(57)【要約】      （修正有）【課題】新たなガス吸蔵層を有する、輝度残存率、高温放置特性の優れた蛍光表示管を得る。【解決手段】シリカゲル及び／又は黒鉛、並びに、Ｋ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物が０．０１ｗｔ％〜３０．００ｗｔ％含まれているガス吸蔵層、陽極、拡散電極に使用する。  （Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎを使用した蛍光表示管に好適である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空気密容器と、前記真空気密容器内に配設された電子源と、前記真空気密容器を構成する絶縁性基板の前記真空気密容器の内面側表面に配設された陽極と、前記陽極の上面に形成され、前記電子源から放出される電子によって励起されて発光する蛍光体を含む蛍光体層を有する蛍光表示管において、
Ｐ、Ｋ又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物、並びに、シリカゲル及び／又は黒鉛を含むガス吸蔵層を前記気密容器内面に有することを特徴とする蛍光表示管。
【請求項２】
前記ガス吸蔵層が陽極であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光表示管。
【請求項３】
前記ガス吸蔵層が前記真空気密容器を構成する前記陽極に対向する真空気密容器の内面に形成された拡散電極であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光表示管。
【請求項４】
前記ガス吸蔵層に含まれる前記Ｐ、Ｋ又はＮａの化合物がＫ３ＰＯ４、Ｐ２Ｏ５又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項１に記載の蛍光表示管。
【請求項５】
前記ガス吸蔵層に含まれる前記Ｐ、Ｋ又はＮａの化合物がＫ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物がガス吸蔵層中に０．０１ｗｔ％〜３０．００ｗｔ％含まれていることを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の蛍光表示管。
【請求項６】
前記蛍光体層が（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎの中から選ばれた少なくとも１種の蛍光体を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の蛍光表示管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気密容器内部を高真空に維持するために不要なガスを吸蔵するガス吸蔵層を容器内面に配設した蛍光表示管に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子線励起発光を利用した蛍光表示管は、図３に示す様に、ガラス板からなる絶縁性基板１１０上面にアルミニウム薄膜からなる配線導体２００、配線導体と通じるスルーホール部４００を有する低融点ガラスを主成分とする絶縁層３００、前記スルーホールを塞ぐように黒鉛を主成分とする陽極導体、ＺｎＯ：Ｚｎその他の蛍光体層５１０を積層形成し、前記蛍光体５１０上方にグリッド５２０を載置して陽極基板、不図示のＢａ−Ａｌゲッターリング、陰極８００を内蔵して前記絶縁性基板１１０、前面板１２０、側面板１３０を、４００〜５００℃雰囲気中で不図示の低融点ガラスにより真空気密容器を組み立てて構成されている。
前記真空気密容器内のゲッターリング自身は通常直径３〜５ｍｍであり該ゲッターリングは他の電極等と接触を避けるための空間が必要であり、前記Ｂａ-Ａｌ合金等の蒸着膜が表示の妨げとなると供に、前記蛍光表示管を駆動し続けるときに蛍光体から所定の距離を有することから、電子源や蛍光体から発生する不要ガスの吸着が十分でないときがある。
