(57)【要約】【課題】  スクラッチの発生を低減し、半導体装置の配線形成工程における半導体基板表面を高速で精密に研磨可能な研磨剤を提供する。【解決手段】  粉末X線リートベルト法による解析で、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．０８〜０．１８かつ等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．０１〜０．２５である酸化セリウム粒子および水を含むことを特徴とする半導体平坦化用研磨剤。３μｍ以上の粗大酸化セリウム粒子含有量が固体中の５００ｐｐｍ以下（重量比）、好ましくは１００ｐｐｍ以下の研磨剤であって、より好ましくは、酸化セリウム粒子のＤ９９（研磨剤中の粒子全体の９９体積％）が１μｍ以下である半導体平坦化用研磨剤。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末X線リートベルト法による解析で、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．０８〜０．１８かつ等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．０１〜０．２５である酸化セリウム粒子および水を含むことを特徴とする半導体平坦化用研磨剤。
【請求項２】
酸化セリウム粒子がセリウムIV化合物の水性ゾルを乾燥、焼成した酸化セリウム粒子である請求項１記載の半導体平坦化用研磨剤。
【請求項３】
粒径３μｍ以上の酸化セリウム粒子含有量が固体中の５００ｐｐｍ以下である請求項１または２記載の半導体平坦化用研磨剤。
【請求項４】
さらに分散剤を含む請求項１〜３いずれかに記載の半導体平坦化用研磨剤。
【請求項５】
酸化セリウム粒子全体の９９体積％が粒径１μｍ以下である請求項１〜４いずれかに記載の半導体平坦化用研磨剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は研磨剤に係るものであり、特に半導体平坦化用研磨剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
素材表面を精密に研磨加工することが必要な用例として光ディスク基板、磁気ディスク
、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、時計板、カメラレンズ、光学部品用の各種
レンズに用いられるガラス素材やフィルタ類などの結晶素材、半導体用のシリコンウエハ
等の基板、半導体デバイス製造の各工程において形成された絶縁膜、金属層、バリア層等
がある。これらの素材表面は高精度に研磨することが要求される。このために例えばシリ
カ、酸化ジルコニウム、アルミナ等を単独で又は二種類以上を組み合わせて研磨粒子とし
て用いる研磨剤が一般的に用いられている。研磨剤の形態としては、例えば研磨粒子を液
体中に分散させてスラリー状にしたものや、研磨粒子を樹脂その他の結着剤とともに固め
たもの、研磨粒子を繊維、樹脂、金属等の基材表面に微粒子のみで結着剤と共に、付着及
び／又は固定したものを研磨剤として用いるのが一般的である。
【０００３】
特にシリカ微粒子を研磨粒子として用いたシリカ研磨剤は被研磨面のスクラッチ発生な
どが少ないことから広く半導体集積回路（以下、半導体という。）の製造における配線形
成等の精密研磨用研磨剤として普及しているが、研磨速度が遅いことから、近年、研磨速
度が早い酸化セリウムを含む酸化セリウム研磨剤が注目されている（例えば、特許文献１
、特許文献２参照。）。しかし、酸化セリウム研磨剤はシリカ研磨剤と比較してスクラッ
チが多いという課題がある。
【０００４】
酸化セリウム研磨剤は、古くからガラス研磨用に用いられてきたが、半導体平坦化に適
用するためには不純物混入を極力避ける必要があった。そこで、希土類原料を一旦精製し
、セリウム塩を経由して、高純度の酸化セリウムを得ている。セリウム塩としては炭酸セ
リウム、蓚酸セリウム、硝酸セリウム等が用いられる。これらのセリウム塩を仮焼、粉砕
した酸化セリウムを分散して、半導体平坦化用研磨剤が製造されていた。
【０００５】
