(57)【要約】【課題】  駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる半導体表示装置の提案を課題とする。また本発明は、画質の低下を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる半導体表示装置の提案を課題とする。【解決手段】  ビデオ信号の階調と、複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となるサブフレーム期間との関係を定めたデータが記憶されたテーブルと、データに従ってビデオ信号を変換して出力するコントローラと、出力されたビデオ信号に従って画素の階調が制御されるパネルとを有し、階調２以上の各階調において、複数のサブフレーム期間の数及び長さは、サブフレーム率ＲＳＦに従って定められ、サブフレーム率ＲＳＦは、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、算出されていることを特徴とする半導体表示装置。【選択図】  図５
2006039510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ信号の階調と、複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となるサブフレーム期間との関係を定めたデータが記憶されたテーブルと、
前記データに従って前記ビデオ信号を変換して出力するコントローラと、
前記出力された前記ビデオ信号に従って画素の階調が制御されるパネルとを有し、
階調２以上の各階調において、前記複数のサブフレーム期間の数及び長さは、サブフレーム率ＲＳＦに従って定められ、
前記サブフレーム率ＲＳＦは、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、算出されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２】
ビデオ信号の階調と、複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となるサブフレーム期間との関係を定めたデータが記憶されたテーブルと、
前記データに従って、前記ビデオ信号を変換して出力するコントローラと、
前記出力された前記ビデオ信号に従って画素の階調が制御されるパネルとを有し、
階調２以上の各階調において、前記複数のサブフレーム期間の数及び長さは、サブフレーム率ＲＳＦに従って定められ、
前記サブフレーム率ＲＳＦと、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈとは、ＲＳＦ＝（１−Ｒｓｈ）／（２−Ｒｓｈ）を満たすことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３】
ビデオ信号の階調と、複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となるサブフレーム期間との関係を定めたデータが記憶されたテーブルと、
前記データに従って、前記ビデオ信号を変換して出力するコントローラと、
前記出力された前記ビデオ信号に従って画素の階調が制御されるパネルとを有し、
三等分された総階調数のうち、中間の階調と、最も高い側の階調の各階調において、前記複数のサブフレーム期間の数及び長さは、サブフレーム率ＲＳＦに従って定められ、
前記サブフレーム率ＲＳＦは、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、算出されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４】
ビデオ信号の階調と、複数のサブフレーム期間のうち、発光の状態となるサブフレーム期間との関係を定めたデータが記憶されたテーブルと、
前記データに従って、前記ビデオ信号を変換して出力するコントローラと、
前記出力された前記ビデオ信号に従って画素の階調が制御されるパネルとを有し、
三等分された総階調数のうち、中間の階調と、最も高い側の階調の各階調において、前記複数のサブフレーム期間の数及び長さは、サブフレーム率ＲＳＦに従って定められ、
前記サブフレーム率ＲＳＦと、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈとは、ＲＳＦ＝（１−Ｒｓｈ）／（２−Ｒｓｈ）を満たすことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
１フレーム期間に複数のサブフレーム期間が含まれるように駆動し、
フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、サブフレーム率ＲＳＦを算出し、前記サブフレーム率ＲＳＦを満たすように、階調２以上の各階調における前記複数のサブフレーム期間の数及び長さと、前記複数のサブフレーム期間のうち発光の状態となるサブフレーム期間とが定められていることを特徴とする半導体表示装置の駆動方法。
【請求項６】
１フレーム期間に複数のサブフレーム期間が含まれるように駆動し、
フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、サブフレーム率ＲＳＦを算出し、前記サブフレーム率ＲＳＦを満たすように、階調２以上の各階調における前記複数のサブフレーム期間の数及び長さと、前記複数のサブフレーム期間のうち発光の状態となるサブフレーム期間とが定められており、
前記サブフレーム率ＲＳＦと、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈとは、ＲＳＦ＝（１−Ｒｓｈ）／（２−Ｒｓｈ）を満たすことを特徴とする半導体表示装置の駆動方法。
【請求項７】
１フレーム期間に複数のサブフレーム期間が含まれるように駆動し、
フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、サブフレーム率ＲＳＦを算出し、三等分された総階調数のうち、中間の階調と、最も高い側の階調の各階調が前記サブフレーム率ＲＳＦを満たすように、前記複数のサブフレーム期間の数及び長さと、前記複数のサブフレーム期間のうち発光の状態となるサブフレーム期間とが定められていることを特徴とする半導体表示装置の駆動方法。
【請求項８】
１フレーム期間に複数のサブフレーム期間が含まれるように駆動し、
フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、サブフレーム率ＲＳＦを算出し、三等分された総階調数のうち、中間の階調と、最も高い側の階調の各階調が前記サブフレーム率ＲＳＦを満たすように、前記複数のサブフレーム期間の数及び長さと、前記複数のサブフレーム期間のうち発光の状態となるサブフレーム期間とが定められており、
前記サブフレーム率ＲＳＦと、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈとは、ＲＳＦ＝（１−Ｒｓｈ）／（２−Ｒｓｈ）を満たすことを特徴とする半導体表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、時間階調法で表示を行なう半導体表示装置及び該半導体表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体表示装置の一つである発光装置の駆動方法に、デジタルのビデオ信号が有する２値の電圧を用い、１フレーム期間中において画素の発光素子が発光する時間を制御することで、階調を表示する時間階調法がある。一般的に液晶などに比べて電界発光材料の応答速度は速いため、時間階調法により適していると言える。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素子を発光または非発光の状態にする。上記構成により、１フレーム期間中に画素の発光素子が実際に発光する期間の合計の長さを、ビデオ信号により制御し、階調を表示することができる。
【０００３】
しかし時間階調法で表示を行なう場合、フレーム周波数によっては画素部に擬似輪郭が表示されてしまうという問題があった。擬似輪郭とは、時間階調法で中間階調を表示したときに度々視認される不自然な輪郭線であって、人間の視覚の特性によって生じる知覚輝度の変動が主な原因とされている。
【０００４】
擬似輪郭には、動画を表示する際に生じる動画擬似輪郭と、静止画を表示する際に生じる静止画擬似輪郭とがある。動画擬似輪郭は、連続して出現するフレーム期間において、先のフレーム期間に含まれるサブフレーム期間と後のフレーム期間に含まれるサブフレーム期間とが、連続した１つのフレーム期間として人間の目に視認されてしまうことで発生する。つまり動画擬似輪郭とは、本来のフレーム期間で表示されるべき階調とは異なる階調が人間の目に認識されてしまうことで画素部に表示される、不自然な明るい線や暗い線に相当する。静止画擬似輪郭の発生のメカニズムも、動画擬似輪郭の場合と同様である。静止画擬似輪郭は、静止画を表示する場合に、階調が互いに異なる領域の境界において人間の視点が左右上下に微妙に動いてしまうために、境界付近の画素にあたかも動画が表示されているように見えることで発生する。つまり静止画擬似輪郭とは、階調が互いに異なる領域の境界付近の画素において動画擬似輪郭が発生することで、境界付近に揺れ動くように発生する、不自然な明るい線や暗い線に相当する。
