(57)【要約】【課題】ＣＶＤ装置、プラズマ処理装置等に用いる部材は腐食性ガスとの反応、或いはプラズマによるエッチングにより消耗し、パーティクル発生による製品の汚染、歩留まり生産性低下の問題があった。また腐蝕性ガス、プラズマに耐性のあるガラスは高価であった。【解決手段】Ｓｉ、Ｏ及び３ａ族元素とＺｒ及び／又はＴｉとから構成された溶射膜からなる耐蝕性部材は、腐蝕性ガス及びプラズマに対する耐蝕性と耐熱強度が高く、パーティクルの発生が少なく、このような耐蝕性部材は、例えば、シリカ粉末及び３ａ族酸化物粉末と、ジルコニア及び／又はチタニア粉末との混合粉末を基材に対して溶射することによって製造することができる。【選択図】選択図なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素プラズマ、塩素プラズマ又は腐食性ガスに曝される部位が少なくともＳｉ、Ｏ及び３ａ族元素と、Ｚｒ及び／又はＴｉとから構成される材料の溶射膜であることを特徴とする耐蝕性部材。
【請求項２】
溶射膜が共晶組成であることを特徴とする請求項１に記載の耐蝕性溶射膜部材。
【請求項３】
溶射膜が少なくともＳｉ、Ｏ及び３ａ族元素で構成されるガラス相とＺｒを含む結晶相とから構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の耐蝕性溶射膜部材。
【請求項４】
溶射膜が少なくともＳｉ、Ｏ及び３ａ族元素で構成されるガラス相とＴｉを含む結晶相とから構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の耐蝕性溶射膜部材。
【請求項５】
Ｚｒを含む結晶相が少なくともＯ、３ａ族元素及びＺｒで構成されることを特徴とする請求項３に記載の耐蝕性溶射膜部材。
【請求項６】
結晶相が酸化イットリウムを固溶した立方晶酸化ジルコニウムであることを特徴とする請求項５に記載の耐蝕性溶射膜部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体等の製造におけるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、プラズマ処理装置（プラズマエッチング装置）等に用いる部材であり、特に腐食性ガス又はプラズマに対する耐蝕性が高い溶射膜部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体等の製造工程におけるプラズマエッチングや、ＣＶＤ装置のクリーニング用途には腐食性ガスが多用されている。これら腐食性ガスにはフッ素系、塩素系ガス等が用いられている。フッ素系ガスではＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＣＨＦ３／ＣＦ４、ＳＦ６等が用いられており（例えば特許文献１参照）、塩素系ガスでは、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４等が用いられている（非特許文献１参照）。さらにＨＦ、Ｆ２、ＮＦ３を用いることも提案されている（例えば特許文献１、２、３参照）。
【０００３】
このような腐食性ガスを用いる装置の容器、内壁、部品等、上記ガス或いは上記ガスを含むプラズマに接触する部分には、石英、アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス又はアルミニウム、ステンレス等の金属が使用されている。しかし、これら部材は、短時間に消耗することや、装置内のパーティクル発生の原因となるという問題があった。
【０００４】
例えば、石英の部材はフッ素ガスと反応してＳｉＦ４を生成して昇華して消耗する。またアルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス部材では、アルミニウムのフッ化物ＡｌＦ３は昇華し難いが、物理的なスパッタ等による消耗が発生し、同時にプラズマ等の部材の粒界や気孔において選択的に腐蝕が進行し、結晶粒子脱落によりパーティクルが発生する。
