(57)【要約】      （修正有）【課題】４５度反射鏡を用いて端面発光型レーザ光をパッケージに対して垂直に向ける光学系をコンパクトにする。【解決手段】光学パッケージ4200は、サブマウント4000、サブマウント上に実装された端面発光型レーザ502、端面発光型レーザに隣接してサブマウント上に実装されたコリメータボールレンズ1602、コリメータボールレンズに隣接してサブマウント上に実装された鏡4102を含む。サブマウントは下側ウェハー4002から作成される。蓋3900がサブマウントに接合されてレーザパッケージを形成する。蓋は、上側ウェハー3802に接合された中間ウェハー3702から作成される。中間ウェハーは、端面発光型レーザ、コリメータボールレンズ、及び鏡を収容する開口3704を画定する。開口は、垂直側壁3706により画定される。上側ウェハーは鏡の上のレンズ3804をさらに含む。【選択図】図４２
2006324658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞（112）を画定するサブマウント（400；900；1500；2000）であって、前記空洞が側壁(114)、及び下側空洞面を含み、前記側壁が反射鏡（122）を含む、サブマウント（400；900；1500；2000）と、
前記鏡と対向するように、前記側壁に隣接して前記下側空洞面に実装された端面発光型レーザ（502）と、
前記サブマウント上に取り付けられた蓋（700）とを含み、
前記反射鏡が、前記端面発光型レーザからの光を、前記蓋を通過するように導く、パッケージ（800；1100；1900；2200）。
【請求項２】
前記サブマウント（400；900；1500；2000）が、
前記下側空洞面を画定する下側ウェハー（202；1202）と、
前記下側ウェハーの上にあり、前記空洞（112）を画定する中間ウェハー（102）であって、前記空洞の側壁（114）が、上側の傾斜した部分（116）と下側の傾斜した部分（106）とを備えるくさび形からなり、前記上側の傾斜した部分が前記鏡（122）を含む、中間ウェハー（102）とからなり、
前記蓋（700）が上側ウェハー（602）からなる、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記端面発光型レーザ（502）と前記反射鏡（122）との間の前記下側空洞面に実装されたコリメータボールレンズ（1602）をさらに含む、請求項１に記載のパッケージ（1900；2200）。
【請求項４】
前記端面発光型レーザ（502）に隣接して前記下側空洞面に実装された検出器（506）をさらに含む、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項５】
前記下側空洞面上の第１の部分、前記空洞（112）の別の側壁（108）を上がる第２の部分、及び前記サブマウント（400）の上面（107）上の第３の部分からなるトレース（126）と、
前記トレースの第１の部分と前記端面発光型レーザ（502）とを接続するボンディングワイヤ（504）とをさらに含む、請求項１に記載のパッケージ（800；1900）。
【請求項６】
前記蓋（700）が、前記ボンディングワイヤ（504）を収容するために、前記端面発光型レーザ（502）の上方にくぼみ（702）を画定する、請求項５に記載のパッケージ。
【請求項７】
前記サブマウント（400；900）の上面（107）上のトレース（924）と、
前記トレースと前記端面発光型レーザ（502）とを接続するボンディングワイヤ（504）とをさらに含む、請求項１に記載のパッケージ（1100；2200）。
【請求項８】
前記蓋（700）が、前記鏡（122）の上方にレンズ（608）を含み、前記レンズが、コリメータレンズ、及び収束レンズからなるグループから選択される、請求項１に記載のパッケージ。
【請求項９】
側壁（114）及び下側空洞面を含む空洞（112）を備えるサブマウント（400；900；1500；2000）を形成し、
前記側壁上に反射鏡（122）を形成し、
前記鏡に隣接して前記下側空洞面に端面発光型レーザ（502）を実装し、
前記サブマウント上に蓋（700）を結合してパッケージを形成することを含み、
前記反射鏡が、前記端面発光型レーザからの光を、前記蓋を通過するように導く、パッケージ（800；1100；1900；2200）を形成するための方法。
【請求項１０】
前記空洞（112）を備えるサブマウント（400；900；1500；2000）を形成することが、
軸外切断されたウェハーである中間ウェハー（102）の底面をエッチングし、
下側ウェハー（202；1202）上へ前記中間ウェハーを結合して、前記サブマウントを形成し、
前記中間のウェハーの上面をエッチングして前記空洞を形成し、前記空洞の側壁（114）が、（１）前記中間のウェハーの上面のエッチングから形成された上側の傾斜した部分（116）、及び（２）前記中間のウェハーの底面のエッチングから形成された下側の傾斜した部分（106）を備えるくさび形からなり、
前記上側の傾斜した部分に前記反射鏡（122）を形成することを含み、
前記蓋（700）が上側ウェハー（602）からなる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記反射鏡（122）を形成することが、前記反射鏡を形成するために、前記側壁（144）上に金属を堆積することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記下側空洞面にボール凹み（1204）を形成し、
コリメータボールレンズ（1602）を前記ボール凹みに実装して、前記コリメータボールレンズが前記端面発光型レーザと前記反射鏡との間に配置されるようにすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記端面発光型レーザ（502）に隣接して前記下側空洞面に検出器（506）を実装することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記サブマウント（400）の前記下側空洞面から上面（107）までのトレース（126）を形成し、
前記下側空洞面上の前記トレースの一部と前記端面発光型レーザ（502）とを接続するボンディングワイヤ（504）を形成することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記ボンディングワイヤ（504）を収容するために、前記端面発光型レーザ（502）の上方の前記蓋（700）の底面にくぼみ（702）をエッチングすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記蓋（700）にレンズ（608）を形成することをさらに含み、前記レンズが、コリメータレンズ、及び収束レンズからなるグループから選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
下側ウェハー（2902；3602）からなるサブマウント（2950；3664）と、
前記下側ウェハー上に実装された端面発光型レーザ（502）と、
前記端面発光型レーザに隣接して前記下側ウェハー上に実装されたコリメータボールレンズ（1602）と、
前記サブマウント上に取り付けられた蓋（2800；3500）とを含み、前記サブマウントが、
前記コリメータボールレンズ及び前記端面発光型レーザを収容する開口（2702；3224）を画定する中間ウェハー（2602；3202）であって、前記開口が、少なくとも１つの傾斜した側壁（2704；3226）によって画定されており、前記傾斜した側壁が前記コリメータボールレンズに隣接した反射鏡（2706；3234）を含む、中間ウェハー（2602；3202）と、
前記中間ウェハー上の上側ウェハー（2402）とを含み、
前記上側ウェハーがレンズ（2304）を含み、端面発光型レーザが前記コリメータボールレンズを通して前記反射鏡上へ光を放出し、前記反射鏡が、前記レンズにおける前記蓋を通過するように前記光を導く、パッケージ（3100；3600）。
【請求項１８】
前記下側ウェハー（2902；3602）が、前記端面発光型レーザ（502）の実装位置と前記傾斜した側壁（2704；3226）との間にボール凹み（2930；3662）を画定し、
前記コリメータボールレンズ（1602）が前記ボール凹みに実装され、前記コリメータボールレンズが前記端面発光型レーザと前記鏡（2706；3234）との間に配置されるようになっている、請求項１７に記載のパッケージ。
【請求項１９】
前記端面発光型レーザ（502）に隣接して、前記開口の前記下側ウェハー上に実装された検出器（506）と、
温度センサ（2915；3614）及びインピーダンス整合抵抗（2908；3616）のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１７に記載のパッケージ。
【請求項２０】
前記上側ウェハー（2402）が、パイレックス（登録商標）からなり、前記中間ウェハー（2602）がシリコンからなり、前記下側ウェハー（2902）がシリコンからなり、前記パッケージが、前記中間ウェハーと前記上側ウェハーとの間に陽極接合部をさらに含む、請求項１７に記載のパッケージ。
【請求項２１】
前記サブマウント（2905；3664）が、トレース（2946；3636）、及び前記端面発光型レーザ（502）と前記トレースを接続するボンディングワイヤ（504）をさらに含む、請求項１７に記載のパッケージ。
【請求項２２】
犠牲ウェハー（2302）上にレンズ（2304）を形成し、
前記レンズを上側ウェハー（2402）に結合し、
前記犠牲ウェハーを除去し、
中間ウェハー（2602；3202）に開口（2702；3224）を形成し、前記開口が少なくとも１つの傾斜した側壁（2704；3226）によって画定され、
前記傾斜した側壁上に反射鏡（2706；3234）を形成し、
前記中間ウェハーを前記上側ウェハーに結合して蓋（2800；3500）を形成し、
下側ウェハー（2902；3602）からなるサブマウント（2905；3664）上に、コリメータボールレンズ（1602）を実装し、
