(57)【要約】【課題】  高周波リレーの駆動などのために用いられる電磁石装置において、ばねなどを用いることなく、コイルの励磁を停止してもその状態を保持できるようにする。【解決手段】  柱状の可動鉄芯１１を筒状のボビン１２の内部に収納し、ボビン１２の側周部にコイル１３を巻設するとともに、コイル１３よりも可動鉄芯１１の後退方向に、半径方向に着磁されたリング状の磁石１６を配設して成る高周波スイッチＳＷにおいて、ボビン１２をＵ字状に形成された継鉄１５で可動鉄芯１１の突出方向から覆うことで、図５（ａ）で示すように、可動鉄芯１１の突出時に磁石１６および可動鉄芯１１と磁路を形成して保持する。一方、ボビン１２の可動鉄芯１１の後退方向に、磁性体から成り、可動鉄芯１１の後退方向の動作範囲を制限するプレート１７を設けることで、図５（ｂ）で示すように、可動鉄芯１１の後退時に磁石１６および可動鉄芯１１と磁路を形成して保持する。【選択図】      図５
2006324522.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状の可動鉄芯と、
前記可動鉄芯を内部に収納する筒状のボビンと、
前記ボビンの側周部に巻設されるコイルと、
前記ボビンの側周部で、前記コイルよりも可動鉄芯の後退方向に配設され、半径方向に着磁されるリング状の磁石と、
大略的にＵ字状に形成され、前記ボビンを前記可動鉄芯の突出方向から覆うことで前記可動鉄芯の突出時に前記磁石および可動鉄芯と磁路を形成し、前記Ｕ字状の底部に形成された孔から前記可動鉄芯が突出／後退し、その可動鉄芯の突出方向の動作範囲を制限する継鉄と、
前記ボビンの前記可動鉄芯の後退方向に設けられ、磁性体から成り、前記可動鉄芯の後退時に前記磁石および可動鉄芯と磁路を形成し、その可動鉄芯の後退方向の動作範囲を制限するプレートとを含むことを特徴とする電磁石装置。
【請求項２】
外部導体となるベースに形成された内部空間に高周波伝送路となるコンタクトが収納され、前記コンタクトがカードによって駆動変位されることでコンタクト端子と接離し、高周波信号のＯＮ／ＯＦＦを実現するようにした高周波スイッチにおいて、
前記カードを前記請求項１記載の電磁石装置で駆動することを特徴とする高周波スイッチ。
【請求項３】
外部導体となるベースに形成された内部空間に高周波伝送路となる一対のコンタクトばねが収納され、前記コンタクトばねがカードによって相互に連動して駆動変位されることで、前記内部空間の天面および底面にそれぞれ設けられた相互に抵抗値の異なる抵抗体の一方に接触し、高周波信号の減衰を実現するようにした可変減衰器において、
前記カードを前記請求項１記載の電磁石装置で駆動することを特徴とする可変減衰器。
【請求項４】
前記コンタクトばねは前記内部空間の天面方向に湾曲形成されており、前記カードは前記可動鉄芯の突出時に前記コンタクトばねを底面方向に押圧することを特徴とする請求項３記載の可変減衰器。
【請求項５】
前記請求項３または４記載の可変減衰器を複数段直列に接続して成ることを特徴とする可変減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波スイッチおよび可変減衰器の接点の切換え駆動用などに用いられる電磁石装置に関し、またそれを用いる前記高周波スイッチおよび可変減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビジョン信号などの高周波の信号を扱う前記高周波スイッチや可変減衰器では、接点の状態を安定させることが、アイソレーションを確保する上で重要である。一方、それら高周波スイッチや可変減衰器では、一旦信号経路や減衰率などが決定されると、殆ど切換えが行われない場合もあり、切換え駆動を行う電磁石装置への通電は停止され、省電力化が図られている。このため、特許文献１で示すように、ばねを用いて接点の状態を保持するようにしたスイッチが提案されている。
