(57)【要約】      （修正有）【課題】  素子特性を劣化させる原因となる微小欠陥や酸素析出物の発生を抑制できる半導体基板の処理方法を提供する。【解決手段】  表面が露出している半導体基板をガス雰囲気中で熱処理する工程を有する半導体基板の処理方法において、前記熱処理及び該熱処理以前の前記熱工程により、前記半導体基板中の酸素の析出、成長を抑制するように制御すべく、前記熱処理以前のアルゴンガス雰囲気での熱工程の熱処理温度と保持時間の関係を一定限度以下で実施し、その後前記熱処理を１１００℃以上のアルゴンガス雰囲気で行ない、前記半導体基板の表面から５０μｍ以上の深さの領域の内部微小欠陥密度を１×１０9 個／ｃｍ3 以下、前記表面から１０μｍ以内の深さの領域の内部微小欠陥密度を１×１０7 個／ｃｍ3 以下にすることを特徴とする。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が露出している半導体基板をガス雰囲気中で熱処理する工程を有する半導体基板の処理方法において、
前記熱処理は酸素、炭素、窒素又はカーボン系のガスの濃度が１０ｐｐｂ以下の１１００℃以上のアルゴンガス雰囲気で行なわれ、前記熱処理以前のアルゴンガス雰囲気での熱工程の中で、前記半導体基板を前記熱処理以前の前記アルゴンガス雰囲気に挿入後の熱処理温度と保持時間（保持時間ゼロは除く）とが、前記熱処理温度と前記保持時間とを座標とする平面において、（９００℃、４分），（８００℃，４０分），（７００℃，１１時間），（６００℃，３２０時間）の４つの点を結ぶ線以下の領域に含まれ、且つ、前記熱処理及び該熱処理以前の前記熱工程により、前記半導体基板中の酸素の析出、成長を抑制するように制御し、前記半導体基板の表面から５０μｍ以上の深さの領域の内部微小欠陥密度を１×１０9 個／ｃｍ3 以下、前記表面から１０μｍ以内の深さの領域の内部微小欠陥密度を１×１０7 個／ｃｍ3 以下にすることを特徴とする半導体基板の処理方法。
【請求項２】
前記半導体基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の処理方法に係り、特に素子特性の劣化を防止し得る半導体基板の処理方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュ−タ−や通信機器の重要部分には、多数のトランジスタや抵抗等を電気回路を達成するようにむすびつけ、１チップ上に集積化して形成した大規模集積回路（ＬＳＩ）が多用されている。
【０００３】
ＬＳＩ作成に用いられるウエハはその表面が鏡面化されている。鏡面化の方法は、まず、引き上げ法又は浮遊帯法により作成したシリコン結晶から円板状のウエハを切り出す。次いでこのウエハの表面をラッピング，エッチング，ポリッシングして所望の厚さのウエハを得る。最後に、このウエハを酸又は有機溶剤により洗浄することで、表面が鏡面化したウエハが得られる。
【０００４】
しかしながら、この種の方法には次のような問題があった。即ち、例えば、９５０〜１１００℃程度の温度でウエハを酸化すると、鏡面に１０〜１００個／ｃｍ2 程度の酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ：Oxidation induced Stacking Fault）が形成される。
【０００５】
このＯＳＦの発生は、図１０に示すように、シリコン基板１の表面の表面汚染物２，微細な傷３，ＳｉＯ2 ，ＳｉＣ等の異種物質４や、シリコン基板１の内部（表面付近）のスワール，酸素析出物等の微小欠陥５が原因だと考えられている。なお、微小欠陥５は結晶育成中に発生する。
【０００６】
このようなＯＳＦが生じたウエハに素子を形成すると、接合リークや、ＣＣＤ（電荷結合素子）の画像欠陥等が生じるため、素子特性が劣化するという問題がある。
【０００７】
ところで、ＬＳＩ用として用いられる半導体基板は、通常、ＣＺ（チョクラルスキ−）法により形成されている。このため、結晶成長時に、るつぼや雰囲気から半導体基板に過剰な酸素が溶け込む。これら半導体基板中の過剰な酸素は、熱処理により、結晶内部に析出核を生じ、その周囲に０．１〜１．０μｍ程度の大きさの内部微小欠陥（ＢＭＤ：Bulk Micro Defect ）を形成する。
