(57)【要約】【課題】反りを有する場合であっても、露光時にフォトマスクとの間に安定して均一なギャップが形成され、均一な寸法のレジストパターンが形成されるワークを提供する。【解決手段】ワーク２の平坦な露光面上にレジスト５を形成する。そして、レジスト５上にスペーサー１を配置する。露光ステージ６上にワーク２を配置し、真空吸着によりワーク２を固定する。そして、露光ステージ６を上昇させてワーク２をスペーサー１を介してフォトマスク９に押し当てる。その結果、スペーサー１を介して、ワーク２の反った部分が上から押され、ワーク２の反りが矯正される。また、スペーサー１により、ワーク２とフォトマスク９間に均一なギャップが形成される。そして、均一なギャップを保持しつつ露光することで、ワーク２の露光面全体で均一な寸法のレジストパターンを形成できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィーによって主面上にレジストパターンが形成されるワークであって、
前記主面に形成されたフォトレジスト上の前記レジストパターンが形成される領域以外の領域に配置され、一定の高さを有する部材を備えることを特徴とするワーク。
【請求項２】
前記部材の材料は、フォトレジストであることを特徴とする請求項１に記載のワーク。
【請求項３】
前記部材は、前記主面の外周部に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のワーク。
【請求項４】
前記部材は、リング状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載のワーク。
【請求項５】
前記部材は、前記主面の中央部に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のワーク。
【請求項６】
主面上にマスクパターンが形成されたフォトマスクであって、
前記マスクパターンが形成された領域以外の領域に配置され、一定の高さを有する部材を備えることを特徴とするフォトマスク。
【請求項７】
前記主面に形成された凹部を備え、
前記マスクパターンは、前記凹部内に形成され、
前記部材は、前記主面の前記凹部以外の部分であることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項８】
請求項１から５の何れかに記載のワークを用いた露光方法であって、
（ａ）請求項１から５の何れかに記載のワークを準備する工程と、
（ｂ）フォトマスクの主面と前記ワークの前記主面とが平行になるように、前記フォトマスクを前記ワークの上方に対向配置する工程と、
（ｃ）前記ワークと前記フォトマスクを前記部材を介して押し当てる工程と、
（ｄ）前記ワークと前記フォトマスクを押し当てつつ露光する工程と、
を備えることを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項６又は７に記載のフォトマスクを用いた露光方法であって、
（ａ）請求項６又は７に記載のフォトマスクを準備する工程と、
（ｂ）前記フォトマスクの前記主面とワークの主面とが平行になるように、前記フォトマスクを前記ワークの上方に対向配置する工程と、
（ｃ）前記ワークと前記フォトマスクを前記部材を介して押し当てる工程と、
（ｄ）前記ワークと前記フォトマスクを押し当てつつ露光する工程と、
を備えることを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィーで用いられるワーク、フォトマスク及び露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のプロキシミティ露光装置においては、マスク（フォトマスク）とワークの間であってマスクのマスクパターン形成領域から外れた位置に、弛みをもたせて帯状のスペーサーを配置している。なお、ワークとは、半導体ウェハ等のフォトリソグラフィー処理を受ける対象物をいう。
【０００３】
そうして、リールに巻かれたフィルム状（厚さ３０μｍのステンレス板）のワーク（作業対象物）を近接露光する場合に、フォトマスクとワークの間にギャップをもたせてアライメント時の接触を防いでいる。
【０００４】
