(57)【要約】【課題】ウェーハの裏面におけるマクロ検査結果の正常あるいは異常判定は異物数を閾値としていたために、異物やチッピングそしてチャック痕を識別することが困難であった。【解決手段】ウェーハ裏面を任意のエリアに分割して、チャック痕の対象となるエリア数Ｓ１の設定、Ｓ１における単位面積あたりの異物数ＰＳ１の規格値を設定することにより、ウェーハ裏面の異物とチャック痕の識別を迅速に行うことが可能である。  また、チッピング判定エリアおよびチッピング判定エリア内における単位面積あたりの欠陥数の閾値を設定することで、迅速に異物とチッピングを識別することが可能でるため、半導体装置の製造ロスを未然に防ぐことが可能である。【選択図】図２
2006086154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マクロ検査装置のウェーハの裏面検査において、
チャック痕を判定する領域を指定する第１の機能と、
前記第１の機能における欠陥の集合体をチャック痕とみなし、単位面積あたりの欠陥数の規格値を極端に高い値で設定することで、ウェーハ裏面における異物とチャック痕の識別を行う第２の機能とを有することを特徴とするマクロ検査方法。
【請求項２】
マクロ検査装置のウェーハのチッピング検査において、
チッピングを判定する領域を指定する第３の機能と、
前記第３の機能における欠陥の集合体をチッピングとみなし、単位面積あたりの欠陥数の規格値を極端に高い値で設定することで、ウェーハの表面および裏面に生じたチッピングとウェーハの表面および裏面に発生したチッピングを除いた外観異常を識別する第４の機能を有することを特徴とするマクロ検査方法。
【請求項３】
リソグラフィー工程・受け入れ前の第１のマクロ検査結果と、
リソグラフィー工程・現像後の第２のマクロ検査結果の差をとった第３のマクロ検査結果が異常な場合、半導体基板処理を行った露光機とレジスト塗布現像機の稼動を停止する第５の機能と、
マクロ検査異常ウェーハを再生する第６の機能を有することを特徴とする請求項１記載のマクロ検査方法。
【請求項４】
リソグラフィー工程・受け入れ前の第１の検査結果と、
リソグラフィー工程・現像後の第２のマクロ検査結果の差をとった第３のマクロ検査結果にてウェーハのチッピングが１ヶ所以上確認された場合に、半導体基板処理を行った露光機とレジスト塗布現像機の稼動を停止する第７の機能を有することを特徴とする請求項２記載のマクロ検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マクロ検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程では、製造工程の時間的変動の監視や製造工程で発生した再生可能な不良品の検出や再生不可能な不良品の検出を目的にマクロ検査を行っている。マクロ検査は検査対象物のサイズが５０μｍ以上であり、肉眼で見える程度の巨視的な欠陥（例えばレジストパターンの傷や異物）を広い領域で検査をするものである。近年は、パターンの微細化に伴い、リソグラフィー工程におけるマクロ検査は、１３０ｎｍ以下のフォーカスぼけの異常検出が目視では困難であるため、使用する検査装置も顕微鏡から短波長の光源を用いた自動マクロ検査装置に移行されつつある。
【０００３】
図９は従来の自動マクロ検査装置の概要図を示す。ロードポート３上に置かれているＦＯＵＰ内にあるウェーハは、はじめにノッチ検出部５にてウェーハのノッチあるいはオリフラ部の検出を行い、ノッチ検出を行ったウェーハは搬送ロボット８により、表面検査部６へ移され、ウェーハ表面のマクロ検査およびウェーハ表面のチッピング検査を同時に行う。
【０００４】
なお、高スループットを確保するために、本装置はマクロ検査ステージ２を動かすことにより、表面検査と裏面検査を同時に行うことを可能にしている。ウェーハの表面検査が終了後、ウェーハは裏面検査部７へ移され、ウェーハ裏面のマクロ検査およびウェーハ裏面のチッピング検査を同時に行うと同時に、次のウェーハ表面のマクロ検査およびウェーハ表面のチッピング検査を行い、繰り返していく。
