(57)【要約】【課題】  プラズマ処理のおける成膜レートや膜質の変動を抑制し、且つその前処理としてのコンディショニングに多くの時間を費やすことを防ぐことが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  被処理基体１０を設置するサセプタ１２と、被処理基体１０の上方のプラズマ生成箇所を覆う石英部１４と、サセプタ１２と石英部１４とを収納するチャンバ１と、チャンバ１の外側に配置され、石英部１４表面に形成される窒化物層の膜厚をモニタする分析部２０ａと、分析部２０ａに接続され、窒化物層の膜厚に基づいて、コンディショニングの終了を判断する制御部３０とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サセプタと、
前記サセプタの上方のプラズマ生成箇所を覆う石英部と、
前記サセプタと前記石英部とを収納するチャンバと、
前記チャンバ内にコンディショニングガスを導入するガス導入部と、
放電により、前記コンディショニングガスのプラズマを生成し、前記石英部に対しコンディショニングを行うプラズマ生成部と、
前記チャンバの外側に配置され、前記石英部表面における窒化物層の変化をモニタする分析部と、
前記分析部に接続され、前記窒化物層の変化に基づいて、前記コンディショニングの終了を判断する制御部
とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記分析部は、前記石英部表面での反射波から屈折率をモニタすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記分析部は、前記石英部表面から放出されるラジカル酸素及びラジカル窒素の発光スペクトルをモニタすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記分析部は、前記チャンバから排気されるガス中のラジカル酸素及びラジカル窒素の質量を測定することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
サセプタと前記サセプタの上方のプラズマ生成箇所を覆う石英部とを収納するチャンバ内にコンディショニングガスを導入するステップと、
放電により前記コンディショニングガスのプラズマを生成し、前記石英部に対しコンディショニングを行うステップと、
前記プラズマ中のラジカルによる前記石英部表面における窒化物層の変化をモニタするステップと、
前記モニタした前記窒化物層の変化に基づいて、コンディショニングの終了を判断するステップ
とを含むコンディショニングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の種々の電子装置の製造等に用いられるプラズマ処理装置に関し、特にプラズマ処理における成膜レートの変動を抑制するための、プラズマ処理の前処理を行い、連続的なロット処理を可能にしたプラズマ処理装置及びその前処理を用いたプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ゲート絶縁膜を高品質化するために、プラズマ酸化プロセス及びプラズマ窒化プロセス等のプラズマ処理が実用化されてきている。プラズマ酸化プロセスは、従来の熱酸化方法により形成した酸化膜に比べると電気的ストレスに対する耐性が高い特徴がある。また、プラズマ窒化プロセスは従来の熱窒化による窒化方法に比べると、ゲート絶縁膜の界面特性を劣化させる要因である窒素を界面近傍で低濃度化させることができる特徴がある。これらの理由で、プラズマ酸化プロセス及びプラズマ窒化プロセスを採用している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
プラズマ酸化プロセス及びプラズマ窒化プロセスは、同一の装置にて処理が可能であるので、装置の稼働率を向上させるために１台の装置に２つのプロセスを行っている。しかし、プラズマ窒化プロセスとプラズマ酸化プロセスを同一装置で行うと、プラズマ窒化後のプラズマ酸化及びプラズマ酸化後のプラズマ窒化で成膜レートが変動する問題がある。
【０００４】
