(57)【要約】【課題】  フッ化物結晶をはじめとするイオン結合材料を研磨するために用いられ、表面あらさおよび表面欠陥の低減等の優れた研磨特性が得られる研磨スラリーを提供する。【解決手段】  イオン結合材料Ｒを研磨するために用いられる研磨スラリーに、イオン結合材料Ｒの表面に非イオン性の吸着層を形成する分散剤が含まれていることを特徴とする。このイオン結合材料Ｒの表面に形成された非イオン性の吸着層により、イオン結合材料Ｒと研磨スラリーとの反応を阻止することができる。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン結合材料を研磨するために用いられ、該イオン結合材料の表面に非イオン性の吸着層を形成する分散剤を含むことを特徴とする研磨スラリー。
【請求項２】
請求項１に記載の研磨スラリーに含まれる前記分散剤の選定方法であって、
ある種の分散剤を含む一の溶液および該溶液とは別に前記分散剤と異なる分散剤を含む溶液を準備し、該各溶液の中に前記イオン結合材料からなる試験片を浸漬し、該各試験片のエッチングが生じた部分と生じていない部分との段差を比較し、小さい方の段差を有する試験片が浸漬された溶液に使用された分散剤を選定することを特徴とする分散剤の選定方法。
【請求項３】
請求項１に記載の研磨スラリーに含まれる前記分散剤の選定方法であって、
ある種の分散剤を含む一の溶液および該溶液とは別に前記分散剤と異なる分散剤を含む溶液を準備し、該各溶液の中に前記イオン結合材料からなる試験片を浸漬し、該各試験片に生じるエッチングにより形成されるピットの寸法を比較し、小さい方のピットを有する試験片が浸漬された溶液に使用された分散剤を選定することを特徴とする分散剤の選定方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の選定方法により選定され、請求項１に記載の研磨スラリーに含まれる前記分散剤の調合濃度設定方法であって、
前記分散剤の濃度が異なる複数の溶液を準備し、該各溶液の中に前記イオン結合材料からなる試験片を浸漬し、該各試験片のエッチングが生じた部分と生じていない部分との段差および前記各溶液の濃度の関係から実際の研磨の際に用いる調合濃度を設定することを特徴とする分散剤の調合濃度設定方法。
【請求項５】
前記分散剤として非イオン性の水溶性合成高分子が添加されることを特徴とする請求項１に記載の研磨スラリー。
【請求項６】
請求項２または請求項３に記載の選定方法により選定された前記分散剤を用い、請求項４に記載の調合濃度設定方法により設定された調合濃度とした請求項１または請求項５に記載の研磨スラリーを用いて前記イオン結合材料を研磨することを特徴とする研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイオン結合材料の研磨に関し、超平滑・表面欠陥の少ない高品質の鏡面を得るために好適の研磨スラリー、それに含まれる分散剤の選定方法、選定された分散剤の調合濃度設定方法およびこの研磨スラリーを用いた研磨方法に関する。
【０００２】
とりわけ表面平滑性および表面欠陥が重視される深紫外線領域の光学レンズ材料、CaF2材などのフッ化物結晶材料の表面仕上げ加工に好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来から、光学結晶としてのフッ化カルシウム（CaF2）材のようなイオン結合材料に用いられる研磨スラリーに関し、多様な物が知られている。
【０００４】
このような例として酸化セリウムを用いる物がある（例えば、特許文献１参照。）。これには、仕上げ研磨もしくはその前工程の研磨で酸化セリウム研磨剤を用いることが示されている。また、仕上げ研磨においてはコロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、コロイド状二酸化ジルコニア、コロイド状ダイヤモンド等を用いることが示されている。また、これらの研磨スラリーのｐＨを２〜１２とすることが示されている。さらにこれらの微粒子を含む固定研磨剤パッドを用いることも示されている。これらは光学レンズの研磨に用いられる周知の技術を微細リソグラフィ用フッ化物結晶光学レンズおよびプリフォームの研磨に適用したものである。
【０００５】
