(57)【要約】【課題】  超音波接合により、電子部品を高い信頼性で実装することができるセラミック配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明のセラミック配線基板１０１は、メタライズ層１１（Ｗ、Ｍｏ等からなる。）と、ニッケルめっき層１２（純Ｎｉ等からなる。）と、金めっき層１３（純金からなる。）と、を有する電極パッド１を備え、金めっき層は平均粒径０．４５〜１．００μｍ（特に０．５０〜１．００μｍ）の金粒子からなる。また、本発明のセラミック配線基板の製造方法は、メタライズ層の表面にニッケルめっき層を形成し、その後、ニッケルめっき層の表面に０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２（特に０．３０〜１．００Ａ／ｄｍ２）の電流密度で金めっき層を設けることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体と、該セラミック基体の内部及び／又は表面に設けられた配線パターンと、該セラミック基体の表面に設けられた電極パッドと、を備え、該電極パッドは、該セラミック基体の表面に設けられ且つ該配線パターンと接続されたメタライズ層と、該メタライズ層の表面に設けられたニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層の表面に設けられた金めっき層と、を有するセラミック配線基板において、
該金めっき層は、平均粒径０．４５〜１．００μｍの金粒子からなることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
上記配線パターンは上記セラミック基体の内部に設けられ、上記メタライズ層は、少なくとも、該配線パターンに接続された導体の該セラミック基体の表面に表出している端面を覆って設けられている請求項１に記載のセラミック配線基板。
【請求項３】
上記ニッケルめっき層は、平均粒径１．００〜５．００μｍのニッケル粒子からなる請求項１又は２に記載のセラミック配線基板。
【請求項４】
セラミック基体と、該セラミック基体の内部及び／又は表面に設けられた配線パターンと、該セラミック基体の表面に設けられた電極パッドと、を備え、該電極パッドは、該セラミック基体の表面に設けられ且つ該配線パターンと接続されたメタライズ層と、該メタライズ層の表面に設けられたニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層の表面に設けられた金めっき層と、を有するセラミック配線基板の製造方法において、
該金めっき層は、０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２の電流密度で設けられることを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記ニッケルめっき層は７００〜８８０℃で熱処理され、その後、該ニッケルめっき層の表面に上記金めっき層が設けられる請求項４に記載のセラミック配線基板の製造方法。
【請求項６】
上記ニッケルめっき層は、平均粒径１．００〜５．００μｍのニッケル粒子からなる請求項４又は５に記載のセラミック配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック配線基板及びその製造方法に関する。更に詳しくは、本発明は、電子部品に設けられた金バンプを用いたフリップチップ実装、及び金ワイヤを用いたワイヤボンディング実装等における金バンプ及び金ワイヤ等との接合性に優れた電極パッドを備えるセラミック配線基板及びその製造方法に関する。
本発明は、各種の電子部品を、セラミック配線基板にフリップチップ工法及びワイヤボンディング工法等により実装する場合に用いることができる。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器における薄型化、軽量化及び高機能化により、配線基板への電子部品の実装密度の向上が必要とされ、ワイヤボンディング工法及びフリップチップ工法等の実装方法が開発され、実用化されている。また、半導体の更なる高集積、高機能化がなされ、これにともなってより多くの入出力端子がより微小な間隔で配置されるようになり、この小型化への対応が容易なフリップチップ工法の改良、開発がなされている。このフリップチップ工法としては、配線基板の外部電極としてはんだバンプを形成し、このはんだバンプと電子部品の外部電極とを当接させ、はんだをリフローさせて接続させるはんだバンプ工法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
はんだバンプ工法では、接続部の電機抵抗は低く、接合強度も大きく、信頼性は高い。しかし、はんだを溶融させ、流動させて接合する方法であるため、端子間等の間隔を１００μｍ程度以下にすることは容易ではなく、電子機器の更なる小型化への対応は困難になりつつある。更に、昨今の環境問題への配慮から鉛フリーへの対応も検討されているが、鉛を含有しないはんだを用いた場合は、実装の際の温度をより高温にする必要があり、問題である。このように、はんだバンプ工法では、高集積、高機能化への対応には限界があり、鉛を含有しないはんだを使用する、所謂、鉛フリーへの対応も容易ではない。
【０００４】
このように、はんだバンプ工法には、高集積、高機能化への対応に限界があり、鉛フリーへの対応も容易ではないという問題がある。そこで、配線基板の表面に金めっきを有する電極パッドを形成し、この電極パッドと電子部品の表面に設けられた外部電極とを金ワイヤによりボンディングする超音波ワイヤボンディング工法、及び電極パッドと電子部品の表面に設けられた金バンプとを当接させ、これを超音波により接合させる超音波フリップチップ工法等が開発された。このように金めっき層と金バンプとを接合する方法、及び金めっき層と金ワイヤとを接合する方法等であれば、はんだバンブ工法の場合と比べて更なる高集積、高機能化が可能であり、鉛フリーへの対応のような環境問題もない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２７４２８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、より高集積化、高機能化することができる金めっき層と金バンプとを用いた超音波フリップチップ工法、及び金ワイヤを用いた超音波ワイヤボンディング工法等においては、電極間の接合、及び金ワイヤと電極との間の接合の信頼性が高く、電子部品の実装方法として用いられることが多い。しかし、昨今では、配線基板及び電子部品の各々の電気的な接続に関してより高い信頼性が必要とされており、例えば、製品の不良率が０．０００１％以下であることが要求されている。
