(57)【要約】    【課題】  簡素な構成でポリマーの付着量の制御を容易に行うことができるプラズマ処理室を提供する。    【解決手段】  プラズマ処理室１０は容器１１の内周面を覆う円筒状の側壁部材４５を有し、電位制御装置４６は、昇降して側壁部材４５と接触し、または側壁部材４５と非接触となる、接地された導通部材４７を有し、ＲＩＥ処理では、導通部材４７を下降させて側壁部材４５と接触させることにより、側壁部材４５の電位を接地電位に設定し、アッシング処理では、導通部材４７を上昇させて側壁部材４５と非接触にすることによって、側壁部材４５の電位を浮遊電位に設定する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室において、
前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品と、
該処理室構成部品の電位を、前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位制御装置とを備えることを特徴とするプラズマ処理室。
【請求項２】
前記少なくとも２種類のプラズマ処理は、前記処理室構成部品に付着物が付着するデポプロセス及び前記処理室構成部品に付着物が付着しないデポレスプロセスであり、前記電位制御装置は、デポプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を接地電位に設定し、デポレスプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を浮遊電位に設定することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理室。
【請求項３】
前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、前記電位制御装置は電気的に接地された構成部品接触部材を有し、該構成部品接触部材は前記処理室構成部品と接触自在であることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理室。
【請求項４】
前記処理室構成部品は凹状穴を有し、前記構成部品接触部材は前記凹状穴と嵌合自在な凸状部を有することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理室。
【請求項５】
前記凹状穴は狭小部を有し、該狭小部及び前記凸状部の少なくとも１つは弾性部材からなることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理室。
【請求項６】
前記容器は円筒形状を呈し、前記処理室構成部品は前記容器の内周面を覆う円筒状部材であり、複数の前記凹状穴が前記円筒状部材の円周に沿って配置され、複数の前記構成部品接触部材の凸状部が前記複数の凹状穴のそれぞれと自在に嵌合することを特徴とする請求項４又は５記載のプラズマ処理室。
【請求項７】
前記容器は円筒形状を呈し、前記処理室構成部品は前記容器の内周面を覆う円筒状部材であり、前記円筒状部材は端部において該円筒状部材の円周に沿って形成された溝を有し、前記構成部品接触部材は網状形状を呈し、前記溝と嵌合自在であることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理室。
【請求項８】
前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、前記電位制御装置は、前記処理室構成部品を接地する接地線と、該接地線の途中に配置され且つ前記接地線の切断及び接続を切り替える切り替え装置とを有することを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理室。
【請求項９】
前記電位制御装置は、前記接地線の途中に配置された可変インピーダンス素子を有することを特徴とする請求項８記載のプラズマ処理室。
【請求項１０】
前記可変インピーダンス素子は、前記処理室構成部品に付着する付着物の量に応じてインピーダンスを変更することを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理室。
【請求項１１】
前記可変インピーダンス素子は、前記高周波電源の周波数に同期してインピーダンスを変更することを特徴とする請求項９又は１０記載のプラズマ処理室。
【請求項１２】
前記可変インピーダンス素子は、可変インダクタンス又は可変コンデンサであることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理室。
【請求項１３】
基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位を、前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて浮遊電位と接地電位のいずれかに設定することを特徴とする電位制御装置。
【請求項１４】
前記少なくとも２種類のプラズマ処理は、前記処理室構成部品に付着物が付着するデポプロセス及び前記処理室構成部品に付着物が付着しないデポレスプロセスであり、デポプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を接地電位に設定し、デポレスプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を浮遊電位に設定することを特徴とする請求項１３記載の電位制御装置。
【請求項１５】
前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、電気的に接地された構成部品接触部材を有し、該構成部品接触部材は前記処理室構成部品と接触自在であることを特徴とする請求項１３又は１４記載の電位制御装置。
【請求項１６】
前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、前記処理室構成部品を接地する接地線と、該接地線の途中に配置され且つ前記接地線の切断及び接続を切り替える切り替え装置とを有することを特徴とする請求項１３又は１４記載の電位制御装置。
【請求項１７】
基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位制御方法であって、
前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて、前記処理室構成部品の電位を浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位設定ステップを有することを特徴とする電位制御方法。
【請求項１８】
