(57)【要約】【課題】  端子部間の短絡を防止しつつ、広い接続面積を確保することができ、溶融金属を介して外部端子と確実に接続できる端子部を備える、配線回路基板を提供すること。【解決手段】  支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、外部側接続端子部８が形成される部分に絶縁凹部１３が形成されるように形成し、そのベース絶縁層３の上に、導体パターン４を、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８を一体的に備え、かつ、各外部側接続端子部８に導体凹部９が形成されるように、形成する。その後、ベース絶縁層３の上に、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるように、カバー絶縁層１０を形成する。この回路付サスペンション基板１では、各外部側接続端子部８をはんだボール２１を介して、リード・ライト基板の接続端子と接続しても、確実な接続を確保することができる。【選択図】    図１
2006086219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備える配線回路基板において、
前記導体パターンは、溶融金属を介して外部端子と接続するための端子部を含み、
前記端子部には、前記溶融金属を受ける凹部が、前記導体パターンと一体的に形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
絶縁層における前記導体パターンが設けられている一方の面と反対側の他方の面には、金属支持層が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、溶融金属を介して外部端子と接続される端子部を備える配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板には、通常、外部端子と接続するための端子部が、導体パターンの一部として設けられている。
このような端子部に、外部端子を接続するには、例えば、はんだボールなどの溶融金属が用いられており、端子部の表面に、はんだボールを設置して、これを溶融することにより、外部端子と接続するようにしている。
【０００３】
しかし、端子部の表面が平坦であると、はんだボールが転がるため、例えば、基板上に形成された電極（端子部）の中央部に空洞部を設けて、はんだボールを安定して搭載できるようにすることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、このようなリング状に形成される電極の上に、はんだめっきにより、リング状のはんだめっき層を積層して、はんだボールの広い接続面積を確保することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２６６０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載されるリング状の電極では、空洞部の下端からは、基板が露出している。そのため、空洞部にはんだボールを設置しても、その空洞部の周囲の電極としか、電気的な接続面積が確保されず、接続面積が不足する場合がある。
また、リング状に形成される電極の上に、リング状のはんだめっき層を積層すれば、より広い接続面積を確保することができるが、はんだめっき層は、はんだボールの溶融に伴なって溶融し、とりわけ、導体パターンが微細である場合には、流出により電極間の短絡を生じる場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、端子部間の短絡を防止しつつ、広い接続面積を確保することができ、溶融金属を介して外部端子と確実に接続することのできる端子部を備える、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備える配線回路基板において、前記導体パターンは、溶融金属を介して外部端子と接続するための端子部を含み、前記端子部には、前記溶融金属を受ける凹部が、前記導体パターンと一体的に形成されていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、絶縁層における前記導体パターンが設けられている一方の面と反対側の他方の面には、金属支持層が設けられていることが好適である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線回路基板では、端子部には、溶融金属を受ける凹部が、導体パターンと一体的に形成されている。そのため、溶融金属を凹部に設置すれば、その凹部によって溶融金属を保持しつつ、凹部の内周面と、その内周面の下端に連続する底面とで、溶融される溶融金属との電気的な接続面積を確保することができる。その結果、広い接続面積を確保することができる。また、凹部は、導体パターンと一体的に形成されているので、溶融金属の溶融に伴なって溶融することを防止することができる。その結果、端子部間の短絡を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す斜視図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスクとが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッドと、リード・ライト基板とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
【０００９】
この回路付サスペンション基板１は、金属支持層としての支持基板２の上に、絶縁層としてのベース絶縁層３が形成されており、そのベース絶縁層３の上に、導体パターン４が形成されている。
支持基板２は、長手方向に延びる薄板からなり、その先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル５が形成されており、また、その後端部には、後述する各外部側接続端子８を、支持基板２の長手方向に沿って配置するための端子配置部６が、幅方向（支持基板２の長手方向に直交する方向）の一方側に膨出するように形成されている。
【００１０】
ベース絶縁層３は、支持基板２における導体パターン４が形成される部分を含んで、所定のパターンとして形成されている。
導体パターン４は、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄと、磁気ヘッド側接続端子７と、端子部としての外部側接続端子８とを一体的に備えている。複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、支持基板２の長手方向に沿って延び、その幅方向において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００１１】
