(57)【要約】【課題】  検出装置の誤動作を防ぐようにする。【解決手段】  磁気感応素子１３１−１は、移動体の磁石により生じた磁界の強さを示す電圧Vm1を出力し、比較器１３２−１は、磁気感応素子１３１−１が出力した電圧Vm1と、閾値である電圧Vthとを比較し、比較の結果を示す信号を演算部１２２に供給する。磁気感応素子１３１−２は、移動体の磁石により生じた磁界の強さを示す電圧Vm2を出力し、比較器１３２−２は、磁気感応素子１３１−２が出力した磁界の強さを示す電圧Vm2と、閾値である電圧Vthとを比較し、比較の結果を示す信号を演算部１２２に供給する。演算部１２２は、比較器１３２−１および比較器１３２−２から供給された比較の結果を示す信号に、論理演算を適用することで、移動体の位置を特定し、特定した位置に応じた制御信号Scを制御部１２３に供給することで、検出装置の誤動作を防ぐようにする。本発明は、検出装置に適用できる。【選択図】  図３
2006098059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石により生じた磁界を検出することにより、前記磁石の位置を相対的に検出する検出装置において、
第１の位置における前記磁界の強さを検出する第１の検出手段と、
前記第１の位置と異なる第２の位置における前記磁界の強さを検出する第２の検出手段と、
前記第１の検出手段の検出結果および第２の検出手段の検出結果に論理演算を適用することにより、前記第１の位置に前記磁石が位置するか否かを示す信号を生成する信号生成手段と
を備えることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記第１の位置に前記磁石が位置するか否かを示す信号を基に、自分が設けられている機器を制御する制御手段をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記第１の検出手段は、前記磁界の強さの検出結果を示す第１のアナログ信号を出力し、
前記第２の検出手段は、前記磁界の強さの検出結果を示す第２のアナログ信号を出力し、
前記第１のアナログ信号を量子化する第１の量子化手段と、
前記第２のアナログ信号を量子化する第２の量子化手段と
をさらに備え、
前記信号生成手段は、前記第１のアナログ信号の量子化の結果、得られた第１のデジタル信号と、前記第２のアナログ信号の量子化の結果、得られた第２のデジタル信号とに論理演算を適用することにより、前記第１の位置に前記磁石が位置するか否かを示す信号を生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項４】
前記信号生成手段は、前記第１の位置における前記磁界の強さが所定の閾値以上であり、かつ前記第２の位置における前記磁界の強さが前記閾値未満である場合、前記第１の位置に前記磁石が位置することを示す前記信号を生成し、前記第１の位置における前記磁界の強さが前記閾値未満であるか、または前記第２の位置における前記磁界の強さが前記閾値以上である場合、前記第１の位置に前記磁石が位置していないことを示す前記信号を生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項５】
磁石により生じた磁界を検出することにより、前記磁石の位置を相対的に検出する検出装置の検出方法において、
第１の位置における前記磁界の強さを検出する第１の検出ステップと、
前記第１の位置と異なる第２の位置における前記磁界の強さを検出する第２の検出ステップと、
前記第１の検出ステップの検出結果および第２の検出ステップの検出結果に論理演算を適用することにより、前記第１の位置に前記磁石が位置するか否かを示す信号を生成する信号生成ステップと
を含むことを特徴とする検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は検出装置および方法に関し、特に、誤動作をより少なくすることができるようにした検出装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁石による磁気式スイッチや検出装置などが多数使用されている。例えば、磁気式スイッチは、非接触で構成できることから、磁石と磁気感応素子などの磁界検出手段の間にキャビなどの物体が存在していても動作可能であることから、電気機器の防滴、防水、または防塵を実現したスイッチとして用いることができる。
【０００３】
図１は、従来の磁気式位置検出装置１を示す図である。
【０００４】
ホールIC１１は、磁気感応素子などから構成され、基盤１２および固定体１３上に設けられる。ホールIC１１は、移動体１４に装着された磁石１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さを基に、CPU（Central Processing Unit）などの制御部（図示せず）に対して、ローレベル（以下、適宜、単に「L」と称する）またはハイレベル（以下、適宜、単に「H」と称する）の制御信号を供給する。すなわち、ホールIC１１は、検出した磁界の強さが所定のレベルより低い場合に、「H」である制御信号を制御部に供給し、それに対して、検出した磁界の強さが所定のレベル以上である場合に、「L」である制御信号を制御部に供給する。
【０００５】
制御部（図示せず）は、ホールIC１１から供給される「H」または「L」である制御信号に応じて、電源のオン/オフなどの動作を制御する。すなわち、制御部は、ホールIC１１から供給される制御信号が「H」から「L」に変化した場合に電源をオンするように制御し、ホールIC１１から供給される制御信号が「L」から「H」に変化した場合に電源をオフするように制御する。
【０００６】
移動体１４は、磁石１５が装着され、移動体１４が移動することで、磁石１５もキャビ１７上を移動する。また、磁石１５の極付近ほど強い磁界が発生している。移動体１４は、ユーザの操作により移動する。具体的には、移動体１４に装着された磁石１５は、磁気式位置検出装置１がスライド式のスイッチである場合、ユーザが移動体１４をスライドさせることによりキャビ１７上を移動する。
【０００７】
ここで、ユーザの操作により、移動体１４を、位置１、位置２、位置３、位置４へと水平右方向に順次移動させた場合、ホールIC１１は、移動体１４が位置１にあるとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「H」である制御信号を制御部に供給し、移動体１４が位置２を通過したとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「H」である制御信号を制御部に供給し、移動体１４が位置３を通過したとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「L」である制御信号を制御部に供給し、移動体１４が位置４に移動したとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「L」である制御信号を制御部に供給する。
【０００８】
すなわち、ホールIC１１は、移動体１４が位置３を通過したとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界が所定のレベル以上になることで、「L」である制御信号を制御部に供給し、その結果、制御部は、ホールIC１１から供給される制御信号が「H」から「L」に変化するので、電源をオンするように制御する。
【０００９】
それに対して、ユーザの操作により、移動体１４を、位置４、位置３、位置２、位置１へと水平左方向に順次移動させた場合、ホールIC１１は、移動体１４が位置４にあるとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「L」である制御信号を制御部に供給し、移動体１４が位置３を通過したとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「H」である制御信号を制御部に供給し、移動体１４が位置２を通過したとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「H」である制御信号を制御部に供給し、移動体１４が位置１に移動したとき、移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界の強さに応じて、「H」である制御信号を制御部に供給する。
【００１０】
すなわち、移動体１４が位置３を通過したとき、ホールIC１１が移動体１４に装着された磁石１５から検出した磁界が所定のレベルよりも低くなることで、「H」である制御信号を制御部に供給し、その結果、制御部は、ホールIC１１から供給される制御信号が「L」から「H」に変化するので、電源をオフするように制御する。
【００１１】
言い換えれば、移動体１４が位置３乃至位置４に移動した場合のみ、電源がオンになる。
【００１２】
以上のようにして、従来の磁気式位置検出装置１は、電源のオン/オフの動作を制御する「H」または「L」である制御信号を制御部に供給するが、移動体１４が位置１にある状態で、磁石１６がホールIC１１に近づけられた場合（ノイズである磁界が印加された場合）、ホールIC１１は、移動体１４が位置１にあるにも関わらず、磁石１６により生じた磁界の強さに反応して、「L」である制御信号を制御部に供給してしまう。その結果、制御部は、ホールIC１１から供給される制御信号が「H」から「L」に変化するので、電源をオンするように制御することとなる。
【００１３】
この場合、磁気式位置検出装置１が設けられた機器は誤動作をしてしまう場合がある。
【００１４】
