(57)【要約】【課題】高温動作時のボンディングワイヤと電極パッドとの接合領域の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置１００は、リードフレーム１２１上に半導体チップ１０２が設けられ、これらが封止樹脂１１５により封止されている。リードフレーム１２１の側方にリードフレーム１１９が設けられている。リードフレーム１１９の一部はインナーリード１１７として封止樹脂１１５に封止されている。封止樹脂１１５は、ハロゲンを実質的に含まない樹脂組成物により構成される。また、半導体チップ１０２に設けられたＡｌパッド１０７の露出部とインナーリード１１７とが、ＡｕＰｄワイヤ１１１により電気的に接続されている。【選択図】図１
2006270075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた電極パッドと、
前記半導体チップの外部に設けられた接続端子と前記半導体チップとを接続する接続部材と、
を備え、
前記電極パッドと前記接続部材とが封止樹脂により封止された半導体装置であって、
前記接続部材が、下記式（Ｉ）で示される金属を含むとともに、
前記封止樹脂が、実質的にハロゲンを含まないことを特徴とする半導体装置。
ＡｕＭ  （Ｉ）
（ただし、上記式（Ｉ）において、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔのうち、少なくとも一つを含む。）
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた電極パッドと、
前記半導体チップの外部に設けられた接続端子と前記半導体チップとを接続するワイヤと、
を備え、
前記電極パッドと前記ワイヤとが封止樹脂により封止された半導体装置であって、
前記ワイヤが、下記式（Ｉ）で示される金属を含むとともに、
前記封止樹脂が、実質的にハロゲンを含まないことを特徴とする半導体装置。
ＡｕＭ  （Ｉ）
（ただし、上記式（Ｉ）において、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔのうち、少なくとも一つを含む。）
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、前記電極パッドが、Ａｌを主成分とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、前記電極パッドが、さらにＳｉまたはＣｕの少なくとも１つを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体装置において、前記電極パッドが、さらにＳｉおよびＣｕを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の半導体装置において、前記金属が、ＡｕおよびＰｄを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、前記金属が、Ａｕ、ＰｄおよびＣｕを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記接続部材において、前記電極パッドとの接続領域の近傍に、
前記式（Ｉ）で示される金属中のＭの偏在領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
前記近傍において、前記電極パッドと前記Ｍの偏在領域との間に、前記電極パッド中に含まれる主成分の金属とＡｕとの合金層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、
前記電極パッドの中に含まれる主成分の金属とＡｕとの合金層の面積が、前記電極パッドと前記接続部材との接続部分の面積の５０％以上を占めることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれかに記載の半導体装置において、前記封止樹脂中の樹脂が、分子骨格中にＢｒ基を実質的に含まない高分子化合物からなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの電極パッドと、ボンディングワイヤ等の接続部材との接合部分が封止樹脂により封止された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ上の電極パッドとリードフレームとをワイヤボンディング等の接続部材により接続し、封止樹脂で封止した半導体装置として、従来、特許文献１および特許文献２に記載のものがある。
【０００３】
特許文献１には、ボンディング線としてＭｎを必須成分とする金合金を用い、臭素またはアンチモンを含む封止樹脂を用いることが記載されている。また、特許文献１には、以下のことが記載されている。すなわち、難燃性を高めるためには、封止樹脂中に臭素およびアンチモンの少なくとも一方は含有することが不可欠であり、０．１重量％未満では封止難燃効果がえられない。そして、Ｍｎを必須とする金合金細線を使用すると、臭素およびアンチモンの含有量を従来より増加させても信頼性を損なうことなく、難燃性を高めることができる。さらに、Ｐｄの単独添加では化合物相の成長速度を抑制させることを確認したが、腐食の抑制効果は必ずしも十分ではなく、特に化合物の広範囲に腐食が進む段階に相当するような長時間加熱において、腐食を遅らせる効果を得るためにはＰｄ添加量を約１重量％を超える範囲が必要となる。しかしＰｄの高濃度含有によりボール部の形状が扁平になったり、ボール部の硬化により接合時にシリコン基板に損傷を与えることが問題視される。Ｐｄ添加量を少量にするとボール形状は問題ないが、長時間加熱した接合部において化合物が十分成長した後では腐食抑制の効果は小さいことが問題となる。Ｍｎ添加を併用することにより、Ｐｄ単独では抑制が困難であった電気抵抗の上昇も抑えられ、少量のＰｄでも腐食進行を抑える効果を非常に高めることができる。これらの理由から、腐食の進行を短時間および長時間にわたり抑えるためには、ＭｎとＰｄの併用が有効である。
