(57)【要約】【課題】イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で薄膜を成膜することができるプラズマＣＶＤ装置を実現する。【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、基板フォルダ１４と、基板フォルダ１４に設置された被処理基板１０に対向するように配置され、板状部１９ａ及び板状部１９ａから被処理基板１０側へ突出する突出部１９ｂを有するカソード電極１９と、板状部１９ａよりも被処理基板１０寄りに設けられ、カソード電極１９とは異なる電位の電圧が印加されるアノード電極２０と、アノード電極２０と同電位であり、カソード電極１９と対向するように、カソード電極１９と被処理基板１０との間に、アノード電極２０よりも被処理基板１０寄りに設けられ、厚さ方向に貫通する開孔を有するシート状の第２アノード電極２１とを有する。【選択図】図１
2006324396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置であって、
被処理基板を設置するための基板設置部材と、
上記基板設置部材に設置された被処理基板に対向するように配置され、板状部及び該板状部から上記設置された被処理基板側へ突出する突出部を有する第１電極と、
上記板状部よりも上記設置された被処理基板寄りに設けられ、上記第１電極とは異なる電位の電圧が印加される第２電極と、
上記第２電極と同電位であり、上記第１電極と対向するように、上記第１電極と上記設置された被処理基板との間に上記第２電極よりも上記設置された被処理基板寄りに設けられ、厚さ方向に貫通する開孔を有するシート状の第３電極と、
を有するプラズマプロセス装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたプラズマプロセス装置において、
上記板状部の上記第１電極の上に形成された電極間絶縁部材をさらに有し、
上記第２電極は上記電極間絶縁部材の上に形成されているプラズマプロセス装置。
【請求項３】
請求項２に記載されたプラズマプロセス装置において、
上記突出部は上記設置された被処理基板に対して上記電極間絶縁部材よりも接近しており、
上記第２電極は上記設置された被処理基板に対して上記突出部よりも接近しているプラズマプロセス装置。
【請求項４】
請求項２に記載されたプラズマプロセス装置において、
上記電極間絶縁部材は上記第１電極に開口する開口部を有し、
上記突出部は上記開口部内に形成されているプラズマプロセス装置。
【請求項５】
請求項１に記載されたプラズマプロセス装置において、
上記第３電極はメッシュ状であるプラズマプロセス装置。
【請求項６】
請求項１に記載されたプラズマプロセス装置において、
上記突出部は突条であるプラズマプロセス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマプロセス装置に関する。詳細には、表示装置に使用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ)基板等を製造する装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマを利用して半導体膜等を成膜する方法としてプラズマ励起化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下、プラズマＣＶＤ法と略称する。）が知られている。プラズマＣＶＤ法により被処理基板に成膜を行うためのプラズマプロセス装置としては平行平板型の装置が挙げられる。以下、図１２、図１３を参照しながら従来の平行平板型のプラズマプロセス装置について説明する。
【０００３】
図１２は従来の平行平板型のプラズマプロセス装置１００の要部を示す概略斜視図である。
【０００４】
図１３は成膜時における平行平板型のプラズマプロセス装置１００を示す断面図である。
【０００５】
平行平板型のプラズマプロセス装置１００は、真空容器である処理室１０５と、処理室１０５の内部に平行に配置されたカソード電極１０２ａ（放電電極）及びアノード電極１０２ｂとを備えている。
【０００６】
カソード電極１０２ａは処理室１０５内に設けられた電極支持部１２２の上に固定支持されている。アノード電極１０２ｂはカソード電極１０２ａの上方に設けられている。カソード電極１０２ａには、プラズマ１１１を発生させるための電圧を印加する電源回路１０１が接続されている。電源回路１０１としては、通常周波数が例えば１３．５６ＭＨｚの高周波の電気的エネルギー等が一般に使用される。一方、アノード電極１０２ｂは電気的に接地されている。
【０００７】
アノード電極１０２ｂの下面には、処理対象であるシリコンやガラス等の被処理基板１０４が装着されている。カソード電極１０２ａには、複数のガス導入孔１０６が形成されている。ガス供給部１１３から供給された材料ガスはガス導入孔１０６を経由してカソード電極１０２ａとアノード電極１０２ｂとの間の空間へ供給される。また、処理室１０５には、真空ポンプ１１０が接続されている。
【０００８】
