(57)【要約】【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。  本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと；画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。【選択図】図２１Ｂ
2006018276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；
前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；
前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；
前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１共通電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記基板上に位置する第２共通電極と；
前記データ配線と第２共通配線間の領域を通した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記ゲート配線及びデータ配線それぞれの終端に位置するゲートパッド電極及びデータパッド電極と；
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ位置するゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子をさらに含んで、
前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは少なくとも前記透明層を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは前記透明層下部に前記不透明層をさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記不透明層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記低反射層はクロムオキサイド（ＣｒＯＸ）で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記透明層はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
第１基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；
前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；
前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；
前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極と；
第２基板と；
前記第１、２基板間に位置する液晶層を含む液晶表示装置。
【請求項２２】
前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記第１基板上に位置する第２共通電極と；
前記データ配線と第２共通配線間の領域を通した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることを特徴とする請求項２８に記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【請求項３２】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置。
【請求項３３】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置。
【請求項３４】
基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と；
相互に交差するゲート配線及びデータ配線を形成することによって、前記薄膜トランジスタに近接する画素領域を定義する段階と；
前記画素領域にカラーフィルターパターンを形成する段階と；
前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に画素電極を形成する段階を含む液晶表示装置製造方法。
【請求項３５】
前記画素電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項３６】
前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に第１共通電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項３７】
前記第１共通電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項３８】
前記画素電極と前記第１共通電極を形成する段階は前記画素電極と前記第１共通電極を同一平面に形成する段階を含むことを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項３９】
前記第１共通電極と同一平面で連結する第１共通配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３８に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４０】
前記第１共通配線を形成する段階は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に前記第１共通配線を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３９に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４１】
前記基板上に第２共通電極を形成する段階と；
前記データ配線と第２共通配線間の領域を通した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４２】
前記ゲート配線と同一平面に位置して、前記第２共通電極と連結される第２共通配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４３】
前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を形成することによってストレージキャパシターを形成する段階をさらに含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることを特徴とする請求項４２に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４４】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記不透明層及び低反射層上部に前記透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４５】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記透明層上部に前記不透明層及び低反射層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４６】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、前記透明層の側面をオーバーエッチングして前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項４５に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４７】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、
前記不透明層及び低反射層をパターニングして前記透明層を露出する段階と；
前記露出した透明層をパターニングして前記不透明層及び低反射層より広い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項４５に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４８】
前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；
前記ゲートパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってゲートパッド電極端子を形成する段階と；
前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；
前記データパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってデータパッド電極端子を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４９】
前記ゲートパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記ゲートパッド電極上に前記不透明層を形成する段階と；
