(57)【要約】【課題】ピエゾ抵抗素子を用いたセンサーにおいて、製造工程においてコストが高くなるという課題があった。【解決手段】機械的に可動な可動子片に機械的変動を電気的変動に変換する素子と、くびれ部を有する錘部と、錘部を支える梁部と、錘部と梁部とが接する錘接続基部とを有する。その製造方法は、梁部と錘部との形成工程を融合し、３つの特性の異なるエッチング工程である、異方性の第２のエッチング工程と等方性の第３のエッチング工程と異方性の第４の異方性エッチング工程とを適切に用い、さらに材料の選択を行って、少ない工程で梁部と錘部を同時に形成でき、製造工程を簡略化できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械的に可動な可動子片に、機械的変動を電気的変動に変換する変換素子と、前記機械的変動を与えるための錘部と、該錘部を支える梁部とを備える電気機械変換器において、
前記梁部には、前記変換素子と、前記錘部と前記梁部とが接する錘接続基部とを有し、前記錘部の上側面は前記錘接続基部と接し、下側面は開放とし、前記錘部の前記上側面近傍にはくびれ部を有し、
前記錘部の前記上側面は、前記下側面より面積が小さいことを特徴とする電気機械変換器。
【請求項２】
前記錘部は、釣鐘形状を有しており、その断面は前記下側面から前記上側面に向かいなだらかに小さくなり、前記くびれ部で急激に小さくなる形状であることを特徴とする請求項１に記載の電気機械変換器。
【請求項３】
前記梁部と前記錘接続基部とは、一体で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電気機械変換器。
【請求項４】
シリコン半導体基板の表面に、第１のシリコン窒化膜を設ける第1の窒化膜形成工程と、
前記第１のシリコン窒化膜上に低濃度不純物を含んだ多結晶シリコン膜を選択的に設ける多結晶シリコン膜形成工程と、
前記多結晶シリコン膜に、選択的にイオン注入法により高濃度不純物領域を設けるイオン注入工程と、
前記第１のシリコン窒化膜と前記多結晶シリコン膜と前記高濃度不純物領域との上部全面に第２のシリコン窒化膜を設ける第２の窒化膜形成工程と、
前記シリコン半導体基板の裏面に第１のマスクを形成する第１のマスク工程を有し、前記第１のマスクを利用して選択的に前記シリコン基板の裏面から表面に向かい所定の距離まで異方性エッチングする第１のエッチング工程と、
前記シリコン半導体基板の表面に第２のマスクを形成する第２のマスク工程を有し、前記第２のマスクを利用して選択的に前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜との一部を異方性エッチングして梁部を形成する第２のエッチング工程と、
前記第２のマスクをそのまま用いて、前記シリコン半導体基板の表面より前記シリコン半導体基板を等方性エッチングし、前記梁部に設ける錘接続基部の下側に錘部のくびれ部を形成する第３のエッチング工程と、
前記シリコン半導体基板の表面を、前記第１のエッチング工程により除去した前記所定の距離に到達するように異方性エッチングを行う第４のエッチング工程と、
前記第１のマスクと第２のマスクとをそれぞれ除去するマスク除去工程とを有することを特徴とする電気機械変換器の製造方法。
【請求項５】
前記第３のエッチング工程は、エッチングガスに６フッ化硫黄を用い、プラズマを利用するドライエッチング法であることを特徴とする請求項４に記載の電気機械変換器の製造方法。
【請求項６】
前記第３のエッチング工程は、フッ酸と硝酸の混合液を用いるウェットエッチング法であることを特徴とする請求項４に記載の電気機械変換器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機械振動を電気信号に変換するまたは電気信号を機械振動に変換する構造体において、その構造体の検出感度向上を可能とする構造とそのコスト削減が可能な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、多種多様なセンサーが開発され、サイズも小さくなっている。このセンサーは環境変化に対して材料自身がもっている物理的な変化を電気的に捉えることで成り立っている。この物理的変化は多く存在するが、その中でも機械振動を電気信号に変換するセンサーは、物理センサーという位置付けで広く知られている。
【０００３】
このようなセンサーを応用した様々な製品が開発され市場に出ている。それらの製品はいかに小さく、軽く、安く製造できるかが課題となっている。したがって、製品の一部になる部品も当然縮小化が要求される。しかし、サイズが小さくなっても性能を落すことは許されない。
