(57)【要約】【課題】フッ酸を含む処理液を基板の表面へ供給して基板の表面の処理を行わさせた後において、基板の処理に伴う生成物の基板の表面への付着を抑制する。【解決手段】ウエハＷを保持する保持部材１１３と、スピンベース１１２を回転させる駆動モータ１１０と、ウエハＷの表面にフッ酸を含む第１処理液を供給し、かつウエハＷの表面に純水及び酸を含む第２処理液を供給する処理液供給ノズル１３０と、硫酸過水洗浄あるいはオゾン水洗浄あるいはＲＣＡ洗浄による薬液処理が行われ保持部材１１３に保持されたウエハＷを回転させた状態で処理液供給ノズル１３０によりウエハＷの表面へ第１処理液を供給してウエハの表面の処理を行わせ、所定の時間ウエハＷを回転させるだけの状態にし、その後ウエハＷを回転させた状態で処理液供給ノズル１３０によりウエハＷの表面へ第２処理液を供給してウエハＷの表面の処理を行わせる制御部１５０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
基板を保持している前記基板保持手段を回転させる駆動手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に薬液として硫酸過水あるいはオゾン水あるいはアンモニア水・過酸化水素水・水を混合したＳＣ−１処理液あるいは塩酸・過酸化水素水・水を混合したＳＣ−２処理液を供給する薬液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面にフッ酸を含む第１処理液を供給する第１処理液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に純水に塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかの酸を加えた第２処理液を供給する第２処理液供給手段と、
基板に対して前記薬液供給手段からの前記薬液による薬液処理を実行した後に、前記基板保持手段に保持された基板を前記駆動手段により回転させた状態で前記第１処理液供給手段により基板の表面へ第１処理液を供給して基板の表面の処理を行わせ処理が終了すると、所定の時間処理液を基板の表面に供給させない状態で基板を回転させフッ酸を基板の外周から振り切り、その後基板を回転させた状態で前記第２処理液供給手段により基板の表面へ第２処理液を供給して基板の表面の処理を行わせる制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記駆動手段の回転数を制御する駆動手段用制御手段と、前記第１処理液供給手段からの第１処理液の供給及び停止、前記第２処理液供給手段からの第２処理液の供給及び停止をそれぞれ制御する処理液制御手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記第２処理液は、純水に０．１％以下の前記酸を加えた処理液であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１処理液供給手段と前記第２処理液供給手段とは、１つのノズルで兼用していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板保持手段に保持された基板の表面に純水を供給する純水供給手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記薬液処理が終了してから前記第１処理液による処理が開始される前に前記純水供給手段から基板の表面に純水を供給して純水処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
基板に対して硫酸過水洗浄あるいはオゾン水洗浄あるいはＲＣＡ洗浄による薬液処理を実行した後に、基板を回転させた状態で基板の表面へフッ酸を含む第１処理液を供給して基板の表面の処理を行う第１工程と、
処理液を基板の表面に供給させない状態で、基板を回転させフッ酸を基板の外周から振り切る第２工程と、
基板を回転させた状態で純水に塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかの酸を加えた第２処理液を基板の表面に供給して基板の表面の処理を行う第３工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理方法であって、
前記第２処理液は、純水に０．１％以下の前記酸を加えた処理液であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記第１工程では、前記薬液処理が終了してから前記第１処理液による処理が開始される前に基板の表面に純水を供給して純水処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示パネル等の基板に処理液を供給して基板の表面に洗浄等の所定の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の基板処理装置は、基板の一種であるウエハを保持する保持機構、ウエハを回転させるために、ウエハを保持した状態の保持機構を回転させる回転機構、処理液をウエハの表面へ供給するノズル等を備えた枚葉式のスピン洗浄装置であり、このスピン洗浄装置では、以下のようなウエハの表面の処理を行っている。
【０００３】
まず、保持機構に保持されたウエハを回転させた状態でウエハの表面へ薬液を供給してウエハの表面の薬液洗浄を行う。ここでいう薬液には、オゾン（Ｏ３）水等が考えられる。次に、ウエハを回転させた状態でフッ酸（ＨＦ）をウエハの表面へ供給してウエハの表面のエッチング処理を行う。エッチング処理が終了すると、すぐにウエハの回転を継続させた状態で純水をウエハの表面へ供給してウエハの表面の純水洗浄を行う。最後に、いずれの処理液をもウエハの表面へ供給しない状態で、ウエハを高速に回転させてウエハの表面の乾燥を行う。以上により、一連の薬液洗浄処理、エッチング処理、純水洗浄処理、及び乾燥処理が終了する。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１０２８８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来の基板処理装置では、フッ酸（ＨＦ）をウエハの表面へ供給してウエハの表面のエッチング処理が終了すると、すぐにウエハを回転させた状態で純水をウエハの表面へ供給してウエハの表面の純水洗浄を行っているので、純水洗浄処理後のウエハの表面には、エッチング処理された後の生成物であるフルオロケイ酸が付着してしまうという問題がある。
