(57)【要約】【課題】  断線の無く、品質の良好な薄膜積層コンデンサを提供する。【解決手段】  本発明の薄膜積層コンデンサは、絶縁基板１と、この絶縁基板１上に間隔を置いて配置された第１，第２の土手部５，６と、この第１，第２の土手部５，６間に複数の層に積層された誘電体２と、誘電体２を介して対向する第１，第２の電極３，４とを備え、第１の電極３の第１の主電極部３ａに繋がる第１の側部電極部３ｂは、第１の土手部５の第１の傾斜面５ａと第１の頂面５ｂに形成されると共に、第２の電極４の第２の主電極部４ａに繋がる第２の側部電極部４ｂは、第２の土手部６の第２の傾斜面６ａと第２の頂面６ｂに形成されるため、第１，第２の側部電極部３ｂ、４ｂは、断線が無く、品質の良好なものが得られる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板上に間隔を置いて配置された第１，第２の土手部と、この第１，第２の土手部間に位置する前記絶縁基板上に複数の層に積層された誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面、及び前記第１の土手部上に設けられた第１の電極と、この第１の電極に対向してコンデンサを形成し、前記第１の電極と異なる前記誘電体の上面と前記第２の土手部上に形成された第２の電極とを備え、前記第１，第２の土手部のそれぞれは、厚みが漸次増加し、互いに対向する側に設けられた第１，第２の傾斜面と、この第１，第２の傾斜面に連続して設けられた平坦な第１，第２の頂面を有し、前記第１の電極は、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部に繋がり、前記第１の土手部の前記第１の傾斜面と前記第１の頂面に設けられた第１の側部電極部を有すると共に、前記第２の電極は、前記誘電体の上面に設けられた第２の主電極部と、この第２の主電極部に繋がり、前記第２の土手部の前記第２の傾斜面と前記第２の頂面に設けられた第２の側部電極部を有することを特徴とする薄膜積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第１，第２の土手部が金属材で形成され、前記第１，第２の電極のそれぞれが前記第１，第２の土手部に接続されたことを特徴とする請求項１記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項３】
前記第１，第２の土手部のそれぞれは、前記第１，第２の傾斜面と前記第１，第２の頂面を有した状態で、前記第１，第２の傾斜面のそれぞれに対向する第３の傾斜面を有した台形状に形成され、前記第１の電極の前記第１の側部電極部が前記第１の土手部の前記第１の傾斜面、前記第１の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成されると共に、前記第２の電極の前記第２の側部電極部が前記第２の土手部の前記第２の傾斜面、前記第２の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成されたことを特徴とする請求項２記載の薄膜積層コンデンサ。
【請求項４】
前記第１，第２の土手部が絶縁材で形成され、前記第１，第２の土手部のそれぞれは、前記第１，第２の傾斜面と前記第１，第２の頂面を有した状態で、前記第１，第２の傾斜面のそれぞれに対向する第３の傾斜面を有した台形状に形成され、前記第１の電極の前記第１の側部電極部が前記第１の土手部の前記第１の傾斜面、前記第１の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成されると共に、前記第２の電極の前記第２の側部電極部が前記第２の土手部の前記第２の傾斜面、前記第２の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成されたことを特徴とする請求項１記載の薄膜積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は種々の電子機器や電子回路ユニット等に使用して好適な薄膜積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０は従来の薄膜積層コンデンサの断面図であり、次に、従来の薄膜積層コンデンサの構成を図１０に基づいて説明すると、ベース基板５１の上面には絶縁層５２が設けられる共に、この絶縁層５２上には、５層に積層された誘電体５３が形成され、この誘電体５３は、対向する側面側で互い違いに、上層と下層が積層されて、垂直な側面を有した階段状の側部５３ａ、５３ｂが設けられている。
【０００３】
第１の電極５４は、絶縁層５２上、及び偶数層の誘電体５３の上面に形成された第１の主電極部５４ａと、この第１の主電極部５４ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ａ上に設けられた第１の側部電極部５４ｂｃを有し、第１の側部電極部５４ｂが絶縁層５２上に設けられた最下部に位置する第１の主電極部５４ａに接続されている。
【０００４】
第２の電極５５は、第１の主電極部５４ａに誘電体５３を介して対向し、奇数層の誘電体５３の上面に形成された第２の主電極部５５ａと、この第２の主電極部５５ａに繋がり、それぞれの階段状の側部５３ｂａ上に設けられた第２の側部電極部５５ｂを有し、第２の側部電極部５５ｂの一部が絶縁層５２上に設けられている。
