(57)【要約】【課題】フィルドビア以外の絶縁層表面に形成された銅からなる導体層のめっき厚を調整して、フィルドビアの欠陥発生がなく、精度の良い配線層が形成可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材１１の両面に導体層２１が形成された両面銅張り積層版にビア用孔１２を形成し、ビア用孔１２を導電化処理した後電気銅めっきによりビア用孔１２をフィリングしてフィルドビア２３を、絶縁基材１１上の導体層２１上に銅からなる導体層２２を形成した後、引き続き、導体層２２を同じ電気銅めっき液からなる硫酸酸性液でＰＲ（パルスリバース）電解エッチングを行って導体層表面研磨を行い、配線層２４ａ及び２１ａを形成し、配線層２４ａと配線層２１ａがフィルドビア２３にて電気的に接続された配線基板１０を作製するというものである。【選択図】図３
2006339483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層以上の配線層が絶縁層を介して形成され、前記配線層がフィルドビアにて電気的に接続されてなる配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁層に孔径１μｍ以上、１００μｍ以下、深さ３μｍ以上、１００μｍ以下のビア用孔を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層及びビア用孔にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｃ）電気銅めっきにより前記ビア用孔に銅を埋め込みフィルドビアを、前記絶縁層上に銅からなる導体層を形成する工程。
（ｄ）前記絶縁層上の導体層をＰＲ（パルスリバース）電解エッチングにて表面研磨する工程。
（ｅ）配線層を形成する工程。
（ｆ）（ａ）〜（ｅ）の工程を必要回数繰り返す工程。
【請求項２】
前記ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングに使用するエッチング液が、電気銅めっきと同じ硫酸酸性液であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングは、パルス電流波形を繰り返し印加することにより行われ、オン部のパルス高さをＩon、パルス巾をｔon、リバース部のパルス高さをＩrev、パルス巾をｔrev、オフ部の時間をｔoffとしたとき、Ｉon、ｔon、Ｉrev、ｔrev、ｔoff、Ｉrev／Ｉon及びｔon／ｔrevが以下の条件
Ｉon：１０Ａ／ｄｍ2以下、ｔon：１秒以下
Ｉrev：５０Ａ／ｄｍ2以下、ｔrev：１秒以下
ｔoff：１秒以下
Ｉrev／Ｉon：１以上、ｔon／ｔrev：５以上
を満たしていること特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記電気銅めっき後の絶縁層上の導体層の厚さが１〜３０μｍで、ＰＲ（パルスリバース）電解エッチング後の導体層の厚さが０．５〜１５μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法にて作製されたことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ基板やプリント基板など、層間の回路接続のために電気銅めっきでフィリング（埋め込み）した構造のフィルドビア構造の配線基板の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ基板やプリント基板においては、回路配線の微細化が進められており、各用途で要求特性は異なるが、半導体パッケージ基板ではライン／スペース＝２０／２０（μｍ）または、それ未満の要望が強くなっている。
このような狭ピッチ配線を、基板表面を全面銅めっきしてエッチングを行うサブトラクティブ法によって形成する場合、表層の銅の膜厚が問題になる。
エッチング工程では、回路パターンのサイドエッチが必然的に生じてラインのトップとボトムの寸法が異なる。そのため、表層の銅の膜厚が大きい場合は、トップ寸法を維持するとボトム部が大きくなり過ぎたり、逆にボトム寸法を維持するとトップの寸法が小さくなり過ぎたりする。このように、表層の銅の膜厚は形成するライン／スペース幅に合わせて、必要以上に厚くならないようにしなければならない。
【０００３】
一方、配線基板の高密度化の別の動きとして、フィルドビア技術がある。これは、基板の各層に設けたビア用孔に電気銅めっきで銅を埋めこんでフィルドビアを形成し、配線層間の回路接続を行うもので、ブラインドビアホール等の微小孔中に金属を効率よく充填するビアフィリング方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ビア用孔に銅を埋め込むことにより、その真上に上層のフィルドビアを積層できるため、配線のためのスペースを小さくできる。
