(57)【要約】【課題】本発明は、光軸合わせと実装性に優れ、小型で薄型化できる光伝送部品を提供することを目的とする。【解決手段】光伝送部材１２０と受光部および発光部の一方または両方で構成される光素子１３０を支持ブロック１１０に設けた第１の凹部１１２と第２の凹部１１４で位置決めすると共に、支持ブロック１１０の厚み内に組み込み、光素子１３０と外部回路の制御回路と接続するための配線１４０を支持ブロック１１０の表面に形成することにより、光軸合わせと実装性に優れた小型で薄型化できる光伝送部品１００を実現できる。【選択図】図１
2006113333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光部および発光部の一方または両方と、
光伝送路を有する光伝送部材と、
支持ブロックとを備え、
前記支持ブロックは、前記受光部および発光部の一方または両方を、その光軸が前記光伝送路と平行となる方向に組み込んで位置決めをする第１の凹部と、前記受光部および発光部の一方または両方と光学的に結合し、光信号を伝送する前記光伝送部材を組み込んで位置決めをする第２の凹部と、前記受光部および発光部の一方または両方の電極と接続される配線とを有し、
前記配線は、前記第１の凹部に前記受光部および発光部の一方または両方と接続される第１の配線部と、前記支持ブロックの前記第１の凹部および前記第２の凹部の形成された面に設けられ、前記第１の配線部と接続される第２の配線部とを備え、
前記光伝送路と前記受光部および発光部の一方または両方の光軸が前記第１の凹部と前記第２の凹部で位置決めされると共に、前記光伝送部材と前記受光部および発光部の一方または両方が前記支持ブロックの厚み内に組み込まれていることを特徴とする光伝送部品。
【請求項２】
前記光伝送部材の前記支持ブロックの前記第１の凹部と対向する面に接続電極パターンを備え、前記第１の凹部と前記支持ブロックの前記第１の凹部を形成する面に、前記接続電極パターンと接続する接続配線を設けたことを特徴とする請求項１に記載の光伝送部品。
【請求項３】
前記光伝送路を有する前記光伝送部材がフレキシブル光導波路であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光伝送部品。
【請求項４】
前記支持ブロックが遮光性を有する高分子材料で形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の光伝送部品。
【請求項５】
前記光伝送部材が複数の前記光伝送路を有し、アレイ型の面受光素子からなる前記受光部およびアレイ型の面受光素子からなる前記発光部の一方または両方と複数の前記光伝送路とが光結合されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の光伝送部品。
【請求項６】
前記支持ブロックの前記配線を形成した面に設けられたシールド電極と前記シールド電極を形成した以外の面に形成した前記シールド電極と接続されるシールド層とを備えていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載の光伝送部品。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の光伝送部品に設けられた前記第２の配線部および前記接続配線と対向する回路基板の面に設けられた配線パターンが接続されていることを特徴とする光伝送装置。
【請求項８】
受光部および発光部の一方または両方と、
光伝送路を有する光伝送部材と、
前記受光部および発光部の一方または両方を制御する制御回路と、
支持ブロックとを備え、
前記支持ブロックは、前記受光部および発光部の一方または両方を、その光軸が前記光伝送路と平行となる方向に組み込んで位置決めをする第１の凹部と、前記受光部および発光部の一方または両方と光学的に結合し、光信号を伝送する前記光伝送部材を組み込んで位置決めをする第２の凹部と、前記制御回路を組み込む第３の凹部と、前記受光部および発光部の一方または両方の電極および前記制御回路の電極と接続される配線とを有し、
前記配線は、前記第１の凹部に前記受光部および発光部の一方または両方と接続される第１の配線部と、前記第３の凹部に前記制御回路と接続される第３の配線部と、前記支持ブロックの前記第１の凹部、前記第２の凹部および前記第３の凹部の形成された面に設けられ、前記第１の配線部および前記第３の配線部と接続される第２の配線部および前記制御回路と外部回路とを接続する第４の配線部とを備え、
前記光伝送路と前記受光部および発光部の一方または両方の光軸が前記第１の凹部と前記２の凹部で位置決めされると共に、前記光伝送部材、前記受光部および発光部の一方または両方と前記制御回路が前記支持ブロックの厚み内に組み込まれていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項９】
前記光伝送部材の前記支持ブロックの前記第１の凹部と対向する面に接続電極パターンを備え、前記第１の凹部と前記支持ブロックの前記第１の凹部を形成する面に、前記接続電極パターンと接続する接続配線を設けたことを特徴とする請求項８に記載の光伝送モジュール。
【請求項１０】
前記光伝送路を有する前記光伝送部材がフレキシブル光導波路であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の光伝送モジュール。
【請求項１１】
前記支持ブロックが、遮光性を有する高分子材料で形成されていることを特徴とする請求項８から請求項１０までのいずれかに記載の光伝送モジュール。
【請求項１２】
前記光伝送部材が複数の前記光伝送路を有し、アレイ型の面受光素子からなる前記受光部およびアレイ型の面受光素子からなる前記発光部の一方または両方と前記複数の前記光伝送路とが光結合されていることを特徴とする請求項８から請求項１１までのいずれかに記載の光伝送モジュール。
【請求項１３】
前記支持ブロックの前記配線を形成した面に設けられたシールド電極と前記シールド電極を形成した以外の面に形成した前記シールド電極と接続されるシールド層とを備えていることを特徴とする請求項８から請求項１２までのいずれかに記載の光伝送モジュール。
【請求項１４】
請求項８から請求項１３までのいずれかに記載の光伝送モジュールに設けられた前記第４の配線部および前記接続配線と対向する回路基板の面に設けられた配線パターンが接続されていることを特徴とする光伝送装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の光伝送部品を搭載した電子機器。
【請求項１６】
請求項７または請求項１４に記載の光伝送装置を搭載した電子機器。
【請求項１７】
請求項８から請求項１３までのいずれかに記載の光伝送モジュールを搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光伝送部品と光伝送モジュールおよびそれらを用いた光伝送装置とそれらを搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などに代表される携帯型情報機器においては、手軽に持ち運ぶために小型、薄型や伝送データの高容量化により高速伝送が強く要望されている。例えば、折り畳み型携帯電話では、上下筐体間のデータ伝送が、上下筐体間を結合するヒンジ部にフレキシブル配線基板などによって行われている。しかし、伝送データの高容量化による高速伝送による電気信号の輻射により、受信感度の低下を生じている。また、ヒンジ部のフレキシブル配線基板を伝送する電気信号とアンテナとの間で電磁干渉が発生し、通話品質や通話信頼性の上で課題となっていた。さらに、フレキシブル配線基板の配線パターンのインピーダンスにより、伝送速度が制限されると言う課題がある。
【０００３】
このような課題に対して、高速データ伝送および高容量データ伝送を実現するために、光伝送方式が提案されている。
【０００４】
例えば、基板の垂直方向に光軸を持つ面型光素子を搭載し、フレキシブル光導波路の一方の面と面型光素子を直接接着し、他方の面は基板に形成した４５度の加工面に接続し、基板上に形成された光導波路と接続した光回路が開示されている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
