(57)【要約】【課題】平流し方式において乾燥処理後の基板表面にシミや残渣が生じるのを防止して、処理品質を向上させること。  【解決手段】ベーパナイフＶＮUは、搬送方向と直交する水平方向（横方向）において少なくとも基板Ｇの一端から他端までカバーできる長さに亘って延在する長尺状に横長のノズル本体を有している。このノズル本体の先端部（下端部）には、水蒸気を噴出する噴出口１７４が形成されている。ベーパ供給機構（図示せず）より加圧された水蒸気がベーパ供給管１７６を介してベーパナイフＶＮUのノズル本体に導入され、先端の噴出口１７４より水蒸気が基板Ｇの上面（被処理面）に吹き付けられる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う第１の工程と、
前記液処理の後に前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に蒸気を吹き付けて前記基板上から前記処理液を掃き出し、前記処理液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する第２の工程と
を有する基板処理方法。
【請求項２】
前記第２の工程の後に前記基板上の液を自然乾燥により蒸発させる請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第２の工程で基板上に形成される液体の薄膜は、大気中で自然乾燥により１０秒ないし数１０秒で蒸発する程度の膜厚である請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第２の工程の後に前記基板上の液を加熱処理により蒸発させる請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して所定の液処理を行う第１の工程と、
前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板にリンス液を供給して洗浄処理を行う第２の工程と、
前記洗浄処理の後に前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に蒸気を吹き付けて前記基板上から前記リンス液を掃き出し、前記リンス液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する第３の工程と
を有する基板処理方法。
【請求項６】
前記第３の工程の後に前記基板上の液を自然乾燥により蒸発させる請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第３の工程で基板上に形成される液体の薄膜は、大気中で自然乾燥により１０秒ないし数１０秒で蒸発する程度の膜厚である請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第３の工程の後に前記基板上の液を加熱処理により蒸発させる請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項９】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、
前記搬送路上で前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理部と、
蒸気を噴射する蒸気噴射ノズルを１つまたは複数有し、前記液処理部より下流側の前記搬送路上で前記基板に前記蒸気噴射ノズルより蒸気を吹き付けて前記基板上から前記処理液を掃き出し、前記処理液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する乾燥処理部と
を有する基板処理装置。
【請求項１０】
被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、
前記搬送路上で前記基板に所定の処理液を供給して所定の液処理を行う液処理部と、
前記搬送路上で前記基板にリンス液を供給して洗浄処理を行う洗浄処理部と、
蒸気を噴射する蒸気噴射ノズルを１つまたは複数有し、前記洗浄処理部より下流側の前記搬送路上で前記基板に前記蒸気噴射ノズルより蒸気を吹き付けて前記基板上から前記リンス液を掃き出し、前記リンス液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する乾燥処理部と
を有する基板処理装置。
【請求項１１】
前記乾燥処理部が、所定の液体を蒸発させて蒸気を生成する蒸気生成手段と、前記蒸気を他の気体と混合して昇圧する昇圧手段とを有する請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記乾燥処理部が、第１の位置にて前記搬送路の上方から前記基板の上面に蒸気を吹き付ける第１の蒸気噴射ノズルと、第２の位置にて前記搬送路の下から前記基板の下面に蒸気を吹き付ける第２の蒸気噴射ノズルとを有する請求項９〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第２の位置が前記搬送路に沿って前記第１の位置より直ぐ下流側の位置に設定される請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第２の位置が前記搬送路に対して前記第１の位置のほぼ真向かいの位置に設定される請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記第１および第２の蒸気噴射ノズルを前記搬送路の左右横方向に対して斜めに傾けて配置する請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平流し方式で被処理基板に処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら現像処理あるいは洗浄処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が普及しつつある。
