(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置製造において配線基板のクラック及び割れ発生を防止する方法の提供。【解決手段】（ａ）製品形成部を整列配置した配線母基板を準備する工程、（ｂ）各製品形成部の上面に半導体チップ１１を固定する工程、（ｃ）半導体チップ１１の電極と配線をワイヤ１３で接続する工程、（ｄ）カル４２、ランナー５０、ゲート５１及びキャビティ５２と連なる樹脂経路を有するトランスファモールディング用の成形金型４０を用いて、配線母基板の上面に半導体チップ１１及びワイヤ１３を覆う樹脂層３０を形成する工程、（ｅ）ランナー５０で硬化した樹脂に外力を加えてゲートで硬化した樹脂３４の境界で切断する工程、（ｆ）配線母基板を各製品形成部の境界線で切断して製品形成部を個片化する工程を有し、工程（ｄ）の樹脂層３０の形成においては、ランナー５０とゲート５１との境界位置が配線母基板の周縁と投影状態で一致する状態で樹脂層３０を形成する。【選択図】図１１
2006324539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面に所定パターンの配線を有し、前記第１及び第２の面の前記配線の一部は前記第１の面及び第２の面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｂ）前記配線母基板の各製品形成部の第１の面に半導体チップを固定し、かつ前記半導体チップの電極と前記第１の面の前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｃ）カル、ランナー、ゲート及びキャビティと連なる樹脂経路を有するトランスファモールディング用の成形金型を用いて、前記配線母基板の第１の面に前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う絶縁性樹脂からなる樹脂層を形成する工程、
（ｄ）前記工程（ｃ）で形成された前記ゲートで硬化したゲート部樹脂及び前記ランナーで硬化したランナー部樹脂において、前記ランナー部樹脂に外力を加えて前記ランナー部樹脂と前記ゲート部樹脂の境界で前記ランナー部樹脂を切断させる工程、
（ｅ）前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程を有し、
前記工程（ｃ）の前記樹脂層の形成においては、
前記成形金型の前記ランナーと前記ゲートとの境界位置が前記配線母基板の周縁と投影状態で一致する状態でトランスファモールディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｄ）の次に、
（ｆ）前記配線母基板の第２の面の前記配線にバンプ電極を形成する工程を行い、その後前記工程（ｅ）の個片化を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記成形金型の前記ランナーと前記ゲートとの境界位置を前記配線母基板の周縁に対して投影状態で±０．５mm以内に設定することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ゲートの厚さは０.０５ｍｍ〜０.５０ｍｍであり、前記配線母基板は厚さ０.４ｍｍ以下のガラス・エポキシ樹脂基板であり、前記樹脂層はエポキシ樹脂で形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）では、前記接続手段は、前記半導体チップの前記電極と前記配線母基板の第１の面の前記配線を接続する導電性のワイヤであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）では、前記半導体チップの前記電極を前記配線母基板の第１の面の前記配線に導電性接着剤を介して重ねて接続することによって前記接続手段を形成し、かつ前記半導体チップの固定を図ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上面に半導体チップを固定した配線基板を位置決め機構によって位置決め載置する下型と、
前記下型の上面に対面し、下面に、前記配線基板の所定領域に対面するキャビティ、前記キャビティに連なるゲート及び前記ゲートに連なるランナーを有する上型と、
を有するトランスファモールディング用の成形金型であって、
前記ランナーと前記ゲートとの境界位置が前記配線母基板の周縁と投影状態で一致する構造になっていることを特徴とする成形金型。
【請求項８】