【０００５】
上述した擬似輪郭を防止するための技術として、下記特許文献１には、発光の状態にあるサブフレーム期間を１フレーム期間内に連続的に出現させるプラズマディスプレイの駆動方法について記載されている。上記駆動方法により、隣り合うフレーム期間同士で、１フレーム期間内において発光の状態にある期間と、非発光の状態にある期間とが互いに反転するような事態が生じなくなるので、擬似輪郭を抑制出来るとされている。
【特許文献１】特開２０００−２３１３６２号公報（段落００２３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし特許文献１に記載されている駆動方法では、総階調数と、１フレーム期間内に出現するサブフレーム期間の数とが一致している。よって、総階調数を高めるためにサブフレーム期間の数を増やすと、各サブフレーム期間を短くする必要が生じる。ところが通常では、ビデオ信号をサブフレーム期間ごとに全ての行の画素に入力しなくてはならない。そのため、サブフレーム期間が短すぎる場合、駆動回路の駆動周波数を高める必要がある。よって、駆動回路の信頼性を考慮すると、むやみにサブフレーム期間を短くするのは好ましくない。
【０００７】
なお、フレーム期間を長くすることで、各サブフレーム期間をある程度長くすることはできる。しかし、フレーム期間を長くしても総階調数を飛躍的に増やすことは期待できず、その上擬似輪郭が発生しやすくなるので好ましくない。
【０００８】
そこで特許文献１では、ディザなどの画像処理を行ない、サブフレームの数を増やさずに、表示する総階調数を擬似的に高める技術についても記載されている。しかしディザなどの画像処理を行なうと、高い総階調数を表示することはできるが、砂を撒いたように画像がざらついて表示されるため、画質の低下は免れない。
【０００９】
本発明は上述した問題に鑑み、駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる半導体表示装置の駆動方法の提案を課題とする。また本発明は、画質の低下を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる半導体表示装置の駆動方法の提案を課題とする。
【００１０】
また本発明は上述した問題に鑑み、駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる半導体表示装置の提案を課題とする。また本発明は、画質の低下を抑えつつ、擬似輪郭の発生を抑えることができる半導体表示装置の提案を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、階調を１段階変化させる前と後の、両方のフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間の割合が大きいほど、擬似輪郭が発生しにくいことを見出した。そこで本発明では、階調が１段階異なっている２つのフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間の長さの割合（共有率）を、擬似輪郭の発生が抑えられる程度に高め、駆動を行なう。
【００１２】
なお共有率は、ある特定の階調のフレーム期間と、該フレーム期間よりも１段階高い階調のフレーム期間とを比較して求めることができる。
【００１３】
擬似輪郭を抑制する効果が得られるであろう最低の共有率は、フレーム周波数によって、求めることができる。そして、この求められた共有率と、表示する総階調数とを用いることで、各サブフレーム期間の長さと、各段階の階調を表示する際に発光の状態にするべきサブフレーム期間とを、計算により定めることができる。
【００１４】
本発明の駆動方法は、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、サブフレーム率ＲＳＦを算出し、前記サブフレーム率ＲＳＦを満たすように、階調２以上の各階調における１フレーム期間に含まれる複数のサブフレーム期間の数及び長さと、前記複数のサブフレーム期間のうち発光の状態となるサブフレーム期間が定められていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の発光装置は、サブフレーム率ＲＳＦに従って、階調２以上の各階調における１フレーム期間に含まれる複数のサブフレーム期間の数及び長さと、前記複数のサブフレーム期間のうち発光の状態となるサブフレーム期間を定めるためのデータが記憶されたテーブルと、前記データに従ってビデオ信号が有するビット数及び前記各ビットが有する情報の変換を行なうコントローラと、前記変換が行なわれた前記ビデオ信号に従って画素の階調が制御されるパネルとを有し、前記サブフレーム率ＲＳＦは、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、算出されていることを特徴とする。
【００１６】
なお本明細書において発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的にはＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）や、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に用いられているＭＩＭ型の電子源素子（電子放出素子）等が含まれる。
【００１７】
発光素子の１つであるＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる電界発光材料を含む層（以下、電界発光層と記す）と、陽極と、陰極とを有している。電界発光層は陽極と陰極の間に設けられており、単層または複数の層で構成されている。これらの層の中に無機化合物を含んでいる場合もある。電界発光層におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とが含まれる。
【００１８】
また本発明の半導体表示装置には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子を各画素に備えた発光装置の他、液晶表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、その他の時間階調法で表示が可能な表示装置がその範疇に含まれる。
【００１９】
また発光装置は、発光素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【００２０】
なお本発明の発光装置において用いられるトランジスタとして、多結晶半導体、微結晶半導体（セミアモルファス半導体を含む）、アモルファス半導体を用いた薄膜トランジスタを用いることができるが、本発明の発光装置に用いられるトランジスタは薄膜トランジスタに限定されない。単結晶シリコンを用いて形成されたトランジスタであっても良いし、ＳＯＩを用いたトランジスタであっても良い。また、有機半導体を用いたトランジスタであっても良いし、カーボンナノチューブを用いたトランジスタであってもよい。また本発明の発光装置の画素に設けられたトランジスタは、シングルゲート構造を有していても良いし、ダブルゲート構造やそれ以上のゲートを有するマルチゲート構造であっても良い。
【００２１】
セミアモルファス半導体とは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造の半導体を含む膜である。このセミアモルファス半導体は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質なものであり、その粒径を０．５〜２０ｎｍとして非単結晶半導体中に分散させて存在せしめることが可能である。セミアモルファス半導体は、そのラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしており、またＸ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また、未結合手（ダングリングボンド）を終端化するために水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。ここでは便宜上、このような半導体をセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）と呼ぶ。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させることで安定性が増し良好なセミアモルファス半導体が得られる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は上記構成により、従来のように総階調数とサブフレーム期間の数を同じにせずとも良いので、サブフレームの数を抑えつつ、より高い総階調数で表示を行なうことができる。よって、ディザなどの画質を低下させるような処理を行なわなくとも、総階調数を高めることができる。
【００２３】
