(57)【要約】【課題】  低損失なLSM01モードを伝送モードとし、不要な平行平板導波路モードを伝搬不能とする非放射性誘電体導波路を得る。【解決手段】  第１の導体平板１と、前記第１の導体平板１の上面に接して配置された誘電体ストリップ３と、前記誘電体ストリップ３の上面に接して配置された第２の導体平板２とを、前記第１の導体平板１と前記第２の導体平板２との間隔を自由空間波長の１／４以下として設け、前記第２の導体平板２にほぼ周期的に使用周波数においてカットオフ共振状態となり、その表面を電気的に磁気壁と等価な状態とする円形開口穴５を設け、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする誘電体導波路を構成した。【選択図】  図１
2006324892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体ストリップの一方の面に密着させて配置した第１の導体平板と前記誘電体ストリップの他方の面に密着させて配置した第２の導体平板とで、前記誘電体ストリップを挟んで構成した誘電体導波路であって、使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴を前記第２の導体平板にほぼ周期的に配置したことを特徴とする誘電体導波路。
【請求項２】
誘電体ストリップの一方の面に密着させて配置した第１の導体平板と前記誘電体ストリップの他方の面との間に間隙を設けて配置した第２の導体平板とで、前記誘電体ストリップを挟んで構成した誘電体導波路であって、使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴を前記第２の導体平板にほぼ周期的に配置したことを特徴とする誘電体導波路。
【請求項３】
前記第１の導体平板と前記第２の導体平板の間の空間に、前記誘電体ストリップより低い誘電率の誘電体を前記誘電体ストリップの周囲に密着させて充填したことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の誘電体導波路。
【請求項４】
請求項３記載の誘電体導波路において、前記第１の導体平板と前記第２の導体平板の双方またはその一方に代えて、金属薄板を備えたことを特徴とする誘電体導波路。
【請求項５】
前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴の形状が円形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【請求項６】
前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴の形状が矩形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【請求項７】
前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴の形状がＨ字形であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の誘電体導波路において、前記第２の導体平板又は前記第２の導体平板に代えた金属薄板に代えて、前記誘電体ストリップに対向する一方の面に使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチがほぼ周期的に設けられ、他方の面に金属薄板が設けられ、前記金属パッチと前記金属薄板がスルーホールにより導通された誘電体基板を備えたことを特徴とする誘電体導波路。
【請求項９】
前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチの形状が円形であることを特徴とする請求項８記載の誘電体導波路。
【請求項１０】
前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチの形状が矩形であることを特徴とする請求項８記載の誘電体導波路。
【請求項１１】
前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチの形状がＨ字形であることを特徴とする請求項８記載の誘電体導波路。
【請求項１２】
前記誘電体ストリップの断面形状が矩形であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【請求項１３】
前記誘電体ストリップの断面形状が凸形で、その凸部側を前記第１の導体平板側または前記第１の導体平板に代えて設けられた金属薄板側に配置したことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【請求項１４】
前記誘電体ストリップと前記誘電体ストリップより低い誘電率の誘電体とを樹脂射出成形により一体で形成したことを特徴とする請求項３〜１３のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【請求項１５】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の誘電体導波路の二つを、互いの誘電体ストリップを対向させ、かつ、前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴がほぼ周期的に配置された面同士を対向させ、前記対向させた面同士を共通化して互いに共有させると共に前記共通化した面に前記互いの誘電体ストリップを電磁的に結合する結合孔を設け、２層に積層したことを特徴とする誘電体導波路。
【請求項１６】
前記誘電体ストリップの断面形状が凸形で、その凸部側を前記第１の導体平板側または前記第１の導体平板に代えて設けられた金属薄板側に配置したことを特徴とする請求項１５記載の誘電体導波路。
