(57)【要約】【課題】適正な膜厚制御を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】成膜用の炉と、炉内に配置された被処理体を炉の炉壁を通して加熱するヒーターと、を含んだ成膜装置を用意する工程と、成膜装置を用いて堆積される堆積膜の膜厚に関する第１の情報値と、炉壁に付着した付着膜に基づく第２の情報値との相関を、堆積膜の種類毎に取得する工程（Ｓ２）と、相関に基づいて、被処理体上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する工程（Ｓ４）と、調整された堆積条件で被処理体上に堆積膜を堆積する工程（Ｓ５）と、を備える。【選択図】図２
2006339242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜用の炉と、前記炉内に配置された被処理体を前記炉の炉壁を通して加熱するヒーターと、を含んだ成膜装置を用意する工程と、
前記成膜装置を用いて堆積される堆積膜の膜厚に関する第１の情報値と、前記炉壁に付着した付着膜に基づく第２の情報値との相関を、堆積膜の種類毎に取得する工程と、
前記相関に基づいて、被処理体上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する工程と、
前記調整された堆積条件で被処理体上に堆積膜を堆積する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記堆積膜の堆積条件は堆積時間を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の情報値は、前記付着膜の膜厚に関する情報値を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の情報値は、前記炉内の温度と炉外の温度との温度差に関する情報値を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の情報値は、前記付着膜が付着した炉壁の透過率に関する情報値を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の情報値は、前記ヒーターのパワーに関する情報値を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に成膜を行う場合、半導体基板上のみならず、成膜炉の炉壁にも膜が形成される。成膜処理毎に炉壁のクリーニングを行わない場合には、成膜処理回数の増加とともに炉壁に付着した膜の膜厚が増加する。そのため、成膜処理の際に、炉の外側に配置したヒーターによって加熱を行う場合には、炉壁に付着した膜の膜厚が増加するにしたがって加熱効率が悪化する。その結果、ターゲット膜厚からのずれが生じる。
【０００３】
１つの炉で１種類の膜のみを形成する場合には、ある成膜処理で得られたテストピースの膜厚の測定結果を、その次の成膜処理に反映させることで、適正な膜厚制御を行うことが可能である。しかしながら、１つの炉で複数種類の膜を形成する場合には、膜の種類によって成膜条件が異なるため、上記のような膜厚制御を適用することはできない。
【０００４】
公知技術として、例えば特許文献１には、膜厚ばらつきを少なくすることが可能な成膜方法が提案されている。しかしながら、この提案は、１つの炉で複数種類の膜を形成することを前提としたものではない。また、炉壁に付着した膜に起因した問題を解決することを意図したものでもない。
【０００５】
このように、従来は、１つの炉で複数種類の膜を形成する場合に、適正な膜厚制御を行うことが困難であった。そのため、適正な膜厚を有する優れた半導体装置を製造することが困難であった。
【特許文献１】特開２００３−２４９４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、適正な膜厚制御を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、成膜用の炉と、前記炉内に配置された被処理体を前記炉の炉壁を通して加熱するヒーターと、を含んだ成膜装置を用意する工程と、前記成膜装置を用いて堆積される堆積膜の膜厚に関する第１の情報値と、前記炉壁に付着した付着膜に基づく第２の情報値との相関を、堆積膜の種類毎に取得する工程と、前記相関に基づいて、被処理体上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する工程と、前記調整された堆積条件で被処理体上に堆積膜を堆積する工程と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、堆積膜の種類毎に取得した相関に基づいて堆積条件を調整することにより、適正な膜厚制御を行うことができ、優れた半導体装置を製造ことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
