(57)【要約】【課題】視野角特性及び表示品位に優れた液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。【解決手段】  スイッチング素子１２は、ゲート線Ｙに接続されたゲート電極１２Ｇと、ソース線Ｘに接続されたソース電極１２Ｓと、画素電極１３に接続されたドレイン電極１２Ｄと、を有している。ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間において、液晶分子を非表示状態の配列状態から表示状態の配列状態へ転移させる転移核を形成するための電界Ｅ１及びＥ２を形成することを特徴とする。【選択図】      図３
2006113477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、互いに交差する複数のソース線及びゲート線と、前記画素電極毎に設けられたスイッチング素子と、を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向電極を有する対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に充填され表示状態と非表示状態とにおける配列状態が異なる液晶分子を含む液晶層と、備え、
前記スイッチング素子は、前記ゲート線に接続されたゲート電極と、前記ソース線に接続されたソース電極と、前記画素電極に接続されたドレイン電極と、を有し、前記ゲート線を介して前記ゲート電極に入力された駆動信号により前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をスイッチングするものであって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、前記液晶分子を非表示状態の配列状態から表示状態の配列状態へ転移させる転移核を形成するための電界を形成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記液晶分子が配列する所定配向方向とは異なる方向に前記液晶分子を方向付ける電界を形成するための構造を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記ソース電極は前記ドレイン電極に対向する側縁に第１突起部を備えるとともに、前記ドレイン電極は前記ソース電極に対向する側縁に第２突起部を備えたことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１突起部の先端が前記第２突起部の先端よりも前記ドレイン電極側に位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ソース電極は複数の前記第１突起部を備えるとともに、前記ドレイン電極は複数の前記第２突起部を備え、隣接する２つの前記第１突起部の間に少なくとも１つの前記第２突起部が位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ゲート電極と前記対向電極との間において、前記転移核を形成するための電界を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の電界形成領域全体は、前記ゲート電極上に位置することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶分子は、表示状態において、一対の基板間においてベンド配列したことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、互いに交差する複数のソース線及びゲート線と、前記画素電極毎に設けられたスイッチング素子と、を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向電極を有する対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に充填され表示状態と非表示状態とにおける配列状態が異なる液晶分子を含む液晶層と、備え、
前記スイッチング素子は、前記ゲート線に接続されたゲート電極と、前記ソース線に接続されたソース電極と、前記画素電極に接続されたドレイン電極と、を有し、前記ゲート線を介して前記ゲート電極に入力された駆動信号により前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をスイッチングするものであって、
所定配向方向に沿って前記液晶分子をスプレイ配列した非表示状態において、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記所定配向方向とは異なる方向に前記液晶分子を方向付けるような電界を形成し、前記液晶分子をベンド配列した表示状態へ転移させる転移核を形成することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記転移核を形成する際に、前記ゲート電極と前記対向電極との間に電界を形成することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法に係り、特に、広視野角及び高速応答の実現が可能なＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）技術を用いた液晶表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、各種分野に適用されている。
