(57)【要約】    【課題】  絶縁膜形成用の液体材料の使用量を最小限に抑えることが可能な技術を提供する。    【解決手段】基板１１０の上に複数の半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂを形成した後、液滴吐出法を用いて各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に、局所的にゲート絶縁膜形成用の液体材料を配置する。このように配置した液体材料を例えば１００℃〜２００℃程度の温度で乾燥し、さらに３５０℃〜４００℃の温度で６０分程度焼成することで、各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に局所的に形成されたゲート絶縁膜３２０Ａ、３２０Ｂを得る。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層と、各配線層の間に形成された絶縁膜とを有する多層配線基板であって、前記各絶縁膜は、当該絶縁膜の上層に位置する配線層と下層に位置する配線層とが重なる領域に局所的に形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
基板上に形成されたチャネル領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えた半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体膜の少なくともチャネル領域と重なる領域に、局所的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記半導体膜には前記チャネル領域を挟むソース領域及びドレイン領域が形成されており、
前記ソース領域における電極取り出し部及び前記ドレイン領域における電極取り出し部には、いずれも前記ゲート絶縁膜が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体装置を複数備えた基板であって、前記ゲート絶縁膜の膜厚が２種以上存在することを特徴とする半導体基板。
【請求項５】
請求項２または３に記載の半導体装置を複数備えた基板であって、前記ゲート絶縁膜の膜質が２種以上存在することを特徴とする半導体基板。
【請求項６】
基板上に形成されたチャネル領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜とを備えた半導体装置であって、
前記層間絶縁膜は、前記ゲート電極と重なる領域に、局所的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項２，３，６のいずれかに記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項２，３，６のいずれかに記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
基板上にチャネル領域となる部分を含む半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含み、
前記ゲート絶縁膜の形成工程では、前記半導体膜の少なくともチャネル領域と重なる領域に、当該ゲート絶縁膜を局所的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜は、液体材料を用いた塗布法によって形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記塗布法は、液滴吐出法であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上にチャネル領域となる部分を含む半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記層間絶縁膜を形成する工程では、前記ゲート電極と重なる領域に、当該層間絶縁膜を局所的に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板、半導体装置、半導体基板、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を構成するゲート絶縁膜や層間絶縁膜などの絶縁膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、または塗布法により基板全面に形成されるのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ００／５９０４０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記方法では本来的に形成する必要のない領域にまで絶縁膜が形成されるため、絶縁膜形成用の材料が無駄に消費されてしまい、製造コストが高くなる等の問題があった。
