(57)【要約】【課題】ドライエッチング処理及び／又は反応性イオン注入処理が施された基板表面のレジストであっても、高効率にかつ均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供する。【解決手段】ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板のレジストを除去するレジスト除去方法であって、前記基板の処理面をオゾン水で処理するオゾン水処理と、前記基板の処理面を有機溶剤で処理する溶剤処理とからなる１組の工程を２回以上繰り返し行うレジスト除去方法。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、
前記基板の処理面をオゾン水で処理するオゾン水処理と、前記基板の処理面を有機溶剤で処理する溶剤処理とからなる１組の工程を２回以上繰り返し行う
ことを特徴とするレジスト除去方法。
【請求項２】
有機溶剤は、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の溶剤であることを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方法。
【請求項３】
有機溶剤は、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の溶剤１００重量部と、水５〜１００重量部との混合溶剤であることを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト除去方法。
【請求項４】
ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板表面のレジストを除去するレジスト除去装置であって、
少なくとも、オゾンガスを原料水中に溶解させてオゾン水を生成するオゾン溶解装置、前記オゾン溶解装置で生成されたオゾン水が供給されるオゾン水処理槽、有機溶剤を貯蔵する溶剤タンク、前記溶剤タンクから前記有機溶剤が供給される溶剤処理槽、及び、前記基板を前記オゾン水処理槽と前記溶剤処理槽との間を往復させる基板輸送手段を備える
ことを特徴とするレジスト除去装置。
【請求項５】
基板輸送手段は、複数の基板を同時に載置することができ、かつ、オゾン水処理槽及び溶剤処理槽は、前記基板輸送手段を内包することができることを特徴とする請求項４記載のレジスト除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチング処理及び／又は反応性イオン注入処理が施された基板表面のレジストであっても、高効率にかつ均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体用ウエハや液晶用基板等の電子デバイス用基板の製造においては、レジストの除去や、油膜、塗膜等の一般的な有機被膜の除去等、基板の表面に付着した有機物の除去工程が不可欠である。なかでも、レジストの除去は、電子デバイス用基板の製造全体においても極めて重要な工程である。
【０００３】
例えば、シリコン基板上やガリウム砒素基板等の化合物半導体基板上に回路を形成する場合、液晶基板上に色相の異なる複数の着色画素をパターン状に形成する場合、又は、これらに形成すべき回路パターン等に対応したマスクパターンを有するマスク基板を製造する場合には、フォトリソグラフィー工程が必須の工程となる。シリコン基板上に回路を形成する場合は、シリコンウエハ上にレジストを塗布し、通常のフォトプロセスにてレジストパターンからなる画像を形成し、これをマスクとしてエッチングした後、不要となったレジストを除去して回路を形成し、次の回路を形成するために、再度レジストを塗布して、画像形成−エッチング−レジストの除去というサイクルを繰り返し行う。
【０００４】
不要となったレジストを除去するレジスト除去工程では、従来、アッシャー（灰化手段）や、溶剤や薬品等を用いてレジストを溶解させる方法等が用いられていた。しかし、レジストの除去にアッシャーを用いると、高温のため半導体にダメージを与える恐れがあることに加え、無機系の不純物を除去することはできない。また、溶剤や薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、大量の廃液が生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大きな不利益があった。
【０００５】