【０００３】
一般に、平流し方式の現像装置や洗浄装置では、たとえば特許文献１に示されるように、処理工程の最終段で基板の表面に残存または付着している液を取り除いて基板を乾燥させるためのツールとして、エアナイフが用いられている。エアナイフは、搬送路の左右幅方向で基板の端から端までカバーする無数のガス吐出口またはスリット状のガス吐出口を有し、所定の位置で直下または直上を通過する基板に対してナイフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス流）を吹き付けるものである。このナイフ状の鋭利な気体流の吹き付けにより、基板がエアナイフの傍を通過する際に、基板表面の液が基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる（つまり液切りされる）。
【特許文献１】特開２００３−１３３２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のこの種の基板処理装置では、エアナイフより吹き付けられる乾いた気流で基板表面が一気に乾燥するため、乾燥直後に基板表面に付着する何らかの成分を含んだミストや基板表面から溶け出した成分を含む微小な液体の凝集物が基板上でシミや残渣になりやすく、後工程で不良を招く原因になっている。たとえば、現像工程で形成されたレジストマスクの開口の中に残渣が生じると、後のエッチング工程でこれが不所望なマイクロマスクとなって、エッチング不良を来すことになる。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、平流し方式において乾燥処理後の基板表面にシミや残渣が生じるのを防止して、処理品質を向上させるようにした基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の基板処理方法は、被処理基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う第１の工程と、前記液処理の後に前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に蒸気を吹き付けて前記基板上から前記処理液を掃き出し、前記処理液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する第２の工程とを有する。
【０００７】
また、本発明の第１の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送路上で前記基板に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理部と、蒸気を噴射する蒸気噴射ノズルを１つまたは複数有し、前記液処理部より下流側の前記搬送路上で前記基板に前記蒸気噴射ノズルより蒸気を吹き付けて前記基板上から前記処理液を掃き出し、前記処理液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する乾燥処理部と  を有する。
【０００８】
上記第１の基板処理方法または装置においては、液処理後に処理液が付いている基板に対して蒸気噴射ノズルより蒸気を吹き付けて蒸気流の圧力で基板上から処理液を掃き出し、基板上に処理液に置き換わって蒸気の元となった液の薄膜を形成することにより、基板表面は半乾きまたは生乾きの状態になる。この半乾き状態の基板表面にミストが付着しても、水膜の中で分散または拡散して溶解するため、シミを生じることはない。また、基板表面から不純物成分を有する液体が解け出しても、やはり水膜の中で分散するので、凝集することはなく、残渣を生じることはない。
【０００９】
本発明の第２の基板処理方法は、被処理基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に所定の処理液を供給して所定の液処理を行う第１の工程と、前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板にリンス液を供給して洗浄処理を行う第２の工程と、前記洗浄処理の後に前記基板をほぼ水平な姿勢で搬送しながら前記基板に蒸気を吹き付けて前記基板上から前記リンス液を掃き出し、前記リンス液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する第３の工程とを有する。
【００１０】
また、本発明の第２の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送路上で前記基板に所定の処理液を供給して所定の液処理を行う液処理部と、前記搬送路上で前記基板にリンス液を供給して洗浄処理を行う洗浄処理部と、蒸気を噴射する蒸気噴射ノズルを１つまたは複数有し、前記洗浄処理部より下流側の前記搬送路上で前記基板に前記蒸気噴射ノズルより蒸気を吹き付けて前記基板上から前記リンス液を掃き出し、前記リンス液を掃き出した後の前記基板上に前記蒸気の元となった液体の薄膜を形成する乾燥処理部とを有する。
【００１１】
上記第２の基板処理方法または装置においては、洗浄処理後の乾燥処理において、リンス液が付いている基板に対して蒸気噴射ノズルより蒸気を吹き付けて蒸気流の圧力で基板上からリンス液を掃き出し、基板上にリンス液に置き換わって蒸気の元となった液の薄膜を形成することにより、基板表面は半乾きまたは生乾きの状態になる。この半乾き状態の基板表面にミストが付着しても、水膜の中で分散または拡散して溶解するため、シミを生じることはない。また、基板表面から不純物成分を有する液体が解け出しても、やはり水膜の中で分散するので、凝集することはなく、残渣を生じることはない。
【００１２】