【０００５】
一方、検査データは装置制御用コントローラ９を介して、データ収集部１０にて収集を行い、リファレンスデータとの比較をして、総欠陥数あるいは単位面積あたりの欠陥数の閾値を設定してマクロ検査結果の判定をデータ判断部１２にて行うとともに、その検査結果を装置制御用コントローラ９を介して、ホストコンピュータ１３へ報告する（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１２３６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１０にウェーハ裏面のマクロ検査マップ例を示す。ここでは、裏面の異物やチッピングや製造装置のチャック痕が明確に検出されているものの、ウェーハの裏面は表面とは異なり、パターン形成を行わず、マクロ検査結果の正常あるいは異常判定は異物数を閾値としていたために、異物やチッピングそしてチャック痕を識別することが困難であった。チャック痕は装置固有のものであり、チャック痕が半導体装置の歩留まり低下に起因する場合と起因しない場合がある。また裏面の異物はリソグラフィー工程でのフォーカスぼけを引き起こす要因になり、微細化が進む今日ではフォーカスマージンの確保が困難になってきているため、確実にウェーハ裏面の異物を検出する必要がある。一方、チッピングはウェーハ割れを引き起こす要因になるので半導体装置の加工不良の増大につながる。それゆえに、半導体装置の製造ロスおよび半導体製造装置の生産性の点で異物やチャック痕およびチッピングの迅速かつ正確な識別が求められる。図１１にリソグラフィー工程における自動マクロ検査装置使用によるマクロ検査方法のフローチャートを示す。図１１より、マクロ検査結果の管理規格から外れた場合は、工程担当者が顕微鏡を使ってウェーハを確認し、そこで初めて異常要因の特定を行うため、時間を要し、また作業バラツキも発生するため、半導体装置の歩留まり低下や半導体製造装置の生産性低下を招くといった問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記従来の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載するマクロ検査工程のウェーハの裏面検査において、チャック痕を判定する領域を指定する機能１と機能１における欠陥の集合体をチャック痕とみなし、単位面積あたりの欠陥数の規格値を極端に高い値で設定することで、ウェーハ裏面における異物とチャック痕を識別できる機能２を備えているので、常時、ウェーハ裏面のマクロ検査結果より、異物とチャック痕を迅速に識別することが可能であり、半導体装置の歩留まり低下を防ぐことができる。
【０００８】
請求項２に記載するマクロ検査工程のウェーハのチッピング検査において、チッピングを判定する領域を指定する機能３と機能３における欠陥の集合体をチッピングとみなし、単位面積あたりの欠陥数の規格値を極端に高い値で設定することで、ウェーハの表面および裏面に生じたチッピングとウェーハの表面および裏面に発生したチッピングを除いた外観異常を識別できる機能４を備えているので、常時、異物とチッピングを迅速に識別することが可能であり、半導体装置の歩留まり低下を防ぐことができる。
【０００９】
請求項３に記載するマクロ検査方法において、リソグラフィー工程・受け入れ前のマクロ検査結果１とリソグラフィー工程・現像後のマクロ検査結果２の差をとったマクロ検査結果３が異常な場合、半導体基板処理を行った露光機とレジスト塗布現像機の稼動を停止する機能５と外観異常ウェーハを再生する機能６を備えているので、マクロ検査結果の異常に迅速な対応を取ることが可能であるため、半導体装置の歩留まり低下防止や半導体製造装置の生産性向上に貢献できる。
【００１０】
