(57)【要約】【課題】光ディスクが装着された状態においても迷光調整やレーザパワーのキャリブレーションを行うことのできる光ディスク装置を提供する。【解決手段】光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量を検出する際に、偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路上に遮光部材３０が設置される。そして、半導体レーザ２１から出射されるとともに偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光は、光ディスク１０へ向けて照射され、遮光部材３０に入射する。この遮光部材３０により偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光の光ディスク１０への照射が阻止されるとともに、この遮光部材３０でのレーザ光の反射も阻止される。このため、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光だけがフォトディテクタ２９へ入射する。【選択図】 図２
2006313593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクを装着するためのディスク装着部と、前記光ディスクに装着された光ディスクへ向けてレーザ光を出射する半導体レーザ及び前記光ディスクで反射されたレーザ光を受光する反射光検出用受光素子が設置された光ピックアップと、を備え、前記半導体レーザから前記光ディスクへ向けて出射されるとともに前記光ディスクで反射されたレーザ光を前記反射光検出用受光素子で受光することにより前記光ディスクに記録されたデータの再生を行う光ディスク装置において、
前記半導体レーザから前記光ディスクへ向けて出射されるレーザ光の前記光ディスクへの照射を阻止する遮光部材を備え、
前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認したときに、前記半導体レーザから前記光ディスクへ向けて出射されたレーザ光を前記遮光部材に入射させて前記光ディスクへのレーザ光の照射を阻止することにより、前記光ピックアップの内部で生じる迷光だけを前記反射光検出用受光素子へ入射させて前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行うことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記光ピックアップには、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を複数の偏光成分に分離する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタを通過したレーザ光を前記光ディスク上に集光させるための対物レンズと、が設置されており、
前記光ディスクに記録されたデータの再生を行う際に、前記遮光部材を前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路上から外れた位置に移動させ、
一方、前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認すると、前記遮光部材を前記偏光ビームスプリッタと前記対物レンズとの間における前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路上に移動させることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記光ピックアップには、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を複数の偏光成分に分離する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタを通過したレーザ光を前記光ディスク上に集光させるための対物レンズと、が設置され、
前記遮光部材が、当該遮光部材に電圧を印加することによって特定の方向に配列する液晶素子を備えるとともに、前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路上における前記偏光ビームスプリッタと前記対物レンズとの間に設置されており、
前記光ディスクに記録されたデータの再生を行う際に、前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路の向きと平行な向きに液晶素子が配列するように当該遮光部材に電圧を印加し、
一方、前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認すると、前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路の向きと垂直な向きに液晶素子が配列するように当該遮光部材に電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記偏光ビームスプリッタで分離されることにより前記偏光ビームスプリッタから前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路と９０度をなす方向へ進むレーザ光を受光するレーザ光検出用受光素子と、
前記レーザ光検出用受光素子から出力される電気信号に係数を乗じて増幅するとともに増幅された電気信号を反転させて出力する乗算器と、
前記光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量をキャンセルするために前記乗算器から出力される電気信号と前記反射光検出用受光素子から出力される電気信号とを加算する加算器と、
を備えることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーと、前記反射光検出用受光素子へ入射する前記光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量と、が計測され、
前記係数が、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーに対する前記反射光検出用受光素子へ入射する前記光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量の比に設定されることを特徴とする請求項４に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを可能に構成されており、
前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認すると、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を前記遮光部材に入射させて前記光ディスクへのレーザ光の照射を阻止することを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記載の光ディスク装置。
【請求項７】
前記半導体レーザから出力されるレーザ光のパワーを設定するためのレーザドライバを備え、
