(57)【要約】【課題】  ＴＦＤ素子、配線等のように複数の導電膜を積層して成る要素に関してそれらの導電膜間に導通不良が発生するのを防止することにより、安定した表示を行うことができる電気光学装置を安定して製造できる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  基板上にＣｒ等で第１導電膜を形成する工程Ｑ５と、その第１導電膜上にＡｌ等で被覆膜を形成する工程Ｑ７と、その被覆膜を形成する工程の後にアニールを行う工程Ｑ８と、そのアニールの後に被覆膜を除去する工程Ｑ９と、被覆膜が除去された領域でＣｒ等の第１導電膜上にＩＴＯ等で第２導電膜を形成する工程Ｑ１１とを有する電気光学装置の製造方法である。アニールの際には第１導電膜が被覆膜によって覆われているので第１導電膜の表面が酸化することを防止できる。第１導電膜の表面の酸化を防止できれば、第２導電膜を第１導電膜上に良好に形成できる。【選択図】      図２
2006098629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属膜からなる第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜上に被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、
該被覆膜形成工程の後に加熱を行う加熱工程と、
該加熱工程の後に前記被覆膜を除去する被覆膜除去工程と、
前記被覆膜が除去された領域で前記第１導電膜上に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置は、複数の層を積層して成る配線を前記基板上に有し、
前記第１導電膜形成工程において、前記配線の複数の層の内の１つの層が前記第１導電膜として形成され、
前記被覆膜形成工程において、前記１つの層の上に前記被覆膜が形成され、
前記加熱工程において加熱が行われ、
前記被覆膜除去工程において、前記配線の一部の上の前記被覆膜が除去され、
前記第２導電膜形成工程において、前記一部の上に前記第２導電膜が形成される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置は、
スイッチング素子と、
該スイッチング素子に導電接続する第１画素電極とを有し、
前記被覆膜除去工程の後に前記被覆膜上にオーバーレイヤを形成するためのオーバーレイヤ形成工程が実施され、
前記オーバーレイヤ形成工程の後に前記第２導電膜形成工程において前記第１画素電極が前記オーバーレイヤの上に形成される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置は、第１電極と該第１電極上に形成される絶縁膜と該絶縁膜上に形成される第２電極とを有するＴＦＤ素子と、前記第２電極に導電接続する第１画素電極とを有し、
前記第１導電膜形成工程において、前記第２電極が前記第１導電膜として形成され、
前記被覆膜形成工程において、前記第２電極上に前記被覆膜が形成され、
前記加熱工程において加熱が行われ、
前記被覆膜除去工程において、前記第２電極上の前記被覆膜が除去され、
前記第２導電膜形成工程において、前記第１画素電極が前記第２導電膜として形成される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前記被覆膜成膜工程ではアルミニウムまたはアルミニウム合金を用いて前記被覆膜が形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前記第１導電膜形成工程ではクロムを用いて前記第１導電膜が形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前記第２導電膜形成工程ではＩＴＯを用いて前記第２導電膜が形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置は、前記基板に対向する対向基板と、該対向基板上に形成された第２画素電極とを有し、
前記一部において、前記第２画素電極を前記配線と導電接続することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置は、前記基板に実装された半導体装置を有し、
前記一部において、前記半導体装置を前記配線と導電接続することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置は、回路基板と接続されており、
前記一部において、前記回路基板を前記配線と導電接続することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項２に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学装置は、前記基板に枠状に配置された接着材を介して固定された部材を有し、
前記被覆膜除去工程においては、前記接着材の外側における前記配線上の前記被覆膜を除去することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、
前記第１導電膜上に被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、
前記被覆膜形成工程の後に加熱を行う加熱工程と、
前記加熱工程の後に前記被覆膜を除去する被覆膜除去工程と、
前記被覆膜が除去された領域で前記第１導電膜上に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程と
を有することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に用いられる基板を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、上記の製造方法によって製造される電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、電気光学装置が広く用いられている。これらの電気光学装置は、例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。また、電気光学物質としてＥＬ（Electro Luminescence）を用いたＥＬ装置も知られている。
【０００３】
例えば、液晶表示装置は電気光学パネルとしての液晶パネルを有する。この液晶パネルは、一般に、それぞれが電極を備えた一対の基板の間に液晶層を介在させた構造を有する。この液晶層は、例えば次のようにして、すなわち、前記一対の基板の間にシール材によって囲まれた空間を形成し、この空間の中に液晶を封止することによって形成される。この液晶表示装置では、液晶層に光を供給すると共に該液晶層に印加される電圧を画素ごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を画素ごとに制御する。液晶層へ供給された光は、液晶分子の配向状態に従って変調され、この変調された光を偏光板の液晶側表面に供給することにより、その偏光板の観察側表面に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【０００４】
上記のような液晶表示装置において、基板上にマトリクス状に配置された多数の電極をスイッチング素子によって個々に制御する構造のアクティブマトリクス型の液晶表示装置が知られている。スイッチング素子としては、例えば、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子が用いられる。このＴＦＤ素子は、例えば、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）の積層構造を有し、そのＭＩＭ構造は、例えば、最も基板に近い第１電極をＴａＷ（タンタルタングステン）によって形成し、その上の層である絶縁膜を陽極酸化膜によって形成し、そして、その上の第２電極をＣｒ（クロム）によって形成することによって造られる。
