(57)【要約】  【課題】  レーザ光の照射による非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体において、ＤＯＷ特性を改善することができるようにする。  【解決手段】  基板１１の一主面に、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、反射層１５、保護層１６を順次積層して光記録媒体を製造する。光記録媒体に対してレーザ光を照射して初期化する。初期化された光記録媒体に対してアニール処理をする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体の製造方法において、
光を照射して上記記録層を非晶質状態から結晶状態に変える初期化処理を光記録媒体に対して行った後に、初期化された上記光記録媒体に対してアニール処理を行なうことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項２】
上記記録層が、共晶系材料と添加元素とからなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体に製造方法。
【請求項３】
上記記録層に含まれる添加元素の量が、５ａｔ％以下である請求項１に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項４】
上記アニール処理が、７０℃以上の雰囲気に２時間以上光記録媒体を保持することにより行われることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１から５のいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法により製造された光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報記録の高密度化および大容量化が進む中で、光記録媒体は有望視されている。光記録媒体はその用途に応じて再生専用型、追記型、書換型の３種類に大別できるが、書換型の光記録媒体は記録済の情報を消去して書き換えることができるので、最も期待されている。
【０００３】
この書換型の光記録媒体としては、相変化型の光記録媒体が広く知られている。この相変化型の光記録媒体は、例えば、ポリカーボネート基板上に、誘電体層、相変化記録層、誘電体層、反射冷却層、紫外線硬化樹脂からなる保護層が順次形成された構造を有する。このような構成の相変化型の光記録媒体においては、ポリカーボネート基板の側から相変化記録層にレーザ光を照射し、そのレーザ光のパルス出力とパルス幅に対応して照射部の相状態を、たとえば結晶状態と非結晶状態との間で可逆的に移行または相転移させて情報の記録または消去を行う。図８は、記録時におけるレーザパワー制御（記録ストラテジ）の一例を示す。このようなレーザパワー制御を行うことにより、最適なマークを記録層に記録することができる。
【０００４】
上述の相変化型の光記録媒体の製造工程では、光記録媒体を構成する各層をスパッタリング法により形成した後に、相変化記録層を全面的に結晶化した状態とする初期化工程が行われる。これは、相変化型の光記録媒体の各層をスパッタリング法により成膜した後の記録層は非結晶状態にあり、この状態のままでは、反射率が低く十分なサーボ信号が得られない事、また消去レベルのレーザ光を照射しても、結晶状態への移行が充分ではないなどの問題があるためである。
【０００５】
初期化工程では、光記録媒体１枚毎にレーザ光を照射するため、一般には記録時または再生時に比して大きなスポット径を有するレーザ光を照射し、初期化時間をできる限り短くして相変化記録層の全面を結晶化する初期化が行なわれている（例えば特許文献１参照）。結晶化時の熱履歴が異なるため、実際の記録時における結晶化された状態と初期化により得られた結晶状態は同一ではないとされている。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−１５１６２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、相変化型の光記録媒体では、光磁気記録媒体などに比べＤＯＷ（Direct Over Write）特性が充分でなく、一般的に１０００回前後の実力となっている。特にＤＶＤ(Digital Versatile Disc)などの商品においては多くのメーカーがドライブを作製しており、ドライブのばらつきを考慮すると、より大きなＤＯＷ回数が求められているのが現状である。
【０００８】
したがって、この発明の目的は、レーザ光の照射による非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体において、ＤＯＷ特性を改善することができる光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