【０００５】
本発明は、以上説明した事情を鑑みてなされたものであり、絶縁膜形成用の材料の使用量を可能な限り抑えることができる絶縁膜の形成技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上にチャネル領域となる部分を含む半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含み、前記ゲート絶縁膜の形成工程では、下層に位置する前記半導体膜の少なくともチャネル領域と重なる領域に、当該ゲート絶縁膜を局所的に形成することを特徴とする。
【０００７】
かかる構成によれば、半導体装置を構成するゲート絶縁膜が、下層に位置する半導体膜の少なくともチャネル領域と重なる領域に局所的に形成される。このように、ゲート絶縁膜を必要な部分にのみ局所的に形成することで、ゲート絶縁膜形成用の液体材料の使用量を最小限に抑えることが可能となる。
【０００８】
ここで、上記方法にあっては、液体材料を用いた塗布法によってゲート絶縁膜を形成するのが好ましく、さらに、塗布法として液滴吐出法を用いるのが好ましい。
【０００９】
また、本発明に係る多層配線基板は、複数の配線層と、各配線層の間に形成された絶縁膜とを有する多層配線基板であって、前記各絶縁膜は、当該絶縁膜の上層に位置する配線層と下層に位置する配線層とが重なる領域に局所的に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置は、基板上に形成されたチャネル領域を有する半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えた半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜は、下層に位置する前記半導体膜の少なくともチャネル領域と重なる領域に、局所的に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、上記半導体装置を電気光学装置や電子デバイスに適用しても良い。ここで、電気光学装置とは、例えば、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ素子等を備えた装置であって、上記半導体装置を駆動回路等に適用した装置をいう。また、電子デバイスとは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定は無いが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
Ａ．第１実施形態
図１（ａ）は、第１実施形態に係るＴＦＴの半導体膜３１０とゲート絶縁膜３２０とゲート電極２１０との関係を説明するための図であり、図１（ｂ）は、一般的なＴＦＴの半導体膜３１とゲート絶縁膜３２とゲート電極２１との関係を説明するための図である。
【００１４】
図１（ｂ）に示す一般的なＴＦＴのゲート絶縁膜３２は、半導体膜３１を覆うように基板１１全面に形成されるのに対し、図１（ａ）に示す第１実施形態に係るＴＦＴのゲート絶縁膜３２０は、半導体膜３１０のチャネル領域２２６と重なる領域に局所的に（すなわち、半導体膜３１０のソース領域２２４、ドレイン領域２２５が露出するように）形成される点で異なる。このように、ゲート絶縁膜３２０を必要な領域に局所的に形成することで、ゲート絶縁膜形成用の材料（詳細は後述）の使用量を最小限に抑えることが可能となる。以下、このようなゲート絶縁膜３２０を有するＴＦＴ（半導体装置）の製造プロセスについて図２等を参照しながら説明する。
【００１５】
まず、図２（ａ）に示すガラス基板などの基板１１０に対して必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜（図示略）を形成する。なお、下地絶縁膜としてシリコン酸化膜の他にシリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜を設けても良い。こうした絶縁膜を設けることにより、ガラス基板からの汚染を防止することが可能となる。
【００１６】
次に、基板１１０の温度を約３５０℃に設定して、基板１１０（あるいは下地絶縁膜）の表面にプラズマＣＶＤ法などを用いて厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜３１０を形成する。半導体膜としては、アモルファスシリコン膜に限定されず、微結晶半導体膜などのアモルファス構造を含む半導体膜や多結晶半導体膜でも良い。また、アモルファスシリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜であっても良い。
【００１７】
