(57)【要約】【課題】  被加工物を搬入した後にプラズマ処理室を短時間で減圧することができるプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】  ハウジング内に配設され上面に被加工物を保持する被加工物保持テーブルを備えた下部電極ユニットと、下部電極ユニットの被加工物保持テーブルと対向して配設された上部電極ユニットと、ハウジングに形成された被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲートと、ハウジング内を減圧する減圧手段とを具備するプラズマエッチング装置であって、ハウジング内は中央部に挿通開口を有する仕切り壁によってプラズマ処理室と被加工物搬入搬出室とに区画され、被加工物搬入搬出用開口が被加工物搬入搬出室に開口されており、下部電極ユニットは被加工物搬入搬出室に配設され、上部電極ユニットはプラズマ処理室に配設されており、下部電極ユニットは、被加工物保持テーブルを被加工物搬入搬出位置とプラズマ処理位置に位置付ける作動手段を備えており、仕切り壁に設けられた挿通開口を開閉するシャッター手段を具備している。【選択図】        図１
2006324367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、ハウジング内に配設され上面に被加工物を保持する被加工物保持テーブルを備えた下部電極ユニットと、該下部電極ユニットの該被加工物保持テーブルと対向して配設され該被加工物保持テーブルに向けてプラズマ発生用ガスを噴出する噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極ユニットと、該ハウジングに形成された被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲートと、該ハウジング内を減圧する減圧手段と、を具備するプラズマエッチング装置において、
該ハウジング内は中央部に挿通開口を有する仕切り壁によってプラズマ処理室と被加工物搬入搬出室とに区画され、該被加工物搬入搬出用開口が該被加工物搬入搬出室に開口されており、
該下部電極ユニットは該被加工物搬入搬出室に配設され、該上部電極ユニットは該プラズマ処理室に配設されており、
該下部電極ユニットは、被加工物保持テーブルを被加工物搬入搬出室内の被加工物搬入搬出位置と該仕切り壁の挿通開口を通してプラズマ処理室に侵入するプラズマ処理位置に位置付ける作動手段を備えており、
該仕切り壁に設けられた該挿通開口を開閉するシャッター手段を具備している、
ことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
該被加工物保持テーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持部と、該保持部の該保持面より下方に保持部を囲繞して形成された閉止部を具備しており、該プラズマ処理位置に位置付けられると該閉止部が該仕切り壁に当接して該挿通開口を閉止する、請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
該仕切り壁の下面または該閉止部の上面には、該挿通開口を囲繞するシールリングが配設されている、請求項２記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物の表面または裏面にプラズマ処理によるドライエッチング処理をするためのプラズマエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等の光デバイスが積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、切削ブレードを回転しつつ被加工物を保持したチャックテーブルを加工送りすることにより，ウエーハを分割予定ラインに沿って切断する。
【０００４】
上述した切削装置の切削ブレードによってウエーハを切断すると、分割された個々のチップの外周に細かな欠けが生じやすく、チップの抗折強度を低下させる原因となっている。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面にレジスト膜を被覆し、このレジスト膜を分割予定ラインに沿って切削装置により除去した後、ウエーハをレジスト膜側から分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００１−１２７０１１号公報
【０００５】