前記データパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記データパッド電極上に前記不透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項４８に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項５０】
前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；
前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ、前記透明層と不透明層と低反射層を形成することによってゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階をさらに含んで、
前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階は前記画素電極及び第１共通電極を形成する段階と同時に遂行されることを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項５１】
前記基板上の上部基板を、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を露出するように位置させる段階と；
前記上部基板をマスクとして用いて前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子の不透明層及び低反射層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項５０に記載の液晶表示装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は液晶分子の光学的異方性と複屈折特性を利用して画像を表現することであって、電界が印加されると液晶の配列が変わって変わった液晶の配列方向によって光が透過される特性も変わる。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置は電界生成電極がそれぞれ形成されている両基板を両電極が形成されている面が向かい合うように配置して両基板間に液晶物質を注入した次に、両電極に電圧を印加して生成される電界により前記液晶分子を動かすようにすることによって、これにより変わる光の透過率により画像を表現する装置である。
【０００４】
図１は従来の液晶表示装置を概略的に示した図面である。
【０００５】
図示したように、液晶表示装置１１はカラーフィルターパターン８と各カラーフィルターパターン８間に構成されたブラックマトリックス６とカラーフィルターパターン８及びブラックマトリックス６の上部に蒸着された共通電極１８が形成された上部基板５と、画素領域Ｐが定義されて画素領域Ｐには画素電極１７とスイッチング素子Ｔが構成され、画素領域Ｐの周辺でアレイ配線が形成された下部基板２２と、上部基板５と下部基板２２間には充填された液晶１４を含む。
【０００６】
前記下部基板２２はアレイ基板とも言って、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴがマトリックス形態で位置して、このような複数の薄膜トランジスタＴを交差して通り過ぎるゲート配線１３とデータ配線１５が形成される。
【０００７】
この時、前記画素領域Ｐは前記ゲート配線１３とデータ配線１５が交差して定義される領域であって、前記画素領域Ｐには前述したように透明な画素電極１７が形成される。
【０００８】
前記画素電極１７はインジウム−スズ−オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）のように光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を用いる。
【０００９】
前記画素電極１７と並列に連結したストレージキャパシターＣがゲート配線１３の上部に構成される。ストレージキャパシターＣの第１電極でゲート配線１３の一部を用いて、第２電極でソース及びドレイン電極と同一層同一物質で形成されたアイランド状のストレージ金属３０を用いる。
【００１０】
この時、前記ストレージ金属３０は画素電極１７と接触して画素電極１７の信号を受けるように構成される。
【００１１】
ところが、前述したように上部カラーフィルター基板５と下部アレイ基板２２を合着して液晶パネルを製作する場合には、カラーフィルター基板５とアレイ基板２２の合着誤差による光漏れ不良などが発生する確率が非常に高い。
【００１２】
このような短所を克服するための構造で、従来にはアレイ基板にカラーフィルターパターンを構成したＣＯＴ構造の液晶表示装置を提案している。
【００１３】
これに対して以下、図２を参照しながら説明する。
【００１４】
図２は従来のＣＯＴ構造液晶表示装置を概略的に示した断面図である。
【００１５】
図示したように、従来のＣＯＴ構造の液晶表示装置ＬＣはアレイ基板３０と、アレイ基板３０とはシーラント６０を介して合着される上部基板７０で構成される。
【００１６】
前記アレイ基板３０は基板面にゲート電極３３と半導体層３８とソース電極４０とドレイン電極４２を含む薄膜トランジスタＴが構成されて、図示しなかったが、前記薄膜トランジスタＴを中心にして垂直に交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線及びデータ配線（３２、図示せず）が構成される。
【００１７】
前記ゲート配線３２の一端にはゲートパッド電極３４及びゲートパッド電極端子５８が構成されて、前記データ配線（図示せず）の一端にはデータパッド電極及びデータパッド電極端子（図示せず）が構成される。
【００１８】
前述した構成で、前記ゲート電極３３とソース及びドレイン電極４０、４２間にはゲート絶縁膜３６が構成されて、前記薄膜トランジスタＴの上部には保護膜５０が構成される。
【００１９】
前記薄膜トランジスタＴ及びアレイ配線が構成された基板３０の全面には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色カラーフィルターパターン（５２ａ、５２ｂ、図示せず）とブラックマトリックスＢＭが構成されるが、前記カラーフィルターパターン（５２ａ、５２ｂ、図示せず）は画素領域Ｐに対応して構成されて、前記ブラックマトリックスＢＭは前記薄膜トランジスタＴに対応して構成される。
【００２０】
前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色カラーフィルターパターン（５２ａ、５２ｂ、図示せず）の上部には前記ドレイン電極４２と接触する透明な画素電極５６が構成される。
【００２１】
前述したように構成されたアレイ基板３０に対応する上部基板７０の一面には前記液晶表示装置ＬＣの外廓に対応してこの部門での光漏れを防止するための遮断パターン７２が構成される。
【００２２】
前記遮断パターン７２の下部には透明な共通電極７４が構成される。
【００２３】
前述したように、従来のＣＯＴ構造の液晶表示装置を構成することができる。
【００２４】
前述した構成は、先に言及したようにアレイ基板にカラーフィルターパターンを直接構成するため、上部基板に別途のカラーフィルターパターンを構成して合着した構造に比べて合着マージンをさらに置く必要がないので開口領域確保を介して、開口率を改善することができる効果がある。
【００２５】
しかし、前述した垂直電界モードの液晶表示装置は一般的にＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ  ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いてこのような液晶は上．下／左．右で視野角特性が優秀でなくて情報量を表示するのに限界がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
前述したような問題を解決するための本発明の目的は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
前述したような目的を達成するために、本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置構造を提供する。
【００２８】
ここで、前記画素電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することができる。
【００２９】
前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することができる。
【００３０】
前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することができる。
【００３１】
前記第１共通電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することができる。
【００３２】
前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することができる。
【００３３】
前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することができる。
【００３４】
