(57)【要約】【課題】  基板の強度向上を図ることができるとともに蛍光面を精度良く形成することができ、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】  外囲器１５は、第１基板１０、および第１基板と隙間を置いて対向配置された第２基板１２を有している。第１基板の内面に面接触して支持基板２４が設けられている。支持基板は、並んで配設された複数の開孔２６を有しているとともに表面が黒化膜により被覆されている。支持基板の各開孔内には、蛍光体層が埋め込まれ第１基板に対向している。第２基板上には、記蛍光体層に向けて電子を放出する複数の電子放出源１８が設けられている。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板、および前記第１基板と隙間を置いて対向配置された第２基板を有した外囲器と、
並んで配設された複数の開孔を有しているとともに表面が黒化膜により被覆され、前記第１基板の内面に面接触して設けられた支持基板と、
前記支持基板の各開孔内に埋め込まれ前記第１基板に対向した蛍光体層と、
前記第２基板上に設けられ前記蛍光体層に向けて電子を放出する複数の電子放出源と、を備えた画像表示装置。
【請求項２】
前記支持基板の各開孔は前記第２基板側から第１基板側に向かって径が縮小したテーパ状に形成され、前記支持基板の前記第２基板側表面および前記蛍光体層に重ねてメタルバック層が形成され、前記メタルバック層は、各開孔の周縁部で電気的に分断されている請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
それぞれ前記支持基板に立設されているとともに前記第２基板に当接した複数のスペーサを備えている請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記支持基板は、前記第１基板と熱膨張係数の近似した接着材により前記第１基板の内面に貼付されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
第１基板、および前記第１基板と隙間を置いて対向配置された第２基板を有した外囲器と、並んで配設された複数の開孔を有しているとともに表面が黒化膜により被覆され、前記第１基板の内面に面接触して設けられた支持基板と、前記支持基板の各開孔内に埋め込まれ前記第１基板に対向した蛍光体層と、前記第２基板上に設けられ前記蛍光体層に向けて電子を放出する複数の電子放出源と、を備えた画像表示装置の製造方法において、
複数の開孔が並んで形成された支持基板を用意し、
前記支持基板の表面を黒化処理して黒化膜を形成し、
前記支持基板を第１基板の内面に貼り合わせ、
前記第１基板に貼り合わされた支持基板の開孔に蛍光体を埋め込んで蛍光体層を形成することを特徴とするが画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板の一方の表面に、前記第１基板と熱膨張係数の近似した低融点ガラスを塗布した後、前記低融点ガラスを介して前記支持基板を第１基板の内面に貼り合わせ、前記低融点ガラスを加熱、焼成して前記支持基板を第１基板に固定することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１基板に貼り付けられた支持基板の開孔に蛍光体を印刷し、前記開孔内に蛍光体層を形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記蛍光体層を形成した後、真空雰囲気中で、蒸着により前記支持基板側から支持基板の表面にメタルバック層を形成することを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記支持基板上に複数のスペーサを立設した後、前記支持基板を前記第１基板の内面に貼り合わせ、前記支持基板の各開孔に蛍光体を充填し前記蛍光体層を形成することを特徴とする請求項５又は６に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板の一方の表面上に複数のスペーサを立設し、
前記支持基板の他方の表面上に前記各開孔を塞いだガラス膜を形成し、
前記ガラス膜を形成した後、前記各開孔内に蛍光体層を形成し、
前記蛍光体層の形成された支持基板を前記ガラス膜を介して前記第１基板の内面に貼り合わせ、前記ガラス膜を加熱、焼成して前記支持基板を第１基板に固定することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、蛍光面が形成された第１基板と、この第１基板に対向配置されているとともに蛍光面を励起する複数の電子源が設けられた第２基板と、を備えた画像表示装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置であるフィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）の一種として、表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。
【０００３】
このＳＥＤは、所定の間隔をおいて対向配置された第１基板および第２基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第１基板の内面には３色の蛍光体層および遮光層を有した蛍光面、およびメタルバックが形成され、第２基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。
