(57)【要約】【課題】表示品位の優れた液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、画素電極２６および最上層に位置しているとともにラビングされた配向膜２８を有し、表面に複数の凸部４を含むアレイ基板１と、アレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板２と、アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層３と、配向制御手段と、を備えている。画素電極２６は、アレイ基板１表面の凸部４近傍に位置した第１領域Ｒ１、および第１領域以外の第２領域Ｒ２を有している。配向制御手段は、各画素電極２６の第１領域Ｒ１と対向した液晶分子の配向を独立して制御する。【選択図】      図１
2006113262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上層に位置しているとともにラビングされた配向膜を有し、表面に複数の凸部を含むアレイ基板と、前記アレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板と、前記アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、前記アレイ基板表面の凸部近傍に位置した第１領域、および第１領域以外の第２領域を有した複数の画素電極と、前記各画素電極の第１領域と対向した液晶分子の配向を独立して制御する配向制御手段と、を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記凸部は遮光部を有し、
前記配向制御手段は、前記画素電極に形成されているとともに、前記凸部に重なって位置した開口部を有していることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配向膜は、前記配向制御手段を構成するとともに前記画素電極の第１領域と重なった配向制御領域を有し、
前記配向膜の配向制御領域は、前記第１領域と対向した液晶分子のチルト角が、前記第２領域と対向した液晶分子のチルト角よりも大きくなるよう配向処理されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記配向膜の配向制御領域は、紫外線照射により配向処理されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記配向膜の配向制御領域は、前記第２領域と対向してマスクを配置した状態でラビングすることにより配向処理されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記配向膜は、前記配向制御手段を構成するとともに前記画素電極の第１領域と重なった配向制御領域を有し、
前記配向制御領域は、液晶分子のチルト角が前記第２領域と対向した液晶分子のチルト角よりも大きくなるような配向膜レジストで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記凸部は、補助容量線、走査線、およびスイッチング素子の少なくとも１つが形成された個所であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１領域は、ラビング方向において、前記凸部から降下する傾斜領域近傍であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記アレイ基板または対向基板に形成されているとともに赤色、緑色、および青色の着色層を設けたカラーフィルタを有し、
前記画素電極は、少なくとも前記緑色の着色層に重なっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記凸部は、補助容量線、補助容量電極、および絶縁膜を有しているとともに、これら補助容量線および補助容量電極が絶縁膜を介して対向配置された補助容量素子が形成された個所に設けられ、
前記補助容量電極、絶縁膜、および補助容量線の総膜厚が０．６μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
基板と、前記基板上に互いに交差して配設された複数の走査線および信号線と、前記走査線および信号線の各交差部近傍に形成されたスイッチング素子と、前記走査線と平行に延びた複数の補助容量線と、前記補助容量線、補助容量電極、および絶縁膜を有しているとともに、これら補助容量線および補助容量電極が絶縁膜を介して対向配置された補助容量素子、最上層に位置しているとともにラビングされた配向膜と、を有し、表面に複数の凸部を含むアレイ基板と、前記アレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板と、前記アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、前記アレイ基板表面の凸部近傍に位置した第１領域、および第１領域以外の第２領域を有し、かつ、前記スイッチング素子にそれぞれ電気的に接続されているとともに前記走査線、スイッチング素子、および補助容量線に重なった複数の画素電極と、前記各画素電極の第１領域と対向した液晶分子の配向を独立して制御する配向制御手段と、を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、これら両基板の基板間に狭持された液晶層と、アレイ基板および対向基板のいずれか一方に形成されたカラーフィルタと、を有している。