(57)【要約】【課題】  探針の先端に付着した異物を効果的に除去することができる半導体装置の製造技術を提供する。【解決手段】  製品となるチップ領域に形成されている引き出し用電極２５ａに探針２８を接触させて電気的特性検査を行う。このとき、探針２８の先端に例えば酸化アルミニウムよりなる異物２９が付着する。続いて、探針２８をダミーとなるチップ領域に形成されている引き出し用電極２５ｂに探針２８を接触させたり離したりする（タッピング）。すると、探針２８の先端に付着していた異物が探針２８から除去される。【選択図】  図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウェハプローバのウェハステージ上に置かれた第１のウェハ上のテスト対象となる複数の単位テスト領域に対して、前記単位テスト領域ごとに、プローブ針を当該単位テスト領域内のアルミニウムパッドに接触させて、順次電気的試験を実行する工程；
（ｂ）上記工程（ａ）内において、前記複数の単位テスト領域の内の第１の単位テスト領域と第２の単位テスト領域に対するテストの間において、前記プローブ針を前記第１のウェハ上の前記テスト対象となる複数の単位テスト領域以外のアルミニウムパッドに接触及びそれからの離脱を少なくとも１回以上の第１の回数実行する工程。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は２回以上である。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は３回以上である。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は５回以上である。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は７回以上である。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｃ）上記工程（ａ）内において、前記テスト対象となる複数の単位テスト領域の内の第３の単位テスト領域と第４の単位テスト領域に対するテストの間においては、前記プローブ針を前記第１のウェハ上の前記テスト対象となる複数の単位テスト領域以外のアルミニウムパッドに接触及びそれからの離脱を行うことなく、連続的に前記第３の単位テスト領域と第４の単位テスト領域に対するテストを実行する工程。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の単位テスト領域のテスト結果は特定の不良を含むものであり、且つ、その不良は先行する第１の個数の単位テスト領域でも連続して発生している。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は３以上である。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は５以上である。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は７以上である。
【請求項１１】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は１０以上である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体ウェハ（以下、ウェハという）のチップ領域に形成された引き出し用電極に探針を接触させて電気的特性検査を行う工程に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
日本特開２００２−０１８７３３号公報（特許文献１）には、研磨材が混合され、かつ接触ピンの先端部が突き刺し可能な軟質高分子材料より形成されているクリーニングディスクであってウェハと略同一の外形に形成されたクリーニングディスクを使用して、接触ピンの先端部をクリーニングする技術が開示されている。
【０００３】
日本特開平１０−３３９７６６号公報（対応米国特許６１３０１０４号）（特許文献２）には、ゴムからなる基材と、この基材中に分散する充填剤とからなるクリーナ層を有するソフトクリーナに、プローブ針を突き刺して針先の付着物を除去する技術が開示されている。
【０００４】
日本特開平１１−１３３１１６号公報（対応米国特許６１７０１１６号）（特許文献３）には、繊維状のステンレス鋼を網目状に形成した研磨シートにプローブ針の先端部を突き刺すことにより、プローブ針の先端部に付着している酸化アルミニウムなどの異物を除去する技術が開示されている。
【０００５】
日本特開平１１−０８７４３８号公報（対応米国特許６０５６６２７号）（特許文献４）には、クリーニング部材からのプローブ先端の引き抜き動作において、プローブ先端に再付着している異物を異物除去膜により除去する技術が開示されている。
【０００６】
日本特開２００１−３５１９５４号公報（特許文献５）には、クリーニングシートの一部に、プローブ針の接触抵抗値を測定するためのアルミニウム膜を設けることにより、プローブ針のクリーニング時期を知ってすぐに、プローブ針のクリーニングを行うことができる技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−０１８７３３号公報
【特許文献２】特開平１０−３３９７６６号公報
【特許文献３】特開平１１−１３３１１６号公報
【特許文献４】特開平１１−０８７４３８号公報
【特許文献５】特開２００１−３５１９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般に、ＩＣ（Integrated  Circuit）やＬＳＩ(Large  Scale  Integration)を製造する工程には、ウェハのチップ領域に形成された半導体装置の電気的特性を検査して、良品かあるいは不良品かをテストする工程が存在する。この工程は、通常プローバと呼ばれる装置にプローブカードを装着し、プローブカードの探針（プローブ）をウェハのチップ領域に形成された引き出し用電極（ボンディングパッド）に接触させることにより行われる。具体的に、探針と引き出し用電極との電気的接触は、探針を引き出し用電極に接触させた後、さらに探針と引き出し用電極との間に所定の圧力を加える。これにより、探針がずれて引き出し用電極表面に形成されている酸化アルミニウムが除去され、その下にあるアルミニウムと探針とが低接触抵抗で接触することになる。
【０００８】
探針と引き出し用電極とを接触させて電気的特性検査を行う工程においては、探針の先端に付着する酸化アルミニウムなどの異物が、探針と引き出し用電極との電気的な接続に悪影響を及ぼすことがある。このため、探針の先端をクリーニングすることが行われている。探針の先端のクリーニングは、例えば研磨材を含むクリーニングシートやクリーニングシートを貼り付けたクリーニングウェハに探針を突き刺して、探針の先端に付着している異物を除去することにより行われる。
【０００９】
