(57)【要約】【課題】実デバイスのセル領域の非周期領域におけるマージン低下の問題を解決すること。【解決手段】  短辺方向に隣接する一対のラインパターンを含む前記設計パターンに対応するパターンデータ１１，１２間の中央に、前記補助パターンの前記短辺方向の幅と、前記補助パターンと前記一対のラインパターンの一方とのスペース幅と、前記フォトマスクを露光に際して使用する投影露光装置の露光波長と、前記露光装置の開口数とをパラメータとする条件式を満たし、レジスト膜に転写されない補助パターン１４を配置する。【選択図】    図２
2006126614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
斜入射照明方式による投影露光に用いられるフォトマスクにパターンを描画するためのマスクパターンデータを設計パターンに基づいて生成するマスクパターンデータ生成方法において、
短辺方向に隣接する一対のラインパターンを含む前記設計パターンに対応するパターンデータを用意する工程と、
用意されたパターンデータに含まれる前記一対のラインパターン間の中央にレジスト膜に転写されない補助パターンを配置する工程であって、前記補助パターンの前記短辺方向の幅と、前記補助パターンと前記一対のラインパターンの一方とのスペース幅と、前記フォトマスクを露光に際して使用する投影露光装置の露光波長と、前記露光装置の開口数とをパラメータとする条件式を満たすように前記補助パターンの形状を求める工程とを含むことを特徴とするマスクパターンデータ生成方法。
【請求項２】
前記条件式は、前記補助パターンの前記短辺方向の幅を前記レジスト膜上での寸法に換算したＳw[ｎｍ]、前記スペース幅を前記レジスト膜上での寸法に換算したｓ[ｎｍ]、前記露光波長をλ[ｎｍ]、前記開口数をＮＡとした場合、
０．２３≦Ｓw／（λ／ＮＡ）≦０．３５
ｓ／（λ/ＮＡ）≧３．９７Ｓw−０．７４
であることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンデータ生成方法。
【請求項３】
前記設計パターンは、複数のラインパターンが複数のピッチで前記短辺方向に配列されたセルアレイ領域を含むデバイスパターンであって、
前記補助パターンの配置箇所は、前記セルアレイ領域中の前記ラインパターンの配列のピッチが崩れる箇所であるとともに、前記セルアレイ領域内においてラインパターンの配列のピッチが一番短い箇所の露光マージンよりも小さい露光マージンの箇所に隣接することを特徴とする請求項２に記載のマスクパターンデータ生成方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載されたマスクパターンデータ生成方法に基づいて設計されたマスクパターンデータを用意し、用意されたマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを製造することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載されたフォトマスクの製造方法を用いて製造されたフォトマスクを用意する工程と、
斜入射照明方式によって前記フォトマスクを照明し、前記フォトマスクに形成されたパターンを基板上に形成されたレジスト膜に投影露光する工程とを含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細パターンを好適に転写するために用いる解像しない補助パターンにおけるマスクパターンデータ生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスパターンの微細化に伴い、光の波長から決まる理論限界に近い解像度が求められている。この要求に対して、マスクとしては、各種の位相シフトマスク法が検討され、露光装置としては、マスクに入射する光を投影露光装置の開口数に対応した角度だけ光軸から傾けて照明する斜入射照明法、更に、位相シフトマスクと斜入射照明を組み合わせた露光法が提案されている。
【０００３】
しかしながら、上記限界解像度付近の解像性、及び、焦点深度（ＤＯＦ）を向上されるために調整された位相シフトマスク、及び、斜入射照明法では、どちらも、隣り合うパターンからの位相差を利用して解像性を高めているため、単純なＬ／Ｓパターンのような周期性の高いパターンに対しては、大きな効果が得られるものの、デバイスパターン中のランダム配置では解像性、及び、ＤＯＦを満足させることが困難であった。
【０００４】
