(57)【要約】      （修正有）【課題】側面発光型ＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】光源５から出た光を側方向に投射させるための側面発光型ＬＥＤパッケージ１において、電極１６が形成された基板１５と、基板１５上に電気的に連結配置された光源５と、基板１５と光源５を覆って保護するモールディング部１０及びモールディング部１０の外面を覆い、光源５の装着平面に対して一側方向に投光面１７を形成した反射層２０とを含む。これにより、反射層２０を所望の形に容易に製作でき、ＬＥＤチップサイズの影響なく小型で大量生産が可能で、ＬＥＤアレイタイプにも容易に製作が可能なため作業生産性を大きく向上させる効果が得られる。【選択図】図４ａ
2006339651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出た光を側方に放射させる側面発光型ＬＥＤパッケージであって、
電極が形成された基板と、
前記基板の上に電気的に連結して配置された光源と、
前記基板および前記光源を被覆するモールディング部と、
前記モールディング部の外面に形成され、前記光源の装着平面に対して一方の側方に投光面を形成する反射層と
を含む側面発光型ＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
前記反射層は、その上部面が曲面を有する構造、前記上部面は水平で投光面の反対面が傾斜面で形成された構造、および、上部面が一方の側に傾いた傾斜面を有する構造のうちの少なくともひとつの構造を有する請求項１に記載の側面発光型ＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
前記反射層は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、ＴｉおよびＰｔから選択された少なくともひとつの金属を蒸着またはメッキして形成される請求項１に記載の側面発光型ＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
前記反射層は、反射率が高い薄膜を前記モールディング部に付着させて形成される請求項１に記載の側面発光型ＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記基板は、前記電極が形成されたＰＣＢまたはセラミック材料を含む請求項１に記載の側面発光型ＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
前記モールディング部は、その内部に一つ以上のＬＥＤチップが配置され光源を形成する請求項１に記載の側面発光型ＬＥＤパッケージ。
【請求項７】
前記投光面は、ＬＥＤチップが配置される平面に対して直角を成す請求項６に記載の側面発光型ＬＥＤパッケージ。
【請求項８】
光源から出た光を側方向に投射させる側面発光型ＬＥＤパッケージの製造方法であって、
電極が形成された基板を提供する段階と、
前記基板の上に光源を配置する段階と、
前記光源と基板上にモールディング部を形成する段階と、
前記モールディング部を１次ダイシングして個別的なパッケージ別に区画する段階と、
前記モールディング部の外面を覆う反射層を形成する段階と、
前記モールディング部と反射層の一面を２次ダイシングして一側に投光面を形成する段階と
を含む製造方法。
【請求項９】
前記基板を提供する段階は、前記基板上でＬＥＤチップの相互の間に絶縁層（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）を形成して反射層と絶縁を成す処理を含む請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記モールディング部を形成する段階は蛍光体が混合された透明ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）トランスファーモールディング法を利用する請求項８に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記反射層を形成する段階は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、ＴｉおよびＰｔから選択された少なくともひとつの金属を蒸着またはメッキする処理を含む請求項８に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記反射層を形成する段階は、反射率が高い薄膜を前記モールディング部に付着させる処理を含む請求項８に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記モールディング部を１次ダイシングする段階は、前記モールディング部の内部に一つ以上のＬＥＤチップを配置して光源が形成されるように前記モールディング部を切断する処理を含む請求項８に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記投光面を形成する段階は、ＬＥＤチップが配置される平面に対して直角を成す側方向に前記モールディング部および反射層を切断する処理を含む請求項８に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記投光面を形成する段階は、前記基板を切断してＬＥＤパッケージを個別に含む側面発光型ＬＥＤパッケージ形成する処理を含む請求項１４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は側面発光型ＬＥＤパッケージおよびその製造方法に関する。