(57)【要約】【課題】  データ駆動部の集積回路の数を減少させることが可能な，表示装置，表示パネルおよび表示装置の駆動方法を提供する【解決手段】  画像信号としてのデータ電流を出力するデータ駆動部４００と，上記データ電流を伝達する複数のデータ線Ｄａｔａ［１］〜Ｄａｔａ［ｍ］と，上記複数のデータ線に電気的に連結される複数の画素回路１１０と，を含み，上記画素回路は，上記データ電流に対応する電流を出力する駆動回路Ｍ３と，上記駆動回路の出力電流を逆多重化して少なくとも二つの出力端に出力する逆多重化部Ｅ１，Ｅ２と，上記逆多重化部の出力端に接続され，入力される電流に対応した光を放出する少なくとも二つの発光素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’とを含むことを特徴とする，表示装置。【選択図】    図１２
2006018232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像信号としてのデータ電流を出力するデータ駆動部と；
前記データ電流を伝達する複数のデータ線と；
前記複数のデータ線に電気的に連結される複数の画素回路と；
を含み，
前記画素回路は，
前記データ電流に対応する電流を出力する駆動回路と；
前記駆動回路の出力電流を逆多重化して少なくとも二つの出力端に出力する逆多重化部と；
前記逆多重化部の出力端に接続され，入力される電流に対応した光を放出する少なくとも二つの発光素子と；
を含むことを特徴とする，表示装置。
【請求項２】
前記データ駆動部は，データ電流を時分割して出力することを特徴とする，請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記逆多重化部は，少なくとも二つのスイッチング素子を備え，該スイッチング素子の両端は，それぞれ前記駆動回路からの入力端と，発光素子への出力端とに接続されていることを特徴とする，請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動回路は，
第１電源と前記逆多重化部との間に接続され，ゲートソース間電圧に対応して前記逆多重化部に出力される電流を制御する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に連結され，前記データ電流に対応する電圧を充電して一定期間維持するキャパシタと；
を含むことを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記データ電流に対応する電圧が前記キャパシタに充電された後，前記逆多重化部に含まれる前記スイッチング素子の少なくとも一つがターンオンされることを特徴とする，請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数のデータ線と交差するように形成され，前記データ電流を書き込む前記画素回路を選択するための選択信号を伝達する走査線をさらに含むことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記駆動回路は，
前記選択信号に応じて，前記データ電流を前記駆動トランジスタに伝達する第１スイッチング素子と；
前記選択信号に応じて，前記駆動トランジスタをダイオード連結する第２スイッチング素子と；
をさらに含むことを特徴とする，請求項４に記載の表示装置。
【請求項８】
前記逆多重化部の出力電流は，前記発光素子が表示する全諧調に対し一対一に対応するレベルを有することを特徴とする，請求項１また２に記載の表示装置。
【請求項９】
データ電流を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，前記データ線と前記走査線にそれぞれ連結される複数の画素回路とを含む表示領域と；
前記複数の画素回路に書き込まれるデータ電流を生成し，前記複数のデータ線に前記データ電流を印加するデータ駆動部と；
前記選択信号を生成し，前記複数の走査線に前記選択信号を印加する走査駆動部と；
を含み，
前記画素回路は，印加される電流に対応する光を発光する少なくとも二つの発光素子を含み，前記データ電流に対応する電流を逆多重化して前記発光素子に伝達することを特徴とする，表示装置。
【請求項１０】
前記画素回路は，
第１電極，第１電源に連結される第２電極，および第３電極を備え，前記第１電極および前記第２電極間に印加される電圧に対応して第３電極に電流を出力する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタの前記第１電極および前記第２電極間に連結され，前記データ電流に対応する電圧を充電して一定期間維持するキャパシタと；
前記駆動トランジスタの出力電流を逆多重化して前記発光素子に伝達する逆多重化部と；
を含むことを特徴とする，請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記逆多重化部は，前記駆動トランジスタの前記第３電極と前記発光素子との間にそれぞれ接続される少なくとも二つのスイッチング素子を含むことを特徴とする，請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記データ電流に対応する電圧が前記画素回路のキャパシタに充電された後，前記逆多重化部のスイッチング素子のいずれか一つがターンオンされることを特徴とする，請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記データ電流は，前記発光素子が表示し得る複数の諧調に対し一対一に対応する電流レベルを有することを特徴とする，請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記表示領域，前記データ駆動部，および前記走査駆動部は，同一のガラス基板に形成されることを特徴とする，請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記１本のデータ線に印加されるデータ電流は，少なくとも二つの画像に対応する電流レベルを有することを特徴とする，請求項９〜１４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１６】
