(57)【要約】【課題】スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成する。【解決手段】媒体対向面に配置された磁極層１６の端部は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面に配置された磁極層１６の端部の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。磁極層１６は、非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層１２の溝部１２ａ内に、非磁性導電膜１３を介して配置されている。磁極層１６は、溝部１２ａの表面に近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
前記磁気ヘッドは、更に、
非磁性材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層と、
非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなり、前記溝部内において、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に配置された非磁性膜とを備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁極層収容層は、非磁性絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁極層収容層は、非磁性導電材料よりなることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項４】
前記非磁性膜は、アルミナ、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのいずれかよりなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項６】
更に、前記非磁性膜と前記磁極層との間に配置された非磁性導電膜を備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項７】
更に、前記溝部の表面と前記非磁性膜との間に配置された非磁性導電膜を備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項８】
更に、前記非磁性膜と前記磁極層との間に配置された第２の非磁性導電膜を備えたことを特徴とする請求項７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項９】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
前記磁気ヘッドは、更に、
非磁性導電材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層と、
前記溝部内において、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に配置された非磁性膜とを備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記非磁性膜は、非磁性導電材料よりなることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有することを特徴とする請求項９または１０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項１２】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
前記磁気ヘッドは、更に、
非磁性絶縁材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層と、
前記溝部内において、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に配置された非磁性導電膜とを備え、
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有することを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項１３】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
前記磁気ヘッドは、更に、
非磁性導電材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有することを特徴とする請求項１３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項１５】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
非磁性材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
前記溝部内に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなる非磁性膜を形成する工程と、
前記非磁性膜を形成した後、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に前記非磁性膜が配置されるように、前記溝部内に前記磁極層を形成する工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記磁極層収容層は、非磁性絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記磁極層収容層は、非磁性導電材料よりなることを特徴とする請求項１５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記非磁性膜は、アルミナ、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのいずれかよりなることを特徴とする請求項１５ないし１７のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記非磁性膜は、化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項１５ないし１８のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記非磁性膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項１５ないし１８のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、
前記磁極層を形成する工程は、前記第１層を形成する工程と、前記第２層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１５ないし２０のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項２１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記第２層は、めっき法によって形成されることを特徴とする請求項２１または２２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】
更に、前記非磁性膜の形成後、前記磁極層の形成前に、前記非磁性膜と前記磁極層との間に配置される非磁性導電膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１５ないし２３のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】
前記非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項２４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２６】
更に、前記磁極層収容層の形成後、前記非磁性膜の形成前に、前記溝部の表面と前記非磁性膜との間に配置される非磁性導電膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項１５ないし２５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】
前記非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項２６記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２８】
更に、前記非磁性膜の形成後、前記磁極層の形成前に、前記非磁性膜と前記磁極層との間に配置される第２の非磁性導電膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項２６または２７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】
前記第２の非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項２８記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３０】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
非磁性導電材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
前記溝部内に非磁性膜を形成する工程と、
前記非磁性膜を形成した後、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に前記非磁性膜が配置されるように、前記溝部内に前記磁極層を形成する工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３１】
前記非磁性膜は、非磁性導電材料よりなることを特徴とする請求項３０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３２】
前記非磁性膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項３１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３３】
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、
前記磁極層を形成する工程は、前記第１層を形成する工程と、前記第２層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項３０ないし３２のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３４】
前記第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項３３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３５】
前記第２層は、めっき法によって形成されることを特徴とする請求項３３または３４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３６】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
非磁性絶縁材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
前記溝部内に非磁性導電膜を形成する工程と、
前記非磁性導電膜を形成した後、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に前記非磁性導電膜が配置されるように、前記溝部内に前記磁極層を形成する工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備え、
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、
前記磁極層を形成する工程は、前記第１層を形成する工程と、前記第２層を形成する工程とを含むことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３７】
前記非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項３６記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３８】
前記第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項３６または３７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３９】
前記第２層は、めっき法によって形成されることを特徴とする請求項３６ないし３８のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４０】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
非磁性材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
前記溝部内および前記磁極層収容層の上面の上に非磁性導電膜を形成する工程と、
前記非磁性導電膜を形成した後、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に前記非磁性導電膜が配置されるように、前記溝部内および前記磁極層収容層の上面の上に、前記磁極層となる磁性層を形成する工程と、
前記磁性層が前記磁極層となるように、前記非磁性導電膜が露出するまで前記磁性層を研磨する工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４１】
前記磁性層は、化学機械研磨によって研磨されることを特徴とする請求項４０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４２】
前記非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項４０または４１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４３】
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、
前記磁性層を形成する工程は、前記第１層となる第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に、前記第２層となる第２の磁性層を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項４０ないし４２のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４４】
前記第１の磁性層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項４３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４５】
前記第２の磁性層は、めっき法によって形成されることを特徴とする請求項４３または４４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４６】
更に、前記非磁性導電膜の形成後、前記磁性層の形成前に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなり、前記非磁性導電膜と前記磁性層との間に配置される非磁性膜を形成する工程を備えたことを特徴とする請求項４０ないし４５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４７】
前記非磁性膜は、アルミナ、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのいずれかよりなることを特徴とする請求項４６記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４８】
前記非磁性膜は、化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項４６または４７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４９】
前記非磁性膜は、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されることを特徴とする請求項４６または４７記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５０】
