(57)【要約】【課題】実装信頼性に優れた配線基板を提供する。【解決手段】複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体１の内部に配線導体３を配設するとともに、絶縁基体１の主面に、配線導体３に対しビア導体４を介して電気的に接続される複数の接続パッド２と、配線導体３とは独立した状態で、絶縁基体１のセラミック層間に設けた接合層７に対しビア導体６を介して電気的に接続される複数のダミーパッド５を、格子状に配列して形成する。さらには、ダミーパッド５に接続されるビア導体６は、絶縁基体１の主面となるセラミック層に配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体の内部に配線導体を配設するとともに、前記絶縁基体の主面に、前記配線導体に対しビア導体を介して電気的に接続される複数の接続パッドと、前記配線導体とは独立した状態で、前記絶縁基体のセラミック層間に設けた接合層に対しビア導体を介して接続される複数のダミーパッドとを、格子状に配列して形成したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層のみに設置されることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記接続パッドに接続される前記ビア導体よりも、前記絶縁基体の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体を有するセラミック層が、前記絶縁基体を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記接合層が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記接合層は、平面透視において、前記接続パッドと接続されるビア導体の少なくとも１つが貫通して配置されることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の配線基板上に、前記接続パッド及び前記ダミーパッドにロウ材を介して接続される複数の端子を有した電子部品素子がフリップチップ実装されてなる電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や容量素子等の電子部品を搭載するのに使用される配線基板及びそれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路素子、ＬＤ（半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＰＤ（フォトダイオード）、ＣＣＤ、ラインセンサ、イメージセンサ等の光半導体素子、圧電振動子、水晶振動子等の振動子、その他の種々の電子部品が搭載される配線基板としては、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体（ガラスセラミックス）等のセラミック材料からなる絶縁層を複数積層して形成され、上面に電子部品の搭載部を有する絶縁基体と、絶縁基体の内部に形成された配線導体と、絶縁基体の主面に配列形成され、配線導体と電気的に接続した複数の接続パッドとを具備した構造のものが知られている。
【０００３】
配線導体と接続パッドとの電気的な接続は、通常、接続パッドから配線導体にかけて、絶縁層を厚み方向に貫通するように形成されたビア導体を介して行われる。
【０００４】
搭載部に電子部品を搭載し、電子部品の電極を接続パッドに、はんだやボンディングワイヤ等の接続材を介して接続し、必要に応じて電子部品を蓋体や封止用樹脂等で封止することにより電子装置が製作される。
【０００５】
この電子装置について、配線導体の一部を絶縁基体の側面や下面に露出させ、この露出した部位を外部電気回路基板の電気回路にはんだ等を介して接続することにより、電子部品の電極が接続パッドとビア導体と配線導体とを介して外部の電気回路と電気的に接続される。
【０００６】
このような電子装置は、例えば、携帯電話機等の電子機器に実装する部品として用いられており、近年、小型化及び高密度実装の要求が益々高まっている。
【０００７】
そして、このような要求に応えるべく、電子部品をフリップチップ実装することが検討されている。
【０００８】
フリップチップ実装は、電子部品の主面に縦横に配列形成された複数の電極に、それぞれはんだバンプを形成し、その電極を絶縁基体の上面に形成された複数の接続パッドに位置合わせした後、はんだバンプを溶かして、電極と接続パッドとを接続する方法である。
【０００９】
そのため、配線基板の接続パッドは、電子部品の主面に格子状に配列形成されている電極と対向するように形成する必要があり、絶縁基板の一方主面の中央部に複数が格子状に配列形成される。
【００１０】
なお、この場合、電子部品の電極は、基本的には格子状に配列されているが、電子部品の電極の数は、その電子部品の機能や用途等に応じて定まるので、必ずしも、格子状に配列したときの格子点の数と一致するとは限らない。そのため、接続パッドが配置されない格子点が生じる場合がある。
【００１１】
このような場合、接続パッドの数（つまり電子部品と配線基板との接続面積）が小さくなり、電子部品の配線基板に対する機械的な接続の強度が低くなるおそれがあるので、接続パッドが形成されない格子点にはダミーパッド（ビア導体や配線導体と接続されない）が配置され、上記接続を補強することが考えられる。
【特許文献１】特開２００４−１５３０１５号公報
