(57)【要約】【課題】  アンテナダメージを防止するためのレイアウト検証を効果的に行うことにより、効率的なレイアウトを実現し、半導体装置を小型化することを課題とする。【解決手段】  ビアを介してゲートに接続される配線を着目配線としてその着目配線とそれに隣接する配線との間隔を取得する間隔取得ステップ（Ｓ４０１）と、着目配線と隣接配線の間隔、ゲートの面積及び着目配線の面積に応じてアンテナ比を演算する演算ステップ（Ｓ４０２〜Ｓ４０４）と、アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する出力ステップ（Ｓ４０４）とを有するレイアウト検証方法が提供される。【選択図】        図４
2006086441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビアを介してゲートに接続される配線を着目配線としてその着目配線とそれに隣接する配線との間隔を取得する間隔取得ステップと、
前記間隔、前記ゲートの面積及び前記着目配線の面積に応じてアンテナ比を演算する演算ステップと、
前記アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する出力ステップと
を有するレイアウト検証方法。
【請求項２】
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値以上であるときのアンテナ比よりも小さい請求項１記載のレイアウト検証方法。
【請求項３】
前記着目配線とその両側の隣接配線との間隔が共に所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線とその片側の隣接配線との間隔のみが所定値未満であるときのアンテナ比よりも小さい請求項１記載のレイアウト検証方法。
【請求項４】
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値以上であるときのアンテナ比よりも小さく、
前記着目配線とその両側の隣接配線との間隔が共に所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線とその片側の隣接配線との間隔のみが所定値未満であるときのアンテナ比よりも小さい請求項１記載のレイアウト検証方法。
【請求項５】
前記アンテナ比は、前記着目配線の面積が大きいほど大きくなり、前記ゲートの面積が大きいほど小さくなる請求項１記載のレイアウト検証方法。
【請求項６】
前記アンテナ比は、前記間隔、前記着目配線の面積、前記着目配線に接続される保護素子の面積、及び前記ゲートの面積に応じて決まる請求項１記載のレイアウト検証方法。
【請求項７】
前記間隔及び前記着目配線の面積に応じた修正面積をＡ１とし、前記着目配線に接続される保護素子の面積をＡ２とし、前記ゲートの面積をＡ３としたとき、前記アンテナ比は、（Ａ１−Ａ２）／Ａ３で演算される請求項６記載のレイアウト検証方法。
【請求項８】
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときには前記隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を所定値狭くしてその着目配線の面積を前記修正面積Ａ１として演算し、その修正面積Ａ１を基に前記アンテナ比を演算する請求項７記載のレイアウト検証方法。
【請求項９】
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときには前記隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を所定割合狭くしてその着目配線の面積を前記修正面積Ａ１として演算し、その修正面積Ａ１を基に前記アンテナ比を演算する請求項７記載のレイアウト検証方法。
【請求項１０】
ビアを介してゲートに接続される配線を着目配線としてその着目配線とそれに隣接する配線との間隔を取得する間隔取得手段と、
前記間隔、前記ゲートの面積及び前記着目配線の面積に応じてアンテナ比を演算する演算手段と、
前記アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する出力手段と
を有するレイアウト検証装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レイアウト検証に関し、特にアンテナダメージを防止するためのレイアウト検証に関する。
