(57)【要約】【課題】  配線金属膜の表面を酸化や汚染などのダメージから保護し、その後の平坦化工程をより容易しつつ、配線を形成できるようにする。【解決手段】  絶縁膜内に配線用凹部４２を形成し表面をバリア膜４４で覆った基板Ｗを用意し、基板Ｗの表面に配線金属膜４８を形成して配線用凹部４２内に配線金属を埋込み、配線金属膜４８の表面に高分子保護膜５０を形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜内に配線用凹部を形成し表面をバリア膜で覆った基板を用意し、
前記基板の表面に配線金属膜を形成して前記配線用凹部内に配線金属を埋込み、
前記配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記配線金属膜を電解めっき法で、前記高分子保護膜を電着法でそれぞれ形成することを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板を熱処理することを特徴とする請求項１または２記載の配線形成方法。
【請求項４】
前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した後に、基板の周縁部に付着乃至成膜された配線金属を薬液によりエッチング除去することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板の表面を平坦化処理することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線形成方法。
【請求項６】
絶縁膜内に配線用凹部を形成し表面をバリア膜で覆った基板の表面に配線金属膜を形成して前記配線用凹部内に配線金属を埋込む埋込み装置と、
前記配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成する保護膜形成装置を有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項７】
前記埋込み装置は電解めっき装置からなり、前記保護膜形成装置は電着装置からなることを特徴とする請求項６記載の配線形成装置。
【請求項８】
前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板を熱処理する熱処理装置を更に有することを特徴とする請求項６または７記載の配線形成装置。
【請求項９】
基板の周縁部に付着乃至成膜された配線金属を薬液でエッチング除去するベベルエッチング装置を更に有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の配線形成装置。
【請求項１０】
前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板の表面を平坦化する平坦化装置を更に有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の配線形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成方法及び配線形成装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板に形成した絶縁膜（層間絶縁膜）内に設けた微細な配線用凹部の内部に銅等の配線材料（金属）を埋込んで配線を形成するのに使用される配線形成方法及び配線形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線形成プロセスとして、絶縁膜内に設けた配線溝やビアホール等の配線用凹部内に配線金属を埋込むようにした、いわゆるダマシンプロセスが使用されつつある。このダマシンプロセスは、基板上のＳｉＯ２，ＳｉＯＦ，ＳｉＯＣまたはいわゆるＬｏｗ−ｋ材等からなる絶縁膜（層間絶縁膜）内に配線用凹部を形成し、次いで配線用凹部を含む絶縁膜全表面にチタン、タンタル、タングステン、ルテニウム及び／またはそれらの合金等からなるバリア膜を形成し、バリア膜の表面にアルミニウム、銅、銀、金またはそれらの合金からなる配線金属膜を形成して配線用凹部内に配線金属を埋込み、その後、配線用凹部以外に形成された余分な配線金属膜及びバリア膜を除去することにより一般に行われる。
【０００３】