研磨の速度は、研磨粒子の結晶子サイズが大きく、かつ結晶歪みが少ないほど、すなわち結晶性がよいほど早いが、研磨傷が入りやすい傾向がある。従って、結晶子サイズは小さいが、結晶性のよい粒子を用いることで、適切な研磨速度を維持しつつ、スクラッチの発生を低減することができると考えられる。しかし、研磨速度とスクラッチに対する結晶子サイズと結晶性の関係は、概念的に理解されていたにとどまり、その最適値に関しては、十分な検討がなされていなかった。
【特許文献１】特開２０００−２６８４０号公報
【特許文献２】特開平２−３７１２６７号公報
【非特許文献１】化学工業論文集第６巻第５号(１９８０)５２７〜５３２頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方で半導体の高集積化が進行し、配線等の加工寸法は１００ｎｍまで微細化している
。加工が微細化するにつれてスクラッチ等の欠陥低減要求はますます強く、研磨速度、平
坦化、スクラッチ低減のすべてを満たす研磨剤が要求されている。
【０００７】
本発明者は半導体平坦化用研磨剤による研磨の高速化とスクラッチの低減を鋭意検討した結果、結晶子サイズと結晶歪を適切な範囲に調製した酸化セリウムを研磨剤として用いることで、高い研磨速度を維持しつつスクラッチを低減させられることを見出し、本発明に至った。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、次の発明に関する。
<1>  粉末X線リートベルト法による解析で、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．０８〜０．１８かつ等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．０１〜０．２５である酸化セリウム粒子および水を含むことを特徴とする半導体平坦化用研磨剤。
<２>  酸化セリウム粒子がセリウムIV化合物の水性ゾルを乾燥、焼成した酸化セリウム粒子である<１>記載の半導体平坦化用研磨剤。
<３>  粒径３μｍ以上の酸化セリウム粒子含有量が固体中の５００ｐｐｍ以下である<１>または<2>記載の半導体平坦化用研磨剤。
<４>  さらに分散剤を含む<１>〜<３>いずれかに記載の半導体平坦化用研磨剤。
<５>  酸化セリウム粒子全体の９９体積％が粒径１μｍ以下である<１>〜<４>いずれかに記載の半導体平坦化用研磨剤。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、配線形成工程における半導体表面を高速で研磨でき、かつ、平坦性良好
でスクラッチを低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明の半導体平坦化用研磨剤（以下、研磨剤ともいう。）は、酸化セリウム粒子及び
水を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明において、酸化セリウム粒子を作製する方法として、セリウムIV化合物の水性ゾルを乾燥、焼成する方法を使用できる。ただし、高研磨速度と低スクラッチ性の両方の性質を持たせるため、酸化セリウム粒子にある程度の結晶子サイズと、結晶性を持たせるのが好ましい。したがって、焼成は、温度５５０℃以上７５０℃以下で３０〜１２０分行うことが好ましい。上記の方法により製造された酸化セリウム粒子は、ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕で粉砕できる。ジェットミルは例えば非特許文献１に説明されている。
【００１２】
本発明の研磨剤は、前記酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む組成であるのが好まし
い。例えば、上記方法にて作製した酸化セリウム粒子、分散剤を含んでなる組成物を水に
分散させることによって得られる。
酸化セリウム粒子の濃度に制限はないが、分散液状の研磨剤の取り扱いやすさから、０
．５重量％以上２０重量％以下の範囲が好ましく、１重量％以上１０重量％以下の範囲が
より好ましく、１．５重量％以上５重量％以下の範囲が特に好ましい。
【００１３】
分散剤としては、半導体素子研磨に使用することからナトリウムイオン、カリウムイオ
