(57)【要約】【課題】  ２枚のガラスパネルと隔壁からなる複数の空間内に、放電用のガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルにおいて、ガラス基板の表面に極めて均一な誘電体膜を形成させたガラスパネル及びその製造方法、それを用いたプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】  リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料を用いて、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料を用いて、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項２】
リチウムのアルコキシド化合物が、メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウム、またはｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項３】
リチウムのカルボン酸化合物が、蟻酸リチウム、酢酸リチウム、またはプロピオン酸リチウムである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項４】
ホウ素のアルコキシド化合物が、トリメトキシホウ素またはトリエトキシホウ素である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項５】
アルミニウムのアルコキシド化合物が、トリｉｓｏ‐プロポキシアルミニウムまたはトリｓｅｃ‐ブトキシアルミニウムである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項６】
リンのアルコキシド化合物が、トリメトキシリンまたはトリメトキシホスフィンオキシドである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項７】
ガラス基板の表面には、ＣＶＤ法による誘電体膜の形成前に予め電極が形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項８】
誘電体膜に含まれるリチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素の含有率が７０ｗｔ％以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項９】
誘電体膜に含まれる酸化ケイ素の含有率が５０ｗｔ％以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネル。
【請求項１０】
リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料を、気化させて、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのガラスパネルの製造方法。
【請求項１１】
リチウムのアルコキシド化合物及びリチウムのカルボン酸化合物は、予め有機溶媒に溶解した溶液として用いる請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネルの製造方法。
【請求項１２】
有機溶媒が、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、及び炭化水素から選ばれる１種以上の有機溶媒である請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネルの製造方法。
【請求項１３】
さらに原料に界面活性剤を添加して気化させる請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルのガラスパネルの製造方法。
【請求項１４】
前面ガラスパネル、背面ガラスパネル、及び該２枚のガラスパネル間に設けられた隔壁からなる複数の空間内に、放電用のガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルであって、該２枚のガラスパネルのうち少なくとも１枚のガラスパネルは、請求項１に記載のガラスパネルを用いたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
背面ガラスパネルは、請求項１に記載のガラスパネルの表面にパターンマスクを設置し、露光、現像して不要部分を除去することにより、隔壁も形成させたものである請求項１4に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させたガラスパネル及びその製造方法、このガラスパネルを用いたプラズマディスプレイパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
大画面薄型テレビ等に用いられるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、２枚の薄いガラスパネル（前面ガラスパネル、背面ガラスパネル）を、その間隙に設けられた隔壁（リブ）を介して互いに平行となるように配置し、２枚のガラスパネルと隔壁からなる多数の微小空間内に放電用のガスを封入した構成である。一般的に前面ガラスパネルは、ガラス基板の表面に電極が設けられ、さらに誘電体膜等が被覆されており、背面ガラスパネルと隔壁の表面には蛍光体が設けられている。プラズマディスプレイパネルは、ガス放電によって発生した紫外線を蛍光体に当てることによって可視光線に変換し、これを取出す仕組みになっている。
【０００３】
