(57)【要約】【課題】  溶融製膜したセルロースアシレートフィルムに於いて、面状（スジ故障）を解消する。【解決手段】  下記（Ａ）〜（Ｃ）式を満足するセルロースアシレートと、芳香環を２つ以上含み分子量２００〜１０００および融点が５５℃〜２５０℃であり且つリン酸エステル基を含まない低分子化合物と、を含み、  前記セルロースアシレートに対して前記低分子化合物を１質量％〜５０質量％含むことを特徴とするセルロースアシレートペレット。      ２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０      ・・・（Ａ）式          ０≦Ｘ≦２．８          ・・・（Ｂ）式      ０．３≦Ｙ＜３              ・・・（Ｃ）式（式中、Ｘはアセチル基の置換度を表し、Ｙはプロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基およびヘキサノイル基の置換度の総和を表す。）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）〜（Ｃ）式を満足するセルロースアシレートと、芳香環を２つ以上含み分子量２００〜１０００および融点が５５℃〜２５０℃であり且つリン酸エステル基を含まない低分子化合物とを含み、
前記セルロースアシレートに対して前記低分子化合物を１質量％〜５０質量％含むことを特徴とするセルロースアシレートペレット。
２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０      ・・・（Ａ）式
０≦Ｘ≦２．８          ・・・（Ｂ）式
０．３≦Ｙ＜３              ・・・（Ｃ）式
（式中、Ｘはアセチル基の置換度を表し、Ｙはプロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基およびヘキサノイル基の置換度の総和を表す。）
【請求項２】
前記低分子化合物が、下記一般式（１）〜（５）で表される低分子化合物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のセルロースアシレートペレット。
【化１】
2006176736.tif 000087
（一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立して、芳香族環またはヘテロ環を表し、Ｘ1は単結合、−ＮＲ4−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ2は単結合、−ＮＲ5−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ3は単結合、−ＮＲ6−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）
一般式（２）：ＡＲ1−Ｌ1−ＡＲ2
（一般式（２）中、ＡＲ1およびＡＲ2は、それぞれ独立に芳香族基を表し、Ｌ1は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、またはこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。）
【化２】
2006176736.tif 000088
（一般式（３）中、Ｒ1〜Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
一般式（４）：ＡＲ1−Ｌ1−（ＡＲ2−Ｌ2）n−ＡＲ3
（一般式（４）中、ＡＲ1、ＡＲ3は、それぞれ独立にアリール基、アリールカルボニル基または芳香族ヘテロ環を表し、ＡＲ2はアリーレン基または芳香族へテロ環を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。ｎは３以上の整数を表し、それぞれＡＲ2、Ｌ2は同一であってもよいし異なっていてもよい。）
一般式（５）：ＡＲ1−Ｌ1−Ｘ−Ｌ2−ＡＲ2
（一般式（５）中、ＡＲ1、ＡＲ2はそれぞれ独立にアリール基または芳香族ヘテロ環を表す。Ｌ1、Ｌ2は、それぞれ独立に−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ−を表す。Ｒは水素原子またアルキル基を表す。Ｘは下記一般式（５−Ａ）または一般式（５−Ｂ）を表す。）
【化３】
2006176736.tif 000089
（一般式（５−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【化４】
2006176736.tif 000090
（一般式（５−Ｂ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17およびＲ18はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【請求項３】
前記一般式（３）で表される低分子化合物が下記一般式（３−４）で表される低分子化合物であることを特徴とする請求項２に記載のセルロースアシレートペレット。
【化５】
2006176736.tif 000091
（一般式（３−４）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ22はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘ1は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、またはシアノ基を表す。）
【請求項４】
前記一般式（４）で表される低分子化合物が、下記一般式（４−１）で表される低分子化合物であることを特徴とする請求項２に記載のセルロースアシレートペレット。
【化６】
2006176736.tif 000092
（一般式（４−１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およびＲ24はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＡＲ2はアリーレン基または芳香族ヘテロ環を表し、Ｌ2、Ｌ3はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。ｎは３以上の整数を表し、それぞれＡＲ2、Ｌ2は同一であってもよいし異なっていてもよい。）
【請求項５】
前記一般式（５）で表される低分子化合物が下記一般式（５−４）で表される低分子化合物であることを特徴とする請求項２に記載のセルロースアシレートペレット。
【化７】
2006176736.tif 000093
（式中、Ｒ22、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ31は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ32は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ33は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｌ1、Ｌ2は、それぞれ独立に−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ−を表す。Ｒは水素原子またアルキル基を表す。Ｘは前記一般式（５−Ａ）または一般式（５−Ｂ）を表す。）
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のセルロースアシレートペレットを用いて溶融製膜したことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
【請求項７】
前記溶融成膜後に、縦および横の少なくとも１方向に１．１倍〜２．５倍で延伸したことを特徴とする請求項６に記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項８】
下記の条件（１）および（２）を満足する請求項６に記載のセルロースアシレートフィルム。
条件（１）：２００≧Ｒｅ≧０
条件（２）：５００≧Ｒｔｈ≧０
（Ｒｅはフィルム面内のレターデーション、Ｒｔｈはフィルム厚み方向のレターデーションを指す）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セルロースアシレートペレット、および、該セルロースアシレートペレットを用い、溶融流延によって形成されたセルロースアシレートフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶画像表示装置に使用されるセルロースアシレートフィルムを製造する際に、セルロースアシレートをジクロロメタンのような塩素系有機溶剤に溶解し、これを基材上に流延、乾燥して製膜する溶液流延法が主に実施されている。前記塩素系有機溶剤としてジクロロメタンは、従来からセルロースアシレートの良溶媒として用いられ、製造工程の製膜および乾燥工程において沸点が低い（沸点約４０℃）ことから乾燥させ易いという利点を有し好ましく使用されている。しかし、近年環境保全の観点で低沸点物質である塩素系有機溶媒は、密閉設備での取り扱いを要求されるなど漏れを著しく低減されるようになった。さらに、万が一漏れても外気に出す前にガス吸収塔を設置し有機溶媒を吸着させて処理する方法、排出する前に火力による燃焼あるいは電子線ビームによる塩素系有機溶媒の分解などで、殆ど有機溶媒を排出することはなくなったが、完全な非排出までには更に研究する必要がある。
【０００３】
このような対策として、有機溶剤を用いない製膜法が提案されており、例えばセルロースアシレートを溶融製膜する方法が公開されている。これは、セルロースアシレートのエステル基の炭素鎖を長くすることで融点を下げ溶融製膜しやすくしたものである。具体的には、セルロースアセテートを、セルロースプロピオネートやセルロースプロピオネート等に変えることで溶融製膜を可能にしている。しかし、この方法で溶融製膜したものを用いて偏光板を作製し液晶表示装置に組み込んだところ、長時間製膜後にスジが発生し易いといった問題があり、その改良が望まれていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３５２６２０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、長時間運転後に発生するスジ故障の発生が抑制されたセルロースアシレートペレットおよびこれを用いたセルロースアシレートフィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の前記課題は以下の構成により達成される。
（１）下記（Ａ）〜（Ｃ）式を満足するセルロースアシレートと、芳香環を２つ以上含み分子量２００〜１０００および融点が５５℃〜２５０℃であり且つリン酸エステル基を含まない低分子化合物とを含み、
前記セルロースアシレートに対して前記低分子化合物を１質量％〜５０質量％含むことを特徴とするセルロースアシレートペレット。
２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０      ・・・（Ａ）式
０≦Ｘ≦２．８          ・・・（Ｂ）式
０．３≦Ｙ＜３              ・・・（Ｃ）式
（式中、Ｘはアセチル基の置換度を表し、Ｙはプロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基およびヘキサノイル基の置換度の総和を表す。）
【０００７】
（２）前記低分子化合物が、下記一般式（１）〜（５）で表される低分子化合物から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする（１）に記載のセルロースアシレートペレット。
【０００８】
【化１】
2006176736.tif 000002
（一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立して、芳香族環またはヘテロ環を表し、Ｘ1は単結合、−ＮＲ4−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ2は単結合、−ＮＲ5−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ3は単結合、−ＮＲ6−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）
【０００９】
一般式（２）：ＡＲ1−Ｌ1−ＡＲ2
（一般式（２）中、ＡＲ1およびＡＲ2は、それぞれ独立に芳香族基を表し、Ｌ1は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、またはこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。）
【００１０】
【化２】
2006176736.tif 000003
（一般式（３）中、Ｒ1〜Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
【００１１】
一般式（４）：ＡＲ1−Ｌ1−（ＡＲ2−Ｌ2）n−ＡＲ3
（一般式（４）中、ＡＲ1、ＡＲ3は、それぞれ独立にアリール基、アリールカルボニル基または芳香族ヘテロ環を表し、ＡＲ2はアリーレン基または芳香族へテロ環を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。ｎは３以上の整数を表し、それぞれＡＲ2、Ｌ2は同一であってもよいし異なっていてもよい。）
【００１２】
一般式（５）：ＡＲ1−Ｌ1−Ｘ−Ｌ2−ＡＲ2
（一般式（５）中、ＡＲ1、ＡＲ2はそれぞれ独立にアリール基または芳香族ヘテロ環を表す。Ｌ1、Ｌ2は、それぞれ独立に−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ−を表す。Ｒは水素原子またアルキル基を表す。Ｘは下記一般式（５−Ａ）または一般式（５−Ｂ）を表す。）
【００１３】
【化３】
2006176736.tif 000004
（一般式（５−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【００１４】
【化４】
2006176736.tif 000005
（一般式（５−Ｂ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17およびＲ18はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【００１５】
（３）前記一般式（３）で表される低分子化合物が下記一般式（３−４）で表される低分子化合物であることを特徴とする（２）に記載のセルロースアシレートペレット。
【００１６】
【化５】
2006176736.tif 000006
（一般式（３−４）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ22はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘ1は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、またはシアノ基を表す。）
【００１７】
（４）前記一般式（４）で表される低分子化合物が、下記一般式（４−１）で表される低分子化合物であることを特徴とする（２）に記載のセルロースアシレートペレット。
【００１８】
【化６】
2006176736.tif 000007
（一般式（４−１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およびＲ24はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＡＲ2はアリーレン基または芳香族ヘテロ環を表し、Ｌ2、Ｌ3はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。ｎは３以上の整数を表し、それぞれＡＲ2、Ｌ2は同一であってもよいし異なっていてもよい。）
【００１９】
（５）前記一般式（５）で表される低分子化合物が下記一般式（５−４）で表される低分子化合物であることを特徴とする（２）に記載のセルロースアシレートペレット。
【００２０】
【化７】
2006176736.tif 000008
（式中、Ｒ22、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ31は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｒ32は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ33は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｌ1、Ｌ2は、それぞれ独立に−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ−を表す。Ｒは水素原子またアルキル基を表す。Ｘは前記一般式（５−Ａ）または一般式（５−Ｂ）を表す。）
【００２１】
（６）２軸混練押出し機の入口温度（Ｔ1）、出口温度（Ｔ2）、ダイの温度（Ｔ3）を、Ｔ1＜Ｔ2＜Ｔ3として溶融後にペレット化したことを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１つに記載のセルロースアシレートペレット。
【００２２】
（７）２軸混練押出し機で溶融後、ヌードル状に固化し、これをセルロースアシレートの水分量（付着、吸水の合計）を０．１質量％〜１０質量％で裁断しペレット化したことを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１つに記載のセルロースアシレートペレット。
【００２３】
（８）（１）〜（７）のいずれか１つに記載のペレットを用いて溶融製膜したことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
【００２４】
（９）前記溶融成膜後に、縦および横の少なくとも１方向に１．１倍〜２．５倍で延伸したことを特徴とする（８）に記載のセルロースアシレートフィルム。
【００２５】
（１０）  下記の条件（１）および（２）を満足する（８）に記載のセルロースアシレートフィルム。
条件（１）：２００≧Ｒｅ≧０
条件（２）：５００≧Ｒｔｈ≧０
（Ｒｅはフィルム面内のレターデーション、Ｒｔｈはフィルム厚み方向のレターデーションを指す）
【００２６】
（１１）偏光子の両側に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板であって、前記保護フィルムの少なくとも１枚が（７）〜（１０）いずれか１つに記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
【００２７】
（１２）前記偏光板の一方の保護フィルムの表面に、ハードコート層、防眩層、および反射防止層から選ばれる少なくとも一層を有することを特徴とする（１１）に記載の偏光板。
【００２８】
（１３）液晶セルおよびその両側に配置された二枚の偏光板からなる液晶表示装置であって、少なくとも１枚の偏光板が（１１）または（１２）に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
【００２９】
（１４）液晶モードがＯＣＢまたはＶＡモードである（１３）に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、長時間運転後に発生するスジ故障の発生が抑制されたセルロースアシレートペレットおよびこれを用いたセルロースアシレートフィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に詳細に本発明の達成方法について説明する。
本発明の課題である長時間（２４時間以上）運転後に発生するスジは、フィルム内部に存在することが特徴であり、フィルム表面に存在するダイラインとは異なるものである。この発生原因を解析したところ、製膜原料中に存在する微細屑が原因であることが分かった。
即ち、ペレットは搬送中に互いが擦れあい、一部が削り取られ樹脂粉が発生する。ペレットを溶融製膜機のホッパーに充填すると、このような粉が静電気でホッパーに付着する。ホッパー内はペレットの吸湿を防ぐため加熱するのが一般的であり（特に吸水性が高い上に熱分解し易いセルロースアシレートの場合は不可欠である）、このような樹脂屑は長時間高温に曝される。この間に樹脂屑中のセルロースアシレートは結晶化が進み、溶融し難くなる。この樹脂屑が時々ホッパーから押出し機の中に落下し、これが溶融しきれずに未溶解物となって押出される。このような微小な未溶解物は通常のろ過フィルターでは通過してしまい、ダイから押出されフィルムに混入してしまう。このような固形物がフィルム中に入ると、この未溶解物を先頭にして尾引き状にスジ故障が発生することがわかった。このように、本発明が抑制しようとするスジはセルロースアシレートを長時間溶融製膜した場合に特異的に発生する故障である。
【００３２】
本発明においては、前記スジ故障の原因であるペレットの樹脂屑を減少させるために、下記（Ａ）〜（Ｃ）式を満足するセルロースアシレートと、後述するような芳香環を２つ以上含み分子量２００〜１０００および融点が５５℃〜２５０℃であり且つリン酸エステル基を含まない低分子化合物（以下、「本発明における低分子化合物」と略することがある。）をセルロースアシレートに対し１質量％〜５０質量％含むことを特徴とする。
２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０      ・・・（Ａ）式
０≦Ｘ≦２．８          ・・・（Ｂ）式
０．３≦Ｙ＜３              ・・・（Ｃ）式
（式中、Ｘはアセチル基の置換度を表し、Ｙはプロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基およびヘキサノイル基の置換度の総和を表す。）
【００３３】
本発明における低分子化合物はセルロースアシレートに対して１質量％〜５０質量％の範囲で混合される。本発明の低分子化合物の添加量が１質量％未満であると、溶融押出し機内で潤滑剤としての作用が低下し、スクリューの剪断熱で分解が進み、着色が増加するうえ、レターデーションの発現性も低下し、スジも発生しやすくなる。５０質量％を超えると、ペレット表面に染み出し、溶融押出し機のホッパー内でペレットどうしがくっ付き塊となって押出し機への供給を妨げる。また溶融押出し機内での酸化分解による着色も増加し、ＹＩ値やＢ値が増加する。
本発明における低分子化合物はセルロースアシレートに対して、２質量％〜４０質量％混合することが好ましく、２．５質量％〜３５質量％混合することが更に好ましい。
セルロースアシレートは剛直なグルコピラノース環を連結して形成されており、非常に脆いことがペレットの削れを引き起こす原因になる。本発明においては、セルロースアシレートと共に本発明における低分子化合物を添加することにより樹脂（セルロースアシレート）に柔軟性を与え、削れを防止することができる。本発明における低分子化合物は、芳香環を２つ以上含む。、これは芳香環を含むことにより熱安定性を付与することができるのに加えて、光学フィルムとして使用する際に光学異方性（レターデーション）を調整し易くなる観点からも好ましい。
【００３４】
また、本発明における低分子化合物は、分子量が２００〜１０００である。これにより、セルロースアシレートに柔軟性を与えることができる。また、本発明における低分子化合物にはリン酸エステル基を含まない。リン酸エステル基を含む化合物はセルロースアシレートとの混和性がよく、セルロースアシレートを流動させて結晶化を促す効果がある。このため、上述のような微小な未溶解異物を形成し易い。
さらに本発明における低分子化合物の融点は５５℃〜２５０℃である。本発明における低分子化合物の融点は、６０℃〜２４０℃が好ましい。融点が５５℃未満では室温保存中に表面に析出した本発明における低分子化合物が融解し、ペレット同士がブロッキングしホッパーからスムーズに供給できない。一方２５０℃を越えると、溶融できず未溶解物ができてしまう。
本発明における低分子化合物は、具体的には以下の化合物（下記一般式（１）〜（５）で表される低分子化合物の少なくとも１種）を好ましく用いることができる。これらの本発明における低分子化合物は単独（１種類）で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００３５】
（ア）一般式（１）で表される化合物
【００３６】
【化８】
2006176736.tif 000009
（一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立して、芳香族環またはヘテロ環を表し、Ｘ1は単結合、−ＮＲ4−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ2は単結合、−ＮＲ5−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ3は単結合、−ＮＲ6−、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。）
【００３７】
一般式（１）について説明する。
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して、芳香族環またはヘテロ環を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3で表される芳香族環は、フェニルまたはナフチルであることが好ましく、フェニルであることが特に好ましい。Ｒ1で表される芳香族環は置換基を有していてもよく、該置換基の例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アルキル置換スルファモイル基、アルケニル置換スルファモイル基、アリール置換スルファモイル基、スルオンアミド基、カルバモイル、アルキル置換カルバモイル基、アルケニル置換カルバモイル基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基およびアシル基が含まれる。
【００３８】
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3で表されるヘテロ環基は、芳香族性を有することが好ましい。芳香族性を有するヘテロ環は、一般に不飽和ヘテロ環であり、好ましくは最多の二重結合を有するヘテロ環である。前記ヘテロ環は５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。ヘテロ環のヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子または酸素原子であることが好ましく、窒素原子であることが特に好ましい。芳香族性を有するヘテロ環としては、ピリジン環（ヘテロ環基としては、２−ピリジルまたは４−ピリジル）が特に好ましい。ヘテロ環基は、置換基を有していてもよい。ヘテロ環基の置換基の例は、前記アリール部分の置換基の例と同様である。
【００３９】
一般式（１）において、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3がそれぞれ単結合である場合のヘテロ環基は、窒素原子に遊離原子価をもつヘテロ環基であることが好ましい。窒素原子に遊離原子価をもつヘテロ環基は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましく、５員環であることが最も好ましい。前記ヘテロ環基は、複数の窒素原子を有していてもよい。また、ヘテロ環基は、窒素原子以外のヘテロ原子（例、Ｏ、Ｓ）を有していてもよい。以下に、窒素原子に遊離原子価をもつヘテロ環基の例を示す。
【００４０】
【化９】
2006176736.tif 000010
【００４１】
さらに一般式（１）中、Ｘ1は単結合、−ＮＲ4−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ2は単結合、−ＮＲ5−、−Ｏ−または−Ｓ−を表し、Ｘ3は単結合、−ＮＲ6-、−Ｏ−または−Ｓ−を表す。Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の、アルキル基、アルケニル基、アリール基またはヘテロ環基を表す。
一般式（１）において、前記Ｒ4、Ｒ5およびＲ6がそれぞれ表すアルキル基は、環状アルキル基であってもよいし鎖状アルキル基であってもよいが、鎖状アルキル基を表すのが好ましく、分岐を有する鎖状アルキル基よりも、直鎖状アルキル基を表すのがより好ましい。前記アルキル基の炭素数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８が特に好ましく、１〜６であることが最も好ましい。
前記アルキル基は、置換基を有していてもよい。該置換基の例には、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ）およびアシルオキシ基（例、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ）が含まれる。
【００４２】
一般式（１）において、前記Ｒ4、Ｒ5およびＲ6がそれぞれ表すアルケニル基は、環状アルケニル基であってもよいし鎖状アルケニル基であってもよいが、鎖状アルケニル基を表すのが好ましく、分岐を有する鎖状アルケニル基よりも、直鎖状アルケニル基を表すのがより好ましい。前記アルケニル基の炭素数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることが特に好ましく、２〜６であることが最も好ましい。前記アルケニル基は置換基を有していてもよい。該置換基の例は、前述のアルキル基の置換基と同様である。
【００４３】
一般式（１）において、前記Ｒ4、Ｒ5およびＲ6がそれぞれ表す芳香族環およびヘテロ環基は、Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3でそれぞれ表される芳香族環およびヘテロ環と同様であり、好ましい範囲も同様である。また、該芳香族環基およびヘテロ環基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例にはＲ1、Ｒ2、およびＲ3の芳香族環およびヘテロ環の置換基と同様のものが挙げられる。
これらの中で特に好ましいのが、Ｘ1が−ＮＲ4-、Ｘ2が−ＮＲ5-、Ｘ3が−ＮＲ6-であるものである。
【００４４】
以下に一般式（１）で表される低分子化合物の具体例を示す。
【００４５】
【化１０】
2006176736.tif 000011
【００４６】
【化１１】
2006176736.tif 000012
【００４７】
【化１２】
2006176736.tif 000013
【００４８】
【化１３】
2006176736.tif 000014
【００４９】
【化１４】
2006176736.tif 000015
【００５０】
【化１５】
2006176736.tif 000016
【００５１】
【化１６】
2006176736.tif 000017
【００５２】
【化１７】
2006176736.tif 000018
【００５３】
【化１８】
2006176736.tif 000019
【００５４】
【化１９】
2006176736.tif 000020
【００５５】
【化２０】
2006176736.tif 000021
【００５６】
【化２１】
2006176736.tif 000022
【００５７】
【化２２】
2006176736.tif 000023
【００５８】
【化２３】
2006176736.tif 000024
【００５９】
Ｒ＝（４）フェニル
（５）４−エトキシカルボニルフェニル
（６）４−ブトキシフェニル
（７）ｐ−ビフェニリル
（８）４−ピリジル
（９）２−ナフチル
（１０）２−メチルフェニル
（１１）３，４−ジメトキシフェニル
（１２）２−フリル
【００６０】
【化２４】
2006176736.tif 000025
【００６１】
Ｒ＝（１４）フェニル
（１５）３−エトキシカルボニルフェニル
（１６）３−ブトキシフェニル
（１７）ｍ−ビフェニリル
（１８）３−フェニルチオフェニル
（１９）３−クロロフェニル
（２０）３−ベンゾイルフェニル
（２１）３−アセトキシフェニル
（２２）３−ベンゾイルオキシフェニル
（２３）３−フェノキシカルボニルフェニル
（２４）３−メトキシフェニル
（２５）３−アニリノフェニル
（２６）３−イソブチリルアミノフェニル
