(57)【要約】【課題】  電気光学装置の駆動回路に供給される信号の信号伝搬時間を最適とする電気光学装置の駆動回路を提供する。【解決手段】  複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続されたスイッチング手段と、前記スイッチング手段に接続された画素電極とを有する電気光学装置の駆動を行う駆動回路において、前記駆動を制御する第１の駆動制御信号を供給するための第１の信号配線と、前記駆動を制御する第２の駆動制御信号を供給するための第２の信号配線と、を有し、前記駆動回路内における第１の信号配線の平均の配線幅をＷ１とし、前記駆動回路内における第２の信号配線の平均の配線幅をＷ２とすると、Ｗ１＞Ｗ２の関係が成立する。【選択図】      図２
2006250986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続されたスイッチング手段と、前記スイッチング手段に対応して配置された画素電極とを有する電気光学装置の駆動を行う駆動回路であって、
前記駆動を制御する第１の駆動制御信号を供給するための第１の信号配線と、
前記駆動を制御する第２の駆動制御信号を供給するための第２の信号配線と、を有し、
前記駆動回路内における第１の信号配線の平均の配線幅をＷ１とし、
前記駆動回路内における第２の信号配線の平均の配線幅をＷ２とすると、
Ｗ１＞Ｗ２の関係が成立することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記駆動回路はトランジスタを備え、前記トランジスタは前記電気光学装置のスイッチング手段を構成するトランジスタと同一材料で形成されることを特徴とする
請求項１記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
前記第１の信号配線を、所定の立上がり時間または立下り時間で駆動する出力回路を含むことを特徴とする
請求項１または２記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記第１の信号線の配線幅Ｗ１および前記第２の信号線の配線幅Ｗ２は、
信号配線の配線幅Ｗ１およびＷ２をそれぞれＷとし、
信号配線と対向電極の間の単位面積あたりの平行平板近似容量をＣ１とし、
配線長をＬとし、
前記出力回路の駆動抵抗をＲｄｒｖとし、
信号配線の配線シート抵抗をＳＫとし、
単位長さあたりの、信号配線と対向電極の間の斜め電界成分係数をＫ１とし、
配線の負荷容量をＣｌｄとしたとき、
次の式
【数１】
2006250986.tif 000030
で求められる信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）について、
次の式、
【数２】
2006250986.tif 000031
で求められる理想的な配線幅Ｗ０に対し、
次の式、
【数３】
2006250986.tif 000032
を満たすこと、またより望ましくは、
【数４】
2006250986.tif 000033
を満たすことを特徴とする
請求項１から３いずれか記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
従属接続された複数段の単位回路を有し、
前記第１の信号配線は、前記複数の単位回路の全段または所定の段数ごとに接続されてなり、
前記第２の信号配線が接続される前記複数の単位回路の数は２以下であることを特徴とする
請求項１から４いずれか記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
前記第２の駆動制御信号は、前記複数段の単位回路により順次転送されるスタートパルス信号であることを特徴とする
請求項５記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
前記複数の単位回路により伝送される信号が有意のレベルか否かを判別して前記複数の単位回路へのクロック信号の供給を制御するクロック制御回路を有し、
前記第２の駆動制御信号は、クロック信号であり、
前記第１の駆動制御信号は、非クロック信号であることを特徴とする
請求項１から５いずれか記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
請求項１から７いずれか記載の電気光学装置の駆動回路を備える電気光学装置。
【請求項９】
前記第１の信号配線は、前記対向電極と対向する領域に形成されることを特徴とする請求項８記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第２の信号配線は、前記対向電極と対向する領域以外に形成されることを特徴とする請求項９記載の電気光学装置。
【請求項１１】
精細度が１３０ピクセル毎インチを超えることを特徴とする請求項８から１０いずれか記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電気光学装置の駆動回路、電気光学装置、およびこれを備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置等の電気光学装置が知られている。
この電気光学装置は、例えば、複数の走査線と複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続されたトランジスタといったスイッチング手段と、このスイッチング手段に接続された画素電極とを有する。液晶表示装置では、この画素電極と、例えば液晶といった電気光学物質を挟んで対向する対向電極を備え、画素電極と対向電極との間にかかる電圧により、液晶の状態を制御して表示を行う。
スイッチング手段および画素電極は画素回路を構成し、画素回路は、走査線およびデータ線を介して駆動回路により駆動される。
駆動回路は、入力される画像信号および同期信号をデータ線および走査線に配分して駆動するためのシフトレジスタを有している。シフトレジスタは、データ線または走査線の数に応じた複数の単位シフト回路を備えており、制御信号やクロック信号の状態により動作が制御される。このように電気光学装置の駆動を制御するため、駆動回路には複数の駆動制御御信号が供給される。
【０００３】
このような電気光学装置では、大型化・高精細化に伴い、駆動回路に供給される信号の信号伝搬時間を無視することができなくなっている。
ここで、シリコンウェハー上に形成される半導体回路において、金属線分の付加容量と製造上で定まる定数とを使用して金属線分の幅を求める方法が特許文献１に示されている。また、特許文献２には、シリコンウェハー上に形成される半導体回路の配線設計において、複数の論理素子を接続する配線を分岐点間の区間を分割して、区間ごとに抵抗および容量を求め、論理素子の入力端に向かって配線の幅を変化させていく手法が示されている。
【特許文献１】特開昭６３−５１６５６号公報
【特許文献２】特開平６−２１２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電気光学装置の駆動回路では、データ線または走査線の駆動を制御するためのクロック信号や制御信号が複数供給され、供給を受ける論理素子の数や信号配線の経路は、信号の種類により大きく異なる。
また、例えば電気光学装置を構成する絶縁基板上に駆動回路を内蔵するいわゆる駆動回路内蔵型の電気光学装置では、絶縁基板上に回路が構成される点、対向電極を備える点など、シリコンウェハー上に形成される回路と異なる要素を考慮する必要がある。
【０００５】
