(57)【要約】【課題】  配線間を導通接続するコンタクト部において、接続電極の接続面が金属配線の形成領域からはみ出ることなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、まず、シリコン基板１２上に下層層間絶縁膜１３を形成し、下層層間絶縁膜１３上にアルミ膜１５ａを形成する。次に、アルミ膜１５ａ上に上層層間絶縁膜１６を形成し、上層層間絶縁膜１６にビアプラグ１７を形成する。そのあと、ビアプラグ１７の位置を基準に、ビアプラグ１７をマスクとしてアルミ膜１５ａにエッチング処理を施し、アルミ膜１５ａにおける不要な領域を除去して下層アルミ配線１５を形成する。これにより、アルミ配線１５の形成領域からビアプラグ１７の接続面がはみ出ることを抑える。【選択図】      図３
2006339400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に金属配線の形成に先立ち金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜上に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記金属配線と電気的に接続すべく前記第１絶縁膜に第１接続電極を形成する第１接続電極形成工程と、
前記金属配線を形成すべき領域上にある前記第１絶縁膜における一の領域上、及び、前記第１接続電極上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１絶縁膜における前記一の領域を除く他の領域をエッチング処理によって除去する第１エッチング処理工程と、
前記一の領域及び前記第１接続電極をマスクとして、前記金属膜にエッチング処理を施すことによって前記金属配線を形成する第２エッチング処理工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属膜形成工程の前に、
前記半導体基板と前記第１絶縁膜との間に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
前記第２絶縁膜に第２接続電極を形成し、前記金属配線と前記第２接続電極とを電気的に接続する第２接続電極形成工程と、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、酸化膜であり、
前記第１接続電極形成工程は、前記第１接続電極の形成に先立ち、前記半導体装置にエッチング処理を施すことにより前記第１絶縁膜に第１接続電極孔を形成する第１接続電極孔形成工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２エッチング処理工程は、異方性エッチング法によって、前記金属配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２エッチング処理工程のあと、前記第２絶縁膜上における前記金属配線が形成されていない領域に第３絶縁膜を形成する第３絶縁膜形成工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３絶縁膜形成工程のあと、前記第１接続電極上を含む領域に第２金属配線を形成し、前記第１接続電極を介して前記金属配線と前記第２金属配線とを電気的に接続する第２金属配線形成工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属膜は、アルミ膜であり、
前記金属配線は、アルミ配線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１接続電極は、ビアプラグであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ビアプラグを介して配線間を導通接続させる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した半導体装置は、半導体装置の微細化に伴い、半導体装置内に無駄なスペースが生じないようにすべく、例えば、ビアプラグの直径に合わせてアルミ配線の幅を狭くしたり、アルミ配線の端部とコンタクトプラグの側面ラインとを合わせたりして、アルミ配線に余裕をとらないようにして形成される（ボーダーレスパターン形成）。
【０００３】
半導体装置の製造方法は、図５に示すように、まず工程１０１では、半導体基板であるシリコン基板１０１上に、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜１０２を形成する。次に、第１層間絶縁膜１０２上に、第１アルミ配線１０３（工程１０２参照）の形成に先立ちアルミ膜１０３ａを形成する。工程１０２では、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１層間絶縁膜１０２上に第１アルミ配線１０３を形成する。工程１０３では、第１アルミ配線１０３上、及び、第１層間絶縁膜１０２上に、シリコン酸化膜からなる第２層間絶縁膜１０４を形成する。
【０００４】