前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーを計測するとともに、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーの計測値と予め用意された基準値とを比較し、
前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーの計測値と予め用意された基準値とが異なることを確認すると、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーの計測値が予め用意された基準値と一致するように、前記レーザドライバにおけるレーザ光のパワーの設定値を補正することを特徴とする請求項６に記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクにレーザ光を照射してデータの記録や再生を行う光ピックアップを備える光ディスク装置に関し、特に、光ピックアップの内部で生じる迷光の調整やレーザパワーのキャリブレーションを行うものに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体レーザから出射されるレーザ光を光ディスクに照射して光ディスクへのデータの記録や光ディスクに記録されたデータの再生を行う光ピックアップを備える光ディスク装置が知られている。この光ディスク装置において、半導体レーザから光ディスクへ向けてレーザ光が出射されるとき、光ピックアップの内部に設置される光学部品の影響により迷光が発生する場合がある。尚、この迷光とは、光ピックアップの内部に設置される光学部品の表面や内部でのレーザ光の反射、或いは、これらの光学部品の汚れや傷などによるレーザ光の散乱など、通常の反射や屈折以外の原因によって発生する光のことである。
【０００３】
そして、光ディスクへのデータの記録時や光ディスクに記録されたデータの再生時に、光ディスクで反射されたレーザ光を受光するために設置された受光素子に迷光が入射すると、この受光素子から出力される電気信号にオフセットが生じる。また、光ディスクへのデータの記録時や光ディスクに記録されたデータの再生時における半導体レーザのレーザパワーが、予め設定された光ディスクへのデータの記録時や光ディスクに記録されたデータの再生時における半導体レーザのレーザパワーの最適値と異なる場合にも、この受光素子から出力される電気信号にオフセットが生じる。よって、受光素子から出力される電気信号に生じるオフセットをキャンセルするために、迷光の調整や半導体レーザのレーザパワーのキャリブレーションを行う必要がある。
【０００４】
しかしながら、光ディスク装置に光ディスクが装着された状態では、迷光によるオフセット量を検出して迷光調整を行うことが困難である。というのも、光ディスク装置に光ディスクが装着された状態のときに、半導体レーザから光ディスクへ向けてレーザ光が出射されると、光ディスクで反射されたレーザ光が迷光に混じって受光素子に入射し、迷光だけを検出することができないからである。このため、受光素子から出力される電気信号に生じるオフセットをキャンセルするための迷光調整は、光ディスク装置の製造時に、光ディスク装置に光ディスクが装着されていない状態で、即ち、迷光以外のレーザ光が受光素子に入射しない状態で行われる。
【０００５】
また、半導体レーザのレーザパワーのキャリブレーションについても、光ディスク装置に光ディスクが装着された状態で行うと、強いパワーを有するレーザ光が光ディスクに照射された場合、光ディスクに誤ったデータが記録されるおそれがある。このため、半導体レーザのレーザパワーのキャリブレーションは、光ディスク装置の製造時に、光ディスク装置に光ディスクが装着されていない状態で、即ち、光ディスクにレーザ光が照射されない状態で、光パワーメータなどを用いて行われる。
【０００６】
そして、半導体レーザから出射されたレーザ光を反射させるハーフミラーやレーザ光を情報記録媒体上に集光させるための対物レンズを備えるアクチュエータ部と、レーザ光を出射する半導体レーザや情報記録媒体で反射されたレーザ光を検出するための第２分割光検出器とを備える固定部と、が互いに分離された光ヘッド装置において、アクチュエータ部移動軸と光軸との相対的な位置ずれや傾きを同時に検出することにより、トラッキングオフセット要因を迷光等による影響を排除して検出できるようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開昭６４−２７０３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記光ディスク装置の製造後、時間が経過するにつれて、光ピックアップの内部に設置された光学部品に埃が付着し、或いは、光ディスク装置に振動が加えられることで光学部品の相対位置が変化することにより、再度迷光調整やレーザパワーのキャリブレーションを行う必要が生じる場合がある。
【０００８】
そして、光ピックアップの内部で発生する迷光によるオフセット量は、光ディスクの起動時に、光ディスク装置に光ディスクが装着されていない状態で正確に検出することができるものの、光ディスク装置に光ディスクが装着された状態では、上述の理由により正確に検出することが困難である。また、光ディスク装置におけるレーザパワーのキャリブレーションについても、光ディスクの起動時に、光ディスク装置に光ディスクが装着されていない状態で正確に行うことができるものの、光ディスク装置に光ディスクが装着された状態では、上述のように光ディスクに誤ったデータが記録されるおそれがある。
【０００９】
このように、従来には、光ディスク装置の製造時に光ピックアップの内部で生じる迷光の調整や半導体レーザのパワーのキャリブレーションが行われていた。また、光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量の検出や半導体レーザのパワーのキャリブレーションは、光ディスクの起動時に、光ディスク装置に光ディスクが装着されていない状態のときに限って行うことができるものの、光ディスク装置に光ディスクが装着されている状態で行うことは困難である。そして、光ディスク装置の起動時に、光ディスク装置に光ディスクが装着されていれば、光ディスク装置から光ディスクを取り出して光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量の検出や半導体レーザのパワーのキャリブレーションを行う必要があり、ユーザによる光ディスク装置の操作が煩雑化するという問題がある。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光ディスクが装着された状態においても迷光調整やレーザパワーのキャリブレーションを行うことのできる光ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の光ディスク装置は、光ディスクを装着するためのディスク装着部と、前記光ディスクに装着された光ディスクへ向けてレーザ光を出射する半導体レーザ及び前記光ディスクで反射されたレーザ光を受光する反射光検出用受光素子が設置された光ピックアップと、を備え、前記半導体レーザから前記光ディスクへ向けて出射されるとともに前記光ディスクで反射されたレーザ光を前記反射光検出用受光素子で受光することにより前記光ディスクに記録されたデータの再生を行う光ディスク装置において、前記半導体レーザから前記光ディスクへ向けて出射されるレーザ光の前記光ディスクへの照射を阻止する遮光部材を備え、前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認したときに、前記半導体レーザから前記光ディスクへ向けて出射されたレーザ光を前記遮光部材に入射させて前記光ディスクへのレーザ光の照射を阻止することにより、前記光ピックアップの内部で生じる迷光だけを前記反射光検出用受光素子へ入射させて前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行うことを特徴とする。
