(57)【要約】  【課題】半導体素子を基板の所定位置にフェースアップ実装する際、基板の所定位置に対して半導体素子を良好に位置決めすることができる半導体装置の製造装置を提供する。  【解決手段】製造装置ＦＡは、半導体素子２を保持して移動可能な第１保持部１０と、基板１を保持して移動可能な第２保持部２０と、回路面２Ａと対向する位置に設けられ、回路面２Ａに検出光ＫＬを照射する照射装置３０と、半導体素子２の背面２Ｂと対向する位置に設けられ、半導体素子２を通過した検出光ＫＬを受光可能な受光装置４０と、受光装置４０の受光結果に基づいて半導体素子２の位置情報を検出し、検出した位置情報に基づいて、第１保持部１０及び第２保持部２０の少なくとも一方を駆動して半導体素子２と基板１とを位置決めし、半導体素子２の背面２Ｂと基板１の表面１Ａとを接続する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の回路面に検出光を照射し、前記半導体素子を通過した前記検出光を前記回路面とは反対側の所定面側で受光する工程と、
前記受光結果に基づいて前記半導体素子の位置情報を検出する工程と、
前記検出した位置情報に基づいて前記半導体素子と基板とを位置決めし、前記半導体素子の所定面と前記基板の表面とを接続する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記検出光として可視光を用い、前記可視光が通過可能な程度に前記半導体素子を薄くし、前記検出光を前記回路面に照射し、前記半導体素子を通過した前記検出光を前記所定面側で検出する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記半導体素子の位置情報を検出するための第１マークを前記半導体素子の回路面に設け、前記第１マークに前記検出光を照射する請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
前記半導体素子の回路面に導電パターンを設け、前記第１マークとして前記導電パターンの一部を用いる請求項１〜３のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項５】
前記半導体素子の位置情報を検出するための第１マークを前記半導体素子の回路面に設け、前記検出光として可視光を用い、前記可視光が通過可能な程度に前記半導体素子のうち前記第１マークが設けられた領域を含む所定領域を薄くし、前記検出光を前記半導体素子の回路面に照射し、前記半導体素子を通過した前記検出光を前記所定面側で検出する請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
前記半導体素子の位置情報を検出するための前記半導体素子の前記回路面と前記所定面とを貫通するスルーホールを設け、前記検出光を前記半導体素子の回路面に照射し、前記スルーホールを通過した前記検出光を前記所定面側で検出する請求項１〜５のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項７】
前記基板の位置情報を検出するための第２マークを前記基板の表面に設け、前記半導体素子を通過した前記検出光を受光する工程と前記第２マークから発生した光を受光する工程との一方を行った後、他方を行う請求項１〜６のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項８】
前記基板の位置情報を検出するための第２マークを前記基板の表面に設け、前記半導体素子を通過した検出光を受光する工程と前記第２マークから発生した光を検出する工程とを略同時に行う請求項１〜６のいずれか一項記載の製造方法。
【請求項９】
回路面を有する半導体素子を基板の表面に実装する半導体装置の製造装置において、
前記半導体素子を保持して移動可能な第１保持部と、
前記基板を保持して移動可能な第２保持部と、
前記回路面と対向する位置に設けられ、前記回路面に検出光を照射する照射装置と、
前記半導体素子の前記回路面とは反対側の所定面と対向する位置に設けられ、前記半導体素子を通過した前記検出光を受光可能な受光装置と、
前記受光装置の受光結果に基づいて前記半導体素子の位置情報を検出し、前記検出した位置情報に基づいて、前記第１保持部及び前記第２保持部の少なくとも一方を駆動して前記半導体素子と前記基板とを位置決めし、前記半導体素子の所定面と前記基板の表面とを接続する制御装置とを備えた半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記照射装置は検出光として可視光を照射する請求項９記載の製造装置。
【請求項１１】
前記受光装置は、前記半導体素子の回路面のうち前記半導体素子の位置情報を検出するための第１マークが設けられた領域を含む所定領域を通過した前記検出光を受光する請求項９又は１０記載の製造装置。
【請求項１２】
前記受光装置は、前記半導体素子の位置情報を検出するための前記半導体素子の前記回路面と前記所定面とを貫通するスルーホールを通過した前記検出光を受光する請求項９又は１０記載の製造装置。
【請求項１３】
前記受光装置は、前記基板の位置情報を検出するために前記基板の表面に設けられた第２マークから発生した光を受光可能であり、前記半導体素子の所定面と前記基板の表面との間に配置されている請求項９〜１２のいずれか一項記載の製造装置。
【請求項１４】
前記受光装置は、前記半導体素子を通過した検出光と前記第２マークから発生した光との一方を受光した後、他方を受光する請求項１３記載の製造装置。
【請求項１５】
前記受光装置は、前記半導体素子を通過した検出光と前記第２マークから発生した光とを略同時に受光可能である請求項１３記載の製造装置。
【請求項１６】
基板に実装される半導体素子を有する半導体装置において、
前記半導体素子に設けられ、該半導体素子の位置情報を検出するためのアライメントマークを有し、
前記半導体素子は、前記アライメントマークが設けられた領域を含む所定領域が他の領域よりも薄くなっている半導体装置。
【請求項１７】
前記所定領域は、可視光が通過可能な程度に薄くなっている請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体素子は、回路面と該回路面とは反対側の所定面とを有し、
前記基板の表面と前記半導体素子の所定面とが接続されるとともに、前記アライメントマークは回路面に設けられている請求項１６又は１７記載の半導体装置。
【請求項１９】
基板に実装される半導体素子を有する半導体装置において、
