(57)【要約】【課題】短波長のレーザービームを用いて光磁気記録媒体を超高密度で記録再生する。【解決手段】光透過性基板１１上に、第１誘電体層１２と、３層構造の第１〜第３磁性層１３〜１５と、第２誘電体層１７と、保護層１８とが少なくとも順次積層された光磁気記録媒体１０において、第１誘電体層２２と第２誘電体層２８の両方、又は、そのどちらかに、熱伝導率が高い誘電体を用いること、さらには第３磁性層１５と第２誘電体層２８の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層２７を配置した。【選択図】図１
2006018942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性基板上に、第１誘電体層と、３層構造の第１〜第３磁性層と、第２誘電体層と、保護層とが少なくとも順次積層され、短波長のレーザービームスポットを前記光透過性基板側から照射しながら記録時に磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第３磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記磁気ヘッドからの再生磁界を印加しつつ前記短波長のレーザービームスポットの照射による昇温で前記第２磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体において、
前記第１誘電体層と前記第２誘電体層の両方、又は、そのどちらかに、熱伝導率が高い誘電体を用いること、さらには前記第３磁性層と前記第２誘電体層の間、もしくは、前記第３磁性層と前記第２誘電体層の間及び前記第２誘電体層と前記保護層の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層を配置することで、再生時に前記短波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
光透過性基板上に、第１誘電体層と、４層構造の第１〜第４磁性層と、第２誘電体層と、保護層とが少なくとも順次積層され、短波長のレーザービームスポットを前記光透過性基板側から照射しながら記録時に磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第４磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２，第３磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記磁気ヘッドからの再生磁界を必要に応じて印加しつつ前記短波長のレーザービームスポットの照射による昇温で少なくとも前記第３磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体において、
前記第１誘電体層と前記第２誘電体層の両方、又は、そのどちらかに、熱伝導率が高い誘電体を用いること、さらには前記第４磁性層と前記第２誘電体層の間、もしくは、前記第４磁性層と前記第２誘電体層の間及び前記第２誘電体層と前記保護層の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層を配置することで、再生時に前記短波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記熱拡散用金属層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ−Ｎｉ−Ｍｎ，Ｖ−Ｔｉ，Ｔｉ−Ａｌ−Ｖ，Ｂｉのうちのいずれか１からなる単層で形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長が４５０ｎｍ以下のレーザービームを照射することにより磁壁移動を生じさせながら情報信号の記録再生を超高密度で行うことができる光磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録方式は、フェリ磁性薄膜を局部的にキュリ−点または補償点近傍にまで昇温し、この部分の保磁力を減少させて、記録すべき情報信号に対して外部からの印加記録磁界の方向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするものである。磁化の反転した部分すなわち情報ビットは磁区を形成し、それを磁気カ−効果によって読み出す光磁気記録再生においては、記録密度の向上のために、記録ビット長（記録マーク長）の短縮化すなわち情報信号に応じた記録マークを磁区の形態で記録した場合に磁区の微小化を図ることが必要となる。
【０００３】
この際、少なくとも第１〜第３磁性層が室温において交換結合して順次積層されており、第１磁性層は第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜からなり、第２磁性層は第１磁性層及び第３磁性層よりもキューリー温度の低い磁性膜からなる光磁気記録媒体を用いて、再生磁界を印加しつつ波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームによる光磁気記録媒体への加熱によって良好な高密度記録信号が得られる磁壁移動検出型の再生方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、光磁気記録方式において、磁区（記録マーク）の再生分解能は、ほとんど再生光学系のレーザー光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数２ＮＡ／λが再生限界となる。そこで、光磁気記録媒体への記録密度を上げるためにレーザー光源の波長λを短くすることや、高ＮＡの対物レンズを用いて再生装置側のレーザービームのスポット径を小さくすることが考えられる。この際、最近、波長が４５０ｎｍ以下の青色のレーザービームを出射する青色半導体レーザーが開発されているので、この青色半導体レーザーと、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズとを用いて、情報信号を超高密度に記録再生ができる光磁気記録媒体が開発されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−８６３７２号公報
【特許文献２】特開２００３−５１１４３号公報。
【０００５】
図５は従来例１において、第１〜第３磁性層を有する光磁気記録媒体の信号再生方法を説明するために模式的に示した図であり、（ａ）は光磁気記録媒体を示し、（ｂ）は媒体温度分布を示し、（ｃ）は磁壁移動を起こす力を示した図、
