(57)【要約】【課題】  薄くて軽い基材の上に所定膜種の膜を成膜し、半導体素子等を製造することができる素子製造装置を提供する。【解決手段】  基材２に対向配置される筐体３と、基材２上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスＧを、基材２と筐体３との間に供給するガス供給手段１８と、筐体３に配置され、基材２に励起線Ｅを照射する複数の励起線源１７と、基材２と励起線Ｅとを相対移動させる移動手段１５，１６，２４と、を備えることを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に対向配置される筐体と、
前記基材上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスを、前記基材と前記筐体との間に供給するガス供給手段と、
前記筐体に配置され、前記基材に励起線を照射する複数の励起線源と、
前記基材と前記励起線とを相対移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする素子製造装置。
【請求項２】
前記移動手段が、移動範囲および位置決め精度の異なる複数のステージを備え、
前記複数のステージに前記複数の励起線源が配置されていることを特徴とする請求項１記載の素子製造装置。
【請求項３】
前記移動手段が、励起線の照射方向を制御する励起線レンズを備えることを特徴とする請求項１または２に記載の素子製造装置。
【請求項４】
前記ガス供給手段が、前記原料ガスを前記基材に向けて噴出させる複数のノズルを備え、
前記複数のノズルが、前記複数の励起線源と同一面上に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の素子製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年広く流通されるようになったノートパソコンやＰＤＡ（Personal Digital Assistance）や携帯電話や薄型テレビ等には、情報表示装置として液晶ディスプレイが用いられている。この液晶ディスプレイには、画素のスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）等の半導体素子が広く用いられている。
【０００３】
そのため、液晶ディスプレイには、半導体素子等の駆動回路を作り込む必要上、基材としてガラス板が用いられている。ガラス板は、透明性、耐熱性、耐薬品性に優れるため、その上に従来の半導体プロセス技術や低温ポリシリコン成膜の技術を用いてＴＦＴ等の半導体素子を製造することができた。従来の半導体プロセス技術としては、電子ビーム露光技術を用いて所定形状の半導体膜、金属膜、絶縁膜を形成するリソグラフィ技術等が知られている（例えば、特許文献１および２参照。）。
【特許文献１】特開２００１−３４５２６０号公報
【特許文献２】特開２００１−３４６２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のＰＤＡや携帯電話等のモバイル製品においては、軽量性が重視されるため、液晶ディスプレイに用いられるガラス板にも軽量化が求められている。ガラス板を軽量化するため、その板厚を薄くすることも検討されてきたが、ガラス板の強度が低下し、破損しやすくなる恐れがあった。そのため、ガラス板の軽量化は困難であるという問題があった。
【０００５】
また、液晶ディスプレイの軽量化を図るために、ガラス板の代わりにプラスチック等の樹脂基板を基材として用いる方法も提案されている。
しかしながら、樹脂基板では、例えば上述の特許文献１および２で用いられているリソグラフィ技術でＴＦＴ等の半導体素子を製造すると、プロセス中の温度に耐えることができず、用いることができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、薄くて軽い基材の上に所定膜種の膜を所定形状に成膜し、ＴＦＴ等の素子を製造することができる素子製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の素子製造装置は、基材に対向配置される筐体と、前記基材上に成膜される所定膜種の膜の材料となる原料ガスを、前記基材と前記筐体との間に供給するガス供給手段と、前記筐体に配置され、前記基材に励起線を照射する複数の励起線源と、前記基材と前記励起線とを相対移動させる移動手段と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、励起線を基材に照射することにより、基材から二次電子を発生させることができる。原料ガスは発生した二次電子により励起され、基材上に所定膜種の膜を形成することができる。
