(57)【要約】【課題】  検体の電極と導線との接触不良を抑制でき、検体との接触による検体の損傷を抑制することができるプローブユニット及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板と、前記基板上に形成され、前記基板の一端に沿って配列され検体の電極に接触する複数の接触部を有する導線と、前記基板よりも前記検体を傷つけることのない前記基板と異なる材料で形成され、前記基板の前記一端側の隣り合う２つの隅部に前記接触部より低く固定されている保護層と、を備える。【選択図】    図１
2006098091.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、前記基板の一端に沿って配列され検体の電極に接触する複数の接触部を有する導線と、
前記基板よりも前記検体を傷つけることのない前記基板と異なる材料で形成され、前記基板の前記一端側の隣り合う２つの隅部に前記接触部より低く固定されている保護層と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
前記基板の２つの前記隅部には凹部が形成され、
前記保護層は前記凹部に固定されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記保護層の硬度は前記基板の硬度より低いことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項４】
前記保護層の硬度は前記導線の硬度より低いことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記保護層は前記導線と同一材料であることを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項６】
前記保護層の硬度は前記検体の前記電極の硬度より低いことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項７】
前記保護層は前記検体の前記電極と同一材料であることを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項８】
前記保護層の平滑度は前記基板の平滑度より高いことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項９】
前記保護層の脆性は前記基板の脆性より高いことを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項１０】
基板上に、前記基板よりも検体を傷つけることのない前記基板と異なる材料で、保護層を形成する保護層形成工程と、
前記基板上に、前記検体の電極に接触する接触部が前記保護層より高くなるように導線を形成する導線形成工程と、
前記基板上に形成されている前記保護層が隣り合う２つの隅部に位置し、前記基板上に形成されている前記導線の前記接触部が２つの前記隅部側の一端に沿って並ぶように、前記基板を成形する成形工程と、
を含むプローブユニットの製造方法。
【請求項１１】
前記保護層形成工程の前に、前記基板に凹部を形成する凹部形成工程をさらに含み、
前記保護層形成工程では、前記凹部上に保護層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１２】
前記保護層形成工程では、前記基板上に金属又は金属酸化物を湿式めっき、スパッタ又は蒸着することにより、前記保護層を形成することを特徴とする請求項１０または請求項１１のいずれか一方に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１３】
前記保護層形成工程では、前記凹部に樹脂又は導電ペーストを充填し硬化させることにより、前記保護層を形成することを特徴とする請求項１１に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１４】
前記保護層形成工程では、前記凹部に無機塩類の粉体を充填し硬化させることにより、前記保護層を形成することを特徴とする請求項１１に記載のプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブユニット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１には、複数の導線が基板に形成され、導線の先端を検体の電極に接触させるプローブユニットが開示されている。しかしながら特許文献１に記載のプローブユニットでは、導線が検体の電極との接触によって摩耗すると、基板が検体に接触する。そのため特許文献１に記載のプローブユニットでは、基板が検体を傷つけるおそれがある。