【０００７】
本発明は、上記の状況に鑑みてなされたものであり、セラミック配線基板の表面に形成された金めっきを有する電極パッドと、電子部品の表面に設けられた金バンプと、を超音波フリップチップ工法により接合させることができ、また、配線基板と電子部品とを金ワイヤを用いた超音波ワイヤボンディング工法により接続することができ、より信頼性の高い接合部を形成することができるセラミック配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は以下のとおりである。
１．セラミック基体と、該セラミック基体の内部及び／又は表面に設けられた配線パターンと、該セラミック基体の表面に設けられた電極パッドと、を備え、該電極パッドは、該セラミック基体の表面に設けられ且つ該配線パターンと接続されたメタライズ層と、該メタライズ層の表面に設けられたニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層の表面に設けられた金めっき層と、を有するセラミック配線基板において、該金めっき層は、平均粒径０．４５〜１．００μｍの金粒子からなることを特徴とするセラミック配線基板。
２．上記配線パターンは上記セラミック基体の内部に設けられ、上記メタライズ層は、少なくとも、該配線パターンに接続された導体の該セラミック基体の表面に表出している端面を覆って設けられている上記１．に記載のセラミック配線基板。
３．上記ニッケルめっき層は、平均粒径１．００〜５．００μｍのニッケル粒子からなる上記１．又は２．に記載のセラミック配線基板。
４．セラミック基体と、該セラミック基体の内部及び／又は表面に設けられた配線パターンと、該セラミック基体の表面に設けられた電極パッドと、を備え、該電極パッドは、該セラミック基体の表面に設けられ且つ該配線パターンと接続されたメタライズ層と、該メタライズ層の表面に設けられたニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層の表面に設けられた金めっき層と、を有するセラミック配線基板の製造方法において、該金めっき層は、０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２の電流密度で設けられることを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。
５．上記ニッケルめっき層は７００〜８８０℃で熱処理され、その後、該ニッケルめっき層の表面に上記金めっき層が設けられる上記４．に記載のセラミック配線基板の製造方法。
６．上記ニッケルめっき層は、平均粒径１．００〜５．００μｍのニッケル粒子からなる上記４．又は５．に記載のセラミック配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のセラミック配線基板によれば、この配線基板の表面に設けられた金めっき層を有する電極パッドと、電子部品の表面に設けられた金バンプ及び金ワイヤとの接合性に優れ、セラミック配線基板と電子部品との接続の信頼性を高めることができる。
また、配線パターンはセラミック基体の内部に設けられ、メタライズ層は、少なくとも、配線パターンに接続された導体のセラミック基体の表面に表出している端面を覆って設けられている場合は、セラミック配線基板の外部電極として機能する電極パッドにより、セラミック配線基板と電子部品との接続の信頼性を高めることができる。
更に、ニッケルめっき層が平均粒径１．００〜５．００μｍのニッケル粒子からなる場合は、平均粒径の大きい金粒子からなる金めっき層とすることができ、セラミック配線基板と電子部品との接続の信頼性をより高めることができる。
本発明のセラミック配線基板の製造方法によれば、平均粒径の大きい金粒子からなる金めっき層を容易に形成することができ、この配線基板の表面に設けられた金めっき層を有する電極パッドと、電子部品の表面に設けられた金バンプ及び金ワイヤとの接合性に優れ、セラミック配線基板と電子部品との接続の信頼性を高めることができる。
また、ニッケルめっき層が７００〜８８０℃で熱処理され、その後、金めっき層が設けられる場合は、平均粒径の大きいニッケル粒子からなるニッケルめっき層とすることができ、その表面に設けられる金めっき層も粒径の大きい金粒子からなるものとすることができる。そのため、セラミック配線基板と電子部品との接続の信頼性をより高めることができる。
更に、ニッケルめっき層が平均粒径１．００〜５．００μｍのニッケル粒子からなる場合は、平均粒径の大きい金粒子からなる金めっき層とすることができ、セラミック配線基板と電子部品との接続の信頼性をより高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
［１］セラミック配線基板
以下、例えば、図１〜２０を用いて本発明を詳しく説明する。
セラミック配線基板は、図１のように、上記「電極パッド１」を備え、この電極パッド１は、メタライズ層１１と、その表面に設けられたニッケルめっき層１２と、その表面に設けられた金めっき層１３とを有する。また、セラミック配線基板は、セラミック基体２と、このセラミック基体の内部及び／又は表面に配設された配線パターン３１とを備え、電極パッド１は、セラミック基体の表面に設けられている。
上記「メタライズ層１１」は、セラミック基体２の表面の所定部分に設けられる。このセラミック基体２の表面の所定部分は、配線パターン３１に接続された導体のセラミック基体２の表面に表出している端面等であり、この所定部分としては、例えば、セラミック基体２の表面に表出し且つセラミック基体の内部に配設された配線パターン３１と接続されているビア導体３２の端面が挙げられる。この場合、メタライズ層１１は、少なくともビア導体３２の端面を覆って設けられる。更に、所定部分としては、配線パターン３１に接続され、且つセラミック基体２の側面から表面に配設されている導体の端部が挙げられる。この場合、メタライズ層１１は、少なくとも、セラミック基体２の表面に配設された導体の端部に設けられた電極パッドを覆って設けられる。このメタライズ層の平面形状は特に限定されず、円形、楕円形及び三角形、四角形等の多角形などのいずれであってもよい。また、メタライズ層の寸法も特に限定されない。