課題を解決するために、請求項１記載の発明は、非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体の製造方法において、
光を照射して記録層を非晶質状態から結晶状態に変える初期化処理を光記録媒体に対して行った後に、初期化された光記録媒体に対してアニール処理を行なうことを特徴とする光記録媒体の製造方法である。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の光記録媒体の製造方法において、記録層が、共晶系材料と添加元素とからなることを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の光記録媒体の製造方法において、記録層に含まれる添加元素の量が、５ａｔ％以下であることを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の光記録媒体の製造方法において、アニール処理が、７０℃以上の雰囲気に２時間以上光記録媒体を保持することにより行われることを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の発明は、請求項１から５のいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法により製造された光記録媒体である。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、レーザ光を照射して記録層を非晶質状態から結晶状態に変える初期化処理を光記録媒体に対して行った後に、初期化処理が行われた光記録媒体に対してアニール処理を行うので、初期特性に影響を及ぼすことなくＤＯＷ特性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分に同一の符号を付す。
【００１６】
この発明の実施形態について以下の順序で説明する。
（１）第１の実施形態による光記録媒体の製造方法
（２）第２の実施形態による光記録媒体の製造方法
（３）第３の実施形態による光記録媒体の製造方法
【００１７】
（１）第１の実施形態による光記録媒体の製造方法
図１は、この発明の一実施形態による光記録媒体の断面図である。図１に示すようにこの光記録媒体は、基板１１と、基板１１の一主面上に形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上に形成された記録層１３と、記録層１３上に形成された誘電体層１４と、誘電体層１４上に形成された反射層（熱拡散層）１５と、反射層１５上に形成された保護層１６とからなる。
【００１８】
この第１の実施形態による光記録媒体では、基板１１の側からレーザ光を記録層１３に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、７８０ｎｍの波長を有するレーザ光を、０．４５の開口数を有する対物レンズ１により集光し、基板１１の側から記録層２３に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００１９】
（基板成形工程）
まず、例えば射出成形法（インジェクション法）により、一主面に凹凸パターンが形成された基板１１を成形する。基板１１の材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂等のプラスチック材料またはガラスを使用できるが、コスト等の点を考慮すると、プラスチック材料を使用することが好ましい。なお、基板１１の成形方法は、所望の形状と光学的に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であればよく、特に限定されるものではない。射出成形法以外の方法としては、例えば、紫外線硬化樹脂を使うフォトポリマー（２Ｐ法）法を用いることができる。
【００２０】
また、一主面に形成される凹凸パターンは、例えば、情報信号の記録および／または再生を行う際に光学スポットを導くための案内溝である。この溝の形状としては、例えばスパイラル状、同心円状、ピット列等、各種の形状を挙げることができる。この溝を案内として光学スポットを光記録媒体上の任意の位置へと移動できる。
【００２１】
（誘電体層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、基板１１上に誘電体層１２を成膜する。誘電体層１２の厚さは、好ましくは５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲であり、例えば、８０ｎｍ程度である。
【００２２】
誘電体層１２の材料としては、記録再生用レーザの波長に対して吸収能の低い材料が好ましく、具体的には消衰係数Ｋの値が０．３以下である材料が好ましい。かかる材料としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体（好ましくは、モル比４：１）を挙げることができる。ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体以外にも、従来から光記録媒体の誘電体層の材料として用いられている公知のものを用いることも可能である。
