(57)【要約】【課題】  表面粗さの低い炭化珪素からなる終端構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  炭化珪素半導体装置１は、第１導電型の炭化珪素半導体基板６と、エピタキシャル成長層２と、第２導電型の炭化珪素半導体領域３〜５とを備える。炭化珪素半導体領域３〜５の表面粗さＲａは、０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下である。炭化珪素半導体装置１の製造方法は、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂに溝１１を形成する工程と、溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域３中の不純物を活性化させるための熱処理を施す工程とを備えている。【選択図】        図１
2006313787.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の炭化珪素半導体基板上に積層され、主表面を有し、前記主表面に素子形成領域を有する第１導電型のエピタキシャル成長層と、
前記エピタキシャル成長層の主表面において前記素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域とを備え、
前記炭化珪素半導体領域の表面粗さＲａが０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下である、終端構造を有する半導体装置。
【請求項２】
前記素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域を複数個有する、請求項１に記載の終端構造を有する半導体装置。
【請求項３】
第１導電型の炭化珪素半導体基板上に積層され、主表面を有する第１導電型のエピタキシャル成長層と、前記エピタキシャル成長層の主表面において前記素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域とを備える終端構造を有する半導体装置の製造方法であって、
前記エピタキシャル成長層の主表面に溝を形成する工程と、
前記溝内に選択的に前記炭化珪素半導体領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、
前記炭化珪素半導体領域中の不純物を活性化および拡散のうち少なくとも一方を行なうための熱処理を施す工程とを備えた、終端構造を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域を複数個有する、請求項３に記載の終端構造を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記溝を形成する工程は、
開口パターンを有するマスク層を前記エピタキシャル成長層の主表面上に形成する工程と、
前記マスク層の前記開口パターンに整合した前記溝を前記エピタキシャル成長層の主表面に形成する工程とを有し、
前記マスク層は、金属の炭化物およびカーボンのいずれか一方である、請求項３または４に記載の終端構造を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記不純物としてボロンを取り込みながら前記炭化珪素半導体領域をエピタキシャル成長させることを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載の終端構造を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記不純物を活性化および拡散のうち少なくとも一方を行なうための熱処理を施す際に、前記エピタキシャル成長層の表面および前記炭化珪素半導体領域の表面の双方を覆うように保護膜が形成されていることを特徴とする、請求項３〜６のいずれかに記載の終端構造を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記不純物を活性化および拡散させるための熱処理の温度は１６００℃以上２０００℃以下であることを特徴とする、請求項３〜７のいずれかに記載の終端構造を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は終端構造を有する半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、表面粗さの小さい終端構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、バンドギャップが大きく、また最大絶縁破壊電界および熱伝導率はシリコン（Ｓｉ）と比較して大きい一方、キャリアの移動度はシリコンと同程度に大きく、電子の飽和ドリフト速度および耐圧も大きい。そのため、高効率化、高電圧化、および大容量化を要求される半導体装置への適用が期待される。
