(57)【要約】【課題】レーザマーク部位から素子領域へのパーティクル汚染を防止できるようにした基板の液体処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】処理液（薬液又は純水等）が貯められた処理槽内でウエーハＷに液体処理を施した後で、当該ウエーハＷを処理槽内から取り出す、或いは処理槽内から処理液を排出する液体処理方法であって、ウエーハＷが処理液から離れる際にウエーハＷの素子領域６２が当該ウエーハＷのレーザマーク部位６１の下側に来ないように、ウエーハＷを回転させてレーザマーク部位６１の位置を調整する。【選択図】図３
2006270033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理方法であって、
前記基板が前記液体から離れる際に前記基板の素子領域が当該基板のレーザマーク部位の下側に来ないように、前記基板を回転させて前記レーザマーク部位の位置を調整する工程、を含むことを特徴とする液体処理方法。
【請求項２】
所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理方法であって、
前記レーザマーク部位の位置を検出する工程と、
前記検出の結果に基づいて前記基板を回転させて、前記基板が前記液体から離れる際に当該基板の素子領域が前記レーザマーク部位の下側に来ないように該レーザマーク部位の位置を調整する工程と、を含むことを特徴とする液体処理方法。
【請求項３】
所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理装置であって、
前記基板が前記液体から離れる際に前記基板の素子領域が当該基板のレーザマーク部位の下側に来ないように、前記基板を回転させて前記レーザマーク部位の位置を調整する位置調整手段、を有することを特徴とする液体処理装置。
【請求項４】
所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理装置であって、
前記レーザマーク部位の位置を検出する位置検出手段と、
前記検出の結果に基づいて前記基板を回転させて、前記基板が前記液体から離れる際に当該基板の素子領域が前記レーザマーク部位の下側に来ないように該レーザマーク部位の位置を調整する位置調整手段と、を有することを特徴とする液体処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の液体処理方法及びその装置に関し、特に、レーザマーク部位から素子領域へのパーティクル汚染を防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエーハ（以下、ウエーハという。）には、その結晶方向を識別するためのオリエンテーションフラット（以下、「オリフラ」という。）が形成されている。多くの場合、このオリフラの近傍にはウエーハのロットナンバや、ＩＤナンバなど、そのウエーハ固有の識別情報がレーザマーキングされている。このレーザマーキングされた部分、即ち、レーザマーク部位には、洗浄時の水滴や、ＣＭＰ処理時の研磨剤等が残留しやすい、ということが知られている（例えば、特許文献１，２参照。）。
【０００３】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、従来例に係るウエーハＷ´の液体処理方法を示す工程図である。図８（Ａ）に示すように、このウエーハＷ´のオリフラ９０近傍には、レーザマーク部位９１が設けられている。ウエーハＷ´に洗浄処理や、ウエットエッチング処理を施す際には、まず始めに、ウエーハＷ´を例えばロット単位で洗浄装置専用のキャリア（図示せず）へ移し換える。次に、全ウエーハＷ´を均一に洗浄、エッチングする等を目的として、オリフラ揃え機構部（図示せず）により、全ウエーハＷ´のオリフラ９０を一方向に揃える。
【０００４】
そして、図８（Ａ）に示すように、薬液又は純水等の処理液９６が貯められた液体処理槽９５内にウエーハＷ´を浸して放置する。このように、１槽又は２槽以上の液体処理槽９５内で各種薬液洗浄、純水リンス等の液体処理を行った後で、図８（Ｂ）に示すように、液体処理槽内からウエーハＷ´を引き上げる。その後、引き上げたウエーハＷ´をスピンドライヤー等にセットして乾燥処理して、その液体処理工程を終了する。
