(57)【要約】      （修正有）【課題】少なくとも基板と接触する箇所の部材が、表面抵抗率１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に安定的に制御され、場所による表面抵抗率のバラツキが小さく、帯電防止性及び耐摩擦磨耗性に優れた樹脂部材によって形成された基板用カセットを提供する。【解決手段】少なくとも基板と接触する箇所の部材が、合成樹脂３０〜９４重量％、１０２〜１０１０Ω・ｃｍの体積抵抗率を有する炭素前駆体５〜４０重量％、及び１０２未満の体積抵抗率を有する導電性充填材１〜３０重量％を含有する樹脂組成物から形成された樹脂部材であり、かつ、該樹脂部材の電位が５０００Ｖから５０Ｖに低下するまでのスタティックディケイ時間が２秒以下である基板用カセット。【選択図】図２
2006324640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板用カセットにおいて、少なくとも基板と接触する箇所の部材が、合成樹脂３０〜９４重量％、１０２〜１０１０Ω・ｃｍの体積抵抗率を有する炭素前駆体５〜４０重量％、及び１０２未満の体積抵抗率を有する導電性充填材１〜３０重量％を含有する樹脂組成物から形成された樹脂部材であり、かつ、該樹脂部材の電位が５０００Ｖから５０Ｖに低下するまでのスタティックディケイ時間が２秒以下であることを特徴とする基板用カセット。
【請求項２】
該樹脂部材の表面抵抗率が、１０６〜１０１４Ω／□の範囲である請求項１記載の基板用カセット。
【請求項３】
該樹脂部材の引張伸びが、２．０％以上である請求項１または２記載の基板用カセット。
【請求項４】
該樹脂部材が、基板を支承する突状の樹脂ピンである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板用カセット。
【請求項５】
該樹脂ピンが、アースされた構造を有する請求項４記載の基板用カセット。
【請求項６】
該合成樹脂が、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、及びポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも一種の合成樹脂である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板用カセット。
【請求項７】
該合成樹脂が、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも一種の合成樹脂である請求項６記載の基板用カセット。
【請求項８】
該合成樹脂が、ポリエーテルスルホン５〜９５重量％と、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、及びポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも一種の合成樹脂９５〜５重量％とを含有する樹脂組成物である請求項６記載の基板用カセット。
【請求項９】
該樹脂組成物が、ポリエーテルスルホン５〜９５重量％及びポリフェニレンスルフィド９５〜５重量％を含有するブレンドである請求項８記載の基板用カセット。
【請求項１０】
該炭素前駆体が、８５〜９７重量％の炭素含有量を有し、完全には炭化していない炭素材料である請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板用カセット。
【請求項１１】
該炭素前駆体が、平均粒子径０．１μｍ〜１ｍｍの粒子である請求項１０記載の基板用カセット。
【請求項１２】
該導電性充填材が、炭素繊維である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の基板用カセット。
【請求項１３】
該炭素繊維が、平均直径が０．１ｍｍ以下で、平均繊維長が５０μｍ〜８０ｍｍの短繊維である請求項１２記載の基板用カセット。
【請求項１４】
ガラス基板を収容するためのカセットである請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板用カセット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板用カセットに関し、さらに詳しくは、エレクトロニクス実装技術分野における大型または超大型のガラス基板等の基板を収容するための基板用カセットに関する。本発明の基板用カセットは、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、サーマルヘッド用ガラス基板などの薄板状の基板を収容するのに特に有用である。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス実装技術では、膜技術と微小接続技術を駆使して、半導体や機能部品、回路部品などを配線基板の上に配置して接続し、これを他の構成部品とともに組み立てて、所望の電子回路を構成している。基板としては、例えば、ガラス基板、セラミック基板、シリコン基板、複合基板（例えば、樹脂／セラミック基板、樹脂／シリコン基板）、メタルベース・メタルコア基板（絶縁層は、ガラスやポリイミドなど）などの薄板状の基板が用いられている。
【０００３】
これらの基板材料、導体パターンが形成された基板、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの高機能素子を組み込んだ基板（例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板）などの各種基板は、実装基板や電子回路部品の製造工程等において、搬送、保管、組立作業などのために、複数枚が一緒にまとめられて一つの基板用カセットに収容されている。
【０００４】
基板用カセットには、各基板が互いに接触しないように出し入れすることができるとともに、各基板を分離して支持し収容することができる構造を有していることが求められている。そのため、基板用カセットは、通常、箱型枠体から形成されており、該枠体の一対の対向する側面には溝付き側板が配置された構造を有している（特許文献１〜６）。各基板は、これら一対の側板の対応する溝間に収容される。溝付き側板の形状としては、側板の背肉部から多数のリブ状棚片が張り出した形状のものが一般的である。隣接する棚片間の空隙が溝となり、そこに基板が収容される。
【０００５】
上記のような構造を有する基板用カセットの具体例について、図１及び２を参照しながら説明する。図１は、基板用カセットの一例の正面図である。この基板用カセットは、底面側フレーム１、上面側フレーム２、２枚の側板３，３、これら側板のそれぞれに設けられた複数のリブ状棚片４，４，・・・、及び受け側フレーム５，５から構成されている。隣接するリブ状棚片間が溝となって、そこに基板Ａが収容される。
【０００６】
図２に、上記の基板用カセットの斜視図を示す。図２に示す基板用カセットでは、箱型枠体の一対の側面に、溝付き側板３，３がそれぞれ３個づつ配置されているが、この個数は、基板の大きさなどに応じて適宜変更することができる。底面側フレーム１及び上面側フレーム２は、いずれも格子状に形成されているが、他の形状であってもよい。これらの各部材は、一般に、樹脂材料の射出成形により作製され、箱型枠体に組み立てられる。また、補強のために、樹脂部材と金属部材とを複合化した基板用カセットも用いられている。
