(57)【要約】【課題】  層間絶縁膜の表面に埋込配線を形成する場合に、研磨面の平坦性を保つことができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  基板２００上に、層間絶縁膜２０３と、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１のハードマスク２０４と、第２のハードマスク２０５とを成膜する。第２のハードマスク２０５を開口し、第２のハードマスク２０５をマスクとして、層間絶縁膜２０３に埋込配線が埋め込まれるべき凹溝２０７を形成する。埋込配線の材料２０９が層間絶縁膜２０３へ拡散するのを防止する拡散防止膜２０８Ｂを成膜する。第２のハードマスク２０５と拡散防止膜２０８Ｂとが同じ材料で、金属元素を組成に含む導電性材料からなる。埋込配線の材料となる導電性金属２０９を堆積する。導電性金属２０９の表面側から第１のハードマスク２０４が露出するレベルまで研磨を行う。【選択図】図２Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも、埋込配線が特定領域に埋め込まれるべき層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１のハードマスクと、上記第１のハードマスクに対して選択的にエッチング可能な材料からなる第２のハードマスクとをこの順に成膜する工程と、
フォトリソグラフィおよびエッチングを行って、上記第２のハードマスクのうち上記特定領域に相当する部分を開口する工程と、
上記第２のハードマスクをマスクとして、上記第１のハードマスクおよび層間絶縁膜のうち上記特定領域に相当する部分を表面側から深さ方向にエッチングして除去して、上記層間絶縁膜に上記埋込配線が埋め込まれるべき凹溝を形成する工程と、
上記凹溝の内壁および上記凹溝の両側に存する上記第２のハードマスクの表面に沿って、上記埋込配線の材料が上記層間絶縁膜へ拡散するのを防止する拡散防止膜を成膜する工程とを備え、
上記第２のハードマスクの材料と上記拡散防止膜の材料とが同じで、金属元素を組成に含む導電性材料からなり、
上記拡散防止膜で覆われた上記凹溝内を埋めるように、上記基板上に上記埋込配線の材料となる導電性金属を堆積する工程と、
上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行って、上記凹溝内の上記導電性金属を上記埋込配線として残す工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第２のハードマスクの材料と上記拡散防止膜の材料が上記金属元素のみからなり、その金属元素はタンタル、タングステン、ジルコニウムのうちのいずれかであり、また、
上記導電性金属が銅であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第２のハードマスクの材料と上記拡散防止膜の材料とが同じ組成をもつ金属化合物であり、
上記凹溝を形成した後上記拡散防止膜を成膜する前に、上記凹溝の内壁および上記凹溝の両側に存する上記第２のハードマスクの表面に沿って、上記第２のハードマスクおよび拡散防止膜の組成に含まれる上記金属元素と同じ金属元素からなる下地膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第２のハードマスクと上記拡散防止膜の材料である上記金属化合物がタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物のうちのいずれかであり、また、
上記導電性金属が銅であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１のハードマスクの材料は、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素のうちのいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記層間絶縁膜を成膜する工程の前に、上記基板上に上記特定領域に相当する領域を通る下層配線と、上記層間絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなり上記下層配線の上面に接する下部エッチストッパ膜とをこの順に形成する工程を備え、
上記凹溝を形成するのに続いて、上記凹溝の底に露出した下部エッチストッパ膜をエッチングして除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
上記層間絶縁膜を成膜する工程の前に、上記基板上に、下部層間絶縁膜と、エッチストッパ膜とをこの順に成膜する工程を備え、
上記第１のハードマスクのうち上記特定領域に相当する部分を露出させる工程の後、上記埋込配線が埋め込まれるべき凹溝を形成する工程の前に、フォトリソグラフィおよびエッチングを行って、上記第１のハードマスク、層間絶縁膜、エッチストッパ膜および下部層間絶縁膜のうち上記特定領域の一部に相当する部分を表面側から深さ方向に貫くビアホールを形成する工程を備え、
上記凹溝を形成するのに続いて、上記凹溝の底に露出したエッチストッパ膜をエッチングして除去し、
上記拡散防止膜を成膜する工程で、上記拡散防止膜が上記凹溝内に加えて上記ビアホールの内壁に沿い、
上記埋込配線の材料となる導電性金属を堆積する工程で、上記埋込配線の材料となる導電性金属が上記拡散防止膜で覆われた上記凹溝内および上記ビアホール内を埋めることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
上記下部層間絶縁膜を成膜する工程の前に、上記基板上に上記特定領域に相当する領域を通る下層配線と、上記層間絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなり上記下層配線の上面に接する下部エッチストッパ膜とをこの順に形成する工程を備え、
上記ビアホールを形成するのに続いて、上記ビアホールの底に露出した下部エッチストッパ膜をエッチングして除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板上に、
上記基板上の特定領域を通る下層配線と、
上記下層配線上に上記下層配線の上面と実質的に接するレベルに形成された層間絶縁膜と、
上記層間絶縁膜のうち上記下層配線上に相当する領域に形成された、表面側から上記下層配線の上面に達する深さをもつ凹溝と、
