(57)【要約】    【課題】  製造工程中の様々な衝撃等により、ブレイク溝を起点とした所望でない割れが生じ難く、かつ子基板に分割するに際しては、容易にかつ確実に分割することを可能とする集合基板を得る。    【解決手段】  少なくとも一方の主面１ｂにおいて、複数の子基板１ｃの境界部にブレイク溝１ａが形成されている集合基板本体１と、集合基板本体１のブレイク溝１ａ内において、ブレイク溝を平面視した場合該ブレイク溝の少なくとも一部に配置されるように、かつブレイク溝の底部に空間１ｄを残すように補強材８が設けられている、集合基板。【選択図】      図１
2006086221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方主面において、複数の子基板の境界部分にブレイク溝が形成されている集合基板本体と、
前記ブレイク溝を平面視した場合該ブレイク溝の少なくとも一部において、該ブレイク溝の底部に空間を残すように設けられている補強材とを備えることを特徴とする集合基板。
【請求項２】
前記補強材が樹脂からなることを特徴とする、請求項１に記載の集合基板。
【請求項３】
複数の子基板が面方向に沿って連ねられて一体化されており、少なくとも一方主面において前記子基板間の境界部分にブレイク溝が形成されている集合基板本体を用意する工程と、
前記ブレイク溝の底部に空間を残すように、かつ該ブレイク溝を平面視した場合、該ブレイク溝の少なくとも一部に配置されるように補強材を形成する工程とを備えることを特徴とする、集合基板の製造方法。
【請求項４】
前記補強材をブレイク溝に形成するに際し、流体状の樹脂をブレイク溝に注入し、硬化させる、請求項３に記載の集合基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の集合基板を用意する工程と、
前記集合基板の集合基板本体の少なくとも一方主面に電子部品を搭載する工程と、
前記電子部品を搭載した後に、集合基板をブレイク溝に沿ってブレイクし、各子基板単位に分割する工程とを備える、電子部品搭載基板の製造方法。
【請求項６】
前記電子部品を覆うようにケースを集合基板本体に搭載する工程をさらに備える、請求項５に記載の電子部品搭載基板の製造方法。                                                                        
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の子基板が面方向に連ねられて一体化されており、後工程で各子基板にブレイクされる集合基板及びその製造方法に関し、より詳細には、該集合基板をブレイクするための構造が改良されている集合基板及びその製造方法並びに電子部品搭載基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に様々な電子部品が搭載されている電子部品搭載基板は、以下のようにして製造されていた。先ず、ブレイク溝が形成された集合基板を用意する。次に、該集合基板内の各子基板上に、表面実装されるチップ型電子部品や、ボンディングワイヤなどにより基板上の電極と接合されるベアチップ型電子部品などを実装する。次に、これらの電子部品を保護するために、金属などからなるケースを各子基板上に固定する。しかる後、ブレイク溝に沿って集合基板をブレイクする。
【０００３】
しかしながら、表面実装型電子部品の実装の際の衝撃、ＩＣなどのベアチップ型電子部品実装時の加熱による反りの矯正のために加えられる力、ワイヤボンディングを行う際の衝撃、あるいはケース搭載時の衝撃などにより、ブレイク溝を起点として所望でない割れが生じることがあった。
【０００４】
上記のような所望でない割れを防止するために、下記の特許文献１には、割れ防止用導体膜を用いた集合基板が開示されている。図１０（ａ）及び（ｂ）は、特許文献１に記載の集合基板の平面図及びその要部を示す模式的部分切欠正面断面図である。
【０００５】
