(57)【要約】【課題】  例えば、アルミニウム単層膜をエッチングした後マスクとして用いたレジスト層を剥離除去する際に、膜減り（Ａｌ溶解）や（Ａｌ）表面腐食のない表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】  基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、前記アルミニウム膜上に所定の電極パターンに対応したレジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層より露出するアルミニウム膜部分をエッチングする工程と、前記レジストマスク層を剥離液により除去する工程とを含む電極形成工程を有し、前記レジストマスク層除去工程において前記剥離液として前記アルミニウム膜の腐食抑制剤を含有する剥離液を用いることを特徴とする。前記腐食抑制剤としては燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）が好ましく、前記剥離液の燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）含有量が０．０５〜３０ｗｔ％であることが好ましい。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、前記アルミニウム膜上に所定の電極パターンに対応したレジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層より露出するアルミニウム膜部分をエッチングする工程と、前記レジストマスク層を剥離液により除去する工程とを含む電極形成工程を有する表示パネルの製造方法であって、
前記レジストマスク層除去工程において前記剥離液として前記アルミニウム膜の腐食抑制剤を含有する剥離液を用いることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記腐食抑制剤が燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）であることを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記剥離液の燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）含有量が０．０５〜３０ｗｔ％であることを特徴とする請求項２記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記剥離液が有機アミン系であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記電極形成工程は、プラズマディスプレイパネルのアドレス電極を形成する工程であることを特徴とする請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関し、特に、アルミニウム単層膜をエッチングした後、マスクとして用いたレジスト層を剥離除去する際に、膜減り（Ａｌ溶解）や（Ａｌ）表面腐食等のない表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、放電空間を介して対向する一対のガラス基板、及び放電セルを画定する電極群などから構成され、放電セルで生じるガス放電によって表示を行う。
従来より、マトリクス表示を行うＰＤＰにおいて、蛍光体による所定色の表示に適した３電極形式の面放電型のＰＤＰ（３電極反射型ＡＣＰＤＰ）が知られている（例えば、特許文献１）。
３電極形式の面放電型のＰＤＰは、互いに平行に隣接配置された一対の表示電極（面放電のための電極）からなる複数の電極対と、各電極対に直交するように配列された複数のアドレス電極とを有したＰＤＰである。
このＰＤＰでは、単位発光領域毎に、一方の表示電極とアドレス電極との交差部に、表示又は非表示を選択するための選択放電セルが画定され、選択放電セルの近傍における電極対の対向部に、蛍光体を励起するための主放電セルが画定される。
【０００３】
一般に、蛍光体は、単位発光領域の一端側を通るように背面側のガラス基板上に配置されたアドレス電極に隣接して設けられる。このように蛍光体を配置することにより、蛍光体の発光面（放電空間に接する面）が表示面から透視可能となり、表示面側のガラス基板上に設ける場合に比べて表示輝度の点で有利となる。