ン等のアルカリ金属およびハロゲン、イオウの含有率を１０ｐｐｍ以下に抑えることが好
ましいので、例えば、共重合成分としてのアクリル酸アンモニウム塩を含む高分子分散剤
が好ましい。
【００１４】
分散剤添加量は、研磨剤中の粒子の分散性および沈降防止、さらに研磨傷（スクラッチ
）と分散剤添加量との関係から酸化セリウム粒子１００重量部に対して、０．０１重量部
以上５．０重量部以下の範囲が好ましい。
【００１５】
分散剤の重量平均分子量は１００〜５０，０００が好ましく、１，０００〜１０，００
０がより好ましい。分散剤の分子量が１００未満の場合は、酸化珪素膜あるいは窒化珪素
膜を研磨するときに、十分な研磨速度が得られにくく、分散剤の分子量が５０，０００を
超えた場合は、粘度が高くなり、研磨剤の保存安定性が低下する傾向があるためである。
なお、本発明において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで
測定し、標準ポリスチレン換算した値である。
【００１６】
これらの酸化セリウム粒子を水中に分散させる方法としては、通常の撹拌機による分散
処理のほかにホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミルなどを用いることができる
。
【００１７】
こうして作製された本発明の研磨剤中の酸化セリウム粒子の二次粒子径は粒径分布を持
つため、酸化セリウム粒子の全体の９９体積％（以下、Ｄ９９という。）が粒径１．０μ
ｍ以下であることが好ましい。Ｄ９９が１．０μｍを超えるとスクラッチ発生が多くなる
。
前記酸化セリウム粒子の二次粒子径の中央値（以下、Ｄ５０ともいう。）は、０．０３
〜０．５μｍであることが好ましく、０．０５〜０．３μｍであることがより好ましい。
二次粒子径の中央値が０．０３μｍ未満であると研磨速度が低くなる傾向があり、０．５
μｍを超えると被研磨膜表面に研磨傷が生じやすくなるからである。研磨剤中の酸化セリ
ウム粒子の二次粒子径の中央値（Ｄ５０）および上記Ｄ９９は、光散乱法、例えば、粒度
分布計（例えば、マルバーン  インストルメンツ社製、マスターサイザー  マイクロ・プ
ラス）で測定することができる。
【００１８】
研磨剤中の固体全体に占める粒径３μｍ以上の粗大粒子含有量は少ないことが好ましい
。前記３μｍ以上の粗大粒子とは、本発明では孔径３μｍのフィルタでろ過することで捕
捉される粒子をいう。本発明では、研磨剤中の固体全体に占める粒径３μｍ以上の粒子含
有量が重量比で５００ｐｐｍ以下である必要があり、これによりスクラッチ低減効果が明
らかである。固体全体に占める３μｍ以上の粒子含有量が２００ｐｐｍ以下の場合スクラ
ッチ低減効果が大きく、より好ましい。固体全体に占める３μｍ以上の粒子含有量が１０
０ｐｐｍ以下の場合にはスクラッチ低減効果が最も大きく、さらに好ましい。
【００１９】
３μｍ以上の粗大粒子含有量は、孔径３μｍのフィルタでろ過することで捕捉される粒
子を重量測定で求めることができる。研磨剤中の固体全体の含有量は、別途、研磨剤を乾
燥させて測定しておく。例えば、１０ｇの研磨剤を１５０℃で１時間乾燥させた残りを重
量測定して固体濃度を得る。そして、孔径３μｍのフィルタでのろ過に用いる研磨剤の質
量に前記固体濃度を乗じて、固体全体の含有量を得られる。
粗大粒子含有量を低減する手段としては、ろ過、分級が可能であり、これに限定される
ものではない。
【００２０】
本発明の研磨剤に分散される酸化セリウム粒子は、粉末X線リートベルト法（RIETAN−２０００）による解析で、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．０８以上０．１８以下かつ等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．０１以上０．２５以下である。Xの値が０．１８より大きいまたはYの値が０．３５より大きい場合は、酸化珪素膜あるいは窒化珪素膜を高速に研磨することができず、Xの値が０．０８未満の場合は、被研磨膜表面に研磨傷が生じやすくなるからである。
【００２１】
また、研磨剤には、平坦性、分散性を更に向上させる高分子添加剤を加えることができ