そして、求められた値以上の共有率を満たすように駆動を行なうことで、フレーム周波数や駆動回路の駆動周波数を抑えつつ、擬似輪郭を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２５】
本発明者は、共有率と、擬似輪郭の発生との関係について調べるために、以下の実験を行なった。まず１フレーム期間を２つのサブフレーム期間ＳＦ１、ＳＦ２に分割し、第１のフレーム期間と第２のフレーム期間とで、図１に示すようなパターンを表示した。具体的に、サブフレーム期間ＳＦ１では市松模様を表示し、サブフレーム期間ＳＦ２では全領域において白を表示した。なお第１のフレーム期間と第２のフレーム期間とでは、サブフレーム期間ＳＦ１において、白の領域と黒の領域とが互いに反転しているパターンを表示する。そして、２つのフレーム期間を交互に出現させ、擬似輪郭の発生の有無を調べた。
【００２６】
１フレーム期間におけるサブフレーム期間ＳＦ１の割合をＲ１（％）としたとき、Ｒ１（％）に対する、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）の値は、図２に示すような関係になった。図２から分かるように、Ｒ１（％）が低いほど、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）は低くなった。逆に、Ｒ１（％）が高いほど、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）は高くなった。
【００２７】
よって、フレーム期間ごとに各画素における表示が異なるサブフレーム期間ＳＦ１が短いほど、擬似輪郭が発生しにくいと言える。逆に、隣り合うフレーム期間で各画素における表示が同じであるサブフレーム期間ＳＦ２が長いほど、擬似輪郭が発生しにくいとも言える。従って上記実験の結果から、隣接するフレーム期間において、共通して発光の状態にあるサブフレーム期間の長さの割合（共有率）が高いほど、擬似輪郭の発生が抑えられるということが分かった。
【００２８】
図１４に、実際の発光装置で用いられるサブフレーム期間の構成を、一例として示す。図１４（Ａ）は、総階調数２４の表示を行なう際の階調７のサブフレーム期間の構成と、階調８のサブフレーム期間の構成とを示している。図１４（Ａ）では４つのサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ４を用いており、さらにサブフレーム期間ＳＦ４は２つに分割している。各サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ４の長さの比は、ＳＦ１：ＳＦ２：ＳＦ３：ＳＦ４＝１：２：４：８となっている。またＢＫで示される期間は、発光素子を強制的に非発光の状態とする期間（非表示期間）に相当するため、階調には寄与しない。
【００２９】
図１４（Ａ）において階調７を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、非発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ４である。一方、図１４（Ａ）において階調８を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ４、非発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３である。従って、共に発光の状態にあるサブフレーム期間は存在しないので、共有率は０％である。よって、図１４（Ａ）に示すサブフレーム期間の構成では、疑似輪郭が発生しやすいと言える。
【００３０】
次に図１４（Ｂ）に、図１４（Ａ）とは異なるサブフレーム期間の構成を示す。図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）と同様に、総階調数２４の表示を行なう際の階調７のサブフレーム期間の構成と、階調８のサブフレーム期間の構成とを示している。図１４（Ｂ）では８つのサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ８を用いている。各サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ８の長さの比は、ＳＦ１：ＳＦ２：ＳＦ３：ＳＦ４：ＳＦ５：ＳＦ６：ＳＦ７：ＳＦ８＝１：１：１：２：２：２：３：３となっている。なおＢＫで示される期間は非表示期間に相当するため、階調には寄与しない。
【００３１】
図１４（Ｂ）において階調７を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ３、ＳＦ７、ＳＦ８、非発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ４、ＳＦ５、ＳＦ６である。一方、図１４（Ｂ）において階調８を表示する場合、発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ６、ＳＦ７、ＳＦ８、非発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ５である。従って、共に発光の状態にあるサブフレーム期間はＳＦ７、ＳＦ８であるので、共有率は（ＳＦ７＋ＳＦ８）×１００／（ＳＦ６＋ＳＦ７＋ＳＦ８）＝７５％である。よって、図１４（Ｂ）に示すサブフレーム期間の構成は、図１４（Ａ）の場合よりも疑似輪郭が発生しにくいと言える。
【００３２】
次に、本発明の駆動方法を行なうにあたり、共有率Ｒｓｈと総階調数から、１フレーム期間に出現する各サブフレーム期間の長さを定める方法について、具体的に説明する。
【００３３】
まず共有率Ｒｓｈを、駆動に用いるフレーム周波数から求める。擬似輪郭はフレーム周波数が高いほど発生しにくく、逆にフレーム周波数が低いほど発生しやすい。よって、フレーム周波数を予め決めておけば、擬似輪郭の発生を抑制することができるであろう最低の共有率を、発光装置ごとに定めることができる。
【００３４】
図３に、フレーム周波数（Ｈｚ）と、擬似輪郭の発生を抑制することができるであろう最低の共有率（％）の関係を、一例として示す。なお共有率（％）は、１００（％）−Ｒ１（％）に相当する。図３に示すように、共有率が低いほど、擬似輪郭の発生を抑制するために、より高いフレーム周波数が必要となる。なお擬似輪郭が発生しているか否かの判断基準は、実施者が適宜決めることができるので、必ずしも図３と同じ関係が導き出されるとは限らない。しかし、定められた一定の判断基準の下であれば、フレーム周波数が高いほど、擬似輪郭の発生を抑制できるという、フレーム周波数（Ｈｚ）と、擬似輪郭の発生を抑制することができるであろう最低の共有率（％）との関係を導き出すことができる。
【００３５】
図３に示したグラフから、特定のフレーム周波数を用いた場合の、擬似輪郭の発生を抑制することができるであろう最低の共有率（％）を導き出したら、該共有率と同じかそれ以上の値を有する共有率Ｒｓｈを決定することができる。共有率Ｒｓｈを決定したら、次は共有率Ｒｓｈから各サブフレーム期間の長さを決める。
【００３６】
まず、１フレーム期間に含まれるｎ個のサブフレーム期間を、最も短いほうから順にＳＦ１〜ＳＦｎとする。ここで、ｎは２以上の整数とする。そして、ＳＦ１〜ＳＦｐ（ｐ＜ｎとする）を全て発光させたときに、階調ｍ（ｍ＜２ｎ）の表示を行なうことができると仮定する。この場合、階調ｍを表示する際に発光するサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｐの、合計の長さをＴｍとすると、Ｔｍは以下の式１で表すことができる。
【００３７】
【数１】
2006039510.tif 000003
【００３８】
次に、階調（ｍ＋１）を表示する場合について考える。ＳＦ１〜ＳＦｐを全て発光させたときに、階調ｍの表示を行なうことができるので、階調（ｍ＋１）を表示するためには、ＳＦｐよりも長いＳＦｐ＋１を用いる必要がある。またそれと共に、ＳＦｐ＋１から１階調分の長さ（例えばＳＦ１に相当する長さ）を差し引いた分に相当する、単数または複数のサブフレーム期間を、ＳＦ１〜ＳＦｐから除いて表示を行なう必要がある。よって、階調（ｍ＋１）を表示する際に発光するサブフレーム期間の、合計の長さをＴｍ＋１とすると、Ｔｍ＋１は以下の式２で表すことができる。
【００３９】
【数２】
2006039510.tif 000004
【００４０】
ここで、サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｐ＋１の和に対するＳＦｐ＋１の割合を、サブフレーム率ＲＳＦとすると、ＲＳＦは以下の式３で表すことができる。
【００４１】
【数３】
2006039510.tif 000005
【００４２】
式３から、以下の式４を導き出すことができる。
【００４３】
【数４】
2006039510.tif 000006
【００４４】
また、階調ｍを表示する場合と、階調（ｍ＋１）を表示する場合とで、共に発光するサブフレーム期間の、合計の長さをＷｍ／ｍ＋１とすると、Ｗｍ／ｍ＋１は以下の式５で表すことができる。
【００４５】
【数５】
2006039510.tif 000007
【００４６】
よって、式１、式４、式５から、以下の式６が導き出される。