前記少なくとも２種類のプラズマ処理は、前記処理室構成部品に付着物が付着するデポプロセス及び前記処理室構成部品に付着物が付着しないデポレスプロセスであり、前記電位設定ステップは、デポプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を接地電位に設定し、デポレスプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を浮遊電位に設定することを特徴とする請求項１７記載の電位制御方法。
【請求項１９】
基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位制御方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて、前記処理室構成部品の電位を浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位設定モジュールを有することを特徴とするプログラム。
【請求項２０】
基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位制御方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて、前記処理室構成部品の電位を浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位設定モジュールを有することを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理室、電位制御装置、電位制御方法、プログラム及び記憶媒体に関し、特に、プラズマに暴露される構成部品を有するプラズマ処理室に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、円筒状の容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備えるプラズマ処理室が知られている。このプラズマ処理室では、容器内には処理ガスが導入され、電極は容器内の空間に高周波電力を印加する。また、基板としての半導体ウエハを容器内に収容したときに、導入された処理ガスを高周波電力によってプラズマにし、イオン等を発生させ、該イオン等によって半導体ウエハにプラズマ処理、例えば、エッチング処理を施す。
【０００３】
上述したプラズマ処理室において、処理ガスとして反応性ガス、例えば、Ｃ４Ｆ８ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスとの混合ガスを用いた場合、該反応性ガスから生じた中性の活性種（ラジカル）が容器の側部内壁（以下、単に「側壁」という。）にポリマーとして付着する。ポリマーの付着量が多すぎる場合、半導体ウエハにプラズマ処理を施すときに、該ポリマーが側壁より剥離して半導体ウエハの表面にデポとして付着することがあるため、側壁に付着したポリマーを除去する必要がある。
【０００４】
側壁に付着したポリマーは、処理ガスがプラズマとなったときに発生する陽イオンを側壁に衝突させて除去するのが好ましく、陽イオンの側壁への衝突数は側壁の電位（ポテンシャル）によって左右される。具体的には、側壁の電位が低く、側壁と処理ガスがプラズマとなる空間との電位差が大きいとき、陽イオンの側壁への衝突数が増加し、ポリマーの付着量は減少する。
【０００５】
ところが、側壁の電位は電極及び側壁の形状に左右されるアノード／カソード比や、半導体ウエハに対する所望のプラズマ処理の結果を得るために設定される高周波電力の大きさによって決定されるため、側壁の電位を制御するのは困難である。したがって、ポリマーの除去の制御は容易ではなく、側壁にポリマーが付着して半導体ウエハの表面にデポが付着し易いデポプロセスを繰り返し行えば、ポリマーの付着量が過大となるため、側壁のクリーニング頻度を上げる必要があり、その結果、プラズマ処理室の稼働率が低下する。
【０００６】
そこで、近年、積極的に側壁の電位を制御して側壁のポリマーを除去する処理室、例えば、稼働時間が所定値に達すると、側壁を接地又は高周波電源に選択的に接続し、側壁に付着したポリマーを除去する際には、側壁を高周波電源と接続して側壁の電位を負電位にし、これにより、陽イオンを側壁に衝突させて側壁のポリマーを除去する処理室が開発されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１−２３１３２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に係る処理室は、電極用の高周波電源の他に、側壁用の高周波電源、すなわち、電極以外の処理室構成部品用の高周波電源を必要とするため、処理室の構成が複雑になるという問題がある。
【０００８】
また、特許文献１に係る処理室は、稼働時間が所定値に達したときに、側壁を高周波電源と接続して側壁のポリマーを除去するのみであるため、ポリマーの付着量の制御が困難であり、その結果、１つのプラズマ処理室において、上記デポプロセスと、処理ガスとしてＯ２ガスを用いるような、中性の活性種が生じず、側壁にポリマーが付着することがなく、半導体ウエハの表面にデポが付着しないデポレスプロセスとを繰り返し行う場合、側壁のポリマーが完全に除去されていれば、陽イオンがポリマーでなく側壁に直接衝突して側壁が消耗し、その結果、プラズマ処理室の稼働率が低下するという問題もある。
【０００９】
本発明の目的は、簡素な構成でポリマーの付着量の制御を容易に行うことができるプラズマ処理室、電位制御装置、電位制御方法、プログラム及び記憶媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１記載のプラズマ処理室は、基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室において、前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品と、該処理室構成部品の電位を、前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位制御装置とを備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項２記載のプラズマ処理室は、請求項１記載のプラズマ処理室において、前記少なくとも２種類のプラズマ処理は、前記処理室構成部品に付着物が付着するデポプロセス及び前記処理室構成部品に付着物が付着しないデポレスプロセスであり、前記電位制御装置は、デポプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を接地電位に設定し、デポレスプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を浮遊電位に設定することを特徴とする。
