(57)【要約】    【課題】  表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。    【解決手段】  液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。具体的には、パターンサイズの異なる半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂが形成された基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料を塗布し、これを焼成することによって第１ゲート絶縁膜２２０を形成する。第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって半導体膜表面と基板表面との間に生じた段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に液体材料を塗布し、焼成することによって第２ゲート絶縁膜２３０を形成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体膜を覆うゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記基板上に前記ゲート絶縁膜を形成するための液体材料を複数回塗布することによって、該ゲート絶縁膜を形成することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記基板上にはパターンサイズの異なる２以上の半導体膜が形成されていることを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載のゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記液体材料を１回塗布する毎に焼成することで塗布回数分の層を有する前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記液体材料の第１回目の塗布によって形成する第１層目のゲート絶縁膜の膜厚を、前記基板表面と前記半導体膜表面との間に生ずる段差と略同程度の厚さに制御することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記液体材料を前記基板に複数回塗布する際、少なくとも１回は液滴吐出法によって塗布することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記液体材料を前記基板に複数回塗布する際、少なくとも１回はスピンレスコート法によって塗布することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記液体材料を前記基板に複数回塗布する際、少なくとも１回はスピンコート法によって１０秒以下の回転塗布時間に制御して塗布することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載のゲート絶縁膜の形成方法であって、
前記液体材料は、ペルヒドロポリシラザンを含有する液体材料であることを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
請求項１に記載のゲート絶縁膜の形成方法によって形成されるゲート絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゲート絶縁膜の形成方法、半導体装置、電気光学装置及び電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造過程において、その膜表面を平坦化することは、この上に形成される配線などの断線や短絡を防止する上で極めて重要である。特に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）では、ゲート絶縁膜の膜厚の均一性が電気的特性に大きな影響を与えるため、このゲート絶縁膜をいかにして平坦化し、且つ膜厚の均一性をよくするかが重要な課題となっている（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１９５４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、トップゲート型のＴＦＴでは、ゲート絶縁膜３０はパターニングされたシリコン膜（半導体膜）２０の上に形成されるため、基板１０上には少なくともこの半導体膜自体の膜厚に起因した段差が形成される。また、半導体膜２０をエッチングするとき、該半導体膜２０の下地膜である酸化シリコンや窒化シリコン（図示略）も一部エッチングされるため、基板１０上にはこのエッチング量に応じた段差が更に形成される。このような段差が形成された状態でゲート絶縁膜３０を形成すると、該ゲート絶縁膜３０は半導体膜２０の上部において隆起し（図９参照）、ゲート耐圧の低下やリーク電流の増加などの問題を惹起する。また、ゲート絶縁膜３０の形成方法によっては、半導体膜２０の上部のゲート絶縁膜の厚さが半導体膜２０のサイズに依存して異なることが有り、半導体素子の電気的特性に差が出てしまうことがある。