【０００３】
上記半導体装置の実用化を図ると、半導体装置の端部で電界が集中するため、電界集中を緩和する必要がある。その手法は接合終端技術と称され、その技術の一つに、フィールドリミッティング・リング技術がある。
【０００４】
フィールドリミッティング・リング技術により形成される終端構造を有する半導体装置は、主表面にダイオードなどの素子の主接合が形成されたｎ型の半導体基板と、主接合を取り囲むように半導体基板の主表面に形成された複数のｐ型領域とを備えている。
【０００５】
フィールドリミッティング・リング技術により形成される終端構造を有する半導体装置は、逆バイアス印加時に、複数のｐ型領域と半導体基板との間に広がる空乏層によって、主接合のコーナ部の電界を緩和し、高耐圧を実現している。上記の内容は、たとえば非特許文献１に開示されている。
【非特許文献１】電気学会高性能高機能パワーデバイス・パワーＩＣ調査専門委員会編、「パワーデバイス・パワーＩＣハンドブック」、コロナ社、５８頁〜５９頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のフィールドリミティング・リング構造を有している炭化珪素からなる半導体装置は、フィールドリミティング・リング構造が無い炭化珪素からなる半導体装置と比較すると、耐圧値が向上するが、実際に得られる耐圧値は、理論で予想できる耐圧値よりも低い。以下、その原因を説明する。
【０００７】
炭化珪素からなる半導体装置におけるフィールドリミッティング構造の接合のリングはイオン注入により形成される。しかし、イオン注入を行なうと、炭化珪素の結晶がこわれ、アモルファス化してしまう。そこでイオン注入後に結晶性を回復させるため、高温アニールを施す必要が生じるが、高温アニールを施すと、特にイオン注入された部分の表面の表面粗さが大きくなる。また、高温アニールを施しても完全に結晶性は回復しないことも問題であるが、特に、表面粗さが大きくなると、表面の微小な突起に電界が集中するので、炭化珪素からなる半導体装置の耐圧が低下する。
【０００８】
それゆえ本発明の目的は、表面粗さの小さい炭化珪素からなる終端構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の終端構造を有する半導体装置は、第１導電型のエピタキシャル成長層と、第２導電型の炭化珪素半導体領域とを備えており、炭化珪素半導体領域の表面粗さＲａが０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下である。エピタキシャル成長層は、第１導電型の炭化珪素半導体基板上に積層され、主表面を有し、主表面に素子形成領域を有している。炭化珪素半導体領域は、半導体基板の主表面において素子形成領域の周囲を取り囲むように形成されている。
【００１０】
本発明の終端構造を有する半導体装置によれば、炭化珪素半導体領域の表面粗さが小さいため、電界が分散し、耐圧が低下しない。また、本発明の終端構造を有する半導体装置は、半導体の材料として優れた特性を有する炭化珪素から形成されているので、さらに高性能なものとなる。
【００１１】
本発明の終端構造を有する半導体装置において好ましくは、素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域を複数個有する。
【００１２】
これにより、電界がさらに分散する。よって、耐圧の低下をさらに抑えることが可能となる。
【００１３】
本発明の終端構造を有する半導体装置の製造方法は、第１導電型の炭化珪素半導体基板上に積層され、主表面を有する第１導電型のエピタキシャル成長層と、エピタキシャル成長層の主表面において素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域とを備える終端構造を有する半導体装置の製造方法である。本発明の終端構造を有する半導体装置の製造方法は、エピタキシャル成長層の主表面に溝を形成する工程と、溝内に選択的に炭化珪素半導体領域をエピタキシャル成長により形成する工程と、炭化珪素半導体領域中の不純物を活性化および拡散のうち少なくとも一方を行なうための熱処理を施す工程とを備えている。
【００１４】
本発明の終端構造を有する半導体装置の製造方法によれば、炭化珪素半導体領域をエピタキシャル成長により形成するのでイオン注入が不要になり、イオン注入する場合に生じる表面荒れや結晶性の低下がない。よって、表面粗さの小さい結晶性の優れた炭化珪素からなる終端構造を有する半導体装置を製造することができる。
