(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタを要素に含む回路を用いて、歩留まり良く半導体シート、あるいは半導体チップを製造する技術を提供することを課題とする。【解決手段】素子層に可撓性を有する基材を接着する工程をｘ回（ｘ≧４の整数）行い、ｙ＋１回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着される基材の厚さは、ｙ回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着される基材の厚さと同じであるか又はｙ回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着する基材の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図１
2006270072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子層に可撓性を有する基材を接着する工程をｘ回（ｘ≧４の整数）行い、
ｙ＋１回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着される基材の厚さは、ｙ回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着される基材の厚さと同じであるか又はｙ回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着する基材の厚さよりも薄い
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
１回目からｘ−２回目（ｘ≧４の整数）迄の工程において、前記可撓性を有する基材は、それぞれ、光の照射によって粘着性が低下する粘着層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記粘着層は、接着時において５０００Ｎ／２０ｍｍよりも大きい粘着性を有し、光の照射後に４９０Ｎ／２０ｍｍよりも小さい粘着性を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記光は、紫外線であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ｘ−１回目及びｘ回目（ｘ≧４の整数）の工程において、前記可撓性を有する基材は、ホットメルト接着剤から成る接着層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
素子層を、可撓性を有し厚さが同じである二つの基材を用いて封止する工程をｍ回（ｍ≧２の整数）行い、
ｎ＋１回目（１≦ｎ≦ｍ−１の整数）の封止に用いられる基材の厚さは、ｎ回目（１≦ｎ≦ｍ−１の整数）の封止に用いられる基材の厚さよりも薄い
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
１回目からｍ−１回目（ｍ≧３の整数）迄の工程において、前記可撓性を有し厚さが同じである二つの基材は、それぞれ、光の照射によって粘着性が低下する粘着層を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記粘着層は、光の照射後に４９０Ｎ／２０ｍｍよりも小さい粘着性を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記光は、紫外線であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ｍ回目の工程において、前記可撓性を有し厚さが同じである二つの基材は、ホットメルト接着剤から成る接着層を有することを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
第１の側に可撓性を有する第１の基材が接着され、第２の側に可撓性を有し且つ前記第１の基材と同じ厚さの第２の基材が接着された素子層から、前記第１の基材を分離した後、前記第１の側に前記第１の基材よりも薄く且つ可撓性を有する第３の基材を接着し、
前記第３の基材が接着された前記素子層から前記第２の基材を分離した後、前記第２の側に、前記第３の基材と同じ厚さであり且つ可撓性を有する第４の基材を接着する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記素子層は、前記第１の側に保護層を有し、前記第２の側に絶縁層を有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第３の基材側に１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する第５の基材を接着させた状態で前記第２の基材を分離することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の基材と前記第２の基材とは、光の照射によって粘着性が低下する粘着層とを有することを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記光は、紫外線であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第３の基材と前記第４の基材とはホットメルト接着剤から成る接着層を有することを特徴とする請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
第１の側に可撓性を有する第１の基材が接着され第２の側に可撓性を有する第２の基材が接着された素子層から、前記第１の基材を分離した後、前記第１の側に前記第１の基材及び前記第２の基材よりも薄く且つ可撓性を有する第３の基材を接着し、
前記第３の基材が接着された前記素子層から前記第２の基材を分離した後、前記第２の側に、前記第３の基材よりも薄く可撓性を有する第４の基材を接着する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記素子層は、前記第１の側に保護層を有し、前記第２の側に絶縁層を有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第３の基材側に１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する第５の基材を接着させた状態で前記第２の基材を分離することを特徴とする請求項１７または請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の基材と前記第２の基材とは、光の照射によって粘着性が低下する粘着層とを有することを特徴とする請求項１７乃至請求項１９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記光は、紫外線であることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第３の基材と前記第４の基材とはホットメルト接着剤から成る接着層を有することを特徴とする請求項１７乃至請求項２１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に可撓性を有する基材を用いて封止された半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄片化した半導体チップが実装されたカードやタグ等の開発が行われている。これらのカードやタグには、個人情報あるいは商品の製造履歴に関する情報等が記憶され、認証あるいは商品管理等に利用されている。