【０００３】
現在、市場で広く利用されているツイステッド・ネマチック（ＴＮ）型液晶表示装置は、光学的に正の屈折率異方性を有する液晶分子が一対の基板間で略９０°捩れ配列されて構成されており、その捩れ配列を制御することにより液晶層に入射した光の旋光性を調節している。このＴＮ型液晶表示装置は、比較的、容易に製造できるものの、その視野角は狭く、また応答速度が遅いため、特にＴＶ画像等の動画表示には不向きである。
【０００４】
一方、視野角及び応答速度を改善可能な液晶表示装置として、ＯＣＢ型液晶表示装置が注目されている。ＯＣＢ型液晶表示装置は、一対の基板間にベンド配列が可能な液晶分子を有する液晶層が挟持されてなるものである。このＯＣＢ型液晶表示装置は、ＴＮ型液晶表示装置に比して応答速度が一桁改善され、さらに液晶分子の配列状態により液晶層を通過する光の複屈折の影響を光学的に自己補償できるため視野角が広いという利点がある。
【０００５】
このようなＯＣＢ型液晶表示装置において、非表示状態においては、液晶分子はスプレイ配列している。液晶分子がスプレイ配列した状態は、画像表示に適さない。そのため、画像を表示させようとする前には、液晶層に高電圧を印加することにより「初期化」する必要がある。この初期化により、液晶分子は、ベンド配列した状態に転移する。そして、このようなベンド配列した状態において、一対の基板間に発生させた電位差により位相差を発生させることにより画像が表示される。
【０００６】
このようなスプレイ配列状態からベンド配列状態へ転移させるための手法として、例えば隣接する画素電極間で横電界（基板の主面にほぼ平行な面内の電界）を形成し、この横電界を利用して一部の液晶分子をねじれ配列させ、これを転移核とする技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００２−３５７８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、従来の技術よりもさらに視野角特性及び表示品位に優れた液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の第１の様態による液晶表示装置は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、互いに交差する複数のソース線及びゲート線と、前記画素電極毎に設けられたスイッチング素子と、を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向電極を有する対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に充填され表示状態と非表示状態とにおける配列状態が異なる液晶分子を含む液晶層と、備え、
前記スイッチング素子は、前記ゲート線に接続されたゲート電極と、前記ソース線に接続されたソース電極と、前記画素電極に接続されたドレイン電極と、を有し、前記ゲート線を介して前記ゲート電極に入力された駆動信号により前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をスイッチングするものであって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間において、前記液晶分子を非表示状態の配列状態から表示状態の配列状態へ転移させる転移核を形成するための電界を形成することを特徴とする。
【０００９】
この発明の第２の様態による液晶表示装置の駆動方法は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、互いに交差する複数のソース線及びゲート線と、前記画素電極毎に設けられたスイッチング素子と、を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板に対向配置された対向電極を有する対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に充填され表示状態と非表示状態とにおける配列状態が異なる液晶分子を含む液晶層と、備え、
前記スイッチング素子は、前記ゲート線に接続されたゲート電極と、前記ソース線に接続されたソース電極と、前記画素電極に接続されたドレイン電極と、を有し、前記ゲート線を介して前記ゲート電極に入力された駆動信号により前記ソース電極と前記ドレイン電極との間をスイッチングするものであって、
