(57)【要約】      （修正有）【解決手段】フッ素ゲル封止材で保護された電気電子部品から該封止材を除去する方法であって、該フッ素ゲル封止部を４０℃以上２５０℃以下の加熱下でフッ素系溶剤に浸漬してフッ素ゲルを溶解させ、除去することを特徴とする電気電子部品保護用封止材の除去方法。【効果】電気電子部品保護用封止材の除去方法によれば、電気電子部品を保護する封止材としてのフッ素ゲルを除去する際に、封止材以外の電気電子部品の部材を損傷することなく、封止材のみを簡便に除去することができる。【選択図】図１
2006339593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素ゲル封止材で保護された電気電子部品から該封止材を除去する方法であって、該フッ素ゲル封止部を４０℃以上２５０℃以下の加熱下でフッ素系溶剤に浸漬してフッ素ゲルを溶解させ、除去することを特徴とする電気電子部品保護用封止材の除去方法。
【請求項２】
フッ素ゲルのＪＩＳ  Ｋ２２２０稠度試験法（１／４コーン使用）で規定される針入度が、５０以上１５０以下であることを特徴とする請求項１記載の除去方法。
【請求項３】
フッ素ゲルが、主鎖にパーフロロポリエーテル構造を有するフッ素ゲルであることを特徴とする請求項１又は２記載の除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止材としてのフッ素ゲルで保護された電気電子部品から該封止材を除去する方法であって、電気電子部品の封止材以外の部材を損傷することなく、封止材のみを除去することができる電気電子部品保護用封止材の除去方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子などの電気電子部品を保護する封止材の一つとしてフッ素ゲルが使用されている（例えば特許文献１、２及び３参照）。
【０００３】
ところで、封止材を施工後に電気電子部品を検査する必要がある場合や、市場において不具合が発生した機器を回収し不具合の原因を解析する場合には、封止材のみを除去し、内部の電気電子部品の検査をすることが必要になる。
【０００４】
そこで、封止材として使用されるフッ素ゲルを溶解する方法としては、硫酸、硝酸、発煙硫酸、トリフロロ酢酸、フッ酸等の強酸、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の強塩基、ブチルアミン等のアミン類による溶解が可能である。
【０００５】
しかしながら、上記電気電子部品は、半導体シリコン、アルミ等の金属類、ガラス類、エポキシ樹脂，ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ），ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の樹脂類などにより構成されており、これらの部材は上記試薬により容易に腐食、溶解してしまう。そのため、上記試薬を本用途にて使用することは困難であった。
【０００６】
このような問題を解決する手段として、例えば下記一般式（１）
［Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｎ］+・Ｘ-          （１）
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3及びＲ4は、独立に置換又は非置換の一価炭化水素基であり、ＸはＯＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒである。）
で表わされる化合物を用いて封止材であるフッ素ゲルを溶解する方法が提案されている（特許文献４参照）。
【０００７】
しかしながら、この方法においては、上記式（１）の化合物を封止材に接触させる時間やその時の加熱温度、該化合物の濃度等を適切に調整しないと、上記電気電子部品を損傷することがあった。即ち、上記式（１）の化合物を用いた溶解方法は、適当な溶解条件に調節するための操作が煩雑であるという問題があった。
【０００８】
【特許文献１】特許第３４８７７４４号公報（特開平１１−１１６６８５号公報）
【特許文献２】特許第３４７５７６０号公報（特開平１１−１８１２８８号公報）
【特許文献３】特開２００１−７２７７２号公報
【特許文献４】特開２００４−３３５５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、電気電子部品を保護する封止材としてのフッ素ゲルを除去する際に、電気電子部品の封止材以外の部材を損傷することなく、封止材のみを簡便に除去することができる電気電子部品保護用封止材の除去方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、フッ素ゲル封止材で保護された電気電子部品から該封止材を除去する際、フッ素ゲル封止部をフッ素系溶剤に浸漬して特定温度範囲で加熱することにより、フッ素ゲルが速やかに溶解し、電気電子部品の封止材以外の部材を損傷することなく、封止材のみを簡便かつ効率良く除去することができることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１１】
