(57)【要約】【課題】  本発明は、容量性負荷（Cp）においてソフトスイッチングで矩形電圧信号を発生するように設計された増幅器に関する。【解決手段】  該増幅器は、供給端子（VS）と基準端子（GND）との間に接続された二つのスイッチ（M1、M2）から成り、中点が該容量性負荷に接続されたハーフブリッジ構造と、エネルギー回復を有するソフトスイッチング回路とを有する。該増幅器での電気伝導損失を制限するために、エネルギー回復を有するソフトスイッチング回路は、ダイオード又はトランジスタのような能動部品を有さない。本発明によれば、それは、該容量性負荷の端子間の容量性素子（C2）に直列に接続された誘導性素子（L2）からのみ形成される。有利に、該誘導性素子は、該増幅器の電気伝導性損失を制限するために、飽和可能インダクタを有する。【選択図】  図７
2006113580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量性負荷においてソフトスイッチングで矩形電圧信号を発生するように設計され、
供給端子（VS）と基準端子（GND）との間に接続された二つのスイッチ（M1、M2）から成り、中点が該容量性負荷（Cp）に接続されたハーフブリッジ構造と、
該ハーフブリッジ構造に接続され、該容量性負荷の端子間の容量性素子（C2）に直列に接続された誘導性素子（L2）によって形成されたエネルギー回復を有するソフトスイッチング回路とを有する増幅器であって、
該誘導性素子（L2）は、飽和モードで動作する能力を有する第二のインダクタ（L22）に直列に接続された第一のインダクタ（L21）を有することを特徴とする増幅器。
【請求項２】
該第一のインダクタ及び第二のインダクタ（L21、L22）は、同一のコイルで作られることを特徴とする、請求項１記載の増幅器。
【請求項３】
該第一のインダクタ（L21）のインダクタンスに対する該第二のインダクタ（L22）のインダクタンスの比は、100から1000の間であることを特徴とする、請求項１または２記載の増幅器。
【請求項４】
前記容量性負荷（Cp）の容量に対する前記容量性素子（C2）の容量の比は、少なくとも10以上であることを特徴とする、請求項１記載の増幅器。
【請求項５】
予め励起状態で置かれたパネルのセルでの放電を持続するために、該パネルのセルに対してライン走査電極（Y）でサステイン信号を発生するプラズマ表示パネルに含まれ、
前記容量性負荷は、該パネルのセルの等価キャパシタであることを特徴とする、請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の増幅器。
【請求項６】
予め励起状態で置かれたパネルのセルでの放電を持続するために、該パネルのセルに対してライン共通電極（Z）でサステイン信号を発生するプラズマ表示パネルに含まれ、
前記容量性負荷は、該パネルのセルの等価キャパシタであることを特徴とする、請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の増幅器。
【請求項７】
パネルのセルに対して列電極でアドレス信号を発生するプラズマ表示パネルに含まれ、
前記容量性負荷は、該パネルのセルの等価キャパシタであることを特徴とする、請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の増幅器。
【請求項８】
プラズマ表示パネルのセルに対してライン走査電極（Y）及びライン共通電極（Z）においてソフトスイッチングで第一及び第二の矩形電圧信号を発生するように設計され、
供給端子（VS）と基準端子（GND）との間に接続された二つのスイッチ（M1、M2）を有し、中点が該ライン走査電極（Y）に接続された第一のハーフブリッジ構造と、
該供給端子（VS）と該基準端子（GND）との間に接続された二つのスイッチ（M1’、M2’）を有し、中点が該ライン共通電極（Z）に接続された第二のハーフブリッジ構造と、
該第一及び第二のハーフブリッジ構造の該中点の間に接続され、容量性素子（C2）に直列に接続された誘導性素子（L2）から形成されるエネルギー回復を有するソフトスイッチング回路とを有する増幅器であって、