その際、配線用凹部の形成はドライエッチングなどにより、バリア膜の形成はＰＶＤ、ＣＶＤまたはＡＬＤなどのドライプロセスにより行われることが多い。配線金属膜の形成方法としては、電解めっきまたは無電解めっきなどのウェットプロセス、ＰＶＤ、ＣＶＤまたはＡＬＤなどのドライプロセスが挙げられるが、電解めっきで形成することが広く行われている。バリア膜の導電性が低い場合に電解めっきで配線金属膜を形成する際には、バリア膜の成膜に連続して該バリア膜の表面に給電用のシード膜を事前に形成しておくことが広く行われている。余分な配線金属膜及びバリア膜の除去は、一般に、化学機械的研磨（ＣＭＰ）、電解研磨、複合電解研磨などのいわゆる平坦化法で行われる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電解めっきなどで形成された配線金属膜の表面は、一般に化学的に活性であり、容易に酸化され、また雰囲気からの有機汚染などを受けやすい。また配線金属膜の表面には、配線金属膜を形成する前の基板の表面形状を反映した微細な凹凸があり、その凹凸の程度によっては、その後の平坦化工程でも基板表面の凹凸が解消できないことがある。６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線形成においては、このようなプロセス上の揺らぎが半導体装置の製造に対して深刻な影響を与えると考えられる。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされてもので、配線金属膜の表面を酸化や汚染などのダメージから保護し、その後の平坦化工程をより容易しつつ、配線を形成できるようにした配線形成方法及び配線形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、絶縁膜内に配線用凹部を形成し表面をバリア膜で覆った基板を用意し、前記基板の表面に配線金属膜を形成して前記配線用凹部内に配線金属を埋込み、前記配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成することを特徴とする配線形成方法である。
基板の表面に配線金属膜を形成した後、配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成して、配線金属膜の表面を高分子保護膜で覆って該配線保護膜を保護することで、配線金属膜の酸化等による劣化を防止するとともに、配線金属膜表面の微細な凹凸を高分子保護膜で緩和して、その後の平坦化工程の負荷を低減することができる。また、配線金属膜の表面全体を高分子保護膜で覆うことで、その後のハンドリング等での他の清浄な基板への金属汚染を防止することができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、前記配線金属膜を電解めっき法で、前記高分子保護膜を電着法でそれぞれ形成することを特徴とする請求項１記載の配線形成方法である。
高分子保護膜は、ＣＶＤ法やスピンコート法などでも形成することができるが、配線金属膜を主流である電解めっき法で形成し、高分子保護膜を電着法（電解プロセス）で形成することで、配線金属膜を形成した後、配線保護膜の表面に高分子保護膜を連続して形成することができる。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板を熱処理することを特徴とする請求項１または２記載の配線形成方法である。
このように、熱処理することで、高分子保護膜中に同伴している溶剤成分を揮発させるとともに、高分子保護膜を連続した完全な膜とすることができる。また、加熱温度及び加熱時間を調整することにより、高分子保護膜をリフローさせて、配線金属膜の表面の微細な凹凸を高分子保護膜５０でより平坦に埋め込むことができる。
またこの処理によって、電解めっきで形成した配線金属膜のアニールによる結晶成長の効果も期待することが出来る。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した後に、基板の周縁部に付着乃至成膜された配線金属を薬液によりエッチング除去することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の配線形成方法である。
配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成して、基板上のデバイス領域の配線金属膜を高分子保護膜で覆った後、基板の周縁部に付着乃至成膜された配線金属を薬液によりエッチング除去することで、エッチング処理に用いる薬液によって、基板上のデバイス領域がダメージを受けることを回避することができる。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板の表面を平坦化処理することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の配線形成方法である。
