(57)【要約】【課題】  感光体へ微小の光スポットを露光して当該微小領域部分で表面電位変化を生じさせ、その電位変化により誘導電流を計測し、その信号の大きさから露光前の表面電位のレベルを判断する測定方法、測定装置において、測定の空間分解能を向上させる。【解決手段】  測定対象の感光体ドラムＫを帯電器６で帯電させ、レーザ光源２で感光体ドラムＫの表面を露光して微小領域部分で表面電位変化を生じさせる。この露光後に、感光体ドラムＫの表面の近傍で、電極８により誘導電流を検出する。電極８は、感光体ドラムＫに対する露光の入射光の入射位置における法線と当該入射光とがつくる平面内で入射角と正反射角がつくる角度領域外、及び、入射光と法線とがつくる平面外の位置に配置されている。【選択図】    図１
2006039104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象の感光体を帯電する工程と、
この帯電後の感光体の表面を露光する工程と、
この露光後に、前記感光体の表面の近傍で、当該感光体に対する前記露光の入射光の入射位置における法線と当該入射光とがつくる平面内で入射角と正反射角がつくる角度領域外、及び、前記入射光と前記法線とがつくる平面外の位置に配置された電極で、誘導電流を検出する工程と、
を備えている電位変化測定方法。
【請求項２】
前記誘導電流を検出する工程は、前記電極として棒状の電極を用いる、請求項１に記載の電位変化測定方法。
【請求項３】
前記誘導電流を検出する工程は、前記電極としてその先端径が前記感光体の表面上の前記露光による光スポットの径の１０倍以下で０倍より大きいものを用いる、請求項２に記載の電位変化測定方法。
【請求項４】
前記誘導電流を検出する工程は、前記電極としてその表面が前記光源が発する光の波長に対して反射率１０％以下で０％より大きいものを用いる、請求項１〜３のいずれかの一に記載の電位変化測定方法。
【請求項５】
測定対象の感光体を帯電する帯電器と、
前記感光体の表面を露光する光源と、
前記感光体の表面の近傍で、当該感光体に対する前記露光の入射光の入射位置における法線と当該入射光とがつくる平面内で入射角と正反射角がつくる角度領域外、及び、前記入射光と前記法線とがつくる平面外の位置に配置され、誘導電流を検出する電極と、
を備えている電位変化測定装置。
【請求項６】
前記電極は、棒状の電極である、請求項５に記載の電位変化測定装置。
【請求項７】
前記電極は、その先端径が前記感光体の表面上の前記露光による光スポットの径の１０倍以下で０倍より大きい、請求項６に記載の電位変化測定装置。
【請求項８】
前記電極は、その表面が前記光源が発する光の波長に対して反射率１０％以下で０％より大きい、請求項５〜７のいずれかの一に記載の電位変化測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光体上の静電潜像の状態を評価するために静電潜像を測定する電位変化測定方法、及びこの方法に用いる電位変化測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複写機やレーザプリンタなどとして用いられる電子写真方式の画像形成装置では、感光体の表面を均一に帯電する工程と、帯電した感光体表面を露光して感光体表面に静電潜像を形成する工程と、形成された静電潜像を現像剤中のトナーで現像する工程と、トナー像を紙、あるいは中間転写ベルトに転写する工程と、転写されたトナー像を定着する工程と、転写後の感光体上の残トナーを除去するクリーンング工程と、感光体上の静電潜像を除去する除電工程とを行って画像形成する。そして、最終画像のアウトプット品質には各工程が作用しているため、従来、最終画像から露光工程での静電潜像品質を知ることは容易ではなく、一定の帯電条件に対する帯電電位と一定の露光条件に対する露光後電位を計測し、これら特性値が温度、湿度の環境下でどのように変わるか、あるいは帯電、露光の繰り返しサイクルの後、どのように変わるかを測定して、形成される静電潜像の品質を推測するしかなかった。
【０００３】
