(57)【要約】【課題】本発明は、デジタルカメラに用いられるＳＤメモリカードにおいて、デジタルカメラの煩雑な操作を必要とすることなく、簡単にユーザデータを消去できるようにする。【解決手段】たとえば、ＳＤメモリカード２００のフォーマットに際して、デジタルカメラ１００のホスト側コントローラ１０５は、ＳＤメモリカード２００にユーザデータ消去コマンドを発行する。これに対し、ＳＤメモリカード２００のカード側コントローラ２２０がユーザデータ消去コマンドを取り込むことにより、ＣＰＵ２２１は、ユーザデータイレーズコマンドを自動的に生成し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０に出力する。これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０が、ユーザデータが格納されている各ブロック領域内のデータを消去する構成となっている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理装置からの第１のコマンドを受け付ける第１のインタフェースと、
データの消去が可能な不揮発性メモリチップに対し、前記第１のインタフェースにて受け付けた前記第１のコマンドに対応する第２のコマンドを出力する第２のインタフェースと、
前記不揮発性メモリチップに格納されているデータのうち、すべてのユーザデータを消去するためのユーザデータイレーズコマンドを前記第２のコマンドとして前記第２のインタフェースより出力する制御回路と
を具備したことを特徴とするカード用コントローラ。
【請求項２】
前記ユーザデータイレーズコマンドは、前記ユーザデータが格納されるユーザデータ領域内の、少なくとも有効なユーザデータを、ブロック単位で繰り返し消去させるものであることを特徴とする請求項１に記載のカード用コントローラ。
【請求項３】
前記ユーザデータイレーズコマンドは、前記ユーザデータが格納されるユーザデータ領域内の、少なくとも有効なユーザデータを一括して消去させるものであることを特徴とする請求項１に記載のカード用コントローラ。
【請求項４】
データの消去が可能な不揮発性メモリチップと、
処理装置からの第１のコマンドを受け付ける第１のインタフェース、前記メモリチップに対し、前記第１のインタフェースにて受け付けた前記第１のコマンドに対応する第２のコマンドを出力する第２のインタフェース、および、前記第２のインタフェースより、前記第２のコマンドとして、前記不揮発性メモリチップに格納されているデータのうち、すべてのユーザデータを消去するためのユーザデータイレーズコマンドを出力する制御回路を含むカード用コントローラと
を具備したことを特徴とするメモリカード。
【請求項５】
前記不揮発性メモリチップは、前記ユーザデータのブロック単位での消去が可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリであり、
前記ユーザデータイレーズコマンドは、前記ユーザデータが格納されるユーザデータ領域内の、少なくとも有効なユーザデータを、ブロック単位で繰り返し消去させるものであることを特徴とする請求項４に記載のメモリカード。
【請求項６】
前記不揮発性メモリチップは、前記ユーザデータのブロック単位での消去が可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリであり、
前記ユーザデータイレーズコマンドは、前記ユーザデータが格納されるユーザデータ領域内の、少なくとも有効なユーザデータを、ブロック単位の指定に応じて一括して消去させるものであることを特徴とする請求項４に記載のメモリカード。
【請求項７】
前記不揮発性メモリチップは、前記ユーザデータのブロック単位での消去が可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリであり、
前記ユーザデータイレーズコマンドは、前記ユーザデータが格納されるユーザデータ領域内のすべてのユーザデータを、範囲の指定に応じて一括して消去させるものであることを特徴とする請求項４に記載のメモリカード。
【請求項８】
前記不揮発性メモリチップは、前記ユーザデータのブロック単位での消去が可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリであり、
前記ユーザデータイレーズコマンドは、前記ユーザデータが格納されるユーザデータ領域内のすべてのユーザデータを一括して消去させるものであることを特徴とする請求項４に記載のメモリカード。
【請求項９】
データの消去が可能な不揮発性メモリチップと、この不揮発性メモリチップに格納されているデータのうち、すべてのユーザデータを消去するためのユーザデータイレーズコマンドを出力することが可能なカード用コントローラと、を含むメモリカードの処理装置であって、
前記メモリカードを取り込むスロットと、
前記スロット内に取り込まれた前記メモリカードに対し、前記カード用コントローラに前記ユーザデータイレーズコマンドを出力させるための第１のコマンドを発行するホスト用コントローラと
を具備したことを特徴とするメモリカードの処理装置。
【請求項１０】
ユーザデータが格納されるユーザデータ領域と前記ユーザデータ以外のデータが格納される非ユーザデータ領域とを有する第１のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ、および、前記ユーザデータ領域のみを有する第２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップを含むフラッシュメモリと、
処理装置からの第１のコマンドを受け付ける第１のインタフェース、前記フラッシュメモリに対し、前記第１のインタフェースにて受け付けられた前記第１のコマンドに対応する第２のコマンドを出力する第２のインタフェース、および、前記フラッシュメモリに格納されているデータのすべてを消去するためのチップイレーズコマンドを前記第２のコマンドとして前記第２のインタフェースより出力するカード用コントローラと
を具備し、
前記フラッシュメモリのうち、少なくとも前記第２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップに対し、前記チップイレーズコマンドを出力するようにしたことを特徴とするメモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードおよびメモリカードに搭載されるカード用コントローラ並びにメモリカードの処理装置に関するもので、特に、フラッシュメモリなどの不揮発性の半導体メモリを用いたメモリカードの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、メモリカードをフォーマットする場合、ファイル管理情報のみを初期化し、ファイル本体のデータ（たとえば、ユーザデータ）はそのままにしておくことが多い。この場合、ファイル本体のデータは消去されていないので、復元される可能性がある。したがって、ファイル管理情報だけではなく、ファイル本体のデータも消去した方が、機密保持上は望ましい。
【０００３】
たとえば、従来のＳＤメモリカードには、指定されたブロック領域内のデータを消去するためのブロック消去コマンドが定義されている。しかしながら、従来のブロック消去コマンドはユーザデータ領域のブロック範囲を指定してデータの消去を行うものであり、ブロック範囲の指定が煩雑である、あるいは、代替メモリブロック領域のデータの消去が行えないという問題があった。
【０００４】
また、メモリカードまたはフラッシュメモリにおいては、複数のブロック領域の各アドレスを指定して同時に消去するマルチブロック消去のためのコマンド（たとえば、特許文献１参照）や、先頭のブロック領域のアドレスとブロック領域の数（サイズ）とから連続する複数のブロック領域（消去の範囲）を指定して同時に消去する範囲指定消去のためのコマンド（たとえば、特許文献２参照）などが定義されているものもある。
【０００５】
しかしながら、ファイル本体のデータを完全に消去するには、いずれの場合もホスト機器の操作が煩雑になるため、操作の効率化が求められていた。
【０００６】
