(57)【要約】【課題】  分断されたＤＡＦや金属薄膜の寸法を半導体チップに適合させることができ、半導体チップの実装不良が発生することがない半導体基板の分断方法を実現する。【解決手段】  ダイヤモンドブレード３により、分断予定ラインＬ１に沿ってＤＡＦ２および半導体基板１に切り込み１ａを形成する。次に、レーザ光４をその集光点Ｐが半導体基板１の内部に形成されるように、分断予定ラインＬ１に沿って照射し、集光点Ｐに多光子吸収による改質領域１ｃを形成する。次に、ダイシングフィルム５を矢印Ｆ２，Ｆ３方向へ引っ張り、半導体基板１を分断予定ラインＬ１に沿って分断する。次に、押圧部材６を矢印Ｆ４で示す方向へ移動させ、半導体チップ１ｅをピックアップする。【選択図】  図１
2006086509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分断された半導体基板を実装するための実装部材が基板面に取付けられた半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法において、
前記実装部材側の面から、前記半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って少なくとも前記実装部材を分断する実装部材分断工程と、
この実装部材分断工程により前記実装部材が分断された前記実装部材側の面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材を貼着する貼着工程と、
前記実装部材側の面およびその面と反対側の基板面の少なくとも一方の面から、前記分断予定ラインに沿った前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、
この改質領域形成工程および前記貼着工程が終了した後に前記半導体基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る半導体基板分断工程と、
を備えたことを特徴とする半導体基板の分断方法。
【請求項２】
前記実装部材分断工程は、前記実装部材側の面から、前記分断予定ラインに沿って前記実装部材側の面から前記半導体基板の内部に達する切り込みを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の分断方法。
【請求項３】
分断された半導体基板を実装するための実装部材が基板面に取付けられており、さらに、前記実装部材の実装面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材が貼着された半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法において、
前記実装部材側の面またはその面と反対側の基板面から第１のレーザ光を照射し、前記半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って前記実装部材を分断する実装部材分断工程と、
前記実装部材側の面および前記反対側の基板面の少なくとも一方の面から、前記分断予定ラインに沿った前記半導体基板の内部に集光点を合わせて第２のレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、
前記改質領域形成工程が終了した後に前記半導体基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る半導体基板分断工程と、
を備えたことを特徴とする半導体基板の分断方法。
【請求項４】
前記第１のレーザ光および前記第２のレーザ光を同一の面から照射することを特徴とする請求項３に記載の半導体基板の分断方法。
【請求項５】
前記第１のレーザ光および前記第２のレーザ光は同一のレーザ源から出射されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体基板の分断方法。
【請求項６】
半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法において、
分断された半導体基板を実装する側の面である実装面から、前記半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に達する所定の深さの切り込みを形成する切り込み形成工程と、
この切り込み形成工程により前記切り込みが形成された前記実装面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材を貼着する貼着工程と、
前記実装面およびその面と反対側の基板面の少なくとも一方の面から、前記分断予定ラインに沿った前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、
この改質領域形成工程および前記貼着工程が終了した後に前記半導体基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る半導体基板分断工程と、
を備えたことを特徴とする半導体基板の分断方法。
【請求項７】
前記半導体基板の実装側の面には、半導体基板材料と同一または異なる材料により基板が形成されており、その基板の実装側の面に前記実装部材が取付けられており、
前記半導体基板分断工程では、前記半導体基板および前記基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して前記半導体チップを得ることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法。
【請求項８】
前記半導体基板の実装側の面には、半導体基板材料と同一または異なる材料により基板が形成されており、
前記半導体基板分断工程では、前記半導体基板および前記基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して前記半導体チップを得ることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板の分断方法。
【請求項９】
前記基板は、前記実装部材の熱膨張率と、前記半導体チップを実装する実装基材の熱膨張率との相違によって前記実装部材と前記実装基材との間に発生する応力を緩和する材料により形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体基板の分断方法。
【請求項１０】
前記半導体基板と異なる材料は、ガラスであることを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法。
【請求項１１】
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項７、請求項９および請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られた半導体チップであって、前記分断により形成された実装部材の分断面間の幅が、前記半導体チップのうち、前記実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下であることを特徴とする半導体チップ。
【請求項１２】