図６は従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向前方側でのフロントプロセスを説明するために模式的に示した図、
図７は従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向後方側でのリヤプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【０００６】
まず、図５〜図７に示した従来例１は、上記した特許文献１（特開平１１−８６３７２号公報）に開示された光磁気記録媒体（磁性記録媒体）の信号再生方法による技術的思想を踏まえており、ここでは特許文献１を参考にしながら説明する。
【０００７】
図５（ａ）に示した如く、従来例１の光磁気記録媒体１００は、第１磁性層１０１と、第２磁性層１０２と、第３磁性層１０３とが室温において交換結合して順次積層されており、波長が６８０ｎｍ程度のレーザービームを照射する側に設けられて磁壁移動層となる第１磁性層１０１は、記録層となる第３磁性層１０３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜からなり、交換結合力制御層となる第２磁性層１０２は、第１磁性層１０１及び第３磁性層１０３よりもキュリー温度の低い磁性膜からなっている。
【０００８】
より具体的には、上記した第１〜第３磁性層１０１〜１０３は、例えば、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０原子％と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０原子％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成されている。また、耐食性向上などのために、これらの合金にＣｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｉｎなどの元素を少量添加しても良いと記載されている。
【０００９】
上記のように構成した従来例１の光磁気記録媒体１００において、記録時には波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを第１磁性層１０１側からスポット状に照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを第３磁性層１０３に記録することで、矢印向きの磁化反転領域（以下、磁区と記す）として保存され、更に、記録後でレーザービームの非照射時には、第３磁性層１０３に記録した磁区が第２磁性層１０２を介して第１磁性層１０１に交換結合されている。この際、第１〜第３磁性層１０１〜１０３中の縦矢印は情報信号に応じた記録マークの“０" と“１" に対応した原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁１１０が形成されている。
【００１０】
ここで、従来例１の光磁気記録媒体１００を再生する場合には、この光磁気記録媒体１００を不図示のスピンドルモータを介して回転させて、矢印方向の媒体移動方向に向かって光磁気記録媒体１００を移動させ、一方、波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを光磁気記録媒体１００上にスポット状に照射させているが、仮に、光磁気記録媒体１００側を固定したすると、レーザービームスポットは二点鎖線で図示した方向に移動することと等価になる。
【００１１】
この再生時に、波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを第１磁性層１０１側からスポット状に照射すると、図５（ｂ）に示したように、光磁気記録媒体１００上ではレーザービームスポットの移動方向前方側の温度勾配特性が、レーザービームスポットの移動方向後方側の温度勾配特性より急峻な傾き分布を持つと共に、レーザービームスポットに対して図示の位置ｘ１と位置ｘ２との間で媒体温度が第２磁性層１０２のキュリー温度Ｔｓ以上に達する。これに伴って、位置ｘ１と位置ｘ２と間の領域では、第２磁性層１０２がキュリー温度Ｔｓ以上に昇温されているために第２磁性層１０２の磁化が消失されて、第１磁性層１０１と第３磁性層１０３との間の交換結合が切断されており、この領域を結合切断領域Ｓという。
【００１２】
そして、結合切断領域Ｓに相当する区間内で第１磁性層１０１中に存在する磁壁１１０が侵入すると、この磁壁１１０が第１磁性層１０１中で矢印Ａに示すように温度のピークに向かって移動するので磁壁移動１１１Ａが発生し、この磁壁移動１１１Ａに伴って第１磁性層１０１内で交換結合した磁区が再生用のレーザービームスポットによって再生マークとして拡大して読み出される。
【００１３】
一方、記録層となる第３磁性層１０３は保磁力（磁壁抗磁力）が十分に大きいので、第３磁性層１０３中の磁壁は移動することなく記録状態を保ったままとなる。これにより、通常の再生分解能では再生不可能な微小な磁区を拡大して再生を行うことで、記録密度の飛躍的な向上を図ることができる。
【００１４】
この際、再生用のレーザービームスポットの移動方向前方側での温度勾配特性によって磁壁移動１１１Ａが発生する動作をフロントプロセスと呼称すると、このフロントプロセスによる磁壁移動１１１Ａを起こす力Ｆ（ｘ）は下記の数１で表される。
【数１】
2006018942.tif 000003
【００１５】
この際、σは磁壁エネルギー、ｘはレーザービームスポットの移動方向を正とするトラック方向の距離を表すものである。
【００１６】
一方、特定の記録マーク長の場合、再生用のレ−ザ−ビ−ムスポットの移動方向後方側での温度勾配特性によっても矢印Ｂで示す様な磁壁移動１１１Ｂが起こり、これをリヤプロセスと呼称すると、このリヤプロセスによる磁壁移動１１１Ｂを起こす力Ｆ（ｘ）は下記の数２で表される。
【数２】
2006018942.tif 000004
【００１７】
更に、上記したフロントプロセスとリヤプロセスの両方が起こり得る記録マーク長は、６８０ｎｍ程度のレーザービームスポットを使用した場合に０．２５μｍ以上と考えられるが、０．２５μｍ以上の記録マークの再生信号は、両プロセスによる磁壁移動検出が一定の遅延時間をもって重畳された波形として検出されることになる。とくに、不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を含んだ重畳信号検出波形は、通常の信号再生処理に於いて、不都合な状態を引き起こすことになる。