前記コリメータボールレンズに隣接して前記サブマウント上に端面発光型レーザ（502）を実装し、
前記蓋を前記サブマウントに結合してパッケージを形成することを含み、
前記端面発光型レーザが、前記コリメータボールレンズを通して前記反射鏡上へ光を放出し、前記反射鏡が、前記蓋を通過するように前記光を導く、パッケージ（3100；3600）を形成するための方法。
【請求項２３】
前記端面発光型レーザ（502）の実装位置と前記傾斜した側壁（2704；3226）との間にボール凹み（2930；3662）を画定するために前記下側ウェハー（2902；3602）をエッチングし、
前記ボール凹みに前記コリメータボールレンズ（1602）を実装し、前記コリメータボールレンズが、前記端面発光型レーザと前記鏡（2706；3234）との間に配置されるようにすることをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記反射鏡（2706；3234）を形成することが、前記反射鏡を形成するために、前記傾斜した側壁（2704；3226）上に金属を堆積することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記端面発光型レーザ（502）に隣接して、前記下側ウェハー上に検出器（506）を実装し、
温度センサ（2915；3614）及びインピーダンス整合抵抗（2908；3616）のうちの少なくとも１つを前記サブマウント（2950；3664）上に形成することをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記上側ウェハー（2402）が、パイレックス（登録商標）からなり、前記中間ウェハー（2602）がシリコンからなり、前記下側ウェハー（2902）がシリコンからなり、前記パッケージが、前記中間ウェハーと前記上側ウェハーとの間に陽極接合部をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記下側ウェハー（2902；3602）上にトレース（2946；3636）を形成し、
前記端面発光型レーザ（502）と前記トレースを接続するボンディングワイヤ（504）を形成することをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
下側ウェハー（4002）からなるサブマウント（4000）であって、前記下側ウェハーが、ボール凹み（4016）、第１の基準点マーク（4018）、及び第２の基準点マーク（4020）を画定するために同じマスクでエッチングされる、サブマウント（4000）と、
前記第１の基準点マークに基づいて前記下側ウェハー上に実装された端面発光型レーザ（502）と、
前記端面発光型レーザに隣接して、前記下側ウェハーの前記ボール凹みに実装されたコリメータボールレンズ（1602）と、
前記第２の基準点マークに基づいて前記下側ウェハー上に実装された別個の鏡（4102）であって、前記別個の鏡が、傾斜した側壁を形成するためにエッチングされた、軸外切断されたシリコンからなり、前記傾斜した側壁が金属でコーティングされている、別個の鏡（4102）と、
前記サブマウント上に取り付けられた蓋（3900）とを含み、前記サブマウントが、
前記端面発光型レーザ、前記コリメータボールレンズ、及び前記別個の鏡を収容し、垂直側壁（3706）により画定される開口（3704）を画定する中間ウェハー（3702）と、
前記中間ウェハー上の上側ウェハー（3802）とからなり、前記上側ウェハーがレンズ（3804）を含み、前記端面発光型レーザが、前記コリメータボールレンズを通して前記別個の鏡上へ光を放出し、前記別個の鏡が前記レンズにおける前記蓋を通過するように前記光を導く、パッケージ（4200）。
【請求項２９】
前記中間ウェハー（3702）がパイレックス（登録商標）からなる、請求項２８に記載のパッケージ。
【請求項３０】
前記端面発光型レーザ（502）に隣接して、前記開口（3704）の前記下側ウェハー上に実装された検出器（506）と、
前記下側ウェハー（4002）上の温度センサ及びインピーダンス整合抵抗のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項２８に記載のパッケージ。
【請求項３１】
前記下側ウェハー（4002）上のトレース（4014）と、
前記端面発光型レーザ（502）と前記トレースを接続するボンディングワイヤ（504）とをさらに含む、請求項３０に記載のパッケージ。
【請求項３２】
ボール凹み（4016）、第１の基準点マーク（4018）、及び第２の基準点マーク（4020）を同じマスクで形成するために、下側ウェハー（4002）からなるサブマウント（4000）をエッチングし、
前記第１の基準点マークに基づいて、前記サブマウント上に端面発光型レーザ（502）を実装し、
前記端面発光型レーザに隣接して、前記サブマウント上のボール凹みにコリメータボールレンズ（1602）を実装し、
前記第２の基準点マークに基づいて、前記サブマウント上に別個の鏡（4102）を実装し、
垂直側壁により画定された開口（3704）を中間ウェハー（3702）に形成し、
上側ウェハー（3802）にレンズ（3804）を形成し、
前記上側ウェハーを前記中間ウェハーに結合して蓋（3900）を形成し、
前記蓋を前記サブマウント上に取り付けて、パッケージを形成することを含む、パッケージ（4200）を形成するための方法。
【請求項３３】
前記中間ウェハー（3702）がパイレックス（登録商標）からなる、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記別個の鏡（4102）が、金属でコーティングされた、傾斜した側壁を有する軸外切断されたシリコンからなる、請求項３２の方法。
【請求項３５】
前記端面発光型レーザに隣接して前記サブマウント上に検出器（506）を実装し、
温度センサ及びインピーダンス整合抵抗のうちの少なくとも１つを形成することをさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
前記サブマウント（4000）が、トレース（4012）、及び前記端面発光型レーザ（502）と前記トレースを結合するボンディングワイヤ（504）を含む、請求項３２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、４５度反射鏡を備えたシリコン光学パッケージに関する。
【０００２】
関連技術の説明
電気通信における長距離市場には、長波長を放射するレーザが使用される。これらのレーザは一般に、ウェハーに対して平行な光を放射する（即ち、それらは端面発光型レーザである）。端面発光型レーザが光学パッケージに入れられる場合、光がパッケージに垂直に出射することが望ましい。一般に、４５度反射鏡を用いて、光をパッケージに対して垂直に向ける。端面発光型レーザの大きな発散角度（軸に従って３０度〜７０度）に起因して、反射鏡は、反射鏡のサイズ及び任意の後続のレンズのサイズを最小限にするために、端面発光型レーザに接近して配置される。
【０００３】
概要
本発明の一実施形態において、光学パッケージは、サブマウント、サブマウント上に実装された端面発光型レーザ、端面発光型レーザに隣接してサブマウント上に実装されたコリメータボールレンズ、コリメータボールレンズに隣接してサブマウント上に実装された鏡を含む。サブマウントは下側ウェハーから作成される。蓋がサブマウントに接合されてレーザパッケージが形成される。蓋は、上側ウェハーに結合された中間ウェハーから作成される。中間ウェハーは、端面発光型レーザ、コリメータボールレンズ、及び鏡を収容する開口を画定する。開口は、垂直側壁により画定される。上側ウェハーはさらに鏡の上のレンズを含む。
【０００４】
異なる図面において同じ参照符号を用いて、類似の、又は同一の要素を示す。
【０００５】
詳細な説明
図１〜図１０は、本発明の一実施形態において、ハーメチック光学パッケージ８００（図１０）を作成するための方法を示す。
【０００６】
図１において、上側サブマウントウェハー１０２が準備される。ウェハー１０２は、ウェハー１０２の上面１０７から９．７度オフセットして配向された＜１００＞面を有する軸外切断されたシリコンウェハーである。ウェハー１０２は約５００μｍ（ミクロン）の厚さを有する。ウェハー１０２の底面１０５は、異方性エッチングされて空洞１０４が形成される。
【０００７】
一実施形態において、底面１０５の異方性エッチングは、底面１０５上の酸化物層、及びその酸化物層上の窒化物層からなる窒化物−酸化物マスクを使用する。酸化物層は、蒸気中で熱的に成長され、窒化物層は低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）により堆積される。フォトレジストを用いて、窒化物層がドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）されて、パターニングされるべき酸化物層の領域が露出される。エッチングマスクとして窒化物層を使用して、酸化物層がフッ化水素酸（ＨＦ）溶液でウエットエッチングされて、異方性エッチングされるべき底面１０５の領域が露出される。底面１０５は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）のような溶液を用いて異方性エッチングされて、空洞１０４が形成される。
【０００８】
ウェハー１０２は、上面１０７から９．７度オフセットして配向された＜１００＞面を有し、空洞１０４は、シリコン基板の＜１１１＞面に沿って形成された、傾斜した側壁１０６と１０８を有する。傾斜した側壁１０６は、底面１０５から１１５．６度オフセットして向けられ、傾斜した側壁１０８は底面１０５から１３５度オフセットして向けられる。
【０００９】
図２において、酸化物層１１０が、底面１０５、及びウェハー１０２の空洞１０４の上に形成される。一実施形態において、酸化物層１１０は、蒸気中で熱的に成長された二酸化ケイ素であり、約２５０ｎｍ（２５００Å）までの厚さを有する。
【００１０】
