(57)【要約】【課題】  改造トレースパッケージを含んだ１個以上の層からなる三次元電子モジュールを提供する。【解決手段】  上下面を具えた少なくとも１個のＴＳＯＰパッケージと、前記下面に結合された経路変更基板と、少なくとも１個の電導性金属トレースを外部電子回路に電気接続する手段とを有してなり、前記パッケージは１対の長手方向側部と１対の横方向側部と集積回路ダイと内部リードフレームとを有しており、長手方向側部または横方向側部の少なくとも一方が少なくとも１個のリードフレームアクセスリードを有しており、経路変更基板が少なくとも１個の電導性トレースと少なくとも１個の経路変更基板アクセスリードとを有しており、該経路変更基板アクセスリードが少なくとも１個の電導性トレースと電気接続されており、リードフレームアクセスリードが経路変更基板アクセスリードと電気接続されている。【選択図】図４ａ
2006324441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下面を具えた少なくとも１個のＴＳＯＰパッケージと、前記下面に結合された経路変更基板と、少なくとも１個の電導性金属トレースを外部電子回路に電気接続する手段とを有してなり、前記パッケージは１対の長手方向側部と１対の横方向側部と集積回路ダイと内部リードフレームとを有しており、長手方向側部または横方向側部の少なくとも一方が少なくとも１個のリードフレームアクセスリードを有しており、経路変更基板が少なくとも１個の電導性トレースと少なくとも１個の経路変更基板アクセスリードとを有しており、該経路変更基板アクセスリードが少なくとも１個の電導性トレースと電気接続されており、リードフレームアクセスリードが経路変更基板アクセスリードと電気接続されていることを特徴とする電子モジュール。
【請求項２】
さらに少なくとも１個の金属化Ｔコネクターを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
さらに少なくとも１個の金属化サイドバスを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
さらに少なくとも１個の長手方向側部上にＴコネクターを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項５】
さらに少なくとも１個の横方向側部上にＴコネクターを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項６】
さらに少なくとも１個の長手方向側部および少なくとも１個の横方向側部上にＴコネクターを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項７】
さらに２個の長手方向側部および少なくとも１個の横方向側部上にＴコネクターを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
少なくとも１個の長手方向側部および２個の横方向側部上にＴコネクターを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項９】
さらに２個の長手方向側部および２個の横方向側部上にＴコネクターを有していることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項１０】
少なくとも１個のＴＳＯＰパッケージが薄型化されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項１１】
少なくとも１個の電導性金属トレースと外部電子回路との間の電気接続がはんだボールであることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項１２】
少なくとも１個のＴＳＯＰパッケージの上面がＢＧＡパッケージのそれと実質的に同じに改造されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項１３】
上下面を具えてかつ結合パッドを具えた超小型回路を有した少なくとも１個の改造ＰＥＭと、該結合パッドに接続された電導性リードユニットと、超小型回路と結合パッドと電導性リードユニットを被包するプラスチック体と、電導性リードユニットの一部が露出している研摩面と、ＰＥＭの研摩面上の経路変更リードと、下面に結合された経路変更基板と、少なくとも１個の電導性金属トレースを外部電子回路に電気接続する接続手段とを有してなり、経路変更リードは電導性リードユニットの露出端部をＰＥＭの縁部と接続し、経路変更基板は少なくとも１個の電導性トレースと少なくとも１個の経路変更基板アクセスリードとを有しており、少なくとも１個の経路変更基板アクセスリードが少なくとも１個の電導性トレースと電気接続されており、少なくとも１個の電導性トレースが電導性リードユニットと電気接続されていることを特徴とする電子モジュール。
【請求項１４】