【００１１】
上記「ニッケルめっき層１２」は、メタライズ層１１の表面に設けられる。このニッケルめっき層は、電解めっき法により設けられていてもよいし、無電解めっき法により設けられていてもよいが、結晶化度及び融点を高くすることができ、且つニッケルの拡散が生じ難いニッケルめっき層とすることができる電解めっき法が好ましい。更に、本発明では、このニッケルめっき層の表面に電解めっき法により金めっき層が設けられるため、ニッケルめっき層も電解めっき法により設けることが好ましい。電解めっき法であるときは、ニッケルめっき層は、通常、純ニッケル（通常、純度は約９９．９質量％である。）からなる。一方、無電解めっき法であるときは、ニッケル−硼素めっき層、ニッケル−リンめっき層及びニッケル−コバルトめっき層等とすることができる。更に、ニッケルめっき層は単層でもよく、多層でもよい。多層の場合は２〜５層とすることができる。このニッケルめっき層の厚さ（多層であるときは合計厚さ）は特に限定されないが、０．５〜６μｍ、特に２〜５μｍとすることができる。
【００１２】
ニッケル粒子はニッケルめっき層を熱処理することで大径化することができ、熱処理したときは、ニッケル粒子の平均粒径は、１．００〜５．００μｍとすることができる。このように、ニッケル粒子を大径化した場合は、ニッケルめっき層の表面に設けられる金めっき層を構成する金粒子の平均粒径を大きくすることができるため好ましい。
【００１３】
この熱処理により大径化されたニッケル粒子の平均粒径は、例えば、電極パッドの断面を走査型電子顕微鏡により観察し、撮影した写真を用いた説明図である図８及び９等を用いて求めることができる。図８及び９等において、ニッケルめっき層の厚さ方向の中間点を結ぶ中線を引き、この中線上において各々のニッケル粒子の界面間の距離を測定し、これをニッケル粒子の粒径とする。このようにして、複数の視野（例えば、５０視野）における写真からそれぞれのニッケル粒子の粒径を測定し、累積粒径をニッケル粒子の個数で除して平均粒径を算出することができる。
【００１４】
上記「金めっき層１３」は、ニッケルめっき層１２の表面に設けられる。この金めっき層は電解めっき法により設けられ、通常、純金（通常、純度は９９．００〜９９．９９質量％である。）からなる。この金めっき層の厚さは特に限定されないが、０．０５〜５μｍ、特に０．５〜２μｍとすることができる。
【００１５】
金めっき層を構成する金粒子の平均粒径は０．４５〜１．００μｍであり、０．５０〜１．００μｍ、特に０．５５〜１．００μｍであることが好ましい。この金粒子の平均粒径が０．４５〜１．００μｍであれば、超音波接合により電極パッドに電子部品の外部電極である金バンプが接合されるとき（図２参照）、及び金ワイヤがボンディングされるとき（図３参照）、に粒子間の滑りが抑えられ、各々の金粒子に超音波が十分に印加されるため、それぞれの粒子の界面が十分に平滑になり、金めっき層と金バンプ及び金ワイヤとの接合性が向上して、接合不良による製品の不良率を低下させることができる。更に、金粒子の粒径が大きいと、ニッケルめっき層からのニッケルの金めっき層の表面への拡散が抑えられ、これによっても接合不良を低減させることができる。
【００１６】
金粒子の平均粒径は、金めっきの電流密度を高くすることにより大きくすることができる。この金粒子の平均粒径は、ニッケルめっき層を熱処理してニッケル粒子を大径化することによって、より容易に大きくすることができる。金粒子の平均粒径は、金めっきの電流密度を高くすること、及びニッケルめっき層を熱処理し、且つ金めっきの電流密度を高くすることによって、０．４５〜１．００μｍとすることができる。尚、電流密度が高すぎると、金めっき層の表面が変質し、所謂、焼けが発生するため好ましくない。更に、熱処理する温度が高すぎると、ニッケルめっき層に空隙が発生するため好ましくない。従って、ニッケルめっき層を後記のように適度な温度範囲で熱処理してニッケル粒子を大径化し、且つ金めっきの電流密度を後記のように適度に高くして、金粒子の平均粒径を０．４５〜１．００μｍとすることが特に好ましい。
【００１７】
金粒子の平均粒径は、例えば、電極パッドの断面を走査型電子顕微鏡により観察し、撮影した写真を用いた説明図である図８及び９等を用いて求めることができる。図８及び９等において、金めっき層の厚さ方向の中間点を結ぶ中線を引き、この中線上において各々の金粒子の界面間（図８及び９における縦の短い実線が各々の金粒子の界面である。）の距離を測定し、これを金粒子の粒径とする。このようにして、複数の視野（例えば、５０視野）における写真からそれぞれの金粒子の粒径を測定し、累積粒径を金粒子の個数で除して平均粒径を算出することができる。
【００１８】
金粒子は、ニッケルめっき層を熱処理してニッケル粒子を大径化することで、容易に大径化することができる。この金粒子とニッケル粒子の各々の平均粒径は、金粒子の平均粒径が０．４５〜１．００μｍであり、且つニッケル粒子の平均粒径が１．００〜５．００μｍであることが好ましく、金粒子の平均粒径が０．５０〜１．００μｍであり、且つニッケル粒子の平均粒径が１．２０〜５．００μｍであることがより好ましく、金粒子の平均粒径が０．５５〜１．００μｍであり、且つニッケル粒子の平均粒径が１．５０〜５．００μｍであることが特に好ましい。金粒子とニッケル粒子のそれぞれの平均粒径がより大径となることで、超音波接合による接合の信頼性を向上させることができる。
【００１９】
この金めっき層は、電子部品の外部電極として設けられた金バンプ及びセラミック配線基板に電子部品を実装する際に用いられる金ワイヤ等の金導体と超音波接合される。例えば、図２のように、この金めっき層と、電子部品の表面に外部電極として設けられた金バンプとを、接合部に超音波を印加することにより接合する、フリップチップ工法によって、セラミック配線基板に電子部品が実装されたパッケージとすることができる。また、図３のように、この金めっき層に金ワイヤの一端側を超音波接合し、この金ワイヤの他端側を電子部品の表面に設けられた外部電極に接合する、ワイヤボンディング工法によって、セラミック配線基板に電子部品が実装された他の態様のパッケージとすることができる。
