(57)【要約】【課題】  放射角の狭い放射パターンのレーザ光を得ることができ、かつ、ワイヤボンディング性を向上できる面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明にかかる面発光型半導体レーザ１００は、基板１１０と、前記基板の上方に形成された第１ミラー１４２と、前記第１ミラーの上方に形成された活性層１４４と、前記活性層の上方に形成された第２ミラー１４６と、前記第２ミラーの上方に形成された第１電極１２２と、前記第１電極の上方に形成された第２電極１２３と、を含み、  前記第１電極および前記第２電極は、それぞれ開口部を有し、平面視において、前記第１電極の開口部は、前記第２電極の開口部の内側に形成されている。【選択図】      図２
2006324582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ミラーと、
前記第１ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２ミラーと、
前記第２ミラーの上方に形成された第１電極と、
前記第１電極の上方に形成された第２電極と、を含み、
前記第１電極および前記第２電極は、それぞれ開口部を有し、
平面視において、前記第１電極の開口部は、前記第２電極の開口部の内側に形成されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１において、
少なくとも前記活性層および前記第２ミラーは、柱状部を構成し、
前記第２電極は、少なくとも前記柱状部の上方に形成されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２電極は、前記第１電極より厚い膜厚を有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第１電極は、下記式（１）を満たす膜厚Ｄ１を有する、面発光型半導体レーザ。
（４ｉ＋１）λ／８ｎ≦Ｄ１≦（４ｉ＋３）λ／８ｎ・・・（１）
（式（１）において、ｉは整数、λは発振波長、ｎは電極の材質の屈折率を示す。）
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第２電極は、下記式（２）を満たす膜厚Ｄ２を有する、面発光型半導体レーザ。
Ａ≧Ｄ２×ｔａｎ（θ／２）・・・（２）
（式（２）において、Ａは出射面の径と第２電極の内側の径との差、θは放射角を示す。）
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記第２電極は、０．２μｍ以上の膜厚を有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記第１電極は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｗ、Ｃｒおよびこれらの合金から選択される単層または２層以上の積層膜からなる、面発光型半導体レーザ。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記第２電極は、少なくとも最表面にＡｕを含む単層または積層膜からなる、面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記第２電極は、電極パッド部を有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、
前記第１電極および前記第２電極の各々は、オープンリング形状を有する、面発光型半導体レーザ。
【請求項１１】
基板の上方に第１ミラーを形成する工程と、
前記第１ミラーの上方に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上方に第２ミラーを形成する工程と、
前記第２ミラーの上方に第１電極を形成する工程と、
少なくとも前記第１電極を加熱する工程と、
前記第１電極の上方に、前記第１電極によって設けられた出射面の周囲が露出するように、第２電極を形成する工程と、
を含む、面発光型半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光型半導体レーザおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光型半導体レーザは、半導体基板に垂直にレーザ光を出射する半導体レーザであり、端面発光型半導体レーザに比べて中間工程での検査が容易で、しかも放射パターンが円形であることから、各種センサや光通信の光源として期待されている。各種センサや光通信に面発光型半導体レーザを用いるときには、放射角の狭い放射パターンのレーザ光を得ることが望ましい。
【０００３】
放射角を狭くするためには、出射面の周囲に形成される電極の膜厚が小さい方が好ましい。しかし、膜厚を小さくすると、放熱効果の低減、ワイヤボンディング性の低下などの問題が生じる。
【特許文献１】特開２００４−６３７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、放射角の狭い放射パターンのレーザ光を得ることができ、かつ、ワイヤボンディング性を向上できる面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかる面発光型半導体レーザは、
第１ミラーと、
