(57)【要約】【課題】  設計の自由度が高く、高密度実装に適した高性能な多層基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  多層基板４４は、積層された複数の絶縁層と、各絶縁層間に形成された配線パターンとを備え、前記配線パターンは、所定の厚みを有する第１の配線パターン２２と、第１の配線パターンよりも薄い第２の配線パターン２３含み、第２の配線パターン２３は、エッチングレートの異なる複数の導電層の積層体として構成されている。この多層基板４４は、エッチングレートの異なる複数の導電層の積層体として構成されたクラッド材の一方の面をパターンエッチングして第１の配線パターン２２を形成した後、多層基板の一部を構成する絶縁層の表面にこのクラッド材の一方の面を貼り付け、絶縁層上に貼り付けられたクラッド材の他方の面をパターンエッチングして第２の配線パターン２３を形成することにより作製される。【選択図】          図４５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の絶縁層と、
各絶縁層間に形成された配線パターンとを備え、
前記配線パターンは、所定の厚みを有する第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンよりも薄い第２の配線パターンを含み、
前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンの少なくとも一方は、エッチングレートの異なる複数の導電層の積層体として構成されていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記積層体は２つの導電層で構成され、前記２つの導電層の組み合わせは、銅（Ｃｕ）とアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）、ニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）と銀（Ａｇ）、ステンレス（ＳＵＳ）とパラジウム（Ｐｄ）、ステンレス（ＳＵＳ）と銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）とステンレス（ＳＵＳ）、銅（Ｃｕ）とステンレス（ＳＵＳ）のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
異なる層に存在する配線パターンどうしを接続するビアホールをさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記第２の配線パターンの厚み（ｔ１）が１μｍ〜１８μｍの範囲内で選択され、前記第２の配線パターンの厚みと前記第１の配線パターンの厚みとの比（ｔ２／ｔ１）が１．５〜２０の範囲内となるように前記第１の配線パターンの厚み（ｔ２）が選択されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層基板。
【請求項５】
前記第１の配線パターンの少なくとも一部がチョークコイルとして機能することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層基板。
【請求項６】
エッチングレートの異なる複数の導電層の積層体として構成されたクラッド材の一方の面をパターンエッチングして第１の配線パターンを形成する第１の工程と、
多層基板の一部を構成する絶縁層の表面に前記クラッド材の前記一方の面を貼り付ける第２の工程と、
前記絶縁層上に貼り付けられた前記クラッド材の他方の面をパターンエッチングして前記第１の配線パターンとは厚みの異なる第２の配線パターンを形成する第３の工程とを含んでいることを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項７】
前記複数の導電層の厚みがそれぞれ異なることを特徴とする請求項６に記載の多層基板の製造方法。
【請求項８】
前記クラッド材の前記一方の面側に設けられた導電層の厚みが前記クラッド材の前記他方の面側に設けられた導電層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項７に記載の多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記クラッド材は、第１の導電層、第２の導電層及び第３の導電層が順に積層された導電層の積層体として構成され、前記第１の導電層及び前記第３の導電層はともに所定のエッチング材料からなり、前記第２の導電層は所定のエッチングストップ材料からなり、前記エッチング材料と前記エッチングストップ材料の組み合わせは、銅（Ｃｕ）とアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）、ニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）と銀（Ａｇ）、ステンレス（ＳＵＳ）とパラジウム（Ｐｄ）、ステンレス（ＳＵＳ）と銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）とステンレス（ＳＵＳ）、銅（Ｃｕ）とステンレス（ＳＵＳ）のいずれかであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の導電層は前記クラッド材の前記一方の面を形成し、前記第３の導電層は前記クラッド材の前記他方の面を形成することを特徴とする請求項９に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１１】
ビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールの内部を埋める導電性材料を選択的に形成する工程とをさらに含んでいることを特徴とする請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層は、コア基板であることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層は、前記コア基板上に設けられるビルドアップ層であることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層基板及びその製造方法に関し、特に、厚みの異なるパターン及びビアホール電極を有する多層基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高密度実装に対する要求はますます厳しくなっている。このため、プリント基板に搭載される各種モジュール用の基板としては、複数の絶縁層を積層した「多層基板」が用いられることが多い。
【０００３】
多層基板の製造は、多層基板を構成する各絶縁層に配線パターン等を形成し、これを積層することにより行われる。異なる絶縁層に形成された配線パターン間の接続は、絶縁層を貫通するビアホールを介して行われる（特許文献１，２参照）。
【０００４】
各絶縁層上の配線パターンの形成には、通常、「サブトラクティブ法」と呼ばれる方法と、「アディティブ法」と呼ばれる方法の２種類が使用される。サブトラクティブ法では、絶縁層上にあらかじめ一様に形成してある導電層のエッチングにより所望のパターンを形成する。一般的に、サブトラクティブ法によるパターン形成は、導電層として厚みが一定の銅箔を使用するので厚みの精度を出しやすいが、幅を高精度に制御することが難しく、導体の厚みが厚くなるほど幅精度が低下するという性質をもつ。アディティブ法では、ドライフィルム、レジスト等でパターンを描きたい部分を露光、現像し、パターンに沿ってメッキを成長させた後、ドライフィルム等を除去して、所望のパターンを完成させる。アディティブ法によるパターン形成は、露光、現像されたドライフィルム等で幅方向の精度が決定しているので幅方向の精度は高いが、厚み方向の精度はメッキの面ばらつきに依存するので、厚みばらつきが比較的大きく、厚みを高精度に制御することが難しいという性質をもつ。
