(57)【要約】【課題】縦型エピタキシャル成長装置を用いて半導体基板の主面上にエピタキシャル成長させる結晶膜の厚さの均一性を向上させる。【解決手段】石英ノズル１９ａの４箇所にそれぞれ縦方向に配置される５つのガス穴から反応ガスを供給し、サセプタを回転させ、高周波誘導コイルでサセプタを加熱することにより半導体基板を加熱し、サセプタ上に置いた半導体基板の主面上にシリコン結晶膜をエピタキシャル成長させる製造工程において、石英ノズル１９ａの４箇所にそれぞれ縦方向に配置される５つのガス穴を楕円形ガス穴２０ａまたは円形ガス穴２０ｂとし、楕円形ガス穴２０ａと円形ガス穴２０ｂとを縦方向に交互に配置する。【選択図】図３
2006313774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス導入管と、前記ガス導入管の一端側に設けられたノズルと、前記ノズルの周囲に設けられたサセプタとを備えるエピタキシャル成長装置を用いて、前記ノズルに配置される複数のガス穴から反応ガスを供給し、前記サセプタを回転させ、加熱して、前記サセプタ上に置いた半導体基板の主面上に結晶膜をエピタキシャル成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記ノズルに配置される前記複数のガス穴のうち、少なくとも一つの形状が楕円形であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ガス導入管と、前記ガス導入管の一端側に設けられたノズルと、前記ノズルの周囲に設けられたサセプタとを備えるエピタキシャル成長装置を用いて、前記ノズルに配置される複数のガス穴から反応ガスを供給し、前記サセプタを回転させ、加熱して、前記サセプタ上に置いた半導体基板の主面上に結晶膜をエピタキシャル成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記ノズルの４箇所にそれぞれ５つのガス穴が一列に配置され、前記ガス穴は楕円形ガス穴または円形ガス穴であり、前記楕円形ガス穴と前記円形ガス穴とが交互に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ガス導入管と、前記ガス導入管の一端側に設けられたノズルと、前記ノズルの周囲に設けられたサセプタとを備えるエピタキシャル成長装置を用いて、前記ノズルに配置される複数のガス穴から反応ガスを供給し、前記サセプタを回転させ、加熱して、前記サセプタ上に置いた半導体基板の主面上に結晶膜をエピタキシャル成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記ノズルの４箇所にそれぞれ５つのガス穴が一列に配置され、前記５つのガス穴のうち２つは楕円形ガス穴であり、３つは円形ガス穴であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ガス導入管と、前記ガス導入管の一端側に設けられたノズルと、前記ノズルの周囲に設けられたサセプタとを備えるエピタキシャル成長装置を用いて、前記ノズルに配置される複数のガス穴から反応ガスを供給し、前記サセプタを回転させ、加熱して、前記サセプタ上に置いた半導体基板の主面上に結晶膜をエピタキシャル成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記ノズルの４箇所にそれぞれ５つのガス穴が一列に配置され、前記ガス穴の形状が楕円形であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、単結晶基板の方位に結晶膜を成長させる化学気相エピタキシャル成長に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
工業的に用いられているエピタキシャル成長装置は、縦型およびシリンダ型が主流である。縦型エピタキシャル成長装置は、サセプタ上に多数枚の半導体ウエハを置き、サセプタを加熱することにより半導体ウエハを加熱する。原料ガスは上方に設けられたノズルから反応室内に導入され、サセプタを回転させながら半導体ウエハの主面上にエピタキシャル成長を行う。シリンダ型エピタキシャル成長装置は、多面体のサセプタに多数枚の半導体ウエハを立てかけて設置し、半導体ウエハの前面に設けられたランプにより半導体ウエハは加熱される。また、現在、半導体ウエハの大口径化に伴い、枚葉式エピタキシャル成長装置が開発されており、上下からランプで加熱し、回転させた半導体ウエハの主面に沿って反応ガスを流すことにより、半導体ウエハの主面上にエピタキシャル成長を行う（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
また、例えば第１のサセプタと、第１のサセプタ上に設けられ、表裏面のそれぞれに凹部を有する第２サセプタとを備え、第２のサセプタの表面凹部にウエハを載置して加熱処理するようにしたエピタキシャル成長装置が特開２０００−３５５７６６号公報（特許文献１参照）に記載されている。
