(57)【要約】【課題】  横向きの姿勢で実装されても半田接続強度が確保しやすく、かつ、実装過程で位置決め用治具の収納凹所からはみ出す虞がなく、しかも、小型化の促進を妨げず外観も良好なチップ抵抗器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】  チップ抵抗器１０を製造する際に、大判基板２０の表面２０ａに表面電極１２と抵抗体１３とを形成し、かつ、大判基板２０の裏面２０ｂに裏面電極１６を形成するが、この裏面電極形成時に、二次分割溝２２として裏面２０ｂに存するＶ字溝の傾斜面に裏面電極１６を延在させ、この延在部を側面電極１６ａとなす。そして、大判基板２０を一次分割溝２１に沿って短冊状に分割し、その分割面にスパッタリングによって端面電極１７を形成した後、短冊状基板２４を二次分割溝２２に沿って分割してメッキ処理することにより、ほぼ正四角柱状で各側面に電極を露出させたチップ抵抗器１０が得られる。【選択図】  図１
2006339589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大判基板の表裏両面にＶ字溝である一次分割溝と二次分割溝が格子状に形成されており、この大判基板を前記一次分割溝と前記二次分割溝に沿って順次分割することにより多数個分が一括して製造される角形のチップ抵抗器において、
長手方向に直交する断面の形状を略正方形となした四角柱状の絶縁性基台と、この絶縁性基台の略長方形な表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、前記絶縁性基台の表面に設けられて両端部が前記一対の表面電極と重なり合う抵抗体と、この抵抗体を被覆する保護層と、前記絶縁性基台の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、前記絶縁性基台の略正方形な両端面に設けられて前記表面電極および前記裏面電極を橋絡する一対の端面電極とを備え、
前記二次分割溝の一部として前記絶縁性基台の裏面の長手方向に沿う両側縁部に形成されている傾斜面に前記裏面電極を延在させたことを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記傾斜面を、前記二次分割溝の一部として前記絶縁性基台の表面の長手方向に沿う両側縁部に形成されている傾斜面よりも大きくしたことを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
表裏両面にＶ字溝である一次分割溝および二次分割溝が格子状に形成された大判基板の表面に、前記一次分割溝を横切って前記二次分割溝に隣接する表面電極を多数形成すると共に、前記大判基板の裏面に前記二次分割溝を横切って前記一次分割溝に隣接する裏面電極を多数形成する電極形成工程と、
前記大判基板の表面に両端部が前記表面電極と重なり合う抵抗体を多数形成する抵抗体形成工程と、
前記抵抗体を被覆する保護層を形成する保護層形成工程と、
前記保護層を形成した前記大判基板を前記一次分割溝に沿って短冊状に分割した後、その分割面に端面電極を形成して前記表面電極および前記裏面電極を橋絡する端面電極形成工程と、
前記端面電極を形成した前記短冊状基板を前記二次分割溝に沿って四角柱状の個片に分割した後、各個片の前記表面電極と裏面電極および端面電極をメッキしてチップ抵抗器となす電極メッキ工程とを備え、
前記大判基板は前記一次分割溝および二次分割溝によって区画された個々の長方形の短辺の長さと該大判基板の厚みとが略同等に設定してあり、かつ、前記電極形成工程では、前記二次分割溝として前記大判基板の前記裏面電極側の面に存するＶ字溝の傾斜面に該裏面電極を延在させるようにしたことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