【０００４】
第１基板および第２基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、複数のスペーサが配置されている。第１基板と第２基板との間には支持基板が設けられ、複数のスペーサはこの支持基板上に立設されている。また、支持基板には、それぞれ電子放出素子から放出された電子ビームが通過する複数の電子ビーム通過孔が形成されている（特許文献１）。
【０００５】
上記ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは５ｋＶ以上に設定することが必要となる。
【特許文献１】特開２００２−０８２８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、上記ＳＥＤでは、装置全体の薄型化を図るため、第１基板を構成するガラス板を１ないし２ｍｍ程度と薄くする試みがなされている。しかし、この場合、薄型化に伴い、基板の強度および装置全体の強度が低下する問題がある。
【０００７】
通常、蛍光面は、第１基板の内面にマトリクス状の遮光層、および複数色の蛍光体層をフォトリソグライフィ法により形成し、更に、洗浄および現像処理することにより形成されている。この場合、遮光層および蛍光体層は、互いに位置ずれ、重複等が生じないように高い精度で形成する必要がある。位置ずれ、重複等が生じた場合、画像の色純度が劣化し表示品位が低下してしまう。また、蛍光面を洗浄、現像処理する際、蛍光体の流れ出しにより、混色が生じる恐れがある。
【０００８】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、基板の強度向上を図ることができるとともに蛍光面を精度良く形成することができ、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、第１基板、および前記第１基板と隙間を置いて対向配置された第２基板を有した外囲器と、並んで配設された複数の開孔を有しているとともに表面が黒化膜により被覆され、前記第１基板の内面に面接触して設けられた支持基板と、前記支持基板の各開孔内に埋め込まれ前記第１基板に対向した蛍光体層と、前記第２基板上に設けられ前記蛍光体層に向けて電子を放出する複数の電子放出源と、を備えている。
【００１０】
この発明の態様に係る画像表示装置の製造方法は、第１基板、および前記第１基板と隙間を置いて対向配置された第２基板を有した外囲器と、並んで配設された複数の開孔を有しているとともに表面が黒化膜により被覆され、前記第１基板の内面に面接触して設けられた支持基板と、前記支持基板の各開孔内に埋め込まれ前記第１基板に対向した蛍光体層と、前記第２基板上に設けられ前記蛍光体層に向けて電子を放出する複数の電子放出源と、を備えた画像表示装置の製造方法において、  
複数の開孔が並んで形成された支持基板を用意し、前記支持基板の表面を黒化処理して黒化膜を形成し、前記支持基板を第１基板の内面に貼り合わせ、前記第１基板に貼り合わされた支持基板の開孔に蛍光体を埋め込んで蛍光体層を形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、支持基板を貼り合わせることにより第１基板の強度向上を図ることができるとともに支持基板を遮光層として用いることにより、蛍光面を精度良く形成することができ、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＳＥＤに適用した第１の実施形態について詳細に説明する。  
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１〜２ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形状の側壁１４を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な矩形状の真空外囲器１５を構成している。側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
【００１３】
図２ないし図４に示すように、第１基板１０の内面には支持基板２４が面接触した状態で貼り合わされている。支持基板２４は第１基板１０よりも僅かに小さな矩形状に形成され、第１基板１０の内面に対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有している。そして、支持基板２４の第１表面２４ａは、接着層２８により第１基板１０の内面に貼付されている。接着層２８は、第１基板１０を構成するガラスとほぼ等しい熱膨張係数を有した低融点ガラスにより形成されている。これにより、支持基板２４は第１基板１０のほぼ全面に渡って重なって位置している。
【００１４】
支持基板２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．２５ｍｍ、例えば、０．１２ｍｍに形成されている。支持基板２４には、エッチング等により複数の開孔２６が形成されている。各開孔２６は、例えば、０．１５〜０．２５ｍｍ×０．１５〜０．２５ｍｍの矩形状に形成されているとともに、第２基板１２側から第１基板１０側に向かって径が縮小したテーパ状に形成されている。第１基板１０の長手方向を第１方向Ｘ、これと直交する幅方向を第２方向Ｙとした場合、開孔２６は、第１方向Ｘに沿って所定のピッチで配列され、第２方向Ｙについては、第１方向Ｘのピッチよりも大きなピッチで配列されている。
