(57)【要約】【課題】  同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。【解決手段】  本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。【選択図】    図４
2006339635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）燐酸４０〜８０重量％；
ｂ）硝酸２〜１５重量％；
ｃ）酢酸３〜２０重量％；
ｄ）燐酸塩０．０１〜５重量％；
ｅ）陰イオン界面活性剤０．００１〜１重量％；及び
ｆ）残量の水
を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜からなるＴＦＴ  ＬＣＤのゲート膜である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタ液晶表示装置が、Ｍｏ単一膜からなるＴＦＴ  ＬＣＤのソース／ドレイン膜である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項４】
前記ｄ）の燐酸塩は、ＮａＨ2ＰＯ4、Ｎａ2ＨＰＯ4、Ｎａ3ＰＯ4、ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4、（ＮＨ4）3ＰＯ4、ＫＨ2ＰＯ4、Ｋ2ＨＰＯ4、Ｋ3ＰＯ4、Ｃａ（Ｈ2ＰＯ4）2、Ｃａ2ＨＰＯ4及びＣａ3ＰＯ4からなる群より選択される１種以上である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項５】
前記ｅ）の陰イオン界面活性剤が、アンモニウムフルオロアルキルスルホンイミドまたはアンモニウムペルフルオロオクタン−１−スルホネート（Ｃ8Ｆ17ＳＯ3ＮＨ4）である請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のうちのいずれか一項のエッチング組成物でエッチングする工程を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング組成物に関し、より詳細には、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置におけるゲート及びソース／ドレイン電極用金属膜に適用し得るエッチング組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
エッチング工程は、最終的に基板上に微細回路を形成するための過程であって、現像工程によって形成されたフォトレジストパターンと同一な金属パターンを形成する。
エッチング工程は、その方式によって大きく湿式エッチングと乾式エッチングに区分される。湿式エッチングは金属などと反応して腐蝕させる酸系の化学薬品を用いてフォトレジストパターンのない部分を溶解する方法である。乾式エッチングはイオンを加速させて露出部位の金属を除去することによってパターンを形成する方法である。
【０００３】
乾式エッチングは、湿式エッチングに比べて異方性プロファイルを有し、エッチング制御力が優れるという長所がある。しかし、装備が高価であり、大面積化が難しく、エッチング速度が遅いため生産性が低下するという問題点がある。
【０００４】
反面、湿式エッチングは、乾式エッチングに比べて大量及び大型処理が可能であり、エッチング速度が速いので、生産性が高く、装備が安いという長所がある。しかし、エッチャント及び純水の使用量が多く、廃液量が多くなるという問題点がある。
【０００５】
一般に、乾式エッチングを行う場合、表面の一部が硬化したフォトレジストを除去するためにプラズマアッシング工程が追加されることがある。これは、装備値段、工程時間損失などの生産性低下及び製品競争力弱化の要因として作用するため、実際の現場では湿式エッチングを主に使用しているのが実情である。
【０００６】
また、湿式エッチングに使用されるエッチャントは、より精密な微細回路が要求されるため、エッチングしようとする金属の種類に応じて、種々のものが適用されている。
一例として、Ａｌ単層膜をエッチングするエッチャントが提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。これらは燐酸、硝酸、酢酸、界面活性剤及び水で構成されるエッチャントを開示しており、特許文献１には、さらに、Ａｌ−Ｎｄ膜をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、水及びフルオロカーボン系界面活性剤を含むエッチング液組成物が開示されている。
【０００７】
また、アルミニウム及びＩＴＯをエッチングするためにシュウ酸及び組成物のｐＨを３〜４．５に調節できる酸と塩酸、燐酸、硝酸とを含むエッチング液組成物が提案されている（例えば、特許文献３）。
【０００８】
さらに、銀または銀合金をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、及びポタシウムオキシスルフェートを含む配線用エッチング液について開示されている（例えば、特許文献４）。また、ＩＺＯをエッチングするために塩酸、酢酸、阻害剤及び水を含むエッチング液組成物が開示されている（例えば、特許文献５）。さらに、ソース及びドレイン電極用ＭｏまたはＭｏ−Ｗ（モリブデンとタングステンの合金）をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、酸化調整剤及び水を含むエッチング液組成物が開示されている（例えば、特許文献６）。
【０００９】