上述のように原料ガスを二次電子により励起するため、従来の成膜方法と比較して、基材の温度を低く抑えることができる。そのため、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミドおよびポリ４フッ化エチレン（テフロン（登録商標））など、熱に弱い樹脂からなる基材を用いことができる。
【０００９】
励起線源を複数備えることにより、励起線照射領域を増やすことができる。そのため、所定膜種の膜を複数個所で同時に成膜することができ、所定面積の所定膜種の膜を短い時間で成膜することができる。
また、基材と励起線とは、相対移動させることができるため、励起線の照射領域を移動させることができる。上記所定膜種の膜は励起線の照射領域のみに形成されるため、基材と励起線とを相対移動させることにより、上記所定膜種の膜を所定形状に形成することができる。
【００１０】
また、ガス供給手段から異なる種類の原料ガスを供給することにより、基材上に異なる膜種の膜を成膜することができる。そのため、異なる種類の膜を所定形状に成膜し、積み上げることにより、ＴＦＴなどの半導体素子や配線など、さまざまな素子を基材の上に製造することができる。
【００１１】
また、上記発明においては、前記移動手段が、移動範囲および位置決め精度の異なる複数のステージを備え、前記複数のステージに前記複数の励起線源が配置されていることが望ましい。
本発明によれば、例えば、移動範囲が広くかつ位置決め精度が低いステージと、移動範囲が狭くかつ位置決め精度が高いステージと、を備えることにより、基材と励起線との相対位置を広い範囲で、高い精度で制御することができる。そのため、所定膜種の膜を広い範囲に高い形状精度で成膜することができる。
【００１２】
さらに、上記発明においては、前記移動手段が、励起線の照射方向を制御する励起線レンズを備えるが望ましい。
本発明によれば、レンズにより励起線の照射領域を制御することができるため、上述のステージを用いる方法と比較して、基材と励起線との相対位置をより細かく制御することができる。そのため、所定膜種の膜をより微細な所定の形状に成膜することができる。
【００１３】
上記発明においては、前記ガス供給手段が、前記原料ガスを前記基材に向けて噴出させる複数のノズルを備え、前記複数のノズルが、前記複数の励起線源と同一面上に配置されているが望ましい。
本発明によれば、ガス供給手段の複数のノズルを、複数の励起線源と同一面上に配置することにより、原料ガスを基材と励起線源との間のみに供給することができる。そのため、原料ガスの供給量を削減することができ、素子の製造コスト削減を図ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の素子製造装置によれば、励起線の照射により基材から二次電子を発生させることにより、原料ガスを励起させて上記所定膜種の膜を形成することができる。そのため、基材の温度を低く抑えることができ、薄膜化、軽量化の容易な樹脂製の基材を用いことができるという効果を奏する。
また、基材と励起線とを相対移動させることができるため、所定形状の上記所定膜種の膜を形成することができる。さらに、ガス供給手段から供給される原料ガスの種類を切り替えることにより、基材上に異なる膜種の膜を成膜することができる。そのため、所定形状の異なる膜種の膜を積み上げることにより、ＴＦＴなどの半導体素子や配線など、さまざまな素子を基材の上に製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
以下、本発明の第１の実施形態に係る素子製造装置１について図１から図４を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る素子製造装置１の概略を説明する図である。
素子製造装置１は、図１に示すように、樹脂膜（基材）２と対向配置された真空筐体（筐体）３と、樹脂膜２を真空筐体３に搬送する搬送部４と、真空筐体３と樹脂膜２との間の気体を排気する排気系５と、真空筐体３に成膜される膜の原料ガスＧを供給するガス供給系（ガス供給手段）６と、から概略構成されている。
【００１６】
図２は、図１の素子製造装置１の内部構造を説明するＡ−Ａ´断面図である。