電源回路１０１によりカソード電極１０２ａに所定の電圧が印加されると、両電極１０２ａ，１０２ｂの間に電界が発生する。発生した電界の絶縁破壊現象によりグロー放電現象であるプラズマ１１１が生じる。カソード電極１０２ａの近傍において、比較的大きい電界が形成される部分を、カソードシース部と呼ぶ。カソードシース部や、その近傍では、プラズマ１１１中の電子が加速され、ガス供給部１１３から供給された材料ガスの解離を促してラジカルが生成される。ラジカルは、図１３において矢印Ｒで示すように、接地電位のアノード電極１０２ｂに装着された被処理基板１０４へ向かって拡散し、被処理基板１０４の表面に堆積することによって成膜が行われる。
【０００９】
成膜時において、処理室１０５の内部は真空ポンプ１１０により減圧されている。また、アノード電極１０２ｂの近傍部分にも、ある程度の大きさの電界が形成される。その近傍部分をアノードシース部と呼ぶ。
【００１０】
例えば、被処理基板１０４の表面にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を成膜する場合には、材料ガスとしてＳｉＨ4ガスを用いることができる。そして、グロー放電プラズマにより、ＳｉＨ3ラジカル等のＳｉを含むラジカルを生成される。その生成したラジカルにより被処理基板１０４の上にアモルファスシリコン薄膜が形成される。
【００１１】
このように、平行平板型のプラズマプロセス装置は、簡便性や操作性に優れているため、集積回路、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び太陽電池等の種々の電子デバイスの製造に好適に用いられている。例えば、アクティブ駆動型の液晶ディスプレイの製造工程では、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が、プラズマプロセス装置を用いて形成される。ＴＦＴでは、アモルファスシリコン薄膜や窒化シリコン等により構成される半導体膜が特に重要な役割を果たす。このため、高品位なＴＦＴを実現するためには、半導体膜を高精度に形成することが不可欠である。
【００１２】
例えば有機エレクトロルミネッセンス素子を作製するためには、有機薄膜を成膜した後、大気に曝される表面を保護する保護膜として、透明絶縁膜を高精度に形成することが必要である。
【００１３】
同様に、太陽電池を作製するためには、太陽電池層を成膜した後に、大気に曝される表面を保護する保護膜を、高品質に成膜することが重要である。
【００１４】
しかしながら、平行平板型のプラズマプロセス装置１００では、被処理基板１０４が接地電極（アノード電極）１０２ｂ上に設けられているため、被処理基板１０４表面に電界のアノードシース部が常に形成されることとなる。このアノードシース部では、プラズマ中のイオンが加速されるため、被処理基板１０４の成膜表面にイオン衝撃（イオンダメージ）が加わる。従って、従来の平行平板型のプラズマプロセス装置１００では上記半導体膜等を十分に高品位に製造することが困難であるという問題がある。
【００１５】
そこで、例えば特許文献１、２には、放電プラズマを生成するための複数のアノード電極及びカソード電極が、被処理基板に対向する位置で交互に並べて配設された複合電極型のプラズマプロセス装置が提案されている。この複合電極型のプラズマプロセス装置では、被処理基板がアノード電極と分離して設けられているため、プラズマ中のイオンは、被処理基板の表面へ向かって加速されない。その結果、成膜表面に対するアノード電極へのイオン衝撃の影響（イオンダメージ）が抑制されるため、平行平板型プラズマプロセス装置に比べて、高品質な薄膜形成が可能となる。
【特許文献１】特開２００１−３３８８８５号公報
【特許文献２】特開２００４−１５８８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記複合電極型のプラズマプロセス装置では十分な成膜速度が得られず、スループットが低いという問題がある。
【００１７】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で成膜することができるプラズマプロセス装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係るプラズマプロセス装置は被処理基板にプラズマ処理を施すためのものものである。本発明に係るプラズマプロセス装置は、被処理基板を設置するための基板設置部材と、第１電極と、第１電極とは異なる電位の電圧が印加される第２電極と、厚さ方向に貫通する開孔を有する、第２電極と同電位のシート状の第３電極とを有する。第１電極は板状部及び板状部から基板設置部材に設置された被処理基板側へ突出する突出部を有する。第１電極は基板設置部材に設置された被処理基板に対向するように配置されている。第２電極は板状部よりも基板設置部材に設置された被処理基板寄りに設けられている。第３電極は第１電極と対向するように、第１電極と基板設置部材に設置された被処理基板との間に設けられている。第３電極は第２電極よりも基板設置部材に設置された被処理基板寄りに設けられている。
【００１９】
本発明に係るプラズマプロセス装置では、第１電極と第２電極との間、及び第１電極と第３電極との間の双方でプラズマが発生する。発生したプラズマにより供給されたガスが分解・解離されてラジカルが生成される。生成されたラジカルは、第３電極に設けられた開孔を通過して、被処理基板まで拡散し、基板設置部材に設置された被処理基板の表面に付着・堆積する。