上記凹溝の両側に相当する層間絶縁膜の表面に形成された、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１の薄膜と、
上記第１の薄膜の表面と実質的に同じレベルにある上面をもち、上記凹溝内に埋め込まれた導電性金属からなる埋込配線と、
上記埋込配線をなす導電性金属と上記凹溝の内壁との間にこの内壁に沿って設けられた、上記導電性金属が上記層間絶縁膜へ拡散するのを防止する材料からなる拡散防止膜とを備え、
上記拡散防止膜はタンタル、タングステン、ジルコニウムのうちのいずれかからなる金属膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に、
上記基板上の特定領域を通る下層配線と、
上記下層配線上に上記下層配線の上面と実質的に接するレベルに形成された層間絶縁膜と、
上記層間絶縁膜のうち上記下層配線上に相当する領域に形成された、表面側から上記下層配線の上面に達する深さをもつ凹溝と、
上記凹溝の両側に相当する層間絶縁膜の表面に形成された、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１の薄膜と、
上記第１の薄膜の表面と実質的に同じレベルにある上面をもち、上記凹溝内に埋め込まれた導電性金属からなる埋込配線と、
上記埋込配線をなす導電性金属と上記凹溝の内壁との間にこの内壁に沿って設けられた、上記導電性金属が上記層間絶縁膜へ拡散するのを防止する材料からなる拡散防止膜とを備え、
上記拡散防止膜は、タンタル、タングステン、ジルコニウムのうちのいずれかからなり上記凹溝の内壁に接する下地膜と、この下地膜をなす金属元素と同じ金属元素の窒化物からなり上記埋込配線をなす導電性金属に接する金属化合物との二層からなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。より詳しくは、この発明は、層間絶縁膜に埋込配線構造（ダマシン）を形成する半導体装置の製造方法に関する。また、この発明は、そのような製造方法によって作製された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置の製造方法としては、下層配線上に層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜に上層配線が埋め込まれるべき配線溝と上下の配線間を接続するためのビアホールとを形成した後、上記配線溝とビアホールとに同じ金属膜を埋め込んで上層配線とビアとを一体に形成するデュアルダマシン技術が知られている。
【０００３】
このような埋込配線のパターンを形成するためには、有機材料からなるレジストマスクが用いられるのが一般的であったが、最近では、無機材料からなるハードマスクが用いられるようになっている。例えば特許文献１（特開２００３−１７９１３６号公報）では、下層配線上に層間絶縁膜を形成した後、その層間絶縁膜に上層配線が埋め込まれるべき配線溝とビアホールとを形成するために、ハードマスクとして三層のマスク層を積層する方法が提案されている。三層のマスク層は、二酸化シリコン又は炭化ケイ素からなる第１のマスク薄膜と、シリコン窒化物からなる第２のマスク薄膜と、チタン、タンタル若しくはタングステンといった耐熱金属、又はチタン窒化物、タンタル窒化物若しくはタングステン窒化物といったそれらの金属合金からなる第３のマスク薄膜とからなる。この三層のマスク層は、エッチング耐性の高い無機材料からなるハードマスクであり、有機材料からなるレジストマスクに比して、上記配線溝とビアホールの加工精度を高めることができる。同文献では、上記配線溝とビアホールとを形成した後、それらの上に電解メッキにより厚い銅を堆積させる。そして、この厚い銅、第３のマスク薄膜、第２のマスク薄膜、および第１のマスク薄膜を、化学機械平坦化（ＣＭＰ）によって、第１のマスク薄膜が露出するレベルまで連続して研磨する。これにより、上層配線（埋込配線）とビアとを一体に形成している。
【特許文献１】特開２００３−１７９１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＣＭＰ法においては、一般に第２のマスク薄膜の材料であるシリコン窒化膜の研磨速度は、上層配線の配線材料である銅、第３のマスク薄膜の材料（チタン、タンタル若しくはタングステンといった耐熱金属、又はチタン窒化物、タンタル窒化物若しくはタングステン窒化物といったそれらの金属合金）、第１のマスク薄膜の材料（二酸化シリコン又は炭化ケイ素）の研磨速度よりもかなり遅い。このため、上述の製造方法では、上記配線溝の両側に相当する領域で第２のマスク薄膜が研磨されているとき、研磨されている面内で研磨速度が遅い領域と速い領域とが生じて、研磨面の平坦性を保つのが難しく、良好な加工形状が得られないという問題がある。また、シリコン窒化物からなる第２のマスク薄膜の成膜工程が必要であるため、工程数が多くてコスト高になるという問題がある。
【０００５】
そこで、この発明の課題は、層間絶縁膜の表面に埋込配線を形成する場合に、研磨面の平坦性を保つことができ、したがって埋込配線構造の加工形状を良好にできる半導体装置の製造方法を提供することにある。また、工程数を減らしてコスト削減できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００６】
また、この発明の課題は、そのような製造方法によって作製された半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明の半導体装置の製造方法は、
基板上に少なくとも、埋込配線が特定領域に埋め込まれるべき層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１のハードマスクと、上記第１のハードマスクに対して選択的にエッチング可能な材料からなる第２のハードマスクとをこの順に成膜する工程と、
フォトリソグラフィおよびエッチングを行って、上記第２のハードマスクのうち上記特定領域に相当する部分を開口する工程と、
上記第２のハードマスクをマスクとして、上記第１のハードマスクおよび層間絶縁膜のうち上記特定領域に相当する部分を表面側から深さ方向にエッチングして除去して、上記層間絶縁膜に上記埋込配線が埋め込まれるべき凹溝を形成する工程と、
上記凹溝の内壁および上記凹溝の両側に存する上記第２のハードマスクの表面に沿って、上記埋込配線の材料が上記層間絶縁膜へ拡散するのを防止する拡散防止膜を成膜する工程とを備え、