前記成形金型の前記ランナーと前記ゲートとの境界位置を前記配線母基板の周縁に対して投影状態で±０.５ｍｍ以内に設定することを特徴とする請求項７に記載の成形金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成形金型に係わり、特に、配線母基板を使用して一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂封止型半導体装置の製造方法の一つとして、いわゆる一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法が知られている。この方法は、一つの半導体装置が形成される製品形成部を整列配置した配線母基板（配線基板）を使用する。半導体装置の製造においては、最初に、配線母基板の各製品形成部に、半導体チップを固定するとともに、半導体チップの電極と配線を導電性のワイヤで接続する。つぎに、配線母基板の一面に絶縁性樹脂からなる樹脂層を形成して各半導体チップ及びワイヤを覆う。つぎに、配線母基板の裏面に外部電極端子を形成し、その後、配線母基板を樹脂層共々縦横に切断して複数の半導体装置を製造する（例えば、特許文献１）。
【０００３】
特許文献１には、トランスファモールディング工法で形成される封止樹脂（樹脂層）に連なる封止樹脂（ランナー部分で硬化した封止樹脂）を取り除く際、シート基板（配線母基板）にクラックや割れを生じさせることなく行う技術が開示されている。即ち、シート基板の封止樹脂注入経路の領域にめっき領域を形成し、これによりシート基板に対してランナーに相当する封止樹脂注入経路の封止樹脂の密着力を小さくし、シート基板にクラックや割れを生じさせることなくカルブレークを行う。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１５８５３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法においては、樹脂層をトランスファモールディング（モールド）装置によって形成する。トランスファモールディング装置では、成形金型（モールド金型）のポット内にタブレットと呼称する樹脂を入れる。ポットの底の窪み（カル）に載ったタブレットはヒータ加熱によって溶融する。そこで、プランジャをポット内で降下させて溶けた樹脂を加圧し、カルに連なるランナー、ゲートを通してキャビティ内に樹脂を供給して樹脂層を形成する。
【０００６】
図１８及び図１９は、本発明に先立って検討した半導体装置の製造方法に係わる図である。図１８は半導体チップ及びワイヤを覆う樹脂層を形成した配線母基板の平面図であり、図１９はゲートブレイクを示す模式的断面図である。
【０００７】
半導体装置の製造においては、図１８に示すように、配線母基板７０が準備される。配線母基板７０は、例えば、四角形のガラス・エポキシ樹脂基板からなり、縦横に示す二点鎖線７０ａ，７０ｂによって囲まれる部分が、半導体装置を形成する製品形成部７１である。図１８は、説明の便宜上製品形成部７１を２列３行で合計６個配置したパターンとしてある。製品形成部７１群の外側の四角形枠部分が最終的に切断除去される枠部７２である。この枠部７２には、製品形成部７１の移送時やモールド金型内での位置決めに使用される丸孔からなるガイド孔７３や、配線母基板７０をダイシングブレードで切断する時のダイシングラインの位置決め用とする十文字状のターゲットパターン７４が設けられている。
【０００８】
図１８はトランスファモールディング（モールド）が行われた後の硬化した樹脂パターンを示すものである。モールドによって形成された硬化樹脂は、図１８に示すように、カル部分で硬化したカル部樹脂７５、カル部樹脂７５に続くランナー部分で硬化したランナー部樹脂７６、ランナー部樹脂７６に分岐して連なりゲート部分で硬化したゲート部樹脂７７、ゲート部樹脂７７に連なりキャビティ部分で硬化した樹脂層７８となる。樹脂層７８は全ての製品形成部７１を覆い、かつ周縁の枠部７２の内側部分をも封止するパターンとなっている。そして、最終的には配線母基板７０及び樹脂層７８は二点鎖線７０ａ，７０ｂ部分で切断されて半導体装置となる。なお、キャビティ内に均一にかつ注入時間の遅れが大きくならないようにするため、カルは複数箇所設けられる。図１８ではカルは二箇所に配置した例で示してある。
【０００９】
カル部樹脂７５及びゲート部樹脂７７は、配線母基板７０の取り扱い時邪魔になることから、モールド後硬化樹脂が薄くなるゲート部樹脂７７部分で樹脂を切断（ゲートブレイク）する。図１９（ａ），（ｂ）はゲートブレイクの前後を示す模式図である。図には配線母基板７０の上面に半導体チップ８０が接着剤８１を介して固定されるとともに、半導体チップ８０の図示しない電極と配線母基板７０の配線８２が導電性のワイヤ８３で接続されている状態が示されている。
