(57)【要約】【課題】炭素原料と珪素原料の供給の交互切り換えや供給比率の調整を行うことなく炭化珪素結晶薄膜の作製を可能とする。【解決手段】基板９の表面に成長結晶表面の原子配列状態を調整するために、珪素の単元素源（クヌーセンセル１２）から分子線を照射し、結晶が二次元成長するのに適した成長結晶表面状態を形成する工程と、結晶組み立て原料として炭素と珪素の結合（Ｓｉ−Ｃ）分子を内包する有機シランガス１５を供給し単結晶炭化珪素薄膜を成長させる工程とを有する。この基板９として、（０００１）珪素終端面または（０００−１）炭素終端面を有する六方晶炭化珪素基板を用いる。また、上記有機シランガス１５の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素薄膜の製造方法であって、珪素の固相単元素源から珪素分子線を基板表面に照射することで成長結晶の表面原子を二次元成長に適した状態に保つ工程と、結晶組立て原料として炭素と珪素の結合（Ｓi−Ｃ）分子を内包する有機シランガスを供給し単結晶炭化珪素薄膜を成長させる工程を含むことを特徴とする炭化珪素薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記基板は（０００１）珪素終端面又は（０００−１）炭素終端面を有する六方晶炭化珪素基板であることを特徴とする請求項１の炭化珪素薄膜の製造方法。
【請求項３】
有機シランガス原料は、モノメチルシラン、ジメチルシラン，トリメチルシラン、テトラメチルシランであることを特徴とする請求項１の炭化珪素薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電力容量動作、高温動作、放射線環境動作などに対応可能なワイドバンドギャップ半導体材料である炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶薄膜の作製方法に関するものである。特に、成長中の炭化珪素結晶表面を制御するための原料と結晶の成長によって消費される原料を分離して供給することにより、炭化珪素基板上に炭化珪素単結晶薄膜を二次元成長させる方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、化学気相蒸着法で炭化珪素薄膜を作製する場合には、プロパンなど炭素を含んだ化合物とシランなど珪素を含んだ化合物を気相原料として個別に反応炉へ供給する。この場合、炭素原子と窒素原子が結晶に組み込まれるときに同じ位置を奪い合うため（サイト競合）、窒素ドーパント源として供給する窒素ガスの流量を一定に保ったときには、炭素対珪素の供給比（Ｃ／Ｓｉ比）により窒素の結晶への取り込み率が決定される。つまり、炭素を多く供給すると結晶に取り込まれる窒素量は小さく、逆に炭素を少なく供給すると大きくなる。
【０００３】
前記Ｃ／Ｓｉ比は表面の分子レベルの段差の集散に影響し、一般に炭素の割合が大きくなるにつれ、これらが集結して大きな段差になる（ステップバンチング）。このような段差は素子作製時に障害となるので、Ｃ／Ｓｉ比をある一定の値以下に保たなくてはならない。
【０００４】
炭化珪素にはマイクロパイプ（図１）と呼ばれる特有の欠陥があり、素子の絶縁破壊を引き起こすことが知られている。前記Ｃ／Ｓｉ比はこのマイクロパイプの伝達にも大きな影響を与えることが明らかになりつつあり、珪素原料の供給割合が多いときほど基板結晶から薄膜結晶へマイクロパイプが伝達しにくいことが報告されている［非特許文献１；Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４１（２００２）Ｌ１１３７］。
図１は、マイクロパイプが成長する様子を示し、基本格子長さｃの整数倍（ｎＣ）の段差が中心を空洞に保ったまま螺旋階段を上るように＜０００１＞方向へ成長する。
【０００５】
使用する基板に関して言えば、三次元島状成長に比べ結晶欠陥が発生しにくいステップフロー成長（図２）を比較的低い基板温度で発現させるために、基本的な結晶面、例えば、（０００１）面から数度（市販品では４Ｈ−ＳｉＣの場合で約８度、６Ｈ−ＳｉＣの場合で約４度）傾いた表面を持たせた基板（微傾斜基板）を使用している。