上記第２のハードマスクの材料と上記拡散防止膜の材料とが同じで、金属元素を組成に含む導電性材料からなり、
上記拡散防止膜で覆われた上記凹溝内を埋めるように、上記基板上に上記埋込配線の材料となる導電性金属を堆積する工程と、
上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行って、上記凹溝内の上記導電性金属を上記埋込配線として残す工程とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
この半導体装置の製造方法では、上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行う工程で、最初は、上記凹溝上の領域と上記凹溝の両側に相当する領域で共に上記導電性金属を研磨する状態となる。次に、上記凹溝上の領域で上記導電性金属を研磨し、上記凹溝の両側に相当する領域では、拡散防止膜、第２のハードマスクを順に研磨する状態となる。ここで、上記拡散防止膜と第２のハードマスクの材料は同じで、金属元素を組成に含む導電性材料からなる。したがって、上記拡散防止膜と第２のハードマスクの研磨速度を、シリコン窒化膜（従来例）の研磨速度に比して上記導電性金属の研磨速度と近いものとすることができる。したがって、上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行う工程で、従来に比して研磨面の平坦性を保つことができる。したがって埋込配線構造の加工形状を良好にできる。また、上記拡散防止膜、第２のハードマスクは金属元素を組成に含む同じ導電性材料からなるので、シリコン窒化物からなるハードマスクの成膜工程を削減でき、コストを削減できる。
【０００９】
一実施形態の半導体装置の製造方法は、上記第２のハードマスクの材料と上記拡散防止膜の材料が上記金属元素のみからなり、その金属元素はタンタル、タングステン、ジルコニウムのうちのいずれかであり、また、上記導電性金属が銅であることを特徴とする。
【００１０】
この一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記第２のハードマスクの材料と上記拡散防止膜の材料がタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）のうちのいずれかであり、また、上記導電性金属が銅である。したがって、上記拡散防止膜、第２のハードマスクの研磨速度を、上記導電性金属の研磨速度と近いものとすることができる。したがって、上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行う工程で、さらに研磨面の平坦性を保つことができる。したがって埋込配線構造の加工形状をさらに良好にできる。
【００１１】
一実施形態の半導体装置の製造方法は、
上記第２のハードマスクの材料と上記拡散防止膜の材料とが同じ組成をもつ金属化合物であり、
上記凹溝を形成した後上記拡散防止膜を成膜する前に、上記凹溝の内壁および上記凹溝の両側に存する上記第２のハードマスクの表面に沿って、上記第２のハードマスクおよび拡散防止膜の組成に含まれる上記金属元素と同じ金属元素からなる下地膜を形成することを特徴とする。
【００１２】
この一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記拡散防止膜の材料が金属化合物であるから、上記拡散防止膜の材料が上記金属元素のみからなる場合に比して材料選択の自由度が増す。したがって、上記拡散防止膜の材料として、上記埋込配線の材料が上記層間絶縁膜へ拡散するのを有効に防止できるものを選択するとともに、上記下地膜の材料として、上記拡散防止膜と上記導電性金属との密着性を有効に高めるものを選択できる。
【００１３】
また、上記下地膜は、上記第２のハードマスクおよび拡散防止膜の組成に含まれる上記金属元素と同じ金属元素からなる。したがって、上記下地膜の研磨速度を、上記拡散防止膜、第２のハードマスクの研磨速度と同様に、シリコン窒化膜の研磨速度に比して上記導電性金属の研磨速度と近いものとすることができる。したがって、上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行う工程で、研磨面の平坦性を保つことができる。したがって埋込配線構造の加工形状を良好にできる。
【００１４】
一実施形態の半導体装置の製造方法は、上記第２のハードマスクと上記拡散防止膜の材料である上記金属化合物がタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物のうちのいずれかであり、また、上記導電性金属が銅であることを特徴とする。
【００１５】
ここで、上記金属化合物がそれぞれタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物である場合は、それに対応して、上記下地膜の材料はそれぞれタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）となる。
【００１６】
この一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記拡散防止膜、下地膜、第２のハードマスクの研磨速度を、上記導電性金属の研磨速度と近いものとすることができる。したがって、上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行う工程で、さらに研磨面の平坦性を保つことができる。したがって埋込配線構造の加工形状をさらに良好にできる。
【００１７】
また、上記拡散防止膜の材料は、上記埋込配線の材料が上記層間絶縁膜へ拡散するのを有効に防止することができる。また、上記下地膜の材料は、上記拡散防止膜と上記導電性金属との密着性を有効に高めることができる。
【００１８】
また、一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記第１のハードマスクの材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）のうちのいずれかであることを特徴とする。
【００１９】
この一実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上記導電性金属の表面側から上記第１のハードマスクが露出するレベルまで研磨を行う工程で、上記第１のハードマスクによって、上記層間絶縁膜の表面を有効に保護することができる。