また、磁石とホール素子とが互いに近接した一定の期間のみ、ホール素子が感知する磁束密度に応じた検出信号と基準信号とを比較し、両者のレベルが互いに等しくなる位置を検出することにより、基準位置を検出する磁気式位置検出装置もある（例えば、特許文献１参照）。
【００１５】
【特許文献１】特開２００３−３２９４０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
以上のように、検出装置が設けられた機器の内部で発生する磁界や外部からの磁界の影響を受けることにより、誤動作をしてしまうという問題があった。
【００１７】
例えば、特開２００３−３２９４０５号公報に開示されている磁気式位置検出装置は、磁石に対して磁気感応素子が高精度に動作するが、磁気感応素子が１つであるために、機器の内部で発生する磁界や外部からの磁界の影響を受けやすく誤動作をする可能性が高い。
【００１８】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、誤動作をより少なくするようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の検出装置は、第１の位置における磁界の強さを検出する第１の検出手段と、第１の位置と異なる第２の位置における磁界の強さを検出する第２の検出手段と、第１の検出手段の検出結果および第２の検出手段の検出結果に論理演算を適用することにより、第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号を生成する信号生成手段とを備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明の検出装置は、第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号を基に、自分が設けられている機器を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする。
【００２１】
第１の検出手段は、磁界の強さの検出結果を示す第１のアナログ信号を出力し、第２の検出手段は、磁界の強さの検出結果を示す第２のアナログ信号を出力し、第１のアナログ信号を量子化する第１の量子化手段と、第２のアナログ信号を量子化する第２の量子化手段とをさらに備え、信号生成手段は、第１のアナログ信号の量子化の結果、得られた第１のデジタル信号と、第２のアナログ信号の量子化の結果、得られた第２のデジタル信号とに論理演算を適用することにより、第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号を生成することを特徴とする。
【００２２】
信号生成手段は、第１の位置における磁界の強さが所定の閾値以上であり、かつ第２の位置における磁界の強さが閾値未満である場合、第１の位置に磁石が位置することを示す信号を生成し、第１の位置における磁界の強さが閾値未満であるか、または第２の位置における磁界の強さが閾値以上である場合、第１の位置に磁石が位置していないことを示す信号を生成することを特徴とする。
【００２３】
本発明の検出方法は、第１の位置における磁界の強さを検出する第１の検出ステップと、第１の位置と異なる第２の位置における磁界の強さを検出する第２の検出ステップと、第１の検出ステップの検出結果および第２の検出ステップの検出結果に論理演算を適用することにより、第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号を生成する信号生成ステップとを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、移動体の位置に応じた信号を出力することができる。また、本発明によれば、検出装置による誤動作をより少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に本発明の最良の形態を説明するが、開示される発明と実施の形態との対応関係を例示すると、次のようになる。本明細書中には記載されているが、発明に対応するものとして、ここには記載されていない実施の形態があったとしても、そのことは、その実施の形態が、その発明に対応するものではないことを意味するものではない。逆に、実施の形態が発明に対応するものとしてここに記載されていたとしても、そのことは、その実施の形態が、その発明以外の発明には対応していないものであることを意味するものではない。
【００２６】
さらに、この記載は、明細書に記載されている発明の全てを意味するものではない。換言すれば、この記載は、明細書に記載されている発明であって、この出願では請求されていない発明の存在、すなわち、将来、分割出願されたり、補正により出現し、追加される発明の存在を否定するものではない。
【００２７】
本発明によれば、検出装置（例えば、図２の磁気式位置検出装置１０１）が提供される。この検出装置は、第１の位置における磁界の強さを検出する第１の検出手段（例えば、図３の磁気感応素子１３１−１）と、第１の位置と異なる第２の位置における磁界の強さを検出する第２の検出手段（例えば、図３の磁気感応素子１３１−２）と、第１の検出手段の検出結果および第２の検出手段の検出結果に論理演算を適用することにより、第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号（例えば、制御信号Sc）を生成する信号生成手段（例えば、図３の演算部１２２）とを備える。
【００２８】
第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号を基に、自分が設けられている機器を制御する制御手段（例えば、図３の制御部１２３）をさらに備える。
【００２９】
第１の検出手段は、磁界の強さの検出結果を示す第１のアナログ信号（例えば、アナログ信号Vm1）を出力し、第２の検出手段は、磁界の強さの検出結果を示す第２のアナログ信号（例えば、アナログ信号Vm2）を出力し、第１のアナログ信号を量子化する第１の量子化手段（例えば、図３の比較器１３２−１）と、第２のアナログ信号を量子化する第２の量子化手段（例えば、図３の比較器１３２−２）とをさらに備え、信号生成手段は、第１のアナログ信号の量子化の結果、得られた第１のデジタル信号と、第２のアナログ信号の量子化の結果、得られた第２のデジタル信号とに論理演算を適用することにより、第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号（例えば、制御信号Sc）を生成することができる。
【００３０】
信号生成手段は、第１の位置における磁界の強さが所定の閾値（例えば、電圧Vth）以上であり、かつ第２の位置における磁界の強さが閾値未満である場合、第１の位置に磁石が位置することを示す信号を生成し、第１の位置における磁界の強さが閾値未満であるか、または第２の位置における磁界の強さが閾値以上である場合、第１の位置に磁石が位置していないことを示す信号を生成することができる。
【００３１】
本発明によれば、検出方法が提供される。この検出方法は、第１の位置における磁界の強さを検出する第１の検出ステップ（例えば、図７のステップＳ１１の処理）と、第１の位置と異なる第２の位置における磁界の強さを検出する第２の検出ステップ（例えば、図７のステップＳ１３の処理）と、第１の検出ステップの検出結果および第２の検出ステップの検出結果に論理演算を適用することにより、第１の位置に磁石が位置するか否かを示す信号（例えば、制御信号Sc）を生成する信号生成ステップ（例えば、図７のステップＳ１５の処理）とを含む。
【００３２】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【００３３】
図２は、本発明を適用した磁気式位置検出装置１０１を示す図である。
【００３４】
磁気式位置検出装置１０１は、本発明の検出装置の一例である。
【００３５】
図２の本発明を適用した磁気式位置検出装置１０１は、図１の従来の磁気式位置検出装置１に設けられているホールICが１つであるのに対して、複数のホールICが設けられている（例えば、図２の磁気式位置検出装置１０１の場合には、２個のホールICが設けられている）。
【００３６】
ホールIC１１１−１は、例えば、磁気感応素子および比較器などから構成され、基盤１１２および固定体１１３上に設けられる。ホールIC１１１−１は、移動体１１４に装着されている磁石１１５により生じた磁界の強さ（例えば、磁束密度など）を検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）と予め定められた閾値を比較することにより、その結果を示す、ローレベル（以下、適宜、単に「L」と称する）またはハイレベル（以下、適宜、単に「H」と称する）の制御信号を演算部（後述する演算部１２２）に供給する。
【００３７】
すなわち、ホールIC１１１−１は、検出した磁界の強さが所定のレベルより低い場合に、「H」である信号を演算部に供給し、それに対して、検出した磁界の強さが所定のレベル以上である場合に、「L」である信号を演算部に供給する。
【００３８】
ホールIC１１１−２は、ホールIC１１１−１と同様に、例えば、磁気感応素子および比較器などから構成され、基盤１１２および固定体１１３上のホールIC１１１−１と離れた位置であって、移動体１１４の移動先に設けられる。ホールIC１１１−２は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）と予め定められた閾値を比較することにより、その結果を示す、「L」または「H」である制御信号を演算部（後述する演算部１２２）に供給する。
【００３９】
