(57)【要約】    【解決手段】  本発明の配線基板形成用モールドは、支持基台と、該支持基台の一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、該押し型パターンの同一断面における支持基台側の断面幅が先端側の断面幅よりも広いことを特徴としている。この押し型パターンは、支持基台表面に形成した金属層を選択的にエッチングして形成することができる。    【効果】  本発明によれば、断面形状が台形の押し型パターンにより、配線パターンを形成する空隙を容易に形成することができる。また、本発明の配線基板形成用モールドを用いることにより、配線パターンとビアホールとを同時に形成することができる。【選択図】図１
2006339366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基台と、該支持基台の一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、該押し型パターンの同一断面における支持基台側の断面幅が先端側の断面幅よりも広いことを特徴とする配線基板形成用モールド。
【請求項２】
上記配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンが、未硬化または半硬化の硬化性樹脂に押し当てた状態で硬化性樹脂を硬化させて該押し型パターンに対応した形態を硬化性樹脂に転写可能となるように形成されていることを特徴とする請求項第１項記載の配線基板形成用モールド。
【請求項３】
上記支持基台が、光透過性基台であり、該配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンを、未硬化または半硬化の光硬化性樹脂に押し当てて該光透過性基台を通して該光硬化性樹脂を露光することにより該光硬化性樹脂の少なくとも一部を硬化させて押し型パターンに対応する所定のパターンを転写可能となるように形成されていることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板形成用モールド。
【請求項４】
上記配線基板形成用モールドの押し型パターンが形成されていない部分に、支持基台の表面が露出していることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板形成用モールド。
【請求項５】
上記支持基台が、光透過性基台であり、該光透過性基台が、石英、ガラス板、または、光透過性合成樹脂板からなることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板形成用モール
ド。
【請求項６】
配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンの同一断面における、該押し型パターンの頂部の断面幅W２と、支持基台側底部の断面幅W１との比（W1／W2）が、１．０１〜２．０の範囲内にあることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板形成用モールド。
【請求項７】
上記支持基台表面に、支持基台表面から頂部までの高さの異なる少なくとも2種類の高
さの押し型パターンが形成されていることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板形成
用モールド。
【請求項８】
上記押し型パターンが、金属から形成されていることを特徴とする請求項第1項記載の
配線基板形成用モールド。
【請求項９】
上記押し型パターンが、支持基台の表面に形成された金属層をエッチングすることにより形成されてなることを特徴とする請求項第1項記載の配線基板形成用モールド。
【請求項１０】
支持基台の一方の表面に形成された金属層の表面に、感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層を露光現像することにより該感光性樹脂硬化体からなるパターンを形成し、該パターンをマスキング材として該金属層を選択的にエッチングする選択的エッチング工程を少なくとも一回行うことにより、支持基台の表面に該金属からなるパターンを形成することを特徴とする配線基板形成用モールドの製造方法。
【請求項１１】
上記金属層に感光性樹脂硬化体からなるパターンをマスキング材として該金属層を選択的にエッチングする選択的エッチング工程で、該金属層をハーフエッチングし、該マスキング材を除去した後、再び光感光性樹脂層を形成して、該感光性樹脂層を露光現像することにより該感光性樹脂硬化体からなる新たなパターンを形成し、該新たに形成されたパターンをマスキング材として該金属層を選択的にエッチングする再エッチング工程を少なくとも一回行うことにより、支持基台の表面に該金属からなる高さの異なるパターンを形成
することを特徴とする請求項第１０項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。
【請求項１２】
上記パターンが形成されていない部分に支持基台の表面が露出するように最後のエッチング工程を行うことを特徴とする請求項第１１項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。
【請求項１３】
上記押し型パターンが、金属から形成されていることを特徴とする請求項第１０項または第１１項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。
【請求項１４】
上記金属層が、金属メッキおよび／または金属蒸着により支持基台表面に金属を析出させることにより形成された金属層であることを特徴とする請求項第１０項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。
【請求項１５】
上記支持基台が、光透過性基台であり、該光透過性基台が、ガラス板または透明合成樹脂板から形成されていることを特徴とする請求項第１０項記載の配線基板形成用モールドの製造方法。
【請求項１６】
光硬化性または熱硬化性樹脂層にパターンを形成するための配線基板形成用モールドにおいて、該配線基板形成用モールドは、支持基台と押し型パターンとからなり、該配線基板形成用モールドには、少なくとも2種類の高さの異なる押し型パターンが形成されてお
り、該押し型パターンの内の最も高さの高い金属性押し型パターンの高さと、該押し型パターンを侵入させる樹脂層の厚さとの差が０．１〜３μｍであることを特徴とする配線基板形成用モールド。
【請求項１７】
上記押し型パターンの内の最も高さの高い金属製押し型パターンが、該押し型パターンを侵入させる樹脂層の厚さよりも０．１〜３μｍ低く形成されていることを特徴とする請求項第１6項記載の配線基板形成用モールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性の樹脂基板の厚さ方向に深さの異なる配線パターンを形成するためのモールドおよびこのモールドを製造する方法に関する。さらに詳しくは本発明は、熱硬化性あるいは光硬化性の樹脂を硬化させる際に、該樹脂の厚さ方向に深さの異なる配線パターンを形成するためのモールドを、支持基台表面に形成された金属層を選択的エッチングにより形成することにより製造する方法およびこうして形成されたモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を実装するためのフィルムキャリアが使用されている。従来から使用されているフィルムキャリアは、ポリイミドフィルムの表面に銅などの導電性金属を配置して、この導電性金属からなる層の表面に感光性樹脂を塗布し、この感光性樹脂を露光現像することにより所望のパターンを形成し、このようにして形成されたパターンをマスキングレジストとして金属層をエッチングすることにより形成されている。
【０００３】
近時、このようなフィルムキャリアは非常に細線化されており、このような細線化された配線パターンを形成するためには導電性金属からなる金属層を薄くする必要がある。こうして形成された超微細配線パターンは、線幅が狭い上に、線厚も薄いために通電したときの電気抵抗値が大きくなりやすく、従って配線パターンからのジュール熱によるフィルムキャリア自体の発熱量が大きくなるという問題がある。フィルムキャリアの発熱を抑えるためには形成される配線パターンの断面積を大きくすればよいが、超微細配線パターンを形成するためには、配線パターンを形成するための導電性金属層の厚さを薄くする必要があり、従って、絶縁フィルムの表面に導電性金属箔などを用いて形成された金属層をエッチングして配線パターンを形成する従来のフィルムキャリアの製造方法では、発熱の面で細線化に限界がある。