【００２０】
一実施形態の半導体装置の製造方法は、
上記層間絶縁膜を成膜する工程の前に、上記基板上に上記特定領域に相当する領域を通る下層配線と、上記層間絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなり上記下層配線の上面に接する下部エッチストッパ膜とをこの順に形成する工程を備え、
上記凹溝を形成するのに続いて、上記凹溝の底に露出した下部エッチストッパ膜をエッチングして除去することを特徴とする。
【００２１】
この一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記凹溝を形成するのに続いて、上記凹溝の底に露出した下部エッチストッパ膜をエッチングして除去する。これにより、上記下層配線の上面が露出する。したがって、上記導電性金属を堆積する工程の後に上記下層配線と上記埋込配線とを上記拡散防止膜を介して導通させることができる。
【００２２】
一実施形態の半導体装置の製造方法は、
上記層間絶縁膜を成膜する工程の前に、上記基板上に、下部層間絶縁膜と、エッチストッパ膜とをこの順に成膜する工程を備え、
上記第１のハードマスクのうち上記特定領域に相当する部分を露出させる工程の後、上記埋込配線が埋め込まれるべき凹溝を形成する工程の前に、フォトリソグラフィおよびエッチングを行って、上記第１のハードマスク、層間絶縁膜、エッチストッパ膜および下部層間絶縁膜のうち上記特定領域の一部に相当する部分を表面側から深さ方向に貫くビアホールを形成する工程を備え、
上記凹溝を形成するのに続いて、上記凹溝の底に露出したエッチストッパ膜をエッチングして除去し、
上記拡散防止膜を成膜する工程で、上記拡散防止膜が上記凹溝内に加えて上記ビアホールの内壁に沿い、
上記埋込配線の材料となる導電性金属を堆積する工程で、上記埋込配線の材料となる導電性金属が上記拡散防止膜で覆われた上記凹溝内および上記ビアホール内を埋めることを特徴とする。
【００２３】
この一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記埋込配線の材料となる導電性金属を堆積する工程で、上記埋込配線の材料となる導電性金属が上記拡散防止膜で覆われた上記凹溝内および上記ビアホール内を埋める。したがって、上記凹溝内および上記ビアホール内に同じ金属膜を埋め込んで埋込配線とビアとを一体に形成することができる（デュアルダマシン技術）。
【００２４】
一実施形態の半導体装置の製造方法は、
上記下部層間絶縁膜を成膜する工程の前に、上記基板上に上記特定領域に相当する領域を通る下層配線と、上記層間絶縁膜に対して選択的にエッチング可能な材料からなり上記下層配線の上面に接する下部エッチストッパ膜とをこの順に形成する工程を備え、
上記ビアホールを形成するのに続いて、上記ビアホールの底に露出した下部エッチストッパ膜をエッチングして除去することを特徴とする。
【００２５】
この一実施形態の半導体装置の製造方法では、上記ビアホールを形成するのに続いて、上記ビアホールの底に露出した下部エッチストッパ膜をエッチングして除去する。これにより、上記下層配線の上面が露出する。したがって、上記導電性金属を堆積する工程の後に上記下層配線と上記埋込配線とを上記拡散防止膜を介して導通させることができる。
【００２６】
この発明の半導体装置は、
基板上に、
上記基板上の特定領域を通る下層配線と、
上記下層配線上に上記下層配線の上面と実質的に接するレベルに形成された層間絶縁膜と、
上記層間絶縁膜のうち上記下層配線上に相当する領域に形成された、表面側から上記下層配線の上面に達する深さをもつ凹溝と、
上記凹溝の両側に相当する層間絶縁膜の表面に形成された、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１の薄膜と、
上記第１の薄膜の表面と実質的に同じレベルにある上面をもち、上記凹溝内に埋め込まれた導電性金属からなる埋込配線と、
上記埋込配線をなす導電性金属と上記凹溝の内壁との間にこの内壁に沿って設けられた、上記導電性金属が上記層間絶縁膜へ拡散するのを防止する材料からなる拡散防止膜とを備え、
上記拡散防止膜はタンタル、タングステン、ジルコニウムのうちのいずれかからなる金属膜であることを特徴とする。
【００２７】
別の局面では、この発明の半導体装置は、
基板上に、
上記基板上の特定領域を通る下層配線と、
上記下層配線上に上記下層配線の上面と実質的に接するレベルに形成された層間絶縁膜と、
上記層間絶縁膜のうち上記下層配線上に相当する領域に形成された、表面側から上記下層配線の上面に達する深さをもつ凹溝と、
上記凹溝の両側に相当する層間絶縁膜の表面に形成された、この層間絶縁膜を保護する絶縁性材料からなる第１の薄膜と、
上記第１の薄膜の表面と実質的に同じレベルにある上面をもち、上記凹溝内に埋め込まれた導電性金属からなる埋込配線と、
上記埋込配線をなす導電性金属と上記凹溝の内壁との間にこの内壁に沿って設けられた、上記導電性金属が上記層間絶縁膜へ拡散するのを防止する材料からなる拡散防止膜とを備え、
上記拡散防止膜は、タンタル、タングステン、ジルコニウムのうちのいずれかからなり上記凹溝の内壁に接する下地膜と、この下地膜をなす金属元素と同じ金属元素の窒化物からなり上記埋込配線をなす導電性金属に接する金属化合物との二層からなることを特徴とする。
【００２８】
ここで、上記下地膜の材料がそれぞれタンタル、タングステン、ジルコニウムである場合は、それに対応して、上記金属化合物はそれぞれタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３０】
（第１の実施形態）
図１Ａ〜図１Ｈはそれぞれ、本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示している。
【００３１】