該誘導性素子（L2）は、飽和モードで動作する能力を有する第二のインダクタ（L22）に直列に接続された第一のインダクタ（L21）を有することを特徴とする増幅器。
【請求項９】
該第一及び第二のインダクタ（L21、L22）は、同一のコイルで作られることを特徴とする、請求項８記載の増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容量性負荷においてソフトスイッチングで矩形電圧信号を発生するように設計され、二つのスイッチから成るハーフブリッジ構造及びエネルギー回復を有するソフトスイッチング回路を有する増幅器に関する。該構造は、供給端子と基準端子との間に接続される。該構造の中点は、該容量性負荷に接続される。更に具体的には、本発明は、プラズマ表示パネルにおいて高電圧の矩形のサステイン又はアドレス信号を発生するように設計された増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プラズマ表示パネルは、ラインと列で編成された複数のセルを有する。現在用いられる共面技術において、夫々のセルは、三つの電極を設けられる。
【０００３】
一つは列電極であり、原則的にセルをアドレス指定するために使用される。パネルの全てのセルの列電極は、列ドライバに接続される。
【０００４】
二つはライン電極であり、そのうちの一つはライン走査電極と呼ばれ、セルの夫々のラインを個別にアドレス指定するために使用される。もう一つはライン共通電極と呼ばれる。全てのライン走査電極は、パネルの一つの側で、ラインドライバに接続される。ライン共通電極は、パネルのもう一方の側で共に接続される。
【０００５】
この形式のパネルにおいて、夫々のセルは、その充電状態を変更するために、そのライン走査電極とその列電極との間に特定の高電圧信号を加えることによってアドレス指定される。アドレス指定動作の後、セルは二つの充電状態を有しうる。即ち、“励起状態”と呼ばれる第一の状態は、後に続くセルのサステイン相の間にセルをオンとし、第二の状態では、セルがオフとされたままである。アドレス相の後に続くセルのサステイン相は、高電圧の矩形信号がライン走査電極及びライン共通電極に加えられる期間である。この相の間、予め励起されたセルはオンとされる。
【０００６】
このような電圧信号を発生するために、表示パネルは電力増幅器を設けられる。特にパネルは、セルの列電極に加えられるべきアドレス信号を発生する列増幅器、並びに、ライン操作電極及びセルのライン共通電極に加えられるサステイン信号を発生するサステイン増幅器を有する。
【０００７】
これらの増幅器は、パネルの全てのセルの等価キャパシタ又はそれらの大部分のキャパシタに等しい非常に高い容量性負荷で高電圧遷移を有する信号を発生する必要性を共通に有する。
【０００８】
セルのサステイン動作は、増幅器とパネルのセルとの間のエネルギーの非常に大きな移動を有する。そのエネルギーは、必然的に回復されなければならない。同じことが、セルの列をアドレス指定する動作にも当てはまる。
【０００９】
この目的のために、その発明者の名前からウェバー増幅器と呼ばれるエネルギー回復サステイン増幅器が開発された。それは、図式的に図１で示される。実際には、この増幅器10は、二つの同一の増幅器を有する。一つの増幅器11は、ラインドライバ12を介してセルのライン走査電極Yを供給するように設計され、もう一つの増幅器13は、それらのライン共通電極Zを供給するように設計される。セルは、それらの等価キャパシタCpによる形で示される。特に、この等価キャパシタは、パネルのライン走査電極Yとライン共通電極Zとの間にあるキャパシタCp1、パネルのライン走査電極Yと列電極との間にあるキャパシタCp2、及び最後に、パネルのライン共通電極Zと列電極との間にあるキャパシタCp3から成る。
【００１０】