【０００８】
図１１を用いてより詳しくＢＭＤについて説明する。図１１は、ウェル構造を有するＣＭＯＳにおける酸素の析出を説明するための図である。この種のＣＭＯＳにあっては、製造の初期工程にｐウェル又はｎウェルを形成するために、１１００℃以上の温度でウエハ１の表面に不純物を熱拡散している。この工程で、ウエハ１内の酸素のうち、表面層の酸素は外方拡散されるため、図１１（ａ）に示すように、ＤＺ層（Denuded Zone）と呼ばれる無欠陥層１２がウエハ１の表面に形成される。次いで図１１（ｂ）に示すように、減圧ＣＶＤ法による窒化膜形成等の諸工程において、ウエハ１は６００〜８００℃程度の熱処理を受け、理想的には酸素析出物の核１３がウエハ１の内部の中間層１４に形成される。次いで図１１（ｃ）に示すように、フィールド酸化膜の形成工程等において、ウエハ１が１０００℃前後の熱処理を受けると、核１３は析出物を周囲に成長させ、ＢＭＤ１５が高濃度に分布する。
【０００９】
上述したＢＭＤの生成は、ウエハの熱履歴のみならず、炭素濃度，結晶成長時の引き上げ条件等によっても大きく変わる。ＢＭＤの核となるものは、現在のところ、結晶引き上げ時に生じる微小な酸素析出物であると考えられており、析出物のサイズとその数はウエハ内でばらついている。
【００１０】
このとき、非酸化性ガス雰囲気で熱処理すると、例えば、窒素雰囲気では表面が不均一に窒化されてしまい、表面荒れを生じる。また、希ガス雰囲気では十分な純度が確保されなければ表面で不均一にエッチングが起こり、これも表面荒れの原因となるため、一般的に酸化性雰囲気で熱処理を行なっている。このため、ＤＺ層の形成方法として、酸素の外方拡散により、表面酸素濃度を低下させる手法が用いられている。このため、ウエハ表面は薄い酸化膜で覆われる。
【００１１】
しかしながら、酸化性雰囲気による熱処理では酸化膜を介した平衡濃度までしか表面酸素濃度は下がらないために、析出物の抑制は十分でなく、完全なＤＺ層の形成は困難であり、例えば、ウエハ表面にゲート酸化膜等の薄い酸化膜を形成すると、ピンホール等が発生し、酸化膜の耐圧劣化が起こるという問題があった。また、より深い領域までＤＺ層を形成するために、長時間の酸素の外方拡散を行なうと、低酸素濃度側のＤＺ層が深くなり、酸素の析出，成長が進むために基板中の固溶酸素濃度が低下し、基板強度劣化を引き起こし、素子活性領域に結晶欠陥が発生するという問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述の如く、従来の半導体基板の処理方法では良質なＤＺ層を形成するのが困難であるという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、素子特性を劣化させる原因となるＢＭＤやＯＳＦの発生を抑制できる半導体基板の処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明の半導体基板の処理方法（請求項１）は、表面が露出している半導体基板をガス雰囲気中で熱処理する工程を有する半導体基板の処理方法において、前記熱処理は酸素、炭素、窒素又はカーボン系のガスの濃度が１０ｐｐｂ以下の１１００℃以上のアルゴンガス雰囲気で行なわれ、前記熱処理以前のアルゴンガス雰囲気での熱工程の中で、前記半導体基板を前記熱処理以前の前記アルゴンガス雰囲気に挿入後の熱処理温度と保持時間（保持時間ゼロは除く）とが、前記熱処理温度と前記保持時間とを座標とする平面において、（９００℃、４分），（８００℃，４０分），（７００℃，１１時間），（６００℃，３２０時間）の４つの点を結ぶ線以下の領域に含まれ、且つ、前記熱処理及び該熱処理以前の前記熱工程により、前記半導体基板中の酸素の析出、成長を抑制するように制御し、前記半導体基板の表面から５０μｍ以上の深さの領域の内部微小欠陥密度を１×１０9 個／ｃｍ3 以下、前記表面から１０μｍ以内の深さの領域の内部微小欠陥密度を１×１０7 個／ｃｍ3 