請求項３の記載において、前記二次分割溝の深さは、前記大判基板の表面に形成されている二次分割溝よりも裏面に形成されている二次分割溝の方が深いことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４の記載において、前記端面電極形成工程では、前記端面電極をスパッタリングによって薄膜形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチマウント方式によってバルク実装される角形のチップ抵抗器と、その製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、チップ抵抗器等のチップ部品をマルチマウント方式によってバルク実装するという技術が普及している。かかるマルチマウント方式では、回路基板上での配列に合わせて多数の収納凹所が設けられたテンプレートと称される位置決め用治具を使用し、この位置決め用治具の各収納凹所内にそれぞれ対応するチップ部品を搬送チューブを介して供給した後、吸着ノズルを有するマウンタによって各収納凹所内のチップ部品を一括して回路基板上へ実装するので、実装速度を著しく向上させることができる。
【０００３】
図９はこのようなマルチマウント方式に対応した従来の角形のチップ抵抗器を示す斜視図である（例えば、特許文献１参照）。同図に示すチップ抵抗器１は、セラミック等からなる直方体形状の絶縁性基板２と、この絶縁性基板２の図示上面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極３と、同じく絶縁性基板２の図示上面に設けられて両端部が一対の表面電極３と重なり合う抵抗体（図示せず）と、この抵抗体を被覆する保護層４と、絶縁性基板２の図示下面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極（図示せず）と、絶縁性基板２の両端面に設けられて表面電極３および裏面電極を橋絡する一対の端面電極６とを備えており、絶縁性基板２の両側面の四隅には端面電極６から延出させた側面電極７が形成されている。なお、これらの表面電極３、裏面電極、端面電極６および側面電極７は図示せぬメッキ層に被覆されている。
【０００４】
図９に示すチップ抵抗器１の製造方法について簡単に述べると、まず、表裏両面に格子状の分割溝が刻設された大判基板を準備し、この大判基板に多数個分の表面電極３や裏面電極、抵抗体、保護層４等を形成する。次に、大判基板を一次分割溝に沿って短冊状に分割し、その分割面に端面電極６を形成した後、短冊状基板を二次分割溝に沿って個片に分割し、各個片をメッキ処理することにより、多数個のチップ抵抗器１が得られる。ここで、短冊状基板に端面電極６を形成する際には、一次分割溝に沿う分割面にローラ等を用いて導電ペーストを塗布するが、このとき一次分割溝と交差する二次分割溝内に若干量の導電ペーストを流れ込ませることができるので、短冊状基板を焼成することにより、該分割面に端面電極６を形成し、かつ、該二次分割溝内の両端部に側面電極７を形成することができる。したがって、この短冊状基板を二次分割溝に沿って個片に分割すると、個片の長手方向に沿う側面には四隅に側面電極７が配設された状態となる。
【０００５】
このようにして製造される従来のチップ抵抗器１は、マルチマウント方式による実装工程で搬送チューブから位置決め用治具（テンプレート）の収納凹所へ供給されたとき、この収納凹所内での姿勢が絶縁性基板２の側面を下に向けた横向きの姿勢であったとしても、側面電極７を回路基板の半田ランド上に搭載して半田付けできるため半田接続強度が確保しやすくなっている。すなわち、一般的な角形のチップ抵抗器では絶縁性基板の側面にほとんど電極が存在しないため、位置決め用治具の収納凹所へ供給されたときに、絶縁性基板の主面（表面電極形成面または裏面電極形成面）が下を向いた姿勢になっていれば問題ないが、該収納凹所内で絶縁性基板の側面が下を向いた姿勢になっている場合には、回路基板の半田ランド上のクリーム半田に電極を密着させにくくなって半田接続強度が不足してしまう。
【特許文献１】特開平５−１３２０１号公報（第２−３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述した従来のチップ抵抗器１では、端面電極６を厚膜形成する際に側面電極７を形成しておくことにより、絶縁性基板２の側面を下に向けた横向きの姿勢で回路基板上に実装された場合にも半田接続強度が確保できるように意図されているが、実際の製造過程で端面電極６用の導電ペーストが側面電極７用として大判基板の分割溝内へ適量流れ込むように制御することは容易でない。したがって、横向きで実装されたときの半田接続強度を確保するには不十分な大きさの側面電極７が形成されやすく、かつ、側面電極７の大きさが不揃いになりやすいため外観も良好とは言い難かった。また、絶縁性基板２の幅寸法は厚さ寸法よりも大きいので、横向きの姿勢で位置決め用治具（テンプレート）の収納凹所内に配置されると、絶縁性基板２の一部が位置決め用治具の上方へ大きくはみ出てしまい、よって実装時に吸着ノズルやチップ抵抗器１に衝撃が加わってダメージを受けやすいという問題もあった。