しかしながら、この方法では、静電潜像の劣化である、いわゆる地汚れと言われる背景の汚れ、画像ボケ（あるいは画像流れ）という異常画像の評価は、表面電位計が感光体上の広い領域（感光体表面と表面電位計プローブの距離２ｍｍに対し１０〜１５ｍｍφの領域）の帯電電位をマクロに測定するものであるため、十分に行なうことはできなかった。そこで、微小な領域の静電潜像を直接測定し、静電潜像の状態を評価する方法が求められている。
【０００４】
そこで、微小領域の静電潜像を直接評価する方法が最近いくつかの提案されている。例をあげると、（１）感光体表面と探針の間に働く力Ｆ（静電引力など）による片持ち梁の機械的変位、あるいは振動状態の変化を片持ち梁の背面にレーザ光を照射し、反射した光を光検出し、その変位量の値から表面電位を知るカンチレバー方式や（特許文献１，２を参照）、（２）感光体表面に近接して設置された電極で電位の変化によって電極に誘導される電荷量変化（誘導電流）を計測し、表面電位を知る変位電流方式（誘導電流方式）（特許文献３、非特許文献１を参照）等が知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１１９０９３号公報
【特許文献２】特開平５−１４９９８８号公報
【特許文献３】特開平１１−１８４１８８号公報
【非特許文献１】Japan Hard Copy 2001 論文集 P281
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そして、（１）の技術では、感光体のような数百Ｖの帯電電位ではカンチレバーと感光体とが静電気力で接触してしまう、また、接触しない程度に距離をとると、空間分解能の低下が生じ、距離はそのままに接触しない程度の撓み力の材料を片持ち梁に使うと感度の劣化が避けられない、という不具合がある。
【０００７】
（２）の技術では、静電潜像を直接測定するため、微小領域部分に合わせて電極を小さくする必要があるが、この場合、電極面積に比例して誘導される電荷が少なくなり、信号が小さくなる。このため電極のサイズには制約が生じることになるが、静電潜像の測定では数μｍ〜数１０μｍの空間分解能が必要であり、従って電極のサイズはこれより小さくすることになり、この方式による微小部分の測定は困難であるという不具合がある。
【０００８】
これに対して、非特許文献１に開示の技術は変位電流（誘導電流）方式であるが、この問題を解決するものであり、大きめの導電膜成膜のガラス電極を帯電した感光体表面に対向させ、ガラス電極の背面より１０μｍサイズのビームスポットを照射し、１０μｍ領域で生じる光減衰電位変化による誘導電流（変位電流）を検出し、順次測定位置を変え、静電潜像のプロファイルを知ろうとするものである。かかる技術は、優れた方法であるが、８０μｍ幅の静電潜像が２１０μｍ幅に測定されるなど、まだ改善の余地がある方法である。
【０００９】
本発明の目的は、感光体へ微小の光スポットを露光して当該微小領域部分で表面電位変化を生じさせ、その電位変化により誘導電流を計測し、その信号の大きさから露光前の表面電位のレベルを判断する測定方法、測定装置において、測定の空間分解能を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、測定対象の感光体を帯電する工程と、この帯電後の感光体の表面を露光する工程と、この露光後に、前記感光体の表面の近傍で、当該感光体に対する前記露光の入射光の入射位置における法線と当該入射光とがつくる平面内で入射角と正反射角がつくる角度領域外、又は、前記入射光と前記法線とがつくる平面外の位置に配置された電極で、誘導電流を検出する工程と、を備えている電位変化測定方法である。
【００１１】
