(57)【要約】【課題】  本発明は、一つの記録媒体で光磁気記録及び再生方式と相変化記録及び再生方式に適用することが可能な、記録媒体に情報を記録する方法を提供することを課題とする。また、記録媒体に記録された情報を再生する際に問題となる熱安定性の問題を解決することを課題とする。【解決手段】  記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録する方法であって、レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させ、前記記録層を膨らませることにより、情報を記録する方法。【選択図】      図４
2006313637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録する方法であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させ、前記記録層を膨らませることにより、情報を記録する方法。
【請求項２】
前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生する記録再生装置であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させて、前記記録層を膨らませることにより情報を記録し、
前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散による光常数の吸収係数変化を用いて相変化方式により情報を記録する記録媒体、または、前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散の際に磁気スピン方向の変化を発生させ、光磁気方式により情報を記録する記録媒体のいずれか一つを再生することが可能な記録再生装置。
【請求項７】
前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であることを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。
【請求項８】
前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含むことを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。
【請求項９】
前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であることを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。
【請求項１０】
前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであることを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報を記録する方法および記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の記録媒体には、大きく分けて光磁気方式の記録媒体と相変化方式の記録媒体とがある。MD(Mini  Disk)のような光磁気方式の記録媒体では、磁性体に直線偏光を入射させた際に、磁性体の磁化強度及び磁化方向に応じて、その反射光が回転する磁気カー効果現象を利用して、情報が再生される。DVD(digital  versatile  disk)のような相変化方式の記録媒体では、記録媒体の記録部分と未記録部分における非晶質と結晶質の結晶状態による光常数の吸収係数の差によって生じる反射率の差を利用して、情報が再生される。
【０００３】
図1は、従来の光磁気方式の記録媒体の記録原理を示す図である。図1に示すように、記録媒体は、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層111（銀（Ａｇ）層を使うこともできる）、ＳｉＮのような誘電体の誘電体層112、ＴｂＦｅＣｏのような磁性体の記録層113、ＳｉＮのような誘電体の誘電体層114、及び透明なポリカーボネート(Polycarbonate)層115が順次積層された構造を有する。約5mW程度の出力を有するレーザー118からのレーザービームを収束レンズ119で収束し、この記録媒体に照射して、記録層を200℃〜400℃に加熱すると同時に、電流源117から電流が印加される磁気コイル116によって、レーザービームが照射される部分に磁界を発生させることにより、未記録状態での磁気スピン方向とは反対の方向に、磁気スピンの方向を変化させる。これにより、光磁気方式で記録された情報を、光磁気方式で再生することができる。図において、未記録部分の磁気スピン方向は、下向き方向に、また被記録部分の磁気スピン方向は、上向き方向に示されている。
【０００４】
図2は、従来の相変化方式の記録媒体の記録原理を示す図である。図2に示すように、記録媒体は、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層121（銀（Ａｇ）層を使うこともできる）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層122、ＧｅＳｂＴｅのような記録層123、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層124、及び透明なポリカーボネート(Polycarbonate)層125が順次積層された構造を有する。また、記録層123と誘電体層122、124との間の反応拡散を停止させるため、記録層123と誘電体層122、124との間には、保護膜を形成しても良い。約10〜15mW程度の出力を有するレーザー128からのレーザービームを収束レンズ129で収束し、記録媒体に照射して、記録層122を約600℃に加熱させ、レーザービームが照射された部分を非晶質に変換することにより、光常数(n、k)の屈折率nの変化とは無関係に、吸収係数kを低下させる。これにより、相変化方式に記録された情報を相変化方式により再生することができる。ここで、吸収係数kの低下は、情報の記録のためにレーザービームが照射された非晶質部分の透明度が上昇し、反射率が小さくなることを意味する。一般に、未記録部分に相当する記録層の結晶質部分の吸収係数は、約3.0程度であるが、レーザービームが照射されて情報が記録された非晶質部分の吸収係数は、約1.5程度となり、その差は約1.5程度である。