前記第１ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２ミラーと、
前記第２ミラーの上方に形成された第１電極と、
前記第１電極の上方に形成された第２電極と、を含み、
前記第１電極および前記第２電極は、それぞれ開口部を有し、
前記第１電極の開口部は、前記第２電極の開口部の内側に形成されている。
【０００６】
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
少なくとも前記活性層および前記第２ミラーは、柱状部を構成し、
前記第２電極は、少なくとも前記柱状部の上方に形成されていてもよい。
【０００７】
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第２電極は、前記第１電極より厚い膜厚を有してもよい。
【０００８】
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第１電極は、下記式（１）を満たす膜厚Ｄ１を有してもよい。
【０００９】
（４ｉ＋１）λ／８ｎ≦Ｄ１≦（４ｉ＋３）λ／８ｎ・・・（１）
（式（１）において、ｉは整数、λは発振波長、ｎは電極の材質の屈折率を示す。）
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第２電極は、下記式（２）を満たす膜厚Ｄ２を有してもよい。
【００１０】
Ａ≧Ｄ２×ｔａｎ（θ／２）・・・（２）
（式（２）において、Ａは出射面の径と第２電極の内側の径との差、θは放射角を示す。）
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第２電極は、０．２μｍ以上の膜厚を有してもよい。
【００１１】
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第１電極は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｗ、Ｃｒおよびこれらの合金から選択される単層または２層以上の積層膜からなってもよい。
【００１２】
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第２電極は、少なくとも最表面にＡｕを含む単層または積層膜からなってもよい。
【００１３】
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第２電極は、電極パッド部を有してもよい。
【００１４】
本発明にかかる面発光型半導体レーザにおいて、
前記第１電極および前記第２電極の各々は、オープンリング形状を有してもよい。
【００１５】
本発明にかかる面発光型半導体レーザの製造方法は、
基板の上方に第１ミラーを形成する工程と、
前記第１ミラーの上方に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上方に第２ミラーを形成する工程と、
前記第２ミラーの上方に第１電極を形成する工程と、
少なくとも前記第１電極を加熱する工程と、
前記第１電極の上方に、前記第１電極によって設けられた出射面の周囲が露出するように、第２電極を形成する工程と、
を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態の一例について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
１．面発光型半導体レーザの構成
まず、本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの構造について説明する。図１は、本発明を適用した面発光型半導体レーザの平面図である。図２は、本実施の形態に係る面発光型半導体レーザの断面図であり、図１のI−I線断面図である。
【００１８】
図１および図２に示すように、本実施の形態の面発光型半導体レーザ１００は、半導体基板（本実施の形態ではＧａＡｓ基板）１１０と、半導体基板１１０の上に形成された垂直共振器（以下「共振器」という）１４０と、第１電極１２２と、第３電極１２４とを含む。共振器１４０は、第１ミラー１４２と、活性層１４４と、第２ミラー１４６とを有する。
【００１９】
次に、この面発光型半導体レーザ１００の各構成要素について述べる。
【００２０】
まず、共振器１４０について説明する。共振器１４０は、上述したように、第１ミラー１４２と、活性層１４４と、第２ミラー１４６とを有する。第１ミラー１４２としては、たとえば、ｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層とｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布ブラッグ反射型ミラー（ＤＢＲ）を用いることができる。活性層１４４は、ＧａＡｓウエル層とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層とからなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む層を適用することができる。第２ミラー１４６としては、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの半導体多層膜からなる分布ブラッグ反射型ミラー（ＤＢＲ）を用いることができる。なお、第１ミラー１４２、活性層１４４、および第２ミラー１４６を構成する各層の組成および層数はこれに限定されるわけではない。