更に、前記非磁性膜の形成後、前記磁性層の形成前に、前記非磁性膜と前記磁性層との間に配置される第２の非磁性導電膜を形成する工程を備え、
前記磁性層を研磨する工程は、前記第２の非磁性導電膜が露出するまで前記磁性層を研磨する第１の研磨工程と、前記磁極層収容層の上面の上に形成された最初の前記非磁性導電膜が露出するまで前記磁性層を研磨する第２の研磨工程とを含むことを特徴とする請求項４６ないし４９のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５１】
前記第２の非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項５０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５２】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
非磁性導電材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
前記溝部内に前記磁極層を形成する工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５３】
前記磁極層は、前記溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、前記溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有することを特徴とする請求項５２記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５４】
前記第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されることを特徴とする請求項５３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５５】
前記第２層は、めっき法によって形成されることを特徴とする請求項５３または５４記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５６】
前記磁極層を形成する工程は、前記溝部内および前記磁極層収容層の上面の上に、前記第１層となる第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に、前記第２層となるパターン化された第２の磁性層を形成する工程と、前記第２の磁性層をマスクとして、前記第１の磁性層および前記磁極層収容層を選択的にエッチングする工程と、前記第１の磁性層および第２の磁性層のうち、前記磁極層収容層の上面の上に配置された部分が除去されて、前記第１の磁性層および第２の磁性層によって前記磁極層が形成されるように、前記第１の磁性層および第２の磁性層を研磨する工程とを含むことを特徴とする請求項５３ないし５５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５７】
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、化学機械研磨によって研磨されることを特徴とする請求項５６記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５８】
前記磁極層を形成する工程は、前記溝部内および前記磁極層収容層の上面の上に、前記第１層となる第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に、前記第２層となる第２の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層および第２の磁性層のうち、前記磁極層収容層の上面の上に配置された部分が除去されて、前記第１の磁性層および第２の磁性層によって前記磁極層が形成されるように、前記磁極層収容層が露出するまで、前記第１の磁性層および第２の磁性層を研磨する工程とを含むことを特徴とする請求項５３ないし５５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５９】
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、化学機械研磨によって研磨されることを特徴とする請求項５８記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６０】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端部を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記磁極層の端部は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記端部の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
非磁性絶縁材料よりなり、前記磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
化学的気相成長法によって、前記溝部内に非磁性導電膜を形成する工程と、
前記非磁性導電膜を形成した後、前記磁極層収容層と前記磁極層との間に前記非磁性導電膜が配置されるように、前記溝部内に前記磁極層を形成する工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】
一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。
【０００４】
垂直磁気記録方式において、記録密度の向上に寄与するのは、主に、記録媒体の改良と記録ヘッドの改良である。高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、トラック幅の縮小と、記録特性の向上である。一方、トラック幅が小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、トラック幅が小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。このネックハイトが小さいほど、オーバーライト特性が向上する。
【０００５】
ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。
【０００６】
特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じたり、隣り合う２つのトラックの間において不要な書き込みが行なわれたりするという問題が生じる。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。また、隣り合う２つのトラックの間における不要な書き込みは、磁気ヘッドの位置決め用のサーボ信号の検出や再生信号の信号対雑音比に悪影響を及ぼす。
【０００７】
上述のようなスキューに起因した問題の発生を防止する技術としては、例えば特許文献１〜３に記載されているように、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端部の形状を、記録媒体の進行方向の後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される辺が反対側の辺よりも短い形状とする技術が知られている。磁気ヘッドでは、通常、媒体対向面において、基板から遠い端部が記録媒体の進行方向の前側（スライダにおける空気流出端側）に配置される。従って、上述の媒体対向面におけるトラック幅規定部の端部の形状は、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる。
【０００８】
また、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、例えば特許文献４に記載されているように、磁極層とシールドとを備えた磁気ヘッドも知られている。この磁気ヘッドでは、媒体対向面において、シールドの端部は、磁極層の端部に対して、所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。以下、このような磁気ヘッドをシールド型ヘッドと呼ぶ。このシールド型ヘッドにおいて、シールドは、磁極層の端部より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束が記録媒体に達することを阻止することができる。このシールド型ヘッドによれば、線記録密度のより一層の向上が可能になる。
【０００９】
また、特許文献５には、磁極層となる中央の磁性層に対する記録媒体の進行方向の前側と後側にそれぞれ磁性層を設け、中央の磁性層と前側の磁性層との間と、中央の磁性層と後側の磁性層との間に、それぞれコイルを配置した構造の磁気ヘッドが記載されている。この磁気ヘッドによれば、中央の磁性層の媒体対向面側の端部より発生される磁界のうち、記録媒体の面に垂直な方向の成分を大きくすることができる。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献２】特開２００３−２０３３１１号公報
【特許文献３】米国特許第６，５０４，６７５Ｂ１号明細書
【特許文献４】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【特許文献５】米国特許第４，６７２，４９３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、上述のように媒体対向面におけるトラック幅規定部の端部の形状が、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる磁極層の形成方法について考える。従来、このような磁極層の形成方法としては、フレームめっき法が多く用いられていた。フレームめっき法による磁極層の形成方法では、まず、磁極層の下地の上に、電極膜を形成する。次に、電極膜の上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジスト層をパターニングして、磁極層に対応した形状の溝部を有するフレームを形成する。次に、電極膜に電流を流してめっきを行い、溝部内に磁極層を形成する。次に、フレームを除去する。次に、電極膜のうち、磁極層の下に存在している部分以外の部分を除去する。このフレームめっき法による磁極層の形成方法では、以下のような問題点があった。
【００１２】
すなわち、トラック幅を小さくしてゆくと、トラック幅規定部の端部における基板に近い辺の長さがゼロに近づき、その結果、トラック幅規定部となるめっき層を電極膜の上に成長させることができなくなる。そのため、フレームめっき法によって磁極層を形成する場合には、トラック幅を小さくすることが難しいという問題点がある。
【００１３】
そこで、フレームめっき法によって磁極層を形成した後、トラック幅規定部の両側の側部を、イオンビームエッチング等のドライエッチングによってエッチングして、トラック幅を小さくすることも考えられる。しかし、この方法では、トラック幅を小さくしてゆくと、トラック幅規定部の端部における基板に近い辺の長さがゼロに近づき、その結果、トラック幅規定部が倒壊するおそれがある。そのため、この方法でも、トラック幅を小さくすることは難しい。
【００１４】
ところで、フレームめっき法によって磁極層を形成する場合には、磁極層を形成した後に、電極膜のうち、磁極層の下に存在している部分以外の部分を除去する必要がある。この電極膜の除去には、イオンビームエッチング等のドライエッチングが用いられる。この電極膜の除去の際には、磁極層の両側の側部もエッチングされる。その結果、ネックハイトが所望の値よりも大きくなったり、磁極層の形状が所望の形状から崩れたりする。また、前述のように、フレームめっき法によって磁極層を形成した後、トラック幅規定部の両側の側部をエッチングして、トラック幅を小さくする場合にも、ネックハイトが所望の値よりも大きくなったり、磁極層の形状が所望の形状から崩れたりする。このように、ネックハイトが所望の値よりも大きくなったり、磁極層の形状が所望の形状から崩れたりすると、オーバーライト特性が劣化してしまう。
【００１５】
また、フレームめっき法によって磁極層を形成する場合には、磁極層を形成した後に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって磁極層を研磨して、磁極層の上面を平坦化すると共に、磁極層の厚みが所望の値になるようにする。ここで、トラック幅規定部の両側の側部は、基板の面に垂直な方向に対して傾いている。そのため、磁極層の研磨を停止する位置が変動すると、トラック幅が変動するという問題が生じる。例えば、基板の面に垂直な方向とトラック幅規定部の側部とのなす角度が７°のとき、磁極層の研磨を停止する位置が０．０５μｍだけ変動すると、トラック幅は０．０１２３μｍだけ変動する。また、基板の面に垂直な方向とトラック幅規定部の側部とのなす角度が１０°のとき、磁極層の研磨を停止する位置が０．０５μｍだけ変動すると、トラック幅は０．０１７６μｍだけ変動する。
【００１６】
特許文献１には、無機絶縁膜に、磁極層に対応した形状の溝部を形成し、めっき法またはスパッタ法によって、溝部内に磁極層を形成する方法が記載されている。この方法では、無機絶縁膜に形成される溝部の幅によって磁極層の幅、すなわちトラック幅が決まる。従って、トラック幅を小さくするためには、溝部の幅を小さくする必要がある。しかしながら、この方法では、無機絶縁膜に、磁極層に対応した形状の、幅の小さな溝部を形成することが難しいという問題点がある。
【００１７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の第１ないし第４の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端部を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、磁極層およびコイルが積層される基板とを備えている。媒体対向面に配置された磁極層の端部は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有している。第２の辺は、トラック幅を規定している。媒体対向面に配置された磁極層の端部の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっている。
【００１９】
本発明の第１の磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層と、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなり、溝部内において、磁極層収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜とを備えている。
【００２０】
本発明の第１の磁気ヘッドにおいて、磁極層収容層は、非磁性絶縁材料よりなるものであってもよいし、非磁性導電材料よりなるものであってもよい。また、非磁性膜は、アルミナ、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのいずれかよりなるものであってもよい。
【００２１】
また、本発明の第１の磁気ヘッドにおいて、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有していてもよい。
【００２２】
また、本発明の第１の磁気ヘッドは、更に、非磁性膜と磁極層との間に配置された非磁性導電膜を備えていてもよい。
【００２３】
また、本発明の第１の磁気ヘッドは、更に、溝部の表面と非磁性膜との間に配置された非磁性導電膜を備えていてもよい。この場合、磁気ヘッドは、更に、非磁性膜と磁極層との間に配置された第２の非磁性導電膜を備えていてもよい。
【００２４】
本発明の第２の磁気ヘッドは、非磁性導電材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層と、溝部内において、磁極層収容層と磁極層との間に配置された非磁性膜とを備えている。
【００２５】
本発明の第２の磁気ヘッドにおいて、非磁性膜は、非磁性導電材料よりなるものであってもよい。また、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有していてもよい。
【００２６】
本発明の第３の磁気ヘッドは、非磁性絶縁材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層と、溝部内において、磁極層収容層と磁極層との間に配置された非磁性導電膜とを備えている。磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有している。
【００２７】
