(57)【要約】      （修正有）【課題】熱板と加熱処理後の基板を搬送する冷却プレートとを備えた加熱装置において、加熱装置の簡素化及び小型化を図ること。【解決手段】熱板と、搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と熱板５３の上方との間を駆動機構により移動する冷却プレート３３と、を備えた加熱装置において、冷却プレート３３にヒートパイプを設け、駆動機構により冷却プレート３３と共に移動し、前記ヒートパイプを冷却する空冷フィン部３５と、前記冷却プレート３３がホーム位置に位置するときに、空冷フィン部がその吸引口２ａに臨み、当該空冷フィン部３５を吸引排気により冷却するように設けられた吸引排気路と、を備えるように加熱装置を構成する。ホーム位置において排気路により空冷フィン部が空冷されヒートパイプを介して冷却プレートが冷却されるので、冷却液の配管の引き回しが不要になり、空冷のための機構が簡素化されるため加熱装置を小型化できる。【選択図】図１
2006313863.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に設けられ、塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と、前記処理容器内に設けられ、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と前記熱板の上方位置との間を駆動機構により移動し、熱板で加熱された基板を冷却する冷却プレートと、この冷却プレートと熱板との間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を備えた加熱装置において、
前記冷却プレートに設けられたヒートパイプと、
前記駆動機構により冷却プレートと共に移動し、前記ヒートパイプの一端側を冷却するための空冷フィン部と、
前記冷却プレートがホーム位置に位置するときに、空冷フィン部がその吸引排気口に臨み、当該空冷フィン部を吸引排気により冷却するように設けられた冷却用の吸引排気路と、を備えたことを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
冷却プレートのホーム位置は熱板の側方に位置し、
処理容器は、基板の移動領域と、前記冷却プレートを移動させる駆動機構及び受け渡し手段を駆動する駆動機構が配置される底部領域と、を区画する床板を備え、
冷却用の吸引排気路は、前記床板の下方側に配置されることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
熱板の上方に基板と対向するように設けられた整流板と、この整流板に沿って気流を形成するように吸引排気するための気流形成用の吸引排気路と、を備え、前記冷却用の吸引排気路の基端側は、前記気流形成用の吸引排気路に合流されていることを特徴とする請求項１または２記載の加熱装置。
【請求項４】
熱板の上方に基板と対向するように設けられた整流板と、
この整流板に沿って気流を形成するように吸引排気するための気流形成用の吸引排気路と、
前記気流形成用の吸引排気路に合流される装置内排気路と、
この装置内排気路に設けられ、前記底部領域内を排気するための吸引排気手段と、を備え、
前記冷却用の吸引排気路は、装置内排気路における前記吸引排気手段よりも上流側に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の加熱装置。
【請求項５】
冷却プレートの周縁には、基板を載せた外部の搬送アームが当該冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を冷却プレートに受け渡すように、搬送アームの形状に対応する切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の加熱装置。
【請求項６】
基板を収納しキャリアが搬入されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、レジストが塗布された基板を加熱する加熱装置と、露光後の基板を現像する現像処理部と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス部と、を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱装置として、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の加熱装置を用いたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項７】
塗布液が塗布された基板を熱板上で加熱処理する工程と、
加熱処理された基板を、熱板上方に移動した冷却プレートに受け渡す工程と、
次いで冷却プレートが空冷フィン部と共に熱板の上方位置から離れたホーム位置に移動することにより、当該空冷フィン部が冷却用の吸引排気路の吸引排気口に臨むように位置する工程と、
続いて冷却用の吸引排気路の吸引排気によって空冷フィン部が空冷され、その空冷作用によって冷却プレートに設けられたヒートパイプの一端側を冷却して冷却プレートを冷却する工程と、
冷却プレートにて冷却された基板を外部に搬出する工程と、を含むことを特徴とする加熱方法。
【請求項８】
基板を加熱処理する工程は、熱板の上方に基板と対向するように設けられた整流板に沿って気流を形成するように気流形成用の吸引排気路により吸引排気を行う工程を含み、
冷却用の吸引排気路内の排気流は、気流形成用の吸引排気路内の排気流と合流することを特徴とする請求項７記載の加熱方法。
【請求項９】
基板の移動領域と床板により区画され、前記冷却プレートを移動させる駆動機構及び受け渡し手段を駆動する駆動機構が配置される底部領域を装置内排気路により排気する工程と、
前記冷却用の吸引排気路の排気流は、前記装置内排気路における前記吸引排気手段よりも上流側にて合流し、更に前記吸引排気手段よりも下流側にて気流形成用の吸引排気路内の排気流と合流する工程と、を含むことを特徴とする請求項８記載の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と、加熱処理後の基板を搬送する冷却プレートとを備えた加熱装置、この加熱装置を含んだ塗布、現像装置及び加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下ウエハという）やＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用のガラス基板に対してレジストパターンを形成する装置として、ウエハに対してレジストを塗布し、また露光後のウエハを現像する塗布、現像装置が用いられている。この装置内には、ベーク装置などと呼ばれている加熱装置が組み込まれており、例えばレジスト液を塗布したウエハを加熱する装置にあっては、レジスト液中の溶剤を乾燥させる役割を果たしている。
【０００３】
この加熱装置の一例の構成を図２０に示した。図２０中１０は筐体であり、１０ａはウエハの搬送口である。また図２０中１１は床板であり、１２は基台１１上を熱板１２ａ側へ向けて移動可能なウエハＷを冷却する冷却プレートである。基台１１の内部空間にはピン１３ａ，１４ａを昇降させるための駆動機構１３，１４が設けられており、駆動機構１３によりピン１３ａが昇降することにより、搬送口１０ａを介して筺体１０内に進入したウエハの搬送機構（不図示）と冷却プレート１２との間でウエハが受け渡され、駆動機構１４によりピン１４ａが昇降することにより熱板１２ａと冷却プレート１２との間でウエハが受け渡される構成になっている。図中１５は駆動機構１５ａを介して昇降可能な蓋状の天板である。
