(57)【要約】【課題】  段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。【解決手段】この薄膜処理装置は、２種類の原料ガスＡ，Ｂを交互に反応容器に導入して基板１４の表面を処理する薄膜処理装置１０であって、反応容器内に形成されかつ第１のガスＡが導入される反応容器（第１の部屋）１０Ａと、これに積み重ねられて第２のガスが導入される反応容器（第２の部屋）１０Ｂと、２つの反応容器に隣接する壁に形成された開口部１１と、開口部をいずれか１枚がふさぐようにされた複数の隔壁板１２，１３であり、複数の隔壁板が連動して２つの反応容器の間を往復し、複数の隔壁板の少なくとも１枚には基板１４が搭載される複数の隔壁板と、２つの部屋で基板に対して基板表面に平行に第１の原料ガスと第２の原料ガスを流すための原料ガス供給機構および排気機構とを備える。【選択図】      図１
2006176826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２種類の原料ガスを交互に反応容器に導入して基板の表面を処理する薄膜処理装置であって、
前記反応容器内に形成されかつ第１の原料ガスが導入される第１の部屋と、
前記第１の部屋に積み重ねられて前記反応容器内に形成され、かつ第２の原料ガスが導入される第２の部屋と、
前記第１の部屋と前記第２の部屋に隣接する壁に形成された開口部と、
前記の第１と第２の部屋の間を連動して往復し、いずれか１枚が前記開口部をふさぐようにされ、かつ少なくとも１枚には前記基板が搭載される複数の隔壁板と、
前記第１の部屋と前記第２の部屋の各々で前記基板に対して基板表面に平行に前記第１の原料ガスと前記第２の原料ガスを流すための原料ガス供給機構および排気機構と、
を備えることを特徴とする薄膜処理装置。
【請求項２】
前記第１の部屋と前記第２の部屋の各々でパージガス供給機構を備え、供給されたパージガスは、前記排気機構の排気動作により、前記基板の基板表面に対して平行に流されることを特徴とする請求項１記載の薄膜処理装置。
【請求項３】
前記複数の隔壁板を同時に連動させる上下機構を備えることを特徴とする請求項１記載の薄膜処理装置。
【請求項４】
最下段に設置された部屋には複数のピンを備え、最下段の前記隔壁板には前記ピンが貫通する複数の孔を有し、前記隔壁板が下降することにより、前記基板が前記ピンのに移載されることを特徴とする請求項１記載の薄膜処理装置。
【請求項５】
隣接した２段の前記部屋を有し、下段の前記部屋の下側および上段の前記部屋の上側に、前記被処理基板を搭載する前記隔壁板を熱輻射によって加熱する加熱装置を備えることを特徴とする請求項１記載の薄膜処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜処理装置に関し、特に、半導体装置、表示装置および記憶装置等の製造分野に利用される薄膜の堆積やエッチング等に好適な薄膜処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積化回路の半導体装置の製造では、従来、トランジスタ、キャパシタ、層間接続、電極配線などに金属、金属酸化膜、金属窒化膜などの薄膜が使われている。これらの薄膜の製造には、従来、スパッタリング蒸着装置やＣＶＤ装置（化学気相成長装置）が使われていた。スパッタリング蒸着による方法では段差を有する被処理基板の表面に対する薄膜の被覆性に問題があるので、近年では、化学気相成長法を利用して段差被覆性を改善する方向にある。
【０００３】
ＣＶＤ装置で実施される化学気相成長法は、一般的に、反応容器内部に設置した基板保持装置に基板を設置し、この基板を所要の温度に加熱し、原料をガス状態で反応容器に導き、基板表面上の熱反応で所要の薄膜を成長させている。ここでは、一例として窒化チタニウム（以下「ＴｉＮ」と記す）の薄膜を成長させる例を説明する。Ｔｉの原料ガスとして蒸気圧を得るためにＴｉを含む有機系材料ガス、ここではＴＤＥＡＴ（Tetra Di-Ethyl-Amino Titanium）を用い、窒素の原料ガスとしてアンモニアガス（以下「ＮＨ3」と記す）を用いる。反応容器を真空ポンプで１Ｐａ以下に排気した後にＴＤＥＡＴとＮＨ3を別の配管から反応容器内に導く。ＴＤＥＡＴとＮＨ3は加熱された基板の表面上で反応してＴｉＮ薄膜を形成する。基板表面上の熱反応で薄膜が成長するため、基板に段差を有していても、その表面形状に沿った薄膜が形成でき、段差被覆性が良好となる。