【０００６】
また、純水洗浄処理後のウエハの表面をＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｏｒｏ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を使って元素分析を行うと、フッ素（Ｆ）濃度が高くなってしまうという問題がある。フッ素濃度が高い状態のまま処理を継続してしまうと、以後のデバイス製造段階でウエハのデバイス特性に悪影響を及ぼしてしまう恐れがある。
【０００７】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、フッ酸を含む処理液を基板の表面へ供給して、基板の表面の処理を行わせた後に、基板の処理に伴う生成物の基板の表面への付着を抑制する基板処理装置及び基板処理方法を提供すること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、基板を保持している前記基板保持手段を回転させる駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に薬液として硫酸過水あるいはオゾン水あるいはアンモニア水・過酸化水素水・水を混合したＳＣ−１処理液あるいは塩酸・過酸化水素水・水を混合したＳＣ−２処理液を供給する薬液供給手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面にフッ酸を含む第１処理液を供給する第１処理液供給手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面に純水に塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかの酸を加えた第２処理液を供給する第２処理液供給手段と、  基板に対して前記薬液供給手段からの前記薬液による薬液処理を実行した後に、前記基板保持手段に保持された基板を前記駆動手段により回転させた状態で前記第１処理液供給手段により基板の表面へ第１処理液を供給して基板の表面の処理を行わせ処理が終了すると、所定の時間処理液を基板の表面に供給させない状態で基板を回転させフッ酸を基板の外周から振り切り、その後基板を回転させた状態で前記第２処理液供給手段により基板の表面へ第２処理液を供給して基板の表面の処理を行わせる制御手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明に係る基板処理装置は、前記制御手段が、前記駆動手段の回転数を制御する駆動手段用制御手段と、前記第１処理液供給手段からの第１処理液の供給及び停止、前記第２処理液供給手段からの第２処理液の供給及び停止をそれぞれ制御する処理液制御手段と、を有することを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、前記第２処理液が、純水に０．１％以下の前記酸を加えた処理液であることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明に係る基板処理装置は、前記第１処理液供給手段と前記第２処理液供給手段とが、１つのノズルで兼用していることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明に係る基板処理装置は、前記基板保持手段に保持された基板の表面に純水を供給する純水供給手段をさらに備え、前記制御手段が、前記薬液処理が終了してから前記第１処理液による処理が開始される前に前記純水供給手段から基板の表面に純水を供給して純水処理を行うことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明に係る基板処理方法は、基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、基板に対して硫酸過水洗浄あるいはオゾン水洗浄あるいはＲＣＡ洗浄による薬液処理を実行した後に、基板を回転させた状態で基板の表面へフッ酸を含む第１処理液を供給して基板の表面の処理を行う第１工程と、処理液を基板の表面に供給させない状態で、基板を回転させフッ酸を基板の外周から振り切る第２工程と、基板を回転させた状態で純水に塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかの酸を加えた第２処理液を基板の表面に供給して基板の表面の処理を行う第３工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明に係る基板処理方法は、前記第１工程が、前記薬液処理が終了してから前記第１処理液による処理が開始される前に基板の表面に純水を供給して純水処理を行うことを特徴とするものである。
【００１５】
なお、「基板保持手段による基板の保持」には、基板の端部の複数箇所を保持する場合、基板の裏面の複数箇所を支持部材で支持する場合がある。また、「フッ酸を含む第１処理液」には、フッ酸のみからなる処理液も含まれる。さらに、「第１処理液を基板の表面へ供給する基板の表面の処理」には、酸化膜等が形成された基板の表面をエッチングするエッチング処理が考えられる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る基板処理装置によれば、硫酸過水あるいはオゾン水あるいはアンモニア水・過酸化水素水・水を混合したＳＣ−１処理液あるいは塩酸・過酸化水素水・水を混合したＳＣ−２処理液による薬液処理を基板に対して実行した後に、基板保持手段に保持された基板を回転させた状態で第１処理液供給手段により基板の表面へフッ酸を含む第１処理液を供給して基板の表面の処理を行わせ処理が終了すると、所定の時間処理液を基板の表面に供給させない状態で基板を回転させフッ酸を基板の外周から振り切り、その後基板を回転させた状態で第２処理液供給手段により基板の表面へ純水に塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかの酸を加えた第２処理液を供給して基板の表面の処理を行わせているので、基板の処理に伴う生成物の基板の表面への付着を抑制できるという効果がある。
