(57)【要約】【課題】センサ感度を高く維持したままで小型化・薄型化可能な３軸加速度センサモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の３軸加速度センサモジュール１００は、重錘体２２と、重錘体２２を自由下垂状態に支持する重錘体支持部１５と、重錘体２２及び重錘体支持部１５と所定間隔をおいて外側に設けられた枠２３と、枠２３と重錘体支持部１５とを連結するよう設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子１３が設けられた複数の可撓性の梁とを備える３軸加速度センサ１をセンサ駆動ＩＣ４０とともにパッケージ３０内にモジュール化してなる。パッケージ３０の底面には、３軸加速度センサ１が通過可能な貫通孔３２が備えられ、３軸加速度センサ１の底面は、貫通孔３２を通してセンサ駆動ＩＣ４０に直接接合されるとともに、センサ駆動ＩＣ４０がパッケージ３０の底面３１に接合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
重錘体と、該重錘体を自由下垂状態に支持する重錘体支持部と、前記重錘体および前記重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠と、該枠と前記重錘体支持部とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子が設けられた複数の可撓性の梁とを備える３軸加速度センサを該３軸加速度センサのセンサ駆動ＩＣとともにパッケージ内にモジュール化してなる３軸加速度センサモジュールであって、
前記パッケージの底面には、前記３軸加速度センサが通過可能な貫通孔が備えられ、前記３軸加速度センサの底面は、前記貫通孔を通して前記センサ駆動ＩＣに直接接合されるとともに、前記センサ駆動ＩＣが前記パッケージの前記貫通孔以外の部分に接合されていることを特徴とする３軸加速度センサモジュール。
【請求項２】
前記３軸加速度センサの前記底面は、前記枠のみから構成され、前記センサ駆動ＩＣと前記３軸加速度センサが接合している状態において、前記重錘体の底面と前記センサ駆動ＩＣの表面の間に所定長のギャップを有する請求項１に記載の３軸加速度センサモジュール。
【請求項３】
前記所定長は、５〜２０μｍである請求項２に記載の３軸加速度センサモジュール。
【請求項４】
前記重錘体は、シリコンより比重が大きい材料から構成される請求項１ないし３のいずれかに記載の３軸加速度センサモジュール。
【請求項５】
重錘体と、該重錘体を自由下垂状態に支持する重錘体支持部と、前記重錘体および前記重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠と、該枠と前記重錘体支持部とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子が設けられた複数の可撓性の梁とを備える３軸加速度センサを該３軸加速度センサの駆動ＩＣとともにパッケージ内にモジュール化してなる３軸加速度センサモジュールの製造方法であって、
前記３軸加速度センサを形成する工程と、
前記パッケージの底面に、前記３軸加速度センサが通過可能な貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を封止するように、前記パッケージ上に前記駆動ＩＣを接合する工程と、
前記貫通孔を通して前記３軸加速度センサを前記駆動ＩＣ上に接合する工程と、
を有することを特徴とする３軸加速度センサモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記３軸加速度センサ形成工程は、
半導体基板に一方の表面に複数の前記ピエゾ抵抗素子を形成する工程と、
前記重錘体を支持する前記重錘体支持部および該重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた前記枠の一部とを前記半導体基板の他方の表面に形成するとともに、前記重錘体支持部と前記枠とを連結するように設けられた複数の可撓性の前記梁を形成する工程と、
シリコンより比重が大きい材料からなる基板の一方の表面に、所定の深さを有するギャップを形成する工程と、
前記重錘体支持部および前記枠の一部が形成された前記半導体基板の面に、前記基板の前記ギャップと反対の表面を接合する工程と、
前記基板の一部を除去することにより、前記枠と、前記重錘体支持部に自由下垂状態に支持された前記重錘体とを形成する工程と、