図２は、分子スップ１が有る表面でのステップフロー成長の様子を示し、結晶表面に吸着した原料原子あるいは分子３はテラス２を彷徨する。テラス２でこのような吸着原料の密度がある臨界値を超えると、結晶核が発生し、そこから島状成長が始まる。臨界値を越えないときは原料が分子スップ１に吸収され、このステップが伸びるようにして結晶が成長（ステップフロー成長）する。
【０００６】
分子線エピタキシー法による炭化珪素基板への炭化珪素薄膜の作製においては、これまでは固相原料のみ、あるいは気相原料のみが同時使用されていた。気相原料のみを使用した例としては、［非特許文献２；Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ  １８３（１９９８）５８１等］、固相原料のみを使用した例としては［非特許文献３；Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．１４（１９９９）３２２６等］が報告されている。
【０００７】
このように、化学気相蒸着法にせよ分子線エピタキシー法にせよ、従来は炭素原料と珪素原料を同時供給、交互供給あるいは珪素原料を連続供給しながら炭素原料を断続供給し、原子層毎（Ｓｉ，Ｃ，Ｓｉ，Ｃ．．．．．）成長によって炭化珪素基板上へ炭化珪素薄膜を作製していた。
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４１  （２００２）  Ｌ１１３７
【非特許文献２】Ｊ．Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ  １８３  （１９９８）  ５８１
【非特許文献３】Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．  １４  （１９９９）  ３２２６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
化学気相蒸着法で分子レベルの段差間の距離（テラス幅）が長い平坦基板上にステップフロー成長を発現させるためには、基板に吸着した原料３が長い距離を拡散して段差１まで辿り着く必要があり（図２）、平坦基板を１５００℃以上（１８００℃程度）に加熱し、高い拡散活性化エネルギーを吸着原料に与える必要があった。このような高い温度を均一かつ安定に維持して薄膜を作製することは困難であり、また装置の消耗も激しくなる。そこで、より低温で薄膜を成長させるためにテラス幅の狭い前記微傾斜基板が使用されている。しかし、この微傾斜基板を使用して素子を作製した場合には基板表面から引き継がれた部分転位が薄膜中で拡大し、素子の性能劣化を招く［ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会第１３回講演会予稿集ｐ３１等］ことが問題となっている。
【０００９】
一方、分子線エピタキシー法では原料の単位時間単位面積あたりの入射分子数（流束）が化学気相蒸着法に比べ小さいことから、基板のテラス２上での吸着原料密度が減少し、成膜速度は低下するものの、臨界結晶核は発生しにくく、化学気相蒸着法に比べ低い基板温度でも前記ステップフロー成長が発現する（図３）。しかし、珪素と炭素を個別の原料から供給すれば化学気相蒸着法と同じく原子層毎成長になるため、化学気相蒸着法と同様にＣ／Ｓｉ比の影響を受ける。また、Ｓｉ−Ｃ結合を含んだ単一の気体のみを使用すれば分子層毎成長（Ｓｉ−Ｃ，Ｓｉ−Ｃ，Ｓｉ−Ｃ， ．．．．．．）を期待できるが、自由にＣ／Ｓｉ比を変えて結晶成長を制御することができなくなる。
【００１０】
個別固相原料を使用した分子線エピタキシー法では、珪素の分子線を照射して基板表面を再構成し、その後、基板表面上でＣ／Ｓｉ比がある一定の値を超えないように珪素と炭素を導入する作製方法を採用したもの［特開平１１−１６２８５０号公報］もあるが、炭化珪素が形成されるときには表面を再構成している付加珪素が炭化によって消費され［Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  ２７  （１９９８）  ８４８］、表面再構成構造が乱されてしまうため、再び珪素を供給してその回復を待ってから炭素を供給しなくてはならない。さらに、この炭素と珪素の供給量を繰り返し精密に制御する必要がある。