【０００３】
一方、特許文献２には、基板の導線の先端側で隣り合う２つの隅部に導線の接触部と同一高さのダミー接触子を備えるプローブユニットが開示されている。特許文献２に記載のプローブユニットによれば、２つの隅部のいずれか一方が他方よりも検体に近くなるようにプローブユニットが検体に対して相対的に傾いた状態で、検体の電極に導線の接触部を接触させても、ダミー接触子のいずれか一方が導線より先に検体に接触する。そのためダミー接触子近傍の導線が摩耗することを抑制できる。したがって特許文献２に記載のプローブユニットによれば、導線が摩耗して２つの隅部が検体に接触し、検体を傷つけることを抑制できる。しかしながらダミー接触子が検体に接触するため、検体の電極と導線との接触圧が低くなる。そのため検体の電極と導線との接触不良が発生し易い。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２５４５４６号公報
【特許文献２】特開２００３−９８１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、検体の電極と導線との接触不良を抑制でき、検体との接触による検体の損傷を抑制することができるプローブユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためのプローブユニットは、基板と、前記基板上に形成され、前記基板の一端に沿って配列され検体の電極に接触する複数の接触部を有する導線と、前記基板よりも前記検体を傷つけることのない前記基板と異なる材料で形成され、前記基板の前記一端側の隣り合う２つの隅部に前記接触部より低く固定されている保護層と、を備える。
【０００７】
本発明によると、保護層は導線の接触部より低い。そのため保護層は、導線の接触部を検体の電極に接触させた状態で検体に接触しない。したがって本発明によれば、導線の接触部を検体の電極に十分な接触圧で接触させることができ、導線の接触部と検体の電極との接触不良を抑制することができる。
また本発明によると、保護層は基板の隅部に固定されている。その保護層は、基板よりも検体を傷つけることのない基板と異なる材料で形成されている。そのため基板の隅部近傍に形成されている導線が摩耗しても、基板の隅部は検体と接触せず、保護層が検体に接触する。したがって本発明によれば、検体との接触による検体の損傷を抑制することができる。
【０００８】
前記基板の２つの前記隅部には凹部が形成され、前記保護層は前記凹部に固定されていてもよい。本発明によるプローブユニットによれば、保護層を凹部の底面と凹部の側面とに固定できるので、保護層が基板から剥がれることを抑制できる。
前記保護層の硬度は前記基板の硬度より低くてもよい。本発明によれば、保護層は基板よりも検体を傷つけることがない。したがって本発明によれば、保護層の接触による検体の損傷を抑制することができる。ここで硬度とは、物の硬さの程度を示す指標であり、硬い物ほど高く、軟らかい物ほど低いものとする。
【０００９】
前記保護層の硬度は前記導線の硬度より低くてもよい。一般に導線は、検体を傷つけない材料で形成されている。そのため本発明によれば、保護層の接触による検体の損傷を抑制することができる。
前記保護層は前記導線と同一材料であってもよい。
前記保護層の硬度は前記検体の前記電極の硬度より低くてもよい。本発明によれば、保護層は検体の電極を傷つけることがない。
【００１０】
前記保護層は前記検体の前記電極と同一材料であってもよい。
前記保護層の平滑度は前記基板の平滑度より高くてもよい。本発明によれば、保護層は基板よりも検体を傷つけることがない。したがって本発明によれば、保護層の接触による検体の損傷を抑制することができる。ここで平滑度とは、物の表面の滑らかさの程度を示す指標であり、表面が滑らかであるほど平滑度は高く、表面が粗いほど平滑度は低いものとする。
【００１１】
前記保護層の脆性は前記基板の脆性より高くてもよい。本発明によれば、保護層は基板よりも検体を傷つけることがない。したがって本発明によれば、保護層の接触による検体の損傷を抑制することができる。ここで脆性とは、物の脆さの程度を示す指標であり、脆い物ほど高いものとする。
上記目的を達成するためのプローブユニットの製造方法は、基板上に、前記基板よりも検体を傷つけることのない前記基板と異なる材料で、保護層を形成する保護層形成工程と、前記基板上に、前記検体の電極に接触する接触部が前記保護層より高くなるように導線を形成する導線形成工程と、前記基板上に形成されている前記保護層が隣り合う２つの隅部に位置し、前記基板上に形成されている前記導線の前記接触部が２つの前記隅部側の一端に沿って並ぶように、前記基板を成形する成形工程と、を含む。