画像信号としてのデータ電流を出力するデータ駆動部と；
前記データ電流を伝達する複数のデータ線と；
前記複数のデータ線に電気的に連結され，前記データ電流に対応する光を発光する複数の画素回路と；
を含み，
前記画素回路は，
前記データ電流に対応する電流を出力する駆動回路と；
入力される電流に対応する光を発光する少なくとも二つの発光素子と；
前記駆動回路の出力電流を逆多重化して前記発光素子に伝達する逆多重化部と；
を備えることを特徴とする，表示パネル。
【請求項１７】
前記データ駆動部は，データ電流を時分割して出力することを特徴とする，請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記データ電流は，前記発光素子が表示し得る複数の諧調に対し一対一に対応する信号レベルを有することを特徴とする，請求項１６または１７に記載の表示パネル。
【請求項１９】
データ電流を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，前記データ線と前記走査線にそれぞれ連結される複数の画素回路とを含む表示装置の駆動方法であって：
前記選択信号が印加されている間，前記データ電流を前記画素回路に書き込む段階と；
前記データ電流に対応する電流を前記画素回路から出力する段階と；
前記出力された電流を逆多重化し，少なくとも二つの発光素子のいずれか一発光素子に伝達する段階と；
を含むことを特徴とする，表示装置の駆動方法。
【請求項２０】
前記複数のデータ線に印加されるデータ電流は，前記発光素子が表現する全諧調に対し一対一に対応する信号レベルを有することを特徴とする，請求項１９に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２１】
画像信号としてのデータ電流を出力するデータ駆動部と；
前記データ電流を伝達する複数のデータ線と；
前記複数のデータ線に電気的に連結される複数の画素回路と；
を含み，
前記画素回路は，
発光信号に応じて，前記データ電流に対応する電流を出力する駆動回路と；
前記駆動回路から入力される電流に応じて光を放出する発光素子と；
前記駆動回路からの電流を前記発光素子に伝達するスイッチと；
を含み，
第１および第２画素回路を含む複数の画素回路には同一の前記発光信号が印加され，前記第１および第２画素回路の前記スイッチが交互にターンオンされることを特徴とする，表示装置。
【請求項２２】
前記駆動回路は，
第１電源と前記発光素子との間に接続され，前記データ信号に応じて，前記発光素子に流れる電流を制御する駆動トランジスタと；
前記駆動トランジスタのゲートとソース電極間に連結され，前記データ電流に対応する電圧を充電して一定期間維持するキャパシタと；
を含むことを特徴とする，請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
第１期間において，前記第１画素回路の前記スイッチをターンオンさせ，前記第２画素回路の前記スイッチをターンオフさせ，
第２期間において，前記第２画素回路の前記スイッチをターンオンさせ，前記第１画素回路の前記スイッチをターンオフさせることを特徴とする，請求項２１または２２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は,データ電流を逆多重化（ｄｅｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）するための逆多重化装置を用いる表示装置，表示パネルおよび表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，ＯＬＥＤ表示装置は，蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる表示装置であって，Ｎ×Ｍ個の有機発光セルに対して電圧書込みあるいは電流書込みして映像を表示している。かかる有機発光セルは，アノード，有機薄膜，カソードレイヤーの構造を持っている。有機薄膜は，電子と正孔の均衡をよくして発光効率を向上させるため，発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ＥＭＬ），電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ，ＥＴＬ），および正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ，ＨＴＬ）を含む多層構造からなり，さらに別途の電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ＥＩＬ）と正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ，ＨＩＬ）を含む。
【０００３】
有機発光セルを駆動する方式には，パッシブマトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式と，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いるアクティブマトリックス（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式とがある。パッシブマトリックス方式は，正極と負極を直交するように形成し，ラインを選択して駆動する方式であり，アクティブマトリックス方式は，薄膜トランジスタを各ＩＴＯ（ｉｎｄｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）画素電極に接続し，薄膜トランジスタのゲートに接続されたキャパシタの容量により維持された電圧に応じて駆動する方式である。この際，キャパシタに電圧を記録するために印加される信号の形態によって，アクティブマトリックス方式は，電圧書込み（ｖｏｌｔａｇｅ ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）方式と電流書込み（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ）方式に分けられる。