【００１１】
本発明は、個別原料の精密調整をすることなく、従来よりも低い基板温度で平坦基板上に炭化珪素薄膜を二次元成長させる方法を探求したものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は前記の問題を解決するため、成長結晶の表面原子状態（未結合手密度や再構成）を調整する原料と結晶成長に消費される原料を分離し、目的とする結晶成長に適した成長結晶表面状態を形成するためには、結晶の組み立てに消費される原料とは別の原料を使用し、結晶の組み立てには専用の原料を供給する。すなわち、珪素の単元素分子線を照射することで炭化珪素結晶が二次元成長するのに適した成長結晶表面状態を形成し、そこへ既に炭素と珪素の結合（Ｓｉ−Ｃ）を内包するモノメチルシランなどの有機シランガスを供給する。こうすることで、成長結晶表面の調整に関与している原子を結晶の組み立てに消費することなく炭化珪素結晶の分子層毎成長を促進することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、成長結晶の表面原子状態の調整と炭化珪素結晶の組立を分離して制御することができる。その結果、これまでのように炭素原料と珪素原料の供給の交互切り替えや供給比率の調整を行うことなく炭化珪素結晶薄膜の作製が可能となる。また、成長結晶表面には結晶の組み立てに関与しない付加珪素が常に存在し、二次元成長に適した表面が維持されるので、従来の化学気相蒸着法および分子線エピタキシー法と比較して低い基板温度で、部分転位を伝搬させない平坦基板上に二次元成長を発現させることができる。本発明は、電界効果トランジスタのチャネル層のように膜厚はそれほど必要とされないが品質が高い薄膜が要求される場合、あるいは従来よりも低温で薄膜を作製する必要がある場合に適した方法であるといえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
成長結晶表面に吸着したＳｉ−Ｃ分子を拡散させ、ステップフロー成長を促進するためには表面に存在する未結合手の密度を少なくする、未結合手一本当たりの結合エネルギーを小さくすることが考えられる。（０００１）珪素終端面を有する六方晶基板に珪素を付加した場合の表面再構成モデル［Ｐｈｙｓ．  Ｒｅｖ．  Ｌｅｔｔ．  ８０（１９９８）７５８等］に従えば、未結合手密度を低くすることよってステップフロー成長を促進することができる。そこへ有機シランガスを供給することで円滑なステップフロー成長を発現させることができる。
【００１５】
（０００−１）炭素終端面を有する六方晶基板に珪素分子線を照射した場合は（０００１）珪素終端面を有する六方晶基板に珪素分子線を照射した場合とは異なった効果が期待される。なぜならば、（０００−１）炭素終端面と付加珪素原子の結合長は（０００１）珪素終端面と付加珪素原子の結合長よりも短いため、隣接する付加珪素同士が結合を作りにくい（表面再構成しにくい）と考えられるからである。
【００１６】
炭化珪素の結晶成長に大きな影響を与える表面の原子配列状態は反射高エネルギー電子線回折（ＲＨＥＥＤ）パターン、つまり表面状態を反映した周期的回折輝線あるいは輝点の観察によって判別する。
【００１７】
結晶薄膜作製に使用する六方晶炭化珪素基板の面方位は（０００１）または（０００−１）であるが、微傾斜の有無は問わない。また使用する気相分子原料はモノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン等、すでにＳｉ−Ｃ結合を含んでいる有機シランガスであればよい。
【００１８】
珪素の分子線流束が、基板温度と基板結晶多形によって決まる平衡蒸気圧に対して適切な大きさになるようにクヌーセンセル温度を調整して基板表面に照射する。この操作によって表面原子状態を調整された基板の近傍にノズルを近付け、Ｓｉ−Ｃ結合を含んだ気相分子原料を導入すると、基板温度、気相原料圧力、基板表面のテラス幅の他に表面原子状態にも影響された結晶成長が誘起される。
【００１９】
［実施例１］
