(57)【要約】【課題】潰し工程中に潰パンチの先端面と第１外部端子とがくっついてしまうおそれを低減しつつ、第１外部端子の側面と樹脂との密着性を高める。【解決手段】半導体素子１の下面と第１外部端子２とを接続し、半導体素子１の上面と第２外部端子３とを内部端子４を介して接続し、半導体素子１と内部端子４と第１外部端子２の一部と第２外部端子３の一部とを樹脂６によって封止し、第１外部端子２の下面と第２外部端子３の下面と樹脂６の下面とを同一平面上に配置する半導体装置の製造方法において、第１外部端子２の下面２ｂと第１鈍角θ１をなす第１傾斜部２ｃ１と、第１外部端子２の下面２ｂと第２鈍角θ２をなす第２傾斜部２ｃ２とをテーパ付き潰パンチ１０による潰し工程によって第１外部端子２の側面２ｃ，２ｄに形成し、第１傾斜部２ｃ１と、第２傾斜部２ｃ２の少なくとも一部と、それらの境界部分とを樹脂６内に含める。【選択図】図１
2006313830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、前記半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、前記半導体素子と前記内部端子と前記第１外部端子の一部と前記第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、前記第１外部端子の下面と前記第２外部端子の下面と前記樹脂の下面とを同一平面上に配置する半導体装置の製造方法において、前記第１外部端子の下面と第１鈍角をなす第１傾斜部と、前記第１外部端子の下面と第２鈍角をなす第２傾斜部とをテーパ付き潰パンチによる潰し工程によって前記第１外部端子の側面に形成し、前記第１傾斜部と、前記第２傾斜部の少なくとも一部と、前記第１傾斜部と前記第２傾斜部との境界部分とを前記樹脂内に含めることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１鈍角を前記第２鈍角よりも大きくし、前記第１傾斜部よりも前記第２傾斜部を小さくしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記境界部分を前記半導体素子の前側端面よりも後側に配置したことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１外部端子の側面を前記第１傾斜部および前記第２傾斜部のみによって形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、半導体素子と内部端子と第１外部端子の一部と第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面と樹脂の下面とを同一平面上に配置する半導体装置の製造方法に関し、特には、第１外部端子の側面の潰し工程中に潰パンチの先端面と第１外部端子とがくっついてしまうおそれを低減しつつ、第１外部端子の側面と樹脂との密着性を高めることができる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体チップ（半導体素子）の下面と第１リード（第１外部端子）とを接続し、半導体チップ（半導体素子）の上面と第２リード（第２外部端子）とをコネクタ（内部端子）を介して接続し、半導体チップ（半導体素子）とコネクタ（内部端子）と第１リード（第１外部端子）の一部と第２リード（第２外部端子）の一部とを樹脂によって封止し、第１リード（第１外部端子）の下面と第２リード（第２外部端子）の下面と樹脂の下面とを同一平面上に配置する半導体素子（半導体装置）の製造方法が知られている。この種の半導体素子（半導体装置）の製造方法の例としては、例えば特開２００３−１３３４９７号公報に記載されたものがある。
【０００３】
特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）の製造方法では、第１リード（第１外部端子）の側面の一部が押圧されて潰され、第１リード（第１外部端子）の側面の一部に潰し部（段差部）が形成されている。つまり、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）の製造方法では、第１リード（第１外部端子）の側面の一部が潰されて階段状に変形せしめられ、第１リード（第１外部端子）と樹脂との接触面積が増大せしめられている。それにより、第１リード（第１外部端子）の側面と樹脂との密着性が高められている。
【０００４】
ところが、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）の製造方法では、第１リード（第１外部端子）の側面に形成された潰し部（段差部）が、第１リード（第１外部端子）の下面に平行な面と、第１リード（第１外部端子）の下面に垂直な面とによって構成されている。つまり、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）の製造方法では、平頭潰パンチによって第１リード（第１外部端子）の側面に潰し部（段差部）が形成されていると考えられる。そのため、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）の製造方法では、平頭潰パンチによって形成された潰し部（段差部）のうち、第１リード（第１外部端子）の下面に平行な面の面積が比較的大きくなっている。その結果、特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体素子（半導体装置）の製造方法では、平頭潰パンチによる第１リード（第１外部端子）の潰し工程中に、平頭潰パンチの先端面と第１リード（第１外部端子）の下面に平行な面とがくっついてしまうおそれがある。仮に、平頭潰パンチの先端面と第１リード（第１外部端子）の下面に平行な面とがくっついてしまうと、第１リード（第１外部端子）の潰し工程を中断して、平頭潰パンチの先端面から第１リード（第１外部端子）を取り外す必要性が生じてしまう。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３３４９７号公報
【特許文献２】特開平３−１１７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記問題点に鑑み、本発明は、第１外部端子の側面の潰し工程中に潰パンチの先端面と第１外部端子とがくっついてしまうおそれを低減し、第１外部端子の側面の潰し工程の作業効率を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