本発明において、基板上の液を掃き出した後に形成される液膜は、薄いため大気中でも蒸発しやすく、自然乾燥により比較的短時間（たとえば１０秒ないし数１０秒）で消失し得る。もっとも、後工程の加熱処理で基板上に残存する液を強制的に蒸発させてもよい。
【００１３】
本発明の基板処理装置において、好ましくは、乾燥処理部が、所定の液体を蒸発させて蒸気を発生する蒸気発生手段と、この蒸気発生手段より発生された蒸気を他の気体と混合して昇圧する昇圧手段とを有してよい。この場合、蒸気発生手段における蒸気発生量または発生レートや他の気体（たとえばエアーまたは窒素ガス）との混合率を制御することによって、基板に吹き付ける蒸気の濃度を調整できる。また、昇圧手段における吐出圧力を制御することによって、基板に吹き付ける蒸気の圧力を調整できる。
【００１４】
また、好ましい一態様として、乾燥処理部が、第１の位置にて搬送路の上方から基板の上面に蒸気を吹き付ける第１の蒸気噴射ノズルと、搬送路に沿って第１の位置より直ぐ下流側の第２の位置にて搬送路の下から基板の下面に蒸気を吹き付ける第２の蒸気噴射ノズルとを有する構成としてもよい。かかる構成では、搬送路を挟んで上下に配置される一対の蒸気噴射ノズルの間で搬送方向に位置的なオフセットをもたせることにより、基板の上面および下面における液の掃き寄せないし掃き出しに時間的なオフセットを与え、それによって基板後端における液切りを良好に行い、基板後端付近の液の残留を防止ないし低減することができる。
【００１５】
また、別の好適な一態様として、第１および第２の蒸気噴射ノズルを互いに平行に、かつ搬送路の左右横方向に対して斜めに傾けて配置してよい。かかる構成によれば、基板の上面および下面において液を基板後端部の同じ角隅部の方に寄せ集めて対角線方向に効果的に液切りすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の基板処理方法または基板処理装置によれば、平流し方式において液処理後の被処理基板に蒸気を吹き付けて基板上の処理液を掃き出し、掃き出した後に基板上に蒸気の元になった液の薄膜を形成し生乾きの状態で乾燥処理するようにしたので、乾燥処理後の基板表面にシミや残渣が生じるのを効果的に防止して、処理品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１８】
図１に、本発明の基板処理方法および基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１９】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００２０】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２１】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００２２】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２３】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２４】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２５】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２６】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２７】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２８】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２９】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００３０】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３１】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３２】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３３】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３４】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３５】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３６】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０７および周辺装置１０９を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０７は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１０９は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０７、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１０９と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３７】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３８】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３９】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００４０】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００４１】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００４２】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４３】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４４】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４５】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４６】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０７へ受け渡される。