【０００７】
ガラス基板のサイズが大きくなると、その撓みが大きくなるため、溝付き側板のリブ状棚片でガラス基板を支える支承方式によっては、棚片間のピッチをかなり大きくしないとガラス基板の円滑な出し入れ操作を行うことができず、１個のカセットに収容しうるガラス基板の枚数も少なくなる。特許文献４には、ガラス基板の大型化に対処すべく、側板のリブ状棚片の長さを従来に比し著しく長くしたカセットが提案されている。リブ状棚片の長さを著しく長くすると、ガラス基板との接触による帯電や発塵の問題が発生しやすくなる。
【０００８】
従来、基板の大型化または超大型化に対処しうる基板用カセットとして、トレイ形のカセットが提案されている（特許文献７）。特許文献７に開示されている基板用カセットは、例えば、図３に示すように、矩形骨格を形作る周枠３１と、その周枠３１間に架設された桟３６とからなる基本構造を有する格子状のトレイ形のカセットである。周枠３１のうちの左周枠３２、右周枠３４および後方周枠３３により、主枠が構成されると共に、それら主枠の上面は、実質的に同一平面にある。周枠３１のうちの前方周枠３５と桟３６とにより副枠が構成される。主枠は、その上面より低い位置に、主枠内側面または主枠底面から張り出す張出部材３７を有している。主枠に付設の張出部材３７上及び副枠３６上には、基板を下方から支承するための樹脂ピン３８，３８,・・・が突設されると共に、これら樹脂ピン３８の上端は、主枠上面で形成される平面よりも低位置の実質的に同一平面にある。さらに、主枠は、トレイの積み重ねを可能にする入り組み係合構造を有している。この基板用カセットは、多数の樹脂ピンで基板を安定して支承するため、基板の大型化に対処することができる。
【０００９】
特許文献７には、基板と接する前記樹脂ピン３８としては、基板との摩擦によっても発塵を生じ難い発塵防止性樹脂（例えば、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリアミド、超高分子量ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、各種エラストマー）で成形した成形体を用いることが望ましく、そのときには、フィラーを実質的に配合していないナチュラル品を用いて成形を行うことが記載されている。
【００１０】
しかし、導電性充填材などのフィラーを実質的に含有していない合成樹脂を用いて成形した樹脂ピンは、高度の絶縁体であるため、ガラス基板と接触した際にガラス基板を帯電させたり、ガラス基板の回路を損傷したりするなどの不都合が生じる。例えば、基板用カセットに、薄膜トランジスタを形成したガラス基板を収容する場合、該ガラス基板と接触する部材が表面抵抗率が１０１４Ω／□より大きい絶縁体であると、該部材表面に帯電した静電気によりガラス基板の回路が損傷を受けたり、静電気によって空中に浮遊している塵埃がガラス基板に吸着されたりする。
【００１１】
前記特許文献５には、基板支承用側板に設けた背肉部と舌状棚片を樹脂体で形成し、基板との接当部を発塵防止性樹脂で形成し、それ以外の部分を導電性物質配合樹脂で形成した基板支承用側板とそれを用いたカセットが開示されている。このカセットの棚片も、導電性物質を含まない樹脂で形成されているため、上記と同様の問題点を有している。
【００１２】
一方、ガラス基板と接触するカセット部材の表面抵抗率が１０６Ω／□未満であると、該部材にガラス基板が接触した際、感電、漏電または帯電していたガラス基板が急激に放電して、回路が破損することがある。
【００１３】
基板を静電気から保護し、塵埃を寄せつけずに適切なクリーン度を保つという点、並びに急激な放電を防ぎ、かつ絶縁体であるガラス基板を帯電させないという点からは、ガラス基板と接触するカセット部材の表面抵抗率を１０６〜１０１４Ω／□の範囲に調整することが望まれている。
【００１４】
従来、合成樹脂に帯電防止剤や電気抵抗の小さなフィラー（導電性充填材）を配合した樹脂組成物から形成された成形物が、基板用カセットの部材として用いられている。しかし、帯電防止剤を含有する樹脂組成物から形成された成形物は、長期間の帯電防止性が十分ではない。すなわち、成形物の表面に存在する帯電防止剤は、水洗、摩擦などにより除去され、やがて帯電防止効果が失われる。帯電防止効果を長期間にわたって持続させるために、帯電防止剤の配合割合を高めると、多量の帯電防止剤が成形物の表面にブリードして、塵埃の付着が起こることに加えて、帯電防止剤の溶出及び揮発により周囲の環境が汚染されるという問題があった。
【００１５】
導電性充填材を含有する樹脂組成物を用いて成形した基板用カセットの具体例としては、樹脂成分に、金属繊維とウイスカー状導電性材料とを含有せしめた樹脂組成物を溶融成形してなる基板用カセット（特許文献３）、樹脂成分に、金属繊維、金属粒子、カーボン繊維、カーボンブラック、グラファイト等の導電性物質を含有せしめた樹脂組成物を成形してなる部材を用いた基板用カセット（特許文献４）、基板との接当部以外の部分を導電性物質（金属繊維、金属粒子、カーボン繊維、カーボンブラック、グラファイト、イオン性高分子）を配合した樹脂組成物で形成した基板用カセット（特許文献５）が提案されている。
【００１６】
しかし、電気絶縁性の合成樹脂からなる樹脂成分に導電性充填材を配合した樹脂組成物を用いて成形すると、導電性充填材と樹脂成分の電気抵抗率が大きくかけ離れていることや導電性充填材の均一分散が困難であることもあって、得られた成形物の電気抵抗率は、導電性充填材の含有量の僅かの変化でも急激に変化する。特に、基板用カセットに要求される表面抵抗率が１０６〜１０１４Ω／□の範囲において、表面抵抗率の変動が急激である。しかも、該樹脂組成物を成形してなる成形物の表面抵抗率は、場所によるバラツキが大きい。
【００１７】
したがって、合成樹脂と前記の如き導電性充填材とを含有する樹脂組成物を用いたのでは、１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の表面抵抗率値を有する成形物を安定して成形することが極めて困難である。また、導電性充填材を配合した樹脂組成物を用いる従来技術では、成形物の場所による表面抵抗率のバラツキが大きいため、いずれの箇所をとっても一定の帯電防止性や表面抵抗率を示す基板用カセットとその部材を製造することが困難である。
【００１８】
他方、特許文献８には、ポリアリーレンスルフィドとポリスルホンとのブレンドに、炭素前駆体と導電性充填材とを配合した樹脂組成物から形成された基板用カセットが提案されているが、帯電防止性、耐摩擦磨耗性、発塵防止性などの点でさらなる改良が求められている。
【００１９】
【特許文献１】特開平６−２８６８１２号公報
【特許文献２】特開平６−２４７４８３号公報
【特許文献３】特開平５−１４７６８０号公報
【特許文献４】特開平９−３６２１９号公報
【特許文献５】特開平８−４６０２２号公報
【特許文献６】特開平８−３１０５８８号公報
【特許文献７】特開平１０−２８７３８２号公報
【特許文献８】特開２００２−８０７２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明の課題は、少なくとも基板と接触する箇所の部材が、表面抵抗率１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に安定的に制御され、場所による表面抵抗率のバラツキが小さく、帯電防止性及び耐摩擦磨耗性に優れた樹脂部材によって形成された基板用カセットを提供することにある。
