(57)【要約】【課題】本発明は、漏磁束を発生させるトランスにおいて、製造によるインダクタンス値のバラツキの低減を目的とする。【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、直線部６Ａを有する閉路状磁心６と、この閉路状磁心６の直線部６Ａに巻回した一次コイル８と、前記直線部６Ａに巻回した二次コイル９と、前記閉路状磁心６に接続し且つ前記一次コイル８に挿入した漏磁磁心１０とを有し、この漏磁磁心１０が前記閉路状磁心６の直線部６Ａと略平行であり且つ二次コイル９には非挿入状態としたものである。【選択図】図１
2006324632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線部を有する閉路状磁心と、この閉路状磁心の直線部に巻回した一次コイルと、前記直線部に巻回した二次コイルと、前記閉路状磁心に磁気的に接続し且つ前記一次コイルに挿入した漏磁磁心とを有し、この漏磁磁心が前記閉路状磁心の直線部と略平行であり且つ二次コイルには非挿入状態としたトランス。
【請求項２】
漏磁磁心を閉路状磁心と磁気的に接続しつつ両者の相対位置の調整手段を設けた請求項１に記載のトランス。
【請求項３】
第１の直線部と、
この第１の直線部に略平行に設けられた第２の直線部と、
前記第１の直線部及び前記第２の直線部に略平行であるとともに前記第１の直線部と前記第２の直線部との間に設けられた中脚と
を有する日の字状磁心と、
前記第１の直線部に巻回された第１の一次コイルと、
前記第１の直線部に巻回された第１の二次コイルと、
前記第２の直線部に巻回された第２の一次コイルと、
前記第２の直線部に巻回された第２の二次コイルと、
前記第１の直線部と前記中脚との間に配置されるとともに前記日の字状磁心に磁気的に接続され、且つ前記第１の一次コイルに挿入された第１の漏磁磁心と、
前記第２の直線部と前記中脚との間に配置されるとともに前記日の字状磁心に磁気的に接続され、且つ前記第２の一次コイルに挿入された第２の漏磁磁心とを備え、
前記第１の直線部における前記第１の一次コイルと前記第２の直線部における前記第２の一次コイルとは、前記中脚を隔てて対向位置に配置するとともに、
前記第１の直線部における前記第１の二次コイルと前記第２の直線部における前記第２の
二次コイルとは、前記中脚を隔てて対向位置に配置し、
前記第１の漏磁磁心は前記第１の直線部と略平行に配置するとともに前記第１の二次コイルには非挿入状態とし、
前記第２の漏磁磁心は前記第２の直線部と略平行に配置するとともに前記第２の二次コイルには非挿入状態とした
トランス。
【請求項４】
第１の直線部に略平行な中部を有するとともに前記第１の直線部にその両端部を接続されたコの字状の第１の磁束分布均一化磁心と、
第２の直線部に略平行な中部を有するとともに前記第２の直線部にその両端部を接続されたコの字状の第２の磁束分布均一化磁心と
を設けた請求項３に記載のトランス。
【請求項５】
第１の磁束分布均一化磁心の中部は、第１の直線部を基準として中脚と対称の位置に配置され、
第２の磁束分布均一化磁心の中部は、第２の直線部を基準として中脚と対称の位置に配置された
請求項４に記載のトランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル等に用いられるトランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種のトランスは、図１８、図１９に示されるように、一次コイル１及び二次コイル２が巻回されたＩ字コア３と、中脚４Ａを有するＥ字コア４とを備え、この中脚４Ａにより漏磁束５を発生させることにより、一次コイル１と二次コイル２との磁気結合を調節し、トランスに流れる電流の特定周波数に対するインダクタンス値を制御していた。
【０００３】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２０００−２１６５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような従来のトランスは製造によるインダクタンス値のバラツキが問題となっていた。
【０００５】
すなわち、上記従来の構成においては、漏磁束５を発生させるＥ字コア４の中脚４ＡがＩ字コア３の方向へ伸びているため、中脚４Ａの長さが製造上の誤差等によりわずかにずれてしまうだけで、この中脚４Ａの先端とＩ字コア３との間の磁気ギャップの寸法が変わり、これにより漏磁束５の大きさが大きく変化し、トランスに流れる電流の特定周波数に対するインダクタンス値にバラツキが生まれていた。