図１Ａに示すように、半導体基板１００上に、予め絶縁層１９０が形成され、その絶縁層１９０のうちの特定の領域Ａに相当する部分に下層配線１０１が埋め込まれている。下層配線１０１幅は０．０５μｍ〜２００μｍの範囲内に設定され、下層配線１０１の上面１０１ａおよびその両側に連なる絶縁層１９０の表面は平坦になっているものとする。本実施形態では、それらの上に、厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍのキャップ膜１０２と、厚さ１００ｎｍ〜５００ｎｍの第１の絶縁膜１０３と、厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍのエッチストッパ膜１０４と、厚さ１００ｎｍ〜５００ｎｍの第２の絶縁膜１０５とを、この順に形成する。さらに、その上に、厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍの第１のハードマスク１０６と、厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍの第２のハードマスク１０７とを、この順に成膜する。さらに、フォトリソグラフィを行って、第２のハードマスク１０７上に溝パターンレジスト１０８を形成する。
【００３２】
ここでキャップ膜１０２は、後述のビアホールを形成する工程でエッチングを停止させる下部エッチストッパ膜として働き、その材料としては例えばＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ等を用いることができる。第１の絶縁膜１０３は、ビアホールが形成される下部層間絶縁膜であり、その材料としては例えばシリコン酸化膜、低ｋ誘電体膜等を用いることができる。低ｋ誘電体膜としては、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣ、多孔質シリカ膜等の無機系絶縁膜、ポリイミド膜、フッ素ドープアモルファスカーボン膜等の有機系絶縁膜を用いることができる。エッチストッパ膜１０４は、後述の凹溝を形成する工程でエッチングを停止させるために働き、その材料としては例えばＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ等を用いることができる。第２の絶縁膜１０５は、その凹溝が形成される層間絶縁膜であり、第１の絶縁膜１０３と同様に、その材料としては例えばシリコン酸化膜、低ｋ誘電体膜等を用いることができる。後述するように第２の絶縁膜１０５と第１の絶縁膜１０３とを同時にエッチングする場合には、第２の絶縁膜１０５の材料と第１の絶縁膜１０３の材料とを共通にすることが望ましい。
【００３３】
第１のハードマスク１０６は、第２のハードマスク１０７をエッチングによりパターン加工（開口）する後述の工程で、そのエッチングを停止させるために働く。第１のハードマスク１０６の材料としては、次に述べる第２のハードマスク１０７の材料に対して選択的にエッチング可能なもの、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ等を用いることができる。また、第１のハードマスク１０６は、後述の化学機械研磨（ＣＭＰ）工程で、研磨剤に対して第２の絶縁膜１０５を保護するために働く。第１のハードマスク１０６は、エッチストッパ膜１０４と同一材料を使用してもよい。
【００３４】
第２のハードマスク１０７は、エッチングにより第２の絶縁膜１０５に凹溝を形成する後述の工程で、高いエッチング耐性を得るためのハードマスクとして用いられる。第２のハードマスク１０７の材料は、第１のハードマスク１０７に対して選択的にエッチング可能なもの（したがって第１のハードマスク１０６の材料と異なる材料）で、しかも後述の拡散防止膜１１２を構成する導電性材料と同じものとする。この例では、第２のハードマスク１０７の材料は、タンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物のうちのいずれかからなり、スパッタリング法またはリアクティブスパッタリング法により成膜するものとする。
【００３５】
溝パターンレジスト１０８は、公知の通常の形成方法で、埋込配線を設けるべき領域Ａを定める開口をもつ状態に形成される。例えば、フォトレジスト組成物を塗布し、その後、ＡｒＦエキシマレーザースキャナを用いて最適な露光量とフォーカスでそのフォトレジスト組成物を露光し、現像を行うことにより形成される。このフォトレジスト組成物としては、例えば通常のベース樹脂、酸発生剤等を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物を用いることができる。
【００３６】
次に、図１Ｂに示すように、溝パターンレジスト１０８をマスクとして、ＣｘＦｙ、ＣｘＨｘＦｚ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、Ａｒ等のエッチングガスを用いてドライエッチングを行って、第２のハードマスク１０７のうち領域Ａに相当する部分を第１のハードマスク１０６に対して選択的に除去する。これにより、第２のハードマスク１０７のうちの領域Ａに相当する部分に開口１０７ａを形成して、その開口１０７ａを通して第１のハードマスク１０６の表面１０６ａを露出させる。その後、溝パターンレジスト１０８を、酸素等のアッシングガスを用いたプラズマアッシングを用いて除去する。
【００３７】
次に、図１Ｃに示すように、フォトリソグラフィを行って、第２のハードマスク１０７や第１のハードマスク１０６の上にビアパターンレジスト１１０を形成する。このビアパターンレジスト１１０は、溝パターンレジスト１０８と同様に公知の通常の形成方法で、ビアホールを設けるべき領域Ｂを定める開口を持つ状態に形成される。領域Ｂの径、つまりビアホールの径は、０．０５μｍ〜２０μｍの範囲内に設定される。
【００３８】
次に、図１Ｄに示すように、ビアパターンレジスト１１０をマスクとして、ＣｘＦｙ、ＣｘＨｘＦｚ、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ等のエッチングガスを用いてドライエッチングを行って、第１のハードマスク１０６、第２の絶縁膜１０５、エッチストッパ膜１０４及び第１の絶縁膜１０３のうち領域Ｂに相当する部分を、表面側からキャップ膜１０２の表面１０２ａに達するまで深さ方向に貫くビアホール１１１を形成する。その後、ビアパターンレジスト１１０を、酸素等のアッシングガスを用いたプラズマアッシングを用いて除去する。
【００３９】