【０００３】
この問題を解決する為に、表示素子を構成する絶縁性基板上面にＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｈ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｎの内から選ばれる一種以上の金属、又はその合金からなる非蒸発型ゲッター（ＮＥＧ）を印刷法、スパッタリング法等で表示素子内に配設して蛍光体から発生する不要ガスを吸着する。該非蒸発型ゲッターは、活性化のための配線を設けて通電して抵抗加熱等により活性化する工程が必要とされている。（例えば特許文献１）
一方、非蒸発型ゲッターのゲッター効果を向上するために活性化温度を７００〜９００℃としてレーザー光で加熱して再活性化する技術が開示されている。（例えば特許文献２）
【０００４】
一方、蛍光表示管の製造工程は、３５０℃〜５５０℃の陽極基板焼成工程、４５０℃〜５５０℃の封着工程、３００℃〜４００℃で蛍光表示管内部を真空に封止する封止排気工程等を有する。
前記封止排気工程前の各工程に於いて蛍光体は種々の環境に侵され、その表面が汚染されやすく変質し易い。更に、蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガスの影響により発光特性が不安定になるという問題点を有している。
蛍光表示管において低速電子線を照射して蛍光体を励起発光させる場合、該低速電子線は表面から数オングストロームまでしか進入しないことから、蛍光体の表面状態が発光特性に大きく影響すると言われている。
特に、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎを初めとする酸化物蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体の様な硫化物蛍光体及び酸硫化物蛍光体は、蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガス（以下微量残留ガスという）の影響により特性劣化を生じやすい。
例えば、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする黄色発光蛍光体の場合、ＷＯ３を該蛍光体に対して０．０５〜２０．００ｗｔ％混合することで、蛍光体の表面に被着している微量残留ガスを除去して高輝度で寿命の長い蛍光表示管を提供することが開示している。（例えば特許文献３）
【０００５】
前記、ＷＯ３のゲッター効果の改良技術として、Ｋ３ＰＯ４、Ｐ２Ｏ５、Ｎａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つＰ、ＫまたはＮａから選ばれた少なくとも一つの化合物を混合した蛍光体ペーストを製造し、該蛍光体ペーストを使用した蛍光体層からなる発光特性の安定な蛍光表示管を開示している。（例えば特許文献４）
しかし、Ｋ３ＰＯ４等のガス吸蔵材は非発光物質であるため発光に寄与する蛍光体自体の量が少なくなり輝度低下をもたらすという欠点を有していた。
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ００／５４３０７号公報、６９ページ
【特許文献２】特表２００１−５０８５８６号公報、３２ページ
【特許文献３】特開平５−１３２３３９号公報
【特許文献４】特開２００４−１４３４３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願発明は、非蒸発型ゲッターのような配設場所の制限が少なく、しかも再活性も不要と蛍光表示管を提供することにある。