以下にすることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の他の半導体基板の処理方法は、シリコン基板中の格子間にシリコンを導入すると共に、前記シリコン基板中の酸素を外方拡散する工程と、前記シリコン基板を非酸化性雰囲気中で熱処理する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の他の半導体基板の処理方法は、シリコン基板を１１００℃以上の酸化性雰囲気中で熱処理し、前記シリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程と、この酸化膜を除去し、前記シリコン基板の表面が露出した状態で前記シリコン基板を非酸化性雰囲気中で熱処理する工程とを有することを特徴とする。ここで、前記非酸化性雰囲気中での熱処理は１１００℃以上の温度であることが望ましい。
【００１７】
なお、非酸化性雰囲気中とは、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気中のみならず、基板表面と不都合な反応を起こさない雰囲気中や、基板表面にダメージを与えない雰囲気中も含む。例えば、水素雰囲気中でも良い。
【００１８】
また、本発明の半導体基板は、表面から１０μｍ以内の深さの第１の領域で１０6 個／ｃｍ3 以下となり、且つ表面から５０μｍ以上の深さの第２の領域で１０6 個／ｃｍ3 以上５×１０8 個／ｃｍ3 以下の範囲で一定となり、且つ前記第１の領域と前記第２の領域との間で表面に向かって減少する内部結晶欠陥密度分布を有することを特徴とする。
【００１９】
［作用］
非酸化性雰囲気の熱処理工程で、本発明のように、熱処理温度と熱処理時間とを選べば、半導体基板の表面及び内部における積層欠陥及び酸素析出物の発生を十分に抑制できる。したがって、本発明の半導体基板の処理方法（請求項１）によれば、基板表面に良質な酸化膜を形成できる。
【００２０】
また、本発明の他の半導体基板の処理方法によれば、シリコン基板中の格子間にシリコンが優先的に導入されるので、シリコン基板中の格子間酸素が析出しづらくなると共に、シリコン基板中の酸素が外方拡散されるので、シリコン基板表面の格子間酸素濃度を、析出をともなわずに、下げることができる。また、非酸化性雰囲気中での熱処理により、微小欠陥が修復されると共に、酸素が更に外方拡散される。したがって、ＢＭＤ等の基板欠陥が少ないシリコン基板が得られる。
【００２１】
また、本発明の他の半導体基板の処理方法によれば、１１００℃以上の酸化性雰囲気中での熱処理による酸化膜の形成の際に、シリコン基板表面で膨脹が生じシリコン結晶の再配列が起こる。このとき、再配列されなかったシリコンがシリコン基板の内部に移動し、シリコン格子間にシリコンが導入されると共に、シリコン基板中の酸素が外方拡散されるため、シリコン基板中の酸素析出物が少なくなる。また、非酸化性雰囲気中での熱処理により、微小欠陥が修復されると共に、酸素が更に外方拡散される。したがって、ＢＭＤ等の基板欠陥が少ないシリコン基板が得られる。
【００２２】
また、本発明者等の研究によれば、表面から１０μｍ以内の深さの第１の領域で１０7 個／ｃｍ3 以下となり、且つ表面から５０μｍ以上の深さの第２の領域で１０7 個／ｃｍ3 以上１×１０9 個／ｃｍ3 以下の範囲で一定となり、且つ前記第１の領域と前記第２の領域との間で表面に向かって一様に減少する内部結晶欠陥密度分布を有する半導体基板であれば、ＢＭＤ等の基板欠陥による素子特性の劣化を防止できることが分かった。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、素子特性の劣化させる原因となる半導体基板中の微小欠陥や酸素析出物の発生を十分抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら実施例を説明する。
【００２５】
先ず、７８０℃，３時間、続いて、１０００℃，１６時間の乾燥雰囲気中でウエハを酸化し、２×１０3 個／ｃｍ2 のＯＳＦが生じているウエハを用意する。次にこのウエハをアルゴン，ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で１〜８時間程度，１２００℃の熱処理を行なう。
【００２６】
