(57)【要約】【課題】  検出処理時間を短縮することで高スループットの露光装置を提供すること。【解決手段】  所定の露光光で原版を照明する露光用照明光学系と、前記原版上パターンを基板上に投影する投影光学系と、原版あるいは基板の位置検出を行う位置検出手段を有する露光装置において、前記露光用照明光学系は、露光領域を可変できる開口絞りを有し、前記位置検出手段は個々に駆動機構を有する複数の検出系で構成され、前記開口絞り形状に応じた露光工程時の待機位置あるいは非計測時の待機位置を有する露光装置とする。【選択図】  図１
2006339348.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の露光光で原版を照明する露光用照明光学系と、前記原版上パターンを基板上に投影する投影光学系と、原版あるいは基板の位置検出を行う位置検出手段を有する露光装置において、前記露光用照明光学系は、露光領域を可変できる開口絞りを有し、前記位置検出手段は個々に駆動機構を有する複数の検出系で構成され、前記開口絞り形状に応じた露光工程時の待機位置あるいは非計測時の待機位置を有し、前記検出系を駆動することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
所定の露光光で原版を照明する露光用照明光学系と、前記原版上パターンを基板上に投影する投影光学系と、原版あるいは基板の位置検出を行う位置検出手段を有する露光装置において、前記露光用照明光学系は、露光用照明光学系と投影光学系の開口数比σを変えることのできる照明方法切換手段を有し、前記位置検出手段は個々に駆動機構を有する複数の検出系で構成され、前記開口数比σに応じた露光工程時の待機位置あるいは非計測時の待機位置を有し、前記検出系を駆動することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
所定の露光光で原版を照明する露光用照明光学系と、前記原版上パターンを基板上に投影する投影光学系と、原版あるいは基板の位置検出を行う位置検出手段を有する露光装置において、前記位置検出手段に構成される複数の検出系は、露光領域と開口数比σの組み合わせに応じて、露光工程時の待機位置あるいは非計測時の待機位置を有し、前記検出系を駆動することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記位置検出手段の検出系は、所定の検出を終了した後、即座に露光工程時の待機位置に戻ることを特徴とする請求項１〜３記載の露光装置。
【請求項５】
前記位置検出手段の検出系は、待機位置に応じて各検出系の観察位置オフセットを有することを特徴とする請求項１〜４記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子又は液晶表示素子をフォトリソグラフィ工程で製造する際の転写用パターンを投影光学系を介して被投影物体上に結像投影させる露光装置と、前記露光装置を使用した検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、原版（レチクル又はフォトマスク）のパターンを投影光学系を介して、基板（ウェハ）上に結像投影させるものである。
【０００３】
図２、図３は従来の露光装置の概略を示す概略図である。
【０００４】
原版1（レチクル）は、不図示の駆動制御手段によって駆動制御される原版ステージ2に保持されている。
【０００５】
原版1近傍には基準原版3が原版ステージ2の所定の範囲に固設されている。基準原版3の反射面は原版1の反射面とほぼ高さが一致している。基準原版3の反射面は、CrやAl等の金属面で形成された複数の原版基準マークが構成されている。
【０００６】
基板4の近傍には基準基板5が基板ステージ6の所定の範囲に固設されている。基準基板5の反射面は基板4の上面とほぼ高さが一致している。基準基板5の反射面は、CrやAl等の金属面で形成された複数の基準マークが構成されている。
前記基板ステージ6には、基板4を投影光学系7の像面に合致させるための不図示の駆動制御手段が設けられている。さらに基板ステージ6には、レーザ干渉計8からのビームを反射する移動鏡9が固定されている。前記レーザ干渉計8により、基板ステージ6の位置、移動量は逐次計測されている。