【００１２】
このように構成された光ディスク装置において、前記光ピックアップには、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を複数の偏光成分に分離する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタを通過したレーザ光を前記光ディスク上に集光させるための対物レンズと、が設置されており、前記光ディスクに記録されたデータの再生を行う際に、前記遮光部材を前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路上から外れた位置に移動させ、一方、前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認すると、前記遮光部材を前記偏光ビームスプリッタと前記対物レンズとの間における前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路上に移動させる。
【００１３】
尚、光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、ディスク装着部に光ディスクが装着されていることを確認すると、対物レンズを介して偏光ビームスプリッタと反対側の位置で、且つ、半導体レーザから出射されて光ディスクへ向かうレーザ光の光路上に遮光部材を移動させるようにしても構わない。
【００１４】
また、このように構成された光ディスク装置において、前記光ピックアップには、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を複数の偏光成分に分離する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタを通過したレーザ光を前記光ディスク上に集光させるための対物レンズと、が設置され、前記遮光部材が、当該遮光部材に電圧を印加することによって特定の方向に配列する液晶素子を備えるとともに、前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路上における前記偏光ビームスプリッタと前記対物レンズとの間に設置されており、前記光ディスクに記録されたデータの再生を行う際に、前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路の向きと平行な向きに液晶素子が配列するように当該遮光部材に電圧を印加し、一方、前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認すると、前記半導体レーザから出射されて前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路の向きと垂直な向きに液晶素子が配列するように当該遮光部材に電圧を印加する。
【００１５】
尚、遮光部材が、対物レンズを介して偏光ビームスプリッタと反対側の位置で、且つ、半導体レーザから出射されて光ディスクへ向かうレーザ光の光路上に設置されるものとしても構わない。
【００１６】
また、上述のそれぞれの光ディスク装置において、前記偏光ビームスプリッタで分離されることにより前記偏光ビームスプリッタから前記光ディスクへ向かうレーザ光の光路と９０度をなす方向へ進むレーザ光を受光するレーザ光検出用受光素子と、前記レーザ光検出用受光素子から出力される電気信号に係数を乗じて増幅するとともに増幅された電気信号を反転させて出力する乗算器と、前記光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量をキャンセルするために前記乗算器から出力される電気信号と前記反射光検出用受光素子から出力される電気信号とを加算する加算器と、を備える。
【００１７】
これにより、光ディスクに記録されたデータの再生を行う際に、乗算器が、半導体レーザから出射されるとともに偏光ビームスプリッタを通過したレーザ光のパワーに応じてレーザ光検出用受光素子から出力される電気信号に係数を乗じて増幅するとともに増幅された電気信号を反転させて出力する。続いて、加算器が、乗算器から出力される電気信号と、光ディスクで反射したレーザ光と光ピックアップの内部で生じる迷光とを合わせた光のパワーに応じて反射光検出用受光素子から出力される電気信号と、を加算することで、迷光によるオフセット量がキャンセルされる。
【００１８】
そして、前記光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーと、前記反射光検出用受光素子へ入射する前記光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量と、が計測され、前記係数が、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーに対する前記反射光検出用受光素子へ入射する前記光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量の比に設定される。
【００１９】
ここで、レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーに比例して反射光検出用受光素子へ入射する光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量が増加する。よって、レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーに対する反射光検出用受光素子へ入射する光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量の比が一定となる。
【００２０】
また、上述のそれぞれの光ディスク装置において、前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを可能に構成されており、前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、前記ディスク装着部に前記光ディスクが装着されていることを確認すると、前記半導体レーザから出射されたレーザ光を前記遮光部材に入射させて前記光ディスクへのレーザ光の照射を阻止する。
【００２１】
これにより、半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、ディスク装着部に光ディスクが装着されていても、半導体レーザから出射されたレーザ光が遮光部材に入射するため、強いパワーを有するレーザ光が光ディスクに照射されることを阻止して光ディスクに誤ったデータが記録されることを防止できる。尚、半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、ディスク装着部に光ディスクが装着されていることを確認すると、遮光部材を偏光ビームスプリッタと対物レンズとの間における半導体レーザから出射されて光ディスクへ向かうレーザ光の光路上に移動させるようにしてもよいし、或いは、対物レンズを介して偏光ビームスプリッタと反対側の位置で、且つ、半導体レーザから出射されて光ディスクへ向かうレーザ光の光路上に遮光部材を移動させるようにしてもよい。
