(57)【要約】【課題】  ＢＣＣパッケージ構造の半導体装置の小型化、低熱抵抗化を図る。【解決手段】  半導体装置１を、複数の背面端子７が樹脂パッケージ２の実装側の面で半導体素子４直下の領域に突出形成され、この複数の背面端子７の上に半導体素子４が搭載される構成にする。これにより、熱抵抗を低く抑えつつ、半導体装置１全体のサイズを大きくすることなく、搭載する半導体素子４のサイズを大きくすることが可能になり、小型でかつ熱抵抗が低く抑えられた半導体装置１が実現される。【選択図】  図１
2006324270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型の半導体装置において、
半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージの実装側の面にあって前記半導体素子の直下の領域に突出形成された複数の背面端子と、
前記樹脂パッケージの実装側の面にあって前記半導体素子の直下の領域外に突出形成された複数の端子と、
前記端子と前記半導体素子とを電気的に接続する接続手段と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記背面端子は、前記半導体素子のサイズに応じたサイズおよび個数で形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子と前記背面端子との間に接着剤層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、
基材の半導体素子が搭載される領域と前記半導体素子が搭載される領域外とにそれぞれ複数の凹部を形成する工程と、
各前記凹部に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜が形成された前記基材の前記半導体素子が搭載される領域に前記半導体素子を搭載する工程と、
搭載された前記半導体素子と前記半導体素子が搭載された領域外の前記金属膜とを電気的に接続する工程と、
前記半導体素子と前記半導体素子が搭載された領域外の前記金属膜とが電気的に接続された前記基材上に前記半導体素子を封止する樹脂パッケージを形成する工程と、
形成された前記樹脂パッケージを前記金属膜と共に前記基材から分離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基材の前記半導体素子が搭載される領域と前記半導体素子が搭載される領域の外側の領域とにそれぞれ複数の前記凹部を形成する工程においては、
前記半導体素子が搭載される領域の前記凹部を前記半導体素子のサイズに応じたサイズおよび個数で形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特にリードレス表面実装型で樹脂封止型の半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は半導体装置の小型化の要求に伴い、種々の実装型の半導体装置が提案されている。中でも、リードレス表面実装型の半導体装置は、よりいっそうの高密度実装を可能にするものとして開発が進められている。
【０００３】
例えば、従来、半導体素子を封止する樹脂パッケージの底面（実装側の面）に、半導体素子の電極パッドにワイヤボンディングされた端子を、その樹脂パッケージ底面とほぼ同一平面で露出させたパッケージ構造が提案されている（特許文献１参照）。また、実装面積低減や実装性向上等を目的として、樹脂パッケージ底面に樹脂突起を設けその突起表面に金属膜を被覆して端子を形成したパッケージ構造、突起表面の金属膜をその一部が樹脂パッケージ内に食い込むように形成して端子の接合強度を高めたパッケージ構造等も提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
このような樹脂突起を設けたパッケージ構造は、例えば次のような手順で形成することができる。まず、金属基材の所定位置に形成された凹部にメッキ等で端子となる金属膜が形成されたリードフレームを用い、その凹部以外の領域に半導体素子を搭載する。その後、その半導体素子の電極パッドとリードフレームの凹部に形成した端子をワイヤボンディングし、半導体素子を樹脂で封止する。そして、最後にリードフレームの金属基材をエッチングして除去する。これにより、金属基材の凹部のあった部分に端子金属で被覆された樹脂突起が形成される。
【０００５】
