(57)【要約】【課題】  大電流に対応しつつ小型化を図った場合であっても、クラックやデラミネーションの発生が少ない電子部品を簡便に製造し得るセラミックグリーンシートを提供すること。【解決手段】  好適な実施形態のセラミックグリーンシートは、セラミック粉末と、バインダー樹脂と、溶剤と、アミン価が１５以上である酸性化合物とを含んでいる。【選択図】  図４
2006256942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック粉末と、
バインダー樹脂と、
溶剤と、
アミン価が１５以上である酸性化合物と、
を含むことを特徴とするセラミックグリーンシート。
【請求項２】
前記酸性化合物は、リン酸基、スルホン酸基又はカルボキシル基を有する化合物であることを特徴とする請求項１記載のセラミックグリーンシート。
【請求項３】
密度が２．６１〜３．１１ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１又は２記載のセラミックグリーンシート。
【請求項４】
セラミック粉末と、バインダー樹脂と、溶剤と、アミン価が１５以上である酸性化合物と、を混合する工程を含むことを特徴とするセラミックグリーンシートの製造方法。
【請求項５】
セラミック層と、導体層と、を備える電子部品であって、
前記セラミック層が、セラミック粉末、バインダー樹脂、溶剤、及び、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むセラミックグリーンシートの焼成物からなるものであることを特徴とする電子部品。
【請求項６】
導電材料を含む導電材料層と、セラミック粉末、バインダー樹脂、溶剤、及び、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むセラミックグリーンシートと、を積層して積層体を得る工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
焼成後の前記積層体に外部電極を設ける工程と、
を含む電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックグリーンシート及びこれを用いた電子部品、並びに、これらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック層と導体層とが交互に積層された形態の積層型の電子部品としては、インダクタ、コンデンサ、サーミスタ、バリスタ等が知られている。これらの積層型の電子部品においては、従来、導体層がスクリーン印刷等の印刷法によって形成されることから、導体層の厚さが、セラミック層の厚さよりも薄くなっているのが一般的であった。
【０００３】
近年では、電子機器の小型化に伴って、これらに搭載される電子部品に対しても更なる小型化が要求されている。ところが、このように小型化の流れにもかかわらず、電子部品には、多様な環境下での使用を可能とするために、大電流が流れた場合であっても破壊等が生じ難いことが求められている。
【０００４】
大電流に対応するためには、導体層の厚さを厚くすればよいが、この場合、電子部品全体のサイズを維持するために、セラミック層には、導体層の厚さの増大に応じた薄型化が求められることになる。つまり、大電流に対応可能な電子部品においては、従来に比して導体層が厚く、セラミック層が薄くされることが多くなる。
【０００５】
ここで、上述したような積層型の電子部品は、セラミック粉末やバインダー等を含むセラミックグリーンシート上に導電ペースト層を印刷し、これを複数積層してプレスした後、得られた積層体を焼成することによって製造されることが多い。
【０００６】
しかし、このような方法によって電子部品の製造を行う場合に、上記のように導体層を厚く且つセラミック層を薄く形成しようとすると、プレスの際に厚い導電ペースト層が薄いセラミックグリーンシート中に強く食い込むことになるため、プレス後のセラミックグリーンシートが大きく変形し、これにより大きな応力を有した状態となり易い。こうなると、電子部品の製造においては、積層体の焼成時や焼成後に、上述した応力に起因して、導体層とセラミック層との間にクラックやデラミネーションが発生し易くなる。このため、大電流に対応しつつ小型化するために導体層を厚く且つセラミック層を薄く形成した電子部品は、かかるクラックやデラミネーションに起因して、導体層間で短絡等が生じる場合があるなど、その特性が不十分であることが多かった。
【０００７】
このような状況下、クラックやデラミネーションの発生を十分に抑制し得る電子部品の製造方法として、セラミックグリーンシートの所望部分にレーザー光を照射して凹部を形成し、この凹部に導体層を形成した後、得られたセラミックグリーンシートを複数積層する方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法においては、導体層が、予め設けられたセラミックグリーンシート上の凹部に形成されることから、プレス時において導体ペースト層の食い込みによる応力の発生が少なくなる。これにより、上述したようなクラックやデラミネーションの発生を低減できるようになる。