これに対して、近年、この問題を解決する目的で、解像不能な補助パターンをランダムパターン領域に配置するマスク、及び、該マスクを用いた露光方法の提案がなされている。たとえば、特許文献１では、第１の発明として、斜入射照明方式による投影露光に用いるマスクにおいて、目的とするパターンと解像不能なパターンを備えている。第２の方法としては、第１の発明において、目的のパターンに周期性を有する場合、その周期性を保存するように解像不能な補助パターンまたは補助パターン群を形成している。また、第３の方法としては、第１の発明において、目的とするパターンに周期性がない場合、目的とするパターンに周期性を付与するように解像不能な補助パターンまたは補助パターン群を形成している。また、第４の方法としては、第２の発明において、λを照明光の波長、ＮＡを投影レンズの開口数とするとき、光透過部（または遮光部）からなる目的とするパターンの幅がλ／２ＮＡ付近以上の場合、周期の終わるマスク透過部（または遮光部）エッジから０．８×λ／２ＮＡ〜１．４×λ／２ＮＡのピッチで透過部（または遮光部）からなる解像不能な補助パターンを１つ以上形成している。さらに、第５の方法としては、第３の方法において、目的とするパターンが周期性のない孤立透過部からなるパターンで、かつその幅がλ／２ＮＡ付近以上の場合、片側または両側に、目的とするパターンエッジから０．８×λ／２ＮＡ〜１．４×λ／２ＮＡのピッチで光透過部（または遮光部）からなる解像不能な補助パターンを１つ以上形成している。
【０００５】
上記引用文献１に開示された発明では、比較的単純な一種類のピッチで形成されている場合には、その効力を発揮する。しかしながら、実際のデバイスパターンとして、図１，図９に示すように、たとえばＮＡＮＤ型フラッシュメモリの選択ゲート近傍のパターンでは、微細周期パターン領域ｐ1と領域ｐ1に隣接する領域ｐ1よりも長い周期のパターンを有する領域ｐ2、更に、領域ｐ2よりも長い周期パターンの領域ｐ3と多種多様なピッチのパターンが複雑に絡み合っている。上記例の場合には、リソグラフィのマージンが足らなくなり補助パターンの対象となるパターンはラインパターン１１、１２、８にあたる。特に斜入射照明を利用した場合には、周期性の一番崩れるラインパターン１１，１２のエッジ部Ｅ１，Ｅ２の線幅ばらつきが大きくなることが、問題になっている。
【０００６】
この問題をはじめとする従来の解像しない補助パターンを配置する方法では、具体的にラインパターン１１，１２について、複雑な配置であるがゆえに、どのように補助パターンを配置すべきかを判断できないという問題があった。
【０００７】
さらに、上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの選択ゲートのパターンにおいては、図９に示すような特異的にコンタクト部を形成する必要から、図１の場合よりもさらに、非周期的な局所領域が存在することによって、斜入射照明による解像性劣化が問題になっている。図９の場合、ラインパターン８、及びラインパターン９の局所的な領域１０のような箇所が解像性においてマージンが得られない状態であった。
【０００８】
以上示したように、従来の解像しないアシストパターンによるマージン向上技術では、上述したような、より複雑化したパターン配置を有する実デバイスパターンにおいては、問題となるパターンの露光マージンの向上を実現するための補助パターンの配置方法がわからず、より微細化を求められている特に実デバイスのセル領域の非周期領域におけるマージン低下の問題を解決することができなかった。
【特許文献１】特開平７−１４０６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、実デバイスのセル領域の非周期領域におけるマージン低下の問題を解決し得るマスクパターンデータ生成方法及びフォトマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一例に係わるマスクパターンデータ生成方法は、斜入射照明方式による投影露光に用いられるフォトマスクにパターンを描画するためのマスクパターンデータを設計パターンに基づいて生成するマスクパターンデータ生成方法において、短辺方向に隣接する一対のラインパターンを含む前記設計パターンに対応するパターンデータを用意する工程と、用意されたパターンデータに含まれる前記一対のラインパターン間の中央にレジスト膜に転写されない補助パターンを配置する工程であって、前記補助パターンの前記短辺方向の幅と、前記補助パターンと前記一対のラインパターンの一方とのスペース幅と、前記フォトマスクを露光に際して使用する投影露光装置の露光波長と、前記露光装置の開口数とをパラメータとする条件式を満たすように前記補助パターンの形状を求める工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の一例に係わるフォトマスクの製造方法は、本発明の一例に係わるマスクパターンデータ生成方法に基づいて生成されたマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
