(57)【要約】【課題】  本発明の目的の１つは、高精度のアライメントが実現可能な光素子及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】  光素子１００は、光が出射又は入射する上面１３２を有する柱状部１３０と、柱状部１３０の上面１３２と電気的に接続された電極１５０と、電極１５０と同一レジストＲ１０（Ｒ２０）をマスクとして形成されたマーク１６０と、を含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が出射又は入射する上面を有する柱状部と、
前記柱状部の上面と電気的に接続された電極と、
前記電極と同一レジストをマスクとして形成されたマークと、
を含む、光素子。
【請求項２】
光が出射又は入射する上面を有する柱状部と、
前記柱状部の上面と電気的に接続された電極と、
前記電極と同一材質を含むマークと、
を含む、光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の光素子において、
前記電極は、前記柱状部の上面の中央部を囲むように形成されている、光素子。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光素子において、
前記柱状部の周囲に設けられた樹脂層をさらに含み、
前記マークの少なくとも一部は、前記樹脂層よりも外側の領域に形成されている、光素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光素子において、
前記マークは、ウエハをＸ方向及びＹ方向に沿って分割する場合の少なくともいずれか一方向のラインの位置決めの基準として使用される、光素子。
【請求項６】
請求項５記載の光素子において、
前記マークは、前記Ｘ方向に沿って延出する部分と、前記Ｙ方向に沿って延出する部分と、を含む、光素子。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の光素子において、
前記マークは、Ｌ字形状に形成されている、光素子。
【請求項８】
（ａ）基板の上方に、光が出射又は入射する上面を有する柱状部を形成する工程と、
（ｂ）前記柱状部の上面と電気的に接続する電極、及び前記基板の上方におけるマークを、同一レジストをマスクとして形成する工程と、
を含む、光素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の光素子の製造方法において、
前記（ｂ）工程を、リフトオフ法を適用して行う、光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の光素子の製造方法において、
前記（ｂ）工程を、エッチング法を適用して行う、光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光素子と光導波路（光ファイバ）のアライメントを高精度に行うことが重要である。例えば、光素子の光学面から光を出射（又は光学面に光を入射）させることにより、両者のアライメントを行うアクティブアライメントが知られているが、工程中に光素子を動作させる必要があるので、コストが高く、また工程が煩雑である。これに対して、特開２０００−７７７８１号公報に開示されているように、半導体レーザと光ファイバをそれぞれあらかじめ決められた位置に実装・固定することにより両者の結合系を構築するパッシブアライメントが知られている。
【特許文献１】特開２０００−７７７８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的の１つは、高精度のアライメントが実現可能な光素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る光素子は、
光が出射又は入射する上面を有する柱状部と、
前記柱状部の上面と電気的に接続された電極と、
前記電極と同一レジストをマスクとして形成されたマークと、
を含む。
【０００５】
本発明によれば、マークは、電極と同一レジストをマスクとして形成されているので、電極に対して正確な位置に配置されている。一方、電極は、柱状部の上面と電気的に接続されており、光の経路の中心軸は、電極の位置により決められる。すなわち、本発明によれば、マークは、光の経路の中心軸に対して正確な位置に配置されているので、高精度のアライメントが実現可能な光素子を提供することができる。
【０００６】