【００１０】
ゲートはモールド金型と配線母基板７０とによって形成される空間であることから、ゲートは配線母基板７０の上面に位置する。このため、図１９（ａ）に示すように、ランナー部樹脂７６に連なるゲート部樹脂７７は配線母基板７０の上面に位置する。図１９（ａ）に示すｃの位置がランナーからゲートに移る部分である。この結果、図１９（ｂ）に示すように、図示しない支持台で配線母基板７０を支持し、この状態で配線母基板７０から外れた位置のランナー部樹脂７６に上方から下方に向かう外力Ｐを加えることにより、応力集中によって段差位置のｃに対応する部分でゲート部樹脂７７が切断される。配線母基板７０の取り扱い時、配線母基板７０の周縁から硬化した樹脂が突出していると邪魔であることから、ゲート部分は配線母基板７０上に位置し、前記位置ｃは配線母基板７０の周縁よりも内側に設定される。
【００１１】
一方、近年、半導体装置の封止体（パッケージ）はより薄型化の傾向にあり、これに伴って配線基板（配線母基板）も、例えば、０.１５ｍｍと薄くなってきている。この結果、図１９（ｃ）に示すように、配線母基板７０から外れたランナー部樹脂７６部分に上方から下方に向かう外力Ｐを加えると、ゲート部樹脂７７ばかりでなく配線母基板７０も共に切断されてしまうこともある。そして、この切断において、割れ（クラック）が製品形成部７１に到達すると、断線や半導体チップの破損を引き起し、半導体装置が不良となる。
【００１２】
また、図１９（ｃ）に示すように、切断によって配線母基板の欠け部８５が発生すると、配線母基板７０の取り扱い時や保管時に支障をきたすことがある。例えば、半導体装置の製造時、樹脂層７８から外れた枠部７２は配線母基板７０をマガジンに収容する際、マガジンの内側壁に設けたガイド溝に挿入されるが、配線母基板の欠け部８５の発生があると、この挿入がし難くなる。
【００１３】
本発明の目的は、配線基板（配線母基板）の割れ欠けを発生させることなく樹脂封止型半導体装置を製造することにある。
本発明の他の目的は、信頼性が高い樹脂封止型半導体装置を高歩留りで製造することにある。
本発明の他の目的は、樹脂封止型半導体装置を高歩留りで製造することにより、半導体装置の製造コストの低減を図ることにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１５】
（１）半導体装置は、
（ａ）第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面に所定パターンの配線を有し、前記第１及び第２の面の前記配線の一部は前記第１の面及び第２の面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｂ）前記配線母基板の各製品形成部の第１の面に半導体チップを固定し、かつ前記半導体チップの電極と前記第１の面の前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｃ）カル、ランナー、ゲート及びキャビティと連なる樹脂経路を有するトランスファモールディング用の成形金型を用いて、前記配線母基板の第１の面に前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う絶縁性樹脂からなる樹脂層を形成する工程、
（ｄ）前記工程（ｃ）で形成された前記ゲートで硬化したゲート部樹脂及び前記ランナーで硬化したランナー部樹脂において、前記ランナー部樹脂に外力を加えて前記ランナー部樹脂と前記ゲート部樹脂の境界で前記ランナー部樹脂を切断させる工程、
（ｅ）前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造され、
前記工程（ｃ）の前記樹脂層の形成においては、
前記成形金型の前記ランナーと前記ゲートとの境界位置が前記配線母基板の周縁と投影状態で一致する状態でトランスファモールディングを行うことを特徴とする。
【００１６】
また、前記工程（ｄ）の次に、
（ｆ）前記配線母基板の第２の面の前記配線にバンプ電極を形成する工程を行い、その後前記工程（ｅ）の個片化を行う。前記工程（ｂ）では、前記第１の面に前記半導体チップを固定した後、前記半導体チップの前記電極と前記配線母基板の第１の面の前記配線を導電性のワイヤで接続する。前記成形金型の前記ランナーと前記ゲートとの境界位置を前記配線母基板の周縁に対して投影状態で±０.５ｍｍ以内に設定する。前記ゲートの厚さは０.０５ｍｍ〜０.５ｍｍであり、前記配線母基板は厚さ０.４ｍｍ以下のガラス・エポキシ樹脂基板であり、前記樹脂層はエポキシ樹脂で形成する。