所定配向方向に沿って前記液晶分子をスプレイ配列した非表示状態において、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に前記所定配向方向とは異なる方向に前記液晶分子を方向付けるような電界を形成し、前記液晶分子をベンド配列した表示状態へ転移させる転移核を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、視野角特性及び表示品位に優れた液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施の形態に係る液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法について図面を参照して説明する。この実施の形態では、液晶表示装置として、特に、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード方式による液晶表示装置を例に説明する。
【００１２】
図１に示すように、ＯＣＢ型液晶表示装置は、一対の基板すなわちアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層３０を挟持して構成された液晶パネル１を備えている。この液晶パネル１は、例えば透過型であり、アレイ基板１０側に配置された図示しないバックライトユニットからのバックライト光を対向基板２０側に透過可能に構成されている。
【００１３】
アレイ基板１０は、ガラスなどの絶縁基板１１を用いて形成されている。このアレイ基板１０は、絶縁基板１１の一方の主面にスイッチング素子１２、画素電極１３、配向膜１４などを備えている。スイッチング素子１２は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成されている。画素電極１３は、各画素に１つずつマトリクス状に配置されており、画素毎に配置されたスイッチング素子１２に電気的に接続されている。この画素電極１３は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの光透過性を有する導電性部材によって形成されている。配向膜１４は、絶縁基板１１の主面全体を覆うように配置されている。
【００１４】
対向基板２０は、ガラスなどの絶縁基板２１を用いて形成されている。この対向基板２０は、絶縁基板２１の一方の主面に対向電極２２、配向膜２３などを備えている。対向電極２２は、例えばＩＴＯなどの光透過性を有する導電性部材によって形成されている。配向膜２３は、絶縁基板２１の主面全体を覆うように配置されている。
【００１５】
なお、カラー表示タイプの液晶表示装置では、液晶パネル１は、複数色例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色画素を有している。すなわち、赤色画素は赤色波長の光を透過する赤色カラーフィルタを備え、緑色画素は緑色波長の光を透過する緑色カラーフィルタを備え、青色画素は青色波長の光を透過する青色カラーフィルタを備えている。これらカラーフィルタは、アレイ基板１０または対向基板２０の主面に配置されている。
【００１６】
上述したような構成のアレイ基板１０と対向基板２０とは、図示しないスペーサを介して互いに所定のギャップを維持した状態で貼り合わせられている。液晶層３０は、これらアレイ基板１０と対向基板２０との間のギャップに封入されている。液晶層３０に含まれる液晶分子３１は、正の誘電率異方性を有するとともに光学的に正の一軸性を有する材料を選択可能である。
【００１７】
このようなＯＣＢ型液晶表示装置は、液晶層３０に電圧を印加した所定の表示状態において、液晶層３０のリタデーションを光学的に補償する光学補償素子４０を備えている。この光学補償素子４０は、液晶パネル１のアレイ基板１０側外面及び対向基板２０側外面にそれぞれ設けられている。
【００１８】
アレイ基板１０の構造をより詳細に説明すると、図２に示すように、絶縁基板１１の行方向に延びる複数のゲート線Ｙと、絶縁基板１１の列方向に延びる複数のソース線Ｘとが設けられ、これらは絶縁層を介して互いに交差している。これら複数のゲート線Ｙは、ゲート線駆動回路ＹＤに接続されている。また、複数のソース線Ｘは、ソース線駆動回路ＸＤに接続されている。
【００１９】
スイッチング素子１２は、各画素においてゲート線Ｙとソース線Ｘとの交差部近傍に配置されている。スイッチング素子１２におけるゲート電極１２Ｇは、ゲート線Ｙに電気的に接続されている（ゲート線と一体に形成されても良い）。ソース電極１２Ｓは、ソース線Ｘに電気的に接続されている（ソース線と一体に形成されても良い）。ドレイン電極１２Ｄは、画素電極１３に電気的に接続されている。
【００２０】
ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間は、アモルファスシリコン膜などの半導体薄膜により接続されている。ゲート電極１２Ｇは、ゲート絶縁膜を介して半導体薄膜に重なり合っている。このようなスイッチング素子１２においては、ゲート電極１２Ｇに印加された駆動電圧により半導体薄膜を介してソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間がスイッチングされる。
【００２１】
このスイッチング素子１２の動作を、画像表示と共に説明する。通常、ゲート線Ｙ及びそれに接続されたゲート電極１２Ｇにはマイナス１０Ｖの電圧が印加されている。この状態では、スイッチング素子１２は「オフ」の状態である。所定のタイミングにおいて所定ラインのゲート線Ｙにプラス１０Ｖの駆動電圧を印加することにより、所定ラインの各スイッチング素子１２を「オン」の状態にする。