【特許文献１】特開２０００−３５５７６６号公報
【非特許文献１】前田和夫著、「ＶＬＳＩとＣＶＤ」、初版、槇書店、１９９７年７月３１日、Ｐ３４４（図９．１１）−３４５（図９．１２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は、縦型エピタキシャル成長装置を用いて単結晶シリコンからなる半導体ウエハの主面上に結晶膜を成長させたエピタキシャルウエハを生産しており、生産されたエピタキシャルウエハは主としてバリキャップダイオードの製造に用いている。しかしながら、縦型エピタキシャル成長装置では、比較的均一な厚さの結晶膜を得ることができるが、半導体ウエハの大口径化が進むに従い、原料ガスを均一に半導体ウエハへ供給することが難くなり、所望する均一性の厚さを有する結晶膜を得ることが困難となっている。特に、バリキャップダイオードは、例えば４〜６本を１セットとして高周波同調用として使用されることが多く、このため、容量などのダイオード特性が揃っていることが望まれており、他種のダイオードよりも半導体ウエハの主面上に成長させる結晶膜の厚さの均一性への要求が厳しくなっている。
【０００５】
本発明の目的は、縦型エピタキシャル成長装置を用いて半導体基板の主面上にエピタキシャル成長させる結晶膜の厚さの均一性を向上させることのできる技術を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００８】
本発明による半導体装置の製造方法は、ガス導入管と、ガス導入管の一端側に設けられたノズルと、ノズルの周囲に設けられたサセプタとを備える縦型エピタキシャル成長装置を用いて、ノズルに配置される複数のガス穴から反応ガスを供給し、サセプタを回転させ、加熱して、サセプタ上に置いた半導体基板の主面上に結晶膜をエピタキシャル成長させる工程を含み、ノズルの複数箇所にそれぞれ一列に配置される複数のガス穴のうち、少なくとも一つのガス穴の形状を楕円形とする。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１０】
縦型エピタキシャル成長装置を用いて半導体基板の主面上にエピタキシャル成長させる結晶膜の厚さの均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本実施の形態においては、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、本実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、本実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１２】
また、本実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
本発明の一実施の形態によるバリキャップダイオード（Variable Capacitance Diode）の製造方法を図１〜図１３を用いて工程順に説明する。図１および図１０〜図１３は、本実施の形態によるバリキャップダイオードの製造工程を説明する半導体基板の要部断面図、図２は、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置の概略側面図、図３および図５〜図９は、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの拡大図である。また、図４は、本発明者によって検討された縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの拡大図である。
【００１４】
バリキャップダイオードは、ｐｎ接合に逆方向の電圧を印加すると、逆方向の電圧の大きさによって空乏層の厚み、すなわち容量が変化するダイオードであり、例えば携帯電話の電圧制御発信器の周波数調整などに使用される。
【００１５】
まず、図１に示すように、ｎ型不純物、例えばヒ素が導入された単結晶シリコンからなる半導体基板（この段階では、例えば半導体ウエハと称する平面略円形状の半導体の薄板）１を用意する。半導体基板１の厚さは、例えば５５０μｍ、その大きさは、例えば５インチφ（１２５ｍｍφ）、その不純物濃度は、例えば１０１８〜１０１９ｃｍ−３である。続いて、半導体基板１の主面上にエピタキシャル層を成長させることにより、ｎ型のシリコン単結晶膜（以下、Ｎ層と記す）２を形成する。Ｎ層２の厚さは、例えば５μｍ、その不純物濃度は、例えば１０１５〜１０１６ｃｍ−３である。なお、ここに示したＮ層２の厚さおよび不純物濃度は一例であって、これに限定されるものではなく、バリキャップダイオードに要求される容量などの特性によって決められるものである。
【００１６】
Ｎ層２の形成は、例えば以下のように行う。
【００１７】