本発明の第４の磁気ヘッドは、非磁性導電材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を備えている。本発明の第４の磁気ヘッドにおいて、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有していてもよい。
【００２８】
本発明の第１ないし第６の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、媒体対向面に配置された端部を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、磁極層およびコイルが積層される基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、媒体対向面に配置された磁極層の端部は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、第２の辺は、トラック幅を規定し、媒体対向面に配置された磁極層の端部の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなる垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法である。
【００２９】
本発明の第１の製造方法は、
非磁性材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
溝部内に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなる非磁性膜を形成する工程と、
非磁性膜を形成した後、磁極層収容層と磁極層との間に非磁性膜が配置されるように、溝部内に磁極層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００３０】
本発明の第１の製造方法において、磁極層収容層は、非磁性絶縁材料よりなるものであってもよいし、非磁性導電材料よりなるものであってもよい。
【００３１】
また、本発明の第１の製造方法において、非磁性膜は、アルミナ、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのいずれかよりなるものであってもよい。また、非磁性膜は、化学的気相成長法を用いて形成されてもよいし、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されてもよい。
【００３２】
また、本発明の第１の製造方法において、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、磁極層を形成する工程は、第１層を形成する工程と、第２層を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。また、第２層は、めっき法によって形成されてもよい。
【００３３】
また、本発明の第１の製造方法は、更に、非磁性膜の形成後、磁極層の形成前に、非磁性膜と磁極層との間に配置される非磁性導電膜を形成する工程を備えていてもよい。この場合、非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。
【００３４】
また、本発明の第１の製造方法は、更に、磁極層収容層の形成後、非磁性膜の形成前に、溝部の表面と非磁性膜との間に配置される非磁性導電膜を形成する工程を備えていてもよい。この場合、非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。また、本発明の第１の製造方法は、更に、非磁性膜の形成後、磁極層の形成前に、非磁性膜と磁極層との間に配置される第２の非磁性導電膜を形成する工程を備えていてもよい。この場合、第２の非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。
【００３５】
本発明の第２の製造方法は、
非磁性導電材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
溝部内に非磁性膜を形成する工程と、
非磁性膜を形成した後、磁極層収容層と磁極層との間に非磁性膜が配置されるように、溝部内に磁極層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００３６】
本発明の第２の製造方法において、非磁性膜は、非磁性導電材料よりなるものであってもよい。この場合、非磁性膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。
【００３７】
また、本発明の第２の製造方法において、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、磁極層を形成する工程は、第１層を形成する工程と、第２層を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。また、第２層は、めっき法によって形成されてもよい。
【００３８】
本発明の第３の製造方法は、
非磁性絶縁材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
溝部内に非磁性導電膜を形成する工程と、
非磁性導電膜を形成した後、磁極層収容層と磁極層との間に非磁性導電膜が配置されるように、溝部内に磁極層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備え、
磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、
磁極層を形成する工程は、第１層を形成する工程と、第２層を形成する工程とを含むものである。
【００３９】
本発明の第３の製造方法において、非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。また、第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。また、第２層は、めっき法によって形成されてもよい。
【００４０】
本発明の第４の製造方法は、
非磁性材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
溝部内および磁極層収容層の上面の上に非磁性導電膜を形成する工程と、
非磁性導電膜を形成した後、磁極層収容層と磁極層との間に非磁性導電膜が配置されるように、溝部内および磁極層収容層の上面の上に、磁極層となる磁性層を形成する工程と、
磁性層が磁極層となるように、非磁性導電膜が露出するまで磁性層を研磨する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００４１】
本発明の第４の製造方法において、磁性層は、化学機械研磨によって研磨されてもよい。また、非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。
【００４２】
また、本発明の第４の製造方法において、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有し、磁性層を形成する工程は、第１層となる第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上に、第２層となる第２の磁性層を形成する工程とを含んでいてもよい。この場合、第１の磁性層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。また、第２の磁性層は、めっき法によって形成されてもよい。
【００４３】
また、本発明の第４の製造方法は、更に、非磁性導電膜の形成後、磁性層の形成前に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなり、非磁性導電膜と磁性層との間に配置される非磁性膜を形成する工程を備えていてもよい。非磁性膜は、アルミナ、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、多結晶シリコン、アモルファスシリコンのいずれかよりなるものであってもよい。また、非磁性膜は、化学的気相成長法を用いて形成されてもよいし、１原子層毎の成膜を繰り返す化学的気相成長法を用いて形成されてもよい。本発明の第４の製造方法は、更に、非磁性膜の形成後、磁性層の形成前に、非磁性膜と磁性層との間に配置される第２の非磁性導電膜を形成する工程を備えていてもよい。この場合、磁性層を研磨する工程は、第２の非磁性導電膜が露出するまで磁性層を研磨する第１の研磨工程と、磁極層収容層の上面の上に形成された最初の非磁性導電膜が露出するまで磁性層を研磨する第２の研磨工程とを含んでいてもよい。また、第２の非磁性導電膜は、化学的気相成長法、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。
【００４４】
また、本発明の第５の製造方法は、
非磁性導電材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
溝部内に磁極層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００４５】
本発明の第５の製造方法において、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有していてもよい。この場合、第１層は、スパッタ法またはイオンビームデポジション法によって形成されてもよい。また、第２層は、めっき法によって形成されてもよい。
【００４６】
また、本発明の第５の製造方法において、磁極層を形成する工程は、溝部内および磁極層収容層の上面の上に、第１層となる第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上に、第２層となるパターン化された第２の磁性層を形成する工程と、第２の磁性層をマスクとして、第１の磁性層および磁極層収容層を選択的にエッチングする工程と、第１の磁性層および第２の磁性層のうち、磁極層収容層の上面の上に配置された部分が除去されて、第１の磁性層および第２の磁性層によって磁極層が形成されるように、第１の磁性層および第２の磁性層を研磨する工程とを含んでいてもよい。この場合、第１の磁性層および第２の磁性層は、化学機械研磨によって研磨されてもよい。
【００４７】
また、本発明の第５の製造方法において、磁極層を形成する工程は、溝部内および磁極層収容層の上面の上に、第１層となる第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上に、第２層となる第２の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層および第２の磁性層のうち、磁極層収容層の上面の上に配置された部分が除去されて、第１の磁性層および第２の磁性層によって磁極層が形成されるように、磁極層収容層が露出するまで、第１の磁性層および第２の磁性層を研磨する工程とを含んでいてもよい。この場合、第１の磁性層および第２の磁性層は、化学機械研磨によって研磨されてもよい。
【００４８】
また、本発明の第６の製造方法は、
非磁性絶縁材料よりなり、磁極層を収容する溝部を有する磁極層収容層を形成する工程と、
化学的気相成長法によって、溝部内に非磁性導電膜を形成する工程と、
非磁性導電膜を形成した後、磁極層収容層と磁極層との間に非磁性導電膜が配置されるように、溝部内に磁極層を形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【発明の効果】
【００４９】
本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、非磁性材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなる非磁性膜を介して磁極層が配置される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５０】
本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性膜を介して磁極層が配置される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５１】
本発明の第３の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性導電膜を介して磁極層が配置される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。また、本発明では、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有している。これにより、溝部の幅が小さい場合であっても、磁極層を正確に形成することが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５２】
本発明の第４の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層の溝部内に磁極層が配置される。本発明によれば、めっき法によって磁極層を形成する場合には、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層を、めっき用の電極として利用することができる。これにより、溝部の幅が小さい場合であっても、磁極層を正確に形成することが可能になる。また、本発明によれば、磁極層収容層が露出するまで磁極層の上面を研磨することにより、磁極層の厚みを正確に制御することが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５３】
本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、非磁性材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなる非磁性膜を介して磁極層が形成される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５４】
本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性膜を介して磁極層が形成される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５５】
本発明の第３の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性導電膜を介して磁極層が形成される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。また、本発明では、磁極層は、溝部の表面に近い位置に配置された第１層と、溝部の表面から遠い位置に配置された第２層とを有している。これにより、溝部の幅が小さい場合であっても、磁極層を正確に形成することが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５６】
本発明の第４の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、非磁性材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性導電膜を介して磁極層が形成される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。また、本発明では、非磁性導電膜を形成した後、溝部内および磁極層収容層の上面の上に、磁極層となる磁性層を形成し、磁性層が磁極層となるように、非磁性導電膜が露出するまで磁性層を研磨する。これにより、磁極層の厚みを正確に制御することが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５７】
本発明の第５の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層の溝部内に磁極層が形成される。本発明によれば、めっき法によって磁極層を形成する場合には、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層を、めっき用の電極として利用することができる。これにより、溝部の幅が小さい場合であっても、磁極層を正確に形成することが可能になる。また、本発明によれば、非磁性導電膜が露出するまで磁極層の上面を研磨することにより、磁極層の厚みを正確に制御することが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【００５８】