【０００５】
このようにサブトラクティブ法及びアディティブ法にはそれぞれ一長一短があり、幅方向の精度を重視したい場合にはアディティブ法が、厚み方向の精度を重視したい場合にはサブトラクティブ法が選択される。そして、パターン形成においてはこれら２種類の方法のどちらかを採用すれば足り、これらの２種類の方法が同一面に対して混在して行われることはない。
【特許文献１】特許第２８５７２７０号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２０２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、配線パターンだけでなくインダクタンス（Ｌ）やキャパシタンス（Ｃ）を基板に内蔵する、いわゆるエンベディッド化に対する要求が高まりを見せている。この内蔵ＬＣには以下のことが要求される。
【０００７】
まず、高周波回路に使用されるＬでは、インピーダンスを制御するうえでパターンの幅方向の制御が重要となる。パターンの厚みがある程度薄くても伝送特性への影響は少ない。一方、電源系の平滑回路等に使用されるＬ（チョークコイル）では、直流抵抗が低いことが好ましい。したがって導体パターンの断面積をいかに大きく取れるかが重要となる。
【０００８】
また、高周波回路に使用されるＣでは、静電容量のばらつきを低減させることが重要であり、具体的には、静電容量のばらつきを±５％以下に抑える必要がある。これを実現するにはパターンの幅方向の制御が重要となるが、パターンの厚みがある程度薄くても問題はない。さらに、配線パターンについては、インピーダンスを制御するうえでパターンの幅や厚みのばらつきを低減させることが重要となる。
【０００９】
このような条件の下、例えばパワーアンプ用基板のように、パターンの幅方向の精度が要求される「マッチング回路用Ｌ」と、直流抵抗ができるだけ低いことが要求される（導体の厚みが求められる）「電源回路用Ｌ（チョークコイル）」を構成しなければならない場合において、上述したいずれかのパターニング方法を選択した場合には、多層基板の同一層内に両方のＬを形成することはできないという問題があった。
【００１０】
すなわち、パターンの幅や厚みに所望の精度を求めようとすると、同一層内に厚みの異なるパターンを形成することができないという構造上の制約・矛盾から、設計の自由度が制限され、小型化、高性能化への要求に答えることが困難となっていた。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、設計の自由度が高く、各素子に求められる最適なパターン形状、ばらつきを任意に選択できる多層基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による多層基板は、積層された複数の絶縁層と、各絶縁層間に形成された配線パターンとを備え、前記配線パターンは、所定の厚みを有する第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンよりも薄い第２の配線パターンを含み、前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンの少なくとも一方は、エッチングレートの異なる複数の導電層の積層体として構成されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、例えば、マッチング回路用Ｌと電源回路用Ｌ（チョークコイル）とを同一層内に構成することができる等、各素子に求められる最適なパターン形状、ばらつきを任意に選択でき、設計の自由度が高く、高密度実装に適した多層基板を実現することができる。ここに、「同一層内」とは、互いに接する絶縁層間の境界近傍を意味し、第１及び第２の配線パターンがともに絶縁層間の境界上にまたがって存在している場合、第１及び第２の配線パターンがともに境界面の一方の面に接している場合、及び第１及び第２の配線パターンのいずれか一方が境界面の一方の面に接しており且つ他方が境界面の他方の面に接している場合を含むことを意味する。なお、ビルドアップ層上にさらにビルドアップ層を形成する場合など、同じ材質からなる絶縁層の積層により、絶縁層間の境界の明確な判別が困難な場合も考えられるが、そのような場合でも上下の絶縁層の間に第１及び第２の配線パターンが存在することは明らかであるから、この場合には、第１及び第２の配線パターン付近に絶縁層間の境界が存在しているものとみなすことができる。さらに、本発明によれば、クラッド材をパターニングして相対的に厚い配線パターンを予め形成した後、これをコア基板上に貼り付け、その後、コア基板上のクラッド材をさらにパターニングして相対的に薄い配線パターンを形成するので、サブトラクティブ法のみで配線パターンを形成することができる。そのため、サブトラクティブ法で加工するための設備があれば足り、アディティブ法で加工するための設備が全く不要となる。
【００１４】
本発明において、前記積層体は２つの導電層で構成され、前記２つの導電層の組み合わせは、銅（Ｃｕ）とアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）、ニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）と銀（Ａｇ）、ステンレス（ＳＵＳ）とパラジウム（Ｐｄ）、ステンレス（ＳＵＳ）と銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）とステンレス（ＳＵＳ）、銅（Ｃｕ）とステンレス（ＳＵＳ）のいずれかであることを特徴とする。２つの導電層の組み合わせがこれらのいずれかであれば、厚みの異なる配線パターンを導電層のパターンエッチングによって確実に形成することができる。
【００１５】
本発明においては、異なる層に存在する配線パターンどうしを接続するビアホールをさらに備えていることが好ましい。これによれば、相対的に厚い第２の配線パターンを略ループ状に構成し、ループ状の配線パターンの終端部分をビアホールで接続することにより、ヘリカル状パターンのインダクタンスを構成することができる。
【００１６】
本発明においては、前記第２の配線パターンの厚み（ｔ１）が１μｍ〜１８μｍの範囲内で選択され、前記第２の配線パターンの厚みと前記第１の配線パターンの厚みとの比（ｔ２／ｔ１）が１．５〜２０の範囲内となるように前記第１の配線パターンの厚み（ｔ２）が選択されることが好ましい。この範囲内であれば、設計の自由度を阻害されることなく必要とされる場所に最適な回路パターンを描くことができる。
【００１７】
本発明においては、前記第１の配線パターンの少なくとも一部がチョークコイルとして機能することを特徴とする。これによれば、例えば、特性の良好なパワーアンプ用の多層基板を実現することができる。
【００１８】