【００１２】
請求項３記載のプラズマ処理室は、請求項１又は２記載のプラズマ処理室において、前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、前記電位制御装置は電気的に接地された構成部品接触部材を有し、該構成部品接触部材は前記処理室構成部品と接触自在であることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載のプラズマ処理室は、請求項３記載のプラズマ処理室において、前記処理室構成部品は凹状穴を有し、前記構成部品接触部材は前記凹状穴と嵌合自在な凸状部を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項５記載のプラズマ処理室は、請求項４記載のプラズマ処理室において、前記凹状穴は狭小部を有し、該狭小部及び前記凸状部の少なくとも１つは弾性部材からなることを特徴とする。
【００１５】
請求項６記載のプラズマ処理室は、請求項４又は５記載のプラズマ処理室において、前記容器は円筒形状を呈し、前記処理室構成部品は前記容器の内周面を覆う円筒状部材であり、複数の前記凹状穴が前記円筒状部材の円周に沿って配置され、複数の前記構成部品接触部材の凸状部が前記複数の凹状穴のそれぞれと自在に嵌合することを特徴とする。
【００１６】
請求項７記載のプラズマ処理室は、請求項３記載のプラズマ処理室において、前記容器は円筒形状を呈し、前記処理室構成部品は前記容器の内周面を覆う円筒状部材であり、前記円筒状部材は端部において該円筒状部材の円周に沿って形成された溝を有し、前記構成部品接触部材は網状形状を呈し、前記溝と嵌合自在であることを特徴とする。
【００１７】
請求項８記載のプラズマ処理室は、請求項１又は２記載のプラズマ処理室において、前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、前記電位制御装置は、前記処理室構成部品を接地する接地線と、該接地線の途中に配置され且つ前記接地線の切断及び接続を切り替える切り替え装置とを有することを特徴とする。
【００１８】
請求項９記載のプラズマ処理室は、請求項８記載のプラズマ処理室において、前記電位制御装置は、前記接地線の途中に配置された可変インピーダンス素子を有することを特徴とする。
【００１９】
請求項１０記載のプラズマ処理室は、請求項９記載のプラズマ処理室において、前記可変インピーダンス素子は、前記処理室構成部品に付着する付着物の量に応じてインピーダンスを変更することを特徴とする。
【００２０】
請求項１１記載のプラズマ処理室は、請求項９又は１０記載のプラズマ処理室において、前記可変インピーダンス素子は、前記高周波電源の周波数に同期してインピーダンスを変更することを特徴とする。
【００２１】
請求項１２記載のプラズマ処理室は、請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理室において、前記可変インピーダンス素子は、可変インダクタンス又は可変コンデンサであることを特徴とする。
【００２２】
上記目的を達成するために、請求項１３記載の電位制御装置は、基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位を、前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて浮遊電位と接地電位のいずれかに設定することを特徴とする。
【００２３】
請求項１４記載の電位制御装置は、請求項１３記載の電位制御装置において、前記少なくとも２種類のプラズマ処理は、前記処理室構成部品に付着物が付着するデポプロセス及び前記処理室構成部品に付着物が付着しないデポレスプロセスであり、デポプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を接地電位に設定し、デポレスプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を浮遊電位に設定することを特徴とする。
【００２４】
請求項１５記載の電位制御装置は、請求項１３又は１４記載の電位制御装置において、前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、電気的に接地された構成部品接触部材を有し、該構成部品接触部材は前記処理室構成部品と接触自在であることを特徴とする。
【００２５】
請求項１６記載の電位制御装置は、請求項１３又は１４記載の電位制御装置において、前記処理室構成部品は電気的に浮遊し、前記処理室構成部品を接地する接地線と、該接地線の途中に配置され且つ前記接地線の切断及び接続を切り替える切り替え装置とを有することを特徴とする。
【００２６】
上記目的を達成するために、請求項１７記載の電位制御方法は、基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位制御方法であって、前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて、前記処理室構成部品の電位を浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位設定ステップを有することを特徴とする。
【００２７】
請求項１８記載の電位制御方法は、請求項１７記載の電位制御方法において、前記少なくとも２種類のプラズマ処理は、前記処理室構成部品に付着物が付着するデポプロセス及び前記処理室構成部品に付着物が付着しないデポレスプロセスであり、前記電位設定ステップは、デポプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を接地電位に設定し、デポレスプロセスにおいて前記処理室構成部品の電位を浮遊電位に設定することを特徴とする。
【００２８】
上記目的を達成するために、請求項１９記載のプログラムは、基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位制御方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて、前記処理室構成部品の電位を浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位設定モジュールを有することを特徴とする。
【００２９】