【特許文献１】特開２０００−３３１５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記の従来技術では、ばねの弾発力が強すぎると接点が切換わらず、これに対して弱すぎると接点状態を保持できず、前記弾発力の調整が非常に煩雑であるという問題がある。また、衝撃によって不所望に接点が切換わってしまったり、上下の向きなどの使用方向に制約を生じたりするという問題がある。さらにまた、接点の可動範囲（ストローク）は、ばねの伸縮範囲にほぼ等しくなり、あまり大きくできず、前記アイソレーションを充分に確保できないという問題もある。
【０００４】
本発明の目的は、ばねなどを用いなくても、非励磁時の保持のために充分な吸引力を確保することができる電磁石装置ならびにそれを用いる高周波スイッチおよび可変減衰器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電磁石装置は、柱状の可動鉄芯と、前記可動鉄芯を内部に収納する筒状のボビンと、前記ボビンの側周部に巻設されるコイルと、前記ボビンの側周部で、前記コイルよりも可動鉄芯の後退方向に配設され、半径方向に着磁されるリング状の磁石と、大略的にＵ字状に形成され、前記ボビンを前記可動鉄芯の突出方向から覆うことで前記可動鉄芯の突出時に前記磁石および可動鉄芯と磁路を形成し、前記Ｕ字状の底部に形成された孔から前記可動鉄芯が突出／後退し、その可動鉄芯の突出方向の動作範囲を制限する継鉄と、前記ボビンの前記可動鉄芯の後退方向に設けられ、磁性体から成り、前記可動鉄芯の後退時に前記磁石および可動鉄芯と磁路を形成し、その可動鉄芯の後退方向の動作範囲を制限するプレートとを含むことを特徴とする。
【０００６】
上記の構成によれば、高周波リレーの駆動などのために用いられる電磁石装置において、たとえば内周側がＮ極、外周側がＳ極の半径方向に着磁されているリング状の磁石から発生した磁界は、コイルが一方方向の電流で励磁されて可動鉄芯が突出位置に変位されると、該磁石の内周面−可動鉄芯−Ｕ字状の継鉄の底部−その側部−磁石の外周面の経路で磁路を形成し、コイルの励磁が解除されても、その突出位置で保持される。一方、コイルが他方方向の電流で励磁されて可動鉄芯が後退位置に変位されると、該磁石の内周面−可動鉄芯−磁性体から成るプレート−Ｕ字状の継鉄の側部−磁石の外周面の経路で磁路を形成し、コイルの励磁が解除されても、その後退位置で保持される。
【０００７】
したがって、突出位置および後退位置の２つの位置で、コイルの励磁を停止しても、その状態を保持することができる。これによって、ばねなどを用いなくても、非励磁時の保持のために充分な吸引力を確保し、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、可動鉄芯のストロークを大きくすることができる。また、耐衝撃性能を向上することもできる。
【０００８】
また、本発明の高周波スイッチは、外部導体となるベースに形成された内部空間に高周波伝送路となるコンタクトが収納され、前記コンタクトがカードによって駆動変位されることでコンタクト端子と接離し、高周波信号のＯＮ／ＯＦＦを実現するようにした高周波スイッチにおいて、前記カードを前記の電磁石装置で駆動することを特徴とする。
【０００９】
上記の構成によれば、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、耐衝撃性能を向上することができる高周波スイッチを実現することができる。また、コンタクトのストロークを大きくすることができ、アイソレーション特性の良好な高周波スイッチを実現することができる。
【００１０】