続いて、この半導体膜３１０に対してレーザアニール法や、急速加熱法（例えば、ランプアニール法やフラッシュアニール法）などの結晶化工程を行い、半導体膜３１０をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍ程度のラインビームを用い、その出力強度は例えば４００ｍＪ／ｃｍ2とする。なお、ＹＡＧレーザの第２高調波或いは第３高調波を用いても良い。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域ごとに重なるようにラインビームを走査するのが良い。
【００１８】
次に、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法等を用いたパターニングにより、半導体膜（シリコン膜）３１０として不要な部分を除去し、各ＴＦＴのサイズに応じた島状の半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂを形成する。この半導体膜の膜パターンの形状やサイズは、形成すべきＴＦＴのサイズに応じて決定されるため、同一基板上にサイズが異なる複数の膜パターン（図２（ｂ）では、半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂ）が形成されることになる。
【００１９】
基板１１０の上に複数の半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂを形成すると、各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂにおけるチャネル領域が形成される領域と重なる領域に、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて局所的にゲート絶縁膜形成用の液体材料を配置する。液体材料としては、例えばペルヒドロポリシラザンを有機溶媒（例えば２０％キシレン溶液）で溶解したものを用いることができるが、他にシロキサン結合を有するＳＯＧ材料、High-kやLow-k材料などを用いても良い。なお、各チャネル領域と重なる領域に局所的に液体材料を配置することが難しい場合等には、各チャネル領域を含む各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂと重なる領域に局所的に液体材料を配置しても良い。
【００２０】
そして、このように配置した液体材料を例えば１００℃〜２００℃程度の温度で乾燥し、さらに３５０℃〜４００℃の温度で６０分程度焼成することで、図２（ｃ）に示すように各半導体膜３１０Ａ、３１０Ｂにおけるチャネル領域２２６が形成される領域と重なる領域に、局所的にゲート絶縁膜３２０Ａ、３２０Ｂが形成される。図２（ｃ）から明らかなように、半導体膜３１０Ａ上に形成されるゲート絶縁膜３２０Ａの膜厚ｄ１は、半導体膜３１０Ｂ上に形成されるゲート絶縁膜３２０Ｂの膜厚ｄ２（＜ｄ１）よりも厚くなるように設定されている。このようにゲート絶縁膜３２０の膜厚を変えることで、所望の特性（ゲート耐圧や閾値電圧Ｖth等）を有するＴＦＴを形成することが可能となる。
【００２１】
具体的には、ゲート耐圧や閾値電圧Ｖthを上げたい場合には、ゲート絶縁膜３２０の膜厚を厚く設定する一方、閾値電圧Ｖthを下げたい場合には、ゲート絶縁膜３２０の膜厚を薄く設定する。なお、ゲート絶縁膜３２０の膜厚やゲート絶縁膜３２０の形成領域の大きさ等については、液体材料を含む液滴の滴下前の基板１１０の表面状態、液体材料の成分や粘度、液滴の表面エネルギー、乾燥条件（温度、雰囲気、基板１１０の位置による温度勾配、液滴内部の対流など）を変えることで制御すれば良い。例えば、ゲート絶縁膜を厚くしたい領域では液体材料を複数回塗布することができる。また、ゲート絶縁膜を厚くしたい領域には２度以上の複数回塗布膜を形成するようにしても良い。もちろん、各ゲート絶縁膜３２０の膜厚や形成領域の大きさが全て等しくなるように制御しても良い。
【００２２】
その後、図２（ｄ）に示すように、各ゲート絶縁膜３２０Ａ、３２０Ｂの上にゲート電極２１０Ａ、２１０Ｂを形成し、これら各ゲート電極２１０Ａ、２１０Ｂをマスクとして半導体膜３２０Ａ、３２０Ｂに不純物イオンを導入する。これにより、不純物の濃度が高いソース・ドレイン領域２２４、２２５が自己整合的に形成されるとともに、各ゲート電極２１０Ａ、２１０Ｂによって覆われて不純物が導入されなかった部分にチャネル領域２２６が形成される。
【００２３】
図３は、半導体膜３１０とゲート絶縁膜３２０とゲート電極２１０との関係を例示した図である。
