(57)【要約】【課題】  プラズマの微小な発光強度の変化の検出によるエッチングの終点の検知を確実に行うことができるドライエッチング装置を提供する。【解決手段】  本発明のドライエッチング装置は、プラズマが維持されるエッチング室１の壁面に、透光性材料からなるエッチング終点検知用の透過窓９と、プラズマから放射される特定波長の光強度を、透過窓９を通じて計測する検出器１１とを備える。また、エッチング室１の壁面の、透過窓９と異なる位置には、少なくともエッチング終点の検出に用いられる波長の光強度を減衰させるとともに、可視光領域の一部の波長を透過させる目視用の透過窓１５を備えている。これにより、検出器１１への外光の入射を防止でき、微小な発光強度の変化によるエッチング終点の検出を確実に行うことができる。また、従来からの目視用窓の機能を損なうこともない。【選択図】図１
2006339368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング室内に維持されたプラズマにより被加工体のエッチング処理を行うドライエッチング装置において、
前記エッチング室の壁面に設けられた透光性を有する第１の透過窓と、
前記第１の透過窓に対応して前記エッチング室の外部に設けられ、前記プラズマが放射する特定波長の光強度を計測する検出器と、
前記検出器の出力信号に基づいて、エッチング終点を検知する終点検知手段と、
前記エッチング室の壁面の前記第１の透過窓と異なる位置に設けられ、少なくとも前記エッチング終点の検知に用いられる波長の光強度を、前記検出器に計測されない強度まで減衰させるとともに、可視光領域の一部の光を透過させる第２の透過窓と、
を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】
前記第２の透過窓が、少なくとも４８３ｎｍ以下の波長領域の光を減衰させるハイパス型のフィルタを備えた請求項１のドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子製造工程に用いられるドライエッチング装置に関し、特に、光学的手法によりエッチング終点を検出する手段を備えたドライエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体基板や、半導体基板上に形成された各種材料膜に微細なパターンを刻設するエッチング処理に、ドライエッチング装置が広く使用されている。図４は、平行平板型のドライエッチング装置の一般的な構成を示す概略構成図である。
【０００３】
図４に示すように、この種のドライエッチング装置は、エッチング室１の内部に、互いに平行に、かつ対向して設けられた一対の電極を備えている。この一対の電極は、通常、上下方向に配置された下部電極５と上部電極６とにより構成され、下部電極５に被加工体である材料膜とが形成された半導体基板２０が載置される。
【０００４】
上部電極６は、下部電極５と対向する面に、複数のガス導入孔１４を備えており、ガス供給管２を介して供給された、材料膜に応じたプロセスガスが、ガス噴出孔１４から下部電極５に向けて均一に噴射される。そして、高周波電源７からインピーダンス整合器８を介して印加される高周波電力によって両電極間に生成されるプラズマに、材料膜が曝されることによりエッチング処理が行われる。なお、エッチング室１の下壁には、真空ポンプに接続されたガス排気管３が連通されており、エッチング室１の内部は、エッチング処理の間、一定の圧力に維持されている。
【０００５】
このようなエッチング処理では、エッチング対象である材料膜の除去が完了した後においてもエッチングが継続されると、材料膜の下地材料がエッチングされたり、当該エッチング処理において刻設されるべきパターンの形状が変形したりする。このため、所望の構造を得るためには、エッチング処理の終点を正確に検出することが非常に重要である。
【０００６】
エッチング処理の終点を検知する方法として、電極間に生成されたプラズマから放射される特定波長の光強度を観測し、当該光強度の時間的な変動に基づいてエッチング終点を決定する手法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
この手法が適用されるドライエッチング装置は、エッチング室１の壁面に透光性材料からなる透過窓９を備えるとともに、透過窓９に対応して、エッチング室１の外部にプラズマが放射する特定の波長の光強度を検出する検出器１１を備えている。検出器１１は指向性を有しており、例えば、半導体基板２０の表面近傍等、目的の位置の光強度が計測できるよう構成される。