【００４７】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０７から周辺装置１０９の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４８】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１０９のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０７に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００４９】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０７より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００５０】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００５１】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００５２】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５３】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５４】
この塗布現像処理システム１０においては、現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１３を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用した一実施形態を説明する。
【００５５】
図４に、本発明の一実施形態による現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、プロセスラインＢに沿って水平方向（Ｘ方向）に延在する連続的な搬送路１０８を形成する複数たとえば８つのモジュールＭ1〜Ｍ8を一列に連続配置してなる。
【００５６】
これらのモジュールＭ1〜Ｍ8のうち、最上流端に位置するモジュールＭ1で基板搬入部１１０を構成し、その後に続く４つのモジュールＭ2，Ｍ3，Ｍ4，Ｍ5で現像部１１２を構成し、その次のモジュールＭ6でリンス部１１４を構成し，その次のモジュールＭ7で乾燥部１１６を構成し、最後尾のモジュールＭ8で基板搬出部１１８を構成している。
【００５７】
基板搬入部１１０には、隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受け取って搬送路１０８上に移載するための昇降可能な複数本のリフトピン１２０が設けられている。基板搬出部１１８にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリフトピン１２２が設けられている。
【００５８】
現像部１１２は、より詳細には、モジュールＭ2にプリウエット部１２４を設け、モジュールＭ3，Ｍ4に現像液供給部１２６を設け、モジュールＭ5に現像液落し部１２８を設けている。プリウエット部１２４には、搬送路１０８にノズル吐出口を向け、搬送路１０８に沿って双方向に移動可能であり、基板にプリウエット液たとえば純水を供給するためのプリウエット液供給ノズルＰＮが１個または複数個設けられている。現像液供給部１２６には、搬送路１０８にノズル吐出口を向け、搬送路１０８に沿って双方向に移動可能な現像液供給ノズルＤＮが１個または複数個設けられている。この構成例では、モジュールＭ3，Ｍ４毎に独立に移動可能な現像液供給ノズルＤＮa，ＤＮbが設けられている。現像液落し部１２８およびプリウエット部１２４には、基板Ｇを傾斜させるための基板傾斜機構１３０が設けられている。
【００５９】
リンス部１１４には、搬送路１０８にノズル吐出口を向け、搬送路１０８に沿って双方向に移動可能であり、基板にリンス液たとえば純水を供給するためのリンス液供給ノズルＲＮが１個または複数個設けられている。
【００６０】
乾燥部１１６には、搬送路１０８に沿って基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を液切りするための本実施形態によるベーパナイフＶＮが搬送路１０８を挟んで一対または複数対設けられている。
【００６１】
現像部１１２、リンス部１１４および乾燥部１１６においては、搬送路１０８の下に落ちた液を受け集めるためのパン１３２，１３４，１３６，１３８がそれぞれ設けられている。現像部１１２において、より詳細には、プリウエット部１２４と現像液供給部１２６および現像液落し部１２８とにそれぞれ専用のパン１３２，１３４が充てられている。各パン１３２，１３４，１３６，１３８の底には排液口が設けられ、そこに排液管１４０，１４２，１４４，１４６が接続されている。
【００６２】
搬送路１０８には、図１０に示すように、基板Ｇをほぼ水平に載置できる搬送ローラまたはコロ１４８がプロセスラインＢに沿って一定間隔で敷設されている。電気モータ（図示せず）の駆動力により伝動機構（図示せず）を介してコロ１４８が回転して、基板ＧをモジュールＭ1からモジュールＭ8へ水平方向に搬送するようになっている。