一方、オゾンガスを水に溶解して得られるオゾン水は、オゾンの持つ強い酸化力により殺菌・脱臭・漂白等に優れた効果を発揮し、しかもオゾンガスは時間とともに無害な酸素（気体）に自己分解して残留性がないことから、環境にやさしい殺菌・洗浄・漂白剤等として注目されている。近年、環境への関心が高まる中、上述のレジスト除去方法に代わる方法として、オゾン水を用いたレジスト除去プロセスが注目されている。
【０００６】
しかし、常温常圧下ではオゾンは水に５０ｐｐｍ程度の濃度にしか溶解することができず、この濃度のオゾン水ではレジスト除去に長時間を要することから、工業的に応用することは困難であった。これに対して、例えば、特許文献１には、酢酸等の気体中のオゾンとの分配係数が０．６以上である溶液にオゾンを溶解させてなる汚染物質除去用洗浄剤が開示されている。このような酢酸水溶液等を用いれば、溶解できるオゾン濃度を上昇させることができる。
【０００７】
しかしながら、酢酸溶液等により高濃度のオゾン溶液を調製して用いることにより、ある程度のレジスト除去効率の向上は見られるものの、例えば、フォトリソグラフィー工程において、ドライエッチング処理やイオン注入処理が施された後の基板表面のレジストに対しては、期待された程のレジスト除去効率が得られないという問題があった。
【特許文献１】特開２００１−３４０８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑み、ドライエッチング処理及び／又は反応性イオン注入処理が施された基板表面のレジストであっても、高効率にかつ均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法であって、前記基板の処理面をオゾン水で処理するオゾン水処理と、前記基板の処理面を有機溶剤で処理する溶剤処理とからなる１組の工程を２回以上繰り返し行うレジスト除去方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
基板表面のレジストをオゾン水のみで除去するには長時間を要し、特に、ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板表面のレジストは、オゾン水のみで完全に除去することはできず、オゾン水によるレジスト除去後の基板表面の状態を詳細に観察すると、基板表面にはオゾン水では完全に除去できないレジストの残渣が存在していた。そこで、本発明者らは、鋭意検討した結果、オゾン水による処理と有機溶剤による処理と併用し、これらの処理を繰り返し行うことで、ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板表面のレジストであっても、迅速にかつ完全に除去できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
本発明は、ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板表面のレジストを除去するレジスト除去方法である。
本発明のレジスト除去方法の除去対象であるレジストとしては特に限定されず、例えば、液晶表示素子の製造におけるフォトリソグラフィー工程において通常使用されるレジストが挙げられ、なかでも、ノボラック型レジストを好適に除去できる。
なお、ノボラック型レジストとは、ノボラック樹脂を主成分とし、更にオルトジアゾキノン等の感光剤等を含有するものであり、光照射によりアルカリ溶液への溶解性を変化させることができる。ノボラック型レジストは、現在、ガラス基板、化合物基板、シリコン基板等のほとんどの基板に多用されているものである。
【００１２】
上記レジストが形成される基板としては、その表面にレジストが形成されフォトリソグラフィー工程に供されるものであれば特に限定されず、例えば、シリコンや化合物からなる半導体ウエハ、フォトマスク基板、小型の液晶表示ディスプレイ、カラーフィルター等が挙げられる。
【００１３】
本発明のレジスト除去方法において、上記レジストが形成された基板は、ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施されたものである。
上記ドライエッチング処理としては特に限定されず、基板の表面に形成されたレジストをマスクとして行う従来公知のドライエッチング処理と同様の処理が挙げられ、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、スパッタエッチング、イオンビームエッチング、反応性イオンビームエッチング、レーザーエッチング等が挙げられる。なお、このようなドライエッチング処理が施された後のレジストは、その厚さが、処理前の厚さと比べて薄くなっている。
【００１４】
上記イオン注入処理としては特に限定されず、例えば、従来公知のイオン注入処理装置を用いてリンや砒素等のイオンを基板に注入する処理が挙げられる。