次に、図１Ｅに示すように、第２のハードマスク１０７および第１のハードマスク１０６をマスクとして、ＣｘＦｙ、ＣｘＨｘＦｚ、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ等のエッチングガスを用いてドライエッチングを行って、第１のハードマスク１０６及び第２の絶縁膜１０５のうち領域Ａ相当する部分を表面側からエッチストッパ膜１０４の表面に達するまで深さ方向にエッチングして、第２の絶縁膜１０５に埋込配線が埋め込まれるべき凹溝１０９を形成する。その後、凹溝１０９の底に露出したエッチストッパ膜１０４およびビアホール１１１の底に露出したキャップ膜１０２を、第２の絶縁膜１０５および第１の絶縁膜１０３に対して選択的にドライエッチングして除去する。これにより、ビアホール１１１の底に下層配線１０１の上面１０１ａが露出し、凹溝１０９の底に第１の絶縁膜１０３の表面１０３ａが露出する状態になる。
【００４０】
このようにして凹溝１０９を形成する場合、凹溝１０９が微細パターンであっても、第２のハードマスク１０７および第１のハードマスク１０６をマスクとしてエッチングを行っているので、形成された凹溝１０９の内壁の全域にわたるエッジラフネスの発生を低減できる。
【００４１】
次に、図１Ｆに示すように、凹溝１０９内、ビアホール１１１内および凹溝１０９の両側に存する第２のハードマスク１０７の表面に沿って、スパッタ法または蒸着法により、第２のハードマスク１０７の組成に含まれる金属元素と同じ金属元素からなる下地膜１１２Ａと、第２のハードマスク１０７の材料と同じ材料からなる拡散防止膜１１２Ｂとを成膜する。ここで、第２のハードマスク１０７の材料がそれぞれタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物である場合は、それに対応して、下地膜１１２Ａの材料はそれぞれＴａ、Ｗ、Ｚｒである。
【００４２】
拡散防止膜１１２Ｂは、後述の埋込配線の材料（銅）が第２の絶縁膜１０５および第１の絶縁膜１０３へ拡散するのを防止する働きをもつ。下地膜１１２Ａは、主に埋込配線の材料（銅）と拡散防止膜１１２Ｂとの間の密着性を高めるために働くが、埋込配線の材料（銅）が第２の絶縁膜１０５および第１の絶縁膜１０３へ拡散するのを防止する働きも若干有する。したがって、下地膜１１２Ａと拡散防止膜１１２Ｂとを併せて広義の拡散防止膜１１２と呼んでも良い。この例では、拡散防止膜１１２全体としての厚さは１ｎｍ〜４０ｎｍ程度、そのうち下地膜１１２Ａの厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍとする。
【００４３】
次に、図１Ｇに示すように、スパッタ法及びメッキ法により、拡散防止金属膜１１２で覆われた凹溝１０９内およびビアホール１１１内を埋めるように、基板１００上に導電性金属１１３を厚さ５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に堆積させる。この例では、導電性金属は銅からなる。
【００４４】
次に、図１Ｈに示すように、導電性金属１１３の表面側から第１のハードマスク１０６が露出するレベルまでＣＭＰ法により研磨を行って、表面を平坦化する。なお、図１Ｈでは、研磨後の導電性金属を符号１１４で表している。
【００４５】
このようにして、凹溝１０９内およびビアホール１１１内に同じ導電性金属１１４を埋め込んで上層配線１１４Ａとビア１１４Ｂとを一体に形成する（デュアルダマシン技術）。
【００４６】
上述の研磨工程では、最初は、凹溝１０９上の領域Ａと凹溝１０９の両側に相当する領域で共に導電性金属１１３を研磨する状態となる。次に、凹溝１０９上の領域Ａで導電性金属１１３を研磨し、凹溝１０９の両側に相当する領域では、拡散防止膜１１２Ｂ、下地膜１１２Ａ、第２のハードマスク１０７を順に研磨する状態となる。ここで、これらの拡散防止膜１１２Ｂと第２のハードマスク１０７の材料は同じで、タンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物のうちのいずれかからなる。また、拡散防止膜１１２Ｂと第２のハードマスク１０７の材料がそれぞれタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物からなる場合、それに対応して、下地膜１１２Ａの材料はそれぞれＴａ、Ｗ、Ｚｒからなる。したがって、拡散防止膜１１２Ｂと下地膜１１２Ａと第２のハードマスク１０７の研磨速度を、シリコン窒化膜（従来例）の研磨速度に比して、銅からなる導電性金属１１３の研磨速度と近いものとすることができる。したがって、導電性金属１１３の表面側から第１のハードマスク１０６が露出するレベルまで研磨を行う工程で、従来に比して研磨面１１４ａ，１０６ａの平坦性を保つことができる。したがって埋込配線構造の加工形状を良好にできる。この結果、埋込配線間のリーク電流を低減し、半導体装置の性能、歩留り、信頼性を向上できる。
【００４７】
また、拡散防止膜１１２Ｂと下地膜１１２Ａと第２のハードマスク１０７の材料を同種のものに揃えているので、従来例で述べたシリコン窒化物からなるハードマスクの成膜工程を削減でき、コストを削減できる。
【００４８】
この第１の実施形態では、第１の絶縁膜１０３と第２の絶縁膜１０５との間にエッチストッパ膜１０４を含む場合について説明したが、それに限られるものではない。エッチストッパ膜１０４を含まない層間絶縁膜中に凹溝１０９、ビアホール１１１の両方を形成することも可能である。その場合も、この第１の実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００４９】
（第２の実施形態）
図２Ａ〜図２Ｆはそれぞれ、本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示している。
【００５０】
図２Ａに示すように、半導体基板２００上に、予め絶縁層２９０が形成され、その絶縁層２９０のうちの特定の領域Ａに相当する部分に下層配線２０１が埋め込まれている。下層配線２０１幅は０．０５μｍ〜２００μｍの範囲内に設定され、下層配線２０１の上面２０１ａおよびその両側に連なる絶縁層２９０の表面は平坦になっているものとする。本実施形態では、それらの上に、厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍのキャップ膜２０２と、厚さ１００ｎｍ〜５００ｎｍの第１の絶縁膜２０３とを、この順に形成する。さらに、その上に、厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍの第１のハードマスク２０４と、厚さ１０ｎｍ〜５０ｎｍの第２のハードマスク２０５とを、この順に成膜する。さらに、フォトリソグラフィを行って、第２のハードマスク２０５上に溝パターンレジスト２０６を形成する。
【００５１】