【特許文献１】特開平７−１０６１７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術による電子部品の製造方法は、セラミックグリーンシートに対し、レーザー光によって凹部を設ける工程を行うため、グリーンシートの製造に長時間を要するほか、レーザー光を照射する設備が必要となるため、製造にかかるコストが増大するといった製造上の不都合を有していた。また、上記方法においては、用いるグリーンシートによって密度等のばらつきがあること等に起因して、適切な出力のレーザー光を選択するのが困難であった。このため、この方法では、導体層の厚さに応じた凹部を正確に形成するのが難しく、クラックやデラミネーションが十分に低減された電子部品を得ることができない場合も少なくなかった。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、大電流に対応しつつ小型化を図った場合であっても、クラックやデラミネーションの発生が少ない電子部品を簡便に製造し得るセラミックグリーンシートを提供することを目的とする。本発明はまた、かかるセラミックグリーンシートの製造方法、並びに、これを用いた電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明のセラミックグリーンシートは、セラミック粉末と、バインダー樹脂と、溶剤と、アミン価が１５以上である酸性化合物とを含むことを特徴とする。
【００１１】
上記本発明のセラミックグリーンシートは、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むことから、かかる酸性化合物を含まない従来のセラミックグリーンシートに比して柔軟となる。このため、本発明のセラミックグリーンシートは、電子部品の製造に用いる際、プレス等によって強く圧縮されたとしても柔軟に変形することができ、上述したような導電ペースト層の食い込みによっても応力が生じ難い。したがって、本発明のセラミックグリーンシートによれば、導体層を厚く且つセラミック層を薄く形成する場合であっても、これらの間のクラックやデラミネーションの発生を十分に低減することができるようになる。
【００１２】
上述のように本発明のセラミックグリーンシートが柔軟となり得るのは、以下の要因によるものと考えられる。すなわち、セラミック粉末、バインダー樹脂及び溶剤を含む材料中に、上述した酸性化合物を添加すると、セラミック粉末を構成しているセラミック粒子が凝集し易くなる。このため、かかる材料からなるセラミックグリーンシートは、酸性化合物を含有しないものに比べてセラミック粒子を含まない領域を多く有するようになり、これに伴って密度が小さくなる。その結果、セラミックグリーンシートは、柔軟なバインダー樹脂等から構成される領域が多くなり、当該シートそのものも柔軟となる。
【００１３】
なお、上述したセラミック粒子の凝集は、通常、所定の表面電位を有しているセラミック粒子が、上記所定のアミン価を有する酸性化合物の添加によってかかる表面電位を小さくされた結果、セラミック粒子同士の表面電位の反発よりも、これらの間のクーロン力による相互作用が強くなったために生じているものと推測される。ただし、作用はこれらに限定されない。
【００１４】
上記本発明のセラミックグリーンシートは、酸性化合物として、リン酸基、スルホン酸基又はカルボキシル基を有する化合物を含むものであると好ましい。これらの化合物を添加することにより、セラミックグリーンシートの密度が適度に小さくなり、より良好な柔軟性が得られるようになる。
【００１５】
より具体的には、上記セラミックグリーンシートは、その密度が２．６１〜３．１１ｇ／ｃｍ３であるとより好ましい。このような密度を有するセラミックグリーンシートは良好な柔軟性を有するようになり、その結果、電子部品におけるクラック等の発生を一層抑制し得るものとなる。
【００１６】
上記本発明のセラミックグリーンシートは、セラミック粉末と、バインダー樹脂と、溶剤と、アミン価が１５以上である酸性化合物とを混合する工程を含む製造方法により好適に製造可能である。
【００１７】
本発明はまた、セラミック層と、導体層と、を備えており、セラミック層が、セラミック粉末、バインダー樹脂、溶剤、及び、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むセラミックグリーンシートの焼成物からなるものである電子部品を提供する。かかる電子部品は、上記セラミックグリーンシートの焼成物からなるセラミック層を備えることから、セラミック層と導体層との間のクラック等が極めて少ないものとなる。
【００１８】