【０００４】
また、特許文献２には、リードフレームのダイパッド上に半導体チップを搭載し、ボンディングワイヤでボンディングパッドとの接続を行ったものを、まず、難燃剤および難燃助剤を含まない保護層で被覆し、その外側を難燃性樹脂で被覆することにより得られる半導体装置が記載されている。
【特許文献１】特開平１０−３０３２３９号公報
【特許文献２】特開平４−２０６６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、本発明者が上記特許文献１および２に記載の技術について検討したところ、高温で動作させた際の電極パッドとボンディングワイヤとの接合信頼性の点で、なおも改善の余地があることが明らかになった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明者は、電極パッドの材料がＡｌ、接続部材であるボンディングワイヤが純金線（Ａｕ）であって、封止樹脂中にハロゲンとしてＢｒを含む構成の半導体装置について検討を行った。その結果、ＡｕワイヤとＢｒを含む封止樹脂とを備える半導体装置を高温保存すると、下記式（１）〜式（６）に示した反応の進行により不良が発生することが見出された。なお、具体的な検討内容については後述する。
２Ａｌ＋Ａｕ→ＡｕＡｌ2  （１）
ＡｕＡｌ2＋Ａｕ→２ＡｕＡｌ  （２）
ＡｕＡｌ＋Ａｕ→Ａｕ2Ａｌ  （３）
２Ａｕ2Ａｌ＋Ａｕ→Ａｕ5Ａｌ2  （４）
Ａｕ5Ａｌ2＋３Ａｕ→２Ａｕ4Ａｌ  （５）
Ａｕ4Ａｌ＋３Ｂｒ-→４Ａｕ＋ＡｌＢｒ3  （６）
【０００７】
そこで、本発明者は、以上の知見に基づき、上記式（１）〜式（６）に示した反応を進行させないという観点で、高温での長時間動作における信頼性をさらに向上させるべく検討を行った。その結果、封止樹脂中の少なくとも一部の領域にＢｒを含む樹脂組成物が使用されている従来用いられている構成から、Ｂｒを実質的に含まない構成とするとともに、ボンディングワイヤ等の接続部材が所定の金属を含むＡｕ合金である構成とすることにより、高温動作時の信頼性を顕著に向上させることが可能であることを見出し、本発明に至った。
【０００８】
本発明によれば、
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた電極パッドと、
前記半導体チップの外部に設けられた接続端子と前記半導体チップとを接続する接続部材と、
を備え、
前記電極パッドと前記接続部材とが封止樹脂により封止された半導体装置であって、
前記接続部材が、下記式（Ｉ）で示される金属を含むとともに、
前記封止樹脂が、実質的にハロゲンを含まないことを特徴とする半導体装置が提供される。
ＡｕＭ  （Ｉ）
（ただし、上記式（Ｉ）において、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔのうち、少なくとも一つを含む。）
【０００９】
本発明において、接続部材は、接続端子と半導体チップとを電気的に接続する部材であればよく、具体的には、ワイヤ、ボール、リボン状の接続部材等が挙げられる。
【００１０】
また、本発明によれば、
半導体チップと、
前記半導体チップに設けられた電極パッドと、
前記半導体チップの外部に設けられた接続端子と前記半導体チップとを接続するワイヤと、
を備え、
前記電極パッドと前記ワイヤとが封止樹脂により封止された半導体装置であって、
前記ワイヤが、下記式（Ｉ）で示される金属を含むとともに、
前記封止樹脂が、実質的にハロゲンを含まないことを特徴とする半導体装置が提供される。
ＡｕＭ  （Ｉ）
（ただし、上記式（Ｉ）において、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔのうち、少なくとも一つを含む。）
【００１１】
本発明の構成によれば、ワイヤ等の接続部材が上記式（Ｉ）で示される金属を含むため、高温動作時の、Ａｕと電極パッドを構成する金属との相互拡散を抑制するとともに、封止樹脂中にハロゲンが実質的に含まれないため、ハロゲンによる腐食を抑制することができる。このため、Ａｕと電極パッドを構成する金属とを含む領域の成長によるクラックの発生を抑制し、かつ、ハロゲン化物の生成により生じるボイドや変色を抑制することができる。このため、これらの相乗効果により、高温動作時のボンディングワイヤと電極パッドとの接合領域における不良の発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。また、ボンディングワイヤ以外の接続部材を用いた場合にも、接続部材電極パッドとの接合領域における不良の発生を抑制できる。
【００１２】
なお、本明細書において、上記式（Ｉ）で示される金属とは、ＡｕとＭとを含む金属のことをいい、たとえばＡｕとＭとの合金が挙げられる。
【００１３】
また、本明細書において、封止樹脂がハロゲンを実質的に含まないとは、封止樹脂を構成する組成物中の樹脂や、難燃剤等の添加剤のいずれも、ハロゲンが意図的に添加された構成でないことをいい、たとえば、樹脂組成物中のハロゲン濃度が１００ｐｐｍ以下であることをいう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ワイヤ等の接続部材が上記式（Ｉ）で示される金属を含むとともに、封止樹脂が実質的にハロゲンを含まない構成とすることにより、高温動作時の接続部材とＡｌを含む電極パッドとの接合領域の信頼性を向上させる技術が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、共通の構成要素には同じ符号を付し、適宜説明を省略する。また、以下においては、ボンディングパッドと半導体チップとを電気的に接続する接続部材がボンディングワイヤである場合を例に説明する。
【００１６】
まず、本発明の理解のために、課題を解決するための手段の項で記載した従来の半導体装置における高温動作時の故障メカニズムについて説明する。
【００１７】