通常、電極Yを供給するように設計される増幅器11は、ハーフブリッジ構造として接続され、非常に高いサステイン電圧VSを受ける供給端子と基準端子（ここでは接地GNDに接続される）との間に直列に置かれたスイッチM1及びM2を有する。これらのスイッチは、パネルのセルの電極Yで、電圧VSと基準端子にある電位との間を交互に入れ替える矩形信号を発生するように動かされる。図中に示されるように、一般に、これらのスイッチは、逆行性ダイオードを有するMOSトランジスタである。容量性エネルギーを回復し、再注入するために、且つVSと接地との間のソフトスイッチングを作るために、増幅器11は、スイッチングモジュールMCに直列に接続された共振インダクタL及び蓄積キャパシタC1を有する。これら三つの素子は、電極Yと基準電位との間に接続される。スイッチングモジュールは、並列に接続された二つの電流電導経路を有する。それらの夫々は、電流がちょうど一つの方向で流れることを可能にする。第一の電流経路は、スイッチM3が閉じられる時に電流が蓄積キャパシタC1に向かって流れることを可能にし、そのようにして増幅器の出力信号の立ち下がりを作るために、ダイオードD3に直列に接続されたスイッチM3を有する。第二の電流経路は、スイッチM4が閉じられる時に電流が共振インダクタLに向かって流れることを可能にし、そのようにして出力信号の立ち上がりを作るために、ダイオードD4に直列に接続されたスイッチM4を有する。
【００１１】
増幅器13に関して、これは、増幅器11と同じ構成要素を有する。これらは、ライン共通電極Zと基準端子との間に同じ方法で接続される。本明細書本文の残りにおいて増幅器11の構成要素を増幅器13のそれらと区別するために、増幅器11の構成要素は、M1、M2、L、MC、M3、M4、D3、D4及びC1によって示され、一方増幅器13でのそれらは、M1’、M2’、L’、MC’、M3’、M4’、D3’、D4’及びC1’によって示される。
【００１２】
図２は、電極Y及びZで発生するサステイン電圧信号、並びにセルでの放電が良好に維持されるための良く知られる一つの動作モードによるパネルセルの端子間の合成電圧を示す。この動作モードによれば、電極Yで発生した電圧信号の遷移は、パネルセルの端子間の電圧が+VSと-VSとの間で永久に交互にされるように、電極Zで発生した電圧信号の遷移と同期化される。この動作モードは、既知のウェバー回路の動作を実現するために、単に一例として与えられたに過ぎない。当然のことながら、他の動作モードが存在する。特に、これらのうちの一つでは、セルの電極Yでの電圧遷移は、電極Zでの遷移に対して相殺される。本発明は、これら全ての動作モードに適用されうる。等価キャパシタCpは、選択された動作モードに従って変化する。
【００１３】
図２で示された電圧信号のいずれか一つを得るために、増幅器10は、図３で表わされるように動かされる。更に具体的には、この図は、スイッチM1からM4を制御する電圧、それらから生じる共振増幅器の出力電圧、及び共振インダクタを流れる電流iLを示す。この図において、初期状態でスイッチM2、M3及びM4は開かれ、スイッチM1は閉じられることが仮定される。従って、電極Yでの電圧は、VSに等しい。スイッチM1が開かれ、スイッチM3が閉じられた後、電極Yでの電圧は落ち始める。この相の間、インダクタL及び等価キャパシタCpから構成される共振回路は、ダイオードD3、スイッチM3及び蓄積キャパシタC1によって閉じられ、以下の初期状態を有する。
【００１４】
‐インダクタLを流れる電流iLは零である。
【００１５】
‐電極Yでの電圧はVSに等しい。
【００１６】
‐蓄積キャパシタの端子間の電圧はVS/2に等しい。
【００１７】
蓄積キャパシタC1の容量は、キャパシタCpのそれよりもずっと高いので、その端子間の電圧は、一定で、且つVS/2に等しいとみなされる。インダクタLを流れる電流が増えるので、増幅器の出力及びキャパシタCpの端子間の電圧は、電極Yでの電圧がVS/2（電流iLの増大が止まる点）に達するまで、正弦曲線部分に沿って減少する。この第一の相は、キャパシタCpからインダクタLまでのエネルギーの移動に対応する。逆の移動が次の相の間に起こる。この相の間に、電流iLは減少し、電極Yでの電圧は、零ボルト（基準電位）に達するため他の正弦曲線部分に沿って減少し続ける。ダイオードD3は、電流が逆方向に流れることを妨げる。次に、スイッチM2を閉じると、電極Yでの電圧が零ボルトで保たれる。零ボルトからVSへの電極Yでの電圧の遷移は、スイッチM4を閉じることによって、同じように実行される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
