(57)【要約】  【課題】  弾性表面波素子をフェースダウン実装した弾性表面波装置の通過帯域外減衰量を改善する。  【解決手段】  圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または実装する工程の後に、圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去する工程を具備する弾性表面波装置の製造方法である。圧電基板の他方主面の導体層を全て除去することにより、通過帯域外減衰量を大幅に改善することができる。【選択図】  図１
2006086701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、
前記一方主面の前記導体層をパターニングして励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、
前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、
次に、前記圧電基板を前記弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る工程と、
次に、前記弾性表面波素子を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程と
を具備するとともに、
前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層を全て除去する工程を具備することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、
前記一方主面の前記導体層をパターニングして励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、
前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、
次に、前記圧電基板の前記弾性表面波素子領域を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程と、
次に、前記圧電基板および前記実装用基体を前記弾性表面波素子領域毎に分離する工程と
を具備するとともに、
前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記実装する工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層を全て除去する工程を具備することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
前記圧電基板の前記一方主面に前記フィルタ領域を取り囲んで環状導体を形成し、該環状導体を前記実装用基体上に対応して形成された基体側環状導体に接合する工程を具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
前記励振電極を抵抗体を介して前記環状導体に電気的に接続し、該環状導体を接地電位とする工程を具備することを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の製造方法により作製したことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
請求項５に記載の弾性表面波装置を有する、受信回路および送信回路の少なくとも一方を備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置に関する。より詳しくは、弾性表面波フィルタとして使用されるフェースダウン実装構造の弾性表面波装置であり、特に通過帯域外減衰量を改善した弾性表面波装置およびその製造方法ならびにその弾性表面波装置を用いた通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、小形化，無調整化を図ることができる弾性表面波フィルタが各種通信装置に使用されるようになり、通信装置の高周波化，高機能化の進展に伴い、バンドパスフィルタ等として用いられる弾性表面波フィルタの帯域外減衰量を上げる要求が益々増大してきている。例えば、900ＭＨｚ帯の携帯電話用フィルタとしては、通過帯域近傍の帯域外減衰量を向上させることが望まれ、かつ数ＧＨｚの高周波数帯域における帯域外減衰量も向上させた高性能な高減衰フィルタが望まれている。
【０００３】
従来の弾性表面波（Surface Acoustic Wave、以下ＳＡＷと略す。）装置における実装構造の模式的な断面図を図６に示す。図６に示す弾性表面波装置において、51は圧電基板、52は接地パッド、53はＳＡＷ素子用の圧電基板51上に形成された櫛形電極のＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極（励振電極）、54はパッケージ57に形成された導電パターン、55は接続用のバンプである。同図の構成では、接地パッド52およびＩＤＴ電極53を例えばＡｌ−Ｃｕ膜で形成し、導電パターン54と接地パッド52とを例えばＡｕから成るバンプ55により電気的に接続している。さらに、蓋体56をシーム溶接等によりパッケージ57上から接合層58を介して封止して、弾性表面波素子を収容した内部の気密性を保っている。
