(57)【要約】【課題】低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置は、配線溝若しくは接続孔の少なくとも一方が形成され、配線溝若しくは接続孔表面近傍の炭素濃度若しくは膜密度が内部の炭素濃度若しくは膜密度と同等若しくはそれより高い低誘電率絶縁膜と、前記配線溝若しくは接続孔内に形成された導電体層と、前記低誘電率絶縁膜と前記導電体層との間に設けられたバリアメタルと、前記バリアメタルと前記低誘電率絶縁膜との間に設けられた第２の絶縁膜とを具備する配線構造を具備する。【選択図】図１
2006324414.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線溝若しくは接続孔の少なくとも一方が形成され、配線溝若しくは接続孔表面近傍の炭素濃度若しくは膜密度が内部の炭素濃度若しくは膜密度と同等若しくはそれより高い低誘電率絶縁膜と、
前記配線溝若しくは接続孔内に形成された導電体層と、
前記低誘電率絶縁膜と前記導電体層との間に設けられたバリアメタルと、
前記バリアメタルと前記低誘電率絶縁膜との間に設けられた第２の絶縁膜と
を具備する配線構造を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記低誘電率絶縁膜は、比誘電率が２．５以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の絶縁膜は、シリコンと少なくとも炭素若しくは窒素のいずれかを含むことを特徴とする請求項１若しくは２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜を形成することによる前記接続孔における前記導電体層の抵抗上昇率が、２０％以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板の上方に低誘電率絶縁膜を堆積する工程と、
前記低誘電率絶縁膜中に配線溝若しくは接続孔の少なくとも一方を形成する工程と、
前記形成する工程において前記配線溝表面若しくは接続孔表面近傍の前記低誘電率絶縁膜中に導入されたダメージを回復させる工程と、
前記配線溝若しくは接続孔表面に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上にバリアメタルを形成する工程と、
前記配線溝若しくは接続孔内に導電体層を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に、低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化、高集積化に伴い、配線の寄生容量を小さくして高速化を図るために、層間絶縁膜の低誘電率化が進んでいる。絶縁膜を低誘電率化するために、例えば、比誘電率を２．５以下にするために、絶縁膜の低密度化が行われている。すなわち、絶縁膜中に小さな気孔を形成した多孔質低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜に使用する。しかし、多孔質層間絶縁膜を用いて、高性能で高信頼性な多層配線構造を形成しようとした場合に、下記のような問題が生じる。例えば、（１）比誘電率を小さくするほど層間絶縁膜自体の気孔率が大きくなり、その結果として絶縁膜内に吸着する水分の量が増加し、製造プロセス中あるいは半導体装置動作時の熱でＨ２Ｏガスが発生すること、（２）配線用溝やビアホールを形成する際の反応性エッチングやアッシングのプラズマによってダメージを受けること、等である。ここで、ダメージとは、低誘電率絶縁膜を構成する原子若しくは分子間の結合が壊された状態である。例えば、一般に低誘電率絶縁膜として用いられているＳｉＯＣＨ系低誘電率膜の場合、Ｓｉ−ＣＨ３結合、Ｓｉ−Ｃ結合などが活性なプラズマにより切断されて、Ｓｉ−のダングリングボンド（非結合手）やＳｉ−ＯＨなどを形成する。このようなダメージを受けた部分は、種々のガス、例えば、水分を吸着し易く、製造プロセス中や半導体装置動作時の熱で吸着したガスを放出する。すなわち、例えば、Ｈ２Ｏガスを発生する。
【０００３】
このような低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として使用した場合、発生するＨ２Ｏガスのために、銅配線や拡散バリアメタルが酸化され、すなわち腐食され、バリアメタルと配線との密着性が劣化する。その結果、ビア抵抗の上昇、導通不良、等が生じ、配線の性能、信頼性が劣化するという問題が生じる。
【０００４】
この他にも、一般的に、多孔質低誘電率絶縁膜の問題として、低誘電率絶縁膜とシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）との密着性あるいは膜剥れ、配線材料の腐食、バリアメタル材料の低誘電率絶縁膜への拡散、等が知られている。
【０００５】
低誘電率絶縁膜とＳｉＯ２膜との間に内在する応力に起因する密着性の劣化を改善する技術が、特許文献１に開示されている。この技術によれば、低誘電率絶縁膜とＳｉＯ２膜との間に中間層を設けることにより、密着性を改善している。中間層は、炭素濃度が低誘電率絶縁膜より低く窒素を含まない層であり、低誘電率絶縁膜表面をヘリウムガス若しくはアルゴンガスでプラズマ処理を行って形成した改質層である。この処理は、ビアホール及び配線溝を形成する前に行うため、バリアメタルの腐食防止には寄与しない。
