(57)【要約】【課題】  レジスト膜を露光する際のＤＯＦマージンをある程度広く確保しつつ、反射防止膜に起因する問題を無くすことができるようにしたエッチング方法を提供する。【解決手段】  シリコン基板１に形成されたシリコン酸化膜３上に直接レジスト膜５´を形成し、このレジスト膜５´を直接露光し、現像処理してレジストパターン５を形成する。次に、レジストパターン５をＡｒ，Ｏ２，Ｃ４Ｆ６からなる混合ガスを用いてプラズマ処理して整形する。そして、この整形されたレジストパターン５をマスクにシリコン酸化膜３をエッチングしてコンタクトホール１３を形成する。【選択図】  図２
2006086393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された被エッチング膜上に直接レジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を直接露光し、現像処理してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを所定のガスを用いてプラズマ処理して整形する工程と、
前記整形されたレジストパターンをマスクに前記被エッチング膜をエッチングして開口部を形成する工程と、を含むことを特徴とする被エッチング膜のエッチング方法。
【請求項２】
前記所定のガスとは、
酸素と高分子系のフルオロカーボンガスと不活性ガスとを含む混合ガスであることを特徴とする請求項１に記載の被エッチング膜のエッチング方法。
【請求項３】
前記開口部とは、配線接続用の開口部であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の被エッチング膜のエッチング方法。
【請求項４】
前記レジストパターンをプラズマ処理して整形する工程と、前記整形されたレジストパターンをマスクに前記被エッチング膜をエッチングして開口部を形成する工程とを、同一のドライエッチング装置を用いて行うことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の被エッチング膜のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング方法に関し、特に、コンタクトホールやビアホール形成用のレジストパターンを形成する場合に、反射防止膜を用いなくても、レジスト膜を露光する際の焦点震度（ＤＯＦ：ｔｈｅ  ｄｅｐｔｈ  ｏｆ  ｆｏｃｕｓ）のマージンを大きくすることができるようにした技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンタクトホールやビアホール形成用のレジストパターンを形成する場合には、レジスト膜に対する露光処理のＤＯＦマージンを大きくするために、ＢＡＲＣ（ｂｏｔｔｏｍ  ａｎｔｉ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｃｏａｔ）又はＴＡＲＣ（ｔｏｐ  ａｎｔｉ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｃｏａｔ）と呼ばれる反射防止膜を設けていた。反射防止膜を設けることにより、レジスト膜と反射防止膜との界面における露光光の反射を防止することができ、所望の寸法、形状をもったレジストパターンを形成することができる（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、従来例に係るエッチング方法（その１）を示す工程図である。このエッチング方法（その１）は、反射防止膜としてＴＡＲＣ膜を用いた方法である。
図６（Ａ）に示すように、まず始めに、コンタクトホール形成領域を含むシリコン基板１０１上に被エッチング膜であるシリコン酸化膜１０３を形成する。次に、このシリコン酸化膜１０３上にレジスト膜１０５´を塗布形成する。そして、このレジスト膜１０５´上にＴＡＲＣ膜１１０を塗布形成する。レジスト膜１０５´及びＴＡＲＣ膜１１０の塗布形成は、例えば同一のスピンコータを用いた連続処理によって行う。
【０００４】
次に、図６（Ｂ）に示すように、レチクルと呼ばれるフォトマスク５０を用いて、レジスト膜１０５´を所定形状に露光処理する。この露光処理では、図６（Ｂ）の矢印で示すように、フォトマスク５０の開口部を通過した露光光はＴＡＲＣ膜１１０を透過してレジスト膜１０５´に到達する。また、レジスト膜１０５´に到達した露光光の一部はレジスト膜１０５´とシリコン酸化膜１０３との界面で反射したり、シリコン酸化膜１０３とシリコン基板１０１との界面まで進んでこの界面で反射したりする。そして、この反射した光（１次反射光）が、ＴＡＲＣ膜１１０によって吸収される。このようにして、露光光の２次反射が抑制される。
