(57)【要約】  【課題】  飽和特性や感度特性を低下させることなく画素セルを微細化した固体撮像装置及びその製造方法を提供する。  【解決手段】  画素分離のためのトレンチ２０３の側壁に設けられた欠陥抑制層２０５とフォトダイオード２０８との境界部分に反転層２０９を設ける。欠陥抑制層２０５はＰ型となっており、フォトダイオード２０８と反転層２０９とはＮ型となっている。ここで、反転層２０９の不純物濃度はフォトダイオード２０８の不純物濃度の２倍以上である。  【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
半導体基板内に設けられた第２導電型のウェルと、
ウェル内に設けられた、第１導電型の複数の電荷蓄積領域と、
電荷蓄積領域毎に、電荷蓄積領域に接してウェルの表面に設けられた、第２導電型の表面領域と、
ウェル内に設けられ、絶縁物質を埋め込まれて、電荷蓄積領域間を素子分離するトレンチと、
トレンチの周辺に設けられ、ウェルよりも不純物濃度が高い、第２導電型の高濃度領域と、
高濃度領域、表面領域及び電荷蓄積領域に接し、高濃度領域と電荷蓄積領域とを隔て、不純物濃度が電荷蓄積領域の不純物濃度以上である、第１導電型の境界領域と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
境界領域における不純物濃度の最大値は、電荷蓄積領域における不純物濃度の最大値の２倍以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
第１導電型のシリコン基板に第２導電型のウェルを形成する第１工程と、
ウェルにトレンチを形成する第２工程と、
トレンチの内壁にシリコン酸化膜を形成する第３工程と、
トレンチの周囲に第２導電型の領域である高濃度領域を形成する第４工程と、
第１導電型の領域である電荷蓄積領域を高濃度領域に隣接するように形成する第５工程と、
第２導電型の領域である境界領域を高濃度領域と電荷蓄積領域と隔てるように形成する第６工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
第２工程は、エッチングによってトレンチを形成し、
第３工程は、熱酸化によってシリコン酸化膜を形成し、
第４工程は、第２導電型の不純物をイオン注入して高濃度領域を形成し、
第５工程は、第１導電型の不純物をイオン注入して電荷蓄積領域を形成し、
第６工程は、第１導電型の不純物をイオン注入して境界領域を形成する
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関し、特に、固体撮像装置を構成する画素セルを微細化する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像装置に対する高画素化の要請は止まることなく高まるばかりである。この要請に応えるべく固体撮像装置を構成する画素セルの微細化が進められた結果、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）分離によって画素セルを分離することが加工精度上、困難となってきた（特許文献１を参照）。
このような問題に対して、例えば、トレンチ分離（STI: Shallow Trench Isolation）の使用が提案されている。トレンチ分離は微細加工に優れており、微細化された画素セルの分離に適していると期待される。
【０００３】
ただし、トレンチ分離を用いると加工時のプロセスダメージや、トレンチに埋め込まれたシリコン酸化膜の応力によって結晶欠陥が発生する。この結晶欠陥にて生じる電子がフォトダイオードに入ると暗時電流や白キズといった画像欠陥を引き起こす。
そこで、トレンチ側壁にフォトダイオードとは逆のタイプの不純物領域（以下、単に「不純物領域」という。）を形成する方法が考えられている。このようにすれば、不要な電荷がフォトダイオードに入らないようにすることができる（例えば、特許文献２を参照）。
【特許文献１】特開平１１−７４４９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、不純物領域を形成すると飽和特性や感度特性が低下する。この問題は、画素セルのサイズが２．２μｍ角以下になると特に顕著になるため、画素セルのサイズが２．２μｍ角の固体撮像装置は未だ実現されていない。