【００６３】
図４において、プリウエット液供給ノズルＰＮ、現像液供給ノズルＤＮa，ＤＮbおよびリンス液供給ノズルＲＮは、それぞれノズル走査機構ＳＣP，ＳＣNおよびＳＣRによって搬送路１０８の上方を搬送路１０８と平行に移動するようになっている。
【００６４】
図５に、ノズル走査機構ＳＣ（ＳＣP，ＳＣN，ＳＣR）の一構成例を示す。このノズル走査機構ＳＣは、可動ノズルＮ（ＰＮ，ＤＮa，ＤＮb，ＲＮ）を支持するための断面が逆さコ字状のノズル搬送体１５０と、搬送路１０８の上方で搬送路１０８と平行にノズル搬送体１５０を案内するためのガイドレール（図示せず）と、該ガイドレールに沿って移動するようにノズル搬送体１５０を駆動する走査駆動部１５２とを有する。
【００６５】
走査駆動部１５２は、たとえば、ノズル搬送体１５０に１本または複数本の垂直支持部材１５４を介して結合された１本または複数本の無端ベルト１５６をガイドレールと平行に（つまり搬送路１０８と平行に）駆動プーリ１５８と遊動プーリ１６０との間に架け渡し、駆動プーリ１５８を電気モータ１６２の回転軸に作動結合してなる。電気モータ１６２の回転駆動力がプーリ１５８，１６０およびベルト１５６を介してベルト長さ方向（Ｘ方向）におけるノズル搬送体１５０の直進運動に変換される。電気モータ１６２の回転速度を制御することによってノズル搬送体１５０の直進移動速度を所望の値に調節し、電気モータ１６２の回転方向を切り替えることによってノズル搬送体１５０の直進移動方向を切り替えることができる。
【００６６】
ノズル搬送体１５０においては、左右両側面の内壁にたとえばエアシリンダ等のアクチエータからなる昇降駆動部１６６がそれぞれ取り付けられており、それら左右一対の昇降駆動部１６６の間にたとえば中空管からなる水平支持棹１６８が水平に架け渡されている。そして、この水平支持棹１６８の中心部から垂直下方に延在するたとえば中空管からなる垂直支持棹１７０の下端部に筒状の可動ノズルＮが吐出口ｎを下に向けて水平に取り付けられている。ノズルＮの吐出口ｎは、搬送路１０８の幅方向で基板Ｇの一端から他端までほぼ均一に処理液を供給できる範囲でノズル長手方向に一定間隔で多数形成された貫通孔でよく、あるいは１つまたは複数のスリットでもよい。
【００６７】
ノズル搬送体１５０内で、可動ノズルＮは、昇降駆動部１７０の昇降駆動により水平支持棹１６８および垂直支持棹１７０を介して昇降可能となっており、搬送路１０８上の基板Ｇに向けて処理液を吐出するための高さ位置と処理液を吐出しない間に搬送路１０８から退避しておくための高さ位置との間で上下移動できるようになっている。水平支持棹１６８の一端部には搬送路１０８の外に設置されている処理液供給源（図示せず）からの可撓性の処理液供給管１７２が引き込まれている。この処理液供給管１７２は、水平支持棹１６８および垂直支持棹１７０の中を通ってノズルＮの処理液導入口に接続されている。
【００６８】
図６に、乾燥部１１６における上部ベーパナイフＶＮUの外観を示す。図示のように、ベーパナイフＶＮUは、搬送方向と直交する水平方向（横方向）において少なくとも基板Ｇの一端から他端までカバーできる長さに亘って延在する長尺状に横長のノズル本体を有している。このノズル本体の先端部（下端部）には、ノズル長手方向に延在する一定間隔で多数形成された貫通孔または１本のスリットからなるノズル口または噴出口１７４が形成されている。ノズル本体の上面には１箇所または数箇所にベーパ供給管１７６が接続されている。後述するベーパ供給機構１７８（図７）より加圧された水蒸気がベーパ供給管１７６を介してベーパナイフＶＮUのノズル本体に導入され、先端の噴出口１７４より水蒸気が基板Ｇの上面（被処理面）に吹き付けられるようになっている。
【００６９】
図７に示すように、この実施形態におけるベーパ供給機構１７８は、水蒸気発生部１８０、ガス供給部１８２および送風機１８４を有する。水蒸気発生部１８０は、加熱、風力または超音波振動等を利用して液体たとえば純水を強制的に蒸発させる手段を有している。ガス供給部１８２は、清浄なエア（または窒素ガス）を常圧または陽圧で供給する。送風機１８４は、たとえばブロアまたはファンからなり、水蒸気発生部１８０からの水蒸気とガス供給部１８２からのエアとを入側に取り込み、出側より昇圧された水蒸気／エア混合ガスを吐き出す。送風機１８４の出側より吐き出された水蒸気／エア混合ガスは、ベーパ供給管１７６の中を通ってベーパナイフＶＮUのノズル本体に供給される。
【００７０】
ベーパナイフＶＮUのノズル本体は、送風機１８４から圧送されてくる水蒸気／エア混合ガスを導入するベーパ導入口１８６と、このベーパ導入口１８６より導入された水蒸気／エア混合ガスをいったん蓄積するバッファ室１８８と、このバッファ室１８８内の水蒸気／エア混合ガスを外へ吹き出す断面テーパ状の噴出部１９０とを有する。バッファ室１８８内の噴出部１９０の手前には整流用の多孔板１９２が取り付けられている。
【００７１】
水蒸気発生部１８０における水蒸気の発生量または発生レートを制御することによって、ベーパナイフＶＮUより噴射される水蒸気／エア混合ガスの水蒸気濃度を調節できる。また、送風機１８４の吐出圧力または吐出量を制御することによって、ベーパナイフＶＮより噴射される水蒸気／エア混合ガスの吐出圧力または吐出量を調節できる。
【００７２】
下部ベーパナイフＶＮLも、上部ベーパナイフＶＮUと同じ構成を有してよく、上記したベーパ供給機構１７８と同様のベーパ供給機構より水蒸気／エア混合ガスの供給を受けて、先端の噴出口より水蒸気を基板Ｇの下面（裏面）に吹き付けるようになっている。
【００７３】