【００１０】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る成膜装置（例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）用の成膜装置）の概略を示した図である。なお、後述する第２〜第４の実施形態においても、図１に示したような成膜装置が用いられる。
【００１１】
図１に示した成膜装置１０は、バッチ式の成膜装置であり、成膜炉１１内に、被処理体として複数の半導体ウェハ（半導体基板）５１を配置できるようになっている。成膜炉１１の炉壁１２の周囲には、ヒーター２１が配置されている。炉壁１２は透明であるため、ヒーター２１からの放射熱（放射光）が炉壁１２を通してウェハ５１に供給され、ウェハ５１が加熱される。成膜炉１１内には、図示しないガス導入部から成膜用の原料ガスが導入され、ヒーター２１によって加熱された状態で、ウェハ５１上に所望の膜が堆積される。
【００１２】
図１に示した成膜装置では、ウェハ５１上に膜を堆積するときに、炉壁１２にも膜が堆積される。成膜処理毎に炉壁１２のクリーニングを行わない場合には、成膜処理回数の増加とともに炉壁１２に付着した膜の膜厚が増加する。そのため、炉壁１２に付着した膜の膜厚が増加するにしたがって、ヒーター２１によるウェハ５１の加熱効率は悪化する。その結果、ウェハ５１上に堆積される膜の膜厚が、所望の膜厚（ターゲット膜厚）からずれてしまうという問題が生じる。したがって、１つの炉１１で複数種類の膜を形成する場合には、膜の種類によって成膜条件が異なるため、適正な膜厚制御を行うことはできない。
【００１３】
そこで、本実施形態では、所望の膜厚が得られるように、以下のような方法によって成膜を行うようにしている。
【００１４】
図２は、本実施形態における成膜方法の概略を示したフローチャートである。なお、後述する第２〜第４の実施形態においても、基本的なフローは図２のフローチャートと同様である。
【００１５】
まず、炉壁１２をクリーニングした後（Ｓ１）、成膜装置１０を用いて堆積される堆積膜の膜厚に関する第１の情報値と、炉壁１２に付着した付着膜に基づく第２の情報値との相関を、堆積膜の種類毎に取得する（Ｓ２）。本実施形態では、第２の情報値は、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚に関する情報値を含んでいる。具体的には、例えば以下のようにして相関を取得する。
【００１６】
テストピースとしてのウェハを炉１１内に配置し、各成膜処理において各テストピース上に堆積された堆積膜の膜厚と、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚（炉壁１２をクリーニングした後のトータル膜厚）との関係を求める。図３は、その一例を示した図である。
【００１７】
図３に示した例では、クリーニング終了後から次のクリーニング開始前まで、３種類の膜Ａ、Ｂ及びＣ（Ａ、Ｂ及びＣは膜の種類を表す）を、それぞれの成膜レシピにしたがって堆積している。膜Ａのターゲット膜厚は５０ｎｍ、膜Ｂのターゲット膜厚は７０ｎｍ、膜Ｃのターゲット膜厚は１６０ｎｍである。各テストピース上の堆積膜の膜厚は、膜厚測定器で測定する。炉壁１２に付着した付着膜のトータル膜厚（膜Ａ、Ｂ及びＣのトータル膜厚）は、ターゲット膜厚を加算することで求める。例えば膜Ａに着目すると、炉壁１２の付着膜の膜厚が増加するにしたがって、テストピース上の堆積膜の膜厚が減少している。これは、炉壁１２に付着した膜の膜厚が増加するにしたがって、ヒーター２１からの放射光（放射熱）の透過率が減少し、ヒーター２１によるウェハ５１の加熱温度が低下するためである。
【００１８】
このようにして得られた測定結果に基づき、膜Ａ、Ｂ及びＣそれぞれについて、テストピース膜厚と、炉壁付着膜厚（膜Ａ、Ｂ及びＣのトータル膜厚）との相関を求める。図４（ａ）は膜Ａについての相関、図４（ｂ）は膜Ｂについての相関、図４（ｃ）は膜Ｃについての相関を示した図である。上述したことからわかるように、炉壁１２に付着した付着膜５３の膜厚が増加すると、炉内の温度が低下し、成膜レートが減少する。すなわち、図４（ｄ）に示すように、成膜（堆積）回数が増加すると、炉壁付着膜厚が増加し、ウェハ（テストピース）上の膜厚が減少する。その結果、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すような相関が得られる。なお、膜Ｂ及び膜Ｃは膜Ａに比べて、テストピース膜厚の減少率が小さくなっている。これは、膜Ｂ及び膜Ｃは膜Ａに比べて、堆積レートの堆積温度依存性が小さいためである。得られた相関データは、制御装置（図示せず）の記憶部に格納される。
【００１９】