本発明は、上述のような問題に鑑みて為されたものであって、飽和特性や感度特性を低下させることなく画素セルを微細化した固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板内に設けられた第２導電型のウェルと、ウェル内に設けられた、第１導電型の複数の電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域毎に、電荷蓄積領域に接してウェルの表面に設けられた、第２導電型の表面領域と、ウェル内に設けられ、絶縁物質を埋め込まれて、電荷蓄積領域間を素子分離するトレンチと、トレンチの周辺に設けられ、ウェルよりも不純物濃度が高い、第２導電型の高濃度領域と、高濃度領域、表面領域及び電荷蓄積領域に接し、高濃度領域と電荷蓄積領域とを隔て、不純物濃度が電荷蓄積領域の不純物濃度以上である、第１導電型の境界領域と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
このようにすれば、境界領域を設けることによって、高濃度領域（欠陥抑制層）を設けることによって縮小した電荷蓄積領域（フォトダイオード）を回復することができる。従って、電荷蓄積領域の縮小に起因する飽和特性や感度特性を解消して固体撮像装置の画素セルを微細化することができる。
なお、この場合において、境界領域における不純物濃度の最大値は、電荷蓄積領域における不純物濃度の最大値の２倍以上とすれば好適である。
【０００７】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、第１導電型のシリコン基板に第２導電型のウェルを形成する第１工程と、ウェルにトレンチを形成する第２工程と、トレンチの内壁にシリコン酸化膜を形成する第３工程と、トレンチの周囲に第２導電型の領域である高濃度領域を形成する第４工程と、第１導電型の領域である電荷蓄積領域を高濃度領域に隣接するように形成する第５工程と、第２導電型の領域である境界領域を高濃度領域と電荷蓄積領域と隔てるように形成する第６工程と、を含むことを特徴とする。このようにすれば、高濃度領域（欠陥抑制層）を形成した後に、その一部を含む境界領域を電荷蓄積領域と同じ導電型とするので、電荷蓄積領域の縮小に起因する飽和特性や感度特性を解消して固体撮像装置の画素セルを微細化することができる。
【０００８】
この場合において、例えば、第２工程は、エッチングによってトレンチを形成し、第３工程は、熱酸化によってシリコン酸化膜を形成し、第４工程は、第２導電型の不純物をイオン注入して高濃度領域を形成し、第５工程は、第１導電型の不純物をイオン注入して電荷蓄積領域を形成し、第６工程は、第１導電型の不純物をイオン注入して境界領域を形成しても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［１］  固体撮像装置の構成
先ず、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る固体撮像装置の構成の概略を示す回路図である。
【００１０】
図１に示されるように、固体撮像装置１は複数の画素セル１０１、垂直走査回路１０２、水平走査回路１０３、水平スイッチ素子１０４及びアンプ１０５を備え、これらを読出パルス線１０６、垂直選択線１０７、垂直信号線１０８及び水平信号線１０９にて接続した構成となっている。なお、画素セル１０１はそれぞれ垂直選択用スイッチ素子１１０、読出用スイッチ素子１１１及び光電変換素子１１２を備えており、セルサイズは２．２μｍ角である。画素セル１０１はマトリックス状に配列されて撮像領域をなす。
【００１１】
さて、マトリックス状に配列された画素セル１０１は行毎に垂直選択線１０７を共用しており、それぞれ垂直選択用スイッチ素子１１０の制御電極にて接続している。垂直走査回路１０２は垂直選択線１０７を介して、垂直選択用スイッチ素子１１０の制御電極に垂直走査パルスを入力する。
また、画素セル１０１はマトリックスの列毎に垂直信号線１０８を共用しており、それぞれ読出用スイッチ素子１１１の一方の主電極にて接続している。また、読出用スイッチ素子１１１の他方の主電極は光電変換素子１１２に接続されている。
【００１２】