【特許文献１】特開平７−４５６９０号公報
【特許文献２】特開２０００−１７３９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図８（Ｂ）に示すように、液体処理槽９５内からウエーハＷ´を引き上げる際には、ウエーハＷ´の表面に残留する処理液には、ウエーハ取り出し方向とは逆方向に力が働く。この力によって、ウエーハＷ´表面に残留する処理液は、ウエーハＷ´の表面上を流れて、液体処理槽９５内へ滴り落ちる。
本発明者は、図９に示すように、液体処理後のウエーハ表面について、そのパーティクル測定を繰り返し行い、その測定結果から、レーザマーク部位からの処理液の流れと、ウエーハ表面に付着したバーティクルの分布とが重なり合う、という知見を得た。
【０００６】
しかしながら、従来の技術では、液体処理前のオリフラ揃えは、あくまで全ウエーハＷ´を均一に洗浄、エッチングする等を目的としたものであり、その揃える方向は全ウエーハ間で均一であれさえすればどの方向でもよかった。つまり、図８（Ｂ）において、液体処理槽９５内からウエーハＷ´を引き上げる際に、レーザマーク部位９１からのパーティクルを含む処理液が素子領域上を流れることがないように、オリフラ９０の位置を調整するようなことはしていなかった。
【０００７】
このため、レーザマーク部位９１からのパーティクルを含む処理液は素子領域上を流れる場合が往々にしてあり、このような場合には処理液に取り込まれたパーティクルの一部は素子領域上に再付着してしまい、この素子領域に形成される半導体デバイスの歩留まりを低下させてしまうおそれがあった。
本発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、レーザマーク部位から素子領域へのパーティクル汚染を防止できるようにした基板の液体処理方法及びその装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、発明１の液体処理方法は、所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理方法であって、前記基板が前記液体から離れる際に前記基板の素子領域が当該基板のレーザマーク部位の下側に来ないように、前記基板を回転させて前記レーザマーク部位の位置を調整する工程、を含むことを特徴とするものである。
【０００９】
発明２の液体処理方法は、所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理方法であって、前記レーザマーク部位の位置を検出する工程と、前記検出の結果に基づいて前記基板を回転させて、前記基板が前記液体から離れる際に当該基板の素子領域が前記レーザマーク部位の下側に来ないように該レーザマーク部位の位置を調整する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１０】
発明３の液体処理装置は、所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理装置であって、前記基板が前記液体から離れる際に前記基板の素子領域が当該基板のレーザマーク部位の下側に来ないように、前記基板を回転させて前記レーザマーク部位の位置を調整する位置調整手段、を有することを特徴とするものである。
【００１１】
発明４の液体処理装置は、所定の液体が貯められた処理槽内で基板に液体処理を施した後で、当該基板を前記処理槽内から取り出す、或いは前記処理槽内から前記液体を排出する液体処理装置であって、前記レーザマーク部位の位置を検出する位置検出手段と、前記検出の結果に基づいて前記基板を回転させて、前記基板が前記液体から離れる際に当該基板の素子領域が前記レーザマーク部位の下側に来ないように該レーザマーク部位の位置を調整する位置調整手段と、を有することを特徴とする。
【００１２】