【００１８】
そこで、上記した特許文献１によれば、再生時に光磁気記録媒体１００の面上で再生磁界を印加しつつレーザービームをスポット状に照射し、第２磁性層１０２のキュリー温度Ｔｓ以上の温度領域を有する温度分布を形成し、この温度分布を光磁気記録媒体１００に対して相対的に移動させ、再生用のレーザービームスポットの移動方向前方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させて磁壁移動１１１Ａを生じさせる一方、再生用のレーザービームスポットの移動方向後方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させずに磁壁移動１１１Ｂを生じさせないように改善を図っている。
【００１９】
即ち、光磁気記録媒体１００の面上に、再生磁界を与えることで、いかなる長さの記録マークを再生する場合にも、リヤプロセスにおける磁壁移動１１１Ｂを抑制するというものである。
【００２０】
上述のごとく、結合切断領域Ｓの区間内でのレーザービームスポットの温度勾配特性は、（フロントプロセスで利用する温度勾配特性）＞（リヤプロセスで利用する温度勾配特性）であるため、この動作は可能になる。
【００２１】
より具体的に説明すると、図６に一部拡大して示したフロントプロセスにおいて、矢印Ｆ１は再生用のレーザービームスポットの移動方向前方側での温度勾配特性による磁壁駆動力であり、上述した数１によって表される。一方、同図中の矢印Ｆ２は再生磁界Ｆｒによって発生するゼーマンエネルギーによる磁壁駆動力である。
【００２２】
また、図７に一部拡大して示したリヤプロセスにおいて、矢印Ｆ４は再生用のレーザービームスポットの移動方向後方側での温度勾配特性による磁壁駆動力であり、上述した数２によって表される。一方、同図中の矢印Ｆ３は再生磁界Ｆｒによって発生するゼーマンエネルギーによる磁壁駆動力である。
【００２３】
さて、上述の温度勾配特性の差、                                                  （フロントプロセスで利用する温度勾配特性）＞（リヤプロセスで利用する温度勾配特性）から、Ｆ１＞Ｆ２且つＦ３＞Ｆ４を満たす再生磁界強度が存在すると言える。従って、Ｆ１＞Ｆ２且つＦ３＞Ｆ４を満たすような再生磁界強度を選ぶことによって、リヤプロセスの磁壁移動１１１Ｂを抑制し、フロントプロセスの磁壁移動１１１Ａのみを引き起こすことが実現可能となるものである。
【００２４】
次に、従来例２の光磁気記録媒体を図８を用いて説明する。
【００２５】
図８は従来例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。                            図８に示した従来例２の光磁気記録媒体２００は、上記した特許文献２（特開２００３−５１１４３号公報）に開示されたものであり、ここでは記録再生時に波長が４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青色のレーザービームを使用することで、光磁気記録媒体２００への超高密度化が図られている。
【００２６】
即ち、従来例２の光磁気記録媒体２００では、光透過性基板２０１上に、第１誘電体層２０２と、第１〜第３磁性層２０３〜２０５による記録層Ｒと、第２誘電体層２０６と、金属熱拡散層２０７と、保護層２０８とが順次積層され、且つ、金属熱拡散層２０７をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕの何れか１からなる単層に構成し、また、第２誘電体層２０６の膜厚を３〜１０ｎｍに設定することにより、記録層Ｒにおける熱拡散が十分に行われるために記録層Ｒの温度上昇が無く、カー回転角の低下が抑えられて安定で良好なＣ／Ｎが得られ、更に、熱拡散の効果により再生時のパワーマージンが広くなる効果が得られ、この結果、記録／再生動作マージンが拡張し、広いシステムマージンを実現できる旨が示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
ところで、従来例１において、第１〜第３磁性層１０１〜１０３を有する光磁気記録媒体１００の信号再生方法では、前述したように、波長が６８０ｎｍ程度の赤色のレーザービームを適用した場合に、再生時に光磁気記録媒体１００の面上で再生磁界Ｆｒを印加しつつレーザービームをスポット状に照射することで、再生用のレーザービームスポットの移動方向前方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させて磁壁移動１１１Ａを生じさせる一方、再生用のレーザービームスポットの移動方向後方端部では、第１磁性層１０１の磁壁１１０を温度領域内高温側へ移動させずに磁壁移動１１１Ｂを生じさせないように改善を図ることができるものの、赤色レーザービームより波長が短い４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて光磁気記録媒体上で情報信号を超高密度に記録再生したい場合には、上記した再生磁界Ｆｒの印加だけによるリヤプロセスへの改善対策では下記する理由により不十分である。
【００２８】
ここで、図９は光磁気記録媒体を再生する際に、光磁気記録媒体上に照射した赤色レーザービームスポットと、光磁気記録媒体上に照射した青色レーザービームスポットとの温度勾配特性を比較した図である。
【００２９】
尚、図９において、横軸は赤色レーザービームスポット及び青色レーザービームスポットを線速３．０ｍ／ｓで移動させた場合に、各ビームスポットの中心をゼロとし、各ビームスポットの進行方向を正としたビームスポット位置を示しており、且つ、縦軸は各ビームスポットの温度（Ｋ）を示している。
【００３０】
前記したように、磁壁移動による磁区拡大再生技術は、レーザービームスポット内の温度分布すなわち温度勾配特性を利用して磁壁を移動させ、短い記録マークを拡大して再生可能とするものであるが、トラック方向の記録密度向上のためにレーザービームの波長を短波長化し、レーザービームスポットのサイズを小さくすると、再生時にレーザービームスポット内の温度勾配特性が変化するために、磁壁移動再生に最適な交換結合膜を作製することが困難となる。
【００３１】