【００２２】
また、このとき、前記半導体レーザから出力されるレーザ光のパワーを設定するためのレーザドライバを備え、前記半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーを計測するとともに、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーの計測値と予め用意された基準値とを比較し、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーの計測値と予め用意された基準値とが異なることを確認すると、前記レーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーの計測値が予め用意された基準値と一致するように、前記レーザドライバにおけるレーザ光のパワーの設定値を補正する。
【００２３】
尚、予め用意された基準値とは、光ディスク装置の製造時に設定されるレーザ光検出用受光素子へ入射するレーザ光のパワーの最適値を意味する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際に、ディスク装着部に光ディスクが装着されていることを確認すると、半導体レーザから光ディスクへ向けて出射されたレーザ光を遮光部材に入射させて光ディスクへのレーザ光の照射を阻止するようにしているため、迷光だけを反射光検出用受光素子で検出することができ、ディスク装着部に光ディスクが装着されているときでも迷光の調整を行うことができる。また、半導体レーザから出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、ディスク装着部に光ディスクが装着されていることを確認すると、半導体レーザから光ディスクへ向けて出射されたレーザ光を遮光部材に入射させて光ディスクへのレーザ光の照射を阻止するようにしているため、強いパワーを有するレーザ光が光ディスクに照射されることを阻止して光ディスクに誤ったデータが記録されることを防止できる。従って、本発明によれば、光ディスクが装着された状態においても迷光調整やレーザパワーのキャリブレーションを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
《発明の実施形態》
図１に示すように、本実施形態の光ディスク装置は、光ディスク１０を脱着可能に構成されており、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ[Digital Versatile Disc]）、コンパクトディスク（ＣＤ[Compact Disc]）、或いは、ミニディスク（ＭＤ[Mini Disc]）などが光ディスク１０として使用される。尚、この光ディスク１０は、ディスク装着部（不図示）に装着される。
【００２７】
また、この光ディスク装置は、図１に示すように、ディスク装着部に装着された光ディスク１０に対してレーザ光を照射することにより光ディスク１０へのデータの記録や光ディスク１０に記録されたデータの再生を行うための光ピックアップ２０を備えている。
【００２８】
この光ピックアップ２０には、図１に示すように、ディスク装着部に装着された光ディスク１０へ向けてレーザ光を出射する半導体レーザ２１と、半導体レーザ２１に駆動電流を供給するレーザドライバ２２と、半導体レーザ２１から出射されたレーザ光を平行光束とするコリメートレンズ２３と、コリメートレンズ２３を通過したレーザ光を断面が円形のビームに整形する整形プリズム２４と、整形プリズム２４を通過したレーザ光を３ビーム（即ち、記録再生用の０次光とトラッキング用の±１次光）に分散させるグレーティング２５と、偏光膜２６ａを有するとともにグレーティング２５を通過したレーザ光をこの偏光膜２６ａにより反射または透過させる偏光ビームスプリッタ２６と、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光を光ディスク１０上に集光させるための対物レンズ２７と、が半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路上に、順に設置されている。
【００２９】
そして、偏光ビームスプリッタ２６は、この偏光ビームスプリッタ２６に入射するレーザ光のうちの入射面に対して垂直な成分を反射するとともに入射面に対して平行な成分を透過するように構成されている。
【００３０】
また、この光ピックアップ２０において、偏光ビームスプリッタ２６を介してグレーティング２５と反対側の位置には、図１に示すレーザ光検出用受光素子としてのフォワード・センス・ダイオード２８が設置されおり、グレーティング２５を通過後に偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａを透過したレーザ光が、このフォワード・センス・ダイオード２８に入射する。そして、このフォワード・センス・ダイオード２８によって、半導体レーザ２１から出射されたレーザ光の検出が行われる。
【００３１】
また、この光ピックアップ２０において、偏光ビームスプリッタ２６を介して対物レンズ２７と反対側の位置には、図１に示す反射光検出用受光素子としてのフォトディテクタ２９が設置されており、対物レンズ２７を通過後に偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａを透過したレーザ光が、このフォトディテクタ２９に入射する。そして、このフォトディテクタ２９によって、光ディスク１０で反射されたレーザ光の検出が行われる。
【００３２】
更に、この光ピックアップ２０において、偏光ビームスプリッタ２６と対物レンズ２７の間には、図１に示すように、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光を遮光するための遮光部材３０が設置されている。この遮光部材３０によって、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光の光路が閉鎖されてレーザ光の光ディスク１０への照射が阻止されるとともに、この遮光部材３０でのレーザ光の反射も阻止される。一方、光ディスク１０へのデータの記録や光ディスク１０に記録されたデータの再生を行う際には、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光の光路を開放して、レーザ光を光ディスク１０に照射する必要がある。
【００３３】