本発明による多層基板の製造方法は、エッチングレートの異なる複数の導電層の積層体として構成されたクラッド材の一方の面をパターンエッチングして第１の配線パターンを形成する第１の工程と、多層基板の一部を構成する絶縁層の表面に前記クラッド材の前記一方の面を貼り付ける第２の工程と、前記絶縁層上に貼り付けられた前記クラッド材の他方の面をパターンエッチングして前記第１の配線パターンとは厚みの異なる第２の配線パターンを形成する第３の工程とを含んでいることを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、同一層内に異なる厚みを有するパターンを形成することができるので、例えば、導電層のパターニングにより形成される薄いパターンについては高周波回路用ＬＣパターン及び通常の配線パターンとし、パターン形成用溝による厚いパターンいついてはチョークコイル用Ｌパターンとすることで、特性の良好なパワーアンプ用多層基板を実現することができる。さらに、本発明によれば、クラッド材をパターンエッチングして相対的に厚い配線パターンを予め形成した後、これをコア基板上に貼り付け、その後、コア基板上のクラッド材をさらにパターンエッチングして相対的に薄い配線パターンを形成するので、サブトラクティブ法のみで配線パターンを形成することができる。そのため、サブトラクティブ法で加工するための設備があれば足り、アディティブ法で加工するための設備が全く不要となる。
【００２０】
本発明においては、前記複数の導電層の厚みがそれぞれ異なることが好ましく、前記クラッド材の前記一方の面側に設けられた導電層の厚みが前記クラッド材の前記他方の面側に設けられた導電層の厚みよりも厚いことがより好ましい。本発明によれば、厚みの異なる高精度な配線パターンを確実に形成することができる。
【００２１】
前記クラッド材は、第１の導電層、第２の導電層及び第３の導電層が順に積層された導電層の積層体として構成され、前記第１の導電層及び前記第３の導電層はともに所定のエッチング材料からなり、前記第２の導電層は所定のエッチングストップ材料からなり、前記エッチング材料と前記エッチングストップ材料の組み合わせは、銅（Ｃｕ）とアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）、ニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）とパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）と銀（Ａｇ）、ステンレス（ＳＵＳ）とパラジウム（Ｐｄ）、ステンレス（ＳＵＳ）と銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）とステンレス（ＳＵＳ）、銅（Ｃｕ）とステンレス（ＳＵＳ）のいずれかであることが好ましい。クラッド材とエッチングストップ材との組み合わせがこれらのいずれかであれば、厚みの異なる配線パターンを導電層のパターンエッチングによって確実に形成することができる。
【００２２】
また、前記第１の導電層は前記クラッド材の前記一方の面を形成し、前記第３の導電層は前記クラッド材の前記他方の面を形成することが好ましい。これによれば、第1の導電層のパターンエッチングにより相対的に厚いパターンを形成することができ、第３及び第２の導電層のパターンエッチングにより相対的に薄い配線パターンを形成することができるので、厚みの異なる配線パターンを確実に形成することができる。
【００２３】
本発明においては、ビアホールを形成する工程と、前記ビアホールの内部を埋める導電性材料を選択的に形成する工程とをさらに含んでいることが好ましい。これによれば、ビアホールの内部を導電性材料で埋める際に、導電性材料を形成する領域以外にマスクを形成して導電性材料を選択的に形成することから、研磨により生じる導電層の厚みばらつきが抑制することができ、導電層をサブトラクティブ法でパターニングして配線パターンを形成する場合に、そのパターン精度を大幅に向上させることが可能となる。また、選択的に形成した導電性材料の突起部分が主に研磨されることになるので、全面を研磨する場合に比べてそりが生じにくくなる。これにより、例えば、コア基板上に高周波回路用ＬＣ等の受動素子を形成した場合であっても、インピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
【００２４】
本発明において、前記絶縁層は、コア基板であっても構わないし、前記コア基板上に設けられるビルドアップ層であっても構わない。さらにその両方であっても構わない。本発明をコア基板及びビルドアップ層の両方に適用した場合には、コア基板の表面に形成される配線パターン及びビルドアップ層の表面に形成される配線パターンの両方について、厚みばらつきが小さくなることから、パターン精度を全体的に向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００２５】
このように、本発明によれば、同一層内に異なる厚みを有する配線パターンを形成することができるので、例えば、パターンの幅や厚みのばらつきが少ないことが必要な高周波回路用ＬＣパターン及びインピーダンスマッチングの必要な通常の配線パターンについては、導電層のパターニングにより形成される第１の配線パターンで構成し、アスペクト比が高く導体断面積が比較的大きい（直流抵抗が低い）ことが必要なチョークコイル用Ｌパターンについては、相対的に厚い第２の配線パターンで構成し、これらを同一層内に形成することができ、各素子に求められる最適なパターン形状、幅や厚みのばらつきを任意に選択できる。すなわち、設計の自由度が高く、高密度実装に適したビルドアップ層を作製することができる。また、本発明によれば、クラッド材をパターニングして相対的に厚い第１の配線パターンを予め形成した後、これをビルドアップ層となる熱硬化性樹脂シート上に貼り付け、その後、ビルドアップ層上のクラッド材をさらにパターニングして相対的に薄い第２の配線パターンを形成するので、サブトラクティブ法のみで配線パターンを形成することができる。そのため、サブトラクティブ法で加工するための設備があれば足り、アディティブ法で加工するための設備が全く不要となる。
【００２６】
また、本発明によれば、研磨により生じる導電性材料の厚みばらつきが抑制されることから、サブトラクティブ法により配線パターンを形成する場合に、そのパターン精度を大幅に向上させることが可能となる。これにより、例えば、多層基板の内部にコンデンサやインダクタなどの受動素子を内蔵させた場合であってもインピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２８】
本実施形態による多層基板の製造方法は、多層基板を構成する「コア基板」及びコア基板上に設けられる「ビルドアップ層」の両方に対して適用が可能である。まず、本実施形態による多層基板の製造方法を「コア基板」に対して適用した場合について、略断面図である図１〜図１６を参照しながら説明する。
【００２９】
まず、クラッド材１０を用意する（図１）。加工前のクラッド材１０は、エッチングレートの異なる導電性材料Ａ及びＢが、Ａ／Ｂ／Ａの順に積層された３層の積層体として構成されている。すなわち、第１の導電層１１および第３の導電層１３はエッチング材料Ａからなり、その間の第２の導電層１２はエッチング材料Ａよりもエッチングレートの遅いエッチングストップ材料Ｂからなる。（Ａ／Ｂ）の組み合わせは、（Ｃｕ/Ａｌ），（Ａｌ/Ｃｕ），（Ｃｕ/Ｎｉ），（Ｎｉ/Ｃｕ），（Ｃｕ/Ｐｄ），（Ｃｕ/Ａｇ），（ＳＵＳ/Ｐｄ），（ＳＵＳ/Ａｇ），（Ａｇ/ＳＵＳ），（Ｃｕ/ＳＵＳ）の範囲から選択されることが好ましい。特に好ましい組み合わせは、（Ａ／Ｂ／Ａ）がそれぞれ（Ｃｕ/Ｎｉ/Ｃｕ）の場合である。第１の導電層１１と第３の導電層１３の厚みは異なっていることが好ましく、本実施形態においては、第1の導電層１１のほうが第３の導電層１３よりも厚い。第1の導電層１１の厚み（ｔ１）は、第３の導電層１３の厚み（ｔ３）の１．５〜２０倍であることが好ましく、具体的には、第１の導電層の厚み（ｔ１）が１〜１８μｍの範囲であり、第３の導電層の厚み（ｔ２）が１２〜７０μｍの範囲であることが好ましい。