電導性リードユニットがワイヤーボンドを有していることを特徴とする請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１５】
電導性リードユニットがボール結合を有していることを特徴とする請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１６】
ワイヤーボンドが研摩により研摩面上に露出していることを特徴とする請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１７】
上下面を具えてかつ結合パッドを具えた少なくとも１個の集積回路ダイを有した改造層と、結合パッドと電気接続してかつ改造層の縁部において改造層アクセスリードに終わっている経路変更金属化体と、下面に結合されかつ少なくとも１個の電導性トレースと少なくとも１個の経路変更基板アクセスリードとを有した経路変更基板と、少なくとも１個の電導性金属トレースを外部電子回路に電気接続する接続手段とを有してなり、少なくとも１個の経路変更基板アクセスリードが少なくとも１個の電導性トレースと電気接続しており、改造層アクセスリードが経路変更基板アクセスリードと電気接続していることを特徴とする電子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は電子モジュールに関するものであり、さらに詳しくは多層マイクロ電子モジュールに関するものである。
【０００２】
また特にこの発明は電気的に相互接続された層からなる三次元モジュールに関するものであり、その少なくとも１個の層は薄い小型輪郭のパッケージ（ＴＳＯＰ）を装備している。該ＴＳＯＰは工業標準（例えばＪＥＤＥＣ）ＢＧＡパッケージの面積を有するように改造されており、各ＴＳＯＰ層は選択的に薄型化されて集積体の高さを最少にしている。
【背景技術】
【０００３】
ボールグリッドアレーパッケージ（ＢＧＡ）の形でのコンピューターメモリーへの需要は、より大きな記憶容積と速度とＢＧＡフォーマットのより小さなフォームファクターの故に、増大している。
【０００４】
ＢＧＡパッケージはパッケージの下側のはんだボール相互接続を利用しており、パッケージ中の半導体ダイからのパワー源と入出力端を外部電子回路に相互接続している。したがってＢＧＡパッケージはＴＳＯＰがするように相互接続に外部に突出しているリードを必要としない。そこで小型のファクターが望ましい応用にはＢＧＡパッケージを利用する傾向がある。
【０００５】
さらにコンピューターメモリー製造者はより新しく、より高価なメモリー製品をＢＧＡフォーマットで益々提供するようになっている。かくしてＤＩＭＭまたはプリント回路盤や電子ユニットなどを設計するサーバー製造者などの最終製品製造者は最終製品中または上にＢＧＡメモリーパッケージを使用する結果となっている。
【０００６】
メモリー技術の以前の発生に当たっては、ＴＳＯＰと呼ばれる薄い小さな輪郭のパッケージにメモリーＩＣチップを装備していた。ＴＳＯＰパッケージ技術と製造プロセスは充分に発達しているので、ＴＳＯＰメモリー製品群はより品質良く、安価でかつ入手し易くなる傾向にある。
【０００７】
ＴＳＯＰメモリー回路密度を向上させるべく、業界においてはトレースまたは他の超小型電子回路を含んだ２個以上の層を垂直に集積・相互接続して高密度三次元モジュールを形成することを利用している。ＴＳＯＰメモリーパッケージの集積は当業界で周知であり、かつ例えばアメリカ特許第６，０２６，３５２号、６，８０６，５５９号、６，７０６，９７１号などに開示されている。
【特許文献１】アメリカ特許第６，０２６，３５２号
【特許文献２】アメリカ特許第６，８０６，５５９号
【特許文献３】アメリカ特許第６，７０６，９７１号
【０００８】
集積ＢＧＡパッケージに関しては、入手可能なＢＧＡパッケージは高価であり独特な内外設計特性を有しており、熱的な諸問題が薄型化、集積化、相互接続化を容易でなくしている。他方ＴＳＯＰは入手容易、薄型化容易、安価である。しかし業界で必要とされる標準ＢＧＡフォームファクターを欠いている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この発明においては少なくとも１個の改造・薄型化または非薄型化ＴＳＯＰ層からなるＢＧＡスケール集積を与えることにより、両方のタイプのパッケージにおいて得られる利点を結合しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は改造ＴＳＯＰパッケージを含んだ１個以上の層からなる三次元電子モジュールを提案するものである。
【００１１】
一実施例においては、２個以上の従来型のＴＳＯＰパッケージとベース経路変更基板とを集積・相互結合して電子モジュールを形成する。ＴＳＯＰ層は、被包パッケージ内外リードフレームの所定の部分を除去することにより、改造されている。ここで現存するＴＳＯＰ内部リードフレームの断面部分がモジュールの１個以上の長手方向側部上に露出されて、１個以上のリードフレームアクセスリードを形成する。