工程１０４では、第１アルミ配線１０３上に、第１アルミ配線１０３と、後工程で形成する第２層間絶縁膜１０４上の第２アルミ配線１０５とを電気的に接続するためのビアプラグ１０６を形成する。ビアプラグ１０６は、例えば、特許文献１に記載のように、フォトリソグラフィ法及びエッチング技術を用いて、第２層間絶縁膜１０４にビアホール１０６ａを形成し、ビアホール１０６ａに導電部材を埋め込むことによって形成される。ビアプラグ１０６は、第１アルミ配線１０３が形成された位置を基準に、例えば、フォトマスクの位置合わせを行って形成される。以上のように形成されたビアプラグ１０６によって、第１アルミ配線１０３と第２アルミ配線１０５とを電気的に接続することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−８３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、工程１０４におけるビアホール１０６ａの形成のとき、フォトマスクが正規の位置からずれると（アライメントずれ）、正規のビアホール１０６ａの形成位置からずれ、図６に示すように、ビアホール１０６ａが第１アルミ配線１０３の形成領域からはみ出してしまう。これにより、後工程で形成されたビアプラグ１０６と第１アルミ配線１０３との接触面積（斜線部）が少なくなり、導通抵抗が大きくなるという問題があった。
加えて、ビアホール１０６ａの位置がずれたことにより、図７に示すように、第１アルミ配線１０３より下側にある第１層間絶縁膜１０２までエッチング処理によって除去され、コンタクトプラグ１０７が剥き出しになることがある。これにより、例えば、後工程におけるレジストパターンの剥離や洗浄で使用される薬液とコンタクトプラグ１０７とが接触し、コンタクトプラグ１０７が薬液によって溶かされ（即ち、侵食され）、導通するときの抵抗が大きくなったり、導通がとれなくなったりするという問題があった。
【０００７】
本発明は、配線間を導通接続するコンタクト部において、接続電極の接続面が金属配線の形成領域からはみ出ることなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に金属配線の形成に先立ち金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記金属膜上に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記金属配線と電気的に接続すべく前記第１絶縁膜に第１接続電極を形成する第１接続電極形成工程と、前記金属配線を形成すべき領域上にある前記第１絶縁膜における一の領域上、及び、前記第１接続電極上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして、前記第１絶縁膜における前記一の領域を除く他の領域をエッチング処理によって除去する第１エッチング処理工程と、前記一の領域及び前記第１接続電極をマスクとして、前記金属膜にエッチング処理を施すことによって前記金属配線を形成する第２エッチング処理工程と、を有する。
【０００９】
この方法によれば、第２エッチング処理工程で、金属膜形成工程で形成された金属膜を、第１接続電極形成工程で形成された第１接続電極、及び第１エッチング処理工程で形成された第１絶縁膜における一の領域をマスクとしてエッチングすることから、第１接続電極のコンタクト（接続）面が金属配線の形成領域からはみ出ることを低減できる。これにより、第１接続電極と金属配線とが接触する面積を広くすることができ、第１接続電極と金属配線とのコンタクト抵抗を小さくすることが可能となる。その結果、半導体装置の電気的特性を維持することができる。
【００１０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記金属膜形成工程の前に、前記半導体基板と前記第１絶縁膜との間に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜に第２接続電極を形成し、前記金属配線と前記第２接続電極とを電気的に接続する第２接続電極形成工程と、を更に有することが望ましい。
【００１１】
この方法によれば、第２絶縁膜形成工程で形成した第２絶縁膜に、第２接続電極形成工程で形成した第２接続電極を形成するので、第２接続電極を介して金属配線と半導体基板とを電気的に接続することができる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、酸化膜であり、前記第１接続電極形成工程は、前記第１接続電極の形成に先立ち、前記半導体装置にエッチング処理を施すことにより前記第１絶縁膜に第１接続電極孔を形成する第１接続電極孔形成工程を更に有することが望ましい。
【００１３】
この方法によれば、第２エッチング処理工程で金属配線を形成する前に、第１接続電極孔形成工程で第１接続電極孔を形成するので、第１接続電極孔の形成位置が正規の位置からずれたとしても、金属膜の下側にある第１絶縁膜と同じ酸化膜からなる第２絶縁膜をエッチング処理によって除去することを抑えることが可能となる。よって、例えば、第２絶縁膜に形成された第２接続電極が剥き出しになることによって、第１接続電極を形成するときに使用する薬液と反応して、第２接続電極が腐食することを低減できる。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記第２エッチング処理工程は、異方性エッチング法によって、前記金属配線を形成することが望ましい。
【００１５】