【００１２】
前記保護層形成工程の前に、前記基板に凹部を形成する凹部形成工程をさらに含み、前記保護層形成工程では、前記凹部上に保護層を形成してもよい。
前記保護層形成工程では、前記基板上に金属又は金属酸化物を湿式めっき、スパッタ又は蒸着することにより、前記保護層を形成してもよい。
前記保護層形成工程では、前記凹部に樹脂又は導電ペーストを充填し硬化させることにより、前記保護層を形成してもよい。本発明によると、複数の材料を積層させることなく、凹部に樹脂又は導電ペーストを充填し硬化させるだけで保護層を形成することができる。したがって本発明によれば、保護層形成工程を簡素化することができる。
【００１３】
前記保護層形成工程では、前記凹部に無機塩類の粉体を充填し硬化させてもよい。本発明によると、複数の材料を積層させることなく、凹部に無機塩類の粉体を充填し硬化させるだけで保護層を形成することができる。したがって本発明によれば、保護層形成工程を簡素化することができる。
【００１４】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」ことと、「・・・上に中間物を介して形成する」ことの両方を含む意味とする。また、本明細書における高さに関する記載は、特に断りのない限り、基板の導線が形成されている側と反対側の表面を基準にするものとする。また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限りにおいて、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。まず、プローブユニットについて複
数の実施例に基づいて説明する。尚、各実施例で対応する構成要素には同一の符号を付し、各実施例で対応する構成要素について重複する説明は省略する。
（プローブユニットの第一実施例）
【００１６】
図1は本発明のプローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１の構成を説明するための図である。図１（Ａ）はプローブユニット１の正面図である。図１（Ｂ）はプローブユニット１の平面図である。プローブユニット１は、プローブ４と液晶パネルやＩＣ（Integrated Circuit）等の検体１２の電極１４とを導通させて検体１２の電気的特性を検査するために用いるものである（図２参照）。
【００１７】
基板２は、ジルコニア、アルミナ等のセラミックで板状に形成されている。基板２の一端２ａ側の隅部３ａ及び隅部３ｂには、それぞれ凹部８が形成されている。２つの凹部８には、それぞれ保護層１０が形成されている。基板２の凹部８が形成されている側の表面２ｅ上には、複数のプローブ４が形成されている。尚、基板２はガラス、ガラスセラミック、フィルム状の樹脂などでもよい。また基板２は互いに異なる複数の材料を積層させて形成してもよい。例えば基板２は、シリコン層上に絶縁膜を積層させて形成してもよいし、金属層上に絶縁膜を積層させて形成してもよい。
【００１８】
導線としてのプローブ４は、Ｎｉ、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｎ、ＮｉＣｏ等の金属である。プローブ４は、基板２の他端２ｂから一端２ａ近傍まで延伸し、その先端４ａは基板２の一端２ａに対して平行に配列されている。複数のプローブ４は互いに平行である。接触部としての先端４ａは、検体１２の電極１４に接触する（図２参照）。またプローブ４は図示しない検査装置本体に電気的に接続されている。そのためプローブ４は、検査装置本体から出力された検査信号を検体１２に送信したり、検体１２から出力された信号を受信したりすることができる。
【００１９】
尚、プローブ４は互いに異なる複数の材料を積層させて形成してもよい。例えばプローブ４は、金属層上にＡｕ、Ａｕ合金、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ等の金属膜（以下表面層という。）を積層させて形成してもよい。表面層を電気抵抗率の低い材料で形成すれば、プローブ４の電気抵抗を小さくできる。特に高周波の電気信号は表皮効果によって表面層を伝わるので、高周波の電気信号に対する導体損を効果的に低減できる。金属層よりも硬質な材料で表面層を形成すれば、プローブ４が検体の電極との接触によって摩耗することを抑制できる。また、直線状のプローブ４を例示したが、プローブ４は蛇行していてもよい。また、先端４ａが検体１２の電極１４に接触するプローブ４を例示したが、プローブの検体１２の電極１４と接触する部位は先端に限定されない。例えば本発明によるプローブユニットは、長手方向の中間部分が基板と反対側に突出し、その中間部分が検体１２の電極１４に接触するプローブを備えてもよい。