より詳細には、一側面で光を投光させるようになった側面発光型ＬＥＤパッケージ及びその製造方法に関する。より詳細には反射面を所望の形に容易に製作することが可能で、ＬＥＤチップサイズの影響なく小型で大量生産が可能で、ＬＥＤアレイタイプにも容易に製作が可能で作業生産性を大きく向上させた側面発光型ＬＥＤパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モバイルフォーン、ＰＤＡ等の表示部のバックライト（Ｂａｃｋ−ｌｉｇｈｔ）光源では、一般的にサイドに投光面を有するＬＥＤパッケージ（ＬＥＤ  ＰＫＧ）が使用される。このような従来のＬＥＤパッケージはモバイルフォーンの厚さが漸次スリーム（ｓｌｉｍ）化されるに連れその厚さも漸次薄くなる趨勢にある。
【０００３】
図１ａに図示された側面発光型ＬＥＤパッケージ２００は内蔵されたＬＥＤチップ用リードフレーム（Ｌｅａｄ  Ｆｒａｍｅ）に射出物２１０を覆う構造で製作されるので、その厚さを薄く製作する場合は、大体０．５Ｔ程度の厚さが限界であると判断される。従って、このような構造は厚さを薄くするには限界がある。
【０００４】
図１ｂには他の構造を有する側面発光型ＬＥＤパッケージ２３０が図示される。このような技術は基板２３２上にＬＥＤチップ２３４を装着して、更に、それを覆うよう内部に空間（ｃａｖｉｔｙ）が形成された射出物２３６を接着させた後、上記空間に蛍光体とエポキシを混合した溶液を注入後養生させダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）する方式である。しかしながら、このような工程は射出物２３６を付着させる作業工程が煩雑で、作業生産性の観点から非常に効率が低いという問題点がある。
【０００５】
図２ａには、また異なる構造を有する側面発光型ＬＥＤパッケージ２５０が図示される。この構造は、下記特許文献１に開示される。即ち、発光ダイオード（ＬＥＤ）を光源２５２とし、上記発光ダイオードからの光を一側に誘導して外部に放出する。
【０００６】
上記のような構造では、光源２５２の外面をレンズ部２５４が包み、更に、２５０レンズ部２５４を包むよう維持具２５６が形成される。また、維持具２５６は一側面が開放されて投光面２５７を形成し、投光面２５７の反対側には維持具２５６の内側に別の反射面２５８が形成される。このような構造も維持具２５６と反射面２５８等を個別に備えてレンズ部２５４に被せなければならないので、その製作工程は複雑で、作業も煩雑になる。
【０００７】
また、図２ｂには、また異なる構造の側面発光型ＬＥＤパッケージ２７０が図示される。この構造は、特許文献２に開示されたＳｏｍｍｅｒｓ  Ｍｅｔｈｅｗ  Ｌ．に付与された米国特許に関する。この側面発光型ＬＥＤパッケージ２７０では、ＬＥＤチップ２７２を透明なモールディング部２７４が包み、モールディング部２７４の上部面には中央が窪んだ反射面２７６が形成され、上記反射面２７６には反射層２７８が形成され側面四方にわたって投光面２８０が形成される。しかし、このような構造は、投光面２８０が特定の一方向に形成されないので、反射光が集中されず分散されるという問題点がある。
【特許文献１】特開平０９−０８３０１９号公報
【特許文献２】米国特許第６６７４０９６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような従来の問題点を解消するためのものとして、その目的は、別途の射出物を不要にして、厚さを小さくできる側面発光型ＬＥＤパッケージとその製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、反射面を所望の形に容易に製作することができ、ＰＣＢタイプで大量生産が可能な側面発光型ＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供することも本発明の目的のひとつである。
【００１０】
更に、ＬＥＤチップサイズの影響を受けることなく、大量生産が可能で、アレイタイプ（Ａｒｒａｙ  Ｔｙｐｅ）でも製作が容易な側面発光型ＬＥＤパッケージとその製造方法を提供することも本発明の目的のひとつである。
【００１１】