図９は、検討に用いた半導体装置の構成を示す断面図である。図９に示した半導体装置２００は、シリコン基板（不図示）上に、配線層と層間絶縁膜等とが積層した多層膜（不図示）が設けられた構成である。多層膜（不図示）上の所定の位置に、Ａｌパッド２０７が設けられ、Ａｌパッド２０７の側面全面および上面の一部をポリイミド膜２０９が被覆している。ポリイミド膜２０９からの露出部においては、Ａｌパッド２０７の上面が露出しており、露出部にＡｕワイヤ２１１が接続されている。Ａｌパッド２０７の接続部分であるＡｕワイヤ２１１の先端はＡｕボール２１３となっており、Ａｕボール２１３とＡｌパッド２０７とが接合されている。ポリイミド膜２０９の上面全面に、臭素化エポキシ樹脂を含む樹脂組成物により構成される封止樹脂２１５が設けられ、Ａｌパッド２０７とＡｕボール２１３との接合部分が被覆されている。
【００１８】
Ａｕワイヤ２１１の径の異なる半導体装置２００（図９）について、高温保存時の寿命を評価するとともに、接合不良の原因を検討した。その結果、高温動作時に、ボンディングワイヤに接合不具合が生じる原因として、以下のことが見出された。
【００１９】
まず、図１０は、Ａｕワイヤ２１１の直径を２０μｍとした際の、１７５℃、１８５℃、２００℃および２２０℃で保存したときのＡｕワイヤ２１１の寿命のワイブルプロットを示す図である。図１０に示したように、保存温度が高温であるほど累積不良率が１０％となるまでの時間が短いことがわかる。
【００２０】
さらに、Ａｕワイヤ２１１のワイヤ径と保存温度を変化させて試験を行い、故障メカニズムの解析を行った。
まず、Ａｕワイヤ２１１のワイヤ径を２０μｍとした場合について検討した。
半導体装置２００を２２０℃で４８時間保存した。保存後、半導体装置２００を常温まで冷却して、Ａｌパッド２０７とＡｕボール２１３との接合部分のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察を行った。図１１は、Ａｌパッド２０７、Ａｕボール２１３およびＡｕワイヤ２１１の断面の光学顕微鏡像を示す図であり、図１２は、図１１中の四角で囲んだ領域を拡大したＳＥＭ像を示す図である。図１１および図１２に示したように、この試料においては、Ａｕ4Ａｌ層とＡｕ5Ａｌ2層との界面でクラックが生じるとともに、Ａｕ4Ａｌ層にボイドが形成されている。
【００２１】
また、図１３は、ワイヤ径が２０μｍのＡｕワイヤ２１１を用いた半導体装置２００を１８５℃および２２０℃で保存した際の試験時間（ｈｒ）とボイド長さ（μｍ）との関係を、不良発生時間とともに示した図である。図１３に示したように、Ａｕボール２１３のボール径は８０μｍである。また、不良発生時間とは、ＶＦ（順電圧）不良が検知された時間であり、図１３中に下向きの矢印で示した時間である。図１３より、１８５℃保存および２２０℃保存のいずれの場合についても、ボイド長さが４０μｍ程度の時点で不良発生が検知されていることがわかる。これより、ボイドがＡｕボール２１３の直径の半分程度の大きさになると、抵抗値の増加によるＶＦ不良が発生するものと推察される。
【００２２】
以上より、ワイヤ径が２０μｍのＡｕワイヤ２１１を用いた場合には、以下のメカニズムで不良発生に至ることが推察される。図１４は、不良発生のメカニズムを説明する図である。下記式（１）〜式（６）は、Ａｌパッド２０７とＡｕボール２１３との接合部で生じていると考えられる反応式である。
２Ａｌ＋Ａｕ→ＡｕＡｌ2  （１）
ＡｕＡｌ2＋Ａｕ→２ＡｕＡｌ  （２）
ＡｕＡｌ＋Ａｕ→Ａｕ2Ａｌ  （３）
２Ａｕ2Ａｌ＋Ａｕ→Ａｕ5Ａｌ2  （４）
Ａｕ5Ａｌ2＋３Ａｕ→２Ａｕ4Ａｌ  （５）
Ａｕ4Ａｌ＋３Ｂｒ-→４Ａｕ＋ＡｌＢｒ3  （６）
【００２３】
図１４および上記式（１）〜式（６）に示したように、半導体装置２００を高温で保存すると、Ａｌパッド２０７とＡｕボール２１３との界面におけるＡｕとＡｌとの相互拡散により、上記式（１）〜式（５）に示した反応が進み、Ａｕ側すなわちＡｕボール２１３の底部にＡｕ4Ａｌが生成する（図１４の（ｉ））。そして、Ａｕ4Ａｌが生成することにより生じる体積膨張に起因して、Ａｕ4Ａｌ層とＡｕ層との間にストレスが加わることにより、これらの界面にクラックが発生する（図１４の（ｉｉ））。さらに、Ａｕ4Ａｌは、封止樹脂２１５中の臭素化エポキシ樹脂に由来する臭素イオン（Ｂｒ-）による腐食を受け、上記式（６）に示した反応により、臭化アルミニウムが発生する。上記式（６）により生じるＡｌＢｒ3は、融点が９７℃と低いため、常温では体積が減少し、ボイド状態になると考えられる（図１４の（ｉｉｉ））。このため、ワイヤ径が２０μｍのＡｕワイヤ２１１を用いた場合、上記式（６）によりＡｌＢｒ3が生じることに起因するボイドの発生が、不良発生の支配的な要因であると推察される。
【００２４】
次に、Ａｕワイヤ２１１のワイヤ径を７０μｍとして試験を行った。
半導体装置２００を２００℃で１２５０時間保存した。保存後、半導体装置２００を常温まで冷却して、Ａｌパッド２０７とＡｕボール２１３との接合部分のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）観察を行った。図１５は、Ａｌパッド２０７（図１５では符号不図示）、Ａｕボール２１３（図１５では符号不図示）およびＡｕワイヤ２１１（図１５では符号不図示）の断面の光学顕微鏡像を示す図であり、図１６は、図１５中の四角で囲んだ領域を拡大したＳＥＭ像を示す図である。図１７は、図１６の元素分析マップを示す図である。この試料においては、ＡｕＡｌ合金層が非常に脆い状態となっていた。また、図１５〜図１７より、ＡｕＡｌ合金層中には、Ａｕが網目状に分布しており、脆い部分はＡｌＢｒ3であると推定された。
【００２５】
また、図１８は、ワイヤ径が７０μｍのＡｕワイヤ２１１を用いた半導体装置２００を２２０℃で保存した際の試験時間（ｈｒ）とボイド長さ（μｍ）との関係を、不良発生時間とともに示した図である。図１８に示したように、Ａｕボール２１３のボール径は２２０μｍ程度である。また、不良発生時間とは、ＶＦ（順電圧）不良が検知された時間であり、図１８中に下向きの矢印で示した時間である。図１８より、不良発生が検知されるのは、ボイド長さの急激な増加がおさまった後であることがわかる。ワイヤ径が７０μｍと太い場合、Ａｕボール２１３の直径および断面積も大きくなるため、ボイドの成長が不良発生の支配的な要因とはならないと推察される。