なお、本発明において、特定のＡ層の上方にＢ層が設けられているとは、Ａ層上に直接Ｂ層が設けられている場合と、Ａ層上に他の層を介してＢ層が設けられている場合と、を含むものとする。このことは、以下の発明においても同様である。
【０００７】
（２）本発明に係る光素子は、
光が出射又は入射する上面を有する柱状部と、
前記柱状部の上面と電気的に接続された電極と、
前記電極と同一材質を含むマークと、
を含む。
【０００８】
（３）この光素子において、
前記電極は、前記柱状部の上面の中央部を囲むように形成されていてもよい。
【０００９】
これによれば、光の経路の中心軸は、電極により囲まれた中心と一致する。
【００１０】
（４）この光素子において、
前記柱状部の周囲に設けられた樹脂層をさらに含み、
前記マークの少なくとも一部は、前記樹脂層よりも外側の領域に形成されていてもよい。
【００１１】
（５）この光素子において、
前記マークは、ウエハをＸ方向及びＹ方向に沿って分割する場合の少なくともいずれか一方向のラインの位置決めの基準として使用されていてもよい。
【００１２】
（６）この光素子において、
前記マークは、前記Ｘ方向に沿って延出する部分と、前記Ｙ方向に沿って延出する部分と、を含んでいてもよい。
【００１３】
（７）この光素子において、
前記マークは、Ｌ字形状に形成されていてもよい。
【００１４】
（８）本発明に係る光素子の製造方法は、
（ａ）基板の上方に、光が出射又は入射する上面を有する柱状部を形成する工程と、
（ｂ）前記柱状部の上面と電気的に接続する電極、及び前記基板の上方におけるマークを、同一レジストをマスクとして形成する工程と、
を含む。
【００１５】
本発明によれば、マークを、電極と同一レジストをマスクとして形成するので、電極に対して正確な位置に配置することができる。一方、電極は、柱状部の上面と電気的に接続されており、光の経路の中心軸は、電極の位置により決められる。すなわち、本発明によれば、マークを、光の経路の中心軸に対して正確な位置に配置することができるので、高精度のアライメントが実現可能な光素子の製造方法を提供することができる。
【００１６】
（９）この光素子の製造方法において、
前記（ｂ）工程を、リフトオフ法を適用して行ってもよい。
【００１７】
（１０）この光素子の製造方法において、
前記（ｂ）工程を、エッチング法を適用して行ってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１９】
Ａ．光素子
図１は、本発明の実施の形態に係る光素子の平面図であり、図２は、図１のII−II線断面図である。
【００２０】
光素子１００は、基板１１０と、素子部１２０（柱状部１３０）と、樹脂層１４０と、電極１５０と、他の電極１５６と、マーク１６０と、を含む。本実施の形態では、光素子１００が面発光型装置（面発光型半導体レーザ）である場合を例として説明する。また、基板１１０がチップである場合を例として説明する。
【００２１】
（Ａ−１）まず、基板１１０及び素子部１２０について説明する。
【００２２】
基板１１０は、半導体基板（例えばｎ型ＧａＡｓ基板）である。素子部１２０は、基板１１０上に形成されている。基板１１０及び素子部１２０の両者の平面形状は、同一（例えば矩形）であってもよい。面発光型半導体レーザの場合、素子部１２０は共振器（垂直共振器）と呼ばれる。
【００２３】
素子部１２０は、柱状部１３０を含む。図２に示すように、素子部１２０の断面形状が凸型をなし、その凸型の突起部が柱状部１３０となっていてもよい。柱状部１３０の側面は、基板面に垂直又は順テーパが付されていてもよい。柱状部１３０の平面形状は、円形であってもよいし、矩形（正方形又は長方形）又はその他の多角形であってもよい。図１に示す例では、１つの基板１１０に１つの柱状部１３０が形成されているが、複数の柱状部１３０が形成されていてもよい。柱状部１３０の上面１３２の中央部は、光（レーザ光）が出射又は入射する光学面（面発光型半導体レーザであれば出射面）１２８となっている。光学面１２８は、樹脂層１４０及び電極１５０から露出している。
【００２４】