【０００５】
しかし、現在の光磁気方式の記録媒体と相変化方式の記録媒体は、互いに異なっている。このため、光磁気方式と相変化方式では、それぞれ互いに異なる記録媒体を利用している。
【０００６】
相変化方式の一種で、微小マークを利用して記録媒体に情報を記録し、記録媒体に記録された情報を回折限界以下で再生するような、さまざまな方法が提示されている。その中で、最も注目されている超解像度近接場構造を利用する再生方式は“Applied  Physics  Letters,Vol.73,No.15,Oct.1998”及び“Japanese  Journal  of  Applied  Physics,Vol.39,Part  I,No.2B,2000,pp.980-981”に開示されている。
【０００７】
図3は、従来の超解像度近接場(super  resolution  near  field)構造を利用する記録媒体を示す図である。図3に示すように、記録媒体はＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層132-2、ＧｅＳｂＴｅのような記録層133、保護膜の役割をするＺｎＳ−ＳｉＯ２又はＳｉＮのような誘電体の誘電体層134-2、Ｓｂ又はＡｇＯｘのマスク層137-2、ＺｎＳ−ＳｉＯ２又はＳｉＮのような誘電体の誘電体層134-1、および透明なポリカーボネート層135が順次積層された構造を有する。ここで、マスク層137-2がＳｂである場合、マスク層137-2に接する誘電体層134-1、134-2は、ＳｉＮであり、マスク層137-2がＡｇＯｘである場合、マスク層137-2に接する誘電体層134-1、134-2は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。約10〜15mW程度の出力を有するレーザー138からのレーザービームを収束レンズ139で収束し、記録媒体に照射して、記録層133を約600℃に加熱させ、レーザービームが照射される部分を非晶質に変換することにより、光常数(n、k)における屈折率nの変化とは無関係に、吸収係数kを低下させる。この時、レーザービームが照射されたＳｂ又はＡｇＯｘのマスク層137-2では、Ｓｂ結晶の変化又はＡｇＯｘの分解が生じ、マスク層137-2が記録層に対してプローブの役割を果たすようになり、近接場構造が形成される。従って、回折限界以下の微小マークの再生が可能となり、高記録密度の記録媒体からも、情報を超解像度近接場構造で再生することが可能となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、超解像度近接場構造は、マスク層と記録層の遷移温度が近接しているため、記録された情報を再生する際の熱安定性が大きな問題となっている。これを解決するための方法には、マスク層の遷移温度を下げる方法と、記録層の遷移温度を高める方法とがあるが、マスク層と記録層の遷移温度の間に差異を設けることは、材料の特性上容易ではない。
【０００９】
本発明は、一つの記録媒体で光磁気記録及び再生方式と相変化記録及び再生方式に適用することが可能な、記録媒体に情報を記録する方法、および記録再生装置を提供することを課題とする。また、記録媒体に記録された情報を再生する際に問題となる熱安定性の問題を解決することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録する方法であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させ、前記記録層を膨らませることにより、情報を記録する方法が提供される。
【００１１】
ここで、前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であっても良い。
【００１２】
また、前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含んでも良い。
【００１３】
さらに、前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であっても良い。
【００１４】
特に、前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであっても良い。
【００１５】
また、本発明では、記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生する記録再生装置であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させて、前記記録層を膨らませることにより情報を記録し、
前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散による光常数の吸収係数変化を用いて相変化方式により情報を記録する記録媒体、または、前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散の際に磁気スピン方向の変化を発生させ、光磁気方式により情報を記録する記録媒体のいずれか一つを再生することが可能な記録再生装置が提供される。
【００１６】
ここで、前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であっても良い。
【００１７】
また、前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含んでも良い。
【００１８】
さらに、前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であっても良い。
【００１９】