更に、画素セル１０１はマトリックスの列毎に読出パルス線１０６を共用しており、それぞれ垂直選択用スイッチ素子１１０の主電極にて接続している。垂直選択用スイッチ素子１１０の他方の主電極は読出用スイッチ素子１１１の制御電極に接続されている。
水平スイッチ素子１０４の一方の主電極は垂直信号線１０８に接続され、他方の主電極は水平信号線１０９に接続されている。また、水平スイッチ素子１０４の制御電極には水平走査回路１０３から水平走査パルスが入力される。
【００１３】
アンプ１０５は水平信号線の信号電荷を増幅して出力する。
さて、垂直走査回路１０２から垂直走査パルスを、水平走査回路１０３から読出パルスを入力されると、垂直選択用スイッチ素子１１０はそれらの積のパルスを読出用スイッチ素子１１１の制御電極に入力して、光電変換素子１１２が光電変換して得た信号電荷を垂直信号線１０８に出力させる。
【００１４】
水平走査回路１０３が水平スイッチ素子１０４に水平走査パルスを入力すると共に、読出パルス線１０６に水平読出しパルスを入力すると、垂直信号線１０８に出力された信号電荷が水平信号線１０９に伝えられ、アンプ１０５にて増幅されて出力される。
尚、画素セル１０１の構成が上記に限定されないのは言うまでも無く、他の構成としても良い。
【００１５】
［２］  撮像領域における固体撮像装置１の構成
次に、上述のような画素セル１０１からなる撮像領域における固体撮像装置１の構成について説明する。図２は、撮像領域における固体撮像装置１の構成を示す断面図である。図２に示されるように、固体撮像装置１は、シリコン基板２０１上にフォトダイオード２０８とトレンチ２０３が形成されてなる。シリコン基板２０１はＮ型半導体基板上にＰ型ウェルが形成されてなる。なお、図２にはＰ型ウェル部分のみが表わされており、Ｎ型部分は省かれている。
【００１６】
フォトダイオード２０８はＮ型半導体層となっており、フォトダイオード２０８の基板表面側にはシールド層２１４が設けられている。また、フォトダイオード２０８は、いわゆる埋め込み型フォトダイオードとなっており、光電変換素子１１２を構成する。かかる構成によれば、フォトダイオード２０８がシリコン基板２０１表面の欠陥から遮断されるため、シリコン基板２０１表面の欠陥に起因するリーク電流の発生を防ぐことができる。フォトダイオード２０８のサイズは平面視１．７μｍ×１．１μｍである。
【００１７】
また、トレンチ２０３は内壁面に酸化膜２０４が形成されており、画素セル間を分離する。トレンチ２０３のサイズは幅が０．３５μｍで、深さが０．３３μｍである。後述のように、トレンチ２０３はドライエッチングによって形成されるため、シリコン基板２０１がプラズマによるダメージを受ける。また、酸化膜２０４を形成すると酸化膜２０４とシリコン基板２０１との間に応力が発生する。
【００１８】
この結果、トレンチ２０３の周辺に格子欠陥が生じると、この格子欠陥から熱擾乱により電荷が生じてフォトダイオード２０８に入り、偽信号を発生させて画質を劣化させる。これに対して、欠陥抑制層２０５は濃いＰ型の半導体層となっており、上述の電子をホールと結合させることによって、フォトダイオード２０８に入るのを阻止する。
上述のように、欠陥抑制層２０５は濃いＰ型の半導体層となっているため、固体撮像装置の製造プロセスにおいてＰ型キャリアが熱拡散してフォトダイオード２０８に進入すると、フォトダイオード２０８が縮小する。すると、フォトダイオード２０８に蓄積できる電荷数が減少して、画質が劣化する。反転層２０９は濃いＮ型の半導体層となっており、製造プロセスにおいてＰ型キャリアがフォトダイオード２０８にまで拡散するのを阻止する。反転層２０９は、欠陥抑制層２０５を形成する際に形成された高濃度のＰ型領域を高濃度のＮ型領域に反転させた部分を含む。
【００１９】
読出制御層２０７、２１０及び２１１、ゲート酸化膜２１２、ゲート電極２１３、ドレイン層２１５は何れも読出用スイッチ素子１１１を構成する。配線２１７はフォトダイオード２０８に蓄積された電荷を読み出すための配線である。層間絶縁膜２１６は可視光について高い透光性を有する絶縁部材である。遮光膜２１８は入射光が入射すべきフォトダイオード２０８以外のフォトダイオード２０８に入射しないように遮光する。
【００２０】
［３］  固体撮像装置１の製造工程
次に、固体撮像装置１の製造工程について説明する。図３から図７は、固体撮像装置１の製造工程を示す断面図である。