【００１２】
経路変更基板は一般に電気信号の経路変更のためにプリント回路盤、フレックス回路または均等構造物を含んでいる。経路変更基板は適宜な電導性トレースと周辺経路変更基板アクセスリードとを有しており、ＴＳＯＰ集積モジュールの下側に結合されている。経路変更基板はさらにはんだボールパターンを有しており、これによりモジュールは、プリント回路盤に見られるように、工業標準ＢＧＡ接続に電気接続される。
【００１３】
各層からの適宜なアクセスリードは、「Ｔコネクター」を形成する金属化電導性トレースを用いて、相互接続されている。該Ｔコネクターは１個以上のモジュール周辺側部上に配置されている。またＴＳＯＰアクセスリードも経路変更基板上の適宜なアクセスリードと電気接続されている。該基板は電力、アースおよび層からの入出力信号をモジュールの下側に配置された経路変更基板はんだボールパターン上の適宜な場所に経路設定する。被包集積回路チップまたは面研摩ＴＳＯＰパッケージを有した改造層を層中に用いることもできる。
【００１４】
結合・相互接続された層は高回路密度で安価で製造容易で工業標準電導パターンに容易に接続できる三次元電子モジュールを形成する。
【００１５】
この発明においては、現存の独特なＴＳＯＰリードフレーム構造の形状を利用しており、これによりアクセスリードはモジュールの４個の周辺側部上に形成・相互接続が可能となり、同時に標準ＢＧＡパッケージの形状に精密に適合するモジュールが形成される。
【００１６】
さらにこの発明における層はＴＳＯＰ層からなっており、該ＴＳＯＰ層は薄型化されてダイ上にボールボンドまたはワイヤーボンドを露出させ、これらは電気的に縁部に経路変更されて、モジュールの１個以上の側部に沿って相互接続される。
【００１７】
さらにこの発明の層は、被包されて誘電体で覆われた活性表面を有する集積回路ダイを１個以上有している。集積回路結合パッドは誘電体を通って露出され、金属化トレースを用いて縁部に電気的に経路変更される。該トレースは経路変更基板に出入りする信号の経路設定に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１ａ、１ｂに示す従来市販のＴＳＯＰパッケージ１は一般に被包材料中で成形された集積回路チップであって、被包材から外側に垂下する複数の電導性リードを有している。図１ａに示すのは集積回路ダイとリードフレームとを有したＴＳＯＰの内部構造である。
【００１９】
パッケージ１は一般に平面形状が方形であって、上面５、下面１０、長手方向の第１の側部１５ａ、１５ｂ、および横方向の第２の側部２０ａ、２０ｂを有している。
【００２０】
図２においてメモリーチップなどの内部集積回路ダイ２５はワイヤーボンド３５を介してリードフレーム３０に電気接続されている。リードフレーム３０は銅などの電導性材料からなり、被包材４０に被包された集積回路ダイ２５、ワイヤーボンド３５およびリードフレーム３０を電気接続するものである。外側に突出するＴＳＯＰリード４５はリードフレーム３０の外側突出部を有して、被包材４０から延在して集積回路ダイ２５およびＴＳＯＰリード４５と電気接続されて外部回路への接続を可能としている。
【００２１】
図３に示す実施例において、パッケージ１は上面５、下面１０または両面から被包材４０の所定部分をラッピングまたは研磨することにより除去して薄型化されている。当業者周知のように、下面１０からの所定部分の除去に際しては、集積回路ダイ２５の不活性下面の一部を除去して、ＴＳＯＰパッケージの厚さを最小化する。
【００２２】
以下に詳記するように、図４ａ、４ｂに示す基板５０は一群の電導性トレース５５、はんだボール接続パッド６０およびコネクター６５を介しての貫通孔を有している。電導性トレース５５は基板５０の長手方向・横方向周辺においてまたは近くで終わっており、実質的に経路変更基板アクセスリードに改造されて、サイドバス金属化体に相互接続されてＴコネクターを形成している。
【００２３】
図４ａには複数のパッケージ１と基板５０とが示されており、実質的にＴＳＯＰリード４５と垂直状に集積されており、それぞれと経路変更基板アクセスリード７０とはＴＳＯＰリード４５と実質的に垂直に配置されている。複数のパッケージ１と基板５０とはエポキシなどの適宜な接着材７２により結合されていて、ＴＳＯＰ層の集積を形成し、経路変更基板はその下面上にあって、集積三次元モジュール７５を形成している。
【００２４】
図５において、モジュールが組立て・結合された後、１個以上の長手方向側部１５ａ、１５ｂまたは横方向側部２０ａ、２０ｂの所定部分７８が鋸切断、研磨、ラッピングなどにより除去されて、リードフレーム３０の断面領域を露出して、１個以上のリードフレームアクセスリード８０を画定し、基板５０の電導性トレースの横断領域を露出して、１個以上の経路変更基板アクセスリード７０を画定している。
【００２５】
