(57)【要約】【課題】  設計の自由度が高く、高密度実装に適した高性能な多層基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  パターンの幅や厚みのばらつきが少なく、さらに絶縁層に対するパターンの厚み精度が必要な高周波回路用ＬＣパターン及びインピーダンスマッチングの必要な通常の配線パターン（第１の配線パターン４２）については、厚みが一定の導電層３２をサブトラクティブ法によりパターンエッチングすることにより形成し、チョークコイル用Ｌパターン（第２の配線パターン４１）については、ビアホール内を導電性材料で埋める工程と同時に形成する。【選択図】          図３１
2006086341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の絶縁層と、
各絶縁層間に形成された配線パターンとを備え、
前記配線パターンは、所定の厚みを有する第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンよりも厚い第２の配線パターンを含み、
前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンはともに、前記複数の絶縁層のうち所定の絶縁層の表面に形成されていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
異なる層に存在する配線パターンどうしを接続するビアホールをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記第１の配線パターンの厚み（ｔ１）が１μｍ〜１８μｍの範囲内で選択され、前記第１の配線パターンの厚みと前記第２の配線パターンの厚みとの比（ｔ２／ｔ１）が１．５〜２０の範囲内となるように前記第２の配線パターンの厚み（ｔ２）が選択されることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記第２の配線パターンの少なくとも一部がチョークコイルとして機能することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層基板。
【請求項５】
多層基板の一部を構成する絶縁層の表面に所定の厚みを有する第1の配線パターンを形成する第１の工程と、
前記絶縁層の表面に前記第１の配線パターンよりも厚い第２の配線パターンを形成する第２の工程とを備えることを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程は、前記絶縁層の少なくとも一方の表面に形成された導電層をパターニングする工程を含み、
前記第２の工程は、下地導電層をほぼ全面に形成する工程と、導電性材料を形成すべきでない領域にマスクを形成する工程と、電解メッキ法により前記導電性材料を成長させる工程とを含んでいることを特徴とする請求項５に記載の多層基板の製造方法。
【請求項７】
前記マスクを形成する工程は、感光性材料をほぼ全面に形成した後、露光により前記感光性材料をパターニングすることにより行うことを特徴とする請求項６に記載の多層基板の製造方法。
【請求項８】
前記マスクを形成する工程は、スクリーン印刷法によって絶縁性材料を選択的に形成することにより行うことを特徴とする請求項６に記載の多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、ビアホールを形成する工程と、前記ビアホールの内部を導電性材料で埋める工程とを含んでいることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程は、他の絶縁層に含まれる導体層が前記ビアホールの底部を構成するよう、前記ビアホールを形成することを特徴とする請求項９に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層は、コア基板であることを特徴とする請求項５乃至１０のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層は、前記コア基板上に設けられるビルドアップ層であることを特徴とする請求項５乃至１０のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層基板及びその製造方法に関し、特に、厚みの異なるパターン及びビアホール電極を有する多層基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度実装に対する要求はますます厳しくなっている。このため、プリント基板に搭載される各種モジュール用の基板としては、複数の絶縁層を積層した「多層基板」が用いられることが多い。
【０００３】