さらにまた、本発明の可変減衰器は、外部導体となるベースに形成された内部空間に高周波伝送路となる一対のコンタクトばねが収納され、前記コンタクトばねがカードによって相互に連動して駆動変位されることで、前記内部空間の天面および底面にそれぞれ設けられた相互に抵抗値の異なる抵抗体の一方に接触し、高周波信号の減衰を実現するようにした可変減衰器において、前記カードを前記の電磁石装置で駆動することを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、耐衝撃性能を向上することができる可変減衰器を実現することができる。また、コンタクトばねのストロークを大きくすることができ、アイソレーション特性の良好な可変減衰器を実現することができる。また、ＯＮ／ＯＦＦを切換えるスイッチでは、コンタクトはＯＦＦ時に端子から離反していればよいのに対して、可変減衰器では、コンタクトばねは一方の抵抗体に必ず接触していなければならず、非励磁時であっても、可動鉄芯が突出位置と後退位置とで、共に安定して保持されることの効果は大きい。
【００１２】
また、本発明の可変減衰器では、前記コンタクトばねは前記内部空間の天面方向に湾曲形成されており、前記カードは前記可動鉄芯の突出時に前記コンタクトばねを底面方向に押圧することを特徴とする。
【００１３】
上記の構成によれば、前記コンタクトばねは、前記内部空間の天面方向、すなわち前記可動鉄芯の後退方向に湾曲形成されており、これによってカードには前記内部空間の天面方向にバイアスが加わることになる。したがって、前記可動鉄芯は突出時に前記カードを介して前記コンタクトばねを底面方向に押圧するだけでよく、後退時には該可動鉄芯が後退すると、カードおよびコンタクトばねは、そのコンタクトばねの弾発力によって前記内部空間の天面方向に復帰する。
【００１４】
したがって、可動鉄芯の後退時にコンタクトばねを引上げる必要はなく、該可動鉄芯とカードとコンタクトばねとは、相互に分離した構造とすることができ、構造を簡略化することができる。
【００１５】
さらにまた、本発明の可変減衰器は、前記の可変減衰器を複数段直列に接続して成ることを特徴とする。
【００１６】
上記の構成によれば、段数が増加する程、切換え可能な抵抗値の種類を増加することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の電磁石装置は、以上のように、高周波リレーの駆動などのために用いられる電磁石装置において、柱状の可動鉄芯を筒状のボビンの内部に収納し、前記ボビンの側周部にコイルを巻設するとともに、そのコイルよりも可動鉄芯の後退方向に、半径方向に着磁されたリング状の磁石を配設し、前記ボビンを大略的にＵ字状に形成された継鉄で前記可動鉄芯の突出方向から覆うことで前記可動鉄芯の突出時に前記磁石および可動鉄芯と磁路を形成し、前記ボビンの前記可動鉄芯の後退方向に、磁性体から成り、前記可動鉄芯の後退時に前記磁石および可動鉄芯と磁路を形成するとともに、その可動鉄芯の後退方向の動作範囲を制限するプレートを設ける。
【００１８】
それゆえ、たとえば内周側がＮ極、外周側がＳ極の半径方向に着磁されているリング状の磁石から発生した磁界は、コイルが一方方向の電流で励磁されて可動鉄芯が突出位置に変位されると、該磁石の内周面−可動鉄芯−Ｕ字状の継鉄の底部−その側部−磁石の外周面の経路で磁路を形成し、コイルの励磁が解除されても、その突出位置で保持され、コイルが他方方向の電流で励磁されて可動鉄芯が後退位置に変位されると、該磁石の内周面−可動鉄芯−磁性体から成るプレート−Ｕ字状の継鉄の側部−磁石の外周面の経路で磁路を形成し、コイルの励磁が解除されても、その後退位置で保持され、こうして突出位置および後退位置の２つの位置で、コイルの励磁を停止しても、その状態を保持することができる。これによって、ばねなどを用いなくても、非励磁時の保持のために充分な吸引力を確保し、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、可動鉄芯のストロークを大きくすることができる。また、耐衝撃性能を向上することもできる。
【００１９】
また、本発明の高周波スイッチは、以上のように、外部導体となるベースに形成された内部空間に高周波伝送路となるコンタクトが収納され、前記コンタクトがカードによって駆動変位されることでコンタクト端子と接離し、高周波信号のＯＮ／ＯＦＦを実現するようにした高周波スイッチにおいて、前記カードを前記の電磁石装置で駆動する。