次に、下側サブマウントウェハー２０２が準備される。一実施形態において、ウェハー２０２は、標準の＜１００＞切断シリコンウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。酸化物層２０４がウェハー２０２の上面２０５の上に形成される。一実施形態において、酸化物層２０４は、蒸気中で熱的に成長された二酸化ケイ素であり、約２５０ｎｍ（２５００Å）までの厚さを有する。次いで、ウェハー１０２と２０２が融着結合により接合される。
【００１１】
図３において、ウェハー１０２の上面１０７が、空洞１０４まで下へ異方性エッチングされて空洞１１２が形成される。一実施形態において、上面１０７は、ＫＯＨのような溶液と共に窒化物−酸化物マスクを用いて異方性エッチングされて、空洞１１２が形成される。図２に戻って参照すると、想像線１１３と１１５が、ウェハー１０２を貫く意図されたエッチングを示す。
【００１２】
図３に戻って参照すると、空洞１１２が、少なくともくさび形の側壁１１４と傾斜した側壁１１８により画定される。くさび形の側壁１１４は、現在のエッチングによる傾斜した上部１１６、及び図１の以前のエッチングによる傾斜した下部１０６からなる。ウェハー１０２は、ウェハー１０２の上面１０７から９．７度オフセットして配向された＜１００＞面を有し、上部１１６と傾斜した側壁１１８は、シリコン基板の＜１１１＞面に沿って形成される。上部１１６は、上面１０７から１３５度オフセットして向けられ、傾斜した側壁１１８は上面１０７から１１５．６度オフセットして向けられる。
【００１３】
上部１１６は、４５度反射鏡を形成するために使用されることになるので、滑らかな表面を有することが好ましい。しかしながら、上部１１６は、空洞１１２を形成するために使用される窒化物−酸化物マスクの窒化物層を除去する間に、粗くされる可能性がある。このため、酸化物層が、空洞１１２のエッチング後に、上部１１６の上に熱的に成長され得る。窒化物−酸化物マスクの窒化物層は、酸化物層が上部１１６を含む基板１０２を保護しながら、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）で除去される。次いで、酸化物層が、ウェットエッチング（例えば、ＨＦウェットエッチング）により除去される。
【００１４】
図４Ａにおいて、酸化物層１２０が、側壁１１４と１１８の上に、及び上面２０５の露出した部分の上に形成される。酸化物層１２０は、後に形成される個々のコンポーネントを絶縁するために使用される。一実施形態において、酸化物層１２０は、蒸気中で熱的に成長された二酸化ケイ素であり、少なくとも２５０ｎｍ（２５００Å）の厚さを有する。
【００１５】
コンタクトパッド１２４、コンタクトパッド１２５、トレース１２６、及びトレース１２７が、酸化物層１２０上に形成される。一実施形態において、コンタクトパッド及びトレースは以下のように形成される。クロム−金−クロム（ＣｒＡｕＣｒ）のメタライゼーションが、酸化物層１２０の上に蒸着される。フォトレジストが、ＣｒＡｕＣｒメタライゼーションの上側Ｃｒ層の上に電気メッキ又は噴霧される。次いで、フォトレジストが露光されて現像される。パターニングされたフォトレジストを用いて、ＣｒＡｕＣｒメタライゼーションがウェットエッチングされて、コンタクトパッド１２４、コンタクトパッド１２５、トレース１２６、及びトレース１２７が形成される。分かりやすくするために、ＣｒＡｕＣｒメタライゼーションは、単一の層として示される。
【００１６】
トレース１２６と１２７は、上面２０５から開始して、空洞１１２の側壁（例えば、側壁１１８）の上へ続き、ウェハー１０２の上面１０７で終了する三次元構造である。トレース１２６と１２７は、外部の電気接続（例えば、制御信号、及びデータ信号）を提供する。図示されていないが、取り付けパッド１２４と１２５は、類似したトレースに接続されて、外部の電気接続（例えば、接地）が提供される。一実施形態において、トレース１２６と１２７は、無線周波（ＲＦ）導体である。
【００１７】
図４Ｂにおいて、窒化物層４０２が構造体の上に形成される。一実施形態において、窒化物層４０２は、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）により形成される。クロム−ニッケル−金（ＣｒＮｉＡｕ）のメタライゼーション４０４が、窒化物層４０２の上に形成される。一実施形態において、ＣｒＮｉＡｕメタライゼーション４０４は、蒸着により形成される。分かりやすくするために、ＣｒＮｉＡｕメタライゼーション４０４は、単一の層として示される。
【００１８】
図４Ｃにおいて、鏡１２２、及びボンディングリング１２８が、ＣｒＮｉＡｕメタライゼーション４０４から形成される。一実施形態において、鏡とボンディングリングは、以下のように形成される。フォトレジストが、ＣｒＮｉＡｕメタライゼーションのＡｕ層の上に電気メッキ又は噴霧されて、パターニングされて現像される。フォトレジストにより保護されていないＡｕ層の領域は、ウエットエッチングによって除去される。フォトレジストがはがされて、Ａｕ層によって保護されていないＣｒＮｉＡｕメタライゼーションのＮｉ層とＣｒ層の領域が、ウエットエッチングによって除去される。Ｎｉ上の残りのＡｕが、鏡１２２、及びボンディングリング１２８を形成する。留意すべきは、層４０４Ａは、ＣｒＮｉＡｕメタライゼーション４０４のＣｒ層を示す（図４Ｃ）。
【００１９】
図５において、Ｃｒ層４０４Ａ、並びにパッド１２４、パッド１２５、トレース１２６、及びトレース１２７の上の窒化物層４０２が除去される。一実施形態において、Ｃｒ層と窒化物層は以下のように除去される。フォトレジストがＣｒ層４０４（図４Ｃ）の上に電気メッキ、又は噴霧されて、パターニングされ、鏡１２２とボンディングリング１２８を保護するために現像される。フォトレジストにより保護されていないＣｒ層４０４の領域が、ウェットエッチングにより除去される一方で、フォトレジストにより保護されていない窒化物層４０２の領域がドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）により除去される。次いで、フォトレジストがはがされる。
【００２０】
図６において、パッド１２４、パッド１２５、トレース１２６、及びトレース１２７のＣｒＡｕＣｒの上側Ｃｒ層が除去される。一実施形態において、上側Ｃｒ層は、ウェットエッチングにより除去される。従って、現時点で、パッド１２４、パッド１２５、トレース１２６、及びトレース１２７は、下側Ｃｒ層上にあるＡｕからなる。留意すべきは、鏡１２２、及びボンディングリング１２８により保護されていないＣｒ層４０４Ａの部分も、エッチングにより除去される。結果としての構造体は、サブマウント４００である。
【００２１】
図７において、端面発光型レーザのダイ５０２が、鏡１２２に隣接してパッド１２４上に金スズ（ＡｕＳｎ）ハンダにより実装される。レーザのダイ５０２の放出点は、鏡１２２の向こう側に配置され、そのため鏡が放出された光を実質的に全て受光する。レーザのダイ５０２は、完成したパッケージの外側のリードとなるトレース１２６に、ボンディングワイヤ５０４により接続される。モニタフォトダイオードのダイ５０６が、ＡｕＳｎハンダによりパッド１２５上に実装される。フォトダイオードのダイ５０６は、完成したパッケージの外側のリードとなるトレース１２７に、ボンディングワイヤ５０８により接続される。
【００２２】
留意すべきは、側壁１１４の下部１０６により、レーザのダイ５０２が鏡１２２に非常に接近して配置されることが可能になる。下面１０６がない場合、側壁１１４の上部１１６は、斜めに外向きに延び、レーザのダイ５０２を鏡１２２に隣接して如何に接近して配置できるかを制限する。レーザのダイ５０２を鏡１２２に接近して配置することにより、鏡１２２、及び任意の後続のレンズのサイズが低減され、よりコンパクトな光学パッケージが作成される。
【００２３】
図８において、蓋ウェハー６０２が準備される。一実施形態において、ウェハー６０２は、シリコンであり、５００μｍの厚さを有する。上側ＡＲコーティング６０４がウェハー６０２の上面６０５の上に形成される一方で、下側ＡＲコーティング６０６がウェハー６０２の底面６０７の上に形成される。
【００２４】
レンズ６０８がＡＲコーティング６０６の上に形成される。実施形態に応じて、レンズ６０８は、収束レンズ又はコリメータレンズとすることができる。一実施形態において、レンズ６０８は、ＡＲコーティング６０６上に堆積されたフェーズシフティング層のスタックからパターニングされた回折光学素子（ＤＯＥ）である。隣接するフェーズシフティング層は、所望の回折レンズを形成するためにスタックを順次にエッチングするために使用されるエッチング停止層によって分離される。
【００２５】
ボンディングリング６１２が、サブマウント４００（図６）のボンディングリング１２８と一致するように、ＡＲコーティング６０６上に形成される。一実施形態において、ボンディングリング６１２は、ＡＲコーティング６０６上へ蒸着されたＴｉＰｔＡｕメタライゼーションである。ＡｕＳｎハンダがボンディングリング１２８の上に形成され得る。ＡｕＳｎハンダは、ハンダ予備成形物とすることができ、又は蒸着により形成され得る。
【００２６】
図９において、逃げくぼみ７０２が、ウェハー６０２の底面６０７に形成される。一実施形態において、くぼみ７０２は、約１００μｍの深さまで、深堀り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）を用いて形成される。結果としての構造体は蓋７００である。
【００２７】
図１０において、蓋７００は、サブマウント４００にハンダ接合されて光学パッケージ８００を形成する。適度な温度が加えられて、ボンディングリング６１２と１２８との間にハンダ接合部が形成される。留意すべきは、レンズ６０８が鏡１２２の上に配置され、くぼみ７０２がボンディングワイヤ５０４と５０８に空間を提供する。
【００２８】
動作中、光は、レーザのダイ５０２の放出点から発散し、鏡１２２に当たる。発散している光は、鏡１２２によりレンズ６０８上へ反射される。レンズ６０８は、光を光ファイバ（図示せず）へ収束する。
【００２９】