先ず、図３に示されるように、シリコン基板２０１上にシリコン酸化膜（以下、単に「酸化膜」という。）２０２が熱酸化によって形成され、当該酸化膜２０２上に、低圧化学気相成長法（LPCVD: Low Pressure Chemical Vapor Deposition）によってシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜。以下、単に「窒化膜」という。）３０１が形成される（図３（ａ））。膜厚は、酸化膜２０２の膜厚は１０nmであり、窒化膜３０１が１５０nmである。
【００２１】
なお、低圧化学気相成長法は、形成する薄膜を構成する元素を含む１乃至数種の化合物ガスや単体ガスを０．１〜１０Torr程度の減圧下の昇温したウェーハ上に供給し化学反応によって薄膜を成長させる方法である。
次いで、窒化膜３０１上にレジスト３０２が形成される。すなわち、窒化膜３０１上にレジスト剤を塗布し、熱処理（プリベーク）し、ステッパ等の露光装置を用いて露光し、有機溶剤等でレジスト現像した後、再び熱処理（ポストベーク）することによってレジスト３０２が形成される。
【００２２】
次に、窒化膜３０１、酸化膜２０２及びシリコン基板２０１のレジスト３０２に覆われていない部分をエッチングプロセスによって掘削してトレンチ２０３を形成する（図３（ｂ））。この場合において、エッチングプロセスはドライエッチングであっても良いし、ウェットエッチングであっても良い。
レジスト３０２を除去した後、熱処理を施すことによってトレンチ２０３の内壁を熱酸化させ、酸化膜２０４を形成する（図３（ｃ））。酸化膜２０４の膜厚は１５nmである。
【００２３】
次に、ホウ素（B）を加速エネルギー３０keV、ｔｉｌｔ２５度でイオン注入量８．０×１０12ions/cm2ずつ４方向から順次注入して、欠陥抑制層２０５を形成する（図４（ａ））。なお、ｔｉｌｔとはイオン注入する角度であって、シリコン基板２０１の主面に関する法線からの傾きをいう。また、４方向から順次注入するとはシリコン基板２０１の主面に対して９０度ずつ回転しながらイオン注入することをいう。このようにすれば、所謂かげの部分ができないので、トレンチ２０３の内壁面すべてについて欠陥抑制層２０５を形成することができる。
【００２４】
次に、シリコン基板２０１の全面にシリコン酸化物を堆積させて埋込層２０６を形成した後、化学機械的研磨法（CMP: Chemical Mechanical Polising）を用いて埋込層２０６以外のシリコン酸化物を除去して平坦化する（図４（ｂ））。更に、窒化膜３０１を除去する（図４（ｃ））。
次に、ホウ素を加速エネルギー１０keVでイオン注入量１．０×１０12ions/cm2だけ注入して、読出制御層２０７を形成する（図５（ａ））。
【００２５】
更に、酸化膜２０２及び埋込層２０６上にレジスト５０１を形成した後、砒素（As）を加速エネルギー６００keVでイオン注入量２．０×１０12ions/cm2だけ注入して、フォトダイオード２０８を形成する（図５（ｂ））。
レジスト５０１を除去した後、同じく酸化膜２０２及び埋込層２０６上にレジスト５０２を形成し、砒素を加速エネルギー６００keVでイオン注入量２．０×１０12ions/cm2だけ注入して反転層２０９を形成する（図５（ｃ））。
【００２６】
レジスト５０２を除去した後、レジスト６０１を形成し、先ず、ホウ素を加速エネルギー３００keVでイオン注入量４．０×１０11ions/cm2だけ注入して読出制御層２１０を形成する。次いで、同じくホウ素を加速エネルギー１００keVでイオン注入量８.０×１０11ions/cm2だけ注入して読出制御層２１１を形成する（図６（ａ））。
レジスト６０１を除去した後、酸化膜２０２をエッチングプロセスによって除去して読出制御層２０７を露出させる。そして、この読出制御層２０７の露出部分にゲート酸化膜２１２とゲート電極２１３とを順次形成する（図６（ｂ））。
【００２７】
次に、レジスト６０２を形成した後、ホウ素を加速エネルギー６keVでイオン注入量１．０×１０14ions/cm2だけ注入してシールド層２１４を形成する（図６（ｃ））。
レジスト６０２を除去した後、レジスト７０１を形成し、リン（P）を加速エネルギー５０keVでイオン注入量４．０×１０13ions/cm2だけ注入し、更にホウ素を加速エネルギー３０keVでイオン注入量２．０×１０12ions/cm2だけ注入してドレイン層２１５を形成する（図７（ａ））。