成膜レートが変動するのは、プラズマ酸化プロセス及びプラズマ窒化プロセス等のプラズマ処理を行う際に、マイクロ波アンテナや金属製のチャンバからのメタルコンタミネーション防止のためにチャンバに備えられている石英部（ＳｉＯ2）に酸化窒化物（ＳｉＯＮ）が存在するか否かによる（以下において、酸化窒化物を単に「窒化物」と略記する。）。例えば、プラズマ酸化プロセスにおいて、石英の表面に窒化物が存在する状態で行う場合、プラズマ酸化時に石英表面より窒化物が脱離して、脱離した窒素又は窒素の活性種により酸化レートが抑制される。一方、プラズマ窒化プロセスにおいて、石英表面に窒化物が存在しない状態で行う場合、プラズマ窒化プロセス時の窒化種が石英で消費されて、実際のシリコン基板上での窒化レートが抑制されるので、膜中の窒素の組成が低下し、膜質が悪化する。
【０００５】
そこで、プラズマ窒化後のプラズマ酸化及びプラズマ窒化プロセス等のプラズマ処理で成膜レートの変動を均一にするために、前処理としてコンディショニングを行う。プラズマ窒化プロセスの前に行うコンディショニングは、チャンバの石英部表面にあらかじめ窒化物層を形成する窒化コンディショニングである。一方、プラズマ酸化プロセスを行う前に行うコンディショニングは、石英部表面の窒化物層から窒素を脱離させる脱窒素コンディショニングである。つまり、コンディショニングは、プラズマ酸化及びプラズマ窒化プロセスで成膜レートの変動を抑制することができるが、コンディショニングに多くの時間を費やしてしまうため実質的な処理能力を低下させて生産性を落とす要因となっている。
【特許文献１】特開２００２−１９８５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、プラズマ処理のおける成膜レートや膜質の変動を抑制し、且つその前処理としてのコンディショニングに多くの時間を費やすことを防ぐことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の特徴は、サセプタと、サセプタの上方のプラズマ生成箇所を覆う石英部と、サセプタと石英部とを収納するチャンバと、チャンバ内にコンディショニングガスを導入するガス導入部と、放電により、コンディショニングガスのプラズマを生成し、石英部に対しコンディショニングを行うプラズマ生成部と、チャンバの外側に配置され、石英部表面における窒化物層の変化をモニタする分析部と、分析部に接続され、窒化物層の変化に基づいて、コンディショニングの終了を判断する制御部とを備え、コンディショニングの終了後に、サセプタ上に被処理基体を設置し、その被処理基体の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第２の特徴は、サセプタとサセプタの上方のプラズマ生成箇所を覆う石英部とを収納するチャンバ内にコンディショニングガスを導入するステップと、放電によりコンディショニングガスのプラズマを生成し、石英部に対しコンディショニングを行うステップと、プラズマ中のラジカルによる石英部表面における窒化物層の変化をモニタするステップと、モニタした窒化物層の変化に基づいて、コンディショニングの終了を判断するステップとを含むコンディショニングを行った後に、サセプタ上に被処理基体を設置し、その被処理基体の表面にプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、プラズマ処理のおける成膜レートや膜質の変動を抑制し、且つその前処理としてのコンディショニングに多くの時間を費やすことを防ぐことが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に図面を参照して、半導体製造装置を例に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１１】
尚、以下に説明する半導体製造装置は例示であり、半導体装置以外に液晶表示装置、磁気記録媒体、超伝導素子等種々の電子デバイスの製造に適用可能であることはもちろんである。
【００１２】
（プラズマ処理装置）