【０００６】
ドライエッチング等の加工により低誘電率絶縁膜に与えられるダメージを回復させる技術が、特許文献２に開示されている。この技術によれば、低誘電率絶縁膜からメチル基あるいは炭素が離脱することによって生じるダメージ層の表面を疎水化処理若しくは溶解処理を行うことで、ダメージを回復させる若しくは除去している。しかしながら、バリアメタル及び配線材料の腐食を防止するためには、必ずしも充分であるとはいえない。
【０００７】
多孔質低誘電率絶縁膜の表面を絶縁膜で覆う技術が、非特許文献１に発表されている。低誘電率絶縁膜中に金属が拡散すると、低誘電率絶縁膜の比誘電率が大きくなる。この技術では、ビアホール及び配線溝を形成した後に、低誘電率絶縁膜表面をＳｉＣ：Ｈシール膜で覆っている。このシール膜は、金属が低誘電率絶縁膜中へ拡散することを防止する効果を持つため、金属による低誘電率絶縁膜の劣化を防止でき、配線の信頼性を向上できる。しかし、低誘電率絶縁膜に導入されたダメージを回復させること及びこのダメージ層に吸着した水分等が、バリアメタルに拡散することに関しては、検討されていない。
【特許文献１】特開２００４−２０７６０４号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３３０８号公報
【非特許文献１】C. Guedj et. al.,”Effect of pore sealing on the reliability of ULK/Cu interconnects”, Proc. IITC 2004, pp. 148-150
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題は、下記の本発明に係る半導体装置及びその製造方法によって解決される。
【００１０】
本発明の１態様にしたがった半導体装置は、配線溝若しくは接続孔の少なくとも一方が形成され、配線溝若しくは接続孔表面近傍の炭素濃度若しくは膜密度が内部の炭素濃度若しくは膜密度と同等若しくはそれより高い低誘電率絶縁膜と、前記配線溝若しくは接続孔内に形成された導電体層と、前記低誘電率絶縁膜と前記導電体層との間に設けられたバリアメタルと、前記バリアメタルと前記低誘電率絶縁膜との間に設けられた第２の絶縁膜とを具備する配線構造を具備する。
【００１１】
本発明の他の１態様にしたがった半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に低誘電率絶縁膜を堆積する工程と、前記低誘電率絶縁膜中に配線溝若しくは接続孔の少なくとも一方を形成する工程と、前記形成する工程において前記配線溝表面若しくは接続孔表面近傍の前記低誘電率絶縁膜中に導入されたダメージを回復させる工程と、前記配線溝若しくは接続孔表面に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上にバリアメタルを形成する工程と、前記配線溝若しくは接続孔内に導電体層を形成する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施形態を、添付した図面を参照して以下に詳細に説明する。図では、対応する部分は、対応する参照符号で示している。以下の実施形態は、一例として示されたもので、本発明の精神から逸脱しない範囲で種々の変形をして実施することが可能である。
【００１４】
本発明は、低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として使用する半導体装置において、層間絶縁膜中に配線溝及び／若しくは接続孔（ビアホール）を形成する際に層間絶縁膜の加工表面及びその近傍に導入されたダメージ（損傷）を回復させることと、層間絶縁膜とバリアメタルとの間に水分、酸素等の拡散を抑制する絶縁膜を設けたことを特徴とする半導体装置及びその製造方法である。
【００１５】
本発明によれば、特にビアホール近傍の層間絶縁膜のダメージが回復されているため、ダメージ層への水分の吸着が抑制される。したがって、製造プロセス中や半導体装置動作中の熱によって、層間絶縁膜吸着しているガス成分が離脱することによる、例えば、Ｈ２Ｏガスの発生を抑制できる。しかも、層間絶縁膜とバリアメタルとの間に設けられた水分の拡散を防止する絶縁膜により、Ｈ２Ｏガスが層間絶縁膜から発生したとしても、バリアメタルへの拡散を抑制できるため、バリアメタルの酸化を抑制できる。さらに、配線溝及び／若しくは接続孔表面の凹凸のある多孔質絶縁膜を、この水分拡散防止絶縁膜により覆って平滑化することにより、バリアメタルの密着性を向上できる。その結果、ビア抵抗上昇等による配線の性能劣化、信頼性劣化を抑制できる。さらに、上記のようにＨ２Ｏガスの発生が抑制されるため、層間絶縁膜にダメージが存在してＨ２Ｏガスの発生が多い場合と比べて、層間絶縁膜とバリアメタルとの間の絶縁膜の膜厚を薄くすることができる。これは、特にビア直径が小さくなるほど、ビアでの抵抗上昇を抑制する効果、配線の性能劣化を抑制する効果が顕著になり、有効である。
【００１６】