【０００７】
前記構成により、基板ステージ6は、投影光学系7の光軸方向（Z方向）及び光軸方向と直交する平面（X-Y平面）内を移動することが出来、さらに光軸周りに回転（θ方向）することも出来る。
【０００８】
原版1上のパターンは、主に光源部10からコリメーターレンズ25によって構成される露光用照明光学系により投影光学系7を介して、基板ステージ6に保持された基板4（ウェハ）上に結像露光される。
【０００９】
光源部10は、半導体デバイスの集積度及び微細度の向上に対応する為、リソグラフィ光源の露光波長の短波長化が進展している。現在、露光照明光として紫外域のi線（波長365nm）、KrFエキシマレーザ光（波長248nm），ArFエキシマレーザ光（波長193nm）、F2レーザ光（波長157nm）が実用化されている。さらに波長の短いEUV、軟X線などの光源の使用が予定されている。またスループット向上に対応する為、同じ波長域においてもより高出力な露光照明光が採用され続けられている。
【００１０】
光源部10から発せられた光束は、露光用照明光学系の筐体Aに入射する。筐体Aは、伝搬レンズ11及び12を有する。伝搬レンズ11及び12は、光源部10からの光束径が広がり過ぎないように設計されている。
【００１１】
本従来装置例では、筐体Aは、直筒の単純型の構成をしているが、実際には、光源部10だけが工場の地下空間に設置されたりする場合や、ミラーも含めた折り曲げ型の構成の場合もある。
【００１２】
伝搬レンズ12を通過した光束は、筐体Bに入射する。筐体Bは、光源部10からの平行光束を所望のビーム形状に整形し、かつ、インコヒーレント化するビーム整形光学系13と、ＮＤフィルタに代表されるような光源の光を減衰させる複数の減光率を持った光学部材で構成された光量調整を行う光量調整系14が配置されている。さらに第1位置検出手段15(15a,15b,15c)に光を導光するための切換ミラー16、第1位置検出手段伝播レンズ17が配置されている。露光工程の際、切換えミラー16は光束が筐体Cに入射するように切り換わる。第1位置検出手段15を使用する際、切換ミラー16は、第1位置検出手段15に光を導光するように切り換わる。なお露光装置の露光光量余裕があれば、切換ミラー16を構成せずに露光光の１部を切り出す構成でも問題ない。
【００１３】
筐体Bを射出した光束は、筐体Cに入射する。筐体Cは、光を集光するコンデンサーレンズ18と、ライトインテグレーター19を有し、光束の断面分布を均一化する。ライトインテグレーター19は、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。
【００１４】
さらに筐体Cは、ミラー20、コンデンサーレンズ21、照明方法切換手段22を有する。コンデンサーレンズ21は、ライトインテグレーター19をその前側焦点面に有し、一方、スリット開口面をその後側焦点面に持つ。従って、スリット開口面を集光ビームにより所定の有効光源、且つ、均一に照明することができる。照明方法切換手段22は、可動機構を有しており、露光用照明光学系と投影光学系7の開口数比σを変化させることが出来る。
【００１５】
筐体Cを射出した光束は、筐体Dに入射する。スリット開口面の近傍にはマスキングブレード23が配置されている。マスキングブレード23は、後述する筐体E内のマスキング結像系24及びコリメーターレンズ25により、原版1と光学的に共役な関係にある。マスキングブレード23は、プレート上のショットごとに必要な領域だけを露光する開口絞りの働きをする。
【００１６】
筐体Dを射出した光束は、筐体Eに入射する。筐体Eは、マスキング結像系24とコリメーターレンズ25を有する。マスキング結像系24は、マスキングブレード23が形成した開口形状からの光束を結像してコリメーターレンズ25に導光する。コリメーターレンズ25は、スリットを出た光束を平行光束にし、原版1面上の領域を均一に照明している。
【００１７】