【０００３】
ところで、これ迄に用いられてきた半導体チップは、シリコンウエハを材料として製造されていた。しかし、シリコンウエハは高価な材料であり、半導体チップの製造においては低コスト化を妨げる要因となってしまう。
【０００４】
そこで、近年、ガラス基板等を利用して作製された薄膜トランジスタをガラス基板等から分離してシート状あるいはフィルム状の集積回路を作製し、この集積回路をカードやタグ等に実装する技術の開発がおこなわれている。
【０００５】
薄膜トランジスタをガラス基板等の支持基板から分離する技術については、これ迄にも開発が行われており、例えば特許文献１に記載されているような、レーザー光を剥離層に照射して水素を放出させて分離する方法等がある。
【０００６】
このような薄膜トランジスタを支持基板から分離する技術の開発においては、歩留まり良く分離する為の技術の開発も不可欠である。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、薄膜トランジスタを構成要素に含む回路を用いて、歩留まり良く半導体シート、あるいは半導体チップを製造する技術を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、厚さの厚い基材に固定された半導体装置を、厚さの厚い基材から厚さの薄い基材へ移し替える工程を繰り返し行うことを特徴としている。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法の一は、素子層に可撓性を有する基材を接着する工程をｘ回（ｘ≧４の整数）行い、ｙ＋１回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着される基材の厚さは、ｙ回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着される基材の厚さと同じであるか又はｙ回目（１≦ｙ≦ｘ−１の整数）に接着する基材の厚さよりも薄いことを特徴としている。これによって、基材から分離することによって生じ得る素子層の損傷を低減することができ、半導体装置の製造の歩留まりが向上する。このような本発明の半導体装置の製造方法において、１回目からｘ−２回目（ｘ≧４の整数）迄の工程に用いられる基材は、紫外線等の光照射によって粘着性が低下するような粘着層を有する基材であることが好ましい。特に、接着時において５０００Ｎ／２０ｍｍよりも大きい粘着性を有し、光照射後に４９０Ｎ／２０ｍｍよりも小さい粘着性を有するような粘着層を有する基材であることが好ましい。これによって、素子層と基材の分離を容易にすることができ、素子層の損傷が低減する。また、ｘ−１回目及びｘ回目の工程に用いられる基材は、熱可塑性樹脂を主成分として含む組成物から成る接着層を有する基材であることが好ましく、特にホットメルト接着剤から成る接着層を有する基材であることが特に好ましい。これによって、人体などへの影響が非常に少なく低公害性である半導体装置を得ることができる。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法の一は、素子層を、可撓性を有し厚さが同じである二つの基材を用いて封止する工程をｍ回（ｍ≧２の整数）行い、ｎ＋１回目（１≦ｎ≦ｍ−１の整数）の封止に用いられる基材の厚さは、ｎ回目（１≦ｎ≦ｍ−１の整数）の封止に用いられる基材の厚さよりも薄いことを特徴としている。これによって、基材から分離することによって生じ得る素子層の損傷を低減することができ、半導体装置の製造の歩留まりが向上する。このような本発明の半導体装置の製造方法において、１回目からｍ−１回目（ｍ≧２の整数）迄の工程に用いられる基材は、紫外線等の光照射によって粘着性が低下するような粘着層を有する基材であることが好ましい。特に、光照射後に４９０Ｎ／２０ｍｍよりも小さい粘着性を有するような粘着層を有する基材であることが好ましい。これによって、素子層と基材の分離を容易にすることができ、素子層の損傷が低減する。また、ｍ回目の工程に用いられる基材は、熱可塑性樹脂を主成分として含む組成物から成る接着層を有する基材であることが好ましく、特にホットメルト接着剤から成る接着層を有する基材であることが特に好ましい。これによって、人体などへの影響が非常に少なく低公害性である半導体装置を得ることができる。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法の一は、保護層と絶縁層との間に素子を含む層を有し、保護層側に可撓性を有する第１の基材が接着され、絶縁層側に可撓性を有する第２の基材が接着された素子層から、第１の基材を分離した後、保護層側に、第１の基材よりも薄く可撓性を有する第３の基材を接着し、さらに、第３の基材が接着された素子層から第２の基材を分離した後、絶縁層側に、第２の基材よりも薄く可撓性を有する第４の基材を接着する工程を含むことを特徴としている。これによって、基材の反りによって生じ得る素子層の損傷を低減することができ、半導体装置の製造の歩留まりが向上する。このような本発明の半導体装置の製造方法において、第２の基材を分離は、第３の基材側に１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する第５の基材を接着させた状態で行うことが好ましい。これによって、第３の基材の反りによって生じ得る素子層の損傷を低減することができる。また、第１の基材と第２の基材とは、紫外線等の光照射によって粘着性が低下する粘着層とを有する基材であることが好ましい。特に、光照射後に４９０Ｎ／２０ｍｍよりも小さい粘着性を有するような粘着層を有する基材であることが好ましい。また、第３の基材と第４の基材とは熱可塑性樹脂を主成分として含む組成物から成る接着層を有する基材であることが好ましく、特にホットメルト接着剤から成る接着層を有する基材であることが特に好ましい。これによって、人体などへの影響が非常に少なく低公害性である半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明を実施することによって、応力に起因した素子層の損傷を低減でき、歩留まりが良好な半導体装置を製造することができる。また、本発明を実施することによって、応力に起因して素子層に含まれる素子の電気特性が低下してしまうことを防ぐことができる。また、本発明を実施することによって、５０μｍ以下の薄い基材を用いて素子層を封止した半導体装置を製造することができる。このような薄い基材によって素子層が封止された半導体装置は、曲げに対して耐性を有し、ロール・ツー・ロール方式を用いて製造するのに適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態１）