【０００４】
しかしながら、ＴＤＥＡＴとＮＨ3は反応容器の中でも互いに接触すれば反応を起してしまい、基板表面以外の場所でＴｉＮが形成され、これが異物として基板表面に降り注ぐという欠点があった。加えて、基板の段差について、開口が狭く深い場合には、その溝または孔の入り口でＴＤＥＡＴとＮＨ3が反応してしまい、入り口に薄膜が成長することによって、溝または孔の奥へは原料が到達できず、その段差被覆性に限界があることがわかってきた（例えば、非特許文献１参照）。  
【０００５】
上記の欠点の事実は、従来の化学気相成長法による装置が微細加工を要求する半導体装置の製造に対して限界があることを示している。実際にＴｉＮ膜を化学気相成長法を用いて例えば開口幅０．１８μｍ、深さ０．６μｍの孔を有する基板上に成長させたところ、孔の上部に膜が厚く堆積して原料が孔の底部まで届かないために、孔の底部にいくに従って側壁の膜厚が薄くなってしまう現象が観察された。
【０００６】
現在、従来の化学気相成長法の欠点を改善する試みがなされている。サントラ等は、例えば２種類の元素Ａ，Ｂで構成されるＡｘＢｙの化合物薄膜を成長するときに、ＡまたはＢの元素を含む２種類の原料ガスを交互に反応容器に導くことにより、基板表面に吸着した一方の原料ガスを、次に送り込んだ他方の原料ガスと反応させることにより、１原子層ごとに成長させる原子層エピタキシー（Atomic Layer Epitaxy）法を提唱し、実現した（非特許文献２）。１原子層ごとに成長が可能であることは、薄膜の厚さ方向の最小単位である原子層ごとに成長膜厚を制御でき、基板表面の面内で均一な膜厚の薄膜を成長できることを原理的に説明している。この手法を拡張して考察すれば、同時に２種類の原料ガスを導入することがないため、反応容器の空間中や、微細な溝、孔の入り口での原料ガス同士の反応を抑制して、基板表面での反応だけを促進することができ、この結果、段差被覆性の良い薄膜を成長することが期待できる。
【０００７】
しかしながら、１つの反応容器に交互に原料ガスＡ，Ｂを導入する上記の方法には次のような欠点がある。次の原料ガスを導入にするに際し、その前に導入された原料ガスであって反応容器内に残留する原料ガスをパージガスで当該反応容器から排出することが必要となる。その結果、排出のためのパージガスを流す時間が長くなりかつその回数が１周期当り２回も存在するので、原料ガスを同時に流す一般的な化学気相成長法に比べて、著しく生産性が低下するという欠点があった。
【０００８】
また他の原子層エピタキシー装置を開示する公知文献としては特許文献１があり、さらに原子層エビタキシーの一般的な従来技術として特許文献２を挙げることができる。特に、特許文献１に開示される原子層エピタキシー装置では、複数種類の原料ガスを複数のガスセルのそれぞれから交互に照射する構成と、当該複数のガスセルのそれぞれに設けたガス拡散板に対して複数の基板のそれぞれが直角方向に回転移動させる構成とを有し、各基板上に原子層エピタキシーを繰り返すようにしている。原料ガスのそれぞれは、基板に対して垂直の方向に流すように構成されている。また特許文献１の装置の構成は回転式で複雑な構成となっている。
【特許文献１】特開平５−２３４８９９号公報
【特許文献２】特許第２８２８１５２号公報
【非特許文献１】戸部了己等、半導体・集積回路第５６回シンポジウム講演論文集、電気化学会電子材料委員会、大阪、１９９９年、ｐ．７７−８２
【非特許文献２】ティー・サントラとエム・シンプソン（T Suntola and M. Simpson eds.）、原子層エピタキシー（Atomic Layer Epitaxy）、ブラッキー（ Blackie）、ロンドン、1990年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
