(57)【要約】【課題】  従来の方法に比べてより短時間で生成物の除去が可能であり、より精度良く終点検知が可能な生成物の除去方法を提供する。【解決手段】  反応容器１０１又は該反応容器と連通する配管１０８内の生成物を化学反応によって除去する方法であって、反応容器１０１内に生成物除去用ガスを流す工程と、反応容器１０１又は配管１０８の少なくとも一箇所以上の壁面の温度を測定し、該温度が所定の値になった際に、前記化学反応の条件を、前記化学反応がより促進される条件に変化させる工程を含むことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応容器又は該反応容器と連通する配管内の生成物を化学反応によって除去する方法であって、前記反応容器内に生成物除去用ガスを流す工程と、前記反応容器又は配管の少なくとも一箇所以上の壁面の温度を測定し、該温度が所定の値になった際に、前記化学反応の条件を、前記化学反応がより促進される条件に変化させる工程を含むことを特徴とする、生成物の除去方法。
【請求項２】
前記壁面の温度の測定を複数箇所で実施し、該複数箇所のうち、最も高い温度である箇所の温度が所定の値になった際に、前記化学反応の条件を、前記化学反応がより促進される条件に変化させる工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の生成物の除去方法。
【請求項３】
前記化学反応がより促進される条件に変化させた後に、前記温度が上昇しないことによって、生成物除去の終点検知を行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載の生成物の除去方法。
【請求項４】
前記化学反応がより促進される条件が、前記生成物除去用ガスの分圧を高めることであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の生成物の除去方法。
【請求項５】
前記化学反応がより促進される条件が、前記生成物除去用ガスの流量を増加することであることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の生成物の除去方法。
【請求項６】
前記生成物除去用ガスが、フッ素原子を含有するガスを含んでおり、前記生成物との化学反応がプラズマレスで行われることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の生成物の除去方法。
【請求項７】
前記生成物除去用ガスが、ＣｌＦ3ガス又はＦ2ガスであることを特徴とする、請求項６に記載の生成物の除去方法。
【請求項８】
前記生成物がフッ素原子を含有していることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の生成物の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
反応容器又は該反応容器と連通する配管内に堆積した、生成物の除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シランなどのシリコンを含むガスを用いた半導体プロセスにおいて、生産コストの低減や生産量の増大を目的に、より成膜速度を高めつつ高品質の膜をつくることが重要な技術課題となっている。高周波プラズマＣＶＤにおいて、前記課題を解決するための手段としては、プラズマ密度を増大させ、原料ガスが枯渇をしないように供給し、圧力を比較的高い領域の条件とすることが開示されている（特許文献１）。
【０００３】
上記条件による半導体プロセスは、高速で高品質な膜を形成するための優れた手段であるが、長時間にわたって連続で成膜を行った場合には、半導体形成容器内および排気配管内の主に流速の変化する場所（特に流速の低下する場所、ガスの滞留する場所）に、ポリシランなどの生成物の発生を誘発する。そして半導体形成容器内及び排気配管内に過剰な生成物が堆積すると、プラズマ空間へダストとなって放出されて、膜中に取り込まれたり、プラズマの放電条件を変化させる要因となるなどの理由により、膜質を低下させる要因となる。また、高周波投入電極上に堆積した場合には、プラズマに投入される実効電力を低下させ、所望のプラズマ条件の維持が困難になる。さらには、排気系配管の詰まりや、圧力制御バルブの動作不良などを誘発し、所望の一定条件での半導体プロセスを維持することが困難になる。以上のことから、定期的に前記生成物を除去することが必要となっている。