【０００４】
そのためセンサーの感度向上や、異なる方式を用いたセンサーの開発が行われている。加速度センサーを例にすると、近年の加速度センサーは半導体化されている。代表的な方式としては、容量式と圧電式とピエゾ抵抗式とがある。
【０００５】
容量式とは、固定して動かない電極と加速度が加わると変形して稼動する電極との間の容量変化を検出する方式である。容量変化をおこすための構造は電極間のギャップ変化を用いている。利点としては、温度変化に対しての補正が容易であり、感度が高いことである。欠点は、１対の電極間の容量変化は小さいので、これらを並列接続する結線を行い、変化量を大きくしなければならないことである。またノイズが入りやすいので検出回路をセンサーの近くに置くなど、浮遊容量の影響をできるだけ受けないような工夫が必要になる。例えば、センサーと検出回路が別体の構成であった場合、このセンサーと検出回路とを接続する方法としてワイヤーボンディングがある。このワイヤーボンディングに用いる金属のワイヤーは、アンテナの役割もしてしまうため、ノイズの影響を受けやすくしてしまう。また配線が長くなるため、配線間に発生する浮遊容量の影響を受けやすくなる。
【０００６】
圧電式は、加速度等で圧電体に加わった歪によって発生する電荷を検出する方式である。利点としては、小型で軽量ということがある。欠点は、出力インピーダンスが高い、静的加速度が検出できないなどがある。
【０００７】
ピエゾ抵抗式とは、物体にかかる応力によって物体の抵抗値が変化し、その抵抗値変化を周辺回路でブリッジを形成して電圧変化として検出する方式である。この方式の利点は、小型化が容易であること、検出回路が簡単であることがある。欠点としては、ピエゾ抵抗素子が半導体であるので、温度に対しての変化が大きく補正が必要になることである。
【０００８】
このような各種の方式の中でもピエゾ抵抗式は、小型、簡便、大量生産が可能であることがあり、広く使われている。このピエゾ抵抗式で重要になるのは、ピエゾ抵抗自体の感度である。この感度を上げるために様々な構造と製造方法の工夫がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
特許文献１に示した加速度センサーの構造は、シリコン基板とエピタキシャル層を組み合わせ、エピタキシャル層内にピエゾ抵抗素子を配置している。錘部分はダイシングソー
とウェットエッチングによって形成している。そして梁と錘の接合部分のくびれ領域はシリコン基板内に形成した拡散層の導電型の違いによるエッチングレートの差を利用して形成している。このくびれ領域を形成することで、梁に大きな応力がかかり、感度が向上する。
【００１０】
【特許文献１】特許第３４９３８８５号公報（第５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１に示した従来技術は、錘部分の一部（梁と錘の接合部分）に、くびれ領域を設けることで、加速度センサーとしての感度が向上する。しかしながら、その製造工程は多く、製造プロセスが複雑になってしまうという問題がある。
【００１２】
現在の加速度センサーへの要求は、感度の向上とともにコストの削減も重要視されている。製造工程が多く、製造コストそのものを下げられないということは、大きな問題である。
【００１３】
特許文献１に示した従来技術では、錘の形成プロセスでシリコン基板上内に導電型の異なる領域を形成し、それらのエッチングレートの違いを利用して梁と錘の接合部分のくびれ部を形成している。さらにピエゾ抵抗素子はシリコン基板上に形成したエピタキシャル層に形成している。この製造方法では、くびれ部を形成するためのイオン注入工程とピエゾ抵抗素子を形成するためのエピタキシャル層形成プロセスが必要になる。
【００１４】
すなわち、くびれ部を形成するためにレジストコーティング、露光、イオン注入、拡散という多くの製造工程が必要になり、製造コストの増加につながることから、特許文献１に示した従来技術は、実用的ではない。
【００１５】
［発明の目的］
本発明の目的は、上記のような従来の技術の問題を解決して、梁構造のピエゾ抵抗素子を用いた加速度センサーを含め、充分な感度の確保と、その製造をより簡便な工程で行える電気機械変換器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の電気機械変換器においては、下記に示す構造を採用する。