【特許文献２】特開２００２−９４４４号公報
【特許文献３】特開１９９３−２０６２９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上述した従来の配線基板においては、接続パッドが配線導体やビア導体等と接続し、配線導体等を介して絶縁基体に強固に接合されているのに対し、ダミーパッドは表面に形成されたパターンのみであるために、電子部品の実装時の応力（例えば、電子部品と絶縁基体との熱膨張係数の差に起因する熱応力）により、絶縁基体の主面からダミーパッドが、剥がれてしまうという問題があった。ダミーパッドが剥がれると、接続パッドを介した電子部品と配線基板との間の電気的、機械的な接続を有効に補強することができず、接続信頼性の低下を招く欠点が誘発される。
【００１３】
本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、複数のダミーパッドと電子部品の電極とを強固に接合して、実装信頼性の優れた配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の配線基板は、複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体の内部に配線導体を配設するとともに、前記絶縁基体の主面に、前記配線導体に対しビア導体を介して電気的に接続される複数の接続パッドと、前記配線導体とは独立した状態で、前記絶縁基体のセラミック層間に設けた接合層に対しビア導体を介して電気的に接続される複数のダミーパッドとを、格子状に配列して形成したことを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の配線基板は好ましくは、前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層のみに設置されることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の配線基板は好ましくは、前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体が、前記接続パッドに接続される前記ビア導体よりも、前記絶縁基体の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の配線基板は好ましくは、前記ダミーパッドに接続される前記ビア導体を有するセラミック層が、前記絶縁基体を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の配線基板は好ましくは、前記接合層が、前記絶縁基体の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の配線基板は好ましくは、前記接合層は、平面透視において、前記接続パッドと接続されるビア導体の少なくとも１つが貫通して配置されることを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の配線基板は好ましくは、前記配線基板上に、前記接続パッド及び前記ダミーパッドにロウ材を介して接続される複数の端子を有した電子部品素子がフリップチップ実装されてなる電子装置である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の配線基板によれば、複数のセラミック層を積層して成る絶縁基体の内部に配線導体を配設するとともに、絶縁基体の主面に、配線導体に対しビア導体を介して電気的に接続される複数の接続パッドと、配線導体とは独立した状態で、絶縁基体のセラミック層間に設けた接合層に対しビア導体を介して電気的に接続される複数のダミーパッドとを、格子状に配列して形成したことから、ダミーパッドは、ビア導体のアンカー効果により絶縁基体に強固に接合されるとともに、そのビア導体を接合層でセラミック層間に強固に固定することができ、熱応力等の応力が作用したとしてもダミーパッドが、絶縁基体の主面から剥がれることを有効に防止することができる。
【００２２】
例えば、表面に形成されたパターンのみのダミーパッドであれば、実装時に生じる応力の影響を受け、剥がれてしまうこともあったが、一端が、ビア導体と接合しているので、アンカー効果によって剥がれを有効に防止することができる。
【００２３】
また、ビア導体の他端部が、絶縁基体の内部に設けられた接合層と接続され、ビア導体そのものも絶縁基体により強固に接合することにより、さらに強固なアンカー効果を得ることができる。その結果、ダミーパッドの剥がれがより有効に防止され、配線基板の接続信頼性をより優れたものとすることができる。
【００２４】
また、本発明の配線基板によれば、好ましくは、ダミーパッドに接続されるビア導体が、絶縁基体の主面となるセラミック層のみに設置されたことから、絶縁基体の内部のうち、ダミーパッドに接続されるビア導体が設置される範囲を小さく抑えることができる。そのため、ダミーパッドに接続されるビア導体により、絶縁基体の内部に配設される配線導体の配設場所が受ける影響を、低く抑えることができる。すなわち、絶縁基体の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板とすることができる。
【００２５】
