(57)【要約】【課題】  高出力でありながら光出力−電流特性の直線性に優れたダブルへテロ構造の赤色半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の赤色半導体レーザ素子１０は、ＧａＡｓ半導体基板１１上に少なくとも第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１３、ＧａＩｎＰ活性層１７、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８が順次積層され、前記第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８上に順次積層されたリッジ状の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８’、第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層１９’及び第２導電型ＧａＡｓキャップ層２０’からなるリッジ部２１を備え、前記リッジ部２１の側面及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８の表面は順次積層された第１導電型ＡｌＩｎＰ層２３、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層２４及びＧａＩｎＰ層２５で被覆されている点に特徴を有する。【選択図】    図２
2006324552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓ半導体基板上に少なくとも第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層が順次積層され、前記第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上に順次積層されたリッジ状の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層及び第２導電型ＧａＡｓキャップ層からなるリッジ部を備えた赤色半導体レーザ素子において、前記リッジ部の側面及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層表面は順次積層された第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層で被覆されていることを特徴とする赤色半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記ＧａＩｎＰ層は、組成がＧａxＩｎ(1-x)Ｐ（ただし、ｘ＝０．４２〜０．４８）であり、前記第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層とは格子不整合状態にあることを特徴とする請求項１に記載の赤色半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記リッジ部の両側には前記リッジ部と同一層構造のサポート部が設けられ、前記サポート部の表面及び前記リッジ部と対向する側の側面も第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層で順次被覆されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の赤色半導体レーザ素子。
【請求項４】
少なくとも以下の（１）〜（３）の工程を有することを特徴とする赤色半導体レーザ素子の製造方法。
（１）半導体基板上に少なくとも第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、第２導電型ＧａＩｎＰ層、及び、第２導電型ＧａＡｓ層を連続的に順次積層して赤色ダブルへテロ用積層構造を形成し、次いで、
（２）前記第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の途中までリッジ状にエッチングすることにより、順次第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層及び第２導電型ＧａＡｓキャップ層からなるリッジ部を形成し、さらに、
（３）前記リッジ部の側面及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面に順次第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層を連続的に被覆する。
【請求項５】
前記ＧａＩｎＰ層は、組成をＧａxＩｎ(1-x)Ｐ（ただし、ｘ＝０．４２〜０．４８）とし、前記第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層と格子不整合状態としたことを特徴とする請求項５に記載の赤色半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記（２）の工程において同時に前記リッジ部の両側にサポート部を形成し、前記（３）の工程において前記サポート部の表面及び前記リッジ部と対向する側の側面も同時に順次第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層を連続的に被覆したことを特徴とする請求項４又は５に記載の赤色半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＶＤ−Ｒなどの光情報端末機器等の光源として使用するための赤色半導体レーザ素子及びその製造方法に関し、特に高出力でありながら光出力−電流特性の直線性に優れたダブルへテロ構造の赤色半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子は、小型軽量、高効率、高応答速度、広い波長選択性等の優れた特性を有していることから、光ディスク、光通信、レーザプリンタ等の分野への導入が盛んに進められており、特にＤＶＤ−Ｒなど高密度光ディスクの書き込みにはＡｌＧａＩｎＰ系の発振波長６５０ｎｍ領域の高出力赤色半導体レーザ素子が用いられている。
【０００３】
このようなＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ素子の一例としては、例えば図４に示したようなダブルへテロ構造を有する半導体レーザ素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体レーザ素子５０は、通常ＭＯＣＶＤ（Metal Organic ChemicalVapor Deposition；有機金属気相成長）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシャル成長）法、または、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）法などの結晶成長法を用い、以下の工程により作成されている。