端子の一部が樹脂パッケージ内に食い込む構造の場合は、例えば、凹部に端子を形成した後に、その金属基材のみを凹部側からエッチングし、端子の一部をその金属基材表面から突出させる。その後は、同様に半導体素子の搭載、ワイヤボンディング、樹脂封止、金属基材除去を行えばよい。
【０００６】
なお、従来は、リードフレーム等へのメッキ法や凹部形成方法に関して、あらかじめ金属基材の所定位置に位置決め孔を形成しておき、その位置決め孔を基準にして金属基材にメッキパターンや凹部を形成する方法等が提案されている（特許文献３，４参照）。
【特許文献１】特開平１０−１１６９３５号公報
【特許文献２】特開平１０−２４７７１５号公報
【特許文献３】特開平１０−２１４９３２号公報
【特許文献４】特開平１０−２９４４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、高密度実装を可能としたリードレス表面実装型で樹脂封止型の半導体装置は、そのパッケージ構造に依っては、以下に示すような問題点もある。
図１２および図１３は従来の半導体装置の断面模式図である。
【０００８】
まず、図１２に示す半導体装置１００は、上記のように、樹脂パッケージ１０１の底面に設けられた樹脂突起１０１ａに金属膜で端子１０２が形成されており、半導体素子１０３はその電極パッド（図示せず。）を端子１０２にボンディングワイヤ１０４で接続された状態で樹脂パッケージ１０１内に封止されている。半導体素子１０３の底面には、この半導体装置１００の形成過程でリードフレームに半導体素子１０３を搭載する際に用いた絶縁性の接着剤層１０５が形成されている。
【０００９】
一方、図１３に示す半導体装置２００は、樹脂パッケージ２０１底面の樹脂突起２０１ａに、半導体素子２０３の電極パッド（図示せず。）にボンディングワイヤ２０４で接続された端子２０２が形成されている点は同じであるが、樹脂パッケージ２０１底面側に半導体素子２０３の直下の領域全体を覆うように背面端子２０６が設けられている点で相違している。半導体素子２０３と背面端子２０６の間には、背面端子２０６上に半導体素子２０３を搭載する際に用いた導電性または絶縁性の接着剤層２０５が形成されている。
【００１０】
このような背面端子２０６を形成する場合は、リードフレームに端子２０２形成用の凹部と共に背面端子２０６形成用の大きな凹部を形成し、各凹部への金属膜の形成、背面端子２０６上への半導体素子の搭載、電極パッドと端子２０２のワイヤボンディング、樹脂封止、リードフレームの金属基材部分の除去を行う。
【００１１】
背面端子２０６は、半導体装置２００から実装基板への放熱や半導体装置２００のグランド（ＧＮＤ）接続に利用される。それにより、半導体装置２００の熱抵抗を低減することによる熱特性の向上や電気特性の向上が図られている。
【００１２】
しかし、このように背面端子２０６を設けた半導体装置２００では、通常、図１３に示したように背面端子２０６の内側領域に半導体素子２０３の一部が収まるような構造になっているため、搭載可能な半導体素子２０３のサイズが、背面端子２０６の形状やサイズによって制限されてくる。例えば、半導体装置２００が縦３ｍｍ×横３ｍｍ×高さ０．８ｍｍサイズで、また背面端子２０６は外側が縦１．５ｍｍ×横１．５ｍｍサイズで内側が縦１．１ｍｍ×横１．１ｍｍサイズである場合、接着剤ののりしろとして背面端子２０６の内側にその縁から０．２ｍｍのスペースを確保すれば、搭載可能な半導体素子２０３は自ずと縦０．７ｍｍ×横０．７ｍｍ以下のサイズに制限されることになる。
【００１３】
一般に、半導体素子は、そのサイズが小さい場合よりも大きい場合の方が熱抵抗は小さくなる。したがって、半導体装置２００において、装置全体のサイズを変更せずに、より大きなサイズの半導体素子２０３を搭載できれば、高密度実装の要求に応えつつ、半導体装置２００の低熱抵抗化を図ることが可能になる。
【００１４】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、小型でかつ熱抵抗が低く抑えられた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明では上記課題を解決するために、樹脂封止型の半導体装置において、半導体素子と、前記半導体素子を封止する樹脂パッケージと、前記樹脂パッケージの実装側の面にあって前記半導体素子の直下の領域に突出形成された複数の背面端子と、前記樹脂パッケージの実装側の面にあって前記半導体素子の直下の領域外に突出形成された複数の端子と、前記端子と前記半導体素子とを電気的に接続する接続手段と、を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１６】
