(57)【要約】【課題】  自発光装置の小型化を実現して信頼性を向上させる。【解決手段】  画素毎に形成された複数の第１電極に対向すると共に、該第１電極との間に発光層を挟持する第２電極と、周辺領域のうち隣接領域以外の領域から隣接領域に延在すると共に、隣接領域において該隣接領域に延在して形成された第２電極の一部分と接続されるコンタクト部を有する第２電極用配線とを備える。【選択図】  図１
2006018085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画像表示領域の周辺に位置する周辺領域のうち前記画像表示領域に隣接すると共に画像表示が行われない隣接領域及び前記画像表示領域に配線された複数の画素駆動用信号線と、
前記画素駆動用信号線に電気的に接続され、前記画像表示領域における画素毎に開口領域に形成された複数の第１電極と、
前記複数の第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極間に画素毎に挟持される発光層と、
前記基板上において、前記周辺領域に形成されると共に、前記第２電極と電気的に接続される第２電極用配線と
を備え、
前記第２電極は、前記画像表示領域から前記隣接領域に延在し、
前記第２電極用配線は、前記周辺領域のうち前記隣接領域以外の領域から前記隣接領域に延在すると共に、前記隣接領域において前記第２電極と接続されるコンタクト部を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項２】
前記隣接領域に配線された前記画素駆動用信号線のうち、前記開口領域を挟んで相隣接する２本の前記画素駆動用信号線の間には、コンタクト領域が設けられており、
前記コンタクト部は、前記コンタクト領域に配置されること
を特徴とする自発光装置。
【請求項３】
前記第２電極用配線は、前記隣接領域に配線された前記画素駆動用信号線のうち少なくとも一の前記画素駆動用信号線と前記コンタクト部から外れた個所で交差するように形成されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の自発光装置。
【請求項４】
前記隣接領域は、少なくとも前記画素駆動用信号線が配線されると共に前記画像表示が行なわれないダミー領域を含み、
前記コンタクト部は、前記基板上で平面的に見て、前記ダミー領域に配線された前記画素駆動用信号線のうち相隣接する画素駆動用信号線の間に位置すると共に前記第１電極が形成されていない、前記ダミー領域における各画素の開口領域内に配置されていること
を特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の自発光装置。
【請求項５】
前記発光層は、前記ダミー領域の少なくとも一部に形成されておらず、前記コンタクト部は、前記発光層が形成されていない一部に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の自発光装置。
【請求項６】
前記発光層は、前記ダミー領域の少なくとも一部に形成されており、前記コンタクト部は、前記ダミー領域のうち前記発光層が形成されていない他部に配置されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の自発光装置。
【請求項７】
前記発光層は、前記基板上で平面的に見て、前記ダミー領域のうち、前記コンタクト部よりも前記画像表示領域に近い部分に形成されていること
を特徴とする請求項６に記載の自発光装置。
【請求項８】
前記第２電極は、前記基板上で平面的に見て、前記ダミー領域のうち、前記コンタクト部よりも前記画像表示領域から遠い部分にまで形成されていること
を特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載の自発光装置。
【請求項９】
前記周辺領域に、前記画素駆動用信号線及び前記第２電極用配線の少なくとも一部に接続された駆動回路を更に備え、
前記コンタクト部は、前記基板上で平面的に見て、前記隣接領域のうち前記駆動回路と前記画像表示領域との間に位置する部分に配置されていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の自発光装置。
【請求項１０】
前記周辺領域に、外部回路接続端子を更に備え、
前記コンタクト部は、前記基板上で平面的に見て、前記隣接領域のうち前記外部回路接続端子と前記画像表示領域との間に位置する部分に配置されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の自発光装置。
【請求項１１】
前記発光層は有機ＥＬ層を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の自発光装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の自発光装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置等の自発光装置及びそのような自発光装置を備えた各種電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の自発光装置では、特許文献１に開示されているように、例えば有機ＥＬ装置の場合、基板上の画像表示領域に形成された各画素部には発光素子として有機ＥＬ素子が含まれる。有機ＥＬ素子は、例えば画素毎に形成された陽極と、複数の陽極と対向する陰極との間に有機ＥＬ層を挟持してなる。画像表示領域の周辺に位置する周辺領域には、各画素部を駆動するための駆動信号の供給経路となる複数の信号線が配線されると共に、有機ＥＬ素子の陰極と接続された陰極配線が形成されている。特許文献１によれば、画像表示領域の一辺に沿った接続部において、陰極は、基板上で陰極より下層に設けられた陰極配線と、補助電極を介して電気的に接続されている（特許文献１中、図１（Ｃ）及び図２参照）。
【０００３】
尚、画像表示領域の少なくとも一辺に沿う端部には、有機ＥＬ層や陰極の成膜を保障するため、又は静電気による画素部の回路破壊を防止するためのダミー画素部が設けられることがある。このようなダミー画素部は、自発光装置の製造工程における不良発生又は歩留まり低下を目的として設けられているため、自発光装置の駆動時には、概ね駆動されない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２８８９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、周辺領域において、基板上で複数の信号線が陰極配線に対して下層に形成されている場合、上述したような特許文献１の接続部では、陰極配線における陰極とのコンタクト部分の表面に、該コンタクト部分の直下に信号線が配置されていることに起因して、段差が生じる恐れがある。このように陰極配線の表面に段差が生じると、自発光装置の製造時、陰極配線のコンタクト部分の表面を保護膜で覆ってエッチング処理を行う際に、段差が生じている個所において保護膜の被覆性が悪くなり、エッチング不要な個所が削れてしまう可能性がある。この場合、自発光装置の製造プロセスにおける歩留まりが低下し、更には陰極配線と陰極との電気的接続が不良となることに起因して、自発光装置が誤動作する恐れがある。加えて、前述したような段差が生じると、陰極配線において、膜厚が不均一となることにより抵抗値も不均一となり、自発光装置の駆動時、低抵抗の個所に電流が集中して発熱し、自発光装置が劣化する、という問題点が生じる。以上の結果、自発光装置の信頼性が低下することとなる。
【０００６】