クリーニングシートを使用する場合、探針をウェハの引き出し用電極に接触させて電気的特性検査を行いながら、定期的にウェハの外部に置かれたクリーニングシートに探針を突き刺すことにより行われる。このとき、探針を突き刺すクリーニングシートの位置は、１回のクリーニング毎に変えて行われる。すなわち、探針を突き刺すクリーニングシートの位置は、初期位置（イニシャル）から斜めに一部重なりながら、移動し、クリーニングが行われる。製品を切り替えて、電気的特性検査を行う場合、探針のクリーニングは、クリーニングシートの初期位置に戻って実施する方法と継続してクリーニング位置を変えて実施する方法があるが、いずれの方法も同じ箇所でクリーニングされる場合がある。既にクリーニングが行われた位置では、クリーニングシートに異物が残っているため、その箇所で再びクリーニングを実施すると、探針に異物が再付着するという問題点がある。
【００１０】
また、クリーニングシートを貼り付けたクリーニングウェハを使用する場合、ウェハの電気的特性検査を実施している間は、探針のクリーニングを行うことができないという問題点がある。すなわち、クリーニングウェハを使用する場合は、まず、ウェハの電気的特性検査を終了させた後、プローバステージからウェハを取り除く。そして、クリーニングウェハをプローバステージに配置した後、このクリーニングウェハの探針を突き刺してクリーニングを行う。このように、一旦ウェハをプローバステージからウェハを取り除いて新たにクリーニングウェハを配置する必要があるため、装置の稼働率が低下する問題点がある。
【００１１】
本願で開示された一つの発明の一つの目的は、探針の先端に付着した異物を効果的に除去することができる半導体装置の製造技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本願で開示された一つの発明は、（ａ）半導体ウェハの複数のチップ領域に、アルミニウムを主成分とする引き出し用電極を形成する工程と、（ｂ）前記引き出し用電極に探針を接触させることにより電気的特性検査を行う工程と、（ｃ）前記探針に付着した異物を除去する工程とを備え、前記（ｃ）工程は、前記半導体ウェハの内部または外部にある部材であってアルミニウムを主成分とする前記部材に前記探針を接触させるものである。
【００１４】
また、本願で開示されたその他の発明の概要を以下に箇条書きにして示す。
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウェハプローバのウェハステージ上に置かれた第１のウェハ上のテスト対象となる複数の単位テスト領域（単位テスト領域には通常１個またはそれ以上のチップ領域を含んでいる）に対して、前記単位テスト領域ごとに、プローブ針を当該単位テスト領域内のアルミニウムパッドに接触させて、順次電気的試験を実行する工程；
（ｂ）上記工程（ａ）内において、前記複数の単位テスト領域の内の第１の単位テスト領域と第２の単位テスト領域に対するテストの間において、前記プローブ針を前記第１のウェハ上の前記テスト対象となる複数の単位テスト領域以外のアルミニウムパッド（たとえば周辺の不完全チップ領域、すなわちプローブ針に対応するパッドはそろっているが、チップ領域の一部を欠くものである）に接触及びそれからの離脱を少なくとも１回以上の第１の回数実行する工程（ダミーチップ領域のアルミニウムパッド上タッピングによるプローブ針クリーニング）。
２．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は２回以上である。
３．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は３回以上である。
４．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は５回以上である。
５．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の回数は７回以上である。
６．前記第１項から第５項のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｃ）上記工程（ａ）内において、前記テスト対象となる複数の単位テスト領域の内の第３の単位テスト領域と第４の単位テスト領域に対するテストの間においては、前記プローブ針を前記第１のウェハ上の前記テスト対象となる複数の単位テスト領域以外のアルミニウムパッドに接触またはそれからの離脱を行うことなく、連続的に前記第３の単位テスト領域と第４の単位テスト領域に対するテストを実行する工程。
７．前記第６項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の単位テスト領域のテスト結果は特定の不良を含むものであり（ここで「含む」というのは、たとえば単位テスト領域に２個のチップが含まれる場合に、そのうちの一つのチップの測定結果が特定の不良を含む場合等を言う）、且つ、その不良は先行する第１の個数の単位テスト領域でも連続して発生している。
８．前記第７項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は３以上である。
９．前記第７項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は５以上である。
１０．前記第７項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は７以上である。
１１．前記第７項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の個数は１０以上である。
１２．複数のウェハロットに対して、ウェハプローブ検査を実行する半導体装置の製造方法において、第１のプローブ針クリーニングはウェハ内におけるクリーニングであり、第２のプローブ針クリーニングはウェハ外におけるクリーニングである。
１３．前記第１２項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のプローブ針クリーニングは前記ウェハ内におけるタッピングによるクリーニングである。
１４．前記第１２項または第１３項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第２のプローブ針クリーニングは前記ウェハ外におけるクリーニングシートによるクリーニングである。
１５．前記第１２項から第１４項のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、前記第１のプローブ針クリーニングはウェハ間（１枚ごとすなわち１枚終了毎に、または２枚ごと、あるいはＮ枚ごと）において、前記第２のプローブ針クリーニングはロット間において、必要に応じてそれぞれ実行する。
１６．前記第１５項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第２のプローブ針クリーニングにおける前記外部のクリーニング部材は前記クリーニングシートであり、ロットが変更されたことにより、テスト対象製品品種が変更されたときにも、前記クリーニングシート上のクリーニング位置が初期位置に戻らずに、前記テスト対象製品品種によって決まるベクトル量だけ先行するクリーニング位置からシフトした位置を使用する。