【０００５】
この様な問題を解決する方法として、マグネシア、シリカを含むアルミナセラミックスの表面開気孔率を０．３％以下とした焼結体が提案されている（例えば特許文献４参照）。しかしこの様な焼結体でも焼結粒子の結晶粒界での腐食および結晶粒子の脱落によるパーティクル発生は避けられず、また、腐蝕の速度も石英等と比較すると優れているものの、更なる耐蝕性が求められている。
【０００６】
一方、基材を保護するために基材表面に溶射膜を形成する技術が知られており、上述の耐蝕性材料を基材の上に溶射・被覆することが考えられる。しかし、従来の溶射技術では、セラミックスの溶射膜は溶射粉末の融点が高いため、溶射粉末がよく溶けずに基板に付着することで、溶射膜個々の粒子同士の結合が弱く、気孔の多い溶射膜であった。そのため、密度が低く、プラズマエッチング時に溶射膜の粒界や気孔において選択的に腐蝕が進行し、結晶粒子脱落によるパーティクルが発生していた。
【０００７】
すなわち、従来、溶射法を用いた緻密質で個々の粒子同士が良く結合し、さらに非常に高い耐蝕性を備えた溶射膜を作製する技術は更なる改善が求められており、プラズマエッチング時に結晶粒子脱落によるパーティクルが発生せず、腐食性ガス又はプラズマに対して良好な耐蝕性を有する耐蝕性部材が望まれていた。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２２３４３０号公報
【特許文献２】特開２０００−２４８３６３号公報
【特許文献３】特開平０５−０９０１８０号公報
【特許文献４】特開平１１−２７８９１９号公報
【非特許文献１】Ｌ．Ｐｅｔｅｒｓ，“Ｐｌａｓｍａ  Ｅｔｃｈ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ：Ｔｈｅ  Ｕｎｔｏｌｄ  Ｓｔｏｒｙ，”Ｓｅｍｉｃ．Ｉｎｔｌ．，１５（６），６６（１９９２）．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上説明した様に、半導体製造プロセスにおいて腐食性ガスやプラズマを用いる工程では、部材の腐蝕によるパーティクル発生、それに伴う製品汚染、歩留まり低下等の問題があった。さらに、低い耐蝕性による部材寿命の低下という問題もあった。
【００１０】
本発明の目的は、耐蝕性が高く、パーティクルが少なく、製造が容易で密度の高い耐蝕性溶射膜部材を与えるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上述のような現状に鑑み、鋭意検討を行った結果、少なくともＳｉ、Ｏ及び３ａ族元素と、Ｚｒ及び／又はＴｉとから構成される材料が、溶射に適しており、基材にこの材料を溶射することで粒子同士の結合が良く、緻密な溶射膜ができ、部材の耐蝕性が著しく向上し、パーティクルの発生も少ないことを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【００１２】
以下、本発明の耐蝕性溶射膜部材について詳細に説明する。
【００１３】
本発明のうち、第１の発明は、フッ素プラズマ、塩素プラズマ又は腐食性ガスに曝される部位が、少なくともＳｉ、Ｏ及び３ａ族元素と、Ｚｒ及び／又はＴｉとから構成される材料の溶射膜であることを特徴とする耐蝕性部材である。
【００１４】
第１の発明における耐蝕性溶射膜部材は、少なくともＳｉ、Ｏ及び元素周期律表３ａ族と、Ｚｒ及び／又はＴｉの元素を含むものである。ここで言う３ａ族とは、Ｓｃ、Ｙとランタノイド元素のことである。３ａ族、Ｚｒ、Ｔｉ元素を含む材料は、腐蝕性ガス或いはそのプラズマとの反応性が低く、仮に腐食性ガス中のフッ素と反応が生じたとしても生成するものは高沸点化合物であり、プラズマや腐蝕性ガスによるエッチングを抑制する効果がある。
【００１５】