さらに、短時間で充填性、平滑性に優れた表面性を得るために、ＰＰＲ（Pulse Periodic
Reverse）電流を用いて電解銅めっきする方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ところが、このフィルドビアを電気銅めっきで形成する場合には、ビア用孔だけでなく、基板のビア用孔周辺の表面にも銅めっきが析出する。これは、フィルドビアのための電気銅めっきの前には、ビア用孔の内部のみならず、表層も導電化処理した後、電気銅めっきを行うためである。
昨今の半導体パッケージ基板に用いられている一般的なビア用孔の孔径は、２０〜１００μｍ、深さが２０〜１００μｍ程度であるが、このようなビア用孔を電気銅めっきで完全に埋め込むためには、表面の銅めっき膜厚は最低でも１０μｍとなる。もし、銅めっきを行う以前に、表層に銅箔などの層が存在する場合には、さらに厚い銅層に対して回路形成をしなければならない。
【０００５】
フィルドビア形成用の電気銅めっきでは、ビア用孔の外部に比べて、ビア用孔内部に優先的に銅金属が析出するものであるが、ビア用孔内を完全に埋め込むにはある程度の時間が必要である。この時間の経過の間に、穴の外部、すなわち基板の表層にも銅めっきが析出する。この時間は、ビア用孔のサイズ、めっきの電流密度によって異なるが、例えば、穴径５０μｍ、深さ４０μｍ、電流密度：１Ａ／ｄｍ2の場合では、概ね６０分である。この時、基板の表層には、１３μｍの銅めっきが析出する。
【０００６】
理論上は、めっき時間は、電流密度を上げることにより短縮できるが、電気量が不変であれば表層に析出する銅の厚さは低減できない。それどころか、ビア用孔のフィリング性は電流密度が高い方が低下するため、電流密度を上げることは表層の銅めっき膜厚をさら
に上げる結果となるか、フィリング性の低下が著しい場合には不良となってしまう。
そのため、電流密度の増大は、実質的には困難であり、フィルドビアめっきにおいては、かなりの時間がかかることと表層の銅の厚さが大きくなることはやむを得ないと考えられていた。
【０００７】
そこで、電気銅めっきにてフィルドビアを形成した後、表層の銅めっき膜厚が大きい場合は、基板が電気銅めっき液から引き上げられた後、水洗を経て、銅表面全体を化学エッチングすることにより銅膜厚が低減される。
ここで、化学エッチング液として、硫酸＋過酸化水素、過硫酸塩、塩化第２鉄などの銅金属を酸化溶解する成分が含まれる水溶液が使用される。いずれにしても、電気銅めっき後に、別の処理を行うことになるため、そのための設備を持つ必要があり経済的に不利である。しかも、化学エッチングでは、液のコンディション（成分濃度、液温、不純物濃度など）により銅を溶解する速度が変化し、その安定化は非常に難しい。
【０００８】
さらに、フィリング性が不十分なビア用孔に対し、化学エッチングを行った場合では、ビア用孔の周辺部のエッチング速度が大きくなり、この部分での断線の可能性が大きくなる。
これは、化学エッチングが液中の成分の拡散によって速度が変わるため、液当たりの強い部分のエッチング速度が大きくなるためである。
フィリング性は、同じ基板内でも場所等によって変わることがあるため、全体的には良好に化学エッチングができたとしても、部分的にビア用孔の周辺部が溶解して欠陥となる場合が生じる。このような欠陥を防止するため、銅厚の低減量を幾分少なめにしなければならなかった。
【０００９】
このように、電気銅めっきで作製されたフィルドビアを有する基板では、従来は表面の銅めっき厚が必要以上に大きくなるため、精度を犠牲にし、またコストをかけてそれを低減しなければならなかった。
【特許文献１】特開２００１−２００３８６号公報
【特許文献２】特開２００３−１８３８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明では、絶縁層に形成されたビア用孔を電気銅めっきでフィリングしてフィルドビア及び配線層を形成する配線基板において、フィルドビア以外の絶縁層表面に形成された銅からなる導体層のめっき厚を調整して、フィルドビアの欠陥発生がなく、精度の良い配線層が形成可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、少なくとも１層以上の配線層が絶縁層を介して形成され、前記配線層がフィルドビアにて電気的に接続されてなる配線基板の製造方法であって、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁層に孔径１μｍ以上、１００μｍ以下、深さ３μｍ以上、１００μｍ以下のビア用孔を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁層上及びビア用孔にめっき下地導電層を形成する工程。
（ｃ）電気銅めっきにより前記ビア用孔に銅を埋め込みフィルドビアを、前記絶縁層上に銅からなる導体層を形成する工程。
（ｄ）前記絶縁層上の導体層をＰＲ（パルスリバース）電解エッチングにて表面研磨する
