(57)【要約】【課題】封止樹脂の衝突により、封止樹脂が電子部品の間隙内に侵入するのを防止すると共に、基板及び電子部品が移動するのを防止して、良好に樹脂封止体を形成する。【解決手段】凹部(10)及び外部リード(21)を有する支持板(1)と、凹部(10)の底面(10a)に固着された基板(2)と、基板(2)に固着された電子部品(3)と、凹部(10)内で基板(2)及び電子部品(3)を被覆する保護樹脂(4)と、保護樹脂(4)と共に支持板(1)を被覆する樹脂封止体(5)とを備える。電子部品(3)は、基板(2)との間に間隙(13)を有するが、流動化する封止樹脂(15)を支持板(1)上のリブ(11)に当接させ、リブ(11)を乗り越えた封止樹脂(15)により保護樹脂(4)上を被覆して樹脂封止体(5)を形成するため、流動化する封止樹脂(15)が凹部(10)内の電子部品(3)に衝突するを防止できる。【選択図】図１
2006086337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に凹部を有する支持板と、該支持板の一方の辺に沿って配置された複数の外部リードと、前記凹部の底面に固着された基板と、該基板の主面に固着された電子部品と、前記凹部内で前記基板及び電子部品を被覆する保護樹脂と、該保護樹脂と共に前記支持板の少なくとも主面、周面及び外部リードの端部を被覆する樹脂封止体とを備え、前記電子部品は、前記基板の主面に対し少なくとも部分的に間隙を形成する樹脂封止型電子装置において、
前記保護樹脂は、前記間隙内にも充填され、
前記支持板は、前記外部リードとは反対側の前記凹部の周辺部に突出して、前記支持板と一体に形成されたリブを備え、
該リブの最上部は、前記電子部品の最上部よりも高い位置に配置されることを特徴とする樹脂封止型電子装置。
【請求項２】
前記リブは、略垂直に形成されたリブ垂直面と、前記凹部に向かい傾斜するリブ傾斜面とを有する請求項１に記載の樹脂封止型電子装置。
【請求項３】
前記支持板は、前記主面から凹部に向かい傾斜する傾斜面を有し、
前記電子部品の電極又は前記基板の端子と支持板の外部リードとを電気的に接続するリード細線は、前記傾斜面上を通り配線される請求項１又は２に記載の樹脂封止型電子装置。
【請求項４】
主面に凹部及び前記凹部の周辺部に突出して設けられたリブを有する支持板と、該支持板の周辺に配置された複数の外部リードと、前記凹部の底面に固着された基板と、該基板の主面に対し少なくとも部分的に間隙を形成して、前記基板の主面に固着された電子部品とを備えたリードフレーム組立体を準備する工程と、
前記間隙を含む前記凹部内に保護樹脂を充填して、前記基板及び電子部品を前記保護樹脂により被覆する工程と、
成形型のキャビティ内に前記リードフレーム組立体を配置して、前記キャビティ内に流動化する封止樹脂を圧入する工程と、
流動化する前記封止樹脂を前記リブに当接させ、前記リブを乗り越えた前記封止樹脂を前記保護樹脂の周囲に流動させて、前記封止樹脂を硬化させる工程と、
前記リードフレーム組立体から個々の樹脂封止型電子装置を分離する工程とを含むことを特徴とする樹脂封止型電子装置の製法。
【請求項５】
前記支持板の主面から凹部に向かい傾斜する樹脂注入面を通じて前記凹部内に前記保護樹脂を注入する工程を含む請求項４に記載の樹脂封止型電子装置の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型電子装置及びその製法、特に支持板上に基板及び電子部品を固着し、基板及び電子部品の移動を防止して良好に支持板を樹脂封止できる樹脂封止型電子装置及びその製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
