(57)【要約】【課題】半導体素子の製造のためのイオン注入方法において、垂直イオン注入とチルトイオン注入とが組み合わせられたイオン注入方法を提供する。【解決手段】このイオン注入方法によれば、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入し（５２０）、続いて、全体ドーズから第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンをチルトイオン注入する（５３０）。このチルトイオン注入は、複数個のチルトイオン注入に細分化させても良い。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入する垂直イオン注入段階と、
前記全体ドーズから前記第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンを、チルトイオン注入により注入するチルトイオン注入段階と、
を備えることを特徴とするイオン注入方法。
【請求項２】
前記チルトイオン注入段階は、前記残りドーズを複数個に分け、分けられたそれぞれのドーズの不純物イオンを、それぞれ異なる角度を有する複数回のチルトイオン注入により注入することを含むことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入方法。
【請求項３】
前記チルトイオン注入段階は、ウエハ表面に対する垂直線と不純物イオンの注入経路との角度を４゜乃至４５゜の角度にして行うことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入方法。
【請求項４】
前記垂直イオン注入段階とチルトイオン注入段階は、実質的に同一のイオン注入エネルギー条件で行うことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入方法。
【請求項５】
前記垂直イオン注入段階とチルトイオン注入段階は、同一のイオン注入装備内で連続的に行うことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入方法。
【請求項６】
前記垂直イオン注入段階とチルトイオン注入段階は、同一のイオン注入装備内で独立的に行うことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入方法。
【請求項７】
前記垂直イオン注入段階及びチルトイオン注入段階で注入される不純物イオンは、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、ＢＦ２、ＢＦ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＧｅから選ばれた少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入方法。
【請求項８】
半導体基板に不純物イオンを垂直イオン注入して第１不純物領域を形成する段階と、
前記半導体基板に不純物イオンをチルトイオン注入し、前記第１不純物領域よりも広い幅と低い深さをもって前記第１不純物領域の一部と重なる第２不純物領域を形成する段階と、
を備えることを特徴とする傾斜型接合形成方法。
【請求項９】
前記垂直イオン注入される不純物領域のドーズと前記チルトイオン注入される不純物領域のドーズは、実質的に同一であることを特徴とする請求項８に記載の傾斜型接合形成方法。
【請求項１０】
前記垂直イオン注入する段階とチルトイオン注入する段階におけるイオン注入エネルギーは、実質的に同一であることを特徴とする請求項８に記載の傾斜型接合形成方法。
【請求項１１】
前記半導体基板に不純物イオンをチルトイオン注入し、前記第２不純物領域よりも広い幅と低い深さをもって前記第１不純物領域及び第２不純物領域の一部と重なる第３不純物領域を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の傾斜型接合形成方法。
【請求項１２】
前記第３不純物領域形成のためのチルトイオン注入の傾斜角度は、前記第２不純物領域形成のためのチルトイオン注入の傾斜角度よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載の傾斜型接合形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に係り、特に、半導体素子の製造のためのイオン注入方法及びこれを用いた傾斜型接合形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子、特にＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）のような半導体メモリ素子を製造するためには、多数の単位工程が必要とされる。単位工程は、積層工程、蝕刻工程、イオン注入工程などを含み、通常、ウエハ単位に行われる。なかでも、イオン注入工程は、強い電場によりボロン、ヒ素などのようなドーパントイオンを加速させてウエハ表面を通らせる工程技術であって、このようなイオン注入により物質の電気的な特性を変化させることができる。
