(57)【要約】【課題】ＥＵＶ露光用マスクの製造工程等において膜剥がれを生じない導電膜を基板側面に設けたＥＵＶ露光用マスクブランクスとその製造方法を提供し、ＥＵＶ露光後、ＥＵＶ露光用マスクが強固に静電チャックに付着してしまい、取り外しにくくなるということが無く、静電チャックに簡単に着脱できるＥＵＶ露光用マスクを提供する。【解決手段】基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層としたＥＵＶ露光用マスクブランクスであって、前記基板の他方の主面上に導電層が形成されており、前記基板の相対する主面上の前記パターン形成層と前記導電層が、前記基板の側面に設けられた一箇所以上の側面導電膜により導通されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2006324268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層としたＥＵＶ露光用マスクブランクスであって、
前記基板の他方の主面上に導電層が形成されており、前記基板の相対する主面上の前記パターン形成層と前記導電層が、前記基板の側面に設けられた一箇所以上の側面導電膜により導通されていることを特徴とするＥＵＶ露光用マスクブランクス。
【請求項２】
前記側面導電膜が、前記導電層と同じ材料よりなることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクス。
【請求項３】
前記側面導電膜が、前記パターン形成層と同じ材料よりなることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクス。
【請求項４】
前記側面導電膜が、前記導電層および前記パターン形成層に含まれる材料で構成されることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクス。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスを用いて製作したことを特徴とするＥＵＶ露光用マスク。
【請求項６】
基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層としたＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法であって、
（１）前記基板の一方の主面上に前記反射層を形成する工程、
（２）前記反射層上に前記吸収層を形成する工程、
（３）前記基板の他方の主面上に導電層を形成する工程、
（４）前記基板の側面部に一箇所以上の側面導電膜を形成する工程、
とを含むことを特徴とするＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法。
【請求項７】
前記導電層と前記側面導電膜とを同時に形成することを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法。
【請求項８】
前記パターン形成層と前記側面導電膜とを同時に形成することを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法。
【請求項９】
前記側面導電膜が、前記導電層の形成と前記パターン形成層の形成とで形成されたものであることを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法。
【請求項１０】
前記側面導電膜が、前記導電層の形成または前記パターン形成層の形成とは別に形成されたものであることを特徴とする請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法。
【請求項１１】
前記側面導電膜を形成する箇所に切り込みスペースを設けたマスクホルダーを用いて真空成膜法により前記側面導電膜を形成することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ用マスクブランクスおよびその製造方法、およびリソグラフィ用マスクに関し、さらに詳しくは、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す。）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するマスクを作製するためのＥＵＶ露光用マスクブランクスとその製造方法、およびＥＵＶ露光用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、現在、ＫｒＦやＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置により、フォトマスクを用いてウェハ上にパターン転写する露光方法が行なわれている。これらの光学式の投影露光装置による露光方法では、いずれ解像限界に達するため、電子線描画装置による直描や電子線投影リソグラフィ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＥＰＬ）や低エネルギー電子線投影リソグラフィ（Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＬＥＥＰＬ）やＥＵＶリソグラフィのような新しい転写方法が提案されている。
これらの新しいリソグラフィ技術の中で、ＥＵＶ露光は、エキシマレーザよりもさらに短波長のＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）の極端紫外光を用い、通常１／４程度に縮小して露光する技術で、紫外線露光の短波長化の極限と見なされており、半導体デバイス用に二世代以上に渡って利用できるリソグラフィ技術として注目されている。
ＥＵＶ露光においては、短波長のために屈折光学系が使用できないので、反射光学系が用いられ、マスクとしては反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００３】