また更に、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）トランスファーモールディング法を採用することにより色散布の最小化が可能な側面発光型ＬＥＤパッケージとその製造方法を提供することも、本発明の目的のひとつである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のひとつの形態として、光源から出た光を側方に放射させる側面発光型ＬＥＤパッケージであって、電極が形成された基板と、基板の上に電気的に連結して配置された光源と、基板および光源を被覆するモールディング部と、モールディング部の外面に形成され、光源の装着平面に対して一方の側方に投光面を形成する反射層とを含む側面発光型ＬＥＤパッケージが提供される。
【００１３】
また、ひとつの実施形態によると、上記側面発光型ＬＥＤパッケージにおいて、反射層は、その上部面が曲面を有する構造、上部面は水平で投光面の反対面が傾斜面で形成された構造、および、上部面が一方の側に傾いた傾斜面を有する構造のうちの少なくともひとつの構造を有する。
【００１４】
また他の実施形態によると、上記側面発光型ＬＥＤパッケージにおいて、反射層は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、ＴｉおよびＰｔから選択された少なくともひとつの金属を蒸着またはメッキして形成される。
【００１５】
また他の実施形態によると、上記側面発光型ＬＥＤパッケージにおいて、反射層は、反射率が高い薄膜をモールディング部に付着させて形成される。
【００１６】
また他の実施形態によると、上記側面発光型ＬＥＤパッケージにおいて、基板は、電極が形成されたＰＣＢまたはセラミック材料を含む。
【００１７】
また他の実施形態によると、上記側面発光型ＬＥＤパッケージにおいて、モールディング部は、その内部に一つ以上のＬＥＤチップが配置され光源を形成する。
【００１８】
また他の実施形態によると、上記側面発光型ＬＥＤパッケージにおいて、投光面は、ＬＥＤチップが配置される平面に対して直角を成す。
【００１９】
更に、本発明の第２の形態として、光源から出た光を側方向に投射させる側面発光型ＬＥＤパッケージの製造方法であって、電極が形成された基板を提供する段階と、基板の上に光源を配置する段階と、光源と基板上にモールディング部を形成する段階と、モールディング部を１次ダイシングして個別的なパッケージ別に区画する段階と、モールディング部の外面を覆う反射層を形成する段階と、モールディング部と反射層の一面を２次ダイシングして一側に投光面を形成する段階とを含む製造方法が提供される。
【００２０】
また、ひとつの実施形態によると、上記製造方法において、基板を提供する段階は、基板上でＬＥＤチップの相互の間に絶縁層（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）を形成して反射層と絶縁を成す処理を含む。
【００２１】
モールディング部を形成する段階は蛍光体が混合された透明ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）トランスファーモールディング法を利用する。
【００２２】
また他の実施形態によると、上記製造方法において、反射層を形成する段階は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、ＴｉおよびＰｔから選択された少なくともひとつの金属を蒸着またはメッキする処理を含む。
【００２３】
また他の実施形態によると、上記製造方法において、反射層を形成する段階は、反射率が高い薄膜をモールディング部に付着させる処理を含む。
【００２４】
また他の実施形態によると、上記製造方法において、モールディング部を１次ダイシングする段階は、モールディング部の内部に一つ以上のＬＥＤチップを配置して光源が形成されるようにモールディング部を切断する処理を含む。
【００２５】
また他の実施形態によると、上記製造方法において、投光面を形成する段階は、ＬＥＤチップが配置される平面に対して直角を成す側方向にモールディング部および反射層を切断する処理を含む。
【００２６】
また他の実施形態によると、上記製造方法において、投光面を形成する段階は、基板を切断してＬＥＤパッケージを個別に含む側面発光型ＬＥＤパッケージ形成する処理を含む。
【００２７】
なお、上記した発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となり得る。
【発明の効果】
【００２８】
上記の側面発光型ＬＥＤパッケージは、モールディング部以外に、別途の射出物が不要なのでＬＥＤパッケージの厚さを最小化することができる。従って、スリーム化が求められる各種電子機器に容易に適用できる。
【００２９】
また、モールディング部を形成するモールド（不図示）の形態を自由に製作して、モールディング部の形態を多様化できる。従って、モールディング部１０に形成される反射層の形状も、所望の形に容易に製作できる。
【００３０】
また、モールディング部以外に射出物による制約を受けないので、小型化された薄型（Ｔｈｉｎ）構造が形成でき、投光面が光源を成すＬＥＤチップの装着平面の側方向に形成されるので、ＬＥＤチップサイズの影響を受けることなく薄い製品を製造できる。
【００３１】
更に、基板をＰＣＢ等にして、ＬＥＤチップの実装工程からそれ以後のモールディング及びダイシング工程までＰＣＢ状態で製造できるので、大量生産ができる。また、アレイタイプ（Ａｒｒａｙ  Ｔｙｐｅ）に製作することも容易になる。