【００２０】
保護層１０は、凹部８の底面と凹部８の側面とに固定されている。そのため、保護層１０は基板２から剥がれにくい。保護層１０の凹部８の底面と反対側の表面１０ａは、プローブ４の基板２と反対側の表面４ｃより低い。具体的には、保護層１０の表面１０ａは、基板２の表面２ｅと同一高さである。そのためプローブユニット１のプローブ４以外の部位は、検体１２の電極１４にプローブ４を接触させた状態で、図２に示すように検体１２（例えば、検査対象ではない配線１５）に接触しない。したがってプローブユニット１によれば、プローブ４を検体１２の電極１４に十分な接触圧で接触させることができる。
【００２１】
尚、サイコロ状の保護層１０を例示したが、保護層１０の形状はこれに限定されない。例えば保護層１０は、図３（Ａ）に示すように底面がＲ形状であってもよい。また、保護層１０の表面１０ａは基板２の表面２ｅと同一高さであるとして説明した。しかし保護層１０の表面１０ａは、プローブ４の表面４ｃより低ければよく、図３（Ｂ）に示すように基板２の表面２ｅより高くてもよい。また保護層１０の表面１０ａは、プローブ４の摩耗によりプローブユニット１の寿命が尽きたとき（後述する。）に、基板２の段部１３ａ又は段部１３ｂが検体１２に接触しなければ、図３（Ｃ）に示すように基板２の表面２ｅよりも低くてもよい。
【００２２】
上述のようにプローブユニット１によれば、検体１２の電極１４にプローブ４を接触させた状態で、プローブユニット１のプローブ４以外の部位は検体１２に接触しない。しかしながら、プローブ４が検体１２の電極１４との接触により摩耗すると、プローブ４以外の部位が検体１２と接触するようになる。このような状態になると、検体１２の電極１４とプローブ４との接触圧が低下し、プローブ４は検体１２の電極１４と導通できなくなる。つまり、プローブユニット１の寿命は尽きる。以下、プローブ４の摩耗について説明する。
【００２３】
検体１２の複数の電極１４とそれに対応する複数のプローブ４との接触圧には、ばらつきがある。そのため複数のプローブ４はそれぞれ摩耗量が異なる。例えばプローブユニット１は、図４の点線で示す基板２のように、基板２の一端２ａに対して垂直な側端２ｃおよび側端２ｄが検体１２に相対的に近づくように撓むことがある。同様に検体１２は、図４の点線で示す検体１２のように撓むことがある。またプローブユニット１は、基板２の側端２ｃ又は側端２ｄが検体１２に相対的に近づくように傾いた姿勢で、検査装置本体に取付けられることがある。このような場合、側端２ｃまたは側端２ｄの近くに配置されているプローブ４ほど検体１２の電極１４との接触圧が大きくなる。そのためプローブ４は、側端２ｃ又は側端２ｄの近くに配置されているものほど摩耗する。以上説明したようにプローブ４は偏摩耗する傾向がある。プローブ４が偏摩耗すると、保護層１０が検体１２（例えば配線１５）に接触するようになる（図５参照）。
【００２４】
ここで、保護層１０が検体１２を傷つけてしまうような材料で形成されていると、プローブユニット１の寿命が尽きたとき、保護層１０が検体１２を傷つけるおそれがある。しかしながら保護層１０は、基板２より検体１２を傷つけることのない基板２と異なる材料で形成されている。ここで基板２より検体１２を傷つけることのない材料とは、プローブ４と同一材料、検体１２の電極１４と同一材料、硬度が基板２より低い材料、硬度がプローブ４より低い材料、硬度が検体１２の電極１４より低い材料、平滑度が基板２より高い材料、脆性が基板２より高い材料などである。例えば、保護層１０がプローブ４と同一材料であれば、一般にプローブ４は検体１２の電極１４を損傷させない材料で形成されるため、検体１２の配線１５を傷つけることはない。つまりプローブユニット１によれば、プローブ４の偏摩耗によりプローブユニット１の寿命が尽きたときの検体１２の損傷を抑制することができる。
【００２５】
尚、保護層１０の材料は、上述のようにプローブ４または検体１２の材料に応じて設計すればよく、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｐｂ等の金属でも、それらのいずれか複数の合金でも、はんだでも、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物でも、ＭｇＮ等の金属窒化物でも、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂、フッ素系樹脂、液晶ポリマー等の樹脂でも、導電性ペーストでも、炭酸カルシウム等の無機塩類でもよい。
【００２６】