従って、本発明は、フッ素ゲル封止材で保護された電気電子部品から該封止材を除去する方法であって、該フッ素ゲル封止部を４０℃以上２５０℃以下の加熱下でフッ素系溶剤に浸漬してフッ素ゲルを溶解させ、除去することを特徴とする電気電子部品保護用封止材の除去方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電気電子部品保護用封止材の除去方法によれば、封止材以外の電気電子部品の部材を損傷することなく、封止材のみを面倒な条件設定等を行うことなく簡便に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の電気電子部品保護用封止材の除去方法は、フッ素ゲル封止材で保護された電気電子部品から封止材を除去する方法であって、フッ素ゲル封止部をフッ素系溶剤に浸漬して特定温度条件で加熱し、フッ素ゲルを溶解させて除去するものである。
【００１４】
この場合、本発明の除去方法に用いられるフッ素系溶剤は、封止材としてのフッ素ゲルを溶解する常温で液体のフルオロカーボンであれば、その種類は特に限定されるものではないが、中でもハイドロフルオロカーボンやハイドロフルオロエーテル及びパーフルオロカーボンが好ましい。また、その沸点は４０℃〜２５０℃、特に１００℃〜２５０℃のものが好ましい。このようなフッ素系溶剤の市販品としては、例えばノベックＨＦＥ−７１００、ノベックＨＦＥ−７２００（住友スリーエム社製商品名）、ＰＦ−５０８０（住友スリーエム社製商品名）、フロリナートＦＣ７７、フロリナートＦＣ７０（住友スリーエム社製商品名）、アサヒクリンＡＫ−２２５（旭硝子社製商品名）、ＨＦＭＸ（三菱商事社商品名：ヘキサフルオロメタキシレン）等が挙げられる。中でも、加熱により溶解速度を向上させる（詳細は後述）ことから、沸点が比較的高いＦＣ７０やＨＦＭＸが好ましい。なお、フッ素系溶剤としては、これらを１種単独で又は２種以上を適宜組合わせて使用することができる。
【００１５】
本発明の除去方法においては、フッ素ゲル封止部をフッ素系溶剤に浸漬し、特定温度範囲に加熱することで、上記フッ素系溶剤へのフッ素ゲルの溶解速度を向上させることができ、封止材を速やかに溶解、除去することができる。加熱温度としては、４０℃以上２５０℃以下であり、特に１００℃以上２５０℃以下がより好ましい。４０℃未満であると、フッ素系溶剤へフッ素ゲルを溶解させるのに多くの時間が必要になってしまい、作業性が悪くなり、２５０℃より高いと加熱により電気電子部品を構成する樹脂類を損傷する恐れがある。
【００１６】
更に、加熱温度は、使用するフッ素系溶剤の沸点以下とすることが安全上好ましく、従って、フッ素系溶剤としては、その沸点が上記の好ましい加熱温度範囲内であるものが好ましく使用される。
【００１７】
本発明の除去方法において、フッ素系溶剤の使用量は、除去する封止剤（フッ素ゲル）に対して体積比で３倍以上２０倍以下が好ましく、とりわけ５倍以上１０倍以下がより好ましい。フッ素系溶剤の使用量が３倍未満の場合、フッ素ゲルがフッ素系溶剤により膨潤するだけで溶解しない可能性がある。一方、２０倍より多い場合は取り扱いが煩雑になり、かつ経済的に不利である。
【００１８】
また、本発明において、電気電子部品のフッ素ゲル封止部をフッ素系溶剤に浸漬させる方法としては、フッ素ゲル封止部すべてがフッ素系溶剤に浸漬すれば特に制限されず、フッ素ゲル封止部を有する電気電子部品全体をフッ素系溶剤に浸漬させても、あるいは、電気電子部品のフッ素ゲル封止部を含む一部分を浸漬させてもよい。
【００１９】
フッ素系溶剤にフッ素ゲル封止部を浸漬させる時間は、フッ素系溶剤及びフッ素ゲルの種類や量等により異なり、適宜調整されるが、通常１時間から４日間である。とりわけ、作業性の点から１時間〜２４時間とするのが好ましく、加熱温度を上記のように調整することにより浸漬時間の調節は可能である。なお、フッ素系溶剤に浸漬して加熱後は、電気電子部品を取り出し、通常の方法で乾燥させればよく、これにより電気電子部品を損傷することなく封止剤を除去することができる。
【００２０】
このような本発明の封止剤の除去方法においては、電気電子部品を保護する封止材としてのフッ素ゲルのＪＩＳ  Ｋ２２２０稠度試験法（１／４コーン使用）で規定される針入度が５０以上１５０以下、特に６０以上１２０以下であることが好ましい。針入度が５０未満であると、フッ素系溶剤にフッ素ゲルを溶解させるのが困難となる場合があり、一方、１５０より大きいと流れ性が大きく、電気電子部品を保護するという用途に使用するのが難しい場合がある。
【００２１】
本発明の封止材の除去方法は、フッ素ゲル封止剤、特に主鎖にパーフロロポリエーテル構造を有するフッ素ゲルの除去に有効である。