請求項４に記載するマクロ検査方法において、リソグラフィー工程・受け入れ前のマクロ検査結果１とリソグラフィー工程・現像後のマクロ検査結果２の差をとったマクロ検査結果３にてウェーハのチッピングが１ヶ所以上確認された場合に、半導体基板処理を行った露光機とレジスト塗布現像機の稼動を停止する機能７を備えているので、チッピング検出時に迅速な対応をとることが可能であるため、半導体装置の歩留まり低下防止や半導体製造装置の生産性向上に貢献できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、マクロ検査方法において、ウェーハ裏面を任意のエリアに分割して、チャック痕の対象となるエリア数Ｓ１の設定、Ｓ１における単位面積あたりの異物数を設定して、規格値での判断を行うことにより、ウェーハ裏面の異物とチャック痕の識別を迅速に行うことが可能である。また、チッピング判定エリアおよびチッピング判定エリア内における単位面積あたりの欠陥数の閾値を設定することで、迅速に異物とチッピングを識別することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
本発明はマクロ検査方法におけるウェーハ裏面に付着した異物と半導体製造装置のチャック痕の識別に関するものである。
【００１４】
図１は、本発明の第１の実施形態に関するマクロ検査装置における概要図を示す。ロードポート３上に置かれているＦＯＵＰ内にあるウェーハは、はじめにノッチ検出部５にてウェーハのノッチあるいはオリフラ部の検出を行い、ノッチ検出を行ったウェーハは搬送ロボット８により、表面検査部６へ移され、ウェーハ表面のマクロ検査およびウェーハ表面のチッピング検査を同時に行う。高スループットを確保するために、本装置はマクロ検査ステージ２を動かすことにより、表面検査と裏面検査を同時に行っている。
【００１５】
ノッチ検出を行ったウェーハは搬送ロボット８により、表面検査部６へ移され、ウェーハ表面のマクロ検査およびウェーハ表面のチッピング検査を同時に行い、ウェーハの表面検査が終了後、ウェーハは裏面検査部７へ移され、ウェーハ裏面のマクロ検査およびウェーハ裏面のチッピング検査を同時に行うと同時に、次のウェーハ表面のマクロ検査およびウェーハ表面のチッピング検査を行い、マクロ検査を繰り返す。ここで、ウェーハ表面の検出感度は５０μｍ（パターン付き）程度、ウェーハ裏面の検出感度は５μｍ程度、そしてチッピングの検出感度は２００μｍとする。検査データは装置制御用コントローラ９を介して、データ収集部１０にて収集を行い、ウェーハ裏面のマクロ検査結果を元にして、データ演算・判断部１４で裏面に付着した異物とチャック痕を識別して、その旨を装置制御用コントローラ９を介してホストコンピュータ１３へ報告する。
【００１６】
図２は、本発明に関するウェーハ裏面の異物とチャック痕を識別する方法のフローチャートを示す。また図３は、ウェーハ裏面のマクロ検査結果のマップを示す。はじめに、ウェーハ裏面のマクロ検査において、ウェーハ裏面の異物とチャック痕の識別が必要な場合にウェーハ裏面を３６ヶ所（：任意）のエリアに分割する。これは、ウェーハ裏面は表面と異なり、パターン形成を行わないために露光時に用いるウェーハショットマップと類似したものである。また、ウェーハ裏面異物とチャック痕の識別が不要な場合は、従来どおりに全裏面異物数を閾値として、正常あるいは異常と判断する方法も可能である。
【００１７】
各製造装置毎にチャック痕の形状は異なるので、チャック痕の対象となる判定エリア数（Ｓ１）を設定する。Ｓ１を設定することにより、チャック痕を判定する領域を指定することになる。次に、分割したエリア毎の単位面積あたりの欠陥数の規格値ＰＳ１を設定する。ウェーハ裏面の検出感度は５μｍと現行の異物検査装置の検出感度の１／１０以下であるため、異物のみで単位面積あたりの欠陥数が高くなることは、殆ど無い。従って、チャック痕をＳ１における異物の集合体とみなせるので、ＰＳ１は極端に大きなところに設定を行えば良い。ここでチャック痕のみを抽出するために、ＰＳ１の上限値および下限値を設定する。例えば、ＰＳ１の下限値を下回った場合はチャック痕が無く、異物も少ない状況であり正常なウェーハである。