【００３２】
また更に、蛍光体と混合される透明ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）トランスファーモールディング法を採用することにより、硬化後のモールディング部で色散布が最小化できる。従って、光学品質も大きく向上される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また実施形態の中で説明される特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００３４】
図３、図４ａ〜図４ｃおよび図５ａ〜図５ｃは、ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１を示す。これらの図に示す通り、光源５を成すＬＥＤチップから出た光は、モールディング部１０を介して一側方向に投射される。モールディング部１０に形成される投光面は、ＬＥＤチップが配置される平面に対して直角を成す。
【００３５】
この側面発光型ＬＥＤパッケージ１は、電極１６が形成された基板１５を有する。基板１５は、好ましくはパターン電極（不図示）、あるいは、垂直なビアホールに電極１６が形成された、ＰＣＢまたはセラミック材料の基板を用いることができる。
【００３６】
上記基板１５の上面には、電極１６に電気的に連結配置されたＬＥＤチップが光源５として実装される。ＬＥＤチップは、その電気端子が全て上部面に形成された水平形タイプ（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  ｔｙｐｅ）と、上下部面に形成された垂直形タイプ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｔｙｐｅ）とをいずれも使用できる。
【００３７】
また、光源５および基板１５の上には、これらを覆うモールディング部１０が形成される。モールディング部１０は硬化させた樹脂等により形成でき、好ましくは色散布を最小化するため蛍光体が混合された透明ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）により形成される。
【００３８】
モールディング部１０を形成する過程で、モールディング部１０を成すモールド（不図示）は、多様な形態とすることができる。例えば、モールディング部１０の形態は、図４ａに図示した通り、上部面が曲面を有する形態にできる。また、図４ｂに図示した通り、上部面は水平で投光面１７の反対面が傾斜面で形成された構造にすることができる。更に、図４ｃに図示した通り、上部面が一方に傾いた傾斜面となる形態に形成できる。このような形態または構造は、モールディング部１０を形成するモールド（不図示）の形態を、モールディング部１０の形態または構造に合わせて事前に加工して使用することにより形成できる。
【００３９】
上記のようにモールディング部１０が形成されると、モールディング部１０をパッケージ別に所望の形状に合わせて加工する作業が行われる。そして、上記のようにモールディング部１０が所望の形態に成形されると、いずれか一面に投光面１７を形成する反射層２０を形成する。
【００４０】
上記反射層２０はＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属を蒸着することにより形成できる。また、上記モールディング部１０の外面に薄膜を直接に付着させて形成することもできる。更に、上記基板１５上にメッキ用電極（不図示）を形成して、メッキ工程により反射層２０を形成することもできる。反射層２０が形成されたモールディング部１０の表面では、光の漏出が遮断される。従って、モールディング部の一側に形成された投光面１７から光が放射される。
【００４１】
モールディング部１０の形状に応じて、反射層２０は、上部面が曲面を有する形態、上部面は水平で投光面１７の反対面が傾斜面で形成された形態、あるいは、上部面が一側に傾いた傾斜面をなす形態とすることができる。
【００４２】
投光面１７は、光源５を成すＬＥＤチップまたは上記ＬＥＤチップが装着された基板１５の平面に対して直角を成す側方向に好ましく形成される。また、投光面１７は、好ましくは単一平面で形成され、ＬＥＤチップから放射された光があるひとつの方向に投射されるよう形成される。投光面１７は、複数の平面あるいは複数の曲率を有する曲面とすることもできる。
【００４３】
側面発光型ＬＥＤパッケージ１では、モールディング部１０内に、図５ａに図示するように、光源５を成すために一つ以上のＬＥＤチップが配置される。すなわち、光源５は一つのＬＥＤチップを具備するか、または光学設計的な要求条件に合わせて図５ｂに図示すように多数個のＬＥＤチップを具備することができる。
【００４４】
多数個のＬＥＤチップが一つの光源５を形成する場合、個々のＬＥＤチップの間には絶縁層２２が基板１５上に形成され反射層の形成時電気的に絶縁させる。
【００４５】
次に、上記のような側面発光型ＬＥＤパッケージ１の製造方法について説明する。