を含む請求項５に記載の３軸加速度センサモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記シリコンより比重が大きい材料は、パイレックスガラスである請求項６に記載の３軸加速度センサモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３軸加速度センサモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、３軸方向の加速度を検出することができる３軸加速度センサとして、可撓性を有する複数の薄肉の梁と、この複数の梁によって揺動自在に、すなわち、自由下垂状態に支持される重錘体と、複数の梁上に設けられている複数のピエゾ抵抗素子を金属配線によって接続することにより構成されるブリッジ回路とを備えたものが知られている。
【０００３】
このような３軸加速度センサでは、重錘体が自由下垂状態で支持されるように、台座部分に予めギャップを形成し、それによって、重錘体の過度の変位を抑制するような構成が一般的であり、３軸加速度センサモジュールとして構成する場合には、３軸加速度センサの他、この３軸加速度センサを駆動するセンサ駆動ＩＣや抵抗素子、コンデンサなどの各種素子などをモジュール基板（パッケージ）に一体的に形成している（半導体加速度センサをモジュール化しているものとして、例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平２０００−１０５２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような従来の３軸加速度センサモジュールでは、モジュール基板上に３軸加速度センサなどの各構成要素を平面的に配置することにより、薄型化は可能であるが、その分設置面積が大きくなり、モジュール全体として小型化することが困難である。逆に、モジュール基板（パッケージ）の両面に３軸加速度センサとセンサ駆動ＩＣなどとを積層するような構造とした場合、設置面積を小型化できるものの、モジュール全体を薄型化することが困難である。
【０００６】
また、従来の３軸加速度センサは、重錘体の十分な移動を担保しつつ、過度の移動による破損を防止するために予めギャップを形成した台座を備えることで、３軸加速度センサ自体の薄型化の妨げにもなっていた。
【０００７】
本発明は、これらの問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、３軸加速度センサとセンサ駆動ＩＣとをモジュール基板（パッケージ）の貫通孔を通して直接接合することにより、１パッケージ化することができるとともに、小型化・薄型化可能な３軸加速度センサモジュールおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一面において、本発明の３軸加速度センサモジュールは、重錘体と、該重錘体を自由下垂状態に支持する重錘体支持部と、前記重錘体および前記重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠と、該枠と前記重錘体支持部とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子が設けられた複数の可撓性の梁とを備える３軸加速度センサを該３軸加速度センサのセンサ駆動ＩＣとともにパッケージ内にモジュール化してなる３軸加速度センサモジュールであって、
前記パッケージの底面には、前記３軸加速度センサが通過可能な貫通孔が備えられ、前記３軸加速度センサの底面は、前記貫通孔を通して前記センサ駆動ＩＣに直接接合されるとともに、前記センサ駆動ＩＣが前記パッケージの前記貫通孔以外の部分に接合されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、３軸加速度センサモジュールがこのような構成をとることにより、パッケージ（モジュール基板）の厚み分も省略することができるので、３軸加速度センサモジュールを効率的に小型化・薄型化することができる。
【００１０】
また、本発明の３軸加速度センサモジュールでは、前記３軸加速度センサの前記底面は、前記枠のみから構成され、前記センサ駆動ＩＣと前記３軸加速度センサが接合している状態において、前記重錘体の底面と前記センサ駆動ＩＣの表面の間に所定長のギャップを有することが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、重錘体の下部にギャップを設けることにより、３軸加速度センサの枠部分を直接センサ駆動ＩＣに接合する構成としているので、台座部分の高さ（厚み）を省略することができ、このような構成を有する３軸加速度センサモジュールを更に効率よく小型化・薄型化することができる。
【００１２】
さらに、前記所定長は、５〜２０μｍであることが好ましい。重錘体の底部とパッケージ面との間にこの程度のギャップが存在することにより、３軸加速度センサの測定可能領域の加速度において、重錘体が十分に揺動することができるとともに、重錘体の過度の移動を抑制することができる。