【０００４】
この加熱装置においてウエハが熱板１２ａ上に載置されると図２１に示すように基台１１上に設けられた整流用の天板１５が下降して、Ｏリング１５ｂを介して天板１５の周縁部と床板１１の周縁部とが密着することによりウエハの周囲が密閉空間となる。然る後、ガス供給部１７ａからウエハの全周に亘って形成されたガス供給口１７を介して前記空間内にガスを供給しながら、吸引機構１８ａにより当該天板１５の中央部の排気口１８から吸引排気を行い、こうして図中矢印で示すようなウエハの外周から中央に向かう気流を形成しながら加熱処理が行われるようにこの加熱装置は構成されている。
【０００５】
ところで既述の加熱装置において冷却プレートが設けられているのは次の理由による。即ち、加熱装置が塗布、現像装置に組み込まれている場合メインアームにより所定のタイミングで加熱装置に対して基板の受け渡しが行われるが、熱板による加熱処理が終了した後、冷却プレートに受け渡しておくことにより基板の粗熱取りを行うことができ、このため基板が後段の高精度温調用の冷却プレートに搬送された後の温調時間を短縮でき、その結果その冷却プレートの設置枚数を低減できるからである。
【０００６】
従来加熱装置に設けられた冷却プレートにおいては、その内部または下面に冷却配管を設けて、この冷却配管に冷却液を通流させることで当該冷却プレート上に載置されたウエハの粗冷却を行っていた。しかしこのような構成とすると冷却配管から冷却液がリークするおそれがあり、また加熱装置内に冷却配管が引き回され冷却プレートの移動に伴って屈伸することから冷却プレートを移動させる駆動機構の配置に大きな制約があり、設計がやりにくいという課題があった。さらに冷却プレートの構造が複雑化することで当該冷却プレートを構成する部品点数が多くなり、調整箇所も増えるという問題があった。
【０００７】
既述した問題と近年における加熱装置全体の構造の簡素化を図る流れとから冷却プレートに冷却配管を設ける代わりに冷却プレート内にヒートパイプを設けて、このヒートパイプを介して冷却プレートを冷却することが検討されている。例えば特許文献１にはヒートパイプが埋設された冷却プレートの上下面に放熱フィンを設け、この放熱フィンとヒートパイプの一端とが接続された構成を有する冷却機構を備えた加熱装置が示されており、この冷却機構においては例えば冷却プレートの上方に設けられた冷却ファンから送られた風が前記放熱フィンに吹き付けられることでヒートパイプの表面全体が冷却され、その冷気が冷却プレートに伝わり当該冷却プレートに載置されたウエハが冷却されるようになっている。また特許文献２には冷却プレートにヒートパイプが埋め込まれ、ヒートパイプの一端と冷却媒体が通流する熱交換部とが接続された構成を有する冷却機構を備えた加熱装置について記載されており、この冷却機構においては前記冷却媒体の冷気がヒートパイプを介して冷却プレートが冷却されるようになっている。
【０００８】
しかし前記特許文献１の冷却機構においては設置された放熱フィンの枚数や設置面積によっては、フィンに均一に送風を行いウエハを均一に加熱するために冷却ファンを複数設けたり、ファンの羽根を大型化したりすることが必要となることが考えられる。そうするとその冷却ファンが回転するために必要なスペースが大きくなるために、特にウエハのサイズが大きくなると加熱装置が大型化する。また特許文献２の冷却機構においては熱交換部に冷却媒体を通流させるためにポンプや排水機構などの大掛かりな設備を設ける必要があり、加熱装置の充分な簡素化が図れないおそれがある。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−２０３１５２
【特許文献２】特開２００１−２３０１７２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は熱板と加熱処理後の基板を搬送する冷却プレートとを備えた加熱装置において、加熱装置の簡素化及び小型化を図ることのできる技術を提供することにある。また本発明の他の目的はこの加熱装置を用いた塗布、現像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の加熱装置は、処理容器内に設けられ、塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と、前記処理容器内に設けられ、外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と前記熱板の上方位置との間を駆動機構により移動し、熱板で加熱された基板を冷却する冷却プレートと、この冷却プレートと熱板との間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を備えた加熱装置において、前記冷却プレートに設けられたヒートパイプと、前記駆動機構により冷却プレートと共に移動し、前記ヒートパイプの一端側を冷却するための空冷フィン部と、前記冷却プレートがホーム位置に位置するときに、空冷フィン部がその吸引排気口に臨み、当該空冷フィン部を吸引排気により冷却するように設けられた冷却用の吸引排気路と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
前記加熱装置は冷却プレートのホーム位置は熱板の側方に位置し、処理容器は、基板の移動領域と、前記冷却プレートを移動させる駆動機構及び受け渡し手段を駆動する駆動機構が配置される底部領域と、を区画する床板を備え、冷却用の吸引排気路は、前記床板の下方側に配置されてもよい。また熱板の上方に基板と対向するように設けられた整流板と、この整流板に沿って気流を形成するように吸引排気するための気流形成用の吸引排気路と、を備え、前記冷却用の吸引排気路の基端側は、前記気流形成用の吸引排気路に合流されているかあるいは熱板の上方に基板と対向するように設けられた整流板と、この整流板に沿って気流を形成するように吸引排気するための気流形成用の吸引排気路と、前記気流形成用の吸引排気路に合流される装置内排気路と、この装置内排気路に設けられ、前記底部領域内を排気するための吸引排気手段と、を備え、前記冷却用の吸引排気路は、装置内排気路における前記吸引排気手段よりも上流側に接続されていてもよい。  
また前記冷却プレートの周縁には、基板を載せた外部の搬送アームが当該冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を冷却プレートに受け渡すように、搬送アームの形状に対応する切り欠き部が形成されていてもよい。
【００１３】
さらに本発明の塗布、現像装置は基板を収納しキャリアが搬入されるキャリアブロックと、前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、レジストが塗布された基板を加熱する加熱装置と、露光後の基板を現像する現像処理部と、を含む処理ブロックと、この処理ブロックと露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイス部と、を備えた塗布、現像装置において、前記加熱装置として、既述の加熱装置を用いたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の加熱方法は、塗布液が塗布された基板を熱板上で加熱処理する工程と、加熱処理された基板を、熱板上方に移動した冷却プレートに受け渡す工程と、次いで冷却プレートが空冷フィン部と共に熱板の上方位置から離れたホーム位置に移動することにより、当該空冷フィン部が冷却用の吸引排気路の吸引排気口に臨むように位置する工程と、続いて冷却用の吸引排気路の吸引排気によって空冷フィン部が空冷され、その空冷作用によって冷却プレートに設けられたヒートパイプの一端側を冷却して冷却プレートを冷却する工程と、冷却プレートにて冷却された基板を外部に搬出する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