【００１７】
この半導体装置の製造方法で用いる成形金型は、
上面に半導体チップを固定した配線基板を位置決め機構によって位置決め載置する下型と、
前記下型の上面に対面し、下面に、前記配線基板の所定領域に対面するキャビティ、前記キャビティに連なるゲート及び前記ゲートに連なるランナーを有する上型と、
を有するトランスファモールディング用の成形金型であって、
前記ランナーと前記ゲートとの境界位置が前記配線母基板の周縁と投影状態で一致する構造になっていることを特徴とする。前記成形金型の前記ランナーと前記ゲートとの境界位置を前記配線母基板の周縁に対して投影状態で±０.５ｍｍ以内に設定する。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１９】
前記（１）の手段によれば、（ａ）半導体装置の製造方法において、トランスファモールディング用の成形金型は、ランナーとゲートとの境界位置が成形金型で型締めされる配線母基板の周縁と投影状態で一致する構造になっている。従って、樹脂層形成時には配線母基板の一面側に樹脂層，ゲート部樹脂，ランナー部樹脂と繋がる硬化樹脂部を形成した際、薄いゲート部樹脂と厚いランナー部樹脂との応力集中が作用する境界位置は、配線母基板の周縁と投影状態で一致する。そこで、配線母基板から外れたランナー部樹脂に外力を加えて、応力が集中する前記境界位置で破断（切断）させた場合、配線母基板の周縁と前記応力が集中する境界位置は投影状態で一致していることから、配線母基板には割れ（クラック）及び欠けが発生するような外力は加わらなくなり、配線母基板の割れ（クラック）及び欠けが発生しなくなる。
【００２０】
（ｂ）配線母基板の割れ（クラック），欠けを防止することができるので、クラックが製品形成部に到達することもなく、品質の良好な半導体装置を製造することができる。
【００２１】
（ｃ）配線母基板の割れ，欠けを防止することができるので、高歩留りに半導体装置を製造することができ、半導体装置の製造コストの低減が達成できる。
【００２２】
（ｄ）配線母基板に割れ，欠けが発生し難いことから、配線母基板の周縁部分は適正な支持枠（枠部）として使用できる。従って、配線母基板を各加工処理装置の作業用支持体の溝に引っ掛かりを起こすことなく設定することができる。また、配線母基板を収容するマガジンの収容溝に支持枠（枠部）を引っかかることなく確実に挿入・取り出しが行える。従って、配線母基板の周縁部分に割れ，欠けを発生させないことは、その後の作業効率が高くなり、半導体装置の製造コストの低減が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００２４】
本実施例１ではＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置の製造方法に本発明を適用した例について説明する。図１乃至図１５は本発明の実施例１の半導体装置の製造方法に係わる図である。
【００２５】
本実施例１の半導体装置１は、外観及びその内部構造は図１及び図２に示すようになっている。図１は封止体の一部を切り欠いた半導体装置の斜視図であり、図２は半導体装置１の断面図である。
【００２６】
半導体装置１は、四角形の配線基板２を有している。この配線基板２は、例えば、厚さ０．１５ｍｍのガラス・エポキシ樹脂配線基板からなり、図２に示すように、第１の面２ａ（図１及び図２では上面）及び第１の面２ａの反対面となる第２の面２ｂ（図１及び図２では下面）に所定パターンの配線３，４を有している。これら配線３，４は、図２に示すように、配線基板２の上下面間を貫通する配線５で接続されている。また、配線基板２の上下面は配線３，４を除いて絶縁膜（ソルダーレジスト膜）６，７で覆われている。
【００２７】
配線基板２の第１の面２ａの中央には接着剤１０によって半導体チップ１１が固定されている。そして、図２に示すように、半導体チップ１１の第１の面１１ａ（図１及び図２では上面）に設けられた電極１２と配線３は、接続手段として導電性のワイヤ１３によって電気的に接続されている。
【００２８】
また、配線基板２の第１の面２ａ全体には、絶縁性樹脂からなる封止体１４が形成されている。この封止体１４は、半導体チップ１１及びワイヤ１３を覆っている。封止体１４は一定の厚さになっている。封止体１４は、例えば、エポキシ樹脂で形成されている。
【００２９】