ここで、プロミキシティ露光装置は、フォトマスクとワークを非常に近接させた状態で平行光を照射し、マスクパターンをワーク上に形成されたフォトレジスト（以下、「レジスト」と称する。）に転写する露光装置である。
【０００５】
【特許文献１】特許第３３７９３６１号（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような弛みをもたせた帯状のスペーサーでは、反りを有するＳｉウェハ等の（円盤状、角状の）ワークを露光する際には、フォトマスクとワーク間に均一なギャップ（隙間）を保つことが難しい。
【０００７】
そして、フォトマスクとワークのギャップが不均一になると、露光により形成されたワーク上のレジストパターン寸法もワークの面内で不均一となる。
【０００８】
また、フォトマスクとワークが接触する可能性も高くなる。例えば、直径１２５ｍｍのＳｉウェハ上にスパッタ法で窒化膜を形成すると、反りは２００μｍ程度となる。そして、近接露光法では、ギャップが１５０μｍ以上になると露光精度が劣るため、ギャップを２００μｍ以上にできない。そのため、フォトマスクとワークが接触する可能性が高くなり、製品の歩留りが下がってしまう。
【０００９】
さらに、帯状スペーサーは、フォトマスクへの取り付け位置の自由度が少ないという問題もある。
【００１０】
そこで、本発明の第１の目的は、反りを有する場合であっても、露光時にフォトマスクとの間に安定して均一なギャップが形成され、均一な寸法のレジストパターンが形成されるワークを提供することである。
【００１１】
また、本発明の第２の目的は、ワークが反りを有する場合であっても、露光時にワークとの間に安定して均一なギャップが形成され、ワーク上に均一な寸法のレジストパターンを形成できるフォトマスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明は、フォトリソグラフィーによって主面上にレジストパターンが形成されるワークであって、前記主面に形成されたフォトレジスト上の前記レジストパターンが形成される領域以外の領域に配置され、一定の高さを有する部材を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、主面上にマスクパターンが形成されたフォトマスクであって、前記マスクパターンが形成された領域以外の領域に配置され、一定の高さを有する部材を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明によれば、フォトマスクにワークを押し当てることで、部材によりワークの反りが矯正され、フォトマスクとの間に均一なギャップが形成される。そして、均一なギャップを保持したまま露光することで、均一な寸法のレジストパターンを露光面に形成できる。
【００１５】
また、フォトマスクに形成されたマスクパターンとワークの露光面が接触しないため、マスクパターン上に汚れや傷（パターン欠陥）の発生させるおそれがない。
【００１６】
請求項６に記載の発明によれば、近接露光の際に、部材により、フォトマスクとワークとの間に均一なギャップが形成される。そのため、均一な寸法のレジストパターンをワーク上に形成できる。
【００１７】
また、マスクパターンがワークの露光面と接触しないため、汚れや傷が発生が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の実施の形態に係る発明は、プロミキシティ露光法やコンタクト露光法といった近接露光法に用いられるワーク、若しくはフォトマスクに関する。
【００１９】
なお、コンタクト露光法とは、フォトマスクとワークを接触させた状態で露光する方法である。
【００２０】
＜実施の形態１＞
＜Ａ．ワークの構成＞
図１は、実施の形態１に係るワークの構成を示す上面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【００２１】
ワーク２の露光面（主面）上にフォトレジスト（以下、「レジスト」と称する。）５が形成されている。レジスト５の外周部には一定の高さを有するスペーサー（部材）１が配置されている。また、図２に示すように、ワーク２は凹型に反っている。
【００２２】
