(57)【要約】【課題】  基板の割れが生じにくい半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】  支持基板の表面上に、金属からなる第１のオーミックコンタクト層を堆積させる。支持基板の形成材料と、第１のオーミックコンタクト層の形成材料と共晶点よりも低い温度で熱処理を行い、支持基板と第１のオーミックコンタクト層とをオーミック接触させる。第１のオーミックコンタクト層の上に第１の接合層を形成する。半導体からなる仮基板の表面上に、発光積層構造を形成する。発光積層構造の表面上に、発光積層構造の表面層とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層を形成する。第２のオーミックコンタクト層の上に第２の接合層を形成する。第１の接合層と第２の接合層とを接触させて加熱し、両者を接合する。仮基板を除去し、発光積層構造の表面を露出させる。露出した発光積層構造の表面層にオーミック接触する第１の電極を形成する。【選択図】  図４
2006086361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）導電性を有する半導体からなる支持基板の表面上に、金属からなる第１のオーミックコンタクト層を堆積させる工程と、
（ｂ）前記支持基板の形成材料と、前記オーミックコンタクト層の形成材料とが共晶化する温度よりも低い温度で熱処理を行い、前記支持基板と前記第１のオーミックコンタクト層とをオーミック接触させる工程と、
（ｃ）前記第１のオーミックコンタクト層の上に、金属からなる第１の接合層を形成する工程と、
（ｄ）半導体からなる仮基板の表面上に、電流を注入することにより発光する半導体層を含む発光積層構造を形成する工程と、
（ｅ）前記発光積層構造の表面上に、該発光積層構造の表面層とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層を形成する工程と、
（ｆ）前記第２のオーミックコンタクト層の上に、金属からなる第２の接合層を形成する工程と、
（ｇ）前記第１の接合層と前記第２の接合層とを接触させて加熱し、両者を接合する工程と、
（ｈ）前記仮基板を除去し、前記発光積層構造の表面を露出させる工程と、
（ｉ）前記工程ｈで露出した前記発光積層構造の表面層にオーミック接触する第１の電極を形成する工程と
を有する半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記支持基板がシリコンで形成され、前記第１のオーミックコンタクト層がＰｔで形成されている請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記支持基板が、Ｓｂドープのシリコン基板である請求項１または２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記工程ａが、さらに、前記支持基板の表面のうち前記第１のオーミックコンタクト層の形成されていない方の表面上に、裏側電極を堆積させる工程を含み、
前記支持基板がシリコンで形成され、前記第１のオーミックコンタクト層及び前記裏側電極がＮｉ、Ｐｄ、及びＰｔからなる群より選択された一つの金属で形成されている請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記工程ｇよりも後に、さらに、
（ｊ）  前記支持基板の表面のうち前記第１のオーミックコンタクト層の形成されていない方の表面上に、裏側電極を堆積させる工程と、
（ｋ）  前記支持基板と前記裏側電極とをオーミック接触させる工程と
を含む請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
導電性を有する半導体からなる支持基板と、
前記支持基板の一方の表面に接し、前記支持基板とオーミック接触させるための熱処理温度が、前記支持基板を形成する半導体と共晶化する温度よりも低い金属材料で形成された、該支持基板とオーミック接触する第１のオーミックコンタクト層と、
電流が注入されることにより光を発生する半導体層を含む発光積層構造と、
前記発光積層構造の一方の面に接触し、該発光積層構造とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層と、
前記支持基板と前記発光積層構造とが、前記第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを相互に対向させるように配置され、該第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを接合させ、かつ両者を電気的に接続させる接合層と