また、本発明の配線基板は、ダミーパッドに接続されるビア導体が、接続パッドに接続されるビア導体よりも、絶縁基体の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことから、ダミーパッドに接続されるビア導体と接続パッドに接続されるビア導体との距離が大きくなり、ダミーパッドに接続されるビア導体と接続パッドに接続されるビア導体との間に生じる浮遊容量を小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッドに接続されるビア導体における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性に優れた配線基板を提供できる。
【００２６】
また、本発明の配線基板は、ダミーパッドに接続されるビア導体を有するセラミック層が、絶縁基体を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことから、ダミーパッドに接続されるビア導体と接続パッドに接続されるビア導体との間に生じる浮遊容量をより小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッドに接続されるビア導体における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性により優れた配線基板を提供できる。
【００２７】
また、本発明の配線基板は、接合層が、絶縁基体の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることから、絶縁基体の内部に配設される配線導体の配設場所が受ける影響を、より低く抑えることができる。すなわち、接合層の配置が限定されるため、絶縁基体の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板とすることができる。
【００２８】
また、複数の接合層が異なる層間に散在して層間の厚さが部分的にバラつき、絶縁基体の主面に傾き（いわゆるコプラナリティの低下）等の不具合を生じることを抑制することもできる。
【００２９】
また、本発明の配線基板は、接合層は、平面透視において、接続パッドと接続されるビア導体の少なくとも１つが貫通して配置されることから、ダミーパッドに接合されるビア導体の他端部は、広い面積の接合層に接続されることになり、さらにより強固なアンカー効果を得ることができる。その結果、ダミーパッドの剥がれがより有効に防止され、配線基板の接続信頼性をより優れたものとすることができる。
【００３０】
また、本発明によれば、配線基板上に、接続パッド及びダミーパッドにロウ材を介して接続される複数の端子を有した電子部品素子をフリップチップ実装して電子装置を構成することにより、小型化及び高密度実装が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。図１（ａ）は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´部の断面図である。図１において、１は絶縁基体、２は接続パッド、３は配線導体、４はビア導体、５はダミーパッド、６はダミーのビア導体、７は接合層である。これらの絶縁基体１、接続パッド２、配線導体３、ビア導体４、ダミーパッド５、ダミーのビア導体６及び接合層７により、本発明の配線基板９が基本的に構成される。
【００３２】
絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体（ガラスセラミックス）、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等のセラミック材料からなるセラミック層１ａを複数積層して形成されている。
【００３３】
絶縁基体１は、例えば各セラミック層１ａが酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ、溶剤を添加混合して泥漿状のセラミックスラリーとなすとともに、このセラミックスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形技術を採用しシート状となすことによって複数のセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得て、しかる後、このセラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれらのセラミックグリーンシートを積層して積層体とし、最後にこの積層体を還元雰囲気中にて約１６００℃の温度で焼成することによって絶縁基体１が製作される。
【００３４】
この絶縁基体１は、例えば上面に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路素子、ＬＤ（半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、ＰＤ（フォトダイオード）、ＣＣＤ、ラインセンサ、イメージセンサ等の光半導体素子、圧電振動子、水晶振動子等の振動子、その他の種々の電子部品を搭載するための搭載部（図示せず）を有している。
【００３５】
また、絶縁基体１の主面（図１の例では上面）には、接続パッド２が形成され、絶縁基体１の内部（絶縁層１ａの層間）には配線導体３が形成されている。接続パッド２と配線導体３とは、図１の例では、セラミック層１ａを厚み方向に貫通するようにして形成されたビア導体４を介して電気的に接続されている。
【００３６】