言い換えると、温度勾配特性の変化は、レーザービームの波長に依存するエネルギー密度の変化によるもので、波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームスポットの場合と、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットの場合とでは、図９に示したようにその温度勾配特性は大きく変化し、短波長の青色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性はビーム径の違いとエネルギー密度の違いにより長波長の赤色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性と比較してかなり急峻になっている。
【００３２】
この際、移動する磁壁の磁壁エネルギーの温度勾配特性による差を利用して磁壁移動検出を行う場合に、青色レーザービームスポット内の温度勾配特性が急峻になることは磁壁駆動力を大きくすることになる。この状況は、磁壁移動検出にとって有利に働く面と不利に働く面をつくりだす。有利な面は、フロントプロセスの磁壁移動が俊敏なものとなり、検出信号のＪｉｔｔｅｒ検出信号の時間軸上のズレを小さくでき、検出信号品質が向上することである。他方、不利な面は、前述の不必要なリアプロセスでの磁壁移動が起こり易くなることである。
【００３３】
従って、再生時に青色レーザービームスポットを光磁気記録媒体上に照射した場合には、前記した不必要なリアプロセスの磁壁移動を抑制することが困難となり、短波長化によるトラック密度の向上に際し、問題となる。
【００３４】
一方、従来例２の光磁気記録媒体２００では、４００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度のレーザービームを用いて記録再生する際に、第２誘電体層２０６と保護層２０８との間に、熱伝導率が高いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕの何れか１層からなる金属拡散層２０７を成膜することで記録層Ｒにおける熱拡散が十分に行われるために記録層Ｒの温度上昇が無くなるものの、これらの熱伝導率が高いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕは、前記したリヤプロセスへの改善対策を施すための金属ではない。
【００３５】
そこで、再生時に波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットを光磁気記録媒体上に照射した時に、光磁気記録媒体上の青色レーザービームスポット内で生じる不必要なリアプロセスの磁壁移動を確実に抑制することができる光磁気記録媒体が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００３６】
請求項１記載の発明は、光透過性基板上に、光透過性基板上に、第１誘電体層と、３層構造の第１〜第３磁性層と、第２誘電体層と、保護層とが少なくとも順次積層され、短波長のレーザービームスポットを前記光透過性基板側から照射しながら記録時に磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第３磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記磁気ヘッドからの再生磁界を印加しつつ前記短波長のレーザービームスポットの照射による昇温で前記第２磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体において、
前記第１誘電体層と前記第２誘電体層の両方、又は、そのどちらかに、熱伝導率が高い誘電体を用いること、さらには前記第３磁性層と前記第２誘電体層の間、もしくは、前記第３磁性層と前記第２誘電体層の間及び前記第２誘電体層と前記保護層の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層を配置することで、再生時に前記短波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけたことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００３７】
また、請求項２記載の発明は、光透過性基板上に、第１誘電体層と、４層構造の第１〜第４磁性層と、第２誘電体層と、保護層とが少なくとも順次積層され、短波長のレーザービームスポットを前記光透過性基板側から照射しながら記録時に磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第４磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２，第３磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記磁気ヘッドからの再生磁界を必要に応じて印加しつつ前記短波長のレーザービームスポットの照射による昇温で少なくとも前記第３磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体において、
前記第１誘電体層と前記第２誘電体層の両方、又は、そのどちらかに、熱伝導率が高い誘電体を用いること、さらには前記第４磁性層と前記第２誘電体層の間、もしくは、前記第４磁性層と前記第２誘電体層の間及び前記第２誘電体層と前記保護層の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層を配置することで、再生時に前記短波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけたことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００３８】
更に、請求項３記載の発明は、前記熱拡散用金属層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｃｒ−Ｎｉ−Ｍｎ，Ｖ−Ｔｉ，Ｔｉ−Ａｌ−Ｖ，Ｂｉのうちのいずれか１からなる単層で形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００３９】