前記分断により形成された実装部材の分断面間の幅が、前記半導体チップのうち、前記実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下であり、かつ、前記実装部材が取付けられている面の分断面間の幅が、前記実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体チップ。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られた半導体チップであって、前記半導体チップのうち、実装側の面の分断面間の幅が、前記実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下であることを特徴とする半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、分断された半導体基板を実装するための実装部材が基板面に取付けられた半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体基板の分断方法として、高速回転するダイヤモンドブレードにより、シリコンウェハなどの半導体基板を切断して半導体チップを得る方法が用いられていた。しかし、この方法では、切断幅分のシリコンの損失により、半導体チップの収量が制限されるという問題や、切断時に半導体チップの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するという問題などがあった。
そこで、半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、集光点に多光子吸収による改質領域を形成し、その改質領域を起点に分断する方法が提案されている（特許文献１）。図４は、その方法を示す説明図であり、図４（ａ）〜（ｃ）は、改質領域の形成から分断までの工程を示す説明図である。
図４（ａ）に示すように、半導体基板１の裏面（素子が形成されていない面）には、分断により生成された半導体チップ１ｅを実装するための貼着フィルム（フィルム状接着剤）であるダイアタッチフィルム（ダイボンドフィルムともいう。以下、ＤＡＦという）２が貼着されており、そのＤＡＦ２の裏面（実装側の面）には、分断後の半導体チップが離散しないようにするためのダイシングフィルム（ダイシングシートまたはダイシングテープとも呼ばれる）５が貼着されている。ＤＡＦ２およびダイシングフィルム５は、例えば合成樹脂製フィルム上に接着剤を塗工して形成されている。
まず、レーザ光４をその集光点Ｐが半導体基板１の内部の下方に位置するように設定したレーザ照射条件で、分断予定ラインＬ１上に沿って半導体基板１の表面から照射する。これにより、集光点Ｐおよびその近傍では、光学的損傷という現象が発生し、これにより熱ひずみが誘起され、その部分にクラックが発生し、そのクラックが集合した領域、つまり改質領域１ｃが形成される。続いて、集光点Ｐを前述で形成した改質領域より上方の半導体基板内部の位置に移動させ、分断予定ラインＬ１に沿って改質領域１ｃを形成し、分断予定ラインＬ１の下方の基板厚さ方向に対し、連続もしくは断続の層状の改質領域を少なくとも一層形成する。このような分断予定ラインＬ１上に改質領域１ｃを形成する工程を各分断予定ラインＬ１に対して行う（図４（ａ））。続いて、ダイシングフィルム５を両方向（図中矢印Ｆ２，Ｆ３で示す方向）へ引っ張り、半導体基板１の内部にせん断応力を発生させることにより、改質領域１ｃを形成するクラックを成長させ、改質領域１ｃに沿ったライン上に割れ１ｂを形成させる（図４（ｂ））。続いて、割れ１ｂ，１ｂにより挟まれた部分の裏面に押圧部材６の先端を当接させ、その押圧部材６を上方（図中矢印Ｆ４で示す方向）へ移動させ、半導体チップ１ｅをピックアップし、ＤＡＦ２を引きちぎる（図４（ｃ））。
【０００３】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報（第７７〜８１段落、図２８〜図３２）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、図４に示す上記従来の方法では、図４（ｃ）に示すように、半導体チップ１ｅをピックアップするときにＤＡＦ２を引きちぎるため、ＤＡＦ２が分断予定ラインＬ１に沿って分断されず、寸足らずのＤＡＦ２ｂが発生し、実装時の貼着面積が小さくなり、実装の強度が低下してしまう。また、半導体チップ１ｅの端部からはみ出たＤＡＦ２ｃが発生すると、そのはみ出た部分が、実装の妨げになるという問題がある。なお、半導体チップ１ｅをハンダ付けにより実装するための金属薄膜をＤＡＦに代えて用いる場合も、ＤＡＦを用いた場合と同様の問題がある。
つまり、従来の方法では、分断されたＤＡＦや金属薄膜の寸法が、半導体チップに適合しないため、半導体チップの実装不良が発生するおそれがあるという問題がある。
【０００５】
そこでこの発明は、分断されたＤＡＦや金属薄膜の寸法を半導体チップに適合させることができ、半導体チップの実装不良が発生することがない半導体基板の分断方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、分断された半導体基板を実装するための実装部材が基板面に取付けられた半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法において、前記実装部材側の面から、前記半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って少なくとも前記実装部材を分断する実装部材分断工程と、この実装部材分断工程により前記実装部材が分断された前記実装部材側の面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材を貼着する貼着工程と、前記実装部材側の面およびその面と反対側の基板面の少なくとも一方の面から、前記分断予定ラインに沿った前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、この改質領域形成工程および前記貼着工程が終了した後に前記半導体基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る半導体基板分断工程とを備えたという技術的手段を用いる。
なお、上記集光点とは、レーザ光が集光した箇所のことである。
【０００７】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体基板の分断方法において、前記実装部材分断工程は、前記実装部材側の面から、前記分断予定ラインに沿って前記実装部材側の面から前記半導体基板の内部に達する切り込みを形成するという技術的手段を用いる。
【０００８】
請求項３に記載の発明では、分断された半導体基板を実装するための実装部材が基板面に取付けられており、さらに、前記実装部材の実装面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材が貼着された半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法において、前記実装部材側の面またはその面と反対側の基板面から第１のレーザ光を照射し、前記半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って前記実装部材を分断する実装部材分断工程と、前記実装部材側の面および前記反対側の基板面の少なくとも一方の面から、前記分断予定ラインに沿った前記半導体基板の内部に集光点を合わせて第２のレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、前記実装部材分断工程の後であって、前記改質領域形成工程の前または後で、前記実装部材側の面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材を貼着する貼着工程と、前記改質領域形成工程および前記貼着工程が終了した後に前記半導体基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る半導体基板分断工程とを備えたという技術的手段を用いる。