【０００５】
次に、所定の現像液を用いてレジスト膜１０５´を現像処理する。これにより、図６（Ｃ）に示すように、コンタクトホール形成領域の上方を開口し、他の領域の上方を覆うレジストパターン１０５を完成させる。なお、レジスト膜１０５´上のＴＡＲＣ膜１１０は現像液によって溶解し、レジストパターン１０５の完成時には完全に除去されている。
その後、このレジストパターン１０５をマスクにシリコン酸化膜１０３をエッチングして、コンタクトホールを完成させる。
【０００６】
一方、図７（Ａ）〜（Ｃ）は、従来例に係るエッチング方法（その２）を示す工程図である。この図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すエッチング方法は、反射防止膜としてＢＡＲＣ膜を用いた方法である。次に、このＢＡＲＣ膜を用いたエッチング方法について説明する。
図７（Ａ）に示すように、まず始めに、コンタクトホール形成領域を含むシリコン基板１０１上に被エッチング膜であるシリコン酸化膜１０３を形成する。次に、このシリコン酸化膜１０３上にＢＡＲＣ膜１２０を塗布形成する。そして、このＢＡＲＣ膜１２０上にレジスト膜１０５´を塗布形成する。ＢＡＲＣ膜１２０及びレジスト膜１０５´の塗布形成は、例えば別々のスピンコータを用いて行う。
【０００７】
次に、図７（Ｂ）に示すように、フォトマスク（レチクル）５０を用いて、レジスト膜１０５´を所定形状に露光処理する。この露光処理では、図７（Ｂ）の矢印で示すように、フォトマスク５０の開口部を通過した露光光はＢＡＲＣ膜１２０を透過してレジスト膜１０５´に到達する。また、レジスト膜１０５´に到達した露光光の多くはレジスト膜１０５´下にあるＢＡＲＣ膜１２０まで到達し、このＢＡＲＣ膜１２０によって吸収される。このようにして、露光光の１次反射が抑制される。
【０００８】
次に、所定の現像液を用いてレジスト膜１０５´を現像処理する。これにより、コンタクトホール形成領域の上方を開口し、他の領域の上方を覆うレジストパターン１０５を完成させる。なお、ＢＡＲＣ膜１２０は感光しないので、現像処理後もシリコン酸化膜１０３上に残存したままとなる。
その後、このレジストパターン１０５をマスクに、ＢＡＲＣ膜１２０とシリコン酸化膜１０３とを順次エッチングして、コンタクトホールを完成させる。
【特許文献１】特開２００１−１４４０２９号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示したＴＡＲＣ膜１１０を用いた方法では、ＴＡＲＣ膜１１０の塗布形成時に、膜の表面又は膜中に気泡が生じやすいという問題があった。ＴＡＲＣ膜１１０の表面又は膜中に気泡が生じてしまうと、図６（Ｂ）の露光工程において、露光光はレジスト膜１０５´に到達する前にＴＡＲＣ膜１１０の気泡によって乱反射されてしまう可能性があった。そして、この乱反射によって、図８に示すように、レジストパターン１０５の本来開口すべき部分でその上方が十分開口しない（或いは、塞がれたままとなる）おそれがあった。このように、レジストパターンに穴なし等のパターン欠陥が生じてしまうと、その後のドライエッチング工程で、コンタクトホールを所定の形状に形成することができないおそれがあった。
【００１０】
一方、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示したＢＡＲＣ膜１２０を用いた方法では、ＴＡＲＣ膜１１０を用いた方法と比べて、露光光の１次反射が抑制されるので、ＤＯＦマージンの向上という点で有利である。しかしながら、ＴＡＲＣ膜１１０とは異なり、ＢＡＲＣ膜１２０の塗布形成には、例えばレジスト膜１０５´とは別に専用のスピンコータを用意しなければならない等、手間のかかることが多く、フォトリソグラフィ工程におけるＴＡＴ（Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）低下の一因となっていた。さらに、ＴＡＲＣ膜１１０、ＢＡＲＣ膜１２０のいずれを用いる場合でも、その膜材料の原料コストが、レジストパターン１０５の形成コストを押し上げていた。
【００１１】