【００１７】
また、本発明に係る基板処理方法によれば、基板に対して硫酸過水洗浄あるいはオゾン水洗浄あるいはＲＣＡ洗浄による薬液処理を実行した後に、基板を回転させた状態で基板の表面へフッ酸を含む第１処理液を供給して基板の表面の処理を行い、処理液を基板の表面に供給させない状態で基板を回転させフッ酸を基板の外周から振り切り、基板を回転させた状態で純水に塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかの酸を加えた第２処理液を基板の表面に供給して基板の表面の処理を行うので、基板の処理に伴う生成物の基板の表面への付着を抑制できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本発明に係る基板処理装置の断面図である。この基板処理装置１００は、基板の一種であるウエハＷの表面に処理液を供給してエッチング処理を行ったり、洗浄液を供給して洗浄処理を行ったり、ウエハＷを回転させてウエハＷの表面の乾燥処理を行う洗浄装置である。この基板処理装置１００の中心部には、駆動モータ１１０が設けられている。そして、この駆動モータ１１０には回転軸１１１を介して回転可能に構成されたスピンベース１１２が設けられている。スピンベース１１２の回転スピードは、後述する制御部１５０の駆動モータ制御部１５２（図２参照）によって自在に変えることができ、また、スピンベース１１２の上面には、ウエハＷの端部を保持する保持部材１１３が３つ設けられ、この保持部材１１３がウエハＷを水平に保持するようになっている。
【００１９】
スピンベース１１２の外側には、スピンベース１１２を囲うようにして、複数の処理液の飛散を防止するための樹脂または金属からなる環状のカップ１２０が設けられている。このカップ１２０は、上部に行くほど狭くなるように内側に傾斜部が設けられている。また、カップ１２０の開口部１２１の直径は、水平の状態にしたウエハＷをそのままカップ１２０内に下降させて収納できる程度の大きさに設定されている。
【００２０】
カップ１２０の底面１２２には、複数の排液配管１２５が接続されている（図１では２つ）。カップ１２０の底面１２２には、ウエハＷよりも小さい直径を有する環状壁１２３が立設されている。この環状壁１２３の上端には、スピンベース１１２の裏面に近接する整流板１２４が配設されている。整流板１２４の周辺部は、外側に向かって下方に傾斜するように構成されている。
【００２１】
カップ１２０の上方には、処理液供給ノズル１３０が配置されている。この処理液供給ノズル１３０は、以下のような複数の供給源と接続されている。
【００２２】
まず、処理液供給ノズル１３０は、配管１３１及び配管１３２を介して純水供給源２３２と接続されており、純水（Ｈ２Ｏ）の処理液供給ノズル１３０への供給及び停止の制御は、配管１３２に設けられた開閉弁１３２Ａにより行われる。
【００２３】
また、処理液供給ノズル１３０は、配管１３１及び配管１３３を介してフッ酸供給源２３３と接続されており、フッ酸（ＨＦ）の処理液供給ノズル１３０への供給及び停止の制御は、配管１３３に設けられた開閉弁１３３Ａにより行われる。
【００２４】
また、処理液供給ノズル１３０は、配管１３１及び配管１３４を介して炭酸水供給源２３４と接続されており、炭酸（ＣＯ２／Ｈ２Ｏ）の処理液供給ノズル１３０への供給及び停止の制御は、配管１３４に設けられた開閉弁１３４Ａにより行われる。
【００２５】
また、処理液供給ノズル１３０は、配管１３１及び配管１３５を介して硫酸供給源２３５と接続されており、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の処理液供給ノズル１３０への供給及び停止の制御は、配管１３５に設けられた開閉弁１３５Ａにより行われる。
【００２６】
また、処理液供給ノズル１３０は、配管１３１及び配管１３６を介してオゾン水供給源２３６と接続されており、オゾン水（Ｏ３／Ｈ２Ｏ）の処理液供給ノズル１３０への供給及び停止の制御は、配管１３６に設けられた開閉弁１３６Ａにより行われる。
【００２７】
また、処理液供給ノズル１３０は、配管１３１及び配管１３７を介して塩酸供給源２３７と接続されており、塩酸（ＨＣｌ）の処理液供給ノズル１３０への供給及び停止の制御は、配管１３７に設けられた開閉弁１３７Ａにより行われる。
【００２８】
さらに、処理液供給ノズル１３０は、配管１３１及び配管１３８を介して硫酸過水供給源２３８と接続されており、硫酸過水（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ／Ｈ２Ｏ２）の処理液供給ノズル１３０への供給及び停止の制御は、配管１３８に設けられた開閉弁１３８Ａにより行われる。
【００２９】
以上のように、処理液供給ノズル１３０という１つのノズルで、各処理液のウエハＷの表面への供給を行っているので、構成が簡素ですむという効果がある。
【００３０】
図２は、本発明に係る基板処理装置の制御系を示す図である。
【００３１】
制御部１５０は、基板処理装置１００の各部の制御を行うもので、処理液制御手段に相当する開閉弁制御部１５１と、駆動手段用制御手段に相当する駆動モータ制御部１５２とを備えている。開閉弁制御部１５０は、開閉弁１３２Ａ、開閉弁１３３Ａ、開閉弁１３４Ａ、開閉弁１３５Ａ、開閉弁１３６Ａ、開閉弁１３７Ａ、開閉弁１３８Ａの開閉動作を制御するものである。また、駆動モータ制御部１５２は、駆動モータ１１０の回転数を制御するものである。なお、制御部１５０内において、開閉弁制御部１５１と、駆動モータ制御部１５２とは繋がっている。