（２７）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２８）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（２９）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（３０）３−メチルフェニル
（３１）３−フェノキシフェニル
（３２）３−ヒドロキシフェニル
（３３）４−エトキシカルボニルフェニル
（３４）４−ブトキシフェニル
（３５）ｐ−ビフェニリル
（３６）４−フェニルチオフェニル
（３７）４−クロロフェニル
（３８）４−ベンゾイルフェニル
（３９）４−アセトキシフェニル
（４０）４−ベンゾイルオキシフェニル
（４１）４−フェノキシカルボニルフェニル
（４２）４−メトキシフェニル
（４３）４−アニリノフェニル
（４４）４−イソブチリルアミノフェニル
（４５）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（４６）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（４７）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（４８）４−メチルフェニル
（４９）４−フェノキシフェニル
（５０）４−ヒドロキシフェニル
【００６２】
（５１）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（５２）３，４−ジブトキシフェニル
（５３）３，４−ジフェニルフェニル
（５４）３，４−ジフェニルチオフェニル
（５５）３，４−ジクロロフェニル
（５６）３，４−ジベンゾイルフェニル
（５７）３，４−ジアセトキシフェニル
（５８）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（５９）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（６０）３，４−ジメトキシフェニル
（６１）３，４−ジアニリノフェニル
（６２）３，４−ジメチルフェニル
（６３）３，４−ジフェノキシフェニル
（６４）３，４−ジヒドロキシフェニル
（６５）２−ナフチル
【００６３】
（６６）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（６７）３，４，５−トリブトキシフェニル
（６８）３，４，５−トリフェニルフェニル
（６９）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（７０）３，４，５−トリクロロフェニル
（７１）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（７２）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（７３）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（７４）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（７５）３，４，５−トリメトキシフェニル
（７６）３，４，５−トリアニリノフェニル
（７７）３，４，５−トリメチルフェニル
（７８）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（７９）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【００６４】
【化２５】
2006176736.tif 000026
【００６５】
Ｒ＝（８０）フェニル
（８１）３−エトキシカルボニルフェニル
（８２）３−ブトキシフェニル
（８３）ｍ−ビフェニリル
（８４）３−フェニルチオフェニル
（８５）３−クロロフェニル
（８６）３−ベンゾイルフェニル
（８７）３−アセトキシフェニル
（８８）３−ベンゾイルオキシフェニル
（８９）３−フェノキシカルボニルフェニル
（９０）３−メトキシフェニル
（９１）３−アニリノフェニル
（９２）３−イソブチリルアミノフェニル
（９３）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（９４）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（９５）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（９６）３−メチルフェニル
（９７）３−フェノキシフェニル
（９８）３−ヒドロキシフェニル
（９９）４−エトキシカルボニルフェニル
（１００）４−ブトキシフェニル
（１０１）ｐ−ビフェニリル
（１０２）４−フェニルチオフェニル
（１０３）４−クロロフェニル
（１０４）４−ベンゾイルフェニル
（１０５）４−アセトキシフェニル
（１０６）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１０７）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１０８）４−メトキシフェニル
（１０９）４−アニリノフェニル
（１１０）４−イソブチリルアミノフェニル
（１１１）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１１２）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１１３）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１１４）４−メチルフェニル
（１１５）４−フェノキシフェニル
（１１６）４−ヒドロキシフェニル
【００６６】
（１１７）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（１１８）３，４−ジブトキシフェニル
（１１９）３，４−ジフェニルフェニル
（１２０）３，４−ジフェニルチオフェニル
（１２１）３，４−ジクロロフェニル
（１２２）３，４−ジベンゾイルフェニル
（１２３）３，４−ジアセトキシフェニル
（１２４）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（１２５）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（１２６）３，４−ジメトキシフェニル
（１２７）３，４−ジアニリノフェニル
（１２８）３，４−ジメチルフェニル
（１２９）３，４−ジフェノキシフェニル
（１３０）３，４−ジヒドロキシフェニル
（１３１）２−ナフチル
（１３２）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（１３３）３，４，５−トリブトキシフェニル
（１３４）３，４，５−トリフェニルフェニル
（１３５）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（１３６）３，４，５−トリクロロフェニル
（１３７）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（１３８）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（１３９）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（１４０）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（１４１）３，４，５−トリメトキシフェニル
（１４２）３，４，５−トリアニリノフェニル
（１４３）３，４，５−トリメチルフェニル
（１４４）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（１４５）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【００６７】
【化２６】
2006176736.tif 000027
【００６８】
Ｒ＝（１４６）フェニル
（１４７）４−エトキシカルボニルフェニル
（１４８）４−ブトキシフェニル
（１４９）ｐ−ビフェニリル
（１５０）４−フェニルチオフェニル
（１５１）４−クロロフェニル
（１５２）４−ベンゾイルフェニル
（１５３）４−アセトキシフェニル
（１５４）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１５５）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１５６）４−メトキシフェニル
（１５７）４−アニリノフェニル
（１５８）４−イソブチリルアミノフェニル
（１５９）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１６０）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１６１）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１６２）４−メチルフェニル
（１６３）４−フェノキシフェニル
（１６４）４−ヒドロキシフェニル
【００６９】
【化２７】
2006176736.tif 000028
【００７０】
Ｒ＝（１６５）フェニル
（１６６）４−エトキシカルボニルフェニル
（１６７）４−ブトキシフェニル
（１６８）ｐ−ビフェニリル
（１６９）４−フェニルチオフェニル
（１７０）４−クロロフェニル
（１７１）４−ベンゾイルフェニル
（１７２）４−アセトキシフェニル
（１７３）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１７４）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１７５）４−メトキシフェニル
（１７６）４−アニリノフェニル
（１７７）４−イソブチリルアミノフェニル
（１７８）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１７９）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１８０）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１８１）４−メチルフェニル
（１８２）４−フェノキシフェニル
（１８３）４−ヒドロキシフェニル
【００７１】
【化２８】
2006176736.tif 000029
【００７２】
Ｒ＝（１８４）フェニル
（１８５）４−エトキシカルボニルフェニル
（１８６）４−ブトキシフェニル
（１８７）ｐ−ビフェニリル
（１８８）４−フェニルチオフェニル
（１８９）４−クロロフェニル
（１９０）４−ベンゾイルフェニル
（１９１）４−アセトキシフェニル
（１９２）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１９３）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１９４）４−メトキシフェニル
（１９５）４−アニリノフェニル
（１９６）４−イソブチリルアミノフェニル
（１９７）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１９８）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１９９）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２００）４−メチルフェニル
（２０１）４−フェノキシフェニル
（２０２）４−ヒドロキシフェニル
【００７３】
【化２９】
2006176736.tif 000030
【００７４】
Ｒ＝（２０３）フェニル
（２０４）４−エトキシカルボニルフェニル
（２０５）４−ブトキシフェニル
（２０６）ｐ−ビフェニリル
（２０７）４−フェニルチオフェニル
（２０８）４−クロロフェニル
（２０９）４−ベンゾイルフェニル
（２１０）４−アセトキシフェニル
（２１１）４−ベンゾイルオキシフェニル
（２１２）４−フェノキシカルボニルフェニル
（２１３）４−メトキシフェニル
（２１４）４−アニリノフェニル
（２１５）４−イソブチリルアミノフェニル
（２１６）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２１７）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（２１８）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２１９）４−メチルフェニル
（２２０）４−フェノキシフェニル
（２２１）４−ヒドロキシフェニル
【００７５】
【化３０】
2006176736.tif 000031
【００７６】
Ｒ＝（２２２）フェニル
（２２３）４−ブチルフェニル
（２２４）４−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２２５）４−（５−ノネニル）フェニル
（２２６）ｐ−ビフェニリル
（２２７）４−エトキシカルボニルフェニル
（２２８）４−ブトキシフェニル
（２２９）４−メチルフェニル
（２３０）４−クロロフェニル
（２３１）４−フェニルチオフェニル
（２３２）４−ベンゾイルフェニル
（２３３）４−アセトキシフェニル
（２３４）４−ベンゾイルオキシフェニル
（２３５）４−フェノキシカルボニルフェニル
（２３６）４−メトキシフェニル
（２３７）４−アニリノフェニル
（２３８）４−イソブチリルアミノフェニル
（２３９）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２４０）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（２４１）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２４２）４−フェノキシフェニル
（２４３）４−ヒドロキシフェニル
（２４４）３−ブチルフェニル
（２４５）３−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２４６）３−（５−ノネニル）フェニル
（２４７）ｍ−ビフェニリル
（２４８）３−エトキシカルボニルフェニル
（２４９）３−ブトキシフェニル
（２５０）３−メチルフェニル
（２５１）３−クロロフェニル
（２５２）３−フェニルチオフェニル
（２５３）３−ベンゾイルフェニル
（２５４）３−アセトキシフェニル
（２５５）３−ベンゾイルオキシフェニル
（２５６）３−フェノキシカルボニルフェニル
（２５７）３−メトキシフェニル
（２５８）３−アニリノフェニル
（２５９）３−イソブチリルアミノフェニル
（２６０）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２６１）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（２６２）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２６３）３−フェノキシフェニル
（２６４）３−ヒドロキシフェニル
（２６５）２−ブチルフェニル
（２６６）２−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２６７）２−（５−ノネニル）フェニル
（２６８）ｏ−ビフェニリル
（２６９）２−エトキシカルボニルフェニル
（２７０）２−ブトキシフェニル
（２７１）２−メチルフェニル
（２７２）２−クロロフェニル
（２７３）２−フェニルチオフェニル
【００７７】
（２７４）２−ベンゾイルフェニル
（２７５）２−アセトキシフェニル
（２７６）２−ベンゾイルオキシフェニル
（２７７）２−フェノキシカルボニルフェニル
（２７８）２−メトキシフェニル
（２７９）２−アニリノフェニル
（２８０）２−イソブチリルアミノフェニル
（２８１）２−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（２８２）２−（３−エチルウレイド）フェニル
（２８３）２−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（２８４）２−フェノキシフェニル
（２８５）２−ヒドロキシフェニル
（２８６）３，４−ジブチルフェニル
（２８７）３，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２８８）３，４−ジフェニルフェニル
（２８９）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（２９０）３，４−ジドデシルオキシフェニル
（２９１）３，４−ジメチルフェニル
（２９２）３，４−ジクロロフェニル
（２９３）３，４−ジベンゾイルフェニル
（２９４）３，４−ジアセトキシフェニル
（２９５）３，４−ジメトキシフェニル
（２９６）３，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２９７）３，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（２９８）３，４−ジフェノキシフェニル
（２９９）３，４−ジヒドロキシフェニル
（３００）３，５−ジブチルフェニル
（３０１）３，５−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３０２）３，５−ジフェニルフェニル
（３０３）３，５−ジエトキシカルボニルフェニル
（３０４）３，５−ジドデシルオキシフェニル
（３０５）３，５−ジメチルフェニル
（３０６）３，５−ジクロロフェニル
（３０７）３，５−ジベンゾイルフェニル
（３０８）３，５−ジアセトキシフェニル
（３０９）３，５−ジメトキシフェニル
（３１０）３，５−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３１１）３，５−ジイソブチリルアミノフェニル
（３１２）３，５−ジフェノキシフェニル
（３１３）３，５−ジヒドロキシフェニル
（３１４）２，４−ジブチルフェニル
（３１５）２，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３１６）２，４−ジフェニルフェニル
（３１７）２，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（３１８）２，４−ジドデシルオキシフェニル
（３１９）２，４−ジメチルフェニル
（３２０）２，４−ジクロロフェニル
（３２１）２，４−ジベンゾイルフェニル
（３２２）２，４−ジアセトキシフェニル
（３２３）２，４−ジメトキシフェニル
（３２４）２，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３２５）２，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（３２６）２，４−ジフェノキシフェニル
（３２７）２，４−ジヒドロキシフェニル
（３２８）２，３−ジブチルフェニル
（３２９）２，３−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３３０）２，３−ジフェニルフェニル
（３３１）２，３−ジエトキシカルボニルフェニル
（３３２）２，３−ジドデシルオキシフェニル
（３３３）２，３−ジメチルフェニル
（３３４）２，３−ジクロロフェニル
（３３５）２，３−ジベンゾイルフェニル
（３３６）２，３−ジアセトキシフェニル
（３３７）２，３−ジメトキシフェニル
（３３８）２，３−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３３９）２，３−ジイソブチリルアミノフェニル
（３４０）２，３−ジフェノキシフェニル
（３４１）２，３−ジヒドロキシフェニル
（３４２）２，６−ジブチルフェニル
（３４３）２，６−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３４４）２，６−ジフェニルフェニル
（３４５）２，６−ジエトキシカルボニルフェニル
（３４６）２，６−ジドデシルオキシフェニル
（３４７）２，６−ジメチルフェニル
（３４８）２，６−ジクロロフェニル
（３４９）２，６−ジベンゾイルフェニル
（３５０）２，６−ジアセトキシフェニル
（３５１）２，６−ジメトキシフェニル
（３５２）２，６−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３５３）２，６−ジイソブチリルアミノフェニル
（３５４）２，６−ジフェノキシフェニル
（３５５）２，６−ジヒドロキシフェニル
【００７８】
（３５６）３，４，５−トリブチルフェニル
（３５７）３，４，５−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３５８）３，４，５−トリフェニルフェニル
（３５９）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（３６０）３，４，５−トリドデシルオキシフェニル
（３６１）３，４，５−トリメチルフェニル
（３６２）３，４，５−トリクロロフェニル
（３６３）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（３６４）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（３６５）３，４，５−トリメトキシフェニル
（３６６）３，４，５−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３６７）３，４，５−トリイソブチリルアミノフェニル
（３６８）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（３６９）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
（３７０）２，４，６−トリブチルフェニル
（３７１）２，４，６−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（３７２）２，４，６−トリフェニルフェニル
（３７３）２，４，６−トリエトキシカルボニルフェニル
（３７４）２，４，６−トリドデシルオキシフェニル
（３７５）２，４，６−トリメチルフェニル
（３７６）２，４，６−トリクロロフェニル
（３７７）２，４，６−トリベンゾイルフェニル
（３７８）２，４，６−トリアセトキシフェニル
（３７９）２，４，６−トリメトキシフェニル
（３８０）２，４，６−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（３８１）２，４，６−トリイソブチリルアミノフェニル
（３８２）２，４，６−トリフェノキシフェニル
（３８３）２，４，６−トリヒドロキシフェニル
（３８４）ペンタフルオロフェニル
（３８５）ペンタクロロフェニル
（３８６）ペンタメトキシフェニル
（３８７）６−Ｎ−メチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３８８）５−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３８９）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９０）５−エトキシ−７−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３９１）３−メトキシ−２−ナフチル
（３９２）１−エトキシ−２−ナフチル
（３９３）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３９４）５−メトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９５）１−（４−メチルフェニル）−２−ナフチル
（３９６）６，８−ジ−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３９７）６−Ｎ−２−アセトキシエチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３９８）５−アセトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３９９）３−ベンゾイルオキシ−２−ナフチル
【００７９】
（４００）５−アセチルアミノ−１−ナフチル
（４０１）２−メトキシ−１−ナフチル
（４０２）４−フェノキシ−１−ナフチル
（４０３）５−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０４）３−Ｎ−メチルカルバモイル−４−ヒドロキシ−１−ナフチル
（４０５）５−メトキシ−６−Ｎ−エチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０６）７−テトラデシルオキシ−１−ナフチル
（４０７）４−（４−メチルフェノキシ）−１−ナフチル
（４０８）６−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（４０９）３−Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル−４−メトキシ−１−ナフチル
（４１０）５−メトキシ−６−Ｎ−ベンジルスルファモイル−１−ナフチル
（４１１）３，６−ジ−Ｎ−フェニルスルファモイル−１−ナフチル
（４１８）ベンジル
（４１９）４−メトキシベンジル
【００８０】
【化３１】
2006176736.tif 000032
【００８１】
【化３２】
2006176736.tif 000033
【００８２】
【化３３】
2006176736.tif 000034
【００８３】
Ｒ＝（４２４）メチル
（４２５）フェニル
（４２６）ブチル
【００８４】
【化３４】
2006176736.tif 000035
【００８５】
【化３５】
2006176736.tif 000036
Ｒ＝（４３６）ベンジル
（４３７）４−メトキシベンジル
【００８６】
【化３６】
2006176736.tif 000037
【００８７】
【化３７】
2006176736.tif 000038
【００８８】
本発明の一般式（１）で表される低分子化合物の合成例を示す。尚、下記合成例に示す以外の化合物に対しても、これらの例と同様に合成できる。
【００８９】
［合成例１−１］
（例示化合物Ｉ−（１）の合成）
（１）２，４−ジ−ｍ−トルイジノ−６−クロル−１，３，５−トリアジンの合成
塩化シアヌル２５ｋｇ（１３６モル）を入れ、メチルエチルケトン２００Ｌで溶解した。次いで、ｍ−トルイジン２９．１ｋｇ（２７０モル）を５℃以下で滴下し、その後、ジイソプロピルエチルアミン３５．２ｋｇ（２７０モル）を５℃以下で滴下した。滴下後、室温下で２時間反応させたのち、反応液を氷水５００Ｌ中に注ぎ込み、有機層を酢酸エチル５００Ｌで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、酢酸エチルを減圧留去した。次いで、得られた残渣をイソプロピルアルコール１００Ｌに溶解し再結晶した。得られた結晶を乾燥することにより目的物を得た（収量３７．７ｋｇ、収率８５％）。
【００９０】
（２）例示化合物Ｉ−（１）の合成
２，４−ジ−ｍ−トルイジノ−６−クロル−１，３，５−トリアジン８．１ｋｇ（２５モル）と、アニリン２．３ｋｇ（２５モル）とを入れ、ＤＭＦ２０Ｌで溶解した。次いで、炭酸カリウム５．２ｋｇ（３７．５モル）を加え１２０℃で２時間反応させた後、冷却し、酢酸エチル１００Ｌで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、酢酸エチルを減圧留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１（体積比））で単離し目的物を得た（収量８．６ｋｇ、収率９０％）。化学構造はＮＭＲスペクトル、ＭＳスペクトルおよび元素分析で確認した。
【００９１】
［合成例１−２］
（例示化合物Ｉ−（２）の合成）
２，４−ジ−ｍ−トルイジノ−６−クロル−１，３，５−トリアジン８．１ｋｇ（２５モル）と、ｐ−アニシジン３．１ｋｇ（２５モル）とを入れ、ＤＭＦ２０Ｌで溶解した。次いで、炭酸カリウム５．２ｋｇ（３７．５モル）を加え１２０℃で２時間反応させた。冷却後、酢酸エチル１００Ｌで抽出し、抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した。酢酸エチルを減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝５／１（体積比））で単離し目的物を得た（収量９．１ｋｇ、収率８８％）。化学構造はＮＭＲスペクトル、ＭＳスペクトルおよび元素分析で確認した。
【００９２】
［合成例１−３］
（例示化合物Ｉ−（３５）の合成）
（１）２−（２−クロルアニリノ）−４，６−ジクロロ−１，３，５−トリアジンの合成
塩化シアヌル１４．４ｋｇ（７８モル）を入れ、メチルエチルケトン８０Ｌに溶解した。次いで、ｏ−クロルアニリン１０ｋｇ（７８モル）を０℃以下で滴下し、更にジイソプロピルエチルアミン１０．１ｋｇ（７８モル）を０℃以下で滴下した。滴下後、室温下で２時間反応させたのち、反応液を氷水１６０Ｌ中へ注ぎ込んで有機層を酢酸エチル２００Ｌで抽出した。その後、抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、酢酸エチルを減圧留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝４／１（体積比））で単離し目的物を得た（収量１９．３ｋｇ、収率９０％）。
【００９３】
（２）例示化合物Ｉ−（３５）の合成
２−（２−クロルアニリノ）−４，６−ジクロル−１，３，５−トリアジン５．４ｋｇ（２０モル）を入れ、ＤＭＦ２０Ｌで溶解した。次いで、ｍ−トルイジン４．２ｋｇ（４０モル）と炭酸カリウム８．２ｋｇ（６０モル）とを加え、１２０℃で２時間反応させた。冷却後、反応液を氷水１００Ｌ中へ注ぎ込み、有機層を酢酸エチル１５０Ｌで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、酢酸エチルを減圧留去し得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝９／１（体積比））で単離し目的物を得た（収量７．３ｋｇ、収率８７％）。化学構造はＮＭＲスペクトル、ＭＳスペクトルおよび元素分析で確認した。
【００９４】
［合成例１−４］
（例示化合物（２５０）の合成）
塩化シアヌル２５ｋｇ（１３６モル）を入れ、メチルエチルケトン２００Ｌで溶解した。次いで、ｍ−トルイジン３８ｋｇ（４０５モル）を５℃以下で滴下し、その後、ジイソプロピルエチルアミン５２．８ｋｇ（４０５モル）を５℃以下で滴下した。滴下後、室温下で２時間反応させたのち、反応液を氷水５００Ｌ中に注ぎ込み、有機層を酢酸エチル５００Ｌで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、酢酸エチルを減圧留去した。次いで、得られた残渣をイソプロピルアルコール１００Ｌに溶解し再結晶した。得られた結晶を乾燥することにより目的物を得た（収量５４．４ｋｇ、収率８５％）。
【００９５】
［合成例１−５］
（例示化合物（２２２）の合成）
塩化シアヌル２５ｋｇ（１３６モル）を入れ、メチルエチルケトン２００Ｌで溶解した。次いで、アニリン４０ｋｇ（４０５モル）を５℃以下で滴下し、その後、ジイソプロピルエチルアミン５２．８ｋｇ（４０５モル）を５℃以下で滴下した。滴下後、室温下で２時間反応させたのち、反応液を氷水５００Ｌ中に注ぎ込み、有機層を酢酸エチル５００Ｌで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、酢酸エチルを減圧留去した。次いで、得られた残渣をイソプロピルアルコール１００Ｌに溶解し再結晶した。得られた結晶を乾燥することにより目的物を得た（収量  ５０．４ｋｇ、収率  ８５％）。
【００９６】
（イ）一般式（２）で表される化合物
上記低分子化合物は、下記一般式（２）で表されることも好ましい。
一般式（２）：ＡＲ1−Ｌ1−ＡＲ2
（一般式（２）中、ＡＲ1およびＡＲ2は、それぞれ独立に芳香族基を表し、Ｌ1は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−、またはこれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。）