【００２１】
また、本発明の課題は、少なくとも基板と接触する部材が、表面抵抗率１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に安定的に制御され、帯電防止性及び耐摩擦磨耗性に優れた突状の樹脂ピンである基板用カセットを提供することにある。
【００２２】
特に、本発明の課題は、図３に示されているような矩形骨格を形作る周枠と該周枠間に架設された桟とからなる基本構造を有する格子状のトレイ形の基板用カセットであって、周枠に設けた張出部材上及び桟（副枠）上に配置された突状の樹脂ピンによって基板を支承する構造の基板用カセットにおいて、少なくとも樹脂ピンが、表面抵抗率１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に安定的に制御され、帯電防止性及び耐摩擦磨耗性に優れた樹脂部材によって形成された基板用カセットを提供することにある。
【００２３】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意研究した結果、少なくとも基板と接触する箇所の部材が、合成樹脂３０〜９４重量％、１０２〜１０１０Ω・ｃｍの体積抵抗率を有する炭素前駆体５〜４０重量％、及び１０２未満の体積抵抗率を有する導電性充填材１〜３０重量％を含有する樹脂組成物から形成された樹脂部材であり、かつ、該樹脂部材の電位が５０００Ｖから５０Ｖに低下するまでのスタティックディケイ時間が２秒以下である基板用カセットに想到した。
【００２４】
特に、基板を支承する樹脂ピンを該樹脂組成物から形成すると、帯電防止性と耐摩擦磨耗性に優れた樹脂ピンを備えた基板用カセットを形成することができることに加えて、該樹脂ピンをアース（接地）することにより、帯電防止性をさらに向上させることができる。合成樹脂として、耐熱性、機械的特性、溶融流動性などに優れた樹脂材料を使用すると、これらの樹脂材料を単独で使用した場合に比べて、耐摩擦磨耗性に優れ、発塵防止性が改良された樹脂部材を形成することができる。本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
かくして、本発明によれば、基板用カセットにおいて、少なくとも基板と接触する箇所の部材が、合成樹脂３０〜９４重量％、１０２〜１０１０Ω・ｃｍの体積抵抗率を有する炭素前駆体５〜４０重量％、及び１０２未満の体積抵抗率を有する導電性充填材１〜３０重量％を含有する樹脂組成物から形成された樹脂部材であり、かつ、該樹脂部材の電位が５０００Ｖから５０Ｖに低下するまでのスタティックディケイ時間が２秒以下であることを特徴とする基板用カセットが提供される。
【００２６】
特に、本発明によれば、少なくとも基板と接触する部材が、表面抵抗率１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に安定的に制御され、帯電防止性及び耐摩擦磨耗性に優れた突状の樹脂ピンである基板用カセットが提供される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、少なくとも基板と接触する箇所の部材が、表面抵抗率１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に安定的に制御され、場所による表面抵抗率のバラツキが小さく、さらには、帯電防止性及び耐摩擦磨耗性に優れた樹脂部材によって形成された基板用カセットが提供される。本発明によれば、前記樹脂部材が基板を支承する樹脂ピンである基板用カセットが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
１．合成樹脂
本発明で使用する合成樹脂は、特に限定されず、例えば、ポリアミド、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリイソプレン、ポリブテン、ポリ−ｐ−キシレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル、ＡＢＳ樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィドケトン、ポリフェニレンスルフィドスルホン、ポリエーテルニトリル、全芳香族ポリエステル、フッ素樹脂、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリアミノビスマレイド、トリアジン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルテレフタレート樹脂、及びこれらの変性物などが挙げられる。
【００２９】
フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン／ヘキサフルオロプロピレン／テトラフルオロエチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体、エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体、プロピレン／テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロェチレン／パーフルオロアルキルパーフルオロビニルエーテル共重合体、フッ化ビニリデン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、フッ化ビニリデン／クロロトリフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエチレン／エチレン／イソブチレン共重合体、エチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／エチルビニルエーテル共重合体などが挙げられる。これらの合成樹脂は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３０】
これらの合成樹脂の中でも、熱可塑性樹脂が好ましい。好ましい熱可塑性樹としては、例えば、ポリフェニレンスルフィドなどのポリアリーレンスルフィド；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトンなどを挙げることができる。
【００３１】
より好ましい合成樹脂は、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート及びポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも一種の合成樹脂である。これらの合成樹脂に炭素前駆体と導電性充填材とを組み合わせて配合した樹脂組成物を使用することにより、炭素前駆体や導電性充填材を含有しない合成樹脂を用いた場合に比べて、耐摩擦磨耗性が改善された成形物（樹脂部材）を得ることができる。
【００３２】