【００２３】
例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅ等の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物等およびこれらを主成分と材料を用いることができる。好ましくは、ＡｌＮX（０．５≦Ｘ≦１）、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3-x(０≦Ｘ≦１)、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4-x(０≦Ｘ≦１)、Ｓｉ3Ｎ4-x、ＳｉＯX（１≦Ｘ≦２）、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＴｉＯｘ（１≦Ｘ≦２）、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｔＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5−ｘ（０≦Ｘ≦１）、Ｔａ2Ｏ5、ＧｅＯｘ(１≦Ｘ≦２)、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ2、ＬａＦ、ＭｇＦ2、ＮａＦ、ＴｈＦ4等を用いることができる。
【００２４】
（記録層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により記録層１３を形成する。記録層１３の膜厚は、好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲であり、例えば１５ｎｍ程度である。この記録層１３の材料としては、レーザ光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料、具体的には、アモルファス状態と結晶状態の可逆的相変化を生じるものを使用できる。このような材料としては、例えば、カルコゲン化合物または単体のカルコゲン等を使用できる。カルコゲン化合物としては、例えば、Ｓｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用でき、好ましくは、Ｇｅなどの添加元素が添加されたＳｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用できる。
【００２５】
例示するならば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、またはこれらの系に窒素、酸素などのガス添加物を導入した系等を挙げることができる。
【００２６】
添加元素を記録層１４に添加すると、信頼性などの特性を向上できる一方、信号特性の低下を招いてしまうことを考慮すると、記録層１４における添加元素の量は５ａｔｍ％以下にすることが好ましい。
【００２７】
図２は、ＳｂＴｅ共晶系材料の相図の一例を示す。図２において、縦軸が温度を示し、横軸が組成を示す。ＳｂＴｅ共晶系材料では、例えば図２の相図に示すように、その相が変化する。
【００２８】
（誘電体層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、誘電体層１４を記録層１３上に形成する。誘電体層１４の厚さは、好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲であり、例えば２０程度ｎｍである。誘電体層１４の材料としては、上述の誘電体層１２と同様のものを用いることができる。
【００２９】
（反射層成層工程）
次に、例えばスパッタリング法により、誘電体層１４上に反射層（熱拡散層）１５を形成する。反射層１５の厚さは、好ましくは５０ｎｍ以上であり、より好ましくは５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲であり、例えば１４０ｎｍ程度である。反射層１５の材料としては、例えば金属または半金属を使用できる。反射層１５の材料は、反射能および熱伝導率を考慮して選ぶことが好ましく、例えば、記録再生用レーザの波長に対して反射能を有し、熱伝導率が０．０００４［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］〜４．５［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］の範囲にある金属元素、半金属元素およびそれらの化合物あるいは混合物である。
【００３０】