【００２２】
これにより、ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間が電気的に接続される。スイッチング素子１２を一斉にオンにするのとほぼ同時に各ソース線Ｘに表示させたい画像に対応した電圧を印加する。ソース線Ｘに印加された電圧は、ソース電極１２Ｓ及びドレイン電極１２Ｄを介して各画素電極１３に印加される。これにより、所定ラインの各画素電極１３と対向電極２２との間に、それぞれ表示画像に対応した電位差が発生する。この電位差により、液晶層３０は、表示画像に対応して変調される。
【００２３】
ところで、アレイ基板１０側の配向膜１４及び対向基板２０側の配向膜２３は、パラレル配向処理されている（すなわち同一の所定配向方向にラビング処理されている）。これにより、液晶分子３１の光軸の正射影は、所定配向方向と平行となる。
【００２４】
液晶層３０内にほとんど電界が形成されていない状態では、液晶分子３１は配向膜の影響によって規定される配列状態となり、通常、所定配向方向に沿ってスプレイ配列している。この状態を画像表示に適さない非表示状態とする。
【００２５】
また、液晶層３０内に所定の電界が形成された状態では、液晶分子３１は、電界の影響によってその長軸方向が電界に沿うように方向付けられる配列状態となり、所定配向方向に沿ってベンド配列している（つまり所定配向方向で規定される液晶層３０の断面内において、アレイ基板１０と対向基板２０との間においてベンド配列している）。この状態を画像表示に適する表示状態とする。
【００２６】
このように、通常は、液晶分子３１の配列状態が非表示状態であるため、画像を表示する際には、液晶分子３１を表示状態の配列状態に転移させる「初期化」を行う必要がある。そこで、この実施の形態では、液晶層３０の内部に基板の主面にほぼ平行な面内の横電界を形成し、この横電界を利用して一部の液晶分子３１を所定配向方向とは異なる方向にねじれ配列させ、これを転移核としてスプレイ配列状態からベンド配列状態への転移を促進している。
【００２７】
すなわち、大多数の液晶分子３１については、画素電極１３と対向電極２２との間に電位差が生じた場合、その長軸方向が電界方向つまり基板の法線方向に平行となるように立ち上がろうとする。一方、一部の液晶分子３１については、主に上述した横電界の影響により、その長軸方向が横電界方向にひねられる。このように、液晶層３０内でその長軸がそれぞれ異なる方向に向こうとする液晶分子３１が混在すると、そこで不安定な「擾乱」状態が発生する。
【００２８】
この不安定な「擾乱」状態が生じると、スプレイ配列状態からベンド配列状態へ転移しやすくなると考えられている。なお、画素電極１３と対向電極２２との間に電位差が生じている限り、液晶層３０のどこかでスプレイ配列状態からベンド配列状態へ転移すれば、当該箇所を転移核として液晶層３０全体にスプレイ配列状態からベンド配列状態への転移が広がる。このように、液晶層３０全体がベンド配列状態になった後に、画像に対応した電圧を各画素電極１３に印加することによって所望する画像が表示される。
【００２９】
この実施の形態では、スイッチング素子１２におけるソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間において、液晶分子３１を非表示状態の配列状態（すなわちスプレイ配列状態）から表示状態の配列状態（すなわちベンド配列状態）へ転移させる転移核を形成するための電界を形成することを特徴としている。
【００３０】
この転移核を形成するための電界は、アレイ基板１０の面内において、液晶分子３１が配列する所定配向方向とは異なる方向に液晶分子３１を方向付ける横電界に相当する。このような横電界を形成するために、ソース電極１２Ｓ及びドレイン電極１２Ｄは構造的特徴を有している。
【００３１】
すなわち、図３に示すように、スイッチング素子１２において、ソース電極１２Ｓ及びドレイン電極１２Ｄは互いに対向して配置されている。ソース電極１２Ｓは、ドレイン電極１２Ｄに対向する側縁１２ＳＴにドレイン電極１２Ｄに向かって延びる第１突起部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…を備えている。また、ドレイン電極１２Ｄは、ソース電極１２Ｓに対向する側縁１２ＤＴにソース電極１２Ｓに向かって延びる第２突起部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…を備えている。
【００３２】
アレイ基板１０を平面視した場合には、第１突起部Ｓ１、Ｓ２、…及び第２突起部Ｄ１、Ｄ２、…は、いずれもゲート線Ｙ（またはゲート電極１２Ｇ）と重なり合っている。このように、第１突起部Ｓ１、Ｓ２、…と第２突起部Ｄ１、Ｄ２、…とが咬み合うような構造とし、ソース電極１２Ｓ及びドレイン電極１２Ｄ間に異なる電圧を印加すれば、これらの間に横電界Ｅが生ずる。
【００３３】