【００２０】
超音波接合の際には、接合部に超音波が印加されるとともに、通常、接合部には所定の押圧力が加えられ、且つ接合部は所定の温度で加熱される。この超音波接合の接合条件としては、用いる装置により最適な超音波出力となるように出力設定をしたうえで、押圧力を４０〜１００Ｎ、加熱温度を１４０〜２１０℃、且つ超音波の印加時間を２０〜５０マイクロ秒とすることができる。
【００２１】
本発明では、ニッケルめっき層を７００〜８８０℃で熱処理し、且つ金めっきの電流密度を０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２とすることで、後記の実施例における「超音波接合及び不良率の評価」と同様にして、押圧力を７０Ｎ、加熱時間を８０℃、且つ超音波の印加時間を１５マイクロ秒として評価したときに、合計不良率を３０％以下とすることができる。また、ニッケルめっき層を８３０〜８７０℃で熱処理し、且つ金めっきの電流密度を０．３０〜１．００Ａ／ｄｍ２とすることで、上記の合計不良率を２７％以下とすることができる。更に、ニッケルめっき層を８４０〜８６０℃で熱処理し、且つ金めっきの電流密度を０．３０〜１．００Ａ／ｄｍ２とすることで、上記の合計不良率を２２％以下とすることができる。
【００２２】
［２］セラミック配線基板の製造方法
本発明のセラミック配線基板を製造する方法は特に限定されず、例えば、本発明のセラミック配線基板の製造方法により製造することができる。
この本発明のセラミック配線基板の製造方法は、セラミック基体と、セラミック基体の内部及び／又は表面に設けられた配線パターンと、セラミック基体の表面に設けられた電極パッドと、を備え、電極パッドは、セラミック基体の表面に設けられ且つ配線パターンと接続されたメタライズ層と、メタライズ層の表面に設けられたニッケルめっき層と、ニッケルめっき層の表面に設けられた金めっき層と、を有するセラミック配線基板の製造方法において、金めっき層は０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２の電流密度で設けられる。
【００２３】
メタライズ層は、セラミック配線基板のセラミック基体となる未焼成セラミック基体の所定部分にメタライズ組成物を塗布して未焼成メタライズ層を形成し、その後、未焼成セラミック基体と同時焼成することにより設けることができる。この所定部分としては、未焼成セラミック基体に配設された未焼成配線パターンと接続され、且つ未焼成セラミック基体の表面に表出している、例えば、未焼成ビア導体の端面等が挙げられる。未焼成メタライズ層は、少なくとも未焼成ビア導体の表面を覆うようにして形成される。
【００２４】
セラミック基体は、セラミック配線基板において焼成セラミックからなる部分である。セラミック基体を形成するセラミックは特に限定されず、アルミナ、ジルコニア、コーデェライト、ムライト、チタニア、石英、フォルステライト、ワラストナイト、アノーサイト、エンスタタイト、ジオプサイト、アーケルマナイト、ゲーレナイト、スピネル、ガーナイト、並びにチタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸バリウム等のチタン酸塩などが挙げられる。このセラミックとしては、絶縁性及び強度等の観点から、アルミナ、ジルコニア、コーデェライト及びムライト等が好ましく、アルミナが特に好ましい。セラミックは１種のみでもよく、例えば、アルミナとジルコニアのように混合して焼成させることができるものであれば、２種以上でもよい。
【００２５】
また、セラミック基体には、焼結助剤に由来する成分及びガラス成分等を含有させることができる。
焼結助剤に由来する成分は、結晶性の成分でもよく、非晶性の成分でもよい。この焼結助剤に由来する成分としては、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＳｒＯ及び希土類酸化物等の金属酸化物が挙げられる。更に、ガラス成分としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ及びＴｉ等を含有するものが挙げられる。例えば、アルミノケイ酸ガラス及びアルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。
【００２６】
未焼成配線パターンが焼成されてなる配線パターンは、セラミック基体の表面又は内部に配設される。この配線パターンの形態は特に限定されず、１層のみがセラミック基体の表面又は内部に配設されていてもよく、２層以上がセラミック基体の表面又は内部に配設されていてもよい。２層以上の配線パターンがセラミック基体の一部を介して配設されている場合、各々の配線パターンはパターン間接続されることにより導通されていてもよく、接続されずにそれぞれが独立した配線パターンであってもよい。
この配線パターンとしては、例えば、通常の導通用配線、抵抗用配線、パッド形状等のコンデンサ用配線及びインダクタンス用配線などが挙げられる。
【００２７】
未焼成セラミック基体は、セラミック原料等を含有するスラリーを用いて作製することができる。このスラリーは、セラミック原料、焼結助剤、バインダ樹脂及び溶剤等を、ボールミル、ビーズミル等の混合機により混合して調製することができる。各々の成分を配合する順序等は特に限定されず、すべての成分を一括してボールミル等に投入して混合してもよく、特定の順序に従って配合し、混合してもよい。セラミック原料としては、前記のセラミック基体を形成することとなるセラミックを用いることができる。
【００２８】
焼結助剤としては、セラミック基体を形成するセラミックの種類によって各種のものを用いることができる。この焼結助剤としては、例えば、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＳｒＯ及び希土類酸化物、並びに加熱によりこれらの酸化物となる炭酸塩、水酸化物等の化合物などが挙げられる。バインダ樹脂としては、アクリル系樹脂、ポリアミド、ポリペプチド、ポリビニルブチラール樹脂、フェノキシ樹脂、セルロース誘導体、ポリオキシエチレン及びポリビニルアルコール等を用いることができる。溶剤としては、トルエン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類などを用いることができる。これらの焼結助剤、バインダ樹脂及び溶剤は各々１種のみ用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。スラリーには必要に応じて可塑剤、分散剤、消泡剤、着色剤及び酸化剤等のうちの少なくとも１種を配合することもできる。