基板用カセットの基板と接触する箇所の樹脂部材は、基板との接触によって摩擦を受けて磨耗すると、樹脂粉などの粉末が脱落して基板を汚染する。このような脱落粉を発生し難い観点からは、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも一種の合成樹脂を用いることが特に好ましい。
【００３３】
基板を安定して支承し、かつ、基板の変形を引き起こさないようにするため、基板用カセットを構成する各種樹脂部材には、高度の寸法精度を有することが求められる。ポリエーテルスルホンは、脱落粉の発生が少ないことに加えて、成形性に優れており、成形物のアニーリング工程を省略しても、寸法精度の高い成形物を与えることができる。
【００３４】
ポリエーテルスルホンと、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート及びポリブチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも一種の合成樹脂との樹脂組成物は、脱落粉の防止性（発塵防止性）、成形性、寸法精度に優れるので好ましい。
【００３５】
該樹脂組成物は、ポリエーテルスルホン５〜９５重量％と他の合成樹脂９５〜５重量％とを含有することが好ましく、ポリエーテルスルホン２０〜８０重量％と他の合成樹脂８０〜２０重量％とを含有することがより好ましく、ポリエーテルスルホン３０〜７０重量％と他の合成樹脂７０〜３０重量％とを含有することが特に好ましい。該樹脂組成物の中でも、ポリエーテルスルホンとポリフェニレンスルフィドとのブレンドが好ましい。
【００３６】
基板用カセットを構成する樹脂部材は、帯電防止性に優れていることが重要である。炭素前駆体と導電性充填材とを配合した樹脂組成物から形成された成形物（樹脂部材）の帯電防止性は、後記するスタティックディケイ時間によって評価することができる。樹脂部材の電位が５０００Ｖから５０Ｖに低下するまでのスタティックディケイ時間が著しく短時間である点で、合成樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルスルホンを含有する樹脂組成物、及びポリブチレンテレフタレートが好ましく、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びポリエーテルスルホン含有樹脂組成物がより好ましい。
【００３７】
炭素前駆体と導電性充填材とを配合した樹脂組成物から形成された成形物（樹脂部材）が、基板との接触によって該基板に帯電させ難い観点からは、合成樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルスルホン含有樹脂組成物、ポリエーテルイミド、及びポリブチレンテレフタレートが好ましく、ポリエーテルスルホンとポリフェニレンスルフィドとの樹脂組成物の如きポリエーテルスルホンを含有する樹脂組成物がより好ましい。
【００３８】
樹脂組成物中の合成樹脂の配合割合は、３０〜９４重量％、好ましくは４０〜９２重量％、より好ましくは５０〜８７重量％、特に好ましくは６０〜８０重量％である。合成樹脂の配合割合が大きすぎると、炭素前駆体と導電性充填材の配合割合が過小となるため、成形物（樹脂部材）の表面抵抗率を十分に低くすることができず、所望の半導電性領域の表面抵抗率（１０６〜１０１４Ω／□）を有する樹脂部材を得ることが困難になる。合成樹脂の配合割合が小さすぎると、炭素前駆体と導電性充填材の配合割合が過大となるため、成形物（樹脂部材）の引張伸びなどの機械的特性が低下する。
【００３９】
２．炭素前駆体
本発明で使用する体積抵抗率が１０２〜１０１０Ω・ｃｍの範囲内にある炭素前駆体は、有機物質を不活性雰囲気中４００℃〜９００℃の温度で焼成することにより得ることができる。このような炭素前駆体は、例えば、（１）石油タール、石油ピッチ、石炭タール、石炭ピッチなどのピッチやタールを加熱し、芳香族化と重縮合を行い、必要に応じて、酸素雰囲気中において酸化・不融化し、さらに、不活性雰囲気において加熱・焼成する方法、（２）ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニルなどの熱可塑性樹脂を酸素雰囲気中において不融化し、さらに、不活性雰囲気中で加熱・焼成する方法、（３）フェノール樹脂、フラン樹脂などの熱硬化性樹脂を加熱硬化後、不活性雰囲気中で加熱・焼成する方法により製造することができる。炭素前駆体とは、これらの処理によって、炭素の含有量が９７重量％以下の完全には炭素化していない物質を意味する。
【００４０】
有機物を不活性雰囲気中で加熱・焼成すると、焼成温度が上昇するにつれて、得られる焼成体の炭素含有量が上昇する。炭素前駆体の炭素含有量は、焼成温度を適正に設定することによって、容易に制御することができる。本発明で使用する、体積抵抗率が１０２〜１０１０Ω・ｃｍの炭素前駆体は、炭素含有量が通常８５〜９７重量％の範囲内であって、完全には炭化していない状態の炭素材料として得ることができる。
【００４１】
炭素前駆体の炭素含有量が少なすぎると、その体積抵抗率が大きくなり、得られる樹脂部材の表面抵抗率を小さくすることが困難となる。炭素前駆体の炭素含有量が多すぎると、その体積抵抗率が小さくなり、得られる成形物（樹脂部材）の表面抵抗率が小さくなりすぎ、しかも炭素前駆体の配合割合の僅かの変化でも得られる樹脂部材の表面抵抗率が急激に変化する。したがって、このような炭素前駆体を用いると、所望の半導電性領域の表面抵抗率を有する樹脂部材を、安定して再現性よく製造することが困難となる。炭素前駆体の体積抵抗率は、好ましくは１０３〜１０９Ω・ｃｍ、より好ましくは１０４〜１０８Ω・ｃｍである。
【００４２】
炭素前駆体は、通常、粒子または繊維の形状で使用される。本発明で用いる炭素前駆体粒子の平均粒子径は、１ｍｍ以下が好ましい。炭素前駆体粒子の平均粒径が大きすぎると、樹脂組成物を成形した場合に、良好な外観の成形物を得ることが難しくなる。炭素前駆体粒子の平均粒子径は、通常、０．１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは１μｍ〜０．１ｍｍ、より好ましくは５〜５００μｍである。多くの場合、５〜５０μｍ程度の平均粒子径の炭素前駆体粒子を使用することにより、良好な結果を得ることができる。炭素前駆体の平均粒子径は、フルイ分け法（マイクロメッシュシーブ、標準フルイ）により測定することができる。
【００４３】
本発明で使用する炭素前駆体繊維の平均直径は、０．１ｍｍ以下が好ましい。炭素前駆体繊維の平均直径が０．１ｍｍを越えると、樹脂組成物を成形した場合に、良好な外観の成形物を得ることが難しくなる。炭素前駆体繊維の平均直径の下限値は、１μｍ程度である。炭素前駆体繊維は、平均繊維長が通常１００ｍｍ以下、多くの場合５０ｍｍ以下の短繊維であることが分散性の観点から好ましい。炭素前駆体繊維の平均繊維長の下限値は、通常５μｍ、多くの場合１０μｍ程度である。
【００４４】
合成樹脂組成物中の体積抵抗率が１０２〜１０１０Ω・ｃｍの範囲内にある炭素前駆体の配合割合は、５〜４０重量％、好ましくは７〜３５重量％、より好ましくは１０〜３０重量％、特に好ましくは１５〜２５重量％である。炭素前駆体の配合割合が大きすぎると、得られる成形物（樹脂部材）の引張伸びが低下し、機械的特性が悪化する。炭素前駆体の配合割合が小さすぎると、樹脂部材の表面抵抗率を十分に下げることが困難となるか、表面抵抗率を半導電性領域に制御することが困難となる。