【００１５】
開孔２６の内壁面を含む支持基板２４の表面は、黒化処理され、厚さ１００μｍの酸化膜３２により被覆されている。このように黒化された支持基板２４により、第１基板１０の内面にマトリックス状の遮光層が形成されている。
【００１６】
図３および図４に示すように、支持基板２４の開孔２６内には、蛍光体が埋め込まれ、それぞれ第１基板１０の内面に密着した３色の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成している。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、第１方向Ｘに所定の隙間をおいて交互に配列され、第２方向に同一色の蛍光体層が所定の隙間をおいて配列されている。これら蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂおよび支持基板２４により蛍光体スクリーンが構成されている。
【００１７】
支持基板２４の第２表面２４ｂ上および蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には、例えば、アルミニウムを主成分とするメタルバック層１７が形成され、更に、メタルバック層に重ねてゲッター膜１９が形成されている。第２表面２４ｂ上のメタルバック層１７と各蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上のメタルバック層とは、各開孔２６の周縁により分断されている。同様に、第２表面２４ｂ上のゲッター膜１９と各蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上のゲッター膜とは、各開孔２６の周縁により分断されている。
【００１８】
図２および図３に示すように、第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーンの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、複数列および複数行に配列され、それぞれ画素を構成している。電子放出素子１８は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙについて、支持基板２４の開孔２６と同一のピッチで配設され、それぞれ蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂと対向している。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第２基板１２の内面上には、電子放出素子１８を駆動する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。
【００１９】
図２ないし図４に示すように、支持基板２４の第２表面２４ｂ上には多数のスペーサ３０が一体的に立設されている。スペーサ３０の延出端は、第２基板１２の内面、ここでは、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に当接している。スペーサ３０は、それぞれ第２方向Ｙに並んだ開孔２６間に位置している。複数のスペーサ３０は、第２方向Ｙに所定のピッチで並んで設けられているとともに、第１方向Ｘに前記所定のピッチよりも大きなピッチで並んで設けられている。
【００２０】
スペーサ３０の各々は、全体として、支持基板２４側、つまり、第１基板１０側の基端から第２基板１２側の延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。各スペーサ３０の第１基板１０と平行な方向の断面は、ほぼ楕円状に形成されている。スペーサ３０は、ガラスを主成分とする絶縁材料で形成され、その表面は、例えば、酸化クロム、酸化銅、酸化鉄等の金属酸化物、および、窒化アルミニウム、窒化チタン等の金属窒化物により被覆されている。上記のように構成されたスペーサ３０は、第１基板１０および第２基板１２に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００２１】
ＳＥＤは、メタルバック層１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック層１７にアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂへ衝突させる。これにより、蛍光体が励起されて発光し、画像を表示する。
【００２２】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。  
図５に示すように、まず、所定寸法の支持基板２４を用意する。この場合、Ｆｅ−５０％Ｎｉからなる板厚０．１５ｍｍの金属板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより開孔２６を形成し支持基板２４とする。支持基板２４全体を黒化処理し、開孔２６の内面を含め支持基板表面を酸化膜３２により被覆する。酸化膜３２のみでは支持基板２４の黒化が不十分な場合、酸化膜に重ねて黒色遮光材をコーティングしてもよい。
【００２３】