る。以下限定されるわけではないが、例えばアクリル酸エステル誘導体、アクリル酸、ア
クリル酸塩等のポリマーを加えることができる。高分子添加剤の添加量は、特に限定され
ないが、酸化セリウム粒子１００重量部に対して、５重量部以上２０重量部以下が好まし
い。高分子添加剤の重量平均分子量は１００〜５０，０００が好ましく、１，０００〜１
０，０００がより好ましい。分子量が１００未満の場合は、酸化珪素膜あるいは窒化珪素
膜を研磨するときに、十分な研磨速度が得られにくく、分子量が５０，０００を超えた場
合は、粘度が高くなり、研磨剤の保存安定性が低下する傾向があるためである。
【００２２】
研磨剤のｐＨは、３以上９以下であることが好ましく、５以上８以下であることがより
好ましい。ｐＨが３より小さいと化学的作用力が小さくなり、研磨速度が低下する傾向が
ある。ｐＨが９より大きいと化学的作用が強すぎ被研磨面が皿状に溶解（ディッシング）
するおそれがある。ｐＨは、ｐＨメータ（例えば、横河電機株式会社製の Model  ｐＨ８
１）で測定した。標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ:４．２１(２５℃)、中性りん
酸塩ｐＨ緩衝液ｐＨ６．８６（２５℃））を用いて、２点校正した後、電極を研磨液に入
れて、２分以上経過して安定した後の値を測定できる。
【００２３】
本発明の研磨剤は、例えば、酸化セリウム粒子、分散剤、高分子添加剤及び水から構成
される一液式研磨剤として調製することもでき、また、酸化セリウム粒子、分散剤及び水
からなる酸化セリウムスラリーと、高分子添加剤及び水からなる添加液とを分けた二液式
研磨剤として調製することもできる。いずれの場合も、安定した特性を得ることができる
。
酸化セリウムスラリーと添加液とを分けた二液式研磨剤として保存する場合、これら二
液の配合を任意に変えられることにより平坦化特性と研磨速度の調整が可能となる。二液
式の場合、添加液と酸化セリウムスラリーとを別々の配管で任意の流量で送液し、これら
の配管を合流させて、すなわち供給配管出口の直前で両者を混合して、研磨定盤上に供給
する方法（直前混合方式）か、予め任意の割合で両者を容器内で混合してから供給する方
法（事前混合方式）がとられる。
【００２４】
本発明の研磨剤は、基体に形成されている被研磨膜と、研磨布との間に研磨液を供給し
ながら、基体を研磨布に押しあて加圧し、被研磨膜と研磨布とを相対的に動かして被研磨
膜を平坦に研磨する研磨に使用できる。
基体として、例えば半導体装置の形成工程に関する基板、具体的には回路素子と配線パ
ターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導
体基板上に、無機絶縁層が形成された基板などが挙げられる。そして、被研磨膜は、前記
無機絶縁層、例えば酸化珪素膜層あるいは窒化珪素膜層及び酸化珪素膜層等が挙げられる
。
【実施例】
【００２５】
以下、本発明を、実施例をあげて具体的に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
（実施例１）
セリウムIV化合物の水性ゾル約6kgをスプレードライヤー（坂本技研製、DA２DW-16）を用いて乾燥することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末１０００gをアルミナ製容器に入れ、６００℃、空気中で１時間焼成することにより黄白色粉末７００gを得た。この焼成粉末についてＸ線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。また、X線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法（RIETAN−２０００）による解析を行ったところ、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．１３０、等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．１８９であった。さらに、得られた酸化セリウム粉末７００gを、ジェットミルを用いて乾式粉砕し、酸化セリウム粒子を得た。