【請求項１７】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の誘電体導波路の三つを、その中の一つの誘電体導波路に対し、他の二つの誘電体導波路の一方は、互いの誘電体ストリップを対向させ、かつ、前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴がほぼ周期的に配置された面同士を対向させ、他の二つの誘電体導波路の他方は、互いの誘電体ストリップを対向させ、かつ、前記面と反対側の面同士を対向させ、前記対向させた面同士をそれぞれ共通化して互いに共有させると共に前記共通化した面それぞれに前記互いの誘電体ストリップを電磁的に結合する結合孔を設け、３層に積層したことを特徴とする誘電体導波路。
【請求項１８】
前記誘電体ストリップの断面形状が矩形であることを特徴とする請求項１５又は請求項１７記載の誘電体導波路。
【請求項１９】
前記結合孔の形状が矩形であることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【請求項２０】
前記誘電体ストリップと前記誘電体ストリップより低い誘電率の誘電体とを樹脂射出成形により一体で形成したことを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の誘電体導波路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、主としてマイクロ波帯およびミリ波帯で用いられる誘電体導波路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１１は、例えば、特開昭５８−２１５８０４号公報に示された非放射性誘電体線路を示す概略図であり、２枚の導電体平板６１および導電体平板６２の間に誘電体ストリップ６３が設けられた構成である。
このような従来の非放射性誘電体線路は、２枚の導電体平板６１、６２の間隔を電磁波の伝搬波長の半波長以下にして曲り部分などの不連続部分における放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。
【０００３】
【特許文献１】特開昭５８−２１５８０４号公報（第１図、第１０図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の非放射性誘電体線路では、その電磁界を図１２に示すように、遮断周波数を持たない平行平板導波路モードが存在するため、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造により平行平板導波路モードが発生および伝搬し、伝送損失の主要な原因となっていた。そのため、本誘電体線路を用いた回路は高精度な加工技術を必要とし、製作コストを下げる障害となっていた。
【０００５】
また、従来の非放射性誘電体線路では、導波路の不連続部における上下非対称構造によっても平行平板導波路モードが発生および伝搬し、伝送損失の主要な原因となっていた。そのため、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路はその構造が大きく制約され、複雑となっていた。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、低損失なLSM01モードを伝送モードとし、平行平板導波路モードを伝搬不能とする非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。
【０００７】
また、線路構造が小形な非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。更に、多層構造を可能とした非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る誘電体導波路においては、誘電体ストリップの一方の面に密着させて配置した第１の導体平板と前記誘電体ストリップの他方の面に密着させて配置した第２の導体平板とで、前記誘電体ストリップを挟んで構成した誘電体導波路であって、使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴を前記第２の導体平板にほぼ周期的に配置したものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明は、第２の導体平板に使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴をほぼ周期的に配置したので、その表面を電気的に磁気壁と等価な状態とし、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする。このため、伝送損失を低減でき、構造の対称性の制限が緩和されて設計の自由度を拡張でき、または、従来に比べ容積が半減されて小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００１１】
図において、誘電体導波路は、２枚の導体平板１および２を平行配置し、これら導体平板１および２の間に、断面が矩形であり、導体平板１および２に密着させて挿入された誘電体ストリップ３を備えている。また、導体平板１および２の間の誘電体ストリップ３以外の空間は、誘電体ストリップ３より誘電率が小さい空気層４で埋められている。更に、導体平板２には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴５が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴５の直径Ｄが使用周波数ｆの自由空間波長λに対してＤ＝1.841×λ／π（πは円周率）の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴５がカットオフ共振状態となり、導体平板２の表面が電気的に磁気壁と等価な状態となる。即ち、導体平板２の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、２枚の導体平板１および２の間では平行平板導波路モード（TM0モード）の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、２枚の導体平板１および２の間隔を自由空間波長λの１／４以下とすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