【０００３】
図１は、従来のイオン注入方法の一例である垂直イオン注入方法を説明するための図である。
【０００４】
図１を参照すると、ウエハ１００は、ウエハ支持台１１０により支持される。ウエハ支持台１１０は、回転軸１２０により左側または右側に傾斜するように配置されることができる。回転軸１２０は、シャフト（shaft）１３０により支持される。これらウエハ支持設備により、ウエハ１００は、不純物イオンが注入される前面１０１が露出されるように配置され、このウエハ１００の前面１０１に、同図において矢印で表すように、不純物イオン２００が注入される。ここで、点線で表すように、不純物イオン２００が注入される注入経路と、ウエハ１００の前面１０１に対する垂直線とがなす角度は０°である。
【０００５】
このようにウエハ１００の前面１０１に対して不純物イオン２００が垂直に入射する垂直イオン注入方法を用いて不純物領域を形成すると、低い面抵抗（sheet resistance）を有する不純物領域を形成できるという利点が得られるが、近来、素子の集積度が飛躍的に増加するに伴い、チャネリング効果（channeling effect）により否定的な効果が生じるという問題がある。チャネリング効果とは、イオン注入後に所望の深さ以上に不純物イオンが注入される等、不純物イオンのプロファイルが正常でない異常ガウシアン（gaussian）プロファイルを表す現象のことである。このようなチャネリング効果は、素子の集積度増加により、所望の深さへの調節（depth control）が益々難しくなるにつれてより多発してきている。このため、最近ではチャネリング効果を抑えられるチルト（tilt）イオン注入方法も多く用いられている。
【０００６】
このチルトイオン注入方法を、図２に示す。図２において、図１と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その重複説明は省く。
【０００７】
図２を参照すると、回転軸１２０を用いてウエハ支持台１１０を一定角度だけ斜めに移動させる。これにより、ウエハ１００も同様に一定角度だけ斜めになり、結果としてウエハ１００の表面に対する垂直線と不純物イオン２００の注入経路との間に一定角度αが形成される。すなわち、ウエハ１００に対して不純物イオンが垂直に注入される垂直イオン注入に比べて、チルトイオン注入は、ウエハ１００に対して不純物イオンが一定角度αで斜めに注入される。このチルトイオン注入を用いて不純物領域を形成すると、垂直イオン注入方法を使用する時に生じるチャネリング効果が抑えられるということは、周知のことである。
【０００８】
図３は、垂直イオン注入とチルトイオン注入により注入されたそれぞれの不純物イオンに対する、接合深さによる濃度変化を示すグラフである。図４は、垂直イオン注入とチルトイオン注入によりそれぞれ形成された不純物領域における温度による面抵抗及び面抵抗偏差の変化を示すグラフである。
【０００９】
まず、図３を参照すると、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectroscopy）で接合深さによる濃度を調べた結果、垂直イオン注入では、符号３１０で示した濃度プロファイルが得られ、チルトイオン注入では、符号３２０で示した濃度プロファイルが得られた。ここで、チルトイオン注入に際して傾斜角は７゜と設定した。両者の濃度プロファイルから、チルトイオン注入３２０に比べて垂直イオン注入３１０において不純物イオンがより深い接合深さまで注入され、チャネリング効果がより深刻であることがわかる。
【００１０】
次に、図４を参照すると、符号４１１で示すように、垂直イオン注入では、温度による面抵抗が相対的に低く表れるのに対し、符号４１２で示すように、７゜チルトイオン注入では、温度による面抵抗が相対的に高く表れる。そして、符号４２０で示すように、垂直イオン注入と７゜チルトイオン注入との面抵抗偏差は、温度が高まるにつれてやや減少したものと表れた。
【００１１】
図３及び図４のグラフからわかるように、垂直イオン注入では低い面抵抗を表すが、チャネリング効果が問題となり、チルトイオン注入ではチャネリング効果は抑えられるが、高い面抵抗を表すという問題がある。すなわち、垂直イオン注入とチルトイオン注入においてチャネリング効果と面抵抗とはトレード・オフ（trade-off）の関係をもつ。しかも、素子の密集度が極度に増加するに伴い、フォトレジスト膜パターンの影効果（shadow effect）によりチルトイオン注入を行う上でも多くの制約が生じてきている。
【００１２】