【００４５】
３．導電性充填材
本発明で使用する体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍ未満の導電性充填材としては、例えば、炭素繊維、導電性カーボンブラック、黒鉛、金属粉末が挙げられる。これらの中でも、表面抵抗率の制御性及び再現性の観点から、炭素繊維、導電性カーボンブラック、黒鉛、及びこれらの混合物などの導電性炭素材料が好ましく、炭素繊維がより好ましい。本発明で使用する導電性炭素材料は、短繊維状または粒状（粉末状や鱗片状を含む）である。
【００４６】
本発明で使用する炭素繊維としては、例えば、セルロース系炭素繊維、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）系炭素繊維、リグニン系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維（石炭ピッチ系炭素繊維及び石油ピッチ系炭素繊維）が挙げられる。これらの中でもＰＡＮ系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維、及びこれらの混合物が好ましい。炭素繊維の体積抵抗率は、通常、１０−１Ω・ｃｍから１０−３Ω・ｃｍ程度である。
【００４７】
炭素繊維の平均直径は、０．１ｍｍ以下であることが好ましい。炭素繊維の平均直径が大きすぎると、良好な外観や金型転写性を有する成形物を得ることが難しくなる。炭素繊維の平均直径の下限値は、通常５μｍ、多くの場合１０μｍ程度である。炭素繊維は、平均繊維長が５０μｍ以上で、かつ、短繊維であることが好ましい。炭素繊維の平均繊維長が５０μｍ以上であることにより、クリープ特性、弾性率、強度等の機械的性質の改善効果が顕著となる。炭素繊維の混合前の平均繊維長の上限は８０ｍｍ程度である。混合・押出後の樹脂組成物中での炭素繊維の平均繊維長の上限は、１０００μｍ程度である。
【００４８】
本発明で使用する導電性カーボンブラックとしては、例えば、アセチレンブラック、オイルファーネスブラック、サーマルブラック、チャンネルブラックを挙げることができる。これらの中でも、導電性グレードであるアセチレンブラック及びオイルファーネスブラックが好ましい。導電性グレードのカーボンブラックの体積抵抗率は、通常、１０−１Ω・ｃｍから１０−２Ω・ｃｍ程度である。これらの導電性カーボンブラックは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００４９】
本発明で使用する黒鉛としては、例えば、コークス、タール、ピッチなどを高温で黒鉛化処理した人造黒鉛；鱗片状黒鉛、鱗状黒鉛、及び土状黒鉛等の天然黒鉛を挙げることができる。黒鉛の体積抵抗率は、通常、１０−２Ω・ｃｍ程度である。
【００５０】
本発明で使用する導電性充填材の体積抵抗率は、１０２Ω・ｃｍ未満であり、その下限は、通常、金属粉末や金属繊維などの金属材料の体積抵抗率である。
【００５１】
体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍ未満の導電性充填材の配合割合は、０．５〜３０重量％、好ましくは１〜２５重量％、より好ましくは３〜２０重量％、特に好ましくは５〜１５重量％である。導電性充填材の配合割合が大きすぎると、得られる成形物（樹脂部材）の表面抵抗率が低くなりすぎて、表面抵抗率を所望の半導電性領域に制御することが困難となる。導電性充填材の配合割合が小さすぎると、得られる成形物の表面抵抗率を十分に下げることが困難となるか、表面抵抗率を所望の半導電性領域に制御することが困難となる。導電性充填材の配合割合を小さくして、炭素前駆体の配合割合を大きくすると、成形物（樹脂部材）の機械的特性が低下するか、ガラス基板の表面電位を十分に下げることができなくなる。
【００５２】
４．その他の充填材
本発明の基板用カセットの樹脂部材を構成する樹脂組成物には、機械的強度や耐熱性の向上を目的として、その他の各種充填材を配合することができる。その他の充填材としては、例えば、ガラス繊維、アスベスト繊維、シリカ繊維、アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化硼素繊維、窒化珪素繊維、硼素繊維、チタン酸カリ繊維などの無機繊維状物；ステンレス、アルミニウム、チタン、鋼、真鍮などの金属繊維状物：ポリアミド、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などの高融点有機質繊維状物質；等の繊維状充填材が挙げられる。
【００５３】
また、その他の充填材として、例えば、マイカ、シリカタルク、アルミナ、カオリン、硫酸カルシウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、フェライト、クレー、ガラス粉、酸化亜鉛、炭酸ニッケル、酸化鉄、石英粉末、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム等の粒状または粉末状充填材を挙げることができる。ただし、成形物の表面抵抗率を好ましい範囲内に制御するには、非導電性の充填材を用いることが望ましい。
【００５４】
その他の充填材は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。その他の充填材は、必要に応じて、集束剤または表面処理剤により処理されていてもよい。集束剤または表面処理剤としては、例えば、エポキシ系化合物、イソシアネート系化合物、シラン系化合物、チタネート系化合物などの官能性化合物が挙げられる。これらの化合物は、充填材に対して予め表面処理または集束処理を施して用いるか、あるいは樹脂組成物の調製の際に、他の充填材と同時に添加してもよい。
【００５５】
５．その他の添加剤
本発明の基板用カセットには、前記以外のその他の添加剤として、例えば、エポキシ基含有α−オレフィン共重合体のような衝撃改質剤、エチレングリシジルメタクリレートのような樹脂改良剤、ペンタエリスリトールテトラステアレートのような滑剤、難燃剤、染料や顔料等の着色剤等を適宜添加することができる。
【００５６】
６．樹脂組成物
本発明で使用する樹脂組成物は、一般に樹脂組成物の調製に用いられる設備と方法を用いて調製することができる。例えば、各原料成分をヘンシェルミキサーやタンブラー等の混合機により予備混合し、必要に応じて、ガラス繊維等のその他の充填材を加えてさらに混合した後、１軸または２軸の押出機を使用して混練し、押し出して成形用ペレットとすることができる。必要成分の一部をマスターバッチとしてから残りの成分と混合する方法、また、各成分の分散性を高めるために、使用する原料の一部を粉砕し、粒径を揃えて混合し、溶融押出することも可能である。
【００５７】
７．基板用カセット
本発明の基板用カセットは、少なくとも基板と接触する箇所の部材が、合成樹脂３０〜９４重量％、１０２〜１０１０Ω・ｃｍの体積抵抗率を有する炭素前駆体５〜４０重量％、及び１０２未満の体積抵抗率を有する導電性充填材１〜３０重量％を含有する樹脂組成物から形成された樹脂部材であり、かつ、該樹脂部材の電位が５０００Ｖから５０Ｖに低下するまでのスタティックディケイ時間が２秒以下である。
【００５８】