【０００９】
請求項４に記載の発明では、請求項３に記載の半導体基板の分断方法において、前記第１のレーザ光および前記第２のレーザ光を同一の面から照射するという技術的手段を用いる。
【００１０】
請求項５に記載の発明では、請求項３または請求項４に記載の半導体基板の分断方法において、前記第１のレーザ光および前記第２のレーザ光は同一のレーザ源から出射されるという技術的手段を用いる。
【００１１】
請求項６に記載の発明では、半導体基板をその厚さ方向に分断する半導体基板の分断方法において、分断された半導体基板を実装する側の面である実装面から、前記半導体基板をその厚さ方向に分断するための分断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に達する所定の深さの切り込みを形成する切り込み形成工程と、この切り込み形成工程により前記切り込みが形成された前記実装面に、分断された半導体基板の離散を防止するための膜状部材を貼着する貼着工程と、前記実装面およびその面と反対側の基板面の少なくとも一方の面から、前記分断予定ラインに沿った前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記集光点に多光子吸収による改質領域を形成する改質領域形成工程と、この改質領域形成工程および前記貼着工程が終了した後に前記半導体基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得る半導体基板分断工程とを備えたという技術的手段を用いる。
【００１２】
請求項７に記載の発明では、請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法において、前記半導体基板の実装側の面には、半導体基板材料と同一または異なる材料により基板が形成されており、その基板の実装側の面に前記実装部材が取付けられており、前記半導体基板分断工程では、前記半導体基板および前記基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して前記半導体チップを得るという技術的手段を用いる。
【００１３】
請求項８に記載の発明では、請求項６に記載の半導体基板の分断方法において、前記半導体基板の実装側の面には、半導体基板材料と同一または異なる材料により基板が形成されており、前記半導体基板分断工程では、前記半導体基板および前記基板を前記分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して前記半導体チップを得るという技術的手段を用いる。
【００１４】
請求項９に記載の発明では、請求項７に記載の半導体基板の分断方法において、前記基板は、前記実装部材の熱膨張率と、前記半導体チップを実装する実装基材の熱膨張率との相違によって前記実装部材と前記実装基材との間に発生する応力を緩和する材料により形成されているという技術的手段を用いる。
【００１５】
請求項１０に記載の発明では、請求項７ないし請求項９のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法において、前記半導体基板と異なる材料は、ガラスであるという技術的手段を用いる。
【００１６】
請求項１１に記載の発明では、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項７、請求項９および請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られた半導体チップであって、前記分断により形成された実装部材の分断面間の幅が、前記半導体チップのうち、前記実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下であるという技術的手段を用いる。
【００１７】
請求項１２に記載の発明では、請求項１１に記載の半導体チップにおいて、前記分断により形成された実装部材の分断面間の幅が、前記半導体チップのうち、前記実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下であり、かつ、前記実装部材が取付けられている面の分断面間の幅が、前記実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下であるという技術的手段を用いる。
【００１８】
請求項１３に記載の発明では、請求項１ないし請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られた半導体チップであって、前記半導体チップのうち、実装側の面の分断面間の幅が、前記実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下であるという技術的手段を用いる。
【発明の効果】
【００１９】
（請求項１に係る発明の効果）
半導体基板を分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断する半導体基板分断工程を実行する前に、実装部材側の面から、分断予定ラインに沿って少なくとも実装部材を分断する実装部材分断工程を実行するため、半導体基板を分断するときに実装部材を引きちぎる従来の方法のように、分断された実装部材が寸足らずになったり、半導体チップの端部からはみ出たりすることがない。
従って、分断された実装部材の寸法を、半導体チップに適合させることができ、半導体チップの実装不良が発生することがない半導体基板の分断方法を実現することができる。
しかも、レーザ光の照射により、分断予定ラインに沿って改質領域を形成し、その分断予定ラインに沿って半導体基板を分断するため、半導体基板をダイヤモンドブレードにより切断する従来の方法のように、切断幅分の半導体基板の損失により、半導体チップの収量が制限されるおそれもないし、切断時に半導体チップの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するおそれもない。
【００２０】
（請求項２に係る発明の効果）
実装部材を分断するだけでなく、予め分断予定ラインに沿って半導体基板の内部に切り込みを形成しておくため、分断すべき半導体基板の実質厚が薄くなり、半導体基板の分断に必要な改質領域の層数が少なくて済み、半導体基板の分断にかかるレーザ照射時間を短縮することができる。また、切り込みが形成されていない場合よりも、分断に必要な力を小さくすることができる。
なお、請求項１に係る発明と同じ効果を奏することができる。
【００２１】
（請求項３に係る発明の効果）
半導体基板を分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断する半導体基板分断工程を実行する前に、実装部材側の面またはその面と反対側の基板面から第１のレーザ光を照射し、分断予定ラインに沿って実装部材を分断する実装部材分断工程を実行するため、半導体基板を分断するときに実装部材を引きちぎる従来の方法のように、分断された実装部材が寸足らずになったり、半導体チップの端部からはみ出たりすることがない。
従って、分断された実装部材の寸法を、半導体チップに適合させることができ、半導体チップの実装不良が発生することがない半導体基板の分断方法を実現することができる。