基板の上に、原料ガスＡ，Ｂに基づき２種類の元素Ａ，Ｂで構成されるＡｘＢｙの化合物薄膜を成長するとき、ＡまたはＢの元素を含む２種類の原料ガスを交互に反応容器に導くことにより、基板表面に吸着した一方の原料ガスを、次に送り込んだ他方の原料ガスと反応させることにより、１原子層ごとに成長させる原子層成長装置を用いれば、同時に２種類の原料ガスを導入することがないため、反応容器の空間中や、微細な溝、孔の入り口での原料ガス同士の反応を抑制して、基板表面での反応だけを促進することができ、この結果、段差被覆性の良い薄膜を成長することが期待できる。
【００１０】
しかし、このような原子層成長装置では、たとえ段差被覆性良い薄膜が成長できても、高々１原子層の成長を行うために、一方の原料ガス（Ａ）を流し、残留する原料ガスをパージするためにパージガスを流し、他方の原料ガス（Ｂ）を流し、残留する原料ガスをパージするためにパージガスを流す必要があるため、極めて長い時間を要する欠点があった。
【００１１】
また特許文献１に関する装置は、回転式で複雑な構造を有している。
【００１２】
本発明の目的は、上記の課題に鑑み、簡単な構造を有し、段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮でき、さらに基板全面に均一な膜を形成することができる薄膜処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る薄膜処理装置は、上記の目的を達成するため、次のように構成される。
【００１４】
第１の薄膜処理装置（請求項１に対応）は、少なくとも２種類の原料ガスを交互に反応容器に導入して基板の表面を処理する薄膜処理装置であって、反応容器内に形成されかつ第１の原料ガス（原料ガスＡ）が導入される第１の部屋（反応容器１０Ａ）と、第１の部屋に積み重ねられて反応容器内に形成され、かつ第２の原料ガス（原料ガスＢ）が導入される第２の部屋（反応容器１０Ｂ）と、第１の部屋と第２の部屋に隣接する壁に形成された開口部と、第１と第２の部屋の間を連動して往復し、いずれか１枚が開口部をふさぐようにされ、かつ少なくとも１枚には基板が搭載される複数の隔壁板と、記第１の部屋と第２の部屋の各々で基板に対して基板表面に平行に第１の原料ガスと第２の原料ガスを流すための原料ガス供給機構および排気機構と、を備えるように構成される。
【００１５】
上記の構成では、少なくとも２種類以上の原料ガス（Ａ，Ｂ）を交互に反応容器に導入して被処理基板表面を処理する装置において、原料ガスＡを導入する反応容器、原料ガスＢを導入する反応容器を積み重ねた構造を有し、複数の隔壁板が連動して２つの反応容器の間を往復するように構成されている。下側の隔壁板には被処理基板が搭載されているという構造であり、反応容器の第１および第２の部屋で、換言すれば、２つの反応容器部分のそれぞれで各原料ガスを流して独立に原子層エピタキシー等による成膜を行えるように構成したため、成長時間を短縮することが可能となる。また各部屋で基板に対して流される原料ガスの流れを基板に表面に対して平行に横方向（または水平方向）にしたため、基板表面の全面に均一な膜を形成することができる。
【００１６】
第２の薄膜処理装置（請求項２に対応）は、上記の第１の構成において、好ましくは、第１の部屋と第２の部屋の各々でパージガス供給機構を備え、供給されたパージガスは、排気機構の排気動作により、基板の基板表面に対して平行に流されることで特徴づけられる。パージガスを基板表面に対して平行に流すことにより、残存した不要な原料ガスを効率よく外部に排出することが可能となる。
【００１７】
第３の薄膜処理装置（請求項３に対応）は、上記の第１の構成において、好ましくは、複数の隔壁板を同時に連動させる上下機構を備えるように構成される。複数の隔壁板を一体的に同時に上下方向に動かすことにより、複数の隔壁板のいずれかを迅速に開口部を塞ぐ手段として用いることができ、かつ反応容器として使用する部屋の切り替えを容易にかつ迅速に行うことが可能で、加えて当該切り替えを簡単な構成で実現することができる。
