(57)【要約】【課題】  断線の無く、品質の良好な薄膜積層コンデンサを提供する。【解決手段】  本発明の薄膜積層コンデンサにおいて、台形状をなした第１，第２の絶縁体層５ａ、５ｂが誘電体２の積層された順に従って、互い違いに異なる誘電体２の側面を覆うように形成されると共に、第１，第２の電極３，４のそれぞれが異なる誘電体２の上面と異なる台形状の第１，第２の絶縁体層５ａ、５ｂに設けられたため、台形状の第１，第２の絶縁体層５ａ、５ｂの存在によって、第１，第２の電極３，４の断線が無く、品質の良好なものが得られる。【選択図】        図１
2006313842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に複数の層に積層された誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の電極と、この第１の電極に対向してコンデンサを形成し、前記第１の電極と異なる前記誘電体の上面に形成された第２の電極とを備え、前記誘電体の対向する側部には、積層された順に従って、互い違いに異なる前記誘電体の側面を覆う絶縁材からなる台形状の第１，第２の絶縁体層が設けられ、前記第１の電極が前記誘電体の平坦面上と前記第１の絶縁体層上に形成されると共に、前記第２の電極が前記誘電体の平坦面上と前記第２の絶縁体層上に形成されたことを特徴とする薄膜積層コンデンサ。
【請求項２】
前記電極は、前記誘電体の平坦面上に位置する主電極部と、この主電極部に繋がり、前記絶縁体層上に位置する側部電極部を有し、前記絶縁体層は、複数個が階段状に積層されると共に、上部に位置する前記絶縁体層の外側斜面に設けられた前記側部電極部は、下部に位置する前記絶縁体層の頂部に位置する前記側部電極部に接続されるようにしたことを特徴とする請求項１記載の薄膜積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の電子機器や電子回路ユニット等に使用して好適な薄膜積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は従来の薄膜積層コンデンサの断面図であり、次に、従来の薄膜積層コンデンサの構成を図１２に基づいて説明すると、ベース基板５１の上面には絶縁層５２が設けられる共に、この絶縁層５２上には、５層に積層された誘電体５３が形成され、この誘電体５３は、対向する側面側で互い違いに、上層と下層が積層されて、垂直な側面を有した階段状の側部５３ａ、５３ｂが設けられている。
【０００３】
第１の電極５４は、絶縁層５２上、及び偶数層の誘電体５３の上面に形成された第１の主電極部５４ａと、この第１の主電極部５４ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ａ上に設けられた第１の側部電極部５４ｂｃを有し、第１の側部電極部５４ｂが絶縁層５２上に設けられた最下部に位置する第１の主電極部５４ａに接続されている。
【０００４】
第２の電極５５は、第１の主電極部５４ａに誘電体５３を介して対向し、奇数層の誘電体５３の上面に形成された第２の主電極部５５ａと、この第２の主電極部５５ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ｂａ上に設けられた第２の側部電極部５５ｂを有し、第２の側部電極部５５ｂの一部が絶縁層５２上に設けられている。
【０００５】
そして、誘電体５３は、誘電体５３の上面に形成された第２の電極部５５ａの端部を順次覆う構成によって、第１の側部電極部５４ｂ側に階段状の側部５３ａが形成され、また、誘電体５３の上面に形成された第１の電極部５４ａの端部を順次覆う構成によって、第２の側部電極部５５ｂ側に階段状の側部５３ｂが形成され、しかも、積層された誘電体５３と側部５３ａ、５３ｂとの間の段差は、第１，第２の電極５４，５５の数に対応して、上部になるに従って大きくなって、従来の薄膜積層コンデンサが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３４２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の薄膜積層コンデンサは、第１，第２の電極５４，５５のそれぞれが誘電体５３の垂直な側面を有した階段状の側部５３ａ、５３ｂに設けられるため、第１，第２の電極５４，５５の第１，第２の側部電極部５４ｂ、５５ｂが階段状の側部５３ａ、５３ｂの角部で断線が生じ、不良品が発生するという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は断線の無く、品質の良好な薄膜積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、絶縁基板と、この絶縁基板上に複数の層に積層された誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の電極と、この第１の電極に対向してコンデンサを形成し、前記第１の電極と異なる前記誘電体の上面に形成された第２の電極とを備え、前記誘電体の対向する側部には、積層された順に従って、互い違いに異なる前記誘電体の側面を覆う絶縁材からなる台形状の第１，第２の絶縁体層が設けられ、前記第１の電極が前記誘電体の平坦面上と前記第１の絶縁体層上に形成されると共に、前記第２の電極が前記誘電体の平坦面上と前記第２の絶縁体層上に形成された構成とした。
【００１０】