リードフレームアクセスリード８０と経路変更基板アクセスリード７０とを形成することにより、モジュールの長手方向側部および／または横方向側部の辺りに一群の電導性接続点を形成する。これにより基板５０の下側の接続パッド６０に経路変更されるべき各含パッケージ層中に回路が形成される。
【００２６】
一群のアクセスリードが選択された側部上に露出されると、メッキなどの金属化が全ての側部に施与されて、その上に含まれる各露出アクセスリードを効果的に短絡して、直交配置された伝導体の金属化Ｔコネクターが形成されて、そこで金属化体とアクセスリードとが相互接続される。
【００２７】
ついで鋸切断やレーザー研磨などにより金属化の選択された部分を除去することにより、選択された金属化電導性トレースがいずれかの側部上の所定の場所に形成される。これにより種々の側部上のユーザー選択アクセスリード間に電導性トレースが形成される。該リードは経路変更基板はんだボールパターンに経路変更されている。
【００２８】
他の実施例にあっては、複数のパッケージ１の各両側部の所定部分が除去され、各側部上にリードフレームアクセスリードが露出される。補助的な経路変更基板が与えられて、アクセスリードがモジュール周辺近くの所望の場所に形成される。
【００２９】
図６に示すパッケージ１の利点はリードフレーム３０の独特な構成に有り、モジュールそれ自身の痕跡が最小化されているが、アクセスリードへの接続は最大化されている。パッケージ１がこのように改造されると、ＢＧＡへの応用に使用できる高密度モジュールが安価で入手容易なＴＳＯＰパッケージから形成できる。
【００３０】
実施例の組立てに際しては、接続パッド６０にはんだボールを用いて外部電子回路に相互接続するようにする。
【００３１】
図７ａ〜７ｎに示す製造方法にあっては、まずプリント回路盤やフレックス回路などの基板５０が図７ａに示すように用意される。これは１個以上の適宜な電導性トレース（図示せず）を有しており、該トレースは爾後の電気接続や爾後のボールグリッドアレー接続用はんだボールを受けるためのものである。
【００３２】
図７ｂに示すステップにおいては、熱可塑性プラスチックなどの接着材が一時的に施与されている。
【００３３】
図７ｃに示すのは施与されたプリントエポキシ付き基板５０であって、エポキシパターンは１個以上のパッケージ１を受け取るためのものである。
【００３４】
図７ｄのステップにおいては、第１の犠牲基板または除去可能な位置決め固定材８５が用意される。該固定材は１個以上のパッケージ１をその上に有していて、各パッケージ１は上面５と下面１０とを有している。ＴＳＯＰリードをはんだ付けするか接着などによりパッケージ１は第１の位置決め面上に固定するのが望ましい。下面１０は第１の位置決め面に向けて配置されている。
【００３５】
図７ｅのステップにおいては、パッケージ１の上面５が基板５０上のプリントエポキシ領域上に結合されて製造ユニット９０を形成する。
【００３６】
図７ｆにカール中の製造ユニット９０を示す。
【００３７】
図７ｇに第１の位置決め固定材を除去した後の製造ユニット９０を示す。
【００３８】
図７ｈに示すように、パッケージ１の下面１０の所定部分が研摩などにより除去されて、その上にエポキシ層が配置される。
【００３９】
図７ｉ〜７ｍのステップにおいて、第２のパッケージ１のセット付きの第２の位置決め固定材９５が製造ユニット９０に結合され、第２の固定材のパッケージ１の上面５が第１のセットのパッケージ１の下面１０に結合される。
【００４０】
固定材９５が除去され、第２のセットのパッケージ１の下面１０の所定部分が除去される。これらのステップはユーザーの恣意により繰返し可能であり、これにより２個以上のＴＳＯＰ層を具えたＴＳＯＰ集積体が形成されるか、またはＢＧＡフォーマットに適合するように単一のＴＳＯＰパッケージが改造される。
【００４１】
所望数の層が集積・結合されると、切断などにより多重サブユニットが図７ｍに示すように薄型化ＴＳＯＰ層の個々の集積体に個別化され、モジュール７５の１個以上の側部上に内部リードフレーム断面が露出される。
【００４２】
前記したように、この個別化ステップはＴＳＯＰの独特な内部構造、つまりダイの配置とリードフレームの配置とを利用したものである。その表面領域が工業標準ＢＧＡフォームファクターのそれとなるようにＴＳＯＰを切断することにより、外部ＴＳＯＰリード４５が除去され、内部リードフレーム３０が部分的に除去され、改造パッケージ１の周辺近くにリードフレーム断面が露出される。これらの露出したリードフレーム部分は接続点として利用されて、モジュールの各対の長手方向側部、横方向側部上の１個以上の改造ＴＳＯＰ層の垂直接続が可能となる。
【００４３】
図８に示すように集積体は「集積体の集積体」として積層されて、爾後のサイドバス金属化などのプロセスを簡単にする。
【００４４】
適宜な電導性トレースが積層集積体上に形成されて、図９に示すように露出リードフレーム部分の接続が可能となる。
【００４５】
リードフレーム「非接続」リード断面の潜在的な使用に注目すべきであり、ＴＳＯＰ構造中の非接続リードフレーム部分が使用されて、パッケージ１の長手方向側部、横方向側部上に電導性トレースを形成して、より複雑なサイドバス設計を可能とする。