【００２０】
このように、本発明に係るプラズマプロセス装置では、第１電極と第２電極との間だけではなく、第１電極と第３電極との間においてもプラズマが発生する。このため、本発明に係るプラズマプロセス装置は広いプラズマ発生領域を有する。また、第３電極は第２電極よりも被処理基板に近くに設けられている。このため、第３電極を設けることにより、被処理基板により近いところでプラズマを発生させることができる。従って、本発明に係るプラズマプロセス装置によれば、高い成膜速度で薄膜を成膜することができる。
【００２１】
本発明に係るプラズマプロセス装置では、第３電極が第１電極及び第２電極よりも被処理基板寄りに設けられている。このため、プラズマを形成するイオン、及びラジカルは第３電極よりも被処理基板側とは反対側で生成される。ラジカルは第３電極に形成された開孔を通過して被処理基板まで拡散するが、プラズマを形成するイオンの多くは第３電極でトラップされる。従って、被処理基板へのイオンの到達を抑制することができるので、イオンダメージの少ない薄膜を形成することができる。
【００２２】
本発明に係るプラズマプロセス装置は、板状部の基板設置部材に第１電極の上に形成された電極間絶縁部材をさらに有し、第２電極が電極間絶縁部材の上に形成されていてもよい。
【００２３】
また、突出部は基板設置部材に設置された被処理基板に対して電極間絶縁部材よりも接近しており、第２電極は基板設置部材に設置された被処理基板に対して突出部よりも接近していてもよい。この構成によれば、プラズマ発生領域をより拡大することができる。このため、より高い成膜速度を実現することができる。
【００２４】
また、電極間絶縁部材は第１電極に開口する開口部を有し、突出部は開口部内に形成されていてもよい。
【００２５】
本発明に係るプラズマプロセス装置では、第３電極がメッシュ状であってもよい。
【００２６】
本発明に係るプラズマプロセス装置では、突出部が突条であってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように、本発明に係るプラズマプロセス装置によれば、プラズマ発生領域を拡大することができ、且つプラズマを形成するイオンの被処理基板への到達を抑制することができるので、イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で薄膜を成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。尚、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２９】
（実施形態１）図１は実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１を模式的に表す斜視図である。
【００３０】
図２は実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１を模式的に表す断面図である。
【００３１】
プラズマプロセス装置としてのプラズマＣＶＤ装置１は、被処理基板１０が装入される処理室（真空容器）１１と、この処理室１１内に材料ガスを導入するガス導入口１２と、処理室１１内に設けられたプラズマ放電発生部１３とを有する。典型的には、処理室１１内に、被処理基板１０を保持する基板ホルダ（基板設置部材）１４が設けられており、被処理基板１０は基板ホルダ１４に設置される。
【００３２】
処理室１１の外部には、プラズマ放電発生部１３に電力を供給する、言い換えれば電気的エネルギーを印加する高周波電源１５と、材料ガス（以下、単に「ガス」ともいう。）を処理室１１内に供給するガス供給部１６ａと、処理室１１のガスの圧力を調整するガス圧調整部１６ｂと、処理室１１内のガスを排出するガス排出部１７とが設けられている。ガス供給部１６ａはガスボンベ等により構成することができる。ガス圧調整部１６ｂはガス圧調整バルブ等により構成することができる。ガス排出部１７としては、例えば、メカニカル・ブースター・ポンプやロータリーポンプが用いられる。高周波電源１５は、配線１８を介してプラズマ放電発生部１３に接続されている。高周波電源１５の周波数は例えば１３．５６ＭＨｚとすることができる。
【００３３】
プラズマ放電発生部１３は、被処理基板１０から離間し、被処理基板１０に対向するように処理室１１内に設けられている。プラズマ放電発生部１３は、カソード電極（第１電極）１９と、第１アノード電極（第２電極）２０と、第２アノード電極（第３電極）２１とを有する。
【００３４】
カソード電極１９は、板状部１９ａと、板状部１９ａから被処理基板１０側へ突出する突条の突出部１９ｂとを有する。板状部１９ａの上には、断面略矩形の複数の電極間絶縁層（電極間絶縁部材）２２が相互に並行に延びるように、等間隔に設けられている。第１アノード電極２０は電極間絶縁層２２の上端面を覆うように設けられている。すなわち、第１アノード電極２０は、板状部１９ａよりも被処理基板１０側に、相互に並行に延びるように（ストライプ状に）設けられている。
【００３５】
第２アノード電極２１は板状部１９ａと平行に対向するように設けられている。第２アノード電極２１はカソード電極１９と被処理基板１０との間に設けられている。第２アノード電極２１は第１アノード電極２０よりも被処理基板寄りに設けられている。