請求項１記載の光磁気記録媒体によると、とくに、単波長のレーザービームスポットを用いて３層構造の第１〜第３磁性層を有する光磁気記録媒体を超高密度で記録再生するにあたって、第１誘電体層と第２誘電体層の両方、又は、そのどちらかに、熱伝導率が高い誘電体を用いること、さらには第３磁性層と第２誘電体層の間、もしくは、第３磁性層と第２誘電体層の間及び第２誘電体層と保護層の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層を配置することで、再生時に短波長のレーザービームスポット（青色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポット（赤色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性に近づけたため、光磁気記録媒体上のレーザービームスポット内で生じる不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、且つ、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすので、短波長のレーザービームスポットによる再生性能の向上を図ることができる。
【００４０】
また、請求項２記載の光磁気記録媒体によると、とくに、単波長のレーザービームスポットを用いて４層構造の第１〜第４磁性層を有する光磁気記録媒体を超高密度で記録再生するにあたって、第１誘電体層と第２誘電体層の両方、又は、そのどちらかに、熱伝導率が高い誘電体を用いること、さらには第４磁性層と第２誘電体層の間、もしくは、第４磁性層と第２誘電体層の間及び第２誘電体層と保護層の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層を配置することで、再生時に短波長のレーザービームスポット（青色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポット（赤色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性に近づけたため、光磁気記録媒体上のレーザービームスポット内で生じる不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、且つ、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすので、短波長のレーザービームスポットによる再生性能の向上を図ることができる。
【００４１】
また、請求項３記載の光磁気記録媒体によると、熱拡散用金属層は、入手し易いＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒ−Ｎｉ−Ｍｎ，Ｖ−Ｔｉ，Ｔｉ−Ａｌ−Ｖ，Ｂｉのいずれかを用いているので光磁気記録媒体を安価に提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に本発明に係る光磁気記録媒体の一実施例を図１乃至図４を参照して実施例１，実施例２の順に詳細に説明する。
【実施例１】
【００４３】
図１は本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を示した構成図である。                図１に示した如く、本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体１０は、外形が円盤状で情報信号を超高密度に記録再生可能な光ディスクとして構成されている。この光磁気記録媒体１０では、透明なガラス板又は透明なポリカーボネイトなどを用いて形成した光透過性基板１１上に、透明な第１誘電体層１２と、３層構造の第１〜第３磁性層１３〜１５と、熱拡散用金属層１６と、第２誘電体層１７と、保護層１８とが順次積層されている。
【００４４】
そして、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて情報信号を超高密度に記録再生する場合に、記録時に青色レーザービームスポットを光透過性基板１１側から照射しながら不図示の磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った第３磁性層１５に磁区の形態で記録した後に磁区が第２磁性層１４を介して第１磁性層１３に交換結合され、再生時に不図示の磁気ヘッドからの再生磁界Ｆｒを印加しつつ青色レーザービームスポットの照射による昇温で第２磁性層１４の磁化が消失されて第１磁性層１３内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ているが、この実施例１ではとくに、再生時に波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけるために、熱伝導率が高い誘電体を第１誘電体層１２と第２誘電体層１７の両方、又は、そのどちらかに用いること、さらには第３磁性層１５と第２誘電体層１７の間、もしくは、第３磁性層１５と第２誘電体層１７の間及び第２誘電体層１７と保護層１８の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層１６，１６’を配置することで、再生時に前述したように不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすように改良を図ったものである。
【００４５】
ここで、上記した各層をより具体的に順を追って説明すると、まず、光透過性基板１１上の透明な第１誘電体層１２は、記録層となる第３磁性層１５に用いるＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ金属膜の熱伝導率２８．８Ｗ／ｍＫに近い熱伝導率で、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。
【００４６】
次に、３層構造による第１〜第３磁性層１３〜１５のうちで、青色レーザービームスポットの照射側となる第１磁性層１３は、青色レーザービームスポットの照射によって作られた温度勾配特性により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００４７】
上記した第１磁性層１３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加することで、第１磁性層１３のキュリー温度Ｔｃ１１を調節している。尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００４８】
また、上記した第２磁性層１４は、第３磁性層１５から第１磁性層１３に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２磁性層１４も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２磁性層１４のキュリー温度Ｔｃ１２を調節しながら成膜している。