この方法によれば、異方性エッチング法によって金属配線を形成するので、第１エッチング処理工程で形成した一の領域及び第１接続電極をマスクとして第２エッチング処理をしたとき、金属膜を垂直方向にエッチングすることができる。これにより、一の領域及び第１接続電極の端面と、金属配線の端面とを合わせることが可能となる。その結果、第１接続電極と金属配線とコンタクト部の接触面積を大きくすることができ、電気的導通性を向上させることができる。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記第２エッチング処理工程のあと、前記第２絶縁膜上における前記金属配線が形成されていない領域に第３絶縁膜を形成する第３絶縁膜形成工程を更に有することが望ましい。
【００１７】
この方法によれば、第３絶縁膜形成工程によって、第２絶縁膜における金属配線が形成されていない領域に第３絶縁膜を形成するので、金属配線及び第１接続電極と、他の部分とを絶縁することが可能となる。よって、半導体装置の電気的特性が低下することを抑えることができる。
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記第３絶縁膜形成工程のあと、前記第１接続電極上を含む領域に第２金属配線を形成し、前記第１接続電極を介して前記金属配線と前記第２金属配線とを電気的に接続する第２金属配線形成工程を更に有することが望ましい。
【００１９】
この方法によれば、第２金属配線形成工程によって前記第１接続電極上を含む領域に第２金属配線を形成するので、第１接続電極を介して金属配線と第２金属配線とを電気的に接続することができる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記金属膜は、アルミ膜であり、前記金属配線は、アルミ配線であってもよい。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記第１接続電極は、ビアプラグであってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は、半導体装置の構造を示す模式図である。図１（ａ）は、半導体装置を上方からみた模式平面図であり、図１（ｂ）は、半導体装置の構造を示す模式断面図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）における半導体装置を、後述する上層アルミ配線が形成される前の状態を示す。以下、半導体装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００２４】
図１に示すように、半導体装置１１は、半導体基板であるシリコン基板１２と、第２絶縁膜である下層層間絶縁膜１３と、第２接続電極であるコンタクトプラグ１４と、金属配線としての下層アルミ配線１５と、第１絶縁膜である上層層間絶縁膜１６と、第１接続電極であるビアプラグ１７と、第２金属配線である上層アルミ配線１８とを有する。図１（ａ）に示すように、半導体装置１１は、微細化に伴い、ビアプラグ１７の径（接触面積）に対して下層アルミ配線１５の形成領域に余裕がない、いわゆるボーダーレスパターンで形成されたアルミ配線１５層を有する。
【００２５】
シリコン基板１２は、例えば、単結晶シリコンからなる。シリコン基板１２には、図示しないトランジスタ素子が形成されている。
【００２６】
下層層間絶縁膜１３は、例えば、酸化膜であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなり、トランジスタ素子を有するシリコン基板１２全体を覆うように形成されている。下層層間絶縁膜１３の上面は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法によって平坦化されている。
【００２７】
コンタクトプラグ１４は、下層層間絶縁膜１３に形成されており、シリコン基板１２に形成された図示しないトランジスタ素子と電気的に接続するために用いられる。コンタクトプラグ１４は、コンタクトホール１４ａ内に、例えば、タングステンが充填されて形成されている。
【００２８】
下層アルミ配線１５は、アルミ（Ａｌ）からなり、下層層間絶縁膜１３上に形成されている。下層アルミ配線１５は、コンタクトプラグ１４を介して、シリコン基板１２上のトランジスタ素子と電気的に接続されている。
【００２９】
上層層間絶縁膜１６は、下層アルミ配線１５上及び下層層間絶縁膜１３上に形成されている。上層層間絶縁膜１６は、下層層間絶縁膜１３と同様に、例えば、シリコン酸化膜からなる。
【００３０】
ビアプラグ１７は、下層アルミ配線１５と、上層アルミ配線１８とを電気的に接続するために用いられる。ビアプラグ１７は、下層アルミ配線１５における端部上に形成されている。
【００３１】
上層アルミ配線１８は、下層アルミ配線１５と同様にアルミ（Ａｌ）からなり、上層層間絶縁膜１６上に形成されている。上層アルミ配線１８は、ビアプラグ１７を介して下層アルミ配線１５と電気的に接続されている。
【００３２】
図２及び図３は、半導体装置を製造する方法を工程順に示す模式断面図である。図４は、図３の工程１６における半導体装置を、上層アルミ配線が形成される前の状態を上方からみた模式平面図である。以下、半導体装置の製造方法を、図２〜図４を参照しながら説明する。
【００３３】
図２に示すように、工程１１では、シリコン基板１２上に、下層層間絶縁膜１３及び金属膜であるアルミ膜１５ａ、及び上層層間絶縁膜１６を形成する。まず、シリコン基板１２に、公知の方法によって、図示しないトランジスタ素子を形成する。次に、トランジスタ素子を含むシリコン基板１２上に、例えば、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によってシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下層層間絶縁膜１３を形成する（第２絶縁膜形成工程）。