【０００４】
このような従来のフェースダウン構造の弾性表面波装置における帯域外減衰量レベルの劣化の主原因は、例えば、弾性表面波素子の接地パッド52やＩＤＴ電極53およびパッケージ57の導電パターン54等の電極の電気抵抗の増加、寄生インダクタンスや浮遊容量に起因する入出力間の電磁的結合である。特に、圧電基板51の一方主面にＩＤＴ電極53とともに接地パッド52等の入力パッド部と出力パッド部とを有するフィルタ領域が形成され、他方主面に導体層（図示せず）が形成された弾性表面波素子をフェースダウン実装した構造の弾性表面波装置の場合は、圧電基板51の他方主面にはフィルタ領域の入力パッド部および出力パッド部に対向する領域に導体層が形成されているため、入力パッド部と出力パッド部との間に容量結合が発生して、帯域外減衰量を劣化させてしまうという問題点がある。
【特許文献１】特開平４−313906号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
弾性表面波素子は圧電基板上に作製される櫛歯状の励振電極（ＩＤＴ電極）を用いた素子である。通常、圧電体は急激な温度変化により焦電性を示すため、圧電基板に励振電極を有する素子を作製する際に急激な温度変化のある工程を通すと、圧電基板の焦電性のため励振電極の電極間にスパークが発生し、素子を破壊してしまうこととなる。そこで、なるべく圧電基板に電荷が蓄積しないようにするために、圧電基板の裏面全体にわたって導体層を形成することが一般的となっている。しかし、この裏面導電体層は、素子作製工程中は焦電破壊防止に有効であるが、上述のような理由から素子自体の構成により帯域外減衰量を向上させるには不利となる（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００６】
また、フェースアップ実装構造で、圧電基板の表面（一方主面）に励振電極，入力パッド部および出力パッド部が形成され、裏面（他方主面）に導体層が形成された弾性表面波素子を用いて、裏面側がパッケージの上面に載置されて接地された構造の場合は、裏面の導体層を介した表面側の入力パッド部と出力パッド部との間の容量結合は問題とならないが、フェースダウン実装の場合は、裏面が接地されていないので裏面の導体層を介した入力パッド部と出力パッド部との間の容量結合が問題となり、弾性表面波素子によるフィルタの帯域外減衰量を十分に確保することが難しくなるという問題点がある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、弾性表面波素子のフェースダウン実装構造をもつ弾性表面波装置において、フィルタの帯域外減衰量を向上させることができ、信頼性に優れた弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法は、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、前記一方主面の前記導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、次に、前記圧電基板を前記弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る工程と、次に、前記弾性表面波素子を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程とを具備するとともに、前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層を全て除去する工程を具備することを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法は、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程と、前記一方主面の前記導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成する工程と、前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と、次に、前記圧電基板の前記弾性表面波素子領域を実装用基体上に前記一方主面を対面させて実装する工程と、次に、前記圧電基板および前記実装用基体を前記弾性表面波素子領域毎に分離する工程とを具備するとともに、前記圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および前記多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および前記圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と前記実装する工程との間に、または前記実装する工程の後に、前記他方主面に形成した前記導体層を全て除去する工程を具備することを