しかし、従来のエッチャントは一つの金属膜だけをエッチングするための用途に適用されるため、装備と工程との効率性面で劣り、同時に色々な金属膜をエッチングするための組成物が研究されている。
【００１０】
一例として、Ａｌ／ＭｏまたはＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ−Ｗの二重膜をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、及び酸化調整剤を含むエッチング液が開示されており（例えば、特許文献７、特許文献８）、Ｍｏ／Ａｌ（Ａｌ−Ｎｄ）／Ｍｏ膜をエッチングするために燐酸、硝酸、酢酸、及び酸化調整剤を含むエッチング液が開示されている（例えば、特許文献９）。
【００１１】
また、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ−Ｗ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ｍｏ−Ｗ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ−Ｗ、Ｍｏ単一膜及びＭｏ−Ｗ単一膜に全て適用可能なエッチング液であって、燐酸、硝酸、酢酸、モリブデンエッチング抑制剤（アンモニウム塩、カリウム塩）、及び水を含むエッチング液が開示されている（例えば、特許文献１０、１１、１２）。
【００１２】
しかし、これら従来のエッチング組成物で薄膜トランジスタ液晶表示装置を構成するソース／ドレイン電極用金属膜であるＭｏ膜をエッチングする場合には、プロファイルが図７のようにテーパ不良を引き起こして後続工程で積層される上部膜のステップカバレージに不良を発生させることがあるという問題点がある。
【００１３】
また、従来のエッチングまたはエッチング液組成物で薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート電極用金属膜であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜をエッチングすると、図８のように上部Ｍｏ膜の突出現象と下部Ａｌ−ＮｄまたはＭｏ膜のアンダーカット現象が発生するという問題点があり、この上部膜の突出現象は追加の工程を実施して除去しなければならず、下部膜のアンダーカット現象は傾斜面で上部膜の断線または上下部金属が短絡される問題点がある。
【００１４】
したがって、従来の薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート及びソース／ドレイン電極用金属膜を多重層構造とする場合には、湿式工程と乾式工程とを共に適用することによって、好ましいプロファイルを得るのが一般的であった。
しかし、このような湿式エッチング及び乾式エッチングを共に使用することは工程の面倒さによる生産性の低下及び費用の増加面で不利であるという問題点がある。
【００１５】
【特許文献１】大韓民国特許出願第１０−２０００−００４７９３３号
【特許文献２】米国特許第４，８９５，６１７号
【特許文献３】大韓民国特許出願第１０−２００１−００３０１９２号
【特許文献４】大韓民国特許出願第１０−２００１−００６５３２７号
【特許文献５】大韓民国特許出願第１０−２００２−００１０２８４号
【特許文献６】大韓民国特許出願第１０−２００１−００１８３５４号
【特許文献７】大韓民国特許出願第１０−２０００−０００２８８６号
【特許文献８】大韓民国特許出願第１０−２００１−００７２７５８号
【特許文献９】大韓民国特許出願第１０−２０００−００１３８６７号
【特許文献１０】大韓民国特許出願第１０−２００２−００１７０９３号
【特許文献１１】大韓民国特許出願第１０−２００３−００８０５５７号
【特許文献１２】大韓民国特許出願第１０−２００４−００１０４０４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
このような従来の技術の問題点を解決しようと、本発明は、同一の組成物を使用して湿式工程だけで薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜又はＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜において、下部膜であるＡｌ−Ｎｄ及びＭｏのアンダーカット現象なしに優れたテーパを得ることができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供することを目的とする。
【００１７】
本発明の他の目的は、同一のエッチング組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜とソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用して優れたエッチング効果を示すことによって装備の効率性増大及び原価節減が可能なエッチング組成物を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、湿式エッチング後に追加の乾式エッチングを実施しなくても湿式エッチングだけでゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜とソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用して優れたエッチング効果を示すことによって工程を単純化することができ、原価節減及び生産性向上に効果的なエッチング組成物を提供することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、エッチング組成物の表面張力を低くしてエッチング組成物がよく拡散するようにすることによって大型基板でエッチング均一性を向上させることができるエッチング組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前記目的を達成するために、本発明は、ａ）燐酸４０〜８０重量％；ｂ）硝酸２〜１５重量％；ｃ）酢酸３〜２０重量％；ｄ）燐酸塩０．０１〜５重量％；ｅ）陰イオン界面活性剤０．００１〜１重量％；及びｆ）残量の水を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物を提供する。