本発明の耐蝕性溶射膜部材中の３ａ族元素の濃度としては、金属元素の原子％で１０％以上７８％以下、Ｓｉ元素の濃度としては２０％以上８８％以下、Ｚｒ及び／又はＴｉ元素の濃度としては２％以上７０％以下の組成範囲が好ましい。Ｚｒを含む系では、その中でも特にＺｒ：Ｓｉ：３ａ族それぞれの原子％で２：７８：２０、２：２０：７８、５０：２０：３０、２０：５０：３０、１０：７０：２０を結ぶ組成範囲より内側であることがより好ましい。
【００１６】
また、第２の発明では、本耐蝕性溶射膜部材は、Ｓｉ、Ｏ及び元素周期律表３ａ族と、Ｚｒ及び／又はＴｉとを含む溶射膜が共晶組成となるものである。共晶組成となることで、溶射粉末の融点が低下するため、溶射中に溶射粉末が良く溶け、基板上に堆積する溶射膜が非常に緻密になる。
【００１７】
また、第３の発明では、本耐蝕性溶射膜部材は、少なくともＳｉ、Ｏ及び３ａ族元素で構成されるガラス相とＺｒを含む結晶相とによる共晶組成で構成される溶射膜である。Ｓｉ、Ｏ及び３ａ族で構成されるガラス相は耐蝕性に優れると同時に、ガラスであるため結晶粒界が無く、腐蝕性ガスや腐食性ガスを含むプラズマによるエッチング時に結晶粒界での腐蝕による当該結晶粒子の脱落によるパーティクル発生が抑制される。また、Ｚｒを含む結晶相は、腐蝕性ガスや腐蝕性ガスを含むプラズマとの反応物の沸点が高いことから耐蝕性に優れている。さらに、共晶組成となることで、溶射粉末の融点が低くなり、堆積する溶射膜が緻密となる。この溶射膜では、組成によっては、同一組成でもガラス相のみとなる場合と共晶組成となる場合がある。ガラス相のみよりも共晶組成の方が溶射粉末の融点低下によって溶射膜が緻密になるため、好ましい。
【００１８】
第４の発明では、本耐蝕性溶射膜部材は、少なくともＳｉ、Ｏ及び３ａ族元素で構成されるガラス相とＴｉを含む結晶相とによる共晶組成で構成される溶射膜である。Ｓｉ、Ｏ及び３ａ族で構成されるガラス相は耐蝕性に優れると同時に、ガラスであるため結晶粒界が無く、腐蝕性ガスや腐食性ガスを含むプラズマによるエッチング時に結晶粒界での腐蝕による当該結晶粒子の脱落によるパーティクル発生が抑制される。また、Ｔｉを含む結晶相は、腐蝕性ガスや腐蝕性ガスを含むプラズマとの反応物の沸点が高いことから耐蝕性に優れている。さらに、共晶組成となることで、溶射粉末の融点が低くなり、堆積する溶射膜が緻密となる。
【００１９】
第５の発明では、本耐蝕性溶射膜部材は、溶射膜が少なくともＳｉ、Ｏおよび３ａ族元素で構成されるガラス相とＺｒを含む結晶相とによる共晶組成で構成され、共晶中の結晶相が少なくともＯ、３ａ族元素及びＺｒで構成されるものである。Ｏ、３ａ族元素及びＺｒを含む結晶相中の３ａ族元素、Ｚｒは共に腐蝕性ガスや腐蝕性ガスを含むプラズマとの反応物の沸点が高いことから耐蝕性に優れている。Ｏ、３ａ族元素及びＺｒで構成される溶射膜としては、例えば、酸化イットリウムを固溶した立方晶酸化ジルコニウムを挙げることができる。
【００２０】
本発明で用いる基材は特に限定はないが、石英ガラスなどの耐熱ガラスやアルミニウム、ステンレス等の金属、アルミナ、ムライト等のセラミックス、ポリイミド、ポリカーボネートなどの樹脂が挙げられる。
【００２１】
用いる基材の表面は、表面粗さＲａが１〜１５μｍであることが好ましい。表面粗さを１〜１５μｍとすることにより、耐蝕性溶射膜と基材との密着性が向上する。表面粗さＲａが１μｍ未満では、基材と耐蝕性溶射膜が剥離し易い場合があり、基材の上に耐蝕性ガラス溶射膜を均一に被覆することが難しい場合がある。一方、表面粗さＲａが１５μｍを超えると、耐蝕性溶射膜の表面を平滑にすることが難しく、プラズマや腐蝕性ガスによるエッチングを抑制することが難しい場合がある。
【００２２】
本発明の耐蝕性溶射膜の厚みに限定はないが、０．０１〜３ｍｍ、特に０．０１〜０．５ｍｍであることが好ましい。耐蝕性溶射膜の厚みが３ｍｍを超えて厚くなると、基材との熱膨張率の差によって耐蝕性溶射膜のひび割れ、剥離が発生し易い場合があり、一方、０．０１ｍｍ未満では保護膜として不十分である場合がある。耐蝕性溶射膜の厚みは、部材の断面を顕微鏡で観察するか、部材の断面をＥＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）による構成元素の組成分析を行うこと等で確認することができる。