【０００５】
本発明は、以上説明した事情を鑑みてなされたものであり、表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係るゲート絶縁膜の形成方法は、基板上に形成された半導体膜を覆うゲート絶縁膜の形成方法であって、前記基板上に前記ゲート絶縁膜を形成するための液体材料を複数回塗布することによって、該ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする。
かかる構成によれば、液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。これにより、ゲート絶縁膜の下層に位置する半導体膜表面と基板表面との間に段差があっても、液体材料の塗布が繰り返されることによって段差は緩和され、最終的には平坦性の高いゲート絶縁膜を得ることが可能となる。更に、サイズが異なった半導体膜の上部において、同一の膜厚のゲート絶縁膜を形成することができる。平坦性の高いゲート絶縁膜を得ることでゲート耐圧の低下やリーク電流の増加などの問題を防止することが可能となり、またゲート絶縁膜の膜厚の均一性がよくなるので、均一性のよい電気特性を有する半導体装置を製造することができる。
【０００７】
ここで、前記基板上には、パターンサイズの異なる２以上の半導体膜が形成されている態様がより好ましい。また、ゲート絶縁膜を形成する際には、前記液体材料を１回塗布する毎に焼成することで、塗布回数分の層を有する前記ゲート絶縁膜を形成する態様が好ましい。さらに、前記液体材料の第１回目の塗布によって形成する第１層目のゲート絶縁膜の膜厚を、前記基板表面と前記半導体膜表面との間に生ずる段差と略同程度の厚さに制御する態様が好ましい。
【０００８】
ここで、前記液体材料を前記基板に複数回塗布する際には、少なくとも１回は液滴吐出法によって塗布したり、少なくとも最初の１回はスピンレスコート法によって塗布したり、または、少なくとも最初の１回はスピンコート法によって１０秒以下の回転塗布時間に制御して塗布するのが好ましい。
また、前記液体材料は、ペルヒドロポリシラザンを含有する液体材料である態様が好ましい。
【０００９】
以上説明したゲート絶縁膜を有する半導体装置を電気光学装置や電子デバイスに適用しても良い。ここで、電気光学装置とは、例えば、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ素子等を備えた装置であって、上記半導体装置を駆動回路等に適用した装置をいう。また、電子デバイスとは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定は無いが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る実施形態を説明する前に、発明に至った経緯について説明する。
【００１１】
＜発明に至った経緯＞
図１は、ＳＯＧ膜を用いてゲート絶縁膜を形成したときの問題を説明するための図である。なお、ＳＯＧ膜とはＳＯＧ（Spin On Glass）材料を回転塗布し、加熱処理して形成したSiO2膜をいい、ゲート絶縁膜として用いられるほか、層間絶縁膜等として用いられる。
図１に示すように、基板１０上に形成されたゲート絶縁膜３０の膜厚は場所に応じて異なっており、パターンサイズ（すなわち、ＴＦＴサイズ）が大きい半導体膜２０Ｂの上に形成されるゲート絶縁膜３０の膜厚Ｄｂは、パターンサイズが小さい半導体膜２０Ｂの上に形成されるゲート絶縁膜３０の膜厚Ｄａ（＜Ｄｂ）に比べて厚くなる傾向にある。このような傾向を、本願出願人は下記に示す実験を行うことによって見出した。
【００１２】
図２は、実験内容を説明するための図であり、図３は、実験結果を示す図である。
本願出願人は、半導体膜に形成されるチャネル領域のチャネル長Ｌ、チャネル幅Ｗをそれぞれ２μｍ、４μｍ、６μｍ、１０μｍ、２０μｍ、５０μｍ、１００μｍに設定したＴＦＴを作製し（図２参照）、これら各ＴＦＴのオン電流Ｉonを測定した。ここで、オン電流Ｉonはチャネル長とチャネル幅の比率（Ｗ／Ｌ）に比例するため、チャネル長Ｌとチャネル幅Ｗとを等しく設定（Ｗ／Ｌ＝１）した上記実験条件のもとでは、オン電流Ｉonは一定値を示すはずである（図３に示す理論値参照）。