上述したエッチング処理を施すプラズマエッチング装置が、例えば特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２４７４５４号公報
【０００６】
上記特開２００４−２４７４５４号公報に開示されたプラズマエッチング装置は、プラズマ処理室を形成するハウジングと、プラズマ処理室に配設され上面に被加工物を保持する被加工物保持部を備えた下部電極と、該下部電極の該被加工物保持部と対向して配設され該被加工物保持部に向けてプラズマ発生用ガスを噴出する複数の噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極と、上記ハウジングに形成された被加工物搬入搬出用の開口を開閉するゲートとを具備している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、上述したプラズマエッチング装置は、被加工物を下部電極の被加工物保持部に搬入する際にゲートを開けるため、プラズマ処理室は大気圧となる。一方、下部電極の被加工物保持部に保持された被加工物にプラズマエッチングを施すにはプラズマ処理室を減圧する必要があり、特に、被加工物に微細加工を施すにはプラズマ処理室を１Pa以下に減圧する。しかるに、被加工物を搬入する際に大気圧となったプラズマ処理室を１Pa以下に減圧するには相当に時間を要し、生産性が悪いという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、被加工物を搬入した後にプラズマ処理室を短時間で減圧することができるプラズマエッチング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、ハウジングと、ハウジング内に配設され上面に被加工物を保持する被加工物保持テーブルを備えた下部電極ユニットと、該下部電極ユニットの該被加工物保持テーブルと対向して配設され該被加工物保持テーブルに向けてプラズマ発生用ガスを噴出する噴出口を有するガス噴出部を備えた上部電極ユニットと、該ハウジングに形成された被加工物搬入搬出用開口を開閉するゲートと、該ハウジング内を減圧する減圧手段と、を具備するプラズマエッチング装置において、
該ハウジング内は中央部に挿通開口を有する仕切り壁によってプラズマ処理室と被加工物搬入搬出室とに区画され、該被加工物搬入搬出用開口が該被加工物搬入搬出室に開口されており、
該下部電極ユニットは該被加工物搬入搬出室に配設され、該上部電極ユニットは該プラズマ処理室に配設されており、
該下部電極ユニットは、被加工物保持テーブルを被加工物搬入搬出室内の被加工物搬入搬出位置と該仕切り壁の挿通開口を通してプラズマ処理室に侵入するプラズマ処理位置に位置付ける作動手段を備えており、
該仕切り壁に設けられた該挿通開口を開閉するシャッター手段を具備している、
ことを特徴とするプラズマエッチング装置が提供される。
【００１０】
上記被加工物保持テーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持部と、該保持部の保持面より下方に保持部を囲繞して形成された閉止部を具備しており、上記プラズマ処理位置に位置付けられると閉止部が上記仕切り壁に当接して上記挿通開口を閉止する。上記仕切り壁の下面または閉止部の上面には、挿通開口を囲繞するシールリングが配設されていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ハウジング内は中央部に挿通開口を有する仕切り壁によってプラズマ処理室と被加工物搬入搬出室とに区画され、ゲートを作動し被加工物搬入搬出用開口を明けて被加工物搬入搬出室に配設された下部電極ユニットの被加工物保持テーブルに被加工物を搬入搬出する際には、仕切り壁に設けられた挿通開口をシャッター手段によって閉止しているので、プラズマ処理室は減圧された状態に維持されている。従って、被加工物保持テーブルに被加工物を保持した後に、ゲートを作動し被加工物搬入搬出用開口を閉止してシャッター手段を開放することによりプラズマ処理室と被加工物搬入搬出室が連通し、プラズマ処理室の圧力が上昇するが、プラズマ処理室の減圧に要する時間は被加工物搬入搬出室分を減圧する時間でよいので短時間となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明によって構成されたプラズマエッチング装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明によって構成されたプラズマエッチング装置の断面図、図２は図１におけるA−A断面図、図３は図１に示すプラズマエッチング装置のプラズマプエッチング処理状態を示す断面図、図４は図３におけるB−B断面図である。