【００１７】
機械的に可動な可動子片に、機械的変動を電気的変動に変換する変換素子と、機械的変動を与えるための錘部と、錘部を支える梁部とを備える電気機械変換器において、
梁部には、変換素子と、錘部と梁部とが接する錘接続基部とを有し、錘部の上側面は錘接続基部と接し、下側面は開放とし、錘部の上側面近傍にはくびれ部を有し、
錘部の上側面は、下側面より面積が小さいことを特徴とする。
【００１８】
錘部は、釣鐘形状を有しており、その断面は下側面から上側面に向かいなだらかに小さくなり、くびれ部で急激に小さくなる形状であることを特徴とする。
【００１９】
梁部と錘接続基部とは、一体で形成することを特徴とする。
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明の電気機械変換器においては、下記に示す製造方法を採用する。
【００２１】
シリコン半導体基板の表面に、第１のシリコン窒化膜を設ける第1の窒化膜形成工程と、
第１のシリコン窒化膜上に低濃度不純物を含んだ多結晶シリコン膜を選択的に設ける多結晶シリコン膜形成工程と、
多結晶シリコン膜に、選択的にイオン注入法により高濃度不純物領域を設けるイオン注入工程と、
第１のシリコン窒化膜と多結晶シリコン膜と高濃度不純物領域との上部全面に第２のシリコン窒化膜を設ける第２の窒化膜形成工程と、
シリコン半導体基板の裏面に第１のマスクを形成する第１のマスク工程を有し、第１のマスクを利用して選択的にシリコン基板の裏面から表面に向かい所定の距離まで異方性エッチングする第１のエッチング工程と、
シリコン半導体基板の表面に第２のマスクを形成する第２のマスク工程を有し、第２のマスクを利用して選択的に第１のシリコン窒化膜と第２のシリコン窒化膜との一部を異方性エッチングして梁部を形成する第２のエッチング工程と、
第２のマスクをそのまま用いて、シリコン半導体基板の表面よりシリコン半導体基板を等方性エッチングし、梁部に設ける錘接続基部の下側に錘部のくびれ部を形成する第３のエッチング工程と、
シリコン半導体基板の表面を、第１のエッチング工程により除去した所定の距離に到達するように異方性エッチングを行う第４のエッチング工程と、
第１のマスクと第２のマスクとをそれぞれ除去するマスク除去工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
第３のエッチング工程は、エッチングガスに６フッ化硫黄を用い、プラズマを利用するドライエッチング法であることを特徴とする。
【００２３】
第３のエッチング工程は、フッ酸と硝酸の混合液を用いるウェットエッチング法であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の電気機械変換器は、機械的に可動な可動子片に機械的変動を電気的変動に変換する素子と、くびれ部を有する錘部と、錘部を支える梁部と、錘部と梁部とが接する錘接続基部とを有する。錘部は釣鐘形状を有し、くびれ部により錘接続基部を介して梁部に対してより大きな機械的変動を伝達することができる。
その製造方法は、梁部にシリコン窒化膜を用い、錘部にシリコンを用いることで形成工程を融合することができる。３つの特性の異なるエッチング工程である、異方性の第２のエッチング工程と等方性の第３のエッチング工程と異方性の第４の異方性エッチング工程とを適切に用い、少ない工程で梁部と錘部を同時に形成でき、製造工程を簡略化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に示す本発明の実施形態については、可動子片には固定部と可動部と、この固定部と可動部との間を繋ぐ梁部を有する形状とし、この梁部に機械変動を電気的変動に変換する素子を設ける形状として説明する。また、機械的変動を電気的変動に変換する素子は、ピエゾ抵抗素子として説明する。以下、図面を用いて本発明の電気機械変換器を説明する。
【００２６】
［構造説明：図１］
はじめに本発明の電気機械変換器の構造を図１の構造図を用いて説明する。
図１は本発明の電気機械変換器の構造図である。図１（Ａ）は、平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
図１において、１０はシリコン半導体基板、１２は錘部、１２ａは錘部の上側面、１２
ｂは錘部の下側面、１４はくびれ部、１６は第１のシリコン窒化膜、１８は第２のシリコン窒化膜、２０はピエゾ抵抗素子、２２は拡散配線、２４は金属配線、２６は梁部、２８は錘接続基部である。