上記目的を達成するために、請求項２０記載の記憶媒体は、基板を収容する容器と、該容器内に配置され且つ高周波電源に接続された電極とを備え、前記容器内に導入された処理ガスをプラズマにして少なくとも２種類のプラズマ処理を前記基板に施すことが可能なプラズマ処理室の前記容器内に配置され且つ前記プラズマに暴露される処理室構成部品の電位制御方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、前記少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて、前記処理室構成部品の電位を浮遊電位と接地電位のいずれかに設定する電位設定モジュールを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
請求項１記載のプラズマ処理室、請求項１３記載の電位制御装置、請求項１７記載の電位制御方法、請求項１９記載のプログラム及び請求項２０記載の記憶媒体によれば、容器内に配置され且つプラズマに暴露される処理室構成部品の電位が、少なくとも２種類のプラズマ処理のそれぞれに応じて浮遊電位と接地電位のいずれかに設定されるので、処理室構成部品用の高周波電源が不要となると共に、処理室構成部品への付着物の付着量の制御を各プラズマ処理に応じて行うことができ、もって、簡素な構成で付着物の付着量の制御を容易に行うことができる。
【００３１】
請求項２記載のプラズマ処理室、請求項１４記載の電位制御装置及び請求項１８記載の電位制御方法によれば、少なくとも２種類のプラズマ処理は、処理室構成部品に付着物が付着するデポプロセス及び処理室構成部品に付着物が付着しないデポレスプロセスであり、デポプロセスにおいて処理室構成部品の電位が接地電位に設定され、デポレスプロセスにおいて処理室構成部品の電位が浮遊電位に設定されるので、デポプロセスにおいて処理室構成部品へ付着物が過剰に付着するのを防止できると共に、デポレスプロセスにおいて処理室構成部品が消耗するのを防止でき、もって、プラズマ処理室の稼働率が低下するのを防止することができる。
【００３２】
請求項３記載のプラズマ処理室及び請求項１５記載の電位制御装置によれば、処理室構成部品は電気的に浮遊し、電気的に接地された構成部品接触部材は、処理室構成部品と接触自在であるので、処理室構成部品の電位の浮遊電位又は接地電位への切り替えを確実に行うことができる。
【００３３】
請求項４記載のプラズマ処理室によれば、処理室構成部品は凹状穴を有し、構成部品接触部材は凹状穴と嵌合自在な凸状部を有するので、簡素な構造で処理室構成部品の電位の浮遊電位又は接地電位への切り替えを行うことができる。
【００３４】
請求項５記載のプラズマ処理室によれば、処理室構成部品の凹状穴は狭小部を有し、該狭小部及び構成部品接触部材の凸状部の少なくとも１つは弾性部材からなるので、処理室構成部品及び構成部品接触部材の接触を確実に行うことができる。
【００３５】
請求項６記載のプラズマ処理室によれば、容器は円筒形状を呈し、処理室構成部品は容器の内周面を覆う円筒状部材であり、複数の凹状穴が円筒状部材の円周に沿って配置され、複数の構成部品接触部材の凸状部が複数の凹状穴のそれぞれと自在に嵌合するので、処理室構成部品及び構成部品接触部材が接触したときに、処理室構成部品における電位の偏在の発生を防止することができ、付着物の付着量を均一に制御することができる。
【００３６】
請求項７記載のプラズマ処理室によれば、容器は円筒形状を呈し、処理室構成部品は容器の内周面を覆う円筒状部材であり、円筒状部材は端部において該円筒状部材の円周に沿って形成された溝を有し、構成部品接触部材は網状形状を呈し、溝と嵌合自在であるので、処理室構成部品及び構成部品接触部材が接触したときに、処理室構成部品における電位の偏在の発生を確実に防止することができ、付着物の付着量をより均一に制御することができる。
【００３７】
請求項８記載のプラズマ処理室及び請求項１６記載の電位制御装置によれば、処理室構成部品は電気的に浮遊し、電位制御装置は、処理室構成部品を接地する接地線と、該接地線の途中に配置され且つ接地線の切断及び接続を切り替える切り替え装置とを有するので、簡素な構造で処理室構成部品の電位の浮遊電位又は接地電位への切り替えを行うことができる。
【００３８】
請求項９記載のプラズマ処理室によれば、電位制御装置は、接地線の途中に配置された可変インピーダンス素子を有するので、処理室構成部品の電位の変化速度を制御することができ、もって、付着物の付着量をより細かく制御することができる。
【００３９】
請求項１０記載のプラズマ処理室によれば、可変インピーダンス素子は、処理室構成部品に付着する付着物の量に応じてインピーダンスを変更するので、付着物の量に応じて処理室構成部品の電位を制御することができ、もって、付着物の付着量をさらに細かく制御することができる。
【００４０】
請求項１１記載のプラズマ処理室によれば、可変インピーダンス素子は、高周波電源の周波数に同期してインピーダンスを変更するので、プラズマ処理中の付着物の付着量の変動を抑制することができる。
【００４１】
請求項１２記載のプラズマ処理室によれば、可変インピーダンス素子は、可変インダクタンス又は可変コンデンサであるので、より簡素な構成で付着物の付着量をさらに細かく制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４３】
まず、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理室について説明する。
【００４４】
図１は、本実施の形態に係るプラズマ処理室の概略構成を示す断面図である。このプラズマ処理室は基板としての半導体ウエハＷにＲＩＥ（Reactive Ion Etching）処理やアッシング処理を施すように構成されている。
【００４５】
図１において、プラズマ処理室１０は円筒形状の容器１１を有し、該容器１１内には、例えば、直径が３００ｍｍの半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）を載置する載置台としての円柱状のサセプタ１２が配置されている。
【００４６】
プラズマ処理室１０では、容器１１の内側壁とサセプタ１２の側面とによって、サセプタ１２上方の気体分子を容器１１の外へ排出する流路として機能する排気路１３が形成される。この排気路１３の途中にはプラズマの漏洩を防止する環状のバッフル板１４が配置される。また、排気路１３におけるバッフル板１４より下流の空間は、サセプタ１２の下方へ回り込み、可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（Automatic Pressure Control Valve）（以下、「ＡＰＣバルブ」という。）１５に連通する。ＡＰＣバルブ１５は、アイソレータ（Isolator）１６を介して真空引き用の排気ポンプであるターボ分子ポンプ（Turbo Molecular Pump）（以下、「ＴＭＰ」という。）１７に接続され、ＴＭＰ１７は、バルブＶ１を介して排気ポンプであるドライポンプ（以下、「ＤＰ」という。）１８に接続されている。ＡＰＣバルブ１５、アイソレータ１６、ＴＭＰ１７、バルブＶ１及びＤＰ１８によって構成される排気流路（以下、「本排気ライン」という。）は、ＡＰＣバルブ１５によって容器１１内の圧力制御を行い、さらにＴＭＰ１７及びＤＰ１８によって容器１１内をほぼ真空状態になるまで減圧する。