【特許文献１】米国特許第６，３４６，４４１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，１８７，６４３号明細書
【特許文献３】米国特許第５，６８６，３２４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は上記目的を達成するためのもので、その目的は、所望の面抵抗を確保しながらチャネリング効果を最小限に抑えられる半導体素子の製造のためのイオン注入方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、上記のイオン注入方法を用いて傾斜型接合を形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明に係るイオン注入方法は、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第１ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入する垂直イオン注入段階と、前記全体ドーズから前記第１ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンを、チルトイオン注入により注入するチルトイオン注入段階と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
前記チルトイオン注入段階は、前記残りドーズを複数個に分け、分けられたそれぞれのドーズの不純物イオンを、それぞれ異なる角度を有する複数回のチルトイオン注入により注入することを含むことができる。
【００１７】
前記チルトイオン注入段階は、ウエハ表面に対する垂直線と不純物イオンの注入経路との角度を４゜乃至４５゜の角度にして行うことができる。
【００１８】
前記垂直イオン注入段階とチルトイオン注入段階は、実質的に同一のイオン注入エネルギー条件で行うと好ましい。
【００１９】
好ましくは、前記垂直イオン注入段階とチルトイオン注入段階は、同一のイオン注入装備内で連続的に行う。
【００２０】
前記垂直イオン注入段階とチルトイオン注入段階は、同一のイオン注入装備内で独立的に行っても良い。
【００２１】
前記垂直イオン注入段階及びチルトイオン注入段階で注入される不純物イオンは、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、ＢＦ２、ＢＦ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＧｅから選ばれた少なくともいずれか一つを含むことができる。
【００２２】
上記他の目的を達成するために、本発明に係るイオン注入方法を用いた傾斜型接合形成方法は、半導体基板に不純物イオンを垂直イオン注入して第１不純物領域を形成する段階と、前記半導体基板に不純物イオンをチルトイオン注入し、前記第１不純物領域よりも広い幅と低い深さをもって前記第１不純物領域の一部と重なる第２不純物領域を形成する段階と、を備えることを特徴とする。
【００２３】
前記垂直イオン注入される不純物領域のドーズと前記チルトイオン注入される不純物領域のドーズは、実質的に同一であることが好ましい。
【００２４】
前記垂直イオン注入する段階とチルトイオン注入する段階におけるイオン注入エネルギーは、実質的に同一であることが好ましい。
【００２５】
前記傾斜型接合形成方法において、前記半導体基板に不純物イオンをチルトイオン注入し、前記第２不純物領域よりも広い幅と低い深さをもって前記第１不純物領域及び第２不純物領域の一部と重なる第３不純物領域を形成する段階をさらに備えることを特徴とする。
【００２６】
この場合、前記第３不純物領域形成のためのチルトイオン注入の傾斜角度は、前記第２不純物領域形成のためのチルトイオン注入の傾斜角度よりも大きいほうが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明による半導体素子の製造のためのイオン注入方法及びこれを用いた傾斜型接合形成方法は、０゜傾斜の垂直イオン注入と一定角度の傾斜を有するチルトイオン注入とを組み合わせて行うため、所望の面抵抗を最大限に確保しながらチャネリング効果を十分に抑えられるという利点が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付の図面に基づき、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。ただし、本発明の実施の形態は様々な形態に変形でき、本発明の範囲が下記の実施の形態によって限定されるものとして解釈されてはならない。
【００２９】
図５は、本発明による半導体素子の製造のためのイオン注入方法を説明するためのフローチャートである。
【００３０】