別の面から見た本発明は、測定対象の感光体を帯電する帯電器と、前記感光体の表面を露光する光源と、前記感光体の表面の近傍で、当該感光体に対する前記露光の入射光の入射位置における法線と当該入射光とがつくる平面内で入射角と正反射角がつくる角度領域外、又は、前記入射光と前記法線とがつくる平面外の位置に配置され、誘導電流を検出する電極と、を備えている電位変化測定装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、露光により感光体に入射した光が感光体の表面で反射して電極に戻り、その電極で表面で反射して、再度、感光体に入射することで、露光領域が広がることを防止できるので、感光体へ微小の光スポットを露光して当該微小領域部分で表面電位変化を生じさせ、その電位変化により電極に誘導される電荷量の変化、すなわち誘導電流（変位電流）を計測し、その信号の大きさから露光前の表面電位のレベルを判断する際の空間分解能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
発明を実施するための最良の一形態について説明する。
【００１４】
本実施の形態は、高電位から低電位までの電位に帯電した感光体に対して微小の光スポット、具体的にはレーザスポットをワンショット露光し、意図的に感光体表面上の微小領域部分の表面電位に変化を生じさせ、その電位変化により感光体に近接させて設置した電極に誘導される電荷量の変化、すなわち、誘導電流（変位電流）を計測し、その信号の大きさから、露光前の感光体の表面電位のレベルを判断する技術に関するものである。
【００１５】
このような技術においては、前述のように空間分解能が劣るという不具合がある。その原因の一つとしては、感光体に入射した光が感光体の表面で反射し、誘導電流を検出するための電極の表面で反射し、再度、感光体に入射して露光領域が広がり、静電潜像の計測の空間分解能を劣化させていることをつきとめた。
【００１６】
すなわち、感光体の表面での反射光量は入射する光の１０％前後である。この光が誘導電流を検出するための電極の表面で反射し、感光体へ再度入射するときには、数％の光量になる。元の入射光量が感光体の表面の帯電電位を消滅させるだけの必要エネルギー分だけであれば、仮に８００（−Ｖ）帯電しているものを１００（−Ｖ）に減衰させるものであれば、１０％の露光エネルギーは７０Ｖ程の減衰につながるエネルギーであり、数％のエネルギーは１０Ｖ程度の減衰につながるエネルギーになる。これが感光体に再入射することで、静電潜像のパターンを変えてしまう、あるいは、電極での反射で再入射した光は元の光ビームサイズ以上の拡がりをもって入射するので（散乱）、元の光ビームサイズより広い領域で光減衰電位変化が生じ、この変化による変位電流を計測することになり、計測の空間分解能は特定できなくなる。
【００１７】
そこで、このような不具合を解決するための本実施の形態の電位変化測定装置、及び電位変化測定方法について説明する。
【００１８】
図１は、電位変化測定装置１の説明図である。感光体ドラムＫは、電位変化測定装置１の測定の対象となる感光体ドラムで、電子写真方式の画像形成装置に搭載される。
【００１９】
レーザ光源２は、感光体ドラムＫを露光するレーザ光の光スポットを発生する。ドライバ３は、レーザ光源２を駆動する。波形発生装置４は、パルスジェネレータと任意波形発生装置とを組み合わせていて、レーザ光源２が出力するワンショットパルス（One shot pulse）を発生させるトリガとなる。レーザ光源２による露光エネルギーは、ドライバ３のレーザ駆動電流、すなわちレーザパワーにレーザ点灯時間を乗算した値から判断できる（レーザ駆動電流と像面のレーザパワーとの関係は予め調べられている）。
【００２０】
感光体ドラムＫへの帯電は、高圧電源５に接続された帯電装置６で行なう。感光体ドラムＫの帯電電位は表面電位計７で検出して確認することができる。
【００２１】
電極８は、感光体ドラムＫに近接させて設置され、誘導電流（変位電流）を計測する電極である。その計測された電流値は、電流増幅器９で増幅され、オシロスコープ１０にかけられる。
【００２２】
また、電位変化測定装置１は、感光体ドラムＫをその回転軸を中心に回転させ、所望の位置で停止する図示しない回転駆動機構を備えている。
【００２３】
このような装置構成で行なう電位変化測定方法は、次の（１）〜（３）の各工程を順次実施するものである。
【００２４】
（１）まず、感光体ドラムＫを図示しない回転駆動機構により回転軸を中心に回転させ、同時に帯電装置６で帯電し、１回転したところで、この回転、帯電を停止する。