【００１８】
第４の薄膜処理装置（請求項４に対応）は、上記の構成において、好ましくは、最下段に設置された部屋には複数のピンを備え、最下段の隔壁板にはピンが貫通する複数の孔を有し、当該隔壁板が下降することにより、基板がピンに移載されることで特徴づけられる。この構成によれば、基板処理装置の場合に、反応容器中のガスの乱れを抑制し、基板ホルダの熱容量や厚みをむやみに増加させることを防止することが可能である。
【００１９】
第５の薄膜処理装置（請求項５に対応）は、上記の構成において、好ましくは、隣接した２段の部屋を有し、下段の部屋の下側および上段の部屋の上側に、基板を搭載する隔壁板を熱輻射によって加熱する加熱装置を備える。この構成によって、交互に流す原料ガスごとに異なる基板温度を設定することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば次の効果を奏する。本発明によれば、少なくとも２種類以上の原料ガスを交互に反応容器に導入して被処理基板表面を処理する装置において、第１のガスを導入する反応容器、第２のガスを導入する反応容器を積み重ねて反応容器の全体を作る構造を有し、それらの境界の壁を貫通した開口部を形成し、その開口部を複数の隔壁板のいずれかがふさぐように、複数の隔壁板が連動して２つの反応容器の間を往復し、１つの隔壁板には基板が搭載されているため、原料ガスを交互に流し、かつその間にパージガスを流すことで、膜の成長時間を極めて短時間とし、生産性を向上することができる。さらに基板表面に対して原料ガス等を平行になるように流すことにより、基板表面の全面に均一な膜を形成することができる。さらに装置全体として簡素な構造で実現することができ、実用的である。
【００２１】
さらに本発明によれば、隣接するよう重ね合わせて作られた少なくとも２つの反応容器に係る第１および第２の部屋において、２つの部屋の境界となる壁部に処理対象である基板を行き来させる開口部を形成し、かつ当該開口部を複数の隔壁板のいずれか１枚で塞ぐようにすると共に１枚の隔壁板を基板ホルダとして併用し、当該複数の隔壁板を上下動ささせる上下機構を設けることにより、各部屋を反応容器としてタイミングよく利用することを可能にし、同時に基板の反応容器間の移送を短時間でかつ簡単な構成で容易に行わせることができる。
【００２２】
また本発明によれば、最下段に設置された反応容器部屋には複数のピンを有し、最下段の隔壁板には前述したピンが貫通する複数の孔を有することにより、隔壁板が下降することにより、基板がピンに移載されるため、上記の効果に加え、反応容器中のガスの乱れを抑制し、基板ホルダの熱容量や厚みをむやみに増加させることはないという効果が発揮される。
【００２３】
さらに本発明によれば、さらに、下段の反応容器の下段側、上段の反応容器の上段側に基板を搭載する隔壁板を熱輻射によって加熱する独立した２式の加熱装置を設置しため、交互に流す原料ガスごとに異なる基板温度を設定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、本発明の好適な実施形態（実施例）を添付図面に基づいて説明する。
【００２５】
図１〜図３を参照して本発明に係る薄膜処理装置の代表的な実施形態を説明する。この薄膜処理装置は、上下での２段積重ね構造の反応容器構造と基板脱着装置と上下装置等を備えている。薄膜処理装置１０は、少なくとも２種類の原料ガス（例えばＡ，Ｂ等）を交互に反応容器に導入して被処理基板の表面を処理する装置である。この薄膜処理装置１０の反応容器は、原料ガスＡを導入する反応容器（第１の部屋）１０Ａと、原料ガスＢを導入する反応容器（第２の部屋）１０Ｂとを上下に積み重ねた構造を有している。反応容器１０Ａと反応容器１０Ｂが隣接する部分の壁には、両反応容器内の空間を通じさせる開口部１１が形成される。この開口部１１を例えば２つの隔壁板１２，１３のいずれか一方が塞ぐように、当該２つの隔壁板１２，１３は連動して反応容器１０Ａと反応容器１０Ｂで往復動作するように設けられている。２つの隔壁板１２，１３のうち隔壁板１２は基板ホルダとしての機能も有している。
