(57)【要約】【課題】  光透過性を良好にして表示品位を高め、さらには、ゲート絶縁膜の特性向上を図ってリーク等を防止し、信頼性を向上した、電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】  基材１０ａと、基材１０ａ上に配列形成された複数の画素領域とを備え、画素領域に、薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板の製造方法である。薄膜トランジスタの半導体層４２を形成する工程と、半導体層４２上にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２上に非晶質シリコン層３４Ａを形成する工程と、非晶質シリコン層３４Ａに光を照射してこのシリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層３４を形成する工程と、を備えている。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材上に配列形成された複数の画素領域とを備え、前記画素領域に、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板であって、
前記容量電極が多結晶シリコンからなっていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
基材と、該基材上に配列形成された複数の画素領域とを備え、前記画素領域に、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン層を形成する工程と、
前記非晶質シリコン層に光を照射して該シリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
前記容量電極層を形成する工程では、前記非晶質シリコン層に光を照射して該シリコン層を結晶化することにより、多結晶シリコンからなるゲート配線層も同時に形成することを特徴とする請求項２記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項４】
前記容量電極層を形成する工程において多結晶シリコンからなるゲート配線層を形成した後、前記ゲート配線層上にゲート配線用の金属層を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項３記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の電気光学装置用基板、又は請求項２〜４のいずれか一項に記載の製造方法で得られた電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光透過率を高め、さらにはゲート絶縁膜の特性を向上した電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置やＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置等の電気光学装置として、アクティブマトリクス方式のものが従来から知られている。このような電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板では、平面視マトリクス状に配置された多数の画素からなる画像表示領域が設けられ、前記各画素に対応してＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子が設けられている。
【０００３】
また、このような電気光学装置用基板の製造方法としては、例えば、特許文献１に記載されているように、半導体領域として結晶性シリコン領域（ポリシリコン領域）を形成する第１の工程と、この結晶性シリコン領域に不純物を導入して不純物領域を形成する第２の工程と、該半導体領域を覆って絶縁膜を形成する第３の工程と、該半導体領域および絶縁膜をアニール処理する第４の工程と、該絶縁膜上にゲート電極・配線を形成する第５の工程とを有する方法がある。
【０００４】
この方法によれば、ゲート電極・配線の形成前に熱アニールやレーザーアニールなどのアニール処理を行うことで、半導体膜（結晶性シリコン）中の不純物境界の不連続性を無くすことができる。また、ゲート電極形成後に高熱を使用する工程がなくなるため、低融点金属であるＡｌなどをゲート電極や配線の材料として使用することができる。
【特許文献１】特開平７−３３５８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記の電気光学装置用基板の製造方法にあっては、特に容量電極やゲート電極に厚さ数百ｎｍ程度のＡｌ等の金属物質が用いられているため、この部分が遮光領域となってしまい、これによって開口率が低くなり、光透過性が低下してしまうといった課題がある。