他方、配線基板２の第２の面２ｂの配線４にはバンプ電極１５が重ねて形成されている。このバンプ電極１５は、半導体装置１の外部電極端子となる。バンプ電極１５は、例えば、半田ボールで形成されている。
【００３０】
つぎに、本実施例１の半導体装置１の製造方法について図３乃至図１５を参照して説明する。半導体装置１は、図３のフローチャートで示すように、配線母基板（配線基板）準備（Ｓ０１）、半導体チップ固定（Ｓ０２）、ワイヤボンディング（Ｓ０３）、樹脂層形成（Ｓ０４）、ゲートブレイク（ゲート部樹脂切断）（Ｓ０５）、バンプ電極形成（Ｓ０６）、個片化（Ｓ０７）の各工程を経て製造される。
【００３１】
半導体装置１の製造においては、図４及び図５に示すように配線基板が準備される（Ｓ０１）。この配線基板は、図１及び図２で説明した配線基板２が縦横に整列配置連結され、その外周に配線基板構造とならない枠部が設けられた構造になっている。そこで、この配線基板を、特に配線母基板２０と呼称する。図４は半導体チップが固定される第１の面２０ｃを示す図であり、図５は外部電極端子が設けられる第２の面２０ｄを示す図である。
【００３２】
配線母基板２０は、例えば、厚さ０．１５ｍｍのガラス・エポキシ樹脂基板からなり、縦横に示す二点鎖線２０ａ，２０ｂによって囲まれる部分が、半導体装置を形成する製品形成部２１である。製品形成部２１の構造は、図１及び図２で説明した配線基板２の構造であるので、構造についての説明は省略する。
【００３３】
図４及び図５は、説明の便宜上製品形成部２１を２列３行で合計６個配置したパターンとしてある。製品形成部２１群の外側の四角形枠部分が最終的に切断除去される枠部２２である。この枠部２２には、製品形成部２１の移送時やモールド金型内での位置決めに使用される丸孔からなるガイド孔２３や、配線母基板２０をダイシングブレードで切断する時のダイシングラインの位置決め用とする十文字状のターゲットパターン２４が設けられている。
【００３４】
図６は図４のＡ−Ａ線に沿う一つの製品形成部２１の断面図を示す。図６において、隣接する二点鎖線間が一つの製品形成部２１である。配線母基板２０は、最終的には図４及び図５で示す二点鎖線２０ａ，２０ｂで切断されて複数の半導体装置１が製造される。
【００３５】
このような配線母基板２０を準備した後、図示しないチップボンディング装置によって配線母基板２０の第１の面２０ｃの各製品形成部２１の中央に、図７及び図８に示すように、接着剤１０によって半導体チップ１１を固定する（Ｓ０２）。また、図示しないワイヤボンディング装置によって、図７及び図８に示すように、半導体チップ１１の第１の面１１ａの電極１２（図１参照）と、配線３を導電性のワイヤ１３で電気的に接続する（Ｓ０３）。
【００３６】
つぎに、トランスファモールディング装置によって、図９に示すように、配線母基板２０の第１の面２０ｃ側に樹脂層３０を形成する（Ｓ０４）。図９は半導体チップ及びワイヤを覆う樹脂層３０を形成した配線母基板２０の平面図である。図１０及び図１１はトランスファモールディング状態を示す模式的断面図である。図１０は型締め前の成形金型と、組み立てが終了した配線母基板２０を示す模式的断面図である。また、図１１（ａ），（ｂ）はトランスファモールディング状態を示す模式的断面図であり、図１１（ａ）は型締めして樹脂を注入する状態を示す図であり、図１１（ｂ）は型開き状態の樹脂層３０を示す図である。図１０及び図１１は、図９のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００３７】
トランスファモールディング装置の成形金型４０は、図１０に示すように、下型４１とこの下型４１の上方に位置して下型４１に対して相対的に上下動する上型４５とからなっている。上型４５には、円筒体からなるポット４６が上下を貫通するように取り付けられている。このポット４６にはプランジャ４７が嵌め込まれ、ポット４６内を上下に摺動するようになっている。ポット４６に対面する下型４１の上面（パーティング面）には円形の窪みからなるカル４２が設けられている。また、下型４１の上面には配線母基板２０のガイド孔２３に挿入される位置決めピン４３が設けられている。この位置決めピン４３をガイド孔２３に挿入した状態で配線母基板２０を下型４１上に載置することによって配線母基板２０は下型４１に対して正確に位置決めされる。
【００３８】
図１０に示すように、上型４５の下面（パーティング面）には、前記ポット４６に連なる溝状のランナー５０、ランナー５０に連なる溝状のゲート５１、ゲート５１に連なるキャビティ５２が設けられている。キャビティ５２は樹脂層３０を形成する窪みとなる。また、上型４５の下面にはエアーベント５３がキャビティ５２の周囲に連なって設けられている。