この回路の主な欠点は、電流iLの高い実効値及びそれらスイッチがオフとされる時のダイオードの逆回復損失に依存する回路動作の間に電気伝導損失を発生する多数の能動部品を有することである。
【００１９】
本発明は、列アドレス又はサステインの増幅器として使用されえ、ソフトスイッチングで矩形信号を発生する能力を有し、エネルギー損失を導入する能力を有する少数の能動部品を有する増幅器に関する。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、容量性負荷においてソフトスイッチングで矩形電圧信号を発生するように設計された増幅器に関する。該増幅器は、
供給端子と基準端子との間に接続された二つのスイッチから成り、中点が該容量性負荷に接続されたハーフブリッジ構造と、
該ハーフブリッジ構造に接続され、該容量性負荷の端子間の容量性素子に直列に接続された誘導性素子によって形成されるエネルギー回復を有するソフトスイッチング回路とを有する。本発明によれば、該誘導性素子は、該増幅器での電気伝導損失をより一層減少させるように、飽和モードで動作する能力を有する第二のインダクタに直列に接続された第一のインダクタを有する。該第一及び第二のインダクタは、有利に同一のコイルで作られる。
【００２１】
本発明によれば、この増幅器は、予め励起状態で置かれたパネルのセルでの放電を維持するために、あるいはパネルのセルの列電極でアドレス信号を発生するために、パネルのセルのライン走査電極又はライン共通電極のいずれかでサステイン信号を発生するようにプラズマ表示パネルに含まれる。その時、容量性負荷は、パネルのセルの等価キャパシタに対応する。
【００２２】
更に、本発明は、プラズマ表示パネルのセルに対してライン走査電極及びライン共通電極においてソフトスイッチングで第一及び第二の矩形電圧信号を発生するように設計された増幅器に関する。該増幅器は、
供給端子と基準端子との間に接続された二つのスイッチを有し、中点が該ライン走査電極に接続された第一のハーフブリッジ構造と、
該供給端子と該基準端子との間に接続された二つのスイッチを有し、中点が該ライン共通電極に接続された第二のハーフブリッジ構造と、
該第一及び第二のハーフブリッジ構造の該中点の間に接続され、容量性素子に直列に接続された誘導性素子から形成されるエネルギー回復を有するソフトスイッチング回路とを有する。本発明によれば、該誘導性素子は、該増幅器での電気伝導損失を更に減少させるために、飽和モードで動作する能力を有する第二のインダクタに直列に接続された第一のインダクタを有する。該第一及び第二のインダクタは、同一のコイルで作られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明は、限定されない例によって与えられる以下の記述を読み、添付の図を参照することで更に理解されるであろう。
【００２４】
本発明によれば、ソフトスイッチングを発生する一方で依然としてエネルギーを回復するために使用される回路は、容量性素子C2に直列に接続された誘導性素子L2に限定される。この組み合わせは、パネルのセルの等価キャパシタCpの端子に接続される。この回路は、それらのサステイン相の間にセルの電極Y又はZに、あるいはそれらのアドレス相の間にセルの列電極に加えられるべき矩形信号を発生するために、図４で示される。
【００２５】
サステイン動作の場合、電圧VSは、セルを維持するための、約200ボルトの電圧であり、セルの列のアドレス指定の場合、電圧VSは、約60ボルトのアドレス電圧である。キャパシタCpの容量は、動作モード（同期又は非同期の遷移を伴う）によって、且つ動作の形式（アドレス相又はサステイン相）によって変化する。キャパシタCpは、場合によって、電極Y若しくはZ、又は列電極から見られるパネルの等価キャパシタに対応する。例えば、同期化遷移モードの場合、キャパシタCpの容量は、