【００４７】
【数６】
2006039510.tif 000008
【００４８】
また、階調ｍを表示する場合と、階調（ｍ＋１）を表示する場合とで、共に発光するサブフレーム期間の共有率Ｒｓｈは、以下の式７のように表される。
【００４９】
【数７】
2006039510.tif 000009
【００５０】
よって、式２、式４、式６、式７から、以下の式８が導き出される。
【００５１】
【数８】
2006039510.tif 000010
【００５２】
したがって、式８から、以下の式９を導き出すことができる。
【００５３】
【数９】
2006039510.tif 000011
【００５４】
よって式９に、共有率Ｒｓｈの値を代入することで、サブフレーム率ＲＳＦの値を導き出すことができる。サブフレーム率ＲＳＦはサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦｐ＋１の和に対するＳＦｐ＋１の割合である。上記サブフレーム率ＲＳＦを用いることで、最も長いサブフレーム期間ＳＦｎから順に、各サブフレーム期間の長さを決めることができる。
【００５５】
なお本実施の形態では、ＳＦｎからＳＦ１まで全て一定のサブフレーム率ＲＳＦを適用する例を示しているが、本発明はこの構成に限定されない。例えば、総階調数２ｎの表示を行なう場合でも、必ずしもサブフレーム期間がｎ個であるとは限らない。式９に従って算出された長さを、各サブフレーム期間に反映させると、サブフレーム期間の数がｎ個以上になる場合が多い。しかし、低い階調を表示するための短いサブフレーム期間は、必ずしも上述した共有率Ｒｓｈの値を満たしていなくとも、さほど擬似輪郭の発生に関与しない。なぜならば低い階調の場合、階調の逆数×１００（階調比）が、高い階調の場合と比較して大きいため、階調の差に起因する輪郭が視認され、逆に擬似輪郭が目立たなくなるからである。
【００５６】
図１３に、階調比（％）と、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）との関係をグラフで示す。図１３において、横軸は階調比（％）を示しており、縦軸は、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）を示している。図１３から、階調比（％）が高くなる、即ち階調が低くなるほど、より低いフレーム周波数においても擬似輪郭の発生を抑制できることが分かる。
【００５７】
よって、擬似輪郭の発生に関与しないサブフレーム期間を多く作るより、駆動回路の駆動周波数の低減に重点を置くために、期間の短いサブフレーム期間を間引くようにしても良い。具体的には、計算上、階調１に相当する期間の短いサブフレーム期間が複数存在する場合、それらの１つまたは幾つかを間引くようにする。
【００５８】
具体的には、総階調数を三等分し、該三等分された総階調数のうち最も低い側の階調において、共有率Ｒｓｈの値は必ずしも満たしていなくとも良い。逆に、三等分された総階調数のうち、中間の階調と、最も高い側の階調において、共有率Ｒｓｈの値を満たすようにする。例えば総階調数が２６＝６４の場合、階調０〜６３を三等分すると２１となる。この場合、低い側の階調は０〜２１、中間の階調は２２〜４２、最も高い側の階調は４３〜６３となる。なお、総階調数を三等分して割り切れない場合は、端数を切り上げても良いし、切り下げても良い。
【００５９】
図４に、４ビットのビデオ信号を用いて総階調数２４を表示する場合を例に挙げ、発光の状態にあるサブフレーム期間と、階調との関係を示す。図４では、横軸が階調、左縦軸が発光の状態にあるサブフレーム期間の合計の長さ（発光期間）に相当する。発光期間の長さによって、表示される階調が決まる。また同じく図４に、階調が１段階低い場合と比較した時の共有率Ｒｓｈ（％）を、右縦軸に併せて示す。なお図４では、９つのサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ９を用いて表示を行なっている例を示している。各サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ９の長さの比は、ＳＦ１から順に、１：１：１：１：１：２：２：３：３となっている。
【００６０】
図４では、階調３〜１５を表示する際に、共有率Ｒｓｈ（％）が６５％以上に保たれるように、各サブフレーム期間の長さを定めている。なお、共有率Ｒｓｈの定義上、階調０、１では、共有率Ｒｓｈ（％）は満たされない。また図４では、比較的低い階調２において、共有率Ｒｓｈ（％）が満たされていない。しかし、低い階調では擬似輪郭が発生しにくいので、必ずしも共有率Ｒｓｈ（％）を満たしておく必要はない。
【００６１】
また図１５に、６ビットのビデオ信号を用いて総階調数２６を表示する場合を例に挙げ、発光の状態にあるサブフレーム期間と、階調との関係を示す。図１５では、横軸が階調、左縦軸が発光の状態にあるサブフレーム期間の合計の長さ（発光期間）に相当する。発光期間の長さによって、表示される階調が決まる。また同じく図１５に、階調が１段階低い場合と比較した時の共有率Ｒｓｈ（％）を、右縦軸に併せて示す。なお図１５では、１２のサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１２を用いて表示を行なっている例を示している。各サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ１２の長さの比は、ＳＦ１から順に、１：２：３：３：４：４：５：６：７：８：９：１１となっている。
【００６２】
図１５では、階調１２〜６３を表示する際に、共有率Ｒｓｈ（％）が７０％以上に保たれるように、各サブフレーム期間の長さを定めている。なお、共有率Ｒｓｈの定義上、階調０、１では、共有率Ｒｓｈ（％）は満たされない。また図１５では、比較的低い階調２〜１１において、共有率Ｒｓｈ（％）が満たされていない。しかし、低い階調では擬似輪郭が発生しにくいので、必ずしも共有率Ｒｓｈ（％）を満たしておく必要はない。
【００６３】
なお本発明の駆動方法では、ビデオ信号の階調と、発光するサブフレーム期間との関係を定めたテーブルを参照することで、各サブフレーム期間における発光の状態または非発光の状態を制御する。表１に、図４の場合における、ビデオ信号の階調と、各サブフレーム期間の発光または非発光の状態との関係を示す。
【００６４】
【表１】
2006039510.tif 000012
【００６５】
表１は、４ビットのビデオ信号と、９個のサブフレーム期間との関係を示すテーブルに相当し、該テーブルに従って、各サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ９における発光の状態または非発光の状態が制御される。表１では、「○」が発光の状態、「×」が非発光の状態を表している。このように本発明では、表１に示したようなデータに従ってビデオ信号を変換し、該変換されたビデオ信号を用いて表示を行なう。
【００６６】
なお、上述した本発明の駆動方法を行なう発光装置は、信号の入力に対して決められた信号を出力するテーブルを有している。該テーブルは、ハードウェアとしてはＲＯＭやＲＡＭ等のメモリで構成され、例えば、表１に示すようなデータが記憶されている。もちろんテーブルのデータは表１に限らず、表示する画像の総階調数、サブフレーム期間の数または長さに応じて、任意に設けることができる。
【００６７】
次に、本発明の発光装置の具体的な構成について説明する。図５（Ａ）に、本発明の発光装置の構成を、ブロック図で一例として示す。図５に示す発光装置は、パネル１０１と、コントローラ１０２と、テーブル１０３とを有している。さらにパネル１０１は、各画素に発光素子を有する画素部１０４と、信号線駆動回路１０５と、走査線駆動回路１０６とを有している。
【００６８】
テーブル１０３は、ハードウェアとしてはＲＯＭやＲＡＭ等のメモリで構成される。そして該メモリには、サブフレーム率ＲＳＦに従って、１フレーム期間に含まれる複数のサブフレーム期間の数及び長さと、各階調において前記複数のサブフレーム期間のうち発光の状態となるサブフレーム期間を定めるためのデータが記憶されている。そしてサブフレーム率ＲＳＦは、フレーム周波数により定められた共有率Ｒｓｈに従い、算出されている。
【００６９】
コントローラ１０２は、テーブル１０３に記憶されているデータに従って、入力されたビデオ信号の階調に応じて、発光の状態となるサブフレーム期間を定めることができる。具体的には、例えば表１に従うと、ビデオ信号の階調が１０の場合、発光の状態となるサブフレーム期間はＳＦ１〜ＳＦ６、ＳＦ８となる。またコントローラ１０２はフレームメモリを有しており、テーブル１０３に記憶されている複数の各サブフレーム期間の長さ、信号線駆動回路１０５または走査線駆動回路１０６の駆動周波数などに合わせて、クロック信号、スタートパルス信号などの、各種制御信号を生成することができる。
【００７０】
なお図５（Ａ）では、ビデオ信号の変換と、制御信号の生成とを、共にコントローラ１０２で行なう例について示したが、本発明はこの構成に限定されない。ビデオ信号の変換を行なうコントローラと、制御信号を生成するコントローラとを、別個に発光装置に設けるようにしても良い。
【００７１】