磁気ヘッド側接続端子７は、支持基板２の先端部に配置され、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応して、それぞれ設けられている。各磁気ヘッド側接続端子７は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの先端部から連続して一体的に形成されており、支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この磁気ヘッド側接続端子７には、磁気ヘッド（図示せず。）が実装される。
【００１２】
外部側接続端子８は、支持基板２の後端部であって、端子配置部６に配置され、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応して、それぞれ設けられている。各外部側接続端子８は、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの後端部から連続して一体的に形成されており、支持基板２の長手方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この外部側接続端子８には、外部端子としてのリード・ライト基板の接続端子（図示せず。）と、溶融金属としてのはんだボール２１（図６参照）を介して接続される。
【００１３】
また、各外部側接続端子８は、平面視略正方形状をなし、はんだボール２１を受ける凹部としての導体凹部９が、形成されている。この導体凹部９は、平面視略円形状をなし、導体パターン４と一体的に形成されている。
なお、図１においては、図示されていないが、ベース絶縁層３の上には、導体パターン４を被覆するように、カバー絶縁層１０（図２（ｄ）参照）が、所定のパターンとして形成されている。
【００１４】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図２〜図５を参照しつつ説明する。なお、図２〜図５では、支持基板２の端子配置部６を、支持基板２の長手方向に沿う断面として示している。
この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、支持基板２を用意する。支持基板２としては、金属箔または金属薄板が用いられ、その金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。剛性、耐食性および加工性の観点から、好ましくは、スレンレス箔が用いられる。また、支持基板２の厚さは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍであり、その幅は、例えば、５０〜５００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍである。
【００１５】
次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を、所定のパターンで形成する。
ベース絶縁層３を形成するための絶縁材料としては、特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミド樹脂が用いられる。また、好ましくは、パターンの微細加工の容易性の観点から、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００１６】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、支持基板２の上に、ベース絶縁層３を所定のパターンで形成する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１１を形成する。
【００１７】
次に、図３（ｂ）に示すように、その皮膜１１を、フォトマスク１２を介して露光する。フォトマスク１２は、遮光部分１２ａ、光全透過部分１２ｂおよび光半透過部分１２ｃを所定のパターンで備えている。なお、遮光部分１２ａは、光を全く透過させず、光全透過部分１２ｂは、光をすべて透過させる。また、光半透過部分１２ｃは、光を、全透過１００％に対して１０〜９０％の範囲、好ましくは、３０〜６０％の範囲から適宜選択された透過率で透過させる。
【００１８】
そして、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分１２ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１２ｂが対向し、さらには、各外部側接続端子８の導体凹部９を形成する部分には、光半透過部分１２ｃが対向するように、フォトマスク１２を皮膜１１に対して対向配置する。
また、フォトマスク１２を介して照射する光（照射線）は、その露光波長が、例えば、３００〜４５０ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍであり、その露光積算光量が、例えば、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。
【００１９】
次いで、図３（ｃ）に示すように、露光された皮膜１１を、必要により所定温度に加熱した後、現像する。照射された皮膜１１の露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより、次の現像において不溶化（ネガ型）する。
また、現像には、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを形成することが好ましく、図３においては、ネガ型でパターンを形成している。
【００２０】
この現像により、皮膜１１は、フォトマスク１２の遮光部分１２ａが対向していた周縁部が溶解して、支持基板２の周縁部が露出し、かつ、フォトマスク１２の光半透過部分１２ｃが対向していた導体凹部９を形成する部分が一部溶解して、その部分の厚さが、光全透過部分１２ｂが対向していた部分の厚さよりも、薄く形成されるように、所定のパターンに形成される。
【００２１】
そして、図３（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１１を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３が、支持基板２の周縁部が露出し、かつ、導体凹部９を形成する部分においては、その他の部分よりも厚さが薄くなる絶縁凹部１３が形成されるような、所定のパターンとして形成される。なお、絶縁凹部１３は、各導体凹部９を形成する部分のそれぞれに対応して、平面視略円形状に形成される。
