＥモードの周波数に最も近く且つ低周波側にあるＳＬモードの周波数をＳＬ２（ＭＨｚ）とし、ＴＥモードの周波数に最も近く且つ高周波側にあるＳＨモードの周波数をＳＨ２（ＭＨｚ）とした場合に、ＳＨ２−ＳＬ２（ＭＨｚ）が３８０ＭＨｚ以上とすることができる。
更に、ＳＨ１−ＳＬ１≧４００ＭＨｚ且つＳＨ２−ＳＬ２≧４００ＭＨｚとすることができ、ＳＨ１−ＳＬ１≧４１０ＭＨｚ且つＳＨ２−ＳＬ２≧４１０ＭＨｚとすることができる。
即ち、同調体の位置に関わらず、常にＳＨ−ＳＬを大きく保つことができ、スプリアスモードがＴＥモードへ影響することを防止できる。
【００２５】
本発明の誘電体共振器は、本体部及び同調体以外にも他部を備えることができる。他部としてはケースが挙げられる。
上記ケースは、本体部を収容する箱体であり、導電性である。ケースの材質は、導電性を有すればよく特に限定されないが、通常、アルミニウム、アルミニウム合金、銅及び銅合金等を用いることができる。更に、他の材料（鉄など）の表面にめっきを施して導電性を向上させた箱体等であってもよい。また、このケースの形状及び大きさ等も特に限定されず、前記本体部を収容できればよい。
更に、ケースには、スプリアスモード抑制ピン等を付設できる。
また、本発明の誘電体共振器は、１つのケース内に複数の本体部を配設することができる。また、１つのケース内に１つの本体部を配設し、このケースを複数接続することもできる。これらのように、複数の本体部を用いる場合は、フィルタとして特に好適である。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（１）各種誘電体磁器
下記に示す各誘電体磁器１〜６を用意した。
「磁器１」  比誘電率；９．５、材質；Ａｌ２Ｏ３
「磁器２」  比誘電率；１６．５、材質；ＳｎＯ２−ＴｉＯ２−ＭｇＯ
「磁器３」  比誘電率；２１．５、材質；ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ３
「磁器４」  比誘電率；２８．５、材質；Ｂａ（ＺｎＴａ）Ｏ３−ＫＴａＯ３
「磁器５」  比誘電率；３４．０、材質；ＢａＴｉ４Ｏ１２−ＺｎＯ２−Ｔａ２Ｏ５
「磁器６」  比誘電率；４５．０、材質；ＣａＴｉＯ３−ＬａＡｌＯ３
【００２７】
（２）磁器３を用いた各種本体部
上記で用意した磁器１〜６を用い、磁器３を共振器部用誘電体磁器として用い、磁器１、２、３、５及び６を各支持台部用誘電体磁器として用い、各々を研削して下記に示す形状に加工し、これらを組み合わせて下記本体部１−１〜１−５を製造した。
「本体部１−１」（比較品；支持台部誘電体磁器に比誘電率１１未満の磁器１を用いているため）
共振器部；磁器３（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器１（支持台部φ２２．０ｍｍ、高さ１８．４ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部１−２」（発明品）
共振器部；磁器３（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器２（支持台部φ２２．１ｍｍ、高さ１８．５ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部１−３」（参考品；共振器部誘電体磁器と支持台部誘電体磁器とが同材であるため）
共振器部；磁器３（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器３（支持台部φ２２．１ｍｍ、高さ１８．２ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部１−４」（発明品）
共振器部；磁器３（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器５（支持台部φ２２．０ｍｍ、高さ１８．５ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部１−５」（発明品）
共振器部；磁器３（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器６（支持台部φ２２．２ｍｍ、高さ１８．５ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
【００２８】
（３）磁器４を用いた各種本体部
上記で用意した磁器１〜６を用い、磁器４を共振器部用誘電体磁器として用い、磁器１、２、３、５及び６を各支持台部用誘電体磁器として用い、各々を研削して下記に示す形状に加工し、これらを組み合わせて下記本体部２−１〜２−５を製造した。
「本体部２−１」（比較品；支持台部誘電体磁器に比誘電率１１未満の磁器１を用いているため）
共振器部；磁器４（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器１（支持台部φ２２．０ｍｍ、高さ１８．４ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部２−２」（発明品）
共振器部；磁器４（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器２（支持台部φ２２．１ｍｍ、高さ１８．５ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部２−３」（発明品）
共振器部；磁器４（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器３（支持台部φ２２．１ｍｍ、高さ１８．２ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部２−４」（発明品）