図２に、本実施の形態によるＮ層の形成に用いた縦型エピタキシャル成長装置の概略側面図を示す。
【００１８】
エピタキシャル成長装置１１は、ステンレスベルジャ１２と、このステンレスベルジャ１２内に設けられた石英ベルジャ１３と、ステンレスベルジャ１２および石英ベルジャ１３を支持し、排気口１４ａが設けられると共に上方に伸びるガス導入管１４ｂが挿入された回転可能な底蓋部１４と、底蓋部１４上に水平に設けられ半導体基板１を支持するＳｉＣコートのサセプタ１５と、サセプタ１５の下側に設けられた高周波誘導コイル１６と、高周波誘導コイル１６を覆う石英コイルカバー１７とを備えて構成される。
【００１９】
ガス導入管１４ｂは底蓋部１４の中央部に設けられた回転軸１８中を通り、その先端には石英ノズル１９が設けられている。サセプタ１５の表面には半導体基板１の外径より少し大きい凹部であるザグリが複数箇所に設けられている。エピタキシャル成長時には、石英ノズル１９の周囲に設けられたサセプタ１５のザグリに半導体基板１を置き、サセプタ１５を回転させ、高周波誘導コイル１６でサセプタ１５を加熱することにより半導体基板１を加熱する。石英ベルジャ１３内を排気した後、反応ガスを石英ノズル１９より上方から噴出させ、半導体基板１の主面上に所望の結晶膜を成長させる。
【００２０】
Ｎ層２は、例えば水素還元法または熱分解法により成長させることができるが、本実施の形態では水素還元法を採用した。水素還元法ではＳｉＣｌ４（テトラクロール）、ＳｉＨＣｌ３（トリクロール）、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロール）、ＳｉＨ４（モノシラン）などのシリコンの塩化物または水素化物を原料ガスとして用い、これら原料ガスと水素ガス（Ｈ２）との混合ガスを石英ノズル１９から石英ベルジャ１３内へ送入し、半導体基板１の主面上にシリコンを析出させて、Ｎ層２を成長させる。
【００２１】
図３に、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置に備わる石英ノズルの第１例の拡大図を示す。
【００２２】
第１例の石英ノズル１９ａには複数個のガス穴が設けられており、第１例の石英ノズル１９ａでは、ガス穴が同心円状の４箇所に配置されて縦方向に５つ並んでいる。ガス穴には楕円形と円形の２種類の形状があり、楕円形ガス穴２０ａと円形ガス穴２０ｂとが縦方向に交互に配置されている。石英ノズル１９ａの内径は、例えば１０ｍｍ、その外径は、例えば１５ｍｍである。楕円形ガス穴２０ａの縦方向の寸法は、例えば２．５ｍｍ、その横方向の寸法は、例えば５ｍｍ、円形ガス穴２０ｂの直径は、例えば２．５ｍｍであり、楕円形ガス穴２０ａと円形ガス穴２０ｂとは、例えば１０ｍｍ間隔で縦方向に配置される。このように楕円形ガス穴２０ａと円形ガス穴２０ｂとが配置された石英ノズル１９ａから反応ガスを供給した場合、５インチφの半導体基板１の主面上に成長するＮ２層の厚さのばらつきは±１．０％となる。
【００２３】
図４に、本発明者によってなされた発明の背景となった円形ガス穴のみを配置した石英ノズルの拡大図を示す。
【００２４】
石英ノズル２１には複数個の円形ガス穴２０ｂが設けられており、円形ガス穴２０ｂが同心円状の４箇所に配置されて縦方向に５つ並んでいる。石英ノズル２１の形状は前述した石英ノズル１９ａと同じであり、例えば直径２．５ｍｍの円形ガス穴２０ｂが、例えば１０ｍｍ間隔で縦方向に配置される。このような円形ガス穴２０ｂのみが配置された石英ノズル２１から反応ガスを供給した場合、５インチφの半導体基板１の主面上に成長するＮ層２の厚さのばらつきは±１．５〜２．０％となる。
【００２５】
従って、全てのガス穴に円形ガス穴２０ｂを設けた石英ノズル２１よりも、楕円形ガス穴２０ａを一部に設けた石英ノズル１９ａを用いることによって、半導体基板１の全面における反応ガスの供給量がより均一となり、半導体基板１の主面上に成長するＮ層２の厚さの均一性を向上させることができる。
【００２６】
なお、楕円形ガス穴２０ａおよび円形ガス穴２０ｂの配置、またはこれらの寸法は、前述した図３の石英ノズル１９ａに設けられた楕円形ガス穴２０ａおよび円形ガス穴２０ｂの配置または寸法に限定されるものではなく、石英ノズル１９の周囲の複数箇所（前述した図３では４箇所）にそれぞれ縦方向に配置される複数のガス穴のうち、少なくとも１つを楕円形とすることにより、Ｎ層２の厚さの均一性を向上させることができる。以下の図５〜図９に、本発明者によって効果が確認された楕円形ガス穴２０ａの他の配置例を列挙するが、これらに限定されないことは言うまでもない。例えば、図３および図５〜図９に示す石英ノズル１９ａ〜１９ｆでは、４つのガス穴を同心円状に配置したが、２つのガス穴を同心円状に配置し、この同心円状に配置した２つのガス穴を順次９０度ずらして縦方向に千鳥状に配置することもできる。
【００２７】