図９は、このような従来のＥＵＶ露光用マスクブランクスおよびＥＵＶ露光用マスクの一例を示す図である。図９（ａ）に示すＥＵＶ露光用マスクブランクスは、基板９１上に多層膜構造でＥＵＶ光を反射する反射層９２を有し、反射層９２上にエッチングストッパー層９３が設けられ、さらにその上にＥＵＶ光を吸収する吸収層９４が形成された構造となっている。図９（ｂ）に示すＥＵＶ露光用マスクは、上記のブランクスの吸収層９４をパターニングし、パターニングした吸収層に基づいてエッチングストッパー層９３を除去して形成される。ＥＵＶ露光用マスクに入射したＥＵＶ光は、反射層９２では反射され、吸収層９４では吸収され、反射されたＥＵＶ光によりウェハ上に縮小転写パターンが形成される。
【０００４】
ＥＵＶ露光では、露光装置にマスクを設置し露光する時に、マスクの自重によりマスクが僅かでも撓むことにより転写後のパターンの位置ずれが発生するのを防ぐために、静電チャックによるマスク保持方法が用いられている。そのために、ＥＵＶ露光用マスクのパターン形成された面とは反対側の面に、導電層を設けマスクを保持することが行われている。
【０００５】
しかしながら、導電層を設けたＥＵＶ露光用マスクにおいて、ＥＵＶ露光後、しばしばマスクが強固に静電チャックに付着してしまい、取り外しにくくなり、外すための作業による時間のロスやマスク表面への汚染が生じることが問題となっていた。
そこで、ＥＵＶ露光用マスクブランクスの表裏の導通をとり、裏面に存在する電荷の除去を容易にするために、マスクブランクス製造時に、例えば、マスクブランクス基板への表裏のスパッタ成膜時にブランクス基板の側面全体に導電膜を成膜形成する方法が考えられている。
【特許文献１】特公平７−２７１９８号公報
【特許文献２】特開平８−２１３３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、基板の側面全体に導電膜を成膜形成したマスクブランクスを用いてマスクを製造した場合、洗浄工程や乾燥工程等のマスク製造プロセス時、あるいは露光に使用して汚れたマスクを洗浄するときに、マスクを保持するチャックのピンとマスクの側面が接触し、チャックの高速回転等により基板側面の導電膜が機械的に擦れるために、基板側面の導電膜の膜剥がれが生じ、装置の汚染や剥離した膜のマスクへの再付着により、マスク欠陥等をひき起こすという問題を生じていた。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＥＵＶ露光用マスクの製造工程等において膜剥がれを生じない導電膜を基板側面に設けたＥＵＶ露光用マスクブランクスとその製造方法を提供し、ＥＵＶ露光後、ＥＵＶ露光用マスクが強固に静電チャックに付着してしまい、取り外しにくくなるということが無く、静電チャックに簡単に着脱できるＥＵＶ露光用マスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層としたＥＵＶ露光用マスクブランクスであって、前記基板の他方の主面上に導電層が形成されており、前記基板の相対する主面上の前記パターン形成層と前記導電層が、前記基板の側面に設けられた一箇所以上の側面導電膜により導通されていることを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスにおいて、前記側面導電膜が、前記導電層と同じ材料よりなることを特徴とする。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスにおいて、前記側面導電膜が、前記パターン形成層と同じ材料よりなることを特徴とする。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスにおいて、前記側面導電膜が、前記導電層および前記パターン形成層に含まれる材料で構成されることを特徴とする。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスを用いて製作したことを特徴とするＥＵＶ露光用マスクである。
【００１３】
請求項６の発明は、基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層上に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層としたＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法であって、（１）前記基板の一方の主面上に前記反射層を形成する工程、（２）前記反射層上に前記吸収層を形成する工程、（３）前記基板の他方の主面上に導電層を形成する工程、（４）前記基板の側面部に一箇所以上の側面導電膜を形成する工程、とを含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項７の発明は、請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法において、前記導電層と前記側面導電膜とを同時に形成することを特徴とする。
【００１５】
請求項８の発明は、請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法において、前記パターン形成層と前記側面導電膜とを同時に形成することを特徴とする。
【００１６】
請求項９の発明は、請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法において、前記側面導電膜が、前記導電層の形成と前記パターン形成層の形成とで形成されたものであることを特徴とする。
【００１７】
請求項１０の発明は、請求項６に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法において、前記側面導電膜が、前記導電層の形成または前記パターン形成層の形成とは別に形成されたものであることを特徴とする。