多層基板の製造は、多層基板を構成する各絶縁層に配線パターン等を形成し、これを積層することにより行われる。異なる絶縁層に形成された配線パターン間の接続は、絶縁層を貫通するビアホールを介して行われる（特許文献１，２参照）。
【０００４】
各絶縁層上の配線パターンの形成には、通常、「サブトラクティブ法」と呼ばれる方法と、「アディティブ法」と呼ばれる方法の２種類が使用される。サブトラクティブ法では、絶縁層上にあらかじめ一様に形成してある導電層のエッチングにより所望のパターンを形成する。一般的に、サブトラクティブ法によるパターン形成は、導電層として厚みが一定の銅箔を使用するので厚みの精度を出しやすいが、幅を高精度に制御することが難しく、導体の厚みが厚くなるほど幅精度が低下するという性質をもつ。アディティブ法では、ドライフィルム、レジスト等でパターンを描きたい部分を露光、現像し、パターンに沿ってメッキを成長させた後、ドライフィルム等を除去して、所望のパターンを完成させる。アディティブ法によるパターン形成は、露光、現像されたドライフィルム等で幅方向の精度が決定しているので幅方向の精度は高いが、厚み方向の精度はメッキの面ばらつきに依存するので、厚みばらつきが比較的大きく、厚みを高精度に制御することが難しいという性質をもつ。
【０００５】
このようにサブトラクティブ法及びアディティブ法にはそれぞれ一長一短があり、幅方向の精度を重視したい場合にはアディティブ法が、厚み方向の精度を重視したい場合にはサブトラクティブ法が選択される。そして、パターン形成においてはこれら２種類の方法のどちらかを採用すれば足り、これらの２種類の方法が同一面に対して混在して行われることはない。
【特許文献１】特許第２８５７２７０号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２０２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、配線パターンだけでなくインダクタンス（Ｌ）やキャパシタンス（Ｃ）を基板に内蔵する、いわゆるエンベディッド化に対する要求が高まりを見せている。この内蔵ＬＣには以下のことが要求される。
【０００７】
まず、高周波回路に使用されるＬでは、インピーダンスを制御するうえでパターンの幅方向の制御が重要となる。パターンの厚みがある程度薄くても伝送特性への影響は少ない。一方、電源系の平滑回路等に使用されるＬ（チョークコイル）では、直流抵抗が低いことが好ましい。したがって導体パターンの断面積をいかに大きく取れるかが重要となる。
【０００８】
また、高周波回路に使用されるＣでは、静電容量のばらつきを低減させることが重要であり、具体的には、静電容量のばらつきを±５％以下に抑える必要がある。これを実現するにはパターンの幅方向の制御が重要となるが、パターンの厚みがある程度薄くても問題はない。さらに、配線パターンについては、インピーダンスを制御するうえでパターンの幅や厚みのばらつきを低減させることが重要となる。
【０００９】
このような条件の下、例えばパワーアンプ用基板のように、パターンの幅方向の精度が要求される「マッチング回路用Ｌ」と、直流抵抗ができるだけ低いことが要求される（導体の厚みが求められる）「電源回路用Ｌ（チョークコイル）」を構成しなければならない場合において、上述したいずれかのパターニング方法を選択した場合には、多層基板の同一層内に両方のＬを形成することはできないという問題があった。
【００１０】
すなわち、パターンの幅や厚みに所望の精度を求めようとすると、同一層内に厚みの異なるパターンを形成することができないという構造上の制約・矛盾から、設計の自由度が制限され、小型化、高性能化への要求に答えることが困難となっていた。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、設計の自由度が高く、各素子に求められる最適なパターン形状、ばらつきを任意に選択できる多層基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による多層基板は、積層された複数の絶縁層と、各絶縁層間に形成された配線パターンとを備え、前記配線パターンは、所定の厚みを有する第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンよりも厚い第２の配線パターンを含み、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンはともに、前記複数の絶縁層のうち所定の絶縁層の表面に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、例えば、第１の配線パターンとして構成された高周波回路用ＬＣパターン及び通常の配線パターンと、第２の配線パターンとして構成されたチョークコイル用Ｌパターンとを同一層内に構成することができる等、各素子に求められる最適なパターン形状、ばらつきを任意に選択できる。すなわち、設計の自由度が高く、高密度実装に適した高性能な多層基板を実現することができる。