【０００４】
すなわち、ＧａＡｓ基板５１上に、第１導電型ＧａＩｎＰバッファ層５２、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５３、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層５４、ＧａＩｎＰ歪量子井戸（ＴＱＷ）活性層５５、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層５６、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７及び第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層５８を順次エピタキシャル積層し、エッチングにより第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７上にリッジ（導波路）部６０を形成する。このうち、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層５４、ＧａＩｎＰ歪量子井戸（ＴＱＷ）活性層５５及びアンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層５６からなる部分は一般にＧａＩｎＰ活性層ともいわれる。
【０００５】
その後に、エッチングにより取り除いた部分に第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１の埋め込み成長を行い、さらに第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１及び第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層５８上に第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９を積層し、この第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９の表面に第２導電側電極６２を、また、ＧａＡｓ基板５１の底部に第１導電側電極６３をそれぞれ設けた構成を有している。
【０００６】
この半導体レーザ素子５０は、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７と第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１の界面及び第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層５８と第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９の界面において良好な結晶性が得られないことが見出されている。これは、Ｖ族元素がＰ（リン）であるIII−Ｖ族化合物半導体からなる第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７の上にＶ族元素がＰとは異なるＡｓ（ヒ素）であるIII−Ｖ族化合物半導体からなる第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１を連続的に形成しないでエッチング後における別の工程で形成するため、及び、Ｖ族の元素がＰのIII−Ｖ族化合物半導体からなる第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層５８の上にＶ族の元素がＡｓのIII−Ｖ族化合物半導体からなる第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９を非連続的に形成するためである。このように界面における結晶性が損なわれると、レーザ発光に寄与しない無効電流が増大し、結果として素子の歩留り低下を招くという問題点が存在する。
【０００７】
一方、このような従来技術の問題点を解決した化合物半導体レーザ素子が下記特許文献２に開示されている。ここで、下記特許文献２に開示されている半導体レーザ素子７０を図５を用いて説明するが、図５においては図４に示した半導体レーザ素子５０と同一の構成部分には同じ参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【０００８】
下記特許文献２に開示されている半導体レーザ素子７０が上述の半導体レーザ素子５０と構成が相違している点は、
（ａ）第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７と第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１との間に第２導電型ＧａＩｎＰ層６５を導入することにより、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７のＶ族元素と導入された第２導電型ＧａＩｎＰ層６５のＶ族元素が同じＰからなるようにするとともに、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７のIII族元素と導入された第２導電型ＧａＩｎＰ層６５のIII族元素が同じＧａからなるようにすることで両者間の結晶性を良好に保ち、
（ｂ）第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層５８と第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９との間に第２導電型ＧａＩｎＰ層６６を導入することにより、第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層５８のＶ族元素と導入された第２導電型ＧａＩｎＰ層６６のＶ族元素とが同じＰからなるようにするとともに、第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９のIII族元素と導入された第２導電型ＧａＩｎＰ層６６のIII族元素が同じＧａからなるようにし、これに加えて導入された第２導電型ＧａＩｎＰ層６６と第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９とを連続プロセスで形成することで両者間の結晶性を良好に保ち、