具体的に例示するならば、反射層１５の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅ等の単体、またはこれらを主成分とする合金を挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−ＰｄＴｉ、Ｓｉ−Ｂ等が好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。一般には反射層１５の膜厚を光が透過しない程度の厚さ、例えば５０ｎｍ以上に設定すると、反射率を高くすることができ、且つ、熱を逃げやすくできる。
【００３１】
また、反射層１５は単層の構造に限られず、例えば金属または半金属よりなる層（反射層）を２層積層した積層構造とすることも可能である。さらに、２層以上の多層構造とすることも可能である。これにより光学設計がし易くなり、且つ、熱特性とのバランスも取り易くなる。
【００３２】
（保護層形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を反射層１５上に均一塗布し、紫外線を照射する。これにより、紫外線硬化樹脂が硬化して保護層１６が形成される。以上の工程により光記録媒体が得られる。
【００３３】
（初期化処理工程）
次に、高出力、大口径レーザを用いて光記録媒体の全面にレーザ光を照射して記録層１３を結晶化させる。例えば、光記録媒体を一定の線速度で回転させながら、基板１１側の面に対して、出力パワー約２．４Ｗの大口径レーザからレーザスポット光束約２５０×１μｍのレーザ光を照射するとともに、このレーザスポット光束を半径方向に送り速度２００μｍ／ｆｅｅｄの条件で移動させる
【００３４】
これにより、レーザ光は、光記録媒体の円周方向および半径方向のいずれの領域にも照射される。レーザとしては、例えばＡｒレーザを使用できる。また、線速度および出力パワーＰｗは、初期化装置の能力ならびに光記録媒体の膜構造および信号特性から最適値が選ばれる。また、送り速度は、レーザスポット径と処理時間との関係から最適な速度が選ばれる。
【００３５】
（加熱処理工程）
次に、光記録媒体をアニール炉に搬送して、光記録媒体に対してアニール処理を施す。アニール処理の温度は、好ましく７０℃以上、より好ましくは７０℃〜１２０℃の範囲、さらに好ましくは７０℃〜９０℃の範囲、例えば８０℃である。アニール処理の温度を７０℃以上にすることにより、ＤＯＷ特性を十分に改善することができる。また、アニール処理の温度を１２０℃以下にすることにより、基板１１の材料としてポリカーボネート基板を用いた場合にも、基板１１の変形を抑えることができる。さらに、９０℃以下にすることにより、光記録媒体の機械特性の劣化などを抑えることができる。
【００３６】
アニール処理の時間は、好ましくは２ｈｒ以上、より好ましくは４ｈｒ以上、例えば６ｈｒである。保持時間を２時間以上にすることにより、ＤＯＷ特性を十分に改善することができる。また、保持時間を４時間以上にすることにより、ＤＯＷ特性の改善効果をさらに高めることができる。なお、保持雰囲気としては、窒素雰囲気が好ましいが、大気雰囲気であってもよい。
【００３７】
この発明の第１の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
基板１１の一主面に、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、反射層１５、保護層１６を順次積層して光記録媒体を製造し、この光記録媒体に対してレーザ光を照射して初期化し、初期化された光記録媒体に対してアニール処理をするので、初期特性（イニシャルの特性）に影響を及ぼすことなくＤＯＷ特性を改善することができる。
【００３８】
（２）第２の実施形態による光記録媒体の製造方法
図３は、この発明の第２の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す断面図である。図３に示すように、この光記録媒体は、基板２１上に、誘電体層２２、記録層２３、誘電体層２４、反射層２５、保護層（接着層）２６、反射層２７、基板２８が順次積層された構成を有する。
【００３９】
この第２の実施形態による光記録媒体では、第１の基板２１の側からレーザ光を記録層２３に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、６５０〜６６５ｎｍの範囲の波長を有するレーザ光を、０．６５の開口数を有する対物レンズ１により集光し、第１の基板２１の側から記録層２３に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００４０】
以下、図３を参照しながら、この第２の実施形態による光記録媒体の製造方法について説明する。
【００４１】
（基板成形工程）
まず、例えば射出成形法またはフォトポリマー法（２Ｐ法）により、一主面にランドおよびグルーブなどの凹凸パターンが形成された基板２１を成形する。基板２１の厚さは、例えば０．６ｍｍに選ばれる。また、基板２１の材料としては、上述の第１の実施形態における基板１１と同様のものを用いることができる。
【００４２】