カラーフィルタは、赤、緑、青の着色層で構成されている。アレイ基板および対向基板の間には、スペーサとして、例えば粒径の均一なプラスティックビーズが配置され、この２枚の基板間の隙間を一定に保持している。アレイ基板および対向基板は、両基板の周縁部に配設されたシール材により接合されている。液晶表示装置の表示方式としては、例えばＴＮ（ツイステッドネマティック）型表示方式、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマティック）型表示方式、ＧＨ（ゲスト−ホスト）型表示方式、あるいはＥＣＢ（電界制御複屈折）型表示方式や強誘電性液晶を用いた方式等が用いられている。
【０００３】
カラー表示型アクティブマトリクス駆動液晶表示装置では、アレイ基板上に複数の信号線および複数の走査線がマトリクス状に配設され、これら信号線および走査線の各交差部近傍には、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をチャネル層とした薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）が配設されている。また、アレイ基板上には、複数の補助容量線が配設され、走査線と平行に延びている。各補助容量線は絶縁膜を介して補助容量電極と対向し、これら補助容量線、絶縁膜、および補助容量電極により補助容量素子を構成している。各ＴＦＴは基板上に形成された画素電極と接続されている。画素電極を含み基板上には配向膜が成膜されている。
【０００４】
対向基板において、基板上にカラーフィルタ、対向電極、および配向膜が順次形成されている。アレイ基板および対向基板の周縁部には、アレイ基板から対向基板に電圧を印加するための電極転移材が設けられている。電極転移材は、銀ペースト等の導電材料で構成され、アレイ基板および対向基板を電気的に接続している。アレイ基板および対向基板の間に液晶層が形成され、これら両基板の外面に偏光板がそれぞれ配設され、液晶表示装置が構成されている（例えば、特許文献１参照）。このような液晶表示装置は複数の画素を有し、各画素はＴＦＴおよび画素電極を備えている。
【０００５】
また、近年、上述したように対向基板上にカラーフィルタを設けた液晶表示装置の他、アレイ基板上にカラーフィルタを設けた液晶表示装置が種々開発され、カラーフィルタをアレイ基板上に形成するＣＯＡ（color filter on array）構造とすることにより高い開口率を得る構成や、フォトリソグラフィ技術により柱状スペーサをアレイ基板および対向基板の少なくとも一方の基板上に形成し、均一な基板間距離を保持した構成等が開発されている。  
【特許文献１】特開平１１−２５８６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した液晶表示装置において、最近、表示画面の大型化や高精細化、高い表示品位が強く求められている。このように、更なる性能向上が求められる中、その妨げとなっている要因の一つに、アレイ基板の凹凸に起因した液晶分子の配向乱れがある。これにより、電圧印加時に光漏れが生じてしまう課題がある。光漏れが生じた場合、コントラスト比は低下し、表示品位は劣化してしまう。
【０００７】
例えば、配向膜がラビングされているとともに配向膜表面に凸部を含むＴＮ型表示方式の液晶表示装置の場合、配向膜表面の凸部のラビング方向下流側を良好にラビングすることは困難である。これにより、ラビング方向において、配向膜の凸部から降下するラビング方向下流側で液晶分子の配向が乱れ、コントラスト比の低下を引き起こすことになる。このため、各種配線やＴＦＴが形成された基板上に画素電極および配向膜を直接形成した場合はもちろんのこと、各種配線やＴＦＴが形成された基板上に絶縁膜を成膜した後、画素電極および配向膜を形成した場合でも、各種配線やＴＦＴに起因した凸部が少なからず絶縁膜表面に現れる。
【０００８】
上記液晶表示装置がノーマリホワイトモードの場合において、黒色表示時（電圧印加時）に液晶分子の配向乱れを誘導して部分的な光漏れ（黒レベルの浮き）が生じる。特に、高い開口率を得るためにカラーフィルタをアレイ基板側に形成した場合や、ブラックマトリクスをアレイ基板側に形成した場合には、黒色表示時に光漏れが生じると輝度増加が顕著となり、コントラスト比が著しく低下してしまう。上記したことは、視感度の高い緑色の着色層を透過する光の影響に大きく起因している。
【０００９】