本発明の第６の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層の溝部内に、非磁性導電膜を介して磁極層が形成される。そのため、磁極層の幅は溝部の幅よりも小さくなる。これにより、溝部を容易に形成することが可能になると共に、磁極層の幅を容易に小さくすることが可能になる。以上のことから、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層を正確に形成することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５９】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図２は本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図２は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図２において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。
【００６０】
図１および図２に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。
【００６１】
ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００６２】
磁気ヘッドは、更に、上部シールド層７の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層８と、この絶縁層８の上に配置されたコイル９と、コイル９の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１０と、絶縁層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１１とを備えている。コイル９は、平面渦巻き形状をなしている。コイル９および絶縁層１０，１１の上面は平坦化されている。絶縁層８，１１は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層１０は、例えばフォトレジストによって形成されている。コイル９は、銅等の導電性材料によって形成されている。
【００６３】
磁気ヘッドは、更に、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置された非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層１２を備えている。磁極層収容層１２は、後述する磁極層を収容する溝部１２ａを有している。図１および図２では、溝部１２ａは磁極層収容層１２を貫通していないが、溝部１２ａは磁極層収容層１２を貫通していてもよい。磁極層収容層１２の材料としては、例えば、アルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。
【００６４】
磁気ヘッドは、更に、溝部１２ａ内および磁極層収容層１２の上面の上に配置された非磁性導電膜１３と、この非磁性導電膜１３を介して溝部１２ａ内に配置された磁極層１６とを備えている。磁極層１６は、溝部１２ａの表面に近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。非磁性導電膜１３および磁極層１６の上面は平坦化されている。
【００６５】
非磁性導電膜１３は、非磁性導電材料によって形成されている。非磁性導電膜１３の材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＮｉＣｒのいずれかを用いることができる。
【００６６】
第１層１６１と第２層１６２は、いずれも磁性材料によって形成されている。第１層１６１の材料としては、例えばＣｏおよびＦｅを含む磁性材料を用いることができる。具体的には、第１層１６１の材料としては、例えば、飽和磁束密度が２．４ＴのＣｏＦｅＮを用いることができる。第２層１６２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。
【００６７】
磁気ヘッドは、更に、非磁性導電膜１３および磁極層１６上面の上に配置されたギャップ層１８を備えている。ギャップ層１８には、媒体対向面３０から離れた位置において、開口部が形成されている。ギャップ層１８の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。
【００６８】
磁気ヘッドは、更に、シールド層２０を備えている。シールド層２０は、ギャップ層１８の上に配置された第１層２０Ａと、この第１層２０Ａの上に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置された連結層２０Ｂと、この連結層２０Ｂの上に配置された連結層２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第１層２０Ａ、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｂ，２０Ｄおよび第３層２０Ｅは、例えばＣｏＮｉＦｅによって形成されている。
【００６９】
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、連結層２０Ｂの周囲に配置された非磁性層２１を備えている。非磁性層２１の一部は、第１層２０Ａの側方に配置されている。非磁性層２１は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。あるいは、非磁性層２１は、非磁性金属材料よりなる層とその上に配置された絶縁材料よりなる層とで構成されていてもよい。この場合、非磁性金属材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の高融点金属が用いられる。
【００７０】
磁気ヘッドは、更に、非磁性層２１の上に配置されたコイル２２と、このコイル２２の巻線間およびコイル２２の周囲に配置された絶縁層２３と、絶縁層２３の周囲に配置された絶縁層２４と、コイル２２および絶縁層２３，２４の上に配置された絶縁層２５を備えている。コイル２２は、平面渦巻き形状をなしている。コイル２２の一部は、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄの間を通過している。コイル２２は、銅等の導電性材料によって形成されている。第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよび絶縁層２３の上面は平坦化されている。絶縁層２３は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２４，２５は、例えばアルミナによって形成されている。
【００７１】
コイル９からシールド層２０の第３層２０Ｅまでの部分は、記録ヘッドを構成する。図示しないが、磁気ヘッドは、更に、シールド層２０を覆うように形成された保護層を備えている。
【００７２】
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。
【００７３】
再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。
【００７４】
記録ヘッドは、コイル９、磁極層収容層１２、非磁性導電膜１３、磁極層１６、ギャップ層１８、シールド層２０およびコイル２２を備えている。コイル９，２２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。なお、コイル９は、記録ヘッドにおける必須の構成要素ではなく、設けられていなくてもよい。
【００７５】
磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端部を有し、コイル２２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。
【００７６】
シールド層２０は、媒体対向面３０に配置された端部を有し、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１６に連結されている。ギャップ層１８は、非磁性材料よりなり、磁極層１６とシールド層２０との間に設けられている。
【００７７】
媒体対向面３０において、シールド層２０の端部は、磁極層１６の端部に対して、ギャップ層１８の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。コイル２２の少なくとも一部は、磁極層１６とシールド層２０との間に、磁極層１６およびシールド層２０に対して絶縁された状態で配置されている。
【００７８】
シールド層２０は、ギャップ層１８に隣接するように配置された第１層２０Ａと、第１層２０Ａにおけるギャップ層１８とは反対側に配置された第２層２０Ｃと、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置された連結層２０Ｂ，２０Ｄと、第２層２０Ｃと連結層２０Ｄを連結するように配置された第３層２０Ｅとを有している。第２層２０Ｃは、媒体対向面３０とコイル２２の少なくとも一部との間に配置されている。
【００７９】
図３は、磁極層１６を示す平面図である。図３に示したように、磁極層１６は、一端部が媒体対向面３０に配置され、トラック幅に等しい一定の幅を有するトラック幅規定部１６Ａと、このトラック幅規定部１６Ａの他端部に連結され、トラック幅規定部１６Ａよりも大きな幅を有する幅広部１６Ｂとを有している。幅広部１６Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１６Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１６Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。ここで、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１６Ａの長さをネックハイトＮＨと呼ぶ。ネックハイトＮＨは、例えば０．１〜０．２μｍの範囲内である。
【００８０】
また、図１に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端部は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端部の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。
【００８１】
第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．０８〜０．１２μｍの範囲内である。磁極層１６の厚みは、例えば０．２０〜０．３０μｍの範囲内である。また、第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向となす角度は、例えば、５°〜１２°の範囲内とする。ギャップ層１８の厚みは、例えば、４０〜８０ｎｍの範囲内である。
【００８２】
非磁性導電膜１３は、磁極層収容層１２の溝部１２ａ内および磁極層収容層１２の上面の上に配置されている。磁極層１６は、磁極層収容層１２と磁極層１６との間に非磁性導電膜１３が配置されるように、溝部１２ａ内に配置されている。磁極層１６は、溝部１２ａの表面に近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。非磁性導電膜１３の厚みは、例えば２０〜５０ｎｍの範囲内である。第１層１６１の厚みは、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。
【００８３】
シールド層２０の第１層２０Ａは、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。シールド層２０の第２層２０Ｃも、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。第１層２０Ａの第２の端部は、スロートハイトＴＨを規定する。すなわち、図２に示したように、第１層２０Ａのうち、ギャップ層１８を介して磁極層１６と対向する部分における第１の端部と第２の端部との間の最短距離がスロートハイトＴＨとなる。また、スロートハイトＴＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。また、第２層２０Ｃのうち、ギャップ層１８および第１層２０Ａを介して磁極層１６と対向する部分における第１の端部と第２の端部との間の最短距離は、例えば０．５〜０．８μｍの範囲内である。また、第１層２０Ａおよび連結層２０Ｂの厚みは、例えば０．３〜０．５μｍの範囲内である。第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄの厚みは、例えば２．５〜３．０μｍの範囲内である。第３層２０Ｅの厚みは、例えば、２．０〜３．０μｍの範囲内である。
【００８４】
図２に示したように、非磁性層２１は、第１層２０Ａの側方に配置されている。非磁性層２１の厚みは、第１層２０Ａの厚み以上であり、例えば０．３〜０．５μｍの範囲内である。コイル２２の少なくとも一部は、非磁性層２１の上に配置されている。コイル２２の厚みは、第２層２０Ｃの厚み以下であり、例えば、２．５〜３．０μｍの範囲内である。コイル２２の少なくとも一部は、非磁性層２１における磁極層１６とは反対側であって、第１層２０Ａにおける磁極層１６とは反対側の面（上面）よりも磁極層１６から遠い位置に配置されている。
【００８５】
次に、図４ないし図１２を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４ないし図１２において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図４ないし図１２では、磁極層収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。
【００８６】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図２に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７および絶縁層８を順に形成する。次に、絶縁層８の上に、コイル９および絶縁層１０，１１を形成する。次に、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を、例えばＣＭＰによって平坦化する。次に、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に磁極層収容層１２を形成する。
【００８７】
図４は、次の工程を示す。この工程では、磁極層収容層１２の上に、例えば１．０μｍの厚みのフォトレジスト層を形成する。次に、このフォトレジスト層をパターニングして、磁極層収容層１２に溝部１２ａを形成するためのマスク３１を形成する。このマスク３１は、溝部１２ａに対向した形状の開口部を有している。
【００８８】
次に、図５に示したように、マスク３１を用いて、磁極層収容層１２を選択的にエッチングして、溝部１２ａを形成する。このとき、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａの両側部に対応する溝部１２ａの壁面と基板１の上面に垂直な方向とのなす角度が、例えば５°〜１２°の範囲内になるようにする。磁極層収容層１２のエッチングは、例えば、反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。反応性イオンエッチングを用いる場合には、エッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ2とＢＣｌ３の少なくとも一方を含むものを使用することが好ましい。イオンビームエッチングを用いる場合には、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を、例えば０〜４０°の範囲内とする。
【００８９】
次に、図６に示したように、磁極層収容層１２の溝部１２ａ内および磁極層収容層１２の上面の上に非磁性導電膜１３を形成する。この非磁性導電膜１３は、例えば、化学的気相成長法（以下、ＣＶＤと記す。）、スパッタ法またはイオンビームデポジション法（以下、ＩＢＤと記す。）によって形成される。非磁性導電膜１３は、溝部１２ａの側壁には薄く形成され、溝部１２ａの底部および磁極層収容層１２の上面には厚く形成される。
【００９０】
次に、図７に示したように、非磁性導電膜１３の上に、磁極層１６の第１層１６１となる第１の磁性層１６１Ｐを形成する。この第１の磁性層１６１Ｐは、例えば、スパッタ法またはＩＢＤによって形成される。スパッタ法によって第１の磁性層１６１Ｐを形成する場合には、コリメーションスパッタやロングスロースパッタを用いることが好ましい。
【００９１】
次に、図８に示したように、磁性層１６１Ｐの上に、磁極層１６の第２層１６２となる第２の磁性層１６２Ｐを形成する。この第２の磁性層１６２Ｐは、例えばめっき法によって形成される。その際、非磁性導電膜１３および第１の磁性層１６１Ｐを、めっき用の電極として用いることができる。
【００９２】