よって、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光の光路の閉鎖と解放とを切り換えて行うために、この遮光部材３０は、スライド式または液晶シャッター式に構成される。そして、この遮光部材３０がスライド式に構成されるとき、この遮光部材３０を偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路に対して垂直な方向（即ち、図１及び図２に両矢印で示す方向）にスライドさせることにより、光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路の閉鎖と解放とが切り換えて行われる。また、この遮光部材３０が液晶シャッター式に構成されるとき、この遮光部材３０が、偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路上に固設される。そして、遮光部材３０に電圧を印加して遮光部材３０における液晶素子の配列を変えることにより、光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路の閉鎖と解放とが切り換えて行われる。
【００３４】
尚、遮光部材３０が液晶シャッター式に構成されるとき、遮光部材３０に電圧を印加したときにだけ半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光の光路が閉鎖されるように遮光部材３０における液晶素子を配列してもよいし、或いは、遮光部材３０に電圧を印加したときにだけ半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光の光路が開放されるように遮光部材３０における液晶素子を配列してもよい。
【００３５】
このような構成の光ディスク装置において、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けてレーザ光が出射されるとき、光ピックアップ２０の内部に設置される光学部品の影響により迷光が発生する場合がある。尚、この迷光とは、コリメートレンズ２３や整形プリズム２４、グレーティング２５などの光学部品の表面や内部でのレーザ光の反射、或いは、これらの光学部品の汚れや傷などによるレーザ光の散乱など、通常の反射や屈折以外の原因によって発生する光のことである。
【００３６】
そして、光ディスク１０の記録時または再生時に、光ディスク１０で反射されたレーザ光に加えて光ピックアップ２０の内部で生じる迷光がフォトディテクタ２９に入射すると、フォトディテクタ２９から出力される電気信号にオフセットが生じる。また、光ディスク１０の記録時または再生時に半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーと、予め設定された光ディスク１０の記録時または再生時における半導体レーザ２１のレーザパワーの最適値と、が異なる場合にも、フォトディテクタ２９から出力される電気信号にオフセットが生じる。よって、この光ディスク装置には、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光の調整や半導体レーザ２１のレーザパワーのキャリブレーションを行うために、図３に示すような光学部品が設置されている。
【００３７】
具体的に、光ディスク装置の光ピックアップ２０には、フォワード・センス・ダイオード２８から出力されるレーザ光のパワーに比例した電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路３１が設置されている。また、光ディスク装置には、光ピックアップ２０のフォトディテクタ２９及び電流電圧変換回路３１から出力される電圧信号を処理するためのサーボＤＳＰ４０（Digital Signal Processor）が設置されている。
【００３８】
そして、このサーボＤＳＰ４０には、光ピックアップ２０のフォトディテクタ２９から出力される電圧信号をアナログ信号からデジタル信号に変換する第１のＡ／Ｄコンバータ４１と、光ピックアップ２０の電流電圧変換回路３１から出力される電圧信号をアナログ信号からデジタル信号に変換する第２のＡ／Ｄコンバータ４２と、第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力される電圧信号に係数をかけて増幅するとともに得られた電圧の正負を反転させて出力する乗算器４３と、乗算器４３から出力される電圧信号に応じた出力電圧と第１のＡ／Ｄコンバータ４１から出力される電圧信号に応じた出力電圧とを加算する加算器４４と、加算器４４より出力される電圧信号を処理する信号処理部４５と、が設置されている。
【００３９】
ここで、図４に示すように、半導体レーザ２１のレーザパワーと光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量とが比例する。そして、乗算器４３では、第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力される電圧信号に応じた出力電圧に、半導体レーザ２１のレーザパワーに対する迷光によるオフセット量の比αが係数として乗算される。尚、半導体レーザ２１のレーザパワーに対する迷光によるオフセット量の比αの算出方法については、図を参照しながら以下で詳細に説明する。
【００４０】
このように構成された光ディスク装置では、光ディスク装置の起動時に半導体レーザ２１のレーザパワーと光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量とを計測して半導体レーザ２１のレーザパワーに対する迷光によるオフセット量の比αを求めた後、ディスク装着部に装着された光ディスク１０の再生時または記録時に光ピックアップ２０の内部で生じる迷光の調整が行われる。そして、半導体レーザ２１のレーザパワーに対する迷光によるオフセット量の比αは、光ディスク装置に光ディスク１０が装着されていない状態に限らず、光ディスク装置に光ディスク１０が装着された状態でも求めることができる。これについて、図２及び図５を参照しながら説明する。
【００４１】
ここで、ディスク装着部に光ディスク１０が装着された状態のとき、図２及び図５に実線の矢印で示すように、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光が光ディスク１０に照射されると、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光に加えて光ディスク１０で反射されたレーザ光もフォトディテクタ２９に入射する。そして、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光と光ディスク１０で反射されたレーザ光とを合わせた光がフォトディテクタ２９で検出されるため、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光だけを検出することができない。よって、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光だけをフォトディテクタ２９に入射させて迷光だけを検出するために、ディスク装着部に光ディスク１０が装着されていることが確認されると、遮光部材３０により半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光の光ディスク１０への照射を阻止する。
【００４２】