【０００５】
また、一般に、一対の基板の一方または両方には、各電極へ信号を伝送するために複数の配線が形成される。これらの配線も、ＴＦＤ素子と同様に複数の材料層を積層して成る積層構造を有することがある。この配線は信号の伝達が主たる役割であるが、その一部分には、他の配線や他の電子要素等との導電接続を達成するために端子部が形成されることがある。
【０００６】
一般に、上記のＴＦＤ素子の第２電極の表面には、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成る電極が導電接続される。また、上記配線の端子部には、電気的な接触を良好にするためにＩＴＯが成膜されることがある。
【０００７】
ところで、上記のＴＦＤ素子を形成する工程にはアニール（加熱）工程が含まれることがある。このアニール工程は、レーザや電気炉といった加熱源を用いて熱処理を行う工程であり、主に、ＴＦＤ素子の特性を調整するために行われる。従来、このアニール工程は、ＴＦＤ素子の第２層である絶縁層を形成した後、またはＴＦＤ素子の第３層である第２電極を形成した後に行われていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−５５９０５号公報（第７〜８頁、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に開示された従来の製造方法のように、アニール工程をＴＦＤ素子の第２電極を形成した後に行う場合には、アニール処理の際に第２電極の表面が露出していた。このため、そのアニール処理の際に、第２電極の表面が酸化するおそれがあった。このようにＴＦＤ素子の第２電極が酸化すると、その第２電極の上にＩＴＯの電極を形成したときに、第２電極と電極との間の接触抵抗が高くなってそれらの間に導通不良が発生するおそれがあった。
【００１０】
また、基板上に形成された配線の一部分に所定パターンのＩＴＯを載せることによって端子部を形成する場合、まず初めに配線を形成し、次にアニール処理を行い、その後に上記のＩＴＯの被覆処理を行うものとすると、アニール処理を行ったときに端子部において配線の表面がアニール処理によって酸化されることがある。こうなると、その配線にＩＴＯで被覆したときに、配線とＩＴＯとの間の接触抵抗が高くなってそれらの間に導通不良が発生するおそれがあった。
【００１１】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、複数の導電膜を積層して成る構造に関してそれらの導電膜間に導通不良が発生するのを防止することにより、安定した表示を行うことができる電気光学装置を安定して製造できる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に金属膜からなる第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜上に被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、該被覆膜形成工程の後に加熱を行う加熱工程と、該加熱工程の後に前記被覆膜を除去する被覆膜除去工程と、前記被覆膜が除去された領域で前記第１導電膜上に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
加熱工程は、例えばレーザや電気炉といった加熱源を用いて熱処理を行う工程である。この加熱を行うことによって、加熱工程より前の工程で形成した膜の特性を調整することができる。例えば、酸素雰囲気中で加熱を行えば酸化膜を形成できる。また、その他の活性ガス雰囲気中で加熱を行えば、所定物質の膜を形成できる。また、この加熱工程には、導電膜の膜質を変える為の加熱、例えば、導電膜を低温で成膜した後に、基板のゆがみを防止する為に膜の応力を変化させる為の焼成工程での加熱がある。
【００１４】
上記の電気光学装置の製造方法によれば、第１導電膜上に被覆膜を形成した後に加熱を行うようにした。こうすれば、加熱工程の際には第１導電膜の上に被覆膜が形成されているので、第１導電膜の表面は加熱工程に用いる酸素その他の活性ガス雰囲気中に露出しなくなる。従って、第１導電膜が酸素等に直接触れることがないので、第１導電膜の表面が酸化等することがなくなる。これにより、第１導電膜とその上に形成される第２導電膜との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００１５】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、複数の層を積層して成る配線を前記基板上に有することができる。この電気光学装置を製造する製造方法においては、（ａ）前記第１導電膜形成工程において前記配線の複数の層の内の１つの層が前記第１導電膜として形成され、（ｂ）前記被覆膜形成工程において前記１つの層の上に前記被覆膜が形成され、（ｃ）前記加熱工程において加熱が行われ、（ｄ）前記被覆膜除去工程において前記配線の一部の上の前記被覆膜が除去され、（ｅ）前記第２導電膜形成工程において前記一部の上に前記第２導電膜が形成されることが望ましい。
【００１６】
上記の電気光学装置の製造方法によれば、第１導電膜としての配線の１つの層の上に被覆膜を形成した後に加熱工程を行うようにした。こうすれば、加熱工程の際には配線の１つの層の上に被覆膜が形成されているので、配線の１つの層の表面は加熱工程に用いる活性ガス等の雰囲気中に露出しなくなる。従って、配線の１つの層が活性ガス等に直接に触れることがないので、配線の１つの層の表面が活性ガス化することがなくなる。これにより、配線の一部において配線の１つの層の上に第２導電膜を形成する際、配線の１つの層と第２導電膜との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００１７】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、スイッチング素子と、該スイッチング素子に導電接続する第１画素電極とを有することができる。この電気光学装置を製造する製造方法に関しては、（ａ）前記被覆膜除去工程の後に前記被覆膜上にオーバーレイヤを形成するためのオーバーレイヤ形成工程が実施され、（ｂ）前記オーバーレイヤ形成工程の後に前記第２導電膜形成工程において前記第１画素電極が前記オーバーレイヤの上に形成されることが望ましい。
【００１８】
本発明の電気光学装置では、スイッチング素子を覆うようにオーバーレイヤを形成し、そのオーバーレイヤ上に第１画素電極を形成するので、第１画素電極とスイッチング素子との間における寄生容量を低減できる。また、第１画素電極はオーバーレイヤを挟んでスイッチング素子に積層されるので、第１画素電極とスイッチング素子とを同じ層に形成する構造に比べて、第１画素電極の面積を大きくすることができる。そして、これにより、電気光学装置の表示を見やすくできる。さらに、上記のようにオーバーレイヤで前記配線を覆うようにすれば、配線を保護することができる。その結果、例えば、配線を形成する材料として耐蝕性に乏しい低抵抗の材料を用いることができるので、配線全体の抵抗を低くすることができる。
【００１９】
また、上記の電気光学装置の製造方法では、第２導電膜形成工程の前にオーバーレイヤを形成できるので、第２導電膜を形成する際のエッチング処理によって被覆膜が溶出することを防止できる。また、オーバーレイヤによって被覆膜と第２導電膜との層を分けることができるので、電池反応によって被覆膜が腐蝕することを防止できる。
【００２０】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、第１電極と該第１電極上に形成される絶縁膜と該絶縁膜上に形成される第２電極とを有するＴＦＤ素子と、前記第２電極に導電接続する第１画素電極とを有することができる。このような電気光学装置を製造する製造方法においては、（ａ）前記第１導電膜形成工程において前記第２電極が前記第１導電膜として形成され、（ｂ）前記被覆膜形成工程において前記第２電極上に前記被覆膜が形成され、（ｃ）前記加熱工程において加熱が行われ、（ｄ）前記被覆膜除去工程において前記第２電極上の前記被覆膜が除去され、そして、（ｅ）前記第２導電膜形成工程において前記第１画素電極が前記第２導電膜として形成されることが望ましい。
