(57)【要約】【課題】ダイ電極部を内部空間の底部に設置するスペースを十分に稼ぐことができ、作業工程の簡単化及び作業時間の短縮化を図りかつ中空プラスチックパッケージの気密性を確保し得る中空プラスチックパッケージ及びその製造方法並びにこれを用いた電子機器を提供する。【解決手段】ＰＤ素子搭載可能な内部空間11に対し内外方向に延びる第１及び第２リード31,32を上型と下型との間に挟み込んだ状態で樹脂モールドして成形するとともに、内部空間を透明カバー13によりキャップ封止する中空プラスチックパッケージ1として、第１及び第２リードを、内部空間に対し内側端子部311,321を臨ませる一方、外側端子部312を外方に露呈させるように配する。第１及び第２リードの外側端子部の根元部分において上側樹脂部分121を、ワイヤーボンディング面311aを上にした状態で各リードと直交する方向から見た際に下側樹脂部分122よりも外方に張り出させるように成形している。【選択図】図４
2006086282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ搭載可能な断面凹字状の内部空間を有し、かつこの内部空間に対し内外方向に延びるリードを上型と下型との間に挟み込んだ状態で樹脂モールドされて成形されているとともに、上記内部空間をカバーによりキャップ封止されるようにした中空プラスチックパッケージであって、
上記リードは、上記内部空間に対し内側端子部を臨ませる一方、内部空間に対し外側端子部を外方に露呈させるように配されており、
上記リードの外側端子部の根元部分においてその外側端子部の上側を覆う上側樹脂部分は、内側端子部のワイヤーボンディング面を上にした状態でリードと直交する方向から見た際に外側端子部の下側を覆う下側樹脂部分よりも外方に張り出すように成形されていることを特徴とする中空プラスチックパッケージ。
【請求項２】
上記請求項１に記載の中空プラスチックパッケージにおいて、
リードの外側端子部の根元部分を覆う上側樹脂部分の下側樹脂部分に対する外方への張り出し寸法差は、０．０５ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする中空プラスチックパッケージ。
【請求項３】
上記請求項１または請求項２に記載の中空プラスチックパッケージにおいて、
内部空間に対し内外方向に延びるリードのうちの内部空間の底面に対し内側端子部を露呈させたリードは、その周囲が内部空間の底面に埋設されたダイ電極部を構成していることを特徴とする中空プラスチックパッケージ。
【請求項４】
半導体チップ搭載可能な内部空間を形成する凸部を有する上型と下型との間に、上記内部空間に対し内外方向に延びるリードを挟み込んだ状態で樹脂モールドにより成形し、上記内部空間をカバーによりキャップ封止される中空プラスチックパッケージの製造方法であって、
上記リードの外側端子部を挟み込む上型と下型との間の隙間がリードの厚みよりも小さく、かつ上記リードの外側端子部の根元部分に対する上型の接触個所の内端が下型の接触個所の内端よりも外方に位置するような上型および下型を用い、
上記上型と下型との型閉め時、その型閉め力の作用によりリードの内側端子部を上型側に反らせてワイヤボンディング面を上型に押し当てることによって、この内側端子部のワイヤボンディング面への樹脂の流れ込みを防止するようにしていることを特徴とする中空プラスチックパッケージの製造方法。
【請求項５】
上記請求項４に記載の中空プラスチックパッケージの製造方法において、
リードの外側端子部の根元部分に対する上型の接触個所の内端は、下型の接触個所の内端よりも０．０５ｍｍ以上外側に位置していることを特徴とする中空プラスチックパッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか１つに記載の中空プラスチックパッケージまたはその製造方法を用い、
