(57)【要約】【課題】  太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体基板の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷することによってアルミニウム含有電極を形成する第１工程と、アルミニウム含有電極が形成された半導体基板の表面上に絶縁膜を形成する第２工程と、アルミニウム含有電極および絶縁膜を形成した後に半導体基板を熱処理することによってアルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出する第３工程と、露出したアルミニウム含有電極の表面の少なくとも一部に金属ペーストを印刷することによって金属電極を形成する第４工程と、金属電極を形成した後に半導体基板を熱処理する第５工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷することによってアルミニウム含有電極を形成する第１工程と、アルミニウム含有電極が形成された半導体基板の表面上に絶縁膜を形成する第２工程と、アルミニウム含有電極および絶縁膜を形成した後に半導体基板を熱処理することによってアルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出する第３工程と、露出したアルミニウム含有電極の表面の少なくとも一部に金属ペーストを印刷することによって金属電極を形成する第４工程と、金属電極を形成した後に半導体基板を熱処理する第５工程と、を含む、太陽電池の製造方法。
【請求項２】
第３工程における熱処理温度が５００℃以上９００℃以下であることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
第５工程における熱処理温度が第３工程における熱処理温度よりも低いことを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池の製造方法に関し、特に太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光のような光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池は、地球環境問題に対する関心が高まるにつれ積極的に種々の構造のものが開発されている。
【０００３】
図１２に従来の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。この太陽電池においては、ｐ型のシリコン基板１の受光面に不純物拡散層であるｎ+層２が形成されており、ｎ+層２上には反射防止膜３および金属電極７が形成されている。また、シリコン基板１の裏面には不純物拡散層であるｐ+層４が形成されており、ｐ+層４上にはアルミニウム含有電極５が形成され、さらにアルミニウム含有電極５上には金属電極６が形成されている。
【０００４】
この従来の太陽電池の製造工程を図１３（ａ）〜（ｅ）の模式的な断面図に示す。まず、たとえばワイヤソーなどを用いて多結晶のｐ型シリコンインゴッドを切り出すことによって図１３（ａ）に示すｐ型のシリコン基板１を形成する。ここで、シリコン基板１の表面にはワイヤソーなどによってダメージ層が形成されるため、ＮａＯＨ（水酸化ナトリウム）やＫＯＨ（水酸化カリウム）などの水溶液にイソプロピルアルコールを添加したアルカリ水溶液を用いたエッチングによって、ダメージ層を除去するとともにシリコン基板１の受光面に凹凸（図示せず）を形成する。
【０００５】
次に、シリコン基板１の受光面の全面に、拡散源としてＰ2Ｏ5（五酸化二リン）などを含むドーパント液をスピンコータなどにより塗布した後に加熱することによって、シリコン基板１の受光面にｎ型不純物であるリンが拡散して、図１３（ｂ）に示すように、シリコン基板１の受光面にｎ+層２を形成する。
【０００６】
次いで、図１３（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などにより、シリコン基板１の受光面のｎ+層２上に反射防止膜３を形成する。続いて、図１３（ｄ）に示すように、スクリーン印刷法などによりシリコン基板１の裏面の略全面にアルミニウム含有ペーストを印刷してシリコン基板１の裏面にアルミニウム含有電極５を形成し、これを乾燥した後にシリコン基板１を熱処理することによって、ｐ型不純物であるアルミニウムを多量に含んだｐ+層４が形成される。
【０００７】
最後に、スクリーン印刷法などにより、アルミニウム含有電極５の一部と重なるようにして銀ペーストなどの金属ペーストを印刷して金属電極を形成する。また、反射防止膜３上にもスクリーン印刷法などにより銀ペーストなどの金属ペーストを印刷して金属電極を形成する。そして、これらの金属電極を乾燥した後にシリコン基板１を熱処理する。これにより、図１３（ｅ）に示すように、シリコン基板１の裏面側においてはアルミニウム含有電極５上に金属電極６が形成されるとともに、受光面側においては金属電極７が反射防止膜３を突き抜けることによってｎ+層５と接触する。その後、シリコン基板１を冷却して図１２に示す太陽電池が完成する。
【特許文献１】特開２００２−２６３４５号公報