本発明は、電気光学装置の駆動回路に供給される信号の信号伝搬時間を最適とする電気光学装置の駆動回路を提供することを目的とする。また、この駆動回路を用いた電気光学装置、および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の駆動回路は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続されたスイッチング手段と、前記スイッチング手段に対応して配置された画素電極とを有する電気光学装置の駆動を行う駆動回路であって、前記駆動を制御する第１の駆動制御信号を供給するための第１の信号配線と、前記駆動を制御する第２の駆動制御信号を供給するための第２の信号配線と、を有し、前記駆動回路内における第１の信号配線の平均の配線幅をＷ１とし、前記駆動回路内における第２の信号配線の平均の配線幅をＷ２とすると、Ｗ１＞Ｗ２の関係が成立することを特徴とする。
【０００７】
これによれば、シリコンウェハー上に形成される回路とは異なる電気光学装置の駆動回路において、駆動を制御する駆動制御信号を供給するための信号配線の種類に応じて、配線幅を変更することができる。これにより、信号の供給を受ける論理素子の数や信号配線の経路に応じて配線幅を調整し、信号の信号伝搬時間を最適にすることが可能となる。
【０００８】
ここで、前記駆動回路はトランジスタを備え、前記トランジスタは前記電気光学装置のスイッチング手段を構成するトランジスタと同一材料で形成されることが好ましい。
【０００９】
特に、多結晶ポリシリコン薄膜を能動層とする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）といったトランジスタを有する電気光学装置と一体に形成され、ＴＦＴを備える駆動回路においては、シリコンウェハー上に形成される回路と異なる特性を考慮し、信号配線の種類に応じて配線幅を調整することにより信号の信号伝搬時間を最適にする効果が高い。
【００１０】
また、前記駆動回路は、前記第１の信号配線を、所定の立上がり時間または立下り時間で駆動する出力回路を含むことが好ましい。
【００１１】
これによれば、出力回路は、信号配線を配線容量、ならびに論理素子への入力で要求される立上がり時間または立下り時間で駆動するよう調整される。この出力回路の駆動能力を示す駆動抵抗をも考慮して、信号の信号伝搬時間を最適にすることができる。
【００１２】
また、前記駆動回路において、前記第１の信号線の配線幅Ｗ１および前記第２の信号線の配線幅Ｗ２は、信号配線の配線幅Ｗ１およびＷ２をそれぞれＷとし、信号配線と対向電極の間の単位面積あたりの平行平板近似容量をＣ１とし、配線長をＬとし、前記出力回路の駆動抵抗をＲｄｒｖとし、信号配線の配線シート抵抗をＳＫとし、単位長さあたりの、信号配線と対向電極の間の斜め電界成分係数をＫ１とし、配線の負荷容量をＣｌｄとしたとき、次の式
【数１】
2006250986.tif 000003
で求められる信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）について、次の式、
【数２】
2006250986.tif 000004
で求められる理想的な配線幅Ｗ０に対し、次の式、
【数３】
2006250986.tif 000005
を満たすこと、またより望ましくは、
【数４】
2006250986.tif 000006
を満たすことが好ましい。
【００１３】
これによれば、対向電極を有するという電気光学装置の特異性を考慮した信号伝搬時間の算出式を用い、信号伝搬時間が最適となるように算出された理想的な配線幅に基づき配線幅を決定することができる。ここで、理想的な配線幅Ｗ０は、信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）が極小値をとる配線幅である。
【００１４】
また、前記駆動回路において、従属接続された複数段の単位回路を有し、前記第１の信号配線は、前記複数の単位回路の全段または所定の段数ごとに接続されてなり、前記第２の信号配線が接続される前記複数の単位回路の数は２以下であることが好ましい。
【００１５】
このように、駆動回路が、例えば、各データ線や各走査線に対し信号を配分するシフトレジスタといった、従属接続された複数段の単位回路による回路を有し、第１の信号配線が所定の段数ごとに周期的に接続される場合、第１の信号配線は多数の論理素子に接続されることとなる。このとき、接続される単位回路が２以下である第２の信号配線との間で、容量の違いを考慮して配線幅を調整し、信号の信号伝搬時間を最適にすることが可能となる。
なお、ここで、第２の信号配線が接続される単位回路の数には０も含まれる、すなわち、第２の信号配線は単位回路に接続されない場合も含まれる。
【００１６】
また、前記駆動回路において、前記第２の駆動制御信号は、前記複数段の単位回路により順次転送されるスタートパルス信号であることが好ましい。
【００１７】
これによれば、駆動回路は、より信号供給対象が多い第１の制御信号の配線幅Ｗ１を、１ないし２の単位回路にしか接続されないスタートパルス信号の配線幅Ｗ２よりも大きくすることによって、信号の信号伝搬時間を最適にすることができる。ここで、第１の駆動制御信号は、例えば単位回路の出力を制御するイネーブル信号や単位回路の転送タイミングを与えるクロック信号などである。
【００１８】
また、前記駆動回路において、前記複数の単位回路により伝送される信号が有意のレベルか否かを判別して前記複数の単位回路へのクロック信号の供給を制御するクロック制御回路を有し、前記第２の駆動制御信号は、クロック信号であり、前記第１の駆動制御信号は、非クロック信号であることが好ましい。
【００１９】
これによれば、駆動回路は、例えば、有意のレベルを伝送する単位回路にのみクロック信号を供給するクロック制御回路を有し、他の単位回路にはクロック信号を供給しないこととすることができる。この場合、信号供給対象が限定されるクロック信号の配線幅Ｗ２を、非クロック信号の配線幅Ｗ１よりも小さくすることによって、信号の信号伝搬時間を最適にすることができる。ここで、非クロック信号とは、例えば単位回路の出力を制御するイネーブル信号などである。
【００２０】
また、液晶表示装置といった電気光学装置に前記駆動回路を備え、信号の信号伝搬時間を最適に調節することにより、大型化、高精細化に対応した電気光学装置を提供することができる。
【００２１】
また、前記電気光学装置において、前記第１の信号配線は、前記対向電極と対向する領域に形成されることが好ましい。
【００２２】
これによれば、第１の信号配線が対向電極と対向するため、信号の信号伝搬時間は、対向電極との間の容量に影響を受ける。この場合に、第２の信号配線よりも大きくすることによって、信号の信号伝搬時間を最適にすることができる。
【００２３】
また、前記電気光学装置において、前記第２の信号配線は、前記対向電極と対向する領域以外に形成されることが好ましい。
【００２４】
これによれば、第２の信号配線が対向電極と対向しないため、信号の信号伝搬時間は、対向電極との間の容量に影響を受けない。この場合に、第１の信号配線よりも小さくすることによって、信号の信号伝搬時間を抑えつつも、配線の面積を小さくすることができる。
【００２５】
また、前記電気光学装置は、精細度が１３０ピクセル毎インチを超えるものであることが好ましい。
【００２６】
精細度が１３０ピクセル毎インチを超える高精細度の電気光学装置では、信号配線の配線幅が信号遅延時間に与える影響が大きい。したがって、このような高精細度の電気光学装置では、信号の種類に応じて配線幅を変更することにより、信号遅延時間を最適に調整する効果が高い。
【００２７】
また、電子機器に前記電気光学装置を備え、信号の信号伝搬時間を最適に調節することにより、大型化、高精細化に対応した電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施形態に係る液晶表示装置の駆動回路を、図面に基づいて説明する。