前記半導体素子に設けられ、該半導体素子の位置情報を検出するための前記基板の表面に接続される所定面と該所定面とは反対側の回路面とを貫通するスルーホールを有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び製造装置、並びに半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ（半導体素子）を、例えばプリント配線板（基板）等の実装対象に実装する際、半導体チップと実装対象とを位置決め（アライメント）する必要がある。下記特許文献には、第１の半導体チップの接合面に設けられたターゲット（接続端子）と第２の半導体チップの接合面に設けられたターゲット（接続端子）とを位置決めするときに、赤外光を用いて、第１及び第２の半導体チップのそれぞれの接合面を一方では正面側から捉え、他方では背面側から透過的に捉える技術が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１２６８６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、基板に対して半導体チップを所謂フェースアップ実装する際には、基板の所定位置に所定の位置精度（マウント精度）で半導体チップを搭載した後、半導体チップに設けられた接続端子と、基板に設けられた基板側端子とをワイヤボンディングの手法によって接続する場合が多い。この場合、マウント精度が比較的低くても、ワイヤボンディングするときのアライメント精度を高くすることにより、基板に対して半導体チップを所望状態で実装することができる。ところが、近年における半導体チップの配線の微細化、接続端子の高密度化、基板側端子の高密度化、基板側の配線の微細化等によって、基板の所定位置に半導体チップをフェースアップ実装によって搭載するときのマウント精度も高精度化が要求されるようになってきている。
【０００４】
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであって、半導体素子を基板の所定位置にフェースアップ実装する際、基板の所定位置に対して半導体素子を良好に位置決めすることができる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。また、良好に位置決めされた状態で基板に実装される半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明は、半導体素子の回路面に検出光を照射し、前記半導体素子を通過した前記検出光を前記回路面とは反対側の所定面側で受光する工程と、前記受光結果に基づいて前記半導体素子の位置情報を検出する工程と、前記検出した位置情報に基づいて前記半導体素子と基板とを位置決めし、前記半導体素子の所定面と前記基板の表面とを接続する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【０００６】
本発明によれば、半導体素子の回路面に照射され、その半導体素子を通過した検出光を回路面とは反対側の所定面で受光し、その受光結果に基づいて半導体素子の位置情報を検出するようにしたので、基板の表面に対して半導体素子の所定面を接続する所謂フェースアップ実装する際においても、基板の所定位置に対して半導体素子を良好に位置決めすることができる。
【０００７】
前記検出光として可視光を用い、前記可視光が通過可能な程度に前記半導体素子を薄くし、前記検出光を前記回路面に照射し、前記半導体素子を通過した前記検出光を前記所定面側で検出する構成を採用することができる。これにより、検出光は半導体素子の薄くした領域を良好に通過（透過）することができる。また、検出光として可視光を用いることにより、回路面に検出光を照射する照射装置を比較的安価なものにすることができる。
【０００８】
前記半導体素子の位置情報を検出するための第１マークを前記半導体素子の回路面に設け、前記第１マークに前記検出光を照射する構成を採用することができる。これにより、回路面に設けられた第１マークを用いて半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。
【０００９】
前記半導体素子の回路面に導電パターンを設け、前記第１マークとして前記導電パターンの一部を用いる構成を採用することができる。これにより、回路面に設けられた導電パターンと同等の精度（位置精度、形状精度等を含む）を有する第１マークを用いて半導体素子の位置情報を高精度に検出することができる。
【００１０】
前記半導体素子の位置情報を検出するための第１マークを前記半導体素子の回路面に設け、前記検出光として可視光を用い、前記可視光が通過可能な程度に前記半導体素子のうち前記第１マークが設けられた領域を含む所定領域を薄くし、前記検出光を前記半導体素子の回路面に照射し、前記半導体素子を通過した前記検出光を前記所定面側で検出する構成を採用することができる。これにより、検出光は半導体素子の薄くした所定領域を良好に通過（透過）することができ、その薄くした所定領域の回路面に設けられた第１マークを用いて半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。また、検出光として可視光を用いることにより、回路面に検出光を照射する照射装置を比較的安価なものにすることができる。
【００１１】
前記半導体素子の位置情報を検出するための前記半導体素子の前記回路面と前記所定面とを貫通するスルーホールを設け、前記検出光を前記半導体素子の回路面に照射し、前記スルーホールを通過した前記検出光を前記所定面側で検出する構成を採用することができる。これにより、スルーホールを通過した検出光を用いて半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。
【００１２】
前記基板の位置情報を検出するための第２マークを前記基板の表面に設け、前記半導体素子を通過した前記検出光を受光する工程と前記第２マークから発生した光を受光する工程との一方を行った後、他方を行う構成を採用することができる。これにより、第２マークを用いて基板の位置情報を検出することができ、半導体素子と基板との位置決めを良好に行うことができる。
【００１３】
前記基板の位置情報を検出するための第２マークを前記基板の表面に設け、前記半導体素子を通過した検出光を受光する工程と前記第２マークから発生した光を検出する工程とを略同時に行う構成を採用することができる。これにより、第２マークを用いて基板の位置情報を検出することができ、半導体素子と基板との位置決めを良好に行うことができる。
【００１４】
また本発明は、回路面を有する半導体素子を基板の表面に実装する半導体装置の製造装置において、前記半導体素子を保持して移動可能な第１保持部と、前記基板を保持して移動可能な第２保持部と、前記回路面と対向する位置に設けられ、前記回路面に検出光を照射する照射装置と、前記半導体素子の前記回路面とは反対側の所定面と対向する位置に設けられ、前記半導体素子を通過した前記検出光を受光可能な受光装置と、前記受光装置の受光結果に基づいて前記半導体素子の位置情報を検出し、前記検出した位置情報に基づいて、前記第１保持部及び前記第２保持部の少なくとも一方を駆動して前記半導体素子と前記基板とを位置決めし、前記半導体素子の所定面と前記基板の表面とを接続する制御装置とを備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【００１５】
本発明によれば、半導体素子の回路面に検出光を照射する照射装置を設けるとともに、その半導体素子を通過した検出光を回路面とは反対側の所定面と対向する位置で受光する受光装置を設け、その受光結果に基づいて半導体素子の位置情報を検出するようにしたので、基板の表面に対して半導体素子の所定面を接続する所謂フェースアップ実装する際においても、基板の所定位置に対して半導体素子を良好に位置決めすることができる。
【００１６】