図１１〜図１３は、本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージ１１００（図１３）を作成するための方法を示す。パッケージ１１００は、限界寸法を有するトレースが今度はウェハー１０２の上面１０７に配置されていることを除けば、パッケージ８００（図１０）と類似している。これは、導体の長さを短くすることにより、信号速度を改善する。また、これは、クリティカルなトレースが、もしそうでなければ焦点外パターニング技術を必要とする複数の深さで形成されないので、形状構成の形成も改善する。これは、２〜５μｍ以内に規定された形状構成を有するＲＦトレースには特に重要である。
【００３０】
図１１において、サブマウント９００が形成される。サブマウント９００は、トレース９２４と９２６がトレース１２６と１２７に取って代わっていることを除いて、サブマウント４００（図６）と類似している。トレース９２４と９２６は、トレース１２６と１２７に関して上述された方法で上面１０７に形成される。留意すべきは、トレース９２４と９２６の寸法は、パッド１２４と１２５の寸法に比べてより厳密に制御される。これは、トレース９２４と９２６がダイ５０２と５０６に制御信号とデータ信号を伝えるのに対して、パッド１２４と１２５がダイ５０２と５０６に接地を提供するからである。
【００３１】
図１２において、レーザのダイ５０２、及びフォトダイオードのダイ５０６は、ＡｕＳｎハンダにより、パッド１２４と１２５上に実装される。次いで、レーザのダイ５０２は、ボンディングワイヤ５０４により、トレース９２４に接続され、フォトダイオードのダイ５０６は、ボンディングワイヤ５０８により、トレース９２６に接続される。図示されていないが、パッド１２４と１２５も、ボンディングワイヤにより、上面１０７上のトレースに接続される。
【００３２】
図１３において、蓋７００は、ＡｕＳｎハンダを用いてサブマウント９００にハンダ接合されて、光学パッケージ１１００を形成する。
【００３３】
図１４〜図１９は、本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージ１９００（図１９）を作成するための方法を示す。光学パッケージ１９００は、光学パッケージ８００（図１０）と類似しているが、コリメータボールレンズ１６０２（図１８）を含む。ボールレンズ１６０２を用いることにより、鏡１２２とレンズ６０８との間の許容誤差が緩和され得る。
【００３４】
図１５において、上側サブマウントウェハー１０２が準備される。空洞１０４が、必要に応じてウェハー１０２の底面１０５に形成される。空洞１０４は、少なくとも傾斜した側壁１０６と１０８により画定される。
【００３５】
次に、下側サブマウントウェハー１２０２が準備される。一実施形態において、ウェハー１２０２は、標準の＜１００＞切断シリコンウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。ウェハー１２０２の上面１２０５は、窒化物−酸化物マスクを用いて、ＫＯＨのような溶液で異方性エッチングされて、ボール凹み１２０４が形成される。ボール凹み１２０４は、ボールレンズ１６０２（図１８）の中心をレーザのダイの放出点に位置合わせする周辺部を有する。
【００３６】
図１５において、酸化物層１１０が底面１０５、及びウェハー１０２の空洞１０４の上に形成される。酸化物層１２０６が、上面１２０５及びボール凹み１２０４の上に形成される。一実施形態において、酸化物層１２０６は、蒸気中で熱的に成長された二酸化シリコンであり、約２５０ｎｍ（２５００Å）までの厚さを有する。次いで、ウェハー１０２と１２０２が、融着結合により接合される。
【００３７】
図１６において、空洞１１２がウェハー１０２を貫いて形成される。空洞１１２は、少なくとも側壁１１４と１１８により画定される。側壁１１４は、部分１０６と１１６から構成される。
【００３８】
図１７において、酸化物層１５２０が側壁１１４と１１８上に、及び上面１２０５の露出した部分の上に形成される。一実施形態において、酸化物層１５２０は、蒸気中で熱的に成長された二酸化シリコンであり、少なくとも２５０ｎｍ（２５００Å）の厚さを有する。パッド１２４、パッド１２５、トレース１２６、トレース１２７、及びボンディングリング１２８は、上述したように形成される。結果としての構造体は、サブマウント１５００である。
【００３９】
図１８において、フォトダイオードのダイ５０６が、ＡｕＳｎハンダにより、パッド１２５上に実装され、ボンディングワイヤ５０８によりトレース１２７に接続される。レーザのダイ５０２が、ＡｕＳｎハンダにより、パッド１２４上に実装され、ボンディングワイヤ５０４によりトレース１２６に接続される。最後に、コリメータボールレンズ１６０２が、ボール凹み１２０４にエポキシにより実装される。レーザのダイ５０２は、レーザのダイ５０２の大きな発散角に対応するために、ボールレンズ１６０２にできる限り接近して配置される。
【００４０】
図１９において、蓋７００がサブマウント１５００にハンダ接合されて、光学パッケージ１９００が形成される。動作中、光がレーザのダイ５０２の放出点から発散して、ボールレンズ１６０２に入射する。平行化された光がボールレンズ１６０２を出射し、次いで鏡１２２によりレンズ６０８へ直角に反射される。レンズ６０８は、光を光ファイバ（図示せず）へと収束する。光がボールレンズ１６０２を出射した後に平行化される場合、パッケージ１９００のボールレンズ１６０２と鏡１２２との間の距離の許容誤差は、上述したパッケージ８００（図１０）と１１００（図１３）におけるレーザのダイ５０２と鏡１２２との間の距離に比べて、より緩和され得る。
【００４１】
図２０〜図２２は、本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージ２２００（図２２）を作成するための方法を示す。パッケージ２２００は、限界寸法を有するトレースが今度はウェハー１０２の上面１０７に配置されていることを除けば、パッケージ１９００と類似している。上述したように、これは、信号速度、及び形状構成の形成を改善する。
【００４２】
図２０において、サブマウント２０００が形成される。サブマウント２０００は、トレース９２４と９２６がトレース１２６と１２７に取って代わっていることを除いて、サブマウント１５００（図１５）と類似している。トレース９２４と９２６は、トレース１２６と１２７に関して上述された方法で上面１０７に形成される。
【００４３】
図２１において、フォトダイオードのダイ５０６が、ＡｕＳｎハンダにより、パッド１２５上に実装され、ボンディングワイヤ５０８によりトレース９２６に接続される。次いで、レーザのダイ５０２が、ＡｕＳｎハンダにより、パッド１２４上に実装され、ボンディングワイヤ５０４によりトレース９２４に接続される。最後に、コリメータボールレンズ１６０２が、ボール凹み１２０４にエポキシにより実装される。
【００４４】
図２２において、蓋７００がサブマウント２０００にハンダ接合されて、光学パッケージ２２００が形成される。
【００４５】
図２３〜図３１Ｊは、本発明の一実施形態において非ハーメチック光学パッケージ３１００（図３１）を作成するための方法を示す。
【００４６】
図２３において、ウェハー２３０２が準備される。一実施形態において、ウェハー２３０２は、シリコンウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。収束レンズ２３０４が、ウェハー２３０２の上面２３０６に形成される。一実施形態において、レンズ２３０４は、フェーズシフティング層のスタックからパターニングされたＤＯＥである。隣接するフェーズシフティング層は、所望の回折レンズを形成するためにスタックを順次にエッチングするために使用されるエッチング停止層によって分離される。収束レンズ２３０４は、レンズ２３０４との平面である酸化物層２３０５により取り囲まれる。
【００４７】
図２４において、透明な上側蓋ウェハー２４０２が準備される。一実施形態において、ウェハー２４０２は、パイレックス（登録商標）ウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。ウェハー２３０２と２４０２は、レンズ２３０４の上面をウェハー２４０２の底面に結合することにより接合される。一実施形態において、ウェハー２３０２と２４０２は、陽極接合により接合される。
【００４８】
図２５において、ウェハー２３０２（図２４）は、ウェットエッチングが後続する研削により、除去される。図２５において、レンズ２３０４がウェハー２４０２の上に現れるように、残りのウェハー２４０２の向きが裏返される。この時点で、ウェハー２４０２とレンズ２３０４は、ひとまとめにしてレンズウェハー２４０２と称する。
【００４９】
図２６において、下側蓋ウェハー２６０２が準備される。一実施形態において、ウェハー２６０２は、ウェハー２６０２の上面２６０４から９．７度オフセットして配向された＜１００＞面を有する軸外切断されたシリコンウェハーであり、約５００μｍの厚さを有する。上側リング２６０６が上面２６０４上に形成され、下側リング２６０８がウェハー２６０２の底面２６１０に形成される。一実施形態において、リング２６０６と２６０８は、ウェハー２６０２をドライエッチング又はウエットエッチング（例えば、プラズマエッチング）することにより形成され、２μｍの高さを有する。
【００５０】
酸化物層２６１２が上面２６０４の上に形成され、酸化物層２６１４が底面２６１０の上に形成される。一実施形態において、酸化物層２６１２と２６１４は、蒸気中で熱的に成長された二酸化シリコンであり、少なくとも２５０ｎｍ（２５００Å）の厚さを有する。窒化物層２６１６が酸化物層２６１２の上に形成され、窒化物層２６１８が酸化物層２６１４の上に形成される。一実施形態において、窒化物層２６１６と２６１８は、ＬＰＣＶＤにより形成された窒化ケイ素である。
【００５１】
フォトレジストを用いて、窒化物層２６１６がドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）されて、酸化物層２６１２の領域を露出する。窒化物層２６１６をエッチングマスクとして用いて、酸化物層２６１２がＨＦ溶液でウェットエッチングされて、上面２６０４の領域が露出される。窒化物層２６１６、及び酸化物層２６１２が、ウェハー２６０２の窒化物−酸化物マスクを形成する。