【背景技術】
【０００２】
トランジスタのゲートに接続されるメタル配線は、プラズマエッチングにより加工される。メタル配線をプラズマエッチングする際に電荷が発生し、その電荷がそのメタル配線に接続されているトランジスタのゲートに蓄積する。これにより、ゲート酸化膜が破壊されたり、トランジスタ特性が劣化してしまう現象が発生する。この現象は、メタル配線が電荷を集積するアンテナの役目をしていることから、アンテナダメージと呼ばれている。
【０００３】
このアンテナダメージを防止する１つの方法として、メタル配線の面積を小さくことが有用である。設計時には、アンテナダメージを未然に防止するため、アンテナダメージ防止のためのレイアウト検証が行われる。下記の特許文献１の図１０には、アンテナダメージを防止するためのレイアウト検証方法が示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２８２８８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、アンテナダメージを防止するためのレイアウト検証を効果的に行うことにより、効率的なレイアウトを実現し、半導体装置を小型化することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、ビアを介してゲートに接続される配線を着目配線としてその着目配線とそれに隣接する配線との間隔を取得する間隔取得ステップと、着目配線と隣接配線の間隔、ゲートの面積及び着目配線の面積に応じてアンテナ比を演算する演算ステップと、アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する出力ステップとを有するレイアウト検証方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
着目配線と隣接配線の間隔が狭いときにはプラズマエッチングによる電荷が着目配線から隣接配線に流れ込み、着目配線の電荷量が少なくなるので、アンテナダメージが発生し難く、アンテナ比を小さくしてよい。着目配線と隣接配線の間隔に応じてアンテナ比を演算することにより、適切なアンテナ比を得ることができる。これにより、アンテナダメージを防止するためのレイアウト検証を効果的に行うことができるので、必要以上に着目配線に接続する保護素子の面積を大きくしなくてすむ。したがって、効率的なレイアウトを実現し、半導体装置を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（第１の実施形態）
図８（Ａ）は本発明の第１の実施形態によるレイアウト検証を行う対象となる半導体装置の断面図であり、図８（Ｂ）はその等価回路図である。半導体基板のｐ型領域８０１の表面には、ｎ型領域８０２、８０３及び８０９が設けられる。ｎ型領域８０２及び８０３は、それぞれ、ソース及びドレインであり、ソース端子８１２及びドレイン端子８１３に接続される。ｎ型領域８０２及び８０３間には、チャネル領域が形成される。そのチャネル領域の上には、ゲート酸化膜８０４が形成される。ゲート８０５は、ゲート酸化膜８０４の上に形成される。これらゲート８０５、ソース８０２及びドレイン８０３は、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ８２１を構成する。メタル配線８０７は、ビア８０６を介してゲート８０５に接続される。ゲート端子８１１は、メタル配線８０７及びビア８０６を介して、ゲート８０５に接続される。ｎ型領域８０９は、ビア８０８を介してメタル配線８０７に接続される。ｐ型領域８０１及びｎ型領域８０９は、ダイオード８２２を構成する。ｐ型領域８０１は、グランドに接続される。
【０００９】
メタル配線８０７のパターンを形成するにはプラズマエッチングが用いられる。メタル配線８０７は、ゲート８０５に接続され、ゲート酸化膜８０４により半導体基板と絶縁されているため、メタル配線８０７にプラズマ電荷が集まる。これにより、トランジスタ８２１のゲート酸化膜８０４に高電圧が印加される。この現象により、ゲート酸化膜８０４の破壊やトランジスタ特性の劣化が生じる。これがアンテナダメージである。
【００１０】