内部空間に半導体チップが搭載され、この半導体チップとリードの内側端子部とが導通されてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光ディスク装置に用いられる受光素子などの半導体チップを搭載可能な内部空間を有し、かつこの内部空間に対し内外方向に延びるリードを上型と下型との間に挟み込んだ状態で樹脂モールドされて成る中空プラスチックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、この種中空プラスチックパッケージには、カンパッケージ、セラミックパッケージ、透明樹脂封止型樹脂パッケージの３種類があり、いずれのパッケージにおいても、半導体チップを外部環境から保護する目的を担っている。そして、いずれのパッケージも半導体チップが内部空間に保持されているため、内部空間に対し内側端子部を臨ませて内外方向に延びかつ内部空間に対し外方に外側端子部を露呈させるように内外方向に延びるリードによって、半導体チップとの電気信号が内側端子部から外側端子部を経て伝達されるようになっている。また、半導体チップと内側端子部との接続は金線ワイヤーボンディングにより行われている。この場合、それぞれのパッケージは、価格的に高い順番に並べると、カンパッケージ、セラミックパッケージ、透明樹脂封止型樹脂パッケージの順となる。
【０００３】
ところで、最近、図１３に示すように、セラミックパッケージのセラミックを樹脂にして低価格を実現した中空プラスチックパッケージａ１が提案されている。この中空プラスチックパッケージａ１は、図１４に示すように、リードフレームからトリミングされたリードａ２を上型ｂ１と下型ｂ２との間に挟み込んだ状態で配置し、インサート成形を行うことにより製造される。具体的には、上型ｂ１および下型ｂ２を加熱することにより液状になった樹脂ａが、プランジャｂ３に押されてランナーｂ４を通りゲートｂ５から上型ｂ１および下型ｂ２により形成されたキャビティｂ１１，ｂ２１内に充填され、硬化されることにより中空プラスチックパッケージａ１が形成される。
【０００４】
しかし、通常のインサート成形では、上型ｂ１のキャビティｂ１１から下型ｂ２のキャビティｂ２１に流入する樹脂ａの下方圧やリードａ２の自重などによって内側端子部ａ２１が下方に押し下げられ、内側端子部ａ２１のワイヤボンディング面ａ２２に樹脂ａが流れ込んで内側端子部ａ２１の露出部分（ワイヤーボンディング面ａ２２）が無くなり、ワイヤーボンディングができないという問題が発生していた。
【０００５】
そこで、図１５に示すように、内部空間ａ３に臨ませたリードａ２の内側端子部ａ２１のワイヤーボンディング面ａ２２よりも内方に延びる内方側部分ａ２３を下型ｂ２側へ折曲させ、その折曲側端部（内方側部分ａ２３）の先端を下型ｂ２に接触させることにより、その折曲側端部の先端を支えにしてリードａ２の内側端子部ａ２１を上型ｂ１に押し当てることにより、ワイヤボンディング面ａ２２への樹脂ａの流れ込みを防止して中空プラスチックパッケージａ１を成形するようにしたものが従来より知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
また、その他には、図１６に示すように、下型ｂ２の挿通孔ｂ２１を介して挿通されるサポートピンｃによってリードａ２の内側端子部ａ２１のワイヤーボンディング面ａ２２を下方から上型ｂ１に押し当てることにより、リードａ２に内側端子部ａ２１（ワイヤーボンディング面ａ２２）よりも下型ｂ２側へ折曲する内方側部分ａ２３を不要にしつつ、ワイヤボンディング面ａ２２への樹脂ａの流れ込みを防止して中空プラスチックパッケージａ１を成形するようにしたものも知られている（例えば、特許文献２参照）。この場合、成形された中空プラスチックパッケージａ１には、サポートピンｃによる貫通穴ａ１１が開孔しているため、離型後に貫通孔ａ１１に対し樹脂ａを充填して閉塞するようにしている。
【特許文献１】特開２０００−３５３７５８号公報。
【特許文献２】特開２０００−３５３７５９号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記従来の前者のものでは、リードａ２の内方側部分ａ２３を下型ｂ２側に折り曲げているために内部空間ａ３での占有スペースが大きくなり、半導体チップの裏面に対し導通を取るためのダイ電極部を内部空間ａ３の底部に設置するためのスペースが確保し難いものとなる。
【０００８】