【００２１】
また、本発明は前記エッチング組成物でエッチングする工程を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によるエッチング組成物は、湿式エッチング後に追加の乾式エッチングを実施しなくても、つまり、単一工程でも、同一の組成物を使用して湿式工程だけで薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜とＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに優れたテーパを得ることができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができる。
【００２３】
また、同一のエッチング組成物を使用して、ゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜とＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜及びソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用することによって工程の単純化、装備の効率性増大及び原価節減が可能なだけでなく、エッチング組成物の表面張力を低くして、エッチング組成物がよく拡散するようにすることによって大型基板でエッチング均一性を増加させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、ａ）燐酸４０〜８０重量％、ｂ）硝酸２〜１５重量％、ｃ）酢酸３〜２０重量％、ｄ）燐酸塩０．０１〜５重量％、ｅ）陰イオン界面活性剤０．００１〜１重量％、及びｆ）残量の水を含むことを特徴とする。
【００２５】
本発明に使用される燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩及び水は、半導体工程用として使用可能な純度のものを使用することが好ましく、市販されているものを使用するか、工業用等級のものを、当該分野において公知の法によって精製して使用することができる。
【００２６】
本発明に使用される前記ａ）の燐酸は酸化アルミニウムを分解する作用を果たす。
前記燐酸はエッチング組成物に４０〜８０重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは、５０〜７５重量％で含まれる。その含量が前記範囲内である場合には硝酸とアルミニウムとが反応して形成された酸化アルミニウムが適切に分解されて、エッチング速度が速くなって、生産性が向上する効果がある。
【００２７】
本発明に使用される前記ｂ）の硝酸はアルミニウムと反応して酸化アルミニウムを形成させる。
前記硝酸はエッチング組成物に２〜１５重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは、３〜１０重量％で含まれる。その含量が前記範囲内である場合には上部膜であるＭｏ膜及び下部膜であるＡｌ−Ｎｄ及びＭｏ膜で構成されたゲート金属膜と他の層の間の選択比を効果的に調節することができるという効果があり、特に前記硝酸が２重量％未満である場合には、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜で上部膜と下部Ｍｏ膜が突出する現象が発生するという問題点がある。
【００２８】
本発明に使用される前記ｃ）の酢酸は反応速度を調節する緩衝剤の作用を果たす。
前記酢酸はエッチング組成物に３〜２０重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは、８〜１５重量％で含まれる。その含量が前記範囲内である場合には反応速度を適切に調節してエッチング速度を向上させ、それによって生産性を向上させることができる効果がある。
【００２９】
本発明に使用される前記ｄ）の燐酸塩はＭｏ単一膜に優れたプロファイルを形成させる作用を果たす。特に、前記燐酸塩はエッチング組成物に使用されることによって同一のエッチング組成物を使用してソース／ドレインＭｏ単一膜で優れたエッチング効果を示す作用を果たすだけでなく、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜とＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜でも優れたエッチング効果を示す作用を果たす。
【００３０】
前記燐酸塩はＮａＨ2ＰＯ4、Ｎａ2ＨＰＯ4、Ｎａ3ＰＯ4、ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4、（ＮＨ4）3ＰＯ4、ＫＨ2ＰＯ4、Ｋ2ＨＰＯ4、Ｋ3ＰＯ4、Ｃａ（Ｈ2ＰＯ4）2、Ｃａ2ＨＰＯ4、またはＣａ3ＰＯ4等を使用することができ、好ましくは、Ｋ3ＰＯ4または（ＮＨ4）3ＰＯ4である。これらは、単独又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３１】