【００３０】
次に、クラッド材１０の両面に感光性材料によって構成されるドライフィルム１４Ａ，１４Ｂをそれぞれ貼り付ける（図２）。これにより、第１の導電層１１の表面がドライフィルム１４Ａによって覆われ、第３の導電層１３の表面がドライフィルム１４Ｂによって覆われた状態となる。そして、ドライフィルム１４Ａを露光、現像してドライフィルムをパターニングし、第１の導電層１１を露出させる（図３）。
【００３１】
次に、ドライフィルム１４Ａをマスクとしてクラッド材１０の第１の導電層１１をエッチングする（図４）。これにより、第１の導電層１１がパターニングされ、相対的に厚い配線パターン（第１の配線パターン）が形成された状態となる。このとき、第１の導電層１１と第３の導電層１３との間にエッチングストップ材である第２の導電層１２が存在することから、第２の導電層１２が僅かにエッチングされることはあっても、クラッド材１０が第３の導電層１３まで完全にエッチングされることはない。尚、このときのエッチング液としては、エッチング材料及びエッチングストップ材料の組み合わせに対して、以下のものを選択することが好ましい。すなわち、（エッチング材料／エッチングストップ材料）の組み合わせが（Ｃｕ/Ａｌ）の場合には酸性エッチング液（硫酸等）を、（Ａｌ/Ｃｕ）の場合にはアルカリエッチング液を、（Ｃｕ/Ｎｉ）の場合には硫酸＋過酸化水素エッチング液、過硫酸アンモニウム、又はアルカリエッチング液を、（Ｎｉ/Ｃｕ）の場合には市販Ｎｉ剥離液を、（Ｃｕ/Ｐｄ），（Ｃｕ/Ａｇ），（ＳＵＳ/Ｐｄ），（ＳＵＳ/Ａｇ）のいずれかの場合には塩化第２鉄を、（Ａｇ/ＳＵＳ），（Ｃｕ/ＳＵＳ）のどちらかの場合には硝酸第２鉄をそれぞれ用いることが好ましい。その後、ドライフィルム１４Ａ，１４Ｂを剥離して（図５）、クラッド材１０のパターニングを完了する。
【００３２】
次に、上述したパターニング済みのクラッド材１０を２つ用意するとともに、コア基板１５を用意し、コア基板１５の両面に２つのクラッド材（以下、クラッド材１０Ａ，１０Ｂとする）をそれぞれ張り合わせる（図６）。コア基板１５は、多層基板の絶縁層としての役割を果たすとともに、多層基板の作製において全体的な機械的強度を確保する役割を果たし、特に限定されるものではないが、その材料としてはガラスクロス、ケブラー、液晶ポリマー等の樹脂クロス、フッ素樹脂の多孔質シート等からなる芯材に、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等を含浸された材料を用いることが好ましく、その厚さとしては２０μｍ〜２００μｍ程度に設定することが好ましい。また、レーザー加工条件に均一化を目的とし、ＬＣＰ、ＰＰＳ、ＰＥＳ，ＰＥＥＫ，ＰＩ等の芯材のないシート材料をコア基板としてもよい。このコア基板１５に対して、パターンエッチングされた面（すなわち第１の導電層１１）がコア基板１５側を向くようにクラッド材１０Ａ，１０Ｂを貼り合わせ、この積層体をプレスすれば、コア基板１５が硬化するので、クラッド材１０Ａ，１０Ｂはコア基板１５と一体化する（図７）。
【００３３】
次に、クラッド材１０Ａ，１０Ｂが貼り付けられたコア基板１５の両面にドライフィルム１６Ａ，１６Ｂをそれぞれ貼り付ける（図８）。これにより、クラッド材１０Ａの第３の導電層１３の表面がドライフィルム１６Ａによって覆われた状態となり，クラッド材１０Ｂの第３の導電層１３の表面がドライフィルム１６Ｂによって覆われた状態となる。そして、ドライフィルム１６Ａを露光、現像することによってその一部分を除去し、クラッド材１０Ａの第３の導電層の一部分１３ａを露出させる（図９）。
【００３４】
次に、ドライフィルム１６Ａをマスクとしてクラッド材１０Ａをエッチングし、コア基板１５の一部分を露出させる（図１０）。露出した領域１５ａはビアホールの開口部となる。このとき、クラッド材１０Ａの第１の導電層１１は１回目のエッチング工程ですでに除去され、コア基板１５上にはエッチング材料である第３の導電層１３及びエッチングストップ材料である第２の導電層１２が残っているので、これらをエッチング力の強いエッチング液を用いてエッチングすることにより、第３の導電層１３及び第２の導電層１２が完全に除去され、コア基板１５の表面が露出した状態となる。尚、このときのエッチング液としては、エッチング材料及びエッチングストップ材料の組み合わせに対して、以下のものを選択することが好ましい。すなわち、（エッチング材料／エッチングストップ材料）の組み合わせが（Ｃｕ/Ａｌ）の場合には酸性エッチング液（硫酸等）を、（Ａｌ/Ｃｕ）の場合にはアルカリエッチング液を、（Ｃｕ/Ｎｉ）の場合には硫酸＋過酸化水素エッチング液、過硫酸アンモニウム、又はアルカリエッチング液を、（Ｎｉ/Ｃｕ）の場合には市販Ｎｉ剥離液を、（Ｃｕ/Ｐｄ），（Ｃｕ/Ａｇ），（ＳＵＳ/Ｐｄ），（ＳＵＳ/Ａｇ）のいずれかの場合には塩化第２鉄を、（Ａｇ/ＳＵＳ），（Ｃｕ/ＳＵＳ）のどちらかの場合には硝酸第２鉄をそれぞれ用いることが好ましい。
【００３５】
次に、ドライフィルム１６Ａ，１６Ｂを剥離し（図１１）、レーザー加工により、コア基板１５の露出した部分１５ａにビアホール１７を形成する（図１２）。ビアホール１７は、コア基板１１を貫通しているが、このときレーザーの入射側とは反対側のクラッド材１０Ｂがストッパーとして機能することから、このクラッド材１０Ｂの第３の導電層１３がビアホール１７の底部１７ａを構成することになる。ビアホール１７の直径については、特に限定されないが、３０〜２００μｍ程度に設定することが好ましい。
【００３６】
次に、ビアホール１７の内壁を含む露出面のほぼ全面に下地導電層１８を形成する（図１３）。下地導電層１８の形成方法としては、無電解メッキ法、スパッタ法、蒸着法等を用いることが好ましい。下地導電層１８は、その後に行う電解メッキの下地としての役割を果たすため、その厚みとしては非常に薄く、例えば数百オングストロームから３．０μｍの範囲より適時選択すればよい。
【００３７】
次に、ドライフィルム１９Ａ，１９Ｂをコア基板１５の表面に貼り付ける（図１４）。これにより、下地導電層１８のほぼ全面がドライフィルム１９Ａで覆われ、クラッド材１０Ｂの表面がドライフィルム１９Ｂで覆われた状態となる。そして、ドライフィルム１９Ａを露光、現像することにより、ビアホール１７の開口部にあるドライフィルム１９Ａを除去する（図１５）。残ったドライフィルム１９Ａは、その後に行う電解メッキのマスクとして用いられる。
【００３８】
次に、電解メッキ法によりドライフィルム１９Ａによって覆われていない領域に導電性材料２０を成長させる（図１６）。つまり、コア基板１５の全面にではなく、ドライフィルム１９Ａによって覆われていない領域に導電性材料２０を選択的に形成する。これにより、ビアホール１７がほぼ完全に導電性材料２０によって埋められた状態となる。電解メッキは、ビアホール１７の内部が導電性材料２０で完全に埋まるように行うことが好ましい。メッキ液の種類については適宜選択すればよく、例えば、導電性材料２０を銅（Ｃｕ）とする場合には、メッキ液として硫酸銅を用いることができる。ビアホール１７の内部に空洞が残るような場合には、ビアホール１７の内部を導電性樹脂で埋めることが好ましい。空洞が残っていると、空洞内にめっき液等が残留し、これがビアホール１７の腐食の原因となるからである。導電性樹脂の代わりに絶縁性樹脂を用いることも可能であるが、ビアホール１７を介した上下層間の電気的接続を確実とするためには、導電性樹脂を用いることが好ましい。