【００２６】
ロボット搬送機構（図示せず）によって搬送されてきた基板１４は、図１に示されるごとく、隔壁板である基板ホルダ１２上に上下機構１５の上下動作によって移載される。
【００２７】
反応容器１０Ａ、反応容器１０Ｂ、および下部容器１６に対して、パージガスとして、原料ガスとは反応しない例えばＮ2，Ａｒ，Ｈｅなどのガスをガスバルブ２１，２２，２３を開けることにより数１００SCCMから数１０SLM程度流す。これらのガスは、真空ポンプ２４を用いて、反応容器１０Ａ、反応容器１０Ｂ、下部容器１６を経由して排出される。
【００２８】
基板１４および基板ホルダ２は、下部に配置された加熱用ランプ２６により所要の温度に加熱される。
【００２９】
上記パージガスの流量は、図示しない流量制御装置を用いて制御される。パージガスの導入を低下させるか、またはガスバルブ２２を閉じて停止させた後、原料ガスＡをガスバルブ２７を開けて所要の時間流して基板１４上に原料ガスＡまたは原料ガスＡから派生した中間生成物を吸着させる。その後、原料ガスＡの供給は、バルブ２７を閉じて停止される。
【００３０】
次に、ガスバルブ２２を開けて再びパージガスを流すと同時に、基板ホルダ１２を上下機構１５を用いて図２に示す位置に移動する。反応容器１０Ｂでは、基板ホルダ１２を移動すると同時に、バルブ２１を閉じてパージガスの供給を停止させ、バルブ２８を開けて反応容器１０Ｂに原料ガスＢを導入する。基板１４上に吸着した原料ガスＡまたは原料ガスＡから派生した中間生成物と原料ガスＢとが反応し、基板１４上にはＡｘＢｙの化合物が成長する。十分反応が促進された時間が経過した後、バルブ２８を閉じる。
【００３１】
反応容器１０Ａでは、基板１４以外の箇所に吸着されたりまたは残留する原料ガスＡを、パージガスと共に排出し、十分に原料ガスＡが排出される時間を経過した後に、パージガスの流量を図示しない流量制御装置を用いて低下させるか、またはガスバルブ２２を閉じて停止させる。
【００３２】
次に、基板ホルダ１２およびこれに連動する隔壁板１３を上下機構１５を用いて図１に示す位置に移動する。
【００３３】
上記のガスバルブ２１〜２３，２７，２８の開閉動作、上下機構１５の動作、排気用真空ポンプ２４、図示しない流量制御装置等の各動作は図示しない制御装置によって制御される。
【００３４】
以上の手順を１周期として、これを繰り返すことにより、基板１４上にはＡｘＢｙ化合物による薄膜が順次成長することとなる。基板１４上に吸着された原料ガスＡによる物質の薄膜が十分に基板表面を覆い尽くすほどの被覆率を持ち、かつ原料ガスＢによる物質が基板１４上の原料物質（Ａ）と化学量論的組成比で反応するならば、１周期で１原子層の成長が可能となる。
【００３５】
次に、図３を参照して本実施形態に係る薄膜処理装置１０での各処理における時間経過を説明する。図３の（ａ）〜（ｃ）で、横軸は成長時間を示し、縦軸は原料ガス等の流量を示し、特に、原料ガスＡを実線で、パージガスを破線で、原料ガスＢを点線で示している。図３に示されるごとく、原料ガスＡを流す時間をｔＡ、残留する原料ガスＡをパージするためパージガスを流す時間をｔＰ１、原料ガスＢを流す時間をｔＢ、残留する原料ガスＢをパージするためパージガスを流す時間をｔＰ２とする。なお図３で、（ａ）は１つの同一反応容器に原料ガスＡ，Ｂを交互に導入するように構成された従来装置に基づく処理時間経過を示し、（ｂ）は本実施形態における反応容器Ｂでの処理経過時間を示し、（ｃ）は本実施形態における反応容器Ａでの処理経過時間を示す。
【００３６】
図３の（ｃ）に示すように、反応容器１０Ａでは、原料ガスＡを流す時間ｔＡとパージ時間ｔＰ１が必要である。他方、同じく図３の（ｂ）に示すように、反応容器１０Ｂでは、原料ガスＢを流す時間ｔＢとパージ時間ｔＰ２が必要である。図３に示した例では、パージ時間がｔＰ２が最も長い時間を要するため、１周期に要する時間は、主にｔＢとｔＰ２を合計した値に基づいて決まる。１周期に成長できる膜厚が高々１原子層と考えると、ｎ原子層の膜厚を得るための成長時間ｔＧは、ｔＧ＝ｎ・（ｔＢ＋ｔＰ２）＝ｎ・（ｔＡ＋ｔＰ１＋Ｌ）と表現できる。ここで、Ｌは反応容器Ａにおけるガスを流さない時間である。