本発明の半導体装置の一態様について図１〜図６を用いて説明する。
【００１５】
図１（Ａ）において、基板１０１上には、剥離層１０２が設けられている。剥離層１０２上には絶縁層１０３が設けられており、絶縁層１０３上には、さらに、半導体層１０４ａまたは半導体層１０４ｂと、ゲート絶縁層１０５と、ゲート電極１０６ａまたはゲート電極１０６ｂを含むトランジスタ等が設けられている。トランジスタは、第１層間絶縁層１０７によって覆われている。第１層間絶縁層１０７上には配線１０８ａ、配線１０８ｂ、配線１０８ｃ、配線１０８ｄ、配線１０９ａ、配線１０９ｂ、配線１０９ｃ、配線１０９ｄが設けられており、配線１０８ａ、１０８ｂは半導体層１０４ａと、配線１０８ｃ、１０８ｄは半導体層１０４ｂと、それぞれ、第１層間絶縁層１０７に設けられた開口部を通って、電気的に接続している。配線１０８ａ〜配線１０８ｄ、配線１０９ａ〜配線１０９ｄは第２層間絶縁層１１０によって覆われている。第２層間絶縁層１１０上には配線１１１ａ、配線１１１ｂが設けられている。そして、配線１１１ａは配線１０８ａと、配線１１１ｂは配線１０８ｃと、第２層間絶縁層１１０に設けられた開口部を通って、電気的に接続している。第２層間絶縁層１１０上には、さらに、配線１１２ａ、配線１１２ｂ、配線１１２ｃ、配線１１２ｄが設けられており、これらの中で、配線１１２ａ、配線１１２ｃはそれぞれ配線１１１ａ、配線１１１ｂと電気的に接続するように設けられている。なお、配線１１２ａと配線１１２ｂと、配線１１２ｃと配線１１２ｄとは、それぞれ電気的に接続した一続きの配線となっている。また、配線１１２ａ〜配線１１２ｄは保護層１１３によって覆われている。
【００１６】
ここで、基板１０１について特に限定はなく、ガラス、石英、セラミック、プラスチック等、いずれの材料から成るものでもよく、トランジスタ等の素子を含む層である素子層１４０を作製している間、素子層１４０を支える為の支持基板として機能するものであればよい。
【００１７】
また、剥離層１０２は、珪素を含む層、または金属から成る層と該金属の酸化物から成る層とが積層して成る層のいずれかであることが好ましい。珪素を含む層として、例えば、珪素（Ｓｉ）を主成分として含む非晶質若しくは結晶質の半導体層、若しくは、珪素を主成分として含み非晶質成分および結晶質成分の両方を含む半導体層（セミアモルファス半導体とも言う。）等が挙げられる。また、金属から成る層と該金属の酸化物から成る層とが積層して成る層として、例えば、タングステン（Ｗ）から成る層とタングステン酸化物（ＷＯｘ）から成る層とが積層して成る層、ニオブ（Ｎｂ）から成る層とニオブ酸化物（ＮｂＯｘ）から成る層とが積層して成る層、チタン（Ｔｉ）から成る層とチタン酸化物（ＴｉＯｘ）から成る層とが積層して成る層等が挙げられる。
【００１８】
また、絶縁層１０３は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の絶縁物を用いて形成することが好ましい。なお、酸化窒化珪素とは、酸素と珪素との結合および窒素と珪素の結合の両方を含み、特に酸素と珪素の結合を窒素と珪素の結合よりも多く含む絶縁物である。また、窒化酸化珪素とは、酸素と珪素との結合および窒素と珪素の結合の両方を含み、特に窒素と珪素の結合を酸素と珪素の結合よりも多く含む絶縁物である。絶縁層１０３は単層でも多層でも構わない。なお、絶縁層１０３を窒化珪素または窒化酸化珪素を用いて形成した場合、基板１０１に含まれているアルカリ金属等の不純物が素子層１４０の方へ拡散することを防ぐことができる。また、基板１０１と剥離層１０２との間に窒化珪素または窒化酸化珪素から成る層を設けることでも、基板１０１に含まれているアルカリ金属等の不純物が素子層１４０の方へ拡散することを防ぐことができる。
【００１９】
半導体層１０４ａ、１０４ｂについて特に限定はなく、非晶質成分または結晶質成分を含む珪素、シリコンゲルマニウム等の半導体、または非晶質成分および結晶質成分の両方を含む珪素、シリコンゲルマニウム等の半導体を用いて形成されたものを用いることができる。半導体層１０４ａ、１０４ｂには、それぞれ、ソース若しくはドレインとして機能する領域と活性領域として機能する領域とが含まれていればよいが、この他に、ドレイン側から掛かる電界を緩和するための領域がドレインとして機能する領域と活性領域として機能する領域との間に設けられていてもよい。
【００２０】
ゲート絶縁層１０５についても特に限定はなく、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等の絶縁物を用いて形成すればよい。また、ゲート絶縁層１０５は、単層でも多層でもよい。
【００２１】
ゲート電極１０６ａ、１０６ｂについても特に限定はなく、導電物で形成されたものを用いることができる。導電物として、具体的には、タングステン、モリブデン、アルミニウム、銅等の金属が挙げられる。また、これらの金属と、珪素、またはネオジウム等との合金を用いてもよい。ゲート電極１０６ａ、１０６ｂは単層でも多層でもよく、また、形状についても特に限定はない。なお、ゲート電極１０６ａ、１０６ｂとゲート絶縁層１０５との密着性を良くする為に、ゲート電極１０６ａ、１０６ｂを多層とし、特にゲート絶縁層１０５と接する層を窒化チタン、窒化タンタル等のゲート絶縁層１０５と密着性のよい物質を用いて形成してもよい。
【００２２】
なお、図１（Ａ）では、トランジスタが図示されているが、この他に、容量素子、抵抗素子、ダイオード、メモリ素子等を適宜設けても構わない。また、各素子の構造等について特に限定はない。例えば、トランジスタは、シングルドレイン構造であっても、ＬＤＤ構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造のトランジスタにおいて、特に低濃度不純物領域とゲート電極とがオーバーラップした領域が設けられていてもよい。
【００２３】
第１層間絶縁層１０７についても特に限定はなく、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、シロキサン等の絶縁物によって形成されたものを用いればよい。なお、シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）等の元素を含み、さらにＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合（シロキサン結合）を含む化合物である。シロキサンには鎖状シロキサンの他、環状シロキサン等があり、具体的には、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキシオキサンポリマー、水素化シルセスキスオキサンポリマー等が挙げられる。また、これらの無機の絶縁物の他、アクリル、ポリイミド等の有機の絶縁物を用いて形成された第１層間絶縁層１０７であってもよい。第１層間絶縁層１０７は、単層でも多層でも構わない。
【００２４】
配線１０８ａ〜配線１０８ｄ、配線１０９ａ〜配線１０９ｄについても特に限定はないが、アルミニウム、銅等の低抵抗な導電物若しくは珪素等を含むこれらの合金を用いて形成されていることが好ましい。また、配線１０８ａ〜配線１０８ｄ、配線１０９ａ〜配線１０９ｄは、多層でも単層でもよい。多層とする場合、窒化チタン若しくは窒化タンタル等の金属窒化物から成る層の間にアルミニウム等の導電物から成る層が挟まれるように積層された層を用いることが好ましい。