を有する半導体発光素子。
【請求項７】
さらに、前記支持基板の表面のうち前記第１のオーミックコンタクト層の形成されていない方の表面に接し、前記支持基板とオーミック接触させるための熱処理温度が、前記支持基板を形成する半導体と共晶化する温度よりも低い金属材料で形成され、該支持基板とオーミック接触する裏側電極を有する請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記支持基板がシリコンで形成され、前記第１のオーミックコンタクト層がＮｉまたはＰｄで形成されている請求項６または７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記支持基板がシリコンで形成され、前記第１のオーミックコンタクト層がＰｔで形成されている請求項６または７に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
導電性を有する半導体からなる支持基板と、
前記支持基板の一方の表面にオーミック接触し、該支持基板との界面に共晶が形成されていない第１のオーミックコンタクト層と、
電流が注入されることにより光を発生する半導体層を含む発光積層構造と、
前記発光積層構造の一方の面に接触し、該発光積層構造とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層と、
前記支持基板と前記発光積層構造とが、前記第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを相互に対向させるように配置され、該第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを接合させ、かつ両者を電気的に接続させる接合層と
を有する半導体発光素子。
【請求項１１】
前記支持基板がシリコンで形成され、前記第１のオーミックコンタクト層がＮｉまたはＰｄで形成されている請求項１０に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記支持基板がシリコンで形成され、前記第１のオーミックコンタクト層がＰｔで形成されている請求項１０に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関し、特に仮基板の上に発光積層構造を形成し、支持基板と接合させた後、仮基板を除去した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１に開示された半導体発光素子の製造方法について説明する。ＧａＡｓ仮基板上に発光積層構造を成長させ、その上に電極を形成する。Ｓｉ支持基板の上にＡｕ層を形成する。支持基板上のＡｕ層と、仮基板上の電極とを密着させた状態で熱処理を行い、発光積層構造と支持基板とを融着させる。このときの熱処理により、Ｓｉ支持基板とＡｕ層とが共晶反応し、ＡｕＳｉ合金層が形成される。これにより、支持基板とＡｕ層との良好なオーミック接触が得られ、支持基板を通じて発光積層構造に電流を供給することが可能になる。融着後、ＧａＡｓ仮基板をエッチング除去する。ＧａＡｓ仮基板が除去されていることにより、発光積層構造で発生した光が、ＧａＡｓで吸収されることなく効率的に外部に放射される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３３９１００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
仮基板と支持基板とを融着すると、仮基板、支持基板、またはその両者に割れが発生する場合がある。割れの原因は、両基板の熱膨張係数の相違、及び共晶反応により形成されたＡｕＳｉ合金層内に粒界が発生していることと考えられる。融着後の冷却工程において、融着された基板が反りを生じ、機械的に脆弱な粒界から割れが発生すると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、基板の割れが生じにくい半導体発光素子及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によると、（ａ）導電性を有する半導体からなる支持基板の表面上に、金属からなる第１のオーミックコンタクト層を堆積させる工程と、（ｂ）前記支持基板の形成材料と、前記オーミックコンタクト層の形成材料とが共晶化する温度よりも低い温度で熱処理を行い、前記支持基板と前記第１のオーミックコンタクト層とをオーミック接触させる工程と、（ｃ）前記第１のオーミックコンタクト層の上に、金属からなる第１の接合層を形成する工程と、（ｄ）半導体