【００２９】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の駆動回路を内蔵するアクティブマトリクス基板の構成図である。ここで、電気光学装置としての液晶表示装置１００は、複数の走査線２０１と複数のデータ線２０２と、走査線２０１およびデータ線２０２に接続されたポリシリコン薄膜を用いたｎ型薄膜トランジスター（ＴＦＴ）よりなるスイッチング手段４０１と、スイッチング手段４０１に対応して配置された画素電極４０２とを備えている。
具体的には、液晶表示装置１００が備える無アルカリガラスのアクティブマトリクス基板１０１上には、複数の走査線２０１と複数のデータ線２０２が、表示領域３１０にて直行して形成されている。また、アクティブマトリクス基板１０１上には、多結晶ポリシリコン薄膜を能動層とした薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を集積することで形成された、駆動回路としてのデータ線駆動回路３０２および走査線駆動回路３０１が形成されている。駆動回路が備えるＴＦＴは、スイッチング手段４０１のＴＦＴと同一製造工程で作成されてもよい。
データ線２０２は、データ線駆動回路３０２に接続されて駆動され、走査線２０１は、走査線駆動回路３０１に接続されて駆動される。走査線２０１とデータ線２０２の数は、液晶表示装置１００の解像度により異なり、例えば、ＶＧＡ解像度の液晶表示装置の場合、それぞれ４８０本と１９２０本となる。
【００３０】
走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２には、実装端子６０１を通して、必要な駆動制御信号および電位が供給される。
【００３１】
また、アクティブマトリクス基板１０１上には、走査線２０１と対となるように並行かつ交互に、複数のコモン線（容量線）２０３が配置されている。コモン線２０３はコモン配線３０５を通じて相互に短絡され、さらに対向基板のコモン電極に導通を図るための対向導通部３０４に接続されている。
【００３２】
アクティブマトリクス基板１０１上の表示領域３１０では、走査線２０１とデータ線２０２の各交点に、Ｎチャネル型電界効果薄膜トランジスタよりなるスイッチング手段４０１が形成されている。スイッチング手段４０１のゲート電極は走査線２０１に、ソース電極はデータ線２０２に、ドレイン電極は画素電極４０２にそれぞれ接続されている。液晶表示装置が組み立てられた際には、対向基板の対向電極ＣＯＭが対向導通部３０４を介してコモン線２０３に接続されることとなる。そして、画素電極４０２は、電気光学物質としての液晶を挟んで対向する対向基板の対向電極１１３とで液晶容量を形成する。また、液晶容量と並列に画素電位側の容量電極とコモン線２０３とで、補助容量を形成する。
データ線駆動回路３０２および走査線駆動回路３０１は、液晶表示装置１００と一体に形成されており、対向電極１１３は、表示領域３１０、データ線駆動回路３０２および走査線駆動回路３０１を含むアクティブマトリクス基板１０１上のほぼ全ての領域に対向するよう配置される。
【００３３】
図２は、走査線駆動回路３０１の構成を示す回路図である。走査線駆動回路３０１は、単位回路としての、クロック制御回路（ＣＣＣ）３３３、クロック生成回路（ＣＧＣ）３３４、単位シフト（Ｓ／Ｒ）回路３３１、双方向転送回路３３２、レベルシフト回路（Ｌ／Ｓ）３５１、および、バッファ回路３５２を備え、また、インターフェースレベルシフト回路（ＩＦ  Ｌ／Ｓ）３５３および、インターフェースバッファ回路３５４を備えている。
【００３４】
単位シフト回路３３１は、入力される信号をクロック信号に同期して出力するラッチ回路であり、複数の単位シフト回路３３１とこれらを従属接続するための双方向転送回路３３２は、シフトレジスタを構成する。シフトレジスタには、フレーム期間の開始を示す開始信号が入力される。単位シフト回路３３１は、走査線２０１に出力される信号を、クロック信号に同期して順次シフトして出力する。
【００３５】
双方向転送回路３３２は、方向信号（ＤＩＲ信号）および逆方向信号（ＤＩＲＸ信号）により、転送方向を正逆に切り替えることで、画面の反転を容易に実現する回路である。方向信号（ＤＩＲ信号）が０Ｖかつ逆方向信号（ＤＩＲＸ信号）が８Ｖの時、双方向転送回路には図２の下から上の方向に、また、方向信号（ＤＩＲ信号）が８Ｖかつ逆方向信号（ＤＩＲＸ信号）が０Ｖの時、双方向転送回路３３２には図２の上から下の方向に信号が流れる。
【００３６】
クロック制御回路（ＣＣＣ）３３３は、クロックラインの静電容量の増大を防ぐため、シフトレジスタのうち、Ｈレベルに駆動されている段の前後のみにクロック信号を供給し、他の段へはクロック信号の供給を停止する回路である。クロック制御回路（ＣＣＣ）３３３は、クロック信号の供給を制御するための伝送ゲート３３３ａを備えている。
【００３７】
クロック生成回路（ＣＧＣ）３３４は、単極性のクロック信号から各単位シフト回路（Ｓ／Ｒ）３３１の動作に必要な両極性のクロック信号を生成することで、正負クロック間の位相ずれによる誤作動を防止する回路である。
【００３８】
レベルシフト回路３５１は、各単位シフト回路３３１から出力される低振幅の信号を高振幅の信号に昇圧する。図３は、その詳細なる回路構成を示す回路図である。
バッファ回路３５２は、複数のスイッチング回路が接続された走査線２０１をレベルシフト回路３５１の出力信号によって駆動する。
インターフェースレベルシフト回路３５３は、外部ＩＣ等の他の回路から入力される、例えば３Ｖといった低振幅の信号を８Ｖといった高振幅の信号に昇圧する。図４は、そのその詳細なる回路構成を示す回路図である。
出力回路としてのインターフェースバッファ回路３５４は、インターフェースレベルシフト回路（ＩＦ  Ｌ／Ｓ）３５３の出力信号の駆動能力を高めて伝送する。
【００３９】
走査線駆動回路３０１は、さらに、クロック信号線３３６、第１の信号配線としてのイネーブル信号線３３７と、第２の信号配線としてのスタート信号線３３８とを備える。
【００４０】
クロック信号線３３６は、液晶表示装置１００の駆動を制御するクロック信号ＶＣＬＫを走査線駆動回路３０１のクロック制御回路３３３に供給する。クロック信号線３３６は、全てのクロック制御回路３３３に接続されている。すなわち、単位回路としてのクロック制御回路３３３に１個ごとに接続されている。クロック信号ＶＣＬＫは、クロック制御回路（ＣＣＣ）３３３を駆動する信号である。
イネーブル信号線３３７は、液晶表示装置１００の駆動を制御するイネーブル信号ＶＥＮＢを走査線駆動回路３０１の単位シフト（Ｓ／Ｒ）回路３３１に供給する。イネーブル信号線３３７は、全ての単位シフト回路３３１に接続されている。すなわち、単位回路の１個ごとに接続されている。イネーブル信号ＶＥＮＢは、単位シフト回路３３１の出力を制御する。
スタート信号線３３８は、スタート信号ＶＳＰを走査線駆動回路３０１の双方向転送回路３３２に供給する。スタート信号線３３８は、双方向転送回路３３２のうち、従属接続の初段と終段のみに接続される。すなわち、２個の単位回路に接続されている。スタート信号ＶＳＰは、双方向転送回路３３２および単位シフト回路３３１により順次転送される。
【００４１】
実装端子６０１を通して外部ＩＣから供給される、クロック信号ＶＣＬＫ、イネーブル信号ＶＥＮＢ、およびスタート信号ＶＳＰは、それぞれ、インターフェースレベルシフト回路（ＩＦ  Ｌ／Ｓ）３５３により昇圧され、インターフェースバッファ回路３５４により駆動能力を高められ供給される。
【００４２】
インターフェースバッファ回路３５４は、容量を有する配線を、供給先の単位回路で必要な立上がり時間および立下り時間で駆動するよう、駆動能力が設定されている。駆動能力の設定は、インターフェースバッファ回路３５４の出力段を構成するトランジスタのゲート幅の調整により行う。
【００４３】