【００１３】
しかしながら、上記実験の実測値は、チャネル長Ｌ及びチャネル幅Ｗが大きくなるにつれ、オン電流Ｉonが下がる傾向を示している（図３に示す実測値参照）。これは、チャネル長Ｌ及びチャネル幅Ｗ（すなわちチャネル領域）が大きくなるにつれ、チャネル領域の上に形成されるゲート絶縁膜の膜厚が厚くなり、この結果、オン電流Ｉonが下がったものと考えられる。かかる知見に基づく本願発明について以下に説明する。
【００１４】
Ａ．第１実施形態
Ａ−１．下地絶縁膜の形成
図４及び図５は、第１実施形態に係るＴＦＴ（半導体装置）の製造プロセスを示す図である。
まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基板などの基板１１に対して必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜２０１を形成する。なお、下地絶縁膜としてシリコン酸化膜の他にシリコン窒化膜やシリコン酸化窒化膜を設けても良い。こうした絶縁膜を設けることにより、ガラス基板からの汚染を防止することが可能となる。
【００１５】
Ａ−２．半導体膜の形成
次に、基板１１の温度を約３５０℃に設定して、下地絶縁膜２０１の表面にプラズマＣＶＤ法などを用いて厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体膜２００を形成する。半導体膜としては、アモルファスシリコン膜に限定されず、微結晶半導体膜などのアモルファス構造を含む半導体膜や多結晶半導体膜でも良い。また、アモルファスシリコンゲルマニウム膜などの非晶質構造を含む化合物半導体膜であっても良い。
【００１６】
続いて、この半導体膜２００に対してレーザアニール法や、急速加熱法（例えば、ランプアニール法や熱アニール法）などの結晶化工程を行い、半導体膜２００をポリシリコン膜に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍ、ビームの幅（短寸）が数１００μｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば４００ｍＪ／ｃｍ2とする。なお、ＹＡＧレーザの第２高調波或いは第３高調波を用いても良い。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域ごとに重なるようにラインビームを走査するのが良い。
【００１７】
次に、図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法等を用いたパターニングにより、半導体膜（シリコン膜）２００として不要な部分を除去し、各ＴＦＴのサイズに応じた島状の半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂを形成する。
この半導体膜の膜パターンの形状やサイズは、形成すべきＴＦＴのサイズに応じて決定されるため、同一基板上にサイズが異なる複数の膜パターン（図４（ｂ）では、半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂ）が形成されることになる（発明に至った経緯の説明参照）。表示装置が形成される基板を例に説明すると、画素回路を構成するＴＦＴと画素回路の周辺に形成される駆動回路を構成するＴＦＴとではトランジスタサイズが異なり、また、一般的に各回路を構成するＴＦＴのサイズも一種類ではなく、複数種類存在する。なお、各半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂのパターニングの際には、該半導体膜の下層の下地絶縁膜２０１も多少エッチングされるため、半導体膜の形成によって生ずる段差は該半導体膜の膜厚よりも少し大きくなる。例えば、半導体膜の膜厚が５０ｎｍであれば、下地絶縁膜２０１は１０〜５０ｎｍ程度エッチングされるため、半導体膜の形成によって生ずる段差（基板表面と半導体膜表面との間に生ずる段差）は６０〜１００ｎｍ程度になる。
【００１８】
Ａ−３．第１ゲート絶縁膜の形成