搭載部に搭載される電子部品（図示せず）の主面に縦横に配列形成されている複数の電極を、接続パッド２に対向させて、はんだ等の導電性接続材（図示せず）を介して電気的に接続させ、配線導体３の一部を絶縁基体１の側面や下面等に露出させておくことにより、電子部品の電極が、接続パッド２及び配線導体３等を介して絶縁基体１の側面や下面に導出される。この配線導体３の導出部分を外部の電気回路にはんだ等を介して電気的に接続することにより、電子部品の電極が、接続パッド２及び配線導体３を介して外部の電気回路と電気的に接続される。
【００３７】
また、絶縁基体１は、主面（上面）に、配線導体３と電気的に接続されていないダミーパッド５が形成されている。ダミーパッド５は、例えば接続パッド２と同様の形状、寸法である。
【００３８】
また、ダミーパッド５の一端には、そのダミーパッド５と接続されるビア導体（以下、ダミーのビア導体という）６が形成されている。
【００３９】
この構成により、ダミーのビア導体６によるアンカー効果により、ダミーパッド５の絶縁基体１に対する接合を強固なものとすることができる。
【００４０】
また、ダミーのビア導体６の他端部が、絶縁基体１の内部に設けられた接合層７と接続され、ビア導体６そのものも絶縁基体により強固に接合されることにより、さらにアンカー効果が強固となる。
【００４１】
その結果、ダミーパッド５の剥がれを効果的に抑えることができるので、接続パッド２及びダミーパッド５と電子部品の電極が、強固に接合することができ、実装信頼性の優れた配線基板を得ることができる。
【００４２】
なお、接合層７は、酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体（ガラスセラミックス）、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等のセラミック材料や、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金等の金属材料等の、ダミーのビア導体６が同時焼成等の手段で強固に接続される材料により形成される。
【００４３】
接合層７は、接合層７自体や、ダミーのビア導体６が絶縁基体１の内部に配設されている配線導体３と電気的に短絡することを防止する上で、セラミック材料等の絶縁材料からなるものであることが好ましい。
【００４４】
また、接合層７は、絶縁基体１に対する接合の強度や生産性等の面から、絶縁基体１と同じセラミック焼結体で形成することが好ましい。
【００４５】
なお、接合層７の寸法は、ダミーのビア導体６の外形（直径）寸法より、大きくしておくことが好ましい。
【００４６】
また、接合層７の形状は、応力集中を防止するため、略円形にしておくことが好ましい。この場合、完全な円形でなくても、外縁の一部に凹凸を有する円形状のものでもよい。また、楕円形状等でもよい。
【００４７】
他方、配線導体３、接続パッド２、ビア導体４、ダミーパッド５及びダミーのビア導体６は、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金等の金属材料からなり、メタライズ導体や蒸着層、金属箔、めっき層等の形態で絶縁基体１の絶縁層１ａに形成される。
【００４８】
配線導体３、接続パッド２、貫通導体４、ダミーパッド５及びダミーのビア導体６は、例えば、銅のメタライズ導体からなる場合、銅粉末に有機溶剤、樹脂バインダ等を添加して作製した金属ペーストを、絶縁層１ａとなるグリーンシートの表面や、予めグリーンシートに打抜き形成しておいた貫通孔の内部に、印刷塗布、充填することにより形成される。なお、貫通孔は、例えば、金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工や、レーザ光による孔加工等の成形手段により形成される。
【００４９】
また、本発明の配線基板９は、図２に示すように、好ましくはダミーパッド５に接続されるビア導体６が、絶縁基体１の主面となるセラミック層のみに設置されることから、絶縁基体１の内部のうち、ダミーパッド５に接続されるビア導体６が設置される範囲を小さく抑えることができる。そのため、ダミーパッド５に接続されるビア導体６により、絶縁基体１の内部に配設される配線導体３の配設場所の設定への影響を、低く抑えることができる。すなわち、絶縁基体１の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体３の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体１を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体１の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板９とすることができる。
【００５０】
なお、図２（ａ）は、本発明の配線基板の他の実施形態について、その一例を示す平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の断面図、図３は図２（ａ）の平面透視図である。図２（ａ）、（ｂ）において図１（ａ）、（ｂ）と同じ部位には同じ符号を付している。
【００５１】
また、本発明の配線基板９は、好ましくはダミーパッド５に接続されるビア導体６が、接続パッド２に接続されるビア導体４よりも、絶縁基体１の厚み方向に対する横断面の面積が小さいことから、ダミーパッド５に接続されるビア導体６と接続パッド２に接続されるビア導体４との距離が大きくなり、ダミーパッド５に接続されるビア導体６と接続パッド２に接続されるビア導体４との間に生じる浮遊容量を小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッド２に接続されるビア導体６における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性に優れた配線基板９を提供できる。