【００２１】
こうすれば、加熱工程の際には第１導電膜としての第２電極の上に被覆膜が形成されているので、第２電極の表面は活性ガス等の雰囲気中に露出しなくなる。こうなると、第２電極が活性ガス等に直接に触れることがないので、第２電極の表面が活性ガス化することがなくなる。そして、これにより、第２電極とその上に形成される第２導電膜としての第１画素電極との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００２２】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法においては、前記被覆膜形成工程ではＡｌ（アルミニウム）またはＡｌ合金を用いて被覆膜を形成することが望ましい。ＡｌまたはＡｌ合金は導電性を備えた低抵抗の金属材料である。これらを用いて被覆膜を形成すれば、基板上に低抵抗の配線を形成することができる。
【００２３】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１導電膜形成工程ではＣｒ（クロム）を用いて第１導電膜を形成することが望ましい。Ｃｒは導電性を備えた低抵抗の金属材料である。Ｃｒを用いて第１導電膜を形成すれば、導電性が良好な配線および動作が安定したＴＦＤ素子を基板上に形成することができる。
【００２４】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２導電膜形成工程ではＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いて第２導電膜を形成することが望ましい。ＩＴＯは他の導電性の金属材料との間で良好な導通をとることができる。従って、第２導電膜をＩＴＯによって形成すれば、例えば、ＴＦＤ素子の第２電極と第２導電膜としての電極との導通を良好にとることができる。また、第２導電膜をＩＴＯによって形成すれば、例えば配線の端子部分において、配線の最上層と第２導電膜としてのＩＴＯ膜の導通を良好にとることができる。
【００２５】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、前記基板に対向する対向基板と、該対向基板上に形成された第２画素電極とを有し、前記一部において、前記第２画素電極を前記配線と導電接続することが望ましい。こうすれば、配線の一部には第２導電膜形成工程において第２導電膜が形成されるので、この第２導電膜を介して、配線と第２画素電極との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００２６】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、前記基板に実装された半導体装置を有し、前記一部において、前記半導体装置を前記配線と導電接続することが望ましい。こうすれば、配線の一部には第２導電膜形成工程において第２導電膜が形成されるので、この第２導電膜を介して、配線と半導体装置が備える端子との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００２７】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、回路基板と接続されており、前記一部において、前記回路基板を前記配線と導電接続することが望ましい。こうすれば、配線の一部には第２導電膜形成工程において第２導電膜が形成されるので、この第２導電膜を介して、配線と回路基板が備える端子との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００２８】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記電気光学装置は、前記基板に枠状に配置された接着材を介して固定された部材を有し、前記被覆膜除去工程においては、前記接着材の外側における前記配線上の前記被覆膜を除去することが望ましい。接着材の外側において、配線は水分や汚れが付着することにより腐蝕するおそれがある。配線を被覆する被覆膜は、導電性の金属材料を用いて形成されるので、耐蝕性に乏しい膜と言える。そのため、被覆膜を有した配線は、接着材の外側において水分や汚れの影響を特に受けやすい。
上記の電気光学装置の製造方法においては、接着材の外側において配線の被覆膜を除去するようにしたので、被覆膜を有した構造の配線に比して腐蝕し難くなる。また、第２導電膜形成工程において、被覆膜を除去した配線の上に第２導電膜を形成できるので、より腐蝕し難い配線を形成できる。
【００２９】
次に、本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板上に第１導電膜を形成する第１導電膜形成工程と、前記第１導電膜上に被覆膜を形成する被覆膜形成工程と、前記被覆膜形成工程の後に加熱を行う加熱工程と、前記加熱工程の後に前記被覆膜を除去する被覆膜除去工程と、前記被覆膜が除去された領域で前記第１導電膜上に第２導電膜を形成する第２導電膜形成工程とを有することを特徴とする。
【００３０】
上記の電気光学装置用基板の製造方法によれば、第１導電膜上に被覆膜を形成した後に加熱を行うようにした。こうすれば、加熱工程の際には第１導電膜の上に被覆膜が形成されているので、第１導電膜の表面は加熱工程に用いる酸素その他の活性ガス雰囲気中に露出しなくなる。従って、第１導電膜が酸素等に直接触れることがないので、第１導電膜の表面が酸化等することがなくなる。これにより、第１導電膜とその上に形成される第２導電膜との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法および電気光学装置用基板の製造方法を、電気光学装置の一例である液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を参照するが、その図面では特徴的な部分を分かり易く説明するために、複数の要素間において実際のものとは異なった寸法比で示している。
【００３２】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を説明する前に、まず、その製造方法によって製造される電気光学装置について説明する。図３は、そのような電気光学装置の一例である液晶表示装置１を示している。また、図４は、図３における１つの表示ドット近傍を拡大して示している。ここに挙げられた液晶表示装置１は、スイッチング素子として２端子型の非線形素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いるアクティブマトリクス方式であって、透過型の液晶表示装置である。
【００３３】
図３の液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に実装された半導体装置としての駆動用ＩＣ３と、その液晶パネル２に付設された照明装置４とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、照明装置４は、矢印Ａで示す観察方向から見て液晶パネル２の裏側に配置されていて、バックライトとして機能する。
【００３４】
照明装置４は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極管等といった線状光源等によって構成された光源６と、透光性の樹脂によって形成された導光体７とを有する。矢印Ａ方向から見て導光体７の背面側には、必要に応じて、反射層８が設けられる。また、導光体７の観察側には、必要に応じて、拡散層９が設けられる。導光体７の光入射面７ａは図３の紙面垂直方向に延びており、光源６から発生した光はこの光入射面７ａを通して導光体７の内部へ導入され、そして光出射面７ｂから外部へ出射する。