【００２３】
本発明の耐蝕性溶射膜の表面粗さＲａは０．０１〜１０μｍ、特に８μｍ以下であることが好ましい。耐蝕性溶射膜の表面平滑性が悪く荒れたものであると、耐蝕性溶射膜表面に形成された突起形状の特にエッジの部分がプラズマ或いは腐食性ガスによって選択的にエッチングされ、パーティクルが発生し易い。
【００２４】
表面の粗さが粗いと、パーティクルが発生しやすくなるが、この評価方法としては、耐蝕性溶射膜の表面を研磨し、研磨面をプラズマエッチングした上で、プラズマエッチング前後の表面粗さＲａを測定することで評価できる。プラズマエッチング前後のＲａの差が大きいとエッチングによって表面が荒れるため、パーティクルが多く発生することが予想される。
【００２５】
本発明の耐蝕性溶射膜の製造時、常圧下での溶射ガン先端と基板との間の距離である溶射距離は、４０〜１５０ｍｍが好ましい。溶射距離が１５０ｍｍをこえると基板に溶射材が付着するまでに冷却されてしまい、基板上に溶射膜が堆積されない場合があり、溶射距離が４０ｍｍより短いと基材、溶射膜両方の温度が上昇してしまい、溶射材である窒化物の分解によって窒素の消失が発生し、耐蝕性が低下する場合がある。
【００２６】
本発明の耐蝕性溶射膜の製造時、大気圧下における不活性ガスあるいは還元性ガスを用いたプラズマ溶射の場合、基材温度としては、基板の種類にもよるが、ガラスやセラミックスの場合、５０〜８００℃が好ましい。基材温度が５０℃より低いと溶射材が基材に付着時に冷却がされてしまい、基板上の溶射膜の膜質が悪くなる場合があり、基材温度が８００℃よりも高いと、溶射材である窒化物の分解によって窒素の消失が発生し、耐蝕性が低下する場合がある。また、樹脂基材の場合、樹脂の種類にもよるが、基材温度としては５０〜３００℃が好ましい。
【００２７】
次に本発明の耐蝕性部材の製造方法を説明する。
【００２８】
本発明の耐蝕性溶射膜部材は、溶射によって耐蝕性溶射膜を形成することによって製造できる。
【００２９】
本発明で用いる溶射原料は、Ｓｉ、Ｏ及び３ａ族とＺｒ及び／又はＴｉとを含む原料であり、粉末形状の原料を用いることが好ましい。このような原料としては、例えば、シリカ及び３ａ族酸化物とジルコニア及び／又はチタニアとから少なくともなる粉末顆粒の混合物や、シリカおよび３ａ族酸化物とジルコニア及び／又はチタニアとから少なくともなる粉末を所定の割合で混合し、溶融や焼結をしてインゴットを作成した後、粉砕することによって調製することができる。またシリカ及び３ａ族酸化物とジルコニア及び／又はチタニアとを少なくとも含んでなる混合粉末をスラリー化し、当該混合スラリーをスプレードライ法で顆粒を作成した後、顆粒を焼結する等の方法で得ることも出来る。上述した各方法において、必要に応じてアクリル系等のバインダーを添加しても良い。
【００３０】
溶射に用いる原料粉末の粒径に限定はないが、平均粒径（２次粒径）で１０〜１００μｍであることが好ましい。平均粒径１０μｍ未満では原料粉末自身に十分な流動性がないため溶射フレーム中に原料を均一に供給することが難しい場合がある。また、平均粒径が１００μｍを超えると、溶射粒子の溶融が不均一となり、得られる溶射膜の基材に対する密着性が悪くなりやすい場合がある。
【００３１】
本発明では耐蝕性溶射膜の形成の際、基材表面の温度をあらかじめ予熱して溶射することが好ましい。基材表面をあらかじめ予熱することは、溶射の際に、熱ショックによる基材の割れ防止、並びに密着性の高い耐蝕性溶射膜を得るために有効である。予熱温度は用いる基材の種類によっても異なるが、例えば石英ガラス基材の場合１００〜８００℃、アルミニウム基材の場合５０〜５００℃、樹脂基材の場合５０〜２００℃の範囲が好ましい。
【００３２】