【００１５】
更に、本願で開示されたその他の発明の概要を以下に箇条書きにして示す。
１．（ａ）半導体ウェハの複数のチップ領域に、アルミニウムを主成分とする引き出し用電極を形成する工程と、（ｂ）前記引き出し用電極に探針を接触させることにより電気的特性検査を行う工程と、（ｃ）前記探針に付着した異物を除去する工程とを備え、前記（ｃ）工程は、前記半導体ウェハの内部または外部にある部材であってアルミニウムを主成分とする前記部材に前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
２．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、前記複数のチップ領域のうち製品とはならないダミー領域に形成されている前記引き出し用電極に前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
３．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、前記複数のチップ領域のうち不良品となるチップ領域に形成されている前記引き出し用電極に前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
４．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程と前記（ｃ）工程とは、概ね等しい温度で行われる半導体装置の製造方法。
５．前記第１項記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、前記探針に付着した異物を除去する１回の工程で、前記部材に３回以上前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
６．前記第１項記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、前記探針に付着した異物を除去する１回の工程で、前記部材に５回以上前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
７．前記項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、前記探針に付着した異物を除去する１回の工程で、前記部材に７回以上前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
８．前記第２項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、さらに、前記半導体ウェハの外部に置かれたクリーニングシートにも前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
９．前記第２項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、さらに、前記半導体ウェハに代えてウェハステージに置かれ、アルミニウムを主成分とする前記部材にも前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
１０．前記第２項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、さらに、前記半導体ウェハに代えてウェハステージに置かれ、クリーニングシートを貼り付けたクリーニングウェハにも前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
１１．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、前記半導体ウェハの外部にある前記部材に前記探針を接触させ、さらに、前記半導体ウェハの外部にあるクリーニングシートにも前記探針を接触させる半導体装置の製造方法。
１２．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、前記半導体ウェハの外部にある前記部材に前記探針を接触させ、前記部材は、前記引き出し用電極と等価な構造をしている半導体装置の製造方法。
１３．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記複数のチップ領域に形成されている複数の前記引き出し用電極へ複数の前記探針を同時に接触させ、前記（ｃ）工程は、複数の前記探針を同時に前記部材に接触させる半導体装置の製造方法。
１４．前記第１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程で前記探針を前記引き出し用電極に接触させる圧力と前記（ｃ）工程で前記探針を前記部材に接触させる圧力とを同じにする半導体装置の製造方法。
１５．前記第８項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｃ）工程は、一回毎に前記探針を接触させる前記クリーニングシートの位置を変え、かつ、着工製品を変えた場合に前記探針を接触させる前記クリーニングシートの位置が初期位置に戻らない半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１７】
ウェハの内部または外部にある部材であってアルミニウムを主成分とする部材に、探針の先端を接触させるので、探針の先端に付着した異物を効果的に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００１９】
ウェハとは、集積回路の製造に用いるシリコン単結晶基板（一般にほぼ平面円形状）、エピタキシャルシリコン基板、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板を言う。また、本願において半導体装置というときは、シリコンウェハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板上に作られるものだけでなく、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）およびＳＴＮ（Super-Twisted-Nematic）液晶等のようなガラス等の他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。
【００２０】
本願において、材料に言及するとき、たとえば「シリコン」といっても、特に純粋なものを特定したとき等を除き、主要な構成成分としてシリコンを含む材料を言うものとする（たとえば、ＳｉＧｅ等を含む）。「アルミニウム」、「Ａｌパッド」等も同じである（たとえば、ＡｌＣｕ合金等を含む）。