また、陰極配線のコンタクト部分において十分な電流容量を確保するために、コンタクト領域を増加させると周辺領域も増加することとなり、基板のサイズが増えるため自発光装置を小型化することが困難になる。
【０００７】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、陰極配線と陰極との電気的接続を良好に行い、小型化を実現して信頼性を向上させることが可能な自発光装置及びこのような自発光装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の自発光装置は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域の周辺に位置する周辺領域のうち前記画像表示領域に隣接すると共に画像表示が行われない隣接領域及び前記画像表示領域に配線された複数の画素駆動用信号線と、前記画素駆動用信号線に電気的に接続され、前記画像表示領域における画素毎に開口領域に形成された複数の第１電極と、前記複数の第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に画素毎に挟持される発光層と、前記基板上において、前記周辺領域に形成されると共に、前記第２電極と電気的に接続される第２電極用配線とを備え、前記第２電極は、前記画像表示領域から前記隣接領域に延在し、前記第２電極用配線は、前記周辺領域のうち前記隣接領域以外の領域から前記隣接領域に延在すると共に、前記隣接領域において前記第２電極と接続されるコンタクト部を有する。
【０００９】
本発明の自発光装置によれば、基板上の画像表示領域には、画素毎に、第１電極及び第２電極に挟持された有機ＥＬ層等の発光層を含む発光素子が設けられている。各発光素子の第１電極は、画素駆動用信号線に電気的に接続されている。画素駆動用信号線は、例えば、データ線や走査線、又は電源供給線として画像表示領域に配線されている。画素駆動用信号線は、画像表示領域から隣接領域に伸びて配線されている。尚、画素毎に発光素子をアクティブ駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する）等が設けられてもよい。この場合、各発光素子の第１電極は、駆動素子を介して、画素駆動用信号線に電気的に接続される。
【００１０】
また、第２電極は、基板上に複数の発光素子に共通に形成される。第２電極は、基板上において、隣接領域に形成された第２電極用配線のコンタクト部と重なるように、画像表示領域から隣接領域に延在されて形成される。尚、画像表示領域から周辺領域に延在して、ベタに第２電極を形成すると、第２電極の電気容量が大きくなることに起因して、周辺領域に画素駆動用信号線を駆動するための駆動回路が設けられている場合、駆動回路が誤動作する恐れがある。よって、このような場合は、第２電極は、基板上において、第２電極用配線のコンタクト部と重なるように、且つ駆動回路とは重ならないように、画像表示領域から隣接領域に延在されて形成されているのが好ましい。
【００１１】
自発光装置の駆動時、当該自発光装置に例えば外部回路より複数の画素駆動用信号線に対して駆動信号が供給される。そして、複数の画素駆動用信号線は夫々駆動信号に基づいて駆動される。尚、上述したように駆動回路が基板上に設けられている場合には、外部回路より駆動回路を駆動するための各種信号が供給される。そして、駆動回路によって複数の画素駆動用信号線が駆動される。駆動された画素駆動信号線に対応する発光素子は次のように発光する。即ち例えば、駆動されたデータ線及び走査線に対応する発光素子が駆動素子によってアクティブ駆動される。この際、発光素子の第１電極に電源供給線より印加される電流に応じて発光層が発光する。この発光は表示光として、開口領域から出射される。そして、発光層を介して第２電極に印加された電流は、第２電極と後述するように接続される第２電極用配線を介して当該自発光装置外へと流れる。
【００１２】
また、基板上の周辺領域のうち隣接領域以外の領域から隣接領域に延在して第２電極用配線が形成されている。そして、第２電極用配線において隣接領域に配置された一部分にコンタクト領域が設けられる。第２電極用配線のコンタクト部は、例えば、コンタクト領域にその表面が露出するように形成される。そして、第２電極は、第２電極用配線のコンタクト部に重畳するように形成されることで、第２電極用配線と接続される。或いは、コンタクト領域にその表面が露出するように接続電極を形成しておいて、接続電極の露出した一部分と重畳するように第２電極を形成して、接続電極と第２電極を接続する。そして、コンタクト領域に配置された第２電極用配線のコンタクト部と、接続電極とが更に接続されることによって、間接的に第２電極と第２電極用配線が接続されるようにしてもよい。
【００１３】
よって、本発明の自発光装置では、第２電極と第２電極用配線との電気的接続を行うためのコンタクト領域を、隣接領域において確保するため、周辺領域に新たに設ける必要が無い。従って、既に説明したような従来技術と比較して周辺領域を省スペース化させることが可能となる。また、隣接領域において複数のコンタクト領域を確保することにより、第２電極用配線と第２電極との接続を十分な電流容量を確保して行うことが可能となる。よって、本発明の自発光装置では、第２電極用配線と第２電極との電気的接続を良好に行うことが可能となると共に、小型化を実現しつつ信頼性を向上させることができる。
【００１４】
本発明の自発光装置の一態様では、前記隣接領域に配線された前記画素駆動用信号線のうち、前記開口領域を挟んで相隣接する２本の前記画素駆動用信号線の間には、コンタクト領域が設けられており、前記コンタクト部は、前記コンタクト領域に配置される。
【００１５】
この態様によれば、隣接領域において、相隣接する２本の画素駆動用信号線間に、画素毎に形成された開口領域をコンタクト領域とする。このように構成すれば、コンタクト領域において、第２電極用配線の下地である層間絶縁膜の表面には、画素駆動用信号線に加え、駆動素子の少なくとも一部を構成する導電層や半導体層の存否に応じた凹凸が存在しない、平坦な表面が形成される。よって、第２電極用配線のコンタクト部の表面を平坦とすることができる。尚、ここでいう「平坦」とは、第２電極用配線のコンタクト部の表面の凹凸が、第２電極用配線或いは接続電極の成膜時の膜厚ばらつき及び表面粗さの範囲内程度であることを意味する。
【００１６】
ここで、コンタクト部の表面に段差が生じると、コンタクト部における抵抗値が不均一となる。よって、自発光装置の駆動時、低抵抗の個所に電流が集中して発熱するのを防止するため、コンタクト部を平面的に見た面積を大きく確保する必要がある。これに対して、この態様では、第２電極用配線のコンタクト部の膜厚が不均一となるのを防止することができるため、コンタクト部を平面的に見た面積を相対的に大きく確保しなくても、コンタクト領域では第２電極用配線と第２電極との電気的接続を良好に行うことができる。
【００１７】
更に、隣接領域において、相隣接する２本の画素駆動用信号線の間の開口領域とは別の領域であって、第２電極用配線の下地である層間絶縁膜の表面が平坦な領域に、コンタクト領域を設けるようにしてもよい。この場合、開口領域の平面的な形状やサイズに限定されないものとして、コンタクト領域を複数設けることが可能となる。
【００１８】
本発明の自発光装置の他の態様では、前記第２電極用配線は、前記隣接領域に配線された前記画素駆動用信号線のうち少なくとも一の前記画素駆動用信号線と前記コンタクト部から外れた個所で交差するように形成されている。
【００１９】