【００２９】
このスラリーを用いてシートを成形する。このシートは、ドクターブレード法、ロールコータ法等により、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルなどからなる樹脂フィルム及びステンレス鋼等からなる金属プレートなどの支持体の表面において成形することができる。その後、このシートを溶剤の種類等により所定の温度で乾燥させて溶剤を除去し、未焼成セラミックシートを作製する（このシートを１枚のみ用いる場合は、このシートの焼結体がセラミック基体となる。シートを２枚以上用いる場合は、これらのシートが一体に焼成されてなる焼結体がセラミック基体となる。）。
【００３０】
上記のようにして形成した未焼成セラミックシートの表面に、スクリーン印刷法等により導電粉末を含有する導体用スラリー等からなる塗膜を配設し、乾燥して、未焼成配線パターンを形成し、未焼成積層体を作製することができる。更に、セラミック配線基板において２層以上の配線パターンがセラミック層の両面に形成され、且つそれらが導通される場合は、未焼成セラミックシートの所定位置に設けられたビアホールにビア充填用ペーストを充填し、この未焼成セラミックシートの両面に未焼成配線パターンを形成することで、未焼成積層体を作製することができる。
【００３１】
また、セラミック多層配線基板の場合は、未焼成セラミックシートの所定位置に設けられたビアホールにビア充填用ペーストを充填し、この未焼成セラミックシートの未焼成配線パターンが形成された面に、ビアホールにビア充填用ペーストが充填された他の未焼成セラミックシートを積層し、この未焼成セラミックシートの表面に同様にして未焼成配線パターンを形成し、この操作を繰り返すことで、未焼成積層体を作製することができる（このように複数枚のシートを用いる場合は、上記のように、これらのシートが積層された積層体の焼結体がセラミック基体となる。）。ビア充填用ペーストとしては、上記の導体用スラリーと同様の組成を有するもの、及び異なる組成を有するものを用いることができ、同様の組成を有するものが用いられることが多い。
【００３２】
上記のようにして作製した未焼成積層体を焼成することによりセラミック基体と配線パターンとを備える焼成積層体とすることができる。焼成温度及びこの焼成温度を保持する時間は特に限定されず、セラミック原料の種類等によって設定することができる。また、焼成雰囲気も特に限定されず、セラミック原料の種類等によって、窒素雰囲気及びアルゴン等の不活性ガス雰囲気などの非酸化性雰囲気又は大気雰囲気等の酸化性雰囲気などとすることができる。この非酸化性雰囲気とは、酸素分圧が低い雰囲気であり、通常、酸素分圧が１０Ｐａ以下、特に０．１Ｐａ以下（通常、０．０００１Ｐａ以上）の雰囲気である。
【００３３】
メタライズ層は、上記のようにして作製した焼成積層体の表面に設けられる。このメタライズ層を設けるために用いられるメタライズ組成物には、焼成によりメタライズ層となる金属粉末、バインダ及び溶剤等が含有される。金属粉末は特に限定されず、各種の金属の粉末を用いることができる。この金属としては、例えば、アルミナ等の高温で焼成されるセラミックと同時焼成することができる融点の高い金属であるタングステン、モリブデン、タンタル等が挙げられる。
【００３４】
バインダは特に限定されず各種のものを用いることができる。また、未焼成セラミック基体と未焼成メタライズ層とは、通常、同時焼成されるため、この未焼成セラミック基体に含有されるバインダの種類により選択することもできる。このバインダとしては、アクリル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂及びポリビニルアセタール系樹脂等が挙げられる。バインダは１種のみ用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
【００３５】
溶剤は特に限定されず各種のものを用いることができる。この溶剤としては、カルビトール類、セロソルブ類、酢酸エステル類、フタル酸エステル類、セバシン酸エステル類、１価アルコール類及びケトン類等が挙げられる。カルビトール類としては、ブチルカルビトール、メチルカルビトール及びエチルカルビトール等が挙げられる。セロソルブ類としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ及びブチルセロソルブ等が挙げられる。酢酸エステル類としては、酢酸メチル、酢酸エチル及び酢酸ブチル等が挙げられる。フタル酸エステル類としては、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル及びフタル酸ジオクチル等が挙げられる。セバシン酸エステル類としては、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル及びセバシン酸ジオクチル等が挙げられる。１価アルコール類としては、イソプロピルアルコール等が挙げられる。ケトン類としては、アセトン、シクロヘキサノン及びトリメチルシクロヘキサノン等が挙げられる。溶剤は１種のみ用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
【００３６】
メタライズ組成物には、金属粉末、バインダ及び溶剤の他に、消泡剤、レベリング剤、増粘剤、分散剤、滑剤、酸化防止剤、焼成収縮率調整剤及びセラミック成分等を含有させることもできる。これらは１種のみ用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
【００３７】
メタライズ組成物は、金属粉末、バインダ及び溶剤等を混合することで調製することができる。この混合の方法は特に限定されないが、各々の成分を均一に混合することができる方法が好ましい。この混合にはボールミル及びビーズミル等の混合機を用いることが好ましい。更に、混合の順序も特に限定されず、それぞれの成分を一括して混合してもよいし、特定の配合順序に従って混合してもよい。特定の順序に従って混合する場合、例えば、金属粉末と溶剤とをボールミル等に投入して所定時間混合し、その後、バインダと溶剤とを投入し、更に混合し、メタライズ組成物を調製することができる。