すなわち、ホールIC１１１−２は、検出した磁界の強さが所定のレベルより低い場合に、「H」である信号を演算部に供給し、それに対して、検出した磁界の強さが所定のレベル以上である場合に、「L」である信号を演算部に供給する。
【００４０】
詳細は後述するが、演算部（後述する演算部１２２）は、ホールIC１１１−１およびホールIC１１１−２から供給される磁界の強さ（を示すアナログ値）を基に、論理演算を実行することで、「H」または「L」である制御信号（後述する制御信号Sc）を磁気式位置検出装置１０１が設けられた機器全体を制御する制御部（後述する制御部１２３）に供給する。
【００４１】
制御部（後述する制御部１２３）は、演算部から供給される「H」または「L」である制御信号に応じて、電源のオン/オフなどの動作を制御する。すなわち、制御部は、演算部から供給される制御信号が「H」から「L」に変化した場合に電源をオンするように制御し、演算部から供給される制御信号が「L」から「H」に変化した場合に電源をオフするように制御する。
【００４２】
移動体１１４は、磁石１１５が装着され、移動体１１４が移動することで、磁石１１５もキャビ１１６上を移動する。また、磁石１１５の極付近（Ｎ極またはＳ極付近）ほど強い磁界が発生している。移動体１１４は、ユーザの操作により移動する。具体的には、移動体１１４に装着された磁石１１５は、磁気式位置検出装置１０１がスライド式のスイッチである場合、ユーザが移動体１１４をスライドさせることによりキャビ１１６上を移動する。
【００４３】
キャビ１１６は、例えば、アルミニウム若しくはマグネシウムなどの軽金属、またはプラスチックなどの素材からなる。キャビ１１６を設けることで、防滴、防水、または防塵などを実現することができる。
【００４４】
ここで、ユーザの操作により、移動体１１４を、位置１、位置２、位置３、位置４へと水平右方向に順次移動させた場合、移動体１１４が位置１にあるとき、ホールIC１１１−１が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置１における磁界の強さに応じて、「L」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置４における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給する。信号が供給された演算部は、供給された信号を基に、論理演算を実行することで、「H」である制御信号を制御部に供給する。
【００４５】
また、移動体１１４が位置２を通過したとき、ホールIC１１１−１が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置１における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置４における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給する。信号が供給された演算部は、供給された信号を基に、論理演算を実行することで、「H」である制御信号を制御部に供給する。
【００４６】
さらに、移動体１１４が位置３を通過したとき、ホールIC１１１−１が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置１における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置４における磁界の強さに応じて、「L」である信号を演算部に供給する。信号が供給された演算部は、供給された信号を基に、論理演算を実行することで、「L」である制御信号を制御部に供給する。
【００４７】
また、移動体１１４が位置４に移動したとき、ホールIC１１１−１が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置１における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置４における磁界の強さに応じて、「L」である信号を演算部に供給する。信号が供給された演算部は、供給された信号を基に、論理演算を実行することで、「L」である制御信号を制御部に供給する。
【００４８】
すなわち、移動体１１４を位置１から位置４に移動させる場合、移動体１１４が位置３を通過したとき、制御部は、演算部から供給される制御信号が「H」から「L」に変化するので、電源をオンするように制御する。
【００４９】
それに対して、ユーザの操作により、移動体１１４を、位置４、位置３、位置２、位置１へと水平左方向に順次移動させた場合、移動体１１４が位置３を通過したとき、ホールIC１１１−１が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置１における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置４における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給する。信号が供給された演算部は、供給された信号を基に、論理演算を実行することで、「H」である制御信号を制御部に供給する。
【００５０】
さらに、移動体１１４が位置２を通過したとき、ホールIC１１１−１が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置１における磁界の強さに応じて、「L」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置４における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給する。信号が供給された演算部は、供給された信号を基に、論理演算を実行することで、「H」である制御信号を制御部に供給する。
【００５１】
また、移動体１１４が位置１に戻ったとき、ホールIC１１１−１が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置１における磁界の強さに応じて、「L」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた位置４における磁界の強さに応じて、「H」である信号を演算部に供給する。信号が供給された演算部は、供給された信号を基に、論理演算を実行することで、「H」である制御信号を制御部に供給する。
【００５２】
すなわち、移動体１１４を位置４から位置１に移動する場合、移動体１１４が位置３を通過したとき、制御部は、演算部から供給される制御信号が「L」から「H」に変化するので、電源をオフするように制御する。
【００５３】
言い換えれば、移動体１１４が位置３より位置４に近い位置にある場合のみ、電源がオンになる。
【００５４】
以上のようにして、本発明を適用した磁気式位置検出装置１０１は、電源のオン/オフの動作を制御する「H」または「L」である制御信号を制御部に供給する。
【００５５】
また、移動体１１４が位置１にある状態で、磁石１６がホールIC１１１−２に近づけられた場合（ノイズである磁界が印加された場合）でも、磁気式位置検出装置１０１は、複数のホールIC１１１（例えば、ホールIC１１１−１とホールIC１１１−２）の検出する磁界の強さに応じた、「H」または「L」である信号を基に、論理演算をすることにより、電源のオン/オフの動作を制御する「H」または「L」である制御信号を制御部に供給することができるので、図１の従来の磁気式位置検出装置１とは違い、ノイズの影響を受けずに、例えば、電源のオン/オフの動作を制御することができる。
【００５６】
すなわち、移動体１１４が位置１にある状態で、磁石１６がホールIC１１１−２に近づけられた場合（ノイズである磁界が印加された場合）でも、ホールIC１１１−１が「L」である信号を演算部に供給し、ホールIC１１１−２が「L」である信号を演算部に供給するので、演算部は、「H」である制御信号を制御部に供給するので、誤動作をせず、現状の状態を保つことができる。
【００５７】
以下、図３乃至図９を参照して、上述した本発明を適用した磁気式位置検出装置１０１のより詳細な内容について説明する。
【００５８】
図３は、本発明を適用した磁気式位置検出装置１０１の一実施の形態を示すブロック図である。
【００５９】
ホールIC１１１−１は、上述したように、基盤１１２および固定体１１３上に設けられる。ホールIC１１１−１は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ（例えば、磁束密度など）を検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm1と予め定められた閾値である電圧Vthとを比較することにより、比較した結果を「H」または「L」のいずれかの２値で示す信号を生成し、このように２値化された信号を演算部１２２に供給する。
【００６０】
ホールIC１１１−１は、磁気感応素子１３１−１、比較器１３２−１、抵抗１３３−１、および抵抗１３４−１からなる集積回路である。
【００６１】
磁気感応素子１３１−１は、ホール素子または磁気抵抗素子などからなり、比較器１３２−１の逆相入力（−）に接続されている。磁気感応素子１３１−１は、磁界の強さに感応する素子であり、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm1を比較器１３２−１の逆相入力（−）に供給する。
【００６２】
比較器１３２−１においては、その正相入力（＋）が、抵抗１３３−１を介して、基準信号線１２１に接続され、その逆相入力（−）が、上述したように、磁気感応素子１３１−１に接続されている。また、比較器１３２−１の出力端は、演算部１２２に接続されている。