発明１〜４によれば、基板が液体から離れる際に、レーザマーク部位からのパーティクルを含む処理液は基板の素子領域上を流れないので、素子領域へのパーティクルの再付着を防止することができる。従って、素子領域に形成される半導体デバイスのパーティクルに起因した歩留まり低下を防止することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態に係るウエーハの液体処理方法及びその装置について説明する。
なお、第１および第２の実施形態では、ウエーハＷのオリフラ近傍に、ウエーハＷのロットナンバや、ＩＤナンバなど、そのウエーハＷ固有の識別情報がレーザマーキングされた「レーザマーク部位」が設けられていることを前提としている。
【００１４】
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る液体処理装置１００の構成例を示す概念図である。図１に示すように、この液体処理装置１００は、ローダ１０と、薬液槽２０と、純水槽３０と、乾燥機４０と、アンローダ５０と、搬送アーム（図示せず）等を含んだ構成となっている。
【００１５】
ローダ１０には、オリフラ揃え機構部（オリフラ位置修正装置）１２が設けられている。このオリフラ揃え機構部１２は、例えば２つのローラを備えており、キャリアＣにセットされた１枚又は２枚以上のウエーハＷをキャリアＣ内で回転させて、その全てのオリフラを「一方向」に揃える機能を備えている。
薬液槽２０は、例えば、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏを成分とするＡＰＭ、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏを成分とするＨＰＭ、Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏを成分とするＳＰＭ、ＨＦ／Ｈ２Ｏを成分とするＤＨＦ等の何れか一種類の薬液２２を貯めるための槽である。ＡＰＭを用いた場合には、パーティクルと有機物とを主に除去することができる。また、ＨＰＭを用いた場合には、金属イオンを主に除去することができる。さらに、ＳＰＭを用いた場合には金属イオンと有機物とを主に除去することができ、ＤＨＦを用いた場合には自然酸化膜を主に除去することができる。
【００１６】
純水槽３０は、純水３２を貯めるための槽である。薬液洗浄後のウエーハＷは、キャリアＣにセットされた状態でこの純水槽３０に入れられ、純水リンス処理が施される。乾燥機４０は、純水リンス後のウエーハＷをキャリアＣ入れたままの状態で乾燥させるためのものである。また、アンローダ５０には、オリフラ揃え機構部５２が設けられている。乾燥機４０から搬出されたウエーハＷは、このオリフラ揃え機構部５２によって、そのオリフラが例えば上方向に揃えられる。
【００１７】
図示しない搬送アームは、キャリアＣにセットされたウエーハＷを、ローダ１０から薬液槽２０へ、薬液槽２０から純水槽３０へ、純水槽３０から乾燥機４０へ、乾燥機４０からアンローダ５０へ順次搬送する機能を備えている。
次に、この液体処理装置１００を用いて、ウエーハＷに液体処理を施す方法について説明する。
【００１８】
図２は、本発明の実施の形態に係る液体処理工程の流れを示す概念図である。液体処理工程の前工程は、例えばＣＶＤ装置を用いた成膜工程や、ドライエッチング装置を用いたエッチング工程、ＣＭＰ装置を用いた研磨工程など様々であるが、何れの場合においても、ウエーハＷはロット内でそのオリフラ位置がバラバラに位置ズレした状態で前工程から液体処理工程へ入れられる場合がある。
【００１９】
液体処理工程では、まず始めに、ロット単位で搬送用キャリアＣに収容され、前工程から液体処理工程まで運ばれてきたウエーハＷを液体処理装置１００専用のキャリアＣへ移し変える。この移し変えは、例えば液体処理装置１００のローダ１０が自動で行う。次に、液体処理装置１００専用のキャリアＣに移し変えた全ウエーハＷを均一に洗浄する等の目的により、オリフラ揃え機構部１２で全ウエーハＷのオリフラ位置を「一方向」に揃える。
【００２０】
ただし、全ウエーハＷを均一に洗浄、エッチングすることだけを目的とするならば、「一方向」は図２において、上方向でも横方向でも下方向でも構わないが、この第１実施形態では、「一方向」を下方向に限定する。