【００１８】
請求項１１の発明は、請求項６〜１０のいずれか１項に記載のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法において、前記側面導電膜を形成する箇所に切り込みスペースを設けたマスクホルダーを用いて真空成膜法により前記側面導電膜を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスによれば、マスク用治具と機械的接触する部分のマスクブランクスの側面導電膜形成をあらかじめ避けることで、側面導電膜の剥離が生じることが無く、マスクおよびマスク製造装置の汚染を防ぐことが可能となり、マスク欠陥を減少させることができる。
本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法によれば、マスクブランクスを構成する薄膜の形成時に、基板側面の任意の所定位置に導電膜を形成することができ、マスクブランクス製造が容易である。
さらに、本発明のＥＵＶ露光用マスクは、静電チャックに簡単に着脱でき、側面導電膜の剥離によるマスクやマスク製造装置の汚染が無く、マスク欠陥を低減させるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスおよびその製造方法、ＥＵＶ露光用マスクの実施形態について説明する。
図１は、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスを説明する一例としての断面模式図である。図２、図３および図４は、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの実施形態を示す模式図である。図２、図３および図４において、図１と同じ部位と材料を示す場合には、図１と同じ符号を用いている。
図５は、図３に示す本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造工程を示す模式図である。図６および図７は、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの他の製造工程を示す断面模式図である。図８は本発明のＥＵＶ露光用マスクの一例としての構造を示す断面模式図である。
【００２１】
<ＥＵＶ露光用マスクブランクス> 
図１に示すように、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクス１０は、基板１１の一方の主面上にパターン形成層１２、基板１１の他方の主面上に導電層１３が形成されており、基板１１の相対する主面上のパターン形成層１２と導電層１３が、基板１１の側面に設けられた少なくとも一箇所以上の側面導電膜１４により導通されている。
パターン形成層１２は、ＥＵＶ光を反射する反射層１５と、その反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１８とを少なくとも有するものであるが、吸収層１８は必ずしも反射層１５に直接に接していなくてもよい。パターン形成層１２は、吸収層１８をパターン状にドライエッチングする時に下層の反射層１５に損傷を与えるのを防止するために、通常、反射層１５と吸収層１８との間にエッチングストッパー層１７（バッファ層とも称する）が設けられる。
さらに必要に応じて、パターン形成層１２は、反射層１５の上に反射層の酸化防止等のために、キャッピング層１６を設けることがある。また、マスク検査時の検査光（２５０ｎｍ）の反射コントラストを上げるために、吸収層１８の上にＴａＯ等の低反射層を設ける場合もある（図示せず）。
以下、ＥＵＶ露光用マスクブランクスの各構成要素について説明する。
【００２２】
（基板）
本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクス１０の基板１１としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等のガラス基板、さらにはシリコン、Ｆｅ−Ｎｉ系のインバー合金等の金属基板を用いることもできる。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において５０ｎｍ以下が求められている。
【００２３】
（パターン形成層）
（反射層）
パターン形成層１２を構成する反射層１５は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、ＭｏとＳｉからなる多層膜が多用されており、例えば、２．７４ｎｍ厚のＭｏと４．１１ｎｍのＳｉを各４０層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜等も用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。
ＭｏとＳｉからなる多層膜の場合、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＳｉ膜を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＭｏ膜を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を成膜し、多層膜よりなる反射層が得られる。
【００２４】
（キャッピング層）
パターン形成層１２を構成する層として、反射層１５上に反射層の酸化防止やマスク洗浄時の保護のために、スパッタリング法等によりＳｉやＲｕを成膜し、キャッピング層１６を設けることがある。
【００２５】
（エッチングストッパー層）
パターン形成層１２を構成する層として、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層１８をドライエッチング等の方法でパターンエッチングするときに、下層の反射層１５に損傷を与えるのを防止するために、通常、反射層１５と吸収層１８との間にエッチングストッパー層（バッファ層とも称する）１７が設けられる。