【００１５】
また、表面粗さの小さい炭化珪素からなる終端構造を有する半導体装置を製造することができるので、耐圧を向上することが可能となる。
【００１６】
なお、「終端構造」とは、第１導電型の炭化珪素半導体基板上に積層された主表面に素子形成領域を有する第１導電型のエピタキシャル成長層と、エピタキシャル成長層の主表面において素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域とを備える構造を意味する。
【００１７】
本発明の終端構造を有する半導体装置の製造方法において好ましくは、素子形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型の炭化珪素半導体領域を複数個有する。
【００１８】
これにより、電界がさらに分散し、耐圧がさらに低下しない終端構造を有する半導体装置を製造することが可能となる。
【００１９】
上記の終端構造を有する半導体装置の製造方法において好ましくは、溝を形成する工程は、開口パターンを有するマスク層をエピタキシャル成長層の主表面上に形成する工程と、マスク層の開口パターンに整合した溝をエピタキシャル成長層の主表面に形成する工程とを有し、マスク層は金属の炭化物およびカーボンのいずれか一方である。
【００２０】
これにより、所望の位置に溝を形成できる。また、金属の炭化物およびカーボンをマスク層として用いることで、所望の位置に選択的にエピタキシャル成長を行なうことができるので、選択的に炭化珪素半導体領域を形成することができる。
【００２１】
なお、「マスク層の開口パターンに整合した溝をエピタキシャル成長層の主表面に形成する」とは、マスク層の開口パターンの下にあるエピタキシャル成長層の主表面に溝を作ることを意味する。
【００２２】
上記の終端構造を有する半導体装置の製造方法において好ましくは、不純物としてボロンを取り込みながら炭化珪素半導体領域をエピタキシャル成長させる。
【００２３】
これにより、熱処理を施すと、ボロンは拡散係数が高いため、溝の深さ方向にボロンが拡散される。よって、濃度分布の急峻さが緩和され、エピタキシャル成長層と炭化珪素半導体領域との界面における電界が緩和され、耐圧をさらに向上させることが可能となる。
【００２４】
上記の終端構造を有する半導体装置の製造方法において好ましくは、不純物を活性化および拡散させるための熱処理を施す際に、エピタキシャル成長層の表面および炭化珪素半導体領域の表面の双方を覆うように保護膜が形成されている。
【００２５】
これにより、熱処理を施しても、エピタキシャル成長層の表面および炭化珪素半導体領域の表面が荒れることがない。よって、エピタキシャル成長層および炭化珪素半導体領域とを備える終端構造を有する半導体装置は、電界が分散し、耐圧が低下しない。
【００２６】
上記の終端構造を有する半導体装置の製造方法において好ましくは、不純物を活性化および拡散させるための熱処理の温度は１６００℃以上２０００℃以下である。
【００２７】
これにより、熱処理を施す際に、炭化珪素半導体領域中の不純物がより拡散しやすくなる。よって、炭化珪素半導体領域中に不純物がより均一に取り込まれ、不純物が活性化される。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明の終端構造を有する半導体装置およびその製造方法によれば、表面粗さの小さい炭化珪素からなる半導体装置を得ることができるため、耐圧を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。なお、図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
【００３０】
図１（Ａ）は、本発明の終端構造を有する半導体装置の平面図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＩＢ−ＩＢ線に沿った断面図である。図１を参照して、終端構造を有する半導体装置１は、たとえば、炭化珪素半導体基板６と、エピタキシャル成長層２と、炭化珪素半導体領域３〜５とを備えている。
【００３１】
エピタキシャル成長層２は、主表面２ｂを有し、主表面２ｂにおける図１（Ａ）の中央部に素子形成領域２ａを有している。エピタキシャル成長層２は、たとえばｎ型である。また、素子形成領域２ａには、たとえばｐ型領域２ａ１が形成されており、ｎ型のエピタキシャル成長層２とｐ型領域２ａ１とによってダイオードが形成されている。なお、素子形成領域２ａには、ダイオードの代わりに、たとえばトランジスタが形成されていても良い。
【００３２】
素子形成領域２ａの周囲を取り囲むように終端構造が形成されている。終端構造は、３つの半導体領域３〜５によって構成されている。