【００２１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある（後続の実施例においては、矛盾しない範囲で先行する実施例を援用している。すなわち、後の実施例で省略されている部分は、原則として、対応する先行する実施例に説明されている）。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００２３】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２４】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２５】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１におけるプローバ（ウェハプローバ）１の概略構成を示した外観図である。図１において、本実施の形態１におけるプローバ１は、ローダ／アンローダ部２、ウェハステージ３、クリーニング台４を有している。
【００２８】
ローダ／アンローダ部２は、複数のウェハが入ったウェハカセットからウェハを取り出してウェハステージ３に配置するとともに、ウェハステージ３に配置されているウェハを回収してウェハカセットに収納する機能を有している。
【００２９】
ウェハステージ３はウェハを配置するためのものであり、このウェハステージ３上でウェハの電気的特性検査が実施される。クリーニング台４は、ウェハに接触させる探針をクリーニングするクリーニングシートを配置するものである。
【００３０】
図２は、プローバ１のウェハステージ３上の構成を示した図である。図２において、プローバ１のウェハステージ３上には、テストヘッド５が設けられており、このテストヘッド５の下部には、測定用パフォーマンスボード６が配置されている。測定用パフォーマンスボード６の下部にはプローブカード７が設けられており、このプローブカード７には複数の探針８が形成されている。探針８は、例えばタングステンから形成されている。この探針８を、ウェハステージ３上に配置されたウェハ９に接触させることにより、ウェハ９の電気的特性検査が実施される。つまり、ウェハ９のチップ領域に形成された複数の引き出し用電極（ボンディングパッド）に探針８を接触させることにより、ウェハ９のチップ領域に形成された半導体装置の電気的特性検査が行われる。
【００３１】
ここで、アルミニウムを主成分とする引き出し用電極に探針８を接触させて電気的特性検査を実施すると、探針８の先端に酸化アルミニウム屑が付着する。このため、探針８と引き出し用電極との接触抵抗が増加して接触不良を引き起こす。
【００３２】
従来は、上述した接触不良を防止するため、クリーニング台４に配置したクリーニングシートに探針８の先端を突き刺すことにより、探針８の先端に付着した酸化アルミニウム屑を除去していた。このとき、探針８を突き刺すクリーニングシートの位置は、１回のクリーニング毎に変えて行われる。すなわち、探針８を突き刺すクリーニングシートの位置は、初期位置からクリーニング毎に移動して、常にクリーニングに使用していない新たな位置でクリーニングが行われる。しかし、クリーニングする位置は、一部重なりながら移動するので、同じ位置で探針８のクリーニングが行われることがある（たとえば、斜め方向に一定量シフトした位置で、クリーニングシートと接触するようにしていても、多数回のクリーニングの間には、再び以前の位置に戻る場合がある）。
【００３３】
着工製品を切り替えて電気的特性検査を行う場合、探針８のクリーニングは、クリーニングシートの初期位置に戻って実施する方法と継続してクリーニング位置を変えて実施する方法があるが、いずれの方法も同じ箇所でクリーニングされる場合がある。既にクリーニングが行われた位置では、クリーニングシートに異物が残っているため、その箇所で再びクリーニングを実施すると、探針８に異物が再付着してしまう。
【００３４】
また、クリーニングシートには、研磨材が含まれているため、探針８をクリーニングシートに突き刺すたびに探針８の先端が研磨される。したがって、クリーニングを多数回実施すると探針８の先端が細くなり、探針８と引き出し用電極との接触面積が減少し、接触抵抗が高くなってしまう。
【００３５】
そこで、本実施の形態１におけるプローバ１では、ウェハ９の内部に形成されている引き出し用電極（部材）に探針８を接触させて探針８のクリーニングを実施している。つまり、ウェハ９には、複数のチップ領域が存在するが、このチップ領域のうち製品とならないダミー領域に形成されているダミー引き出し用電極に探針８を複数回接触させることにより、探針８に付着している酸化アルミニウム屑を除去している。このようにして、ウェハ９の内部にあるダミー引き出し用電極に探針８を接触させることにより、探針８のクリーニングを行うことができる。ダミー領域に形成されているダミー引き出し用電極で探針８のクリーニングを行う場合、除去した酸化アルミニウム屑が探針８の先端に再付着しにくいことが経験的に判明しているので、探針８のクリーニングを確実に行うことができる。したがって、本実施の形態１によれば、探針８の先端に付着した異物を効果的に除去することができる。
【００３６】
また、クリーニングシートを使用する場合は、クリーニングシートに含まれている研磨材により探針８の先端が削られて細くなってしまうが、本実施の形態１では、研磨材を使用せず、ダミー引き出し用電極に接触させたり離したりする（タッピング）ことにより、探針８の先端に付着している異物を除去している。このため、探針８の先端が細くなることを防止することができ、探針８と製品の引き出し用電極との接触抵抗が高くなることを抑制することができる。言うまでもないことであるが、このことは、ウェハ内のアルミパッド上で短時間のうちにプローブ針の直下のアルミパッドへのタッチダウン及びテイクオフを繰り返す「タッピング（Ｔａｐｐｉｎｇ）」動作によるプローブ針クリーニングとウェハ外部のクリーニングシートを含むその他の手段によるプローブ針クリーニングの併用を排除するものではない。
【００３７】
また、ウェハ９の外部ではなく内部にある部材（引き出し用電極）でクリーニングを行うことができるので、探針８をウェハ一枚ごとにクリーニングすることができる。つまり、探針８の先端をいつも清浄にした状態でウェハ９の電気的特性検査を実施できるので、信頼性の高い検査を行うことができる。さらに、本実施の形態１によれば、探針８のクリーニングをウェハ９の内部で行うことができるので、探針８を外部のクリーニングシートまで移動させなくてもよい。したがって、スループットの向上を図ることができる。なお、必ずしも一枚ごとに、タッピングを実行する必要はない。つまり、検査の状況を見て、事前にウェハ内において、適当なタイミングでタッピングを実行することが有効である。たとえば、特定の不良が複数回の単位プローブ動作（測定のためのタッチダウンからその領域に対するテスト完了によるテイクオフまで）に連続して現れる場合に、自動的に近隣のまたは所定のダミー領域のパッドに移動して、タッピングを実行するようにすること等が誤測定回避の面から有効である。従って、特定の不良が発生しないか、少ない場合は、当該ウェハをテストしている間には、タッピングをしないことも、時間節約の上で重要である。しかしこのことは、そのような場合でも、当該ウェハをテストしている間にタッピングを実行することを妨げるものではない。すなわち、そのような場合にも、針先の簡易なクリーニング効果が期待できるからである。
【００３８】