【００４６】
図６ａおよび図６ｂに、側面発光型ＬＥＤパッケージ１の製造方法１００を示す。図示の通り、まず、電極１６が形成された基板１５を提供する段階１０２が行われる。次に、基板１５上に、後述するＬＥＤチップの間に各々配置される絶縁層２２（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）が形成される。
【００４７】
上記の段階において、基板１５は、ビアホール等の垂直な電極１６が形成されたＰＣＢであるか、パターン電極（不図示）が形成されたセラミック材料など用いることができる。また、基板１５上に光源５を成すＬＥＤチップが実装される地点には、各々ビアホール（Ｖｉａ  Ｈｏｌｅｓ）等の電極１６が形成される。更に、必要な場合にはメッキ用電極（不図示）をパターン層で形成することもできる。
【００４８】
そして、上記基板１５上に光源５を配置する段階１０４が行われる。これは一つの基板１５上に光源５を成すためＬＥＤチップが一時に実装され、上記基板１５の電極１６に電気的に連結配線される。
【００４９】
その次には上記のような光源５と基板１５上にモールディング部１０を形成する段階１０６が実施される。
【００５０】
この段階１０６で上記モールディング部１０は硬化された後の色散布を最小化するため蛍光体（Ｐｈｏｓｐｈｏｒ）が混合された透明ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）トランスファーモールディング法として形成される。
【００５１】
また、このようなモールディング部１０で使用されるモールドは図４ａ〜図４ｃに関連して説明した通り、上部面の形態を曲面にするか、上部面は水平でありながら投光面１７の反対面は傾斜面にするか、または上部面全体を傾斜面で形成する等多様に構成することができる。
【００５２】
そして、このようにモールディング部１０を形成した後には上記モールディング部１０を１次ダイシングする段階１０８が行われる。
【００５３】
この段階１０８では、光源５を成す各々のＬＥＤチップに対して所望の形態のモールディング部１０が形成されるように、モールディング部１０のみをダイシングまたはエッチングしてモールディング部１０の形態を構成する。この段階１０８で上記モールディング部１０はその下端枠の部分が上記基板１５上の絶縁層２２一部を覆うよう形成される。
【００５４】
また、次には上記モールディング部１０の外面を覆う反射層２０を形成する段階１１０が実施される。上記反射層２０は例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ等の反射率が高い金属を蒸着によりモールディング部１０上に被着させるか、あるいは、反射率が高い別途の薄膜などを上記モールディング部１０に付着させて形成することができる。このような場合、好ましくは上記反射層２０はモールディング部１０の外面を完全に包んで光の外部漏洩がないよう一体で形成される。
【００５５】
更に、上記モールディング部１０および反射層２０の一面を２次ダイシングして一側に投光面１７を形成する段階１１２が含まれる。
【００５６】
このような過程で、投光面１７を形成する段階１１２はモールディング部１０と反射層２０の一面を同時にダイシングすることとなり、従って投光面１７を除いたモールディング部１０の外面は全て反射層２０によって覆われた状態になる。
【００５７】
このような場合、反射層２０はその下端枠の部分が基板１５上の絶縁層２２一部を覆うように形成され、反射層２０および基板１５の電気的な絶縁が確実に形成される。
【００５８】
そして、上記段階１１２は各々のＬＥＤパッケージ別に基板１５を横方向及び縦方向に切断線３０を沿って切断して側面発光型ＬＥＤパッケージ１を製作する工程を含む。
【００５９】
図７ａおよび図７ｂには一つのモールディング部１０と反射層２０の内部に光源５を成すため多数個のＬＥＤチップが内蔵された側面発光型ＬＥＤパッケージ１の製造における製造方法１５０が段階的に図示される。
【００６０】
このような側面発光型ＬＥＤパッケージ１の製造における製造方法１５０は図６ａおよび図６ｂに関連して説明した通り、先ず電極１６が形成された基板１５を提供する段階１５２が行われる。
【００６１】
そして、上記基板１５には光源５を成すＬＥＤチップが装着される地点に、この地点を他の部分と電気的に絶縁させるための絶縁層（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）２２と、電極１６を成す複数のビアホール（Ｖｉａ  Ｈｏｌｅｓ）が各々形成される。
【００６２】
また、次には上記基板１５上に光源５を成すＬＥＤチップを配置し、上記基板１５にワイヤを電気的に配線する段階１５４が行われる。
【００６３】
その次には上記のような光源５と基板１５上にモールディング部１０を形成する段階１５６が行われることとなり、上記モールディング部１０は透明ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）トランスファーモールディング法として形成される。
【００６４】