【０００４】
かかるＯＬＥＤ表示装置は，走査線を駆動するための走査駆動部とデータ線を駆動するためのデータ駆動部が必要である。この際，データ駆動部は，デジタルデータ信号をアナログ信号に変換して全てのデータ線に印加しなければならないため，データ線の数に相当する出力端子を設ける必要がある。
【０００５】
しかしながら，一般に，データ駆動部は複数の集積回路から形成され，一つの集積回路が有する出力端子の数は制限されているので，全てのデータ線を駆動するためには，多くの集積回路を使用しなければならない問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は，従来の表示装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，データ駆動部の集積回路の数を減少させることが可能な，新規かつ改良された表示装置，表示パネルおよび表示装置の駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，画像信号としてのデータ電流を出力するデータ駆動部と；上記データ電流を伝達する複数のデータ線と；上記複数のデータ線に電気的に連結される複数の画素回路と；を含み，上記画素回路は，上記データ電流に対応する電流を出力する駆動回路と；上記駆動回路の出力電流を逆多重化して少なくとも二つの出力端に出力する逆多重化部と；上記逆多重化部の出力端に接続され，入力される電流に対応した光を放出する少なくとも二つの発光素子と；を含むことを特徴とする，表示装置が提供される。
【０００８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，データ電流を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，上記データ線と上記走査線にそれぞれ連結される複数の画素回路とを含む表示領域と；上記複数の画素回路に書き込まれるデータ電流を生成し，上記複数のデータ線に上記データ電流を印加するデータ駆動部と；上記選択信号を生成し，上記複数の走査線に上記選択信号を印加する走査駆動部と；を含み，上記画素回路は，印加される電流に対応する光を発光する少なくとも二つの発光素子を含み，上記データ電流に対応する電流を逆多重化して上記発光素子に伝達することを特徴とする，表示装置が提供される。
【０００９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，画像信号としてのデータ電流を出力するデータ駆動部と；上記データ電流を伝達する複数のデータ線と；上記複数のデータ線に電気的に連結され，上記データ電流に対応する光を発光する複数の画素回路と；を含み，上記画素回路は，上記データ電流に対応する電流を出力する駆動回路と；入力される電流に対応する光を発光する少なくとも二つの発光素子と；上記駆動回路の出力電流を逆多重化して上記発光素子に伝達する逆多重化部と；を備えることを特徴とする，表示パネルが提供される。
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明のさらに別の観点によれば，データ電流を伝達する複数のデータ線と，選択信号を伝達する複数の走査線と，上記データ線と上記走査線にそれぞれ連結される複数の画素回路とを含む表示装置の駆動方法であって：上記選択信号が印加されている間，上記データ電流を上記画素回路に書き込む段階と；上記データ電流に対応する電流を上記画素回路から出力する段階と；上記出力された電流を逆多重化し，少なくとも二つの発光素子のいずれか一発光素子に伝達する段階と；を含むことを特徴とする，表示装置の駆動方法が提供される。
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のさらに別の観点によれば，画像信号としてのデータ電流を出力するデータ駆動部と；上記データ電流を伝達する複数のデータ線と；上記複数のデータ線に電気的に連結される複数の画素回路と；を含み，上記画素回路は，発光信号に応じて，上記データ電流に対応する電流を出力する駆動回路と；上記駆動回路から入力される電流に応じて光を放出する発光素子と；上記駆動回路からの電流を上記発光素子に伝達するスイッチと；を含み，第１および第２画素回路を含む複数の画素回路には同一の上記発光信号が印加され，上記第１および第２画素回路の上記スイッチが交互にターンオンされることを特徴とする，表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本発明によれば，データ信号に対応する電流を複数の発光素子に逆多重化して伝達することにより，データ駆動部に含まれる集積回路の数を削減できる。
【００１３】
また，電流形態のデータ信号を使用する表示装置において，逆多重化部を使用する場合に発生するコントラスト減少の問題点を解決することができる。
【００１４】
さらに，データ書込みのための一つの回路によって，複数の発光素子の発光を制御することにより，表示パネルの開口率を増加させることができ，画素間のピッチを減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】
また，図面において，本発明を明確に説明するため，本発明の説明と関係ない部分を省略している。以降の説明において，ある部分がほかの部分に連結されているというのは，直接的に連結されている場合だけでなく，その中間にほかの素子を介して電気的に連結されている場合も含む。
【００１７】