本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置は、プラズマ窒化プロセス及びプラズマ酸化プロセスを１台で行うことができる半導体製造装置である。実施の形態に係るプラズマ処理装置は、図１に示すように、サセプタ１２と、サセプタ１２の上方のプラズマ生成箇所を覆う石英部１４と、サセプタ１２と石英部１４とを収納するチャンバ１と、チャンバ１内にコンディショニングガスを導入するガス導入部１６と、放電により、コンディショニングガスのプラズマを生成し、石英部１４に対しコンディショニングを行うプラズマ生成部と、チャンバ１の外側に配置され、石英部１４表面における窒化物層の変化をモニタする分析部２０ａと、分析部２０ａに接続され、窒化物層の変化に基づいて、コンディショニングの終了を判断する制御部３０とを備える。また、実施の形態に係るプラズマ処理装置は、コンディショニングの終了後に、サセプタ上に被処理基体１０を設置し、その被処理基体１０の表面をプラズマ処理する。ここで「被処理基体」としては、半導体製造装置の場合には半導体基板が対応するが、磁気記録媒体であれば樹脂基板でもよく、ジョセフソン素子等の超伝導素子の場合は超伝導材料基板が対応するように種々の材料に適用可能である。また、被処理基体１０は、始めは基板メーカーから提供される原材料としての半導体基板で、製造工程の進行と共に、随時その表面に新たな被膜等が形成され、「新たな被処理基体」に変化するものであり、現在対象とする処理プロセスがなされる基体という意味に定義される。また、「プラズマ処理」とは、プラズマ酸化プロセス及びプラズマ窒化プロセス等により、被処理基体１０上に酸化膜及び窒化膜を形成するプラズマ化学による反応を用いた処理である。
【００１３】
チャンバ１は、外気遮断及び雰囲気保持が可能な密閉構造を有する炉である。チャンバ１は、コンディショニングガスをチャンバ１内に導入するガス導入部１６と、コンディショニングガスをチャンバ１内から排気する排気ライン１７を備える。コンディショニングガスとしては、プラズマの励起を容易にするためのアルゴン（Ａｒ）ガス及びヘリウム（Ｈｅ）ガスと、コンディショニングを行うガス種となる窒素（Ｎ2）ガス及び酸素（Ｏ2）ガスを混合して用いる。サセプタ１２は、セラミックス及びアルミ合金等の抵抗加熱用ヒータ１３を備える。石英部１４は、高温に強く、活性ガスとの化学変化も起こしにくい性質を有するので、マイクロ波アンテナ１５や金属製のチャンバ１からのメタルコンタミネーション防止のために備えられる。排気ライン１７は、図示を省略した真空ポンプに接続され、チャンバ１内を例えば２０〜２００Ｐａ程度の減圧（低圧力）状態に保つ。
【００１４】
分析部２０ａは、単一波長のレーザ光を発光する発光部２２と、発光部２２から発光したレーザ光が石英部１４で反射して受光する受光部２４とを備える。発光部２２から発光されたレーザ光は、光を伝送する光ファイバ等の光伝送部２６によって伝送される。分析部２０ａは、受光部２４で受光した石英部１４での反射波をモニタすることにより屈折率を測定する。屈折率の変化を測定することにより、石英部１４の表面にできる窒化物層の膜厚等の変化をモニタすることができる。分析部２０ａが窒化物層の変化をモニタした結果は、信号として制御部３０に送信される。制御部３０は、分析部２０ａから送信される信号により窒化物層の膜厚が所望の膜厚になるようにコンディショニングの終了を判断する。
【００１５】
（窒化コンディショニング方法）
実施の形態に係るプラズマ処理装置を用い、前ロットの処理にてプラズマ酸化プロセスを行い、次のロットの処理においてプラズマ窒化プロセスを実行する場合等の連続なロット処理における窒化コンディショニング方法を図２のフローチャートを参照しながら説明する。「窒化コンディショニング」とは、被処理基体１０上にプラズマ窒化膜を形成するプラズマ窒化プロセスの前に石英部１４に窒化物層を形成するコンディショニング処理である。
【００１６】
まず、ステップＳ１０１において、チャンバ１内の石英部１４表面に窒化物層を形成するために、ガス導入部１６から窒化コンディショニングを行うためのコンディショニングガスを導入する。コンディショニングガスとして、ＡｒガスとＮ2ガスをチャンバ内に同時に導入する。ＡｒガスとＮ2ガスのガス流量はそれぞれ１０００ｓｃｃｍと５０ｓｃｃｍとなるように設定する。ガス流量が安定したところで、マイクロ波アンテナ１５からマイクロ波を投入し、マイクロ波放電させて窒素ラジカル（Ｎ＊）を生成する。そして、窒素ラジカルによる石英部１４の窒化コンディショニングを行う。このとき、チャンバ１内の圧力は１３０Ｐａ、マイクロ波の投入パワーは１．０ｋＷという条件が用いられる。