【００２１】
第２ミラー１４６は、たとえば、Ｃ、Ｚｎ、あるいはＭｇなどがドーピングされることによりｐ型にされ、第１ミラー１４２は、たとえば、Ｓｉ、あるいはＳｅなどがドーピングされることによりｎ型にされている。したがって、第２ミラー１４６、不純物がドーピングされていない活性層１４４、および第１ミラー１４２により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００２２】
第２ミラー１４６、活性層１４４および第１ミラー１４２の一部は、柱状の半導体堆積体（以下、「柱状部」ともいう）１３０を構成している。柱状部１３０の側面は埋込み絶縁層１２０で覆われている。
【００２３】
柱状部１３０を構成する層のうち活性層１４４に近い領域に、電流狭窄層として機能する絶縁層１３２が形成されていてもよい。この絶縁層１３２は、柱状部１３０の周縁に沿ったリング形状を有することができる。また、電流狭窄用の絶縁層１３２は、たとえば酸化アルミニウムからなる。
【００２４】
本実施の形態に係る面発光型半導体レーザ１００においては、柱状部１３０の側面を覆うようにして、埋込み絶縁層１２０が形成されている。埋込み絶縁層１２０を構成する絶縁物は、各種ガラス、金属の酸化物または樹脂などであり、樹脂としてはたとえば、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂、アクリル樹脂、またはエポキシ樹脂などを用いることができ、特に、加工の容易性や絶縁性の観点から、ポリイミド樹脂またはフッ素系樹脂が望ましい。
【００２５】
柱状部１３０および埋込み絶縁層１２０の上には、第１電極１２２が形成されている。第１電極１２２は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒおよびこれらの合金から選択される単層または２層以上の積層膜からなることができ、たとえばＣｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜からなる。
【００２６】
第１電極１２２の上には、第２電極１２３が形成されている。第２電極１２３は、少なくとも最表面にＡｕを含む単層または積層膜からなり、たとえばＣｒとＡｕとの積層膜からなる。第１電極１２２および第２電極１２３は、それぞれ開口部を有し、平面視において、第１電極１２２の開口部は、第２電極１２３の開口部の内側に形成されている。第１電極１２２の開口部からレーザ光が出射する。
【００２７】
また、第２電極１２３は、図１に示すように、電極パッド部１２９を有する。第２電極１２３は、第１電極１２２より厚い膜厚を有する。第２電極１２３が厚い膜厚を有することにより、より安定したボンディング強度を保持することができる。
【００２８】
第１電極１２２は、下記式（１）の範囲の膜厚Ｄを有している。
【００２９】
（４ｉ＋１）λ／８ｎ≦Ｄ≦（４ｉ＋３）λ／８ｎ・・・（１）
（式（１）において、ｉは整数、λは発振波長、ｎは電極の材質の屈折率を示す。ｎは図２においては空気の屈折率、１をとる。）
ここで、上記範囲の膜厚を有する利点について、図４を参照しつつ説明する。図４（Ａ）、（Ｂ）において、横軸は電極の膜厚を示し、縦軸はレーザ光の放射角を示す。図４（Ａ）は、電極の膜厚とレーザ光の放射角との関係を示す図であり、図４（Ｂ）は、電極の膜厚Ｄが０＜Ｄ≦λ／２ｎの範囲内の電極の膜厚とレーザ光の放射角との関係を示す図である。なお、図４（Ａ）および図４（Ｂ）の結果は、時間領域差分法（ＦＤＴＤ法）により放射角を求めた結果である。本願発明者は、図４（Ａ）に示すように、レーザ光の放射角が電極の膜厚に対して、ほぼ一定の周期をもって変動していることを見出した。具体的には、λ／２ｎの周期で放射角が変動している。さらに、放射角が最小となる電極の膜厚は、（λ（発振波長）／４ｎ）を中心として、一定の範囲内で変動していることを見出した。そして、電極の膜厚Ｄが０＜Ｄ≦λ／２ｎの範囲で放射角の最小値がどの範囲で変動するかを調べた。その結果を図４（Ｂ）に示す。図４（Ｂ）から分かるように、放射角が最小となる位置は、電極の膜厚Ｄがλ／８ｎ≦Ｄ≦３λ／８ｎの範囲内で変動していることが分かった。以上のシミュレーションの結果より、第１電極１２２の膜厚が上記式（１）の範囲内にあるように設計することで、レーザ光の放射角を小さくできる。その結果、特性の良好な面発光型半導体レーザを提供することができる。
【００３０】
また第１電極１２２は、出射面１２６の周囲に第２電極１２３に覆われていない露出部１２７を有する。さらに第２電極１２３の膜厚は、下記式（２）を満たす膜厚Ｄ２であることが好ましい。
【００３１】
Ａ≧Ｄ２×ｔａｎ（θ／２）・・・（２）
（式（２）において、Ａは出射面の径と第２電極の内側の径との差、θは放射角を示す。）
図３を参照しながら式（２）について説明する。図３は、図２の領域IIの拡大図である。レーザ光の放射角をθとすると、露出部１２７の大きさである出射面の径と第２電極の内側の径との差ＡがＤ２×ｔａｎ（θ／２）以上であれば、理論的にレーザ光が第２電極１２３にかからない。よって、このように出射面の径と第２電極の内側の径との差ＡがＤ２×ｔａｎ（θ／２）以上とすると、第２電極１２３の電磁界によるレーザ光の放射パターンへの影響を低減することができる。
【００３２】