【００６３】
抵抗１３３−１の基準信号線１２１に接続されている端子とは異なる他方の端子は、比較器１３２−１の正相入力（＋）に接続されると共に、抵抗１３４−１の一端に接続される。抵抗１３４−１の他方の端子は、比較器１３２−１の出力側に接続されている。
【００６４】
基準信号線１２１には、磁界の強さを示すアナログ信号と比較される閾値である電圧Vthが印加されている。
【００６５】
比較器１３２−１は、その正相入力（＋）に入力される閾値である電圧Vth（基準信号線１２１より入力された予め定められた閾値である電圧Vth）のレベルと、その逆相入力（−）に入力される磁界の強さを示すアナログ信号Vm1（磁気感応素子１３１−１より検出された移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ）のレベルとを比較し、比較の結果を表すレベルの電圧、すなわち、「H」または「L」の電圧を、信号として演算部１２２に出力する。
【００６６】
より具体的には、例えば、磁気感応素子１３１−１からの磁界の強さを示すアナログ信号Vm1が、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vth以上の場合、比較器１３２−１は、演算部１２２に出力する電圧を「L」にする。一方、磁気感応素子１３１−１からの磁界の強さを示すアナログ信号Vm1が、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vthよりも低い場合、比較器１３２−１は、演算部１２２に出力する電圧を「H」にする。
【００６７】
ホールIC１１１−２は、上述したように、基盤１１２および固定体１１３上のホールIC１１１−１と離れた位置であって、移動体１１４の移動先に設けられる。ホールIC１１１−２は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ（例えば、磁束密度など）を検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm2と予め定められた閾値である電圧Vthとを比較することにより、比較した結果を「H」または「L」のいずれかの２値で示す信号を生成し、このように２値化された信号を演算部１２２に供給する。
【００６８】
ホールIC１１１−２は、磁気感応素子１３１−２、比較器１３２−２、抵抗１３３−２、および抵抗１３４−２からなる集積回路である。
【００６９】
磁気感応素子１３１−２は、ホール素子または磁気抵抗素子などからなり、比較器１３２−２の逆相入力（−）に接続されている。磁気感応素子１３１−２は、磁界の強さに感応する素子であり、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm2を比較器１３２−２の逆相入力（−）に供給する。
【００７０】
比較器１３２−２においては、その正相入力（＋）が、抵抗１３３−２を介して、基準信号線１２１に接続され、その逆相入力（−）が、上述したように、磁気感応素子１３１−２に接続されている。また、比較器１３２−２の出力端は、演算部１２２に接続されている。
【００７１】
抵抗１３３−２の基準信号線１２１に接続されている端子とは異なる他方の端子は、比較器１３２−２の正相入力（＋）に接続されると共に、抵抗１３４−２の一端に接続される。抵抗１３４−２の他方の端子は、比較器１３２−２の出力側に接続されている。
【００７２】
比較器１３２−２は、その正相入力（＋）に入力される閾値である電圧Vth（基準信号線１２１より入力された予め定められた閾値である電圧Vth）と、その逆相入力（−）に入力される磁界の強さを示すアナログ信号Vm2（磁気感応素子１３１−２より検出された移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ）とを比較し、比較の結果を表すレベルの電圧、すなわち、「H」または「L」の電圧を、信号として、演算部１２２に出力する。
【００７３】
より具体的には、例えば、磁気感応素子１３１−２からの磁界の強さを示すアナログ信号Vm2が、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vth以上の場合、比較器１３２−２は、演算部１２２に出力する電圧を「L」にする。一方、磁気感応素子１３１−２からの磁界の強さを示すアナログ信号Vm2が、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vthよりも低い場合、比較器１３２−２は、出力する電圧を「H」にする。
【００７４】
ホールIC１１１−３は、基盤１１２および固定体１１３上のホールIC１１１−１およびホールIC１１１−２と離れた位置であって、移動体１１４の移動先に設けられる。ホールIC１１１−３は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ（例えば、磁束密度など）を検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm3と予め定められた閾値である電圧Vthとを比較することにより、比較した結果を「H」または「L」のいずれかの２値で示す信号を生成し、このように２値化された信号を演算部１２２に供給する。
【００７５】
ホールIC１１１−３は、磁気感応素子１３１−３、比較器１３２−３、抵抗１３３−３、および抵抗１３４−３からなる集積回路である。
【００７６】
磁気感応素子１３１−３は、ホール素子または磁気抵抗素子などからなり、比較器１３２−３の逆相入力（−）に接続されている。磁気感応素子１３１−３は、磁界の強さに感応する素子であり、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm3を比較器１３２−３の逆相入力（−）に供給する。
【００７７】
比較器１３２−３においては、その正相入力（＋）が、抵抗１３３−３を介して、基準信号線１２１に接続され、その逆相入力（−）が、上述したように、磁気感応素子１３１−３に接続されている。また、比較器１３２−３の出力端は、演算部１２２に接続されている。
【００７８】
抵抗１３３−３の基準信号線１２１に接続されている端子とは異なる他方の端子は、比較器１３２−３の正相入力（＋）に接続されると共に、抵抗１３４−３の一端に接続される。抵抗１３４−３の他方の端子は、比較器１３２−３の出力側に接続されている。
【００７９】
比較器１３２−３は、その正相入力（＋）に入力される閾値である電圧Vth（基準信号線１２１より入力された予め定められた閾値である電圧Vth）と、その逆相入力（−）に入力される磁界の強さを示すアナログ信号Vm3（磁気感応素子１３１−３より検出された移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ）とを比較し、比較の結果を表すレベルの電圧、すなわち、「H」または「L」の電圧を、信号として、演算部１２２に出力する。
【００８０】
より具体的には、例えば、磁気感応素子１３１−３からの磁界の強さを示すアナログ信号Vm3が、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vth以上の場合、比較器１３２−３は、演算部１２２に出力する電圧を「L」にする。一方、磁気感応素子１３１−３からの磁界の強さを示すアナログVm3が、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vthよりも低い場合、比較器１３２−３は、出力する電圧のレベルを「H」にする。
【００８１】
ホールIC１１１−４（図示せず）乃至ホールIC１１１−Ｎのそれぞれは、基盤１１２および固定体１１３上の自分以外のホールIC１１１と離れた位置であって、移動体１１４の移動先に設けられる。ホールIC１１１−４（図示せず）乃至ホールIC１１１−Ｎのそれぞれは、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ（例えば、磁束密度など）を検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm4（図示せず）乃至磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vmnと予め定められた閾値である電圧Vthとをそれぞれ比較することにより、比較した結果をそれぞれ「H」または「L」のいずれかの２値で示す信号を生成し、このように２値化された信号をそれぞれ演算部１２２に供給する。
【００８２】
ホールIC１１１−４（図示せず）乃至ホールIC１１１−Ｎのそれぞれは、磁気感応素子１３１−４（図示せず）乃至磁気感応素子１３１−Ｎのそれぞれ、比較器１３２−４（図示せず）乃至比較器１３２−Ｎのそれぞれ、抵抗１３３−４（図示せず）乃至抵抗１３３−Ｎのそれぞれ、および抵抗１３４−４（図示せず）乃至抵抗１３４−Ｎのそれぞれからなる集積回路である。
【００８３】
磁気感応素子１３１−４（図示せず）乃至磁気感応素子１３１−Ｎのそれぞれは、ホール素子または磁気抵抗素子などからなり、比較器１３２−４（図示せず）乃至比較器１３２−Ｎの逆相入力（−）にそれぞれ接続されている。磁気感応素子１３１−４乃至磁気感応素子１３１−Ｎのそれぞれは、磁界の強さに感応する素子であり、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm4（図示せず）乃至磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vmnを比較器１３２−４乃至比較器１３２−Ｎの逆相入力（−）にそれぞれ供給する。