主面(1a)に凹部(10)を有する支持板(1)と、支持板(1)の一方の辺に沿って配置された複数の外部リード(21)と、凹部(10)の底面(10a)に固着された基板(2)と、基板(2)の主面(2a)に固着された電子部品(3)と、凹部(10)内で基板(2)及び電子部品(3)を被覆する保護樹脂(4)と、保護樹脂(4)と共に例えば支持板(1)の主面(1a)、周面(1c)及び外部リード(21)の端部を被覆する樹脂封止体(5)とを備える樹脂封止型電子装置は公知である。このような構造により、基板(2)により電子部品(3)に加わる応力を緩和することができる。樹脂封止型電子装置を形成する際に、まず、支持板(1)の凹部(10)の底面(10a)に基板(2)を固着し、基板(2)の主面(2a)に電子部品(3)を固着してリードフレーム組立体を準備する。コンデンサ、抵抗又はトランジスタ又はモノシリックＩＣ等のチップ部品である電子部品(3)は、電極等の電子部品(3)の一部を基板(2)の主面(2a)の上の配線導体(16)に半田又はろう材からなる導電性接着剤(17)により固着するため、基板(2)の主面(2a)に対して部分的に間隙(13)を形成する。次に、ディスペンサによって保護樹脂(4)を間隙(13)を含む凹部(10)内に充填して、基板(2)及び電子部品(3)を保護樹脂(4)により被覆する。保護樹脂(4)を基板(2)及び電子部品(3)が配置された支持板(1)の凹部(10)内に充填するため、基板(2)及び電子部品(3)を確実に保護樹脂(4)により被覆できる。
【０００３】
続いて、図８に示すように、周知のトランスファモールド法によって樹脂封止体を形成するため、成形型(30)を用意する。成形型(30)は、上型(31)及び下型(32)から構成され、上型(31)と下型(32)とを閉じたときに成形型(30)内には形成すべき樹脂封止体の形状に合致するキャビティ（空所）(35)が形成される。キャビティ(35)の一方の側面にはゲート（樹脂注入孔）(34)が形成され、ランナ（樹脂導入路）(36)に接続されている。また、ゲート(34)が形成された側面とは反対側の側面には、リードフレーム組立体を構成する外部リード(21)を配置するリード収容溝(33)が形成される。成形型(30)の下型(32)の底部に支持板(1)を密着して配置し、リード収容溝(33)に外部リード(21)を配置した後、下型(32)に対して上型(31)を閉鎖する。これにより、支持板(1)がキャビティ(35)内で所定の位置に固定されると共に、成形型(30)内に形成すべき樹脂封止体の形状に合致するキャビティ(35)が形成される。
【０００４】
その後、成形型(30)に設けられたランナ(36)からゲート(34)を介してキャビティ(35)内に封止樹脂(15)を押圧注入する。キャビティ(35)内に注入された封止樹脂(15)は、支持板(1)と成形型(30)との間の空隙を充填すると共に、ゲート(34)から離間する方向に且つ支持板(1)の主面(1a)に沿って流れ、保護樹脂(4)と共に支持板(1)の少なくとも主面(1a)、周面(1c)及び外部リード(21)の端部を被覆する樹脂封止体を形成する。封止樹脂(15)がキャビティ(35)内全体に十分に充填された後、一定時間かけて封止樹脂(15)が硬化させ、上型(31)と下型(32)を開放する。ランナ(36)及びゲート(34)の部分の封止樹脂を除去し、リードフレーム組立体から個々の装置を分離すれば、樹脂封止体(5)により被覆された樹脂封止型電子装置が得られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、支持板(1)の主面(1a)に沿って流れた封止樹脂(15)は、図８に示すように、流動化する封止樹脂(15)が電子部品(3)を被覆する保護樹脂(4)に衝突し、大きな運動エネルギを持つ封止樹脂(15)が比較的柔らかい保護樹脂(4)又は電子部品(3)に直接接触して、電子部品(3)の機械的損傷を生じることがあった。また、封止樹脂(15)が支持板(1)の主面(1a)に沿って横方向に流れるため、保護樹脂(4)に衝突する封止樹脂(15)により、保護樹脂(4)又は電子部品(3)が凹部(10)内の所定の位置から移動し、電子部品(3)が片方のランドに引張られて立ち上がり、回路オープン状態となるチップ立ち不良を招く恐れがあった。