斜入射照明により、実デバイスパターン中の特に、セルパターン内の非周期領域におけるパターンの露光マージン劣化の問題に対して、そのなかでも、複数の周期のラインパターンが隣接しているような場合について、補助パターンのサイズと隣接するラインパターン（マージンを向上させたい目的のパターン）との間のスペース幅ｓだけに着目して、補助パターンを配置することによって、実デバイスのセル領域の非周期領域におけるマージン低下の問題を解決することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
本発明者は、周期性が大きく崩れて露光マージンに影響がでるパターン、または、パターンエッジ部と隣接するパターンエッジとの間隔に応じて、補助パターンを形成する手法を発明した。
【００１５】
具体的には、発明者はＮＡＮＤ型フラッシュメモリの選択ゲート近傍のラインパターンで解像性の劣化により、マージン低下が引き起こされる箇所に着目した。
【００１６】
図１は、第１の実施形態に係わるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの選択ゲート近傍の設計パターンを示す図である。
【００１７】
問題となるパターンは図１に示すように、一番デザインルールの厳しいピッチの領域ｐ1とそれよりも若干ピッチがゆるく、繰り返しの少ない領域ｐ2が存在し、その外側には繰り返しがないか、あったとしても１回繰り返される程度の領域ｐ1のピッチに比べて大きなピッチの領域ｐ3のラインパターンが存在していて、さらに、これらのラインパターンはあるスペース幅をおいてさらに大きなピッチＰの繰り返しで配置されている。この場合に、領域ｐ2、および、領域ｐ3のラインパターンでの露光マージン劣化が問題であった。
【００１８】
本実施形態では、このような複雑なデバイスパターンに対して、マスク作成の面から補助パターンサイズのデザインルールが極端に厳しくならないように配慮するとともに、必要な露光マージンを確保するための補助パターン設計方法を発明した。
【００１９】
図１の配置を例にして、以下に詳細に説明する。
【００２０】
図２には、図１の場合に本実施形態の補助パターンを適用した例を示す。
【００２１】
図２において、具体的には領域ｐ1は、ピッチ１４０ｎｍ（Ｌ／Ｓ＝７０ｎｍ／７０ｎｍの繰り返しパターン）を示しており、領域ｐ2は、ピッチ１６４ｎｍ（Ｌ／Ｓ＝８２ｎｍ／８２ｎｍの繰り返し1回）、領域ｐ3は、ピッチ２９０ｎｍ（Ｌ／Ｓ＝２００ｎｍ／９０ｎｍの繰り返し１回）で形成されており、Ｓ＝３３５ｎｍでデザインされている。
【００２２】
ここで、問題となるのが、ラインパターン１１、およびラインパターン１２の露光マージン、特にパターンエッジ部分Ｅ１，Ｅ２の変動が大きく寸法ばらつきに与える影響が大きな問題であった。
【００２３】
この問題を解決するために、本発明者は、スペース幅Ｓの間に幅Ｓwを有する露光後にはレジスト膜に転写されない補助パターン１４を新たに配置した。補助パターン１４は、ラインパターン１１とラインパターン１２との中央に配置されている。
【００２４】
図３（ａ）、および、図３（ｂ）には、それぞれ補助パターンを配置したパターン（図２）、のII−II’断面と補助パターンを配置しない場合における像強度分布のデフォーカス依存性を示す。また、図４（ａ）、および、図４（ｂ）には、それぞれ、図３（ａ）と図３（ｂ）の選択ゲート付近の像強度分布のデフォーカス依存性を拡大して示す
尚、今回適用した補助パターン１４の幅Ｓwは７５ｎｍであり、スペース幅Ｓのセンターに配置した。また、露光の際の光学条件は、露光波長はＡｒＦ、λ=１９３ｎｍ、開口数ＮＡ＝０．８３、照明条件は、図５に示すような、０度、９０度方向の微細パターンの解像性を重視した４回対称な扇形状に明部が形成された光源を用いた（インナーσ＝０．７、アウターσ＝０．９、扇の開き角４０度）。また、プロセスファクターとしての光学像のぼかし量ΔＬ＝４０ｎｍを適用した。
【００２５】
ここで、図３，４中の破線は、セル部のＬ／Ｓ＝７０ｎｍ／７０ｎｍを解像するための露光強度（エッジ光強度）を示している。この境界線に対して、明部はより、高い像強度、暗部はより低い像強度分布になっていることが望ましい。