【００５２】
図２７において、ウェハー２６０２の上面２６０４（図２６）が、窒化物−酸化物マスクを用いてＫＯＨのような溶液で異方性エッチングされて、ウェハー２６０２を貫く穴２７０２が形成される。穴２７０２は、少なくとも上面２６０４（図２６）から１３５度オフセットして向けられた、傾斜した側壁２７０４、及び上面２６０４から１１５．６度オフセットして向けられた、傾斜した側壁２７０５により画定される。
【００５３】
側壁２７０４は、それが４５度反射鏡を形成するために使用されることになるので、滑らかな表面を有することが好ましい。しかしながら、側壁２７０４は、空洞２７０２を形成するために使用される窒化物−酸化物マスクの窒化物層２６１６と２６１８を除去する間に、粗くされる可能性がある。このため、酸化物層が、空洞２７０２のエッチング後に、上部側壁２７０４の上に熱的に成長され得る。窒化物層２６１６と２６１８（図２６）は、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）により除去され、次いで、側壁２７０４の上の酸化物層、及び酸化物層２６１２と２６１４が、ウェットエッチング（例えば、ＨＦウェットエッチング）により除去される。
【００５４】
４５度反射鏡２７０６が、ウェハー２６０２の上にメタライゼーション２７０８を形成することにより、側壁２７０４上に形成される。一実施形態において、メタライゼーション２７０８は、蒸着により形成されたチタン−白金−金（ＴｉＰｔＡｕ）のメタライゼーションである。
【００５５】
図２８において、レンズウェハー２４０２がウェハー２６０２に接合される。一実施形態において、ウェハー２４０２と２６０２は、エポキシ２８０２により接合される。留意すべきは、リング２６０６により、過剰なエポキシが他の領域まであふれずに広がることが可能になる。結果としての構造体は、蓋２８００である。
【００５６】
以降、ウェハー２９０２（図２９）の２つの断面図を用いて、ウェハー２９０２上での種々のコンポーネントの形成を示す。図２９〜図３１Ａは、線ＡＡ’に沿ったウェハー２９０２の断面図を示す。留意すべきは、線ＡＡ’とＢＢ’は、図３０に示されるように必ずしも直交しない。
【００５７】
図２９において、サブマウントウェハー２９０２が準備される。一実施形態において、ウェハー２９０２は、シリコンウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。酸化物層２９０４が、ウェハー２９０２の上面２９０６に形成される。一実施形態において、酸化物層２９０４は、蒸気中で熱的に成長された二酸化ケイ素であり、約１μｍまでの厚さを有する。
【００５８】
図３０において、窒化タンタル（ＴａＮ）のメタライゼーションが酸化物層２９０４上に形成され、次いでインピーダンス整合抵抗２９０８（例えば、ＲＦ整合抵抗）を形成するためにパターニングされる。一実施形態において、ＴａＮメタライゼーションは、スパッタリングにより形成され、ドライエッチング又はウェットエッチング（例えば、プラズマエッチング）によりパターニングされる。
【００５９】
図３１Ａにおいて、トレース２９１０、２９１２、及び２９１４が形成される。トレース２９１０と２９１２は、抵抗２９０８に接続される。トレース２９１４を用いて、温度測定抵抗２９１５（図３１Ｃ）を形成する。
【００６０】
図３１Ｂは、線ＢＢ’に沿ったウェハー２９０２の断面図を示す。
【００６１】
図３１Ｂにおいて、パッド２９４２、パッド２９４４、トレース２９４６、及びトレース２９４８が形成される。トレース２９４６と２９４８は、外部電気接続を提供する。図示されていないが、パッド２９４２と２９４４は、外部電気接続のためのトレース２９４６と２９４８に類似したトレースに接続される。
【００６２】
一実施形態において、ＴｉＰｔＡｕメタライゼーション２９１６がリフトオフされて、図３１Ａと図３１Ｂに示されたトレースとパッドが形成される。メタライゼーション２９１６は、Ａｕ導体層２９１８、Ｐｔバリヤ層２９２０、及びＴｉ接着層２９２２から構成される。
【００６３】
図３１Ｃ〜図３１Ｈは、線ＡＡ’に沿ったウェハー２９０２の断面図を示す。
【００６４】
図３１Ｃにおいて、温度測定抵抗２９１５が形成される。一実施形態において、トレース２９１４のＡｕ層２９１８（図３１Ａ）がパターニングされて、ＴｉＰｔ温度測定抵抗２９１５が形成される。一実施形態において、Ａｕはウェットエッチングによりパターニングされる。残りのＴｉＰｔＡｕメタライゼーション２９１６は、抵抗２９１５に接続されるトレース２９１４Ａと２９１４Ｂになる。
【００６５】
図３１Ｄにおいて、酸化物層２９０４がパターニングされて、ウェハー２９０２の上面２９０６上の領域を露出する窓２９２４が形成される。一実施形態において、酸化物層２９０４は、ＨＦウエットエッチングによりパターニングされる。
【００６６】
図３１Ｅにおいて、クロム−金（ＣｒＡｕ）のメタライゼーション２９２６が構造体の上に形成される。ＣｒＡｕメタライゼーション２９２４はパターニングされて、上面２９０６上の領域を露出する窓２９２８が形成される。留意すべきは、ＣｒＡｕメタライゼーション２９２４は、ボール凹みを形成するためのウェハー２９０２のエッチング中に、Ｔｉ層２９２２とＡｕ層２９１８を保護するために共形である必要がある。一実施形態において、ＮｉＣｒメタライゼーション２９２６が、スパッタリングにより形成され、ウエットエッチングによりパターニングされる。
【００６７】
図３１Ｆにおいて、ウェハー２９０２の上面２９０６が、ＫＯＨのような溶液を用いて異方性エッチングされて、ボール凹み２９３０が形成される。
【００６８】
図３１Ｇにおいて、ボール凹み２９３０の周りの酸化物層２９０４が、ボール凹み２９３０の上の任意の張り出し部分を一掃するために除去される。一実施形態において、酸化物層２９０４は、ＨＦウエットエッチングにより除去される。
【００６９】
図３１Ｈにおいて、ＣｒＡｕメタライゼーション２９２６（図３１Ｇ）が除去される。一実施形態において、ＣｒＡｕメタライゼーション２９２６は、金のエッチャント、及び次いでＣｒのエッチャントによって順次にウエットエッチングにより除去される。
【００７０】
図３１Ｉと図３１Ｊは、線ＢＢ’に沿ったウェハー２９０２の断面図を示す。
【００７１】
図３１Ｉにおいて、フォトダイオードのダイ５０６が、ＡｕＳｎハンダによりパッド２９４４上に実装され、ボンディングワイヤ５０８によりトレース２９４８に接続される。次いで、レーザのダイ５０２が、ＡｕＳｎハンダによりパッド２９４２上に実装され、ボンディングワイヤ５０４によりトレース２９４６に接続される。最後に、コリメータボールレンズ１６０２がエポキシにより、ボール凹み２９３０に実装される。結果としての構造体は、サブマウント２９５０である。
【００７２】
図３１Ｊにおいて、蓋２８００がサブマウント２９５０に結合され、光学パッケージ３１００が形成される。一実施形態において、蓋２８００、及びサブマウント２９００がエポキシにより結合される。留意すべきは、リング２６０８により、過剰なエポキシがパッケージ３１００の他の領域まであふれずに広がることが可能になる。
【００７３】
動作中、光は、レーザのダイ５０２の放出点から発散して、ボールレンズ１６０２に入射する。平行化された光は、ボールレンズ１６０２を出射して、鏡２７０６によりレンズ２３０４へ直角に反射される。レンズ２３０４は、光を光ファイバ（図示せず）へと収束する。
【００７４】
図３２〜図３６Ｎは、本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージ３６００（図３６Ｃ）を作成するための方法を示す。
【００７５】
図３２において、ウェハー３２０２が準備される。一実施形態において、ウェハー３２０２は、ウェハー３２０２の上面３２０４から９．７度オフセットして配向された＜１００＞面を有する軸外切断されたシリコンウェハーであり、約５００μｍの厚さを有する。リング３２０６がウェハー３２０２の底面３２０８に形成される。一実施形態において、リング３２０６は、ウェハー３２０２をドライエッチング又はウェットエッチング（例えば、プラズマエッチング）することにより形成され、２μｍの高さを有する。
【００７６】
図３３において、酸化物層３２１０が上面３２０４の上に形成され、酸化物層３２１２が底面３２０８の上に形成される。一実施形態において、酸化物層３２１０と３２１２は、蒸気中で熱的に成長された二酸化ケイ素であり、約２５０ｎｍ（２５００Å）までの厚さを有する。窒化物層３２１４が酸化物層３２１０の上に形成され、窒化物層３２１６が酸化物層３２１２の上に形成される。一実施形態において、窒化物層３２１４と３２１６は、ＬＰＣＶＤにより形成された窒化ケイ素であり、約２００ｎｍ（２０００Å）までの厚さを有する。
【００７７】
図３４において、シールリング３２１８がリング３２０６上に形成される。一実施形態において、シールリング３２１８は、リング３２０６上でリフトオフされたＴｉＰｔＡｕメタライゼーションである。
【００７８】
図３５Ａにおいて、窒化物層３２１６がパターニングされて、酸化物層３２０８上の領域が露出される。一実施形態において、窒化物層３２１４は、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）によりパターニングされる。
【００７９】
図３５Ｂにおいて、窒化物層３２１４及び酸化物層３２１０がパターニングされて、上面３２０４上の領域が露出される。一実施形態において、窒化物層３２１４は、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）されて、パターニングされるべき酸化物層３２１０の領域が露出され、酸化物層３２１０がＨＦ溶液でウエットエッチングされて、異方性エッチングされるべき上面３２０４上の領域が露出される。
【００８０】
図３５Ｃにおいて、ウェハー３２０２が、ワックス３２２２で支持ウェハー３２２０に取り付けられる。一実施形態において、ワックス３２２２は、０．０７６２ｍｍ（０．００３インチ）の厚さを有し、ウェハー３２０２の形状に事前に切断されている。