しかも、第２のレーザ光の照射により、分断予定ラインに沿って改質領域を形成し、その分断予定ラインに沿って半導体基板を分断するため、半導体基板をダイヤモンドブレードにより切断する従来の方法のように、切断幅分の半導体基板の損失により、半導体チップの収量が制限されるおそれもないし、切断時に半導体チップの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するおそれもない。
【００２２】
（請求項４に係る発明の効果）
第１のレーザ光および第２のレーザ光を同一の面から照射するため、第１のレーザ光を照射する場合と第２のレーザ光を照射する場合とで、半導体基板を裏返す工程をなくすことができるため、半導体基板の分断のための全行程にかかる時間を短縮することができる。
なお、請求項３に係る発明と同じ効果を奏することができる。
【００２３】
（請求項５に係る発明の効果）
第１のレーザ光および第２のレーザ光は同一のレーザ源から出射されるため、レーザ源を１つだけ設ければよいので、半導体基板を分断するためのレーザ照射装置を簡易な構成にすることができる。
従って、レーザ源を複数設ける場合よりも、レーザ源が少ない分、上記装置の故障率および製造コストを低減することができる。また、上記装置のメンテナンスを容易にすることができる。
また、同一のレーザ源から出射された第１のレーザ光および第２のレーザ光を同一の面から照射し、その集光点の深さを変えるようにすれば、実装部材の分断および改質領域の形成を連続して行うことができるため、半導体基板の分断にかかる時間を短縮することができる。
なお、請求項３および請求項４に係る発明と同じ効果を奏することができる。
【００２４】
（請求項６に係る発明の効果）
基板面に実装部材が取付けられていない半導体基板の実装面から分断予定ラインに沿って所定の深さまで切り込みを形成する切り込み形成工程と、レーザ光の照射により、分断予定ラインに沿って改質領域を形成する改質領域形成工程とを併用するため、半導体基板をダイヤモンドブレードだけで切断する従来の方法よりも、切断幅分の半導体基板の損失を少なくすることができ、半導体チップの収量を増加することができる。また、切断時に半導体チップの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するおそれもない。さらに、レーザ照射により改質層だけを形成して分断する場合よりも、分断に必要な加工に要する時間を短縮することができる。
【００２５】
（請求項７に係る発明の効果）
半導体基板の実装側の面に、半導体基板材料と同一または異なる材料により基板が形成されており、その基板の実装側の面に実装部材が取付けられている構成の場合でも、半導体基板分断工程では、半導体基板および基板を分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得ることができる。
【００２６】
（請求項８に係る発明の効果）
半導体基板の実装側の面に、半導体基板材料と同一または異なる材料により基板が形成されている構成の場合でも、半導体基板分断工程では、半導体基板および基板を分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得ることができる。
【００２７】
（請求項９に係る発明の効果）
上記基板が、実装部材の熱膨張率と、半導体チップを実装する実装基材の熱膨張率との相違によって実装部材と実装基材との間に発生する応力を緩和する材料により形成されている場合でも、半導体基板分断工程では、半導体基板および基板を分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得ることができる。
【００２８】
（請求項１０に係る発明の効果）
上記基板が半導体基板と異なる材料であるガラスにより形成されている場合でも、半導体基板分断工程では、半導体基板および基板を分断予定ラインに沿って厚さ方向に分断して半導体チップを得ることができる。
【００２９】
（請求項１１に係る発明の効果）
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項７、請求項９および請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られた半導体チップは、分断により形成された実装部材の分断面間の幅が、半導体チップのうち、実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下になる。
つまり、例えば、実装部材をダイヤモンドブレードによって切削し、半導体基板についてはレーザ光を照射して改質領域を形成することにより分断予定ラインに沿って分断した場合は、ダイヤモンドブレードによって切削された部分には、ダイヤモンドブレードの刃の厚さ分の隙間が形成されるため、その分、分断面間の幅が減少するが、半導体基板の方は、改質領域に沿って、略分断予定ライン通りに分断されるので、実装部材の分断面間の幅は、実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下になる。
従って、分断により形成された実装部材の分断面間の幅が、半導体チップのうち、実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下になっている半導体チップは、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項７、請求項８および請求項９のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【００３０】
（請求項１２に係る発明の効果）
実装部材を基板面に取付ける際に、実装部材に対して面方向に張力を作用させた状態で実装部材を基板面に取付けた場合、実装部材分断工程において実装部材が分断されると、実装部材が分断された部分から、分断面間の方向へ縮むことがある。
従って、分断された実装部材の分断面間の幅は、実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下になる。
つまり、分断により形成された実装部材の分断面間の幅が、半導体チップのうち、実装部材が取付けられている面の分断面間の幅以下であり、かつ、実装部材が取付けられている面の分断面間の幅が、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下になっている半導体チップも、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項７、請求項９および請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【００３１】
（請求項１３に係る発明の効果）
請求項１ないし請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られた半導体チップは、半導体チップのうち、実装側の面の分断面間の幅が、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下となる。
つまり、例えば、実装部材から半導体基板の所定の深さまでをダイヤモンドブレードによって切削し、残りの厚さ方向の半導体基板についてはレーザ光を照射して改質領域を形成することにより分断した場合は、ダイヤモンドブレードによって切削された部分には、ダイヤモンドブレードの刃の厚さ分の隙間が形成されるため、その分、分断面間の幅が減少するが、改質領域が形成された部分は、略分断予定ライン通りに分断されるので、実装側の分断面間の幅は、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下になる。