この加熱方法は基板を加熱処理する工程は、熱板の上方に基板と対向するように設けられた整流板に沿って気流を形成するように気流形成用の吸引排気路により吸引排気を行う工程を含み、冷却用の吸引排気路内の排気流は、気流形成用の吸引排気路内の排気流と合流するようにしてもよく、この場合は基板の移動領域と床板により区画され、前記冷却プレートを移動させる駆動機構及び受け渡し手段を駆動する駆動機構が配置される底部領域を装置内排気路により排気する工程と、前記冷却用の吸引排気路の排気流は、前記装置内排気路における前記吸引排気手段よりも上流側にて合流し、更に前記吸引排気手段よりも下流側にて気流形成用の吸引排気路内の排気流と合流する工程と、を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、熱板にて加熱処理された基板を受け取る冷却プレートにヒートパイプを設け、冷却プレートがホーム位置にあるときに排気路による排気により空冷フィン部を空冷してヒートパイプを介して冷却プレートを冷却するので、冷却液の配管の引き回しが不要になり、冷却プレートの駆動機構などの装置内の部品のレイアウトの自由度が大きい。そして吸引排気路による吸引流により空冷フィン部を冷却しているので、空冷のための機構が簡素化され、また送風ファンによる空冷に比べて小型化できる。
また処理容器の床板の下方側における駆動機構を配置する空間に冷却用の吸引排気路を配置する構成とすれば、処理容器の高さの増大を抑えることができる。更にまた熱板の上方の整流板に沿って気流を形成するための気流形成用の吸引排気路に冷却用の吸引排気路を直接あるいは間接的に接続すれば、処理容器の外に引き回される排気路を別途設けなくて済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明に係る加熱方法を実施する加熱装置の実施の形態の一例として、例えば塗布液としてレジスト液が表面に塗布された基板である半導体ウエハ（以下ウエハと略す）Ｗを加熱処理して、当該ウエハＷ表面にレジスト膜を形成する加熱装置２について図１、図２を用いて説明する。加熱装置２は処理容器である筺体２０を備えており、筺体２０の側壁にはウエハＷの搬送口２１が開口されている。また筺体２０内には筐体２０内を上方領域（ウエハＷの移動領域）と下方領域（底部領域）とに区画する床板２２が設けられている。また搬送口２１に向かう側を手前側とすると、この床板２２には手前側から奥側（図中Ｘ方向）へ向けて後述する冷却機構３が移動するための開口部３１ａが設けられており、また床板２２の奥側には後述する第１の中間排気ダクト２Ａを介して床板２２の上方領域の排気を行うための例えば複数の小孔からなる排気口２２ａが穿孔されている。
【００１８】
前記冷却機構３について図３及び図４をも参照して説明すると、冷却機構３は後述する熱板５３と加熱装置２の外の搬送機構との間でウエハＷを受け渡す役割及びウエハＷを冷却する役割を有しており、連結ブラケット３１、冷却プレート３３、及び空冷フィン部３５により構成されている。連結ブラケット３１は例えば熱伝導性のよい銅やアルミによって構成され、前記開口部３１ａ内を移動するように設けられており、例えばその下端にはレールブラケット２７が接続されている。連結ブラケット３１はこのレールブラケット２７を介して図中Ｘ方向に伸長したガイドレール２３に沿って移動できるように構成されている。また連結ブラケット３１の側部は床板２２の下方領域に設けられた例えばボールネジ機構あるいはエアシリンダなどからなる駆動機構３７に接続されており、この駆動機構３７によって冷却機構３は前記ガイドレール２３に沿ってＸ軸方向に移動自在に構成されている。
【００１９】
連結ブラケット３１の上部は例えば筺体２０の奥側に向けて引き出されるように伸長しており、その伸長部上にはウエハＷが載置される冷却プレート３３が接続され、当該冷却プレート３３は既述の連結ブラケット３１の移動に伴って床板２２の上方領域を後述する熱板５３側に移動できるようになっている。冷却プレート３３は例えばアルミニウムにより構成されており、また例えば４ｍｍ程度の厚さを持った略円形板状に形成されている。また冷却プレート３３は加熱されるウエハＷと略同じ大きさの直径を有しており、この冷却プレート３３の周縁部の例えば４箇所に当該冷却プレート３３の中心部へ向けて切り欠き部３４が設けられている。なお図２中３３ａ，３３ｂは後述する支持ピン２６ａが通過するためのスリットである。また例えば図２に示すように冷却プレート３３にはヒートパイプ３８が葉脈状に伸長するように埋め込まれ、ヒートパイプ３８の一端は連結ブラケット３１に接続されている。
【００２０】
ここで図５を用いてヒートパイプ３８について説明するとこのヒートパイプ３８は、蒸発、凝縮による潜熱の吸収、放出を利用した熱輸送を行う伝熱素子であり、例えばアルミニウムやステンレス、銅等からなる金属製の管体３０１の内壁に、多孔質体３０２を貼設して構成されている。前記多孔質体３０２は後述する毛細管現象を得るためのものであって、例えば金属細線を編んで作られた、金網や金属フェルト等よりなる。この管体３０１は両端が塞がれており、内部が排気されて例えば真空状態に設定され、この中には例えばナトリウムやナフタレン等よりなる揮発性の液体（作動流体）が少量封入されている。
このようなヒートパイプ３８では、他端側（蒸発部３０３）が加熱されると作動流体が蒸発し（蒸発潜熱による熱の吸収）、蒸気流となって僅かな圧力差で管体３１の内部を一端側の凝縮部３０３（低温部）へ高速移動し、ここで前記蒸気流は管体３１の壁面に接触し冷却されて凝縮する。この際凝縮潜熱により熱を放出するので、凝縮部３０４に熱が輸送される。そして凝縮液は多孔質体３０２を通って毛細管現象により蒸発部３０３へ還流され、再び蒸発→移動→凝縮のサイクルを繰り返して、熱が連続的に輸送されるようになっているため、連結ブラケット３１の冷気によりヒートパイプ３８の表面全体が均一に冷却されるようになっている。
【００２１】
ところで冷却プレート３３にウエハＷを受け渡すウエハＷの搬送機構について説明しておくと、この搬送機構は例えば図６に示すような水平な馬蹄形状の搬送アーム４１と搬送アーム４１を支持する搬送基体４２とを有している。搬送アーム４１の内周の大きさは冷却プレート３３の直径よりも若干大きく形成されており、この内周における下部には内方へ向かう４つの突片４４が設けられ、図６（ｂ）に示すようにこれらの突片４４上にウエハＷが保持される。搬送アーム４１は例えば図示しない駆動機構により搬送基体４２を介して昇降自在かつ進退退自在に構成され、冷却機構３にウエハＷを受け渡す際にはウエハＷを保持した搬送アーム４１が前記搬送口２１を介して筺体２０内に進入する。ここで冷却プレート３３の外周の切り欠き部３４は、夫々搬送アーム４１の突片４４と対応する位置に設けられていることから、搬送アーム４１が図６（ａ）に示すように冷却プレート３３に対し上方から覆い被さるように下降することで搬送アーム４１が冷却プレート３３の下方側に通過し、搬送アーム４１上のウエハＷが冷却プレート３３に受け渡される。ウエハＷを受け渡した搬送アーム４１は、前方の切り欠き部４３が連結ブラケット３１を通り抜けるように手前側に後退して筺体２０内から退去する。