他の例として、低粘度シリコンオイルを用いる物がある（例えば、特許文献２参照。）。このものは、CaF2のようなフッ化物系結晶材料からなる物品を研磨する際、物品と水性の研磨液との反応に基づく物品の表面荒れを抑制することを目的としている。この特許文献２のものでは、非水性の研磨液として低粘度シリコンオイルを用いることにより、物品と研磨液との反応による表面荒れを抑制することができる。また、特開平８−１９９４３号には、物品と研磨液との反応を阻止する他の方法が示されている。このものでは、被研磨物を研磨する際、あらかじめ研磨液の中に被研磨物を構成する結晶材料の微粉末を添加し、この添加量を飽和溶解量の５０％、もしくはそれ以上とする。このものは、研磨液と結晶材料との反応を阻止することができ、ピット、潜傷、ヤケなどの発生を防止することができる。
【特許文献１】特表２００３−５０３２２３号公報（第２−３７頁、第４図）
【特許文献２】特開２００４−９８２４２号公報（第２−６頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、フッ化物系結晶材料が水性研磨液と反応すると、表面あらさが劣化し、表面欠陥も増えるとともに、研磨形状が偏移する。この偏移は、例えばレーザ干渉計を用いると、等間隔直線状に形成された干渉縞から結晶方位を示す稜線を形成する干渉縞への変化として観察することができる。ここで、レーザ干渉計とは、試料表面のマクロな形状評価を行なうものであり、走査型干渉顕微鏡とは、試料表面の段差、ピット等の微細構造を評価するものである。
【０００７】
この変化の一例を図1に示す。図1（ａ）は、研磨された直後のCaF2単結晶レンズ１の表面形状の変化を示しており、レーザ干渉計により得られた表面画像である。図1（ａ）には、レンズ１の研磨直後の状態１ａから水性研磨液との反応により研磨形状が偏移した状態１ｂへの干渉縞の変化が示されている。図1（ｂ）は、研磨形状が偏移した状態１ｂの３Ｄ画像である。レンズ１は、陰イオン性の分散剤(ポリアクリル酸塩)が添加されたｐＨ１０付近のCeO2スラリーにより研磨されたものである。このCeO2スラリーは、一般的に光学ガラスレンズの研磨に用いられる。
【０００８】
レンズ１は光軸方向が〔111〕軸方向であり、その表面には、結晶方位の影響により三角錐形の稜線２が生じている。稜線２は、明瞭に判別可能な程度の大きさに形成されている。この現象は、研磨剤に水性研磨スラリーを用いた場合、他の研磨剤を用いることに比較して起こり易い。研磨剤に陰イオン性のスラリーを用いた場合、さらにこの現象が発生する確率が高くなる。このことから、この現象は、化学的除去作用がレンズ面で均質に進行せず、結晶方位によって反応速度が異なる結晶異方性エッチングが起きたことが原因と考えられる。陰イオン性の分散剤が多用される理由は、比較的安全な物質が多く、静電反発力によって強い分散性が得られるためである。ところが、陰イオン性の分散剤を用いた場合、表面あらさは、自乗平均平方根粗さ（ｒｍｓ値）で０．３ｎｍ程度とするのが限界である。これは、フッ化物結晶の場合、水性研磨液との化学的除去作用が表面あらさの低減に繋がらないという事実による。
【０００９】
図２は、図１とは異なる方法で研磨された後のCaF2単結晶レンズ３の表面の表面画像である。レンズ３は、純水のみで分散させたダイヤモンドスラリーにより研磨されたものである。レンズ３の表面には、深さとしてサブナノメートル程度の浅いキズ状の欠陥４が点在している。このような微小な欠陥４は、垂直分解能がサブマイクロメートル程度のノマルスキー顕微鏡では観察不可能だが、白色光を用いた走査型干渉顕微鏡では明瞭に捉えることができる。この程度の欠陥４でも深紫外線領域でレンズ寿命に影響を与える可能性は否定できない。この研磨方法では、ダイヤモンド微粒子による機械的除去作用が支配的となり、表面あらさをｒｍｓ値で０．２ｎｍ以下とすることができる。しかし特に分散剤を添加していないことから砥粒の凝集が起こりやすく、キズなどの欠陥４が生じやすい。また、三角錐形の形状偏移が比較的起こりにくいｐＨ中性付近であっても、化学的除去作用が皆無とはいえない。このため、欠陥４は、エッチングにより生じた潜傷であることも考えられる。
【００１０】