上記構成を有する電子部品は、導電材料を含む導電材料層と、セラミック粉末、バインダー樹脂、溶剤、及び、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むセラミックグリーンシートと、を積層して積層体を得る工程と、積層体を焼成する工程と、焼成後の積層体に外部電極を設ける工程とを含む製造方法により好適に製造可能である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、大電流に対応しつつ小型化を図るために、従来よりも導体層が厚く且つセラミック層が薄い電子部品を製造する場合であっても、クラックやデラミネーションの発生が少ない電子部品を簡便に製造し得るセラミックグリーンシートを提供することができる。また、本発明によれば、かかるセラミックグリーンシートの製造方法、並びに、このセラミックグリーンシートを用いた電子部品及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、全図を通じ、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２１】
まず、図１〜図３を参照して、積層型の電子部品の一例である積層型インダクタの構成について説明する。図１は、本実施形態に係る積層型インダクタを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層型インダクタの断面構成を説明するための図である。図３は、本実施形態に係る積層型インダクタに含まれる積層体の分解斜視図である。この積層型インダクタ１は、好適な実施形態に係るセラミックグリーンシートを適用して得られたものである。
【００２２】
積層型インダクタ１は、図１に示されるように、略直方体形状のインダクタ素体１０と、インダクタ素体１０の長手方向の両側面にそれぞれ形成された一対の端子電極（外部電極）１１，１２とを備える。なお、インダクタ素体１０の底面は、積層型インダクタ１が外部基板（図示せず）に実装されたときに、当該外部基板に対向する面である。
【００２３】
インダクタ素体１０は、図２及び図３に示されるように、複数（本実施形態では１２枚）のセラミック層Ａ１〜Ａ１２が積層されることにより構成され、内部に導体パターン（導体層）Ｂ１〜Ｂ１０及び導出部Ｂ１ａ，Ｂ１０ａからなるコイルＬを備えている。実際の積層型インダクタ１は、セラミック層Ａ１〜Ａ１２間の境界が視認できない程度に一体化されている。セラミック層Ａ１〜Ａ１２は、後述するように、セラミックグリーンシートが焼成されてなるものであり、絶縁体として機能する。
【００２４】
セラミック層Ａ１〜Ａ１２は、電気絶縁性を有する絶縁体であり、好適な実施形態に係るセラミックグリーンシートの焼成物からなるものである。このセラミック層Ａ１〜Ａ１２は、主としてフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト）から構成される。このセラミック層Ａ１〜Ａ１２の厚みは、例えば６０μｍ程度である。
【００２５】
導体パターンＢ１は、コイルＬの略５／８ターン分に相当し、セラミック層Ａ２上で略Ｃ字状に形成されている。導体パターンＢ１の一端には、導出部Ｂ１ａが一体的に形成されている。導体パターンＢ１の導出部Ｂ１ａは、セラミック層Ａ２の縁に引き出され、その端部がセラミック層Ａ２の端面に露出している。このため、導出部Ｂ１ａは、端子電極１１に電気的に接続されることとなる。導体パターンＢ１の他端は、セラミック層Ａ２を厚み方向に貫通して形成されたスルーホール電極Ｃ１と電気的に接続されている。このため、導体パターンＢ１は、積層された状態で、スルーホール電極Ｃ１を介して対応する導体パターンＢ２の一端と電気的に接続される。
【００２６】
導体パターンＢ２〜Ｂ９は、それぞれコイルＬの略３／４ターン分に相当し、各導体パターンＢ２，Ｂ４，Ｂ６，Ｂ８については各セラミック層Ａ３，Ａ５，Ａ７，Ａ９上でそれぞれ略Ｕ字状に形成され、各導体パターンＢ３，Ｂ５，Ｂ７，Ｂ９については各セラミック層Ａ４，Ａ６，Ａ８，Ａ１０上でそれぞれ略Ｃ字状に形成さている。各導体パターンＢ２〜Ｂ９の一端には、積層された状態で各スルーホール電極Ｃ１〜Ｃ８と電気的に接続される領域がそれぞれ含まれている。各導体パターンＢ２〜Ｂ９の他端は、各セラミック層Ａ３〜Ａ１０を厚み方向に貫通して形成された各スルーホール電極Ｃ２〜Ｃ９とそれぞれ電気的に接続されている。このため、各導体パターンＢ２〜Ｂ９は、積層された状態で、各スルーホール電極Ｃ２〜Ｃ９を介して対応する各導体パターンＢ３〜Ｂ１０の一端とそれぞれ電気的に接続される。
【００２７】
導体パターンＢ１０は、コイルＬの略７／８ターン分に相当し、セラミック層Ａ１１上で略Ｕ字状に形成されている。導体パターンＢ１０の一端には、積層された状態で各スルーホール電極Ｃ９と電気的に接続される領域が含まれている。導体パターンＢ１０の他端には、導出部Ｂ１０ａが一体的に形成されている。導体パターンＢ１０の導出部Ｂ１０ａは、セラミック層Ａ１１の縁に引き出され、その端部がセラミック層Ａ１１の端面に露出している。このため、導出部Ｂ１０ａは、端子電極１２に電気的に接続されることとなる。
【００２８】
ここでインダクタ素体１０における導体パターンの厚さａ（積層方向の厚さ、図２参照）とセラミック層Ａ１〜Ａ１２の厚さｂ（積層方向の厚さ、図２参照）とは、ａ／ｂ≧１となる関係を有していることが好ましい。すなわち、導体パターンＢ１〜Ｂ１０の厚さがセラミック層Ａ１〜Ａ１２の厚さ以上であることが好ましい。