【００２２】
図１〜４に戻って連結ブラケット３１の下部には空冷フィン部３５が接続されており、この空冷フィン部３５は角筒状の筺体３５ａ内に例えばアルミニウムにより構成される多数の空冷フィン３５ｂ（図４参照）が設けられた構造を有し、冷却プレート３３の移動に伴い床板２２の下方領域をガイドレール２３に沿って移動できるように構成されている。またこの床板２２の下方領域には冷却用の吸引排気路である局所排気ダクト２４が設けられ、この局所排気ダクト２４の開口部（吸引排気口）は既述のように冷却プレート３３と搬送機構との間でウエハＷの受け渡しが行われる位置（ホーム位置とする）において空冷フィン部３５に臨むように設けられている。ここでいう「臨む」とは局所排気ダクト２４による吸引排気によって空冷フィン部３５の筺体３５ａ内に気体が流入し、空冷フィン部３５の空冷作用が働く程度に両者が接近していることをいう。  
局所排気ダクト２４の基端側は後述する第１の中間排気ダクト２Ａに接続されており、当該中間排気ダクト２Ａを介して局所排気ダクト２４から排気が行われると、前記開口部に近接する位置に移動した空冷フィン部３５の空冷フィン３５ｂが冷却され、空冷フィン３５ｂの冷気が連結ブラケット３１を介してヒートパイプ３８の基端側に伝わり、これによりヒートパイプ３８の表面全体が冷却されることで、当該冷却プレート３３に載置されたウエハＷの粗熱取りが行われるようになっている。
【００２３】
なおここでいうヒートパイプとは必ずしも一般概念でいうパイプに限らず、幅広の空洞部を備えた偏平プレート内にて作動液を封入したものであってもよい。なお冷却プレート３３及び連結ブラケット３１の形状は図示した形状に限らず、例えば略円形に構成された冷却プレートの基端側部分が図１のように段にならずにそのまま手前側に引き出され、その延出部が連結ブラケット３１の上端部に連接された構造としてもよい。またヒートパイプ３８の基端は連結ブラケット３１からさらに空冷フィン部３５へと伸長し、空冷フィン３５ｂに接するように設けられていてもよい。即ちヒートパイプ３８の基端側が空冷フィン部３５により直接あるいは間接的に冷却される構成であればよい。
【００２４】
図１に示すように床板２２において前記冷却機構３の奥側には例えば円形状の孔が設けられ、この孔には偏平な円筒状の断熱体である熱板サポート部材５が埋め込まれているが、この例では前記孔の周壁と当該熱板サポート部材５の側壁との間には上方領域の排気を行うため２ｍｍ程度の隙間が設けられている。図７に示すように熱板サポート部材５の底壁部分の内部及び側壁部分の内部には真空領域である真空層５０が設けられた真空断熱構造となっているが、例えば中央部には円形状に真空層５０が設けられており、その周囲には例えば後述するガス供給管５７、ガス抜き孔５８及び孔５ａを避けるように同心円状に真空層５０が設けられた構造となっている。  
図中５１は熱板サポート部材５を筺体２０の底面にて支持する支柱であり、図中５２は熱板サポート部材５の内周に設けられたリング状の支持部材である。支持部材５２は例えば耐熱樹脂やセラミックにより構成される断熱リング５２ａを介して円板状の熱板５３を支持している。熱板５３はウエハＷ表面全体をカバーする大きさを有しており、また熱板サポート部材５の中に収まるように配置されている。このように熱板５３及び熱板サポート部材５を構成するのは熱板５３の放熱を抑え、熱板５３を加熱するための消費電力を抑えるためである。
【００２５】
熱板５３の下面には図８で示すようなウエハＷの加熱手段である、大きさの異なるリング状のヒータ５３ａ〜５３ｅが同心円状に設けられており、外側に位置しているヒータ５３ｄ及び５３ｅは例えば周方向に４分割されている。各ヒータ５３ａ〜５３ｅは電力供給部５４に接続されており、また例えば熱板の下面には図示しない感温センサが複数設けられている。これらの感温センサから後述する制御部への出力に基づき電力供給部５４を介して各ヒータ５３ａ〜５３ｅの発熱量が個別に制御される。ただしヒータの分割数（設置数）、形状、レイアウトはこの例に限られない。
図５中５５は熱板５３上に設けられたウエハＷの裏面を支持する突起部であり、この例では熱板５３の周方向に沿って４つの突起部５５が設けられている。図５中５ａ，５ｂは熱板サポートリング５、熱板５３の夫々の中央部に周方向に穿孔された孔であり、これらの孔５ａ、５ｂを介して熱板サポート部材５の下方に設けられた駆動機構２６に接続されている支持ピン２６ａが鉛直方向に昇降し、熱板５３上に突没できるようになっている。なお図５中５ｃは支持ピン２６ａが垂直に突没するためのガイドである。
【００２６】
ところで支持部材５１、断熱リング５２、熱板５３及び熱板サポート部材５により囲まれる領域をガス流通部５Ａ（図５参照）とすると、熱板サポート部材５には例えば複数箇所に複数のガス供給管５７の一端が貫通して前記ガス流通部５Ａに開口している。ガス供給管５７の他端は熱板５３の冷却用気体であるクリーンなパージ用ガス例えば窒素ガスなどの不活性ガスが貯留されているガス供給源５７ａに接続されている。またガス流通部５Ａと連通するガス抜き孔５８が例えば熱板サポート部材５の複数箇所に穿孔されており、ガス供給管５７を介してガス供給源５７ａからガス流通部５Ａにパージ用ガスが供給されると当該パージ用ガスはヒータ５３ａ〜５３ｅ及びヒータにより加温された熱板５３の熱を奪い取りガス抜き孔５８を介してガス流通部５Ａの外部へと流通するようになっている。このパージ用ガスの流通は熱板５３の温度を下げるために行われる。
【００２７】
熱板サポート部材５の上端部には例えば４本の支柱６１が間隔をおいて設けられ、支柱６１の上部には例えば円形状に形成された整流板である天板６の周縁部が接続されている。天板６はウエハＷの被加熱処理領域（半導体デバイス等の有効領域）をカバーする大きさ、この例では前記熱板５３をカバーする大きさを有しており、熱板５３と対向するように設けられている。天板６の中央下部には吸引排気口６２が下方へ向かうほど拡径するように開口されており、この吸引排気口６２は天板６の上部に接続された気流形成用の排気路である排気ダクト６３と連通し、排気ダクト６３の下流側の端部は後述する第２の中間排気ダクト２Ｂに接続されている。後述するように吸引排気口６２を介して天板６の周囲の排気が行われると、熱板５３に載置されたウエハＷの外周から中央に向かう気流を形成できるように当該天板６は構成されている。
また天板６の内部には前記吸引排気口６２の周囲から天板６の端部へ向けて広がる真空層６５が形成され、当該天板６は真空断熱構造となっており、天板６の下面はウエハＷの加熱時に熱板５３の熱輻射を受けることによってその温度がウエハＷの加熱温度に近い温度に追従するようになっている。天板６がこのように構成されることで後述する加熱時にウエハＷの上面を通過する気流が冷却されて乱流となることが抑えられている。なお「ウエハＷの加熱温度」とは、ウエハＷの加熱処理時のウエハの温度である。熱板５３と天板６との間隔は例えば１２〜１５ｍｍとするのが好ましく、この加熱装置２においては１４ｍｍとしている。前記間隔がこの範囲よりも小さいと冷却プレート３３が移動する際に天板６または熱板５３に干渉するおそれがあり、この範囲よりも大きいとウエハＷの加熱時に天板６の下面が充分に加熱されないおそれがある。
【００２８】