また、上記イオン注入処理を施す基板には、上述したドライエッチング処理が施されていてもよく、例えば、硫酸、硝酸、リン酸、フッ酸等の薬液を用いたウェットエッチング処理が施されていてもよい。
【００１５】
上記ドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理が施された基板表面のレジストは、その最表層にレジストの成分が変性された層（以下、レジスト変性層ともいう）が形成されている。
【００１６】
上記レジスト変性層とは、フッ素や塩素等のハロゲン物質等の難分解性物質が結合又は吸着したり、架橋されたりすることにより変性された難溶性のレジストを含む層を意味し、このようなレジスト変性層が最表層に形成されたレジストは、除去することが非常に難しく従来のレジスト除去方法では完全に除去することはできなかった。
【００１７】
本発明のレジスト除去方法において、上記レジストの最表層に形成されたレジスト変性層としては、例えば、液晶表示素子の製造におけるフォトリソグラフィー工程において、フッ素や塩素等のハロゲン物質を用いた反応性イオンエッチング等の上記ドライエッチング処理を施すことにより形成されるハロゲン含有層；基板としてシリコン基板やガリウム砒素基板等の化合物基板を用い、この化合物基板上に回路を形成する場合等に上記イオン注入処理を施すことにより形成されるイオン注入層等が挙げられる。
【００１８】
上記ハロゲン含有層は、基板上に形成したレジストパターンに反応性イオンエッチング等のドライエッチング処理をする際に使用するフッ素含有ガス、塩素含有ガス等のハロゲン物質含有ガスからフッ素成分や塩素成分等のハロゲン成分が含浸することで形成されたものであり、エッチング前のレジスト成分と比べてハロゲン物質含有率が高くなっている部分をいう。このようなハロゲン物質含有層は、レジストの表面に近い程ハロゲン物質含有量が高く、表面から離れる程ハロゲン物質含有量が低くなっている。
【００１９】
上記イオン注入層は、シリコン基板上等に形成されたレジストパターンにイオン注入処理を行う際に使用するリンや砒素等の不純物のイオンが含浸することで形成されたものであり、イオン注入前のレジスト成分と比べてイオン含有量が高くなっている部分をいう。このようなイオン注入層は、レジストの表面に近い程イオン含有量が高く、表面から離れる程イオン含有量が低くなっている。
【００２０】
上記レジスト変性層の厚さとしては、使用するレジストの種類、及び、上記レジスト変性層が形成される際の処理条件、例えば、上記レジスト変性層がハロゲン物質含有層である場合、ドライエッチング処理に使用するハロゲン物質含有ガスやエッチング条件等により変わるため特に限定されないが、通常、レジストの表面から１００ｎｍ未満程度である。
【００２１】
本発明のレジスト除去方法では、基板の処理面をオゾン水で処理するオゾン水処理と、上記基板の処理面を有機溶剤で処理する溶剤処理とからなる１組の工程（以下、レジスト処理工程ともいう）を２回以上繰り返し行う。２回未満であると、基板表面のレジストを高効率かつ均一に除去することができない。
上記レジスト処理工程の上限としては、上記レジスト及びレジスト変性層の種類や厚さ等、使用するオゾン水及び有機溶剤等に合わせて適宜決定され特に限定されないが、２０回程度であることが好ましい。２０回を超えると、基板表面のレジストの除去効率及び除去状態の向上が認められず、レジスト処理工程に長時間を要するため、コスト的に不利となる。
【００２２】
上記オゾン水処理は、オゾン水で基板表面の処理面を処理することで上記基板表面のレジストに形成されたレジスト変性層を改質するための処理である。本オゾン水処理を行うことで、上記基板表面のレジストの最表層に形成されたレジスト変性層を、後述する溶剤処理で基板の処理面に処理する有機溶剤により溶解可能な程度にまで低分子量化することができ、また、上記レジスト変性層の溶解性パラメータ（ＳＰ値）を変えて有機溶剤に溶けやすくすることができ、更に、レジスト表面の濡れ性を改善することができる。
なお、本明細書においてオゾン水には、水溶液にオゾンガスを溶解させたもののほか、酢酸及びクエン酸又はその誘導体等の有機酸を溶解した水にオゾンガスを溶解させたものも含まれる。
【００２３】
上記オゾン水のオゾン濃度は、１ｐｐｍ以上であることが好ましい。１ｐｐｍ未満であると、レジストを充分に除去することが困難であり、特にレジストの最表層に形成されたレジスト変性層の除去性能を充分に発現せず、また、オゾン水中に分散したレジストの有機物を充分に分解できずにオゾン溶液を循環して繰り返し用いることができないことがある。より好ましくは３０ｐｐｍ以上である。オゾン濃度の上限については特に限定はないが、実質的には８０ｐｐｍ程度が上限である。