前面ガラスパネルの誘電体膜は、例えば酸化ケイ素のほか、酸化ホウ素、酸化アルミニウム等を含む誘電体ガラスを粉砕し、バインダー、可塑剤等を加えて調製したペーストを、ガラス基板の表面に塗布または印刷して乾燥させた後、５００〜６００℃の温度で焼成することにより得られる。
また、隔壁は、例えば前記と同様に調製したペーストを、ガラス基板の表面に塗布または印刷、乾燥、焼成して誘電体層（感光性ガラス層）を形成させた後、パターンマスクを設置し、露光、現像して不要部分を除去することにより得られる。
【０００４】
従来から、プラズマディスプレイパネルに使用されるガラスパネルの誘電体膜等は、組成、厚みの均一性向上等を目的として、例えば次のような特許文献に記載された研究開発等が行なわれてきた。
【特許文献１】特開平１０−３０２６５２号公報
【特許文献２】特開平１１−４４９４９号公報
【特許文献３】特開２００４−３５５９１１号公報
【特許文献４】特開２００５−１００８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来から行なわれているペーストをガラス基板の表面に塗布または印刷する方法では、ある程度までは誘電体膜等の均一性を向上させることが可能であるが、工業的に極めて均一なガラスパネルを製造するには限界があった。
従って、本発明が解決しようとする課題は、２枚のガラスパネルと隔壁からなる複数の空間内に、放電用のガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルにおいて、ガラス基板の表面に極めて均一な誘電体膜を形成させたガラスパネル及びその製造方法、それを用いたプラズマディスプレイパネルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、リチウムのアルコキシド化合物を有機溶媒に溶解した溶液、リチウムのカルボン酸化合物を有機溶媒に溶解した溶液、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランは、容易に均一に混合できること、及び、これらの混合物を原料として用い、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、組成、厚みの均一性が極めて優れた誘電体膜を形成できること等を見出し本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料を用いて、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルのガラスパネルである。
【０００８】
また、本発明は、リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料を、気化させて、ＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含む誘電体膜を形成させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルのガラスパネルの製造方法である。
【０００９】
また、本発明は、前面ガラスパネル、背面ガラスパネル、及び該２枚のガラスパネル間に設けられた隔壁からなる複数の空間内に、放電用のガスを封入してなるプラズマディスプレイパネルであって、該２枚のガラスパネルのうち少なくとも１枚のガラスパネルは、前記に記載のガラスパネルを用いたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【発明の効果】
【００１０】
従来から行なわれているペーストを用いた成膜方法では、誘電体膜の均一性に限界があったが、本発明のＣＶＤ法による成膜方法では、ガラス基板に極めて組成、厚みが均一な誘電体膜を容易に成膜させることが可能である。その結果、誘電体膜が緻密な構成となり、ガラス基板と誘電体膜の境面、電極と誘電体膜の境面の強度が向上し剥がれ難くなった。また、ペーストを用いないので焼成によるガラス基板の黄変が発生する虞がない。これらにより、高品質、高純度のガラスパネル、プラズマディスプレイパネルが得られるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のガラスパネルは、表面に誘電体膜を形成させたプラズマディスプレイパネル用の前面ガラスパネル及び／または背面ガラスパネルのほか、誘電体層（感光性ガラス層）を形成させた後、パターンマスクを設置し、露光、現像して不要部分を除去することにより得られる隔壁を製造するためのガラスパネルに適用される。また、本発明のプラズマディスプレイパネルは、２枚のガラスパネルを、その間隙に設けられた隔壁を介して互いに平行となるように配置し、これらのガラスパネルと隔壁からなる多数の微小空間内に放電用のガスを封入した構成を有するプラズマディスプレイパネルに適用される。
【００１２】
本発明のガラスパネルは、リチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランを原料の構成成分として用いるものであるが、原料の各構成成分の詳細は次のようなものである。
【００１３】
すなわち、リチウムのアルコキシド化合物としては、メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウム、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを例示することができる。また、リチウムのカルボン酸化合物としては、蟻酸リチウム、酢酸リチウム、プロピオン酸リチウム等を例示することができる。
【００１４】
また、ホウ素のアルコキシド化合物としては、トリメトキシホウ素、トリエトキシホウ素を、アルミニウムのアルコキシド化合物としては、トリｉｓｏ‐プロポキシアルミニウム、トリｓｅｃ‐ブトキシアルミニウムを、リンのアルコキシド化合物としては、トリメトキシリン、トリメトキシホスフィンオキシドを例示することができる。