【００２９】
こうすることで、積層型インダクタ１は、大きな断面積を有するコイルＬを有するものとなり、大電流にも十分に対応可能なものとなる。また、相対的に隣接する導体パターン間の距離が小さくなることから、コイルＬにおけるターン間の磁気的な結合が強くなり、これによりインダクタ値が大きくなる。その結果、所望のインダクタンス値を得るために必要とされるコイルＬのターン数を少なくすることができ、積層型インダクタ１の小型化を達成することが容易となる。これらの効果をより良好に得る観点からは、ａ／ｂが１．５以上であると好ましい。
【００３０】
以上のように、各セラミック層Ａ１〜Ａ１２が積層され、各導体パターンＢ１〜Ｂ１０が各スルーホール電極Ｃ１〜Ｃ９を介して相互に電気的に接続されることにより、ターン数が７．５ターンであるコイルＬが構成されることとなる。ここで、各導体パターンＢ１〜Ｂ１０及び導出部Ｂ１ａ，Ｂ１０ａは、銀又はニッケルを主成分とする導体ペーストをスクリーン印刷することにより形成される。
【００３１】
次に、図３及び図４を参照して積層型インダクタの製造方法について説明する。図４は、好適な実施形態に係る積層型インダクタの製造方法を説明するための図であり、セラミックグリーンシート及び導電ペースト層（導電材料層）を備える積層構造を示す図である。なお、ここでは、説明の便宜上、４層のセラミック層及びこれらの間に設けられた３層の導体パターンからなる積層型インダクタの製造方法について説明することとする。
【００３２】
まず、セラミック層を形成するためのセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を準備する（図４（ａ）参照）。これらのセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、焼成されることにより積層型インダクタのセラミック層を構成する。
【００３３】
ここで、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を構成する成分について説明する。セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、セラミック粉末、バインダー樹脂、溶剤、及び、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むものである。
【００３４】
セラミック粉末としては、上述したようなフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト）からなる粉末が挙げられる。このセラミック粉末の平均粒径は、０．０６〜０．６μｍであると好ましく、０．１〜０．６μｍであると更に好ましい。
【００３５】
バインダー樹脂としては、通常、セラミック材料と混合して用いられるような樹脂材料であれば特に制限なく用いることができ、例えば、ブチラール系、アクリル系、セルロース系等のバインダー樹脂が挙げられる。また、溶剤としては、バインダー樹脂を良好に溶解又は分散できる性質を有しているものが好ましく、例えば、芳香族炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類又はこれらの混合溶媒が挙げられる。
【００３６】
「アミン価が１５以上である酸性化合物」とは、アミン価が１５以上となるような官能基を分子内に有する化合物である。ここで、アミン価とは、当該酸性化合物１ｇに含まれる上記官能基の全てを中和しようとした場合に必要となる塩酸の量と当量のＫＯＨの量（ｍｇ）であると定義する。このような酸性化合物としては、例えば、リン酸基、スルホン酸基又はカルボキシル基を有する化合物のアミン塩等が挙げられる。
【００３７】
リン酸基を有する化合物としては、例えば、リン酸ポリオキシエチレンアルキルエーテルやそのアミン塩が挙げられる。具体的には、リン酸ポリオキシエチレンノニルエーテルが挙げられる。また、スルホン酸基を有する化合物としては、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジメチルベンゼンスルホン酸やこれらのアミン塩が挙げられる。さらに、カルボキシル基を有する化合物としては、ポリエステル酸のアミン塩、ポリエーテルエステル酸のアミン塩が挙げられ、より具体的には、高級脂肪酸誘導体のアミン塩、高級脂肪族ポリカルボン酸のアミン塩、特殊変性ポリエステル酸のアミン塩が好ましい。
【００３８】
セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４が上記成分、特にアミン価が１５以上である酸性化合物を含有していると、このグリーンシート中のセラミック粉末の分散性が低下し、当該粉末を構成しているセラミック粒子が従来に比して凝集し易い状態となる。このため、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、セラミック粉末の含有割合が低いものとなり、これに伴って比較的柔軟なバインダー樹脂の割合が多くなる。その結果、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、従来のセラミックグリーンシートに比べて柔軟となり、電子部品等の製造に用いる際の、プレス等による応力を緩和する特性に優れるようになる。