この態様によれば、第２電極用配線において、画素駆動用信号線との交差部分はコンタクト部とは別の個所に形成される。また、第２電極用配線における画素駆動用信号線との交差部分は、画素駆動用信号線と異なる層に形成される。従って、コンタクト部の表面を平坦としたまま、隣接領域において、複数の画素駆動用信号線に交差して第２電極用配線が形成されることにより、第２電極用配線を平面的に見た面積を比較的大きくすることが可能となる。よって、第２電極用配線における抵抗を小さくすると共に、自発光装置の駆動時に、第２電極用配線において電圧値が不均一となることにより電圧勾配が生じても、その影響を各発光素子の発光機能に及ばない程度のものとして抑制することが可能となる。
【００２０】
本発明の自発光装置の他の態様では、前記隣接領域は、少なくとも前記画素駆動用信号線が配線されると共に前記画像表示が行なわれないダミー領域を含み、前記コンタクト部は、前記基板上で平面的に見て、前記ダミー領域に配線された前記画素駆動用信号線のうち相隣接する画素駆動用信号線の間に位置すると共に前記第１電極が形成されていない、前記ダミー領域における各画素の開口領域内に配置されている。
【００２１】
この態様によれば、ダミー領域において「画像表示が行なわれない」とは、ダミー領域内における各画素で何らの発光が行なわれない場合を含む他、何らかの発光を伴うものの正規の画像表示が行なわれない場合や、例えば発光又は非発光により意味ある画像表示が行なわれるものの額縁或いは周辺見切り等で隠される場合も含む趣旨である。
【００２２】
この態様では、ダミー領域内の全ての画素、又はこれら全ての画素のうち少なくとも一部の開口領域には第１電極が形成されていない。このように、第１電極が形成されていない画素の開口領域では、自発光装置の駆動時に何らの発光が行われない。そして、第２電極用配線のコンタクト部は、第１電極が形成されていない画素のうち少なくとも一部の開口領域に配置されている。即ち、第１電極が形成されていないため、自発光装置の駆動時に何らの発光が行われない画素の開口領域をコンタクト領域として確保する。よって、第２電極用配線のコンタクト部の表面を平坦とすると共に、周辺領域を省スペース化させることが可能となる。
【００２３】
尚、ダミー領域において、第１電極が形成されない画素の開口領域には、発光層は形成されてもよいし、形成されなくてもよい。また、第１電極が形成された画素の開口領域にも、発光層は、形成されてもよいし、形成されなくてもよい。更に、ダミー領域において、各画素の開口領域に第１電極や発光層が形成されているか、いないかに関らず、画像表示領域の画像表示が行われる有効画素と同様に駆動素子が形成されてもよいし、形成されなくてもよい。ここで、ダミー領域において、画素の開口領域に、第１電極及び発光層を形成する場合は、当該画素を発光させることが可能である。また、この場合、第１電極に電気的に接続される駆動素子が設けられると共に、有効画素と同様に、当該画素においてアクティブ駆動が行われてもよい。
【００２４】
この隣接領域がダミー領域を含む態様では、前記発光層は、前記ダミー領域の少なくとも一部に形成されておらず、前記コンタクト部は、前記発光層が形成されていない一部に配置されているように構成してもよい。
【００２５】
この態様によれば、ダミー領域内の全ての画素の開口領域に発光層が形成されないようにしてもよいし、ダミー領域内の全ての画素のうち少なくとも一部の開口領域に、発光層が形成されないようにしてもよい。このように、発光層が形成されていない画素の開口領域では、自発光装置の駆動時に何らの発光が行われない。そして、発光層が形成されていない画素のうち少なくとも一部の開口領域に、第２電極用配線のコンタクト部が配置されている。即ち、発光層が形成されていないため、自発光装置の駆動時に何らの発光が行われない画素の開口領域をコンタクト領域として確保する。よって、第２電極用配線のコンタクト部の表面を平坦とすると共に、周辺領域を省スペース化させることが可能となる。
【００２６】
この隣接領域がダミー領域を含む態様では、前記発光層は、前記ダミー領域の少なくとも一部に形成されており、前記コンタクト部は、前記ダミー領域のうち前記発光層が形成されていない他部に配置されているように構成してもよい。
【００２７】
この態様によれば、発光層が形成されていないため、自発光装置の駆動時に何らの発光が行われない画素の開口領域をコンタクト領域として確保する。よって、第２電極用配線のコンタクト部の表面を平坦とすると共に、周辺領域を省スペース化させることが可能となる。
【００２８】
ここで、自発光装置の製造時、発光層は、例えばインクジェット法により発光材料が画素毎に塗布されて乾燥されることにより形成される。この際、本願発明者らの研究によれば、画像表示領域において、中央付近から端部に向かって、発光材料の乾燥に要する時間が短くなる傾向があることが見出されている。このことに起因して、画像表示領域の端部に配置された画素の開口領域では、夫々該開口領域に形成された発光層の膜厚が不均一となることがある。この場合、自発光装置の駆動時に、発光素子において発光層の膜厚が薄い部分が短絡する恐れがある。よって、画像表示領域に加えて、例えばダミー領域において、有効画素に隣接する画素の開口領域にまで発光層を形成することにより、有効画素において前述したように不良となる発光素子が形成されるのを防止することができる。従って、有効画素の信頼性を高めることにより、自発光装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００２９】
この、発光層がダミー領域の少なくとも一部に形成されている態様では、前記発光層は、前記基板上で平面的に見て、前記ダミー領域のうち、前記コンタクト部よりも前記画像表示領域に近い部分に形成されているように構成してもよい。
【００３０】
このように構成すれば、画像表示領域に加えて、ダミー領域において、有効画素に隣接する画素を含む複数の画素の開口領域にまで発光層が形成されることにより、有効画素の信頼性を高めることが可能となる。
【００３１】
この隣接領域がダミー領域を含む態様では、前記第２電極は、前記基板上で平面的に見て、前記ダミー領域のうち、前記コンタクト部よりも前記画像表示領域から遠い部分にまで形成されているように構成してもよい。
【００３２】
この態様によれば、第２電極は、例えば導電性の金属材料をマスクを用いて基板上に蒸着することにより形成される。この際、マスクは主に画像表示領域に対して位置決めされるために、画像表示領域の端部においてマスクとの合わせずれが生じやすい。従って、画像表示領域の端部に配置された有効画素の開口領域に形成された発光素子は、第２電極が形成されないことにより、不良となる恐れがある。
【００３３】
この態様では、第２電極は、画像表示領域から隣接領域に延在して、ダミー領域のうち、第２電極用配線のコンタクト部よりも画像表示領域から遠い部分にまで形成されている。これにより、画像表示領域及びダミー領域における第２電極用配線のコンタクト部は第２電極が確実に形成される領域に含まれる。よって、有効画素の信頼性を高めると共に第２電極用配線のコンタクト部と第２電極との電気的接続をより確実に行うことが可能となる。
【００３４】
本発明の自発光装置の他の態様では、前記周辺領域に、前記画素駆動用信号線及び前記第２電極用配線の少なくとも一部に接続された駆動回路を更に備え、前記コンタクト部は、前記基板上で平面的に見て、前記隣接領域のうち前記駆動回路と前記画像表示領域との間に位置する部分に配置されている。
【００３５】
この態様によれば、駆動回路によって、画像表示領域に配線された画素駆動用信号線の少なくとも一部が駆動される。よって、この態様では、画素駆動用信号線を駆動するための駆動回路が基板上に形成されることにより、このような駆動回路を外部回路として、基板上に実装して設ける必要がないため、自発光装置の製造コストを低く抑えると共に、当該自発光装置をより小型化することが可能となる。
