(57)【要約】【課題】処理時間の長期化をもたらすことなく被処理基板の裏面のレジストを剥離できると共に、被処理基板の裏面から発生した水蒸気による基板搬送ミスを防止することができる基板加熱装置を提供する。【解決手段】円形の被処理基板Ｗを載置する載置面２を有し被処理基板Ｗよりも小径な基板載置台１と、この基板載置台１を加熱して載置面２上の被処理基板Ｗを加熱する加熱手段３と、を有する。載置面２に載置された被処理基板Ｗの側端縁Ｗａに係合して被処理基板Ｗの水平方向の移動を規制する複数の基板保持部材４を、基板載置台１の側周位置にて周方向に間隔をおいて配置する。【選択図】図１
2006339679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形の被処理基板を載置する載置面を有し前記被処理基板よりも小径な基板載置台と、この基板載置台を加熱して前記載置面上の前記被処理基板を加熱する加熱手段と、前記基板載置台の側周位置にて周方向に間隔をおいて配置され、前記載置面に載置された前記被処理基板の側端縁に係合して前記被処理基板の水平方向の移動を規制する複数の基板保持部材と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
前記基板保持部材は、細長の棒状部材にて形成されていることを特徴とする請求項１記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記基板保持部材は屈曲した前記棒状部材にて形成されており、屈曲した前記棒状部材は、前記被処理基板の側端縁に係合する縦棒部分と、この縦棒部分の下端から前記被処理基板の裏面側に延びる横棒部分と、を有し、前記横棒部分は前記被処理基板の裏面から離間していることを特徴とする請求項２記載の基板加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、被処理基板を載置して加熱する基板加熱装置に係わり、特に、半導体製造工程におけるアッシング処理の際に使用される基板加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体製造工程における処理の１つに、被処理基板の表面に形成されたレジストを剥離するアッシング処理がある。このアッシング処理は、真空処理装置の１つであるアッシング装置にて行われ、基板加熱機構を備えた基板載置台の上にウエハを載置し、このウエハを加熱しながらアッシング処理が行われる。【０００３】  また、ウエハの裏面側に回り込んだレジストがウエハ裏面の周縁部に付着しているので、アッシング処理においてはこの裏面側のレジストも剥離する必要がある。そこで、ウエハ裏面の周縁部にもアッシング用のプロセスガスが回り込んでレジストが剥離されるように、基板載置台をウエハよりも小径に形成し、ウエハの周縁部が基板載置台から側方にはみ出すようにしている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開昭６３−２４１９２９号公報
【０００４】  ところが、このような小径の基板載置台を使用した場合の問題点として、ウエハを加熱した際にウエハ裏面に吸着していた水が蒸発して水蒸気が発生し、ウエハが水平方向に滑って移動してしまい、ウエハの搬送ミスが引き起こされる恐れがある。【０００５】  このような水蒸気の発生によるウエハの移動を防止するための第１の解決策としては、ウエハが載置される基板載置台をウエハよりも大径に形成すると共に、ウエハを載置する部分を一段彫り込んでこの凹部にウエハを填め込むことが考えられる。【０００６】  また、第２の解決策としては、ウエハを加熱する際にその加熱速度を緩やかに設定し、これにより水蒸気の発生率を小さくして水分蒸発量を分散させることが考えられる。【０００７】  また、第３の解決策としては、ウエハ裏面のレジストを予め剥離した後に、ウエハを加熱してその表面のレジストを剥離するというやり方が考えられる。【０００８】  また、第４の解決策としては、ウエハ裏面の支持を面接触ではなく点接触にて行い、ウエハ裏面から蒸発する水分によるウエハの浮き上がりを防止するという方法が考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】  しかしながら、上述した第１乃至第４の解決策はその何れもが以下の如く欠点を有している。【００１０】  すなわち、第１の解決策では、基板載置台の凹部にウエハを填め込むようにしたので、ウエハの裏面側にプロセスガスが回り込まず、結局、ウエハ裏面に付着したレジストを剥離することができない。