次に、図９に示したように、例えばＣＭＰによって、非磁性導電膜１３が露出するまで第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、非磁性導電膜１３、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する。これにより、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち磁極層収容層１２の上面の上に配置された部分が除去され、溝部１２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。なお、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨の前に、積層体の上面全体の上に、１〜２μｍ程度の厚みのアルミナ層を形成しておくことが好ましい。これにより、より正確に、非磁性導電膜１３、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化することができる。また、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨は、非磁性導電膜１３が露出した時点で停止する。従って、非磁性導電膜１３は、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨の停止位置を決める層として機能する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【００９３】
図１０は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１８を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１８を選択的にエッチングして、ギャップ層１８に開口部を形成する。次に、ギャップ層１８の上に第１層２０Ａを形成すると共に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に連結層２０Ｂを形成する。第１層２０Ａと連結層２０Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。磁性層を選択的にエッチングする方法としては、例えば、磁性層の上にアルミナ層を形成し、このアルミナ層の上にフレームめっき法によってマスクを形成し、このマスクを用いて、アルミナ層および磁性層をエッチングする方法を用いることができる。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。
【００９４】
図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａおよび連結層２０Ｂが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａ、連結層２０Ｂおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイル２２の少なくとも一部が非磁性層２１の上に配置されるように、コイル２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２２を形成してもよい。
【００９５】
図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、コイル２２の巻線間およびコイル２２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層２３を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁膜２４を例えば４〜４．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄおよびコイル２２が露出するまで絶縁膜２４を研磨して、第２層２０Ｃ、連結層２０Ｄ、コイル２２および絶縁層２３，２４の上面を平坦化する。なお、第２層２０Ｃおよび連結層２０Ｄを形成した後に、コイル２２を形成してもよい。次に、コイル２２および絶縁層２３，２４の上に絶縁層２５を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層２０Ｅを形成して、シールド層２０を完成させる。
【００９６】
次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【００９７】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル２２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１６およびシールド層２０は、コイル２２が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極層１６は、コイル２２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。シールド層２０は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１６に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。
【００９８】
また、本実施の形態では、媒体対向面３０において、シールド層２０の端部は、磁極層１６の端部に対して、ギャップ層１８による所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面３０における磁極層１６のギャップ層１８側の端部の位置によって決まる。シールド層２０は、磁極層１６の媒体対向面３０側の端部より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が記録媒体に達することを阻止する。これにより、記録媒体に既に記録されているビットパターンにおける磁化の方向が上記磁束の影響によって変化することを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、線記録密度を向上させることができる。
【００９９】
また、本実施の形態では、図１に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１６の端部の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止することができる。
【０１００】
また、本実施の形態では、非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層１２の溝部１２ａ内に、非磁性導電膜１３を介して磁極層１６が配置される。そのため、磁極層１６の幅は溝部１２ａの幅よりも小さくなる。これにより、溝部１２ａを容易に形成することが可能になると共に、磁極層１６の幅、特にトラック幅を規定するトラック幅規定部１６Ａの上面の幅を容易に小さくすることが可能になる。例えば、溝部１２ａの開口部のうち、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａに対応する部分の幅を０．２μｍとし、非磁性導電膜１３の厚みを５０ｎｍ（０．０５μｍ）とすると、トラック幅規定部１６Ａの上面の幅、すなわちトラック幅は０．１μｍとなる。本実施の形態によれば、フォトリソグラフィによって形成可能なトラック幅の下限値よりも小さなトラック幅を、容易に実現でき、且つ正確に制御することができる。
【０１０１】
また、本実施の形態では、磁極層１６は、溝部１２ａの表面に近い位置に配置された第１層１６１と、溝部１２ａの表面から遠い位置に配置された第２層１６２とを有している。第１層１６１となる第１の磁性層１６１Ｐは、例えばスパッタ法またはＩＢＤによって、溝１２ａの表面を覆うように形成することができる。第２層１６２となる第２の磁性層１６２Ｐは、例えばめっき法によって形成される。その際、非磁性導電膜１３および第１の磁性層１６１Ｐが、めっき用の電極として機能する。従って、第１の磁性層１６１Ｐが薄くても、電極としての非磁性導電膜１３および第１の磁性層１６１Ｐに十分な電流を流すことができる。その結果、溝部１２ａ内に均質な第２の磁性層１６２Ｐを形成することができる。従って、本実施の形態によれば、溝部１２ａの幅が小さい場合であっても、磁極層１６を均質に且つ正確に形成することができる。
【０１０２】
また、本実施の形態では、非磁性導電膜１３を形成した後、溝部１２ａ内および磁極層収容層１２の上面の上に、磁極層１６となる磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを形成し、これら磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐが磁極層１６となるように、非磁性導電膜１３が露出するまで磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを研磨する。本実施の形態によれば、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの研磨は、非磁性導電膜１３が露出した時点で停止するため、磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１０３】
また、本実施の形態では、磁極層１６の側部をエッチングしないので、ネックハイトＮＨが所望の値よりも大きくなったり、磁極層１６の形状が所望の形状から崩れたりすることがない。従って、本実施の形態によれば、オーバーライト特性を向上させることができる。
【０１０４】
以上のことから、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層１６を正確に形成することができる。
【０１０５】
なお、本実施の形態において、磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。この場合には、非磁性導電膜１３の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１０６】
また、本実施の形態において、平面渦巻き形状のコイル９，２２の代わりに、ヨーク層１３および磁極層１６を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。
【０１０７】
図１３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの変形例を示している。図１３において、（ａ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、磁気ヘッドの主要部の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１３では、磁極層収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。
【０１０８】
この変形例では、図２に示した絶縁層２３，２５の代わりに、コイル２２の少なくとも一部を覆う絶縁層４１を備えている。また、変形例では、図２に示したシールド層２０の代わりにシールド層４０を備え、図２に示した絶縁層２４の代わりに絶縁層４２を備えている。シールド層４０は、第１層４０Ａと、連結層４０Ｂと、第２層４０Ｃとを有している。第１層４０Ａは、図２における第１層２０Ａと同様に、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。第１層４０Ａの側方には、非磁性層２１が配置されている。連結層４０Ｂは、図２における連結層２０Ｂと同様に、ギャップ層１８の開口部が形成された位置において磁極層１６の上に配置されている。第２層４０Ｃは、媒体対向面３０に配置された端部を有し、第１層４０Ａと連結層４０Ｂとを連結するように配置されている。第２層４０Ｃは、絶縁層４１によって覆われたコイル２２の少なくとも一部における磁極層１６とは反対側に配置された部分を含んでいる。絶縁層４２は、第２層４０Ｃの周囲に配置されている。また、第２層４０Ｃのうち、媒体対向面３０とコイル２２との間に配置された部分における媒体対向面３０側の端部とその反対側の端部との距離は、第１層４０Ａから離れるに従って大きくなっている。第１層４０Ａ、連結層４０Ｂおよび第２層４０Ｃは、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかによって形成されている。絶縁層４１は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層４２は、例えばアルミナによって形成されている。変形例の磁気ヘッドの製造方法では、コイル２２を形成した後、絶縁層４１、第２層４０Ｃ、絶縁層４２を順に形成する。
【０１０９】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図１４ないし図１７を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１４ないし図１７において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１４ないし図１７では、磁極層収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。
【０１１０】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、磁極層収容層１２に溝部１２ａを形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、図１４に示したように、磁極層収容層１２の溝部１２ａ内および磁極層収容層１２の上面の上に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなる非磁性膜５１を形成する。非磁性膜５１の厚みは、例えば２０〜５０ｎｍの範囲内である。非磁性膜５１の材料としての非磁性絶縁材料としては、例えばアルミナ、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）のいずれかを用いることができる。非磁性膜５１の材料としての非磁性半導体材料としては、多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを用いることができる。非磁性膜５１は、例えば、スパッタ法またはＣＶＤによって形成される。ＣＶＤを用いて非磁性膜５１を形成する場合には、特に、１原子層毎の成膜を繰り返すＣＶＤ、いわゆるアトミックレイヤーＣＶＤ（以下、ＡＬＣＶＤと記す。）を用いることが好ましい。非磁性半導体材料を用いて非磁性膜５１を形成する場合には、特に、低温（２００℃程度）でのＡＬＣＶＤまたは低温での低圧ＣＶＤを用いて非磁性膜５１を形成することが好ましい。また、非磁性膜５１の材料としての非磁性半導体材料は、不純物をドープしない多結晶シリコンまたはアモルファスシリコンであることが好ましい。
【０１１１】
図１５は、次の工程を示す。この工程では、まず、非磁性膜５１の上に、非磁性導電膜５２を形成する。この非磁性導電膜５２の厚み、材料、形成方法は、第１の実施の形態における非磁性導電膜１３と同様である。次に、非磁性膜５１の上に、第１の実施の形態と同様にして第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐを順に形成する。
【０１１２】
次に、図１６に示したように、例えばＣＭＰによって、非磁性導電膜５２が露出するまで第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、非磁性導電膜５２、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する。これにより、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち磁極層収容層１２の上面の上に配置された部分が除去され、溝部１２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。なお、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨の前に、積層体の上面全体の上に、１〜２μｍ程度の厚みのアルミナ層を形成しておくことが好ましい。これにより、より正確に、非磁性導電膜５２、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化することができる。また、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨は、非磁性導電膜５２が露出した時点で停止する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１１３】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図１７は、シールド層２０が完成した状態を表している。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、図１４ないし図１６に示した工程によって形成される部分を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１１４】