このような半導体装置によれば、樹脂パッケージの実装側の面で半導体素子直下の領域に複数の背面端子が突出形成され、その領域外に半導体素子と電気的に接続された複数の端子が突出形成されている。このように樹脂パッケージの実装側の面に突出形成された複数の背面端子の上に半導体素子を搭載することにより、熱抵抗が低く抑えられると共に、従来のように１個の背面端子のサイズによって搭載可能な半導体素子のサイズが制限されてしまうことがなくなる。
【００１７】
また、本発明では上記課題を解決するために、樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、基材の半導体素子が搭載される領域と前記半導体素子が搭載される領域外とにそれぞれ複数の凹部を形成する工程と、各前記凹部に金属膜を形成する工程と、前記金属膜が形成された前記基材の前記半導体素子が搭載される領域に前記半導体素子を搭載する工程と、搭載された前記半導体素子と前記半導体素子が搭載された領域外の前記金属膜とを電気的に接続する工程と、前記半導体素子と前記半導体素子が搭載された領域外の前記金属膜とが電気的に接続された前記基材上に前記半導体素子を封止する樹脂パッケージを形成する工程と、形成された前記樹脂パッケージを前記金属膜と共に前記基材から分離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１８】
このような半導体装置の製造方法によれば、基材の半導体素子搭載領域とその領域外とにそれぞれ複数の凹部を形成し、各凹部に金属膜を形成した後、半導体素子搭載領域に半導体素子を搭載し、その領域外の金属膜と半導体素子との電気接続を行って、樹脂パッケージを形成し、最後にその樹脂パッケージを金属膜と共に基材から分離する。基材の半導体素子搭載領域に複数の凹部を形成することにより、実装側の面の半導体素子直下の領域には複数の金属膜が形成され、これが背面端子として機能する。このように複数の背面端子の上に半導体素子を搭載することにより、熱抵抗が低く抑えられ、かつ、従来のような１個の背面端子のみを有する構造の半導体装置に比べ、半導体素子の搭載可能サイズの範囲がより広い半導体装置が形成される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、半導体装置を、複数の背面端子が樹脂パッケージの実装側の面で半導体素子の直下の領域に突出形成された構成にする。すなわち、半導体素子は複数の背面端子の直上に搭載されていればよく、必ずしも従来のように大きな１つの背面端子の内側領域に収まるようなサイズであることを要せず、背面端子のサイズによって搭載可能な半導体素子のサイズが制限されてしまうことがなくなる。それにより、半導体装置全体のサイズを大きくすることなく、搭載する半導体素子のサイズを大きくすることが可能になり、小型でかつ熱抵抗が低く抑えられた半導体装置が実現可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は半導体装置の断面模式図、図２は端子側から見た半導体装置の平面模式図、図３は端子側から見た半導体装置の斜視模式図である。
【００２１】
図１から図３に示す半導体装置１は、リードレス表面実装型でかつ樹脂封止型のＢＣＣ（Bump Chip Carrier）パッケージ構造を有している。この半導体装置１は、樹脂パッケージ２の底面（実装側の面）に設けられた複数の樹脂突起２ａの表面にそれぞれ端子３が形成されており、半導体素子４はその上面に形成されている電極パッド（図示せず。）を各端子３にボンディングワイヤ５で接続された状態で樹脂パッケージ２内に封止されている。さらに、樹脂パッケージ２の底面で半導体素子４の直下の領域には、接着剤層６を介して複数の背面端子７が形成されている。
【００２２】
樹脂パッケージ２およびその底面に設けられた樹脂突起２ａは、従来一般に広く利用されている熱硬化性の封止樹脂を用いて形成されている。樹脂突起２ａは、ここでは図２および図３に示したように、半導体素子４の直下の領域、すなわち複数の背面端子７が形成されている領域の周囲に計１６箇所形成されている。
【００２３】