【００４６】
図１０、１１のステップにおいては、集積体個別化とはんだボール添着が行われて、フォームファクターを具えた薄型化ＴＳＯＰ層の集積体および工業標準ＢＧＡパッケージのレイアウトが形成される。
【００４７】
以上に代えて、集積回路ダイをその上に具えた半導体ウエファーを購入・切断・ＴＳＯＰフォーマットにパッケージして上記したような処理を容易に使えるようにすることもできる。ＢＧＡパッケージ中への集積回路ダイの再パッケージは現在非常に高価につく。
【００４８】
図１２に示すのは、長手方向側部１５ａ、１５ｂと横方向側部２０ａ，２０ｂの除去前のＴＳＯＰリードフレーム構造、その結果得られる構造および４周辺面上へのリードフレームアクセスリードの形成である。
【００４９】
図示のように、結果として得られた電子モジュールはＢＧＡフォームファクターであって、非常に低い垂直形状で（つまり１．５ｍｍ）ＢＧＡ中に使用できる。該モジュールは立証された工業標準ＴＳＯＰ製造技術と方法の長所を具えたものであり、多重処理モジュール上に処理ステップを施せるので安価である。
【００５０】
垂直高さが得られるモジュールにおいてさして重要な要因でない場合にはＴＳＯＰ層を薄型化する必要はない。
【００５１】
これに代わる実施例においては、ＴＳＯＰパッケージの集積回路ダイ２５に接続された内部ワイヤーボンドまたはボールパッドを利用する。そのような層を形成する方法は上記したアメリカ特許第６，７０６，９７１号に開示されている。
【００５２】
図１３中に見られるようにこの実施例にあっては、被包材４０の所定部分が上面５からラッピング、研摩、エッチングなどにより除去または研摩されており、ほぼボールボンドの深さだけワイヤーボンド３５が露出されている。ワイヤーボンド３５は集積回路ダイ２５に接続している。
【００５３】
露出したボールボンドは誘電面として作用する改造パッケージの上面上の接続金属化電導性トレースにより改造ＴＳＯＰの１個以上の側部に電気的に経路変更されている。ついでアクセスリードが改造ＴＳＯＰの面上の電導性トレースの端部に形成される。
【００５４】
さらなる実施例においては、モジュール７５は少なくとも１個のＴＳＯＰなどのプラスチック被包超小型回路（ＰＥＭ）からなり、該回路は集積回路を含んだ活性表面と集積回路とワイヤーボンドパッドとを含んだ活性面を具えた（ａ）超小型回路と（ｂ）小型回路に接触する被包材とを有しており、ＰＥＭを改造して改造面を具えた改造ＰＥＭを形成している。該改造面上にはワイヤーボンド断面が露出しており、これを電導体とも呼ぶが、この電導体はワイヤーボンドのボールボンド部分またはワイヤーボンド断面それ自体を有しており、これが結合パッドに電気的に接続されている。
【００５５】
またこの発明においては、モジュールが少なくとも１個のＰＥＭを有している。該ＰＥＭは（ａ）結合パッドを具えた超小型回路、（ｂ）結合パッドに接続されたリードフレームと、（ｃ）超小型回路と結合パッドとリードフレームの少なくとも一部を被包しているプラスチック体と、（ｄ）プラスチック体の上部とリードフレームの少なくとも一部を除去して超小型回路と結合パッドを含んだ平坦面を残すＰＥＭの上面の研摩とを有している。
【００５６】
さらにこの発明の少なくとも１個のプラスチック被包超小型回路（ＰＥＭ）を具えたモジュールは（ａ）集積回路と結合パッドを含んだ活性面を具えた超小型回路と、（ｂ）結合パッドとリードフレーム接続されたワイヤーボンドと、（ｃ）ワイヤーボンドをリードフレームに接続するワイヤーと、（ｄ）公知の超小型回路とワイヤーボンドとワイヤーとリードフレームの少なくとも一部を被包するプラスチック体とを有している。
【００５７】
ＰＥＭの表面を研摩してリードフレームとワイヤーとを除去し改造ＰＥＭを形成する。該ＰＥＭは超小型回路と結合パッドとワイヤーボンドとを含んでいる。また改造ＰＥＭは改造表面を有しており、その上にはワイヤーボンドが露出されており、該ワイヤーボンドは結合パッドに接続されている。かくして改造表面上に電気的リードが形成されて、ワイヤーボンドから改造ＰＥＭの周辺部に延在している。
【００５８】
さらにこの発明のモジュールは（１）プラスチック被包超小型回路（ＰＥＭ）の改造部分の改造面上の経路変更リードとを有している。該超小型回路は当初（ａ）結合パッドを具えた公知の超小型回路と、（ｂ）結合パッドに接続された電導性リードユニットと、（ｃ）公知の超小型回路と結合パッドと電導性リードユニットを被包したプラスチック体を有している。
【００５９】
ＰＥＭから電導性リードユニットの一部を除去して改造部分は形成される。改造部分は改造面を有しており、公知の超小型回路と結合パッドとリードユニットの残りの部分とを有しており、その端部は改造面上に露出している。（２）経路変更リードはリードユニットの露出した残りの部分を改造部分の縁部に接続している。
【００６０】