以下に、いくつかの実施形態を例に、本発明を詳細に説明する。
【００１７】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態による半導体装置の断面構造の一例を図１に示す。本実施形態の半導体装置は、半導体基板１０の上方に形成された第２の層間絶縁膜２１０に配線用溝及ビアホールを形成した際に、加工された第２の層間絶縁膜２１０の表面に導入されたダメージ層を有機材料を用いて回復させて回復層２１０Ｒにした後で、第２の絶縁膜２１５、第２のバリアメタル２２０を介してビアプラグ２２５及び第２の配線２３０を形成したものである。
【００１８】
本実施形態の製造工程を、図２及び図３に示した工程断面図を用いて説明する。図２以降では、半導体基板を省略して、本発明に直接関係する配線層のみを図示する。
【００１９】
（１）まず、半導体基板（図示せず）に素子分離（図示せず）及びＭＯＳＦＥＴ（図示せず）を形成する。図２（ａ）を参照して、図示されていないＭＯＳＦＥＴ上の全面に第１の絶縁膜１１０を堆積し、その表面を、例えば、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）により平坦化する。第１の絶縁膜１１０は、比誘電率が２．５以下の低誘電率絶縁膜であることが好ましく、例えば、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨなどシロキサンを含むメチルシロキサン膜等の有機シリコン膜、ポリアリレンエーテル等の有機膜、若しくはこれらを多孔質にしたポーラス膜を使用することができる。第１の絶縁膜１１０中に第１の配線溝１３０ｔを形成して、第１の配線溝１３０ｔの内壁に第１のバリアメタル１２０を形成する。第１のバリアメタル１２０は、配線材料が外へ拡散することを防止するためのものであり、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）を使用することができる。さらに、第１の配線溝１３０ｔ内に図示していないシード層（銅：Ｃｕ）を介してＣｕを、例えば、電解メッキにより堆積して、第１の配線１３０を形成する。配線用金属としてＣｕの他に、例えば、Ｃｕ合金のような、低抵抗金属を使用することができる。第１の配線１３０上を含む第１の絶縁膜１１０上の全面に第１の拡散防止膜２０５を形成する。第１の拡散防止膜２０５としては、Ｃｕの拡散を防止する能力がある、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を使用することができる。
【００２０】
このようにして、図２（ａ）に示したように、第１の絶縁膜１１０中に第１の配線１３０を形成できる。
【００２１】
（２）次に、図２（ｂ）を参照して、第１の拡散防止膜２０５上の全面に第２の層間絶縁膜２１０を堆積する。第２の層間絶縁膜２１０は、第１の絶縁膜１１０と同様に、比誘電率が２．５以下の低誘電率絶縁膜であることが好ましい。第２の層間絶縁膜２１０中に、リソグラフィ及びエッチングによりデュアルダマシン配線用のビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔを形成する。このエッチング時のプラズマ、及びレジスト除去アッシング時のプラズマ等により、加工されたビアホール２２５ｈの表面及び第２の配線溝２３０ｔの表面の第２の層間絶縁膜２１０中にダメージが導入される。ダメージは、例えば、第２の層間絶縁膜２１０にメチルシロキサン膜を使用した場合に、絶縁膜の加工表面近傍のメチル基が離脱して、炭素濃度が低下したり、絶縁膜の構成元素の結合が切断されることを指す。このように、膜中の炭素濃度が低下したり膜密度が低下したりするダメージ層２１０Ｄが、第２の層間絶縁膜２１０表面近傍に生じる。このダメージ層２１０Ｄには、水分あるいは雰囲気ガスが、吸着し易くなる。
【００２２】
（３）次に、図２（ｃ）に示したように、ビアホール底にある第１の配線１３０上の第１の拡散防止膜２０５を除去するが、その前に、第２の層間絶縁膜２１０のダメージを回復させる。すなわち、有機材料をエッチング加工表面に液相あるいは気相で供給し、加熱して反応させて加工表面近傍の第２の層間絶縁膜２１０中のダメージ層２１０Ｄに炭素を供給する。具体的には、エッチング加工表面を有機材料、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を含む雰囲気中で１５０℃から３５０℃の温度で加熱する。このようにして、表面の炭素濃度又は膜密度が、バルクの値と同等若しくはそれ以上の回復層２１０Ｒに変えることができる。回復層２１０Ｒ表面近傍の炭素濃度は、例えば、表面から１５ｎｍの位置で５ａｔｍ％以上である。
【００２３】
