(57)【要約】【課題】所望の波長における放射ビームが、わずかな吸収または減衰で、または吸収または減衰なしにまたは所望の許容範囲内の減衰で透過させることのできる電気光学変調器を含むシステムおよび方法を提供すること。【解決手段】光学素子および電場発生器を有しており、この電場発生器は、上記光学素子に加えられる電場を発生させ、加えられたこの電場により、光学素子の少なくとも１つの方向において屈折率が変化するようにし、上記光学素子が、１５５ナノメートル以上の波長を有する実質的にすべての放射ビームを透過するようにしたことを特徴とするシステムを構成する。【選択図】図１
2006126838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子および電場発生器を有しており、
該電場発生器は、前記光学素子に加えられる電場を発生させ、当該の加えられた電場により、光学素子の少なくとも１つの方向にて屈折率が変化するようにし、
前記光学素子が、１５５ナノメートル以上の波長を有する実質的にすべての放射ビームを透過するようにしたことを特徴とする
システム。
【請求項２】
前記光学素子は三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）を含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの振幅変調が行われる、
請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの位相変調が行われる、
請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームのビームステアリングが行われる、
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの線形な変調が行われる、
請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの非線形な変調が行われる、
請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの強度プロファイルが変更される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの偏光が変更される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
さらに
放射ビームを出力する照明システムと、
該放射ビームをパターニングするパターン発生器と、
パターニングされた当該放射ビームを加工物のターゲットに投影する投影システムとを有しており、
前記光学素子は、当該投影システムの画像面またはひとみ面のうちの１つに位置付けられている、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
さらに前記光学素子によって形成される出力ビームを制御する制御システムを含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記制御システムは、
前記出力ビームを受光して、ここから制御信号を形成する検出器と、
該検出器と前記電場発生器との間に結合されたフィードバックループとを有しており、
該フィードバックループにより、前記の制御信号が電場発生器に伝送される、
請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
（ａ）  光学素子を通して１５５ナノメートル以上の波長を有する放射ビームを透過させ、
（ｂ）  電場を発生させ、
（ｃ）  当該電場を前記光学素子に加え、
（ｄ）  ステップ（ｃ）を使用して前記光学素子の少なくとも１つの方向にて屈折率を変化させることを特徴とする
方法。
【請求項１４】
さらに前記光学素子を三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）として準備する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの振幅変調を行う、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの位相変調を行う、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームのビームステアリングを行う、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの線形な変調を行う、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの非線形な変調を行う、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの強度プロファイルを変更する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの偏光を変更する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
さらに
（ｅ）  パターン発生器を使用して放射ビームをパターニングし、