図１および図２は、特許文献１に記載の研磨スラリーにより研磨されたレンズの一例である。このように、特許文献１に記載の研磨スラリー等は、フッ化物結晶をはじめとするアルカリハライド(アルカリ土類のハロゲン化物)と称されるイオン結合材料に対して特に優れた研磨特性を説明しているとはいえない。
【００１１】
一方、特許文献２では、フッ化物結晶のようなアルカリハライド(アルカリ土類のハロゲン化物)と称されるイオン結合材料と研磨液との反応に基づくイオン結合材料の表面荒れの防止策として、研磨液に低粘度シリコンオイルを用いることが示された。しかしながら、低粘度シリコンオイルを用いると、水溶性の研磨スラリーを用いることに比較して、研磨後のイオン結合材料の洗浄が困難である。このため、水溶性の研磨スラリーを用いることが望ましい。また、純水を溶媒とすることは調達が容易な利点もある。
【００１２】
研磨液中への溶解反応を遅らせるために、あらかじめ研磨液の中に被研磨物を構成する結晶材料の微粉末を添加する方法もあるが、被研磨物を構成するフッ化物の素材に応じて微粉末を準備しなければならない。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、イオン結合材料を研磨するために用いられ、表面あらさおよび表面欠陥の低減等の優れた研磨特性が得られる研磨スラリーを提供することにある。
【００１４】
さらに、イオン結合材料を研磨するために用いられる研磨スラリーに好適な分散剤の選定方法およびその調合濃度設定方法を提案することにある。
【００１５】
さらに、イオン結合材料に対して優れた研磨特性が得られる研磨方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記した課題を解決するために、請求項１に記載の研磨スラリーは、イオン結合材料を研磨するために用いられ、該イオン結合材料の表面に非イオン性の吸着層を形成する分散剤を含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項２に記載の分散剤の選定方法は、請求項１に記載の研磨スラリーに含まれる前記分散剤の選定方法であって、ある種の分散剤を含む一の溶液および該溶液とは別に前記分散剤と異なる分散剤を含む溶液を準備し、該各溶液の中に前記イオン結合材料からなる試験片を浸漬し、該各試験片のエッチングが生じた部分と生じていない部分との段差を比較し、小さい方の段差を有する試験片が浸漬された溶液に使用された分散剤を選定することを特徴とする。
【００１８】
請求項３に記載の分散剤の選定方法は、請求項１に記載の研磨スラリーに含まれる前記分散剤の選定方法であって、ある種の分散剤を含む一の溶液および該溶液とは別に前記分散剤と異なる分散剤を含む溶液を準備し、該各溶液の中に前記イオン結合材料からなる試験片を浸漬し、該各試験片に生じるエッチングにより形成されるピットの寸法を比較し、小さい方のピットを有する試験片が浸漬された溶液に使用された分散剤を選定することを特徴とする。
【００１９】
請求項４に記載の分散剤の調合濃度設定方法は、請求項２または請求項３に記載の選定方法により選定され、請求項１に記載の研磨スラリーに含まれる前記分散剤の調合濃度設定方法であって、前記分散剤の濃度が異なる複数の溶液を準備し、該各溶液の中に前記イオン結合材料からなる試験片を浸漬し、該各試験片のエッチングが生じた部分と生じていない部分との段差および前記各溶液の濃度の関係から実際の研磨の際に用いる調合濃度を設定することを特徴とする。
【００２０】
請求項５に記載の研磨スラリーは、請求項１に記載の研磨スラリーにおいて、前記分散剤として非イオン性の水溶性合成高分子が添加されることを特徴とする。
【００２１】
請求項６に記載の研磨方法は、請求項２または請求項３に記載の選定方法により選定された前記分散剤を用い、請求項４に記載の調合濃度設定方法により設定された調合濃度とした請求項１または請求項５に記載の研磨スラリーを用いて前記イオン結合材料を研磨することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１に記載の研磨スラリーによれば、含まれる分散剤によりイオン結合材料の表面に非イオン性の吸着層が形成される。この非イオン性の吸着層は、イオン結合材料と研磨液との反応を阻止し、エッチングが生じることを防止する。このため、本発明の研磨スラリーを用いてイオン結合材料を研磨すると、研磨形状を良好にするとともに、表面あらさおよび表面欠陥の低減等の優れた研磨特性を得ることができる。