真空筐体３には、図２に示すように、５つの凹部が形成され、樹脂膜２に対向配置されることにより、５つの真空室が形成されている。５つの真空室は、樹脂膜２の搬送方向に向かって順に低真空室１１、中真空室１２、高真空室１３、中真空室１２、低真空室１１とされている。低真空室１１は、図１および図２に示すように、低真空排気系５ａに接続され、中真空室１２は中真空排気系５ｂに接続され、高真空室１３は高真空排気系５ｃに接続されている。
【００１７】
図３は、図２の高真空室１３内の構造を説明する図である。
高真空室１３には、図２および図３に示すように、樹脂膜２と対向する面に配置された粗動ステージ（移動手段）１５と、粗動ステージ１５の上に配置された微動ステージ（移動手段）１６と、微動ステージ１６の上に配置された電子銃アレイ（複数の励起線源）１７と、高真空室１３に原料ガスを供給するガスノズル（ガス供給手段）１８と、が備えられている。
【００１８】
粗動ステージ１５および微動ステージ１６は、図中のＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能なＸＹステージである。粗動ステージ１５は、微動ステージ１６よりも移動範囲が広いステージであって、位置決め精度は微動ステージ１６よりも低いステージである。微動ステージ１６は、逆に粗動ステージ１５よりも位置決め精度が高く、移動範囲が粗動ステージ１５よりも狭いステージである。
【００１９】
電子銃アレイ１７は、電子線（励起線）Ｅを樹脂膜２に向かって照射する電子銃（励起線源）２１がアレイ状に配置されることにより構成されている。電子銃２１は、凹部２２の底面に形成された略円錐形状の電子放出部２３と、凹部２２の開口部近傍に形成された電子レンズ（移動手段）２４とから概略構成されている。電子レンズ２４は互いに直交する電極対から形成され、それぞれ図中のＸ軸、Ｙ軸と略平行な電界を形成するように配置されている。
ガスノズル１８は、ガス供給系６（図１参照）と接続され、電子銃アレイ１７と樹脂膜２との間に原料ガスＧを供給できるように配置されている。
【００２０】
なお、電子銃２１とガスノズル１８とは、交互に並んで配置されていてもよいし、必要に応じて電子銃２１の割合を増やして配置したり、ガスノズル１８の割合を増やして配置したりしてもよい。
なお、電子銃アレイ１７は、ＭＥＭＳ（Micro
Electro Mechanical System）技術を用いて、ＬＳＩやＴＦＴなどの素子を製造することができるサイズの電子銃アレイを製造することができる。
【００２１】
搬送部４は、一対のローラ７と、ローラ７を回転駆動するステッピングモータ（図示せず）と、から構成されている。一対のローラ７の一方には、成膜がされる前の樹脂膜２が巻かれていて、他方のローラ７には所定膜種の膜が成膜された後の樹脂膜２が巻き取られる。樹脂膜２の搬送速度はステッピングモータの回転速度により制御される。
また、樹脂膜２は、ステッピングモータにより回転駆動されるロール７に巻き取られることにより、図中左方向に移動させられる。
【００２２】
次に、上記の構成からなる素子製造装置１における素子製造方法について説明する。
まず、図１および図２に示すように、樹脂膜２を真空筐体３に対向するように配置する。この状態で、樹脂膜２および真空筐体３より形成された低真空室１１、中真空室１２、高真空室１３内を、それぞれ低真空、中真空、高真空に吸引する。
その後、図３に示すように、ガスノズル１８から原料ガスＧが樹脂膜２と電子銃アレイ１７との間に導入される。電子銃アレイ１７を構成する各電子銃２１の電子放出部２３からは、電子線が樹脂膜２に向けて放出され、電子レンズ２４にて電子線のビーム径が制御される。
電子線Ｅが照射された領域の樹脂膜２からは二次電子が発生し、発生した二次電子は原料ガスを励起する。励起した原料ガスは樹脂膜２の電子線照射領域に堆積し、所定膜種の膜を成膜する。
【００２３】
電子銃アレイ１７は、粗動ステージ１５および微動ステージ１６により図中のＸ軸方向およびＹ軸方向に駆動制御される。具体的には、粗動ステージ１５により微動ステージ１６および電子銃アレイ１７が移動目標地点の近傍領域であって、微動ステージ１６の移動範囲内の地点に移動される。そして、微動ステージ１６により電子銃アレイ１７が移動目標地点に移動される。
また、電子放出部２３から放出された電子線Ｅは、電子レンズ２４により図中のＸ軸方向およびＹ軸方向に偏向制御される。
【００２４】
上述のように粗動ステージ１５と、微動ステージ１６と、電子レンズ２４とにより、樹脂膜２と電子線Ｅの照射領域とを相対移動させることにより、マスク等を用いることなく、所定形状の上記所定膜種の膜が直接成膜される。