エッチングストッパー層１７の材料としてはＳｉＯ2 が多用されるが、吸収層をエッチングする条件によっては、耐エッチング性の高い材料としてＡｌ2 Ｏ3 、Ｃｒ、ＣｒＮ等を用いても良い。
ＳｉＯ2を用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気下で、上記の多層膜よりなる反射層上へＳｉＯ2膜を成膜するのが好ましい。
【００２６】
（吸収層）
パターン形成層１２を構成する層として、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１８の材料としては、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料等が用いられる。さらに、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＷＮ、ＴｉＮ等も使用可能である。
【００２７】
（導電層）
本発明において、基板１１の一方の主面上に設けられたパターン形成層１２と相対する他方の主面上には、導電層１３が形成されている。導電層１３は、前述したように、ＥＵＶ露光用マスクの静電チャック用に設けるものであり、導電層１３の材料としては、導電性を示すＣｒ、ＣｒＮ等の厚み８０〜１５０ｎｍ程度の範囲の金属または金属化合物薄膜が用いられる。
【００２８】
（側面導電膜）
本発明におけるマスクブランクスは、上記の基板の相対する主面上のパターン形成層１２と導電層１３が、基板の側面に設けられた少なくとも一箇所以上の側面導電膜１４により導通されているものである。側面導電膜１４は、導電層１３と同じ材料、あるいはパターン形成層１２と同じ材料、あるいは導電層１３とパターン形成層１２との両方の材料で構成することができる。上記において、パターン形成層の場合には、側面導電膜１４は必ずしもパターン形成層の全ての構成層を用いなくともよく、導電性である反射層や吸収層の材料を側面導電膜とすればよい。側面導電膜１４の材料としては、例えば、導電性を示すＣｒ、ＣｒＮ等の金属または金属化合物薄膜、あるいはＭｏ、Ｓｉ、ＭｏとＳｉからなる多層膜等が用いられ、その厚さは８０〜１５０ｎｍ程度の範囲が好ましい。
【００２９】
側面導電膜１４は、パターン形成層１２または／および導電層１３を形成するときに同時に形成することができ、この場合には製造工程が短縮でき、同一の真空装置が使用できるので好ましい。
また、側面導電膜１４のみを別工程で成膜形成することも可能である。
側面導電膜１４を設ける位置およびその幅は、マスクブランクス製造工程、マスク製造工程およびＥＵＶ露光工程において、側面が治具等と機械的に接触しない位置に、側面が治具等と機械的に接触しない幅で任意に設定できる。また、側面導電膜１４の設置数も１箇所以上であれば、任意に設定できる。
上記のようにして、図１に示すような、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスが得られる。
次に、側面導電膜１４の実施形態について説明する。
【００３０】
（第一の実施形態）
図２（ａ）は、本発明の一例としてのＥＵＶ露光用マスクブランクス２０の上面図であり、図２（ｂ）は矢印Ａ方向から見た側面図、図２（ｃ）はＢ方向から見た側面図である。
図２に示すように、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクス２０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する反射層と、その反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層１２とし、基板１１の他方の主面上に導電層１３が形成されており、基板１１の相対する主面上のパターン形成層１２と導電層１３が、基板１１の側面に設けられた少なくとも一箇所以上の側面導電膜２４により導通されている。図２に示す導電膜２４は、パターン形成層１２と導電層１３との両方に含まれる材料で構成されており、側面導電膜２４の中央部付近は前記両方に含まれる材料が重なり合っているものである。
側面導電膜２４は、パターン形成層１２および導電層１３のスパッタリング等による成膜時に同時に形成することで膜形成できる。
【００３１】
（第二の実施形態）
図３に示す本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクス３０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する反射層と、その反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けてパターン形成層１２とし、基板１１の他方の主面上に導電層１３が形成されており、基板１１の相対する主面上のパターン形成層１２と導電層１３が、基板１１の側面に設けられた少なくとも一箇所以上の側面導電膜３４により導通されており、側面導電膜３４は導電層１３と同じ材料で構成されている。
側面導電膜３４は、導電層１３のスパッタリング等による成膜時に同時に形成することで膜形成できる。
【００３２】
（第三の実施形態）
図４に示す本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクス４０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する反射層と、その反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層とを設けてパターン形成層１２とし、基板１１の他方の主面上に導電層１３が形成されており、基板１１の相対する主面上のパターン形成層１２と導電層１３が、基板１１の側面に設けられた少なくとも一箇所以上の側面導電膜４４により導通されており、側面導電膜４４はパターン形成層１２と同じ材料で構成されている。