（ｆ）  投影システムを使用して、当該のパターニングされた放射ビームを加工物のターゲットに投影し、
（ｇ）  当該投影システムの画像面またはひとみ面のうちの１つに前記光学素子を位置付けることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
さらに
（ｅ）  制御システムを使用して、前記の光学素子によって形成された出力ビームを制御する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
ステップ（ｅ）は、
（ｅ１）  前記出力ビームを検出し、
（ｅ２）  制御信号を形成し、
（ｅ３）  該制御信号を前記ステップ（ｂ）に使用することを含む、
請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ステップ（ａ）は、前記光学素子を通して、１５５ナノメートル以上の波長を有する実質的にすべてのビームを透過させることを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項２６】
三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）からなる光学素子および電場発生器を有しており、
該電場発生器により、前記光学素子に加えられる電場を発生させ、当該の加えられた電場により、光学素子の少なくとも１つの方向にて屈折率が変化するようにしたことを特徴とする
システム。
【請求項２７】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの振幅変調が行われる、
請求項２６に記載のシステム。
【請求項２８】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの位相変調が行われる、
請求項２６に記載のシステム。
【請求項２９】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームのビームステアリングが行われる、
請求項２６に記載のシステム。
【請求項３０】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの線形な変調が行われる、
請求項２６に記載のシステム。
【請求項３１】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの非線形な変調が行われる、
請求項２６に記載のシステム。
【請求項３２】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの強度プロファイルが変更される、
請求項２６に記載のシステム。
【請求項３３】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの偏光が変更される、
請求項２６に記載のシステム。
【請求項３４】
（ａ）  三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）からなる光学素子を準備し、
（ｂ）  電場を発生させ、
（ｃ）  当該電場を前記光学素子に加え、
（ｄ）  ステップ（ｃ）を使用して前記光学素子の少なくとも１つの方向にて屈折率を変化させることを特徴とする
方法。
【請求項３５】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの振幅変調を行う、
請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの位相変調を行う、
請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームのビームステアリングを行う、
請求項３４に記載の方法。
【請求項３８】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの線形な変調を行う、
請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの非線形な変調を行う、
請求項３４に記載の方法。
【請求項４０】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの強度プロファイルを変更する、
請求項３４に記載の方法。
【請求項４１】
前記の屈折率の変化により、前記放射ビームの偏光を変更する、
請求項３４に記載の方法。
【請求項４２】
さらに
（ｅ）  パターン発生器を使用して放射ビームをパターニングし、
（ｆ）  投影システムを使用して、当該のパターニングされた放射ビームを加工物のターゲットに投影し、
（ｇ）  当該投影システムの画像面またはひとみ面のうちの１つに前記光学素子を位置付ける、
ことを含む、
請求項３４に記載の方法。
【請求項４３】
さらに
（ｅ）  制御システムを使用して、前記の光学素子によって形成された出力ビームを制御する、
請求項３４に記載の方法。
【請求項４４】
ステップ（ｅ）は、
（ｅ１）  前記出力ビームを検出し、
（ｅ２）  制御信号を形成し、
（ｅ３）  該制御信号を上記のステップ（ｂ）に使用することを含む、