上記の如くサイズが異なる複数の半導体膜２０２Ａ、２０２Ｂを形成すると、この基板１１上にゲート絶縁膜を形成するための液体材料をスピンコート法（数百rpm〜数千rpm）を用いて塗布し、これを例えば３５０℃〜４００℃の温度で６０分程度焼成することにより、第１ゲート絶縁膜２２０を形成する（図４（ｃ）参照）。ここで、液体材料としては、例えばペルヒドロポリシラザンを有機溶媒（例えば２０％キシレン溶液）で溶解したものを用いることができる。なお、スピンコート法による回転塗布時間については、第１ゲート絶縁膜２２０の膜厚の均一性を図るために１０秒以下に設定するのが望ましい。また、焼成することによって得られる第１ゲート絶縁膜２２０については、図４（ｃ）に示すように、上記段差と略同程度の厚さになるように液体材料の塗布量や焼成温度等を制御するのが望ましい。ただし、第１ゲート絶縁膜２２０の厚さが上記段差よりも多少厚いまたは薄い場合であっても、第１ゲート絶縁膜２２０の形成により上記段差を小さくすること（例えば１０ｎｍ程度以下に抑えること）は可能である。
【００１９】
Ａ−４．第２ゲート絶縁膜の形成
第１ゲート絶縁膜２２０を形成すると、この第１ゲート絶縁膜２２０の上にスピンコート法を用いて液体材料を塗布し、これを焼成することで第２ゲート絶縁膜２３０を形成する（図４（ｄ）参照）。
このように、本実施形態では液体材料を１回塗布する毎に焼成することで、塗布回数分（本実施形態では２回分）の層を有するゲート絶縁膜を形成する。なお、第２ゲート絶縁膜２３０の形成に関し、液体材料の種類、塗布量、回転塗布時間、回転数といった塗布条件や焼成温度、焼成時間といった焼成条件については、所望する膜厚が得られるように適宜設定すれば良い。このように、第１ゲート絶縁膜２２０を形成することによって上記段差を小さくした後、この第１ゲート絶縁膜２２０の上に更に第２ゲート絶縁膜２３０を形成することで、平坦性の高いゲート絶縁膜を得ることができる。この後、各半導体膜の上にゲート電極等が形成されることになるが、各半導体膜の上に形成されるゲート電極等については、説明の重複を避けるため、半導体膜２０２Ａの上にゲート電極等が形成される場合について説明し、半導体膜２０２Ｂの上にゲート電極等が形成される場合については説明を省略する。
【００２０】
Ａ−５．ゲート電極及びソース・ドレイン領域の形成
その後、図５（ａ）に示すように、第２ゲート絶縁膜２３０の上にゲート電極２２３を形成し、このゲート電極２２３をマスクとして不純物イオンを導入する。これにより、不純物の濃度が高いソース・ドレイン領域２２４、２２５が自己整合的に形成されるとともに、ゲート電極２２３によって覆われて不純物が導入されなかったチャネル領域２２６が形成される。
【００２１】
Ａ−６．層間絶縁膜の形成
そして、ゲート電極２２３の表面側に層間絶縁膜２５０を形成し（図５（ｂ）参照）、フォトリソグラフィ法等によってパターニングして所定のソース電極位置、ドレイン電極位置にコンタクトホールを形成する。層間絶縁膜２５０としては、例えばシリコン酸化窒化膜やシリコン酸化膜等のシリコンを含む単層若しくは積層の絶縁膜を用いれば良い。尚、層間絶縁膜２５０も上記ゲート絶縁膜２３０と同様、スピンコート法を用いて複数回塗布することによって形成しても良い。このような方法で層間絶縁膜２５０を形成すれば、ゲート電極２２３の形成で盛り上がった形状になっている部分を平坦化することができる。
【００２２】
Ａ−７．電極の形成
続いて、層間絶縁膜２５０の上にアルミニウム膜、クロム膜、タンタル膜などの導電膜（例えば、厚さ２００ｎｍ〜８００ｎｍ）を形成した後、形成すべきソース電極及びドレイン電極の位置にパターニング用マスク（図示略）等を形成してパターニングを行うことにより、ソース電極２６０、ドレイン電極２６５を同時に形成する（図５（ｂ）参照）。以上説明した一連の工程が実行されることにより、基板１１上にサイズの異なるＴＦＴが複数形成される。
【００２３】
以上説明したように、本実施形態によれば、液体材料を複数回塗布することによってゲート絶縁膜を形成する。これにより、ゲート絶縁膜の下層に位置する半導体膜表面と基板表面との間に段差があっても、液体材料の塗布が繰り返されることによって段差は緩和され、最終的には平坦性の高いゲート絶縁膜を得ることが可能となる。更に、サイズが異なった半導体膜の上部において、同一の膜厚のゲート絶縁膜を形成することができる。平坦性の高いゲート絶縁膜を得ることでゲート耐圧の低下やリーク電流の増加などの問題を防止することが可能となり、またゲート絶縁膜の膜厚の均一性がよくなるので、均一性のよい電気特性を有する半導体装置を製造することができる。
【００２４】
特に、スピンコート法を用いて塗布膜を形成する場合には、塗布前の基板表面の凹凸により塗布膜の表面が平坦にならないことがあり、凸部のサイズ等によっては凸部の上部で塗布膜の膜厚が異なることがある。この塗布膜がゲート絶縁膜である場合には塗布膜の膜厚の差がＴＦＴの電気的特性の差となるが、凸部のサイズ差などによるゲート絶縁膜の膜厚の差がないため、均一なＴＦＴ特性を得ることができる。