【００８１】
図３５Ｄにおいて、ウェハー３２０２は、緩衝ＨＦ溶液に浸漬され、自然酸化物が除去される。次いで、上面３２０４が、ＫＯＨのような溶液を用いて異方性エッチングされて、ウェハー３２０２を貫いて、酸化物層３２１２まで下がる穴３２２４が形成される。穴３２２４は、少なくとも上面３２０４から１３５度オフセットして向けられた、傾斜した側壁３２２６、及び上面３２０４から１１５．６度オフセットして向けられた、傾斜した側壁３２２８により画定される。
【００８２】
図３５Ｅにおいて、穴３２２４における酸化物層３２１２は除去される。一実施形態において、酸化物層３２１２が、緩衝ＨＦ溶液を用いてウエットエッチングされる。
【００８３】
図３５Ｆにおいて、ＴｉＰｔＡｕメタライゼーション３２３０が構造体の上に形成される。分かりやすくするため、ＴｉＰｔＡｕメタライゼーションは単一の層として示される。一実施形態において、ＴｉＰｔＡｕメタライゼーション３２３０は、蒸着により形成される。
【００８４】
図３５Ｇにおいて、フォトレジスト３２３２がスピンオンされ、穴３２２４内に蓄積される。次いで、フォトレジスト３２３２は、露光されて現像される。ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）が実施されて、任意の残りのフォトレジストに関してＴｉＰｔＡｕメタライゼーション３２３０の上面を清浄にする。
【００８５】
図３５Ｈにおいて、フォトレジスト３２３２により保護されていないＴｉＰｔＡｕメタライゼーション３２３０の部分が、除去される。一実施形態において、ＴｉＰｔＡｕメタライゼーション３２３０の部分は、王水の溶液を用いてウエットエッチングにより除去される。傾斜した側壁３２２６上にある残りのＴｉＰｔＡｕメタライゼーション３２３０は、４５度反射鏡３２３４を形成する。留意すべきは、図３５Ｆ〜図３５Ｈに示されたステップの代わりに、シャドーマスクを用いて反射鏡３２３４が形成され得る。
【００８６】
図３５Ｉにおいて、窒化物層３２１４（図３５Ｈ）が除去される。一実施形態において、窒化物層３２１４は、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）を用いて除去される。次いで、フォトレジスト３２３２が取り除かれる。
【００８７】
図３５Ｊにおいて、ウェハー３２０２は、支持ウェハー３２２０（図３５Ｉ）から外される。一実施形態において、ウェハー３２０２上の任意の残りのワックス３２２２（図３５Ｉ）が、ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）で除去される。
【００８８】
図３５Ｋにおいて、酸化物層３２１０（図３５Ｊ）、及び窒化物層３２１６により保護されていない任意の酸化物層３２１２が、除去される。一実施形態において、酸化物層は、ＨＦウエットエッチングを用いて除去される。
【００８９】
図３５Ｌにおいて、収束レンズ２３０４を有する透明ウェハー２４０２が準備される。ウェハー２４０２、及び収束レンズ２３０４は、図２３〜図２５に関連して上述されたように作成される。透明ウェハー２４０２はウェハー３２０２に接合される。一実施形態において、ウェハー２４０２と３２０２は、陽極接合により接合される。結果としての構造体は、蓋３５００である。
【００９０】
以降、ウェハー３６０２（図３６Ａ）の２つの断面図を用いて、ウェハー３６０２上での種々のコンポーネントの形成を示す。図３６Ａ〜図３６Ｆは、線ＡＡ’に沿ったウェハー２９０２の断面図を示す。
【００９１】
図３６Ａにおいて、ウェハー３６０２が準備される。一実施形態において、ウェハー３６０２は、シリコンウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。酸化物層３６０４がウェハー３６０２の上面３６０６に形成される。一実施形態において、酸化物層３６０４は、蒸気中で熱的に成長された二酸化ケイ素であり、約２５０ｎｍ（２５００Å）の厚さを有する。相互接続部３６０８が酸化物層３６０４上に形成される。一実施形態において、相互接続部３６０８は、酸化物３５０４上でリフトオフされたチタン−金−チタン（ＴｉＡｕＴｉ）のメタライゼーションであり、約０．５μｍの厚さを有する。
【００９２】
図３６Ｂにおいて、酸化物層３６１０が構造体の上に形成される。一実施形態において、酸化物層３６１０は、ＰＥＣＶＤにより形成された二酸化ケイ素であり、約１．５μｍの厚さを有する。次いで、酸化物層３６１０は、ＴｉＡｕＴｉメタライゼーション３６０８まで下がるように平坦化される。一実施形態において、酸化物層３６１０は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）のプロセスにより、ＴｉＡｕＴｉメタライゼーション３６０８と同じ高さになるために、ＴｉＡｕＴｉメタライゼーション３６０８に接近して下がるように平坦化される。
【００９３】
図３６Ｃにおいて、酸化物層３６１２が構造体の上に形成される。一実施形態において、酸化物層３６１２は、ＰＥＣＶＤにより形成された二酸化ケイ素であり、２μｍの厚さを有する。図３６Ｃの後では、酸化物層３６１０は、酸化物層３６１２と一体化して示される。
【００９４】
図３６Ｄにおいて、温度測定抵抗３６１４、及びＲＦ整合抵抗３６１６が形成される。一実施形態において、ＴｉＰｔメタライゼーションが、酸化物層３６１２上でリフトオフされ、温度測定抵抗３６１４が形成される。一実施形態において、ＴａＮメタライゼーション（単一の層として示される）が反応性スパッタリングにより堆積され、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）によりパターニングされて、ＲＦ整合抵抗３６１６が形成される。
【００９５】
図３６Ｅにおいて、相互接続部３６０８に対するバイア３６１８が、酸化物層３６１２を貫いて形成される。一実施形態において、バイア３６１８は、フォトレジストマスクを用いてウエットエッチングにより形成される。
【００９６】
図３６Ｆにおいて、プラグとトレースが形成される。特に、プラグ３６２０と３６２２は、温度測定抵抗３６１４を個々の相互接続部３６０８に接続し、プラグ３６２４（１つだけが見ることができる）は、外部電気接続を提供することになるトレース３６２５（１つだけが見ることができる）に個々の相互接続部３６０８を接続する。同様に、プラグ３６２６と３６２８は、ＲＦ整合抵抗３６１６を個々の相互接続部３６０８に接続し、プラグ３６３０（１つだけが見ることができる）は、外部電気接続を提供することになるトレース３６３２（１つだけが見ることができる）に個々の相互接続部３６０８を接続する。
【００９７】
図３６Ｇは、線ＢＢ’に沿ったウェハー３６０２の断面図を示す。
【００９８】
図３６Ｇにおいて、プラグ、パッド、トレース、及びシーリングリングが形成される。特に、パッド３６３２と３６３４は、レーザのダイ及びフォトダイオードのダイを受容するために形成され、パッド３６３６と３６３８は、ボンディングワイヤを受容するために形成される。プラグ３６４０、３６４２、３６４４、及び３６４６は、個々のパッド３６３２、３６３４、３６３６，３６３８を個々の相互接続部３６０８に接続する。プラグ３６４８（１つだけが見ることができる）は、外部電気接続を提供するトレース３６５０（１つだけが見ることができる）に個々の相互接続部３６０８を接続する。シーリングリング３６５１は、完成したパッケージ内に収容されるべきコンポーネントの周りに形成される。
【００９９】
一実施形態において、ＴｉＰｔＡｕメタライゼーション３６５２がリフトオフされて、図３６Ｆと図３６Ｇに示されたプラグ、パッド、トレース、及びシーリングリングが形成される。メタライゼーション３６５２は、Ｔｉ接着層３６５４、Ｐｔバリヤ層３６５６、及びＡｕ導体層３６５８から構成される。
【０１００】
図３６Ｈ〜図３６Ｌは、線ＡＡ’に沿ったウェハー２９０２の断面図を示す。
【０１０１】
図３６Ｈにおいて、ＣｒＡｕメタライゼーション３６６０が構造体の上に形成される。留意すべきは、ＣｒＡｕのメタライゼーション３６６０は、ボール凹みを形成するためのウェハー３６０２のエッチング中に、ＴｉＰｔＡｕメタライゼーションにおけるＴｉ層とＡｕ層を保護するために共形である必要がある。一実施形態において、ＮｉＣｒのメタライゼーション３６６０が、スパッタリングにより形成される。
【０１０２】
図３６Ｉにおいて、ＣｒＡｕメタライゼーション３６６０がパターニングされて、酸化物層３６１２の領域が露出される。一実施形態において、ＣｒＡｕメタライゼーションは、ドライエッチング又はウエットエッチング（例えば、プラズマエッチング）によりパターニングされる。次いで、酸化物層３６１２と３６０４が、ウェハー３６０２の上面３６０６まで下がるようにパターニングされる。一実施形態において、酸化物層３６１２は、ＨＦウエットエッチングによりパターニングされる。
【０１０３】
図３６Ｊにおいて、上面３６０６が、ＫＯＨのような溶液を用いて異方性エッチングされて、ボール凹み３６６２が形成される。
【０１０４】
図３６Ｋにおいて、ボール凹み３６６２の周りの酸化物層３６０４と３６１２が、ボール凹み３６６２の上の任意の張り出し部分を一掃するためにエッチングされる。
【０１０５】
図３６Ｌにおいて、ＣｒＡｕメタライゼーション３６６０が除去される。一実施形態において、ＣｒＡｕメタライゼーション３６６０はウェットエッチングにより除去される。結果としての構造体は、サブマウント３６６４である。
【０１０６】
図３６Ｍと図３６Ｎは、線ＢＢ’に沿ったウェハー２９０２の断面図を示す。
【０１０７】
図３６Ｍにおいて、フォトダイオードのダイ５０６が、ＡｕＳｎハンダによりパッド３６３４上に実装され、ボンディングワイヤ５０８によりワイヤボンディングパッド３６３８に接続される。次いで、レーザのダイ５０２は、ＡｕＳｎハンダによりパッド３６３２上に実装され、ボンディングワイヤ５０４によりパッド３６３６に接続される。最後に、コリメータボールレンズ１６０２がエポキシによりボール凹み３６６２に実装される。結果としての構造体は、サブマウント３６６４である。
【０１０８】