本実施形態では、半導体膜３１０のチャネル領域２２６のみを覆うように（いいかえれば、ソース領域における電極取り出し部２２４−１、ドレイン領域における電極取り出し部２２５−１がゲート絶縁膜３２０で覆われないように）ゲート絶縁膜３２０を形成したが（図３（ａ）参照）、例えば、図３（ｂ）に示すように、半導体膜３１０を全て覆うようにゲート絶縁膜３２０を形成しても良い。ただし、半導体膜３１０を全て覆うようにゲート絶縁膜３２０を形成した場合には、ソース領域における電極取り出し部２２４−１、ドレイン領域における電極取り出し部２２５−１と対応する位置にコンタクトホールを形成する必要があるため、上記の如く、半導体膜３１０のチャネル領域２２６のみを覆うようにゲート絶縁膜３２０を形成するのが望ましい。
【００２４】
その後、ゲート電極２１０を覆うように層間絶縁膜(図示略)を形成する。この層間絶縁膜については、基板１１０の全面に形成することも可能であるが、ゲート絶縁膜３２０と同様、下層に位置するゲート電極２１０と重なる領域に局所的に形成しても良い。なお、この層間絶縁膜については、ゲート絶縁膜３２０と同様、液滴吐出法により液体材料を用いてゲート電極２１０と重なる領域に局所的に形成すれば良い。具体的には、シリコン酸化窒化膜やシリコン酸化膜等のシリコンを含む単層若しくは積層の絶縁膜等によって層間絶縁膜を形成すれば良い。
【００２５】
続いて、各電極取り出し部２２４−１、２２５−１の上に直接（若しくは層間絶縁膜等を介して）アルミニウム膜、クロム膜、タンタル膜などの導電膜を形成した後、形成すべきソース電極及びドレイン電極の位置にマスク（図示略）等を形成してパターニングを行うことにより、ソース電極、ドレイン電極を同時に形成する。このような工程が行われる結果、膜厚等が最適化されたゲート絶縁膜を有する複数のＴＦＴが基板１１０上に形成されることになる。
【００２６】
以上説明したように、本実施形態によれば、各ＴＦＴのゲート絶縁膜は下層に位置する半導体膜と重なる領域に局所的に形成されるため、ゲート絶縁膜形成用の液体材料の使用量を最小限に抑えることが可能となる。
【００２７】
さらに、上記ゲート絶縁膜を半導体膜におけるチャネル領域のみと重なる領域に局所的に形成した場合には（図３（ｂ）参照）、コンタクトホール等を形成してソース・ドレイン領域の電極取り出し部を露出させる必要がなく、製造プロセスを簡便にすることができる。
【００２８】
また、液体材料を用いて各ＴＦＴのゲート絶縁膜を形成するため、必要とされる各ＴＦＴの特性にあわせて膜厚等が異なるゲート絶縁膜を形成することが可能となる。
なお、上記例では、同一種類の液体材料を用いて同一の膜質を有するゲート絶縁膜を複数形成したが、各ＴＦＴの特性に応じて液体材料を適宜選択し、異なる液体材料を用いて膜質の異なるゲート絶縁膜を複数形成しても良い。
【００２９】
Ｂ．第２実施形態
上述した第１実施形態では、ＴＦＴを構成する絶縁膜を例に説明したが、以下に示す第２実施形態では、多層配線基板に形成される絶縁膜を例に説明を行う。
【００３０】
図４は、多層配線基板の製造プロセスを示す図である。
まず、基板５１上に吐出される導電性インクなどを高精度に制御するために、基板５１の表面に撥インク処理（撥液処理）を施す。具体的には、ポリイミドからなる基板５１をＩＰＡにて洗浄後、波長２５４ｎｍの紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ2の強度で１０分間照射して基板洗浄（紫外線照射洗浄）する。この基板５１に撥液処理を施すために、ヘキサデカフルオロ１、１、２、２、テトラヒドロデシルトリエトキシシラン０．１ｇと基板５１を容積１０リットルの密閉容器に入れて摂氏１２０度で２時間保持する。これにより、基板５１上に撥液性の単分子膜が形成される。その後、単分子膜に局所的に紫外線などを照射して配線を形成すべき領域の撥液膜を除去する。基板全面に撥液膜が形成されると、配線層５７が形成できないため、全面に形成された撥液膜に局所的にＵＶ光を照射し、配線形成すべき領域の撥液膜を除去することで、配線層５７を形成すべき領域を除いた領域にのみ撥液膜を形成する。
【００３１】
次に、上記撥液処理が行われた基板５１に、配線形成用の導電性インクを液滴吐出法により連続吐出する。導電性インクとしては、例えば直径１０ｎｍ程度の金微粒子をトルエン中に分散させた金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）をトルエンで希釈し、その粘度が３［ｍＰａ・ｓ］となるように調整した液体が用いられる。次いで、加熱処理等を行うことにより、導電膜からなる第一層目（下層）の配線パターン（配線層）５７を形成する（図４（ａ）参照）。
【００３２】
次に、層間絶縁膜を形成するにあたり、前処理として一層目の配線パターン５７が形成された基板５１に波長２５６ｎｍの紫外線を１０［ｍＷ／ｃｍ2］の強度で５分間照射する。この紫外線は層間絶縁膜を形成する領域だけに照射する。これにより、基板５１の表面及び一層目の配線パターン５７上が親インク性となる。