【００８４】
比較器１３２−４（図示せず）乃至比較器１３２−Ｎのそれぞれにおいては、その正相入力（＋）が、抵抗１３３−４（図示せず）乃至抵抗１３３−Ｎを介して、基準信号線１２１に接続され、その逆相入力（−）が、上述したように、磁気感応素子１３１−４（図示せず）乃至磁気感応素子１３１−Ｎにそれぞれ接続されている。また、比較器１３２−４乃至比較器１３２−Ｎの出力端のそれぞれは、演算部１２２に接続されている。
【００８５】
抵抗１３３−４（図示せず）乃至抵抗１３３−Ｎのそれぞれの基準信号線１２１に接続されている端子とは異なる他方の端子は、比較器１３２−４（図示せず）乃至比較器１３２−Ｎの正相入力（＋）にそれぞれ接続されると共に、抵抗１３４−４（図示せず）乃至抵抗１３４−Ｎのそれぞれの一端に接続される。抵抗１３４−４乃至抵抗１３４−Ｎのそれぞれの他方の端子は、比較器１３２−４乃至比較器１３２−Ｎのそれぞれの出力側に接続されている。
【００８６】
比較器１３２−４（図示せず）乃至比較器１３２−Ｎのそれぞれは、その正相入力（＋）に入力される閾値である電圧Vth（基準信号線１２１より入力された予め定められた閾値である電圧Vth）と、その逆相入力（−）に入力される磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm4（図示せず）乃至磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vmnとをそれぞれ比較し、比較の結果を表すレベルの電圧、すなわち、「H」または「L」の電圧を、信号として、演算部１２２にそれぞれ出力する。
【００８７】
より具体的には、例えば、磁気感応素子１３１−４（図示せず）乃至磁気感応素子１３１−Ｎのそれぞれからの磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm4（図示せず）乃至磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vmnが、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vthのレベル以上の場合、比較器１３２−４乃至比較器１３２−Ｎのそれぞれは、演算部１２２に出力する電圧を「L」にする。一方、磁気感応素子１３１−４乃至磁気感応素子１３１−Ｎのそれぞれからの磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm4乃至磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vmnが、基準信号線１２１からの閾値である電圧Vthよりも低い場合、比較器１３２−４乃至比較器１３２−Ｎのそれぞれは、出力する電圧を「H」にする。
【００８８】
基準信号線１２１は、上述したように、抵抗１３３−１乃至抵抗１３３−Ｎのそれぞれ介して、比較器１３２−１の正相入力（＋）乃至比較器１３２−Ｎの正相入力（＋）にそれぞれ接続される。
【００８９】
演算部１２２は、比較器１３２−１の出力端乃至比較器１３２−Ｎの出力端にそれぞれ接続されている。
【００９０】
演算部１２２は、例えば、論理回路などからなり、比較器１３２−１の出力端乃至比較器１３２−Ｎの出力端からそれぞれ出力される「H」または「L」である信号を基に、論理演算を行うことにより、「H」または「L」である制御信号Scを演算し、演算の結果求めた「H」または「L」である制御信号Scを制御部１２３に供給する。すなわち、演算部１２２は、論理演算をすることにより、移動体１１４の位置を特定し、特定した位置に応じた制御信号Scを制御部１２３に供給する。
【００９１】
制御信号Scは、移動体１１４の位置を示す信号であり、例えば、「L」である制御信号Scは、所定の位置に移動体１１４が存在することを示し、「H」である制御信号Scは、所定の位置に移動体１１４が存在しないことを示す。具体的には、制御信号Scは、所定の周期で移動体１１４の位置を示す信号であり、その周期における、第１のタイミングの「H」または「L」の値が、ホールIC１１１−１の近傍に移動体１１４が存在するか否かを示し、その周期における第２のタイミング乃至第Ｎのタイミングの「H」または「L」の値が、ホールIC１１１−２乃至１１１−Ｎの近傍に移動体１１４が存在するか否かを示す。
【００９２】
なお、制御信号Scは、それぞれホールIC１１１−１乃至ホールIC１１１−Ｎの近傍に移動体１１４が存在するかを示すパラレル信号としてもよい。
【００９３】
制御部１２３は、磁気式位置検出装置１０１が設けられた機器全体を制御する。
【００９４】
例えば、制御部１２３は、演算部１２２から供給された制御信号Scを基に、電源のオン/オフの制御をする。より具体的には、制御部１２３は、演算部１２２から、所定のタイミングにおいて、「L」である制御信号Scが供給された場合には、電源をオンするように制御し、一方、演算部１２２から、所定のタイミングにおいて、「H」である制御信号Scが供給された場合には、電源をオフ（または、サスペンド若しくはスリープ）するように制御する。
【００９５】
また、制御部１２３は、例えば、演算部１２２から供給された制御信号Scを基に、デジタルビデオカメラにおいて、記録した画像の再生時のモード（例えば、再生モード、動画モード、または静止モードなど）の変更などの制御をするようにしてもよい。
【００９６】
なお、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ（例えば、磁束密度など）を検出する素子として、磁気感応素子１３１−１乃至磁気感応素子１３１−Ｎは、例えば、ホール素子、磁気抵抗効果素子（MR素子）などであると説明したが、これに限らず、磁石により生じた磁界の強さを検出できる素子であればよい。
【００９７】
また、以下の説明においては、磁気感応素子１３１−１乃至磁気感応素子１３１−Ｎを個々に区別する必要がない場合、単に、磁気感応素子１３１と称する。また、比較器１３２−１乃至比較器１３２−Ｎを個々に区別する必要がない場合、単に、比較器１３２と称する。
【００９８】
次に、図４乃至図６を参照して、ホールIC１１１を２個設けた磁気式位置検出装置１０１について、移動体１１４が位置１と位置４との間を移動することにより、電源のオン/オフが切り替わる処理を一例として説明する。
【００９９】
図４は、移動体１１４が位置１と位置４との間を移動する動作を示す図である。
【０１００】
図２に示す場合と同様の部分には、同一の符号が付してあり、その説明は省略する。
【０１０１】
図４で示される例において、ユーザの操作により、移動体１１４を、位置１、位置２、位置３、位置４へと水平右方向に順次移動させた場合の動作について、図５を参照して説明する。
【０１０２】
図５は、図４の磁気式位置検出装置１０１の動作を説明する図である。
【０１０３】
図５には、図中上から順に、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ（を示すアナログ値）に応じて磁気感応素子１３１−１により検出・出力されるアナログ電圧Vm1が示され、比較器１３２−１が出力する電圧が示され、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さ（を示すアナログ値）に応じて磁気感応素子１３１−２により検出・出力されるアナログ電圧Vm2が示され、比較器１３２−２が出力する電圧が示され、演算部１２２が出力する論理演算の結果の電圧（制御信号Sc）が示されている。
【０１０４】
なお、図５において、水平方向の実線は、移動体１１４の位置を表しており、図５の上方に示される位置１、位置２、位置３、および位置４は、図４に示される位置１、位置２、位置３、および位置４にそれぞれ対応している。図中の縦方向は、電圧のレベルを示し、上側がより高い電圧のレベルを示す。
【０１０５】
図５中の点線のレベルは、基準信号線１２１より出力される予め定められた閾値である電圧Vthを表している。
【０１０６】
図４に示されるように、例えば、今、位置１に、移動体１１４があるとする。
【０１０７】
このとき、移動体１１４とホールIC１１１−１とが最短距離にあるので、ホールIC１１１−１は、最も強い磁界の中に配置されることになり、ホールIC１１１−１の磁気感応素子１３１−１が検出する移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを示す電圧Vm1は、最大の値となり、移動体１１４が位置１から離れるにしたがって、その磁界の強さを示す電圧Vm1は、減少していく。
【０１０８】
比較器１３２−１は、磁気感応素子１３１−１からの移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを示す電圧Vm1と、基準信号線１２１の閾値である電圧Vthとを比較しており、磁界の強さを示す電圧Vm1が閾値である電圧Vthよりも高い場合、その出力する電圧は、「L」となる。
【０１０９】
また、移動体１１４とホールIC１１１−２とが最長距離にあるので、ホールIC１１１−２の磁気感応素子１３１−２が検出する移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを示す電圧Vm2は、最小の値となり、移動体１１４が位置１から離れるにしたがって（移動体１１４が位置４に近づくにしたがって）、その磁界の強さを示す電圧Vm2は、増大していく。
【０１１０】
さらに、この間、比較器１３２−２は、磁気感応素子１３１−２からの磁界の強さを示す電圧Vm2と、基準信号線１２１の閾値である電圧Vthとを比較しており、磁界の強さを示す電圧Vm2が閾値を示す電圧Vthよりも低いので、その出力する電圧は、「H」となる。