ここで、後述するように、レジスト５を露光することによって、ワーク２の主面上にレジストパターンが形成される。
【００２３】
また、スペーサー１は、必ずしも外周部に配置する必要はなく、レジストパターンが形成される領域以外の領域、例えば、ダイシングライン、アライメントマーク部、ＴＥＧ部等に取り付けるようにしてもよい。後述するように、ワーク２が凸型に反っている場合には、ワーク２の中央部に、そしてワーク２が凹型に反っている場合には、外周部に配置する。
【００２４】
スペーサー１の形状は、角形、円柱状、半球状等、後述するフォトマスクに押し当てたときに、フォトマスクとの間に均一な隙間を形成できる形状であればよい。
【００２５】
また、スペーサー１の寸法は、角形の場合には、縦、横それぞれ１ないし１５ｍｍ、円柱状、半球状の場合には、直径が１ないし１５ｍｍの範囲で選択する。
【００２６】
そして、スペーサー１の厚さは、ドライフィルムレジストの場合は３ないし２０μｍ、テフロン（登録商標）テープ、カプトンテープ、隙間ゲージの場合は５ないし１００μｍ、プラスチック球の場合は直径５ないし１００μｍの範囲で選択して使用する。
【００２７】
そして、スペーサー１の材質は、ドライフィルムレジスト、テフロン（登録商標）テープ、カプトンテープ、隙間ゲージ及びプラスチック球等が好ましい。これらを材料とするスペーサー１は、後工程で、レジスト５の剥離と同時に除去可能であり、剥離プロセスを追加する必要はない。
【００２８】
＜Ｂ．露光方法＞
次に、図３を参照して、本実施の形態に係るワークを用いた露光方法について説明する。
【００２９】
図３は、露光時におけるフォトマスク９とワーク２の位置関係を示す側面図である。露光ステージ６上に、ワーク２が露光面を光源８に向けて対向配置されている。ワーク２は、露光ステージ６上に真空吸着され、固定されている。
【００３０】
ワーク２上にスペーサー１を介してフォトマスク９が配置されている。フォトマスク９は、フォトマスク基材３上にマスクパターン４が形成された構成を備えている。ここで、マスクパターン４は、露光の際に選択的に遮光するためのパターンである。
【００３１】
そして、フォトマスク９は、マスクパターン４がワーク２の露光面に対向するように配置されている。
【００３２】
次に、ワーク２の露光工程について詳細に説明する。
まず、フォトマスク９がワーク２に対して平行に配置されるように、フォトマスク９の平行だしを行う。
【００３３】
具体的には、露光ステージ６上にマスターウェハを載せ、露光ステージ６を上昇してフォトマスク９と接触させる。そして、マスターウェハの主面とフォトマスク９の主面が密着するように、フォトマスク９の角度を調節する。そうして、フォトマスク９がマスターウェハに対して平行になるように固定する。
【００３４】
次に、レジスト５上にスペーサー１が配置されたワーク２を準備する。そして、露光面を上にしてワーク２を露光ステージ６上に配置し、真空吸着により露光ステージ６上に固定する。
【００３５】
以上から、フォトマスク９の主面とワーク２の主面とが平行になるように、フォトマスク９は、ワーク２の上方に対向配置されることになる。
【００３６】
次に、露光ステージ６を上昇させていくと、スペーサー１とフォトマスク９が接触する。
【００３７】
そして、さらに露光ステージ６を上昇させると、ワーク２とフォトマスク９がスペーサー１を介して押し当てられる。そのため、スペーサー１を介して、フォトマスク９によりワーク２の反った部分が下方に押され、ワーク２の反りが矯正される。そして、フォトマスク９とワーク２は、図３に示す位置関係となる。図３に示すように、スペーサー１によりフォトマスク９とワーク２間には、均一なギャップが形成される。
【００３８】
次に、フォトマスク９とワーク２間に均一なギャップを確保した状態で露光する。すなわち、ワーク２とフォトマスク９を押し当てつつ露光する。光源１０より発生した光がフォトマスク９を透過し、マスクパターン４で選択的に遮光され、ワーク２上に形成されたレジスト５にマスクパターン４と同様のパターンが転写される。
【００３９】
その後、露光されたワーク２を現像すると、露光されたレジスト５以外の部分の剥離と同時にスペーサー１も除去されるので、スペーサー１を除去する工程を追加する必要はない。
【００４０】