【特許文献２】特開平９−４５９４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような従来の太陽電池においては、シリコン基板の裏面の略全面にアルミニウム含有電極が形成される（たとえば特許文献１および特許文献２参照）。しかしながら、金属電極形成後の冷却過程において、アルミニウム含有電極とシリコン基板との間の熱膨張係数差により、太陽電池に反りが発生するという問題があった。特に、エネルギのクリーン化のために太陽電池の普及が進み、太陽電池をさらに低コスト化することが求められており、材料コストの大部分を占めるシリコン基板の薄型化と大面積化を図る必要がある昨今においては、この問題は重要である。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体基板の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷することによってアルミニウム含有電極を形成する第１工程と、アルミニウム含有電極が形成された半導体基板の表面上に絶縁膜を形成する第２工程と、アルミニウム含有電極および絶縁膜を形成した後に半導体基板を熱処理することによってアルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出する第３工程と、露出したアルミニウム含有電極の表面の少なくとも一部に金属ペーストを印刷することによって金属電極を形成する第４工程と、金属電極を形成した後に半導体基板を熱処理する第５工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。
【００１１】
ここで、本発明の太陽電池の製造方法においては、第３工程における熱処理温度が５００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の太陽電池の製造方法においては、第５工程における熱処理温度が第３工程における熱処理温度よりも低いことが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１５】
図１に、本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図を示す。ここで、ｐ型のシリコン基板１の受光面側の表面にはｎ+層２が形成され、ｎ+層２上に反射防止膜３および金属電極７が形成されている。シリコン基板１の裏面側の表面には裏面電界（Back Surface Field；ＢＳＦ）層として機能するｐ+層４が形成され、さらにアルミニウム含有電極５、金属電極６および絶縁膜８が形成されている。なお、アルミニウム含有電極５は、シリコン基板１の裏面側の表面に部分的に形成されている。
【００１６】
図２に、この太陽電池の製造工程の好ましい一例を示す模式的な断面図を示す。まず、図２（ａ）に示すｐ型の多結晶または単結晶からなるシリコン基板１の表面をＮａＯＨなどを含むアルカリ水溶液を用いてエッチングする。ここで、アルカリ水溶液の代わりに、酸を用いてもよく、ＮａＯＨまたはＫＯＨなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールなどを加えたエッチャントに浸漬することで結晶方位に沿った異方性エッチングを行ないテクスチャ構造と呼ばれる微小なピラミッド状の凹凸を形成したり、ドライエッチングによる方法などで微小な凹凸を形成してもよい。
【００１７】
次に、このシリコン基板１に対し、たとえば、Ｐ2Ｏ5若しくはＰＯＣｌ3などによる気相拡散やリン化合物を含んだ溶液を塗布して行なう拡散法などを用いて８００℃〜９５０℃で５〜３０分間熱処理することにより、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板１の受光面側の表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層２を形成する。
【００１８】
次いで、図２（ｃ）に示すように、ｎ+層２上に反射防止膜３として常圧ＣＶＤ法にてたとえば５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成する。ここで、酸化チタン膜の代わりに、プラズマＣＶＤ法によって形成されたたとえば７０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの窒化ケイ素膜を用いてもよい。
【００１９】
続いて、図２（ｄ）に示すように、シリコン基板１の裏面側の表面に、スクリーン印刷法により部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷してアルミニウム含有電極５を形成する（第１工程）。このアルミニウム含有電極５のシリコン基板１の裏面側の表面におけるパターンとしては、たとえば魚骨状、櫛形状、所定の間隔をあけて配列されている複数の直線状または複数の分離した島状などがある。なお、本発明において、アルミニウム含有ペーストとしては、たとえば樹脂中にアルミニウム粉末およびガラスを含むアルミニウムペーストなどの従来から公知のものを用いることができる。また、アルミニウム含有ペースト中に銀を含めることによって、アルミニウム含有電極５に銀を含ませてもよい。
【００２０】
次いで、図２（ｅ）に示すように、アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１の裏面側の表面上に絶縁膜８としてＣＶＤ法によってたとえば５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化ケイ素膜を形成する（第２工程）。ここで、絶縁膜８としては、熱酸化法によって形成されたたとえば５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化ケイ素膜、プラズマＣＶＤ法によって形成されたたとえば６０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの窒化ケイ素膜またはたとえば５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化チタン膜であってもよい。なお、本発明において、絶縁膜８は、太陽電池の変換効率を向上する観点から、シリコン基板１の表面におけるキャリアの再結合を抑制することができるパッシベーション膜であることが好ましい。
【００２１】