【００４９】
また、上記した第３磁性層１５は、記録時に青色レーザービームスポットを照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ１３を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００５０】
この第３磁性層１５も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第３磁性層１５のキュリー温度Ｔｃ１３を調整している。
【００５１】
そして、上記のように構成した第１〜第３磁性層１３〜１５に対して青色レーザービームスポットに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３磁性層１３，１４，１５の各キュリー温度Ｔｃ１１，Ｔｃ１２，Ｔｃ１３は、約４８０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍に設定することが望ましい。ここで、第１，第２，第３磁性層１３，１４，１５の各キュリー温度Ｔｃ１１，Ｔｃ１２，Ｔｃ１３は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して上述の各キュリー温度Ｔｃ１１，Ｔｃ１２，Ｔｃ１３をＴｃ１３＞Ｔｃ１１＞Ｔｃ１２になるように設定している。また、第１，第２，第３磁性層１３，１４，１５の各膜厚ｔ１１，ｔ１２，ｔ１３は、それぞれ約３０ｎｍ，約１０ｎｍ，約８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【００５２】
次に、第３磁性層１５と第２誘電体層１７の間に配置される熱拡散用金属層１６は、下記の熱拡散用金属材料を用いており、熱拡散用金属材料としては熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えないものが用いられている。
【表１】
2006018942.tif 000005
【００５３】
この際、熱拡散用金属材料としてＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒ−Ｎｉ−Ｍｎ，Ｖ−Ｔｉ，Ｔｉ−Ａｌ−Ｖ，Ｂｉのうちのいずれか１からなる単層で形成することで熱拡散用金属層１６が得られる。尚、先に図８を用いて説明した従来例２の光磁気記録媒体２００における金属熱拡層２０７に用いられるＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどの熱伝導率が２５０Ｗ／ｍＫ以上の高い値を取るのに比較して、熱拡散用金属層１６に用いられるＴｉ，Ｚｒ，Ｃｒ−Ｎｉ−Ｍｎ，Ｖ−Ｔｉ，Ｔｉ−Ａｌ−Ｖ，Ｂｉは、表２に示したようにそれぞれ熱伝導率の値が低いものであると共に、入手し易い材料である。実際には、先に図９で示した青色レーザービームスポットの温度勾配を赤色レーザービームスポットのそれに近づけることを考えるわけであるが、その温度勾配差は微妙なものであり、その微妙な熱拡散制御は、急激な熱拡散によっては制御が困難である。そのため、熱伝導率の高い誘電体膜と熱伝導率の低い他の膜の組み合わせにより、問題の改善を実現するものである。
【００５４】
そして、透明な誘電材料としては熱伝導率が高いものを用いた第１誘電体層１２及び第２誘電体層１７と、熱伝導率が低いものを用いた熱拡散用金属層１６とを組み合わせることにより、先に図９で示したような波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけるように調節していることが実施例１の要部となるものである。
【００５５】
次に、熱拡散用金属層１６上の第２誘電体層１７は、透明な第１誘電体層１２と同様に、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。
【００５６】
次に、透明な第２誘電体層１７上の保護層１８は、ＵＶ硬化樹脂材料などを用いて第２誘電体層１７側を保護するために必要に応じて成膜されている。
【００５７】
更に、実施例１の光磁気記録媒体１０を一部変形させた変形例について図２を用いて簡略に説明する。
【００５８】
図２は実施例１の光磁気記録媒体を一部変形させた変形例を示した構成図である。      図２に示した如く、本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体１０を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体１０’では、透明なガラス板又は透明なポリカーボネイトなどを用いて形成した光透過性基板１１上に、透明な第１誘電体層１２と、３層構造の第１〜第３磁性層１３〜１５と、熱拡散用金属層１６と、第２誘電体層１７と、熱拡散用金属層１６’と、保護層１８とが順次積層されている。
【００５９】
この実施例１の変形例では、第３磁性層１５と第２誘電体層１７の間及び第２誘電体層１７と保護層１８の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層１６，１６’を配置することで、再生時に前述したリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすように改良を図ったものである。
【００６０】
この際、第３磁性層１５と第２誘電体層１７の間に配置した熱拡散用金属層１６と、第２誘電体層１７と保護層１８の間に配置した熱拡散用金属層１６’は、共に前述の表１に示したような熱拡散用金属材料を用いている。
【００６１】
上記のように実施例１の光磁気記録媒体１０又は実施例１を一部変形させた光磁気記録媒体１０’を構成することで、熱拡散用金属層１６，１６’により再生時に短波長のレーザービームスポット（青色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポット（赤色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性に近づけたため、光磁気記録媒体１０又は１０’上のレーザービームスポット内で生じる不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、且つ、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすので、短波長のレーザービームによる再生性能の向上を図ることができる。
【実施例２】
【００６２】