【０００４】
こうしたフィルムキャリアの細線化とは別に、先端電子部品である半導体パッケージにおいては、複数の導体層と絶縁層とを重ねて厚さ方向に電気的な導通性を確保したビルドアップ配線板が広く使用されている。このようなビルドアップ配線板において、積層された層間に電気的導通を確保する方法として、積層された絶縁層にビアホールを形成し、このビアホール内にメッキ層を形成して厚さ方向の導通性を確保する方法、ビアホール内に導電性ペーストを充填して厚さ方向の導通性を確保する方法、銀バンプを形成して絶縁体層をこの銀バンプで突き破って厚さ方向の導通性を確保する方法、ビアポストにより厚さ方向の導通性を確保する方法などが採用されている（エレクトロニクス実装学会誌,Vol.2、No.6. p450-453 (1999);非特許文献１、エレクトロニクス実装学会誌Vol.2、No.1.( p6-81999)非特許文献２参照）。
【０００５】
しかしながら、上記のような方法では、配線パターンを形成する工程と、配線基板の厚さ方向に導通性を確保する工程とは全く別の工程であり、ビルドアップ配線板を形成するのに非常に複雑な工程を経る必要があった。また、このようにして形成された層間接続で接続不良が発生することも多く、より確実でかつ簡便な方法で層間接続を確保する方法が求められている。さらに、配線パターンが細線化し、配線パターンが高密度化するに伴いビアホールを形成するための領域も制限されるようになってきており、厚さ方向に導通性を確保するビアホールの形成面積も小さくなってきており、従来のビアホールの内周壁面にメッキ層を形成して厚さ方向に導通性を確保する方法ではビアホールおよびその周りのランドによって占有する面積が大きく、昨今の配線パターンの細線化および高密度化に対処できにくくなりつつある。また、従来のビアホールあるいはバンプにより厚さ方向の導通性を確保する方法では、積層された配線基板の厚さ方向の同じ位置にビアホールなどを
重ねて形成すること（スタックアップビアを形成すること）が難しいために、各層で形成するビアホールの厚さ方向における位置をずらして形成（シーケンシャルビルドアップ）することが多く、半導体パッケージの設計の自由度が制限を受けることがある。
【０００６】
ところで、インプリント法と呼ばれるレジストパターンの製造方法が提案されている（例えばS. Y. Chouら,Appl. Phys. Lett.,vol167,p3314(1995) 非特許文献３参照）。このインプリント法によるパターンの形成方法は、まず、シリコン基板を電子ビームリソグラフィ法などでエッチングすることにより表面に凹凸形状を有するモールドを作成し、次いで、基板上にPMMAなどの樹脂膜を塗布し、この樹脂膜を基板と共に軟化点以上の温度に加熱してから、この軟化した樹脂膜にモールドを圧着させて、モールドに形成された凹凸を樹脂膜に転写し、樹脂膜を軟化点以下の温度に冷却して樹脂膜に転写された凹凸形状を固定する。次いで、モールドを樹脂膜表面から撤去して、凹凸を有する樹脂膜の内、凹部の底面に存在する残膜をリアクティブイオンエッチング(RIE)などの異方性プラズマエッチ
ング法により除去する。インプリント法は、シリコン基板の表面に形成された凹凸を有する樹脂膜を利用してレジストパターンを形成する方法である。
【０００７】
上記のようなインプリント法は、シリコン基板に形成された凹凸を樹脂膜に転写する際に用いる樹脂の軟化点以上の温度に樹脂を加熱し、凹凸を転写後には、樹脂を軟化点以下の温度に冷却することが必要であり、処理時間が長くなるという問題がある。
【０００８】
また、上記のようなインプリント法で用いられるモールドは、例えばシリコン基板を電子ビームリソグラフィ法などでエッチングすることにより形成されるので、凹凸が転写された樹脂層をモールドから離型する際に樹脂膜の一部がモールド内に残存することがあるという問題もある。
【０００９】
こうした問題点を解消するものとして、特許文献１（特開2004-304097号公報）には、
インプリント法において、PMMAのような熱硬化性の樹脂の代わりに光硬化性樹脂を用いて、モールドとして光透過性を有するモールド基板を用いることが開示されている。このような光硬化性樹脂を用いて光硬化反応により樹脂を硬化させることにより、モールドの加熱・冷却の工程を行うことなく、光硬化によって樹脂を硬化させるためにその製造工程を簡略することができる。
【００１０】
しかしながら、上記の方法では、モールドが、シリコン基板表面に、電子ビームリソグラフィ法などでエッチングすることにより凹凸形状を有することにより形成されるものであるために、モールドに形成された凹凸が転写された光硬化性樹脂からモールドを脱型する際に、硬化した樹脂がモールド内に残存し易いという問題がある。
【００１１】
また、特許文献２（特開2000-194142号公報）にも、熱硬化性樹脂の代わりに光硬化性
樹脂を用いることが開示されているが、上記と同様の問題がある。
さらに、特許文献３（特開2003-77807号公報）には、パターン形成用の凸部または凹部が形成されている圧着面を有するモールド本体にフッ素原子を含むプラズマ処理により疎水化処理された表面処理層を有するモールドが開示されている。このようにフッ素原子を含むプラズマ処理により表面処理をすることにより、脱型に関してはある程度の改善が期待できるが、モールドに形成される凹凸形状が基板に対して略直角であり、凹凸の表面状態を改善したとしても、このようにして形成された凹凸内に侵入して形成された樹脂硬化体からモールドを脱型する際に、形成された凹凸に欠損が生じ易いという問題点は依然として存在する。
【特許文献１】特開2004-304097号公報
【特許文献２】特開2000-194142号公報
【特許文献３】特開2003-77807号公報
【非特許文献１】エレクトロニクス実装学会誌,vol.2, No.6. p450-453 (1999)「ビルドアップ配線板の工法と特徴」
【非特許文献２】エレクトロニクス実装学会誌vol.2, No.1 p6-8 (1999)「ビルドアップ技術の動向と将来」
【非特許文献３】S. Y. Chouら, Appl. Phys. Lett.,vol.167, p3314(1995)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、所謂インプリント法による配線パターンの形成に利用するモールドおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の配線基板形成用モールドは、支持基台と、該支持基台の一方の表面に突出して形成された押し型パターンとからなり、該押し型パターンの同一断面における支持基台側の断面幅が先端側の断面幅よりも広いことを特徴としている。
【００１４】
本発明の配線基板形成用モールドにおいて、支持基台は、光透過性基台とすることができる。
さらに、本発明の配線基板形成用モールドは、光硬化性または熱硬化性樹脂層にパターンを形成するための配線基板形成用モールドにおいて、該配線基板形成用モールドは、支持基台と押し型パターンとからなり、該配線基板形成用モールドには、少なくとも2種類
の高さの異なる押し型パターンが形成されており、該押し型パターンの内の最も高さの高い金属性押し型パターンの高さと、該押し型パターンを侵入させる樹脂層の厚さとの差が０．１〜３μｍであることを特徴としている。即ち、樹脂層の厚さよりも最も高い高さの押し型パターンの高さが０．１〜３μｍ低く形成されている。
【００１５】
また、本発明の配線基板形成用モールドの製造方法は、支持基台の一方の表面に形成された金属層の表面に、感光性樹脂層を形成し、該感光性樹脂層を露光現像することにより該感光性樹脂硬化体からなるパターンを形成し、該パターンをエッチングレジストとして該金属層を選択的にエッチングする選択的エッチング工程を少なくとも一回行うことにより、支持基台の表面に該金属からなるパターンを形成することを特徴としている。
【００１６】