なお、ここにいう「同一層内」とは、互いに接する絶縁層間の境界近傍を意味し、第１及び第２の配線パターンがともに絶縁層間の境界上にまたがって存在している場合、第１及び第２の配線パターンがともに境界面の一方の面に接している場合、及び第１および第２の配線パターンのいずれか一方が境界面の一方の面に接しており且つ他方が境界面の他方の面に接している場合を含むことを意味する。なお、ビルドアップ層上にさらにビルドアップ層を形成する場合など、同じ材質からなる絶縁層の積層により、絶縁層間の境界の明確な判別が困難な場合も考えられるが、そのような場合でも上下の絶縁層の間に第１及び第２の配線パターンが存在することは明らかであるから、この場合には、第１及び第２の配線パターン付近に絶縁層間の境界が存在しているものとみなすことができる。
【００１４】
本発明においては、異なる層に存在する配線パターンどうしを接続するビアホールをさらに備えていることが好ましい。
【００１５】
本発明によれば、第２の配線パターンをビアホールと同時に形成することができるので、工程を増やすことなく通常の工程の範囲内で第２の配線パターンを形成することができる。
【００１６】
本発明において、前記第１の配線パターンの厚み（ｔ１）が１μｍ〜１８μｍの範囲内で選択され、前記第１の配線パターンの厚みと前記第２の配線パターンの厚みとの比（ｔ２／ｔ１）が１．５〜２０の範囲内となるように前記第２の配線パターンの厚み（ｔ２）が選択されることが好ましい。この範囲内であれば、設計の自由度を阻害されることなく必要とされる場所に最適な回路パターンを描くことができる。
【００１７】
本発明において、前記第２の配線パターンの少なくとも一部がチョークコイルとして機能することが好ましい。これによれば、例えば、特性の良好なパワーアンプ用の多層基板を実現することができる。
【００１８】
本発明による多層基板の製造方法は、多層基板の一部を構成する絶縁層の表面に所定の厚みを有する第１の配線パターンを形成する第１の工程と、前記絶縁層の表面に前記第１の配線パターンよりも厚い第２の配線パターンを形成する第２の工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、同一層内に異なる厚みを有するパターンを形成することができるので、例えば、導電層のパターニングにより形成される薄い配線パターンについては高周波回路用ＬＣパターン及び通常の配線パターンとし、メッキにより形成される厚い配線パターンいついてはチョークコイル用Ｌパターンとすることで、特性の良好なパワーアンプ用多層基板を実現することができる等、等、各素子に求められる最適なパターン形状、ばらつきを任意に選択できる。すなわち、設計の自由度が高く、高密度実装に適した高性能な多層基板を製造することができる。 
【００２０】
本発明において、前記第１の工程は、前記絶縁層の少なくとも一方の表面に形成された導電層をパターニングする工程を含み、前記第２の工程は、下地導電層をほぼ全面に形成する工程と、導電性材料を形成すべきでない領域にマスクを形成する工程と、電解メッキ法により前記導電性材料を成長させる工程とを含んでいることが好ましい。
【００２１】
本発明によれば、第１の配線パターンについてはサブトラクティブ法で形成し、第２の配線パターンについてはアディティブ法で形成するので、各素子に求められる最適なパターン形状、ばらつきを任意に選択でき、設計の自由度が高く、高密度実装に適した多層基板を製造することができる。ここで、前記マスクを形成する工程は、感光性材料をほぼ全面に形成した後、露光により前記感光性材料をパターニングすることにより行うことが好ましく、またスクリーン印刷法によって絶縁性材料を選択的に形成することにより行ってもよい。
【００２２】
本発明において、前記第２の工程は、ビアホールを形成する工程と、前記ビアホールの内部を導電性材料で埋める工程とを含んでいることが好ましい。
【００２３】
本発明によれば、第２の配線パターンをビアホールの形成工程と同時に形成することができるので、工程を増やすことなく通常の工程の範囲内で第２の配線パターンを形成することができる。
【００２４】
本発明において、前記第２の工程は、他の絶縁層に含まれる導体層が前記ビアホールの底部を構成するよう、前記ビアホールを形成することが好ましい。
【００２５】
本発明によれば、底部を有する孔をほぼ完全に埋めることが可能なメッキ液を用いて導電性材料を形成することにより、工程を簡素化することが可能となる。
【００２６】
本発明において、前記絶縁層は、コア基板であっても構わないし、前記コア基板上に設けられるビルドアップ層であっても構わない。さらにその両方であっても構わない。本発明をコア基板及びビルドアップ層の両方に適用した場合には、コア基板の表面に形成される配線パターン及びビルドアップ層の表面に形成される配線パターンの両方について、厚みばらつきが小さくなることから、パターン精度を全体的に向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２７】