【０００８】
また、エッチング処理中に検出器１１から出力された電気信号は、終点検知手段１２によって時間変化が常時監視される。そして、終点検知手段１２は、当該特定波長の光強度に所定の変動が生じた時点を、エッチング終点として検知する。例えば、検出器１１が検出する波長としては、エッチング処理時に材料膜とプラズマとの反応により生成される物質が発する光の波長が用いられる。これにより、エッチング終点近傍での、反応生成物の生成量の変動が、光強度の変動として検知される。具体的には、材料膜が酸化膜である場合には、一酸化炭素（ＣＯ）の特性スペクトル線（波長４８３ｎｍ等）等が用いられ、材料膜が窒化膜である場合には、シアン（ＣＮ）の特性スペクトル線（波長３８８ｎｍ等）等が用いられている。
【０００９】
なお、プラズマの放射光の強度は常に一定ではなく、時間的な揺らぎを有している。このような光強度の揺らぎは、エッチング終点の誤検知の原因となるため、好ましくない。このため、検出器１１は、エッチング終点を検知するための特定波長の光強度だけでなく、エッチング処理の進行状況に応じて光強度が変動することのない波長の光強度も計測する。後者の波長の光強度は、プラズマの光強度の揺らぎを反映した光強度であるため、終点検知手段１２が、これら異なる波長の光強度の差分を演算することにより、エッチング終点の検出の際のプラズマの揺らぎの影響を低減することができる。
【００１０】
図５は、終点検知手段１２が検出器１１の出力信号に対して演算処理を行った結果を示す模式図である。図５において、横軸は時間に対応し、縦軸は演算信号強度に対応する。ここでは、終点検知手段１２は、各波長の光強度の差分を演算し、当該差分の時間変化を監視している。なお、終点検知手段１２は、ＣＰＵやメモリ等のハードウエアや、当該ハードウエア上で実行されるソフトウエア等により構成することができる。
【００１１】
図５に示すように、演算信号Ｄは、プラズマが生成された後、材料膜のエッチングが未完了である間は、反応生成物が生成され続けるため、ほぼ一定値になる。そして、エッチング終点に近づくと、反応生成物の生成量が減少するため反応生成物に対応する波長の光強度が減少し、演算信号Ｄは下降を開始する。例えば、図５において、時刻ｔ1がエッチング終点である場合、終点検知手段１２は演算信号Ｄの時間変化率（一次微分や二次微分）と、予め設定された閾値とを比較することにより、時刻ｔ1を特定する。
【００１２】
一般に、エッチング処理では、半導体基板２０の表面において、エッチング速度に面内分布が存在し、また、当該エッチング速度は、材料膜に刻設する回路パターンの粗密によっても差異が生じる。このため、高周波電力の供給は、終点検知手段１２がエッチング終点を検出した一定時間後（図５では、時刻ｔ2）に停止される。
【００１３】
ところで、上記従来のドライエッチング装置では、エッチング室１の側壁の、例えば、透過窓９と対向する位置に、透過窓９と同一の材質からなる他の透過窓１０（以下、目視窓１０という。）が設けられている。目視窓１０は、検出器１１によるエッチング終点の検知と並行して、作業者がエッチング室１内部の状況を目視により確認可能となるように設けられるものである。
【００１４】
目視窓１０を通じて、作業者が確認を行う代表的な項目としては、以下で詳述するような、プラズマの発光、半導体基板の位置ずれ、そして、半導体基板をエッチング室１から搬出する際の半導体基板の跳ね等がある。
【００１５】
プラズマの発光の目視確認は、プラズマの励起を確認するために行われる。このように、プラズマの励起を目視確認できる構成を採用することにより、例えば、検出器１１の出力信号に生じた異常の原因が、プラズマの励起異常に起因するものであるか、検出器１１の故障等の他の異常に起因するものであるかを容易に識別することができる。
【００１６】
また、半導体基板２０の位置ずれは、半導体基板２０上において、エッチング速度の面内均一性を悪化させる要因となる。このため、エッチング処理中に、半導体基板２０の位置ずれを目視確認可能な構成を採用することにより、エッチング速度の面内均一性の悪化が生じた場合に、その原因が半導体基板２０の位置ずれに起因するものであるか、他の要因に起因するものであるのかを、容易に識別することができる。
【００１７】