【００２５】
第２層間絶縁層１１０について特に限定はなく、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、シロキサン等の絶縁物によって形成されたものを用いればよい。また、これらの無機の絶縁物の他、アクリル、ポリイミド等の有機の絶縁物を用いて形成された第２層間絶縁層１１０であってもよい。第２層間絶縁層１１０は、単層でも多層でも構わない。
【００２６】
配線１１１ａ、配線１１１ｂについて特に限定はなく、アルミニウム、銅、タングステン、モリブデン等の導電物によって形成されたものを用いればよい。また、配線１１１ａ、配線１１１ｂは、多層でも単層でもよい。
【００２７】
配線１１２ａ〜１１２ｄは銅、銀等を主成分として含む導電物によって形成されていることが好ましい。配線１１２ａ〜１１２ｄは、アンテナとして機能するように形成されている。配線１１２ａ〜１１２ｄの形成方法について特に限定は無くスクリーン印刷法等を用いて形成すればよい。
【００２８】
保護層１１３は、エポキシ樹脂等の樹脂によって形成されていることが好ましい。また、保護層１１３の厚さは、１５〜１００μｍであることが好ましい。これによって、配線１１２ａ〜１１２ｄ等の形状を反映して生じ得る保護層１１３の表面の凹凸が緩和される。
【００２９】
なお、本発明においては、絶縁層１０３と保護層１１３のとの間に挟まれ、トランジスタ等の素子を含む層をまとめて素子層１４０という。
【００３０】
以下に、基板１０１から素子層１４０を分離し、シート若しくはフィルムを用いて封止する方法について説明する。
【００３１】
先ず、保護層１１３、第２層間絶縁層１１０、第１層間絶縁層１０７、ゲート絶縁層１０５、絶縁層１０３を通って剥離層１０２へ至る開口部を設ける（図１（Ｂ））。開口部を設ける方法について特に限定はなく、エッチング等によって行えばよい。このように開口部を設けることによって、剥離層１０２をエッチングするときにエッチャントと剥離層１０２との接触面積が大きくなり、エッチングが容易になる。
【００３２】
次に、剥離層１０２を選択的にエッチングする。エッチングは、気体または液体のいずれを用いて行っても構わない。エッチングが進行するに伴い、エッチャントは素子層１４０と基板１０１との間に拡散し、剥離層１０２が除去されていく（図２（Ａ））。ここで、剥離層１０２が珪素若しくはタングステンを主成分として含むとき、剥離層１０２を選択的にエッチングできるガスとして三フッ化塩素（ＣｌＦ３）等を用いることが好ましい。また剥離層１０２が珪素で形成され、湿式法によりエッチングする場合、剥離層１０２を選択的にエッチングできる液体として、水酸化テトラメチルアンモニウム等を用いることが好ましい。なお、剥離層１０２は、必ずしも全てをエッチングする必要はなく、基板１０１と素子層１４０が分離できる程度に一部が付着したまま残っていても構わない。
【００３３】
次に、保護層１１３側に第１の基材１２１を接着させる（図２（Ｂ））。第１の基材１２１は、１００μｍ以上の厚さを有し可撓性を有するシート若しくはフィルム上に、紫外線照射または加熱によって粘着性が低下する粘着層が設けられたものであることが好ましい。具体的には、接着時において５０００Ｎ／２０ｍｍよりも大きい粘着性を有し、紫外線照射または加熱した後に４９０Ｎ／２０ｍｍよりも小さい粘着性を有するような粘着層が設けられた基材であることが好ましい。シート及びフィルムの材質について特に限定はなく、ポリエステル若しくはポリエチレンテレフタラート等から成るものを用いることができる。ここで、第１の基材１２１の厚さを１００μｍ以上とすることによって、基板１０１と第１の基材１２１の間で生じる応力を低減でき、基板１０１を分離するときに、第１の基材１２１が反ることによって素子層１４０が損傷することを防止することができる。
【００３４】
次に、基板１０１を第１の基材１２１が接着された素子層１４０から分離する（図３（Ａ））。そして、基板１０１を分離した後、第１の基材１２１に対し紫外線を照射する（図３（Ｂ））。これによって、第１の基材１２１の粘着性が低下する。また、紫外線を照射した後、さらに加熱処理すると、第１の基材１２１を剥がすときに、より剥がし易くなり、歩留まりが向上する。加熱処理は１２０℃〜１４０℃の温度で行うことが好ましい。
【００３５】
次に、絶縁層１０３側に第２の基材１２２を接着させる（図４（Ａ））。これによって、素子層１４０は、第１の基材１２１と第２の基材１２２との間に封止された状態となる（１回目の封止工程）。第２の基材１２２は、第１の基材１２１と同様に、１００μｍ以上の厚さを有し可撓性を有するシート状若しくはフィルム状の基部に、紫外線照射または加熱によって粘着性が低下する粘着層が設けられたものであることが好ましい。具体的には、接着時において５０００Ｎ／２０ｍｍよりも大きい粘着性を有し、紫外線照射または加熱した後に４９０Ｎ／２０ｍｍよりも小さい粘着性を有するような粘着層が設けられた基材であることが好ましい。基部の材質について特に限定はなく、ポリエステル若しくはポリエチレンテレフタラート等から成るものを用いることができる。ここで、第２の基材１２２を１００μｍ以上の厚さとすることによって、第１の基材１２１を分離するときに、第２の基材１２２が反ることによって素子層１４０が損傷することを防止することができる。
【００３６】
次に、第１の基材１２１を剥がした後（図４（Ｂ））、第２の基材１２２に対し紫外線を照射する（図５（Ａ））。紫外線の照射によって、第２の基材１２２の粘着性が低下する。また、紫外線を照射した後、さらに加熱処理すると、第２の基材１２２を剥がすときに、より剥がし易くなり、歩留まりが向上する。加熱処理は１２０℃〜１４０℃の温度で行うことが好ましい。
【００３７】
次に、保護層１１３側に、第３の基材１３１を接着する（図５（Ｂ））。第３の基材１３１は、５０μｍ以下の厚さを有し可撓性を有するシート状若しくはフィルム状の基部に、熱可塑性樹脂を主成分として含む接着層が設けられた基材であることが好ましい。より具体的には、接着層は、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系、ポリエステル系、ポリアミド系、熱可塑性エラストマー系、ポリオレフィン系等を主成分とし、ホットメルト接着剤とも呼ばれる組成物等から成ることが好ましい。ホットメルト接着剤は、有機溶剤を含まず、加熱により溶融させた後、冷却により固化させることによって物体と物体とを接着する接着剤である。ホットメルト接着剤は、接着時間が短く、人体等への影響が少ない等の利点を有する。また、基部は、接着層よりも軟化温度が高い材質から成るものであればよく、例えば、ポリエステル若しくはポリエチレンテレフタラート等から成るものを用いることができる。
【００３８】