また、光素子を設置するガイド手段を光導波シートに設け、光導波シート内に、光素子から垂直方向に入射する光の光路を変換するための４５度のミラーを形成した光導波装置が示されている（例えば、特許文献２）。さらに、４５度のミラーなどの光路変換構造を必要としない光半導体装置が提示されている（例えば、特許文献３）。つまり、実装基板上に光ファイバを設置するＶ状の溝と垂直面入射型の受光素子を設置する凹部を設けた構造であり、凹部上縁部に形成した電気配線とはんだボールを介して受光素子の一方の面に設けたアノード電極とカソード電極と接続するものである。これにより、端面入射型の受光素子の課題である小さいスポットサイズ径による光軸ずれによる光の結合効率の低下を防止する。さらに、端面入射型の受光素子の上下面に形成されるアノード電極とカソード電極との接続時に発生する寄生インダクタンスを小さくすることにより、感度の低下と応答速度の低下を防ぐものである。
【０００６】
また、パッケージの一部を構成する基板にコア部を埋設すると共に、基板の一表面に凹所を形成し、凹所の内底面に受光素子、発光素子、モニター素子や多層膜フィルタの位置決めをする凹部と電気集積回路素子を実装し、凹所を覆うカバーを備えた光通信モジュールが開示されている（例えば、特許文献４）。
【特許文献１】特開２００３−２２７９５１号公報
【特許文献２】特開２００１−１８８１４６号公報
【特許文献３】特開平１０−４１５２９号公報
【特許文献４】特開２００４−１１７７３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら特許文献１においては、基板と垂直方向に光軸を有する光素子とフレキシブル光導波路が接着により結合されているため、光回路を薄型化できない。また、基板上に形成した光導波路とフレキシブル光導波路との結合には４５度の加工面が必要であるため、高精度な加工やアライメント精度が必要である。
【０００８】
また、特許文献２においては、受光素子や発光素子を光導波シートに形成したガイド穴に実装するため薄型化は可能である。しかし、特許文献１と同様に、受光素子と発光素子は、光導波シートの垂直方向に光軸を有するため光導波シートの３次元光導波路に光を入射させるために４５度の光路変換手段が必要である。そのため、高精度な加工やアライメント精度が必要である。さらに、光導波シートのガイド穴に受光素子などを実装するため、外部からの曲げ変形や環境温度の変化による光結合効率の信頼性に課題がある。
【０００９】
また、特許文献３においては、電極配置により受光素子の半分が実装基板表面から飛び出すため薄型化が困難である。また、電気配線と受光素子とがはんだボールで接続されるため、落下や振動などの信頼性に課題がある。
【００１０】
また、特許文献４においては、特許文献３と同様に、基板に形成されたコア部と光結合するため、受光素子や発光素子が凹所の内底面の凹部から部分的に突出している。さらに、電気集積回路素子を凹所の内底面に実装するため、凹所と凹部および凹所を覆うカバーが必要であり、光通信モジュールを薄型化できない。そして、コア部が基板に直接形成されているため、受光素子や発光素子との光軸調整の自由度が小さい。
【００１１】
本発明は上記課題を解決するために、光伝送部材と受光部および発光部の一方または両方を支持ブロックに設けた凹部で位置決めすると共に、支持ブロックの厚み内に組み込むことにより、光軸合わせに優れ、小型で薄型化できる光伝送部品と光伝送モジュールおよびそれらを用いた光伝送装置とそれらを搭載した電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述の課題を解決するために、本発明の光伝送部品は、受光部および発光部の一方または両方と、光伝送路を有する光伝送部材と、支持ブロックとを備え、支持ブロックは、受光部および発光部の一方または両方を、その光軸が光伝送路と平行となる方向に組み込んで位置決めをする第１の凹部と、受光部および発光部の一方または両方と光学的に結合し、光信号を伝送する光伝送部材を組み込んで位置決めをする第２の凹部と、受光部および発光部の一方または両方の電極と接続される配線とを有し、配線は、第１の凹部に受光部および発光部の一方または両方と接続される第１の配線部と、支持ブロックの第１の凹部および第２の凹部の形成された面に設けられ、第１の配線部と接続される第２の配線部とを備え、光伝送路と受光部および発光部の一方または両方の光軸が第１の凹部と第２の凹部で位置決めされると共に、光伝送部材と受光部および発光部の一方または両方が支持ブロックの厚み内に組み込まれる構成を有する。
【００１３】
この構成によれば、光伝送路と受光部および発光部の一方または両方の光軸が第１の凹部と第２の凹部で位置決めされるため、アライメントや実装が容易である。さらに、光伝送部材と受光部および発光部の一方または両方が支持ブロックの厚み内に組み込まれるため、落下、振動や衝撃などに対する信頼性に優れ、しかも薄型の光伝送部品を実現できる。
【００１４】
また、本発明の光伝送部品は、光伝送部材の支持ブロックの第１の凹部と対向する面に接続電極パターンを備え、第１の凹部と支持ブロックの第１の凹部を形成する面に、接続電極パターンと接続する接続配線を設けてもよい。
【００１５】
この構成によれば、高容量の伝送データを高速に伝送する光伝送だけでなく、低速の信号などを電気配線で送信するなど、実用範囲の広い光伝送部品を実現できる。
【００１６】
また、本発明の光伝送部品は、光伝送路を有する光伝送部材がフレキシブル光導波路であってもよい。
【００１７】
この構成によれば、可撓性を有す光伝送部品を容易に実現できる。
【００１８】
また、本発明の光伝送部品は、支持ブロックが遮光性を有する高分子材料で形成されていてもよい。
【００１９】
この構成によれば、外部からの光を遮光できるため伝送データの品質が低下することのない光伝送部品を実現できる。
【００２０】
また、本発明の光伝送部品は、光伝送部材が複数の光伝送路を有し、アレイ型の面受光素子からなる受光部およびアレイ型の面受光素子からなる発光部の一方または両方と複数の光伝送路とが光結合されていてもよい。
【００２１】
この構成によれば、非常に大量な伝送データの送信や受信をパラレルに、しかも高速に処理できる光伝送部品を実現できる。
【００２２】
また、本発明の光伝送部品は、支持ブロックの配線を形成した面に設けられたシールド電極とシールド電極を形成した以外の面に形成したシールド電極と接続されるシールド層とを備えていてもよい。
【００２３】
この構成によれば、電磁波干渉性（ＥＭＩ）に対する信頼性に優れ、さらに遮光性に優れた光伝送部品を実現できる。
【００２４】
また、本発明の光伝送装置は、光伝送部品に設けられた第２の配線部および接続配線と対向する回路基板の面に設けられた配線パターンが接続される構成を有する。
【００２５】
この構成によれば、制御回路を実装した回路基板に、第２の配線部を介して簡単に実装できるため信頼性に優れた光伝送装置を実現できる。
【００２６】
また、本発明の光伝送モジュールは、受光部および発光部の一方または両方と、光伝送路を有する光伝送部材と、受光部および発光部の一方または両方を制御する制御回路と、支持ブロックとを備え、支持ブロックは、受光部および発光部の一方または両方を、その光軸が光伝送路と平行となる方向に組み込んで位置決めをする第１の凹部と、受光部および発光部の一方または両方と光学的に結合し、光信号を伝送する光伝送部材を組み込んで位置決めをする第２の凹部と、制御回路を組み込む第３の凹部と、受光部および発光部の一方または両方の電極および制御回路の電極と接続される配線とを有し、配線は、第１の凹部に受光部および発光部の一方または両方と接続される第１の配線部と、第３の凹部に制御回路と接続される第３の配線部と、支持ブロックの第１の凹部、第２の凹部および第３の凹部の形成された面に設けられ、第１の配線部および第３の配線部と接続される第２の配線部および制御回路と外部回路とを接続する第４の配線部とを備え、光伝送路と受光部および発光部の一方または両方の光軸が第１の凹部と２の凹部で位置決めされると共に、光伝送部材、受光部および発光部の一方または両方と制御回路が支持ブロックの厚み内に組み込まれる構成を有する。
【００２７】