熱板５３のさらに奥側の床板２２の下方領域には、例えば図中Ｙ方向に沿って筐体２０の側壁を貫くように第１の中間排気ダクト２Ａが設けられている。図９を参照しながら説明するとこの第１の中間排気ダクト２Ａの内部にはこの中間排気ダクト２Ａの伸長方向に沿って排気空間が形成されており、またこの第１の中間排気ダクト２Ａには既述したように局所吸引排気ダクト２４が接続されている。中間排気ダクト２Ａにおいてこの局所吸引排気ダクト２４との接続部よりも下流側には、床板２２の下方領域に面するように吸引口２ａが設けられており、この吸引口２ａの下流側には吸引排気手段であるファン２ｂが介設されている。さらにこのファン２ｂの下流側において第１の中間排気ダクト２Ａには第２の中間排気ダクト２Ｂが接続されている。
【００２９】
第２の中間排気ダクト２Ｂは前記下方領域において第１の中間排気ダクト２Ａと並行して筐体２０の側壁を貫くように設けられており、この第２の中間排気ダクト２Ｂには既述したように排気ダクト６３が接続されている。なお排気ダクト２Ａ、２Ｂはこの例では「装置内排気路」に相当するものである。そして第２の中間排気ダクト２Ｂの端部は例えば工場排気路に接続されており、例えば工場排気用の用力により局所吸引排気管２４の開口部、吸引口２ａ及び天板６の吸引排気口６２を介して筺体２０内の排気が行われるようになっている。
なおファン２ｂは例えば後述の制御部により回転数が制御されることで局所吸引排気管２４及び吸引口２ａの吸引排気量を天板６の吸引排気口６２からの排気量とは独立して制御できるように構成されており、例えばこの加熱装置２においてはウエハＷの加熱処理が行われる際に床板２２の下方領域が上方領域よりも負圧雰囲気とされ、図１０及び図１１に矢印で示すような気流が形成されるようになっている。この気流の流れについて簡単に説明すると搬送口２１を介して筐体２０内に進入した気体は床板の上方領域を奥側へと向かい、天板６と熱板５３とにより規制整流されることでウエハＷの外周から中央に向かう気流となって吸引排気口６２を介して排気されるかあるいは開口部３１ａ、排気口２２ａ及び熱板サポートリング５と床板２２との間に形成された隙間から床板２２の下方領域へ流入する。この下方領域へ流入した気体は局所排気ダクト２４内に流入して第１の中間排気ダクト２Ａに向かうか、あるいは駆動機構３７の周囲を通過して、熱板サポートリング５の下方を通過し、さらに駆動機構２６の周囲を通過して第１の中間排気ダクト２Ａ内に流入する。第１の中間排気ダクト２Ａに流入した気体は第２の中間排気ダクト２Ｂに流入して筐体２０内から除去される。このように気流を形成することによって上方領域においてウエハＷの周囲から飛散したレジスト液の溶剤蒸気とレジスト成分の一部が昇華することにより発生した昇華成分とが下方領域に向かう気流に乗り、また下方領域においては駆動機構２６、３７から発生したパーティクルが当該下方領域を流れる気流に乗り、夫々第１の中間排気ダクト２Ａの吸引口２ａに吸い込まれることで筺体２０内から除去されるようになっている。
【００３０】
続いて加熱装置２に備えられた制御部について説明する。この制御部は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には後述するような加熱装置２の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡し、ウエハＷの加熱及び気流の制御などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部に読み出されることにより制御部は後述する加熱装置２の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００３１】
次に加熱装置２の作用について説明する。既述の搬送アーム４１を有するウエハＷの搬送機構により、表面にレジスト液が塗布されたウエハＷが搬送口２１を介して筺体２０内に搬入され、既述のようにウエハＷは冷却プレート３３に受け渡されると搬送アーム４１は筺体２０内から退去する。一方冷却機構３が熱板５３に向けて移動するまでに熱板５３の表面はヒータ５３ａ〜５３ｅにより予め設定された温度例えば１３０℃に加熱されており、熱板５３の熱輻射により天板６の下面が加熱されている。
【００３２】
ウエハＷを保持した冷却プレート３３が熱板５３上に移動すると、支持ピン２６ａが上昇し、冷却プレート３３に載置されたウエハＷの裏面を支持する。そして冷却機構３がホーム位置（図１の左端位置）に後退するとともに支持ピン２６ａが下降し、熱板５３の突起部５５上にウエハＷが受け渡され加熱される。この加熱時には必要に応じて前記ヒータ５３ａ〜５３ｅにおいて熱板５３の外周側に設けられたヒータの発熱量は内周側に設けられたヒータの発熱量よりも大きくなるように調整される。
またウエハＷの加熱時には既述したように筐体２０内の排気が行われているため天板６と熱板５３との間から外気が流入し、天板６と熱板５３とにより気流が規制整流されることでウエハＷの外周から中央に向かう気流が形成される。このためウエハＷに塗布されたレジスト液は熱板５３の熱により溶剤が蒸発すると共にレジスト成分の一部が昇華し、これら溶剤蒸気と昇華成分とが前記気流に乗って吸引排気口６２に吸い込まれる。また既述のように床板２２の下方領域が上方領域に比べて負圧雰囲気となることで排気口２２ａを介して上方領域から下方領域に流れ込む気流が形成され、ウエハＷの周囲から飛散した溶剤蒸気と昇華成分とが当該気流に乗って下方領域に流れ込み第１の中間排気ダクト２Ａの吸引口２ａに吸い込まれる。このようにしてレジスト液の乾燥が行われて、ウエハＷにレジスト膜が形成される。
【００３３】
例えば予め設定された時間ウエハＷの加熱が行われた後に、支持ピン２６ａが上昇してウエハＷを支持する。冷却プレート３３がホーム位置から再び熱板５３上へ移動して、ウエハＷが冷却プレート３３上に受け渡される。ウエハＷの熱は冷却プレート３３に伝熱され、冷却プレート３３は蓄熱されて昇温するが、ホーム位置に戻ったときに、既述のように局所排気ダクト２４の先端開口部と冷却機構３の下部側の空冷フィン部３５とが一列に並んで局所排気ダクト２４の吸引排気により空冷フィン部３５内に気体が流通して当該空冷フィン部３５が冷やされ、このため連結ブラケット３１も冷却され、ヒートパイプ３８を介して図５にて詳述したように冷却プレート３３が冷却される。そしてウエハＷの搬送機構が後述のように搬送スケジュールに従って当該ウエハＷを取りにくるが、このときまでに冷却プレート３３によってウエハＷの粗熱取りが行われることになる。
【００３４】
搬送機構の搬送アーム４１は冷却プレート３３上のウエハＷを下方からすくい上げるようにして受け取り、当該ウエハＷを筺体２０の外へ搬送する。然る後、搬送機構によって後続のウエハＷがこの加熱装置２に搬送されるがこの後続のウエハＷにも同様に加熱処理が行われる。
【００３５】
この加熱装置２によれば、熱板５３にて加熱処理されたウエハＷを受け取る冷却プレート３３にヒートパイプ３８が埋め込まれており、前記冷却プレート３３がホーム位置にあるときに局所排気ダクト２４による排気により空冷フィン部３５の空冷フィン３５ｂを空冷することによりヒートパイプ３８を介して冷却プレート３３が冷却されるので、当該冷却プレート３３を冷却するにあたって冷却液が通流する配管の引き回しが不要になるため、冷却プレート３３の駆動機構３７などの当該加熱装置２を構成する部品のレイアウトの自由度が大きくなる。そして局所排気ダクト２４による吸引流により空冷フィン部３５を冷却しているので、当該空冷フィン部３５を空冷するための機構が簡素化され、送風ファンを設けて当該空冷フィン部３５を空冷する場合に比べて加熱装置２の小型化を図ることができる。