そして、このようにモールディング部１０を形成した後には上記モールディング部１０を１次ダイシングする段階１５８が行われる。
【００６５】
この段階１５８では一つのモールディング部１０内に所望の数のＬＥＤチップが一つの光源５を成して内蔵されるようモールディング部１０をダイシングしてモールディング部１０の形態を構成する。この段階でも上記モールディング部１０はその下端枠の部分が上記基板１５上の絶縁層２２一部を覆うよう形成される。
【００６６】
上記各々のＬＥＤチップの間には絶縁層２２が形成され、反射層２０の形成する時に電気的に通電される現象を防止する。
【００６７】
次に、図６ａおよび図６ｂを参照して説明した通り、モールディング部１０の外面に、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ等の反射率が高い金属を金属蒸着、メッキ等の方法で被着させるか、あるいは、反射率が高い別の薄膜をモールディング部１０に付着させて形成する製造１６０が実行される。更に、上記モールディング部１０と反射層２０の一面を２次ダイシングして、一側に投光面１７を形成する製造１６２が実行される。
【００６８】
そして、上記のように反射層２０が形成されると、各々のＬＥＤパッケージ別に基板１５を横及び縦方向に切断して多数個のＬＥＤチップからなる光源５を内蔵した側面発光型ＬＥＤパッケージ１を製作する。
【００６９】
また、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加え得ることは当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態が本発明の技術的範囲に含まれ得ることは、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１ａ】射出物２１０を具備した側面発光型ＬＥＤパッケージ２００の構造を示す図である。
【図１ｂ】ＰＣＢ２３２および射出物２３６を具備した側面発光型ＬＥＤパッケージ２３０の構造を示す図である。
【図２ａ】レンズ部２５４、反射面２５８、維持具２５６等を具備した、側面発光型ＬＥＤパッケージの構造を示す図である。
【図２ｂ】凹反射面および反射層２７８を具備した側面発光型ＬＥＤパッケージ２７０の構造を示す図である。
【図３】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１を示す斜視図である。
【図４ａ】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１であって、丸い曲面の上部面に反射層２０を有する構造を示す断面図である。
【図４ｂ】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１であって、平面と傾斜面の反射層２０を有する構造を示す図である。
【図４ｃ】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１であって、傾斜面の反射層２を有する構造を示す図である。
【図５ａ】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１であって、一つのＬＥＤチップを光源５として具備した構造を示す断面図である。
【図５ｂ】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１であって、光源として多数のＬＥＤチップ５を具備した構造を示す断面図である。
【図６ａ】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１の製造方法を、手順を追って段階的に示す図である。
【図６ｂ】図６ａに示した手順のひとつにおけるダイシングラインを拡大して示す図である。
【図７ａ】ひとつの実施形態に係る側面発光型ＬＥＤパッケージ１の製造方法を、手順を追って段階的に示す図である。
【図７ｂ】図７ａに示した手順のひとつにおけるダイシングラインを拡大して示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１、２００、２３０、２５０、２７０  側面発光型ＬＥＤパッケージ、５、２５２  光源、１０、２７４  モールディング部、１５  基板、１６  電極、１７、２５７  投光面、２０、２７８  反射層、２２  絶縁層、１００、１５０  製造方法、１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２、１５２、１５４、１５６、１５８、１６０、１６２  製造、２１０  射出物、２３２  ＰＣＢ、２３４  ＬＥＤチップ、２３６  射出物、２５４  レンズ部、２５６  維持具、２５８  反射面
【図１ａ】
2006339651.tif 000003
【図１ｂ】
2006339651.tif 000004
【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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