素子部１２０は、例えば、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布反射型多層膜ミラーである第１のミラー（広義には第１の半導体層）１２２と、ＧａＡｓウエル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む活性層（広義には機能層）１２４と、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの分布反射型多層膜ミラーである第２のミラー（広義には第２の半導体層）１２６と、が順次積層して構成されている。なお、第１のミラー１２２、活性層１２４、及び第２のミラー１２６を構成する各層の組成及び層数はこれに限定されるわけではない。また、活性層１２４は、キャリアの再結合が生じる層を含み、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造のいずれを適用してもよい。
【００２５】
第２のミラー１２６は、例えばＣ，Ｚｎ，Ｍｇなどがドーピングされることによりｐ型にされ、第１のミラー１２２は、例えばＳｉ，Ｓｅなどがドーピングされることによりｎ型にされている。したがって、第２のミラー１２６、不純物がドーピングされていない活性層１２４、及び第１のミラー１２２により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００２６】
第２のミラー１２６を構成する層のうち活性層１２４に近い領域に、酸化アルミニウムを主成分とする電流狭窄層１２５が形成されている。この電流狭窄層１２５は、リング状に形成されている。すなわち、この電流狭窄層１２５は、光学面１２８に平行な面で切断した場合における断面が同心円状である。
【００２７】
柱状部１３０は、少なくとも第２のミラー１２６を含む（図２に示す例では、第２のミラー１２６、活性層１２４及び第１のミラー１２２の一部を含む）半導体積層体をいう。柱状部１３０は、基板１１０上に支持されている。
【００２８】
（Ａ−２）次に、樹脂層１４０について説明する。
【００２９】
樹脂層１４０は、基板１１０（素子部１２０）上に形成されている。図１に示すように、樹脂層１４０は、少なくとも柱状部１３０の周囲を含む領域に形成されている。また、樹脂層１４０は、電極１５０（特にパッド部１５２）の下地として形成されている。これにより、表面の平坦化を可能にして電極のパターニングの容易化を図ることができる。また、素子部１２０と電極１５０の間に、低誘電率の樹脂を介在させることにより、寄生容量の低減を図ることができる。なお、樹脂層１４０は、例えば柱状部１３０とほぼ同じ厚さに形成することができる。
【００３０】
樹脂層１４０が光透過性を有しない場合には、樹脂層１４０は、少なくとも光学面１２８を避ける領域に形成されている。図２に示す例では、樹脂層１４０は、柱状部１３０の側面を被覆し、柱状部１３０の上面１３２及び側面の間の境界（角部）を被覆し、さらに柱状部１３０の上面１３２の端部に至るように設けられている。
【００３１】
あるいは、変形例として樹脂層１４０は、柱状部１３０の上面１３２の全部の領域を避けて形成されていてもよい。その場合、柱状部１３０と樹脂層１４０の境界において段差が生じないように、樹脂層１４０の上面を柱状部１３０の上面１３２とほぼ面一とすることができる。
【００３２】
また、樹脂層１４０は、柱状部１３０の上面１３２の周縁に沿って（すなわち全周にわたって）連続して形成されていてもよい。また、樹脂層１４０が柱状部１３０の周縁から中央の方向に従って薄くなるように滑らかに傾斜していれば、電極１５０の効果的な断線防止を図ることができる。
【００３３】
樹脂層１４０は、例えば、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂、アクリル樹脂、又はエポキシ樹脂などから形成することができる。
【００３４】
（Ａ−３）次に、電極１５０、及び他の電極１５６について説明する。
【００３５】
電極１５０は、柱状部１３０の上面１３２と電気的に接続されている。例えば、電極１５０は、柱状部１３０の上面１３２の端部（すなわち光学面１２８を避ける領域）において第２のミラー１２６と電気的に接続されている。また、図１に示す例では、電極１５０は柱状部１３０の上面１３２の周縁に沿って（すなわち全周にわたって）連続して設けられ、第２のミラー１２６との接続領域はリング形状をなしている。言い換えれば、電極１５０は、柱状部１３０の上面１３２の中央部を囲むように形成されている。そして、電極１５０の開口部１５２から露出する部分が光学面１２８となっている。電極１５０は、例えばＡｕ及びＺｎの合金とＡｕとの積層膜から形成することができる。
【００３６】