また、第２の解決手段として、前記電極は、前記誘電体の平坦面上に位置する主電極部と、この主電極部に繋がり、前記絶縁体層上に位置する側部電極部を有し、前記絶縁体層は、複数個が階段状に積層されると共に、上部に位置する前記絶縁体層の外側斜面に設けられた前記側部電極部は、下部に位置する前記絶縁体層の頂部に位置する前記側部電極部に接続されるようにした構成とした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の薄膜積層コンデンサにおいて、絶縁基板と、この絶縁基板上に複数の層に積層された誘電体と、絶縁基板上と誘電体の上面に設けられた第１の電極と、この第１の電極に対向してコンデンサを形成し、第１の電極と異なる誘電体の上面に形成された第２の電極とを備え、誘電体の対向する側部には、積層された順に従って、互い違いに異なる誘電体の側面を覆う絶縁材からなる台形状の第１，第２の絶縁体層が設けられ、第１の電極が誘電体の平坦面上と第１の絶縁体層上に形成されると共に、第２の電極が誘電体の平坦面上と第２の絶縁体層上に形成された構成とした。
即ち、第１，第２の電極のそれぞれは、台形状の第１，第２の絶縁体層上に形成されるようにしたため、第１，第２の電極の断線が無く、品質の良好なものが得られる。
【００１２】
また、電極は、誘電体の平坦面上に位置する主電極部と、この主電極部に繋がり、絶縁体層上に位置する側部電極部を有し、絶縁体層は、複数個が階段状に積層されると共に、上部に位置する絶縁体層の外側斜面に設けられた側部電極部は、下部に位置する絶縁体層の頂部に位置する側部電極部に接続されるようにしたため、下部に位置する電極への上部に位置する電極の接続が確実にでき、品質の一層良好なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の薄膜積層コンデンサの図面を説明すると、図１は本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図、図２は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図、図３は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図、図４は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図、図５は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図、図６は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図、図７は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図、図８は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第７工程を示す説明図、図９は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第８工程を示す説明図、図１０は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第９工程を示す説明図、図１１は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１０工程を示す説明図である。
【００１４】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの構成を図１に基づいて説明すると、アルミナや低温焼成セラミック等からなる絶縁基板１上には、複数の層に積層（例えば、３層）された誘電体２が形成され、この誘電体２は、酸化シリコン等からなり、それぞれの上面が平坦状をなすと共に、誘電体２の対向する側部には、積層された順に従って、互い違いに異なる誘電体２の側面を覆う絶縁材からなる台形状の第１，第２の絶縁体層５ａ、５ｂが設けられており、この第１，第２の絶縁体層５ａ、５ｂは、ポリイミド等の絶縁材によって形成されると共に、複数個の第１，第２の絶縁体層５ｂは、それぞれ階段状に積層された状態となっている。
【００１５】
第１の電極３は、絶縁基板１上、及び偶数層の誘電体２の平坦状の上面に形成された第１の主電極部３ａと、この第１の主電極部３ａに繋がり、第１の絶縁体層５ａ上に形成された第１の側部電極部３ｂを有し、絶縁基板１の上面に設けられた１層目の第１の主電極部３ａの一部は、絶縁基板１に設けられた配線パターンＰに接続される引出部となっていると共に、２層目の第１の側部電極部３ｂは、１層目の第１の主電極部３ａに接続された状態となっている。
【００１６】
なお、この実施例では、第１の電極３が２層に形成されたもので説明したが、３層以上のものでも良いこと勿論である。
【００１７】
第２の電極４は、奇数層の誘電体２の平坦状の上面に形成された第２の主電極部４ａと、この第２の主電極部４ａに繋がり、第２の絶縁体層５ｂ上に第２の側部電極部４ｂを有し、１層目の第２の側部電極部４ｂの一部は、絶縁基板１の上面に設けられて、絶縁基板１に設けられた配線パターンＰに接続される引出部となっていると共に、上部に位置する第２の絶縁体層５ｂの外側斜面に設けられた２層目の第２の側部電極部４ｂは、下部に位置する第２の絶縁体層５ｂの頂部に位置する１層目の第２の側部電極部４ｂに接続されるようになって、本発明の薄膜積層コンデンサが形成されている。