樹脂部材のスタティックディケイ時間は、好ましくは１．５秒以下、より好ましくは１秒以下である。合成樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルスルホン含有樹脂組成物（例えば、ポリエーテルスルホンとポリフェニレンスルフィドとを含有する樹脂組成物）、ポリカーボネート、及びポリブチレンテレフタレートを使用すると、スタティックディケイ時間を０．５秒以下にすることができる。ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びポリエーテルスルホン含有樹脂組成物を使用すると、スタティックディケイ時間を０．０１秒以下にまで短くすることができる。
【００５９】
本発明の樹脂組成物から形成された樹脂部材の表面抵抗率は、１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に制御することができる。樹脂部材の表面抵抗率は、好ましくは１０６〜１０１３Ω／□、より好ましくは１０７〜１０１２Ω／□である。樹脂部材の場所による表面抵抗率のバラツキは、極めて小さいものである。また、本発明の樹脂組成物から形成された樹脂部材は、ガラス基板などの基板に対する帯電性が顕著に抑制されており、該樹脂部材と接触した基板の表面電位を低水準に維持することが可能である。本発明の樹脂組成物から形成された樹脂部材は、耐摩擦磨耗性に優れており、基板との接触により脱落粉を生じがたいものである。
【００６０】
本発明の樹脂部材の引張伸び（ＡＳＴＭ  Ｄ６３８）は、機械的特性の観点から、２．０％以上であることが好ましい。樹脂部材の引張伸びが低すぎると、可撓性が損なわれて、衝撃などの外力によって破損しやすくなる。引張伸びの上限値は、合成樹脂の種類や各成分の配合割合にもよるが、通常１０％程度である。
本発明において、樹脂部材のスタティックディケイ時間、表面抵抗率、引張伸びなどの諸特性は、後述する実施例に記載されている測定法によって測定された値である。
【００６１】
本発明の基板用カセットは、特定の構造のものに限定されないが、通常は、箱型枠体から形成されたものであって、該枠体の一対の対向する側面には溝付き側板が配置された構造を有している。前述した通り、このような基板用カセットの具体例は、図１及び図２に示されているような構造を有している。
【００６２】
典型的な基板用カセットは、図１及び２に示すように、底面側フレーム１、上面側フレーム２、一対の側板３，３、これらの側板のそれぞれに設けられたリブ状の棚片４，４，・・・、及び受け側フレーム５，５から構成されている。リブ状棚片は、側板の背肉部から所定のピッチで平行に多数枚が突き出すように設けられている。隣接するリブ状の棚片間が溝となって、そこに基板Ａが収容される。溝付き側板の形状や大きさは、所望に応じて、種々に変えることができる。これらの各部材は、通常、射出成形により製造され、その後、箱型枠体に組み立てられる。各部材は、それぞれ全体が樹脂組成物から成形されていてもよく、あるいは金属インサート品またはアウトサート品など金属体との複合物であってもよい。
【００６３】
このような構造の基板用カセットは、少なくとも基板と接触する箇所を、前記樹脂組成物から形成された樹脂部材とで構成する。全部材が樹脂組成物から形成されていてもよい。基板と接触する部材としては、例えば、溝付き側板３，３、受け側フレーム５，５などがある。溝付き側板３，３は、側板本体とリブ状棚片とが樹脂組成物により一体的に成形されていてもよく、あるいは別々に成形された樹脂部材を一体的に組み立ててもよい。また、側板本体は、骨格を金属で作成し、そのまわりに樹脂組成物をインサートまたはアウトサート成形により複合化したものであってもよい。受け側フレーム５，５は、１つでもよく、２つ以上であってもよい。また、受け側フレームは、平板状であってもよいが、溝付き側板と同様に、リブ状の棚片を設けたものであってもよい。
【００６４】
本発明の好適な基板用カセットの構造としては、基板を支承する樹脂部材が突状の樹脂ピンから構成された構造のものである。樹脂ピンを備えた基板用カセットの代表的な例としては、矩形骨格を形作る周枠と該周枠間に架設された桟とからなる基本構造を有する格子状のトレイ形の基板用カセットであって、周枠に設けた張出部材上及び桟（副枠）上に配置された突状の樹脂ピンによって基板を支承する構造の基板用カセットである。
【００６５】
樹脂ピンを備えた基板用カセットは、例えば、図３に示すように、矩形骨格を形作る周枠３１と、その周枠３１間に架設された桟３６とからなる基本構造を有する格子状のトレイ形のカセットである。周枠３１のうちの左周枠３２、右周枠３４および後方周枠３３により、主枠が構成されると共に、それら主枠の上面は、実質的に同一平面にある。周枠３１のうちの前方周枠３５と桟３６とにより副枠が構成される。主枠は、その上面より低い位置に、主枠内側面または主枠底面から張り出す張出部材３７を有している。主枠に付設の張出部材３７上及び副枠３６上には、基板を下方から支承するための樹脂ピン３８，３８,・・・が突設されている。この基板用カセットは、多数の樹脂ピンで基板を安定して支承するため、基板の大型化に対処することができる。このトレイ形カセットは、複数のカセットを積み重ねて使用することができる。
【００６６】
少なくとも基板と接する樹脂ピン３８は、前記樹脂組成物によって形成する。樹脂ピンと張出部材、樹脂ピンと張出部材と周枠、樹脂ピンと桟は、樹脂組成物によって、それぞれ一体的に成形してもよい。本発明の基板用カセットは、それを構成する樹脂部材を表面抵抗率１０６〜１０１４Ω／□の範囲内の所望の値に安定的に制御された成形物によって形成するため、帯電防止性及び耐摩擦磨耗性に優れるとともに、半導電性を利用して、基板と接触する樹脂ピンをアースして、帯電防止性や放電性を高度に抑制することができる。樹脂ピンのアースには、樹脂部材で形成された基板用カセットの適当な箇所に導線を接続し、接地すればよい。このような樹脂ピンのアースは、従来のナチュラル品（フィラーを含有しない合成樹脂成形物）による樹脂ピンでは不可能であった。
【００６７】
本発明の好ましい他の基板用カセットの例を図４に示す。図４に示す基板用カセット４１は、前記図１及び２に示される基板用カセットと同様、箱型枠体からなる基板用カセットであり、図４は、その正面図である。図４に示される基板用カセット４１は、底面側フレーム４９、上面側フレーム４８、一対の側柱４２，４２、これらの側柱４２，４２のそれぞれに設けられた支持棒４３，４３，・・・、及び受け側柱４５から構成されている。支持棒４３，４３、・・・は、側柱４２，４２から所定のピッチで平行に突き出すように設けられている。支持棒４３，４３,・・・の先端部には、樹脂ピン４４，４４,・・・が配置されている。
【００６８】
このような樹脂ピン４４が配置された支持棒４３，４３,・・・を備えた側柱４２，４２の一対が、必要数（例えば、３〜４対）だけ奥行き方向に配置されている。この点では、図１及び２において、リブ状棚片を備えた側板３，３の一対が複数配置されているのと同様である。基板は、対向する一対の支持棒４３，４３の樹脂ピン４４，４４上に載置される。箱型枠体の後方には、受け側柱４５，４５，・・・が配置されている。この受け側柱４５，４５，・・・にも、前方に突き出した受け側支持棒４６，４６，・・・が設けられており、その先端部にも樹脂ピン４７，４７,・・・が設けられている。この受け側支持棒の樹脂ピン上にまで基板を押し込んで載置することにより、基板中央部のたるみを防止することができる。受け側支持棒は、複数（例えば、２〜５個）を配置することができる。