以下、４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）珪素終端平坦基板（傾斜角０.０６°）に珪素分子線を照射した場合を実施例に取り、本発明をさらに具体的に説明する。本発明で使用した炭化珪素結晶薄膜作製装置の概略を図４に示す。
電子線加熱装置７の電子銃から発射された電子は基板ホルダー８の背面に入射し、その運動エネルギーが熱エネルギーに変換され、基板ホルダー８が加熱される。基板ホルダー８からの熱伝導で基板９が加熱される。気相原料導入用ノズル１３は薄膜作製時に基板付近まで近づけられるよう可動式になっている。結晶成長用気相原料１５はリークバルブ１４で流量を調整されて供給される。クヌーセンセル１２からは基板および成長結晶表面を調整するための珪素固相原料の分子線が照射される。ＲＨＥＥＤ電子銃４から発射された電子は試料表面で回折され、ＲＨＥＥＤ蛍光板１０に試料の表面原子配列状態に応じた回折図として投影される。
アンモニア、過酸化水素、塩酸、硫酸で表面酸化させてはその都度、フッ酸でその酸化表面を除去すること（ＲＣＡ洗浄）で洗浄した炭化珪素基板９を基板ホルダー８に固定し、成長室内の電子線加熱装置７に装着する。基板表面の残留酸化物を除去するため１０−８Ｔｏｒｒ台の高真空中で基板を約１０５０℃に加熱し３０分間保持する。このようにアニール処理した基板表面のＲＨＥＥＤパターンは１×１パターンである。アニール処理前に比べてパターンが明瞭になったことから、表面の残留酸化物が除去されたと推定される。
次に基板を約１１５０℃に昇温し、あらかじめ珪素粉末を充填し、室温から一時間で１５００℃まで加熱しておいた珪素用クヌーセンセル１２から珪素の分子線を基板表面に３０分間照射してシャッターを閉じ、基板加熱を止める。
次に、ＲＨＥＥＤ電子銃４から加速電圧２０ｋｅＶで発射された電子を入射角度約２度で基板表面に入射させる。そうすると、基板表面の二次元原子配列をフーリエ変換することで得られる逆格子棒と、加速電圧で決まる電子波の波数ベクトルを半径とするエバルト球の交点の方向に回折された電子がＲＨＥＥＤ蛍光板１０に蛍光輝線あるいは輝点となって現われる。このようにして得られるＲＨＥＥＤパターンが、上記のように熱処理した（０００１）基板が示す輝線（１×１パターン）の間にさらに別の輝線あるいは斑点を持つかどうかを観察する。この観察においては、基板を回転させ、電子線が基板の＜１−１００＞あるいは＜１１−２０＞方向に入射するように調整し、３×３パターンが現われていることを確認する。
３×３パターンの確認ができたら、ＲＨＥＥＤ電子銃４を停止し、基板を約１１５０℃に昇温後直ちに珪素分子線の照射を再開し、気相原料導入用ノズル１３を基板近傍に近づけてからリークバルブ１４を開け、モノメチルシランガス１５の供給を開始する。薄膜作製中は気相原料導入による真空の劣化を抑制するため、気相原料導入前から成長室のシュラウドに液体窒素を満たしておく。このまま３０分間原料を供給したら、リークバルブ１４を閉じ、珪素用クヌーセンセル１２のシャッターを閉じ、基板加熱電源を切断し、そのまま真空中に放置して冷却する。薄膜作製中の気相原料導入ノズルと基板との距離は約２０ｍｍ、クヌーセンセル１２の上端と基板との距離は１８５ｍｍである。基板表面温度は放射温度計（測定波長９５０ｎｍ、輻射率０.６７）で測定した。基板表面近傍の気相原料分圧は直接測定が困難なため、基板中央から約１８０ｍｍ離れた場所に設置した真空計測素子５によって測定した成長室の全圧をもって指標とした。このような測定条件での典型的な成長室全圧は１×１０−６Ｔｏｒｒである。気相原料の供給率は、成長室の真空度低下により電子線加熱装置７の電子線源が焼き切れないよう、成長室の真空度を１×１０−５Ｔｏｒｒを上限として調整する。このようにして作製した炭化珪素薄膜の表面を空気中に取りだす前に、再び上記の手順でＲＨＥＥＤ観察する。室温まで冷えたところで炭化珪素薄膜を空気中に取り出して、原子間力顕微鏡で表面形態を観察する。なお、一旦、基板表面が３×３構造に再構成される条件が決定されれば、その後は、気相原料導入前のＲＨＥＥＤ観察を省略し、直ちに気相原料の供給を開始してよい。
【００２０】