さらに、同様の工程を繰り返して、例えば半導体膜、酸化膜、金属膜等の膜を積み上げて成膜し、マスク等を用いることなく、ＴＦＴ等の半導体素子や配線、その他の素子が樹脂膜２の上に製造される。
【００２５】
次に、素子製造装置１と同じ成膜原理を用いて成膜を行う実験装置による成膜実験について説明する。
〔第１の実施の形態〕
図４は、素子製造装置１と同じ成膜原理を用いた実験装置の概略を説明する図である。
実験装置５１は、図４に示すように、ポリイミド等の樹脂から形成された基板５２が収納される真空容器５３と、基板５２に向けて電子線を照射する電子銃５４と、真空容器５３内に原料ガスＧを供給する原料ガス供給部５５と、から概略構成されている。
真空容器５３内には基板５２を支持する台５６が配置され、真空容器５３は真空排気系（図示せず）と接続されている。
電子銃５４は差動排気系（図示せず）と接続され、その内部が真空になるように構成されている。
原料ガス供給部５５は、Ｓｉ基板５７と、Ｓｉ基板５７を加熱するヒータ５８と、Ｃｌ２ガスが導入される導入部（図示せず）と、から構成されている。
【００２６】
次に、実験装置５１による成膜方法について説明する。
まず、基板５２を真空容器５３内の台５６に配置し、真空容器５３内を高真空（例えば略２．７×１０−８Ｐａ（２．０×１０−１０Ｔｏｒｒ））に真空引きする。
その後、Ｓｉ基板５７をヒータ５８により加熱しながら、原料ガス供給部５５にＣｌ２ガスを導入する。Ｃｌ２ガスは加熱されたＳｉ基板５７と反応して、ＳｉＣｌ２ガス（原料ガスＧ）となり、真空容器５３に導入される。
【００２７】
真空容器５３に原料ガスＧが導入されるときの圧力は、略１．３×１０−３Ｐａから略１．３×１０−２Ｐａ（１×１０−５Ｔｏｒｒから１×１０−４Ｔｏｒｒ）、好ましくは、略６．７×１０−４Ｐａから略６．７×１０−３Ｐａ（５×１０−６Ｔｏｒｒから５×１０−５Ｔｏｒｒ）の範囲内となることが望ましい。この範囲内の圧力とすることにより、成膜速度を速くし、良質の膜を形成することができる。
また、基板５２の温度は室温から略１５０℃の範囲とされることが望ましい。この範囲の温度とすることにより、成膜速度が速く、良質の膜を得ることができる。
【００２８】
真空容器５３内に原料ガスＧが導入されると、電子銃５４から電子線Ｅが基板５２に照射される。電子線の加速エネルギーは１００ｅＶから１０００ｅＶの範囲内となることが好ましい。この範囲内の電子線加速エネルギーとする事により、基板からの二次電子を効率よく発生させることができ、成膜速度が速く、良質の膜を得ることができる。基板５２の電子線照射領域からは二次電子が発生し、原料ガスＧが二次電子により励起される。励起された原料ガスＧは、基板５２上に堆積し、電子線照射領域にＳｉ膜が形成される。
【００２９】
また、原料ガスとして、シリコン原料ガス（ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ２Ｈ２Ｃｌ２等）と、酸素含有ガス（Ｏ２，Ｎ０２，Ｎ０等）とを用いて、基板上にシリコン酸化膜を所定形状に形成することもできる。
さらに、原料ガスとして、金属ハロゲン化物（ＷＦ６，ＭｏＦ６，ＷＣｌ６，ＭｏＣｌ６等）と、シリコン水素化物（ＳｉＨ６，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ２Ｈ２Ｃｌ２等）とを用いて、基板上にシリサイド膜を所定形状に形成することもできる。
【００３０】
上記の構成によれば、電子線Ｅの照射により樹脂膜２から二次電子を発生させ、原料ガスＧを二次電子により励起させ、電子線照射領域に原料ガスＧに対応する所定膜種の膜を形成することができる。
上述のように原料ガスＧを二次電子により励起するため、樹脂膜２の温度を室温から１５０℃の範囲に抑えることができる。また、室温から１５０℃の範囲とすることで、樹脂膜２の上に良質の所定膜種の膜を形成することができる。その結果、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミドおよびポリ４フッ化エチレン（テフロン（登録商標））など、熱に弱い樹脂の膜を基材として用いことができる。
【００３１】
移動範囲が広くかつ移動精度が低い粗動ステージ１５と、移動範囲が狭くかつ移動精度が高い微動ステージ１６と、組み合わせて備えることにより、樹脂膜２と電子線照射領域との相対位置を広い範囲で、高い精度で制御することができる。そのため、所定膜種の膜を広い範囲に高い形状精度で成膜することができる。