側面導電膜４４は、パターン形成層１２のスパッタリング等による成膜時に同時に形成することで膜形成できる。
【００３３】
<ＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法> 
本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法は、基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する反射層を形成する工程と、その反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程と、基板の他方の主面上に導電層を形成する工程と、基板の側面部に一箇所以上の側面導電膜を形成する工程とを含むものである。
次に、側面導電膜の形成方法を主に、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法の実施形態について説明する。
【００３４】
（第一の実施形態）
本実施形態は、側面導電膜を形成する箇所に切り込みスペースを設けたマスクホルダーを用い、マスクブランクスを構成する薄膜層を真空成膜法により成膜形成するときに、同時に側面導電膜を形成するＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造方法である。
【００３５】
図３に示すＥＵＶ露光用マスクブランクスを例に、図５を用いて説明する。
基板１１の一方の主面上にパターン形成層１２をスパッタリング等により所定の厚さに設け、図５（ａ）に示すように、切り込みスペース５２を設けたマスクホルダー５１に設置する。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
次に、図５（ｃ）に示すように、基板１１の他方の主面上に導電層１３をスパッタリング等により所定の厚さに形成する。図５（ｄ）は、図５（ｃ）のＢ−Ｂ線における断面図である。このとき、切り込みスペース５２を設けたマスクホルダー５１の基板１１の側面部に、同時に側面導電膜３４が形成され、本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスが得られる。
【００３６】
（第二の実施形態）
本実施形態は、リフトオフ法により側面導電膜を有するＥＵＶ露光用マスクブランクスを製造する方法であり、基板の表裏の主面上への成膜時に、側面へのスパッタリング成膜の回り込みが十分でない場合に適する方法である。
図６（ａ）に示すように、基板１１の一方の主面上にパターン形成層１２をスパッタリング等により所定の厚さに設け、基板１１の他方の主面上に導電層１３をスパッタリング等により所定の厚さに形成する。
次に、導電層１３上にリフトオフ用材料を塗布またはラミネートし、厚さ０．１〜１μｍ程度のリフトオフ層６５を形成する。リフトオフ層６５としては感光性樹脂溶液を塗布乾燥したもの、あるいはドライフィルム等が用いられる。
次に、図６（ｂ）に示すように、上記の基板を切り込みスペース６２を設けたマスクホルダー６１に設置する。
【００３７】
次に、図６（ｃ）に示すように、基板１１の他方の主面上のリフトオフ層６５上、および基板１１の切り込みスペース６２を設けたマスクホルダ６１ーの基板１１の側面部に、導電材料をスパッタリング法等により成膜し、導電膜６６および側面導電膜６４を形成する。
次に、上記の基板をマスクホルダーから外し（図６（ｄ））、リフトオフ層６５を溶解する溶剤等でリフトオフ層をリフトオフすることにより、リフトオフ層上の導電膜６６はリフトオフ層６６と共に剥離し、側面導電膜６４を有する本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスが得られる（図６（ｅ））。本実施例の場合、側面導電膜６４はパターン形成層１２および導電層１３と同じ材料であってもよいし、あるいは異なる材料であってもよい。
【００３８】
（第三の実施形態）
本実施形態は、遮蔽板によるマスキングにより側面導電膜を有するＥＵＶ露光用マスクブランクスを製造する方法であり、基板の表裏の主面上への成膜時に、側面へのスパッタリング成膜の回り込みが十分でない場合に適する方法である。
図７（ａ）に示すように、基板１１の一方の主面上にパターン形成層１２をスパッタリング等により所定の厚さに設け、基板１１の他方の主面上に導電層１３をスパッタリング等により所定の厚さに形成する。
次に、図７（ｂ）に示すように、上記の基板を切り込みスペース７２を設けたマスクホルダー７１に設置する。次に、目的とする導電膜を形成しようとする部分を除き、基板側面部および導電層１３を遮蔽板７５で覆う。
【００３９】
次に、図７（ｃ）に示すように、遮蔽板７５上、および遮蔽板で覆われていない基板１１の側面部上に、導電材料をスパッタリング法等により成膜し、導電膜７６および側面導電膜７４を形成する。
次に、基板１１をマスクホルダー７１から外すことにより、側面導電膜７４を有する本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスが得られる（図７（ｄ））。本実施例の場合、側面導電膜７４はパターン形成層１２および導電層１３と同じ材料であってもよいし、あるいは異なる材料であってもよい。
【００４０】
<ＥＵＶ露光用マスク> 
図８は、一例として、図１に示す本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスを用いて製作した、本発明のＥＵＶ露光用マスク８０の断面模式図である。
図８に示す符号は図１と同じ箇所を示すものであり、ＥＵＶ露光用マスクの各層の説明は、マスクブランクスで述べているので省く。
以下、実施例により、本発明をさらに詳しく述べる。
【実施例】
【００４１】
（実施例１）