このように、本発明によれば、パターンの幅や厚みのばらつきが少なく、さらに絶縁層に対するパターンの厚み精度が必要な高周波回路用ＬＣパターン及びインピーダンスマッチングの必要な通常の配線パターン（第１の配線パターン）については、厚みが一定の導電層をサブトラクティブ法によりパターンエッチングすることにより、パターンの厚みを比較的薄くすることができ、チョークコイル用Ｌパターン（第２の配線パターン）については、ビアホール形成と同一工程にて絶縁層の表面をメッキすることにより、アスペクト比が高く、導体断面積が比較的大きな（直流抵抗が低い）パターンとすることができる。すなわち、本実施形態によれば、各素子に求められる最適なパターン形状、ばらつきを任意に選択できるので、設計の自由度が高く、高密度実装に適した高性能な多層基板を実現することができる。
【００２８】
また、本発明によれば、研磨により生じる導電性材料の厚みばらつきが抑制されることから、サブトラクティブ法等のパターニング法により配線パターンを形成する場合に、そのパターン精度を大幅に向上させることが可能となる。これにより、例えば、多層基板の内部にコンデンサやインダクタなどの受動素子を内蔵させた場合であってもインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００３０】
本実施形態による多層基板の製造方法は、多層基板を構成する「コア基板」及びコア基板上に設けられる「ビルドアップ層」の両方に対して適用が可能である。まず、本実施形態による多層基板の製造方法を「コア基板」に対して適用した場合について、略断面図である図１〜図１３を参照しながら説明する。
【００３１】
まず、コア基板１０を用意する（図１）。加工前のコア基板１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の両面にそれぞれ形成された導電層１２，１３によって構成されている。絶縁層１１は、多層基板の作製において全体的な機械的強度を確保する役割を果たし、特に限定されるものではないが、その材料としては、ガラスクロス、ケブラー、液晶ポリマー等の樹脂クロス、フッ素樹脂の多孔質シート等からなる芯材に、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等が含浸された材料を用いることが好ましく、その厚みとしては２０μｍ〜２００μｍ程度に設定することが好ましい。また、レーザー加工条件の均一化を目的として、ＬＣＰ、ＰＰＳ、ＰＥＳ，ＰＥＥＫ，ＰＩ等の芯材のないシート材料を絶縁層１１として用いてもよい。導電層１２，１３は、金属箔、特に銅箔によって構成することが好ましく、その厚み（ｔ１）としては１〜１８μｍ程度に設定することが好ましい。導電層１２，１３を金属箔によって構成する場合、プリント配線板用として用いられる電解銅箔（硫酸銅水溶液中に銅を溶解イオン化したものを電着ロールにて連続的に電着して銅箔化したもの）または、圧延銅箔を使用すればその厚みばらつきを極めて小さくすることが可能である。また、必要に応じ、スェップ等の手法で銅箔の厚みを調整してもよい。
【００３２】
次に、コア基板１０の両面に感光性材料によって構成されるドライフィルム１４，１５をそれぞれ貼り付ける（図２）。これにより、導電層１２，１３のほぼ全面がドライフィルム１４，１５によって覆われた状態となる。そして、ドライフィルム１４，１５を露光、現像することによってドライフィルム１４，１５をパターニングし、導電層１２，１３を部分的に露出させる（図３）。
【００３３】
次に、ドライフィルム１４，１５をマスクとして導電層１２，１３をエッチングし、絶縁層１１を部分的に露出させる（図４）。絶縁層の露出した領域の一部分１１ａはビアホールの開口部となり、他の部分１１ｂは相対的に厚い配線パターンの形成領域となる。一方、残された導電層１２，１３は、主として、所定の厚みを有する通常の配線パターン（第１の配線パターン）となる。このときパターニングされる導電層１２、１３は、その厚みばらつきが非常に小さく抑えられていることから、高精度なパターニングを行うことが可能となる。したがって、パターニングにより形成される第１の配線パターンの幅を所望の幅とすることが可能となる。
【００３４】
次に、ドライフィルム１４，１５を剥離し（図５）、レーザー加工により、絶縁層１１の露出した部分１１ａにビアホール１６を形成する（図６）。ビアホール１６は、絶縁層１１を貫通しているが、このとき導電層１３の一部がストッパーとして機能することから、この導電層１３がビアホール１６の底部１６ａを構成することになる。ビアホール１６の直径については、特に限定されないが、３０〜２００μｍ程度に設定することが好ましい。
【００３５】