また、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎを初めとする酸化物蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体その他の硫化物蛍光体及び酸硫化物蛍光体と隣接して配設出来る事から、蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガス（以下微量残留ガスという）の影響による特性劣化の少ない蛍光表示管を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明は前記課題を解決する為になされたものであり、請求項１の発明は真空気密容器と、前記真空気密容器内に配設された電子源と、前記真空気密容器を構成する絶縁性基板の前記真空気密容器の内面側表面に配設された陽極と、前記陽極の上面に形成された前記電子源から放出される電子によって励起されて発光する蛍光体を含む蛍光体層を有する蛍光表示管において、Ｐ、Ｋ又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物並びに、シリカゲル及び／又は黒鉛を含むガス吸蔵層を気密容器内面に有することを特徴とする。
ここで、本願発明の顔料とは、前記Ｐ、Ｋ又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物を蛍光表示管の配設箇所に固定する機能を有するシリカゲル、黒鉛その他の粉体をいう。
本願発明のガス吸蔵層は、ゲッターリングを高周波加熱により蒸発させて蒸着膜を真空気密容器内に配設する従来の方法と比べて真空気密容器内の任意の位置に配設出来るとともに、活性化の為の温度７００〜９００℃が不要となる。従って、蛍光表示管の製造工程の、３５０℃〜５５０℃の陽極基板焼成工程、４５０℃〜５５０℃の封着工程、３００℃〜４００℃で蛍光表示管内部を真空に封止する封止排気工程でも十分実用できるという効果がある。
【０００９】
請求項２の発明は、前記ガス吸蔵層が陽極であることを特徴とする。即ち、図１の陽極５００に使用したことを特徴とし、蛍光体が直接積層される陽極５００に使用することでガス吸蔵効果を増す事が出来ることからガス吸蔵層を設けるための新たな工程が不要となる。
請求項３の発明は、前記ガス吸蔵層が前記真空気密容器を構成する前記陽極に対向する真空気密容器の内面に形成された拡散電極であることを特徴とする。即ち、図２の拡散電極６００に使用したことを特徴とし、陽極基板１１０側から発光を視認する形式の蛍光表示管の遮光を兼ねる拡散電極６００に使用することでガス吸蔵を設けるための新たな工程が不要となる。
【００１０】
請求項４の発明は、前記ガス吸蔵層に含まれる前記Ｐ、Ｋ又はＮａの化合物がＫ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物であることを特徴とし、
請求項５の発明は、前記ガス吸蔵層に含まれる前記Ｐ、Ｋ又はＮａの化合物がＫ３ＰＯ４，Ｐ２Ｏ５、又はＮａ２ＳｉＯ３から選ばれた少なくとも一つの化合物がガス吸蔵層中に０．０１ｗｔ％〜３０．００ｗｔ％含まれていることを特徴とする。
【００１１】
請求項６の発明は、前記蛍光体層が（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏを母体とする蛍光体、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎの中から選ばれた少なくとも１種の蛍光体を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本願発明により、非蒸発型ゲッターのような配設場所の制限が少なく、しかも再活性も不要なガス吸蔵材を有する蛍光表示管を提供できる。
また、本願発明のガス吸蔵材は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４蛍光体、ＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎを初めとする酸化物蛍光体、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｌｎ２Ｏ２Ｓ：Ｒｅ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ／Ｒｅ＝Ｅｕ，Ｔｂ）蛍光体その他の硫化物蛍光体及び酸硫化物蛍光体と隣接して配設できる事から、蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガス（以下微量残留ガスという）の影響による特性劣化の少ない蛍光表示管を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