【０００４】
除去の方法を、反応容器や配管を大気開放した後に、物理的な手段を用いて実施した場合には、上記生成物は活性な物性をもつために、摩擦などの要因により発火を引き起こす要因となる。また、生成物に吸着していた、半導体プロセスで使用した半導体ガスに含まれる原子が、大気へ放出されるために、作業性や安全性の点で問題がある。そのため、上記生成物の除去方法としては、密閉状態を維持しながら、化学反応によって生成物をガス化させて配管から取り除き、下流側に設置したスクラバーなどのガス除害設備を用いて無害化処理を行う方法が好ましいものである。特に、排気配管内のようなプラズマ領域外の生成物を、安全に作業性の良い方法で除去する手段としては、プラズマ放電に依存しないクリーニング方法が特にすぐれている。そのための手段としては、ＣｌＦ3ガスなどの生成物除去用ガスを生成物の堆積している領域に流し、化学反応によって生成物をガス化して除去する方法が知られている（特許文献２、特許文献３）。
【０００５】
成膜装置において生成物を除去する工程は、装置の利用効率から考えて、なるべく短時間で完了することが好ましい。そのためには、生成物の除去をなるべく速やかに行い、さらには生成物の除去の終点検知を精度よく行う必要がある。生成物除去の終点検知の方法については、反応チャンバー内の圧力を所定の値に保持し、そのときの圧力制御バルブの開度変化から終点検知を行う方法が、特許文献４に開示されている。また、別の方法として、生成物がＣｌＦ3ガスによってガス化する反応が発熱反応であることを利用して、配管等の温度を測定し、その温度が設定温度への収束点に達したことをもって、その生成物除去の終点検知とする方法が、特許文献５に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１３４７７４号公報
【特許文献２】特開平２−７７５７９号公報
【特許文献３】特開２００１−１８９２７７号公報
【特許文献４】特開平７−２１１６９３号公報
【特許文献５】特開平８−３０６６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述のようにすでに開示された生成物の除去方法は優れた方法であるが、特許文献４の方法では、反応容器の体積が大きい系や、配管形状が複雑な構造をしている系、配管長が大きい系などで、生成物が局所的に存在している場合には、局所的な反応を系全体の圧力変動やバルブの開度位置で敏感に検知することが困難であり、精度の良い終点検知の実施に課題があった。また、同一条件で生成物除去用ガスを流しつづけながら配管等の温度を測定することによって終点検知を行う方法では、前記生成物が大量に存在している領域や、塊状で存在している領域では、生成物除去が完了していないにもかかわらず、時間の経過とともに反応速度が低下していく現象が起こることがわかってきた。そのため、同一条件で生成物除去用ガスを流しつづけた場合には、生成物の除去に多くの時間を要し、さらには、温度の低下が緩やかになるために、生成物除去の終点が明瞭ではなく、終点検知の精度が悪いという課題があった。終点検知の精度が悪くて、処理時間が短すぎる場合には、結果として生成物の除去が不完全となり生成物除去の目的を果たせず、一方、処理時間が長すぎると、装置の利用効率が低下したり、必要以上に生成物除去用ガスを消費し、反応容器や配管などをオーバーエッチすることによりダメージを与えるなどの問題点が生じる。
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、従来の方法に比べてより短時間で生成物の除去が可能であり、より精度良く終点検知が可能な生成物の除去方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成すべく、本発明は、反応容器又は該反応容器と連通する配管内の生成物を化学反応によって除去する方法であって、前記反応容器内に生成物除去用ガスを流す工程と、前記反応容器又は配管の少なくとも一箇所以上の壁面の温度を測定し、該温度が所定の値になった際に、前記化学反応の条件を、前記化学反応がより促進される条件に変化させる工程を含むことを特徴としているものである。