【００３９】
次に、ドライフィルム１９Ａ，１９Ｂを剥離した後（図１７）、コア基板１５の表面と平行に導電性材料２０を研磨し、全面を平坦化する（図１８）。このとき、下地導電層１８が除去され、さらに第３の導電層１３の表面が僅かに研磨される程度に研磨を行うことにより、全面を確実に平坦とすることが可能となる。研磨は、化学的な研磨及びバフを用いた機械的な研磨のいずれか一方のみを用いても構わないが、これらを併用することが好ましい。特に、まず化学的な研磨を行った後、バフを用いた機械的な研磨を行えば、非常に高い平坦性を確保することが可能となる。
【００４０】
かかる研磨工程において、第３の導電層１３の表面が大幅に研磨されると、第３の導電層１３の厚みばらつきがやや大きくなる可能性があるが、導電性材料２０が全面ではなく選択的に形成されていることから、導電性材料２０の研磨に伴って第３の導電層１３が研磨されたとしても、その研磨量は非常に僅かであり、このため厚みばらつきの増大も非常に僅かである。これに対し、仮にドライフィルム１９Ａ，１９Ｂを用いることなく全面に導電性材料２０を形成した場合には、比較的厚い（例えば２０μｍ）導電性材料２０を全面的に研磨する必要があることから、第３の導電層１３の最終的な厚みばらつきはかなり大きくなってしまう。本実施形態において、導電性材料２０を形成すべきでない領域にドライフィルム１９Ａ，１９Ｂからなるマスクを形成したのは、この点を考慮したためである。
【００４１】
次に、コア基板１５の両面に新しいドライフィルム２１Ａ，２１Ｂを再び貼り付ける（図１９）。これにより、クラッド材１０Ａの第３の導電層１３の表面がドライフィルム２１Ａによって覆われた状態となり，クラッド材１０Ｂの第３の導電層１３の表面がドライフィルム２１Ｂによって覆われた状態となる。そして、ドライフィルム２１Ａ、２１Ｂを露光、現像してドライフィルム２１Ａ、２１Ｂをパターニングし、クラッド材１０Ａ，１０Ｂの第２の導電層１２をそれぞれ部分的に露出させる（図２０）。
【００４２】
次に、ドライフィルム２１Ａ，２１Ｂをマスクとしてクラッド材１０Ａ，１０Ｂの第３の導電層１３及び第２の導電層１２をエッチングする（図２１）。これにより、第３の導電層１３及び第２の導電層１２がパターニングされ、相対的に薄い配線パターン（第２の配線パターン）が形成された状態となる。このとき、クラッド材１０Ａの第１の導電層１１は１回目のエッチング工程ですでに除去されており、コア基板１５上にはエッチング材料である第３の導電層１３及びエッチングストップ材料である第２の導電層１２が残っているので、これらをエッチング力の強いエッチング液を用いてクラッド材をエッチングすることにより、第３の導電層１３及び第２の導電層１２が完全にパターニングされる。尚、このときのエッチング液としては、２回目のエッチング工程のときと同じものを用いることができる。
【００４３】
その後、ドライフィルム２１Ａ，２１Ｂを剥離して、コア基板１５に対する一連の加工が完了し、相対的に厚い配線パターン（第１の配線パターン）２２、相対的に薄い配線パターン（第２の配線パターン）２３及びビアホール上下の電極パターン２４が形成された加工済みコア基板２５が完成する（図２２）。
【００４４】
図２３乃至図２６は、配線パターンの形状を示す平面図である。
【００４５】
例えば、配線パターン２２の形状を図２３に示すような対向パターンとすることによってコンデンサ素子を構成することができ、また配線パターン２２（又は２３）の形状を図２４に示すようなミアンダ状のパターン、或いは、図２５に示すようなスパイラル状のパターン、或いは、図２６に示すようなヘリカル状のパターンとすることによってインダクタ素子を構成することができる。尚、図２５において、スパイラル状のパターンの中心にはビアホール１７上の電極パターン２４が形成されており、導電性材料２０が充填されたビアホール１７を介して他の層の配線パターンと接続される。また、図２６において、略ループ状のパターンの終端部分にはビアホール１７上の電極パターン２４が形成されており、導電性材料２０が充填されたビアホール１７を介して他の層の略ループ状パターンと接続され、これによりパターン全体がヘリカル状のパターンとして構成される。これらの受動素子のインピーダンスは配線パターンの幅や厚みによって大きく変動するが、本実施形態による方法を用いれば、高精度なパターニングが可能であることから、これら受動素子の特性のばらつきを大幅に低減することが可能となる。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態によれば、同一層内に異なる厚みを有する配線パターンを形成することができるので、例えば、パターンの幅や厚みのばらつきが少ないことが必要な高周波回路用ＬＣパターン及びインピーダンスマッチングの必要な通常の配線パターンについては、導電層のパターニングにより形成される第１の配線パターンで構成し、アスペクト比が高く導体断面積が比較的大きい（直流抵抗が低い）ことが必要なチョークコイル用Ｌパターンについては、相対的に厚い第２の配線パターンで構成し、これらを同一層内に形成することができ、各素子に求められる最適なパターン形状、幅や厚みのばらつきを任意に選択できる。すなわち、設計の自由度が高く、高密度実装に適したコア基板を作製することができる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、クラッド材をパターニングして相対的に厚い配線パターンを予め形成した後、これをコア基板上に貼り付け、その後、コア基板上のクラッド材をさらにパターニングして相対的に薄い配線パターンを形成するので、サブトラクティブ法のみで配線パターンを形成することができる。そのため、サブトラクティブ法で加工するための設備があれば足り、アディティブ法で加工するための設備が全く不要となる。
【００４８】
さらにまた、本実施形態によれば、ビアホールの内部を導電性材料で埋める際に、導電性材料を形成する領域以外にマスクを形成して導電性材料を選択的に形成することから、研磨により生じる導電層の厚みばらつきが抑制することができ、導電層をサブトラクティブ法でパターニングして配線パターンを形成する場合に、そのパターン精度を大幅に向上させることが可能となる。また、選択的に形成した導電性材料の突起部分が主に研磨されることになるので、全面を研磨する場合に比べてそりが生じにくくなる。これにより、例えば、コア基板上に高周波回路用ＬＣ等の受動素子を形成した場合であっても、インピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。すなわち、本実施形態によれば、このときパターニングされる第３及び第２の導電層は、その厚みばらつきが非常に小さく抑えられていることから、高精度なパターニングを行うことが可能となる。したがって、これらのパターニングにより形成される相対的に薄い第２の配線パターンの幅を所望の幅とすることが可能となる。
【００４９】
次に、本発明実施形態による多層基板の製造方法を「ビルドアップ層」に対して適用した場合の好ましい実施形態について、略断面図である図２７乃至４５を参照しながら説明する。
【００５０】