また、ウェハ外部におけるその他の手段（たとえばウェハ外部のクリーニングシート）の併用に関して、洗浄原理の相違により、補完的な効果がある。また、前記他の手段の回数が減少することによるプローブ針の磨耗低減の効果も期待できる。すなわち、先行するウェハのプローブ検査結果を（たとえば自動的に）参照して、針先のごみが除去されていない確率が高いときに、ウェハ間（次のウェハを検査する前に）で外部クリーニングを（自動的に、またはあらかじめ設定して）実行するようにすることが有効である。また、特にウェハ内（当該ウェハのテスト中に）において特定の不良が多発してタッピングを実行したが、その後も同様の不良が多発する場合には、当該ウェハの外部クリーニングを実行することも再検査を低減するために有効である。
【００３９】
また、ウェハ内クリーニングは上記のようにタッピングで行い、外部クリーニングはバッチ間において行うようにすることも、時間節約上有効である。この場合、すべてのバッチ間で行うことは必ずしも必要でない。バッチ内の特定の不良情報を（自動的に）参照して、接触不良が予想される場合に実行するようにすれば、針先の磨耗を低減することができる。
【００４０】
図３は、ウェハ９に形成されたチップ領域（ウェハ上のテスト対象となる単位テスト領域）の一例を示す。図３に示すように、ウェハ９には複数のチップ領域が形成されており、この複数のチップ領域には、製品が形成されているチップ領域１０と製品とはならずダミーとなるチップ領域（ダミー領域）１１がある。製品が形成されているチップ領域１０は、四角形の形状をしているが、ダミーとなるチップ領域１１は、四角形の形状が一部欠けた形状をしている。このように一部が欠けた形状のチップ領域１１は、外観検査を通過できないので、製品とはならない。しかし、ダミーとなるチップ領域１１にも製品が形成されているチップ領域１０と同様の構造をしている。すなわち、チップ領域１０には、引き出し用電極１０ａが形成されているのと同様に、チップ領域１１にも引き出し用電極１１ａが形成されている。
【００４１】
本実施の形態１では、ウェハ９の周辺部に形成されているこのチップ領域１１を探針８のクリーニングに使用するものである。つまり、チップ領域１１は製品にならないダミー領域であるが、製品と同様に引き出し用電極１１ａが形成されている。このため、この引き出し用電極１１ａに探針８を接触させたり離したりすることで探針８のクリーニングを行うことができる。特に、アルミニウムを主成分とする引き出し用電極１１ａを探針８の先端に付着した異物を除去するのに使用することで、効果的に探針８に付着した異物を除去することができる。
【００４２】
なお、本実施の形態１では、ダミーとなるチップ領域１１に形成されている引き出し用電極１１ａを使用して探針８のクリーニングを行う例を示したが、これに限らず、例えば不良品が形成されているチップ領域の引き出し用電極を使用するようにしてもよい。
【００４３】
図４は、ウェハ９のチップ領域に形成された半導体装置について、探針８を使用した電気的特性検査を行った結果を示した図である。図４において、横軸は列を示し、縦軸は行を示している。例えば、縦軸の値が「１５」で横軸の値が「３０」であるチップ領域の検査結果は「８」であることが示されており、その右隣のチップ領域（縦軸の値が「１５」で横軸の値が「３１」）も検査結果が「８」であることが示されている。このようにして、上から順に検査を行い、最終的にウェハ９に形成されているすべてのチップ領域の検査を行った結果が図４に示されている。
【００４４】
ここで、例えば「８」は、メモリの不良を示しており、「／」は良品であることを示している。また、「Ｈ」は起動テスト不良を示しており、「Ｅ」は機能テスト不良を示している。「２」は、ロジックテスト不良を示しており、「Ｄ」はＤＣスクリーニングテスト不良を示している。特に、「Ｗ」は、本明細書で問題としている探針８の接触不良を示している。
【００４５】
図４に示すように、最初、接触不良「Ｗ」はあまり発生しないが、縦軸の値が「３０」から「３１」付近になると接触不良「Ｗ」が頻繁に発生していることがわかる。これは、探針８に異物が付着して接触抵抗が高くなったことが原因と考えられる。そこで、図４の矢印で示した位置（縦軸の値が「３２」）で探針８をダミー領域の引き出し電極に接触させてみた。すると、それ以降接触不良「Ｗ」の発生が激減していることがわかる。その後、探針８をダミー領域の引き出し電極に接触させなかったところ、再び縦軸の値が「３８」以降で接触不良「Ｗ」が発生していることがわかる。このことから、ダミー領域の引き出し電極に探針８を接触させたり離したりすることを複数回繰り返すことにより、探針８の先端に付着した異物を除去することができることがわかる。例えば、探針８に付着した異物を除去する一回の工程で、ダミー領域の引き出し電極に１回以上すなわち、２回または３回以上、探針８を接触させると効果がある。特に、探針８の先端に付着した異物を効果的に除去する観点から、５回以上さらには７回以上探針８をダミー領域の引き出し電極に接触させることが望ましい。
【００４６】
次に、本実施の形態１における半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。ここでは、半導体装置の一例として不揮発性メモリと論理回路が形成された素子について説明する。図５において、まず前工程の処理を行う（Ｓ１０１）。ここで、前工程の処理のうち、最上層の引き出し用電極を形成する工程について図６〜図９を参照しながら説明する。
【００４７】
図６に示すように、ウェハ上に形成された層間絶縁膜２０上に、チタン膜２１、窒化チタン膜２２、チタン膜２３およびアルミニウム膜２４を順次形成する。これらの膜は、例えばスパッタリング法を使用して形成することができる。チタン膜２１の膜厚は約１００Å、窒化チタン膜２２の膜厚は約１０００Å、チタン膜２３の膜厚は約２００Åおよびアルミニウム膜２４の膜厚は約６０００Åである。ここで、左側の領域はウェハのチップ領域のうち製品となるチップ領域を示しており、右側の領域はウェハのチップ絵領域のうちダミーとなるチップ領域を示している。
【００４８】
続いて、図７に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、チタン膜２１、窒化チタン膜２２、チタン膜２３およびアルミニウム膜２４をパターニングして引き出し用電極２５ａ、２５ｂを形成する。
【００４９】
次に、図８に示すように、引き出し用電極２５ａ、２５ｂを形成した層間絶縁膜２０上に、例えば窒化シリコン膜２６を形成する。この窒化シリコン膜２６は、例えばＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法を使用して形成することができる。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して窒化シリコン膜２６をパターニングする。パターニングは、引き出し電極２５ａ、２５ｂが露出するように行われる。これにより、窒化シリコン膜２６よりなる保護膜を形成することができる。
【００５０】