【００３５】
液晶パネル２は、カラーフィルタ基板１１と素子基板１２とを矢印Ａ方向から見て正方形または長方形である枠状の接着材としてのシール材１３によって貼り合わせることによって形成している。カラーフィルタ基板１１と素子基板１２との間には、図４に示すように、間隙、いわゆるセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧに液晶が封入されて液晶層１４が形成されている。液晶としては、例えばＴＮ（Twisted Nematic）液晶を用いることができる。
【００３６】
図３において、カラーフィルタ基板１１は、矢印Ａ方向から見て長方形または正方形で透光性を有する第１の基板１６ａを有する。この第１透光性基板１６ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。第１透光性基板１６ａの外側表面には、位相差板１７ａおよび偏光板１８ａが貼着等によって装着される。
【００３７】
第１透光性基板１６ａの内側表面には、図４に示すように、複数の着色要素２１およびそれらを取り囲む遮光部材２２が形成され、その上にオーバーコート層２３が形成され、その上に紙面垂直方向へ延びる第２画素電極としての複数の帯状の電極２４が形成され、さらにその上に配向膜２６ａが形成される。配向膜２６ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板１１の近傍の液晶分子の初期配向が決められる。
【００３８】
着色要素２１は、例えば、矢印Ａ方向から見て１つ１つが長方形のドット状に形成され、１つの着色要素２１は、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の３原色のいずれか１つの光を通過させる。これら各色の着色要素２１は、矢印Ａ方向から見てストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べられている。なお、着色要素２１は、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色によって形成することもできる。
【００３９】
遮光部材２２は、例えばＣｒ（クロム）等といった遮光性の材料によって、複数の着色要素２１の間を埋める状態に形成される。この遮光部材２２は、ブラックマスクとして機能して着色要素２１を透過した光によって表示される像のコントラストを向上させる。なお、遮光部材２２は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素２１を構成するＢ，Ｇ，Ｒの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。
【００４０】
オーバーコート層２３は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。また、図４の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極２４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２６ａは、例えばポリイミド等によって形成できる。
【００４１】
図３において、カラーフィルタ基板１１に対向する素子基板１２は透光性を有する第２の基板１６ｂを有する。この第２透光性基板１６ｂの１辺は、対向する第１透光性基板１６ａから張り出して張り出し部２９を形成している。第２透光性基板１６ｂは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。そして、第２透光性基板１６ｂの外側表面には、位相差板１７ｂおよび偏光板１８ｂが貼着等によって装着される。
【００４２】
第２透光性基板１６ｂの内側表面には、図４に示すように、ライン配線３０が形成される。このライン配線３０は、図５に示すように、配線第１層３１、配線第２層３２および配線第３層３３を有する。このライン配線３０は、カラーフィルタ基板１１上の帯状電極２４に対して直角方向、すなわち図４の左右方向に延びている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子である複数のＴＦＤ素子４０がそのライン配線３０に接続して形成される。さらに、それらのＴＦＤ素子４０およびライン配線３０を覆うように絶縁層としてのオーバーレイヤ２７が形成される。そして、このオーバーレイヤ２７上に第１画素電極としての複数のドット電極２５が形成される。ドット電極２５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった金属酸化物によって形成される。
【００４３】
各ドット電極２５の間には複数のフォトスペーサ１５が形成される。このフォトスペーサ１５は、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成する。フォトスペーサ１５は、立った状態の円柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。なお、フォトスペーサ１５はギャップ材と呼ばれることがある。
【００４４】
フォトスペーサ１５の上には配向膜２６ｂが形成される。この配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板１２の近傍の液晶分子の初期配向が決められる。
【００４５】
個々のＴＦＤ素子４０は、図４に示すように、カラーフィルタ基板１１側の遮光部材２２に対応する位置に設けられている。そしてさらに、ＴＦＤ素子４０は、図５に示すように、２つのＴＦＤ要素である第１ＴＦＤ要素４０ａと第２ＴＦＤ要素４０ｂとを直列に接続することによって、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造として形成されている。第１ＴＦＤ要素４０ａおよび第２ＴＦＤ要素４０ｂは、それぞれ、第１電極４１、絶縁膜４２および第２電極４３によって形成されている。第１ＴＦＤ要素４０ａの第２電極４３はライン配線３０の配線第３層３３から延びている。なお、第２ＴＦＤ素子４０ｂの第２電極４３は本発明の第１導電膜として作用する。また、ドット電極２５は本発明の第２導電膜として作用する。
【００４６】
オーバーレイヤ２７は、例えばアクリル樹脂であって透光性を有する絶縁材料によってライン配線３０およびＴＦＤ素子４０を覆うように形成する。このオーバーレイヤ２７はＴＦＤ素子４０を覆うと共にその一部にコンタクトホール２８が形成される。このコンタクトホール２８は、ドット電極２５とＴＦＤ素子４０とを電気的に接続させるため用いられる。このコンタクトホール２８は、ＴＦＤ素子４０とは重ならない位置であって、ドット電極２５と平面的に重なる位置に形成する。
【００４７】
オーバーレイヤ２７を、例えばフォトリソグラフィ処理によって形成する際、コンタクトホール２８を第２ＴＦＤ要素４０ｂの第２電極４３の先端の直上に形成する。そして、オーバーレイヤ２７を挟んでＴＦＤ素子４０の反対側にドット電極２５が形成され、コンタクトホール２８を通してドット電極２５と第２電極４３とが導通する。
【００４８】
上記のように、ドット電極２５の下にオーバーレイヤ２７を設けることにより、ドット電極２５の層とＴＦＤ素子４０の層とを別の層に分けて形成した。この構造は、ドット電極２５とＴＦＤ素子４０とを同じ層に形成する構造に比べて、ドット電極２５の面積を大きくすることができる。これにより、画素面積を大きくすることができるので、液晶表示装置１において表示を見やすくできる。
【００４９】
なお、ＴＦＤ素子４０の第１電極４１やライン配線３０の配線第１層３１が第２透光性基板１６ｂから剥れることを防止したり、第２透光性基板１６ｂから第１電極４１等へ不純物が拡散しないようにする等のために、ＴＦＤ素子４０と第２透光性基板１６ｂとの間、およびライン配線３０と第２透光性基板１６ｂとの間に下地層３５を設けることもできる。