図５は、データ線駆動回路３０２の構成を示す回路図である。データ線駆動回路３０２は、単位回路としてのクロック制御回路（ＣＣＣ）３６３、クロック生成回路（ＣＧＣ）３６４、単位シフト（Ｓ／Ｒ）回路３６１、および、双方向転送回路３６２を備え、また、データ出力回路３６９、インターフェースレベルシフト回路（ＩＦ  Ｌ／Ｓ）３７３および、インターフェースバッファ回路３７４を備えている。
【００４４】
単位シフト回路３６１、双方向転送回路３６２、クロック制御回路３６３、および、クロック生成回路３６４は、走査線駆動回路３０１の単位シフト回路３３１、双方向転送回路３３２、クロック制御回路３３３、クロック生成回路３３４と同様である。ただし、データ線駆動回路３０２では、これらの単位回路が、データ線２０２ごとではなく、３本のデータ線２０２に対して１個設けられている。
データ出力回路３６９は、単位シフト回路３６１の出力に応じて、外部ＩＣから入力される輝度信号をデータ線２０２に出力する転送スイッチである。
インターフェースレベルシフト回路３７３は、外部ＩＣ等の他の回路から入力される、例えば３Ｖといった低振幅の信号を８Ｖといった高振幅の信号に昇圧する。
インターフェースバッファ回路３７４は、インターフェースレベルシフト回路３７３の出力信号を、駆動能力を高めて伝送する。
クロック信号線３６６は、液晶表示装置１００の駆動を制御するクロック信号ＨＣＬＫをデータ線駆動回路３０２のクロック制御回路３６３に供給する。クロック信号線３６６は、全てのクロック制御回路３６３に接続されている。すなわち、クロック制御回路３６３の１個ごとに接続されている。
スタート信号線３６８は、第２の駆動制御信号としてのスタート信号ＨＳＰをデータ線駆動回路３０２の双方向転送回路３６２に供給する。スタート信号線３６８は、双方向転送回路３６２のうち、従属接続の初段と終段のみに接続される。すなわち、２個の双方向転送回路３６２に接続されている。
【００４５】
＜１−１．配線幅の設定＞
クロック信号線３３６、３６６、イネーブル信号線３３７、スタート信号線３３８、３６８の配線幅について説明する。実際に基板上に形成される各配線の配線幅は、配線の形状や形成の状態によりある範囲で変動するが、ここでは、配線幅を平均の配線幅として説明する。
クロック信号線３３６、イネーブル信号線３３７、スタート信号線３３８は、走査線駆動回路３０１の全体に引きまわされており、その長さは表示領域３１０の縦方向の長さにほぼ等しい。また、クロック信号線３６６、スタート信号線３６８は、データ線駆動回路３０２の全体に引きまわされており、その長さは表示領域３１０の横方向の長さにほぼ等しい。
信号配線の幅は、一般的に、１）信号の遅延時間を小さくする。２）信号配線の占有面積を小さくする。２）製品の歩留りに及ぼす影響を小さくする。といった、３つの要請によって決定される。ここで、２）の要請によれば配線幅は小さいほどよく、３）の要請によれば断線や剥がれ回避のため配線幅は一定の範囲であることが求められる。しかし、２）および３）の要請を満たす範囲で配線幅を選択し、必要な立上がり時間および立下り時間で配線を駆動するようにインターフェースバッファ回路３５４、３７４の駆動能力を調整しただけでは、信号の遅延時間が最適化されない。
【００４６】
ここで、基板上に形成された信号配線での遅延時間を近似式により算出する。
信号配線の遅延となる信号伝搬時間の算出には、次に示すElmoreの近似式を用いることができる(W.C.Elmore  Journal  of  Applied  Physics,  Vol.19  55-63  Jan.  1948)。
【数５】
2006250986.tif 000007
ここで、
Rdrv：出力回路の駆動抵抗
C0：配線の単位長さあたりの寄生容量
R0：配線の単位長さあたりの寄生抵抗
L：配線長
Cld：配線の負荷容量
【００４７】
ただし、クロック信号線３３６、３６６、および、イネーブル信号線３３７のように、負荷容量が配線上に分布して接続されている信号配線には、次に示す式６がより適している。
【００４８】
【数６】
2006250986.tif 000008
【００４９】
この式６’は、スタート信号線３３８、３６８のように配線の先端部と末端部に負荷容量が接続されている信号配線にも適用できる。
ここで、配線の単位長さあたりの寄生抵抗R0は、下の式７により算出することができる。
【数７】
2006250986.tif 000009
【００５０】
ここで、ρおよびHは、例えば加工性、密着性、膜応力、エッチング形状といったプロセスの要請により決まるため、プロセスによる一定の値とみなすことができる。よって、配線の単位長さあたりの寄生抵抗R0を求める式は、ρ/Hを、配線シート抵抗SKとして、次の式のように変形することができる。
【数８】
2006250986.tif 000010
【００５１】
また、式６のRdrvは、インターフェースバッファ回路３５４、３７４の駆動能力を示す。具体的には、Rdrvは、インターフェースバッファ回路３５４、３７４が内蔵するＴＦＴのうち最終段のＴＦＴの駆動抵抗、すなわちオン抵抗である。一般的に、充電中のＴＦＴにおけるゲート−ソース間電圧Vgsとドレイン−ソース間電圧Vdsは、Vgs＞Vdsの関係であることから、Rdrvは、ＴＦＴのゲート−ソース間電圧Vgsを駆動電圧としたときの、Vdsと電流Ids間の特性における線形領域でのインピーダンス、すなわち、Vds−Ids特性カーブの傾きと考えることができる。
【００５２】
配線の単位長さあたりの寄生容量C0については、例えば、シリコンウェハー上に形成した回路（以下、ＩＣという。）の配線の場合、近似式としては、次の式９が知られている。
【数９】
2006250986.tif 000011
ここで、T0：配線絶縁膜厚さ、ε：絶縁膜誘電率、S：配線間距離
[T.Sakurai  &  T.Tamura  IEEE  Transactions  on  Electron  Device  Vol.  ED  -30  p.183-185  Feb.1983]
【００５３】
しかし、絶縁基板上に形成された走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２については、次に説明する条件の違いから、ＩＣについての上の式９を用いることは適当でない。
図６は、液晶表示装置の構造（ａ）、および比較例としてのＩＣの構造（ｂ）を示す断面図である。（ａ）に示す液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板１０１上に形成された下地／絶縁膜１１０の上に、信号配線１１１、１１２が形成されている。信号配線１１１、１１２と液晶９１０を挟んで対向する対向基板９０１には、対向電極１１３が形成されている。
ここで、ＩＣは、９０〜５００ｎｍといった微細なデザインルールを適用するのに対し、液晶表示装置の基板に形成される走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２のデザインルールは、１５００〜５０００ｎｍと大きい。
また、ＩＣでの配線長Lは、長くとも数ｍｍであるのに対し、走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２での配線長Lは、では、表示部のサイズに応じて数１０ｍｍから数１００ｍｍとなる。したがって配線自体が有する抵抗が大きい。
また、ＩＣが半導体であるシリコンウェハー基板１０２上に形成されるのに対し、液晶表示装置の駆動回路である走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２は、絶縁体である無アクリルガラスまたは石英ガラスのアクティブマトリクス基板１０１上に形成される。
さらに、図６に示すように、ＴＮモードあるいはＶＡモードの液晶表示装置では、Tlc(＝２〜５μｍ）の液晶９１０を挟んで、対向基板９０１上に対向電極１１３が形成されている。
【００５４】