【００２５】
＜応用例＞
（１）上述した例では、液体材料を複数回塗布することによって形成する塗布膜の例としてゲート絶縁膜を例示したが、例えば層間絶縁膜などの絶縁膜にも適用可能である。なお、平坦性を要求されるものであれば、絶縁膜に限らずあらゆる種類の塗布膜に適用可能である。
（２）また、上述した例では、パターンサイズの異なる２以上の半導体膜を覆うゲート絶縁膜を例に説明したが、本発明はこれに限る趣旨ではなく、パターンサイズが１種類の半導体膜（単数若しくは複数）を覆うゲート絶縁膜にも適用可能である。かかる場合であっても、半導体膜表面と該基板表面との間には段差が生じるため、上記と同様、液体材料の塗布が繰り返されることによって段差は緩和され、最終的には平坦性の高いゲート絶縁膜を得ることが可能となる。
（３）また、複数回塗布する液体材料については、塗布毎に異なる材質（材料の種類や粘度など）のものを用いても良く、さらに、焼成条件についても第１ゲート絶縁膜の形成条件と第２ゲート絶縁膜の形成条件との間で異なるようにしても良い。
（４）また、上述した例では、液体材料を２回塗布することによってゲート絶縁膜を形成したが、３回以上塗布することによってゲート絶縁膜を形成しても良いのはもちろんである。
【００２６】
Ｂ．第２実施形態
上述した第１実施形態では、スピンコート法によって第１ゲート絶縁膜２２０及び第２ゲート絶縁膜２３０を形成したが、液体材料を用いた他の方法（例えば、スピンレス法やディップコーティング法、液滴吐出法）によって形成しても良い。或いは、液体材料を用いた成膜方法とＣＶＤ法やスパッタ法などの組み合わせでもよい。図６は、スピンレス法を用いた絶縁膜の形成方法を説明するための図である。
ノズルヘッド５００は、ゲート絶縁膜形成用の液体材料を吐出するものであり、図示せぬ保持部材によって固着支持されている。このノズルヘッド５００の突出部５１０は、基板６１０の表面と隙間Ｇを保って互いに平行になるように配置されている。この突出部５１０には、基板６１０のＹ方向の長さ（幅）よりもわずかに小さな長さに設定された吐出口（図示略）が設けられ、図示せぬコントローラからの指示に従ってＸ方向に搬送される基板６１０の表面にゲート絶縁膜形成用の液体材料を吐出（塗布）し、これにより各ゲート絶縁膜を形成する。なお、図６ではノズルヘッド５００の吐出口が下に向いている場合を例示したが、上記液体材料の物性や流動特性に応じて吐出口を上に向け、この状態で基板６１０の表面に液体材料を吐出するようにしても良い。
【００２７】
以上、スピンレス法を用いて絶縁膜を形成する方法について説明したが、ディップコーティング法や液滴吐出法によってゲート絶縁膜を形成しても良い。ディップコーティング法を含めて、液体材料を用いてゲート絶縁膜を形成する際には、前処理として基板全面を親液性とする処理を施すのが望ましい。このような処理として例えば酸素プラズマやＵＶ照射などの処理がある。かかる前処理を施した基板をゲート絶縁膜形成用の液体材料に浸漬し、これを引き上げて乾燥等することで基板上にゲート絶縁膜形成用の液体材料を塗布するようにしても良い。なお、各ゲート絶縁膜の形成に際しては同一種類の塗布法を用いても良いが、異なる種類の塗布法を適宜組み合わせて用いても良い。たとえば、ゲート絶縁膜形成用の液体材料を基板に複数回塗布する際には、少なくとも１回は液滴吐出法によって塗布したり、少なくとも最初の１回はスピンレスコート法によって塗布したり、少なくとも最初の１回はスピンコート法によって塗布するようにしても良い。
【００２８】
Ｃ．第３実施形態
図７は、第３実施形態に係る電気光学装置の一種である有機ＥＬ表示装置１００の接続図を示す。
各画素領域に形成された画素回路は、電界発光効果により発光可能な発光層ＯＥＬＤ、それを駆動するための電流を記憶する保持容量、上述したゲート絶縁膜３２０を有するＴＦＴ１１１〜１１４を備えて構成される。一方、駆動回路領域に形成された各駆動回路１０１、１０２は、上述したゲート絶縁膜３２０を有する複数のＴＦＴ（図示略）を備えて構成されている。駆動回路１０１からは、走査線Ｖｓｅｌ及び発光制御線Ｖｇｐが対応する各画素回路に供給され、駆動回路１０２からは、データ線Ｉｄａｔａおよび電源線Ｖｄｄが対応する各画素回路に供給されている。走査線Ｖｓｅｌとデータ線Ｉｄａｔａとを制御することにより、対応する各発光部ＯＥＬＤによる発光が制御可能になっている。なお、上記駆動回路は、発光要素に電界発光素子を使用する場合の回路の一例であり、他の回路構成も可能である。
【００２９】
Ｄ．第４実施形態
図８は、第４実施形態に係る電子デバイスを例示した図である。