（誘電体層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、誘電体層２２を第１の基板２１上に形成する。誘電体層２２の厚さは、好ましくは６０ｎｍ〜１００ｎｍ、例えば８０ｎｍ程度である。誘電体層２２の材料としては、上述の第１の実施形態における誘電体層１２と同様のものを用いることができる。
【００４３】
（記録層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、記録層２３を誘電体層２２上に形成する。記録層２３の厚さは、好ましくは１０ｎｍ〜２０ｎｍ、例えば１５ｎｍ程度である。記録層２３の材料としては、上述の第１の実施形態における記録層１３と同様のものを用いることができる。
【００４４】
（誘電体層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、誘電体層２４を記録層２３上に形成する。誘電体層２４の厚さは、好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍ、例えば２０ｎｍ程度である。誘電体層２４の材料としては、上述の第１の実施形態における誘電体層１４と同様のものを用いることができる。
【００４５】
（反射層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、反射層２５を誘電体層２４上に形成する。反射層２５の厚さは、好ましくは８０ｎｍ〜２００ｎｍ、例えば１４０ｎｍ程度である。反射層２５の材料としては、上述の第１の実施形態における反射層１５と同様のものを用いることができる。
【００４６】
（基板貼り合わせ工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂を反射層２５上に均一に塗布する。そして、一主面に反射層２７が予め形成された基板２８を、基板２１に対して載置して、紫外線硬化樹脂の厚さを調整する。そして、紫外線硬化樹脂に対して紫外線を照射する。これにより、紫外線硬化樹脂が硬化して保護層２６が形成され、基板２１と基板２８とが貼り合わされる。
【００４７】
（初期化処理工程）
次に、高出力、大口径レーザを用いて光記録媒体の全面にレーザ光を照射して記録層２３を結晶化させる。例えば、光記録媒体を一定の線速度で回転させながら、基板２１側の面に対して、出力パワー約２．４Ｗの大口径レーザからレーザスポット光束約２５０×１μｍのレーザ光を照射するとともに、このレーザスポット光束を半径方向に送り速度２００μｍ／ｆｅｅｄの条件で移動させる
【００４８】
これにより、レーザ光は、光記録媒体の円周方向および半径方向のいずれの領域にも照射される。レーザとしては、例えばＡｒレーザを使用できる。また、線速度および出力パワーＰｗは、初期化装置の能力ならびに光記録媒体の膜構造および信号特性から最適値が選ばれる。また、送り速度は、レーザスポット径と処理時間との関係から最適な速度が選ばれる。
【００４９】
（加熱処理工程）
次に、光記録媒体をアニール炉に搬送して、光記録媒体に対してアニール処理を施す。アニール処理の温度は、好ましく７０℃以上、より好ましくは７０℃〜１２０℃の範囲、さらに好ましくは７０℃〜９０℃の範囲、例えば８０°Ｃである。アニール処理の温度を７０℃以上にすることにより、ＤＯＷ特性を十分に改善することができる。また、アニール処理の温度を１２０℃以下にすることにより、基板２１，２８の材料としてポリカーボネート基板を用いた場合にも、基板２１，２８の変形を抑えることができる。さらに、９０℃以下にすることにより、光記録媒体の機械特性の劣化などを抑えることができる。
【００５０】
アニール処理の時間は、好ましくは２ｈｒ以上、より好ましくは４ｈｒ以上、例えば６ｈｒである。保持時間を２時間以上にすることにより、ＤＯＷ特性を十分に改善することができる。また、保持時間を４時間以上にすることにより、ＤＯＷ特性の改善効果をさらに高めることができる。なお、保持雰囲気としては、窒素雰囲気が好ましいが、大気雰囲気であってもよい。
【００５１】
この発明の第２の実施形態によれば、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
（３）第３の実施形態による光記録媒体の製造方法
図４は、この発明の第３の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す断面図である。図４に示すように、この光記録媒体は、基板３１と、この基板３１の一主面に形成された反射層３２と、この反射層３２上に形成された誘電体層３３と、この誘電体層３３上に形成された記録層３４と、この記録層３４上に形成された誘電体層３５と、この誘電体層３５上に形成された光透過層３６とからなる。
【００５３】
この第３の実施形態による光記録媒体では、光透過層３６の側からレーザ光を記録層３４に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズ１により集光し、光透過層３６の側から記録層３４に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００５４】