【００３９】
このような効果をより良好に得る観点からは、酸性化合物のアミン価は、１５以上であると好ましく、１９以上であるとより好ましい。なお、酸性化合物のアミン価が高すぎる場合は、セラミック粉末が凝集し過ぎてしまい、形成されるセラミック層の厚さや特性に部分的なばらつきが生じるおそれがあることから、酸性化合物のアミン価の上限は、５８程度であることが好ましい。
【００４０】
また、本実施形態のセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、上述のようにセラミック粉末の含有割合が低下した結果、以下に示すような密度を有するものとなっていることが好ましい。すなわち、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４の密度は、２．６１〜３．１１ｇ／ｃｍ３であると好ましく、２．６１〜２．８３ｇ／ｃｍ３であるとより好ましく、２．６１〜２．７７ｇ／ｃｍ３であると更に好ましい。セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４の密度が２．６１未満であると、得られるセラミック層の厚さや特性のばらつきが生じ易くなる場合がある。一方、密度が３．１１ｇ／ｃｍ３を超えると、セラミック層の柔軟性が不十分となり、電子部品製造時に生じる応力を緩和するのが困難となる場合がある。
【００４１】
このようなセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、例えば、上述したようなセラミック粉末、バインダー樹脂、溶剤、及び、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むスラリーを、ＰＥＴフィルム等の基材上に塗布することで得ることができる。なお、塗布後、加熱して溶剤をある程度揮発させてもよい。得られたセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、基材から剥離して用いてもよく、そのまま用いてもよい。そのまま用いる場合には、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を任意の被着体上に積層した後、基材を剥離する。
【００４２】
こうしてセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を得た後、これらの所定の位置、すなわち上述したようなスルーホール電極が形成される予定の位置に、レーザー加工等によってスルーホールをそれぞれ形成する。次に、導電粉末、バインダー等を含む導電ペーストを印刷する等して、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４上に導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３（導電材料層、図４（ａ）参照）を形成する。これらの導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれが積層後に積層型インダクタにおけるコイルの一部を構成し得る形状となるようにする。なお、この際、導電ペーストは、上述したスルーホールにも充填されるように塗布することが好ましい。これにより、後述する焼成において、導体パターンとスルーホール電極とが同時に形成されることとなる。
【００４３】
その後、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を積層し（図４（ａ）参照）、それから積層方向に圧力を加えて各セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４間に隙間が生じないように圧着して、積層体２０を得る（図４（ｂ）参照）。図示されるように、積層体２０においては、導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３が、それぞれ隣接する両側のセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４に食い込んだ状態となる。換言すれば、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３に接している領域が大きく凹んだ形状となる。しかし、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、上述の如く、低密度で柔軟であるため、このように凹んだ状態となっても応力の発生が少ないことから、後述する焼成時や焼成後に導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３との間でクラックやデラミネーション等を生じ難い。
【００４４】