光は、柱状部１３０の上面１３２を経路とするので、光の経路の中心軸は、電極１５０の位置により決められる。これは、電界がかかる部分と発光（又は受光）の中心軸が一致するためである。例えば、電極１５０が柱状部１３０の上面１３２の中央部を囲むように形成されている場合、光の経路の中心軸は、電極１５０の露出領域（言い換えれば光学面１２８）の中心と一致している。
【００３７】
電極１５０は、柱状部１３０の上面１３２から樹脂層１４０上に延出して形成され、樹脂層１４０上にパッド部１５４を有する。パッド部１５４は外部電気的接続部であり、ワイヤやバンプなどの導電部材（図示しない）のボンディング領域を含む。パッド部１５４から柱状部１３０上を結ぶ部分を配線部とした場合、パッド部１５４の幅は、配線部の幅よりも大きくすることができる。
【００３８】
他の電極１５６は、第１のミラー１２２側に電気的に接続されるもので、基板１１０の裏面に形成してもよいし、あるいは基板１１０（素子部１２０）の一部を樹脂層１４０から露出させ該露出領域に形成してもよい。電極１５６は、例えばＡｕ及びＧｅの合金とＡｕとの積層膜から形成することができる。
【００３９】
電極１５０，１５６によって、第１及び第２のミラー１２２，１２６の間の活性層１２４に電流を流すことができる。なお、電極１５０，１５６の材料は、上述に限定されず、例えばＴｉ，Ｎｉ，Ａｕ又はＰｔなどの金属やこれらの合金などが利用可能である。
【００４０】
（Ａ−４）次に、マーク１６０について説明する。
【００４１】
マーク１６０は、基板１１０上（図２では素子部１２０のさらに上）に形成されている。マーク１６０の少なくとも一部は、樹脂層１４０よりも外側の領域に形成されていてもよい。これによれば、基板１１０（素子部１２０）の平坦面上に容易にマーク１６０を形成することができる。あるいは、例えば樹脂層１４０が基板１１０（素子部１２０）の全面を被覆して形成される場合、樹脂層１４０上にマーク１６０を形成することもできる。また、マーク１６０の一部と樹脂層１４０の一部を重ねてもよい。これにより、チップ面積を有効に利用することができる。マーク１６０の一部と樹脂層１４０の一部が重なる場合、マーク１６０は樹脂層１４０の下層に形成することができる。
【００４２】
マーク１６０は、電極１５０と同一レジストをマスクとして形成されている（後述の方法（Ｂ−３）及び（Ｂ−４）参照）。言い換えれば、マーク１６０は、電極１５０と同一のパターニング工程により形成されている。これによれば、マーク１６０を電極１５０に対して正確な位置に配置することができる。一方、電極１５０は、柱状部１３０の上面１３２と電気的に接続されており、上述したように光の経路の中心軸は、電極１５０の位置により決められる。すなわち、本発明によれば、マーク１６０は、光の経路の中心軸に対して正確な位置に配置されているので、高精度のアライメントが実現可能な光素子を提供することができる。
【００４３】
図３に示すように、ウエハ２００をＸ方向及びＹ方向（Ｘ方向と直交する方向）に沿って分割する場合（例えばスクライブする場合）、マーク１６０は、Ｘ方向及びＹ方向の少なくともいずれか一方向のラインＬＸ，ＬＹの位置決めの基準として使用することができる。図３の部分拡大図に示す例では、マーク１６０は、Ｘ方向に沿って延出する（例えばＸ方向に平行に延出する）第１の部分１６２と、Ｙ方向に沿って延出する（例えばＹ方向に平行に延出する）第２の部分１６４と、を含む。これにより、第１の部分１６２をＸ方向のラインＬＸの位置決めの基準とし、第２の部分１６４をＹ方向のラインＬＹの位置決めの基準とすることができる。詳しくは、ウエハ２００において複数のチップ領域２１０（本例では個片後の基板１１０に相当）のそれぞれにマーク１６０が形成されている場合、隣同士のチップ領域２１０のそれぞれのマーク１６０を認識し、その位置関係からラインＬＸ，ＬＹの中心を位置決めすることができる。具体的には、マーク１６０の第１の部分１６２（又は第２の部分１６４）同士の中点をラインＬＸ（又はラインＬＹ）の中心とすることができる。
【００４４】
マーク１６０は、電極１５０から離間して形成されている。あるいは、電気的に問題がなければ、マーク１６０を電極１５０と接続して形成することも可能である。また、基板１１０に対して複数のマーク１６０が形成されていてもよいし、１つのマーク１６０のみが形成されていてもよい。また、マーク１６０は、基板１１０の端部に形成されている。その場合、マーク１６０は、第１及び第２の部分１６２，１６４の内角が基板１１０の中央を向くように配置されている。
【００４５】