光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板の一方の主面上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気下で、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．１１ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．７４ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を成膜し、ＭｏとＳｉの多層膜よりなるＥＵＶ光を反射する反射層を形成した。
次に、ＲＦマグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気下で、上記の反射層上にＳｉＯ2 ターゲットを用いてＳｉＯ2 膜を５０ｎｍの厚さに成膜し、エッチングストッパー層とした。
続いて、上記のＳｉＯ2 膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ＴａＮ膜を０．１μｍの厚さに成膜し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とした。
【００４２】
上記の反射層、エッチングストッパー層および吸収層をパターン形成層として一方の主面上に設けた基板を、１箇所の切り込みスペースを設けたマスクホルダーに設置した。
次いで、パターン形成層の反対側の基板の他方の主面上に、ＲＦスパッタリング法により、Ｃｒを０．１μｍの厚さに成膜し導電層とした。このとき、導電層Ｃｒ膜形成と共に、切り込みを設けた箇所に相当する基板側面部に同時に成膜した厚さ２０ｎｍ、幅２０ｍｍのＣｒ膜を側面導電膜とし、このＣｒ側面導電膜によりパターン形成層と導電層の導通がなされたＥＵＶ露光用マスクブランクスが得られた。
【００４３】
次に、このＥＵＶ露光用マスクブランクスを用い、ＥＢレジストを塗布してＥＢ描画してレジストパターンを形成した。次いで、ＴａＮ層をＣｌ2 ガスを用いてドライエッチングし、レジストパターンを剥膜した後、ＳｉＯ２膜を希フッ酸で除去して、ＥＵＶ露光用マスクを得た。
【００４４】
上記のＥＵＶ露光用マスクの製造各工程において、側面のＣｒ導電膜が剥離するようなことは無く、ＥＵＶ露光装置における静電チャックへの着脱は容易であり、高精度な転写パターンが得られることが確認された。
【００４５】
（実施例２）
光学研磨された６インチＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 基板の一方の主面上に、厚さ２．７４ｎｍのＭｏ膜と厚さ４．１１ｎｍのＳｉ膜を各４０積層した多層膜反射層と、厚さ０．０１μｍのＣｒエッチングストッパー層と、厚さ０．１μｍのＴａＮ吸収層よりなるパターン形成層を設け、基板の他方の主面上に厚さ０．１μｍのＣｒＮ膜を形成した。
次に、上記の基板を、２箇所の切り込みスペースを設けたマスクホルダーに設置し、側面導電膜を形成しない箇所をステンレス製の遮蔽板で覆い、Ｔａ膜をスパッタリング成膜し、厚さ２０ｎｍ、幅１５ｍｍの２箇所の側面導電膜を相対する基板側面の中央部に有し、このＴａ側面導電膜によりパターン形成層と導電層の導通がなされたＥＵＶ露光用マスクブランクスが得られた。
【００４６】
上記のＥＵＶ露光用マスクブランクスを用い、吸収層およびエッチングストッパー層をパターンエッチングしてＥＵＶ露光用マスクを得た。実施例１と同様に、本実施例のＥＵＶ露光用マスクは、製造各工程において側面導電膜が剥離するようなことは無く、ＥＵＶ露光装置における静電チャックへの着脱は容易であり、高精度な転写パターンが得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスを説明する一例としての断面模式図である。
【図２】本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの一実施形態を示す模式図である。
【図３】本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの他の実施形態を示す模式図である。
【図４】本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの他の実施形態を示す模式図である。
【図５】図２に示す本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの製造工程を示す模式図である。
【図６】本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの他の製造工程を示す断面模式図である。
【図７】本発明のＥＵＶ露光用マスクブランクスの他の製造工程を示す断面模式図である。
【図８】本発明のＥＵＶ露光用マスクの一例としての構造を示す断面模式図である。
【図９】従来のＥＵＶ露光用マスクブランクスおよびマスクの断面構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０、２０、３０、４０  ＥＵＶ露光用マスクブランクス
１１  基板
１２  パターン形成層
１３  導電層
１４、２４、３４、４４  側面導電膜
１５  反射層
１６  キャッピング層
１７  エッチングストッパー層
１８  吸収層
５１、６１、７１  マスクホルダー
５２、６２、７２  切り込みスペース
６４、７４  側面導電膜
６５  リフトオフ層
６６、７６  導電膜
７５  遮蔽板
８０  ＥＵＶ露光用マスク
９１  基板
９２  反射層
９３  エッチングストッパー層
９４  吸収層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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