つまり、本発明は、第１外部端子の側面の潰し工程中に潰パンチの先端面と第１外部端子とがくっついてしまうおそれを低減しつつ、第１外部端子の側面と樹脂との密着性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、半導体素子の下面と第１外部端子とを接続し、前記半導体素子の上面と第２外部端子とを内部端子を介して接続し、前記半導体素子と前記内部端子と前記第１外部端子の一部と前記第２外部端子の一部とを樹脂によって封止し、前記第１外部端子の下面と前記第２外部端子の下面と前記樹脂の下面とを同一平面上に配置する半導体装置の製造方法において、前記第１外部端子の下面と第１鈍角をなす第１傾斜部と、前記第１外部端子の下面と第２鈍角をなす第２傾斜部とをテーパ付き潰パンチによる潰し工程によって前記第１外部端子の側面に形成し、前記第１傾斜部と、前記第２傾斜部の少なくとも一部と、前記第１傾斜部と前記第２傾斜部との境界部分とを前記樹脂内に含めることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
請求項２に記載の発明によれば、前記第１鈍角を前記第２鈍角よりも大きくし、前記第１傾斜部よりも前記第２傾斜部を小さくしたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、前記境界部分を前記半導体素子の前側端面よりも後側に配置したことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
請求項４に記載の発明によれば、前記第１外部端子の側面を前記第１傾斜部および前記第２傾斜部のみによって形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが同一平面上に配置されている。そのため、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが異なる平面上に配置されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。
【００１３】
更に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の下面と樹脂の下面とが同一平面上に配置されている。つまり、第１外部端子の下面が樹脂の外側に露出せしめられている。そのため、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも、半導体素子が発生した熱を第１外部端子の下面を介して外部に容易に拡散させることができる。つまり、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも半導体装置の放熱性を向上させることができる。
【００１４】
また、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、樹脂による封止が行われた後にフォーミング加工が行われないため、半導体素子に機械ストレスが付与されるのに伴って半導体素子にクラックが発生してしまうのを回避することができる。
【００１５】
更に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の下面と第１鈍角をなす第１傾斜部と、第１外部端子の下面と第２鈍角をなす第２傾斜部とがテーパ付き潰パンチによる潰し工程によって第１外部端子の側面に形成される。つまり、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の側面の潰し加工が、平頭潰パンチによって行われるのではなく、テーパ付き潰パンチによって行われる。そのため、第１外部端子（第１リード）の側面の潰し加工が平頭潰パンチによって行われる特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体装置の製造方法よりも、潰し工程中に潰パンチの先端面と第１外部端子とがくっついてしまうおそれを低減し、潰し工程の作業効率を向上させることができる。
【００１６】
また、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の側面の第１傾斜部および第２傾斜部が、エッチングに形成されるのではなく、また、特開平３−１１７５４号公報に記載された半導体装置の製造方法のように切欠きによって形成されるのでもなく、テーパ付き潰パンチによって形成される。そのため、第１外部端子の側面の第１傾斜部および第２傾斜部がエッチングまたは切欠きによって形成される場合よりも半導体装置の製造コストを抑制することができる。
【００１７】
更に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１傾斜部と、第２傾斜部の少なくとも一部と、第１傾斜部と第２傾斜部との境界部分とが樹脂内に含められる。つまり、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１傾斜部と第２傾斜部とが第１外部端子の側面に形成されない場合よりも、第１外部端子と樹脂との接触面積を増大させることができ、投錨効果を増大させることができる。それにより、第１外部端子の側面と樹脂との密着性を高めることができる。また、半導体素子に熱ストレスが付与されるのに伴って半導体素子にクラックが発生してしまうのを回避することができる。
【００１８】
すなわち、請求項１に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の側面の潰し工程中に潰パンチの先端面と第１外部端子とがくっついてしまうおそれを低減しつつ、第１外部端子の側面と樹脂との密着性を高めることができる。
【００１９】
好ましくは、テーパ付き潰パンチによる第１外部端子の側面の潰し工程は、第１外部端子および第２外部端子がリードフレームから切断される工程よりも前に設けられている。
【００２０】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、第１鈍角が第２鈍角よりも大きくされている。そのため、第１外部端子の下面と第１鈍角をなす第１傾斜部には、潰し工程によって潰パンチの先端面と平行な面が形成されず、第１外部端子の下面と第２鈍角をなす第２傾斜部には、潰し工程によって潰パンチの先端面と平行な面が形成されることになる。
【００２１】
更に、請求項２に記載の半導体装置の製造方法では、潰パンチの先端面とくっついてしまうおそれがある潰パンチの先端面と平行な面が形成されていない第１傾斜部よりも、潰パンチの先端面とくっついてしまうおそれがある潰パンチの先端面と平行な面が形成されている第２傾斜部が小さくされている。そのため、潰パンチの先端面とくっついてしまうおそれがある潰パンチの先端面と平行な面が形成されていない第１傾斜部より、潰パンチの先端面とくっついてしまうおそれがある潰パンチの先端面と平行な面が形成されている第２傾斜部が大きくされている場合よりも、潰パンチの先端面と第１外部端子とがくっついてしまうおそれを低減することができる。
【００２２】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法では、第１傾斜部と第２傾斜部との境界部分が、半導体素子の前側端面よりも後側に配置されている。そのため、第１傾斜部と第２傾斜部との境界部分が半導体素子の前側端面よりも前側に配置されている場合よりも第１傾斜部または第２傾斜部を小さくすることにより、第１外部端子を小型化し、それにより、半導体装置全体を小型化することができる。