集合基板１０１では、上面に、複数の子基板１０１ａに分割するための複数本のブレイク溝１０１ｂ，１０１ｃが形成されている。複数本のブレイク溝１０１ｂと、複数本のブレイク溝１０１ｃとは、互いに直交するように延ばされている。他方、図１０（ｂ）に示されているように、ブレイク溝１０１ｃが設けられている部分の下方には、割れ防止用導体膜１０２，１０３が積層されている。割れ防止用導体膜１０２，１０３は、ブレイク溝１０１ｃの下方において、ブレイク溝１０１ｃの両側に至るように配置されている。
【０００６】
従って、上記のような様々な衝撃が加わった場合でも、ブレイク溝１０１ｃに沿って所望でない割れが生じ難いとされている。
【０００７】
他方、集合基板の割れを防止するものではないが、下記の特許文献２には、ブレイク溝の対向部分を樹脂等で封止した構造が開示されている。すなわち、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、特許文献２に記載の集合基板２０１では、複数の子基板２０１ａが縦方向及び横方向にブレイク溝２０１ｃを介して連ねられている。ここでは、ブレイク溝２０１ｃが、樹脂層２０２で被覆されている。この樹脂層２０２を設けることにより、めっき処理時のマスキングテープを集合基板２０１の下面に強固に密着させることができ、集合基板２０１とマスキングテープとの間の隙間をなくすことができるとされている。そして、それによって、めっき液の厚膜回路２０４側への侵入が防止されると記載されている。
【特許文献１】特開２００１−２５１０２４号公報
【特許文献２】特開２００３−１０１１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の集合基板１０１では、基板内に割れ防止用導体膜１０２，１０３が配置されて、ブレイク溝１０１ｃを起点とした所望でない割れの抑制が図られていた。しかしながら、このような構造では、上述した各種衝撃の強度が比較的大きかった場合には、割れを確実に抑制することはできなかった。
【０００９】
他方、特許文献２に記載の構成では、ブレイク溝２０１ｃが樹脂層２０２で被覆されているものの、この樹脂層２０２は、あくまでもマスキングテープに密着させるために設けられているものにすぎなかった。従って、樹脂層２０２を構成する材料はこのような観点から選ばれており、上述した各種衝撃が加わった際に、ブレイク溝２０１ｃを起点として所望でない割れを抑制し得るものでは必ずしもなかった。
【００１０】
また、特許文献２に記載のように、ブレイク溝２０１ｃにおいて、機械的強度に優れた樹脂により樹脂層２０２を構成した場合には、マスキングテープとの密着力が低下し、特許文献２に記載の発明の目的である、めっき液の侵入を確実に防止することができないおそれがある。
【００１１】
上記のように、従来の集合基板では、様々な製造工程で加わる衝撃によりブレイク溝を起点として所望でない割れが生じることを防止することは困難であった。もっとも、このような割れを抑制するには、所望でない割れが生じ難いようにブレイク溝の深さを浅くしたりする方法等も考えられる。しかし、ブレイク溝を起点とした割れを過度に抑制した場合には、集合基板を複数の子基板に分割する際のブレイク工程において集合基板を確実にブレイク溝に沿って分割することができなくなる。
【００１２】
よって、本発明の目的は、様々な衝撃による、ブレイク溝を起点とした所望でない割れを効果的に抑制することができ、しかも複数の子基板への分割に際してはブレイク溝に沿って確実に分割され得る集合基板、並びに該集合基板の製造方法及び該集合基板を用いた電子部品搭載基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のある広い局面によれば、少なくとも一方主面において、複数の子基板の境界部分にブレイク溝が形成されている集合基板本体と、前記ブレイク溝を平面視した場合該ブレイク溝の少なくとも一部において、該ブレイク溝の底部に空間を残すように設けられている補強材とを備えることを特徴とする集合基板が提供される。
【００１４】
上記補強材としては、好ましくは樹脂からなる補強材が用いられる。
【００１５】