図１に示す例では、基板１１０は矩形形状をなし、基板１１０の四隅のそれぞれにマーク１６０が形成されている。あるいは、基板１１０の四隅のうちいずれか１つをマーキング領域として使用し、残る３つにそれぞれマーク１６０を形成してもよい。あるいは、基板１１０の四隅のうちいずれか２つ（例えば隣り合う２つ又は対角線上の２つ）にそれぞれマーク１６０を形成してもよい。
【００４６】
なお、図１に示すように、マーク１６０は、基板１１０のいずれかの辺１１２に沿って延出する第１の部分１６２と、辺１１２の隣の辺１１４に沿って延出する第２の部分１６４と、を含むということができる。また、マーク１６０は、Ｌ字形状をなしているということもできる。その場合、Ｌ字の縦横のそれぞれの長さは同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００４７】
マーク１６０は、導電材料から形成してもよいし、絶縁材料から形成してもよい。マーク１６０は、カメラなどの検出器により視認できるものである。
【００４８】
マーク１６０は、電極１５０と同一材質を含む。例えば、電極１５０が複数層からなる場合、マーク１６０は、電極１５０の複数層の少なくとも１層と同一材質からなる。また、電極１５０が複数層又は単一層に限らず、マーク１６０が電極１５０と同一材質の層のみからなることもできる。
【００４９】
図１に示す例では、マーク１６０は、素子部１２０に接触して形成されているが、変形例として、マーク１６０を酸化シリコン又は窒化シリコンなどの保護層を介して形成することもできる。あるいは、マーク１６０が外部から視認可能であれば、マーク１６０を酸化シリコン又は窒化シリコンなどの保護層により被覆してもよい。
【００５０】
本実施の形態に係る光素子によれば、すでに説明したように、マーク１６０が光の経路の中心軸に対して正確な位置に配置されているので、高精度のアライメントが実現可能な光素子を提供することができる。すなわち、例えば、光素子１００と光導波路（光ファイバ）のアライメントを機械的かつ高精度に行うことができる。これにより、アライメントにおいて例えば光素子を動作させる必要がなくなるので、コスト削減及び工程の容易化を図ることができる。また、マーク１６０は、スクライブラインの位置決めにも使用することもできる。
【００５１】
なお、光素子１００の光学面１２８は、例えば数十ミクロン程度の小さな直径で形成され、かつ反射率の高い電極１５０の金属に囲まれていることから、像がにじんでしまうので光学面１２８を直接視認することによるアライメントは難しい。これに対して、本実施の形態では、別途、マーク１６０を設けるので、マーク１６０の大きさ、形状、材質の調整又は下地とのコントラストの明確化を図ることにより、像のにじみを解消することができ、アライメントの容易化を図ることができる。
【００５２】
（Ａ−５）なお、本実施の形態に係る光素子は、面発光型半導体レーザに限定されるわけではなく、他の発光素子（例えば、半導体発光ダイオードや、有機ＬＥＤ）であってもよく、あるいは受光素子（例えばフォトダイオード）であってもよい。受光素子であれば、柱状部１３０の光学面１２８は光の入射面となる。受光素子の場合、少なくとも光吸収層（広義には機能層）を有する。また、その場合、光吸収層の上下には、それぞれ半導体層（コンタクト層ともいう）が設けられることが多い。
【００５３】
また、上述の各半導体において、ｐ型とｎ型を入れ替えてもよい。また、上述の例では、ＡｌＧａＡｓ系のものについて説明したが、発振波長に応じてその他の材料系、例えば、ＧａＩｎＰ系、ＺｎＳＳｅ系、ＩｎＧａＮ系、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＧａＡｓＳｂ系の半導体材料を用いることも可能である。
【００５４】
また、上述の形態において基板１１０を省略することもできる。詳しくは、基板１１０上に素子部１２０を形成した後、最終的に基板１１０を剥がす方法（エピタキシャルリフトオフ法）により、光素子を製造することもできる。
【００５５】
なお、上述では基板１１０がチップの場合を例として説明したが、本実施の形態においては基板がウエハの場合も含む。その場合、基板には、複数のチップ領域が設けられ、それぞれのチップ領域に上述したマーク１６０が形成されている。
【００５６】
Ｂ．光素子の製造方法
図４〜図９は、本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図である。なお、図１０〜図１２はその変形例を示す図である。
【００５７】
（Ｂ−１）まず、図４〜図６に示すように、基板１１０上に柱状部１３０を含む素子部１２０を形成する。