（４）次に、図３（ａ）に示したように、ダメージ回復を行ったビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔ表面を含む全面に第２の絶縁膜２１５を、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）で形成する。第２の絶縁膜２１５は、後でこの上に形成する第２のバリアメタル２２０へ第２の層間絶縁膜２１０から水分あるいは酸素の拡散を防止する機能を有する膜である。さらに、第２の絶縁膜２１５は、表面が凸凹な多孔質の第２の層間絶縁膜２１０を平滑化し、この後で形成するバリアメタルの密着性を高める効果も有する。第２の絶縁膜２１５も、比誘電率が低い膜であることが好ましい。例えば、有機系のＳｉＣやＳｉＣＮなどの少なくとも炭素若しくは窒素のいずれか１つの元素を含む絶縁膜を用いることができる。また、膜密度が高くなると比誘電率も大きくなることから、２ｇ／ｃｍ３以下の膜密度の低誘電率絶縁膜を使用することができる。この絶縁膜が、比誘電率が比較的小さく、水分を透過しにくい性質を有する。上記ような低誘電率絶縁膜を使用することで、配線間容量の増加を抑制できると同時に、本発明の効果を達成することができる。
【００２４】
この第２の絶縁膜２１５の膜厚は、後で詳しく説明するように、ビアの抵抗上昇率が、２０％以下になるような膜厚とすることで、抵抗上昇に起因する半導体装置の特性劣化を抑制することができる。ここで、抵抗上昇率は、第２の絶縁膜２１５を形成しないでビアホール２２５ｈの全体を配線用金属で埋め込んだ場合のビア抵抗値に対して、第２の絶縁膜２１５を形成してから配線金属を埋め込んだ場合のビア抵抗値の上昇率である。
【００２５】
（５）次に、図３（ｂ）に示したように、ビアホール２２５ｈの底面の第２の絶縁膜２１５及び第１の拡散防止膜２０５を異方性エッチングにより除去して、第１の配線１３０を露出させる。この時、第２の配線溝２３０ｔの底面及び第２の層間絶縁膜２１０表面に堆積した第２の絶縁膜２１５も同時に除去される。この露出した第２の層間絶縁膜２１０の表面にもダメージが導入されるが、第２の絶縁膜２１５及び第１の拡散防止膜２０５の膜厚が薄いため、導入されるダメージの量も少ない。一方で、ダメージの影響が最も懸念されるビアプラグ２２５の側面は、第２の絶縁膜２１５で覆われているため、このエッチングによりダメージが導入されることはない。
【００２６】
（６）次に、図３（ｃ）に示したように、第２の配線２３０を形成する。上記の工程（１）で説明した第１の配線１３０の形成と同様に、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔ内を含む全面に、第２のバリアメタル２２０を形成し、図示していないＣｕシード層を介して、例えば、電解メッキによりＣｕを堆積する。その後、表面の第２のバリアメタル２２０及びＣｕを、例えば、ＣＭＰにより除去すると同時に平坦化して、ビアプラグ２２５及び第２の配線２３０を形成する。
【００２７】
さらに、上記の配線形成工程を繰り返して所望の多層配線を形成し、半導体装置に必要な工程を行って、ビアを含む配線の信頼性を向上した半導体装置を完成する。
【００２８】
本実施形態は、上記の実施形態に限定されることなく、種々の変形をして実施することができる。例えば、層間絶縁膜を２層に分けて、ビアを形成する層と配線を形成する層とにおいて異なる材料を使用することができる。
【００２９】
本実施形態においてビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔを形成するプロセスは、種々の加工プロセス手法を用いることができる。例えば、ビアホール部分を先に加工するプロセス、ハードマスクを利用して配線溝部分とビアホール部分をほぼ同時に形成するハードマスクプロセスなどを利用できる。このように、本実施形態は、加工プロセスの種類に依存することなく適用することができる。
【００３０】
上記に説明してきたように、本実施形態によれば、低誘電率層間絶縁膜に導入されたエッチングによるダメージを回復させて、このダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００３１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態は、ビアホール２２５ｈ底部の第１の配線１３０上の第１の拡散防止膜２０５を除去した後で、第２の層間絶縁膜２１０のエッチングにより導入されたダメージを回復させることによって、ビア及び配線の信頼性を向上させた半導体装置である。本実施形態によれば、第２の配線溝２３０ｔ底部に導入されるダメージを、第１の実施形態よりも低減できる。
【００３２】
本実施形態の製造工程を、図４に示した工程断面図を用いて説明する。
【００３３】
図４（ａ）を参照して、第１の絶縁膜１１０中に第１の配線１３０を形成し、その表面に第１の拡散防止膜２０５、第２の層間絶縁膜２１０を形成し、第２の層間絶縁膜２１０にビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔを形成する。そして、ビアホール２２５ｈ底部の第１の拡散防止膜２０５を選択的にエッチングして、第１の配線１３０表面を露出させる。これらのエッチングにより、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔの表面近傍の第２の層間絶縁膜２１０には、ダメージが導入されてダメージ層２１０Ｄが形成される。ダメージ層２１０Ｄでは、その炭素濃度又は膜密度が、バルクの値よりも小さくなっている。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示したように、上記のダメージ層２１０Ｄのダメージ回復処理を行う。ダメージ回復処理は、第１の実施形態の工程（３）と同様に、有機材料をエッチング加工表面に液相あるいは気相で供給し、加熱して反応させて加工表面近傍の第２の層間絶縁膜２１０中のダメージ層２１０Ｄに炭素を供給する。これにより、第２の層間絶縁膜２１０表面近傍のダメージ層２１０Ｄを、その炭素濃度又は膜密度が、バルクの値と同等若しくはそれ以上の回復層２１０Ｒに変えることができる。