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は、図１に示すように直方体状のハウジング２を具備している。このハウジング２内は、仕切り壁３によって上下に仕切られ、被加工物搬入搬出室２aとプラズマ処理室２bに区画されている。なお、仕切り壁３の中央部には円形の挿通開口３１が形成されており、仕切り壁３の下面には挿通開口３１を囲繞してシールリング３２が装着されている。ハウジング２の側壁２１には、被加工物搬入搬出室２aに開口する被加工物搬入搬出用開口２１１が形成されている。被加工物搬入搬出用開口２１１の外側には、被加工物搬入搬出用開口２１１を開閉するためのゲート４が上下方向に移動可能に配設されている。このゲート４は、ゲート作動手段４１によって作動せしめられる。ゲート作動手段４１は、エアシリンダ４１１と該エアシリンダ４１１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド４１２とからなっており、エアシリンダ４１１が上記ハウジング２の側壁２１に取り付けられ、ピストンロッド４１２の先端（図において上端）が上記ゲート４に連結されている。このゲート作動手段４１によってゲート４が開けられることにより、被加工物搬入搬出用開口２１１を通して被加工物を被加工物搬入搬出室２aに搬出入することができる。
【００１４】
上記被加工物搬入搬出室２aには、下部電極ユニット５が配設されている。下部電極ユニット５は、導電性の材料によって形成されており、円形状の被加工物保持テーブル５１と、該被加工物保持テーブル５１の下側に突出して設けられた円柱状の支持部５２と、該支持部５２の下端に連結された下部電極作動手段５３とを具備している。被加工物保持テーブル５１は、上面が被加工物を保持する保持面として機能する保持部５１１と、該保持部５１１の保持面（上面）より下方に形成された閉止部５１２とからなっている。被加工物保持テーブル５１の保持部５１１は、上記仕切り壁３に形成された挿通開口３１の内径より小さい外径を有している。この保持部５１１は、図示の実施形態においては静電チャックによって構成されており、静電用電源回路５５に接続されている。被加工物保持テーブル５１の閉止部５１２は、保持部５１１を囲繞して形成され上記仕切り壁３の下面に装着されたシールリング３２の外径より大きい外径を有しており、その上面がシールリング３２に選択的に当接することができる。なお、上記仕切り壁３の下面に装着されたシールリング３２は、被加工物保持テーブル５１の閉止部５１２の上面に装着しても良い。支持部５３は、被加工物搬入搬出室２aの底壁２２に形成された穴２２１を挿通して配設され、絶縁体５４を介して底壁２２にシールされた状態で支持されている。なお、支持部５３は、低圧側高周波電源回路５６に接続されている。上記下部電極作動手段５３は、エアシリンダ５３１と該エアシリンダ５３１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド５３２とからなっており、ピストンロッド５３２が支持部５２に連結されている。このように構成された下部電極作動手段５３は、被加工物保持テーブル５１を図１および図２に示す被加工物搬入搬出位置と、図３および図４に示すプラズマ処理位置に作動せしめる。なお、被加工物保持テーブル５１および閉止部５１２が図３および図４に示すプラズマ処理位置に位置付けられると、閉止部５１２の上面が仕切り壁３の下面に装着されたシールリング３２に当接するようになっている。
【００１５】
上記プラズマ処理室２bには、上記下部電極ユニット５と同一軸上に上部電極ユニット６が配設されている。上部電極ユニット６は、導電性の材料によって形成されており、円形状のガス噴出部６１と、該ガス噴出部６１の上面中央部から突出して形成された円柱状の支持部６２とからなっている。このようにガス噴出部６１と円柱状の支持部６２とからなる上部電極ユニット６は、ガス噴出部６１が下部電極ユニット５を構成する被加工物保持テーブル５１と対向して配設され、支持部６２がハウジング２の上壁２３に形成された穴２３１を挿通し、絶縁体６３を介して上壁２３にシールされた状態で支持されている。上部電極ユニット６を構成する円形状のガス噴出部６１には、下面に開口する複数の噴出口６１１が設けられている。この複数の噴出口６１１は、ガス噴出部６１に形成された連通路６１２および支持部６２に形成された連通路６２１を介してガス供給手段６４に連通されている。ガス供給手段６４は、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系ガスとヘリウム（Ｈｅ）を主体とするプラズマ発生用の混合ガスを供給する。なお、支持部６２は、高圧側高周波電源回路６５に接続されている。