以下、図４を参照しながら、この発明の一実施形態による光記録媒体の製造方法について説明する。
【００５５】
（基板成形工程）
まず、例えば射出成形法またはフォトポリマー法（２Ｐ法）により、一主面にピットまたはグルーブなどの凹凸パターンが形成された基板３１を成形する。基板３１の厚さは、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、基板３１の材料としては、上述の第１の実施形態における基板１１と同様のものを用いることができる。
【００５６】
（反射層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、基板３１上に反射層３２を形成する。反射層３２の厚さは、好ましくは８０ｎｍ〜２００ｎｍ、例えば１４０ｎｍ程度である。反射層３２の材料としては、上述の第１の実施形態における誘電体層１２と同様と同様のものを用いることができる。
【００５７】
（誘電体層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、誘電体層３３を反射層３２上に形成する。誘電体層３３の厚さは、好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍ、例えば１５ｎｍ程度である。誘電体３３の材料としては、上述の第１の実施形態における誘電体層１２と同様のものを用いることができる。
【００５８】
（記録層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、記録層３４を誘電体層３３上に形成する。記録層３４の厚さは、好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍ、例えば１５ｎｍ程度である。記録層３４の材料としては、上述の第１の実施形態における記録層１３と同様のものを用いることができる。
【００５９】
（誘電体層形成工程）
次に、例えばスパッタリング法により、誘電体層３５を記録層３４上に形成する。誘電体層３５の厚さは、３０ｎｍ〜１５０ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ〜７０ｎｍ程度、例えば５０ｎｍである。誘電体層３５の材料としては、上述の第１の実施形態における誘電体層１４と同様のものを用いることができる。
【００６０】
（光透過層形成工程）
次に、誘電体層３５上に光透過層３６を形成する。例えば、接着層を介して光透過性シートを基板３１の一主面に対して貼り合わせることにより、光透過層３６を形成する。また、基板３１の一主面に紫外線硬化樹脂などの樹脂を均一に塗布後硬化して、光透過層３６を形成するようにしてもよい。
【００６１】
（初期化処理工程）
次に、高出力、大口径レーザを用いて光記録媒体の全面にレーザ光を照射して記録層３４を結晶化させる。例えば、光記録媒体を一定の線速度で回転させながら、光透過層３６側の面に対して、出力パワー約２．４Ｗの大口径レーザからレーザスポット光束約２５０×１μｍのレーザ光を照射するとともに、このレーザスポット光束を半径方向に送り速度２００μｍ／ｆｅｅｄの条件で移動させる
【００６２】
これにより、レーザ光は、光記録媒体の円周方向および半径方向のいずれの領域にも照射される。レーザとしては、例えばＡｒレーザを使用できる。また、線速度および出力パワーＰｗは、初期化装置の能力ならびに光記録媒体の膜構造および信号特性から最適値が選ばれる。また、送り速度は、レーザスポット径と処理時間との関係から最適な速度が選ばれる。
【００６３】
（加熱処理工程）
次に、光記録媒体をアニール炉に搬送して、光記録媒体に対してアニール処理を施す。アニール処理の温度は、好ましく７０℃以上、より好ましくは７０℃〜１２０℃の範囲、さらに好ましくは７０℃〜９０℃の範囲、例えば８０℃である。アニール処理の温度を７０℃以上にすることにより、ＤＯＷ特性を十分に改善することができる。また、アニール処理の温度を１２０℃以下にすることにより、基板３１の材料としてポリカーボネート基板を用いた場合にも、基板３１の変形を抑えることができる。さらに、９０℃以下にすることにより、光記録媒体の機械特性の劣化などを抑えることができる。
【００６４】
アニール処理の時間は、好ましくは２ｈｒ以上、より好ましくは４ｈｒ以上、例えば６ｈｒである。保持時間を２時間以上にすることにより、ＤＯＷ特性を十分に改善することができる。また、保持時間を４時間以上にすることにより、ＤＯＷ特性の改善効果をさらに高めることができる。なお、保持雰囲気としては、窒素雰囲気が好ましいが、大気雰囲気であってもよい。
【００６５】
この発明の第３の実施形態によれば、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【実施例】
【００６６】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００６７】