さらに、半導体基板の跳ねは、半導体基板２０をエッチング室１から搬出するために、下部電極５が備えるリフトピン２１が上昇し、半導体基板２０と下部電極５との間に空間が形成されるときに生じる現象である。このような半導体基板２０の跳ねは、半導体基板２０の搬送異常や、エッチング室１内にパーティクルを発生させる原因となる。また、半導体基板２０の跳ねは、下部電極５や半導体基板２０に蓄積されている電荷の相対的な関係によって生じることが多く、半導体基板２０の跳ねの有無は、電荷の蓄積状態を変化させることなく確認される必要がある。したがって、実際のエッチング処理が行われている最中に目視により確認することが好ましい。
【００１８】
このように、目視窓１０は、ドライエッチング装置において生じた異常の要因を解析する上で非常に有用であり、また、複雑な機構を有しておらず安価に設置することができるため、ドライエッチング装置に欠くことができないものとなっている。
【特許文献１】特開平９−５５３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上記ドライエッチング装置等の半導体装置の製造装置が設置されるクリーンルーム内では、作業者が各製造装置間の半導体基板の搬送や装置のメンテナンス等の作業を行っている。このような作業者のために、クリーンルーム内は蛍光灯等により照明され、当該照明光は目視窓１０を通じてエッチング室１内に入射している。上述したように、検出器１１が検出する特定波長の光は可視領域や可視領域近傍の波長の光である。このため、検出器１１は、当該照明光をプラズマからの放射光と区別することなく計測している。
【００２０】
近年、ドライエッチング装置により材料膜に刻設される回路パターンの微細化に伴って、エッチング処理中に生成される反応生成物の量が減少し、検出器１１が検出すべき特定波長の光の強度が小さくなっている。このような状況下においても、エッチング終点を確実に検知することができるように、近年は、高感度の検出器１１が使用されるようになっている。図６は、このような高感度の検出器１１が出力する電気信号を示す図である。図６において、横軸は時間に対応し、縦軸は光強度に対応する。また、図７は、高感度の検出器１１を使用した場合に、検出器１１の出力信号に対して終点検知手段１２が演算処理を行った結果を示す図である。
【００２１】
図６に示すように、電気信号データＥでは、時刻ｔAと時刻ｔBにおいて、波形の変動が確認できる。これは、それぞれの時刻において、ドライエッチング装置の周囲で作業中の作業者が、目視窓１０に入射する照明光を遮ったために生じた変動である。また、このような検出器１１の出力信号の変動は、図７に時刻ｔ3として示すように、演算処理手段１２の演算結果にも反映され、演算信号Ｆに変動が生じている。
【００２２】
終点検知手段１２が、このような変動をエッチング終点として誤検知した場合、エッチング処理は、本来行われるべき処理時間に比べて短い時間（図７では時刻ｔ4）で終了されることになる。このとき、エッチング除去されるべき材料膜は未だ残留している状態であり、半導体装置としては不良となる。このような誤検知は、材料膜の被エッチング領域の面積が小さくなる程、その頻度が高くなり避けることができない。
【００２３】
本発明は、上記従来の事情に鑑みて提案されたものであり、目視用の透過窓を通じて外部からエッチング室に入射する照明光の変動の影響を受けることなく、微小な発光強度の変化の検出を行うことができ、エッチングの終点の検知を確実に行うことができるドライエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用している。すなわち、本発明に係るドライエッチング装置は、プラズマを利用したエッチング処理が行われるエッチング室の壁面に、透光性材料からなる第１の透過窓と、第１の透過窓に対応してエッチング室の外部に、プラズマから放射される特定波長の光強度を計測する検出器を備える。そして、終点検知手段が、検出器の出力信号に基づいてエッチング終点を検知する。また、エッチング室の壁面の、第１の透過窓と異なる位置には、少なくともエッチング終点の検出に用いられる波長の光強度を、前記検出器に計測されない強度まで減衰させるとともに、可視光領域の一部の波長を透過させる第２の透過窓を備えている。ここで、終点検知手段は、検出器の出力信号に演算処理を施すことにより、出力信号に所定の変動が生じた点を検知する。
【００２５】
上記構成において、第２の透過窓が、例えば、少なくとも４８３ｎｍ以下の波長領域の光を減衰させるハイパス型のフィルタを備えた構成を採用することができる。
【発明の効果】
【００２６】