次に、全ウエーハＷのオリフラ位置を下方向に揃えた後で、これらウエーハＷを収容したキャリアＣを搬送アームで持ち上げる。そして、このキャリアＣを、図１に示した薬液槽２０内に入れる。このとき、キャリアＣに収納されているウエーハＷのオリフラ位置は全て下方向に揃えられているので、ウエーハＷはオリフラから先に薬液槽２０に入って薬液２２の表面に接触することとなる。
【００２１】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る液体処理方法を示す概念図である。図３（Ａ）に示すように、薬液槽内ではウエーハＷのオリフラ６０が下側にあり、オリフラ６０近傍に設けられているレーザマーク部位６１の上側にウエーハＷの素子領域６２が位置した状態で、ウエーハＷに対する薬液洗浄処理が行われる。
次に、一定時間が経過した後で、図３（Ａ）の矢印で示すように、ウエーハＷを収容したキャリアＣを、搬送アームによって上方向に引き上げる。この引き上げに際し、キャリアＣに収容されたウエーハＷのオリフラ６０は全て下方向に向いているので、レーザマーク部位６１からのパーティクルを含む薬液は、その上方向にある素子領域６２側へは流れず、その下方向にあるオリフラ６０端に流れて薬液槽に滴り落ちる。このため、図３（Ｂ）に示すように、薬液によってレーザマーク部位６１から流れ出たパーティクルは素子領域６２に再付着しない。
【００２２】
次に、薬液洗浄後のウエーハＷを収容したキャリアＣを図１に示した純水槽３０に入れる。このときも、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示した薬液槽での薬液洗浄の場合と同様に、オリフラ６０は下方向に揃えられているので、オリフラ６０から先に純水槽に入って純水の表面に接触することとなる。そして、純水リンス後にキャリアＣを引き上げる際、レーザマーク部位からのパーティクルを含む純水は、ウエーハＷの素子領域６２側へは流れず、オリフラ６０端に流れて純水槽に滴り落ちる。このため、純水によってレーザマーク部位６１から流れ出たパーティクルは素子領域６２に再付着しない。
【００２３】
ウエーハＷを純水リンスした後は、これらのウエーハＷを収容したキャリアＣを搬送アームで図１に示した乾燥機４０まで搬送し、乾燥機４０内で乾燥処理する。そして、乾燥後は、ウエーハＷを収容したキャリアＣを搬送アームでアンローダ５０まで搬送し、アンローダ５０のオリフラ揃え機構部５２でウエーハＷのオリフラ６０位置を再度揃える。このアンローダ５０では、オリフラ６０の揃える方向はキャリアＣ内で均一であれば、どの向きでもよい。この第１実施形態では、例えば上方向に揃える。その後、液体処理装置専用のキャリアＣに収容されているウエーハＷを搬送用キャリアＣに移し変える。これにより、液体処理装置１００での液体処理工程を終了する。
【００２４】
このように、本発明の第１実施形態に係るウエーハＷの液体処理方法によれば、薬液槽２０で薬液洗浄を行うステップと、純水槽３０で純水リンスを行うステップの両方のステップにおいて、ウエーハＷのオリフラ６０は下方向に揃えられているので、ウエーハＷが液体（即ち、薬液２２や純水３２）から離れる際には、レーザマーク部位６１からのパーティクルを含む液体は素子領域６２側へは流れず、オリフラ６０端に流れてそのまま滴り落ちる。従って、素子領域６２へのパーティクルの再付着を防止することができ、素子領域６２に形成される半導体デバイスの、パーティクルに起因した歩留まり低下を防止することができる。
【００２５】
この第１実施形態では、薬液２２及び純水３２が本発明の「所定の液体」に対応し、薬液槽２０及び純水槽３０が本発明の「処理槽」に対応している。また、ウエーハＷが本発明の「基板」に対応し、オリフラ揃え機構部１２が本発明の「位置調整手段」に対応している。
【００２６】
（２）第２実施形態
図４（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る液体処理方法を示す概念図である。ここでは、レーザマーク部位６１がオリフラ６０近傍にあるウエーハＷを液体処理槽７０から他の液体処理槽又は乾燥機等に移動させる際に、液体処理槽７０の下側から処理液７２を排出し、その後にウエーハＷを引き上げるタイプの装置を用いた液体処理方法について説明する。ここで、処理液７２とは薬液又は純水等である。