このアンテナダメージを防止するために、ダイオード８２２が設けられる。ゲート８０５にプラズマ電荷が所定量以上蓄積されると、ダイオード８２２に逆方向電流が流れ、プラズマ電荷がグランドに放出される。しかし、ダイオード８２２を設けても、メタル配線８０７の面積が大きすぎる場合や、ダイオード８２２の面積が小さすぎる場合には、アンテナダメージが発生してしまう。
【００１１】
また、半導体装置製造時のアンテナダメージを未然に防止するために、設計時のレイアウト検証により、アンテナダメージが発生するか否かを検証する。具体的には、以下のアンテナ比を演算し、アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージが発生するとしてアンテナダメージエラーを出力する。
【００１２】
例えば、メタル配線８０７の面積をＢ１とし、メタル配線８０７に接続される保護素子（ダイオード）８２２の面積をＢ２とし、ゲート８０５の面積をＢ３としたとき、アンテナ比は、（Ｂ１−Ｂ２）／Ｂ３で演算される。アンテナ比は、メタル配線８０７の面積Ｂ１が大きいほど大きくなり、ゲート８０５の面積Ｂ３が大きいほど小さくなる。
【００１３】
検証の結果、アンテナダメージエラーが出力された場合には、アンテナ比が小さくなるようにレイアウト設計変更を行う。例えば、メタル配線８０７の面積を小さくしたり、ダイオード８２２の面積を大きくする。ダイオード８２２の面積を大きくすることはアンテナダメージ防止のためには有効であるが、半導体装置全体の面積が大きくなってしまう欠点がある。
【００１４】
ここで、実際の半導体装置において、アンテナダメージは、メタル配線８０７とそれに隣接する配線との間隔に影響されることが経験的に分かった。その詳細を、図９（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら説明する。
【００１５】
図９（Ａ）はメタル配線の着目配線８０７のみが存在し、同一層内にそれに隣接する配線がない場合を示す図である。この場合、アンテナ比が例えば２０００以下であれば、アンテナダメージが発生しない。
【００１６】
図９（Ｂ）は同一層内においてメタル配線の着目配線８０７の片側のみにそれに隣接する配線９０１が存在する場合を示す図である。この場合、アンテナ比が例えば３０００以下であれば、アンテナダメージが発生しない。
【００１７】
図９（Ｃ）は同一層内においてメタル配線の着目配線８０７の両側にそれに隣接する配線９０２が存在する場合を示す図である。この場合、アンテナ比が例えば５０００以下であれば、アンテナダメージが発生しない。
【００１８】
以上のように、着目配線の近くに隣接配線が存在する場合には、着目配線から隣接配線にプラズマ電荷が流れ込み、着目配線の電荷量が少なくなるので、アンテナダメージが発生し難くなる。その結果、図９（Ａ）〜（Ｃ）の場合のアンテナ比は異なる値となる。通常、レイアウト検証を行う場合には、図９（Ａ）〜（Ｃ）の中で、一番厳しい条件である図９（Ａ）のアンテナ比の２０００を採用することが考えられる。隣接配線がどんな条件であろうと、アンテナ比が２０００以下であればアンテナダメージは発生しない。すなわち、レイアウト検証において、図９（Ａ）〜（Ｃ）の場合には、アンテナ比がすべて同じ値になり、アンテナ比が２０００を超えればアンテナダメージエラーが出力される。
【００１９】
しかし、実際には、図９（Ｂ）及び（Ｃ）では、もう少しアンテナダメージ検証の条件を緩くしても、アンテナダメージは発生しない。図９（Ｂ）及び（Ｃ）の場合も、図９（Ａ）の場合と同じく厳しいアンテナダメージ検証を行うので、必要以上にダイオード８２２の面積を大きくしなければならず、半導体装置の面積が大きくなってしまう問題が生ずる。以下、着目配線と隣接配線との間隔に応じて、アンテナダメージ検証を行う方法を説明する。
【００２０】
図１は、メタル配線層における着目配線とそれに隣接する配線との関係を示すレイアウトデータの図である。着目配線１１０は、図８（Ａ）のメタル配線８０７に対応し、幅がＺである。着目配線１１０の領域１０１では、図９（Ａ）に対応し、着目配線１１０とそれに隣接する配線１１１との間隔がＸ１であり、閾値Ｘ以上である。着目配線１１０の領域１０２では、図９（Ｂ）に対応し、着目配線１１０とその片側に隣接する配線１１２との間隔がＸ２であり、閾値Ｘ未満である。着目配線１１０の領域１０３では、図９（Ｃ）に対応し、着目配線１１０とその両側に隣接する配線１１３との間隔がＸ３であり、閾値Ｘ未満である。このレイアウトデータを基にアンテナダメージ検証を行う例を説明する。
【００２１】