上記構成によれば、プラズマから放射される特定波長の光強度を検出する検出器への外光の入射を防止でき、微小な発光強度の変化によるエッチング終点の検出を確実に行うことができる。また、エッチング室の内部の状態を目視確認するためにエッチング室の壁面に設けられた透過窓の機能を損なうこともない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の一実施の形態に係るドライエッチング装置を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施の形態に係るドライエッチング装置の構成を示す概略構成図である。また、図１において、図４に示した従来のドライエッチング装置と、同一の作用、効果を奏する部位には同一の符号を付し、以下での詳細な説明は省略する。
【００２８】
図１に示すように、本発明に係るドライエッチング装置は、例えば鉛直軸を有する略円柱状のエッチング室１内に、互いに平行に配置された円盤状の下部電極５と上部電極６とを備えている。
【００２９】
下部電極５は、エッチング室１の下壁を介して鉛直方向に移動自在に設けられた支持軸４の上端に支持されており、エッチング室１内を昇降できるように構成されている。例えば、下部電極５は、上部電極６に近接する処理位置や、エッチング室１の側壁下部に設けられた基板入出口１３を介して半導体基板２０の搬入出を行う搬入出位置に移動することができる。また、従来のドライエッチング装置と同様に、下部電極５には、インピーダンス整合器８を介して高周波電源７が接続されている。
【００３０】
一方、上部電極６は中空構造を有し、上部電極６の中空部には、ガス供給部（図示せず）から供給されるプロセスガスをエッチング室１内に導入するガス導入管２が連通される。そして、ガス導入管２を通じて導入されたプロセスガスは、ガス噴出孔１４から下部電極５に向けて均一に噴射され、高周波電源７から印加される高周波電力により、両電極間にプラズマが生成される。エッチング処理中は、ガス導入管２を通じて導入されるプロセスガスの流量に応じて、ガス排気管３の排気量が調整されエッチング室１内の内部圧力が一定に維持される。
【００３１】
さらに、本発明のドライエッチング装置は、上記従来のドライエッチング装置と同様、エッチング室１の壁面に設けられた透光性材料からなる透過窓９、透過窓９に対応してエッチング室１の外部に特定の波長の光強度を検出する検出器１１、及び、検出器１１から出力された電気信号に所定の変化が生じた時点をエッチング終点として検知する終点検知手段１２を備えている。
【００３２】
さて、本発明に係るドライエッチング装置は、従来の目視窓１０に代えて、少なくとも検出器１１が検出する特定波長の光強度を、検出器１１に計測されない強度まで減衰させるとともに、可視光領域の一部の光を透過させる目視窓１５を備える点が従来のドライエッチング装置と異なる。例えば、検出器１１が、上述のＣＯの特性スペクトル線（波長４８３ｎｍ）や、ＣＮの特性スペクトル線（波長３８８ｎｍ）の光強度を検出する光センサである場合、目視窓１５は、４８３ｎｍの波長の光と３８８ｎｍの波長の光を減衰あるいは除去させる光学フィルタを備える構成になる。なお、この種の光センサは、ドライエッチング装置で広く使用されているものであるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３３】
このとき、目視窓１５は、光学フィルタ自体で構成されていてもよく、石英等の透光性材料の表面に光学フィルタが配設された構成であってもよい。本実施の形態では、目視窓１５が、４８３ｎｍ以下の波長領域の光を減衰除去できるハイパス型の光学フィルタにより構成されている。このような光学フィルタとしては、例えば、タキロン社製のＭＮＤ−７７２４０（カットオフ波長：５３０ｎｍ）が入手可能である。
【００３４】
上述のドライエッチング装置におけるエッチング処理では、まず、下部電極５が搬入出位置に移動し、下部電極５上に半導体基板２０が搬入される。下部電極５上に半導体基板２０が載置されると、下部電極５は、半導体基板２０上に形成されている材料膜をエッチングするエッチング条件に応じた処理位置に移動する。なお、材料膜表面には、必要に応じて、レジスト膜や酸化膜等からなるエッチングマスクが事前にフォトリソグラフィ等により形成されている。
【００３５】