【００９７】
一般式（２）で表される低分子化合物は、直線的な分子構造を有することが好ましい。「直線的な分子構造」とは、熱力学的に最も安定な構造において棒状化合物の分子構造が直線的であることを意味する。「熱力学的に最も安定な構造」は、結晶構造解析または分子軌道計算によって求めることができる。例えば、分子軌道計算ソフト（例、ＷｉｎＭＯＰＡＣ２０００（富士通（株）製））を用いて分子軌道計算を行い、化合物の生成熱が最も小さくなるような分子の構造を求めることができる。「分子構造が直線的である」とは、前記のように分子軌道の計算等により求められる熱力学的に最も安定な構造において、分子構造全体の角度が１４０°〜１８０℃であることを意味する。
【００９８】
一般式（２）において、ＡＲ1およびＡＲ2は、それぞれ独立に、芳香族基である。本明細書において、「芳香族基」は、アリール基（芳香族性炭化水素基）、置換アリール基、芳香族性ヘテロ環基および置換芳香族性ヘテロ環基を含む。前記芳香族基としては、アリール基および置換アリール基の方が、芳香族性ヘテロ環基および置換芳香族性ヘテロ環基よりも好ましい。芳香族性へテロ環基のヘテロ環は、一般には不飽和である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましい。芳香族性へテロ環は一般に最多の二重結合を有する。前記ヘテロ環のヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子または硫黄原子が好ましく、窒素原子または硫黄原子がさらに好ましい。芳香族性へテロ環の例には、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フラザン環、トリアゾール環、ピラン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、および１，３，５−トリアジン環が含まれる。
前記芳香族基の芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環およびピラジン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。
【００９９】
置換アリール基および置換芳香族性ヘテロ環基の置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基（例、メチルアミノ、エチルアミノ、ブチルアミノ、ジメチルアミノ）、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基（例、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ−エチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル）、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基（例、Ｎ−メチルスルファモイル、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル）、ウレイド基、アルキルウレイド基（例、Ｎ−メチルウレイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド、Ｎ，Ｎ，Ｎ'−トリメチルウレイド）、アルキル基（例、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘプチル、オクチル、イソプロピル、ｓ−ブチル、ｔ−アミル、シクロヘキシル、シクロペンチル）、アルケニル基（例、ビニル、アリル、ヘキセニル）、アルキニル基（例、エチニル、ブチニル）、アシル基（例、ホルミル、アセチル、ブチリル、ヘキサノイル、ラウリル）、アシルオキシ基（例、アセトキシ、ブチリルオキシ、ヘキサノイルオキシ、ラウリルオキシ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ）、アリールオキシ基（例、フェノキシ）、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘプチルオキシカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニルアミノ基（例、ブトキシカルボニルアミノ、ヘキシルオキシカルボニルアミノ）、アルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘプチルチオ、オクチルチオ）、アリールチオ基（例、フェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例、メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、ヘプチルスルホニル、オクチルスルホニル）、アミド基（例、アセトアミド、ブチルアミド基、ヘキシルアミド、ラウリルアミド）および非芳香族性ヘテロ環基（例、モルホリル、ピラジニル）が含まれる。
【０１００】
置換アリール基および置換芳香族性ヘテロ環基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキル置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基およびアルキル基が好ましい。
上述のアルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基およびアルキルチオ基のアルキル部分と、アルキル基とは、さらに置換基を有していてもよい。アルキル部分およびアルキル基の置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基、ウレイド基、アルキルウレイド基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アミド基および非芳香族性ヘテロ環基が含まれる。アルキル部分およびアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基およびアルコキシ基が好ましい。
【０１０１】
一般式（２）において、Ｌ1は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−およびそれらの組み合わせからなる群より選ばれる二価の連結基を表す。前記アルキレン基は、鎖状でもよく環状構造を有していてもよい。環状アルキレン基としては、シクロヘキシレンが好ましく、１，４−シクロへキシレンが特に好ましい。鎖状アルキレン基としては、直鎖状アルキレン基の方が分岐を有するアルキレン基よりも好ましい。アルキレン基の炭素数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１５であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８であることが特に好ましく、１〜６であることが最も好ましい。
【０１０２】
アルケニレン基およびアルキニレン基は、環状構造よりも鎖状構造を有することが好ましく、分岐を有する鎖状構造よりも直鎖状構造を有することがさらに好ましい。アルケニレン基およびアルキニレン基の炭素数は、２〜１０であることが好ましく、２〜８であることがより好ましく、２〜６であることがさらに好ましく、２〜４であることが特に好ましく、炭素数２であること（ビニレンまたはエチニレン）が最も好ましい。
【０１０３】
下記組み合わせからなる二価の連結基の例を示す。
Ｌ−１：−Ｏ−ＣＯ−アルキレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−２：−ＣＯ−Ｏ−アルキレン基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−３：−Ｏ−ＣＯ−アルケニレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−４：−ＣＯ−Ｏ−アルケニレン基−Ｏ−ＣＯ−
Ｌ−５：−Ｏ−ＣＯ−アルキニレン基−ＣＯ−Ｏ−
Ｌ−６：−ＣＯ−Ｏ−アルキニレン基−Ｏ−ＣＯ−
【０１０４】
一般式（２）で表される低分子化合物の分子構造において、Ｌ1を挟んで、ＡＲ1とＡＲ2とが形成する角度は、１４０°〜１８０℃であることが好ましい。
【０１０５】
一般式（２）で表される低分子化合物の具体例を示す。
【０１０６】
【化３８】
2006176736.tif 000039
【０１０７】
【化３９】
2006176736.tif 000040
【０１０８】
【化４０】
2006176736.tif 000041
【０１０９】
【化４１】
2006176736.tif 000042
【０１１０】
【化４２】
2006176736.tif 000043
【０１１１】
【化４３】
2006176736.tif 000044
【０１１２】
【化４４】
2006176736.tif 000045
【０１１３】
【化４５】
2006176736.tif 000046
【０１１４】
【化４６】
2006176736.tif 000047
【０１１５】
前記一般式（２）の例示化合物（１’）〜（３４’）、（４１’）、（４２’）は、シクロヘキサン環の１位と４位とに二つの不斉炭素原子を有する。ただし、一般式（２）の例示化合物（１’）、（４’）〜（３４’）、（４１’）、（４２’）は、対称なメソ型の分子構造を有するため光学異性体（光学活性）はなく、幾何異性体（トランス型とシス型）のみ存在する。一般式（２）の例示化合物（１’）のトランス型（１−ｔｒａｎｓ）とシス型（１−ｃｉｓ）とを、以下に示す。
【０１１６】
【化４７】
2006176736.tif 000048
【０１１７】
上述したように、一般式（２）で表される低分子化合物は直線的な分子構造を有することが好ましい。そのため、トランス型の方がシス型よりも好ましい。一般式（２）の例示化合物（２’）および（３’）は、幾何異性体に加えて光学異性体（合計４種の異性体）を有する。前記幾何異性体については、同様にトランス型の方がシス型よりも好ましい。前記光学異性体については、特に優劣はなく、Ｄ、Ｌあるいはラセミ体のいずれでもよい。一般式（２）の例示化合物（４３’）〜（４５’）では、中心のビニレン結合にトランス型とシス型とがある。前記と同様の理由で、トランス型の方がシス型よりも好ましい。
【０１１８】
本発明においては、溶液状態における紫外線吸収スペクトルにおいて最大吸収波長（λｍａｘ）が２５０ｎｍより短波長側にある一般式（２）で表される低分子化合物を、二種類以上併用してもよい。一般式（２）で表される低分子化合物は、文献記載の方法を参照して合成できる。このような文献としては、「Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，」５３巻、２２９ページ（１９７９年）、同８９巻、９３ページ（１９８２年）、同１４５巻、１１１ページ（１９８７年）、同１７０巻、４３ページ（１９８９年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１３巻、１３４９ページ（１９９１年）、同１１８巻、５３４６ページ（１９９６年）、同９２巻、１５８２ページ（１９７０年）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０巻、４２０ページ（１９７５年）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、４８巻１６号、３４３７ページ（１９９２年）を挙げることができる。
【０１１９】
（ウ）一般式（３）で表される化合物
【０１２０】
【化４８】
2006176736.tif 000049
（一般式（３）中、Ｒ1〜Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ8は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
【０１２１】
一般式（３）中、Ｒ1〜Ｒ7、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。該置換基としては後述の置換基Ｔ1が適用できる。
また、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。一般式（３）においては、Ｒ1、Ｒ3またはＲ5のうちの１つが電子供与性基であることが好ましく、Ｒ3が電子供与性基であることがより好ましい。
【０１２２】
前記「電子供与性基」とはＨａｍｍｅｔのσp値が０以下のものを表し、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９１，１６５（１９９１）．記載のＨａｍｍｅｔのσp値が０以下のものが好ましく適用でき、より好ましくは−０．８５〜０のものが用いられる。前記電子供与性基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基などが挙げられる。
前記電子供与性基として好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）である。
【０１２３】
一般式（３）におけるＲ1として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
【０１２４】
一般式（３）におけるＲ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【０１２５】
一般式（３）におけるＲ3として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である。
【０１２６】
一般式（３）におけるＲ4として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【０１２７】
一般式（３）におけるＲ5として好ましい基は、Ｒ2で挙げた基と同じものが挙げられる。
【０１２８】
一般式（３）におけるＲ6、Ｒ7、Ｒ9およびＲ10として好ましくは、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子である。
【０１２９】
一般式（３）中、Ｒ8は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、可能な場合には置換基を有してもよい。該置換基としては後述の置換基Ｔ1が適用できる。
一般式（３）におけるＲ8として好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２アリールオキシ基であり、より好ましくは、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
【０１３０】
一般式（３）で表される低分子化合物のうち、好ましくは下記一般式（３−１）で表される低分子化合物である。
【０１３１】
【化４９】
2006176736.tif 000050
一般式（３−１）
【０１３２】
一般式（３−１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ一般式（３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１３３】
一般式（３−１）中、Ｒ11はアルキル基を表し、Ｒ11で表されるアルキル基は直鎖でも分岐があってもよく、また更に置換基を有してもよい。好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる。）である。
【０１３４】
一般式（３）で表される低分子化合物のうち、より好ましくは下記一般式（３−２）で表される低分子化合物である。
【０１３５】
【化５０】
2006176736.tif 000051
【０１３６】
一般式（３−２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、Ｒ10は一般式（３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（３−２）中、Ｒ11は一般式（３−１）におけるＲ11と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１３７】
一般式（３−２）中、Ｘは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5がすべて水素原子の場合にはＸとして好ましくはアルキル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、より好ましくは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、メトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
【０１３８】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5のうち少なくとも１つが置換基の場合にはＸとして好ましくはアルキニル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、シアノ基であり、より好ましくはアリール基（好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、より好ましくはフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニルである。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素２〜１２、より好ましくは炭素数２〜６、更に好ましくは炭素数２〜４、特に好ましくはメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニルである。）、シアノ基であり、特に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
【０１３９】
一般式（３）で表される低分子化合物のうち更に好ましくは下記一般式（３−３）で表される低分子化合物である。
【０１４０】
【化５１】
2006176736.tif 000052
【０１４１】
一般式（３−３）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ11およびＸは一般式（３−２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０１４２】
一般式（３）で表される低分子化合物の中で特に好ましいのは下記一般式（３−４）で表される低分子化合物である。
【０１４３】
【化５２】
2006176736.tif 000053
（一般式（３−４）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ22はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｘ1は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、またはシアノ基を表す。）
【０１４４】
一般式（３−４）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は一般式（３−３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ21、Ｒ22はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｘ1は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、またはシアノ基を表す。
【０１４５】
一般式（３−４）においてＲ21は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基である。
一般式（３−４）においてＲ22は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【０１４６】
一般式（３−４）においてＸ1は、炭素数６〜１２のアリール基、炭素２〜１２アルコキシカルボニル基、またはシアノ基であり、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜６アルコキシカルボニル基、シアノ基であり、より好ましくはフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、シアノ基であり、更に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
【０１４７】
一般式（３）で表される低分子化合物のうち最も好ましくは下記一般式（３−５）で表される低分子化合物である。
【０１４８】
【化５３】
2006176736.tif 000054
（一般式（３−５）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は一般式（３−４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。但し、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5のいずれか１つは−ＯＲ13で表される基である。Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ21、Ｒ22、Ｘ1は一般式（３−４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０１４９】
一般式（３−５）中、Ｒ2、Ｒ4およびＲ5は一般式（３−４）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様だが、いずれか１つは−ＯＲ13で表される基であり（Ｒ13は炭素数１〜４のアルキル基である。）、好ましくはＲ4またはＲ5が−ＯＲ13で表される基であり、より好ましくはＲ4が−ＯＲ13で表される基である。
一般式（３−５）においてＲ13は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【０１５０】
以下に前述の置換基Ｔ1について説明する。
前記置換基Ｔ1としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、
【０１５１】
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【０１５２】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、アルキルスルフィニル基またはアリールスルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【０１５３】
また、置換基Ｔ1が二つ以上ある場合は、同一でもよいし異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１５４】
以下に一般式（３）で表される低分子化合物に関して具体例をあげて詳細に説明する。但し、一般式（３）で表される低分子化合物は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０１５５】
【化５４】
2006176736.tif 000055
【０１５６】
【化５５】
2006176736.tif 000056
【０１５７】
【化５６】
2006176736.tif 000057
【０１５８】
【化５７】
2006176736.tif 000058
【０１５９】
【化５８】
2006176736.tif 000059
【０１６０】
【化５９】
2006176736.tif 000060
【０１６１】
本発明において一般式（３）で表される低分子化合物は、置換安息香酸とフェノール誘導体との一般的なエステル反応によって合成することができ、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法や、縮合剤または触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体とを脱水縮合する方法などが挙げられる。
本発明においては、製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法が好ましい。
【０１６２】
本発明において一般式（３）で表される低分子化合物の製造の際に用いられる反応溶媒としては、炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよい。前記反応溶媒としては、トルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドが好ましい。
【０１６３】
本発明において一般式（３）で表される低分子化合物を合成する際の反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃であり、より好ましくは０〜１００℃であり、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本発明において一般式（３）で表される低分子化合物を合成する際の合成反応には塩基を用いないのが好ましい。塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
【０１６４】
以下に一般式（３）で表される低分子化合物の合成法について具体的に記載するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０１６５】
［合成例３−１］
（例示化合物Ａ−１の合成）
３，４，５−トリメトキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１１６モル）、トルエン１００ｍＬ、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．２ｇ（０．１２７モル）をゆっくりと滴下し、２時間６０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．１ｇ（０．１２７モル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、６０℃で３時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。アセトニトリル溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．０ｇ（収率１１％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１６６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【０１６７】
［合成例３−２］
（例示化合物Ａ−２の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１０６．１ｇ（０．５モル）、トルエン３４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル６５．４ｇ（０．５５モル）をゆっくりと滴下し、２時間６５〜７０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール７１．５ｇ（０．６モル）をアセトニトリル１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル（１Ｌ）、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸マグネシウムで水分を除去した後、約５００ｍＬの溶媒を減圧留去し、メタノール１Ｌを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２５．４ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１６８】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９８（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．３５（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１６℃であった。
【０１６９】
［合成例３−３］
（例示化合物Ａ−３の合成）
２，３，４−トリメトキシ安息香酸１０．１ｇ（４７．５ミリモル）、トルエン４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを８０℃に加熱した後、塩化チオニル６．２２ｇ（５２．３ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール６．２ｇ（５２．３ミリモル）をアセトニトリル２０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５０ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．９ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１７０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【０１７１】
［合成例３−４］
（例示化合物Ａ−４の合成）
２，４，６−トリメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１１８ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．４ｇ（１２９ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．４ｇ（１２９ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で４．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５００ｍＬ、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１０．０ｇ（収率２７％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【０１７２】
［合成例３−５］
（例示化合物Ａ−５の合成）
２，３−ジメトキシ安息香酸１５．０ｇ（８２．３ミリモル）、トルエン６０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１０．７（９０．５ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１０．８ｇ（９０．５ミリモル）をアセトニトリル３０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、イソプロピルアルコール９０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２．３ｇ（収率５３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０１７３】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０４℃であった。
【０１７４】
［合成例３−６］
（例示化合物Ａ−６の合成）
前記［合成例３−５］（例示化合物Ａ−５の合成）における２，３−ジメトキシ安息香酸を、２，４−ジメトキシ安息香酸に変更した以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０１７５】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３４〜１３６℃であった。
【０１７６】
［合成例３−７］
（例示化合物Ａ−７の合成）