【００３９】
位置決めピン４３によって下型４１に位置決めされた配線母基板２０においては、図１０及び図１１に示すように、下型４１上の配線母基板２０の周縁がランナー５０からゲート５１に変わる位置ｃと投影状態で一致して重なる。位置ｃが明瞭に分かるように、図１０及び図１１には、位置ｃを通る二点鎖線を表記してある。そして、この二点鎖線に位置ｃと、配線母基板２０の外端である周縁が重なっている。また、ゲート５１の高さ（深さ）に比較してランナー５０の高さ（深さ）は樹脂の流れを良好とするため深く形成され、樹脂流路はランナー５０の先端で徐々に浅くなってゲート５１に連なる。
【００４０】
このような成形金型４０において、樹脂層３０を形成する場合、図１０に示すように、組み立てが終了した配線母基板２０を位置決めピン４３をガイド孔２３に挿入する状態で下型４１に位置決め載置する。
【００４１】
つぎに、図１１（ａ）に示すように、上型４５を下型４１に対して相対的に降下させて型締めを行い、下型４１と上型４５との間に配線母基板２０をクランプする。その後、図示はしないが、カル４２上にタブレットを投入する。タブレットは成形金型に内蔵された図示しないヒータによって加熱されて溶融する。そこで、図１１（ａ）に示すように、プランジャ４７を降下させて、カル４２上の溶融した樹脂３１をプランジャ４７で加圧する。加圧された溶融した樹脂３１はランナー５０，ゲート５１を通ってキャビティ５２内に流入し、各製品形成部２１上の半導体チップ１１及びワイヤ１３を覆う。また、溶融した樹脂３１によってキャビティ５２内の空気はエアーベント５３から成形金型４０の外部に放出される。
【００４２】
溶融した樹脂３１を所定時間キュアーした後、図１１（ｂ）に示すように、プランジャ４７及び上型４５を下型４１に対して相対的に上昇させて型開きを行う。キュアーによって溶融した樹脂３１は硬化した樹脂となる。そして、カル４２で硬化した樹脂はカル部樹脂３２となり、ランナー５０で硬化した樹脂はランナー部樹脂３３となり、ゲート５１で硬化した樹脂はゲート部樹脂３４となり、キャビティ５２で硬化した樹脂は樹脂層３０となる。キャビティ５２は各部が同じ深さに形成されるため。樹脂層３０は一定の厚さとなる。図９には、硬化した樹脂のパターンを示してある。図９に示すように、各製品形成部２１は一定の厚さの樹脂層３０で覆われる。
【００４３】
つぎに、配線母基板２０の周縁から外方に突出するランナー部樹脂３３及びカル部樹脂３２は、次工程においても邪魔となることからゲートブレイクを行う（Ｓ０５）。図１２は配線母基板２０の一端部分とランナー部樹脂３３の一部を示す模式的断面図である。配線母基板２０の端である周縁の位置と、ランナー部樹脂３３からゲート部樹脂３４に変わる位置ｃは、図１２（ａ）に示すように、投影状態で一致するようにトランスファモールディングが行われている。
【００４４】
そこで、図１２（ｂ）に示すように、図示しない支持台で配線母基板２０を支持し、この状態で配線母基板２０から外れた位置のランナー部樹脂３３に上方から下方に向かう外力Ｐを加えることにより、応力集中によって段差位置ｃに対応する部分でゲート部樹脂３４が切断される。また、ゲート部樹脂３４の切断位置は配線母基板２０の端の周縁位置に重なるため、配線母基板２０の端部分に割れ（クラック）や欠けが発生しなくなる。
【００４５】
ランナー５０とゲート５１との境界位置ｃを、配線母基板２０の周縁に対して相対的に投影状態で±０.５ｍｍ以内に設定しておくことによって、配線母基板２０の端部分には割れ（クラック）や欠けが発生しなくなる。
【００４６】
つぎに、図１３に示すように、配線母基板２０の第２の面２０ｄを上面とした状態で第２の面２０ｄに設けられた配線４上にバンプ電極１５を形成する（Ｓ０６）。このバンプ電極１５が外部電極端子となる。バンプ電極１５は、例えば、ＰｂＳｎ半田ボールを配線４上に付着させ、かつリフローすることによって形成する。
【００４７】
つぎに、配線母基板２０を図示しないダイシングブレードで縦横に切断して製品形成部２１毎に個片化し、図１に示す半導体装置１を複数製造する（Ｓ０７）。配線母基板２０は切断されて配線基板２になる。
【００４８】