【００２５】
（２）そして、表面電位計７で帯電電位を確認した後、レーザ光源２でレーザ光のワンショットパルスを感光体ドラムＫの表面に照射して露光し、感光体ドラムＫの表面の微小領域に電位減衰を生じさせる。
【００２６】
（３）次に、前述のような位置に配置されている電極８により感光体ドラムＫの近傍で誘導電流（変位電流）を計測し、その検出電流をオシロスコープ１０で観測する。
【００２７】
本実施の形態の電位変化測定装置１、及び電位変化測定方法では、前述したような誘導電流（変位電流）の計測の空間分解能の不足の影響を極力小さくするために、感光体ドラムＫの表面の反射光が最も大きくなる正反射の角度位置を避けて、誘導電流を検出するための電極８を設置するようにしている。これにより、電極８の表面で反射し、感光体ドラムＫの表面に再入射する光はあっても、光量は極めて小さくなり、その影響はほとんど無視できるようになる。
【００２８】
導電性の電極８としては、金属の平板でもよく、この場合、材質は特に限定されないが、加工しやすいものが望ましい。電極８のサイズは測定の目的で規定される。また、電極８は、透明ガラスに透明導電性薄膜を成膜したものでもよく、このような電極８を感光体ドラムＫに対向させたとき、電極８を通して光を照射することが可能であり、露光装置となるレーザ光源２の配置等で使い勝手が向上する。
【００２９】
透明ガラスとしては一般のガラスでもよいが、ＢＫ−７、石英ガラス等を用いると通過波長域が広く計測用には望ましい。また、透明導電薄膜としてはＩＴＯが一般的であるが、これ以外の材料を用いても問題はない。透明導電膜の成膜は、ガラスの片側全面に成膜するのも、パターンマスクを使い、細線（≦１ｍｍ）でメッシュ状に成膜するのもかまわない。この場合は“ＩＴＯ成膜部分の面積／ＩＴＯ成膜無し部分の面積”の面積比が＜＜1であるようにすると、透明電極を通過させる光が８００ｎｍ以上の波長を含むとき、この波長の光を大きく損なうことなく通過させることができる。これは測定の目的により選択するのが望ましい。また、通過させる光が本実施の形態のようにレーザである場合、レーザ入射側のガラスには反射防止膜をつけるのが望ましい。これは、レーザ光の入射側のガラス表面で反射したレーザ光がレーザ光源２の発光部に戻り、複合共振器を形成してレーザ光に揺らぎが生じる、いわゆる戻り光ノイズを防ぐためである。このような電極８を感光体ドラムＫに対向して設置する場合、感光体ドラムＫとの距離は近いほど信号が大きくなるので望ましく、感光体ドラムＫの表面の反射光がガラス電極表面で反射し、再入射する際にも光の拡がりを小さくする効果が期待できる。
【００３０】
レーザビームを、感光体ドラムＫの表面の法線Ｈに対して０°で入射させると、正反射成分が光路を逆にたどってレーザ光源２に戻り、半導体レーザデバイス内で複合共振器を形成して、レーザ光に揺らぎが生じる、いわゆる戻り光ノイズがでる。このため、本実施の形態では法線Ｈに対して角度をつけてレーザ光を感光体ドラムＫに入射させている。この角度を大きくとると、レーザビームが感光体ドラムＫ上に斜めに投影され、レーザビームのサイズは大きくなり、そのサイズを特定できなくなるので、１°〜５°程度の範囲で入射させるのが望ましい。
【００３１】
図２に示すように、レーザ光の入射面が完全に平滑であれば反射光は正反射成分のみであるが、感光体ドラムＫは、その構成例の一例を挙げると（図７参照）、アルミ支持体２１の上に、樹脂に酸化チタン粒子を分散させた下引き層ＵＬ２２（数μｍ）と、その上に電荷発生層ＣＧＬ２３（１μｍ以下）、電荷輸送層ＣＴＬ２４（約３０μｍ）を形成してなり、表面に僅かなうねりが発生するのは避けられず、表面での反射、電荷発生層ＣＧＬ２３での反射等、反射光には散乱反射成分が混じることになる（図３）。ただし、正反射成分が大きい、感光体ドラムＫの入射光の入射位置における法線Ｈと入射光とがつくる平面Ｍ内で、入射角と正反射角がつくる角度領域外（図４の斜線部分）、及び、入射光と法線Ｈとがつくる平面Ｍ外の位置に、電極８を配置することで、感光体ドラムＫからの反射光が電極８の表面で反射し、再度、感光体ドラムＫに入射する光量を極力小さくすることができる。