【００３７】
これに対して、原料ガスＡと原料ガスＢを同一反応容器で交互に流すようにした従来の前述した気相成長法では、図３の（ａ）に示すように成長時間はｔＧ＝ｎ・（ｔＡ＋ｔＰ１＋ｔＢ＋ｔＰ２）となり、すべてのガス導入時間を合計した時間が必要となる。
【００３８】
実際のＴｉＮ薄膜を形成するためには、ＴＤＭＡＴ（原料ガスＡに対応）を流す時間ｔＡが２秒、ＴＤＭＡＴをパージする時間ｔＰ１が５秒、ＮＨ3（原料ガスＢに対応）を流す時間ｔＢが３秒、ＮＨ3をパージする時間ｔＰ２が１１秒必要であった。従来の同一反応容器に原料ガス等を交互導入する成長方法では、１周期で２１秒であるのに対して、本実施形態による薄膜処理装置に基づく処理方法では１周期に要する時間は１４秒であり、１周期の時間を短縮することができた。これは、生産性を１．５倍に向上できることを意味する。
【００３９】
さらに本実施形態によれば、反応容器１０Ａで処理された基板１４は、上下機構１５で直ぐに反応容器１０Ｂに移動されるため、たとえ反応容器１０Ａのパージガスによるパージが不十分でも基板１４上には残留する原料ガスＡの影響が低減でき、最も時間を要するパージ工程の時間を短縮できるという利点がある。
【００４０】
さらに本実施形態の装置構成では、図１に示すごとく、基板１４は上下機構１５で即座に他の反応容器に移動されるために、たとえ少量の原料ガスがその導入配管２９に残留しても基板１４が次の処理をされている間に十分に排気することが可能である。また反応容器ごとに原料ガス配管が個別に設けられているため、原料ガス同士の混合、汚染も避けることができる。
【００４１】
次に、図４に基づいて本発明の上記の薄膜処理装置の他の構成および作用を説明する。図４において、図１等で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、重複した詳細な説明は省略する。
【００４２】
前述した構成および作用を有する薄膜処理装置１０において、最下段に設置された反応容器の下部容器１６には複数のピン３１が設けられ、最下段の隔壁板すなわち基板ホルダ１２には前述したピンが貫通する複数の孔１２ａが形成されている。基板ホルダ１２が図４に示すごとく下降することにより、基板１４がピン３１の上に移載される。
【００４３】
最下段に設置された隔壁板すなわち基板ホルダ１２には下部容器１６に設けられたピン３１が貫通できる孔１２ａが形成され、反応容器１０Ａに基板１４を導入する場合には、基板ホルダ１２を下部容器１６の位置まで上下機構１５により下降させる。このとき、ピン３１は基板ホルダ１２の孔１２ａに貫通し、基板ホルダ１２の上部へ突き出る。この状態で図示しないロボット搬送装置により反応容器１０Ａに搬送された基板１４は、ピン３１の上にロボット搬送装置の上下動作により移載することができる。
【００４４】
その後に、基板ホルダ１２を反応容器１０Ａの底壁面と同一位置へ上下機構１５を駆動して移動させると、成長の準備が完了する。また基板１４を回収する場合には上記と反対の手順で動作させることにより可能である。
【００４５】
下部容器１６を設け、そこにピン３１を設置することにより、実際に成長を行う反応容器１０Ａ、反応容器１０Ｂでのガスの流れを乱すことがなく、かつ基板ホルダ１２に搬送装置を取り付けたことによって基板ホルダ１２の構造複雑化および厚みの増大を避けることが可能となる。仮に基板ホルダ１２の厚みが増大すると、反応容器１０Ａ，１０Ｂの底面と同一位置に基板ホルダ１２を設置した場合には、ガスの流れを乱さないようにするために反応容器の底面の厚みを同じように増加させる必要がある。これによって熱容量の増大、装置の不用意な大型化がなされる欠点が生じるおそれがあるが、本実施形態ではこれを避けることができる。
【００４６】