【００３５】
その後、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔの内面を含む全面に、第２の絶縁膜２１５、例えば、有機系のＳｉＣやＳｉＣＮなどの少なくとも炭素若しくは窒素のいずれか１つの元素を含む絶縁膜を形成する。第２の絶縁膜２１５は、水分、酸素等が、第２の層間絶縁膜２１０からバリアメタル及び配線に拡散することを防止する機能を有する。
【００３６】
そして、ビアホール２２５ｈ底部に形成された第２の絶縁膜２１５を異方性エッチングにより除去し、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔの内面を第２のバリアメタル２２０で覆う。その後、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔを配線金属で埋めて、表面を平坦化し、ビアプラグ２２５及び第２の配線２３０を形成する。そして、第２の配線２３０表面を含む第２の層間絶縁膜２１０の全面に第２の拡散防止膜３０５を形成すると、図４（ｃ）に示した構造が完成する。
【００３７】
さらに、上記の配線形成工程を繰り返して所望の多層配線を形成し、半導体装置に必要な工程を行って、ビアを含む配線の信頼性を向上した半導体装置を完成する。
【００３８】
本実施形態は、第１の実施形態と比較して、ビアホール２２５ｈ底のエッチングを第２の拡散防止膜２０５のエッチングと第２の絶縁膜２１５のエッチングの２回に分けて行うため工程数が増加する。しかし、ダメージ層２１０Ｄを回復させた後の工程で、第２の配線溝２３０ｔの底部の第２の層間絶縁膜２１０に加わるプラズマダメージは、第２の絶縁膜２１５をエッチングする時間分のみに減少できる。そのため、第１の実施形態よりも第２の層間絶縁膜２１０のダメージを低減でき、ここに吸着する水分等を減少させることができ、第２の層間絶縁膜２１０からのアウトガスを減少できるという特徴がある。
【００３９】
上記に説明してきたように、本実施形態によれば、低誘電率層間絶縁膜に導入されたエッチングによるダメージを回復させて、このダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００４０】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態は、配線の信頼性劣化で最も問題になる部分の一つであるビアホール部のダメージ回復を行った半導体装置及びその製造方法である。すなわち、低誘電率層間絶縁膜中に初めにビアホールのみを形成し、ビアホール周囲の層間絶縁膜中に導入されたダメージ層を回復させた後で、配線溝を形成するものである。
【００４１】
本実施形態の製造工程を、図５及び図６に示した工程断面図を用いて説明する。
【００４２】
（１）図５（ａ）は、第１の絶縁膜１１０中に第１の配線１３０を形成し、その表面に第１の拡散防止膜２０５、第２の層間絶縁膜２１０を形成し、第２の層間絶縁膜２１０中にビアホール２２５ｈをリソグラフィ及びエッチングにより形成した図である。このエッチングにより、ビアホール２２５ｈの表面近傍の第２の層間絶縁膜２１０には、ダメージが導入されてダメージ層２１０Ｄが形成される。ダメージ層２１０Ｄでは、その炭素濃度又は膜密度が、バルクの値よりも小さくなっている。
【００４３】
（２）次に、図５（ｂ）に示したように、上記のダメージ層２１０Ｄのダメージ回復処理を行う。ダメージ回復処理は、第１の実施形態の工程（３）と同様に、有機材料をエッチング加工表面に液相あるいは気相で供給し、加熱して反応させることにより、加工表面近傍の第２の層間絶縁膜２１０中のダメージ層２１０Ｄに炭素を供給する。これにより、第２の層間絶縁膜２１０表面近傍のダメージ層２１０Ｄを、その炭素濃度又は膜密度が、バルクの値と同等若しくはそれ以上の回復層２１０Ｒに変えることができる。
【００４４】
（３）次に、図６（ａ）に示したように、ビアホール２２５ｈの内面を含む全面に、第２の絶縁膜２１５、例えば、有機系のＳｉＣやＳｉＣＮなどの少なくとも炭素若しくは窒素のいずれか１つの元素を含む絶縁膜をＣＶＤにより形成する。第２の絶縁膜２１５は、水分、酸素等が、第２の層間絶縁膜２１０からバリアメタル及び配線に拡散することを防止する機能を有する。
【００４５】
さらに、ビアホール２２５ｈ内を有機系絶縁膜２２８、例えば、レジストで埋める。そして、第２の層間絶縁膜２１０中に第２の配線溝２３０ｔをリソグラフィ及びエッチングにより形成する。このエッチング時に、ビアホール２２５ｈ表面は、有機系絶縁膜２２８と第２の絶縁膜２１５により覆われているためダメージが導入されない。
【００４６】