図３に示した例では、液晶分子３１の配列状態を規制する所定配向方向を図中の矢印Ａで示す方向としたとき、横電界Ｅは所定配向方向Ａと異なる方向に形成される。ここでは、第１突起部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３からそれぞれ第２突起部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３に向かって延びる横電界Ｅ１と、第１突起部Ｓ２、Ｓ３からそれぞれ第２突起部Ｄ１、Ｄ２に向かって延びる横電界Ｅ２とは、互いに逆向きとなる。
【００３４】
このようにすれば、配向膜１４及び２３によって規定される液晶分子３１の配向方向に拘わらず、液晶層３０内でその長軸がそれぞれ異なる方向に向こうとする複数種類の液晶分子３１が生じることになる。つまり、図３に示したアレイ基板面内において、所定配向方向から時計回りにねじれ配列した液晶分子３１と、反時計回りにねじれ配列した液晶分子３１とが電界形成領域ＥＡ内に混在することにより、上述したような「擾乱」状態が生じ、スプレイ配列状態からベンド配列状態への転移が促進される。
【００３５】
第１突起部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…及び第２突起部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…があまりにも小さすぎると、第１突起部と第２突起部との間において横電界Ｅ１及びＥ２が生じにくくなる。そのため、図３に示したように、第１突起部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…の先端は、第２突起部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…の先端よりもドレイン電極１２Ｄ側に位置する（言い換えれば、第２突起部の先端は、第１突起部の先端よりもソース電極１２Ｓ側に位置する）ことが好ましい。
【００３６】
このような構造とすることにより、ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間において、液晶分子３１をスプレイ配列状態からベンド配列状態へ転移させる転移核を形成するための電界を容易に形成することができ、転移を促進することができる。
【００３７】
第１突起部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…及び第２突起部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…は、それぞれソース電極１２Ｓ及びドレイン電極１２Ｄに少なくとも１つずつ設けられていれば良い。しかしながら、より多くの箇所で擾乱状態を生じさせた方がスプレイ配列状態からベンド配列状態への転移が促進される。
【００３８】
そのため、ソース電極１２Ｓは複数の第１突起部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…を備えるとともに、ドレイン電極１２Ｄは複数の第２突起部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…を備え、しかも、隣接する２つの第１突起部の間に少なくとも１つの第２突起部が位置し、これらの複数の第１突起部及び複数の第２突起部を櫛歯のように互いに咬み合わせることが好ましい。
【００３９】
図３に示した例では、第１突起部Ｓ１及びＳ２の間に第２突起部Ｄ１が位置し、第１突起部Ｓ２及びＳ３の間に第２突起部Ｄ２が位置し、第２突起部Ｄ２及びＤ３の間に第１突起部Ｓ３が位置している。
【００４０】
このような構造とすることにより、ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間において、液晶分子３１をスプレイ配列状態からベンド配列状態へ転移させる転移核を形成するための電界を容易に形成することができ、転移を促進することができる。
【００４１】
図３では、ソース電極１２Ｓの側縁１２ＳＴと第１突起部Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３…とがなす角度θ１が９０°となっているが、液晶層３０内でその長軸がそれぞれ異なる方向に向こうとする複数種類の液晶分子３１が生じることによる「擾乱」状態が生じれば足る。そのため、この角度θ１は９０°に限られず、１０°以上１７０°以下であればよい。１０°未満である場合には、複数種類の液晶分子３１がなす角度が小さすぎて、擾乱状態が生じにくくなる場合がある。一方、１７０°を越えても、同様の問題が生じる。
【００４２】
ドレイン電極１２Ｄの側縁１２ＤＴと第２突起部Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…とがなす角度θ２についても、ソース電極１２Ｓと同様に、９０°となっているが、角度θ２は９０°に限られない。角度θ２もまた、１０°以上１７０°以下であればよい。但し、設計の容易性を考慮すれば、角度θ１及び角度θ２は、それぞれ９０°であることが好ましい。
【００４３】
上述したようなソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間における横電界Ｅ１及びＥ２の発生には、半導体薄膜１２ＳＣの大きさ及び形状に依存しないため、図４に示すように、横電界が形成される電界形成領域ＥＡの全体にわたって半導体薄膜１２ＳＣが配置されていなくても構わない。