【００１３】
また、本発明の３軸加速度センサモジュールでは、前記重錘体は、シリコンより比重が大きい材料から構成されるのが好ましい。これにより、所定長のギャップを構成するために、重錘体の底部が一部取り除かれているとしても、十分なセンサ感度を確保することができるとともに、３軸加速度センサを小型化・薄型化することができる。
【００１４】
また、本発明の別の面において、本発明の３軸加速度センサモジュールの製造方法は、
重錘体と、該重錘体を自由下垂状態に支持する重錘体支持部と、前記重錘体および前記重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた枠と、該枠と前記重錘体支持部とを連結するように設けられ、それぞれに所定数のピエゾ抵抗素子が設けられた複数の可撓性の梁とを備える３軸加速度センサを該３軸加速度センサのセンサ駆動ＩＣとともにパッケージ内にモジュール化してなる３軸加速度センサモジュールの製造方法であって、
前記３軸加速度センサを形成する工程と、
前記パッケージの底面に、前記３軸加速度センサが通過可能な貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を封止するように、前記パッケージ上に前記センサ駆動ＩＣを接合する工程と、
前記貫通孔を通して前記３軸加速度センサを前記センサ駆動ＩＣ上に接合する工程と、
を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の３軸加速度センサモジュールの製造方法によれば、貫通孔を通して３軸加速度センサとセンサ駆動ＩＣとを接合する構成としているので、小型化・薄型化された３軸加速度センサを製造することができる。
【００１６】
また、本発明の３軸加速度センサの製造方法では、前記３軸加速度センサ形成工程は、
半導体基板に一方の表面に複数の前記ピエゾ抵抗素子を形成する工程と、
前記重錘体を支持する前記重錘体支持部および該重錘体支持部と所定間隔をおいて外側に設けられた前記枠の一部とを前記半導体基板の他方の表面に形成するとともに、前記重錘体支持部と前記枠とを連結するように設けられた複数の可撓性の前記梁を形成する工程と、
シリコンより比重が大きい材料からなる基板の一方の表面に、所定の深さを有するギャップを形成する工程と、
前記重錘体支持部および前記枠の一部が形成された前記半導体基板の面に、前記基板の前記ギャップと反対の表面を接合する工程と、
前記基板の一部を除去することにより、前記枠と、前記重錘体支持部に自由下垂状態に支持された前記重錘体とを形成する工程と、
を含むのが好ましい。
【００１７】
本発明の３軸加速度センサモジュールの製造方法では、３軸加速度センサ形成工程において予めギャップを形成した台座部を形成して接合する工程を省略することができるので、製造工程を簡略化することができるとともに、重錘体がシリコンよりも比重の大きい材料から構成されるので、センサ感度を高く維持したまま、３軸加速度センサモジュールをさらに小型化・薄型化することができる。
【００１８】
また、本発明の３軸加速度センサモジュールの製造方法では、前記シリコンより比重が大きい材料は、パイレックスガラス（「パイレックス」は登録商標）であるのが好ましい。通常、パッケージの材料としては、プラスチック、金属、ガラスエポキシ、セラミックなどが用いられるが、３軸加速度センサの枠部分がパイレックスガラスから構成される場合には、センサ駆動ＩＣがシリコン材料から通常構成されるので、熱膨張率の違いに起因する界面付近の応力が生じることがなく、３軸加速度センサモジュールの温度特性を良好なものとすることができる（すなわち、使用温度がある程度高温又は低温であったとしても、応力によるオフセット電圧を低減することができる）。
【００１９】
上述したおよび他の本発明の目的、構成および利点は、添付図面を参照して行う以下の好適実施形態の説明からより明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の３軸加速度センサモジュールについて、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の３軸加速度センサモジュールの縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００２２】
本発明の３軸加速度センサモジュール１００は、主として、３軸加速度センサ１と、この３軸加速度センサ１を駆動するためのセンサ駆動ＩＣ４０と、パッケージ３０とから構成される。
【００２３】