２，５−ジメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１３７ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．０ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．０（１５１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１８．０ｇ（１５１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７．５時間加熱撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した。その後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル（９／１、Ｖ／Ｖ））で精製操作を行い、白色の結晶として目的化合物を１８．８ｇ（収率４８％）得た。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０１７７】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７９〜８０℃であった。
【０１７８】
［合成例３−８］
（例示化合物Ａ−８の合成）
前記［合成例３−５］（例示化合物Ａ−５の合成）における２，３−ジメトキシ安息香酸を、２，６−ジメトキシ安息香酸に変更した以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
【０１７９】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３０〜１３１℃であった。
【０１８０】
［合成例３−９］
（例示化合物Ａ−１１の合成）
前記［合成例３−２］（例示化合物Ａ−２の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇを、４−クロロフェノール７６．９ｇに変更した以外は同様の方法で目的化合物を得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【０１８１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９０（ｓ，３Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３２３（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２７〜１２９℃であった。
【０１８２】
［合成例３−１０］
（例示化合物Ａ−１２の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４５．０ｇ（２１２ミリモル）、トルエン１８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２７．８ｇ（２３３ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル３５．４ｇ（２３３ミリモル）をジメチルホルムアミド２７ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２７０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を６４．５ｇ（収率８８％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１８３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９５（ｍ，９Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），７．２８（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ）８．１１（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３４７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２１〜１２３℃であった。
【０１８４】
［合成例３−１１］
（例示化合物Ａ−１３の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２０．０ｇ（９４．３ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１２．３ｇ（１０４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をトルエン１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．２ｇ（収率６２％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１８５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９６（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．２６−７．７５（ｍ，１０Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３６５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１３１−１３２℃であった。
【０１８６】
［合成例３−１２］
（例示化合物Ａ−１４の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１２．９ｇ（６１ミリモル）、トルエン５０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．６ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル８．０ｇ（６７ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をアセトニトリル２５ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．６ｇ（収率９３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３８１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９１〜９２℃であった。
【０１８７】
［合成例３−１３］
（例示化合物Ａ−１５の合成）
前記［合成例３−２］（例示化合物Ａ−２の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇをフェノール５６．４ｇに変更した以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
【０１８８】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１９−７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
得られた化合物の融点は１０５〜１０８℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８９（Ｍ＋Ｈ）+
【０１８９】
［合成例３−１４］
（例示化合物Ａ−１６の合成）
前記［合成例３−２］（例示化合物Ａ−２の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇを、４−メトキシフェノール７４．４ｇに変更した以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１９０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．８４（ｓ，３Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【０１９１】
［合成例３−１５］
（例示化合物Ａ−１７の合成）
前記［合成例３−２］（例示化合物Ａ−２の合成）における４−シアノフェノール７１．５ｇを、４−エチルフェノール７３．３ｇに変更した以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
【０１９２】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は７０〜７１℃であった。
【０１９３】
［合成例３−１６］
（例示化合物Ａ−２４の合成）
４−エトキシ安息香酸２７．３ｇ（１６４ミリモル）、トルエン１０８ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．５ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−エトキシフェノール２５．０ｇ（１８１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した。その後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３０．６ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１９４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ１．４８−１．５９（ｍ，６Ｈ），４．０５（ｑ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１１３〜１１４℃であった。
【０１９５】
［合成例３−１７］
（例示化合物Ａ−２５の合成）
４−エトキシ安息香酸２４．７ｇ（１４９ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１９．５ｇ（１６４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−プロポキシフェノール２５．０ｇ（１６５ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した。その後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、得られた固体にメタノール１００ｍＬを加え再結晶操作を行った。得られた結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３３．９ｇ（収率７６％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０１９６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ１．０４（ｔ，３Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．８２（ｑ，２Ｈ），３．９３（ｑ，２Ｈ），４．０４（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１０７℃であった。
【０１９７】
［合成例３−１８］
（例示化合物Ａ−２７の合成）
前記［合成例３−１６］（例示化合物Ａ−２４の合成）における４−エトキシ安息香酸２７．３ｇを、４−プロポキシ安息香酸２９．５ｇに変更した以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
【０１９８】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。
【０１９９】
［合成例３−１９］
（例示化合物Ａ−２８の合成）
前記［合成例３−１７］（例示化合物Ａ−２５の合成）における４−エトキシ安息香酸２４．７ｇを、４−プロポキシ安息香酸２６．８ｇに変更した以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
【０２００】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は９２℃であった。
【０２０１】
［合成例３−２０］
（例示化合物Ａ−４０の合成）
２，４−ジメトキシ安息香酸２０．０ｇ（１０９ミリモル）、トルエン８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール２０．５ｇ（１２１ミリモル）をジメチルホルムアミド５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した。その後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３１．７ｇ（収率８６％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
【０２０２】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３３５（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１６１〜１６２℃であった。
【０２０３】
［合成例３−２１］
（例示化合物Ａ−４２の合成）
２，４−ジメトキシ安息香酸３０．０ｇ（１６５ミリモル）、トルエン１２０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．２ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．６ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱撹拌した。その後、あらかじめ４−フヒドロキシ安息香酸メチル２７．６ｇ（１８１ミリモル）をジメチルホルムアミド４０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱撹拌した後、反応液を室温まで冷却した。その後、メタノール１４０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２４．４ｇ（収率４７％）得た。なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０２０４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９２（ｍ，９Ｈ），６．５６（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。
【０２０５】
（エ）一般式（４）で表される低分子化合物
下記一般式（４）で表される低分子化合物に関して詳細に説明する。
【０２０６】
一般式（４）：ＡＲ1−Ｌ1−（ＡＲ2−Ｌ2）n−ＡＲ3
（一般式（４）中、ＡＲ1、ＡＲ3は、それぞれ独立にアリール基、アリールカルボニル基または芳香族ヘテロ環を表し、ＡＲ2はアリーレン基または芳香族へテロ環を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。ｎは３以上の整数を表し、それぞれＡＲ2、Ｌ2は同一であってもよいし異なっていてもよい。）
一般式（４）において、ＡＲ1およびＡＲ3がアリール基または芳香族ヘテロ環を表す場合は、ＡＲ1およびＡＲ3は互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。ＡＲ1およびＡＲ3で表されるアリール基およびＡＲ3で表されるアリールカルボニル基に含まれるアリール基としては、好ましくは炭素数６〜３０のアリール基である。上記前記アリール基は、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、該置換基としては後述の置換基Ｔ2が適用できる。なかでも、炭素数６〜２０のアリール基がより好ましく、炭素数６〜１２のアリール基が特に好ましい。上記前記アリール基としては、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
【０２０７】
一般式（４）において、ＡＲ2はアリーレン基または芳香族へテロ環を表し、繰り返し単位中のＡＲ2は、すべて同一であってもよいし異なっていてもよい。前記アリーレン基として好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基であり、前記アリーレン基は単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔ2が適用できる。
一般式（４）中、ＡＲ2で表されるアリーレン基としてより好ましくは炭素数６〜２０のアリーレン基であり、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリーレン基である。このようなアリーレン基としては、例えばフェニレン基、ｐ−メチルフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
【０２０８】
一般式（４）中、ＡＲ1、ＡＲ2、ＡＲ3で表される芳香族ヘテロ環は、酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環であり、好ましくは５または６員環の酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔ2が適用できる。
【０２０９】
一般式（４）中、ＡＲ1、ＡＲ2、ＡＲ3で表される芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましいものは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。
【０２１０】
一般式（４）中、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。Ｌ1、Ｌ2は、同じであってもよく異なっていてもよい。また、繰り返し単位中のＬ2は、すべて同一であってもよいし異なっていてもよい。
前記２価の連結基の例として好ましいものは、−ＮＲ7−（Ｒ7は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表す）で表される基、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−およびこれらの２価基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲ7−、−ＮＲ7ＳＯ2−、−ＣＯＮＲ7−、−ＮＲ7ＣＯ−、−ＣＯＯ−、および−ＯＣＯ−、アルキニレン基であり、最も好ましくは−ＣＯＮＲ7−、−ＮＲ7ＣＯ−、−ＣＯＯ−、および−ＯＣＯ−、アルキニレン基である。
【０２１１】
本発明の一般式（４）で表される低分子化合物において、ＡＲ2はＬ1およびＬ2と結合するが、ＡＲ2がフェニレン基である場合、Ｌ1-ＡＲ2−Ｌ2、およびＬ2-ＡＲ2−Ｌ2は互いにパラ位（１，４−位）の関係にあることが最も好ましい。
【０２１２】
一般式（４）中、ｎは３以上の整数を表し、好ましくは３〜７であり、より好ましくは３〜５である。
【０２１３】
一般式（４）で表される低分子化合物の中でも下記一般式（４−１）で表される低分子化合物が好ましい。
【０２１４】
【化６０】
2006176736.tif 000061
（一般式（４−１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およびＲ24はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＡＲ2はアリーレン基または芳香族ヘテロ環を表し、Ｌ2、Ｌ3はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。ｎは３以上の整数を表し、それぞれＡＲ2、Ｌ2は同一であってもよいし異なっていてもよい。）
【０２１５】
一般式（４−１）で表される化合物について詳しく説明する。
一般式（４−１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およびＲ24はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＡＲ2はアリーレン基または芳香族ヘテロ環を表し、Ｌ2、Ｌ3はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基を表す。ｎは３以上の整数を表し、それぞれＡＲ2、Ｌ2は同一であってもよいし異なっていてもよい。
【０２１６】
一般式（４−１）中、ＡＲ2、Ｌ2、およびｎについては一般式（４）について述べたものと同様であり、好ましい範囲も同様である。Ｌ3は単結合または２価の連結基を表し、２価の連結基の例として好ましくは、−ＮＲ7−（Ｒ7は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表す）で表される基、アルキレン基、置換アルキレン基、−Ｏ−、およびこれらの２価基を２つ以上組み合わせて得られる基が挙げられ、そのうちより好ましいものとしては−Ｏ−、−ＮＲ7−、−ＮＲ7ＳＯ2−、および−ＮＲ7ＣＯ−である。
【０２１７】
一般式（４−１）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基など）、炭素数６〜１２のアリール基（例えばフェニル基、ナフチル基）であり、さらに好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。
【０２１８】
一般式（４−１）中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23およびＲ24はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、より好ましくはメチル基）である。
【０２１９】
以下に前述の一般式（４）における置換基Ｔ2について説明する。
置換基Ｔ2として好ましくは、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、
【０２２０】
アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５または６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、
【０２２１】
アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、
【０２２２】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、
【０２２３】
アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、
【０２２４】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリールおよびヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換または無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、
【０２２５】
ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。
【０２２６】
前記の一般式（４）における置換基Ｔ2の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに前記の置換基Ｔ2で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【０２２７】
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０２２８】
一般式（４−１）で表される化合物の好ましい態様としては、
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15およびＲ16がそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、より好ましくはメチル基であり；
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24がいずれも水素原子であり；
ＡＲ2が置換または無置換のアリーレン基であり、好ましくは置換または無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基であり、より好ましくは置換または無置換のフェニレン基であり；
Ｌ2が単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＲ7−、−ＮＲ7ＣＯ−、−ＮＲ7−、−ＣＯＮＲ7−（Ｒ7は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表す。好ましくは水素原子である。）、−Ｏ−、またはアルキニレン基であり；
Ｌ3が−Ｏ−または−ＮＲ7−（Ｒ7は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはアリール基を表す。）であり、
ｎが３以上の整数であるものを挙げることができる。
【０２２９】
以下に一般式（４）および一般式（４−１）で表される低分子化合物に関して具体例を挙げて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０２３０】
【化６１】
2006176736.tif 000062
【０２３１】
【化６２】
2006176736.tif 000063
【０２３２】
【化６３】
2006176736.tif 000064
【０２３３】
【化６４】
2006176736.tif 000065
【０２３４】
【化６５】
2006176736.tif 000066
【０２３５】
【化６６】
2006176736.tif 000067
【０２３６】
【化６７】
2006176736.tif 000068
【０２３７】
【化６８】
2006176736.tif 000069
【０２３８】
一般式（４−１）で表される化合物は、公知の方法で合成することができる。例えば、下記構造Ａを有する原料化合物を、水酸基、アミノ基等の反応性部位を有する誘導体との反応に付して得られた中間体Ｂ２分子を、下記化合物Ｃ１分子により連結することによって得ることができる。また、一般式（４）で表される低分子化合物も、同様の方法で合成することができる。
【化６９】
2006176736.tif 000070
（式中、Ａは水酸基、ハロゲン原子等の反応性基を表し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ21、およびＲ22は先に記載した通りである。）
【０２３９】
【化７０】
2006176736.tif 000071
（式中、Ａ’はカルボキシル基等の反応性基を表し、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ21、Ｒ22、ＡＲ2、およびＬ2は先に記載した通りである。）
【０２４０】
化合物Ｃ
Ｂ−ＡＲ2−Ｌ2−ＡＲ2−Ｂ1
（式中、ＢおよびＢ1は水酸基、アミノ基等の反応性基を表し、ＡＲ2およびＬ2は先に記載した通りである。）
【０２４１】
本発明のセルロースアシレートペレットに含まれる、一般式（４）〜一般式（４−１）で表される低分子化合物の含有量は、セルロースアシレートに対して０．１〜１０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０質量％、さらに好ましくは０．５〜８質量％、特に好ましくは１〜８質量％であり、最も好ましくは１〜５質量％である。
【０２４２】
以下に一般式（４）〜一般式（４−１）で表される化合物の合成方法を述べる。以下の合成例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０２４３】
［合成例４−１］
（例示化合物（１）ａの合成）
下記スキームに従い、一般式（４）の例示化合物（１）ａを合成した。
【０２４４】
【化７１】
2006176736.tif 000072
【０２４５】
−中間体（Ｃ）の合成−
２，４，５−トリメトキシ安息香酸３００ｇ、トルエン１２００ｍｌ、ジメチルホルムアミド１２ｍｌを８０℃に加熱した後、塩化チオニル１１２．１ｍｌをゆっくりと４５分かけて滴下し、滴下後８０℃で１時間加熱攪拌した。その後、反応液に４−ヒドロキシ安息香酸２１４．８ｇをジメチルホルムアミド８００ｍｌに溶解させた溶液を加え、さらに８０℃で２時間反応させた。反応後、トルエンを留去した後、室温まで冷却した。次いでメタノール２５００ｍｌを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として中間体（Ｃ）を２６３．８ｇ（収率５６．３％）得た。
【０２４６】
−例示化合物（１）ａの合成−
中間体（Ｃ）１０８．４ｇ、ジメチルアミノピリジン７．２４ｇ、上記化合物（Ｄ）３２．６７ｇ、塩化メチレン５００ｍｌを加熱還流させた後、ジシクロヘキシルカルボジイミド６７．３１ｇの塩化メチレン２００ｍｌ溶液をゆっくりと３０分かけて滴下し、さらに２時間加熱還流させた。その後、反応液を室温まで冷却し、析出した結晶（ジシクロヘキシルウレア）をろ別し、ろ液を減圧濃縮した。残さをメタノールにて３回再結晶を行い、白色の結晶として一般式（４）の例示化合物（１）ａを９１．４２ｇ（収率７５．８％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０２４７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），４．００（ｓ，６Ｈ），６．６１（ｓ，２Ｈ），７．３２（ｄ，４Ｈ），７．３８（ｄ，４Ｈ），７．６１（ｓ，２Ｈ），７．６８（ｄ，４Ｈ），８．２９（ｄ，４Ｈ）
得られた化合物の融点は１９９〜２００℃であった。
【０２４８】
［合成例４−２］
（例示化合物（３１）ａの合成）
下記スキームに従い、一般式（４）の例示化合物（３１）ａを合成した。
【０２４９】
【化７２】
2006176736.tif 000073
【０２５０】
−中間体（Ｇ）の合成−
安息香酸誘導体（Ｅ）２１．２ｇ、エチニルアニリン１１．７ｇ、塩化メチレン１００ｍｌの溶液に室温下で、ジシクロヘキシルカルボジイミド２２．７ｇの塩化メチレン５０ｍｌ溶液をゆっくりと３０分かけて滴下し、さらに２時間室温下で反応させた。その後、析出した結晶（ジシクロヘキシルウレア）をろ別し、ろ液を減圧濃縮した。残さをメタノールにて３回再結晶を行い、白色の結晶として中間体（Ｇ）を２９．７９ｇ（粗収率９５．８％）得た。
【０２５１】
−例示化合物（３１）ａの合成−
中間体（Ｇ）７．０ｇ、上記化合物（Ｈ）９．２５ｇ、ＰｄＣｌ2（ＰＰｈ3）2０．１６ｇ、塩化銅０．０５ｇ、トリフェニルフォスフィン０．３ｇ、トリエチルアミン９．３８ｇ、テトラヒドロフラン５０ｍｌの溶液を室温下で、２時間反応させた。反応後、酢酸エチルにて抽出操作を行った後、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥、溶媒を減圧留去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフに付し、酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝２／１溶出分より白色の結晶として一般式（４）の例示化合物（３１）ａを８．３５ｇ（粗収率６２．３％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０２５２】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．８８？４．００（ｍ，１５Ｈ），４．０５（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，２Ｈ），７．１８〜７．２３（ｍ，５Ｈ），７．５０？７．６１（ｍ，５Ｈ），７．６９（ｄ，２Ｈ），７．８２（ｓ，１Ｈ），９．９２（ｓ，１Ｈ）
【０２５３】
（オ）一般式（５）で表される低分子化合物
次に、下記一般式（５）で表される低分子化合物に関して詳細に説明する。
【０２５４】
一般式（５）：ＡＲ1−Ｌ1−Ｘ1−Ｌ2−ＡＲ2
（一般式（５）中、ＡＲ1、ＡＲ2はそれぞれ独立にアリール基または芳香族ヘテロ環を表す。Ｌ1、Ｌ2は、それぞれ独立に−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ−を表す。Ｒは水素原子またアルキル基を表す。Ｘは下記一般式（５−Ａ）または一般式（５−Ｂ）を表す。）
【０２５５】
【化７３】
2006176736.tif 000074
（一般式（５−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０２５６】
【化７４】
2006176736.tif 000075
（一般式（５−Ｂ）中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17およびＲ18はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０２５７】