次に、第２の基材１２２を剥がす。このとき、第３の基材１３１、つまり厚さの薄い方の基材に、取り外し可能で１００μｍ〜２００μｍの厚さを有するフィルムまたはシート等を補助用の基材として貼り付けておくことが好ましい。このように補助用の基材を貼り付けておくことで第３の基材１３１が反ることによって素子層１４０が損傷することを防止することができる。なお、補助用の基材としては、第１の基材１２１及び第２の基材１２２等と同様に、紫外線の照射によって粘着層の粘着性が低下する基材等が好ましい。第２の基材１２２を剥がした後、絶縁層１０３側に第４の基材１３２を接着させる（図６（Ａ））。第４の基材１３２は、第３の基材１３１と同様に、５０μｍ以下の厚さを有し可撓性を有するシート状若しくはフィルム状の基部に、熱可塑性樹脂を主成分として含む接着層が設けられた基材であることが好ましい。より具体的には、接着層は、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系、ポリエステル系、ポリアミド系、熱可塑性エラストマー系、ポリオレフィン系等を主成分とし、ホットメルト接着剤とも呼ばれる組成物等から成ることが好ましい。また、基部は、接着層よりも軟化温度が高い材質から成るものであればよく、例えば、ポリエステル若しくはポリエチレンテレフタラート等から成るものを用いることができる。
【００３９】
以上のような工程を経て、素子層１４０は第３の基材１３１と第４の基材１３２とによって封止される（２回目の封止工程）。第３の基材１３１及び第４の基材１３２のように、５０μｍ以下の厚さを有する薄い基材に素子層１４０を封止することによって、曲げに耐性を有するシート状の半導体装置を得ることができる。このような、曲げに耐性を有する半導体装置は、特にロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）方式と言われる生産方式によって生産するのに適している。また、基板１０１から直接、第３の基材１３１及び第４の基材１３２のような薄く可撓性を有する基材に素子層１４０を移し換えるのではなく、一旦、第１の基材１２１及び第２の基材１２２へ移し換えた後、さらに。第３の基材１３１及び第４の基材１３２のような薄い基材に素子層１４０を移し換えることによって、応力に起因した素子層１４０の破壊及び／又は素子層１４０に含まれる素子の電気特性の低下を低減することができ、歩留まりが向上する。また、本形態のように、無機物で形成された絶縁層１０３よりも樹脂で形成された保護層１１３側の方に先に厚さの薄い基材が設けられるようにして製造することで、応力に起因して生じ得る素子層１４０の損傷をより低減することができる。
【００４０】
なお、本形態では、第３の基材１３１と第４の基材１３２とは、シート状若しくはフィルム状の基部に接着層が設けられた構成であるが、これに限らず保護層１１３側および絶縁層１０３側を熱可塑性樹脂を主成分として含む組成物によってコーティングするのみでもよい。そして、コーティング後、５０μｍ以下の厚さを有し可撓性を有する基材を貼り付けてもよい。
【００４１】
また、第３の基材１３１および第４の基材１３２を酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等から成る膜で覆っても構わない。このような構成とすることで、基材等を介した素子層１４０への水分の混入を低減することができる。
【００４２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、剥離層が、金属から成る層と該金属の酸化物から成る層とが積層して成る層とを含む構成を有するときの、本発明の態様について図７〜図１２を用いて説明する。
【００４３】
図７（Ａ）において、基板２０１上には、絶縁層２０２が設けられており、絶縁層２０２上に剥離層２０３が設けられている。剥離層２０３は金属から成る第１の層２０３ａと該金属の酸化物から成る第２の層２０３ｂとが積層して成る。そして、剥離層２０３上には、絶縁層２０４と絶縁層２０５、絶縁層２０６とが順に積層されて設けられている。絶縁層２０６上には、さらに、半導体層２０７ａまたは半導体層２０７ｂと、ゲート絶縁層２０８と、ゲート電極２０９ａまたはゲート電極２０９ｂを含むトランジスタ等が設けられている。トランジスタは、第１層間絶縁層２１０によって覆われている。第１層間絶縁層２１０上には配線２１１ａ、配線２１１ｂ、配線２１１ｃ、配線２１１ｄ、配線２１２ａ、配線２１２ｂ、配線２１２ｃ、配線２１２ｄが設けられており、配線２１１ａ、２１１ｂは半導体層２０７ａと、配線２１１ｃ、２１１ｄは半導体層２０７ｂと、それぞれ、第１層間絶縁層２１０に設けられた開口部を通って、電気的に接続している。配線２１１ａ〜配線２１１ｄ、配線２１２ａ〜配線２１２ｄは第２層間絶縁層２１３によって覆われている。第２層間絶縁層２１３上には配線２１４ａ、配線２１４ｂが設けられている。そして、配線２１４ａは配線２１１ａと、配線２１４ｂは配線２１１ｃと、第２層間絶縁層２１３に設けられた開口部を通って、電気的に接続している。第２層間絶縁層２１３上には、さらに、配線２１５ａ、配線２１５ｂ、配線２１５ｃ、配線２１５ｄが設けられており、これらの中で、配線２１５ａ、配線２１５ｃはそれぞれ配線２１４ａ、配線２１４ｂと電気的に接続するように設けられている。なお、配線２１５ａと配線２１５ｂと、配線２１５ｃと配線２１５ｄとは、それぞれ電気的に接続した一続きの配線となっている。また、配線２１５ａ〜配線２１５ｄは保護層２１６によって覆われている。
【００４４】
基板２０１、半導体層２０７ａ、２０７ｂ、ゲート絶縁層２０８、ゲート電極２０９ａ、２０９ｂ、第１層間絶縁層２１０、配線２１１ａ〜２１１ｄ、配線２１２ａ〜配線２１２ｄ、第２層間絶縁層２１３、配線２１４ａ、２１４ｂ、配線２１５ａ〜２１５ｄ、保護層２１６は、それぞれ、実施の形態１に記載した基板１０１、半導体層１０４ａ、１０４ｂ、ゲート絶縁層１０５、ゲート電極１０６ａ、１０６ｂ、第１層間絶縁層１０７、配線１０８ａ〜１０８ｄ、配線１０９ａ〜配線１０９ｄ、第２層間絶縁層１１０、配線１１１ａ、１１１ｂ、配線１１２ａ〜１１２ｄ、保護層１１３と同様である。従って、本形態では、絶縁層２０２、２０４〜２０６、剥離層２０３（２０３ａ、２０３ｂ）とについて説明する。
【００４５】
絶縁層２０２は、酸化窒化珪素で形成されていることが好ましい。また、剥離層２０３において、第１の層２０３ａはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、鉛（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金を用いて形成されていることが好ましい。また、第２の層２０３ｂは第１の層２０３ａを構成する金属の酸化物から成ることが好ましい。これによって、基板と素子層２４０との分離が良好に行われ、歩留まりが向上する。絶縁層２０４は、酸化珪素で形成されていることが好ましく、特にスパッタリング法によって形成された酸化珪素であることが好ましい。特に第１の層２０３ａがタングステンから成るとき、絶縁層２０４をスパッタリング法によって形成することで、第１の層２０３ａ上に絶縁層２０４を設けると共に、第２の層２０３ｂを形成することができる。また、絶縁層２０５は、窒化酸化珪素、または窒化珪素で形成されていることが好ましい。これによって基板２０１に含まれる不純物が素子層２４０へ拡散するのを低減することができる。また、絶縁層２０６は、酸化窒化珪素若しくは酸化珪素で形成されていることが好ましい。これによって、絶縁層２０５と半導体層２０７ａ、２０７ｂとが直接積層するときよりも応力の発生を低減することができる。