図８および図９に、本実施形態におけるベーパナイフＶＮU，ＶＮLの配置構成例を示す。この配置構成では、搬送方向において上部ベーパナイフＶＮUよりも下部ベーパナイフＶＮLを下流側にオフセットさせて配置する形態を採る。両ベーパナイフＶＮU，ＶＮLは、搬送方向と平行な水平面内では互いにほぼ平行に、かつ搬送路１０８の左右横方向に対して斜めに傾けて配置され（図９）、搬送方向と直交する垂直面内では搬送方向に逆らう向きで気体を基板Ｇに吹き付ける姿勢で配置される（図８）。なお、この実施形態において「左」と「右」は搬送方向（Ｘ方向）を基準（前）としている。
【００７４】
次に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における作用を説明する。基板搬入部１１０は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１０８に移載する。搬送路１０８を構成するコロ１４８（図１０）は上記したように伝動機構を介して電気モータの回転駆動力で回転しているため、搬送路１０８に載った基板Ｇは直ちに隣の現像部１１２へ向けて搬送される。
【００７５】
現像部１１２において、基板Ｇは、先ずプリウエット部１２４に搬入され、コロ搬送中にプリウエット液供給ノズルＰＮよりプリウエット液としてたとえば純水または低濃度の現像液を吹き付けられる。この実施形態では、図５につき上述したようなノズル走査機構ＳＣPの走査駆動によりノズルＰＮが搬送路１０８に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Ｇの上面（被処理面）に向けてプリウエット液を吹き付ける。基板Ｇに当たって基板の外に飛び散ったプリウエット液または基板Ｇに当たらなかったプリウエット液は、搬送路１０８の下に設置されているプリウエット液パン１３２に受け集められる。
【００７６】
図１０の（Ａ）に示すように、搬送路１０８上の基板Ｇに向けてプリウエット液を吐出しながらノズルＰＮを走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設定した場合は、ノズル走査速度ｖNと基板搬送速度ｖGとを足し合わせた相対速度（ｖN＋ｖG）でノズルＮ（ＰＮ）が基板Ｇの前端から後端まで走査することになり、基板Ｇのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板Ｇの被処理面（レジスト表面）全体をプリウエット液で濡らすことができる。
【００７７】
プリウエット部１２４内で基板Ｇが下流側の所定位置に着くと、基板傾斜機構１３０が作動して基板Ｇを搬送路１０８より上に持ち上げて後向きに傾斜させる。この基板Ｇの傾斜姿勢により、基板Ｇ上に残留または付着しているプリウエット液の大部分が基板後方に流れ落ちてプリウエット液パン１３２に回収される。
【００７８】
プリウエット部１２４で上記のようなプリウエット処理を受けた基板Ｇは、次に搬送路１０８に乗って現像液供給部１２６に搬入される。現像液供給部１２６では、最初のモジュールＭ3を通過する間に現像液供給ノズルＤＮaより現像液を吹き付けられ、次のモジュールＭ4を通過する間にも現像液供給ノズルＤＮbより現像液を吹き付けられる。各現像液供給ノズルＤＮa，ＤＮbは、図５につき上述したようなノズル走査機構ＳＣNの走査駆動により搬送路１０８の上方で搬送路１０８に沿って水平に移動しながらコロ搬送中の基板Ｇの上面（被処理面）に向けて現像液を吹き付ける。この現像液の吹き付けで基板Ｇの外に落ちた液は、搬送路１０８の下に設置されている現像液パン１３４に受け集められる。
【００７９】
上記したプリウエット部１２４と同様に、現像液供給部１２６においても、図１０の（Ａ）に示すように搬送路１０８上の基板Ｇに向けて現像液を吐出しながらノズルＤＮを走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設定してよい。これにより、ノズルＤＮがノズル走査速度ｖNと基板搬送速度ｖGとを足し合わせた相対速度（ｖN＋ｖG）で基板Ｇの前端から後端まで走査することになり、基板Ｇのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板Ｇの被処理面（レジスト表面）全体に現像液を供給することができる。
【００８０】
この実施形態では、モジュールＭ3，Ｍ４毎に個別の現像液供給ノズルＤＮa，ＤＮbとノズル走査機構ＳＣNを設けているため、搬送路１０８上の基板Ｇに対して時間的かつ空間的なインターバルを置いて現像液を複数回供給可能であり、１回目と２回目とで現像液の特性（濃度等）を変えることもできる。
【００８１】
現像液供給部１２６で上記のようにして被処理面全体に現像液を供給された基板Ｇはそのまま搬送路１０８に乗って現像液落し部１２８に搬入される。そして、現像液落し部１２８内で下流側の所定位置に着くと、そこに設置されている基板傾斜機構１３０が作動して基板Ｇを搬送路１０８より上に持ち上げて基板Ｇを搬送方向に、しかもたとえば前向き、つまり前工程を行う現像液供給部１２６側が上側となるように基板Ｇを傾斜させる。この傾斜姿勢により、基板Ｇ上に盛られていた現像液の大部分が基板前方に流れ落ちて現像液パン１３４に回収される。このように、前工程を行う現像液供給部１２６側が上側となるように基板Ｇを傾斜させるので、現像液落とし部１２８で基板Ｇを傾けて液切りを行う際に、現像液パン１３４にて跳ね返った液が現像液供給部１２６側の基板Ｇに付着する可能性を低減できる。
【００８２】
現像部１１２で上記のような現像液の供給と回収を終えた基板Ｇは、搬送路１０８に乗ってリンス部１１４に搬入される。リンス部１１４では、図５につき上述したようなノズル走査機構ＳＣRの走査駆動によりリンス液供給ノズルＲＮが搬送路１０８に沿って水平に移動しながら搬送中の基板Ｇの上面（被処理面）に向けてリンス液たとえば純水を吹き付ける。基板Ｇの外に落ちたリンス液は、搬送路１０８の下に設置されているリンス液パン１３６に受け集められる。
【００８３】