そこで、この発明は、このような従来の技術の有する未解決の課題に着目してなされたものであって、レジスト膜を露光する際のＤＯＦマージンをある程度広く確保しつつ、反射防止膜に起因する問題を無くすことができるようにしたエッチング方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１の被エッチング膜のエッチング方法は、基板に形成された被エッチング膜上に直接レジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を直接露光し、現像処理してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを所定のガスを用いてプラズマ処理して整形する工程と、前記整形されたレジストパターンをマスクに前記被エッチング膜をエッチングして開口部を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【００１３】
ここで、被エッチング膜上に直接レジスト膜を形成するとは、被エッチング膜上に反射防止膜を形成しないでレジスト膜を形成することである。また、レジスト膜を直接露光するとは、レジスト膜上に反射防止膜を形成しないで露光することである。
さらに、レジストパターンに対するプラズマ処理は、例えば、酸素と不活性ガスとを含む混合ガスを用いて行う。酸素は、レジストパターンのエッチングに寄与する。また、不活性ガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）であり、レジストパターンに対するエッチングレートの調整に寄与する。
【００１４】
発明１のエッチング方法によれば、レジスト膜を露光する際の焦点合わせのずれによって、レジストパターンの開口部分の側壁が斜めに形成され、開口部分の径が目標値よりも小さい場合でも、この斜めに形成された側壁を削って開口部分の径を大きくすることができる。従って、レジスト膜を露光する際の焦点深度のマージン（ＤＯＦマージン）を実質的に大きくすることができる。
【００１５】
従来例と比べて、ＴＡＲＣやＢＡＲＣ等の反射防止膜を形成しなくてもＤＯＦマージンをある程度広く確保することができ、反射防止膜に起因する諸問題（図に示した穴なし等のパターン欠陥の誘発や、フォトリソグラフィ工程でのＴＡＴの低下、反射防止膜の材料コスト）を無くすことができる。
【００１６】
〔発明２〕  発明２の被エッチング膜のエッチング方法は、発明１のエッチング方法において、前記所定のガスとは、酸素と高分子系のフルオロカーボンガスと不活性ガスとを含む混合ガスであることを特徴とするものである。
ここで、高分子系のフルオロカーボンガスとしては、例えばＣ４Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８等が挙げられる。高分子系のフルオロカーボンガスは、レジストパターンの開口部分の、基板表面に対して略垂直に形成された側壁でポリマーを形成しやすい。
発明２のエッチング方法によれば、フォーカスが適切で開口部分の側壁が基板表面に対して略垂直に形成された場合には、この側壁の表面にポリマーを形成して当該表面を保護することができ、側壁のエッチング量を抑制することができる。
【００１７】
〔発明３〕  発明３の被エッチング膜のエッチング方法は、発明１又は発明２のエッチング方法において、前記開口部とは配線接続用の開口部であることを特徴とするものである。
ここで、配線接続用の開口部とは、即ち、コンタクトホール又はビアホールのことである。コンタクトホール又はビアホール形成用のレジストパターンを形成する場合には、レジスト膜を露光する際の焦点合わせが僅かにずれただけでも、開口部分の側壁がテーパ状又は逆テーパ状となる可能性がある。
発明３のエッチング方法によれば、例えば、焦点合わせの精度が厳しいコンタクトホール又はビアホール形成用のレジストパターンを形成する場合でも、反射防止膜を形成することなくＤＯＦマージンを安定的に確保することができる。また、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示したＴＡＲＣ膜を使用する従来例と比べて、レジストパターンに穴なし等のパターン欠陥が生じないようにすることができる。
【００１８】
〔発明４〕  発明４の被エッチング膜のエッチング方法は、発明１から発明３の何れか一のエッチング方法において、前記レジストパターンをプラズマ処理して整形する工程と、前記整形されたレジストパターンをマスクに前記被エッチング膜をエッチングして開口部を形成する工程とを、同一のドライエッチング装置を用いて行うことを特徴とするものである。
【００１９】