【００２６】
上記作製した酸化セリウム粒子１０００ｇとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液(４０重量％)８０ｇと脱イオン水３９２０ｇを混合し、撹拌しながら超音波分散を１０分間施した。得られた分散液を室温で１００時間静置沈降させ、上澄みを採取した。この上澄み
液を孔径０．７μｍのフィルタでろ過した後、再び０．７μｍのフィルタでろ過し、脱イ
オン水を加えて固形分濃度を５％に調整して、半導体平坦化用研磨剤を作製した。
【００２７】
得られた半導体平坦化用研磨剤の粒径をレーザ回折式粒度分布計（マルバーン  インス
トルメンツ社製、マスターサイザー  マイクロ・プラス）を用い、屈折率：１．９２８５
、光源：Ｈｅ−Ｎｅレーザ、吸収０の条件で、半導体平坦化用研磨剤原液について測定し
た結果、二次粒子径の中央値（Ｄ５０）は１６０ｎｍ、Ｄ９９は０．５μｍであった。
【００２８】
粗大粒子含有量を調べるために、得られた半導体平坦化用研磨剤を１５倍希釈し、３μ
ｍフィルタ（ワットマン社製サイクロポア  トラック  エッチ  メンブランフィルタ）で
３０ｇろ過した。ろ過後、フィルタを室温で乾燥させて、フィルタの重量を測定し、ろ過
前後の重量増加分から３μｍ以上の粗大粒子量を求めた。別途、この研磨剤１０ｇを１５
０℃で１時間乾燥させて研磨剤中の固体濃度を算出した。その結果、３μｍ以上の粗大粒
子量（重量比）は固体中５０ｐｐｍであった。
【００２９】
また、上記半導体平坦化用研磨剤を脱イオン水で５倍に希釈し、以下の方法で研磨を行
った。研磨速度は２２０ｎｍ／ｍｉｎ、光学顕微鏡でウエハ表面を観察したところ、２００ｍｍウエハ全面にスクラッチは１０個観察された。
(研磨試験方法)
研磨荷重：３０kPa
研磨パッド：ロデール社製発泡ポリウレタン樹脂（ＩＣ−１０００）
回転数：定盤75rpm、パッド75rpm
研磨剤供給速度：200mL／min
研磨対象物：Ｐ−ＴＥＯＳ成膜Ｓｉウェハ(２００ｍｍ)
【００３０】
（実施例２）
セリウムIV化合物の水性ゾル約6kgをスプレードライヤー（坂本技研製、DA２DW-16）を用いて乾燥することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末１０００gをアルミナ製容器に入れ、７００℃、空気中で１時間焼成することにより黄白色粉末７００gを得た。この焼成粉末についてＸ線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。また、X線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法（RIETAN−２０００）による解析を行ったところ、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．０８７、等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．１０６であった。
この酸化セリウムを用い、実施例１と同じ方法で半導体平坦化用研磨剤を作製した。
【００３１】
得られた半導体平坦化用研磨剤の粒径を実施例と同様にして測定した結果、二次粒子
径の中央値（Ｄ５０）は１６０ｎｍ、Ｄ９９は０．５μｍであった。
粗大粒子含有量を調べるために、得られた半導体平坦化用研磨剤を実施例と同様にし
てろ過前後の重量増加分から３μｍ以上の粗大粒子量を求めた。その結果、３μｍ以上の
粗大粒子量は固体中５０ｐｐｍであった。
また、上記半導体平坦化用研磨剤を脱イオン水で５倍に希釈し、実施例と同じ研磨試験方法で研磨を行った。研磨速度は２５０ｎｍ／ｍｉｎ、光学顕微鏡でウエハ表面を観察したところ、２００ｍｍウエハ全面にスクラッチは２０個観察された。
【００３２】
（実施例３）
市販の炭酸セリウム約６kgをアルミナ製容器に入れ、８００℃、空気中で２時間焼成す
ることにより黄白色の粉末を約３kg得た。この粉末をＸ線回折法で相同定を行ったところ