最近では、チップイレーズという機能を可能にするコマンドが定義されているフラッシュメモリもある（たとえば、特許文献３参照）。しかし、このチップイレーズコマンドの場合、ファイル本体のデータだけを消去することができず、フォーマットには適さないものであった。
【特許文献１】米国特許５，４１８，７５２
【特許文献２】特開平１１−２２４４９２号公報
【特許文献３】特開平５−２７４２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の問題点を解決すべくなされたもので、その目的は、煩雑な操作を必要とすることなく、簡単にユーザデータを消去することができ、機密保持が容易に可能なメモリカードおよびメモリカードに搭載されるカード用コントローラ並びにメモリカードの処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明の一態様によれば、処理装置からの第１のコマンドを受け付ける第１のインタフェースと、データの消去が可能な不揮発性メモリチップに対し、前記第１のインタフェースにて受け付けた前記第１のコマンドに対応する第２のコマンドを出力する第２のインタフェースと、前記不揮発性メモリチップに格納されているデータのうち、すべてのユーザデータを消去するためのユーザデータイレーズコマンドを前記第２のコマンドとして前記第２のインタフェースより出力する制御回路とを具備したことを特徴とするカード用コントローラが提供される。
【０００９】
また、本願発明の一態様によれば、データの消去が可能な不揮発性メモリチップと、処理装置からの第１のコマンドを受け付ける第１のインタフェース、前記メモリチップに対し、前記第１のインタフェースにて受け付けた前記第１のコマンドに対応する第２のコマンドを出力する第２のインタフェース、および、前記第２のインタフェースより、前記第２のコマンドとして、前記不揮発性メモリチップに格納されているデータのうち、すべてのユーザデータを消去するためのユーザデータイレーズコマンドを出力する制御回路を含むカード用コントローラとを具備したことを特徴とするメモリカードが提供される。
【００１０】
また、本願発明の一態様によれば、データの消去が可能な不揮発性メモリチップと、この不揮発性メモリチップに格納されているデータのうち、すべてのユーザデータを消去するためのユーザデータイレーズコマンドを出力することが可能なカード用コントローラと、を含むメモリカードの処理装置であって、前記メモリカードを取り込むスロットと、前記スロット内に取り込まれた前記メモリカードに対し、前記カード用コントローラに前記ユーザデータイレーズコマンドを出力させるための第１のコマンドを発行するホスト用コントローラとを具備したことを特徴とするメモリカードの処理装置が提供される。
【００１１】
さらに、本願発明の一態様によれば、ユーザデータが格納されるユーザデータ領域と前記ユーザデータ以外のデータが格納される非ユーザデータ領域とを有する第１のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ、および、前記ユーザデータ領域のみを有する第２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップを含むフラッシュメモリと、処理装置からの第１のコマンドを受け付ける第１のインタフェース、前記フラッシュメモリに対し、前記第１のインタフェースにて受け付けられた前記第１のコマンドに対応する第２のコマンドを出力する第２のインタフェース、および、前記フラッシュメモリに格納されているデータのすべてを消去するためのチップイレーズコマンドを前記第２のコマンドとして前記第２のインタフェースより出力するカード用コントローラとを具備し、前記フラッシュメモリのうち、少なくとも前記第２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップに対し、前記チップイレーズコマンドを出力するようにしたことを特徴とするメモリカードが提供される。
【発明の効果】
【００１２】
上記の構成により、処理装置からの第１のコマンドの入力に応じて、少なくとも有効なユーザデータを消去するためのイレーズコマンドを自動的に生成できるようになる結果、煩雑な操作を必要とすることなく、簡単にユーザデータを消去することができ、機密保持が容易に可能なメモリカードおよびメモリカードに搭載されるカード用コントローラ並びにメモリカードの処理装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１４】
［第１の実施形態］
図１は、この発明の第１の実施形態にしたがった、メモリカードとその処理装置とを示すものである。なお、ここでは、メモリカードがＳＤ（Ｓｅｃｕｒｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ）メモリカードであり、処理装置がデジタルカメラである場合を例に説明する。
【００１５】
ホスト機器であるデジタルカメラ１００のボディ１０１には、ＳＤメモリカード２００が装着されるスロット１０３が設けられている。また、上記ボディ１０１内には、ホスト側コントローラ１０５が設けられている。
【００１６】
ホスト側コントローラ１０５は、装着されるＳＤメモリカード２００にアクセスするための機能を備えている。つまり、ホスト側コントローラ１０５は、上記ＳＤメモリカード２００に対するユーザデータ（この例の場合、デジタル画像）の書き込みおよび読み出しを制御する。また、ホスト側コントローラ１０５は、たとえばＳＤメモリカード２００をフォーマットする際に、ＳＤメモリカード２００に対して、ユーザデータ消去コマンド（第１のコマンド）を発行する。このユーザデータ消去コマンドは、たとえば、ユーザデータをファイル本体のデータとした場合のファイル管理情報の初期化とともに、すべてのユーザデータを完全に消去するためのシリアルな信号である。なお、ホスト側コントローラ１０５は、デジタル画像を撮影したり表示したりするための機能を備えていてもよいし、ホスト側コントローラ１０５とは異なるチップのプロセッサでそのような処理をするようにしてもよい。
【００１７】
図２は、上記したＳＤメモリカード２００の基本構成を示すものである。なお、ここでは、フラッシュメモリが、１つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（第１のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ）からなる場合について説明する。
【００１８】
ＳＤメモリカード２００は、デジタルカメラ１００のスロット１０３に装着されることにより電源の供給を受けて動作し、ホスト側コントローラ１０５からのアクセスに応じた処理を行う。すなわち、ＳＤメモリカード２００は、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）基板上に実装された、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０およびカード側コントローラ２２０を有している。
【００１９】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、たとえば、通常の消去がブロック（複数ページ）単位で行われる不揮発性の半導体メモリである。また、このＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、たとえば、ページと称する単位で、データの書き込みおよび読み出しが行われるようになっている。そして、本実施形態のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０はユーザデータイレーズという機能を備えており、すべてのユーザデータ（たとえば、ユーザデータをファイル本体のデータとした場合のファイル管理情報を含む）を完全に消去することが可能となっている。なお、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の詳細については後述する。
【００２０】