この構成によれば、光伝送路と受光部および発光部の一方または両方の光軸が第１の凹部と第２の凹部で位置決めされるため、アライメントや実装が容易である。さらに、光伝送部材、受光部および発光部の一方または両方と制御回路が支持ブロックの厚み内に組み込まれるため、落下、振動や衝撃などに対する信頼性に優れ、しかも薄型の光伝送モジュールを実現できる。
【００２８】
また、本発明の光伝送モジュールは、光伝送部材の支持ブロックの第１の凹部と対向する面に接続電極パターンを備え、第１の凹部と支持ブロックの第１の凹部を形成する面に、接続電極パターンと接続する接続電極を設けてもよい。
【００２９】
この構成によれば、高容量の伝送データを高速に伝送する光伝送だけでなく、低速の信号などを電気配線で送信するなど、実用範囲の広い光伝送モジュールを実現できる。
【００３０】
また、本発明の光伝送モジュールは、光伝送路を有する光伝送部材がフレキシブル光導波路であってもよい。
【００３１】
この構成によれば、可撓性を有する光伝送モジュールを容易に実現できる。
【００３２】
また、本発明の光伝送モジュールは、支持ブロックが、遮光性を有する高分子材料で形成されていてもよい。
【００３３】
この構成によれば、外部からの光を遮光できるため伝送データの品質が低下することのない光伝送モジュールを実現できる。
【００３４】
また、本発明の光伝送モジュールは、光伝送部材が複数の光伝送路を有し、アレイ型の面受光素子からなる受光部およびアレイ型の面受光素子からなる発光部の一方または両方と複数の光伝送路とが光結合されていてもよい。
【００３５】
この構成によれば、非常に大量な伝送データの送信や受信をパラレルに、しかも高速に処理できる光伝送モジュールを実現できる。
【００３６】
また、本発明の光伝送モジュールは、支持ブロックの配線を形成した面に設けられたシールド電極とシールド電極を形成した以外の面に形成したシールド電極と接続されるシールド層とを備えていてもよい。
【００３７】
この構成によれば、電磁波干渉性（ＥＭＩ）に対する信頼性に優れ、さらに遮光性に優れた光伝送モジュールを実現できる。
【００３８】
また、本発明の光伝送装置は、光伝送モジュールに設けられた第４の配線部および接続電極と対向する回路基板の面に設けられた配線パターンが接続される構成を有する。
【００３９】
この構成によれば、回路基板に、第４の配線部を介して簡単に実装できるため信頼性に優れた光伝送装置を実現できる。
【００４０】
また、本発明の電子機器は、光伝送部品、光伝送モジュールまたは光伝送装置を搭載して構成することもできる。
【００４１】
この構成によれば、小型・薄型で信頼性に優れた電子機器を容易に実現できる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明は、光伝送路と受光部および発光部の一方または両方の光軸が第１の凹部と第２の凹部で位置決めされるため、アライメントや実装が容易である。さらに、光伝送部材、受光部および発光部の一方または両方と制御回路が支持ブロックの厚み内に組み込まれるため、落下、振動や衝撃などに対する信頼性に優れ、しかも小型・薄型の光伝送部品、光伝送モジュールとそれらを用いた光伝送装置およびそれらを搭載した電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
【００４４】
（実施の形態１）
以下、図１から図５を用いて、本発明の実施の形態１について説明する。
【００４５】
図１は、本発明の実施の形態１に係る光伝送部品の概略図である。図１（ａ）は光伝送部品１００の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図２（ａ）は本発明の実施の形態１に係る光伝送部品の光伝送部材の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。なお、図１では、一方の光伝送部品部分を示しているが、他方にも別の光伝送部品を設けてもよく、以下の各実施の形態の図面においても同様とする。
【００４６】
図１（ａ）において、光伝送部品１００は、支持ブロック１１０に光伝送部材１２０と受光素子または発光素子の一方または両方で構成される光素子１３０（以下、光素子と記す）と配線１４０とで構成されている。また、図１（ｂ）に示すように、光伝送部材１２０と光素子１３０は、支持ブロック１１０の片方の面に形成された第１の凹部１１２と第２の凹部１１４にそれぞれ組み込まれている。また、配線１４０は、第２の凹部１１４内の第１の配線部１４２と支持ブロック１１０の表面に形成された第２の配線部１４４から構成される。なお、第２の配線部１４４は、支持ブロック１１０の第１の凹部１１２と第２の凹部１１４を形成する面に設ける構成で示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、支持ブロック１１０の第１の凹部１１２と第２の凹部１１４を形成していない面まで伸展させて形成してもよい。
【００４７】
さらに、光伝送部材１２０は、図２に示すように、第１のクラッド層１２３と第２のクラッド層１２５を貼り合わせ、第１のクラッド層１２３に形成された溝１２７にコア材料を埋め込んだコア１２９とで構成される。そして、コア１２９とコア１２９の周囲を取り囲む第１のクラッド層１２３と第２のクラッド層１２５の一部から構成される部分、点線で示す部分で示される光伝送路１２１が形成されている。さらに、光伝送路１２１は、溝１２７を形成する位置により、自由に配置できる。
【００４８】
なお、第１の凹部１１２および第２の凹部１１４の位置と深さは、光伝送部材１２０と光素子１３０が支持ブロック１１０の表面に出ないで、かつ光伝送部材１２０の光伝送路１２１と光素子１３０の光軸がほぼ一致する深さと位置に形成される。
【００４９】
また、光素子１３０は、一般的に受光面または発光面が半導体基板に対して垂直方向に設けられ、その面または反対の面に駆動用の電極（図示せず）が設けられている。そのため、光素子１３０は受光面または発光面が支持ブロック１１０に設けられる光伝送部材１２０の光伝送路１２１と直交する方向に第２の凹部１１４に組み込まれる。そのときに、第２の凹部１１４内に形成された第１の配線部１４２と光素子１３０の電極とが接続される。そして、第１の配線部１４２と接続された第２の配線部１４４と、例えば外部の制御回路と接続することにより光素子１３０を駆動することができる。
【００５０】
以下に、本発明の実施の形態１に係る光伝送部品の製造方法について図３を用いて説明する。
【００５１】
図３は、光伝送部品１００の製造方法を示す斜視図である。
【００５２】
まず、図３（ａ）に示すように、液晶ポリマーやポリフタル酸アミドなどのスーパーエンジニアリングプラスチックなどからなる所定の大きさ、例えば厚さ５００μｍ程度の支持ブロック１１０に、図３（ｂ）に示す第１の凹部１１２と第２の凹部１１４が形成される。形成方法としては、例えば射出成形などの成形法、切削加工やレーザー加工などにより行われる。このとき、第１の凹部１１２と第２の凹部１１４の形状は、光伝送部材１２０および光素子１３０の形状より大きく、光伝送路１２１と光素子１３０の光軸１３２がずれない程度に形成する。例えば、光伝送路１２１が５０μｍ□の場合、２０μｍ前後のずれは許容可能である。また、第１の凹部１１２の深さは光伝送部材１２０の厚みよりも、また、第２の凹部１１４の深さは光素子１３０の外形よりも大きく形成する必要がある。特に、光軸１３２を一致させるために、光伝送部材１２０の厚みが２００μｍで、光伝送路１２１の中心が厚み方向で１００μｍの位置にある場合、光素子１３０の外形が３００μｍ□で光軸１３２が１５０μｍの位置にあれば、少なくとも第１の凹部１１２の深さは２５０μｍで、第２の凹部１１４の深さは３００μｍ以上で支持ブロック１１０に形成する。なお、上記深さは、光伝送路１２１の形成の位置や光軸１３２の形成位置により変わることは言うまでもない。
【００５３】
つぎに、図３（ｃ）に示すように、第２の凹部１１４内の第１の配線部１４２と支持ブロック１１０の表面の第２の配線部１４４からなる配線１４０を形成する。配線１４０は、例えば、支持ブロックに銅めっき膜を形成し、フォトリソ法やレーザー法により、配線以外の銅めっき膜を除去して形成することができる。また、第１の凹部と第２の凹部を形成する時に、易めっき性樹脂と難めっき性樹脂による２回成形法により配線形状を形成し、めっき処理することにより配線１４０を形成することもできる。