絶縁膜８の形成後、アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１を熱処理することによって、アルミニウム含有電極５が絶縁膜８を突き抜けて、図２（ｆ）に示すように、絶縁膜８にアルミニウム含有電極５の表面が露出する（第３工程）。また、これと同時に、シリコン基板１の裏面側の表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散してｐ+層４が形成される。ここで、アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１の熱処理温度は５００℃以上９００℃以下であることが好ましい。アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１の熱処理温度が５００℃未満である場合にはｐ+層４の形成が不十分となる傾向にあり、９００℃よりも高い場合にはアルミニウムがシリコン基板１の裏面側の表面に異常拡散したり、熱ストレスによってシリコン基板１がダメージを受けやすくなる傾向にある。なお、アルミニウム含有電極５が絶縁膜８を突き抜けるのは、アルミニウム含有ペースト中のガラスが溶融し、絶縁膜８に作用して、アルミニウムなどと一緒に絶縁膜８を溶かしながら突き抜けるためと考えられる。
【００２２】
次に、図２（ｇ）に示すように、シリコン基板１の受光面側の表面にスクリーン印刷法によって金属ペーストとして銀ペーストを印刷して金属電極７を形成し、シリコン基板１の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の少なくとも一部に金属ペーストとして銀ペーストを印刷して金属電極６を形成する（第４工程）。ここで、金属ペーストとしては、たとえば樹脂中に銀などの金属粉末を含む銀ペーストなどの従来から公知のものを用いることができる。
【００２３】
その後、金属電極６、７が形成されたシリコン基板１をたとえば５００℃以上９００℃以下の温度で熱処理する（第５工程）。これにより、金属電極７が反射防止膜３を突き抜け、ｎ+層２と接触してオーミック接合を形成する。その後、シリコン基板１を冷却して、図１に示す太陽電池が作製される。ここで、金属電極６、７が形成されたシリコン基板１の熱処理温度（第５工程における熱処理温度）は、第３工程における熱処理温度よりも低いことが好ましい。この場合には、アルミニウム含有電極５の再溶融を抑止することができる傾向にある。
【００２４】
このように、本発明においては、シリコン基板の裏面側の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷してアルミニウム含有電極を形成するため、金属電極を形成したシリコン基板の熱処理後の冷却過程においてアルミニウム含有電極とシリコン基板との間の熱膨張係数差により発生する太陽電池の反りを抑制することができる。これにより、太陽電池の割れを抑制し、歩留りを大幅に抑制することができることから、低コストで太陽電池を作製することが可能になる。
【００２５】
なお、本発明においては、たとえば図３の模式的断面図に示すように、露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部のみに金属電極６を形成することもできる。ただし、電極間の直列抵抗低減のためには、これらの電極の接触面積は大きい方が好ましい。
【００２６】
また、本発明においては、たとえば図４および図５の模式的断面図に示すように、金属電極６を露出したアルミニウム含有電極５の表面からはみ出させて、金属電極６の一部を絶縁膜８と接触させてもよい。この場合には、金属電極６がアルミニウム含有電極５の表面のみに形成されている場合と比べて、金属電極６の密着力を向上させることができる。
【実施例】
【００２７】
（実施例１）
まず、幅１２５ｍｍ×長さ１２５ｍｍ×厚み１５０μｍの正方形の板状のｐ型単結晶シリコンからなるシリコン基板を用意した。次に、このシリコン基板の表面をＮａＯＨ水溶液を用いてエッチングして、テクスチャ構造を形成した。
【００２８】
次に、このテクスチャ構造が形成されたシリコン基板の受光面側となる表面に対し、リン化合物を含む溶液を塗布した後に９００℃で１０分間熱処理を行なうことにより、シリコン基板の受光面側となる表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層を形成した。
【００２９】
次いで、ｎ+層上に反射防止膜として常圧ＣＶＤ法にて６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成した。
【００３０】
続いて、図６に示すように、シリコン基板の受光面側となる表面の反対側の裏面側となる表面に、スクリーン印刷法によりアルミニウム含有ペーストを印刷して魚骨状にアルミニウム含有電極５を形成した。
【００３１】
次いで、アルミニウム含有電極が形成されたシリコン基板の裏面側となる表面上にＣＶＤ法を用いてパッシベーション膜となる１００ｎｍの厚みの酸化ケイ素からなる絶縁膜を形成した。
【００３２】
絶縁膜の形成後、シリコン基板を７００℃〜８００℃で熱処理することによって、アルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて、絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出した。また、これと同時に、シリコン基板の裏面側となる表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散して深さ約１０μｍのｐ+層が形成された。
【００３３】
次に、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上にスクリーン印刷法によって銀ペーストを印刷して金属電極を形成し、乾燥させた。そして、シリコン基板の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部に図７に示すように銀ペーストを印刷して金属電極６を形成し、乾燥させた。