具体的に、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光の検出を行うとき、レーザドライバ２２の駆動電流の大きさに比例したパワーを有するレーザ光が、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射される。半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光は、コリメートレンズ２３に入射する。そして、コリメートレンズ２３により平行光束とされたレーザ光は、整形プリズム２４によりその断面が円形に整形される。続いて、整形プリズム２４を通過したレーザ光は、グレーティング２５において３ビームに分散され、即ち、グレーティング２５において記録再生用の０次光（主ビーム）とトラッキング用の±１次光（副ビーム）とに分散され、その後に偏光ビームスプリッタ２６に入射する。
【００４３】
偏光ビームスプリッタ２６に入射したレーザ光のうちの偏光ビームスプリッタ２６の入射面に対して垂直な成分は、偏光膜２６ａで反射され、偏光膜２６ａで反射される前と比べてその光路の向きが９０°変化する。また、偏光ビームスプリッタ２６に入射したレーザ光のうちの偏光ビームスプリッタ２６の入射面に対して平行な成分は、図２及び図５に破線の矢印で示すように、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａを透過する。
【００４４】
そして、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａを透過したレーザ光は、フォワード・センス・ダイオード２８に入射する。このフォワード・センス・ダイオード２８において半導体レーザ２１から出射されたレーザ光が検出されるとともに、レーザ光のパワーに比例した電流信号がこのフォワード・センス・ダイオード２８から出力される。フォワード・センス・ダイオード２８から出力された電流信号は、図５に一点鎖線の矢印で示すように、電流電圧変換回路３１で電圧信号に変換された後、サーボＤＳＰ４０に設置された第２のＡ／Ｄコンバータ４２においてアナログ信号からデジタル信号に変換される。
【００４５】
一方、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光は、光ディスク１０へ向けて照射され、偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路上に設置された遮光部材３０に入射する。そして、この遮光部材３０により光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路が閉鎖されるため、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光の光ディスク１０への照射が阻止される。
【００４６】
尚、遮光部材３０がスライド式に構成されるものであれば、この遮光部材３０を図２に破線で示す位置から図２に実線で示す位置に移動させることにより、即ち、この遮光部材３０を偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路上に移動させることにより、光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路が閉鎖される。また、遮光部材３０が液晶シャッター式に構成されるものであれば、液晶素子の配列が偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路と垂直な向きとなるように遮光部材３０に電圧を印加することにより、光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路が閉鎖される。
【００４７】
このように、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光を遮光部材３０に入射させて光ディスク１０へのレーザ光の照射を阻止することで、図２及び図５に破線の矢印で示すように、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光だけをフォトディテクタ２９に入射させることができる。
【００４８】
そして、フォトディテクタ２９において、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光が検出されるとともに、この迷光のパワーに比例した電圧信号がフォトディテクタ２９から出力される。フォトディテクタ２９から出力された電圧信号は、図５に一点鎖線の矢印で示すように、サーボＤＳＰ４０に設置された第１のＡ／Ｄコンバータ４１においてアナログ信号からデジタル信号に変換される。
【００４９】
その後、信号処理部４５において、第１のＡ／Ｄコンバータ４１から出力された電圧信号と第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力された電圧信号のそれぞれが処理され、半導体レーザ２１のレーザパワーと光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量とがそれぞれ求められる。
【００５０】
また、図４に示すように、半導体レーザ２１のレーザパワーを横軸とするとともに光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量を縦軸とするグラフにおいて、計測により得られた半導体レーザ２１のレーザパワーと光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量とが比例する。そして、半導体レーザ２１のレーザパワーに対する迷光によるオフセット量の比α（即ち、図４に示すグラフの傾きα）が、乗算器４３において第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力された電圧信号に乗ずる係数として求められる。
【００５１】
このようにして、光ディスク装置の起動時に半導体レーザ２１のレーザパワーと光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量との関係を求めた後、光ディスク装置に装着された光ディスク１０の再生時または記録時に光ディスク１０で反射されたレーザ光とともにフォトディテクタ２９に入射する迷光の調整が行われる。これについて、図１及び図３を参照しながら説明する。尚、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光が偏光ビームスプリッタ２６に入射するまでの流れについては、上述した流れと同じであるため、その説明を省略する。
【００５２】
光ディスク装置に装着された光ディスク１０の再生時または記録時において、図１及び図３に実線の矢印で示すように、半導体レーザ２１から出射されるとともに偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光が、光ディスク１０へ向けて照射される。このとき、遮光部材３０が、偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路を妨げない状態に保たれる。
【００５３】