一般式（５）中、ＡＲ1、ＡＲ2はアリール基または芳香族ヘテロ環を表し、ＡＲ1、ＡＲ2で表されるアリール基としては、炭素数６〜３０のアリール基が好ましく、該アリール基は、単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔ3が適用できる。
一般式（５）中、ＡＲ1、ＡＲ2で表されるアリール基として、より好ましくは炭素数６〜２０のアリール基であり、特に好ましくは炭素数６〜１２アリール基である。このようなアリール基としては、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。
【０２５８】
一般式（５）中、ＡＲ1、ＡＲ2で表される芳香族ヘテロ環としては酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環であれば特に限定されないが、好ましくは５または６員環の酸素原子、窒素原子もしくは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。また、可能な場合には更に置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔ3が適用できる。
【０２５９】
一般式（５）中、ＡＲ1、ＡＲ2で表される芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールが挙げられる。
【０２６０】
一般式（５）中、Ｌ1、Ｌ2は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ−を表し。これらはどちらも同様に好ましい。
前記Ｒは水素原子またはアルキル基を表し、Ｒとして好ましくは水素原子または、炭素数１〜６アルキル基であり、より好ましくは水素原子、または炭素数１〜４のアルキル基であり、更に好ましくは水素原子、メチル基であり、特に好ましくは水素原子である。
【０２６１】
一般式（５−Ａ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、該置換基としては後述の置換基Ｔ3が適用できる。
また、一般式（５−Ａ）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8として好ましくは、水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、フッ素原子であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２６２】
一般式（５−Ｂ）におけるＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17およびＲ18はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、該置換基としては後述の置換基Ｔ3が適用できる。
また、一般式（５−Ｂ）におけるＲ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17およびＲ18として好ましくは、水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基、ヒドロキシ基、塩素原子、フッ素原子であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２６３】
一般式（５）で表される低分子化合物のうち好ましくは一般式（５−１）で表される低分子化合物である。
【０２６４】
【化７５】
2006176736.tif 000076
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29およびＲ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｌ1、Ｌ2およびＸは前記一般式（５）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０２６５】
一般式（５−１）におけるＲ21、Ｒ26はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ26として好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくはメトキシ基である。
【０２６６】
Ｒ22、Ｒ27はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ22、Ｒ27として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【０２６７】
Ｒ23、Ｒ28はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ23、Ｒ28として好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である
【０２６８】
Ｒ24、Ｒ29はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ24、Ｒ29として好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【０２６９】
Ｒ25、Ｒ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ25、Ｒ30として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【０２７０】
一般式（５）で表される低分子化合物のうちより好ましくは一般式（５−２）で表される低分子化合物である。
【０２７１】
【化７６】
2006176736.tif 000077
【０２７２】
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｌ1、Ｌ2およびＸは前記一般式（５−１）におけるものと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ31は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。）
【０２７３】
一般式（５−２）中、Ｒ31は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒ31で表されるアルキル基は直鎖でも分岐があってもよく、更に置換基を有してもよい。前記アルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数１〜８アルキル基であり、更に好ましくは炭素数１〜６アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる）である。
【０２７４】
一般式（５）で表される低分子化合物のうち更に好ましくは一般式（５−３）で表される低分子化合物である。
【０２７５】
【化７７】
2006176736.tif 000078
【０２７６】
（式中、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｌ1、Ｌ2およびＸは一般式（５−２）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ32は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【０２７７】
Ｒ32は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基であり、更に好ましくは水素原子またはメチル基であり、特に好ましくはメチル基である。
【０２７８】
一般式（５）で表される低分子化合物のうち特に好ましくは一般式（５−４）で表される低分子化合物である。
【０２７９】
【化７８】
2006176736.tif 000079
（式中、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32、Ｌ1、Ｌ2およびＸは一般式（５−３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ33は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【０２８０】
Ｒ33は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【０２８１】
以下に前述の置換基Ｔ3について説明する。
置換基Ｔ3としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、
【０２８２】
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、
【０２８３】
アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【０２８４】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基Ｔ3は更に置換されてもよい。
【０２８５】
また、置換基Ｔ3が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０２８６】
以下に一般式（５）で表される低分子化合物について具体例を挙げて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０２８７】
【化７９】
2006176736.tif 000080
【０２８８】
【化８０】
2006176736.tif 000081
【０２８９】
【化８１】
2006176736.tif 000082
【０２９０】
【化８２】
2006176736.tif 000083
【０２９１】
【化８３】
2006176736.tif 000084
【０２９２】
本発明の一般式（５）および一般式（５−１）〜一般式（５−４）で表される化合物は、置換安息香酸とフェノール、あるいはアニリン誘導体の一般的なエステル化反応、アミド化反応によって合成でき、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール、あるいはアニリン誘導体と縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール、あるいはアニリン誘導体とを脱水縮合する方法などが挙げられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール、あるいはアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。
【０２９３】
一般式（５）で表される低分子化合物の合成に用いられる反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
【０２９４】
一般式（５）で表される低分子化合物の合成に用いられる反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
一般式（５）で表される低分子化合物の合成における反応には塩基を用いないのが好ましい。塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
【０２９５】
以下に一般式（５−１）〜一般式（５−４）で表される化合物の合成方法を述べる。以下の合成例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０２９６】
［合成例５−１］
（例示化合物Ａ’−１の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４０．１ｇ（１８９ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシビフェニル１６．７５ｇ（９０ミリモル）、トルエン２００ｍＬ、ジメチルホルムアミド２ｍＬを７０℃に加熱した後、塩化チオニル２３．６ｇ（１９８ミリモル）をゆっくりと滴下し、７０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール３００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を４８．４ｇ（収率９４％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０２９７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），３．９９（ｓ，６Ｈ），６．５８（ｓ，２Ｈ），７．２８（ｄ，４Ｈ），７．６２（ｍ，６Ｈ）
得られた化合物の融点は２２７〜２２９℃であった。
【０２９８】
［合成例５−２］
（例示化合物Ａ’−２の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸３４ｇ（１６０ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシ−３−フルオロビフェニル１５ｇ（７３ミリモル）、トルエン１１０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．６ｍＬを７０℃に加熱した後、塩化チオニル２０．９ｇ（１７６ミリモル）をゆっくりと滴下し、７０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール３００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３７ｇ（収率８６％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０２９９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），４．００（ｓ，６Ｈ），６．５９（ｓ，２Ｈ），７．２６−７．４５（ｍ，５Ｈ），７．６３（ｍ，４Ｈ）
得られた化合物の融点は１９７〜１９９℃であった。
【０３００】
［合成例５−３］
（例示化合物Ａ’−３の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２３．３ｇ（１１０ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシ−３−クロロビフェニル１５ｇ（５０ミリモル）、トルエン７５ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．１ｍＬを７０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２６ｇ（収率８５％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０３０１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９０−４．００（ｍ，１８Ｈ），６．５９（ｓ，２Ｈ），７．２６−７．７０（ｍ，９Ｈ）
得られた化合物の融点は１６８〜１７０℃であった。
【０３０２】
［合成例５−４］
（例示化合物Ａ’−４の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸３０．３ｇ（１４３ミリモル）、４、４’−ジヒドロキシ−３−メチルビフェニル１５ｇ（６５ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．４ｍＬを７０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．７ｇ（１５７ミリモル）をゆっくりと滴下し、７０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール３００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２７．４ｇ（収率７２％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０３０３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ２．３１（ｓ，３Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），４．００（ｓ，６Ｈ），６．６０（ｓ，２Ｈ），７．１０（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４０（ｍ，２Ｈ），７．６３（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ５８９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は１８８〜１８９℃であった。
【０３０４】
［合成例５−５］
（例示化合物Ａ’−６の合成）
２，４，５−トリメトキシ安息香酸５．７２ｇ（２６．９ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン３．５ｇ（２７ミリモル）、テトラヒドロフラン２０ｍＬを氷水で冷却した後、メタンスルホニルクロリド３．１ｇ（２７ミリモル）をゆっくりと滴下し、滴下後２時間室温で攪拌した。その後、氷水に冷却し、あらかじめビス（４−ヒドロキシフェニル）アセチレン２．９ｇ（１３．７ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン３．５ｇ（２７ミリモル）をテトラヒドロフラン４０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、滴下後、室温で３時間、５０℃１時間で攪拌した。その後水１６０ｍＬを添加し、得られた結晶をろ過回収し、メタノール１００ｍＬを加え、再結晶操作を行い、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３．０ｇ（収率１９％）得た。また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【０３０５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ３．９３（ｓ，６Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ），３．９９（ｓ，６Ｈ），６．５７（ｓ，２Ｈ），７．２４（ｍ，４Ｈ），７．５８（ｍ，６Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ５９９（Ｍ＋Ｈ）+
得られた化合物の融点は２０１〜２０３℃であった。
【０３０６】
［合成例５−６］
（例示化合物Ａ’−７の合成）
（６−１）２，４，５−トリメトキシ安息香酸４−エチニルアニリドの合成
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２１．２ｇ（１００ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン１２．９ｇ（１００ミリモル）、テトラヒドロフラン１２６ｍＬを氷水で冷却した後、メタンスルホニルクロリド１１．４ｇ（１００ミリモル）をゆっくりと滴下し、滴下後２時間室温で攪拌した。その後、氷水に冷却し、あらかじめ４−エチルアニリン１１．７ｇ（１００ミリモル）、ジイソプロピルエチルアミン１２．９ｇ（１００ミリモル）をテトラヒドロフラン４２ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、滴下後、室温で６時間攪拌した。その後酢酸エチル２００ｍＬを添加し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、０．５ｍｏｌ／Ｌ塩酸水、飽和食塩水の順で有機相を洗浄した。有機相に硫酸ナトリウムを添加し、脱水操作を行い、濾過により硫酸ナトリウムを濾別し、有機溶媒を減圧留去した。
メタノール３５０ｍＬを加え、再結晶操作を行い、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１５．０ｇ（収率４８％）得た。
【０３０７】
（６−２）例示化合物Ａ’−７の合成
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４−エチニルアニリド３．１ｇ（１０ミリモル）、２，４，５−トリメトキシ安息香酸４−ヨードフェニル４．１ｇ（１０ミリモル）、トリエチルアミン５．５６ｍＬ（４０ミルモル）、テトラヒドロフラン１５ｍＬを窒素雰囲気下、室温で攪拌し、塩化第一銅２２．８ｍｇ（０．１２ミリモル）、トリフェニルホスフィン１３１ｍｇ（０．５ミリモル）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド７０ｍｇ（０．１ミリモル）を添加し、６０℃で３時間加熱攪拌した。その後反応液を室温まで冷却し、水２００ｍＬを添加した。得られた結晶を濾過し、メタノール１００ｍＬで再結晶操作を行い、黄白色の結晶として目的化合物を５．６ｇ（収率９４％）得た。
なお、化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
【０３０８】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6）δ３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），４．０５（ｍ，９Ｈ）４．１５（ｓ，３Ｈ）６．９６（ｂｒ，２Ｈ），７．４６（ｄ，２Ｈ），７．５５（ｓ，１Ｈ），７．６２（ｓ，１Ｈ），７．６９（ｄ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．９８（ｄ，２Ｈ），１０．３０（ｓ，１Ｈ）
得られた化合物の融点は２１６〜２１８℃であった。
【０３０９】
（ペレット化）
これらの本発明における低分子化合物はセルロースアシレートと混練しペレット化して使用する。本発明における低分子化合物がペレット化工程の熱や剪断力によって分解して着色するのを防ぐため、下記の方法でペレット化することが好ましい。
本発明のセルロースアシレートペレットは、２軸混練押し出し機を用いセルロースアシレートと本発明における低分子化合物を混練したメルト（溶融樹脂）を多孔ダイからヌードル状に押出し、これを水中で固化した後、裁断することでペット化することができる。この際、下記を実施することがより好ましい。
【０３１０】
（１）２軸混練押出し機の入口温度（Ｔ1）、出口温度（Ｔ2）、ダイの温度（Ｔ3）を、Ｔ1＜Ｔ2＜Ｔ3とする。より好ましくはＴ1＋５℃＜Ｔ2＋５℃＜Ｔ3であり、さらに好ましくはＴ1＋１０℃＜Ｔ2＋１０℃＜Ｔ3である。Ｔ3の好ましい温度は１８０℃〜２５０℃であり、より好ましくは１９０℃〜２４０℃であり、さらに好ましくは２００℃〜２３０℃である。このように混練機入口からダイに向かって昇温することで、最初から高温にした場合に比べ少ない熱量で効率よく溶融でき、本発明における低分子化合物の熱分解を抑制する効果をもつ。
なお、２軸押出しは下記の条件で実施するのが本発明における低分子化合物の分解を抑制する上でより好ましい。
〔条件〕
i）スクリュー回転数：１５０ｒｐｍ〜６００ｒｐｍ
ii）混練時間：５秒〜３分
iii）押出し量：１０ｋｇ／ｈｒ〜１０００ｋｇ／ｈｒ
iv）ベント付き２軸押出し機を用い、真空排気を実施しながら混練
【０３１１】
本発明においては固化後の裁断を水分が付着した状態で行うことが好ましい。
通常は水中でヌードル状に固化したメルトを十分乾燥させた後、裁断しペレット化する。この方がヌードル１本ずつ乾燥できるため乾燥効率がよいためであるが、本発明ではこの逆を行い、水が付いた状態で裁断し、この後乾燥するのが好ましい。セルロースアシレートは吸水性があり、水により柔軟性が付与され、裁断屑（樹脂屑）が出難い。この結果、樹脂屑に起因する、上述のような未溶解物によるスジの発生を抑制する効果がある。裁断時のペレットに付いた水分量（付着、吸水の合計）はセルロースアシレートに対し０．１質量％〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０．５質量％〜８質量％であり、さらに好ましくは１質量％〜５質量％である。このような水分量にするためには、固化のためにメルトを通す水温を３０℃〜９０℃、より好ましくは３５℃〜８０℃、さらに好ましくは３７℃〜６０℃にすることが好ましい。これにより効率的に前記含水率とすることができる。
裁断後は、温風を用い風送しながらストックタンクに貯蔵する。また、温風を用いることでペレットの水分を効率的に乾燥でき、さらにペレットが柔らかくなるためペレット同士の擦れあいによる樹脂屑の生成を抑制できる。好ましい温風の温度は３０°〜１３０℃が好ましく、より好ましくは４０℃〜１００℃、さらに好ましくは４５℃〜８０℃である。
【０３１２】
このようにして得たペレットの大きさの断面積（裁断した面）が１ｍｍ2〜１００ｍｍ2が好ましく、５ｍｍ2〜５０ｍｍ2がより好ましい。ペレットの長さ（祭断面と直交方向）は１ｍｍ〜３０ｍｍが好ましく、より好ましくは２ｍｍ〜１０ｍｍである。裁断面の形状は円、楕円、多角形いずれでも構わないが、より好ましくは円、楕円である。
以下に本発明を手順に沿って説明する。
【０３１３】
（セルロースアシレート）
本発明で用いられるセルロースアシレートは下記（Ａ）〜（Ｃ）式を満足するものである。
２．６≦Ｘ＋Ｙ＜３．０      ・・・（Ａ）式
０≦Ｘ≦２．８          ・・・（Ｂ）式
０．３≦Ｙ＜３              ・・・（Ｃ）式
Ｘ：アセチル基の置換度
Ｙ：プロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基およびヘキサノイル基の置換度の総和
【０３１４】
上記セルロースアシレートは、
Ｙの１／２以上がプロピオニル基の場合
２．６≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
０．１≦Ｘ≦０．９５
２．０≦Ｙ≦２．９５
若しくは、
２．６≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
２．０≦Ｘ≦２．８
０．１≦Ｙ≦１．０
であることが好ましい。
【０３１５】
また、Ｙの１／２未満がプロピオニル基の場合
２．６≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
０．５≦Ｘ≦１．８
１．３≦Ｙ≦２．５
であることが好ましい。
【０３１６】
本発明におけるセルロースアシレートとしてさらに好ましくは、
Ｙの１／２以上がプロピオニル基の場合
２．７≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
０．２≦Ｘ≦０．７５
２．４≦Ｙ≦２．９
である。
【０３１７】
また、Ｙの１／２未満がプロピオニル基の場合
２．７≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
２．２≦Ｘ≦２．７
０．２≦Ｙ≦０．６
であることが更に好ましく、
Ｙの１／２未満がプロピオニル基の場合
２．７≦Ｘ＋Ｙ≦２．９５
０．７≦Ｘ≦１．４
１．３≦Ｙ≦２．０
であることが特に好ましい。
【０３１８】
＜セルロースアシレートの製造方法＞
次に、本発明におけるセルロースアシレートの製造方法について詳細に説明する。本発明におけるセルロースアシレートの、原料綿や合成方法については、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の７頁〜１２頁にも詳細に記載されている。
【０３１９】
（原料および前処理）
セルロース原料としては、広葉樹パルプ、針葉樹パルプ、綿花リンター由来のものが好ましく用いられる。セルロース原料としては、α−セルロース含量が９２質量％〜９９．９質量％の高純度のものを用いることが好ましい。
セルロース原料がフィルム状や塊状である場合は、あらかじめ解砕しておくことが好ましく、セルロースの形態はフラッフ状になるまで解砕が進行していることが好ましい。
【０３２０】
（活性化）
セルロース原料はアシル化に先立って、活性化剤と接触させる処理（活性化）を行うことが好ましい。活性化剤としては、カルボン酸または水を用いることができるが、水を用いた場合には、活性化の後に酸無水物を過剰に添加して脱水をおこなったり、水を置換するためにカルボン酸で洗浄したり、アシル化の条件を調節したりするといった工程を含むことが好ましい。活性化剤はいかなる温度に調節して添加してもよく、添加方法としては噴霧、滴下、浸漬などの方法から選択することができる。
【０３２１】
前記活性化剤として好ましいカルボン酸は、炭素数２〜７のカルボン酸（例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、２−メチルプロピオン酸、吉草酸、３−メチル酪酸、２−メチル酪酸、２，２−ジメチルプロピオン酸（ピバル酸）、ヘキサン酸、２−メチル吉草酸、３−メチル吉草酸、４−メチル吉草酸、２，２−ジメチル酪酸、２，３−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、シクロペンタンカルボン酸、ヘプタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸など）であり、より好ましくは、酢酸、プロピオン酸、または酪酸であり、特に好ましくは酢酸である。
【０３２２】
活性化の際は、必要に応じて更に硫酸などのアシル化の触媒を加えることもできる。しかし、硫酸のような強酸を添加すると、解重合が促進されることがあるため、その添加量はセルロースに対して０．１質量％〜１０質量％程度に留めることが好ましい。また、２種類以上の活性化剤を併用したり、炭素数２〜７のカルボン酸の酸無水物を添加したりしてもよい。
【０３２３】
前記活性化剤の添加量は、セルロースに対して５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、３０質量％以上であることが特に好ましい。活性化剤の量が該下限値以上であれば、セルロースの活性化の程度が低下するなどの不具合が生じないため好ましい。活性化剤の添加量の上限は生産性を低下させない限りにおいて特に制限はないが、セルロースに対して質量で１００倍以下であることが好ましく、２０倍以下であることがより好ましく、１０倍以下であることが特に好ましい。活性化剤をセルロースに対して大過剰加えて活性化を行い、その後、ろ過、送風乾燥、加熱乾燥、減圧留去、溶媒置換などの操作を行って活性剤の量を減少させてもよい。
【０３２４】
活性化の時間は２０分以上であることが好ましく、上限については生産性に影響を及ぼさない範囲であれば特に制限はないが、好ましくは７２時間以下、更に好ましくは２４時間以下、特に好ましくは１２時間以下である。また、活性化の温度は０℃〜９０℃が好ましく、１５℃〜８０℃が更に好ましく、２０℃〜６０℃が特に好ましい。セルロースの活性化の工程は加圧または減圧条件下で行うこともできる。また、加熱の手段として、マイクロ波や赤外線などの電磁波を用いてもよい。
【０３２５】
（アシル化）
本発明におけるセルロースアシレートを製造する方法においては、セルロースにカルボン酸の酸無水物を加え、ブレンステッド酸またはルイス酸を触媒として反応させることで、セルロースの水酸基をアシル化することが好ましい。
６位置換度の大きいセルロースアシレートの合成については、特開平１１−５８５１、特開２００２−２１２３３８号や特開２００２−３３８６０１号各公報などに記載がある。
セルロースアシレートの他の合成法としては、塩基（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、炭酸ナトリウム、ピリジン、トリエチルアミン、ｔ−ブトキシカリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなど）の存在下に、カルボン酸無水物やカルボン酸ハライドと反応させる方法、アシル化剤として混合酸無水物（カルボン酸・トリフルオロ酢酸混合無水物、カルボン酸・メタンスルホン酸混合無水物など）を用いる方法も用いることができる。特に後者の方法は、炭素数の多いアシル基や、カルボン酸無水物−酢酸−硫酸触媒によるアシル化法が困難なアシル基を導入する際には有効である。
セルロース混合アシレートを得る方法としては、アシル化剤として２種のカルボン酸無水物を混合または逐次添加により反応させる方法、２種のカルボン酸の混合酸無水物（例えば、酢酸・プロピオン酸混合酸無水物）を用いる方法、カルボン酸と別のカルボン酸の酸無水物（例えば、酢酸とプロピオン酸無水物）を原料として反応系内で混合酸無水物（例えば、酢酸・プロピオン酸混合酸無水物）を合成してセルロースと反応させる方法、置換度が３に満たないセルロースアシレートを一旦合成し、酸無水物や酸ハライドを用いて、残存する水酸基を更にアシル化する方法などを用いることができる。