なお、オゾン水中のオゾン濃度は、有機物の分解により逐次消費されることから正確に測定することは困難である。また、オゾン溶解モジュール等と組み合わせて循環させることにより逐次オゾンを溶解させるようにすれば、特に上述のオゾン濃度には限定されない。
【００２４】
上記オゾン水は、本発明の目的を阻害せず、また、オゾンと反応性が低いものであれば、必要に応じてシュウ酸ジメチル等の非危険物と併用して用いてもよい。
【００２５】
上記オゾン水を調製する方法としては特に限定されないが、例えば、非多孔性膜からなるガス透過膜を収容したオゾン溶解モジュール等のオゾン溶解装置を用いることが好ましい。本明細書において、上記非多孔性膜とは、気体を透過させるが液体は透過させない膜を意味する。このようなオゾン溶解モジュールを用いれば、オゾン分子はガス透過膜を構成する樹脂の分子鎖間を透過し、原料水中に拡散するが、ガス透過膜が目詰まりしたり、レジスト除去効率を低下させる泡が混入したりすることはない。更に、いったんレジスト除去に用いたオゾン水を循環して用いることもでき、容易に効率よく高オゾン濃度のオゾン溶液を得ることができる。
【００２６】
上記オゾン水で基板の処理面を処理する具体的な方法としては特に限定されず、例えば、上記オゾン水を貯留した処理槽中に上記基板を浸漬する方法、ノズル等のオゾン水を噴射する手段を用いて基板の処理面にオゾン水を噴射させる方法等が挙げられる。なかでも、オゾン水を貯留した処理槽中に上記基板を浸漬する方法が好適である。このような方法によると、複数の基板のオゾン水処理を同時に行うバッチ式での処理が可能となる。
【００２７】
本オゾン水処理において、上記基板の処理面をオゾン水で処理する条件としては特に限定されず、レジストの種類、厚さ、オゾン水の濃度等により適宜選択できる。レジストの除去速度は、オゾン水中のオゾン濃度に影響を及ぼさない範囲で高温なほど速くなる傾向にあることから、処理温度としては５０℃程度が好適である。また、本オゾン水処理において、基板の処理面に紫外線を照射してもよい。紫外線を照射することにより、よりレジストの除去効率を高めることができる。
【００２８】
上記溶剤処理は、基板表面のレジストに有機溶剤を処理することでレジストを溶解し、除去するための処理である。
上記有機溶剤としては特に限定されず、従来レジストの除去に用いられている有機溶剤と同様のものが挙げられ、具体的には、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の溶剤であることが好ましい。
上記γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の溶剤は、有機物、とりわけレジストの溶解性に優れることに加え、常温常圧において液体状であることから、処理液として極めて取扱いが容易である。また、水への溶解性に優れることから、乾燥工程等を経ることなく水洗工程等を併用することができる。更に、消防法上も第３石油類に分類されていることから、危険性が少なく装置に防爆処理等を施すことも不要である。なかでも、レジストの溶解性に優れることからγ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタートがより好適であり、γ−ブチロラクトンが更に好適である。
【００２９】
上記γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の溶剤は、例えば、上記オゾン水処理を経た基板表面のレジスト変性層及びレジストを好適に溶解、除去させることができ、上記溶剤を用いた溶剤処理と上記オゾン水処理とを上述した範囲で繰り返し行うことで、上記基板表面のレジストはほぼ均一に除去される。
【００３０】
本発明のレジスト除去方法において、上記溶剤処理で使用する有機溶剤は、γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の溶剤１００重量部に対して、水を下限が５重量部、上限が１００重量部となるように配合した混合溶剤であってもよい。
上述のように、上記γ−ブチロラクトン等の溶剤は、それ自体でレジストの溶解性に優れるものであるが、上記レジストの種類によっては、上記溶剤に水を所定の割合で配合した混合溶剤を用いた方が、上記溶剤１００％でレジスト除去を行うよりも、より高効率にかつ均一にレジストを除去することができる場合がある。この理由は、明確ではないが、上記溶剤に水を上記範囲で配合することで、調製される混合溶剤は、レジストの溶解性パラメータに近づくからであると考えられる。
【００３１】