【００２６】
ここで注目したい点は、図３（ａ）の結果から、補助パターンのサイズＳwが７５ｎｍとセル部のデザインルール（具体的にはｐ1／２＝70ｎｍ）よりも大きく設定しているにもかかわらず、レジスト膜に転写しない条件になっていることである。さらに、図３（ａ），図３（ｂ），図４（ａ），図４（ｄ）の結果を比較すると、ラインパターン１１を形成する暗部の像強度のデフォーカスによる劣化は、補助パターン１４の配置により、大幅に改善されていることがわかった。また、図４（ａ）、図４（ｂ）に示したラインパターン１１とラインパターン１５間のスペース部分の像強度劣化も抑えることができるので、選択ゲート近傍のトータルなマージンの向上が可能となった。
【００２７】
次に、発明者は図１に示したような実デバイスパターンの微細化が要求されるセル領域に配置する補助パターンの具体的な設計ルールを求めるために、補助パターン幅Ｓwと補助パターンと隣接するラインパターンとのスペース幅ｓの条件について検討を行った。実デバイスパターンでは、多くの場合、周期性が崩れた場所において律束される。そこで、図６に示した特異なパターン領域周辺も含めて転写しない条件を求めた。以下に詳細に説明する。
【００２８】
図６には、補助パターンの配置ルールを求めるために用いたパターン配置を示す。図６に示した配置は、図１の設計パターンに対して、ラインパターン１１，１２が途中で途切れるようなデザインになっており（ＳＳ＝７５０ｎｍ）、補助パターン設計としては、図２に示したパターンよりも補助パターンが写りやすい条件の配置であった。本発明者は、スペース幅ｓと補助パターンの短辺方向の幅Ｓwを変化させて、露光シミュレーションを実施した。シミュレーションは、図３，図４を求めるために用いた同条件で行った。
【００２９】
図７には、上記図６に示した特異なパターン領域における補助パターン幅Ｓwの転写への影響のシミュレーション結果を示す。図７（ａ）〜図７（ｃ）は、それぞれ、Ｓw＝７０ｎｍ、Ｓw＝６８ｎｍ、および、Ｓw＝６５ｎｍにおける転写結果である。図中の破線がマスクデザインを示しており、それに対して白線は、領域ｐ1のセル部が所望となるＬ／Ｓ＝７０ｎｍ／７０ｎｍに形成される露光量（Just  Dose）、および、Just Dose  ±１０％Doseでのレジストパターン像を示している（但し、図中のマスクデザインとレジスト像の差異がない部分は、マスクデザインの破線のみの表示となっている）。尚、ここでは、スペース幅Ｓは３００ｎｍである。
【００３０】
これらのシミュレーション結果より、図７のラインパターン１１、およびラインパターン１２の周期性があるところでは、上記３種類の補助パターンが転写されていないことがわかる。しかし、周期性が崩れる部分においては、補助パターン幅Ｓwが７０ｎｍと６８ｎｍの場合ではレジスト膜への転写が確認されており、補助パターン幅Ｓwが６５ｎｍの場合にレジスト膜に転写されないことがわかった。つまり、これらのシミュレーション結果は、特異なパターン領域に充分配慮して補助パターン幅Ｓwを決める必要があることを示している。しかしながら、実際に行った露光実験と上記シミュレーション結果との相関を求めたところ、レジスト幅が２０ｎｍ以下のラインパターンについては、露光、現像処理後には、基板上に残ることなく除去されていることが確認できたため、転写後に２０ｎｍ以下になるパターンサイズにおいては、補助パターンはレジスト膜に転写されないと決めた。つまり、上記図７（ｂ）の場合、転写後のレジスト幅が２０ｎｍであったので、補助パターンがレジスト膜に転写されない条件は６８ｎｍ以下であるとした。
【００３１】
ただし、補助パターンの配置方法を工夫することで、露光後に転写されない補助パターン幅を上記補助パターン幅よりも大きく設定することは可能である。たとえば、上記例では、補助パターンのデザインとしては若干複雑にはなるが、ラインパターン１１、およびラインパターン１２の周期性が崩れる部分に近づくにしたがい、補助パターンのサイズを徐々に小さく変化させれば、補助パターンの効果を十分に引き出すことが可能である。
【００３２】
発明者は次に、スペース幅Ｓ（ここでは、補助パターンと隣接パターンとの間のスペース幅をパラメータｓとして適用、ｓ＝（Ｓ−Ｓw）／２：図６参照）と、補助パターン幅Ｓwの組み合わせに対して、補助パターンが解像せず、隣接パターン、さらには、隣隣接パターンの露光マージンが向上する具体的な配置条件を求めた。
【００３３】