【００３４】
その後、シリコン基板をたとえば５００℃〜８００℃の温度で、かつ、上記の絶縁膜の形成後の熱処理温度よりも低い温度で熱処理することによって、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上に形成された金属電極が反射防止膜を突き抜けてシリコン基板の受光面側の表面と接触して、シリコン基板の受光面側となる表面および裏面側となる表面にそれぞれ厚さ数十μｍの金属電極を形成した。その後、シリコン基板を冷却して、実施例１の太陽電池を作製した。
【００３５】
また、比較として、絶縁膜を全く形成せずシリコン基板の裏面側となる表面の全面にアルミニウム含有電極を形成したこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件で比較例１の太陽電池を作製した。
【００３６】
実施例１の太陽電池と比較例１の太陽電池とを比較したところ、実施例１の太陽電池は比較例１の太陽電池と比べて反りが低減されていた。また、比較例１の太陽電池は、太陽電池の搬送およびモジュール化工程において割れが多発したのに対して、実施例１の太陽電池は比較例１の太陽電池と比べて大幅に割れの発生を低減することができた。さらに、実施例１の太陽電池の出力は比較例１の太陽電池の出力と略同等の値が得られた。
【００３７】
（実施例２）
まず、幅１５５ｍｍ×長さ１５５ｍｍ×厚み１００μｍの正方形の板状のｐ型単結晶シリコンからなるシリコン基板を用意した。次に、このシリコン基板の表面をＮａＯＨ水溶液を用いてエッチングして、テクスチャ構造を形成した。
【００３８】
次に、このテクスチャ構造が形成されたシリコン基板の受光面側となる表面に対し、リン化合物を含む溶液を塗布した後に９００℃で１０分間熱処理を行なうことにより、シリコン基板の受光面側となる表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層を形成した。
【００３９】
次いで、ｎ+層上に反射防止膜として常圧ＣＶＤ法にて６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成した。
【００４０】
続いて、図８に示すように、シリコン基板の受光面側となる表面の反対側の裏面側となる表面に、スクリーン印刷法によりアルミニウム含有ペーストを印刷して所定の間隔をあけて配列された複数の線状にアルミニウム含有電極５を形成した。
【００４１】
次いで、アルミニウム含有電極が形成されたシリコン基板の裏面側となる表面上にプラズマＣＶＤ法を用いてパッシベーション膜となる８０ｎｍの厚みの窒化ケイ素からなる絶縁膜を形成した。
【００４２】
絶縁膜の形成後、シリコン基板を７００℃〜８００℃で熱処理することによって、アルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて、絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出した。また、これと同時に、シリコン基板の裏面側となる表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散して深さ約１０μｍのｐ+層が形成された。
【００４３】
次に、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上にスクリーン印刷法によって銀ペーストを印刷して金属電極を形成し、乾燥させた。そして、シリコン基板の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部に図９に示すように銀ペーストを印刷して金属電極６を形成し、乾燥させた。
【００４４】
その後、シリコン基板をたとえば５００℃〜８００℃の温度で、かつ、上記の絶縁膜の形成後の熱処理温度よりも低い温度で熱処理することによって、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上に形成された金属電極が反射防止膜を突き抜けてシリコン基板の受光面側の表面と接触して、シリコン基板の受光面側となる表面および裏面側となる表面にそれぞれ厚さ数十μｍの金属電極を形成した。その後、シリコン基板を冷却して、実施例２の太陽電池を作製した。
【００４５】
また、比較として、絶縁膜を全く形成せずシリコン基板の裏面側となる表面の全面にアルミニウム含有電極を形成したこと以外は実施例２と同一の方法および同一の条件で比較例２の太陽電池を作製した。
【００４６】
実施例２の太陽電池と比較例２の太陽電池とを比較したところ、実施例２の太陽電池は比較例２の太陽電池と比べて反りが低減されていた。また、比較例２の太陽電池は、太陽電池の搬送およびモジュール化工程において割れが多発したのに対して、実施例２の太陽電池は比較例２の太陽電池と比べて大幅に割れの発生を低減することができた。さらに、実施例２の太陽電池の出力は比較例２の太陽電池の出力と略同等の値が得られた。
【００４７】
（実施例３）
まず、幅１２５ｍｍ×長さ１２５ｍｍ×厚み５０μｍの正方形の板状のｐ型単結晶シリコンからなるシリコン基板を用意した。次に、このシリコン基板の表面をＮａＯＨ水溶液を用いてエッチングして、テクスチャ構造を形成した。
【００４８】
次に、このテクスチャ構造が形成されたシリコン基板の受光面側となる表面に対し、リン化合物を含む溶液を塗布した後に９００℃で１０分間熱処理を行なうことにより、シリコン基板の受光面側となる表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層を形成した。
【００４９】
次いで、ｎ+層上に反射防止膜として常圧ＣＶＤ法にて６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成した。