第１のシリコン窒化膜１６と第２のシリコン窒化膜１８とで梁部２６を構成している。錘接続基部２８は、梁部２６と一体に形成しており、錘部１２は錘接続基部２８に接続している。
【００２７】
実際の最上面は第２のシリコン窒化膜１８であるが、図１では、構造が理解しやすいように、４つの可動子片の梁部２６とその梁部２６に設けた４つのピエゾ抵抗素子２０、錘部１２を示している。  図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明における電気機械変換器の特徴的な構造は、機械的に可動な可動子片に、機械的変動を電気的変動に変換するピエゾ抵抗素子２０と機械的変動を与えるための錘部１２と錘部１２を支える梁部２６とを備えており、梁部２６には、ピエゾ抵抗素子２０と錘部１２と梁部２６とが接する錘接続基部２８とを有し、錘部１２の上側面１２ａは錘接続基部２８と接し、下側面１２ｂは開放とし、錘部１２の上側面１２ａの近傍にはくびれ部１４を有している。
【００２８】
図１（Ａ）に示す平面図では、図中の上下左右に４つの可動子片の梁部２６があり、図面中央でこれらは十字形状になっている。さらに、その十字形状の交点部分が錘接続基部２８となる。この錘接続基部２８は、梁部２６の１つの幅より大きい形状として記載しているが、この形状はこれに限定されることはない。
図１（Ｂ）に示すように、錘接続基部２８の下部に錘部１２がある。錘部１２は、錘部１２の上側面１２ａで錘接続基部２８と接しているが、錘部１２の形状や重さ、検出する加速度の大きさなどを鑑みて、錘部１２の大きさを選定するから、この錘接続基部２８の大きさも自由に変えることができる。
【００２９】
また、図１（Ｂ）で示すように、この錘部１２の上側面１２ａは、下側面１２ｂより面積が小さくなっている。つまり、錘部１２は釣鐘形状を有しており、断面は下側面１２ｂから上側面１２ａに向かいなだらかに小さくなり、くびれ部１４で急激に小さくなる形状である。このような形状にすることにより、下側面１２ｂから上側面１２ａに向かい直線的に小さくなる形状に比べて、より梁部２６に歪を生じやすいようにしている。
【００３０】
さらに、梁部２６と錘接続基部２８とは、シリコン半導体基板１０の上部に設けた第１のシリコン窒化膜１６と第２のシリコン窒化膜１８とで一体に形成している。これは本発明の特徴であり、梁部２６と錘接続基部２８とを同じ材料を用いることで、形成プロセスを簡便化できるという利点がある。
【００３１】
本発明における具体的な材料による構造は、梁部２６として用いる第１のシリコン窒化膜１６と、この第１のシリコン窒化膜１６上に形成するピエゾ抵抗素子２０および拡散配線２２と、第２のシリコン窒化膜１８と外部回路に接続するための配線である金属配線２４とを有している。
ピエゾ抵抗素子２０は、錘部１２にかかる力が錘接続基部２８を介して梁部２６に及ぼす歪みで抵抗値変化がおこることでセンサーとして働いている。
【００３２】
［製造方法の説明：図５〜図１３］
次に、図１に示す本発明の電気機械変換器の製造方法について図１（Ｂ）、図２〜図１０を用いて説明する。  
図２に示すように、シリコン半導体基板１０の上部に第１のシリコン窒化膜１６を形成する。一例として、０．３μｍの厚みで形成する。
【００３３】
次に、図３に示すように、第１のシリコン窒化膜１６の上部に多結晶シリコン膜３０を
形成する。多結晶シリコン膜３０の全面にボロン（Ｂ＋）を２５ＫｅＶで１．０×１０１５（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）の条件でイオン注入する。この多結晶シリコン膜３０は、後の工程で所望の形状に加工することでピエゾ抵抗素子２０となる。したがって、多結晶シリコン膜３０の膜厚は、ピエゾ抵抗素子２０の特性に応じて任意に選ぶことができる。一例として、０．２μｍの厚みで形成する。
不純物としてボロン（Ｂ＋）を用いてＰ型導電型の抵抗とする理由は、歪み感度が大きいという利点があるからである。
【００３４】
次に、図４に示すように、多結晶シリコン膜３０の上部にレジスト３２を設けた後、拡散配線２２を形成したい領域を開口するように選択的にレジスト３２をパターニングする。その後、ボロン（Ｂ+）を３０ＫｅＶで１．０×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）の条件でイオン注入する。このことにより拡散配線２２を形成する。その後、レジスト３２は除去する。
【００３５】