（ｃ）第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１と第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９の間に第２導電型ＧａＩｎＰ層６７と第２導電型ＧａＩｎＰ層６６とを介在させ、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１と第２導電型ＧａＩｎＰ層６７とは連続プロセスで形成し、また第２導電型ＧａＩｎＰ層６６と第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９とも連続プロセスで形成することにより、第２導電型ＧａＩｎＰ層６６及び第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９の結晶性が良好となるようにしたものである、
【特許文献１】特開平０５−０４１５６０号公報（特許請求の範囲、段落［００１４］〜［００１９］、図１〜図４）
【特許文献２】特開平０７−０２２７０３号公報（特許請求の範囲、段落［０００４］〜［０００５］、［００１４］〜［００１５］、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献２に開示されている半導体レーザ素子７０は、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５７と第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１との間に第２導電型ＧａＩｎＰ層６５をエピタキシャル成長させることにより第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１の結晶性を高め（上記（ａ）参照）、さらに、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１と第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９の間に第２導電型ＧａＩｎＰ層６７と第２導電型ＧａＩｎＰ層６６とを介在させ、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１と第２導電型ＧａＩｎＰ層６７とは連続プロセスで形成し、また第２導電型ＧａＩｎＰ層６６と第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９とも連続プロセスで形成することにより、第２導電型ＧａＩｎＰ層６６及び第２導電型ＧａＡｓキャップ層５９の結晶性が良好となるようにしている（上記（ｃ）参照）が、この導入された第２導電型ＧａＩｎＰ層６５、６６及び６７は第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１と格子整合する組成のものを使用する必要がある。
【００１０】
しかしながら、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層６１に格子整合させるための第２導電型ＧａＩｎＰの組成では、レーザ光の吸収が十分ではないためにファーフィールドパターンが乱れ、理想的な波形が得られないため、リップル等の不良が生じるという問題がある。
【００１１】
そこで、本発明は係る問題点を解決するためになされたものであり、特に結晶性の低い電流ブロック層を保護してレーザ光の光吸収が大きくなるようにし、キンクが小さい高出力の赤色半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の上記第１の目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項１の赤色半導体レーザ素子の発明は、ＧａＡｓ半導体基板上に少なくとも第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層が順次積層され、前記第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上に順次積層されたリッジ状の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層及び第２導電型ＧａＡｓキャップ層からなるリッジ部を備えた赤色半導体レーザ素子において、前記リッジ部の側面及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層表面は順次積層された第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層で被覆されていることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の赤色半導体レーザ素子において、前記ＧａＩｎＰ層は、組成がＧａxＩｎ(1-x)Ｐ（ただし、ｘ＝０．４２〜０．４８）であり、前記第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層とは格子不整合状態にあることを特徴とする。この際、ｘ＝０．４２〜０．４８の範囲を外れるとレーザ光の吸収が十分ではないために理想的な波形が得られず、リップル等の不良が生じるので好ましくない。
【００１４】
また、請求項３の発明は、請求項１又は２に記載の赤色半導体レーザ素子において、前記リッジ部の両側には前記リッジ部と同一層構造のサポート部が設けられ、前記サポート部の表面及び前記リッジ部と対向する側の側面も第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層で順次被覆されていることを特徴とする。
【００１５】
さらに本発明の第２の目的は以下の製造方法により達成し得る。すなわち、請求項４の赤色半導体レーザ素子の製造方法の発明は、少なくとも以下の（１）〜（３）の工程を有することを特徴とする。
（１）半導体基板上に少なくとも第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、ＧａＩｎＰ活性層、第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、第２導電型ＧａＩｎＰ層、及び、第２導電型ＧａＡｓ層を連続的に順次積層して赤色ダブルへテロ用積層構造を形成し、次いで、