【０００６】
このようなトランスを液晶パネルのランプ点灯に用いれば、それぞれのランプにおいて輝度が変わり、液晶パネル全体において輝度ムラができてしまう。
【０００７】
そこで本発明は、漏磁束を発生させるトランスにおいて、製造によるインダクタンス値のバラツキの低減を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして、この目的を達成するために本発明は、直線部を有する閉路状磁心と、この閉路状磁心の直線部に巻回した一次コイルと、前記直線部に巻回した二次コイルと、前記閉路状磁心に接続し且つ前記一次コイルに挿入した漏磁磁心とを有し、この漏磁磁心が前記閉路状磁心の直線部と略平行であり且つ二次コイルには非挿入状態としたものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のトランスは、漏磁束を発生させる漏磁磁心を閉路状磁心の直線部と平行とし、一次コイルのみに挿入することにより、漏磁磁心の長さが製造上の誤差等によりずれても磁気ギャップの大きさがほとんど変化しないので、漏磁束の大きさは極わずかにしか変化せず、トランスに流れる電流の特定周波数に対するインダクタンス値のバラツキを低減することができる。
【００１０】
さらに、一次コイルには漏磁磁心と閉路状磁心の２本の磁心を挿入することから実行断面積が大きく、インダクタンス値を大きくとることができ、その結果として巻数を減らし、トランスを全体として小型にすることが可能である。従来の構成においては、磁心を太くしようとすれば、中脚の長さを確保するためにもトランス全体を大きくする必要があったが、本発明の漏磁磁心は閉路状磁心の直線部と平行としているため、漏磁磁心の長さを確保するために無駄にトランス全体を大きくする必要が無い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるトランスについて図面を参照しながら説明する。
【００１２】
本実施の形態におけるトランスの断面である図１（ａ）及び本実施の形態におけるコイル巻回前のトランスの斜視図である図２において、閉路状磁心６の直線部６Ａを大径部７Ａと小径部７Ｂとを有するボビン７に挿入しており、図１（ａ）に示すごとく、大径部７Ａには一次コイル８を、小径部７Ｂには二次コイル９を巻回し、トランスを構成している。
【００１３】
そして、閉路状磁心６には漏磁磁心１０を磁気的に接続しており、この漏磁磁心１０を一次コイル８が巻回されたボビン７の大径部７Ａに、閉路状磁心６の直線部６Ａと略平行になるよう挿入している。ただし、これら図１、図２に示すごとく、二次コイル９が巻回されたボビン７の小径部７Ｂには、この漏磁磁心１０は非挿入状態としている。
【００１４】
こうすることにより、本実施形態におけるトランスに電流を流すと、図１（ａ）に示すごとく磁束１１と漏磁束１２とが発生する。
【００１５】
この漏磁磁心１０の長さを調節することにより漏磁束１２の大きさを変化させ、それに応じて一次コイル８、二次コイル９間の磁気結合を変化させることができる。これを利用して、このトランスに流す交流電流の周波数に対するインダクタンスの値を変化させ、所望の周波数において所望のインダクタンス値になるよう制御することができる。
【００１６】
このような構成にしたため、この漏磁磁心１０の長さを調節する際に、製造上バラツキが多少出たとしても、この漏磁磁心１０が閉路状磁心６の直線部６Ａと平行であるため、両者間で形成される磁気ギャップの寸法はほとんど変化せず、これにより漏磁束１２の大きさが大きく可変することはなく、その結果として製造によるインダクタンス値のバラツキを低減することができる。
【００１７】
さらに、一次コイル８を巻回したボビン７の大径部７Ａには閉路状磁心６の一部及び漏磁磁心１０を挿入しているため実行断面積が大きく、その分インダクタンス値を大きく取ることができ、その結果巻数を減らし小型化を可能としている。従来の構成においては、実行断面積を大きく取るべく磁心を太くしようとすれば、その分トランス全体を大きくする必要があったが、本発明の構成においては無駄にトランス全体を大きくすることなく実行断面積を大きくすることができる。
【００１８】
また、図１（ｂ）に示すように、一次コイル８を巻回するボビン７の大径部７Ａ内部において、漏磁磁心１０、閉路状磁心６間の空間を埋めるべく漏磁磁心１０と閉路状磁心６とを接続すれば、コアの実行断面積がより増え、よりインダクタンス値を大きく取ることができ、その結果巻数を減らし、より小型化を可能にすることができる。