図２は、図１のレイアウトデータのアンテナダメージ検証方法を説明するための図である。まず、着目配線１１０と隣接配線１１１〜１１３との間隔が閾値Ｘ未満であるときには、着目配線１１０と隣接配線１１１〜１１３との間の領域のエラーフラグを立てる。領域１０１では、着目配線１１０と隣接配線１１１との間隔Ｘ１が閾値Ｘ以上であるので、エラーフラグを立てない。領域１０２では、着目配線１１０と隣接配線１１２との間隔Ｘ２が閾値Ｘ未満であるので、着目配線１１０と隣接配線１１２との間の領域２０２のエラーフラグを立てる。領域１０３では、着目配線１１０と隣接配線１１３との間隔Ｘ３が閾値Ｘ未満であるので、着目配線１１０と隣接配線１１３との間の領域２０３のエラーフラグを立てる。
【００２２】
次に、エラーフラグが立っている領域２０２及び２０３を所定値Ｙ外方向に広げる。領域２０２を所定値Ｙ広げると、エラーフラグ領域２１２が形成される。領域２０３を所定値Ｙ広げると、エラーフラグ領域２１３が形成される。
【００２３】
図３は、図２に続く、アンテナダメージ検証方法を説明するための図である。図２の着目配線１１０のうちエラーフラグ領域２１２，２１３が重なる部分は、着目配線１１０の論理否定（ＮＯＴ）処理を行う。すなわち、着目配線１１０のうち、エラーフラグ領域２１２，２１３が重なる領域は着目配線１１０から削除する。
【００２４】
すなわち、着目配線１１０とその片側の隣接配線１１２との間隔Ｘ２のみが所定値Ｘ未満であるときには隣接配線１１２に対向する着目配線１１０の部分の配線幅を第１の幅Ｙ狭くする。着目配線１１０とその両側の隣接配線１１３との間隔Ｘ３が共に所定値Ｘ未満であるときには両側の隣接配線１１３に対向する着目配線１１０の部分の配線幅を第２の幅２×Ｙ狭くする。第２の幅は、第１の幅よりも広く、例えば２倍である。
【００２５】
領域１０１では着目配線１１０の幅Ｚは変わらず、領域１０２では着目配線１１０の幅ＺはＹ狭くなり、領域１０３では着目配線１１０の幅Ｚは２×Ｙ狭くなる。この処理後の着目配線１１０の面積をＢ１とし、上記のアンテナ比を演算する。アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する。
【００２６】
本実施形態では、アンテナ比は、着目配線及び隣接配線の間隔に応じて演算される。例えば、着目配線及び隣接配線の間隔と着目配線の面積とに応じた修正面積をＡ１とし、着目配線８０７に接続される保護素子（ダイオード）８２２の面積をＡ２とし、ゲート８０５の面積をＡ３としたとき、アンテナ比は、（Ａ１−Ａ２）／Ａ３で演算される。修正面積Ａ１は、図３の着目配線１１０の面積に対応する。
【００２７】
領域１０２及び１０３のように着目配線１１０と隣接配線１１２，１１３との間隔が所定値Ｘ未満であるときのアンテナ比は、領域１０１のように着目配線１１０と隣接配線１１１との間隔が所定値Ｘ以上であるときのアンテナ比よりも小さい。また、領域１０３のように着目配線１１０とその両側の隣接配線１１３との間隔が共に所定値Ｘ未満であるときのアンテナ比は、領域１０２のように着目配線１１０とその片側の隣接配線１１２との間隔のみが所定値Ｘ未満であるときのアンテナ比よりも小さい。
【００２８】
図４は、本実施形態による上記のアンテナダメージ検証の処理方法を示すフローチャートである。ステップＳ４０１では、着目配線及び隣接配線の間隔をチェックする。その間隔が閾値Ｘ未満であるときにはステップＳ４０２へ進み、閾値Ｘ以上であるときには着目配線の幅をそのままにしてステップＳ４０４へ進む。
【００２９】
ステップＳ４０２では、着目配線及び隣接配線の間の領域のエラーフラグを立てる。次に、そのエラーフラグ領域を所定値Ｙ外方向に広げる。次に、着目配線のうち、エラーフラグ領域が重なる領域を着目配線から削除するようにＮＯＴ処理を行う。
【００３０】
次に、ステップＳ４０３では、上記の処理後のレイアウトパターンの着目配線の面積をアンテナ比計算用の配線面積Ａ１とする。
【００３１】
次に、ステップＳ４０４では、配線面積Ａ１を基に上記のアンテナ比を演算する。アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力（表示）する。アンテナダメージエラーが出力された場合には、アンテナダメージの発生が予想されるので、レイアウトの設計変更を行う。
【００３２】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態によるアンテナダメージ検証方法を説明するための図である。本実施形態は、図１のレイアウトデータを基にアンテナダメージ検証を行う場合を例に説明する。