そして、一層目の配線パターン５７の所定箇所に、層間絶縁膜を形成するための液体材料を液滴吐出法を用いて配置する。具体的には、図５に示すように、層間絶縁膜５８を形成するための液体材料を、一層目の配線パターン５７と、後に形成される二層目の配線パターン５６とが重なる領域に、局所的に配置する。上記層間絶縁膜を形成するための液体材料としては、例えば、市販のポリイミドワニス（デュポン社製、製品名「パイルＭＬ」）を溶剤（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）で希釈して、粘度が２０［ｍＰａ・ｓ］となるように調整したものを用いることができる。
【００３３】
次いで、この基板５１を摂氏４００度で３０分間熱処理し、溶剤の除去とポリイミドの硬化を行なう。このような工程を何度か繰り返し実行することにより、所望の膜厚を有する層間絶縁膜５８を基板５１上に局所的に形成する（図４（ｂ）参照）。
【００３４】
このように形成した層間絶縁膜５８の上に、二層目の配線パターン５６を形成する（図４（ｃ）参照）。なお、二層目の配線パターン５６を形成する際の各工程については、一層目の各工程と同様に説明することができるため割愛する。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態によれば、各層間絶縁膜は下層（第一層）に位置する配線パターンと上層（第二層）に位置する配線パターンとが重なる領域に局所的に形成される。よって、上述した第１実施形態と同様、層間絶縁膜形成用の液体材料の使用量を最小限に抑えることが可能となる。なお、上記例では配線パターンを２層形成した場合について説明したが、上述した一連の工程を必要な回数だけ繰り返し、３層以上形成しても良いのはもちろんである。
【００３６】
Ｃ．第３実施形態
上述した第１実施形態及び第２実施形態では、液滴吐出法を用いて各絶縁膜を形成したが、液体材料を用いた他の方法（例えば、スピンレス法やディップコーティング法）によって形成しても良い。
【００３７】
図６は、スピンレス法を用いた絶縁膜の形成方法を説明するための図である。
ノズルヘッド５００は、絶縁膜形成用の液体材料を吐出するものであり、図示せぬ保持部材によって固着支持されている。このノズルヘッド５００の突出部５１０は、基板６１０の表面と隙間Ｇを保って互いに平行になるように配置されている。この突出部５１０には、基板６１０のＹ方向の長さ（幅）よりもわずかに小さな長さに設定された吐出口（図示略）が設けられ、図示せぬコントローラからの指示に従ってＸ方向に搬送される基板６１０の表面に絶縁膜形成用の液体材料を吐出する。このような構成を有するノズルヘッド５００を用いることにより、基板６１０の所定箇所に局所的に絶縁膜を形成しても良い。なお、図６ではノズルヘッド５００の吐出口が下に向いている場合を例示したが、上記液体材料の物性や流動特性に応じて吐出口を上に向け、該吐出口と対抗する位置に基板表面が下向きに基板を配置し、この状態で基板６１０と吐出口５１０を相対的に移動させながら基板６１０の表面に液体材料を吐出するようにしても良い。
【００３８】
以上、スピンレス法を用いて絶縁膜を形成する方法について説明したが、ディップコーティング法によって絶縁膜を形成しても良い。ディップコーティング法を用いて絶縁膜を形成する際には、前処理として絶縁膜を形成すべき領域を親液性とし、絶縁膜を形成すべきでない領域を撥液性とする処理を施す。かかる前処理を施した基板を絶縁膜形成用の液体材料に浸漬し、これを引き上げて乾燥等することで基板上に絶縁膜を形成する。このように、ディップコーティング法を用いて基板上の所定領域に局所的に絶縁膜を形成しても良い。
【００３９】
Ｄ．第４実施形態
図７は、第４実施形態に係る電気光学装置の一種である有機ＥＬ装置１００の接続図を示す。
各画素領域に形成された画素回路は、電界発光効果により発光可能な発光層ＯＥＬＤ、それを駆動するための電流を記憶する保持容量、上述したゲート絶縁膜３２０を有するＴＦＴ１１１〜１１４を備えて構成される。一方、駆動回路領域に形成された各駆動回路１０１、１０２は、上述したゲート絶縁膜３２０を有する複数のＴＦＴ（図示略）を備えて構成されている。駆動回路１０１からは、走査線Ｖｓｅｌ及び発光制御線Ｖｇｐが対応する各画素回路に供給され、駆動回路１０２からは、データ線Ｉｄａｔａおよび電源線Ｖｄｄが対応する各画素回路に供給されている。走査線Ｖｓｅｌとデータ線Ｉｄａｔａとを制御することにより、対応する各発光部ＯＥＬＤによる発光が制御可能になっている。なお、上記駆動回路は、発光要素に電界発光素子を使用する場合の回路の一例であり、他の回路構成も可能である。
【００４０】
Ｅ．第５の実施形態
図８は、第５実施形態に係る電子デバイスを例示した図である。