次いでウエハを７８０℃，３時間、続いて、１０００℃，１６時間の乾燥雰囲気中で酸化した後、ウエハの表面をライトエッチングする。
【００２７】
このようにして得られたウエハを光学顕微鏡で観察してみると、図１に示すように、ＯＳＦ密度は約４個／ｃｍ2 でＯＳＦ密度を減少できることが分かった。
【００２８】
一方、あらかじめ７８０℃，３時間と１０００℃，１６時間の熱処理を行なっていないウェハでは、ＯＳＦ密度は約０．６個／ｃｍ2 とほとんど発生しなかった。
【００２９】
なお、本実施例の熱処理方法は、基本的に基板表面は酸化膜等の保護膜が除去された状態で行なうため、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中に酸素，窒素又はカーボン系のガス等が不純物として混入すると、ウエハ表面は荒れる恐れがある。このため、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中の酸素，炭素，窒素又はカーボン系のガス等の不純物濃度は１０ｐｐｂ以下であることが望ましい。
【００３０】
次に本発明の他の実施例について説明する。
【００３１】
ウェル構造を有するＣＭＯＳにあっては、製造の初期工程にｐウェル又はｎウェルを形成するために、１１００℃以上，数時間の熱処理（１１００℃以上の非酸化性雰囲気の熱処理）によって、ウエハの表面に不純物を熱拡散する。この工程で、ウエハ内の酸素のうち、表面層の酸素は外方拡散され、所定のＤＺ層と呼ばれる無欠陥層がウエハの表面に形成される。この後、減圧ＣＶＤ法による窒化膜形成等の諸工程において、ウエハは６００〜８００℃程度の熱処理を受け、酸素析出物の核が理想的にはウエハの内部の中間層に形成される。次いでフィールド酸化膜の形成工程等において、ウエハが１０００℃前後の熱処理を受けると、上記核は析出物を周囲に成長させ、ＢＭＤが高濃度に分布する。この酸素析出物の核の生成は、ウエハの熱履歴のみならず、炭素濃度，結晶成長時の引き上げ条件等によっても大きく変わる。このため、析出物のサイズとその数はウエハ内でばらついている。
【００３２】
上記工程の前に本発明の熱処理として、アルゴン雰囲気中で、１２００℃，４時間の熱処理をウエハに施す。図２にはこのような熱処理が施されたウエハの表面からの深さとＢＭＤ密度との関係が実線で示されている。また、比較のため、上記熱処理が施されていない従来のウエハの表面からの深さとＢＭＤ密度との関係を点線で示してある。
【００３３】
この図から深さが約３０μｍ以下の領域では、本発明のほうがＢＭＤ濃度が小さいことが分かる。しかも、１０μｍ以下での値は約１×１０7 （個／ｃｍ3 ）以下で十分小さい。
【００３４】
更に、上記アルゴン雰囲気中の高温熱処理において、ボートイン温度を８００℃，保持時間を４０分以下に変更して行なったところ、図３に示すようにウエハ表面の酸素析出物を低減できることが分かった。即ち、保持時間が短くなると一般にＢＭＤ密度は小さくなるが、ある保持時間以下、この場合は２０分以下になると、逆にＢＭＤ密度は大きくなることが分かる。
【００３５】
図４は、このようにＢＭＤ密度を小さくできる熱処理時間，保持時間の領域を示す図である。図中の実線で区分された領域のうち、斜線側の領域（実線も含む）の熱処理時間，保持時間で熱処理を行なえば良い。
【００３６】
図５は、ウエハ表面からの深さとＢＭＤ密度との関係を示す特性図である。この図から保持時間２０分の条件では、１１００℃以上の熱処理において、ウエハ表層のＢＭＤは制御性良く低密度に維持されていることが分かる。
【００３７】
また、本発明の熱処理を施したウエハを９５０℃で酸化して厚さ２０ｎｍの酸化膜を形成してキャパシタを作成し、その評価を行なった。
【００３８】
本熱処理を施していない従来のウエハで作成したキャパシタでは、８ＭＶ／ｃｍ以下の電界で崩壊するものが２０〜６０％あるのに対し、１１００℃以上の本熱処理を施したウエハで作成したキャパシタでは、耐圧不良なものは全体の数％にすぎなかった。
【００３９】