【００１２】
以上のように、実施の形態１の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、導体平板２の表面が電気的に磁気壁と等価な状態となるため、この発明の誘電体導波路では厚さを半分にでき、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減でき、小形化することができる。
【００１３】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００１４】
上記発明の実施の形態１では、導体平板２に同じ直径を有する複数個の円形開口穴５が周期的な間隔で配置されている誘電体導波路を示したが、図２に示すように、導体平板２に同形の複数個の矩形開口穴６が周期的な間隔で配置され、かつ、矩形開口穴６の長辺の長さＬが使用周波数ｆの自由空間波長λに対してＬ＝2×λの式をほぼ満たすように設定されていても同様な効果が得られる。
【００１５】
実施の形態３．
図３はこの発明の実施の形態３における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００１６】
上記発明の実施の形態１では、導体平板２に同じ直径を有する複数個の円形開口穴５が周期的な間隔で配置されている誘電体導波路を示したが、図３に示すように、導体平板２に同形の複数個のＨ字形開口穴７が周期的な間隔で配置され、かつ、使用周波数においてＨ字形開口穴７の狭隘部により形成される容量性成分と拡幅部周囲の導体縁部により形成される誘導性成分が共振状態となるようにＨ字形開口寸法が設定されていても同様な効果が得られる。
【００１７】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００１８】
図において、誘電体導波路は、２枚の誘電体平板８および９を並行配置し、これら誘電体平板８および９の間に、断面が矩形であり、誘電体平板８および９に密着させて挿入され、かつ、誘電体平板８および９より誘電率が大きい誘電体ストリップ３を備えている。また、誘電体平板８、９および誘電体ストリップ３の下面および上面には金属薄板１０および１１が装着されている。更に、金属薄板１１には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴１２が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴１２の直径Ｄが使用周波数ｆの自由空間波長λに対してＤ＝1.841×λ／π（πは円周率）の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴１２がカットオフ共振状態となり、金属薄板１１の表面が電気的に磁気壁と等価の状態となる。即ち、金属平板１１の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、誘電体平板８、９および誘電体ストリップ３の中では平行平板導波路モード（TM0モード）の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、２枚の誘電体平板８および９の高さｈを自由空間波長λと誘電体平板８および９の誘電率εに対しｈ＜λ／４／√εとすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
【００１９】
以上のように、実施の形態４の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減し、小形化することができる。また、誘電体ストリップ３と誘電体平板８および９とを樹脂射出整形により製作し、かつ、誘電体ストリップ３と誘電体平板８および９の上面および下面をメッキ処理することにより金属薄板１０および１１を製作することができるため、低価格で量産性に優れた誘電体導波路を実現することができる。
【００２０】
実施の形態５．
図５はこの発明の実施の形態５における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００２１】
図において、誘電体導波路は、上面中央に溝を有する導体平板１３と導体平板１４を平行配置し、これら導体平板１３および１４の間に、断面が凸形であり、導体平板１３の溝にその凸形断面の狭隘部側を密着させ、かつ、導体平板１４との間に間隙を設けて挿入された誘電体ストリップ１５を備えている。また、導体平板１３および１４の間の誘電体ストリップ１５以外の空間は、誘電体ストリップ１５より誘電率が小さい空気層１６で埋められている。更に、導体平板１４には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴１７が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴１７の直径Ｄが使用周波数ｆの自由空間波長λに対してＤ＝1.841×λ／π（πは円周率）の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴１７がカットオフ共振状態となり、導体平板１４の表面が電気的に磁気壁と等価な状態となる。即ち、導体平板１４の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、２枚の導体平板１３および１４の間では平行平板導波路モード（TM0モード）の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、溝部を除く導体平板１３と導体平板１４の間隔を自由空間波長λの１／４以下とすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