‐電極Yに、即ちキャパシタCp2及びCp1/2の等価容量に、且つ、
‐電極Zに、即ちキャパシタCp3及びCp1/2の等価容量に等しい。
【００２６】
アドレス相に対して、キャパシタCpの容量は、表示されるべき画像に依存する。
【００２７】
上述の従来技術の回路とは異なり、このエネルギー回復回路は、スイッチングトランジスタ又はダイオードのいずれも有さない。更に、誘導性素子L2のインダクタンスは、図１のウェバー回路のインダクタL又はL’のそれよりも非常に大きく、100から1000倍以上である。同様に、容量性素子の容量は、キャパシタCpの容量よりも非常に大きく、少なくとも10倍以上である。
【００２８】
増幅器の動作を、図５を参照して更に具体的に説明する。それは、図中で1から8の番号を付与された八つの連続する相から作り出される。
【００２９】
相1、2、5及び6の間、スイッチM1及びM2は開かれる。これらの相は、増幅器の出力で電圧の遷移が起こる遷移相に対応する。相1、4、5及び8は、エネルギーがL2に蓄えられる相に対応し、相2、3、6及び7は、このエネルギーがパネルのセルから回収される相である。
【００３０】
更に具体的には、インダクタL2は、相1、2、5及び6の間に負荷キャパシタC2及びパネルキャパシタCpと共振する。C2はCpよりも非常に大きいので、L2はCpと共振すると考えて良い。相1及び5の終了時にインダクタL2は、最大電流iL2maxで充電される。それからそれは次の相の間に減少する。この電流は、相3及び7の終了時に向きを変える。
【００３１】
相3及び7の間に、スイッチングトランジスタM1及びM2は、開かれても、あるいは閉じられても、いずれであっても良い。それらが開かれる場合、それらの内在するダイオードは、電流が流れることを可能にする。図６のタイミング図で灰色の影を付けられた領域は、増幅器のスイッチングトランジスタの状態が開かれるか、あるいは閉じられるかのいずれかであることが問題とならないそれらの相を示す。
【００３２】
この回路と共に、損失は、パネルの特性及び動作モードによって、電流iL2の電気伝導損失、及び場合により、セルのガスでの放電電流に関連する損失に原則的に限定される。
【００３３】
部品の値を計算するために、キャパシタC2の容量は、パネルキャパシタCpよりも非常に大きいと考えて良いので、蓄積キャパシタC2の端子間の電圧の変動は小さいと仮定される。容量性素子C2の端子間の電圧VC2は一定であり、VS×t1/Tに等しい。t1/Tは信号のデューティーサイクルを決める。Tは増幅器の出力信号の周期である。t1は、Lの端子間の電圧が零を通る二つの連続した瞬間の間の時間間隔であり、スイッチM1が閉じられる相7及び8を含む。
【００３４】
更に、Δtの遷移の間、iL2は一定で、iL2maxに等しいという近似が考えられても良い。即ち、その時ΔtはCp×VS/iL2maxに等しく取られうる。ここで、iL2maxはVS及びL2に依存する。更に具体的には、
【００３５】
【数１】
2006113580.tif 000003
と表わされる。ここで、x=t1/T及びiL2maxは、遷移の傾斜を決定する。
【００３６】
図５で示されるような方形信号を発生するために、t1=T/2が成り立ち、且つ電流iL2の正及び負の傾斜は対称である。
【００３７】
セルの列をアドレス指定する動作に対して矩形信号を発生するために、図６で示されるように、t1≠T/2が成り立つ。電流iL2は依然として0を中心とするが、この電流の正及び負の傾斜は、もはや対称ではない。図６で示される例において、t1＞T/2であり、電流iL2の負の傾斜は、絶対値で正の傾斜よりも大きい。それは、正の傾斜の間の電圧よりも高く、VC2に等しいインダクタの端子間の電圧で作られるからである。
【００３８】
特に、この増幅器は、ウェバー増幅器を上回る以下の利点を有する。
【００３９】
‐増幅器の構造は、より少ない能動素子を有するので、単純化される。従って、これは、回路の実費を低減し、シリコン上の回路規模を縮小し、且つその信頼性を改善することを実現する。
【００４０】
‐対応する電流が受動素子のみを流れるので、遷移の間の電気伝導損失はほとんどない。