続いて、図９に示すように、窒化シリコン膜２６上に例えばポリイミド樹脂膜２７を形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用してパターニングして、ポリイミド樹脂膜よりなる表面保護膜を形成する。このようにして、ウェハの最上層に引き出し用電極２５ａ、２５ｂを形成することができる。その後、ウェハの裏面（素子形成面とは反対側の面）の研削が行われる。
【００５１】
次に、図５に示すようにウェハテストを行う（Ｓ１０２）。ウェハテストでは、しきい値電圧（Ｖｔｈ）特性などのＭＯＳＦＥＴ（Metal  Oxide  Semiconductor  Field  Effect  Transistor）の基本特性が検査される。
【００５２】
続いて、ネーミングが行われる（Ｓ１０３）。ネーミングでは、ロットＮｏ、ウェハＮｏおよび製品名がウェハに記載される。
【００５３】
そして、メモリの消去が行われた後（Ｓ１０４）、メモリ高温テストが行われる（Ｓ１０５）。メモリ高温テストでは、高温にした状態でメモリの書き込みおよび読み出し検査が行われる。このメモリ高温テストは、探針を使用する。続いて、リテンションベークが行われる（Ｓ１０６）。リテンションベークは、約２４０℃から約３６０℃で行われる。そして次に、メモリ常温テストが行われる（Ｓ１０７）。メモリ常温テストでは約２５℃にした状態で、メモリの書き込みおよび読み出し検査が行われる。このメモリ常温テストも探針を使用する。
【００５４】
続いて、ロジックテストが行われる（Ｓ１０８）。このロジックテストでは、約９５℃から約１２５℃で論理回路のテストが行われる。このロジックテストの工程について図１０〜図１３を使用して説明する。まず、図１０に示すように、製品となるチップ領域に形成されている引き出し用電極２５ａに、プローブカードに接続されている探針２８を接触させて、ロジックテストを行う。このロジックテストをウェハに形成されている複数のチップ領域について行うと、図１１に示すように、探針２８の先端に酸化アルミニウムなどからなる異物２９が付着する。探針２８に異物２９が付着していると接触抵抗が高くなり接触不良を生じるので、探針２８のクリーニングを行う。探針２８のクリーニングは、図１２に示すように、ダミーとなるチップ領域に形成されている引き出し用電極２５ｂに、探針２８を接触させたり離したりする（タッピング）。すると、図１３に示すように、探針２８の先端に付着している異物が除去される。ここで、探針２８のクリーニングは、ロジックテストを行う約９５℃から約１２５℃と概ね同じ温度で実施される。また、探針２８のクリーニングのため、探針２８を引き出し電極２５ｂに接触させる圧力は、ロジックテストのため、探針２８を引き出し用電極２５ａに接触させる圧力と概ね同じにする。これにより、異物を効果的に除去することができる。
【００５５】
すなわち、本実施の形態１では、ウェハプローバのウェハステージ上に置かれたウェハにおいて、ウェハ上のテスト対象となる複数の単位テスト領域（チップ領域）に対し、単位テスト領域毎に、探針（プローブ針）２８を単位テスト領域内の引き出し用電極２５ａ（アルミニウムパッド）に接触させて順次電気的試験を行う。そして、複数の単位テスト領域のうち、第１の単位テスト領域と第２の単位テスト領域に対する電気的試験の間において、ダミーとなるチップ領域の引き出し用電極２５ｂに探針２８を接触させたり離したりすることにより、探針２８のクリーニングを行っている。なお、単位テスト領域のテストを実施する毎に、探針２８のクリーニングを実施する必要はない。すなわち、第１の単位テスト領域と第２の単位テスト領域に対する電気的試験の間においては、ダミー領域を使用した探針２８のクリーニングを実施する一方、第３の単位テスト領域と第４の単位テスト領域においては、ダミー領域の引き出し用電極２５ｂに接触させたり離したりすることなく、連続的に第３の単位テスト領域と第４の単位テスト領域に対するテストを実行することも可能である。この場合、ダミー領域を使用した探針２８のクリーニングは、複数の単位テスト領域で連続して不良が発生している場合に行うと効果的である。例えば、第１の単位テスト領域と、この第１の単位テスト領域より後にテストが実施される第２の単位テスト領域に対する電気的試験の間において、ダミー領域を使用した探針２８のクリーニングを実施する条件は、第１の単位テスト領域のテスト結果が特定の不良を含むものであり、且つ、その不良は第１テスト領域よりも先行してテストされる第１の個数の単位テスト領域でも連続して発生している場合であることが考えられる。ここで、不良が連続する数を示す第１の個数は例えば、３以上または５以上の場合とすることができる。特に、第１の個数が７以上あるいは１０以上連続する場合は、ダミー領域を使用した探針２８のクリーニングを実施する必要性が高まる。また、ウェハ毎にダミー領域を使用した探針２８のクリーニングを実施する必要はなく、例えば所定枚数のウェハ毎にダミー領域を使用した探針２８のクリーニングを実施してもよい。
【００５６】
このようにして、ウェハ上のダミーとなるチップ領域に探針２８を接触させたり離したりすることで、探針２８のクリーニングを行うが、さらに、第１ロットのウェハの電気的特性検査を実施する中で、クリーニング台４に配置されたクリーニングシートに探針２８を突き刺して探針２８のクリーニングを行うこともできる。すなわち、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極に探針２８を接触させたり離したりすることにより、探針２８のクリーニングをするとともに、ウェハを所定枚数処理する毎に、ウェハの外部にあるクリーニングシートも使用して探針２８のクリーニングを行う。これにより、探針を二つの方法でクリーニングするので、探針の先端に付着した異物を効果的に除去することができる。例えばクリーニングシートを使用した探針２８のクリーニングは、ロット間毎に行うことができるが、ロット間毎に行わなくてもよい。
【００５７】
また、本実施の形態１によれば、探針２８のクリーニングの際、ウェハステージ３からウェハを取り除く必要がないため、クリーニングによるスループットの低下を抑制できる効果もある。なお、クリーニングシートは、例えばライナー紙上にアクリルフォームよりなるクッション層が形成され、このクッション層上にクリーニング層が形成されている。そして、クリーニング層上に研磨材を塗布した研磨材塗布層が形成された構造をしている。このような構造をしたクリーニングシートに探針２８を突き刺すことにより、探針２８の先端は、研磨材で研磨されるとともにクリーニング層に達するので、異物が探針２８から取り除かれる。
【００５８】
このようにして、第１ロットのウェハの電気的特性検査を終了する。次に、例えば第１ロットと同一製品の第２ロットにあるウェハの電気的特性検査を行う。この第２ロットにあるウェハの電気的特性検査を実施する場合も、所定枚数毎にダミーとなるチップ領域形成されている引き出し用電極に探針２８を接触させたり離したりすることにより、探針２８のクリーニングをするとともに、所定枚数のウェハを処理する毎に、ウェハの外部にあるクリーニングシートも使用して探針２８のクリーニングを行う。このとき、探針２８をクリーニングシートに接触させる位置は、前述した第１ロットのクリーニングの際に接触させた位置とは異なる。このように、探針２８を接触させるクリーニングシートの位置をずらすことにより、探針２８への異物の再付着を抑制することができる。