以下、プローブユニット１の変形例について説明する。
本発明によるプローブユニットは、少なくとも基板２の隅部３ａと隅部３ｂとにそれぞれ固定されている保護層１０を備えていればよい。したがって例えば、図６（Ａ）に示すプローブユニット１０１のように、基板２の隅部３ａ、隅部３ｂ、隅部３ｃ及び隅部３ｄに形成された凹部８にそれぞれ固定される４つの島状の保護層１０を備えてもよい。また図６（Ｂ）に示すプローブユニット１０２のように、基板２の一端２ａに形成された溝状の凹部８に固定される棒状の保護層１０を備えてもよい。また図６（Ｃ）に示すプローブユニット１０３のように、基板２の一端２ａと他端２ｂとに形成された溝状の凹部８にそれぞれ固定される棒状の２つの保護層１０を備えてもよい。また図６（Ｄ）に示すプローブユニット１０４のように、基板２の側端２ｃと側端２ｄとに形成された溝状の凹部８にそれぞれ固定される棒状の２つの保護層１０を備えてもよい。また図６（Ｅ）に示すプローブユニット１０５のように、基板２の縁部に形成された枠状の凹部８に固定される枠状の保護層１０を備えてもよい。
【００２７】
以上説明したプローブユニット１の変形例はプローブユニット１と同様の機能を有する。特にプローブユニット１０２、１０３、１０５によれば、複数のプローブ４が均一に摩耗しても、基板２が検体１２に接触することなく、図７に示すように基板２の一端２ａ側の保護層１０が検体１２（例えば電極１４および配線１５）に接触する。そのためプローブユニット１０２、１０３、１０５によれば、複数のプローブ４が均一に摩耗してプローブユニットの寿命が尽きたときの検体１２の損傷を抑制することができる。
【００２８】
（プローブユニットの第二実施例）
図８は、プローブユニットの第二実施例によるプローブユニット１０６の構成を説明するための模式図である。
プローブユニットの第二実施例に係る基板２には、プローブユニットの第一実施例に係る凹部８が形成されていない。つまりプローブユニット１０６の製造工程では、プローブユニットの第一実施例に係る基板２に凹部８を形成する工程を省略することができる。つまり製造工程を簡素化することができるため、製造コストを低減することができる。
保護層１０は基板２上に形成されている。保護層１０の表面１０ａは、基板２の表面２ｅより高くプローブ４の表面４ｃより低い。
【００２９】
（プローブユニットの第三実施例）
図９は、プローブユニットの第三実施例によるプローブユニット１０７の構成を説明するための模式図である。
プローブユニット１０７は２つの棒状の保護層１１０を備えている。２つの保護層１１０は、それぞれ基板２の側端２ｃまたは側端２ｄに固定されている。
【００３０】
尚、プローブユニット１０７は、基板２の隅部３ａの側面と隅部３ｂの側面とに固定される保護層１１０を備えていればよく、保護層１１０は図９に示す形状と配置に限定されない。例えば、プローブユニット１０７は、隅部３ａの側面と隅部３ｂの側面とにそれぞれ固定される島状の２つの保護層１１０を備えてもよい。またプローブユニット１０７は、隅部３ａ、隅部３ｂ、隅部３ｃ及び隅部３ｄの側面にそれぞれ固定される島状の４つの保護層１１０を備えてもよい。またプローブユニット１０７は、基板２の一端２ａに固定される棒状の１つの保護層１１０を備えてもよい。またプローブユニット１０７は、基板の一端２ａと他端２ｂとにそれぞれ固定される棒状の２つの保護層１１０を備えてもよい。また、プローブユニット１０７は、基板２の縁部の側面に固定される枠状の保護層１１０を備えてもよい。
【００３１】
（製造方法の第一実施例）
次に、プローブユニットの製造方法について複数の実施例に基づいて説明する。図１０および図１１は、製造方法の第一実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。（Ｂ１）から（Ｂ４）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ４）のＡ２−Ａ２線断面図である。製造方法の第一実施例に係る製造方法によれば、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１０５を製造することができる。
【００３２】
まず、基板１２０に矩形枠状の凹部８を形成する（図１０（Ａ１）、（Ｂ１）参照）。具体的には例えば、板状の基板１２０に切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、サンドブラスト加工、ホーニング加工、レーザ加工などを施すことによって凹部８を形成する。本工程が特許請求の範囲に記載の「凹部形成工程」に相当する。
【００３３】