表面に微細な凹凸を有する配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成し、この高分子保護膜の表面をより平坦にした状態で、基板の表面を平坦化処理することで、基板表面の微細な凹凸を容易に解消することができる。高分子保護膜は、一般に機械的強度が弱いが耐薬品性は強く、逆に配線金属は、一般に機械的強度が強いが耐薬品性は弱い。そこで、高分子保護膜と配線金属膜を、例えば同一研磨速度で除去できるよう砥粒濃度と薬液組成を調整した研磨液を用いて研磨し平坦化することにより、表面に微細な凹凸を有する配線金属膜のみを研磨する場合に比べて、より容易に平坦化を実現することができる。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、絶縁膜内に配線用凹部を形成し表面をバリア膜で覆った基板の表面に配線金属膜を形成して前記配線用凹部内に配線金属を埋込む埋込み装置と、前記配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成する保護膜形成装置を有することを特徴とする配線形成装置である。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、前記埋込み装置は電解めっき装置からなり、前記保護膜形成装置は電着装置からなることを特徴とする請求項６記載の配線形成装置である。
請求項８に記載の発明は、前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板を熱処理する熱処理装置を更に有することを特徴とする請求項６または７記載の配線形成装置である。
【００１３】
請求項９に記載の発明は、基板の周縁部に付着乃至成膜された配線金属を薬液でエッチング除去するベベルエッチング装置を更に有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の配線形成装置である。
請求項１０に記載の発明は、前記配線金属膜の表面に前記高分子保護膜を形成した基板の表面を平坦化する平坦化装置を更に有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の配線形成装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板の表面に配線金属膜を形成した後、配線金属膜の表面に高分子保護膜を形成して、配線金属膜の表面を高分子保護膜で覆って該配線金属膜を保護することで、配線金属膜の表面を酸化や汚染などのダメージから保護し、その後の平坦化工程をより容易しつつ、配線を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。この例では、半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用凹部に、配線材料（金属）としての銅を埋込んで銅からなる銅配線を形成するようにした例を示している。配線材料として銅以外の金属を使用してもよいことは勿論である。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態の配線形成装置の平面図を示す。図１に示すように、この基板処理装置は、例えばスミフボックス等の内部に多数の半導体ウエハ等の基板を収納した搬送ボックス１０を着脱自在な矩形状の装置フレーム１２を備えている。この装置フレーム１２の内部には、ロード・アンロードステーション１４と、このロード・アンロードステーション１４との間で基板を授受する走行自在な搬送ロボット１６が備えられている。そして、装置フレーム１２内部の搬送ロボット１６を挟んで該搬送ロボット１６の両側には、一対の埋込み装置１８が配置され、更に、搬送ロボット１６を挟んで一方の側には、洗浄・乾燥装置２０、ベベルエッチング装置２２及び膜厚測定器２４が直列に配置され、他方の側には、一対の保護膜形成装置２６、熱処理（アニール）装置３０及び研磨装置３２が直列に配置されている。
【００１７】
ここで、装置フレーム１２には遮光処理が施され、これによって、この装置フレーム１２内での以下の各工程を遮光状態で、つまり、配線に照明光等の光が当たることなく行えるようになっている。このように、配線に光を当たることを防止することで、例えば銅からなる配線に光が当たって光電位差が生じ、この光電位差によって配線が腐食してしまうことを防止することができる。