【００２３】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法では、第１外部端子の側面が第１傾斜部および第２傾斜部のみによって形成されている。換言すれば、第１外部端子の側面に、第１外部端子の下面と垂直な面が含まれていない。そのため、第１外部端子の側面が、例えば第１傾斜部と、第２傾斜部と、第１外部端子の下面と垂直な面とによって形成されている場合よりも、第１外部端子の下面と例えば回路基板との間の半田接合の強度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の平面図、図１（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の正面図、図１（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の右側面図、図１（Ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の後側面図、図１（Ｅ）は第１の実施形態の半導体装置の裏面図である。第１の実施形態の半導体装置は左右対称に構成されているため、第１の実施形態の半導体装置の左側面図（図示せず）は図１（Ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置の右側面図と鏡像関係になる。
【００２５】
図２は第１の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図１に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂６を取り除いた状態を示した図である。詳細には、図２（Ａ）は図１（Ａ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂６を取り除いた状態を示した図、図２（Ｂ）は図１（Ｂ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂６を取り除いた状態を示した図、図２（Ｃ）は図１（Ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂６を取り除いた状態を示した図、図２（Ｄ）は図１（Ｄ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂６を取り除いた状態を示した図、図２（Ｅ）は図２（Ｃ）のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図、図２（Ｆ）は図１（Ｅ）に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂６を取り除いた状態を示した図である。
【００２６】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図１および図２に示すように、まず最初に、例えば、リードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている第１外部端子２の上面と、半導体素子１の下面とが、例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される。また、リードフレーム（図示せず）と一体化せしめられている第２外部端子３の上面と、半導体素子１の上面とが、内部端子４および例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される。
【００２７】
次いで、第１外部端子２の下面と、第２外部端子３の下面と、樹脂６の下面とが同一平面上に位置するように、半導体素子１と、内部端子４と、第１外部端子２の一部と、第２外部端子３の一部とが、樹脂６によって封止される。次いで、第１外部端子２および第２外部端子３がリードフレーム（図示せず）から切断され、図１に示した状態の第１の実施形態の半導体装置が得られる。
【００２８】
図３および図４は図１および図２に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２を詳細に示した図である。詳細には、図３（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の平面図、図３（Ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の右側面図、図３（Ｃ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の後側面図、図３（Ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の裏面図である。図４（Ａ）は第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の正面図、図４（Ｂ）は図３（Ｂ）のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図、図４（Ｃ）は図３（Ｂ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図である。
【００２９】
図３および図４において、２ａは第１外部端子２の上面を示しており、２ｂは第１外部端子２の下面を示しており、２ｃは第１外部端子２の右側面を示しており、２ｄは第１外部端子２の左側面を示しており、２ｅは第１外部端子２の前側面を示しており、２ｆは第１外部端子２の後側面を示している。
【００３０】
詳細には、第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２では、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）に示すように、右側面２ｃが、第１傾斜部２ｃ１と、第２傾斜部２ｃ２と、垂直部２ｃ３とによって構成されている。更に、詳細には、図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図４（Ｃ）に示すように、第１傾斜部２ｃ１が、第１外部端子２の下面２ｂと第１鈍角θ１をなす傾斜面２ｃ１ｂと、第１外部端子２の上面２ａと傾斜面２ｃ１ｂとに連なる端面２ｃ１ａとによって構成されている。
【００３１】
また、図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図４（Ｂ）に示すように、第２傾斜部２ｃ２が、第１外部端子２の下面２ｂと第２鈍角θ２をなす傾斜面２ｃ２ｂと、第１外部端子２の下面２ｂと平行な水平面２ｃ２ｃと、第１外部端子２の上面２ａと水平面２ｃ２ｃとに連なる端面２ｃ２ａとによって構成されている。更に、図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図４（Ａ）に示すように、垂直部２ｃ３が、第１外部端子２の下面２ｂと９０°をなす垂直面２ｃ３ａによって構成されている。