【００５４】
つぎに、図３（ｄ）に示すように、光素子１３０の電極と第１の配線部１４２とを、例えばフリップチップ実装法などを用いて接続すると共に、第２の凹部１１４に接着剤などを用いて光素子１３０が支持ブロック１１０に組み込まれる。
【００５５】
つぎに、図３（ｅ）に示すように、光伝送部材１２０の光伝送路１２１と光素子１３０を、必要に応じて、光軸１３２を調整しながら、接着剤などを用いて、支持ブロック１１０の第１の凹部１１２に光伝送部材１２０が組み込まれる。ここで、通常は、第１の凹部と第２の凹部の形状により光伝送路と光素子の光軸との位置が構造的に決まるため、位置合わせを行う必要はない。
【００５６】
なお、高精度な光軸の調整が必要な場合には、例えば光素子が発光素子であれば、組み込まれる光伝送部材の他方の光伝送路からの光量をモニターしながら調整することができる。また、光素子が受光素子の場合、光伝送部材の他方の光伝送路から光を入射させ、組み込まれた受光素子で光量をモニターすることにより同様に調整できる。
【００５７】
上記方法により、図１に示す光伝送部品１００が形成される。
【００５８】
本発明の実施の形態１によれば、光伝送路と光素子との光軸との位置合わせを、第１の凹部と第２の凹部に組み込むことにより、容易に実現できる。さらに、支持ブロックの厚み内に光伝送部材と光素子を組み込めるため、小型で薄型の光伝送部品を実現できる。そして、外部基板や外部機器などと接続される面が、均一面であるため実装性や実装効率を高めることができる。また、光素子と配線との接続の信頼性が高く、落下、振動や衝撃などに対して充分な強度を有する光伝送部品を、効率よく生産することができる。
【００５９】
なお、図３では、光伝送部材と光素子が支持ブロックと同一面になる構成で示したが、例えば、光伝送部材や光素子の厚みが異なり、第１の凹部か第２の凹部において、支持ブロックの表面と段差を生じる場合には、絶縁性の樹脂などで、段差を埋めて、支持ブロックの表面と同一面にしてもよい。
【００６０】
また、上記実施の形態１では、光伝送路と光素子が１つの例で説明したが、光伝送部材に複数の光伝送路を形成し、光伝送路のピッチと同じピッチを有するアレイ型の光素子を有する光伝送部品を構成してもよい。さらに、受光素子と発光素子を両方備えた光素子により、データの送信と受信を同時に行う構成とすることもできる。
【００６１】
この構成によれば、大量のデータ伝送を複数の光伝送路でパラレルに行えるため、高速伝送が容易である。
【００６２】
また、支持ブロックを遮光性を有する、例えばカーボンなどを含む高分子材料で形成することにより、外部の光が光伝送路に入射しにくくすることもできる。これにより、伝送データの品質を高めることができる。
【００６３】
以下に、図４と図５を用いて、本発明の実施の形態１に係る光伝送部品１００を用いた光伝送装置について説明する。
【００６４】
図４は、光伝送装置１５０の組み立て方法を説明する斜視図である。図５は、光伝送装置１９０の組み立て方法を説明する斜視図である。図４（ａ）に示すように、光伝送部品１００の支持ブロック１１０に形成された第２の配線部１４４と回路基板１７０に実装した制御回路１６０の配線パターン１８０の電極部１８２とを、例えばフリップチップ実装法などで接続する構成である。制御回路１６０は、例えばＬＳＩなどの半導体素子からなり、伝送データに応じて光素子を制御すると共に、伝送データの処理などを行う。これにより、図４（ｂ）に示すような光伝送装置１５０が実現される。ここで、回路基板１７０としては、フレキシブル基板、リジット基板や別の素子を制御する実装基板などの一部であってもよい。
【００６５】
この構成により、リペア性や実装性に優れ、実装される基板などの適用範囲の広い光伝送装置を実現できる。また、支持ブロックに形成された光伝送部材や光素子が回路基板と対向して形成され、支持ブロックの裏面を保護部材として兼用できるので、耐環境性などの信頼性に優れた光伝送装置を実現できる。なお、図５に示すように、支持ブロック１１０の裏面にまで伸展して形成した第２の配線部１４４を介して回路基板１７０の電極部１８２と接続して光伝送装置１９０を構成してもよい。
【００６６】
（実施の形態２）
以下、図６と図７を用いて、本発明の実施の形態２について説明する。
【００６７】
図６（ａ）は、実施の形態２に係る光伝送部品２００の斜視図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。そして、図７は、光伝送部品２００を用いて作製される光伝送装置２５０の組み立て方法を説明する斜視図である。実施の形態１の光伝送部品１００や光伝送装置１５０と同じ構成については、同じ符号を用い説明を省略する。
【００６８】
図６に示すように、光伝送部品２００は、実施の形態１の光伝送部品１００の支持ブロック１１０の光伝送部材１２０、光素子１３０と第２の配線部１４４が形成される面にシールド電極２１２を設け、それ以外の面にシールド層２１０を形成する構成である。シールド層２１０とシールド電極２１２は、配線１４０の形成時に同じ工程で形成してもよく、また、例えば導電性の樹脂材料などの塗布など、別の工程で形成することもできる。
【００６９】
そして、上記構成の光伝送部品２００を図７に示すように、光伝送部品２００の支持ブロック１１０に形成された第２の配線部１４４およびシールド電極２１２と回路基板１７０に実装した制御回路１６０の配線パターン１８０の電極部１８２および接地電極２２０とを、例えばフリップチップ実装法やはんだなどで接続する構成である。これにより、光伝送部品２００を実装した光伝送装置２５０が作製される。
【００７０】
上記のように構成された光伝送部品２００や光伝送装置２５０は、接地電極２２０に接続されるシールド電極２１２を介して接続するシールド層２１０により、外部光を遮光すると共に、外来ノイズや不要輻射などのＥＭＩ（電磁波妨害：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）を防ぐことができる。これにより、伝送データの外来ノイズによる誤送信や誤受信によるデータ品質の低下を未然に防ぐ。さらに、高速のデータ伝送時の電磁波の輻射による別の機器への電磁波妨害をなくすることができる。
【００７１】
なお、上記光伝送部品２００では、シールド電極２１２を分散して形成した例で説明したが、配線１４０や光素子１３０と短絡しなければ、それ以外の全面に形成してもよい。また、第１の凹部１１２の面に形成してもよい。これにより、シールド効果をさらに高めることができる。
【００７２】
（実施の形態３）
以下、図８から図１０を用いて、本発明の実施の形態３について説明する。
【００７３】
図８（ａ）は、実施の形態３に係る光伝送部品３００の斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の光伝送部品を裏面から見た斜視図、図８（ｃ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。実施の形態１の光伝送部品や光伝送装置と同じ構成については、同じ符号を用い説明を省略する。
【００７４】
図８（ａ）に示すように、光伝送部品３００は、実施の形態１の光伝送部品１００の支持ブロック１１０の第１の凹部１１２と対向する光伝送部材１２０の表面には、図８（ａ）に示すような接続電極パターン３１０が形成されると共に、第１の凹部１１２から支持ブロック１１０の表面におよぶ接続配線３２０が形成された構成を有する。そして、接続電極パターン３１０と接続配線３２０は、支持ブロック１１０の第１の凹部１１２に光伝送部材１２０を組み込む際に、例えば、はんだ、フリップチップ実装法や接着により電気的に接続される。
【００７５】
この構成により、低速で小容量のデータ伝送を接続電極パターンで行い、高速で大容量のデータ伝送を光伝送路で行うなど、データ量に応じて伝送経路を選択できる。また、例えば、折り畳み型の携帯電話のように、データを伝送する機器間が分離されている場合、一方の機器に電源を搭載し、他方の機器には上記接続電極パターンで電源を供給することができる。これにより、単一電源による携帯機器などの小型・軽量化に有効である。
【００７６】
なお、接続電極パターンは、支持ブロックの第１の凹部に組み込まれる光伝送部材の面のいずれに形成してもよい。