リンス部１１４においても、図１０の（Ａ）に示すように搬送路１０８上の基板Ｇに向けて現像液を吐出しながらノズルＲＮを走査させる方向を基板搬送方向と逆向きに設定してよい。これにより、ノズルＲＮがノズル走査速度ｖNと基板搬送速度ｖGとを足し合わせた相対速度（ｖN＋ｖG）で基板Ｇの前端から後端まで走査することになり、基板Ｇのサイズが大きくてもごく短時間のうちに基板Ｇの被処理面（レジスト表面）全体にリンス液を供給して、速やかにリンス液への置換（現像停止）を行うことができる。なお、基板Ｇの裏面を洗浄するためのリンス液供給ノズル（図示せず）を搬送路１０８の下に設けてもよい。
【００８４】
リンス部１１４で上記のようなリンス工程を終えた基板Ｇは、搬送路１０８に乗って乾燥部１１６に搬入される。乾燥部１１６では、図４および図８に示すように搬送路１０８上を搬送される基板Ｇに対して所定位置に設置した上下のベーパナイフＶＮU，ＶＮLより基板上面（被処理面）および裏面にナイフ状の鋭利な水蒸気流を当てることにより、基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を基板後方へ払い落す（液切りする）。
【００８５】
ここで、この実施形態の乾燥部１１６におけるベーパナイフ機構の作用を詳細に説明する。図８に示すように、両ベーパナイフＶＮU，ＶＮLを通過する基板Ｇは、前段のリンス処理部Ｍ6でリンス液を浴びてきており、概して、基板上面にはリンス液が１つないし数個の液膜ＲUの形態で付いており、基板下面にもリンス液の液滴ＲLが多数付着している。
【００８６】
図１１の（Ａ）に示すように、搬送路１０８上で基板Ｇが上下ベーパナイフＶＮU，ＶＮLの間を通過する際、上部ベーパナイフＶＮUは搬送方向に逆らう向きで斜め上方から基板Ｇの上面に水蒸気を吹き付け、下部ベーパナイフＶＮLは搬送方向に逆らう向きで斜め下方から基板Ｇの下面に水蒸気を吹き付ける。そうすると、基板Ｇの上面では、図１１の（Ｂ）に示すように、水蒸気流の圧力でリンス液の液膜ＲUが表面張力に抗して基板後方へ押し寄せられ、大部分は基板後端から基板の外へ落とされ、一部は基板下面に廻り込む。そして、基板Ｇの下面では、図１１の（Ｃ）に示すように、水蒸気流の圧力でリンス液の液滴ＲLが基板後端部へ寄せ集められ、基板上面から廻り込んできた分と一緒に殆どが基板後端から基板Ｇの外へ押し出される。基板Ｇの外へ押し出された液は重力で落下してパン１３８に受け集められる。
【００８７】
このように、この実施形態では、表面にリンス液ＲＵ，ＲＬが付いている基板Ｇに対してベーパナイフＶＮU，ＶＮLより水蒸気を吹き付けて水蒸気流の圧力で基板上からリンス液を掃き出すようにしたので、リンス液を掃き出した後の基板表面は半乾きまたは生乾きの状態となる。つまり、基板Ｇに吹き付けられた水蒸気の一部が基板表面で液化することにより、リンス液を掃き出しても、基板表面は完全に乾くことはなく極薄の水膜Ｍで覆われた状態となる。このことにより、リンス液の飛散によって発生したミストの中でベーパナイフＶＮU，ＶＮLの下流側（搬送方向の前方側）に回って基板表面に付着するものがあっても、水膜Ｍの中で分散するため、シミを生じることはない。また、基板表面、特に上面（被処理面）のレジスト膜または下地膜から溶け出した液体も、やはり水膜Ｍの中で分散するため、凝集して残渣を生じるようなことはない。基板上の水膜Ｍは、極薄のために大気中でも蒸発しやすく、自然乾燥により１０秒ないし数１０秒も経過すれば大方消滅する。
【００８８】
また、この実施形態では、上部ベーパナイフＶＮUと下部ベーパナイフＶＮLとの間で搬送方向に位置的なオフセットをもたせることにより、基板Ｇの上面および下面における液の掃き寄せないし掃き出しに時間的なオフセットを与え、それによって基板後端における液切りを良好に行い、基板後端付近の液の残留を防止ないし低減することができる。
【００８９】
さらに、この実施形態では、両ベーパナイフＶＮU，ＶＮLが互いに平行状態で搬送路１０８の左右横方向に対して斜めに傾いていることにより、図１２に示すように基板Ｇの上面および下面において液ＲU，ＲLを基板後端部の同じ角隅部（図１２では左側の角隅部）の方に寄せ集めて対角線方向（矢印Ａの方向）に液切りすることができる。その際、矢印Ｂで示すように、反対側の角隅部（右側角隅部）側からの液が基板後端に沿って流れ、この流れの勢いで液切りが促進される。
【００９０】
乾燥部１１６で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１０８に乗って基板搬出部１１８に送られる。基板搬出部１１８は、基板搬入部１１０と同様の構成を有しており、基板搬送方向が搬入と搬出とで反対になるだけで基板搬入部１１０と同様に動作する。つまり、基板受け渡し用のリフトピン１２２を搬送路１０８よりも低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部１１６）から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２２の直上の所定位置に着いたならリフトピン１２２を上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
【００９１】
基板搬出部１１８より搬出された基板Ｇは、下流側隣の脱色プロセス部３０でｉ線照射による脱色処理を受けてから、第３の熱的処理部３６へ送られる。第３の熱的処理部３６では、上記のように先ず加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）でポストベーキングを受ける。したがって、第３の熱的処理部３６に搬入された時点で基板Ｇ上に未だ水膜Ｍが残っていたとしても、加熱処理（ポストベーキング）によって基板表面は強制的に乾燥状態となる。したがって、乾燥部１１６における液切りが不充分であっても、つまり基板Ｇ上に比較的厚い液膜が残っていても、特に支障はない。
【００９２】