（２）前記第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の途中までリッジ状にエッチングすることにより、順次第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、第２導電型ＧａＩｎＰコンタクト層及び第２導電型ＧａＡｓキャップ層からなるリッジ部を形成し、さらに、
（３）前記リッジ部の側面及び第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面に順次第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層を連続的に被覆する。
【００１６】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の赤色半導体レーザ素子の製造方法において、前記ＧａＩｎＰ層は、組成をＧａxＩｎ(1-x)Ｐ（ただし、ｘ＝０．４２〜０．４８）とし、前記第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層と格子不整合状態としたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項６の発明は、請求項４又は５に記載の赤色半導体レーザ素子の製造方法において、前記（２）の工程において同時に前記リッジ部の両側にサポート部を形成し、前記（３）の工程において前記サポート部の表面及び前記リッジ部と対向する側の側面も同時に順次第１導電型ＡｌＩｎＰ層、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層及びＧａＩｎＰ層を連続的に被覆したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は上記の構成を備えることにより、以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１の発明によれば、第１導電型ＧａＡｓ電流ブロック層上に設けられたＧａＩｎＰ層は、赤色半導体レーザ素子が発色する波長帯の光を効率よく吸収し、かつ結晶性の低いＧａＡｓ電流ブロック層が化学薬品によって浸食されるのを保護することができるため、製造歩留まりがよく、しかもキンク等の特性が良好な高出力型の赤色半導体レーザ素子が得られる。
【００１９】
また、請求項２の発明によれば、特に請求項１の発明の効果を顕著に奏することができる赤色半導体レーザ素子が得られる。
【００２０】
また、請求項３の発明によれば、サポート部はリッジ部の保護部材としても機能するから、製造時にリッジ部の破損が少なくなり、製造歩留まりが良好な赤色半導体レーザ素子が得られる。加えて、請求項３の発明によれば、サポート部はリッジ部に比べると表面の面積が大きいので、特に赤色半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けることができるから、冷却効率が向上するために信頼性が非常に高くなる。
【００２１】
さらに、請求項４〜６の赤色半導体レーザ素子の製造方法の発明によれば、請求項１〜３の発明の効果を奏する赤色半導体レーザ素子を容易に製造することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を実施例及び図１及び図２を用いて詳細に説明するが、以下に述べた実施例は、本発明の技術思想を具体化するための赤色半導体レーザ素子及びその製造方法を例示するものであって、本発明をこの実施例に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。なお、図１は、実施例に係る製造工程の途中の赤色半導体レーザ素子の断面図であり、図２は電極を設ける前の赤色半導体レーザ素子の断面図である。
【実施例１】
【００２３】
実施例１に係る半導体レーザ素子としては、第１導電型をｎ型としたＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザ素子１０を以下に示す工程（１）〜（３）を経て作製した。
（１）第１エピタキシャル成長工程、
まず、図１に示すように、減圧ＭＯＣＶＤ法を用い、ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１３、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１４と歪量子井戸（ＴＱＷ）活性層１５とアンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６とからなるＧａＩｎＰ活性層１７、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８、ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層１９及びｐ型ＧａＡｓキャップ層２０を順次連続的に積層することにより、赤色ダブルへテロ用積層構造を形成した。なお、以上の例では、ｎ型半導体層はＳｉドープにより、また、ｐ型半導体層はＺｎドープにより製造した。
（２）エッチング工程
次にＳｉＯ2膜を蒸着し、フォトリソグラフィーによりＳｉＯ2膜を加工し、それをマスクとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８の途中までエッチングすることにより、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８の表面に、幅約２．５０μｍのリッジ状のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１８’、ｎ型ＧａＩｎＰコンタクト層１９’及びｎ型ＧａＡｓキャップ層２０’とからなるリッジ部２１と、そのリッジ部２１の両側にサポート部２２を形成した。なお、サポート部２２の形成は任意であるが、製造時に細いリッジ部２１の保護部材として作用するし、しかも、できあがった赤色半導体レーザ素子をサブマウントを介して保持体にて保持させて冷却効率を上げる、いわゆるジャンクションダウン方式を適用する際に有用であるので、設けておいた方がよい。
（３）その後、図２に示すように、再度減圧ＭＯＣＶＤ法により前記エッチング工程で取り除いた部分及びサポート部２２の表面に順次膜厚０．４５μｍのｎ型ＡｌxＩｎ(1-x)Ｐからなるｎ型ＡｌＩｎＰ層２３（ただし、ｘ＝０．５１）、膜厚０．５５μｍのｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２４及び膜厚０．３５μｍのＧａxＩｎ(1-x)ＰからなるＧａＩｎＰ層２５（ただし、ｘ＝０．４４）を連続的に被覆し、図２に示した電極形成前の赤色半導体レーザ素子１０を作製した。