前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することができる。
【００３５】
前記基板上に位置する第２共通電極と；前記データ配線と第２共通配線間の領域を介した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことができる。
【００３６】
前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することができる。
【００３７】
ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることである。
【００３８】
前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することができる。
【００３９】
前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することができる。
【００４０】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することができる。
【００４１】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することができる。
【００４２】
前記ゲート配線及びデータ配線それぞれの終端に位置するゲートパッド電極及びデータパッド電極と；前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ位置するゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子をさらに含んで、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは少なくとも前記透明層を有することができる。
【００４３】
前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは前記透明層下部に前記不透明層をさらに有することができる。
【００４４】
前記不透明層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることができる。
【００４５】
前記低反射層はクロムオキサイド（ＣｒＯＸ）で形成されることができる。
【００４６】
前記透明層はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることができる。
【００４７】
他の側面で、本発明は、第１基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極と；第２基板と；前記第１、２基板間に位置する液晶層を含む液晶表示装置を提供する。
【００４８】
ここで、前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することができる。
【００４９】
前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することができる。
【００５０】
前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することができる。
【００５１】
前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することができる。
【００５２】
前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することができる。
【００５３】
前記第１基板上に位置する第２共通電極と；前記データ配線と第２共通配線間の領域を介した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことができる。
【００５４】
前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することができる。
【００５５】
ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることである。
【００５６】
前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することができる。
【００５７】
前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することができる。
【００５８】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することができる。
【００５９】
前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することができる。
【００６０】
また他の側面で、本発明は、基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と；相互に交差するゲート配線及びデータ配線を形成することによって、前記薄膜トランジスタに近接する画素領域を定義する段階と；前記画素領域にカラーフィルターパターンを形成する段階と；前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に画素電極を形成する段階を含む液晶表示装置製造方法を提供する。
【００６１】
前記画素電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことができる。
【００６２】
前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に第１共通電極を形成する段階をさらに含むことができる。
【００６３】
前記第１共通電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことができる。
【００６４】
前記画素電極と前記第１共通電極を形成する段階は前記画素電極と前記第１共通電極を同一平面に形成する段階を含むことができる。
【００６５】
前記第１共通電極と同一平面で連結する第１共通配線を形成する段階をさらに含むことができる。
【００６６】
前記第１共通配線を形成する段階は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に前記第１共通配線を形成する段階を含むことができる。
【００６７】
前記基板上に第２共通電極を形成する段階と；前記データ配線と第２共通配線間の領域を介した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部を形成する段階をさらに含むことができる。
【００６８】
前記ゲート配線と同一平面に位置して、前記第２共通電極と連結される第２共通配線を形成する段階をさらに含むことができる。
【００６９】
前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を形成することによってストレージキャパシターを形成する段階をさらに含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることである。
【００７０】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記不透明層及び低反射層上部に前記透明層を形成する段階を含むことができる。
【００７１】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記透明層上部に前記不透明層及び低反射層を形成する段階を含むことができる。
【００７２】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、前記透明層の側面をオーバーエッチングして前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことができる。
【００７３】
第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、前記不透明層及び低反射層をパターニングして前記透明層を露出する段階と；前記露出した透明層をパターニングして前記不透明層及び低反射層より広い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことができる。
【００７４】
前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；前記ゲートパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってゲートパッド電極端子を形成する段階と；前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；前記データパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってデータパッド電極端子を形成する段階を含むことができる。
【００７５】
前記ゲートパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記ゲートパッド電極上に前記不透明層を形成する段階と；前記データパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記データパッド電極上に前記不透明層を形成する段階を含むことができる。