次に、図５に示すように、多結晶シリコン膜３０の上部に再度図示しないレジストを形成した後、ピエゾ抵抗素子２０を形成したい形状に合わせてそのレジストをパターニングする。その後、ドライエッチング法によって、所望の形状になるように選択的に多結晶シリコン膜３０をエッチングしてピエゾ抵抗素子２０を形成する。その後、このレジストは除去する。
次に、全面に第２のシリコン窒化膜１８を形成する。一例として、膜厚０．４ｕｍの厚みで形成する。
【００３６】
図示はしないが、拡散配線２２の所望の位置の第２のシリコン窒化膜１８を開口し、コンタクトホールを形成する。これは、拡散配線２２と金属配線２４とを接続するためのものである。
図６に示すように、金属配線２４を形成するためのアルミニウムを形成する。一例として、１．０μｍの厚みでスパッタリングにより形成し、図示しないレジストを選択的に残して配線パターンとし、ドライエッチングにより金属配線２４を形成する。
図示はしないが、これら金属配線２４と外部の回路とを接続するためのパッド領域も形成する。パッド領域は金属であるから、金属配線２４を形成する工程と同時に形成することができる。
【００３７】
次に、図７に示すように、シリコン半導体基板１０の上側面と下側面との両方にレジスト３３ａと３３ｂとをそれぞれ形成する。これらは、エッチングに用いる第１のマスクと第２のマスクである。
錘部１２形成のために、シリコン半導体基板１０の下側面側のレジスト３３ｂを所望の形状にパターニングする。
次に、レジスト３３ａで保護した上側面を下にしてドライエッチング装置に配置し、異方性を有する第１のエッチング工程であるドライエッチング法により、シリコン半導体基板１０を下側面から所定の距離まで（第１のシリコン窒化膜１６に達しない程度まで）エッチングを行う。このドライエッチング条件はよく知られているエッチングガスであるＳＦ６（６フッ化硫黄）とデポジションガスであるＣ４Ｈ８（シクロブタン）とを用いて、エッチングとデポジションを交互に行う方法である。その後、下側面側のレジスト３３ｂを除去する。
【００３８】
次に、図８に示すように、レジスト３３ａを、上側面側に十字形状の梁部２６と梁接続基部２８とを残すようにパターニングする。次に、これをマスクとしてエッチングを行う。
詳しく説明する。まずは、最上層になっている第２のシリコン窒化膜１８と第１のシリコン窒化膜１６とを異方性を有する第２のエッチング工程であるドライエッチング法によ
りエッチングする。この時のエッチングガスは、ＣＦ４（４フッ化炭素）とＨｅ（ヘリウム）の混合ガスを用いる。さらに、レジスト３３ａはそのままにして、梁部２６の下部にあるシリコン半導体基板１０をエッチングするために、等方性を有する第３のエッチング工程にエッチング条件を変更する。この時のエッチングガスは、シリコンに対して等方にエッチングを行うＳＦ６（６フッ化硫黄）を単独で用いる。
【００３９】
この等方性を有する第３のエッチング工程を終了したときに、Ｂ−Ｂ’断面で観察すると、図９（Ａ）のようになる。この段階は最終工程のエッチングは終了していないので、最終的にはくびれ部１４になる前の段階である、前段階くびれ部１５ができ始めている。
【００４０】
すなわち、異方性を有する第２のエッチング工程で第２のシリコン窒化膜１８と第１のシリコン窒化膜１６とをエッチングした後、等方性の第３のエッチング工程でシリコン半導体基板１０を梁部２６の脇からエッチングするのである。
【００４１】
図９（Ｂ）に図８のＣ−Ｃ’断面を示す。この第３のエッチング工程は等方性のエッチング条件のため、深さ方向と横方向の両方に同程度のエッチングレートでシリコン半導体基板１０をエッチングする。そのため、下側面からのエッチングに用いた第１のエッチング条件に比べて横方向へのエッチングが多く行われる。したがって、図を見ると梁部２６の下のシリコン半導体基板１０が無くなっている状態がわかる。この第３のエッチング工程により、梁部２６がシリコン半導体基板１０から離れて梁部２６として可動できるようになる。
【００４２】
次に、第４のエッチング工程を用いて、第１のエッチング工程でシリコン基板を下側表面から途中までエッチングした深さ（所定の距離までエッチングした深さ）まで、上側面からエッチングを行い、貫通させる。この第４のエッチング条件は異方性のドライエッチング条件である。この時のエッチングガスは、ＳＦ６（６フッ化硫黄）とデポジションガスであるＣ４Ｈ８（シクロブタン）の混合ガスである。
図１０（Ａ）は、第４のエッチング工程が終了した後に、レジスト３３ａが残った状態での平面図を示している。図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＤ−Ｄ’面の断面で見たときの断面図である。第３と第４のエッチング工程によって、くびれ部１４が形成されている。