続いて、支持基板２４の第２表面２４ｂ上に複数のスペーサ３０を形成する。この場合、支持基板２４とほぼ同一の寸法を有した矩形状の成形型を用意する。成形型は、紫外線を透過する透明な材料、例えば、透明ポリエチレンテレフタレートを主体とした透明シリコン等により平坦な板状に形成されている。成形型は、支持基板２４に当接する平坦な当接面と、スペーサを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔と、を有している。スペーサ形成孔はそれぞれ成形型の当接面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。各スペーサ形成孔は、スペーサに対応した寸法に形成されている。その後、成形型のスペーサ形成孔にスペーサ形成材料を充填する。スペーサ形成材料としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。
【００２４】
次いで、スペーサ形成材料の充填されたスペーサ形成孔が開孔２６間に位置するように、成形型を位置決めし当接面を支持基板２４の第２表面２４ｂに密着させる。充填されたスペーサ形成材料に対し、例えば、紫外線ランプ等を用いて支持基板２４および成形型の外面側から紫外線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料をＵＶ硬化させる。その際、成形型は、紫外線透過材料としての透明なシリコンで形成されている。そのため、紫外線は、スペーサ形成材料に直接、および成形型を透過して照射される。従って、充填されたスペーサ形成材料をその内部まで確実に硬化させることができる。
【００２５】
その後、硬化したスペーサ形成材料を支持基板２４上に残すように、成形型を支持基板２４から剥離する。次に、スペーサ形成材料が設けられた支持基板２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成しガラス化する。これにより、図６に示すように、支持基板２４の第２表面２４ｂ上に一体的に立設されたスペーサ３０が得られる。
【００２６】
続いて、支持基板２４の第１表面２４ａに第１基板１０と熱膨張係数を合わせた低融点ガラスをスプレー塗布し、接着層２８を形成する。次いで、図７に示すように、第１基板１０を構成する厚さ１．１ｍｍのガラス基板に接着層２８を介して支持基板２４を貼り合わせた後、接着層を加熱、焼成することにより、支持基板２４を第１基板の内面に固定する。
【００２７】
次に、図８に示すように、インクジェットにより、支持基板２４の各開孔２６内に蛍光体を充填し、開孔内に埋め込まれた蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成する。その後、メタルバック層の付着力を向上させる目的で、支持基板２４の第２表面２４ａおよび蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂの表面に接着剤を塗布する。図９に示すように、真空雰囲気中で、支持基板２４の第２表面２４ａ上および蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上にアルミニウムを蒸着し、メタルバック層１７を形成する。この際、支持基板２４の各開孔２６は、第１基板１０側の径が縮小したテーパ状に形成されているため、各蛍光体層の周縁部にアルミニウムが付着しない。そのため、第２表面２４ｂ上のメタルバック層１７と各蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上のメタルバック層とは、各開孔２６の周縁により分断された状態で形成される。
【００２８】
続いて、真空雰囲気中で、支持基板２４の第２表面２４ａ上および蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上にゲッター材を蒸着し、ゲッター膜１９を形成する。この際、支持基板２４の各開孔２６は、第１基板１０側の径が縮小したテーパ状に形成されているため、各蛍光体層の周縁部にゲッター材が付着しない。そのため、第２表面２４ｂ上のゲッター膜１９と各蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上のゲッター膜とは、各開孔２６の周縁により分断された状態で形成される。更に、蒸着によりスペーサ３０に金属酸化物、例えば、酸化クロムを被着し被膜を形成する。
【００２９】
一方、ＳＥＤの製造においては、予め、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２を用意しておく。続いて、支持基板２４が固定された第１基板１０と、第２基板１２とを真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。これにより、第１基板および第２基板間にスペーサ３０および支持基板２４が挟みこまれたＳＥＤが得られる。
【００３０】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、第１基板を薄いガラス板で構成した場合でも、支持基板２４を貼り合わせることにより第１基板の強度向上を図ることができる。これにより、真空外囲器全体の機械的強度を向上させることができる。また、支持基板２４に形成された開孔２６内に蛍光体層を作り込むことにより、蛍光体層を容易に形成することができるとともに、遮光層を構成した支持基板と蛍光体層との位置ずれを軽減し、高い精度の蛍光体スクリーンを得ることができる。更に、蛍光体層の洗浄および現像処理を行う際、蛍光体の流出を防止し、色混の発生を抑制することができる。以上のことから、表示品位の向上を図ることができる。