またこの加熱装置２は筺体２０内の床板２２の下方領域における駆動機構３７を配置する空間に前記局所排気ダクト２４を配置する構成としているため、筺体２０の高さを抑えることができる。更にこの加熱装置２においては排気ダクト６３の基端部が第２の中間排気ダクト２Ｂに、局所排気ダクト２４の基端部が前記第２の中間排気ダクト２Ｂに夫々接続され、また第１の中間排気ダクト２Ａは第２の中間排気ダクト２Ｂに接続されることで、排気ダクト６３から吸引が行われて熱板５３の上方に設けられた天板６に沿って気流が形成されるとともに局所排気ダクト２４から排気が行われる構成となっているため、筺体２０の外に引き回される排気ダクトの数を少なくすることができる。
【００３６】
また筺体２０内の床板２２の下方領域を排気する第１の中間排気ダクト２Ａの上流側に局所排気ダクト２４を接続し、また第１の中間排気ダクト２Ａの下流側に接続された第２の中間排気ダクト２Ｂに天板６の排気ダクト６３を接続しているため、各排気ダクトにより構成される排気系が簡素化されるとともに、局所排気ダクト２４の排気量を大きくとることができる結果として、空冷フィン部３５の大きな空冷作用を得ることができる。
【００３７】
また冷却プレート３３の周縁部には、ウエハＷを載せた外部の搬送アーム４１が当該冷却プレート３３の上方側から下方側に通り抜けてウエハＷを冷却プレート３３に受け渡すように、搬送アーム４１の形状に対応する切り欠き部３４が形成されているため、加熱装置２においては冷却プレート３３と搬送アーム４１との間でウエハＷの受け渡しを行うための例えば支持ピンと前記支持ピンを昇降させる駆動機構とにより構成されるような受け渡し手段を設ける必要がないため当該加熱装置２の構成部品数を低減させることができる。
【００３８】
ところで上記実施例において例えば筺体２０内に局所排気ダクト２４を設ける代わりに例えば給水機構と排水機構とに接続され内部を冷却水が流通する流水ブロックを設け、さらに既述の冷却機構３において空冷フィン部３５を設ける代わりに熱伝導性の高い例えば銅やアルミなどで構成された伝熱ブロックを設けて、冷却プレート３３が既述のホーム位置に移動すると流水ブロックと伝熱ブロックとが接触して流水ブロックを流通する冷却水の冷気により伝熱ブロックが冷却され、さらにこの伝熱ブロックに伝わった冷気が連結ブラケット３１を介してヒートパイプ３８の基端側に伝わることによって既述のようにヒートパイプ３８の表面全体が冷却されて当該ヒートパイプ３８が埋め込まれた冷却プレート３３が冷却されるようにしてもよい。
【００３９】
なお本発明の加熱装置は既述の実施形態のように天板の中央部から排気を行うものに限らず、例えば図１２〜１４に示すような構成であってもよい。これらの図に示した加熱装置７について説明するがこの加熱装置７は、ウエハＷを加熱する際の気流の形成方法について前記加熱装置２と大きく異なっている。図中７０、７１、７２、７３は夫々筺体、搬送口、床板、床板に設けられた開口部である。図中７４は冷却機構であり既述の冷却機構３と同様に冷却プレート７５、連結ブラケット７６、多数のフィンを備えた空冷フィン部７７及びヒートパイプにより構成され、駆動機構７８を介して不図示のガイドレールに沿って筺体７０内を手前側から奥側に移動自在に構成されている。なおヒートパイプは図示していないが例えば冷却機構３のヒートパイプ３８と同様に冷却プレート７５及び連結ブラケット７６に埋めこまれている。また床板７２の下部には局所排気ダクト７９が設けられている。この局所排気ダクト７９の開口部（吸引排気口）は既述の加熱装置２の局所排気ダクト２４と同様に冷却機構７４の冷却プレート７５が搬送機構からウエハＷを受け取る位置（ホーム位置）において空冷フィン部７７に臨むように設けられており、またその端部は後述する排気管８０に接続されている。なお図中７５ａは熱板８１と冷却プレート７５との間でウエハＷの受け渡しを行う支持ピンであり、７５ｂは当該支持ピン７５ａを昇降させるための駆動機構である。
【００４０】
ところでこの加熱装置７における熱板８１は既述の熱板５３と同様に構成され、またこの熱板８１の側部及び底部は前記熱板サポート部材５と同様に構成された熱板サポート部材８２に囲まれている。図中８１ａは熱板８１上に設けられたウエハＷが載置される突起部であり、図中８２ａはこの熱板サポート部材８２の底壁部分の内部及び側壁部分の内部に設けられた真空領域である真空層である。図中８３は支持部８４を介して熱板８１上に固定され、当該熱板８１に載置されるウエハＷと対向するように設けられた整流用の天板であり、この天板８３の内部には例えば熱板８１の表面をカバーする大きさを有する真空領域である真空層８３ａが形成されている。また前記支持部８４も内部に真空層８４ａを備えており、天板８３及び支持部８４は真空断熱構造となっている。
【００４１】
図中８５は幅方向（図中Ｙ方向）に沿って設けられたガス吐出部であり、熱板８１を挟んでこのガス吐出部８５と対向するように排気部８６が設けられている。ガス吐出部８５はウエハＷの幅をカバーするように幅方向に沿って多数の小孔からなるクリーンなパージ用ガスを吐出するガス吐出口８５ａを備えており、排気部８６にはガス吐出口８５ａと並行するように多数の小孔からなる排気口８６ａが設けられている。また排気部８６には排気管８０の一端が接続され、排気管８０の他端は筺体７０外へと伸長し、その端部は例えば工場の排気路に接続されている。排気管８０には例えば吸引排気手段であるファン８７が介設されており、このファン８７が予め設定された回転数で回転することにより排気口８６ａ及び局所排気ダクト７９の開口部を介して筺体７０内の排気が行われるようになっている。ウエハＷが熱板８１の突起部８１ａ上に載置され加熱される際にはガス吐出口８５ａから天板８３の下面に向けてパージ用ガスが吐出される一方で既述のようなガス排気口８６ａから排気が行われ、図１５に矢印で示すようにウエハＷの幅をカバーし、ウエハＷの一端側から多端側へ向かって流れる一方向流ともいうべき気流が形成されるように構成されている。そして加熱処理が終わったウエハＷを保持した状態で冷却機構７４がホーム位置に移動すると既述の加熱装置２と同様に局所排気ダクト７９の排気により空冷フィン部７７のフィンが冷却され、冷気がヒートパイプの基端側に伝わり、これによりヒートパイプの表面全体が冷却されることで、冷却プレート７５に載置されたウエハＷの粗熱取りが行われる。
【００４２】
このように加熱装置７を構成した場合、ウエハＷの一端側から他端側に向かう気流を形成しながら加熱処理を行っているので、ウエハＷの周囲でガスが滞留することが抑えられ、ウエハＷ表面における流速のばらつきが抑えられるため、レジスト液からの昇華物をウエハＷの上方から排出する効果が高く、このためウエハＷへのパーティクルの付着を低減でき、さらにウエハＷの天板８３とウエハＷの表面との間における温度と、熱板８１とウエハＷの裏面との間における温度との差が広がることが抑えられることによって前記一方向流が乱流となることが防がれる結果として面内均一性の高い加熱処理を行うことができるが、この加熱装置７においても冷却プレート７４がホーム位置にあるときに局所排気ダクト７９による排気により局所排気ダクト７９の吸引排気口に臨む位置にある空冷フィン部３５が冷却される結果として、連結ブラケット７６及び冷却プレート７５に埋めこまれたヒートパイプを介して冷却プレート７５が冷却されるので既述の加熱装置２と同様の効果が得られる。
【００４３】
なおこの加熱装置７においてガス吐出口８５ａを設けなくとも、天板６と熱板５３との間の領域８８において冷却プレート７５が進入する側以外の３方を囲んで風洞を形成し、ガス排気口８６ａから排気することで冷却プレート７５の進入口から気体を吸い込み一方向流を形成してもよい。
【００４４】