＜Ｃ．効果＞
本実施の形態に係るワークはスペーサー１を備えているので、近接露光の際に、ワーク２の反りは矯正され、フォトマスク９との間に均一なギャップが形成される。そのため、均一な寸法のレジストパターンをワーク２の露光面の全面に形成できる。
【００４１】
同時に、ワーク２とフォトマスクに強制的にギャップを形成することになり、マスクパターン４への傷や汚れも防止できる。
【００４２】
また、スペーサー１は、レジスト５上に形成されている。そのため、レジスト除去工程（現像工程）でワーク２から剥離するので、スペーサー１を剥離するための工程を追加する必要がない。
【００４３】
本実施の形態に係るワークでは、スペーサー１が外周部に配置されているので、凹型に反ったワーク２の反りを矯正することができる。
【００４４】
また、本実施の形態に係るワークでは、スペーサー１を外周部に配置したが、中央部に配置してもよい。ワーク２の中央部にスペーサーを取り付けることで、凸型に反ったワーク２の反りを矯正することができる。
【００４５】
ワーク２の中央部にスペーサー１を配置する場合には、レジストパターンが形成されないダイシングライン上などに配置する。又は、スペーサー１を配置する領域には、レジストパターンを形成しないようにしてもよい。
【００４６】
本実施の形態に係る露光方法によれば、フォトマスク９とワーク２の間に均一なギャップを形成してワーク２を露光することができる。そのため、均一な寸法のレジストパターンをワーク２の露光面の全面に形成できる。
【００４７】
＜実施の形態２＞
＜Ａ．ワークの構成＞
図４は、本実施の形態に係るワークの構成を示す上面図である。また、図５は、図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【００４８】
ワーク２の露光面上の外周部に、リング状にリング状レジストパターン７が形成されている。また、図５に示すように、ワーク２は凹型に反っている。
【００４９】
ここで、リング状レジストパターン７は、次のように形成される。まず、スピンコート法により、あるいはドライフィルムレジスト貼付により、前面にレジストを形成する。レジストの厚さは３ないし２０μｍが適当である。
【００５０】
そして、周辺露光によりリング状にレジストを露光し、現像することによってリング状レジストパターン７を形成する。リングの幅は、例えば直径１２５ｍｍのＳｉウェハの場合、幅３ないし１５ｍｍとする。
【００５１】
＜Ｂ．露光方法＞
次に、図６を参照して、本実施の形態に係るワークを用いた露光方法について説明する。
図６は、露光時におけるフォトマスク９とワーク２の位置関係を説明するための側面図である。露光ステージ６上にレジスト５が形成された露光面を光源８に向けてワーク２が配置されている。ワーク２は、露光ステージ６上に真空吸着され、固定されている。
【００５２】
ワーク２上にはリング状のリング状レジストパターン７が形成されている。そして、ワーク２上には、リング状レジストパターン７を覆って、レジスト５がさらに形成されている。その結果、リング状レジストパターン７とその上部のレジスト５により段差が形成される。
【００５３】
ここで、リング状レジストパターン７とその上部のレジスト５が、実施の形態１におけるスペーサー１（図３参照）に対応している。
【００５４】
そして、ワーク２上にフォトマスク９が配置されている。フォトマスク９は、フォトマスク基材３上にマスクパターン４が形成された構成を備えている。ここで、マスクパターン４は、露光の際に選択的に遮光するためのパターンである。
【００５５】
そして、フォトマスク９は、マスクパターン４がワーク２の露光面に対向するように配置されている。
【００５６】
次に、ワーク２の露光工程について詳細に説明する。
まず、実施の形態１と同様にフォトマスク９の平行だしを行う。
【００５７】
次に、ワーク２を露光面を上にして露光ステージ６上に配置し、真空吸着により固定する。ここで、リング状レジストパターン７を覆うように、ワーク２の主面上にはレジスト５が塗布されている。
【００５８】
以上から、フォトマスク９の主面とワーク２の主面とが平行になるように、フォトマスク９は、ワーク２の上方に対向配置されることになる。
【００５９】