またＰＳ１の上限値を超えた場合はチャック痕有無にかかわらず異物が多い状況を示し、異常ウェーハであることが予想されるため、正常なウェーハとは切り分ける必要がある。但し、ウェーハに付着したチャック痕を歩留まり低下に起因するものと歩留まり低下に起因しないものに分けることは、大変に困難であるので、ここでは、チャック痕と異物が混在した中から、両者を識別して、異物のみを抽出していく。ウェーハ裏面のマクロ検査実施後に、データ演算・判断部１４にて、Ｓ１、ＰＳ１を算出して、ＰＳ１が規格内であれば、ウェーハ裏面にチャック痕有りと判定して、データ保存部１１に格納することで、ウェーハ裏面異物とチャック痕を識別することが可能である。
【００１８】
以上より、ウェーハ裏面を任意のエリアに分割して、チャック痕を判定する領域を指定して、単位面積あたりの異物数の規格値を極端に高いところに設定して、ウェーハ裏面のマクロ検査を実施することにより、ウェーハ裏面の異物とチャック痕の識別を迅速に行うことが可能である。
【００１９】
（実施の形態２）
本発明はマクロ検査におけるウェーハ表面および裏面に付着した異物とそれぞれに生じたチッピングを識別する方法に関するものである。
【００２０】
図４は本発明におけるウェーハ表面および裏面に付着した異物とチッピングを識別する方法のフローチャートを示す。
【００２１】
はじめに、ウェーハに付着した異物とチッピングの識別が必要な場合は、チッピング判定エリアを設定し、ウェーハエッジよりＸｍｍを設定する（値は任意であるが、数ｍｍ程度とする）ことで、チッピングの判定する領域を指定する。図５にマクロ検査のウェーハマップを示すが、Ｘｍｍ以外の部分はチッピング判定の対象外の領域とする。次に、ウェーハの表面および裏面に反映させるために、ウェーハ表面のチッピング判定領域をＳＳＸ、ウェーハ裏面のチッピング判定エリアをＳＢＸとする。次に、チッピングを識別するために、ＳＳＸおよびＳＢＸ内において、単位面積あたりの欠陥数の閾値を設定する（：ＰＳ２）。最後に、全表面欠陥数をＰＳ、全裏面欠陥数をＰＢと設定する。
【００２２】
また検出感度を考慮すると、チッピングはチッピング判定領域において、欠陥数あるいは異物数の集合体であるため、単位面積あたりの欠陥数が極端に高い欠陥は、チッピングと推定できる。従って、チッピングと異物を識別するためにＰＳ２は極端に高いところで設定を行う。ウェーハ表面および裏面のマクロ検査実施後に、データ演算・判断部１４にて、ＳＳＸおよびＳＢＸ内の欠陥数を算出する。ここで、個々の欠陥をＰＳＸｎ・・・ＰＢＸｎ・・・とする。次に、個々の欠陥について、単位面積あたりの欠陥数を演算して、ＰＳＸｎおよびＰＢＸｎがＰＳ２を逸脱している場合は、チッピング有りと判定して、データ保存部１１に保存し、その旨をホストコンピュータ１３へ転送する。
【００２３】
以上より、マクロ検査にてチッピングを判定する領域を指定して、チッピング判定領域内における単位面積あたりの欠陥数の閾値を極端に高い値に設定することで、その結果を持って、迅速に異物とチッピングを識別することが可能であるため、半導体装置の製造ロスを未然に防ぐことが可能である。
【００２４】
（実施の形態３）
しかしながら、第一の実施形態において、ウェーハ裏面の異物とチャック痕を迅速に識別できても、より迅速に半導体製造装置にフィードバックをかけなければ、半導体装置の製造ロスは膨れ上がってしまうため、迅速に対応できる方法を確立する必要がある。本発明は第一の実施形態にて捕らえた異常の半導体製造装置へのフィードバックに関するものである。以下に本発明の第三の実施形態について、図を参照しながら説明する。
【００２５】
図６に本発明におけるマクロ検査装置の概要図を示す。ロードポート３上に置かれているＦＯＵＰ内にあるウェーハは、はじめにノッチ検出部５にてウェーハのノッチあるいはオリフラ部の検出を行い、ノッチ検出を行ったウェーハは搬送ロボット８により、表面検査部６へ移され、ウェーハ表面のマクロ検査およびウェーハ表面のチッピング検査を同時に行う。高スループットを確保するために、本装置はマクロ検査ステージ２を動かすことにより、表面検査と裏面検査を同時に行っている。