このようにして、膜Ａ、膜Ｂ及び膜Ｃそれぞれについて相関データを取得した後、炉壁１２をクリーニングして、炉壁１２に付着した膜を除去する（Ｓ３）。その後、取得した相関データを利用して、ワークピースとしてのウェハ上に膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃを堆積する。すなわち、取得した相関に基づいて、ウェハ５１上に堆積される堆積膜（膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃ）の堆積条件を成膜処理毎に調整し（Ｓ４）、調整された堆積条件でウェハ５１上に膜を堆積する（Ｓ５）。堆積膜の堆積条件を調整する際には、堆積時間を調整し、堆積時間以外の堆積条件は予め決められた条件を維持する。すなわち、テストピースに用いた成膜レシピと同様の成膜レシピにしたがって、膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃを堆積する。以下、一例をあげて説明する。
【００２０】
例えば、膜Ｂの成膜処理を行う際に、それまでの成膜処理によって炉壁１２にトータル厚さ３００ｎｍの膜が付着しているとする。そこで、膜Ｂの成膜開始前に、図４（ｂ）に示した膜Ｂについての相関から、炉壁１２の付着膜厚が３００ｎｍのときのテストピース膜厚を読み取る。このとき、例えば、テストピース膜厚が７２ｎｍで、成膜時間が３６分であるとすると、膜Ｂの成膜レートは２ｎｍ／分となる。したがって、膜Ｂのターゲット膜厚が７０ｎｍであるとすると、成膜時間を３５分に調整することで、所望のターゲット膜厚（７０ｎｍ）を得ることができる。すなわち、１回の成膜処理では成膜レートが一定であると仮定し、相関から得られる成膜開始時の成膜レートを用いて、所望のターゲート膜厚が得られるように成膜時間を調整している。
【００２１】
このようにして、成膜処理毎に、相関データに基づいて調整された堆積時間で、膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃの堆積を行う。炉壁に付着した膜の膜厚が所定値に達した段階で、炉壁１２のクリーニングを行う（Ｓ６）。
【００２２】
このように、本実施形態では、堆積膜の種類毎に予め相関データを取得しておき、相関データに基づいてウェハ（ワークピース）上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する。したがって、同一の炉１１で複数種類の膜（膜Ａ、膜Ｂ及び膜Ｃ）を形成する場合に、調整された適正な膜厚で、ウェハ上に膜（膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃ）を堆積することができる。その結果、適正に膜厚が制御された、性能に優れた半導体装置を製造することが可能である。
【００２３】
また、本実施形態では、炉壁１２に付着した付着膜に基づく情報値（パラメータ）として、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚を用いている。この付着膜の膜厚は、例えばターゲット膜厚のトータル値として容易に取得することができるため、パラメータの取得が極めて容易である。
【００２４】
なお、上述した実施形態において、テストピース上の堆積膜の膜厚データの取得（相関データの取得）は、専用の工程で行ってもよいが、ワークピース上に堆積膜を形成する工程で行ってもよい。すなわち、ワークピース上に堆積膜を形成する際に、炉１１内にテストピースも配置しておくようにしてもよい。これにより、クリーニング後から次のクリーニング前までの一連の処理において、ワークピース上への堆積膜の形成処理と、テストピース上の堆積膜の膜厚取得処理とが平行して行われる。このようにして取得されたテストピース上の堆積膜の膜厚データを用いて、制御装置の記憶部に記憶された相関データを更新するようにしてもよい。
【００２５】
また、上述した実施形態では、相関を規定する第１の情報値として、テストピースの膜厚そのものを用いたが、例えば成膜レート等の堆積膜の膜厚に関する値を第１の情報値として用いてもよい。また、上述した実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚そのものを用いたが、付着膜の膜厚に関するものであれば第２の情報値として用いることが可能である。
【００２６】
また、上述した実施形態では、成膜装置１０としてバッチ式の成膜装置を例に説明したが、枚葉式の成膜装置を用いた場合にも、上述した方法は適用可能である。
【００２７】
（実施形態２）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。成膜装置の基本的な構成や、基本的な処理ステップは、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態で述べた事項は、特に断らない限り、本実施形態にも適用可能である。以下では、主として第１の実施形態と異なる事項について説明する。
【００２８】