尚、基板１２０がセラミックのときは、凹部８を有する形状に成形した後に焼成してもよい。また基板１２０が金属のときは、鋳型で成形して鋳造してもよい。また、基板１２０に形成する凹部８の数は、１枚の基板１２０から形成するプローブユニット１０５に応じて設計すればよく、図示の３つに限定されない。１枚の基板１２０に１つまたは２つの凹部８を形成してもよいし、４つ以上の凹部８を形成してもよい。また凹部８の形状は、基板１２０に形成する保護層１０の形状に応じて設計すればよく、図１０に示す矩形枠状に限定されない。例えばプローブユニット１を製造するときは、基板２の隅部３ａと隅部３ｂとに相当する位置に島状の２つの凹部８を形成すればよい。プローブユニット１０１を製造するときは、基板２の隅部３ａと隅部３ｂと隅部３ｃと隅部３ｄとに相当する位置に島状の凹部８を形成すればよい。プローブユニット１０２を製造するときは、基板２の一端２ａに相当する位置に溝状の凹部８を形成すればよい。プローブユニット１０３を製造するときは、基板２の一端２ａと基板２の他端２ｂとに相当する位置に溝状の凹部８を形成すればよい。プローブユニット１０４を製造するときは、基板２の側端２ｃと側端２ｄとに相当する位置に溝状の凹部８を形成すればよい。また、プローブユニットの第二実施例に係るプローブユニット１０６を製造するときは、本工程を省略することができる。
【００３４】
次に、凹部８を埋没させる保護層１０を形成する（図１０（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。
具体的には例えば、金属製の保護層１０は以下の方法によって形成する。まず、基板１２０上にシード層をスパッタ等により形成する。次に凹部８のシード層上に金属層を電解めっきにより形成する。最後に金属層の表面に研削加工、研磨加工などを施すことにより、金属層の表面と基板１２０の表面とを平坦にする。平坦化後の金属層が保護層１０に相当する。尚、シード層を形成する前に、基板１２０上にシード層が基板１２０から剥がれることを防止する密着層を形成してもよい。密着層は、基板１２０に対する密着性がシード層より高く、シード層に対する密着性も高い材料で形成する。また金属製の保護層１０は、スパッタ、蒸着などの乾式めっき又は無電解めっきで形成してもよい。そのときはシード層を形成する工程を省略することができる。また保護層１０の表面の凹凸および基板１２０の表面と保護層１０の表面との高低差が許容範囲であれば、保護層１０の表面と基板１２０の表面とを平坦化する工程は省略することができる。
【００３５】
また例えば、金属酸化物製の保護層１０は、所定の成膜温度で金属酸化物をスパッタリングすることにより形成する。尚、スパッタリングの代わりに、ＰＬＤ（Pulsed Laser Deposition）法を用いて保護層１０を形成してもよい。また金属酸化物製の保護層１０は、酸素を導入した雰囲気で金属を蒸発源とする反応性蒸着を行うことにより形成することもできるし、酸素クラスターイオンビームを基板１２０に照射するとともに金属を蒸発源とする蒸着を行うことにより形成することもできる。
【００３６】
また例えば、樹脂製の保護層１０は以下の方法によって形成する。まず凹部８に樹脂を充填する。次にその樹脂を硬化させて、凹部８に樹脂層を形成する。具体的には熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）であれば、所定温度（例えば１５０℃）の熱処理で硬化させる。また光硬化性樹脂であれば所定波長の光を照射する処理で硬化させる。最後に基板２の表面と樹脂層の表面と平坦化する。平坦化後の樹脂層が保護層１０に相当する。樹脂製の保護層１０は金属製の保護層１０より簡素な工程で形成することができる。具体的には、樹脂製の保護層１０を形成する工程ではシード層、密着層などを形成する必要がない。また樹脂は金属より安価な材料が多い。そのため保護層１０を樹脂で形成すれば、プローブユニット１０５の製造コストを低減することができる。尚、樹脂の代わりに導電ペーストを凹部８に充填して保護層１０を形成してもよい。導電ペーストは、導電粒子としてＣｕを含むものでもよいし、Ａｇ等を含むものでもよい。
【００３７】
また例えば、炭酸カルシウム等の無機塩類で保護層１０を形成するときは、保護層１０を以下の方法によって形成する。まず凹部８に無機塩類の粉体を空洞や窪みができないように充填する。次にプレス加工などにより無機塩類を硬化させて、無機塩類層を形成する。最後に基板１２０の表面と無機塩類層の表面と平坦化する。平坦化後の無機塩類層が保護層１０に相当する。
【００３８】
以上説明したように保護層１０は、金属でも金属酸化物でも樹脂でも無機塩類でも製造することができる。本工程が特許請求の範囲に記載の「保護層形成工程」に相当する。