原版1の焦点面位置検出手段として、斜入射方式の第2位置検出手段26が構成されている。第2位置検出手段26は原版1面（あるいは基準原版3面）に対して斜め方向から非露光光を照射し、原版1表面(あるいは基準原版3表面)から斜めに反射する反射光を検出する。第2位置検出手段26検出部には各反射光に対応した複数個の位置検出用の受光素子が構成されており、各位置検出受光素子の受光面と原版1の各光束の反射点がほぼ共役になるように配置されている。そのため投影光学系7の光軸方向による原版1（あるいは基準原版3）の位置ずれは、検出部内の位置検出用受光素子の位置ずれとして計測される。
【００１８】
基板4の焦点面位置検出手段として、斜入射方式の第3位置検出手段27が構成されている。第3位置検出手段27は投影光学系7によって原版1のパターンが転写される基板4面（あるいは基準基板5面）に対して斜め方向から非露光光を照射し、基板4表面(あるいは基準基板5表面)から斜めに反射する反射光を検出する。第3位置検出手段27の検出部には各反射光に対応した複数個の位置検出用の受光素子が構成されており、各位置検出受光素子の受光面と基板4の各光束の反射点がほぼ共役になるように配置されている。そのため投影光学系7の光軸方向による基板4（あるいは基準基板5）の位置ずれは、検出部内の位置検出用受光素子の位置ずれとして計測される。
【００１９】
しかし投影光学系7が露光熱を吸収したり、周囲の環境が変動したりすると、投影光学系7の焦点位置が変動し、斜入射方式の第3位置検出手段27の計測原点と焦点面に誤差が発生する。そのためこの原版1の焦点位置と基板4の焦点位置の誤差をキャリブレーションする為に第1位置検出手段15が搭載されている。
【００２０】
本発明者が先に提案した露光装置の構成では、第1位置検出手段15には3つの検出系、第１検出系15a、第2検出系15b、第3検出系15cが構成されている。（特許文献１、特許文献２参照）
各検出系15a、15b、15cは、任意の検出範囲で検出する為の駆動系を個々に構成している。第1検出系15a、第2検出系15bは、原版ステージ2の走査方向とほぼ直交する方向（図中X方向）に検出範囲を任意に移動させることが可能であり、前記第3検出系15cは、前記原版ステージの走査方向とほぼ平行な方向(図中Y方向)に検出範囲を移動させることが可能である。前記検出系を使用した検出を行う際、任意の検出系を1つ、あるいは複数あるいはすべてを選択することが可能である。また選択した検出結果によって位置を算出する際においても1つ、あるいは複数の検出結果を任意に選択することが可能である。第1検出系15a、第2検出系15bの検出範囲は露光光軸に対しほぼ対称に配置されている。第3検出系は、露光光軸上を検出可能である。各検出系15a、15b、15cは原版のパターンを基板に露光する際は、最大露光領域に干渉しない位置に待避する。あるいは最大露光領域に干渉しない位置に静止している。
【００２１】
前記検出系には、互いの検出系と干渉しないように複数の位置センサが構成されており、不図示の駆動制御手段によって制御されている。
【００２２】
第1位置検出手段15は、露光用照明光学系より露光光と実質同一の光を3光束切り出し各検出系15a、15b、15cに個々に導光している。3光束の分岐方法は、露光用照明光学系内で3光束に分岐し各検出系に導光する方法や、あるいは露光用照明光学系内で2光束に分岐し、前記2系統のうち1光束を第1位置検出手段15内部でさらに分岐し、3光束を各検出系に導光する方法、または露光用照明光学系から1光束で導入し、第1位置検出手段15内部で3光束に分岐し、各検出系に導光する方法等がある。
【００２３】
露光用照明光学系から第1位置検出手段15に導光する照明光学系は、ファイバー等のフレキシブルな光学系で導光、あるいはレンズ、ミラー等の光学系で導光しても良い。特に露光光としてKrFエキシマレーザ（λ=248ｎｍ）、ArFレーザ（λ＝193ｎｍ）、F２レーザ（λ＝158ｎｍ）等の短波長レーザを使用する露光装置では、露光光の減衰が高い為、不活性ガスでほぼ密閉された空間内を導光している。
【００２４】
各検出系15a、15b、15cには個別に不図示の減衰率を選択可能な減衰ガラスが構成されており、各検出系間の光量差を補正あるいは調整できるようにしてある。