【００３８】
メタライズ組成物は、未焼成セラミック基体の所定部分に塗布して用いることができる。この塗布方法は特に限定されず、スクリーン印刷法、ロールコート法及びカーテンコート法等のいずれであってもよい。また、未焼成セラミック基体の所定部分とは、前記のように、未焼成セラミック基体に設けられた未焼成配線パターンと接続され、且つ未焼成セラミック基体の表面に表出している、例えば、未焼成ビア導体の端面等及びその周縁の未焼成セラミック基体の表面等のことである。
【００３９】
ニッケルめっき層は、電解めっき法又は無電解めっき法により、メタライズ層の表面に設けられる。このニッケルめっき層は、形成されるめっき層の結晶化度及び融点が高いこと、及び金めっき層が電解めっき法により設けられること、を理由として同じく電解めっき法により設けることが好ましい。電解めっき法であるときは、ニッケルめっき層は、通常、純ニッケル（純度約９９．０質量％）からなる。一方、無電解めっき法であるときは、前記のような各種のめっき層等とすることができる。更に、ニッケルめっき層は単層でもよく、多層でもよい。多層であるときは、２〜５層とすることができる。このニッケルめっき層の厚さ（多層であるときは合計厚さ）は特に限定されないが、０．５〜６μｍ、特に２〜５μｍとすることができる。
【００４０】
ニッケルめっき層を熱処理する条件は特に限定されないが、熱処理の温度は７００〜８８０℃とすることが好ましく、８３０〜８７０℃、特に８４０〜８６０℃とすることがより好ましい。この熱処理の温度が７００〜８８０℃であれば、ニッケルめっき層の表面に設けられる金めっき層を形成する金粒子の平均粒径が所定の範囲となるように、ニッケル粒子を大径化することができ、且つニッケルめっき層に空隙が発生することもない。また、熱処理の時間は温度によもよるが、２〜６時間とすることができ、これによってニッケル粒子を十分に大径化することができる。
【００４１】
電解めっき法によりニッケルめっき層を設け、且つ熱処理する場合、ニッケルめっきの電流密度を０．１〜２．０Ａ／ｄｍ２としてニッケルめっき層を設け、且つ熱処理の温度を７００〜８８０℃とすることが好ましく、電流密度を０．３〜１．０Ａ／ｄｍ２とし、且つ熱処理の温度を８３０〜８８０℃とすることがより好ましく、電流密度を０．３〜１．０Ａ／ｄｍ２とし、且つ熱処理の温度を８４０〜８６０℃とすることが特に好ましい。電流密度と熱処理の温度とを上記のようにすることで、ニッケルめっき層及び金めっき層がともに焼け等を生じることがなく、且つ金粒子の平均粒径を容易に所定の範囲とすることができ、金めっき層と、金バンプ及び金ワイヤ等との接合性を十分に向上させることができる。
【００４２】
ニッケル粒子はニッケルめっき層を熱処理することで大径化することができ、熱処理したときは、ニッケル粒子の平均粒径は、１．００〜５．００μｍ、特に１．５０〜２．５０μｍとすることができる。このように、ニッケル粒子を大径化した場合は、ニッケルめっき層の表面に設けられる金めっき層を形成する金粒子の平均粒径を容易に所定の範囲とすることができるため好ましい。
【００４３】
金めっき層は０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２の電流密度で設けられる。この電流密度は０．３０〜１．００Ａ／ｄｍ２とすることが好ましい。この電流密度が０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２であれば、金粒子が大径化されて所定の平均粒径を有するものとなり、金めっき層と、電子部品に外部電極として設けられた金バンプ及び金ワイヤ等とを超音波接合する際に、各々の金粒子間の滑りを抑えることができ、それぞれの金粒子の表面を十分に平滑にすることができる。これにより、金めっき層と、金バンプ及び金ワイヤ等との接合性を向上させることができ、接合の信頼性を向上させることができる。
【００４４】
また、ニッケルめっき層を熱処理することで、ニッケル粒子が予め大径化されている場合、この熱処理の温度を７００〜８８０℃とし、且つ金めっきの電流密度を０．２０〜１．００Ａ／ｄｍ２することが好ましく、熱処理の温度を８３０〜８８０℃とし、且つ金めっきの電流密度を０．３０〜１．００Ａ／ｄｍ２することがより好ましく、熱処理の温度を８４０〜８８０℃とし、且つ金めっきの電流密度を０．３０〜１．００Ａ／ｄｍ２することが特に好ましい。ニッケルめっき層の熱処理の温度と金めっきの電流密度とを上記のようにすることで、ニッケルめっき層及び金めっき層がともに焼け及び空隙等を生じることがなく、且つ金粒子の平均粒径を容易に所定の範囲とすることができ、金めっき層と、金バンプ及び金ワイヤ等との接合性を十分に向上させることができる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
［１］セラミック配線基板の製造
（１）導体用スラリーの調製
１００質量部のタングステン粉末と、溶媒として５０質量部のアセトンと１７質量部のブチルカルビトールとを、樹脂製の内張りが施されたボールミルに投入し、アルミナ製の球石を用いて、１８時間混合し、粉砕した。その後、ボールミルに、有機バインダとして３質量部のエチルセルロースと、溶媒として１５質量部のアセトンと１２質量部のブチルカルビトールとを混合した有機ビヒクルを投入し、更に２０時間混合し、粉砕して導体用スラリーを調製した。
【００４６】
（２）未焼成アルミナシートの作製
セラミック原料粉末としてアルミナ粉末９２質量％、焼結助剤粉末として、ＳｉＯ２粉末４．５質量％、ＭｇＣＯ３粉末１．５質量％及びＴｉＯ２粉末２．０質量％［以下の他の成分の配合量は、各々のセラミック粉末の合計を１００質量部とした場合の値である。］、分散剤として２．０質量部のモノオレイン酸ソルビタン、溶媒として２０質量部のメチルエチルケトン及び１５質量部のトルエン、をボールミルに投入し、１６時間湿式混合した。その後、有機バインダとして１２質量部のポリビニルブチラール樹脂、可塑剤として４質量部のフタル酸ジオクチル、溶媒として２０質量部のメチルエチルケトン及び１５質量部のトルエン、を投入し、更に１６時間混合し、スラリーを調製した。次いで、このスラリーを用いてドクターブレード法によりシートを成形し、このシートを７０℃で６０分間乾燥して４枚の未焼成アルミナシートを作製した。