【００４３】
第２のエッチング条件から第４のエッチング条件へは、エッチング装置の真空を破らずに、エッチング条件を換えて行われる。この３つの異なるエッチング条件を用いて梁部２６と錘部１２とが形成される。この第４のエッチング工程の後にレジスト３３ａを除去し、図１（Ｂ）に示すような本発明の電気機械変換器が作製できる。
【００４４】
第３のエッチング工程はドライエッチングを用いているが、ウェットエッチング法を用いても形成可能である。ただしこの時は、第２のエッチング工程と第４のエッチング工程間で真空を一度破る必要がある。つまり、同一のエッチング装置内でのエッチング処理ではなく、一度装置外に出さなければならない。このため、多少製造工程の手間が増えるが、他の製造工程との関係（例えば、薬剤の利用サイクルの関係など）で、ウェットエッチングを行った方が好ましい場合もある。ウェットエッチング法を用いる場合は、フッ酸と硝酸の混合液を用いる。
【００４５】
本発明の電気機械変換器の製造方法は、４つの特性の異なるエッチング条件を用いることで、梁部２６と錘部１２との形成工程の融合を可能にしている。
つまり、異方性エッチングの第１のエッチング工程により、下側面からシリコン半導体基板１０を所定の距離までエッチングする工程と、異方性エッチングの第２のエッチング工程により、上側面から第１と第２のシリコン窒化膜をエッチングする工程と、等方性エッチングの第３のエッチング工程により、上側面から梁部２６をシリコン半導体基板１０
から離して可動にする工程と、異方性エッチングの第４のエッチング工程により、第１のエッチング工程で下側面からエッチングした深さまでエッチングを進めることで錘部１２を釣鐘形状として形成している。
シリコン半導体基板１０の上側面と下側面とにそれぞれレジスト３３ａとレジスト３３ｂを形成し、マスクとし、第１のエッチング工程では、下側面からのエッチングであるために、レジスト３３ａは上側面の保護に用いている。レジスト３３ｂはパターニングしてあり、下側面のシリコン半導体基板１０のエッチング終了時には除去される。上側面をエッチングするときにはレジスト３３ａをパターニングし、第４のエッチング工程終了時に除去される。この工程を用いることで少ない工程で梁部２６と錘部１２を同時に形成でき、製造工程のコストダウンに寄与する効果がある。
【００４６】
本発明の電気機械変換器は、梁部を第１のシリコン窒化膜と第２のシリコン窒化膜とし、錘部をシリコンとしている。このように、構成する部位により材質の選択を行うことにより、４つの特性の異なるエッチング条件を用いることで、梁部と錘部との形成工程の融合を可能にした。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の電気機械変換器は、様々なセンサーに利用可能である。例えば、圧力センサー、加速度センサー等である。さらに、製造工程のコストダウンに寄与できることから、低コスト化を要求されつつも高いセンサー感度を要求されるセンサー類に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の電気機械変換器を示す図である。
【図２】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す平面図である。
【図９】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の電気機械変換器の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  シリコン半導体基板
１２  錘部
１２ａ  上側錘部
１２ｂ  下側錘部
１４  くびれ部
１５  前段階くびれ部
１６  第１のシリコン窒化膜
１８  第２のシリコン窒化膜
２０  ピエゾ抵抗素子
２２  拡散配線
２４  金属配線
２６  梁部  
２８  錘接続基部
３０  多結晶シリコン膜
３２  レジスト
３３ａ  レジスト
３３ｂ  レジスト
【図１】
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【図２】
2006086318.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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