蛍光表示管を製造するに当たり、蛍光体印刷後容器を封じるための４００〜５００℃の熱処理工程がある。従って、耐熱性があり、真空状態で微量ガス（特に水分）を吸着し、更に蛍光表示管の使用環境である１００℃〜２００℃位に温度が上昇しても吸着ガスを再放出しない物質であることが要求される。当該物質としてＰ、Ｋ、又はＮａが好適である。
前記Ｐ、Ｋ、Ｎａの少なくとも一つの化合物含むガス吸蔵層は３００〜５５０℃の焼成工程における酸化・還元等の化学反応によっても、該物質Ｐ、Ｋ、Ｎａは残存して高真空状態の蛍光表示管内の微量残留ガスを除去することが出来る。
【００１４】
前記Ｐ、Ｋ、Ｎａの少なくとも一つのガス吸蔵性の化合物は、前記Ｐ、Ｋ、又はＮａの化合物から選ばれた少なくとも一つの化合物を蛍光表示管の配設箇所に固定する粉体である安定な顔料と供に有機バインダーを含むビークルに分散してペースト状にして、スクリーン印刷法により蛍光表示管内の所定の場所に保持できることを見出して本願発明に至った。
前記顔料は、前記前記Ｐ、Ｋ、Ｎａの少なくとも一つのガス吸蔵性の化合物と反応せず、蛍光表示管の熱処理工程でも安定なら理論上何でも良い。シリカゲル、黒鉛等のガス吸蔵性材料であれば更に良い。また、粉体と併用することにより表面積を大きく取れるという利点を有する。
【００１５】
前記Ｐ、Ｋ、又はＮａを含む化合物として特に、Ｋ３ＰＯ４、Ｐ２Ｏ５、Ｎａ２ＳｉＯ３が有効である。
Ｋ３ＰＯ４の他、Ｋ２ＣｒＯ４，Ｋ２ＣｒＯ７，Ｋ２ＳＯ４，Ｋ２ＭｏＯ４，ＫＶＯ３，Ｋ２ＷＯ４，Ｋ２Ｏ・２Ｂ２Ｏ３，ＫＣｒ（ＳＯ４）２，ＫＢｒ,ＫＢｒＯ３，Ｋ２ＣＯ３，Ｋ２Ｃ２Ｏ４，ＫＩ，ＫＩＯ３，ＫＮＯ３，２Ｐ２Ｏ７，ＫＯＨ，Ｋ２Ｓ等も同様な効果が得られる。
Ｐ２Ｏ５の他、Ｈ３ＰＯ４，ＰＢｒ３，ＰＯＢｒ３，Ｃａ３（ＰＯ４）２，Ｎａ２ＨＰＯ４，Ｆｅ３（ＰＯ４），ＫＨ２ＰＯ４，ＮａＨ２ＰＯ４等も同様な効果が得られる。
Ｎａ２ＳｉＯ３の他、ＮａＡｌＯ２，Ｎａ２Ａｌ２２Ｏ３４，Ｎａ２ＢＯ２，Ｎａ２ＣｒＯ４，Ｎａ２ＭｏＯ４，５Ｎａ２・１２ＭｏＯ３，Ｎａ２ＳｅＯ３，ＮａＢｒ，ＮａＢｒＯ３，ＮａＣＯ３，ＮａＨＣＯ３，Ｎａ２Ｃ２Ｏ４，ＮａＩ，ＮａＮＯ３，ＮａＰＯ３，Ｎａ２ＳＯ４，ＮａＯＨ等も同様な効果が得られる。
【００１６】
（比較例１）本願発明の効果を評価する為に、比較例として従来の蛍光表示管を作製した。
図３に示す様に、ガラス板からなる絶縁性基板１１０上面にアルミニウム薄膜を成膜した後、該アルミニウム薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして配線導体２００を形成する。該配線導体２００上面に低融点ガラスを主成分とする絶縁層３００をスクリーン印刷法で形成し、前記絶縁層３００には配線導体と通じるスルーホール部４００が設けられている。そして、絶縁層３００上面には前記スルーホールを塞ぐように黒鉛を主成分とする陽極導体５００をスクリーン印刷法で形成して焼成する。
前記陽極導体に使用する黒鉛ペーストは、黒鉛粉末５５〜８０ｗｔ％、フィラー４５〜２０ｗｔ％を固形分として、アルミノオキシチタンホスフェート６６ｗｔ％、溶剤３３ｗｔ％をビークルとして混連した黒鉛ペーストを作製した。フィラーとしては、粒径０．２μｍのＴｉＯ２又はＡｌ２ Ｏ３を使用た。溶剤としてオクチレングリコール、トリデカノール、テルピネオール、カルビトール等を使用た。
その後、エチルセルロースをバインダーとしてブチルカルビトールの溶媒にＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を分散させたペーストを作成し、該蛍光体ペーストを前記黒鉛電極上にスクリーン印刷法で所定のパターンに形成して蛍光体層５１０を設け、前記蛍光体５１０上方にグリッド５２０を載置して陽極基板を完成させた。