工程。
（ｅ）配線層を形成する工程。
（ｆ）（ａ）〜（ｅ）の工程を必要回数繰り返す工程。
【００１２】
また、請求項２においては、前記ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングに使用するエッチング液が、電気銅めっきと同じ硫酸酸性液であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法としたものである。
【００１３】
また、請求項３においては、前記ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングは、パルス電流波形を繰り返し印加することにより行われ、オン部のパルス高さをＩon、パルス巾をｔon、リバース部のパルス高さをＩrev、パルス巾をｔrev、オフ部の時間をｔoffとしたとき、Ｉon、ｔon、Ｉrev、ｔrev、ｔoff、Ｉrev／Ｉon及びｔon／ｔrevが以下の条件
Ｉon：１０Ａ／ｄｍ2以下、ｔon：１秒以下
Ｉrev：５０Ａ／ｄｍ2以下、ｔrev：１秒以下
ｔoff：１秒以下
Ｉrev／Ｉon：１以上、ｔon／ｔrev：５以上
を満たしていること特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法としたものである。
【００１４】
また、請求項４においては、前記電気銅めっき後の絶縁層上の導体層の厚さが１〜３０μｍで、ＰＲ（パルスリバース）電解エッチング後の導体層の厚さが０．５〜１５μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法としたものである。
【００１５】
さらにまた、請求項５においては、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法にて作製されたことを特徴とする配線基板としたものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法によると、ビア用孔に電気銅めっきで銅をフィリングしてフィルドビアを形成した後、ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングを行うことにより、絶縁層表面の銅厚を均一に減少させることができるため、配線層の形成精度を向上させることができる。
また、このＰＲ（パルスリバース）電解エッチングは、フィルドビア形成用の電気銅めっきと同じ液中で、連続して行うことができるため、新たな設備を必要とせず、低コストで配線板を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層にビア用孔を形成し、絶縁層上及びビア用孔を導電化処理した後電気銅めっきによりビア用孔をフィリングしてフィルドビアを、絶縁層上に銅からなる導体層を形成した後、引き続き、絶縁層上の導体層を同じ電気銅めっき液からなる硫酸酸性液でＰＲ（パルスリバース）電解エッチングを行って導体層表面研磨を行い、配線層を形成するというものである。
このように、導体層及びフィルドビアを形成した後、ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングにて導体層の表面研磨を行うことが、本発明の骨子となる点である。
【００１８】
以下本発明の配線基板の製造方法について説明する。
図３（ａ）〜（ｆ）及び図４（ｇ）〜（ｋ）は、本発明の配線基板の製造方法の一実施例を工程順に示す模式構成断面図である。
まず、ポリイミドフィルムからなる絶縁基材１１の両面に銅箔からなる導体層２１が形成
された両面銅張り積層板を準備する。
さらに、両面銅張り積層板の片側からレーザー加工を行い、所定の位置にビア用孔１２を形成する（図３（ａ）参照）。
ここで、ビア用孔１２は、孔径１μｍ以上１００μｍ以下、深さ３μｍ以上１００μｍ以下が実用上好ましい。これは、後記する電気銅めっきでビア用孔１２をフィリングする際、ビア用孔１２のサイズ（孔径、深さ）が１００μｍより大きい場合、電気銅めっきにおいて完全なフィリングを実現するためには、表層にもかなり厚い（３０μｍ以上）銅からなる導体層を析出させなければならない。これは、その後の工程において適正な導体層厚とするためのＰＲ（パルスリバース）電解エッチングの時間もきわめて長くなるため好ましくない。
【００１９】
次に、ビア用孔１２をデスミア処理し、無電解銅めっきにより下地導電層（特に、図示せず）を形成する。
さらに、反対側の導体層２１上にレジストを塗布する等の方法で保護層３５を形成し、めっき下地導電層をめっき電極にして電気銅めっきによりビア用孔３２にフィルドビア２３を、導体層２１上に銅からなる導体層２２を形成する（図３（ｂ）参照）。
電気銅めっきに使用するめっき液、めっき条件は公知の下記のめっき液、めっき条件を使用する。
・めっき液組成
硫酸      ３０〜１５０ｇ／Ｌ
硫酸銅  １００〜３００ｇ／Ｌ