以下，本発明の実施形態による逆多重化装置およびこれを用いる表示装置を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
図１は，本発明の第1実施形態による表示装置を示すものである。
【００１９】
図１に示すように，本発明の第１実施形態による表示装置は，表示パネル１００，走査駆動部２００，３００，データ駆動部４００，および逆多重化部５００を含む。
【００２０】
表示パネル１００には，複数のデータ線Ｄａｔａ［１］〜Ｄａｔａ［ｍ］，複数の選択走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］〜ｓｅｌｅｃｔ１［ｎ］，複数の発光走査線ｓｅｌｅｃｔ２［１］〜ｓｅｌｅｃｔ２［ｎ］，および複数の画素回路１１０を含む。複数のデータ線Ｄａｔａ［１］〜Ｄａｔａ［ｍ］は，列方向に伸びて，画像を表すデータ電流を画素回路１１０に伝達する。複数の選択走査線ｓｅｌｅｃｔ［１］〜ｓｅｌｅｃｔ［ｎ］と複数の発光走査線ｓｅｌｅｃｔ２［１］〜ｓｅｌｅｃｔ２［ｎ］は，行方向に伸びて，それぞれ選択信号と発光信号とを画素回路１１０に伝達する。各画素回路１１０は，隣接したデータ線と隣接した２本の走査線によって定められる領域に形成される。
【００２１】
走査駆動部２００は，選択走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］〜ｓｅｌｅｃｔ１［ｎ］に選択信号を順次印加し，走査駆動部３００は，発光走査線ｓｅｌｅｃｔ２［１］〜ｓｅｌｅｃｔ２［ｎ］に発光信号を順次印加する。データ駆動部４００は，信号線ＳＰ［１］〜ＳＰ［ｍ’］を介してデータ電流を逆多重化部５００に出力し，逆多重化部５００は，信号線ＳＰ［１］〜ＳＰ［ｍ’］を介して入力されたデータ電流を逆多重化してデータ線Ｄａｔａ［１］〜Ｄａｔａ［ｍ］に伝達する。
【００２２】
本発明の一実施形態によると，逆多重化部５００は１：２形態の逆多重化装置で，データ駆動部４００から入力されるデータ信号を２本のデータ線に分割して印加する。本発明の他の実施形態によると，１：３，１：４などの１：Ｎ逆多重化装置を用いることができる。かかるＮは３以下の整数に設定することが好ましい。
【００２３】
走査駆動部２００，３００，データ駆動部４００および／または逆多重化部５００は，表示パネル１００に電気的に連結され，あるいは表示パネル１００に接着されて電気的に連結されたテープキャリヤパッケージ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ；ＴＣＰ）にチップなどの形態で装着できる。そのほかに，表示パネル１００に接着されて電気的に連結された可撓性印刷回路（ｆｌｅｘｉｂｌｅ
ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ；ＦＰＣ）またはフィルムなどにチップなどの形態で装着することもできる。
【００２４】
その他の実施形態において，走査駆動部２００，３００，データ駆動部４００および／または逆多重化部５００が，表示パネル１００のガラス基板上に直接装着されるか，あるいは，走査線，データ線および薄膜トランジスタと同一層で形成された駆動回路が，ガラス基板上に直接装着されるとしても良い。
【００２５】
図２に基づいて本発明の一実施形態による逆多重化部５００を説明する。
【００２６】
図２は本発明の一実施形態による逆多重化部の内部構成を示す回路図である。
【００２７】
図２に示すように，逆多重化部５００は，信号線ＳＰ［１］〜ＳＰ［ｍ’］を介してデータ駆動部４００に連結され，１本の信号線ＳＰ［ｉ］から印加されたデータ信号を２本のデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］，Ｄａｔａ［２ｉ］に伝達する。このとき，１本の信号線ＳＰ［ｉ］には二つのスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２が連結されており，スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２はそれぞれ１本のデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］，Ｄａｔａ［２ｉ］に連結される。
【００２８】
スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２は，印加される制御信号に応じて交互にオン／オフされ，信号線ＳＰ［ｉ］からのデータ信号をそれぞれデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］，Ｄａｔａ［２ｉ］に伝達する。このようなスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２としては，ＮＭＯＳまたはＰＭＯＳなどのトランジスタ，またはこれと類似したスイッチング素子を使用することができる。
【００２９】
（第１の実施形態）
以下，図３に基づき，本発明の第１実施形態による逆多重化部の動作を説明する。
【００３０】
図３は，本発明の第１実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示すものである。図３は，データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］，Ｄａｔａ［２ｉ］と走査線ｓｅｌｅｃｔ［ｊ］，ｓｅｌｅｃｔ２［ｊ］に連結される二つの画素回路１１０ａ，１１０ｂとデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］，Ｄａｔａ［２ｉ］と信号線間に連結される逆多重化部を代表的に示す。
【００３１】
画素回路１１０ａはトランジスタＭ１〜Ｍ４，キャパシタＣｓｔ，およびＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤを含み，画素回路１１０ｂはトランジスタＭ１’〜Ｍ４’，キャパシタＣｓｔ’，およびＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ’を含む。ここで，トランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３，（Ｍ４），キャパシタＣｓｔは，駆動回路として表される。