【００２０】
それゆえ、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、耐衝撃性能を向上することができる高周波スイッチを実現することができる。また、コンタクトのストロークを大きくすることができ、アイソレーション特性の良好な高周波スイッチを実現することができる。
【００２１】
さらにまた、本発明の可変減衰器は、以上のように、外部導体となるベースに形成された内部空間に高周波伝送路となる一対のコンタクトばねが収納され、前記コンタクトばねがカードによって相互に連動して駆動変位されることで、前記内部空間の天面および底面にそれぞれ設けられた相互に抵抗値の異なる抵抗体の一方に接触し、高周波信号の減衰を実現するようにした可変減衰器において、前記カードを前記の電磁石装置で駆動する。
【００２２】
それゆえ、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、耐衝撃性能を向上することができる可変減衰器を実現することができる。また、コンタクトばねのストロークを大きくすることができ、アイソレーション特性の良好な可変減衰器を実現することができる。また、ＯＮ／ＯＦＦを切換えるスイッチでは、コンタクトはＯＦＦ時に端子から離反していればよいのに対して、可変減衰器では、コンタクトばねは一方の抵抗体に必ず接触していなければならず、非励磁時であっても、可動鉄芯が突出位置と後退位置とで、共に安定して保持されることの効果は大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
［実施の形態１］
図１は本発明の実施の第１の形態に係る高周波スイッチＳＷの一構成例を示す分解斜視図であり、図２はその高周波スイッチＳＷの縦断面図である。これらの図に示すように、高周波スイッチＳＷは、大略的に、電磁石装置であるソレノイド１０と、ベースブロック２０とがネジＢ１でネジ止め固定されて構成されており、導電性のベース１に絶縁状態で保持される一対のコンタクト端子２ａ，２ｂに対して、前記ベース１とコンタクト端子２ａ，２ｂとの間に配置されるコンタクト４がソレノイド１０によって駆動されることで開閉を行うように構成されている。
【００２４】
前記ベース１は、アルミニウム等の導電性の金属材料から成り、直方体形状の側面の隅角部に面取りが施されている。前記ベース１の上面には、図３（ａ）に示すように、長孔状に窪む凹部１ｂが長手方向に延びるように形成されているとともに、この凹部１ｂの長手方向の両脇にネジ孔１ｅが形成されている。さらに、凹部１ｂの底面中心には、上下方向に貫通する貫通孔１ｃが形成されている。
【００２５】
また、ベース１の下面には、図３（ｂ）に示すように、下方に開口して長手方向に延びる横断溝１ａが形成されているとともに、この横断溝１ａを跨ぐように円形状に窪む嵌合部１ｆが２箇所に形成されている。さらに、横断溝１ａの上面の両端付近には、有底の固定穴１ｄが一対形成されている。そして、この横断溝１ａ内に前記一対のコンタクト端子２ａ，２ｂおよびコンタクト４が配置されて、その下方にはサブベース５が配設されている。
【００２６】
前記コンタクト端子２ａ，２ｂは、液晶ポリマ樹脂等の絶縁部材３ａ，３ｂにインサートモールドされている。そして、前記絶縁部材３ａ，３ｂの反対側から突出した前記コンタクト端子２ａ，２ｂの端子部２０ａ，２０ｂは、配線基板のパターンなどに半田付け接続される。
【００２７】
前記絶縁部材３ａ，３ｂは、前記ベース１の横断溝１ａに嵌入する形状に形成されているとともに、その上面には、前記ベース１の固定穴１ｄに嵌合する突起３ｃ、３ｄが形成されて、この突起３ｃ，３ｄが固定穴１ｄにそれぞれ圧入されることによって、コンタクト端子２ａ，２ｂがベース１に絶縁状態で保持されるようになる。
【００２８】