さらに他の実施例においては、ＢＧＡスケールモジュールがアメリカ特許第６，７９７，５３７号、アメリカ特許第６，７８４，５４７号などに開示された改造層から構成されている。
【特許文献４】アメリカ特許第６，７９７，５３７号
【特許文献５】アメリカ特許第６，７８４，５４７号
【００６１】
改造層は一般にプラスチック材料中に被包された１個以上の集積回路ダイを含んだ層を有している。ダイの活性面上には誘電体が配置されている。ダイの結合パッドは誘電体を通って露出し、結合パッドから改造層の周辺への経路変更金属化体が形成されて、層の端部に少なくとも１個の改造層アクセスリードが形成される。
【００６２】
改造層の使用により複数のダイが１個の層中に存在することができ、該層は経路変更基板に結合されてＢＧＡスケールモジュールを形成する。集積体中においてダイは不均質または均質である。改造層の使用により支持回路、ＦＰＧＡダイまたは他のＩＣが改造ＴＳＯＰまたは単一層からなるＢＧＡスケール集積体中に存在できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１ａ】従来の薄型小型輪郭パッケージまたはＴＳＯＰの外部構造の斜視図である。
【図１ｂ】従来の薄型小型輪郭パッケージまたはＴＳＯＰの内部構造の斜視図である。
【図２】図１のａ、ｂのＴＳＯＰの断面図である。
【図３】この発明のＴＳＯＰの断面図である。
【図４ａ】この発明のモジュールの断面図である。
【図４ｂ】同じく経路変更基板の平面図である。
【図５】同じくモジュールの左側部の断面図である。
【図６】同じくモジュールの反対側側部の断面図である。
【図７】ａはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｂはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｃはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｄはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｅはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｆはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｇはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｈはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｉはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｊはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｋはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｌはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｍはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。ｎはこの発明のモジュールの製造工程の一ステップを示す図である。
【図８】図７ａ〜ｎの集積体の集積体を示す図である。
【図９】図８の集積体の集積体側の側部上の銅トレースの定義を示す図である。
【図１０】集積体の集積体の個々のモジュールへの単独化を示す図である。
【図１１】経路変更基板に取り付けられたはんだボールを示す図である。
【図１２】従来のＴＳＯＰリードフレームの内部構造を示す図である。
【図１３】プラスチック被包超小型回路を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１：  パッケージ
１５、２０：  側部
２５：  集積回路ダイ
３０：  リードフレーム
４０：  被包材
５０：  基板
７５：  三次元モジュール
９０：  製造ユニット
【図１ａ】
2006324441.tif 000003
【図１ｂ】
2006324441.tif 000004
【図２】
2006324441.tif 000005
【図３】
2006324441.tif 000006
【図４ａ】
2006324441.tif 000007
【図４ｂ】
2006324441.tif 000008
【図５】
2006324441.tif 000009
【図６】
2006324441.tif 000010
【図７】
2006324441.tif 000011
【図８】
2006324441.tif 000012
【図９】
2006324441.tif 000013
【図１０】
2006324441.tif 000014
【図１１】
2006324441.tif 000015
【図１２】
2006324441.tif 000016
【図１３】
2006324441.tif 000017