このような構成であれば、基板をドライエッチング装置から搬出することなく、レジストパターンに対するプラズマ処理と、被エッチング膜に対するエッチングとを連続的に行うことができ、この２つの処理工程に跨る待ち時間を最小限にすることができる。
また、既存のドライエッチング装置を用いてレジストパターンをプラズマ処理することが可能であり、その場合には、新たな設備投資を必要最小限に抑えることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るエッチング方法について説明する。
図１（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明の実施形態にエッチング方法を示す工程図である。この実施形態では、コンタクトホール形成領域の上方を露出し、他の領域の上方を覆う（即ち、コンタクトホール形成用の）レジストパターン５を形成し、その後、このレジストパターン５をマスクにシリコン酸化膜３をエッチングして、コンタクトホール１３を形成する方法について説明する。
【００２１】
図１（Ａ）に示すように、まず始めに、シリコン基板（ウエーハ）１上に形成されたシリコン酸化膜３上に直接レジスト膜５´を塗布形成する。このレジスト膜５´の塗布形成には、例えばスピンコータを用いる。また、図１（Ａ）に示すように、シリコン酸化膜３とレジスト膜５´との間には、ＢＡＲＣ膜は形成しない。
次に、図１（Ｂ）に示すように、コンタクトホール１３形成領域の上方だけに露光光を到達させ、その他の領域の上方には露光光を到達させないフォトマスク（レチクル）５０を用いて、レジスト膜５´を露光する。ここでは、図１（Ｂ）のレジスト膜５´の露光時には、図示しない露光装置（ステッパー）の縮小投影レンズと、この露光装置のステージ上に配置されたシリコン基板１との間が離れすぎていて、焦点が合っていない（即ち、−ｄｅｆｏｃｕｓである）場合を想定する。
【００２２】
次に、図１（Ｃ）に示すように、レジスト膜５´に現像液を供給して現像処理し、レジストパターン５を形成する。ここで、図１（Ｂ）のレジスト膜５´の露光処理が−ｄｅｆｏｃｕｓの場合には、現像処理によって形成されるレジストパターン５の開口部分１１の側壁は逆テーパとなってしまい、開口部分１１の径φ−は目標値よりも小さいものとなってしまう。
【００２３】
次に、図２（Ａ）に示すように、このレジストパターン５に例えばアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）と、Ｃ４Ｆ６とからなる混合ガスを用いてプラズマ処理を施す。このプラズマ処理は、例えばドライエッチング装置を用いて行う。このプラズマ処理によって、レジストパターン５の開口部分１１を整形する。即ち、逆テーパに形成された側壁を削り、開口部分１１の上側をシリコン基板１表面に対して略垂直にする。これにより、開口部分１１の径φ−を大きくすることができ、その値を目標値に近づけることができる。
【００２４】
また、この図２（Ａ）に示す工程では、エッチング時間や、ＲＦパワー、混合ガスのガス成分比等を調整して、シリコン酸化膜３をできるだけ削らないようにする。このようにして、レジストパターン５を完成させる。
本発明に係るエッチング方法によれば、レジスト膜５´を露光する際の焦点合わせのずれによって、レジストパターン５の開口部分１１の側壁が斜めに形成され、開口部分１１の径φ−が目標値よりも小さくなってしまった場合でも、この斜めに形成された側壁を削って開口部分１１の径φ−を大きくすることができる。
【００２５】
次に、図２（Ｂ）に示すように、完成させたレジストパターン５をマスクに、シリコン酸化膜３をドライエッチングし、シリコン酸化膜３にコンタクトホール１３を完成させる。このドライエッチング処理は、例えばＣＦ４を用いて行う。また、このドライエッチング処理は、図２（Ａ）を参照しながら説明したプラズマ処理と同一のドライエッチング装置を用いて行う。
【００２６】
このように、同一のドライエッチング装置を用いることで、シリコン基板１をドライエッチング装置から搬出することなく、レジストパターン５のプラズマ処理と、シリコン酸化膜３のドライエッチング処理とを連続的に行うことが可能である。これにより、この２つの処理工程に跨る待ち時間を最小限にすることができる。
なお、この２つの処理工程は、例えば既存のＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用いて行うことも可能である。その場合には、例えばＣ４Ｆ６等のガス供給系を既存のＲＩＥ装置に追加するなど、簡単な設計変更を行うだけで良く、新たな設備投資を必要最小限に抑えることが可能である。