【０００６】
また、ディスペンサによって保護樹脂を間隙(13)を含む凹部(10)内に充填するとき、電極(23)及び導電性接着剤(17)と基板(2)との間に形成された間隙(13)内に保護樹脂(4)が充分に充填されず、気泡、ボイド又は未充填部(20)が形成され、樹脂封止型電子装置の放熱性及び耐久性を悪化することがあった。また、横方向に流れる封止樹脂(15)は、シリコン樹脂等の軟性の樹脂からなる保護樹脂(4)に対してエポキシ樹脂等の比較的高硬度な樹脂であるため、保護樹脂(4)に衝突する際に、基板(2)と電子部品(3)との間の間隙(13)内で保護樹脂(4)の一部を追い出して侵入し、封止樹脂(15)と保護樹脂(4)との両方が間隙(13)内に充填されることがあった。電子部品(3)の動作による加熱及び温度変化により、保護樹脂(4)内の気泡が熱膨張する又は封止樹脂(15)と保護樹脂(4)との熱膨張率の違いにより歪みが発生することによって、電子装置の特性不良が生じた。例えばチップコンデンサからなる電子部品(3)では、熱膨張による外力により絶縁破壊が発生する。また、仮に電子部品(3)の間隙(13)内が封止樹脂(15)により完全に充填された場合でも、保護樹脂(4)と比較して封止樹脂(15)は電子部品(3)に対する応力を緩和するクッション作用が低く、好ましくはない。
【０００７】
図９及び図１０は、内蔵された電子部品の底面側で保護樹脂(4)の未充填部を発生する従来の樹脂封止型電子装置の部分拡大写真である。図９及び図１０に示す樹脂封止型電子装置では、支持板(1)上に基板(2)を固着し、電子部品(3)としてチップコンデンサの電極(23)の底面を導電性接着剤(17)を介して基板(2)上に固着した後に保護樹脂(4)を充填し且つ樹脂封止体を形成するが、図９は、ディスペンサによって保護樹脂(4)を凹部(10)内に注入する際に、基板(2)と電極(23)及び導電性接着剤(17)との間に形成された間隙(13)内に保護樹脂(4)が充分に充填されず未充填部(20)が出現した状態を示す。図１０は、トランスファモールド法によって樹脂封止体を形成する際に、封止樹脂(15)が間隙(13)内の保護樹脂を押し出して充填された状態を示す。
【０００８】
よって、本発明は、流動化する封止樹脂により保護樹脂(4)又は電子部品(3)の移動を防止して良好に樹脂封止体(5)を形成する樹脂封止型電子装置及びその製法を提供することを目的とする。また、本発明は、電子部品(3)と基板(2)との間隙(13)内への封止樹脂の侵入のを防止する樹脂封止型電子装置及びその製法を提供することを目的とする。更に、本発明は、電子部品(3)の間隙(13)内に未充填部なく保護樹脂(4)を充填する樹脂封止型電子装置及びその製法を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明による樹脂封止型電子装置及びその製法に関連する文献を以下に示す。何れの文献も支持板上に突起を有する樹脂封止型電子装置を示すが、本発明が解決しようとする課題又は本発明による樹脂封止型電子装置の構造及び効果を示唆又は開示していない。
【００１０】
【特許文献１】実開昭５６−１２９７３８号公報
【特許文献２】実開昭５７−１１７６５１号公報
【特許文献３】特開平４−８０９８９号公報
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の樹脂封止型電子装置は、主面(1a)に凹部(10)を有する支持板(1)と、支持板(1)の一方の辺に沿って配置された複数の外部リード(21)と、凹部(10)の底面(10a)に固着された基板(2)と、基板(2)の主面(2a)に固着された電子部品(3)と、凹部(10)内で基板(2)及び電子部品(3)を被覆する保護樹脂(4)と、保護樹脂(4)と共に支持板(1)の少なくとも主面(1a)、周面(1c)及び外部リード(21)の端部を被覆する樹脂封止体(5)とを備えている。