【００６９】
樹脂ピン４４，４７は、前記樹脂組成物によって形成する。側柱４２，４２、支持棒４３，４３、受け側柱４５，４５、受け側支持棒４６，４６は、導電性材料（例えば、ステンレス、アルミニウムなどの金属）により構成することができる。底面側フレーム４９及び上面側フレーム４８も、導電性材料により構成することができる。これらの導電性材料から構成された側柱などを接地すれば、樹脂ピンをアースすることができる。
【００７０】
本発明の基板用カセットに収容する基板としては、ガラス基板、セラミック基板、シリコン基板、複合基板（例えば、樹脂／セラミック基板、樹脂／シリコン基板）、メタルベース・メタルコア基板（絶縁層は、ガラスやポリイミドなど）などの薄板状の基板を挙げることができる。これらの基板の用途としては、エレクトロニクス実装技術分野における液晶ディスプレイ用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、サーマルヘッド用ガラス基板、ＬＳＩパッケージ用セラミック基板、ハイブリッドＩＣ用セラミック基板など挙げることができる。本発明の基板用カセットは、特に液晶ディスプレイ用ガラス基板などのガラス基板を収容するのに好適である。
【実施例】
【００７１】
以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。物性及び特性の測定方法は、以下に示すとおりである。
【００７２】
（１）表面抵抗率
試料の表面抵抗率が１×１０６Ω／□以上の場合は、ＪＩＳ  Ｋ６９１１に従って、定電圧器（菊水社製３００−１Ａ型）、電流計（ケースレー社製６１６型）及び試料セル（横河・ヒューレトパッカード社製１６０８Ａ型）を用い、印加電圧１００Ｖで表面抵抗率を測定した。試料の表面抵抗率が１×１０６Ω／□未満の場合には、ＪＩＳ  Ｋ７１９４に従って、三菱化学社製ロレスターＨＰを用いて測定した。試料の表面抵抗率は、単位表面積当りの抵抗を表す。表面抵抗率の単位は、Ωであるが、単なる抵抗値と区別するために、Ω／□またはΩ／ｓｑ．（オーム・パー・スクエア）と表記する。
【００７３】
（２）ガラス基板の表面電位測定
室温２３℃、相対湿度５０％の条件で、試料（形状＝２０ｃｍ×２０ｃｍ×１ｃｍ）をガラス基板（形状＝６ｃｍ×４ｃｍ×０．０５ｃｍ）と摩擦させた後のガラス基板の表面電位を、表面電位計（トレックジャパン社製、商品名「Ｍｏｄｅｌ３４４」）で測定した。摩擦は、ガラス基板を試料上に配置した後、イオナイザーで除電し、次いで、リストストラップで接地した人間がガラス基板を１０回スライドさせる方法により行った。スライド後、ガラス基板の表面電位を測定した。この表面電位（Ｖ）は、試料のガラス基板に対する帯電性の指標となるものであり、表面電位が大きいほど、帯電させ易い傾向が強いことを示す。
【００７４】
（３）スタティックディケイ時間（Static Decay Time）の評価
ＥＴＳ社製のスタティックディケイ測定器（商品名「STATIC DECAY METER−406C」）を用い、ＭＩＬ−Ｂ−８１７０５Ｃに従って、５０００Ｖから５０Ｖへのスタティックディケイ時間を測定した。より具体的には、試料（形状＝１２ｃｍ×１０ｃｍ×０．３ｃｍ）をチャージプレートモニター上に置き、５０００Ｖまでチャージアップした後、該試料を通じて電荷をディスチャージし、該試料の電位が５０Ｖになるまでの時間（秒）を測定した。このスタティックディケイ時間が短いほど、静電気の蓄積傾向が弱いことを示す。
【００７５】
（４）耐摩擦磨耗性
試料（形状＝２０ｃｍ×２０ｃｍ×１ｃｍ）の上でガラス基板（形状＝６ｃｍ×４ｃｍ×０．０５ｃｍ）を手で押さえながら１０００回スライドさせて摩擦磨耗させ、その後、試料の状態を目視により下記の５段階で評価した。
Ａ：試料の削れが極めて小さい、
Ｂ：試料の削れが小さい、
Ｃ：試料の削れが少しある、
Ｄ：試料の削れが少し目立つ、
Ｅ：試料の削れが極めて大きい。
（５）引張伸び
試料の引張伸びは、ＡＳＴＭ  Ｄ６３８に従って測定した。引張伸びが２．０％以上であれば、実用上の機械的特性が十分である。
【００７６】
［製造例１］炭素前駆体の製造例
軟化点２１０℃、キノリン不溶分１重量％、Ｈ／Ｃ原子比０．６３の石油系ピッチ６８ｋｇとナフタレン３２ｋｇとを、攪拌翼のついた内容積３００リットルの耐圧容器に仕込み、１９０℃に加熱して溶解混合した後、８０〜９０℃に冷却して押し出し、直径が約５００μｍの紐状成形体を得た。次いで、この紐状成形体を直径と長さの比が約１．５になるように粉砕し、得られた粉砕物を、９３℃に加熱した０．５３％のポリビニルアルコール（ケン化度８８％）水溶液中に投下し、撹拌分散し、冷却して球状ピッチ成形体を得た。さらに、濾過を行なって水分を除去し、球状ピッチ成形体の約６倍量のｎ−ヘキサンでピッチ成形体中のナフタレンを抽出除去した。
【００７７】
このようにして得られた球状ピッチ成形体を、加熱空気を通じながら、２６０℃で１時間保持して酸化処理を行い、酸化ピッチを得た。この酸化ピッチを窒素気流中で５８０℃で１時間熱処理した後、粉砕して、平均粒子径が約２５μｍの炭素前駆体粒子とした。この炭素前駆体粒子の炭素含有量は、９１重量％であった。この炭素前駆体の体積抵抗率を調べるために、炭素前駆体粒子１３ｇを、断面積８０ｃｍ２の円筒金型に充填し、圧力１９６ＭＰａで成形して、成形体試料を得た。この試料について、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４に準拠して体積抵抗率を測定したところ、５×１０７Ω・ｃｍであった。
【００７８】
［実施例１］
ポリエーテルエーテルケトン（ビクトレックス社製、ＶＩＣＴＲＥＸ  ＰＥＥＫ  １５０Ｐ）７２重量部、製造例１で調製した炭素前駆体１６重量部、及び炭素繊維（東邦レーヨン社製、商品名「ベスファイトＨＴＡ３０００」）１２重量部をヘンシェルミキサーで均一にドライブレンドした後、混合物を４５ｍｍφの２軸混練押出機（池貝鉄工所社製「ＰＣＭ−４５」）へ供給し、溶融押出を行いペレットを作製した。得られたペレットを乾燥した後、射出成形機（東芝機械社製ＩＳ−７５）により、測定用試料（平板）を作製した。結果を表１に示す。
【００７９】
［実施例２〜６］
合成樹脂の種類と各成分の配合割合を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、測定用試料を作製した。結果を表１に示す。
【００８０】
［比較例１〜６］
合成樹脂の種類と各成分の配合割合を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、測定用試料を作製した。結果を表１に示す。
【００８１】
【表１】
2006324640.tif 000003
【００８２】
（脚注）
（１）ポリエーテルエーテルケトン（ビクトレックス社製１５０Ｐ）、
（２）ポリエーテルスルホン（住友化学社製３６００Ｐ）、
（３）ポリフェニレンスルフィド（株式会社クレハ製フォートロンＫＰＳ  Ｗ−２１４）、
（４）ポリエーテルイミド（ＧＥポリマーランドジャパン社製１０００−１０１０）、
（５）ポリカーボネート（三菱ガス化学社製ユーピロンＳ−２０００）、