【０３２６】
（酸無水物）
カルボン酸の酸無水物として、好ましくはカルボン酸としての炭素数が２〜７であり、例えば、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物、２−メチルプロピオン酸無水物、吉草酸無水物、３−メチル酪酸無水物、２−メチル酪酸無水物、２，２−ジメチルプロピオン酸無水物（ピバル酸無水物）、ヘキサン酸無水物、２−メチル吉草酸無水物、３−メチル吉草酸無水物、４−メチル吉草酸無水物、２，２−ジメチル酪酸無水物、２，３−ジメチル酪酸無水物、３，３−ジメチル酪酸無水物、シクロペンタンカルボン酸無水物、ヘプタン酸無水物、シクロヘキサンカルボン酸無水物、安息香酸無水物などを挙げることができる。
【０３２７】
カルボン酸の酸無水物として、より好ましくは、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物、吉草酸無水物、ヘキサン酸無水物、ヘプタン酸無水物などの無水物であり、特に好ましくは、無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無水物である。
【０３２８】
また、混合エステルを調製する目的で、これらの酸無水物を併用して使用することが好ましく行われる。その混合比は目的とする混合エステルの置換比に応じて決定することが好ましい。カルボン酸の酸無水物は、セルロースに対して、通常は過剰当量添加する。すなわち、セルロースの水酸基に対して１．２〜５０当量添加することが好ましく、１．５〜３０当量添加することがより好ましく、２〜１０当量添加することが特に好ましい。
【０３２９】
（触媒）
本発明におけるセルロースアシレートの製造に用いるアシル化の触媒には、ブレンステッド酸またはルイス酸を使用することが好ましい。ブレンステッド酸およびルイス酸の定義については、例えば、「理化学辞典」第五版（２０００年）に記載されている。好ましいブレンステッド酸の例としては、硫酸、過塩素酸、リン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸などを挙げることができる。好ましいルイス酸の例としては、塩化亜鉛、塩化スズ、塩化アンチモン、塩化マグネシウムなどを挙げることができる。
前記触媒としては、硫酸または過塩素酸がより好ましく、硫酸が特に好ましい。触媒の好ましい添加量は、セルロースに対して０．１〜３０質量％であり、より好ましくは１〜１５質量％であり、特に好ましくは３〜１２質量％である。
【０３３０】
（溶媒）
アシル化を行う際には、粘度、反応速度、攪拌性、アシル置換比などを調整する目的で、溶媒を添加してもよい。このような溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、カルボン酸、アセトン、エチルメチルケトン、トルエン、ジメチルスルホキシド、スルホランなどを用いることもできるが、好ましくはカルボン酸であり、例えば、炭素数２〜７のカルボン酸（例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、２−メチルプロピオン酸、吉草酸、３−メチル酪酸、２−メチル酪酸、２，２−ジメチルプロピオン酸（ピバル酸）、ヘキサン酸、２−メチル吉草酸、３−メチル吉草酸、４−メチル吉草酸、２，２−ジメチル酪酸、２，３−ジメチル酪酸、３，３−ジメチル酪酸、シクロペンタンカルボン酸）などを挙げることができる。更に好ましくは、酢酸、プロピオン酸、酪酸などを挙げることができる。これらの溶媒は混合して用いてもよい。
【０３３１】
（アシル化の条件）
アシル化を行う際には、酸無水物と触媒、さらに、必要に応じて溶媒を混合してからセルロースと混合してもよく、またこれらを別々に逐次セルロースと混合してもよい。但し、通常は、酸無水物と触媒との混合物、または、酸無水物と触媒と溶媒との混合物をアシル化剤として調製してからセルロースと反応させることが好ましい。アシル化の際の反応熱による反応容器内の温度上昇を抑制するために、アシル化剤は予め冷却しておくことが好ましい。この際、冷却温度としては、−５０℃〜２０℃が好ましく、−３５℃〜１０℃がより好ましく、−２５℃〜５℃が特に好ましい。アシル化剤は液状で添加しても、凍結させて結晶、フレーク、またはブロック状の固体として添加してもよい。
【０３３２】
アシル化剤はさらに、セルロースに対して一度に添加しても、分割して添加してもよい。また、アシル化剤に対してセルロースを一度に添加しても、分割して添加してもよい。アシル化剤を分割して添加する場合は、同一組成のアシル化剤を用いても、複数の組成の異なるアシル化剤を用いてもよい。好ましい例として、１）酸無水物と溶媒との混合物をまず添加し、次いで、触媒を添加する方法、２）酸無水物、溶媒と触媒の一部の混合物をまず添加し、次いで、触媒の残りと溶媒の混合物を添加する方法、３）酸無水物と溶媒との混合物をまず添加し、次いで、触媒と溶媒との混合物を添加する方法、４）溶媒をまず添加し、酸無水物と触媒との混合物あるいは酸無水物と触媒と溶媒との混合物を添加する方法、などを挙げることができる。
【０３３３】
セルロースのアシル化は発熱反応であるが、本発明におけるセルロースアシレートを製造する方法においては、アシル化の際の最高到達温度が５０℃以下であることが好ましい。反応温度がこの温度以下であれば、解重合が進行して本発明の用途に適した重合度のセルロースアシレートを得難くなるなどの不都合が生じないため好ましい。アシル化の際の最高到達温度は、好ましくは４５℃以下であり、より好ましくは４０℃以下であり、特に好ましくは３５℃以下である。反応温度は温度調節装置を用いて制御しても、アシル化剤の初期温度で制御してもよい。反応容器を減圧して、反応系中の液体成分の気化熱で反応温度を制御することもできる。アシル化の際の発熱は反応初期が大きいため、反応初期には冷却し、その後は加熱するなどの制御を行うこともできる。アシル化の終点は、光線透過率、溶液粘度、反応系の温度変化、反応物の有機溶媒に対する溶解性、偏光顕微鏡観察などの手段により決定することができる。
【０３３４】
アシル化の際における反応の最低温度は−５０℃以上が好ましく、−３０℃以上がより好ましく、−２０℃以上が特に好ましい。好ましいアシル化時間は０．５時間〜２４時間であり、１時間〜１２時間がより好ましく、１．５時間〜６時間が特に好ましい。０．５時間では通常の反応条件では反応が十分に進行せず、２４時間を越えると、工業的な製造のために好ましくない。
【０３３５】
（反応停止剤）
本発明に用いられるセルロースアシレートを製造する方法においては、アシル化反応の後に、反応停止剤を加えることが好ましい。
前記反応停止剤としては、酸無水物を分解するものであればいかなるものでもよく、好ましい例としては、水、アルコール（例えばエタノール、メタノール、プロパノール、イソプロピルアルコールなど）またはこれらを含有する組成物などを挙げることができる。また、反応停止剤は、後述の中和剤を含んでいてもよい。反応停止剤の添加に際しては、反応装置の冷却能力を超える大きな発熱が生じて、セルロースアシレートの重合度を低下させる原因となったり、セルロースアシレートが望まない形態で沈殿したりする場合などがある。このような不都合を避けるため、水やアルコールを直接添加するよりも、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸と水との混合物を添加することが好ましく、カルボン酸としては酢酸が特に好ましい。カルボン酸と水との組成比は任意の割合で用いることができるが、水の含有量が５質量％〜８０質量％であることが好ましく、さらには１０質量％〜６０質量％であることが更に好ましく、特には１５質量％〜５０質量％であることが特に好ましい。
【０３３６】
反応停止剤は、アシル化の反応容器に添加しても、反応停止剤の容器に反応物を添加してもよい。反応停止剤は３分〜３時間かけて添加することが好ましい。反応停止剤の添加時間が３分以上であれば、発熱が大きくなりすぎて重合度低下の原因となったり、酸無水物の加水分解が不十分になったり、セルロースアシレートの安定性を低下させたりするなどの不都合が生じないので好ましい。また反応停止剤の添加時間が３時間以下であれば、工業的な生産性の低下などの問題も生じないので好ましい。反応停止剤の添加時間として、好ましくは４分〜２時間であり、より好ましくは５分〜１時間であり、特に好ましくは１０分〜４５分である。反応停止剤を添加する際には反応容器を冷却しても冷却しなくてもよいが、解重合を抑制する目的から、反応容器を冷却して温度上昇を抑制することが好ましい。また、反応停止剤を冷却しておくことも好ましい。
【０３３７】
（中和剤）
アシル化の反応停止工程あるいはアシル化の反応停止工程後に、系内に残存している過剰の無水カルボン酸の加水分解、カルボン酸およびエステル化触媒の一部または全部の中和のために、中和剤（例えば、カルシウム、マグネシウム、鉄、アルミニウムまたは亜鉛の炭酸塩、酢酸塩、水酸化物または酸化物）またはその溶液を添加してもよい。中和剤の溶媒としては、水、アルコール（例えばエタノール、メタノール、プロパノール、イソプロピルアルコールなど）、カルボン酸（例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸など）、ケトン（例えば、アセトン、エチルメチルケトンなど）、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒、およびこれらの混合溶媒を好ましい例として挙げることができる。
【０３３８】
（部分加水分解）
このようにして得られたセルロースアシレートは、全置換度がほぼ３に近いものであるが、所望の置換度のものを得る目的で、少量の触媒（一般には、残存する硫酸などのアシル化触媒）と水との存在下で、２０〜９０℃に数分〜数日間保つことによりエステル結合を部分的に加水分解し、セルロースアシレートのアシル置換度を所望の程度まで減少させること（いわゆる熟成）が一般的に行われる。部分加水分解の過程でセルロースの硫酸エステルも加水分解されることから、加水分解の条件を調節することにより、セルロースに結合した硫酸エステルの量を削減することができる。
【０３３９】
（部分加水分解の停止）
所望のセルロースアシレートが得られた時点で、系内に残存している触媒を、前記のような中和剤またはその溶液を用いて完全に中和し、部分加水分解を停止させることが好ましい。反応溶液に対して溶解性が低い塩を生成する中和剤（例えば、炭酸マグネシウム、酢酸マグネシウムなど）を添加することにより、溶液中あるいはセルロースに結合した触媒（例えば、硫酸エステル）を効果的に除去することも好ましい。
【０３４０】
（ろ過）
セルロースアシレート中の未反応物、難溶解性塩、その他の異物などを除去または削減する目的として、反応混合物（ドープ）のろ過を行うことが好ましい。ろ過は、アシル化の完了から再沈殿までの間のいかなる工程において行ってもよい。ろ過圧や取り扱い性の制御の目的から、ろ過に先立って適切な溶媒で希釈することも好ましい。
【０３４１】
（再沈殿）
このようにして得られたセルロースアシレート溶液を、水もしくはカルボン酸（例えば、酢酸、プロピオン酸など）水溶液のような貧溶媒中に混合するか、セルロースアシレート溶液中に、貧溶媒を混合することにより、セルロースアシレートを再沈殿させ、洗浄および安定化処理により目的のセルロースアシレートを得ることができる。再沈殿は連続的に行っても、一定量ずつバッチ式で行ってもよい。セルロースアシレート溶液の濃度および貧溶媒の組成をセルロースアシレートの置換様式あるいは重合度により調整することで、再沈殿したセルロースアシレートの形態や分子量分布を制御することも好ましい。
【０３４２】
（洗浄）
生成したセルロースアシレートは洗浄処理することが好ましい。洗浄溶媒はセルロースアシレートの溶解性が低く、かつ、不純物を除去することができるものであればいかなるものでもよいが、通常は水または温水等の洗浄水が用いられる。洗浄水の温度は、好ましくは２５℃〜１００℃であり、更に好ましくは３０℃〜９０℃であり、特に好ましくは４０℃〜８０℃である。洗浄処理はろ過と洗浄液の交換とを繰り返すいわゆるバッチ式で行ってもよいし、連続洗浄装置を用いて行ってもよい。再沈殿および洗浄の工程で発生した廃液を再沈殿工程の貧溶媒として再利用したり、蒸留などの手段によりカルボン酸などの溶媒を回収して再利用することも好ましい。
【０３４３】
セルロースアシレートの洗浄の進行はいかなる手段で追跡を行ってよいが、水素イオン濃度、イオンクロマトグラフィー、電気伝導度、ＩＣＰ、元素分析、原子吸光スペクトルなどの方法を好ましい例として挙げることができる。
このような処理により、セルロースアシレート中の触媒（硫酸、過塩素酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、塩化亜鉛など）、中和剤（例えば、カルシウム、マグネシウム、鉄、アルミニウムまたは亜鉛の炭酸塩、酢酸塩、水酸化物または酸化物など）、中和剤と触媒との反応物、カルボン酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸など）、中和剤とカルボン酸との反応物などを除去することができ、このことはセルロースアシレートの安定性を高めるために有効である。
【０３４４】
（安定化）
温水処理による洗浄後のセルロースアシレートは、安定性を更に向上させたり、カルボン酸臭を低下させるために、弱アルカリ（例えば、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウムなどの炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物、酸化物など）の水溶液などで処理することも好ましい。
残存不純物の量は、洗浄液の量、洗浄の温度、時間、攪拌方法、洗浄容器の形態、安定化剤の組成や濃度により制御できる。本発明においては、残留硫酸根量（硫黄原子の含有量として）が０〜５００ｐｐｍになるようにアシル化、部分加水分解および洗浄の条件を設定することが好ましい。
【０３４５】
（乾燥）
本発明においてセルロースアシレートの含水率を好ましい量に調整するためには、セルロースアシレートを乾燥することが好ましい。乾燥の方法については、目的とする含水率が得られるのであれば特に限定されないが、加熱、送風、減圧、攪拌などの手段を単独または組み合わせで用いることで効率的に行うことが好ましい。乾燥温度として好ましくは０〜２００℃であり、さらに好ましくは４０−１８０℃であり、特に好ましくは５０〜１６０℃である。本発明におけるセルロースアシレートは、その含水率が２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることが更に好ましく、０．７質量％以下であることが特には好ましい。
【０３４６】
（形態）
本発明のセルロースアシレートは粒子状、粉末状、繊維状、塊状など種々の形状を取ることができるが、フィルム製造の原料としては粒子状または粉末状であることが好ましいことから、乾燥後のセルロースアシレートは、粒径の均一化や取り扱い性の改善のために、粉砕や篩がけを行ってもよい。セルロースアシレートが粒子状であるとき、使用する粒子の９０質量％以上は、０．５〜５ｍｍの粒子径を有することが好ましい。また、使用する粒子の５０質量％以上が１〜４ｍｍの粒子径を有することが好ましい。セルロースアシレート粒子は、なるべく球形に近い形状を有することが好ましい。また、本発明におけるセルロースアシレートの粒子は、見かけ密度が好ましくは０．５〜１．３であり、更に好ましくは０．７〜１．２であり、特に好ましくは０．８〜１．１５である。見かけ密度の測定法に関しては、ＪＩＳ  Ｋ−７３６５に規定されている。
本発明におけるセルロースアシレート粒子は安息角が１０〜７０°であることが好ましく、１５〜６０°であることが更に好ましく、２０〜５０°であることが特に好ましい。
【０３４７】
（重合度）
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、平均重合度１２０〜４００、好ましくは１５０〜３００、更に好ましくは１８０〜２６０である。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）による分子量分布測定などの方法により測定できる。更に特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。
本発明においては、セルロースアシレートのＧＰＣによる重量平均重合度／数平均重合度が１．６〜３．６であることが好ましく、１．７〜３．３であることが更に好ましく、１．８〜３．２であることが特に好ましい。
【０３４８】
これらのセルロースアシレートは１種類のみを用いてもよく、２種以上混合してもよい。また、セルロースアシレート以外の高分子成分を適宜混合したものでもよい。混合される高分子成分はセルロースエステルと相溶性に優れるものが好ましく、フィルムにしたときの透過率が８０％以上が好ましく、更に好ましくは９０％以上であり、特に好ましくは９２％以上である。
【０３４９】
［セルロースアシレート合成例］
以下に本発明に使用されるセルロースアシレートの合成例について、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０３５０】
［合成例６−１］
（セルロースアセテートプロピオネートの合成）
セルロース（広葉樹パルプ）１５０ｇ、酢酸７５ｇを、反応容器である還流装置を付けた５Ｌセパラブルフラスコに取り、６０℃に調節したオイルバスにて加熱しながら、２時間激しく攪拌した。このような前処理を行ったセルロースは膨潤、解砕されて、フラッフ状を呈した。反応容器を２℃の氷水浴に３０分間放置して冷却した。
【０３５１】
別途、アシル化剤としてプロピオン酸無水物１５４５ｇ、硫酸１０．５ｇの混合物を作製し、−３０℃に冷却した後に、前記の前処理を行ったセルロースを収容する反応容器に一度に加えた。３０分経過後、外設温度を徐々に上昇させ、アシル化剤の添加から２時間経過後に内温が２５℃になるように調節した。反応容器を５℃の氷水浴にて冷却し、アシル化剤の添加から０．５時間後に内温が１０℃、２時間後に内温が２３℃になるように調節し、内温を２３℃に保ってさらに３時間攪拌した。反応容器を５℃の氷水浴にて冷却し、５℃に冷却した２５質量％含水酢酸１２０ｇを１時間かけて添加した。内温を４０℃に上昇させ、１．５時間攪拌した。次いで反応容器に、５０質量％含水酢酸に酢酸マグネシウム４水和物を硫酸の２倍モル溶解した溶液を添加し、３０分間攪拌した。２５質量％含水酢酸１Ｌ、３３質量％含水酢酸５００ｍＬ、５０質量％含水酢酸１Ｌ、水１Ｌをこの順に加え、セルロースアセテートプロピオネートを沈殿させた。得られたセルロースアセテートプロピオネートの沈殿は温水にて洗浄を行った。洗浄後、２０℃の０．００５質量％水酸化カルシウム水溶液中で０．５時間攪拌し、洗浄液のｐＨが７になるまで、さらに水で洗浄を行った後、７０℃で真空乾燥させた。
【０３５２】
1Ｈ−ＮＭＲおよび、ＧＰＣ測定によれば、得られたセルロースアセテートプロピオネートは、アセチル化度０．３０、プロピオニル化度２．６３、重合度３２０であった。
【０３５３】
［合成例６−２］
（セルロースアセテートブチレートの合成）
セルロース（広葉樹パルプ）１００ｇ、酢酸１３５ｇを、反応容器である還流装置を付けた５Ｌセパラブルフラスコに取り、６０℃に調節したオイルバスにて加熱しながら、１時間放置した。その後、６０℃に調節したオイルバスにて加熱しながら、１時間激しく攪拌した。このような前処理を行ったセルロースは膨潤、解砕されて、フラッフ状を呈した。反応容器を５℃の氷水浴に１時間置き、セルロースを十分に冷却した。
【０３５４】
別途、アシル化剤として酪酸無水物１０８０ｇ、硫酸１０．０ｇの混合物を作製し、−２０℃に冷却した後に、前処理を行ったセルロースを収容する反応容器に一度に加えた。３０分経過後、外設温度を２０℃まで上昇させ、５時間反応させた。反応容器を５℃の氷水浴にて冷却し、約５℃に冷却した１２．５質量％含水酢酸２４００ｇを１時間かけて添加した。内温を３０℃に上昇させ、１時間攪拌した。次いで反応容器に、酢酸マグネシウム４水和物の５０質量％水溶液を１００ｇ添加し、３０分間攪拌した。酢酸１０００ｇ、５０質量％含水酢酸２５００ｇを徐々に加え、セルロースアセテートブチレートを沈殿させた。得られたセルロースアセテートブチレートの沈殿は温水にて洗浄を行った。洗浄後、０．００５質量％水酸化カルシウム水溶液中で０．５時間攪拌し、さらに、洗浄液のｐＨが７になるまで水で洗浄を行った後、７０℃で乾燥させた。得られたセルロースアセテートブチレートはアセチル化度０．８４、ブチリル化度２．１２、重合度２６８であった。
【０３５５】
（添加物）
さらに本発明ではセルロースアシレートフィルムに可塑剤を添加してもよい。可塑剤としては、例えば、アルキルフタリルアルキルグリコレート類、リン酸エステルやカルボン酸エステル等が挙げられる。
アルキルフタリルアルキルグリコレート類としては、例えば、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等が挙げられる。
【０３５６】
また、前記リン酸エステルとしては、例えば、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、フェニルジフェニルホスフェート等を挙げることができる。さらに特表平６−５０１０４０公報の請求項３〜７に記載のリン酸エステル系可塑剤を用いることが好ましい。上述のようにリン酸エステルはセルロースアシレートの結晶化を促しスジを発生させる効果があるが、本発明における低分子化合物と併用することでこの効果は抑制される。このため本発明における低分子化合物とリン酸エステルと併用することも可能である。
【０３５７】
前記カルボン酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートおよびジエチルヘキシルフタレート等のフタル酸エステル類；および、クエン酸アセチルトリメチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル等のクエン酸エステル類；ジメチルアジペート、ジブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ビス（２−エチルヘキシル）アジペート、ジイソデシルアジペート、ビス（ブチルジグリコールアジペート）等のアジピン酸エステルを挙げることができる。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、トリアセチン等を単独あるいは併用するのが好ましい。
【０３５８】
これらの可塑剤はセルロースアシレートフィルムに対し０質量％〜２０質量％が好ましく、より好ましくは１質量％〜２０質量％、さらに好ましくは２質量％〜１５質量％である。これらの可塑剤は必要に応じて、２種類以上を併用して用いてもよい。
【０３５９】
本発明においては、セルロースアシレートフィルムに、さらにマット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウムおよびリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
【０３６０】
これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．４μｍ〜１．２μｍがさらに好ましく、０．６μｍ〜１．１μｍが最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。
二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上、日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。また、酸化ジルコニウムの微粒子としては、例えば、アエロジルＲ９７６およびＲ８１１（以上、日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、好適に使用することができる。
【０３６１】
これら微粒子の中でも、アエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０３６２】
さらに、可塑剤以外に、種々の添加剤（例えば、赤外線吸収染料、紫外線吸収剤、劣化防止剤、光学異方性コントロール剤、界面活性剤、臭気トラップ剤（アミン等）など）を加えることができる。赤外吸収染料としては例えば特開平２００１−１９４５２２号公報のものが使用でき、紫外線吸収剤は例えば特開平２００１−１５１９０１号公報に記載のものが使用でき、それぞれセルロースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有させることが好ましい。微粒子は、平均粒径が５〜３０００ｎｍのものを使用することが好ましく、金属酸化物や架橋ポリマーから成るものを使用でき、セルロースアシレートに対して０．００１〜５質量％含有させることが好ましい。劣化防止剤はセルロースアシレートに対して０．０００１〜２質量％含有させることが好ましい。光学異方性コントロール剤は例えば特開２００３−６６２３０、特開２００２−４９１２８記載のものを使用でき、セルロースアシレートに対して０．１〜１５質量％含有させることが好ましい。
これらの添加物は上述のペレット化の際に本発明における低分子化合物と一緒に添加してもよく、ペレット化の後ペレットに塗して用いてもよい。より好ましくは前者である。
【０３６３】
（溶融製膜）
（１）乾燥
本発明のセルロースアシレートフィルムは、上述の方法でペレット化した本発明のセルロースアシレートペレットを用いて作製される、溶融製膜に先立ちペレット中の含水率を１％以下、より好ましくは０．５％以下にした後、溶融押出し機のホッパーに投入するのが好ましい。このときホッパーを２０℃〜１１０℃、より好ましくは４０℃〜１００℃、さらに好ましくは５０℃〜９０°にする。この際、ホッパー内を窒素等の不活性ガスを封入することがより好ましい。
【０３６４】
（２）溶融押出し
溶融押出しには、上述の方法で作製したペレットを用いるが、この１種類のペレットを単独で用いてもよく２種類以上混合してもよい。２種類以上混合する場合、異種の本発明における低分子化合物を含むペレットを混合してもよく、同種の本発明における低分子化合物のペレットを混合してもよく、更には、本発明における低分子化合物を添加したペレットとしていないペレットとを混合してもよい。これらの混合は任意の割合で実施できる。
ペレットの混練溶融は１５０℃〜２５０℃、より好ましくは１６５℃〜２４０℃、さらに好ましくは１８０℃〜２３０℃で実施される。この際、溶融温度は一定温度で行ってもよく、いくつかに分割して制御してもよい。より好ましいのは混練機入口から出口に向かい昇温する方法である。好ましい混練時間は２分〜６０分であり、より好ましくは３分〜４０分であり、さらに好ましくは４分〜３０分である。さらに、溶融押出し機内を不活性（窒素等）気流中、あるいはベント付き押出し機を用い真空排気しながら実施するのがより好ましい。
【０３６５】
（３）キャスト
ペレットを溶融した樹脂をギヤポンプに通し、押し出し機の脈動を除去した後、金属メッシュフィルター等で濾過を行い、この後ろに取り付けたＴ型のダイから冷却ドラム上にシート状に押し出す。押し出しは単層で行ってもよく、マルチマニホールドダイやフィードブロックダイを用いて複数層押出してもよい。この時、ダイのリップの間隔を調整することで幅方向の厚みむらを調整することができる。
この後、キャスティングドラム上に押出す。この時、静電印加法、エアナイフ法、エアーチャンバー法、バキュームノズル法、タッチロール法等の方法を用い、キャスティングドラムと溶融押出ししたシートの密着を上げることが好ましい。このような密着向上法は、溶融押出しシートの全面に実施してもよく、一部に実施してもよい。
【０３６６】
キャスティングドラムの表面温度は６０℃〜１６０℃が好ましく、より好ましくは７０℃〜１５０℃であり、さらに好ましくは８０℃〜１４０℃である。この後、キャスティングドラムから剥ぎ取り、ニップロールを経た後巻き取る。巻き取り速度は１０ｍ／分〜１００ｍ／分が好ましく、より好ましくは１５ｍ／分〜８０ｍ／分、さらに好ましくは２０ｍ／分〜７０ｍ／分である。
製膜幅は１ｍ〜５ｍ、さらに好ましくは１．２ｍ〜４ｍ、さらに好ましくは１．３ｍ〜３ｍが好ましい。また、このようにして得られた未延伸フィルムの厚みは３０μｍ〜４００μｍが好ましく、より好ましくは４０μｍ〜３００μｍ、さらに好ましくは５０μｍ〜２００μｍである。
【０３６７】
このようにして得られたフィルムは両端をトリミングし、巻き取ることが好ましい。前記巻き取り張力は１ｋｇ／ｍ幅〜５０ｋｇ／幅が好ましく、より好ましくは２ｋｇ／ｍ幅〜４０ｋｇ／幅である。トリミングされた部分は、粉砕処理された後、或いは必要に応じて造粒処理や解重合・再重合等の処理を行った後、同じ品種のフィルム用原料としてまたは異なる品種のフィルム用原料として再利用してもよい。また、巻き取り前に、少なくとも片面にラミフィルムを付けることも、傷防止の観点から好ましい。
【０３６８】
（延伸）
製膜後に延伸を行うことが本発明のＲｅ，Ｒｔｈを達成する上で好ましい。延伸はＴｇ〜（Ｔｇ＋５０℃）で実施するのが好ましく、より好ましくは（Ｔｇ＋１℃）〜（Ｔｇ＋３０℃）であり、さらに好ましくは（Ｔｇ＋２℃）〜（Ｔｇ＋２０℃）である。好ましい延伸倍率は１０％〜３００％であり、より好ましくは２０％〜２５０％であり、さらに好ましくは３０％〜２００％である。これらの延伸は１段で実施しても、多段で実施してもよい。ここで云う延伸倍率は、以下の式を用いて求めたものである。
延伸倍率（％）＝１００×｛（延伸後の長さ）−（延伸前の長さ）｝／延伸前の長さ
【０３６９】
このような延伸は縦延伸、横延伸、およびこれらの組み合わせによって実施される。縦延伸は、（１）ロール延伸（出口側の周速を速くした２対以上のニップロールを用いて、長手方向に延伸）、（２）固定端延伸（フィルムの両端を把持し、これを長手方向に次第に早く搬送し長手方向に延伸）、等を用いることができる。さらに横延伸は、テンター延伸（フィルムの両端をチャックで把持しこれを横方向（長手方向と直角方向）に広げて延伸）、等を使用することができる。これらの縦延伸、横延伸は、それだけでおこなってもよく（１軸延伸）、組み合わせて行ってもよい（２軸延伸）。２軸延伸の場合、縦、横逐次で実施してもよく（逐次延伸）、同時に実施してもよい（同時延伸）。
縦延伸、横延伸の延伸速度は１０％／分〜１００００％／分が好ましく、より好ましくは２０％／分〜１０００％／分、さらに好ましくは３０％／分〜８００％／分である。多段延伸の場合、各段の延伸速度の平均値を指す。
このような延伸に引き続き、縦あるいは横方向に０％から１０％緩和することも好ましい。さらに、延伸に引き続き、１５０℃〜２５０℃で１秒〜３分熱固定することも好ましい。
本発明においては、前記溶融成膜後に、縦および横の少なくとも１方向に１．１倍〜２．５倍で延伸することが好ましい。
【０３７０】
このような延伸により発現する本発明のセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーション（Ｒｅ）と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は下記条件（１）および（２）を満足することが好ましい。
条件（１）：２００≧Ｒｅ≧０
条件（２）：５００≧Ｒｔｈ≧０
【０３７１】
本発明のセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーション（Ｒｅ）と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）としては下記条件１を満たすことがより好ましい。
〔条件１〕
Ｒｔｈ≧Ｒｅ
１５０≧Ｒｅ≧１０
４００≧Ｒｔｈ≧５０
【０３７２】
本発明のセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーション（Ｒｅ）と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）としては下記条件２を満足することが特に好ましい。
〔条件２〕
Ｒｔｈ≧Ｒｅ×１．２
１００≧Ｒｅ≧２０
３５０≧Ｒｔｈ≧８０
【０３７３】