【００２４】
次いで、常法によりリッジ部２２のｐ型ＧａＡｓキャップ層２０’の表面及びＧａＡｓ基板１１の裏面に電極を形成して赤色半導体レーザ素子を作製した。得られた赤色半導体レーザ素子は、発振波長６５５ｎｍであり、低出力領域から高出力領域まで直線性が非常に良好で、キンクが小さい赤色半導体レーザ素子であった。
【００２５】
なお、実施例１ではＧａＩｎＰ層２５として、組成がＧａxＩｎ(1-x)Ｐ（ただし、ｘ＝０．５１）のものを使用したが、ｘ＝０．４２〜０．４８の範囲内であれば同様の効果を奏する。また、ＧａＩｎＰ層２５の膜厚は０．５０μｍ以下とする必要がある。ＧａＩｎＰ層２５の膜厚が０．５０μｍを超えると、ＧａＩｎＰ層２５はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１９とは格子不整合状態にあるので、歪みが大きくなりすぎてウェハが白濁してしまう。このＧａＩｎＰ層２５の膜厚の下限に臨界的限度はないが、ＧａＩｎＰ層２５が存在しないと、キンクが大きくなるだけでなく、結晶性が低いｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２４の形成後の化学薬品による処理によってｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層２４が浸食されてしまうので、ＧａＩｎＰ層２５を設けることは必須である。
【００２６】
さらに、実施例１で得られた赤色半導体レーザ素子１０は、ＤＶＤ−Ｒなど高密度光ディスクの書き込み用として有用な発振波長６５５ｎｍのものであるが、現在も光記録媒体として広く使用されているコンパクトディスク（ＣＤ）、レコーダブルコンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ）、ミニディスク（ＭＤ）等に対しても使用できるようにするには発振波長が７８０ｎｍのレーザが必要となる。さらに、光ピックアップの簡素化、小型化等を実現するためには、１つのパッケージから６５０ｎｍ台および７８０ｎｍ台の両方の波長を出すことのできる２波長レーザ装置が有効である。本発明の主題から外れるが、実施例１で得られた赤色半導体レーザ素子と周知の発振波長７８０ｎｍのレーザ素子とを一体化した２波長半導体レーザ素子の具体例を参考例として図３に示す。
【００２７】
この二波長半導体レーザ素子３０は、ＤＶＤ側の発振波長６５５ｎｍの赤色半導体レーザ素子３１と、ＣＤ側の発振波長７８０ｎｍの赤外半導体レーザ素子４０とを備えている。このうち、赤色半導体レーザ素子３１は、実施例１に従って作製した赤色半導体レーザ素子１０と同一の構成を備えており、その具体的構成については赤色半導体レーザ素子１０と同一の参照符号を付与して説明を省略する。また、ＣＤ側の発振波長７８０ｎｍの赤外半導体レーザ素子４０は、周知の構成のものであり、ＧａＡｓ基板１１上に順次ｎ型ＧＡｌＧａＡｓクラッド層４１、ＡｌＧａＡｓ活性層４２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４３を備え、このｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４３の表面にリッジ状のｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４３’及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層４４からなるリッジ部４５が設けられ、このリッジ部４５の側部及びｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層４３の表面にはｎ型ＡｌＧａＡｓ層４６を介してｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４７が設けられ、さらに、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４４及びｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層４７の表面をｐ型ＧａＡｓ層４８で埋めた構成を有している。このような構成の二波長半導体レーザ素子３０は、ジャンクションダウン方式でサブマウント（図示せず）を介して保持体にて保持させて冷却効率を上げることができるため、信頼性が非常に高い二波長半導体レーザ素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施例１に係る半導体レーザ素子の製造途中の構造を示す図である。
【図２】実施例１に係る半導体レーザ素子の電極形成前の半導体レーザ素子の構造を示す図である。
【図３】参考例の二波長半導体レーザ素子の電極形成前の構造を示す図である。
【図４】従来例のＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ素子の構造を示す図である。
【図５】別の従来例のＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ素子の構造を示す図である。
【符号の説明】
【００２９】
１１    ＧａＡｓ基板
１２    ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層
１３    ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
１４    アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層
１５    歪量子井戸（ＴＱＷ）活性層
１６    アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層
１７    ＧａＩｎＰ活性層
１８    ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１９    ｐ型ＧａＩｎＰコンタクト層
２０    ｐ型ＧａＡｓキャップ層
２１    リッジ部
２２    サポート部
２３    ｎ型ＡｌＩｎＰ層
２４    ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
２５    ＧａＩｎＰ層
３０    ２波長半導体レーザ素子
【図１】
2006324552.tif 000003
【図２】
2006324552.tif 000004
【図３】
2006324552.tif 000005
【図４】
2006324552.tif 000006
【図５】
2006324552.tif 000007