上記混合溶剤において、上記溶剤１００重量部に対して水の配合量が５重量部未満であると、レジストの除去効率がほとんど改善されない。上記溶剤１００重量部に対して水の配合量が１００重量部を超えると、上記溶剤の量が少なくなり、逆にレジストの除去効率が低下してしまう。好ましい下限は１０重量部、好ましい上限は６０重量部であり、より好ましい下限は２０重量部、より好ましい上限は４０重量部である。
【００３２】
上記γ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の溶剤と水との混合溶剤は、例えば、上記オゾン水処理を経た基板表面のレジストを好適に溶解、除去させることができ、上記混合溶剤を用いた溶剤処理と上記オゾン水処理とを上述した範囲で繰り返し行うことで、上記基板表面のレジストはほぼ均一に除去される。
【００３３】
上記有機溶剤や混合溶剤を用いて基板の処理面を処理する具体的な方法としては特に限定されず、例えば、上記有機溶剤や混合溶剤を貯留した処理槽中に上記基板を浸漬する方法、ノズル等の有機溶剤等を噴射する手段を用いて基板の処理面に有機溶剤等を噴射させる方法等が挙げられる。なかでも、有機溶剤や混合溶剤を貯留した処理槽中に上記基板を浸漬する方法が好適である。このような方法によると、複数の基板の溶剤処理を同時に行うバッチ式での処理が可能となる。また、有機溶剤や混合溶剤を貯留した処理槽中に上記基板を浸漬する方法である場合、基板表面のレジストの剥離効果が向上することから、上記処理槽内で有機溶剤や混合溶剤は、バブリング、エアレーション、攪拌等により、ある程度強制的に基板の処理面に有機溶剤等が当たるようにすることが好ましい。
【００３４】
本発明のレジスト除去方法において、上記オゾン水処理と溶剤処理とからなる１組の工程（レジスト処理工程）は、オゾン水処理と溶剤処理とを交互に行うものであれば、オゾン水処理を先に行ってもよく、溶剤処理を先に行ってもよいが、オゾン水処理を先に行うことが好ましい。上述したようにオゾン水は、上記基板表面のレジストの最表層に形成されたレジスト変性層を改質する役割を有し、有機溶剤は、レジストを溶解する役割を有するものであるため、先に溶剤処理を行うと、上記レジスト処理工程を２回繰り返した場合、該レジスト処理工程後の基板表面のレジスト除去が不充分となることがある。
【００３５】
また、上記オゾン水処理及び溶剤処理を行う際の処理条件としては特に限定されず、上記オゾン処理工程を繰り返し行う回数、処理対象である基板表面のレジストの種類及びその状態、使用するオゾン水のオゾン濃度、有機溶剤の種類等に合わせて適宜決定される。
【００３６】
本発明のレジスト除去方法は、上記オゾン水処理と溶剤処理とからなる１組の工程を２回以上繰り返し行うため、反応性イオンエッチング等のドライエッチング処理及び／又はイオン注入処理によりその最表面にレジスト変性層が形成されたレジストであっても、上記オゾン水処理においてオゾン水により上記レジスト変性層が表面改質され、更に、上記溶剤処理において有機溶剤により上記レジスト変性層及びレジストが溶解され、非常に効率よくレジストを除去することができる。即ち、本発明のレジスト除去方法によると、基板表面のレジストが、ドライエッチング処理及び／又は反応性イオン注入処理によりレジスト変性層が形成されたものであっても、高効率にかつ均一に除去することができる。
【００３７】
このような本発明のレジスト除去方法は、例えば、少なくとも、オゾンガスを原料水中に溶解させてオゾン水を生成するオゾン溶解装置、上記オゾン溶解装置で生成されたオゾン水が供給されるオゾン水処理槽、有機溶剤を貯蔵する溶剤タンク、上記溶剤タンクから上記有機溶剤が供給される溶剤処理槽、及び、上記基板を上記オゾン水処理槽と上記溶剤処理槽との間を往復させる基板輸送手段を備えるレジスト除去装置を用いることで好適に実現することができる。
上記本発明のレジスト除去方法に使用することができるレジスト除去装置もまた、本発明の１つである。
【００３８】
図１は、本発明のレジスト除去装置の概略を示す概略図である。
図１に示したように、本発明のレジスト除去装置１は、オゾン溶解装置２、オゾン水処理槽３、基板輸送手段４、オゾン溶解装置２とオゾン水処理槽３とをつなぐオゾン水循環路５、溶剤タンク６、溶剤処理槽７、並びに、溶剤タンク６と溶剤処理槽７とをつなぐ溶剤循環路８を備える。
なお、図１中一方向の矢印は、処理に供される基板が搬送される方向を示し、両方向の矢印は、基板を輸送する基板輸送手段４が移動する方向を示す。即ち、図１に示したレジスト除去装置１では、レジストが表面に形成された基板は、先にオゾン水処理槽３に搬送され、その後、溶剤処理槽７に搬送されるようになっており、更に、上記基板は、基板輸送手段４によりオゾン水処理槽３と溶剤処理槽７との間を往復されるようになっている。なお、本発明のレジスト除去装置１において、オゾン水処理槽３と溶剤処理槽７とは位置が逆になっていてもよい。