請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記ステップ（ａ）は、前記光学素子を通して、１５５ナノメートル以上の波長を有する実質的にすべてのビームを透過させることを含む、
請求項３４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学変調器を利用するシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学変調器は、例えば、線形および非線形の振幅変調および位相変調、強度プロファイル変調（light intensity profile modulation）、偏光制御、ビームステアリングなどを行うため、多くのシステムに使用されている。電気光学変調器を有するシステムに使用される放射の波長は、絶えず短くなるため、強度効率（intensity efficiency）も絶えず低下する。所定の波長においては、実質的にすべての放射が、電気光学変調によって吸収されてしまう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の課題は、所望の波長における放射ビームが、わずかな吸収または減衰で、または吸収または減衰なしにまたは所望の許容範囲内の減衰で透過させることのできる電気光学変調器を含むシステムおよび方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記のシステムに関する課題は、本発明の請求項１または請求項２６によって解決され、上記の方法に関する課題は、本発明の請求項１３または請求項３４によって解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
本発明の１実施形態では、光学素子および電場発生器を含むシステムが提供される。この電場発生器は、光学素子に加えられる電場を発生させ、この加えられた電場により、光学素子の少なくとも１つの方向における屈折率を変化させる。
【０００６】
１実施例では上記の光学素子は、１５５ナノメートル以上の波長を有する実質的にすべての放射ビームを透過させる。
【０００７】
１実施例では上記の光学素子は、三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）からなる。
【０００８】
本発明のシステムの１実施形態では、さらに放射ビームを出力する照明システムと、この放射ビームをパターニングするパターン発生器と、パターニングされたこの放射ビームを加工物のターゲットに投影する投影システムとを有しており、上記光学素子は、この投影システムの画像面またはひとみ面のうちの１つに位置付けられている。
【０００９】
本発明の別の実施形態ではつぎのようなステップ、すなわち（ａ）光学素子を通して、所望の波長における実質的にすべての放射ビームを透過させるステップと、（ｂ）電場を発生させるステップと、（ｃ）この電場を上記光学素子に加えるステップと、（ｄ）ステップ（ｃ）を使用して、光学素子の少なくとも１つの方向において屈折率を変化させるステップとを有する方法が提供される。
【００１０】
１実施例では、この方法は、三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）からなる光学素子を使用するステップも含んでいる。
【００１１】
本発明の方法の１実施形態では、さらに（ｅ）パターン発生器を使用して放射ビームをパターニングし、（ｆ）投影システムを使用して、このパターニングされた放射ビームを加工物のターゲットに投影し、（ｇ）この投影システムの画像面またはひとみ面のうちの１つに上記光学素子を位置付けるステップを含む。
【００１２】
本発明の別の実施形態、機能および利点ならびに本発明のさまざまな実施形態の構造および動作を添付の図面に関連して以下に詳しく説明する。
【００１３】
ここに組み込まれており、本明細書の一部をなす添付の図面は、本発明の１つ以上の実施形態を示しており、ここの説明と共に、本発明の基本的な考え方を説明し、また当業者が本発明を実施し使用できるようにするためのものである。
【実施例】
【００１４】
本発明を以下、添付の図面を参照して説明する。図面において類似の参照符号は、同じまたは機能的に同じ素子を示すことができる。また参照符号の最も左の数字は、この参照符号が最初に現れた図面を示すことがある。
【００１５】
特定の構成および配置構成について述べるが、これは説明のためだけにそのようにしたことを理解されたい。当業者は、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、別の構成および配置構成を使用できることがわかるはずである。また当業者に明らかであるのは、本発明が別の多くの応用にも使用できることである。
【００１６】
本発明の実施形態によって提供されるのは、光学素子を利用するシステムおよび方法であり、ここでこの光学素子は電場を受け取り、この電場はこの光学素子内の少なくとも１つの方向において屈折率を変化させる。屈折率の変化は、光学素子を通る放射ビームを変化させる。この光学素子を形成する材料は、さまざまな特性を示し、所望の波長を有する複数の波長が、例えば、約１５５ナノメートル以上の放射が、わずかな吸収または減衰で、または吸収または減衰なしに上記の光学素子を通して伝送される。１実施例において光学素子は三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）から構成される。