このように本発明の配線基板形成用モールドは、金属層をエッチング液でエッチングすることにより押し型パターンを形成しているので、押し型パターンの断面形状が支持基台側の底辺が頂部よりも広い台形状に形成されているので脱型が容易であり、欠陥の少ない配線基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のモールドは、支持基台の表面に形成された金属層の表面に感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層を露光現像して所望のパターンを形成し、こうして形成されたパターンをエッチングレジストとして金属層をエッチングして所望の押し型パターンを形成している。このようにして形成された押し型パターンの断面を見ると、押し型パターンの頂部の幅よりも支持基台側である底部の断面の幅が広く形成されている。
【００１８】
従って、このモールドを未硬化または半硬化の硬化性樹脂中に押し込んで、本発明のモールドに形成されたパターン間に侵入した未硬化あるいは半硬化状態の樹脂を光および／または熱をかけることにより硬化させることができる。しかもこのようにして硬化した樹脂硬化体は、モールドに形成された押し型パターンとは逆にモールドの支持基台側の先端部（頂部）の断面幅が支持基台側の基端側の断面幅よりも狭く形成されるので、硬化した後の樹脂硬化体から本発明のモールドを型抜きする際に、容易にモールドを型抜きするこ
とができ、モールドの表面に樹脂硬化体などが付着することがない。
【００１９】
また、本発明のモールドは、支持基台表面に形成された金属層を多段階でエッチングすることにより、高さの異なる押し型パターンを形成することができ、こうして形成された最も高さの高い押し型パターンの高さと略同等の厚さに硬化性樹脂層を形成することにより、この最も高さの高い押し型パターンにより形成される凹部を、樹脂硬化体（フィルム、シートあるいはボード）から形成される絶縁体層に、ビアホールを形成するための貫通孔として利用することができる。
【００２０】
さらに、本発明のモールドを使用して形成される凹状配線パターンの線幅は、通常の場合１０μｍ以下、さらに露光・現像精度を上げることにより、ナノメーターサイズの線幅を有する配線パターンを形成することも可能であるが、このように線幅を細くしても、樹脂硬化体（絶縁体層）の厚さ方向に深く凹状配線パターンを形成することにより、本発明のモールドを用いて形成される凹状配線パターンの断面積を一定以上に確保することができ、従って、本発明のモールドを用いることにより、形成された凹状配線パターンの電気抵抗値が著しく高くなることがなく、従って、通電した際に生ずるジュール熱による配線基板の過熱を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に本発明の配線基板形成用モールドおよびその製造方法について具体的に説明する。
図１に本発明の配線基板形成用モールドおよびこのモールドを用いて配線基板を形成する際の例を模式的に示す。
【００２２】
図１において、本発明の配線基板形成用モールドは付番10で示されている。本発明の配線基板形成用モールド10は、支持基台12とこの支持基台12の一方の表面に形成された押し型パターン14a,14bを有している。
【００２３】
本発明の配線基板形成用モールド10を形成する支持基台12は、押し型パターン14a,14b
を保持するものであり、金属、ガラス、樹脂などで形成することができる。この支持基台12は、配線基板の絶縁体層を感光性樹脂の硬化体で形成する場合には、この支持基台12を光透過性基台とすることが好ましい。光透過性基台12は、感光性樹脂34を硬化させるための光がこの基台を透過するものであればよい。光硬化性樹脂の硬化には、電子線、紫外光、可視光、赤外光など種々の光線を使用することができるが、比較的短波長の可視光、あるいは、紫外光などを使用することが好ましい。
【００２４】
本発明の配線基板形成用モールド10を構成する支持基台12は、配線基板を形成する絶縁体層が熱硬化性樹脂の硬化体である場合には、金属、合成樹脂、ガラスなど、あるいはこれらを組み合わせた板状体で形成することができる。
【００２５】
また、本発明の配線基板形成用モールド10を形成する支持基台12は、配線基板を形成する絶縁体層が感光性樹脂の硬化体である場合には、感光性樹脂34を硬化させるための光を透過するものであり、石英、石英ガラス、ガラス、透明合成樹脂などあるいはこれらを組み合わせて形成された板状体が使用される。特に本発明では、絶縁体層が感光性樹脂の硬化体である場合には、短波長の可視光あるいは紫外線を使用することが望ましく、光透過性基台12としては、これらの光線を透過する特性を有する石英、石英ガラス、パイレックスTMなどを使用することが好ましい。また、光透過性基台12として光透過性樹脂を使用する場合には、上記のような光線の透過性のよい、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチルなどを使用することができる。またここで使用する光透過性の樹脂は、押し型パターンをエッチングにより形成することから、エッチング液に対して安定な樹脂を使用することが望ましい
。また、光硬化性樹脂34は、殆どが光重合により硬化するが、光重合により完全硬化させるためには、光照射時間を著しく長くする必要があり、通常の場合、配線基板形成用モールドによって賦形される形態が保持できる程度に光硬化性樹脂34を硬化させた後には、加熱硬化して硬化反応を完結させることが好ましく、このようにして加熱硬化する場合には、こうした熱硬化の際の加熱温度にも耐えうる程度、例えば軟化温度１２０℃以上の樹脂を使用することが好ましい。このような条件から本発明で光透過性樹脂を使用する場合には、ポリカーボネートを使用することが好ましい。
【００２６】
このような支持基台12は、特に可撓性を有している必要はなく、また、型押しの際にある程度の圧力をかけることから、ある程度の厚さを有することが望ましく、この支持基台12の厚さは通常は０．３〜５０mm、好ましくは０．５〜２０mmの範囲内にある。
【００２７】
上記のような支持基台12の表面には、押し型パターン14a,14b,14c・・・が形成されて
いる。本発明の配線基板形成用モールド10には、図１および図２(i)に示すように、高さ
の異なる複数の押し型パターン14a,14b,14c・・・が形成されている。そして、このよう
な図１あるいは図２(i)に示すように、本発明の配線基板形成用モールド10に形成されて
いる押し型パターン14a,14b,14c・・・の頂部14a-t,14b-tにおける押し型パターンの断面幅Wa２あるいはWb２と、押し型パターン14a,14b,14c・・・の支持基台12側における底部14a-b, 14b-bの断面幅Wa１あるいはWb１とは異なっている。例えば、底部14a-bの断面幅Wa1と、頂部14a-tの断面幅Wa2とを比較してみると、明らかに頂部14a-tの断面幅Wa2は、底
部14a-bの断面幅Wa1よりも狭く形成されている。このように押し型パターンの頂部の断面幅を底部よりも狭く形成することにより、付番３４で示される硬化性樹脂が硬化した後、本発明の配線基板形成用モールド10を良好に脱型することができる。特に本発明では、頂部と底部との断面幅の比（Ｗ１／Ｗ２）、具体的にはWa1／Wa2、あるいは、Wb1／Wｂ2が
、通常は１．０１〜２．０、好ましくは１．１〜１．５の範囲内にすることにより型抜きを容易に行うことができる。W1／W2が上記下限値を下回るとモールドの脱離性が悪くなり、また上記上限値を上回るとファイン回路の形成が困難になる。さらに、硬化性樹脂が光硬化性樹脂である場合には、このように押し型パターンに傾斜をつけることにより、押し型パターンの法面にも光透過性基台側から照射した光があたり、この法面部分も光硬化するので脱型した時の光硬化性樹脂から形成されるパターン形状が崩れにくく、さらに、法面の光硬化反応が進んでいるので、硬化性樹脂が押し型パターンに付着するのを有効に防止することができる。
【００２８】
また、本発明の配線基板形成用モールド10には、高さの異なる複数の押し型パターンが形成されている。図１では、硬化性樹脂34の層厚Rdと略同一の高さTa1を有する押し型パ