【００１６】
上記被加工物搬入搬出室２aおよびプラズマ処理室２bは、それぞれ減圧手段７１に接続されている。減圧手段７１は、図示の実施形態においては真空ポンプ７１１と、該真空ポンプ７１１と被加工物搬入搬出室２aおよびプラズマ処理室２bとをそれぞれ接続する配管７１２および７１３と、該配管７１２および７１３にそれぞれ配設された電磁開閉弁７１４および７１５と、配管７１２に配設されたターボ分子ポンプ７１６とからなっている。また、上記被加工物搬入搬出室２aは、ハウジング２の図１において手前側の側壁（図示せず）においてＡ−Ａ断面線上に設けられた開口を通して、図２および図４に示すようにガス排出手段７２に接続されている。ガス排出手段７２は、図示の実施形態においては送風機７２１と、該送風機７２１と被加工物搬入搬出室２aとを接続する配管７２２と、該配管７２２に配設された電磁開閉弁７２３とからなっている。
【００１７】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は、上記仕切り壁３に設けられた挿通開口３１を開閉するシャッター手段８を具備している。シャッター手段８は、仕切り壁３の上面に図１および図２に示すように挿通開口３１の両側に平行に配設された一対の案内レール８１、８１と、該一対の案内レール８１、８１に沿って摺動可能に配設されたシャッター８２と、該シャッター８２を作動せしめるシャッター作動手段８３とからなっている。一対の案内レール８１、８１は、図２および図４に示すようにハウジング２の後壁２４に形成された開口２４１まで達して配設されている。また、一対の案内レール８１、８１は、開口２４１側の端部（図２において右端部）において連結部８１０によって連結されている。シャッター８２は長方形に形成され、その両側部が上記一対の案内レール８１、８１に嵌合され、後端部（図２および図４において右端部）がハウジング２の後壁２４に形成された開口２４１より外側（図２および図４において右側）に突出して配設されている。シャッター作動手段８３は、エアシリンダ８３１と該エアシリンダ８３１内に配設された図示しないピストンに連結されたピストンロッド８３２とからなっており、ピストンロッド８３２がシャッター８２の図２および図４において右端面に連結されている。このように構成されたシャッター作動手段８３は、シャッター８２を図１および図２に示す閉止位置と、図３および図４に示す開放位置に作動せしめる。
【００１８】
なお、図示の実施形態におけるシャッター手段８においては、図２および図４に示すようにハウジング２の後壁２４に形成された開口２４１部において一対の案内レール８１、８１および連結部８１０の内周面と仕切り壁３の上面にシール８４が装着されている。従って、シャッター８２は、その周囲がシールされた状態で摺動することになる。
【００１９】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は、図１に示すように上記ゲート作動手段４１、下部電極作動手段５３、静電用電源回路５５、高圧側高周波電源回路６５、ガス供給手段６４、減圧手段７１、シャッター作動手段８３、ガス排出手段７２（図２参照）等を制御する制御手段９を具備している。
【００２０】
図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は以上のように構成されており、以下、被加工物としての半導体ウエーハを所定の分割ラインに沿ってプラズマエッチングする例について説明する。
ここで、被加工物としての半導体ウエーハついて、図５を参照して説明する。図５に示す半導体ウエーハ１０は、円板状のシリコンウエーハからなっており、表面１０ａには格子状の分割予定ライン１０１が形成されており、この格子状の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、円板状の保護基板１１に貼着する。このとき、半導体ウエーハ１０は、エッチング面側を上側にして貼着する。図示の実施形態においては、半導体ウエーハ１０の表面１０aを上側にして裏面が保護基板１１に貼着されている。なお、保護基板１１は、エッチングされないセラミックス等によって形成されている。
【００２１】
半導体ウエーハ１０を保護基板１１に貼着したならば、図６に示すように半導体ウエーハ１０のエッチング面（図示の実施形態においては表面１０a）に露光された領域が現像により除去されるポジレジスト膜１２０を被覆する。このレジスト膜１２０の被覆は、例えばスピンコーターによって実施する。このように半導体ウエーハ１０のエッチング面にポジレジスト膜１２０を被覆したならば、ポジレジスト膜１２０における分割予定ライン１０１と対応する領域に格子状の除去領域１２０aを形成する（レジスト膜除去工程）。このレジスト膜除去工程は、分割予定ライン１０１と対応する領域が透過するマスクを備えた露光装置を用いて実施する。