図８（ａ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯電話であり、当該携帯電話４３０は、電気光学装置（表示パネル）１００、アンテナ部４３１、音声出力部４３２、音声入力部４３３及び操作部４３４を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。図８（ｂ）は、本発明の製造方法によって製造されるビデオカメラであり、当該ビデオカメラ４４０は、電気光学装置（表示パネル）１００、受像部４４１、操作部４４２及び音声入力部４４３を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。
【００４１】
図８（ｃ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載された携帯型パーソナルコンピュータの例であり、当該コンピュータ４５０は、電気光学装置（表示パネル）１００、カメラ部４５１及び操作部４５２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。
【００４２】
図８（ｄ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたヘッドマウントディスプレイの例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ４６０は、電気光学装置（表示パネル）１００、バンド部４６１及び光学系収納部４６２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。図８（ｅ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたリア型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター４７０は、電気光学装置（光変調器）１００、光源４７２、合成光学系４７３、ミラー４７４、４７５を筐体４７１内に備えている。本発明は、例えば光変調器１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。図８（ｆ）は本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたフロント型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター４８０は、電気光学装置（画像表示源）１００及び光学系４８１を筐体４８２内に備え、画像をスクリーン４８３に表示可能になっている。本発明は、例えば画像表示源１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。
【００４３】
上記例に限らず本発明は、あらゆる電子デバイスの製造等に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどにも適用することができる。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形、変更実施が可能である。例えば、上述した各実施形態では、絶縁膜としてゲート絶縁膜や層間絶縁膜を例示したが、他のあらゆる固体膜に適用可能である。また、上述した実施形態では、回路素子の一例としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を例示したが、他の回路素子に適用しても良いのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１実施形態に係る半導体膜とゲート絶縁膜とゲート電極との関係を示す図である。
【図２】同実施形態に係るＴＦＴの製造プロセスを示す図である。
【図３】同実施形態に係る半導体膜とゲート絶縁膜とゲート電極との関係を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る多層配線基板の製造プロセスを示す図である。
【図５】同実施形態に係る各配線パターンと層間絶縁膜との関係を示す図である。
【図６】第３実施形態に係るスピンレス法を用いた絶縁膜の形成方法を示す図である。
【図７】第４実施形態に係る電気光学装置の構成を例示した図である。
【図８】第５実施形態に係る各電子デバイスを例示した図である。
【符号の説明】
【００４５】
１１０、５１、６１０・・・基板、３１０・・・半導体膜、３２０・・・ゲート絶縁膜、２１０・・・ゲート電極、２２４・・・ソース領域、２２５・・・ドレイン領域、２２６・・・チャネル領域、２２４−１、２２５−１・・・電極取り出し部、５６、５７・・・配線パターン、５８・・・層間絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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