【００１７】
窒化コンディショニングでは、同時にチャンバ１内の石英部１４表面の窒化物層の膜厚をモニタする。窒化物層のモニタ方法は、図３に示すように、チャンバ１内の石英部１４に単波長の光を当て、その反射波を分析部２０ａでモニタすることにより屈折率を測定する。この屈折率の変化を測定することにより、石英部１４表面にできる窒化物層の膜厚の変化をモニタすることができる。
【００１８】
ステップＳ１０２において、所望の膜厚の窒化物層が形成されるまで窒化コンディショニングが行われたかどうかを判断する。所望の窒化物層の膜厚は、例えば２０ｎｍである。窒化物層の膜厚を示す信号が分析部２０ａから制御部３０に送られて、制御部３０が所望の膜厚の窒化物層が形成されたと判断した場合、ステップＳ１０３に移行し窒化コンディショニングを終了する。制御部３０が所望の膜厚の窒化物層が形成されていないと判断した場合は、ステップＳ１０４に移行し、窒化コンディショニングを続行する。
【００１９】
上記の窒化コンディショニングによって形成される石英部１４表面の窒化物層は、図４に示すように、窒化コンディショニング後に行う被処理基体１０に対するプラズマ窒化プロセスに影響する。図４の横軸はプラズマ窒化プロセスを施す時間を表し、縦軸は被処理基体１０の表面に形成される窒化膜（窒化酸化膜）中の窒素濃度を表す。図４に示すように、同じ時間で被処理基体１０をプラズマ窒化プロセスを施す場合、窒化コンディショニングを施した方が、窒化コンディショニングを施してない方と比して、被処理基体１０上に形成される窒化膜中の窒素濃度が明らかに高くなる。
【００２０】
したがって、プラズマ窒化プロセスで求められる被処理基体１０上に形成される窒化膜の窒素濃度を、石英部１４を窒化コンディショニングすることにより、効率良く上昇させることができる。つまり、被処理基体１０の表面をプラズマ窒化するために必要な時間を短縮することができる。また、窒化コンディショニングは、石英部１４表面の窒化物層をモニタすることで、過剰な時間を費やすことを防ぐことができる。よって、コンディショニングに多くの時間を費やすことなく、効率良く被処理基体１０上に窒化膜を形成することができるので、窒化レート、即ち成膜レートの安定性を保つことができる。
【００２１】
（脱窒素コンディショニング方法）
実施の形態に係るプラズマ処理装置を用い、前ロットの処理においてプラズマ窒化プロセスを行い、次のロットの処理においてプラズマ酸化プロセスを実行する場合の脱窒素コンディショニング方法を図５のフローチャートを参照しながら説明する。「脱窒素コンディショニング」とは、被処理基体１０上にプラズマ酸化膜を形成するプラズマ酸化プロセスの前に石英部１４に形成されている窒化物層を消去するコンディショニング処理である。
【００２２】
まず、ステップＳ２０１において、チャンバ１内の石英部１４表面の窒化物層から窒素を脱離するために、ガス導入部１６から脱窒素コンディショニングを行うためのコンディショニングガスを導入する。コンディショニングガスとして、ＡｒガスとＯ2ガスをチャンバ内に同時に導入する。ＡｒガスとＯ2ガスのガス流量はそれぞれ１０００ｓｃｃｍと５０ｓｃｃｍとなるように設定する。ガス流量が安定したところで、マイクロ波アンテナ１５からマイクロ波を投入し、マイクロ波放電させて酸素ラジカル（Ｏ＊）を生成する。そして、酸素ラジカルによる石英部１４の脱窒素コンディショニングを行う。このとき、チャンバ１内の圧力は１３０Ｐａ、マイクロ波の投入パワーは１．０ｋＷという条件が用いられる。
【００２３】
脱窒素コンディショニングでは、同時にチャンバ１内の石英部１４表面をモニタする。石英部１４表面のモニタ方法は、図６に示すように、チャンバ１内の石英部１４に単波長の光を当て、その反射波を分析部２０ａでモニタすることにより屈折率を測定する。この屈折率の変化を測定することにより、石英部１４表面の窒化物層から窒素が脱離する変化をモニタすることができる。
【００２４】