さらに、高精細かつ高品質を目指す場合、配線抵抗の抑制、および画素へ十分に書き込む駆動による表示均一性を保つため、補助容量線と対向する補助容量電極の増加、および十分な補助容量を得るための厚膜化が必要となる。このため、補助容量線および走査線等の各種配線や、ＴＦＴ等の厚膜化に起因した凸部が高くなる傾向にある。特に、補助容量素子を構成する補助容量線、絶縁膜、および補助容量電極の総膜厚が厚く形成された、高精細および表示品質の高い液晶表示装置においては課題となる。
【００１０】
そこで、この課題を改善するために、アレイ基板側に形成したカラーフィルタの着色層表面を機械的に研磨したり、各種配線やＴＦＴが形成された基板上に絶縁膜を２重に積層したり、その絶縁膜を厚膜化したり、オーバーコート層を設ける等によりアレイ基板表面の平坦化が行なわれている。しかしながら、アレイ基板表面の平坦化は、製造工程の増加や、絶縁膜等を成膜（塗布）する際の均一性の劣化等により、効率良く、かつ良好に行なうことは困難である。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、表示品位の優れた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る液晶表示装置は、最上層に位置しているとともにラビングされた配向膜を有し、表面に複数の凸部を含むアレイ基板と、前記アレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板と、前記アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層と、前記アレイ基板表面の凸部近傍に位置した第１領域、および第１領域以外の第２領域を有した複数の画素電極と、前記各画素電極の第１領域と対向した液晶分子の配向を独立して制御する配向制御手段と、を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、表示品位の優れた液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る液晶表示装置について詳細に説明する。  
図２、図３、および図４に示すように、液晶表示装置は、アレイ基板１と、このアレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置されたパターニング基板としての対向基板２と、アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層３と、を備えている。アレイ基板１および対向基板２は、中央に位置した矩形状の表示領域を有している。
【００１４】
アレイ基板１は、透明な絶縁基板としてガラス基板１０を備えている。ガラス基板１０上に、複数の走査線１２、および複数の信号線２１がマトリクス状に配置されている。また、ガラス基板１０上には、補助容量素子１９を構成するストライプ状の補助容量線１８が複数形成され、走査線１２と平行に延びている。走査線１２および信号線２１の各交差部近傍には、スイッチング素子としてのＴＦＴ１１が設けられている。
【００１５】
図５に示すように、ＴＦＴ１１は、走査線１２の一部を延在してなるゲート電極１３、およびチャネル層として、ａ−Ｓｉあるいはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）からなる半導体膜１５を有している。本実施の形態において、半導体膜１５および後述する補助容量電極１６は、ｐ−Ｓｉで形成されている。
【００１６】
詳細に述べると、表示領域において、ガラス基板１０上には、走査線１２およびゲート電極１３が形成され、これら走査線およびゲート電極を含むガラス基板上にゲート絶縁膜１４が成膜されている。ゲート絶縁膜１４上には、半導体膜１５および補助容量素子１９を構成する補助容量電極１６が配設されている。半導体膜１５および補助容量電極１６を含むゲート絶縁膜１４上には層間絶縁膜１７が成膜されている。
【００１７】
層間絶縁膜１７上に補助容量線１８が形成され、この補助容量線を含む層間絶縁膜上に層間絶縁膜２０が形成されている。補助容量電極１６および補助容量線１８は、層間絶縁膜１７を介して対向配置されている。補助容量電極１６、層間絶縁膜１７、および補助容量線１８の総膜厚は、１．０μｍである。
【００１８】
層間絶縁膜２０上には、信号線２１およびコンタクト配線２２が形成されている。信号線２１およびコンタクト配線２２は、それぞれ層間絶縁膜１７および層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホールを介して半導体膜１５のソース領域およびドレイン領域に接続されている。また、コンタクト配線２２は、層間絶縁膜１７および層間絶縁膜２０を介して補助容量電極１６に接続されている。補助容量線１８は、補助容量電極１６およびコンタクト配線２２の接続部を除いて形成されている。
【００１９】
図２、図３、および図４に示すように、信号線２１、コンタクト配線２２、および層間絶縁膜２０上には、それぞれストライプ状の赤色の着色層２４Ｒ、緑色の着色層２４Ｇ、および青色の着色層２４Ｂが隣接し交互に並んで配設され、カラーフィルタ２３を形成している。各着色層の周縁部は信号線２１に重なって位置している。
【００２０】