【００１９】
このようなトランスは、分解斜視図である図３のようにして組み立てることができる。即ち、磁心１３Ｃをボビン７における大径部７Ａの孔７ＡＡ及び小径部７Ｂに挿入するとともに、磁心１３Ｄを大径部７Ａの孔７ＡＢに挿入する。一方、磁心１３Ｅの両端を磁心１３Ａ及び１３Ｃの端部と接続し、図２に示すようなトランスを形成することができる。即ち、図３に示す磁心１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｅにより図１、図２に示す閉路状磁心６を形成し、図３に示す磁心１３Ｄにより図１、図２に示す漏磁磁心１０を形成している。
【００２０】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるトランスについて図面を参照しながら説明する。
【００２１】
本実施の形態におけるトランスの斜視図である図４及び分解斜視図である図５において、長脚１４Ａ、短脚１４Ｂ及び股部１４Ｃを有するＪ字磁心１４の長脚１４Ａは、大径部１５Ａ及び１５Ｂを有するボビン１５に挿入しており、Ｊ字磁心１４の短脚１４Ｂは大径部１５Ａのみに挿入し、小径部１５Ｂ側面に飛び出させている。ここで、図面には示していないが、大径部１５Ａには一次コイルを、小径部１５Ｂには二次コイルを巻回することにより、トランスを構成している。
【００２２】
そして、脚１６Ａ、脚１６Ｂ及び股部１６Ｃを有するＵ字磁心１６を、脚１６ＡがＪ字磁心１４の股部１４Ｃと、脚１６Ｂが長脚１４Ａの先端と磁気的に接合するようボビン１５上方から当接し、図６に示すような閉路状磁心とするわけであるが、この時、図５に示すごとく脚１６Ｂを包むような袋構造部１７を備えることにより、起動時の高電圧出力を原因とする端子１８からＪ字磁心１４及びＵ字磁心１６への電圧リークを防止し、高安全を保持することができる。
【００２３】
ここで、図４におけるＸ−Ｚ平面での断面図を図６に、Ｘ−Ｙ平面での断面図を図７（ａ）、（ｂ）に示す。
【００２４】
まず、図６においてＪ字磁心１４の長脚１４Ａはボビン１５の大径部１５Ａ及び小径部１５Ｂに挿入させており、袋構造部１７にまで到達させている。そして、Ｕ字磁心１６の脚１６ＡがＪ字磁心１４の股部１４Ｃと磁気的に接合し、且つ脚１６Ｂが長脚１４Ａの先端と袋構造部１７において磁気的に接合するようＵ字磁心１６をボビン１５上方から当接させている。こうすることにより、本実施形態におけるトランスに電流を流すと磁束１９が発生する。
【００２５】
一方、図７（ａ）においてＪ字磁心１４の長脚１４Ａはボビン１５の大径部１５Ａ及び小径部１５Ｂに挿入させており、袋構造部１７にまで到達させている。一方、Ｊ字磁心１４の短脚１４Ｂは大径部１５Ａのみに挿入し、小径部１５Ｂ側面に飛び出させている。こうすることにより、本実施形態におけるトランスに電流を流すと漏磁束２０が発生する。
【００２６】
このように、本実施の形態の磁心及び磁束を表す図８に示すごとく、磁束１９が図４におけるＸ−Ｚ平面、漏磁束２０が図４におけるＸ−Ｙ平面にそれぞれ発生している。ここで、この短脚１４Ｂの長さを調節することにより漏磁束２０の大きさを変化させ、それに応じて一次コイル２１、二次コイル２２間の磁気結合を変化させることができる。これを利用して、このトランスに流す交流電流の周波数に対するインダクタンスの値を変化させ、所望の周波数において所望のインダクタンス値になるよう制御することができる。
【００２７】
このような構成にしたため、この漏磁磁心の長さを調節する際に、製造上バラツキが多少出たとしても、この短脚１４Ｂが閉路状磁心の一部である長脚１４Ａと平行であるため漏磁束２０の大きさが大きく可変することはなく、その結果として製造によるインダクタンス値のバラツキを低減することができる。
【００２８】
さらに、一次コイル２１を巻回したボビン１５の大径部１５Ａには長脚１４Ａ及び短脚１４Ｂを挿入しているため実行断面積が大きく、その分インダクタンス値を大きく取ることができ、その結果巻数を減らし小型化を可能としている。従来の構成においては、実行断面積を大きく取るべく磁心を太くしようとすれば、その分トランス全体を大きくする必要があったが、本発明の構成においては無駄にトランス全体を大きくすることなく実行断面積を大きくすることができる。
【００２９】
また、図７（ｂ）に示すように、一次コイル２１を巻回するボビン１５の大径部１５Ａ内部において、短脚１４Ｂ、長脚１４Ａ間の空間を埋めるべく短脚１４Ｂと長脚１４Ａとを接続すれば、コアの実行断面積がより増え、よりインダクタンス値を大きく取ることができ、その結果巻数を減らし、より小型化を可能にすることができる。