【００２２】
以上のように、実施の形態５の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、誘電体ストリップ１５の断面径を適切に設計すれば、不要モードであるLSE01モードの遮断周波数を基本伝送モードであるLSM01モードの遮断周波数より高く設定することが可能であり、LSM01モードを完全な単一伝送モードとすることができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造あるいは左右非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減し、小形化することができる。
【００２３】
実施の形態６．
図６はこの発明の実施の形態６における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００２４】
図において、誘電体導波路は、中央部に凹部を有する誘電体平板１８を配置し、この誘電体平板１８の凹部に、断面が凸形であり、その凸形断面の拡幅部側を密着させて挿入された誘電体平板１８より誘電率が大きい誘電体ストリップ１９を備えている。また、誘電体平板１８および誘電体ストリップ１９の下面および上面には金属薄板２０および２１が装着されている。更に、金属薄板２１には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴２２が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴２２の直径Ｄが使用周波数ｆの自由空間波長λに対してＤ＝1.841×λ／π（πは円周率）の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴２２がカットオフ共振状態となり、金属薄板２１の表面が電気的に磁気壁と等価の状態となる。即ち、金属薄板２１の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、誘電体平板１８および誘電体ストリップ１９の中では平行平板導波路モード（TM0モード）の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、２枚の誘電体平板１８の高さｈを自由空間波長λと誘電体平板１８の誘電率εに対しｈ＜λ／４／√εとすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
【００２５】
以上のように、実施の形態６の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、誘電体ストリップ１５の断面径を適切に設計すれば、不要モードであるLSE01モードの遮断周波数を基本伝送モードであるLSM01モードの遮断周波数より高く設定することが可能であり、LSM01モードを完全な単一伝送モードとすることができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造あるいは左右非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減し、小形化することができる。また、誘電体ストリップ１９と誘電体平板１８とを樹脂射出整形により製作し、かつ、誘電体平板１８の上面および誘電体ストリップ１９の凸側表面と誘電体平板１８の下面をメッキ処理することにより金属薄板２０および２１を製作することができるため、低価格で量産性に優れた誘電体導波路を実現することができる。
【００２６】
実施の形態７．
図７はこの発明の実施の形態７における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００２７】
上記発明の実施の形態１では、同じ直径を有する複数個の円形開口穴５が周期的な間隔で配置されている導体平板２が導体平板１に対し平行配置されている誘電体導波路を示したが、図７に示すように、下面に同一直径の複数の金属パッチ２３がほぼ周期的に配置され、かつ、上面に導体薄板２４が装着されている誘電体基板２５を誘電体ストリップ３の上面に配置し、かつ、金属パッチ２３と導体薄板２４が誘電体基板２５内に設けられたスルーホール３６により導通され、かつ、使用周波数において金属パッチ２３が共振状態となるように金属パッチ２３の寸法および誘電体基板２５厚み寸法ｔおよび誘電体基板の誘電率が設定されていても、実施の形態１と同様な効果が得られる。
【００２８】
実施の形態８．
図８はこの発明の実施の形態８における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
【００２９】
上記発明の実施の形態４では、誘電体平板８、９および誘電体ストリップ３の上面に同じ直径を有する複数個の円形開口穴１２が周期的な間隔で配置されている金属薄板１１が装着されている誘電体導波路を示したが、図に示すように、下面に同一直径の複数の金属パッチ２３がほぼ周期的に配置され、かつ、上面に導体薄板２４が装着されている誘電体基板２５を誘電体ストリップ３の上面に配置し、かつ、金属パッチ２３と導体薄板２４が誘電体基板２５内に設けられたスルーホール３６により導通され、かつ、使用周波数において金属パッチ２３が共振状態となるように金属パッチ２３の寸法および誘電体基板２５厚み寸法ｔおよび誘電体基板の誘電率が設定されていても、実施の形態４と同様な効果が得られる。
【００３０】
実施の形態９．
図９はこの発明の実施の形態９における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。この実施の形態９は２層構造の誘電体導波路であり、図９では２つの層間の構成を示すために、２つの層を分離して示す構成説明図としている。
【００３１】