さらに第２電極１２３の膜厚は、０．２μｍ以上であることが好ましい。第２電極１２３の膜厚を０．２μｍ未満にするとワイヤボンディングができない場合があるからである。また、第２電極１２３の膜厚は、１．０μｍ以上であることがより好ましい。第２電極１２３の膜厚を１．０μｍ以上とすることにより、実装時に十分なボンディング強度を得ることができるからである。
【００３３】
さらに、半導体基板１１０の裏面には、第３電極１２４が形成されている。第３電極１２４は、Ａｕ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｗ、Ｃｒおよびこれらの合金から選択される単層または２層以上の積層膜からなることができ、たとえば、Ｃｒ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕの積層膜からなる。すなわち、図１および図２に示す面発光型半導体レーザ１００では、柱状部１３０上で第１電極１２２および第２電極１２３は第２ミラー１４６と接合し、かつ、第３電極１２４は半導体基板１１０と接合している。この第１電極１２２、第２電極１２３および第３電極１２４によって活性層１４４に電流が注入される。
【００３４】
本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザ１００によれば、上述した式（１）を満たすように第１電極１２２の膜厚を制御することにより、レーザ光の放射角を小さくすることができる。その結果、特性の良好な面発光型半導体レーザを提供することができる。
【００３５】
しかし、一般に電極を成膜する際、その膜厚にはばらつきが生じ、その結果、式（１）を満たすように、第１電極１２２の膜厚を制御することができない場合がある。具体的には、上述した式（１）において、たとえば、ｉ＝７、ｎ＝３、λ＝８５０ｎｍとすると、適した膜厚Ｄの範囲は、１０２７ｎｍ≦Ｄ≦１０９７ｎｍとなる。この膜厚Ｄの範囲の中心値１０６２ｎｍを成膜する際、考慮すべき膜厚のばらつきが±５％であるとすると、１０６２±５３ｎｍとなるため、適した膜厚Ｄの範囲内で第１電極１２２の膜厚を制御できず、適した膜厚Ｄの範囲外の膜厚を有する第１電極１２２が形成される可能性がある。
【００３６】
一方、式（１）において、たとえば、ｉ＝０、ｎ＝３、λ＝８５０ｎｍとすると、適した膜厚Ｄの範囲は、３５ｎｍ≦Ｄ≦１０６ｎｍとなる。この膜厚Ｄの範囲の中心値７０ｎｍを成膜する際、考慮すべき膜厚のばらつきが±５％であるとすると、７０±３．５ｎｍとなるため、適した膜厚Ｄの範囲内で第１電極１２２の膜厚を制御することができる。
【００３７】
すなわち、膜厚が大きい程、ばらつきが大きくなる傾向があるため、式（１）を満たすように第１電極１２２の膜厚を制御するためには、膜厚は小さい方が好ましい。しかし、第１電極１２２の膜厚が小さいと、ワイヤボンディング強度が低くなるという問題がある。そこで、第１電極１２２の上に十分なワイヤボンディング強度を得ることのできる膜厚の第２電極１２３を形成することによって、式（１）を満たすように第１電極１２２の膜厚を制御することができる。
【００３８】
２．デバイスの動作
本実施の形態の面発光型半導体レーザ１００の一般的な動作を以下に示す。なお、下記の面発光型半導体レーザ１００の駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。
【００３９】
まず、第１電極１２２、第２電極１２３と第３電極１２４とで、ｐｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１４４において、電子と正孔との再結合が起こり、かかる再結合による発光が生じる。そこで生じた光が第２ミラー１４６と第１ミラー１４２との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、柱状部１３０上面にある出射面１２６から半導体基板１１０に対して垂直方向にレーザ光が出射される。
【００４０】
３．面発光型レーザの製造方法
次に、図１および図２に示す面発光型半導体レーザ１００の製造方法の一例について、図５〜図９を参照しつつ説明する。図５〜図９は、図１および図２に示す本実施の形態の面発光型半導体レーザ１００の製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図２に示す断面に対応している。
【００４１】
（１）まず、ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板１１０の表面に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図５に示すように、半導体多層膜１５０を形成する。ここで、半導体多層膜１５０は、たとえばｎ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層とｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの第１ミラー１４２と、ＧａＡｓウエル層とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む活性層１４４と、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層とｐ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの第２ミラー１４６とからなる。これらの層を順に半導体基板１１０上に積層させることにより、半導体多層膜１５０が形成される。
【００４２】