【００４６】
なお、本発明においては、絶縁層２０５と保護層２１６のとの間に挟まれ、トランジスタ等の素子を含む層をまとめて素子層２４０という。
【００４７】
以下に、基板２０１から素子層２４０を分離した後、可撓性を有する基材を用いて素子層を封止する方法について説明する。
【００４８】
先ず、保護層２１６、第２層間絶縁層２１３、第１層間絶縁層２１０、ゲート絶縁層２０８、絶縁層２０５、２０６等を通って剥離層１０２へ至る開口部を設ける（図７（Ｂ））。開口部を設ける方法について特に限定はなく、エッチング等によって行えばよい。このように開口部を設けることによって、剥離層２０３をエッチングするときにエッチャントと剥離層２０３との接触面積が大きくなり、エッチングが容易になる。
【００４９】
次に、剥離層２０３を選択的にエッチングする。エッチングは、気体または液体のいずれを用いて行っても構わない。エッチングが進行するに伴い、エッチャントは素子層２４０と絶縁層２０２との間に拡散し、剥離層２０３が除去されていく（図８（Ａ））。ここで、剥離層２０３がタングステンを主成分として含むとき、剥離層２０３を選択的にエッチングできるガスとして三フッ化塩素（ＣｌＦ３）等を用いることが好ましい。また剥離層２０３が珪素で形成され、湿式法によりエッチングする場合、剥離層２０３を選択的にエッチングできる液体として、水酸化テトラメチルアンモニウム等を用いることが好ましい。なお、剥離層２０３は、必ずしも全てをエッチングする必要はなく、絶縁層２０２と素子層２４０が分離できる程度に一部が付着したまま残っていても構わない。
【００５０】
次に、保護層２１６側に第１の基材２２１を接着させる（図８（Ｂ））。これによって、素子層２４０は、第１の基材２２１と第２の基材２２２との間に封止された状態となる（１回目の封止工程）。第１の基材２２１は、実施の形態１に記載の第１の基材１２１と同様であるため、実施の形態１における記載を準用するものとし、本形態では第１の基材２２１についての説明を省略する。
【００５１】
次に、基板２０１を第１の基材２２１が接着された素子層２４０から分離する（図９（Ａ））。そして、基板１０１を分離した後、第１の基材２２１に対し紫外線を照射する（図９（Ｂ））。これによって、第１の基材２２１の粘着性が低下する。また、紫外線を照射した後、さらに加熱処理すると、第１の基材２２１を剥がすときに、より剥がし易くなり、歩留まりが向上する。加熱処理は１２０℃〜１４０℃の温度で行うことが好ましい。
【００５２】
次に、絶縁層２０４側に第２の基材２２２を接着させる（図１０（Ａ））。第２の基材２２２は、実施の形態１に記載の第２の基材１２２と同様であるため、実施の形態１における記載を準用するものとし、本形態では第２の基材２２２についての説明を省略する。
【００５３】
次に、第１の基材２２１を剥がし（図１０（Ｂ））、第２の基材２２２に対し紫外線を照射する（図１１（Ａ））。これによって、第２の基材２２２の粘着性が低下する。また、紫外線を照射した後、さらに加熱処理すると、第２の基材２２２を剥がすときに、より剥がし易くなり、歩留まりが向上する。加熱処理は１２０℃〜１４０℃の温度で行うことが好ましい。
【００５４】
次に、保護層２１６側に、第３の基材２３１を接着する（図１１（Ｂ））。第３の基材２３１は、実施の形態１に記載の第３の基材１３１と同様であるため、実施の形態１における記載を準用するものとし、本形態では第３の基材２３１についての説明を省略する。
【００５５】
次に、第２の基材２２２を剥がし、絶縁層２０４側に第４の基材２３２を接着させる（図１２（Ａ））。第４の基材２３２は、実施の形態１に記載の第４の基材１３２と同様であるため、実施の形態１における記載を準用するものとし、本形態では第４の基材２３２についての説明を省略する。
【００５６】
以上のような工程を経て、素子層２４０は第３の基材２３１と第４の基材２３２とによって封止される（２回目の封止工程）。第３の基材２３１及び第４の基材２３２のように、５０μｍ以下の厚さを有する薄い基材に素子層２４０を封止することによって、曲げに耐性を有するシート状の半導体装置を得ることができる。このような、曲げに耐性を有する半導体装置は、特にロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）方式と言われる生産方式によって生産するのに適している。また、基板２０１から直接、第３の基材２３１及び第４の基材２３２のような薄く可撓性を有する基材に素子層２４０を移し換えるのではなく、一旦、第１の基材２２１及び第２の基材２２２へ移し換えた後、さらに。第３の基材２３１及び第４の基材２３２のような薄い基材に素子層２４０を移し換えることによって、応力に起因した素子層２４０の破壊及び／又は素子層２４０に含まれる素子の電気特性の低下を低減することができ、歩留まりが向上する。また、本形態のように、無機物で形成された絶縁層２０４よりも樹脂で形成された保護層２１６側の方に先に厚さの薄い基材が設けられるようにして製造することで、応力に起因して生じ得る素子層２４０の損傷をより低減することができる。
【００５７】
なお、本形態では、第３の基材２３１と第４の基材２３２とは、シート状若しくはフィルム状の基部に接着層が設けられた構成であるが、これに限らず保護層２１６側および絶縁層２０４側を熱可塑性樹脂を主成分として含む組成物によってコーティングするのみでもよい。そして、コーティング後、５０μｍ以下の厚さを有し可撓性を有する基材を貼り付けてもよい。
【００５８】
また、第３の基材２３１および第４の基材２３２を酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等から成る膜で覆っても構わない。このような構成とすることで、基材等を介した素子層２４０への水分の混入を低減することができる。
【００５９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌ）方式を用いて本発明を実施する態様について図１３を用いて説明する。
【００６０】
本形態で用いる製造装置には、被処理物を搬送する機能を有する搬送手段３０１と、第１の基材３５２を供給する機能を有する第１の供給手段３０２と、第２の基材３５３を供給する機能を有する第２の供給手段３０３と、第３の基材３５４を供給する機能を有する第３の供給手段３０４と、第４の基材３５５を供給する第４の供給手段３０５と、第１の基材３５２を回収する機能を有する第１の回収手段３０６と、第２の基材３５３を回収する第２の回収手段３０７と、被処理物を回収するための第３の回収手段３０８と、被処理物に対し第１の基材３５２を接着させる機能を有する第１の接着手段３０９と、第１の基材３５２が接着された被処理物に対し第２の基材３５３を接着させる機能を有する第２の接着手段３１０と、第２の基材３５３が接着された被処理物に対し第３の基材３５４を接着させる機能を有する第３の接着手段３１１と、第３の基材３５４が接着された被処理物に対し第４の基材３５５を接着させる機能を有する第４の接着手段３１２とが設けられている。さらに、第１の基材３５２が搬送される方向を調節する為の軸として機能する第１の搬送ローラ３１３、第２の搬送ローラ３１４、第２の基材３５３が搬送される方向を調節する為の軸として機能する第３の搬送ローラ３１５が設けられている。第１の接着手段３０９、第２の接着手段３１０、第３の接着手段３１１、第４の接着手段３１２は、それぞれ、２つのローラを含み、これらのローラは、ローラとローラとの間に被処理物と基材とを挟むことによって圧力を加え被処理物に基材が接着されるように組み合わせられている。なお、第１の供給手段３０２〜第４の供給手段３０５、第１の回収手段３０６〜第３の回収手段３０８の構成について特に限定はないが、本形態では、供給手段、回収手段は、いずれもロールから成る。