次に、露光ステージ６を上昇させると、リング状レジストパターン７上に形成されたレジスト５の上部がフォトマスク９に接触する。
【００６０】
さらに露光ステージ９を上昇させると、ワーク２とフォトマスク９がリング状レジストパターン７とその上部に形成されたレジスト５を介して押し当てられる。そのため、リング状レジストパターン７とその上部に形成されたレジスト５を介して、フォトマスク９によりワーク２の沿った部分が下方に押され、ワーク２の反りが矯正される。そして、フォトマスク９とワーク２は、図６に示す位置関係となる。図６に示すように、フォトマスク９とワーク２間に均一なギャップが形成される。
【００６１】
次に、フォトマスク９とワーク２間に均一なギャップを確保した状態で露光する。すなわち、ワーク２とフォトマスク９を押し当てつつ露光する。光源１０より発生した光がフォトマスク９を透過し、マスクパターン４で選択的に遮光され、ワーク２上に形成されたレジスト５にマスクパターン４と同様のパターンが転写される。
【００６２】
その後、露光されたワーク２を現像すると、リング状レジストパターン７の内側にマスクパターンと同様のパターンが形成される。
【００６３】
＜Ｃ．効果＞
本実施の形態に係るワークは、リング状レジストパターン７を備えている。そのため、ワーク２上にレジスト５を形成することで、レジストを材料とするスペーサー（部材）を形成することができる。その結果、ワーク２をフォトマスク９に押し当てることで、ワーク２の反りを矯正することができる。
【００６４】
例えば、ワーク２が２００μｍ反っている場合でも、ワーク２とフォトマスク９の間にはスペーサーと同じ程度の３ないし２０μｍの均一なギャップを形成することが可能になる。
【００６５】
そのため、ワーク２上のレジスト５に転写されたパターンの寸法は高い面内均一性が得られる。同時に、ワーク２とフォトマスク９に強制的にギャップを形成することになり、マスクパターン４への傷や汚れも防止できる。
【００６６】
リング状レジストパターン７は、レジスト５と同一の材質であり、後工程で容易に除去できる。従って、リング状レジストパターン７の剥離プロセスを追加する必要がない。
【００６７】
本実施の形態に係るリング状レジストパターン７は、レジストによりリング状に形成されているので、ワーク２の外周部に周辺露光で容易に形成することができる。
【００６８】
なお、本実施の形態では、ワーク２の外周部にリング状レジストパターンを形成したが、ワーク２の中央部に形成してもよい。このようにすることで凸状に反ったワーク２を用いた場合であっても、フォトマスク９との間に均一なギャップを形成することができる。
【００６９】
本実施の形態に係る露光方法によれば、リング状レジストパターン７とレジスト５により、フォトマスク９とワーク２の間に均一なギャップを形成してワーク２を露光することができる。そのため、均一な寸法のレジストパターンをワーク２の露光面の全面に形成できる。
【００７０】
＜実施の形態３＞
＜Ａ．フォトマスクの構成＞
図７は、実施の形態３に係るフォトマスクの構成を示す上面図である。図８は、図７のＣ−Ｃ線断面図である。
【００７１】
フォトマスク９は、フォトマスク基材３上にマスクパターン４が形成された構成を備えている。ここで、マスクパターン４は、露光の際に選択的に遮光するためのパターンである。
【００７２】
そして、マスクパターン４の外周部には、一定の高さを有するスペーサー（部材）８が接着剤などにより取り付けてある。
【００７３】
具体的には、接着剤に球状のスペーサー８を混入したスペーサー混入接着剤を、フォトマスク基材３の所望の位置に塗ることで、スペーサー８をフォトマスク基材８に取り付けることができる。
【００７４】
＜Ｂ．露光方法＞
次に、図９を参照して、本実施の形態に係るフォトマスクを用いた露光方法について説明する。
【００７５】
図９は、露光時におけるフォトマスク９とワーク２の位置関係を説明するための側面図である。
【００７６】
露光ステージ６上にワーク２が配置されている。ワーク２は、レジスト５が形成された露光面を光源１０に向けて配置されている。ワーク２は、露光ステージ６上に真空吸着され、固定されている。
【００７７】
そして、ワーク２上にフォトマスク９がスペーサー８を介して配置されている。フォトマスク９は、マスクパターン４がワーク２の露光面に対向するように配置されている。