【００３９】
オゾン水処理槽３は、本発明のレジスト除去方法におけるオゾン水処理を行うための容器であり、その構造としては上記基板表面のレジストにオゾン水処理を施すことができる構造であれば特に限定されず、例えば、基板が直接又は基板輸送手段４に載置された状態で設置させるとともにこの基板を回転させる支持台と、基板の表面にオゾン水を噴射するノズルと、支持台及びノズルを収容するとともに噴射され溢れたオゾン水を受ける容器とからなる構造、供給されたオゾン水を貯留し、基板又は基板輸送手段４に載置された基板を内包できる容器中にスターラー等の攪拌手段が設けられた構造等が挙げられる。
なお、オゾン水処理槽３は、密閉容器であっても開放容器であってもよい。また、容器は、板状基板（例えば、ガラス基板）のウエット処理装置のような比較的浅い容器であっても、搬送ローラが組み込まれた容器であってもよい。
【００４０】
オゾン溶解装置２としては特に限定されず、従来公知のオゾン溶解モジュールと同様の装置が挙げられ、例えば、モジュール本体と原料水流入口、オゾン水流出口、及び、オゾンガス供給口、オゾンガス排出口からなるものが挙げられる。上記オゾンガス供給口には、オゾンガス供給装置が接続されモジュール本体内において原料水にオゾンを供給し、利用されなかったオゾンはオゾンガス排出口から排出されるようになっている。
オゾン溶解装置２で生成されたオゾン水は、上記オゾン水排出口からオゾン水循環路５に排出されてオゾン水濃度検出器１０に送られ、上記オゾン水の溶存オゾンガス濃度が監視・管理される。
【００４１】
オゾン水循環路５からオゾン水処理槽３に供給されたオゾン水は、オゾン水処理槽３に搬入された基板表面のレジストの表面処理に使用され、具体的には、上述した本発明のレジスト除去方法におけるオゾン水処理のレジストの表面改質に使用される。
【００４２】
なお、オゾン水循環路５は、更に、オゾン水処理槽３からオゾン溶解装置２へと向かうように配管されていてもよい。この場合、レジストの表面改質等に供されたオゾン水を再利用することができ、オゾン水のオゾン濃度を高くすることが容易となる。
【００４３】
溶剤タンク６は、上述したγ−ブチロラクトン、エチレングリコールジアセタート及びジアセチンからなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤や、該有機溶剤と水との混合溶剤を貯蔵する容器である。溶剤タンク６としては、耐有機溶剤性を有するものであれば特に限定されない。
【００４４】
溶剤処理槽７は、本発明のレジスト除去方法における溶剤処理を行うための容器であり、例えば、上記オゾン水処理等と同様の方法で上記有機溶剤によるレジストの除去を行う場合、オゾン水処理槽３と同様の構成のものが挙げられる。
【００４５】
溶剤循環路８は、溶剤タンク６に貯蔵した有機溶剤をポンプ１２により溶剤処理槽７へ送るように配管されており、更に、溶剤処理槽７から溶剤タンク６へと向かうように配管されていることが好ましい。即ち、上記有機溶剤が循環して再利用できるようになっていることが好ましい。このとき、溶剤循環路８には、溶剤処理槽７でレジスト除去に使用された有機溶剤中のレジストを分解し、有機溶剤の再生処理を行う公知の溶剤再生モジュール１１が設けられていることが好ましい。
【００４６】
基板輸送手段４は、基板を載置することができる部材であり、基板をオゾン水処理槽３と溶剤処理槽７との間を往復させる役割を果たすものである。なお、基板輸送手段４は、オゾン水処理槽３と溶剤処理槽７との間を往復するだけでなく、本発明のレジスト除去装置を用いて行う本発明のレジスト除去方法の開始から終了まで基板を輸送するようになっていてもよい。
【００４７】
このような基板輸送手段４としては、上記基板を載置可能で、該基板をオゾン水処理槽３と溶剤処理槽７との間を輸送することができる部材であれば特に限定されない。また、基板輸送手段４は、一の基板を載置可能な構造であってもよく、複数の基板を同時に載置可能な構造であってもよいが、本発明のレジスト除去方法を複数の基板のレジスト除去を同時に行うバッチ式で処理が可能となることから、複数の基板を同時に載置可能な構造が好適である。
また、この場合、オゾン水処理槽３と溶剤処理槽７とは、上記複数の基板を載置した基板輸送手段４を内包することができる構造であることが好ましい。
【００４８】