【００６１】
上記のような装置を用いて実施の形態１または実施の形態２で述べたような本発明を実施する態様について説明する。
【００６２】
先ず、素子層３７１が設けられ、剥離層をエッチングする処理をされた基板３５１を、搬送手段３０１を用いて搬送し、第１の接着手段３０９へ搬送する。第１の接着手段３０９は、第１のローラ３０９ａと第２のローラ３０９ｂとから構成されており、第１のローラ３０９ａと第２のローラ３０９ｂとは、それぞれ回転方向が異なる。第１の接着手段３０９において、第１の供給手段３０２からは第１の基材３５２が第１のローラ３０９ａに沿って第１のローラ３０９ａと第２のローラ３０９ｂとの間に送り込まれると共に、基板３５１も第１のローラ３０９ａと第２のローラ３０９ｂとの間に送り込まれる。そして、基板３５１と第１の基材３５２との間に素子層３７１が挟まれるように、素子層３７１に第１の基材３５２が接着される。
【００６３】
次に、第１の搬送ローラ３１３によって、第１の基材３５２は基板３５１が搬送される方向とは異なる方向へ搬送される。これによって、素子層３７１と基板３５１とは分離し、素子層３７１は、第１の基材３５２にのみ接着された状態となる。そして、素子層３７１が接着された第１の基材３５２は、第２の接着手段３１０の方へ搬送される。ここで、第１の搬送ローラ３１３と第２の接着手段３１０との間には、紫外線を照射する機能を有する第１の照射手段３６１が設けられている。そして、素子層３７１と基板３５１との分離後であって第２の接着手段３１０へ搬送される前に、第１の基材３５２に対し、紫外線が照射される。これにより、第１の基材３５２の粘着層の粘着性が低下する。
【００６４】
第２の接着手段３１０は、第１のローラ３１０ａと第２のローラ３１０ｂとから構成されており、第１のローラ３１０ａと第２のローラ３１０ｂとは、それぞれ回転方向が異なる。第２の接着手段３１０において、第２の供給手段３０３からは第２の基材３５３が第１のローラ３１０ａに沿って第１のローラ３１０ａと第２のローラ３１０ｂとの間に送り込まれると共に、素子層３７１が接着された第１の基材３５２も第１のローラ３１０ａと第２のローラ３１０ｂとの間に送り込まれる。そして、第１の基材３５２と第２の基材３５３との間に素子層３７１が挟まれるように、素子層３７１に第２の基材３５３が接着される。
【００６５】
次に、第２の搬送ローラ３１４によって、第１の基材３５２は第２の基材３５３が搬送される方向とは異なる方向へ搬送される。これによって、素子層３７１と第１の基材３５２とは分離し、素子層３７１は、第２の基材３５３にのみ接着された状態となる。なお、第１の基材３５２は、第１の回収手段３０６へ巻き付けられて回収される。そして、素子層３７１が接着された第２の基材３５３は、第３の接着手段３１１の方へ搬送される。ここで、第２の搬送ローラ３１４と第３の接着手段３１１との間には、紫外線を照射する機能を有する第２の照射手段３６２が設けられている。そして、素子層３７１と第１の基材３５２との分離後であって第３の接着手段３１１へ搬送される前に、第２の基材３５３に対し、紫外線が照射される。これにより、第２の基材３５３の粘着層の粘着性が低下する。
【００６６】
第３の接着手段３１１は、第１のローラ３１１ａと第２のローラ３１１ｂとから構成されており、第１のローラ３１１ａと第２のローラ３１１ｂとは、それぞれ回転方向が異なる。第３の接着手段３１１において、第３の供給手段３０４からは第３の基材３５４が第１のローラ３１１ａに沿って第１のローラ３１１ａと第２のローラ３１１ｂとの間に送り込まれると共に、素子層３７１が接着された第２の基材３５３も第１のローラ３１１ａと第２のローラ３１１ｂとの間に送り込まれる。第１のローラ３１１ａには加熱手段が備えられており、第１のローラ３１１ａから加えられた熱によって第３の基材３５４の接着層は軟化する。そして、第２の基材３５３と第３の基材３５４との間に素子層３７１が挟まれるように、素子層３７１に第３の基材３５４が接着される。
【００６７】
次に、第３の搬送ローラ３１５によって、第２の基材３５３は第３の基材３５４が搬送される方向とは異なる方向へ搬送される。これによって、素子層３７１と第２の基材３５３とは分離し、素子層３７１は、第３の基材３５４にのみ接着された状態となる。なお、第２の基材３５３は、第２の回収手段３０７へ巻き付けられて回収される。そして、素子層３７１が接着された第３の基材３５４は、第４の接着手段３１２の方へ搬送される。
【００６８】
第４の接着手段３１２は、第１のローラ３１２ａと第２のローラ３１２ｂとから構成されており、第１のローラ３１２ａと第２のローラ３１２ｂとは、それぞれ回転方向が異なる。第４の接着手段３１２において、第４の供給手段３０５からは第４の基材３５５が第１のローラ３１２ａに沿って第１のローラ３１２ａと第２のローラ３１２ｂとの間に送り込まれると共に、素子層３７１が接着された第３の基材３５４も第１のローラ３１２ａと第２のローラ３１２ｂとの間に送り込まれる。第１のローラ３１２ａには加熱手段が備えられており、第１のローラ３１２ａから加えられた熱によって第４の基材３５５の接着層は軟化する。そして、第３の基材３５４と第４の基材３５５との間に素子層３７１が挟まれるように、素子層３７１に第４の基材３５５が接着される。
【００６９】
以上のようにして、第３の基材３５４と第４の基材３５５との間に素子層３７１が封止された半導体装置を製造することができる。この半導体装置は、第３の回収手段３０８へ巻き付けられて回収される。このように、ロールに半導体装置を巻き付けるようにして回収することで、半導体装置を折り曲げる必要が無く、折り曲げたことによって生じ得る半導体装置の損傷を防ぐことができる。また、本発明の半導体装置は、曲げに耐性を有する為、中心半径が短いロールに巻き付けた場合でも曲げによって生じ得る損傷が非常に起こり難く、歩留まり良く製造される。
【００７０】
（実施の形態４）
本発明において、素子層に設けられるトランジスタ等の素子の構造、及び回路構成については特に限定されない。
【００７１】