【０１１１】
ここで、図６を参照して、ホールIC１１１を２個設けた場合における、演算部１２２が実行する論理演算について説明する。
【０１１２】
図６の例において、１列目は、比較器１３２−１（ホールIC１１１−１）の出力する「L」または「H」である信号を示し、１行目は、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号を示す。すなわち、図６で示される例は、ホールIC１１１を２個（ホールIC１１１−１およびホールIC１１１−２）を設けた場合における、比較器１３２−１（ホールIC１１１−１）の出力する「L」または「H」である信号と、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号との組み合わせによる、演算部１２２が実行する論理演算の結果である制御信号Scを示している。
【０１１３】
また、図６の例における１列目の「比較器１３２−１出力」の項目は、図５の上から２番目の比較器１３２−１が出力する電圧に対応しており、１行目の「比較器１３２−２出力」の項目は、図５の上から４番目の比較器１３２−２が出力する電圧に対応している。さらに、比較器１３２−１の出力する「L」または「H」である信号と、比較器１３２−２の出力する「L」または「H」である信号との組み合わせによる、演算部１２２が実行する論理演算の結果である制御信号Scは、図５の上から５番目の演算部１２２が出力する電圧（制御信号Sc）にそれぞれ対応している。
【０１１４】
この場合、演算部１２２が出力する「L」である制御信号は、移動体１１４が図４の位置３乃至位置４の間に位置することを示し、「H」である制御信号は、移動体１１４が図４の位置３乃至位置４の間に位置していないこと、または外部若しくは内部から発生した磁気ノイズが印加されていて、システムを制御する制御信号Scの出力が「L」となってはならない状態を示す。
【０１１５】
比較器１３２−１の出力が「L」である場合、比較器１３２−２の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H」である制御信号Scを制御部１２３に出力し、比較器１３２−２の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H」である制御信号Scを制御部１２３に出力する。
【０１１６】
また、比較器１３２−１の出力が「H」である場合、比較器１３２−２の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「L」である制御信号Scを制御部１２３に出力し、比較器１３２−２の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H」である制御信号Scを制御部１２３に出力する。
【０１１７】
図５に戻り、移動体１１４が位置１にある場合、演算部１２２は、比較器１３２−１からの出力電圧と、比較器１３２−２からの出力電圧を基に、論理演算をし（例えば、上述した図６の論理演算により）、比較器１３２−１からの出力電圧である「L」と、比較器１３２−２からの出力電圧である「H」から、論理演算の結果として、「H」である制御信号Scを制御部１２３に出力する。
【０１１８】
移動体１１４が位置２を通過後、磁界の強さを示す電圧Vm1が減少している間（位置２から位置３までの間）、比較器１３２−１は、ホールIC１１１−１の磁気感応素子１３１−１からの移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを示す電圧Vm1と、基準信号線１２１の閾値である電圧Vthとを比較しており、磁界の強さを示す電圧Vm1が閾値である電圧Vthよりも低くなるので、その出力する電圧を、「L」から「H」に変化させる。
【０１１９】
また、この間、移動体１１４とホールIC１１１−２との距離が近づいているので、ホールIC１１１−２の磁気感応素子１３１−２が検出する移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを示す電圧Vm2は、上昇していく。
【０１２０】
さらに、この間、比較器１３２−２は、ホールIC１１１−２からの磁界の強さを示す電圧Vm2と、基準信号線１２１の閾値である電圧Vthとを比較しており、磁界の強さを示す電圧Vm2が閾値である電圧Vthよりも低いので、その出力する電圧は、「H」となる。
【０１２１】
従って、移動体１１４が位置２を通過すると、演算部１２２は、比較器１３２−１からの出力電圧と、比較器１３２−２からの出力電圧を基に、論理演算をし（例えば、上述した図６の論理演算により）、比較器１３２−１からの出力電圧である「H」と、比較器１３２−２からの出力電圧である「H」から、論理演算の結果として、「H」である制御信号Scを制御部１２３に出力する。
【０１２２】
移動体１１４が位置３を通過後、磁界の強さを示す電圧Vm1が減少している間（位置３から位置４までの間）、比較器１３２−１は、ホールIC１１１−１の磁気感応素子１３１−１からの移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを示す電圧Vm1と、基準信号線１２１の閾値である電圧Vthとを比較しており、磁界の強さを示す電圧Vm1のレベルが閾値である電圧Vthよりも低くなるので、その出力する電圧は、「H」となる。
【０１２３】
また、この間、移動体１１４とホールIC１１１−２との距離が近づいているので、ホールIC１１１−２の磁気感応素子１３１−２が検出する移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを示す電圧Vm2は、さらに上昇していく。
【０１２４】
さらに、この間、比較器１３２−２は、ホールIC１１１−２からの磁界の強さを示す電圧Vm2と、基準信号線１２１の閾値である電圧Vthとを比較しており、磁界の強さを示す電圧Vm2が閾値である電圧Vthよりも高くなるので、その出力する電圧を、「H」から「L」に変化させる。
【０１２５】
その結果、移動体１１４が位置３を通過すると、演算部１２２は、比較器１３２−１からの出力電圧と、比較器１３２−２からの出力電圧を基に、論理演算をし（例えば、上述した図６の論理演算により）、比較器１３２−１からの出力電圧である「H」と、比較器１３２−２からの出力電圧である「L」から、論理演算の結果として、「L」である制御信号Scを制御部１２３に出力する。
【０１２６】
すると、制御部１２３は、演算部１２２から供給される制御信号Scが「H」から「L」に変化したので、電源をオンするように制御することができる。
【０１２７】
このように、複数の磁気感応素子（上述した磁気感応素子１３１−１および磁気感応素子１３１−２）を用いることで、それらの磁気感応素子から検出される磁石により生じた磁界の強さを示す電圧に基づいて、論理演算を実行して、制御信号Scを制御部１２３に出力することで、例えば、磁気式スイッチング装置１０１が設けられた機器の内部で発生する磁界や外部からの磁界の影響を受けたとしても、磁気式位置検出装置１０１の誤動作を防ぐことができる。
【０１２８】
次に、図７のフローチャートを参照して、磁気式位置検出装置１０１による機器の制御の処理について説明する。
【０１２９】
ステップＳ１１において、磁気感応素子１３１−１は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さを示すアナログ信号を出力する。磁気感応素子１３１は、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号を比較器１３２に供給する。
【０１３０】
例えば、ステップＳ１１において、磁気感応素子１３１−１は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さを示すアナログ信号Vm1を比較器１３２−１に供給する。
【０１３１】
ステップＳ１２において、比較器１３２−１は、磁気感応素子１３１−１から供給された磁界の強さを示すアナログ信号と基準信号線１２１から供給される閾値である電圧Vthとを比較し、比較の結果を表す電圧、すなわち、「H」または「L」の電圧を、演算部１２２に出力する。
【０１３２】
例えば、ステップＳ１２において、比較器１３２−１は、磁気感応素子１３１−１から供給された磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm1と基準信号線１２１から供給される閾値である電圧Vthとを比較し、「H」である電圧を、演算部１２２に供給する。
【０１３３】
ステップＳ１３において、磁気感応素子１３１−２は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さを示すアナログ信号を出力する。磁気感応素子１３１−２は、検出した磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号を比較器１３２に供給する。
【０１３４】
例えば、ステップＳ１３において、磁気感応素子１３１−２は、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界の強さを検出し、検出した磁界の強さを示すアナログ信号Vm2を比較器１３２−２に供給する。
【０１３５】
ステップＳ１４において、比較器１３２−２は、磁気感応素子１３１−２から供給された磁界の強さを示すアナログ信号と基準信号線１２１から供給される閾値である電圧Vthとを比較し、比較の結果を表す電圧、すなわち、「H」または「L」の電圧を、演算部１２２に出力する。