次に、ビアホール１６の内壁を含む露出面のほぼ全面に下地導電層１８，１９を形成する（図７）。下地導電層１８，１９の形成方法としては、無電解メッキ法、スパッタ法、蒸着法等を用いることが好ましい。下地導電層１８，１９は、その後に行う電解メッキの下地としての役割を果たすため、その厚みとしては非常に薄く、例えば数百オングストロームから３．０μｍの範囲より適時選択すればよい。
【００３６】
次に、感光性材料によって構成されるドライフィルム２０，２１をコア基板１０の表面に貼り付ける（図８）。これにより、下地導電層１８，１９のほぼ全面がドライフィルム２０，２１で覆われた状態となる。ドライフィルム２０，２１は、後述する第２の配線パターンを形成するために用いられることから、その厚みとしては第１の配線パターンよりも厚いことが必要となる。そして、ドライフィルム２０，２１を露光、現像することにより、ビアホール１６の開口部及び第１の配線パターンよりも厚い第２の配線パターンを形成したい領域にあるドライフィルム２０，２１を除去する（図９）。残ったドライフィルム２０，２１は、その後に行う電解メッキのマスクとして用いられる。
【００３７】
次に、電解メッキ法によりドライフィルム２０，２１によって覆われていない領域に導電性材料２２を成長させる（図１０）。つまり、コア基板１０の全面にではなく、ドライフィルム２０，２１によって覆われていない領域に導電性材料２２を選択的に形成する。これにより、ビアホール１６の内部がほぼ完全に導電性材料２２によって埋められた状態となり、また第２の配線パターンの形成領域に導電性材料２２が形成された状態となる。
【００３８】
電解メッキは、ビアホール１６及び第２の配線パターンの形成領域の内部が導電性材料で完全に埋まるように行うことが好ましい。メッキ液の種類については適宜選択すればよく、例えば、導電性材料を銅（Ｃｕ）とする場合には、メッキ液として硫酸銅を用いることができる。ビアホール１６の内部に空洞が残るような場合には、ビアホール１６の内部を導電性樹脂で埋めることが好ましい。空洞が残っていると、空洞内にめっき液等が残留し、これがビアホールの腐食の原因となるからである。導電性樹脂の代わりに絶縁性樹脂を用いることも可能であるが、ビアホール１６を介した上下層間の電気的接続を確実とするためには、導電性樹脂を用いることが好ましい。
【００３９】
次に、ドライフィルム２０，２１を剥離しない状態で、コア基板１０の表面と平行に導電性材料２２を研磨し、全面を平坦化する（図１１）。すなわち、ドライフィルム２０，２１が存在する状態で導電性材料２２を研磨する。このとき、ドライフィルム自体はほとんど研磨されないことから、導電性材料２２の表面はドライフィルム２０，２１の表面と実質的に一致することになる。研磨は、化学的な研磨及びバフを用いた機械的な研磨のいずれか一方のみを用いても構わないが、これらを併用することが好ましい。特に、まず化学的な研磨を行った後、バフを用いた機械的な研磨を行えば、非常に高い平坦性を確保することが可能となる。
【００４０】
その後、ドライフィルム２０，２１を剥離すれば、下地導電層１８，１９の表面に第１の配線パターン２３よりも厚い第２の配線パターン２４及びビアホール上の電極パターン２５が形成された状態となる（図１２）。そして、酸などのエッチング液を用いて配線パターン等が形成されていない部分の不要な下地導電層１８，１９を除去（ソフトエッチング）することにより、コア基板に対する一連の加工が完了し、第1の配線パターン２３、第2の配線パターン２４及びビアホール上の電極パターン２５が形成された加工済みコア基板２６が完成する（図１３）。なお、ソフトエッチング工程で配線パターン自体も多少エッチングされるが、エッチング量が少ないので問題はない。
【００４１】
図１４乃至図１７は、配線パターンの形状を示す平面図である。
【００４２】
例えば、配線パターン２３の形状を図１４に示すように対向パターンとすることによってコンデンサ素子を構成することができ、また配線パターン２３（又は２４）の形状を図１５に示すようにミアンダ状のパターン、或いは、図１６に示すようにスパイラル状のパターン、或いは、図１７に示すようなヘリカル状のパターンとすることによってインダクタ素子を構成することができる。尚、図１６において、スパイラル状のパターンの中心にはビアホール１６上の電極パターン２５が形成されており、導電性材料２２が充填されたビアホール１６を介して他の層の配線パターンと接続される。また、図１７において、略ループ状のパターンの終端部分にはビアホール１６上の電極パターン２５が形成されており、導電性材料２２が充填されたビアホール１６を介して他の層の略ループ状パターンと接続され、これによりパターン全体がヘリカル状のパターンとして構成される。これらの受動素子のインピーダンスは配線パターンの幅や厚みによって大きく変動するが、本実施形態による方法を用いれば、高精度なパターニングが可能であることから、これら受動素子の特性のばらつきを大幅に低減することが可能となる。