一方、電極対は、蛍光体に対する放電時のイオン衝撃を避けるために、表示面側のガラス基板上に設けられる。つまり、電極対と蛍光体は放電空間を介して対向するように配置される。
なお、電極対は、蛍光体に対して表示面側に配置されることから、表示の輝度を高めるためにネサ膜又はＩＴＯ膜などからなる透明電極とされる。そして、透明電極には、導電性を補う細幅の補助金属電極（バス電極）が重ねられる。
【０００４】
このような３電極反射型ＡＣＰＤＰにおいて、アドレス電極は、例えば、基板上にアドレス電極用金属膜を形成し、前記金属膜上にフォトリソグラフィー法にて所定の電極パターンに対応したレジストマスク層を形成し、前記レジストマスク層より露出する金属膜部分をエッチングし、前記レジストマスク層を剥離液により除去することによって形成される。
この際、アドレス電極として用いられる金属膜としては、抵抗値の制御が容易であり、また、製造時にでる廃液等の環境負荷が小さい等の利点から、アルミニウムの単層膜が好ましい。
また、アルミニウム単層膜をエッチングした後マスクとして用いたレジスト層を剥離除去する際に用いられる剥離液としては、有機アミン系剥離液（モノエタノールアミン、トリエタノールアミン等）やＫＯＨ、ＮａＯＨ等の無機系剥離液が一般的に用いられる。
【０００５】
【特許文献１】特許３２４２９３８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、アルミニウム単層膜をエッチングした後マスクとして用いたレジスト層を剥離除去する際に、有機アミン系剥離液（モノエタノールアミン、トリエタノールアミン等）やＫＯＨ、ＮａＯＨ等の無機系剥離液剥離液とパターニングされたアルミニウム膜とが反応して膜減り（Ａｌ溶解）や（Ａｌ）表面腐食が発生するという問題が一例としてあった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
即ち、請求項１記載の発明は、基板上にアルミニウム膜を形成する工程と、前記アルミニウム膜上に所定の電極パターンに対応したレジストマスク層を形成する工程と、前記レジストマスク層より露出するアルミニウム膜部分をエッチングする工程と、前記レジストマスク層を剥離液により除去する工程とを含む電極形成工程を有する表示パネルの製造方法であって、前記レジストマスク層除去工程において前記剥離液として前記アルミニウム膜の腐食抑制剤を含有する剥離液を用いることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の表示パネルの製造方法について詳細に説明する。
本発明の表示パネルの製造方法に用いられる腐食抑制剤としては、レジストマスク層除去工程におけるアルミニウム膜の膜減りや表面腐食のない、または極めて減少できるものであれば、特に限定されないが、例えば、ケイ酸塩（ケイ酸ナトリウム）、燐酸塩（燐酸ナトリウム、燐酸水素２ナトリウム、燐酸水素ナトリウム）等が挙げられる。
【０００９】
ケイ酸ナトリウムは、アルミニウム膜に対するダメージはかなり少なく、膜減りも殆んどない。ケイ酸ナトリウムの剥離液中における含有量は、特に限定されない。またケイ酸ナトリウムの好ましい含有量範囲は、剥離液の主成分およびその主成分の濃度によっても異なるため一概に規定することはできないが、例えば、剥離液が２．５％モノエタノールアミン水溶液である場合には、０．５〜５ｗｔ％である。
ただし、ケイ酸ナトリウムは水に対する溶解性が比較的低く、例えばスプレー式剥離装置内において、加温・温調＋循環システムにて再結晶する事があり、この水溶液が乾くと残渣となることもあるので、使用に際してはこれらの点について留意すべきである。
【００１０】
燐酸水素２ナトリウム（Ｎａ２ＨＰＯ４）は、ケイ酸ナトリウムほどではないが、Ａｌ膜ダメージを軽減する事ができる。燐酸水素２ナトリウムの剥離液中における含有量が多くなると、レジスト剥離時間は長くなってしまうが、Ａｌ膜ダメージは少なくなる。燐酸水素２ナトリウムの剥離液中における含有量の適量範囲は、例えば、モノエタノールアミン１〜５％の剥離液に対し、０．３〜１ｗｔ％である。
【００１１】
燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）は、燐酸水素２ナトリウムより水溶性が高く、添加量によって剥離時間とＡｌ膜ダメージは異なるがＡｌ腐食抑制は同等である。燐酸水素１ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）は、ケイ酸ナトリウムおよび燐酸水素２ナトリウムよりも扱いやすく、最も優れている。
燐酸水素１ナトリウムの剥離液中における含有量は、特に限定されない。また燐酸水素１ナトリウムの好ましい含有量範囲は、剥離液の主成分およびその主成分の濃度によっても異なるため一概に規定することはできないが、例えば、０．０５〜３０ｗｔ％である。
【００１２】
上記の腐食抑制剤を含有させることができる剥離液としては、特に限定されないが、前述の通り、有機アミン系剥離液（モノエタノールアミン、トリエタノールアミン等）やＫＯＨ、ＮａＯＨ等の無機系剥離液剥離液等が挙げられる。この中でも、レジスト膜の剥離性能や本発明の腐食抑制剤によって抑制される腐食性の大きさ等から有機アミン系剥離液を用いることが好ましい。
【００１３】
本発明の表示パネルの製造方法において、基板上にアルミニウム膜を形成する方法としては、特に限定されず、基板上に蒸着またはスパッタ法等が用いられ、密着性の点からはスパッタ法が好ましい。
【００１４】
アルミニウム膜を形成する基板としては、特に限定されないが、ガラス基板が好ましい。
アルミニウム膜上に所定の電極パターンに対応したレジストマスク層を形成する際に用いるレジスト組成物としては、公知公用のものが使用可能であり、例えばアクリル系の感光樹脂等が挙げられる。
このようなレジスト組成物をアルミニウム膜上に均一に塗布した後、所定の電極パターンに応じたフォトマスクを介して露光・現像を行い、電極パターンに対応したレジストマスク層を形成する。
【００１５】
電極パターンに対応したレジストマスク層を形成した後、前記レジストマスク層より露出するアルミニウム膜部分をエッチングする。レジストマスク層より露出するアルミニウム膜をエッチングするためのエッチング液としては特に限定されないが、例えば、燐酸、硝酸混合水溶液又は燐酸、酢酸、硝酸混合水溶液等が好ましい。
レジストマスク層より露出するアルミニウム膜部分をエッチングした後、前記レジストマスク層を前述のアルミニウム膜の腐食抑制剤を含有する剥離液で剥離する。
【００１６】
本発明の表示パネルの製造方法は、アルミニウム単層膜をエッチングした後マスクとして用いたレジスト層を剥離除去する際に、膜減り（Ａｌ溶解）や（Ａｌ）表面腐食のないものとすることができた。
【実施例】
【００１７】
以下に本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、勿論本発明の範囲は、これらによって限定されるものではない。
１．８ｍｍガラス基板上に膜厚１μｍ程度のアルミニウム膜をＤＣスパッタ（圧力０．５〜１．０Ｐa、ＤＣ出力３０〜１４０kＷ、スパッタガス；Ａｒガス）により形成した。
ガラス基板上に形成されたアルミニウム膜上に、アクリル系感光樹脂からなる厚さ２５μｍのレジストフィルム（旭化成エレクトロニクス製『ＡＰＣ−２５１』）をラミネートし、マスクとなるレジスト層を形成した。次いで形成したレジスト層を所定の電極パターンで露光（露光条件；１００〜４００Ｊ／cm２）後、現像して（現像液；Ｎａ２ＣＯ３１％水溶液）レジストマスク層を形成した。
【００１８】
次いで、レジストマスク層を介して露出しているアルミニウム膜部分をエッチング（エッチング液；燐酸７５％、硝酸１％未満の水溶液）し、その後、レジストマスク層を剥離液で除去した。剥離液と腐食抑制剤を以下に示す。
【００１９】
剥離液：２．５％モノエタノールアミン（有機アミン系剥離液）
腐食防止剤：(1)０．５ｗｔ％の珪酸ナトリウム
(2)０．５ｗｔ％のＮａ２ＨＰＯ４（燐酸水素２ナトリウム）
(3)０．５ｗｔ％のＮａＨ２ＰＯ４（燐酸水素１ナトリウム）
(4)腐食防止剤なし
【００２０】
上記の腐食防止剤を含む剥離液でレジストマスク層を剥離・除去した際の、剥離性能、電極に与えるダメージ、残渣除去性、溶解特性について評価した。評価結果を下記表１に示す。
【００２１】
【表１】
2006039417.tif 000002
【００２２】
上記表１から、腐食防止剤としては、燐酸水素１ナトリウムが、剥離性能、電極膜減り、残渣除去、溶解特性の総合的な評価において、最も優れていた。