第１の実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚に関する情報値を用いたが、本実施形態では、第２の情報値として、炉１１内の温度と炉１１外の温度との温度差に関する情報値を用いる。
【００２９】
第１の実施形態のように、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚を第２の情報値として用いた場合、以下のような状況が生じ得る。膜Ａ、膜Ｂ及び膜Ｃの透過率は、一般的にはある程度、互いに異なっている。また、炉壁１２には、そのような透過率が互いに異なる膜Ａ、膜Ｂ及び膜Ｃが混在して付着している。したがって、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚が同じであっても、付着膜の透過率は一定とは限らない。すなわち、付着膜のトータル膜厚が同じであっても、ウェハ５１の加熱温度には多少の相違が生じ得る。したがって、第１の実施形態のように、炉壁１２に付着した付着膜の膜厚を第２の情報値として用いた場合には、第２の情報値の取得は容易であるが、ウェハ上に堆積される膜の膜厚には多少の誤差が生じるおそれがある。本実施形態では、以下のような方法を用いることで、ウェハ上に堆積される膜の膜厚誤差を低減することが可能である。
【００３０】
本実施形態では、図５に示すように、炉１１の内側及び外側にそれぞれ、温度検出素子３１及び３２を配置している。５３は炉壁１２に付着した付着膜である。温度検出素子３１及び３２には、熱電対を用いる。
【００３１】
図２のステップＳ２で、第１の情報値と第２の情報値の相関を取得する際に、本実施形態では、温度検出素子３１で検出された温度と温度検出素子３２で検出された温度との温度差を、第２の情報値として取得する。図６（ａ）は膜Ａについての相関、図６（ｂ）は膜Ｂについての相関、図６（ｃ）は膜Ｃについての相関を示した図である。炉壁１２に付着した付着膜５３の膜厚が増加すると、炉内の温度が低下し、成膜レートが減少する。すなわち、図６（ｄ）に示すように、成膜（堆積）回数が増加すると、炉内と温度と炉外の温度との温度差が増加し、ウェハ（テストピース）上の膜厚が減少する。その結果、図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すような相関が得られる。
【００３２】
得られた相関に基づき、第１の実施形態と同様にして、ウェハ５１上に堆積される堆積膜（膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃ）の堆積条件を成膜処理毎に調整する（Ｓ４）。すなわち、成膜処理の際に、温度検出素子３１で検出された温度と温度検出素子３２で検出された温度との温度差を測定し、図６（ａ）、図６（ｂ）或いは図６（ｃ）の相関データを参照して、測定された温度差に応じて成膜時間を調整する。この場合も、第１の実施形態と同様、１回の成膜処理では成膜レートが一定であると仮定し、相関から得られる成膜開始時の成膜レートを用いて、所望のターゲート膜厚が得られるように成膜時間を調整している。さらに、調整された成膜時間でウェハ５１上に膜を堆積する（Ｓ５）。
【００３３】
このように、本実施形態においても第１の実施形態と同様、堆積膜の種類毎に予め相関データを取得しておき、相関データに基づいてウェハ（ワークピース）上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する。したがって、第１の実施形態と同様に、適正に膜厚が制御された、優れた半導体装置を製造することが可能である。
【００３４】
また、本実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、炉１１内の温度と炉１１外の温度との温度差を用いている。したがって、膜の種類によって透過率が異なる場合であっても、ウェハを適正な温度で加熱することができ、厳密な膜厚制御を行うことが可能である。
【００３５】
なお、上述した実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、炉１１内の温度と炉１１外の温度との温度差そのものを用いたが、温度差に関するものであれば第２の情報値として用いることが可能である。
【００３６】
（実施形態３）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。成膜装置の基本的な構成や、基本的な処理ステップは、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態で述べた事項は、特に断らない限り、本実施形態にも適用可能である。以下では、主として第１の実施形態と異なる事項について説明する。
【００３７】
本実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、付着膜が付着した炉壁の透過率に関する情報値を用いる。以下、具体的に説明する。