【００２２】
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、支持基板２の上に、合成樹脂を、上記のパターンで塗工するか、あるいは、予め上記のパターンに加工されたドライフィルムを、必要により接着剤層を介して貼着する。
また、このようにして形成されるベース絶縁層３の厚さは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
【００２３】
次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、導体パターン４を形成する。導体パターン４を形成するための導体材料としては、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅が用いられる。
また、導体パターン４の形成は、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。導体パターン４を、ファインピッチで微細に形成するには、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
【００２４】
アディティブ法では、まず、図４（ａ）に示すように、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、種膜として、金属薄膜１４を形成する。金属薄膜１４を形成するための金属材料としては、例えば、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などが用いられる。また、金属薄膜１４の形成は、特に制限されないが、例えば、スパッタリング法などの真空蒸着法が用いられる。金属薄膜１４の厚さは、例えば、１００〜２０００Åである。また、金属薄膜１４は、例えば、クロム薄膜と銅薄膜とを順次スパッタリング法により形成するなど、多層で形成することもできる。
【００２５】
次いで、アディティブ法では、図４（ｂ）に示すように、金属薄膜１４の表面に、めっきレジスト１５を、導体パターン４の反転パターンで形成する。より具体的には、めっきレジスト１５は、支持基板２の表面および金属薄膜１４の表面に、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分の金属薄膜１４が露出するように形成される。
【００２６】
めっきレジスト１５は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により、上記した導体パターン４の反転パターンとして形成する。
次いで、アディティブ法では、図４（ｃ）に示すように、めっきレジスト１５から露出する金属薄膜１４の表面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４の形成は、特に制限されないが、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
【００２７】
その後、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト１５を除去する。めっきレジスト１５の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。
そして、図４（ｅ）に示すように、導体パターン４から露出する金属薄膜１４を除去する。金属薄膜１４の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）する。
【００２８】
これによって、導体パターン４として、図１に示すように、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が一体的に形成される。なお、図１では、図４で示す金属薄膜１４が省略されている。
導体パターン４の厚さは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄの幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。
【００２９】
また、各外部側接続端子部８の幅（支持基板２の長手方向に沿う方向のカバー絶縁層１０から露出する部分の幅）Ｗ１（図６参照）は、例えば、８０〜１１００μｍ、好ましくは、１２０〜５４０μｍであり、各外部側接続端子部８間の間隔Ｗ２（図６参照）は、例えば、８０〜１５００μｍ、好ましくは、１２０〜５００μｍである。
また、各外部側接続端子部８においては、各絶縁凹部１３に対応して、ベース絶縁層３側に向かって凹む導体凹部９が形成される。導体凹部９の直径Ｌ（図６参照）は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍであり、その深さＤ（表面から最深部まで深さ）（図６参照）は、ベース絶縁層３の厚みに対して、例えば、１０〜９０％、好ましくは、２０〜６０％である。
【００３０】
なお、導体パターン４の表面には、その後に、無電解ニッケルめっきにより、ニッケルめっき層（図示せず。）を形成して、導体パターン４を保護することが好適である。
次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４のうち、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるように、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する。
【００３１】
カバー絶縁層１０を形成するための絶縁材料としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層３の上に、カバー絶縁層１０を所定のパターンで形成する場合には、まず、図５（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、導体パターン４を含むベース絶縁層３および支持基板２の全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１６を形成する。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、その皮膜１６を、フォトマスク１７を介して露光する。フォトマスク１７は、遮光部分１７ａおよび光全透過部分１７ｂを所定のパターンで備えている。