【００４７】
また、配管１９がアイソレータ１６及びＴＭＰ１７の間からバルブＶ２を介してＤＰ１８に接続されている。配管１９及びバルブＶ２（以下、「バイパスライン」という。）は、ＴＭＰ１７をバイパスして、ＤＰ１８によって容器１１内を粗引きする。
【００４８】
サセプタ１２には下部電極用の高周波電源２０が給電棒２１及び整合器（Matcher）２２を介して接続されており、該下部電極用の高周波電源２０は、所定の高周波電力をサセプタ１２に供給する。これにより、サセプタ１２は下部電極として機能する。また、整合器２２は、サセプタ１２からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ１２への供給効率を最大にする。
【００４９】
サセプタ１２の内部上方には、導電膜からなる円板状のＥＳＣ電極板２３が配置されている。ＥＳＣ電極板２３には直流電源２４が電気的に接続されている。ウエハＷは、直流電源２４からＥＳＣ電極板２３に印加された直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってサセプタ１２の上面に吸着保持される。また、サセプタ１２の上方には、サセプタ１２の上面に吸着保持されたウエハＷの周りを囲うように円環状のフォーカスリング２５が配設される。このフォーカスリング２５は、後述する空間Ｓに露出し、該空間ＳにおいてプラズマをウエハＷの表面に向けて収束し、ＲＩＥ処理やアッシング処理の効率を向上させる。
【００５０】
また、サセプタ１２の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室２６が設けられる。この冷媒室２６には、チラーユニット（図示せず）から冷媒用配管２７を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によってサセプタ１２上面に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。
【００５１】
サセプタ１２の上面のウエハＷが吸着保持される部分（以下、「吸着面」という。）には、複数の伝熱ガス供給孔２８が開口している。
【００５２】
これら複数の周縁伝熱ガス供給孔２８は、サセプタ１２内部に配置された伝熱ガス供給ライン３０を介して伝熱ガス供給部３２に接続され、該伝熱ガス供給部３２は伝熱ガスとしてのヘリウムガスを、伝熱ガス供給孔２８を介して吸着面及びウエハＷの裏面の間隙に供給する。
【００５３】
また、サセプタ１２の吸着面には、サセプタ１２の上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン３３が配置されている。これらのプッシャーピン３３は、モータ（図示せず）とボールねじ（図示せず）を介して接続され、ボールねじによって直線運動に変換されたモータの回転運動に起因して吸着面から自在に突出する。ウエハＷにＲＩＥ処理やアッシング処理を施すためにウエハＷを吸着面に吸着保持するときには、プッシャーピン３３はサセプタ１２に収容され、ＲＩＥ処理やアッシング処理が施されたウエハＷを容器１１から搬出するときには、プッシャーピン３３はサセプタ１２の上面から突出してウエハＷをサセプタ１２から離間させて上方へ持ち上げる。
【００５４】
容器１１の天井部には、サセプタ１２と対向するようにガス導入シャワーヘッド３４が配置されている。ガス導入シャワーヘッド３４には整合器３５を介して上部電極用の高周波電源３６が接続されており、上部電極用の高周波電源３６は所定の高周波電力をガス導入シャワーヘッド３４に供給するので、ガス導入シャワーヘッド３４は上部電極として機能する。なお、整合器３５の機能は上述した整合器２２の機能と同じである。
【００５５】
ガス導入シャワーヘッド３４は、多数のガス穴３７を有する天井電極板３８と、該天井電極板３８を着脱可能に支持する電極支持体３９とを有する。また、該電極支持体３９の内部にはバッファ室４０が設けられ、このバッファ室４０には処理ガス供給部（図示せず）からの処理ガス導入管４１が接続されている。この処理ガス導入管４１の途中には配管インシュレータ４２が配置されている。この配管インシュレータ４２は絶縁体からなり、ガス導入シャワーヘッド３４へ供給された高周波電力が処理ガス導入管４１によって処理ガス供給部へリークするのを防止する。ガス導入シャワーヘッド３４は、処理ガス導入管４１からバッファ室４０へ供給された処理ガスをガス穴３７を経由して容器１１内へ供給する。
【００５６】
また、容器１１の側壁には、プッシャーピン３３によってサセプタ１２から上方へ持ち上げられたウエハＷの高さに対応する位置にウエハＷの搬出入口４３が設けられ、搬出入口４３には、該搬出入口４３を開閉するゲートバルブ４４が取り付けられている。
【００５７】
このプラズマ処理室１０の容器１１内では、上述したように、サセプタ１２及びガス導入シャワーヘッド３４に高周波電力を供給して、サセプタ１２及びガス導入シャワーヘッド３４の間の空間Ｓに高周波電力を印加することにより、該空間Ｓにおいてガス導入シャワーヘッド３４から供給された処理ガスから高密度のプラズマを発生させ、該プラズマによってウエハＷにＲＩＥ処理やアッシング処理を施す。
【００５８】
具体的には、このプラズマ処理室１０では、ウエハＷにＲＩＥ処理やアッシング処理を施す際、先ずゲートバルブ４４を開弁し、加工対象のウエハＷを容器１１内に搬入し、さらに、直流電圧をＥＳＣ電極板２３に印加することにより、搬入されたウエハＷをサセプタ１２の吸着面に吸着保持する。また、ガス導入シャワーヘッド３４より処理ガスを所定の流量および流量比で容器１１内に供給すると共に、ＡＰＣバルブ１５等により容器１１内の圧力を所定値に制御する。さらに、サセプタ１２及びガス導入シャワーヘッド３４により容器１１内の空間Ｓに高周波電力を印加する。これにより、ガス導入シャワーヘッド３４より導入された処理ガスを空間Ｓにおいてプラズマにし、該プラズマをフォーカスリング２５によってウエハＷの表面に収束し、ウエハＷの表面を物理的又は化学的にエッチングする。
【００５９】
なお、上述したプラズマ処理室１０の各構成部品の動作は、プラズマ処理室１０が備える制御部（図示しない）のＣＰＵがＲＩＥ処理やアッシング処理に対応するプログラムに応じて制御する。
【００６０】