ターン14aと、この高さTa1の約１／２の高さTb1有する押し型パターン14bが形成された態様が示されており、図２(i)には押し型パターン14aおよび押し型パターン14bのほかに、
押し型パターン14bの略半分の高さを有する押し型パターン14cが形成された対応が示されている。なお、図1に示すように、最も高い押し型パターン14aの高さTa1は、硬化性樹脂
層の厚さTdと同じ厚さ（あるいは高さ）であってもよいが、硬化性樹脂層34が形成されている支持体32との接触により、押し型パターン14aの先端と、支持体32とが直接接触する
と、金属押し型パターン14aの先端磨耗が生じ易いので、図１に示すように厚さBtだけ硬
化性樹脂層34の厚さを厚くすることが望ましい。通常Btの厚さは０．０１〜３μｍ程度である。
【００２９】
本発明の配線基板形成用モールド10は、支持基台12表面に硬質の金属層11を形成し、この硬質の金属層11を選択的にエッチングすることにより形成することができる。
図２(a)〜(i)には、ガラス基台のような光透過性金属12の表面に、金属層11を形成し、この金属層11の表面に感光性樹脂層13を形成して、この感光性樹脂層13の表面に所望のパターンが形成されたマスク16を配置して（図2(a)）、このマスク16側から光を照射して感
光性樹脂層13を露光現像してパターン13aを形成した状態が示されている（図２(b)）。ここで使用する金属層11を形成する金属としては、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、銅合金およびこれらの合金を挙げることができる。また、この金属は、このモールドを繰り返し使用することから、使用により磨耗しにくいように硬質であることが望ましく、また、適正なエッチング液とエッチング方法を適用することで精密エッチングを行うことから、エッチング特性のよい金属が好ましい。本発明においては、エッチング特性のよい銅、ニッケルが特に好ましい。また、場合によっては、その上にクロムなどの硬質金属をめっきする。
【００３０】
このようにエッチング特性のよい金属を用いることにより、リソグラフィーで使用する光あるいは電子ビームの波長にもよるが、頂部の最大断面幅が例えば、６５００００nm以下、好ましくは３５０００nm以下、さらに好ましくは１００００nm以下のような比較的粗いパターンから、頂部の最小断面幅が例えば１０nm以上、好ましくは１００nm以上、さらに好ましくは１０００nm以上の比較的細線の押し型パターン（頂部断面幅）を形成することができる。
【００３１】
本発明の配線基板形成用モールド10は、例えば図２に示すようにして製造することができる。
図２は、本発明の配線基板形成用モールドを３回のエッチング工程を経て製造する例に基いて、それぞれの工程におけるモールドの断面を模式的に示す図である。
【００３２】
本発明の配線基板形成用モールド10の製造方法では、図２(a)に示すように、支持基台12の一方の表面に金属層11を形成する。この金属層11は、例えば支持基台12の表面に上述
の金属を無電解メッキ法、電気メッキ法、ラミネート法、スパッタリング法などを利用して形成することができる。メッキ法のほうが高硬度の金属層が得られる傾向があり好ましい。この金属層11の厚さは、形成しようとする配線パターンの深さによって適宜選定することができるが、通常は、６５μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下である。厚さの下限値は特に限定されるべきものではないが、生産安定性を考慮すると、通常は2μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上であ
る。
【００３３】
このようにして形成された金属層11の表面に感光性樹脂層13を形成し、この感光性樹脂層13の表面に所望の形状に形成されたマスク16を配置して、このマスク16の上面から光を照射して感光性樹脂層13を露光する。本発明で感光性樹脂層13を形成する感光性樹脂には、例えば上記のようにして光を照射すると、光が照射された部分が硬化するタイプのものと、感光性樹脂を塗布すると硬化体が形成されるがこの硬化体に光を照射すると、光が照射された部分が溶出可能に軟化するタイプのものとがあるが、本発明においてはいずれのタイプの感光性樹脂を使用することもできる。図２は、後者の例を示している。
【００３４】
図２(a)および(b)において、マスク16によって露光現像されたパターンは付番13aで示
されている。即ち、図２(a)に示すように、金属層11の表面に感光性樹脂層13を形成して
、この感光性樹脂層13の表面にマスク16を配置して感光性樹脂層13を露光し、さらに現像することにより図２(b)に示すようにマスク16に対応した部分の感光性樹脂の硬化体13aが金属層11表面に残存する。
【００３５】
本発明では、このように金属層11の表面に残存した感光性樹脂の硬化体13aをエッチン
グレジストとして、金属層11をエッチングする。
ここで金属層11のエッチングに使用されるエッチング剤は、金属層11を形成する金属によって異なるが、当業者が通常のエッチング工程で使用するエッチング剤を使用することができる。特に銅、銅合金、ニッケルあるいはニッケル合金のエッチング剤としてサイド
エッチングを防止するインヒビター、金属塩、酸化剤を保有する硫酸系あるいは塩酸系の混合液を含むエッチング液を用いると、効率よく、短時間で金属層をエッチングすることができ、このエッチングの際にサイドエッチングが生じにくいという特性を有しており、本発明の配線基板形成用モールドを形成する際のエッチング液として特に好ましい。
【００３６】
図２(c)に上記のようにして形成された感光性樹脂の硬化体をエッチングレジスト13aとして使用して金属層11をハーフエッチングした状態が示されている。
このようにハーフエッチングすることにより、エッチングレジスト13aで保護されてい
ない部分の金属層11は、エッチングされるが、エッチングレジスト13aによって保護され
ている部分はエッチングされずに残存し、エッチングレジスト13aと略同一の上面形状を
有する金属柱などの金属パターン14aが、残存する金属層11に対して台形状の形態で略直
角に立設される。
【００３７】
上記のようにして第一回目のエッチングを行った後、この第一回目のエッチングでエッチングレジストとして使用した感光性樹脂の硬化体からなるエッチングレジスト13aは、
必要に応じて、例えばアルカリ洗浄などにより除去されることが好ましい。エッチングレジストの除去を行うことによりモールドを高精度に加工することができるからである。ここで使用されるアルカリ洗浄液としては、例えば０．５〜１％NaOH水溶液が用いられる。
【００３８】
上記のようにして第一回目のエッチングを行った後、残存する金属層11および上記工程で形成された押し型パターンおよび新たに形成しようとする押し型パターン部分の表面を、上記と同様にして形成された感光性樹脂の硬化体からなるパターン（エッチングレジスト）13bで保護しながら再度エッチングすることにより、押し型パターンが形成されてい
ない金属層11の表面に新たに押し型パターンを形成する。
【００３９】
即ち、図２(d)に示されるように、最初のエッチング工程で形成された押し型パターン14aの頂部およびこうした押し型パターン14aが形成されていない金属層11の表面に感光性
樹脂を塗布して感光性樹脂層13を新たに形成する。次いで、こうして新たに形成された感光性樹脂層13の上面に所望のパターンを形成したマスク16を配置して感光性樹脂層13を露光し・現像することにより、図２(d)および(e)に示すように感光性樹脂の硬化体からなるパターンを形成し、このパターンをエッチングレジスト13bとして金属層11をエッチング
することにより、図２(f)に示すように、先の工程で形成した押し型パターン14aの加えて、この押し型パターン14aよりも高さの低い押し型14bを形成することができる。なお、ここで使用されたエッチングレジスト13bは、アルカリ洗浄などにより除去することが上述
の理由により好ましい。
【００４０】
上記のようにして第二回目のエッチング工程をハーフエッチング工程とすることにより、図２(f)に示すように、金属層11を残存させることができ、図２(g)に示すように、このように残存した金属層11の表面に感光性樹脂層13を形成し、さらにこの感光性樹脂層13を、マスク16を用いて露光・現像して感光性樹脂の硬化体でパターン（エッチングレジスト）13cを形成して、上記と同様にしてエッチングすることにより、押し型パターン14cを形成することができる。