共振器部；磁器４（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器５（支持台部φ２２．０ｍｍ、高さ１８．５ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
「本体部２−５」（発明品）
共振器部；磁器４（共振器部φ３４．２ｍｍ、高さ２３．２ｍｍ、貫通孔φ２３．２ｍｍ）
支持台部；磁器６（支持台部φ２２．２ｍｍ、高さ１８．５ｍｍ、貫通孔φ２２．０ｍｍ）
【００２９】
（４）磁器４を用いた同調体
更に、上記本体部２−１〜２−５には、同調体を用意した。同調体は、上記磁器４を研削して下記に示す形状に加工して得た。
同調体；磁器４（同調体φ１６〜２０ｍｍ、高さ１８〜２１ｍｍ）
その後、この同調体には、一端側に直径８〜１０ｍｍ且つ深さ２〜４ｍｍの有底孔を孔設し、接着剤を用いて螺刻された螺刻部を有する同調体制御棒を接合した。
【００３０】
（５）誘電体共振器の作製
上記（２）で得られた本体部１−１〜１−５を下記測定毎に各々アルミニウム製のケース（内寸長さ７０ｍｍ、内寸奥行き７０ｍｍ、内寸高さ７０ｍｍ）内に収容し、ケースの内部底面に支持台部をネジにより固定して誘電体共振器１を得た。
一方、上記（４）の同調体に接合された制御棒が螺合される螺刻部を有するケースを用意し、このケース内に本体部２−１〜２−５を下記測定毎に各々収容し、ケースの内部底面に支持台部をネジにより固定した。更に、同調体は制御棒の螺刻部により共振器部貫通孔内を移動できるように配設して同調機能を有する誘電体共振器２を得た。
【００３１】
（６）誘電体共振器の共振周波数の評価
上記（５）で得られた誘電体共振器１（本体部１−１〜１−５の５種類）と、誘電体共振器２（本体部２−１〜２−５の５種類）を用い、温度２５℃において、平行導体板型誘電体共振器法により、スプリアスモードの共振周波数（ＴＥモードの周波数に最も近い低周波側のスプリアスモードの周波数ＳＬ、及び、ＴＥモードの周波数に最も近い高周波側のスプリアスモードの周波数ＳＨ）を測定した。その後、各ＳＨ−ＳＬを算出し、表１に示した。更に、この結果を図２にグラフにして示した。
尚、誘電体共振器２では、共振器部貫通孔の空間体積の９０％が同調体に満たされた第１状態におけるＳＨ１−ＳＬ１と、共振器部貫通孔の空間体積の１０％が同調体に満たされた第２状態におけるＳＨ２−ＳＬ２と、を算出し、各々を表１及びグラフに示した。
上記グラフにおいては、誘電体共振器１のＳＨ−ＳＬは「△」で示し、誘電体共振器２のＳＨ１−ＳＬ１は「○」で示し、誘電体共振器２のＳＨ２−ＳＬ２は「●」で示した。
【００３２】
【表１】
2006180124.tif 000003
表中の「＊」は比較品を表し、「＊＊」は参考品を表す。
【００３３】
（７）ＳＨ−ＳＬの評価
誘電体共振器１（同調体を用いない場合）
上記表１及び上記グラフの結果より、本体部１−１を用いた誘電体共振器ではＳＨ−ＳＬが３３２ＭＨｚである。これに対して本体部１−２〜１−５ではいずれもＳＨ−ＳＬが３８０ＭＨｚ以上であり、ＳＨ−ＳＬが大きくなっていることが分かる。特に共振器部誘電体磁器の誘電率εａよりも支持台部誘電体磁器の誘電率εｂの方が大きい（即ち、εａ≦εｂ）である本体部１−４では及び本体部１−５では、確実にＳＨ−ＳＬを４５０ＭＨｚ以上である。即ち、本体部１−４本体部１−１を用いた場合に比べて３７％、本体部１−５では本体部１−１を用いた場合に比べて３８％、各々ＳＨ−ＳＬが広がっている。
【００３４】
誘電体共振器２（同調体を用いる場合）
上記表１及び上記グラフの結果より、本体部２−１を用いた誘電体共振器ではＳＨ１−ＳＬ１が３５１ＭＨｚである。これに対して本体部２−２〜２−５ではいずれもＳＨ１−ＳＬ１が３８０ＭＨｚ以上であり、ＳＨ−ＳＬが大きくなっていることが分かる。特に共振器部誘電体磁器の誘電率εａよりも支持台部誘電体磁器の誘電率εｂの方が大きい（即ち、εａ≦εｂ）である本体部２−４及び本体部２−５ではＳＨ−ＳＬが４５０ＭＨｚ以上である。即ち、本体部２−４及び本体部２−５の各々を用いた場合には本体部２−１を用いた場合に比べて２９％ＳＨ−ＳＬが広がっている。更に、同調体により周波数調整を行った場合にも、第１状態及び第２状態の両方において確実に３８０ＭＨｚ以上を達している。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の誘電体共振器は通信関連機器として広く利用される。特に、移動体通信用基地局用機器、移動体通信用交換器用機器、家庭内コードレス電話用機器、無線ＬＡＮ用機器等のマイクロ波帯域及びミリ波帯域における通信機器に好適である。即ち、例えば、移動体通信用基地局用機器、公衆基地局用機器、ビル内基地局用機器、構内交換機用基地局用機器、室内交換器用機器、家庭内コードレスホン用機器等が挙げられる。具体的には、例えば、各種フィルタ（受信側フィルタ、送信側フィルタ、及び、帯域通過フィルタ等）などである。尚、上記移動体通信には、携帯電話、ＰＨＳ電話、衛星通信電話、自動車電話等が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の誘電体共振器の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】実施例において測定したＳＨ−ＳＬと、支持台部誘電体磁器の比誘電率との相関を示すグラフである。
【図３】スプリアスモード及びＳＨ−ＳＬを説明する説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０；誘電体共振器、１１；本体部、１１１；共振器部、１１２；支持台部、１１１ｈ；共振器部貫通孔、１１２；支持台部、１１２ｈ；支持台部貫通孔、１２；同調体、１３；ケース、１４；制御棒、１４１；螺刻部。
【図１】
2006180124.tif 000004
【図２】
2006180124.tif 000005
【図３】
2006180124.tif 000006