【００１８】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの製造方法を図２〜図１１に基づいて説明すると、先ず、第１工程では、図２に示すように、第１の電極３の第１の主電極部３ａがリフトオフによって絶縁基板１上に形成される。
なお、この実施例における第１の電極３は、それぞれ２層によって形成され、例えばＴａからなる下部層と例えばＴｉからなる上部層で構成されている。
【００１９】
次に、図３の第２工程において、第１の主電極部３ａ上には、ＲＥＩによって１層目の誘電体２が形成され、しかる後、図４の第３工程において、誘電体２の上面と絶縁基板１上には、誘電体２と第１の主電極部３ａの一側面を覆うように、フォトリソ等によって台形状の第２の絶縁体層５ｂを形成した後、図５に示す第４工程において、１層目の誘電体２と第２の絶縁体層５ｂ上には、第２の電極４がリフトオフによって形成される。
なお、この実施例における第２の電極４は、それぞれ２層によって形成され、例えばＴａからなる下部層と例えばＴｉからなる上部層で構成されると共に、第２の電極４は、誘電体２の平坦状の上面に第２の主電極部４ａが、また、第２の絶縁体層５ｂ上に第２の側部電極部４ｂが、更に、絶縁基板１上に引出部が形成された状態となっている。
【００２０】
次に、図６の第５工程において、１層目の誘電体２と第２の絶縁体層５ｂ上に位置する第２の電極４上には、ＲＥＩによって２層目の誘電体２が形成され、しかる後、図７の第６工程において、１層目と２層目の誘電体２の上面には、２層目の誘電体２と第２の主電極部４ａの一側面を覆うように、フォトリソ等によって台形状の第２の絶縁体層５ｂを形成する。
【００２１】
次に、図８の第７工程において、２層目の誘電体２と第１の絶縁体層５ａ上には、２層目の第１の電極３がリフトオフによって形成される。
この２層目の第１電極３は、２層目の誘電体２の平坦状の上面に第１の主電極部３ａが、また、第１の絶縁体層５ｂ上に第１の側部電極部３ｂが形成されると共に、第１の側部電極部３ｂは、下方に延びて、１層目の第１の電極３にに接続された状態となっている。
【００２２】
次に、図９の第８工程において、２層目の誘電体２と第１の絶縁体層５ａ上に位置する第１の電極３上には、ＲＥＩによって３層目の誘電体２が形成され、しかる後、図１０の第９工程において、２層目の誘電体２と１層目の第２の絶縁体層５ｂ上には、２層目と３層目の誘電体２の側面、及び２層目の第１の主電極部３ａの一側面を覆うように、フォトリソ等によって２層目の台形状の第２の絶縁体層５ｂを形成すると共に、３層目の誘電体２と１層目の第１の絶縁体層５ａ上には、３層目の誘電体２の一側面を覆うように、フォトリソ等によって２層目の台形状の第１の絶縁体層５ａを形成する。
【００２３】
次に、図１１の第１０工程において、３層目の誘電体２上と２層目の第１，第２の絶縁体層５ａ、５ｂ上には、２層目の第２の電極４がＲＩＥによって形成される。
この時、２層目の第２の絶縁体層５ｂに形成された第２の側部電極部４ｂは、１層目の第２の絶縁体層５ｂの頂部に位置する第２の側部電極部４ｂに接続した状態となって、本発明の薄膜積層コンデンサの製造が完了する。
【００２４】
また、上記の製造方法において、第１の絶縁体層５ａが２層設けられたもので説明したが、２層目の第１の絶縁体層５ａを無くして、２層目の第２の電極４が３層目の誘電体２上と２層目の第２の絶縁体層５ｂ上に形成されるようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図。
【図２】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図。
【図３】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図。
【図４】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図。
【図５】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図。
【図６】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図。
【図７】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図。
【図８】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第７工程を示す説明図。
【図９】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第８工程を示す説明図。
【図１０】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第９工程を示す説明図。
【図１１】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１０工程を示す説明図。
【図１２】従来の薄膜積層コンデンサの断面図。
【符号の説明】
【００２６】
１：絶縁基板
２：誘電体
３：第１の電極
３ａ：第１の主電極部
３ｂ：第１の側部電極部
４：第２の電極
４ａ：第２の主電極部
４ｂ：第２の側部電極部
５ａ：第１の絶縁体層
５ｂ：第２の絶縁体層
Ｐ：配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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