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の弾性表面波装置の第１および第２の製造方法は、上記各構成において、前記圧電基板の前記一方主面に前記フィルタ領域を取り囲んで環状導体を形成し、この環状導体を前記実装用基体上に対応して形成された基体側環状導体に接合する工程を具備することを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の弾性表面波装置の第１および第２の製造方法は、上記構成において、前記励振電極を抵抗体を介して前記環状導体に電気的に接続し、この環状導体を接地電位とする工程を具備することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の弾性表面波装置は、上記いずれかの本発明の弾性表面波装置の製造方法により作製したことを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の通信装置は、上記本発明の弾性表面波装置を有する、受信回路および送信回路の少なくとも一方を備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法によれば、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去することにより、多数個の弾性表面波素子が一体となっている状態で他方主面の導体層を除去できるため、多数個の弾性表面波素子を一体に形成する際に焦電破壊を防止することができるとともに、通過帯域外減衰量の良い弾性表面波装置を効率良く作製することができる。また、弾性表面波素子を実装用基体上に一方主面を対向させて実装する工程の後に圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去する場合には、通過帯域外減衰量の良い弾性表面波装置を得ることができるとともに、実装工程で発生する焦電破壊を確実に防止することができる。この実装工程では半田や熱圧着による実装が行なわれ、熱履歴のかかる工程であるので、弾性表面波素子の焦電破壊を防止する上で特に有効である。また、１枚の圧電基板から多数個の弾性表面波装置を得ることができるので、弾性表面波装置の低価格化を実現することができる。
【００１５】
本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法によれば、圧電基板の一方主面に導体層を形成する工程および多数の弾性表面波素子領域を形成する工程および圧電基板の他方主面に導体層を形成する工程と多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去することにより、多数個の弾性表面波素子が一体となっている状態で他方主面の導体層を除去できるため、多数個の弾性表面波素子を一体に形成する際に焦電破壊を防止することができるとともに、通過帯域外減衰量の良い弾性表面波装置を効率良く作製することができる。また、圧電基板の弾性表面波素子領域を実装用基体上に一方主面を対面させて実装する工程の後に圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去する場合には、通過帯域外減衰量の良い弾性表面波装置を得ることができるとともに、実装工程で発生する焦電破壊を確実に防止することができる。この実装工程では半田や熱圧着による実装が行なわれ、熱履歴のかかる工程であるので、弾性表面波素子の焦電破壊を防止する上で特に有効である。また、１枚の圧電基板から多数個の弾性表面波装置を得ることができるので、弾性表面波装置の低価格化を実現することができる。さらに、多数個の弾性表面波素子が作製されている圧電基板を実装用基体に実装した状態で他方主面の導体層を効率良く除去できるため、弾性表面波装置の製造効率も良い。もちろん、他方主面の導体層の除去は、圧電基板および実装用基体を弾性表面波素子領域毎に分離する工程の後に行なっても構わない。また、この分離する工程では、圧電基板と実装用基体のどちらか片方を先に分離しても、圧電基板と実装用基体とを同時に分離しても構わない。
【００１６】
また、本発明の弾性表面波装置の第１または第２の製造方法によれば、圧電基板の一方主面にフィルタ領域を取り囲んで環状導体を形成し、この環状導体を実装用基体上に対応して形成された基体側環状導体に接合する工程を具備するときには、これら環状導体および基体側環状導体を接合することによって弾性表面波素子を強固に、かつ励振電極および入力パッド部および出力パッド部を気密に封止した状態で実装用基体に実装することができるので、実装後に他方主面の導体層を除去する場合に、圧電基板の一方主面に形成されている励振電極にダメージを与えずに除去することができる。
【００１７】
また、本発明の弾性表面波装置の第１または第２の製造方法によれば、励振電極を抵抗体を介して環状導体に電気的に接続し、この環状導体を接地電位とする工程を具備するときには、各励振電極が直流的には接地電極と導通するため、より確実に焦電破壊を防止することが可能となる。従って、熱履歴のかかる実装工程の前に圧電基板の他方主面の導体層を除去しても、実装工程における焦電破壊を良好に防止することができる。