前記照射装置は検出光として可視光を照射する構成を採用することができる。これにより、例えば赤外光を照射する装置に比べて照射装置を安価なものにすることができ、装置コストを抑えることができる。
【００１７】
前記受光装置は、前記半導体素子の回路面のうち前記半導体素子の位置情報を検出するための第１マークが設けられた領域を含む所定領域を通過した前記検出光を受光する構成を採用することができる。これにより、第１マークを用いて半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。
【００１８】
前記受光装置は、前記半導体素子の位置情報を検出するための前記半導体素子の前記回路面と前記所定面とを貫通するスルーホールを通過した前記検出光を受光する構成を採用することができる。これにより、スルーホールを通過した検出光を用いて半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。
【００１９】
前記受光装置は、前記基板の位置情報を検出するために前記基板の表面に設けられた第２マークから発生した光を受光可能であり、前記半導体素子の所定面と前記基板の表面との間に配置されている構成を採用することができる。これにより、第２マークを用いて基板の位置情報を検出することができ、半導体素子と基板との位置決めを良好に行うことができる。
【００２０】
前記受光装置は、前記半導体素子を通過した検出光と前記第２マークから発生した光との一方を受光した後、他方を受光する構成を採用することができる。これにより、第２マークを用いて基板の位置情報を検出することができ、半導体素子と基板との位置決めを良好に行うことができる。
【００２１】
前記受光装置は、前記半導体素子を通過した検出光と前記第２マークから発生した光とを略同時に受光可能である構成を採用することができる。これにより、第２マークを用いて基板の位置情報を検出することができ、半導体素子と基板との位置決めを良好に行うことができる。
【００２２】
また本発明は、基板に実装される半導体素子を有する半導体装置において、前記半導体素子に設けられ、該半導体素子の位置情報を検出するためのアライメントマークを有し、前記半導体素子は、前記アライメントマークが設けられた領域を含む所定領域が他の領域よりも薄くなっている半導体装置を提供する。
【００２３】
本発明によれば、半導体素子のうち、アライメントマークが設けられた領域を含む所定領域を他の領域よりも薄くしたので、その薄くした所定領域を通過した検出光を用いて、半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。したがって、半導体素子と基板との位置決めを良好に行うことができる。
【００２４】
前記所定領域は、可視光が通過可能な程度に薄くなっている構成を採用することができる。これにより、検出光として可視光を用いることができ、検出光を照射する照射装置として比較的安価なものを用いることができる。
【００２５】
前記半導体素子は、回路面と該回路面とは反対側の所定面とを有し、前記基板の表面と前記半導体素子の所定面とが接続されるとともに、前記アライメントマークは回路面に設けられている構成を採用することができる。これにより、回路面に設けられたアライメントマークを用いて半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。
【００２６】
また本発明は、基板に実装される半導体素子を有する半導体装置において、前記半導体素子に設けられ、該半導体素子の位置情報を検出するための前記基板の表面に接続される所定面と該所定面とは反対側の回路面とを貫通するスルーホールを有する半導体装置を提供する。
【００２７】
本発明によれば、半導体素子に、半導体素子の位置情報を検出するためのスルーホールを設けたので、そのスルーホールを通過した検出光を用いて、半導体素子の位置情報を良好に検出することができる。したがって、半導体素子と基板との位置決めを良好に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。更には、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２９】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は本実施形態に係る半導体装置の製造装置の一実施形態を示す概略斜視図である。図１において、製造装置ＦＡは、回路面２Ａを有する半導体素子（半導体チップ）２をプリント配線板等の基板１の表面１Ａに実装するものであって、半導体素子２を保持して移動可能な第１保持部１０と、基板１を保持して移動可能な第２保持部２０と、回路面２Ａと対向する位置に設けられ、回路面２Ａに検出光ＫＬを照射する照射装置３０と、半導体素子２の回路面２Ａとは反対側の背面（所定面）２Ｂと対向する位置に設けられ、半導体素子２を通過した検出光ＫＬを受光可能な受光装置４０と、製造装置ＦＡ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
【００３０】
第１保持部１０は、半導体素子２の回路面２Ａの一部の領域を吸着保持する第１吸着部１１と、半導体素子２を吸着保持した第１吸着部１１を駆動する第１駆動部１２とを備えている。第１吸着部１１と第１駆動部１２とは連結部材１３を介して連結されている。第１駆動部１２は、半導体素子２を吸着保持した第１吸着部１１をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向、及びθＺ方向の６自由度の方向に駆動可能である。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、第１駆動部１２を制御することにより、第１吸着部１１に保持された半導体素子２を６自由度の方向に移動可能である。
【００３１】
第２保持部２０は、基板１の裏面を吸着保持する第２吸着部２１と、基板１を吸着保持した第２吸着部２１を駆動する第２駆動部２２とを備えている。第２駆動部２２は、基板１を吸着保持した第２吸着部２１をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向、及びθＺ方向の６自由度の方向に駆動可能である。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、第２駆動部２２を制御することにより、第２吸着部２１に保持された基板１を６自由度の方向に移動可能である。
【００３２】
照射装置３０は、連結部材１３の所定位置に設けられており、第１吸着部１１に保持された半導体素子２の回路面２Ａと対向する位置に設けられている。照射装置３０は、半導体素子２の回路面２Ａのうち、第１吸着部１１に保持された一部の領域以外の領域に検出光ＫＬを照射する。また、照射装置３０は、検出光ＫＬとして可視光を照射する。
【００３３】