また、基板としてガラスを使用していることから、ゲート絶縁膜の形成に熱酸化法などの高熱を用いる方法を採用することができず、したがって絶縁性が比較的低いＣＶＤ法により、ＳｉＯ２を形成している。しかし、このＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜は、紫外線領域における光のほとんどを透過してしまう。したがって、レーザー光によってアニールを行った際、発熱はほとんどＳｉＯ２とポリシリコンとの界面でしか起こらず、そのため、ゲート絶縁膜全体に熱が伝わりにくく、結果として絶縁性等について良好な特性を有するゲート絶縁膜が得られないといった課題もあった。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光透過性を良好にして表示品位を高め、さらには、ゲート絶縁膜の特性向上を図ってリーク等を防止し、信頼性を向上した、電気光学装置用基板とその製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置用基板は、基材と、該基材上に配列形成された複数の画素領域とを備え、前記画素領域に、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板であって、前記容量電極が多結晶シリコンからなっていることを特徴としている。
この電気光学装置用基板によれば、容量電極が光透過性を有する多結晶シリコンからなっているので、画素領域での光透過性が良好になり、したがって表示品位が高まる。
【０００８】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、基材と、該基材上に配列形成された複数の画素領域とを備え、前記画素領域に、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された容量電極とが設けられた電気光学装置用基板の製造方法であって、前記薄膜トランジスタの半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン層を形成する工程と、前記非晶質シリコン層に光を照射して該シリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
【０００９】
この電気光学装置用基板の製造方法によれば、非晶質シリコン層に光を照射して該シリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層を形成するので、得られた電気光学装置用基板は前述したように容量電極が光透過性を有することにより、画素領域での光透過性が良好になって表示品位が向上したものとなる。
また、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上に非晶質シリコン層を形成した後、前記非晶質シリコン層に光を照射して該シリコン層を結晶化し、多結晶シリコンからなる容量電極層を形成するので、光を照射して非晶質シリコン層を溶融・固化し、結晶化した際に生じる熱によってゲート絶縁膜をアニール処理することができ、しかも、従来と同様に例えばＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜とポリシリコンからなる半導体層との界面での発熱によってもゲート絶縁膜をアニール処理することができる。よって、ゲート絶縁膜についてより良好にアニール処理することができることから、その絶縁性等の特性向上を図ることができ、したがってリーク等を防止して信頼性を向上することが可能になる。
【００１０】
また、前記電気光学装置用基板の製造方法にあっては、前記容量電極層を形成する工程において、前記非晶質シリコン層に光を照射して該シリコン層を結晶化することにより、多結晶シリコンからなるゲート配線層も同時に形成するのが好ましい。
このようにすれば、ゲート配線層についても光透過性を有する多結晶シリコンとするので、画素領域での光透過性がより良好になり、したがってこの基板を用いた電気光学装置の表示品位がより高まる。
【００１１】
また、この電気光学装置用基板の製造方法にあっては、前記容量電極層を形成する工程において多結晶シリコンからなるゲート配線層を形成した後、前記ゲート配線層上にゲート配線用の金属層を形成する工程を備えているのが好ましい。
このようにすれば、ゲート配線層の光透過性は低下するものの、その導電性を高くすることができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、前記の電気光学装置用基板、又は前記の電気光学装置用基板の製造方法で得られた電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする。
この電気光学装置によれば、前述したように容量電極が多結晶シリコンからなっていることから画素領域での光透過性が良好になり、したがって表示品位が高いものとなる。また、ゲート絶縁膜についてより良好にアニール処理されていることから、その絶縁性等の特性向上が図られたものとなり、したがってリーク等が防止されて信頼性が向上したものとなる。
【００１３】