図５を参照すると、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズを少なくとも２以上に分ける（段階５１０）。このときに、全体ドーズを、第１ドーズ及び第２ドーズの２つに分けても良く、第１ドーズ、第２ドーズ及び第３ドーズの３つに分けても良く、場合によっては４つ以上に分けることも可能である。第１ドーズ、第２ドーズ及び第３ドーズはいずれも同じ値であっても良く、それぞれ異なる値であっても良い。また、一部は同じ値であり、残りは異なる値であっても良い。
【００３１】
続いて、垂直イオン注入（または、０゜チルトイオン注入）を行い、分けられたドーズのうちいずれか一つのドーズの不純物イオンをウエハに注入する（段階５２０）。その後、チルトイオン注入を行って残りドーズの不純物イオンをウエハに注入する（段階５３０）。全体ドーズを第１ドーズ及び第２ドーズの２つに分けた場合、第１ドーズの不純物イオンは垂直イオン注入により注入し、第２ドーズの不純物イオンはチルトイオン注入により注入する。全体ドーズを第１ドーズ、第２ドーズ及び第３ドーズの３つに分けた場合にも同様に、第１ドーズの不純物イオンは垂直イオン注入により注入し、第２及び第３ドーズの不純物イオンはチルトイオン注入により注入する。いずれの場合にも、チルトイオン注入では、ウエハ表面に対する垂直線と不純物イオンの注入経路との角度を、４゜乃至４５゜の角度とし、チャネリング効果が最小限に抑えられるようにすると好ましい。
【００３２】
続いて、分けられたドーズが全て注入されたかどうか判断する（段階５４０）。この判断の結果、まだ注入されずに残っているドーズがあると、段階５３０に戻ってチルトイオン注入を再び行う。この時のチルトイオン注入は、以前に行ったチルトイオン注入時の角度と異なる角度で行う。全体ドーズを第１ドーズ及び第２ドーズの２つに分けた場合には、第１ドーズ及び第２ドーズが全部注入されたので、全体イオン注入を完全に終了する。一方、全体ドーズを第１ドーズ、第２ドーズ及び第３ドーズの３つに分けた場合には、残りの第３ドーズの不純物イオンをチルトイオン注入により注入する。前に行われた第２ドーズの不純物イオンを第１角度のチルトイオン注入により注入した場合、第３ドーズの不純物イオンは、第１角度とは異なる第２角度のチルトイオン注入により注入する。
【００３３】
図６乃至図８は、本発明によるイオン注入方法の具体的な実施の形態を説明するための図である。図６乃至図８において、図１と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その重複説明は省く。
【００３４】
本実施の形態では、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズが３．０×１０１３ions/cm3であり、これを１．０×１０１３ions/cm3の第１乃至第３ドーズに分ける場合を例に上げで説明する。本実施の形態では、第１乃至第３ドーズの３つのドーズに分けた例を示すが、上にも述べたように、場合によって２つのドーズに分けても、４つ以上のドーズに分けても良い。また、第１乃至第３ドーズを均等に分けたが、各ドーズのうち少なくともいずれか一つは、異なる値を有することも可能である。
【００３５】
まず、図６に示すように、第１ドーズである１．０×１０１３ions/cm3の不純物イオン２１０を、垂直イオン注入によりウエハ１００に注入する。すなわち、ウエハ１００の前面１０１に対する垂直線が不純物イオン２１０の注入経路と０゜の角度をなすように、ウエハ支持台１１０上にウエハ１００を配置し、この状態で、１．０×１０１３ions/cm3のドーズを有する不純物イオン２１０をウエハ１００に注入する。
【００３６】
その後、図７に示すように、第２ドーズである１．０×１０１３ions/cm3の不純物イオン２１０を、３゜チルトイオン注入によりウエハ１００に注入する。すなわち、ウエハ１００の前面１０１に対する垂直線が不純物イオン２１０の注入経路と３゜の角度をなすように、ウエハ支持台１１０上にウエハ１００を配置し、この状態で、１．０×１０１３ions/cm3のドーズを有する不純物イオン２１０をウエハ１００に注入する。
【００３７】
続いて、図８に示すように、第３ドーズである１．０×１０１３ions/cm3の不純物イオン２１０を、７゜チルトイオン注入によりウエハに注入する。すなわち、ウエハ１００の前面１０１に対する垂直線が不純物イオン２１０の注入経路と７゜の角度をなすように、ウエハ支持台１１０上にウエハ１００を配置し、この状態で、１．０×１０１３ions/cm3のドーズを有する不純物イオン２１０をウエハ１００に注入する。
【００３８】