各端子３は、１６箇所の樹脂突起２ａの表面をそれぞれ、金（Ａｕ）等の金属を含む金属膜で被覆した状態で形成されている。この１６個の端子３はそれぞれ、樹脂パッケージ２および樹脂突起２ａの内部で半導体素子４の電極パッドとボンディングワイヤ５で接続されている。
【００２４】
各背面端子７は、端子３と同様、Ａｕ等を含む金属膜で形成され、ここでは図２および図３に示したように、縦３個、横３個、計９個形成されている。半導体素子４の直下の領域に形成された各背面端子７は、従来の半導体素子直下全面に形成されていた背面端子と比べると、それを小さく複数に分割したような構成になる。
【００２５】
各背面端子７と半導体素子４との間には接着剤層６が形成されている。接着剤層６は、ここではエポキシ樹脂等の絶縁性の接着剤を用いて形成されている。接着剤層６を絶縁性とするのは、図１から図３に示したように、実装側の半導体素子４直下の領域では背面端子７を除く領域に接着剤層６が露出するためである。なお、半導体素子４の背面がＧＮＤ電位で背面端子７をＧＮＤ接続に利用する場合には、背面端子７をＧＮＤ電位とするために接着剤層６を銀ペースト等の導電性の接着剤を用いて形成するようにしてもよい。
【００２６】
なお、図１から図３に示した半導体装置１の端子３（樹脂突起２ａ）および背面端子７の個数やサイズは一例であって、半導体装置１の要求特性や搭載される半導体素子４の種類等に応じて任意に設定可能である。
【００２７】
この半導体装置１では、これがプリント基板等の実装基板に半田層を介して実装された場合、半導体素子４で発生した熱が、接着剤層６、背面端子７、半田層、実装基板の順に伝わり、放熱されるようになる。
【００２８】
このような半導体装置１において、半導体素子４は、端子３に囲まれた領域内である限り、比較的小さなサイズのものから比較的大きなサイズのものまで、種々のものを用いることができる。これは、半導体素子４直下の領域に小さな背面端子７が複数形成され、半導体素子４が各背面端子７の直上に搭載された構造であるため、背面端子７のサイズによって搭載可能な半導体素子４のサイズが制限されてしまうことがないためである。それにより、半導体装置１全体のサイズを大きくすることなく、搭載する半導体素子４のサイズを一定範囲内で大きくすることができ、小型でかつ熱抵抗が低く抑えられた半導体装置１が実現される。
【００２９】
例えば、装置全体が縦３ｍｍ×横３ｍｍ×高さ０．８ｍｍサイズ、背面端子が外側縦１．５ｍｍ×横１．５ｍｍサイズ、内側縦１．１ｍｍ×横１．１ｍｍサイズである従来構造の半導体装置の場合（図１３参照）には、接着剤ののりしろを考慮して、搭載可能な半導体素子のサイズが縦０．７ｍｍ×横０．７ｍｍ以下に制限されてしまっていた。しかし、上記構成の半導体装置１では、全体が縦３ｍｍ×横３ｍｍ×高さ０．８ｍｍサイズのまま、各背面端子７を縦０．３ｍｍ×横０．３ｍｍサイズ（外側）とし、これを等間隔で縦横３個ずつ計９個形成することにより、その領域の直上に縦１．５ｍｍ×横１．５ｍｍサイズのより大きな半導体素子４も搭載可能になる。
【００３０】
次に、上記構成の半導体装置１の製造方法について説明する。なお、ここでは、装置全体が縦３ｍｍ×横３ｍｍ×高さ０．８ｍｍサイズであり、搭載される半導体素子４が縦１．５ｍｍ×横１．５ｍｍサイズである半導体装置１を例に、その製造方法の一例を以下の図４〜図１１を参照して順に説明する。
【００３１】
まず、端子３および背面端子７の形成工程について述べる。図４は端子および背面端子形成工程の平面模式図、図５は端子および背面端子形成工程の斜視模式図である。
半導体装置１は、図４および図５に示すようなリードフレーム１０を用いて形成される。リードフレーム１０には、ここでは銅（Ｃｕ）やＣｕ合金等の導電性の金属基材が用いられ、その一方の面側に、縦に５個、横に５個、計２５個の所定サイズの凹部（深さ約７５μｍ）が整列して設けられ、各凹部には金属膜が形成されている。このうち、外側１６箇所の凹部の金属膜は半導体装置１の端子３として、また縦横３個ずつ等間隔で並んだ内側９箇所の凹部の金属膜は背面端子７として、それぞれ機能するようになる。各背面端子７は、ここでは縦０．３ｍｍ×横０．３ｍｍのサイズで形成されている。
【００３２】
リードフレーム１０の形成は、例えば、まず、金属基材の表面にレジストを形成し、フォトリソグラフィによって端子３および背面端子７を形成する領域に所定サイズの開口部を有するレジストパターンを形成する。次いで、そのレジストパターンをマスクにして金属基材のハーフエッチングを行い、端子３および背面端子７を形成する領域、計２５箇所に所定サイズの凹部を形成する。次いで、その金属基材を所定金属のメッキ液に浸漬して電解メッキを行うことにより、金属基材が露出する各凹部の表面にのみ金属膜がメッキされる。最後に、その金属基材からレジストを剥離することにより、図４および図５に示したような所定箇所に所定サイズの端子３および背面端子７が形成されたリードフレーム１０が得られる。