【００２６】
以上より、ワイヤ径が７０μｍのＡｕワイヤ２１１を用いた場合には、以下のメカニズムで不良発生に至ることが推察される。図１９は、不良発生のメカニズムを説明する図である。図１９に示したように、ワイヤ径が太いと、ボイドが発生しても直ちに不良とはならず、長時間の高温保管下で生成したＡｕ4Ａｌに対するＢｒイオンの酸化作用により、上記式（６）に示した反応が進行し、Ａｌパッド２０７とＡｕボール２１３との界面におけるＡｕとＡｌＢｒ3の生成反応が進行すると考えられる。上記式（６）により生成するＡｌＢｒ3は高抵抗であるため、この生成量が増加するとＶＦが大きくなり、不良の発生につながると考えられる。このため、ワイヤ径が７０μｍのＡｕワイヤ２１１を用いた場合、上記式（６）によりＡｌＢｒ3が生じることに高抵抗層の成長が、不良発生の支配的な要因であると推察される。
【００２７】
以上の解析結果から、Ａｕワイヤ２１１の直径により支配的な要因が変動しうるものの、Ａｕワイヤ２１１と臭素化エポキシ樹脂を含む封止樹脂２１５を用いた半導体装置２００を高温保存すると、上記式（１）〜式（６）に示した反応の進行により不良が発生することが見出された。
【００２８】
そこで、次に、上記式（１）〜式（６）に示した反応の進行およびそれに伴う不良の発生を抑制する装置構成の例を説明する。
【００２９】
（第一の実施形態）
図１は、本実施形態の半導体装置の構成を示す断面図である。また、図２は、図１の半導体装置１００の電極パッドとボンディングワイヤとが接合された領域の周辺の構成を拡大して示す断面図である。
図１および図２に示した半導体装置１００は、半導体チップ１０２と、半導体チップ１０２に設けられた電極パッド（Ａｌパッド１０７）と、半導体チップ１０２の外部に設けられた接続端子（インナーリード１１７）と半導体チップ１０２とを接続する接続部材であるワイヤ（ＡｕＰｄワイヤ１１１）と、を備える。ＡｕＰｄワイヤ１１１の先端部はボール状のＡｕＰｄボール１１３となっている。Ａｌパッド１０７と、ＡｕＰｄワイヤ１１１の先端のＡｕＰｄボール１１３とは、封止樹脂１１５により封止されている。
ＡｕＰｄワイヤ１１１は、下記式（Ｉ）で示される金属を含むとともに、封止樹脂１１５は、実質的にハロゲンを含まない。封止樹脂１１５中の樹脂は、分子骨格中にＢｒ基を実質的に含まない高分子化合物からなる。
ＡｕＭ  （Ｉ）
（ただし、上記式（Ｉ）において、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔのうち、少なくとも一つを含む。）
本実施形態では、上記式（Ｉ）で示される金属がＡｕおよびＰｄを含む。
ＡｕＰｄワイヤ１１１先端のＡｕＰｄボール１１３において、Ａｌパッド１０７との接続領域の近傍に、上記式（Ｉ）で示される金属中のＭの偏在領域（Ｐｄ偏析領域１０６）を有する。
Ｐｄ偏析領域１０６は、半導体装置１００の完成時に明確に存在していてもよい。Ｐｄ偏析領域１０６は、完成後の加熱処理によりさらに明確に出現する。また、Ｐｄ偏析領域１０６がＡｌパッド１０７中に含まれる金属（Ａｌ）とＡｕＰｄワイヤ１１１中に含まれる金属（Ａｕ）とが拡散してなる領域の周囲に生じた金属領域であってもよく、この金属領域が合金から構成されていてもよい。Ｐｄ偏析領域１０６は、Ｐｄが偏析によりＡｕＰｄボール１１３中で相対的に濃縮されている領域とすることができる。
Ａｌパッド１０７とＡｕＰｄボール１１３との接続領域近傍において、Ａｌパッド１０７とＰｄ偏析領域１０６との間に、ＡｌとＡｕとの合金層（ＡｕＡｌ合金層１０５）を有する。なお、Ａｌパッド１０７は、Ａｌを主成分とする電極パッドの一例である。また、Ａｌは、Ａｌパッド１０７中に含まれる主成分の金属である。また、ＡｌとＡｕとの合金層の面積が、Ａｌパッド１０７とＡｕＰｄワイヤ１１１との接続部分の面積の５０％以上を占める。
Ｐｄ偏析領域１０６は、Ａｌパッド１０７中に含まれる金属とＡｕＰｄボール１１３中に含まれる金属との拡散を抑制する拡散抑制領域として機能し、ＡｕＡｌ合金層１０５の成長を抑制するバリア領域である。Ｐｄ偏析領域１０６は層状に設けられた構成とすることができる。こうすることにより、ＡｕＡｌ合金層１０５が加熱された際にさらに成長することをより一層確実に抑制できる。
【００３０】
以下、半導体装置１００の構成をさらに具体的に説明する。
半導体装置１００においては、リードフレーム１２１上に半導体チップ１０２が設けられ、これらが封止樹脂１１５により封止されている。リードフレーム１２１の側方にリードフレーム１１９が設けられている。リードフレーム１１９の一部はインナーリード１１７として封止樹脂１１５に封止されている。
【００３１】
半導体チップ１０２は、シリコン基板１０１上に、配線層と層間絶縁膜等とが積層した多層膜１０３が設けられた構成である。多層膜１０３上の所定の位置に、Ａｌパッド１０７が設けられ、Ａｌパッド１０７の側面全面および上面の一部をポリイミド膜１０９が被覆している。ポリイミド膜１０９からの露出部においては、Ａｌパッド１０７の上面が露出している。Ａｌパッド１０７の露出部とインナーリード１１７とが、ＡｕＰｄワイヤ１１１により電気的に接続されている。ＡｕＰｄワイヤ１１１の一方の端部はＡｕＰｄボール１１３となっており、ＡｕＰｄボール１１３とＡｌパッド１０７とが接合されている。ＡｕＰｄボール１１３とＡｌパッド１０７との接合領域においては、ＡｕＰｄボール１１３の底部にＡｕＡｌ合金層１０５が存在するとともに、ＡｕＡｌ合金層１０５の周囲、具体的にはＡｕＡｌ合金層１０５の上部にＰｄ偏析領域１０６が存在している。Ａｌパッド１０７とＡｕＰｄボール１１３との接合部分は封止樹脂１１５により被覆されている。
【００３２】