特に、前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであっても良い。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による情報を記録する方法、および記録再生装置は、従来に比べて情報再生特性に優れ、一つの記録媒体で光磁気記録及び再生方式と相変化記録及び再生方式に適用することができる。また、超解像度近接場構造におけるマスク層と記録層との遷移温度の類似性によって、記録媒体に記録された情報を再生する際に問題となる、従来の熱安定性の問題を解決しつつ、情報を回折限界以下で再生することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
上述した目的を達成して、従来の問題点を除去するための課題を実行する本発明の構成と、その作用を添付図面により詳細に説明する。
【００２２】
図4は、本発明による記録媒体の構造を示す図である。
【００２３】
図4に示すように、記録媒体は、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層221（銀（Ａｇ）層を使うこともできる）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層222、酸素と硫黄に対して親和力と反応力が大きいＴｂＦｅＣｏのような磁性体の記録層223、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層224、及び透明なポリカーボネート層225がこの順に積層された構造を有する。記録層の材料は、希土類遷移金属又は希土類金属と遷移金属の合金のような、誘電体層と反応拡散して硫黄化物や酸化物を形成することができる材料である。これらの材料としては、光磁気材料、銀-亜鉛（Ａｇ−Ｚｎ）、銀-亜鉛(Ａｇ−Ｚｎ)化合物、タングステン（Ｗ）、トングステン化合物（Ｗ−Ｆｅ、Ｗ−Ｓｅ等）、鉄（Ｆｅ）等がある。
【００２４】
図2に示したような相変化方式によって、10〜15mW程度の出力を有する波長635nmの赤色又は波長405nmの青色レーザー128からのレーザービームを収束レンズ129で収束させ、これを図4のような構成の記録媒体に照射することで、記録層を490℃〜540℃に加熱して、記録層223と誘電体層222、224とを反応拡散させる。この時、反応と拡散は、同時に生じる。反応拡散された記録層では、光常数(n、k)の吸収係数kは、ほぼ0になり、レーザービームが照射されなかった部分では、光常数(n,k)の吸収係数kは、約4であるので、相変化方式により記録媒体に情報を記録することができる。
【００２５】
また、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層221を排除し、誘電体層224を保護膜の役割の誘電体層（第2誘電体層）とし、この下に、Ｓｂ又はＡｇＯｘのマスク層、誘電体層（第1誘電体層）、及び記録層223がこの順に積層された構造にすることで、図３のような超解像度近接場構造を得ることができる。この場合、レーザービーム照射の際に、記録層223と第1誘電体層の間の反応拡散と、マスク層がＳｂである場合に生じる結晶の変化、又はマスク層がＡｇＯｘである場合に生じる分解を利用して、記録された情報を回折限界以下で再生することができる。ここで、マスク層のＳｂ又はＡｇＯｘと記録層のＴｂＦｅＣｏとの遷移温度の差は、大きいので、従来の熱安定性の問題を解決したまま、記録媒体から情報を再生することができる。マスク層の結晶変化による部分は、再生時、プローブの役割をする。ここで、マスク層がＳｂである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＳｉＮであり、マスク層がＡｇＯｘである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。
【００２６】
また、光磁気方式で図1に示すような10〜15mW程度の出力を有する波長635nmの赤色又は波長405nmのレーザー118からのレーザービームを収束レンズ119に収束させ、これを、図4のような構成の記録媒体に照射することで、記録層を400℃〜490℃に加熱して、記録層223と誘電体層222、224とを反応拡散させると同時に、電流源117から電流が印加された磁気コイル116によって、レーザービームが照射される部分に磁界を発生させて、未記録状態での磁気スピン方向と反対の方向に、磁気スピンの方向を変化させる。この時、反応は生じるが、拡散はほとんど生じない。このように、光磁気方式により、反応拡散によって磁気スピン方向が変化した記録層部分と、レーザービームが照射されず、磁気スピン方向がこれとは反対となる部分とを利用して、記録媒体に情報を記録することができる。
【００２７】
また、相変化方式で図2に示すように10〜15mW程度の出力を有する波長635nmの赤色又は波長405nmの青色レーザー128からのレーザービームを収束レンズ129に収束させ、これを、図4のような構成の記録媒体に照射することで、記録層を400℃〜490℃に加熱して、記録層223と誘電体層222、224を反応拡散させる。この時、反応は生じるが、拡散はほとんど生じない。レーザービームが照射された記録層223と誘電体層222、224とは、記録層223と誘電体層222、224との反応拡散によって、図5のような形態を示す。このように、記録媒体のレーザービームが照射されて反応が生じた部分がふくらんで、凸のようになる物理的特性の変化によって、光磁気再生装置での再生時のレーザービームの反射角と、相変化方式により記録再生される際のレーザービームの反射角とが、ほぼ等しくなる。従って、レーザービームが照射されて反応が生じた部分がふくらんで凸のようになる物理的特性を利用することで、相変化方式により記録媒体に情報を記録し、光磁気記録再生装置で記録媒体に記録された情報を再生することもできる。この性能に対しては後述する。
【００２８】