前記コンタクト４は、図４に示すように、略短冊状のシングル接点に形成されて、その中央部分には変形の貫通孔４ａが形成されている。このコンタクト４は、例えば厚み寸法が０．３〜０．６ｍｍ程度で耐熱性の高いベリリウム銅等の板材をプレスで打ち抜き加工して、金メッキが施されているものが好ましい。
【００２９】
このコンタクト４は、上記打ち抜き加工によってバリが生じる側の面がコンタクト端子２ａ，２ｂ側を向くとともに、その反対側の面が前記ベース１の横断溝１ａの上面側を向くように配置される。また、このコンタクト４の両端付近には、半球状の突部４ｂが、コンタクト端子２ａ，２ｂの方向に突出するようにそれぞれ打ち出し形成されている。この突部４ｂは、上記打ち抜き加工によって生じるバリの高さよりも突出する高さに設定されている。
【００３０】
前記サブベース５は、瓢箪状に形成されて、ベース１の横断溝１ａおよび嵌合部１ｆに嵌合固定されることによって、下方に開口する横断溝１ａを閉塞して、ベース１に前記保持部材３ａ，３ｂを保持固定する。
【００３１】
一方、前記ベース１の上面に形成された凹部１ｂ内には、下方から順に、カード６、カードバネ７、円柱状のカード８が配置され、凹部１ｂの底面と前記カード６との間には一対の復帰バネ９が配置されている。ただし、この復帰バネ９は、カード６の重量キャンセル用であり、後述のソレノイド１０の保持用ではない。そして、これらの部品６〜８ならびにベース１に取付けられるソレノイド１０によって、コンタクト４を昇降変位させるようになっている。
【００３２】
前記カード６は、絶縁性の樹脂等で構成されて、ベース１の凹部１ｂに嵌り込む基部６ａと、この基部６ａの中央部分から下方に突出する突出部６ｂとを有して、基部６ａの下面には、突出部６ｂの両脇に下方に突出する一対の凸部６ｄが形成され、その反対側の上面には上方に突出する一対の凸部６ｅが形成されている。前記カード６の突出部６ｂは、ベース１の凹部１ｂの貫通孔１ｃから横断溝１ａ内に突出し、コンタクト４の貫通孔４ａに挿通して、熱かしめ固定されるようになっている。
【００３３】
前記コンタクト４の貫通孔４ａは、前記図４に示すように、四角形の一角が傾斜面に変形形成されているとともに、前記突出部６ｂの先端部分６ｃも、この形状に対応する形状に形成されている。したがって、コンタクト４は表裏反対に前記突出部６ｂに挿入することができず、コンタクト４の突部４ｂが下向きになることが担保されている。
【００３４】
前記カードバネ７は、平板状のバネであり、前記カード６の凸部６ｅに挿通される一対の孔７ａを有して、このカードバネ７の中央部分が前記カード８に押されるようになっている。前記カード８は、絶縁性の樹脂等で構成されて、ソレノイド１０の駆動力をカードバネ７に伝達する。前記復帰バネ９は、コイル状の圧縮バネであり、カード６の凸部６ｄでガイドされて、カード６を上方に付勢して、カード６の突出部６ｂに取付けられたコンタクト４をベース１の横断溝１ａの上面に圧接させる。
【００３５】
前記ソレノイド１０は、ベース１のネジ孔１ｅに螺着されるネジＢ１によってベース１の上面に取付けられている。このソレノイド１０は、円柱状の可動鉄芯１１と、前記可動鉄芯１１を内部に収容する円筒状の絶縁性ボビン１２と、前記ボビン１２の側周部に導体線が巻設されたコイル１３と、可動鉄芯１１の下方に配置される固定鉄芯１４と、前記固定鉄芯１４を固定するとともにボビン１２を下方からＵ字状に覆う継鉄１５と、前記ボビン１２の側周部で、前記コイル１３よりも可動鉄芯１１の後退方向に配設され、半径方向に着磁される平角リング状の一対の磁石１６と、継鉄１５の左右の上端部に嵌合されて磁石１６を上方からコ字状に覆うプレート１７と、全体を上方からコ字状に覆うカバー１８とを備えて構成されている。
【００３６】