【００２５】
第２の従来例を図３に示す。第２の従来例の第1位置検出手段15は、図３に指示するように、2つの検出系、第1検出系15a及び第2検出系15bが構成されている。
【００２６】
第1位置検出手段15は、実際の露光像面をX軸上の左右2点の計測値から推定する。2つの検出系15a,15bは露光光軸を含むX軸直線上に各々の検出範囲があり、第１検出系15a、第2検出系15bの検出範囲は、露光光軸に対しほぼ対称に構成されている。第1検出系15a、第2検出系15bは露光の際、露光光を遮光しないように待避駆動が行われ最大露光領域に干渉しない位置で待機している。
【００２７】
第1位置検出手段15に導光された光は、基準原版上の合焦マークの近傍を照明する。第１位置検出手段15内部にある少なくても1つ以上の光学系を検出光軸方向に駆動させ、第1位置検出手段15の検出焦点面を基準原版3の合焦マークに合わせる。次に前記斜入射方式の第3位置検出手段27であらかじめ設定している零近傍で基板ステージ6を光軸方向(Z方向)に上下駆動する。なお駆動の際、基準基板5は投影光学系7のほぼ真下に位置している。基準原版3の合焦マークを透過した光は投影光学系7を透過して基準基板5を照射する。基準基板5で反射した光は再度投影光学系7を透過し基準原版3を介して第1位置検出手段15の受光部に入射する。受光部に入射する光量を計測することにより基準原版3に対し基準基板5を合焦することができる。
【００２８】
第1位置検出手段15は、基準原版3と基準基板5の相互位置検出を行う位置検出手段も兼ねている。前記検出結果は、オフアクシス顕微鏡28のベースラインを算出する要素となっている。ベースラインとは基板を位置合わせするときのショット中心と露光するときのショット中心（投影光学系の光軸）間距離のことである。オフアクシス顕微鏡28は非露光光を使用した非TTL(Through The Lens)顕微鏡である。
【００２９】
前記オフアクシス顕微鏡28は、基板4上のアライメントマークの位置を検出する顕微鏡である。
【００３０】
従来のオフアクシス顕微鏡28のベースライン計測の実施例を示す。
【００３１】
本計測を行うに際し、第1位置検出手段15の各検出系15a,15b,15cの少なくても１つ以上の検出系を露光工程時の待機位置から各検出系の検出範囲に駆動する。基準原版3にデザインされている原版基準マークを原版ステージ2の駆動により検出範囲に移動する。基準基板5にデザインされている基板基準マークを基板ステージ6の駆動により検出範囲に移動する。
【００３２】
原版基準マークと基板基準マークの相対ずれ量を第1位置検出手段15の少なくても１つ以上の検出系によって検出する。(第1工程)第１工程完了後、基準基板マークをオフアクシス顕微鏡28の検出範囲に移動する。基準基板マークとオフアクシス顕微鏡28に固設されている顕微鏡基準マークの相対ずれ量を検出する。（第2工程）第1工程と第2工程の検出結果によりオフアクシス顕微鏡28のベースラインを算出し、オフアクシス顕微鏡28のベースライン補正を行う。ベースライン補正後、第1位置検出手段15の検出系は、露光工程時の待機位置に退避する。
【特許文献１】特開2004-193160号公報
【特許文献２】特開2004-273861号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
昨今、半導体集積回路等の製造工程において、装置全体のスループット向上のために各種検出装置の検出処理時間の高速化が求められている。
【００３４】
従来の技術では、第1位置検出手段の各検出系において露光工程時の待機位置は、露光光が透過しうる最大領域外に設定することが常であった。
【００３５】
しかし検出処理時間の高速化のために、各検出系の駆動時間の短縮が急務となっており、各検出系の露光工程時の待機位置を見直すことが求められている。
【００３６】
本発明は、上記のような問題点を踏まえ為されたもので、スループットにおける検出処理時間のウェイトを短縮することで高スループットの露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３７】