塩素      ２０〜１００ｍｇ／Ｌ
有機添加剤として：界面活性剤（ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）など）：１０〜１００ｍｇ／Ｌ、キャリアー（ＳＰＳ（ビス（３−スルフォプロピル）ジスルフィド）など）：０．１〜２０ｍｇ／Ｌ
レベラー（窒素含有化合物：ポリアルキレンイミンなど）：０．０５〜１０ｍｇ／Ｌ
・めっき条件
電流：直流  電流密度  ０．１〜３Ａ／ｄｍ2
フィリング性の向上のために、ＰＲ電解を用いる場合もある。
温度：２０〜３０℃
液流：ノズルからの噴流，空気攪拌などにより基板表面に液を流動させる。
アノード：含リン銅アノード、または不溶性アノード。不溶性アノードとしては、白金または、酸化イリジウム被覆チタン電極。同じ液中で、めっきに引き続きＰＲ電解エッチングを行う場合は、不溶性アノードの使用が望ましい。
【００２０】
次に、上記電気銅めっき液と同じ硫酸酸性液で導体層２２のＰＲ（パルスリバース）電解エッチングにて導体層２２の表面研磨を行い、銅箔からなる導体層２２とＰＲ（パルスリバース）電解エッチング後の導体層と併せた導体層２４が形成されたことになる。
ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングは、図１に示すようなパルス電流を繰り返し印加することにより行われ、オン部のパルス高さをＩon、パルス巾をｔon、リバース部のパルス高さをＩrev、パルス巾をｔrev、オフ部の時間をｔoffとしたとき、Ｉon、ｔon、Ｉrev、ｔrev、ｔoff、Ｉrev／Ｉon及びｔon／ｔrevが以下の条件
Ｉon：１０Ａ／dm2以下、ｔon：１秒以下
Ｉrev：５０Ａ／dm2以下、ｔrev：１秒以下
ｔoff：１秒以下
Ｉrev／Ｉon：１以上、ｔon／ｔrev：５以上を満たすような条件設定を行う。
また、ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングで研磨する研磨量は当初の膜厚の１／２が目安である。例えば、１０μｍ厚の導体層２２の場合ＰＲ（パルスリバース）電解エッチング後の導体層２２’の膜厚は５μｍ前後である。しかし、この研磨量は、０．５〜１５μｍの範囲であれば問題なく、この範囲内で、状況に応じて適宜選択されるべきである。
【００２１】
上記ＰＲ（パルスリバース）電解エッチング条件の設定で、Ｉon、Ｉrevが大きすぎた場合、および、ｔon、ｔrevが長すぎた場合には、銅層溶解の均一性が保たれない。
オン部の電流密度、時間に対し、リバース部の電流密度、時間は、トータルとして溶解反応が進行するように設定すべきであることは明らかである。実際には、めっき後の銅膜厚と最終的に残すべき銅の膜厚から、溶解すべき銅膜厚を導き、それと本エッチングプロセスにかけることのできる時間から、適当な電流密度と時間の条件を設定する。
効率的なＰＲ（パルスリバース）電解エッチングを行うためには、リバース部の電気量（電流×時間）は、もちろん、オン部の電気量よりも十分小さくする必要がある。また、全体的な工程時間が長くならないよう、オフ部の時間ｔoffは不必要に長く取るべきでない。
【００２２】
ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングでは、不溶性アノードを使用することが望ましい。不溶性アノードとしては、白金、白金被覆チタン、酸化イリジウム被覆チタン電極が適当である。
その他の条件は、電気銅めっきと同じ液中で行う場合は、フィルドビア電気めっきと同一の温度、液流でよい。別の設備で行う場合には、設定を変えることができるが、温度は１０〜７０℃，および噴流や空気攪拌を用いて基板表面に効率的な液流を作ることが望ましい。
【００２３】
上記ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングは、めっきと同じ液中で行うことが、設備を別にする必要がないため好適であるが、別の液中で行うことも可能である。
この処理を行う液は、基本的にめっき液と同じ組成であるが、めっきと別の液中で実施する場合には有機添加剤は必ずしも含有する必要はない。具体的な液組成は、次の通りである。
（成分）
硫酸              １０〜３００ｇ／Ｌ
硫酸銅（５水塩）  １０〜３００ｇ／Ｌ
硫酸濃度は、低すぎると銅が溶解しにくくなり、高すぎると液中の溶解された銅の濃度が高くなった時に、硫酸銅の結晶が晶出しやすくなる。硫酸銅濃度は、低すぎると前述のように、ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングで均一な銅膜厚低下を行う効果が得られず、高すぎると、硫酸銅の晶出が起こる。
【００２４】
次に、保護層３５を専用の剥離液で剥離処理し、導体層２１及び２４上に感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３１ａ及び３１ｂを形成する（図３（ｃ）参照）。