【００３２】
更に、図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図４（Ｂ）に示すように、第１傾斜部２ｃ１と第２傾斜部２ｃ２との境界部分には、第１外部端子２の前側面２ｅと平行であって、第１外部端子２の下面２ｂと９０°をなす垂直面２ｃ４が形成されている。
【００３３】
上述したように、第１の実施形態の半導体装置は左右対称に構成されているため、第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の左側面２ｄは、上述した第１外部端子２の右側面２ｃと鏡像関係になるように形成されている。
【００３４】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２の上面２ａと半導体素子１（図２参照）の下面とが例えば半田、導電性接着剤など（図示せず）によって接続される前に、テーパ付き潰パンチによる潰し工程において、第１傾斜部２ｃ１および第２傾斜部２ｃ２が、第１外部端子２の右側面２ｃおよび左側面２ｄに形成される。
【００３５】
図５は第１の実施形態の半導体装置の製造方法におけるテーパ付き潰パンチによる潰し工程と、従来の半導体装置の製造方法における平頭潰パンチによる潰し工程とを比較して説明するための図である。詳細には、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）は第１の実施形態の半導体装置の製造方法におけるテーパ付き潰パンチによる潰し工程を示しており、図５（Ｅ）、図５（Ｆ）、図５（Ｇ）および図５（Ｈ）は従来の半導体装置の製造方法における平頭潰パンチによる潰し工程を示している。
【００３６】
図５において、図１〜図４に示した参照番号と同一の参照番号は、図１〜図４に示した部品または部分と同一の部品または部分を示しており、１０は第１の実施形態の半導体装置の製造方法に用いられるテーパ付き潰パンチを示しており、１０ａはテーパ付き潰パンチ１０の先端面を示しており、１０ｂはテーパ付き潰パンチ１０の先端に形成されたテーパ面を示している。１０’は従来の半導体装置の製造方法に用いられる平頭潰パンチを示しており、１０ａ’は平頭潰パンチ１０’の先端面を示している。
【００３７】
また、２’は従来の半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の第１外部端子を示しており、２ａ’は第１外部端子２’の上面を示しており、２ｂ’は第１外部端子２’の下面を示している。２ｃ２ｃ’は第１外部端子２’の上面２ａ’および下面２ｂ’と平行な水平面を示している。
【００３８】
従来の半導体装置の製造方法では、図５（Ｅ）に示すように、先端にテーパ面が設けられておらず、水平な先端面１０ａ’のみが設けられている平頭潰パンチ１０’によって、第１外部端子２’の右側面および左側面が加工される。詳細には、図５（Ｆ）に示すように、平頭潰パンチ１０’の水平面１０ａ’によって斜線部分が潰され、それにより、図５（Ｇ）に示すように、第１外部端子２’の右側面および左側面が変形せしめられる。詳細には、図５（Ｈ）に示すように、第１外部端子２’の右側面に水平面２ｃ２ｃ’が形成され、第１外部端子２’の左側面は、右側面と鏡像関係になるように変形せしめられる。
【００３９】
ところが、従来の半導体装置の製造方法では、上述したように、平頭潰パンチ１０’の先端にテーパ面が設けられておらず、水平な先端面１０ａ’のみが設けられているため、第１外部端子２’の右側面および左側面に形成される水平面２ｃ２ｃ’の面積が比較的大きくなる。その結果、図５（Ｈ）に示すように、平頭潰パンチ１０’が持ち上げられる時に、平頭潰パンチ１０’の先端面１０ａ’が第１外部端子２’の右側面および左側面の水平面２ｃ２ｃ’とくっついてしまい、第１外部端子２’が平頭潰パンチ１０’に追従して持ち上げられてしまうおそれがある。
【００４０】
仮に、平頭潰パンチ１０’の先端面１０ａ’と第１外部端子２’の水平面２ｃ２ｃ’とがくっついてしまうと、第１外部端子２’の潰し工程を中断して、平頭潰パンチ１０’の先端面１０ａ’から第１外部端子２’を取り外す必要性が生じてしまう。
【００４１】
一方、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図５（Ａ）に示すように、水平な先端面１０ａおよびテーパ面１０ｂが先端に設けられているテーパ付き潰パンチ１０によって、第１外部端子２の右側面および左側面が加工される。詳細には、図５（Ｂ）に示すように、テーパ付き潰パンチ１０の水平面１０ａおよびテーパ面１０ｂによって斜線部分が潰され、それにより、図５（Ｃ）に示すように、第１外部端子２の右側面および左側面が変形せしめられる。詳細には、図５（Ｄ）に示すように、第１外部端子２の右側面に傾斜面２ｃ２ｂおよび水平面２ｃ２ｃが形成され、第１外部端子２の左側面は、右側面と鏡像関係になるように変形せしめられる。
【００４２】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、上述したように、テーパ付き潰パンチ１０の先端にテーパ面１０ｂが設けられているため、第１外部端子２の右側面および左側面に形成される水平面２ｃ２ｃの面積が比較的小さくなる。その結果、図５（Ｄ）に示すように、テーパ付き潰パンチ１０が持ち上げられる時に、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａが第１外部端子２の右側面および左側面の水平面２ｃ２ｃとくっつくのに伴って、第１外部端子２がテーパ付き潰パンチ１０に追従して持ち上げられてしまうおそれを低減することができる。
【００４３】
つまり、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａにくっついた第１外部端子２を、第１外部端子２の潰し工程を中断して、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａから取り外さなければならないおそれを低減することができる。
【００４４】
詳細には、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、図５（Ｈ）に示す従来の半導体装置の第１外部端子２’の下面２ｂ’の幅寸法より、図５（Ｄ）に示す第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の下面２ｂの幅寸法を大きくしつつ、図５（Ｈ）に示す従来の半導体装置の第１外部端子２’の水平面２ｃ２ｃ’と平頭潰パンチ１０’の先端面１０ａ’とがくっついてしまうおそれより、図５（Ｄ）に示す第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の水平面２ｃ２ｃとテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａとがくっついてしまうおそれを低減することができる。
【００４５】
つまり、第１の実施形態の半導体装置によれば、図５（Ｅ）、図５（Ｆ）、図５（Ｇ）および図５（Ｈ）に示す従来の半導体装置より第１外部端子２の下面２ｂの幅寸法を大きくすることにより、図５（Ｅ）、図５（Ｆ）、図５（Ｇ）および図５（Ｈ）に示す従来の半導体装置より第１外部端子２の下面２ｂからの放熱効果を高めることができる。
【００４６】
詳細には、第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ｅ）に示すように、第１外部端子２の下面の幅寸法（図２（Ｅ）の左右方向寸法）が、半導体素子１の幅寸法（図２（Ｅ）の左右方向寸法）より大きくされている。また、図２（Ｃ）に示すように、第１外部端子２の下面の奥行き寸法（図２（Ｃ）の左右方向寸法）が、半導体素子１の奥行き寸法（図２（Ｃ）の左右方向寸法）より大きくされている。
【００４７】
また、第１の実施形態の半導体装置では、図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図３（Ｄ）に示すように、第１外部端子２の後側面２ｆにも、下面２ｂと鈍角をなす傾斜面が形成されている。
【００４８】
第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ｃ）に示したように、第１外部端子２の下面と第２外部端子３の下面とが同一平面上に配置されている。そのため、第１外部端子の下面と第２外部端子の下面とが異なる平面上に配置されている場合よりも、半導体装置全体を薄型にすることができる。
【００４９】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ｃ）に示したように、第１外部端子２の下面と樹脂６の下面とが同一平面上に配置されている。つまり、第１外部端子２の下面が樹脂６の外側に露出せしめられている。そのため、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも、半導体素子１が発生した熱を第１外部端子２の下面を介して外部に容易に拡散させることができる。つまり、第１外部端子の下面が樹脂によって封止されている場合よりも半導体装置の放熱性を向上させることができる。
【００５０】
また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、樹脂６による封止が行われた後にフォーミング加工が行われないため、半導体素子１に機械ストレスが付与されるのに伴って半導体素子１にクラックが発生してしまうのを回避することができる。
【００５１】
更に、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図４（Ｃ）に示したように第１外部端子２の下面２ｂと第１鈍角θ１をなす傾斜面２ｃ１ｂを有する第１傾斜部２ｃ１（図３（Ａ）参照）と、図４（Ｂ）に示したように第１外部端子２の下面２ｂと第２鈍角θ２をなす傾斜面２ｃ２ｂを有する第２傾斜部２ｃ２（図３（Ａ）参照）とが、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）に示したようなテーパ付き潰パンチ１０による潰し工程によって、第１外部端子２の右側面２ｃおよび左側面２ｄに形成される。
【００５２】
すなわち、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２の右側面２ｃおよび左側面２ｄの潰し加工が、図５（Ｅ）、図５（Ｆ）、図５（Ｇ）および図５（Ｈ）に示したような平頭潰パンチ１０’によって行われるのではなく、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）に示したようなテーパ付き潰パンチ１０によって行われる。そのため、第１外部端子（第１リード）の側面の潰し加工が平頭潰パンチによって行われる特開２００３−１３３４９７号公報に記載された半導体装置の製造方法よりも、潰し工程中にテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと第１外部端子２とがくっついてしまうおそれを低減し、潰し工程の作業効率を向上させることができる。
【００５３】
また、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、第１外部端子２の右側面２ｃの第１傾斜部２ｃ１および第２傾斜部２ｃ２が、エッチングに形成されるのではなく、また、特開平３−１１７５４号公報に記載された半導体装置の製造方法のように切欠きによって形成されるのでもなく、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）に示したようなテーパ付き潰パンチ１０によって形成される。そのため、第１外部端子の側面の第１傾斜部および第２傾斜部がエッチングまたは切欠きによって形成される場合よりも半導体装置の製造コストを抑制することができる。
【００５４】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図２および図３に示すように、第１傾斜部２ｃ１と、第２傾斜部２ｃ２と、第１傾斜部２ｃ１と第２傾斜部２ｃ２との境界部分の垂直面２ｃ４とが、樹脂６内に含められる。つまり、第１の実施形態の半導体装置では、第１傾斜部と第２傾斜部とが第１外部端子の側面に形成されない場合よりも、第１外部端子２と樹脂６との接触面積を増大させることができ、投錨効果を増大させることができる。それにより、第１外部端子２の右側面２ｃおよび左側面２ｄと樹脂６との密着性を高めることができる。また、半導体素子１に熱ストレスが付与されるのに伴って半導体素子１にクラックが発生してしまうのを回避することができる。
【００５５】
すなわち、第１の実施形態の半導体装置の製造方法では、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）に示したような第１外部端子２の右側面２ｃおよび左側面２ｄの潰し工程中にテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと第１外部端子２とがくっついてしまうおそれを低減しつつ、第１外部端子２の右側面２ｃおよび左側面２ｄと樹脂６との密着性を高めることができる。
【００５６】