図３６Ｎにおいて、蓋３５００は、サブマウント３６６４にハンダ接合されて、光学パッケージ３６００が形成される。適度な温度が加えられて、ボンディングリング３２１８と３６５１との間にハンダ接合部が形成される。動作中、光がレーザのダイ５０２の放出点から発散して、ボールレンズ１６０２に入射する。平行化された光がボールレンズ１６０２を出射し、次いで鏡３２３４によりレンズ２３０４へ直角に反射される。レンズ２３０４は、光を光ファイバ（図示せず）へと収束する。
【０１０９】
図３７〜図４２は、本発明の一実施形態において光学パッケージ４２００（図４２）を形成するための方法を示す。パッケージ４２００は、今度は蓋が垂直側壁を有し、反射鏡が蓋の側壁に構築されないことを除いて、パッケージ３１００と３６００に類似している。代わりに、別個の鏡がサブマウント上に配置される。垂直側壁を有する蓋を用いることは、光学パッケージの外形寸法を低減することに役立つ。これは、傾斜した側壁が垂直側壁に比べてより大きな設置面積を生じさせるからである。光学パッケージ４２００は、非ハーメチック光学パッケージ３１００、又はハーメチック光学パッケージ３６００を作成することができる。
【０１１０】
図３７において、ウェハー３７０２が準備される。一実施形態において、ウェハー３７０２は、パイレックス（登録商標）ウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。穴３７０４がウェハー３７０２を貫いて形成される。穴３７０４は、垂直側壁３７０６により画定される。一実施形態において、穴３７０４は、超音波加工により形成される。
【０１１１】
図３８において、ウェハー３８０２が準備される。一実施形態において、ウェハー３８０２はシリコンウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。収束レンズ３８０４がウェハー３８０２の上面３８０６に形成される。収束レンズ３８０４は、レンズ３８０４との平面である酸化物層３８０５により取り囲まれる。一実施形態において、レンズ３８０４は、フェーズシフティング層のスタックからパターニングされたＤＯＥである。隣接するフェーズシフティング層は、所望の回折レンズを形成するためにスタックを順次にエッチングするために使用されるエッチング停止層によって分離される。これ以降、ウェハー３８０２とレンズ３８０４は、ひとまとめにしてレンズウェハー３８０２と称する。
【０１１２】
図３９において、レンズウェハー３８０２はウェハー３７０２に接合されて、蓋３９００が形成される。一実施形態において、レンズウェハー３８０２及びウェハー３７０２は、陽極接合により接合される。
【０１１３】
図４０Ａにおいて、サブマウントウェハー４００２が準備される。ウェハー４００２はシリコンウェハーであり、５００μｍの厚さを有する。酸化物層４００４が、ウェハー４００２の上面４００６に形成される。一実施形態において、酸化物層４００４は、蒸気中で熱的に成長された二酸化ケイ素であり、約２５０ｎｍ（２５００Å）までの厚さを有する。パッド４００８、パッド４０１０、トレース４０１２、及びトレース４０１４が、酸化物層４００４上に形成される。一実施形態において、パッドとトレースは、蒸着により形成され、次いでウェットエッチングによりパターニングされたチタン−金（ＴｉＡｕ）のメタライゼーションである。上面４００６は、異方性エッチングされて、ボール凹み４０１６が形成される。一実施形態において、ボール凹み４０１６は、パッドとトレースがウエットエッチング中にクロム／金のエッチングマスクにより保護されながら、ＫＯＨウエットエッチングにより形成される。
【０１１４】
図４０Ｂにおいて、基準点マーク４０１８と４０２０が、ボール凹み４０１６と同じエッチングマスクを用いて形成される。基準点マーク４０１８を用いて、レーザのダイを位置合わせする一方で、基準点マーク４０２０を用いて反射鏡を位置合わせする。一実施形態において、基準点マーク４０１８は、十字形のような形状をしている一方で、基準点マーク４０２０は、溝のような形状をしている。結果としての構造体は、サブマウント４０００である。
【０１１５】
図示されていないが、追加のコンポーネントがウェハー４００２上に形成され得る。例えば、ＲＦ整合抵抗、及び温度測定抵抗が、ウェハー４００２上に形成され得る。これらの抵抗は、パッケージ３１００（図３１Ｊ）と３６００（図３６Ｎ）におけるこれらの同等物と同様に形成され得る。さらに、サブマウント４０００上のトレースが酸化物層４００２上にあるように示されるが、それらは、プラグにより酸化物層４００４の下にある相互接続部に接続されることもでき、相互接続部は、完成したパッケージの外側に通じているトレースにプラグにより接続され得る。トレース、プラグ、及び相互接続部は、パッケージ３１００と３６００におけるこれらの同等物と同様に形成され得る。
【０１１６】
図４１において、フォトダイオードのダイ５０６が、パッド４０１０上に実装され、ボンディングワイヤ５０８によりトレース４０１４に接続される。レーザのダイ５０２は、その放出点５０３が基準点マーク４０１８（図４０Ｂ）と揃えられるように、パッド４００８上に実装される。レーザのダイ５０２は、ボンディングワイヤ５０４によりトレース４０１２に接続される。最後に、コリメータボールレンズ１６０２がボール凹み４０１６に実装される。一実施形態において、ボールレンズ１６０２は、エポキシにより固定される。
【０１１７】
別個の４５度反射鏡４１０２は、その先端を基準点マーク４０２０（図４０Ｂ）と揃えるように、上面４００６に実装される。一実施形態において、鏡４１０２は、その先端が基準点マーク４０２０内にある場合に位置合わせされる。一実施形態において、鏡４１０２は、エポキシにより固定される。一実施形態において、鏡４１０２は、以下のようなウェハースケールプロセスで作成される。軸外切断されたウェハーがウエットエッチングされて、１３５度の側壁を有する複数の空洞が形成される。次いで、ウェハーは、１３５度の側壁上に反射材料でコーティングされる。最後に、ウェハーは、個々の鏡を形成するために単一化される。
【０１１８】
図４２において、蓋３９００がサブマウント４０００に接合されて、光学パッケージ４２００が形成される。一実施形態において、蓋３９００とサブマウント４０００は、エポキシ４２０１により接合される。代案として、蓋３９００とサブマウント４０００は、パッケージ３６００に類似したハンダボンドにより接合されてもよい。
【０１１９】
動作中、光がレーザのダイ５０２の放出点から発散して、ボールレンズ１６０２に入射する。平行化された光がボールレンズ１６０２を出射し、次いで鏡４１０２によりレンズ３８０４へ直角に反射される。レンズ３８０４は、光を光ファイバ４２０２へと収束する。
【０１２０】
開示された実施形態の、種々の他の改変、及び特徴の組み合わせは、本発明の範囲内にある。多くの実施形態は、特許請求の範囲により包含される。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１１】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１２】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１３】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１４】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１５】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１６】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１７】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１８】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図１９】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２０】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２１】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２２】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２３】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２４】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２５】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２６】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２７】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２８】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図２９】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３０】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ａ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｂ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｃ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｄ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｅ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｆ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｇ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｈ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｉ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３１Ｊ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３２】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３３】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３４】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ａ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｂ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｃ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｄ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｅ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｆ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｇ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｈ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｉ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｊ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｋ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３５Ｌ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ａ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｂ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｃ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｄ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｅ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｆ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｇ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｈ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｉ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｊ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｋ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｌ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｍ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３６Ｎ】本発明の別の実施形態においてハーメチック光学パッケージを作成するための方法を示す図である。
【図３７】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを形成するための方法を示す図である。
【図３８】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを形成するための方法を示す図である。
【図３９】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを形成するための方法を示す図である。
【図４０Ａ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを形成するための方法を示す図である。
【図４０Ｂ】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを形成するための方法を示す図である。
【図４１】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを形成するための方法を示す図である。
【図４２】本発明の別の実施形態において非ハーメチック光学パッケージを形成するための方法を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３１Ｃ】
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【図３１Ｄ】
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【図３１Ｅ】
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【図３１Ｆ】
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【図３１Ｇ】
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【図３１Ｈ】
2006324658.tif 000042
【図３１Ｉ】
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【図３１Ｊ】
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【図３２】
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【図３３】
2006324658.tif 000046
【図３４】
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【図３５Ａ】
2006324658.tif 000048
【図３５Ｂ】
2006324658.tif 000049
【図３５Ｃ】
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【図３５Ｄ】
2006324658.tif 000051
【図３５Ｅ】
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【図３５Ｆ】
2006324658.tif 000053
【図３５Ｇ】
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【図３５Ｈ】
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【図３５Ｉ】
2006324658.tif 000056
【図３５Ｊ】
2006324658.tif 000057
【図３５Ｋ】
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【図３５Ｌ】
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【図３６Ａ】
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【図３６Ｂ】
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【図３６Ｃ】
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【図３６Ｄ】
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【図３６Ｅ】
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【図３６Ｆ】
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【図３６Ｇ】
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【図３６Ｈ】
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【図３６Ｉ】
2006324658.tif 000068
【図３６Ｊ】
2006324658.tif 000069
【図３６Ｋ】
2006324658.tif 000070
【図３６Ｌ】
2006324658.tif 000071
【図３６Ｍ】
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【図３６Ｎ】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０Ａ】
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【図４０Ｂ】
2006324658.tif 000078
【図４１】
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【図４２】
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【外国語明細書】
2006324658000001.pdf