また、プラズマ処理室１０は、円筒形状の容器１１の内周面を覆う円筒状の側壁部材４５（処理室構成部品）を有する。この側壁部材４５は容器１１の内周面を覆うので、空間Ｓと対向し、空間Ｓにおいて発生するプラズマに暴露される。また、側壁部材４５はアルミニウムからなり、空間Ｓに対向する面はアルマイトでコーティングされている。側壁部材４５は電気的に浮遊（フローティング）し、サセプタ１２及び側壁部材４５の形状に左右されるアノード／カソード比や、ウエハＷに対する所望のＲＩＥ処理やアッシング処理の結果を得るために設定される、プロセスパラメータとしての高周波電力の大きさに応じて電位が側壁部材４５に発生するが、該発生した電位は以下に説明する電位制御装置４６によって制御される。
【００６１】
電位制御装置４６は、丸棒状の導通部材４７（構成部品接触部材）と、図中上下方向に延設されたガイド棒４８を有し、電気的に接地される基部４９と、該導通部材４７を保持すると共に、ガイド棒４８に沿って昇降して導通部材４７を昇降させる昇降部５０とを有する。導通部材４７、基部４９及び昇降部５０は導体からなるので、導通部材４７は基部４９及び昇降部５０を介して電気的に接地される。
【００６２】
図２は、図１における導通部材及び側壁部材の接触・非接触を説明するための図である。
【００６３】
図２において、円筒状である側壁部材４５は、図中上方の円周状の端部５１において、該端部５１の円周に沿って配置された複数の凹状の導通部材収容穴５２を有し、各導通部材収容穴５２に対向するように、複数の導通部材４７が図中上下方向に沿って配置されている。
【００６４】
導通部材収容穴５２の直径は導通部材４７の直径より僅かに大きく、図３（Ａ）に示すように、導通部材収容穴５２は端部５１より所定の距離だけ図中下方に下がった場所において狭小部５２ａを有する。狭小部５２ａの直径は導通部材４７の直径より小さい。また、狭小部５２ａ及び導通部材４７の少なくとも１つは弾性部材、例えば、アルミニウムや銅からなる。したがって、昇降部５０が導通部材４７の先端（凸状部）を狭小部５２ａまで下降させたとき、図３（Ｂ）に示すように、導通部材４７の先端及び狭小部５２ａは嵌合し、これにより、導通部材４７及び側壁部材４５は接触し、側壁部材４５は電位制御装置４６を介して電気的に接地される。また、昇降部５０が導通部材４７を狭小部５２ａより上方に上昇させたとき、導通部材４７と狭小部５２ａは接触することがないので、導通部材４７及び側壁部材４５は非接触となり、側壁部材４５は電気的に浮遊する。すなわち、複数の導通部材４７の先端は複数の導通部材収容穴５２のそれぞれと自在に嵌合する。
【００６５】
ところで、本発明者は本発明に先立って、上述した電位制御装置４６を備えない従来のプラズマ処理室において、プラズマに暴露される構成部品に付着するポリマー等の付着物（以下、「デポ」という。）の付着速度（以下、「デポレート」という。）や、各構成部品とプラズマが発生する空間との電位差を測定し、その結果を図４及び図５に示すグラフに纏めたところ、以下の知見を得た。
【００６６】
図４において、電気的に浮遊している構成部品（以下、「フローティングパーツ」という。）のデポレート（図４（Ａ））は、電気的に接地している構成部品（以下、「グラウンドパーツ」という。）のデポレート（図４（Ｂ））より大きく、フローティングパーツはグラウンドパーツよりデポが付着しやすいことが分かった。これは、図５に示すように、グラウンドパーツの電位差がフローティングパーツの電位差よりも大きいため、処理ガスがプラズマとなったときに発生するイオンが、グラウンドパーツにフローティングパーツより多く衝突し、その結果、付着したデポがイオンによるエッチングによって除去されたためと推察された。
【００６７】
また、図４において、上部電極の高周波電力を２２００Ｗに固定し、下部電極の高周波電力を０／１０００／３８００Ｗの３水準に設定したところ、フローティングパーツでは下部電極の高周波電力が大きくなるほどデポが付着しやすく、グラウンドパーツでは下部電極の高周波電力が大きくなるほどデポが付着しにくいことが分かった。特に、グラウンドパーツでは、下部電極の高周波電力を大きくすることによってデポレートをほぼ０にすることができるのが分かった。すなわち、構成部品用の高周波電源を用いることなく、構成部品の電位を接地電位にすることによって構成部品に付着するデポを殆ど除去できることが分かった。
【００６８】
これら得られた知見に基づいて、本発明では、構成部品にデポが付着するデポプロセスにおいて構成部品からデポを除去するときは、構成部品の電位を接地電位に設定し、構成部品にデポが付着しないデポレスプロセスにおいて構成部品からデポを除去しないときは、構成部品の電位を浮遊電位に設定する。
【００６９】
以下、プラズマ処理室１０において実行される電位制御方法について説明する。ここで、プラズマ処理室１０では、ＲＩＥ処理とアッシング処理の２種類の処理が行われる。また、この電位制御方法は、該方法に対応するプログラムに応じて制御部のＣＰＵが実行する。
【００７０】
まず、ＲＩＥ処理では、ウエハＷのＳｉＯ２層上に形成され、該ＳｉＯ２層の一部を所定の配線パターンに従って空間Ｓに暴露させるレジスト膜に向けて、処理ガスをプラズマにして発生させたイオンを引き込む。引き込まれたイオンは空間Ｓに暴露されたＳｉＯ２層に衝突し、該ＳｉＯ２層を所定の配線パターンに従ってエッチングする。
【００７１】
ＲＩＥ処理では、処理ガスとしてＣ４Ｆ８ガスとアルゴンガスの混合ガスが用いられるが、この混合ガスはプラズマとなったとき、多量の中性の活性種を発生し、該活性種はデポとして側壁部材４５に付着するため、ＲＩＥ処理はデポプロセスである。このＲＩＥ処理において、電位制御装置４６は、昇降部５０によって導通部材４７を下降させて導通部材４７と側壁部材４５とを接触させることにより、側壁部材４５の電位を接地電位に設定し、側壁部材４５に付着したデポをイオンによるエッチングによって除去する。
【００７２】
続くアッシング処理では、処理ガスをプラズマにして発生させたイオンをウエハＷに引き込むことにより、ウエハＷ上のレジスト膜を除去する。レジスト膜は有機系であるため、処理ガスとしてＯ２ガスを用いる。Ｏ２ガスは上述したような中性の活性種を生じることがなく、デポが側壁部材４５の表面に付着することはないため、アッシング処理はデポレスプロセスである。
【００７３】
上述したＲＩＥ処理において側壁部材４５からデポが殆ど除去されていると、Ｏ２ガスがプラズマとなったときに生じるイオンが側壁部材４５に付着したデポを除去し、該デポが除去された後には、側壁部材４５が露出し、該露出した側壁部材４５をイオンがエッチングして消耗させることがある。これに対応して、アッシング処理において、電位制御装置４６は、昇降部５０によって導通部材４７を上昇させて導通部材４７と側壁部材４５とを非接触にし、側壁部材４５の電位を浮遊電位に設定し、側壁部材４５に付着したデポを除去しない。これにより、側壁部材４５が露出するのを防止する。