【００３３】
領域１０１において、着目配線とその隣接配線１１１との間隔Ｘ１が所定値Ｘ以上であるときには、着目配線１１０の幅Ｚを変更しない。領域１０２において着目配線１１０とその片側の隣接配線１１２との間隔Ｘ２のみが所定値Ｘ未満であるときには隣接配線１１２に対向する着目配線１１０の部分の配線幅Ｚを第１の割合ａ％狭くする。領域１０３において、着目配線１１０とその両側の隣接配線１１３との間隔Ｘ３が共に所定値Ｘ未満であるときには両側の隣接配線１１３に対向する着目配線１１０の部分の配線幅Ｚを第２の割合（２×ａ）％狭くする。第２の割合は、第１の割合よりも大きく、例えば２倍である。
【００３４】
領域１０１では着目配線１１０の幅Ｚは変わらず、領域１０２では着目配線１１０の幅Ｚはａ％狭くなり、領域１０３では着目配線１１０の幅Ｚは（２×ａ）％狭くなる。この処理後の着目配線１１０の面積を修正面積Ａ１とし、上記のアンテナ比を演算する。アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する。
【００３５】
図６は、本実施形態による上記のアンテナダメージ検証の処理方法を示すフローチャートである。ステップＳ６０１では、着目配線及び隣接配線の間隔をチェックする。その間隔が閾値Ｘ未満であるときにはステップＳ６０２へ進み、閾値Ｘ以上であるときには着目配線の幅をそのままにしてステップＳ６０４へ進む。
【００３６】
ステップＳ６０２では、着目領域とその片側の隣接配線との間隔のみがＸ未満であるときには、その隣接配線に対向する着目配線の領域の配線幅をａ％縮める処理をする。また、着目領域とその両側の隣接配線との間隔がＸ未満であるときには、その隣接配線に対向する着目配線の領域の配線幅を（２×ａ）％縮める処理をする。
【００３７】
次に、ステップＳ６０３では、上記の処理後のレイアウトパターンの着目配線の面積をアンテナ比計算用の配線面積Ａ１とする。
【００３８】
次に、ステップＳ６０４では、配線面積Ａ１を基に上記のアンテナ比を演算する。アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力（表示）する。アンテナダメージエラーが出力された場合には、アンテナダメージの発生が予想されるので、レイアウトの設計変更を行う。
【００３９】
（第３の実施形態）
図７は、上記のアンテナダメージ検証を含むレイアウト検証を行うコンピュータのハードウエア構成例を示すブロック図である。このコンピュータは、ＣＡＤ（computer-aided design）により半導体装置のレイアウトデータを作成することができる。バス７０１には、中央処理装置（ＣＰＵ）７０２、ＲＯＭ７０３、ＲＡＭ７０４、ネットワークインタフェース７０５、入力装置７０６、出力装置７０７及び外部記憶装置７０８が接続されている。
【００４０】
ＣＰＵ７０２は、データの処理及び演算を行うと共に、バス７０１を介して接続された上記の構成ユニットを制御するものである。ＲＯＭ７０３には、予めブートプログラムが記憶されており、このブートプログラムをＣＰＵ７０２が実行することにより、コンピュータが起動する。外部記憶装置７０８にコンピュータプログラムが記憶されており、そのコンピュータプログラムがＲＡＭ７０４にコピーされ、ＣＰＵ７０２により実行される。このコンピュータは、コンピュータプログラムを実行することにより、図４又は図６のアンテナダメージ検証の処理等を行う。
【００４１】
外部記憶装置７０８は、例えばハードディスク記憶装置等であり、電源を切っても記憶内容が消えない。外部記憶装置７０８は、コンピュータプログラム及びレイアウトデータ等を記録媒体に記録したり、記録媒体からコンピュータプログラム等を読み出すことができる。
【００４２】
ネットワークインタフェース７０５は、ネットワークに対してコンピュータプログラム及びレイアウトデータ等を入出力することができる。入力装置７０６は、例えばキーボード及びポインティングデバイス（マウス）等であり、各種指定又は入力等を行うことができる。出力装置７０７は、ディスプレイ及びプリンタ等であり、アンテナダメージエラー等を表示又は印刷することができる。
【００４３】