受光装置４０は、撮像部４１と、撮像部４１を駆動する第３駆動部４２とを備えている。撮像部４１は、第１保持部１０の第１吸着部１１に保持された半導体素子２の背面２Ｂと、第２保持部２０の第２吸着部２１に保持された基板１の表面１Ａとの間に配置される。撮像部４１は、半導体素子２の画像を撮像可能な第１撮像素子４３と、基板１の画像を撮像可能な第２撮像素子４４とを備えている。第１、第２撮像素子４３、４４は、例えばＣＣＤ等を含んで構成されている。第１撮像素子４３の撮像面は、撮像部４１の上面に設けられており、第１吸着部１１に保持された半導体素子２の背面２Ｂと対向している。第２撮像素子４４の撮像面は、撮像部４１の下面に設けられており、第２吸着部２１に保持された基板１の表面１Ａと対向している。また、受光装置４０は、撮像部４１に設けられた第１、第２撮像素子４３、４４を用いて、半導体素子２の画像と基板１の画像とを略同時に取得可能である。第１、第２撮像素子４３、４４の撮像結果（受光信号）は制御装置ＣＯＮＴに出力される。また、第３駆動部４２は、撮像部４１をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向、及びθＺ方向の６自由度の方向に駆動可能である。したがって、制御装置ＣＯＮＴは、第３駆動部４２を制御することにより、第１、第２撮像素子４３、４４を含む撮像部４１を６自由度の方向に移動可能である。
【００３４】
また、第２保持部２０と並んだ位置には、複数の半導体素子２を保持するチップホルダ５０が設けられている。チップホルダ５０は、半導体素子２の背面２Ｂを保持しており、チップホルダ５０に保持された半導体素子２の回路面２Ａは上方（＋Ｚ方向）を向いている。基板１に半導体素子２を実装する際、制御装置ＣＯＮＴは、第１保持部１０を用いて、チップホルダ５０上の複数の半導体素子２のうち所定の半導体素子２の回路面２Ａを保持し、第２保持部２０に保持されている基板１まで搬送する。
【００３５】
図２（Ａ）は半導体素子２を回路面２Ａ側から見た平面図、図２（Ｂ）は基板１を表面１Ａ側から見た平面図、図３は照射装置３０と半導体素子２と受光装置４０と基板１との位置関係を模式的に示した図である。
【００３６】
図２（Ａ）に示すように、半導体素子２の回路面２Ａの所定位置には、半導体素子２の位置情報を検出するための第１アライメントマーク６１が設けられている。第１アライメントマーク６１は、半導体素子２の回路面２Ａのうち、第１保持部１０の第１吸着部１１で保持される一部の領域以外の領域に設けられている。また、図２（Ｂ）に示すように、基板１の表面１Ａの所定位置には、基板１の位置情報を検出するための第２アライメントマーク６２が設けられている。本実施形態においては、第１アライメントマーク６１、及び第２アライメントマーク６２のそれぞれはほぼ同等の大きさ及び形状を有している。
【００３７】
半導体素子２の回路面２Ａには、例えば金、銀、銅、アルミニウム等の導電性材料からなる導電パターン（配線部）が設けられている。この導電パターンは、例えばフォトリソグラフィ法など、所定の手法を用いて高精度に形成されているが、本実施形態の第１アライメントマーク６１は、これら導電パターン（配線部）と一緒に、同じレイヤに形成されている。すなわち本実施形態においては、第１アライメントマーク６１として導電パターンの一部が用いられており、第１アライメントマークも上述の導電性材料によって形成されている。したがって、第１アライメントマーク６１の形状精度及び位置精度は、導電パターンと同等の高い精度を有している。
【００３８】
図３に示すように、照射装置３０は、第１保持部１０に保持された半導体素子２の回路面２Ａに検出光ＫＬを照射するようになっている。上述のように、第１アライメントマーク６１は、半導体素子２の回路面２Ａのうち、第１保持部１０の第１吸着部１１で保持される一部の領域以外の領域に設けられており、照射装置３０は、回路面２Ａに設けられた第１アライメントマーク６１に検出光ＫＬを照射することができる。なお、図３には第１保持部１０は図示されていない。
【００３９】
半導体素子２は、例えば５０μｍ以下の厚さに形成されており、可視光からなる検出光ＫＬが通過（透過）可能な程度に薄くなっている。本実施形態においては、半導体素子２はシリコン（Ｓｉ）を含んで構成されている。したがって、照射装置３０によって半導体素子２の回路面２Ａに照射された検出光ＫＬは、半導体素子２を通過（透過）した後、背面２Ｂ側から射出され、その背面２Ｂと対向する位置に配置された受光装置４０（第１撮像素子４３）に到達可能である。このように、受光装置４０（第１撮像素子４３）は、半導体素子２を通過した検出光ＫＬを背面２Ｂ側で受光可能となっている。
【００４０】
また、照射装置３０は、回路面２Ａのうち少なくとも第１アライメントマーク６１が設けられた領域を含む所定領域に検出光ＫＬを照射する。受光装置４０（第１撮像素子４３）は、半導体素子２の回路面２Ａのうち第１アライメントマーク６１を含む所定領域を通過した検出光ＫＬを受光することによって、第１アライメントマーク６１の画像を取得可能である。
【００４１】
また、受光装置４０は、第２撮像素子４４を用いて、基板１の位置情報を検出するために基板１の表面１Ａに設けられた第２アライメントマーク６２から発生した光を受光可能である。受光装置４０（第２撮像素子４４）は、第２アライメントマーク６２から発生した光を受光することによって、第２アライメントマーク６２の画像を取得可能である。
【００４２】
なお、本実施形態においては、基板１の表面１Ａに設けられた第２アライメントマーク６２に対して、積極的に照明光（検出光）を照射していないが、第２アライメントマーク６２に照明光を照射する第２の照射装置を設け、この第２の照射装置によって第２アライメントマーク６２に対して積極的に照明光を照射するようにしてもよい。
【００４３】
また、制御装置ＣＯＮＴは、第１保持部１０の第１駆動部１２、第２保持部２０の第２駆動部２２、及び受光装置４０の第３駆動部４２の少なくとも一部を制御することによって、図３に示すように、第１撮像素子４３及び第２撮像素子４４のそれぞれが、第１、第２アライメントマーク６１、６２のそれぞれの画像をほぼ同時に取得できるように、半導体素子２、撮像部４１、及び基板１の位置関係を調整することができる。
【００４４】
なお上述のように、本実施形態においては、第１アライメントマーク６１として導電パターンの一部を用いているが、第１アライメントマーク６１が設けられたレイヤ以外のレイヤのうち、第１アライメントマーク６１と重なる領域には、導電パターン等、第１アライメントマーク６１を含む所定領域を通過した検出光ＫＬを遮るような遮光部は形成されていない。したがって、受光装置４０（第１撮像素子４３）は、第１アライメントマーク６１の画像を良好に取得可能である。
【００４５】
次に、上述の製造装置ＦＡを用いて基板１に半導体素子２を実装する手順について、図４のフローチャート図を参照しながら説明する。
【００４６】
まず、制御装置ＣＯＮＴは、第１保持部１０を用いて、チップホルダ５０に保持されている複数の半導体素子２のうち、基板１に実装すべき所定の半導体素子２を保持し、その半導体素子２をチップホルダ５０より搬出する。また、第２保持部２０の第２吸着部２１には基板１が保持されている。
【００４７】
次いで、制御装置ＣＯＮＴは、第１保持部１０の第１駆動部１２、第２保持部２０の第２駆動部２２、及び受光装置４０の第３駆動部４２の少なくとも一部を制御し、図３に示すように、第１撮像素子４３及び第２撮像素子４４のそれぞれが第１、第２アライメントマーク６１、６２のそれぞれの画像をほぼ同時に取得可能なように、半導体素子２、撮像部４１、及び基板１の位置関係を大まかに調整する。
【００４８】