本明細書において、Ｒｅ、Ｒｔｈは各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅは、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定することができる。Ｒｔｈは、前記Ｒｅ、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ    ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にＫＯＢＲＡ    ２１ＡＤＨによって算出することができる。ここで平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。本明細書においては、特に断らない限りλとして５９０±５ｎｍを採用している。
主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。
【０３７４】
このようにして延伸した後の膜厚は１０〜３００μｍが好ましく、より好ましくは２０μｍ〜２００μｍ、さらに好ましくはは３０μｍ〜１００μｍが好ましい。
また製膜方向（長手方向）と、フィルムのＲｅの遅相軸とのなす角度θが０°、＋９０°もしくは−９０°に近いほど好ましい。即ち、縦延伸の場合は０°に近いほど好ましく、０±３°が好ましく、より好ましくは０±２°、さらに好ましくは０±１°である。横延伸の場合は、９０±３°あるいは−９０±３°が好ましく、より好ましくは９０±２°あるいは−９０±２°、さらに好ましくは９０±１°あるいは−９０±１°である。
【０３７５】
（表面処理）
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着性を向上させることができる。例えば、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいう「グロー放電処理」とは、プラズマ励起性気体存在下でフィルム表面にプラズマ処理を施す処理である。
【０３７６】
前記グロー放電処理は、１０-3〜２０Ｔｏｒｒ（０．１３〜２７００Ｐａ）の低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。前記プラズマ励起性気体とは前記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類およびそれらの混合物などが挙げられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されている。なお、近年注目されている大気圧でのプラズマ処理は、例えば１０〜１０００Ｋｅｖ下で２０〜５００ｋＧｙの照射エネルギーが用いられ、より好ましくは３０〜５００Ｋｅｖ下で２０〜３００ｋＧｙの照射エネルギーが用いられる。これらの中でも特に好ましくは、アルカリ鹸化処理でありセルロースアシレートフィルムの表面処理としては極めて有効である。
【０３７７】
アルカリ鹸化処理は、鹸化液に浸漬してもよく、鹸化液を塗布してもよい。浸漬法の場合は、ＮａＯＨやＫＯＨ等のｐＨ１０〜１４の水溶液を２０℃〜８０℃に加温した槽を０．１分から１０分通過させたあと、中和、水洗、乾燥することで達成できる。
【０３７８】
塗布方法の場合、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法およびＥ型塗布法を用いることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液の透明支持体に対して塗布するために濡れ性がよく、また鹸化液溶媒によって透明支持体表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、前記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがさらに好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒〜５分が好ましく、５秒〜５分がさらに好ましく、２０秒〜３分が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。また、塗布式鹸化処理と後述の配向膜解塗設を、連続して行うことができ、工程数を減少できる。これらの鹸化方法は、具体的には、例えば、特開２００２−８２２２６号公報、国際公開ＷＯ０２／４６８０９号公報に内容の記載が挙げられる。
【０３７９】
また、機能層との接着のため下塗り層を設けることも好ましい。この層は前記表面処理をした後、塗設してもよく、表面処理なしで塗設してもよい。下塗層についての詳細は、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁に記載されている。
これらの表面処理、下塗り工程は、製膜工程の最後に組み込むこともでき、単独で実施することもでき、後述の機能層付与工程の中で実施することもできる。
【０３８０】
（機能層付与）
本発明のセルロースアシレートフィルムに、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されている機能性層を組み合わせることが好ましい。中でも好ましいのが、偏光層の付与（偏光板）、光学補償層の付与（光学補償フィルム）、反射防止層の付与（反射防止フィルム）である。
【０３８１】
（１）偏光層の付与（偏光板の作製）
［偏光層の使用素材］
現在、市販の偏光層は、延伸したポリマーを、浴槽中のヨウ素もしくは二色性色素の溶液に浸漬し、バインダー中にヨウ素、もしくは二色性色素を浸透させることで作製されるのが一般的である。偏光層は、Ｏｐｔｉｖａ  Ｉｎｃ．に代表される塗布型偏光膜も利用できる。偏光層におけるヨウ素および二色性色素は、バインダー中で配向することで偏向性能を発現する。二色性色素としては、アゾ系色素、スチルベン系色素、ピラゾロン系色素、トリフェニルメタン系色素、キノリン系色素、オキサジン系色素、チアジン系色素あるいはアントラキノン系色素が用いられる。二色性色素は、水溶性であることが好ましい。二色性色素は、親水性置換基（例、スルホ、アミノ、ヒドロキシル）を有することが好ましい。例えば、発明協会公開技法、公技番号２００１−１７４５号、５８頁（発行日２００１年３月１５日）に記載の化合物が挙げられる。
【０３８２】
偏光層のバインダーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができ、これらの組み合わせを複数使用することができる。バインダーには、例えば特開平８−３３８９１３号公報明細書中段落番号［００２２］記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー（例、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。重合度が異なるポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールを２種類併用することが特に好ましい。ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００であることが好ましい。変性ポリビニルアルコールについては、特開平８−３３８９１３号、同９−１５２５０９号および同９−３１６１２７号の各公報に記載がある。ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールは、二種以上を併用してもよい。
【０３８３】
偏光層のバインダー厚みの下限は、１０μｍであることが好ましい。厚みの上限は、液晶表示装置の光漏れの観点からは、薄ければ薄い程よい。現在市販の偏光板（約３０μｍ）以下であることが好ましく、２５μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がさらに好ましい。
【０３８４】
偏光層のバインダーは架橋していてもよい。架橋性の官能基を有するポリマー、モノマーをバインダー中に混合してもよく、バインダーポリマー自身に架橋性官能基を付与してもよい。架橋は、光、熱あるいはｐＨ変化により行うことができ、架橋構造をもったバインダーを形成することができる。架橋剤については、米国再発行特許２３２９７号明細書に記載がある。また、ホウ素化合物（例、ホウ酸、硼砂）も、架橋剤として用いることができる。バインダーの架橋剤の添加量は、バインダーに対して、０．１〜２０質量％が好ましい。偏光素子の配向性、偏光層の耐湿熱性が良好となる。
【０３８５】
架橋反応が終了後でも、未反応の架橋剤は１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。このようにすることで、耐候性が向上する。
【０３８６】
［偏光層の延伸］
偏光層は、偏光層を延伸するか（延伸法）、もしくはラビングした（ラビング法）後に、ヨウ素、二色性染料で染色することが好ましい。
延伸法の場合、延伸倍率は２．５〜３０．０倍が好ましく、３．０〜１０．０倍がさらに好ましい。延伸は、空気中でのドライ延伸で実施できる。また、水に浸漬した状態でのウェット延伸を実施してもよい。ドライ延伸の延伸倍率は、２．５〜５．０倍が好ましく、ウェット延伸の延伸倍率は、３．０〜１０．０倍が好ましい。延伸はＭＤ方向に平行に行ってもよく（平行延伸）、斜め方向におこなってもよい（斜め延伸）。これらの延伸は、１回で行っても、数回に分けて行ってもよい。数回に分けることによって、高倍率延伸でもより均一に延伸することができる。より好ましいのが斜め方向に１０°〜８０°の傾きを付けて延伸する斜め延伸である。
【０３８７】
（Ｉ）平行延伸法
延伸に先立ち、ＰＶＡフィルムを膨潤させる。膨潤度は１．２〜２．０倍（膨潤前と膨潤後の質量比）である。この後、ガイドロール等を介して連続搬送しつつ、水系媒体浴内や二色性物質溶解の染色浴内で、１５〜５０℃、就中１７〜４０℃の浴温で延伸する。延伸は２対のニップロールで把持し、後段のニップロールの搬送速度を前段のそれより大きくすることで達成できる。延伸倍率は、延伸後／初期状態の長さ比（以下同じ）に基づくが前記作用効果の点より好ましい延伸倍率は１．２〜３．５倍、就中１．５〜３．０倍である。この後、５０℃から９０℃において乾燥させて偏光膜を得る。
【０３８８】
（ＩＩ）斜め延伸法
これには特開２００２−８６５５４号公報に記載の斜め方向に傾斜め方向に張り出したテンターを用い延伸する方法を用いることができる。この延伸は空気中で延伸するため、事前に含水させて延伸しやすくすることが必用である。好ましい含水率は５％〜１００％、より好ましくは１０％〜１００％である。
延伸時の温度は４０℃〜９０℃が好ましく、より好ましくは５０℃〜８０℃である。湿度は相対湿度５０％〜１００％が好ましく、より好ましくは相対湿度７０％〜１００％、さらに好ましくは相対湿度８０％〜１００％である。長手方向の進行速度は、１ｍ／分以上が好ましく、より好ましくは３ｍ／分以上である。
延伸の終了後、５０℃〜１００℃より好ましくは６０℃〜９０℃で、０．５分〜１０分乾燥する。より好ましくは１分〜５分である。
このようにして得られた偏光層の吸収軸は１０°〜８０°が好ましく、より好ましくは３０°〜６０°であり、さらに好ましくは実質的に４５°（４０°〜５０°）である。
【０３８９】
［貼り合せ］
前記鹸化後のセルロースアシレートフィルムと、延伸して調製した偏光層とを貼り合わせ偏光板を調製する。張り合わせる方向は、セルロースアシレートフィルムの流延軸方向と偏光板の延伸軸方向が４５°になるように行うのが好ましい。
貼り合わせの接着剤は特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層厚みは乾燥後に０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０５〜５μｍが特に好ましい。
このようにして得た偏光板の光線透過率は高い方が好ましく、偏光度も高い方が好ましい。偏光板の透過率は、波長５５０ｎｍの光において、３０〜５０％の範囲にあることが好ましく、３５〜５０％の範囲にあることがさらに好ましく、４０〜５０％の範囲にあることが最も好ましい。偏光度は、波長５５０ｎｍの光において、９０〜１００％の範囲にあることが好ましく、９５〜１００％の範囲にあることがさらに好ましく、９９〜１００％の範囲にあることが最も好ましい。
【０３９０】
さらに、このようにして得た偏光板はλ／４板と積層し、円偏光を作製することができる。この場合λ／４板の遅相軸と偏光板の吸収軸とを４５°になるように積層する。この時、λ／４板は特に限定されないが、より好ましくは低波長ほどレターデーションが小さくなるような波長依存性を有するものがより好ましい。さらには長手方向に対し２０°〜７０°傾いた吸収軸を有する偏光層、および液晶性化合物からなる光学異方性層から成るλ／４板を用いることが好ましい。
【０３９１】
（２）光学補償層の付与（光学補償フィルムの作製）
光学異方性層は、液晶表示装置の黒表示における液晶セル中の液晶化合物を補償するためのものであり、セルロースアシレートフィルムの上に配向膜を形成し、さらに光学異方性層を付与することで形成される。
【０３９２】
［配向膜］
前記表面処理したセルロースアシレートフィルム上に配向膜を設ける。この膜は、液晶性分子の配向方向を規定する機能を有する。しかし、液晶性化合物を配向後にその配向状態を固定してしまえば、配向膜はその役割を果たしているために、本発明の構成要素としては必ずしも必須のものではない。即ち、配向状態が固定された配向膜上の光学異方性層のみを偏光子上に転写して本発明の偏光板を作製することも可能である。
配向膜は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログルーブを有する層の形成、あるいはラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ膜）による有機化合物（例、ω−トリコサン酸、ジオクタデシルメチルアンモニウムクロライド、ステアリル酸メチル）の累積のような手段で設けることができる。さらに、電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により、配向機能が生じる配向膜も知られている。
配向膜は、ポリマーのラビング処理により形成することが好ましい。配向膜に使用するポリマーは、原則として、液晶性分子を配向させる機能のある分子構造を有する。
【０３９３】
本発明では、液晶性分子を配向させる機能に加えて、架橋性官能基（例、二重結合）を有する側鎖を主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する架橋性官能基を側鎖に導入することが好ましい。
【０３９４】
配向膜に使用されるポリマーは、それ自体架橋可能なポリマーあるいは架橋剤により架橋されるポリマーのいずれも使用することができし、これらの組み合わせを複数使用することができる。ポリマーの例には、例えば特開平８−３３８９１３号公報明細書中段落番号［００２２］記載のメタクリレート系共重合体、スチレン系共重合体、ポリオレフィン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコール、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル共重合体、カルボキシメチルセルロース、ポリカーボネート等が含まれる。シランカップリング剤をポリマーとして用いることができる。水溶性ポリマー（例、ポリ（Ｎ−メチロールアクリルアミド）、カルボキシメチルセルロース、ゼラチン、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール）が好ましく、ゼラチン、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールがさらに好ましく、ポリビニルアルコールおよび変性ポリビニルアルコールが最も好ましい。重合度が異なるポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールを２種類併用することが特に好ましい。ポリビニルアルコールの鹸化度は、７０〜１００％が好ましく、８０〜１００％がさらに好ましい。ポリビニルアルコールの重合度は、１００〜５０００であることが好ましい。
【０３９５】
液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖は、一般に疎水性基を官能基として有する。具体的な官能基の種類は、液晶性分子の種類および必要とする配向状態に応じて決定する。例えば、変性ポリビニルアルコールの変性基としては、共重合変性、連鎖移動変性またはブロック重合変性により導入できる。変性基の例には、親水性基（カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基、アミノ基、アンモニウム基、アミド基、チオール基等）、炭素数１０〜１００個の炭化水素基、フッ素原子置換の炭化水素基、チオエーテル基、重合性基（不飽和重合性基、エポキシ基、アジリニジル基等）、アルコキシシリル基（トリアルコキシ、ジアルコキシ、モノアルコキシ）等が挙げられる。これらの変性ポリビニルアルコール化合物の具体例として、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［００２２］〜［０１４５］、同２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２２］に記載のもの等が挙げられる。
【０３９６】
架橋性官能基を有する側鎖を配向膜ポリマーの主鎖に結合させるか、あるいは、液晶性分子を配向させる機能を有する側鎖に架橋性官能基を導入すると、配向膜のポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを共重合させることができる。その結果、多官能モノマーと多官能モノマーとの間だけではなく、配向膜ポリマーと配向膜ポリマーとの間、そして多官能モノマーと配向膜ポリマーとの間も共有結合で強固に結合される。従って、架橋性官能基を配向膜ポリマーに導入することで、光学補償フィルムの強度を著しく改善することができる。
【０３９７】
配向膜ポリマーの架橋性官能基は、多官能モノマーと同様に、重合性基を含むことが好ましい。具体的には、例えば特開２０００−１５５２１６号公報明細書中段落番号［００８０］〜［０１００］記載のもの等が挙げられる。配向膜ポリマーは、前記の架橋性官能基とは別に、架橋剤を用いて架橋させることもできる。
【０３９８】
架橋剤としては、アルデヒド、Ｎ−メチロール化合物、ジオキサン誘導体、カルボキシル基を活性化することにより作用する化合物、活性ビニル化合物、活性ハロゲン化合物、イソオキサゾールおよびジアルデヒド澱粉が含まれる。二種類以上の架橋剤を併用してもよい。具体的には、例えば特開２００２−６２４２６号公報明細書中の段落番号［００２３］〜［００２４］記載の化合物等が挙げられる。反応活性の高いアルデヒド、特にグルタルアルデヒドが好ましい。
架橋剤の添加量は、ポリマーに対して０．１〜２０質量％が好ましく、０．５〜１５質量％がさらに好ましい。配向膜に残存する未反応の架橋剤の量は、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがさらに好ましい。このように調節することで、配向膜を液晶表示装置に長期使用、或は高温高湿の雰囲気下に長期間放置しても、レチキュレーション発生のない充分な耐久性が得られる。
【０３９９】
配向膜は、基本的に、配向膜形成材料である前記ポリマー、架橋剤を含む透明支持体上に塗布した後、加熱乾燥（架橋させ）し、ラビング処理することにより形成することができる。架橋反応は、前記のように、透明支持体上に塗布した後、任意の時期に行ってよい。ポリビニルアルコールのような水溶性ポリマーを配向膜形成材料として用いる場合には、塗布液は消泡作用のある有機溶媒（例、メタノール）と水の混合溶媒とすることが好ましい。その比率は質量比で水：メタノールが０：１００〜９９：１が好ましく、０：１００〜９１：９であることがさらに好ましい。これにより、泡の発生が抑えられ、配向膜、更には光学異方層の層表面の欠陥が著しく減少する。
【０４００】
配向膜の塗布方法は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、ロッドコーティング法またはロールコーティング法が好ましい。特にロッドコーティング法が好ましい。また、乾燥後の膜厚は０．１〜１０μｍが好ましい。加熱乾燥は、２０℃〜１１０℃で行うことができる。充分な架橋を形成するためには６０℃〜１００℃が好ましく、特に８０℃〜１００℃が好ましい。乾燥時間は１分〜３６時間で行うことができるが、好ましくは１分〜３０分である。ｐＨも、使用する架橋剤に最適な値に設定することが好ましく、グルタルアルデヒドを使用した場合は、ｐＨ４．５〜５．５で、特に５が好ましい。
【０４０１】
配向膜は、透明支持体上または前記下塗層上に設けられる。配向膜は、前記のようにポリマー層を架橋したのち、表面をラビング処理することにより得ることができる。
前記ラビング処理は、ＬＣＤの液晶配向処理工程として広く採用されている処理方法を適用することができる。即ち、配向膜の表面を、紙やガーゼ、フェルト、ゴムあるいはナイロン、ポリエステル繊維などを用いて一定方向に擦ることにより、配向を得る方法を用いることができる。一般的には、長さおよび太さが均一な繊維を平均的に植毛した布などを用いて数回程度ラビングを行うことにより実施される。
工業的に実施する場合、搬送している偏光層のついたフィルムに対し、回転するラビングロールを接触させることで達成するが、ラビングロールの真円度、円筒度、振れ（偏芯）はいずれも３０μｍ以下であることが好ましい。ラビングロールへのフィルムのラップ角度は、０．１〜９０゜が好ましい。ただし、特開平８−１６０４３０号公報に記載されているように、３６０゜以上巻き付けることで、安定なラビング処理を得ることもできる。フィルムの搬送速度は１〜１００ｍ／ｍｉｎが好ましい。ラビング角は０〜６０゜の範囲で適切なラビング角度を選択することが好ましい。液晶表示装置に使用する場合は、４０〜５０゜が好ましい。４５゜が特に好ましい。
このようにして得た配向膜の膜厚は、０．１〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。
【０４０２】
次に、配向膜の上に光学異方性層の液晶性分子を配向させる。その後、必要に応じて、配向膜ポリマーと光学異方性層に含まれる多官能モノマーとを反応させるか、あるいは、架橋剤を用いて配向膜ポリマーを架橋させる。
光学異方性層に用いる液晶性分子には、棒状液晶性分子および円盤状液晶性分子が含まれる。棒状液晶性分子および円盤状液晶性分子は、高分子液晶でも低分子液晶でもよく、さらに、低分子液晶が架橋され液晶性を示さなくなったものも含まれる。
【０４０３】
［棒状液晶性分子］
棒状液晶性分子としては、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が好ましく用いられる。
なお、棒状液晶性分子には、金属錯体も含まれる。また、棒状液晶性分子を繰り返し単位中に含む液晶ポリマーも、棒状液晶性分子として用いることができる。言い換えると、棒状液晶性分子は、（液晶）ポリマーと結合していてもよい。
【０４０４】
棒状液晶性分子については、季刊化学総説第２２巻液晶の化学（１９９４）日本化学会編の第４章、第７章および第１１章、および液晶デバイスハンドブック日本学術振興会第１４２委員会編の第３章に記載がある。
棒状液晶性分子の複屈折率は、０．００１〜０．７の範囲にあることが好ましい。
棒状液晶性分子は、その配向状態を固定するために、重合性基を有することが好ましい。重合性基は、ラジカル重合性不飽基或はカチオン重合性基が好ましく、具体的には、例えば特開２００２−６２４２７号公報明細書中の段落番号［００６４］〜［００８６］記載の重合性基、重合性液晶化合物が挙げられる。
【０４０５】
［円盤状液晶性分子］
円盤状（ディスコティック）液晶性分子には、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．７１巻、１１１頁（１９８１年）に記載されているベンゼン誘導体、Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅらの研究報告、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．１２２巻、１４１頁（１９８５年）、Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｌｅｔｔ，Ａ，７８巻、８２頁（１９９０）に記載されているトルキセン誘導体、Ｂ．Ｋｏｈｎｅらの研究報告、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．９６巻、７０頁（１９８４年）に記載されたシクロヘキサン誘導体およびＪ．Ｍ．Ｌｅｈｎらの研究報告、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１７９４頁（１９８５年）、Ｊ．Ｚｈａｎｇらの研究報告、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１６巻、２６５５頁（１９９４年）に記載されているアザクラウン系やフェニルアセチレン系マクロサイクルが含まれる。
円盤状液晶性分子としては、分子中心の母核に対して、直鎖のアルキル基、アルコキシ基、置換ベンゾイルオキシ基が母核の側鎖として放射線状に置換した構造である液晶性を示す化合物も含まれる。分子または分子の集合体が、回転対称性を有し、一定の配向を付与できる化合物であることが好ましい。円盤状液晶性分子から形成する光学異方性層は、最終的に光学異方性層に含まれる化合物が円盤状液晶性分子である必要はなく、例えば、低分子の円盤状液晶性分子が熱や光で反応する基を有しており、結果的に熱、光で反応により重合または架橋し、高分子量化し液晶性を失った化合物も含まれる。円盤状液晶性分子の好ましい例は、特開平８−５０２０６号公報に記載されている。また、円盤状液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４号公報に記載がある。
【０４０６】
円盤状液晶性分子を重合により固定するためには、円盤状液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。円盤状コアと重合性基は、連結基を介して結合する化合物が好ましく、これにより重合反応においても配向状態を保つことが出来る。例えば、特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［０１５１］〜「０１６８」記載の化合物等が挙げられる。
ハイブリッド配向では、円盤状液晶性分子の長軸（円盤面）と偏光膜の面との角度が、光学異方性層の深さ方向でかつ偏光膜の面からの距離の増加と共に増加または減少している。角度は、距離の増加と共に減少することが好ましい。さらに、角度の変化としては、連続的増加、連続的減少、間欠的増加、間欠的減少、連続的増加と連続的減少を含む変化、あるいは、増加および減少を含む間欠的変化が可能である。間欠的変化は、厚さ方向の途中で傾斜角が変化しない領域を含んでいる。角度は、角度が変化しない領域を含んでいても、全体として増加または減少していればよい。さらに、角度は連続的に変化することが好ましい。
【０４０７】
偏光膜側の円盤状液晶性分子の長軸の平均方向は、一般に円盤状液晶性分子あるいは配向膜の材料を選択することにより、またはラビング処理方法の選択することにより、調整することができる。また、表面側（空気側）の円盤状液晶性分子の長軸（円盤面）方向は、一般に円盤状液晶性分子あるいは円盤状液晶性分子と共に使用する添加剤の種類を選択することにより調整することができる。円盤状液晶性分子と共に使用する添加剤の例としては、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマーおよびポリマーなどを挙げることができる。長軸配向方向の変化の程度も、前記と同様に、液晶性分子と添加剤との選択により調整できる。
【０４０８】
−光学異方性層の他の組成物−
前記の液晶性分子と共に、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー等を併用して、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶分子の配向性等を向上することが出来る。液晶性分子と相溶性を有し、液晶性分子の傾斜角の変化を与えられるか、あるいは配向を阻害しないことが好ましい。
【０４０９】
重合性モノマーとしては、ラジカル重合性若しくはカチオン重合性の化合物が挙げられる。好ましくは、多官能性ラジカル重合性モノマーであり、前記の重合性基含有の液晶化合物と共重合性のものが好ましい。例えば、特開２００２−２９６４２３号公報明細書中の段落番号［００１８］〜［００２０］記載のものが挙げられる。前記化合物の添加量は、円盤状液晶性分子に対して一般に１〜５０質量％の範囲にあり、５〜３０質量％の範囲にあることが好ましい。
【０４１０】
前記界面活性剤としては、従来公知の化合物が挙げられるが、特にフッ素系化合物が好ましい。具体的には、例えば特開２００１−３３０７２５号公報明細書中の段落番号［００２８］〜［００５６］記載の化合物が挙げられる。
円盤状液晶性分子とともに使用するポリマーは、円盤状液晶性分子に傾斜角の変化を与えられることが好ましい。
ポリマーの例としては、セルロースエステルを挙げることができる。セルロースエステルの好ましい例としては、特開２０００−１５５２１６号公報明細書中の段落番号［０１７８］記載のものが挙げられる。液晶性分子の配向を阻害しないように、前記ポリマーの添加量は、液晶性分子に対して０．１〜１０質量％の範囲にあることが好ましく、０．１〜８質量％の範囲にあることがより好ましい。
円盤状液晶性分子のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度は、７０〜３００℃が好ましく、７０〜１７０℃がさらに好ましい。
【０４１１】
［光学異方性層の形成］
光学異方性層は、液晶性分子および必要に応じて後述の重合性開始剤や任意の成分を含む塗布液を、配向膜の上に塗布することで形成できる。
塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機溶媒が好ましく用いられる。有機溶媒の例には、アミド（例、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、スルホキシド（例、ジメチルスルホキシド）、ヘテロ環化合物（例、ピリジン）、炭化水素（例、ベンゼン、ヘキサン）、アルキルハライド（例、クロロホルム、ジクロロメタン、テトラクロロエタン）、エステル（例、酢酸メチル、酢酸ブチル）、ケトン（例、アセトン、メチルエチルケトン）、エーテル（例、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン）が含まれる。アルキルハライドおよびケトンが好ましい。二種類以上の有機溶媒を併用してもよい。
【０４１２】
塗布液の塗布は、公知の方法（例、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ダイコーティング法）により実施できる。
光学異方性層の厚さは、０．１〜２０μｍであることが好ましく、０．５〜１５μｍであることがさらに好ましく、１〜１０μｍであることが最も好ましい。
【０４１３】
［液晶性分子の配向状態の固定］
配向させた液晶性分子を、配向状態を維持して固定することができる。固定化は、重合反応により実施することが好ましい。重合反応には、熱重合開始剤を用いる熱重合反応と光重合開始剤を用いる光重合反応とが含まれる。光重合反応が好ましい。
光重合開始剤の例には、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）が含まれる。
光重合開始剤の使用量は、塗布液の固形分の０．０１〜２０質量％の範囲にあることが好ましく、０．５〜５質量％の範囲にあることがさらに好ましい。
【０４１４】
液晶性分子の重合のための光照射は、紫外線を用いることが好ましい。
照射エネルギーは、２０ｍＪ／ｃｍ2〜５０Ｊ／ｃｍ2の範囲にあることが好ましく、２０〜５０００ｍＪ／ｃｍ2の範囲にあることがより好ましく、１００〜８００ｍＪ／ｃｍ2の範囲にあることがさらに好ましい。また、光重合反応を促進するため、加熱条件下で光照射を実施してもよい。
保護層を、光学異方性層の上に設けてもよい。
【０４１５】
この光学補償フィルムと偏光層とを組み合わせることも好ましい。具体的には、前記のような光学異方性層用塗布液を偏光膜の表面に塗布することにより光学異方性層を形成する。その結果、偏光層と光学異方性層との間にポリマーフィルムを使用することなく、偏光層の寸度変化にともなう応力（歪み×断面積×弾性率）が小さい薄い偏光板が作製される。本発明に従う偏光板を大型の液晶表示装置に取り付けると、光漏れなどの問題を生じることなく、表示品位の高い画像を表示することができる。