このような事情から、液晶表示装置の駆動回路においては、配線の高さH方向の寄与がほとんど無く（H<<W,Tlc）、隣接する配線１１１、１１２間の距離Sよりも、配線１１１と対向電極１１３の距離Tlcの方が短いため（S>Tlc）、平行する配線１１１、１１２間の容量はほとんど寄与しない。したがって、走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２においては、条件が平行平板のモデルにより近くなっている。
図７は、図６の（ａ）に示す構造に基づいて、W/Tclと、配線１１１の単位長さあたりの寄生容量C0との関係を、電界シミュレーションにより求めたグラフである。このグラフから、配線１１１の単位長さあたりの寄生容量C0は、平行平板近似で求められた寄生容量と、定数K*εとの和に基づいて近似できることがわかる。ここで、定数Kは、配線１１１のエッジから斜め方向に延びる電界成分による容量であり、配線１１１の形状や対向電極１１３のカバレッジなどにより決まる。電界シミュレーションの結果から、配線１１１と対向電極１１３の間隔が３〜４μｍ、配線幅が１００〜５００ｎｍ、配線上の絶縁膜が２００〜３０００ｎｍのＬＴＰＳ−ＬＣＤ構造における、ＴＮ／ＶＡモードの液晶表示装置の場合、定数Kとして1.2〜1.5が好ましい。すなわち、液晶表示装置の駆動回路における配線の単位長さあたりの寄生容量C0は、次の式１０のようになる。
【数１０】
2006250986.tif 000012
ここで、K=1.2〜1.5（μｍ）
【００５５】
なお、液晶は異方誘電体であり、液晶９１０の誘電率εlcは液晶分子の配向方向により異なるが、本実施形態では、ワーストケースとして、最も誘電率が高い配向方向での誘電率を採用してよい。
配線の単位長さあたりの寄生容量C0の式から、走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２に適した信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）の算出式は次の式１１のようになる。
【数１１】
2006250986.tif 000013
【００５６】
図８は、走査線駆動回路３０１のイネーブル信号線３３７の配線幅と信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）との関係を、式１１に基づいて求めた結果のグラフである。グラフＡの曲線が示すように、対向電極に対向する信号配線の信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）は、配線幅Ｗがある値の場合に極小値をとる。ここで、式１１を微分することにより、極小点の配線幅W0が次の式１２のように求められる。
【数１２】
2006250986.tif 000014
【００５７】
D(W)を極小値とする配線幅W0を、理想的な配線幅とする。すなわち、ＬＣＤの駆動回路において、配線幅は式１２で示されるWOにおいて配線遅延時間が最小になる。
【００５８】
ここで、走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２における配線幅を求める。まず、それぞれの配線ごとに、配線の負荷容量Cldを求める。
クロック信号ＶＣＬＫを供給するクロック信号線３３６の負荷容量Cld(VCLK)は、伝送ゲート３３３ａの負荷容量*シフトレジスタの段数（４８０）として算出される。
イネーブル信号ＶＥＮＢを供給するイネーブル信号線３３７の負荷容量Cld(VENB)は、単位シフト回路３３１のＮＡＮＤ回路３３１ａの負荷容量*シフトレジスタの段数（４８０）として算出される。
スタート信号ＶＳＰを供給するスタート信号線３３８の負荷容量Cld(VSP)は、伝送ゲート３３２ａの負荷容量*シフトレジスタの段数（４８０）として算出される。
ここで実測から、伝送ゲート３３３ａ、３３２ａの負荷容量は４ｆＦであり、ＮＡＮＤ回路３３１ａの負荷容量は３０ｆＦであるので、
クロック信号線３３６の負荷容量Cld(VCLK)は、１４ｐＦであり、
イネーブル信号線３３７の負荷容量Cld(VENB)は、２ｐＦであり、
スタート信号線３３８の負荷容量Cld(VSP)は、１０ｆＦとなる。
またここで、液晶９１０の誘電率εlcを15*8.85e-12、定数Kを1.5とし、表示領域３１０の対角サイズを４インチ、配線をAlNd合金による１００ｎｍの厚さとした場合、Lは０．０６ｍ、Tlcは４μｍ、SKは１Ωとなる。
また、イネーブル信号ＶＥＮＢを供給するインターフェースバッファ回路３５４の最終段のＴＦＴについて、チャネル幅を３００μｍ、チャネル長を６μｍとし、電源電圧を８Ｖとした場合、ＴＦＴのゲートソース間電圧Ｖｇｓが８ＶのときのVds-Ids特性曲線から、出力回路としてのインターフェースバッファ回路３５４の駆動抵抗Rdrvは２０００Ωとなる。このとき、イネーブル信号線３３７の理想的な配線幅W0は次の式１３のように求められる。
【数１３】
2006250986.tif 000015
【００５９】
同様に、式１２から、クロック信号ＶＣＬＫを供給するインターフェースバッファ回路３５４の最終段ＴＦＴについて、チャネル幅を３００μｍ、チャネル長を６μｍとすると、駆動抵抗Rdrvは、２０００Ωとなり、クロック信号線３３６の理想的な配線幅W0は、10.3μｍとなる。
また、スタート信号ＶＳＰを供給するインターフェースバッファ回路３５４の最終段ＴＦＴについて、チャネル幅を１５０μｍ、チャネル長を６μｍとすると、駆動抵抗Rdrvは、４０００Ωとなり、スタート信号線３３８の理想的な配線幅W0は、6.7μｍとなる。
また、データ線駆動回路３０２の信号線については、L＝０．０８ｍとなり、クロック信号ＨＣＬＫを供給するインターフェースバッファ回路３７４の最終段ＴＦＴについては、Cld＝３ｐＦ、Rdrv＝２０００Ωとなり、クロック信号線３６６の理想的な配線幅W0は、16.9μｍとなる。
また、スタート信号ＨＳＰを供給するインターフェースバッファ回路３７４の最終段ＴＦＴについては、Cld＝１０ｐＦ、Rdrv＝４０００Ωとなり、スタート信号線３６８の理想的な配線幅W0は、11.0μｍとなる。
【００６０】
液晶表示装置の実際の製造においては、製造に用いる露光機の最小露光寸法といった限界による制約がある。例えば、露光機の限界が３μｍであり、さらにフォト欠陥等による断線の確率を抑えるため、配線の最小幅は５μｍ、マイグレーション対策のため、最大幅はといった２００μｍの制約がある。また、回路の配置配線設計の段階では、ＣＡＤでの工数等から配線寸法の丸め込みが行われる。
配線幅について丸め込みを行うと、各配線の実際の配線幅は、上述の理想的な配線幅から外れる。例えば、理想的な配線幅について５μｍ単位で丸め込みを行った結果としての実際の配線幅Ｗは、次表のようになる。
【表１】
2006250986.tif 000016
【００６１】
実際の配線幅Ｗによる信号伝搬時間Ｄ（Ｗ１）、と理想的な配線幅Ｗ０での信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）との差異は、製造プロセスの変動等により生じる変動の許容度とのバランスから、±１０％以内の範囲であることが好ましい。すなわち、次の式１４が成立することが望ましい。
【数１４】
2006250986.tif 000017
【００６２】
さらには、設計上の余裕の点から、±５％以内の範囲であることがより好ましい。すなわち、次の式１５が成立することがより望ましい。
【数１５】
2006250986.tif 000018
【００６３】
式１４、式１５においてD(W0)は最小値であるから、常にD(W)  -  D(W0)≧0である。
【００６４】
上述した例における実際の配線幅Ｗでの信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）と、理想的な配線幅Ｗ０での信号伝搬時間Ｄ（Ｗ０）との差異は次の表に示す通りとなる。
【表２】