このように、アルゴン等の非酸化性ガス雰囲気中で１１００℃以上の熱処理を施すことにより、ＯＳＦの発生を抑制できると共に、表層付近の酸素析出物の発生をばらつきなく制御でき、もって、酸化膜耐圧不良を防止できるなどの効果が得られる。なお、上記実施例では、熱処理を４時間行なった場合について述べたが、これに限らず、１時間以上熱処理を行なえば、同様な効果が得られる。
【００４０】
ところで、熱処理時間が長い場合には、ウエハ内部の酸素析出量が増加するため、プロセス中にウエハにそりが生じたり、プロセス中の熱工程に対するストレスマージンが低下するという問題がある。
【００４１】
本発明者等の調べによれば、非酸化性雰囲気の熱処理によって、ウエハ内部に２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 を越える量の酸素が析出すると、結晶欠陥が発生したり、素子特性が劣化することが分かった。このことから、ウエハ表面の酸素濃度を１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下にし、ウエハ内部の酸素析出量が２×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以下になるような熱処理条件を選択することが必要である。
【００４２】
次に本発明の他の実施例に係るシリコン基板の処理方法について説明する。
【００４３】
まず、シリコン基板を１１００℃以上，酸化性雰囲気中（ドライ酸素１００％）で熱処理し、シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する。この熱処理により、シリコン基板の内部の格子間にシリコン原子が導入され、シリコン基板の内部の格子間に酸素が析出するのを抑制できる。
【００４４】
格子間にシリコン原子が導入されるのは、上記１１００℃以上の熱処理によってシリコン酸化膜が形成される際に、シリコン基板の表面で原子の再配列が起こり、このときに生じる膨脹により再配列に寄与できなかった余ったシリコン原子がシリコン基板内部に移動するからだと考えられる。
【００４５】
次にシリコン基板の表面に形成されたシリコン酸化膜を除去した後、このシリコン基板を１２００℃の不活性ガス雰囲気中で４時間熱処理を行なう。なお、この熱処理の時間は、４時間に限定されるものではなく、通常の場合、１時間以上であれば良い。
【００４６】
図６は、上記酸化雰囲気中の熱処理の温度（酸化温度）と酸素析出量との関係を示す特性図である。この図６から酸化温度が１１００℃以上の場合に、生のシリコン基板よりも酸素析出量が減少することが分かる。したがって、酸化温度は１１００℃以上でなければならないことが分かる。
【００４７】
図７は、初期酸素濃度とＢＭＤ密度との関係を示す特性図である。
【００４８】
図中、●は本実施例の酸化雰囲気中の熱処理を行なったシリコン基板についての測定データを示している。
【００４９】
具体的には、１２００℃の酸化雰囲気中で１時間の熱処理を行なったシリコン基板を、１２００℃のＡｒガス雰囲気中で１時間の熱処理を行なった場合の測定データである。
【００５０】
一方、○は上記１２００℃の酸化雰囲気中の熱処理を行なっていないシリコン基板についての測定データを示している。つまり、上記Ａｒガス雰囲気中の熱処理だけを行なった場合の測定データである。
【００５１】
この図７から上記１２００℃の酸化雰囲気中の熱処理を行なった場合には、初期酸素濃度に関係なくＢＭＤ密度が小さいことが分かる。
【００５２】
一方、上記１２００℃の酸化雰囲気中の熱処理を行なわない場合には、初期酸素濃度の増加に伴ってＢＭＤ密度も増加することが分かる。
【００５３】
したがって、本実施例の酸化雰囲気中の熱処理は、ＢＭＤ密度の低減化に必須の工程であることが確認できる。
【００５４】
図８は、酸化性雰囲気で熱処理した後に上記不活性ガス雰囲気中での熱処理が行なわれる前後におけるシリコン基板の表面からの深さと酸素濃度との関係を示す図で、図中、曲線ａは上記熱処理前の特性曲線を示し、曲線ｂは上記熱処理後の特性曲線を示している。
【００５５】
この図から酸化性雰囲気中での熱処理直後ではシリコン基板の内部で全体的に高かった酸素濃度が、上記不活性ガス雰囲気中での熱処理により、全体的に低くなることが分かる。このように酸素濃度が低下するのは、不活性ガス雰囲気中での熱処理工程により、シリコン基板表面の酸素が外方拡散するからである。