このような構成の半導体装置１００において、ＡｕＰｄワイヤ１１１およびＡｕＰｄボール１１３は、Ａｕを主として含むＡｕＰｄ合金により構成される。ＡｕＰｄ合金中のＰｄの含有量は、たとえば０．１質量％以上とする。こうすることで、Ｐｄ偏析領域１０６をさらに効果的に出現させることができる。このため、ＡｕＰｄボール１１３とＡｌパッド１０７との接合領域におけるＡｕＡｌ合金層１０５の成長をさらに確実に抑制することができる。また、ＡｕＰｄ合金中のＰｄの含有量は、たとえば２質量％以下とする。こうすることにより、ＡｕＡｌ合金層の成長を抑制する効果を充分に確保しつつ、ＡｕＰｄワイヤ１１１の電気抵抗の増加を防ぎ、さらにＡｌパッド１０７へ深刻なダメージを与えにくくできる。ＡｕＰｄ合金のさらに具体的な組成としては、Ａｕ濃度が９９質量％、Ｐｄ濃度が１質量％である組成が挙げられる。
【００３３】
ＡｕＰｄワイヤ１１１のワイヤ径φは、Ａｌパッド１０７の大きさやＡｌパッド１０７の集積度等に応じて設定できる。具体的には、ＡｕＰｄワイヤ１１１のワイヤ径を２０μｍ以上７０μｍ以下とすることができる。２０μｍ以上とすることにより、Ａｌパッド１０７との接続信頼性をさらに向上させることができる。また、７０μｍ以下とすることにより、Ａｌパッド１０７の配置をさらに狭ピッチ化してＡｌパッド１０７とインナーリード１１７とをさらに高密度で接続することができる。
【００３４】
ＡｕＡｌ合金層１０５は、接合時の加熱によりＡｌパッド１０７中のＡｌとＡｕＰｄボール１１３中のＡｕとが拡散して生じた層状の領域であり、ＡｕとＡｌとを主として含む。ここで、ＡｕとＡｌとを主として含むとは、ＡｕＡｌ合金層１０５全体に対してＡｕの含有量とＡｌの含有量との合計が５０質量％より大きいことをいう。
【００３５】
また、Ｐｄ偏析領域１０６は、ＡｕＰｄボール１１３中のＰｄが濃縮されて、ＡｕＰｄボール１１３中でＰｄ濃度が相対的に高い領域である。また、Ｐｄ偏析領域１０６は、ＡｕＰｄワイヤ１１１よりもＰｄ濃度が高い領域である。
【００３６】
なお、図２においては、ＡｕＡｌ合金層１０５およびＰｄ偏析領域１０６が、ＡｕＰｄボール１１３の底部に下からこの順に積層されている構成を例示したが、半導体装置１００は、加熱によりＡｕＰｄボール１１３の少なくとも一部にＡｕＡｌ合金層１０５の成長を阻害するＰｄ偏析領域１０６が明確に出現するような構成であればよく、使用前の半導体装置１００においては、ＡｕＡｌ合金層１０５およびＰｄ偏析領域１０６が必ずしも明確な層状になっていなくてもよい。後述するように、使用前の半導体装置１００中において、Ｐｄ偏析領域１０６が明確な層状となっていない場合にも、半導体装置１００が使用されて、ＡｕＰｄボール１１３とＡｌパッド１０７との接続領域の近傍が加熱されると、Ｐｄ偏析領域１０６がより一層明確に出現する。
【００３７】
封止樹脂１１５は、ハロゲンおよびアンチモンを実質的に含まない樹脂組成物により構成される耐熱性の樹脂である。また、封止樹脂１１５中の樹脂は、分子骨格中にハロゲン基を実質的に含まない高分子化合物からなる。さらに、封止樹脂１１５は、樹脂以外の成分、たとえば難燃剤等の添加剤中にもハロゲン化物を含まない。このような樹脂組成物として、具体的には、金属水和物等の代替難燃剤使用樹脂を含む樹脂組成物；
溶融球状シリカ等の充填剤をたとえば８０質量％以上の高い割合で含む高フィラー充填樹脂組成物；ならびに
フェノール系樹脂またはエポキシ樹脂等の難燃性骨格を有する高分子化合物を含む樹脂組成物；
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、複数組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
金属水和物として、さらに具体的には、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムが挙げられる。その他の代替難燃剤として、さらに具体的には、無機リンや有機リン系化合物が挙げられる。
【００３９】
また、封止樹脂１１５が一種類の樹脂を含んでもよいし、複数種類の樹脂を含んでいてもよい。
難燃性骨格を有するフェノール系樹脂としては、たとえば、分子中にビフェニル誘導体またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール系樹脂が挙げられる。さらに具体的には、
フェノールビフェニレンアラルキル型樹脂、フェノールフェニレンアラルキル型樹脂、フェノールジフェニルエーテルアラルキル型樹脂等のフェノールアラルキル型樹脂；
ビスフェノールフルオレン含有フェノールノボラック型樹脂；
ビスフェノールＳ含有フェノールノボラック型樹脂；
ビスフェノールＦ含有フェノールノボラック型樹脂；
ビスフェノールＡ含有フェノールノボラック型樹脂；
ナフタレン含有フェノールノボラック型樹脂；
アントラセン含有フェノールノボラック型樹脂；
フルオレン含有フェノールノボラック型樹脂；および
縮合多環芳香族型フェノール系樹脂；
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、複数組み合わせて用いてもよい。
【００４０】
また、難燃性骨格を有するエポキシ樹脂としては、たとえば、分子中にビフェニル誘導体またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂が挙げられる。さらに具体的には、
フェノールビフェニレンアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールフェニレンアラルキル型エポキシ樹脂、フェノールジフェニルエーテルアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；
ビスフェノールフルオレン含有ノボラック型エポキシ樹脂；
ビスフェノールＳ含有ノボラック型エポキシ樹脂；
ビスフェノールＦ含有ノボラック型エポキシ樹脂；
ビスフェノールＡ含有ノボラック型エポキシ樹脂；
ナフタレン含有ノボラック型エポキシ樹脂；
アントラセン含有ノボラック型エポキシ樹脂；
フルオレン含有ノボラック型エポキシ樹脂；および
縮合多環芳香族型エポキシ樹脂；
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、複数組み合わせて用いてもよい。