上記のように構成された薄膜処理装置１０の基板搬送装置を用いることにより、下部容器１６にピン３１を設け、基板ホルダ１２にピン３１を貫通する孔１２ａを設けるという簡単な構成で、反応容器１０Ａ，１０Ｂ中のガスの流れを乱すことなく基板搬送を行うことができる。
【００４７】
次に、図５を参照して本発明に係る薄膜処理装置の他の実施形態を説明する。図５において、図１等で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、重複した詳細な説明は省略する。
【００４８】
前述した薄膜処理装置１０において、隣接した２段の反応容器１０Ａ，１０Ｂを有し、下段の反応容器１０Ａの下段側、上段の反応容器１０Ｂの上段側に、基板１４を搭載する基板ホルダ（隔壁板）１２を熱輻射によって加熱する独立した２式の加熱ランプ２６，３２を備えている。
【００４９】
下側の隔壁部すなわち基板ホルダ１２の材料としては、例えばＳｉ、ＳｉＣ、グラファイト、ＡｌＮ、金属などの、加熱ランプ２６，３２から輻射される光波長に対して、不透明な、熱吸収の良い材料を用いる。一方、上側の隔壁板１３、反応容器１０Ｂの上部壁、および下部容器１６の下部壁の材料には、加熱ランプ２６から輻射される光波長に対して、不透明な、熱透過の良い材料が用いられる。この材料としては、例えばＳｉＯ2、サファイヤ等である。基板ホルダ１２は、上部ランプ３２から反応容器１０Ｂの上部壁、上側隔壁板１３を透過して加熱され、かつ、下部ランプ２６からは下部容器１６の下部壁を透過して加熱される。
【００５０】
原料ガスＡであるＴＤＥＡＴを反応容器１０Ａへ導入して基板１４上へ吸着させるときには、ランプ２６，３２の出力を低下させて基板ホルダ１２の温度を例えば２２０℃となるように設定、反応容器１０Ｂへ基板ホルダ１２を移動して原料ガスＢであるＮＨ3を流すときには、ランプ２６，３２の出力を増加させて基板ホルダ１２の温度を２８０℃に上昇させる。ＴＤＥＡＴを導入する場合は比較的低い基板温度において吸着確率を高め、ＮＨ3を導入する場合には、基板１４上に吸着したＴＤＥＡＴまたはその中間生成物とＮＨ3の反応を促進するために比較的高い基板温度を設定することができる。
【００５１】
上記の各実施形態に係る薄膜処理装置１０を用いると、原料ガスおよびパージガスを数秒から数１０秒ずつ導入する比較的短時間の処理の繰り返しにおいても基板温度を素早く変更することができ、複数の異なる原料に最適な基板温度を選択することが可能になる。
【００５２】
これに対して、従来装置では基板ホルダの熱容量が大きかったり、隔壁板の熱吸収が大きく基板ホルダを片面からしか加熱できない構造であったりするために、ガスを交互に流す短時間の処理の最中では、基板温度を任意にかつ素早く変更することは不可能であった。
【００５３】
上記実施形態ではＴＤＥＡＴとＮＨ3を用いてＴｉＮ薄膜を形成したが、従来法のごとく、基板ホルダの温度を２５０℃に固定して成長すると、ＴｉＮ薄膜中から未反応のＮＨ3やテトラフロロメタンが残留する品質の悪い薄膜が形成された。これに対して、本実施形態では、前述したようにＮＨ3を流すときにだけ比較的高い基板温度に加熱することが可能となり，未反応ガスの残留が低減される効果が大きい。
【００５４】
なお本発明に係る薄膜処理装置では、実施形態で示した以外に、同様の効果をＴａＮなどの導電性薄膜、Ａ１2Ｏ3、ＰｂＺｒＴｉＯなどの誘電体薄膜、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの半導体薄膜でも得られることは例を記述するまでもなく明らかである。
【００５５】
以上の実施形態で説明された構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解・実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、さらに数値および各構成の組成（材質）については例示にすぎない。従って本発明は、説明された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、基板に薄膜を堆積させまたは薄膜をエッチングし、半導体装置、表示装置、記憶装置等を製造するのに利用される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る薄膜処理装置の縦断面図である。