【００１７】
ここの説明において「わずかな吸収または減衰で、または吸収または減衰なしに」とは、別に定めない限り、約２０％以下の吸収または減衰のことである。吸収または減衰に対する正確な許容範囲は、アプリケーション固有とすることができ、本発明の範囲内では別の範囲も考えられる。
【００１８】
ここの説明において「短い波長」とは、極紫外（ＥＵＶ extreme ultraviolet）またはＤＵＶ（deep ultra violet）の範囲の光ビームのことであり、例えば、少なくとも約１５５ナノメートル以上である。しかしながらこの範囲よりも上にあるまたは下にある別の波長範囲も本発明の範囲内で考えることができる。
【００１９】
電気光学変調器の例
図１，２および３は、所望の波長特性を示す電気光学変調器を形成する、本発明のさまざまな実施形態によるさまざまなシステム１００，２００および３００を示している。
【００２０】
図１は、電場発生器１０４からの電場Ｅを受け取る光学素子１０２を含むシステム１００を示している。電場Ｅは、例えば、以下に示す光学素子１０２を通る放射ビーム１０６の伝搬方向に対して垂直である。光学素子１０２の１コーナは、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向における光学素子１０２の向きを示している。光学素子１０２に電場Ｅを加えることによって電気光学変調器が形成され、この実施形態においてこの電気光学変調器は、ビーム１０６を振幅変調して振幅変調出力ビーム１０８を形成するために使用可能である。ｘ′およびｚ方向に沿ったビーム１０６の成分の波面または位相は、加えられる電場Ｅを介してこれらの方向において屈折率を変化させることによって変調される。
【００２１】
１実施例では、はじめのうち矢印１１０によって示したように偏光されていたビーム１０６の偏光は、偏光器１１２を使用することによって変わり、この偏光器により、出力ビーム１０８は矢印１４の方向を向く。偏光器１１２を図示のように配向する場合、ビーム１０６の強度は、電場発生器１０４によって制御される入射偏光（incident polarization）に依存して変化することになる。
【００２２】
この実施形態においてシステム１００は、横方向電気光学振幅変調器である。縦方向振幅変調器として動作する択一的な実施形態のシステム１００も作製し得ることに注意されたい。
【００２３】
１実施例においてシステム１００は、検出器１２０およびフィードバックパス１２２を含む制御システムも含んでいる。出力ビーム１０８は検出器１２０において受光され、この検出器は、フィードバックパス１２２を介して電場発生器１０４に伝送される制御信号１２４を生成する。この実施例において、出力ビーム１０８は、所望の許容範囲になるまで調整することができる。
【００２４】
図２は、電場発生器２０４からの電場Ｅを受け取る光学素子２０２を含むシステム２００を示している。電場Ｅは、光学素子２０２を通る放射ビーム２０６の伝搬方向に対して平行である。光学素子２０２の１コーナは、Ｘ，ＹおよびＺ方向における光学素子２０２の向きを示している。光学素子２０２に電場Ｅを加えることによって電気光学変調器が形成され、この電気光学変調器はこの実施形態においてビーム２０６を位相変調するために使用可能であり、これによって位相変調された出力ビーム２０８が形成される。
【００２５】
この実施形態では、光学素子２０２を配向して、直線偏光されたビーム２０６が、誘導された２つの複屈折軸間で均等に分割されるようにするのではなく、ビーム２０６は、偏光器２１６を使用して１つの軸に沿って入射する。電場を発生させる電圧源２０４は、光学素子２０２内で屈折率を変化させ、これによって位相変調が得られる。
【００２６】
１実施例においてシステム２００は、検出器２２０およびフィードバックパス２２２を含む制御システムも含んでいる。出力ビーム２０８は検出器２２０において受光され、この検出器は、フィートバックパス２２２を介して電場発生器２０４に転送される制御信号２２４を生成する。この実施例において出力ビーム２０８は、所望の許容範囲になるまで調整することができる。
【００２７】
図３は、第１部分３０２Ａおよび第２部分３０２Ｂを含む光学素子３０２（例えば、第１および第２プリズムまたは類似のもの）を含むシステム３００を示しており、これは電場発生器３０４から電場Ｅを受け取る。１実施例において結晶３０２の２つのくさび３０２Ａおよび３０２Ｂは、結晶軸を逆向きにして互いに結合されている。この例では、電場Ｅの方向は、光学素子３０２を通る放射ビーム３０６の伝搬方向を基準にして変化する。Ｘ，ＹおよびＺ方向における光学素子３０２の向きは、光学素子３０２の隣りに示されている。電場Ｅを光学素子３０２に加えることによって電気光学変調器が得られ、この電気光学変調器はこの実施形態においてビーム３０６をステアリングするために使用可能であり、これによってビーム３０６を基準にして角度θの方向に伝搬する出力ビーム３０８が形成される。
【００２８】