本実施形態による方法は、上述した加工済みコア基板２５上に積層するビルドアップ層へ適用してもよく、他の方法によって作製されたコア基板上に積層するビルドアップ層へ適用してもよいが、いずれにしても、本発明による多層基板の製造方法によって作製されたコア基板上に積層するビルドアップ層へ適用することが好ましい。これによれば、コア基板の表面に形成される配線パターン及びビルドアップ層の表面に形成される配線パターンの両方について、厚みばらつきが小さくなることから、パターン精度を全体的に向上させることが可能となる。以下、上述した加工済みコア基板２５（図２２参照）に積層するビルドアップ層に対し、本発明を適用した場合を例に説明する。
【００５１】
まず、図１乃至５に示した工程を経て作製されたパターニング済みクラッド材１０を用意し、これをＢステージのエポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂シート２６に張り合わせる（図２７）。このとき、クラッド材１０のパターンエッチングされた面が樹脂シート２６側を向くように貼り合わせ、この積層体をプレスすれば、熱硬化性樹脂が硬化するので、クラッド材１０は樹脂シート２６と一体化し、樹脂付き金属箔２７が完成する（図２８）。
【００５２】
次に、上述した加工済みコア基板２５を用意し、コア基板２５上に樹脂付き金属箔２７を積層する（図２９）。このとき、樹脂シート２６側がコア基板２５を向くように貼り合わせ、この積層体を熱プレスすれば、熱硬化性樹脂が硬化するので、樹脂付き金属箔２７はコア基板２５と一体化する（図３０）。これにより、コア基板２５上にビルドアップ層（以下、ビルドアップ層２７という）が形成された状態となり、樹脂シート２６はビルドアップ層２７の絶縁層（以下、絶縁層２６という）となり、クラッド材１０の第1の導電層１１、第２の導電層１２及び第３の導電層１３はビルドアップ層２７上の導電層となる。
【００５３】
次に、クラッド材１０が貼り付けられた絶縁層２６の表面にドライフィルム１６を貼り付ける（図３１）。これにより、クラッド材１０の第３の導電層１３の表面がドライフィルム１６によって覆われた状態となる。そして、ドライフィルム１６を露光、現像することによってその一部分を除去し、クラッド材１０の第３の導電層の一部分１３ａを露出させる（図３２）。
【００５４】
次に、ドライフィルム１６をマスクとしてクラッド材１０をエッチングし、絶縁層２６の一部分を露出させる（図３３）。露出した領域２６ａはビアホールの開口部となる。このとき、クラッド材１０の第１の導電層１１は１回目のエッチング工程ですでに除去され、絶縁層２６上にはエッチング材料である第３の導電層１３及びエッチングストップ材料である第２の導電層１２が残っているので、これらをエッチング力の強いエッチング液を用いてエッチングすることにより、第３の導電層１３及び第２の導電層１２が完全に除去され、絶縁層２６の表面が露出した状態となる。尚、このときのエッチング液としては、エッチング材料及びエッチングストップ材料の組み合わせに対して、以下のものを選択することが好ましい。すなわち、（エッチング材料／エッチングストップ材料）の組み合わせが（Ｃｕ/Ａｌ）の場合には酸性エッチング液（硫酸等）を、（Ａｌ/Ｃｕ）の場合にはアルカリエッチング液を、（Ｃｕ/Ｎｉ）の場合には硫酸＋過酸化水素エッチング液、過硫酸アンモニウム、又はアルカリエッチング液を、（Ｎｉ/Ｃｕ）の場合には市販Ｎｉ剥離液を、（Ｃｕ/Ｐｄ），（Ｃｕ/Ａｇ），（ＳＵＳ/Ｐｄ），（ＳＵＳ/Ａｇ）のいずれかの場合には塩化第２鉄を、（Ａｇ/ＳＵＳ），（Ｃｕ/ＳＵＳ）のどちらかの場合には硝酸第２鉄をそれぞれ用いることが好ましい。
【００５５】
次に、ドライフィルム１６を剥離し（図３４）、レーザー加工により、絶縁層２６の露出した部分２６ａにビアホール１７を形成する（図３５）。ビアホール１７は、コア基板１１を貫通しているが、このときレーザーの入射側とは反対側の電極パターン（ここではコア基板２５のビアホール上の電極パターン）がストッパーとして機能することから、この電極パターンがビアホール１７の底部１７ａを構成することになる。ビアホール１７の直径については、特に限定されないが、３０〜２００μｍ程度に設定することが好ましい。
【００５６】
次に、ビアホール１７の内壁を含む露出面のほぼ全面に下地導電層１８を形成する（図３６）。下地導電層１８の形成方法としては、無電解メッキ法、スパッタ法、蒸着法等を用いることが好ましい。下地導電層１８は、その後に行う電解メッキの下地としての役割を果たすため、その厚みとしては非常に薄く、例えば数百オングストロームから３．０μｍの範囲より適時選択すればよい。
【００５７】
次に、ドライフィルム１９をビルドアップ層２７の表面に貼り付ける（図３７）。これにより、下地導電層１８のほぼ全面がドライフィルム１９で覆われた状態となる。そして、ドライフィルム１９を露光、現像することにより、ビアホール１７の開口部にあるドライフィルム１９を除去する（図３８）。残ったドライフィルム１９は、その後に行う電解メッキのマスクとして用いられる。
【００５８】
次に、電解メッキ法によりドライフィルム１９によって覆われていない領域に導電性材料２０を成長させる（図３９）。つまり、ビルドアップ層２７の全面にではなく、ドライフィルム１９によって覆われていない領域に導電性材料２０を選択的に形成する。これにより、ビアホール１７がほぼ完全に導電性材料２０によって埋められた状態となる。電解メッキは、ビアホール１７の内部が導電性材料２０で完全に埋まるように行うことが好ましい。メッキ液の種類については適宜選択すればよく、例えば、導電性材料２０を銅（Ｃｕ）とする場合には、メッキ液として硫酸銅を用いることができる。ビアホール１７の内部に空洞が残るような場合には、ビアホール１７の内部を導電性樹脂で埋めることが好ましい。空洞が残っていると、空洞内にめっき液等が残留し、これがビアホール１７の腐食の原因となるからである。導電性樹脂の代わりに絶縁性樹脂を用いることも可能であるが、ビアホール１７を介した上下層間の電気的接続を確実とするためには、導電性樹脂を用いることが好ましい。
【００５９】
次に、ドライフィルム１９を剥離した後（図４０）、ビルドアップ層２７の表面と平行に導電性材料２０を研磨し、全面を平坦化する（図４１）。このとき、下地導電層１８が除去され、さらに第３の導電層１３の表面が僅かに研磨される程度に研磨を行うことにより、全面を確実に平坦とすることが可能となる。研磨は、化学的な研磨及びバフを用いた機械的な研磨のいずれか一方のみを用いても構わないが、これらを併用することが好ましい。特に、まず化学的な研磨を行った後、バフを用いた機械的な研磨を行えば、非常に高い平坦性を確保することが可能となる。
【００６０】
かかる研磨工程において、第３の導電層１３の表面が大幅に研磨されると、第３の導電層１３の厚みばらつきがやや大きくなる可能性があるが、導電性材料２０が全面ではなく選択的に形成されていることから、導電性材料２０の研磨に伴って第３の導電層１３が研磨されたとしても、その研磨量は非常に僅かであり、このため厚みばらつきの増大も非常に僅かである。これに対し、仮にドライフィルム１９を用いることなく全面に導電性材料２０を形成した場合には、比較的厚い（例えば２０μｍ）導電性材料２０を全面的に研磨する必要があることから、第３の導電層１３の最終的な厚みばらつきはかなり大きくなってしまう。本実施形態において、導電性材料２０を形成すべきでない領域にドライフィルム１９からなるマスクを形成したのは、この点を考慮したためである。
【００６１】
次に、ビルドアップ層２７の表面に新しいドライフィルム２１を再び貼り付ける（図４２）。これにより、クラッド材１０の第３の導電層１３の表面がドライフィルム２１によって覆われた状態となる。そして、ドライフィルム２１を露光、現像してドライフィルム２１をパターニングし、クラッド材１０の第３の導電層１３をそれぞれ部分的に露出させる（図４３）。