前記固定鉄芯１４の中心部には、貫通孔１４ａが形成されて、この貫通孔１４ａ内に前記カード８が挿入されるようになっている。そして、図示しない前記制御回路基板からコイル１３に相互に逆方向のパルス状の電流を流すことで、前記可動鉄芯１１は突出／後退変位し、スイッチング状態を切換えることができる。前記可動鉄芯１１が突出すると、カード６に取付けられたコンタクト４の突部４ｂがコンタクト端子２ａ，２ｂにそれぞれ接触し、スイッチは閉成する。前記可動鉄芯１１が後退すると、前記コンタクト４の突部４ｂはコンタクト端子２ａ，２ｂからそれぞれ離反し、スイッチは開成する。このスイッチＳＷはラッチングリレーであり、前記コイル１３に電流が流れていないときには、可動鉄芯１１は後述するようにして磁石１６によって保持されている。
【００３７】
上記のように構成される高周波スイッチＳＷにおいて、注目すべきは、本発明では、前記ボビン１２の前記可動鉄芯１１の後退方向に設けられ、前記可動鉄芯１１の後退時にその動作範囲を制限する前記プレート１７が、磁性体から成ることである。
【００３８】
図５は、上記のように構成される高周波スイッチＳＷにおけるソレノイド１０の動作を説明するための縦断面図である。この図５の例では、前記磁石１６は、内周側がＮ極、外周側がＳ極の半径方向に着磁されているものとする。前記磁石１６からは常時磁界が発生しているが、コイル１３の励磁時には、それによる可動鉄芯１１の拘束力よりも充分大きい変位力（吸引力）が発生する。
【００３９】
先ず、前記コイル１３が正方向の電流で励磁されると、図５（ａ）で示すように、可動鉄芯１１が突出位置に変位し、その先端が固定鉄芯１４に当接して停止する。この状態で前記コイル１３の励磁を解除しても、図５（ａ）において矢印で示すように、磁石１６の内周面−可動鉄芯１１−固定鉄芯１４−Ｕ字状の継鉄１５の底部１５ａ−その側部１５ｂ−磁石１６の外周面の経路で磁路を形成し、可動鉄芯１１はその突出位置で保持される。
【００４０】
一方、コイル１３が負方向の電流で励磁されると、図５（ｂ）で示すように、可動鉄芯１１が後退位置に変位し、その後端がプレート１７に当接して停止する。この状態で前記コイル１３の励磁を解除しても、図５（ｂ）において矢印で示すように、磁石１６の内周面−可動鉄芯１１−プレート１７−Ｕ字状の継鉄１５の側部１５ｂ−磁石１６の外周面の経路で磁路を形成し、可動鉄芯１１はその後退位置で保持される。
【００４１】
図６は、コイル１３の正負の励磁時および非励磁時における可動鉄芯１１の位置変化に対する吸引力の変化を示すグラフである。上記の磁路によって、この図６で示すように、突出位置および後退位置の２つの位置で、コイル１３の励磁を停止しても、その状態を保持する吸引力が生じていることが理解される。これによって、ばねなどを用いなくても、ソレノイド１０の非励磁時に可動鉄芯１１の保持のために充分な吸引力を確保し、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、可動鉄芯１１のストロークを大きくすることができる。また、耐衝撃性能を向上することもできる。
【００４２】
また、上述のソレノイド１０を高周波スイッチＳＷに用いることで、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、耐衝撃性能を向上することができる高周波スイッチを実現することができる。また、コンタクト４のストロークを大きくすることができ、アイソレーション特性が良好でテレビジョン信号の切換え装置や計測器などに好適に用いることができる高周波スイッチを実現することができる。
【００４３】
［実施の形態２］
図７は本発明の実施の第２の形態に係る可変減衰器ＡＴＴ１の一構成例を示す縦断面図である。この可変減衰器ＡＴＴ１は、前述の高周波スイッチＳＷに類似し、特に電磁石装置であるソレノイド１０は同一の構成であり、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。
【００４４】