３軸加速度センサ１は、図１に示すように、重錘体支持部１５を備えるシリコン基板（半導体基板）１０と、この重錘体支持部１５に自由下垂状態で支持される重錘体２２と、この重錘体２２を取り囲むように、重錘体２２と所定間隔をおいて外側に設けられる枠２３とを備えている。
【００２４】
シリコン基板１０では、図示していないが、重錘体支持部１５は、４本の梁によって支持されており、各梁には、所定数量のピエゾ抵抗素子１３（図１の断面では、４つのピエゾ抵抗素子１３を示している）がその表面付近に設けられている。ここで、所定方向の加速度がこの３軸加速度センサ１に加えられると、重錘体２２が対応する方向に揺動し、それによって、所定のピエゾ抵抗素子１３が弾性変形して、その抵抗値が変化する。この３軸加速度センサ１は、ピエゾ抵抗素子１３の抵抗変化をブリッジ回路により検出して、３軸方向の加速度を検出することができるものである。
【００２５】
重錘体２２および枠２３は、本実施形態では、パイレックスガラスから構成される。パイレックスガラスは、シリコンよりも比重が大きいので、重錘体２２をシリコンから構成した場合に比べ、３軸加速度センサ１のセンサ感度を高いものとすることができる。なお、重錘体２２および枠２３の構成材料は、パイレックスガラスに限定されず、シリコンよりも比重が大きければよいが、後述する３軸加速度センサ１の製造工程（すなわち、３軸加速度センサモジュール１００の製造方法の一工程）を考慮すると、透明か半透明の物質を用いるのが好ましい。
【００２６】
また、図１に示すように、この３軸加速度センサ１は、枠２３を介してセンサ駆動ＩＣ４０に接合されており、３軸加速度センサ１をセンサ駆動ＩＣ４０の平坦な表面上に設置した状態において、重錘体２２とセンサ駆動ＩＣ４０の底面との間には、所定長のギャップが存在している。このように、３軸加速度センサ１は所定長のギャップを有することにより、重錘体支持部１５によって重錘体２２を自由下垂状態に支持することができる。なお、このような構成とすることにより、重錘体２２の揺動を十分に担保することができるとともに、重錘体２２の過度の移動を抑制することができる。このような観点から、このギャップは、５〜２０μｍ程度の長さであるのが好ましい。
【００２７】
なお、図示していないが、シリコン基板１０の上面では、梁上の複数のピエゾ抵抗素子１３は、アルミ配線（金属配線）によって相互に接続されており、端部においてはこれらのピエゾ抵抗素子１３の抵抗値を出力するための複数のアルミパッド（電極パッド）に接続されている。また、各アルミパッド（図示せず）は、ワイヤボンディングにより電極パッドなどを介してセンサ駆動ＩＣ４０に接続されている。
【００２８】
図１に示すように、パッケージ３０は、３軸加速度センサ１およびセンサ駆動ＩＣ４０をその中に納められる程度の大きさを有する筒状態であり、筒状の内側の概ね中間当たりにパッケージ３０の内空間を２つに分ける仕切り板（パッケージ３０の底面）３１を備えている。本発明の３軸加速度センサモジュール１００では、この底面３１には、図示のように、３軸加速度センサ１が通過可能な（通り抜けることができる）貫通孔３２が備えられ、３軸加速度センサ１の底面が、この貫通孔３２を通して、パッケージ３０の下方に通り抜け、３軸加速度センサ１の枠２３の底面をセンサ駆動ＩＣ４０の一方の面に接合するよう構成されている。
【００２９】
なお、センサ駆動ＩＣ４０の表面積は、貫通孔３２の大きさよりも大きくなるよう構成され、センサ駆動ＩＣ４０は、この貫通孔３２を封止するように、仕切り板３１の貫通孔３２以外の部分と接合されている。ここで、図１の３軸加速度センサ１の上部には防塵のために蓋など設けているのが好ましく、また、同様に、センサ駆動ＩＣ４０下部は、モールディングされているのが好ましい。この場合、センサ駆動ＩＣ４０は、このモールディングにより、図中上方に押圧されて固定されていてもよく、このように押圧されているのであれば、センサ駆動ＩＣ４０を仕切り板３１に接合していなくてもよい。
【００３０】
次に、本発明の３軸加速度センサモジュール１００の製造方法における３軸加速度センサ１の製造工程を、図２および図３を用いて、詳細に説明する。図２および図３は、図１の３軸加速度センサモジュールを構成する３軸加速度センサの製造方法を示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図２および図３中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００３１】
まず、図２（ａ）に示すようなシリコン基板１０を用意する。本実施形態では、シリコン基板１０の厚さは、例えば、２００μｍである。
【００３２】