ここで第２ミラー１４６の最上層は、屈折率のより低いｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層からなることが望ましい。また第２ミラー１４６において、ｐ型Ａｌ0.9Ｇａ0.1Ａｓ層に変えて、ＡｌＡｓ層からなってもよい。
【００４３】
なお、第２ミラー１４６を成長させる際に、活性層１４４近傍の少なくとも１層を、後に酸化されて電流狭窄用の絶縁層１３２となるＡｌＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層に形成することができる。この絶縁層１３２となるＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成は、０．９５以上である。また、第２ミラー１４６の最表面の層は、キャリア密度を高くし、電極（第１電極１２２）とのオーミック接触をとりやすくしておくのが望ましい。
【００４４】
エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、半導体基板１１０の種類、あるいは形成する半導体多層膜１５０の種類、厚さ、およびキャリア密度によって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いることができる。
【００４５】
ついで、半導体多層膜１５０上に、レジストを塗布した後リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図５に示すように、所定のパターンのレジスト層Ｒを形成する。レジスト層Ｒは、柱状部１３０（図１および図２参照）の形成予定領域の上方に形成する。
【００４６】
（２）次に、このレジスト層Ｒをマスクとして、たとえばドライエッチング法により、第２ミラー１４６、活性層１４４、および第１ミラー１４２の一部をエッチングして、図６に示すように、柱状の半導体堆積体（柱状部）１３０を形成する。その後、レジスト層Ｒを除去する。
【００４７】
（３）次に、図７に示すように、たとえば４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、上記工程によって柱状部１３０が形成された半導体基板１１０を投入することにより、前述の第２ミラー１４６中のＡｌ組成が高い層（Ａｌ組成が０．９５以上の層）を側面から酸化して、電流狭窄用の絶縁層１３２を形成する。酸化レートは、炉の温度、水蒸気の供給量、酸化すべき層のＡｌ組成および膜厚に依存する。
【００４８】
（４）次に、図８に示すように、柱状部１３０、すなわち第１ミラー１４２の一部、活性層１４４、および第２ミラー１４６を取り囲む埋込み絶縁層１２０を形成する。
【００４９】
ここでは、埋込み絶縁層１２０を形成するための材料として、ポリイミド樹脂を用いた場合について述べる。まず、たとえばスピンコート法を用いて前駆体（ポリイミド前駆体）を、柱状部１３０を有する半導体基板１１０上に塗布して、前駆体層を形成する。この際、前記前駆体層の膜厚が柱状部１３０の高さより大きくなるように形成する。なお、前記前駆体層の形成方法としては、前述したスピンコート法のほか、ディッピング法、スプレーコート法、液滴吐出法等の公知技術が利用できる。
【００５０】
次いで、この半導体基板１１０を、たとえばホットプレート等を用いて加熱して前記前駆体層から溶媒を除去した後、２００℃程度で半硬化させる。続いて、図８に示すように、柱状部１３０の上面１３０ａを露出させたのち３５０℃程度の炉に入れて、前記前駆体層をイミド化させることにより、ほぼ完全に硬化した埋込み絶縁層１２０を形成する。柱状部１３０の上面１３０ａを露出させる方法としては、ＣＭＰ法、ドライエッチング法、ウェットエッチング法などが利用できる。また、感光性を有する樹脂で埋込み絶縁層１２０を形成することもできる。埋込み絶縁層１２０または硬化に至るまでの各段階の層は、必要に応じてリソグラフィなどによってパターニングすることができる。
【００５１】
（５）次に、活性層１４４に電流を注入するための第１電極１２２、および第３電極１２４およびレーザ光の出射面１２６（図９参照）を形成する工程について述べる。
【００５２】
まず、第１電極１２２および第３電極１２４を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、柱状部１３０および半導体基板１１０の露出している上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。つづいて、図９に示すように、たとえば真空蒸着法により埋込み絶縁層１２０および柱状部１３０の上面に、パターニングしたレジスト層および、たとえばＣｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕとの積層膜を形成した後、リフトオフ法により、柱状部１３０の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が出射面１２６となる。なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いることもできる。このとき、第１電極１２２は、その膜厚が、上述したように、所望の範囲内になるように形成する。
【００５３】
また、半導体基板１１０の露出している面に、たとえば真空蒸着法により、たとえばＣｒ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕの積層膜を形成する。