ここでキャップ膜２０２は、後述の凹溝を形成する工程でエッチングを停止させるエッチストッパ膜として働き、その材料としては例えばＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ等を用いることができる。第１の絶縁膜２０３は、凹溝が形成される層間絶縁膜であり、その材料としては例えばシリコン酸化膜、低ｋ誘電体膜等を用いることができる。低ｋ誘電体膜としては、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣ、多孔質シリカ膜等の無機系絶縁膜、ポリイミド膜、フッ素ドープアモルファスカーボン膜等の有機系絶縁膜を用いることができる。
【００５２】
第１のハードマスク２０４は、第２のハードマスク２０５をエッチングによりパターン加工（開口）する後述の工程で、そのエッチングを停止させるために働く。第１のハードマスク２０４の材料としては、次に述べる第２のハードマスク２０５の材料に対して選択的にエッチング可能なもの、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ等を用いることができる。また、第１のハードマスク２０４は、後述の化学機械研磨（ＣＭＰ）工程で、研磨剤に対して第１の絶縁膜２０３を保護するために働く。
【００５３】
第２のハードマスク２０５は、エッチングにより第１の絶縁膜２０３に凹溝を形成する後述の工程で、高いエッチング耐性を得るためのハードマスクとして用いられる。第２のハードマスク２０５の材料は、第１のハードマスク２０４に対して選択的にエッチング可能なもの（したがって第１のハードマスク２０４の材料と異なる材料）で、しかも後述の拡散防止膜２０８を構成する導電性材料と同じものとする。この例では、第２のハードマスク２０５の材料は、タンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物のうちのいずれかからなり、スパッタリング法またはリアクティブスパッタリング法により成膜するものとする。
【００５４】
溝パターンレジスト２０６は、公知の通常の形成方法で、埋込配線を設けるべき領域Ａを定める開口をもつ状態に形成される。例えば、フォトレジスト組成物を塗布し、その後、ＡｒＦエキシマレーザースキャナを用いて最適な露光量とフォーカスでそのフォトレジスト組成物を露光し、現像を行うことにより形成される。このフォトレジスト組成物としては、例えば通常のベース樹脂、酸発生剤等を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物を用いることができる。
【００５５】
次に、図２Ｂに示すように、溝パターンレジスト２０６をマスクとして、ＣｘＦｙ、ＣｘＨｘＦｚ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、Ａｒ等のエッチングガスを用いてドライエッチングを行って、第２のハードマスク２０５のうち領域Ａに相当する部分を第１のハードマスク２０４に対して選択的に除去する。これにより、第２のハードマスク２０５のうちの領域Ａに相当する部分に開口２０５ａを形成して、その開口２０５ａを通して第１のハードマスク２０４の表面２０４ａを露出させる。その後、溝パターンレジスト２０６を、酸素等のアッシングガスを用いたプラズマアッシングを用いて除去する。
【００５６】
次に、図２Ｃに示すように、第２のハードマスク２０５をマスクとして、ＣｘＦｙ、ＣｘＨｘＦｚ、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ等のエッチングガスを用いてドライエッチングを行って、第１のハードマスク２０４及び第１の絶縁膜２０３のうち領域Ａ相当する部分を表面側からキャップ膜２０２の表面に達するまで深さ方向にエッチングして、第１の絶縁膜２０３に埋込配線が埋め込まれるべき凹溝２０７を形成する。その後、凹溝２０７の底に露出したキャップ膜２０２を、第１の絶縁膜２０３に対して選択的にドライエッチングして除去する。これにより、凹溝２０７の底に下層配線２０１の表面２０１ａが露出する状態になる。
【００５７】
次に、図２Ｄに示すように、凹溝２０７内および凹溝２０７の両側に存する第２のハードマスク２０５の表面に沿って、スパッタ法または蒸着法により、第２のハードマスク２０５の組成に含まれる金属元素と同じ金属元素からなる下地膜２０８Ａと、第２のハードマスク２５の材料と同じ材料からなる拡散防止膜２０８Ｂとを成膜する。ここで、第２のハードマスク２０５の材料がそれぞれタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物である場合は、それに対応して、下地膜２０８Ａの材料はそれぞれＴａ、Ｗ、Ｚｒである。
【００５８】
拡散防止膜２０８Ｂは、後述の埋込配線の材料（銅）が第１の絶縁膜２０３へ拡散するのを防止する働きをもつ。下地膜２０８Ａは、主に埋込配線の材料（銅）と拡散防止膜２０８Ｂとの間の密着性を高めるために働くが、埋込配線の材料（銅）が第１の絶縁膜２０３へ拡散するのを防止する働きも若干有する。したがって、下地膜２０８Ａと拡散防止膜２０８Ｂとを併せて広義の拡散防止膜２０８と呼んでも良い。この例では、拡散防止膜２０８全体としての厚さは１ｎｍ〜２０ｎｍ程度、そのうち下地膜２０８Ａの厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍとする。
【００５９】
次に、図２Ｅに示すように、スパッタ法及びメッキ法により、拡散防止膜２０８で覆われた凹溝２０７内を埋めるように、基板２００上に導電性金属２０９を厚さ５００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に堆積させる。この例では、導電性金属は銅からなる。
【００６０】
次に、図２Ｆに示すように、導電性金属２０９の表面側から第１のハードマスク２０４が露出するレベルまでＣＭＰ法により研磨を行って、表面を平坦化する。なお、図２Ｆでは、研磨後の導電性金属を符号２１０で表している。
【００６１】
このようにして、凹溝２０７内に導電性金属２１０を埋め込んで上層配線２１０を形成する。
【００６２】