シリコン基板１０を酸化性雰囲気中で加熱することによって、シリコン基板１０の上下面にシリコン酸化層１１および１２を形成する。なお、シリコン酸化層１１および１２の厚さは、それぞれ０．５〜３．０μｍであることが好ましい。シリコン酸化層１１の形成後、このシリコン酸化層１１側から不純物、例えばボロンを注入し、熱処理を行うことで不純物をシリコン基板１０中に拡散させる。これにより、図２（ｂ）に示すように、シリコン酸化層１１とシリコン基板１０との界面近傍に複数のピエゾ抵抗素子１３（この断面図では、４つ）を形成する（ピエゾ抵抗素子形成工程）。
【００３３】
形成したピエゾ抵抗素子１３の概ね下方に位置するシリコン酸化層１２の一部をエッチングにより除去し、シリコン基板１０のシリコン酸化層１２に覆われていない部分を再度エッチングすることにより、図２（ｃ）に示すような断面略台形の凹部１４を形成する。
【００３４】
次いで、シリコン酸化層１１上の規定部分（すなわち、梁になる部分）に、フォトリソグラフィーによりレジスト層（図示せず）を形成し、レジスト層の存在しない部分のシリコン酸化層１１をエッチングにより除去する。これにより、図２（ｄ）に示すように、枠部分（枠の一部）と重錘体支持部１５とを連結する複数の可撓性の梁を形成する（梁形成工程）。なお、図示のように、梁部分はピエゾ抵抗素子１３の抵抗値が加速度によって変化するよう、すなわち、加速度によってピエゾ抵抗素子１３部分が弾性変形をするように、十分に薄くなっており、本実施形態では、その厚さは１４μｍ程度である。
【００３５】
なお、図示を省略したが、複数のピエゾ抵抗素子１３を形成した後、シリコン酸化層１１の上面側からアルミニウムを蒸着させて、蒸着したアルミニウム層上にパターニングを行った後、エッチングすることにより、アルミ配線（金属配線）およびアルミパッド（図示せず）を形成している。
【００３６】
次に、シリコンより比重が大きいパイレックスガラスからなるガラス基板２０を用意し、図３（ａ）に示すように、ガラス基板２０の底面側（一方の表面）に、例えば、サンドブラストなどのブラストや、ケミカルエッチング、ミリング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのエッチングあるいは機械加工法などにより、所定の深さを有するギャップ２１を形成する（ギャップ形成工程）。これにより、後に形成される重錘体２２が揺動可能なスペースを確保することができる。なお、ガラス基板２０の厚さは、１００〜２００μｍであり、ギャップ２１の深さは５〜２０μｍであるのが好ましい。ブラストを用いた場合には、後の工程で重錘体２２を形成するガラス基板２０に簡単な方法でギャップ２１を形成することができる。
【００３７】
そして、図３（ｂ）に示すように、上述のように形成されたシリコン基板１０の下面、すなわち、重錘体支持部１５が形成されている面に、ギャップ２１を形成したガラス基板２０の上面（ギャップ２１と反対の表面）を陽極接合によって接合する（基板接合工程）。この場合、後述する重錘体形成工程において重錘体２２の底面とパッケージ３０の上面との間にギャップ２１を正確に形成するために、この基板接合工程では、ガラス基板２０におけるギャップ２１が形成された位置と、シリコン基板１０における重錘体支持部１５が形成された位置とが鉛直方向において概ね重なるようアライメントをとることが好ましい。重錘体２２を形成するためのガラス基板２０としては、通常、上述のように、パイレックスガラスなどの透明または半透明のものを用いているので、アライメントをとる際にギャップ２１と重錘体支持部１５との位置関係を視覚的に確認することができる。したがって、アライメントの際に困難な作業が要求されることはない。
【００３８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、ガラス基板２０の下面側から、図中の上方向にダイシングすることにより、ガラス基板２０の一部を除去し、重錘体支持部１５に自由下垂状態に支持される重錘体２２と、この重錘体２２と所定間隔をおいて外側に設けられた枠２３とを形成する（重錘体形成工程）。以上のような工程を経て、３軸加速度センサ１が完成する。
【００３９】
次に、本発明の３軸加速度センサモジュール１００の製造方法を、図４を用いて、詳細に説明する。図４は、図１に示す３軸加速度センサモジュールの製造方法を示す縦断面図である。なお、以下では、説明の都合上、図４中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００４０】
まず、所定の高さを有する角柱形で筒状のパッケージ３０を準備する。ここで、パッケージ３０の筒状内部の所定の高さには仕切り板３１が形成されている。そして、この仕切り板３１に、前述したような貫通孔３２、すなわち、上述のように形成された３軸加速度センサ１が通過できるような貫通孔３２を形成する（貫通孔形成工程）。
【００４１】