【００５０】
図６は、図３の液晶表示装置１を矢印Ａ方向から見た場合であって、第２透光性基板１６ｂの図示を省略した状態の液晶表示装置１の平面構造を示している。また、図７は、図３の素子基板１２を矢印Ａ方向から見た場合であって、第２透光性基板１６ｂの図示を省略した状態の素子基板１２の平面構造を示している。また、図８は、図３のカラーフィルタ基板１１を矢印Ａ方向から見た場合のそのカラーフィルタ基板１１の平面構造を示している。なお、図６、図７および図８は、主に電極及び配線を示しており、それ以外の要素は図示を省略している。
【００５１】
図７において、素子基板１２に設けられる複数の直線状のライン配線３０は全体としてストライプ状に設けられている。また、複数のＴＦＤ素子４０は個々のライン配線３０に適宜の間隔をおいて接続され、それらのＴＦＤ素子４０にドット電極２５が接続されている。図７では、ライン配線３０を少ない本数で模式的に描いてあるが、実際には多数本、例えば２４０本程度が形成される。また、ＴＦＤ素子４０及びドット電極２５はシール材１３の四隅部分に対応するものだけを部分的に示してあるが、実際には、シール材１３によって囲まれる領域内の全域に設けられる。また、ＴＦＤ素子４０及びドット電極２５は、模式的に大きく描かれているため、数が少ないように描かれているが、実際には図７の縦方向、すなわち上下方向の１列に、それぞれ、例えば３２０個程度形成されている。つまり、ドット電極２５は、例えば、縦×横＝３２０×２４０個の数だけ設けられている。
【００５２】
図３において素子基板１２に対向するカラーフィルタ基板１１に設けられる複数の帯状電極２４は、図８に示すように、全体としてストライプ状に形成されている。これらの帯状電極２４は、図６に示すように、カラーフィルタ基板１１と素子基板１２とをシール材１３によって貼り合わせたとき、ライン配線３０と直角の方向に延び、さらに、横列を成す複数のドット電極２５に平面的に重なり合う。このように、帯状電極２４とドット電極２５とが重なり合う領域が、表示の最小単位である表示ドット領域を構成する。この表示ドット領域は図３および図４において符号Ｄで示す領域である。複数の表示ドット領域Ｄが縦方向及び横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が表示領域Ｖである。この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５３】
図７において、第２透光性基板１６ｂの第１辺１６ｃに隣接する２つの辺１６ｄおよび１６ｅの近傍に、それらの辺に沿って複数の配線３４が形成されている。これらの配線３４は、駆動用ＩＣ３の出力用端子、例えば出力用バンプから出てシール材１３を横切りさらに、第１辺１６ｃに対向する第２辺１６ｆへ向かって延びる連続した配線である。これらの配線３４の先端には端子部３８が設けられる。また、素子基板１２上に形成されたライン配線３０は、シール材１３を横切って駆動用ＩＣ３の出力端子、例えば出力バンプに接続される。これらのライン配線３０の先端にも端子部３９が設けられる。
【００５４】
図６において、シール材１３の内部には、球形または円筒形の導通材１９が不規則な分散状態で含まれている。図７に示す素子基板１２と図８に示すカラーフィルタ基板１１とを図６に示すように貼り合わせたとき、素子基板１２側の配線３４の端子部３８と、カラーフィルタ基板１１側の帯状電極２４の端部とが導通材１９によって導通される。これにより、カラーフィルタ基板１１側の帯状電極２４が素子基板１２側の配線３４を通して駆動用ＩＣ３に電気的に接続される。
【００５５】
なお、帯状電極２４と配線３４との導通は、図６の左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。しかしながら、これに代えて、表示領域Ｖの上半分に関しては左辺側または右辺側の一方で導通を行い、表示領域Ｖの下半分に関しては左辺側または右辺側の他方で導通を行うという導通方法を採用することもできる。
【００５６】
図６において、素子基板１２を構成する第２透光性基板１６ｂの張り出し部２９上に実装される駆動用ＩＣ３は、走査信号を出力する駆動用ＩＣ３ａと、データ信号を出力する駆動用ＩＣ３ｂとによって構成されている。第２透光性基板１６ｂの第１辺１６ｃ、すなわち入力側の辺には外部接続用端子４４が形成され、これらの端子４４は駆動用ＩＣ３ａおよび３ｂの入力用端子、例えば入力用バンプに繋がる。
【００５７】
外部接続用端子４４には、回路基板として、例えば可撓性配線基板４５が、ハンダ付け、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）、ヒートシール等といった導電接続手法によって接続される。この回路基板４５を介して、電子機器、例えば携帯電話機、携帯情報端末機から液晶表示装置１へ信号、電力等が供給される。
【００５８】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。この透過型表示では、図３の照明装置４の光源６が点灯し、光源６からの光が導光体７の光入射面７ａから導光体７へ導入され、さらに、光出射面７ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図４の符号Ｌｓで示すように遮光部材２２以外の領域を通って液晶層１４へ供給される。
【００５９】
こうして液晶層１４へ光が供給される間、カラーフィルタ基板１１側の帯状電極２４と素子基板１２側のドット電極２５との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される表示ドット領域Ｄに所定の電圧が印加される。これにより、液晶層１４内の液晶分子の配向が表示ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１４に供給された光が表示ドット領域Ｄごとに変調される。この変調光が素子基板１２側の偏光板１８ｂ（図３参照）の偏光特性に従って表示ドット領域Ｄごとにその偏光板１８ｂを透過し又はその偏光板１８ｂで吸収等され、これにより、素子基板１２の表面に文字、数字、図形といった像が表示される。そして、この像が矢印Ａ方向から視認される。
【００６０】
次に、図９は、図７のＢ−Ｂ線に従って配線３４の一部である端子部３８の断面を示している。また、図９は、図７のＣ−Ｃ線に従って配線３４のシール材１３よりも外側の部分の断面を示している。また、図９は、図７のＤ−Ｄ線に従ってライン配線３０の一部である端子部３９の断面を示している。また、図９は、図７のＥ−Ｅ線に従ってライン配線３０のシール材１３よりも外側の部分の断面を示している。
【００６１】
配線３４の端子部３８、ライン配線３０の端子部３９、配線３４のシール材１３より外側の部分、およびライン配線３０のシール材１３より外側の部分は、図９に示すように、第２透光性基板１６ｂ上に形成された下地層３５の上に、例えばＴａＷ（タンタルタングステン）によって配線第１層３１を形成し、その上に、例えばＴａＯｘ（酸化タンタル）によって配線第２層３２を形成し、その上に、例えばＣｒによって第１導電膜としての配線第３層３３を形成し、さらにその上に第２導電膜としてのＩＴＯ膜３６を形成した積層構造を有している。なお、絶縁層である配線第２層３２は設けなくても良い。
【００６２】
図７において、Ｂ−Ｂ線で示す端子部分は配線３４と帯状電極２４との導通部であり、配線３４には導通材１９が接触する。また、Ｄ−Ｄ線で示す端子部分は、ライン配線３０と駆動用ＩＣ３ｂとの導通部であり、ライン配線３０には駆動用ＩＣ３ｂの出力用端子、例えば出力用バンプが接触する。これらの導通部に図９のＩＴＯ膜３６を形成することにより、相手部材との導通をより確実に行うことができる。
【００６３】