【００１８】
前記埋込み装置１８は、基板の表面に配線金属膜としての銅めっき膜を形成して、配線金属としての銅を配線用凹部内に埋込むもので、この例では、基板の表面に予め形成したシード膜の表面に電解めっきで金属膜（銅めっき膜）を成膜する電解めっき装置で構成されている。この埋込み装置を無電解めっき装置等の他のウェット処理装置や、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置またはＡＬＤ装置等のドライ処理装置で構成してもよい。
【００１９】
保護膜形成装置２６は、埋込み装置（電解めっき装置）１８で形成した配線金属膜の表面に該配線金属膜を覆って保護する高分子保護膜を形成するもので、この例では、電着法で高分子膜を形成する電着装置で構成されている。保護膜形成装置をＣＶＤ装置やスピンコータ等で構成してもよい。
【００２０】
配線金属膜を主流である電解めっきで形成し、高分子保護膜を電着法（電解プロセス）で形成することで、配線金属膜を形成した後、配線保護膜の表面に高分子保護膜を連続して形成することができる。この場合、電解めっきにより配線金属膜を形成した基板をめっき槽内のめっき液から引き上げ、純水等で洗浄（リンス）して基板に残っためっき液を除去する。そして、通電コンタクトを取った周縁部をシールした基板を電着槽に導入し、配線金属膜の表面に電着によって高分子保護膜を形成する。そして、電着後の基板を水洗し乾燥させた後、次の工程に送る。
【００２１】
電着法で膜を形成できる高分子としては、カチオン系とアニオン系がある。アニオン系高分子の膜を電着法で形成する場合、基板をアノード分極する必要があり、このように基板をアノード分極すると、基板の表面に形成した配線金属膜が溶解する。従って、基板をカソード分極させて、カチオン系高分子の膜を電着する方がより好ましい。このようなカチオン系高分子としては、例えばポリイミド系カチオン樹脂（ＪＳＲ(株)製：製品名EDP004）が挙げられる。またカチオン系高分子の膜を電着法で形成する場合、保護膜形成装置（電着装置）として、使用する電解液を代えることで、配線保護膜を形成する電解めっき装置と同様な構成のものを用いることができる。
【００２２】
また、ＣＶＤ法やスピンコート法により高分子保護膜を形成すると、基板の表面全体に高分子保護膜が形成される。このため、基板の周縁部に成膜された配線金属をエッチング除去する際には、このエッチングに先だって、基板の周縁部に形成された高分子保護膜を何らかの方法によって剥離しておく必要がある。これに対して、電着法により高分子保護膜を形成する場合には、通電コンタクトを取る基板周縁部をシールすることにより、基板周縁部に高分子膜が形成されるのを防止することができる。
【００２３】
次に、この配線形成装置で銅配線を形成する例を、図２乃至図４を更に参照して説明する。
先ず、図２（ａ）に示すように、例えばＳｉＯ２，ＳｉＯＦ，ＳｉＯＣまたはＬｏｗ−ｋ材等からなる絶縁膜（層間絶縁膜）４０の内部に、トレンチ（配線用凹部）４２をドライエッチング等で形成し、その上にバリア膜４４、更にその上に電解めっきの給電層としてシード膜４６をＰＶＤやＣＶＤ等で形成した基板Ｗを用意する。そして、この基板Ｗを搬送ボックス１０内に収納し、この搬送ボックス１０を装置フレーム１２に装着する。
【００２４】
この搬送ボックス１０から基板Ｗを一枚ずつ取り出し、ロード・アンロードステーション１４に搬入する。このロード・アンロードステーション１４に搬入した基板Ｗを搬送ロボット１６で膜厚測定器２４に搬送し、この膜厚測定器２４でイニシャル膜厚（シード膜４６の膜厚）を測定し、しかる後、必要に応じて、基板Ｗを反転させて電解めっき装置（埋込み装置）１８に搬送する。
【００２５】
そして、電解めっき装置１８で基板Ｗの表面にシード膜４６を給電層とした銅めっきを行い、これによって、図２（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面に銅めっき膜（配線金属膜）４８を形成し、トレンチ４２内への銅（配線金属）の埋込みを行う。このようにして形成された銅めっき膜４８の表面には、銅めっき膜４８を形成する前の基板Ｗの表面の凹凸を反映した微細な凹凸が形成される。
【００２６】
この銅めっき膜４８を形成した基板Ｗを、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、または電解めっき装置１８にスピン乾燥機能が備えられている場合には、この電解めっき装置１８で基板Ｗの洗浄及びスピン乾燥（液切り）を行って、この乾燥後の基板Ｗを電着装置（保護膜形成装置）２６に搬送する。