電子部品(3)は、基板(2)の主面(2a)に対し少なくとも部分的に間隙(13)を形成する。保護樹脂(4)は、間隙(13)内にも充填され、支持板(1)は、外部リード(21)とは反対側の凹部(10)の周辺部に突出して、支持板(1)と一体に形成されたリブ(11)を備えている。リブ(11)の最上部(11a)は、電子部品(3)の最上部よりも高い位置に配置される。保護樹脂(4)が充填される間隙(13)内に気泡、ボイド又は未充填部が形成されないため、電子部品(3)の動作による加熱によって気泡の熱膨張が発生せず、電子装置の特性不良を防止することができる。また、外部物体が樹脂封止体(5)に当接するときに、電子部品(3)の最上部よりも高い位置に最上部(11a)が配置されるリブ(11)によって、電子部品(3)が保護又は補強されるので、電子部品(3)の機械的損傷を防止することができる。更に、樹脂封止体(5)を形成するときに、流動化する封止樹脂がリブ(11)に衝突して、封止樹脂の運動エネルギが減衰される。このため、大きな運動エネルギを持つ封止樹脂が比較的柔らかい保護樹脂(4)又は電子部品(3)に直接接触することを防止して、電子部品(3)のチップ立ち不良や、封止樹脂が電子部品(3)の間隙(13)内に侵入するのを防ぐことができる。また、封止樹脂の移動方向は、横方向ではなく、支持板(1)の主面(1a)に略直角又は傾斜する方向となる。このため、保護樹脂(4)又は電子部品(3)の移動を防止して、凹部(10)内の所定の位置に保持し、保護樹脂(4)によって電子部品(3)を所期の状態で保護することができる。
【００１２】
本発明の樹脂封止型電子装置の製法は、主面(1a)に凹部(10)及び凹部(10)の周辺部に突出して設けられたリブ(11)を有する支持板(1)と、支持板(1)の周辺に配置された複数の外部リード(21)と、凹部(10)の底面(10a)に固着された基板(2)と、基板(2)の主面(2a)に対し少なくとも部分的に間隙(13)を形成して、基板(2)の主面(2a)に固着された電子部品(3)とを備えたリードフレーム組立体を準備する工程と、間隙(13)を含む凹部(10)内に保護樹脂(4)を充填して、基板(2)及び電子部品(3)を保護樹脂(4)により被覆する工程と、成形型(30)のキャビティ(35)内にリードフレーム組立体を配置して、キャビティ(35)内に流動化する封止樹脂(15)を圧入する工程と、流動化する封止樹脂(15)をリブ(11)に当接させ、リブ(11)を乗り越えた封止樹脂(15)を保護樹脂(4)の周囲に流動させて、封止樹脂(15)を硬化させる工程と、リードフレーム組立体から個々の樹脂封止型電子装置を分離する工程とを含む。キャビティ(35)内に流入する封止樹脂(15)の運動エネルギは、リブ(11)に当接して減衰し、その後、リブ(11)の最上部(11a)を越えて保護樹脂(4)側に流れる。このとき、封止樹脂(15)の移動方向は、横方向ではなく、支持板(1)の主面(1a)に略直角又は傾斜する方向となる。これにより、電子部品(3)及び保護樹脂(4)の移動が阻止され、電子部品(3)及び保護樹脂(4)が所定の位置に保持され、電子部品(3)の電気的特性が劣化することなく良好に樹脂封止体(5)を形成することができる。本実施の形態の樹脂封止型電子装置の製法では、支持板(1)の主面(1a)から凹部(10)に向かい傾斜する樹脂注入面(14)を通じて凹部(10)内に保護樹脂(4)を注入する工程を含む。樹脂注入面(14)に沿い保護樹脂(4)を凹部(10)内に注入すると、凹部(10)内及び電子部品(3)の間隙(13)にボイドがなく保護樹脂(4)を良好に充填できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による樹脂封止型電子装置及びその製法によれば、部品数又は製造工程を増加することなく且つ低コストに、電子部品及び基板を不具合なく良好に樹脂封止して、信頼性の高い樹脂封止型電子装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明による樹脂封止型電子装置及びその製法の実施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。但し、これらの図面では図８に示す箇所と実質的に同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００１５】