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態によれば、同一層内に異なる厚みを有する配線パターンを形成することができるので、例えば、パターンの幅や厚みのばらつきが少ないことが必要な高周波回路用ＬＣパターン及びインピーダンスマッチングの必要な通常の配線パターンについては、導電層のパターニングにより形成される第１の配線パターンで構成し、アスペクト比が高く導体断面積が比較的大きい（直流抵抗が低い）ことが必要なチョークコイル用Ｌパターンについては、メッキにより形成される第２の配線パターンで構成し、これらを同一層内に形成することができ、各素子に求められる最適なパターン形状、幅や厚みのばらつきを任意に選択できる。すなわち、設計の自由度が高く、高密度実装に適したコア基板を作製することができる。
【００４４】
さらに、本実施形態によれば、ビアホールの内部を導電性材料で埋める工程にて第２の配線パターンを形成するので、工程を増やすことなく通常の工程の範囲内で第２の配線パターンを形成することができる。
【００４５】
次に、本実施形態による多層基板の製造方法を「ビルドアップ層」に対して適用した場合について、略断面図である図１８乃至図３１を参照しながら説明する。
【００４６】
本実施形態による方法は、上述した加工済みコア基板２６上に積層するビルドアップ層へ適用することが好ましい。これによれば、コア基板の表面に形成される配線パターン及びビルドアップ層の表面に形成される配線パターンの両方について、厚みばらつきが小さくなることから、パターン精度を全体的に向上させることが可能となる。以下、上述した加工済みコア基板２６（図１３参照）に積層するビルドアップ層に対し、本発明を適用した場合を例に説明する。
【００４７】
まず、図１乃至図１３を用いて説明した方法により作製した加工済みコア基板２６を用意し、コア基板２６上にビルドアップ層を積層する（図１８）。加工前のビルドアップ層３０は、Ｂステージのエポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂３１に金属箔３２が設けられたシート（樹脂付き金属箔）からなる。このシートを熱硬化性樹脂３１側がコア基板２６を向くように貼り合わせ、この積層体を熱プレスすれば、熱硬化性樹脂３１が硬化するので、ビルドアップ層はコア基板２６と一体化する（図１９）。これにより、熱硬化性樹脂３１はビルドアップ層の絶縁層となり、金属箔３２は導電層となる。
【００４８】
次に、ビルドアップ層３０の表面に感光性材料によって構成されるドライフィルム３３を貼り付ける（図２０）。これにより、導電層３２のほぼ全面がドライフィルム３３によって覆われた状態となる。そして、ドライフィルム３３を露光、現像することによって、ドライフィルム３３をパターニングし、導電層１２を部分的に露出させる（図２１）。
【００４９】
次に、ドライフィルム３３をマスクとして導電層３２をエッチングし、絶縁層３１を部分的に露出させる（図２２）。絶縁層の露出した領域の一部分１１ａはビアホールの開口部となり、他の部分１１ｂは相対的に厚い配線パターンの形成領域となる。一方、残された導電層３２は、主として、所定の厚みを有する通常の配線パターン（第１の配線パターン）となる。このときパターニングされる導電層３２は、その厚みばらつきが非常に小さく抑えられていることから、高精度なパターニングを行うことが可能となる。したがって、パターニングにより形成される第１の配線パターンの幅を所望の幅とすることが可能となる。
【００５０】
次に、ドライフィルム３３を剥離し（図２３）、レーザー加工により、絶縁層３１の露出した部分３１ａにビアホール３４を形成する（図２４）。ビアホール３４は、絶縁層３１を貫通しているが、このときコア基板２６上の導電層の一部（ここでは電極パターン２３）がストッパーとして機能することから、この導電層がビアホール３４の底部３４ａを構成することになる。ビアホール３４の直径については、特に限定されないが、３０〜２００μｍ程度に設定することが好ましい。
【００５１】
次に、ビアホール３４の内壁を含む露出面のほぼ全面に下地導電層３６を形成する（図２５）。下地導電層３６の形成方法としては、無電解メッキ法、スパッタ法、蒸着法等を用いることが好ましい。下地導電層３６は、その後に行う電解メッキの下地としての役割を果たすため、その厚みとしては非常に薄く、例えば数百オングストロームから３．０μｍの範囲より適時選択すればよい。
【００５２】
次に、感光性材料によって構成されるドライフィルム３７をビルドアップ層３０の表面に貼り付ける（図２６）。これにより、下地導電層３６のほぼ全面がドライフィルムで覆われた状態となる。ドライフィルム３７は、後述する第２の配線パターンを形成するために用いられることから、第１の配線パターンよりも厚いことが必要となる。そして、ドライフィルム３７を露光、現像することにより、ビアホール３４の開口部及び第１の配線パターンよりも厚い第２の配線パターンを形成したい領域にあるドライフィルム３７を除去する（図２７）。残ったドライフィルム３７は、その後に行う電解メッキのマスクとして用いられる。