本発明の電子機器は、前記の電気光学装置を備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、光透過性が良好になって表示品位が高くなり、また、ゲート絶縁膜の特性が向上してリーク等が防止され、信頼性が向上したものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を詳しく説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の一例である液晶装置を、各構成要素とともに対向基板側からみた平面構成図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＨ−Ｈ線に沿う断面構成図、図２は、液晶装置を構成する電気光学装置用基板上に設けられた各種配線や周辺回路等の電気的な構成を示すブロック図である。
【００１５】
［液晶装置の全体構成］
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置は、本発明の電気光学装置用基板の一例となるＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とが平面視略矩形枠状のシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内に液晶層５０が封入された構成となっている。シール材５２の内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り５３が形成され、この周辺見切りの内側の領域が画像表示領域５１とされている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路２０４，２０４が形成され、これらによって周辺回路が構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る１辺（図示上辺）には、画像表示領域５１の両側の走査線駆動回路２０４，２０４間を接続する複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。本実施形態の液晶装置は、透過型の液晶装置として構成され、ＴＦＴアレイ基板１０側に配置された光源（図示略）からの光を変調して対向基板２０側から出射するようになっている。
【００１６】
なお、データ線駆動回路２０１あるいは走査線駆動回路２０４，２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＣＯＦ（Chip On Film）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、液晶装置においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、垂直配向モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００１７】
このような構造を有する液晶装置の画像表示領域５１には、図２に示すように走査線（ゲート配線）３ａ及びデータ線６ａがそれぞれＸ方向、Ｙ方向に複数本形成されており、各走査線３ａ、データ線６ａの交差部には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３０と、画素電極９と、蓄積容量７０とからなる画素領域４１がマトリクス状に配列形成されている。ＴＦＴ３０のゲート及びソースは、それぞれ走査線３ａ、データ線６ａに接続され、ドレインは画素電極９に接続されている。また、画素の保持特性を高めるべく付与されている蓄積容量７０は、画素電極９と並列に接続されている。
【００１８】
走査線駆動回路２０４は、主に垂直シフトレジスタから構成され、クロック信号線（図示略）を介して外部制御装置から入力される基準クロックに基づくパルス状の走査信号Ｇ１，Ｇ２，…Ｇｍを、一垂直走査期間内に線順次に走査線３ａに印加するようになっている。また、必要に応じて、容量電極３ｂに対して所定の電圧、ないしパルス状の電気信号を印加できるようになっている。
データ線駆動回路２０１は、クロック信号線（図示略）を介して外部制御装置から入力される基準クロックに基づいて、各サンプリング駆動信号線１１１にサンプリング駆動信号Ｓ１，Ｓ２，…Ｓｎを順次供給する水平シフトレジスタ２０１ａと、画像信号線１１２を介して供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６をサンプリングするサンプルホールド回路２０１ｂとを備えて構成されている。
【００１９】
サンプルホールド回路２０１ｂは、データ線毎に設けられたサンプリングスイッチ（回路用薄膜トランジスタ）１３１を備えており、各サンプリングスイッチ１３１は、水平シフトレジスタ１１０からサンプリング駆動信号Ｓ１，Ｓ２，…Ｓｎが入力されると、６つの画像信号線１１２のそれぞれについてサンプリングされた画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を６つの隣接するデータ線６ａからなるグループ毎に順次印加するようになっている。これにより、一水平走査期間（走査線駆動回路２０４により１本の走査線３ａに走査信号が供給されている期間）に、各データ線６ａに対してサンプリングされた画像信号が供給されるようになっている。
【００２０】
［画素の詳細構成］