2006250986.tif 000019
【００６５】
上表に示すように、|D(W)-D(W0)|÷D(W0)は最大でも２％以内であり、式１４、式１５をいずれも満たしている。
したがって、データ線駆動回路３０２および走査線駆動回路３０１では、各配線の配線幅として表２に示すＷの値を設定して問題ない。この場合、イネーブル信号線３３７の配線幅をＷ１（＝１５μｍ）とし、スタート信号線３３８の配線幅をＷ２（＝１０μｍ）とすると、Ｗ１＞Ｗ２の関係が成立する。
【００６６】
本実施形態では、スタート信号ＶＳＰおよびＨＳＰのように、駆動回路の全体ではなく一部に供給される信号を供給するスタート信号線３３８、３６８では配線の負荷容量が小さい。
また、液晶表示装置が小型で表示領域３１０が小さい場合、K*εlc*Lは数ｐＦ程度の値となるので、K*εlc*L>>Cldとなる。
これらの場合、信号伝搬時間を極小とする配線幅Ｗの式１２は、次の式１６のように変形することができる。
【数１６】
2006250986.tif 000020
【００６７】
例えば、配線長Ｌが大きくCldが相対的に小さい場合、すなわち、画面サイズが比較的大きく、精細度は低い場合は、クロック信号線３３６およびイネーブル信号線３３７についても式１６が成立する。
液晶９１０の誘電率をεlcは、一般的なＴＮ／ＶＡモードの液晶表示装置に用いられる液晶の場合、５０ｐＦ／ｍ以上であり、シフトレジスタの一段当りの配線負荷容量は０．１ｐＦであるため、50/0.1*0.0254=127(ピクセル毎インチ（ｐｐｉ）)より、約１３０ｐｐｉ未満の精細度では、式１２の近似式を適用しても問題はない。このような場合、配線の負荷容量Cldは小さく無視できるので、Rdrvも、Cldが無視できない場合に比べて小さく設定されるのが一般的である。同じ駆動回路内に配置されるそれぞれの配線の長さＬはほぼ等しいから、式１６が成立する全ての信号配線について、ＷおよびＲｄｒｖはほぼ同一となる。したがって、１３０ｐｐｉ未満の精細度の低い液晶表示装置では、全ての信号配線の幅を同一としてもよい。しかし、１３０ｐｐｉより高精細の場合には、配線の負荷容量Cldが無視できない。すなわち式１６の近似式は成立しなくなる。このとき、本実施例でみてきたように式１２に基づいて信号配線の幅を異ならせることにより、遅延時間を最適に設定できる。
【００６８】
＜１−２．効果＞
走査線駆動回路３０１では、イネーブル信号およびスタート信号を供給するためのイネーブル信号線３３７、スタート信号線３３８といった種類に応じて、配線幅Ｗ１、Ｗ２を変更する。イネーブル信号を第１の駆動制御信号とし、スタート信号を第１の駆動制御信号とした場合、イネーブル信号線３３７の配線幅Ｗ１とスタート信号線３３８の配線幅Ｗ２を、Ｗ１＞Ｗ２となるよう設定することにより、信号の供給を受ける論理素子の数や信号配線の経路に応じて配線幅を調整し、シリコンウェハー上に形成される回路と異なる特性を考慮して、信号の信号伝搬時間を最適にすることができる。特に、複数段の単位回路に対し、１段ごとに接続されるイネーブル信号線３３７は多数の論理素子に接続されることとなる。このとき、接続される単位回路が２であるスタート信号線３３８との間で、容量の違いを考慮して配線幅を調整することにより信号の信号伝搬時間を最適にする効果が高い。
また、クロック制御回路３３３を有する走査線駆動回路３０１で、クロック信号ＶＣＬＫを第２の制御信号とし、非クロック信号であるイネーブル信号ＶＥＮＢを第１の駆動制御信号とした場合、クロック信号線の配線幅Ｗ２と、イネーブル信号線３３７の配線幅Ｗ１を、Ｗ１＞Ｗ２となるよう設定することにより、信号の信号伝搬時間を最適にすることができる。
特に、対向電極１１３を有する電気光学装置の特異性を考慮した信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）の算出式（式１１）を用い、信号伝搬時間が最適となるように算出された理想的な配線幅に基づき配線幅を決定することができる。このことにより、回路の誤動作を防ぎつつ、配線幅を必要最小限にして、回路面積を低減し、液晶表示装置の額縁部分を小さくすることができる。
また、信号配線を立上がり時間または立下り時間で駆動するよう調整された出力回路の駆動抵抗Rdrvを考慮して信号の信号伝搬時間を最適にすることができる。特に、インターフェースバッファ回路３７４がＴＦＴで構成される場合はＭＯＳトランジスタによるＩＣと異なり、駆動抵抗Rdrvがより大きくなるため配線幅も大きくなる傾向となる。この場合に配線幅Ｗを信号の種類に応じて調整することにより回路面積を低減することができる。
【００６９】
＜２．第２実施形態＞
図９は、第２実施形態に係る液晶表示装置の断面を示す図である。本実施形態の液晶表示装置では、信号配線１１１、１１２上に絶縁物１１５が形成されている点が、第１実施形態の液晶表示装置と異なる。本実施形態の他の構成は、第１実施形態と同様であり、同一の符号を付し、説明を省略する。
信号配線１１１、１１２上に、形成されている絶縁物１１５を考慮して、液晶表示装置の走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２での信号配線の信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）を求める式１１は下の式１１Ａのように変更される。
すなわち、式１１の中のεlc/Tlcは、信号配線と対向電極の間の単位面積あたりの平行平板近似容量C1に置き換えられ、K*εlcは、単位長さあたりの信号配線と対向電極の間の斜め電界成分係数K1に置き換えられる。したがって、式１１、式１２および式１０は次のように変形される。
【数１７】
2006250986.tif 000021
【００７０】
ここで、式１１Ａ、式１２Ａ、式１０Ａは、それぞれ式１１、式１２および式１０の一般式であるので、第１実施形態の配線幅の算出についても上式を用いることができる。
本実施形態に係る液晶表示装置の走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２では、第１実施形態での効果に加え、対向電極１１３、および信号配線１１１、１１２上に形成されている絶縁物１１５を考慮した、より一般的な算出式を用い、信号伝搬時間が最適となるように算出された理想的な配線幅Ｗ０に基づき配線幅を決定することができる。
【００７１】
＜３．第３実施形態＞
図１０は、第３実施形態に係る液晶表示装置の走査線駆動回路８０１を示す図である。
走査線駆動回路８０１においては、クロック信号線８３６とスタート信号線８３８の位置が入れ替わっている点、および、配線が交差する交差部８０２、８０３、８０４の容量を無視せずに、配線遅延として考慮する点が第１実施形態の走査線駆動回路３０１と異なる。ここで、図１０は、クロック信号線８３６、イネーブル信号線８３７、および、スタート信号線８３８が、アクティブマトリクス基板１０１上に形成される概略の位置関係も示しているものとする。本実施形態の他の構成は、第１実施形態と同様であり、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００７２】
まず、配線の幅が変わっても、交差部での配線の幅、すなわち交差部分の面積を変更しないように設定して、交差部の容量を一定とする場合について説明する。これは例えば交差部分の線幅だけを細くして一定にするか、配線幅が一定の枝敗戦上で交差するようにした場合にあてはまる。
交差部８０２、８０３、８０４の容量が交差部１箇所あたり各々２０ｆＦとすると、シフトレジスタの段数に応じた交差部８０２、８０３、８０４を有するクロック信号線８３６とスタート信号線８３８の配線の負荷容量Cldには、交差部によるΔCldとして10pFが加わる。また、イネーブル信号線８３７の配線の負荷容量Cldには、交差部によるΔCldとして19pFが加わる。その他のパラメータは全て第１実施形態に同じとすると、イネーブル信号線８３７の配線の負荷容量Cld(VENB)は３３ｐＦ、クロック信号線８３６の配線の負荷容量Cld(VCLK)は１２ｐＦとなる。