【００３６】
この態様では、第２電極用配線のコンタクト部は、隣接領域において、駆動回路と画像表示領域との間に配置されている。ここで、例えば、駆動回路は、画素駆動用信号線であるデータ線を駆動するためのデータ線駆動回路として設けられるか、これに代えて又は加えて走査線を駆動するための走査線駆動回路として設けられる。そして、データ線駆動回路と画像表示領域との間に、第２電極用配線のコンタクト部が設けられるようにしてもよいし、これに加えて又は代えて走査線駆動回路と画像表示領域との間に、第２電極用配線のコンタクト部を設けるようにしてもよい。よって、この態様では、第２電極用配線のコンタクト部を平面的に見た面積を相対的に大きく確保することにより、第２電極との接続を十分な電流容量を確保して行うことが可能となる。
【００３７】
本発明の自発光装置の他の態様では、前記周辺領域に、外部回路接続端子を更に備え、前記コンタクト部は、前記基板上で平面的に見て、前記隣接領域のうち前記外部回路接続端子と前記画像表示領域との間に位置する部分に配置されている。
【００３８】
この態様によれば、例えば、画像表示領域に配線された複数の画素駆動用信号線のうち少なくとも一部が、画像表示領域から周辺領域に延びて外部接続端子に直接接続される。この場合、外部接続端子に接続された画素駆動用信号線は、外部回路より外部接続端子を介して供給される駆動信号に基づいて駆動される。例えば、外部回路より駆動信号として供給される画像信号に基づいてデータ線が駆動される。又は、外部回路より駆動信号として供給される走査信号に基づいてデータ線が駆動される。
【００３９】
この態様では、第２電極用配線のコンタクト部は、隣接領域において、外部接続端子と画像表示領域との間に配置されている。そして、各データ線が配線された隣接領域の一部分において、第２電極用配線のコンタクト部が設けられるようにしてもよいし、これに加えて又は代えて、隣接領域の他の部分において、コンタクト領域が設けられるようにしてもよい。従って、この態様では、第２電極用配線のコンタクト部を平面的に見た面積を相対的に大きく確保することにより、第２電極との接続を十分な電流容量を確保して行うことが可能となる。
【００４０】
本発明の自発光装置の他の態様では、前記発光層は有機ＥＬ層を含む。
【００４１】
この態様によれば、発光素子は有機ＥＬ素子として各画素部に設けられる。この場合、第１電極及び第２電極は有機ＥＬ素子の陰極及び陽極として形成される。また、この態様では、基板及び第１電極を透明材料を用いて構成し、第２電極を例えば金属材料等の不透明な導電性材料を用いて形成することにより、有機ＥＬ素子の発光を画素毎に基板側から表示光として出射させるボトムエミッション型として当該自発光装置を構成することが可能となる。或いは、基板及び第１電極を不透明な材料を用いて構成し、第２電極を例えば透明な導電性材料を用いて形成することにより、発光素子の発光を画素毎に第２電極側から表示光として出射させるトップエミッション型として当該自発光装置が構成されてもよい。
【００４２】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の自発光装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００４３】
本発明の電子機器は、上述した本発明の自発光装置を具備してなるので、小型化を実現しつつ信頼性を向上させることが可能なテレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、無機ＥＬ装置等を実現することも可能である。
【００４４】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の自発光装置を有機ＥＬ装置に適用したものである。
【００４６】
＜１：第１実施形態＞
本発明の自発光装置に係る第１実施形態について、図１から図８を参照して説明する。
【００４７】
＜１−１；有機ＥＬ装置の全体構成＞
先ず、図１を参照して有機ＥＬ装置の全体構成について説明する。図１は、素子基板を封止基板の側から見た有機ＥＬ装置の概略的な平面図である。ここでは、自発光装置の一例である駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ装置を例にとる。
【００４８】
図１において、素子基板１０上の画像表示領域１１０ａには、複数の画素駆動用信号線が配線されると共に、夫々画素駆動用信号線に電気的に接続される複数の画素部が所定パターンで配列されて形成されている。複数の画素部は夫々有機ＥＬ素子を含んでいる。尚、図１中、画像表示領域１１０ａにおける画素駆動用信号線や画素部の具体的な構成については図示を省略し、その詳細については後述する。
【００４９】
また、画像表示領域１１０ａの周辺に位置する周辺領域において、画像表示領域１１０ａを挟んで対向する素子基板１０の２辺に沿って、Ｙ側駆動回路部１３２が設けられると共に、この２辺に隣接する一辺に沿ってＸ側駆動回路部１５２が設けられている。本実施形態では、周辺領域のうち画像表示領域１１０ａに隣接する隣接領域１１０ｂが設けられている。素子基板１０の基板面上に平面的に見て、周辺領域において、Ｙ側駆動回路部１３２及びＸ側駆動回路部１５２は、隣接領域１１０ｂより画像表示領域１１０ａに対して外側に配置されている。複数の画素駆動用信号線は、画像表示領域１１０ａから隣接領域１１０ｂに延びて配線され、Ｙ側駆動回路部１３２及びＸ側駆動回路部１５２に電気的に接続される。
【００５０】
更に、周辺領域において、Ｘ側駆動回路部１５２が設けられた素子基板１０の一辺に沿って、夫々本発明に係る「外部回路接続端子」の一例である複数の実装端子１０２が設けられている。複数の実装端子１０２には、配線基材３００が、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｒａｓｓ）方式により実装される。配線基材３００には、データ線駆動回路や走査線駆動回路を後述するように駆動させるための各種信号を供給する外部回路が実装されて設けられる。複数の実装端子１０２に配線基材３００を実装する際は、図１に示すように、これら複数の実装端子１０２の所定数毎に、配線基材３００を実装するようにしてもよいし、複数の実装端子１０２に対して配線基材３００を実装するようにしてもよい。このように、複数の配線基材３００を複数の実装端子１０２に実装することにより、実装側の外部回路や配線基材３００等のサイズを小さくすることが可能となる。よって、有機ＥＬ装置をより小型化することができる。
【００５１】
Ｙ側駆動回路部１３２には、走査線駆動回路が設けられると共に、例えば画素駆動用信号線と走査線駆動回路内の回路素子等とを電気的に接続するための配線や、実装端子１０２に電気的に接続され、外部回路からの走査線駆動回路を駆動するための各種信号の供給経路となる配線等が設けられる。また、Ｘ側駆動回路部１５２には、データ線駆動回路が設けられると共に、例えば画素駆動用信号線とデータ線駆動回路内の回路素子等とを電気的に接続するための配線や、実装端子１０２に電気的に接続され、外部回路からのデータ線駆動回路を駆動するための各種信号の供給経路となる配線等が設けられる。更に、Ｙ側駆動回路部１３２に設けられる配線がＸ側駆動回路部１５２内に延びて形成されると共に、Ｘ側駆動回路部１５２に設けられる配線がＹ側駆動回路部１３２内に延びて形成されることもある。
【００５２】