また、第１の実施形態の半導体装置では、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）に示すように、第１鈍角θ１が第２鈍角θ２よりも大きくされている。そのため、第１外部端子２の下面２ｂと第１鈍角θ１をなす傾斜面２ｃ１ｂを有する第１傾斜部２ｃ１には、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）に示したような潰し工程によってテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと平行な水平面が形成されず、第１外部端子２の下面２ｂと第２鈍角θ２をなす傾斜面２ｃ２ｂを有する第２傾斜部２ｃ２には、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図５（Ｄ）に示したような潰し工程によってテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと平行な水平面２ｃ２ｃが形成されることになる。
【００５７】
更に、第１の実施形態の半導体装置では、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａ（図５参照）とくっついてしまうおそれがあるテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと平行な水平面が形成されていない第１傾斜部２ｃ１よりも、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａとくっついてしまうおそれがあるテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと平行な水平面２ｃ２ｃが形成されている第２傾斜部２ｃ２が小さくされている。詳細には、第２傾斜部２ｃ２の奥行き寸法（図３（Ａ）および図３（Ｂ）の左右方向寸法）が、第１傾斜部２ｃ１の奥行き寸法（図３（Ａ）および図３（Ｂ）の左右方向寸法）より小さくされている。そのため、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａとくっついてしまうおそれがあるテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと平行な水平面が形成されていない第１傾斜部より、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａとくっついてしまうおそれがあるテーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと平行な水平面が形成されている第２傾斜部が大きくされている場合よりも、テーパ付き潰パンチ１０の先端面１０ａと第１外部端子２とがくっついてしまうおそれを低減することができる。
【００５８】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施形態について説明する。図６は第２の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。詳細には、図６（Ａ）は第２の実施形態の半導体装置の平面図、図６（Ｂ）は第２の実施形態の半導体装置の正面図、図６（Ｃ）は第２の実施形態の半導体装置の右側面図、図６（Ｄ）は第２の実施形態の半導体装置の後側面図、図６（Ｅ）は第２の実施形態の半導体装置の裏面図である。第２の実施形態の半導体装置は左右対称に構成されているため、第２の実施形態の半導体装置の左側面図（図示せず）は図６（Ｃ）に示した第２の実施形態の半導体装置の右側面図と鏡像関係になる。
【００５９】
図７は第２の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図６に示した第２の実施形態の半導体装置から樹脂１６を取り除いた状態を示した図である。詳細には、図７（Ａ）は図６（Ａ）に示した第２の実施形態の半導体装置から樹脂１６を取り除いた状態を示した図、図７（Ｂ）は図６（Ｂ）に示した第２の実施形態の半導体装置から樹脂１６を取り除いた状態を示した図、図７（Ｃ）は図６（Ｃ）に示した第２の実施形態の半導体装置から樹脂１６を取り除いた状態を示した図、図７（Ｄ）は図６（Ｄ）に示した第２の実施形態の半導体装置から樹脂１６を取り除いた状態を示した図、図７（Ｅ）は図７（Ｃ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図、図７（Ｆ）は図６（Ｅ）に示した第２の実施形態の半導体装置から樹脂１６を取り除いた状態を示した図である。
【００６０】
図６および図７において、１２は第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子を示している。
【００６１】
図８は図６および図７に示した第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２を詳細に示した図である。詳細には、図８（Ａ）は第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２の平面図、図８（Ｂ）は第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２の右側面図、図８（Ｃ）は第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２の後側面図、図８（Ｄ）は第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２の裏面図である。
【００６２】
図８において、１２ａは第１外部端子１２の上面を示しており、１２ｂは第１外部端子１２の下面を示しており、１２ｃは第１外部端子１２の右側面を示しており、１２ｄは第１外部端子１２の左側面を示しており、１２ｅは第１外部端子１２の前側面を示しており、１２ｆは第１外部端子１２の後側面を示している。
【００６３】
詳細には、第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２では、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、右側面１２ｃが、第１傾斜部１２ｃ１と、第２傾斜部１２ｃ２と、垂直部１２ｃ３とによって構成されている。
【００６４】
更に詳細には、第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２の第１傾斜部１２ｃ１の断面は、図４（Ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の第１傾斜部２ｃ１の断面と同様に構成されている。つまり、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、第１傾斜部１２ｃ１が、第１外部端子１２の下面１２ｂと第１鈍角θ１（図４（Ｃ）参照）をなす傾斜面１２ｃ１ｂと、第１外部端子１２の上面１２ａと傾斜面１２ｃ１ｂとに連なる端面１２ｃ１ａとによって構成されている。
【００６５】