これらの原料の構成成分のうち、リチウムのアルコキシド化合物及びリチウムのカルボン酸化合物は、常温、常圧で固体なので、単独で気化させる場合は、エーテル、ケトン、エステル、アルコール、炭化水素等の有機溶媒に溶解させる必要がある。他のものは、常温、常圧で液体なので、そのまま使用しても適宜有機溶媒を加えて使用してもよい。
尚、比較的に多種類の構成成分を使用する場合は、有機溶媒を多く使用するか、気化供給の際に加温（室温〜約６０℃）することが好ましい。
【００１５】
前記のエーテルとしては、プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等を、ケトンとしては、アセトン、エチルメチルケトン、iso-プロピルメチルケトン、iso-ブチルメチルケトン等を、エステルとしては、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸プロピル、酪酸メチル、酪酸エチル等を、アルコールとしては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等を、炭化水素としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等を例示することができる。
【００１６】
また、本発明に使用される前記の原料においては、さらに界面活性剤を添加することもできる。界面活性剤を添加する場合は、全液量に対して、通常は５ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下となるように添加される。
また、本発明の原料は、実質的に前述のような成分からなる原料であり、混合後の原料の均一性、誘電体膜の品質に悪影響を及ぼさないその他の成分が少量含まれている場合であっても、それを用いてＣＶＤ法により、ガラス基板の表面に、誘電体膜を形成させたガラスパネルは本発明の範囲内である。尚、このような成分は、原料全体に対して、通常は３０ｗｔ％以下、好ましくは１０ｗｔ％以下、さらに好ましくは５ｗｔ％以下である。
【００１７】
本発明において、原料の各構成成分の全部を混合した溶液、あるいは原料の各構成成分の一部を混合した溶液は、通常は容易に均一に調製することが可能であり、室温または室温近辺の温度（０〜４０℃）、常圧または常圧近辺の圧力（８０〜１２０ｋＰａ）、不活性ガスの雰囲気下で安定である。
本発明における原料の気化は、例えば図１〜図３に示すような気化供給装置によって行なわれる。前記の原料を気化する際は、原料の各構成成分を予め混合して図１に示すような気化供給装置を用いて気化することができる。また、原料の各構成成分を予め混合することなく、または一部の構成成分を予め混合して、図２あるいは図３に示すような気化供給装置を用いて気化し、混合は後行程とすることもできる。
【００１８】
ＣＶＤ法による誘電体膜の成膜において、原料の気化供給装置は、通常は液体マスフローコントローラー等の液体流量制御器５、気化器７、ＣＶＤ装置８が設置されるほか、必要に応じて脱ガス器４が設けられる。気化器７にはさらに、気体流量制御器９、キャリアガス供給ライン１０が接続され、断熱材６が設けられる。また、ＣＶＤ装置８にはさらに、ガス予熱器１１、酸素供給ライン１２が接続される。誘電体膜の成膜の際には、例えば、気化器内、ＣＶＤ装置内を所定の温度、圧力に設定した後、原料容器３から不活性ガスの圧力により、原料２が気化器７に供給されて気化され、さらにＣＶＤ装置８に供給される。また、酸素供給ライン１２から酸素が供給される。本発明においては、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法のいずれによってでも行なうことができる。成膜の際は、均一性に優れた原料を、均一に気化することができるので、ガラス基板上に高品質、高純度の誘電体膜が得られる。
【００１９】
尚、本発明において使用される気化器７としては、特に制限されることはないが、例えば、図４に示すように、原料供給部１５の内部が、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂等の耐腐食性合成樹脂１８で構成される気化器、気化室１４に液体原料を噴出して気化させるための噴出管１９が、液体原料を噴出する内管とキャリアガスを噴出する外管からなる二重構造の噴出管である気化器、あるいは、ＣＶＤ原料供給部の側面部に冷却水を流す手段２０を有する気化器等を挙げることができる。また、本発明においては、１種類の液体原料を気化する気化器のほか、２種類以上の液体原料を同時に気化する気化器を使用することができる。
【００２０】
また、本発明において使用されるＣＶＤ装置８としても、特に制限されることはないが、図５に示すように、複数の原料ガス供給管２１を内蔵するＣＶＤ装置が好ましい。ＣＶＤ装置８は、通常は原料ガス供給管２１ほか、シャワーヘッド、微多孔膜等からなるガス供給口２２、維持電極またはアドレス電極が形成された大面積のガラス基板２３を設置するためのサセプタ２４、ヒーター１７等が備えられる。
以上のような装置により成膜されるガラス基板の表面の誘電体膜は、リチウム、ホウ素、アルミニウム、及びリンから選ばれる１種以上の金属酸化物と酸化ケイ素を含むものであり、これらの誘電体膜全体に対する含有率は、通常は７０ｗｔ％以上、好ましくは９０ｗｔ％以上、さらに好ましくは９５ｗｔ％以上である。また、酸化ケイ素の誘電体膜全体に対する含有率は、通常は５０ｗｔ％以上である。
【００２１】
尚、本発明のガラスパネルは、プラズマディスプレイパネルの前面ガラスパネル及び／または背面ガラスパネルに用いられるほか、ガラス基板の表面に誘電体層（感光性ガラス層）を形成させた後、誘電体層の表面にパターンマスクを設置し、露光、現像して不要部分を除去することにより、ガラス基板（背面ガラスパネル）の表面に隔壁を製造することができる。