図５（Ｂ）に、図５（Ａ）に示したパネル１０１の、より具体的な構成の一例を示す。
【００７２】
図５（Ｂ）において信号線駆動回路１０５は、シフトレジスタ１１０、ラッチＡ１１１、ラッチＢ１１２を有している。シフトレジスタ１１０には、クロック信号（ＣＬＫ）、スタートパルス信号（ＳＰ）などの各種制御信号が入力されている。クロック信号（ＣＬＫ）とスタートパルス信号（ＳＰ）が入力されると、シフトレジスタ１１０においてタイミング信号が生成される。生成したタイミング信号は、一段目のラッチＡ１１１に順に入力される。ラッチＡ１１１にタイミング信号が入力されると、該タイミング信号のパルスに同期して、コントローラ１０２から入力されたビデオ信号が、順にラッチＡ１１１に書き込まれ、保持される。なお、本実施例ではラッチＡ１１１に順にビデオ信号を書き込んでいるが、本発明はこの構成に限定されない。複数のステージのラッチＡ１１１をいくつかのグループに分け、グループごとに並行してビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動すると言える。
【００７３】
ラッチＡ１１１の全ステージのラッチへの、ビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの期間を、行選択期間と呼ぶ。実際には、上記行選択期間に水平帰線期間が加えられた期間を行選択期間に含むことがある。
【００７４】
１行選択期間が終了すると、２段目のラッチＢ１１２に、制御信号の一つに相当するラッチ信号（Ｌａｔｃｈ  Ｓｉｇｎａｌ）が供給され、該ラッチ信号に同期してラッチＡ１１１に保持されているビデオ信号が、ラッチＢ１１２に一斉に書き込まれる。ビデオ信号をラッチＢ１１２に送出し終えたラッチＡ１１１には、再びシフトレジスタ１１０からのタイミング信号に同期して、次のビットのビデオ信号の書き込みが順次行われる。この２順目の１行選択期間中には、ラッチＢ１１２に書き込まれ、保持されているビデオ信号が画素部１０４に入力される。
【００７５】
なお、シフトレジスタ１１０の代わりに、例えばデコーダのような信号線の選択ができる別の回路を用いても良い。
【００７６】
次に、走査線駆動回路１０６の構成について説明する。走査線駆動回路１０６は、シフトレジスタ１１３、バッファ１１４を有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動回路１０６において、シフトレジスタ１１３にクロック信号（ＣＬＫ）及びスタートパルス信号（ＳＰ）が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファ１１４において増幅され、対応する走査線に供給される。走査線に供給される選択信号によって、１行分の画素に含まれているトランジスタの動作が制御されるので、バッファ１１４には、比較的大きな電流を走査線に供給することができるものを用いることが望ましい。
【００７７】
なお、シフトレジスタ１１３の代わりに、例えばデコーダのような信号線の選択ができる別の回路を用いても良い。
【００７８】
本発明において、走査線駆動回路１０６、信号線駆動回路１０５は、画素部１０４と同じ基板上に形成していても、異なる基板上に形成していても、どちらでも良い。また本発明の発光装置が有するパネルは、図５（Ａ）、図５（Ｂ）に示す構成に限定されない。パネル１０１は、コントローラ１０２から入力されたビデオ信号に従って、画素の階調が制御されるような構成を有していれば良い。
【実施例１】
【００７９】
次に、本発明の発光装置が有する画素の回路図について、図６を用いて説明する。
【００８０】
図６（Ａ）は、画素の等価回路図の一例を示したものであり、信号線６１１４、電源線６１１５、走査線６１１６、発光素子６１１３、ＴＦＴ６１１０、６１１１、容量素子６１１２を有する。信号線６１１４には信号線駆動回路によってビデオ信号が入力される。ＴＦＴ６１１０は、走査線６１１６に入力される選択信号に従って、ＴＦＴ６１１１のゲートへの、該ビデオ信号の電位の供給を制御することができる。ＴＦＴ６１１１は、該ビデオ信号の電位に従って、発光素子６１１３への電流の供給を制御することができる。容量素子６１１２は、ＴＦＴ６１１１のゲート・ソース間の電圧を保持することができる。なお、図６（Ａ）では、容量素子６１１２を図示したが、ＴＦＴ６１１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
【００８１】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した画素に、ＴＦＴ６１１８と走査線６１１９を新たに設けた画素の等価回路図である。ＴＦＴ６１１８により、ＴＦＴ６１１１のゲートとソースを同電位とし、強制的に発光素子６１１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素にビデオ信号が入力される期間よりも、サブフレーム期間の長さを短くすることができる。従って、駆動周波数を抑えつつ、高い総階調数の表示を行なうことができる。
【００８２】
図６（Ｃ）は、図６（Ｂ）に示した画素に、新たにＴＦＴ６１２５と、配線６１２６を設けた画素の等価回路図である。ＴＦＴ６１２５は、そのゲートの電位が、配線６１２６によって固定されている。そして、ＴＦＴ６１１１とＴＦＴ６１２５は、電源線６１１５と発光素子６１１３との間に直列に接続されている。よって図６（Ｃ）では、ＴＦＴ６１２５により発光素子６１１３に供給される電流の値が制御され、ＴＦＴ６１１１により発光素子６１１３への該電流の供給の有無が制御できる。
【００８３】
なお、本発明の発光装置が有する画素は、本実施例で示した構成に限定されない。本実施例は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【実施例２】
【００８４】
本実施例では、図４に示した駆動方法を例に挙げ、各サブフレーム期間が出現するタイミングについて説明する。
【００８５】
図７に、図４に示した駆動方法を用いて、４ビットの階調を表示する場合の、タイミングチャートを示す。図７では、１フレーム期間に出現するサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ９の長さを横軸に示しており、縦軸は走査線の選択順を示している。サブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ９の長さの比は、ＳＦ１から順に、１：１：１：１：１：２：２：３：３となっている。
【００８６】
各サブフレーム期間が開始されると、ビデオ信号の入力が、走査線を共有する画素一行ごとに行なわれる。ビデオ信号が画素に入力されると、該ビデオ信号が有する情報に従って、発光素子が発光の状態または非発光の状態となる。そして、次のサブフレーム期間が開始されるまで、各画素の発光素子は、該ビデオ信号に従って、発光の状態または非発光の状態を維持する。
【００８７】
なお図７では、ビデオ信号が画素に入力されると同時に、該ビデオ信号が有する情報に従って、発光素子が発光の状態または非発光の状態となる場合のタイミングチャートを示しているが、本発明はこの構成に限定されない。全ての画素にビデオ信号が入力されるまで、発光素子を非発光の状態としておき、全ての画素にビデオ信号が入力された後で、該ビデオ信号が有する情報に従い、発光素子を発光の状態または非発光の状態としても良い。
【００８８】
また図７では、全てのサブフレーム期間が連続して出現する場合のタイミングチャートを示しているが、本発明はこの構成に限定されない。サブフレーム期間とサブフレーム期間の間に、発光素子を強制的に非発光の状態とする期間（非表示期間）を設けるようにしても良い。非表示期間は、非表示期間の直前に出現するサブフレーム期間において、全ての画素にビデオ信号が入力された後に出現させても良いし、全ての画素にビデオ信号が入力される前に出現させても良い。
【実施例３】
【００８９】
本実施例では、発光素子への電流の供給を制御するトランジスタがｐ型の場合における、画素の断面構造について、図８を用いて説明する。なお本明細書では、発光素子が有する陽極と陰極の２つの電極のうち、トランジスタによって電位を制御することができる一方の電極を第１の電極、他方の電極を第２の電極とする。そして図８では、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極の場合について説明するが、第１の電極が陰極、第２の電極が陽極であっても良い。
【００９０】
図８（Ａ）に、トランジスタ６００１がｐ型で、発光素子６００３から発せられる光を第１の電極６００４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図８（Ａ）では、発光素子６００３の第１の電極６００４と、トランジスタ６００１が電気的に接続されている。
【００９１】
トランジスタ６００１は層間絶縁膜６００７で覆われており、層間絶縁膜６００７上には開口部を有する隔壁６００８が形成されている。隔壁６００８の開口部において第１の電極６００４が一部露出しており、該開口部において第１の電極６００４、電界発光層６００５、第２の電極６００６が順に積層されている。
【００９２】