【００１０】
上記本発明の生成物の除去方法は、
「前記壁面の温度の測定を複数箇所で実施し、該複数箇所のうち、最も高い温度である箇所の温度が所定の値になった際に、前記化学反応の条件を、前記化学反応がより促進される条件に変化させる工程を含むこと」、
「前記化学反応がより促進される条件に変化させた後に、前記温度が上昇しないことによって、生成物除去の終点検知を行うこと」、
「前記化学反応がより促進される条件が、前記生成物除去用ガスの分圧を高めることであること」、
「前記化学反応がより促進される条件が、前記生成物除去用ガスの流量を増加することであること」、
「前記生成物除去用ガスが、フッ素原子を含有するガスを含んでおり、前記生成物との化学反応がプラズマレスで行われること」、
「前記生成物除去用ガスが、ＣｌＦ3ガス又はＦ2ガスであること」、
「前記生成物がフッ素原子を含有していること」、
をその好ましい態様として含むものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の生成物の除去方法によれば、生成物除去用ガスと生成物との化学反応によって或る領域の温度が所定の値になった際に、生成物除去用ガスと生成物との化学反応の条件を化学反応がより促進される条件に変化させ、残留している生成物の除去をより促進させる工程を少なくとも１回導入することにより、従来の方法に比べて短時間で生成物の除去が可能であり、より精度良く終点検知が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はかかる形態に限定されるものではない。
【００１３】
図１は本発明の作用を説明するための、反応容器及び該反応容器と連通する配管を示す概略図である。真空に保持可能な反応容器１０１には、供給ガス配管１０３が供給バルブ１０２を介して接続されており、反応容器内にガスを導入することが可能であり、排気バルブ１０７を開け真空排気配管１０８を経由させ真空ポンプ１０９によって排気配管１１０へ排出される。この場合、例えば排気バルブ１０７として開度調整可能なバルブを使ったり、モーター回転数調整可能な機能を有する真空ポンプ１０９を用いるなどの手段をとることによって、容器内や排気配管内を所望の圧力に調整維持することが可能である。
【００１４】
反応容器１０１内には不図示の高周波電源が接続された高周波印加電極１０６が設置され、基板１０５を保持可能な基板ホルダー兼対向電極１０４との間の空間にてプラズマ放電可能な構造となっている。例えば、不図示のマスフローコントローラー等で構成されたミキシング装置等を使ってガス流量を調整し、シランガス、ＳｉＦ4ガス、水素ガスをそれぞれ４００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、１０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流しながら混合し、供給ガス配管１０３を通して容器内へ流し、排気バルブ１０７を使って容器内圧力を５００Ｐａに調整し、高周波印加電極１０６にＶＨＦ（６０ＭＨｚ）電力を３ｋＷ印加してプラズマを生起させ、基板１０５としてガラス板を使いその表面に微結晶シリコン薄膜を形成した。このような薄膜形成工程を５０時間続けた後には、反応容器１０１の内壁、排気バルブ１０７や真空排気配管１０８の内壁にはポリシランを主とする生成物が付着堆積し、特に堆積箇所１１２には多量のポリシランが塊状に堆積した。そして、排気バルブ１０７付近のポリシランの堆積が進んだために、排気バルブ１０７の開度を調整しても、容器内圧力を５００Ｐａに維持することが困難になった。
【００１５】