【００５０】
続いて、図１０に示すように、シリコン基板の受光面側となる表面の反対側の裏面側となる表面に、スクリーン印刷法によりアルミニウム含有ペーストを印刷して複数の分離した島状にアルミニウム含有電極５を形成した。
【００５１】
次いで、アルミニウム含有電極が形成されたシリコン基板の裏面側となる表面上にプラズマＣＶＤ法を用いてパッシベーション膜となる８０ｎｍの厚みの窒化ケイ素からなる絶縁膜を形成した。
【００５２】
絶縁膜の形成後、シリコン基板を７００℃〜８００℃で熱処理することによって、アルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて、絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出した。また、これと同時に、シリコン基板の裏面側となる表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散して深さ約１０μｍのｐ+層が形成された。
【００５３】
次に、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上にスクリーン印刷法によって銀ペーストを印刷して金属電極を形成し、乾燥させた。そして、シリコン基板の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部に図１１に示すように銀ペーストを印刷して金属電極６を形成し、乾燥させた。
【００５４】
その後、シリコン基板をたとえば５００℃〜８００℃の温度で、かつ、上記の絶縁膜の形成後の熱処理温度よりも低い温度で熱処理することによって、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上に形成された金属電極が反射防止膜を突き抜けてシリコン基板の受光面側の表面と接触して、シリコン基板の受光面側となる表面および裏面側となる表面にそれぞれ厚さ数十μｍの金属電極を形成した。その後、シリコン基板を冷却して、実施例３の太陽電池を作製した。
【００５５】
また、比較として、絶縁膜を全く形成せずシリコン基板の裏面側となる表面の全面にアルミニウム含有電極を形成したこと以外は実施例３と同一の方法および同一の条件で比較例３の太陽電池を作製した。
【００５６】
実施例３の太陽電池と比較例３の太陽電池とを比較したところ、実施例３の太陽電池は比較例３の太陽電池と比べて反りが低減されていた。また、比較例３の太陽電池は、太陽電池の搬送およびモジュール化工程において割れが多発したのに対して、実施例３の太陽電池は比較例２の太陽電池と比べて大幅に割れの発生を低減することができた。さらに、実施例３の太陽電池の出力は比較例３の太陽電池の出力と略同等の値が得られた。
【００５７】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明によれば、半導体基板の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷してアルミニウム含有電極を形成するため、金属電極を形成したシリコン基板の熱処理後の冷却過程においてアルミニウム含有電極とシリコン基板との間の熱膨張係数差により発生する太陽電池の反りを抑制することができる。これにより、太陽電池の割れを抑制し、歩留りを大幅に抑制することができることから、低コストで太陽電池を作製することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図である。
【図２】図１に示す太陽電池の製造工程の好ましい一例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図である。
【図４】本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図である。
【図５】本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図である。
【図６】本発明の実施例１において形成されたアルミニウム含有電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。
【図７】本発明の実施例１において形成されたアルミニウム含有電極および金属電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。
【図８】本発明の実施例２において形成されたアルミニウム含有電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。
【図９】本発明の実施例２において形成されたアルミニウム含有電極および金属電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。
【図１０】本発明の実施例３において形成されたアルミニウム含有電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。
【図１１】本発明の実施例３において形成されたアルミニウム含有電極および金属電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。
【図１２】従来の太陽電池の一例の模式的な断面図である。
【図１３】図１２に示す従来の太陽電池の製造工程の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  シリコン基板、２  ｎ+層、３  反射防止膜、４  ｐ+層、５  アルミニウム含有電極、６，７  金属電極、８  絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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