【００４１】
不利な面では、回路を流れる二乗平均平方根電流iL2は非常に高いので、それに相等して電圧遷移相の外での電気伝導損失も高い。
【００４２】
これらの電気伝導損失の低減を実現する改善された実施例を、図７で示す。この実施例では、誘導性素子L2は、二つの直列に接続されたインダクタを有する。即ち、飽和モードで動作可能である、低い値のインダクタL21及び高い値のインダクタL22である。飽和モードにおいて、インダクタは、エアインダクタ（磁性体を有さない）のように振舞う。インダクタL22は、本場合に自動スイッチのように動作する。飽和の前にそれを流れる電流は僅かであり、飽和後にそれを流れる電流は高い。本明細書本文の残りで、L2は、誘導性素子L2及びこのインダクタのインダクタンスの両方を表わす。
【００４３】
不飽和モードでは、インダクタL2は、インダクタンスL22（L21はL22と比較して非常に小さい）を有するインダクタとして動作し、飽和モードでは、インダクタンスL21（L22はほぼ0である）のインダクタとして動作する。不飽和又は飽和モードでの動作は、L2を流れる電流iL2に依存する。
【００４４】
図７の増幅器の動作は、図８を参照して表わされる。この図は、トランジスタM1及びM2を制御する制御信号、増幅器によって発生する電圧信号、及びインダクタL21及びL22を流れる電流iL2を示す。
【００４５】
電流iL2の動作の半周期は、1から4で示される四つの連続した動作相に分けられる。
【００４６】
相1の間、スイッチM1は閉じられ、スイッチM2は開かれる。増幅器の出力電圧はVSに等しく、インダクタL2を流れる電流は、より高いインダクタンスのインダクタL22によって制御される。従って、ハーフブリッジ構造のスイッチの一つを流れる電流はより一層小さく、電気伝導損失の低減を実現する。インダクタL2の端子間の電圧は、原則的にインダクタL22の端子間の電圧である。
【００４７】
相2の開始時に、インダクタL22は飽和する。その時回路はインダクタL21によって制御され、次に電流iL2は、スイッチM2が閉じられている間に線形に増大する。
【００４８】
次に、相3は、二つのスイッチM1及びM2が開かれる時に開始する。その時インダクタL21はキャパシタCpと共振し、増幅器の出力電圧は正弦曲線部分に沿って落ち始める。相3の中間で、インダクタL2の端子間の電圧は反転し、それを流れる電流は減少する。この相の後、増幅器の出力電圧は0ボルト（基準電位）に到達する。
【００４９】
相4の開始時に、インダクタL2を流れる電流は、スイッチM2がその内在するダイオードのために開かれてもあるいは閉じられても、いずれにしても線形に落ち続ける。その時M2は、電流が零になる（灰色で影を付けられた領域の終わり）前に閉じられなければならない。この相の後、インダクタL22はもはや飽和されない。次に相1と対称である相が開始する。
【００５０】
インダクタL22の選択は、最も重要なことである。適切な磁性体が選択されなければならず、必要とされる巻き数が計算されなければならない。L22の巻き数は、以下の方法で決められても良い。
【００５１】
夫々の動作相の間、例えば図８の相1の間、
【００５２】
【数２】
2006113580.tif 000004
が成り立つ。ここで、
Aeは、磁性体の実効断面積であり、
ΔBは、この相の間の磁気誘導の変化であり、
Δtph1は、相1の期間である。
【００５３】
この相の間、L22の端子間の電圧はVS/2に等しく、磁気誘導は、+Bsatから-Bsatの間（又はその逆）で変化する。従って、
【００５４】
【数３】
2006113580.tif 000005
が成り立つ。
【００５５】
Bsat及びAeは、用いられる磁性体に依存する変数である。従って、インダクタL22の巻き数は、式（1）から計算される。磁性体を選択する場合、飽和が“滑らか”でなく、飽和点での電流iL2が低い（二乗平均平方根電流の強さを低減するために）ように、磁化周期は実質的に矩形であることを確実にする必要がある。更に、この周期の領域は、ヒステリシス損失を回避するために小さくなければならない。
【００５６】