続いて既述した加熱装置２を塗布、現像装置に適用した場合の一実施の形態について説明する。図１６は、レジストパターン形成装置の平面図を示し、図１７は同概略斜視図、図１８は同概略側面図、図１９はこのレジストパターン形成装置に設けられた搬送用通路Ｒ１周辺の構造を示した斜視図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア９０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００４５】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア９０の載置台９１と、壁面に設けられる開閉部９２と、開閉部９２を介してキャリア９０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。
【００４６】
前記キャリアブロックＳ１の奥側には、筐体９３にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、Ｂ２、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第５の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。
【００４７】
これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種加熱・冷却系の処理ユニットと、これらの装置の加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。
【００４８】
各層Ｂ１〜Ｂ５は略同様の構成であるため、図１６に示すＣＯＴ層Ｂ４を例にして以下に説明すると、ウエハＷの搬送領域Ｒ１の両側にはウエハＷにレジストの塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた塗布ユニット９４と加熱・冷却系のユニットを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４とが設けられており、各棚ユニットのＵ１〜Ｕ４は塗布ユニット９４にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段、例えば２段に積層した構成とされている。
【００４９】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えばレジスト液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＣＨＰ）９５、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。この例では図１〜図９で説明した加熱装置２はこの加熱ユニット９５に相当する。また冷却ユニット（ＣＯＬ）や加熱ユニット（ＣＨＰ）９５等の各処理ユニットは、夫々処理容器９６内に収納されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、前記処理容器９６が２段に積層されて構成され、各処理容器９６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハＷを搬入出する搬送口９７が形成されている。この例では加熱ユニット（ＣＨＰ）９５は棚ユニットＵ３として積層され、また棚ユニットＵ４に含まれている。
【００５０】
Ａ４は、独立して駆動可能な２本のアームを備えたメインアームであり進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。なお図１７中２０１，２０２は搬送アームであり、２０３は搬送基体である。２０４は搬送基体２０３を回転させる回転機構であり、２０５はＹ軸レール２０７に沿って移動自在且つ昇降レール２０８に沿って昇降自在に構成された台部である。また２０６は棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部である。
【００５１】
また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１６及び図１８に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ４とがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の基板受け渡し手段をなす第１の受け渡しアームＤ１を備えている。
【００５２】
前記棚ユニットＵ５は、図１８に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えている。
【００５３】
さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図１６に示すように、メインアームＡ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられると共に、この棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の基板受け渡し手段をなす第２の受け渡しアームＤ２を備えている。
【００５４】
前記棚ユニットＵ６は、図１８に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えている。
【００５５】
他の単位ブロックＢについて、ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２は同様に構成され、ウエハＷに対して現像処理を行うための複数個の現像部を備えた現像ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。なおＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２に設けられたこれらの加熱ユニットはＣＯＴ層Ｂ４に設けられた加熱ユニット９５と例えば同じ構成を有し、処理温度及び処理時間のみが異なるものとする。
【００５６】
またＴＣＴ層Ｂ３は、レジスト液を塗布する前にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成ユニットが設けられている。
【００５７】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢを備えており、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ９に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。
【００５８】
ここでこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの流れについて、レジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合を例にして説明する。先ず外部からキャリア９０がキャリアブロック９１に搬入され、トランスファーアームＣにより開閉部９２を介してこのキャリア９０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、先ず第２の単位ブロックＢ２の棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳ２に受け渡され、次いでウエハＷはＢＣＴ層Ｂ５にウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ５を介してＢＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そしてＢＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、冷却ユニット（ＣＯＬ）→第１の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット（ＣＨＰ）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ１０の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。