一方、上記従来の後者のものでは、サポートピンｃによってリードａ２のワイヤーボンディング面ａ２２を下方から上型ｂ１に押し当てているため、離型後に貫通孔ａ１１に対し樹脂ａを充填して閉塞する作業行程が必要となり、その作業工程が煩わしく、作業時間も要することになる。また、貫通孔ａ１１に対する樹脂ａの充填が不十分であると、中空プラスチックパッケージａ１の気密性が損なわれて、半導体チップの耐湿性が悪化する上、ワイヤーボンド時の超音波エネルギーが逃げるためにワイヤーボンドができなくなるといった欠点を有している。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、リードの内方側部分を下型側に折り曲げたり、サポートピンを用いたりすることなく、リードのワイヤーボンディング面を上型に押し当てて、ダイ電極部を内部空間の底部に設置するスペースを十分に稼ぐことができ、サポートピンによる貫通穴をなくして作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図りかつ中空プラスチックパッケージの気密性を確保することができる中空プラスチックパッケージおよびその製造方法並びにこれを用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明では、半導体チップ搭載可能な断面凹字状の内部空間を有し、かつこの内部空間に対し内外方向に延びるリードを上型と下型との間に挟み込んだ状態で樹脂モールドされて成形されているとともに、上記内部空間をカバーによりキャップ封止されるようにした中空プラスチックパッケージを前提とし、上記リードを、上記内部空間に対し内側端子部を臨ませる一方、内部空間に対し外側端子部を外方に露呈させるように配する。そして、上記リードの外側端子部の根元部分においてその外側端子部の上側を覆う上側樹脂部分を、内側端子部のワイヤーボンディング面を上にした状態でリードと直交する方向から見た際に外側端子部の下側を覆う下側樹脂部分よりも外方に張り出させるように成形している。
【００１１】
この特定事項により、リードの外側端子部の根元部分においてその外側端子部の上側を覆う上側樹脂部分が、内側端子部のワイヤーボンディング面を上にした状態でリードと直交する方向から見た際に外側端子部の下側を覆う下側樹脂部分よりも外方に張り出すように成形されているので、型閉め時に下型からの型閉め力が上型からの型閉め力よりも内方からリードの外側端子部の根元部分に対し作用することになる。このため、内部空間に対し内外方向に延びるリードの内側端子部には、上型と下型との間に挟み込まれた際の型閉め力が外側端子部の根元部分を支点にして内側端子部を上方に反らせるように作用してワイヤボンディング面が上型に押し当てられることになり、上型のキャビティから下型のキャビティに流入する樹脂の下方圧やリードの自重などによって内側端子部が下方に押し下げられることがなく、内側端子部のワイヤボンディング面への樹脂の流れ込みが確実に防止されることになる。これにより、リードの内方側部分を下型側に折り曲げてワイヤーボンディング面を下方から上型に押し当てることによってワイヤボンディング面への樹脂の流れ込みを防止する必要がなく、ダイ電極部を内部空間の底部に設置するスペースを十分に稼ぐことが可能となる。しかも、サポートピンによってリードのワイヤーボンディング面を下方から上型に押し当てる必要もなく、貫通孔に対し樹脂を充填して閉塞する作業行程を廃止して、作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図り、かつ中空プラスチックパッケージの気密性を確保して半導体チップの耐湿性の向上および良好なワイヤーボンドを行うことが可能となる。
【００１２】
特に、外側端子部の根元部分を覆う上側樹脂部分の下側樹脂部分に対する外方への張り出し寸法差を特定するものとして、以下の構成が掲げられる。
【００１３】
つまり、リードの外側端子部の根元部分を覆う上側樹脂部分の下側樹脂部分に対する外方への張り出し寸法差を０．０５ｍｍ以上に設定している。
【００１４】
この特定事項により、リードの内側端子部は、僅かな張り出し寸法差（０．０５ｍｍ以上）を持たせた上型と下型との型閉め力によって上型に押し当てられて内側端子部のワイヤボンディング面への樹脂の流れ込みが確実に防止されることになり、リードの外側端子部の根元部分での上側樹脂部分と下側樹脂部分との張り出し寸法差による違和感が解消される。
【００１５】
特に、ダイ電極部を特定するものとして、以下の構成が掲げられる。
【００１６】
つまり、内部空間に対し内外方向に延びるリードのうちの内部空間の底面に対し内側端子部を露呈させたリードの周囲を内部空間の底面に埋設させ、その周囲を内部空間の底面に埋設させたリードによってダイ電極部を構成している。
【００１７】
この特定事項により、内側端子部の周囲が内部空間の底面に埋設され、半導体チップを搭載するダイ電極部のみが上方に露出しているので、半導体チップの裏面に対する導通を円滑に行うことが可能となる。