【００３２】
まず，走査線ｓｅｌｅｃｔ［ｊ］からの選択信号がローレベルとなると，トランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ１’，Ｍ２’がターンオンされる。この際，スイッチング素子Ｓ１もターンオンすると，信号線ＳＰ［ｉ］からのデータ信号がデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］を介して画素回路１１０ａに印加される。したがって，トランジスタＭ１，Ｍ２により，駆動トランジスタとしてのトランジスタＭ３がダイオード連結状態となり，データ線［２ｉ−１］からのデータ信号に対応する電圧がキャパシタＣｓｔに書き込まれる。
【００３３】
次いで，スイッチング素子Ｓ２がターンオンされると，信号線ＳＰ［ｉ］からのデータ信号がデータ線Ｄａｔａ［２ｉ］を介して画素回路１１０ｂに印加される。また，トランジスタＭ１’，Ｍ２’によりトランジスタＭ３’がダイオード連結されるので，データ線Ｄａｔａ［２ｉ］からのデータ信号に対応する電圧がキャパシタＣｓｔ’に書き込まれる。この際，スイッチング素子Ｓ１はターンオフされているので，データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］を介して０Ａの電流が伝達され，キャパシタＣｓｔには０Ａに対応する電圧（ブランク信号）が書き込まれることとなる。
【００３４】
したがって，走査線ｓｅｌｅｃｔ２［ｊ］からの発光信号に応じてトランジスタＭ４，Ｍ４’がターンオンされ，画素回路１１０ａ，１１０ｂが発光する場合，画素回路１１０ａにおいては，０Ａの電流がＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤに流れることになる。すなわち，画素回路１１０ａは元の諧調が表示できなくてブランク状態となる。
【００３５】
上記のようなブランク状態を回避するためには，画素回路１１０ａと画素回路１１０ｂに対して別途の走査線を使用することもできるが，このように別途の走査線を追加すると配線が増え，開口率が減少し，追加走査線を制御するための走査ドライバも追加する必要が生じるので，費用が上昇することになる。
【００３６】
（第２の実施形態）
したがって，このような点を補完するため，本発明の第２実施形態による逆多重化部は，１フレームを複数のフィールドに区分し，隣接した二つの画素回路に対して交互にデータ電流を書き込む。
【００３７】
以下では，１フレームを第１フィールドおよび第２フィールドに区分し，第１フィールドおよび第２フィールドに隣接した二つの画素回路に交互にデータ電流を書き込む場合を中心に説明する。しかし，このような１フレームの区分は実施形態によって変更可能な事項であり，三つ以上の複数のフィールドに区分することもでき，フィールドごとに長さを異ならせるように設定することもできる。
【００３８】
以下，図４〜図７に基づき，本発明の第２実施形態による逆多重化部の動作を説明する。
【００３９】
まず，図４および図５に基づき，第１フィールドでの逆多重化部の動作を説明する。図４は第１フィールドでの逆多重化部の駆動タイミングを示すものであり，図５は第１フィールドで点灯する画素を示すものである。
【００４０】
第１フィールドにおいては，図４に示すように，選択信号が走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］〜ｓｅｌｅｃｔ１［ｎ］に印加される間，スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２を交互にオン／オフさせる。
【００４１】
すなわち，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］に選択信号が印加されるときは，スイッチング素子Ｓ１をターンオンさせ，スイッチング素子Ｓ２をターンオフさせる。この場合，データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］にのみデータ信号が印加され，データ線Ｄａｔａ［２ｉ］に関してはデータ信号が遮断される。したがって，走査線ｓｅｌｅｃｔ２［１］に発光信号が印加されると，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］とデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］に連結された画素回路１１０ａは発光し，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］とデータ線Ｄａｔａ［２ｉ］に連結された画素回路１１０ｂはブランク状態となって発光しない。
【００４２】
このような発光信号は，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］に印加される選択信号のイネーブル区間が終わった後，走査線ｓｅｌｅｃｔ２［１］に印加されることが好ましい。
【００４３】
また，発光信号を伝達する走査線ｓｅｌｅｃｔ２［１］〜ｓｅｌｅｃｔ２［ｎ］を除去し，図３の画素回路において，トランジスタＭ４，Ｍ４’をＮＭＯＳトランジスタに置き換え，トランジスタＭ４，Ｍ４’のゲートを走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］〜ｓｅｌｅｃｔ１［ｎ］に連結することもできる。かかる構成では，選択信号のイネーブル区間が終わると同時に排他的に画素回路を発光させるができる。
【００４４】