【００７７】
以下に、本発明の実施の形態３に係る光伝送部品の製造方法について図９を用いて説明する。なお、実施の形態１の光伝送部品１００と同じ製造工程については簡単に説明する。
【００７８】
図９は、光伝送部品３００の製造方法を示す斜視図である。
【００７９】
まず、図９（ａ）に示すように、例えば厚さ５００μｍ程度の支持ブロック１１０に、図９（ｂ）に示す第１の凹部１１２と第２の凹部１１４を形成する。
【００８０】
つぎに、図９（ｃ）に示すように、第１の凹部１１２から支持ブロック１１０の表面におよぶ接続配線３２０と第２の凹部１１４内の第１の配線部１４２と支持ブロック１１０の表面の第２の配線部１４４からなる配線１４０とを形成する。接続配線３２０と配線１４０は、例えば、支持ブロック１１０に銅めっき膜を形成し、フォトリソ法やレーザー法により、配線以外の銅めっき膜を除去して形成することができる。また、第１の凹部１１２と第２の凹部１１４を形成する時に、易めっき性樹脂と難めっき性樹脂による２回成形法により接続配線３２０形状と配線１４０形状を形成し、めっき処理することにより形成することもできる。
【００８１】
つぎに、図９（ｄ）に示すように、光素子１３０の電極と第１の配線部１４２とを、例えばフリップチップ実装法などを用いて接続すると共に、第２の凹部１１４に接着剤などを用いて光素子１３０が支持ブロック１１０に組み込まれる。
【００８２】
つぎに、図９（ｅ）に示すように、マスク蒸着法や印刷法などで形成された接続電極パターン３１０を備えた光伝送部材１２０の光伝送路１２１と光素子１３０を、必要に応じて、光軸１３２を調整しながら、接着剤などを用いて、支持ブロック１１０の第１の凹部１１２に光伝送部材１２０が組み込まれる。これにより接続電極パターン３１０と支持ブロック１１０の接続配線３２０が電気的に接続される。なお、光軸１３２の調整は実施の形態１と同様な方法により行うことができる。
【００８３】
上記方法により、図８に示す光伝送部品３００が形成される。
【００８４】
また、図１０を用いて本発明の実施の形態３に係る光伝送部品を用いた光伝送装置について説明する。
【００８５】
図１０は、光伝送装置３５０の組み立て方法を説明する斜視図である。図１０（ａ）に示すように、光伝送部品３００の支持ブロック１１０に形成された第２の配線部１４４および接続配線３２０と回路基板１７０に実装した制御回路１６０の配線パターン１８０の電極部１８２および接続配線取出電極３３０とを、例えば、はんだやフリップチップ実装法などで接続するものである。これにより、図１０（ｂ）に示すような光伝送装置３５０が実現される。
【００８６】
この構成により、電源のない機器などと、高速にかつ大容量のデータ伝送ができる光伝送装置を実現できる。また、低速でよい伝送データを接続電極パターンで伝送し、高速な伝送データを光伝送路で伝送するなど、伝送経路の選択ができると共に、電力消費の小さい電気配線でデータを伝送できるため、電源容量が限られている場合などに有効である。
【００８７】
（実施の形態４）
以下、図１１と図１２を用いて、本発明の実施の形態４について説明する。
【００８８】
図１１（ａ）は、実施の形態４に係る光伝送部品４００の斜視図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の光伝送部品４００を裏面から見た斜視図、図１１（ｃ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。そして、図１２は、光伝送部品４００を用いて作製される光伝送装置４５０の組み立て方法を説明する斜視図である。実施の形態１の光伝送部品１００や光伝送装置１５０と同じ構成については、同じ符号を用い説明を省略する。
【００８９】
図１１（ａ）に示すように、光伝送部品４００は、実施の形態１の光伝送部品１００の支持ブロック１１０の光伝送部材１２０、光素子１３０と第２の配線部１４４が形成される面にシールド電極４１２を設け、それ以外の面にシールド層４１０が形成されている。そして、シールド層４１０とシールド電極４１２は、配線１４０の形成時に同じ工程で形成してもよく、また、例えば導電性の樹脂材料などの塗布など、別の工程で形成することもできる。さらに、図１１（ｂ）に示すように、支持ブロック１１０の第１の凹部１１２と対向する光伝送部材１２０の表面に接続電極パターン４２０が形成されると共に、第１の凹部１１２から支持ブロック１１０の表面におよぶ接続配線４３０が形成され光伝送部品４００が構成される。
【００９０】
そして、接続電極パターン４２０と接続配線４３０は、支持ブロック１１０の第１の凹部１１２に光伝送部材１２０を組み込む際に、例えば、はんだ、フリップチップ実装法や接着により電気的に接続される。
【００９１】
また、上記構成の光伝送部品４００を図１２に示すように、光伝送部品４００の支持ブロック１１０に形成された第２の配線部１４４とシールド電極４１２および接続配線４３０と回路基板１７０に実装した制御回路１６０の配線パターン１８０の電極部１８２と接続配線取出電極４４０および接地電極４６０とを、例えばフリップチップ実装法やはんだなどで接続する構成である。これにより、光伝送部品４００を実装した光伝送装置４５０が作製される。
【００９２】
上記のように構成された光伝送部品４００や光伝送装置４５０は、接地電極４６０に接続されるシールド電極４１２を介して接続するシールド層４１０により、外部光を遮光すると共に、外来ノイズや不要輻射などのＥＭＩ（電磁波妨害：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）を防ぐことができる。これにより、伝送データの外来ノイズによる誤送信や誤受信によるデータ品質の低下を未然に防ぐ。さらに、高速のデータ伝送時の電磁波の輻射による別の機器への電磁波妨害をなくすることができる。
【００９３】
また、接続電極パターン４２０を介して電源のない機器などと、高速にかつ大容量のデータ伝送ができる光伝送装置を実現できる。
【００９４】
（実施の形態５）
以下、図１３と図１５を用いて、本発明の実施の形態５について説明する。
【００９５】
図１３は、本発明の実施の形態５に係る光伝送モジュールの概略図である。図１３（ａ）は光伝送モジュール５００の斜視図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。なお、図１３では、一方の光伝送モジュール５００部分を示しているが、他方にも別の光伝送モジュールを設けてもよく、以下の各実施の形態の図面においても同様とする。
【００９６】
図１３（ａ）において、光伝送モジュール５００は、支持ブロック５１０に光伝送部材５２０と受光素子または発光素子の一方または両方で構成される光素子５３０と配線５４０と制御回路５６０を備えている。そして、図１３（ｂ）に示すように、光伝送部材５２０と光素子５３０と制御回路５６０は、支持ブロック５１０の片方の面に形成された第１の凹部５１２と第２の凹部５１４と第３の凹部５１６にそれぞれ組み込まれている。
【００９７】
また、配線５４０は、第２の凹部５１４内の第１の配線部５４２および第３の凹部５１６内の第３の配線部５４６と支持ブロック５１０の表面に形成された第２の配線部５４４および制御回路５６０と外部回路と接続する第４の配線部５４８とから構成される。ここで、第２の配線部５４４は、第１の配線部５４２と第３の配線部５４６とを接続し、光素子５３０を制御回路５６０で制御するものである。なお、第４の配線部５４８は、支持ブロック５１０の第１の凹部５１２などを形成する面に設ける構成で示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、支持ブロック５１０の第１の凹部５１２などを形成していない面まで伸展させて形成してもよい。なお、光伝送部材５２０は、本発明の実施の形態１で説明した構成と同様な構成を有するので、説明は省略する。
【００９８】
ここで、第１の凹部５１２および第２の凹部５１４の位置と深さは、光伝送部材５２０と光素子５３０が支持ブロック５１０の表面に出ないで、かつ光伝送部材５２０の光伝送路（図２参照）と光素子５３０の光軸がほぼ一致する深さと位置に形成される。さらに、第３の凹部５１６の深さも、制御回路５６０を実装した時に、支持ブロック５１０の表面に出ないように形成される。
【００９９】