本実施の形態では、非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層１２の溝部１２ａ内に、非磁性膜５１および非磁性導電膜５２を介して磁極層１６が配置される。そのため、磁極層１６の幅は溝部１２ａの幅よりも小さくなる。これにより、溝部１２ａを容易に形成することが可能になると共に、磁極層１６の幅、特にトラック幅を規定するトラック幅規定部１６Ａの上面の幅を容易に小さくすることが可能になる。例えば、溝部１２ａの開口部のうち、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａに対応する部分の幅を０．１６μｍとし、非磁性膜５１と非磁性導電膜５２の厚みを、それぞれ２０ｎｍ（０．０２μｍ）とすると、トラック幅規定部１６Ａの上面の幅、すなわちトラック幅は０．０８μｍとなる。本実施の形態によれば、フォトリソグラフィによって形成可能なトラック幅の下限値よりも小さなトラック幅を、容易に実現でき、且つ正確に制御することができる。
【０１１５】
また、本実施の形態において、非磁性膜５１をＡＬＣＶＤによって形成する場合には、厚みの制御が容易で、且つ膜の質および厚みの均一性のよい非磁性膜５１を形成することができる。これにより、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層１６を、より正確に形成することができる。
【０１１６】
なお、本実施の形態において、非磁性導電膜５２または磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。非磁性導電膜５２を省略する場合には、第１の磁性層１６１Ｐが、第２の磁性層１６２Ｐをめっき法によって形成する際の電極となる。第１層１６１を省略する場合には、非磁性導電膜５２の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１１７】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１８】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図１８ないし図２５を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１８ないし図２５において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１８ないし図２５では、磁極層収容層１２よりも基板１側の部分を省略している。
【０１１９】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、磁極層収容層１２に溝部１２ａを形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。図１８は、磁極層収容層１２の上にマスク３１を形成する工程を示している。図１９は、マスク３１を用いて、磁極層収容層１２を選択的にエッチングして、溝部１２ａを形成する工程を示している。
【０１２０】
本実施の形態では、次に、図２０に示したように、磁極層収容層１２の溝部１２ａ内および磁極層収容層１２の上面の上に、非磁性導電材料よりなる第１の非磁性導電膜６１を形成する。非磁性導電膜６１の厚みは、例えば２０〜３０ｎｍの範囲内である。非磁性導電膜６１の材料および形成方法は、第１の実施の形態における非磁性導電膜１３と同様である。
【０１２１】
図２１は、次の工程を示す。この工程では、まず、非磁性導電膜６１の上に、非磁性絶縁材料または非磁性半導体材料よりなる非磁性膜６２を形成する。非磁性膜６２の厚みは、例えば２０〜４０ｎｍの範囲内である。非磁性膜６２の材料および形成方法は、第２の実施の形態における非磁性膜５１と同様である。次に、非磁性膜６２の上に、第２の非磁性導電膜６３を形成する。この非磁性導電膜６３の厚みは、例えば２０〜３０ｎｍの範囲内である。非磁性導電膜６３の材料および形成方法は、第１の実施の形態における非磁性導電膜１３と同様である。次に、非磁性導電膜６３の上に、第１の実施の形態と同様にして第１の磁性層１６１Ｐを形成する。
【０１２２】
次に、図２２に示したように、第１の実施の形態と同様に、第１の磁性層１６１Ｐの上に第２の磁性層１６２Ｐを形成する。
【０１２３】
次に、図２３に示したように、例えばＣＭＰによって、第２の非磁性導電膜６３が露出するまで第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、非磁性導電膜６３、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する。この工程を第１の研磨工程と呼ぶ。この第１の研磨工程により、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち、磁極層収容層１２の上面の上に配置された部分が除去される。なお、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨の前に、積層体の上面全体の上に、１〜２μｍ程度の厚みのアルミナ層を形成しておくことが好ましい。これにより、より正確に、非磁性導電膜６３、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化することができる。また、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨は、非磁性導電膜６３が露出した時点で停止する。
【０１２４】
図２４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えば反応性イオンエッチング、イオンビームエッチングあるいはウェットエッチングによって、非磁性導電膜６３のうち、積層体の上面に露出している部分を選択的に除去する。次に、例えばＣＭＰによって、第１の非磁性導電膜６１が露出するまで、第２の磁性層１６２Ｐ、第１の磁性層１６１Ｐおよび非磁性膜６２を研磨して、第１の非磁性導電膜６１、非磁性膜６２、第２の非磁性導電膜６３、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する。この工程を第２の研磨工程と呼ぶ。この第２の研磨工程により、溝部１２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。第２の研磨工程は、非磁性導電膜６１が露出した時点で停止する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１２５】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図２５は、シールド層２０が完成した状態を表している。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、図１８ないし図２４に示した工程によって形成される部分を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１２６】
本実施の形態では、非磁性絶縁材料よりなる磁極層収容層１２の溝部１２ａ内に、第１の非磁性導電膜６１、非磁性膜６２および第２の非磁性導電膜６３を介して磁極層１６が配置される。そのため、磁極層１６の幅は溝部１２ａの幅よりも小さくなる。これにより、溝部１２ａを容易に形成することが可能になると共に、磁極層１６の幅、特にトラック幅を規定するトラック幅規定部１６Ａの上面の幅を容易に小さくすることが可能になる。例えば、溝部１２ａの開口部のうち、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａに対応する部分の幅を０．３μｍとし、非磁性導電膜６１，６３の厚みを、それぞれ２０〜３０ｎｍとし、非磁性膜６２の厚みを２０〜４０ｎｍとすると、トラック幅規定部１６Ａの上面の幅、すなわちトラック幅は０．１０〜０．１８μｍとなる。本実施の形態によれば、フォトリソグラフィによって形成可能なトラック幅の下限値よりも小さなトラック幅を、容易に実現でき、且つ正確に制御することができる。
【０１２７】
また、本実施の形態において、非磁性膜６２をＡＬＣＶＤによって形成する場合には、厚みの制御が容易で、且つ膜の質および厚みの均一性のよい非磁性膜６２を形成することができる。これにより、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有し且つ幅の小さな磁極層１６を、より正確に形成することができる。
【０１２８】
また、本実施の形態では、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを研磨する工程は、第２の非磁性導電膜６３が露出するまで磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを研磨する第１の研磨工程と、磁極層収容層１２の上面の上に形成された第１の非磁性導電膜６１が露出するまで磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを研磨する第２の研磨工程とを含んでいる。第１の研磨工程では、磁性層１６２Ｐの厚みに大きなばらつきがあっても、非磁性導電膜６３の上面の位置で、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化することができる。第２の研磨工程では、実質的に、非磁性膜６２の厚み分だけ磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを研磨する。非磁性膜６２は厚みの均一性がよいため、第２の研磨工程により、非磁性導電膜６１の上面の位置で、正確に、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化することができる。従って、本実施の形態によれば、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを、極めて正確に制御することができる。
【０１２９】
なお、本実施の形態において、第２の非磁性導電膜６３または磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。非磁性導電膜６３を省略する場合には、第１の磁性層１６１Ｐが、第２の磁性層１６２Ｐをめっき法によって形成する際の電極となる。第１層１６１を省略する場合には、非磁性導電膜６３の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１３０】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。
【０１３１】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図２６ないし図３０を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図２６ないし図３０において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図２６ないし図３０では、コイル９、絶縁層１０，１１およびこれらよりも基板１側の部分を省略している。
【０１３２】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１３３】
図２６は、次の工程を示す。この工程では、まず、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層７１を形成する。次に、絶縁層７１の上に、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層７２を形成する。磁極層収容層７２の厚みは、例えば０．２〜０．４μｍの範囲内である。磁極層収容層７２の材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＮｉＣｒのいずれかを用いることができる。次に、磁極層収容層７２に、磁極層１６を収容する溝部７２ａを形成する。溝部７２ａの形成方法は、第１の実施の形態における溝部１２ａの形成方法と同様である。なお、図２６では、溝部７２ａは磁極層収容層７２を貫通していないが、溝部７２ａは磁極層収容層７２を貫通していてもよい。
【０１３４】
図２７は、次の工程を示す。この工程では、まず、磁極層収容層７２の溝部７２ａ内および磁極層収容層７２の上面の上に非磁性導電膜１３を形成する。非磁性導電膜１３の厚み、材料、形成方法は、第１の実施の形態と同様である。次に、非磁性導電膜１３の上に、第１の実施の形態と同様にして第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐを順に形成する。ただし、本実施の形態では、第２の磁性層１６２Ｐは、後で磁極層収容層７２をパターニングするためのマスクとなるため、所定の形状にパターン化されている。第２の磁性層１６２Ｐの平面形状は、例えば、磁極層１６の平面形状よりもやや大きい形状である。
【０１３５】
図２８は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２の磁性層１６２Ｐをマスクとして、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、第１の磁性層１６１Ｐ、非磁性導電膜１３および磁極層収容層７２を選択的にエッチングする。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層７３を、例えば０．５〜０．８μｍの厚みに形成する。
【０１３６】
次に、図２９に示したように、例えばＣＭＰによって、非磁性導電膜１３が露出するまで、絶縁層７３、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、非磁性導電膜１３、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐおよび絶縁層７３の上面を平坦化する。これにより、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち磁極層収容層７２の上面の上に配置された部分が除去され、溝部７２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。上記研磨は、非磁性導電膜１３が露出した時点で停止する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１３７】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図３０は、シールド層２０が完成した状態を表している。また、図３１は、非磁性導電膜１３および磁極層１６を示す平面図である。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、図２６ないし図２９に示した工程によって形成される部分を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１３８】
本実施の形態では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層７２の溝部７２ａ内に、非磁性導電膜１３を介して磁極層１６が配置される。本実施の形態では、めっき法によって第２の磁性層１６２Ｐを形成する際、磁極層収容層７２、非磁性導電膜１３および第１の磁性層１６１Ｐが、めっき用の電極として機能する。従って、第１の磁性層１６１Ｐが薄くても、電極としての磁極層収容層７２、非磁性導電膜１３および第１の磁性層１６１Ｐに十分な電流を流すことができる。その結果、溝部７２ａ内に均質な第２の磁性層１６２Ｐを形成することができる。従って、本実施の形態によれば、溝部７２ａの幅が小さい場合であっても、磁極層１６を均質に且つ正確に形成することができる。
【０１３９】
なお、本実施の形態において、磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。この場合には、非磁性導電膜１３の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１４０】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１４１】
［第５の実施の形態］
次に、本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図３２ないし図３５を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図３２ないし図３５において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図３２ないし図３５では、コイル９、絶縁層１０，１１およびこれらよりも基板１側の部分を省略している。