また、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層221を排除し、誘電体層224を保護膜の役割の誘電体層（第2誘電体層）とし、この下に、Ｓｂ又はＡｇＯｘのマスク層、誘電体層（第1誘電体層）、及び記録層223がこの順に積層された構造にすることで、図３のような超解像度近接場構造を得ることができる。この場合、レーザービーム照射の際に、記録層223と第1誘電体層の間の反応拡散と、マスク層がＳｂである場合に生じる結晶の変化、又はマスク層がＡｇＯｘである場合に生じる分解を利用して、記録された情報を回折限界以下で再生することができる。ここで、マスク層のＳｂ又はＡｇＯｘと記録層のＴｂＦｅＣｏとの遷移温度の差は、大きいので、従来の熱安定性の問題を解決したまま、記録媒体から情報を再生することができる。マスク層の結晶変化による部分は、再生時、プローブの役割を果たす。ここで、マスク層がＳｂである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＳｉＮであり、マスク層がＡｇＯｘである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。
【００２９】
本発明による記録媒体の記録層(ＴｂＦｅＣｏ)と誘電体層(ＺｎＳ−ＳｉＯ2)及び誘電体層(ＺｎＳ−ＳｉＯ2)を反応拡散させれば、硫黄化反応によってＴｂ２Ｓ３、ＦｅＳ、ＣｏＳ、ＣｏＳ２等が生成され、酸化反応によってＴｂＯ２、Ｔｂ２Ｏ３、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ等が生成され、結晶化によってα−Ｆｅ、α−Ｃｏ、α−Ｔｂ及びα−Ｆｅ−Ｔｂ等が生成され、Ｓｉ、Ｆｅ及びＣｏが記録層と誘電体層との間に相互拡散し、硫黄と酸素が記録層に拡散する。
【００３０】
図6は、温度による記録層の硫黄及び酸素の拡散濃度を示すグラフである。ここで、図6(a)は、硫黄の拡散濃度であり、図6(b)は、酸素の拡散濃度である。
【００３１】
図6(a)に示すように、記録層の硫黄の濃度は、490℃及び510℃で飽和状態であり、図6(b)に示すように記録層の酸素の濃度は、490℃では飽和状態ではないが、510℃では飽和状態である。従って、図3に示したものと同じ超解像度近接場構造の記録層を希土類金属又は希土類金属と遷移金属の合金で構成することにより、図3に示した記録層と、Ｓｂ又はＡｇＯｘで構成されたマスク層との遷移温度の差が大きくなるので、熱安定性の問題が生じず、記録媒体に記録された情報を超解像度近接場構造で回折限界以下で再生することができる。
【００３２】
図7は、本発明の記録媒体による性能を示す図である。ここで、図7(a)は、記録電力による変調(modulation)特性であり、図7(b)は、変調測定サンプルのAFM(Atomic  Force  Microscope)写真であり、図7(c)はマーク長さによるCNR(Carrier  to  Noise  Ratio)である。また、図7(a)の変調特性は、光常数(n、k)における吸収係数kによる反射率の差を電気信号に換算して表しており、図7(c)は、本発明による記録媒体に15mWの電力を有するレーザービームで記録した後、一般的な相変化方式の再生装置で情報を再生した時のCNRである。
【００３３】
図7(a)に示すように、誘電体層/記録層/誘電体層がＺｎＳｉＯ２／ＴｂＦｅＣｏ／ＺｎＳｉＯ２で積層された構造では、従来の誘電体層/記録層/誘電体層がＺｎＳｉＯ２／ＧｅＳｂＴｅ／ＺｎＳｉＯ２で積層された構造の相変化方式及び誘電体層/記録層/誘電体層がＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＮで積層された構造の光磁気方式より、記録媒体に記録された情報の再生時の、約10mWの記録電力以上における変調特性が優れることが分かる。図7(b)に示すように、記録電力が大きくなることにより、記録層の反応の程度が大きくなることが分かる。また、図7(c)に示すように、500nmマーク長さでCNRが45dB以上であることから分かるように、レーザービームの照射によって記録された部分の透明化によって、反射率が急激に低下し、情報再生特性が向上することが分かる。
【００３４】
図8は、本発明の超解像度近接場構造による記録媒体の性能を示す図である。図8(a)は、超解像度近接場構造の記録媒体のマーク長さによるCNRであり、図8(b)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生回収によるCNRであり、図8(c)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生時レーザービーム電力によるCNRであり、図8(d)は、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体の記録マーク状態である。ここで、従来の超解像度近接場構造は図3に示したものであり、本発明による超解像度近接場構造は、図3に示した記録層を希土類金属と遷移金属の合金ＴｂＦｅＣｏにしたものである。記録媒体に対するレーザービームの記録電力は、従来の場合は10mWであり、本発明では15mWである。また、記録媒体の記録は、波長635nmの赤色レーザーを用いて行った。
【００３５】
図8(a)に示すように、本発明による超解像度近接場構造の情報再生特性は、従来の超解像度近接場構造の情報再生特性に比べて、全体的に5〜10dB程度の高いCNRを示す。従って、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性は、従来の超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性より優れることが分かる。図8(b)に示すように、本発明による超解像度近接場構造の情報再生特性は、再生回収とはほとんど無関係に一定のCNRを維持しているが、従来の超解像度近接場構造の情報再生特性は、所定の再生回収以上になると、CNRが急激に低下する。従って、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性は、従来の超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性より優れることが分かる。また、図8(c)に示すように、本発明による超解像度近接場構造の情報再生特性は、情報再生時レーザービーム電力が3.3mW以上になると一定のCNRを維持しているが、従来の超解像度近接場構造の情報再生特性では、情報再生時レーザービーム電力のマージン幅がほとんどない。従って、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体は、所定の再生出力以上では、製造社による記録媒体の特性変化に影響を受けずに、適用することが可能であることが分かる。図8(d)に示すように、約200nmの記録マークでも、記録マークは、鮮やかに示される。従って、波長405nmの青色レーザーを使った場合、100nm以下のマーク長さで情報の記録ができると予測される。