上記発明の実施の形態４では、２枚の誘電体平板８および９を並行配置し、誘電体ストリップ３を誘電体平板８および９に密着させて挿入し、誘電体平板８、９および誘電体ストリップ３の下面および上面には金属薄板１０および１１を装着し、金属薄板１１には同じ直径を有する複数個の円形開口穴１２を周期的な間隔で配置した誘電体導波路を示したが、図に示すように、更に、金属薄板１１の上面に２枚の誘電体平板２６および２７を並行配置し、これら誘電体平板２６および２７の間に、かつ、金属薄板１１の上面に接して、断面が矩形であり、誘電体平板２６および２７に密着させて挿入され、かつ、誘電体平板２６および２７より誘電率が大きい誘電体ストリップ２８を備え、誘電体平板２６、２７および誘電体ストリップ２８の上面には金属薄板２９を装着し、金属薄板１１に誘電体ストリップ３と２８とを電磁結合させる結合孔３０を設ければ、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする誘電体導波路を基本伝送線路とし、かつ、優れた層間伝送（結合）特性を有する２層構造の誘電体導波路集積回路を実現することができる。
【００３２】
実施の形態１０．
図１０はこの発明の実施の形態１０における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。この実施の形態１０は３層構造の誘電体導波路であり、図１０では３つの層間の構成を示すために、３つの層を分離して示す構成説明図としている。
【００３３】
上記発明の実施の形態９では、２枚の誘電体平板８および９を並行配置し、誘電体ストリップ３を誘電体平板８および９に密着させて挿入し、誘電体平板８、９および誘電体ストリップ３の下面および上面には金属薄板１０および１１を装着し、金属薄板１１には同じ直径を有する複数個の円形開口穴１２を周期的な間隔で配置し、同じく金属薄板１１に結合孔３０を配置し、金属薄板１１の上面には２枚の誘電体平板２６および２７を並行配置し、誘電体ストリップ２８を誘電体平板２６および２７に密着させて挿入し、誘電体平板２６、２７および誘電体ストリップ２８の上面には金属薄板２９を装着した誘電体導波路を示したが、図に示すように、更に、金属薄板２９の上面に２枚の誘電体平板３１および３２を並行配置し、これら誘電体平板３１および３２の間に、かつ、金属薄板２９の上面に接して、断面が矩形であり、誘電体平板３１および３２に密着させて挿入され、かつ、誘電体平板３１および３２より誘電率が大きい誘電体ストリップ３３を備え、誘電体平板３１、３２および誘電体ストリップ３３の上面には同じ直径を有する複数個の円形開口穴３７を周期的な間隔で配置し金属薄板３４を装着し、金属薄板２９に誘電体ストリップ２８と３３とを電磁結合させる結合孔３５を設ければ、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする誘電体導波路を基本伝送線路とし、かつ、優れた層間伝送（結合）特性を有する３層構造の誘電体導波路集積回路を実現することができる。
【００３４】
なお、以上の実施の形態では、それぞれ一つの構成例を示して説明したが、これに限らず、誘電体導波路の構成要素である、導体平板、金属薄板、金属パッチを設けた誘電体基板の置き換え、誘電体ストリップの断面形状、開口穴の形状、結合孔の形状の変更、空気層のまま、あるいは誘電体ストリップより誘電率の小さい誘電体の充填、などの構成変更が可能なことは言うまでもなく、このような構成変更後も構成例と同様の効果が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の実施の形態１による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図２】この発明の実施の形態２による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図３】この発明の実施の形態３による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図４】この発明の実施の形態４による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図５】この発明の実施の形態５による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図６】この発明の実施の形態６による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図７】この発明の実施の形態７による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図８】この発明の実施の形態８による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図９】この発明の実施の形態９による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図１０】この発明の実施の形態１０による誘電体導波路の構成を示す構成説明図である。
【図１１】従来の非放射性誘電体線路の構成を示す構成説明図である。
【図１２】従来の非放射性誘電体線路の電磁界の構成を示す構成説明図である。
【符号の説明】
【００３６】
１、２、１３、１４  導体平板、３、１５、１９、２８、３３  誘電体ストリップ、４、１６  空気層、５、１２、１７、２２、３７  円形開口穴、６  矩形開口穴、７  Ｈ字形開口穴、８、９、１８、２６、２７、３１、３２  誘電体平板、１０、１１、２０、２１、２９、３４  金属薄板、２３  金属パッチ、２４  導体薄板、２５  誘電体基板、３０、３５  結合孔、３６  スルーホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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