【００６２】
次に、ドライフィルム２１をマスクとしてクラッド材１０の第３の導電層１３及び第２の導電層１２をエッチングする（図４４）。これにより、第３の導電層１３及び第２の導電層１２がパターニングされ、相対的に薄い配線パターン（第２の配線パターン）が形成された状態となる。このとき、クラッド材１０の第１の導電層１１は１回目のエッチング工程ですでに除去されており、ビルドアップ層２７上にはエッチング材料である第３の導電層１３及びエッチングストップ材料である第２の導電層１２が残っているので、これらをエッチング力の強いエッチング液を用いてエッチングすることにより、第３の導電層１３及び第２の導電層１２が完全にパターニングされる。尚、このときのエッチング液としては、２回目のエッチング工程のときと同じものを用いることができる。
【００６３】
その後、ドライフィルム２１を剥離して、ビルドアップ層２７に対する一連の加工が完了し、相対的に厚い配線パターン（第１の配線パターン）２２、相対的に薄い配線パターン（第２の配線パターン）２３及びビアホール上下の電極パターン２４が形成された加工済みコア基板２５が完成する（図４５）。
【００６４】
以上説明したように、本実施形態によれば、同一層内に異なる厚みを有する配線パターンを形成することができるので、例えば、パターンの幅や厚みのばらつきが少ないことが必要な高周波回路用ＬＣパターン及びインピーダンスマッチングの必要な通常の配線パターンについては、相対的に薄い第２の配線パターンで構成し、アスペクト比が高く導体断面積が比較的大きい（直流抵抗が低い）ことが必要なチョークコイル用Ｌパターンについては、相対的に厚い第１の配線パターンで構成し、これらを同一層内に形成することができ、各素子に求められる最適なパターン形状、幅や厚みのばらつきを任意に選択できる。すなわち、設計の自由度が高く、高密度実装に適したビルドアップ層を作製することができる。
【００６５】
また、本実施形態によれば、クラッド材をパターニングして相対的に厚い第１の配線パターンを予め形成した後、これをビルドアップ層となる熱硬化性樹脂シート上に貼り付け、その後、ビルドアップ層上のクラッド材をさらにパターニングして相対的に薄い第２の配線パターンを形成するので、サブトラクティブ法のみで配線パターンを形成することができる。そのため、サブトラクティブ法で加工するための設備があれば足り、アディティブ法で加工するための設備が全く不要となる。
【００６６】
さらにまた、本実施形態によれば、ビアホールの内部を導電性材料で埋める際に、導電性材料を形成する領域以外にマスクを形成して導電性材料を選択的に形成することから、研磨により生じる導電層の厚みばらつきが抑制することができ、導電層をサブトラクティブ法でパターニングして配線パターンを形成する場合に、そのパターン精度を大幅に向上させることが可能となる。また、選択的に形成した導電性材料の突起部分が主に研磨されることになるので、全面を研磨する場合に比べてそりが生じにくくなる。これにより、例えば、ビルドアップ層上に高周波回路用ＬＣ等の受動素子を形成した場合であっても、インピーダンスのばらつきを抑制することが可能となる。すなわち、本実施形態によれば、このときパターニングされる第３及び第２の導電層は、その厚みばらつきが非常に小さく抑えられていることから、高精度なパターニングを行うことが可能となる。したがって、これらのパターニングにより形成される第２の配線パターンの幅を所望の幅とすることが可能となる。
【００６７】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００６８】
例えば、上記各実施形態においては、ビアホールの内部を導電性材料で埋める際に、導電性材料を形成する領域以外にマスクを形成して導電性材料を選択的に形成したが、本発明において、導電性材料を形成すべきでない領域にマスクを形成することは必須でない。
【００６９】
また、上記実施形態においては、コア基板１５の両面にクラッド材１０Ａ，１０Ｂを貼り付け、これによりコア基板１５の両面にそれぞれ第１及び第２の配線パターンを形成したが、どちらか一方にのみ形成してもよい。この場合のコア基板としては、片面に金属箔が貼り付けられたものを使用し、金属箔が貼り付けられていないほうの面にクラッド材を貼り付ける。この金属箔は、レーザー加工の際のストッピングとしての役割を果たし、電解メッキの際にビアホールの底部１７ａを構成するとともに、パターニングされて相対的に薄い配線パターンに加工される。尚、金属箔としては、銅箔を用いることが好ましく、その厚み（ｔ１）としては１〜１８μｍ程度に設定することが好ましい。導電層１１２，１１３を金属箔によって構成する場合、プリント配線板用として用いられる電解銅箔（硫酸銅水溶液中に銅を溶解イオン化したものを電着ロールにて連続的に電着して銅箔化したもの）または、圧延銅箔を使用すればその厚みばらつきを極めて小さくすることが可能である。また、必要に応じ、スェップ等の手法で銅箔の厚みを調整してもよい。
【００７０】
また、上記実施形態においては、クラッド材の一方の面をパターニングして相対的に厚い配線パターンを最初に形成した後、このクラッド材をコア基板上又はビルドアップ層上に貼り付け、その後、このクラッド材の他方の面をパターニングして相対的に薄い配線パターンを形成したが、これとは逆に、相対的に薄い配線パターンを最初に形成した後、相対的に厚い配線パターンを形成してもよい。この場合、最初にパターニングされるクラッド材の第１の導電層よりも第３の導電層の厚みのほうが薄いことが必要である。
【００７１】
また、上記実施形態においては、ドライフィルムを剥離した後に導電性材料を研磨しているが、ドライフィルムを剥離する前に、一旦、導電性材料を研磨しても構わない。すなわち、ドライフィルムが存在する状態で導電性材料を研磨する。このとき、ドライフィルム自体はほとんど研磨されないことから、導電性材料の表面はドライフィルムの表面と実質的に一致することになる。そして、ドライフィルムを剥離し、その後は、同じ方法を用いれば、上記各実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。この方法を用いた場合には研磨工程が増えるものの、ドライフィルムが存在する状態で導電性材料を研磨することから、予め導電性材料の厚みがほぼ一定且つ薄く揃えられていることから、パターニングされる導電層、下地導電層及び導電性材料の厚みばらつきをよりいっそう低減することが可能となる。また、本発明において研磨工程は必ずしも必須ではない。ただし、導電性材料の厚みがほぼ一定に揃えられることから、パターニングされるコア材、下地導電層及び導電性材料の厚みばらつきをよりいっそう低減することが可能となる。
【００７２】
また、上記実施形態においては、レーザー加工によりビアホールを形成したが、これに限定されるものではなく、必要とされる研削厚み、研削幅（径）、研削レート等の諸条件を考慮して、例えば、ミリング、ドライブラスト、ウェットブラスト、ドリル等、最適な方法を取ればよい。
【００７３】
また、上記実施形態においては、電解メッキのマスクとしてパターニングされたドライフィルムを用いたが、ドライフィルムをパターニングする代わりに、スクリーン印刷法によって絶縁性材料を選択的に形成し、これをマスクとして用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（クラッド材の準備）を示す略断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（クラッド材のパターンエッチング）を示す略断面図である。