カード側コントローラ２２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０内の物理状態を管理するものとして構築されている。たとえば、論理ブロックアドレスと物理ブロックアドレスとの対応を示す論理変換テーブルや、各物理ブロックが既にある論理ブロックに割り当てられているかを示すテーブルを保持する。このカード側コントローラ２２０には、制御回路となるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２２１、第２のインタフェースであるフラッシュメモリインタフェース（Ｉ／Ｆ）２２２、第１のインタフェースであるホストインタフェース（Ｉ／Ｆ）２２３、バッファＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２２４、および、レジスタとしてのＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  ＲＡＭ）２２５が搭載されている。
【００２１】
フラッシュメモリインタフェース２２２は、カード側コントローラ２２０とＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０との間のインタフェース処理を行うものである。フラッシュメモリインタフェース２２２とＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０とは、各種の信号線（たとえば、電源Ｖｄｄ、グランドＶｓｓ、Ｉ／Ｏ、Ｒｅａｄｙ・／Ｂｕｓｙ、コマンドラッチイネーブルＣＬＥ、アドレスラッチイネーブルＡＬＥ、チップイネーブル／ＣＥ、リードイネーブル／ＲＥ、および、ライトイネーブル／ＷＥなど）で接続されている。また、フラッシュメモリインタフェース２２２には、ＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ  Ｃｈｅｃｋｉｎｇ  ＆  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏｄｅ）回路２２６が設けられている。なお、信号名の前にスラッシュ（／）が付されているのは、その信号がローアクティブであることを示す。たとえば、チップイネーブル／ＣＥはローレベルの際にＮＡＮＤ型フラッシュメモリをイネーブルにする。
【００２２】
ホストインタフェース２２３は、カード側コントローラ２２０とホスト側コントローラ１０５との間のインタフェース処理を行うものである。ホストインタフェース２２３は、後述する複数の信号ピンを介して、各種の信号（たとえば、電源Ｖｄｄ、グランドＶｓｓ、データ、カード検出、クロック、および、コマンドなど）を入力または出力するようになっている。
【００２３】
バッファＲＡＭ２２４は、ホスト側コントローラ１０５から送られてくるデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０へ書き込む際に、一定量のデータ（たとえば、８ページ分）を一時的に記憶したり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０から読み出されるデータをホスト側コントローラ１０５へ送り出す際に、一定量のデータを一時的に記憶したりするものである。また、バッファＲＡＭ２２４は、ＣＰＵ２２１の作業エリアとしても使用される。
【００２４】
ＣＰＵ２２１は、ＳＤメモリカード２００の全体的な動作を司るものである。ＣＰＵ２２１は、たとえば、ＳＤメモリカード２００が電源供給を受けた際に、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０内に格納されているファームウェア（ＣＰＵを制御するためのプログラム）をＳＲＡＭ２２５上にロードして所定の処理を実行することにより、各種のテーブルをバッファＲＡＭ２２４上に作成したり、ホスト側コントローラ１０５からの書き込みコマンド、読み出しコマンド、通常の消去コマンドを受けてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０上の所定の処理を実行したり、バッファＲＡＭ２２４を介したデータ転送処理を制御したりする。
【００２５】
なお、ファームウェアの全体、あるいは、一部をＮＡＮＤ型フラッシュメモリからＳＲＡＭにロードせず、コントローラ内に設けたＲＯＭに格納しておき、このＲＯＭ上のプログラムを実行するようにすることも可能である。
【００２６】
また、ホスト側コントローラ１０５からのユーザデータ消去コマンドを受けた場合、ＣＰＵ２２１は、たとえば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０に格納されている、ユーザデータをファイル本体のデータとした場合のファイル管理情報を含む、すべてのユーザデータの消去を可能にするためのユーザデータイレーズコマンド（第２のコマンド）を生成し、フラッシュメモリインタフェース２２２よりＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０に出力する。
【００２７】
ＳＲＡＭ２２５は、ＣＰＵ２２１により制御される制御プログラムや初期値などを格納するためのメモリである。
【００２８】
ＥＣＣ回路２２６は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０に書き込むデータ、および、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０から読み出したデータに対し、誤り訂正処理を施すものである。
【００２９】
図３は、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の構成を示すものである。たとえば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０内のメモリセルアレイ（メモリ領域）２１０ａは、一般に、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）領域２１０ｂと通常領域２１０ｃとに分けられる。ＲＯＭ領域２１０ｂは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０を制御するのに必要な情報（たとえば、データのプログラミングや消去に利用する高電圧のトリミングに関する情報、リダンダンシ処理のためのアドレス情報およびＮＡＮＤ型フラッシュメモリ自体の制御プログラムなど）を記憶するための、ユーザおよびカード側コントローラ２２０が利用できない領域（非ユーザデータ領域）である。通常領域２１０ｃは、ユーザおよびカード側コントローラ２２０が利用可能なメモリ空間である。
【００３０】
上記通常領域２１０ｃは、たとえば、制御情報格納領域（非ユーザデータ領域）２１０ｄとユーザデータ領域２１０ｅとに分けられる。制御情報格納領域２１０ｄは、機密データ領域２１０ｇおよび管理データ領域２１０ｈを含んでいる。機密データ領域２１０ｇは機密データを格納するための領域であり、この領域２１０ｇには、たとえば、暗号化に用いる鍵情報や認証時に使用するカード固有の機密データ（ＳＤメモリカード２００のセキュリティ情報やメディアＩＤなど）が保存されている。管理データ領域２１０ｈは、主にＳＤメモリカード２００に関する管理情報を格納するための領域であり、この領域２１０ｈには、たとえば、ファームウェア、ファームウェアを制御するための初期値データ、レジスタの初期値データ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の各領域の位置情報など（あるいはその一部）が格納されている。
【００３１】
ユーザデータ領域２１０ｅは、このＳＤメモリカード２００を使用するユーザが自由にアクセスおよび利用することが可能な、ユーザデータ（この例の場合、デジタル画像をファイル本体のデータとした場合のファイル管理情報を含む）を格納するための領域であり、たとえば、保護データ領域２１０ｆと一般データ領域２１０ｉと代替ブロック領域２１０ｊとを備えている。保護データ領域２１０ｆは重要なデータを格納するための領域であり、たとえば、ＳＤメモリカード２００が装着されるデジタルカメラ１００との相互認証により、デジタルカメラ１００の正当性が証明された場合にのみアクセスが可能となる領域である。代替ブロック領域２１０ｊは、一般データ領域２１０ｉにおける不良セルをブロック単位で置換（リダンダント）するための領域である。また、代替ブロック領域２１０ｊは、フラッシュメモリ固有の引越し書き込みなどの際のスペアブロックとしても利用される。