【００２７】
この電着装置（保護膜形成装置）２６では、電解めっき装置の場合と同様に、基板Ｗをカソード分極させた電着を行って、図２（ｃ）に示すように、銅めっき膜４８の表面に、例えばカチオン系樹脂からなる高分子保護膜５０を形成する。
【００２８】
このように、銅めっき膜４８の表面に高分子保護膜５０を形成して、化学的に活性な銅めっき膜４８の表面を高分子保護膜５０で覆って該銅めっき膜４８を保護することで、酸化等による銅めっき膜４８の劣化を防止するとともに、その後の平坦化工程での平坦化速度をより均一にすることができる。また、高分子保護膜５０の表面は、銅めっき膜４８の表面よりも平坦となり、これによって、銅めっき膜４８の表面の微細な凹凸を緩和して、その後の平坦化工程への負荷を低減することができる。更に、高分子保護膜５０で銅めっき膜４８の表面全体を覆うことで、その後のハンドリング等での他の清浄な基板への金属汚染を防止することができる。
【００２９】
高分子保護膜５０の膜厚は、上記目的が実現できるものであれば特に限定されないが、下記のように、この高分子保護膜５０を含めて平坦化することから、１０μｍ以下であることが好ましい。また、高分子保護膜５０の材質についても同様に、特に限定されないが、配線金属膜との密着性の観点からポリイミドなどが好ましい。
【００３０】
ここに、電着装置２６に備えられ、通電コンタクトを取った周縁部をシールして基板Ｗを保持し電着槽内の電解液に接触させる基板ホルダとして、電解めっき装置１８に備えられている基板ホルダとほぼ同様な構成のものを使用することで、基板Ｗの周縁部に高分子保護膜５０が形成されることを防止することができる。
【００３１】
この高分子保護膜５０を形成した基板を、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、または電着装置２６にスピン乾燥機能が備えられている場合には、この電着装置２６で基板Ｗの洗浄及びスピン乾燥（液切り）を行って、この乾燥後の基板Ｗを熱処理装置３０に搬送する。
【００３２】
この熱処理装置３０で基板Ｗの熱処理（アニール）を行う。スピンコート法や電着法で銅めっき膜４８の表面に高分子保護膜５０を形成しただけでもある程度の保護作用を有するが、熱処理することで、高分子保護膜５０に同伴している溶剤成分を揮発させるとともに、高分子保護膜５０を連続した完全な膜として、銅めっき膜４８を保護することができる。また、加熱処理の加熱温度ならびに時間を調整することにより、図３（ａ）に示すように、高分子保護膜５０をリフローさせて、銅めっき膜４８の表面の微細な凹凸を高分子保護膜５０でより平坦に埋め込むことができる。この状態の基板Ｗを次の平坦化工程に持って行くことで、平坦化処理がより容易になる。なお、熱処理温度は、高分子保護膜５０の材料にもよるが、２００〜３００℃程度が好適であり、高分子保護膜５０に溶媒を多く含む場合には、例えば１００℃未満で基板をプレベークした後、上記温度にて熱処理することが好ましい。
なお、電着法で高分子保護膜５０を形成する場合はスピンコート法より平坦性が出にくいことがあるが、その場合には電着後に溶剤をスプレーして膜を緩めてから熱処理することにより、より平坦性を改善することができる。
【００３３】
そして、この熱処理後の基板Ｗを搬送ロボット１６で膜厚測定器２４に搬送し、ここで銅の膜厚または銅と高分子保護膜５０の合計の膜厚を測定し、この測定結果と前述のイニシャル膜厚の測定結果との差から、銅めっき膜４８または銅めっき膜４８と高分子保護膜５０の合計の膜厚を求め、この測定後の膜厚によって、例えば次に基板に対するめっき時間を調整する。そして、この膜厚測定後の基板Ｗを、搬送ロボット１６によりベベルエッチング装置２２に搬送する。
【００３４】
このベベルエッチング装置２２では、基板Ｗのベベル（エッジ）部に成膜乃至付着した不要な銅（配線金属）を薬液でエッチング除去し、必要に応じて、基板Ｗの裏面を純水等で同時に洗浄する。しかる後、前述と同様に、搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送して、基板Ｗの純水による洗浄を行ってスピン乾燥させるか、またはベベルエッチング装置２２にスピン乾燥機能が備えられている場合には、このベベルエッチング装置２２で基板Ｗの洗浄及びスピン乾燥を行って、この乾燥後の基板を、研磨装置３２に搬送する。
【００３５】