【００５９】
続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ１０のウエハＷは第２の受け渡しアームＤ２により、ＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを受け渡すために第２の受け渡しステージＴＲＳ９に搬送され、次いで当該ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そしてＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、冷却ユニット（ＣＯＬ）→塗布ユニット９４→加熱ユニット（ＣＨＰ）９５→第１の受け渡しステージＴＲＳ４の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
【００６０】
次いで受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは第１の受け渡しアームＤ１によ
り、ＴＣＴ層Ｂ３にウエハＷを受け渡すために第１の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、当該ＴＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。そしてＴＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、冷却ユニット（ＣＯＬ）→第２の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット（ＣＨＰ）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ８の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
【００６１】
続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ８のウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＢにより、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）に搬送され、このステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）メインアームＡ１（メインアームＡ２）に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）にて、先ず加熱ユニット（ＰＥＢ）→冷却ユニット（ＣＯＬ）→現像ユニット→加熱ユニット（ＰＯＳＴ）の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア９０に戻される。
【００６２】
このように本発明の加熱装置を塗布、現像装置に設けられる加熱ユニットとして適用することで、加熱装置２の大型化を防ぐことができる。
【００６３】
なお加熱装置２は基板にレジスト膜を形成する塗布、現像装置以外にも例えば液体である絶縁膜の前駆体を基板に塗布して当該液体を加熱させることで基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の加熱装置の実施の形態の一例を示す縦断側面図である。
【図２】前記加熱装置の横断平面図である。
【図３】前記加熱装置に設けられたウエハＷの冷却機構の一例を示した縦断側面図である。
【図４】前記冷却機構の説明図である。
【図５】前記冷却機構に設けられたヒートパイプの構造図である。
【図６】前記冷却機構にウエハＷを受け渡す搬送機構の説明図である。
【図７】前記加熱装置を構成する熱板及び天板の周辺の構造を示した縦断側面図である。
【図８】前記熱板の構造を示した説明図である。
【図９】前記加熱装置に設けられた排気ブロック及び排気ダクトの斜視図である。
【図１０】前記加熱装置における気流の流れを示した説明図である。
【図１１】前記加熱装置における気流の流れを示した説明図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る加熱装置の構成の一例を示す縦断側面図である。
【図１３】前記加熱装置の横断平面図である。
【図１４】前記加熱装置の熱板及び天板周辺の構成を示した横断平面図である。
【図１５】前記加熱装置による加熱時に形成される気流の流れを示した説明図である。
【図１６】第１の実施形態における加熱装置が適用された塗布、現像装置の平面図である
【図１７】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図１８】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図１９】前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。
【図２０】従来の加熱装置の一例を示した図である。
【図２１】前記加熱装置の熱板及び天板の構造を示した説明図である。
【符号の説明】
【００６５】
２、７      加熱装置
３          冷却機構
３１        連結ブラケット
３３        冷却プレート
３５        空冷フィン部
３５ｂ      空冷フィン
３８        ヒートパイプ
５          熱板サポート部材
５３        熱板
６          天板
５０，６５  真空層
【図１】
2006313863.tif 000003
【図２】
2006313863.tif 000004
【図３】
2006313863.tif 000005
【図４】
2006313863.tif 000006
【図５】
2006313863.tif 000007
【図６】
2006313863.tif 000008
【図７】
2006313863.tif 000009
【図８】
2006313863.tif 000010
【図９】
2006313863.tif 000011
【図１０】
2006313863.tif 000012
【図１１】
2006313863.tif 000013
【図１２】
2006313863.tif 000014
【図１３】
2006313863.tif 000015
【図１４】
2006313863.tif 000016
【図１５】
2006313863.tif 000017
【図１６】
2006313863.tif 000018
【図１７】
2006313863.tif 000019
【図１８】
2006313863.tif 000020
【図１９】
2006313863.tif 000021
【図２０】
2006313863.tif 000022
【図２１】
2006313863.tif 000023