引き続き、生成物除去工程を行った。不図示のマスフローコントローラー等で構成されたミキシング装置等を使ってガス流量を調整し、生成物除去用ガスとしてＣｌＦ3ガスを用い、窒素ガスで希釈しながら供給ガス配管１０３を通して容器内へ流し、排気バルブ１０７は全開にして、不図示のインバーターを使って真空ポンプ１０９の回転数を調整することで容器内圧力、真空排気配管内圧力を１３．３ｋＰａ以上に調整し混合ガスを流しながら放置して、プラズマレスでクリーニングを行った。ＣｌＦ3ガス、窒素ガスの流量は、それぞれ２，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）とした。上記では、プラズマレスで生成物を除去するためのガスとしてＣｌＦ3を例として挙げたが、Ｆ2ガスなどのポリシランと反応性の高いガスを用いる方法であっても構わない。また生成物と生成物除去用ガスの反応性が激しすぎると発熱量が大きくなりすぎて反応容器や配管部へダメージを与えてしまい、またＣｌＦ3のような液化ガスを用いる場合は供給配管中の再液化を防止するなどの取扱い上の簡便さを向上させる目的で、生成物除去用ガスに不活性ガスを希釈ガスとして追加して使用するのが好ましいものである。生成物除去用ガスとしてＣｌＦ3ガスを用いた場合には、５０％以下の濃度で使用するのが好ましい。
【００１６】
ＣｌＦ3ガスなどの生成物除去用ガスによって生成物をガス化する反応は発熱反応であるために、生成物除去の進行度合い、あるいは終了の判定は、生成物の堆積している領域の配管等の温度を測定し、その温度変化を観察することで目安とすることができる。温度の測定は、反応容器又は配管の少なくとも一箇所以上の壁面で実施すればよいが、あらかじめ生成物の堆積しやすい領域がわかっている場合には、その付近に温度測定ポイント２００を設定し、熱電対を配管の側面壁に接触させ、連続的に温度をモニターすることで行うなどの方法や、接触あるいは非接触の温度測定器を用いて連続的にあるいは間欠的に測定する方法などを、適宜選択して実施することも好ましい形態として挙げられる。
【００１７】
ただし、上述のように前記生成物が大量に存在している領域や、塊状で存在している領域では、生成物除去が完了していないにもかかわらず、時間の経過とともに反応速度が低下していくという現象が起こることがわかってきた。そのため、生成物除去が完了していないにもかかわらず、配管等の温度が低下してしまうため、生成物除去の正確な終点検知が困難であった。生成物除去が完了していないにもかかわらず、時間の経過とともに反応速度が低下していく現象が起こる理由の詳細は不明であるが、生成物反応の進行とともに、例えば生成物の表面形状の変化により生成物除去用ガスと生成物との接触面積の低下が起こったり、生成物の表面付近の組成の変化や、表面付近が固化するなどの現象が生じて不活性化しているためではないかと推測している。
【００１８】
本発明の生成物の除去方法では、生成物が大量に存在している領域や、塊状で存在している領域における生成物除去の終点検知は、該領域の温度が所定の値まで低下した際に、生成物除去用ガスと生成物との化学反応の条件を化学反応がより促進される条件に変化させ、残留している生成物の除去をより促進させる工程を少なくとも１回導入する。このような工程を行うことにより、より短時間で生成物の除去が可能である。即ち、生成物がまだ残留している状態で、前記化学反応がより促進される条件に変化させた場合には、生成物除去の反応が再度促進されていくために、反応容器や配管の温度が上昇傾向を示す。一方、生成物の除去が完了している場合には、温度の上昇がみられない。このため、上記手法によって前記温度が上昇しないことを確認することによって、生成物除去の終点とする終点検知方法は、より精度良く検知を行うことができるために好ましいものである。
【００１９】
本発明において、生成物と生成物除去用ガスによる化学反応を促進させるためには、生成物と生成物除去用ガスの接触頻度を増加させることが有効である。それを実現するための具体的な方法としては、反応容器内に導入する生成物除去用ガスの流量を増加する、生成物除去用ガスの濃度を上げる、反応容器や配管内の圧力を上昇させたりすることにより、生成物除去用ガスの除去雰囲気近傍における、生成物除去用ガスの分圧を高くする方法が好ましい方法として挙げられる。
【００２０】
生成物除去の実施において、該温度が所定の値になった際に、前記化学反応の条件を、前記化学反応がより促進される条件に変化させる工程を複数回実施する場合には、該所定の値は、すべての工程を同一の温度として実施しても良いし、工程ごとに変化させる方法としても構わない。
【００２１】