従って、実装側の面の分断面間の幅が、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅以下である半導体チップは、請求項１ないし請求項１０のいずれか１つに記載の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
＜第１実施形態＞
この発明の第１実施形態について図１を参照して説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、この実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。
（図１（ａ）に示す工程）
半導体基板１の裏面１ｇには、ＤＡＦ２が貼着されている。まず、図中矢印Ｆ１で示す方向に高速回転するダイヤモンドブレード３により、ＤＡＦ２を分断予定ラインＬ１に沿って切断し、さらに半導体基板１をその内部に達するまで切削する（本願請求項１の実装部材分断工程に対応）。この切削を各分断予定ラインＬ１について行う。これにより、各分断予定ラインＬ１に沿ってＤＡＦ２が分断されるとともに、半導体基板１の分断予定ラインＬ１に沿った内部まで切り込み１ａが形成される。なお、ＤＡＦ２が本願特許請求の範囲に記載の実装部材に対応する。
【００３３】
（図１（ｂ）に示す工程）
次に、ＤＡＦ２の裏面（実装側の面）にダイシングフィルム５を貼着する（本願請求項１の貼着工程に対応）。続いて半導体基板１を裏返し、レーザ光４を、その集光点Ｐが分断予定ラインＬ１に沿った半導体基板１の内部（切り込み１ａの延長上）に形成されるように表面１ｆから照射する。これにより、レーザ光４の集光点Ｐには、多光子吸収による改質領域１ｃが形成される（本願請求項１の改質領域形成工程に対応）。このとき、レーザ光４の集光点Ｐの深さを調整することにより、半導体基板１の表面１ｆから、切り込み１ａが形成されていない部分の厚さｎの範囲内で任意の深さに任意の層数の改質層１ｃを形成することができる。例えば、厚さｎが比較的厚い場合は、その厚さ方向へ集光点Ｐを移動させて改質領域１ｃを厚さ方向に連続状、または複数箇所に形成することにより、分断を容易にすることができる。このような改質領域１ｃの形成を各分断予定ラインＬ１について行う。なお、ダイシングフィルム５が本願特許請求の範囲に記載の膜状部材に対応する。
【００３４】
多光子吸収とは、物質が複数個の同種もしくは異種の光子を吸収することをいう。その多光子吸収により、半導体基板１の集光点Ｐおよびその近傍では、光学的損傷という現象が発生し、これにより熱ひずみが誘起され、その部分にクラックが発生し、そのクラックが集合した領域、つまり改質領域１ｃが形成される。レーザ光４がパルス波の場合、レーザ光の強度は、集光点のピークパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）で決まり、例えばピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でパルス幅が１μｓ以下の条件で多光子吸収が発生する。レーザ光としては、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）レーザによるレーザ光を用いる。そのレーザ光の波長は、例えば１０６４ｎｍの赤外光領域の波長である。
【００３５】
（図１（ｃ）に示す工程）
次に、ダイシングフィルムを引っ張るためのテープエキスパンド装置などにより、ダイシングフィルム５を両方向（図中矢印Ｆ２，Ｆ３で示す方向）へ引っ張り、半導体基板１の内部にせん断応力を発生させることにより、改質領域１ｃを形成するクラックを成長させ、改質領域１ｃに沿ったライン上に割れ１ｂを形成させる。
【００３６】
（図１（ｄ）に示す工程）
続いて、割れ１ｂ，１ｂにより挟まれた部分の裏面１ｇに押圧部材６の先端を当接させ、その押圧部材６を上方（図中矢印Ｆ４で示す方向）へ移動させ、半導体チップ１ｅをピックアップする（本願請求項１の半導体基板分断工程に対応）。
【００３７】
（半導体チップ）
図５（ａ）は、図１（ｄ）に示す工程により得られた半導体チップの縦断面図である。半導体チップ１ｅのうち、実装側の面の分断面（切り込み１ａが入っている面）間の幅Ｗ２が、実装側の面と反対側の面の分断面（割れ１ｂが入っている面）間の幅Ｗ１以下（Ｗ２≦Ｗ１）に形成されている。
つまり、この実施形態にように、ＤＡＦ２から半導体基板１の所定の深さまでをダイヤモンドブレード３によって切削し、残りの厚さ方向の半導体基板１についてはレーザ光４を照射して改質領域１ｃを形成することにより分断した場合、実装側の切削部分には、ダイヤモンドブレード３の刃の厚さ分の隙間が形成されるため、その分、分断面間の幅が減少している。
一方、改質領域１ｃが形成された部分は、略分断予定ライン通りに分断されるため、分断された半導体チップ１ｅは、実装側の面の分断面間の幅Ｗ２が、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅Ｗ１以下となる。
従って、実装側の面の分断面間の幅Ｗ２が、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅Ｗ１以下である半導体チップは、この実施形態の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【００３８】
図７は、図１（ｄ）に示す工程により得られた半導体チップの縦断面図の他の例を示すものである。
半導体チップ１ｅの裏面（実装側の面）に貼着されたＤＡＦ２の分断面間の幅Ｗ４が、ＤＡＦ２が貼着されている面の分断面間の幅Ｗ２以下（Ｗ４≦Ｗ２）に形成されている。
つまり、この実施形態のように、ＤＡＦ２をレーザ光７によって溶断する場合は、溶融によりＤＡＦ２が消失したり、収縮した部分が形成されるため、その分、ＤＡＦ２の分断面間の幅が減少している。また、ＤＡＦ２を半導体基板１の裏面１ｇに貼着する際に、ＤＡＦ２に対して面方向に張力を作用させた状態でＤＡＦ２を裏面１ｇに貼着した場合、ＤＡＦ２を分断する工程においてＤＡＦ２が分断されると、分断された部分から、分断面間（内側）の方向へ縮むことがある。このため、分断されたＤＡＦ２の分断面間の幅が減少することがある。
従って、分断により形成されたＤＡＦ２の分断面間の幅Ｗ４が、半導体チップ１ｅのうち、ＤＡＦ２が貼着されている面の分断面間の幅Ｗ２以下であり、かつ、ＤＡＦ２が取付けられている面の分断面間の幅Ｗ２が、反対側の面の分断面間の幅Ｗ１以下になっている半導体チップ１ｅは、上記実施形態の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【００３９】
［第１実施形態の効果］
（１）以上のように、上記第１実施形態に係る半導体基板の分断方法を用いれば、半導体基板１を分断予定ラインＬ１に沿って厚さ方向に分断する工程を実行する前に、ＤＡＦ２の裏面１ｇから、分断予定ラインＬ１に沿って少なくともＤＡＦ２を分断する工程を実行するため、半導体基板１を分断するときにＤＡＦ２を引きちぎる従来の方法のように、分断されたＤＡＦ２が寸足らずになったり、半導体チップ１ｅの端部からはみ出たりすることがない。
従って、分断されたＤＡＦ２の寸法を、半導体チップ１ｅに適合させることができ、半導体チップ１ｅの実装不良が発生することがない半導体基板１の分断方法を実現することができる。
しかも、レーザ光４の照射により、分断予定ラインＬ１に沿って改質領域１ｃを形成し、その分断予定ラインＬ１に沿って半導体基板１を分断するため、半導体基板１をダイヤモンドブレードにより切断する従来の方法のように、切断幅分の半導体基板１の損失により、半導体チップ１ｅの収量が制限されるおそれもないし、切断時に半導体チップ１ｅの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するおそれもない。