図３は、本実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板１０上の１画素領域を示す平面構成図であり、図４は、図３のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。
図３に示すようにＴＦＴアレイ基板上には、データ線６ａと、走査線３ａとが互いに交差して設けられており、これらデータ線６ａと走査線３ａとによって区画された略矩形状の画素領域４１には、平面視略鈎形の半導体層４２が設けられている。走査線３ａは、本発明におけるゲート配線（ゲート配線層）となるもので、本実施形態では多結晶シリコン（ポリシリコン）上にＡｌ等の金属が積層されて形成されたものである。この走査線３ａは、データ線６ａと交差する方向に延びる走査線本線部３１と、この本線部３１から画素領域４１中央側へ延出された複数本（図３では２本）のゲート電極部（走査線分岐部）３２，３３とを有してなり、ゲート電極部３２，３３が、前記半導体層４２の走査線本線部３１と平行に延びる部分と交差して配置されることで、デュアルゲート（ダブルゲート）構造のＴＦＴ３０を構成している。
【００２１】
平面視略鈎形の半導体層４２の一端側は、データ線６ａとの交差部に設けられたソースコンタクトホール５５を介してデータ線６ａと電気的に接続されており、他端側は、画素領域４１の内側へ延設され、平面視Ｌ形の半導体容量電極４２ａを構成している。
半導体容量電極４２ａは、前記走査線本線部３１と平行に延びる容量電極３ｂに対して、平面的にほぼ重なって配置されている。平面視Ｌ形の半導体容量電極４２ａの図示上下方向に延びる部分は、データ線６ａと平面視で重なって画素領域４１の一辺側に延在している。ここで、容量電極３ｂは、後述するように非晶質シリコンを結晶化処理したことによる、多結晶シリコン（ポリシリコン）によって形成されたものとなっている。
【００２２】
画素領域４１とほぼ重なる平面領域に形成された画素電極９は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなり、前記半導体層４２に、例えば中間電極層（図示せず）を介して電気的に接続されたものである。なお、画素電極９については、画素領域のほぼ全体を覆うため、図３中においてはその図示を省略し、符号のみを示している。
【００２３】
次に、図４に示す断面構造を見ると、ＴＦＴアレイ基板１０は、例えばガラスからなる基板本体（基材）１０ａの一面側に保護層１１を形成したもので、この保護層１１上には、ＴＦＴ３０及び蓄積容量７０等が形成されている。なお、基板本体１０ａの材質については、ガラス以外にも、石英やプラスチック等を採用することができる。保護層１１は、例えば基板本体１０ａ上に、窒化珪素膜、酸化珪素膜がこの順に積層されて形成されたものである。
【００２４】
ＴＦＴ３０は、前述したようにデュアルゲート構造であり、かつＬＤＤ構造を有したものである。より詳細には、ＴＦＴ３０は、ゲート電極部３２，３３と、半導体層４２の前記ゲート電極部３２，３３と対向する領域に形成された２箇所のチャネル領域１ａと、ゲート電極部３２，３３と半導体層４２とを絶縁するゲート絶縁膜を構成する絶縁薄膜２と、を主体として構成されている。そして、前記２箇所のチャネル領域１ａの両側にそれぞれ形成されてＬＤＤ部をなす低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃと、これらのＬＤＤ部の両側に形成された高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅと、チャネル領域１ａ間に形成された高濃度ソース／ドレイン領域１ｆとを備えている。
【００２５】
ここで、前記ゲート電極部３２，３３は、多結晶シリコン層３２ａ，３３と、これの上に形成された金属層３２ｂ，３３ｂとからなる積層構造となっており、これによって低抵抗化されたものとなっている。なお、これらゲート電極部３２，３３とともに走査線３ａを構成する走査線本線部３１も、前述したように、ゲート電極部３２，３３と同様に多結晶シリコン層と金属層とからなる積層構造となっている。また、半導体層４２は、多結晶シリコン（ポリシリコン）によって形成されたもので、後述するように基板１０ａ上に成膜した非晶質シリコン（アモルファスシリコン）を、レーザーアニール法等の低温プロセスによって多結晶化したものである。
【００２６】
また、絶縁薄膜２上には、前記ゲート電極部３２，３３の多結晶シリコン層３２ａ，３３が形成された面と同じ面上に、容量電極３ｂが配設されている。この容量電極３ｂは、前記半導体容量電極４２ａの直上に配設されたもので、これら半導体容量電極４２ａと絶縁薄膜２とともに蓄積容量７０を構成するものである。このように半導体容量電極４２ａとともに蓄積容量７０を構成することにより、容量電極３ｂはＴＦＴ３０に接続されたものとなっている。
【００２７】
絶縁薄膜２上には、ゲート電極部３２，３３及び容量電極３ｂを覆って層間絶縁膜１３が形成されており、層間絶縁膜１３上には、例えばＡｌ等の低抵抗金属からなるデータ線６ａが形成されている。
また、層間絶縁膜１３にはこれを貫通してソースコンタクトホール５５が形成されており、このソースコンタクトホール５５を介してデータ線６ａと半導体層４２の高濃度ソース領域１ｄとが電気的に接続されている。