また、図７において、Ｃ−Ｃ線で示す部分は配線３４のうちシール材１３の外側に位置する部分である。この部分に図９のＩＴＯ膜３６を形成することにより、この部分における配線３４の腐蝕を防ぐことができる。また、図７において、Ｅ−Ｅ線で示す部分はライン配線３０のうちシール材１３の外側に位置する部分である。この部分に図９のＩＴＯ膜３６を形成することにより、この部分におけるライン配線３０の腐蝕を防ぐことができる。
【００６４】
次に、図１０は、図７のＦ−Ｆ線に従って配線３４のうちの液晶に浸る部分の断面を示している。なお、この部分の配線３４は、当然のことながら、表示領域Ｖの外側に位置している。このＦ−Ｆ線で示す部分の配線３４は、Ｂ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線で示す部分と次の点では同じ積層構造（図９参照）を有する。すなわち、図１０において、第２透光性基板１６ｂ上に形成された下地層３５の上に、例えばＴａＷによって配線第１層３１を形成し、その上に、例えばＴａＯｘによって配線第２層３２を形成し、さらにその上に、例えばＣｒによって第１導電膜としての配線第３層３３を形成した積層構造を有している。なお、絶縁層である配線第２層３２は設けなくても良い。
【００６５】
一方、このＦ−Ｆ線で示す部分の配線３４は、配線第３層３３の上に導電性金属、例えばＡｌから成る被覆膜３７が形成される点において図７のＢ−Ｂ線およびＣ−Ｃ線で示す部分と異なる。また、Ｆ−Ｆ線で示す部分の配線３４は、図７に示すようにシール材１３の内側に形成されており、この部分の配線３４の上には図１０に示すようにオーバーレイヤ２７が形成されている。
【００６６】
配線３４は、図７に示すように、第２透光性基板１６ｂの側辺１６ｄおよび１６ｅに沿って引き回される比較的長い配線である。そのため、この配線３４に関しては配線抵抗を低く抑えることが望まれる。このことに関して本実施形態では、図１０のようにＡｌから成る被覆膜３７を配線３４内に設けた。Ａｌは低抵抗の金属材料であるので、配線３４にＡｌを含ませることにより、この配線３４の配線抵抗を低くすることができる。この場合、被覆膜３７として用いられるＡｌは水分や汚れによって腐蝕し易い材料であるが、この配線３４はシール材１３（図７参照）によって囲まれる領域内においてオーバーレイヤ２７によって覆われているので、Ａｌ等が腐蝕することはない。
【００６７】
図５において、ＴＦＤ素子４０は、図９および図１０に示したライン配線３０および配線３４と次の点では同じ積層構造を有する。すなわち、図５において、第２透光性基板１６ｂ上に形成された下地層３５の上に、例えばＴａＷによって第１電極４１を形成し、その上に、例えばＴａＯｘによって絶縁膜４２を形成し、さらにその上に、例えばＣｒによって第１導電膜としての第２電極４３を形成した積層構造を有している。
【００６８】
このＴＦＤ素子４０の上には、それを覆うようにオーバーレイヤ２７が形成されている。そして、オーバーレイヤ２７のうち、ＴＦＤ素子４０から延びる第２電極４３の位置にはコンタクトホール２８が形成される。さらに、ＴＦＤ素子４０の直上に位置するオーバーレイヤ２７の上にはドット電極２５が形成される。このドット電極２５と第２電極４３とはコンタクトホール２８を介して導電接続する。
【００６９】
以下、上記構成の電気光学装置を製造する場合を例に挙げて本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を説明する。図１は本発明に係る電気光学装置の製造方法の一例である液晶表示装置の製造方法を工程図として示している。また、図２は、図１におけるＴＦＤ素子、電極および配線の形成工程の一実施形態を示している。図１において、工程Ｐ１から工程Ｐ５が図３の素子基板１２を形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１６が図３のカラーフィルタ基板１１を形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。
【００７０】
なお、本実施形態の製造方法では、図３に示す素子基板１２およびカラーフィルタ基板１１を１つずつ形成するのではなく、素子基板１２に関しては、複数の素子基板１２を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板を用いて素子基板１２の複数個分の要素をその素子側マザー透光性基板上に同時に形成する。また、カラーフィルタ基板１１に関しては、複数のカラーフィルタ基板１１を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板を用いてカラーフィルタ基板１１の複数個分の要素をそのカラーフィルタ側マザー透光性基板上に同時に形成する。上記の素子側マザー透光性基板およびカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００７１】
まず、図１の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面に図７のＴＦＤ素子４０と、ライン配線３０と、配線３４と、ドット電極２５とを形成する。次に、工程Ｐ２において、図４のフォトスペーサ１５を、例えば、ネガ型感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。さらに工程Ｐ３において、図４の配向膜２６ｂを、例えばポリイミドを印刷することによって形成する。
【００７２】
次に、工程Ｐ４において、配向膜２６ｂにラビング処理を施し、さらに工程Ｐ５において、図３のシール材１３を、例えばエポキシ系樹脂を印刷することによって形成する。以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板１２の複数個分の要素が形成されて大面積の素子側マザー基板が形成される。
【００７３】
次に、図１の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に図４の遮光部材２２を形成する。この遮光部材２２は、例えばＣｒを材料としてフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理（すなわち、フォトエッチング処理）によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。次に、工程Ｐ１２において、図４の着色要素２１を形成する。着色要素２１については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１３において、図４のオーバーコート層２３を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００７４】
次に、図１の工程Ｐ１４において、図４の帯状電極２４をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１５において図４の配向膜２６ａを形成し、さらに工程Ｐ１６において、配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１１の複数個分の要素が形成されてカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００７５】
その後、図１の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図３のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００７６】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、工程Ｐ２２において硬化させて両マザー基板を接着する。次に、工程Ｐ２３において、パネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図３の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１３の開口が外部に露出する。