着色層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ上には、ＩＴＯ（インジウム・すず酸化物）等の透明な導電膜により複数の画素電極２６が形成されている。各画素電極２６は、着色層に形成されたコンタクトホール２５を介してコンタクト配線２２に接続されている。各画素電極２６の周縁部は、補助容量線１８および信号線２１に重なって位置している。補助容量線１８および信号線２１はブラックマトリクス（ＢＭ）として遮光機能を有し、遮光部としても機能している。各画素電極２６は補助容量電極１６に対して電気的に並列に接続されている。
【００２１】
着色層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂおよび画素電極２６上には、配向膜２８が形成されている。配向膜２８は、最上層に位置しているとともにラビングされている。配向膜２８上に、スペーサとしての柱状スペーサ２９が所望の密度で複数本形成されている。
【００２２】
表示領域の外側において、層間絶縁膜２０上には図示しない矩形枠状の遮光部が形成され、この遮光部は表示領域の着色層周縁部に沿って延びている。上記のように構成されたアレイ基板１の表面には複数の凸部４が形成されている。各凸部４は補助容量素子１９に起因して形成され、補助容量素子に沿って延びている。
【００２３】
図１および図６に示すように、画素電極２６の周縁部は、上述したように、補助容量線１８および信号線２１に重なって位置している。各画素電極２６は、アレイ基板１表面の凸部４近傍に位置した第１領域Ｒ１および第１領域以外の第２領域Ｒ２を有している。ここで、第１領域Ｒ１は、ラビング方向Ｄにおいて、凸部４から降下する傾斜領域近傍であるとともに、補助容量線１８に沿って延び、かつ、その両端を信号線２１に重ねている。この実施の形態において、ラビング方向Ｄは、補助容量線１８の延びた方向に対して４５°を示す方向である。
【００２４】
第２領域Ｒ２において、画素電極２６は、開口部２７を有している。開口部２７は、凸部４、より詳しくは、補助容量線１８に重なって位置し、第１領域Ｒ１に沿って延びている。各画素電極２６の第１領域Ｒ１と対向した液晶分子の配向は、配向制御手段により独立して制御されている。この実施の形態において、配向制御手段は、画素電極２６に開口部２７を設けることで構成されている。
【００２５】
対向基板２は、透明な絶縁基板としてガラス基板４０を備えている。このガラス基板４０上には、ＩＴＯ等の透明な導電膜で形成された対向電極４１が形成されている。また、ガラス基板４０の周縁部には、図示しない電極転移電極が形成されている。対向電極４１上には配向膜４２が成膜されている。
【００２６】
アレイ基板１および対向基板２は、両基板の周縁部に配置された、例えば熱硬化型のシール材５１により互いに接合され、複数の柱状スペーサ２９により所定の隙間を保持して対向配置されている。アレイ基板１、対向基板２、およびシール材５１で囲まれた領域には、液晶層３が形成されている。シール材５１の一部には液晶注入口５２が設けられ、この液晶注入口は封止材５３で封止されている。電極転移電極上には図示しない電極転移材が形成されている。電極転移材は、銀ペースト等の導電材料で構成され、アレイ基板１および対向電極４１に電圧を印加するために設けられている。  
アレイ基板１の外面には、偏光板６１、および位相差板６２が順次配設されている。対向基板２の外面には、偏光板７１、および位相差板７２が順次配設されている。
【００２７】
次に、上記液晶表示装置の一層詳しい構成を、その製造方法と併せて説明する。  
まず、透明な絶縁基板として、ガラス基板１０を用意する。成膜やパターニングを繰り返す等、通常の製造工程により、ガラス基板１０上にＴＦＴ１１を形成する。またガラス基板１０上には、走査線１２、補助容量線１８、層間絶縁膜２０、信号線２１、およびコンタクト配線２２等を形成する。
【００２８】
次いで、信号線２１、およびコンタクト配線２２を含み層間絶縁膜２０上全面に赤色の顔料を分散させた紫外線硬化型アクリル樹脂レジスト（以下、赤色レジスト）を、例えば、スピンナにて全面塗布する。次いで、所定のフォトマスクを用い、赤色レジストにパターニングを露光する。露光する際、赤色レジストには、波長を３６５ｎｍ、露光量を１００ｍＪ／ｃｍ２として紫外線を照射する。ここで用いたフォトマスクは、赤色に着色したい個所に紫外線が照射されるようなストライプ形状パターンと、画素電極２６およびＴＦＴ１１を接続するコンタクトホール２５のためのパターンと、を有している。
【００２９】
次に、露光された赤色レジストをＫＯＨの１％水溶液で２０秒間現像する。このように、フォトリソグラフィ法を用い、コンタクトホール２５を有し、膜厚３．０μｍの着色層２４Ｒを形成する。その後、着色層２４Ｒと同様、フォトリソグラフィ法を用い、膜厚３．０μｍの緑色の着色層２４Ｇ、および膜厚３．０μｍの青色の着色層２４Ｂを順次形成する。
【００３０】