【００３２】
ここで、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、データの書き込みおよび読み出しがページ（たとえば、２１１２Ｂｙｔｅあるいは５１２Ｂｙｔｅ）という単位で行われる。また、通常の消去は、複数のページを含むブロック（たとえば、１２８ｋＢｙｔｅあるいは１６ｋＢｙｔｅ）という単位で行われる。さらに、フォーマット時には、たとえば、ユーザデータ領域２１０ｅの全ブロック領域のデータ、つまり、すべてのユーザデータを完全に消去することが可能となっている（所謂、ユーザデータイレーズ機能）。
【００３３】
さらに、本実施形態において使用されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、たとえば、約９０ｎｍ（ナノメートル）の配線幅を有する。あるいは、７０ｎｍ未満の配線幅を有するものを使用することも可能である。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の容量としては、たとえば、１つのチップで２ＧＢ（ギガビット）以上のものを使用することが可能である。このようなＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の場合、配線材料として、たとえばＣｕ（銅）を含むものを使用することが可能である。
【００３４】
なお、ＳＤメモリカード２００に搭載されるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、たとえば、ＦＡＴファイルシステムにより管理される。
【００３５】
また、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０としては、一つのメモリセルに１ビットの情報を記憶する２値メモリであってもよいし、一つのメモリセルに２ビット以上の情報を記憶する多値メモリであってもよい。さらに、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０および上記カード側コントローラ２２０は、同一のＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板上に実装されていてもよい。
【００３６】
図４は、上記したＳＤメモリカード２００の基本構成を示すものである。ＳＤメモリカード２００は、上記ホスト側コントローラ１０５とのコンタクト（通信）のための複数（この例の場合、ピンＰ１〜Ｐ９の９つ）の信号ピン２３０を備えている。各ピンＰ１〜Ｐ９は、ホストインタフェース２２３を介して、カード側コントローラ２２０と電気的に接続されている。
【００３７】
一例として、ピンＰ１は、データ信号（ＤＡＴ３）用およびカード検出（ＣＤ）信号用として割り当てられている。ピンＰ２はコマンド（ＣＭＤ）用、ピンＰ４は電源Ｖｄｄ用、ピンＰ５はクロック信号（ＣＬＫ）用として、それぞれ割り当てられている。ピンＰ３およびピンＰ６は、グランドＶｓｓ用として割り当てられている。ピンＰ７，Ｐ８，Ｐ９は、それぞれ、データ信号（ＤＡＴ０，１，２）用として割り当てられている。
【００３８】
図５は、上記したＳＤメモリカード２００の、設定可能な動作モードとピンアサインとの関係を示すものである。本実施形態において、ＳＤメモリカード２００は３つの動作モード、たとえばＳＤ４ｂｉｔモード、ＳＤ１ｂｉｔモード、および、ＳＰＩモードを備えている。すなわち、ＳＤメモリカード２００の動作モードは、ＳＤモードとＳＰＩモードとに大別される。ＳＤモードの場合、デジタルカメラ１００のホスト側コントローラ１０５からのバス幅変更コマンドによって、ＳＤメモリカード２００は、ＳＤ４ｂｉｔモードまたはＳＤ１ｂｉｔモードに設定される。
【００３９】
ここで、４つのデータ信号用のピンＰ１（ＤＡＴ３），Ｐ７（ＤＡＴ０），Ｐ８（ＤＡＴ１），Ｐ９（ＤＡＴ２）に着目すると、４ビット幅単位でデータ転送を行うＳＤ４ｂｉｔモードでは、４つのデータ信号用のピンＰ１，Ｐ７，Ｐ８，Ｐ９のすべてがデータ転送に用いられる。一方、１ビット幅単位でデータ転送を行うＳＤ１ｂｉｔモードでは、データ信号用のピンＰ７のみがデータ転送に使用される。データ信号用のピンＰ８，Ｐ９についてはまったく使用されない。また、データ信号およびカード検出用のピンＰ１は、たとえば、ＳＤメモリカード２００からホスト側コントローラ１０５への非同期割り込みなどのために使用される。
【００４０】
ＳＰＩモードでは、データ信号用のピンＰ７が、ＳＤメモリカード２００からホスト側コントローラ１０５へのデータ信号線（ＤＡＴＡ  ＯＵＴ）として用いられる。コマンド（ＣＭＤ）用のピンＰ２は、ホスト側コントローラ１０５からＳＤメモリカード２００へのデータ信号線（ＤＡＴＡ  ＩＮ）として用いられる。データ信号用のピンＰ８，Ｐ９については、まったく使用されない。
【００４１】
また、ＳＰＩモードでは、データ信号およびカード検出用のピンＰ１は、ホスト側コントローラ１０５からＳＤメモリカード２００へのチップセレクト信号（ＣＳ）の送信に用いられる。
【００４２】
このような構成において、ＳＤメモリカード２００は、デジタルカメラ１００のスロット１０３に装着されることにより、信号ピン２３０を介して、ホスト側コントローラ１０５との間の通信を行う。たとえば、ＳＤメモリカード２００のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０にデータを書き込む場合、カード側コントローラ２２０は、ホスト側コントローラ１０５からピンＰ５に与えられるクロック信号に同期させて、ピンＰ２に与えられる書き込みコマンドをシリアルな信号として取り込む。つまり、ホスト側コントローラ１０５からの各コマンドは、ピンＰ２のみを介して、カード側コントローラ２２０にシリアルに入力される。
【００４３】
ここで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０とカード側コントローラ２２０との間の通信について、さらに説明する。カード側コントローラ２２０は、たとえば８ビットのＩ／Ｏ線（Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ８）を介して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０との間の通信を行う。たとえば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０にデータを書き込む場合、カード側コントローラ２２０は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０に対し、フラッシュメモリインタフェース２２２から、Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ８を介して、データ入力コマンド（８０Ｈ）、カラムアドレス、ページアドレス、データ、および、プログラムコマンド（１０Ｈ）を順に入力する。
【００４４】
ただし、上記コマンド（８０Ｈ）の「Ｈ」は１６進数を示すものであり、実際には、「１０００００００」という８ビットの信号がＩ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ８に与えられる。つまり、フラッシュメモリインタフェース２２２とは、複数ビットにより定義されるコマンドをパラレルに出力するものである。また、フラッシュメモリインタフェース２２２およびＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０をつなぐＩ／Ｏ線は、コマンドとデータとで共有されている。
【００４５】