【００３２】
次に、本発明に係る基板処理方法及び上述した基板処理装置１００の複数種類の処理動作について説明する。
【００３３】
（第１の処理動作）
最初に、基板処理装置１００の第１の処理動作について説明する。図３は、基板処理装置の第１の処理動作を示すフローチャートである。
【００３４】
まず、駆動モータ制御部１５２が駆動モータ１１０を制御することにより、保持部材１１３に保持されたウエハＷを回転させた状態で（このときのウエハＷの回転数は、２５０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍ）、ウエハＷの表面に薬液を供給してウエハＷの薬液処理を行う（ステップＳ１１）。
【００３５】
なお、この段階での薬液処理では、硫酸過水洗浄、オゾン水洗浄、ＲＣＡ（Ｒａｄｉｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ）洗浄が考えられる。硫酸過水洗浄の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３８Ａを「開」にして、硫酸過水供給源２３８から配管１３８及び配管１３１を介して処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へ硫酸過水を供給して、ウエハＷの表面の薬液洗浄を行う。オゾン水洗浄の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３６Ａを「開」にして、オゾン水供給源２３６から配管１３６及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へオゾン水を供給して、ウエハＷの表面の薬液洗浄を行う。ＲＣＡ洗浄の場合、図１には示していないが、アンモニア水・過酸化水素水・水を所定の割合にしたＳＣ−１処理液による洗浄や塩酸・過酸化水素水・水を所定の割合にしたＳＣ−２処理液により、ウエハＷの表面の洗浄を行う。ステップＳ１１のウエハＷの薬液処理が終了すると、開閉弁制御部１５０は、それぞれの開閉弁を「閉」にする。
【００３６】
次に、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを「開」にして、純水供給源２３２から配管１３２及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へ純水を供給して、ウエハＷの表面の純水処理を行う（ステップＳ１２）。これにより、ウエハＷの表面の純水洗浄が行われる。
【００３７】
ステップＳ１２の純水処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「開」にして、フッ酸供給源２３３から配管１３３及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へフッ酸を供給して、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによりエッチング処理を行う（ステップＳ１３）。
【００３８】
ステップＳ１３のＨＦ処理が終了すると、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「閉」にして、０．０３秒〜１０．００秒の時間だけウエハＷを回転させたままの状態にする。これにより、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切られる（ステップＳ１４）。
【００３９】
ステップＳ１４の振り切り処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理、すなわち純水・酸処理を行う（ステップＳ１５）。
【００４０】
例えば、酸が塩酸（ＨＣｌ）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａ及び開閉弁１３７Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の塩酸を加えた処理液を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面にかかる処理液を供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。また、酸が硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを及び開閉弁１３５Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の硫酸を加えた処理液を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面にかかる処理液を供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。さらに、酸が炭酸（ＣＯ２）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３４Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の炭酸ガスを溶かした炭酸を配管１３４及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面に供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。
【００４１】
ステップＳ１５の純水・酸処理による洗浄処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを「開」にして、ウエハＷの表面に純水を供給して純水処理を行う（ステップＳ１６）。これにより、ウエハＷの表面の純水洗浄が行われる。
【００４２】