【００１８】
特に、このような中空プラスチックパッケージの製造方法として、以下の構成が掲げられる。
【００１９】
つまり、半導体チップ搭載可能な内部空間を形成する凸部を有する上型と下型との間に、上記内部空間に対し内外方向に延びるリードを挟み込んだ状態で樹脂モールドにより成形し、上記内部空間をカバーによりキャップ封止される中空プラスチックパッケージの製造方法として、上記リードの外側端子部を挟み込む上型と下型との間の隙間がリードの厚みよりも小さく、かつ上記リードの外側端子部の根元部分に対する上型の接触個所の内端が下型の接触個所の内端よりも外方に位置するような上型および下型を用いる。そして、上記上型と下型との型閉め時、その型閉め力の作用によりリードの内側端子部を上型側に反らせてワイヤボンディング面を上型に押し当てることによって、この内側端子部のワイヤボンディング面への樹脂の流れ込みを防止するようにしている。
【００２０】
この特定事項により、ダイ電極部を内部空間の底部に設置するスペースを十分に稼ぎ、しかも、サポートピンを廃止した作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図り、かつ気密性を確保して半導体チップの耐湿性の向上および良好なワイヤーボンドを行い得る中空プラスチックパッケージを製造することが可能となる。
【００２１】
また、リードの外側端子部の根元部分に対する上型の接触個所の内端を、下型の接触個所の内端よりも０．０５ｍｍ以上外側に位置させている場合には、リードの外側端子部の根元部分での上側樹脂部分と下側樹脂部分との張り出し寸法差による違和感を解消し得る中空プラスチックパッケージを製造することが可能となる。
【００２２】
特に、このような中空プラスチックパッケージまたはその製造方法を用いた電子機器として、以下の構成が掲げられる。
【００２３】
つまり、上述した中空プラスチックパッケージまたはその製造方法を用い、内部空間に半導体チップを搭載し、この半導体チップとリードの内側端子部とを導通させて電子機器を構成している。
【００２４】
この特定事項により、ダイ電極部を内部空間の底部に設置するスペースを十分に稼ぎ、しかも、サポートピンを廃止した作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図り、かつ気密性を確保して半導体チップの耐湿性の向上および良好なワイヤーボンドを行い得る中空プラスチックパッケージまたはその製造方法を用いた電子機器を提供することが可能となる。
【発明の効果】
【００２５】
以上、要するに、リードの外側端子部の根元部分においてその外側端子部の上側を覆う上側樹脂部分を、内側端子部のワイヤーボンディング面を上にした状態でリードと直交する方向から見た際に外側端子部の下側を覆う下側樹脂部分よりも外方に張り出させるように成形することで、上型と下型との間に挟み込んだ際の型閉め力を外側端子部の根元部分を支点にして内側端子部が上方に反るように作用させてワイヤボンディング面を上型に押し当てることによって内側端子部のワイヤボンディング面への樹脂の流れ込みを確実に防止し、ダイ電極部を内部空間の底部に設置するスペースを十分に稼ぐことができ、サポートピンを廃止した作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図り、かつ気密性を確保して半導体チップの耐湿性の向上およびワイヤーボンドを良好に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
【００２７】
図１は中空プラスチックパッケージに半導体チップとしてのＰＤ素子を搭載した電子機器の平面図、図２は同電子機器の正面図、図３は同電子機器の側面図、図４は同電子機器のＡ−Ａ線における断面図、図５は同電子機器のＢ−Ｂ線における断面図である。
【００２８】
これらの図１ないし図５において、Ｘは平面視で略矩形状を呈する電子機器であって、中空プラスチックパッケージ１内にＰＤ素子２が搭載されている。上記中空プラスチックパッケージ１は、中央部にＰＤ素子２を搭載するための断面略凹字状の内部空間１１を有する樹脂製ケース１２と、その内部空間１１上縁の段差部１１ａに接着剤により固着され、上記内部空間１１内を気密封止（キャップ封止）するカバーとしてのガラス製の透明カバー１３とで構成されている。
【００２９】