【００２７】
ところで、上記の説明では、図１（Ｂ）のレジスト膜５´の露光時に、露光装置の縮小投影レンズとシリコン基板１との間が離れすぎていて、焦点が合っていなかった場合（即ち、−ｄｅｆｏｃｕｓの場合）について説明したが、本発明では、縮小投影レンズとシリコン基板１との間が近すぎて、焦点が合っていない場合（即ち、＋ｄｅｆｏｃｕｓの場合）もレジストパターン５にプラズマ処理を行う。
【００２８】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、＋ｄｅｆｏｃｕｓの場合のレジストパターン５の整形方法を示す工程図である。図３（Ａ）に示すように、＋ｄｅｆｏｃｕｓの場合には、現像処理によって形成されるレジストパターン５の開口部分１１の側壁は順テーパとなってしまう。また、開口部分１１の径φ＋は、逆テーパの場合と異なり、開口部分の底面での長さが測定されるので、−ｄｅｆｏｃｕｓの場合と同様に、目標値よりも小さいものとなってしまう。
【００２９】
このレジストパターン５の開口部分１１を整形する場合には、図３（Ｂ）に示すように、このレジストパターン５に例えばＡｒと、Ｏ２と、Ｃ４Ｆ６とからなる混合ガスを用いてプラズマ処理を施す。このプラズマ処理によって、順テーパに形成された側壁を削る。これにより、開口部分１１の径φ＋を大きくすることができ、その値を目標値に近づけることができる。
【００３０】
また、本発明では、図１（Ｂ）のレジスト膜５´の露光時には、露光装置の縮小投影レンズとシリコン基板１との間が適切な距離となり、焦点がちょうど合っていた場合（即ち、ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓの場合）もレジストパターン５にプラズマ処理を行う。
図４（Ａ）及び（Ｂ）は、ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓの場合のレジストパターン５の整形方法を示す工程図である。図４（Ａ）に示すように、ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓの場合には、現像処理によって形成されるレジストパターン５の開口部分１１の側壁はシリコン基板１表面に対して略垂直となる。また、開口部分の径φは目標値とほぼ同じ値となる。
【００３１】
ここで、Ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓの場合は、わざわざレジストパターン５にプラズマ処理を行う必要はないように思われるかもしれない。しかしながら、ステッパー等の露光装置における焦点合わせはショット毎に行うものであり、その合わせ精度は非常にタイトである。そのため、同一のウエーハ面内でも、その位置によって、＋ｄｅｆｏｃｕｓであったり、−ｄｅｆｏｃｕｓであったり、ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓであったりする。
【００３２】
そこで、図４（Ａ）に示すように、このレジストパターン５にも例えばアルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）と、Ｃ４Ｆ６とからなる混合ガスを用いてプラズマ処理を施す。ここで、Ｃ４Ｆ６は、シリコン基板１表面に対して略垂直に形成された側壁でポリマーを形成しやすい。このため、ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓの場合には、開口部分の側壁の表面にポリマーを形成して当該表面を保護することができ、側壁のエッチング量を抑制することができる。
【００３３】
図５（Ａ）は、ＢＡＲＣ膜等の反射防止膜を形成せず、かつプラズマ処理も行わない場合のＤＯＦマージンを示す図である。また、図５（Ｂ）は、反射防止膜を形成しないで、プラズマ処理を行った場合の実質のＤＯＦマージンを示す図である。図５（Ａ）及び（Ｂ）のそれぞれの横軸は焦点合わせの位置（Ｆ／Ｏ：ｆｏｃｕｓ  ｏｆｆｓｅｔ）を示す。また、図５（Ａ）及び（Ｂ）のそれぞれの縦軸は、レジストパターン５の開口部分の径（ＣＤ：ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｅｍｅｎｔｉｏｎ）を示す。さらに、それぞれの縦軸にあるＣＬ（ｃｅｎｔｅｒ  ｌｉｎｅ）は目標値を意味し、ＬＳＬ（ｌｏｗ  ｓｐｅｃ  ｌｉｍｉｔ）は下限規格値を意味する。
【００３４】