【００２８】
層間絶縁膜１３上には、データ線６ａを覆って平坦化膜１４が形成されており、平坦化膜１４上には画素電極９が形成されている。そして、前記層間絶縁膜１３と平坦化膜１４とにはこれらを貫通するドレインコンタクトホール５６が形成されており、このドレインコンタクトホール５６を介して画素電極９と前記半導体層４２の高濃度ドレイン領域１ｅとが電気的に接続されている。
また、画素電極９及び平坦化膜１４上には、ラビング処理等の配向処理が施されたポリイミド膜などからなる配向膜１７が設けられている。
【００２９】
また、対向基板２０は、基板本体２０ａの液晶層５０側にベタ状に形成された共通電極２１と、この共通電極２１を覆って形成された配向膜２２とを備えている。共通電極２１は、ＩＴＯ等の透明導電材料により形成でき、配向膜２２は、先のＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１７と同様の構成とすることができる。また、カラー表示を行う場合には、各画素領域４１に対応して例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の色材層を備えたカラーフィルタを基板本体１０ａ又は２０ａ上に形成すればよい。
【００３０】
このような構成の液晶装置を製造するに際し、特に本発明の電気光学装置用基板の一例となるＴＦＴアレイ基板１０を製造するには、まず、図５（ａ）に示すように基板本体１０ａ上に窒化珪素膜、酸化珪素膜をこの順に積層して保護層１１を形成し、続いて、この保護層１１上にプラズマＣＶＤ法等によって非晶質シリコン層４２Ａを形成する。
次いで、この非晶質シリコン層４２Ａをレーザーアニール法や触媒によるＮｉ助長固相成長法等の低温プロセスによって結晶化（多結晶化）し、さらに得られた多結晶シリコンに対して適宜なドーピング処理を行った後、公知のリソグラフィー技術、エッチング技術によってパターニングすることにより、図５（ｂ）に示すように半導体層４２を形成する。
【００３１】
次いで、前記半導体層４２を覆って従来と同様にＣＶＤ法でＳｉＯ２を堆積し、図５（ｃ）に示すように絶縁薄膜２を形成する。このようにして得られた絶縁薄膜２は、例えば８００℃程度の温度条件で行う熱酸化法に比べ、３５０〜４００℃程度の低温プロセスとなるＣＶＤ法で形成されていることにより、熱酸化法で得られたＳｉＯ２膜に比べ、絶縁性が低いものとなる。
続いて、図５（ｄ）に示すようにこの絶縁薄膜２上に、プラズマＣＶＤ法によって５００℃以下の温度条件で非晶質シリコン層３４Ａを形成する。
【００３２】
次いで、レーザー光を照射するレーザーアニール法によってこの非晶質シリコン層３４Ａを結晶化（多結晶化）し、多結晶シリコン層（容量電極層）３４とする。すなわち、非晶質シリコン層３４Ａにレーザー光を照射して加熱し、これを溶融する。その後、レーザー光の照射を停止することによって固化（結晶化）し、多結晶シリコン（ポリシリコン）とする。このとき、非晶質シリコン層３４Ａが溶融した際に生じる熱により、ゲート絶縁膜となる絶縁薄膜２が加熱され、結果的にアニール処理される。すなわち、シリコンの溶融温度は１４１４℃と高いことから、この溶融時の熱が伝わることによって絶縁薄膜２は十分高温で加熱され、アニール処理されるのである。
また、このとき、従来と同様にＳｉＯ２からなる絶縁薄膜２と多結晶シリコンからなる半導体層４２との界面での発熱によっても絶縁薄膜２がアニール処理される。よって、この絶縁薄膜２やこれからなるゲート絶縁膜、すなわちＴＦＴ３０におけるゲート絶縁膜について、より良好にアニール処理することができ、したがってその絶縁性等の特性が従来に比べ向上する。
【００３３】
続いて、得られた多結晶シリコン層３４に対して適宜なドーピング処理を行った後、公知のリソグラフィー技術、エッチング技術によってパターニングすることにより、図４に示したように容量電極３ｂを形成する。また、これと同時に、ドーピング後の多結晶シリコン層３４をパターニングすることにより、本発明におけるゲート配線層となる走査線３ａ、すなわち走査線本線部３１及びゲート電極部３２，３３の多結晶シリコン層を形成する。
【００３４】
このようにして多結晶シリコンからなる走査線３ａ（ゲート配線層）を形成した後、この走査線３ａを覆ってＡｌ等の金属層（図示せず）を形成する。続いて、この金属層を公知のリソグラフィー技術、エッチング技術によってパターニングし、走査線３ａにおける金属層、すなわち図４に示したゲート電極部３２，３３における金属層３２ｂ，３３ｂや、走査線本線部３１における金属層（図示せず）を形成する。ただし、周辺回路部においては、走査線３ａ（ゲート配線層）と走査線３ａとが重なることにより、例えば層間絶縁膜が薄い場合や成膜のカバレッジが悪い場合に、重なった走査線３ａ間が短絡してしまう可能性がある。したがって、このような場合には、特に周辺回路部における走査線３ａについて、金属層を形成することなく、多結晶シリコン層のみから形成することで、段差を減らして短絡の発生を防止するようにしてもよい。
【００３５】