【００２２】
上述した半導体ウエーハ１０を分割予定ライン１０１に沿ってプラズマエッチングする際には、図示の実施形態におけるプラズマエッチング装置は下部電極ユニット５の被加工物保持テーブル５１が図１および図２に示す被加工物搬入搬出位置に位置付けられており、シャッター作動手段８３のシャッター８２が図１および図２に示す閉止位置に位置付けられている。
プラズマエッチングの開始指令により、先ずゲート作動手段４１を作動してゲート４を図１において下方に移動せしめ、ハウジング２の側壁２１に形成された被加工物搬入搬出用の開口２１１を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０を被加工物搬入搬出用開口２１１から被加工物搬入搬出室２aに搬入し、下部電極ユニット５を構成する被加工物保持テーブル５１の保持部５１１上に保護基板１１側を載置する。被加工物保持テーブル５１の保持部５１１上に保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０が載置されたならば、静電用電源回路５５を附勢して被加工物保持テーブル５１に静電電圧を印可し、被加工物保持テーブル５１上に保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０を静電力によって保持する。
【００２３】
上述したように、被加工物保持テーブル５１の保持部５１１上に保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０が保持されたならば、ゲート作動手段４１を作動してゲート４を図１において上方に移動せしめ、ハウジング２の側壁２１に形成された被加工物搬入搬出用開口２１１を閉じる。次に、減圧手段７１の電磁開閉弁７１４および７１５を附勢して開路するとともに、真空ポンプ７１１およびターボ分子ポンプ７１６を作動せしめる。この結果、被加工物搬入搬出室２aは８０Pa程度に減圧され、プラズマ処理室２bはターボ分子ポンプ７１６の作用により１Pa程度まで減圧される。
【００２４】
次に、シャッター手段８のシャッター作動手段８３を作動して、シャッター８２を図２および図３に示す開放位置に位置付ける。そして、下部電極作動手段５３を作動して被加工物保持テーブル５１を図３および図４に示すプラズマ処理位置に位置付ける。この結果、保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０を保持した被加工物保持テーブル５１の保持部５１１がプラズマ処理室２bに侵入するとともに、閉止部５１２の上面が仕切り壁３の下面に装着されたシールリング３２に当接してプラズマ処理室２bと被加工物搬入搬出室２aとの連通を遮断する。なお、シャッター８２を開放位置に位置付けた際にプラズマ処理室２bと被加工物搬入搬出室２aが連通し、プラズマ処理室２bの圧力が上昇するが被加工物搬入搬出室２aも８０Pa程度に減圧されているので、プラズマ処理室２bは８０Paより低い圧力に維持される。従って、プラズマ処理室２bは、閉止部５２の上面が仕切り壁３の下面に装着されたシールリング３２に当接してプラズマ処理室２bと被加工物搬入搬出室２aとの連通を遮断することにより、比較的短時間で１Pa程度まで減圧することができる。
【００２５】
次に、ガス供給手段６４を作動にてフッ素系ガスとヘリウムとの混合ガスをプラズマ発生用ガスとして上部電極ユニット６に供給する。ガス供給手段６４から供給された混合ガスは、支持部６２に形成された連通路６２１およびガス噴出部６１に形成された連通路６１２を通して複数の噴出口６１１から下部電極ユニット５の被加工物保持テーブル５１の保持部５１１上に保持された半導体ウエーハ１０に向けて噴出される。このように、プラズマ発生用の混合ガスを供給した状態で、低圧側高周波電源回路５６を附勢して下部電極ユニット５に例えば１００Wの電力を印可するとともに、高圧側高周波電源回路６５を附勢して上部電極ユニット６に２０００Wの電力を印可する。この結果、下部電極ユニット５と上部電極ユニット６との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマにより生じる活性物質が半導体ウエーハ１０に被覆されたポジレジスト膜１２０における格子状の除去領域１２０aを通して半導体ウエーハ１０の表面１０aに形成された格子状の分割予定ライン１０１に作用するので、図７に示すように半導体ウエーハ１０は格子状の分割予定ライン１０１に沿ってエッチングされ除去される（プラズマエッチング工程）。この結果、半導体ウエーハ１０は図８に示すように、格子状の分割予定ライン１０１に沿って個々の半導体チップ１００に分割される。