図１に示したような本発明のレジスト除去装置１では、レジストが表面に形成された基板は、オゾン水処理槽３に搬入された後、溶剤処理槽７との間を基板輸送手段４により所定回数往復され、各処理槽にて本発明のレジスト除去方法で説明したオゾン水処理、及び、溶剤処理が施される。オゾン水処理と溶剤処理とを所定回数繰り返し行った後の基板は、水洗槽１３に搬入されて水洗された後、乾燥槽１４にて乾燥される。
このような本発明のレジスト除去装置では、本発明のレジスト除去方法を好適に実現することができ、基板表面のレジストを高効率にかつ均一に除去することができる。
【発明の効果】
【００４９】
本発明によれば、ドライエッチング処理及び／又は反応性イオン注入処理が施された基板表面のレジストであっても、高効率にかつ均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００５１】
（実施例１）
処理サンプルとしてφ６インチのシリコンウエハを用いた。
シリコンウエハ上にスピンコーターを用いてレジスト液（東京応化社製、ＴＨＭＲ−ＩＰ１８００、粘度：１．８Ｐａ・ｓ）を２．１５μｍ程度の厚さとなるように塗布し、１２０℃、６０秒間加熱した後、露光、現像処理を行って幅１μｍ、１０μｍ及び１００μｍの回路を有する回路パターンを形成した後、高電流イオン注入装置（住友イートンノバ社製、ＮＶ−１０）を用いてイオン注入（Ａｓ）を行った。
【００５２】
その後、図１に示した構成のレジスト除去装置を用いて作製した処理サンプル表面のレジストの除去を行った。
即ち、まず、オゾン濃度４０ｐｐｍ、温度２０℃のオゾン水を貯留させたオゾン水処理槽内に、処理サンプルを搬入し、スターラーで攪拌させたオゾン水中に１分間浸漬させることでオゾン水処理を行った。
次に、処理サンプルを、濃度１００％、温度２０℃のγ−ブチロラクトン（和光純薬製、和光特級）を貯留した溶剤処理槽内に搬入し、γ−ブチロラクトン中に軽く前後に揺動させながら１分間浸漬して溶剤処理を行い、１回目のレジスト処理工程を行った。
その後、同条件のレジスト処理工程を４回繰り返し、合計５回のレジスト処理工程を行った。
【００５３】
レジスト処理工程を行った後の処理サンプルを顕微鏡観察し、レジストの除去状態を観察した。その結果、図２に示すように、処理サンプルのレジストは、幅１μｍ、１０μｍ及び１００μｍのいずれもがほぼ均一に除去されており、レジストの除去にムラはほとんど発生していなかった。なお、図２は、処理後の処理サンプルの顕微鏡写真であり、図２中の対向する矢印は、除去されたレジスト部分を示しており、数値は、除去したレジストの幅（μｍ）を示している。
【００５４】
（比較例１）
オゾン水処理の処理時間を１分間、溶剤処理の処理時間を２０分間としたレジスト処理工程を１回のみ行った以外は、実施例１と同様にして処理サンプルのレジストの除去を行った。
レジスト処理工程を行った後の処理サンプルを顕微鏡観察し、レジストの除去状態を観察した。その結果、図３に示すように、幅１μｍの回路パターンに変化処理サンプルのレジストは所々に除去されていない部分があった。
【００５５】
（比較例２）
オゾン水処理の処理時間を２０分間としたオゾン水処理を１回のみ行った以外は、実施例１と同様にして処理サンプルのレジストの除去を行った。
オゾン水処理を行った後の処理サンプルを顕微鏡観察し、レジスト除去状態を観察した。その結果、図４に示すように、幅１μｍの回路パターンと、幅１０μｍ処理サンプルの一部とが除去されたが、幅１００μｍの回路パターンは全く除去されていなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によれば、ドライエッチング処理及び／又は反応性イオン注入処理が施された基板表面のレジストであっても、高効率にかつ均一に除去することができるレジスト除去方法、及び、レジスト除去装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のレジスト除去装置の概略を示す概略図である。
【図２】実施例１に係る処理後の処理サンプルの顕微鏡写真である。
【図３】比較例１に係る処理後の処理サンプルの顕微鏡写真である。
【図４】比較例２に係る処理後の処理サンプルの顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５８】
１  レジスト除去装置
２  オゾン溶解装置
３  オゾン水処理槽
４  基板輸送手段
５  オゾン水循環路
６  溶剤タンク
７  溶剤処理槽
８  溶剤循環路
【図１】
2006324358.tif 000003
【図２】
2006324358.tif 000004
【図３】
2006324358.tif 000005
【図４】
2006324358.tif 000006