【００３２】
電子銃２１を複数備えた電子銃アレイ１７を用いることにより、電子線照射領域を増やすことができる。そのため、所定膜種の膜を複数個所で同時に成膜することができ、所定面積の所定膜種の膜を短い時間で成膜することができる。
【００３３】
なお、上述のように樹脂膜２から二次電子を発生させ、原料ガスＧを励起するのに電子線を照射する電子銃を用いてもよいし、ラジカルを照射するラジカルガンを用いてもよく、樹脂膜２から二次電子を発生させ、原料ガスＧを励起できるものを用いることができる。
【００３４】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図５を参照して説明する。
本実施の形態の素子製造装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、電子銃アレイの構成が異なっている。よって、本実施の形態においては、図５を用いて電子銃アレイ周辺のみを説明し、搬送部等の説明を省略する。
図５は、本実施形態に係る素子製造装置の高真空室内の構造を説明する図である。
なお、第１の実施形態と同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３５】
素子製造装置１０１の高真空室１３には、図５に示すように、樹脂膜２と対向する面に配置された粗動ステージ１５と、粗動ステージ１５の上に配置された微動ステージ１６と、微動ステージ１６の上に配置された電子銃アレイ（複数の励起線源）１１７と、が備えられている。
【００３６】
電子銃アレイ１１７は、電子線Ｅを照射する電子銃２１と、原料ガスＧを樹脂膜２と電子銃アレイ１１７との間に導入するノズル（ガス供給手段）１１８と、がアレイ状に配置されて構成されている。電子銃２１とノズル１１８とは、交互に並んで配置されていてもよいし、必要に応じて電子銃２１の割合を増やして配置したり、ノズル１１８の割合を増やして配置したりしてもよい。
【００３７】
次に、上記の構成からなる素子製造装置１０１における成膜方法について説明する。
まず、第１の実施形態と同様に、樹脂膜２を真空筐体３に対向するように配置する。この状態で、樹脂膜２および真空筐体３より形成された低真空室１１、中真空室１２、高真空室１３内を、それぞれ低真空、中真空、高真空に吸引する（図２参照）。
その後、図５に示すように、ガスノズル１１８から原料ガスＧを樹脂膜２と電子銃アレイ１１７との間に導入する。電子銃２１の電子放出部２３からは、電子線が樹脂膜２にむけて放出され、電子レンズ２４にて電子線のビーム径が制御される。
【００３８】
電子線が照射された領域の樹脂膜２からは二次電子が発生し、発生した二次電子は原料ガスを励起する。励起した原料ガスは樹脂膜２の電子線照射領域に堆積し、所定膜種の膜を成膜する。
樹脂膜２と電子線照射領域との相対位置の制御方法は、第１の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
【００３９】
上記の構成によれば、電子銃アレイ１１７に配置されたガスノズル１１８から原料ガスＧを導入しているため、樹脂膜２と電子銃アレイ１１７との間の狭い領域のみに原料ガスＧを供給することができる。その結果、成膜に寄与しない原料ガスＧの量を減らすことができ、成膜の高効率化を図ることができる。
【００４０】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について図６を参照して説明する。
本実施の形態の素子製造装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第２の実施の形態とは、高真空室内の構成が異なっている。よって、本実施の形態においては、図６を用いて高真空室周辺のみを説明し、搬送部等の説明を省略する。
図６は、本実施形態に係る素子製造装置の高真空室内の構造を説明する図である。
なお、第１の実施形態と同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４１】
素子製造装置１５１の高真空室１３には、図６に示すように、樹脂膜２と対向する面に配置された粗動ステージ１５と、粗動ステージ１５の上に配置された微動ステージ１６と、微動ステージ１６の上に配置された超微動ステージ（移動手段）１６６と、超微動ステージ１６６の上に配置された電子銃アレイ（複数の励起線源）１６７と、が備えられている。
【００４２】