そして、遮光部材３０がスライド式に構成されるものであれば、この遮光部材３０を図１に破線で示す位置から図１に実線で示す位置に移動させることにより、即ち、この遮光部材３０を偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路上から外すことにより、光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路が解放される。また、遮光部材３０が液晶シャッター式に構成されるものであれば、液晶素子の配列が偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路と平行な向きとなるように遮光部材３０に電圧を印加することにより、光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路が解放される。
【００５４】
このように、遮光部材３０が偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路を妨げない状態に保たれるため、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光が対物レンズ２７に入射する。そして、対物レンズ２７を通過したレーザ光が、光ディスク１０上に集光される。光ディスク１０で反射されたレーザ光は、偏光ビームスプリッタ２６から光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路を逆向きに偏光ビームスプリッタ２６へと向かう。即ち、光ディスク１０で反射されたレーザ光は、対物レンズ２７を通って偏光ビームスプリッタ２６に入射する。
【００５５】
ここで、グレーティング２５を通過した後に偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａで反射されたレーザ光は、偏光ビームスプリッタ２６と光ディスク１０とを結ぶレーザ光の光路上を往復する間にその偏光方向が９０°変化する。このため、対物レンズ２７を通過した後に偏光ビームスプリッタ２６に入射するレーザ光は、偏光ビームスプリッタ２６の入射面に対して平行な成分のみとなる。よって、偏光ビームスプリッタ２６に入射したレーザ光は、図１及び図３に破線の矢印で示すように、偏光膜２６ａを透過してフォトディテクタ２９に入射する。即ち、フォトディテクタ２９へは、光ディスク１０で反射されたレーザ光と光ピックアップ２０の内部で生じる迷光とが入射する。
【００５６】
そして、このフォトディテクタ２９において光ディスク１０で反射されたレーザ光と光ピックアップ２０の内部で生じる迷光とを合わせた光が検出されるとともに、そのパワーに比例した電圧信号がこのフォトディテクタ２９から出力される。フォトディテクタ２９から出力された電圧信号は、図３に一点鎖線の矢印で示すように、サーボＤＳＰ４０に設置された第１のＡ／Ｄコンバータ４１においてアナログ信号からデジタル信号に変換された後、加算器４４に送られる。
【００５７】
一方、グレーティング２５を通過した後、図１及び図３に破線の矢印で示すように、偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａを透過したレーザ光は、フォワード・センス・ダイオード２８に入射する。そして、このフォワード・センス・ダイオード２８において半導体レーザ２１から出射されたレーザ光が検出されるとともに、そのパワーに比例した電流信号がこのフォワード・センス・ダイオード２８から出力される。フォワード・センス・ダイオード２８から出力された電流信号は、図３に一点鎖線の矢印で示すように、サーボＤＳＰ４０に設置された電流電圧変換回路３１で電圧信号に変換された後、第２のＡ／Ｄコンバータ４２においてアナログ信号からデジタル信号に変換される。
【００５８】
第２のＡ／Ｄコンバータ４２においてデジタル信号に変換された電圧信号は、乗算器４３へと送られる。そして、乗算器４３において、第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力された電圧信号に、予め求めておいた半導体レーザ２１のレーザパワーに対する迷光によるオフセット量の比α（即ち、図４に示すグラフの傾きα）が係数として乗算されるとともに、得られた電圧の正負が反転されて乗算器４３から出力される。乗算器４３から出力された電圧信号は、加算器４４へと送られる。
【００５９】
その後、加算器４４において、第１のＡ／Ｄコンバータ４１から出力される電圧信号に応じた出力電圧と、乗算器４３から出力される電圧信号に応じた出力電圧とが加算される。即ち、加算器４４が、光ディスク１０で反射されたレーザ光と光ピックアップ２０の内部で生じる迷光とを合わせた光のパワーに応じた出力電圧から光ピックアップ２０の内部で生じる迷光のパワーに応じた出力電圧を減ずることで、この加算器４４において、光ディスク１０で反射したレーザ光のパワーに応じた出力電圧が求められる。
【００６０】
このようにして、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量がキャンセルされる。そして、光ディスク１０で反射したレーザ光のパワーに比例した電圧信号が、加算器４４から出力されて信号処理部４５へと送られる。
【００６１】
また、上述のように、光ディスク１０の記録時または再生時に半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーが、光ディスク装置の製造時に設定された光ディスク１０の記録時または再生時における半導体レーザ２１のレーザパワーの最適値と異なる場合にも、フォトディテクタ２９から検出される電気信号にオフセットが生じる。このため、光ディスク装置の起動時に、ディスク装着部に光ディスク１０が装着されていることが確認されると、遮光部材３０により光ディスク１０へのレーザ光の照射を阻止した状態で、半導体レーザ２１のレーザパワーのキャリブレーションを行う。よって、この半導体レーザ２１のレーザパワーのキャリブレーションは、光ディスク装置に光ディスク１０が装着されていない状態に限らず、光ディスク装置に光ディスク１０が装着された状態でも行うことができる。
【００６２】
具体的には、光ディスク装置の製造時に、光ディスク１０へのデータの記録時や光ディスク１０に記録されたデータの再生時に半導体レーザ２１から出射されるとともに偏光ビームスプリッタ２６を透過したレーザ光のパワーを、光パワーメーター（不図示）を用いて計測する。そして、光ディスク１０へのデータの記録時や光ディスク１０に記録されたデータの再生時における半導体レーザ２１のレーザパワーの最適値を光ディスク装置に記憶させておく。
【００６３】
そして、光ディスク装置の起動時に、図２及び図５に示すように、遮光部材３０により偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路を閉鎖した状態で、光ディスク１０へのデータの記録時において半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーや光ディスク１０に記録されたデータの再生時において半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーの測定を行う。
【００６４】
このとき、図５に示すように、半導体レーザ２１から出射されるとともに偏光ビームスプリッタ２６の偏光膜２６ａを透過したレーザ光は、フォワード・センス・ダイオード２８に入射し、電流信号に変換されて出力される。フォワード・センス・ダイオード２８から出力された電流信号は、電流電圧変換回路３１で電圧信号に変換された後、サーボＤＳＰ４０の第２のＡ／Ｄコンバータ４２からデジタル信号として出力される。