ここで、製造装置ＦＡは、第１保持部１０に保持された半導体素子２、第２保持部２０に保持された基板１、及び受光装置４０の位置情報を検出するための不図示の検出装置を備えている。制御装置ＣＯＮＴは、検出装置を用いて、検出装置によって規定される座標系内における半導体素子２、基板１、及び受光装置４０のそれぞれの位置情報を検出しつつ、第１保持部１０、第２保持部２０、及び受光装置４０の少なくとも一部を駆動する。
【００４９】
受光装置４０は、第１保持部１０に保持された半導体素子２と第２保持部２０に保持された基板１との間に配置される。本実施形態においては、制御装置ＣＯＮＴは、半導体素子２と基板１との間に受光装置４０を配置した後、その受光装置４０の位置を固定する。
【００５０】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、照射装置３０より、可視光からなる検出光ＫＬを射出し、半導体素子２の回路面２Ａに検出光ＫＬを照射する。半導体素子２は、可視光からなる検出光ＫＬを通過（透過）可能な程度に薄く形成されているため、半導体素子２の回路面２Ａに照射された検出光ＫＬは、半導体素子２を通過した後、背面２Ｂ側より射出される。半導体素子２を通過し、背面２Ｂより射出された検出光ＫＬは、背面２Ｂと対向する位置に設けられている受光装置４０によって、背面２Ｂ側で受光される。
【００５１】
照射装置３０は、半導体素子２の回路面２Ａに設けられた第１アライメントマーク６１を含む所定領域に検出光ＫＬを照射するようになっており、第１アライメントマーク６１を含む所定領域を通過した検出光ＫＬは受光装置４０の第１撮像素子４３に入射する。受光装置４０の第１撮像素子４３は、第１アライメントマーク６１を介した検出光ＫＬを受光することによって、第１アライメントマーク６１の画像を取得する。
【００５２】
また、基板１の表面１Ａに設けられた第２アライメントマーク６２から発生した光は、受光装置４０の第２撮像素子４４に受光される。受光装置４０の第２撮像素子４４は、第２アライメントマーク６２から発生した光を受光することによって、第２アライメントマーク６２の画像を取得する。
【００５３】
こうして、受光装置４０は、第１撮像素子４３及び第２撮像素子４４を用いて、半導体素子２のうち第１アライメントマーク６１を含む所定領域を通過した検出光ＫＬと、第２アライメントマークから発生した光とを略同時に受光することによって、第１アライメントマーク６１と、第２アライメントマーク６２とを同時に検出する（ステップＳＰ１）。
【００５４】
ここで、第１撮像素子４３の撮像面上には所定の第１基準マークが形成されており、第２撮像素子４４の撮像面上には所定の第２基準マークが形成されている。制御装置ＣＯＮＴは、第１撮像素子４３の撮像結果と、検出装置の検出結果とに基づいて、検出装置によって規定される座標系内における第１基準マークに対する第１撮像素子４３の撮像面上に形成された第１アライメントマーク６１の画像の位置関係を求めることができる。同様に、制御装置ＣＯＮＴは、第２撮像素子４３の撮像結果と、検出装置の検出結果とに基づいて、検出装置によって規定される座標系内における第２基準マークに対する第２撮像素子４４の撮像面上に形成された第２アライメントマーク６２の画像の位置関係を求めることができる。
【００５５】
これにより、制御装置ＣＯＮＴは、第１アライメントマーク６１の画像情報、すなわち検出光ＫＬを受光装置４０（第１撮像素子４３）で受光したときの受光結果に基づいて、検出装置によって規定される座標系内における第１アライメントマーク６１の位置情報、ひいては半導体素子２の位置情報を検出することができる。同様に、制御装置ＣＯＮＴは、第２アライメントマーク６２の画像情報、すなわち第２アライメントマーク６２から発生した光を受光装置４０（第２撮像素子４４）で受光したときの受光結果に基づいて、検出装置によって規定される座標系内における第２アライメントマーク６２の位置情報、ひいては基板１の位置情報を検出することができる。
【００５６】
本実施形態においては、第１アライメントマーク６１として、半導体素子２の回路面２Ａに設けられた導電パターン（配線部）の一部を用いているため、回路面２Ａに設けられた導電パターンと同等の精度（位置精度、形状精度等を含む）を有する第１アライメントマーク６１を用いて半導体素子２の位置情報を高精度に検出することができる。
【００５７】
半導体素子２及び基板１のそれぞれの位置情報を検出した後、制御装置ＣＯＮＴは、検出した位置情報に基づいて、第１保持部１０及び第２保持部２０の少なくとも一方を駆動して、半導体素子２と基板１とを位置決めする（ステップＳＰ２）。
【００５８】
具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、検出装置を用いて、検出装置によって規定される座標系における半導体素子２、基板１、及び受光装置４０のそれぞれの位置情報を検出しつつ、第１基準マークと第１撮像素子４３の撮像面上に形成された第１アライメントマーク６１の画像とが所定の位置関係になるとともに、第２基準マークと第２撮像素子４４の撮像面上に形成された第２アライメントマーク６２の画像とが所定の位置関係になるように、第１保持部１０及び第２保持部２０の少なくとも一方を駆動する。本実施形態においては、第１基準マークと第１撮像素子４３の撮像面上に形成された第１アライメントマーク６１の画像とが合致するとともに、第２基準マークと第２撮像素子４４の撮像面上に形成された第２アライメントマーク６２の画像とが合致したとき、基板１の所定位置（半導体素子２が実装されるべき位置）と半導体素子２とが所望の位置関係になったと判断される。
【００５９】
基板１の所定位置（半導体素子２が実装されるべき位置）と半導体素子２とを所望の位置関係にした後、制御装置ＣＯＮＴは、半導体素子２と基板１とのＸＹ方向における位置関係を維持した状態で、第１保持部１０及び第２保持部２０の少なくとも一方を駆動し、第１保持部１０に保持されている半導体素子２の背面２Ｂと第２保持部２０に保持されている基板１の表面１Ａとを接近させ、接着剤等を介して、半導体素子２の背面２Ｂと基板１の表面１Ａとを接続する（ステップＳＰ３）。これにより、基板１の表面１Ａに半導体素子２が実装される。半導体素子２は、その回路面２Ａを上に向けた状態で基板１に対して所謂フェースアップ実装される。
【００６０】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、半導体素子２の回路面２Ａに設けられた接続端子と、基板１に設けられた基板側端子とを配線で電気的に接続する（ステップＳＰ４）。基板１に半導体素子２を実装した後、半導体素子２の回路面２Ａに設けられた接続端子と、基板１に設けられた基板側端子とを配線で電気的に接続することによって、半導体装置が形成される。
【００６１】
図５は、基板１に実装された半導体素子２を有する半導体装置Ｓを示す概略斜視図である。半導体素子２は接続端子３を有している。接続端子３は半導体素子２の回路面２Ａに設けられている。半導体素子２は平面視略矩形状であり、接続端子３は回路面２Ａの一辺に沿って複数並んで設けられている。回路面２Ａは半導体素子２の上面であり、接続端子３は、矩形状の回路面２Ａの−Ｘ側の一辺に沿ってＹ軸方向に複数並んで設けられている。接続端子３の表面３Ａは回路面２Ａにおいて露出しており、回路面２Ａは接続端子３の表面３Ａを含んだ構成となっている。
【００６２】