【００４０】
（２）また、ＤＡＦ２を分断するだけでなく、予め分断予定ラインＬ１に沿って半導体基板１の内部に切り込み１ａを形成しておくため、分断すべき半導体基板１の実質厚が薄くなり、半導体基板１の分断に必要な改質層１ｃの層数が少なくて済み、半導体基板１の分断にかかるレーザ照射時間を短縮することができる。また、切り込み１ａが形成されていない場合よりも、分断に必要な力を小さくすることができる。
（３）さらに、半導体基板１の表面１ｆではレーザ光４がほとんど吸収されないため、表面１ｆが溶融することがない。
【００４１】
＜第１実施形態の変更例＞
次に、第１実施形態の変更例について図８を参照して説明する。図８（ａ）〜（ｄ）は、この変更例に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。この変更例は、実装面にガラス基板が形成されており、そのガラス基板の実装側の面にＤＡＦ２が貼着されている半導体基板１を分断することを特徴とする。
【００４２】
（図８（ａ）に示す工程）
半導体基板１の裏面１ｇには、ガラス基板８が形成されており、そのガラス基板８の実装側の面には、ＤＡＦ２が貼着されている。ガラス基板８は、ＤＡＦ２の熱膨張率と、半導体チップ１ｅを実装する回路基板の熱膨張率との差に起因して、ＤＡＦ２と回路基板との間に発生する応力を緩和するための基板である。その応力を緩和するためには、半導体チップ１ｅの熱膨張率と、回路基板などの実装基材の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料が選定され、しかも、基板としてある程度の厚みがあれば、上記応力を緩和できる。例えば、ガラス基板に代えて樹脂基板、半導体基板と同じ材料の基板（例えばＳｉ基板）などを用いることもできる。
まず、図中矢印Ｆ１で示す方向に高速回転するダイヤモンドブレード３により、ＤＡＦ２およびガラス基板８を分断予定ラインＬ１に沿って切断し、さらに半導体基板１をその内部に達するまで切削する。この切削を各分断予定ラインＬ１について行う。これにより、各分断予定ラインＬ１に沿ってＤＡＦ２が分断されるとともに、半導体基板１の分断予定ラインＬ１に沿った内部まで切り込み１ａが形成される。
なお、半導体基板１の内部に達しないようにＤＡＦ２およびガラス基板８のみを分断予定ラインＬ１に沿って切断することもできる。この切断方法によれば、切削時にダイヤモンドブレード３に噴射する切削水が半導体基板１およびＤＡＦ２の接合間の隙間に浸入し、半導体基板１およびＤＡＦ２の接合力が低下したり、半導体チップ１ｅの半導体特性が劣化したりするおそれがない。
【００４３】
（図８（ｂ）に示す工程）
次に、ＤＡＦ２の裏面（実装側の面）にダイシングフィルム５を貼着する。続いて半導体基板１を裏返し、レーザ光４を、その集光点Ｐが分断予定ラインＬ１に沿った半導体基板１の内部（切り込み１ａの延長上）に形成されるように表面１ｆから照射する。これにより、レーザ光４の集光点Ｐには、多光子吸収による改質領域１ｃが形成される。このとき、レーザ光４の集光点Ｐの深さを調整することにより、半導体基板１の表面１ｆから、切り込み１ａが形成されていない部分の厚さｎの範囲内で任意の深さに任意の層数の改質層１ｃを形成することができる。例えば、厚さｎが比較的厚い場合は、その厚さ方向へ集光点Ｐを移動させて改質領域１ｃを厚さ方向に連続状、または複数箇所に形成することにより、分断を容易にすることができる。このような改質領域１ｃの形成を各分断予定ラインＬ１について行う。
【００４４】
（図８（ｃ）に示す工程）
次に、ダイシングフィルムを引っ張るためのテープエキスパンド装置などにより、ダイシングフィルム５を両方向（図中矢印Ｆ２，Ｆ３で示す方向）へ引っ張り、半導体基板１の内部にせん断応力を発生させることにより、改質領域１ｃを形成するクラックを成長させ、改質領域１ｃに沿ったライン上に割れ１ｂを形成させる。
【００４５】
（図１（ｄ）に示す工程）
続いて、割れ１ｂ，１ｂにより挟まれた部分の裏面１ｇに押圧部材６の先端を当接させ、その押圧部材６を上方（図中矢印Ｆ４で示す方向）へ移動させ、半導体チップ１ｅをピックアップする。
【００４６】
（半導体チップ）
分断されたガラス基板の分断面間の幅をＷ２とすると、第１実施形態において図５（ａ）および図７に基づいて説明した各分断面間の幅の関係と同じ関係が成立する。従って、その関係を満たす半導体チップは、上記上記第１実施形態の変更例に係る半導体基板の分断方法によって得られたものであると推定することができる。
上記第１実施形態の変更例を適用した場合でも、第１実施形態と同じ効果を奏することができる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
次に、この発明の第２実施形態について図２を参照して説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、この実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。この実施形態は、レーザ光のみを用い、ダイヤモンドブレードによる切削を全く用いないことを特徴とする。なお、第１実施形態と同じ構成および工程については、説明を簡略化または省略し、同じ構成については同じ符号を用いる。
（図２（ａ）に示す工程）
まず、レーザ光７を半導体基板１の裏面１ｇに貼着されているＤＡＦ２の表面から、分断予定ラインＬ１に沿って、集光点がＤＡＦ２に合うように照射し、ＤＡＦ２を溶融して分断する（本願請求項３の実装部材分断工程に対応）。このＤＡＦ２の分断を各分断予定ラインＬ１に対して行う。レーザ光７は、ＤＡＦ２を溶融して分断する強度を有する。
【００４８】
（図２（ｂ）に示す工程）
次に、ＤＡＦ２の裏面（実装側の面）にダイシングフィルム５を貼着する（本願請求項３の貼着工程に対応）。次に、半導体基板１を裏返し、レーザ光４をその集光点Ｐが半導体基板１の内部の下方に位置するように設定したレーザ照射条件で、分断予定ラインＬ１に沿って半導体基板１の表面から照射し、集光点Ｐに改質領域１ｃを形成する。続いて、集光点Ｐを前述で形成した改質領域より上方の半導体基板内部の位置に移動させ、分断予定ラインＬ１に沿って改質領域１ｃを形成し、分断予定ラインＬ１の下方の基板厚さ方向に対し、連続もしくは断続層状の改質領域を少なくとも一層形成する。このような分断予定ラインＬ１上に改質領域１ｃを形成する工程を各分断予定ラインＬ１に対して行う（本願請求項３の改質領域形成工程に対応）。図中２ａは、ＤＡＦ２が分断された部分である実装部材分断部を示す。
【００４９】
（図２（ｃ）に示す工程）
次に、ダイシングフィルム５を両方向（図中矢印Ｆ２，Ｆ３で示す方向）へ引っ張り、半導体基板１の内部にせん断応力を発生させることにより、改質領域１ｃを形成するクラックを成長させ、改質領域１ｃに沿ったライン上に割れ１ｂを形成させる。
【００５０】
（図２（ｄ）に示す工程）
続いて、割れ１ｂ，１ｂにより挟まれた部分の裏面１ｇに押圧部材６の先端を当接させ、その押圧部材６を上方（図中矢印Ｆ４で示す方向）へ移動させ、半導体チップ１ｅをピックアップする（本願請求項３の半導体基板分断工程に対応）。
【００５１】
（半導体チップ）
図５（ｂ）は、図２（ｄ）に示す工程により得られた半導体チップの縦断面図である。半導体チップ１ｅの裏面（実装側の面）に貼着されたＤＡＦ２の分断面間の幅Ｗ２が、ＤＡＦ２が貼着されている面の分断面間の幅Ｗ３以下（Ｗ２≦Ｗ３）に形成されている。