図３は本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。                図３に示した如く、本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体２０も、外形が円盤状で情報信号を超高密度に記録再生可能な光ディスクとして構成されている。この第２の光磁気記録媒体２０では、透明なガラス板又は透明なポリカーボネイトなどを用いて形成した光透過性基板２１上に、透明な第１誘電体層２２と、４層構造の第１〜第４磁性層２３〜２６と、熱拡散用金属層２７と、第２誘電体層２８と、保護層２９とが順次積層されている。
【００６３】
そして、波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームを用いて情報信号を超高密度に記録再生する場合に、記録時に青色レーザービームスポットを光透過性基板２１側から照射しながら不図示の磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った第４磁性層２６に磁区の形態で記録した後に磁区が第２，第３磁性層２４，２５を介して第１磁性層２３に交換結合され、再生時に不図示の磁気ヘッドからの再生磁界Ｆｒを必要に応じて印加しつつ青色レーザービームスポットの照射による昇温で少なくとも第３磁性層２５の磁化が消失されて第１磁性層２３内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得ているが、この実施例２ではとくに、実施例１に対して磁性層を４層構造にすることで交換結合力を高めながら青色レーザービームスポットの移動方向前方側での磁壁移動性能を向上させると共に、再生時に波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけるために、熱伝導率が高い誘電体を第１誘電体層２２と第２誘電体層２８の両方、又は、そのどちらかに用いること、さらには第４磁性層２６と第２誘電体層２８の間、もしくは、第４磁性層２６と第２誘電体層２８の間及び第２誘電体層２８と保護層２９の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層２７，２７’を配置することで、再生時に前述したリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすように改良を図ったものである。
【００６４】
尚、この実施例２では、磁性層を４層構造にしたことにより再生時に再生磁界を印加しない場合も有り得るものである。
【００６５】
ここで、上記した各層をより具体的に順を追って説明すると、まず、光透過性基板２１上の透明な第１誘電体層２２は、記録層となる第４磁性層２６に用いるＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ金属膜の熱伝導率２８．８Ｗ／ｍＫに近い熱伝導率で、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。
【００６６】
次に、４層構造による第１〜第４磁性層２３〜２６のうちで、青色レーザービームスポットの照射側となる第１磁性層２３は、青色レーザービームスポットの照射によって作られた温度勾配特性により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００６７】
上記した第１磁性層２３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加することで、第１磁性層２３のキュリー温度Ｔｃ２１を調節している。尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００６８】
また、第２，第３磁性層２４，２５は、前述した実施例１の光磁気記録媒体１０に成膜した第２磁性層１４とは異なって２層に成膜されており、第２，第３磁性層２４，２５のうちで第２磁性層２４を極めて薄膜に成膜することで、この第２磁性層２４は磁壁移動可能な温度領域（約４３０Ｋ〜約４９０Ｋ）の青色レーザービームスポットの移動方向前方からの磁壁移動性能を向上させる機能を備えている。
【００６９】
また、第２，第３磁性層２４，２５のうちで少なくとも第３磁性層２５は、第４磁性層２６から第１磁性層２３に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する交換結合力制御層として機能している。この第２，第３磁性層２４，２５も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２，第３磁性層２４，２５のキュリー温度Ｔｃ２２，Ｔｃ２３をそれぞれ調節しながら成膜している。
【００７０】
また、上記した第４磁性層２６は、記録時に青色レーザービームスポットを照射しながら図示しない磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ２４を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００７１】
この第４磁性層２６も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第４磁性層２６のキュリー温度Ｔｃ２４を調整している。
【００７２】
そして、上記のように構成した第１〜第４磁性層２３〜２６に対して青色レーザービームスポットに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２４，２５，２６の各キュリー温度Ｔｃ２１，Ｔｃ２２，Ｔｃ２３，Ｔｃ２４は、約４８０Ｋ，約４３０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍に設定することが望ましい。ここで、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２４，２５，２６の各キュリー温度Ｔｃ２１，Ｔｃ２２，Ｔｃ２３，Ｔｃ２４は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒなどの非磁性元素の添加量を増加することでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して上述の各キュリー温度Ｔｃ２１，Ｔｃ２２，Ｔｃ２３，Ｔｃ２４をＴｃ２４＞Ｔｃ２１＞Ｔｃ２２＞Ｔｃ２３になるように設定している。また、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２４，２５，２６の各膜厚ｔ２１，ｔ２２，ｔ２３，ｔ２４は、それぞれ約３０ｎｍ，約５ｎｍ，役約１０ｎｍ，約８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【００７３】