【００４１】
上記図２に示す例では、図２(i)に示すように、三段階のエッチングを行って、高さの
異なる押し型パターン14a,14b,14cを形成した。これらの押し型パターン14a,14b,14cが形成されていない部分の金属層11は、エッチングにより除去されており、押し型パターン14a,14b,14cが形成されていない部分の表面には支持基台12が露出している。
【００４２】
このように支持基台12表面に形成された押し型パターン14a,14b,14cは、同一断面を見
ると、頂部14a-t,14b-t,14c-tの幅が支持基台12側の底部14a-b,14b-b,14c-bの幅よりも狭
く形成されている。即ち、単一の押し型パターンについてみると、この押し型パターンの頂部14a-t,14b-t,14c-t 側のエッチング液との接触時間は、支持基台12側の底部14a-b,14b-b,14c-b 側の接触時間よりも長いために、押し型パターン14の支持基台12側である底部14a-b,14b-b,14c-b から先端に向かってそのパターン幅が順次狭くなるように形成されており、押し型パターン14の断面のパターン幅は、押し型パターンの頂部14a-t,14b-t,14c-t において、その断面幅が最も狭くなるように形成されており、従って、押し型パターン14の断面は略台形形状を有している。
【００４３】
このように本発明の配線基板形成用モールド10に形成されている押し型パターン14を先細に形成することにより、例えば図１に示すように未硬化の樹脂中に押し型パターン14a,14bを侵入させ樹脂34を硬化させた後、配線基板形成用モールド10を除去する型抜きの際
に、押し型パターン14を容易に樹脂硬化体から抜き去ることができる。特に型抜きの際に押し型パターン14の法面に樹脂硬化体が付着することがなく、本発明の配線基板形成用モールド10を頻繁に洗浄することなく押し型加工を行うことができる。
【００４４】
なお、上記の例は、第一回目のエッチング処理を、金属層11が残留するようにハーフエッチング工程としており、残留する金属層11をさらにエッチングする必要があるが、金属層11を一回のエッチングにより除去してもよい。このようにエッチング工程を一回で行う本発明の配線基板形成用モールドは、絶縁フィルムあるいは絶縁基板の表裏面を貫通するビアホールを形成するためのモールドとして利用することができる。
【００４５】
また、本発明の配線基板形成用モールドは、上記のようにエッチングによる方法の他に、例えば図６に示すように、選択的なメッキ処理により形成することもできる。即ち、上述したようにガラス板などの支持基台の場合は、まずガラスを密着性良好な金属シードを形成し、その表面に押し型パターンを形成する部分を残して、レジストを塗布する。このレジストが塗布されていない部分には、支持基台のシ−ド表面が露出しており、このように押し型パターンを形成すべき表面が露出した支持基台を1回目のメッキ処理することに
より、支持基台の露出表面にメッキ層を形成することができる。このようにして支持基台に複数の基台露出面を形成してメッキ処理することにより同一の高さ（メッキ層厚さ）を有する複数個のメッキ層を形成することができる。このようにして形成された複数個のメッキ層が、本発明の配線基板形成用モールドの押し型パターンになる。このような配線基板用モールドにおいて、上述のように高さの異なる押し型パターンを形成する場合には、上記のようにして1回目のメッキ処理を行って立設された押し型パターンの内、高さの高
くしようとする押し型パターンはそのままにして、そのままの高さを維持しようとする押し型パターンの表面にレジストを塗布して、メッキ処理する。上記のようにして高さを維持しようとする高さの低い押し型パターンの表面は、レジストで被覆されていることから、このメッキ処理によってメッキ層が積層されることはないが、このようなレジストで被覆されていない押し型パターンの上部には新たなメッキ層が積層され、このようにしてメッキ層が積層されることにより、押し型パターンの支持基台からの高さを高くすることができる。上記のようなレジストによる被覆とメッキ処理を繰り返すことにより、支持基台からの高さの異なる複数の押し型パターンを形成することができる。ここで押し型パターンを形成するメッキ層は、硬質の金属からなることが好ましく、例えばNiメッキ層などで形成することができる。このようにして形成される押し型パターンは、支持基台側の基部は、メッキ液との接触時間が長いことから、支持基台側の基部の幅はこの押し型パターンの先端部の幅よりも広く形成される。従って、上記のようにして形成された押し型パターンの断面形状は、上述のようにエッチングにより形成された押し型パターンと同様に断面形状が台形状になる。
【００４６】
なお、上記のようにしてメッキ処理により押し型パターンを形成した後、レジスト層は、例えばアルカリ洗浄液、有機溶媒などを用いて除去される。
また、本発明の配線基板形成用モールドは、レーザー加工によっても形成することができる。即ち、図７に示されるように、ガラスなどのモールドになり得る材料に、レーザー強度を無段階に変化させながらこの基材をレーザーエッチング加工を行うことにより、支持基台表面に上記と同様の押し型パターンを形成することができる。
【００４７】
次に上記のようにして形成された配線基板形成用モールドを用いた配線基板の製造方法について説明する。
図３(a)〜(f)は、本発明の配線基板形成用モールドを用いた配線基板の製造工程の一例における断面図である。
【００４８】
図３(a)において、付番10は、図２において製造された配線基板形成用モールドであり
、図２におけるものとは逆に、光透過性基台12が上部に位置し、この光透過性基台12の下面から押し型パターンが垂下するように配置されている。また、図３(a)において付番30
は、支持体32の表面に未硬化の硬化性樹脂層33が配置された積層体である。ここで未硬化の硬化性樹脂層33は、硬化して絶縁体層を形成するものである。このような硬化性樹脂の例としては、熱あるいは光硬化性のポリイミド、熱あるいは光硬化性のエポキシ樹脂、熱あるいは光硬化性のウレタン樹脂、熱あるいは光硬化性のフェノール樹脂、ポリカーボネートなどあるいは半硬化状体（Bステージ）物、液晶ポリマーおよび、熱あるいは光硬化
性のポリアミド樹脂または半硬化状態物を挙げることができる。また、本発明で製造される配線基板は、配線パターンを形成する際に加熱工程、エッチング処理工程、水洗工程、金属拡散工程、メッキ工程、ボンディング工程など、加熱・冷却工程、水接触・乾燥工程などを繰り返されることから、耐熱性、耐水性、耐アルカリ性、耐酸性、耐熱収縮・耐熱膨張性などの寸法安定性などの特性に優れていることが好ましく、上記の樹脂の中でも熱および／または光硬化性のポリイミド前駆体、熱および／または光硬化性のエポキシ樹脂前駆体を用いることが好ましい。
【００４９】
このような未硬化の硬化性樹脂は、熱をかけるか、および／または、光を照射することにより短時間で硬化して、モールドを撤去しても、この配線基板形成用モールドに形成された形態が保持できる程度の形態保持性を有するものであることが好ましい。
【００５０】
積層体30を構成する支持体32は、最低限、未硬化の硬化性樹脂層33を保持する自己形態保持性を有するものであればよく、本発明の配線基板形成用モールド10を使用するに際してはある程度の強度を有するものであればよいが、後述するように未硬化の感光性樹脂層を硬化させた後、この硬化させた感光性樹脂層（絶縁体層34）の裏面に凸状配線パターンを形成できるように、この支持体32を導電性金属で形成することが好ましい。ここで支持体32として導電性金属を用いる場合には、導電性金属として、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などを使用することができる。このような導電性金属を用いた場合の支持体32の厚さは、通常は１〜４０μｍ、好ましくは２〜２０μｍである。
【００５１】
例えばこの支持体32として銅を使用する場合には、電解銅箔あるいは圧延銅箔のいずれをも使用することができる。
本発明の配線基板形成用モールド10を用いて配線基板を製造するに際しては、図３(a)