次いで，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［２］に選択信号が印加されて，スイッチング素子Ｓ２がターンオンされ，スイッチング素子Ｓ１がターンオフされる。すると，データ線Ｄａｔａ［２ｉ］にだけデータ信号が印加され，データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］に対してはデータ信号が遮断される。したがって，走査線ｓｅｌｅｃｔ２［２］に発光信号が印加されると，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［２］とデータ線Ｄａｔａ［２ｉ］が連結される画素回路（図示せず）は発光し，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［２］とデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］が連結される画素回路（図示せず）はブランク状態となって発光しない。
【００４５】
このような方法により，走査線ｓｅｌｅｃｔ１［３］〜ｓｅｌｅｃｔ１［ｎ］に選択信号が印加される間にスイッチング素子Ｓ１およびスイッチング素子Ｓ２を交互にオン／オフさせることにより，データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］とデータ線Ｄａｔａ［２ｉ］にデータ信号を順次印加する。こうすると，図５に示すように，第１フィールドにおいては，奇数番目走査線ｓｅｌｅｃｔ１［２ｊ−１］と奇数番目データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］に連結された画素回路と，偶数番目走査線ｓｅｌｅｃｔ１［２ｊ］と偶数番目データ線Ｄａｔａ［２ｉ］に連結された画素回路にのみデータ信号が書き込まれる。そして，データ信号が書き込まれた画素回路は，後述する第２フィールドによりブランク状態となるまで，すなわち１フレームのおよそ１／２期間の間中発光する。もちろん，発光信号のタイミングを調節することで，これら画素回路が発光する期間を増減することもできる。
【００４６】
以下，図６および図７に基づいて第２フィールドでの逆多重化部の動作を説明する。図６は第２フィールドでの逆多重化部の駆動タイミングを示すものであり，図７は第２フィールドで点灯する画素を示すものである。
【００４７】
第２フィールドにおいては，図６に示すように，選択信号が走査線ｓｅｌｅｃｔ１［１］〜ｓｅｌｅｃｔ１［ｎ］に印加される間，２本の隣接したデータ線Ｄａｔａ［２ｉ］，Ｄａｔａ［２ｉ−１］に交互にデータ信号が印加されるようにスイッチング素子Ｓ２，Ｓ１がオン／オフされる。
【００４８】
ただし，第２フィールドにおいては，第１フィールドと逆にスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２をオン／オフさせることにより，図７に示すように，第１フィールドで点灯した画素回路が消灯するようにする。
【００４９】
このように，本発明の第２実施形態においては，１フレームのおよそ半分の期間のみ発光させるデューティ駆動方式を用いるので，一般の駆動方式に比べ，データ電流の大きさを２倍に増大するとしても良い。このように，データ電流の大きさを２倍にすると，逆多重化部の使用により発生するデータ書込み時間の縮小問題を解決することができる。
【００５０】
しかし，本発明の第２実施形態による逆多重化部を使用した結果，データ信号が書き込まれなかった画素回路が発光する問題が生じた。これはデータ線に存在する寄生成分に起因するものであり，データ線に存在する寄生キャパシタンス成分により，画素回路のキャパシタが十分に放電しないことを原因としている。
【００５１】
図８は，データ線に存在する寄生成分を寄生抵抗成分Ｒ１〜Ｒ４と寄生キャパシタンス成分Ｃ１，Ｃ２に分離して例示的に示したものである。
【００５２】
図８に示すように，データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］，Ｄａｔａ［２ｉ］に寄生キャパシタンス成分Ｃ１，Ｃ２が存在すると，選択走査線ｓｅｌｅｃｔ１［ｊ］に選択信号が印加される場合，画素回路１１０ａのトランジスタＭ１，Ｍ２と画素回路１１０ｂのトランジスタＭ１’，Ｍ２’により，画素回路１１０ａ，１１０ｂのキャパシタＣｓｔ，Ｃｓｔ’と寄生キャパシタンス成分Ｃ１，Ｃ２が互いに連結される。
【００５３】
したがって，データ電流が逆多重化されてデータ線Ｄａｔａ［２ｉ］，Ｄａｔａ［２ｉ−１］に書き込まれる場合，画素回路１１０ａ，１１０ｂのキャパシタＣｓｔ，Ｃｓｔ’には，データ電流に対応する電圧が蓄積（充電）され，データ線Ｄａｔａ［２ｉ］，Ｄａｔａ［２ｉ−１］に存在する寄生キャパシタンスＣ１，Ｃ２の電圧もデータ電流によって変化してしまう。
【００５４】
この際，データ電流が少ないほど寄生キャパシタンス成分Ｃ１，Ｃ２の電圧を変更するのにかかる時間が増加し，その結果，画素回路１１０ａ，１１０ｂのキャパシタＣｓｔ，Ｃｓｔ’に，データ電流に対応する電圧が蓄積されるのに長い時間が必要となる。
【００５５】
したがって，選択走査線ｓｅｌｅｃｔ１［ｊ］に選択信号が印加される間，画素回路１１０ａ，１１０ｂに０Ａの電流が印加されず，あるいはスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２が開いている場合，画素回路１１０ａ，１１０ｂのキャパシタＣｓｔ，Ｃｓｔ’が十分に放電されない。その結果，発光走査線ｓｅｌｅｃｔ２［ｊ］に発光信号が印加されたとき，キャパシタＣｓｔ，Ｃｓｔ’の電圧によりＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’が発光する現象が生じる。
【００５６】
特に，特定画素回路（例えば，画素回路１１０ａ）にブラックを表示しようとする場合にも画素回路１１０ａが発光するので，ブラックの画像が正常に表現されず，表示パネルのコントラストが低下する問題がある。
【００５７】
（第３の実施形態）