また、第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２の第２傾斜部１２ｃ２の断面は、図４（Ｂ）に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の第２傾斜部２ｃ２の断面と同様に構成されている。つまり、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、第２傾斜部１２ｃ２が、第１外部端子１２の下面１２ｂと第２鈍角θ２（図４（Ｂ）参照）をなす傾斜面１２ｃ２ｂと、第１外部端子１２の下面１２ｂと平行な水平面１２ｃ２ｃと、第１外部端子１２の上面１２ａと水平面１２ｃ２ｃとに連なる端面１２ｃ２ａとによって構成されている。更に、図８（Ｂ）に示すように、垂直部１２ｃ３が、第１外部端子１２の下面１２ｂと９０°をなす垂直面１２ｃ３ａによって構成されている。
【００６６】
更に、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、第１傾斜部１２ｃ１と第２傾斜部１２ｃ２との境界部分には、第１外部端子１２の前側面１２ｅと平行であって、第１外部端子１２の下面１２ｂと９０°をなす垂直面１２ｃ４が形成されている。
【００６７】
上述したように、第２の実施形態の半導体装置は左右対称に構成されているため、第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２の左側面１２ｄは、上述した第１外部端子１２の右側面１２ｃと鏡像関係になるように形成されている。
【００６８】
第１の実施形態の半導体装置では、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示したように、第１傾斜部２ｃ１と第２傾斜部２ｃ２との境界部分が、半導体素子１の前側面よりも前側（図２（Ｃ）の左側）に配置されているのに対し、第２の実施形態の半導体装置では、図７（Ｃ）、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、第１傾斜部１２ｃ１と第２傾斜部１２ｃ２との境界部分が、半導体素子１の前側面よりも後側（図７（Ｃ）の右側）に配置されている。つまり、第２の実施形態の半導体装置の第１傾斜部１２ｃ１は、第１の実施形態の半導体装置の第１傾斜部２ｃ１より小さくされている。それに伴って、第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２が、第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２より小さくされ、その結果、第２の実施形態の半導体装置が、第１の実施形態の半導体装置より小型化されている。
【００６９】
第２の実施形態の半導体装置の製造方法は、上述した点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置の製造方法とほぼ同様に構成されている。従って、第２の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、上述した第１の実施形態の半導体装置の製造方法とほぼ同様の効果を奏することができる。また、第２の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置によれば、上述した点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。
【００７０】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の第３の実施形態について説明する。図９は第３の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。詳細には、図９（Ａ）は第３の実施形態の半導体装置の平面図、図９（Ｂ）は第３の実施形態の半導体装置の正面図、図９（Ｃ）は第３の実施形態の半導体装置の右側面図、図９（Ｄ）は第３の実施形態の半導体装置の後側面図、図９（Ｅ）は第３の実施形態の半導体装置の裏面図である。第３の実施形態の半導体装置は左右対称に構成されているため、第３の実施形態の半導体装置の左側面図（図示せず）は図９（Ｃ）に示した第３の実施形態の半導体装置の右側面図と鏡像関係になる。
【００７１】
図１０は第３の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図９に示した第３の実施形態の半導体装置から樹脂２６を取り除いた状態を示した図である。詳細には、図１０（Ａ）は図９（Ａ）に示した第３の実施形態の半導体装置から樹脂２６を取り除いた状態を示した図、図１０（Ｂ）は図９（Ｂ）に示した第３の実施形態の半導体装置から樹脂２６を取り除いた状態を示した図、図１０（Ｃ）は図９（Ｃ）に示した第３の実施形態の半導体装置から樹脂２６を取り除いた状態を示した図、図１０（Ｄ）は図９（Ｄ）に示した第３の実施形態の半導体装置から樹脂２６を取り除いた状態を示した図、図１０（Ｅ）は図１０（Ｃ）のＥ−Ｅ線に沿って切断した断面図、図１０（Ｆ）は図９（Ｅ）に示した第３の実施形態の半導体装置から樹脂２６を取り除いた状態を示した図である。
【００７２】
図９および図１０において、２２は第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子を示している。
【００７３】
図１１は図９および図１０に示した第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２を詳細に示した図である。詳細には、図１１（Ａ）は第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２の平面図、図１１（Ｂ）は第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２の右側面図、図１１（Ｃ）は第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２の後側面図、図１１（Ｄ）は第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２の裏面図である。
【００７４】
図１１において、２２ａは第１外部端子２２の上面を示しており、２２ｂは第１外部端子２２の下面を示しており、２２ｃは第１外部端子２２の右側面を示しており、２２ｄは第１外部端子２２の左側面を示しており、２２ｅは第１外部端子２２の前側面を示しており、２２ｆは第１外部端子２２の後側面を示している。
【００７５】
詳細には、第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２では、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、右側面２２ｃが、第１傾斜部２２ｃ１と、第２傾斜部２２ｃ２とによって構成されており、右側面２２ｃに垂直部２ｃ３（図３（Ａ）参照）が設けられていない。
【００７６】