【０１３６】
例えば、ステップＳ１４において、比較器１３２−２は、磁気感応素子１３１−２から供給された磁界の強さ（を示すアナログ値）を示すアナログ信号Vm2と基準信号線１２１から供給される閾値である電圧Vthとを比較し、「L」である電圧を、演算部１２２に供給する。
【０１３７】
ステップＳ１５において、演算部１２２は、比較器１３２−１および比較器１３２−２から供給される比較の結果（を表すレベルの電圧）を基に、論理演算を実行する。演算部１２２は、論理演算の結果として、制御信号Scを制御部１２３に供給する。すなわち、演算部１２２は、論理演算をすることにより、移動体１１４の位置を特定し、特定した位置に応じた制御信号Scを制御部１２３に供給する。
【０１３８】
例えば、ステップＳ１５において、演算部１２２は、比較器１３２−１から供給された「H」である電圧および比較器１３２−２から供給された「L」である電圧を基に、論理演算を実行し（例えば、図６で示される論理演算を実行し）、論理演算の結果として、「L」である制御信号Scを制御部１２３に供給する。
【０１３９】
ステップＳ１６において、制御部１２３は、演算部１２２から供給された制御信号Scを基に、機器を制御して、ステップＳ１１の処理に戻り、上述した処理を繰り返す。
【０１４０】
例えば、ステップＳ１６において、制御部１２３は、演算部１２２から供給された「L」である制御信号Scを基に、電源をオフ（または、サスペンド若しくはスリープ）からオンに切り替える。
【０１４１】
また、演算部１２２が実行する論理演算は、図６に示された例において、ホールIC１１１を２個設けた場合について説明したが、ホールIC１１１の数は、２個に限らず、２個以上であればよい。
【０１４２】
図８は、ホールIC１１１を３個設けた場合における、演算部１２２が実行する論理演算を説明する図である。
【０１４３】
ホールIC１１１を３個設ける場合には、例えば、図４で示される例において、位置１にホールIC１１１−１を設け、位置４にホールIC１１１−２を設け、位置４から、位置１と位置４との距離だけ離れた位置である位置５にホールIC１１１−３を設けるとして説明する。
【０１４４】
図８Ａの論理演算の例において、１列目は、比較器１３２−１（ホールIC１１１−１）の出力する「L」または「H」である信号を示し、１行目は、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号を示す。すなわち、図８Ａで示される例は、ホールIC１１１を３個（ホールIC１１１−１、ホールIC１１１−２、およびホールIC１１１−３）を設けた場合における、比較器１３２−１（ホールIC１１１−１）の出力する「L」または「H」である信号と、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号との組み合わせによる、演算部１２２が実行する論理演算を示している。
【０１４５】
ここで、演算部１２２が出力する「L2」である制御信号は、移動体１１４が図４の位置４近傍に位置することを示し、「H2」である制御信号は、移動体１１４が図４の位置４近傍に位置していないこと、または外部若しくは内部から発生した磁気ノイズが印加されていて、システムを制御する制御信号Scの出力が「L」となってはならない状態を示す。
【０１４６】
比較器１３２−１の出力が「L」である場合、比較器１３２−２の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H2」である演算結果を出力し、比較器１３２−２の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H2」である演算結果を出力する。
【０１４７】
また、比較器１３２−１の出力が「H」である場合、比較器１３２−２の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「L2」である演算結果を出力し、比較器１３２−２の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H2」である演算結果を出力する。
【０１４８】
図８Ｂの論理演算の例において、１列目は、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号を示し、１行目は、比較器１３２−３（ホールIC１１１−３）の出力する「L」または「H」である信号を示す。すなわち、図８Ｂで示される例は、ホールIC１１１を３個（ホールIC１１１−１、ホールIC１１１−２、およびホールIC１１１−３）を設けた場合における、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号と、比較器１３２−３（ホールIC１１１−３）の出力する「L」または「H」である信号との組み合わせによる、演算部１２２が実行する論理演算を示している。
【０１４９】
ここで、演算部１２２が出力する「L3」である制御信号は、移動体１１４が位置５近傍に位置することを示し、「H3」である制御信号は、移動体１１４が位置５近傍に位置していないこと、または外部若しくは内部から発生した磁気ノイズが印加されていて、システムを制御する制御信号Scの出力が「L」となってはならない状態を示す。
【０１５０】
比較器１３２−２の出力が「L」である場合、比較器１３２−３の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H3」である演算結果を出力し、比較器１３２−３の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H3」である演算結果を出力する。
【０１５１】
また、比較器１３２−２の出力が「H」である場合、比較器１３２−３の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「L3」である演算結果を出力し、比較器１３２−３の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H3」である演算結果を出力する。
【０１５２】
演算部１２２は、ホールIC１１１を３個（ホールIC１１１−１、ホールIC１１１−２、およびホールIC１１１−３）設けた場合、比較器１３２−３のみが、「L」である信号を出力したとき（比較器１３２−１の出力が「H」、比較器１３２−２の出力が「H」、および比較器１３２−３の出力が「L」であるとき）、移動体１１４がホールIC１１１−３上にあると特定できるので、論理演算の結果として、「L3」である制御信号Scを制御部１２３に出力する。
【０１５３】
すなわち、演算部１２２は、図８Ａの論理演算において、比較器１３２−１から供給された「H」である信号および比較器１３２−２から供給された「H」である信号を基に、論理演算の結果として、「H2」である演算結果を出力していて、かつ、図８Ｂの論理演算において、比較器１３２−２から供給された「H」である信号および比較器１３２−３から供給された「L」である信号を基に、論理演算の結果として、「L3」である演算結果を出力している場合に、「H2」および「L3」である制御信号Scを基に、移動体１１４がホールIC１１１−３上にあると特定できる。
【０１５４】
言い換えれば、ホールIC１１１−１の出力が「H」、ホールIC１１１−２の出力が「H」、およびホールIC１１１−３の出力が「L」であるときのみ、移動体１１４がホールIC１１１−３上にあると特定できるので、論理演算の結果として、「H2」および「L3」である制御信号Scを制御部１２３に出力する。
【０１５５】
以上のように、複数の磁気感応素子１３１を用いて、それらの磁気感応素子１３１からの磁界の強さを示す電圧に基づいて、論理演算をすることにより移動体１１４の位置を特定し、特定した移動体１１４の位置に応じた制御信号Scを出力することで、磁気式位置検出装置１０１の誤動作を防ぐことができる。
【０１５６】
さらに、上述した例においては、ホールIC１１１が２個または３個の場合における演算部１２２が実行する論理演算について説明したが、ホールIC１１１が４個乃至Ｎ個となった場合も同様に、論理演算によって、制御信号Scを制御部１２３に出力することができる。
【０１５７】
以下、ホールIC１１１を複数設けた場合に、論理演算により移動体１１４の位置を特定し、特定された移動体１１４の位置に応じて、出力される制御信号Scについて説明する。
【０１５８】
図９Ａは、ホールIC１１１をＮ個設けた場合における、演算部１２２が実行する論理演算を説明する図である。
【０１５９】
図９Ａの論理演算の例において、１列目は、比較器１３２−（Ｎ−１）（ホールIC１１１−（Ｎ−１））の出力する「L」または「H」である信号を示し、１行目は、比較器１３２−Ｎ（ホールIC１１１−Ｎ）の出力する「L」または「H」である信号を示す。すなわち、図９Ａで示される例は、ホールIC１１１をＮ個（ホールIC１１１−１乃至ホールIC１１１−Ｎ）を設けた場合における、比較器１３２−（Ｎ−１）（ホールIC１１１−（Ｎ−１））の出力する「L」または「H」である信号と、比較器１３２−Ｎ（ホールIC１１１−Ｎ）の出力する「L」または「H」である信号との組み合わせによる、演算部１２２が実行する論理演算を示している。
【０１６０】
ここで、演算部１２２が出力する「LN」である制御信号Scは、移動体１１４がホールIC１１１−Ｎの近傍に位置し、「HN」である制御信号は、移動体１１４がホールIC１１１−Ｎの近傍に位置しないこと、または外部若しくは内部から発生した磁気ノイズが印加されていて、システムを制御する制御信号Scの出力が「L」となってはならない状態であることを示す。
【０１６１】