本発明に係る集合基板の製造方法は、複数の子基板が面方向に沿って連ねられて一体化されており、少なくとも一方主面において前記子基板間の境界部分にブレイク溝が形成されている集合基板本体を用意する工程と、前記ブレイク溝の底部に空間を残すように、かつ該ブレイク溝を平面視した場合、該ブレイク溝の少なくとも一部に配置されるように補強材を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る集合基板の製造方法のある特定の局面では、前記補強材をブレイク溝に形成するに際し、流体状の樹脂をブレイク溝に注入し、硬化させることにより補強材を形成する。
【００１７】
本発明に係る電子部品搭載基板の製造方法は、本発明に係る集合基板を用意する工程と、前記集合基板の集合基板本体の少なくとも一方主面に電子部品を搭載する工程と、前記電子部品を搭載した後に、集合基板をブレイク溝に沿ってブレイクし、複数の子基板に分割する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る電子部品搭載基板の製造方法のある特定の局面では、前記電子部品の少なくとも一部を覆うようにケースを集合基板本体に搭載する工程がさらに備えられている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る集合基板では、集合基板本体の少なくとも一方主面において、複数の子基板の境界部分にブレイク溝が形成されており、該ブレイク溝内に、ブレイク溝の底部に空間を残すように補強材が設けられている。従って、上記補強材の存在により、集合基板に様々な衝撃が加わったとしても、ブレイク溝を起点とした所望でない割れが生じ難い。すなわち、補強材により、所望でない上記割れを抑制することが可能とされている。
【００２０】
そして、集合基板を、複数の子基板にブレイク溝に沿って分割するに際しては、該ブレイク溝内に設けられた補強材の下方には上記空間が残存しているため、該空間の存在により確実にかつ容易にブレイク溝を起点として集合基板を分割することができる。
【００２１】
よって、本発明の集合基板では、上記ブレイク溝の底部に空間を残すようにブレイク溝に補強材が設けられているため、集合基板や電子部品搭載基板の製造に際しての様々な段階における衝撃によるブレイク溝を起点とした所望でない割れを確実に抑制することができ、他方、集合基板を複数の子基板に分割するに際しては、ブレイク溝に沿って確実に集合基板を分割することができる。
【００２２】
上記補強材が樹脂からなる場合には、一般に集合基板材料として用いられるセラミックスなどに比べて適度な弾性を有するため、補強材による良好な補強効果を得ることができる。また、樹脂からなる補強材の場合には、樹脂を溶融もしくは軟化させた状態でブレイク溝に注入し、硬化させることによりブレイク溝に補強材を容易に配置することができる。
【００２３】
本発明に係る集合基板の製造方法では、集合基板本体のブレイク溝の底部に空間を残すように、かつブレイク溝を平面視した場合、該ブレイク溝の少なくとも一部に配置されるように補強材が形成される。従って、本発明の集合基板を該製造方法に従って得ることができ、それによって製造工程時等に加わる衝撃による所望でない割れを確実に抑制することができるとともに、複数の子基板に確実に分割することができる集合基板を提供することが可能となる。
【００２４】
上記補強材をブレイク溝に形成するに際し、流体状の樹脂をブレイク溝に注入し、硬化させることにより補強材を形成する場合には、流体状の樹脂をブレイク溝に注入する操作を容易に行うことができるため、補強材を容易に形成することができる。特に、流体状の樹脂の粘度や注入時の圧力や樹脂の粒径を制御するだけで、補強材の下方に空間を残すように、補強材を確実に形成することができる。
【００２５】
本発明に係る電子部品搭載基板の製造方法では、本発明の集合基板を用意した後に、該集合基板本体の少なくとも一方主面に電子部品を搭載し、電子部品を搭載した後に、集合基板をブレイク溝に沿ってブレイクすることにより、子基板単位の電子部品搭載基板が得られる。従って、集合基板において、ブレイク溝の少なくとも一部に上記補強材がブレイク溝の底部に空間を残すように形成されているので、各工程における様々な衝撃によりブレイク溝を起点として所望でない割れが生じ難い。しかも、上記補強材の下方に空間が存在しているため、上記集合基板をブレイク溝に沿って確実にブレイクすることにより、個々の電子部品搭載基板を確実にかつ安定に得ることができる。
【００２６】