【００３４】
次に、下層層間絶縁膜１３に、公知の方法によって、コンタクトプラグ１４（図１（ｂ）参照）を形成する（第２接続電極形成工程）。そのあと、下層層間絶縁膜１３上に、例えば、ＣＶＤ法によってアルミ膜１５ａを形成する（金属膜形成工程）。アルミ膜１５ａは、例えば、５００ｎｍである。そのあと、アルミ膜１５ａ上に上層層間絶縁膜１６を形成する（第１絶縁膜形成工程）。上層層間絶縁膜１６は、例えば、１０００ｎｍである。
【００３５】
工程１２（第１接続電極孔形成工程）では、上層層間絶縁膜１６に第１接続電極孔であるビアホール１７ａを開口する。まず、上層層間絶縁膜１６上に、図示しないレジスト膜を塗布する。次に、ビアホール１７ａを形成するための図示しないレジストパターンを形成する。そのあと、レジストパターンをマスクとして、上層層間絶縁膜１６におけるビアホール１７ａの形成領域をエッチング処理（例えば、ドライエッチング処理）により除去する。このとき、ビアホール１７ａの下側に形成されているアルミ膜１５ａが、エッチングストッパの役割りを果たす。
【００３６】
なお、ビアホール１７ａを形成するために用いたマスク（レジストパターン）が、正規の位置からずれていた場合、下層アルミ配線１５を形成すべく領域からビアホール１７ａの位置がずれて形成される。しかしながら、ビアホール１７ａの下側にアルミ膜１５ａが下層層間絶縁膜１３上全体に亘って覆われているので、ビアホール１７ａ内のシリコン酸化膜とともに、ビアホール１７ａの下方にある下層層間絶縁膜１３のシリコン酸化膜がエッチングされることを回避できる。
【００３７】
工程１３（第１接続電極形成工程）では、ビアプラグ１７を完成させる。まず、工程１２で用いたレジストパターンを、例えば、剥離用の薬液を用いて剥離する。このとき、ビアホール１７ａの下側には、アルミ膜１５ａ及び下層層間絶縁膜１３があることから、コンタクトプラグ１４（図１（ｂ）参照）と薬液とが反応して、コンタクトプラグ１４が腐食することを回避できる。次に、ビアホール１７ａ内及び上層層間絶縁膜１６上に、アルミ膜１５ａとは異種の導電部材（例えば、タングステン）を堆積させる。次に、上層層間絶縁膜１６上に堆積した導電部材を除去する。導電部材の除去は、例えば、ＣＭＰ法によって行う。以上により、ビアホール１７ａ内のみに導電部材が充填され、ビアプラグ１７が完成する。
【００３８】
工程１４（第１エッチング処理工程）では、一の領域である上層層間絶縁膜１６の一部１６ａからなる第１レジストパターン２１（工程１５参照）を形成する。まず、上層層間絶縁膜１６における下層アルミ配線１５の形成領域上の一部１６ａ、及び、ビアプラグ１７上に、ビアプラグ１７の位置を基準に、下層アルミ配線１５を形成するために用いるマスクとなる第２レジストパターン２２を形成する。次に、第２レジストパターン２２をマスクとして、他の領域である上層層間絶縁膜１６の不用の部分１６ｂをエッチング処理により除去する。工程１４におけるエッチング処理では、アルミ膜１５ａがエッチングストッパの役割を行っている。以上により、下層アルミ配線１５を形成するための第１レジストパターン２１が完成する。
【００３９】
工程１５（第２エッチング処理工程）では、下層アルミ配線１５を形成する。まず、工程１４のエッチング処理で用いた第２レジストパターン２２を、例えば、剥離用の薬液を用いて剥離する。次に、工程１４によって形成された第１レジストパターン２１、及び、ビアプラグ１７をマスクとして、アルミ膜１５ａにおける不用な部分１５ｂをエッチング処理によって除去する。このときのエッチング処理は、例えば、異方性エッチング法で行われる。工程１５におけるエッチング処理では、アルミ膜１５ａの下側にある下層層間絶縁膜１３がエッチングストッパの役割りを行っている。これにより、下層層間絶縁膜１３上に下層アルミ配線１５が形成される。
【００４０】
以上のように、マスクとして用いたビアプラグ１７の位置を基に、下層アルミ配線１５の端部形状を形成するので、図４に示すように、下層アルミ配線１５の形成領域からビアプラグ１７がはみ出ることを低減することができる。よって、ビアプラグ１７と下層アルミ配線１５との接触面積が少なくなることを低減でき、導通抵抗が低い状態で接続することができる。
【００４１】
工程１６では、下層層間絶縁膜１３上に、第３絶縁膜である上層層間絶縁膜１６ｃを形成するとともに上層アルミ配線１８を形成する。まず、工程１５で用いた第１レジストパターン２１（上層層間絶縁膜１６の一部１６ａ）上、ビアプラグ１７上、及び下層層間絶縁膜１３上全体に亘って、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を、例えば熱ＣＶＤ法によって形成する。次に、形成されたシリコン酸化膜を、上層層間絶縁膜１６の一部１６ａ及びビアプラグ１７の上面ラインまで、例えば、ＣＭＰ法によって除去して平坦化する（第３絶縁膜形成工程）。以上のような平坦化を行うことにより、ビアプラグの上面が露出するとともに、上層層間絶縁膜１６ｃが完成する。
【００４２】
次に、上層層間絶縁膜１６ａ及びビアプラグ１７上に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、上層アルミ配線１８を形成する（第２金属配線形成工程）。これにより、ビアプラグを介して、下層アルミ配線１５と上層アルミ配線１８とが電気的に接続される。