【００３８】
本実施形態では、図７に示すように、炉１１内に赤外線照射／検出装置３４を配置している。
【００３９】
図２のステップＳ２で、第１の情報値と第２の情報値の相関を取得する際に、本実施形態では、赤外線照射／検出装置３４により炉壁１２に対する赤外線の照射及び検出を行い、その検出結果から得られる赤外線透過率を第２の情報値として用いる。図８（ａ）は膜Ａについての相関、図８（ｂ）は膜Ｂについての相関、図８（ｃ）は膜Ｃについての相関を示した図である。炉壁１２に付着した付着膜５３の膜厚が増加すると、赤外線透過率は減少し、成膜レートが減少する。すなわち、図８（ｄ）に示すように、成膜（堆積）回数が増加すると、赤外線透過率が減少し、ウェハ（テストピース）上の膜厚が減少する。その結果、図８（ａ）、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すような相関が得られる。
【００４０】
得られた相関に基づき、第１の実施形態と同様にして、ウェハ５１上に堆積される堆積膜（膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃ）の堆積条件を成膜処理毎に調整する（Ｓ４）。すなわち、成膜処理の際に、赤外線照射／検出装置３４によって検出された赤外線に基づいて赤外線透過率を求め、図８（ａ）、図８（ｂ）或いは図８（ｃ）の相関データを参照して、赤外線透過率に応じて成膜時間を調整する。この場合も、第１の実施形態と同様、１回の成膜処理では成膜レートが一定であると仮定し、相関から得られる成膜開始時の成膜レートを用いて、所望のターゲート膜厚が得られるように成膜時間を調整している。さらに、調整された成膜時間でウェハ５１上に膜を堆積する（Ｓ５）。
【００４１】
このように、本実施形態においても第１の実施形態と同様、堆積膜の種類毎に予め相関データを取得しておき、相関データに基づいてウェハ（ワークピース）上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する。したがって、第１の実施形態と同様に、適正に膜厚が制御された、優れた半導体装置を製造することが可能である。
【００４２】
また、本実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、付着膜が付着した炉壁の透過率に関する情報値を用いている。したがって、第２の実施形態と同様に、膜の種類によって透過率が異なる場合であっても、ウェハを適正な温度で加熱することができ、厳密な膜厚制御を行うことが可能である。
【００４３】
なお、上述した実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、付着膜が付着した炉壁の透過率そのものを用いたが、透過率に関するものであれば第２の情報値として用いることが可能である。
【００４４】
（実施形態４）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。成膜装置の基本的な構成や、基本的な処理ステップは、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態で述べた事項は、特に断らない限り、本実施形態にも適用可能である。以下では、主として第１の実施形態と異なる事項について説明する。
【００４５】
本実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、ウェハを加熱するヒーターのパワーに関する情報値を用いる。以下、具体的に説明する。
【００４６】
本実施形態では、図９に示すように、炉１１内に配置されたウェハの温度を検出するために、炉１１の内側に温度検出素子（熱電対）３６を配置している。この温度検出素子３６は、石英管で形成された透明な壁部３７と壁部３７内に設けられた検出部３８とを有している。ヒーター２１にはパワー制御部２３が接続されており、検出部３８の温度が一定となるようにヒーター２１のパワーが制御される。
【００４７】
図２のステップＳ２で、第１の情報値と第２の情報値の相関を取得する際に、本実施形態では、パワー制御部２３によって制御されるヒーター２１のパワーを、第２の情報値として取得する。図１０（ａ）は膜Ａについての相関、図１０（ｂ）は膜Ｂについての相関、図１０（ｃ）は膜Ｃについての相関を示した図である。
【００４８】