【０００７】
また、近年はチップ抵抗器の小型化が促進され、例えば長手寸法が１ｍｍ、厚さ寸法が０．５ｍｍという極めて小さなチップ抵抗器も普及しているが、このように超小型のチップ抵抗器の製造過程では、短冊状基板に端面電極を高精度に厚膜形成することは困難であり、スパッタリングによって端面電極を薄膜形成するという手法が一般的である。しかしながら、スパッタリングで端面電極を形成すると分割溝内に側面電極を同時形成することができないため、チップ抵抗器が横向きの姿勢で回路基板上に実装された場合には半田接続強度が不足してしまう。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、横向きの姿勢で実装されても半田接続強度が確保しやすく、かつ、実装過程で位置決め用治具の収納凹所からはみ出す虞がなく、しかも、小型化の促進を妨げず外観も良好なチップ抵抗器を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、かかるチップ抵抗器の製造に好適な製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した第１の目的を達成するため、本発明では、大判基板の表裏両面にＶ字溝である一次分割溝と二次分割溝が格子状に形成されており、この大判基板を前記一次分割溝と前記二次分割溝に沿って順次分割することにより多数個分が一括して製造される角形のチップ抵抗器において、長手方向に直交する断面の形状を略正方形となした四角柱状の絶縁性基台と、この絶縁性基台の略長方形な表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、前記絶縁性基台の表面に設けられて両端部が前記一対の表面電極と重なり合う抵抗体と、この抵抗体を被覆する保護層と、前記絶縁性基台の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、前記絶縁性基台の略正方形な両端面に設けられて前記表面電極および前記裏面電極を橋絡する一対の端面電極とを備え、前記二次分割溝の一部として前記絶縁性基台の裏面の長手方向に沿う両側縁部に形成されている傾斜面に前記裏面電極を延在させる構成とした。
【００１０】
このような構成によれば、二次分割溝に沿う分割面であるチップ抵抗器の側面に裏面電極が延在しているため、この延在部を側面電極と見なすことができる。そして、延在部（側面電極）を含む裏面電極は大判基板の段階で高精度に印刷できるので、この延在部は所望の大きさに形成することができ、チップ抵抗器の外観を良好に保つことができると共に、チップ抵抗器が横向きの姿勢で実装された場合に必要な半田接続強度が確保しやすくなる。また、こうして裏面電極の延在部を側面電極となしているため、端面電極はスパッタリングによって形成すればよく、それゆえチップ抵抗器の小型化が促進されても無理なく対応できる。さらにまた、このチップ抵抗器の絶縁性基台は両端面が略正方形な四角柱状なので、実装過程で位置決め用治具（テンプレート）の収納凹所内で該四角柱のどの側面が下を向いた姿勢になっていても、チップ抵抗器が該収納凹所から大きくはみ出すことはなく、それゆえ実装時に吸着ノズルやチップ抵抗器がダメージを受ける虞はない。
【００１１】
上記の構成において、二次分割溝の一部として絶縁性基台の裏面（裏面電極形成面）の長手方向に沿う両側縁部に形成されている傾斜面を、二次分割溝の一部として絶縁性基台の表面（表面電極形成面）の長手方向に沿う両側縁部に形成されている傾斜面よりも大きくしておけば、つまり、大判基板の表裏両面に刻設された二次分割溝のうちＶ字溝の溝が深い方を裏面電極形成面として採用すれば、裏面電極の延在部（側面電極）に所要の面積が確保しやすくなるため好ましい。