【００７６】
前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ、前記透明層と不透明層と低反射層を形成することによってゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階をさらに含んで、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階は前記画素電極及び第１共通電極を形成する段階と同時に遂行されることができる。
【００７７】
前記基板上の上部基板を、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を露出するように位置させる段階と；前記上部基板をマスクとして用いて前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子の不透明層及び低反射層を除去する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００７８】
本発明の実施形態によって製作されたＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置は次のような効果を有する。
【００７９】
第一に、横電界型アレイ基板にカラーフィルターを形成するによって、設計時合着マージンを考慮しなくても良いので合着マージンだけ開口領域をさらに確保することができるようになって開口率及び輝度を改善することができる効果がある。
【００８０】
第二に、本発明はブラックマトリックスを別途に形成しない代わりに、共通配線がブラックマトリックスの機能を兼ねるため工程を単純化することができる効果がある。
【００８１】
第三に、本発明の第２及び第３実施形態は本発明の第１実施形態に比べて２個のマスク工程を減らすことができるため工程単純化を介して工程時間を短縮することができて、同時に工程中不良発生確率を減らすことができるので製品の収率を改善する効果がある。また、工程費用を低くめることができる効果があるので製品の競争力を改善することができる効果がある。
【００８２】
第四に、本発明の第３実施形態による共通電極及び画素電極は周辺で透明な金属が露出する形状であるのでこの部分で下部の光がさらに透過されることができて輝度が改善される効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８３】
以下、添付した図面を参照して、本発明による望ましい実施形態を説明する。
−−第１実施形態−−
【００８４】
本発明の第１実施形態はＣＯＴ構造の横電界方式（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｍｏｄｅ：ＩＰＳ）液晶表示装置に係り、カラーフィルターパターン及びブラックマトリックスをアレイ基板に構成して、画素電極と共通電極を不透明導電層、低反射導電層、透明導電層で構成することを特徴とする。
【００８５】
図３は本発明の第１実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を示した平面図である。
【００８６】
図示したように、基板１００上に一方向に延長されて一端にゲートパッド電極１０６を含むゲート配線１０４と、前記ゲート配線１０４と垂直に交差して画素領域Ｐを定義して一端にデータパッド電極１２６を含むデータ配線１２４を構成する。
【００８７】
前記データパッド電極１２６はデータパッド電極端子１４２と接触するように構成して、前記ゲートパッド電極１０６はゲートパッド電極端子１４０と接触するように構成する。
【００８８】
前記ゲート配線１０４とデータ配線１２４の交差地点にはゲート電極１０２と、半導体層１１６とソース電極１１８とドレイン電極１２０を含む薄膜トランジスタＴを構成する。
【００８９】
前記ゲート配線１０４と平行するように離隔された領域に一方向に延長された第１共通配線１０８を構成して、前記第１共通配線１０８から前記画素領域Ｐへ延長された第１共通電極１１０を構成する。
【００９０】
前記第１共通電極１１０は前記画素領域Ｐ両側のデータ配線１２４と近接するように所定間隔離隔されて構成される。
【００９１】
前記画素領域Ｐに対応して赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）のカラーフィルター１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃを構成する。
【００９２】
前記ゲート配線１０４と薄膜トランジスタＴの上部に対応して第２共通配線１３６を構成する。前記第２共通配線１３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極１３８を構成する。遮断部１３７は第２共通配線１３６から延長されてデータ配線１２４に対応するように構成される。第２共通配線１３６は薄膜トランジスタＴとゲート配線１０４上部でこれらを覆うように構成される。遮断部１３７はデータ配線１２４上部でこれを覆うように構成される。このように、第２共通配線１３６と遮断部１３７はブラックマトリックスの機能をするようになって、格子状を成すようになる。特に、遮断部１３７はデータ配線１２４と第１共通電極１１０間の領域を覆うように構成されて、その領域を介した光漏れを防止することができる。さらに、遮断部１３７は第１共通電極１１０を覆うように構成されることができる。
【００９３】
前記第２共通電極１３８と同時に、前記ドレイン電極１２０から延長されたストレージ電極１２２と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極１３４を形成する。
【００９４】
前記画素電極１３４は前記第１共通電極１１０と第２共通電極１３８間にこれらとは平行するように離隔するようにして構成する。
【００９５】
ストレージ電極１２２は第１共通配線１０８と重なってストレージキャパシターを形成するようになる。
【００９６】
前述したような構成で、データ配線１２４、第１、２共通電極１１０、１３８、画素電極１３４は少なくとも一回以上折れられた形状を有することができる。例えば、データ配線１２４、第１、２共通電極１１０、１３８、画素電極１３４それぞれは傾斜した角度を形成する第１直線部と第２直線部を有することができる。
【００９７】
第１共通配線１０８はゲート配線１０４と同一な層に形成されて、画素電極１３４と第２共通電極１３８はデータ配線１２４と同一な層に形成される。
【００９８】
画素電極１３４と第２共通電極１３８は３層の導電層、すなわち、抵抗が低い不透明導電層と、低反射特性を有した低反射導電層と、透明な導電層を積層して構成することを特徴とする。不透明な導電層は薄膜トランジスタＴに入射する光を遮断する機能をして、低反射導電層は不透明な導電層の高い反射率を低下させる機能をする。
【００９９】
前述したように、本発明の実施形態による液晶表示装置では、カラーフィルターパターンが薄膜トランジスタ、ゲート配線及びデータ配線等が形成された基板と同一な基板に形成されるので、基板合着による合着誤差は問題にならない。したがって、開口率と光漏れなどは減少されることができる。さらに、第２共通配線と遮断部はブラックマトリックスで機能するので、ブラックマトリックスを形成するための別途の工程が要らなくなる。
【０１００】
また、画素電極と共通電極は同一基板に形成されて横電界（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）を形成するようになる。特に、画素電極と共通電極は折れられた形状を有するによって、２個のドメインが形成される。これにより、視野角はさらに向上することができるようになる。また、薄膜トランジスタに入射する光を遮断することができる不透明な導電層と、不透明な導電層の高い反射率を低下させるための低反射導電層を用いることによって、画質を改善することができるようになる。
【０１０１】
以下、本発明の第１実施形態による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を以下、図面を参照しながら説明する。
【０１０２】
図４Ａないし図４Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１０３】
図示したように、基板１００上にスイッチング領域Ｓを含む画素領域Ｐと、画素領域Ｐの一側にストレージ領域ＳＴと、ゲートパッド領域ＧＰとデータパッド領域ＤＰとデータ領域Ｄを定義する。
【０１０４】
前記複数の領域Ｓ、Ｐ、ＳＴ、ＧＰ、ＤＰ、Ｄが定義された基板１００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着して第１マスク工程でパターニングして、一端にゲートパッド電極１０６を含むゲート配線（図３の１０４）と、前記ゲート配線から連結されて前記スイッチング領域Ｓに位置するゲート電極１０２と、前記ゲート配線と離隔して構成された第１共通配線１０８と、前記第１共通配線１０８で前記画素領域Ｐの両側に延長された第１共通電極１１０を形成する。
【０１０５】
この時、前記ゲート電極１０２はゲート配線の一部を電極で用いることができ、前記ゲート配線から延長された突出部をゲート電極で用いることができる。
【０１０６】