【００３６】
図9は、記録方式及び再生方式によるCNRである。図9(a)は、反応拡散による記録を相変化方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNRであり、図9(b)は、反応拡散による記録移を相変化方式及び光磁気方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNRである。また、図9(a)の相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置は、日本パルステック(PulseTec)社の測定用再生装置を利用した。図9(b)の相変化方式の再生装置は、630nmの波長と0.60の開口率を有する一般的な相変化方式の再生装置であり、光磁気方式の再生装置は780nmの波長と0.53の開口率を有する一般的な光磁気方式の再生装置である。
【００３７】
図9(a)に示すように、マーク長さ250nm以上では、相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置両方が、約40dB以上のCNRを示す。従って、一つの記録媒体で相変化方式の再生装置と、光磁気方式の再生装置に使うことができる。ここで、光磁気再生は、反応拡散部分がふくらんで凸のようになる物理的特性によって発生されるレーザービームの入射角による反射角の特性が、カー効果と類似に生じることによることである。また、記録媒体に反応拡散によって記録時、従来の光磁気方式と同一の磁界発生コイルによる磁気スピンの方向を変化させ場合、より高いCNRを得ることができる。また、図9(b)に示すように、光磁気方式の記録再生装置は、780nmの波長と0.53の開口率のレーザーであるが、これを相変化方式の再生装置と同一の630nmの波長と0.60の開口率にすれば、ほとんど等しい性能を示すことが分かる。また、マーク長さ400nmでは、相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置の両方は、約40dB以上のCNRを示す。従って、一つの記録媒体を、相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置に使うことができることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、記録媒体に情報を記録する再生装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の光磁気方式の記録媒体の記録原理を示す図である。
【図２】従来の相変化方式の記録媒体の記録原理を示す図である。
【図３】従来の超解像度近接場構造を利用する記録媒体を示す図である。
【図４】本発明による記録媒体の構造を示す図である。
【図５】記録層と誘電体層の反応拡散による記録層と誘電体層の形態を示す図である。
【図６】温度による記録層の硫黄及び酸素の拡散濃度を示すグラフであり、図6(a)は硫黄の拡散濃度、図6(b)は酸素の拡散濃度である。
【図７】本発明の記録媒体による性能を示す図であり、図7(a)は、記録電力による変調(modulation)特性、図7(b)は、変調測定サンプルのAFM(Atomic  Force  Microscope)写真、図7(c)は、マーク長さによるCNR(Carrier  to  Noise  Ratio)である。
【図８】本発明の超解像度近接場構造による記録媒体の性能を示す図である。図8(a)は、超解像度近接場構造の記録媒体のマーク長さによるCNR、図8(b)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生回収によるCNR、図8(c)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生時レーザービーム電力によるCNR、図8(d)は、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体の記録マーク状態である。
【図９】記録方式及び再生方式によるCNRであり、図9(a)は、反応拡散による記録を相変化方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNR、図9(b)は、反応拡散による記録移を相変化方式及び光磁気方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNRである。
【符号の説明】
【００４０】
111、121、221    アルミニウム層
112、122、222    誘電体層
131-2    誘電体層
113、123、133、223    記録層
114、124、134-1、224    誘電体層
134-2    誘電体層
115、125、135、225    ポリカーボネート 
116    磁界発生コイル
137-2    マスク層
117    電流源
118、128、138    レーザー
119、129、139    収束レンズ
【図１】
2006313637.tif 000003
【図２】
2006313637.tif 000004
【図３】
2006313637.tif 000005
【図４】
2006313637.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図９】
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【図７】
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【図８】
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