１実施例においてシステム３００は、検出器３２０およびフィードバックパス３２２を含む制御システムも含んでいる。出力ビーム３０８は、検出器３２０において受光され、この検出器は、フィードバックパス３２２を介して電場発生器３０４に転送される制御信号３２４を形成する。この実施例では出力ビーム３０８は、所望の許容差になるまで調整することができる。
【００２９】
図４は、本発明の１実施形態にしたがった電気光学変調器に使用される材料の単斜晶系クラスの対称群表記ｍｍ２に対する電気光学テンソルの形を示している。この実施形態において丸を付けた成分（ｒ１３，ｒ２３，ｒ３３，ｒ４２およびｒ５１）はゼロでない要素である。このテンソルにおいてゼロでない要素がある場合、これらの特性を有する材料は電気光学的な効果を示す。
【００３０】
再度図３を参照すると、ここの実施形態では光学素子３０２（例えば電気光学結晶）が使用されてビーム３０６が偏向される。上述のように１実施例では結晶３０２の２つのくさび３０２Ａおよび３０２Ｂは、結晶軸が逆向きで互いに結合されている。電場発生器３０４を使用して２つの結晶３０２Ａおよび３０２Ｂに電圧を加えることによって、２つの結晶３０２Ａおよび３０２Ｂの各々の屈折率を互い他に対して変化させることができ、これにより、偏向された出力ビーム３０８が得られる。結晶３０２Ａおよび３０２Ｂを通る偏向角（θ）はつぎに依存する。すなわち、（１）図４に示されており、また上述したように、使用される電気光学テンソル成分の大きさ（例えば結晶の向き）、（２）電場発生器３０４によって加えられる電圧、（３）結晶３０２のサイズに依存する。
【００３１】
電気光学変調器についての物理学を教授する例示的な参考文献は、Amnon YarivによるQuantum Electronics、発行者John Wisley & Sons, ISBN:0-471-97176-6の第１４章であり、ここではその全体を参考として組み込む。
【００３２】
１実施例では、光学素子１０２，２０２および／または３０２は、図４に示した特性を有する結晶材料である。例えば、使用可能な１結晶材料は、リトアニアのヴィリニュスにあるEKSMA社によって製造されている三ホウ酸リチウム（ＬｉＢ３Ｏ５）（ＬＢＯ）である。別の実施例ではリン酸二水素カリウム（ＫＨ２ＰＯ４）またはリン酸二水素アンモニウム（ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４）を使用することができ、これらはＬＢＯと類似の電気光学的特性を示すが、ＬＢＯよりも透過効率が低い。
【００３３】
上記の実施形態において電気光学変調器は、線形の電気光学効果を使用しており、これは、加えられる電場に起因して光学素子（例えば結晶）の方向が異なれば屈折率が変わることから得られる。このような効果は、反転対称性を有しない結晶においてのみ存在する。このことは、結晶の異方性の変化を表す屈折率の楕円体（index of ellipsoid）の式で表すことができ、ここでこれは電場による結晶の異方性の変化を表す。式１は、結晶において任意に選択した直交座標系についての屈折率の楕円体の式に対する一般的な形を示しており、
【００３４】
【数１】
2006126838.tif 000003
である。
【００３５】
ここでｎは、使用した材料に対する屈折率に対する定数である。
【００３６】
加えた電場（Ｅ）に起因する屈折率（ｎ）の変化は、つぎの式２のように行列の形で表すことができる。すなわち、
【００３７】
【数２】
2006126838.tif 000004
である。
【００３８】
この表現における第２の行列は、図１，２，３および４について上述した電気光学テンソルである。上で述べたようにゼロでない要素がこのテンソルにある場合、この材料は電気光学的な効果を示す。
【００３９】
ふつうは座標系を決定して、電場が加えられている際に式１がつぎのように式３に簡約されるようにする。すなわち、
【００４０】
【数３】
2006126838.tif 000005
である。
【００４１】
電気光学テンソルの正確な性質に依存して、加えられる電場に対する方向を決定することができ、この方向によって垂直方向における屈折率の変化が発生する。したがって電圧に依存する屈折率によって、垂直方向において入射電場成分間にリターディションが発生するため、この電気光学変調器が動作するのである。選択した方向は、関心対象の結晶の対称性に依存する。上記のリターディションは、加えられる電圧と、対応する電気光学テンソル成分とに比例する。この有効作用は、２つの方向の間の位相差を変化させる電圧を形成することであり、これはさまざまな応用に対して使用可能である。１実施例では電圧を加えて、位相差がπより小さく、直線偏光のビームを楕円偏光のビームに変えることができる。別の実施例では、位相差がπの場合、入射する直線偏光のビームは、９０度回転され、直線偏光のままである。
【００４２】
例示的な動作
図５は本発明の１実施形態による方法５００を示す流れ図である。方法５００は、システム１００，２００，および／または３００または別の類似のシステムの動作中に使用可能である。
【００４３】