請求項１記載の発明によれば、所定の露光光で原版を照明する露光用照明光学系と、前記原版上パターンを基板上に投影する投影光学系と、原版あるいは基板の位置検出を行う位置検出手段を有する露光装置において、前記露光用照明光学系は、露光領域を可変できる開口絞りを有し、前記位置検出手段は個々に駆動機構を有する複数の検出系で構成され、前記開口絞り形状に応じた露光工程時の待機位置あるいは非計測時の待機位置を有し、前記検出系を駆動することを特徴としている。
【００３８】
本発明によれば、従来最大露光領域に干渉しない位置に設定されていた位置検出手段に構成される各検出系の露光工程時の待機位置を、マスキングブレードで遮光される最内範囲に設定することができ、位置検出手段の駆動距離を短縮することができる。
【００３９】
請求項２記載の発明によれば、所定の露光光で原版を照明する露光用照明光学系と、前記原版上パターンを基板上に投影する投影光学系と、原版あるいは基板の位置検出を行う位置検出手段を有する露光装置において、前記露光用照明光学系は、露光用照明光学系と投影光学系の開口数比σを変えることのできる照明方法切換手段を有し、前記位置検出手段は個々に駆動機構を有する複数の検出系で構成され、前記開口数比σに応じた露光工程時の待機位置あるいは非計測時の待機位置を有し、前記検出系を駆動することを特徴としている。
【００４０】
照明方法切換手段によって開口数比σが変化すると露光光束の傾きが変化する。本発明によれば、変化する露光照明系の光束の傾きに応じて、位置検出手段の露光工程時の待機位置を設定することが出来、位置検出手段の駆動距離を短縮することができる。
【００４１】
請求項３記載の発明によれば、所定の露光光で原版を照明する露光用照明光学系と、前記原版上パターンを基板上に投影する投影光学系と、原版あるいは基板の位置検出を行う位置検出手段を有する露光装置において、前記位置検出手段に構成される複数の検出系は、露光領域と開口数比σの組み合わせに応じて、露光工程時の待機位置あるいは非計測時の待機位置を有し、前記検出系を駆動することを特徴としている。
【００４２】
本発明によれば、様々な露光領域、開口数比σに応じて、位置検出手段に構成される複数の検出系の待機位置が設定できるため、最もスループット向上に寄与する露光工程時の待機位置を設定することが出来る。
【００４３】
請求項４記載の発明によれば、前記位置検出手段の検出系は、所定の検出を終了した後、即座に露光工程時の待機位置に戻ることを特徴としている。
【００４４】
本発明によれば、検出系は検出後、即座に待機位置へ退避するため、検出系位置による温度勾配等の変動要因の影響を軽減できる。
【００４５】
請求項５記載の発明によれば、前記位置検出手段の検出系は、待機位置に応じて各検出系の観察位置オフセットを有することを特徴としている。
【００４６】
製造工程に応じて待機位置が異なる場合、待機位置によって位置検出手段内の温度分布の影響等により各検出系の観察位置オフセットが変動する可能性がある。本発明によれば、待機位置に応じて観察位置オフセットを設定できるため、前記懸念点を解消することが出来る。
【発明の効果】
【００４７】
本発明の露光装置によれば、第１位置検出手段の各検出系の待機位置を露光領域、開口比σに応じて設定することが可能であるため、各検出範囲までの駆動距離において無駄な駆動範囲が消去され、検出処理時間を短縮することが可能である。
【００４８】
各検出系の駆動時間が短縮することにより、駆動によって発生する熱要因も低減される。例えば、ベースライン計測や、焦点位置検出において、駆動熱により発生していた熱要因誤差である。
【００４９】
また本発明者が、特願2002-355685において提言したベースライン計測時間の短縮においても、待機位置がより検出領域に近づくことにより、特願2002-355685の発明の効果をより享受できることになる。
【００５０】
各検出系は位置検出後、即座に待機位置に戻るため、第１位置検出手段の温度勾配等の変動影響を低減することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