に示されるように、配線基板形成用モールド10の押し型パターン14を、積層体30の支持体32の表面に形成された未硬化の硬化性樹脂層33中に侵入させる。図３(b)に、感光性樹脂
層33に押し型パターン14を侵入させた状態が示されており、この段階では感光性樹脂層33は硬化しておらず、支持基台12と共に押し型パターン14を押し下げることにより、未硬化の硬化性樹脂は押しのけられて硬化性樹脂層33内に押し型パターン14が侵入する。
【００５２】
こうして押し型パターンを硬化性樹脂層33内に侵入させた後、硬化性樹脂33を加熱するかおよび／または光を照射することにより硬化させる。
本発明の配線基板形成用モールド10で感光性樹脂層を光硬化させる場合には、本発明の配線基板形成用モールド10に形成された光透過性基台12側から感光性樹脂層33を硬化させるために光照射を行う。即ち、配線基板形成用モールド10の押し型パターン14が形成されていない支持基台（光透過性基台）12の表面には金属は存在していないので、この部分は光が透過して積層体30の感光性樹脂を光硬化させる。他方、押し型パターン14は、金属で形成されており、この部分は光が透過しないので、感光性樹脂は硬化しないと思われがちであるが、光の回折、反射などに起因にして、押し型パターン14によって直接光が照射されない部分の感光性樹脂の少なくとも一部は光硬化する。この場合に、モールドの透光部：パターンの面積比率が、８０：２０〜２０：８０の範囲内にあることが好ましい。このように感光性樹脂を硬化させるための光照射エネルギーは、通常は５０〜２０００mJ/cm2、好ましくは１００〜１０００mJ/cm2の範囲内にあり、例えば波長２５０〜４５０nmの紫外光を用いる場合には、照射時間は、５〜１２０秒間、好ましくは１５〜５０秒間である。
【００５３】
このように感光性樹脂に上記のように配線基板形成用モールド10の光透過性基台12を介して光照射を行うことにより感光性樹脂の少なくとも一部が硬化するので、この感光性樹脂層33に配線基板形成用モールド10から転写された形態は、配線基板形成用モールド10を抜き取っても形成された形態が崩れることはない。
【００５４】
また、硬化性樹脂33が熱硬化性樹脂である場合には、プレス機に加熱手段を配置して押し型パターン14が侵入した状態で熱硬化性樹脂を硬化させる。この場合の温度は、使用する熱硬化性樹脂によって異なるが、例えば熱硬化性エポキシ樹脂前駆体あるいは半硬化させたエポキシ樹脂を使用する場合には、通常は１００〜２５０℃、好ましくは１３０〜２００℃の温度に１５〜１８０分間、好ましくは３０〜９０分間加熱することにより、硬化性樹脂の硬化体を形成することができる。
【００５５】
なお、硬化性樹脂は、光あるいは熱によって硬化するものであるが、より効率的に硬化反応を行うために光照射をすると共に加熱してもよい。硬化反応に熱および光を併用する場合には、上記のような加熱時間をかけて加熱し、硬化反応が迅速に進行しやすい温度条件に加熱した後、上記のように短時間光を照射することにより、効率よく硬化反応を完結させることができる。
【００５６】
本発明において、上記のようにして光照射あるいは加熱することによって積層体30に形成されている樹脂層33の硬化体34を形成した後、図３(c)に示すように、配線基板形成用
モールド10を撤去することにより、この硬化性樹脂層33の硬化体34には、押し型パターン14a,14b,14cに対応した空隙24a,24b,24cが形成される。このように硬化性樹脂層33を硬化させることにより形成された硬化性樹脂層33の硬化体は、この配線基板において絶縁体層34となる。
【００５７】
前述のように硬化性樹脂層33の厚さRdは、配線基板形成用モールド10に形成された押し型パターン14の内の最も高い押し型パターン14aの高さTa1よりも僅かに厚くされており、この感光性樹脂層33の厚さRdと、最も高い押し型パターン14aの高さTa1との差厚（Bt）の感光性樹脂層の残留層25が支持体32の表面に残留する。また、配線基板形成用モールド10を撤去することにより形成される空隙24a,24b,24cの内周壁面にも樹脂残渣が残存するこ
とがある。
【００５８】
本発明では、このような絶縁体層（感光性樹脂層の硬化体層）34に形成された最も深い空隙24aの底部にある残留層25を除去してこの最も深い空隙24aの底部が支持体32に連通させ、さらに空隙24a,24b,24cに残存する残渣を除去するための処理を施すことが望ましい
。
【００５９】
空隙24a内に残存する残留層25は、デスミア処理により除去することができる。このデ
スミア処理には湿式法と乾式法とがあり、本発明で行われるデスミア処理は、湿式法あるいは乾式法のいずれのデスミア処理であってもよい。
【００６０】
図３(d)にデスミア処理された基板の断面図を示す。図３(d)に示すように、最も深い空隙24aの底部には、支持体32の上面が露出している。
このようにしてデスミア処理を行った後、この支持体32と絶縁体層34とからなり、絶縁体層34には押し型パターン14a,14b,14cに対応した形態の空隙24a,24b,24cが形成されている。そして、この空隙の中で最も深い空隙である空隙２4aは、その底部に支持体32の表面が露出している。
【００６１】
本発明では、こうして形成された絶縁体層34の表面に導電性金属を析出させる。このような導電性金属の析出は、絶縁体層34の表面に止まらず、空隙24a,24b,24c内部にも析出
して、空隙24a,24b,24c内部が析出した金属で充填される。さらに、この析出金属層41は
、絶縁体層34の表面全体を覆うように形成される。
【００６２】
このような析出金属層41は、凹状配線パターンあるいは配線パターンを厚さ方向に電気的に接続するビアホール内導電体を形成するものであり、導電性金属から形成されている。このような導電性金属の例として、銅、銅合金、スズ、スズ合金、銀、銀合金、金、金合金、ニッケル、ニッケル合金、さらにはこれらの導電性金属を含む合金などを挙げることができる。本発明では、この析出させる導電性金属として、銅または銅合金を使用することが好ましい。
【００６３】
上記のような金属は、乾式法あるいは湿式法のいずれの方法でも析出させることができるが、特に本発明では、無電解メッキ法および電気メッキ法により析出させることが好ましい。ここで無電解メッキ液および電気メッキ液としては、従来使用されている穴充填に適したメッキ液を用いる。このようなメッキを行うことにより、空隙24a,24b,24c内部に
導電性金属が析出して充填されると共に、絶縁体層34の表面にも、図３(e)に示されるよ
うな０．０１〜１５μｍ、好ましくは０．５〜３μｍの導電性金属層41が形成される。なお、上記絶縁体層34に形成されている最も深い空隙24aに充填された導電性金属層45aは、その先端部が支持体32にまで到達して支持体32と接触しており、その基端は、支持体32が形成されている絶縁体層34の支持体32が配置されている面と反対の面にあるので、この最も深い空隙24aに充填された導電性金属層45aは、絶縁体層34の表裏面を電気的に接続する電気的導通部となる。
【００６４】
上記のようにして析出金属層41を形成した後、図３(f)に示すように、絶縁体層34の表
面に析出した析出金属層41を研磨して、絶縁体層34の表面を露出させる。この研磨には、化学研磨、機械研磨があるが、本発明ではいずれの研磨方法を採用することができるし、さらに両者を組み合わせてもよい。必要な場合には、工程（ｄ）の後に、無電解ニッケルメッキによりバリアー層を形成することもある。
【００６５】
このように絶縁体層34の表面を研磨することにより絶縁体層34の表面が露出すれば、空隙24aに充填された導電性金属45a、空隙24bに充填された導電性金属45b、空隙24cに充填
された導電性金属45cは、絶縁体層41の表面では絶縁状態になり、それぞれ、絶縁体層41
中に埋設された独立した凹状配線パターン46a,46b,46cになる。
【００６６】
図３(ｆ)に示す凹状配線パターン46bと凹状配線パターン46cとはその断面積が同一であるが、絶縁体層34の表面に占める凹状配線パターン46bの面積は、凹状配線パターン46cの絶縁体層34の表面に占める面積の１／２である。従って、同一断面積の凹状配線パターン
を形成するのであれば、図３(f)において付番46bに示すように、凹状配線パターンを絶縁体層34の深さ方向に深く形成することにより、高い配線密度の配線基板を形成することができる。