【００５９】
続いて、例えば第１ロットおよび第２ロットとは着工製品の異なる第３ロットの電気的特性検査を実施する。この第３ロットにあるウェハの電気的特性検査を実施する場合も、所定枚数毎にダミーとなるチップ領域形成されている引き出し用電極に探針２８を接触させたり離したりすることにより、探針２８のクリーニングをするとともに、所定枚数のウェハを処理する毎に、ウェハの外部にあるクリーニングシートも使用して探針２８のクリーニングを行う。このとき、探針２８をクリーニングシートに接触させる位置は、着工製品を変えたため、初期位置に戻る（本実施の形態１はこのように初期位置に戻るものに限定されるものではなく、実施の形態６に本実施の形態１を援用して説明するように、テスト対象製品を変更したときに、初期位置に戻らない場合にも適用できることは言うまでもない。従って、本実施の形態１における記載は、実施の形態６で置き換えられていない限り、実施の形態６において、すべてそのまま援用されている）。すなわち、第１ロットにおいて、探針２８をクリーニングシートに接触させた初期位置に戻る。したがって、クリーニングシートだけで探針２８のクリーニングをする場合、初期位置に戻ってしまうため、探針２８に異物が再付着するおそれがある。しかし、本実施の形態１では、ダミーとなるチップ領域形成されている引き出し用電極に探針２８を接触させたり離したりすることにより探針２８のクリーニングをしているので、異物の再付着を防止することができる。
【００６０】
次に、図５に示すように、ウェハの外観検査を行った後（Ｓ１０９）、ウェハは払い出しされる（Ｓ１１０）。その後は、ダイシングによりウェハを個々のチップに個片化し（Ｓ１１１）、組み立て工程でパッケージ化される（Ｓ１１２）。このようにして、本実施の形態１における半導体装置の製造方法が実施される。
【００６１】
本実施の形態１は、例えば一つのチップ領域を一度に電気的特性検査する場合だけでなく、複数のチップ領域を一度に電気的特性検査する場合にも適用可能である。すなわち、隣接する複数のチップ領域に形成されている複数の引き出し電極へ探針２８を同時に接触させて電気的特性検査を実施する場合において、探針２８のクリーニングもウェハに形成されているダミーのチップ領域とこれに隣接するチップ領域へ同時に複数の探針２８を接触させて行うことができる。このとき、クリーニングに使用されるチップ領域のすべてがダミーのチップ領域であることは稀であるので、ダミーのチップ領域とこの領域に隣接する正常なチップ領域をクリーニングに使用する。隣接する正常なチップ領域は、クリーニングに使用するため製品とはならない。正常なチップ領域を多少犠牲にすることになる。従って、このような方法は、周辺の歩留まりが特に低い場合に有効である。
【００６２】
なお、本実施の形態１では、ダミーとなるチップ領域形成されている引き出し用電極に探針２８を接触させたり離したりすることにより、探針２８のクリーニングをするとともに、ウェハの外部にあるクリーニングシートを使用して探針２８のクリーニングを行う例を示した。
【００６３】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極を使用して探針のクリーニングをする例について説明したが、本実施の形態２では、ウェハの外部に設けられたアルミニウムを主成分とする部材を使用して探針のクリーニングする例について説明する。
【００６４】
図２に示すように、プローバ１にはクリーニング台４が設けられており、このクリーニング台４にアルミニウムを主成分とする部材を配置する。そして、探針の先端をこの部材に接触させたり離したりすることにより、探針の先端に付着した異物を除去することができる。このように本実施の形態２では、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極に代えて、ウェハの外部に設けられた部材を使用して探針のクリーニングをしている。しかし、引き出し用電極と上記した部材とは、アルミニウムを主成分とする点で共通するため、本実施の形態２は前記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６５】
本実施の形態２ではクリーニング台４に配置する部材はアルミニウムを主成分としていたが、さらに部材を引き出し用電極と等価な構造としてもよい。すなわち、引き出し用電極は、前記実施の形態１で述べたように、例えばチタン膜、窒化チタン膜、チタン膜およびアルミニウム膜の積層構造をしているが、クリーニング台４に配置する部材もチタン膜、窒化チタン膜、チタン膜およびアルミニウム膜の積層構造を形成するようにしてもよい。これにより、引き出し用電極に接触させる場合と同等の条件で部材に探針を接触させることができる。本実施の形態２によれば、探針のクリーニングの際、ウェハステージ３からウェハを取り除く必要がないため、クリーニングによるスループットの低下を抑制することができる。
【００６６】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、探針のクリーニングに際し、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極を使用するとともに、アルミニウムを主成分とする部材も使用する例について説明する。
【００６７】
本実施の形態３では、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極に、探針を接触させたり離したりすることにより、探針のクリーニングを行う。また、ウェハをウェハステージ３から一旦取り除いて、ウェハステージ３上にアルミニウムを主成分とする部材を配置し、配置した部材に探針を接触させることにより、探針のクリーニングを行う。このように、探針を二つの方法でクリーニングするので、本実施の形態３によれば探針の先端に付着した異物を効果的に除去することができる。なお、アルミニウムを主成分とする部材をウェハステージ３上に配置して探針のクリーニングを行うようにしたが、これに限らず、例えば、アルミニウムを主成分とする部材をウェハの外部、例えばクリーニング台４に配置するように構成してもよい。この場合、前記実施の形態１ではクリーニング台４にクリーニングシートを配置したが、本実施の形態３では、クリーニングシートの代わりにアルミニウムを主成分とする部材をクリーニング台４に配置している。
【００６８】
（実施の形態４）
本実施の形態４では、探針のクリーニングに際し、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極を使用するとともに、クリーニングシートを貼り付けたクリーニングウェハも使用する例について説明する。つまり、前記実施の形態１で説明したクリーニングシートに代えてクリーニングシートを貼り付けたクリーニングシートを使用して探針のクリーニングを実施する例について説明する。
【００６９】
