(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエハに対し、縁だれを発生させることなく短時間で、しかも安全確実に平坦かつ平滑な高精度面に仕上げることができる半導体ウエハの研摩方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハの片面にラッピング加工又は研削加工を施し他面にエッチング加工を施す工程と、他面に酸化膜を形成する工程と、この他面に酸化膜を形成した半導体ウエハに両面ポリシング加工を施す工程と、両面にポリシング加工を施した後の半導体ウエハの他面の酸化膜を除去する工程と、他面の酸化膜を除去した半導体ウエハの片面にファイナルポリシング加工を施す工程とからなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの片面にラッピング加工又は研削加工を施し他面にエッチング加工を施す工程と、前記半導体ウエハの他面に酸化膜を形成する工程と、該他面に酸化膜を形成した半導体ウエハを両面ポリシング加工を施す工程と、該両面にポリシング加工を施した後の半導体ウエハの他面の酸化膜を除去する工程と、該他面の酸化膜を除去した半導体ウエハの片面にファイナルポリシング加工を施す工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエハの研磨方法に関するものであり、更に詳細には、拡径化、極薄化が要求される昨今の半導体ウエハに縁だれをさせることなく短時間で、且つ、安全確実に超高精度の鏡面、平坦面に仕上げる半導体ウエハの研磨方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
昨今、この種の半導体ウエハは、最終製品であるＩＣ等の半導体のより一層の小型化による極薄化と、生産性の観点からの拡径化と、歩留まりの観点からの縁だれのない超高精度の鏡面、平坦面を求められており、特に、シリコンである半導体ウエハの材料特性は硬質で、且つ、脆性のものであり、益々極薄化、拡径化される半導体ウエハを割ったり、欠けたりさせることなく安全確実に超高精度の鏡面、平坦面に仕上げるのに苦慮している実情である。
【０００３】
例えば、外周ダレの少ない高平坦度な両面鏡面ウエハを精度良く製造するものとして、研磨する半導体ウエハとして、両主面に接する面取り部分に酸化膜等の半導体ウエハより研磨速度が遅い材料からなる膜が形成され、かつ両主面には前記膜が形成されていないウエハを用い、研磨布に研磨液を供給しながらウエハの両主面を研磨布に摺接させて両面研磨を行う鏡面ウエハの製造方法（特許文献１参照）等が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１４２４３４号公報（第２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
然し乍ら、前述の開示されている外周ダレの少ない高平坦度な両面鏡面ウエハを精度良く製造するものとして、研磨する半導体ウエハとして、両主面に接する面取り部分に酸化膜等の半導体ウエハより研磨速度が遅い材料からなる膜が形成され、かつ両主面には前記膜が形成されていないウエハを用い、研磨布に研磨液を供給しながらウエハの両主面を研磨布に摺接させて両面研磨を行う鏡面ウエハの製造方法では、半導体ウエハに酸化膜を形成するものであるが、半導体ウエハの面取り部分に酸化膜等の半導体ウエハより研磨速度が遅い材料からなる膜を形成して両面研磨するものであり、面取り部分の外周ダレを防ぐには良好なものであった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体ウエハの研磨方法は、前述の課題に鑑み、鋭意研鑽の結果、半導体ウエハの片面にラッピング加工又は研削加工を施し他面にエッチング加工を施す工程と、半導体ウエハの他面に酸化膜を形成する工程と、他面に酸化膜を形成した半導体ウエハを両面ポリシング加工を施す工程と、両面にポリシング加工を施した後の半導体ウエハの他面の酸化膜を除去する工程と、他面の酸化膜を除去した半導体ウエハの片面にファイナルポリシング加工を施す工程とを含むものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の半導体ウエハの研磨方法は、半導体ウエハのエッチング加工を施した他面に酸化膜を形成し、他面に酸化膜を形成した半導体ウエハに両面ポリシング加工を施すことにより、半導体ウエハの強度を酸化膜によって補強した状態で両面ポリシング加工を施すもので、所定の設定された研磨代を時間を短縮してポリシング加工を施しても割れたり欠けたりすることなく片面は鏡面に研磨されるものであり、他面は酸化膜が形成されており殆ど研磨されないものであり、その後に、他面の酸化膜を除去して、更に、片面ファイナルポリシング加工を施すことにより超高精度の鏡面、平坦面が縁ダレを起こすことなく、平坦精度を向上させるものであり、極めて有意義な効果を奏し実用性の高いものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は半導体ウエハの研磨方法に関するものであり、更に詳細には、拡径化、極薄化が要求される昨今の半導体ウエハ１に縁だれをさせることなく短時間で、且つ、安全確実に超高精度の鏡面、平坦面に仕上げる半導体ウエハの研磨方法に関するものであり、半導体ウエハ１の片面１Ａにラッピング加工又は研削加工を施し他面１Ｂにエッチング加工を施す工程と、前記半導体ウエハ１の他面１Ｂに酸化膜１ａを形成する工程と、該他面１Ｂに酸化膜１ａを形成した半導体ウエハ１を両面ポリシング加工を施す工程と、該両面１Ａ．１Ｂにポリシング加工を施した後の半導体ウエハ１の他面１Ｂの酸化膜１ａを除去する工程と、該他面１Ｂの酸化膜１ａを除去した半導体ウエハ１の片面１Ａにファイナルポリシング加工を施す工程とを含むものである。
【実施例】
【０００８】