【００３２】
比較例として、入射光と法線Ｈがつくる平面Ｍ内で入射角と正反射角とがつくる角度領域内に透明ガラスに透明導電薄膜（ＩＴＯ）を形成したガラス電極を電極８として配置した場合、入射光が透過し、感光体ドラムＫで反射した光が電極８で反射する様子を、図５〜図７に示す。
【００３３】
なお、電極８としては、棒状の電極を用いるのが望ましい。これにより、感光体ドラムＫの表面からの反射光を受ける電極８の面積を小さくでき、電極８の表面の入射光が反射して感光体ドラムＫの表面に再入射する光量を小さくすることができる。また、電極８が棒状であることで配置の自由度が高まり、感光体ドラムＫの表面に近づけやすくなり、信号強度を大きくすることができる。さらに、電極８の面積が小さくなることで、電極８自身がアンテナとなって拾っていた周囲空間のノイズが小さくなり、Ｓ／Ｎ比が良好になることも期待できる。
【００３４】
また、電極８の表面がレーザ光源２の出力するレーザ光の波長に対して反射率１０％以下であるようにすることが望ましい。このように、電極８の表面が光を極力反射しないものにすることで、感光体ドラムＫの表面からの反射光が電極８に戻って、再度、感光体ドラムＫへ入射する際の光量を小さくすることができる。
【００３５】
この棒状の電極８は金属でも、カーボンを固めたものでもよく、また、中が中空の筒状の金属でもかまわない。電極８の先端の断面サイズ（直径）は、レーザビームサイズ、ひいては感光体ドラムＫ上の電位変化領域のサイズから制約を受け、このビームサイズの１０倍以下で０倍より大きいことが望ましい。このことは、電位減衰領域外（光が照射されない領域）の帯電部は電位の変化は生じないため、計測に影響はないように思えるが、この周囲帯電領域（グランドには接地された平面）が広く存在し、信号を検出する電極８もこれに対向して大きなものであると信号検出能力が劣ることがわかった。すなわち、電極８には適切なサイズが存在する。
【００３６】
ここで「サイズ」について言及する。レーザビームは、通常、ガウシアン分布をしたビームを想定し、最大強度の１／ｅ２（約１３．５％）の強度になる位置（直径）をビーム径とする。一方、ビームが照射され、電位減衰が生じる感光体上の領域サイズは、露光エネルギーの強さによる。極めて弱い露光エネルギーであれば、１／ｅ２より小さい領域になることもあり、極めて強い露光エネルギーであれば、１／ｅ２より広い領域でも電位減衰が生じることになる。これは、１／ｅ２で決まるサイズには全体の約９４．５％のエネルギーが入り、残り５．５％は１／ｅ２の外であることから理解できる。必要な露光エネルギーの数十、数百倍、あるいはこれら以上のときには、１／ｅ２より広い領域で電位減衰が生じるが、電位減衰が生じている静電潜像の領域のサイズを知ることは容易ではなく、また、必要露光エネルギー以下であれば、１／ｅ２の外側の電位減衰は小さく、ほとんど無視できるため便宜的に“電位減衰領域＝ビームサイズ”としている。
【実施例】
【００３７】
本発明の実施例について説明する。
【００３８】
図１を参照して説明した電位変化測定装置１を次のように構成した。
【００３９】
測定対象となる感光体ドラムＫとしては、本出願人が製造の積層ＯＰＣ（有機光半導体）ドラム（６０ｍｍφ）を用い、レーザ光源２により１０μｍ（楕円ビームの長径１２μｍ×短径９．１μｍ）、波長６５５ｎｍのレーザビームを照射する。このビームサイズは、レーザ光源２の先端部と感光体ドラムＫとの距離を１２ｍｍに保つことで規定している。そして、“レーザ駆動電流×レーザ点灯時間”で露光エネルギーを設定する。
【００４０】
波形発生装置４は、アジレント・テクノロジー社のパルスジェネレータ（ＨＰ８１１４Ａ）と、アジレント・テクノロジー社の任意波形発生装置（ＨＰ３３１２０Ａ）を組み合わせてワンショットパルスのレーザ光を発生させるトリガとした。電流増幅器９には、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社の４２８を用い、オシロスコープ１０には横河電機のＤＬ７０８を用いた。感光体ドラムＫを回転する駆動装置としては、本出願人において製作した感光体ドラム評価装置を利用し、高圧電源５としては、ＴＲＥＫ社の６０９Ａ−３を用い、表面電位計７としては、ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ３４４を用いた。