前記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体有する蛍光体層５２０が形成された絶縁性基板１１０と、グリッド５２０、Ｂａ−Ａｌゲッターリング９００、陰極８００を内蔵し、前面板１２０、側面版１３０と、４００〜５００℃雰囲気で、不図示の低融点ガラスにより組み立てて真空気密容器を形成した。
次に、３００〜４００℃の雰囲気中で、真空気密容器１００中のガスを排気して真空気密した蛍光表示管を作成した。
Ｂａ−Ａｌゲッター蒸着膜を形成していない前記蛍光表示管の真空度は１×１０−１Ｐａ〜１×１０−２Ｐａであった。
上記蛍光表示管のリングゲッターを高周波加熱によりＢａ−Ａｌゲッター蒸着膜を形成した蛍光表示管についての真空度を評価したところ１×１０−３Ｐａであった。
【００１７】
（実施例１）
本願発明のゲッター材である、Ｐ２Ｏ５と粒子径１〜３μｍのシリカゲル粉末を含むガス吸蔵材を使用して、Ｂａ−Ａｌゲッター蒸着膜を形成しない蛍光表示管を作成した。（図１）
使用するガス吸蔵材ペーストは、Ｐ２Ｏ５粉末を３０％と、粒子径１〜３μｍのシリカゲル粉末を７０の範囲で混合する。そして、前記混合物にエチルセルロースをバインダーとしたブチルカルビトール溶液に、分散させてガス吸蔵材ペーストとした。
図1に示す様に、陽極基板の無い領域にガス吸蔵層７００を厚膜印刷法により形成した。実施例1に於いては、従来のＢａ−Ａｌゲッター蒸着膜を形成しないで、本願発明の厚膜印刷法により形成したガス吸蔵層７００により蛍光表示管内部の真空度の維持が可能か否かを確認した。
上記実施例1の蛍光表示管についての真空度を評価したところ１×１０−３Ｐａであった。
更に、表示部に点灯部分と非点灯部分を設けて、点灯部分のアノード・グリッドに供給電圧を２０Ｖとして連続して１０００時間点灯した後の輝度を測定したところ、点灯部分の輝度は初期輝度に対して８５％と良好な値を示した。
以上から、本願発明の、Ｐ２Ｏ５と黒鉛を含むガス吸蔵材含むガス吸蔵層が、従来の蛍光表示管のＢａ−Ａｌゲッターに替わるガス吸蔵材として使用できることが解かった。
【００１８】
（実施例１の効果）
実施例１の蛍光表示管は、前記実施例５の蛍光表示管と異なりガス吸蔵性のあるシリカゲルとＰ２Ｏ５粉末を含むガス吸蔵層を陽極導体の近傍に配設している。
本願発明のガス吸蔵層は、蛍光体に隣接して比較的大きな面積に配設できると供に、導電性成分を含まないことから蛍光表示管内の電極同士の接触があった場合でも不具合を生ずる事のないガス吸蔵層を形成できる。
【００１９】
（実施例２）実施例１のＰ２Ｏ５の必要量確認の為の実施例。
実施例１から、Ｐ２Ｏ５と、黒鉛を含むガス吸蔵層がガス吸蔵効果を有することが解かる。
そこで、蛍光表示管のＢａ−Ａｌゲッターリングを高周波加熱によりＢａ−Ａｌゲッター薄膜に代替できるか否かを確認すると供に、Ｐ２Ｏ５の必要量を確認した。
まず、Ｐ２Ｏ５粉末を０．０１％〜３０％と、粒子径１〜３μｍのシリカゲル粉末を７０〜９９．９％の範囲で混合する。そして、前記混合物にエチルセルロースをバインダーとしたブチルカルビトール溶液に、分散させてガス吸蔵材ペーストとした。
前記ガス吸蔵材ペーストを陽極基板の黒鉛電極以外の部分蛍光体と略同じ面積に塗布した後、蛍光表示管を作製した。
【００２０】
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（グラフ１）
ガス吸蔵層中のＰ２Ｏ５の添加量を変化させたときの蛍光表示管点灯部分のアノード・グリッドに供給電圧を２０Ｖとして連続して１０００時間点灯した後の初期輝度に対する比率を示すグラフ。
グラフ１に示す様にＰ２Ｏ５の添加量が０．０１％以上であれば効果は確認できる。
Ｐ２Ｏ５の添加量が１．０％〜３０．０％であれば輝度残存率は約９０％でありガス吸蔵効果が認められる。
しかし、工程の管理（吸湿による吸着層の安定性）を考慮すると３０％以下が望ましい。
【００２１】
（実施例３）実施例１のＰ２Ｏ５に替えてＫ３ＰＯ４、Ｎａ２ＳｉＯ３を使用した蛍光表示管の例。