このように、デジタルカメラ１００のホスト側コントローラ１０５とＳＤメモリカード２００との間の通信を行うインタフェース（ホストインタフェース２２３）と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０とカード側コントローラ２２０との間の通信を行うインタフェース（フラッシュメモリインタフェース２２２）とは、通信の方式が異なるものとなっている。
【００４６】
以下に、上記した構成におけるユーザデータイレーズ機能、つまり、デジタルカメラ１００に装着されたＳＤメモリカード２００の、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０に格納されているすべてのユーザデータを完全に消去する場合の方法について、いくつか説明する。
【００４７】
＜実施例１＞
図６は、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータを、ブロック単位で繰返し消去する場合の方法について示すものである。
【００４８】
たとえば、ＳＤメモリカード２００をフォーマットするに際して、デジタルカメラ１００のホスト側コントローラ１０５からユーザデータ消去コマンドが出力されたとする。このユーザデータ消去コマンドは、信号ピン２３０を介して、ＳＤメモリカード２００内にシリアルに入力される。
【００４９】
すると、ＳＤメモリカード２００のカード側コントローラ２２０は、ホストインタフェース２２３を介して、そのユーザデータ消去コマンドを取り込む。そして、ＣＰＵ２２１による、ユーザデータイレーズコマンドの生成を行う。この生成されたユーザデータイレーズコマンドは、フラッシュメモリインタフェース２２２から、８ビットのＩ／Ｏ線を介して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０にパラレルに出力される。
【００５０】
この実施例１の場合、ＣＰＵ２２１は、たとえば、管理データ領域２１０ｈに格納されている、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の各領域の位置情報を元に、ユーザデータが格納されている各ブロック領域のアドレスを求める。そして、得たアドレスにより指定される各ブロック領域内のデータを繰り返し消去するためのユーザデータイレーズコマンド、たとえば図６に示す、アドレス入力コマンド（６０Ｈ）、ブロックアドレス（Ｂ−Ａｄｄ）、および、消去コマンド（Ｄ０Ｈ）からなるユーザデータイレーズコマンドを、ブロックごとに自動的に生成する。つまり、この実施例１において、ユーザデータイレーズコマンドの生成は、ユーザデータが格納されているブロック領域の数（最大で、ユーザデータ領域２１０ｅ内の全ブロック領域の数（ｎ））に応じて繰り返される。たとえば、消去ブロックサイズが１６ｋＢｙｔｅのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを利用して、１０２４ブロックのユーザデータ領域に対して連続して消去動作を行った場合、１．６ＧＢｙｔｅに相当するユーザデータが消去されることになる。
【００５１】
ユーザデータイレーズコマンドを入力したＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータ（上記ファイル管理情報を含む）を、ブロック単位で繰り返し消去する。すなわち、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、たとえば図６に示すように、コマンドラッチイネーブルＣＬＥが“ハイ（Ｈ）”、アドレスラッチイネーブルＡＬＥが“ロウ（Ｌ）”、チップイネーブル／ＣＥ（０）が“Ｌ”、リードイネーブル／ＲＥが“Ｈ”となっている状態で、ライトイネーブル／ＷＥが“Ｌ”から“Ｈ”に立ち上がる際のエッジに応答して、Ｉ／Ｏ線上のコマンド（６０Ｈ）〜をラッチする。そして、消去コマンド（Ｄ０Ｈ）を取り込むと、対応するブロック領域内のデータを消去するユーザデータイレーズ動作をスタートし、Ｒｅａｄｙ・／Ｂｕｓｙ（Ｒ・／Ｂ）を“Ｌ”にする。こうして、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータが消去されるまで、上記の動作を繰り返す。これにより、ＳＤメモリカード２００のフォーマットにおいて、ファイル管理情報の消去（初期化）のみならず、ユーザデータをも簡単に消去することが可能となる。
【００５２】
上記したように、デジタルカメラ１００の簡単な操作により、ユーザデータ領域２１０ｅ内のユーザデータをブロック単位で繰り返し消去することが可能となる。すなわち、デジタルカメラ１００からのユーザデータ消去コマンドに応じて、すべてのユーザデータの消去を容易に可能とするためのユーザデータイレーズコマンドを自動的に生成できるようにしている。これにより、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータを簡単に消去することが可能となる。したがって、ＳＤメモリカード２００をフォーマットした後においては、たとえ第三者によるユーザデータの復元が試みられたとしても、漏洩などからユーザデータを保護できるものである。
【００５３】
なお、テスト工程によりブロック領域内の所定の冗長部（たとえば、最初のページの冗長ビット）にあらかじめ書き込まれた、不良ブロックか否かを示す識別フラグに応じて、不良ブロック領域内のデータの消去を行わないようにした場合には、そのフラグを残すことが可能となるため、イレーズ動作後のフラグの再書き込みが不要となるといったメリットもある。
【００５４】
＜実施例２＞
図７は、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータを一括して（同時に）消去する場合の方法について示すものである。ここでは、イレーズ処理を行う範囲の指定を、ブロック単位で繰り返すようにした場合を例に説明する。
【００５５】
たとえば、ＳＤメモリカード２００をフォーマットするに際して、デジタルカメラ１００のホスト側コントローラ１０５からユーザデータ消去コマンドが出力されたとする。すると、ＳＤメモリカード２００のカード側コントローラ２２０は、信号ピン２３０およびホストインタフェース２２３を介して、そのユーザデータ消去コマンドをシリアルに取り込む。そして、ＣＰＵ２２１による、ユーザデータイレーズコマンドの生成を行う。
【００５６】
この実施例２の場合、ＣＰＵ２２１は、たとえば、管理データ領域２１０ｈに格納されている、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の各領域の位置情報を元に、ユーザデータが格納されている各ブロック領域のアドレスを求める。そして、得たアドレスにより指定される各ブロック領域内のデータを一括して消去するためのユーザデータイレーズコマンド、たとえば図７に示す、アドレス入力コマンド（６０Ｈ）およびブロックアドレス（Ｂ−Ａｄｄ）からなるコマンドをブロック領域ごとに繰り返し生成するとともに、最後に、消去コマンド（Ｄ０Ｈ）が付加されてなるユーザデータイレーズコマンドを自動的に生成する。つまり、この実施例２においては、アドレス入力コマンド（６０Ｈ）およびブロックアドレス（Ｂ−Ａｄｄ）からなるコマンドの生成が、ユーザデータが格納されているブロック領域の数（最大で、ユーザデータ領域２１０ｅ内の全ブロック領域の数（ｎ））に応じて繰り返される。
【００５７】
ＣＰＵ２２１により生成されたユーザデータイレーズコマンドが、フラッシュメモリインタフェース２２２から、８ビットのＩ／Ｏ線を介して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０にパラレルに出力されることにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータ（上記ファイル管理情報を含む）を一括して消去する。すなわち、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、たとえば図７に示すように、コマンドラッチイネーブルＣＬＥが“ハイ（Ｈ）”、アドレスラッチイネーブルＡＬＥが“ロウ（Ｌ）”、チップイネーブル／ＣＥ（０）が“Ｌ”、リードイネーブル／ＲＥが“Ｈ”となっている状態で、ライトイネーブル／ＷＥが“Ｌ”から“Ｈ”に立ち上がる際のエッジに応答して、Ｉ／Ｏ線上のコマンド（６０Ｈ）〜を順にラッチする。こうして、Ｉ／Ｏ線上のコマンド（６０Ｈ）〜がすべてラッチされるまで、上記の動作を繰り返す。そして、消去コマンド（Ｄ０Ｈ）を取り込むと、対応する各ブロック領域内のデータを一括して消去するユーザデータイレーズ動作をスタートし、Ｒｅａｄｙ・／Ｂｕｓｙ（Ｒ・／Ｂ）を“Ｌ”にする。