【００４３】
以上詳述したように、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００４４】
（１）本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、工程１５（第２エッチング処理工程）における下層アルミ配線１５の形成工程で、工程１１（金属膜形成工程）で形成されたアルミ膜１５ａを、工程１２（第１接続電極孔形成工程）及び工程１３（第１接続電極形成工程）で形成されたビアプラグ１７、及び工程１４（第１エッチング処理工程）で形成された上層層間絶縁膜１６の一部１６ａをマスクとしてエッチングすることから、ビアプラグ１７のコンタクト（接続）面が下層アルミ配線１５の形成領域からはみ出ることを低減できる。これにより、ビアプラグ１７と下層アルミ配線１５とが接触する面積を広くすることができ、ビアプラグ１７と下層アルミ配線１５とのコンタクト抵抗を小さくすることが可能となる。その結果、半導体装置１１の電気的特性を維持することができる。加えて、ビアプラグ１７を基準にアルミ膜１５ａをエッチング処理によって下層アルミ配線１５を形成するので、確実にコンタクト部の接触面積を確保することが可能となり、半導体装置１１を形成するときの加工の安定性を向上させることができる。
【００４５】
（２）本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、工程１５（第２エッチング処理工程）において下層アルミ配線１５を形成する前に、工程１２（第１接続電極孔形成工程）でビアホール１７ａを形成するので、ビアホール１７ａの形成位置が正規の位置からずれたとしても、ビアホール１７ａの下側にアルミ膜１５ａが下層層間絶縁膜１３上全体に亘って覆われているので、ビアホール１７ａ内のシリコン酸化膜とともに、ビアホール１７ａの下方にある下層層間絶縁膜１３のシリコン酸化膜がエッチングされることを回避できる。よって、例えば、下層層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトプラグ１４が剥き出しになることによって、ビアプラグ１７を形成するときに使用する薬液と反応して、コンタクトプラグ１４が腐食することを低減できる。その結果、半導体装置１１の電気的特性の信頼性を維持することができる。
【００４６】
（３）本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、コンタクトプラグ１４が腐食することが抑えられるので、ビアプラグ１７を形成するときに使用する薬液を、腐食することを抑えるための薬液に制限することなく使用することが可能となる。詳しくは、例えば、値段の安い薬液Ａを使用したくてもコンタクトプラグ１４が腐食することから、腐食が抑えられるものの値段の高い薬液Ｂを使用しなければならない、というような制限がなくなり、薬液の自由度（種類など）を広げることができる。
【００４７】
（変形例１）上記したように、下層アルミ配線１５、及び上層アルミ配線１８をアルミ（Ａｌ）から形成することに限定されず、例えば、銅（Ｃｕ）で形成するようにしてもよい。
【００４８】
（変形例２）上記したように、下層層間絶縁膜１３、及び上層層間絶縁膜１６などの膜を平坦化するのに用いたＣＭＰ法による平坦化技術に限定されず、例えば、エッチバック処理によって平坦化するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】一実施形態における、半導体装置の構造を示す模式断面図。（ａ）は、半導体装置を上方からみた模式平面図、（ｂ）は、半導体装置の構造を示す模式断面図。
【図２】半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図３】半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図４】半導体装置を上方からみた模式平面図。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を工程順に示す模式断面図。
【図６】従来の半導体装置を上方からみた模式平面図。
【図７】従来の半導体装置の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１１…半導体装置、１２…半導体基板であるシリコン基板、１３…第２絶縁膜である下層層間絶縁膜、１４…第２接続電極であるコンタクトプラグ、１５…金属配線である下層アルミ配線、１５ａ…金属膜であるアルミ膜、１６…第１絶縁膜である上層層間絶縁膜、１６ａ…上層層間絶縁膜における一の領域及び第１レジストパターン、１６ｂ…上層層間絶縁膜における他の領域、１６ｃ…上層層間絶縁膜を構成する第３絶縁膜、１７…第１接続電極であるビアプラグ、１７ａ…第１接続電極孔であるビアホール、１８…第２金属配線である上層アルミ配線、２１…第１レジストパターン、２２…第２レジストパターン。
【図１】
2006339400.tif 000003
【図２】
2006339400.tif 000004
【図３】
2006339400.tif 000005
【図４】
2006339400.tif 000006
【図５】
2006339400.tif 000007
【図６】
2006339400.tif 000008
【図７】
2006339400.tif 000009