ステップＳ２０２において、石英部１４の窒化物層が消失するまで脱窒素コンディショニングが行われたかどうかを判断する。窒化物層の膜厚を示す信号が分析部２０ａから制御部３０に送られて、制御部３０が窒化物層が消失したと判断した場合、ステップＳ２０３に移行し脱窒素コンディショニングを終了する。制御部３０が窒化物層が消失していないと判断した場合は、ステップＳ２０４に移行し、脱窒素コンディショニングを続行する。
【００２５】
上記の脱窒素コンディショニングによって石英部１４の窒化物層を消失させることは、図７に示すように、脱窒素コンディショニング後に行うプラズマ酸化プロセスに影響する。図７の横軸はプラズマ酸化プロセスを施す時間を表し、縦軸は被処理基体１０上に形成される酸化膜の膜厚を表す。図７に示すように、同じ時間で被処理基体１０をプラズマ酸化プロセスを施す場合、脱窒素コンディショニングを施した方が、脱窒素コンディショニングを施してない方と比して、形成される酸化膜の膜厚が明らに厚くなる。
【００２６】
したがって、プラズマ酸化プロセスで被処理基体１０上に形成される酸化膜は、石英部１４を脱窒素コンディショニングすることにより、短時間で所望の膜厚にすることができる。また、脱窒素コンディショニングは、石英部１４表面の窒化物層をモニタすることで、過剰な時間を費やすことを防ぐことができる。よって、コンディショニングに多くの時間を費やすことなく、効率良く被処理基体１０上に酸化膜を形成することができるので、酸化レート、即ち成膜レートの安定性を保つことができる。
【００２７】
実施の形態に係るプラズマ処理装置によれば、窒化および脱窒素コンディショニングを効率良く行うことができるので、１台の装置にてプラズマ窒化及びプラズマ酸化プロセスを行っても窒化レート及び酸化レートの安定性を保ちつつ生産性を向上することができる。
【００２８】
（第１変形例）
本発明の実施の形態の第１変形例に係るプラズマ処理装置は、図８に示すように、図１に示した分析部２０ａでは短波長の光によって石英部１４の屈折率をモニタしていたのに対して、石英部１４表面から放出される発光スペクトルを分析部２０ｂでモニタする点が異なる。他は図１に示したプラズマ処理装置と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００２９】
分析部２０ｂは、受光部２４と光伝送部２６を備える。分析部２０ｂは、窒化および脱窒素コンディショニングを行うことで石英部１４表面から放出されるラジカル酸素及びラジカル窒素の発光スペクトルを光伝送部２６を介して受光部２４で受光する。分析部２０ｂは、受光部２４でラジカル酸素及びラジカル窒素の発光強度の変動を計測することにより、石英部１４の表面に形成される窒化物層の変化をモニタする。分析部２０ｂが窒化物層の変化をモニタした結果は、信号として制御部３０に送信される。窒化および脱窒素コンディショニングは、ラジカル酸素及びラジカル窒素の発光スペクトルが所定の強度に達したときに終了と判断される。
【００３０】
例えば、窒化コンディショニングでは、図９に示すように、ラジカル酸素がＳｉＯＮと反応してラジカル窒素を放出する。また、脱窒素コンディショニングでは、図１０に示すように、ラジカル窒素がＳｉＯ2と反応してラジカル酸素を放出する。発光スペクトルは、ラジカル酸素及びラジカル窒素が放出されるときに発光する。
【００３１】
実施の形態の第１変形例に係るプラズマ処理装置によれば、窒化および脱窒素コンディショニングを効率良く行うことができるので、１台の装置にてプラズマ窒化及びプラズマ酸化プロセスを行っても酸化レート及び窒化レートの安定性を保ちつつ生産性を向上することができる。
【００３２】
（第２変形例）
本発明の実施の形態の第２変形例に係るプラズマ処理装置は、図１１に示すように、図１に示した分析部２０ａの代わりに、排気ライン１７に設けられた分析部２０ｃで窒化物層の変化をモニタする点が異なる。他は図１に示したプラズマ処理装置と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００３３】
分析部２０ｃは、バルブ４０によって排気ライン１７の経路が制御される排気ガス中のラジカル酸素及びラジカル窒素の質量を測定する。分析部２０ｃでラジカル酸素及びラジカル窒素の質量を測定することにより、石英部１４の表面に形成される窒化物層の変化をモニタすることができる。分析部２０ｃが窒化物層の変化をモニタした結果は、信号として制御部３０に送信される。窒化および脱窒素コンディショニングは、ラジカル酸素及びラジカル窒素が所定の質量に達したときに終了と判断される。