本発明に係る電子部品搭載基板の製造方法において、電子部品の少なくとも一部を覆うようにケースを集合基板に搭載する工程をさらに備える場合には、本発明に従って、ケース内に電子部品が囲繞されている構造の電子部品搭載基板を提供することが可能となる。また、上記ケースとして金属ケースを各子基板上に接合する際には、比較的大きな衝撃が加わるが、このような衝撃が加わったとしても、ブレイク溝を起点とした所望でない割れを確実に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２８】
図１（ａ），（ｂ）〜図４を参照して、本発明の第１の実施形態に係る集合基板及び電子部品搭載用基板の製造方法を説明する。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、本実施形態では、集合基板本体１をまず用意する。集合基板本体１は、本実施形態では、複数枚のセラミックグリーンシートを積層し、焼成することにより得られている。より具体的には、セラミックグリーンシートに、ビアホール電極を形成するための穴をパンチングもしくはレーザー加工により形成する。この穴に、導電ペーストを充填し、ビアホール電極を形成する。ビアホール電極が形成されたセラミックグリーンシートの表面に導電ペーストをスクリーン印刷し、配線パターンを形成する。このようにして、ビアホール電極及び配線パターンが形成されたセラミックグリーンシートを得る。
【００３０】
また、同様にして、配線パターンのみが形成されたセラミックグリーンシート、ビアホール電極のみが形成されたセラミックグリーンシート、電極が形成されていないセラミックグリーンシートなどを用意する。上記のような種々のセラミックグリーンシートを適宜の枚数積層し、積層体を得る。この積層体を圧着した後、適宜スルーホール加工等を施す。
【００３１】
また、ブレイク溝を形成するために、上記積層体の少なくとも一方面に溝を形成する。しかる後、上記積層体を焼成することにより、集合基板本体１が得られる。
【００３２】
集合基板本体１では、上面１ｂ上に、複数本のブレイク溝１ａが形成されている。このブレイク溝１ａは、最終的に分割される複数の子基板１ｃ，１ｃの境界に設けられている。本実施形態では、複数の子基板１ｃは、平面視した場合に、縦方向及び横方向にマトリックス状に配置されている。そして、隣り合う子基板１ｃ，１ｃ間に、ブレイク溝１ａが形成されている。
【００３３】
本実施形態では、ブレイク溝１ａは、断面Ｖ字状であるが、断面Ｕ字状などの形状を有していてもよい。すなわち、ブレイク溝１ａは、開口部から深さ方向に進むにつれて、幅が狭くなる断面形状を有する限り適宜の形状とされ得る。
【００３４】
上記集合基板本体１を構成するセラミック材料は特に限定されず、アルミナなどの絶縁性セラミックスを用いることができる。
【００３５】
図１（ａ）では、集合基板本体１内のビアホール電極等の図示は省略されている。もっとも、集合基板本体１の上面には、配線パターンとして電極ランド２ａ，２ｂ，３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂが形成されている。
【００３６】
次に、電極ランド２ａ，２ｂ上に、フリップチップボンディング工法により、電子部品５を実装する。電子部品５では、下面に金属バンプ５ａ，５ｂが接合されている。この金属バンプ５ａ，５ｂが、電極ランド２ａ，２ｂに半田などを用いて接合されている。
【００３７】
他方、電子部品５の側方においては、表面実装型の電子部品６を、上記電極ランド３ａ，３ｂに表面実装する。
【００３８】
次に、図１（ｂ）に示すように、フリップチップボンディング工法により搭載された電子部品５の下方の空間を充填するように、樹脂層７を形成する。同時に、ブレイク溝１ａ，１ｂ内に、樹脂層７と同じ樹脂により補強材８を形成する。この樹脂層７及び補強材８を構成する樹脂は、同一であるが、異なる樹脂により構成されてもよい。
【００３９】
本実施形態では、上記樹脂として流体状のエポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂が用いられ、以下の方法により付与する。すなわち、流体状の樹脂を、例えばディスペンサーから吐出し、樹脂層７を形成する部分に塗布するとともに、ブレイク溝１ａ内に注入する。この場合の樹脂の粘度及び注入圧力を制御することにより、ブレイク溝１ａの底部に空間１ｄを残すように樹脂を注入することができる。