【００７８】
次に、ワーク２の露光工程について説明する。
まず、スペーサー８が形成されたフォトマスク９を準備する。
【００７９】
次に、フォトマスク９のスペーサー８が形成された面を露光ステージ６に対向するように露光装置に設置する。そして、実施の形態１と同様に、フォトマスク９の平行だしを行う。
【００８０】
次に、ワーク２をレジスト５が形成された露光面を上にして露光ステージ６上に配置し、真空吸着により固定する。
【００８１】
以上から、フォトマスク９の主面とワーク２の主面とが平行になるように、フォトマスク９は、ワーク２の上方に対向配置されることになる。
【００８２】
次に、露光ステージ６を上昇させていくと、スペーサー８の先端がワーク２上のレジスト５に接触する。
【００８３】
そして、さらに、露光ステージ６を上昇させると、ワーク２とフォトマスク９がスペーサー８を介して押し当てられる。そのため、スペーサー８を介して、フォトマスク９によりワーク２の沿った部分が下方に押され、ワーク２の反りを矯正される。そして、フォトマスク９とワーク２は、図９に示す位置関係となる。図９に示すように、スペーサー８によりフォトマスク９とワーク２間に均一なギャップが形成される。
【００８４】
次に、フォトマスク９とワーク２間に均一なギャップを確保した状態で露光する。すなわち、ワーク２とフォトマスク９を押し当てつつ露光する。光源１０より発生した光がフォトマスク９を透過し、マスクパターン４で選択的に遮光され、ワーク２上に形成されたレジスト５にマスクパターン４と同様のパターンが転写される。
【００８５】
続いて、ワーク２を現像することで、ワーク２の露光面状に均一な幅のレジストパターンが形成される。
【００８６】
＜Ｃ．効果＞
本実施の形態に係るフォトマスクは以上のように構成されているので、ワーク２をフォトマスク９に押し当てることで、スペーサー８によりワーク２の反りを矯正することができる。
【００８７】
そして、反りを矯正した状態で露光することで、ワーク２とフォトマスク９のギャップを均一にし、さらには、露光されたパターンの寸法は高い面内均一性となる。
【００８８】
同時に、ワーク２とフォトマスク９に強制的にギャップを形成することになり、マスクパターン４への傷や汚れも防止できる。
【００８９】
本実施の形態に係るフォトマスク９ではスペーサー８をマスクパターン４の外周部に配置したが、ダイシングライン上等のマスクパターン４が形成された領域以外の領域に配置されればよい。例えば、フォトマスク９の主面の中央部にスペーサー８を取り付けることで、凸型に反ったワーク２の反りを矯正することができる。
【００９０】
また、スペーサー８の形状は角形、円柱状、半球状等でもよい。
【００９１】
本実施の形態に係る露光方法によれば、フォトマスク９とワーク２の間に均一なギャップを形成してワーク２を露光することができる。そのため、均一な寸法のレジストパターンをワーク２の露光面の全面に形成できる。
【００９２】
＜実施の形態４＞
＜Ａ．フォトマスクの構成＞
図１０は、本実施の形態に係るフォトマスクの構成を示す上面図である。また、図１１は、図１０のＤ−Ｄ線断面図である。
【００９３】
本実施の形態では、フォトマスク９は、フォトマスク基材３の主面の一部を削り、凹部を形成している。そして、凹部内にマスクパターン４を形成している。すなわち、本実施の形態に係るフォトマスク９は、主面に形成された凹部を備え、マスクパターン４はその凹部内に形成されている。
【００９４】
そのため、マスクパターン４は、フォトマスク基材３主面の凹部以外の部分（外周部）よりも一段低い位置に形成されている。
【００９５】
ここで、本実施の形態に係るフォトマスクでは、フォトマスク基材３主面の凹部以外の部分がスペーサー８（図８参照）に対応している。
【００９６】
＜Ｂ．露光方法＞
次に、図１２を参照して、本実施の形態に係るフォトマスクを用いた露光方法について説明する。
【００９７】
図１２は、露光時におけるフォトマスク９とワーク２の位置関係を示した図である。
【００９８】
露光ステージ６上にワーク２が配置されている。ワーク２は、レジスト５が形成された露光面を光源１０に向けて配置されている。ワーク２は、露光ステージ６上に真空吸着され、固定されている。