（６）ポリブチレンテレフタレート（ポリプラスチックス社製ジュラネックス２００２）、
（７）炭素前駆体（体積抵抗率５×１０７Ω・ｃｍ、炭素含有量９１重量％）、
（８）ＰＡＮ系炭素繊維（東邦レーヨン社製ベスファイトＨＴＡ３０００）、
（９）表面抵抗率の値について、例えば、２Ｅ＋０８との表記は、２×１０８を意味する。
【００８３】
＜考察＞
表１の結果から明らかなように、合成樹脂、炭素前駆体、及び導電性充填材を特定の割合で併用すると（実施例１〜６）、１０６〜１０１４Ω／□の表面抵抗率を示し、かつ、スタティックディケイ時間が２秒以下である成形物を得ることができる。合成樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン（実施例１）、ポリエーテルスルホン（実施例２）、ポリエーテルスルホン含有樹脂組成物（実施例３；ポリエーテルスルホンとポリフェニレンスルフィドとを含有する樹脂組成物）、ポリカーボネート（実施例５）、及びポリブチレンテレフタレート（実施例６）を使用すると、スタティックディケイ時間を０．５秒以下にすることができる。合成樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン（実施例１）、ポリエーテルスルホン（実施例２）、及びポリエーテルスルホン含有樹脂組成物（実施例３）を使用すると、スタティックディケイ時間を０．０１秒以下にすることができる。
【００８４】
本発明の樹脂組成物を用いて形成した成形物は、ガラス基板と摩擦させた場合のガラス基板表面電位を低水準に抑えることができ、基板用カセットの材料としての要求特性を満足する。合成樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン（実施例１）、ポリエーテルスルホン（実施例２）、ポリエーテルスルホンを含有するブレンド（実施例３）、及びポリブチレンテレフタレート（実施例６）を使用すると、ガラス基板の表面電位を１５０Ｖ以下の低水準に抑制することができ、特にポリエーテルスルホンを含有するブレンド（実施例３）を使用すると、ガラス基板の表面電位を極めて低水準に抑制することができる。
【００８５】
これに対して、炭素前駆体と導電性充填材を含有しない合成樹脂を用いた場合（比較例１〜６）には、成形物の表面抵抗率が１０１５Ω／□以上と大きいことに加えて、スタティックディケイ時間が６０秒以上と長く帯電防止機能が働いていないものである。しかも、比較例１〜６の成形物は、摩擦によりガラス基板の表面電位を１０００Ｖ以上にまで上昇させるため、基板用カセットに対する要求水準を満足しないものである。
【００８６】
本発明の樹脂組成物を用いて形成した成形物（実施例１〜６）は、それぞれ対応する合成樹脂を用いて形成した比較例の成形物（比較例１〜６）と比べて、耐摩擦磨耗性が改善されている。例えば、ポリエーテルエーテルケトンを単独で使用した成形物（比較例１）に比べて、ポリエーテルエーテルケトンに炭素前駆体と炭素繊維を配合した樹脂組成物から形成した成形物（実施例１）は、これらの充填材を含有するにもかかわらず、耐摩擦磨耗性の評価がＢからＡに向上している。同様の傾向は、実施例２と比較例２との対比、実施例４と比較例４との対比、実施例５と比較例５との対比、実施例６と比較例６との対比結果にも現れており、いずれも合成樹脂に炭素前駆体と炭素繊維を配合した樹脂組成物から形成した成形物の方が、これらの充填材を含有しない合成樹脂から形成した成形物に比べて、耐摩擦磨耗性が改善されている。
【００８７】
特に、合成樹脂として、ポリエーテルスルホンとポリフェニレンスルフィドとを含有する樹脂組成物を用いて形成した成形物（実施例３）は、ポリエーテルスルホン成形物（比較例２）及びポリフェニレンスルフィド成形物（比較例３）に比べて、耐摩擦磨耗性が顕著に改善されている。
【００８８】
本発明の樹脂組成物から形成された成形物（樹脂部材）は、空気中を浮遊している塵埃などを吸着することがなく、薄膜トランジスタを組み込んだガラス基板の回路を破壊するおそれもない。
【００８９】
［比較例７〜１０］
合成樹脂の種類と各成分の配合割合を表２に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、測定用試料を作製した。結果を表２に示す。
【００９０】
【表２】
2006324640.tif 000004
【００９１】
（脚注）
（１）ポリエーテルエーテルケトン（ビクトレックス社製１５０Ｐ）、
（２）炭素前駆体（体積抵抗率５×１０７Ω・ｃｍ、炭素含有量９１重量％）、
（３）ＰＡＮ系炭素繊維（東邦レーヨン社製ベスファイトＨＴＡ３０００）、
（４）表面抵抗率の値について、例えば、２Ｅ＋０８との表記は、２×１０８を意味する。
【００９２】
＜考察＞
ポリエーテルエーテルケトンに、ＰＡＮ系炭素繊維を単独で配合した樹脂組成物から形成された成形物（比較例７）は、表面抵抗率が低くなりすぎる上、ガラス基板の表面電位を十分に低くすることが困難である。ＰＡＮ系炭素繊維の配合割合を小さくすると（比較例８）、スタティックディケイ時間が長くなり、ガラス基板の表面電位も著しく大きくなる。
【００９３】
ポリエーテルエーテルケトンに、炭素前駆体を単独で多量に配合した樹脂組成物から形成された成形物（比較例９）は、引張伸びが小さく、機械的特性に劣るものである。炭素前駆体の配合割合を小さくすると（比較例１０）、引張伸びを改善することができるものの、スタティックディケイ時間が長くなり、ガラス基板の表面電位も著しく大きくなる。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明の基板用カセットは、エレクトロニクス実装技術分野における液晶ディスプレイ用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、サーマルヘッド用ガラス基板、ＬＳＩパッケージ用セラミック基板、ハイブリッドＩＣ用セラミック基板などの各種基板のカセットとして有用である。また、本発明の基板用カセットは、樹脂ピンを備えた構造の大型基板用のカセットとして使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】図１は、基板用カセットの一例を示す正面図である。
【図２】図２は、基板用カセットの一例を示す斜視図である。
【図３】図３は、格子状のトレイ形基板用カセットの一例を示す斜視図である。
【図４】図４は、基板用カセットの他の一例を示す正面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１：底面側フレーム、
２：上面側フレーム、
３：側板、
４：リブ状の棚片、
５：受け側フレーム、
Ａ：基板、
３１：矩形骨格を形作る周枠、
３２：左周枠、
３３：後方周枠、
３４：右周枠、
３５：前方周枠、
３６：桟（副枠）、
３７：張出部材、
３８：樹脂ピン、
４１：基板用カセット、
４２：側柱、
４３：支持棒、
４４：樹脂ピン、
４５：受け側柱、
４６：受け側支持棒、
４７：樹脂ピン、
４８：上面側フレーム、
４９：底面側フレーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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