加えて、本実施形態では、周辺領域のうち隣接領域１１０ｂ以外の領域から隣接領域１１０ｂに延在して、本発明に係る「第２電極用配線」の一例である陰極配線が形成されている。図１には、陰極配線の詳細な構成については図示を省略するが、陰極配線は、本発明に係る「第２電極」の一例である有機ＥＬ素子の陰極と、隣接領域１１０ｂにおいて電気的に接続されると共に、Ｘ側駆動回路部１５２及びＹ側駆動回路部１３２を介して、実装端子１０２と電気的に接続される。尚、陰極は、図１には図示しない、素子基板１０と対向するように配置された封止基板上に、画像表示領域１１０ａに形成された複数の有機ＥＬ素子に共通に、且つ画像表示領域１１０ａから隣接領域１１０ｂに延在されてベタに形成されている。
【００５３】
本実施形態では、図１を参照して説明したように、走査線駆動回路やデータ線駆動回路が夫々、Ｘ側駆動回路部１５２若しくはＹ側駆動回路部１３２に含まれて素子基板１０上に形成されているため、これらの駆動回路を外部回路として素子基板１０上に実装して設ける必要がない。従って、自発光装置の製造コストを低く抑えると共に、当該自発光装置を小型化することが可能となる。
【００５４】
＜１−２；画像表示領域及び隣接領域の構成＞
次に、図１に加え、図２から図６を参照して、有機ＥＬ装置の画像表示領域１１０ａにおける画素部の構成に加えて隣接領域１１０ｂの構成について具体的に説明する。図２は、有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図であり、図３は、データ線、走査線、陽極や発光層等が形成された、画像表示領域１１０ａにおける任意の画素部の平面図であり、図４は図３に示す画素部のＡ−Ａ'断面図である。また、図５は、図４の断面に対応する、隣接領域における一のダミー画素部の構成を示す断面図であり、図６は、図４の断面に対応する、隣接領域における他のダミー画素部の構成を示す断面図である。なお、図３から図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５５】
先ず、図２を参照して、有機ＥＬ装置の画像表示領域１１０ａの電気的な構成について説明する。
【００５６】
有機ＥＬパネル１００における画像表示領域１１０ａには、画素駆動用信号線である、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応する各画素部７０はマトリクス状に配列される。更に、画像表示領域１１０ａには各データ線１１４に対して配列された画素部７０に対応する電源供給線１１７が設けられている。電源供給線１１７も画素駆動用信号線に相当する。
【００５７】
尚、本実施形態では、カラー表示を行うために、画像表示領域１１０ａには例えば、Ｒ用、Ｇ用、及びＢ用の３種の画素部７０が設けられると共に、３種の画素部７０に対応する３種のデータ線１１４及び３種の電源供給線１１７が設けられる。図２において、例えば隣接する３本のデータ線１１４毎に３種の画素部７０が設けられる。３本のデータ線１１４のうち、いずれか１本のデータ線１１４には、３種のうちいずれか１種の画素部７０が配列される。また、このように配列された画素部７０には、対応する種類の電源供給線１１７が電気的に接続される。
【００５８】
図１を参照して説明したように、周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。図１に示す実装端子１０２を介して、外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給し、データ線駆動回路１５０は、画像表示領域１１０ａに配線された３種のデータ線１１４に、Ｒ用、Ｇ用、及びＢ用の３種の画像信号を供給する。尚、２種の走査線駆動回路１３０の動作と、データ線駆動回路１５０の動作とは、外部回路から供給される同期信号１６０によって相互に同期が図られる。また、画像表示領域１１０ａに配線された３種の電源供給線１１７には夫々、外部回路から画素駆動用電源が供給される。
【００５９】
ここで、図２中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２が設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８が設けられている。
【００６０】
スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスタ７４のソース電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。
【００６１】
尚、図２及び図３に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム型の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能となる。
【００６２】
図３には、データ線１１４及び電源供給線１１７が配線された画像表示領域１１０ａの一辺側において、画像表示領域１１０ａと隣接領域１１０ｂとの境界付近の画素部７０、及び該画素部７０に隣接する隣接領域１１０ｂの一部の構成を示してある。
【００６３】
本実施形態において、隣接領域１１０ｂは、データ線１１４や走査線１１２、電源供給線１１７が配線されると共に、画像表示が行われないダミー領域となっている。尚、このように隣接領域１１０ｂがダミー領域として設けられる場合に限定されず、隣接領域１１０ｂに部分的にダミー領域が含まれるようにしてもよい。
【００６４】
また、以下では、隣接領域であるダミー領域１１０ｂにおいて、陽極や有機ＥＬ層が形成されないため、有機ＥＬ素子７２が形成されず、何らの発光が行われない場合について説明する。しかしながら、本実施形態では、ダミー領域１１０ｂの各画素において、画像表示領域１１０ａにおける画素部７０と同様に有機ＥＬ素子７２や、有機ＥＬ素子７２をアクティブ駆動するための各種トランジスタ７６及び７４等が形成されることにより、何らかの発光が行われるようにしてもよい。即ち、本実施形態で、ダミー領域１１０ｂで「画像表示が行われない」とは、何らの発光が行われないことに限定されない。
【００６５】
ダミー領域１１０ｂは、第１部分領域１１０ｂａ、第２部分領域１１０ｂｂ、及び第３部分領域１１０ｂｃを含む。図３において、画像表示領域１１０ａと隣接して第１部分領域１１０ｂａが配置されており、画像表示領域１１０ａに対して第１部分領域１１０ｂａより外側に第２部分領域１１０ｂｂが配置されると共に、画像表示領域１１０ａに対して第２部分領域１１０ｂｂより外側に第３部分領域１１０ｂｃが配置されている。尚、第１部分領域１１０ｂａ、第２部分領域１１０ｂｂ、及び第３部分領域１１０ｂｃは夫々、画像表示領域１１０ａを囲むように配置されてもよいし、例えばダミー領域１１０ｂにおいて画像表示領域１１０ａの一辺に対応して配置されてもよい。
【００６６】
先ず、図３及び図４を参照して、画像表示領域１１０ａにおける画素部７０の構成について説明する。
【００６７】
例えば透明樹脂やガラス基板等の透明基板を用いて構成される素子基板１０上には、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４の半導体層３が形成されている。半導体層３は例えば低温ポリシリコン膜を用いて形成されている。また、半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁層２が形成されている。更には、ゲート絶縁層２上に、駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａ及び走査線１１２が形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。ゲート電極３ａ及び走査線１１２は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、銅（Ｃｕ）等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成されている。