層間絶縁膜６００７は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む絶縁膜（以下、シロキサン系絶縁膜と呼ぶ）を用いて形成することができる。シロキサンとは、Ｓｉ−Ｏ結合の骨格からなっており、置換基に少なくとも水素（アルキル基や芳香族炭化水素基など）を含む有機基が含まれているものである。なお、置換基としてフルオロ基、又はフルオロ基と少なくとも水素を含む有機基とを用いてもよい。層間絶縁膜６００７に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）と呼ばれる材料を用いていても良い。
【００９３】
隔壁６００８は、有機樹脂膜、無機絶縁膜またはシロキサン系絶縁膜を用いて形成することができる。有機樹脂膜ならば、例えばアクリル、ポリイミド、ポリアミドなど、無機絶縁膜ならば酸化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。特に感光性の有機樹脂膜を隔壁６００８に用い、第１の電極６００４上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することで、第１の電極６００４と第２の電極６００６とが接続してしまうのを防ぐことができる。
【００９４】
第１の電極６００４は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を第１の電極６００４に用いることが可能である。またＩＴＯ及び酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＳＯとする）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成された導電膜を第１の電極６００４に用いても良い。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第１の電極６００４に用いることもできる。ただし透光性酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で第１の電極６００４を形成する。
【００９５】
また第２の電極６００６は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ２、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。
【００９６】
電界発光層６００５は、単数または複数の層で構成されている。複数の層で構成されている場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。電界発光層６００５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極６００４から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順に積層する。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。なお中分子系の材料とは、構造単位の繰返しの数（重合度）が２から２０程度の低重合体に相当する。正孔注入層と正孔輸送層との区別は必ずしも厳密なものではなく、これらは正孔輸送性（正孔移動度）が特に重要な特性である意味において同じである。便宜上正孔注入層は陽極に接する側の層であり、正孔注入層に接する層を正孔輸送層と呼んで区別する。電子輸送層、電子注入層についても同様であり、陰極に接する層を電子注入層と呼び、電子注入層に接する層を電子輸送層と呼んでいる。発光層は電子輸送層を兼ねる場合もあり、発光性電子輸送層とも呼ばれる。
【００９７】
図８（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６００３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６００４側から取り出すことができる。
【００９８】
次に図８（Ｂ）に、トランジスタ６０１１がｐ型で、発光素子６０１３から発せられる光を第２の電極６０１６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図８（Ｂ）では、発光素子６０１３の第１の電極６０１４と、トランジスタ６０１１が電気的に接続されている。また第１の電極６０１４上に電界発光層６０１５、第２の電極６０１６が順に積層されている。
【００９９】
第１の電極６０１４は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第１の電極６０１４に用いることができる。
【０１００】
また第２の電極６０１６は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ２、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。そして第２の電極６０１６を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で形成する。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を用いることも可能である。またＩＴＯ及び酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＳＯとする）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成された導電膜を用いても良い。透光性酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０１５に電子注入層を設けるのが望ましい。
【０１０１】
電界発光層６０１５は、図８（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。
【０１０２】
図８（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０１３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極６０１６側から取り出すことができる。
【０１０３】
次に図８（Ｃ）に、トランジスタ６０２１がｐ型で、発光素子６０２３から発せられる光を第１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図８（Ｃ）では、発光素子６０２３の第１の電極６０２４と、トランジスタ６０２１が電気的に接続されている。また第１の電極６０２４上に電界発光層６０２５、第２の電極６０２６が順に積層されている。
【０１０４】
第１の電極６０２４は、図８（Ａ）の第１の電極６００４と同様に形成することができる。また第２の電極６０２６は、図８（Ｂ）の第２の電極６０１６と同様に形成することができる。電界発光層６０２５は、図８（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。
【０１０５】
図８（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０２３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０２４側及び第２の電極６０２６側から取り出すことができる。
【０１０６】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【０１０７】
本実施例では、トランジスタがｎ型の場合における、画素の断面構造について、図９を用いて説明する。なお図９では、第１の電極が陰極、第２の電極が陽極の場合について説明するが、第１の電極が陽極、第２の電極が陰極であっても良い。
【０１０８】
図９（Ａ）に、トランジスタ６０３１がｎ型で、発光素子６０３３から発せられる光を第１の電極６０３４側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図９（Ａ）では、発光素子６０３３の第１の電極６０３４と、トランジスタ６０３１が電気的に接続されている。また第１の電極６０３４上に電界発光層６０３５、第２の電極６０３６が順に積層されている。
【０１０９】
第１の電極６０３４は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ２、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。そして第１の電極６０３４を、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で形成する。さらに、光が透過する程度の膜厚を有する上記導電層の上または下に接するように、透光性酸化物導電材料を用いて透光性を有する導電層を形成し、第１の電極６０３４のシート抵抗を抑えるようにしても良い。なお、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を用いた導電層だけを用いることも可能である。またＩＴＯ及び酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＳＯとする）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成された導電膜を用いても良い。透光性酸化物導電材料を用いる場合、電界発光層６０３５に電子注入層を設けるのが望ましい。