図８には、隣接パターンの露光マージンを向上させるための、解像しない補助パターン幅Ｓwと隣接パターン間スペース距離ｓとの関係を示す。尚、Ｓw、および、ｓは露光装置のＮＡと波長λで規格化して表現した。図８のプロットは上記露光シミュレーションから得られたＳwとｓとの対応結果を示す。実線はそれらの結果から予測して得られた関係を示す。しかしながら、実際の露光では今回シミュレーションして得られた結果に対して、使用する露光装置、用いられたレジストプロセス性能により、λ／ＮＡで規格化した値で±０．０６程度の幅を持つことが予想される。図８の破線は、上記実線に対して、λ／ＮＡで規格化した値で±０．０６の幅を示している。
【００３４】
グラフ上の直線を境にして、領域Ｄが補助パターンが転写されずに、効果を発揮する領域であることがわかる。一方、領域Ｅは補助パターンが転写されてしまうので、補助パターンとしては、適さない領域である。また、上記両領域の間の領域Ｆでは、使用する露光プロセスにより、補助パターンが解像されてしまう恐れが高い領域である。仮に補助パターンの解像が抑えられれば、領域Ｄにくらべて、斜入射露光の効果が大きく発揮されるので、大幅な露光マージンの向上効果が期待される。
【００３５】
また、図８中の領域Ｂ（Ｓwが規格化寸法で０．３７付近以上）では、これより先の隣のラインパターンとのスペース幅ｓによらず、解像してしまう限界を示している。一方。図８中の領域Ｃ（Ｓwが規格化寸法で０．２５領域）以下の補助パターンでは、セルのサイズに比べ、パターン幅が小さくなるためにマスク作成上の制約が発生する領域を示している。
【００３６】
以上から、補助パターン幅Ｓwとしては、
０．２３≦Ｓw/（λ/ＮＡ）≦０．３５  （式１）
補助パターン幅Ｓwと隣のラインパターンとのスペース幅ｓは、
ｓ/（λ/ＮＡ）≧３．９７Ｓw−０．７４  （式２）
を満足していればよいことがわかる。
【００３７】
以上、述べてきたように、斜入射照明により、実デバイスパターンの特にセルパターン内の非周期領域におけるパターンの露光マージン劣化の問題に対して（そのなかでも、複数の周期のパターンが隣接しているような場合に対して）、補助パターン幅Ｓwと隣接パターン（マージンを向上させたい目的のパターン）とのスペース幅ｓだけに着目し、上記（式１）、（式２）のルールに応じて露光マージンの向上を実現可能な補助パターンを設置することができた。
【００３８】
これにより、従来は十分な露光マージンが得られなかった、セルパターン内の非周期パターンについても、解像しない補助パターンの効果により、露光マージンの大幅な改善が実現できた。
【００３９】
ここでは、補助パターンを配置したマスクや該マスクを用いた半導体デバイス製造方法をベースに説明してきたが、それ以外にも、マスクパターンデータ生成においても、問題となるラインパターンとそのラインパターンに対して補助パターンが配置できるかどうかを、上記（式１）、および（式２）から補助パターン幅Ｓwと補助パターンと隣接パターンとのスペース幅ｓとの関係から判断し、補助パターンを自動的に発生させることも可能であることから、マスクパターンデータ生成方法にも容易に応用適用が可能である。
【００４０】
（第２の実施形態）
次に発明者は、第２の実施形態として、上記第１の実施形態で用いた補助パターンの配置手法が、図９に示す２次元的に複雑なパターン領域に対しても適用できることを以下に記載する。
【００４１】
（構成）
図９のパターン領域に対して、上記（式１）、および、（式２）に示した関係式に応じて補助パターンを配置した。
【００４２】
図１０には図９に示すパターンに対して付加された具体的な補助パターン配置を示す。図１０（ａ）において、符号１７、及び符号１８は補助パターン（透過部を形成するパターン）を示している。また、符号１９は第１の実施形態で示したサイズ７０ｎｍの補助パターンを示している。図１０（ｂ）には、２次元的に複雑なパターン領域部分について、さらに詳細な補助パターン配置の寸法を記載した。尚、露光条件、および、領域ｐ1〜ｐ3までのデザインは第１の実施形態と同様である。
【００４３】
本発明者は、図１０（ｂ）に示すように、補助パターン１７，１８の短辺方向の寸法をＳwと考え、補助パターン１７，１８の配置に対して、上記(式１)、および（式２）を守るように補助パターン１７、１８を配置した。
【００４４】
図１１（ａ）には、図１０のマスクを転写後のレジストパターン像をシミュレーションから求めた結果を示す。図１１（ｂ）には、リファレンスとして、補助パターン１７，１８を配置しなかった場合のレジストパターン像を示す。白実線は、セル部のｐ1領域（Ｌ／Ｓ＝７０ｎｍ／７０ｎｍ）がＪｕｓｔ Ｆｏｃｕｓでデザインどおりに形成できるドーズ量に対して、±５％、±１０％変動した際のレジストパターン像を示している。
【００４５】