半導体素子２は、回路面２Ａとは反対側の背面２Ｂを基板１の表面１Ａに接続することによって、基板１に実装される。基板１は基板側端子（外部端子）４を備えている。基板側端子４は基板１の表面１Ａに設けられている。基板側端子４は、接続端子３に対応するように、Ｙ軸方向に複数並んで設けられている。
【００６３】
半導体素子２の回路面２Ａと基板１の表面１Ａとは傾斜面５によって接続される。半導体素子２の側方には、この半導体素子２を囲むように絶縁性樹脂が設けられており、この絶縁性樹脂によって傾斜面５が形成される。
【００６４】
半導体素子２に設けられた接続端子３と基板１に設けられた基板側端子４とは配線（導電膜）６を介して電気的に接続される。配線６を形成する材料（導電性材料）としては、例えば金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル等を用いることができる。配線６の一部は傾斜面５に設けられている。傾斜面５によって、半導体素子２の回路面２Ａと基板１の表面１Ａとの間において大きな段差が無くなっている。段差を無くすことにより、半導体素子２の回路面２Ａに設けられた接続端子３と基板１の表面１Ａに設けられた基板側端子４とを電気的に接続するための配線６の曲げによる切断などの不都合が防止されている。
【００６５】
このように、半導体素子２は、その回路面２Ａを上に向け、その背面２Ｂを基板１に接続しており、所謂フェースアップ実装の形態で、基板１に接続される。
【００６６】
半導体素子２の背面２Ｂと基板１の表面１Ａとを接続した後、半導体素子２の回路面２Ａと基板１の表面１Ａとを接続する傾斜面５が設けられる。傾斜面５は、例えば、絶縁性樹脂を基板１上に塗布した後、フォトリソグラフィ法等の所定のパターニング方法で形成可能である。
【００６７】
次に、半導体素子２の回路面２Ａに設けられた接続端子３と基板１の表面１Ａに設けられた基板側端子４とを電気的に接続するための配線６が形成される。配線６は後述する液滴吐出装置ＩＪを用いて、液滴吐出法（インクジェット法）に基づいて形成される。以上により、半導体装置Ｓが製造される。
【００６８】
以上説明したように、半導体素子２の回路面２Ａに照射され、その半導体素子２を通過した検出光ＫＬを背面２Ｂ側で受光し、その受光結果に基づいて半導体素子２の位置情報を検出するようにしたので、基板１の表面１Ａに対して半導体素子２の背面２Ｂを接続する所謂フェースアップ実装する際においても、基板１の所定位置に対して半導体素子２を良好に位置決めすることができる。
【００６９】
また、検出光ＫＬとして可視光を用い、可視光が通過可能な程度に半導体素子２を薄くしたので、検出光ＫＬは半導体素子２のうち薄くした領域を良好に通過（透過）することができる。また、検出光ＫＬとして可視光を用いることにより、検出光ＫＬとして例えば赤外光を照射する照射装置よりも、比較的安価な照射装置を用いることができる。したがって、装置コストを低減できる。
【００７０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００７１】
図６において、半導体素子２は、第１アライメントマーク６１が設けられた領域を含む所定領域Ａが他の領域よりも薄くなっている。第１アライメントマーク６１は、半導体素子２の回路面２Ａに設けられている。半導体素子２はシリコン（Ｓｉ）を含んで構成されている。所定領域Ａの厚さは、可視光からなる検出光ＫＬが通過（透過）可能な程度の厚さ（例えば５０μｍ以下）に設定されている。一方、他の領域は、例えば１００μｍ程度の厚さを有している。すなわち、上述の第１実施形態では、半導体素子２全体の厚さを可視光が通過可能な程度に薄くしているが、図６に示すように、第１アライメントマーク６１を含む所定領域Ａの厚さのみを可視光が通過可能な程度に薄くしてもよい。
【００７２】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。図７において、半導体素子２は、この半導体素子２の位置情報を検出するための回路面２Ａと背面２Ｂとを貫通するスルーホール６３を有している。制御装置ＣＯＮＴは、照射装置３０より検出光ＫＬを半導体素子２の回路面２Ａのうちスルーホール６３を含む所定領域に照射し、スルーホール６３を通過した検出光ＫＬを、背面２Ｂ側に設けられた受光装置４０によって検出する。このように、スルーホール６３を用いることによっても、半導体素子２の位置情報を検出することができる。この場合、半導体素子２の厚さが、可視光を通過不能な程度に厚くても（例えば１００μｍ程度）、回路面２Ａに照射した検出光ＫＬを、背面２Ｂ側で受光することができる。
【００７３】
また、半導体素子２の各レイヤを形成するとき、各レイヤ間の導電パターンを電気的に接続するために、例えばフォトリソグラフィ法等の所定の手法を用いてスルーホール（コンタクトホール）を形成し、そのスルーホール内に導電性材料を配置する場合があるが、半導体素子２の位置情報を検出するためのスルーホール６３を、上述のスルーホール（コンタクトホール）と同一の工程で形成することができる。したがって、上述のスルーホール（コンタクトホール）と同等の精度（位置精度、形状精度等を含む）を有するスルーホール６３を用いて半導体素子２の位置情報を高精度に検出することができる。
【００７４】
図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、スルーホール６３の一例を説明するための図である。図８（Ａ）に示すように、スルーホール６３は平面視略十字状であってもよい。また、図８（Ｂ）に示すように、スルーホール６３は平面視略円形状であってもよい。また、スルーホール６３は図８に示す形状に限らず、例えば平面視矩形状など、任意の形状を採用することができる。
【００７５】
＜第４実施形態＞
上述の実施形態においては、受光装置４０は、撮像部４１の上面に設けれた第１撮像素子４３の撮像面と、下面に設けられた第２撮像素子４４の撮像面とを有しており、半導体素子２を通過した検出光ＫＬと基板１の第２アライメントマーク６２から発生した光とを略同時に受光しているが、半導体素子２を通過した検出光ＫＬと基板１の第２アライメントマーク６２から発生した光との一方を受光した後、他方を受光することによって、半導体素子２及び基板１の位置情報を検出するようにしてもよい。例えば、撮像部４１の一方の面（例えば上面）のみに撮像素子の撮像面を設けておき、受光装置４０は、その撮像素子で半導体素子２を通過した検出光ＫＬを受光することによって、第１アライメントマーク６１（又はスルーホール６３）の位置情報を検出する。ここで、受光装置４０は、撮像部４１を回転させる回転機構を備えており、第１アライメントマーク６１（又はスルーホール６３）を検出した後、回転機構を用いて撮像部４１を回転し、撮像素子の撮像面を基板１の第２アライメントマーク６２に対向させる。この状態で、受光装置４０は、撮像部４１に設けられた撮像素子を用いて、第２アライメントマーク６２を検出する。このように、半導体素子２を通過した検出光ＫＬと基板１の第２アライメントマーク６２から発生した光との一方を受光した後、他方を受光することによっても、半導体素子２及び基板１の位置情報を検出することができる。
【００７６】