【０１１０】
また第２の電極６０３６は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第２の電極６０３６に用いることができる。
【０１１１】
電界発光層６０３５は、図８（Ａ）の電界発光層６００５と同様に形成することができる。ただし、電界発光層６０３５が発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のいずれかを有している場合、第１の電極６０３４から、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層の順に積層する。
【０１１２】
図９（Ａ）に示した画素の場合、発光素子６０３３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０３４側から取り出すことができる。
【０１１３】
次に図９（Ｂ）に、トランジスタ６０４１がｎ型で、発光素子６０４３から発せられる光を第２の電極６０４６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図９（Ｂ）では、発光素子６０４３の第１の電極６０４４と、トランジスタ６０４１が電気的に接続されている。また第１の電極６０４４上に電界発光層６０４５、第２の電極６０４６が順に積層されている。
【０１１４】
第１の電極６０４４は、光を反射もしくは遮蔽する材料及び膜厚で形成し、なおかつ仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などで形成することができる。具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ２、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。また電子注入層を設ける場合、Ａｌなどの他の導電層を用いることも可能である。
【０１１５】
また第２の電極６０４６は、光を透過する材料または膜厚で形成し、なおかつ陽極として用いるのに適する材料で形成する。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などその他の透光性酸化物導電材料を第２の電極６０４６に用いることが可能である。またＩＴＯ及び酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＳＯとする）や、酸化珪素を含んだ酸化インジウムにさらに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いて形成された導電膜を第２の電極６０４６に用いても良い。また上記透光性酸化物導電材料の他に、例えばＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の１つまたは複数からなる単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を第２の電極６０４６に用いることもできる。ただし透光性酸化物導電材料以外の材料を用いる場合、光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）で第２の電極６０４６を形成する。
【０１１６】
電界発光層６０４５は、図９（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成することができる。
【０１１７】
図９（Ｂ）に示した画素の場合、発光素子６０４３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第２の電極６０４６側から取り出すことができる。
【０１１８】
次に図９（Ｃ）に、トランジスタ６０５１がｎ型で、発光素子６０５３から発せられる光を第１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出す場合の、画素の断面図を示す。図９（Ｃ）では、発光素子６０５３の第１の電極６０５４と、トランジスタ６０５１が電気的に接続されている。また第１の電極６０５４上に電界発光層６０５５、第２の電極６０５６が順に積層されている。
【０１１９】
第１の電極６０５４は、図９（Ａ）の第１の電極６０３４と同様に形成することができる。また第２の電極６０５６は、図９（Ｂ）の第２の電極６０４６と同様に形成することができる。電界発光層６０５５は、図９（Ａ）の電界発光層６０３５と同様に形成することができる。
【０１２０】
図９（Ｃ）に示した画素の場合、発光素子６０５３から発せられる光を、白抜きの矢印で示すように第１の電極６０５４側及び第２の電極６０５６側から取り出すことができる。
【０１２１】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例５】
【０１２２】
本発明の発光装置は、スクリーン印刷法、オフセット印刷法に代表される印刷法、または液滴吐出法を用いて形成できる。なお液滴吐出法とは、所定の組成物を含む液滴を細孔から吐出して所定のパターンを形成する方法を意味し、インクジェット法などがその範疇に含まれる。上記印刷法、液滴吐出法を用いることで、露光用のマスクを用いずとも、信号線、走査線、選択線に代表される各種配線、ＴＦＴのゲート、発光素子の電極などを形成することが可能になる。ただし、パターンを形成する全ての工程に、印刷法または液滴吐出法を用いる必要はない。よって、例えば配線及びゲートの形成には印刷法または液滴吐出法を用い、半導体膜のパターニングにはリソグラフィ法を用いる、というように、少なくとも一部の工程において印刷法または液滴吐出法を用いていれば良く、リソグラフィ法も併用していても良い。またパターニングの際に用いるマスクは、印刷法または液滴吐出法で形成しても良い。
【０１２３】
図１０に、液滴吐出法を用いて形成された、本発明の発光装置の断面図を、一例として示す。図１０において、１３０１、１３０２はトランジスタ、１３０４は発光素子に相当する。トランジスタ１３０２は、発光素子１３０４の第１の電極１３５０と電気的に接続されている。トランジスタ１３０２はｎ型であることが望ましく、この場合、第１の電極１３５０は陰極を用い、第２の電極１３３１は陽極を用いるのが望ましい。
【０１２４】
スイッチング素子として機能するトランジスタ１３０１は、ゲート１３１０と、チャネル形成領域を含む第１の半導体膜１３１１と、ゲート１３１０と第１の半導体膜１３１１の間に形成されたゲート絶縁膜１３１７と、ソースまたはドレインとして機能する第２の半導体膜１３１２、１３１３と、第２の半導体膜１３１２に接続された配線１３１４と、第２の半導体膜１３１３に接続された配線１３１５とを有している。
【０１２５】
トランジスタ１３０２は、ゲート１３２０と、チャネル形成領域を含む第１の半導体膜１３２１と、ゲート１３２０と第１の半導体膜１３２１に形成されたゲート絶縁膜１３１７と、ソースまたはドレインとして機能する第２の半導体膜１３２２、１３２３と、第２の半導体膜１３２２に接続された配線１３２４と、第２の半導体膜１３２３に接続された配線１３２５とを有している。
【０１２６】
配線１３１４は信号線に相当し、配線１３１５はトランジスタ１３０２のゲート１３２０に電気的に接続されている。また配線１３２５は電源線に相当する。
【０１２７】
液滴吐出法、印刷法を用いてパターンを形成することで、リソグラフィ法で行なわれるフォトレジストの成膜、露光、現像、エッチング、剥離などの一連の工程を簡略化することができる。また、液滴吐出法、印刷法だと、リソグラフィ法と異なり、エッチングにより除去されてしまうような材料の無駄がない。また高価な露光用のマスクを用いなくとも良いので、発光装置の作製に費やされるコストを抑えることができる。
【０１２８】
さらに、リソグラフィ法とは異なり、配線を形成するためにエッチングを行なう必要がない。よって、配線を形成する工程に費やされる時間をリソグラフィ法の場合に比べて著しく短くすることが可能である。特に配線の厚さを０．５μｍ以上、より望ましくは２μｍ以上で形成する場合、配線抵抗を抑えることができるので、配線の作製工程に費やされる時間を抑えつつ、発光装置の大型化に伴う配線抵抗の上昇を抑えることができる。
【０１２９】
なお第１の半導体膜１３１１、１３２１は非晶質半導体であっても、セミアモルファス半導体（ＳＡＳ）であってもどちらでも良い。
【０１３０】
非晶質半導体は、珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が挙げられる。この珪化物気体を、水素、水素とヘリウムで希釈して用いても良い。
【０１３１】