図１〜図３に示すように、本発明の樹脂封止型電子装置は、主面(1a)に長方形の凹部(10)を有する支持板(1)と、支持板(1)の一方の辺に沿って配置された３本の外部リード(21)と、凹部(10)の底面(10a)に固着された基板(2)と、基板(2)の主面(2a)に固着された電子部品(3)と、凹部(10)内で基板(2)及び電子部品(3)を被覆する保護樹脂(4)と、保護樹脂(4)と共に支持板(1)の少なくとも主面(1a)、周面(1c)及び外部リード(21)の端部を被覆する樹脂封止体(5)とを備える。コンデンサ、抵抗又はトランジスタ等のチップ部品である電子部品(3)は、基板(2)の主面(2a)に対し少なくとも部分的に間隙(13)を形成し、例えばシリコン樹脂からなる保護樹脂(4)は、間隙(13)内にも充填される。
【００１６】
支持板(1)は、銅若しくはアルミニウム又はこれらの合金等の金属により略長方形の板状に形成され、外部リード(21)は、支持板(1)の側面に沿って支持板(1)から離間する方向に延伸する。また、支持板(1)は、外部リード(21)とは反対側の凹部(10)の周辺部に突出して、支持板(1)と一体に形成されたリブ(11)を有する。リブ(11)は、プレス成型により凹部(10)と同時に且つ支持板(1)と一体に形成でき、強固な構造を有する。リブ(11)は、略垂直に形成されたリブ垂直面(11b)と、凹部(10)に向かい傾斜するリブ傾斜面(11c)とを有し、リブ(11)の略平坦に形成された最上部(11a)は、電子部品(3)の最上部よりも高い位置に配置される。外部物体が樹脂封止体(5)に当接するときに、電子部品(3)の最上部よりも高い位置に最上部(11a)が配置されるリブ(11)によって、電子部品(3)が保護又は補強されるので、電子部品(3)の機械的損傷を防止することができる。更に、樹脂封止体(5)を形成するときに、例えばエポキシ樹脂からなる流動化する封止樹脂(15)は、リブ(11)に衝突して、封止樹脂(15)の運動エネルギが減衰される。このため、大きな運動エネルギを持つ封止樹脂(15)が比較的柔らかい保護樹脂(4)又は電子部品(3)に直接接触することを防止して、封止樹脂(15)が電子部品(3)の間隙(13)内に侵入するのを防げる。また、封止樹脂(15)の衝突により、保護樹脂(4)又は電子部品(3)が移動するのを防止して、凹部(10)内の所定の位置に保持し、保護樹脂(4)によって電子部品(3)を所期の状態で保護できる。リブ(11)は、最上部(11a)を電子部品(3)の間隙(13)よりも高い位置に形成することにより、保護樹脂(4)又は電子部品(3)の移動を防止する効果を有するが、更に電子部品(3)の最上部よりも高い位置に形成することにより、電子部品(3)の機械的損傷を防止できる。リブ傾斜面(11c)の傾斜角度は、支持板(1)の主面(1a)に対して４５度〜８５度の範囲であり、好ましくは６０度程度とする。リブ傾斜面(11c)を４５度〜８５度の角度範囲にすることで、リブ垂直面(11b)に当接して減速する封止樹脂をリブ傾斜面(11c)を通じて保護樹脂(4)の上方から凹部(10)内に注入できる。
【００１７】