また、光素子５３０は、一般的に受光面または発光面が半導体基板に対して垂直方向に設けられ、その面または反対の面に駆動用の電極（図示せず）が設けられている。そのため、光素子５３０は受光面または発光面が支持ブロック５１０に設けられる光伝送部材５２０の光伝送路と直交する方向に第２の凹部５１４に組み込まれる。そのときに、第２の凹部５１４内に形成された第１の配線部５４２と光素子５３０の電極とが接続される。そして、第１の配線部５４２と接続された第２の配線部５４４と第３の凹部５１６に実装された制御回路５６０の第３の配線部５４６とを接続することにより光素子５３０を制御することができる。
【０１００】
以下に、本発明の実施の形態５に係る光伝送モジュールの製造方法について図１４を用いて説明する。
【０１０１】
図１４は、光伝送モジュール５００の製造方法を示す斜視図である。
【０１０２】
まず、図１４（ａ）に示すように、液晶ポリマーやポリフタル酸アミドなどのスーパーエンジニアリングプラスチックなどからなる所定の大きさ、例えば厚さ５００μｍ程度の支持ブロック５１０に、図１４（ｂ）に示す第１の凹部５１２と第２の凹部５１４および第３の凹部５１６が形成される。形成方法としては、例えば射出成形などの成形法、切削加工やレーザー加工などにより行われる。このとき、第１の凹部５１２と第２の凹部５１４の形状は、光伝送部材５２０および光素子５３０の形状より大きく、光伝送路と光素子５３０の光軸がずれない程度の大きさで形成する。例えば、光伝送路が５０μｍ□の場合、２０μｍ前後のずれは許容可能である。なお、第３の凹部５１６は制御回路５６０の外形形状より大きく、隙間があっても、実装する第３の配線部５４６や第４の配線部５４８との接続時に短絡などが発生しなければ問題ない。そして、第１の凹部５１２の深さは光伝送部材５２０の厚みよりも、また、第２の凹部５１４の深さは光素子５３０の外形よりも、さらに第３の凹部５１６は制御回路５６０の厚みよりも大きく形成する必要がある。特に、光軸を一致させるために、光伝送部材５２０の厚みが２００μｍで、光伝送路の中心が厚み方向で１００μｍの位置にある場合、光素子の外形が３００μｍ□で光軸が１５０μｍの位置にあれば、少なくとも第１の凹部５１２の深さは２５０μｍで、第２の凹部５１４の深さは３００μｍ以上で支持ブロック５１０に形成する。なお、上記深さは、光伝送路の形成の位置や光軸の形成位置により変わることは言うまでもない。
【０１０３】
つぎに、図１４（ｃ）に示すように、第２の凹部５１４内の第１の配線部５４２と支持ブロック５１０の表面の第２の配線部５４４および第３の凹部５１６内の第３の配線部５４６と第４の配線部５４８とで構成される配線５４０を形成する。配線５４０は、例えば、支持ブロックに銅めっき膜を形成し、フォトリソ法やレーザー法により、配線以外の銅めっき膜を除去して形成することができる。また、第１の凹部と第２の凹部および第３の凹部を形成する時に、易めっき性樹脂と難めっき性樹脂による２回成形法により配線形状に形成し、めっき処理することにより配線５４０を形成することもできる。
【０１０４】
つぎに、図１４（ｄ）に示すように、光素子５３０の電極と第１の配線部５４２とを、例えばフリップチップ実装法などを用いて接続すると共に、第２の凹部５１４に接着剤などを用いて光素子５３０が支持ブロック５１０に組み込まれる。
【０１０５】
つぎに、図１４（ｅ）に示すように、光伝送部材５２０の光伝送路と光素子５３０を、必要に応じて、光軸を調整しながら、接着剤などを用いて、支持ブロック５１０の第１の凹部５１２に光伝送部材５２０が組み込まれる。ここで、通常は、第１の凹部と第２の凹部の形状により光伝送路と光素子の光軸との位置が構造的に決まるため、位置合わせ行う必要はない。
【０１０６】
なお、高精度な光軸の調整が必要な場合には、例えば光素子が発光素子であれば、組み込まれる光伝送部材の他方の光伝送路からの光量をモニターしながら調整することができる。また、光素子が受光素子の場合、光伝送部材の他方の光伝送路から光を入射させ、組み込まれた受光素子で光量をモニターすることにより同様に調整できる。
【０１０７】
さらに、第３の凹部５１６に制御回路５６０を第３の配線部５４６および第４の配線部５４８と位置合わせして実装される。
【０１０８】
上記方法により、図１３に示す光伝送モジュール５００が形成される。
【０１０９】
本発明の実施の形態５によれば、光伝送路と光素子との光軸との位置合わせが、第１の凹部と第２の凹部に組み込むことにより、容易に実現できる。さらに、支持ブロックの厚み内に光伝送部材と光素子および制御回路を組み込めるため、小型で薄型の光伝送モジュールを実現できる。そして、外部基板や外部機器などと接続される面が、均一面であるため実装性や実装効率を高めることができる。また、光素子と配線との接続の信頼性が高く、落下、振動や衝撃などに対して充分な強度を有する光伝送モジュールを、効率よく生産することができる。
【０１１０】
なお、図１４では、光伝送部材と光素子が支持ブロックと同一面になる構成で示したが、例えば、光伝送部材や光素子の厚みが異なり、第１の凹部か第２の凹部において、支持ブロックの表面と段差を生じる場合には、絶縁性の樹脂などで、段差を埋めて、支持ブロックの表面と同一面にしてもよい。
【０１１１】
また、上記実施の形態５では、光伝送路と光素子が１つの例で説明したが、光伝送部材に複数の光伝送路を形成し、光伝送路のピッチと同じピッチを有するアレイ型の光素子を有する光伝送モジュールを構成してもよい。さらに、受光素子と発光素子を両方備えた光素子により、データの送信と受信を同時に行う構成とすることもできる。
【０１１２】
この構成によれば、大量のデータ伝送を複数の光伝送路でパラレルに行えるため、高速伝送が容易である。
【０１１３】
また、支持ブロックを遮光性を有する、例えばカーボンなどを含む高分子材料で形成することにより、外部の光が光伝送路に入射しにくくすることもできる。これにより、伝送データの品質を高めることができる。
【０１１４】
以下に、図１５を用いて、本発明の実施の形態５に係る光伝送モジュール５００を用いた光伝送装置について説明する。
【０１１５】
図１５は、光伝送装置５５０の組み立て方法を説明する斜視図である。図１５（ａ）に示すように、光伝送モジュール５００の支持ブロック５１０に形成された第４の配線部５４８と回路基板５７０の配線パターン５８０の電極部５８２とを、例えばフリップチップ実装法などで接続する構成である。これにより、図１５（ｂ）に示すような光伝送装置５５０が実現される。ここで、回路基板５７０としては、フレキシブル基板、リジット基板や別の素子を制御する実装基板などの一部であってもよい。
【０１１６】
この構成により、リペア性や実装性に優れ、実装される基板などの適用範囲の広い光伝送装置を実現できる。また、支持ブロックに形成された光伝送部材や光素子が回路基板と対向して形成され、支持ブロックの裏面を保護部材として兼用できるので、耐環境性などの信頼性に優れた光伝送装置を実現できる。
【０１１７】
（実施の形態６）
以下、図１６と図１７を用いて、本発明の実施の形態６について説明する。
【０１１８】
図１６（ａ）は、実施の形態６に係る光伝送モジュール６００の斜視図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。そして、図１７は、光伝送モジュール６００を用いて作製される光伝送装置６５０の組み立て方法を説明する斜視図である。実施の形態５の光伝送モジュール５００や光伝送装置５５０と同じ構成については、同じ符号を用い説明を省略する。
【０１１９】
図１６に示すように、光伝送モジュール６００は、実施の形態５の光伝送モジュール５００の支持ブロック５１０の光伝送部材５２０、光素子５３０と第２の配線部５４４および第４の配線部５４８が形成される面にシールド電極６１２を設け、それ以外の面にシールド層６１０を形成する構成である。シールド層６１０とシールド電極６１２は、配線５４０の形成時に同じ工程で形成してもよく、また、例えば導電性の樹脂材料などの塗布など、別の工程で形成することもできる。
【０１２０】
そして、上記構成の光伝送モジュール６００を図１７に示すように、光伝送モジュール６００の支持ブロック５１０に形成された第４の配線部５４８およびシールド電極６１２と回路基板５７０の配線パターン５８０の電極部５８２および接地電極６２０とを、例えばフリップチップ実装法やはんだなどで接続する構成である。これにより、光伝送モジュール６００を実装した光伝送装置６５０が作製される。