【００２３】
請求項２に記載の分散剤の選定方法によれば、異なる種類の各溶液中の各試験片に形成された段差を比較することにより分散剤を選定しているので、イオン結合材料と研磨液との反応によるエッチングを効果的に阻止することができる分散剤を選定することができる。
【００２４】
請求項３に記載の分散剤の選定方法によれば、ピットの寸法をエッチングにより形成された段差と擬制している。ピットの寸法は、一般的な光学式顕微鏡で観察可能であるので、走査型干渉顕微鏡を用いる必要がある段差を比較対象とすることに比較して、分散剤を容易に選定することができる。
【００２５】
請求項４に記載の分散剤の調合濃度設定方法によれば、エッチングにより形成された段差と溶液の濃度との関係から、実際の研磨の際に用いる調合濃度を設定している。このため、イオン結合材料と研磨スラリーとの反応によるエッチングを阻止するための適切な調合濃度を設定することができる。
【００２６】
請求項５に記載の研磨スラリーによれば、非イオン性の水溶性合成高分子を添加することにより非イオン性の吸着層を形成することができる。
【００２７】
請求項６に記載の研磨方法によれば、深紫外線領域に好適であり、高精度、表面平滑性に優れ、無欠陥の光学素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【実施例】
【００２９】
本発明に係る研磨スラリーに添加する非イオン性の水溶性合成高分子の選定方法を説明する。図３は、この選定方法に採用されるエッチング実験を説明するための模式図である。
【００３０】
先ず、複数の水槽１０と、複数の試験片１１とを準備する。各水槽１０には、それぞれに異なる添加剤が溶解された溶液が注入される。本実施例では、溶液として、（１）純水１Ｌ(ｐＨ７)、（２）純水１Ｌにポリアクリル酸塩１００ｍｇを添加溶解したもの(ｐＨ１０付近)、（３）純水１Ｌにカルボキシルメチルセルロース(ＣＭＣ)ナトリウム１００ｍｇを添加溶解したもの(ｐＨ７付近)の３種類を使用する。これらの水溶性合成高分子は、研磨スラリーの砥粒の分散剤としても作用する。
【００３１】
各試験片１１は、CaF2単結晶からなり、鏡面加工が施されている。各試験片１１は、エッチング面が(111)面であり、その一部を覆うマスク１１ａが設けられている。マスク１１ａは、溶液化したピッチ(光学レンズ研磨用のピッチ)の凝集皮膜からなる。
【００３２】
各水槽１０の中にそれぞれ試験片１１を浸漬し、攪拌装置１２で溶液に常時２００ｒｐｍの攪拌運動を与える。この状態で４８時間放置し、各試験片１１のエッチング実験を行なう。
【００３３】
４８時間経過した後、各試験片１１を溶液から取り出し、溶剤でマスク１１ａを取り除く。マスク１１ａが設けられていた被覆部分１３ではエッチングが進行しない（図６（ａ）参照。）。このため、被覆部分１３を基準として、各試験片１１のエッチングの進行度合いを観察することができる。図４は、試験片１１のエッチング面で、被覆部分１３と、エッチングが進行したエッチング部分１４とにより形成された微小段差Ｂを示す。微小段差Ｂは、白色光を用いた走査型干渉顕微鏡で観察した。また、合わせてエッチング表面を顕微鏡などで観察した。
【００３４】
この結果、図５に示すように、ポリアクリル酸塩溶液中では、純水中に比較して試験片１１のエッチングの進行度合いが３倍となっている。一方、ＣＭＣナトリウム溶液中では、純水中に比較して試験片１１のエッチングの進行度合いが約半分となっている。この比較から、ＣＭＣナトリウムは、CaF2単結晶と研磨液との反応を阻止することが解る。このような手段によってフッ化物結晶のようなイオン結合材料であるCaF2単結晶と研磨スラリーとの反応を阻止することができる非イオン性の水溶性合成高分子を選定することができる。
【００３５】