基板Ｗの周縁部に付着乃至成膜された銅（配線金属）は、基板ホルダ等との接触を通じて、他の清浄な基板に対する金属汚染の原因となる。このため、銅めっき膜４８を形成した後に酸化剤を含む酸などの薬液でエッチング除去することが行われている。ここで、高分子保護膜５０を形成した後にこの処理を行うことで、デバイス領域の銅めっき膜４８が高分子保護膜５０によって被覆されているので、エッチング処理に用いる薬液によってデバイス領域がダメージを受けることを回避することができる。なお、高分子保護膜５０を形成した直後にこのベベルエッチング処理を行っても良いが、熱処理したの後の高分子保護膜５０の方が熱処理する前に比べて耐薬品性が高いので、熱処理後にこのエッチング処理を行うほうがより好ましい。
【００３６】
ＣＶＤ法やスピンコート法により高分子保護膜を形成する場合には、基板の表面全体に高分子保護膜が形成される。このため、基板の周縁部に付着乃至成膜された銅をエッチング除去するのに先だって、基板の周縁部に形成された高分子保護膜のみを何らかの方法で剥離しておく必要がある。これに対して、電着法により高分子保護膜を成膜する場合には、通電コンタクトを取るために基板周縁部をシールすることにより、この部分に高分子保護膜が形成されるのを防止することができ好ましい。
【００３７】
この研磨装置３２で、図３（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面の堆積した不要な高分子保護膜５０、銅めっき膜４８、シード膜４６及びバリア膜４４を研磨除去して、基板Ｗの表面を平坦化し、これによって、絶縁膜（層間絶縁膜）４０の内部に、銅からなる配線５２を形成する。この時、例えば、膜厚や基板の仕上がり具合をモニタで検査し、このモニタで終点（エンドポイント）を検知した時に、研磨を終了する。
【００３８】
熱処理などによりリフローさせた高分子保護膜５０は、銅めっき膜４８の表面の微細な凹凸を緩和して、より平坦な表面を与える。この状態の基板Ｗの表面を、例えば化学機械的研磨で平坦化処理することで、銅めっき膜４８の表面の微細な凹凸を容易に解消することができる。ここで、例えばカチオン系樹脂からなる高分子保護膜５０は、一般に機械的強度は弱いが耐薬品性は強い。逆に銅めっき膜４８は、機械的強度は強いが耐薬品性は弱い。そこで、両者を同一研磨速度で除去できるよう砥粒濃度と薬液組成を調整した研磨液で研磨することにより、微細な凹凸を有する銅めっき膜（配線金属膜）のみを研磨する場合より、より容易に平坦化を実現することができる。
【００３９】
そして、この研磨後の基板Ｗを搬送ロボット１６で洗浄・乾燥装置２０に搬送し、この洗浄・乾燥装置２０で基板Ｗの表面を薬液で洗浄し、更に純水で洗浄（リンス）した後、高速回転させてスピン乾燥させる。そして、このスピン乾燥後の基板を搬送ロボット１６でロード・アンロードステーション１４に戻し、このロード・アンドーロステーション１４から搬送ブックス１０内に戻す。
【００４０】
このように、基板Ｗの表面に銅めっき膜４８を形成した後、銅めっき膜４８の表面に高分子保護膜５０を形成して、銅めっき膜４８の表面を高分子保護膜５０で覆って該銅めっき膜４８を保護することで、銅めっき膜４８の表面を酸化や汚染などのダメージから保護し、その後の平坦化工程をより容易しつつ、配線５２を形成することができる。
【００４１】
なお、配線材料（金属）として、銅を使用した例を示しているが、銅の他に、アルミニウム、銅合金、銀、銀合金、または金合金等を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態の配線形成装置の平面配置図である。
【図２】図１に示す配線形成装置で銅配線を形成する時の配線形成例の高分子保護膜を形成するまでを工程順に示す図である。
【図３】図１に示す配線形成装置で銅配線を形成する時の配線形成例の高分子保護膜を形成した後を工程順に示す図である。
【図４】図１に示す配線形成装置で銅配線を形成する時の配線形成例を工程順に示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  搬送ボックス
１２  装置フレーム
１６  搬送ロボット
１８  埋込み装置（電解めっき装置）
２０  洗浄・乾燥装置
２２  ベベルエッチング装置
２４  膜厚測定器
２６  保護膜形成装置（電着装置）
３０  熱処理装置
３２  研磨装置
４０  絶縁膜
４２  トレンチ（配線用凹部）
４４  バリア膜
４６  シード膜
４８  配線金属膜（銅めっき膜）
５０  高分子保護膜
５２  配線
【図１】
2006086369.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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