予熱温度を上げすぎると基材が溶融してしまうことや、基材上にクラック、割れ等が発生するため好ましくない。予熱は、基材を外部ヒーターで加熱する、或いは原料を供給せずに溶射フレームを基材に照射すること等で行えば良い。予熱温度は、基材の裏面からの熱電対による測定、或いは非接触の放射温度計等で測定できる。
【００３３】
本発明で用いる溶射法はプラズマ溶射であることが好ましい。図１に一般的なプラズマ溶射装置を示す。プラズマ溶射装置はアノード１１とカソード１０との間に流れたプラズマガス１２がアーク放電にすることによって形成されるプラズマジェットを熱源として、溶射粉末１３を溶融し、溶融した溶射粉末はプラズマガスの流速で基材１５にぶつかり堆積するものである。
【００３４】
プラズマ溶射装置では、プラズマガスとして、Ｎ２、Ａｒ等不活性ガスもしくはＨ２等還元性ガス又はこれらの混合ガス又は空気等を用いることができる。
【００３５】
また、プラズマ溶射法の他に一般的な溶射法としてフレーム溶射や高速フレーム溶射によっても本発明の溶射膜を製造することも可能である。この場合、アセチレン、プロピレン等の燃料ガスと空気や酸素等の助燃ガスを用いる通常のフレーム溶射、高速フレーム溶射条件で作成する。
【００３６】
本発明の溶射において、溶射フレームを基材に溶射する際の投入する溶射パワーは用いる装置によっても異なるが、例えば図１に示すようなプラズマ溶射装置の場合、溶射パワーを２０ｋＷ以上とするような条件が例示できる。
【００３７】
溶射によって耐食性溶射膜を製造する場合、用いる基材は表面粗さＲａが１〜１５μｍのものを用いることが好ましい。基材表面の表面粗さＲａを１〜１５μｍとする方法としては、その様な表面粗さの溶射膜を基材に予め溶射する方法基材自身をブラスト処理する方法又はブラスト処理とフッ酸等による化学的エッチングを併せて施す方法等を例示できる。
【００３８】
本発明の耐蝕性部材は、成膜装置又はプラズマ処理装置の容器や部品等に用いることが出来る。耐蝕性部材の使用方法としては、これらの装置の中で腐食性ガスやプラズマに接触する部位に用いることができ、より具体的にはリング状部材やベルジャーとして用いることが挙げられる。
【００３９】
ここでいう成膜装置とは、例えばＣＶＤ装置やＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等である。これらの装置の反応管やベルジャー等は、使用後の洗浄にフッ素系ガスによる洗浄を行なわれており、当該洗浄による腐食やそれに起因するパーティクル発生が問題であったが、本発明の耐蝕性部材を用いればそれらの問題が解決される。
【００４０】
またここでいうプラズマ処理装置とは、例えばプラズマエッチング装置、プラズマクリーニング装置であり、装置内に設置した製品にプラズマを照射し、製品の表面を剥離、あるいは清浄化する装置をさす。これら装置のリング状フォーカスリング又はベルジャー等でもフッ素系プラズマによってエッチングが行なわれるため、装置内の部品で腐食性ガスやプラズマと接触する部位では、パーティクルの発生が問題であった。この場合も同様に、本発明の耐蝕性溶射膜部材を用いれば腐食されにくく、パーティクルの発生が少ない。
【発明の効果】
【００４１】
本発明の耐蝕性溶射膜部材は、ＣＶＤ装置、プラズマ処理装置等の腐食性ガス、プラズマを用いる装置に使用した際、耐蝕性が高く、パーティクル発生が少ないため、製品への汚染がなく、高い製品留まりで連続運転が可能である。
【実施例】
【００４２】
本発明を実施例に基づき詳細に説明するが本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００４３】
実施例
１）溶射基材の調整
ブラストにより表面粗さＲａを５μｍとした石英ガラスに対し、２４％フッ酸で１時間処理して表面粗さＲａを１０μｍとした石英ガラス基材を調製した。
【００４４】
２）溶射用原料粉末の調製
シリカ、表１に示す３ａ族酸化物、ジルコニア又はチタニアを表１の組成になるように調製し、それらの粉末にバインダーを混合した後、スプレードライにより、平均粒径５０μｍの造粒粉末を得た。この造粒粉末について、５００℃２時間の脱脂後、１２００℃２時間の焼結を行い、平均粒径５０μｍの焼結粉末を得た。