【００４４】
また、スプレイ配列状態からベンド配列状態への転移をさらに促進するためには、電界形成領域ＥＡ内において横電界に直交するような基板法線方向の電界を加えることが望ましい。このような転移核形成を助長するための電界としては、ゲート電極１２Ｇと対向電極２２との間に形成されるいわゆる縦電界を利用することが望ましい。
【００４５】
すなわち、図３及び図４に示した例では、ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間の電界形成領域ＥＡの全体は、ゲート電極１２Ｇ上に位置している。このような配置関係において、ゲート電極１２Ｇと対向電極２２との間に電位差を発生させることにより、横電界によるねじれ配列に加えて、液晶分子３１が基板の法線方向に平行となるように立ち上がろうとするため、スプレイ配列状態からベンド配列状態への転移をさらに促進することができる。
【００４６】
なお、図５に示したように、電界形成領域ＥＡの一部がゲート電極１２Ｇ上に位置したような構成であっても、対向電極２２との間で縦電界を形成することが可能であり、転移核形成を助長することは可能である。また、図６に示したように、スイッチング素子１２の形成方向が異なるような構成であっても、横電界Ｅ１及びＥ２を形成することができ、他の例と同様の効果が得られる。
【００４７】
以上説明したように、この実施の形態によれば、画像を表示させようとする前の「初期化」において、スイッチング素子におけるソース電極とドレイン電極との間に、液晶分子の配向方向とは異なる方向に液晶分子を方向付けするような電界を形成する。これにより、スイッチング素子近傍において、所定配向方向に沿って液晶分子をスプレイ配列した非表示状態から、ベンド配列した表示状態へ転移させる転移核を形成することができる。
【００４８】
このような転移核の形成により、スプレイ配列からベンド配列への転移を促進することが可能となり、初期化に要する時間を短縮することができ、しかも、表示不良や輝度低下といった課題が改善され、視野角特性及び表示品位に優れた液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００４９】
ＯＣＢ型液晶表示装置では、液晶分子の結晶軸方向の比誘電率が比較的大きく、また、表示状態では、液晶分子がベンド配列されており、多くの液晶分子が基板の法線方向に配列されているため画素容量が比較的大きい。加えて、ベンド配列状態を維持する必要から、フレーム毎にあるしきい値以上の電圧を液晶層に印加する必要があり、駆動周波数が２倍程度に高くなる。このため、スイッチング素子に高い駆動能力が要求される。特に、アモルファスシリコン膜を半導体薄膜とするスイッチング素子では、高い駆動能力を実現するためにそのサイズが大きくなってしまう。  
一方で、ＯＣＢ型液晶表示装置では、上述したようにスプレイ配列からベンド配列への転移を促進する転移核を形成するための電界を形成する構造が要求される。
【００５０】
そこで、この実施の形態で説明したようなスイッチング素子の採用したことにより、スイッチング素子のサイズが比較的大きくなり、高い駆動能力を実現できるとともに、ソース電極とドレイン電極との間において、液晶分子が配列する所定配向方向とは異なる方向に液晶分子を方向付ける電界を形成することができ、先に説明した２つの要求を同時に満たすことが可能となる。
【００５１】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態としてのＯＣＢ型液晶表示装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示したＯＣＢ型液晶表示装置に適用されるアレイ基板の構成を概略的に示す図である。
【図３】図３は、図２に示したアレイ基板におけるスイッチング素子の構造を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、図２に示したアレイ基板におけるスイッチング素子の他の構造を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、図２に示したアレイ基板におけるスイッチング素子の他の構造を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、図２に示したアレイ基板におけるスイッチング素子の他の構造を概略的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…液晶パネル
１０…アレイ基板
１２…スイッチング素子
１２Ｇ…ゲート電極
１２Ｓ…ソース電極
１２Ｄ…ドレイン電極
１３…画素電極
２０…対向基板
２２…対向電極
３０…液晶層
３１…液晶分子
４０（Ａ、Ｂ）…光学補償素子
Ｘ…ソース線
Ｙ…ゲート線
Ｓ（１、２、３…）…第１突起部
Ｄ（１、２、３…）…第２突起部
Ｅ（１、２）…横電界
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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