【０１４２】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、磁極層収容層７２に溝部７２ａを形成する工程までは、第４の実施の形態と同様である。
【０１４３】
図３２は、次の工程を示す。この工程では、まず、磁極層収容層７２の溝部７２ａ内および磁極層収容層７２の上面の上に、第２の実施の形態と同様にして、非磁性膜５１を形成する。次に、非磁性膜５１の上に、第２の実施の形態と同様にして、非磁性導電膜５２、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐを順に形成する。第４の実施の形態と同様に、第２の磁性層１６２Ｐは、後で磁極層収容層７２をパターニングするためのマスクとなるため、所定の形状にパターン化されている。
【０１４４】
図３３は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２の磁性層１６２Ｐをマスクとして、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、第１の磁性層１６１Ｐ、非磁性導電膜５２、非磁性膜５１および磁極層収容層７２を選択的にエッチングする。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層７３を、例えば０．５〜０．８μｍの厚みに形成する。
【０１４５】
次に、図３４に示したように、例えばＣＭＰによって、非磁性導電膜５２が露出するまで、絶縁層７３、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、非磁性導電膜５２、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐおよび絶縁層７３の上面を平坦化する。これにより、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち磁極層収容層７２の上面の上に配置された部分が除去され、溝部７２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。上記研磨は、非磁性導電膜５２が露出した時点で停止する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１４６】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図３５は、シールド層２０が完成した状態を表している。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、図３２ないし図３４に示した工程によって形成される部分を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１４７】
本実施の形態では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層７２の溝部７２ａ内に、非磁性膜５１および非磁性導電膜５２を介して磁極層１６が配置される。
【０１４８】
なお、本実施の形態において、非磁性導電膜５２または磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。非磁性導電膜５２を省略する場合には、第１の磁性層１６１Ｐが、第２の磁性層１６２Ｐをめっき法によって形成する際の電極となる。第１層１６１を省略する場合には、非磁性導電膜５２の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１４９】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。
【０１５０】
［第６の実施の形態］
次に、本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図３６ないし図４０を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図３６ないし図４０において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図３６ないし図４０では、コイル９、絶縁層１０，１１およびこれらよりも基板１側の部分を省略している。
【０１５１】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、磁極層収容層７２に溝部７２ａを形成する工程までは、第４の実施の形態と同様である。
【０１５２】
図３６は、次の工程を示す。この工程では、まず、磁極層収容層７２の溝部７２ａ内および磁極層収容層７２の上面の上に、第３の実施の形態と同様にして、第１の非磁性導電膜６１を形成する。次に、非磁性導電膜６１の上に、第３の実施の形態と同様にして、非磁性膜６２、第２の非磁性導電膜６３、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐを順に形成する。第４の実施の形態と同様に、第２の磁性層１６２Ｐは、後で磁極層収容層７２をパターニングするためのマスクとなるため、所定の形状にパターン化されている。
【０１５３】
図３７は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２の磁性層１６２Ｐをマスクとして、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の非磁性導電膜６３、非磁性膜６２、第１の非磁性導電膜６１および磁極層収容層７２を選択的にエッチングする。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層７３を、例えば０．５〜０．８μｍの厚みに形成する。
【０１５４】
次に、図３８に示したように、例えばＣＭＰによって、第２の非磁性導電膜６３が露出するまで、絶縁層７３、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、非磁性導電膜６３、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐおよび絶縁層７３の上面を平坦化する。この工程を第１の研磨工程と呼ぶ。この第１の研磨工程により、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち、磁極層収容層７２の上面の上に配置された部分が除去される。第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐの研磨は、非磁性導電膜６３が露出した時点で停止する。
【０１５５】
図３９は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えば反応性イオンエッチング、イオンビームエッチングあるいはウェットエッチングによって、非磁性導電膜６３のうち、積層体の上面に露出している部分を選択的に除去する。次に、例えばＣＭＰによって、第１の非磁性導電膜６１が露出するまで、第２の磁性層１６２Ｐ、第１の磁性層１６１Ｐ、および非磁性膜６２を研磨して、第１の非磁性導電膜６１、非磁性膜６２、第２の非磁性導電膜６３、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐの上面を平坦化する。この工程を第２の研磨工程と呼ぶ。この第２の研磨工程により、溝部７２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。第２の研磨工程は、非磁性導電膜６１が露出した時点で停止する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１５６】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図４０は、シールド層２０が完成した状態を表している。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、図３６ないし図３９に示した工程によって形成される部分を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１５７】
本実施の形態では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層７２の溝部７２ａ内に、第１の非磁性導電膜６１、非磁性膜６２および第２の非磁性導電膜６３を介して磁極層１６が配置される。
【０１５８】
なお、本実施の形態において、第２の非磁性導電膜６３または磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。非磁性導電膜６３を省略する場合には、第１の磁性層１６１Ｐが、第２の磁性層１６２Ｐをめっき法によって形成する際の電極となる。第１層１６１を省略する場合には、非磁性導電膜６３の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１５９】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第３の実施の形態と同様である。
【０１６０】
［第７の実施の形態］
次に、本発明の第７の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図４１ないし図４５を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４１ないし図４５において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図４１ないし図４５では、コイル９、絶縁層１０，１１およびこれらよりも基板１側の部分を省略している。
【０１６１】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、磁極層収容層７２に溝部７２ａを形成する工程までは、第４の実施の形態と同様である。
【０１６２】
図４１は、次の工程を示す。この工程では、まず、磁極層収容層７２の溝部７２ａ内および磁極層収容層７２の上面の上に第１の磁性層１６１Ｐを形成する。第１の磁性層１６１Ｐの厚み、材料および形成方法は、第１の実施の形態と同様である。ただし、本実施の形態では、溝部７２ａのうち、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａに対応する部分は、第１の磁性層１６１Ｐによってほぼ埋まるようにする。
【０１６３】
次に、図４２に示したように、第１の磁性層１６１Ｐの上に第２の磁性層１６２Ｐを形成する。第２の磁性層１６２Ｐの厚み、材料および形成方法は、第１の実施の形態と同様である。ただし、本実施の形態では、第４の実施の形態と同様に、第２の磁性層１６２Ｐは、後で磁極層収容層７２をパターニングするためのマスクとなるため、所定の形状にパターン化されている。第２の磁性層１６２Ｐの平面形状は、例えば、磁極層１６の平面形状よりもやや大きい形状である。
【０１６４】
図４３は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２の磁性層１６２Ｐをマスクとして、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、第１の磁性層１６１Ｐおよび磁極層収容層７２を選択的にエッチングする。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層７３を、例えば０．５〜０．８μｍの厚みに形成する。
【０１６５】
次に、図４４に示したように、例えばＣＭＰによって、磁極層収容層７２が露出するまで、絶縁層７３、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐおよび絶縁層７３の上面を平坦化する。これにより、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち磁極層収容層７２の上面の上に配置された部分が除去され、溝部７２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。上記研磨は、磁極層収容層７２が露出した時点で停止する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１６６】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図４５は、シールド層２０が完成した状態を表している。また、図４６は、磁極層収容層７２および磁極層１６を示す平面図である。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、図４１ないし図４４に示した工程によって形成される部分を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１６７】
本実施の形態では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層７２の溝部７２ａ内に磁極層１６が配置される。本実施の形態では、めっき法によって第２の磁性層１６２Ｐを形成する際、磁極層収容層７２および第１の磁性層１６１Ｐが、めっき用の電極として機能する。従って、第１の磁性層１６１Ｐが薄くても、電極としての磁極層収容層７２および第１の磁性層１６１Ｐに十分な電流を流すことができる。その結果、溝部７２ａ内に均質な第２の磁性層１６２Ｐを形成することができる。従って、本実施の形態によれば、溝部７２ａの幅が小さい場合であっても、磁極層１６を均質に且つ正確に形成することができる。
【０１６８】
また、本実施の形態では、磁極層収容層７２の溝部７２ａ内および磁極層収容層７２の上面の上に、磁極層１６となる磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを形成し、これら磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐが磁極層１６となるように、磁極層収容層７２が露出するまで磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐを研磨する。磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの研磨は、磁極層収容層７２が露出した時点で停止する。従って、磁極層収容層７２は、磁性層１６１Ｐ，１６２Ｐの研磨を停止する位置を決める層として機能する。本実施の形態によれば、磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１６９】
なお、本実施の形態において、磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。この場合には、例えば、磁極層収容層７２をめっき用の電極として、めっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１７０】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態における非磁性導電膜１３に基づく作用および効果を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１７１】
［第８の実施の形態］
次に、本発明の第８の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図４７は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの主要部を示す断面図である。なお、図４７では、コイル９、絶縁層１０，１１およびこれらよりも基板１側の部分を省略している。
【０１７２】
本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第４の実施の形態における絶縁層７１、磁極層収容層７２および絶縁層７３の代わりに、絶縁層８１、ヨーク層８２、絶縁層８３、磁極層収容層８４および絶縁層８５を備えている。
【０１７３】
絶縁層８１は、図２に示した平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に配置されている。絶縁層８１は、例えばアルミナによって形成されている。ヨーク層８２は、絶縁層８１の上に配置されている。ヨーク層８２の媒体対向面３０側の端部は、媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。ヨーク層８２は、ＣｏＮｉＦｅ等の磁性材料によって形成されている。絶縁層８３は、ヨーク層８２の周囲に配置されている。ヨーク層８２および絶縁層８３の上面は平坦化されている。絶縁層８３は、例えばアルミナによって形成されている。
【０１７４】
磁極層収容層８４は、ヨーク層８２および絶縁層８３の上に配置されている。磁極層収容層８４は、非磁性導電材料によって形成されている。磁極層収容層８４の具体的な材料は、第４の実施の形態における磁極層収容層７２と同様である。