前記ゲート電極１０２とゲートパッド電極１０６及びゲート配線と第１共通配線１０８と第１共通電極１１０が形成された基板１００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を積層してゲート絶縁膜１１２を形成する。
【０１０７】
次に、前記ゲート絶縁膜１１２が形成された基板１００の全面に純粋非晶質シリコーン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と不純物非晶質シリコーン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着して第２マスク工程でパターニングして、前記ゲート電極１０２に対応するゲート絶縁膜１１２の上部に半導体層１１６を形成する。半導体層１１６は純粋非晶質シリコーンで構成されたアクティブ層１１４と不純物非晶質シリコーンで構成されたオーミックコンタクト層１１５を含む。
【０１０８】
図５Ａないし図５Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１０９】
図示したように、前記半導体層１１６が形成された基板１００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着して第３マスク工程でパターニングして、前記オーミックコンタクト層１１６と接触しながら相互に離隔されたソース電極１１８とドレイン電極１２０と、前記ドレイン電極１２０で前記第１共通配線１０８の上部に延長されたストレージ電極１２２を形成する。
【０１１０】
同時に、前記ソース電極１１８と連結されて前記ゲート配線とは垂直に交差して画素領域Ｐを定義して一端にデータパッド電極１２６を含むデータ配線１２４を形成する。
【０１１１】
図６Ａないし図６Ｄは本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１１２】
前記ソース及びドレイン電極１１８、１２０等が形成された基板１００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着したり場合によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を塗布して保護層１２８を形成する。
【０１１３】
図７Ａないし図７Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１１４】
図示したように、前記保護層１２８が形成された基板１００に、第４マスク工程で前記画素領域Ｐに対応するカラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃを形成する。
【０１１５】
前記カラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）のカラーフィルターパターンであって、複数の画素領域Ｐに対応してストライプ形状またはモザイク形状等で順次形成することができ、一つのマスクを利用して前記三色のカラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃを形成する。
【０１１６】
前記カラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃが形成された基板１００の全面にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つを塗布して平坦化層１３２を形成する。
【０１１７】
図８Ａないし図８Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１１８】
図示したように、第５マスク工程を介して第１、２、３、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３を形成する。すなわち、第１コンタクトホールＣＨ１は平坦化層１３２と、カラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃと、保護膜１２８をパターニングして形成される。したがって、第１コンタクトホールＣＨ１はストレージ電極１２２の一部を露出するようになる。そして、第２コンタクトホールＣＨ２は平坦化層１３２と保護層１２８とゲート絶縁膜１１２をパターニングして形成される。したがって、第２コンタクトホールＣＨ２はゲートパッド電極１０６の一部を露出するようになる。また、第３コンタクトホールＣＨ３は平坦化層１３２と保護層１２８をパターニングして形成される。したがって、第３コンタクトホールＣＨ３はデータパッド電極１２６の一部を露出するようになる。
【０１１９】
図９Ａないし図９Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１２０】
図示したように、複数のコンタクトホールを含む前記平坦化層１３２が形成された基板１００の全面に不透明な金属としてアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着して第１導電層ａ１を形成して、前記第１導電層ａ１の上部に低反射金属としてクロムオキサイド（ＣｒＯＸ）のような低反射特性を有する金属を蒸着して第２導電層ａ２を形成する。その後に、第６マスク工程でパターニングして、前記露出したストレージ電極１２２と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極１３４と、前記ゲート配線とデータ配線１２４と前記スイッチング領域Ｓに対応して格子状を成す第２共通配線１３６及び遮断部１３７と、前記第２共通配線１３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極１３８を形成する。ここで、第１導電層ａ１としては特にクロム（Ｃｒ）が効果的であって、第２導電層ａ２は第１導電層ａ１に比べて反射率が低い。
【０１２１】
同時に、前記ゲートパッド電極１０６と接触するゲートパッド電極端子１４０と前記データパッド電極１２６と接触するデータパッド電極端子１４２を形成する。
【０１２２】
この時、遮断部１３７は前記データ配線１２４と、データ配線１２４の両側に近接して構成された第１共通電極１１０の離隔された領域Ｂを遮蔽するように構成する。
【０１２３】
図１０Ａないし図１０Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１２４】
図示したように、第７マスク工程を利用して、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子１４０、１４２を構成する第２導電層ａ２を除去して下部の第１導電層ａ１だけ残す工程を進行する。第２導電層ａ２は高い抵抗を有するため、外部駆動回路と接触するゲート及びデータパッド電極端子１４０、１４２における抵抗を低くめるために第２導電層ａ２を除去するようになる。
【０１２５】
図１１Ａないし図１１Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１２６】
前述した工程で、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子１４０、１４２で第１導電層ａ１だけ残した後、基板１００の全面にインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）と、インジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着して第８マスク工程でパターニングして、前記画素電極１３４と第２共通配線１３６と遮断部１３７と第２共通電極１３６、１３８の第３導電層ａ３としてパターニングする同時に、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子１４０、１４２の第１導電層ａ１上部の第３導電層ａ３でパターニングする。
【０１２７】
前述した工程で、前記ストレージ領域ＳＴには前記第１共通配線１０８を第１電極にして、前記ストレージ電極１２２を第２電極にするストレージキャパシターＣＳＴが構成される。
【０１２８】
前述したような工程で本発明の第１実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を製作することができる。
−−第２実施形態−−
【０１２９】
本発明の第２実施形態の特徴は前述した第１実施形態に比べてマスク工程を減らしてＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することを特徴とする。
【０１３０】
本発明の第２実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の平面図は前記第１実施形態と同様であるのでこれを参照する。特に、本発明の第２実施形態は、画素電極及び第２共通電極の構造及び製造工程を除いては、本発明の第１実施形態と同様である。したがって、本発明の第２実施形態では、本発明の第１実施形態と同一同様の事項に対しては説明を省略する。
【０１３１】
以下、工程断面図を参照して本発明の第２実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を説明する。（平面図は図３を参照して同一な構成は１００番を加えて表記する。）
【０１３２】