【００６７】
また、凹状配線パターン46aは、絶縁体層34の表裏面を貫通するように形成されており
、このような凹状配線パターン46aは、絶縁体層34の表裏面を電気的に接続するビアホー
ルとして使用することができる。
【００６８】
特に、支持体32が銅箔などの導電性金属で形成されている場合には、この支持体32を導電性金属層として、常法に従って凸状配線パターンを形成することにより、凹状配線パターン46aをビアホールとして絶縁体層34の表裏面に電気的接続が形成された両面配線基板
を形成することができる。即ち、図４(a)に示すように絶縁体層34に凹状配線パターン46a,46b,46cを形成した後、銅などの導電性金属からなる支持体32の表面に感光性樹脂層13を形成する。さらに図4(b)に示すように、この感光性金属層13の表面に所望の形態が形成されたマスク16を配置して露光・現像することにより、感光性樹脂層13の硬化体層13aを形
成する。次いで、図４(c)に示すように、この硬化体層13aをマスキング材として支持体32をエッチングして凸状配線パターン32a,32b,32c,32dを形成する。
【００６９】
図４(ｃ)に示すように、凸状配線パターン32aはその底部で凹状配線パターン46aと接続しており、また凸状配線パターン32dはその底部で凹状配線パターン46aと接続しており、この配線基板は、絶縁体層34を介して、表裏面にそれぞれ独立に配線パターンが形成されていると共に、これらの配線パターンは、絶縁体層34を貫通して形成された凹状配線パターン46a（ビアホール）によって電気的に接続される。
【００７０】
また、本発明の配線基板形成用モールド10を用いることにより、図５に示すように、ビルドアップ配線基板を製造することができる。
例えば、図３に示されるようにして支持体32の表面に硬化性樹脂硬化体層（絶縁体層）34を形成し、この絶縁体層34内に凹状配線パターン46a,46b,46cを形成し、この絶縁体層34の表面に未硬化または半硬化の硬化性樹脂層を形成した後、図5(a)に示すように、本発
明の配線基板形成用モールド10を押し下げて、この配線基板形成用モールドに形成されている押し型パターン14a,14b,14cを硬化性樹脂層に侵入させる。次いで配線基板形成用モ
ールド10の光透過性基台12側から光を照射するか、あるいは、硬化性樹脂を加熱することにより、硬化性樹脂層を硬化させる。この硬化の際には、上記と同様に、硬化性樹脂を加熱しながら光照射してもよい。
【００７１】
こうして硬化性樹脂層を硬化させた後、配線基板形成用モールド10を撤去することにより、図５(b)に示されるように、感光性樹脂の硬化体からなる絶縁体層34aを形成する。この絶縁体層34aには、配線基板形成用モールド10に形成されていた押し型パターンの形状
に対応する形状の空隙24d,24e,24f,24gが形成されている。このようにして形成された空
隙24d,24e,24f,24gの内で、空隙24d,24eが最も深い空隙であるが、空隙24dとこの空隙24dの下部に形成されている配線パターン46aとの間、および、空隙24eとこの空隙24eの下部
に形成されている配線パターン46cとの間には、残留層25があり、これらの空隙24dおよび空隙24eは、これらの下部にある配線パターン46aおよび配線パターン46cには到達してい
ない。
【００７２】
次いで、図５(ｃ)に示すように、デスミア処理を行い、残留層25を除去して空隙24d、
空隙24eを、これらの下部にある配線パターン46a、配線パターン46cに連通させると共に
、空隙24d,24e,24f,24gに接している絶縁体層34の壁面などに付着している残渣を除去す
る。
【００７３】
こうしてデスミア処理を行った後、図３(e)に示すものと同様に、空隙24d,24e,24f,24g内および絶縁体層34aの表面に、導電性金属を析出させる。次いで、絶縁体層34a表面に析出した導電性金属を、絶縁体層34aの表面が露出するように研磨することにより、図５(d)に示すように、それぞれの凹状配線パターン55d,55e,55f,55gを幅方向に独立させること
ができる。他方、凹状配線パターン55eは、その下の形成されている配線基板の凹状配線
パターン46aと電気的に接続されており、また、凹状配線パターン55eは、その下に形成されている凹状配線パターン46cと電気的に接続されており、凹状配線パターン55dおよび凹状配線パターン55eは、この層の表面側と裏面側とを電気的に接続するビアホールを形成
している。この方法を採用することは、配線回路の細線化に有利である他、実装信頼性の向上にも有利である。
【００７４】
そして、上記の工程を繰り返すことにより、多層積層されたビルドアップ配線基板（多層積層配線基板）を製造することができる。
このように本発明の配線基板形成用モールドを使用すれば、絶縁体層34aに凹状配線パ
ターン55d,55e,55f,55gを形成すると同時に、絶縁体層34aに形成された凹状配線パターンとその配線パターンの下部にある絶縁体層34に形成された凹状配線パターンとを厚さ方向に接続することができ、しかもこのように凹状配線パターンを厚さ方向に接続するビアホールの形成位置を自由に設定することができる。さらに、このビアホール内には凹状配線パターンを形成する導電性金属と同じ金属が充填されており、厚さ方向の導通信頼性が非常に高くなると共に、ビアホール内には導電性金属以外の物質を充填する必要がない。
【００７５】
なお、図５で絶縁体層34は、支持体32の上に形成されており、配線基板を積層する際にこの支持体32をそのまま使用しているが、この支持体32として導電性金属を使用する場合には、図４に示すように、この支持体32をエッチングして凸条配線パターンを形成することもできる。
【００７６】
このように本発明の配線基板形成用モールドは、支持基台とこの支持基台の表面に積層された金属層を選択的にエッチングすることにより形成された押し型パターンとからなり、金属エッチングの特性から、形成される押し型パターンの頂部の断面幅が支持基台側の押し型パターンの断面幅よりも必ず小さくなる。従って、本発明の配線基板形成用モールドを未硬化の硬化性樹脂層中に侵入させて、硬化性樹脂を硬化させて、この硬化性樹脂を絶縁体層に変換した後、本発明の配線基板形成用モールドと絶縁体層とを脱型分離する際に、配線基板形成用モールドと絶縁体層とを容易に分離することができる。特に押し型パターンが、エッチングにより形成されているためにその断面形状が頂部に向かって断面幅が狭くなるように台形状に形成されており、さらには、感光性樹脂が光硬化する際に僅かに硬化収縮するために、脱型が非常に容易になる。
【００７７】
また、本発明の配線基板形成用モールドを使用することにより、絶縁体層に凹状配線パターンと、この絶縁体層を貫通するビアホールを同時に形成することができる。しかも、こうして形成される凹状配線パターンの形成金属とビアホールの形成金属とが同一であるので、形成された凹状配線パターンとビアホールとで電気的特性が変動することがない。
【００７８】
また、本発明の配線基板形成用モールドは、エッチング状態を変えることにより、形成される押し型パターンの高さを変えることができる。従って、配線パターンの電気抵抗に影響を与える配線パターンの断面積を、絶縁体層に形成される凹状配線パターンの深さによって調整することができる。従来の絶縁フィルム表面に形成された導電性金属層を選択的にエッチングすることにより形成されていた配線基板では、電気抵抗が高くなるために配線パターンの幅は、３５μｍよりも細くすることは困難であるとされていたが、本発明の配線基板形成用モールドを用いることにより、線幅を３５μｍ未満としても絶縁体層の深さ方向に配線パターンを深く形成することにより、配線パターンの断面積を一定以上に
することができるので、配線パターンをさらに細線化することが可能になる。
【００７９】
〔実施例〕
次に本発明の実施例を示して本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより限定されるものではない。
【実施例１】
【００８０】
〔配線基板形成用モールドの調製〕