【００４１】
以上のような装置構成で、感光体ドラムＫを図示しない駆動装置で回転させ、同時に帯電し、１回転したところで回転、帯電を停止した。そして、表面電位計７で帯電電位８００（−Ｖ）を確認したのち、レーザ光源２を点灯して感光体ドラムＫにワンショットパルスを照射して、感光体ドラムＫ上の微小領域に電位減衰を生じさせた。電極８は約７０μｍ径の金属ワイヤをレーザ入射部に近づけ、正反射角より大きな角度領域に配置するのと、比較のため正反射角を含め、これより小さい角度領域に電極が入るよう配置する条件を採った。電極８の配置による違いの効果をみやすくするため、露光エネルギーは感光体ドラムＫを８００（−Ｖ）から１００（−Ｖ）に減衰させるのに必要な露光エネルギーの１０００倍のエネルギーとした。電極８は、図８に示すように、金属ワイヤ３１を用い、その尖端から５ｍｍまでは被覆３２を無しとして、５ｍｍから下は周囲をエポキシ樹脂３３で固め、その外側をアルミ箔３４でシールドしたものを用いた。
【００４２】
このようにして得られた信号のオシロスコープ１０により波形の一例を図９に示す。また、それぞれの配置でレーザ光を連続点灯し、電極８の先端を観察した。その結果を表１に示す。表１には、電極８の配置条件ごとに、信号のピーク高さの相対強度、レーザ光を連続点灯したときの電極８の先端の状態を示している。
【００４３】
【表１】
2006039104.tif 000003
【００４４】
表１の結果、平面Ｍにおいて正反射角度を含めこれより小さい角度位置まで電極８が入っていると、電極８の先端部が反射光により赤く発光していた。また、電極８から出力される信号の信号強度は電極８が正反射角度より大きい位置にあるときに比べて大きくなっていた。これは感光体ドラムＫにおけるレーザ光の反射により、感光体ドラムＫ上の露光領域ひいては電位減衰領域が拡がり、検出信号が大きくなったためであり、測定の空間分解能を特定できないことを意味する。
【００４５】
次に、前述の実施例の同様の電位変化測定装置１を用い、レーザ光源２が出力するレーザビームのサイズが前述の実施例と同様の１０μｍであるときに、棒状の電極８（金属ワイヤを使用）として、それぞれ直径サイズが７０μｍ、１００μｍ、５００μｍ、１０００μｍのものを用意し、正反射角度外に配置し（図１０）、その検出信号の強度の比較を行った。電極８の先端と感光体ドラムＫの距離は１ｍｍとした。露光エネルギーは必要露光エネルギーの１０００倍にした。その結果を表２に示す。表２には、各電極８のサイズにおける、電極８のサイズのビームサイズ（１０μｍ）に対する大きさ（倍率）と、信号検出の結果をそれぞれ示している。
【００４６】
【表２】
2006039104.tif 000004
【００４７】
表２から、ビームサイズ、したがって電位減衰領域のサイズと、電極８の感光体ドラムＫの対向面のサイズには適切な関係があることがわかる。また、電極８と感光体ドラムＫの距離を０．５ｍｍにした場合も確認したが、その結果は、表２の１ｍｍの場合とほとんど変わらなかった。
【００４８】
次に、前述の実施例の電位変化測定装置１を用い、図１１〜図１３に示すように、棒状電極（金属ワイヤ電極）とガラス電極をそれぞれ電極８として信号源となる感光体ドラムＫに対向して配置し、信号源の１００μｍワイヤ（帯電器６となる）に指数関数的に変化する電圧信号を与え、変化する電圧信号を変位電流として電極８で捉えた。棒状電極（金属ワイヤ電極）の場合（図１３）、ガラス電極の場合（図１２）の場合の信号波形を、それぞれ図１４、図１５に示す。図１４、図１５中の上段の信号が印加電圧、下段が電極８に誘起される変位電流信号である。図の結果から、サイズの小さい金属ワイヤ電極の方が、信号レベルが大きくＳ/Ｎ比がよいことが分かる。
【００４９】