図１２Ａないし図１２Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１３３】
図示したように、基板２００上にスイッチング領域Ｓを含む画素領域Ｐと、画素領域Ｐの一側にストレージ領域ＳＴとゲートパッド領域ＧＰとデータパッド領域ＤＰとデータ領域Ｄを定義する。
【０１３４】
前記複数の領域Ｓ、Ｐ、ＳＴ、ＧＰ、ＤＰ、Ｄが定義された基板２００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を積層して第１マスク工程でパターニングして、一端にゲートパッド電極２０６を含むゲート配線（図３の１０４）と、前記ゲート配線から連結されて前記スイッチング領域Ｓに位置するゲート電極２０２と、前記ゲート配線と離隔して構成された第１共通配線２０８と、前記第１共通配線２０８で前記画素領域Ｐの両側に延長された第１共通電極２１０を形成する。
【０１３５】
この時、前記ゲート電極２０２は図示したようにゲート配線の一部を電極で用いることができ、前記ゲート配線から延長された突出部をゲート電極で用いることができる。
【０１３６】
前記ゲート電極２０２とゲートパッド電極２０６及びゲート配線と第１共通配線２０８と第１共通電極２１０が形成された基板２００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を積層してゲート絶縁膜２１２を形成する。
【０１３７】
次に、前記ゲート絶縁膜２１２が形成された基板２００の全面に純粋非晶質シリコーン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と不純物非晶質シリコーン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着して第２マスク工程でパターニングして、前記ゲート電極２０２に対応するゲート絶縁膜２１２の上部にアクティブ層２１４とオーミックコンタクト層２１５を含む半導体層２１６を形成する。
【０１３８】
図１３Ａないし図１３Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１３９】
図示したように、前記半導体層２１６が形成された基板２００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着して第３マスク工程でパターニングして、前記オーミックコンタクト層２１６と接触しながら相互に離隔されたソース電極２１８とドレイン電極２２０と、前記ドレイン電極２２０で前記第１共通配線２０８の上部に延長されたストレージ電極２２２を形成する。
【０１４０】
同時に、前記ソース電極２１８と連結されて前記ゲート配線と交差して画素領域Ｐを定義して一端にデータパッド電極２２６を含むデータ配線２２４を形成する。
【０１４１】
図１４Ａないし図１４Ｄは本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１４２】
図示したように、前記ソース及びドレイン電極２１８、２２０等が形成された基板２００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着したり場合によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を塗布して保護層２２８を形成する。
【０１４３】
図１５Ａないし図１５Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１４４】
前記保護層２２８が形成された基板２００のうち、前記画素領域Ｐに対応して第４マスク工程でカラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃを形成する。
【０１４５】
前記カラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃは赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）のカラーフィルターパターンであって、複数の画素領域Ｐに対応してストライプ形状またはモザイク形状等で順次形成することができ、一つのマスクを利用して前記三色のカラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃを形成する。
【０１４６】
前記カラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃが形成された基板２００の全面にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つを塗布して平坦化層２３２を形成する。
【０１４７】
図１６Ａないし図１６Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１４８】
図示したように、第５マスク工程を介して第１、２、３、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３を形成する。すなわち、第１コンタクトホールＣＨ１は平坦化層２３２と、カラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃと、保護層２２８をパターニングして形成される。したがって、第１コンタクトホールＣＨ１はストレージ電極２２２の一部を露出するようになる。そして、第２コンタクトホールＣＨ２は平坦化層２３２と保護層２２８とゲート絶縁膜２１２をパターニングして形成される。したがって、第２コンタクトホールＣＨ２はゲートパッド電極２０６の一部を露出するようになる。また、第３コンタクトホールＣＨ３は平坦化層２３２と保護層２２８をパターニングして形成される。したがって、第３コンタクトホールＣＨ３はデータパッド電極２２６の一部を露出するようになる。
【０１４９】
図１７Ａないし図１７Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１５０】
図示したように、前記平坦化層２３２が形成された基板１００の全面に第１導電層ａ１と第２導電層ａ２と第３導電層ａ３を積層して形成する。
【０１５１】
この時、前記第１導電層ａ１はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着して形成して、前記第２導電層ａ２はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つで形成して、前記第３導電層ａ３はクロムオキサイド（ＣｒＯＸ）をはじめとする低反射特性を有する物質を蒸着して形成する。
【０１５２】
この時、效果的には前記第２導電層ａ２をクロム（Ｃｒ）で形成して前記第３導電層ａ３をクロムオキサイド（ＣｒＯＸ）で形成する。
【０１５３】
次に、前記第３導電層ａ３が形成された基板２００の全面にフォトレジストを塗布した後第６マスク工程でパターニングして、前記スイッチング領域及びストレージ領域Ｓ、ＳＴと画素領域Ｐとゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰとデータ領域Ｄに対応してフォトレジストパターン２４０を形成する。すなわち、フォトレジストパターン２４０はゲート配線、薄膜トランジスタＴ、ゲートパッド電極２０６、データパッド電極２２６、データ配線２２４、第１共通電極２１０、画素領域Ｐに対応して形成される。特に、画素領域Ｐに形成されるフォトレジストパターン２４０は相互に離隔されて位置するようになる。
【０１５４】
続いて、前記フォトレジストパターン２４０の周辺で露出した第３導電層ａ３とその下部の第２導電層ａ２と第１導電層ａ１を順次除去する工程を進行する。
【０１５５】
この時、前記第２及び第３導電層ａ２、ａ３がそれぞれクロム（Ｃｒ）とクロムオキサイド（ＣｒＯＸ）ならば、同一なエッチング液でエッチングされる。
【０１５６】
次に、前記フォトレジストパターン２４０を除去する工程を進行する。
【０１５７】
図１８Ａないし図１８Ｄは本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１５８】
図示したように、ストレージ電極２２２と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極２３４と、前記ゲート配線とデータ配線２２４とスイッチング領域Ｓに対応して格子状を成す第２共通配線及び遮断部２３６、２３７と、前記第２共通配線２３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極２３８を形成する。
【０１５９】
同時に、前記ゲートパッド電極２０２と接触するゲートパッド電極端子２４０と、前記データパッド電極２２６と接触するデータパッド電極端子２４２を形成する。
【０１６０】
この時、前記第２共通配線２３６と遮断部２３７と第２共通電極２３８と画素電極２３４と前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子２４０、２４２を構成する第２及び３導電層ａ２、ａ３と第１導電層ａ１は断面積で逆テーパーになるように構成される。
【０１６１】