この現像ユニット（ＤＥＶ）９４では、搬送路１０８上を多数の基板Ｇを所定の間隔を置いて一列に搬送しながらプリウエット部１２４、現像液供給部１２６、現像液落し部１２８、リンス部１１４および乾燥部１１６で各処理を順次施すようにしており、いわばパイプライン方式による高効率または高スループットの現像処理工程を実現することができる。
【００９３】
特に、プリウエット部１２４、現像液供給部１２６およびリンス部１１４では、搬送路１０８上の基板Ｇに対して処理液（プリウエット液、現像液、リンス液）を供給するノズルＰＮ，ＤＮa，ＤＮb，ＲＮを搬送路１０８の上方で搬送路１０８に沿って走査することにより、基板Ｇのサイズが大きくても、搬送路１０８の搬送速度が高くなくても、基板被処理面の全体に万遍無く処理液を短時間で迅速に供給することが可能である。とりわけ、現像液供給工程では、基板Ｇの搬送方向の一端部（先端部）と他端部（後端部）の間の処理液供給の時間差つまり現像開始の時間差を可及的に短くできるため、基板上の現像品質の面内均一性を向上させることができる。
【００９４】
なお、この実施形態のノズル走査機構ＳＣでは、ノズルＮを搬送路１０８に沿って双方向に走査できる構成であるから、図１０の（Ｂ）に示すようにノズルＮを基板搬送方向と同じ向きに走査しながら基板Ｇの被処理面全体に処理液Ｑを供給することも可能である。この場合は、ノズル走査速度ｖN'を基板搬送速度ｖGよりも大きな速度に設定する必要がある。
【００９５】
また、この実施形態は、プリウエット部１２４および現像液供給部１２６でスプレー方式の現像を行うように構成した。しかし、パドル方式に変形するのは簡単であり、現像液供給部１２６において現像液供給ノズルＤＮa，ＤＮbをスプレー型から液盛り型の吐出構造に交換すればよい。また、パドル方式では、プリウエット部１２４は要らなくなる。  
【００９６】
現像液供給部１２６において、現像液供給ノズルＤＮa，ＤＮbのいずれか片方（通常は下流側のＤＮb）を省く構成も可能である。また、搬送路１０８上における各可動ノズルＮの走査可能エリアを１モジュールＭを越える範囲に設定してもよく、隣接する可動ノズルが共通のガイドレールに相互乗り入れできる構成とすることも可能である。
【００９７】
上記した実施形態では他にも種々の変形が可能である。たとえば、図１３に示すように上部ベーパナイフＶＮUと下部ベーパナイフＶＮLとの間にオフセットをもたせずに垂直方向で重なる位置つまり搬送路１０８に対して真向かいの位置に配置する構成も可能である。また、図１４に示すように、基板Ｇの裏面に対する液切りには乾燥したエアーまたは窒素ガスを噴出する通常のエアーナイフＥＮを用いる構成も可能である。また、図示省略するが、ベーパナイフＶＮの直ぐ下流側にミストの拡散を防止するための隔壁板を設ける構成や、基板の乾燥を促進するための別個のエアーナイフ機構を設ける構成も可能である。
【００９８】
また、プリウエット部１２４、現像液供給部１２６およびリンス部１１４の一部または全部において定置型のノズルを用いる構成も可能である。搬送路１０８の駆動系を搬送方向において複数に分割し、各分割搬送路上の搬送動作（速度、停止等）を独立制御することも可能である。搬送路１０８はコロ搬送型に限るものではなく、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型も可能である。
【００９９】
上記した実施形態は現像ユニットまたは現像装置に係るものであったが、本発明は現像装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、たとえば上記のような塗布現像処理システムにおいては洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２にも適用可能である。すなわち、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における搬送路上のリンス処理部の下流側で上記実施形態と同様の乾燥処理を行うことができる。また、本発明はリンス液以外にも任意の液の液切りに適用可能であり、蒸気源には純水以外の液体も使用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、液切りまたは乾燥を必要とする任意の被処理基板が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図４】実施形態における現像ユニットの全体構成を示す側面図である。
【図５】実施形態におけるノズル走査機構の構成例を示す斜視図である。
【図６】実施形態におけるベーパナイフの外観を示す斜視図である。
【図７】実施形態におけるベーパ供給機構の構成を示すブロック図である。
【図８】実施形態におけるベーパナイフの配置構成を示す側面図である。
【図９】実施形態におけるベーパナイフの配置構成を示す平面図である。
【図１０】実施形態におけるノズル走査の作用を示す側面図である。
【図１１】実施形態におけるベーパナイフ機構の作用を示す側面図である。
【図１２】実施形態におけるベーパナイフ機構の作用を示す平面図である。
【図１３】実施形態における乾燥部の一変形例を示す側面図である。
【図１４】実施形態における乾燥部の一変形例を示す側面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０    塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ）  プロセスステーション
３２    現像プロセス部
９４（Ｄ／Ｖ）  現像ユニット
１０８    搬送路
１１２    現像部
１１４    リンス部
１１６    乾燥部
ＶＮU    上部ベーパナイフ
ＮＮL    下部ベーパナイフ
１８０    水蒸気発生部
１８２    ガス供給部
１８４    送風機
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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