【００７７】
次に、図１の工程Ｐ２４において、上記のシール材１３の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図３に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００７８】
次に、図１の工程Ｐ２６において、図３の駆動用ＩＣ３を実装する。次に、工程Ｐ２７において、図３の液晶パネル２に位相差板１７ａ，１７ｂ及び偏光板１８ａ，１８ｂを貼着によって装着する。さらに工程Ｐ２８において、図３の照明装置４を取り付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【００７９】
次に、図２は図１におけるＴＦＤ素子、電極および配線の形成工程Ｐ１の一実施形態を示している。この工程は、図５に示すＴＦＤ素子４０と、図７に示すライン配線３０と、配線３４と、ドット電極２５とを製造するための工程である。つまり、本実施形態においては、ＴＦＤ素子４０とライン配線３０と配線３４とを形成する工程は同じ工程にて行われる。
【００８０】
このＴＦＤ素子、配線および電極の形成工程Ｐ１は、大きく分けて、下地層形成工程Ｑ１、ＴＦＤ素子の第１電極等の形成工程Ｑ２、ＴＦＤ素子の絶縁膜等の形成工程Ｑ３、第１の特性調整工程Ｑ４、ＴＦＤ素子の第２電極等の形成工程Ｑ５、素子部分離工程Ｑ６、被覆膜形成工程Ｑ７、第２の特性調整工程Ｑ８、被覆膜除去（パターニング）工程Ｑ９、オーバーレイヤ形成工程Ｑ１０、そして画素電極等の形成工程Ｑ１１の各工程を有している。
【００８１】
下地層形成工程Ｑ１は、図５のＴＦＤ素子４０と第２透光性基板１６ｂとの間に下地層３５を形成し、さらに、図９のライン配線３０および配線３４と第２透光性基板１６ｂとの間に下地層３５を形成し、さらに、図１０の配線３４と第２透光性基板１６ｂとの間に下地層３５を形成するための工程である。また、ＴＦＤ素子の第１電極等の形成工程Ｑ２は、図５のＴＦＤ素子４０の第１電極４１を形成し、さらに、図９のライン配線３０および配線３４の配線第１層３１を形成し、さらに、図１０の配線３４の配線第１層３１を形成する工程である。また、ＴＦＤ素子の絶縁膜等の形成工程Ｑ３は、図５のＴＦＤ素子４０の絶縁膜４２を形成し、さらに、図９のライン配線３０および配線３４の配線第２層３２（すなわち、絶縁膜）を形成し、さらに、図１０の配線３４の配線第２層３２を形成する工程である。なお、配線第２層３２は形成しなくても良い。
【００８２】
また、第１特性調整工程Ｑ４は、工程Ｑ３において形成した図５のＴＦＤ素子４０の絶縁膜４２の特性を調整し、さらに、図９のライン配線３０および配線３４の配線第２層３２の特性を調整し、さらに、図１０の配線３４の配線第２層３２の特性を調整する工程である。また、ＴＦＤ素子の第２電極等の形成工程Ｑ５は、図５のＴＦＤ素子４０の第２電極４３を形成し、さらに、図９のライン配線３０および配線３４の配線第３層３３を形成し、さらに、図１０の配線３４の配線第３層を形成する工程である。また、素子部分離工程Ｑ６は、図５のＴＦＤ素子４０の第１電極４１、絶縁膜４２および第２電極４３の積層構造をＴＦＤ素子４０の１個分の大きさの島状に分離する工程である。
【００８３】
また、被覆膜成膜工程Ｑ７は、ＴＦＤ素子４０、ライン配線３０および配線３４を形成した図７の第２透光性基板１６ｂの全面に一様な厚さの被覆膜を形成する工程である。また、第２特性調整工程Ｑ８は、図５のＴＦＤ素子４０の特性を調整する工程である。また、被覆膜除去工程Ｑ９は、工程Ｑ７において形成した被覆膜３７のうちの不要部分を除去してパターニングする工程である。また、オーバーレイヤ形成工程Ｑ１０は、図５のオーバーレイヤ２７をＴＦＤ素子４０およびライン配線３０の上に形成し、さらに、図１０のオーバーレイヤ２７を配線３４の上に形成する工程である。なお、オーバーレイヤ２７は図７においてシール材１３によって囲まれる領域の全域に形成される。図２の画素電極等の形成工程Ｑ１１は、図５のドット電極２５を形成し、さらに、図９のライン配線３０および配線３４の端子部のＩＴＯ膜３６を形成する工程である。
【００８４】
以下、ＴＦＤ素子、配線および電極の形成工程をより具体的に説明する。まず、工程Ｐ３１において、ＴａＯｘ（酸化タンタル）をスパッタ処理によって成膜し、必要に応じてさらにフォトエッチング処理を行って、図５，図９及び図１０の下地層３５を形成する。次に、工程Ｐ３２において、図５等の下地層３５上にＴａＷをスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３３において、フォトエッチング処理を行って、非パッド状の第１電極４１を形成する。このとき、図９のライン配線３０および配線３４並びに図１０の配線３４の配線第１層３１を同時に形成する。なお、レジスト剥離はＨ２ＳＯ４溶液を用いて行う。
【００８５】
非パッド状の第１電極４１とは、島状でない連続した状態の第１電極４１ということである。図５に示す第１電極４１は個々のドット電極２５に対して１つずつ島状に独立している。このように島状に独立する状態を本明細書ではパッド状という。図２のＴＦＤ素子の第１電極等の形成工程Ｑ２では、パッド状の第１電極４１をいきなり形成するのではなく、複数の島状の第１電極４１が互いに連続する状態の第１電極４１や、ライン配線３０の配線第１層３１に繋がる状態の第１電極４１が形成される。このとき、互いに連続して線状に延びる第１電極４１や、配線第１層３１に繋がる第１電極４１が非パッド状の第１電極４１ということである。
【００８６】
次に、工程Ｐ３４において、陽極酸化処理を行って、図５の絶縁膜４２を形成する。このとき同時に、図９のライン配線３０および配線３４並びに図１０の配線３４の配線第２層３２を形成する。必要に応じて、配線第２層は形成しなくても良い。次に、工程Ｐ３５において、第１アニール処理を行って、工程Ｐ３４で形成した陽極酸化膜の特性を調整する。
【００８７】
次に、図２の工程Ｐ３６において、図５の絶縁膜４２と図９及び図１０の配線第２層３２との上にＣｒをスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３７において、Ｃｒ膜をフォトエッチング処理によってパターニングして、図５に示す第２電極４３を形成する。また、このとき同時に、図９のライン配線３０および配線３４並びに図１０の配線３４の配線第３層３３をフォトエッチング処理によって形成する。
【００８８】
次に、工程Ｐ３８において、ドライエッチング処理により不要な部分の絶縁膜４２及び第１電極４１を除去し、さらにＨ２ＳＯ４溶液でレジスト膜を剥離して、図５に示すパッド状の第１電極４１、絶縁膜４２および第２電極４３を形成する。
【００８９】
次に、工程Ｐ３９において、図１０の被覆膜３７の材料であるＡｌをスパッタ処理によって一様な厚さで全面に成膜する。次に、工程Ｐ４０において、加熱処理としての第２アニール処理を行う。この第２アニール処理は、例えば、温度２５０℃の活性ガス雰囲気中において約５分間から１０分間加熱処理を行う。この工程Ｐ４０においてアニール処理を行うことにより、工程Ｐ３８までに形成したＴＦＤ素子４０の特性を調整できる。
【００９０】
工程Ｐ３９においてＡｌの被覆膜３７を成膜しておかなければ、工程Ｐ４０のアニール処理の際に、図５の第２ＴＦＤ要素４０ｂの第２電極４３や図９の配線第３層３３の上に酸化膜、あるいはアニール処理において用いられる活性ガスに対応した物質が、第２電極４３や配線第３層３３の上に形成されるおそれがある。こうなると、その後に電極等形成工程Ｑ１１でそれらの上にＩＴＯ膜を形成したときに、第２電極４３とＩＴＯ膜との間及び配線第３層３３とＩＴＯ膜との間で接触不良が生じるおそれがある。
【００９１】
これに対して本実施形態のように、工程Ｐ３９において配線３４の配線第３層３３およびＴＦＤ素子４０の第２電極４３の上にＡｌの被覆膜３７を形成した上で、工程Ｐ４０でアニール処理を行うようにすれば、配線第３層３３および第２電極４３の表面がアニール処理の際に酸化等することを防止できる。