トランジスタは、例えば図１４に示すように、活性領域として機能する領域１５１ａと、ソース若しくはドレインとして機能する領域１５１ｂとの間に低濃度の不純物領域１５１ｃが設けられた半導体層１５１を含んで成るＬＤＤ構造のトランジスタであってもよい。また、ゲート電極１５３の側壁にはサイドウォール１５４が設けられていてもよい。サイドウォール１５４は、領域１５１ｂを設けるときに、高濃度の不純物が領域１５１ｃに添加されるのを防ぐマスクとして機能し、酸化珪素等の絶縁物で形成される。半導体層１５１とゲート電極１５３との間に設けられるゲート絶縁層１５２は、本形態に示す半導体装置のように、半導体層１５１のみを覆うように設けられていてもよい。このような構造のトランジスタでは、特にドレインとして機能する領域側からの電界を緩和し、ホットキャリアに起因したトランジスタの劣化を低減することができる。
【００７２】
なお、図１４において、図１に記載した符号と同一の符号は、図１に記載したものと同一の機能を有するものを表している。
【００７３】
（実施の形態５）
実施の形態１〜実施の形態３等に記載された方法により製造された、本発明の半導体装置は、カード、食品等の包装容器等の物品に実装される。そして、カードに実装された場合は、例えば名前、血液型、身長、体重、住所等の個人情報等の情報が記録され身分証明書として機能する。また、食品等の包装容器等に実装された場合は、食品の生産地、生産者、原料の生産地、製造年月日等の情報が記録され、流通業者或いは消費者等が商品の履歴等を知得するための手段として機能する。なお、本発明の半導体装置の製造方法によって製造された人体への害が少ない半導体装置は、特に食品、或いは人、動物等に装着する場合など、高い安全性を要求される場合に特に有効である。
【００７４】
また、この他にも、例えば、携帯電話機、財布等の所持品に本発明の半導体装置を実装し、通信機器の所持者の位置情報を得たり、或いは、所持者の個人情報を管理したりするのに用いてもよい。
【００７５】
また、図１５（Ｃ）に示すように、ペットの首輪等に本発明を適用して製造された半導体装置１００１を実装し、ペットに付帯させてもよい。これによって、ペットが逃げ出して迷子になった場合でも、ペットの位置情報をモニター１００２等（図１５（Ａ））を用いて確認することができる（なお、この場合電波を発信させる為のバッテリー１００３を備えておくことが好ましい）。さらに、半導体装置１００１に予め飼い主の情報や、予防注射に関する履歴等を記録しておくことで、逃げ出したペットを保護した人は、そのペットをどのように取り扱えばよいかが分かり、安心できる。また、図１５（Ｂ）に表されるように、ペットの飼い主１０１１と、ペット店１０１２と、動物病院１０１３等が情報を交換することが可能なネットワークを構築し、ペットに付帯させた半導体装置１００１に記録された情報を基にやり取りする為の手段として本発明を適用して製造された半導体装置を用いてもよい。このようなネットワークは、例えば、飼い主１０１１が長期間不在でペット店１０１２にペットを預けた場合にペットが病気になっても動物病院１０１３は、そのペットに関する履歴を容易に知ることができ、迅速に治療を行うことができる。
【００７６】
図１６には、飲料水用の瓶１０２１に本発明を適用して製造された半導体装置１０２０が実装された実施例が示されている。半導体装置１０２０には、飲料水に関する情報、例えば、製造年月日、製造者、原材料名等がリーダ／ライタ１０２２によって記録されている。
【００７７】
本発明の半導体装置は、歩留まり良く生産されたものである為、低価格で提供される。その為、上記のような態様で使用する際、使用に掛かる諸経費が節約でき、有効である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法の態様について説明する図。
【図１３】本発明の半導体装置をロール・ツー・ロール方式によって製造する態様について説明する図。
【図１４】本発明の半導体装置の構成の態様について説明する図。
【図１５】本発明を適用して製造した半導体装置の使用態様について説明する図。
【図１６】本発明を適用して製造した半導体装置の使用態様について説明する図。
【符号の説明】
【００７９】
１０１    基板
１０２    剥離層
１０３    絶縁層
１０４ａ    半導体層
１０４ｂ    半導体層
１０５    ゲート絶縁層
１０６ａ    ゲート電極
１０６ｂ    ゲート電極
１０７    第１層間絶縁層
１０８ａ    配線
１０８ｂ    配線
１０８ｃ    配線
１０８ｄ    配線
１０９ａ    配線
１０９ｂ    配線
１０９ｃ    配線
１０９ｄ    配線
１１０    第２層間絶縁層
１１１ａ    配線
１１１ｂ    配線
１１２ａ    配線
１１２ｂ    配線
１１２ｃ    配線
１１２ｄ    配線
１１３    保護層
１２１    第１の基材
１２２    第２の基材
１３１    第３の基材
１３２    第４の基材
１４０    素子層
２０１    基板
２０２    絶縁層
２０３    剥離層
２０３ａ    第１の層
２０３ｂ    第２の層
２０４    絶縁層
２０５    絶縁層
２０６    絶縁層
２０７ａ    半導体層
２０７ｂ    半導体層
２０８    ゲート絶縁層
２０９ａ    ゲート電極
２０９ｂ    ゲート電極
２１０    第１層間絶縁層
２１１ａ    配線
２１１ｂ    配線
２１１ｃ    配線
２１１ｄ    配線
２１２ａ    配線
２１２ｂ    配線
２１２ｃ    配線
２１２ｄ    配線
２１３    第２層間絶縁層
２１４ａ    配線
２１４ｂ    配線
２１５ａ    配線
２１５ｂ    配線
２１５ｃ    配線
２１５ｄ    配線
２１６    保護層
２２１    第１の基材
２２２    第２の基材
２３１    第３の基材
２３２    第４の基材
２４０    素子層
３０１    搬送手段
３０２    第１の供給手段
３０３    第２の供給手段
３０４    第３の供給手段
３０５    第４の供給手段
３０６    第１の回収手段
３０７    第２の回収手段
３０８    第３の回収手段
３０９    第１の接着手段
３０９ａ    第１のローラ
３０９ｂ    第２のローラ
３１０    第２の接着手段
３１０ａ    第１のローラ
３１０ｂ    第２のローラ
３１１    第３の接着手段
３１１ａ    第１のローラ
３１１ｂ    第２のローラ
３１２    第４の接着手段
３１２ａ    第１のローラ
３１２ｂ    第２のローラ
３１３    第１の搬送ローラ
３１４    第２の搬送ローラ
３１５    第３の搬送ローラ
３５１    基板
３５２    第１の基材
３５３    第２の基材
３５４    第３の基材
３５５    第４の基材
３６１    第１の照射手段
３６２    第２の照射手段
３７１    素子層
１５１    半導体層
１５１ａ    領域
１５１ｂ    領域
１５１ｃ    領域
１５２    ゲート絶縁層
１５３    ゲート電極
１５４    サイドウォール
１００１    半導体装置
１００２    モニター
１０１１    飼い主
１０１２    ペット店
１０１３    動物病院
１０２０    半導体装置
１０２１    瓶
１０２２    リーダ／ライタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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