【００３３】
炭化珪素半導体領域３は、素子形成領域２ａの周囲を取り囲むように形成されている。炭化珪素半導体領域３は、たとえばｐ型である。
【００３４】
炭化珪素半導体領域４は、炭化珪素半導体領域３の周囲をさらに取り囲むように形成されている。炭化珪素半導体領域４は、たとえばｐ型である。
【００３５】
炭化珪素半導体領域５は、炭化珪素半導体領域４の周囲をさらに取り囲むように形成されている。炭化珪素半導体領域５は、たとえばｐ型である。
【００３６】
炭化珪素半導体領域３〜５の表面粗さＲａは、０．０５ｎｍ未満の製造は現状難しく、電界の集中を防ぐ目的より、０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下である。表面粗さＲａは、ＪＩＳ（Japanese  Industrial  Standards）Ｂ０６０１に準拠して測定している。
【００３７】
また、終端構造を有する半導体装置１は、素子形成領域２ａの周囲に３つの炭化珪素半導体領域３〜５を備えているが、これに限定されず、炭化珪素半導体領域は１領域以上備えていれば良く、製造される半導体装置の構造と目的に応じて適宜選択可能である。また、終端構造を有する半導体装置１は、素子形成領域２ａの周囲に分離した３つの炭化珪素半導体領域３〜５を備えているが、これに限定されない。たとえば、図１（Ｃ）に示すように、終端構造を有する半導体装置１は、濃度の異なる３つの炭化珪素半導体領域３〜５が接触または重なる構造であっても良い。
【００３８】
なお、炭化珪素半導体基板６、エピタキシャル成長層２、および炭化珪素半導体領域３〜５は、炭化珪素のみを材質として含む必要はなく、炭化珪素の優れた特性を損なわない範囲で他の成分を材質として含んでいても良いが、炭化珪素のみからなるものが好ましく、さらには代表的な結晶構造を有する３Ｃ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣが良く、たとえば炭化珪素半導体基板６およびエピタキシャル成長層２はｎ型の４Ｈ−ＳｉＣ、炭化珪素半導体領域３〜５はｐ型の４Ｈ−ＳｉＣを用いている。
【００３９】
次に、本発明の終端構造を有する半導体装置１の製造方法について具体的に説明する。終端構造を有する半導体装置１の製造方法は、図２に示すようにエピタキシャル成長層２の主表面２ｂに溝１１を形成する工程と、図３に示すように溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３〜５をエピタキシャル成長により形成する工程と、図４に示すように炭化珪素半導体領域３〜５中の不純物を活性化および拡散させるための熱処理を施す工程とを備えている。なお、図２〜４は、図１（Ｂ）の領域Ａを拡大した模式図である。
【００４０】
まず、図２を参照して、ｎ型のエピタキシャル成長層２の主表面２ｂに溝１１を形成する工程について説明する。
【００４１】
図２（Ａ）に示すように、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂ上に、マスク層１２を積層する。マスク層１２の材質は、金属の炭化物およびカーボンのいずれか一方を用いることが好ましく、たとえば炭化タンタル（ＴａＣ）からなる。また、炭化タンタル（ＴａＣ）の他に、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化モリブデン（ＭｏＣ）、またはダイアモンドライクカーボンなどを用いても良い。これにより、耐熱性、耐水素ガス性、非炭化珪素付着性に優れたマスク層１２を用いることとなり、炭化珪素半導体領域３〜５を良好に形成できると共に、エピタキシャル成長層２の表面２ｂを保護できる。
【００４２】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、マスク層１２に開口パターン１３を有するように、マスク層１２をフォトリソグラフィ技術とＲＩＥ法（Reactive  Ion  Etchig：反応性イオンエッチング法）等の選択エッチングによりパターニングする。
【００４３】
その後、図２（Ｃ）に示すように、マスク層１２の開口パターン１３の下にあるエピタキシャル成長層２の主表面２ｂをエッチングして溝１１を形成する。エッチングは、たとえばＲＩＥ法を用いる。これにより、マスク層１２の開口パターン１３に整合した溝１１をエピタキシャル成長層２の主表面２ｂに形成することができる。
【００４４】
なお、マスク層１２の形成方法は特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。たとえば、金属炭化物の場合には金属積層後の炭化処理やスパッタリングにより、ダイアモンドライクカーボンの場合にはＣＶＤ法（Chemical  Vapor  Deposition：化学気相成長法）により、形成できる。