【０１２１】
上記のように構成された光伝送モジュール６００や光伝送装置６５０は、接地電極６２０に接続されるシールド電極６１２を介して接続するシールド層６１０により、外部光を遮光すると共に、外来ノイズや不要輻射などのＥＭＩ（電磁波妨害：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）を防ぐことができる。これにより、伝送データの外来ノイズによる誤送信や誤受信によるデータ品質の低下を未然に防ぐ。さらに、高速のデータ伝送時の電磁波の輻射による別の機器への電磁波妨害をなくすることができる。
【０１２２】
なお、上記光伝送モジュール６００では、シールド電極６１２を分散して形成した例で説明したが、配線５４０や光素子５３０と短絡しなければ、それ以外の全面に形成してもよい。また、第１の凹部５１２の面に形成してもよい。これにより、シールド効果をさらに高めることができる。
【０１２３】
（実施の形態７）
以下、図１８から図２０を用いて、本発明の実施の形態７について説明する。
【０１２４】
図１８（ａ）は、実施の形態７に係る光伝送モジュール７００の斜視図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）の光伝送モジュールを裏面から見た斜視図、図１８（ｃ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。実施の形態５の光伝送モジュール５００や光伝送装置５５０と同じ構成については、同じ符号を用い説明を省略する。
【０１２５】
図１８に示すように、光伝送モジュール７００は、実施の形態５の光伝送モジュール５００の支持ブロック５１０の第１の凹部５１２と対向する光伝送部材５２０の表面に接続電極パターン７１０が形成されると共に、第１の凹部５１２から支持ブロック５１０の表面におよぶ接続配線７２０が形成された構成を有する。そして、接続電極パターン７１０と接続配線７２０は、支持ブロック５１０の第１の凹部５１２に光伝送部材５２０を組み込む際に、例えば、はんだ、フリップチップ実装法や接着により電気的に接続される。
【０１２６】
この構成により、低速で小容量のデータ伝送を接続電極パターンで行い、高速で大容量のデータ伝送には光伝送路で行うなど、データ量に応じて伝送経路を選択できる。また、例えば、折り畳み型の携帯電話のように、データを伝送する機器間が分離されている場合、一方の機器に電源を搭載し、他方の機器には上記接続電極パターンで電源を供給することができる。これにより、単一電源による携帯機器などの小型・軽量化に有効である。
【０１２７】
なお、接続電極パターンは、支持ブロックの第１の凹部に組み込まれる光伝送部材の面のいずれに形成してもよい。
【０１２８】
以下に、本発明の実施の形態７に係る光伝送モジュールの製造方法について図１９を用いて説明する。なお、実施の形態５の光伝送モジュール５００と同じ製造工程については簡単に説明する。
【０１２９】
図１９は、光伝送モジュール７００の製造方法を示す斜視図である。
【０１３０】
まず、図１９（ａ）に示すように、例えば厚さ５００μｍ程度の支持ブロック５１０に、図１９（ｂ）に示す第１の凹部５１２と第２の凹部５１４および第３の凹部５１６を形成する。
【０１３１】
つぎに、図１９（ｃ）に示すように、第２の凹部５１４内の第１の配線部５４２と支持ブロック５１０の表面の第２の配線部５４４および第３の凹部５１６内の第３の配線部５４６と第４の配線部５４８とで構成される配線５４０および第１の凹部５１２内に接続配線７２０を形成する。接続配線７２０と配線５４０は、例えば、支持ブロック５１０に銅めっき膜を形成し、フォトリソ法やレーザー法により、配線以外の銅めっき膜を除去して形成することができる。また、第１の凹部と第２の凹部および第３の凹部を形成する時に、易めっき性樹脂と難めっき性樹脂による２回成形法により接続配線７２０形状と配線５４０形状を形成し、めっき処理することにより形成することもできる。
【０１３２】
つぎに、図１９（ｄ）に示すように、光素子５３０の電極と第１の配線部５４２とを、例えばフリップチップ実装法などを用いて接続すると共に、第２の凹部５１４に接着剤などを用いて光素子５３０が支持ブロック５１０に組み込まれる。
【０１３３】
つぎに、図１９（ｅ）に示すように、マスク蒸着法や印刷法などで形成された接続電極パターン７１０を備えた光伝送部材５２０の光伝送路と光素子５３０を、必要に応じて、光軸を調整しながら、接着剤などを用いて、支持ブロック５１０の第１の凹部５１２に光伝送部材５２０が組み込まれる。これにより接続電極パターン７１０と支持ブロック５１０の接続配線７２０が電気的に接続される。なお、光軸の調整は実施の形態５と同様な方法により行うことができる。
【０１３４】
さらに、第３の凹部５１６に制御回路５６０を第３の配線部５４６および第４の配線部５４８と位置合わせして実装される。
【０１３５】
上記方法により、図１８に示す光伝送モジュール７００が形成される。
【０１３６】
また、図２０を用いて本発明の実施の形態７に係る光伝送モジュールを用いた光伝送装置について説明する。
【０１３７】
図２０は、光伝送装置７５０の組み立て方法を説明する斜視図である。図２０（ａ）に示すように、光伝送モジュール７００の支持ブロック５１０に形成された第４の配線部５４８および接続配線７２０と回路基板５７０の配線パターン５８０の電極部５８２および接続配線取出電極７３０とを、例えば、はんだやフリップチップ実装法などで接続するものである。これにより、図２０（ｂ）に示すような光伝送装置７５０が実現される。
【０１３８】
この構成により、電源のない機器などと、高速にかつ大容量のデータ伝送ができる光伝送装置を実現できる。また、低速でよいデータ伝送を接続電極パターンで伝送し、高速なデータ伝送を光伝送路で伝送するなど、伝送経路の選択ができると共に、電力消費の小さい電気配線でデータを伝送できるため、電源容量が限られている場合などに有効である。
【０１３９】
（実施の形態８）
以下、図２１と図２２を用いて、本発明の実施の形態８について説明する。
【０１４０】
図２１（ａ）は、実施の形態８に係る光伝送モジュール８００の斜視図であり、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）の光伝送モジュールを裏面から見た斜視図、図２１（ｃ）は図２１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。そして、図２２は、光伝送モジュール８００を用いて作製される光伝送装置８５０の組み立て方法を説明する斜視図である。実施の形態５の光伝送モジュール５００や光伝送装置５５０と同じ構成については、同じ符号を用い説明を省略する。
【０１４１】
図２１（ａ）に示すように、光伝送モジュール８００は、実施の形態５の光伝送モジュール５００の支持ブロック５１０の光伝送部材５２０、光素子５３０と第４の配線部５４８が形成される面にシールド電極８１２を設け、それ以外の面にシールド層８１０が形成されている。そして、シールド層８１０とシールド電極８１２は、配線５４０の形成時に同じ工程で形成してもよく、また、例えば導電性の樹脂材料などの塗布など、別の工程で形成することもできる。さらに、図２１（ｂ）に示すように、支持ブロック５１０の第１の凹部５１２と対向する光伝送部材５２０の表面に接続電極パターン８２０が形成されると共に、第１の凹部５１２から支持ブロック５１０の表面におよぶ接続配線８３０が形成され光伝送モジュール８００が構成される。
【０１４２】
そして、接続電極パターン８２０と接続配線８３０は、支持ブロック５１０の第１の凹部５１２に光伝送部材５２０を組み込む際に、例えば、はんだ、フリップチップ実装法や接着により電気的に接続される。
【０１４３】
また、上記構成の光伝送モジュール８００を図２２に示すように、光伝送モジュール８００の支持ブロック５１０に形成された第４の配線部５４８とシールド電極８１２および接続配線８３０と回路基板５７０の配線パターン５８０の電極部５８２と接続配線取出電極８４０および接地電極８６０とを、例えばフリップチップ実装法やはんだなどで接続する構成である。これにより、光伝送モジュール８００を実装した光伝送装置８５０が作製される。