【００３３】
なお、端子３および背面端子７に用いる金属は、後述のように最終的には端子３および背面端子７を金属基材から分離する必要があるため、Ｃｕ等とは性質の異なるもの、例えばここでは上記したＡｕ等を用いて構成される。また、端子３および背面端子７は、２種以上の金属を用いて構成してもよく、異なる金属種のメッキ処理を何度か繰り返し積層金属膜で構成するようにしてもよい。例えば、まず凹部にニッケル（Ｎｉ）メッキを施した後、その上にＡｕメッキを施し、Ｎｉ−Ａｕ積層金属膜を形成するようにすることができる。また、端子３および背面端子７の厚みは、メッキ条件（メッキ液濃度、メッキ時間、電流密度等）を適当に制御することにより任意に設定可能である。
【００３４】
続いて、接着剤層６の形成工程について述べる。図６は接着剤層形成工程の平面模式図、図７は接着剤層形成工程の斜視模式図である。
リードフレーム１０の形成後は、そのリードフレーム１０上の半導体素子４を搭載する領域、すなわち背面端子７が形成されている領域に、絶縁性あるいは導電性の接着剤を塗布し、接着剤層６を形成する。なお、接着剤層６を絶縁性の接着剤を用いて形成した場合には、材料物性上、その厚みによっては熱抵抗が高くなってしまう場合もあるため、形成時にはその厚みに留意する必要あり、できるだけ薄く形成することが望ましい。ただし、絶縁性の接着剤層６が厚く形成されたとしても、接着剤層が同じ厚みで背面端子を有しない構造の半導体装置（図１２参照）に比べれば、熱抵抗ははるかに低く抑えられる。
【００３５】
続いて、半導体素子４の搭載工程について述べる。図８は半導体素子搭載工程の平面模式図、図９は半導体素子搭載工程の斜視模式図である。
接着剤層６の形成後は、その接着剤層６上に半導体素子４を配置し、所定条件で接着剤層６を固化する。これにより、リードフレーム１０に形成された背面端子７の直上に接着剤層６を介して半導体素子４が搭載される。このとき、リードフレーム１０に形成された端子３は、搭載された半導体素子４の周囲に露出されたままの状態で配置される。
【００３６】
続いて、ワイヤボンディング工程について述べる。図１０はワイヤボンディング工程の平面模式図、図１１はワイヤボンディング工程の斜視模式図である。
半導体素子４の搭載後は、その上面に形成されている各電極パッドと半導体素子４の周囲に配置されている各端子３とをボンディングワイヤ５で接続する。この接続の際には、例えば、まずボンディングワイヤ５の一端を電極パッドに接続し、続いてボンディングワイヤ５の他端を端子３に接続する方法や、逆にまずボンディングワイヤ５の一端を端子３に接続し、続いてボンディングワイヤ５の他端を電極パッドに接続するいわゆる逆打ちのボンディング方法を用いることができる。
【００３７】
ワイヤボンディング後は、樹脂封止を行い、樹脂パッケージ２を形成する。この樹脂パッケージ２の形成には、例えばモールド法を用いることができる。その場合、ワイヤボンディングまで行ったリードフレーム１０の半導体素子４の搭載側に専用のモールド金型を装着し、その内部に封止樹脂を充填する。そして、モールド金型を取り外すことにより、半導体素子４を封止する樹脂パッケージ２がリードフレーム１０上に添着した状態で得られる。
【００３８】
樹脂パッケージ２の形成後は、リードフレーム１０の金属基材の部分を例えばウェットエッチングで除去する。その場合、エッチング液には、リードフレーム１０の金属基材の部分は溶解するが、端子３および背面端子７の部分、接着剤層６、樹脂パッケージ２は溶解しないような性質を有するエッチング液を用いる。さらに、後述のテープ等を用いる場合にはそのテープ等も溶解しないエッチング液を用いる必要がある。例えば、金属基材にＣｕが用いられ、端子３および背面端子７の最外表面にＡｕが用いられている場合には、金属基材のエッチング液として適当な濃度のアンモニア水を用いることができる。このようなエッチング液を用いてリードフレーム１０の金属基材のみを除去することにより、上記図１〜図３に示した構成の半導体装置１が形成される。
【００３９】