【００４５】
次に、図３を参照して、溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３〜５をエピタキシャル成長により形成する工程について説明する。
【００４６】
図３（Ａ）に示すように、たとえば溝１１内に、ガスを供給して溝１１の底面にあたるエピタキシャル成長層２においてＣＶＤ法によってエピタキシャル成長させて、炭化珪素半導体領域３〜５を形成する。詳細には、原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ4）およびプロパン（Ｃ3Ｈ8）を供給し、不純物ガスとしてジボラン（Ｂ2Ｈ6）を供給し、キャリアガスとして水素（Ｈ2）を供給する。そして、圧力を７５０Ｔｏｒｒ、成長温度を１５００℃以上１６００℃以下とすると、シランがＳｉ源、プロパンがＣ源となり、不純物としてボロンを取り込みながら溝１１内に炭化珪素半導体領域３〜５をエピタキシャル成長させることができる。なお、これらのガスは、マスク層１２とは反応せず、またマスク上に炭化珪素は積層しない。また、炭化珪素半導体領域３〜５は、ボロンの取り込みによりｐ型の半導体領域となる。
【００４７】
ＣＶＤ法は、たとえば図５に示すＣＶＤ結晶成長装置２０を用いる。ＣＶＤ結晶成長装置２０は、原料ガス、不純物ガス、キャリアガスを含むボンベ２１と、結晶成長炉２２と、供給管２３とを備えている。ボンベ２１から供給されたガスは供給管２３を通じて結晶成長炉２２に送られて、エピタキシャル成長が行なわれる。
【００４８】
なお、エピタキシャル成長させる方法および取り込ませる不純物は上記に限定されず、製造される半導体装置の構造と目的に応じて適宜選択可能である。
【００４９】
次いで、図３（Ｂ）に示すように、エピタキシャル成長層２の上に積層されているマスク層１２を除去する。マスク層１２の除去方法としては、たとえば、フッ化水素（ＨＦ）洗浄を用いる。マスク層１２を除去すると、溝１１内に、不純物としてボロンを取り込んだ炭化珪素半導体領域３〜５を得ることができる。
【００５０】
上述したＣＶＤ法により炭化珪素半導体領域３〜５がエピタキシャル成長される際には、マスク上に炭化珪素は積層しない。したがって、溝１１内に選択的に炭化珪素半導体領域３〜５を形成することができる。
【００５１】
次に、図４を参照して、炭化珪素半導体領域３〜５中の不純物を活性化および拡散させるための熱処理を施す工程について説明する。
【００５２】
図４（Ａ）に示すように、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂおよび炭化珪素半導体領域３〜５の表面を覆うように保護膜１４を形成する。保護膜１４の材質は、特に限定されないが、たとえばフォトレジストを炭化処理して得られた膜が適している。
【００５３】
次いで、エピタキシャル成長層２の主表面２ｂおよび炭化珪素半導体領域３〜５の表面を保護膜１４で覆った状態で、熱処理を施して、上記不純物を活性化および拡散させる。熱処理は、１６００℃以上２０００℃以下で行なうのが好ましく、たとえば１７００℃で行なう。
【００５４】
その後、図４（Ｂ）に示すように、保護膜１４を除去する。これにより、ボロンが拡散されて、かつ活性化された状態の炭化珪素半導体領域３〜５を得ることができる。よって、ｎ型のエピタキシャル成長層２と、不純物としてボロンを含んだｐ型の炭化珪素半導体領域３〜５とを備えた終端構造を有する半導体装置１を製造することができる。なお、図４に示す熱処理の工程は、炭化珪素半導体領域３〜５中の不純物を活性化および拡散させるための熱処理を施す工程に特に限定されない。たとえば、炭化珪素半導体領域３〜５中の不純物を活性化および拡散のうち少なくとも一方を行なうための熱処理を施す工程であれば良い。
【００５５】
熱処理前と熱処理後との炭化珪素半導体領域３について、図１（Ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った不純物濃度の分布の変化を図６に示す。図６を参照して、熱処理前の炭化珪素半導体領域３は、深さＨで急峻なプロファイルとなるが、熱処理後の炭化珪素半導体領域３は不純物が炭化珪素半導体領域３の深さ方向に拡散され、活性化されるため、プロファイルが緩やかになることがわかる。よって、熱処理を施すことにより、炭化珪素半導体領域３とエピタキシャル成長層２との界面における電界を緩和することが可能となる。
【００５６】
なお、不純物として上記ボロンを用いると、ボロンの拡散係数が大きいので、図６における熱処理後の炭化珪素半導体領域３のプロファイルがかなり緩やかになるが、他の不純物であっても、多少緩やかになる。