【００３６】
第２アノード電極２１には厚さ方向に貫通する複数の開孔が設けられている。具体的に、第２アノード電極２１はメッシュ状に形成されている。さらに具体的には、第２アノード電極２１は、アルミニウムやステンレス等からなる針金で編んだ網状構造を有していてもよく、また、アルミニウムやステンレス等からなる金属板に複数の開孔が形成されたものであってもよい。尚、第２アノード電極２１は中央部分が弛まないように、周辺部分を厚板等に固定（ボルト固定、溶接固定）しておくことが好ましい。
【００３７】
第２アノード電極２１のメッシュサイズは、処理室１１内のガス圧、所望の膜質等によって好適な範囲が異なる。このため、一般的に定義することは困難であるが、例えば１０メッシュ〜１００メッシュ程度とすることができる。尚、開孔の形状は特に限定されるものではなく、円形、楕円形、四辺形（矩形）等であってもよい。
【００３８】
板状部１９ａには、板状部１９ａを厚み方向に貫通する複数のガス導入口１２が設けられている。ガス供給部１６ａから供給されたガスはガス滞留部２３に一旦滞留した後、ガス導入口１２を通過して処理室１１内に導入される。各ガス導入口１２は、カソード電極１９に形成された溝２４における溝幅方向の中央に設けられている。尚、ガス導入口１２が設けられる位置としては、図１および図２に示すように、カソード電極１９側が好ましい。本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１では、カソード電極１９がアノード電極２０、２１よりも被処理基板１０から離れている。したがって、カソード電極１９側からガスを導入することで、被処理基板１０へ向かってスムーズにガスが流れる。
【００３９】
プラズマ放電発生部１３では、カソード電極１９とアノード電極２０、２１との間に印加される電圧（電位差）に応じて放電（プラズマ）２５を発生させる。プラズマ放電発生部１３に供給されたガスが分解・解離されてラジカルが生成される。図２中の２６はラジカルの流れを示している。生成されたラジカルは、被処理基板１０まで拡散し、基板ホルダ１４に保持された被処理基板１０の表面に付着・堆積する。すなわち、被処理基板１０表面に膜が成長して薄膜が形成される。
【００４０】
生成されたラジカルは、次々に薄膜表面に到達して薄膜の厚さが増していく。設定された膜厚になるまで電圧を印加し続けた後、カソード電極１９とアノード電極２０、２１との間への電圧の印加（プラズマ放電発生部１３への電力の供給）を停止する。このようにして、被処理基板１０の表面にプラズマ処理が施される。その後、基板ホルダ１４から被処理基板１０を取り外し、処理室１１外に取り出すと、薄膜が形成された薄膜形成基板が得られる。
【００４１】
本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１は第２アノード電極２１を有するため、カソード電極１９及び第１アノード電極２０のみによりプラズマ放電発生部１３が構成されている従来の複合電極型プラズマＣＶＤ装置よりも広いプラズマ発生領域を有する。
【００４２】
図３は本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１におけるプラズマ発生領域を表した部分断面図である。
【００４３】
図４はカソード電極２１９及び第１アノード電極２２０のみによりプラズマ放電発生部２１３が構成されている従来の複合電極型プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生領域を表した部分断面図である。
【００４４】
図３、４に示すように、第２アノード電極２１を設けることによって、プラズマ発生領域Ｒが被処理基板１０側（図３において上側）に拡大される。このため、本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１は、図４に示すような従来の複合電極型のプラズマＣＶＤ装置よりも高い成膜速度を実現することができる。
【００４５】
また、本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１では、第２アノード電極２１がカソード電極１９よりも被処理基板１０側に設けられている。このため、プラズマを形成するイオン、及びラジカルは第２アノード電極２１よりも被処理基板１０側とは反対側（被処理基板１０から見て、第２アノード電極２１よりも向こう側）で生成される。ラジカルは第２アノード電極２１に形成された開孔を通過して被処理基板まで拡散するが、プラズマを形成するイオンの多くは第２アノード電極２１でトラップされる。従って、被処理基板１０へのイオンの到達を抑制することができるので、イオンダメージの少ない薄膜を形成することができる。
【００４６】
ところで、板状部１９ａ、第１アノード電極２０間に電極間絶縁層２２が存在しない場合、第１アノード電極２０の板状部１９ａ側の面および板状部１９ａの第１アノード電極２０側の面もプラズマ放電面として機能する。その状態で板状部１９ａと第１アノード電極２０との間で主としてプラズマを発生させる場合、主な放電は板状部１９ａの第１アノード電極２０側の面と第１アノード電極２０の板状部１９ａ側の面との間で発生する。しかしながら、その空間内で発生するプラズマで材料ガスが解離されても、解離されたラジカルの多くは、第１アノード電極２０の板状部１９ａ側の面に膜として付着してしまう。したがって、意図していた程に成膜速度を上げることができなくなるので、装置としてのスループットに限界が生じる。