図８（ａ）は、本発明の製造方法によって製造される携帯電話であり、当該携帯電話４３０は、電気光学装置（表示パネル）１００、アンテナ部４３１、音声出力部４３２、音声入力部４３３及び操作部４３４を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。図８（ｂ）は、本発明の製造方法によって製造されるビデオカメラであり、当該ビデオカメラ４４０は、電気光学装置（表示パネル）１００、受像部４４１、操作部４４２及び音声入力部４４３を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。
【００３０】
図８（ｃ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載された携帯型パーソナルコンピュータの例であり、当該コンピュータ４５０は、電気光学装置（表示パネル）１００、カメラ部４５１及び操作部４５２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。
【００３１】
図８（ｄ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたヘッドマウントディスプレイの例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ４６０は、電気光学装置（表示パネル）１００、バンド部４６１及び光学系収納部４６２を備えている。本発明は、例えば表示パネル１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。図８（ｅ）は、本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたリア型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター４７０は、電気光学装置（光変調器）１００、光源４７２、合成光学系４７３、ミラー４７４、４７５を筐体４７１内に備えている。本発明は、例えば光変調器１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。図８（ｆ）は本発明の製造方法によって製造される半導体装置等が搭載されたフロント型プロジェクターの例であり、当該プロジェクター４８０は、電気光学装置（画像表示源）１００及び光学系４８１を筐体４８２内に備え、画像をスクリーン４８３に表示可能になっている。本発明は、例えば画像表示源１００における画素回路及び駆動回路が配されている基板の製造に適用される。
【００３２】
上記例に限らず本発明は、あらゆる電子デバイスの製造等に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなどにも適用することができる。なお、本発明は上述した各実施形態に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形、変更実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、回路素子の一例としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を例示したが、他の回路素子に適用しても良いのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】ＳＯＧ膜を用いてゲート絶縁膜を形成したときの問題を説明するための図である。
【図２】実験内容を説明するための図である。
【図３】実験結果を示す図である。
【図４】第１実施形態に係るＴＦＴの製造プロセスを示す図である。
【図５】同実施形態に係るＴＦＴの製造プロセスを示す図である。
【図６】第２実施形態に係るスピンレス法を用いた絶縁膜の形成方法を示す図である。
【図７】第３実施形態に係る電気光学装置の構成を例示した図である。
【図８】第４実施形態に係る各電子デバイスを例示した図である。
【図９】従来のゲート絶縁膜を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３４】
１１・・・基板、２０１・・・下地絶縁膜、２０２・・・半導体膜、２２０・・・第１ゲート絶縁膜、２３０・・・第２ゲート絶縁膜、２２３・・・ゲート電極、２２４・・・ソース領域、２２５・・・ドレイン領域、２２６・・・チャネル領域、２５０・・・層間絶縁膜、２６０・・・ソース電極、２６５・・・ドレイン電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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