ステップ５０２では、光学素子を通して所定の波長（例えば１５５ナノメートル以上）を有する実質的にすべての放射ビームを透過させる。ステップ５０４では電場を発生させる。ステップ５０６では光学素子に電場が加えられる。ステップ５０８においてこの電場は、光学素子の少なくとも１つの方向において屈折率を変えるために使用され、透過するビームは、変調され、ビームステアリングまたは類似のことが行われる。
【００４４】
光学素子に対しては公知の多くの使用法があり、これらは変調、ビームステアリングなどを行うことができる。例えば、さまざまなタイプのマスクベースまたはマスクレスのリソグラフィシステムがある。
【００４５】
例示的な環境：リソグラフィ
図６，７および８は、本発明のさまざまな実施形態による電気光学変調器を有するさまざまなリソグラフィシステム６００，７００および８００を示している。例えば、システム１００，２００および／または３００から形成される電気光学変調器は、リソグラフィシステム６００／７００／８００に使用される放射の波長が約１５５ナノメートル以上の場合に使用可能である。これらのシステムでは、照明システム６０２／７０２／８０２からの放射は、パターン発生器６０４／７０４／８０４を照明して、パターニングされたビームを形成する。このビームは、投影システム６０８／７０８／８０８を介してパターン発生器６０４／７０４／８０４から加工物６０６／７０６／８０６に配向される。
【００４６】
種々異なる実施形態において加工物６０６／７０６／８０６は基板、ウェーハ、フラットパネルディスプレイ、プリントヘッド、マイクロまたはナノ流体装置（micro or nano-fluid device）などであるが、これらに限定されるわけではない。
【００４７】
公知のように照明システム６０２／７０２／８０２は、光源６１０／７１０／８１０および照明光学系６１２／７１２／８１２を含んでおり、またパターン発生器は光学系６１４／７１４／８１４を有することができる。これらの光学系の一方または両方は１つ以上の光学素子（例えば、レンズ、ミラーなど）を含むことができる。
【００４８】
種々異なる実施形態において、当業者には明らかになるようにパターン発生器６０４／７０４／８０４は、マスクベースまたはマスクレスのパターン発生器とすることができる。マスクベースまたはマスクレスのシステムは、リソグラフィ、フォトリソグラフィ、マイクロリソグラフィまたは液浸リソグラフィシステムに関連づけることができる。
【００４９】
例えば図１〜５に関連して上に示して説明した電気光学変調器の使用に依存して、この変調器をリソグラフィシステム６００／７００／８００のさまざまな部分に配置することができる。
【００５０】
結論
上では本発明のさまざまな実施形態について述べたが、これらは例示のために示したのであり、制限のためでないことを理解されたい。本発明の精神および範囲を逸脱することなく形態および詳細においてさまざまな変更を行い得ることは当業者には明らかであろう。したがって本発明の範囲は、上記の例示的な実施形態のいずれによっても制限されるべきでなく、以下の請求項およびそれと同等のものだけにしたがって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】所望の特性を示す電気光学変調器を形成する、本発明の１実施形態によるシステムを示す図である。
【図２】所望の特性を示す電気光学変調器を形成する、本発明の別の１実施形態によるシステムを示す図である。
【図３】所望の特性を示す電気光学変調器を形成する、本発明のさらに別の１実施形態によるシステムを示す図である。
【図４】本発明の１実施形態による電気光学変調器に使用される材料のｍｍ２単斜晶系対称クラスに対する電気光学テンソルの形を示す図である。
【図５】本発明の１実施形態による方法を示す流れ図である。
【図６】本発明の１実施形態による電気光学変調器を有するリソグラフィシステムを示す図である。
【図７】本発明の別の１実施形態による電気光学変調器を有する別のリソグラフィシステムを示す図である。
【図８】本発明のさらに別の１実施形態による電気光学変調器を有するさらに別のリソグラフィシステムを示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１００，２００，３００  システム、  １０２，２０２，３０２  光学素子、  １０４，２０４，３０４  電場発生器、  １０６，２０６，３０６  放射ビーム、  １０８  振幅変調出力ビーム、  １１２  偏光器、  １２０，２２０，３２０  検出器、  １２２，２２２，３２２  フィードバックパス、  １２４，２２４，３２４  制御信号、  ２０８  位相変調出力ビーム、  ３０２Ａ  第１部分（くさび）、  ３０２Ｂ  第２部分（くさび）、  ３０８  出力ビーム、  ６００，７００，８００  リソグラフィシステム、  ６０２，７０２，８０２  照明システム、  ６０４，７０４，８０４  パターン発生器、  ６０６，７０６，８０６  加工物、  ６１０，７１０，８１０  光源、  ６１２，７１２，８１２  照明光学系、  ６１４，７１４，８１４  光学系、  Ｅ  電場
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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