【００４０】
しかる後、上記樹脂を硬化することにより、樹脂層７及び補強材８が形成される。樹脂の硬化方法は特に限定されず、湿気硬化、光や熱を付与することによる硬化方法など、樹脂に応じた適宜の方法を用いることができる。
【００４１】
図１（ｂ）に示すように、補強材８は、ブレイク溝１ａにおいて、ブレイク溝の底部に空間１ｄを残すようにブレイク溝１ａに形成されている。なお、図２に模式的平面図で示すように、ブレイク溝１ａにおいて、補強材８は、平面視した場合、部分的に設けられている。もっとも、補強材８は、ブレイク溝１ａの全長にわたり形成されてもよい。すなわち、補強材８は、ブレイク溝を平面視した場合、その少なくとも一部に形成されればよい。また、補強材８は、子基板の最も強度の低い１辺に少なくとも存在すればよい。本実施形態の集合基板は、上記ブレイク溝１ａに補強材８が形成されている構造を有することを特徴とする。
【００４２】
図３（ａ）に示すように、次に、電極ランド４ａ，４ｂ間の領域に、マウンターを用いてベアチップ型の電子部品９を搭載する。電子部品９を、ボンディングワイヤ１０ａ，１０ｂにより、電極ランド４ａ，４ｂに電気的に接続する。
【００４３】
次に、上記電子部品９を覆うように、樹脂層１１を付与し、硬化させることにより、電子部品９を保護する。
【００４４】
しかる後、図３（ｂ）に示すように、各子基板１ｃ上に、下方に開いた開口を有する金属ケース１２をマウンターにより搭載し、接着剤（図示せず）もしくははんだを用いて固定する。このようにして、子基板１ｃと金属ケース１２とで覆われた空間に、前述した複数の電子部品５，６，９が封止されたことになる。
【００４５】
上記ベアチップ型電子部品９の搭載、ボンディングワイヤ１０ａ，１０ｂによる接合作業、並びに金属ケース１２の搭載に際しては、集合基板本体１に比較的大きな衝撃が加わる。しかしながら、ブレイク溝１ａ内には、補強材８が形成されているため、これらの衝撃により、ブレイク溝１ａを起点とした所望でない割れは生じ難い。
【００４６】
最後に、集合基板１をブレイク溝１ａに沿って分割すればよい。この分割に際しては、補強材８が存在するものの、補強材８の下方に空間１ｄが存在しているため、前述した衝撃よりも若干大きな力を加えるだけで、集合基板１を、複数の子基板１ｃに確実に分割することができる。よって、図４に示すように、子基板１ｃ上に、金属ケースが固定されたキャップ付きの電子部品を本実施形態に従って安定にかつ高い歩留りで提供することが可能となる。
【００４７】
なお、本願発明者の実験によれば、上記補強材８を設けなかった従来法では、製造工程に途中でブレイク溝１ａを起点とした所望でない割れが約３％程度生じていたのに対し、本実施形態では、このような所望でない割れを０．１％に低減し得ることが確かめられている。
【００４８】
また、従来、樹脂層７のように、フリップチップ工法により搭載される電子部品５の近傍にブレイク溝１ａを配置することはできなかった。これは、フリップチップ工法により電子部品５を搭載する工程や、樹脂層７をアンダーフィル層として形成する工程において比較的大きな衝撃が集合基板本体に加わるため、このような電子部品５の近傍にブレイク溝１ａを配置することができなかったことによる。
【００４９】
しかしながら、本実施形態では、上記のように、ブレイク溝１ａを、電子部品５の近傍に配置することができる。これは、ブレイク溝１ａに補強材８を構成する樹脂を注入する工程を樹脂層７を構成するための樹脂の塗布と同一工程で行うことができることによる。従って、本実施形態によれば、アンダーフィル層としての樹脂層７を形成する必要がある電子部品において、電子部品の小型化を図ることができる。
【００５０】
なお、本実施形態では集合基板本体１の一方主面としての１ｂ側にのみブレイク側１ａが形成されていたが、図１（ｂ）に想像線で示すように、他方主面である下面側にもブレイク溝Ａを設け、該ブレイク溝Ａに、補強材Ｂをブレイク溝Ａの底部に空間を残すように形成してもよい。
【００５１】