なお、ここでは１個の半導体装置１に着目してその形成方法を説明してきたが、通常、リードフレーム１０上には複数個分の端子３や背面端子７が形成され、そこに複数の半導体素子４が搭載されて、樹脂封止の際にはそれらが一括して封止される。このとき、樹脂パッケージ２は、用いるモールド金型の型形状に応じて、個々の半導体素子４ごとに分離して形成される場合と、複数の半導体素子４に跨って形成される場合がある。
【００４０】
型形状により樹脂封止時に既にリードフレーム１０上に添着されている樹脂パッケージ２が個々の半導体素子４ごとに分離して形成されている場合には、例えば、リードフレーム１０の金属基材の除去前に各樹脂パッケージ２の上面にテープ等を貼り付けて連結しておき、その状態で所定のエッチング液を用い金属基材のエッチング除去を行う。これにより、リードフレーム１０の金属基材の除去後に得られる各半導体装置１がばらばらにならず、その取扱いが容易になる。
【００４１】
また、樹脂封止時にリードフレーム１０上の樹脂パッケージ２が複数の半導体素子４に跨って形成されている場合や、跨って形成されたものがリードフレーム１０上に複数ある場合には、例えば、その状態でリードフレーム１０の金属基材のエッチング除去を行い、その後、樹脂で連結状態にある半導体素子４間の樹脂を切断して各半導体装置１を個片化すればよい。また、上記のように樹脂パッケージ２の上面にテープ等を貼り付けておいてからリードフレーム１０の金属基材のエッチング除去を行い、その後、樹脂を切断して各半導体装置１を個片化するようにしても構わない。
【００４２】
なお、以上の説明では、端子３および背面端子７の形成に電解メッキ法を用いるようにしたが、このほか、無電解メッキ法、蒸着法、スパッタリング法その他の膜形成法を単独で、あるいは複数組み合わせて、用いることもできる。その場合、用いる膜形成方法に応じてリードフレーム１０の基材部分の材質を変更することも可能である。また、樹脂封止の際には、モールド法のほか、ポッティング法を用いてもよい。
【００４３】
また、端子３を部分的に樹脂パッケージ２内に食い込ませたり、あるいは背面端子７を部分的に接着剤層６に食い込ませたりすることによって、端子３および背面端子７の接合強度を高めることも可能である。その場合は、端子３および背面端子７の形成後で接着剤層６の形成前に（図４および図５参照）、金属基材を端子３および背面端子７が形成されている面側からエッチングし、端子３および背面端子７の一部を金属基材から突出させるようにすればよい。
【００４４】
次に、上記半導体装置１の熱抵抗シミュレーションの結果について述べる。
上記のようにして最終的に形成される半導体装置１の、半導体素子４から外気までの熱抵抗（θｊａ）と、半導体素子４から樹脂パッケージ２表面までの熱抵抗（θｊｃ）を、熱抵抗シミュレーションにより算出した。さらに、従来構造の半導体装置（図１２参照）の熱抵抗θｊａ，θｊｃも併せてシミュレーションしている。
【００４５】
なお、この熱抵抗シミュレーションにおいて、半導体装置１は縦３ｍｍ×横３ｍｍ×高さ０．８ｍｍサイズ、搭載される半導体素子４は縦１．５ｍｍ×横１．５ｍｍサイズとした。また、従来構造の半導体装置は、装置全体のサイズおよび搭載される半導体素子のサイズを半導体装置１と同じにし、さらに、半導体装置１と従来構造の半導体装置の各部の材質は同じにした。また、熱抵抗シミュレーションは、パッケージ周辺温度２５℃、風速０ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
【００４６】
シミュレーションの結果、半導体装置１の熱抵抗は、θｊａ＝９４．８℃／Ｗ，θｊｃ＝６．１℃／Ｗであった。一方、従来構造の半導体装置の熱抵抗は、θｊａ＝１１７．２℃／Ｗ，θｊｃ＝８．９℃／Ｗであった。このように、半導体装置１は従来構造の半導体装置に比べて熱抵抗を大幅に低減することができることがわかった。
【００４７】
さらに、半導体装置１および従来構造の半導体装置について、それぞれをサーマルビア付き放熱基板に実装したときの熱抵抗シミュレーションを行ったところ、半導体装置１ではθｊａ＝５１．９℃／Ｗであったのに対し、従来構造の半導体装置ではθｊａ＝５９．４℃／Ｗであった。このように、実際の実装状態に近い場合においても、従来に比べて半導体装置１の熱抵抗を低く抑えることができることがわかった。
【００４８】
以上説明したように、リードレス表面実装型でかつ樹脂封止型のＢＣＣパッケージ構造を有する半導体装置において、その実装側の面で半導体素子直下の領域に、小さく分割された複数の背面端子を設ける。これにより、熱抵抗を低く抑えながら、より大きな半導体素子を搭載することができる。したがって、小型でかつ低熱抵抗の半導体装置を実現することができる。