次に、第４磁性層２６と第２誘電体層２８の間に配置される熱拡散用金属層２７は、先の表１に示したような熱拡散用金属材料を用いており、熱拡散用金属材料としては熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えないものが用いられている。
【００７４】
そして、透明な誘電材料としては熱伝導率が高いものを用いた第１誘電体層２２及び第２誘電体層２８と、熱伝導率が低いものを用いた熱拡散用金属層２７とを組み合わせることにより、先に図９で示したような波長が４５０ｎｍ以下の青色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性を波長が６８０ｎｍ程度の赤色レーザービームスポットのその位置に対する温度勾配特性に近づけるように調節していることが実施例２の要部となるものである。
【００７５】
次に、熱拡散用金属層２７上の第２誘電体層２８は、透明な第１誘電体層２２と同様に、例えば１４．４Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するＡｌＮのような透明な誘電材料を用いて成膜されている。
【００７６】
次に、透明な第２誘電体層２８上の保護層２９は、ＵＶ硬化樹脂材料などを用いて第２誘電体層２８側を保護するために必要に応じて成膜されている。
【００７７】
更に、実施例２の光磁気記録媒体２０を一部変形させた変形例について図４を用いて簡略に説明する。
【００７８】
図４は実施例２の光磁気記録媒体を一部変形させた変形例を示した構成図である。      図４に示した如く、本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体２０を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体２０’では、透明なガラス板又は透明なポリカーボネイトなどを用いて形成した光透過性基板２１上に、透明な第１誘電体層２２と、４層構造の第１〜第４磁性層２３〜２６と、熱拡散用金属層２７と、第２誘電体層２８と、熱拡散用金属層２７’と、保護層２９とが順次積層されて構成されている。
【００７９】
この実施例２の変形例では、第４磁性層２６と第２誘電体層２８の間及び第２誘電体層２８と保護層２９の間に、熱伝導率が低く磁気特性に影響を与えない熱拡散用金属層２７，２７’を配置することで、再生時に前述したリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすように改良を図ったものである。
【００８０】
この際、第４磁性層２６と第２誘電体層２８の間に配置した熱拡散用金属層２７と、第２誘電体層２８と保護層２９の間に配置した熱拡散用金属層２７’は、共に前述の表１に示したような熱拡散用金属材料を用いている。
【００８１】
上記のように実施例２の光磁気記録媒体２０又は実施例２を一部変形させた光磁気記録媒体２０’を構成することで、熱拡散用金属層２７，２７’により再生時に短波長のレーザービームスポット（青色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性を長波長のレーザービームスポット（赤色レーザービームスポット）のその位置に対する温度勾配特性に近づけたため、光磁気記録媒体２０又は２０’上のレーザービームスポット内で生じる不必要なリヤプロセスでの磁壁移動を抑制し、且つ、フロントプロセスでの磁壁移動のみを引き起こすので、短波長のレーザービームによる再生性能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係る実施例１の光磁気記録媒体を示した構成図である。
【図２】実施例１の光磁気記録媒体を一部変形させた変形例を示した構成図である。
【図３】本発明に係る実施例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。
【図４】実施例２の光磁気記録媒体を一部変形させた変形例を示した構成図である。
【図５】従来例１において、第１〜第３磁性層を有する光磁気記録媒体の信号再生方法を説明するために模式的に示した図であり、（ａ）は光磁気記録媒体を示し、（ｂ）は媒体温度分布を示し、（ｃ）は磁壁移動を起こす力を示した図である。
【図６】従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向前方側でのフロントプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【図７】従来例１において、光磁気記録媒体に再生磁界を印加した場合に、レーザービームスポットの移動方向後方側でのリヤプロセスを説明するために模式的に示した図である。
【図８】従来例２の光磁気記録媒体を示した構成図である。
【図９】光磁気記録媒体を再生する際に、光磁気記録媒体上に照射した赤色レーザービームスポットと、光磁気記録媒体上に照射した青色レーザービームスポットとの温度勾配特性を比較した図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０…実施例１の光磁気記録媒体、
１０’…実施例１を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体、
１１…光透過性基板、１２…透明な第１誘電体層、
１３〜１５…３層構造の第１〜第３磁性層、
１６，１６’…熱拡散用金属層、
１７…第２誘電体層、１８…保護層、
２０…実施例２の光磁気記録媒体、
２０’…実施例２を一部変形させた変形例の光磁気記録媒体、
２１…光透過性基板、２２…透明な第１誘電体層、
２３〜２６…４層構造の第１〜第４磁性層、
２７，２７’…熱拡散用金属層、
２８…第２誘電体層、２９…保護層。
【図１】
2006018942.tif 000006
【図２】
2006018942.tif 000007
【図３】
2006018942.tif 000008
【図４】
2006018942.tif 000009
【図５】
2006018942.tif 000010
【図６】
2006018942.tif 000011
【図７】
2006018942.tif 000012
【図８】
2006018942.tif 000013
【図９】
2006018942.tif 000014