支持基台である厚さ５mmのガラス基板の表面をジンケート処理（亜鉛処理）した後、無電解メッキにより、厚さ０．３μｍのニッケル層を形成し、さらに電気メッキにより厚さ２０μｍの銅層を形成した。この銅層の表面に、乾燥塗布厚２μｍの感光性樹脂層を形成した。この感光性樹脂層の表面に所定のパターンが形成されたマスクを配置して露光現像することにより、感光性樹脂の硬化体からなる線幅２０μｍのエッチングレジストを形成した。そして、銅層を厚さ方向に約１／２（約１０μｍ）エッチングした（第一エッチング工程）。
【００８１】
次いで、上記第一エッチング工程で使用したマスキング材（＝エッチングレジスト＝感光性樹脂の硬化体）をアルカリ水溶液で除去した後、銅層表面に、乾燥塗布厚が３μｍになるように感光性樹脂を塗布した。こうして形成された感光性樹脂層の表面に所定のパターンが形成されたマスクを配置して、露光現像することにより、感光性樹脂の硬化体からなる線幅１０μｍの第二のエッチングレジストを形成した。そして、銅層をガラス基板が露出するまで厚さ方向に１／２（約１０μｍ）エッチングした（第二エッチング工程）。
【００８２】
こうして第二エッチング工程を終了した後、エッチングレジストをアルカリ洗浄により除去して本発明の配線基板形成用モールドを得た。
こうして得られた配線基板形成用モールドは、光透過性基台であるガラス基板の表面に高さ１０μｍの押し型パターン、高さ２０μｍの押し型パターンが立設されている。これらの押し型パターンの頂部の断面幅は５μｍであったが、ガラス基板側の押し型パターンの断面幅は８μｍであり、形成された押し型パターンの断面形状は上辺が８μｍ、底辺が５μｍの台形形状であった。
〔配線基板の調製〕
厚さ１２μｍの電解銅箔の表面にエポキシ系の熱硬化性樹脂を塗布し、風乾後、１２０℃で５分間加熱して、半硬化状態の樹脂層を有する樹脂付き銅箔を用意した。こうして形成された樹脂層の厚さは２０μｍであった。
【００８３】
上記樹脂付き銅箔を、プレス機の下型に配置し、上型に上記配線基板形成用モールドを配置して、モールドを１３０℃に加熱した。
上記のプレス機の配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンが樹脂付き銅箔の樹脂層に侵入するようにプレス機の上型と下型とを接近させて配線基板形成用モールドの押し型パターンの凹凸を樹脂付き銅箔の樹脂層に侵入させた。このとき配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンの一番高い押し型パターンが樹脂付き銅箔の樹脂を押しのけて、銅箔上面にほぼ達するまで配線基板形成用モールドを押し下げ、この状態のままで１８０℃の温度で、４５分間保持して樹脂付き銅箔のエポキシ樹脂を硬化させた。
【００８４】
４５分間経過後、プレス機の上型を引き上げて脱型を行った。脱型の際に配線基板形成用モールドに樹脂の付着はなく、配線基板形成用モールドの脱型を容易に行うことができた。また、脱型された樹脂付き銅箔の樹脂層には、配線基板形成用モールドに形成された押し型パターンが転写されており、転写されたパターンに欠陥などは生じていなかった。また、モールドにも欠陥は生じなかった、
こうしてパターンが転写された樹脂付き銅箔を、デスミア処理をして、最も深く形成さ
れた空隙の底部にある樹脂残渣を除去してこの空隙の底部に銅箔を露出させ、同時に空隙内の樹脂残渣を除去した。
【００８５】
次いで、空隙が形成された樹脂付き銅箔の樹脂層面に銅を析出させて、空隙内に銅を充填した。このように銅を析出させることにより、樹脂層の表面にも銅が析出したので、析出銅側から樹脂層の表面が露出するまで樹脂層の表面に析出した銅を研磨した。
【００８６】
こうして樹脂付き銅箔の樹脂層側に銅製の凹状配線パターンを形成した後、樹脂付き銅箔の電解銅箔側表面に感光性樹脂を塗布し、こうして形成された感光性樹脂層を露光現像することにより感光性樹脂硬化体からなるパターンを形成し、このパターンをマスキング材として樹脂付き銅箔の電解銅箔をエッチング液でエッチングすることにより凸状配線パターンを形成した。
【００８７】
上記のようにしてエポキシ樹脂硬化体を絶縁体層とし、この絶縁体層の一方の表面から深さ方向に凹状に食い込んで形成された線幅１０μｍの凹状配線パターンと、この絶縁体層の他方の表面に凸状に形成された凸状配線パターンとを有する両面プリント配線基板を形成することができた。この配線基板の両方の表面に形成された配線パターンは、配線基板形成用モールドの２０μｍ高さの押し型パターンにより形成された空隙（ビアホール）に充填された銅により、電気的に接続されていた。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の配線基板形成用モールドは、基台表面に断面形状が台形の押し型パターンが形成されており、この押し型パターンが未硬化あるいは半硬化の硬化性樹脂中に侵入して押し型パターンを反転させた空隙を形成することができ、この押し型パターンの断面形状が台形であるので、脱型を容易に行うことができる。
【００８９】
このようにして配線基板形成用モールドにより形成された空隙に導電性金属を析出させることにより、凹状配線パターンを形成することができる。しかもこうして形成された凹状配線パターンを絶縁体層に深く形成することにより、凹状配線パターンの断面積を一定以上に確保することができ、従って、凹状配線パターンを細線化しても凹状配線パターンの抵抗値の上昇を抑えることができる。
【００９０】
また、本発明の配線基板形成用モールドに、絶縁体層を貫通可能な押し型パターンを設けることにより、絶縁体層の表裏面を貫通するビアホールを配線パターンと同時に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】図１は、本発明の配線基板形成用モールドおよびこのモールドを用いて配線基板を形成する際の例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の配線基板形成用モールドを製造する工程の例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の配線基板形成用モールドを用いて配線パターンを形成する工程の例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の配線基板形成用モールドを用いた両面プリント配線基板の製造工程の例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の配線基板形成用モールドを用いたビルドアップ配線基板の製造工程の例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の配線基板形成用モールドの他の製造例を示す図である。
【図７】図７は、本発明の配線基板形成用モールドの他の製造例を示す図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０・・・配線基板形成用モールド
１１・・・硬質金属層
１２・・・支持基台
１３・・・感光性樹脂層
１３a、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ・・・パターン（マスキング材）
１６・・・マスク
１４a、１４ｂ、１４ｃ・・・押し型パターン
１４ａ-ｔ、１４ｂ-ｔ、１４ｃ-ｔ・・・押し型パターンの頂部
１４ａ-ｂ、１４ｂ-ｂ、１４ｃ-ｂ・・・押し型パターンの底部
２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅ，２４ｆ，２４ｇ・・・空隙
２５・・・残留層
３０・・・積層体
３２・・・支持体
３２a、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ・・・凹状配線パターン
３３・・・未硬化の硬化性樹脂層
３４・・・硬化体層（絶縁体層）
34a・・・絶縁体層
４１・・・析出金属（層）
45ａ、45ｂ、454ｃ・・・導電性金属
５５ｄ，５５ｅ，５５ｆ，５５ｇ・・・凸状配線パターン
４６ａ，４６ｂ，４６ｃ・・・凹状配線パターン
Ｔａ1・・・押し型パターン14aの高さ
Ｒｄ・・・硬化性樹脂層の厚さ
Bt・・・差厚
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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