【００４７】
一方、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置１では、板状部１９ａのプラズマ放電面および第１アノード電極２０のプラズマ放電面が対向していない。このため、板状部１９ａと第１アノード電極２０との間で解離されたラジカルの大半を有効に被処理基板１０へと導くことが可能である。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１によれば、イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で薄膜を成膜することができる。
【００４９】
図５は高周波電源１５と第１アノード電極２０との接続を模式的に示す図である。
【００５０】
本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１では、図５（ａ）に示すように、複数の棒状の第１アノード電極２０のそれぞれが、端部において配線１８を介して高周波電源１５に接続されている。しかし、本発明の装置はこの構成に限定されるものではない。
【００５１】
例えば、図５（ｂ）に示すように、複数の棒状の第１アノード電極２０の一方端部を同じ材質の棒で接続し、その接続した棒に高周波電源１５からの配線１８を接続してもよい。あるいは、図５（ｃ）に示すように、複数の棒状の第１アノード電極２０の両端部を同じ材質の棒で接続し、その接続した棒に高周波電源１５からの配線１８を接続してもよい。
【００５２】
（実施形態２）図６は本実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置３０を模式的に示す斜視図である。
【００５３】
図７は本実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置３０を模式的に示す断面図である。
【００５４】
図８は図７の部分拡大図である。
【００５５】
図６〜図８を参照しながら、本実施形態２のプラズマＣＶＤ装置３０を説明する。なお、以下の説明では、実施形態１のプラズマＣＶＤ装置１と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。
【００５６】
本実施形態２のプラズマＣＶＤ装置３０は、板状部１９ａのプラズマ放電面が凹面状である点で、板状部１９ａのプラズマ放電面が平板状である実施形態１のプラズマＣＶＤ装置１と異なる。
【００５７】
本実施形態２のプラズマＣＶＤ装置３０では、図６〜図８に示すように、溝２４内の板状部１９ａは、ガス導入口１２の近傍位置から外側に斜め上方へ延びる一対の傾斜面を有している。言い換えれば、溝２４の下部は、ガス導入口１２から被処理基板１０へ向かって大きくなる楔形に構成されている。対向する一対の傾斜面は、板状部１９ａのプラズマ放電面を構成している。
【００５８】
このような構成にすることによって、実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１と比較して、高い成膜速度を実現することができる。尚、成膜速度が上昇した理由は、以下のように説明できる。
【００５９】
実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１では、第１アノード電極２０と板状部１９ａとの間を絶縁するための電極間絶縁層２２の表面が板状部１９ａ面に対して垂直になっている。このため、板状部１９ａ表面で発生したプラズマ粒子やラジカル粒子が電極間絶縁層２２に衝突して消滅し易い。一方、本実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置３０では、例えば断面三角形のアルミニウム棒が存在することによって、電極間絶縁層２２の表面と板状部１９ａの傾斜面とが鈍角をなすように、好ましくはほぼ１８０°をなすようにすることができる。したがって、板状部１９ａ表面で発生したプラズマ粒子やラジカル粒子が電極間絶縁層２２に衝突して消滅する確率を低くすることができる。また、板状部１９ａのプラズマ放電面の断面形状が凹状であるので、ホローカソード効果も生じる。したがって、板状部１９ａのプラズマ放電面を凹面状とすることで、膜質など他の性能を保ったまま、装置としてのスループットを改善することができる。
【００６０】
実施形態１および２では、本発明のプラズマプロセス装置をプラズマＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、本発明のプラズマプロセス装置は、プラズマＣＶＤ装置に限定されるものではない。本発明は、プラズマを用いて薄膜の形成・加工等のプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置全般に用いることができ、例えば、ドライエッチング装置やアッシャー装置にも好適に用いることができる。
【００６１】