【０００５】
そして、誘電体５３は、誘電体５３の上面に形成された第２の電極部５５ａの端部を順次覆う構成によって、第１の側部電極部５４ｂ側に階段状の側部５３ａが形成され、また、誘電体５３の上面に形成された第１の電極部５４ａの端部を順次覆う構成によって、第２の側部電極部５５ｂ側に階段状の側部５３ｂが形成され、しかも、積層された誘電体５３と側部５３ａ、５３ｂとの間の段差は、第１，第２の電極５４，５５の数に対応して、上部になるに従って大きくなって、従来の薄膜積層コンデンサが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３４２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の薄膜積層コンデンサは、第１，第２の電極５４，５５のそれぞれが誘電体５３の垂直な側面を有した階段状の側部５３ａ、５３ｂに設けられるため、第１，第２の電極５４，５５の第１，第２の側部電極部５４ｂ、５５ｂが階段状の側部５３ａ、５３ｂの角部で断線が生じ、不良品が発生するという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は断線の無く、品質の良好な薄膜積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、絶縁基板と、この絶縁基板上に間隔を置いて配置された第１，第２の土手部と、この第１，第２の土手部間に位置する前記絶縁基板上に複数の層に積層された誘電体と、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面、及び前記第１の土手部上に設けられた第１の電極と、この第１の電極に対向してコンデンサを形成し、前記第１の電極と異なる前記誘電体の上面と前記第２の土手部上に形成された第２の電極とを備え、前記第１，第２の土手部のそれぞれは、厚みが漸次増加し、互いに対向する側に設けられた第１，第２の傾斜面と、この第１，第２の傾斜面に連続して設けられた平坦な第１，第２の頂面を有し、前記第１の電極は、前記絶縁基板上と前記誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部に繋がり、前記第１の土手部の前記第１の傾斜面と前記第１の頂面に設けられた第１の側部電極部を有すると共に、前記第２の電極は、前記誘電体の上面に設けられた第２の主電極部と、この第２の主電極部に繋がり、前記第２の土手部の前記第２の傾斜面と前記第２の頂面に設けられた第２の側部電極部を有する構成とした。
【００１０】
また、第２の解決手段として、前記第１，第２の土手部が金属材で形成され、前記第１，第２の電極のそれぞれが前記第１，第２の土手部に接続された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記第１，第２の土手部のそれぞれは、前記第１，第２の傾斜面と前記第１，第２の頂面を有した状態で、前記第１，第２の傾斜面のそれぞれに対向する第３の傾斜面を有した台形状に形成され、前記第１の電極の前記第１の側部電極部が前記第１の土手部の前記第１の傾斜面、前記第１の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成されると共に、前記第２の電極の前記第２の側部電極部が前記第２の土手部の前記第２の傾斜面、前記第２の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成された構成とした。
【００１１】
また、第４の解決手段として、前記第１，第２の土手部が絶縁材で形成され、前記第１，第２の土手部のそれぞれは、前記第１，第２の傾斜面と前記第１，第２の頂面を有した状態で、前記第１，第２の傾斜面のそれぞれに対向する第３の傾斜面を有した台形状に形成され、前記第１の電極の前記第１の側部電極部が前記第１の土手部の前記第１の傾斜面、前記第１の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成されると共に、前記第２の電極の前記第２の側部電極部が前記第２の土手部の前記第２の傾斜面、前記第２の頂面、及び前記第３の傾斜面に形成された構成とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の薄膜積層コンデンサにおいて、絶縁基板と、この絶縁基板上に間隔を置いて配置された第１，第２の土手部と、この第１，第２の土手部間に位置する絶縁基板上に複数の層に積層された誘電体と、絶縁基板上と誘電体の上面、及び第１の土手部上に設けられた第１の電極と、この第１の電極に対向してコンデンサを形成し、第１の電極と異なる誘電体の上面と第２の土手部上に形成された第２の電極とを備え、第１，第２の土手部のそれぞれは、厚みが漸次増加し、互いに対向する側に設けられた第１，第２の傾斜面と、この第１，第２の傾斜面に連続して設けられた平坦な第１，第２の頂面を有し、第１の電極は、絶縁基板上と誘電体の上面に設けられた第１の主電極部と、この第１の主電極部に繋がり、第１の土手部の第１の傾斜面と第１の頂面に設けられた第１の側部電極部を有すると共に、第２の電極は、誘電体の上面に設けられた第２の主電極部と、この第２の主電極部に繋がり、第２の土手部の第２の傾斜面と第２の頂面に設けられた第２の側部電極部を有する構成とした。