有利に、インダクタL21及びL22は、同一のコイルで作られ、コイルの巻き数及び磁性体の実効断面積がそれに応じて調整されることを提供される。例えば、上述のように計算された、飽和モード時にインダクタL2のインダクタンスに対応する巻き数nがコイルL21に対して適切でない場合、L2に直列に付加的なコイルを加えることが可能である。しかし、巻き数n及び断面積Aeを再調整することも可能である。
【００５７】
例えば、相1に対して計算された巻き数nが、後に続く相に対して大き過ぎる場合、それでも式（1）を満足するように、巻き数を減らし、ひいては断面積Aeを増大させることで事足りる。
【００５８】
例えば、相1に対して計算された巻き数が10であり、L21が相2、3及び4に対して4倍も高すぎる場合、巻き数nを半分にし、断面積Aeを倍にすることで事足りる。
【００５９】
最後に、他のサステイン増幅器の実施例を図９で提案する。この実施例では、回路（L2、C2）は、並列な電極Y及びZに対する二つのサステイン増幅器の間に共通に置かれる。その時、該回路は、ハーフブリッジ構造（M1、M2）及び（M1’、M2’）の中点の間に接続される。この構造に伴い、電極Y及びZを対象としたサステイン信号は、必然的に相の反対で同期遷移を有する。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】従来技術のサステイン増幅器の図を示す。
【図２】増幅器の既知の動作モードで図１のサステイン増幅器によって発生する電圧信号を表わすタイミング図を示す。
【図３】図１の増幅器の制御素子に対する制御信号及び該増幅器の動作を表わす信号を示す。
【図４】セルを維持する、あるいはセルの列をアドレス指定するために、プラズマ表示パネルのセルの電極のいずれか一つにおいてソフトスイッチングで矩形電圧信号を発生する能力を有する、本発明による第一の増幅器の図を示す。
【図５】セルのサステイン相の間にセルの電極Y又はZに加えられるべき信号を発生するために、図４の増幅器を制御する制御信号を表わすタイミング図を示す。
【図６】セルのアドレス相の間にセルの列電極に加えられるべき信号を発生するために、図４の増幅器を制御する制御信号を表わすタイミング図を示す。
【図７】セルを維持する、あるいはセルの列をアドレス指定するために、プラズマ表示パネルのセルの電極のいずれか一つにおいてソフトスイッチングで矩形電圧信号を発生する能力を有する、本発明による第二の増幅器の図を示す。
【図８】セルのサステイン相の間にセルの電極Y又はZに加えられるべき信号を発生するために、図７の増幅器を制御する制御信号を表わすタイミング図を示す。
【図９】エネルギー回復を有するソフトスイッチング回路は、パネルのセルの電極Y及びZに共通である、本発明によるサステイン増幅器を示す。
【符号の説明】
【００６１】
C1、C2  蓄積キャパシタ
Cp  等価キャパシタ
Cp1、Cp2、Cp3  キャパシタ
D3、D4、D3’、D4’  ダイオード
GND  接地
L、L’  共振インダクタ
L2、L21、L22  誘導性素子（インダクタ）
MC、MC’  スイッチングモジュール
M1、M2、M3、M4、M1’、M2’、M3’、M4’  スイッチ
T  増幅器の出力信号の周期
t1、Δt  時間間隔
VC1、VC2  蓄積キャパシタの端子間の電圧
VS  サステイン電圧
VY  電極Yでの電圧
VZ  電極Zでの電圧
Y  ライン走査電極
Z  ライン共通電極
iL、iL2  電流
1、2、3、4、5、6、7、8  当該増幅器の動作相
10  ウェバー増幅器
11、13  増幅器
12  ラインドライバ
【図１】
2006113580.tif 000006
【図２】
2006113580.tif 000007
【図３】
2006113580.tif 000008
【図４】
2006113580.tif 000009
【図５】
2006113580.tif 000010
【図６】
2006113580.tif 000011
【図７】
2006113580.tif 000012
【図８】
2006113580.tif 000013
【図９】
2006113580.tif 000014