【００１１】  また、第２の解決策では、加熱速度を緩やかにしたために処理時間が長期化してしまい、スループットの低下が引き起こされる。【００１２】  また、第３の解決策では、ウエハ裏面のレジストを予め剥離するための行程が一段階増えてしまうため、全体としてのスループットの低下が引き起こされる。【００１３】  また、第４の解決策では、ウエハに対する熱伝導が悪くなり、ウエハの加熱時間が長期化し、スループットの低下が引き起こされる。【００１４】  本発明は、上述した各種の問題点を考慮してなされたものであって、処理時間の長期化をもたらすことなく被処理基板の裏面のレジストを剥離できると共に、被処理基板の裏面から発生した水蒸気による基板搬送ミスを防止することができる基板加熱装置を提供すること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】  本発明は、円形の被処理基板を載置する載置面を有し前記被処理基板よりも小径な基板載置台と、この基板載置台を加熱して前記載置面上の前記被処理基板を加熱する加熱手段と、前記基板載置台の側周位置にて周方向に間隔をおいて配置され、前記載置面に載置された前記被処理基板の側端縁に係合して前記被処理基板の水平方向の移動を規制する複数の基板保持部材と、を備えたことを特徴とする。【００１６】  また、前記基板保持部材は、細長の棒状部材にて形成することが望ましい。【００１７】  また、前記基板保持部材は屈曲した前記棒状部材にて形成されており、屈曲した前記棒状部材は、前記被処理基板の側端縁に係合する縦棒部分と、この縦棒部分の下端から前記被処理基板の裏面側に延びる横棒部分と、を有し、前記横棒部分は前記被処理基板の裏面から離間していることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】  本発明による基板加熱装置によれば、被処理基板よりも小径の基板載置台に複数の基板保持部材を設けて被処理基板の水平方向の動きを規制するようにしたので、被処理基板に対してアッシング処理を行う際には、被処理基板の裏面周縁部に付着したレジストを剥離することができ、且つ、被処理基板裏面からの水蒸気によって被処理基板が浮き上がって滑りを起こした場合でも基板保持部材が被処理基板の動きを規制するので、被処理基板の滑りによる基板搬送ミスを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】  以下、本発明の一実施形態による基板加熱装置について図１及び図２を参照して説明する。なお、本実施形態による基板加熱装置は、被処理基板を加熱しながら処理を行うタイプの真空処理装置に適用されるものであり、特にダウンフロータイプの真空処理装置に適しており、中でも、半導体製造工程で使用されるダウンフロータイプのアッシング装置に適したものである。アッシング装置以外の真空処理装置としては、例えばケミカルドライエッチング装置等のエッチング装置にも適用することができる。【００２０】  図１は本実施形態による基板加熱装置に円形のウエハ（被処理基板）Ｗを載置した状態を示した縦断面図であり、図１に示したようにこの基板加熱装置は、ウエハ（被処理基板）Ｗよりも小さな径よりなる基板載置台１を備えており、この基板載置台１の上面はウエハＷを載置する載置面２を形成している。【００２１】  基板載置台１の内部には、この基板載置台１を加熱して載置面２上のウエハＷを加熱するためのヒータ（加熱手段）３が設けられている。基板載置台１の裏面中央には支持棒６の上端が固設されている。【００２２】  そして、基板載置台１の側周位置には、載置面２に載置されたウエハＷの側端縁Ｗａに係合してウエハＷの水平方向の移動を規制する複数の基板保持部材４が配置されている。基板保持部材４は屈曲した細長の棒状部材にて形成されており、留め具５によって基板載置台１の側周面に固定されている。【００２３】  基板保持部材４は、ウエハＷの側端縁Ｗａに係合する縦棒部分４ａと、この縦棒部分４ａの下端からウエハＷの裏面側に延びる横棒部分４ｂと、を有しており、横棒部分４ｂはウエハＷの裏面Ｗｂから上下方向に離間している。また、ウエハＷを基板載置台１にのせる際の作業性を考慮して、縦棒部分４ａとウエハＷの側端縁Ｗａとの間にはある程度の間隔が設けられている。【００２４】  図２（ａ）は図１に示した基板加熱装置及びウエハＷを真上から見た平面図であり、図２（ａ）に示したように４個の基板保持部材４が周方向に等角度間隔で配置されている。基板保持部材４は、例えばアルミアルマイト材料によって形成することができる。