要するに、全体ドーズが３．０×１０１３ions/cm3の不純物イオンを注入する場合、一次には、第１ドーズである１．０×１０１３ions/cm3の不純物イオンを垂直イオン注入し、二次に、第２ドーズである１．０×１０１３ions/cm3の不純物イオンを３゜チルトイオン注入し、三次に、第３ドーズである１．０×１０１３ions/cm3の不純物イオンを７゜チルトイオン注入する。これら垂直イオン注入、３゜チルトイオン注入及び７゜チルトイオン注入は、一つのイオン注入設備内で行う。この場合、レシピ（recipe）だけを変更して連続的に行っても良く、または、それぞれ独立的に分離された段階として行っても良い。また、イオン注入設備内での注入エネルギー変更のために多くの設定時間がかかる点を考慮し、垂直イオン注入、３゜チルトイオン注入及び７゜チルトイオン注入は同じ注入エネルギー条件で行われるようにする。これら垂直イオン注入、３゜チルトイオン注入及び７゜チルトイオン注入により注入される不純物イオンは、Ｂ、Ｐ、Ａｓ、ＢＦ２、ＢＦ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＧｅのうち少なくともいずれか一つを含むことができる。また、このようなイオン注入は、素子のしきい電圧の調節のためのイオン注入、ソース／ドレーン形成のためのイオン注入、ウェル形成のためのイオン注入などに適用可能である。
【００３９】
図９は、本発明による半導体素子の製造のためのイオン注入方法により注入される不純物イオンの、接合深さによる濃度変化を示すグラフである。図１０は、本発明による半導体素子の製造のためのイオン注入方法における垂直イオン注入とチルトイオン注入との組み合わせによる面抵抗を示すグラフである。
【００４０】
まず、図９を参照すると、０゜チルトの垂直イオン注入を１００％行う場合（符号６１０で示した線）には、接合深さの深い箇所、例えば、３０００Å近くにおいても高い不純物濃度を表し、チャネリング効果による問題が生じる恐れがある。これに対し、７゜チルトイオン注入を１００％行う場合（符号６２０で示した線）には、接合深さの深い箇所、例えば、３０００Å近くにおいて相対的に低い不純物濃度を表し、チャネリング効果による問題の発生が抑えられる。
【００４１】
一方、符号６３０乃至６６０は、垂直イオン注入と７゜チルトイオン注入とを組み合わせた場合であり、具体的に、符号６３０で示した線は、垂直イオン注入２０％と７゜チルトイオン注入８０％との組み合わせ、符号６４０で示した線は、垂直イオン注入４０％と７゜チルトイオン注入６０％との組み合わせ、符号６５０で示した線は、垂直イオン注入６０％と７゜チルトイオン注入４０％との組み合わせ、符号６６０で示した線は、垂直イオン注入８０％と７゜チルトイオン注入２０％との組み合わせの場合である。なかでも、垂直イオン注入２０％と７゜チルトイオン注入８０％との組み合わせの場合（符号６３０）には、垂直イオン注入１００％の場合（符号６１０）と類似したＲｐ（Projected Range）を表しながら、１５００Å以上の深さでは７゜チルトイオン注入１００％の場合（６２０参照）と類似した不純物濃度を有する。従って、垂直イオン注入２０％と７゜チルトイオン注入８０％との組み合わせの場合（符号６３０）には、チャネリング効果が十分に抑えられるということがわかる。
【００４２】
次に、図１０を参照すると、０゜チルトの垂直イオン注入を１００％行う場合（符号７１０）には、ほぼ４９３．１Ω/sq.の低い面抵抗を表すのに対し、７゜チルトイオン注入を１００％行う場合（符号７２０）には、ほぼ６２３．８Ω/sq.の高い面抵抗を表す。一方、符号７３０乃至７６０で示した棒は、垂直イオン注入と７゜チルトイオン注入とを組み合わせた場合であり、符号７３０で示した棒は、垂直イオン注入２０％と７゜チルトイオン注入８０％との組み合わせ、符号７４０で示した棒は、垂直イオン注入４０％と７゜チルトイオン注入６０％との組み合わせ、符号７５０で示した棒は、垂直イオン注入６０％と７゜チルトイオン注入４０％との組み合わせ、そして符号７６０で示した棒は、垂直イオン注入８０％と７゜チルトイオン注入２０％との組み合わせの場合である。このように垂直イオン注入と７゜チルトイオン注入とを組み合わせた場合には、垂直イオン注入１００％の場合（符号７１０）と類似する面抵抗値を表す。一応、垂直イオン注入が組み合わせられると（符号７３０乃至７６０）、面抵抗は、７゜チルトイオン注入１００％の場合（符号７２０）に比べて著しく低くなるが、垂直イオン注入の割合が面抵抗値に大きな影響を及ぼすわけではない。すなわち、垂直イオン注入の割合が２０％の場合も８０％の場合も類似した面抵抗値を表す。
【００４３】
図１１は、本発明による半導体素子のイオン注入方法を用いた傾斜型接合形成方法を説明するための断面図である。
【００４４】