【００２６】
図６より、各レイヤー毎のマクロ検査結果を迅速に演算・判断およびマクロ検査装置への負荷を軽減するために、欠陥検査データストレージ１５をマクロ検査装置から切り離し、双方のデータのやりとりは、装置制御用コントローラ９と欠陥検査データストレージ用コントローラ１５の間で行う。
【００２７】
図７にマクロ検査方法のフローチャートを示す。
【００２８】
はじめに、リソグラフィー工程の受け入れ前マクロ検査において、ウェーハの裏面異物とチャック痕を迅速かつ正確に識別するために、本発明の第一の実施形態でも述べたように、チャック痕判定エリアＳ１、単位面積あたりの欠陥数の規格値ＰＳ１および全裏面欠陥数ＰＢ１を設定する。受け入れ前マクロ検査実施後において、ＰＳ１'(演算値)およびＰＢ１'(測定値)を算出する。リソグラフィー工程・受け入れ前マクロ検査において、ＰＳ１’（演算値）が規格内であれば、チャック痕有りと判断し、ＰＳ１’の上限値がＮＧの場合は、チャック痕有無に関係なく異物が多いと判断できるため、再生洗浄を行う。またＰＳ１’の下限値がＮＧの場合は、チャック痕がないと判断する。
【００２９】
次に、ＰＢ１’（測定値）が管理規格を逸脱した場合は、異物が多いため、フォーカスぼけ等の不良を未然に防ぐために、再生洗浄を行う。リソグラフィー工程・受け入れ前マクロ検査終了後は、レジスト塗布・露光・現像を行う。
【００３０】
次にリソグラフィー工程・現像後のマクロ検査において、受け入れ前マクロ検査時と同様に、Ｓ１、ＰＳ１およびＰＢ２を設定し、現像後のマクロ検査を実施する。現像後マクロ検査後において、ＰＳ２'(演算値)およびＰＢ２'(測定値)を算出する。データ演算・判断部１４において、現像後・マクロ検査結果ＰＳ２'、ＰＢ２'から受け入れ前・マクロ検査結果ＰＳ１’、ＰＢ１’の差をとることで、
ΔＰＳ’＝ＰＳ２'― ＰＳ１’
ΔＰＢ’＝ＰＢ２'― ＰＢ１’  とすると、
ΔＰＳ’が規格内であればチャック痕有りと判定し、ΔＰＳ’の上限値がＮＧの場合は、チャック痕有無に関係なく異物が多いと判断できるため、レジスト再生を行う。またΔＰＳ’の下限値がＮＧの場合は、チャック痕がないと判断する。次に、ΔＰＢ’（測定値）が管理規格を逸脱した場合は、異物が多いと判断できるため、次工程でのプロセス異常および次ロットに対してフォーカスぼけ等の不良を未然に防ぐために、ロットはレジスト再生を行うと同時に製造装置へのフィードバックはレジスト塗布・露光・現像処理を施した製造装置の稼動を停止させて、製造装置内のクリーニングや点検を行う。またΔＰＢ’が管理規格から逸脱した場合も同様に対応し、これらの結果はデータ保存部１１に格納し、その旨をホストコンピュータ１３へ転送する。
【００３１】
以上のマクロ検査方法により、異常時に半導体製造装置へのフィードバックを迅速に図ることが可能である。
【００３２】
（実施の形態４）
本発明の第２および第３の実施形態でも述べたように、マクロ検査を行って、ウェーハのチッピングが迅速に検出できても、半導体製造装置およびロット進行の判断を迅速に行うことができなかったら、半導体装置の製造ロスは膨れ上がってしまうため、迅速に対応できる方法が必要である。
【００３３】
本発明は第２の実施形態で捕まえた異常の半導体製造装置およびロット進行へのフィードバックに関するものである。以下に本発明の第三の実施形態について、図を参照しながら説明する。
【００３４】