Ｐ２Ｏ５粉末に替えてＰ３Ｏ４、Ｋ３ＰＯ４、Ｎａ２ＳｉＯ３を混合分散してガス吸蔵材ペーストとした。前記ガス吸蔵材ペーストを陽極基板の黒鉛電極以外の部分蛍光体と略同じ面積に塗布した後、実施例１と同様に蛍光表示管を作製した。その結果、実施例１と同様の結果が得られた。
【００２２】
（実施例４）実施例１の顔料シリカゲルに替えて黒鉛を使用した蛍光表示管の例。
実施例１の顔料のシリカゲルに替えて黒鉛を混合分散してガス吸蔵材ペーストとした。前記ガス吸蔵材ペーストを陽極基板の黒鉛電極以外の部分蛍光体と略同じ面積に塗布した後、実施例１と同様に蛍光表示管を作製したところ、実施例１と同様の効果が得られた。
【００２３】
（実施例５）顔料としての黒鉛と、Ｐ３Ｏ４を含むガス吸蔵材を含む陽極導体を使用した蛍光表示管の例。（図１）
前記実施例１の陽極導体を、ガス吸蔵材用黒鉛ペーストを使用した形成してガス吸蔵層７００は設けていない。その他は比較例１と同様にして蛍光表示管を作製した。
【００２４】
（実施例６）顔料としての黒鉛と、Ｐ３Ｏ４を含むガス吸蔵材を、陽極導体以外の場所に設けた蛍光表示管の例。（図１）
顔料として黒鉛を使用した実施例１のガス吸蔵材用黒鉛ペーストを表示部分とは電気的に絶縁された同一面内の表示以外の領域に、蛍光体と略同じ面積に図１のガス吸蔵層７００をスクリーン印刷法で塗布形成した。その後、比較例１の従来の黒鉛ペーストを使用して比較例１と同様にして蛍光表示管を作製した。
本実施例のガス吸蔵層は、黒鉛電極を実施例５のガス吸蔵材を含む黒鉛ペーストを使用して同時に形成してもよい。
【００２５】
（実施例５，６の評価）表示部に点灯部分と非点灯部分を設けて、点灯部分のアノード・グリッドに供給電圧を２０Ｖとして連続して１０００時間点灯した後の輝度を測定して評価した。
比較例１の蛍光表示管の、非点灯桁の輝度は初期輝度に対して７０〜５０％であるが、蛍光表示管に要求される初期輝度に対して８０％以上という要求を満たす事が出来なかった。
原因としては、１０００時間点灯を続ける点灯桁に隣接する、非点灯桁の蛍光体は点灯桁から放出される微量ガスの影響を受けやすい為、一般に点灯桁の輝度よりも劣化し易いためと考えられる。
一方、実施例５、６の蛍光表示管の点灯桁の輝度は、初期輝度に対して１００〜８０％と良好な結果であり、蛍光表示管に要求される初期輝度に対して８０％以上という要求を満たす事が出来た。
更に、本願発明の実施例５、６の蛍光表示管の非点灯桁の輝度は、初期輝度に対して９５〜８０％に改善されて、蛍光表示管に要求される初期輝度に対して８０％以上という要求を満たす事が出来た。
Ｐ２Ｏ５、又は、Ｐ３Ｏ４並びに黒鉛又はシリカゲルを含むガス吸蔵層が吸蔵により、隣接する蛍光体を点灯駆動したときに蛍光体表面から生ずる微量の不要ガスが非点灯桁の蛍光体表面に付着することを防止して、輝度劣化を防止しているものと思われる。
【００２６】
（実施例５の効果）
従来の蛍光表示管である比較例１の蛍光表示管は、真空気密容器１００内に配設されたＢａ−Ａｌを主成分とするゲッター蒸着膜からの距離が大きくなり、陽極導体上面に配設される蛍光体から放出される不要ガスの吸蔵層効果が低下して輝度劣化が生ずる。
一方、実施例１の蛍光表示管は蛍光体が配設される陽極導体をガス吸蔵材としていることから、ガス吸蔵層が蛍光体層に密着している。従って、点灯時に蛍光体層が放出する微量ガスを直接吸収できる。その結果、従来のＢａ−Ａｌを主成分とするゲッター蒸着膜と比較して、ガス吸蔵効果が向上して蛍光表示管の発光特性が安定するものと思われる。
更に、従来の蛍光体粉末と混ぜて使用するのと同様に有効なガス吸蔵効果が得られるとともに、蛍光体層に非発光物質を含まないことから蛍光体の発光を有効に活用できて高輝度が得られる。
【００２７】
（実施例６の効果）
実施例６の蛍光表示管は、前記実施例５の蛍光表示管と異なりガス吸蔵層を陽極導体の近傍に配設している。例えば、前記実施例５のガス吸蔵材を含む黒鉛ペーストを使用して同時に形成したときは、ガス吸蔵層が直接真空雰囲気に接する事が出来ると供に、新たな工程を要せずガス吸蔵層の面積を大きく出来る、その結果ガス吸蔵効果も大きく出来る。