【００４７】
（３）未焼成配線パターンの形成及び未焼成積層体の作製
上記（１）で調製した導体用ペーストを、上記（２）で調製した未焼成アルミナシートのうちの１枚のシートの表面にスクリーン印刷して、未焼成配線パターンを形成した。また、この未焼成セラミックシートの未焼成配線パターンが形成された面に、所定位置にビアホールが形成され、このビアホールに上記（１）で調製した導体用スラリーがビア充填用ペーストとして充填された他の未焼成セラミックシートを積層し、この未焼成セラミックシートの表面に同様にして未焼成配線パターンを形成し、この操作を繰り返して４層の未焼成アルミナシート等からなる未焼成積層体を作製した。尚、最後に積層された未焼成アルミナシートの表面には未焼成配線パターンは形成しなかった。
【００４８】
（４）未焼成メタライズ層の形成
上記（３）で作製した未焼成積層体の表面のうちの未焼成ビア導体の端面を中心とする部分に、メタライズ組成物［上記（１）で調製した導体用ペーストを用いた。］をスクリーン印刷し、平面形状が正方形の未焼成メタライズ層を形成した。
【００４９】
（５）焼成
上記（３）で作製した、表面に未焼成メタライズ層が形成された未焼成積層体を、大気雰囲気下、１５５０℃で２時間保持して焼成した。このようにして、アルミナからなり、厚さ０．４ｍｍのセラミック基体、タングステンからなる厚さ８μｍの配線パターン、タングステンからなる直径１００μｍのビア導体、及びタングステンからなり、一辺が１００μｍの正方形であって、厚さ１００μｍのメタライズ層を備える焼成積層体を作製した。
【００５０】
（６）ニッケルめっき層の形成
上記（５）で作製した焼成積層体の表面に形成されたメタライズ層の表面に、通常の電解めっき法によりニッケルめっき層を形成した。このニッケルめっきの電流密度は０．５Ａ／ｄｍ２とした。また、この表面にニッケルめっき層が形成された焼成積層体を、８５０℃に設定されたシンター炉に収容し、４時間熱処理した。このようにして形成されたニッケルめっき層の厚さは４μｍであり、ニッケルめっき層を形成するニッケル粒子の前記の方法により測定した平均粒径は１．７μｍであった。
【００５１】
（７）金めっき層の形成
上記（６）で焼成積層体の表面に形成されたニッケルめっき層の表面に、通常の電解めっき法により金めっき層を形成した。この金めっきの電流密度は０．３３０Ａ／ｄｍ２とした。また、金めっき層の厚さは１．０μｍであり、金めっき層を形成する金粒子の前記の方法により測定した平均粒径は０．５９μｍであった。
このようにして、図１の模式図のようなセラミック配線基板を製造した。
【００５２】
［２］金めっきの電流密度及びニッケルめっき層の熱処理の有無による不良率の評価（図１０〜１９参照）
（１）試験体の作製
上記［１］、（２）と同様にして未焼成アルミナシートを８枚作製し、各々の未焼成アルミナシートの表面に、上記［１］、（１）と同様にして調製した導体用スラリーをスクリーン印刷し、未焼成メタライズ層を等間隔に１００個形成した。その後、これらの未焼成積層体を上記［１］、（５）と同様にして焼成し、厚さ０．１ｍｍのアルミナシート５の表面に、一辺が１００μｍの正方形であって、厚さ１００μｍのメタライズ層１１が形成された焼成積層体を４枚作製した。次いで、各々の未焼成積層体のメタライズ層１１の表面に上記［１］、（６）と同様にして厚さ４μｍのニッケルめっき層１２を形成した。
【００５３】
次いで、上記のようにしてメタライズ層１１の表面にニッケルめっき層１２が形成された４枚の焼成積層体のうちの２枚を、８５０℃に設定されたシンター炉に収容し、４時間熱処理した。その後、熱処理しない積層体及び熱処理した積層体のそれぞれ２枚のうちの１枚の積層体のニッケルめっき層１２の表面には０．０８３Ａ／ｄｍ２の電流密度で金めっきを施し、他の１枚の積層体のニッケルめっき層１２の表面には０．３３０Ａ／ｄｍ２の電流密度で金めっきを施した。このようにして、（１）ニッケルめっき層の熱処理をせず、且つ金めっきの電流密度が０．０８３Ａ／ｄｍ２である試験体（表１の実験例１）、（２）ニッケルめっき層の熱処理をせず、且つ金めっきの電流密度が０．３３０Ａ／ｄｍ２である試験体（表１の実験例２）、（３）ニッケルめっき層の熱処理をし、且つ金めっきの電流密度が０．０８３Ａ／ｄｍ２である試験体（表１の実験例３）、並びに（４）ニッケルめっき層の熱処理をし、且つ金めっきの電流密度が０．３３０Ａ／ｄｍ２である試験体（表１の実験例４）、の各々の試験体を作製した。尚、図４〜７は、各々の試験体の金めっき層を、走査型電子顕微鏡により観察し、撮影した写真を用いて金めっき層の表面の形態を表す説明図である。
【００５４】
（２）超音波接合及び不良率の評価
上記（１）で作製した各々の試験体を用いて、それぞれの金めっき層に金ワイヤをボンディングし、接合の良否を評価した。
試験体（図１０参照）を８０℃に設定されたヒータＨにアルミナシート５の側が接するようにして載置し、金めっき層１３の上方にキャピラリ７に挿通された直径３０μｍの試験用金ワイヤ６を誘導した（図１１参照）。その後、キャピラリ７を下降させて試験用金ワイヤ６の先端の直径７０μｍのボール部６２を金めっき層１３に当接させ、次いで、キャピラリ７を介してボール部６２に７０Ｎの押圧力を加えた状態で、１５マイクロ秒超音波を印加して、金めっき層１３とボール部６２とを接合させた（図１２参照）。その後、キャピラリ７を上昇させた（図１３参照）。このようにして接合させ、次いで、キャピラリ７を上昇させ、接合部分を拡大鏡により倍率１０倍で観察した。その結果、金めっき層１３とボール部６２とが接合されておれば接合性良好であり（図１４参照）、試験用金ワイヤ６がキャピラリ７とともに上昇しまうときは接合不良であり（図１５参照）、表１に「金ワイヤ未接合」と表記した。
【００５５】
上記のようにして、金めっき層１３とボール６２との接合性を評価し、金めっき層１３とボール部６２とが接合されて金接合部６３が形成されていた場合（図１４参照）、試験用金ワイヤ６のワイヤ部６１と金接合部６３とをカッター９により切断した（図１６参照）。その後、金めっき層１３の表面の金接合部６３にブレード８によりせん断力を加えた（図１７参照、この場合のブレード８の先端と金めっき層１３との間隙は１０μｍである。）。このようにして金接合部６３にせん断力を加え、接合部分を拡大鏡により倍率１０倍で観察した。その結果、金接合部６３が展延されて薄層となれば接合性良好であり（図１８参照）、せん断力により金接合部６３が金めっき層１３から剥離してしまうときは接合不良であり（図１９参照）、表１に「金ボール未接合」と表記した。