続いて、コンタクトホール２５を含み、着色層２４Ｒ，２４Ｇ、２４Ｂ上に、例えばＩＴＯをスパッタリング法により膜厚１５００Åに堆積する。次いで、所定のマスクを用い、ＰＥＰ（Photo Engraving Process）により画素電極２６をパターン化する。ここで用いたマスクは、開口部２７を形成したい領域と対向した個所が開口して構成されている。これにより、着色層に重なっているとともに開口部２７を有した複数の画素電極２６が形成される。
【００３１】
その後、ガラス基板１０全面に配向膜材料を膜厚１００ｎｍとして塗布し、配向膜２８を形成する。配向膜２８には上述したラビング方向Ｄにラビングを施す。次に、配向膜２８上に複数の柱状スペーサ２９を形成する。
【００３２】
一方、対向基板２用のガラス基板４０を用意し、このガラス基板上に対向電極４１を形成する。対向電極４１を含むガラス基板４０上全面に、配向膜材料を塗布し、膜厚１００ｎｍの配向膜４２を形成する。その後、配向膜４２にラビングを施す。
【００３３】
次いで、対向基板２の周縁に沿って、例えば熱硬化型のシール材５１を印刷した後、このシール材付近に電極転移材を形成する。続いて、アレイ基板１および対向基板２を複数の柱状スペーサ２９により所定の隙間を保持して対向配置し、アレイ基板および対向基板の周縁部同士をシール材５１により貼り合せる。その後、シール材５１を加熱して硬化させ、アレイ基板１および対向基板２を固定する。
【００３４】
続いて、シール材５１の一部に形成された液晶注入口５２から、誘電異方性が正である液晶を注入する。その後、液晶注入口５２を、例えば紫外線硬化型樹脂からなる封止材５３により封止する。これにより、アレイ基板１および対向基板２間に液晶が封入され、液晶層３が形成される。次いで、アレイ基板１の外面に偏光板６１および位相差板６２を、対向基板２の外面に偏光板７１および位相差板７２を順次配設する。これにより、液晶表示装置が完成する。
【００３５】
ここで、完成した液晶表示装置を用いて黒色表示しても部分的な光抜けは発生せず、表示画面全面にわたり液晶分子の配向がほぼ均一となり、コントラスト比５００：１が得られた。
【００３６】
上記のように構成された液晶表示装置およびその製造方法によれば、液晶表示装置は、各画素電極２６の第１領域Ｒ１、つまり凸部４近傍と対向した液晶分子の配向を独立して制御する配向制御手段を有している。配向制御手段は、画素電極２６の開口部２７を有し、この開口部は遮光機能を有した補助容量素子の補助容量線に重なっている。このため、図１に示すように、画素電極２６および対向電極４１間に電圧を印加すると、第１領域Ｒ１と対向した個所で斜め方向の電界（以下、斜め電界と称する）Ｅが生じる。これにより、アレイ基板１表面に凸部４が形成されている場合でも、電圧印加時、第１領域Ｒ１と対向した液晶分子は立ちやすく、液晶の配向乱れを防止することができる。
【００３７】
画素電極２６は、少なくとも着色層２４Ｇに重なって形成されている。これにより、視感度の高い着色層２４Ｇから漏れる光を抑制できるため、コントラスト比の低下を抑制できる。
【００３８】
補助容量電極１６、層間絶縁膜１７、および補助容量線１８の総膜厚は、１．０μｍである。このため、第１領域Ｒ１と対向した配向膜２８を良好にラビングすることは困難である。上記したラビングは、総膜厚が０．６μｍ以上の場合に良好に行うことが困難となる。このため、画素電極２６の開口部２７は、総膜厚が０．６μｍ以上の場合に設ければ良い。
【００３９】
上記したことから、第１領域Ｒ１の画素電極２６および対向電極４１間に生じる斜め方向の電界効果により、液晶分子の配向が均一となる。このため、表示画面全域にわたり、高コントラスト比を有し、表示品位の優れた液晶表示装置が得られる。
【００４０】
次に、本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。  
図７に示すように、着色層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ上に、ＩＴＯ等の透明な導電膜からなる画素電極２６、および配向膜２８が設けられている。配向膜２８は、配向制御手段を構成するとともに画素電極２６の第１領域Ｒ１と重なった配向制御領域を有している。以下、配向膜２８の配向制御領域を他の配向膜３０として説明する。なお、この実施の形態において、画素電極２６に開口部２７は形成されていない。また、対向基板２も上述した実施の形態と同様配向膜４２まで順次形成されている。
【００４１】
次に、上記液晶表示装置の一層詳しい構成を、その製造方法と併せて説明する。  
用意したガラス基板１０上には、上述した実施の形態と同様、着色層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂまで順次形成されている。着色層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂ上には、ＩＴＯを、例えばスパッタリング法により堆積し、パターニングすることにより、複数の画素電極２６を形成する。
【００４２】
画素電極２６を含むアレイ基板１全面に、配向膜材料を塗布し、膜厚１００ｎｍの配向膜２８を形成する。次いで、所定のフォトマスクを用い、配向膜２８に紫外線を照射する。紫外線照射の際に用いたフォトマスクは、第１領域Ｒ１を除き、第２領域Ｒ２と対向した個所にのみ対応している。これにより、第１領域Ｒ１には、他の配向膜３０が形成されている。対向基板２は、上述した実施の形態と同様に形成した。その後、上記したアレイ基板１および対向基板２を用いることで液晶表示装置が完成する。