例えば、ドライエッチング装置に適用する場合は、処理室１１内に導入するガスとして、ＣＦ4、ＳＦ6、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＢＣｌ3、Ｏ2等のエッチングガスを用いることができる。
【００６２】
実施形態１および２においては、ガス導入口１２が板状部１９ａ側に設けられる場合について説明したが、ガス導入口１２の形成位置はこれに限定されない。例えば、プラズマ放電発生部１３と被処理基板１０との間に位置するように、ガス導入口１２を設けてもよい。この場合、ガスは被処理基板１０の面方向に沿って、ガス導入口１２から処理室１１内に導入される。
【００６３】
実施形態１、２では、第１アノード電極２０から被処理基板１０間での距離と突出部１９ｂから被処理基板１０間での距離は略同一であるが（図３参照）、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。
【００６４】
図９は突出部１９ｂと第１アノード電極２０との位置関係を示す模式図である。
【００６５】
図９に示すように、突出部１９ｂは被処理基板１０に対して電極間絶縁層２２よりも接近しており、第１アノード電極２０は被処理基板１０に対して突出部１９ｂよりも接近するように、カソード電極１９、第１アノード電極２０、電極間絶縁層２２を形成してもよい。このようにすることによって、プラズマ発生領域Ｒをより拡大することができる。このため、より高い成膜速度を実現することができる。
【００６６】
（実施形態３）図１０は実施形態３に係るプラズマＣＶＤ装置４０を模式的に表す斜視図である。
【００６７】
図１１は実施形態３に係るプラズマＣＶＤ装置４０を模式的に表す断面図である。
【００６８】
図１０、図１１を参照しながら、本実施形態３のプラズマＣＶＤ装置４０を説明する。なお、以下の説明では、実施形態１のプラズマＣＶＤ装置１と実質的に同じ機能を有する構成要素を同じ参照符号で示し、その説明を省略する。
【００６９】
本実施形態３のプラズマＣＶＤ装置４０は、突出部１９ｂ、電極間絶縁層２２、及び第１アノード電極２０の形状が実施形態１のプラズマＣＶＤ装置１と異なる。
【００７０】
プラズマＣＶＤ装置４０では、板状に形成された板状部１９ａの上を被覆するように電極間絶縁層２２が形成されている。電極間絶縁層２２には複数の円柱状の開口４１が設けられている。開口４１は板状部１９ａに開口している。開口４１の中に円柱状の突出部１９ｂが形成されている。そして、第１アノード電極２０及びカソード電極１９と被処理基板１０との間にメッシュ状の第２アノード電極２１が設けられている。従って、実施形態３に係るプラズマＣＶＤ装置４０でも、実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１と同様に、イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で薄膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１を模式的に表す斜視図である。
【図２】実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１を模式的に表す断面図である。
【図３】本実施形態１に係るプラズマＣＶＤ装置１におけるプラズマ発生領域を表した部分断面図である。
【図４】従来の複合電極型プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生領域を表した部分断面図である。
【図５】高周波電源１５と第１アノード電極２０との接続を模式的に示す図である。
【図６】本実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置３０を模式的に示す斜視図である。
【図７】本実施形態２に係るプラズマＣＶＤ装置３０を模式的に示す断面図である。
【図８】図７の部分拡大図である。
【図９】突出部１９ｂと第１アノード電極２０との位置関係を示す模式図である。
【図１０】実施形態３に係るプラズマＣＶＤ装置４０を模式的に表す斜視図である。
【図１１】実施形態３に係るプラズマＣＶＤ装置４０を模式的に表す断面図である。
【図１２】従来の平行平板型のプラズマプロセス装置１００の要部を示す概略斜視図である。
【図１３】成膜時における平行平板型のプラズマプロセス装置１００を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１、３０、４０      プラズマＣＶＤ装置
１０      被処理基板
１１      処理室
１２      ガス導入口
１３      プラズマ放電発生部
１４      基板ホルダ
１５      高周波電源
１６ａ    ガス供給部
１６ｂ    ガス圧調整部
１７      ガス排出部
１８      配線
１９      カソード電極
１９ａ    板状部
１９ｂ    突出部
２０      第１アノード電極
２１      第２アノード電極
２２      電極間絶縁層
２３      ガス滞留部
２４      溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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