【００５３】
次に、電解メッキ法によりドライフィルム３７によって覆われていない領域に導電性材料３８を成長させる（図２８）。つまり、ビルドアップ層の全面にではなく、ドライフィルム３７によって覆われていない領域に導電性材料３８を選択的に形成する。これにより、ビアホール３４の内部がほぼ完全に導電性材料３８によって埋められた状態となり、また第２の配線パターンの形成領域に導電性材料３８が形成された状態となる。
【００５４】
次に、ドライフィルム３７を剥離しない状態で、ビルドアップ層３０の表面と平行に導電性材料３８を研磨し、全面を平坦化する（図２９）。すなわち、ドライフィルム３７が存在する状態で導電性材料２０を研磨する。このとき、ドライフィルム自体はほとんど研磨されないことから、導電性材料３８の表面はドライフィルム３７の表面と実質的に一致することになる。
【００５５】
その後、ドライフィルム３７を剥離すれば、下地導電層３６の表面に第１の配線パターン３９よりも厚い第２の配線パターン４０及びビアホール上の電極パターン４１が形成された状態となる（図３０）。そして、酸などのエッチング液を用いて配線パターン等が形成されていない部分の不要な下地導電層３６を除去（ソフトエッチング）することにより、ビルドアップ層に対する一連の加工が完了し、第1の配線パターン３９、第2の配線パターン４０及びビアホール上の電極パターン４１が形成された多層基板４２が完成する（図３１）。なお、ソフトエッチング工程で配線パターン自体も多少エッチングされるが、エッチング量が少ないので問題はない。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態によれば、同一層内に異なる厚みを有する配線パターンを形成することができるので、例えば、パターンの幅や厚みのばらつきが少ないことが必要な高周波回路用ＬＣパターン及びインピーダンスマッチングの必要な通常の配線パターンについては、導電層のパターニングにより形成される第１の配線パターンで構成し、アスペクト比が高く導体断面積が比較的大きい（直流抵抗が低い）ことが必要なチョークコイル用Ｌパターンについては、メッキにより形成される第２の配線パターンで構成し、これらを同一層内に形成することができ、各素子に求められる最適なパターン形状、幅や厚みのばらつきを任意に選択できる。すなわち、設計の自由度が高く、高密度実装に適したビルドアップ層を作製することができる。
【００５７】
さらに、本実施形態によれば、ビアホールの内部を導電性材料で埋める工程にて第２の配線パターンを形成するので、工程を増やすことなく通常の工程の範囲内で第２の配線パターンを形成することができる。
【００５８】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５９】
例えば、上記各実施形態においては、レーザー加工によりビアホールを形成したが、これに限定されるものではなく、必要とされる研削厚み、研削幅（径）、研削レート等の諸条件を考慮して、例えば、ミリング、ドライブラスト、ウェットブラスト、ドリル等、最適な方法を取ればよい。
【００６０】
また、上各記実施形態においては、電解メッキのマスクとしてパターニングされたドライフィルムを用いたが、ドライフィルムをパターニングする代わりに、スクリーン印刷法によって絶縁性材料を選択的に形成し、これをマスクとして用いることも可能である。
【００６１】
また、上記各実施形態においては、ドライフィルムを剥離した後に導電性材料を研磨しているが、ドライフィルムを剥離する前に一旦導電性材料を研磨し、さらに、ドライフィルムを剥離した後、再び研磨を行えば、研磨の回数は増えるものの、導電性材料の厚みがほぼ一定且つ薄く揃えられることから、より高精度なパターニングを行うことが可能となる。さらに、上記各実施形態では導電層の研磨を行わなかったが、導電層の厚みを揃える必要がある場合には、導電層についても研磨を行えばよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（コア基板の準備）を示す略断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（導電層のエッチング）を示す略断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ビアホールの形成）を示す略断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（下地導電層の形成）を示す略断面図である。