また、上記樹脂ケース１２には、内部空間１１に対し内外方向（図１および図４では左右方向）に延びる複数の第１リード３１，３１，…が設けられている。この各第１リード３１は、その内側端子部３１１を内部空間１１の周囲近傍に臨ませる一方、外側端子部３１２を樹脂製ケース１２よりも外方に露呈させるように配されている。そして、上記各第１リード３１の内側端子部３１１は、その周囲が内部空間１１周囲の樹脂ケース１２に埋設されて上面のみを露呈させたワイヤーボンディング面３１１ａを構成している。
【００３０】
また、図６に示すように、樹脂ケース１２には、内部空間１１に対し内外方向（図６では左右方向）に延びる内方端から略９０゜折れ曲がって内部空間１１に向かって延びる単一の第２リード３２が設けられている。この第２リード３２は、その内側端子部３２１を内部空間１１の底面に臨ませる一方、外側端子部３２２を樹脂製ケース１２よりも外方に露呈させるように配されている。また、上記第２リード３２の内側端子部３２１は、その周囲が内部空間１１の底面に埋設されて上面のみを露呈させたダイ電極部３２１ａを構成している。そして、このダイ電極部３２１ａ（内側端子部３２１）上にＰＤ素子２が銀ペーストなどの導電性接着剤により固定され、ＰＤ素子２の裏面電極とダイ電極部３２１ａとの導通が取られるようになっていて、電子機器ＸではＰＤ素子２のカソードが電気的接続されることになる。また、図１および図４では一箇所のみ示すが、ＰＤ素子２の表面電極２１と第１リード３１の内側端子部３１１のワイヤーボンディング面３１１ａとは、ワイヤボンディング線４により導通が取られるようになっていて、電子機器ＸではＰＤ素子２のアノードが電気的接続されることになる。この場合、図６に示すように、第１リード３１および第２リード３２は、リードフレーム３からトリミングされて形成されるようになっている。
【００３１】
そして、上記樹脂ケース１２の第１リード３１および第２リード３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分においてそれぞれの外側端子部３１２，３２２の上側を覆う上側樹脂部分１２１は、内側端子部３１１，３２１のワイヤーボンディング面３１１ａおよびダイ電極部３２１ａを上にした状態で第１リード３１および第２リード３２の外側端子部３１２，３２２と直交する方向から見た際に外側端子部３１２，３２２の下側を覆う下側樹脂部分１２２よりも外方に張り出すように成形されている。この場合、第１リード３１および第２リード３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分を覆う上側樹脂部分１２１の下側樹脂部分１２２に対する外方への張り出し寸法差は、０．０５ｍｍ以上に設定されている。
【００３２】
次に、中空プラスチックパッケージ１の製造方法の一例を図７ないし図１２に基づいて説明する。この場合、上型５には、ＰＤ素子２を搭載可能とする内部空間１１を形成する凸部５１が設けられている。
【００３３】
先ず、図７に示すように、リードフレーム３を上型５と下型６との間に挟み込んだ状態で樹脂モールドされるようにインサートする。
【００３４】
この場合、図８に示すように、リードフレーム３の厚み、つまり第１リード３１および第２リード３２の厚みがＴ１であるのに対し、図９に示すように、上型５と下型６を型閉じめした際の上型５と下型６との間のリード設置場所の間隙Ｓ（隙間）はＴ１よりも小さいＴ２に設定されており、中空プラスチックパッケージ１を製造する上で用いられる上型５および下型６としては、第１リード３１の厚みＴ１よりもリード設置場所の間隙Ｔ２の方が小さくなるように設定されたものが用いられている。また、第１リード３１および第２リード３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分に対する上型５の接触個所の内端が下型６の接触個所の内端よりも外方に位置するような上型５および下型６が用いられている。
【００３５】
そして、図１０に示すように、上記上型５と下型６との型閉め時、図１１に二点差線で示すように、その型閉め力を第１リード３１の内側端子部３１１が上型５側に反るように作用させてワイヤボンディング面３１１ａを上型５に押し当てる。このとき、下型６のポット６１内にエポキジ樹脂などの熱硬化性樹脂タブレットＲを予め投入しておく。
【００３６】