本発明のプラズマディスプレイパネルは、前面ガラスパネル、背面ガラスパネルのうち、少なくとも１枚のガラスパネルとして前述のガラスパネルを用いたものであり、図６に示すような構成からなるプラズマディスプレイパネルを例示することができる。
【００２２】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【実施例１】
【００２３】
（原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウム２０ｇ、テトラエトキシシラン４０ｇ、及びオクタン４０ｇを投入してこれらを混合し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して原料を調製した。
【００２４】
（原料の均一性調査）
前記のような条件下を維持しながら、混合してから、０．５時間後、２時間後、１０時間後、２４時間後、１００時間後に、原料をサンプリングして、均一に混合されているか否か調査した。その結果を表１に示す。
【００２５】
（実施例２〜８）
実施例１の原料の調製において、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムの替わりに、各々メトキシリチウム、エトキシリチウム、ｎ‐プロポキシリチウム、ｉｓｏ‐プロポキシリチウム、ｎ‐ブトキシリチウム、ｉｓｏ‐ブトキシリチウム、ｓｅｃ‐ブトキシリチウムを用いたほかは実施例１と同様にして原料を調製した。これらの原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００２６】
（実施例９）
実施例１の原料の調製において、テトラエトキシシランの替わりにテトラメトキシシランを用いたほかは実施例１と同様にして原料を調製した。この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００２７】
（実施例１０〜１２）
実施例１の原料の調製において、オクタンの替わりに、各々アセトン、酢酸エチル、エチルアルコールを用いたほかは実施例１と同様にして原料を調製した。この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００２８】
（実施例１３）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、トリメトキシホウ素３０ｇ及びテトラエトキシシラン７０ｇを投入してこれらを混合し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して原料を調製した。
この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００２９】
（実施例１４、１５）
実施例１３の原料の調製において、トリメトキシホウ素の替わりに、各々トリｉｓｏ‐プロポキシアルミニウム、トリメトキシリンを用いたほかは実施例１３と同様にして原料を調製した。この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００３０】
（実施例１６）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、トリメトキシホウ素５ｇ、トリｉｓｏ‐プロポキシアルミニウム１０ｇ、トリメトキシリン１０ｇ、及びテトラエトキシシラン７５ｇを投入してこれらを混合し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して原料を調製した。
この原料の均一性について、実施例１と同様に調査した結果を表１に示す。
【００３１】
（実施例１〜１６の結果）
表１の時間の経過による均一性から明らかなように、本発明のリチウムのアルコキシド化合物、リチウムのカルボン酸化合物、ホウ素のアルコキシド化合物、アルミニウムのアルコキシド化合物、及びリンのアルコキシド化合物から選ばれる１種以上の化合物と、テトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランからなる原料（実施例１〜１６）は、混合後１０時間で均一になり実用的であった。
【００３２】
（実施例１７）
（気化器の製作）
内部がフッ素系合成樹脂（ＰＦＡ）で構成され、気化器外部との接触部がステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）で構成される原料供給部１５を製作した。フッ素系合成樹脂の構成部１８は、外径１６ｍｍ、高さ３４．２ｍｍの円柱状であり、その外側のステンレス鋼の厚みは２．０ｍｍである。また、先端が二重構造であり、内管が原料の流路、外管がキャリアガスの流路である噴出管１９を設けた。また、原料供給部の側面には、冷却水を流してＣＶＤ原料供給部を冷却することができる冷却管２０を設けた。
前記の原料供給部１５のほか、気化ガス排出口１６、ヒーター１７を有する図４に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３１６）の気化器７を製作した。尚、気化室１４は、内径が６５ｍｍ、高さが９２．５ｍｍの円柱状で、底部の突起は高さ２７．５ｍｍであり、また気化ガス排出口１６は底部から１５ｍｍの高さに設けた。
【００３３】
（ＣＶＤ装置の製作）
原料ガス供給管２１（内径６．５ｍｍ）が等間隔で縦１０列、横１０列に合計１００個設置され、石英ガラス焼結体からなる微多孔膜製ガス供給口２２、一辺が２００ｍｍの正方形のサセプタ２４、及びヒーター１７等が備えられ、反応室の内部が、幅２２０ｍｍ、奥行き２２０ｍｍ、高さ７０ｍｍである図５に示すようなステンレス製（ＳＵＳ３１６）のＣＶＤ装置８を製作した。
【００３４】
（気化供給装置の製作）
前記の気化器７、ＣＶＤ装置８を、脱ガス器４、液体マスフローコントローラー５、キャリアガス供給ライン１０、酸素供給ライン１２、ガス予熱器１１、気体流量制御器９等と接続し、断熱材６を設けて、図１に示すような気化供給装置を製作した。尚、酸素供給ライン１２は、ＣＶＤ装置の直前で酸素が添加されるように設定した。次に、実施例１の原料が充填された原料容器を接続した。