図５は、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置に備わる石英ノズルの第２例の拡大図である。前述した第１例の石英ノズル１９ａと同様に、第２例の石英ノズル１９ｂでは、ガス穴が同心円状の４箇所に配置されて縦方向に５つ並び、楕円形ガス穴２０ａと円形ガス穴２０ｂとが縦方向に交互に配置されているが、楕円形ガス穴２０ａの縦方向の寸法が横方向の寸法よりも大きい。
【００２８】
図６は、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置に備わる石英ノズルの第３例の拡大図である。前述した第１例の石英ノズル１９ａと同様に、第３例の石英ノズル１９ｃでは、ガス穴が同心円状の４箇所に配置されて縦方向に５つ並んでいるが、縦方向の上２つに楕円形ガス穴２０ａが配置され、縦方向の下３つに円形ガス穴２０ｂが配置され、楕円形ガス穴２０ａの縦方向の寸法が横方向の寸法よりも小さい。
【００２９】
図７は、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置に備わる石英ノズルの第４例の拡大図である。前述した第１例の石英ノズル１９ａと同様に、第４例の石英ノズル１９ｄでは、ガス穴が同心円状の４箇所に配置されて縦方向に５つ並んでいるが、縦方向の上２つに楕円形ガス穴２０ａが配置され、縦方向の下３つに円形ガス穴２０ｂが配置され、楕円形ガス穴２０ａの縦方向の寸法が横方向の寸法よりも大きい。
【００３０】
図８は、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置に備わる石英ノズルの第５例の拡大図である。前述した第１例の石英ノズル１９ａと同様に、第５例の石英ノズル１９ｅでは、ガス穴が同心円状の４箇所に配置されて縦方向に５つ並んでいるが、全てのガス穴が楕円形ガス穴２０ａであり、楕円形ガス穴２０ａの縦方向の寸法が横方向の寸法よりも小さい。
【００３１】
図９は、本実施の形態による縦型エピタキシャル成長装置に備わる石英ノズルの第６例の拡大図である。前述した第１例の石英ノズル１９ａと同様に、第６例の石英ノズル１９ｆでは、ガス穴が同心円状の４箇所に配置されて縦方向に５つ並んでいるが、全てのガス穴が楕円形ガス穴２０ａであり、楕円形ガス穴２０ａの縦方向の寸法が横方向の寸法よりも大きい。
【００３２】
次に、図１０に示すように、半導体基板１の主面上に、例えば熱酸化法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により第１絶縁膜３を形成した後、フォトリソグラフィ法により形成されたレジストパターンをマスクとして第１絶縁膜３をエッチングし、バリキャップダイオードの平面中央部のＮ層２の表面を露出させる。続いて、露出したＮ層２の表面から、例えばイオン注入法または不純物拡散法によりｐ型不純物、例えばボロンを導入して半導体基板１に達しないｐ型不純物領域（以下、Ｐ層と記す）４をＮ層２に形成する。Ｐ層４の深さは、例えば２μｍ、その不純物濃度は、例えば１０１６〜１０１８ｃｍ−３である。これにより、Ｎ層２とＰ層４とからなるｐｎ接合が形成される。なお、ここに示したＰ層４の深さおよび不純物濃度は一例であって、これに限定されるものではなく、バリキャップダイオードに要求される容量などの特性によって決められるものである。
【００３３】
次に、図１１に示すように、半導体基板１の主面上に、例えばＣＶＤ法により第２絶縁膜５を形成した後、フォトリソグラフィ法により形成されたレジストパターンをマスクとして第２絶縁膜５および第１絶縁膜３を順次エッチングし、Ｐ層４から所定の距離をおいて、所定の幅でＰ層４の平面周辺部のＮ層２の表面を露出させる。続いて、例えばイオン注入法または不純物拡散法によりｎ型不純物を導入して半導体基板１に達しないｎ型半導体領域（以下、Ｎ２層と記す）６を形成する。
【００３４】
次に、図１２に示すように、半導体基板１の主面上に、例えばＣＶＤ法により第３絶縁膜７を形成した後、フォトリソグラフィ法により形成されたレジストパターンをマスクとしてＰ層４上の第３絶縁膜７および第２絶縁膜５を順次エッチングし、Ｐ層４の表面を露出させる。続いて、半導体基板１の主面上に、例えばスパッタリング法によりアルミニウムとシリコンからなる合金膜を堆積した後、フォトリソグラフィ法により形成されたレジストパターンをマスクとして合金膜をエッチングし、Ｐ層４に接続する表面電極８を形成する。
【００３５】
次に、半導体基板１の主面上に、例えばＣＶＤ法または塗布法により絶縁膜を形成した後、この絶縁膜をフォトリソグラフィ法により形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングし、表面電極８を露出させて表面保護膜９を形成する。続いて、表面電極８および表面保護膜９を保護するための保護テープを半導体基板１の主面上に貼り付けた後、半導体基板１を裏面からグラインディングにより研削し、パッケージ形態に合わせて半導体基板１を所定の厚さとする。なお、半導体基板１の裏面を研削した後に、さらに半導体基板１の裏面をライトエッチングしてもよい。