本発明に係るエッチング方法によれば、図５（Ａ）において、レジスト膜５´を露光する際の焦点合わせのずれによって、レジストパターン５の開口部分１１の側壁が斜めに形成され、開口部分１１の径が目標値（ＣＬ）よりも小さい場合でも、プラズマ処理によって、この開口部分１１の径をＣＬに近づけることができる。また、仮に、開口部分１１の径が下側規格値（ＬＳＬ）を下回っているような場合でも、ＬＳＬからの乖離の程度が僅かな場合には、プラズマ処理によって、開口部分１１の径をＬＳＬとＣＬとの間に入れることが可能である。つまり、プラズマ処理を事後的に行うことで、図５（Ａ）に示すＤＯＦマージンを、図５（Ｂ）に示すように実質的に大きくすることができる。
【００３５】
従って、従来例と比べて、ＴＡＲＣ膜やＢＡＲＣ等の反射防止膜を形成しなくてもＤＯＦマージンをある程度広く確保することができる。これにより、反射防止膜に起因する諸問題（図に示した穴なし等のパターン欠陥の誘発や、フォトリソグラフィ工程でのＴＡＴの低下、反射防止膜の材料コスト）を無くすことができる。
この実施形態では、シリコン基板１が本発明の基板に対応し、シリコン酸化膜３が本発明の被エッチング膜に対応している。また、コンタクトホール１３が本発明の開口部に対応している。さらに、Ｃ４Ｆ６が本発明の高分子系のフルオロカーボンガスに対応し、Ａｒが本発明の不活性ガスに対応している。
【００３６】
なお、この実施形態では、本発明のレジストパターンとして、コンタクトホール１３形成用のレジストパターン５を形成する場合について説明したが、これに限られることはなく、本発明のレジストパターンとして、例えばビアホール形成用のレジストパターンを形成しても良い。その場合には、上記の実施形態で、コンタクトホール１３をビアホールに、シリコン基板１を例えば１層目配線にそれぞれ置き換える。ビアホール形成用のレジストパターン５を形成する場合も、上記の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００３７】
また、この実施形態では、図２（Ａ）、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示す工程で、Ａｒと、Ｏ２と、Ｃ４Ｆ６とからなる混合ガスを用いて、レジストパターン５にプラズマ処理を施すことについて説明したが、混合ガスの種類はこれに限られることはない。例えば、Ａｒと、Ｏ２とからなる混合ガスを用いても良い。又は、Ａｒと、Ｏ２と、ＣＦ４とからなる混合ガスを用いても良い。
【００３８】
これらの混合ガスを用いる場合には、Ｃ４Ｆ６等を含む混合ガスを用いる場合と比べて、開口部分１１の側壁表面でのポリマー形成がやや困難となり、ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓの場合に側壁の保護が多少疎かになることが予想される。しかし、シリコン基板１表面に対して斜めに形成された側壁を削ることができるので、ＤＯＦマージンを実質的に広くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態にエッチング方法（その１）を示す工程図。
【図２】本発明の実施形態にエッチング方法（その２）を示す工程図。
【図３】＋ｄｅｆｏｃｕｓの場合のレジストパターン５の整形方法を示す工程図。
【図４】ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓの場合のレジストパターン５の整形方法を示す工程図。
【図５】プラズマ処理の有無とＤＯＦマージンとの関係を示す図。
【図６】従来例に係るエッチング方法（その１）を示す工程図である。
【図７】従来例に係るエッチング方法（その２）を示す工程図である。
【図８】穴なしと呼ばれるパターン欠陥を示す断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１  シリコン基板、３  シリコン酸化膜、５  レジストパターン、５´  レジスト膜、１１  （レジストパターンの）開口部分、１３  コンタクトホール、５０  フォトマスク
【図１】
2006086393.tif 000003
【図２】
2006086393.tif 000004
【図３】
2006086393.tif 000005
【図４】
2006086393.tif 000006
【図５】
2006086393.tif 000007
【図６】
2006086393.tif 000008
【図７】
2006086393.tif 000009
【図８】
2006086393.tif 000010