【００３５】
（誘電体膜の製作）
実施例１の原料を用い、前記の気化供給装置を使用して、ＣＶＤ法により、表面の一部に予め電極が形成された縦１５０ｍｍ、横１００ｍｍの長方形のガラス基板上に、リチウムシリケートを主成分とする誘電体膜を以下のようにして成膜した。
気化供給装置内、ＣＶＤ装置内に窒素ガスを供給した後、気化器内を１６０℃、常圧にするとともに、ＣＶＤ装置内を６８０℃、常圧に保持した。次に、実施例１の原料を、液体マスフローコントローラーを用いて、１．０ｇ／ｍｉｎの流量で気化器に供給するとともに、キャリアガス供給ラインから１５０℃に加熱された窒素を、５０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で気化器に供給して、原料を気化させＣＶＤ装置に供給した。また、ＣＶＤ装置の直前で１６０℃に加熱された酸素を２０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で添加した。
【００３６】
（誘電体膜の評価）
このようにして得られた誘電体膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は３．０μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする誘電体膜が得られていることが確認された。
【００３７】
（実施例１８）
（原料の調製）
内径８ｃｍ、高さ１０ｃｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）製の容器に、不活性ガス供給ラインから窒素を供給して、容器の内部を窒素雰囲気にした。次に、この容器に、リチウムのアルコキシド化合物としてｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを３０ｇ投入し、これに有機溶媒として、オクタンを７０ｇ添加してｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムを溶解し、２５℃、常圧の状態で混合液を撹拌して誘電体膜の原料の構成成分を調製した。２時間後、均一に混合していることが確認された。
【００３８】
（気化供給装置の製作）
実施例１６の気化器の製作において、原料供給部１５に設置される先端が二重構造の噴出管１９を２個設けたほかは実施例１６と同様にして気化器を製作した。この気化器７、及び実施例１６と同様のＣＶＤ装置８、脱ガス器４、液体マスフローコントローラー５、キャリアガス供給ライン１０、酸素供給ライン１２、ガス予熱器１１、気体流量制御器９等を用いて、図２に示すような気化供給装置を製作した。尚、酸素供給ライン１２は、ＣＶＤ装置の直前で酸素が添加されるように設定した。次に、前記の原料構成成分が充填された原料容器、及びテトラエトキシシランが充填された原料容器を接続した。
【００３９】
（誘電体膜の製作）
これらの原料構成成分を用い、前記の気化供給装置を使用して、ＣＶＤ法により、表面の一部に予め電極が形成された縦１５０ｍｍ、横１００ｍｍの長方形のガラス基板上に、リチウムシリケートを主成分とする誘電体膜を以下のようにして成膜した。
気化供給装置内、ＣＶＤ装置内に窒素ガスを供給した後、気化器内を１６０℃、常圧にするとともに、ＣＶＤ装置内を６８０℃、常圧に保持した。次に、ｔｅｒｔ‐ブトキシリチウムをオクタンに溶解した溶液及びテトラエトキシシランを、液体マスフローコントローラーを用いて、各々０．７５ｇ／ｍｉｎ、１．１５ｇ／ｍｉｎで気化器に供給するとともに、キャリアガス供給ラインから１５０℃に加熱された窒素を、５０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で気化器に供給して、これらを気化させＣＶＤ装置に供給した。また、ＣＶＤ装置の直前で１６０℃に加熱された酸素を２０００ｍｌ／ｍｉｎの流量で添加した。
【００４０】
（誘電体膜の評価）
このようにして得られた誘電体膜を、原子間力顕微鏡により分析した結果、膜厚は２．５μｍであり、高純度で均一なリチウムシリケートを主成分とする誘電体膜が得られていることが確認された。
【００４１】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明において使用される気化供給装置の一例を示す構成図
【図２】本発明において使用される図１以外の気化供給装置の一例を示す構成図
【図３】本発明において使用される図１、図２以外の気化供給装置の一例を示す構成図
【図４】本発明において使用される気化器の一例を示す構成図
【図５】本発明において使用されるＣＶＤ装置の一例を示す構成図
【図６】本発明のガラスパネル及びプラズマディスプレイパネルにおける一微小空間の構成例を示す断面図
【符号の説明】
【００４３】
１  不活性ガス供給ライン
２  誘電体膜の原料またはその構成成分
３  原料容器
４  脱ガス器
５  液体流量制御器
６  断熱材
７  気化器
８  ＣＶＤ装置
９  気体流量制御器
１０  キャリアガス供給ライン
１１  ガス予熱器
１２  酸素供給ライン
１３  ガス混合器
１４  気化室
１５  原料供給部
１６  気化ガス排出口
１７  ヒーター
１８  合成樹脂構成部
１９  二重構造の噴出管
２０  冷却管
２１  原料ガス供給管
２２  ガス供給口
２３  ガラス基板
２４  サセプタ
２５  隔壁
２６  誘電体膜
２７  蛍光体
２８  電極
２９  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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