からなる仮基板の表面上に、電流を注入することにより発光する半導体層を含む発光積層構造を形成する工程と、（ｅ）前記発光積層構造の表面上に、該発光積層構造の表面層とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層を形成する工程と、（ｆ）前記第２のオーミックコンタクト層の上に、金属からなる第２の接合層を形成する工程と、（ｇ）前記第１の接合層と前記第２の接合層とを接触させて加熱し、両者を接合する工程と、（ｈ）前記仮基板を除去し、前記発光積層構造の表面を露出させる工程と、（ｉ）前記工程ｈで露出した前記発光積層構造の表面層にオーミック接触する第１の電極を形成する工程とを有する半導体発光素子の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の他の観点によると、導電性を有する半導体からなる支持基板と、前記支持基板の一方の表面に接し、前記支持基板とオーミック接触させるための熱処理温度が、前記支持基板を形成する半導体と共晶化する温度よりも低い金属材料で形成された、該支持基板とオーミック接触する第１のオーミックコンタクト層と、電流が注入されることにより光を発生する半導体層を含む発光積層構造と、前記発光積層構造の一方の面に接触し、該発光積層構造とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層と、前記支持基板と前記発光積層構造とが、前記第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを相互に対向させるように配置され、該第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを接合させ、かつ両者を電気的に接続させる接合層とを有する半導体発光素子が提供される。
【０００８】
本発明のさらに他の観点によると、導電性を有する半導体からなる支持基板と、前記支持基板の一方の表面にオーミック接触し、該支持基板との界面に共晶が形成されていない第１のオーミックコンタクト層と、電流が注入されることにより光を発生する半導体層を含む発光積層構造と、前記発光積層構造の一方の面に接触し、該発光積層構造とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層と、前記支持基板と前記発光積層構造とが、前記第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを相互に対向させるように配置され、該第１のオーミックコンタクト層と第２のオーミックコンタクト層とを接合させ、かつ両者を電気的に接続させる接合層とを有する半導体発光素子が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
共晶化する温度よりも低い温度で熱処理を行ってオーミック接触を得るため、この熱処理時に共晶合金層が形成されない。本願発明者らの評価実験によると、共晶合金層が割れの原因になっていると考えられる。本発明では、共晶合金層が形成されないため、割れの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本願発明の実施例を説明する前に、本願発明者らによって先に提案された半導体発光素子について説明する。
【００１１】
図８に示すように、Ａｓドープのｎ型シリコン（Ｓｉ）からなる支持基板１００の主表面上に、金（Ａｕ）からなるオーミックコンタクト層１０１を形成し、裏面上にＡｕからなるオーミック電極１０５を形成する。熱処理を行ってＡｕとＳｉとを共晶化させることにより、支持基板１００とオーミックコンタクト層１０１とのオーミック接触、及び支持基板１００とオーミック電極１０５とのオーミック接触を得る。オーミックコンタクト層１０１の上に、ＡｕＳｎ合金からなる第１の接合層１０２を形成する。
【００１２】
ＧａＡｓからなる仮基板１１０の表面上に発光積層構造１１１を形成する。発光積層構造は、例えば、ｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層が積層された構造を有する。発光積層構造１１１の表面上にＡｕからなる第２の接合層１１２を形成する。仮基板１１０と支持基板１００とを、第１の接合層１０２と第２の接合層１１１とが相互に対向するように配置する。
【００１３】
図９に示すように、第１の接合層１０２と第２の接合層１１１とが密着した状態で、例えば３００℃で１０分間保持する。第１の接合層１０２と第２の接合層１１１とが共晶化して１つの接合層１２０となり、支持基板１００と仮基板１１０とが接合される。図１０に示すように、仮基板１１０を除去し、露出した発光積層構造１１１の表面に、オーミック電極１１５を形成する。