【００３６】
次に、図１３に示すように、上記した保護テープを剥がし、半導体基板１を洗浄した後、半導体基板１の裏面に接続する金属膜、例えば金膜を堆積する。続いて、この金属膜をエッチングして裏面電極１０を形成することにより、バリキャップダイオードが形成される。その後、バリキャップダイオードが形成された半導体基板１を切り分けて、バリキャップダイオードを単位素子（チップ）に分割し、さらに、個々のチップを封止樹脂により封止してパッケージングする。
【００３７】
このように、本実施の形態によれば、エピタキシャル成長装置１１に備わる石英ノズル１９の複数箇所にそれぞれ縦方向に配置される複数のガス穴のうち、少なくとも一つを楕円形とすることにより、半導体基板１の全面における反応ガスの供給量の均一化を図ることができて、半導体基板１の主面上に成長するＮ層２の厚さの均一性を向上させることができる。
【００３８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３９】
例えば、前記実施の形態では、本発明をバリキャップダイオードに適用した場合について説明したが、エピタキシャル成長法により形成される結晶膜を有する他のダイオード（例えばＰＩＮ（Positive Intrinsic Negative）ダイオード、スイッチングダイオード、ツェナーダイオードなど）、またはダイオード以外の半導体素子にも適用することができて、諸特性の均一性の向上を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の半導体装置の製造方法は、エピタキシャル成長法により形成される結晶膜を有する半導体素子の製造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施の形態であるバリキャップダイオードの製造工程を示す半導体基板の要部断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である縦型エピタキシャル成長装置の概略側面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの第１例の拡大図である。
【図４】本発明者によって検討された縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの拡大図である。
【図５】本発明の一実施の形態である縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの第２例の拡大図である。
【図６】本発明の一実施の形態である縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの第３例の拡大図である。
【図７】本発明の一実施の形態である縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの第４例の拡大図である。
【図８】本発明の一実施の形態である縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの第５例の拡大図である。
【図９】本発明の一実施の形態である縦型エピタキシャル成長装置に備わるノズルの第６例の拡大図である。
【図１０】本発明の一実施の形態であるバリキャップダイオードの製造工程を示す半導体基板の要部断面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態であるバリキャップダイオードの製造工程を示す半導体基板の要部断面図である。
【図１２】本発明の一実施の形態であるバリキャップダイオードの製造工程を示す半導体基板の要部断面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態であるバリキャップダイオードの製造工程を示す半導体基板の要部断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  半導体基板
２  シリコン単結晶膜（Ｎ層）
３  第１絶縁膜
４  ｐ型半導体領域（Ｐ層）
５  第２絶縁膜
６  ｎ型半導体領域（Ｎ２層）
７  第３絶縁膜
８  表面電極
９  表面保護膜
１０  裏面電極
１１  エピタキシャル成長装置
１２  ステンレスベルジャ
１３  石英ベルジャ
１４  底蓋部
１４ａ  排気口
１４ｂ  ガス導入管
１５  サセプタ
１６  高周波誘導コイル
１７  石英コイルカバー
１８  回転軸
１９  石英ノズル
１９ａ〜１９ｆ  石英ノズル
２０ａ  楕円形ガス穴
２０ｂ  円形ガス穴
２１  石英ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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