次に、前述の実施例の電位変化測定装置１を用い、棒状の電極８として断面サイズ５００μｍの金属ワイヤを使用し、レーザ光のビームサイズは５００μｍ（５００μｍ×３４１μｍ）にした。金属ワイヤには白色の布を巻き、これにスプレーで黒色塗装を施した。このとき、同時に白色の布を金属ワイヤに並べて塗装し、後から６５５ｎｍの分光反射率を調べ、（１）反射率１００％（塗装なし）、（２）反射率４６％、（３）反射率１１％の３種類の電極８を用意した。レーザ露光エネルギーは必要な露光エネルギーの１００倍に設定した。測定は、（１）の電極８をレーザ光の正反射の角度位置を避けて配置し、感光体ドラムＫへの露光を行なった。次に、（１）〜（３）の電極８を、順次、正反射光の角度位置に入るように配置し、感光体ドラムＫをレーザ露光し、電位減衰信号の検出を試みた。その結果を表３に示す。表３は、電極８の配置位置、電極８の反射率を異ならせたときの、電極８の信号ピーク値の相対強度、及び、電極８の配置位置を正反射の角度外で電極８の反射率を１００％としたときを基準としたときの判定結果を示している。
【００５０】
【表３】
2006039104.tif 000005
【００５１】
表３の結果から、棒状の電極８の側面の反射率を１０％以下にすると、電極８での反射光が感光体ドラムＫに再入射し、電極８の出力信号を変えてしまうことがなくなることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態である電位変化測定装置の構成の説明図である。
【図２】光の入射面が完全に平滑であるときの入射光と反射光の関係の説明図である。
【図３】反射光には散乱反射成分が混じるときの説明図である。
【図４】電極の配置位置を説明する説明図である。
【図５】ガラス電極に入射光が透過し、感光体ドラムで反射した光がガラス電極で反射する様子を説明する説明図である。
【図６】ガラス電極に入射光が透過し、感光体ドラムで反射した光がガラス電極で反射する様子を説明する説明図である。
【図７】ガラス電極に入射光が透過し、感光体ドラムで反射した光がガラス電極で反射する様子を説明する説明図である。
【図８】金属ワイヤを用いた電極の説明図である。
【図９】本発明の一実施例で得られた信号のオシロスコープによる波形の一例を示す波形図である。
【図１０】本発明の一実施例における電極の配置の説明図である。
【図１１】本発明の一実施例である電位変化測定装置について説明する説明図である。
【図１２】図１１の例においてガラス電極を用いた場合について説明する説明図である。
【図１３】図１１の例において金属ワイヤ電極を用いた場合について説明する説明図である。
【図１４】図１２の場合において得られた信号のオシロスコープによる波形の一例を示す波形図である。
【図１５】図１３の場合において得られた信号のオシロスコープによる波形の一例を示す波形図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  電位変化測定装置
２  光源
６  帯電器
８  電極
Ｋ  感光体
【図１】
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【図２】
2006039104.tif 000007
【図３】
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【図４】
2006039104.tif 000009
【図５】
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【図６】
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【図７】
2006039104.tif 000012
【図８】
2006039104.tif 000013
【図９】
2006039104.tif 000014
【図１０】
2006039104.tif 000015
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2006039104.tif 000019
【図１５】
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