このような形状は、前記第２及び３導電層ａ２、ａ３を先にエッチングした後、その次に第１導電層ａ１エッチング時フォトレジストパターンがエッチング防止膜になることでなく先にパターニングされた前記第２及び３導電層ａ２、ａ３がエッチング防止膜の役割をするようになるので前記第２及び３導電層ａ２、ａ３の下部に前記第１導電層ａ１がオーバーエッチングされる自然なエッチング特性により発生するものである。
【０１６２】
第１、２、３導電層ａ１、ａ２、ａ３は実質的に同一な平面形状を有するようになる。特に、第２、３導電層ａ２、ａ３は実質的にエンドラインが同一になる。そして、第１導電層ａ１のエンドラインは第２、３導電層ａ２、ａ３のエンドライン内に位置するようになる。すなわち、第１導電層ａ１は第２、３導電層ａ２、ａ３に比べて狭い幅を有するようになる。
【０１６３】
一方、前述した工程で、前記第１共通配線２０８を第１電極にして、第１共通配線２０８の上部に延長されたストレージ電極２２２を第２電極にするストレージキャパシターＣＳＴが構成される。
【０１６４】
前述した工程を介して本発明の第２実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することができる。
【０１６５】
本発明の第２実施形態による製造方法は、第１実施形態に比べて、２個のマスク工程を低減することができる。したがって、工程数及び工程費用を減少させることができる効果がある。
【０１６６】
以下、第３実施形態を介して前記第２実施形態の変形例を説明する。
−−第３実施形態−−
【０１６７】
本発明の第３実施形態は、前記第２実施形態の構成で、前記画素電極と第２共通電極をエッチングする工程で第１、２、３導電層をテーパーになるように積層された形状になるようにする。これにより、本発明の第３実施形態は、第２、３導電層周辺で前記透明な第１導電層が露出する形状になるようにすることを特徴とする。
【０１６８】
このような構成は輝度が改善される長所がある。
【０１６９】
これに対して、以下工程断面図を参照しながら説明する。
【０１７０】
本発明の第３実施形態は、画素電極及び第２共通電極の構造及び製造工程を除いては、本発明の第１、２実施形態と同様である。したがって、本発明の第３実施形態では、本発明の第１、２実施形態と同一同様の事項に対しては説明を省略する。特に、第１ないし６マスク工程までは第２実施形態の工程と実質的に同一である。したがって前記第６マスク工程を除外したその以前の工程は説明を省略するようにする。また、図面符号が同一な場合には１００を加えて表記するようにする。
【０１７１】
図１９Ａないし図１９Ｄは本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１７２】
前記第１、２、３導電層ａ１、ａ２、ａ３が形成された基板３００の全面にフォトレジストを塗布した後第６マスク工程でパターニングして、前記スイッチング領域及びストレージ領域Ｓ、ＳＴと画素領域Ｐとゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰとデータ領域Ｄに対応してフォトレジストパターン２４０を形成する。すなわち、フォトレジストパターン３４０はゲート配線（図３の１０４）、薄膜トランジスタＴ、ゲートパッド電極３０６、データパッド電極３２６、データ配線３２４、第１共通電極３１０、画素領域Ｐに対応して形成される。特に、画素領域Ｐに形成されるフォトレジストパターン３４０は相互に離隔されて位置するようになる。
【０１７３】
図２０Ａないし図２０Ｄは本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１７４】
図示したように、前記フォトレジストパターン３４０の間で露出した第３導電層ａ３とその下部の第２導電層ａ２をエッチングする工程を進行する。
【０１７５】
次に、図示しなかったが前記フォトレジストパターン３４０を熱処理して、前記エッチングされた第２及び３導電層ａ２、ａ３を覆うようにする。
【０１７６】
このようにした後、前記熱処理されたフォトレジストパターンの間で露出した前記第１導電層ａ１を除去した後、前記熱処理されたフォトレジストパターンを除去する工程を進行する。
【０１７７】
図２１Ａないし図２１Ｄは本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【０１７８】
図示したように、第２及び３導電層ａ２、ａ３と第１導電層ａ１がテーパーになるように構成されてこの時、前記透明な第１導電層ａ１は第２、３導電層ａ２、ａ３周辺で露出する形態に形成される。
【０１７９】
第１、２、３導電層ａ１、ａ２、ａ３は実質的に同一な平面形状を有するようになる。特に、第２、３導電層ａ２、ａ３は実質的にエンドラインが同一になる。そして、第１導電層ａ１のエンドラインは第２、３導電層ａ２、ａ３のエンドライン外部に位置するようになる。すなわち、第１導電層ａ１は第２、３導電層ａ２、ａ３に比べて広い幅を有するようになる。
【０１８０】
このように３層が積層されて前記ドレイン電極３２０と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極３３４と、前記ゲート配線とデータ配線３２４と前記スイッチング領域Ｓに対応して格子状を成す第２共通配線及び遮断部３３６、３３７と、前記第２共通配線３３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極３３８を形成する。
【０１８１】
同時に、前記ゲートパッド電極３０６と接触するゲートパッド電極端子３４０と前記データパッド電極３２６と接触するデータパッド電極端子３４２を形成する。
【０１８２】
前述したように、前記第２共通電極３３８と画素電極３３４は第２、３導電層ａ２、ａ３周辺で前記透明な第１導電層ａ１が露出した形状であるので下部の光がさらに通過することができるようになる。したがって、輝度が改善されることができる長所がある。
【０１８３】
一方、前述した工程で、前記第１共通配線３０８を第１電極にして、第１共通配線３０８の上部に延長されたストレージ電極３２２を第２電極にするストレージキャパシターＣＳＴが構成される。
【０１８４】
前述した工程を介して本発明の第３実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することができる。
【０１８５】
前述した第２実施形態と第３実施形態の構成で、前記ゲートパッド電極端子とデータパッド電極端子は透明な第１導電層と不透明な第２及び３導電層が順次積層された形状である。
【０１８６】
この時、外部の駆動回路との円滑なコンタクト特性のために前記第２及び３導電層を除去することが効果的である。
【０１８７】
このために、別途のマスク工程を使わなくて前記第２及び３導電層を除去する方法を以下、図２２を参照しながら説明する。
【０１８８】
図２２は本発明の第２及び３実施形態を介して製作された液晶表示装置用アレイ基板を有する液晶表示装置を示した平面図である。
【０１８９】
図示したように、ＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置４００は先に製作したアレイ基板２００、３００と、別途製作された上部基板５００をシーラント（図示せず）を通じて合着して形成する。液晶表示装置４００には、表示領域ＤＲと表示領域ＤＲ周辺の非表示領域ＮＲが定義されている。画素領域は表示領域ＤＲに位置して、ゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰは非表示領域ＮＲに位置する。
【０１９０】
この時、前記上部基板５００を合着後、前記ゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰを露出するために上部基板５００の一部を切断する工程を進行する。
【０１９１】
次に、前記ゲートパッド電極端子２４０、３４０とデータパッド電極端子２４２、３４２の第３導電層及び第２導電層を同時に除去する工程を進行する。第３導電層及び第２導電層を除去するために、露出したアレイ基板２００、３００のゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰを湿式エッチングのためにエッチング溶液に浸すディッピング方法を用いることができる。この時、上部基板５００はエッチング防止手段で使われることができる。
【０１９２】
このようにすれば、前記第２及び第３実施形態のゲートパッド電極端子２４０、３４０とデータパッド電極端子２４２、３４２には透明な第１導電層だけが残るようになる。
【０１９３】
前述した工程を介して本発明の第２、３実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９４】
【図１】従来の液晶表示装置を概略的に示した図面。
【図２】従来のＣＯＴ構造液晶表示装置を概略的に示した断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を示した平面図である。