【００５７】
次に、終端構造を有する半導体装置１の動作方法について、図１、図７を用いて説明する。
【００５８】
図１に示す終端構造を有する半導体装置１に逆方向バイアスを印加すると、図７を参照して、エピタキシャル成長層２とｐ型領域２ａ１とにより構成されるダイオードがアバランシェブレークダウンする前に、ｐ型領域２ａ１から延びる空乏層と炭化珪素半導体領域３から延びる空乏層とがパンチスルーし、空乏層３１が形成される。
【００５９】
その後、逆方向バイアスを増加すると、炭化珪素半導体領域３の接合コーナ部の電界が増大するが、アバランシェブレークダウンする前に、空乏層３１は、同様に炭化珪素半導体領域４からの空乏層とパンチスルーし、大きな空乏層３２が形成される。
【００６０】
その後、逆方向バイアスをさらに増加すると、同様に、空乏層３２と炭化珪素半導体領域５からの空乏層とがパンチスルーし、さらに大きな空乏層３３が形成される。さらに、逆方向バイアスを増加すると、終には高い電圧で降伏する。
【００６１】
本実施の形態では、炭化珪素半導体領域３〜５の各々の表面粗さが小さいので、電界が分散する。よって、炭化珪素半導体領域５のコーナ部における最大電界を抑えることができる。
【００６２】
したがって、最大電界部分が順次外側の炭化珪素半導体領域の接合コーナ部に移り、最外周の炭化珪素半導体領域５で降伏するので、終端構造を有する半導体装置１は、耐圧を向上させることができる。また、炭化珪素半導体領域３〜５の表面粗さが小さいので、実際に得られる耐圧値も理論で予想される耐圧値と同等となり、終端構造を有する半導体装置１は、高耐圧を実現することが可能となる。
【００６３】
以上、説明したように、本実施の形態の終端構造を有する半導体装置１によれば、炭化珪素半導体領域３〜５の表面粗さＲａが０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下と低いため、電界が集中せず、耐圧値を向上させることができる。
【００６４】
また、本実施の形態の終端構造を有する半導体装置１の製造方法によれば、炭化珪素半導体領域３〜５をイオン注入でなくエピタキシャル成長により形成しているため、表面荒れや結晶性の低下を生じることなく形成できる。したがって、終端構造を有する半導体装置１は、耐圧値を向上させることができる。
【００６５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】（Ａ）は、本発明の実施の形態における終端構造を有する半導体装置の平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）ＩＢ−ＩＢ線に沿った断面図であり、（Ｃ）は、本発明の実施の形態における別の終端構造を有する半導体装置の平面図である。
【図２】エピタキシャル成長層の主表面に溝を形成する工程を示す拡大模式図であり、（Ａ）は、マスク層を積層した図であり、（Ｂ）は、マスク層をパターニングした図であり、（Ｃ）は、エピタキシャル成長層をエッチングした図である。
【図３】溝内に選択的に炭化珪素半導体領域をエピタキシャル成長により形成する工程を示す拡大模式図であり、（Ａ）は、炭化珪素半導体領域を選択成長させた図であり、（Ｂ）は、マスク層を除去した図である。
【図４】炭化珪素半導体領域中の不純物を活性化および拡散させるための熱処理を施す工程を示す拡大模式図であり、（Ａ）は、熱処理を施す図であり、（Ｂ）は、保護膜を除去した図である。
【図５】ＣＶＤ結晶成長装置の概略図である。
【図６】炭化珪素半導体領域中の不純物濃度の分布を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態における終端構造を有する半導体装置に逆方向バイアスを印加したときの断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  終端構造を有する半導体装置、２  エピタキシャル成長層、２ａ  素子形成領域、２ａ１  ｐ型領域、２ｂ  主表面、３  炭化珪素半導体領域、４  炭化珪素半導体領域、５  炭化珪素半導体領域、６  炭化珪素半導体基板、１１  溝、１２  マスク層、１３  開口パターン、１４  保護膜、２０  ＣＶＤ結晶成長装置、２１  ボンベ、２２  結晶成長炉、２３  供給管、３１，３２，３３  空乏層。
【図１】
2006313787.tif 000003
【図２】
2006313787.tif 000004
【図３】
2006313787.tif 000005
【図４】
2006313787.tif 000006
【図５】
2006313787.tif 000007
【図６】
2006313787.tif 000008
【図７】
2006313787.tif 000009