【００１８】
以上のような本発明の弾性表面波装置の製造方法によれば、完成した弾性表面波装置の弾性表面波素子の他方主面には導体層が無いものとなっているおり、圧電基板の一方主面（励振電極の形成面）を実装用基体の主面に対向させた実装（フリップチップ実装）を行なっても、フィルタ領域の入力パッド部とフィルタ領域の出力パッド部とが他方主面の導体層を介して容量結合することがないので、小型でありながら通過帯域外減衰量を劣化させない弾性表面波装置を得ることができ、しかも、作製工程での弾性表面波素子の焦電破壊は防止することができる。また、近年の部品に対する小型化・低背化の要求から、弾性表面波装置に対しても圧電基板の厚みを薄くすることが求められているが、圧電基板が薄くなるほど圧電基板の一方主面の電極と他方主面の導体層との間の容量は大きくなり、従って寄生容量を介した容量結合によって起こる通過帯域外減衰量の劣化はさらに深刻化することとなるが、これに対しても、他方主面の導体層を全て除去することにより、薄型でかつ良好な通過帯域外減衰量を有する弾性表面波装置を得ることができる。
【００１９】
また、本発明の通信装置によれば、本発明の弾性表面波装置を有する、受信回路および送信回路の少なくとも一方を備えたことにより、良好な通過帯域外減衰量を有する弾性表面波装置でありながら小型であるので他部品の実装面積をより大きく取ることができるため、高機能な通信装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の弾性表面波装置の製造方法の実施の形態の例について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下に説明する図面において同様の箇所には同じ符号を付すものとする。また、各電極の大きさや電極間の距離等、あるいは電極指の本数や間隔等については、説明のために模式的に図示したものであるので、これらに限定されるものではない。
【００２１】
＜実施の形態の例１＞
図１（ａ）〜（ｊ）に本発明の弾性表面波装置の製造方法の実施の形態の一例を工程毎の断面図で示す。まず、図１（ａ）に示すように、（１）圧電基板の一方主面に導体層を形成し、図１（ｂ）に示すように、（２）圧電基板の一方主面の導体層をパターニングしてそれぞれ励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域を有する多数の弾性表面波素子領域を形成し、図１（ｃ）に示すように、（３）圧電基板の他方主面に導体層を形成する。ここまでの工程は、以上の順番以外に（１），（３），（２）または（３），（１），（２）の順番で行なっても構わない。
【００２２】
ここで、圧電基板としてはタンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶や四ホウ酸リチウム単結晶等を用いることができる。
【００２３】
また、一方主面上の導体層にはアルミニウム，アルミニウム合金，銅，銅合金，金，金合金，タンタル，タンタル合金、またはこれらの材料から成る層の積層膜やこれらの材料とチタン，クロム等の材料から成る層との積層膜を用いることができる。導体層の成膜方法としてはスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。
【００２４】
この導体層をパターニングする方法としては、導体層の成膜後にフォトリソグラフィを行ない、次いでＲＩＥ（Reactive Ion Etching）やウェットエッチングを行なう方法がある。または、導体層の成膜前に圧電基板の一方主面にレジストを形成しフォトリソグラフィを行なって所望のパターンを開口した後、導体層を成膜し、その後レジストを不要部分に成膜された導体層ごと除去するリフトオフプロセスを行なってもよい。
【００２５】
また、圧電基板の他方主面の導体層の材料としてはアルミニウム等を用いることができる。その成膜方法としてはスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。
【００２６】
次に、図１（ｄ）に示すように、励振電極を保護するための保護膜を成膜する。保護膜の材料としてはシリコン，シリカ等を用いることができる。成膜方法としては、スパッタリング法，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法，電子ビーム蒸着法等を用いることができる。この保護膜成膜工程においては、良い膜質や密着性を得るために50〜300℃程度の温度が必要である場合があるが、そのような場合において他方主面の導体層は焦電破壊の防止に有効に機能する。
【００２７】