また、配管の形状、生成物の量、配管内の圧力等の条件によって、生成物が堆積している場所が離間して存在している、あるいは堆積量の多い領域と少ない領域があり、多い領域が離間して存在していることもある。このような場合には、生成物の除去は、ガスの流れの上流側から下流側に向かって順次行われるため、１つの生成物、あるいは１つの堆積量の多い領域の除去が終了した後に、生成物除去の条件を初期の条件に戻し、次の生成物の除去へと進み、その工程の途中で温度が所定の値になったときに、再び化学反応がより促進される条件に変更する、という作業を繰り返す方法も好ましいものである。この場合、各生成物あるいは各堆積量の多い領域の除去における前記所定の値を、同一の温度で実施してもよいし、工程ごとに変化させる方法としても構わない。
【００２２】
前記所定の値は、装置構成、配管部の形状、使用している部材の耐熱性などによって異なるため一概に決められないが、使用している部材の耐熱温度によって制限される最大温度と、室温との間に設定されるものである。生成物の除去にかかる時間を低減するという観点から、前記所定の値は室温より５℃以上の温度であることがより好ましい。
【００２３】
ここで、生成物除去の化学反応は、ガスの流れの上流側から下流側に向かって順次進行していく。そのため、生成物の除去をより促進される条件に変更するための判断は、その時点で最も生成物の除去が活発に行われている、すなわち複数の箇所の温度を測定している場合には、最も高い温度である箇所の温度に着目して、その温度が所定の値になった際に、生成物の除去をより促進される条件に変更させることがより好ましいものである。
【００２４】
また特に生成物にフッ素原子が含有されている場合には、その理由は明確にはなっていないが、時間の経過とともに生成物と生成物除去用ガスとの反応速度が低下していく上記の現象が増進する場合がある。そのため、上記の手法を用いることは、より短時間での生成物の除去を行うために、より効果的な方法であると言うことができる。また、生成物がフッ素原子を含有している場合に、生成物除去の終点検知が正しく行われずに、生成物が残留している状態で配管等を大気開放にした場合には、生成物中のフッ素原子がＨＦなどの化合物として大気中に拡散されてしまうために、作業安全に関する問題も生じてしまう。そのために、上記方法によって、生成物除去の終端検知の精度が上がることは、安全上も好ましいものであるといえる。
【実施例】
【００２５】
以下の実施例では、プラズマＣＶＤ法を用いた際の反応容器と連通する配管内の生成物を、生成物除去用ガスとしてＣｌＦ3を用いて除去した方法を例に挙げて本発明を具体的に説明するが、これらの実施例は本発明の内容をなんら限定するものではない。
【００２６】
（実施例１）
先の実施形態と同様の方法で、図１に示した反応容器１０１を用いて基板１０５上に薄膜形成を５０時間行った後、ＣｌＦ3ガスと窒素ガスを先と同様の方法で、それぞれ２，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）流して、生成物の除去を開始した。温度測定ポイントは図１に示すように４ヶ所（２００−１乃至２００−４）とし、それぞれ連続的に温度モニターを行った。
【００２７】
生成物の除去を開始後に、まず温度測定ポイント２００−１の温度が上昇をはじめ、９５℃まで到達し、その後に徐々に温度が低下した。温度測定ポイント２００−１の温度が４５℃まで低下したときに、ＣｌＦ3ガス、窒素ガスの流量を、それぞれ３，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）と変更したところ、再度温度測定ポイント２００−１の温度が上昇を始め、５５℃まで到達した後に徐々に温度が低下した。再び温度測定ポイント２００−１の温度が４５℃まで低下したときに、ＣｌＦ3ガス、窒素ガスの流量を、それぞれ４，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）と変更したところ、今度は温度測定ポイント２００−１の温度は再度上昇をしなかった。この工程の間、温度測定ポイント２００−２の温度は室温から４０度まで緩やかに上昇しており、温度測定ポイント２００−３の温度は室温から変動していなかった。
【００２８】