【図８】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図９】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図１０】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（導電性材料の形成）を示す略断面図である。
【図１１】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（表面の研磨）を示す略断面図である。
【図１２】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図１３】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ソフトエッチング）を示す略断面図であり、加工済みコア基板を示す図である。
【図１４】配線パターンを対向パターンとした例を示す略平面図である。
【図１５】配線パターンをミアンダ状のパターンとした例を示す略平面図である。
【図１６】配線パターンをスパイラル状のパターンとした例を示す略平面図である。
【図１７】配線パターンをヘリカル状のパターンとした例を示す略平面図である。
【図１８】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（樹脂付き金属箔によるプレス）を示す略断面図である。
【図１９】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（多層基板の準備）を示す略断面図である。
【図２０】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図２１】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図２２】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（導電層のエッチング）を示す略断面図である。
【図２３】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図２４】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ビアホールの形成）を示す略断面図である。
【図２５】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（下地導電層の形成）を示す略断面図である。
【図２６】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図２７】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図２８】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（導電性材料の形成）を示す略断面図である。
【図２９】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（表面の研磨）を示す略断面図である。
【図３０】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図３１】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ソフトエッチング）を示す略断面図であり、完成した多層基板を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０      コア基板
１１      絶縁層
１１ａ、１１ｂ      絶縁層の一部分
１２      導電層
１３      導電層
１４      ドライフィルム
１５      ドライフィルム
１６      ビアホール
１６ａ      ビアホールの底部
１８      下地導電層
１９      下地導電層
２０      ドライフィルム
２１      ドライフィルム
２２      導電性材料
２３      第1の配線パターン
２４      第2の配線パターン
２５      ビアホールの電極パターン
２６      加工済みコア基板
３０      ビルドアップ層
３１      絶縁層（熱硬化性樹脂）
３１ａ      絶縁層の一部分
３１ｂ      絶縁層の他の部分
３２      導電層（金属箔）
３３      ドライフィルム
３４      ビアホール
３４ａ      ビアホールの底部
３６      下地導電層
３７      ドライフィルム
３８      導電性材料
３９      第1の配線パターン
４０      第2の配線パターン
４１      ビアホール上の電極パターン
４２      多層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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