図５（ａ），（ｂ）及び図６（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施形態の電子部品搭載基板の製造方法を説明するための各部分切欠正面断面図である。
【００５２】
本実施形態では、図５（ａ）に示すように、図１（ａ）に示した集合基板本体１と同様の集合基板本体２１を用意する。集合基板本体２１は、集合基板本体１と同様にして得られ、かつ上面２１ｂにブレイク溝２１ａ，２１ａを有する。ブレイク溝２１ａは、隣り合う子基板２１ｃの境界に設けられている。
【００５３】
本実施形態では、集合基板本体２１の上面には、電極ランド２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂが形成されている。
【００５４】
そして、まず、電極ランド２２ａ，２２ｂ上に、フリップチップボンディング工法により電子部品５が実装されている。電子部品５は、図１に示した電子部品５と同様に、下面に金属バンプ５ａ，５ｂを有する。金属バンプ５ａ，５ｂが、電極ランド２２ａ，２２ｂに半田などを用いて接合される。
【００５５】
他方、表面実装型の電子部品６が、電極ランド２３ａ，２３ｂ上にリフロー半田法により実装されている。もっとも、電子部品６の実装に際しては、リフロー半田に代えて、導電性接着剤等を用いてもよい。
【００５６】
次に、図５（ｂ）に示すように、樹脂層２７及び補強材２８を形成するために、ディスペンサーから流体状の樹脂を付与する。この樹脂としては、第１の実施形態で樹脂層７及び補強材８を構成するのに用いたのと同じ樹脂を用いることができる。もっとも、樹脂層２７及び補強材２８は他の樹脂により構成されていてもよい。
【００５７】
また、補強材２８は、補強材８と同様に、下方に空間２１ｄを残すようにブレイク溝２１ａ内に形成される。
【００５８】
そして、図６（ａ）に示すように、上方から金属ケース３２を固定し、しかる後ブレイク溝２１ａに沿って分割することにより、図６（ｂ）に示す電子部品搭載基板を得ることができる。
【００５９】
本実施形態においても、金属ケース３２の搭載時に大きな衝撃力が加わるが、補強材２８の存在により、ブレイク溝２１ａに沿った所望でない割れを確実に抑制することができる。また、空間２１ｄが設けられているため、子基板２１ｃ，２１ｃ間で集合基板本体２１を分割する際には、確実にブレイク溝２１ａに沿って分割することができる。
【００６０】
図７（ａ），（ｂ）〜図９を参照して、本発明の第３の実施形態を説明する。
【００６１】
第３の実施形態では、集合基板本体５１は、セラミックスからなり、一方の主面５１ｂに開いた比較的大きな容積を有するキャビティ５１ｃが設けられている。また、主面５１ｂにおいては、複数本のブレイク溝５１ａが形成されている。ブレイク溝５１ａは、隣り合う子基板５１ｄ，５１ｄの境界に設けられている。すなわち、図７（ａ）に示されているブレイク溝５１ａ，５１ａで挟まれた部分が、１つの子基板５１ｄを構成している。本実施形態においても、子基板５１ｄは、平面視した際に、縦方向及び横方向にマトリックス状に配置されている。そして、各子基板５１ｄにおいて、１つのキャビティ５１ｃが設けられている。
【００６２】
本実施形態では、ブレイク溝５１ａは、第１の実施形態のブレイク溝１ａと同様に構成されている。他方、キャビティ５１ｃは、比較的大きな容積を有する。
【００６３】
上記集合基板本体５１を用意した後に、キャビティ５１ｃ内にベアチップ型電子部品５２を搭載する。ベアチップ型電子部品５２は、絶縁性接着剤あるいは導電性接着剤を用いて、キャビティ５１ｃ内に固定されている。そして、次に、ボンディングワイヤ５３ａ，５３ｂを用いて、電子部品５２と、集合基板本体５１のキャビティ５１ｃ内に設けられた電極ランド５４ａ，５４ｂとを電気的に接続する。
【００６４】
次に、図７（ｂ）に示すように、電子部品５２を保護するために、キャビティ５１ｃ内に樹脂５５を注入する。同時に、同じ樹脂を用い、ブレイク溝５１ａ内に、同じ樹脂を注入し、補強材５６を形成する。この場合においても、補強材５６は、ブレイク溝５１ａの底部に空間５１ｅを残すように注入される。
【００６５】
注入された樹脂が硬化することにより、樹脂層５５及び補強材５６が完成される。
【００６６】