以上の半導体装置の製造方法において、配線母基板２０は各工程でガイドレール等の支持体の溝に支持されて作業が行われる。図１４は半導体装置の製造各工程での配線母基板２０の支持状態を簡略的に示す図である。図１４（ａ）は支持体５５ａの一対の溝５６ａに支持されるチップボンディングが終了した配線母基板２０を示す図である。図１４（ｂ）は支持体５５ｂの一対の溝５６ｂに支持されるワイヤボンディングが終了した配線母基板２０を示す図である。図１４（ｃ）は支持体５５ｃの一対の溝５６ｃに支持されるトランスファモールディングが終了した配線母基板２０を示す図である。図１４（ｄ）は支持体５５ｄの一対の溝５６ｄに支持されるバンプ電極形成が終了した配線母基板２０を示す図である。また、図１５はマガジン５７の一対の内壁に設けられた溝５８に積層状態に収容されたトランスファモールディングが終了した配線母基板２０を示す図である。
【００４９】
ゲートブレイク工程で配線母基板２０の周縁部分が欠けたり、あるいは割れが入ると、図１４（ｃ），（ｄ）及び図１５に示す状態で配線母基板２０を溝５６ｃ，５８に円滑に挿入することができなくなる場合もある。しかし、本実施例の半導体装置の製造方法によれば、このような溝への配線母基板の挿入，取り出しも支障なく行えることになる。
【００５０】
本実施例１の半導体装置の製造技術によれば、以下の効果を有する。
（１）半導体装置１の製造方法において、トランスファモールディング用の成形金型４０は、ランナー５０とゲート５１との境界位置ｃが成形金型４０で型締めされる配線母基板２０の周縁と投影状態で一致する構造になっている。従って、樹脂層形成時には配線母基板２０の一面側に樹脂層３０，ゲート部樹脂３４，ランナー部樹脂３３と繋がる硬化樹脂部を形成した際、薄いゲート部樹脂３４と厚いランナー部樹脂３３との応力集中が作用する境界位置ｃは、配線母基板２０の周縁と投影状態で一致する。そこで、配線母基板２０から外れたランナー部樹脂３３に外力を加えて、応力が集中する前記境界位置ｃで破断（切断）させた場合、配線母基板２０の周縁と前記応力が集中する境界位置ｃは投影状態で一致していることから、配線母基板２０には割れ（クラック）及び欠けが発生するような外力は加わらなくなり、配線母基板の割れ（クラック）及び欠けが発生しなくなる。
【００５１】
（２）配線母基板２０の割れ（クラック），欠けを防止することができるので、クラックが製品形成部２１に到達することもなく、品質の良好な半導体装置１を製造することができる。
【００５２】
（３）配線母基板２０の割れ，欠けを防止することができるので、高歩留りに半導体装置１を製造することができ、半導体装置１の製造コストの低減が達成できる。
【００５３】
（４）配線母基板２０に割れ，欠けが発生し難いことから、配線母基板２０の周縁部分は適正な支持枠（枠部）として使用できる。従って、配線母基板２０を各加工処理装置の作業用支持体の溝に引っ掛かりを起こすことなく設定することができる。また、配線母基板２０を収容するマガジン５７の収容溝５８に支持枠（枠部）を引っかかることなく確実に挿入・取り出しが行える。従って、配線母基板２０の周縁部分に割れ，欠けを発生させないことは、その後の作業効率が高くなり、半導体装置１の製造コストの低減が可能になる。
【実施例２】
【００５４】
図１６及び図１７は本発明の実施例２の半導体装置の製造方法に係わるである。本実施例２では、配線基板にフリップ・チップ接続される半導体装置の製造方法に本発明を適用する例について説明する。
【００５５】
実施例１では半導体チップの電極と配線との接続手段はワイヤである。これに対して、本実施例２の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置１は、図１７に示すように、接続手段はフリップ・チップ接続である。即ち、配線基板２の第１の面２ａの配線３に半導体チップ１１の第１の面１１ａに形成された電極１２を導電性の接着剤６０で電気的に接続する構造になっている。このフリップ・チップ接続によって、半導体チップ１１も配線基板２に固定されるようになる。
【００５６】
図１６は本実施例２の半導体装置の製造方法におけるトランスファモールディングによる樹脂層３０の形成状態を示す模式的断面図である。図１６は実施例１の半導体装置の製造方法における図１１（ｂ）に対応するものである。図１１（ｂ）では、配線母基板２０の第１の面２０ｃに半導体チップ１１を固定し、半導体チップ１１の電極（図示せず）と配線３をワイヤ１３で接続した構造となっている。これに対して、図１６では、配線母基板２０の第１の面２０ｃの配線３に接着剤（図示せず）を介して電極１２を接続して半導体チップ１１を配線母基板２０に固定する点が異なる以外は同じである。
【００５７】
なお、フリップ・チップ接続の場合、ワイヤ接続に比較して、ワイヤループがないことから薄い樹脂層３０とすることができる。即ち、実施例２の半導体装置の製造方法によれば、実施例１の場合と同様な効果を得ることができるが、さらに半導体装置１の小型化が達成できる。