なお上述の第１〜第４実施形態においては、照射装置３０は半導体素子２の回路面２Ａと対向する位置に設けられているが、照射装置３０を背面２Ｂと対向する位置に設け、背面２Ｂ側から検出光ＫＬを照射するようにしてもよい。
【００７７】
＜液滴吐出装置＞
上述のように、半導体素子２の接続端子３と基板１の基板側端子４とを電気的に接続する配線６は液滴吐出法に基づいて形成される。以下、液滴吐出装置及び液滴吐出方法の一例について説明する。
【００７８】
図９は、液滴吐出方法（インクジェット法）に用いられる液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪの概略構成を示す斜視図である。液滴吐出装置ＩＪは、半導体装置Ｓを製造する製造装置ＦＡの一部を構成する。液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）のノズルから液体材料の液滴を吐出するものであり、液滴吐出ヘッド３０１、Ｘ軸方向駆動軸３０４、Ｙ軸方向ガイド軸３０５、制御装置ＣＯＮＴ、ステージ３０７、クリーニング機構３０８、基台３０９、及びヒータ３１５等を含んで構成される。
【００７９】
ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料（インク）が配置される半導体素子２及び傾斜面５を含む基板１を支持するものであって、基板１を基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００８０】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズル３２５を備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とが一致している。複数のノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板１に対して液体材料が吐出される。
【００８１】
Ｘ軸方向駆動軸３０４には、Ｘ軸方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
【００８２】
Ｙ軸方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ軸方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ軸方向に移動する。
【００８３】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００８４】
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００８５】
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板１を熱処理する手段であり、基板１上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００８６】
図１０は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドの概略構成図である。図１０において、液体材料（インク）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させて液体室３２１を弾性変形させる。そして、この弾性変形時の内容積の変化によってノズル３２５から液体材料が吐出されるようになっている。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量を制御することができる。
【００８７】
また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度を制御することができる。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００８８】
図９に戻り、液滴吐出装置ＩＪでは、液滴吐出ヘッド３０１と基板１を支持するステージ３０７とを相対的に走査移動しつつ液滴吐出ヘッド３０１から基板１（半導体素子２）に対して液体材料を液滴状に吐出する。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズル３２５は、少なくとも非走査方向であるＸ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図９中、Ｙ軸方向が走査方向となっている。図９では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板１の移動方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板１の移動方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することができる。また、基板１とノズル面との距離を任意に調節できるようにしてもよい。
【００８９】
配線６を形成する際には、半導体素子２と液滴吐出ヘッド３０１とを相対的に移動しつつ、液滴吐出ヘッド３０１から、接続端子３の表面３Ａを含む半導体素子２の回路面２Ａ、傾斜面５、及び基板側端子４を含む基板１の表面１Ａのそれぞれに対して、導電性材料を含む液体材料の液滴を吐出することによって、接続端子３と基板側端子４とを電気的に接続する配線６を形成することができる。液滴吐出ヘッド３０１に設けられたノズル３２５から１滴あたりの液量が制御された導電性材料を含む液体材料を吐出することによって、所望の線幅を有する配線６を形成することができる。
【００９０】
液滴吐出ヘッド３０１から複数の液滴を吐出して液体材料（導電性材料）の配置を行うことにより、導電性材料を含む導電膜（配線）６の形状が任意に設定可能となるとともに、膜の積層による導電膜（配線）６の厚膜化が可能となる。例えば、導電性材料を半導体素子２や基板１上に配置する工程と、導電性材料を乾燥する工程とを繰り返すことにより、導電性材料の乾燥膜が積層されて導電膜６が厚膜化される。また、液滴吐出ヘッド３０１に設けられた複数のノズル３２５から導電性材料を含む液滴を滴下することにより、複数の配線６を同時に形成することができる。
【００９１】
液滴吐出法に基づいて配線６を形成することにより、半導体素子２や傾斜面５、あるいは基板１上の所望の局所領域に材料を配置することが可能であるから、フォトリソグラフィ法等に比べて膜形成のプロセスが簡素であるとともに使用材料に無駄が少ない。また、その材料配置の量や配置のタイミングを部分ごとに制御することが可能であるから使用材料の特性に応じて材料膜の厚膜化を図りやすい。したがって、配線６の厚膜化により品質の安定化が図られるとともに、製造プロセスの簡素化や使用材料の低減により低コスト化を図ることができる。
【００９２】
ここで、本例で用いられる、液滴吐出ヘッド３０１からの吐出に好適なインク（液体材料）について説明する。本実施形態で用いるインク（液体材料）は、樹脂材を溶媒に溶解させた溶解液（樹脂突起の液体材料）、または導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（導電膜の液体材料）、若しくはその前駆体からなるものである。導電性微粒子として、例えば金、銀、銅、パラジウム、ニオブ及びニッケル等を含有する金属微粒子の他、これらの前駆体、合金、酸化物、並びに導電性ポリマーやインジウム錫酸化物等の微粒子などが用いられる。溶媒や分散媒としては、上記の樹脂を溶解または上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。
【００９３】
図１１は、インクジェット法を用いて基板上に線状の膜パターンを形成する工程の一例を示す模式図である。各図に示す材料配置工程では、ヘッド３０１から液体材料を液滴にして吐出し、その液滴を一定の距離（ピッチ）ごとに基板１上に配置する。そして、この液滴の配置動作を繰り返すことにより、基板１上に膜パターンを形成する。
【００９４】
図１１の例では、まず、図１１（ａ）に示すように、ヘッド３０１から吐出した液滴Ｌ１を、液滴Ｌ１同士が基板１上で互いに接しないように、一定の間隔をあけて基板１上に配置する。すなわち、基板１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きいピッチＰ１で基板１上に液滴Ｌ１を順次配置する。
【００９５】
半導体素子２を含む基板１上に液滴Ｌ１を配置した後、溶媒または分散媒の除去を行うため、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを使用することができる。また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板を予め加熱しておいたり、液体吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い溶媒や分散媒を使用したりすることにより、基板に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。
【００９６】
次に、図１１（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作を繰り返す。すなわち、図１１（ａ）に示した前回と同様に、ヘッド３０１から液体材料を液滴Ｌ２にして吐出し、その液滴Ｌ２を一定距離ごとに基板１に配置する。このとき、液滴Ｌ２同士の距離間隔は、前回と同じ（ピッチＰ２＝Ｐ１）であり、液滴Ｌ２同士は互いに接しない。また、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を前回の液滴Ｌ１が配置されている位置から所定距離Ｓ１だけずらす。すなわち、基板１上に配置された前回の液滴Ｌ１の中心位置と、今回の液滴Ｌ２の中心位置とは上記距離Ｓ１だけ離れた位置関係となる。このずらす距離（シフト量Ｓ１）は、本実施形態例では、上記ピッチＰ１，Ｐ２よりも狭く（Ｓ１＜Ｐ１＝Ｐ２）、かつ先に基板１に配置された液滴Ｌ１に次の液滴Ｌ２が一部重なるように定められている。
【００９７】
液滴Ｌ２を基板１上に配置する際、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに溶媒や分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板１上で広がることは少ない。
【００９８】
なお、図１１（ｂ）では、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を、前回と同じ側（図１１（ｂ）に示す左側）としているが、逆側（図１１（ｂ）に示す右側）としてもよい。この場合、ヘッド３０１と基板１との相対移動の距離を少なくできる。
【００９９】
また、液滴Ｌ２を基板１上に配置した後、溶媒や分散媒の除去を行うために、前回と同様に、必要に応じて乾燥処理を行う。この場合も、溶媒や分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、溶媒や分散媒をある程度除去できれば十分である。
【０１００】
この後、図１１（ｃ）に示すように、上述した液滴の配置動作を複数回繰り返す。各回において、配置する液滴Ｌｎ同士の距離間隔（ピッチＰｎ）は、最初の回の距離と同じ（ピッチＰｎ＝Ｐ１）で、常に一定である。そのため、基板１上に配置した直後の液滴Ｌｎ同士が接することはなく、液滴同士が合体して基板１上で広がることが抑制される。なお、基板１の表面が予め撥液性に加工されていることにより、基板１上に配置した液滴の広がりが抑制される。そして、液滴同士が上下に重ねて配置されることにより、基板１上に配置された液体材料の厚みが増す。
【０１０１】
また、図１１（ｃ）において、液滴の配置動作を複数回繰り返す際、各回ごとに、液滴Ｌｎの配置を開始する位置を、前回の液滴が配置された位置から所定距離だけずらす。この液滴の配置動作の繰り返しにより、基板１上に配置された液滴同士の隙間が埋まり、線状の連続したパターンが形成される。なお、基板上に形成される膜パターンは、常に同じピッチによる液滴配置によって形成され、全体がほぼ等しい形成過程を経ているため、構造が均質なものとなる。
【０１０２】
ところで、液体材料（インク）を、半導体素子２や傾斜面５、あるいは基板１上に配置するにあたり、半導体素子２や傾斜面５を含む基板１の表面を予め液体材料に対して撥液性に加工することにより、基板１上に配置した液滴の広がりを抑制でき、膜の厚膜化及び形状の安定化が図られる。表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、特開２００２−１６４６３５号公報に開示されているような、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法を用いることができる。あるいはプラズマ処理法を用いることもできる。
【０１０３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】半導体装置の製造装置の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】半導体素子及び基板の一例を示す平面図である。
【図３】半導体装置の製造装置の一実施形態を説明するための模式図である。
【図４】半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するためのフローチャート図である。
【図５】半導体装置の一例を示す概略斜視図である。
【図６】半導体装置の製造装置の別の実施形態を説明するための模式図である。
【図７】半導体装置の製造装置の別の実施形態を説明するための模式図である。
【図８】半導体素子の一例を示す平面図である。
【図９】液滴吐出装置を示す概略斜視図である。
【図１０】液滴吐出ヘッドを説明するための図である。
【図１１】液滴吐出法に基づく導電膜の形成工程の一例を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１…基板、１Ａ…表面、２…半導体素子、２Ａ…回路面、２Ｂ…背面（所定面）、１０…第１保持部、２０…第２保持部、３０…照射装置、４０…受光装置、６１…第１アライメントマーク（第１マーク）、６２…第２アライメントマーク（第２マーク）、６３…スルーホール、Ａ…所定領域、ＣＯＮＴ…制御装置、ＦＡ…製造装置、ＫＬ…検出光、Ｓ…半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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