そして、支持基板２におけるベース絶縁層３が形成されていない部分、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分には、遮光部分１７ａが対向し、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを含むベース絶縁層３におけるカバー絶縁層１０を形成する部分には、光全透過部分１２ｂが対向するように、フォトマスク１７を皮膜１６に対して対向配置する。次いで、上記した皮膜１１の露光と同様に、露光する。
【００３３】
次いで、図５（ｃ）に示すように、露光された皮膜１７を、上記した皮膜１１の現像と同様に、現像する。なお、図５においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜１７は、フォトマスク１６の遮光部分１７ａが対向していた支持基板２におけるベース絶縁層３が形成されていない部分、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分が溶解して、支持基板２の周縁部、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出する所定のパターンに形成される。
【００３４】
そして、図５（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成された皮膜１７を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層１０が、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、かつ、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるような、所定のパターンとして形成される。
【００３５】
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、ベース絶縁層３の上に、合成樹脂を、上記のパターンで塗工するか、あるいは、予め上記のパターンに加工されたドライフィルムを、必要により接着剤層を介して貼着する。
なお、カバー絶縁層１０の厚さは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
【００３６】
その後、この方法では、図２（ｅ）に示すように、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に、これらの表面を被覆保護するためのめっき層１８を形成する。めっき層１８を形成するためのめっき材料は、特に制限されず、例えば、ニッケルや金などが用いられる。
また、めっき層１８の形成は、例えば、電解めっきまたは無電解めっきが用いられる。また、めっき層１８は、ニッケルおよび金を順次めっきすることにより、多層として形成することもできる。めっき層１８の厚さは、例えば、ニッケルめっき層である場合には、例えば、０．３〜５μｍ、金めっき層である場合には、例えば、０．０５〜５μｍである。
【００３７】
また、各外部側接続端子部８においては、各導体凹部９に対応して、めっき層１８は、ベース絶縁層３側に向かって凹むように形成される。
そして、支持基板２を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバル５の切り抜きとともに、外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。なお、支持基板２の外形加工は、めっき層１８の形成前にすることもできる。
【００３８】
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、各外部側接続端子部８には、図６に示すように、導体凹部９が、導体パターン４と一体的に形成されている。そのため、各外部側接続端子部８と、リード・ライト基板の接続端子（図示せず。）とを、はんだボール２１を介して接続する場合には、はんだボール２１を導体凹部９内に設置すれば、その導体凹部９内ではんだボール２１を安定して保持することができる。また、導体凹部９の内周面１９と、その内周面１９の下端に連続する底面２０とで、溶融したはんだボール２１との電気的な接続面積を確保することができる。その結果、広い接続面積を確保することができる。また、導体凹部９は、導体パターン４と一体的に形成されているので、導体凹部９の溶融に伴なって溶融することを防止することができる。その結果、導体パターン４をファインピッチで微細に形成しても、導体凹部９が溶融により流出して各外部側接続端子部８間で短絡することを、有効に防止することができる。
【００３９】
なお、各外部側接続端子部８と、リード・ライト基板の接続端子（図示せず。）とのはんだボール２１を介しての接続は、各外部側接続端子部８の導体凹部９内に、はんだボール２１を設置して、リード・ライト基板の接続端子（図示せず。）を、そのはんだボール２１と接触するように、各外部側接続端子部８の導体凹部９と対向配置して、例えば、搬送によるリフロー、あるいは、レーザの熱による溶融などによって、はんだボール２１を溶融させる。
【００４０】
なお、上記の説明では、各外部側接続端子８を平面視略正方形状に形成し、各導体凹部９を平面視略円形状に形成したが、これら各外部側接続端子８および各導体凹部９の形状は、特に制限されず、目的および用途によって適宜選択することができる。例えば、各導体凹部９を平面視略矩形状に形成してもよく、その場合には、一辺の長さが、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍである。
【００４１】
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。
また、上記の説明では、導体凹部９を、ベース絶縁層３に絶縁凹部１３を形成し、その絶縁凹部１３に対応するように形成したが、ベース絶縁層３に絶縁凹部１３を形成せずに、導体凹部９のみを形成することもできる。
【００４２】
例えば、図７には、そのような導体凹部３５が形成されている端子部３３を備える片面フレキシブル配線回路基板３１が例示されている。
図７において、この片面フレキシブル配線回路基板３１では、平板状のベース絶縁層３２と、そのベース絶縁層３２の上に、導体パターンと一体的に形成される複数の端子部３３が形成されており、さらに、導体パターンが被覆され、各端子部３３が露出するように、ベース絶縁層３２の上にカバー絶縁層３４が形成されている。
【００４３】
そして、各端子部３３には、ベース絶縁層３側に凹む導体凹部３５が形成されている。このような導体凹部３５は、例えば、アディティブ法において、電解めっきを２段階で実施するか、あるいは、サブトラクティブ法において、導体凹部３５をハーフエッチングすることにより、形成することができる。