超微動ステージ１６６は、粗動ステージ１５および微動ステージ１６と同様に、図中のＸ軸方向、Ｙ軸方向に移動可能なＸＹステージである。また、超微動ステージ１６６の位置決め精度は、微動ステージ１６の位置決め精度よりも高く、ステージの移動範囲は、微動ステージ１６の移動範囲よりも狭く形成されている。
【００４３】
電子銃アレイ１６７は、電子線Ｅを照射する電子銃（励起線源）１７１と、原料ガスＧを樹脂膜２と電子銃アレイ１６７との間に導入するノズル１１８と、がアレイ状に配置されて構成されている。電子銃１７１は、凹部２２の底面に形成された略円錐形状の電子放出部２３から概略構成されている。電子銃１７１とノズル１１８とは、交互に並んで配置されていてもよいし、必要に応じて電子銃１７１の割合を増やして配置したり、ノズル１１８の割合を増やして配置したりしてもよい。
【００４４】
次に、上記の構成からなる素子製造装置１５１における成膜方法について説明する。
まず、第１の実施形態と同様に、樹脂膜２を真空筐体３に対向するように配置する。この状態で、樹脂膜２および真空筐体３より形成された低真空室１１、中真空室１２、高真空室１３内を、それぞれ低真空、中真空、高真空に吸引する（図２参照）。
その後、図６に示すように、ガスノズル１１８から原料ガスＧを樹脂膜２と電子銃アレイ１６７との間に導入する。電子銃１７１の電子放出部２３からは、電子線が樹脂膜２にむけて放出される。
電子線が照射された領域の樹脂膜２からは二次電子が発生し、発生した二次電子は原料ガスを励起する。励起した原料ガスは樹脂膜２の電子線照射領域に堆積し、所定膜種の膜を成膜する。
【００４５】
電子銃アレイ１６７は、粗動ステージ１５、微動ステージ１６および超微動ステージ１６６により図中のＸ軸方向およびＹ軸方向に駆動制御される。具体的には、粗動ステージ１５により微動ステージ１６、超微動ステージ１６６および電子銃アレイ１６７を移動目標地点の近傍領域であって、微動ステージ１６の移動範囲内の地点に移動させる。そして、微動ステージ１６により超微動ステージ１６６および電子銃アレイ１６７を移動目標地点の近傍領域であって、超微動ステージ１６６の移動範囲内の地点に移動させる。さらに、超微動ステージ１６６により電子銃アレイ１６７を移動目標地点に移動させる。
【００４６】
上記の構成によれば、粗動ステージ１５、微動ステージ１６および超微動ステージ１６６により、電子銃アレイ１６７を駆動制御するため、電子銃アレイ１６７をより精密に位置決め制御することができる。そのため、膜の形状をより精度よく成膜することができる。
【００４７】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、所定形状の膜を樹脂基板の上に成膜する方法に適用して説明したが、樹脂基板の上に成膜する方法に限られることなく、半導体基板、ガラス基板等、その他各種の基板に適応することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る素子製造装置の概略を示す図である。
【図２】図１の素子製造装置の内部構造を示すＡ−Ａ´断面図である。
【図３】図２の高真空室内の構造を示す断面図である。
【図４】本発明の素子製造装置と同じ成膜原理を用いた実験装置の概略を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る素子製造装置の高真空室内の構造を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る素子製造装置の高真空室内の構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１，１０１，１５１  素子製造装置
２  樹脂膜（基材）
３  真空筐体（筐体）
６  ガス供給系（ガス供給手段）
１５  粗動ステージ（移動手段）
１６  微動ステージ（移動手段）
１７，１１７，１６７  電子銃アレイ（複数の励起線源）
１８  ガスノズル（ガス供給手段）
２１  電子銃（励起線源）
２４  電子レンズ（移動手段）
１１８  ノズル（ガス供給手段）
１６６  超微動ステージ（移動手段）
１７１  電子銃（励起線源）
Ｅ  電子線（励起線）
Ｇ  原料ガス
【図１】
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【図２】
2006176799.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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