【００２８】
（実施例７）実施例１の蛍光体に替えて、蛍光体をＺｎＧａ２Ｏ４：Ｍｎに替えて評価を行った。アノード・グリッドに供給電圧を２０Ｖとして連続して１０００時間点灯した後の輝度を測定して評価した寿命試験結果は、実施例３と同様に非点灯部に於いて比較例１の蛍光表示管が初期輝度に対して６５〜３０％であるのに対し、顔料としてシリカゲルを使用してＰ２Ｏ５との混合物ガス吸蔵剤として、表示部であるアノード電極以外に塗布した蛍光表示管は初期輝度に対して９０〜７０％と良好な値が得られた。
【００２９】
（実施例８）実施例１の蛍光体に替えて、蛍光体をＺｎＧａ２Ｏ４に替えて評価を行った。アノード・グリッドに供給電圧を２０Ｖとして連続して１０００時間点灯した後の輝度を測定して評価した寿命試験結果は、実施例３と同様に非点灯部に於いて比較例１の蛍光表示管が初期輝度に対して６５〜３０％であるのに対し、顔料としてシリカゲルを使用してＰ２Ｏ５との混合物を、表示部であるアノード電極以外に塗布した蛍光表示管は初期輝度に対して９０〜７０％と良好な値が得られた。
【００３０】
（実施例９）実施例１の蛍光体に替えてＬａ２Ｏ２Ｓ:Ｅｕ蛍光体に導電剤としてＺｎＯを該蛍光体に対して１０ｗｔ％混合し、前記混合物６０ｗｔ％とエチルセルロースをブチルカルビトールに溶解させたビヒクル４０ｗｔ％をよく混練して蛍光体ペーストを作製して、実施例1と同様にして蛍光表示管を作製したところ初期特性が向上した。
また、前記蛍光体の蛍光面をＥＳＣＡ分析したところ、母体を構成するＳのシグナルに対する蛍光体の表面酸化を示すＳＯ４に関係したシグナルの比がＫ３ＰＯ４を添加しないものは３５．０％であったのに対し、添加したものは１０．０％と低減していた。
以上から、Ｋ３ＰＯ４がＬａ２Ｏ２Ｓ:Ｅｕ蛍光体に導電剤としてＺｎＯを表面に付着した蛍光体に対し、微量水分その他の微量残留ガスによる劣化を防止しているものと推慮出来る。
【００３１】
（実施例１０）実施例１の蛍光体に替えて（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ系黄色発光蛍光体を使用して評価を行った。アノード・グリッドに供給電圧を２０Ｖとして連続して１０００時間点灯した後の輝度は、実施例３と同様に非点灯部に於いて比較例１の蛍光表示管が初期輝度に対して６５〜３０％であるのに対し、顔料として黒鉛を使用して、蛍光表示管の陽極導体を構成する材料にＰ３Ｏ４を１０ｗｔ％した蛍光表示管は初期輝度に対して９０〜７０％混合したと良好な値が得られた。
【００３２】
（実施例１１）実施例１の蛍光体に替えてＣｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ蛍光体を使用して評価を行った。アノード・グリッドに供給電圧を２０Ｖとして連続して５００時間点灯した後の輝度を測定して評価した寿命試験結果は、実施例１と同様に非点灯部に於いて比較例１の蛍光表示管が初期輝度に対して６５〜３０％であるのに対し、蛍光表示管の陽極導体を構成する材料にＰ３Ｏ４を１０ｗｔ％混合したした蛍光表示管は初期輝度に対して９０〜７０％と良好な値が得られた。
【００３３】
（比較例２）従来の絶縁性基板側から発光を視認する前面発光型蛍光表示管に拡散電極として使用する黒鉛電極本願発明を形成した蛍光表示管の例。
図２に示す様に、ガラス板からなる絶縁性基板１１０上面にアルミニウム薄膜を成膜した後、該アルミニウム薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして配線導体２００及びストライプ状に開口を有する陽極５００を形成する。前記該配線導体２００上面に前記陽極５００を開口として低融点ガラスを主成分とする絶縁層３００をスクリーン印刷法で形成する。
その後、エチルセルロースをバインダーとしてブチルカルビトールの溶媒にＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を分散させたペーストを作成し、該蛍光体ペーストを前記黒鉛電極上にスクリーン印刷法で所定のパターンに形成して蛍光体層５１０を形成した。その他は比較例1と同様に陽極基板を作製した。