偏光層と光学補償層との傾斜角度は、ＬＣＤを構成する液晶セルの両側に貼り合わされる２枚の偏光板の透過軸と液晶セルの縦または横方向のなす角度にあわせるように延伸することが好ましい。通常の傾斜角度は４５゜である。しかし、最近は、透過型、反射型および半透過型ＬＣＤにおいて必ずしも４５゜でない装置が開発されており、延伸方向はＬＣＤの設計にあわせて任意に調整できることが好ましい。
【０４１６】
−液晶表示装置−
このような光学補償フィルムが用いられる各液晶モードについて説明する。
【０４１７】
（ＴＮモード液晶表示装置）
ＴＮモード液晶表示装置は、カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されており、多数の文献に記載がある。ＴＮモードの黒表示における液晶セル中の配向状態は、セル中央部で棒状液晶性分子が立ち上がり、セルの基板近傍では棒状液晶性分子が寝た配向状態にある。
【０４１８】
（ＯＣＢモード液晶表示装置）
ＯＣＢモード液晶表示装置は、棒状液晶性分子を液晶セルの上部と下部とで実質的に逆の方向に（対称的に）配向させるベンド配向モードの液晶セルである。ベンド配向モードの液晶セルを用いた液晶表示装置は、米国特許４５８３８２５号、同５４１０４２２号の各明細書に開示されている。棒状液晶性分子が液晶セルの上部と下部とで対称的に配向しているため、ベンド配向モードの液晶セルは、自己光学補償機能を有する。そのため、この液晶モードは、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）  液晶モードとも呼ばれる。
ＯＣＢモードの液晶セルもＴＮモード同様、黒表示においては、液晶セル中の配向状態は、セル中央部で棒状液晶性分子が立ち上がり、セルの基板近傍では棒状液晶性分子が寝た配向状態にある。
【０４１９】
（ＶＡモード液晶表示装置）
ＶＡモード液晶表示装置は、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に垂直に配向しているのが特徴であり、ＶＡモードの液晶セルには、（１）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直に配向させ、電圧印加時に実質的に水平に配向させる狭義のＶＡモードの液晶セル（特開平２−１７６６２５号公報記載）に加えて、（２）視野角拡大のため、ＶＡモードをマルチドメイン化した（ＭＶＡモードの）液晶セル（ＳＩＤ９７、Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  ｔｅｃｈ．  Ｐａｐｅｒｓ（予稿集）２８（１９９７）８４５記載）、（３）棒状液晶性分子を電圧無印加時に実質的に垂直配向させ、電圧印加時にねじれマルチドメイン配向させるモード（ｎ−ＡＳＭモード）の液晶セル（日本液晶討論会の予稿集５８〜５９（１９９８）記載）および（４）ＳＵＲＶＡＩＶＡＬモードの液晶セル（ＬＣＤインターナショナル９８で発表）が含まれる。
【０４２０】
（ＩＰＳモード液晶表示装置）
ＩＰＳモード液晶表示装置は、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に面内に水平に配向しているのが特徴であり、これが電圧印加の有無で液晶の配向方向を変えることでスイッチングするのが特徴である。具体的には特開２００４−３６５９４１号、特開２００４−１２７３１号、特開２００４−２１５６２０号、特開２００２−２２１７２６号、特開２００２−５５３４１号、特開２００３−１９５３３３号各公報に記載のものなどを使用できる。
【０４２１】
（その他液晶表示装置）
その他ＥＣＢモードおよびＳＴＮモードに対しても、前記と同様の考え方で光学的に補償することができる。
【０４２２】
（３）反射防止層の付与（反射防止フィルム）
反射防止膜は、一般に、防汚性層でもある低屈折率層、および低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（即ち、高屈折率層、中屈折率層）とを透明基体上に設けて成る。
屈折率の異なる無機化合物（金属酸化物等）の透明薄膜を積層させた多層膜として、化学蒸着（ＣＶＤ）法や物理蒸着（ＰＶＤ）法、金属アルコキシド等の金属化合物のゾルゲル方法でコロイド状金属酸化物粒子皮膜を形成後に後処理（紫外線照射：特開平９−１５７８５５号公報、プラズマ処理：特開２００２−３２７３１０号公報）して薄膜を形成する方法が挙げられる。
【０４２３】
一方、生産性が高い反射防止膜として、無機粒子をマトリックスに分散されてなる薄膜を積層塗布してなる反射防止膜が各種提案されている。
上述したような塗布による反射防止フィルムに最上層表面が微細な凹凸の形状を有する防眩性を付与した反射防止層から成る反射防止フィルムも挙げられる。
本発明のセルロースアシレートフィルムは前記いずれの方式にも適用できるが、特に好ましいのが塗布による方式（塗布型）である。
【０４２４】
［塗布型反射防止フィルムの層構成］
基体上に少なくとも中屈折率層、高屈折率層、低屈折率層（最外層）の順序の層構成から成る反射防止膜は、以下の関係を満足する屈折率を有する様に設計される。
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率、また、透明支持体と中屈折率層との間に、ハードコート層を設けてもよい。
【０４２５】
更には、中屈折率ハードコート層、高屈折率層および低屈折率層からなってもよい。
例えば、特開平８−１２２５０４号公報、同８−１１０４０１号公報、同１０−３００９０２号公報、特開２００２−２４３９０６号公報、特開２０００−１１１７０６号公報等が挙げられる。また、各層に他の機能を付与させてもよく、例えば、防汚性の低屈折率層、帯電防止性の高屈折率層としたもの（例、特開平１０−２０６６０３号公報、特開２００２−２４３９０６号公報等）等が挙げられる。
【０４２６】
反射防止膜のヘイズは、５％以下あることが好ましく、３％以下がさらに好ましい。また膜の強度は、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。
【０４２７】
［高屈折率層および中屈折率層］
反射防止膜の高い屈折率を有する層（高屈折率層および中屈折率層）は、平均粒径１００ｎｍ以下の高屈折率の無機化合物超微粒子およびマトリックスバインダーを少なくとも含有する硬化性膜か構成することができる。
高屈折率の無機化合物微粒子としては、屈折率１．６５以上の無機化合物が挙げられ、好ましくは屈折率１．９以上のものが挙げられる。例えば、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｌａ、Ｉｎ等の酸化物、これらの金属原子を含む複合酸化物等が挙げられる。
【０４２８】
このような超微粒子とするには、粒子表面が表面処理剤で処理されること（例えば、シランカップリング剤等：特開平１１−２９５５０３号公報、同１１−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８、アニオン性化合物或は有機金属カップリング剤：特開２００１−３１０４３２号公報等）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造とすること（：特開２００１−１６６１０４等）、特定の分散剤併用（例、特開平１１−１５３７０３号公報、特許番号ＵＳ６２１０８５８Ｂ１、特開２００２−２７７６０６９号公報等）等挙げられる。
マトリックスを形成する材料としては、従来公知の熱可塑性樹脂、硬化性樹脂皮膜等が挙げられる。
【０４２９】
更に、ラジカル重合性および／またはカチオン重合性の重合性基を少なくとも２個以上含有の多官能性化合物含有組成物、加水分解性基を含有の有機金属化合物およびその部分縮合体組成物から選ばれる少なくとも１種の組成物が好ましい。例えば、特開２０００−４７００４号公報、同２００１−３１５２４２号公報、同２００１−３１８７１号公報、同２００１−２９６４０１号公報等に記載の化合物が挙げられる。
また、金属アルコキドの加水分解縮合物から得られるコロイド状金属酸化物と金属アルコキシド組成物から得られる硬化性膜も好ましい。例えば、特開２００１−２９３８１８号公報等に記載されている。
【０４３０】
高屈折率層の屈折率は、一般に１．７０〜２．２０である。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。
中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。
【０４３１】
［低屈折率層］
低屈折率層は、高屈折率層の上に順次積層して形成することができる。低屈折率層の屈折率は１．２０〜１．５５である。好ましくは１．３０〜１．５０である。
耐擦傷性、防汚性を有する最外層として構築することが好ましい。耐擦傷性を大きく向上させる手段として表面への滑り性付与が有効で、従来公知のシリコーン化合物によるシリコーンの導入、含フッ素化合物によるフッ素の導入等から成る薄膜層の手段を適用できる。
前記含フッ素化合物の屈折率は１．３５〜１．５０であることが好ましい。より好ましくは１．３６〜１．４７である。また、含フッ素化合物はフッ素原子を３５〜８０質量％の範囲で含む架橋性若しくは重合性の官能基を含む化合物が好ましい。
例えば、特開平９−２２２５０３号公報明細書段落番号［００１８］〜［００２６］、同１１−３８２０２号公報明細書段落番号［００１９］〜［００３０］、特開２００１−４０２８４号公報明細書段落番号［００２７］〜［００２８］、特開２０００−２８４１０２号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０４３２】
また、前記シリコーン化合物としてはポリシロキサン構造を有する化合物であり、高分子鎖中に硬化性官能基あるいは重合性官能基を含有して、膜中で橋かけ構造を有するものが好ましい。例えば、反応性シリコーン（例、サイラプレーン（チッソ（株）製等）、両末端にシラノール基含有のポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報等）等が挙げられる。
架橋または重合性基を有する含フッ素および／またはシロキサンのポリマーの架橋または重合反応は、重合開始剤、増感剤等を含有する最外層を形成するための塗布組成物を塗布と同時または塗布後に光照射や加熱することにより実施することが好ましい。
【０４３３】
また、シランカップリング剤等の有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基含有のシランカップリング剤とを触媒共存下に縮合反応で硬化するゾルゲル硬化膜も好ましい。
例えば、ポリフルオロアルキル基含有シラン化合物またはその部分加水分解縮合物（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報記載等記載の化合物）、フッ素含有長鎖基であるポリ「パーフルオロアルキルエーテル」基を含有するシリル化合物（特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報記載の化合物等）等が挙げられる。
【０４３４】
低屈折率層は、前記以外の添加剤として充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム，フッ化カルシウム，フッ化バリウム）等の一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物、特開平１１−３８２０公報の段落番号［００２０］〜［００３８］に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有することができる。
低屈折率層が最外層の下層に位置する場合、低屈折率層は気相法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等）により形成されてもよい。安価に製造できる点で、塗布法が好ましい。
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが最も好ましい。
【０４３５】
［ハードコート層］
ハードコート層は、反射防止フィルムに物理強度を付与するために、透明支持体の表面に設ける。特に、透明支持体と前記高屈折率層の間に設けることが好ましい。
ハードコート層は、光および／または熱の硬化性化合物の架橋反応、または、重合反応により形成されることが好ましい。前記硬化性化合物の硬化性官能基としては、光重合性官能基が好ましく、また加水分解性官能基含有の有機金属化合物は有機アルコキシシリル化合物が好ましい。
これらの化合物の具体例としては、高屈折率層で例示したと同様のものが挙げられる。
【０４３６】
ハードコート層の具体的な構成組成物としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、国際公開ＷＯ０／４６６１７号公報等記載のものが挙げられる。
高屈折率層はハードコート層を兼ねることができる。このような場合、高屈折率層で記載した手法を用いて微粒子を微細に分散してハードコート層に含有させて形成することが好ましい。
ハードコート層は、平均粒径０．２〜１０μｍの粒子を含有させて防眩機能（アンチグレア機能）を付与した防眩層（後述）を兼ねることもできる。
ハードコート層の膜厚は用途により適切に設計することができる。ハードコート層の膜厚は、０．２〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．５〜７μｍである。
ハードコート層の強度は、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。また、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。
【０４３７】
［前方散乱層］
前方散乱層は、液晶表示装置に適用した場合の、上下左右方向に視角を傾斜させたときの視野角改良効果を付与するために設ける。前記ハードコート層中に屈折率の異なる微粒子を分散することで、ハードコート機能と兼ねることもできる。
例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子の相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等が挙げられる。
【０４３８】
［その他の層］
前記の層以外に、プライマー層、帯電防止層、下塗り層や保護層等を設けてもよい。
【０４３９】
［塗布方法］
反射防止フィルムの各層は、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート、マイクログラビア法やエクストルージョンコート法（米国特許２６８１２９４号明細書）により、塗布により形成することができる。
【０４４０】
［アンチグレア機能］
反射防止膜は、外光を散乱させるアンチグレア機能を有していてもよい。アンチグレア機能は、反射防止膜の表面に凹凸を形成することにより得られる。反射防止膜がアンチグレア機能を有する場合、反射防止膜のヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがさらに好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。
【０４４１】
反射防止膜表面に凹凸を形成する方法は、これらの表面形状を充分に保持できる方法であればいずれの方法でも適用できる。例えば、低屈折率層中に微粒子を使用して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、低屈折率層の下層（高屈折率層、中屈折率層またはハードコート層）に比較的大きな粒子（粒径０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成し、その上にこれらの形状を維持して低屈折率層を設ける方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、最上層（防汚性層）を塗設後の表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）等が挙げられる。
【０４４２】
［用途］
本発明のセルロースアシレートフィルムの用途について以下に簡単に述べる。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、光学フィルム、特に偏光板保護フィルム用、液晶表示装置の光学補償シート（位相差フィルムともいう）、反射型液晶表示装置の光学補償シート、ハロゲン化銀写真感光材料用支持体として有用である。
したがって本発明のフィルムの厚さはこれらの用途によって定まり、特に制限はないが、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは３０〜２００μｍである。
【０４４３】
偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロース誘導体フィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号各公報に記載されているような易接着加工を施してもよい。保護フィルム処理面と偏光子を貼り合わせるために使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。偏光板は偏光子およびその両面を保護する保護フィルムで構成されており、さらに該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルムおよびセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。
【０４４４】
この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。また、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明のフィルムを適用した偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが特に好ましい。
【０４４５】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償シートとして用いると特に効果がある。本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、前記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。
【０４４６】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。
【０４４７】
一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０°の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（△ｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（△ｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。
【０４４８】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くからよく知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号、国際公開ＷＯ９８／４８３２０号、特許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、国際公開ＷＯ００−６５３８４号公報に記載がある。本発明のセセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。
【０４４９】
その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ  ｅｔ  ａｌ．，ＳＩＤ  ９８  Ｄｉｇｅｓｔ  １０８９（１９９８））に記載がある。以上述べてきたこれらの詳細なセルロース誘導体フィルムの用途は発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて４５頁〜５９頁に詳細に記載されている。
【０４５０】
［測定方法］
以下に本発明で使用した測定法について記載する。
（１）セルロースアシレートのアシル置換度
セルロースアシレートのアシル置換度は、Ｃａｒｂｏｈｙｄｒ．Ｒｅｓ．２７３（１９９５）８３−９１（手塚他）に記載の方法で13Ｃ−ＮＭＲにより求めた。
【０４５１】
（２）ＲｅおよびＲｔｈの測定
面内のレターデーション（Ｒｅ）と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）は、フィルムの幅方向に等間隔であ１０点サンプリングし、これを２５℃、相対湿度６０％にて４時間調湿後、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ：王子計測機器（株）製）を用いて、２５℃、相対湿度６０％において、面内レターデーション値（Ｒｅ）と膜厚方向のレターデーション値（Ｒｔｈ）とを算出した。
【実施例】
【０４５２】
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０４５３】
１．セルロースアシレートフィルムの製膜
（１）セルロースアシレートの調製
下記表１に記載のアシル基の種類、置換度の異なるセルロースアシレートを調製した。これは、触媒として硫酸（セルロース１００質量部に対し７．８質量部）を添加し、アシル置換基の原料となるカルボン酸を添加し４０℃でアシル化反応を行った。この時、カルボン酸の種類、量を調整することで、アシル基の種類、置換度を調整した。またアシル化後の４０℃で熟成を行った。このようにして得たセルロースアシレートの重合度は下記の方法で求め、下記表１に記載した。
【０４５４】
（重合度測定法）
絶乾したセルロースアシレート約０．２ｇを精秤し、メチレンクロリド：エタノール＝９：１（質量比）の混合溶剤１００ｍｌに溶解した。これをオストワルド粘度計にて２５℃で落下秒数を測定し、重合度を以下の式により求めた。
ηｒｅｌ  ＝Ｔ／Ｔ0
［η］＝ｌｎ（ηｒｅｌ）／Ｃ
ＤＰ＝［η］／Ｋｍ
［式中、Ｔは測定試料の落下秒数、Ｔ0は溶剤単独の落下秒数、ｌｎは自然対数、Ｃは濃度（ｇ／Ｌ）、Ｋｍは６×１０-4である。］
【０４５５】
（２）セルロースアシレートのペレット化
前記セルロースアシレートを１２０℃で３時間乾燥し含水率を０．１質量％にしたものに、下記から選択した本発明における低分子化合物（下記表１に記載）を加え、さらに全水準にトリフェニルフォスフェート２質量％、二酸化珪素部粒子（アエロジルＲ９７２Ｖ）０．０５質量％を添加した。
本発明における低分子化合物
ＬＣ−１：融点＝１１０℃、分子量３７２
上記一般式（１）の例示化合物Ｉ−（２）
ＬＣ−２：融点＝１００℃、分子量４４０
上記一般式（２）の例示化合物（４１’）
ＬＣ−３：融点＝１２１℃、分子量３８０
上記一般式（３）の例示化合物Ａ−１２
ＬＣ−４：融点＝１１６℃、分子量３１３
上記一般式（３）の例示化合物Ａ−２
ＬＣ−５：融点＝２２８℃、分子量５７４
上記一般式（５）の例示化合物Ａ’−１
ＬＣ−６：融点＝１６９℃、分子量６０７．５
上記一般式（５）の例示化合物Ａ’−３
ＬＣ−７：融点＝２００℃、分子量８１４
上記一般式（４）の例示化合物（１）ａ
ＬＣ−８：融点＝８０℃、分子量５９７
上記一般式（３）の例示化合物Ａ−７
【０４５６】
これらを混合したものを６０℃のホッパーに入れ、真空排気付き２軸混練押出し機を用い、スクリュー回転数３００ｒｐｍ、混練時間４０秒、押出し量２００ｋｇ／ｈｒでダイから押出し６０℃の水中で固化した後、裁断し直径２ｍｍ、長さ３ｍｍの円柱状のペレットを得た。この時、ダイ温度（Ｔ3）、Ｔ3と２軸押出し機の入口温度の差（Ｔ3−Ｔ1＝Δ１）、Ｔ3と２軸押出し機の出口温度の差（Ｔ3−Ｔ2＝Δ２）を表１に記載した。さらに裁断時のセルロースアシレートの水分量を下記の方法で測定し表１に記載した。
【０４５７】
（水分率の測定）
（１）裁断直前のサンプルを取り出し直ちに下記水分計を用い、測定した。
・気化器：三菱化学製ＶＡ−０５型を用い、１５０℃にてサンプル中の水分揮発させ水分計に導入した。
・水分計：カールフィッシャー水分計（三菱化学製ＣＡ−０３型）を用い、測定した。
【０４５８】
（２）水分率の計算
水分計の示した水分量（μｇ）をＷとし、秤量したサンプル量をＦ（ｍｇ）とすると、含水率（％）＝０．１×（Ｗ／Ｆ）
なお、サンプル量（Ｆ）はカールフィッシャー測定後、直ちに秤量して求めた。
裁断後のペレットは６５℃の温風で風送しタンク中にストックした。
さらにペレットの着色程度を示すｂ値、ＹＩ値を以下の方法で測定し表１に記載した。いずれも０に近いほど着色が少なく良好である。特にｂ値はＹＩより一層着色に敏感であるが、上述のようなペレット化の溶融入口から出口に向け温度勾配を付与することでｂ値までも良好な値が達成された。
【０４５９】
（ＹＩ値の測定）
ペレットから任意に２０回サンプリングし、下記方法に従いＹＩ値を測定し、この中の最大値をＹＩ値とした。
色差計（日本電飾工業（株）製  色差計Ｚ−II  ＯＰＴＩＣＡＬ  ＳＥＮＳＯＲ）を用いＪＩＳ  Ｋ７１０５  ６．３に従い、反射測定で三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚを測定し、下記式から反射測定のＹＩを求める。
反射測定のＹＩ＝｛（１．２８Ｘ−１．０６Ｚ）／Ｙ｝×１００
【０４６０】
（ｂ値）
ペレットから任意に２０回サンプリングし、下記方法に従いb値を測定し、この中の絶対値の最大値をb値とした。
東京電色（株）製カラーアナライザーＴＣ−１８００ＭＫＩＩ型を用いてＪＩＳ  Ｚ−８７２２の方法に準じて測定した。
【０４６１】
【表１】
2006176736.tif 000085
【０４６２】
（３）溶融製膜
前記方法で調製したセルロースアシレートペレットを、１１０℃の真空乾燥機で３時間乾燥した。これを８０℃のホッパーに投入し、２００℃で５分間かけ溶融した後、２２０℃、スリット間隔０．８ｍｍのダイから押出し、Ｔｇ−１０℃のキャスティングドラムで固化した。この時、各水準静電印加法（１０ｋＶのワイヤーをメルトのキャスティングドラムへの着地点から１０ｃｍのところに設置）を用いた。固化したメルトを剥ぎ取り、巻き取り直前に両端（全幅の各５％）をトリミングした後、両端に幅１０ｍｍ、高さ５０μｍの厚みだし加工（ナーリング）をつけた後、３０ｍ／分で３０００ｍ巻き取った。このようにして得た未延伸フィルムの幅は各水準とも１．５ｍで、厚みは１２０μｍであった。
製膜開始から２４時間後に、全幅で３００ｍ長に亘って目視でスジの発生数を数え、１０ｍ2当りの数で表し表２に示した。厚み５０μｍ、２００μｍでも製膜したが同様の結果が得られた。一方、比較例、中でも特開２０００−３５２６２Ａの実施例の試料Ｎ０．６に準じて実施したもの（表１のペレットＮｏ．３４を用い製膜した表２のフィルムＮｏ．３４）はスジが多発した。
このようにして得た製膜フィルムのＴｇは以下の方法で測定し、下記表２に記載した。
【０４６３】
（Ｔｇ測定）
ＤＳＣの測定パンにサンプルを２０ｍｇ入れる。これを窒素気流中で、１０℃／分で３０℃から２５０℃まで昇温した後（１ｓｔ−ｒｕｎ）、３０℃まで−１０℃／分で冷却する。この後、再度３０℃から２５０℃まで昇温する（２ｎｄ−ｒｕｎ）。２ｎｄ−ｒｕｎで求めたＴｇ（ベースラインが低温側から偏奇し始める温度）を下記表２に記載した。
【０４６４】
【表２】
2006176736.tif 000086
【０４６５】
（４）延伸
このようにして得たセルロースアシレートフィルムを上記表２に記載の倍率で延伸した。この後、両端各５％ずつトリミングした。これらのスジ、Ｒｅ，Ｒｔｈを表２に記載した（スジは１０ｍ2当りの数で表し表１に示した）。なお、延伸は前記で測定したＴｇより１０℃高い温度で、３００％／分で実施した。
【０４６６】
（５）偏光板の作製
（５−１）セルロースアシレートフィルムの鹸化
未延伸、延伸セルロースアシレートフィルムを浸漬鹸化法で鹸化を行った。なお、塗布鹸化法を行ったものもほぼ同じ結果が得られた。
（ｉ）塗布鹸化
ｉｓｏ−プロパノール８０質量部に水２０質量部を加え、これにＫＯＨを２．５ｍｏｌ／Ｌとなるように溶解し、これを６０℃に調温したものを鹸化液として用いた。
これを６０℃のセルロースアシレートフィルム上に１０ｇ／ｍ2塗布し、１分間鹸化した。この後、５０℃の温水スプレーを用い、１０Ｌ／ｍ2・分で１分間吹きかけ洗浄した。
【０４６７】
（ｉｉ）浸漬鹸化
ＮａＯＨの２．５ｍｏｌ／Ｌ水溶液を鹸化液として用いた。
これを６０℃に調温し、セルロースアシレートフィルムを２分間浸漬した。
この後、０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸水溶液に３０秒浸漬した後、水洗浴を通した。
【０４６８】
（５−２）偏光層の作製
特開平２００１−１４１９２６号公報の実施例１に従い、２対のニップロール間に周速差を与え、長手方向に延伸し、厚み２０μｍの偏光層を調製した。
【０４６９】
（５−３）貼り合わせ
このようにして得た偏光層と、前記鹸化処理した未延伸、延伸セルロースアシレートフィルムを、ＰＶＡ（（株）クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、偏光軸とセルロースアシレートフィルムの長手方向が４５°となるように下記組み合わせで張り合わせた（偏光板Ａ）。本発明を実施したものはスジの発生が確認されず良好な性能を示した。
また前記未延伸セルロースアシレートフィルムに代わって鹸化処理したフジタック（未延伸トリアセテートフィルム）を用いて調製した偏光板Ｂでも同様の結果が得られた。
【０４７０】
（６）光学補償フィルム・液晶表示素子の作製
ＶＡ型液晶セルを使用した２２インチの液晶表示装置（シャープ（株）製）に設けられている観察者側の偏光板を剥がし、代わりに前記位相差偏光板Ａ，Ｂを、セルロースアシレートフィルムが液晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側に貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸とバックライト側の偏光板の透過軸が直交するように配置して、液晶表示装置を作製した。全面黒表示し、暗室の中で明るくスジ状となる本数を数えた。これを前記の方法で作製した１００枚の偏光板について行い、本数を測定した面積の総和で割り、１０ｍ2当りの数で表し、上記表２に示した。本発明の偏光板はスジの発生が無く良好であった。表２には前記偏光板Ａでの測定値を示したが、偏光板Ｂでも同様の結果が得られた。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式のＶＡ型液晶表示装置でも同様の効果が得られた。
【０４７１】
さらに、特開平１１−３１６３７８号公報の実施例１の液晶層を塗布したセルロースアセテートフィルムの代わりに、本発明セルロースアシレートフィルムを使用しても、良好な光学補償フィルムを作製できた。
特開平７−３３３４３３号公報の実施例１の液晶層を塗布したセルロースアセテートフィルムに代わって、本発明セルロースアシレートフィルムに変更し光学補償フィルターフィルムを作製しても、良好な光学補償フィルムを作製できた。
【０４７２】
また、本発明の偏光板、位相差偏光板を、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学的異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載の２０インチＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載の２０インチＯＣＢ型液晶表示装置、特開２００４−１２７３１号公報の図１１に記載のＩＰＳ型液晶表示装置に用いたところ、湿熱に伴う表示むら無い良好な視認性を有する液晶表示素子が得られた。
【０４７３】
（７）低反射フィルムの作製
本発明のセルロースアシレートフィルムを発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５）の実施例４７に従い低反射フィルムを作製したところ、良好な光学性能が得られた。
さらに本発明の低反射フィルムを、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載の２０インチＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載の２０インチＯＣＢ型液晶表示装置、特開２００４−１２７３１号公報の図１１に記載のＩＰＳ型液晶表示装置の最表層に貼り評価を行ったところ、良好な液晶表示素子を得た。