これらの結果より、補助パターン１７，１８については、転写されない条件であることが確認された。さらに、補助パターンの効果により図９のラインパターン８，およびラインパターン９、特にこれらの領域１０部分のパターンが補助パターンの効果によりショートすることなく形成でき、露光マージンが大幅に改善できた。
【００４６】
以上、述べてきたように、斜入射照明により、実デバイスパターン中の特に、セルパターン内の非周期領域におけるパターンの露光マージン劣化の問題に対して（そのなかでも、複数の周期のパターンが隣接しているような場合に対して）、第２の実施形態では、さらに2次元的に複雑化したパターン領域に対しては配置する補助パターン幅の短辺方向寸法をＳwとし、上記第１の実施形態と同様に、Ｓwと隣接パターン（マージンを向上させたい目的のパターン）とのスペース幅ｓだけに着目し、上記（式１）、（式２）のルールに応じて露光マージンの向上を実現可能な補助パターンを設置することができた。
【００４７】
これにより、従来は十分な露光マージンが得られなかった、セルパターン内の非周期パターンについても、解像しない補助パターンの効果により、露光マージンの大幅な改善が実現できた。
【００４８】
ここでは、補助パターンを配置したマスクや該マスクを用いた半導体デバイス製造方法をベースに説明してきたが、それ以外にも、マスクパターンデータ生成においても、問題となるパターンとそのパターンに対して補助パターンが配置できるかどうかを、上記（式１）、および（式２）から補助パターン幅Ｓwと補助パターンと隣接パターンとのスペース幅ｓとの関係から判断し、補助パターンを自動的に発生させることも可能であることから、マスクデータ発生方法にも容易に応用適用が可能である。
【００４９】
第１及び第２の実施形態に記載されたマスクデータ生成方法に基づいて製造されたフォトマスクを製造することができる。製造されたフォトマスクを用いることによって、十分な露光マージンが得られるので、製品の歩留まりが向上する。各実施形態に述べたマスクパターンデータ生成方法は、半導体デバイス、液晶ディスプレイの設計パターンに対して適用し、フォトマスク製造用のパターンを生成することが好ましい。そして、製造された半導体デバイス／液晶ディスプレイ製造用のフォトマスクは、斜入射照明方式により照明され、フォトマスクに形成されたパターンが基板上に形成されたレジストパターンに投影露光される。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、設計パターンに対して補助パターンを配置した。しかし、設計パターンに光近接効果補正、及び／またはプロセス近接効果補正が行ったパターンに対して補助パターンを配置してもよい。
【００５１】
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１の実施形態に係わるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの選択ゲート近傍の設計パターンを示す図。
【図２】図１に示す設計パターンに対して補助パターンを配置したパターンを示す図。
【図３】図２中のII−II’断面における像強度分布のデフォーカス依存性を示す図。
【図４】図２中のII−II’断面における像強度分布のデフォーカス依存性を示す図。
【図５】第１の実施形態で用いた４回対称な扇形状の光源形状を示す図。
【図６】第１の実施形態に係わる補助パターンの配置ルールを求めるためのパターン配置を示す図。
【図７】図６に示す補助パターン幅Ｓwの転写への影響のシミュレーション結果をディスプレイ上に表示した中間調画像。
【図８】第１の実施形態で求められた隣接パターンの露光マージンを向上させるための、解像しない補助パターン幅Ｓwとスペース幅ｓとの関係を示す図。
【図９】第２の実施形態に係わるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの選択ゲート近傍の設計パターンを示す図。
【図１０】図９に示す設計パターンに対して付加された具体的な補助パターン配置を示す図。
【図１１】図９のマスクを転写後のレジストパターン像をシミュレーションから求めた結果をディスプレイ上に表示した中間調画像。
【符号の説明】
【００５３】
８，９，１１，１２，１５…ラインパターン、１４，１７，１８，１９…補助パターン
【図１】
2006126614.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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