【００３０】
さらに、図７（ｃ）に示すように、短脚１４ＢをＪ字磁心１４全体から切り離して個片とすれば、この短脚１４Ｂをその長さ方向に動かして、長脚１４Ａとの相対位置を調整することができるため、製造工程において、一次コイル２１、二次コイル２２間の磁気結合を微調整することが可能となり、製造によるインダクタンス値のバラツキを低減することができるし、その微調整後例えば接着剤等で固定すればよい。
【００３１】
その上、本実施の形態においては磁束漏れに対するシールド効果をもたせることができる。図９に示すように、本発明のようなトランス２３は回路基板２４に備え付けられ、トランス２３の上方には外装フレーム２５を設けている。この時、トランス２３に電流を流せば必ず漏磁束が発生する。そうすると、この漏磁束は外装フレーム２５に伝わり、他の電子部品等に伝わりノイズ等の悪影響を発生させてしまう。しかし、本実施形態のトランス２３はＵ字磁心１６の股部１６Ｃを有するため、漏磁束が外装フレーム２５へ伝わるのを大幅に低減することができ、結果として、セット全体へのノイズ等の低減を図ることができる。このようなシールド効果を持たせるためには、図４に示すごとく、Ｘ−Ｙ平面に垂直上方からトランスを見て、一次コイル（図示せず）、二次コイル（図示せず）及びＪ字磁心１４の短脚１４Ｂが股部１６Ｃにより隠れていることが望ましく、この股部１６Ｃの透磁率が空気より大きいことが望ましい。
【００３２】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３におけるトランスについて図面を参照しながら説明する。
【００３３】
図１０において、日の字状磁心２６は、直線部２６Ａと、この直線部２６Ａに略平行に設けた直線部２６Ｂと、これら直線部２６Ａ、２６Ｂに略平行で且つこれらの間に設けた中脚２６Ｃとを有している。そして、この日の字状磁心２６の直線部２６Ａを大径部２７Ａと小径部２７Ｂとを有するボビン２７に挿入し、直線部２６Ｂを大径部２８Ａと小径部２８Ｂとを有するボビン２８に挿入しており、図１０に示すごとく、大径部２７Ａには一次コイル２９を、小径部２７Ｂには二次コイル３０を、大径部２８Ａには一次コイル３１を、小径部２８Ｂには二次コイル３２を巻回し、図１１に示すようなトランスを構成している。ここで、図１２に示す直線部２６Ａにおける一次コイル２９と、直線部２６Ｂにおける一次コイル３１とは、中脚２６Ｃを隔てて対向位置に配置するとともに、直線部２６Ａにおける二次コイル３０と、直線部２６Ｂにおける二次コイル３２とは、中脚２６Ｃを隔てて対向位置に配置している。
【００３４】
そして、日の字状磁心２６には、その直線部２６Ａと中脚２６Ｃとの間に漏磁磁心３３Ａを、直線部２６Ｂと中脚２６Ｃとの間には漏磁磁心３３Ｂを磁気的に接続しており、この漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂをそれぞれ、ボビン２７、２８の大径部２７Ａ、２８Ａに、日の字状磁心２６の直線部２６Ａ、２６Ｂと略平行になるよう挿入している。
【００３５】
ただし、これら漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂは、図１０に示すごとく、二次コイル２７Ｂ、２８Ｂが巻回されたボビン２７、２８の小径部２７Ｂ、２８Ｂには非挿入状態としている。
【００３６】
こうすることにより、本実施形態におけるトランスに電流を流すと、図１０に示すごとく磁束３４と漏磁束３５とが発生する。
【００３７】
この漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂの長さを調節することにより漏磁束３５の大きさを変化させ、それに応じて一次コイル２９、二次コイル３０間、及び一次コイル３１、二次コイル３２間の磁気結合を変化させることができる。これを利用して、このトランスに流す交流電流の周波数に対するインダクタンスの値を変化させ、所望の周波数において所望のインダクタンス値になるよう制御することができる。例えば、漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂの長さを長くすると、漏磁束３５が増えるため磁気結合を弱めることができ、漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂの長さを短くすると、漏磁束３５が減るため磁気結合を強めることができる。
【００３８】