また、エッチングの進行度合いを比較することに代えて、各試験片１１に生じたピットＰ（微小なくぼみ）を観察することにより水溶性合成高分子を選定することができる。図６（ａ）は、各試験片１１の被覆部分１３の表面画像を示している。図６の（ｂ）〜（ｄ）は、それぞれ溶液（１）〜（３）中の各試験片１１のエッチング部分１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの表面画像を示している。CaF2単結晶の(111)面にエッチングを施した場合、三角錐形のピットＰおよび潜傷が発生する。ピットＰの寸法(一辺の長さ)は、各試験片１１のエッチングの進行度合いに比例する。また、ピットＰの寸法は、数μｍ〜２０μｍ程度なので、一般的な光学式顕微鏡でも観察可能である。このことから、微小段差Ｂを測定することができる高精度の装置が無い場合であっても、ピットＰの寸法を微小段差Ｂに代用することで、CaF2単結晶と研磨スラリーとの反応を阻止することができる水溶性合成高分子を選定することができる。
【００３６】
なお、研磨スラリーにＣＭＣなどの水溶性合成高分子を添加することは、例えばサンツールの特公第２８２０３２８(高速仕上げ用研磨剤)でも採用されている。しかし、このものは、研磨スラリーに粘性を与えるために添加されており本発明とは目的が異なる。
【００３７】
次に、この選定されたＣＭＣナトリウムの調合濃度の設定について説明する。
【００３８】
エッチング実験と同様に、複数の水槽１０と、複数の試験片１１とを準備する（図３参照。）。各水槽１０には、それぞれ純水１Ｌに異なる量のＣＭＣナトリウムが溶解された溶液を注入する。各水槽１０の中にそれぞれ試験片１１を浸漬し、そのエッチング面に形成された微小段差Ｂ（図４参照。）を観察する。
【００３９】
図７（ａ）に示すように、ＣＭＣナトリウムの添加量が増大すると、次第に微小段差Ｂの大きさが漸減する。ここでＣＭＣナトリウム濃度を対数化すると、微小段差Ｂとの間に直線回帰が可能である（図７（ｂ）参照。）。この直線回帰から、純水１ＬあたりのＣＭＣナトリウムの添加量を１４００ｍｇとした場合、純水と比べて微小段差Ｂの大きさが１／４となる結果を得た。このように、ＣＭＣナトリウム濃度とエッチング量との相関関係から適切なＣＭＣナトリウムの調合濃度を設定することができる。
【００４０】
上記した選定方法により選定されたＣＭＣナトリウムを調合濃度設定方法により設定された調合濃度となるように純水１Ｌあたり１４００ｍｇを添加溶解してダイヤモンドスラリーを作製する。これに用いるダイヤモンドパウダーは粒度分布０．２μｍ以下のものを２ｇとした。このダイヤモンドスラリーを用いてCaF2単結晶レンズＲ（図８参照。）を研磨する。
【００４１】
図８は、公知の研磨工具１５を備える研磨装置１６を示している。研磨工具１５は、溝付き球面基板の表面に溶液化したピッチの凝集皮膜を厚さ０．３ｍｍ以下に形成されている。研磨装置１６は、ターンテーブル１７、外槽１８、内槽１９、往復板２０、リニアガイド２１、荷重２２、カンザシ２３を備える。外槽１８は、ターンテーブル１７の上面に配置されている。内槽１９は、外槽１８の内方に配置されている。研磨工具１５は、内槽１９の内方に配置されている。往復板２０は、ターンテーブル１７と間隔をおいて平行に配置されている。往復板２０には、リニアガイド２１、荷重２２、カンザシ２３が設けられている。カンザシ２３の先端にCaF2単結晶レンズＲが配置されている。CaF2単結晶レンズＲは、内槽１９の内方で研磨工具１５に臨んでいる。外槽１８には、定温の水が循環される。上記したダイヤモンドスラリーは、内槽１９に注入される。
【００４２】
図９は、このダイヤモンドスラリーを用いて研磨装置１６で研磨された直後のCaF2単結晶レンズＲの表面形状の変化を示している。図９は、レーザ干渉計により得られた表面画像であり、研磨直後の状態Ｒａから状態Ｒｂを経て状態Ｒｃへの干渉縞の変化が示されている。図１０は、CaF2単結晶球面レンズＲの表面画像を示している。CaF2単結晶レンズＲには、図９に示すように、三角錐形の形状偏移は生じていない。レンズＲを中口径サイズ(φ４０〜φ７０ｍｍ)とすると、真球度λ／３０〜λ／５０を得ることができた。また表面あらさはｒｍｓ値で０．２ｎｍ以下とすることができた。また、図１０に示すように、レンズ表面はほぼ無欠陥であった。これは、ダイヤモンドスラリーに添加されたＣＭＣナトリウム１４００ｍｇがCaF2単結晶レンズＲの表面に非イオン性の吸着層を形成し、この吸着層がCaF2単結晶レンズＲとダイヤモンドスラリー溶媒との反応を阻止したことによる。
【００４３】
このように、本発明にかかる研磨スラリーでは、非イオン性の水溶性合成高分子を分散剤として添加することにより、被研磨物であるイオン結合材料と研磨スラリーとの反応を阻止することができる。これにより、従来の研磨スラリーに比較して、表面あらさおよび表面欠陥を低減することができる。