【００６５】
その後、信号処理部４５において、第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力される電圧信号を処理することにより得られるレーザ光のパワーと、光ディスク装置に記憶された光ディスク１０へのデータの記録時や光ディスク１０に記録されたデータの再生時における半導体レーザ２１のレーザパワーの最適値と、の比較が行われる。
【００６６】
この比較結果により、第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力される電圧信号に応じたレーザ光のパワーと、光ディスク装置に記憶された光ディスク１０の記録時または再生時における半導体レーザ２１のレーザパワーの最適値と、が異なれば、光ディスク装置に記憶された光ディスク１０の記録時または再生時における半導体レーザ２１のレーザパワーの最適値と一致するように、第２のＡ／Ｄコンバータ４２から出力される電圧信号に応じたレーザ光のパワーの補正が行われる。
【００６７】
また、このとき、半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーが光ディスク装置に記憶された光ディスク１０の記録時または再生時における半導体レーザ２１のレーザパワーの最適値と一致するようにレーザドライバ２２に補正値を設定することにより、半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーの調整が行われる。そして、この半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーの調整は、例えば、レーザドライバ２２から半導体レーザ２１に供給する駆動電流に補正値を乗じてレーザドライバ２２から半導体レーザ２１に供給する駆動電流を変化させることにより行われる。
【００６８】
本実施形態によれば、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光の検出を行う際に、ディスク装着部に光ディスク１０が装着されていることを確認すると、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光を遮光部材３０に入射させて光ディスク１０へのレーザ光の照射を阻止するようにしているため、迷光だけをフォトディテクタ２９で検出することができ、ディスク装着部に光ディスク１０が装着されているときでも迷光の調整を行うことができる。
【００６９】
また、本実施形態によれば、半導体レーザ２１から出射されるレーザ光のパワーのキャリブレーションを行う際に、ディスク装着部に光ディスク１０が装着されていることを確認すると、半導体レーザ２１から光ディスク１０へ向けて出射されたレーザ光を遮光部材３０に入射させて光ディスク１０へのレーザ光の照射を阻止するようにしているため、強いパワーを有するレーザ光が光ディスク１０に照射されることを阻止して光ディスク１０に誤ったデータが記録されることを防止できる。従って、本実施形態によれば、光ディスク装置に光ディスク１０が装着された状態においても迷光調整やレーザパワーのキャリブレーションを行うことができる。
【００７０】
尚、上記光ディスク装置では、遮光部材３０により光ディスク１０へのレーザ光の照射を阻止した状態で光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量を検出するようにしているが、これに限るものではない。すなわち、光ディスク装置に光ディスク１０が装着されていない状態のときには、半導体レーザ２１から出射されたレーザ光が光ディスク１０で反射されることがないため、遮光部材３０を偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路を妨げない状態に保つようにしてもよい。
【００７１】
具体的に、迷光によるオフセット量を検出する際に、光ディスク装置に光ディスク１０が装着されていなければ、スライド式に構成された遮光部材３０を図２に破線で示す位置に設置するようにしてもよい。或いは、遮光部材３０が液晶シャッター式に構成されるとき、遮光部材３０における液晶素子の配列が偏光ビームスプリッタ２６から出射されて光ディスク１０へ向かうレーザ光の光路と平行な向きとなるように、遮光部材３０に電圧を印加するようにしてもよい。
【００７２】
また、上記光ディスク装置では、遮光部材３０を偏光ビームスプリッタ２６と対物レンズ２７との間に設置するようにしているが、これに限るものではない。すなわち、図１及び図２に示すように、対物レンズ２７と光ピックアップ２０の側壁との間に対物レンズ２７を設置するようにしてもよい。このような構成とすることで、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量を検出する際に、半導体レーザ２１から出射されるレーザ光を対物レンズ２７に入射させることができるため、対物レンズ２７の影響により生じる迷光もフォトディテクタ２９で検出することができる。よって、光ピックアップ２０の内部で生じる迷光によるオフセット量の検出をより一層正確に行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
以上説明したように、本発明は、レーザ光をディスクに照射してデータの記録や再生を行う光ピックアップを備える光ディスク装置に関し、特に、光ピックアップの内部で生じる迷光の調整やレーザパワーのキャリブレーションを行うものについて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】実施形態に係る光ディスク装置に設置される光ピックアップの構成と光ディスクの記録時または再生時におけるレーザ光の光路とを示す図である。
【図２】実施形態に係る光ディスク装置に設置される光ピックアップの構成と光ピックアップ内部で生じる迷光の検出を行う際のレーザ光の光路とを示す図である。
【図３】実施形態に係る光ディスク装置に設置されるサーボＤＳＰの構成と光ディスクの記録時または再生時におけるレーザ光及び電気信号の進む向きとを示す図である。
【図４】半導体レーザのレーザパワーと光ピックアップの内部で生じる迷光によるオフセット量との関係を表す図である。
【図５】実施形態に係る光ディスク装置に設置されるサーボＤＳＰの構成と光ピックアップの内部で生じる迷光の検出を行う際のレーザ光及び電気信号の進む向きとを示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０  光ディスク
２０  光ピックアップ
２１  半導体レーザ
２２  レーザドライバ
２３  コリメートレンズ
２４  整形プリズム
２５  グレーティング
２６  偏光ビームスプリッタ
２６ａ  偏光膜
２７  対物レンズ
２８  フォワード・センス・ダイオード
２９  フォトディテクタ
３０  遮光部材
３１  電流電圧変換回路
４０  サーボＤＳＰ
４１  第１のＡ／Ｄコンバータ
４２  第２のＡ／Ｄコンバータ
４３  乗算器
４４  加算器
４５  信号処理部
【図１】
2006313593.tif 000003
【図２】
2006313593.tif 000004
【図３】
2006313593.tif 000005
【図４】
2006313593.tif 000006
【図５】
2006313593.tif 000007