【００１２】
また、上記した第２の目的を達成するため、本発明の製造方法では、表裏両面にＶ字溝である一次分割溝および二次分割溝が格子状に形成された大判基板の表面に、前記一次分割溝を横切って前記二次分割溝に隣接する表面電極を多数形成すると共に、前記大判基板の裏面に前記二次分割溝を横切って前記一次分割溝に隣接する裏面電極を多数形成する電極形成工程と、前記大判基板の表面に両端部が前記表面電極と重なり合う抵抗体を多数形成する抵抗体形成工程と、前記抵抗体を被覆する保護層を形成する保護層形成工程と、前記保護層を形成した前記大判基板を前記一次分割溝に沿って短冊状に分割した後、その分割面に端面電極を形成して前記表面電極および前記裏面電極を橋絡する端面電極形成工程と、前記端面電極を形成した前記短冊状基板を前記二次分割溝に沿って四角柱状の個片に分割した後、各個片の前記表面電極と裏面電極および端面電極をメッキしてチップ抵抗器となす電極メッキ工程とを備え、前記大判基板は前記一次分割溝および二次分割溝によって区画された個々の長方形の短辺の長さと該大判基板の厚みとが略同等に設定してあり、かつ、前記電極形成工程では、前記二次分割溝として前記大判基板の前記裏面電極側の面に存するＶ字溝の傾斜面に該裏面電極を延在させるようにした。
【００１３】
このような製造方法によれば、一次分割溝および二次分割溝によって区画された個々の長方形の短辺の長さと大判基板の厚みとが略同等に設定されているため、短冊状基板を分割して多数個取りされる四角柱状の個片の長手方向に直交する断面の形状が略正方形となる。そのため、実装過程で位置決め用治具（テンプレート）の収納凹所内で該四角柱のどの側面が下を向いた姿勢になっていても、チップ抵抗器が該収納凹所から大きくはみ出すことはなく、実装時に吸着ノズルやチップ抵抗器がダメージを受ける虞がなくなる。また、二次分割溝として大判基板の裏面電極側の面に存するＶ字溝の傾斜面に該裏面電極を延在させ、この延在部をチップ抵抗器の側面に露出する側面電極となしているため、端面電極形成工程ではスパッタリングによって端面電極を形成でき、チップ抵抗器の小型化が促進されても無理なく対応できる。しかも、延在部（側面電極）を含む裏面電極は大判基板の段階で高精度に印刷できるので、この延在部は所望の大きさに形成することが容易であり、そのためチップ抵抗器の外観が該延在部によって損なわれる虞はなく、かつ、チップ抵抗器が横向きの姿勢で実装された場合に必要な半田接続強度を該延在部によって確保することできる。
【００１４】
上記の製造方法において、二次分割溝の深さは、大判基板の表面（表面電極形成面）に形成されている二次分割溝よりも裏面（裏面電極形成面）に形成されている二次分割溝の方が深いことが好ましい。これは、大判基板の表裏両面に刻設された二次分割溝のうち、深い方のＶ字溝が形成されている側を裏面電極形成面として採用するということであり、これにより、裏面電極の延在部（側面電極）に所要の面積が確保しやすくなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によるチップ抵抗器は、二次分割溝に沿う分割面であるチップ抵抗器の側面に裏面電極が延在しており、この延在部（側面電極）を含む裏面電極は大判基板の段階で高精度に印刷できるので、チップ抵抗器の外観を良好に保つことができると共に、チップ抵抗器が横向きの姿勢で実装された場合に必要な半田接続強度が確保しやすくなる。また、端面電極はスパッタリングによって形成すればよいので、チップ抵抗器の小型化が促進されても無理なく対応できる。また、このチップ抵抗器の絶縁性基台は両端面が略正方形な四角柱状なので、実装過程で位置決め用治具（テンプレート）の収納凹所内で該四角柱のどの側面が下を向いた姿勢になっていても、チップ抵抗器が該収納凹所から大きくはみ出すことはなく、それゆえ実装時に吸着ノズルやチップ抵抗器がダメージを受ける虞はない。
【００１６】