有機系絶縁膜２２８を除去後、第１の実施形態の工程（５）以降を同様に行って、図６（ｂ）に示した配線構造を完成する。すなわち、ビアホール２２５ｈの底面の第２の絶縁膜２１５及び第１の拡散防止膜２０５を異方性エッチングにより除去し、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔ内に第２のバリアメタル２２０及び配線材料（Ｃｕ）を形成して、図６（ｂ）の配線構造を完成する。
【００４７】
本実施形態では、第２の絶縁膜２１５は、ビアプラグ２２５の側面にのみ残っている。
【００４８】
さらに、上記の配線形成工程を繰り返して所望の多層配線を形成し、半導体装置に必要な工程を行って、ビアを含む配線の信頼性を向上した半導体装置を完成する。
【００４９】
本実施形態では、ビアホール２２５ｈの側面の第２の層間絶縁膜２１０は、ダメージ回復を行った回復層２１０Ｒであるが、第２の配線溝２３０ｔの側面及び底面は、ダメージ回復が行われていない。
【００５０】
本実施形態では、ビアホール２２５ｈ表面近傍のダメージ層２１０Ｄを回復させた後で、ビアホール２２５ｈ底面の第１の拡散防止膜２０５を除去している。しかし、第２の実施形態と同様に、ビアホール２２５ｈ底面の第１の拡散防止膜２０５を先に除去してから、ダメージ回復処理を行うように変形することができる。
【００５１】
上記に説明してきたように、本実施形態によれば、低誘電率層間絶縁膜のエッチングによるダメージを回復させて、低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００５２】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態は、第３の実施形態と同様に配線の信頼性劣化で最も問題になる部分の一つであるビアホール部のダメージ回復を行った半導体装置及びその製造方法であるが、配線溝を形成した後で、水分の拡散を防止する機能を有する第２の絶縁膜を形成する。
【００５３】
本実施形態の製造工程を、図７及び図８に示した工程断面図を用いて説明する。
【００５４】
（１）図７（ａ）は、第１の絶縁膜１１０中に第１の配線１３０を形成し、その表面に第１の拡散防止膜２０５、第２の層間絶縁膜２１０を形成し、第２の層間絶縁膜２１０中にビアホール２２５ｈをリソグラフィ及びエッチングにより形成し、このエッチングにより、ビアホール２２５ｈの表面近傍に導入されたダメージ層２１０Ｄのダメージ回復処理を行った図であり、図５（ｂ）と同様である。ダメージ回復処理は、第１の実施形態の工程（３）と同様に、有機材料をエッチング加工表面に液相あるいは気相で供給し、加熱して反応させて加工表面近傍の第２の層間絶縁膜２１０中のダメージ層２１０Ｄに炭素を供給する。これにより、第２の層間絶縁膜２１０表面近傍のダメージ層２１０Ｄを、その炭素濃度又は膜密度が、バルクの値と同等若しくはそれ以上の回復層２１０Ｒに変えることができる。
【００５５】
（２）次に、図７（ｂ）に示したように、第２の配線溝２３０ｔを形成する。すなわち、ビアホール２２５ｈ内を有機系絶縁膜２２８、例えば、レジストで埋める。そして、第２の層間絶縁膜２１０中に第２の配線溝２３０ｔをリソグラフィ及びエッチングにより形成する。このエッチング時に、ビアホール２２５ｈ内部は、有機系絶縁膜２２８で埋められているためダメージが導入されない。
【００５６】
（３）次に、ビアホール２２５ｈ内部の有機系絶縁膜２２８を除去し、図８（ａ）に示したように、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔの内面を含む全面に、第２の絶縁膜２１５を形成する。第２の絶縁膜２１５は、例えば、ＣＶＤにより形成した有機系のＳｉＣやＳｉＣＮなどの少なくとも炭素若しくは窒素のいずれか１つの元素を含む絶縁膜である。第２の絶縁膜２１５は、水分、酸素等が、第２の層間絶縁膜２１０からバリアメタル及び配線に拡散することを防止する機能を有する。
【００５７】
その後、第１の実施形態の工程（５）以降を同様に行って、図８（ｂ）に示した配線構造を完成する。すなわち、ビアホール２２５ｈの底面の第２の絶縁膜２１５及び第１の拡散防止膜２０５を異方性エッチングにより除去し、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔ内に第２のバリアメタル２２０及び配線材料（Ｃｕ）を形成して、図８（ｂ）の配線構造を完成する。
【００５８】
さらに、上記の配線形成工程を繰り返して所望の多層配線を形成し、半導体装置に必要な工程を行って、ビアを含む配線の信頼性を向上した半導体装置を完成する。
【００５９】
本実施形態では、第３の実施形態と同様に、ビアホール２２５ｈの側面の第２の層間絶縁膜２１０は、ダメージ回復を行った回復層２１０Ｒであるが、第２の配線溝２３０ｔの側面及び底面は、ダメージ回復が行われていない。
【００６０】
本実施形態では、ビアホール２２５ｈ表面近傍のダメージ層２１０Ｄを回復させた後で、ビアホール２２５ｈ底面の第２の拡散防止膜３０５を除去している。しかし、第２の実施形態と同様に、ビアホール２２５ｈ底面の第２の拡散防止膜３０５を先に除去してから、ダメージ回復処理を行うように変形することができる。
【００６１】
上記に説明してきたように、本実施形態によれば、低誘電率層間絶縁膜のエッチングによるダメージを回復させて、低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００６２】