図５に基板温度を約１１５０℃とし、１５００℃のクヌーセンセルから珪素の分子線を前記洗浄、真空アニール処理済み４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）珪素終端平坦基板に照射して３０分間保ったときの＜１１−２０＞入射ＲＨＥＥＤパターンを示す。ＲＨＥＥＤパターンは１×１輝線の間に１／３、２／３輝線がある３×３パターンが観測されていることから、珪素分子線の照射によって、基板表面が基本表面構造の３倍の周期を持った構造に再構成されていると推定される。
【００２１】
図６（Ａ）は前記［００２０］のようにして準備した珪素付加４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）珪素終端平坦基板に珪素分子線を照射しながらモノメチルシランを供給して作製した炭化珪素薄膜表面の５００ｎｍ平方の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）観察像であり、段差状の表面が露出していることから、炭化珪素はステップフロー成長したと判断される。１０００ｎｍ平方のＡＦＭ像の二乗平均粗さは５.６８１×１０−１ｎｍであり、後述する比較例（珪素分子線を照射しなかった場合）に比べ一桁から二桁程度改善されている。同図（Ｂ）は薄膜作製終了後の＜１１−２０＞入射ＲＨＥＥＤパターンである。１×１輝線の間に１／３と２／３輝線がある３×３パターンが観察されていることから、炭化珪素薄膜成長表面は３×３構造を保ったまま成長したと推定される。珪素原子がお互いに結合している３×３構造では１×１基本構造に比べ、未結合手密度が減少し、そのことによって吸着種の表面拡散が促進されると考えられ、ＡＦＭによって観察された階段状の表面形態（ステップフロー成長）と符合する。
【００２２】
比較のために、珪素分子線を照射しないこと以外は前記［００２１］と同条件で作製した炭化珪素薄膜の５００ｎｍ平方ＡＦＭ像を図７（Ａ）に、＜１１−２０＞入射ＲＨＥＥＤパターンを同図（Ｂ）に示す。
図７（Ａ）には三次元島状構造が認められ、１０００ｎｍ平方の二乗平均粗さは２.４６３×１０1ｎｍであった。図７（Ｂ）のＲＨＥＥＤパターンは輝点が連なった１×１パターンであり、１×１構造のまま三次元島状成長したことが示唆され、ＡＦＭ観察と符合する。つまり、付加珪素原子によって再構成されていない１×１構造珪素終端面には未結合手が高密度に存在し、モノメチルシランから供給されたＳｉ−Ｃ分子が十分に表面拡散できないために三次元島状成長したと考えられる。
【００２３】
［実施例２］
次に、４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）炭素終端平坦基板（傾斜角０.１３°）に珪素分子線を照射した場合を実施例に取り説明する。前記［００１９］と同じ手順で洗浄、真空アニールした４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）炭素終端平坦基板のＲＨＥＥＤパターンは１×１パターンである。アニール処理前に比べてパターンが明瞭になったことから、表面の残留酸化物が除去されたと推定される。
【００２４】
図８に、基板温度を約１１５０℃とし、１５００℃のクヌーセンセルから珪素の分子線を前記洗浄、アニール処理済み４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）炭素終端平坦基板に照射して３０分間保ったときのＲＨＥＥＤパターンを示す。ＲＨＥＥＤパターンは１×１構造を示していた。このことから、付加珪素原子は単独で炭素原子上に存在し、付加珪素原子一個当たり三本の未結合手が存在していると推定される。
【００２５】
前記［００２４］の珪素付加４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）炭素終端平坦基板に珪素分子線を照射しながらモノメチルシランを供給して炭化珪素薄膜を作製した場合、炭化珪素は二次元島状成長することがＡＦＭ観察によって確認された。図９（Ａ）にＡＦＭ観察像を、同図（Ｂ）に＜１１−２０＞入射ＲＨＥＥＤパターンを示す。１０００ｎｍ平方の二乗平均粗さは２．１４４×１０-1ｎｍであり、後述する珪素分子線を照射しなかった場合に比べ一桁から二桁程度改善されている。ＲＨＥＥＤパターンは１×１であり、表面が再構成されないことを示唆している。このとから炭素終端面には珪素原子が付加しているが、お互いに結び着くことなく３本の未結合手を広げたまま単独で存在していると推測され、このことによって表面拡散が抑制され、三次元島状成長に替り二次元島状成長が誘発されたものと考えられる。