本実施の形態４では、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極に、探針を接触させたり離したりすることにより、探針のクリーニングを行う。また、ウェハをウェハステージ３から一旦取り除いて、ウェハステージ３上にクリーニングウェハを配置し、配置した部材に探針を突き刺すことにより、探針のクリーニングを行う。例えば、１ロットのうち所定枚数のウェハについて電気的特性検査を実施した後、ウェハをウェハステージ３から取り除く。そして、クリーニングウェハをウェハステージ３に配置し、このクリーニングウェハに探針を接触させることにより、探針のクリーニングを行う。その後、クリーニングウェハをウェハステージから取り除いて、再び、新たなウェハについて電気的特性検査を行う。このように、探針を二つの方法でクリーニングするので、本実施の形態４によれば探針の先端に付着した異物を効果的に除去することができる。なお、上記では１ロットの中でクリーニングウェハを使用してクリーニングする例について説明したが、１ロットの処理が終了して次のロットの処理を開始する前、すなわち、ロット間においてクリーニングウェハを使用してもよい。
【００７０】
（実施の形態５）
本実施の形態５では、探針のクリーニングに際し、ウェハの外部に配置され、アルミニウムを主成分とする部材を使用するとともに、ウェハの外部に配置されたクリーニングシートを使用する例について説明する。つまり、前記実施の形態１ではウェハの外部にクリーニングシートを配置する例を示したが、本実施の形態５では、さらにウェハの外部にアルミニウムを主成分とする部材も配置する例について説明する。
【００７１】
本実施の形態５では、アルミニウムを主成分とする部材に探針を接触させたり離したりすることにより、探針に付着した異物を除去する。また、ウェハの外部に置かれたクリーニングシートに探針を突き刺すことにより、探針をクリーニングする。このように、探針を二つの方法でクリーニングするので、本実施の形態５によれば探針の先端に付着した異物を効果的に除去することができる。なお、本実施の形態５において、さらにウェハの内部にあるダミーのチップ領域に探針を接触させてクリーニングしてもよい。このようにダミーのチップ領域に探針を接触させてクリーニングすることにより、ウェハの外部で行うクリーニングの回数を低減することができるので、スループット向上を図ることができる。
【００７２】
（実施の形態６）
本実施の形態６では、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極を使用して探針のクリーニングをするとともに、ウェハの外部に配置されたクリーニングシートを使用して探針のクリーニングを実施する例について説明する。前記実施の形態１との相違点は、前記実施の形態１では、着工製品を変えた場合、初期位置に戻る例について説明したが、本実施の形態６では、着工製品を変えても初期位置に戻らない例について説明する。
【００７３】
図１４は、クリーニングシート３０において、探針を突き刺す位置の移動を示したものである。図１４において、まず初めのクリーニングにおいては、クリーニングシート３０の左上にある領域３１ａにおいて、探針のクリーニングが行われる。すなわち、クリーニングシート３０の領域３１ａ内で探針を突き刺す。続いて、２回目のクリーニングにおいては、領域３１ａからずれた領域３１ｂで探針のクリーニングが行われる。同様にして、領域３１ｃおよび領域３１ｄで探針のクリーニングが行われる。
【００７４】
ここで、着工製品を変えた場合、前記実施の形態１では初期位置、つまり領域３１ａ近傍の領域に戻ってしまう。したがって、着工製品を変えた場合、以前にクリーニングに使用した領域３１ａと大部分が重なってしまうため、探針に異物が再付着するおそれが生じる。しかし、本実施の形態６では、着工製品を変えても初期位置に戻らず、図１４に示すように領域３１ｅで探針のクリーニングが行われる。すなわち、テスト対象製品品種によって決まるベクトル量だけ先行するクリーニング位置からシフトした位置を使用して探針のクリーニングが行われる。このため、初期位置にクリーニング位置が戻る場合に比べて異物が再付着するおそれは少なくなる。このようにして、順次、領域３１ｆ、領域３１ｇで探針のクリーニングが実施される。
【００７５】
しかし、図１４に示すように、クリーニング位置は、斜め下もしくは斜め上方向に少しずつ（探針の直径程度）移動する。このため、一部に重なり合う領域ができてしまうため、一部の探針が一度突き刺した位置でクリーニングを実施する場合がある。したがって、探針に異物が再付着するおそれが残っている。
【００７６】
そこで、本実施の形態６では、ウェハの外部に配置されたクリーニングシートを使用する他に、ウェハ内のダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極を使用して探針のクリーニングを実施している(必ずしも、両方のやり方を併用する必要はない。このことは、実施例１に記載したのと同様である)。したがって、クリーニングシートでのクリーニングで探針に異物が再付着した場合であっても、ダミーのチップ領域に形成されている引き出し用電極を使用したクリーニングにより異物を除去することができる。
【００７７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本願で開示された一つの発明は、半導体装置を製造する製造業に幅広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施の形態１におけるプローバの概略構成を示した外観図である。
【図２】実施の形態１におけるプローバの概略構成を示した図である。
【図３】ウェハ上に形成されている複数のチップ領域を示した図である。
【図４】個々のチップ領域における電気的特性検査の結果を示した図である。
【図５】実施の形態１における半導体装置の製造工程を示したフローチャートである。
【図６】実施の形態１における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１３】図１２に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１４】クリーニングシートにおいて、探針を突き刺す位置の移動を示した図である。
【符号の説明】
【００８０】
１  プローバ
２  ローダ／アンローダ部
３  ウェハステージ
４  クリーニング台
５  テストヘッド
６  測定用パフォーマンスボード
７  プローブカード
８  探針
９  ウェハ
１０  チップ領域
１０ａ  引き出し用電極
１１  チップ領域
１１ａ  引き出し用電極
２０  層間絶縁膜
２１  チタン膜
２２  窒化チタン膜
２３  チタン膜
２４  アルミニウム膜
２５ａ  引き出し用電極
２５ｂ  引き出し用電極
２６  窒化シリコン膜
２７  ポリイミド樹脂膜
２８  探針
２９  異物
３０  クリーニングシート
３１ａ〜３１ｇ  領域
【図１】
2006086244.tif 000003
【図２】
2006086244.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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