このような構成にしたため、この漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂの長さを調節する際に、製造上バラツキが多少出たとしても、この漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂがそれぞれ、日の字状磁心２６の直線部２６Ａ、２６Ｂと平行であるため、上記実施形態と同様に磁気ギャップの大きさがほとんど変化しないことで、漏磁束３５の大きさが大きく変化することはなく、その結果として製造によるインダクタンス値のバラツキを低減することができる。
【００３９】
さらに、一次コイル２９を巻回したボビン２７の大径部２７Ａには日の字状磁心２６の一部及び漏磁磁心３３Ａを挿入し、一次コイル３１を巻回したボビン２８の大径部２８Ａには日の字状磁心２６の一部及び漏磁磁心３３Ｂを挿入しているため実行断面積が大きく、その分インダクタンス値を大きく取ることができ、その結果巻数を減らし小型化を可能としている。従来の構成においては、実行断面積を大きく取るべく磁心を太くしようとすれば、その分トランス全体を大きくする必要があったが、本発明の構成においては無駄にトランス全体を大きくすることなく実行断面積を大きくすることができる。
【００４０】
また、図１２に示すように、一次コイル２９を巻回するボビン２７の大径部２７Ａ内部において、漏磁磁心３３Ａ、直線部２６Ａ間の空間を埋めるべく漏磁磁心３３Ａと直線部２６Ａとを接続し、一次コイル３１を巻回するボビン２８の大径部２８Ａ内部において、漏磁磁心３３Ｂ、直線部２６Ｂ間の空間を埋めるべく漏磁磁心３３Ｂと直線部２６Ｂとを接続すれば、コアの実行断面積がより増え、よりインダクタンス値を大きく取ることができ、その結果巻数を減らし、より小型化を可能にすることができる。
【００４１】
このようなトランスは、図１３に示すように、それぞれが略平行に配置された５本の脚３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、３６Ｄ、３６Ｅを有する磁心３６と、磁心３７とを組み合わせて構成することができる。即ち、磁心３６の脚３６Ａをボビン２７における孔２７Ｃに大径部２７Ａ側から小径部２７Ｂ側に向けて挿入するとともに、脚３６Ｄを大径部２７Ａ側から孔２７Ｃに挿入する。なお、脚３６Ｄの長さは、小径部２７Ｂに達しない長さに設定しておく。一方、脚３６Ｂをボビン２８における孔２８Ｃに大径部２８Ａ側から小径部２８Ｂ側に向けて挿入するとともに、脚３６Ｅを孔２８Ｃに大径部２８Ａ側から挿入する。
【００４２】
なお、脚３６Ｅの長さは小径部２８Ｂに到達しない長さに設定しておく。
【００４３】
ここで、脚３６Ｃは、いずれの孔２７Ｃ、２８Ｃにも挿入しない。そして、磁心３７の両端部を脚３６Ａ及び脚３６Ｂの端部と接続し、図１１に示すようなトランスを構成することができる。即ち、図１３に示す磁心３６の脚３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃ、及び磁心３７により図１０に示す日の字状磁心２６を構成し、図１３に示す磁心３６の脚３６Ｄ、３６Ｅにより図１０に示す漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂを構成している。
【００４４】
なお、図１４に示すごとく、それぞれが略平行に配置された５本の脚３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃ、３８Ｄ、３８Ｅを有する磁心３８と、脚３９Ａ、３９Ｂ、３９Ｃを有する磁心３９とを突き合わせて組み立てることができる。即ち、磁心３８の脚３８Ａと磁心３９の脚３９Ａとを孔２７Ｃ内で突き合わせ、磁心３８の脚３８Ｂと磁心３９の脚３９Ｂとを孔２８Ｃ内で突き合わせ、磁心３８の脚３８Ｃと磁心３９の脚３９Ｃをいずれの孔２７Ｃ、２８Ｃにも挿入しない位置で突き合わせて、図１０に示す日の字状磁心２６を構成し、孔２７Ｃ、２８Ｃにそれぞれ挿入した磁心３８の脚３８Ｄ、３８Ｅにより図１０に示す漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂを構成しても良い。
【００４５】
なお、図１５に示すごとく、直線部２６Ａに略平行な中部４０Ａを有するコの字状の磁束分布均一化磁心４０の両端部４０Ｂを直線部２６Ａの外周に磁気的に接続し、直線部２６Ｂに略平行な中部４１Ａを有するコの字状の磁束分布均一化磁心４１の両端部４１Ｂを直線部２６Ｂの外周に磁気的に接続することにより、直線部２６Ａ、２６Ｂ内における磁束分布を均一にすることができる。