本発明の露光装置の配置構成は、第１位置検出手段15の待機位置に関する箇所以外は従来装置と同様である。
【００５２】
本発明の露光装置には、第1位置検出手段15に３つの検出系、第１検出系15a、第2検出系15b、第3検出系15cが構成している。
【００５３】
各検出系15a、15b、15cは、任意の検出範囲で検出する為の駆動系を個々に構成されている。第1検出系15a、第2検出系15bは、原版ステージ2の走査方向とほぼ直交する方向（図中X方向）に検出範囲を任意に移動させることが可能であり、前記第3検出系15cは、前記原版ステージの走査方向とほぼ平行な方向(図中Y方向)に検出範囲を移動させることが可能である。前記検出系を使用した検出を行う際、任意の検出系を1つ、あるいは複数あるいはすべてを選択することが可能である。また選択した検出結果によって位置を算出する際においても1つ、あるいは複数の検出結果を任意に選択することが可能である。第1検出系15a、第2検出系15bの検出範囲は露光光軸に対しほぼ対称に配置されている。第3検出系15cは、露光光軸上を観察可能である。
【実施例１】
【００５４】
本発明の第１の実施例を以下に記載する。
【００５５】
本発明の露光装置において各検出系15a、15b、15cは原版のパターンを基板に露光する露光工程時は、露光用照明光学系内に構成されているマスキングブレード23の幅に応じて露光工程時の各待機位置を設定することができる。
【００５６】
図４はマスキングブレードが完全に開放された状態の各検出系15a,15bの待機位置を示している。図１は、コンタクトホールの露光工程等でマスキングブレードが狭められている状態の各検出系15a,15bの待機位置を示している。図１,図４において、発明の要旨を分かりやすくするために検出系15cを削除している。
【００５７】
図１に示すように、マスキングブレードによって露光光束が狭められているような露光工程では、ベースライン観察像高30で第１位置検出手段15の検出系15a,15bが待機していても露光光束29を遮光しない。したがってベースライン計測において第1位置検出手段15の駆動が省かれる。
【００５８】
図１のように待機位置がベースライン計測像高30でなくても、マスキングブレードの開口に応じて第1位置検出手段15の待機位置が設定できるので、計測後に待機位置へ戻る駆動距離を短くすることが可能である。また待機位置から計測位置に駆動する際も駆動距離を短くできることは勿論である。
【００５９】
図７は、本実施例における検出系15a,15b,15cの駆動機構の駆動時間と駆動周波数の関係を示したものである。図７より本実施例の駆動シーケンスを明確にする。各検出系の駆動シーケンスは、台形駆動である。駆動終了から計測シーケンスに入る間には所定の静定時間が設定されており、基準マーク等の計測マークを静止状態で計測できる。なお本発明において、駆動シーケンスを自起動駆動、Ｓ字駆動等の各種駆動シーケンスを設定することは可能である。
【００６０】
図８は本実施例における検出系15a,15b,15cの駆動機構の駆動時間と駆動距離の関係を示したものである。図８により本発明の効果を明確にする。駆動開始時と停止前は、所定時間の加速駆動であり、その間は等速駆動である。駆動距離が短縮されることにより、等速駆動部分の駆動距離が短縮される。結果、全駆動時間が短縮されることが図８より明白である。図８により言い換えれば、従来の装置よりも駆動距離ΔX短縮されているので、Δtの時間の短縮が可能である。
【００６１】
ベースライン計測だけでなく、第1位置検出手段15を使用するフォーカス計測等の種々の計測においても同様の効果を享受できる。
【実施例２】
【００６２】
本発明の第２の実施例を以下に記載する。
【００６３】
本発明の露光装置において各検出系15a、15b、15cの待機位置は、露光用照明光学系内に構成されている照明方法切換手段22によって設定される露光用照明光学系と投影光学系の開口数比σに応じて設定することができる。
【００６４】
照明方法切換手段22は露光用照明光学系の瞳面近傍に構成されおり、ターレット状の円板を有している。前記円板には、複数の開口数比σが設定できるように同心円上に複数の絞りがデザインされていて、ターレットを回転させることにより任意の開口数比σを選択できる。