【００７４】
本実施の形態に係るプラズマ処理室及び電位制御方法によれば、容器１１内に配置され且つプラズマに暴露される側壁部材４５の電位が、ＲＩＥ処理では接地電位に設定され、アッシング処理では浮遊電位に設定されるので、側壁部材４５用の高周波電源を用いることなく、側壁部材４５に付着するデポを殆ど除去できる。したがって、簡素な構成でデポの付着量の制御を容易に行うことができる。また、デポプロセスであるＲＩＥ処理において側壁部材４５へデポが過剰に付着するのを防止できると共に、デポレスプロセスであるアッシング処理において側壁部材４５が消耗するのを防止でき、側壁部材４５のクリーニング頻度を低下させると共に、側壁部材４５の消耗を防止してプラズマ処理室１０の稼働率が低下するのを防止することができる。
【００７５】
また、側壁部材４５へのデポの付着量の制御を的確に行うことが容易となり、アッシング処理中における側壁部材４５からのデポの剥離を抑制することができ、剥離したデポに起因するメモリー効果の発生を防止することができる。
【００７６】
上述した本実施の形態に係るプラズマ処理室によれば、側壁部材４５は電気的に浮遊し、電気的に接地された導通部材４７は、側壁部材４５と接触自在であるので、側壁部材４５の電位の浮遊電位又は接地電位への切り替えを確実に行うことができる。
【００７７】
また、上述した本実施の形態に係るプラズマ処理室によれば、円筒状である側壁部材４５は、凹状の導通部材収容穴５２を有し、導通部材４７は導通部材収容穴５２と嵌合自在な丸棒状の部材であり、側壁部材４５の導通部材収容穴５２は狭小部５２ａを有し、該狭小部５２ａ及び導通部材４７の少なくとも１つは弾性部材からなるので、導通部材４７の先端を狭小部５２ａと嵌合させ、または、導通部材４７を狭小部５２ａから脱離させることによって側壁部材４５の電位を浮遊電位又は接地電位への切り替えることができ、もって簡素な構造で側壁部材４５の電位の切り替えを確実に行うことができる。
【００７８】
さらに、上述した本実施の形態に係るプラズマ処理室によれば、側壁部材４５は円筒状部材であり、複数の導通部材収容穴５２が円周状の端部５１において該端部５１の円周に沿って配置され、複数の導通部材４７の先端が複数の導通部材収容穴５２のそれぞれと自在に嵌合するので、側壁部材４５及び導通部材４７が接触したときに、側壁部材４５における円周方向に沿った電位の偏在の発生を防止することができ、側壁部材４５へのデポの付着量を均一に制御することができる。
【００７９】
上述した本実施の形態に係るプラズマ処理室では、側壁部材４５の複数の導通部材収容穴５２に複数の丸棒状の導通部材４７の先端が嵌合することによって側壁部材４５と導通部材４７とが接触したが、導通部材４７は丸棒状に限らず、導通部材収容穴５２に嵌合可能な凸状部を有する形状であればよい。
【００８０】
また、図６に示すように、側壁部材４５が、円周状の端部５１において、該端部５１の円周に沿って形成された溝５３を有し、電位制御装置４６は、導通部材４７の代わりに、溝５３と同じ直径を有し且つ同一中心軸上に配置された２つのリング５４ａ，５４ｂと、該２つのリング５４ａ，５４ｂを連結する複数の棒状の連結部材５５とからなる網状の嵌合部材５６（構成部品接触部材）を有していてもよい。この嵌合部材５６は該嵌合部材５６を昇降させる昇降装置（図示しない）を介して接地される。また、嵌合部材５６は、溝５３と嵌合して側壁部材４５と接触し、側壁部材４５を電気的に接地させ、または、溝５３から脱離して側壁部材４５と非接触となり、側壁部材４５を電気的に浮遊させる。なお、リング５４ａ，５４ｂの幅は溝５３より小さく、溝５３は狭小部（図示しない）を有し、該狭小部の幅はリング５４ａ，５４ｂの幅より小さいことは言うまでもない。
【００８１】
嵌合部材５６が側壁部材４５と嵌合した場合、嵌合部材５６は側壁部材４５と円周全域に亘って接触するので、側壁部材４５における円周方向に沿った電位の偏在の発生を確実に防止することができ、側壁部材４５へのデポの付着量をより均一に制御することができる。
【００８２】
上述した本実施の形態に係るプラズマ処理室は、下部電極及び上部電極を有し、それぞれの電極に高周波電源が接続されるが、上部電極に高周波電源が接続されなくてもよい。この場合、天井板としての天井電極板３８は電気的に浮遊し、デポプロセスにおいて天井電極板３８にデポが付着するため、電位制御装置４６と同様の構成を有する天井板用の電位制御装置を設け、該天井板用の電位制御装置の導通部材と天井電極板３８との接触・非接触を制御することにより、天井電極板３８の電位を接地電位又は浮遊電位に設定し、天井電極板３８へのデポの付着量を制御するのが好ましい。
【００８３】
また、上部電極に高周波電源が接続されない場合、側壁部材４５及び天井板が一体化されていてもよい。このとき、電位制御装置４６の導通部材４７は側壁部材４５及び天井板のいずれか一方に接触すればよい。
【００８４】
なお、上部電極に高周波電源が接続されている場合であっても、天井板用の電位制御装置を設けてもよい。これにより、上部電極に高周波電力を供給しないプラズマ処理において、天井電極板３８の電位を制御して天井電極板３８へのデポの付着量を制御することができる。
【００８５】
次に、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理室について説明する。
【００８６】
本実施の形態は、その構成や作用が上述した第１の実施の形態と基本的に同じであり、昇降する導通部材４７を有する電位制御装置４６ではなく、電気回路からなる電位制御装置によって側壁部材４５の電位を制御する点で上述した第１の実施の形態と異なるのみである。したがって、同様の構成については説明を省略し、以下に第１の実施の形態と異なる作用についてのみ説明を行う。
【００８７】
図７は、本実施の形態に係るプラズマ処理室の概略構成を示す断面図である。このプラズマ処理室も、図１のプラズマ処理室１０と同様に、半導体ウエハＷにＲＩＥ処理やアッシング処理を施すように構成されている。
【００８８】
図７において、プラズマ処理室７０における側壁部材４５に発生した電位は以下に説明する電位制御装置７１によって制御される。
【００８９】
電位制御装置７１は、側壁部材４５に接続され、該側壁部材４５を接地する接地線７２と、該接地線７２の途中に配置されて接地線７２の切断及び接続を切り替えるスイッチ７３（切り替え装置）とを有する。また、電位制御装置７１は、スイッチ７３によって接地線７２を切断することによって側壁部材４５の電位を浮遊電位に設定し、接地線７２を接続することによって側壁部材４５の電位を接地電位に設定する。
【００９０】