【００２８】
レジスト６０２を除去した後、配線工程にて層間絶縁膜２１６、配線２１７、遮光膜２１８及び保護膜２１９を形成する（図７（ｂ））。
［４］  不純物プロファイル
次に、固体撮像装置１における不純物プロファイルについて説明する。図８は固体撮像装置１のトレンチ２０８を含む断面における不純物の分布を示す図である。図８に示されるように、フォトダイオード２０８はＮ型領域となっており、その周辺のＰ型領域との境界がＰＮジャンクションである。図９は、従来技術に係る固体撮像装置であって、反転層２０９を有しない固体撮像装置における不純物の分布を示す断面図である。図８と図９を比較すれば分かるように、固体撮像装置１の方が従来技術に係る固体撮像装置よりもＮ型領域がトレンチ２０８側に拡大されている。
【００２９】
次に、図８、９に示されるＡ−Ａ線上における不純物の濃度分布について説明する。図１０は、Ａ−Ａ線上におけるドーピング量の分布を示すグラフである。図１０において、グラフの縦軸はＮ型であるかＰ型であるかに関わらず不純物のドーピング量を示す。また、横軸はＡ−Ａ線上の位置を示す。グラフ１００１は固体撮像装置１におけるドーピング量の分布を示し、グラフ１００２は従来技術に係る固体撮像装置におけるドーピング量の分布を示す。
【００３０】
さて、図１０に示されるように、固体撮像装置１においてはＮ型領域のトレンチ２０３に近い部分においてドーピング量が高くなっている。このドーピング量が高くなっている部分が反転層２０９である。一方、従来技術に係る固体撮像装置におけるドーピング量はＰ型領域との界面に近い部分で低下しているのを除いて、ほぼ一定である。
また、固体撮像装置１のＰ型領域と従来技術に係る固体撮像装置のＰ型領域とはほぼ重なり合っており、Ｐ型領域においてグラフ１００１、１００２がほぼ一致している。したがって、欠陥抑制層の濃度プロファイルは両者の間でほぼ一致する。すなわち、格子欠陥等に起因して発生する電子がフォトダイオードに侵入するのを防止するという点において、固体撮像装置１は従来技術に係る固体撮像装置と同等の性能を有する。
【００３１】
さて、前述のように、反転層２０９は砒素をイオン注入することによって形成される。このため、Ａ−Ａ線上における砒素の濃度分布を参照することによって反転層２０９の有無を知ることができる。
図１１はＡ−Ａ線上における砒素の濃度分布を示すグラフである。図１１において、グラフの縦軸は砒素の濃度を示し、横軸はＡ−Ａ線上の位置を示す。また、グラフ１１０１は固体撮像装置１における砒素の濃度分布を示し、グラフ１１０２は従来技術に係る固体撮像装置における砒素の濃度分布を示す。
【００３２】
図１１に示されるように、Ｐ型領域とＮ型領域との界面よりＮ型領域寄りの部分において、従来技術に係る固体撮像装置よりも固体撮像装置１において砒素の濃度が高くなっているので、反転層が存在することが分かる。
［５］  変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
【００３３】
（１）  上記実施の形態においては、Ｎ型半導体基板上にＰ型ウェルが形成されてなるシリコン基板２０１を用い、フォトダイオード２０８をＮ型領域とし、欠陥抑制層２０６をＰ型領域としたが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、固体撮像装置を構成する各部分の導電型を逆にしても良い。このようにしても、上記実施の形態と同様に、欠陥抑制層の形成に伴うフォトダイオードの縮小を解消することができる。
【００３４】
（２）  上記実施の形態においては、フォトダイオード２０８が形成されている領域に重ねて砒素をイオン注入することによって反転層２０９を形成する場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。
すなわち、反転層２０９を形成する領域にはフォトダイオード２０８を形成せず、一部のみがフォトダイオード２０８に重複するように反転層２０９を形成しても良い。このようにしても、最終的に不純物プロファイルが同じならば、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