【図５】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（コア基板の準備）を示す略断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（クラッド材の張り合わせ）を示す略断面図である。
【図８】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図９】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図１０】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（クラッド材のエッチング）を示す略断面図である。
【図１１】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図１２】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ビアホールの形成）を示す略断面図である。
【図１３】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（下地導電層の形成）を示す略断面図である。
【図１４】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図１５】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図１６】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（導電性材料の形成）を示す略断面図である。
【図１７】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図１８】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（表面の研磨）を示す略断面図である。
【図１９】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図２０】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図２１】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（導電層のパターンエッチング）を示す略断面図である。
【図２２】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図であり、加工済みコア基板を示す図である。
【図２３】配線パターンを対向パターンとした例を示す略平面図である。
【図２４】配線パターンをミアンダ状のパターンとした例を示す略平面図である。
【図２５】配線パターンをスパイラル状のパターンとした例を示す略平面図である。
【図２６】配線パターンをヘリカル状のパターンとした例を示す略平面図である。
【図２７】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（クラッド材の張り合わせ）を示す略断面図である。
【図２８】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（樹脂付き金属箔の作製）を示す略断面図である。
【図２９】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（加工済みコア基板の準備）を示す略断面図である。
【図３０】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（樹脂付き金属箔の積層）を示す略断面図である。
【図３１】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図３２】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図３３】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（クラッド材のエッチング）を示す略断面図である。
【図３４】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図３５】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ビアホールの形成）を示す略断面図である。
【図３６】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（下地導電層の形成）を示す略断面図である。
【図３７】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図３８】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図３９】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（導電性材料の形成）を示す略断面図である。
【図４０】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図である。
【図４１】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（表面の研磨）を示す略断面図である。
【図４２】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの形成）を示す略断面図である。
【図４３】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムのパターニング）を示す略断面図である。
【図４４】本発明の好ましい実施形態による製造方法の一工程（導電層のパターンエッチング）を示す略断面図である。
【図４５】本発明の好ましい他の実施形態による製造方法の一工程（ドライフィルムの剥離）を示す略断面図であり、完成した多層基板を示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０      クラッド材
１０Ａ，１０Ｂ      クラッド材
１１      コア基板
１１      第１の導電層
１１      第２の導電層
１３      第３の導電層
１３ａ      第３の導電層の一部分
１４      ドライフィルム
１４Ａ，１４Ｂ      ドライフィルム
１５      コア基板
１５ａ      コア基板の一部分
１６      ドライフィルム
１６Ａ，１６Ｂ      ドライフィルム
１７      ビアホール
１７ａ      ビアホールの底部
１８      下地導電層
１９      ドライフィルム
１９Ａ，１９Ｂ      ドライフィルム
２０      導電性材料
２１      ドライフィルム
２１Ａ，２１Ｂ      ドライフィルム
２２      第１の配線パターン
２３      第２の配線パターン
２４      ビアホール状の電極パターン
２５      加工済みコア基板
２６      絶縁層（熱硬化性樹脂シート）
２６ａ    絶縁層の一部分
２７      ビルドアップ層（樹脂付き金属箔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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