【０１４４】
上記のように構成された光伝送モジュール８００や光伝送装置８５０は、接地電極８６０に接続されるシールド電極８１２を介して接続するシールド層８１０により、外部光を遮光すると共に、外来ノイズや不要輻射などのＥＭＩ（電磁波妨害：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）を防ぐことができる。これにより、伝送データの外来ノイズによる誤送信や誤受信によるデータ品質の低下を未然に防ぐ。さらに、高速のデータ伝送時の電磁波の輻射による別の機器への電磁波妨害をなくすることができる。また、接続電極パターン８２０を介して電源のない機器などと、高速にかつ大容量のデータ伝送ができる光伝送装置を実現できる。
【０１４５】
ここで、上記各実施の形態で説明した光伝送部品、光伝送モジュールは一対で構成されることは言うまでもない。例えば、一方に受光素子を備える場合には、他方には発光素子を備えるものである。
【０１４６】
なお、上記各実施の形態で説明した光伝送部品、光伝送モジュールや光伝送装置を、例えば図２３に示す携帯電話などのような、ヒンジ部９００を介して結合される上筐体９１０と下筐体９２０との伝送データを行う携帯情報端末などに搭載することにより、小型・薄型化や信頼性に優れた電子機器を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の光伝送部品、光伝送モジュールおよび光伝送装置により、データ伝送の高速化と大容量伝送を実現すると共に、落下、振動や衝撃などに対して信頼性に優れた電子機器を実現するものである。特に携帯電話やノートパソコンといった多機能性と薄型化の両立が必要な電子機器に広く利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光伝送部品の斜視図（ｂ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光伝送部品の光伝送部材の平面図（ｂ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図３】本発明の実施の形態１に係る光伝送部品の製造方法を示す斜視図
【図４】本発明の実施の形態１に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図５】本発明の実施の形態１に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態２に係る光伝送部品の斜視図（ｂ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図７】本発明の実施の形態２に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図８】（ａ）本発明の実施の形態３に係る光伝送部品の斜視図（ｂ）同図（ａ）の光伝送部品を裏面から見た斜視図（ｃ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図９】本発明の実施の形態３に係る光伝送部品の製造方法を示す斜視図
【図１０】本発明の実施の形態３に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図１１】（ａ）本発明の実施の形態４に係る光伝送部品の斜視図（ｂ）同図（ａ）の光伝送部品を裏面から見た斜視図（ｃ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図１２】本発明の実施の形態４に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図１３】（ａ）本発明の実施の形態５に係る光伝送モジュールの斜視図（ｂ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図１４】本発明の実施の形態５に係る光伝送モジュールの製造方法を示す斜視図
【図１５】本発明の実施の形態５に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図１６】（ａ）本発明の実施の形態６に係る光伝送モジュールの斜視図（ｂ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図１７】本発明の実施の形態６に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図１８】（ａ）本発明の実施の形態７に係る光伝送モジュールの斜視図（ｂ）同図（ａ）の光伝送モジュールを裏面から見た斜視図（ｃ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図１９】本発明の実施の形態７に係る光伝送モジュールの製造方法を示す斜視図
【図２０】本発明の実施の形態７に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図２１】（ａ）本発明の実施の形態８に係る光伝送モジュールの斜視図（ｂ）同図（ａ）の光伝送モジュールを裏面から見た斜視図（ｃ）同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図
【図２２】本発明の実施の形態８に係る光伝送装置の組み立て方法を説明する斜視図
【図２３】本発明の各実施の形態を用いた電子機器の一例を示す平面図
【符号の説明】
【０１４９】
１００，２００，３００，４００    光伝送部品
１１０，５１０    支持ブロック
１１２，５１２    第１の凹部
１１４，５１４    第２の凹部
１２０，５２０    光伝送部材
１２１    光伝送路
１２３    第１のクラッド層
１２５    第２のクラッド層
１２７    溝
１２９    コア
１３０，５３０    光素子
１３２    光軸
１４０，５４０    配線
１４２，５４２    第１の配線部
１４４，５４４    第２の配線部
１５０，１９０，２５０，３５０，４５０，５５０，６５０，７５０，８５０    光伝送装置
１６０，５６０    制御回路
１７０，５７０    回路基板
１８０，５８０    配線パターン
１８２，５８２    電極部
２１０，４１０，６１０，８１０    シールド層
２１２，４１２，６１２，８１２    シールド電極
２２０，４６０，６２０，８６０    接地電極
３１０，４２０，７１０，８２０    接続電極パターン
３２０，４３０，７２０，８３０    接続配線
３３０，４４０，７３０，８４０    接続配線取出電極
５００，６００，７００，８００    光伝送モジュール
５１６    第３の凹部
５４６    第３の配線部
５４８    第４の配線部
９００    ヒンジ部
９１０    上筐体
９２０    下筐体
【図１】
2006113333.tif 000003
【図２】
2006113333.tif 000004
【図３】
2006113333.tif 000005
【図４】
2006113333.tif 000006
【図５】
2006113333.tif 000007
【図６】
2006113333.tif 000008
【図７】
2006113333.tif 000009
【図８】
2006113333.tif 000010
【図９】
2006113333.tif 000011
【図１０】
2006113333.tif 000012
【図１１】
2006113333.tif 000013
【図１２】
2006113333.tif 000014
【図１３】
2006113333.tif 000015
【図１４】
2006113333.tif 000016
【図１５】
2006113333.tif 000017
【図１６】
2006113333.tif 000018
【図１７】
2006113333.tif 000019
【図１８】
2006113333.tif 000020
【図１９】
2006113333.tif 000021
【図２０】
2006113333.tif 000022
【図２１】
2006113333.tif 000023
【図２２】
2006113333.tif 000024
【図２３】
2006113333.tif 000025