【０１７５】
磁極層収容層８４は、磁極層１６を収容する溝部８４ａを有している。溝部８４ａは、磁極層収容層８４を貫通している。磁極層１６は、溝部８４ａ内に配置され、その下面はヨーク層８２の上面に接している。ヨーク層８２は、磁極層１６と共に、コイル２２が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。絶縁層８５は、磁極層収容層８４の周囲に配置されている。磁極層１６、磁極層収容層８４および絶縁層８５の上面は平坦化されている。
【０１７６】
本実施の形態に係る磁気ヘッドのその他の構成は、第１の実施の形態と同様である。
【０１７７】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、コイル９および絶縁層１０，１１の上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、平坦化されたコイル９および絶縁層１０，１１の上面の上に絶縁層８１を形成する。次に、絶縁層８１の上に、例えばめっき法によってヨーク層８２を形成する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層８３を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、ヨーク層８２が露出するまで絶縁層８３を研磨し、ヨーク層８２および絶縁層８３の上面を平坦化する。次に、ヨーク層８２および絶縁層８３の上に磁極層収容層８４を形成する。次に、磁極層収容層８４に溝部８４ａを形成する。溝部８４ａの形成方法は、第１の実施の形態における溝部１２ａの形成方法と同様である。
【０１７８】
次に、磁極層収容層８４の溝部８４ａ内および磁極層収容層８４の上面の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。なお、めっき法によって磁性層を形成する場合には、予め、磁極層収容層８４の溝部８４ａ内および磁極層収容層８４の上面の上に、めっき用の電極膜を形成する。磁性層は、後で磁極層収容層８４をパターニングするためのマスクとなるため、所定の形状にパターン化されている。次に、磁性層をマスクとして、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、磁極層収容層８４を選択的にエッチングする。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層８５を、例えば０．５〜０．８μｍの厚みに形成する。
【０１７９】
次に、例えばＣＭＰによって、磁極層収容層８４が露出するまで、絶縁層８５および磁性層を研磨して、磁性層および絶縁層８５の上面を平坦化する。これにより、磁性層のうち磁極層収容層８４の上面の上に配置された部分が除去され、溝部８４ａ内に残った磁性層が磁極層１６となる。上記研磨は、磁極層収容層８４が露出した時点で停止する。これにより、磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１８０】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図４７は、シールド層２０が完成した状態を表している。
【０１８１】
本実施の形態では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層８４の溝部８４ａ内に磁極層１６が配置される。本実施の形態では、めっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する際、ヨーク層８２および磁極層収容層８４が、めっき用の電極として機能する。従って、溝部８４ａの幅が小さい場合であっても、電極としてのヨーク層８２および磁極層収容層８４に十分な電流を流すことができる。その結果、溝部８４ａ内に均質な磁性層を形成することができる。従って、本実施の形態によれば、溝部８４ａの幅が小さい場合であっても、磁極層１６を均質に且つ正確に形成することができる。
【０１８２】
また、本実施の形態では、磁極層収容層８４の溝部８４ａ内および磁極層収容層８４の上面の上に、磁極層１６となる磁性層を形成し、この磁性層が磁極層１６となるように、磁極層収容層８４が露出するまで磁性層を研磨する。磁性層の研磨は、磁極層収容層８４が露出した時点で停止する。従って、磁極層収容層８４は、磁性層の研磨を停止する位置を決める層として機能する。本実施の形態によれば、磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１８３】
なお、本実施の形態において、磁極層１６は、第１ないし第７の実施の形態と同様に、第１層１６１と第２層１６２とによって構成してもよい。
【０１８４】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態における非磁性導電膜１３に基づく作用および効果を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１８５】
［第９の実施の形態］
次に、本発明の第９の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。まず、図４８ないし図５１を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４８ないし図５１において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図４８ないし図５１では、コイル９、絶縁層１０，１１およびこれらよりも基板１側の部分を省略している。
【０１８６】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、磁極層収容層７２に溝部７２ａを形成する工程までは、第４の実施の形態と同様である。
【０１８７】
図４８は、次の工程を示す。この工程では、まず、磁極層収容層７２の溝部７２ａ内および磁極層収容層７２の上面の上に非磁性導電膜１３を形成する。なお、図４８では、溝部７２ａは磁極層収容層７２を貫通しているが、溝部７２ａは磁極層収容層７２を貫通していなくてもよい。非磁性導電膜１３の厚み、材料、形成方法は、第１の実施の形態と同様である。次に、非磁性導電膜１３の上に、第１の実施の形態と同様にして第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐを順に形成する。ただし、本実施の形態では、溝部７２ａのうち、磁極層１６のトラック幅規定部１６Ａに対応する部分は、第１の磁性層１６１Ｐによってほぼ埋まるようにする。また、第２の磁性層１６２Ｐは、後で磁極層収容層７２をパターニングするためのマスクとなるため、所定の形状にパターン化されている。第２の磁性層１６２Ｐの平面形状は、例えば、磁極層１６の平面形状よりもやや大きい形状である。
【０１８８】
図４９は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２の磁性層１６２Ｐをマスクとして、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングによって、第１の磁性層１６１Ｐ、非磁性導電膜１３および磁極層収容層７２を選択的にエッチングする。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層７３を、例えば０．５〜０．８μｍの厚みに形成する。
【０１８９】
次に、図５０に示したように、例えばＣＭＰによって、非磁性導電膜１３が露出するまで、絶縁層７３、第２の磁性層１６２Ｐおよび第１の磁性層１６１Ｐを研磨して、非磁性導電膜１３、第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐおよび絶縁層７３の上面を平坦化する。これにより、第１の磁性層１６１Ｐおよび第２の磁性層１６２Ｐのうち磁極層収容層７２の上面の上に配置された部分が除去され、溝部７２ａ内に残った第１の磁性層１６１Ｐ、第２の磁性層１６２Ｐがそれぞれ第１層１６１、第２層１６２となる。上記研磨は、非磁性導電膜１３が露出した時点で停止する。これにより、第１層１６１および第２層１６２よりなる磁極層１６の厚みを正確に制御することができる。
【０１９０】
その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。図５１は、シールド層２０が完成した状態を表している。本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、図４８ないし図５０に示した工程によって形成される部分を除いて、第１の実施の形態と同様である。
【０１９１】
本実施の形態では、非磁性導電材料よりなる磁極層収容層７２の溝部７２ａ内に、非磁性導電膜１３を介して磁極層１６が配置される。本実施の形態では、めっき法によって第２の磁性層１６２Ｐを形成する際、磁極層収容層７２、非磁性導電膜１３および第１の磁性層１６１Ｐが、めっき用の電極として機能する。従って、第１の磁性層１６１Ｐが薄くても、電極としての磁極層収容層７２、非磁性導電膜１３および第１の磁性層１６１Ｐに十分な電流を流すことができる。その結果、溝部７２ａ内に均質な第２の磁性層１６２Ｐを形成することができる。従って、本実施の形態によれば、溝部７２ａの幅が小さい場合であっても、磁極層１６を均質に且つ正確に形成することができる。
【０１９２】
なお、本実施の形態において、磁極層１６の第１層１６１を省略してもよい。この場合には、非磁性導電膜１３の上に、例えばめっき法によって、磁極層１６となる磁性層を形成する。
【０１９３】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１９４】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第８の実施の形態におけるヨーク層８２を、他の実施の形態においても設けてもよい。
【０１９５】
また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１９６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図５】図４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図６】図５に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図７】図６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図８】図７に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図９】図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１０】図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの変形例を示す断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図１５】図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１６】図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１７】図１６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図１９】図１８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２０】図１９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２１】図２０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２２】図２１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２３】図２２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２４】図２３に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２５】図２４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２６】本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図２７】図２６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２８】図２７に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２９】図２８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３０】図２９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３１】本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける非磁性導電膜および磁極層を示す平面図である。
【図３２】本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図３３】図３２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３４】図３３に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３５】図３４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３６】本発明の第６の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図３７】図３６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３８】図３７に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３９】図３８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４０】図３９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４１】本発明の第７の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図４２】図４１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４３】図４２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４４】図４３に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４５】図４４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４６】本発明の第７の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層収容層および磁極層を示す平面図である。
【図４７】本発明の第８の実施の形態に係る磁気ヘッドの主要部を示す断面図である。
【図４８】本発明の第９の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図４９】図４８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図５０】図４９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図５１】図５０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１９７】
１２…磁極層収容層、１２ａ…溝部、１３…非磁性導電膜、１６…磁極層、１８…ギャップ層、２０…シールド層、２２…コイル、１６１…第１層、１６２…第２層。
【図１】
2006018985.tif 000003
【図２】
2006018985.tif 000004
【図３】
2006018985.tif 000005
【図４】
2006018985.tif 000006
【図５】
2006018985.tif 000007
【図６】
2006018985.tif 000008
【図７】
2006018985.tif 000009
【図８】
2006018985.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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