即ち、第１の電極の第１の主電極部に繋がる第１の側部電極部は、第１の土手部の第１の傾斜面と第１の頂面に形成されると共に、第２の電極の第２の主電極部に繋がる第２の側部電極部は、第２の土手部の第２の傾斜面と第２の頂面に形成されるため、第１，第２の側部電極部は、断線が無く、品質の良好なものが得られる。
【００１３】
また、第１，第２の土手部が金属材で形成され、第１，第２の電極のそれぞれが第１，第２の土手部に接続されたため、第１，第２の土手部を配線パターンとして使用できて、構成の簡単なものが得られる。
【００１４】
また、第１，第２の土手部のそれぞれは、第１，第２の傾斜面と第１，第２の頂面を有した状態で、第１，第２の傾斜面のそれぞれに対向する第３の傾斜面を有した台形状に形成され、第１の電極の第１の側部電極部が第１の土手部の第１の傾斜面、第１の頂面、及び第３の傾斜面に形成されると共に、第２の電極の第２の側部電極部が第２の土手部の第２の傾斜面、第２の頂面、及び第３の傾斜面に形成されたため、第１，第２の側部電極部は、断線が無く、品質の良好なものが得られると共に、第１，第２の側部電極部が第３の傾斜面側で配線パターンに接続できて、配線パターンへの第１，第２の電極の接続の確実なものが得られる。
【００１５】
また、第１，第２の土手部が絶縁材で形成され、第１，第２の土手部のそれぞれは、第１，第２の傾斜面と第１，第２の頂面を有した状態で、第１，第２の傾斜面のそれぞれに対向する第３の傾斜面を有した台形状に形成され、第１の電極の第１の側部電極部が第１の土手部の第１の傾斜面、第１の頂面、及び第３の傾斜面に形成されると共に、第２の電極の第２の側部電極部が第２の土手部の第２の傾斜面、第２の頂面、及び第３の傾斜面に形成されたため、第１，第２の側部電極部は、断線が無く、品質の良好なものが得られると共に、第１，第２の側部電極部が第３の傾斜面側で配線パターンに接続できて、配線パターンへの第１，第２の電極の接続の確実なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の薄膜積層コンデンサの図面を説明すると、図１は本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図、図２は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図、図３は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図、図４は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図、図５は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図、図６は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図、図７は本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図、図８は本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例に係る断面図、図９は本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例に係る断面図である。
【００１７】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの構成を図１に基づいて説明すると、アルミナや低温焼成セラミック等からなる絶縁基板１上には、間隔を置いて配置された第１，第２の土手部５，６を有し、この第１，第２の土手部５，６は、厚みが漸次増加し、互いに対向する側に設けられた第１，第２の傾斜面５ａ、６ａと、この第１，第２の傾斜面５ａ、６ａに連続して設けられた平坦な第１，第２の頂面５ｂ、６ｂと、この第１，第２の頂面５ｂ、６ｂの他端側に繋がり、第１，第２の傾斜面５ａ、６ａのそれぞれに対向する第３の傾斜面７ａ、７ｂを有した台形状に形成されている。
また、第１，第２の土手部５，６は、金属材で形成され、例えば、銅からなる下部層とニッケルからなる上部層で構成されている。
【００１８】
複数の層に積層（例えば、３層）された誘電体２は、、酸化シリコン等からなり、第１，第２の土手部５，６間に位置する絶縁基板１上で、第１，第２の土手部５，６の第１，第２の傾斜面５ａ、６ｂに接触した状態で形成されている。
【００１９】
第１の電極３は、絶縁基板１上、及び偶数層の誘電体２の上面に形成された第１の主電極部３ａと、この第１の主電極部３ａに繋がり、第１の土手部５の第１の傾斜面５ａと第１の頂面５ｂに形成された第１の側部電極部３ｂを有し、第１の電極３は、第１の土手部５を介して、絶縁基板１上の配線パターンＰに接続された状態となっている。
なお、この実施例では、第１の電極３が第１の土手部５を介して配線パターンＰに接続された状態となっているが、第３の傾斜面７ａに第１の側部電極部３ｂを設け、この第１の側部電極部３ｂが配線パターンＰに接続されるようにしても良い。
【００２０】
第２の電極４は、奇数層の誘電体２の上面に形成された第２の主電極部４ａと、この第２の主電極部４ａに繋がり、この第２の主電極部４ａに繋がり、第２の土手部６の第２の傾斜面６ａ、第２の頂面６ｂに形成された第２の側部電極部４ｂを有し、第２の電極４は、第２の土手部６を介して、絶縁基板１上の配線パターンＰに接続された状態となっている。