【００２６】
珪素分子線を照射しないこと以外は前記［００２５］と同じ条件で炭化珪素薄膜を作製した場合、炭化珪素結晶が三次元島状成長したことが原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）観察によって確認された。図１０（Ａ）にＡＦＭ観察像を、同図（Ｂ）に＜１１−２０＞入射ＲＨＥＥＤパターンを示す。１０００ｎｍ平方の二乗平均粗さは１．２６７×１０1ｎｍであった。ＲＨＥＥＤ観察では薄膜作製前と同じ１×１パターンが現われた。これらの結果は、珪素原子が付加されていない炭素終端面の未結合手密度がＳｉ−Ｃ分子がステップフロー成長するには高過ぎ、二次元島状成長を誘発するには低すぎると解釈され得る。
【００２７】
本発明により、化学気相蒸着法による微傾斜基板上への炭化珪素薄膜作製に比較して４００℃程度低い基板温度で、４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）珪素終端平坦基板および同（０００−１）炭素終端平坦基板上に平坦性に優れた炭化珪素結晶薄膜を作製できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】マイクロパイプが成長する様子を示す図である。
【図２】分子スップ１がある表面でのステップフロー成長の様子を示す図である。
【図３】基板温度、原料圧力と結晶成長様式の関係を示す図である。
【図４】本発明の炭化珪素結晶薄膜作製に用いられる分子線エピタキシー装置の構成を示す概念図である。
【図５】珪素分子線を照射した時の４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）珪素終端平坦基板表面のＲＨＥＥＤパターンを示す図である。
【図６】（Ａ）は珪素分子線を照射しながらモノメチルシランを供給して４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）珪素終端平坦基板に作製した炭化珪素薄膜表面の５００ｎｍ平方ＡＦＭ像である。（Ｂ）は同試料のＲＨＥＥＤパターンを示す図である。
【図７】（Ａ）は珪素分子線を照射せずにモノメチルシランを供給して４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）珪素終端平坦基板に作製した炭化珪素薄膜表面の５００ｎｍ平方ＡＦＭ像である。（Ｂ）は同試料のＲＨＥＥＤパターンを示す図である。
【図８】珪素の分子線を照射したときの４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）炭素終端平坦基板表面のＲＨＥＥＤパターンを示す図である。
【図９】（Ａ）は珪素分子線を照射しながらモノメチルシランを供給して４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）炭素終端平坦基板に作製した炭化珪素薄膜表面の５００ｎｍ平方ＡＦＭ像である。（Ｂ）は同試料のＲＨＥＥＤパターンを示す図である。
【図１０】（Ａ）は珪素分子線を照射せずにモノメチルシランを供給して４Ｈ−ＳｉＣ（０００−１）炭素終端平坦基板に作製した炭化珪素薄膜表面の５００ｎｍ平方ＡＦＭ像である。（Ｂ）は同試料のＲＨＥＥＤパターンを示す図である。
【符号の説明】
【００２９】
１…分子ステップ、２…テラス、３…吸着原料分子、４…ＲＨＥＥＤ電子銃、５…真空測定子、６…膜圧測定、７…電子線加熱装置、８…基板ホルダー、９…基板、１０…ＲＨＥＥＤ蛍光板、１１…真空ポンプ、１２…Ｓｉ用クヌーセンセル、１３…気相原料導入用ノズル、１４…気相原料リークバルブ、１５…気相原料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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