つまり、この実施形態のように、ＤＡＦ２をレーザ光７によって溶断する場合は、溶融によりＤＡＦ２が消失したり、収縮した部分が形成されるため、その分、ＤＡＦ２の分断面間の幅が減少している。
一方、改質領域１ｃが形成された半導体基板１は、略分断予定ライン通りに分断されるため、分断された半導体チップ１ｅは、分断により形成されたＤＡＦ２の分断面間の幅Ｗ２が、半導体チップ１ｅのうち、ＤＡＦ２が貼着されている面の分断面間の幅Ｗ３以下となる。
従って、分断により形成されたＤＡＦ２の分断面間の幅Ｗ２が、半導体チップ１ｅのうち、ＤＡＦ２が貼着されている面の分断面間の幅Ｗ３以下になっている半導体チップは、この実施形態の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【００５２】
［第２実施形態の効果］
以上のように、上記第２実施形態に係る半導体基板の分断方法を用いれば、半導体基板１を分断予定ラインＬ１に沿って厚さ方向に分断する前に、半導体基板１の裏面１ｇからレーザ光７を照射し、分断予定ラインＬ１に沿ってＤＡＦ２を分断するため、半導体基板１を分断するときにＤＡＦ２を引きちぎる従来の方法のように、分断されたＤＡＦ２が寸足らずになったり、半導体チップ１ｅの端部からはみ出たりすることがない。
従って、分断されたＤＡＦ２の寸法を半導体チップ１ｅに適合させることができ、半導体チップ１ｅの実装不良が発生することがない半導体基板１の分断方法を実現することができる。
しかも、レーザ光４の照射により、分断予定ラインＬ１に沿って改質領域１ｃを形成し、その分断予定ラインＬ１に沿って半導体基板１を分断するため、半導体基板１をダイヤモンドブレードにより切断する従来の方法のように、切断幅分の半導体基板１の損失により、半導体チップ１ｅの収量が制限されるおそれもないし、切断時に半導体チップ１ｅの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するおそれもない。
【００５３】
＜第３実施形態＞
次に、この発明の第３実施形態について図３を参照して説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、この実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。この実施形態は、レーザ光を半導体基板の表面から照射してＤＡＦの分断および改質領域の形成を行うことを特徴とする。なお、第２実施形態と同じ構成および工程については、説明を簡略化または省略し、同じ構成については同じ符号を用いる。
（図３（ａ）に示す工程）
まず、ＤＡＦ２の上にダイシングフィルム５を貼着する。次に、レーザ光７を半導体基板１の表面１ｆから、分断予定ラインＬ１に沿って、集光点がＤＡＦ２に合うようにして照射し、ＤＡＦ２を溶融して分断する（本願請求項３の実装部材分断工程に対応）。このＤＡＦ２の分断を各分断予定ラインＬ１に対して行う。
【００５４】
（図３（ｂ）〜（ｄ）に示す工程）
第２実施形態の図２（ｂ）〜（ｄ）に示す工程と同じ工程を実行することにより、半導体基板１を各分断予定ラインＬ１に沿って分断し、半導体チップ１ｅをピックアップする。
【００５５】
（半導体チップ）
図５（ｂ）は、図２（ｄ）に示す工程により得られた半導体チップの縦断面図である。第２実施形態と同じように、半導体チップ１ｅの裏面（実装側の面）に貼着されたＤＡＦ２の分断面間の幅Ｗ２が、ＤＡＦ２が貼着されている面の分断面間の幅Ｗ３以下（Ｗ２≦Ｗ３）に形成されている。
従って、分断により形成されたＤＡＦ２の分断面間の幅Ｗ２が、半導体チップ１ｅのうち、ＤＡＦ２が貼着されている面の分断面間の幅Ｗ３以下になっている半導体チップは、この実施形態の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【００５６】
［第３実施形態の効果］
以上のように、上記第３実施形態に係る半導体基板の分断方法を用いれば、レーザ光７およびレーザ光４を半導体基板１の表面１ｆから照射するため、レーザ光７を照射する場合とレーザ光４を照射する場合とで、半導体基板１を裏返す工程をなくすことができるため、半導体基板１の分断のための全行程にかかる時間を短縮することができる。
また、第３実施形態は、改質領域１ｃを形成する以降の工程は、第２実施形態と同じであるため、第２実施形態と同じ効果を奏することができる。
【００５７】
＜第４実施形態＞
次に、この発明の第４実施形態について図６を参照して説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は、この実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。この実施形態は、ＤＡＦを使用しないで実装する半導体チップを得るための半導体基板の分断方法であって、ダイヤモンドブレードによる切削と、レーザ光の照射による改質領域の形成とを併用して分断することを特徴とする。なお、第１実施形態と同じ構成および工程については、説明を簡略化または省略し、同じ構成については同じ符号を用いる。この半導体基板の分断方法によって得られる半導体チップは、半田によって回路基板と接続されたり、あるいは、半導体チップおよび回路基板間に接着フィルムや液状の接着剤を介在させることにより実装される。例えば、フリップチップは、半導体素子を形成した半導体チップの主面に半田バンプを設け、その半田バンプにより、半導体チップの主面と当該チップを搭載する配線基板を向かい合わせて接続される。
【００５８】
（図６（ａ）に示す工程）
半導体基板１の裏面１ｇには、ＤＡＦ２が貼着されていない。まず、図中矢印Ｆ１で示す方向に高速回転するダイヤモンドブレード３により、半導体基板１を裏面１ｇから、その内部に達する所定の深さまで切削する。この切削を各分断予定ラインＬ１について行う。これにより、半導体基板１の分断予定ラインＬ１に沿った内部まで切り込み１ａが形成される（本願請求項６の切り込み形成工程に対応）。
【００５９】
（図６（ｂ）に示す工程）
次に、半導体基板１の裏面１ｇにダイシングフィルム５を貼着する（本願請求項６の貼着工程に対応）。続いて、レーザ光４を、その集光点Ｐが分断予定ラインＬ１に沿った半導体基板１の内部（切り込み１ａの延長上）に形成されるように表面１ｆから照射する。これにより、レーザ光４の集光点Ｐには、多光子吸収による改質領域１ｃが形成される（本願請求項６の改質領域形成工程に対応）。このとき、レーザ光４の集光点Ｐの深さを調整することにより、半導体基板１の表面１ｆから、切り込み１ａが形成されていない部分の厚さｎの範囲内で任意の深さに任意の層数の改質層１ｃを形成することができる。例えば、厚さｎが比較的厚い場合は、その厚さ方向へ集光点Ｐを移動させて改質領域１ｃを厚さ方向に連続状、または複数箇所に形成することにより、分断を容易にすることができる。このような改質領域１ｃの形成を各分断予定ラインＬ１について行う。
【００６０】
（図６（ｃ）に示す工程）
次に、ダイシングフィルムを引っ張るためのテープエキスパンド装置などにより、ダイシングフィルム５を両方向（図中矢印Ｆ２，Ｆ３で示す方向）へ引っ張り、半導体基板１の内部にせん断応力を発生させることにより、改質領域１ｃを形成するクラックを成長させ、改質領域１ｃに沿ったライン上に割れ１ｂを形成させる。
【００６１】
（図６（ｄ）に示す工程）
続いて、割れ１ｂ，１ｂにより挟まれた部分の裏面１ｇに押圧部材６の先端を当接させ、その押圧部材６を上方（図中矢印Ｆ４で示す方向）へ移動させ、半導体チップ１ｅをピックアップする（本願請求項６の半導体基板分断工程に対応）。