【００１４】
接合後、仮基板１１０を除去する前に、支持基板１００、仮基板１１０、または両者に割れが発生する場合があった。これは、支持基板１００と仮基板１１０との熱膨張係数の相違に起因する。
【００１５】
Ｓｉからなる支持基板１００にｎ型導電性を付与するためにＡｓがドープされているが、環境への配慮から、Ａｓの使用を避けることが望まれている。Ａｓの代わりになるドーパントとしてアンチモン（Ｓｂ）が挙げられる。ところが、ＳｂドープのＳｉ基板とＡｕ層との間で良好なオーミック接触を得ることが困難である。
【００１６】
以下に説明する実施例では、基板の割れを抑制し、かつＳｂドープのＳｉ基板と良好なオーミック接触を得ることが可能になる。
【００１７】
図１〜図５を参照して、実施例による半導体発光素子の製造方法について説明する。Ｓｂがドープされたｎ型Ｓｉからなる支持基板１の主表面上に、電子ビーム加熱蒸着により、白金（Ｐｔ）からなる厚さ１５０〜６００ｎｍの第１のオーミックコンタクト層２を形成する。さらに、支持基板１の裏面上に、同様に電子ビーム加熱蒸着により、Ｐｔからなる厚さ１５０〜６００ｎｍの裏側電極３を形成する。Ｐｔ層を蒸着した後、５００℃で熱処理を行う。この熱処理により支持基板１と第１のオーミックコンタクト層２との界面、及び支持基板１と裏側電極３との界面で相互拡散が生じ、オーミック接触が得られる。ＰｔとＳｉとの共晶点は８３０℃であるため、この熱処理で両者の界面に共晶合金層は生じない。
【００１８】
第１のオーミックコンタクト層２の上に、チタニウム（Ｔｉ）からなる厚さ１００〜２００ｎｍの密着層４、ニッケル（Ｎｉ）からなる厚さ５０〜１５０ｎｍのボールアップ防止層５、ＡｕＳｎ合金からなる厚さ６００〜３０００ｎｍの第１の接合層６を、この順番に電子ビーム加熱蒸着により形成する。第１の接合層６のＡｕ及びＳｎの組成比は、それぞれ約８０ｗｔ％（約７０ａｔ％）及び約２０ｗｔ％（約３０ａｔ％）である。
【００１９】
図２に示すように、ＧａＡｓからなる仮基板２１の表面上に、発光積層構造２２を形成する。
【００２０】
図３に、発光積層構造２２の一例を示す。発光積層構造２２は、仮基板２１側から順番に、ｐ型クラッド層２２ａ、活性層２２ｂ、及びｎ型クラッド層２２ｃが積層されたダブルへテロ構造を有する。これらの層は、ＧａＡｓ仮基板２１に格子整合するＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体で形成されており、ＣＶＤで成長させることができる。なお、発光積層構造２２を、ｎ型層とｐ型層との２層構造としてもよいし、量子井戸構造としてもよい。
【００２１】
図２に戻って説明を続ける。発光積層構造２２の上に、ＡｕＺｎ合金からなる厚さ３００ｎｍの第２のオーミックコンタクト層２３、ＴａＮからなる厚さ１００ｎｍの拡散防止層２４、Ａｌからなる厚さ６００ｎｍの拡散原料層２５、Ｔａからなる厚さ１００ｎｍの拡散制御層２６、及びＡｕからなる厚さ２００ｎｍの第２の接合層２７を、この順番に形成する。第２のオーミックコンタクト層２３、拡散原料層２５、拡散制御層２６、及び第２の接合層２７は、例えば電子ビーム加熱蒸着により成膜し、拡散防止層２４は、例えば反応性スパッタリングにより成膜することができる。
【００２２】
窒素雰囲気で約５００℃の熱処理を行い、第２のオーミックコンタクト層２３と発光積層構造２２のｐ型層とのオーミック接触を得る。第２のオーミックコンタクト層２３は、発光積層構造２２で発生した光を反射する機能を併せ持つ。第２のオーミックコンタクト層２３の材料として、ＡｕまたはＺｎを用いてもよい。
【００２３】
図４に示すように、第１の接合層６と第２の接合層２７とを接触させて、窒素雰囲気中において３００℃で１０分間保持し、熱圧着を行う。このとき、拡散制御層２６の一部が損なわれ、拡散原料層２５内のＡｌ、第１の接合層６内のＡｕ及びＳｎ、第２の接合層２７内のＡｕが相互に拡散し、これらの金属が混合した合金が形成される。
【００２４】
図５に、合金化後の断面図を示す。ボールアップ防止層５と拡散防止層２４との間に、ＡｕＳｎＡｌ合金からなる接合層３０が形成されている。接合層３０内に、Ｔａからなる拡散制御層２６の一部が残存する。
【００２５】
ボールアップ防止層５は、第１の接合層６が溶融し、その後固化する時に、基板上で偏析して部分的に盛り上がりが生じる現象（ボールアップ現象）の発生を防止する。密着層４は、ボールアップ防止層５の密着度を高める。拡散防止層２４は、溶融した金属原子の、オーミックコンタクト層２３側への拡散を防止する。
【００２６】