なお、ステップＳ１３において、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによりエッチング処理を行った後、ステップＳ１４において開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「閉」にして、０．０３秒〜１０．００秒の時間だけウエハＷを回転させたままの状態にし、さらにステップＳ１５においてウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理をしているので、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切られた後に、純水・酸処理による洗浄となり、その結果、エッチング処理された後の生成物であるフルオロケイ酸のウエハＷの表面への付着が抑制される。また。フッ素（Ｆ）濃度が低くなるという効果もあるので、以後のデバイス製造段階でウエハＷのデバイス特性に悪影響を及ぼすこともなくなる。
【００４３】
また、ステップＳ１５において、ウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸、すなわち、塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかを加えて純水・酸処理を行っているので、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切られた後のウエハＷを効果的に洗浄できる。
【００４４】
さらに、ステップＳ１６において、ウエハＷの表面に純水を供給して純水処理を行っているので、ステップＳ１５で供給された酸をウエハＷの表面から完全に除去することができる。
【００４５】
ステップＳ１６の純水処理が終了すると、駆動モータ制御部１５２が駆動モータ１１０を制御し、保持部材１１３に保持されたウエハＷの回転数を１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍにして、ウエハＷの表面の乾燥処理を行う（ステップＳ１７）。所定の時間の乾燥処理が行われると、駆動モータ制御部１５２の駆動モータ１１０を制御して、ウエハＷの回転を停止させる。以上により、一連の第１の処理動作は終了する。
【００４６】
（第２の処理動作）
次に、基板処理装置１００の第２の処理動作について説明する。図４は、基板処理装置の第２の処理動作を示すフローチャートである。
【００４７】
まず、駆動モータ制御部１５２が駆動モータ１１０を制御することにより、保持部材１１３に保持されたウエハＷを回転させた状態で（このときのウエハＷの回転数は、２５０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍ）、ウエハＷの表面に薬液を供給してウエハＷの薬液処理を行う（ステップＳ２１）。なお、この段階での薬液処理では、上述した図３のステップＳ１１と同様の薬液洗浄を行う。
【００４８】
ステップＳ２１の薬液処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを「開」にして、純水供給源２３２から配管１３２及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へ純水を供給して、ウエハＷの表面の純水処理を行う（ステップＳ２２）。これにより、ウエハＷの表面の純水洗浄が行われる。
【００４９】
ステップＳ２２の純水処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「開」にして、フッ酸供給源２３３から配管１３３及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へフッ酸を供給して、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによりエッチング処理を行う（ステップＳ２３）。
【００５０】
ステップＳ２３のＨＦ処理が終了すると、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「閉」にして、０．０３秒〜１０．００秒の時間だけウエハＷを回転させたままの状態にする。これにより、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切られる（ステップＳ２４）。
【００５１】
ステップＳ２４の振り切り処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、再度開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「開」にして、フッ酸供給源２３３から配管１３３及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へフッ酸を供給して、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによりエッチング処理を行う（ステップＳ２５）。
【００５２】
ステップＳ２５のＨＦ処理が終了すると、純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理、すなわち純水・酸処理を行う（ステップＳ２６）。
【００５３】