可変減衰器ＡＴＴ１では、前記コンタクト４およびコンタクト端子２ａ，２ｂに代えて、コンタクトばね３１ａ，３１ｂならびにスルー素子３２および抵抗体３３が用いられる。すなわち、ベースブロック３０は、大略的に、グランドに接続され、外部導体となるベース３１に形成された内部空間３５に、共通接点となる前記コンタクトばね３１ａ，３１ｂならびにスルー素子３２および抵抗体３３が収納されて構成される。前記コンタクトばね３１ａ，３１ｂは、前記内部空間３５の天面３５ａまたは底面３５ｂの少なくとも一方（図７では底面３５ｂ）から立設された電気絶縁性の架台３６ａ，３６ｂに基端３７ａ，３７ｂが固定され、前記内部空間３５の天面３５ａおよび底面３５ｂには、前記ベース３１から電気的に絶縁された前記スルー素子３２および抵抗体３３がそれぞれ設けられ、前記コンタクトばね３１ａ，３１ｂが電気絶縁性の駆動部材３８ａ，３８ｂによって撓み変形されることで、遊端３９ａ，３９ｂが前記スルー素子３２または抵抗体３３の一方と接触するように構成されている。
【００４５】
前記駆動部材３８ａ，３８ｂは、カード４０の連結片４０ａによって相互に連動して駆動されるようになっており、カード４０の駆動片４０ｂが前記ソレノイド１０によって昇降変位される。前記可動鉄芯１１の突出時には、図７において実線で示すように、前記コンタクトばね３１ａ，３１ｂはカード４０を介して駆動部材３８ａ，３８ｂによって押下げられ、撓み変形して抵抗体３３と接触する。これに対して、前記可動鉄芯１１の後退時には、図７において仮想線で示すように、前記コンタクトばね３１ａ，３１ｂはカード４０を介して駆動部材３８ａ，３８ｂによって引上げられ、撓み変形してスルー素子３２と接触する。このようにして、減衰して通過させるか、減衰無しで通過させるかが切換えられる。そして、コイル１３の励磁を停止しても、前記の磁路を介する磁石１６の吸引力によって、可動鉄芯１１、したがってコンタクトばね３１ａ，３１ｂの接点状態は保持される。
【００４６】
このように構成することで、煩雑な調整を不要にすることができるとともに、耐衝撃性能を向上することができる可変減衰器を実現することができる。また、コンタクトばね３１ａ，３１ｂのストロークを大きくすることができ、アイソレーション特性の良好な可変減衰器を実現することができる。さらにまた、ＯＮ／ＯＦＦを切換える前記高周波スイッチＳＷでは、コンタクト４はＯＦＦ時にコンタクト端子２ａ，２ｂから離反していればよいのに対して、可変減衰器ＡＴＴ１では、コンタクトばね３１ａ，３１ｂはスルー素子３２または抵抗体３３に必ず接触していなければならず、非励磁時であっても、可動鉄芯１１が突出位置と後退位置とで、共に安定して保持されることの効果は大きい。
【００４７】
［実施の形態３］
図８は本発明の実施の第３の形態に係る可変減衰器ＡＴＴ２の一構成例を示す縦断面図である。この可変減衰器ＡＴＴ２は、前述の可変減衰器ＡＴＴ１に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。
【００４８】
注目すべきは、この可変減衰器ＡＴＴ２では、ベースブロック５０のコンタクトばね５１ａ，５１ｂは、図８において仮想線で示すように前記内部空間３５の天面３５ａ方向に湾曲形成されており、前記カード４０の連結片４０ａによって相互に連動して駆動される駆動部材５８ａ，５８ｂは、前記可動鉄芯１１の突出時に前記コンタクトばね５１ａ，５１ｂを図８において実線で示すように底面３５ｂ方向に押圧することである。すなわち、前記コンタクトばね５１ａ，５１ｂが前記の天面３５ａ方向、すなわち前記可動鉄芯１１の後退方向に湾曲形成されることで、カード４０には前記内部空間３５の天面３５ａ方向にバイアスが加わることになる。したがって、前記可動鉄芯１１は突出時に前記カード４０を介して前記コンタクトばね５１ａ，５１ｂを底面３５ｂ方向に押圧するだけでよく、後退時には該可動鉄芯１１が後退すると、カード４０およびコンタクトばね５１ａ，５１ｂは、そのコンタクトばね５１ａ，５１ｂの弾発力によって前記内部空間３５の天面３５ａ方向に復帰する。
【００４９】