ヒーター２１のパワーは、温度検出素子３６の検出部３８の温度が一定となるように制御されている。炉壁１２上の付着膜５３の膜厚が増加すると、ヒーター２１からの放射熱がウェハに到達し難くなるため、ヒーター２１のパワーは増加する。検出部３８の温度と炉１１内に配置されたウェハの温度とが完全に一致していれば、ヒーターパワーが増加しても、ウェハ（テストピース）上の堆積膜の膜厚は一定である。しかしながら、炉壁１２上の付着膜５３の膜厚が増加すると、必然的に温度検出素子３６の壁部３７上の付着膜５５の膜厚も増加する。そのため、実際には、温度検出素子３６の検出部３８の温度は、ウェハの温度よりも低くなる。したがって、壁部３７上の付着膜５５の膜厚が増加すると（炉壁１２上の付着膜５３の膜厚が増加すると）、ヒーター２１が過度に加熱されるこことなり、ヒーター２１によって加熱されるウェハの温度は実際には増加する。その結果、ウェハ上の堆積膜の膜厚も増加することになる。すなわち、図１０（ｄ）に示すように、成膜（堆積）回数が増加すると、ヒーターパワーが増加し、ウェハ（テストピース）上の膜厚が増加する。以上の理由により、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すような相関が得られることとなる。
【００４９】
得られた相関に基づき、第１の実施形態と同様にして、ウェハ５１上に堆積される堆積膜（膜Ａ、膜Ｂ或いは膜Ｃ）の堆積条件を成膜処理毎に調整する（Ｓ４）。すなわち、成膜処理の際に、パワー制御部２３によって制御されるヒーター２１のパワーを求め、図１０（ａ）、図１０（ｂ）或いは図１０（ｃ）の相関データを参照して、ヒーターパワーに応じて成膜時間を調整する。この場合も、第１の実施形態と同様、１回の成膜処理では成膜レートが一定であると仮定し、相関から得られる成膜開始時の成膜レートを用いて、所望のターゲート膜厚が得られるように成膜時間を調整している。さらに、調整された成膜時間でウェハ５１上に膜を堆積する（Ｓ５）。
【００５０】
このように、本実施形態においても第１の実施形態と同様、堆積膜の種類毎に予め相関データを取得しておき、相関データに基づいてウェハ（ワークピース）上に堆積される堆積膜の堆積条件を調整する。したがって、第１の実施形態と同様に、適正に膜厚が制御された、優れた半導体装置を製造することが可能である。
【００５１】
また、本実施形態では、相関を規定する第２の情報値として、ヒーターパワーに関する情報値を用い、上述したような制御を行っている。したがって、温度検出素子の温度とウェハの温度が異なっていても、ウェハを適正な温度で加熱することができ、厳密な膜厚制御を行うことが可能である。
【００５２】
なお、上述した実施形態では、相関を規定する第２の情報値としてヒーターパワーそのものを用いたが、ヒーターパワーに関するものであれば第２の情報値として用いることが可能である。
【００５３】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１〜第４の実施形態に係る成膜装置の概略構成を示した図である。
【図２】本発明の第１〜第４の実施形態に係る成膜方法の概略を示したフローチャートである。
【図３】本発明の第１の実施形態に係り、相関の取得方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係り、相関の一例を示した図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係り、相関の取得方法を説明するための図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係り、相関の一例を示した図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係り、相関の取得方法を説明するための図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係り、相関の一例を示した図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係り、相関の取得方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係り、相関の一例を示した図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０…成膜装置      １１…成膜炉      １２…炉壁
２１…ヒーター      ２３…パワー制御部
３１、３２…温度検出素子      ３４…赤外線照射／検出装置
３６…温度検出素子      ３７…壁部      ３８…検出部
５１…半導体ウェハ      ５３…炉壁上の付着膜      ５５…壁部上の付着膜
【図１】
2006339242.tif 000003
【図２】
2006339242.tif 000004
【図３】
2006339242.tif 000005
【図４】
2006339242.tif 000006
【図５】
2006339242.tif 000007
【図６】
2006339242.tif 000008
【図７】
2006339242.tif 000009
【図８】
2006339242.tif 000010
【図９】
2006339242.tif 000011
【図１０】
2006339242.tif 000012