前記燐酸塩はエッチング組成物に０．０１〜５重量％で含まれるのが好ましく、さらに好ましくは、０．１〜３重量％で含まれる。その含量が前記範囲内である場合にはＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜で下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象を発生させないだけでなく、同時にＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成させることができる効果がある。
【００３２】
本発明に使用される前記ｅ）の陰イオン界面活性剤は酸に使用可能であって、エッチング組成物がＡｌ−Ｎｄ膜に対する接触角を低くすることによってエッチング組成物のぬれ性を改善させてエッチング組成物の粘度を低下させ、エッチング均一性を増加させる作用を果たす。
【００３３】
前記陰イオン界面活性剤は、アンモニウムフルオロアルキルスルホンイミド（ａｍｍｏｎｉｕｍｆｌｕｏｒｏａｌｋｙｌｓｕｌｆｏｎｉｍｉｄｅ）またはアンモニウムペルフルオロオクタン−１−スルホネート（Ｃ8Ｆ17ＳＯ3ＮＨ4）を使用するのが好ましい。これらは、単独又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３４】
前記陰イオン界面活性剤はエッチング組成物に０．００１〜１重量％で含まれるのが好ましく、その含量が前記範囲内である場合にはＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜とＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜のアンダーカット現象及びＭｏ単一膜のプロファイル形成に影響を与えずにエッチング組成物の表面張力を低くしてエッチング組成物がよく拡散するようにすることによって大型基板でエッチング均一性を増加させる効果がある。
【００３５】
本発明に使用される前記ｆ）の水はエッチング組成物に残量で含まれ、硝酸とアルミニウムが反応して生成された酸化アルミニウムを分解し、エッチング組成物を希釈する作用を果たす。
【００３６】
前記水は残量のイオン交換樹脂を通じてろ過した純水を使用するのが好ましく、特に比抵抗が１８メガオーム（ＭΩ）以上である超純水を使用するのがさらに好ましい。
また、本発明はこのような成分からなるエッチング組成物でエッチングする工程を含む薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。このようなエッチング前後においては、一般に、薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に適用される通常の工程が適用される。
【００３７】
本発明の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、前記のような成分を含む本発明のエッチング組成物を使用して湿式エッチング後に追加の乾式エッチングを実施しなくても、同一の組成物を使用して湿式工程だけで薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜で下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに優れたテーパを得ることによって、後続工程時に傾斜面で断線される不良を防止することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも、逆テーパ現象を防止して上／下層が短絡される不良を防止することができ、図１に示したように角度が５０〜７０°である優れたプロファイルを形成することができる長所がある。
【００３８】
また、同一のエッチング組成物を使用してゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜とＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜、ソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜に適用することによって工程の単純化、装備の効率性増大及び原価節減が可能なだけでなく、エッチング組成物の表面張力を低くしてエッチング組成物がよく拡散するようにすることによって大型基板でエッチング均一性を増加させることができる効果がある。
以下、本発明の理解のために好ましい実施例を示すが、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるわけではない。
【００３９】
実施例１
燐酸６３重量％、硝酸４重量％、酢酸１７重量％、燐酸塩としてＫ3ＰＯ4１重量％、陰イオン界面活性剤としてアンモニウムフルオロアルキルスルホンイミド０．００５重量％及び残量の水を均一に混合してエッチング組成物を製造した。
前記エッチング組成物をＭｏ単一膜に適用した結果、図１に示したように、プロファイルの角度が５０〜７０°であって優れていることを確認することができた。
【００４０】
実施例２及び比較例１〜２
前記実施例１で下記表１に示す組成比で使用したことを除いては、前記実施例１と同様な方法で実施してエッチング組成物を製造した。この時、下記表１の単位は重量％である。
【００４１】
【表１】
2006339635.tif 000003
【００４２】
実施例１または２及び比較例１または２で製造したエッチング組成物の性能は下記のように通常の方法によって実施し、その結果を下記表３及び図２〜６に示した。