【００５８】
この実施例２のような方法によっても、上述した実施例１の場合と同様に、ＳＤメモリカード２００のフォーマットにおいて、ファイル管理情報の消去（初期化）のみならず、ユーザデータをも簡単に消去することが可能である。
【００５９】
また、この実施例２の場合も、ユーザデータのうち、たとえばファイル管理情報だけを消去せずに残したり、不良ブロック領域内の有効でないデータはあらかじめ消去しないようにして有効なデータだけを消去するようにするなど、汎用性が高く、効率のよいイレーズ動作を容易に可能とする。
【００６０】
＜実施例３＞
図８は、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータを一括して消去する場合の他の方法について示すものである。ここでは、イレーズ処理を行う範囲の指定に、ブロック領域の数（ブロックサイズ）を用いるようにした場合を例に説明する。
【００６１】
たとえば、ＳＤメモリカード２００をフォーマットするに際して、デジタルカメラ１００のホスト側コントローラ１０５からユーザデータ消去コマンドが出力されたとする。すると、ＳＤメモリカード２００のカード側コントローラ２２０は、信号ピン２３０およびホストインタフェース２２３を介して、そのユーザデータ消去コマンドをシリアルに取り込む。そして、ＣＰＵ２２１による、ユーザデータイレーズコマンドの生成を行う。
【００６２】
この実施例３の場合、ＣＰＵ２２１は、たとえば、管理データ領域２１０ｈに格納されている、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の各領域の位置情報を元に、ユーザデータが格納されている先頭のブロック領域のアドレス（スタートアドレスＳＡ）と、その先頭のブロック領域から最終のブロック領域までのブロック領域の数（ブロックサイズＢＳ）とを求める。そして、得たスタートアドレスとブロックサイズとにより連続して指定される範囲内の各ブロック領域内のデータを一括して消去するためのユーザデータイレーズコマンド、たとえば図８に示す、サイズ入力コマンド（ＣＭ０）、ブロックサイズ（ＢＳ）、アドレス入力コマンド（ＣＭ１）、スタートアドレス（ＳＡ）、および、指定範囲消去コマンド（ＣＭ２）からなるユーザデータイレーズコマンドを自動的に生成する。
【００６３】
ＣＰＵ２２１により生成されたユーザデータイレーズコマンドが、フラッシュメモリインタフェース２２２から、８ビットのＩ／Ｏ線を介して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０にパラレルに出力されることにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、ユーザデータ領域２１０ｅ内のすべてのユーザデータ（上記ファイル管理情報を含む）を一括して消去する。すなわち、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、たとえば図８に示すように、コマンドラッチイネーブルＣＬＥが“ハイ（Ｈ）”、アドレスラッチイネーブルＡＬＥが“ロウ（Ｌ）”、チップイネーブル／ＣＥ（０）が“Ｌ”、リードイネーブル／ＲＥが“Ｈ”となっている状態で、ライトイネーブル／ＷＥが“Ｌ”から“Ｈ”に立ち上がる際のエッジに応答して、Ｉ／Ｏ線上のコマンド（ＣＭ０）〜をラッチする。そして、範囲指定消去コマンド（ＣＭ２）を取り込むと、指定された範囲内の全ブロック領域内のデータを一括して消去するユーザデータイレーズ動作をスタートし、Ｒｅａｄｙ・／Ｂｕｓｙ（Ｒ・／Ｂ）を“Ｌ”にする。
【００６４】
この実施例３のような方法によっても、上述した実施例１，２の場合と同様に、ＳＤメモリカード２００のフォーマットにおいて、ファイル管理情報の消去（初期化）のみならず、ユーザデータをも簡単に消去することが可能である。
【００６５】
なお、この実施例３のさらに別の方法として、ブロックサイズ（ＢＳ）の代わりに、ユーザデータが格納されている最終のブロック領域のアドレス（エンドアドレス）によって、イレーズ処理を行う範囲を指定するようにした場合にも、同様に実施することが可能である。
【００６６】
なお、上述した実施例１〜３においては、１つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０を例に、ユーザデータ領域２１０ｅ内のユーザデータを消去する場合の方法について説明した。これに限らず、たとえばメモリチップが、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリからなる場合にも、同様に実施できる。
【００６７】
また、ユーザデータ領域２１０ｅ内のユーザデータだけを消去する場合について説明した。これに限らず、場合によっては、ユーザデータ領域２１０ｅのみでなく、必要に応じて、制御情報格納領域２１０ｄを含む、カード側コントローラ２２０が利用可能な通常領域２１０ｃ内のデータをすべて（または、選択的に）消去できるようにすることも容易に可能である。
【００６８】
また、ブロック領域のアドレスやサイズなどによって消去の範囲を指定することなく、特定のコマンドを自動的に生成することにより、ユーザデータ領域２１０ｅ内の全ブロック領域を消去の範囲としてイレーズ動作を行うことも可能である。
【００６９】
さらに、ユーザデータの消去はフォーマット時に限らず、必要に応じて実施できることは勿論である。
【００７０】
［第２の実施形態］
図９は、この発明の第２の実施形態にしたがった、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの他の構成例を示すものである。なお、ここでは、図２に示した構成において、メモリチップが、複数（この例の場合、４つ）のＮＡＮＤ型フラッシュメモリからなる場合について説明する。また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリが備えるチップイレーズという機能（たとえば、特開平５−２７４２１５号公報参照）を利用して、ユーザデータを消去するようにした場合を例に説明する。
【００７１】
すなわち、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０は、４つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ（ＮＡＮＤ  Ｆｌａｓｈ  ０〜３）２１１，２１２，２１３，２１４を含んでいる。４つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１〜２１４には、それぞれ、チップイネーブル／ＣＥ０〜／ＣＥ３が独立に与えられている。これに対し、電源Ｖｄｄ、グランドＶｓｓ、Ｉ／Ｏ、Ｒｅａｄｙ・／Ｂｕｓｙ、コマンドラッチイネーブルＣＬＥ、アドレスラッチイネーブルＡＬＥ、リードイネーブル／ＲＥ、および、ライトイネーブル／ＷＥなどの信号線は、４つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１〜２１４によって共有されている。なお、図９では、電源Ｖｄｄ、グランドＶｓｓ、Ｉ／Ｏ、Ｒｅａｄｙ・／Ｂｕｓｙ、コマンドラッチイネーブルＣＬＥ、アドレスラッチイネーブルＡＬＥ、リードイネーブル／ＲＥ、および、ライトイネーブル／ＷＥなどの信号線を、便宜上、１本の信号線として示している。
【００７２】