図６に示すように、図５に示した仮基板２１を除去する。仮基板２１は、例えばアンモニアと過酸化水素とを混合したエッチャントを用いたウェットエッチングにより除去することができる。なお、ドライエッチングや機械研磨法を用いて仮基板２１を除去することもできるし、これらの方法を組み合わせて除去することも可能である。
【００２７】
仮基板２１を除去した後、発光積層構造２２の露出した表面上に、ＡｕＳｎＮｉ合金からなる表側電極３５を形成する。表側電極３５は、通常のリフトオフ法によりパターニングされる。窒素雰囲気で約４００℃の熱処理を行うことにより、表側電極３５と発光積層構造２２のｎ型層とのオーミック接触を得る。図４に示したＡｕＳｎからなる第１の接合層６は３００℃で溶融するが、接合後のＡｕＳｎＡｌからなる接合層３０は、４００℃でも溶融しない。このため、オーミック接触を得るための熱処理を、接合時の熱処理温度よりも高温で行うことが可能になる。なお、表側電極３５の材料として、ＡｕＧｅＮｉ合金、ＡｕＳｎ合金、ＡｕＧｅ合金等を用いてもよい。
【００２８】
表側電極３５及び裏側電極３から発光積層構造２２に電流を注入することにより、発光積層構造２２で発光が生ずる。図５に示した仮基板２１が除去されているため、発光積層構造２２で発生した光は吸収されること無く、表側電極３５側に放射される。また、第２のオーミックコンタクト層２３が光を反射する機能を持つため、発光積層構造２２で発生し、支持基板１側へ進む光も、第２のオーミックコンタクト層２３で反射されて、表側電極３５側に放射される。
【００２９】
上記実施例では、支持基板１の表面上に、Ｐｔからなる第１のオーミックコンタクト層２及び裏側電極３を形成した後、５００℃で、オーミック接触を得るための熱処理を行った。ＳｉとＰｔとが共晶化する温度（共晶点）は約８３０℃である。オーミック接触を得るための熱処理を共晶点以下で行っているため、両者の界面に共晶合金層は形成されない。
【００３０】
これに対し、図８〜図１０に示した先の提案の例では、支持基板１００とオーミックコンタクト層１０１とのオーミック接触を得るために、約４００℃で熱処理を行う必要がある。ＳｉとＡｕとの共晶点は約３８０℃である。このため、オーミック接触を得るための熱処理時にＳｉとＡｕとの共晶反応が生じ、支持基板１００とオーミックコンタクト層１０１との界面にＳｉとＡｕとの共晶合金層が形成される。共晶合金層は、一旦溶融したＡｕ及びＳｉが固化して形成されるため、多数のグレインが発生し、グレイン間に粒界が形成される。この粒界が、接合後の徐冷時に割れが発生する原因と考えられる。
【００３１】
上記実施例の場合には、第１のオーミックコンタクト層２と支持基板１とのオーミック接触を得るための熱処理時に、Ｓｉ及びＰｔが溶融することなく、固相の状態で拡散が生じると考えられる。このため、粒界が形成されず、徐冷時の割れの発生が防止されると考えられる。
【００３２】
上記考察を検証するために、実際に種々の条件で作製した基板の割れ強度を評価した。割れ強度の評価は、直径７５ｍｍの評価基板を６０ｍｍの間隔を隔てた一対のスペーサで支え、評価基板の中心に力を印加して、評価基板が割れる時点の力の大きさを測定することにより行った。Ｓｂドープの厚さ３００μｍのＳｉ基板の評価を行ったところ、基板が大きく反った後に割れた。割れた時点の力は４１Ｎであった。
【００３３】
このＳｉ基板に、厚さ６００ｎｍのＡｕ膜を蒸着し、４００℃でオーミック接触のための熱処理を行った。その後、割れ強度の評価を行ったところ、基板がほとんど反ることなく割れてしまった。割れた時点の力は２５Ｎであった。このＳｉ基板に、厚さ６００ｎｍのＰｔ膜を蒸着し、５００℃でオーミック接触のための熱処理を行った。その後、割れ強度の評価を行ったところ、基板が反った後に割れた。割れた時点の力は３５Ｎであった。
【００３４】
この評価実験から、Ｓｉ基板にＡｕ膜を形成してオーミック接触のための熱処理を行った基板よりも、Ｓｉ基板にＰｔ膜を形成してオーミック接触のための熱処理を行った基板の方が、割れにくいことが確認された。オーミック接触のための熱処理は、共晶合金層の形成を避けるために、ＳｉとＰｔとの共晶点である８３０℃未満で行う必要がある。
【００３５】
このため、図６に示した第１のオーミックコンタクト層２は、支持基板１とのオーミック接触を得るための熱処理温度が、Ｓｉとの共晶点よりも低い材料で形成する必要がある。
【００３６】