本発明は、上記の実施形態に限定されることなく種々の変形をして実施することができる。そのいくつかの例を下記に示す。
【００６３】
（第１の変形例）
上記の実施形態は、いずれも配線上を含む配線を形成した絶縁膜上の全面に拡散防止膜を形成した構造を例に、説明してきた。本発明は、配線金属の上面にだけ拡散防止膜を形成した、いわゆる、キャップメタル若しくはトップバリアメタルと呼ばれる構造（以下、キャップメタル構造と呼ぶ）にも適用することができる。
【００６４】
本発明の第１の変形例は、第１から第４の実施形態を含む下層配線の絶縁膜上の全面に拡散防止膜を形成した種々の構造に対して変形することができる。その一例として、第１の実施形態を変形した例を、図９に示す。図９は、本変形例による半導体装置の配線構造を説明するための断面図である。
【００６５】
本変形例の構造は、図１に示した第１の実施形態の配線構造から、第１の絶縁膜１１０上の第１の拡散防止膜２０５と第２の層間絶縁膜２１０上の第２の拡散防止膜３０５を削除して、金属配線上だけに、第１のキャップメタル１３５と第２のキャップメタル２３５を、それぞれ形成した構造である。キャップメタルとして、バリアメタルと同様のＴａ，ＴａＮ、ＴｉＮを使用できる。その他に、例えば、高融点金属であるコバルトタングステン（ＣｏＷ）をその組成として含む膜が、例えば、選択メッキ法によりＣｕ配線上に選択的に形成できるため好ましい。ＣｏＷを含む高融点金属膜として、例えば、ホウ化コバルトタングステン（ＣｏＷＢ）若しくはリン化コバルトタングステン（ＣｏＷＰ）を使用することができる。キャップメタル１３５，２３５は、導電性を有するためビアホール２２５ｈの底部から除去する必要がない。したがって、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔ表面近傍の第２の層間絶縁膜２１０のダメージ層２１０Ｄを回復させた後で、バリアメタル及び配線金属を堆積する前に、ビアホール２２５ｈ底部の第２の絶縁膜２１５のみを除去するだけでよい。したがって、第２の配線溝２３０ｔ底部に与えられるダメージを、第１の実施形態よりも低減することができる。その結果、層間絶縁膜に吸着される水分等の量を減らすことができ、配線を形成した後の熱処理により若しくは半導体装置の動作中の温度上昇により層間絶縁膜から離脱するガスの量を低減できる。
【００６６】
すなわち、本変形例によれば、低誘電率層間絶縁膜のエッチングによるダメージを回復させて、低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００６７】
（第２の変形例）
上記の実施形態及び変形例は、層間絶縁膜中に形成したビアホールと配線溝に同時にバリアメタル及び金属を埋め込んだデュアルダマシン構造を例に説明してきた。しかし、本発明は、ビアホールと配線溝にそれぞれ別のプロセスで個々にバリアメタル及び金属を埋め込むシングルダマシン構造に対しても適用することができる。
【００６８】
第２の変形例のシングルダマシン構造の半導体装置に本発明を適用した例を、図１０に示す。図１０は、本変形例による半導体装置の配線構造を説明するための断面図である。
【００６９】
本変形例では、ビアホール２２５ｈ及び第２の配線溝２３０ｔをそれぞれ形成した後で、それぞれダメージ回復処理を行うことができる。ダメージ回復後、加工表面は、水分の拡散を防止する第２の絶縁膜２１５Ｖ，２１５Ｗにより覆われるため、その後にビアホール２２５ｈの側面及び第２の配線溝２３０ｔの側面並びに底面に与えられるダメージを低減することができる。その結果、層間絶縁膜に吸着される水分等の量を減らすことができ、配線を形成した後の熱処理により若しくは半導体装置の動作中の温度上昇により層間絶縁膜から離脱するガスの量を低減できる。
【００７０】
本発明によれば、ダメージ回復処理を行うことで、低誘電率層間絶縁膜２１０のダメージ層２１０Ｄ中の炭素濃度をバルク値と同等若しくはそれ以上に高くすることで、低誘電率層間絶縁膜２１０の表面近傍を、吸湿サイトのない回復層２１０Ｒに改質できる。その結果、低誘電率層間絶縁膜２１０の吸湿性を小さくすることができる。さらに、低誘電率層間絶縁膜２１０とバリアメタル２２０との間に絶縁膜２１５が挿入されているため、Ｈ２Ｏガスが層間絶縁膜２１０からバリアメタル２２０へ拡散することを抑制できる。したがって、バリアメタル２２０の酸化が低減され、ビアを含む配線の性能、信頼性の劣化が抑制される。
【００７１】
さらに、ダメージ回復処理を行わずに層間絶縁膜２１０にダメージ層２１０Ｄが存在してガスの発生が多い場合と比べて、層間絶縁膜２１０とバリアメタル２２０との間の水分拡散防止絶縁膜２１５の膜厚を薄くすることができる。その結果、ビア部の抵抗上昇を抑制でき、微細化に適した配線構造を提供できる。
【００７２】