【００５８】
図４に示すように、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１０の表面に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、半導体多層膜を形成する。ここで、半導体多層膜は、例えば、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの第１のミラー１２２、ＧａＡｓウエル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む活性層１２４、及びｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの第２のミラー１２６からなる。
【００５９】
なお、第２のミラー１２６を成長させる際に、活性層１２４近傍の少なくとも１層を、ＡｌＡｓ層又はＡｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層に形成する。この層は後に酸化され、電流狭窄層１２５となる（図６参照）。また、第２のミラー１２６の最表面の層は、キャリア密度を高くし、電極１５０とのオーミック接触をとりやすくしておくことができる。
【００６０】
エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、基板１１０の種類、あるいは形成する半導体多層膜の種類、厚さ、及びキャリア密度によって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であることができる。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（MOVPE：Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy）法や、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法、あるいはＬＰＥ（Liquid Phase Epitaxy）法などを用いることができる。
【００６１】
次に、半導体多層膜上に、所定形状にパターニングされたレジスト（図示しない）を形成し、該レジストをマスクとして、例えばドライエッチング法により、第２のミラー１２６、活性層１２４、及び第１のミラー１２２の一部をエッチングして、図５に示すように、柱状部１３０を形成する。
【００６２】
次に、図６に示すように、例えば４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、柱状部１３０が形成された基板１１０を投入することにより、上述した第２のミラー１２６中のＡｌ組成が高い層（Ａｌ組成が０．９５以上の層）を側面から酸化して、電流狭窄層１２５を形成する。酸化レートは、炉の温度、水蒸気の供給量、酸化すべき層のＡｌ組成及び膜厚に依存する。上述した電流狭窄層１２５を備えた面発光型半導体レーザでは、駆動する際に、電流狭窄層１２５が形成されていない部分（酸化されていない部分）のみに電流が流れる。したがって、酸化によって電流狭窄層１２５を形成する工程において、電流狭窄層１２５の形成領域を制御することにより、電流密度の制御が可能となる。
【００６３】
（Ｂ−２）次に、樹脂層１４０を形成する（図７参照）。
【００６４】
樹脂層１４０は、まず、前駆体層（図示しない）を素子部１２０の全面を被覆するように設け、該前駆体層をパターニングすることにより形成することができる。前駆体層は、例えばスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法などにより設けることができる。あるいは、前駆体層を液滴吐出方式などにより所定のパターン形状に直接形成することもできる。その後、前駆体層を例えば３５０℃程度に加熱し硬化収縮させることにより、樹脂層１４０を形成することができる。
【００６５】
（Ｂ−３）次に、図７〜図９に示すように電極１５０、マーク１６０を同一レジストＲ１０をマスクとして形成する。電極１５０及びマーク１６０は、同一材質（例えばｐ電極の金属層）から形成することができる。
【００６６】
電極１５０及びマーク１６０は、例えばリフトオフ法により形成することができる。
【００６７】
まず、図７に示すように、レジストＲ１０を所定形状にパターニングして形成する。レジストＲ１０が設けられる領域では、最終的に金属層１５０ａは剥離及び除去される。したがって、パターニング後のレジストＲ１０の平面形状は、電極１５０及びマーク１６０の形成領域の反転形状となる。