【００９９】
そして、フォトマスク９は、マスクパターン４がワーク２の露光面に対向するように、ワーク２上に配置されている。
【０１００】
次に、ワーク２の露光工程について詳細に説明する。
まず、凹部内にマスクパターン４が形成されたフォトマスク９を準備する。
【０１０１】
次に、フォトマスク９のフォトマスク４が形成された面を露光ステージ６に対向するように露光装置に設置する。そして、実施の形態１と同様にフォトマスク９の平行だしを行う。
【０１０２】
次に、ワーク２をレジスト５が形成された露光面を上にして露光ステージ６上に配置し、真空吸着により固定する。
【０１０３】
次に、露光ステージ６を上昇させていくと、フォトマスク９の外周部がワーク２上のレジスト５に接触する。さらに露光ステージ６を上昇させると、フォトマスク９とワーク２が押し当てられる。その結果、フォトマスク９の外周部により、ワーク２の反った部分が下方に押され、ワーク２の反りを矯正される。その結果、均一なギャップがワーク２とフォトマスク９間に確保される。
【０１０４】
そして、ワーク２とフォトマスク９間にギャップを確保した状態でワーク２を露光する。光源１０より発生した光がフォトマスク９を透過し、マスクパターン４で選択的に遮光され、ワーク２上に形成されたレジスト５にマスクパターン４と同様のパターンが転写される。
【０１０５】
続いて、ワーク２を現像することで、ワーク２の露光面上に均一な幅のレジストパターンが形成される。
【０１０６】
＜Ｃ．効果＞
本実施の形態に係るフォトマスクは、主面に凹部を備え、その凹部内にマスクパターン４が形成されている。
【０１０７】
すなわち、フォトマスク９上のマスクパターン４は、フォトマスク基材３の表面よりも一段低い位置に形成されている。そのため、フォトマスク９とワーク２とを接触させても、マスクパターン４はワーク２に接触しない。その結果、フォトマスク９にスペーサーを設けることなく、マスクパターン４の汚れや欠陥を防止することができる。
【０１０８】
さらに、露光ステージ６を上昇させることで、ワーク２の反りを矯正し、フォトマスク９とワーク２のギャップを均一にする。これにより、ワーク２上に形成されるレジストパターンの寸法は、高い面内均一性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】実施の形態１に係るワークを示す上面図である。
【図２】実施の形態１に係るワークを示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る露光時におけるフォトマスクとワークの位置関係を説明するための図である。
【図４】実施の形態２に係るワークを示す上面図である。
【図５】実施の形態２に係るワークを示す断面図である。
【図６】実施の形態２に係る露光時におけるフォトマスクとワークの位置関係を説明するための図である。
【図７】実施の形態３に係るフォトマスクを示す上面図である。
【図８】実施の形態３に係るフォトマスクを示す断面図である。
【図９】実施の形態３に係る露光時におけるフォトマスクとワークの位置関係を説明するための図である。
【図１０】実施の形態４に係るフォトマスクを示す上面図である。
【図１１】実施の形態４に係るフォトマスクを示す断面図である。
【図１２】実施の形態４に係る露光時におけるフォトマスクとワークの位置関係を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１  スペーサー、２  ワーク、３  フォトマスク基材、４  マスクパターン、５  レジスト、６  露光ステージ、７  リング状レジストパターン、９  フォトマスク。
【図１】
2006324369.tif 000003
【図２】
2006324369.tif 000004
【図３】
2006324369.tif 000005
【図４】
2006324369.tif 000006
【図５】
2006324369.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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