まず、ガラス基板上にＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ二重膜、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜及びＭｏ単一膜をそれぞれスパッタリングによって形成させた後、フォトレジストをコーティングし、現像によってパターンを形成させた試験片に、実施例１または２及び比較例１または２で製造したエッチング組成物をスプレーしてエッチング処理した。
次いで、エッチング後、断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓ−４１００、日立社）で観察して、エッチング組成物の性能を下記の評価基準に従って評価した。
【００４３】
【表２】
2006339635.tif 000004
【００４４】
【表３】
2006339635.tif 000005
【００４５】
上記表３から、本発明によって製造した実施例１または２のエッチング組成物が比較例１または２と比較してＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜（図２、図４）とＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜（図３、図４）及びＭｏ単一膜（図１、図４）で全て優れたエッチング効果を示すことを確認することができた。
【００４６】
反面、燐酸塩を使用しない比較例１及び硝酸を４重量％未満で使用した比較例２の場合には、図５及び図６に示したように、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜でアンダーカット現象が発生し、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜で上部及び下部Ｍｏの突出現象が発生した。だけでなく、Ｍｏ単一膜でもプロファイルの形成が不良なことを確認することができた。
【００４７】
前記実施例２のエッチング組成物は、図４に示したように、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜とＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜で上部膜であるＭｏ膜の突出現象と下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏ膜のアンダーカット現象が発生した比較例１（図５）と比較して、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしに優れたテーパを得ることができることを確認でき、また、Ｍｏ単一膜でもテーパ不良を引き起こして後続工程で積層される上部膜のステップカバレージに問題を発生させた比較例１（図５）と比較して、図４に示したように優れたテーパを得ることができることを確認することができた。
このような結果から、本発明によるエッチング組成物は従来のエッチング組成物によるエッチングより優れたステップカバレージを形成したことが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＭｏ単一膜に使用して形成されたプロファイルを示す写真である。
【図２】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜に適用した結果を示す写真である。
【図３】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜に適用した結果を示す写真である。
【図４】本発明の一実施例によるエッチング組成物をＭｏ単一膜、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜、及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜に適用した結果を示す写真である。
【図５】燐酸塩を使用せずに製造したエッチング組成物をＭｏ単一膜、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜、及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜に適用した結果を示す写真である。
【図６】硝酸の含量を少なく使用して製造したエッチング組成物をＭｏ単一膜、Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜、及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜に適用した結果を示す写真である。
【図７】Ｍｏ単一膜に従来のエッチング組成物を使用した結果、テーパ（ｔａｐｅｒ）不良が引き起こされたことを示す写真である。
【図８】Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ二重膜及びＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜に従来のエッチング組成物を使用した結果、上部膜であるＭｏ膜の突出現象と、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏ膜のアンダーカット現象が発生したことを示す写真である。
【図１】
2006339635.tif 000006
【図２】
2006339635.tif 000007
【図３】
2006339635.tif 000008
【図４】
2006339635.tif 000009
【図５】
2006339635.tif 000010
【図６】
2006339635.tif 000011
【図７】
2006339635.tif 000012
【図８】
2006339635.tif 000013