例えば、酸が塩酸（ＨＣｌ）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを及び開閉弁１３７Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の塩酸を加えた処理液を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面にかかる処理液を供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。また、酸が硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを及び開閉弁１３５Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の硫酸を加えた処理液を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面にかかる処理液を供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。さらに、酸が炭酸（ＣＯ２）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３４Ａを「開」にして、純水に０．１％以下に炭酸ガスを溶かした炭酸を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面に供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。
【００５４】
ステップＳ２６の純水・酸処理による洗浄処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを「開」にして、純水処理を行う（ステップＳ２７）。これにより、ウエハＷの表面の純水洗浄が行われる。
【００５５】
なお、ステップＳ２３において、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによるエッチング処理を行った後、ステップＳ２４において開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「閉」にして、０．０３秒〜１０．００秒の時間だけウエハＷを回転させたままの状態にし、さらにステップＳ２５において、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによるエッチング処理を行った後、ステップＳ２６においてウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理をしているので、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切られた後に、再度エッチング処理及び純水・酸処理による洗浄となり、その結果、エッチング処理された後の生成物であるフルオロケイ酸のウエハＷの表面への付着が抑制される。また。フッ素（Ｆ）濃度が低くなるという効果もあるので、以後のデバイス製造段階でウエハＷのデバイス特性に悪影響を及ぼすこともなくなる。
【００５６】
また、ステップＳ２６において、ウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸、すなわち、塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかを加えて純水・酸処理を行っているので、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切った後のウエハＷを効果的に洗浄できる。
【００５７】
さらに、ステップＳ２７において、ウエハＷの表面に純水を供給して純水処理を行っているので、ステップＳ２６で供給された酸をウエハＷの表面から完全に除去することができる。
【００５８】
ステップＳ２７の純水処理が終了すると、駆動モータ制御部１５２が駆動モータ１１０を制御し、保持部材１１３に保持されたウエハＷの回転数を１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍにして、ウエハＷの表面の乾燥処理を行う（ステップＳ２８）。所定の時間の乾燥処理が行われると、駆動モータ制御部１５２の駆動モータ１１０を制御して、ウエハＷの回転を停止させる。以上により、一連の第２の処理動作は終了する。
【００５９】
（第３の処理動作）
最後に、基板処理装置１００の第３の処理動作について説明する。図５は、基板処理装置の第３の処理動作を示すフローチャートである。
【００６０】
まず、駆動モータ制御部１５２が駆動モータ１１０を制御することにより、保持部材１１３に保持されたウエハＷを回転させた状態で（このときのウエハＷの回転数は、２５０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍ）、ウエハＷの表面に薬液を供給してウエハＷの薬液処理を行う（ステップＳ３１）。なお、この段階での薬液処理では、上述した図３のステップＳ１１及び図５のステップＳ２１と同様の薬液洗浄を行う。
【００６１】
ステップＳ３１の薬液処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを「開」にして、純水供給源２３２から配管１３２及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へ純水を供給して、ウエハＷの表面の純水処理を行う（ステップＳ３２）。これにより、ウエハＷの表面の純水洗浄が行われる。
【００６２】
ステップＳ３２の純水処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「開」にして、フッ酸供給源２３３から配管１３３及び配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面へフッ酸を供給して、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによりエッチング処理が行われる（ステップＳ３３）。
【００６３】
ステップＳ３３のＨＦ処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理、すなわち純水・酸処理を行う（ステップＳ３４）。
【００６４】