【図４Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、に沿って切断して示した断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図４Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図５Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図５Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図５Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図６Ａ】本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図６Ｂ】本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図６Ｄ】本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図７Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図７Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図８Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図８Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図８Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図９Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図９Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図９Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図９Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１０Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１０Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１０Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１０Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１１Ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１１Ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１１Ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１２Ａ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１２Ｂ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１２Ｄ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１３Ａ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１３Ｂ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１３Ｃ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１３Ｄ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１４Ａ】本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１４Ｂ】本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１４Ｄ】本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１５Ａ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１５Ｃ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１５Ｄ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１６Ａ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１６Ｂ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１６Ｃ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１６Ｄ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１７Ａ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１７Ｂ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１７Ｃ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１７Ｄ】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１８Ａ】本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１８Ｂ】本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１８Ｃ】本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１８Ｄ】本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図１９Ａ】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図１９Ｂ】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図１９Ｃ】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図１９Ｄ】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図２０Ａ】本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図２０Ｂ】本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図２０Ｃ】本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図２０Ｄ】本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図２１Ａ】本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。
【図２１Ｂ】本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。
【図２１Ｃ】本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。
【図２１Ｄ】本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。
【図２２】本発明の第２及び３実施形態を介して製作された液晶表示装置用アレイ基板を有する液晶表示装置を示した平面図である。
【符号の説明】
【０１９５】
３００：基板
３１０：第１共通電極
３１２：ゲート絶縁膜
３２４：データ配線
３２８：保護膜
３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ：カラーフィルターパターン
３３２：平坦化膜
ａ１：第１導電層
ａ２：第２導電層
ａ３：第３導電層
３３４：画素電極
３３６：第２共通配線
３３７：遮断部
３３８：第２共通電極
【図１】
2006018276.tif 000003
【図２】
2006018276.tif 000004
【図３】
2006018276.tif 000005
【図４Ａ】
2006018276.tif 000006
【図４Ｂ】
2006018276.tif 000007
【図４Ｃ】
2006018276.tif 000008
【図４Ｄ】
2006018276.tif 000009
【図５Ａ】
2006018276.tif 000010
【図５Ｂ】
2006018276.tif 000011
【図５Ｃ】
2006018276.tif 000012
【図５Ｄ】
2006018276.tif 000013
【図６Ａ】
2006018276.tif 000014
【図６Ｂ】
2006018276.tif 000015
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図１９Ｄ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２１Ｄ】
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【図２２】
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