また、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、一次分割溝および二次分割溝によって区画された個々の長方形の短辺の長さと大判基板の厚みとが略同等に設定されているため、短冊状基板を分割して得られる四角柱状の個片の長手方向に直交する断面の形状が略正方形となり、実装過程で位置決め用治具（テンプレート）の収納凹所内で該四角柱のどの側面が下を向いた姿勢になっていても、チップ抵抗器が該収納凹所から大きくはみ出すことはなく、実装時に吸着ノズルやチップ抵抗器がダメージを受ける虞がなくなる。また、二次分割溝として大判基板の裏面電極側の面に存するＶ字溝の傾斜面に該裏面電極を延在させ、この延在部をチップ抵抗器の側面に露出する側面電極となしているため、端面電極はスパッタリングによって形成すればよくなり、チップ抵抗器の小型化が促進されても無理なく対応できる。また、延在部（側面電極）を含む裏面電極は大判基板の段階で高精度に印刷できるので、チップ抵抗器の外観を良好に保つことができると共に、チップ抵抗器が横向きの姿勢で実装された場合に必要な半田接続強度が確保しやすくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
発明の実施の形態を図面を参照して説明すると、図１は本実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図、図２は該チップ抵抗器を模式的に示す断面図、図３は該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート、図４〜図６は該チップ抵抗器の製造方法を工程順に示す説明図、図７は該チップ抵抗器が２通りの異なる姿勢でテンプレートに供給された状態を示す説明図、図８は該チップ抵抗器が横向きの姿勢で半田ランド上に搭載された状態を示す側面図である。
【００１８】
これらの図に示すチップ抵抗器１０は、マルチマウント方式に対応した角形チップ抵抗器であって、図示せぬ搬送チューブから位置決め用治具であるテンプレート３０の収納凹所３１内へ供給された後、図示せぬ吸着ノズルによって回路基板３２の半田ランド３３上に多数個が一括して実装されるようになっている（図７および図８参照）。図１と図２に示すように、このチップ抵抗器１０は、長手方向両端面が略正方形な四角柱状の絶縁性基台１１と、絶縁性基台１１の略長方形な一方の主面（表面）１１ａの長手方向両端部に設けられた一対の表面電極１２と、絶縁性基台１１の表面１１ａに設けられて両端部が一対の表面電極１２と重なり合う抵抗体１３と、抵抗体１３を被覆する２層構造の保護層（ガラスコート層１４およびオーバーコート層１５）と、絶縁性基台１１の他方の主面（裏面）１１ｂの長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極１６と、絶縁性基台１１の長手方向両端面に設けられて表面電極１２および裏面電極１６を橋絡する一対の端面電極１７と、これら表面電極１２と裏面電極１６および端面電極１７に被着させた２層構造のメッキ層（ニッケルメッキ層１８および錫メッキ層１９）とによって主に構成されており、表面電極１２と端面電極１７および裏面電極１６が略コ字形の連続した電極として絶縁性基台１１の両端部に設けられている。また、表面１１ａと裏面１１ｂに対して直角な絶縁性基台１１の略長方形な一対の側面１１ｃには、その長手方向両端部で裏面１１ｂと隣接する箇所に裏面電極１６の延在部である側面電極１６ａが設けられている。
【００１９】
このチップ抵抗器１０は、図４に示すような大判基板２０から多数個分が一括して製造される。大判基板２０の表裏両面にはＶ字溝である一次分割溝２１および二次分割溝２２が格子状に形成されており、両分割溝２１，２２によって区画された表裏両面の多数の長方形状領域２３が個々のチップ抵抗器１０に対応している。また、後述するように、チップ抵抗器１０の表面電極１２や裏面電極１６（側面電極１６ａを含む）は大判基板２０に対する印刷・焼成によって厚膜形成されたものであるが、端面電極１７は大判基板２０の分割面に対するスパッタリングによって薄膜形成されたものである。
【００２０】
次に、このような構成のチップ抵抗器１０の製造方法を、図３のフローチャートならびに図４〜図６の工程図を参照しつつ説明する。
【００２１】