次に、エッチング室１の内部がガス排気管３を通じで排気され、所定の内部圧力に保持される。エッチング室１の内部圧力が所定の内部圧力に到達すると、プロセスガスが、ガス導入管２を通じて所定の流量で導入される。このとき、ガス排気管３からの排気量は導入されるプロセスガスの流量に応じて増大され、エッチング室１の内部圧力が上記所定の内部圧力に調整される。ここで、所定の内部圧力とは、エッチング条件に応じて決定されるものであり、通常、材料膜をエッチングする場合は１Ｐａ〜９０Ｐａ程度であり、レジスト残渣等をエッチングする場合（いわゆる、アッシング）は、１Ｐａ〜５００Ｐａ程度である。
【００３６】
エッチング室１の内部圧力とプロセスガスの流量とが安定するまで上記状態が維持された後、下部電極５と上部電極６の間に高周波電力が印加され、両電極間にプラズマが生成される。このとき、インピーダンス整合器８は、プラズマの生成に伴って変動する両電極間のインピーダンスに対応して、高周波電源７が印加する高周波電力の損失が最小となる整合状態に調整される。
【００３７】
そして、下部電極５上に載置された半導体基板２０上の材料膜は、生成されたプラズマに曝され、プラズマ中に存在するイオンや化学的に極めて活性な原子や分子によりエッチングが行われる。
【００３８】
上記エッチング処理の過程では、終点検知手段１２は、検出器１１から出力された電気信号に対して演算処理を行いながら、プラズマから放射される特定波長の発光強度の時間変化をモニタする。そして、終点検知手段１２は、当該特定波長の発光強度に所定の変化が生じた時点を、エッチング終点として検知する。
【００３９】
例えば、本実施の形態のドライエッチング装置において、半導体基板２０上に形成されたシリコン酸化膜を、ＣＨＦ3ガスとＯ2ガスとの混合ガスをプロセスガスとしてエッチング処理を行う場合、検出器１１には、上述したＣＯの特性スペクトル線（波長４８３ｎｍ）の光強度を検出する光センサと、ＣＮの特性スペクトル線（波長３８８ｎｍ）の光強度を検出する光センサが用いられる。
【００４０】
このとき、終点検知手段１２が演算処理を行った結果である演算信号Ａの時間変化を図２（ａ）に示す。また、図２（ｂ）に比較例として、本発明に係るドライエッチング装置の目視窓１５に代えて、フィルタを備えていない従来の目視窓１０を採用した場合の終点検知手段１２の演算信号Ｂを示している。なお、図２において、横軸はエッチング処理時間に対応し、縦軸は演算信号に対応する。
【００４１】
ここで、終点検知手段１２は、波長が４８３ｎｍの光強度から波長が３８８ｎｍの光強度を差引く演算を行っている。また、終点検知手段１２は、各波長の光強度の微小な変化を識別可能とするため、各光センサの出力信号を、アンプによりそれぞれ所定の信号レベルに増幅した信号に基づいて演算処理を行い、当該演算処理後の信号をさらに増幅した信号に基づいて、エッチング終点を検知している。図２において、エッチング処理開始後に、波形が上下方向に乱れている領域Ｘが、上記アンプの増幅率が調整されている領域である。
【００４２】
図２（ｂ）に示すように、従来のドライエッチング装置では、本来、エッチング終点として検出されるべき時刻ｔ1に到達前の時刻ｔ3において、ドライエッチング装置の周囲で作業者が移動したことにより、目視窓１０から入射する照明光の強度が変化したため、演算信号Ｂに変動が生じている。終点検知手段１２は、この時刻ｔ3における演算信号Ｂの変動をエッチング終点と誤検知したため、時刻ｔ4においてエッチング処理が終了している。演算信号Ｂにおいて、本来検出されるべきエッチング終点は、時刻ｔ1であるので、このエッチング処理では、半導体基板２０上の材料膜のエッチングは完了していない。
【００４３】
これに対し、本発明のドライエッチング装置では、図２（ａ）に示すように、エッチング処理が時刻ｔ0において開始された後、目視窓１５に入射する照明光を繰返し遮断しているが、演算信号Ａに変動は生じていない。このため、終点検知手段１２は、時刻ｔ1での演算信号Ａの変動をエッチング終点として検知し、時刻ｔ2において、正常にエッチング処理が終了されている。
【００４４】
また、図３は、市販の蛍光灯の分光分布曲線Ｃの一例を示す図である。図３において、横軸は波長に対応し、縦軸は全波長帯域での最大強度を１００％とした場合の相対発光強度に対応する。図３から理解できるように、蛍光灯の放射光では、上述のＣＯの特性スペクトル線の波長４８３ｎｍやＣＮの特性スペクトル線の波長３８８ｎｍにおいて、光強度が０ではない。
【００４５】
本実施の形態によれば、このような蛍光灯等から放射される光のうち、検出器１１が検出する特定の波長の光が目視窓１５において減衰され、エッチング室１内に入射することが防止されている。このため、終点検知手段１２が、エッチング終点を誤検知することが防止され、本来、検知されるべきエッチング終点を確実に検出することができる。