【００４１】
次に、半導体装置１００の製造方法を説明する。
まず、シリコン基板１０１上に、配線層および層間絶縁膜等が積層した多層膜１０３を形成する。次に、多層膜１０３上の所定の位置にＡｌパッド１０７をスパッタリング法により形成する。つづいて、塗布法により、Ａｌパッド１０７を覆うようにポリイミド膜１０９を形成する。つづいて、ポリイミド膜１０９をパターニングして開口部を設け、Ａｌパッド１０７の一部を露出させる。こうして、半導体チップ１０２が得られる。
【００４２】
得られた半導体チップ１０２をリードフレーム１２１上に設置し、Ａｌパッド１０７とインナーリード１１７とをＡｕＰｄワイヤ１１１によりワイヤボンディングする。ＡｕＰｄボール１１３はこのとき形成される。また、Ｐｄは最初のワイヤ状態ではＡｕＰｄワイヤ１１１中に均一に分散しているが、ボンディングによって偏析して、接続領域近傍にＰｄ偏析領域１０６が生じる。その後、リードフレーム１２１、半導体チップ１０２、ＡｕＰｄワイヤ１１１およびインナーリード１１７を封止樹脂１１５で封止する。以上の手順により、図１および図２に示した半導体装置１００が得られる。なお、得られた半導体装置１００中には、図２に示したＡｕＡｌ合金層１０５およびＰｄ偏析領域１０６が存在するが、その後、半導体装置１００を使用することにより、Ｐｄ偏析領域１０６がより一層明確に現れる。
【００４３】
次に、半導体装置１００の効果を説明する。
図１および図２に示した半導体装置１００においては、Ａｌパッド１０７に接続されるボンディングワイヤがＡｕＰｄ合金により構成されたＡｕＰｄワイヤ１１１であるとともに、ハロゲンを実質的に含まない樹脂組成物により構成された封止樹脂１１５により接続部分が封止されている。このため、これらの相乗効果により、Ａｌパッド１０７とＡｕＰｄボール１１３との界面におけるＡｕとＡｌの相互拡散およびそれに伴うＡｕＡｌ合金層１０５のさらなる成長を抑制するとともに、ＡｕＡｌ合金層１０５が封止樹脂１１５中のハロゲンにより腐食されることが抑制される。このため、ＡｕＡｌ合金層１０５の腐食によるボイドの成長および高抵抗層の成長を抑制することができる。よって、高温動作時の接合信頼性に優れた構成となっている。
【００４４】
この効果について、従来の構成と比較して、以下、さらに詳細に説明する。
まず、Ａｌパッド１０７とＡｕＰｄボール１１３との界面における合金層の成長阻害抑制効果について、図３（ａ）および図３（ｂ）を参照して説明する。図３（ａ）および図３（ｂ）は、電極パッドとボンディングワイヤとの界面近傍の構成を示す断面図である。図３（ａ）は、従来の半導体装置の構成に対応し、電極パッドの材料がＡｌであって、ボンディングワイヤの材料が純金線（Ａｕ）である場合を示している。また、図３（ｂ）は、図１および図２に示した半導体装置１００の構成に対応し、電極パッドの材料がＡｌであって、ボンディングワイヤの材料が合金線（ＡｕＰｄ）である場合を示している。
【００４５】
図３（ａ）に示した構成の場合、電極パッドとボンディングワイヤとの接合界面におけるＡｕＡｌ合金層の相互拡散を抑制するバリア層が形成されない。このため、上記式（１）〜式（５）の反応により、高温中で前述したＡｕＡｌ合金層が成長する。
【００４６】
これに対し、半導体装置１００の場合、ボンディングワイヤの材料がＡｕＰｄの固溶体であるため、ワイヤボンディング時にＡｕＡｌ合金層１０５が生成するとともに、ＡｕＰｄからＰｄが排出されて、Ｐｄ偏析領域１０６が形成される。そして、図３（ｂ）に示したように、半導体装置１００を高温条件下で保存すると、ＡｕＡｌ合金がわずかに成長してＡｕＡｌ合金層が形成されるとともに、ＡｕＡｌ合金層とＡｕＰｄ層との間にＰｄが濃縮されたＰｄ偏析領域がより一層顕著に現れる。このＰｄ偏析領域が、Ａｕの移動速度を低下させるバリア層として機能するため、ＡｕＡｌ合金層の成長が抑制される。
【００４７】
また、図４は、図３（ｂ）に示した断面構造を有するボンディングワイヤと封止樹脂との相互作用を説明する断面図である。図４に示したように、半導体装置１００では、Ｂｒ等のハロゲンを実質的に含まない難燃性の封止樹脂１１５で装置全体が封止された構成となっている。このため、電極パッドとの接合部にわずかに存在するＡｕＡｌ合金層が封止樹脂由来のＢｒイオンと反応して上記式（６）に示した臭素化アルミニウムが形成されることがなく、合金層の腐食が生じない。
【００４８】
このように、半導体装置１００においては、ボンディングワイヤの材料として、合金成長のバリア層として機能する金属を含む金合金を用いるとともに、わずかに生成するＡｕＡｌ合金のハロゲンによる腐食が抑制される構成となっているため、これらの相乗効果により、ハロゲンを含む樹脂組成物により構成される封止樹脂を用いることが前提となっていた従来の構成に対して顕著に高温長時間動作時の接続信頼性を向上された構成となっている。このため、半導体装置１００は、動作温度が向上した構成となっている。
【００４９】
図９から図２３を参照して前述したように、電極パッドとボンディングワイヤとの接続不良は、上記式（１）〜式（６）に示した反応により生じ、その反応の中でも支配的な因子はワイヤ径により異なると考えられるが、半導体装置１００においては、ＡｕＰｄワイヤ１１１の径によらず、高温動作時の接合信頼性を向上させることができる。
【００５０】
たとえば、ＡｕＰｄワイヤ１１１のワイヤ径が２０μｍ程度と比較的細い場合、上記式（６）で示した腐食反応で生成した臭素化アルミニウムの収縮によるボイドの発生をさらに効果的に抑制することができる。また、ＡｕＰｄワイヤ１１１のワイヤ径が７０μｍ程度と比較的太い場合、上記式（６）で示した腐食反応による高抵抗の臭素化アルミニウム層の成長をさらに効果的に抑制することができる。
【００５１】
以下の実施形態においては、第一の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００５２】
（第二の実施形態）