図１１を参照すると、半導体基板８００上に、ゲート絶縁膜パターン８１０を介在してゲート導電膜パターン８２０及びゲートキャッピングパターン８３０を順次に形成する。次に、所定のイオン注入マスク膜パターン（図示せず）を用いて傾斜型接合８４０を形成するためのイオン注入工程を行う。このイオン注入工程では、まず、０゜チルトイオン注入、すなわち垂直イオン注入を行う。このときに注入される不純物イオンの濃度は第１ドーズとし、最も狭い幅と最も深い深さを有する第１不純物接合８４１を形成する。続いて、垂直イオン注入と実質的に同一のイオン注入エネルギー条件及びドーズ条件で３゜チルトイオン注入を行い、第１不純物接合８４１よりも広い幅と低い深さを有する第２不純物接合８４２を形成する。その後、垂直イオン注入及び３゜チルトイオン注入と実質的に同一のイオン注入エネルギー条件及びドーズ条件で７゜チルトイオン注入を行い、第２不純物接合８４２よりも広い幅と低い深さを有する第３不純物接合８４２を形成する。
【００４５】
このように垂直イオン注入と少なくとも１回以上のチルトイオン注入を行い、チルトイオン注入時の適宜の角度調節によりイオン注入エネルギー条件を変更させずとも傾斜型接合８４０を形成することができる。この傾斜型接合は、本実施の形態のようにソース／ドレーン領域でも、ウェル領域またはいずれか他の純物領域でもあり得る。
【００４６】
図１２は、図１１の傾斜型接合における垂直イオン注入とチルトイオン注入の組み合わせによるピーク深さを示すグラフである。図１３は、図１１の傾斜型接合における垂直イオン注入とチルトイオン注入との組み合わせによるピーク濃度を示すグラフである。
【００４７】
図１２及び図１３において、符号９１１及び９２１で示した棒は、０゜チルトイオン注入、すなわち垂直イオン注入が１００％である場合を示す。符号９１２及び９２２で示した棒は、垂直イオン注入が８０％で、７゜チルトイオン注入が２０％である場合を表す。符号９１３及び９２３で示した棒は、垂直イオン注入が６０％で、７゜チルトイオン注入が４０％である場合を表す。符号９１４及び９２４で示した棒は、垂直イオン注入が４０％で、７゜チルトイオン注入が６０％である場合を表す。符号９１５及び９２５で示した棒は、垂直イオン注入が２０％で、７゜チルトイオン注入が８０％である場合を表す。そして、符号９１６及び９２６で示した棒は、７゜チルトイオン注入が１００％である場合を表す。
【００４８】
図１２及び図１３に示すように、垂直イオン注入１００％の場合（符号９１１及び９２１）から７゜チルトイオン注入１００％の場合（符号９１６及び９２６）にわたってピーク深さは次第に減少するのに対し、ピーク濃度は、垂直イオン注入が６０％である場合を除いては次第に増加したことがわかる。ここで、ピーク深さはＲｐにおける深さを意味し、ピーク濃度はＲｐにおける濃度を意味する。
【００４９】
以上では本発明を好ましい実施の形態を挙げて詳細に説明してきたが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想内で様々な変形が可能であることは、当分野で通常の知識を持つ者にとっては自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】従来のイオン注入方法の一例である垂直イオン注入方法を説明するための図である。
【図２】従来のイオン注入方法の他の例であるチルトイオン注入方法を説明するための図である。
【図３】従来の垂直イオン注入とチルトイオン注入により注入されたそれぞれの不純物イオンに対する、接合深さによる濃度変化を示すグラフである。
【図４】従来の垂直イオン注入とチルトイオン注入によりそれぞれ形成された不純物領域における温度による面抵抗及び面抵抗偏差の変化を示すグラフである。
【図５】本発明による半導体素子の製造のためのイオン注入方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明によるイオン注入方法の具体的な一実施の形態を説明するための図である。
【図７】本発明によるイオン注入方法の具体的な一実施の形態を説明するための図である。
【図８】本発明によるイオン注入方法の具体的な一実施の形態を説明するための図である。
【図９】本発明による半導体素子の製造のためのイオン注入方法により注入される不純物イオンの接合深さによる濃度変化を示すグラフである。
【図１０】本発明による半導体素子の製造のためのイオン注入方法における垂直イオン注入とチルトイオン注入との組み合わせによる面抵抗を示すグラフである。
【図１１】本発明による半導体素子のイオン注入方法を用いた傾斜型接合形成方法を説明するための断面図である。
【図１２】図１１の傾斜型接合における垂直イオン注入とチルトイオン注入との組み合わせによるピーク深さを示すグラフである。
【図１３】図１１の傾斜型接合における垂直イオン注入とチルトイオン注入との組み合わせによるピーク濃度を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５１】
１００  ウエハ、１１０  ウエハ支持台、１２０  回転軸、１３０  シャフト、２００不純物イオン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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