以下、本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例の図面を用いて詳細に説明すると、図１は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例を示すフロー図であり、図２は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例のラッピング加工又は研削加工及びエッチング加工された状態の説明図であり、図３は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例の他面に酸化膜を形成した状態の説明図であり、図４は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例の両面ポリシング加工を実施している状態の説明図であり、図５は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例の他面の酸化膜を除去した状態の説明図であり、図６は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例のファイナルポリシング加工を実施している状態の説明図である。
【０００９】
即ち、本発明の半導体ウエハの研磨方法で研磨加工される半導体ウエハ１は、周知のように、シリコンインゴットからスライシングマシーンでスライスされた円板状のものである。
【００１０】
本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例では、図１に図示するフロー図の各工程を含むもので、研削加工とエッチング加工工程と、他面酸化膜形成工程と、両面ポリシング工程と、他面酸化膜除去工程と、片面ファイナルポリシング工程とを含むものである。
【００１１】
そして、研削加工とエッチング加工工程では、スライシングマシーンでスライスされた半導体ウエハ１を予め所定された厚みにするために、図２に図示するように、片面１Ａにラッピング加工又は研削加工を施すと共に他面１Ｂにはエッチング加工を施すものであり、つまり、片面１Ａにはラッピングプレートによるラッピング加工、又は、カップホイール砥石等による研削加工を施すと共に、他面１Ｂにはドライエッチング等の手段によってエッチング加工を施すものである。
【００１２】
次に、ラッピング加工又は研削加工とエッチング加工を施し後の半導体ウエハ１の片面１Ａに酸化膜１ａを形成する工程では、図３に図示する如く、酸化膜１ａは蒸着、貼着等のドライエッチング加工、又は、酸エッチング液によるウエットエッチング等によって形成するものであり、他面１Ｂに酸化膜１ａを備えることによって半導体ウエハ１は強度を補強されるものである。
【００１３】
更に、他面１Ｂに酸化膜１ａを形成した半導体ウエハ１に両面ポリシング加工を施す工程では、図４に図示する如く、半導体ウエハ１の外周には半導体ウエハ１の移動を規制するためにキャリア４を設けて、上方と下方とに夫々ポリシングクロス２ａ．３ａを張設したポリシングプレート２．３を配し、半導体ウエハ１は夫々のポリシングクロス２ａ．３ａに挟圧されて両面ポリシング加工を施されるものであるが、半導体ウエハ１の他面１Ｂに形成されている酸化膜１ａによって補強されるため研磨代を多くとっても半導体ウエハ１は破壊することなく効率良く所定の研磨加工を施されるもので、この場合、半導体ウエハ１の片面１Ａは鏡面に研磨されるものであるが、酸化膜１ａを備えた他面１Ｂは片面１Ａより硬度が高く研磨量は少ないものである。
【００１４】
次に、両面ポリシング加工を施した後の半導体ウエハ１の他面１Ｂの酸化膜１ａを除去する工程では、スピン片面エッチャー等によって半導体ウエハ１の他面１Ｂの酸化膜１ａを除去するもので、つまり、この状態では、図５に図示する如く、酸化膜１ａのない半導体ウエハ１と成るものである。
【００１５】
更には、他面１Ｂの酸化膜１ａを除去した半導体ウエハ１に片面ファイナルポリシング加工を施す工程では、半導体ウエハ１の他面１Ｂの酸化膜１ａは除去されており、図６に図示する如く、複数の半導体ウエハ１の外周に半導体ウエハ１の移動を規制するためにキャリア４を設けて、上方にポリシングクロス２ａを張設したポリシングプレート２を配し、複数の半導体ウエハ１は夫々のポリシングクロス２ａによって片面ファイナルポリシング加工を施されるものであり、片面ファイナルポリシング加工は半導体ウエハ１の片面１Ａを更に超高精度の鏡面、平坦面に研磨加工を施すものであり、ここでは、半導体ウエハ１に負担をかけることなく研磨加工を施すものである。
【産業上の利用可能性】
【００１６】
本発明の半導体ウエハの研磨方法は、ＩＣ等の半導体を製造するための拡径化、極薄化される半導体ウエハを割ったり欠かしたりすることなく、超高精度の鏡面、平坦面に研磨加工を施すためのものである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例を示すフロー図である。
【図２】図２は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例のラッピング加工又は研削加工及びエッチング加工された状態の説明図である。
【図３】図３は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例の他面に酸化膜を形成した状態の説明図である。
【図４】図４は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例の両面ポリシング加工を実施している状態の説明図である。
【図５】図５は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例の他面の酸化膜を除去した状態の説明図である。
【図６】図６は本発明の半導体ウエハの研磨方法の実施例のファイナルポリシング加工を実施している状態の説明図である。
【符号の説明】
【００１８】
１      半導体ウエハ
１Ａ    片面
１Ｂ    他面
１ａ    酸化膜
２      ポリシングプレート
２ａ    ポリシングクロス
３      ポリシングプレート
３ａ    ポリシングクロス
４      キャリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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