【００６８】
また、走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁膜２上には層間絶縁層４１が形成されている。層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２は例えばシリコン酸化膜から構成されている。
【００６９】
層間絶縁層４１上には、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む導電材料から夫々構成される、データ線１１４及び電源供給線１１７、更には駆動用トランジスタ７４のドレイン電極４２が形成されている。層間絶縁層４１には、層間絶縁層４１の表面から層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。図４に示すように、電源供給線１１７及びドレイン電極４２を構成する導電膜は、コンタクトホール５０１及び５０２の各々の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されている。
【００７０】
ここで、保持容量７８の下部容量電極は、走査線１１２と同一の層に、例えば同様の材料を用いて形成され、電源供給線１１７の一部が保持容量７８の上部容量電極として形成されている。層間絶縁層４１は誘電体膜として形成されており、層間絶縁層４１の一部分が下部容量電極及び上部容量電極の間に挟持される。
【００７１】
層間絶縁層４１上には、電源供給線１１７、ドレイン電極４２、及びデータ線１１４を埋め込んで、保護層４５として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が形成されている。保護層４５上には、発光材料保持層４７より親水性の高い層として、例えばシリコン酸化膜よりなる親水層４６が形成され、更に親水層４６上に発光材料保持層４７が形成されている。親水層４６及び発光材料保持層４７によって、画素部７０における開口領域９ａが形成されている。開口領域９ａには保護層４５上に本発明に係る「第１電極」である陽極３４が形成されている。陽極３４は、透明性導電材料としてＩＴＯを用いて、開口領域９ａから延びてドレイン電極４２の一部と重畳するように形成されている。また、開口領域９ａにおいて、陽極３４上には有機ＥＬ層５０が形成されている。有機ＥＬ素子７２は、陽極３４及び陰極４９と、陽極３４及び陰極４９間に挟持される有機ＥＬ層５０を含む。尚、図４には封止基板について図示を省略してある。陰極４９は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料を用いて形成されるか、又はカルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成された導電膜の積層膜として形成されている。
【００７２】
有機ＥＬ装置の駆動時、走査線１１２を介して走査信号が供給されることにより、スイッチング用トランジスタ７６がオン状態になる。スイッチング用トランジスタ７６がオン状態となると、データ線１１４より画像信号が保持容量７８に書き込まれる。この保持容量７８に書き込まれた画像信号の電流に応じて、駆動用トランジスタ７４の電気的な導通状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ７４のチャネルを介して電源供給線１１７より、保持容量７８に書き込まれた画像信号に応じた電流が有機ＥＬ素子７２の陽極３４に供給されると、供給された電流に応じて有機ＥＬ層５０が発光する。そして、有機ＥＬ層５０を介して陰極４９に印加された電流は、陰極４９から陰極配線２００及び実装端子１０２を介して当該有機ＥＬ装置外へと流れる。本実施形態では、図４中、矢印Ｘで示すように、有機ＥＬ素子７２からの発光を素子基板１０側から表示光として出射させるボトムエミッション型として、有機ＥＬ装置は構成されている。尚、本実施形態では、有機ＥＬ装置を封止基板側から表示光として有機ＥＬ素子７２の発光を出射させるトップエミッション型として構成してもよい。
【００７３】
次に、ダミー領域１１０ｂの構成について図３に加えて図５及び図６を参照して説明する。ここで、封止基板については、図４と同様、図５及び図６にも図示を省略してある。尚、本実施形態では、有機ＥＬ装置において、封止基板の代わりに、陰極４９上に封止膜を形成することにより、各有機ＥＬ素子７２が封止されてもよい。
【００７４】
ダミー領域１１０ｂにおいて、第１部分領域１１０ｂａ、第２部分領域１１０ｂｂ、及び第３部分領域１１０ｂｃには夫々、画像表示領域１１０ａと同様、画素毎に開口領域９ａが形成される。そして、第１部分領域１１０ｂａ、第２部分領域１１０ｂｂ、及び第３部分領域１１０ｂｃにおいて、各画素は、開口領域９ａに、以下に説明するように、陽極３４や有機ＥＬ層５０が形成されないため、何らの発光が行われないダミー画素となっている。尚、図３には、このようなダミー画素部に、画像表示領域１１０ａにおける画素部７０と同様に、各種トランジスタ７４及び７６や保持容量７８が形成される構成を示してある。しかしながら、ダミー画素部では発光が行われないため、各種トランジスタ７４及び７６等は形成されなくてもよい。
【００７５】
先ず、図５を参照して、第１部分領域１１０ｂａにおける任意のダミー画素部７０ａの構成について説明する。図５において、ダミー画素部７０ａには、開口領域９ａに少なくとも部分的に有機ＥＬ層５０が形成される。
【００７６】
ここで、有機ＥＬ層５０は、例えばインクジェット法により発光材料を塗布して乾燥することにより形成される。この際、本願発明者らの研究によれば、画像表示領域１１０ａにおいて、中央付近に位置する画素部７０と比較して、端部に位置する画素部７０で発光材料の乾燥に要する時間が短くなる傾向があることが見出されている。よって、画像表示領域１１０ａにおいて、端部に配置された画素部７０では、有機ＥＬ層７０の膜厚が不均一となる恐れがある。
【００７７】
本実施形態では、画像表示領域１１０ａに加え、第１部分領域１１０ｂａにおけるダミー画素部７０ａに、有機ＥＬ層５０が形成される。そして、画像表示領域１１０ａにおける各画素部７０では、図４に示すように膜厚が均一な有機ＥＬ層５０が形成されるようにすると共に、膜厚が不均一となる有機ＥＬ層５０は、ダミー画素部７０ａに形成されるようにする。図３には、データ線１１４及び電源供給線１１７が配線された画像表示領域１１０ａの一辺側において、第１部分領域１１０ｂａに一行分のダミー画素部７０ａが設けられる構成が示してあるが、本実施形態は、この構成に限定されるものではない。即ち、前述したような目的が達成できるように所定数のダミー画素部７０ａが、有効画素となる画像表示領域１１０ａにおける各画素部７０に対して設けられるのが好ましい。尚、以下に説明するダミー画素部７０ｂ及び７０ｃについても、図５に示すダミー画素部７０ａと同様、図３に示す構成に限定されない。
【００７８】
ダミー画素部７０ａでは、有機ＥＬ層５０の膜厚が不均一となることに起因して、有機ＥＬ装置の駆動時に短絡が発生するのを防止するために、陽極３４を形成しないことによって、有機ＥＬ層５０と、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極４２とが電気的に接続されないようにしている。よって、当該ダミー画素部７０ａでは、有機ＥＬ装置の駆動時、何らの発光が行われない。