【実施例】
【００２６】
直径６インチ、厚さ５０μｍのシリコンウエーハを上述した各工程を経て上記プラズマエッチング装置によってエッチング処理した。なお、エッチング処理の条件は、低圧側高周波電源回路５６の出力が１００W、高圧側高周波電源回路６５の出力が２０００W、プラズマ処理室２bの圧力が１Pa、プラズマ発生用ガスとしてフッ素系ガスを７６ml／分、ヘリウムを１５ml／分、酸素を２７ml／分供給し、３分間エッチング処理した。この結果、半導体ウエーハ１０は、格子状の分割予定ライン１０１に沿って分割された。
【００２７】
上述したようにプラズマエッチング工程を実施したならば、ガス供給手段６４、低圧側高周波電源回路５６、高圧側高周波電源回路６５、減圧手段７１の電磁開閉弁７１５を除勢する。なお、減圧手段７１の電磁開閉弁７１４は附勢状態が維持されており、従ってプラズマ処理室２bは減圧状態が維持される。次に、下部電極作動手段５３を作動して被加工物保持テーブル５１を下降させ、被加工物保持テーブル５１を図１および図２に示す被加工物搬入搬出位置に位置付ける。そして、シャッター作動手段８３を作動し、シャッター８２を図１および図２に示す閉止位置に位置付ける。このようにシャッター８２が閉位置に位置付けられたならば、ガス排出手段７２の送風機７２１を作動するとともに、電磁開閉弁７２３を附勢して開路する。なお、この結果、被加工物搬入搬出室２a内のガスが排出される。被加工物搬入搬出室２a内のガスが排出されたならば、ゲート作動手段４１を作動してゲート４を図１において下方に移動せしめ、ハウジング２の側壁２１に形成された被加工物搬入搬出用開口２１１を開ける。次に、図示しない搬出入手段によって下部電極ユニット５を構成する被加工物保持テーブル５１上に載置されている保護基板１１に貼着された半導体ウエーハ１０（格子状の分割予定ライン１０１に沿って分割されている）を被加工物搬入搬出室２aから搬出する。なお、半導体ウエーハ１０を搬出する際には、静電用電源回路５５は除勢され被加工物保持テーブル５１による静電保持が解除されている。
【００２８】
以上、本発明に従って構成されたプラズマエッチング装置を用いて半導体ウエーハを格子状の分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングし、半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する例を示したが、本発明によるプラズマエッチング装置は半導体ウエーハの裏面を研削することによって生成された研削歪を除去するためのプラズマエッチング等、他のプラズマエッチング処理に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に従って構成されたプラズマエッチング装置の断面図。
【図２】図１におけるA−A断面図。
【図３】図１に示すプラズマエッチング装置のプラズマプエッチング処理状態を示す断面図。
【図４】図４は図３におけるB−B断面図。
【図５】被加工物であるウエーハとしての半導体ウエーハを保護基板に貼着した状態を示す斜視図。
【図６】図５に示す半導体ウエーハの表面に被覆されたポジレジスト膜にレジスト膜除去工程が実施された状態を示す斜視図。
【図７】本発明によるプラズマエッチング装置を用いてプラズマエッチング処理した半導体ウエーハ要部拡大断面図。
【図８】半導体ウエーハが個々の分割された半導体チップの斜視図。
【符号の説明】
【００３０】
２：ハウジング
２a：被加工物搬入搬出室
２b：プラズマ処理室
３：仕切り壁
３1：挿通開口
４：ゲート
５：下部電極ユニット
５１：被加工物保持テーブル
５３：下部電極作動手段
５５：静電用電源回路
５６：低圧側高周波電源回路
６：上部電極ユニット
６１：ガス噴出部
６４：ガス供給手段
６５：高圧側高周波電源回路
７１：減圧手段
７２：ガス排出手段
８：シャッター手段
８１、８１：一対の案内レール
８２：シャッター
８３：シャッター作動手段
９：制御手段
１０：半導体ウエーハ
１００：半導体チップ
１１：保護基板
【図１】
2006324367.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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