【００４６】
また、目視窓１５は、可視光領域の一部の光を透過させるため、エッチング室１の内部の状態を目視確認するという、本来の目視窓１５の機能を損なうこともない。
【００４７】
さらにいえば、図３から理解できるように、蛍光灯が照射する光は、可視光領域全域の波長において、それぞれ異なる強度を有している。このような状況下では、終点検知手段１２が、上述のように、２つの波長の光強度の差分を利用して光強度の微小な変化を検出する場合、従来の構成では、演算信号Ｂが、蛍光灯の照射光における当該２つの波長の光強度の差を必ず含むことになる。このため、エッチング終点の誤検知が生じることは必然である。
【００４８】
また、目視窓１５が、ローパス型、ハイパス型、バンドパス型、バンドリジェクション型等の所定帯域の光を透過、または減衰させる光学フィルタを備える構成採用した場合、目視窓１５を変更することなく、検出器１１の検出波長を変更する際の波長選択の自由度を高めることができる。特に、本実施の形態のように、目視窓１５に、少なくとも４８３ｎｍ以下の波長の光を減衰除去するハイパス型の光学フィルタを備える構成を採用したドライエッチング装置は、酸化膜、窒化膜、または、酸窒化膜をエッチング対象とした装置として好適である。
【００４９】
なお、以上のようにして、終点検知手段１２によりエッチング終点が検知されると、一定時間経過後に、高周波電源７から高周波電力の供給が停止され、エッチング処理が終了する。
【００５０】
上述のようにして、エッチング処理が完了すると、下部電極５が上記搬入出位置まで下降し、半導体基板２０がエッチング室１の外部に搬出される。
【００５１】
以上説明したように、本発明によれば、エッチング室の内部の状況を目視確認するためにエッチング室の壁面に設けられた透過窓の機能を損なうことなく、微小な発光強度の変化によるエッチング終点の検出を確実に行うことができる。
【００５２】
また、本発明のドライエッチング装置は、従来のドライエッチング装置に複雑な加工を施すことなく実現できるため、その経済的効果も大きい。
【００５３】
なお、本発明は、以上で説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記では、本発明を平行平板型のドライエッチング装置に適用した事例について説明したが、本発明は、プラズマを利用してエッチングを行う、いかなるドライエッチング装置にも適用可能である。また、エッチング対象となる材料膜の種類、エッチング室内に導入されるプロセスガスの種類、並びに、検出器の波長及び数も任意に選択することが可能である。さらに、目視窓の数は１つに限定されるものではなく、目視確認の目的に応じて複数を設けてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、エッチング領域の面積が小さい場合であっても、確実にエッチング終点を検知することができ、ドライエッチング装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態に係るドライエッチング装置の構成を示す概略構成図。
【図２】本発明の実施の形態に係るドライエッチング装置による演算信号の時間変化の一例を示す図。
【図３】蛍光灯の照射光の分光分布曲線を示す図。
【図４】従来のドライエッチング装置の一構成例を示す図。
【図５】従来のドライエッチング装置による演算信号の時間変化の一例を示す図。
【図６】従来のドライエッチング装置による電気信号の時間変化の一例を示す図。
【図７】従来のドライエッチング装置による演算信号の時間変化の一例を示す図。
【符号の説明】
【００５６】
１  エッチング室
２  ガス導入管
３  ガス排気管
５  下部電極
６  上部電極
７  高周波電源
８  マッチングボックス
９  透過窓（第１の透過窓）
１１  検出器
１２  終点検知手段
１５  目視窓（第２の透過窓）
２０  半導体基板
２１  リフトピン
【図１】
2006339368.tif 000003
【図２】
2006339368.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006339368.tif 000008
【図７】
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