【００７９】
従って、本実施形態では、画像表示領域１１０ａにおける各画素部７０において有機ＥＬ層５０の膜厚が不均一となることにより、不良となる発光素子が形成されるのを防止することができる。
【００８０】
次に、図６を参照して、第２部分領域１１０ｂａにおける任意のダミー画素部７０ｂの構成について説明する。図６において、ダミー画素部７０ｂには、陽極３４及び発光層５０が形成されない。従って、有機ＥＬ装置の駆動時、ダミー画素部７０ｂでは何らの発光が行われない。
【００８１】
図６に示すように、陰極配線２００は、第２部分領域１１０ｂｂにおいて、走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａと、好ましくは同様の材料を用いて同一層に形成されると共に、図３に示すように、１本以上のデータ線１１４及び電源供給線１１７と交差して、２以上の開口領域９ａに跨って形成されている。尚、第２部分領域１１０ｂｂにおいて、走査線１１２が配線された画像表示領域１１０ａの一辺側では、陰極配線２００は、１本以上の走査線１１２に交差して、２以上の開口領域９ａに跨って形成されるのが好ましい。陰極配線２００において、陰極４９と電気的に接続されるコンタクト部２００ａは、ダミー画素部７０ｂの開口領域９ａに配置されている。このように、コンタクト部２００ａが配置された開口領域９ａは、陰極４９と陰極配線２００とが電気的に接続されるコンタクト領域となる。
【００８２】
図６に示すように、コンタクト領域となる開口領域９ａには、データ線１１４、電源供給線１１７、及び駆動用トランジスタ７４のドレイン電極４２と、好ましくは同様の材料を用いて同一層に接続電極６２が形成される。層間絶縁膜４１には、層間絶縁膜４１の表面から層間絶縁膜４１を貫通して陰極配線２００のコンタクト部２００ａの表面に至るコンタクトホール５０３が形成されている。接続電極６２は層間絶縁膜４１上からコンタクトホール５０３内に連続的に形成されて、陰極配線２００のコンタクト部２００ａに接続されている。そして、開口領域９ａに露出した接続電極６２の表面に重畳的に陰極４９が形成されている。よって、陰極配線２００のコンタクト部２００ａは接続電極６２を介して陰極４９に電気的に接続される。
【００８３】
よって、本実施形態では、このように、第２部分領域１１０ｂｂに形成された開口領域９ａをコンタクト領域として確保することにより、周辺領域を省スペース化させることが可能となる。また、第２部分領域１１０ｂｂにおいて、陰極配線２００を複数の開口領域９ａに跨って形成することで、より多くのコンタクト領域を確保することにより、陰極配線２００と陰極４９との接続を十分な電流容量を確保して行うことが可能となる。従って、本実施形態では、陰極配線２００と陰極４９との電気的接続を良好に行うことが可能となる。また、陰極配線２００を平面的に見た面積を比較的大きくすることができるため、陰極配線２００における抵抗を小さくすると共に、有機ＥＬ装置の駆動時に、陰極配線２００において電圧値が不均一となることにより電圧勾配が生じても、その影響を画像表示領域１１０ａの各画素部７０における有機ＥＬ素子７２の発光機能に及ばない程度のものとして抑制することが可能となる。
【００８４】
更に、コンタクト領域となる開口領域９ａには、各種トランジスタ７６及び７４等の少なくとも一部を構成する導電層等が形成されないため、陰極配線２００のコンタクト部２００ａ及び接続電極６２の表面を平坦とすることができる。よって、陰極配線２００のコンタクト部２００ａの膜厚が不均一となるのを防止することが可能となるため、コンタクト部２００ａを平面的に見た面積を相対的に大きく確保しなくても、コンタクト部２００ａと陰極４９との電気的接続を良好に行うことができる。
【００８５】
次に、図３を参照して、第３部分領域１１０ｂｃにおける任意のダミー画素部７０ｃの構成について説明する。ダミー画素部７０ｃは、陽極３４又は発光層５０が形成されないことにより、有機ＥＬ装置の駆動時、何らの発光が行われない。
【００８６】
陰極４９は、素子基板１０上において、画像表示領域１１０ａから第３部分領域１１０ｂｃにまで延在して形成されている。ここで、陰極４９は、例えば導電性材料をマスクを用いて封止基板上に蒸着することにより形成される。この際、マスクは、第３部分領域１１０ｂｃに対して位置決めされるため、マスクの合わせずれが生じても、画像表示領域１１０ａ及びダミー領域１１０ｂにおける第２部分領域１１０ｂｂまでが、陰極４９が確実に形成される領域に含まれる。よって、本実施形態では、有効画素の信頼性を高めると共に陰極配線２００のコンタクト部２００ａと陰極４９との電気的接続をより確実に行うことが可能となる。
【００８７】
よって、以上説明した本実施形態では、有機ＥＬ装置を小型化すると共に、画像表示領域１１０ａにおける画素部７０の信頼性を高めて、有機ＥＬ装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００８８】
尚、本実施形態では、ダミー領域１１０ｂにおいて、第１部分領域１１０ｂａ、第２部分領域１１０ｂｂ、及び第３部分領域１１０ｂｃは、図３に示す構成に限定されない。例えば、第１部分領域１１０ｂａを設けないで、第２部分領域１１０ｂｂ及び第３部分領域１１０ｂｃを画像表示領域１１０ａに隣接して設けるようにしてもよいし、第１及び第３部分領域１１０ｂｃを設けないで第２部分領域１１０ｂｂのみを設けるようにしてもよい。ここで、陰極４９を、素子基板１０上で平面的に見て、画像表示領域１１０ａから、陰極配線２００のコンタクト部２００ａよりも画像表示領域１１０ａに対して遠い部分にまで延在して形成することにより、第３部分領域１１０ｂｃを設けなくても、本実施形態と同様の利益を享受することができる。また、第２部分領域１１０ｂｂに含まれるダミー画素部７０ｂの数を多くすることにより、画像表示領域１１０ａにおける各画素部７０を静電気等からより確実に保護することが可能となる。
【００８９】
加えて、素子基板１０上における、データ線１１４や電源供給線１１７、陰極４９及び陰極配線２００等の積層順序は、図３から図６を参照して説明した構成に限定されない。また、図３及び図４を参照して説明した画素部７０の構成について、各画素毎に陰極が本発明に係る「第１電極」として形成されると共に、これらの複数の陰極と対向して封止基板上に本発明に係る「第２電極」として陽極が形成されてもよい。
【００９０】
＜１−３；変形例＞
図７及び図８を参照して本実施形態の変形例について説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、本変形例における隣接領域１１０ｂの構成を示す、有機ＥＬ装置の概略的な平面図であり、図８は、本変形例における有機ＥＬ装置の構成を示す概略的な平面図である。
【００９１】
図１に示すように、隣接領域１１０ｂが画像表示領域１１０ａを囲むように形成されるほか、図７（ａ）に示すように、隣接領域１１０ｂは、画像表示領域１１０ａのＹ側駆動回路部１３２が形成された２辺側、若しくは該２辺のうちいずれか一辺側に形成されてもよい。或いは、図７（ｂ）に示すように、隣接領域１１０ｂは、画像表示領域１１０ａのＸ側駆動回路部１５２が形成された１辺側に形成されてもよいし、これに加えて又は代えて、同図中、画像表示領域１１０ａのＸ側駆動回路部１５２が形成された１辺側と画像表示領域１１０ａを挟んで対向する１辺側に形成されてもよい。そして、図１、図７（ａ）及び図７（ｂ）中、画像表示領域１１０ａのＸ側駆動回路部１５２が形成された１辺側に加えて又は代えて、画像表示領域１１０ａを挟んで対向する１辺側に、更にＸ側駆動回路部１５２が設けられるようにしてもよい。