また、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法は、工業的には、例えば、ロールツーロール法などの公知の方法により、製造することができる。
【実施例】
【００４４】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
幅３００ｍｍ、厚さ２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図２（ａ）参照）。
【００４５】
次いで、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、支持基板２の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１１を形成した（図３（ａ）参照）。
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分１２ａが対向し、支持基板２におけるベース絶縁層３を形成する部分には、光全透過部分１２ｂが対向し、さらには、各外部側接続端子８の導体凹部９を形成する部分には、光半透過部分１２ｃが対向するように、フォトマスク１２を皮膜１１に対して対向配置し、皮膜１１を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図３（ｂ）参照）。
【００４６】
次いで、露光された皮膜１１を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１１を、支持基板２の周縁部が露出し、導体凹部９を形成する部分がその他の部分の厚さよりも薄くなる所定のパターンに形成した（図３（ｃ）参照）。その後、皮膜１１を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚さ１０μｍのベース絶縁層３を形成した（図３（ｄ）参照）。
【００４７】
そして、ベース絶縁層３から露出する支持基板２の表面と、ベース絶縁層３の全面とに、クロム薄膜と銅薄膜とを、スパッタリング法によって順次形成し、厚さ、３００〜１０００Åの金属薄膜１４を形成した（図４（ａ）参照）。その後、金属薄膜１４の表面に、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量２３５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、導体パターン４の反転パターンのめっきレジスト１５を、形成した（図４（ｂ）参照）。
【００４８】
次いで、めっきレジスト１５から露出する金属薄膜１４の表面に、電解銅めっきにより、厚さ１０μｍの導体パターン４を形成した後（図４（ｃ）参照）、めっきレジスト１５を剥離し（図４（ｄ）参照）、続いて、導体パターン４から露出する金属薄膜１４を、化学エッチングにより除去した（図４（ｅ）参照）。
これによって、導体パターン４として、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７、および、各外部側接続端子部８が一体的に形成された。各外部側接続端子部８の幅は、３００μｍであり、各外部側接続端子部８間の間隔は、２５０μｍであった。また、各外部側接続端子部８には、導体凹部９が形成された。導体凹部９の直径は、１５０μｍであり、その深さは、５μｍであった。
【００４９】
次いで、導体パターン４の表面を、パラジウム液により活性化した後、その表面に、無電解ニッケルめっきにより、厚さ０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した。その後、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の溶液を、ニッケルめっき層およびベース絶縁層３の全面に塗工した後、１２０℃で２分間加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体からなる皮膜１６を形成した（図５（ａ）参照）。
【００５０】
その後、支持基板２におけるベース絶縁層３が形成されていない部分、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に対応する部分には、遮光部分１７ａが対向し、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄを含むベース絶縁層３におけるカバー絶縁層１０を形成する部分には、光全透過部分１７ｂが対向するように、フォトマスク１７を皮膜１６に対して対向配置し、皮膜１６を、紫外線（露光積算光量７２０ｍＪ／ｃｍ2）で露光した（図５（ｂ）参照）。
【００５１】
次いで、露光された皮膜１６を、露光後加熱（１６０℃、３分加熱）した後、アルカリ現像液で現像することにより、皮膜１６を、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出する所定のパターンに形成した（図５（ｃ）参照）。その後、皮膜１６を４２０℃で加熱することによって、ポリイミド樹脂からなる厚さ４μｍのカバー絶縁層１０を形成した（図５（ｄ）参照）。
【００５２】
次いで、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８の表面のニッケルめっき層を化学エッチングにより除去した後、ドライフィルムレジストを積層して、紫外線（露光積算光量１０５ｍＪ／ｃｍ2）で露光した後、アルカリ現像液で現像することにより、回路付サスペンション基板１の外形をドライフィルムレジストで被覆し、次いで、支持基板２を塩化第二鉄溶液でエッチングして、ジンバル５を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工した。
【００５３】
その後、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８に、無電解ニッケルめっきと無電解金めっきにより、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚さ３．５μｍのめっき層１８を形成した（図２（ｅ）参照）。
比較例１
幅３００ｍｍ、厚さ２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図８（ａ）参照）。
【００５４】