（３）  上記実施の形態においては、画素セルのサイズを２．２μｍ角としたが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、２．２μｍ角以外のサイズをとるとしても良い。特に、１．５μｍ角など、２．２μｍ角よりも画素セルのサイズが小さい場合には、上述のように、飽和特性や感度特性の劣化が生じ得るので、本発明を適用すれば有効である。
【００３６】
また、フォトダイオードやトレンチのサイズについても、上記はあくまで一例に過ぎず、他の値をとるとしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法は、固体撮像装置において飽和特性や感度特性を低下させることなく画素セルを微細化する技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の構成の概略を示す回路図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の撮像領域における構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程であって、図３に引き続く工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程であって、図４に引き続く工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程であって、図５に引き続く工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の製造工程であって、図６に引き続く工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置のトレンチを含む画素部分における不純物の分布を示す断面図である。
【図９】従来技術に係る固体撮像装置の画素部分における不純物の分布を示す断面図である。
【図１０】図８のＡ−Ａ線上におけるドーピング量の分布を示すグラフである。
【図１１】図８のＡ−Ａ線上における砒素の濃度分布を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３９】
１……………………………固体撮像装置
１０１………………………複数の単位画素
１０２………………………垂直走査回路
１０３………………………水平走査回路
１０４………………………水平スイッチ素子
１０５………………………アンプ
１０６………………………読出パルス線
１０７………………………垂直選択線
１０８………………………垂直信号線
１０９………………………水平信号線
１１０………………………垂直選択用スイッチ素子
１１１………………………読出用スイッチ素子
１１２………………………光電変換素子
２０１………………………シリコン基板
２０３………………………トレンチ
２０４………………………酸化膜
２０５………………………欠陥抑制層
２０７、２１０、２１１…読出制御層
２０８………………………フォトダイオード
２０９………………………反転層
２１２………………………ゲート酸化膜
２１３………………………ゲート電極
２１４………………………シールド層
２１５………………………ドレイン層
２１６………………………層間絶縁膜
２１７………………………配線
２１８………………………遮光膜
２１９………………………保護膜
１００１……………………本発明の実施の形態に係る固体撮像装置におけるドーピング量の分布を示すグラフ
１００２……………………従来技術に係る固体撮像装置におけるドーピング量の分布を示すグラフ
１１０１……………………本発明の実施の形態に係る固体撮像装置における砒素の濃度分布を示すグラフ
１１０２……………………従来技術に係る固体撮像装置における砒素の濃度分布を示すグラフ
【図１】
2006324482.tif 000003
【図２】
2006324482.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006324482.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006324482.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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