更に詳細には、第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２の第１傾斜部２２ｃ１の断面は、図４（Ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の第１傾斜部２ｃ１の断面と同様に構成されている。つまり、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、第１傾斜部２２ｃ１が、第１外部端子２２の下面２２ｂと第１鈍角θ１（図４（Ｃ）参照）をなす傾斜面２２ｃ１ｂと、第１外部端子２２の上面２２ａと傾斜面２２ｃ１ｂとに連なる端面２２ｃ１ａとによって構成されている。
【００７７】
また、第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２の第２傾斜部２２ｃ２の断面は、図４（Ｂ）に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２の第２傾斜部２ｃ２の断面と同様に構成されている。つまり、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、第２傾斜部２２ｃ２が、第１外部端子２２の下面２２ｂと第２鈍角θ２（図４（Ｂ）参照）をなす傾斜面２２ｃ２ｂと、第１外部端子２２の下面２２ｂと平行な水平面２２ｃ２ｃと、第１外部端子２２の上面２２ａと水平面２２ｃ２ｃとに連なる端面２２ｃ２ａとによって構成されている。
【００７８】
更に、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、第１傾斜部２２ｃ１と第２傾斜部２２ｃ２との境界部分には、第１外部端子２２の前側面２２ｅと平行であって、第１外部端子２２の下面２２ｂと９０°をなす垂直面２２ｃ４が形成されている。
【００７９】
上述したように、第３の実施形態の半導体装置は左右対称に構成されているため、第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２の左側面２２ｄは、上述した第１外部端子２２の右側面２２ｃと鏡像関係になるように形成されている。
【００８０】
第１の実施形態の半導体装置では、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示したように、第１外部端子２の右側面２ｃが、第１傾斜部２ｃ１と、第２傾斜部２ｃ２と、垂直部２ｃ３とによって形成されているのに対し、第３の実施形態の半導体装置では、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すように、第１外部端子２２の右側面２２ｃが第１傾斜部２２ｃ１および第２傾斜部２２ｃ２のみによって形成されている。換言すれば、第３の実施形態の半導体装置では、第１外部端子２２の右側面２２ｃに、第１外部端子２２の下面２２ｂと垂直な垂直面２ｃ３ａ（図３（Ｂ）参照）が含まれていない。そのため、第１外部端子２２の右側面２２ｃが、例えば第１傾斜部２２ｃ１と、第２傾斜部２２ｃ２と、第１外部端子２２の下面２２ｂと垂直な垂直面２ｃ３ａ（図３（Ｂ）参照）とによって形成されている場合よりも、第１外部端子２２の下面２２ｂと例えば回路基板との間の半田接合の強度あるいは導電性接着剤接合の強度を向上させることができる。詳細には、半田あるいは導電性接着剤の表面張力により、第１外部端子２２の右側面２２ｃの樹脂２６から露出する傾斜面２２ｃ２ｂと例えば回路基板の表面との間に半田あるいは導電性接着剤を入り込ませることができる。
【００８１】
第３の実施形態の半導体装置は、上述した点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様に構成されている。従って、第３の実施形態の半導体装置によれば、上述した点を除き、上述した第１の実施形態の半導体装置とほぼ同様の効果を奏することができる。
【００８２】
また、第４の実施形態では、上述した第１から第３の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】第１の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。
【図２】第１の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図１に示した第１の実施形態の半導体装置から樹脂６を取り除いた状態を示した図である。
【図３】図１および図２に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２を詳細に示した図である。
【図４】図１および図２に示した第１の実施形態の半導体装置の第１外部端子２を詳細に示した図である。
【図５】第１の実施形態の半導体装置の製造方法におけるテーパ付き潰パンチによる潰し工程と、従来の半導体装置の製造方法における平頭潰パンチによる潰し工程とを比較して説明するための図である。
【図６】第２の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。
【図７】第２の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図６に示した第２の実施形態の半導体装置から樹脂１６を取り除いた状態を示した図である。
【図８】図６および図７に示した第２の実施形態の半導体装置の第１外部端子１２を詳細に示した図である。
【図９】第３の実施形態の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置を示した図である。
【図１０】第３の実施形態の半導体装置の内部構造を明らかにするために図９に示した第３の実施形態の半導体装置から樹脂２６を取り除いた状態を示した図である。
【図１１】図９および図１０に示した第３の実施形態の半導体装置の第１外部端子２２を詳細に示した図である。
【符号の説明】
【００８４】
１          半導体素子
２          第１外部端子
２ａ        上面
２ｂ        下面
２ｃ        右側面
２ｃ１      第１傾斜部
２ｃ１ａ    端面
２ｃ１ｂ    傾斜面
２ｃ２      第２傾斜部
２ｃ２ａ    端面
２ｃ２ｂ    傾斜面
２ｃ２ｃ    水平面
２ｃ３      垂直部
２ｃ３ａ    垂直面
２ｃ４      垂直面
２ｄ    左側面
２ｅ    前側面
２ｆ    後側面
３      第２外部端子
４      内部端子
６      樹脂
【図１】
2006313830.tif 000003
【図２】
2006313830.tif 000004
【図３】
2006313830.tif 000005
【図４】
2006313830.tif 000006
【図５】
2006313830.tif 000007
【図６】
2006313830.tif 000008
【図７】
2006313830.tif 000009
【図８】
2006313830.tif 000010
【図９】
2006313830.tif 000011
【図１０】
2006313830.tif 000012
【図１１】
2006313830.tif 000013