【００２１】
なお、この実施例では、第２の電極４が第２の土手部６を介して配線パターンＰに接続された状態となっているが、第３の傾斜面７ｂに第２の側部電極部４ｂを設け、この第２の側部電極部４ｂが配線パターンＰに接続されるようにしても良い。
そして、第１，第２の電極３，４の第１，第２の主電極部３ａ、４ａが互いに対向して、第１実施例の本発明の薄膜積層コンデンサが形成されている。
【００２２】
なお、上記実施例は、誘電体２が２層に設けられたもので説明したが、誘電体２が３層以上のものでも良いこと勿論である。
【００２３】
次に、本発明の薄膜積層コンデンサの製造方法を図２〜図７に基づいて説明すると、先ず、図２に示す第１工程において、絶縁基板１上には、互いに間隔を置いて配置された台形状の第１，第２の土手部５，６が電気メッキによって形成され、この第１，第２の土手部５，６は、銅からなる下部層とニッケル等からなる上部層で構成されており、下部層のヒロック現象が上部層によって防止されている。
【００２４】
次に、図３に示す第２工程において、第１，第２の土手部５，６間に位置する絶縁基板１上と、第１の土手部５上には、第１の電極３がリフトオフによって形成される。
なお、この実施例における第１の電極３は、それぞれ２層によって形成され、例えばＴａからなる下部層と例えばＴｉからなる上部層で構成されている。
【００２５】
次に、図４の第３工程において、第１，第２の土手部５，６間には、第１の主電極部３ａの全体と第１の側部電極部３ｂの一部を覆うように、ＲＥＩによって１層目の誘電体２が形成され、しかる後、図５の第４工程において、誘電体２の上面と第２の土手部６上には、第２の電極４がリフトオフによって形成される。
なお、この実施例における第２の電極４は、それぞれ２層によって形成され、例えばＴａからなる下部層と例えばＴｉからなる上部層で構成されている。
【００２６】
次に、図６の第５工程において、第１，第２の土手部５，６間には、第２の主電極部４ａの全体と第２の側部電極部４ｂの一部を覆うように、ＲＥＩによって２層目の誘電体２が形成され、しかる後、図７の第６工程において、２層目の誘電体２の上面と第１の土手部５上には、２層目の第１の電極３がリフトオフによって形成されて、本発明の薄膜積層コンデンサの製造が完了する。
この時、２層目の第１の電極３の第１の側部電極部３ｂは、１層目の第１の側部電極部３ｂ上に積層されるように形成される。
【００２７】
また、図８は本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、第１，第２の土手部５，６は、互いに対向する側に設けられた第１，第２の傾斜面５ａ、６ａと、この第１，第２の傾斜面５ａ、６ａに連続して設けられた平坦な第１，第２の頂面５ｂ、６ｂを有し、第１，第２の土手部５，６が直接、配線パターンＰの一部として使用されるようにしたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００２８】
また、図９は本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例を示し、この第３実施例は、第１実施例の金属材からなる第１，第２の土手部５，６に代えて、ポリイミド等からなる絶縁材からなる第１，第２の土手部５，６とし、この絶縁材からなる第１，第２の土手部５，６がフォトリソ等によって形成されると共に、第１，第２の土手部５，６上のそれぞれには、第１，第２の電極３，４を設けたものである。
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の薄膜積層コンデンサの第１実施例に係る断面図。
【図２】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第１工程を示す説明図。
【図３】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第２工程を示す説明図。
【図４】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第３工程を示す説明図。
【図５】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第４工程を示す説明図。
【図６】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第５工程を示す説明図。
【図７】本発明の薄膜積層コンデンサに係る製造方法の第６工程を示す説明図。
【図８】本発明の薄膜積層コンデンサの第２実施例に係る断面図。
【図９】本発明の薄膜積層コンデンサの第３実施例に係る断面図。
【図１０】従来の薄膜積層コンデンサの断面図。
【符号の説明】
【００３０】
１：絶縁基板
２：誘電体
３：第１の電極
３ａ：第１の主電極部
３ｂ：第１の側部電極部
４：第２の電極
４ａ：第２の主電極部
４ｂ：第２の側部電極部
５：第１の土手部
５ａ：第１の傾斜面
５ｂ：第１の頂面
６：第２の土手部
６ａ：第２の傾斜面
６ｂ：第２の頂面
７ａ、７ｂ：第３の傾斜面
Ｐ：配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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