また、図１に示すように、支持板(1)は、リブ(11)と反対側の凹部(10)の周辺部に樹脂注入面(14)を有する。支持板(1)の主面(1a)から凹部(10)に向かい傾斜する樹脂注入面(14)を通じて凹部(10)内に保護樹脂(4)を注入する。樹脂注入面(14)に沿い保護樹脂(4)を凹部(10)内に注入すると、凹部(10)内及び電子部品(3)の間隙(13)にボイドがなく保護樹脂(4)を良好に充填できる。樹脂注入面(14)の傾斜角度は、支持板(1)の主面(1a)に対して１０度〜６０度、好ましくは３０度〜４５度の範囲とする。樹脂注入面(14)を１０度〜６０度の角度範囲にすることで、樹脂注入面(14)を通じて保護樹脂(4)を凹部(10)の下方から注入できる。
【００１８】
更に、図３に示すように、支持板(1)は、主面(1a)から凹部(10)に向かい傾斜する傾斜面(12)を有し、電子部品(3)の電極(7)、基板(2)の端子又は配線導体(16)と支持板(1)の外部リード(21)とを電気的に接続するリード細線（ボンディングワイヤ）(6)は、傾斜面(12)上を通り配線される。傾斜面(12)によりリード細線(6)と支持板(1)との距離をより離間して、リード細線(6)の変形、垂下又は傾斜による外部リード(21)との短絡事故を防止できる。傾斜面(12)は、リブ(11)及び樹脂注入面(14)に対して直角且つ一対に凹部(10)の周辺部に形成され、傾斜面(12)の傾斜角度は、支持板(1)の主面(1a)に対して２０度〜７０度、好ましくは４５度程度とする。傾斜面(12)を２０度〜７０度の角度範囲にすることで、良好にリード細線(6)と支持板(1)との距離を離間できる。図１及び図２に示すように、本実施の形態では、リード細線(6)の１本が樹脂注入面(14)上を通り配線され、樹脂注入面(14)もリード細線(6)と支持板(1)との距離をより離間する効果を有する。
【００１９】
図１及び図３に示すように、リブ傾斜面(11c)、樹脂注入面(14)及び一対の傾斜面(12)は、凹部(10)を形成する４つの辺に沿って且つ底面(10a)と共に凹部(10)を形成する側壁面(10b)と連続して各々形成される。また、樹脂注入面(14)及び傾斜面(12)は、支持板(1)の主面(1a)から突出する段部(12a,14a)から凹部(10)側へ傾斜して形成される。段部(12a,14a)は、プレス成型により支持板(1)に凹部(10)を形成するときに、凹部(10)の周囲に形成され、保護樹脂(4)を保持する凹部(10)の容積を増加させる。従って、段部(12a,14a)を形成することにより支持板(1)を薄く形成できる。段部(12a,14a)を省略して、支持板(1)の主面(1a)をリブ(11)を除いて略平坦な形状としてもよい。リブ傾斜面(11c)、樹脂注入面(14)及び傾斜面(12)の形状及び角度範囲は、適宜に変更することが可能であり、リブ傾斜面(11c)、樹脂注入面(14)及び傾斜面(12)の何れかを省略してもよい。しかしながら、各傾斜面(11c,14,12)の傾斜角度が前記角度範囲を越えると傾斜面(11c,14,12)を設けることによる効果が著しく低く、前記角度範囲に満たないと支持板(1)上で各傾斜面(11c,14,12)が大きなスペースを要し、好ましくない。
【００２０】
樹脂基板等の基板(2)は、非導電性又は導電性の接着剤(18)により支持板(1)の凹部(10)の底面(10a)に固着され、基板(2)の主面(2a)には、印刷により銅等の導電性材料から成る配線導体(16)が形成される。図２及び図３に示すように、本実施の形態では、電子部品(3)として基板(2)上にチップ抵抗(3a)及びトランジスタチップ(3b)が固着され、エミッタフォロア回路（コレクタ接地回路）を構成する。トランジスタチップ(3b)のベース端子は、リード細線(6)により基板(2)上の配線導体(16)を介して外部リード(21a)に電気的に接続され、コレクタ端子は、リード細線(6)により配線導体(16)を介して外部リード(21b)に電気的に接続される。チップ抵抗(3a)の一方の電極(7a)は、リード細線(6)により配線導体(16)を介して外部リード(21c)に電気的に接続されて接地し、他方の電極(7b)は、配線導体(16)を通じてトランジスタチップ(3b)のエミッタ端子に電気的に接続される。トランジスタチップ(3b)のベース端子及びコレクタ端子に接続された２本の外部リード(21a,21b)は、支持板(1)の一方の辺に支持板(1)から離間して配置され、チップ抵抗(3a)の一方の電極(7a)に接続された外部リード(21c)は、支持板(1)の一方の辺に一端が接続された状態に形成される。