【００４４】
また、本発明にかかる研磨スラリーでは、非イオン性の水溶性合成高分子の添加によってイオン結合材料の表面に非イオン性の吸着層が形成されている。この高分子の吸着層により、被研磨物であるイオン結合材料と研磨スラリーとの反応が阻止されているので、イオン結合材料の微粉末の溶解により反応を阻止する従来の研磨スラリーのように、イオン結合材料毎にその微粉末を準備する必要がない。
【００４５】
本発明にかかる研磨スラリーに添加される分散剤の選定方法では、イオン結合材料に生じるエッチングの進行度合いに基づいて水溶性合成高分子を選定している。このため、これにより選定された水溶性合成高分子を研磨スラリーに添加すると、イオン結合材料と研磨スラリーとの反応を効果的に阻止することができる。
【００４６】
本発明にかかる研磨スラリーに添加される分散剤の調合濃度設定方法では、イオン結合材料に生じるエッチングの進行度合いに基づいて調合濃度を設定している。このため、設定された調合濃度の研磨スラリーを用いると、イオン結合材料と研磨スラリーとの反応を適切に阻止することができる。
【００４７】
この研磨スラリーを用いた研磨方法では、高精度、表面平滑性に優れ、無欠陥の光学素子を得ることができる。この光学素子は、深紫外線領域で用いられるのに好適である。
【００４８】
したがって、本発明にかかる研磨スラリーによれば、フッ化物結晶をはじめとするイオン結合材料を研磨するために用いられ、表面あらさおよび表面欠陥の低減等の優れた研磨特性を得ることができる。
【００４９】
なお、上記した実施例では、分散剤として非イオン性の水溶性合成高分子であるＣＭＣナトリウムが選定されたが、イオン結合材料と研磨スラリーとの反応を阻止することができればよく、上記した実施例に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】CeO2スラリーを用いて研磨した直後のCaF2単結晶レンズの表面形状の変化を示しており、（ａ）は測定波長６３２．８ｎｍでレーザ干渉計により得られた表面画像、（ｂ）は（ａ）から得られた３Ｄ画像である。
【図２】ダイヤモンドスラリーを用いて研磨されたCaF2単結晶レンズの表面形状を示しており、走査型干渉顕微鏡（ＮｅｗＶｉｅｗ５０００（商品名））の写真モードにより得られた表面画像である。
【図３】CaF2単結晶試験片を用いたエッチング実験を説明するための模式図である。
【図４】試験片のエッチング面に形成された微小段差Ｂを示すレーザ干渉計により得られた表面画像、および走査型干渉顕微鏡により得られた、拡大した３Ｄ画像である。
【図５】各試験片に形成された微小段差Ｂを示すグラフである。
【図６】非エッチング面(段差基準面)および各溶液中に配置された各試験片のエッチング面の表面画像である。
【図７】エッチングにより生じるCaF2単結晶の微小段差ＢとＣＭＣナトリウム濃度との関係を示すグラフと、その直線回帰を示すグラフである。
【図８】研磨装置およびその研磨工具の表面構造を示した模式図である。
【図９】ＣＭＣナトリウムを添加したダイヤモンドスラリーを用いて研磨した直後のCaF2単結晶球面レンズの表面形状の変化を示す表面画像である。
【図１０】ＣＭＣナトリウムを添加したダイヤモンドスラリーを用いて研磨されたCaF2単結晶球面レンズの表面形状を示しており、走査型干渉顕微鏡（ＮｅｗＶｉｅｗ５０００（商品名））の写真モードにより得られた表面画像である。
【符号の説明】
【００５１】
１１  試験片
１３  被覆部分
１４  エッチング部分
Ｒ  （イオン結合材料としての）CaF2単結晶レンズ
Ｂ  微小段差
Ｐ  ピット
【図１】
2006176631.tif 000003
【図２】
2006176631.tif 000004
【図３】
2006176631.tif 000005
【図４】
2006176631.tif 000006
【図５】
2006176631.tif 000007
【図６】
2006176631.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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