このようにして走査線３ａにおける金属層を形成したら、以下、従来と同様にして、半導体層４２への不純物の注入、及び不純物の活性化、層間絶縁膜１３の形成、コンタクトホール５５の形成、データ線６ａの形成、平坦化膜１４の形成、コンタクトホール５６の形成、画素電極９の形成、配向膜１７の形成等を順次行い、図４に示したＴＦＴアレイ基板１０を得る。
また、このようにして得られたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを対向させ、これらをシール材５２によって貼り合わせた後、このシール材５２に囲まれた領域内に液晶層５０を封入することにより、本発明の電気光学装置としての液晶装置を得る。
【００３６】
このようにして得られたＴＦＴアレイ基板１０にあっては、容量電極３ｂが光透過性を有する多結晶シリコンからなっているので、画素領域４１での光透過性が良好になり、したがって輝度やコントラスト比が向上して表示品位が高いものとなる。よって、特に高精細化が進み、画素ピッチが小さくなって画素領域４１に占める容量電極３ｂや走査線３ａの割合が大きくなった場合に、本実施形態のＴＦＴアレイ基板１０は表示品位の向上に大きく寄与するものとなる。
【００３７】
また、このＴＦＴアレイ基板１０の製造方法にあっては、前述したように非晶質シリコン層３４Ａにレーザー光を照射して多結晶シリコン（ポリシリコン）とし、これから容量電極３ｂ、さらには走査線３ａを形成するようにしたので、非晶質シリコン層３４Ａが溶融した際に生じる熱によって絶縁薄膜２をアニール処理することができ、したがって、この絶縁薄膜２やこれからなるゲート絶縁膜の絶縁性等の特性を従来に比べ格段に向上することができ、これによりリーク等を防止して信頼性を向上することができる。
【００３８】
また、特にゲート配線層となる走査線３ａについても光透過性を有する多結晶シリコンとすれば、画素領域４１での光透過性をより良好にすることができ、一方、この走査線３ａ（ゲート配線層）を多結晶シリコン層と金属層との積層構造とすれば、走査線３ａの光透過性は低下するものの、その導電性を高くすることができる。
【００３９】
また、前記ＴＦＴアレイ基板１０を備えてなる電気光学装置としての液晶装置にあっては、前述したように容量電極３ｂが多結晶シリコンからなっていることから画素領域での光透過性が良好になり、したがって表示品位が高いものとなる。また、ゲート絶縁膜（絶縁薄膜２）についてより良好にアニール処理されていることから、その絶縁性等の特性向上が図られたものとなり、したがってリーク等が防止されて信頼性が向上したものとなる。
【００４０】
なお、前記実施形態では、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したが、本発明はこれに限定されることなく、ＥＬ装置（有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置）や電気泳動装置、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）など種々のものに適用可能である。ここで、本発明において電気光学装置、あるいは電気光学素子、電気光学層とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。
【００４１】
（電子機器）
図６は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
なお、本発明の電子機器としては、前記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等、各種のものを挙げることができる。
【００４２】
このような電子機器にあっては、例えば前記実施形態の液晶装置を備えているので、光透過性が良好になって表示品位が高くなり、また、ゲート絶縁膜の特性が向上してリーク等が防止され、信頼性が向上したものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】（ａ）は液晶装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図。
【図２】同、液晶装置の回路を示すブロック図。
【図３】同、１画素領域を示す平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は液晶装置の製造工程図。
【図６】電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００４４】
１ａ…チャネル領域、２…絶縁薄膜（ゲート絶縁膜）、３ａ…走査線、
３ｂ…容量電極、６ａ…データ線、９…画素電極、
１０…ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板）、１０ａ…基板本体（基材）、
２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、３４Ａ…非晶質シリコン、
３４…多結晶シリコン層（容量電極層）、４１…画素領域、４２…半導体層、
５０…液晶層、７０…蓄積容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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