【００２１】
次に、本実施の形態の樹脂封止型電子装置の製法を示すが、工程順序は本発明を限定するものではない。樹脂封止型電子装置を製造する際に、まず、基板(2)を用意する。周知の半田付け方法によりチップ抵抗(3a)の電極(7)及びトランジスタチップ(3b)の各端子を、基板(2)上の配線導体(16)に固着し、チップ抵抗(3a)及びトランジスタチップ(3b)を基板(2)の主面(2a)の所定の位置に配置する。次に、図４に示すように、主面(1a)に凹部(10)及び凹部(10)の周辺部に突出して設けられたリブ(11)を有する支持板(1)を形成し、チップ抵抗(3a)及びトランジスタチップ(3b)を固着した基板(2)を支持板(1)の凹部(10)の底面(10a)の所定の位置に固着してリードフレーム組立体を形成する。
【００２２】
周知のワイヤボンディング方法によってリード細線(6)を接続した後、図５に示すように、ディスペンサ(37)によって保護樹脂(4)を間隙(13)を含む凹部(10)内に充填して、基板(2)及び電子部品(3)を保護樹脂(4)により被覆する。この際、ディスペンサ(37)のノズルを支持板(1)の樹脂注入面(14)に近接して設置し、樹脂注入面(14)を通じて凹部(10)内に保護樹脂(4)を注入する。これにより、凹部(10)内の空気を排出しながら、保護樹脂(4)を凹部(10)の下方に充填して、凹部(10)内及び電子部品(3)の間隙(13)内に気泡、ボイド又は未充填部を形成せずに、保護樹脂(4)を充填できるので、電子部品(3)から発生する熱によって気泡の熱膨張が発生せず、電子装置の特性不良を防止して信頼性が向上する。支持板(1)又は外部リード(21)に撓みが生じても、間隙(13)内に最大限度まで充填された保護樹脂(4)のクッション作用により電子部品(3)に加わる応力を緩和できる。
【００２３】
続いて、図６に示すように、成形型(30)のキャビティ(35)内にリードフレーム組立体を配置して、キャビティ(35)内に流動化する封止樹脂(15)を圧入する。支持板(1)は、外部リード(21)がリード収容溝(33)に配置され、凹部(10)を介して外部リード(21)の反対側に形成されたリブ(11)は、ゲート(34)に面して配置される。即ち、支持板(1)は、リードフレーム組立体としてキャビティ(35)内に設置されたとき、電子部品(3)の間隙(13)は、支持板(1)上でリード収容溝(33)及びゲート(34)の方向に向けられるが、主面(1a)上のリブ(11)は、凹部(10)とゲート(34)との間に配置される。別法として、電子部品(3)の間隙(13)をリード収容溝(33)又はゲート(34)のない他側面に向けて配置してもよい。また、本実施の形態では、支持板(1)の一方の辺に沿って外部リード(21)を配置するが、支持板(1)の複数の辺に沿って外部リード(21)を配置するリードフレームを使用してもよい。リードフレームの形状又は外部リード(21)の本数は、本発明の製法を限定するものではない。
【００２４】
ゲート(34)からキャビティ(35)内に流入する流動化する封止樹脂(15)をリブ(11)に当接させ、リブ(11)の最上部(11a)を乗り越えた封止樹脂(15)を保護樹脂(4)の周囲に流動させる。キャビティ(35)内に流入する封止樹脂(15)の運動エネルギは、リブ(11)に当接して減衰し、その後、リブ(11)の最上部(11a)を越えて保護樹脂(4)側に流れる。このとき、図６に矢印で示すように、封止樹脂(15)は、従来の横方向ではなく、支持板(1)の主面(1a)に略直角又は傾斜する方向に移動する。