【００９２】
更に、図８に示すように、素子基板１０上に、Ｘ側駆動回路部１５２及びＹ側駆動回路部１３２を設けないで、画素駆動用信号線が画像表示領域１１０ａから隣接領域１１０ｂを介して実装端子１０２に接続されるようにしてもよい。この場合、外部回路として、図２に示すデータ線駆動回路１５０や走査線駆動回路１３０が形成されると共に、このような外部回路が実装された配線基材３００が複数の実装端子１０２に実装される。
【００９３】
図８において、素子基板１０の基板面上に平面的に見て、周辺領域において、複数の実装端子１０２は、隣接領域１１０ｂより画像表示領域１１０ａに対して外側に、素子基板１０の一辺に沿って設けられている。尚、図８においても、図７（ａ）及び図７（ｂ）と同様に隣接領域１１０ｂが画像表示領域１１０ａに対して設けられるようにしてもよい。また、複数の実装端子１０２は、図１、図７（ａ）、図７（ｂ）及び図８において、複数の実装端子１０２が設けられた素子基板１０の一辺に加えて又は代えて、素子基板１０の他辺のうちいずれか一辺又は二辺以上に設けられるようにしてもよい。
【００９４】
＜２；第２実施形態＞
次に、本発明の自発光装置に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態では、周辺領域における隣接領域１１０ｂの構成が第１実施形態と異なる。よって、第１実施形態と異なる点についてのみ、図９及び図１０を参照して詳細に説明する。
【００９５】
図９は、データ線及び電源供給線が配線された画像表示領域１１０ａの一辺側において、画像表示領域１１０ａと隣接領域１１０ｂとの境界付近の画素部、及び該画素部に隣接する隣接領域１１０ｂの一部分の構成を示す平面図であり、図１０は図９のＢ−Ｂ'断面図である。尚、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【００９６】
図９に示すように、画像表示領域１１０ａに形成された開口領域９ａを挟んで相隣接するデータ線１１４及び電源供給線１１７の間には、コンタクト領域２０２が設けられている。そして、隣接領域１１０ｂには、陰極配線２００が１本以上のデータ線１１４及び電源供給線１１７と交差して、２以上のコンタクト領域２０２に跨って形成されている。尚、隣接領域１１０ｂにおいて、走査線１１２が配線された画像表示領域１１０ａの一辺側では、開口領域９ａを挟んで相隣接する２本の走査線１１２の間にコンタクト領域２０２が設けられると共に、陰極配線２００は、１本以上の走査線１１２に交差して、２以上のコンタクト領域２０２に跨って形成されるのが好ましい。
【００９７】
更に、図９において、隣接領域１１０ｂより画像表示領域１１０ａに対して外側に、例えば、Ｘ側駆動回路部１５２に形成された保護回路１５４が設けられている。
【００９８】
図１０に示すように、陰極配線２００は、層間絶縁膜４１上に形成されており、データ線１１４及び電源供給線１１７において陰極配線２００と交差する部分は、陰極配線２００より下層側であってゲート絶縁膜２上に形成されている。そして、図９に示すように、データ線１１４及び電源供給線１１７において夫々、ゲート絶縁膜２上に形成された、陰極配線２００との交差部分と、層間絶縁膜４１上に形成された一部分とは、コンタクトホール５１０及び５１２を介して電気的に接続される。
【００９９】
ここで、図１０に示すように、コンタクト領域２０２は、陰極配線２００の下地となる層間絶縁層４１において、データ線１１４や電源供給線１１７等の少なくとも一部を構成する導電膜の存否に応じた凹凸が存在しない、表面が平坦な領域に設けられている。陰極配線２００のコンタクト部２００ａはコンタクト領域２０２にその表面が露出するように形成されている。そして、陰極４９は、陰極配線２００のコンタクト部２００ａに重畳するように形成されることで、陰極配線２００と電気的に接続される。
【０１００】
従って、第２実施形態では、コンタクト領域２００を開口領域９ａの平面的な形状やサイズに限定されないものとして、設けることが可能となる。よって、陰極配線２００のコンタクト部２００ａにおいて、陰極配線２００との接続を十分な電流容量を確保して行うことが可能となる。
【０１０１】
＜３：電子機器＞
次に、上述した自発光装置が各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【０１０２】
＜３−１：モバイル型コンピュータ＞
先ず、この自発光装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、自発光装置を用いて構成された表示ユニット１２０６とを備えている。
【０１０３】
＜３−２；携帯電話＞
さらに、この自発光装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１２は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに自発光装置として例えば有機ＥＬ装置を備えるものである。
【０１０４】
この他にも、自発光装置は、ノート型のパーソナルコンピュータ、ＰＤＡ、テレビ、ビューファインダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等に適用することができる。
【０１０５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う自発光装置、及びそのような自発光装置を備えた各種電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】素子基板を封止基板の側から見た有機ＥＬ装置の概略的な平面図である。
【図２】有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。
【図３】データ線、走査線、陽極や発光層等が形成された、画像表示領域１１０ａにおける任意の画素部の平面図である。
【図４】図３に示す画素部のＡ−Ａ'断面図である。
【図５】図４の断面に対応する、隣接領域における一のダミー画素部の構成を示す断面図である。
【図６】図４の断面に対応する、隣接領域における他のダミー画素部の構成を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、本変形例における隣接領域１１０ｂの構成を示す、有機ＥＬ装置の概略的な平面図である。
【図８】本変形例における有機ＥＬ装置の構成を示す概略的な平面図である。
【図９】第２実施形態における、画像表示領域と隣接領域との境界付近の画素部、及び該画素部に隣接する隣接領域の一部分の構成を示す平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ'断面図である。
【図１１】自発光装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す断面図である。
【図１２】自発光装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
９ａ…開口領域、１０…素子基板、３４…陽極、４９…陰極、５０…有機ＥＬ層、１０２…実装端子、１１０ａ…画像表示領域、１１０ｂ…隣接領域、１１２…走査線、１１４…データ線、１１７…電源供給線、２００…陰極配線、２０２…コンタクト領域、３００…配線基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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