次に、図１（ｅ）に示すように、（４）入力パッド部および出力パッド部の上に新たな導体層を積層して、入力パッドおよび出力パッドを形成する。この新たな導体層は弾性表面波素子と実装用基体とを高い信頼性で電気的および／または構造的に接続するためのものであり、例えば接続に半田を用いる場合であれば、半田の濡れ性を確保し拡散を防止する機能を持ち、また接続に金バンプを用いる場合であれば、パッドの硬度を、金を超音波等を用いて接着できるように調整する機能を持つ。このような新たな導体層の材料・構造としては、クロム／ニッケル／金あるいはクロム／銀／金の積層膜や、金やアルミニウムの厚膜を用いることができる。成膜方法としてはスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができる。なお、この新たな導体層成膜工程においても良い膜質や密着性を得るために50〜300℃程度の温度が必要である場合があるが、そのような場合においても他方主面の導体層は焦電破壊の防止に有効に機能する。
【００２８】
ここまでの工程で作製した圧電基板の一方主面の励振電極や入力パッド部および出力パッド部等のパターンは図３に上面図で示すようなものである。
【００２９】
図３に示すように、弾性表面波素子１の圧電基板２上にはフィルタ領域９が形成されている。フィルタ領域９には、共振器を構成する複数の励振電極３およびこれらを接続する接続電極４と、弾性表面波素子１と実装用基体（図示せず）とを接続するための励振電極３に電気的に接続された入力パッド部５および出力パッド部６が形成されている。
【００３０】
また、環状導体７は実装用基体の基体側環状導体と半田等を用いて接続され、弾性表面波フィルタの接地電極として機能するとともに圧電基板２と実装用基体との間の空間を封止する役割を持つ。８は接地電極パッドを示している。ただし、図３では保護膜は図示していない。
【００３１】
次に、ここまで１枚の圧電基板に多数個の弾性表面波素子領域を形成したいわゆる多数個取りの方法で作製を行なってきた場合は、図１（ｇ）に示すように、（５）圧電基板を弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る。分離する方法としては、例えばダイシングブレードを用いたダイシング法やレーザ加工によるレーザカッティング法等を用いることができる。
【００３２】
次に、図１（ｈ）に示すように、（６）弾性表面波素子を実装用基体上に一方主面を対面させて実装する。ここで、図１（ｆ）に示すように、（１）〜（３）の工程と（５）の多数個の弾性表面波素子を得る工程との間に、または（６）の実装する工程の後に、圧電基板の他方主面（裏面）の導体層を全て除去する。
【００３３】
この導体層を除去する方法としては、（５）の工程の前においては圧電基板の一方主面をレジスト等で保護した後、他方主面の導体層をウェットエッチング，ＲＩＥ（Reactive Ion Etching），サンドブラスト，ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing），グラインディング等の方法を用いることができる。このとき、主として化学的な作用により導体層をエッチングして除去する方法を用いると、圧電基板に大きなダメージを与えずに他方主面の導体層を全て確実に除去することができる。また、主として物理的な作用により導体層を研削して除去する方法を用いると、導体層を除去すると同時に圧電基板の他方主面を元々の状態よりも粗くすることができ、これにより、フィルタ領域の入力パッド部から圧電基板の内部を伝搬し、圧電基板の他方主面で反射され、フィルタ領域の出力パッド部に結合して通過帯域外減衰量を劣化させていたバルク波を、圧電基板の他方主面で散乱させることができ、通過帯域外減衰量をさらに改善することができる。このバルク波の伝搬による通過帯域外減衰量の劣化は寄生容量による劣化に比べると小さいが、通過帯域外減衰量に求められる厳しい要求を完全に満たすためにはこのバルク波による劣化も抑制することが好ましい。
【００３４】
その後に、圧電基板の一方主面上のレジストおよび他方主面上のレジストを除去する。
【００３５】
これらの工程においては複数の弾性表面波素子が形成された圧電基板に対してそれぞれの処理を行なえるため、複数の弾性表面波素子を一括して処理することができ、効率的である。
【００３６】
また、（６）の工程の後においては、既に圧電基板の一方主面が実装用基体に対向して配置されているため、一方主面を保護する工程を省略することができる。特に、環状導体を用いて封止している場合は、弾性表面波素子は実装用基体に強固に固定されており、また、フィルタ領域が外気からも遮断されているため、前述のようにウェットエッチング，ＲＩＥ（Reactive Ion Etching），サンドブラスト等の方法を用いて他方主面の導体層を効率良く除去することができる。また、他方主面の導体層は、リューターやサンドペーパーを用いて研削・研磨して除去してもよい。
【００３７】
そして、この第１の例では、図１（ｉ）に示すように、（７）実装用基体上に実装された弾性表面波素子を封止樹脂を用いて樹脂モールドし、次いで図１（ｊ）に示すように、（８）実装用基体を弾性表面波素子およびモールド樹脂とともにダイシング等により分断して、本発明の弾性表面波装置を得る。
【００３８】
なお、この例では圧電基板の一方主面の励振電極や入力パッド部，出力パッド部のパターンとして図３に示したものを用いたが、これは一例を示すのみであり、この他にも後述する図４に上面図で示すものや、他の構造のものを用いても構わない。
【００３９】