【００４９】
（付記１）  樹脂封止型の半導体装置において、
半導体素子と、
前記半導体素子を封止する樹脂パッケージと、
前記樹脂パッケージの実装側の面にあって前記半導体素子の直下の領域に突出形成された複数の背面端子と、
前記樹脂パッケージの実装側の面にあって前記半導体素子の直下の領域外に突出形成された複数の端子と、
前記端子と前記半導体素子とを電気的に接続する接続手段と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【００５０】
（付記２）  前記背面端子は、前記半導体素子のサイズに応じたサイズおよび個数で形成されていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記３）  前記半導体素子と前記背面端子との間に接着剤層が設けられていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【００５１】
（付記４）  前記接着剤層は、導電性であることを特徴とする付記３記載の半導体装置。
（付記５）  前記接着剤層は、絶縁性であることを特徴とする付記３記載の半導体装置。
【００５２】
（付記６）  前記端子は、前記樹脂パッケージの実装側の面に突出形成された樹脂突起を被覆する金属膜であることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記７）  樹脂封止型の半導体装置の製造方法において、
基材の半導体素子が搭載される領域と前記半導体素子が搭載される領域外とにそれぞれ複数の凹部を形成する工程と、
各前記凹部に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜が形成された前記基材の前記半導体素子が搭載される領域に前記半導体素子を搭載する工程と、
搭載された前記半導体素子と前記半導体素子が搭載された領域外の前記金属膜とを電気的に接続する工程と、
前記半導体素子と前記半導体素子が搭載された領域外の前記金属膜とが電気的に接続された前記基材上に前記半導体素子を封止する樹脂パッケージを形成する工程と、
形成された前記樹脂パッケージを前記金属膜と共に前記基材から分離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００５３】
（付記８）  前記基材の前記半導体素子が搭載される領域と前記半導体素子が搭載される領域の外側の領域とにそれぞれ複数の前記凹部を形成する工程においては、
前記半導体素子が搭載される領域の前記凹部を前記半導体素子のサイズに応じたサイズおよび個数で形成することを特徴とする付記７記載の半導体装置の製造方法。
【００５４】
（付記９）  前記金属膜が形成された前記基材の前記半導体素子が搭載される領域に前記半導体素子を搭載する工程においては、
前記金属膜が形成された前記基材の前記半導体素子が搭載される領域に接着剤層を形成し、前記接着剤層上に前記半導体素子を搭載することを特徴とする付記７記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】半導体装置の断面模式図である。
【図２】端子側から見た半導体装置の平面模式図である。
【図３】端子側から見た半導体装置の斜視模式図である。
【図４】端子および背面端子形成工程の平面模式図である。
【図５】端子および背面端子形成工程の斜視模式図である。
【図６】接着剤層形成工程の平面模式図である。
【図７】接着剤層形成工程の斜視模式図である。
【図８】半導体素子搭載工程の平面模式図である。
【図９】半導体素子搭載工程の斜視模式図である。
【図１０】ワイヤボンディング工程の平面模式図である。
【図１１】ワイヤボンディング工程の斜視模式図である。
【図１２】従来の半導体装置の断面模式図（その１）である。
【図１３】従来の半導体装置の断面模式図（その２）である。
【符号の説明】
【００５６】
１  半導体装置
２  樹脂パッケージ
２ａ  樹脂突起
３  端子
４  半導体素子
５  ボンディングワイヤ
６  接着剤層
７  背面端子
１０  リードフレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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