次にＣｌＦ3ガス、窒素ガスの流量を、それぞれ２，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）と初期の値に戻してフローを続けたところ、温度測定ポイント２００−２の温度が他のポイントよりも高い状態で上昇をはじめ、９０℃まで到達した後に徐々に温度が低下した。その後、温度測定ポイント２００−１と同様に、温度測定ポイント２００−２の温度が４５℃になった時点で、ＣｌＦ3の濃度を上げながら温度を監視する工程を続けた。ＣｌＦ3の濃度を増加させても温度測定ポイント２００−２の温度が上昇しなくなったら、引き続いて、着目する温度測定ポイントを２００−３として、ＣｌＦ3の濃度を上げても温度上昇が認められなくなり、その後温度が室温まで低下したことをもって、生成物除去の工程を終了した。
【００２９】
ＣｌＦ3ガスと窒素ガスを流し始めてから生成物が除去されるまでの工程に要した時間は２５０分であった。その後配管部を不活性ガスで十分に置換してから、配管部を取り外して内部の様子を目視観察したところ、生成物はきれいに除去されていることが確認できた。
【００３０】
（比較例１）
次に、実施例１と同様な薄膜形成を５０時間行った後、ＣｌＦ3ガス、窒素ガスの流量を、それぞれ初期の値である２，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）を維持しつづけて、生成物除去の工程を行ったところ、２５０分経過後も、まだ温度測定ポイント２００−３の温度は室温まで戻っておらず、生成物の除去が完了していなかった。さらに、生成物除去の工程を継続させたところ、温度測定ポイント２００−３の温度は緩やかに減少を続け、４５０分後にほぼ室温まで戻ったと判断できた。その後配管部を不活性ガスで十分に置換してから、配管部を取り外して内部の様子を目視観察したところ、配管内の一部に生成物が残っていることが確認できた。
【００３１】
実施例１と比較例１の結果から明らかなように、本発明の生成物の除去方法は優れていることがわかる。
【００３２】
（実施例２）
生成物除去工程において、温度測定ポイントの温度が所定の値になったときにＣｌＦ3の流量を上げることを行った代わりに、真空ポンプ１０９の回転数を低下させることによって、真空排気配管内圧力を上昇させることにより化学反応を促進させたことを除いては、実施例１と同様の方法で基板上に微結晶シリコン薄膜を形成した後に、生成物除去を行った。
【００３３】
先ず、ＣｌＦ3ガス、窒素ガスの流量は、それぞれ２，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、２０，０００ｃｍ3／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）として生成物除去を開始した。温度測定ポイント２００−１の温度が９５℃まで到達した後に徐々に温度が低下し、４５℃になったときに真空ポンプ１０９の回転数を初期の９０％に低下させたところ、再度温度測定ポイント２００−１の温度が上昇をはじめた。その後、温度測定ポイント２００−１の温度は、６０℃まで到達した後に徐々に低下した。再び温度測定ポイント２００−１の温度が４５℃まで低下したときに、真空ポンプ１０９の回転数を初期の８５％に低下させたところ、今度は温度測定ポイント２００−１の温度は再度上昇をしなかった。その後、真空ポンプ１０９の回転数を初期の値に戻し、実施例１と同様に、温度測定ポイント２０２−２及び２０２−３についても真空ポンプ１０９の回転数の操作を繰り返しながら、温度測定ポイント２００−３の温度上昇が、真空ポンプ１０９の回転数を小さくしても認められなくなるまで生成物の除去を行った。その結果、ＣｌＦ3ガスと窒素ガスを流し始めてから生成物が除去されるまでの工程に要した時間は２７０分であった。その後配管部を不活性ガスで十分に置換してから、配管部を取り外して内部の様子を目視観察したところ、実施例１と同様に、生成物はきれいに除去されていることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の生成物の除去方法を実施した反応容器及び該反応容器と連通する配管を有する反応装置の概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０１  反応容器
１０２  供給バルブ
１０３  供給ガス配管
１０４  対向電極
１０５  基板
１０６  高周波印加電極
１０７  排気バルブ
１０８  真空排気配管
１０９  真空ポンプ
１１０  排気配管
１１２  堆積箇所
２００  温度測定ポイント
【図１】
2006086156.tif 000003