第一の実施形態においては、Ａｌパッド１０７に接続されるボンディングワイヤの材料がＡｕＰｄ合金である場合を例に説明したが、ボンディングワイヤの材料は、これには限られず、下記式（Ｉ）で示される金属、さらに具体的には下記式（Ｉ）で示される金合金とすることができる。
ＡｕＭ  （Ｉ）
（ただし、上記式（Ｉ）において、Ｍは、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔのうち、少なくとも一つを含む。）
ＡｕならびにＰｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔは、貴金属であるため、ボンディングワイヤの材料を上記式（Ｉ）で示される金属とすることにより、半導体装置１００の保存安定性を向上させることができる。また、ＡｕならびにＰｄ、Ｃｕ、ＡｇおよびＰｔは低抵抗の金属であるため、インナーリード１１７とＡｌパッド１０７とを効果的に電気的に接続することができる。
【００５３】
また、ボンディングワイヤの材料を上記式（Ｉ）で示される金属とすることにより、高温動作時の電極パッドとの接合信頼性を向上させることができる。この原因は、上記式（Ｉ）においてＭで示される金属が、ＡｕＡｌ合金層１０５とＡｕＭ層との界面に偏析し、このＭを含む偏析領域がバリア領域として機能するためであると推察される。また、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、およびＰｔのうち、少なくとも一つを含む合金とすることにより、ボンディングワイヤの強度を向上させることができるためであると推察される。
【００５４】
上記式（Ｉ）で示される金属は、Ａｕ、ＰｄおよびＣｕを含むことができる。さらに具体的には、ワイヤボンディングを構成する他のＡｕ合金として、ＡｕＰｄＣｕ合金を好適に用いることができる。ＡｕＰｄＣｕ合金の組成は、たとえばＰｄ０．８質量％、Ｃｕ０．１質量％、Ａｕ９９．１質量％とすることができる。また、他に、Ａｕ９０質量％とＡｇ１０質量％とから構成されるＡｕＡｇ合金を用いることもできる。
【００５５】
（第三の実施形態）
以上の実施形態においては、電極パッドとインナーリードとがボンディングワイヤにより接続される構成の場合を例に説明したが、一方が電極パッドに接続されたボンディングワイヤの他端に接続される外部接続用端子の構成は、インナーリードである場合には限られず、他の部材とすることもできる。たとえば、半導体チップの電極パッドからプリント配線基板上に設けられた配線にワイヤボンディングされていてもよい。
【００５６】
図５は、このような構成の半導体装置の構成を示す断面図である。図５に示した半導体装置１１０の基本構成は図１に示した半導体装置１００の構成と同様であるが、リードフレーム１２１およびリードフレーム１１９に代えて、ＢＧＡ基板１２９が設けられている点が異なる。ＢＧＡ基板１２９は、半導体チップ１０２が設置されるプリント配線基板１２３と、プリント配線基板１２３の所定の位置に設けられた配線１２５と、プリント配線基板１２３のチップ搭載面の裏面に設けられた複数のバンプ１２７とを有する。ＡｕＰｄワイヤ１１１は、Ａｌパッド１０７と配線１２５とに接続されている。プリント配線基板１２３のチップ搭載領域全体が封止樹脂１１５により封止されている。
【００５７】
図５に示した半導体装置１１０においても、Ａｌパッド１０７に接続されるボンディングワイヤをＡｕＰｄワイヤ１１１とするとともに、ハロゲンを含まない難燃性の封止樹脂１１５が用いられるため、図１に示した半導体装置１００と同様の効果が得られる。
【００５８】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００５９】
たとえば、以上の実施形態においては、電極パッドの材料がＡｌである場合を例に説明したが、電極パッドの材料はこれには限られず、ＡｌＳｉ、ＡｌＣｕ等のＡｌを主成分としＳｉまたはＣｕの少なくとも１つを含む金属；
ＡｌＳｉＣｕ等のＡｌを主成分としＳｉおよびＣｕを含む金属；および
Ｃｕ等の他の金属をはじめとする種々の導電材料とすることができる。
【００６０】
また、以上の実施形態においては、Ａｌパッド１０７上にポリイミド膜１０９が設けられた構成の半導体装置の場合を例に説明したが、ポリイミド膜１０９が設けられていない構成とすることもできる。
【００６１】
また、本発明の技術は、エポキシ樹脂等の樹脂により封止される種々の半導体パッケージに適用可能であり、ＢＧＡのパッケージ等、以上の実施形態に挙げた構成には限られないことはもちろんである。
【００６２】
また、以上の実施形態においては、ボンディングパッドと半導体チップ中の導電部材とを接続する導電性の接続部材がボンディングワイヤである場合を例に説明したが、他に、ボールやリボン状の接続部材を用いることもできる。
【実施例】
【００６３】
以下の実験例においては、図１に示した半導体装置１００および半導体装置１００のボンディングワイヤの材料と封止樹脂の材料とを別の材料とした半導体装置を作製し、１７５℃における寿命の評価およびＡｕＡｌ合金層の成長速度の比較を行った。なお、以下の実験例において、ボンディングワイヤのワイヤ径はいずれも２０μｍとした。
（実験例１）
ボンディングワイヤとして、ＡｕＰｄワイヤ１１１に代えて純金線（Ａｕ）を用いた。また、封止樹脂として、臭素化エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を用いた。
（実験例２）
ボンディングワイヤの材料をＡｕＰｄとした。ＡｕＰｄワイヤ１１１の合金組成はＰｄ１質量％、Ａｕ９９質量％とした。また、封止樹脂として、臭素化エポキシ樹脂を含む樹脂組成物を用いた。
（実験例３）
ボンディングワイヤとして、ＡｕＰｄワイヤ１１１に代えて純金線（Ａｕ）を用いた。また、封止樹脂１１５として、ハロゲンを実質的に含まない樹脂組成物を用いた。
（実験例４）
図１に示した半導体装置１００を作成した。ボンディングワイヤの材料をＡｕＰｄ合金とした。さらに具体的には、ＡｕＰｄワイヤ１１１の合金組成をＰｄ１質量％、Ａｕ９９質量％とした。また、封止樹脂１１５として、ハロゲンを実質的に含まない樹脂組成物を用いた。
【００６４】