よって、第１実施形態と同様に、理想的な配線幅Ｗ０、丸め込みによる実際の配線幅Ｗ、および、それぞれの信号伝搬時間Ｄ（Ｗ０）、Ｄ（Ｗ）を算出した結果は、次の表に示すようになる。
【表３】
2006250986.tif 000022
【００７３】
上表のように、交差面積が配線幅によらない場合には、Ｃｌｄに交差部分の容量ΔＣｌｄを加えて第１実施形態と同様に算出すればよい。
【００７４】
続いて、交差部の容量が配線幅の変化に伴い変化する場合について説明する。配線の単位長さあたりの寄生容量C0を求める式は、各配線の交差部の容量の総計をCC(W)とすると、次式のようになる。
【数１８】
2006250986.tif 000023
【００７５】
ここで、各配線の交差部の容量の総計CC(W)は、平行平板による容量と、斜め方向の電界成分による容量との和として近似できるので、次式のようになる。
【数１９】
2006250986.tif 000024
ここで、εTLD：層間絶縁膜の誘電率、tTLD：層間絶縁膜の膜厚、
WC：交差する配線の線幅の和、n：交差部の総数、Ａ：交差部の斜め電界成分容量係数
【００７６】
したがって、式１８は次のように変形できる。
【数２０】
2006250986.tif 000025
C1'=C1+εTLD  /  tTLD*WC*n/L
K1'=K1+A
【００７７】
よって、C1'およびK1'を調整することにより、C0を用いる式１１Ａおよび式１２Ａが使用可能となる。
例えば、εTLD/  tTLD*WC*n/L  =1.65e-5、A*n/L=2.5e-11とし、C1'およびK1'を用いて式１１Ａおよび式１２Ａから算出した結果は、次の表に示す通りとなる。
【表４】
2006250986.tif 000026
【００７８】
このように、交差部の容量が配線幅の変化に伴い変化する場合には、Ｃ１およびＫ１を式２０のように変形して第１実施形態と同様に算出すればよい。
【００７９】
配線幅を設定する段階で、交差部の容量を配線幅に拘わらず一定とするか、または配線幅の変化に伴い変化させるかは、製造プロセスの膜厚の設定などの条件により、選択することが望ましい。
【００８０】
このように、イネーブル信号線８３７、スタート信号線８３８といった種類に応じて、配線幅Ｗ１、Ｗ２を設定する際に、交差部の容量を考慮することによって、駆動回路での信号伝搬時間を最適にすることができる。
【００８１】
＜４．第４実施形態＞
図１１は、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置の駆動回路を形成するアクティブマトリクス基板５０１の構成図である。
アクティブマトリクス基板５０１では、液晶を挟んで画素電極４０２と対向する対向電極３９０が、第１の実施形態の対向電極１１３とは異なる形状を有している。具体的には、対向電極３９０は、表示領域３１０および対向導通部３０４を覆うように対向し、かつ、走査線駆動回路３０１およびデータ線駆動回路３０２の一部を覆わないような形状となっている。本実施形態の他の構成は、第１実施形態と同様であり、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００８２】
図１２は、アクティブマトリクス基板５０１の断面を示す断面図である。
アクティブマトリクス基板５０１上に形成された走査線駆動回路３０１、およびデータ線駆動回路３０２では、基板上の内側に配置される配線１１１ａは対向電極３９０と対向し、外側に配置される配線１１１ｂは対向電極３９０と対向しない。
【００８３】
ここで、配線１１１ａは対向電極３９０と対向するため、配線１１１ａの信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）は、式１２を用いて求めることができる。
配線１１１ｂは、対向電極３９０と対向しないため、配線容量は両側に配置される隣接配線１１２との容量のみで決まる。この場合、配線１１１ｂの単位長さあたりの寄生容量C0は、次の近似式２１で算出できる。
【数２１】
2006250986.tif 000027
ここでs：配線間距離
h：配線高さ
εI：配線間の絶縁体１１５の誘電率
【００８４】
したがって、D(W)は、次式のようになる。
【数２２】
2006250986.tif 000028
【００８５】
この場合、D(W)は、Wが増大するほど減少し、極小値を有しない。
【００８６】
図１３は、イネーブル信号線３３７の配線幅と信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）との関係を求めたグラフ（Ｂ）である。なお比較のためグラフＡとして、対向電極３９０がイネーブル信号線３３７と対向していた場合の信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）が表示されている。図１３のグラフＢからも、対向電極３９０がイネーブル信号線３３７と対向しない場合、D(W)は、Wが増大するほど減少することが示されている。
グラフにも示されるように、信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）を小さくするためには、配線幅Ｗを大きくすることが望ましい。しかしここで、隣接する配線との距離は、対向電極との距離に比べて大きいため、一般的な配線幅の範囲では、対向電極３９０が対向しない場合の信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）は、対向する場合の信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）よりも小さい（図１３のグラフでＢ＜Ａ）。
したがって、配線幅を設定する場合においては、対向電極３９０が対向する場合の信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）の式である式１２または式１２Ａに基づいて配線幅Ｗを算出し、この算出結果を配線幅Ｗとしてよいし、配線幅を一定以下とするなら、対向電極３９０が対向しない場合の信号配線（１１１ｂ）の配線幅は、対向電極３９０が対向する場合の信号配線（１１１ａ）の配線幅に比べ、小さく設定しても差し支えないことがわかる。このとき、D(W)  -  D(W0)は、負となれば対向電極３９０が対向した場合の遅延時間を超えていないことが確認でき、結局、式２２を使って式１４、式１５が成立しているかをチェックすればよい。
【００８７】
ここで、クロック信号線３３６と第２の信号配線としてのスタート信号線３３８は、外側、すなわち対向電極３９０と対向する領域以外に形成され、第１の信号配線としてのイネーブル信号線３３７は、対向電極３９０と対向する領域に形成されているとした場合の例について、配線幅Ｗと信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）とを求める。
イネーブル信号線３３７は対向電極３９０と対向しているので、第１実施形態と同様にW0=14.0μｍである。クロック信号線３３６とスタート信号線３３８についても、もし対向電極３９０と対向しているとすると、W0=10.3μｍ、W0=6.7μｍである。ここで、クロック信号線３３６とスタート信号線３３８は、対向電極３９０と対向しておらず、信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）は十分に小さいので、仮にＷ０を算出結果の半分とした上で丸め込みを行う。
この結果、実際の配線幅Ｗでの信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）と、理想的な配線幅Ｗ０での信号伝搬時間Ｄ（Ｗ０）との差異は次の表に示す通りとなる。