しかる後、図８（ａ）に示すように、集合基板本体５１を上下逆転し、他方の主面５１ｆ上に、表面実装型電子部品５７，５８を表面実装する。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に示すように、表面実装型電子部品５７，５８を囲繞するように、金属ケース５９を導電性接着剤もしくは絶縁性接着剤を用いて固定する。この場合、金属ケース５９は、前述した第１，第２の実施形態の場合と同様に、マウンターなどの装置を用いて搭載される。
【００６８】
従って、表面実装型の電子部品５７，５８の搭載時、及び金属ケース５９の搭載時に、大きな衝撃が集合基板本体５１に加わる。しかしながら、ブレイク溝５１ａが設けられている部分では、上記補強材５６により補強されているため、ブレイク溝５１ａに沿った割れを確実に抑制することができる。
【００６９】
しかる後、図９に示すように、集合基板本体５１をブレイク溝５１ａに沿って分割する。この場合には、空間５１ｅが存在するため、上述した衝撃力より僅かな大きな力を加えるだけで、確実にブレイク溝５１ａに沿って集合基板本体５１を分割することができる。従って、図９に示すように、個々の子基板５１ｄを用いた電子部品搭載基板６０が得られる。
【００７０】
第１〜第３の実施形態では、いずれも、金属ケース付きの電子部品搭載基板の製造方法につき説明したが、本発明に係る集合基板及び集合基板の製造方法により得られる集合基板は、金属ケースを有しない電子部品搭載基板の製造にも用いることができる。また、本発明は、電子部品が搭載されない集合基板に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品搭載用基板を製造する工程を示す各部分切欠正面断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態において用意される集合基板を示す平面図。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品搭載用基板を製造する工程を示す各部分切欠正面断面図。
【図４】第１の実施形態で得られた電子部品搭載基板を示す正面断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品搭載用基板を製造する工程を示す各部分切欠正面断面図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品搭載用基板を製造する工程を示す各部分切欠正面断面図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る電子部品搭載用基板を製造する工程を示す各部分切欠正面断面図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る電子部品搭載用基板を製造する工程を示す各部分切欠正面断面図。
【図９】第３の実施形態で得られた電子部品搭載基板の正面断面図。
【図１０】（ａ）は、従来の集合基板の一例を示す平面図、（ｂ）は、その要部を示す部分切欠正面断面図。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は、従来の集合基板の他の例を説明するための部分切欠正面断面図及びその要部を示す平面図。
【符号の説明】
【００７２】
１…集合基板本体
１ａ…ブレイク溝
１ｂ…上面（一方主面）
１ｃ…子基板
１ｄ…空間
２ａ，２ｂ…電極ランド
３ａ，３ｂ…電極ランド
４ａ，４ｂ…電極ランド
５…電子部品
５ａ，５ｂ…金属バンプ
６…電子部品
７…樹脂層
８…補強材
９…電子部品
１０ａ，１０ｂ…ボンディングワイヤ
１１…樹脂層
１２…金属ケース
２１…集合基板本体
２１ａ…ブレイク溝
２１ｂ…上面
２１ｃ…子基板
２１ｄ…空間
５１…集合基板本体
５１ａ…ブレイク溝
５１ｂ…主面
５１ｃ…キャビティ
５１ｄ…子基板
５１ｅ…空間
５１ｆ…主面
５２…電子部品
５３ａ，５３ｂ…ボンディングワイヤ
５５…樹脂層
５６…補強材
５９…金属ケース
６０…電子部品搭載基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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