【００６８】
次に、図８に示すように、レジストＲ１０上及び開口領域上に金属層１５０ａを形成する。金属層１５０ａは、真空蒸着法、スパッタ法などにより形成することができる。金属層１５０ａは、単層又は複数層から形成することができ、複数層の場合それぞれを異なる材質から形成してもよい。金属層１５０ａを形成する前に、必要があればプラズマ処理等により、被成膜領域を洗浄してもよい。
【００６９】
その後、図９に示すように、レジストＲ１０及びレジストＲ１０上の金属層１５０ａの部分を剥離及び除去する。これにより、金属層１５０ａは、レジストＲ１０が形成されていない開口領域のみに残り、その部分が電極１５０又はマーク１６０となる。
【００７０】
これによれば、上述したようにマーク１６０が電極１５０と同一レジストＲ１０をマスクとして形成するので、電極１５０に対する位置、すなわち光の経路の中心軸に対して正確な位置に形成することができる。
【００７１】
なお、電極１５０を形成した後あるいはその途中において、例えば３５０℃程度の高温下でアニール処理（合金化処理）を行うことができる。また、他の電極１５６は、例えば基板１１０の裏面に形成することができ、その形成方法は電極１５０の説明の通りである。
【００７２】
（Ｂ−４）図１０〜図１２は、電極及びマークの形成工程の変形例を示す図である。電極１５０及びマーク１６０は、上述したリフトオフ法のほか、例えばエッチング法を適用して形成することもできる。
【００７３】
まず、図１０に示すように、基板１１０の全面に金属層１５０ｂを形成する。金属層１５０ｂの成膜方法、材質、構成などの詳細は、金属層１５０ａの内容が相当する。
【００７４】
次に、図１１に示すように、金属層１５０ｂ上に、レジストＲ２０を所定形状にパターニングして形成する。金属層１５０ｂは、レジストＲ２０からの開口領域がエッチングにより除去されるので、パターニング後のレジストＲ２０の平面形状は、電極１５０及びマーク１６０の形成領域に一致する。
【００７５】
その後、図１２に示すように、例えばドライエッチングにより、レジストＲ２０が形成されていない開口領域に設けられている金属層１５０ｂの部分を除去する。これにより、金属層１５０ｂは、レジストＲ２０により覆われた部分のみに残り、その部分が電極１５０及びマーク１６０となる。
【００７６】
本変形例においても上述したように、光の経路の中心軸に対して正確な位置にマーク１６０を形成することができるので、高精度のアライメントが実現可能な光素子の製造方法を提供することができる。
【００７７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の実施の形態に係る光素子の平面図。
【図２】本発明の実施の形態に係る光素子の断面図。
【図３】本発明の実施の形態に係る光素子を説明する図。
【図４】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図５】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図６】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図７】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図８】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図９】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図１０】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図１１】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【図１２】本発明の実施の形態に係る光素子の製造方法を示す図。
【符号の説明】
【００７９】
１００…光素子  １１０…基板  １２０…素子部  １２８…光学面
１３０…柱状部  １３２…上面  １４０…樹脂層  １５０…電極
１６０…マーク  １６２…第１の部分  １６４…第２の部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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