また、この例では製造工程中に保護膜の成膜工程や入出力パッドの形成工程も行なう例を示したが、これらの工程は特に行なわなくても構わない。また、別途、一方主面上の導体層等の膜厚測定や電気特性検査やアニール等の別の工程を設けてもよい。いずれにせよ、他方主面の導体層は、（１）〜（３）の工程と（５）の工程との間に、または（６）の工程の後に、除去すればよい。
【００４０】
＜実施の形態の例２＞
実施の形態の例１では、（５）の工程で多数個の弾性表面波素子を形成した圧電基板を弾性表面波素子領域毎に分離して多数個の弾性表面波素子を得る工程を経た後、（６）の工程で実装用基体に実装したが、本例では図２（ａ）〜（ｊ）に図１（ａ）〜（ｊ）と同様の工程毎の断面図で示すように、図２（ｆ）に示す工程で、弾性表面波素子領域毎に分離する前に実装用基体上に多数個の弾性表面波素子領域が形成された圧電基板の一方主面を対面させて実装し（この工程を（７）とする。）、その後、図２（ｈ）に示すように、実装用基体と一体となった圧電基板をいわゆるハーフダイシングにより弾性表面波素子領域毎に分割し、次いで図２（ｉ）に示すように、実装用基体上に実装された弾性表面波素子を封止樹脂を用いて樹脂モールドし、次に、実装用基体をモールド樹脂とともに弾性表面波素子毎に分離し（この工程を（８）とする。）てもよい。この例２の場合は、（１）〜（３）の工程と（７）の工程との間に、または図２（ｇ）に示すように（７）の工程の後に、圧電基板の他方主面に形成した導体層を全て除去する。この除去方法は前述と同様である。
【００４１】
＜実施の形態の例３＞
他方主面の導体層を全て除去すると、焦電破壊が起こり易くなってしまう。そこで、本例では図４に示したように、全ての励振電極３が高周波的には非導通状態であり、直流的には導通状態となるように、共振器を形成する励振電極３と環状導体７とを抵抗体11を介して接続する。このようにすることにより、圧電基板２の一方主面から実装用基体の接地導体に電荷を逃がすことができるため、焦電破壊を防止することができる。
【００４２】
なお、この抵抗体11には、フィルタが使用される周波数帯においては十分に高抵抗で、ほとんど絶縁体に見える抵抗値のものを選択する。抵抗体11の材料としてはシリコンや酸化チタン等の半導体を用いるのが好適である。これらの材料は、シリコンであればホウ素等の元素を微量に添加したり、組成比を調整したりすることにより、抵抗値を適正な値に制御することができる。
【００４３】
抵抗体11のパターンの作製工程は、（２）の工程の励振電極のパターニング後に、または（４）の工程の入力パッド部および出力パッド部の上に新たな導体層を積層する前に行なうのが好適である。なお、抵抗体11を形成する代わりに、保護膜自体を半導体膜としても構わない。抵抗体11の成膜方法としてはスパッタリング法，電子ビーム蒸着法，ＣＶＤ法等を用いることができる。
【００４４】
本発明の弾性表面波装置は、通信装置に適用することができる。すなわち、少なくとも受信回路または送信回路の一方を備える通信装置において、本発明の弾性表面波装置をこれらの回路に含まれるバンドパスフィルタとして用いる。例えば、送信回路から出力された送信信号をミキサでキャリア周波数にのせて、不要信号をバンドパスフィルタで減衰させ、その後、パワーアンプで送信信号を増幅して、デュプレクサを通ってアンテナより送信することができる送信回路を備えた通信装置や、受信信号をアンテナで受信し、デュプレクサを通って、受信信号をローノイズアンプで増幅し、その後、バンドパスフィルタで不要信号を減衰して、ミキサでキャリア周波数から信号を分離し、この信号を取り出す受信回路へ伝送するような受信回路を備えた通信装置に適用可能であり、これら受信回路および送信回路の少なくとも一方に本発明の弾性表面波装置を採用すれば、伝送特性が向上した優れた本発明の通信装置を提供できる。
【実施例】
【００４５】
まず、38.7°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶基板から成る圧電基板２（基板厚みは250μｍ）の一方主面にスパッタリング法により基板側からＴｉ／Ａｌ−１質量％Ｃｕ／Ｔｉ／Ａｌ−１質量％Ｃｕからなる４層の導体層を成膜した。膜厚はそれぞれ６ｎｍ／209ｎｍ／６ｎｍ／209ｎｍである。次に、この導体層をフォトリソグラフィとＲＩＥとによりパターニングして、それぞれ励振電極３と入力パッド部５と出力パッド部６とを具備するフィルタ領域を形成し、多数の弾性表面波素子領域を形成した。このときのエッチングガスにはＢＣｌ３およびＣｌ２の混合ガスを用いた。励振電極３を形成する櫛歯状電極の線幅および隣り合う櫛歯状電極間の距離はどちらも約１μｍである。
【００４６】
次に、スパッタリング法により圧電基板２の他方主面に純Ａｌから成る導体層を形成した。この導体層の厚みは200ｎｍである。
【００４７】
次に、入力パッド部５および出力パッド部６の上に新たなＣｒ／Ｎｉ／Ａｕからなる導体層を積層して入力パッドおよび出力パッドを形成した。この新たな導体層の厚みはそれぞれ６ｎｍ／1000ｎｍ／100ｎｍである。
【００４８】
次に、圧電基板２の一方主面をフォトレジストで保護し、その後、硝酸と燐酸と酢酸との混酸によるウェットエッチングによって圧電基板２の他方主面の導体層を全て除去した。