これにより、運動エネルギを持つ封止樹脂(15)との接触の際の電子部品(3)及び保護樹脂(4)の移動が阻止され、電子部品(3)及び保護樹脂(4)が所定の位置に保持され、電子部品(3)の電気的特性を劣化させずに所期のモールド構造を有する樹脂封止体(5)を良好に形成できる。リブ(11)に形成されたリブ傾斜面(11c)は、リブ垂直面(11b)に当接して減速する封止樹脂(15)を凹部(10)内に円滑に案内して、樹脂封止体(5)内に気泡又は未充填部が発生するのを防止できる。図６では、支持板(1)の裏面と下型(32)とが密着するが、間隔を形成して支持板(1)の裏面も封止樹脂(15)により被覆してもよい。この後、封止樹脂(15)を硬化させ、リードフレーム組立体から個々の装置を分離して、図１に示す樹脂封止型電子装置が完成する。
【００２５】
本発明の実施態様は前記の実施の形態に限定されず、更に種々の変更が可能である。例えば、電子部品(3)は、トランジスタチップ、チップ抵抗又はチップコンデンサ等のチップ部品に限定されず、表面実装部品を含む他の電子部品を構成して樹脂封止型電子装置を形成してもよい。本発明は、部品形状又は基板(2)への取り付け方法により基板(2)の主面(2a)との間に間隙(13)を形成する全ての電子部品(3)に適用することができる。また、図７に示すように、バンプ方式の回路に本発明を適用してもよい。図７に示すリードフレーム組立体は、リード細線を使用せず、トランジスタチップ(3b)をバンプ端子(22)により基板(2)の配線導体(16)と接続するため、基板(2)とトランジスタチップ(3b)との間に大きな間隙(13)が形成されるが、本発明により間隙(13)内に保護樹脂(4)を充填できると共に、良好に樹脂封止体(5)を形成できる。実施の形態では、エミッタフォロア回路を示したが、他の回路構成でもよい。複数の電子部品(3)を構成する集積回路に限定されず、単一の電子部品(3)を樹脂パッケージ化する樹脂封止型電子装置にも本発明を適用できる。複数の電子部品(3)を有する樹脂封止型電子装置では、本発明により課題を解決する必要がある電子部品(3)に適応すればよく、リブ(11)を樹脂封止型電子装置内の全ての電子部品よりも高くする必要はない。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、チップ部品を基板上に実装した集積回路を樹脂封止する樹脂封止型電子装置に効果が顕著である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明による樹脂封止型電子装置の断面図
【図２】図１の樹脂封止型電子装置の平面図
【図３】図１の樹脂封止型電子装置の他の断面図
【図４】支持板の斜視図
【図５】支持板の凹部内に保護樹脂を充填する工程を示す断面図
【図６】トランスファモールド工程を示す断面図
【図７】バンプ方式の回路によるリードフレーム組立体を示す断面図
【図８】従来の樹脂封止型電子装置によるトランスファモールド工程を示す断面図
【図９】保護樹脂の未充填部を有する従来の樹脂封止型電子装置の拡大写真
【図１０】電子部品の基板との間隙内に封止樹脂が充填された従来の樹脂封止型電子装置の拡大写真
【符号の説明】
【００２８】
(1)・・支持板、  (1a)・・主面、  (1c)・・周面、  (2)・・基板、  (2a)・・主面、  (3)・・電子部品、  (4)・・保護樹脂、  (5)・・樹脂封止体、  (6)・・リード細線、  (7)・・電極、  (10)・・凹部、  (10a)・・底面、  (11)・・リブ、  (11a)・・最上部、  (11b)・・リブ垂直面、  (11c)・・リブ傾斜面、  (12)・・傾斜面、  (13)・・間隙、  (14)・・樹脂注入面、  (15)・・封止樹脂、  (21)・・外部リード、  (30)・・成形型、  (35)・・キャビティ、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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