したがって，本発明の第３実施形態においては，画素回路１１０ａ，１１０ｂの駆動トランジスタＭ３，Ｍ３’とＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’間にスイッチング素子をさらに接続してオン／オフを制御することにより，０Ａのデータ電流を書き込むか，あるいはスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２をターンオフさせ，データを書き込まれなかった場合に寄生成分により画素回路１１０ａ，１１０ｂが発光する問題を解決する。
【００５８】
図９は，本発明の第３実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示すものである。
【００５９】
本発明の第３実施形態による画素回路は，図９に示すように，駆動トランジスタＭ３，Ｍ３’とＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’間に連結されたスイッチング素子Ｅ１，Ｅ２をさらに含むという点で，図３に示した画素回路と相違する。
【００６０】
このように，スイッチング素子Ｅ１，Ｅ２をさらに含む場合，第１フィールドで，スイッチング素子Ｅ１をターンオンさせることによりトランジスタＭ３の電流をＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤに伝達し，スイッチング素子Ｅ２をターンオフさせることで，トランジスタＭ３’の電流がＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ’に流れることを遮断する。同様に，第２フィールドで，スイッチング素子Ｅ２をターンオンさせたままでスイッチング素子Ｅ１をターンオフさせ，画素回路１１０ａのＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤに電流が流れることを遮断する。
【００６１】
これにより，第１フィールドでは，キャパシタＣｓｔに蓄積された，データに対応する電流がＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤに流れ，第２フィールドでは，キャパシタＣｓｔ’に蓄積された，データに対応する電流がＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ’に流れる。
【００６２】
また，データ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］，Ｄａｔａ［２ｉ］に存在する寄生キャパシタンス成分によりブラック画像を表示すべき画素回路が発光することが防止されるので，ブラック画像の平均輝度を低めることができ，表示パネルのコントラストを改善することができる。
【００６３】
（第４の実施形態）
図１０は，本発明の第４実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示すものである。
【００６４】
本発明の第４実施形態においては，画素回路１１０ａのトランジスタＭ１〜Ｍ４とキャパシタＣｓｔが除去され，スイッチング素子Ｅ１，Ｅ２がトランジスタＭ４’およびＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’間に接続されるという点で，図９に示す実施形態と相違する。
【００６５】
具体的に説明すると，本発明の第３実施形態において，トランジスタＭ３，Ｍ３’は相違した時間に電流を導通させ，スイッチング素子Ｅ１，Ｅ２は同時にターンオンされない。従って，画素回路１１０ａのトランジスタＭ１〜Ｍ４を除去し，トランジスタＭ４に連結されたスイッチング素子Ｅ１の一電極とトランジスタＭ４’に連結されたスイッチング素子Ｅ２の一電極を併合することができる。
【００６６】
この際，画素回路１１０ｂのトランジスタＭ１’〜Ｍ４’は第１フィールドでトランジスタＭ１〜Ｍ４の役割をし，トランジスタＭ４’に一電極が連結されたスイッチング素子Ｅ１，Ｅ２は，トランジスタＭ３’から流れる電流を逆多重化してＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’に伝達する逆多重化部として機能する。かかる逆多重化部の出力電流は，発光素子（ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’）が表示する全諧調に対し一対一に対応するレベルを有している。
【００６７】
これにより，一つの画素回路１１０ｂのみで，二つＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’に流れる電流を供給することができる。
【００６８】
（第５の実施形態）
図１１は，本発明の第５実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示すものである。
【００６９】
本発明の第５実施形態においては，図１０のスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２が除去されるという点で，本発明の第４実施形態と相違する。
【００７０】
具体的に，逆多重化部としてのスイッチング素子Ｅ１，Ｅ２がトランジスタＭ３’からの電流を逆多重化してＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’に伝達する場合，スイッチング素子Ｓ１は第１フィールドおよび第２フィールドでターンオフされるとともにスイッチング素子Ｓ２は第１フィールドおよび第２フィールドでターンオンされるべきである。したがって，第１フィールドおよび第２フィールドでデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］を使用しなくなるので，スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２とデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］を除去することができる。