次に、積層体２０をチップ単位に切断した後、所定温度（例えば、８７０℃程度）にて焼成を行い、インダクタ素体を形成する。このインダクタ素体は、例えば、焼成後における長手方向の長さが２．０ｍｍ、幅が１．２５ｍｍ、高さが０．８ｍｍとなるようにする。かかる焼成により、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４がセラミック層となり、また導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３が導体パターンとなる。
【００４５】
その後、得られたインダクタ素体に、端子電極を形成する。これにより、積層型インダクタが形成される。端子電極は、インダクタ素体の長手方向の両端面にそれぞれ銀、ニッケル又は銅を主成分とする電極ペーストを転写した後に、所定温度（例えば７００℃程度）で焼き付けを行い、さらに電気めっきを施すことにより形成することができる。この電極めっきには、Ｃｕ、ＮｉやＳｕ等を用いることができる。
【００４６】
以上のように、本実施形態の積層型インダクタの製造方法においては、密度が低くて柔軟なセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４からセラミック層を形成している。このため、プレスにより積層体２０を形成する際に、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４は、導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３の形状に合わせて柔軟に変形することができる。したがって、積層体２０においては、導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３の食い込みに伴って生じる応力が極めて小さくなっている。
【００４７】
従来、積層体を焼成して積層型インダクタを形成する際には、導電性ペースト層の食い込みにより発生したセラミックグリーンシートの応力によって、これらの間にクラックやデラネーションが発生し易かった。これに対し、上記実施形態の積層型インダクタの製造においては、上述のように密度が小さく柔軟なセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を用いることによって、このようなクラックやデラミネーションの発生を大幅に抑制することが可能となっている。
【００４８】
より具体的には、導電ペースト層Ｐ１〜Ｐ３の厚さが、セラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４よりも厚くなるように形成した場合であっても、このようなクラック等の発生を十分に低減できる。したがって、本実施形態のセラミックグリーンシートＧ１〜Ｇ４を用いることにより、大電流に対応可能であり、しかも十分に小型化された積層型インダクタを容易に得ることが可能となる。
【００４９】
以上、本発明の好適な実施形態に係るセラミックグリーンシートを用いて得られた積層型の電子部品及びその製造方法について、積層型インダクタを例に挙げて説明したが、本発明は必ずしも上記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５０】
まず、セラミックグリーンシートは、「アミン価が１５以上である酸性化合物」を含むものであるが、「酸性化合物」の性質を表す指標としては、かかる「アミン価」のほかに、「酸価」を用いることができる。ここで、「酸価」とは、酸性化合物１ｇを中和するのに必要なＫＯＨの量（ｍｇ）をいう。酸性化合物の「酸価」は、０〜５００であると好ましく、４０〜３００であるとより好ましい。
【００５１】
また、積層型インダクタは、上述したのとは異なる積層構造を有していてもよい。例えば、セラミック層として、フェライトから構成される磁性体層以外に、非磁性体材料からなる非磁性層を備えていてもよい。
【００５２】
さらに、本発明は、積層型インダクタに限られず、導体層とセラミック層とが交互に積層された構造を有するものであれば、特に制限なく適用することができる。具体的には、例えば、コンデンサ、サーミスタ、バリスタ等が例示できる。これらのインダクタ以外の電子部品は、それぞれの電子部品に適したセラミック層の構成材料や導体層の形状等を適宜選択することによって得ることができる。そして、いずれの電子部品においても、セラミック層の構成材料として、セラミック粉末、バインダー樹脂、溶剤及びアミン価が１５以上である（又は酸価が４０以上である）酸性化合物を含むセラミックグリーンシートを用いることにより、極めてクラックやデラミネーションの発生が少ないものとなる。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［積層型インダクタの製造］
【００５４】
（実施例１）