図８にマクロ検査方法のフローチャートを示す。リソグラフィー工程・受け入れ前マクロ検査において、ウェーハに付着した異物とチッピングを迅速かつ正確に識別するために、本発明の第２の実施形態でも述べたように、チッピング判定エリアＸ、ウェーハ表面および裏面のチッピング判定エリアをそれぞれ、ＳＳＸ、ＳＢＸと設定し、単位面積あたりの欠陥数の閾値をＰＳ２、全表面欠陥数をＰＳ、全裏面欠陥数をＰＢと設定する。受け入れ前マクロ検査実施後にデータ演算・判断部１４にて、個々の欠陥（ＰＳＸｎ・・・ＰＢＸｎ・・・）を算出し、ＰＳＸｎおよびＰＢＸｎが１つでもＰＳ２を逸脱している場合は、チッピング有りと判断して、該当ウェーハは廃棄する。受け入れ前マクロ検査終了後、レジスト塗布・露光・現像を行う。次の現像後マクロ検査においては、受け入れ前マクロ検査と同様に、Ｘ、ＳＳＸ、ＳＢＸ、ＰＳ２、ＰＳ、ＰＢを設定し、現像後マクロ検査を実施する。現像後マクロ検査実施後にデータ演算・判断部１４にて、個々の欠陥（ＰＳＸｎ’・・ＰＢＸｎ’・・）を算出する。さらにデータ演算・判断部１４において、現像後・マクロ検査結果ＰＳＸｎ’、ＰＢＸｎ’から受け入れ前・マクロ検査結果ＰＳＸｎ、ＰＢＸｎの差をとることで、
ΔＰＳＸｎ＝ＰＳＸｎ’― ＰＳＸｎ
ΔＰＢＸｎ＝ＰＢＸｎ’― ＰＢＸｎ    とすると、
ΔＰＳＸｎおよびΔＰＢＸｎが管理規格から逸脱した場合はチッピング有りと判断して、該当するウェーハは廃棄して、レジスト塗布・露光・現像の処理を行った製造装置は停止して、直ちに搬送調整等の点検に入る。
【００３５】
以上のマクロ検査方法により、異常時に半導体製造装置へのフィードバックを迅速に図ることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明にかかるマクロ検査方法は、ウェーハ裏面を任意のエリアに分割して、チャック痕の対象となるエリア数Ｓ１の設定、Ｓ１における単位面積あたりの異物数ＰＳ１を設定して、規格値での判断を行うことにより、ウェーハ裏面の異物とチャック痕の識別を迅速に行うことが可能である。また、チッピング判定エリアおよびチッピング判定エリア内における単位面積あたりの欠陥数の閾値を設定することで、迅速に異物とチッピングを識別することが可能であり、それぞれ、現像後マクロ検査結果と受け入れ前マクロ検査結果の差をとることにより、異常時に半導体製造装置へのフィードバックを図ることが可能であるため、半導体装置の製造ロスの低減や半導体製造装置の生産性向上に貢献することが可能であるため、半導体製造におけるマクロ検査方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるマクロ検査装置を示す図
【図２】本発明の第１の実施の形態における裏面異物とチャック痕を識別するためのフローチャート
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるマクロ検査結果のマップを示す図
【図４】本発明の第２の実施の形態における異物とチッピングを識別するためのフローチャート
【図５】本発明の第２の実施の形態におけるマクロ検査結果のマップを示す図
【図６】本発明の第３の実施の形態におけるマクロ検査装置を示す図
【図７】本発明の第３の実施の形態におけるリソグラフィー工程前後のマクロ検査のフローチャート
【図８】本発明の第４の実施の形態におけるリソグラフィー工程前後のマクロ検査のフローチャート
【図９】従来におけるマクロ検査装置を示す図
【図１０】従来のマクロ検査におけるウェーハ裏面のマップを示す図
【図１１】従来におけるマクロ検査のフローチャート
【符号の説明】
【００３８】
２  マクロ検査ステージ
３  ロードポート
５  ノッチ検出部
６  表面検査部
７  裏面検査部
８  搬送ロボット
９  装置制御用コントローラ
１０  データ収集部
１１  データ保存部
１２  データ判断部
１３  ホストコンピュータ
１４  データ演算・判断部
１５  欠陥検査データストレージ
【図１】
2006086154.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006086154.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006086154.tif 000012
【図１１】
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