以下、プラズマ処理室７０において実行される電位制御方法について説明する。上述したように、プラズマ処理室７０ではＲＩＥ処理とアッシング処理の２種類の処理が行われる。また、この電位制御方法は、該方法に対応するプログラムに応じて制御部のＣＰＵが実行する。
【００９１】
まず、デポプロセスであるＲＩＥ処理では、電位制御装置７１は、スイッチ７３によって接地線７２を接続することにより、側壁部材４５の電位を接地電位に設定し、側壁部材４５に付着したデポをイオンによるエッチングによって除去する。
【００９２】
続く、デポレスプロセスであるアッシング処理では、電位制御装置７１は、スイッチ７３によって接地線７２を切断することにより、側壁部材４５の電位を浮遊電位に設定し、側壁部材４５に付着したデポを除去しない。これにより、側壁部材４５が露出するのを防止する。  
【００９３】
本実施の形態に係るプラズマ処理室及び電位制御方法によれば、側壁部材４５を接地する接地線７２、及び該接地線７２の途中に配置され且つ接地線７２の切断及び接続を切り替えるスイッチ７３からなる電位制御装置７１によって、側壁部材４５の電位が、ＲＩＥ処理では接地電位に設定され、アッシング処理では浮遊電位に設定されるので、簡素な構造で側壁部材４５の電位の浮遊電位又は接地電位への切り替えを行うことができ、もって、デポの付着量の制御を容易に行うことができる。
【００９４】
上述した本実施の形態に係るプラズマ処理室における電位制御装置７１は、接地線７２及びスイッチ７３からなるが、電位制御装置７１が、接地線７２の途中に配置された可変インピーダンス素子、例えば、可変インダクタンスや可変コンデンサを備えていてもよい。これにより、側壁部材４５の電位の変化速度を制御することができ、もって、デポの付着量をより細かく制御することができる。
【００９５】
また、可変インピーダンス素子が、側壁部材４５に付着するデポの量に応じてインピーダンスを変更してもよく。これにより、付着するデポの量に応じて側壁部材４５の電位を制御することができ、もって、デポの付着量をさらに細かく制御することができる。さらに、可変インピーダンス素子が、高周波電源２０が供給する電力の周波数に同期してインピーダンスを変更してもよく。これにより、電力の変動に起因するデポの付着量の変動を抑制することができる。
【００９６】
上述した各実施の形態に係るプラズマ処理室における電位制御装置は、機械的構成（電位制御装置４６）及び電気回路的構成（電位制御装置７１）のいずれか一方を備えるが、電位制御装置が機械的構成及び電気回路的構成を備えていてもよい。具体的には、電位制御装置４６の基部４９がスイッチを介して電気的に接地されるような構成を有するのがよい。この場合、側壁部材４５の電位を急速に変化させる必要があるときは、導通部材４７の昇降を行う一方、側壁部材４５の電位を微調整する必要があるときは、スイッチ７３による接地線の切断・接続を行う。これにより、プラズマ処理内容の変化に応じて側壁部材４５の電位を最適な電位に設定することができ、もってデポの付着量を最適な量に制御することができる。
【００９７】
上述した各実施の形態に係るプラズマ処理室では、処理される基板が半導体ウエハであったが、処理される基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
【００９８】
本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、プラズマ処理室に接続されたコンピュータや上述した制御部（以下、「コンピュータ等」という。）に供給し、コンピュータ等のＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
【００９９】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【０１００】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータ等に供給されてもよい。
【０１０１】
また、ＣＰＵが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１０２】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータ等に挿入された機能拡張ボードやコンピュータ等に接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【０１０３】
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理室の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１における導通部材及び側壁部材の接触・非接触を説明するための図である。
【図３】図２における導通部材の先端及び導通部材収容穴の嵌合状態を説明するための図であり、（Ａ）は導通部材の先端及び導通部材収容穴が嵌合する前の状態を示す図であり、（Ｂ）は導通部材の先端及び導通部材収容穴が嵌合したときの状態を示す図である。
【図４】従来のプラズマ処理室における構成部品のデポレートを示すグラフであり、（Ａ）はフローティングパーツのデポレートを示すグラフであり、（Ｂ）はグラウンドパーツのデポレートを示すグラフである。
【図５】従来のプラズマ処理室における構成部品とプラズマが発生する空間との電位差を示すグラフである。
【図６】図１における電位制御装置の変形例における嵌合部材及び側壁部材の接触・非接触を説明するための図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理室の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
Ｗ  ウエハ
１０，７０  プラズマ処理室
１１  容器
１２  サセプタ
２０  下部電極用の高周波電源
３４  ガス導入シャワーヘッド
３６  上部電極用の高周波電源
３８  天井電極板
４５  側壁部材
４６，７１  電位制御装置
４７  導通部材
４８  ガイド棒
４９  基部
５０  昇降部
５１  端部
５２  導通部材収容穴
５２ａ  狭小部
５３  溝
５４ａ，５４ｂ  リング
５５  連結部材
５６  嵌合部材
７２  接地線
７３  スイッチ
【図１】
2006339529.tif 000003
【図２】
2006339529.tif 000004
【図３】
2006339529.tif 000005
【図４】
2006339529.tif 000006
【図５】
2006339529.tif 000007
【図６】
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【図７】
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