【００４６】
即ち、直線部２６Ａ、２８Ｂ内を走る磁束４２は、この磁束分布均一化磁心４０、４１を設けない場合、最短経路を走ろうとするため中脚２６Ｃ側に寄ってしまう。しかし、この磁束分布均一化磁心４０、４１を設けることにより、図１５に示すごとく磁束４２が中脚２６Ｃと磁束分布均一化磁心４０、４１とに分かれて走ろうとするため、直線部２６Ａ、２６Ｂ内における磁束分布を均一にすることができる。なお、この磁束分布均一化磁心４０、４１の脚４０Ａ、４１Ａは、それぞれ直線部２６Ａ、２６Ｂを基準として中脚２６Ｃと対称の位置に配置することが望ましい。
【００４７】
図１５に示すような磁路構成は、例えば図１６に示すような脚４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ、４３Ｄ、４３Ｅ、４３Ｆ、４３Ｇを有する磁心４３と、棒状の磁心４４とを組み合わせることで構成することができる。即ち、磁心４３の脚４３Ｂ、４３Ｃをボビン２７の孔２７Ｃに、脚４３Ｆ、４３Ｅをボビン２８の孔２８Ｃに挿入し、磁心４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｄ、４３Ｆ、４３Ｇの先端を磁心４４と磁気的に接続させることで、図１７に示すようなトランスを構成することができる。脚４３Ａ、４３Ｇがそれぞれ、図１５に示す磁束分布均一化磁心４０、４１の中部４０Ａ、４１Ａに対応し、脚４３Ｂ、４３Ｆがそれぞれ、図１５に示す直線部２６Ａ、２６Ｂに対応し、脚４３Ｄが、図１５に示す中脚２６Ｃに対応し、脚４３Ｃ、４３Ｅがそれぞれ、図１５に示す漏磁磁心３３Ａ、３３Ｂに対応している。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明のトランスは、製造によるインダクタンス値のバラツキが少ないという効果を有し、各種電気機器において有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるトランスの断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるコイル巻回前のトランスの斜視図
【図３】本発明の実施の形態１におけるコイル巻回前のトランスの分解斜視図
【図４】本発明の実施の形態２におけるコイル巻回前のトランスの斜視図
【図５】本発明の実施の形態２におけるコイル巻回前のトランスの分解斜視図
【図６】本発明の実施の形態２におけるトランスの縦方向断面図
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態２におけるトランスの横方向断面図
【図８】本発明の実施の形態２における磁心及び磁束を表す図
【図９】回路基板等に実装させた本発明の実施の形態２におけるトランスの側面図
【図１０】本発明の実施の形態３におけるトランスの断面図
【図１１】本発明の実施の形態３におけるコイル巻回前のトランスの斜視図
【図１２】本発明の実施の形態３におけるトランスの変形例を示す断面図
【図１３】本発明の実施の形態３におけるコイル巻回前のトランスの分解斜視図
【図１４】本発明の実施の形態３におけるコイル巻回前のトランスの分解斜視図
【図１５】本発明の実施の形態３におけるトランスの他の変形例を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態３におけるコイル巻回前のトランスの他の変形例を示す分解斜視図
【図１７】本発明の実施の形態３におけるコイル巻回前のトランスの他の変形例を示す斜視図
【図１８】従来のトランスの断面図
【図１９】従来のトランスの斜視図
【符号の説明】
【００５０】
６  閉路状磁心
６Ａ  直線部
７  ボビン
７Ａ  大径部
７Ｂ  小径部
８  一次コイル
９  二次コイル
１０  漏磁磁心
１１  磁束
１２  漏磁束
【図１】
2006324632.tif 000003
【図２】
2006324632.tif 000004
【図３】
2006324632.tif 000005
【図４】
2006324632.tif 000006
【図５】
2006324632.tif 000007
【図６】
2006324632.tif 000008
【図７】
2006324632.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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