上記パーフロロポリエーテル構造を有するフッ素ゲルとしては、下記一般式で表わされパーフロロポリエーテル構造を有するものが好ましい。
【００２２】
【化１】
2006339593.tif 000003
（ＸはＦ又はＣＦ3基、ｐ，ｑ，ｒはそれぞれｐ≧１、ｑ≧１、２≦ｐ＋ｑ≦２００、特に２≦ｐ＋ｑ≦１５０で、０≦ｒ≦６の整数である。）
【化２】
2006339593.tif 000004
（ｓ，ｔ，ｕはそれぞれｓ≧０、ｔ≧０、０≦ｓ＋ｔ≦２００、特に２≦ｓ＋ｔ≦１５０で、０≦ｕ≦６の整数である。）
【化３】
2006339593.tif 000005
（ＹはＦ又はＣＦ3基、ｖ，ｗはそれぞれ１≦ｖ≦２０、１≦ｗ≦２０の整数である。）
【化４】
2006339593.tif 000006
（ｚは１≦ｚ≦１００の整数である。）
【００２３】
上記主鎖にパーフロロポリエーテル構造を有するフッ素ゲルとしては、具体的には上記特許文献１、特許文献２及び特許文献３記載の硬化性組成物の硬化物等が挙げられる。また市販品としては、ＳＩＦＥＬ８０７０（信越化学工業社製商品名）の硬化物等が挙げられる。
【００２４】
本発明の除去方法の電気電子部品としては、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子等が挙げられる。
【実施例】
【００２５】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００２６】
［実施例１］
図１の縦断面図に示す電子部品を用いた。図１の電子部品は、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）製パッケージ１内で、ガラス台座２上に載置されたシリコン製半導体素子３が配設されており、且つこの半導体素子３はアルミニウム製ボンディングワイヤ４を介してニッケルメッキ製インサートピン５に半田６により接続されている。そして、上記半導体素子３の上面がフッ素ゲル７（ＳＩＦＥＬ８０７０（信越化学工業社製））により封止されている。
【００２７】
なお、この場合、フッ素ゲル７のＪＩＳ  Ｋ２２２０稠度試験法（１／４コーン使用）で規定される針入度は７０であった。
【００２８】
上記電子部品を、上記フッ素ゲルの体積に対して５倍のＨＦＭＸ（三菱商事社商品名、沸点１１６℃）に浸漬させ、１１５℃にて４時間加熱した。その後、上記電子部品を取り出し、室温下で乾燥させた。
【００２９】
上記操作により、上記電子部品において、構成する封止材以外の部材には損傷がなく、電気的にも正常に作動し、封止材であるフッ素ゲルのみが溶解、除去されたことが確認された。
【００３０】
［実施例２］
実施例１のＨＦＭＸをＦＣ７０（住友スリーエム社製  沸点２１５℃）に変更し、１５０℃にて３時間加熱した以外は実施例１と同様の操作を行い、電気電子部品を処理した。
【００３１】
上記処理後の電子部品は、実施例１と同様に、構成する封止材以外の部材には損傷がなく、電気的にも正常に作動し、封止材であるフッ素ゲルのみが溶解、除去されたことが確認された。
【００３２】
［比較例１］
実施例１と同様の電子部品を濃硫酸に浸漬し、６０℃にて１時間加熱した。その後、取り出して水洗し外観を確認したところ、フッ素ゲルは溶解していることが確認された。しかしながら、パッケージ１に溶解が進行しており、また、ボンディングワイヤ４は断線していた。その結果、電子部品は作動しなかった。
【００３３】
［比較例２］
実施例１と同様の電子部品を２０質量％フッ酸水溶液に２５℃にて１時間浸漬した。その後、取り出して水洗し、外観を確認したところ、フッ素ゲルは溶解していることが確認された。しかしながら、ガラス台座２及びボンディングワイヤ４に溶解が進行していた。更に、上記台座２の溶解によるストレスにより上記ボンディングワイヤ４が半田部から断線したため、電子部品は作動しなかった。
【００３４】
［比較例３］
実施例１と同様の電子部品をテトラブチルアンモニウムフロライドの３ｍｏｌ／Ｌテトラヒドロフラン／ヘキサフルオロメタキシレン（体積比１／１）溶液に浸漬し、６０℃にて５時間加熱した。その後、上記電子部品を取り出し、テトラヒドロフラン及びヘキサフルオロメタキシレンにて洗浄し、外観を確認したところ、フッ素ゲルは溶解していることが確認された。しかしながら、ボンディングワイヤ４の一部が溶解し、断線していた。その結果、電子部品は作動しなかった。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施例に係る電子部品の要部縦断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  パッケージ（ＰＢＴ）
２  ガラス台座
３  半導体素子（シリコン）
４  ボンディングワイヤ（アルミニウム）
５  インサートピン（ニッケルメッキ）
６  半田
７  封止材（フッ素ゲル）
【図１】
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