【００５６】
図９は、上述した不活性ガス雰囲気中でのシリコン基板の熱処理工程の効果を示す図で、シリコン基板の表面からの深さとＢＭＤ密度との関係を示している。図中、曲線ｃは上記熱処理がある場合、曲線ｄは上記熱処理がない場合を示している。この図から上記不活性ガス雰囲気中の熱処理工程を行なうことにより、ＢＭＤ密度を十分小さくできることが分かる。
【００５７】
このようにＢＭＤ密度が大幅に低減するのは、シリコン基板表面の酸素が外方拡散することにより、シリコン基板表面のＢＭＤが消滅するからである。なお、このときＯＳＦも消滅する。
【００５８】
また、本発明者等は、このような処理が施されたシリコン基板を９５０℃で酸化して厚さ２０ｎｍの酸化膜を形成してキャパシタを作成し、その酸化膜並びにシリコン基板の表面のＢＭＤを評価してみた。
【００５９】
その結果、酸化性雰囲気中での熱処理温度が１１００℃以上の場合には、シリシリコン酸化膜及びシリコン基板の表面のＢＭＤは制御性良く低密度に維持されていることが分かった。また、８ＭＶ／ｃｍ以下の電界で耐圧不良を示すキャパシタは、全体の数％にすぎなかった。
【００６０】
比較のため、酸化性雰囲気中の熱処理を施していない従来のシリコン基板に形成したキャパシタについて調べたところ、８ＭＶ／ｃｍ以下の電界で耐圧不良を示すものが全体の２０〜６０％もあった。
【００６１】
以上述べたように本実施例によれば、シリコン基板に１１００℃，酸化性雰囲気中の熱処理を施した後、１２００℃，不活性ガス雰囲気中の熱処理を施すことにより、シリコン基板の強度劣化を引き起こすこと無く、素子特性を劣化させる原因となるＢＭＤやＯＳＦの発生を抑制できる。
【００６２】
次に本発明の他の実施例に係るシリコン基板の処理方法について説明する。
【００６３】
まず最初に、シリコン基板上に酸化膜を形成する。この酸化膜は、例えば、熱酸化法，ＣＶＤ法等の成膜方法を用いて形成する。
【００６４】
次にシリコン基板を１１００℃以上の窒素等の非酸化性ガス雰囲気中で熱処理する。
【００６５】
次にシリコン基板上に形成された酸化膜を除去した後、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で熱処理する。
【００６６】
以上述べた方法でも、１１００℃以上の窒素等の非酸化性ガス雰囲気中での熱処理により、シリコン基板中の格子間にシリコンが導入され、そして、シリコン基板中の酸素が外方拡散されるため、酸素析出物の発生量を十分小さくでき、先の実施例と同様な効果が期待できる。
【００６７】
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではない。例えば、上記実施例では、非酸化性雰囲気としてアルゴンガス雰囲気を用いたが、他の希ガスの雰囲気や、水素雰囲気を用いても同様な効果が得られる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】熱処理時間とＯＳＦ密度との関係を示す特性図。
【図２】深さとＢＭＤ密度との関係を示す特性図。
【図３】熱処理温度が８００℃の場合の保持時間とＢＭＤ密度との関係を示す特性図。
【図４】低欠陥密度が得られる熱処理温度，熱処理時間の領域を示す図。
【図５】ＢＭＤ密度と深さと熱処理温度との関係を示す特性図。
【図６】酸化温度と酸素析出量との関係を示す特性図。
【図７】初期酸素濃度とＢＭＤ密度との関係を示す特性図。
【図８】シリコン基板の表面からの深さと酸素濃度との関係を示す図。
【図９】シリコン基板の表面からの深さとＢＭＤ密度との関係を示す図。
【図１０】従来の問題点を説明するためのウエハ断面図。
【図１１】酸素の析出挙動を説明するための図。
【符号の説明】
【００６９】
１…シリコン基板、２…表面汚染物、３…微細な傷、４…異種物質、５…微小欠陥、１２…無欠陥層、１３…核、１４…中間層、１５…ＢＭＤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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