例えば、酸が塩酸（ＨＣｌ）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを及び開閉弁１３７Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の塩酸を加えた処理液を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面にかかる処理液を供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。また、酸が硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを及び開閉弁１３５Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の硫酸を加えた処理液を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面にかかる処理液を供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。さらに、酸が炭酸（ＣＯ２）の場合、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３４Ａを「開」にして、純水に０．１％以下の炭酸ガスを溶かした炭酸を配管１３１を介して、処理液供給ノズル１３０からウエハＷの表面に供給して、ウエハＷの表面の洗浄処理を行う。
【００６５】
ステップＳ３４の純水・酸処理が終了すると、開閉弁制御部１５１によりすべての開閉弁を「閉」にして、０．０３秒〜１０．００秒時間だけウエハＷを回転させたままの状態にする。これにより、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切られる（ステップＳ３５）。
【００６６】
ステップＳ３５の振り切り処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続した状態で、再度純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理を行う（ステップＳ３６）。具体的には、上述したステップＳ３４と同様のウエハＷの表面の洗浄処理を行う。
【００６７】
ステップＳ３６の純水・酸処理による洗浄処理が終了すると、ウエハＷの回転を継続させた状態で、開閉弁制御部１５１により開閉弁１３２Ａを「開」にして、純水処理を行う（ステップＳ３７）。これにより、ウエハＷの表面の純水洗浄が行われる。
【００６８】
なお、ステップＳ３３において、ウエハＷの表面のＨＦ処理を行うことによりエッチング処理を行った後、ステップＳ３４においてウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理をし、さらに、ステップＳ３５において開閉弁制御部１５１により開閉弁１３３Ａを「閉」にして、０．０３秒以下の時間だけウエハＷを回転させたままの状態にした後、ステップＳ３６において再度ウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸を加えた処理液でウエハＷの表面の処理をしているので、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切った後に、純水・酸処理による洗浄となり、その結果、エッチング処理された後の生成物であるフルオロケイ酸のウエハＷの表面への付着が抑制される。また。フッ素（Ｆ）濃度が低くなるという効果もあるので、以後のデバイス製造段階でウエハＷのデバイス特性に悪影響を及ぼすこともなくなる。
【００６９】
また、ステップＳ３４及びステップＳ３６において、ウエハＷの回転を継続した状態で、純水に０．１％以下の酸、すなわち、塩酸あるいは硫酸あるいは炭酸のいずれかを加えて純水・酸処理を行っているので、ウエハＷの表面に付着しているフッ酸がウエハＷの外周から振り切った後のウエハＷを効果的に洗浄できる。
【００７０】
さらに、ステップＳ３７において、ウエハＷの表面に純水を供給して純水処理を行っているので、ステップＳ３６で供給された酸をウエハＷの表面から完全に除去することができる。
【００７１】
ステップＳ３７の純水処理が終了すると、駆動モータ制御部１５２が駆動モータ１１０を制御し、保持部材１１３に保持されたウエハＷを１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍにして、ウエハＷの表面の乾燥処理を行う（ステップＳ３８）。所定の時間の乾燥処理が行われると、駆動モータ制御部１５２が駆動モータ１１０を制御して、ウエハＷの回転を停止させる。以上により、一連の第３の処理動作は終了する。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示パネル等の基板に処理液を供給して基板の表面に洗浄等の所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る基板処理装置の断面図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の制御系を示す図である。
【図３】基板処理装置の第１の処理動作を示すフローチャートである。
【図４】基板処理装置の第２の処理動作を示すフローチャートである。
【図５】基板処理装置の第３の処理動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７４】
１００…基板処理装置
１１０…駆動モータ
１１２…スピンベース
１１３…保持部材
１３０…処理液供給ノズル
１３１…配管
１３２…配管
１３２Ａ…開閉弁
１３３…配管
１３３Ａ…開閉弁
１３４…配管
１３４Ａ…開閉弁
１３５…配管
１３５Ａ…開閉弁
１３６…配管
１３６Ａ…開閉弁
１３７…配管
１３７Ａ…開閉弁
１５０…制御部
１５１…開閉弁制御部
１５２…駆動モータ制御部
２３２…純水供給源
２３３…フッ酸供給源
２３４…炭酸供給源
２３５…硫酸供給源
２３６…オゾン水供給源
２３７…塩酸供給源
２３８…硫酸過水供給源
【図１】
2006270115.tif 000003
【図２】
2006270115.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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