【００２７】
図４（Ａ）に示すように、この第２実施形態でも、第１実施形態と同様に、キャリアにセットされた１枚又は２枚以上のウエーハＷを液体処理する前に予め、オリフラ揃え機構部１２（図１参照。）などにより、オリフラ６０の位置を下方向に揃える。この状態で、液体処理を行う。そして、液体処理を行った後で、図４（Ｂ）に示すように、液体処理槽７０の下側から処理液７２を排出する。
【００２８】
この排液の際に、レーザマーク部位６１からのパーティクルを含む処理液７２は、ウエーハＷの素子領域６２側へは流れず、オリフラ６０端に流れて液体処理槽７０に滴り落ちる。このため、処理液７２によってレーザマーク部位６１から流れ出たパーティクルは素子領域６２に再付着しない。処理液７２の排出後に、ウエーハＷを引き上げる。
このように、本発明の第２実施形態に係るウエーハＷの液体処理方法によれば、液体処理槽７０から処理液７２を排出する際に、ウエーハＷのオリフラ６０は下方向に揃えられているので、ウエーハＷが処理液７２から離れる際には、レーザマーク部位６１からのパーティクルを含む処理液７２は素子領域６２側へは流れず、オリフラ６０端に流れてそのまま滴り落ちる。従って、素子領域６２へのパーティクルの再付着を防止することができ、素子領域６２に形成される半導体デバイスの、パーティクルに起因した歩留まり低下を防止することができる。
【００２９】
この第２実施形態では、処理液７２が本発明の「所定の液体」に対応し、液体処理槽７０が本発明の「処理槽」に対応している。その他の対応関係は第１実施形態と同じである。
なお、上述した第１、第２実施形態では、キャリアにセットされた１枚又は２枚以上のウエーハＷを液体処理する前に予め、オリフラ揃え機構部１２などにより、オリフラ６０の位置（オリフラ位置）を下方向に揃える場合について説明した。しかしながら、液体処理する前ではなく、液体処理を行い、ウエーハＷが液体から離れる間際に、オリフラ位置を下方向に揃えても良い。
【００３０】
例えば、オリフラ揃え機構部１２を液体処理槽７０内に配置しておき、液体処理槽７０内でウエーハＷを液体処理している間に、ウエーハＷのオリフラ位置を下方向に揃える。このような方法でも、ウエーハＷが液体から離れる際には、レーザマーク部位６１からのパーティクルを含む液体は素子領域６２側へは流れず、オリフラ６０端に流れてそのまま滴り落ちるので、素子領域６２へのパーティクルの再付着を防止することができる。
【００３１】
また、上述した第１、第２実施形態では、キャリアにセットされたウエーハＷのオリフラ位置の初期状態に関係なく、オリフラ揃え機構部１２などにより、オリフラ位置を一括して下方向に揃えることで、レーザマーク部位６１の位置調整を行う場合について説明した。
しかしながら、図１に示した液体処理装置１００において、ローダ１０にレーザマーク部位６１の位置を検出する検出手段を配置しておき、この検出手段によるレーザマーク部位６１の検出結果に基づいて、レーザマーク部位６１の位置調整を行っても良い。
【００３２】
つまり、レーザマーク部位６１の検出結果に基づいてウエーハＷを回転させ、ウエーハＷが液体から離れる際に当該ウエーハＷの素子領域６２がレーザマーク部位６１の下側に来ないようにレーザマーク部位６１の位置を調整する。このような構成であれば、例えばウエーハＷにオリフラ６０が設けられていない場合、又は、オリフラ位置に対してレーザマーク部位６１の位置が決まっていない場合でも、レーザマーク部位６１を下方向に揃えることが可能である。
【００３３】
また、第１および第２の実施形態では、レーザマーク部位がウエーハＷのオリフラ近傍であることを前提としているが、レーザマーク部位がオリフラから離れた位置である場合に、ウエーハの素子領域がレーザマーク部位の下側に来ないようにするためには、例えば以下の方法で、レーザマーク部位を一括して下方向に揃える。
この方法では、図５に示すウエーハ位置合わせ装置を使用する。
【００３４】