【００５２】
ダミーパッド５に接続されるビア導体６を、接続パッド２に接続されるビア導体４より小さくするには、グリーンシートの状態で、打ち抜き加工やレーザ加工法により、各ビア導体４、６となる貫通孔を形成する際に、ダミーパッド５に接続されるビア導体６となる貫通孔を予め打ち抜き面積が小さくなるように形成することにより得ることができる。貫通孔の横断面の面積は、打ち抜き加工に使用する金属ピンのピン径を調整すること等の手段により、所定の面積に調整することができる。
【００５３】
また、本発明の配線基板９は、好ましくはダミーパッド５に接続されるビア導体６を有するセラミック層が、絶縁基体１を構成する他のセラミック層に対して、比誘電率が低いことから、ダミーパッド５に接続されるビア導体６と接続パッド２に接続されるビア導体４との間に生じる浮遊容量をより小さくできる。そのため、浮遊容量に起因して、接続パッド２に接続されるビア導体４における伝送特性の劣化等の不具合が抑制されるので、電気特性により優れた配線基板９を提供できる。
【００５４】
なお、ダミーパッド５に接続されるビア導体６を有するセラミック層の比誘電率を、絶縁基体１を構成する他のセラミック層に対して低くするには、ダミーパッド５に接続されるビア導体６を有するセラミック層となるグリーンシートを形成する際に、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｉ等の金属複合酸化物をセラミックス材料に、他のセラミック層となるグリーンシート用のセラミック材料よりも多く添加することにより得られる。
【００５５】
ダミーパッド５に接続されるビア導体６を有するセラミック層の比誘電率は、絶縁基体１を構成する他のセラミック層の比誘電率に対して、８０％以下が好ましい。
【００５６】
また、本発明の配線基板９は、好ましくは接合層７が、絶縁基体１の主面となるセラミック層と隣接するセラミック層間に配置されることから、絶縁基体１の内部に配設される配線導体３の配設場所の設定への影響が、より低く抑えることができる。すなわち、接合層７の配置が限定されるため、絶縁基体１の主面となるセラミック層以外のセラミック層において、配線導体３の配設場所に対する影響が低いため、絶縁基体１を大きな基板サイズとする必要がなく、また余分な配線層が不要であるため、絶縁基体１の厚みを大きくする必要もない。したがって、この構成によれば、電子部品の接続信頼性に優れるとともに、大型化の必要がない、ひいては、小型化に有効な配線基板９とすることができる。
【００５７】
また、複数の接合層７が異なる層間に散在して層間の厚さが部分的にバラつき、絶縁基体１の主面に傾き（いわゆるコプラナリティの低下）等の不具合を生じることを抑制することもできる。
【００５８】
また、本発明の配線基板９は、図３に示すように、好ましくは、接合層７は、平面透視において、接続パッド２と接続されるビア導体４の少なくとも１つが貫通して配置されることから、ダミーパッド５に接合されるビア導体６の他端部は、広い面積の接合層７に接続されることになり、さらにより強固なアンカー効果を得ることができる。その結果、ダミーパッド５の剥がれがより有効に防止され、配線基板９の接続信頼性をより優れたものとすることができる。
【００５９】
そして、上述した配線基板９の絶縁基体１上に、電子部品（図示せず）を搭載するとともに、電子部品の電極を接続パッド２に電気的に接続し、必要に応じて電子部品を蓋体（図示せず）や封止用樹脂（図示せず）等で封止することにより電子装置が形成される。
【００６０】
電子部品の搭載は、例えば、ろう材やガラス、樹脂等の接着材を介して電子部品を搭載部に接着固定することにより行なわれる。
【００６１】
また、電子部品を蓋体で封止する場合には、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料や、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料、ガラス、樹脂等の材料を所定の形状に加工して蓋体を準備し、この蓋体を絶縁基体１に接合して搭載部を塞ぐことにより、蓋体と絶縁基体１とで形成される容器の内部に電子部品が中空状態で気密封止される。
【００６２】
また、電子部品を中空状態で封止する必要が無い場合には、電子部品を覆うようにエポキシ樹脂等から成る封止樹脂で電子部品を被覆することもできる。
【００６３】
このような電子装置は、小型で高精度の携帯電話等の電子機器の部品として使用される。
【００６４】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図２】（ａ）本発明の配線基板の他の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の断面図である。
【図３】図２（ａ）の平面透視図である。
【符号の説明】
【００６６】
１・・・絶縁基体
１ａ・・・絶縁層
２・・・接続パッド
３・・・配線導体
４・・・ビア導体
５・・・ダミーパッド
６・・・ダミーのビア導体
７・・・接合層
９・・・配線基板
【図１】
2006270082.tif 000003
【図２】
2006270082.tif 000004
【図３】
2006270082.tif 000005