まずステップＳ１として図４（ａ）に示すように、セラミック等からなる多数個取り用の大判基板２０を準備する。この大判基板２０の表裏両面には予めＶ字溝である一次分割溝２１および二次分割溝２２が格子状に形成されており、両分割溝２１，２２によって多数の長方形状領域２３が区画されている。この長方形状領域２３の短辺の長さは大判基板２０の厚みと略同等に設定されているため、各チップ抵抗器１０は絶縁性基台１１の長手方向両端面が略正方形となる。また、この種の大判基板２０では、一般的に表面２０ａと裏面２０ｂで分割溝の深さが異なったものとなるが、本実施形態例においては、分割溝が深い方の裏面２０ｂを裏面電極形成面としている。
【００２２】
次にステップＳ２として図４（ｂ）に示すように、大判基板２０の裏面２０ｂにＡｇまたはＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、個々のチップ抵抗器１０に対応する多数の裏面電極１６を形成する。このとき、裏面電極１６は二次分割溝２２を横切って一次分割溝２１とは隣接するように形成されるため、二次分割溝２２として大判基板２０の裏面２０ｂに存するＶ字溝の傾斜面に裏面電極１６が延在し、この延在部が側面電極１６ａとなる。
【００２３】
次にステップＳ３として図４（ｃ）に示すように、大判基板２０の表面２０ａにＡｇまたはＡｇ−Ｐｄペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、個々のチップ抵抗器１０に対応する多数の表面電極１２を形成する。このとき、表面電極１２は一次分割溝２１を横切って二次分割溝２２とは隣接するように形成される。つまり、一次分割溝２１も二次分割溝２２も大判基板２０の表裏両面のいずれかでは内部に電極を延在させておらず、これにより一次分割溝２１に沿った分割や二次分割溝２２に沿った分割が支障なく行えるようになっている。なお、ステップＳ２の裏面電極形成工程とステップＳ３の表面電極形成工程は、いずれを先に行ってもよい。
【００２４】
次にステップＳ４として図５（ａ）に示すように、大判基板２０の表面２０ａに酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、長方形状領域２３の長手方向に沿って隣接する表面電極１２どうしを橋絡する多数の抵抗体１３を形成する。なお、抵抗体１３は両端部が表面電極１２と重なり合えばよいので、ステップＳ４の抵抗体形成工程をステップＳ３の表面電極形成工程の前に行ってもよい。
【００２５】
次にステップＳ５として図５（ｂ）に示すように、各抵抗体１３を覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、ガラスコート層１４を形成し、必要に応じてレーザトリミングを行うことにより各抵抗体１３の抵抗値を調整する。しかる後、ステップＳ６として図５（ｃ）に示すように、ガラスコート層１４上にエポキシ等の樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、ガラスコート層１４を覆って帯状に延びるオーバーコート層１５を形成する。
【００２６】
ここまでの工程は大判基板２０に対する一括処理であるが、次なるステップＳ７では、大判基板２０を一次分割溝２１に沿って短冊状に分割する一次分割加工を行い、図６（ａ）に示すような短冊状基板２４を得る。そして、次なるステップＳ８で、一次分割加工の分割面である短冊状基板２４の露出面にニッケルクロム（Ｎｉ／Ｃｒ）をスパッタすることにより、図６（ｂ）に示すように表面電極１２と裏面電極１６どうしを橋絡する端面電極１７を薄膜形成する。
【００２７】
次にステップＳ９として、短冊状基板２４を二次分割溝２２に沿って個片に分割する二次分割加工を行い、図６（ｃ）に示すようなチップ単体２５を得る。そして、次なるステップＳ１０で各チップ単体２５に電解メッキを施し、２層構造のメッキ層１８，１９を形成する。すなわち、まずチップ単体２５の表面電極１２と裏面電極１６（側面電極１６ａを含む）および端面電極１７に対してニッケル（Ｎｉ）メッキ層１８を被着させた後、このニッケルメッキ層１８に対して錫（Ｓｎ）メッキ層１９を被着させることにより、図１と図２に示すようなチップ抵抗器１０が完成する。なお、これらのメッキ層１８，１９は電極くわれの防止や半田付けの信頼性向上を図るためのものであり、錫メッキ層の代わりに半田（Ｓｎ／Ｐｂ）メッキ層を用いることも可能である。
【００２８】