実施例１
まず、射出成形によりポリカーボネートからなる基板２１を成形した。その一主面にはスタンパによりランドおよびグルーブなどを転写した。また、この基板２１の直径を１２０ｍｍとし、厚さを０．６ｍｍとした。次に、スパッタリング法により、膜厚８０ｎｍを有するＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（誘電体層）２２を基板２１上に形成した。
【００６８】
次に、スパッタリング法により、ＳｂとＴｅの共結系材料にＧｅを添加してなるＧｅ5Ｓｂ75Ｔｅ22膜（記録膜）２３をＺｎＳ−ＳｉＯ2膜２２上に形成した。このＧｅ5Ｓｂ75Ｔｅ22膜２３の厚さは、１５ｎｍ成膜とした。次に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍを有するＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（誘電体層）２４をＧｅ5Ｓｂ75Ｔｅ22膜２３上に成膜した。
【００６９】
次に、スパッタリング法により、膜厚１４０ｎｍを有するＡｌ合金膜（反射層）２５をＺｎＳ−ＳｉＯ2膜２４上に成膜した。次に、上述のようにして成膜されたＡｌ合金膜２５上に、スピンコータにより基板２１の半径１５ｍｍ〜６０ｍｍ（最外周）の範囲に紫外線硬化樹脂を均一に塗布した。そして、基板２１と、一主面に反射層２７が形成された基板２８とを、基板２１上に塗布された紫外線硬化樹脂を介して合わせた。
【００７０】
その後、この状態で、第２の基板２８側からＵＶランプにて紫外線を約１秒間照射した。これにより、紫外線硬化樹脂が硬化して、保護層２６が形成され、基板２１と基板２８とが貼り合わされた。なお、基板２８は、基板２１と同様にして予め射出成形により成形された基板であり、その材料、厚さ、直径は、基板２１と同様にした。また、反射層２７は、膜厚３０ｎｍを有するＡｌ膜とした。
以上の工程により、ＤＶＤ−ＲＷ（Digital Versatile Disc-ReWritable）規格に準じた光記録媒体が得られた。
【００７１】
次に、上述のようにして得られた光記録媒体に対して、以下の条件で初期化処理を行った。
線速度：５m/s
初期化Ｐｗ：１４００ｍＷ
送り速度：１００μ／ｐｉｔｃｈ
【００７２】
図５に、初期化処理に用いた初期化処理装置（ＨＩＴＡＣＨＩ社製、商品名：ＰＣＲ  ＤＩＳＣ  ＩＮＩＴＩＡＬＩＺＥＷ）を模式的に示す。図５に示すように、この初期化装置は、半導体レーザ１および、この半導体レーザ１から出射されるレーザ光が光記録媒体上に適切なスポットを形成するための光学レンズ２ａ，２ｂを備えたレーザヘッド３と、光記録媒体を回転させるためのスピンドルモータ４と、レーザヘッド３を光記録媒体の径方向に移動させるためのキャリッジ（図示せず）とを有する。
【００７３】
次に、光記録媒体をアニール炉に搬送し、温度８０℃の環境下に６時間保持して光記録媒体に対してアニール処理を施した。
【００７４】
実施例２
８０℃の環境下に２時間保持してアニール処理する以外は実施例１とすべて同様にてして光記録媒体を得た。
【００７５】
実施例３
８０℃の環境下に２０時間保持してアニール処理する以外は実施例１とすべて同様にてして光記録媒体を得た。
【００７６】
実施例４
７０℃の環境下に２０時間保持してアニール処理する以外は実施例１とすべて同様にてして光記録媒体を得た。
【００７７】
実施例５
６０℃の環境下に８時間保持してアニール処理する以外は実施例１とすべて同様にてして光記録媒体を得た。
【００７８】
実施例６
８０℃の環境下に１時間保持してアニール処理する以外は実施例１とすべて同様にてして光記録媒体を得た。
【００７９】
比較例１
アニール処理を省略する以外は実施例１とすべて同様にてして光記録媒体を得た。
【００８０】
比較例２
ＳｂとＴｅの共晶系材料にＧｅを添加しないことと、アニ―ル処理を省略したこと以外は実施例１とすべて同様にてして光記録媒体を得た。
【００８１】
次に、上述のようにして得られた各実施例および比較例に対して、ＤＶＤドライブ（ソニー製ＤＲＵ−５１０Ａ）を用いて記録を行い、その記録部分のジッタ（Ｊｉｔｔｅｒ）特性を評価した。なお、Ｊｉｔｔｅｒ特性の評価は、１回記録後と、１３００回のオーバーライト記録後とで行った。
【００８２】
表１に、各実施例および比較例のアニール条件、１回記録後のジッタ値（Jitter of ＤＯＷ０）および１３００回のオーバーライト記録後のジッタ値（Jitter of ＤＯＷ１３００）を示す。
【００８３】
【表１】
2006018926.tif 000003
【００８４】
以上の検討により以下のことが分かる。
（１）アニール処理を行わなかった比較例１では、１３００回のオーバーライト記録後のジッタ値が１６％以上であるの対して、アニール処理を行った実施例１〜６では、１３００回のオーバーライト記録後のジッタ値が１４％以下であることが分かる。すなわち、アニール処理を行うことにより、ＤＯＷ特性を改善できることが分かる。