【００４９】
次に、フォトレジストを除去した後、圧電基板２を弾性表面波素子領域毎にダイシングによって分離して多数個の弾性表面波素子１を得た。
【００５０】
次に、弾性表面波素子１をＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板からなる実装用基体上に一方主面を対面させて実装した。ここで、ＬＴＣＣ基板は圧電基板２の一方主面に形成した環状導体７に対応する基体側環状導体および弾性表面波素子１の入出力パッドと接続されるパッド電極を有しており、予めこれら基体側環状導体およびパッド電極には半田を印刷しておいた。これに弾性表面波素子１を実装するにおいては、これら半田パターンに一致するように弾性表面波素子１を配置して超音波を印加することにより仮固定し、その後、加熱することにより半田を溶融することによって環状導体７と基体側環状導体とを、および入出力パッドとパッド電極とを接続した。これにより、弾性表面波素子１のフィルタ領域９はＬＴＣＣ基板の基体側環状導体とこれに接続された環状導体７とによって完全に気密封止される。なお、弾性表面波素子１の実装工程は窒素雰囲気下で行なった。
【００５１】
次に、樹脂モールドを行ない、弾性表面波素子１の他方主面（裏面）をモールド樹脂で保護し、最後に実装用基体を各弾性表面波素子間でダイシングすることにより、本発明の弾性表面波装置を得た。
【００５２】
また、比較例として従来のように圧電基板の一方主面に励振電極と入力パッド部と出力パッド部とを具備するフィルタ領域を形成し、他方主面の全面に導体層を形成した弾性表面波素子を、実装用基体上に一方主面を対面させて実装させた弾性表面波装置を作製した。本比較例の上面図は図３と同様である。
【００５３】
このようにして作製した本発明の実施例と比較例について、図５にその周波数特性を線図で示す。図５の線図において、横軸は周波数（単位：ＭＨｚ）を、縦軸は減衰量（単位：ｄＢ）を表し、破線の特性曲線はＬＴ基板の他方主面の全面に導体層を形成した比較例の結果を示し、実線の特性曲線はＬＴ基板の他方主面の導体層を全て除去して形成された実施例の結果を示している。図５に示す結果から分かるように、この例の本発明の弾性表面波装置は、比較例のものに比べて非常に良好な通過帯域外減衰量を有している。特に、比較例のものと比べて、通過帯域近傍の通過帯域外減衰量が大幅に改善されている。
【００５４】
また、この実施例と同様にして図２に示すような工程で作製して、その例についても同様に周波数特性を評価したところ、同じく通過帯域近傍の通過帯域外減衰量が大幅に改善されていることが確認できた。
【００５５】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、２個以上のフィルタ領域を同一の圧電基板上に設けてもよい。その場合には複数の弾性表面波素子を別々に作製した場合に比べて全体の占める面積を小型にすることができる。
【００５６】
また、図３等ではラダー型フィルタを用いた場合を示したが、本発明はフィルタの構造を限定するものではなく、ＤＭＳ型やＩＩＤＴ型のフィルタを用いてもよい。また、入出力端子の配置も図３等に示したものに限定されるものではなく、圧電基板の対角上に位置していても構わない。
【００５７】
また、励振電極の材料も実施例に挙げた材料に限定されるものではなく、単層のＡｌ，Ａｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｕやその合金を用いたり、これらと圧電基板の間に密着層を挿入した構造としても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】（ａ）〜（ｊ）は、それぞれ本発明の弾性表面波装置の第１の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｊ）は、それぞれ本発明の弾性表面波装置の第２の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。
【図３】本発明の弾性表面波装置の一例を表す弾性表面波素子の圧電基板の一方主面を示す上面図である。
【図４】本発明の弾性表面波装置の一例を表す弾性表面波素子の圧電基板の一方主面を示す上面図である。
【図５】本発明の弾性表面波装置の製造方法により作製した本発明の弾性表面波装置の帯域通過特性を示す線図である。
【図６】従来の弾性表面波装置の実装構造を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１：弾性表面波素子
２：圧電基板
３：励振電極
４：接続電極
５：入力パッド部
６：出力パッド部
７：環状導体
８：接地電極パッド
９：フィルタ領域
10：導体層
11：抵抗体
【図１】
2006086701.tif 000003
【図２】
2006086701.tif 000004
【図３】
2006086701.tif 000005
【図４】
2006086701.tif 000006
【図５】
2006086701.tif 000007
【図６】
2006086701.tif 000008