（評価）
図６は、実験例１〜実験例４の構成の半導体装置を１７５℃にて保存したときの推定寿命の評価結果を示す図である。図６において、推定寿命はＶＦ（順電圧）不良が検知された時間とし、累積不良率Ｆ＝１０（％）とした。図６に示したように、実験例１の半導体装置に対し、実験例２および実験例３では、一定の長寿命効果が得られたものの、実験例４においては、これらの効果を加えたものを大きく上回る顕著な長寿命効果が認められた。これより、ＡｕＰｄワイヤ１１１およびハロゲンを実質的に含まない封止樹脂をそれぞれ単独で適用した場合も、寿命に対する一定の効果は得られるものの、ＡｕＰｄワイヤ１１１とハロゲンを実質的に含まない封止樹脂とを複合して用いることにより、これらの相乗効果によって高温保存時の寿命の長期化に対する飛躍的な効果が得られることがわかる。
【００６５】
また、図７は、実験例４の半導体装置の保存後のＡｌパッド１０７とＡｕＰｄボール１１３との接合領域周辺のＳＥＭ像および元素分析結果を示す図である。図７に示したように、多層膜１０３とＡｌパッド１０７との接続部の近傍に、ＡｕＰｄワイヤ中のＰｄが濃縮されたＰｄ偏在領域１０６が層状に形成されていることがわかる。また、Ｐｄ偏在領域１０６よりもボンディングパッド側に、Ａｕ4Ａｌ層が形成されていることがわかる。
【００６６】
また、図８は、実験例２と実験例４の半導体装置について、１７５℃における保存時間（ｈｒ）とＡｕＡｌ合金層の厚さ（μｍ）との関係を示す図である。図８より、ボンディングワイヤの材料をＡｕＰｄとすることにより、合金層の成長が遅くなっていることがわかる。
【００６７】
また、図２０は、実験例４の半導体装置について、２２０℃におけるボンディング直後のＡｕＡｌ合金部面積割合と寿命との関係を示す図である。ＡｕＡｌ合金部面積割合とは、Ａｌパッド１０７とＡｕＰｄボール１１３との接合領域の面積に対してＡｕＡｌ合金部が占める総面積の割合である。Ａｌパッド１０７とＡｕＰｄボール１１３との接合領域の面積が１００％ＡｕＡｌ合金部で占められている状態が理想だが、通常はＡｕＡｌ合金部は部分的に形成され、ボンディング時の温度、過重、超音波のパワーなどのボンディング条件によって、その割合は変わる。図２０から、ＡｕＡｌ合金部面積割合が５０％未満では、ＡｕＡｌ合金部面積割合が５０％以上の場合に比べ、半分程度の寿命しかないことがわかる。つまり、ＡｕＡｌ合金部面積割合を少なくとも５０％とすることで、より寿命の長い高い半導体装置が得られる。ボンディング時の温度、過重、超音波のパワー等を調整することで、所望のＡｕＡｌ合金部面積割合を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１の半導体装置の半導体チップの構成を拡大して示す図である。
【図３】電極パッドとボンディングパッドの接合部周辺の構成を示す断面図である。
【図４】電極パッドとボンディングパッドの接合部周辺の構成を示す断面図である。
【図５】本実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図６】実験例の半導体装置の構成と高温保存時の寿命を示す図である。
【図７】実験例の半導体装置のＳＥＭ像と元素分析結果を示す図である。
【図８】実験例の半導体装置の保存時間とＡｕＡｌ合金層の厚さとの関係を示す図である。
【図９】従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の寿命のワイブルプロットを示す図である。
【図１１】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１２】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１３】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１４】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１５】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１６】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１７】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１８】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図１９】従来の半導体装置の不良発生のメカニズムを説明する図である。
【図２０】実験例の半導体装置のボンディング直後のＡｕＡｌ合金部面積割合と寿命との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００  半導体装置
１０１  シリコン基板
１０２  半導体チップ
１０３  多層膜
１０５  ＡｕＡｌ合金層
１０６  Ｐｄ偏析領域
１０７  Ａｌパッド
１０９  ポリイミド膜
１１１  ＡｕＰｄワイヤ
１１３  ＡｕＰｄボール
１１５  封止樹脂
１１７  インナーリード
１１９  リードフレーム
１２１  リードフレーム
１２３  プリント配線基板
１２５  配線
１２７  バンプ
１２９  ＢＧＡ基板
【図１】
2006270075.tif 000003
【図２】
2006270075.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2006270075.tif 000016
【図７】
2006270075.tif 000017
【図１１】
2006270075.tif 000018
【図１２】
2006270075.tif 000019
【図１５】
2006270075.tif 000020
【図１６】
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【図１７】
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