図１１は、水分拡散防止絶縁膜厚とビアの抵抗上昇率との関係を、ビアホール径の関数として表した図である。図の横軸は、ビアホール径を示し、縦軸は、ビアの抵抗上昇率を示す。ビアの抵抗上昇率は、同じビアホール径に対して、水分拡散防止絶縁膜を形成しない場合のビア抵抗に対する水分拡散防止絶縁膜を形成した場合のビア抵抗の上昇率である。図中、水分拡散防止絶縁膜の厚さが、２ｎｍの場合を丸印で、３ｎｍを四角印で、５ｎｍを三角印でそれぞれ表している。ビアホール径が小さくなるほど、絶縁膜厚さの抵抗上昇に対する影響が大きくなる。許容できるビアの抵抗上昇率は、２０％であるため、ビアホール径が７０ｎｍの場合には、許容される水分拡散防止絶縁膜の厚さは、３ｎｍ以下である。ビアホール径が５０ｎｍになると、許容される絶縁膜の厚さは、さらに薄くなり、２ｎｍ以下になる。
【００７３】
水分拡散防止絶縁膜は、水分を通さないことと同時に、層間絶縁膜の一部になるため比誘電率が低いことが要求される。一般に、膜密度の高い絶縁膜の方が、水分の拡散防止効果が大きい。しかし、膜密度が高くなると比誘電率も高くなるため、ＳｉＯ２膜よりも膜密度を低くできる炭素、窒素を含み、水分の拡散防止効果の大きい絶縁膜（膜密度２ｇ／ｃｃ以下）、例えば、ＳｉＣ，ＳｉＣＮ、を使用することが好ましい。これを使用することにより、比誘電率を小さくでき、配線間容量の増加を抑制しつつ本発明の効果を享受できる。
【００７４】
さらに他の効果として、水分拡散防止絶縁膜でビアホール及び配線溝の表面を覆うことで、多孔質層間絶縁膜の表面が平滑化される。これによって、水分拡散防止絶縁膜の表面に形成されるバリアメタルの密着性を向上させることができる。
【００７５】
比誘電率が２．５以下の低誘電率層間絶縁膜として、一般的に、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨなどシロキサンを含む材料や有機ポリマー材料が、使用されている。シロキサン系の低誘電率絶縁膜は、エッチング等の加工時にダメージが入り易い性質がある。有機ポリマー系材料は、低誘電率であり膜密度が低いが、多孔質で空孔率が大きい。このような低誘電率絶縁膜を層間絶縁膜として用いる場合に、本発明の有効性が顕著になる。
【００７６】
以上説明してきたように、本発明によれば、低誘電率層間絶縁膜のエッチングによるダメージを回復させて、低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【００７７】
本発明は、上記の実施形態、変形例に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形を行って実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態にしたがった半導体装置の一例を説明するために示す断面図である。
【図２】図２（ａ）から（ｃ）は、本発明の第１の実施形態にしたがった半導体装置の製造工程の一例を説明するために示す工程断面図である。
【図３】図３（ａ）から（ｃ）は、図２に続く本発明の第１の実施形態にしたがった半導体装置の製造工程の一例を説明するために示す工程断面図である。
【図４】図４（ａ）から（ｃ）は、本発明の第２の実施形態にしたがった半導体装置の製造工程の一例を説明するために示す工程断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３の実施形態にしたがった半導体装置の製造工程の一例を説明するために示す工程断面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、図５に続く本発明の第３の実施形態にしたがった半導体装置の製造工程の一例を説明するために示す工程断面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第４の実施形態にしたがった半導体装置の製造工程の一例を説明するために示す工程断面図である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、図７に続く本発明の第４の実施形態にしたがった半導体装置の製造工程の一例を説明するために示す工程断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の変形例にしたがった半導体装置の一例を説明するために示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の変形例にしたがった半導体装置の一例を説明するために示す断面図である。
【図１１】図１１は、水分拡散防止絶縁膜厚とビアの抵抗上昇率との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０…半導体基板，１１０…第１の絶縁膜，１２０…第１のバリアメタル，１３０…第１の配線，１３５…第１のキャップメタル，２０５…第１の拡散防止膜，２１０…第２の層間絶縁膜，２１０Ｄ…ダメージ層，２１０Ｒ…回復層，２１５…第２の絶縁膜，２２０…第２のバリアメタル，２２５…ビアプラグ，２２５ｈ…ビアホール，２３０…第２の配線，２３０ｔ…第２の配線溝，２３５…第２のキャップメタル，３０５…第２の拡散防止膜，２２８…有機系絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006324414.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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