次に、基板１２０上にプローブ４を形成する（図１１（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。具体的には例えば、プローブ４を以下の方法によって形成する。まず基板１２０上にスパッタ等によりシード層を形成する。次にプローブ４を形成する部位を露出させるレジスト層を形成する。ここでレジスト層は、シード層上にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、所定形状のマスクを配置して露光現像処理を施し不要なレジスト膜を除去して形成される。次にレジスト層から露出するシード層上に金属を湿式めっきすることより、基板１２０上にプローブ４を形成する。次にレジスト層を除去する。ここでレジスト層の除去には、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の液剤を用いる。最後にプローブ４から露出するシード層をミリング等により除去する。本工程が特許請求の範囲に記載の「導線形成工程」に相当する。尚、プローブ４はスパッタ、蒸着などの乾式めっき又は無電解めっきで形成してもよい。そのときはシード層を形成する工程を省略することができる。
【００３９】
最後に、保護層１０が隣り合う２つの隅に位置し、プローブ４の先端が２つの隅側の一端に沿って配列するように（図１１（Ａ３）、（Ｂ３）の点線参照）、基板１２０を切断する（図１１（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。本工程が特許請求の範囲に記載の「成形工程」に相当する。
以上説明したように製造方法の第一実施例に係る製造方法によれば、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１０５を製造することができる。
【００４０】
（製造方法の第二実施例）
製造方法の第二実施例に係る製造方法によれば、プローブユニットの第三実施例に係るプローブユニット１０７を製造することができる。まず、製造方法の第一実施例と同様の方法でプローブユニット１０４（図６（Ｄ）参照）を形成する。そして、保護層１０の表面１０ａと反対側の裏面が露出するまで、基板２の表面２ｅと反対側の裏面を研磨シート等で研削する。もちろん、プローブユニット１０１、１０２、１０３、１０５に用いても、プローブユニット１０７と実質的に同一なプローブユニットを製造することができる。
【００４１】
尚、基板１２０の製造方法の第一実施例に係る凹部８を形成する部位に貫通孔を形成し、貫通孔形成後にその貫通孔を塞ぐように保護層１１０を形成しても、プローブユニット１０７を製造することができる。また、基板１２０と基板１２０の一端に接合する保護層１１０と基板１２０の一端に対向する他端に接合する保護層１１０とを犠牲基板上に形成し、基板１２０及び保護層１１０形成後に犠牲基板を除去しても、プローブユニット１０７を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニットの模式図である。
【図２】（Ａ）は正常時の検査状態を表す模式図である。（Ｂ）は（Ａ）のＡ１−Ａ１線断面図である。
【図３】プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニットの模式図である。
【図４】プローブの偏摩耗について説明するための模式図である。
【図５】プローブユニットの寿命が尽きたときの検査状態を表す模式図である。
【図６】本発明のプローブユニットの変形例を説明するための模式図である。
【図７】プローブユニットの寿命が尽きたときの検査状態を表す模式図である。
【図８】プローブユニットの第二実施例に係るプローブユニットの模式図である。
【図９】プローブユニットの第三実施例に係るプローブユニットの模式図である。
【図１０】製造方法の第一実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。
【図１１】製造方法の第一実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００４３】
１、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７  プローブユニット、２  基板、４  プローブ（導線）、４ａ  先端（接触部）、８  凹部、１０、１１０  保護層、１２０  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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