比較器１３２−（Ｎ−１）の出力が「L」である場合、比較器１３２−Ｎの出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「HN」である演算結果を出力し、比較器１３２−Ｎの出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「HN」である演算結果を出力する。
【０１６２】
また、比較器１３２−（Ｎ−１）の出力が「H」である場合、比較器１３２−Ｎの出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「LN」である演算結果を出力し、比較器１３２−Ｎの出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「HN」である演算結果を出力する。
【０１６３】
すなわち、上述したように、演算部１２２は、ホールIC１１１をＮ個（ホールIC１１１−１乃至ホールIC１１１−Ｎ）設けた場合、比較器１３２−Ｎのみが、「L」である信号を出力したとき（比較器１３２−１乃至比較器１３２−（Ｎ−１）の出力が「H」、および比較器１３２−Ｎの出力が「L」であるとき）、移動体１１４がホールIC１１１−Ｎ上にあると特定する制御信号を出力する。
【０１６４】
言い換えれば、演算部１２２は、ホールIC１１１−１乃至ホールIC１１１−（Ｎ−１）の出力が「H」、およびホールIC１１１−Ｎの出力が「L」であるとき、移動体１１４がホールIC１１１−Ｎ上にあると特定され、それに対して、ホールIC１１１−１乃至ホールIC１１１−（Ｎ−１）の出力が「H」、およびホールIC１１１−Ｎの出力が「L」であるとき以外では、移動体１１４がホールIC１１１−Ｎ上にはない、または外部若しくは内部から発生した磁気ノイズが印加されていて、システムを制御する制御信号Scの出力が「L」となってはならない状態であると特定される。
【０１６５】
したがって、図９Ａの論理演算の例は、演算部１２２が実行する論理演算の一般式となる。
【０１６６】
ただし、上述した一般式において、移動体１１４がホールIC１１１−１上にあるかを特定する場合、図９Ａの論理演算の例では特定できないため、図９Ｂの論理演算により、移動体１１４がホールIC１１１−１上にあるか特定する。
【０１６７】
図９Ｂは、ホールIC１１１をＮ個設けた場合に、移動体１１４がホールIC１１１−１上にあるかを特定するときの演算部１２２が実行する論理演算を説明する図である。
【０１６８】
図９Ｂで示される論理演算の例において、１列目は、比較器１３２−１（ホールIC１１１−１）の出力する「L」または「H」である信号を示し、１行目は、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号を示す。すなわち、図９Ｂで示される例は、ホールIC１１１をＮ個（ホールIC１１１−１乃至ホールIC１１１−Ｎ）を設けた場合における、比較器１３２−１（ホールIC１１１−１）の出力する「L」または「H」である信号と、比較器１３２−２（ホールIC１１１−２）の出力する「L」または「H」である信号との組み合わせによる、演算部１２２が実行する論理演算を示している。
【０１６９】
ここで、演算部１２２が出力する「L1」である制御信号Scは、移動体１１４がホールIC１１１−１の近傍に位置し、「H1」である制御信号は、移動体１１４がホールIC１１１−１の近傍に位置しないことを示す。
【０１７０】
比較器１３２−１の出力が「L」である場合、比較器１３２−２の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H1」である演算結果を出力し、比較器１３２−２の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「L1」である演算結果を出力する。
【０１７１】
また、比較器１３２−１の出力が「H」である場合、比較器１３２−２の出力が「L」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H1」である演算結果を出力し、比較器１３２−２の出力が「H」のとき、演算部１２２は、論理演算の結果として、「H1」である演算結果を出力する。
【０１７２】
すなわち、上述したように、演算部１２２は、ホールIC１１１をＮ個（ホールIC１１１−１乃至ホールIC１１１−Ｎ）設けた場合、移動体１１４の移動先の位置に設けられた比較器１３２−１のみが、「L」である信号を出力したとき（比較器１３２−２乃至比較器１３２−Ｎの出力が「H」、および比較器１３２−１の出力が「L」であるとき）、移動体１１４がホールIC１１１−１上にあると特定する制御信号を出力する。
【０１７３】
言い換えれば、演算部１２２は、ホールIC１１１−２乃至ホールIC１１１−Ｎの出力が「H」、およびホールIC１１１−１の出力が「L」であるとき、移動体１１４がホールIC１１１−１上にあると特定され、それに対して、ホールIC１１１−２乃至ホールIC１１１−Ｎの出力が「H」、およびホールIC１１１−１の出力が「L」であるとき以外では、移動体１１４がホールIC１１１−１上にはない、または外部若しくは内部から発生した磁気ノイズが印加されていて、システムを制御する制御信号Scの出力が「L」となってはならない状態であると特定される。
【０１７４】
すなわち、図９Ａの論理演算の例は、移動体１１４がホールIC１１１−２乃至ホールIC１１１−Ｎ上にあるかを特定する論理式（一般式）であり、図９Ｂの論理演算の例は、移動体１１４がホールIC１１１−１上にあるかを特定する論理式（例外の式）である。
【０１７５】
このように、移動体１１４が移動した位置にあるホールIC１１１が、「L」である信号を出力するので、演算部１２２は、移動体１１４の位置を特定することができる。その結果、演算部１２２は、所定の位置に移動体１１４が移動した場合に、「L」である制御信号Scを制御部１２３に供給することができる。
【０１７６】
例えば、演算部１２２は、移動体１１４がホールIC１１１−ｋ（ｋは、１乃至Ｎのいずれか）の位置に移動した場合に、「LK」である制御信号Scを制御部１２３に供給するように設定することができる。この場合、演算部１２２は、ホールIC１１１−ｋ（比較器１３２−ｋ）が、「L」である信号を出力して、かつ、他のホールIC１１１が、「H」である信号を出力したとき、移動体１１４は、ホールIC１１１−ｋ上にあると特定できるので、そのとき、「LK」である制御信号Scを制御部１２３に供給することができる。
【０１７７】
なお、移動体１１４が所定の位置に移動したときに、「L」である制御信号Scを制御部１２３に供給するとして説明したが、移動体１１４が所定の位置以外に移動したときに、制御部１２３に供給する制御信号Scと異なった信号であればよく、例えば、「H」である制御信号Scを供給するようにしてもよい。
【０１７８】
また、演算部１２２を論理回路として説明したが、同様の機能を有するソフトウェアにより実装してもよい。さらに、演算部１２２は、制御信号Scを制御部１２３に出力せずに、制御信号Scにより検出装置が設けられた機器を直接制御するようにしてもよい。
【０１７９】
また、上述した例において、磁気式位置検出装置１０１は、ユーザが移動体１１４をスライドさせることにより移動するスライド式スイッチとして説明したが、スライド式スイッチに限らず、例えば、押しボタン式のスイッチなどであってもよい。
【０１８０】
さらに、上述した例において、制御部１２３は、制御信号Scに基づいて、電源のオン/オフの動作を制御するとして説明したが、電源のオン/オフの制御に限らず、例えば、デジタルビデオカメラにおいて、記録した画像の再生時のモード（例えば、再生モード、動画モード、または静止モードなど）の変更などの制御をするようにしてもよい。
【０１８１】
また、上述した例においては、固定された磁気感応素子１３１が、移動体１１４に装着された磁石１１５により生じた磁界を検出するとして説明したが、移動体１１４に磁気感応素子１３１を装着するようにしてもよい。この場合、移動体１１４に装着された磁気感応素子１３１が移動することにより、固定された磁石１１５により生じた磁界を検出することとなる。すなわち、磁石１１５と磁気感応素子１３１とが相対的に移動すればよい。
【０１８２】
さらに、本明細書において、記録媒体に格納されるプログラムを記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【図面の簡単な説明】
【０１８３】
【図１】従来の磁気式位置検出装置を示す図である。
【図２】本発明を適用した磁気式位置検出装置を示す図である。
【図３】本発明を適用した磁気式位置検出装置の一実施の形態を示すブロック図である。
【図４】磁石移動体が位置１と位置４との間を移動する動作を示す図である。
【図５】磁気式位置検出装置の動作を説明する図である。
【図６】論理演算の例を示す図である。
【図７】機器の制御の処理を説明するフローチャートである。
【図８】論理演算の例を示す図である。
【図９】論理演算の例を示す図である。
【符号の説明】
【０１８４】
１０１  磁気式位置検出装置，  １１１、１１１−１乃至１１１−Ｎ  ホールIC，  １１４  移動体，  １２２  演算部，  １２３  制御部，  １３１、１３１−１乃至１３１−Ｎ  磁気感応素子，  １３２、１３２−１乃至１３２−Ｎ  比較器，  Vth  電圧，  Vm1乃至Vmn  磁界の強さを示すアナログ電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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