【００９２】
次に、工程Ｐ４１において、Ａｌの被覆膜３７に対してフォトエッチング処理を行うことにより、不要領域にある被覆膜３７を除去する。具体的には、図１０に示す配線３４、すなわち図７においてシール材１３によって囲まれる領域にあるＦ−Ｆ部分の配線３４上の被覆膜３７を除いて、それ以外の領域にある被覆膜をフォトエッチング処理によって除去する。つまり、本実施形態では、図７に示す配線３４であってオーバーレイヤ２７が形成された領域内にあるものの上だけにＡｌの被覆膜３７を残すことにする。
【００９３】
次に、工程Ｐ４２において、図５のオーバーレイヤ２７の材料であるアクリル樹脂を一様な厚さで全面に成膜する。次に、図２の工程Ｐ４３において、成膜したアクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理することによって図５のオーバーレイヤ２７を形成する。このとき、オーバーレイヤ２７の適所にコンタクトホール２８も同時に形成される。
【００９４】
次に、工程Ｐ４４において、ドット電極２５の材料であるＩＴＯをスパッタ処理によって一様な厚さで全面に成膜する。次に、工程Ｐ４５において、ＩＴＯに対してフォトエッチング処理を行うことにより、ドット電極２５を所定のドット形状に形成する。このとき、図７に示すシール材１３の外側にある配線３０および配線３４の上、ならびに配線３４の上下導通部３８の上にもＩＴＯ膜３６を同時に形成して、それらの配線の所定部分に端子部を形成する。
【００９５】
以上のように、本実施形態では、図２の第２アニール工程Ｐ４０は、工程Ｐ３７において第１導電膜である図５の第２電極４２および図９の配線第３層３３の上に被覆膜３７を形成した後に行う。こうすれば、図２の第２アニール工程Ｐ４０の際には、第２電極４３および配線第３層３３の上に被覆膜３７が形成されているので、これらの層の表面は第２アニール工程Ｐ４０に用いる活性ガス雰囲気中に露出しなくなる。従って、第２電極４３および配線第３層３３が活性ガスに直接触れることがなくなり、これらの表面が活性ガス化することがなくなる。これにより、第２電極４３および配線第３層３３と、それらの上に形成される第２導電膜であるＩＴＯ膜３６との間で良好な電気的導通を得ることができる。
【００９６】
また、本実施形態では、工程Ｐ４２および工程Ｐ４３において、図５の第２電極４３上および配線第３層３３上にオーバーレイヤ２７を形成する。そして、図２の工程Ｐ４４において、このオーバーレイヤ２７上に図５に示すドット電極２５を形成する。こうすれば、ドット電極２５とＴＦＤ素子４０との間における寄生容量を低減できる。
【００９７】
また、ドット電極２５とＴＦＤ素子４０とを同じ層に形成する構造に比べて、ドット電極２５の面積、すなわち画素面積を大きくできるので、液晶表示装置１の表示領域Ｖに表示される表示を見易くすることができる。さらに、オーバーレイヤ２７は配線３０および３４を覆うように形成されるので、これらの配線を保護することができる。その結果、配線３０および３４を形成する材料として耐蝕性に乏しい低抵抗の材料、例えばＡｌやＣｒを用いることができるので、配線全体の抵抗を低くすることができる。
【００９８】
また、図２の工程Ｐ４３において、電極等の形成工程Ｑ１１の前に図５のオーバーレイヤ２７を形成できるので、ドット電極２５を形成する際のエッチング処理によってＡｌの被覆膜３７が溶出することを防止できる。また、オーバーレイヤ２７によって被覆膜３７とドット電極２５との層を分けることができるので、電池反応によって被覆膜３７が腐蝕することを防止できる。
【００９９】
（変形例）
上記の実施形態において、図９および図１０に示すように、ライン配線３０および配線３４には、図２の工程Ｐ３４において絶縁膜としての配線第２層３２を形成した。しかしながら、ライン配線３０および配線３４には、配線第２層を形成しなくても良い。この場合には、図２の工程Ｐ３４において、ＴＦＤ素子４０にのみ絶縁膜４２を形成する。
【０１００】
また、上記の実施形態では、図２の工程Ｐ３９において、図１０の被覆膜３７の材料としてＡｌを基板の全面に形成して、アニールの際にＴＦＤ素子や配線が酸化等することを防止した。しかしながら、被覆膜３７はＡｌ以外の導電材料、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等を用いて形成することもできる。これらの場合には、図１０の配線３４の第４層としてＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等から成る層が残ることになる。また、被覆膜３７は樹脂膜などの絶縁膜を用いて形成しても良い。この場合は、配線を低抵抗化するという効果を奏しないが、酸化を防止するという効果を奏する。
【０１０１】
また、上記の実施形態において製造する図３の液晶表示装置１は、照明装置４をバックライトとして用いた透過型の液晶表示装置である。しかしながら、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、反射型または半透過反射型の液晶表示装置を製造することもできる。このような製造方法は、例えば図１において、遮光部材２２（図４参照）を形成する工程Ｐ１１より前に、例えばＡｌを用いて透光性基板上に反射層を形成する工程を設けることで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図２】図１の主要工程の内容の一例を示す工程図である。
【図３】本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示す断面図である。
【図４】図３の液晶表示装置の主要部の断面構造を示す断面図である。
【図５】図３の液晶表示装置で用いられるスイッチング素子の一例を示す斜視図である。
【図６】図３の矢印Ａに従った液晶表示装置の平面図である。
【図７】図３の矢印Ａに従って素子基板を示す平面図である。
【図８】図３の矢印Ａに従ってカラーフィルタ基板を示す平面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線およびＥ−Ｅ線に従って配線の断面構造を示す図である。
【図１０】図７のＦ−Ｆ線に従って配線の断面構造を示す図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル（電気光学パネル）、
３．駆動用ＩＣ（半導体装置）、  ４．照明装置、  ６．光源、  ７．導光体、  
７ａ．光入射面、  ７ｂ、光出射面、  ８．反射層、  ９．拡散層、  
１１．カラーフィルタ基板、  １２．素子基板、  １３．シール材（接着材）、  
１４．液晶層、  １５．フォトスペーサ、  １６ａ，１６ｂ．透光性基板  、
１７ａ，１７ｂ．位相差板、  １８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．導通材、  
２１．着色要素、  ２２．遮光部材、  ２３．オーバーコート層、  
２４．帯状電極（第２画素電極）、  ２５．ドット電極（第１画素電極）、
２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．オーバーレイヤ、  ２８．コンタクトホール、
２９．張出し部、  ３０．ライン配線、  ３１．配線第１層、  ３２．配線第２層、
３３．配線第３層（第１導電膜）、  ３４．配線、  ３５．下地層、  
３６．ＩＴＯ膜（第２導電膜）、  ３７．被覆膜、  ３８，３９．端子部、  
４０．ＴＦＤ素子、  ４１．第１電極、  ４２．絶縁膜、
４３．第２電極（第１導電膜）、  ４５．配線基板、  Ｄ．表示ドット領域、
Ｇ．セルギャップ、  ＬＳ．透過光、  Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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