このようにして製造されるチップ抵抗器１０は、大判基板２０の一次分割溝２１および二次分割溝２２によって区画された個々の長方形状領域２３の短辺の長さと、大判基板２０の厚みとが略同等に設定されているため、短冊状基板２４を分割して多数個取りされるチップ単体２５の長手方向に直交する断面の形状が略正方形となり、ほぼ正四角柱状のチップ抵抗器１０が得られる。そのため、マルチマウント方式の実装過程でテンプレート（位置決め用治具）３０の収納凹所３１内におけるチップ抵抗器１０の高さ寸法は、図７（ａ）に示すように面１１ｃを上に向けた横向きの姿勢のときにも、図７（ｂ）に示すように側面１１ａ（または側面１１ｂ）を上に向けた正規の姿勢のときと同等である。つまり、テンプレート３０の収納凹所３１内で正四角柱状のチップ抵抗器１０のどの側面が下を向いた姿勢になっていても、このチップ抵抗器１０は収納凹所３１から大きくはみ出すことはなく、それゆえ回路基板３２上への実装時に吸着ノズルやチップ抵抗器１０がダメージを受ける虞はない。
【００２９】
また、このチップ抵抗器１０の製造時には裏面電極形成工程で、二次分割溝２２として大判基板２０の裏面２０ｂに形成されているＶ字溝の傾斜面に裏面電極１６を延在させて、この延在部をチップ抵抗器１０の側面１１ｃに露出する側面電極１６ａとなしているため、端面電極形成工程ではスパッタリングによって端面電極１７が形成できて、チップ抵抗器の小型化が促進されても無理なく対応できる。しかも、側面電極１６ａ（延在部）を含む裏面電極１６は大判基板２０の段階で高精度に印刷できるので、この側面電極１６ａは所望の大きさに形成することが容易であり、そのためチップ抵抗器１０の外観が側面電極１６ａによって損なわれる虞はなく、かつ、チップ抵抗器１０が横向きの姿勢で実装された場合に必要な半田接続強度を側面電極１６ａによって確保することができる。すなわち、図７（ａ）に示す状態でテンプレート３０の収納凹所３１内に配置されたチップ抵抗器１０は、図示せぬ吸着ノズルによって図８に示すように回路基板３２の半田ランド３３上に横向きの姿勢で供給されるため、表面電極１２や裏面電極１６の形成面ではない絶縁性基台１１の側面１１ｃがクリーム半田３４上に搭載されることになるが、この側面１１ｃの一側部には側面電極１６ａが露出しているので、クリーム半田３４を加熱溶融することにより側面電極１６ａから裏面電極１６へと至る良好な半田フィレットが形成され、十分な半田接続強度が確保できる。
【００３０】
なお、本実施形態例のように、大判基板２０の表裏両面に刻設された二次分割溝２２のうちＶ字溝の溝が深い方を裏面電極形成面として採用すると、裏面電極１６の延在部として印刷形成される側面電極１６ａに所要の面積が確保しやすくなるため好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の斜視図である。
【図２】該チップ抵抗器を模式的に示す断面図である。
【図３】該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。
【図４】該チップ抵抗器の製造方法を工程順に示す説明図である。
【図５】該チップ抵抗器の製造方法を工程順に示す説明図である。
【図６】該チップ抵抗器の製造方法を工程順に示す説明図である。
【図７】該チップ抵抗器が２通りの異なる姿勢でテンプレートに供給された状態を示す説明図である。
【図８】該チップ抵抗器が横向きの姿勢で半田ランド上に搭載された状態を示す側面図である。
【図９】従来例に係るチップ抵抗器の斜視図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０  チップ抵抗器
１１  絶縁性基台
１２  表面電極
１３  抵抗体
１４，１５  保護層
１６  裏面電極
１６ａ  側面電極（延在部）
１７  端面電極
１８，１９  メッキ層
２０  大判基板
２０ａ  表面
２０ｂ  裏面
２１  一次分割溝
２２  二次分割溝
２４  短冊状基板
３０  テンプレート（位置決め用治具）
３１  収納凹所
３２  回路基板
３３  半田ランド
３４  クリーム半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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