本実施形態は、コンピュータがプログラムを実行することによって実現することができる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体等のコンピュータプログラムプロダクトも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びコンピュータプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。記録媒体としては、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。
【００４４】
以上のように、第１〜第３の実施形態によれば、まず、ビアを介してゲートに接続される配線を着目配線としてその着目配線とそれに隣接する配線との間隔を取得する。次に、着目配線及び隣接配線の間隔、ゲートの面積及び着目配線の面積に応じてアンテナ比を演算する。次に、アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する。
【００４５】
着目配線と隣接配線の間隔が狭いときにはプラズマエッチングによる電荷が着目配線から隣接配線に流れ込み、着目配線の電荷量が少なくなるので、アンテナダメージが発生し難く、アンテナ比を小さくしてよい。着目配線と隣接配線の間隔に応じてアンテナ比を演算することにより、適切なアンテナ比を得ることができる。これにより、アンテナダメージを防止するためのレイアウト検証を効果的に行うことができるので、必要以上に着目配線に接続する保護素子の面積を大きくしなくてすむ。したがって、効率的なレイアウトを実現し、半導体装置（半導体チップ）を小型化することができる。
【００４６】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【００４７】
本発明の実施形態は、例えば以下のように種々の適用が可能である。
【００４８】
（付記１）
ビアを介してゲートに接続される配線を着目配線としてその着目配線とそれに隣接する配線との間隔を取得する間隔取得ステップと、
前記間隔、前記ゲートの面積及び前記着目配線の面積に応じてアンテナ比を演算する演算ステップと、
前記アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する出力ステップと
を有するレイアウト検証方法。
（付記２）
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値以上であるときのアンテナ比よりも小さい付記１記載のレイアウト検証方法。
（付記３）
前記着目配線とその両側の隣接配線との間隔が共に所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線とその片側の隣接配線との間隔のみが所定値未満であるときのアンテナ比よりも小さい付記１記載のレイアウト検証方法。
（付記４）
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値以上であるときのアンテナ比よりも小さく、
前記着目配線とその両側の隣接配線との間隔が共に所定値未満であるときのアンテナ比は、前記着目配線とその片側の隣接配線との間隔のみが所定値未満であるときのアンテナ比よりも小さい付記１記載のレイアウト検証方法。
（付記５）
前記アンテナ比は、前記着目配線の面積が大きいほど大きくなり、前記ゲートの面積が大きいほど小さくなる付記１記載のレイアウト検証方法。
（付記６）
前記アンテナ比は、前記間隔、前記着目配線の面積、前記着目配線に接続される保護素子の面積、及び前記ゲートの面積に応じて決まる付記１記載のレイアウト検証方法。
（付記７）
前記保護素子は、ダイオードである付記６記載のレイアウト検証方法。
（付記８）
前記間隔及び前記着目配線の面積に応じた修正面積をＡ１とし、前記着目配線に接続される保護素子の面積をＡ２とし、前記ゲートの面積をＡ３としたとき、前記アンテナ比は、（Ａ１−Ａ２）／Ａ３で演算される付記６記載のレイアウト検証方法。
（付記９）
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときには前記隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を所定値狭くしてその着目配線の面積を前記修正面積Ａ１として演算し、その修正面積Ａ１を基に前記アンテナ比を演算する付記８記載のレイアウト検証方法。
（付記１０）