そして、図４（ａ）に示すように、この貫通孔３２を封止するように、図中下方から仕切り板３１にセンサ駆動ＩＣ４０を接触させ、これらを接合する（ＩＣ接合工程）。この場合、上述のように、センサ駆動ＩＣ４０の更に下方からモールディングを施すのであれば、センサ駆動ＩＣ４０を仕切り板３１に接合しなくてもよい。
【００４２】
その後、図２および図３で示したような製造工程により製造された３軸加速度センサ１を、この貫通孔３２を通してセンサ駆動ＩＣ４０に直接接触させ、樹脂接着などにより接合・固定することにより、本発明の３軸加速度センサモジュール１００が完成する。上述のように、重錘体２２の底面とセンサ駆動ＩＣ４０の上面との間には、ギャップ形成工程において形成されたギャップ２１が設けられ、これにより、重錘体２２は、重錘体支持部１５によって自由下垂状態に（揺動可能に）支持されている。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態の３軸加速度センサモジュール１００では、パッケージ３０の底面３１および３軸加速度センサ１の台座を省略して、３軸加速度センサ１とセンサ駆動ＩＣ４０とを直接接合することとしているので、３軸加速度センサモジュール１００を小型化・薄型化することができる。また、本実施形態において、３軸加速度センサ１の枠２３はパイレックスガラスから構成されるとともに、センサ駆動ＩＣ４０は通常シリコン材料から構成されており、パイレックスガラスとシリコンの熱膨張率は概ね等しいので、両者の熱膨張率の違いに起因する界面付近の応力が生じることがなく、３軸加速度センサモジュールの温度特性を良好なものとすることができる（すなわち、使用温度がある程度高温又は低温であったとしても、応力によるオフセット電圧を低減することができる）。さらに、重錘体２２がシリコンより比重が大きい材料（本実施形態では、パイレックスガラス）から構成されているので、重錘体２２を上述のようにギャップ２１分だけ薄くしたとしても、３軸加速度センサ１のセンサ感度を高い状態に維持することができる。
【００４４】
また、本発明の３軸加速度センサ１の製造方法では、予めギャップを形成した台座を形成する工程を必要とせず、枠２３を直接センサ駆動ＩＣ４０に接合・固定するようにしているので、３軸加速度センサモジュール１００（３軸加速度センサ１）の製造において工程数を削減することができる（製造工程を簡略化することができる）。
【００４５】
さらに、３軸加速度センサ１の製造方法では、重錘体２２をパイレックスガラスから構成したので、ギャップ２１のアライメントの際には視覚的に確認することができる。
【００４６】
以上、本発明の３軸加速度センサモジュールおよび３軸加速度センサモジュールの製造方法を図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態の内容に限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができる。また、任意の構成のものを付加することもできる。
【００４７】
例えば、本実施形態では、重錘体２２および枠２３を構成する基板をパイレックスガラスからなるガラス基板２０として説明したが、本発明は、これに限定されず、タングステンなどのパイレックスガラスよりも比重の大きい金属からなる金属基板などを用いる構成としてもよい。この場合には、上述のアライメントの際に視覚的に確認できない場合も考えられるが、公知の適切な方法を用いることにより、必要十分なアライメントをとることは可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の３軸加速度センサモジュールの縦断面図である。
【図２】図１の３軸加速度センサモジュールを構成する３軸加速度センサの製造方法を示す縦断面図である。
【図３】図１の３軸加速度センサモジュールを構成する３軸加速度センサの製造方法を示す縦断面図である。
【図４】図１に示す３軸加速度センサモジュールの製造方法を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１    ３軸加速度センサ
１０    シリコン基板
１１    シリコン酸化層
１２    シリコン酸化層
１３    ピエゾ抵抗素子
１４    断面略台形の凹部
１５    重錘体支持部
２０    ガラス基板
２１    ギャップ
２２    重錘体
２３    枠
３０    パッケージ
３１    パッケージの底面（仕切り板）
３２    貫通孔
４０    センサ駆動ＩＣ
１００  ３軸加速度センサモジュール
【図１】
2006250581.tif 000003
【図２】
2006250581.tif 000004
【図３】
2006250581.tif 000005
【図４】
2006250581.tif 000006