本実施形態の場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ（第１のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ）２１１は、たとえば図１０（ａ）に示すように、そのメモリ領域２１０ａが、ＲＯＭ領域２１０ｂと、制御情報格納領域（非ユーザデータ領域）２１０ｄおよびユーザデータ領域２１０ｅからなる通常領域２１０ｃと、に分けられている。一方、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ（第２のＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ）２１２〜２１４は、たとえば図１０（ｂ）に示すように、そのメモリ領域２１０ａのすべてがユーザデータ領域２１０ｅとして割り当てられている。
【００７３】
図１１は、上記した構成において、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０内のユーザデータを一括して消去する場合の方法について示すものである。なお、チップイレーズという機能は、本来、カード側コントローラ２２０からのチップイレーズコマンドに応じて、カード側コントローラ２２０が利用可能な、通常領域２１０ｃ内のデータをすべて消去するものである。
【００７４】
たとえば、ＳＤメモリカード２００をフォーマットするに際して、デジタルカメラ１００のホスト側コントローラ１０５からユーザデータ消去コマンドが出力されたとする。すると、ＳＤメモリカード２００のカード側コントローラ２２０は、信号ピン２３０およびホストインタフェース２２３を介して、そのユーザデータ消去コマンドをシリアルに取り込む。そして、ＣＰＵ２２１による、チップイレーズコマンドの生成を行う。
【００７５】
この例の場合、ＣＰＵ２２１は、たとえば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１〜２１４の、通常領域２１０ｃ内のすべてのデータを一括して消去するためのチップイレーズコマンド、たとえば図１１に示す、コマンド（３０Ｈ）の繰り返しからなるチップイレーズコマンド（３０Ｈ−３０Ｈ）を自動的に生成する。そして、生成したチップイレーズコマンド（３０Ｈ−３０Ｈ）を、フラッシュメモリインタフェース２２２から、８ビットのＩ／Ｏ線を介して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１を除く、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４にパラレルに出力する。
【００７６】
これにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４は、たとえば図１１に示すように、コマンドラッチイネーブルＣＬＥが“ハイ（Ｈ）”、アドレスラッチイネーブルＡＬＥが“ロウ（Ｌ）”、チップイネーブル／ＣＥ１〜／ＣＥ３が“Ｌ”、リードイネーブル／ＲＥが“Ｈ”となっている状態で、ライトイネーブル／ＷＥが“Ｌ”から“Ｈ”に立ち上がる際のエッジに応答して、Ｉ／Ｏ線上のコマンド（３０Ｈ）をラッチする。そして、２つ目のコマンド（３０Ｈ）を取り込むと、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４は、通常領域２１０ｃに相当する、ユーザデータ領域２１０ｅの全ブロック領域内のユーザデータを一括して消去するチップイレーズ動作をスタートし、Ｒｅａｄｙ・／Ｂｕｓｙ（Ｒ・／Ｂ）を“Ｌ”にする。
【００７７】
一方、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１は、たとえば図１１に示すように、チップイネーブル／ＣＥ０が“Ｈ”となっている。そのため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１は、チップイレーズコマンド（３０Ｈ−３０Ｈ）を取り込まない。つまり、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１に対応するチップイネーブル／ＣＥ０を“Ｈ”のままとすることにより、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１でのチップイレーズコマンド（３０Ｈ−３０Ｈ）の取り込みを禁止する。その結果、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１を除く、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４においてのみ、チップイレーズ動作が行われる。
【００７８】
この実施形態によれば、ＳＤメモリカード２００のフォーマットに際して、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１の制御情報格納領域２１０ｄ内に格納されている、機密データ（機密データ領域２１０ｇ）、および、カード情報（管理データ領域２１０ｈ）などを喪失することなしに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４のユーザデータ領域２１０ｅ内に格納されている、ユーザデータ（ファイル管理情報を含む）だけを簡単に消去することが可能である。
【００７９】
ただし、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１のユーザデータ領域２１０ｅ内に格納されているユーザデータは消去されずに残るので、重要なユーザデータは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４に格納するようにする。こうすることによって、セキュリティ上の問題も解決できる。
【００８０】
このように、ファームウェアなどを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１以外の、ユーザデータのみを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４に対してのみ、チップイレーズコマンドを与えるようにすることで、ファームウェアなどのＣＰＵ２２１の制御に必要なデータはそのままに、ユーザデータだけを消去できるようになる。すなわち、このチップイレーズという機能を利用することによっても、デジタルカメラ１００の簡単な操作により、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４におけるユーザデータの消去が容易に可能である。
【００８１】
なお、ファームウェアなどの必要なデータを含め、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１〜２１４におけるユーザデータの消去を行う場合には、チップイレーズコマンドの出力時に、対応するチップイネーブル／ＣＥ０〜／ＣＥ３をすべて“Ｌ”にすればよい。
【００８２】
また、チップイレーズコマンドは、４つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１〜２１４に同時に与えることも、順番を決めて与えることも可能であるし、４つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１〜２１４に対して選択的に与えることも容易に可能である。
【００８３】
また、ファームウェアなどを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１と、ユーザデータのみを格納するＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４とを備える構成においては、たとえば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１２〜２１４に対してはチップイレーズコマンドを、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１に対しては、上述の実施例１〜３に示したユーザデータイレーズコマンドを、それぞれ与えることも可能である。この場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ２１１〜２１４にそれぞれ格納されているすべてのユーザデータを完全に、かつ、効率よく消去することが可能となる。