【００３４】
実施の形態の第２変形例に係るプラズマ処理装置によれば、窒化および脱窒素コンディショニングを効率良く行うことができるので、１台の装置にてプラズマ窒化及びプラズマ酸化プロセスを行っても酸化レート及び窒化レートの安定性を保ちつつ生産性を向上することができる。
【００３５】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００３６】
例えば、実施の形態に係るプラズマ処理装置では、分析部２０ａは石英部１４の１カ所を測定するように記載されているが、測定箇所は１カ所に限られず複数の箇所で測定しても構わない。
【００３７】
上記において、半導体装置を例示したが、半導体装置に限定される必要はなく、半導体装置以外に液晶表示装置、磁気記録媒体、超伝導素子等種々の電子デバイスの製造に適用可能である。
【００３８】
尚、プラズマ処理を行う被処理基体１０は、半導体製造装置の場合には半導体基板が対応するが、磁気記録媒体であれば樹脂基板でもよく、ジョセフソン素子等の超伝導素子の場合は超伝導材料基板が対応するように種々の材料に適用可能である。
【００３９】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定こと項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る窒化コンディショニング方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の石英部の窒化物層の測定を説明するための模式図（その１）である。
【図４】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置で被処理基体上に形成される窒化物層の窒素濃度結果を示すグラフである。
【図５】本発明の実施の形態に係る脱窒素コンディショニング方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の石英部の窒化物層の測定を説明するための模式図（その２）である。
【図７】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置で被処理基体上に形成される酸化膜の膜厚結果を示すグラフである。
【図８】本発明の実施の形態の第１変形例に係るプラズマ処理装置の模式図である。
【図９】本発明の実施の形態の第１変形例に係るプラズマ処理装置の石英部の窒化物層の測定を説明するための模式図（その１）である。
【図１０】本発明の実施の形態の第１変形例に係るプラズマ処理装置の石英部の窒化物層の測定を説明するための模式図（その２）である。
【図１１】本発明の実施の形態の第２変形例に係るプラズマ処理装置の模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…チャンバ
１０…被処理基体
１２…サセプタ
１３…抵抗加熱用ヒータ
１４…石英部
１５…マイクロ波アンテナ
１６…ガス導入部
１７…排気ライン
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ…分析部
２２…発光部
２４…受光部
２６…光伝送部
３０…制御部
４０…バルブ
【図１】
2006339253.tif 000003
【図２】
2006339253.tif 000004
【図３】
2006339253.tif 000005
【図４】
2006339253.tif 000006
【図５】
2006339253.tif 000007
【図６】
2006339253.tif 000008
【図７】
2006339253.tif 000009
【図８】
2006339253.tif 000010
【図９】
2006339253.tif 000011
【図１０】
2006339253.tif 000012
【図１１】
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