またＳＡＳも珪化物気体をグロー放電分解することにより得ることができる。代表的な珪化物気体としては、ＳｉＨ４であり、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることができる。また水素や、水素にヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素を加えたガスで、この珪化物気体を希釈して用いることで、ＳＡＳの形成を容易なものとすることができる。希釈率は２倍〜１０００倍の範囲で珪化物気体を希釈することが好ましい。またさらに、珪化物気体中に、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの炭化物気体、ＧｅＨ４、ＧｅＦ４などのゲルマニウム化気体、Ｆ２などを混入させて、エネルギーバンド幅を１．５〜２．４ｅＶ、若しくは０．９〜１．１ｅＶに調節しても良い。ＳＡＳを第１の半導体膜として用いたＴＦＴは、１〜１０ｃｍ２／Ｖｓｅｃや、それ以上の移動度を得ることができる。
【０１３２】
また第１の半導体膜１３１１、１３２１は、非晶質半導体またはセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）をレーザ結晶化した半導体を用いていても良い。
【０１３３】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例６】
【０１３４】
本実施例では、本発明の発光装置の一形態に相当するパネルの外観について、図１１を用いて説明する。図１１は、第１の基板上に形成されたトランジスタ及び発光素子を、第２の基板との間にシール材によって封止した、パネルの上面図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図に相当する。
【０１３５】
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４の上に、第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、充填材４００７と共に密封されている。
【０１３６】
また第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４とは、トランジスタを複数有しており、図１１（Ｂ）では、信号線駆動回路４００３に含まれるトランジスタ４００８と、画素部４００２に含まれるトランジスタ４００９とを例示している。
【０１３７】
また４０１１は発光素子に相当し、トランジスタ４００９のドレインと接続されている配線４０１７の一部が、発光素子４０１１の第１の電極として機能する。また透明導電膜４０１２が、発光素子４０１１の第２の電極として機能する。なお発光素子４０１１の構成は、本実施例に示した構成に限定されない。発光素子４０１１から取り出す光の方向や、トランジスタ４００９の極性などに合わせて、発光素子４０１１の構成は適宜変えることができる。
【０１３８】
また信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号及び電圧は、図１１（Ｂ）に示す断面図では図示されていないが、引き回し配線４０１４及び４０１５を介して、接続端子４０１６から供給されている。
【０１３９】
本実施例では、接続端子４０１６が、発光素子４０１１が有する第１の電極と同じ導電膜から形成されている。また、引き回し配線４０１４は、配線４０１７と同じ導電膜から形成されている。また引き回し配線４０１５は、トランジスタ４００９、トランジスタ４００８がそれぞれ有するゲートと、同じ導電膜から形成されている。
【０１４０】
接続端子４０１６は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１４１】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、ガラス、金属（代表的にはステンレス）、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１４２】
但し、発光素子４０１１からの光の取り出し方向に位置する基板には、第２の基板４００６は透光性を有していなければならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
【０１４３】
また、充填材４００７としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）を用いることができる。本実施例では充填材として窒素を用いた。
【０１４４】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例７】
【０１４５】
本発明の半導体表示装置は、手ぶれが生じても擬似輪郭の発生を抑えることができるので、携帯電話機、携帯型ゲーム機または電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等の、手で支えて用いる携帯用の電子機器が有する表示部として用いるのに最適である。また本発明の半導体表示装置は、擬似輪郭を防止することができるので、表示装置などの動画の再生を行なうことができる、映像を観賞するための表示部を有する電子機器に最適である。
【０１４６】
その他、本発明の半導体表示装置を用いることができる電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、記録媒体を備えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図１２に示す。
【０１４７】
図１２（Ａ）は携帯電話機であり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、音声出力部２１０４、操作キー２１０５を含む。本発明の半導体表示装置を用いて表示部２１０２を作製することで、本発明の電子機器の一つである携帯電話機を完成させることができる。
【０１４８】
図１２（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明の半導体表示装置を用いて表示部２６０２を作製することで、本発明の電子機器の一つであるビデオカメラを完成させることができる。
【０１４９】
図１２（Ｃ）は表示装置であり、筐体２４０１、表示部２４０２、スピーカー部２４０３等を含む。本発明の半導体表示装置を用いて表示部２４０２を作製することで、本発明の電子機器の一つである表示装置を完成させることができる。なお、表示装置には、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。
【０１５０】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】共有率と、擬似輪郭の発生との関係について調べるために行なった実験において、表示に用いたパターン。
【図２】１フレーム期間におけるサブフレーム期間ＳＦ１の割合をＲ１（％）としたとき、Ｒ１（％）と、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）との関係を示すグラフ。
【図３】フレーム周波数（Ｈｚ）と、擬似輪郭の発生を抑制することができるであろう最低の共有率（％）との関係を示すグラフ。
【図４】発光の状態にあるサブフレーム期間と階調の関係と、階調が１段階低い場合と比較した時の、共有率Ｒｓｈ（％）を示すグラフ。
【図５】本発明の発光装置の構成を示すブロック図。
【図６】本発明の発光装置が有する画素の一例を示す図。
【図７】本発明の駆動方法において、４ビットの階調を表示する場合のタイミングチャート。
【図８】本発明の発光装置が有する画素の断面図。
【図９】本発明の発光装置が有する画素の断面図。
【図１０】本発明の発光装置が有する画素の断面図。
【図１１】本発明の発光装置の上面図及び断面図。
【図１２】本発明の発光装置を用いた電子機器の図。
【図１３】階調比と、擬似輪郭の発生が認められる最低のフレーム周波数Ｆ（Ｈｚ）との関係を示すグラフ。
【図１４】従来のサブフレーム期間の構成と、本願のサブフレーム期間の構成を比較した図。
【図１５】発光の状態にあるサブフレーム期間と階調の関係と、階調が１段階低い場合と比較した時の、共有率Ｒｓｈ（％）を示すグラフ。
【符号の説明】
【０１５２】
１０１    パネル
１０２    コントローラ
１０３    テーブル
１０４    画素部
１０５    信号線駆動回路
１０６    走査線駆動回路
１１０    シフトレジスタ
１１１    ラッチＡ
１１２    ラッチＢ
１１３    シフトレジスタ
１１４    バッファ
【図１】
2006039510.tif 000013
【図２】
2006039510.tif 000014
【図３】
2006039510.tif 000015
【図４】
2006039510.tif 000016
【図５】
2006039510.tif 000017
【図６】
2006039510.tif 000018
【図７】
2006039510.tif 000019
【図８】
2006039510.tif 000020
【図９】
2006039510.tif 000021
【図１０】
2006039510.tif 000022
【図１１】
2006039510.tif 000023
【図１２】
2006039510.tif 000024
【図１３】
2006039510.tif 000025
【図１４】
2006039510.tif 000026
【図１５】
2006039510.tif 000027