この装置は、キャリアＣを載せる台８１と、この台８１の上に設置された一対の板状部材からなるガイド８２と、ガイド８２の内側に配置されたローラ８３と、ウエーハＷのキャリアＣの上側部分を撮影するカメラ８４と、カメラ８４からの位置情報に基づいてローラ８３の駆動を制御する制御部８５、を備えている。台８１の内部にはローラ８３の駆動機構が配置されている。台８１のガイド８２の外側に、キャリアＣの脚部を受ける受け部８１ａが形成されている。ローラ８３は、図５の高さと、ローラ８３の上端がガイド８２の上端と同じ位置になる高さとの間で、上下方向に移動可能に設置されている。
【００３５】
次に、前工程終了後のウエーハＷのキャリアＣ内での状態が図６（ａ）に示す状態である場合に、図５の装置を用いて図６（ｂ）に示す状態にする（レーザマーク部位６１を一括して下方向に揃える）ための手順を、図７を用いて説明する。
図７（ａ）に示すように、先ず、図６（ａ）の状態でウエーハＷが保持されているキャリアＣの脚部を、図５のウエーハ位置合わせ装置の受け部８１ａの上に設置する。これにより、ウエーハＷの下端部がローラ８３およびガイド８２の上に接触する。この状態でローラ８３を回転させると、図７（ｂ）に示すように、オリフラ６０がガイド８２の上に載った時点で、ローラ８３がオリフラ６０から離れる。これにより、キャリアＣに保持されている全てのウエーハＷのオリフラ６０が一括して下方向に揃う。
【００３６】
次に、この状態からローラ８３を、上端がガイド８２の上端と同じ位置になるまで上昇させることで、図７（ｃ）に示すように、ウエーハＷのオリフラ６０にローラ８３を接触させる。次に、この状態でローラ８３を回転させることで、ウエーハＷを回転させる。これと同時に、制御部８５からカメラ８４に撮影開始の信号が送られて、ウエーハＷのキャリアＣの上側部分がカメラ８４で撮影され始め、カメラ８４の映像を示す信号が制御部８５に送られ始める。
【００３７】
次に、図７（ｄ）に示すように、ウエーハＷのキャリアＣの上側部分にレーザマーク部位６１が到達した映像が制御部８５に送られた時点で、制御部８５は台８１の内部にあるローラ駆動機構に、ウエーハＷが１８０°回転する分だけローラ８３を回転した後に回転を停止する信号を送る。これにより、図７（ｅ）に示すように、ウエーハＷが１８０°回転してレーザマーク部位６１が真下になった時点で、ローラ８３の回転が停止する。この状態でキャリアＣを位置合わせ装置から外して、洗浄槽に移動する。
【００３８】
図５の位置合わせ装置では、カメラ８４および制御部８５が本発明の「位置検出手段」に対応し、ガイド８２、ローラ８３、ローラ駆動機構、および制御部８５が本発明の「位置調整手段」に対応している。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１実施形態に係る液体処理装置１００の構成例を示す図。
【図２】実施の形態に係る液体処理工程の流れを示す図。
【図３】第１実施形態に係る液体処理方法を示す図。
【図４】第２実施形態に係る液体処理方法を示す図。
【図５】ウエーハ位置合わせ装置を示す概略構成図。
【図６】前工程終了後と位置合わせ後のウエーハのキャリア内での状態を示す図。
【図７】図５の装置を用いたウエーハ位置合わせ手順を説明する図。
【図８】従来例に係るウエーハＷ´の液体処理方法を示す図。
【図９】パーティクルの測定結果を示す図。
【符号の説明】
【００４０】
１０…ローダ、１２，５２…オリフラ揃え機構部、２０…薬液槽、２２…薬液、３０…純水槽、３２…純水、４０…乾燥機  ５０…アンローダ、６０…オリフラ、６１…レーザマーク部位、６２…素子領域、７０…液体処理槽、７２…処理液、８１…台、８２…ガイド、８３…ローラ、８４…カメラ、８５…制御部、１００…液体処理装置、Ｗ…ウエーハ、Ｃ…キャリア。
【図１】
2006270033.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006270033.tif 000005
【図４】
2006270033.tif 000006
【図５】
2006270033.tif 000007
【図６】
2006270033.tif 000008
【図７】
2006270033.tif 000009
【図８】
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【図９】
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