一方、比較例１に使用したガス吸蔵材を含まない黒鉛ペーストをスクリーン印刷法により前面板１２０に形成して拡散電極７００とした。
前記前面板１２０、側面版１３０、絶縁性基板１１０、を不図示の低融点ガラスで接着封止して蛍光表示管を作成した。
【００３４】
（実施例１２）顔料としてシリカゲルとＰ３Ｏ４を１０ｗｔ％添加したガス吸蔵層を使用した実施例３のガス吸蔵材を陽極基板に配設した比較例２と同様の蛍光表示管例。
比較例２と同様にして図２に示す様に、ガラス板からなる絶縁性基板１００上面にアルミニウム薄膜を成膜した後、該アルミニウム薄膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングして配線導体２００及びストライプ状に開口を有する陽極５００を形成した。
該配線導体２００上面に前記陽極５００を開口として低融点ガラスを主成分とする絶縁層３００を形成した。
更に、蛍光体５１０を配設しない陽極基板上にシリカゲルとＰ３Ｏ４を１０ｗｔ％添加したガス吸蔵層７００をスクリーン印刷法により形成した。
次に、ブチルカルビトールの溶媒にエチルセルロースをバインダーとし、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を分散させたペースト作成し、該蛍光体ペーストを前記陽極上にスクリーン印刷法により塗布して蛍光体層５１０を形成した。その他は、比較例１と同様に陽極基板を作成した。
一方、比較例１に使用したガス吸蔵材を含まない黒鉛ペーストをスクリーン印刷法で塗布焼成して拡散電極７００を形成した前面板１２０、側面板１３０、絶縁性基板１１０を不図示の低融点ガラスで接着封止して蛍光表示管を作製した。
【００３５】
（実施例１３）顔料として黒鉛を使用し、Ｐ３Ｏ４を１０ｗｔ％添加したガス吸蔵層を拡散電極として使用した蛍光表示管の例。
比較例２の箱型容器内面に形成したガス吸蔵層に替えて、黒鉛ペースト９０ｗｔ％に対してＰ３Ｏ４を１０ｗｔ％とした黒鉛ペーストを作製した。
そして、箱形容器内面にガス吸蔵層を形成して比較例２と同様に蛍光表示管を作製した。
【００３６】
（比較例２、実施例１２、１３の蛍光表示管の評価）
評価としては、表示部に点灯部分と非点灯部分を設け駆動電圧２０Ｖで寿命試験を行った。
比較例２の蛍光表示管の、非点灯桁の１０００時間後の輝度は、初期輝度に対して７０〜５０％であった。
一方、実施例１２，１３の蛍光表示管の、連続点灯１０００時間後の点灯桁の輝度は、初期輝度に対して１００〜８０％と良好であり、非点灯部分の輝度は初期輝度に対して９５〜８０％に改善される事が解かった。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
蛍光表示管内の微量水分その他の微量残留ガス（以下微量残留ガスという）の影響により特性劣化を少なくし、取り扱いやすく表示の妨げにならいで、気密容器内の残留気体を吸収して該気密容器内を高真空に保つガス吸蔵材を提供し、該ガス吸蔵材を使用した蛍光表示管を提供できるという産業上の利用可能性が大である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本願蛍光表示管の一例示す図。
【図２】本願蛍光表示管の一例示す図。
【図３】従来の蛍光表示管の一例示す図。
【符号の説明】
【００３９】
１００・・・真空気密容器
１１０・・・絶縁性基板
１２０・・・前面板
１３０・・・側面板
２００・・・配線導体
３００・・・絶縁層
４００・・・スルーホール
５００・・・陽極導体
５１０・・・蛍光体
５２０・・・グリッド
６００・・・拡散電極
７００・・・ガス吸蔵層
８００・・・陰極
９００・・・ゲッターリング
【図１】
2006313675.tif 000004
【図２】
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【図３】
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