酸化セリウムであることを確認した。また、X線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法（RIETAN−２０００）による解析を行ったところ、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．０８３、等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．２１６であった。
この酸化セリウムを用い、実施例１と同じ方法で半導体平坦化用研磨剤を作製した。
【００３３】
得られた半導体平坦化用研磨剤の粒径を実施例と同様にして測定した結果、二次粒子
径の中央値（Ｄ５０）は１６０ｎｍ、Ｄ９９は０．５μｍであった。
粗大粒子含有量を調べるために、得られた半導体平坦化用研磨剤を実施例と同様にし
てろ過前後の重量増加分から３μｍ以上の粗大粒子量を求めた。その結果、３μｍ以上の
粗大粒子量は固体中５０ｐｐｍであった。
また、上記半導体平坦化用研磨剤を脱イオン水で５倍に希釈し、実施例と同じ研磨試験方法で研磨を行った。研磨速度は２３０ｎｍ／ｍｉｎ、光学顕微鏡でウエハ表面を観察したところ、２００ｍｍウエハ全面にスクラッチは１５個観察された。
【００３４】
（比較例１）
セリウムIV化合物の水性ゾル約6kgをスプレードライヤー（坂本技研製、DA２DW-16）を用いて乾燥することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末１０００gをアルミナ製容器に入れ、８００℃、空気中で１時間焼成することにより黄白色粉末７００gを得た。この焼成粉末についてＸ線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。また、X線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法（RIETAN−２０００）による解析を行ったところ、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．０７４、等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．０７２であった。
この酸化セリウムを用い、実施例と同じ方法で半導体平坦化用研磨剤を作製した。
【００３５】
得られた半導体平坦化用研磨剤の粒径を実施例と同様にして測定した結果、二次粒子
径の中央値（Ｄ５０）は１６０ｎｍ、Ｄ９９は０．５μｍであった。
粗大粒子含有量を調べるために、得られた半導体平坦化用研磨剤を実施例と同様にし
てろ過前後の重量増加分から３μｍ以上の粗大粒子量を求めた。その結果、３μｍ以上の
粗大粒子量は固体中５０ｐｐｍであった。
また、上記半導体平坦化用研磨剤を脱イオン水で５倍に希釈し、実施例と同じ研磨試験方法で研磨を行った。研磨速度は２８０ｎｍ／ｍｉｎ、光学顕微鏡でウエハ表面を観察したところ、２００ｍｍウエハ全面にスクラッチは７０個観察された。
【００３６】
（比較例２）
セリウムIV化合物の水性ゾル約6kgをスプレードライヤー（坂本技研製、DA２DW-16）を用いて乾燥することにより黄白色の粉末を約1kg得た。この粉末１０００gをアルミナ製容器に入れ、５００℃、空気中で１時間焼成することにより黄白色粉末７００gを得た。この焼成粉末についてＸ線回折法で相同定を行ったところ酸化セリウムであることを確認した。また、X線回折精密測定を行い、その結果についてリートベルト法（RIETAN−２０００）による解析を行ったところ、結晶子サイズを表す構造パラメーター：Xの値が０．２０４、等方的微小歪を表す構造パラメーター：Yの値が０．３５であった。
この酸化セリウムを用い、実施例と同じ方法で半導体平坦化用研磨剤を作製した。
【００３７】
得られた半導体平坦化用研磨剤の粒径を実施例と同様にして測定した結果、二次粒子
径の中央値（Ｄ５０）は１６０ｎｍ、Ｄ９９は０．５μｍであった。
粗大粒子含有量を調べるために、得られた半導体平坦化用研磨剤を実施例と同様にし
てろ過前後の重量増加分から３μｍ以上の粗大粒子量を求めた。その結果、３μｍ以上の
粗大粒子量は固体中５０ｐｐｍであった。
また、上記半導体平坦化用研磨剤を脱イオン水で５倍に希釈し、実施例１と同じ研磨試
験方法で研磨を行った。研磨速度は１２０ｎｍ／ｍｉｎ、光学顕微鏡でウエハ表面を観察
したところ、２００ｍｍウエハ全面にスクラッチは５０個観察された。