その後、上型５および下型６を加熱することにより、図１２に示すように、下型６のポット６１内の熱硬化性樹脂Ｒを熱溶融し、プランジャ６２を上昇させてポット６１内の熱硬化性樹脂Ｒをランナ５２を経由して上型５および下型６のキャビティ５ａ，６ａ内に圧送充填する。
【００３７】
そして、所定の熱硬化時間を経た後、上型５および下型６を分離し、成型品としての中空プラスチックパッケージ１の樹脂ケース１２を取り出す。
【００３８】
このように、第１リード３１および第２リード３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分においてその外側端子部３１２，３２２の上側を覆う上側樹脂部分１２１が、内側端子部３１１，３２１のワイヤーボンディング面３１１ａおよびダイ電極部３２１ａを上にした状態で第１リード３１および第２リード３２と直交する方向から見た際に外側端子部３１２，３２２の下側を覆う下側樹脂部分１２２よりも外方に張り出すように成形されているので、型閉め時に下型６からの型閉め力が上型５からの型閉め力よりも内方から第１リード３１および第２リード３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分に対し作用することになる。このため、内部空間１１に対し内外方向に延びる第１リード３１および第２リード３２の内側端子部３１１，３２１には、上型５と下型６との間に挟み込まれた際の型閉め力を外側端子部３１２，３２２の根元部分を支点にして上方に反るように作用して内側端子部３１１，３２１のワイヤーボンディング面３１１ａおよびダイ電極部３２１ａが上型５に押し当てられることになり、上型５のキャビティ５ａから下型６のキャビティ６ａに流入する熱硬化性樹脂Ｒの下方圧や第１リード３１および第２リード３２の自重などによって内側端子部３１１，３２１が下方に押し下げられることがなく、内側端子部３１１，３２１のワイヤボンディング面３１１ａおよびダイ電極部３２１ａへの熱硬化性樹脂Ｒの流れ込みが確実に防止されることになる。これにより、第１リードの内方側部分を下型側に折り曲げてワイヤーボンディング面を下方から上型に押し当てることによってワイヤボンディング面への樹脂の流れ込みを防止する必要がなく、ダイ電極部３２１ａを内部空間１１の底部に設置するスペースを十分に稼ぐことができる。しかも、サポートピンによってリードのワイヤーボンディング面を下方から上型に押し当てる必要もなく、貫通孔に対し樹脂を充填して閉塞する作業行程を廃止して、作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図り、かつ中空プラスチックパッケージ１の気密性を確保してＰＤ素子２の耐湿性の向上および良好なワイヤーボンドを行うことができる。
【００３９】
また、第１リード３１および第２リード３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分を覆う上側樹脂部分１２１の下側樹脂部分１２２に対する外方への張り出し寸法差が０．０５ｍｍ以上に設定されているので、第１リード３１および第２リード３２の内側端子部３１１，３２１は、僅かな張り出し寸法差（０．０５ｍｍ以上）を持たせた上型５と下型６との型閉め力によって上型５に押し当てられて内側端子部３１１，３２１のワイヤボンディング面３１１ａおよびダイ電極部３２１ａへの熱硬化性樹脂Ｒの流れ込みが確実に防止されることになり、第１および第２リード３１，３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分での上側樹脂部分１２１と下側樹脂部分１２２との張り出し寸法差による違和感を解消することができる。
【００４０】
しかも、第２リードの内側端子部３２１の周囲を内部空間１１の底面に埋設させ、その周囲を内部空間の底面に埋設させた内側端子部３２１の上面によってダイ電極部３２１ａが構成されているので、内側端子部３２１の周囲が内部空間１１の底面に埋設され、ＰＤ素子２を搭載するダイ電極部３２１ａのみが上方に露出することになり、ＰＤ素子２の裏面に対する導通を円滑に行うことができる。
【００４１】