次いで、実施例１と同様の方法によって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成した（図８（ｂ）参照）。なお、このベース絶縁層３は、外部側接続端子部８が形成される部分に凹みのない、均一な厚さで形成した。
そして、実施例１と同様の方法によって、ベース絶縁層３の上に、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７、および、各外部側接続端子部８を一体的に備える導体パターン４を形成した（図８（ｃ）参照）。なお、各外部側接続端子部８は、導体凹部９を形成することなく、中央部に空洞部が形成されるリング状に形成した。
【００５５】
その後、実施例１と同様の方法によって、導体パターン４の表面に、厚さ０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した後、ベース絶縁層３の上に、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図８（ｄ）参照）。
次いで、実施例１と同様の方法によって、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８の表面のニッケルめっき層を除去した後、ジンバル５を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工し、その後、ニッケルめっき層および金めっき層からなるめっき層１８を形成した（図８（ｅ）参照）。
【００５６】
比較例２
幅３００ｍｍ、厚さ２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる支持基板２を用意した（図９（ａ）参照）。
次いで、実施例１と同様の方法によって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成した（図８（ｂ）参照）。なお、このベース絶縁層３は、外部側接続端子部８が形成される部分に凹みのない、均一な厚さで形成した。
【００５７】
そして、実施例１と同様の方法によって、ベース絶縁層３の上に、複数の配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、各磁気ヘッド側接続端子部７、および、各外部側接続端子部８を一体的に備える導体パターン４を形成した（図９（ｃ）参照）。なお、各外部側接続端子部８は、導体凹部９を形成することなく、均一な厚さで形成した。
その後、実施例１と同様の方法によって、導体パターン４の表面に、厚さ０．０５μｍのニッケルめっき層を形成した後、ベース絶縁層３の上に、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが被覆され、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８が露出されるポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図９（ｄ）参照）。
【００５８】
次いで、実施例１と同様の方法によって、各磁気ヘッド側接続端子部７および各外部側接続端子部８の表面のニッケルめっき層を除去した後、ジンバル５を切り抜くとともに回路付サスペンション基板１の外形を加工し、その後、ニッケルめっき層および金めっき層からなるめっき層１８を形成した（図９（ｅ）参照）。
評価
実施例１および比較例１、２で得られた回路付サスペンション基板の各外部側接続端子部８と、リード・ライト基板の接続端子とを、はんだボール２１を介して接続した。実施例１の回路付サスペンション基板は、リード・ライト基板と確実に接続できた。しかし、比較例１の回路付サスペンション基板では、導通不良を生じ、また、比較例２の回路付サスペンション基板では、はんだボール２１が転がり落ちるなど、接続時の作業効率が不良であった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す斜視図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程（ｅ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。
【図３】図２に示す支持基板の上にベース絶縁層を形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】図２に示すベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層から露出する支持基板の表面と、ベース絶縁層の全面とに、金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、金属薄膜の表面に、めっきレジストを導体パターンの反転パターンで形成する工程、（ｃ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、導体パターンから露出する金属薄膜を除去する工程を示す。
【図５】図２に示すベース絶縁層の上にカバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、導体パターンを含むベース絶縁層および支持基板の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図６】図１に示す回路付サスペンション基板の外部側接続端子部を、拡大して示す断面図である。
【図７】本発明の配線回路基板の一実施形態である片面フレキシブル配線回路基板を示す断面図である。
【図８】比較例１の回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程（ｅ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。
【図９】比較例２の回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、支持基板の上に、ベース絶縁層を所定のパターンで形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を所定のパターンで形成する工程（ｅ）は、各磁気ヘッド側接続端子部および各外部側接続端子部に、めっき層を形成する工程を示す。
【符号の説明】
【００６０】
１    回路付サスペンション基板
２    支持基板
３    ベース絶縁層
４    導体パターン
８    外部側接続端子部
９    導体凹部
２１  はんだボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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