【００５８】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、実施例１において、ゲートブレイク工程（Ｓ０５）の後、バンプ電極形成を行わずに個片化を行うことによって、平坦な外部電極端子を有するＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置を製造することができる。また、同様にフリップ・チップ接続構造のＬＧＡ型半導体装置の製造も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施例１である一部を切り欠いた半導体装置の斜視図である。
【図２】本実施例１の半導体装置の断面図である。
【図３】本実施例１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】本実施例１の半導体装置の製造方法で使用する配線母基板の平面図である。
【図５】前記配線母基板の底面図である。
【図６】図４のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図７】本実施例１の半導体装置の製造方法において、半導体チップが固定され、かつワイヤボンディングが終了した配線母基板の平面図である。
【図８】本実施例１の半導体装置の製造方法において、半導体チップが固定され、かつワイヤボンディングが終了した配線母基板における一つの製品形成部を示す断面図である。
【図９】本実施例１の半導体装置の製造方法において、半導体チップ及びワイヤを覆う樹脂層を形成した配線母基板の平面図である。
【図１０】本実施例１の半導体装置の製造方法における型締め前の成形金型と、組み立てが終了した配線母基板を示す模式的断面図である。
【図１１】本実施例１の半導体装置の製造方法におけるトランスファモールディングによる樹脂層の形成状態を示す模式的断面図である。
【図１２】本実施例１の半導体装置の製造方法において、ゲートブレイクを示す模式的断面図である。
【図１３】本実施例１の半導体装置の製造方法において、ボール電極を形成した配線母基板における一つの製品形成部を示す断面図である。
【図１４】本実施例１の半導体装置の製造方法において、各製造工程においてガイドに支持される配線母基板の状態を示す模式図である。
【図１５】本実施例１の半導体装置の製造方法において、マガジンに収容される配線母基板の状態を示す模式図である。
【図１６】本発明の実施例２である半導体装置の製造方法におけるトランスファモールディングによる樹脂層の形成状態を示す模式的断面図である。
【図１７】本発明の実施例２である半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の断面図である。
【図１８】本発明に先立って検討した半導体装置の製造方法における半導体チップ及びワイヤを覆う樹脂層を形成した配線母基板の平面図である。
【図１９】本発明に先立って検討した半導体装置の製造方法におけるゲートブレイクを示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…半導体装置、２…配線基板、２ａ…第１の面、２ｂ…第２の面、３，４…配線、５…配線、６，７…絶縁膜（ソルダーレジスト膜）、１０…接着剤、１１…半導体チップ、１１ａ…第１の面、１２…電極、１３…ワイヤ、１４…封止体、１５…バンプ電極、２０…配線母基板、２０ａ，２０ｂ…二点鎖線、２０ｃ…第１の面、２０ｄ…第２の面、２１…製品形成部、２２…枠部、２３…ガイド孔、２４…ターゲットパターン、３０…樹脂層、３１…溶融した樹脂、３２…カル部樹脂、３３…ランナー部樹脂、３４…ゲート部樹脂、４０…成形金型、４１…下型、４２…カル、４３…位置決めピン、４５…上型、４６…ポット、４７…プランジャ、５０…ランナー、５１…ゲート、５２…キャビティ、５３…エアーベント、５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄ…支持体、５６ａ，５６ｂ，５６ｃ，５６ｄ…溝、５７…マガジン、５８…溝、６０…接着剤、７０…配線母基板、７１…製品形成部、７２…枠部、７３…ガイド孔、７４…ターゲットパターン、７５…カル部樹脂、７６…ランナー部樹脂、７７…ゲート部樹脂、７８…樹脂層、８０…半導体チップ、８１…接着剤、８２…配線、８３…ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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