【表５】
2006250986.tif 000029
【００８８】
上表のように、W0を半分として丸め込みを行ってＷとしても、信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）を１／４〜１／５とできることがわかり、式１４、式１５の条件を満たしている。したがって、配線幅として、上表のように求められたそれぞれのＷの値を設定する。
【００８９】
イネーブル信号線３３７を対向電極３９０と対向する第１の信号配線とした場合、信号の信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）は、対向電極３９０との間の容量に影響を受ける。この場合に、イネーブル信号線３３７の配線幅Ｗを、対向電極と対向しない第２の信号配線であるスタート信号線３３８またはクロック信号線３３６の配線幅をより大きく設定することによって、各信号の信号伝搬時間を一定値以下とすることができ、必要以上の配線面積を占有しない。また、スタート信号線３３８を対向電極３９０と対向しない第２の信号配線とした場合、信号ＶＳＰの信号伝搬時間は、対向電極３９０との間の容量に影響を受けない。この場合に、スタート信号線３３８の配線幅をＷ２とし、イネーブル信号線３３７の配線幅ＷをＷ１とし、Ｗ１＞Ｗ２と設定することによって、信号の信号伝搬時間を抑えつつも、配線の面積を小さくすることができる。
【００９０】
＜５．第５実施形態＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置の駆動回路を適用した電子機器について説明する。図１４は、上述した実施形態に係る電気光学装置の駆動回路を内蔵した液晶表示装置の斜視構成図（一部断面図）である。カラーフィルタ基板上にＩＴＯを成膜することでコモン電極を形成した対向基板９０１をアクティブマトリクス基板１０１とシール材９２０により貼り合わせ、その中に液晶９１０を封入している。図示しないが、アクティブマトリクス基板１０１、対向基板９０１ともに液晶９１０と接触する面には、ポリイミド等からなる配向材料が塗布され、互いに直行する方向にラビング処理されている。また、アクティブマトリクス基板１０１上の対向導通部３０４には導通材が配置され、対向基板９０１のコモン電極と短絡されている。
アクティブマトリクス基板１０１は、アクティブマトリクス基板１０１上に実装されたフレキシブル基板９３２を通じて駆動回路基板９３５上の１ないし複数の駆動ＩＣ９４０に接続され、必要な電気信号および電位を供給される。
さらに、対向基板９０１の外側には上偏向板９５１を、アクティブマトリクス基板１０１の外側には下偏向板９５２を配置し、互いの偏向方向が直行するよう（クロスニコル状）に配置する。さらに下偏向板９５２の外側にはバックライトユニット９６０を配置する。バックライトユニット９６０は冷陰極管に導光板や散乱板を取り付けたものでも良いし、ＥＬ素子によって発光するユニットでもよい。図示しないが、さらに必要に応じ、周囲を外殻で覆うあるいは上偏向板のさらに上に保護用のガラスやアクリル板を取り付けてもよいし、視野角改善のため、光学補償フィルムを貼っても良い。
【００９１】
＜６．変形例、改良例＞
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、本発明は上述の実施形態の特徴部分を組み合わせたものであってもよい。
【００９２】
＜７．電子機器＞
次に、上述した実施形態および応用例に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図１５に、電気光学装置１００を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この電気光学装置１００は、信号配線が最適に設定されているために、信号遅延等の問題から誤動作を起こすことがなく、かつ額縁が最小になっているためにパーソナルコンピュータ２０００の外形サイズは小さくできるというメリットを有する。
【００９３】
図１６に、電気光学装置１００を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１７に、電気光学装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal  Digital  Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示ユニットとしての電気光学装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１００に表示される。
【００９４】
なお、電気光学装置１００が適用される電子機器としては、図１５〜図１７に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した電気光学装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】液晶表示装置の駆動回路を内蔵するアクティブマトリクス基板１０１の構成図である。
【図２】第１実施形態の走査線駆動回路３０１の構成を示す回路図である。
【図３】走査線駆動回路３０１のレベルシフタの回路構成図である。
【図４】走査線駆動回路３０１のインターフェースレベルシフタの回路構成図である。
【図５】第１実施形態のデータ線駆動回路３０２の構成を示す回路図である。
【図６】第１実施形態の液晶表示装置の構造（ａ）、および比較例としてのＩＣの構造（ｂ）を示す断面図である。
【図７】走査線駆動回路３０１のW/Tclと、配線１１１の単位長さあたりの寄生容量C0との関係を示すグラフである。
【図８】イネーブル信号線３３７の配線幅と信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）との関係を示すグラフである。
【図９】第２実施形態に係る液晶表示装置の断面を示す図である。
【図１０】第３実施形態に係る液晶表示装置の走査線駆動回路８０１を示す図である。
【図１１】第４実施形態に係るアクティブマトリクス基板５０１の構成図である。
【図１２】アクティブマトリクス基板５０１の断面を示す断面図である。
【図１３】イネーブル信号線３３７の配線幅と信号伝搬時間Ｄ（Ｗ）との関係を示すグラフである。
【図１４】電気光学装置の駆動回路を内蔵した液晶表示装置の斜視構成図（一部断面図）である。
【図１５】前記した電気光学装置を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１６】前記した電気光学装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図１７】前記した電気光学装置を適用した情報携帯端末の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９６】
１００…液晶表示装置（電気光学装置）、１０１…アクティブマトリクス基板、２０１…走査線、２０２…データ線、３０１、８０１…走査線駆動回路、３０２…データ線駆動回路、３３１、３６１…単位シフト回路（Ｓ／Ｒ）、３３２、３６２…双方向転送回路、３３３、３６３…クロック制御回路（ＣＣＣ）、３３４、３６４…クロック生成回路（ＣＧＣ）、３５３、３７３…インターフェースレベルシフト回路（ＩＦ  Ｌ／Ｓ）、３５４、３７４…インターフェースバッファ回路、３３６、３６６…クロック信号線、３３７、３６７…イネーブル信号線、３３８、３６８…スタート信号線、３９０…対向電極、４０１…スイッチング手段、４０２…画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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