そして、第１および第２リード３１，３２の外側端子部３１２，３２２を挟み込む上型５と下型６との間のリード設置場所の間隙Ｓが第１および第２リード３１，３２の厚みＴ１よりも小さいＴ２に設定され、かつ上記第１および第２リード３１，３２の外側端子部３１２，３２２の根元部分に対する上型５の接触個所の内端が下型６の接触個所の内端よりも外方に位置するような上型５および下型６を用い、この上型５と下型６との型閉め時、その型閉め力を第１および第２リード３１，３２の内側端子部３１１，３２１が上型５側に反るように作用させてワイヤボンディング面３１１ａおよびダイ電極部３２１ａを上型５に押し当てることによって、この内側端子部３１１，３２１のワイヤボンディング面３１１ａおよびダイ電極部３２１ａへの熱硬化性樹脂Ｒの流れ込みを防止しつつ中空プラスチックパッケージ１の樹脂ケース１２が成型されるので、ダイ電極部３２１ａを内部空間１１の底部に設置するスペースを十分に稼ぎ、しかも、サポートピンを廃止した作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図り、かつ気密性を確保してＰＤ素子２の耐湿性の向上および良好なワイヤーボンドを行い得る中空プラスチックパッケージ１を製造することができる。
【００４２】
更に、このような製造方法により成型された中空プラスチックパッケージ１の内部空間１１にＰＤ素子２を搭載し、このＰＤ素子２と第１および第２リード３１，３２の内側端子部３１１，３２１とを導通させて電子機器Ｘを構成しているので、ダイ電極部３２１ａを内部空間１１の底部に設置するスペースを十分に稼ぎ、しかも、サポートピンを廃止した作業工程の簡単化および作業時間の短縮化を図り、かつ気密性を確保して半導体チップの耐湿性の向上および良好なワイヤーボンドを行い得る電子機器Ｘを円滑に提供することができる。
【００４３】
なお、上記実施形態では、電子機器としてＰＤ素子２を搭載した場合について述べたが、リードの数が十分多いことからも自明な通り、他の半導体素子、例えば多分割受光素子、半導体発光素子、撮像素子などを搭載する中空プラスチックパッケージにも適用できるのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係わる中空プラスチックパッケージにＰＤ素子を搭載した電子機器の平面図である。
【図２】電子機器の正面図である。
【図３】電子機器の側面図である。
【図４】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図５】図１のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図６】インサート成型前のリードフレームの平面図である。
【図７】上型と下型との間に第１および第２リードをインサートして型閉めした状態を示す断面図である。
【図８】上型と下型を型開きした状態で第１リードの厚みを示す断面図である。
【図９】上型と下型を型閉めした状態でリード設置場所の間隙を示す断面図である。
【図１０】上型と下型との型閉め力を第１および第２リードに作用させている状態を示す断面図である。
【図１１】上型と下型との型閉め力の作用により第１リードの内側端子部を反らせている状態を示す説明図である。
【図１２】インサート成形終了後に上型を開いた状態で中空プラスチックパッケージの樹脂ケース周辺を上方から見た平面図である。
【図１３】従来例に係わる中空プラスチックパッケージの平面図である。
【図１４】従来例に係わる上型と下型との間にリードをインサートして型閉めした状態を示す断面図である。
【図１５】その他の従来例に係わる上型と下型とのキャビィティ内に樹脂をインサートした状態を示す断面図である。
【図１６】その他の従来例に係わる上型と下型との間にインサートしたリードをサポートピンにより上型に押し当てている状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１        中空プラスチックパッケージ
１１      内部空間
１２１    上側樹脂部分
１２２    下側樹脂部分
１３      透明カバー（カバー）
２        ＰＤ素子（半導体チップ）
３１      第１リード（リード）
３１１    内側端子部
３１１ａ  ワイヤーボンディング面
３１２    外側端子部
３２      第２リード（リード）
５        上型
６        下型
Ｓ        間隙（隙間）
Ｔ１      間隙の高さ
Ｔ２      第１リードの厚み
Ｘ        電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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