【００７１】
したがって，本発明の第５実施形態においては，逆多重化部が画素回路に内蔵され，図１３に示すように，表示装置は，逆多重化部が画素領域１００の内部に吸収された形態を有する。
【００７２】
（第６の実施形態）
図１２は，本発明の第６実施形態による画素回路と逆多重化部の連結関係を示すものである。
【００７３】
本発明の第６実施形態による画素回路は，図１１の実施形態によるトランジスタＭ４’が除去されるという点で，本発明の第４実施形態による画素回路と相違する。
【００７４】
具体的に，図１１に示す実施形態において，トランジスタＭ４’がターンオフするときと同タイミングでスイッチング素子Ｅ１，Ｅ２をターンオフすると，トランジスタＭ４’の機能をスイッチング素子Ｅ１，Ｅ２が代行できる。
【００７５】
このように，二つのデータ信号に対応する電流をスイッチング素子Ｅ１，Ｅ２で逆多重化させることにより，データ駆動部４００の集積回路の数を削減できる。
【００７６】
この際，データ線Ｄａｔａ［２ｉ］には，ＯＬＥＤ素子ＯＬＥＤ，ＯＬＥＤ’が表現すべき画像に対応するデータ信号が順次印加され，本発明の逆多重化部が赤色（ｒｅｄ），緑色（ｇｒｅｅｎ），青色（ｂｌｕｅ）を表現する表示装置に適用される場合には，１本のデータ線に少なくとも２色に対応するデータ信号，つまり電流範囲の相違したデータ信号が印加できる。
【００７７】
（第７の実施形態）
図１３は，本発明の第７実施形態による表示装置を示すもので，逆多重化部が画素領域１００に内蔵されている場合を示すものである。
【００７８】
前述したように，図１１または図１２に示す画素回路を使用する場合，逆多重化部が画素領域に吸収され，画素回路１１０ａのトランジスタＭ１〜Ｍ４とデータ線Ｄａｔａ［２ｉ−１］が除去され，表示パネルの開口率が増加する。
【００７９】
また，画素回路内に逆多重化部が形成されるので，一つの画素回路で複数のＯＬＥＤ素子を駆動することができる。したがって，画素間のピッチが減少し，単位長当たり画素数を増加させることができる。
【００８０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８１】
例えば，図３に示す画素回路は，本発明の一実施形態による画素回路であって，図３に示す画素回路のほかに，データ信号を入力し，データ信号に対応する電流を出力し得る様々な他の回路にも具現することができる。
【００８２】
また，図２〜図１２に示すスイッチング素子は，ＮチャンネルまたはＰチャンネルを有するトランジスタで形成することができる。このようなトランジスタは，表示パネルのガラス基板上に形成されるゲート電極，ドレイン電極，およびソース電極をそれぞれ第１〜第３電極として有する薄膜トランジスタに形成することが好ましい。
【００８３】
そして，一つの駆動トランジスタに複数のスイッチング素子を含む逆多重化部が接続されることにより，複数のＯＬＥＤ素子に電流を逆多重化して伝達することができる。従って，本発明の逆多重化部は１：２逆多重化部に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は，データ駆動部の集積回路の数を減少させるための表示装置の駆動方法とこれを用いる表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置を示す概略平面図である。
【図２】本発明の一実施形態による逆多重化部の内部構成を示す回路図である。
【図３】本発明の第１実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示す回路図である。
【図４】本発明の第２実施形態による逆多重化部の第１フィールドでの駆動タイミングを示す図である。
【図５】第１フィールドで点灯する画素を示す概略平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による逆多重化部の第２フィールドでの駆動タイミングを示す駆動タイミング図である。
【図７】第２フィールドで点灯する画素を示す概略平面図である。
【図８】データ線に存在する寄生成分を寄生抵抗成分と寄生キャパシタンス成分に分離して例示した回路図
【図９】本発明の第３実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示す回路図である。
【図１０】本発明の第４実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示す回路図である。
【図１１】本発明の第５実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示す回路図である。
【図１２】本発明の第６実施形態による逆多重化部と画素回路の連結関係を示す回路図である。
【図１３】本発明の第７実施形態による表示装置を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１００    表示パネル
１１０，１１０ａ，１１０ｂ    画素回路
２００，３００    走査駆動部
４００    データ駆動部
５００    逆多重化部
【図１】
2006018232.tif 000003
【図２】
2006018232.tif 000004
【図３】
2006018232.tif 000005
【図４】
2006018232.tif 000006
【図５】
2006018232.tif 000007
【図６】
2006018232.tif 000008
【図７】
2006018232.tif 000009
【図８】
2006018232.tif 000010
【図９】
2006018232.tif 000011
【図１０】
2006018232.tif 000012
【図１１】
2006018232.tif 000013
【図１２】
2006018232.tif 000014
【図１３】
2006018232.tif 000015