【００６５】
図５は開口数比σが小さい場合の第１位置検出系15の検出系15a,15bの待機位置を示している。図６は開口数比σが大きい場合の第１位置検出系15の検出系15a,15bの待機位置を示している。図５,図６において、発明の要旨を分かりやすくするために検出系15cを削除している。
【００６６】
図５,図６で明らかなように、開口数比σによって光束の傾きが変化する。本発明の露光装置では開口数比σに応じた検出系の待機位置を設定することで検出系の駆動距離を削減することが可能である。
【００６７】
半導体集積回路等の製造工程において、露光領域と開口数比σは同時に設定されることが多い。したがって第１の実施例と第２の実施例を個々に設定するのでなく、露光領域と開口数比σが設定されている製造工程に応じて各検出系15a,15bの待機位置を設定することでより大きな効果を期待できる。
【００６８】
さらに本発明の露光装置において、各検出系は位置検出後、その場で待機せずに即座に待機位置に戻るシーケンスとなっている。なぜならば、各検出手段の駆動部が移動することにより、第１位置検出手段15内部の物体の位置が変化し、内部の温度分布に変化が生じる。結果、各検出系の位置が変動しベースライン誤差の要因になるからである。よって本発明の露光装置では、位置検出後は即座に待機位置に戻り、内部の温度変動の影響を軽減させている。
【００６９】
本発明の露光装置には、各検出系の待機位置に応じて各検出系の観察位置オフセットが設定されている。
【００７０】
本発明の露光装置ではマスキングブレードに応じた待機位置を設定しているため、待機位置に応じて、第１位置検出手段15の内部の熱分布等が変動する可能性がある。前記熱分布が変動すると、第１位置検出手段15の熱変動を生じさせ第１位置検出手段15の各検出系の観察位置オフセットが変化する。本発明の露光装置では、最大露光領域での待機位置の観察位置オフセット値を基準に任意の待機位置での観察位置オフセット値を設定している。
【００７１】
本発明の露光装置において、特にスループットが厳しくない露光工程や、露光領域、開口比σが極めて短期間に変化するような工程においては、ノミナル値を最大露光領域での待機位置に固定し運用できる設定も可能である。またはクリティカル工程において、微小なベースライン変動の影響を受ける場合においても、待機位置を任意の位置に固定することは有効である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】露光領域が狭い場合の第1位置検出手段待機位置図
【図２】第1の従来の露光装置の概略図
【図３】第２の従来の露光装置の概略図
【図４】露光領域が広い場合の第1位置検出手段待機位置図
【図５】照明方法（σが小さい場合）の第1位置検出手段待機位置図
【図６】照明方法（σが大きい場合）の第1位置検出手段待機位置図
【図７】検出系の駆動機構の駆動時間と駆動周波数との関係を示すグラフ
【図８】本発明の効果の概要グラフ
【符号の説明】
【００７３】
1  原版
2  原版ステージ
3  基準原版
4  基板（ウェハ）
5  基準基板
6  基板ステージ
7  投影光学系
8  レーザ干渉計
9  移動鏡
10  光源部
11  伝播レンズ
12  伝播レンズ
13  ビーム整形光学系
14  光量調整系
15  第1位置検出手段15
15a  第１検出系
15b  第２検出系
15c  第３検出系
16  切換ミラー
17  第1位置検出手段伝播レンズ
18  コンデンサーレンズ
19  ライトインテグレーター
20  ミラー
21  コンデンサーレンズ
22  照明方法切換手段
23  マスキングブレード
24  マスキング結像系
25  コリメーターレンズ
26  第2位置検出手段
27  第3位置検出手段
28  オフアクシス顕微鏡
29  露光光束
30  ベースライン観察像高
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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