まず、セラミック粉末として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト粉末を１００質量部、バインダー樹脂としてブチラール樹脂を７質量部、可塑剤を４質量部、溶剤としてトルエン及びイソブチルアルコールを９５質量部準備し、ブチラール樹脂と溶剤とを混合溶解して樹脂溶液を調製した後、これに他の成分を加えてボールミルに投入して４８時間分散を行った。この分散中に、酸性化合物として、アミン価が１９であるポリエステル酸のアミン塩を添加することで、セラミック粉末を含むスラリーを調製した。次に、得られたスラリーを、ドクターブレード法によりＰＥＴフィルム上に、厚みが４５μｍとなるように設定して塗布し、セラミックグリーンシートを得た。得られたセラミックグリーンシートは、上記アミン塩を含まないものに比して密度が１２．１％低下したものであった。
【００５５】
このセラミックグリーンシートを複数形成した後、所望のセラミックグリーンシートに対してレーザーを用いてスルーホールを形成した。それから、所定のセラミックグリーンシート上に、メタルマスクを介して銀を主成分とする導電ペーストを塗布し、厚さが約４０μｍであり、パターン幅が１６０μｍである導電ペースト層を形成した。そして、得られた各セラミックグリーンシートを積層することで、導電ペースト層及びスルーホールからなるコイル状パターンを内蔵する積層体を得た。なお、得られたコイル状パターンのターン数は、７．５ターンであった。
【００５６】
その後、この積層体を、完成寸法が長さ；２．０ｍｍ、幅；１．２５ｍｍ、高さ；０．８ｍｍ（かかる寸法を、「２０１２」と表記する）となるように切断して単体のチップとした。そして得られたチップを約８７０℃で焼成した後、焼成物の両端面に銀を主成分とする導電ペーストを塗布した後、約７００℃で焼き付け、さらにその上に電気めっきによりＣｕ、Ｎｉ及びＳｎめっきを施し、端子電極を形成した。こうして、図１〜３に示すのと同様の構成を有する積層型インダクタを得た。
【００５７】
得られた積層型インダクタの内部状態をＤＰＡにより解析した結果、導体パターンの厚さが２１．２μｍであり、導体パターンの幅が１３９μｍであり、この導体パターンの層間距離が１６．２μｍであることが確認された。また、この積層型インダクタのインダクタンスは１．０２μＨであり、直流抵抗が０．１２Ωであった。このことから、定格電流を０．５Ａとした場合であっても十分に使用できるレベルであることが判明した。なお、これらの値は、同様の積層型インダクタを１００個形成して得られた平均値である。
【００５８】
（実施例２〜４、比較例１〜２）
酸性化合物として、アミン価が１５（実施例２）、３２（実施例３）、５８（実施例４）、１０（比較例１）及び１４（比較例２）であるポリエステル酸のアミン塩を用いたこと以外は、実施例１と同様にして積層型インダクタを得た。なお、各積層型インダクタにおける導体パターンの厚さ、セラミック層の厚さ及び全体サイズは、実施例１のものとほぼ同様となるようにした。
［積層型インダクタの不良率の測定］
【００５９】
実施例１〜４及び比較例１〜２の積層型インダクタについて、それぞれ１０００個のサンプルを作製した。そして、全てのサンプルの観察を行い、それぞれについて導体パターン及びセラミック層の積層構造中にクラック又はデラミネーションが発生しているか否かを判定した。そして、各実施例又は比較例に対応する１０００個のサンプル中、クラックが発生したサンプル及びデラミネーションが発生したサンプルの数をそれぞれ数え、この値をもとに、各実施例及び比較例に対応する積層型インダクタのクラック発生率（％）及びデラミネーション発生率（％）（これらを合わせて「不良率」と総称する）を算出した。得られた結果を、各積層型インダクタの製造に用いた酸性化合物のアミン価（ＫＯＨｍｇ／ｇ）及びセラミックグリーンシートの密度（ｇ／ｃｍ３）とともに表１に示す。なお、セラミックグリーンシートの密度としては、１０００個のサンプルのうち、４つのものについて測定して得られた値の最小値から最大値までの範囲を示した。
【表１】
2006256942.tif 000003
【００６０】
表１より、アミン価が１５以上である酸性化合物を含むセラミックグリーンシートを用いて得られた実施例１〜４の積層型インダクタは、アミン価が１５未満である酸性化合物を用いた比較例１及び２の積層型インダクタに比して、不良率（クラックやデラミネーションの発生率）が極めて低いことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施形態に係る積層型インダクタを示す斜視図である。
【図２】実施形態に係る積層型インダクタの断面構成を説明するための図である。
【図３】実施形態に係る積層型インダクタに含まれる積層体の分解斜視図である。
【図４】実施形態に係る積層型インダクタの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…積層型インダクタ、１０…インダクタ素体、１１，１２…端子電極、Ａ１〜Ａ１２…セラミック層、Ｂ１〜Ｂ１０…導体パターン、Ｃ１〜Ｃ９…スルーホール電極、Ｇ１〜Ｇ４…セラミックグリーンシート、Ｐ１〜Ｐ３…導電ペースト層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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