【００４５】
３）耐蝕性ガラス溶射膜の形成
１）で調製した基材を用い、常圧にて、図１に示すプラズマ溶射装置を用いて、プラズマガスとして窒素４０ＳＬＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｌｉｔｔｅｒ  ｐｅｒ  Ｍｉｎｉｔｅ）と水素１２５ＳＬＭ流し、溶射距離を６０ｍｍとし、溶射ガンを４００ｍｍ／秒の速度で移動させながら、３０ｋＷのパワーでプラズマを生成し、原料粉末を供給することなく、基材の予熱を行った。
【００４６】
次に２）で調製した溶射用原料粉末を供給量７ｇ／分とし、速度を４００ｍｍ／秒、ピッチ４ｍｍ、溶射距離６０ｍｍで溶射ガンを移動させながら１５回溶射し、耐蝕性溶射膜を形成した。
【００４７】
４）性能評価
３）で得られた各種組成の溶射膜に対し、接触式表面粗さ計による表面粗さＲａの測定、Ｘ線回折法による構成相の確認、断面のＳＥＭ観察による気孔率の測定、フッ素系ガスを含むプラズマに曝した時のエッチング速度とパーティクル量の測定試験、１０％フッ化水素酸１時間浸漬による溶射膜の剥離性の評価を行った。エッチング条件は、反応処理室内の圧力１ｔｏｒｒ、反応ガスにＣＦ４ガスを用い、電極板間に３００Ｗの高周波電力を印加することによりプラズマを発生させた。エッチングを行う溶射膜の表面は、研磨によってＲａを０．１μｍ以下とした。エッチング厚みは段差測定法を用いて測定し、パーティクル発生はエッチング時に試験サンプル隣に置いた石英ガラスの表面観察によって行った。表面粗さＲａ、構成相、気孔率、エッチング速度とパーティクル、フッ化水素酸による剥離性については結果を表１に示した。いずれの耐蝕性部材も緻密で、エッチングレートは０．１μｍ／ｈｒ以下と小さく、耐蝕性に優れていた。また、いずれの溶射膜もフッ化水素酸による浸漬によっても膜が剥がれることなく密着性を確保していた。
【００４８】
比較例
出発原料として、２）と同様の方法でシリカ、アルミナ、イットリア粉末を表１の組成にて溶射用原料粉末を作成した。ブラストにより表面粗さＲａを５μｍとした石英ガラスに、２４％フッ酸で１時間処理した表面粗さＲａを１０μｍとした石英ガラス基材に対し、溶射用原料粉末を溶射した（Ｎｏ．１１１）。また、同様の処理を行った石英ガラス基材に対し、アルミナ溶射用原料粉末を溶射したもの（Ｎｏ．１１３）、溶射を行っていないアルミナの焼結体（Ｎｏ．１１２）、溶射を行っていない石英ガラスバルク体（Ｎｏ．１１４）を夫々実施例と同様の方法で表面粗さＲａの測定、構成相の確認、エッチング速度及びパーティクルの測定を行った。溶射膜であるＮｏ．１１１、１１３の部材については、実施例と同様の方法で気孔率の測定を行った。
【００４９】
Ｎｏ．１１１の部材では、構成相はガラスであることを確認したが、エッチング速度が耐蝕性溶射膜部材と比較して大きく、耐蝕性が不良であった。また、気孔率が高く、エッチング後Ｒａが大きくなっており、長時間のエッチングではパーティクルが発生する。
【００５０】
アルミナ焼結体及びアルミナ溶射膜（Ｎｏ．１１２、１１３）では、エッチング速度が耐蝕性溶射膜部材と比較して大きく、実施例の耐蝕性溶射膜部材に比べてパーティクルの発生が多かった。また、アルミナ溶射膜はフッ化水素酸による侵蝕試験では、基材と溶射膜の間に隙間が観察された。耐蝕性溶射膜のない石英ガラス基材（Ｎｏ．１１４）は、エッチング速度が６μｍ／ｈｒと大きく、耐触性が不良であった。
【００５１】
【表１】
2006097114.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】プラズマ溶射装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０：カソード
１１：アノード
１２：プラズマガス
１３：溶射粉末（供給口）
１４：溶射距離
１５：基材
１６：溶射膜
１７：電源
【図１】
2006097114.tif 000003