作製された半導体装置は、次のような構成となる。すなわち、基板２００上の特定領域Ａを通る下層配線２０１と、下層配線２０１上に下層配線の上面２０１ａと実質的に接するレベルに形成された層間絶縁膜２０３とを備える。層間絶縁膜２０３のうち特定領域Ａに、表面側から下層配線の上面２０１ａに達する深さをもつ凹溝２０７が形成されている。凹溝２０７の両側に相当する層間絶縁膜２０３の表面に、この層間絶縁膜２０３を保護する絶縁性材料からなる第１の薄膜としての第１のハードマスク２０４が形成されている。凹溝２０７内に導電性金属からなる埋込配線２１０が埋め込まれている。埋込配線２１０の上面２１０ａは第１のハードマスク２０４の表面２０４ａと実質的に同じレベルにある。埋込配線２１０をなす導電性金属と凹溝２０７の内壁との間にこの内壁に沿って、拡散防止膜２０８が設けられている。拡散防止膜２０８は、タンタル、タングステン、ジルコニウムのうちのいずれかからなり凹溝２０７の内壁に接する下地膜２０８Ａと、この下地膜２０８Ａをなす金属元素と同じ金属元素の窒化物からなり埋込配線２１０をなす導電性金属に接する金属化合物２０８Ｂとの二層からなる。
【００６３】
上述の研磨工程では、最初は、凹溝２０７上の領域Ａと凹溝２０７の両側に相当する領域で共に導電性金属２０９を研磨する状態となる。次に、凹溝２０７上の領域Ａで導電性金属２０９を研磨し、凹溝２０７の両側に相当する領域では、拡散防止膜２０８Ｂ、下地膜２０８Ａ、第２のハードマスク２０５を順に研磨する状態となる。ここで、これらの拡散防止膜２０８Ｂと第２のハードマスク２０５の材料は同じで、タンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物のうちのいずれかからなる。また、拡散防止膜２０８Ｂと第２のハードマスク２０５の材料がそれぞれタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物からなる場合、それに対応して、下地膜２０８Ａの材料はそれぞれＴａ、Ｗ、Ｚｒからなる。したがって、拡散防止膜２０８Ｂと下地膜２０８Ａと第２のハードマスク２０５の研磨速度を、シリコン窒化膜（従来例）の研磨速度に比して、銅からなる導電性金属２０９の研磨速度と近いものとすることができる。したがって、導電性金属２０９の表面側から第１のハードマスク２０４が露出するレベルまで研磨を行う工程で、従来に比して研磨面２１０ａ，２０４ａの平坦性を保つことができる。したがって埋込配線構造の加工形状を良好にできる。この結果、埋込配線間のリーク電流を低減し、半導体装置の性能、歩留り、信頼性を向上できる。
【００６４】
また、拡散防止膜２０８Ｂと下地膜２０８Ａと第２のハードマスク２０５の材料を同種のものに揃えているので、従来例で述べたシリコン窒化物からなるハードマスクの成膜工程を削減でき、コストを削減できる。
【００６５】
なお、上述の各実施形態では、拡散防止膜１１２Ｂ，２０８Ｂと第２のハードマスク１０７，２０５の材料がそれぞれタンタル窒化物、タングステン窒化物、ジルコニウム窒化物のうちのいずれかからなるものとしたが、これに限られるものではない。拡散防止膜１１２Ｂ，２０８Ｂと第２のハードマスク１０７，２０５の材料をＴａ、Ｗ、Ｚｒのうちのいずれかとしても良い。その場合、下地膜を省略できる。したがって、さらに工程数を削減でき、コストを削減できる。
【００６６】
また、上述の実施形態では、単層配線や、ビアを介して接続された二層配線の場合について説明したが、これに限られるものではない。この発明は、三層以上の多層配線構造を作製する場合にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１Ａ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図１Ｂ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図１Ｃ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図１Ｄ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図１Ｅ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図１Ｆ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図１Ｇ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図１Ｈ】この発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図２Ａ】この発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図２Ｂ】この発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図２Ｃ】この発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図２Ｄ】この発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図２Ｅ】この発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【図２Ｆ】この発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法による工程断面を示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０１，２０１  下層配線
１０３，２０３  第１の絶縁膜
１０５  第２の絶縁膜
１０６，２０４  第１のハードマスク
１０７，２０５  第２のハードマスク
１１２Ａ，２０８Ａ  下地膜
１１２Ｂ，２０８Ｂ  拡散防止膜
１１３，１１４，２０９，２１０  導電性金属
【図１Ａ】
2006339584.tif 000003
【図１Ｂ】
2006339584.tif 000004
【図１Ｃ】
2006339584.tif 000005
【図１Ｄ】
2006339584.tif 000006
【図１Ｅ】
2006339584.tif 000007
【図１Ｆ】
2006339584.tif 000008
【図１Ｇ】
2006339584.tif 000009
【図１Ｈ】
2006339584.tif 000010
【図２Ａ】
2006339584.tif 000011
【図２Ｂ】
2006339584.tif 000012
【図２Ｃ】
2006339584.tif 000013
【図２Ｄ】
2006339584.tif 000014
【図２Ｅ】
2006339584.tif 000015
【図２Ｆ】
2006339584.tif 000016