前記着目配線とその片側の隣接配線との間隔のみが所定値未満であるときには前記隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を第１の幅狭くし、前記着目配線とその両側の隣接配線との間隔が共に所定値未満であるときには前記両側の隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を前記第１の幅より広い第２の幅狭くしてその着目配線の面積を前記修正面積Ａ１として演算し、その修正面積Ａ１を基に前記アンテナ比を演算する付記９記載のレイアウト検証方法。
（付記１１）
前記第２の幅は、前記第１の幅の２倍の広さである付記１０記載のレイアウト検証方法。
（付記１２）
前記着目配線と前記隣接配線との間隔が所定値未満であるときには前記隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を所定割合狭くしてその着目配線の面積を前記修正面積Ａ１として演算し、その修正面積Ａ１を基に前記アンテナ比を演算する付記８記載のレイアウト検証方法。
（付記１３）
前記着目配線とその片側の隣接配線との間隔のみが所定値未満であるときには前記隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を第１の割合狭くし、前記着目配線とその両側の隣接配線との間隔が共に所定値未満であるときには前記両側の隣接配線に対向する前記着目配線の部分の配線幅を前記第１の割合より大きい第２の割合狭くしてその着目配線の面積を前記修正面積Ａ１として演算し、その修正面積Ａ１を基に前記アンテナ比を演算する付記１２記載のレイアウト検証方法。
（付記１４）
前記第２の割合は、前記第１の割合の２倍である付記１３記載のレイアウト検証方法。
（付記１５）
ビアを介してゲートに接続される配線を着目配線としてその着目配線とそれに隣接する配線との間隔を取得する間隔取得手段と、
前記間隔、前記ゲートの面積及び前記着目配線の面積に応じてアンテナ比を演算する演算手段と、
前記アンテナ比が所定値を超える場合にはアンテナダメージエラーを出力する出力手段と
を有するレイアウト検証装置。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施形態によるメタル配線層における着目配線とそれに隣接する配線との関係を示すレイアウトデータの図である。
【図２】第１の実施形態によるアンテナダメージ検証方法を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態によるアンテナダメージ検証方法を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態によるアンテナダメージ検証の処理方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の第２の実施形態によるアンテナダメージ検証方法を説明するための図である。
【図６】第２の実施形態によるアンテナダメージ検証の処理方法を示すフローチャートである。
【図７】アンテナダメージ検証を含むレイアウト検証を行うコンピュータのハードウエア構成例を示すブロック図である。
【図８】図８（Ａ）はレイアウト検証を行う対象となる半導体装置の断面図であり、図８（Ｂ）はその等価回路図である。
【図９】図９（Ａ）〜（Ｃ）はメタル配線層の着目配線及びその隣接配線の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１０  着目配線
１１１〜１１３  隣接配線
７０１  バス
７０２  ＣＰＵ
７０３  ＲＯＭ
７０４  ＲＡＭ
７０５  ネットワークインタフェース
７０６  入力装置
７０７  出力装置
７０８  外部記憶装置
８０１  ｐ型領域
８０２  ソース
８０３  ドレイン
８０４  ゲート酸化膜
８０５  ゲート
８０６，８０８  ビア
８０７  メタル配線
８０９  ｎ型領域
８２１  トランジスタ
８２２  ダイオード
【図１】
2006086441.tif 000003
【図２】
2006086441.tif 000004
【図３】
2006086441.tif 000005
【図４】
2006086441.tif 000006
【図５】
2006086441.tif 000007
【図６】
2006086441.tif 000008
【図７】
2006086441.tif 000009
【図８】
2006086441.tif 000010
【図９】
2006086441.tif 000011