【００３１】
支持基板２４の開孔２６内に蛍光体層を形成した構成とすることにより、メタルバック層およびゲッター膜を形成する際、開孔の周縁部によってメタルバック層およびゲッター層を容易に分断することができる。これにより、放電の発生を抑制するとともに、放電の規模を縮小することができ、耐圧性の向上した信頼性の高いＳＥＤが得られる。
【００３２】
次に、この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤの製造方法について説明する。なお、ＳＥＤ自体の構成は前述した第１の実施形態と同一である。  
図１０に示すように、開孔２６が形成された支持基板２４を用意し、その表面全体を黒化処理する。続いて、前記実施形態と同様の方法により、支持基板２４の第２表面２４ｂ上に複数のスペーサ３０を形成する。その後、支持基板２４の第１表面２４ａに、第１基板と熱膨張係数を合わせたフリットガラスを塗布し、開孔２６を閉塞したガラス膜２８を形成する。
【００３３】
この状態で、図１１に示すように、支持基板２４の各開孔６０内に、例えば、インクジェットにより蛍光体を充填し、開孔内に蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを形成する。この際、ガラス膜をベースとし、その上に蛍光体を充填する。図１２に示すように、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂおよびガラス膜２８が形成された支持基板２４を、ガラス膜２８を介して第１基板１０の内面に貼り合わせた後、ガラス膜２８を加熱、焼成することにより、支持基板２４を第１基板の内面に固定する。
【００３４】
次に、支持基板２４の第２表面２４ａおよび蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂの表面に接着剤を塗布する。図１３に示すように、真空雰囲気中で、支持基板２４の第２表面２４ａ上および蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上にアルミニウムを蒸着し、メタルバック層１７を形成する。更に、真空雰囲気中で、支持基板２４の第２表面２４ａ上および蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上にゲッター材を蒸着し、ゲッター膜１９を形成する。この際、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは支持基板２４の開孔２６内に作り込まれているため、メタルバック層１７およびゲッター膜１９を各開孔２６の周縁により分断することができる。
【００３５】
その後、蒸着によりスペーサ３０に金属酸化物、例えば、酸化クロムを被着し被膜を形成する。続いて、前述した実施形態と同様の工程により、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合し、第１基板および第２基板間にスペーサ３０および支持基板２４が挟みこまれたＳＥＤを得る。  
上記の製造方法によっても、前述した第１の実施形態と同様のＳＥＤを製造することができる。
【００３６】
前述した第１および第２の実施形態において、スペーサとして柱状のスペーサ３０を用いたが、これに限らず、板状のスペーサを用いてもよい。また、スペーサは、支持基板上に限らず、第２基板上に立設してもよい。更に、スペーサを省略した構成とすることも可能である。スペーサを用いない場合、スクリーン印刷法により支持基板２４の開孔２６内に蛍光体を落とし込み印刷し、開孔内に蛍光体層を形成してもよい。
【００３７】
その他、本発明は前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００３８】
スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。
【図３】前記ＳＥＤを拡大して示す断面図。
【図４】前記ＳＥＤにおける第１基板、支持基板およびスペーサを示す平面図。
【図５】前記ＳＥＤの製造工程における支持基板を示す断面図。
【図６】前記支持基板上にスペーサを形成した状態を示す断面図。
【図７】前記支持基板を第１基板に貼り合わせた状態を示す断面図。
【図８】前記支持基板の開孔内に蛍光体を充填する工程を示す断面図。
【図９】前記支持基板上にメタルバック層を形成する工程を示す断面図。
【図１０】この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤの製造方法において、支持基板上にガラス膜およびスペーサを形成する工程を示す断面図。
【図１１】前記支持基板の開孔に蛍光体層を形成する工程を示す断面図。
【図１２】前記支持基板を第１基板に貼り合わせた状態を示す断面図。
【図１３】前記支持基板上にメタルバック層を形成する工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１０…第１基板、  １２…第２基板、  １４…側壁、  １５…真空外囲器、
１６…蛍光体スクリーン、  １８…電子放出素子、  ２４…支持基板、
２６…開孔、  ３０…スペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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