【００８４】
このような構成とした場合においても、上述した第１の実施形態の場合と同様に、ＳＤメモリカード２００のフォーマットにおいて、ファイル管理情報の消去（初期化）のみならず、ユーザデータをも簡単に消去することが可能である。
【００８５】
また、ユーザデータの消去はフォーマット時に限らず、必要に応じて実施できることは勿論である。
【００８６】
また、ＳＤメモリカード２００を利用可能なホスト機器（処理装置）としては、上述のデジタルカメラに限らず、たとえば図１２に示すように、カメラ付きの携帯電話１１０であってもよい。
【００８７】
携帯電話１１０のボディ１１１には、ＳＤメモリカード２００が装着されるスロット１１３が設けられている。また、上記ボディ１１１内には、ホスト側コントローラ１１５が設けられている。ホスト側コントローラ１１５は、装着されるＳＤメモリカード２００にアクセスするための機能を備え、上記ＳＤメモリカード２００に対するユーザデータ（この例の場合、デジタル画像や電話番号などの個人情報）の書き込みおよび読み出しを制御する。また、ホスト側コントローラ１１５は、たとえばＳＤメモリカード２００をフォーマットする際に、ＳＤメモリカード２００に対して、ユーザデータ消去コマンド（第１のコマンド）を発行する。
【００８８】
これに対し、ＳＤメモリカード２００は、たとえば第１および第２の実施形態に示したように、ユーザデータイレーズコマンドまたはチップイレーズコマンドを自動的に生成し、少なくとも有効なユーザデータの消去を実行する。
【００８９】
すなわち、ＳＤメモリカード２００を利用する携帯電話１１０においては、たとえば第１および第２の実施形態の場合と同様に、携帯電話１１０に対するユーザによる直接の簡単な操作に応じて、ＳＤメモリカード２００に格納されているユーザデータを容易に消去することが可能となる。これにより、個人情報などのユーザデータの流出を未然に防止でき、機密保持が容易に可能となるものである。
【００９０】
なお、この携帯電話１１０の場合、携帯電話１１０に対するユーザによる直接の操作によらず、たとえば、通信機能を利用した遠隔操作により、ユーザデータの消去を行うことも可能である。たとえば、ＳＤメモリカード２００が装着されたままの状態でユーザが携帯電話１１０を紛失などした場合、その携帯電話１１０に対して送出される、ユーザから連絡を受けた通信事業者からの特定の信号を受信することにより、ホスト側コントローラ１１５からＳＤメモリカード２００に、ユーザデータ消去コマンドが発行されるようにすればよい。
【００９１】
このように、ユーザデータの消去はフォーマット時に限らず、必要に応じて実施できることは勿論である。
【００９２】
また、ホスト機器（処理装置）の実施形態としては、デジタルカメラや携帯電話に限らず、たとえば、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）またはカード用のリーダ／ライタであってもよい。
【００９３】
いずれの実施形態においても、効率よくユーザデータ領域のデータを消去するために、非セキュアな一般データ領域のデータとセキュアな保護データ領域のデータとを一括消去する例を示した。しかし、別の実施形態としては、セキュアな領域のデータを消去する場合、属性情報（ＣＳＤ）などにもとづいて、セキュアな領域へのアクセスが可能なホスト機器からのアクセスが可能な状態でのみ、ユーザデータ消去コマンドを受け付けるようにすることも考えられる。これにより、本来は、セキュアな領域にアクセスできないホスト機器によって、セキュアな領域のデータが消去されるのを防ぐことが可能となる。なお、この場合、一般データ領域のデータを消去するコマンドと保護データ領域のデータを消去するコマンドとを、それぞれ別のコマンドにすることも考えられる。
【００９４】
カードに格納されたユーザデータの漏洩を防止するためには、ホスト機器からの１つのコマンドに応答して、できる限り多くのユーザデータを消去するのが一つの方法である。たとえば、ホスト機器からの１つのコマンドに応答して、カードがすべてのユーザデータを消去するのではなく、カードが少なくともＮＡＮＤ型フラッシュメモリの５０消去ブロック以上のユーザデータを消去するようにすることも可能である。なお、ユーザデータが誤って一括消去されるのを防止するため、ホスト側コントローラが少なくとも２回以上、繰り返しカードに対してユーザデータ消去コマンドを送出するようにしてもよい。
【００９５】
また、上述した各実施形態において、ユーザデータの消去に要する時間を、ユーザに知らしめるようにしてもよい。一般に、ユーザデータの消去に要する時間は、使用するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０の特性、ユーザデータ領域２１０ｅのサイズ、カード側コントローラ２２０が採用する消去の方式などによってさまざまである。そこで、目安となる時間を、たとえば属性情報（ＣＳＤ）として、あらかじめＮＡＮＤ型フラッシュメモリ２１０内に格納しておくことにより、ユーザデータの消去に要する時間を容易に通知することが可能となる。
【００９６】
さらに、本願発明は、ＳＤメモリカードのみに限定されるものではない。
【００９７】
その他、本願発明は、上記（各）実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記（各）実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、（各）実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題（の少なくとも１つ）が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果（の少なくとも１つ）が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の第１の実施形態にしたがった、デジタルカメラとＳＤメモリカードとを例に示す構成図。
【図２】図１に示したＳＤメモリカードの構成例を示すブロック図。
【図３】ＳＤメモリカードにおける、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの構成例を示す図。
【図４】ＳＤメモリカードの基本構成を示す図。
【図５】ＳＤメモリカードの設定可能な動作モードとピンアサインとの関係を示す図。
【図６】実施例１にかかる、イレーズ動作を説明するために示すタイミングチャート。
【図７】実施例２にかかる、イレーズ動作を説明するために示すタイミングチャート。
【図８】実施例３にかかる、イレーズ動作を説明するために示すタイミングチャート。
【図９】本発明の第２の実施形態にしたがった、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの他の構成例を示すブロック図。
【図１０】図９のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの、各メモリチップの構成例を示す図。
【図１１】第２の実施形態にかかる、イレーズ動作を説明するために示すタイミングチャート。
【図１２】携帯電話とＳＤメモリカードとを例に示す構成図。
【符号の説明】
【００９９】
１００…デジタルカメラ、１０５…ホスト側コントローラ、１１０…携帯電話、１１５…ホスト側コントローラ、２００…ＳＤメモリカード、２１０…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、２１０ａ…メモリ領域、２１０ｂ…ＲＯＭ領域、２１０ｃ…通常領域、２１０ｄ…制御情報格納領域、２１０ｅ…ユーザデータ領域、２１１，２１２，２１３，２１４…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ、２２０…カード側コントローラ、２２１…ＣＰＵ、２２２…フラッシュメモリインタフェース、２２３…ホストインタフェース、２３０…信号ピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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