【００５４】
（６）次に、（５）において形成された第１電極１２２および第３電極１２４を合金化する工程について述べる。合金化はアニール処理により行われる。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施の形態で用いた電極材料の場合は、通常４００℃前後で行う。以上の工程により、第１電極１２２および第３電極１２４が形成される。これにより、オーミックコンタクトを得ることができる。
【００５５】
（７）次に、第２電極１２３を形成する工程（図２参照）について述べる。第２電極１２３は、たとえば真空蒸着法により第１電極１２２の上面に、パターニングしたレジスト層および、たとえばＡｕとＣｒとの積層膜を形成した後、リフトオフ法により、第１電極１２２の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が露出部１２７となる。なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法を用いることもできる。このとき、第２電極１２３は、その膜厚が、上述したように、所望の範囲内になるように形成する。
【００５６】
以上の工程により、本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザ１００を形成することができる。
【００５７】
本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造方法では、工程（６）の合金化工程は、第２電極１２３の形成前に行われている。すなわち、第２電極１２３の形成後には、アニール処理を行う必要がないため、アニール処理によるＣｒの最表面のＡｕ中への拡散を防止し、第２電極１２３の表面が酸化するのを防止することができる。
【００５８】
４．変形例
本実施の形態の面発光レーザは、上述の実施の形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内において、様々な変形が可能である。以下にその変形例の一例について説明する。
【００５９】
図１０は、変形例にかかる面発光型半導体レーザを模式的に示す平面図である。なお、図１０は、変形例にかかる面発光型半導体レーザの平面図であって、図１に示す平面図と対応している。
【００６０】
変形例にかかる面発光型半導体レーザ２００は、第１電極２２２および第２電極２２３がオープンリング形状を有する点で、第１電極１２２および第２電極１２３がリング形状を有する面発光型半導体レーザ１００と異なる。
【００６１】
ここでオープンリング形状とは、図１０に示すようにリング形状の少なくとも一部分に切り込みが入っている形状をいう。リング形状とは、円形の環状に限られず、四角形などの多角形であってもよい。
【００６２】
図１に示すように、第１電極１２２および第２電極１２３がリング形状を有する場合には、第１電極１２２および第２電極１２３を形成する際のリフトオフ工程時にリング形状の内側にフォトレジストの孤立パターンが形成される。この孤立パターンは、除去されにくく、また、リフトオフされた金属材料が再付着しやすい。そこで、第１電極２２２および第２電極２２３の形状をオープンリング形状にすることで、孤立パターンを形成することなく、第１電極２２２および第２電極２２３を形成することができる。その結果、歩留まりを良好にすることができる。なお、図１０によれば、第１電極２２２および第２電極２２３の切り込みは、平面視において重なる位置に形成されているが、平面視において互いに異なる位置、すなわち重ならない位置にあってもよい。
【００６３】
また本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザを模式的に示す平面図。
【図２】本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザを模式的に示す断面図。
【図３】図２の領域IIを詳細に示す拡大図。
【図４】図４（Ａ）は、電極の膜厚とレーザ光の放射角との関係を示す図であり、図４（Ｂ）は、電極の膜厚Ｄが０＜Ｄ≦λ／２ｎの範囲内の電極の膜厚とレーザ光の放射角との関係を示す図である。
【図５】本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】変形例にかかる面発光型半導体レーザを模式的に示す平面図。
【符号の説明】
【００６５】
１００  面発光型半導体レーザ、１１０  半導体基板、１２０  埋込み絶縁層、１２２  第１電極、１２３  第２電極、１２４  第３電極、１２６  出射面、１２７  露出部、１３０  柱状部、  １３２  絶縁層、  １３４  開口、  １４０  共振器、１４２  第１ミラー、１４４  活性層、１４６  第２ミラー、２００  面発光型半導体レーザ
【図１】
2006324582.tif 000003
【図２】
2006324582.tif 000004
【図３】
2006324582.tif 000005
【図４】
2006324582.tif 000006
【図５】
2006324582.tif 000007
【図６】
2006324582.tif 000008
【図７】
2006324582.tif 000009
【図８】
2006324582.tif 000010
【図９】
2006324582.tif 000011
【図１０】
2006324582.tif 000012