【００４３】
上記の液晶表示装置において、第２領域Ｒ２と対向した液晶分子のプレチルト角（以下、チルト角と称する）は４度であるが、紫外線照射した第１領域Ｒ１と対向した液晶分子のチルト角は５．５度であった。  
ここで、完成した液晶表示装置を用いて点灯表示したところ、黒色表示での部分的な光抜けは発生せず、表示画面全面に渡り均一にコントラスト比５００：１が得られた。
【００４４】
上記したように構成された液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法によれば、液晶表示装置は、各画素電極２６の第１領域Ｒ１と対向した液晶分子の配向を独立して制御する配向制御手段を有している。配向制御手段は、紫外線照射された他の配向膜３０を有し、この他の配向膜は、画素電極２６の第１領域Ｒ１と対向した液晶分子のチルト角が、第２領域Ｒ２と対向した液晶分子のチルト角よりも大きくなるよう配向処理されている。
【００４５】
他の配向膜３０は紫外線が照射されることで、第１領域Ｒ１と対向した液晶分子のチルト角を向上させることができる。このため、電圧印加時、第１領域Ｒ１と対向した液晶分子は立ちやすく、その配向は乱れない。このため、補助容量素子１９が形成された個所のアレイ基板１表面に凸部４が形成された場合でも、第１領域Ｒ１と対向した領域での液晶分子の配向は乱れない。
【００４６】
上記したことから、第１領域Ｒ１のチルト角を向上させることにより、液晶分子の配向が均一となる。このため、表示画面全域にわたり、高コントラスト比を有し、表示品位の優れた液晶表示装置が得られる。  
上述した他の実施の形態において、他の構成は上述した実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略した。
【００４７】
なお、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、開口部２７は、各画素電極２６が電気的に接続されるように設けられていれば良い。他の配向膜３０は配向処理として紫外線が照射されたが、他の配向膜を以下のように配向処理することでも第１領域Ｒ１と対向した液晶分子のチルト角を向上させることができる。
【００４８】
例えば、配向膜２８を形成した後、第２領域Ｒ２と対向してマスクを配置した状態で、第１領域Ｒ１と重なった配向膜に再びラビングを施して他の配向膜３０を形成しても良い。この際、ラビングに用いるラビング布を所定のものを用いれば良好にラビングできる。
【００４９】
また、配向膜２８を第１領域Ｒ１と対向した領域を除いて形成した後、第１領域と重なった個所には、配向膜のかわりに、液晶分子のチルト角が、第２領域Ｒ２と対向した液晶分子のチルト角よりも大きくなる配向膜レジストで他の配向膜３０を形成しても良い。
【００５０】
上述した配向制御手段は凸部４近傍に位置した第１領域Ｒ１と対向した液晶分子の配向を制御するが、他の凸部近傍に位置した領域と対向した液晶分子の配向を制御しても良い。この場合、他の凸部としては、走査線１２やＴＦＴ１１が形成された個所が挙げられる。このため、図６に示すように、画素電極２６は、上述した第１領域Ｒ１（Ｒ１ａ）の他、ＴＦＴ１１近傍の第１領域Ｒ１ｂや、走査線１２近傍の第１領域Ｒ１ｃを含んでいる。このため、補助容量線１８、走査線１２、およびＴＦＴ１１の少なくとも１つが形成された個所近傍に位置した第１領域と対向した液晶分子の配向を制御することにより、表示品位を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の断面図。
【図２】図１に示した液晶表示装置の斜視図。
【図３】図１および図２に示したアレイ基板の平面図。
【図４】図３に示したアレイ基板のＢ−Ｂ断面図。
【図５】図３に示したアレイ基板のＣ−Ｃ断面図。
【図６】図３に示したアレイ基板をさらに拡大して示した平面図。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る液晶表示装置の断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…液晶層、４…凸部、１１…ＴＦＴ、１２…走査線、１６…補助容量電極、１７…層間絶縁膜、１８…補助容量線、１９…補助容量素子、２３…カラーフィルタ、２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ…着色層、２６…画素電極、２７…開口部、２８…配向膜、４１…対向電極、４２…配向膜、Ｄ…ラビング方向、Ｒ１，Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ…第１領域、Ｒ２…第２領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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