したがって、前述のコンタクトばね３１ａ，３１ｂには、図９（ａ）で示すように、可動鉄芯１１の後退時に該コンタクトばね３１ａ，３１ｂを駆動部材３８ａ，３８ｂによって引上げるための孔３１ｃを形成する必要があり、高周波信号の伝送路に狭幅部分が形成されてしまうのに対して、コンタクトばね５１ａ，５１ｂでは、図９（ｂ）で示すように、そのような狭幅部分が形成されず、良好な高周波特性を得ることができるとともに、該コンタクトばね５１ａ，５１ｂと駆動部材５８ａ，５８ｂとは、相互に分離した構造とすることができ、構造を簡略化することができる（組立てが容易である）。
【００５０】
図１０は、上述のように構成される可変減衰器ＡＴＴ２を備えて成る多段の可変減衰器ＡＴＴ３の構造を示す部分断面図であり、図１１はその可変減衰器ＡＴＴ３の平面図である。図１１において、図１０の切断面線を、Ｘ−Ｘで示す。この可変減衰器ＡＴＴ３は、上述の可変減衰器ＡＴＴ２が複数段直列に接続されて構成されている。
【００５１】
各可変減衰器ＡＴＴ２における前記抵抗体３３は相互に等しくてもよく、その場合には抵抗体３３の抵抗値に、選択されている段数を乗算した値が、可変減衰器ＡＴＴ３としての合成抵抗値となる。これに対して、各可変減衰器ＡＴＴ２における抵抗体３３を相互に異なるように形成することで、幅広い抵抗変化幅を得ることができ、たとえば−１０，−２０，−４０，−８０ｄＢの各減衰率に設定することで、０ｄＢから−１５０ｄＢまでの減衰率に変化することができる。
【００５２】
なお、可変減衰器ＡＴＴ３は、可変減衰器ＡＴＴ１で構成されていてもよい。また、上述の説明における上下の各方向は、図に対応して、便宜上使用したものであり、高周波スイッチＳＷおよび可変減衰器ＡＴＴ１，ＡＴＴ２，ＡＴＴ３の取付け方向によっては、９０°回転や１８０°回転（上下反転）で使用されることは言うまでもなく、非励磁時でもソレノイド１０が可動鉄芯１１を安定して保持しているので、使用方向を特に考慮しなくてよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る高周波スイッチの一構成例を示す分解斜視図である。
【図２】図１で示す高周波スイッチの縦断面図である。
【図３】前記高周波スイッチにおけるベースの斜視図である。
【図４】前記高周波スイッチのコンタクトの構造を示す正面図である。
【図５】前記高周波スイッチにおけるソレノイドの動作を説明するための縦断面図である。
【図６】前記ソレノイドのコイルの正負の励磁時および非励磁時における可動鉄芯の位置変化に対する吸引力の変化を示すグラフである。
【図７】本発明の実施の第２の形態に係る可変減衰器の一構成例を示す縦断面図である。
【図８】本発明の実施の第３の形態に係る可変減衰器の一構成例を示す縦断面図である。
【図９】図７および図８で示す可変減衰器におけるコンタクトばねの一部分の平面図である。
【図１０】図７または図８で示す可変減衰器を備えて成る多段の可変減衰器の構造を示す部分断面図である。
【図１１】図１０で示す可変減衰器の平面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１，３１    ベース
２ａ，２ｂ    コンタクト端子
３ａ，３ｂ    絶縁部材
４    コンタクト
５    サブベース
６，８，４０    カード
７    カードバネ
９    復帰バネ
１０    ソレノイド
１１    可動鉄芯
１２    ボビン
１３    コイル
１４    固定鉄芯
１５    継鉄
１６    磁石
１７    プレート
１８    カバー
２０，３０，５０    ベースブロック
２０ａ，２０ｂ    端子部
３１ａ，３１ｂ；５１ａ，５１ｂ    コンタクトばね
３２    スルー素子
３３    抵抗体
３５    内部空間
３８ａ，３８ｂ；５８ａ，５８ｂ    駆動部材
ＡＴＴ１，ＡＴＴ２，ＡＴＴ３    可変減衰器
ＳＷ  高周波スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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