図７に、ＳｂドープのＳｉ基板と各種金属膜とのオーミック接触、及びＡｓドープのＳｉ基板と各種金属膜とのオーミック接触を得るために必要な熱処理温度を示す。Ｓｉ基板の比抵抗は０．０５Ω・ｃｍ以下であり、形成した金属層の厚さは２００ｎｍである。図７の各桝目に記載された数値は、熱処理後の接触抵抗を単位「Ω・ｃｍ２」で示す。バツ印の付された欄は、オーミック接触が得られなかったことを意味し、丸印の付された欄は、オーミック接触が得られたことを意味する。Ｎｉ層とＳｂドープのＳｉ基板との間では、５００℃〜８００℃の熱処理温度でオーミック接触が得られた。Ｐｄ層とＳｂドープのＳｉ基板との間では、４００℃〜８００℃の熱処理温度でオーミック接触が得られた。Ｐｔ層とＳｂドープのＳｉ基板との間では、５００℃〜７００℃の熱処理温度でオーミック接触が得られた。Ａｕ層とＳｂドープのＳｉ基板との間では、８００℃の熱処理温度でもオーミック接触を得ることができなかった。
【００３７】
ＮｉとＳｉとの共晶点は９６６℃であり、ＰｄとＳｉとの共晶点は７２０℃である。これらの共晶点以下の熱処理温度で、十分低抵抗のオーミック接触を得ることが可能であることがわかる。このため、第１のオーミックコンタクト層２の材料として、Ｐｔの他に、Ｎｉ及びＰｄを用いることが可能である。
【００３８】
Ｎｉ膜を形成して熱処理を行った基板、及びＰｄ膜を形成して熱処理を行った基板の表面を観測したところ、表面にムラや凹凸が発生していることが確認された。これに対し、Ｐｔ膜を形成した基板の表面にはムラや凹凸が観察されなかった。接合後の割れが生じにくく、オーミック接触を得るという点では、第１のオーミックコンタクト層２の材料としてＮｉ及びＰｄを用いることができるが、ムラ及び凹凸の発生を防止するために、Ｐｔを用いることが最も好ましい。
【００３９】
また、ＡｓドープのＳｉ基板と各種金属膜との間では、金属膜がＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ及びＡｕのいずれの場合にもオーミック接触を得ることができた。
【００４０】
上記実施例では、支持基板１としてＳｂドープのＳｉ基板を用いたが、その他の導電性を有する半導体基板を用いてもよい。また、発光積層構造２２をＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体で形成したが、その他の半導体材料で形成してもよい。仮基板２１の材料には、発光積層構造２２の各層を結晶性良く成長させるために適切なものが選択される。
【００４１】
上記実施例では、仮基板２１と支持基板１との貼り合わせ工程よりも前に、裏側電極３を形成した。このため、支持基板１と裏側電極３との界面で共晶化が生じないようにするために、裏側電極３の材料をＰｔにした。この裏側電極３は、仮基板２１と支持基板１とを貼り合わせた後に形成してもよい。例えば、貼り合わせ後、仮基板２１を除去する前、または仮基板２１を除去した後に、裏側電極３を形成してもよい。貼り合わせ後に形成される共晶合金は割れの原因にならないため、裏側電極３の材料としてＡｕを用いることも可能である。
【００４２】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施例による半導体発光素子の製造途中の基板の断面図（その１）である。
【図２】実施例による半導体発光素子の製造途中の基板の断面図（その２）である。
【図３】実施例による半導体発光素子の発光積層構造の断面図である。
【図４】実施例による半導体発光素子の製造途中の基板の断面図（その３）である。
【図５】実施例による半導体発光素子の製造途中の基板の断面図（その４）である。
【図６】実施例による半導体発光素子の断面図である。
【図７】オーミック接触を得ることができる熱処理温度を示す図表である。
【図８】先の提案例による半導体発光素子の製造途中の基板の断面図（その１）である。
【図９】先の提案例による半導体発光素子の製造途中の基板の断面図（その２）である。
【図１０】先の提案例による半導体発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  支持基板
２  第１のオーミックコンタクト層
３  裏側電極
４  密着層
５  ボールアップ防止層
６  第１の接合層
２１  仮基板
２２  発光積層構造
２３  第２のオーミックコンタクト層
２４  拡散防止層
２５  拡散原料層
２６  拡散制御層
２７  第２の接合層
３０  接合層
３５  表側電極
【図１】
2006086361.tif 000003
【図２】
2006086361.tif 000004
【図３】
2006086361.tif 000005
【図４】
2006086361.tif 000006
【図５】
2006086361.tif 000007
【図６】
2006086361.tif 000008
【図７】
2006086361.tif 000009
【図８】
2006086361.tif 000010
【図９】
2006086361.tif 000011
【図１０】
2006086361.tif 000012