【００６２】
（半導体チップ）
この実施形態により分断して得られた半導体チップは、図５（ａ）に示す半導体チップ１ｅからＤＡＦ２を除いたものと同じ形状である。このため、第１実施形態と同じように、半導体チップ１ｅのうち、実装側の面の分断面（切り込み１ａが入っている面）間の幅Ｗ２が、実装側の面と反対側の面の分断面（割れ１ｂが入っている面）間の幅Ｗ１以下（Ｗ２≦Ｗ１）に形成されている。
つまり、この実施形態にように、実装側の面から所定の深さまでをダイヤモンドブレード３によって切削し、残りの厚さ方向の部分についてはレーザ光４を照射して改質領域１ｃを形成することにより分断した場合、実装側の切削部分には、ダイヤモンドブレード３の刃の厚さ分の隙間が形成されるため、その分、分断面間の幅が減少している。
一方、改質領域１ｃの形成による半導体基板１の損失はないため、分断された半導体チップ１ｅは、実装側の面の分断面間の幅Ｗ２が、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅Ｗ１以下となる。
従って、実装側の面にＤＡＦ２が貼着されておらず、実装側の面の分断面間の幅Ｗ２が、実装側の面と反対側の面の分断面間の幅Ｗ１以下である半導体チップは、この実施形態の半導体基板の分断方法により得られたものであると推定することができる。
【００６３】
［第４実施形態の効果］
（１）以上のように、上記第４実施形態に係る半導体基板の分断方法を用いれば、実装面にＤＡＦ２が貼着されていない半導体基板１の実装面から分断予定ラインＬ１に沿ってダイヤモンドブレード３により所定の深さまで切り込みを形成する切り込み形成工程と、レーザ光の照射により、分断予定ラインＬ１に沿って改質領域を形成する改質領域形成工程とを併用するため、半導体基板１をダイヤモンドブレードだけで切断する従来の方法よりも、切断幅分の半導体基板１の損失を少なくすることができ、半導体チップ１ｅの収量を増加することができる。また、切断時に半導体チップ１ｅの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するおそれもない。さらに、レーザ照射により改質層だけを形成して分断する場合よりも、分断に必要な加工に要する時間を短縮することができる。
【００６４】
（２）また、予め分断予定ラインＬ１に沿って半導体基板１の内部に切り込み１ａを形成しておくため、分断すべき半導体基板１の実質厚が薄くなり、半導体基板１の分断に必要な改質層１ｃの層数が少なくて済み、半導体基板１の分断にかかるレーザ照射時間を短縮することができる。また、切り込み１ａが形成されていない場合よりも、分断に必要な力を小さくすることができる。
（３）さらに、半導体基板１の表面１ｆではレーザ光４がほとんど吸収されないため、表面１ｆが溶融することがない。
【００６５】
＜その他の実施形態＞
（１）上記第２および第３実施形態では、ＤＡＦ２を分断する工程と、改質領域１ｃを形成する工程とでは、異なるレーザ光を使用したが、同一のレーザ源から出射されるレーザ光を使用してＤＡＦ２の分断および改質領域１ｃの形成を行うこともできる。
この方法によれば、レーザ源を１つだけ設ければよいので、半導体基板１を分断するためのレーザ照射装置を簡易な構成にすることができる。
従って、レーザ源を複数設ける場合よりも、レーザ源が少ない分、上記装置の故障率および製造コストを低減することができる。また、上記装置のメンテナンスを容易にすることができる。
また、第３実施形態において、同一のレーザ源から出射されたレーザ光７およびレーザ光４を半導体基板１の表面１ｆから照射し、その集光点Ｐの深さを変えるようにすれば、ＤＡＦ２の分断および改質領域１ｃの形成を連続して行うことができるため、半導体基板１の分断にかかる時間を短縮することができる。
【００６６】
（２）前述の第１実施形態では、半導体基板１に切り込み１ａを形成してから改質領域１ｃを形成したが、改質領域１ｃを形成してから切り込み１ａを形成することも可能である。この場合も第１実施形態の効果と同じ効果を奏することができる。
（３）前述の第４実施形態では、半導体基板１に切り込み１ａを形成してから改質領域１ｃを形成したが、改質領域１ｃを形成してから切り込み１ａを形成することも可能である。この場合も第４実施形態の効果と同じ効果を奏することができる。
（４）第２実施形態では、ＤＡＦ２を分断してから改質領域１ｃを形成したが、改質領域１ｃを形成してからＤＡＦ２を分断してもよい。この場合も第２実施形態の効果と同じ効果を奏することができる。
【００６７】
（５）レーザ光の集光点Ｐを分断予定ラインＬ１に沿って移動させる場合、レーザ源を移動させてもよいし、半導体基板１を上下方向に移動させてもよい。また、レーザ源および半導体基板１の両方を相互に逆方向に移動させてもよい。この方法によれば、改質領域１ｃを形成する時間を短縮することができる。
（６）レーザ光を照射して改質領域１ｃを形成する場合、半導体基板１の表面１ｆおよび裏面１ｇの両面からレーザ光を照射して改質領域１ｃを形成してもよい。この場合、複数のレーザ源を使用し、表面１ｆおよび裏面１ｇの両面からレーザ光を同時または順番に照射して改質領域１ｃを形成してもよい。
（７）前述の第１〜第３実施形態では、半導体チップ１ｅを実装するための実装部材としてＤＡＦを使用する場合を説明したが、半導体チップ１ｅをハンダ付けして実装するための金属薄膜を実装部材として使用する場合にも、この発明を適用することができる。また、実装部材が樹脂またはガラスなどにより形成されている場合にも、この発明を適用することができる。
【００６８】
（８）ＤＡＦ２および金属薄膜などの実装部材の分断は、ダイヤモンドブレードだけでなく、鋭利な刃先を有する物を押し当てることにより行うこともできる。
（９）曲率を持った物（例えば、半球状の物）の曲面（膨らんだ方の面）をダイシングフィルム５を介して半導体基板１に押し当てることにより、半導体基板１に矢印Ｆ２，Ｆ３に相当する力をかけて、半導体基板１を分断することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、第３実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、従来の半導体基板の分断方法を示す説明図である。
【図５】図５（ａ）は、図１（ｄ）に示す工程により得られた半導体チップの縦断面図であり、図５（ｂ）は、図２（ｄ）に示す工程により得られた半導体チップの縦断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）は、第４実施形態に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。
【図７】図１（ｄ）に示す工程により得られた半導体チップの縦断面図の他の例を示すものである。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の変更例に係る半導体基板の分断方法の工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７０】
１・・半導体基板、１ａ・・切り込み、１ｂ・・割れ、１ｃ・・改質領域、１ｅ・・半導体チップ、１ｆ・・表面、１ｇ・・裏面、２・・ＤＡＦ、２ａ・・実装部材分断部、３・・ダイヤモンドブレード、４・・レーザ光、５・・ダイシングフィルム、６・・押圧部材、７・・レーザ光、８・・ガラス基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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