【００８５】
（２）記録層２３にＧｅを添加せず、アニール処理を行わなかった比較例１では、１３００回のオーバーライト記録後のジッタ値が１８％以上であるの対して、アニール処理を行った実施例１〜６では、１３００回のオーバーライト記録後のジッタ値１４％が以下であることが分かる。すなわち、記録層２３にＧｅを添加し、アニール処理を行うことにより、ＤＯＷ特性を大幅に改善できることが分かる。
【００８６】
（３）アニール処理を行わなかった比較例１では、１３００回のオーバーライト記録後のジッタ値が１６％以上であるの対して、温度７０℃以上の環境下に２ｈｒ以上光記録媒体を保持した実施例１〜４では、ジッタ値を１２％以下であることが分かる。すなわち、温度７０℃以上の環境下に２ｈｒ以上光記録媒体を保持することにより、ジッタ特性を大幅に改善できることが分かる。
【００８７】
また、ジッタ値１３％でエラー訂正不能となる再生装置／記録再生装置があることを考慮すると、温度７０℃以上の環境下に２ｈｒ以上光記録媒体を保持することが好ましことが分かる。なお、ジッタ値１３％でもエラー訂正可能な再生装置／記録再生装置もあることを考慮すると、実施例５および６のアニール時間、保持時間でもＤＯＷの改善効果は得られると考えられる。
【００８８】
以上、この発明の第１，２および３の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の第１，２および３の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００８９】
例えば、上述の第１，２および３の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００９０】
また、上述の第１，２および３の実施形態では、誘電体層が単層からなる場合を例として示したが、誘電体層が２層または３層の誘電体層を積層してなるようしてもよい。
【００９１】
図６は、第１の誘電体層、第２の誘電体層を積層してなる誘電体層を有する光記録媒体の一構成例を示す断面図である。誘電体層３３は、反射膜３２上に、第２の誘電体層３３ｂ、第１の誘電体層３３ａを順次積層してなる。誘電体層３５は、記録層３４上に、第１の誘電体層３５ａ、第２の誘電体層３５ｂを順次積層してなる。第１の誘電体層３３ａ，３５ａは、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体、好ましくは、モル比率が約４：１のＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体からなる。第２の誘電体層３３ｂ，３５ｂは、例えばＳｉ3Ｎ4からなる。
【００９２】
また、上述の第１，２および３の実施形態では、単層の記録層を有する光記録媒体に対してこの発明を適用した例について示したが、２層以上の記録層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）を有する光記録媒体に対してこの発明を適用するようにしてもよい。
【００９３】
図７は、２層の記録層を有する光記録媒体の一構成例を示す断面図である。図７に示すように、この光記録媒体は、基板３１上に、反射層３２、第２の誘電体層３３ｂ、第１の誘電体層３３ａ、記録層３４、第１の誘電体層３５ａ、第２の誘電体層３５ｂ、光透過層３６を順次積層し、さらにその上に、反射層４２、第２の誘電体層４３ｂ、第１の誘電体層４３ａ、記録層４４、第１の誘電体層４５ａ、第２の誘電体層４５ｂ、光透過層４６を順次積層した構成を有する。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】この発明の第１の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図２】ＳｂＴｅ共晶系材料の相図である。
【図３】この発明の第２の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図４】この発明の第３の実施形態による光記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。
【図５】初期化処理装置の構成を示す模式図である。
【図６】第１、第２および第３の実施形態による光記録媒体の変形例を示す概略断面図である。
【図７】第１、第２および第３の実施形態による光記録媒体の変形例を示す概略断面図である。
【図８】この発明の記録ストラテジの一例を示す略線図である。
【符号の説明】
【００９５】
１１，２１，２８，３１・・・基板、１３，２３，３６・・・記録層、１２，１４，２２，２４，３３，３４・・・誘電体層、１５，２５，２７，３２・・・反射層、２６・・・保護層、３５・・・光透過層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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