【図２】第１実施形態に係る薄膜処理装置の隔壁板の動作状態を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る薄膜処理装置における成長時間とガス流量をの関係を表したタイミングチャートである。
【図４】第１実施形態に係る薄膜処理装置の基板搭載機構の構成を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る薄膜処理装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０            薄膜処理装置
１０Ａ，１０Ｂ  反応容器
１１            開口部
１２            隔壁板（基板ホルダ）
１３            隔壁板
１４            基板
１５            上下機構
１６            下部容器
２１〜２３      ガスバルブ
２４            真空ポンプ
２６            ランプ
２７，２８      ガスバルブ
３１            ピン
３２            ランプ
【図１】
2006176826.tif 000003
【図２】
2006176826.tif 000004
【図３】
2006176826.tif 000005
【図４】
2006176826.tif 000006
【図５】
2006176826.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月1日(2006.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
現在、従来の化学気相成長法の欠点を改善する試みがなされている。サントラ等は、例えば２種類の元素Ａ，Ｂで構成されるＡｘＢｙの化合物薄膜を成長するときに、ＡまたはＢの元素を含む２種類の原料ガスを交互に反応容器に導くことにより、基板表面に吸着した一方の原料ガスを、次に送り込んだ他方の原料ガスと反応させることにより、１原子層ごとに成長させる原子層エピタキシー（Atomic Layer Epitaxy）法を提唱し、実現した。１原子層ごとに成長が可能であることは、薄膜の厚さ方向の最小単位である原子層ごとに成長膜厚を制御でき、基板表面の面内で均一な膜厚の薄膜を成長できることを原理的に説明している。この手法を拡張して考察すれば、同時に２種類の原料ガスを導入することがないため、反応容器の空間中や、微細な溝、孔の入り口での原料ガス同士の反応を抑制して、基板表面での反応だけを促進することができ、この結果、段差被覆性の良い薄膜を成長することが期待できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また他の原子層エピタキシー装置を開示する公知文献としては特許文献１があり、さらに原子層エビタキシーの一般的な従来技術として特許文献２を挙げることができる。特に、特許文献１に開示される原子層エピタキシー装置では、複数種類の原料ガスを複数のガスセルのそれぞれから交互に照射する構成と、当該複数のガスセルのそれぞれに設けたガス拡散板に対して複数の基板のそれぞれが直角方向に回転移動させる構成とを有し、各基板上に原子層エピタキシーを繰り返すようにしている。原料ガスのそれぞれは、基板に対して垂直の方向に流すように構成されている。また特許文献１の装置の構成は回転式で複雑な構成となっている。
【特許文献１】特開平５−２３４８９９号公報
【特許文献２】特許第２８２８１５２号公報
【非特許文献１】戸部了己等、半導体・集積回路第５６回シンポジウム講演論文集、電気化学会電子材料委員会、大阪、１９９９年、ｐ．７７−８２