【００２５】  なお、基板保持部材４の設置数は４個に限られるものではなく、それ以上でもそれ以下でも良く、例えば図２（ｂ）に示したように３個の基板保持部材４を等角度間隔で配置しても良いし、５個以上の基板保持部材を配置しても良い。【００２６】  但し、プロセスガスの気流を乱さないようにするために、基板保持部材の設置数はなるべく少ない方が良く、また、その形状も気流に影響を与えにくい細身のもの（例えば２ｍｍ×２ｍｍの方形断面のもの）とすることが望ましい。【００２７】  以上述べたように本実施形態による基板加熱装置によれば、ウエハＷよりも小径の基板載置台１に複数の基板保持部材４を設けてウエハＷの水平方向の動きを規制するようにしたので、ウエハＷの裏面周縁部に付着したレジストを剥離することができ、且つ、ウエハ裏面からの水蒸気によってウエハＷが浮き上がって滑りを起こした場合でも基板保持部材４がウエハＷの動きを規制するので、ウエハＷの滑りによる基板搬送ミスを防止することができる。【００２８】  また、基板保持部��４の横棒部分４ｂはウエハＷの裏面から離間しているので、ウエハ裏面のレジストの剥離に際して基板保持部材４が妨げになることがない。【００２９】  また、基板保持部材４は細長の棒状部材によって形成されているので、プロセスガスの気流に乱れが生じることがなく、アッシング等の処理の面内均一性を良好に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による基板加熱装置にウエハを載置した状態を示した縦断面図。
【図２】（ａ）は図１に示した基板加熱装置及びウエハ達真上から見た平面図、（ｂ）は基板保持部材の配置構成の一変形例を示した平面図。
【符号の説明】
【００３１】１    基板載置台
２    載置面
３    ヒータ（加熱手段）
４    基板保持部材
４ａ  縦棒部分
４ｂ  横棒部分
５    留め具
Ｗ    ウエハ（被処理基板）
Ｗａ  ウエハの側端縁
Ｗｂ  ウエハの裏面
【図１】
2006339679.tif 000003
【図２】
2006339679.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成18年8月24日(2006.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダウンフロータイプの真空処理装置に用いられる基板加熱装置であって、
円形の被処理基板を載置する載置面を有し前記被処理基板よりも小径な基板載置台と、
この基板載置台を加熱して前記載置面上の前記被処理基板を加熱する加熱手段と、
前記基板載置台の周方向に間隔をおいて配置され、前記載置面に載置された前記被処理基板の水平方向の移動を規制する複数の基板保持部材とを備え、
前記基板保持部材は、前記被処理基板の側端部に係合する縦棒部分と、この縦棒部分の下端から前記被処理基板の裏面側に延びる横棒部分とを有してなり、前記縦棒部分は、前記基板載置台を真上から見たときにこの基板載置台と重ならない位置に配置されていることを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
前記基板保持部材は、前記基板載置台の側周面に固定されていることを特徴とする請求項１記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記基板保持部材は、前記ダウンフローされる気流に影響を与えにくい細身のものから形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、ダウンフロータイプの真空処理装置に用いられる基板加熱装置であって、円形の被処理基板を載置する載置面を有し前記被処理基板よりも小径な基板載置台と、この基板載置台を加熱して前記載置面上の前記被処理基板を加熱する加熱手段と、前記基板載置台の周方向に間隔をおいて配置され、前記載置面に載置された前記被処理基板の水平方向の移動を規制する複数の基板保持部材とを備え、前記基板保持部材は、前記被処理基板の側端部に係合する縦棒部分と、この縦棒部分の下端から前記被処理基板の裏面側に延びる横棒部分とを有してなり、前記縦棒部分は、前記基板載置台を真上から見たときにこの基板載置台と重ならない位置に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記基板保持部材は、前記基板載置台の側周面に固定することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記基板保持部材は、前記ダウンフローされる気流に影響を与えにくい細身のものから形成されていることが望ましい。