尚、この超音波接合における不良率の評価は、接合させ難い、即ち、接合不良となり易い接合条件での試験であり、通常の接合条件で評価した場合、実験例１〜４のいずれの場合も不良品はほとんど発生しない。このような厳しい条件で評価したときに、特に、実験例４程度の合計不良率となる場合は、通常の条件で接合した場合の不良率が０．０００１％以下となることが期待される。
【００５６】
【表１】
2006086480.tif 000003
【００５７】
表１及び図２０によれば、金めっきの電流密度が小さく、ニッケルめっき層の熱処理もしない実験例１では、合計不良率が各々７７％と高い。一方、金めっきの電流密度が大きく、ニッケルめっき層の熱処理をしない実験例２、並びに金めっきの電流密度は小さく、ニッケルめっき層の熱処理はした実験例３では、実験例１に比べて合計不良率は大きく低下しており、金めっきの電流密度を大きくすること、及びニッケルめっき層を熱処理すること、の効果が裏づけられている。更に、金めっき層の電流密度が大きく、且つニッケルめっき層を熱処理した実験例４では、合計不良率は実験例２及び３に比べて更に低下しており、金めっきの電流密度を大きくすることと、ニッケルめっき層を熱処理することとの相乗効果が裏付けられている。
【００５８】
尚、本発明においては、前記具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。例えば、前記の「超音波接合及び不良率の評価」において、ニッケルめっき層を８３０〜８７０℃、特に８４０〜８６０℃で熱処理し、且つ金めっきの電流密度を０．３０〜０．３６Ａ／ｄｍ２、特に０．３２〜０．３４Ａ／ｄｍ２として、金粒子の平均粒径を０．５０〜０．７０μｍ、特に０．５５〜０．６５μｍとした場合に、金ワイヤ未接合は発生せず、金ボール未接合及び合計不良率を２５％以下、特に１５％以下とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】表面に金めっき層を有する電極パッドを備えるセラミック配線基板の断面の模式図である。
【図２】図１のセラミック配線基板と、この配線基板にフリップチップ実装された電子部品との断面の模式図である。
【図３】図１のセラミック配線基板と、この配線基板にワイヤボンディング実装された電子部品との断面の模式図である。
【図４】ニッケルめっき層を熱処理せず、金めっきの電流密度を０．０８３Ａ／ｄｍ２として作製し、金めっき層の表面を走査型電子顕微鏡により倍率３０００倍で観察し、撮影した写真を用いた説明図である。
【図５】ニッケルめっき層を熱処理せず、金めっきの電流密度を０．３３Ａ／ｄｍ２と大きくして作製し、金めっき層の表面を走査型電子顕微鏡により倍率３０００倍で観察し、撮影した写真を用いた説明図である。
【図６】ニッケルめっき層を熱処理し、金めっきの電流密度を０．０８３Ａ／ｄｍ２として作製し、金めっき層の表面を走査型電子顕微鏡により倍率３０００倍で観察し、撮影した写真を用いた説明図である。
【図７】ニッケルめっき層を熱処理し、金めっきの電流密度を０．３３Ａ／ｄｍ２と大きくして作製し、金めっき層の表面を走査型電子顕微鏡により倍率３０００倍で観察し、撮影した写真を用いた説明図である。
【図８】ニッケルめっき層を熱処理せず、金めっきの電流密度を０．０８３Ａ／ｄｍ２として作製した電極パッドの断面を走査型電子顕微鏡により倍率２５０００倍で観察し、撮影した写真を用いた説明図である。
【図９】ニッケルめっき層を熱処理し、金めっきの電流密度を０．３３Ａ／ｄｍ２と大きくして作製した電極パッドの断面を走査型電子顕微鏡により倍率２５０００倍で観察し、撮影した写真を用いた説明図である。
【図１０】アルミナシートと、金めっき層を有する電極パッドとを備える接合性を評価するための試験体の断面の模式図である。
【図１１】図１０の試験体と、この試験体の電極パッドの金めっき層に接合される試験用金ワイヤ等との断面の模式図である。
【図１２】図１１において試験体の電極パッドの金めっき層に、試験用金ワイヤのボール部を当接させ、超音波と熱と荷重とを作用させている様子を表す模式図である。尚、下向きの矢印は、超音波と荷重とを作用させていることを意味するものである。
【図１３】超音波と熱と荷重とにより試験体の電極パッドの金メッキ層と試験用金ワイヤのボール部とを接合させる操作をした後の試験体等の断面の模式図である。
【図１４】試験体と、この試験体の電極パッドの金メッキ層に接合された試験用金ワイヤとの断面の模式図である。
【図１５】試験用金ワイヤが接合されなかった試験体の断面の模式図である。
【図１６】図１４のように試験体の電極パッドの金めっき層に接合された試験用金ワイヤのワイヤ部をボール部から切断している様子を表す模式図である。
【図１７】試験体の電極パッドの金めっき層に接合された金接合部に、金めっき層との間隙が１０μｍに調整されたブレードによってせん断力を加えている様子を表す模式図である。
【図１８】試験体の電極パッドの金めっき層と試験用金ワイヤのボール部とが十分に接合されており、せん断力を加えた後も金接合部が金めっき層に接合しており、展延されている様子を表す模式図である。
【図１９】試験体の電極パッドの金めっき層と試験用ワイヤのボール部との接合が不十分であり、せん断力により金接合部が金めっき層から剥離してしまった様子を表す模式図である。
【図２０】金めっき層を形成する条件と、金めっき層と試験用金ワイヤとが接合されなかった不良率との相関を表すグラフである。
【符号の説明】
【００６０】
１０１；セラミック配線基板、１；電極パッド、１１；メタライズ層、１２；ニッケルめっき層、１３；金めっき層、２；セラミック基体、３１；配線パターン、３２；ビア導体、４；電子部品、４１；外部電極、４２；金ワイヤ、４３；接合部、５；アルミナシート、６；試験用金ワイヤ、６１；ワイヤ部、６２；ボール部、６３；金接合部、６３１；金接合体が展延された金薄層、６３２；金めっき層から剥離した金接合体、７；キャピラリ、８；ブレード、９；カッター、Ｈ；ヒータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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