【００２５】
レジストパターン３１ａ及び３１ｂをマスクにして導体層２１及び２４をエッチングして、レジストパターン３１ａ及び３１ｂを剥離処理して、絶縁基材１１の一方の面に配線層２４ａを、他方の面に配線層２１ａを形成した本発明の両面配線板１０を得る（図３（ｄ）参照）。
【００２６】
上記配線層の形成は、サブトラクティブ法で説明したが、これに限定されるものではなく、セミアディティブ法で形成しても良い。
この場合、パターンめっきでビア用孔をフィリングし、かつ、回路のパターンめっきを行うが、ビア用穴を完全にフィリングするためには、配線層の必要厚さを超え、過剰の銅析出が発生する場合がある。この時は、過剰の銅析出分を上記ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングすることで、配線層の厚さを調整することができる。
【実施例１】
【００２７】
まず、２５μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材１１の両面に９μｍ厚の銅箔からなる導体層２１が形成された両面銅張り積層板を準備した。
さらに、両面銅張り積層板の片側からＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて孔開け加工を行い、所定の位置に孔径４０μｍ、深さ２５μｍのブラインドホールからなるビア用孔１２を形成した（図３（ａ）参照）。
【００２８】
次に、ビア用孔１２をデスミア処理し、無電解銅めっきにより下地導電層（特に、図示せず）を形成した。
さらに、反対側の導体層２１上にレジストを塗布する等の方法で保護層３５を形成し、めっき下地導電層をめっき電極にしてフィルドビア用電気銅めっき液を用いて、電気銅めっきを行い、ビア用孔３２にフィルドビア２３を、導体層２１上に銅からなる７μｍ厚の導体層２２を形成した（図３（ｂ）参照）。
めっき液組成
硫酸          １００  ｇ／Ｌ
硫酸銅５水塩  ２００  ｇ／Ｌ
塩素            ７０ｍｇ／Ｌ
有機添加剤として
サプレッサーＡ（ＳＰＲ−Ａ：ＥＥＪＡ社製）５ｍｇ／Ｌ
ＳＰＳ            １ｍｇ／Ｌ
レベラーＡ（ＬＥＶ−Ａ：ＥＥＪＡ社製）  ２０ｍｇ／Ｌ
ここでは、ＰＲ（パルスリバース）電解めっきを行い、条件は、
Ｉon：２Ａ／ｄｍ2、Ｉrev：４Ａ／ｄｍ2、（Ｉrev／Ｉon）：２、ｔon：０．２秒、ｔrev：０．０１秒、ｔoff：０．２秒、ｔon／ｔrev：２０とし、トータルで３０分間通電した。
この条件で、ビア用穴は完全に銅めっきで充填された。
【００２９】
次に、上記電気銅めっき液と同じ硫酸酸性液でＰＲ（パルスリバース）電解エッチングにて導体層２２の表面研磨を行った。
このＰＲ（パルスリバース）電解エッチングによる平均膜厚減少量は、６〜７μｍであった。この結果ＰＲ（パルスリバース）電解エッチング後の導体層２１と導体層２２の合計膜厚は約９μｍであった
ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングの電流設定条件は次のとおりである。
Ｉon：２Ａ／ｄｍ2、Ｉrev：４Ａ／ｄｍ2、（Ｉrev／Ｉon）：２、ｔon：０．２秒、ｔrev：０．０１秒、ｔoff：０．２秒、（ｔon／ｔrev）：２０、時間１１分
次に、保護層３５を専用の剥離液で剥離処理し、導体層２１及び２４上に感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行ってレジストパターン３１ａ及び３１ｂを形成した（図３（ｃ）参照）。
【００３０】
次に、レジストパターン３１ａ及び３１ｂをマスクにして導体層２１及び２４をエッチングして、レジストパターン３１ａ及び３１ｂを剥離処理して、絶縁基材１１の一方の面に配線層２４ａが、他方の面に配線層２１ａが形成された本発明の両面配線板１０を得た（図３（ｄ）参照）。
【００３１】
さらに、両面配線板１０の両面に、厚さ５μｍのエポキシ系樹脂からなる接着層が形成された２５μｍ厚のポリイミドフィルムを積層して、３０μｍ厚の絶縁層４１を形成した（図３（ｅ）参照）。
【００３２】
次に、ＵＶレーザーを用いたレーザー加工により、絶縁層４１の所定位置を孔明け加工
して、孔径４０μｍ、深さ２１μｍのブラインドホールからなるビア用孔４２を形成した。さらに、ビア用孔４２をデスミア処理して、ビア用孔４２内及び絶縁層４１上に無電解銅めっきにて、めっき下地導電層（特に、図示せず）を形成した（図３（ｆ）参照）。
【００３３】
次に、めっき下地導電層上に感光性のドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って開口部３３を有するレジストパターン３２ａ及び開口部３４を有する３２ｂを形成した（図４（ｇ）参照）。
【００３４】
次に、めっき下地導電層をめっき電極にしてフィルドビア用電気銅めっき液を用いて、電気銅めっきを行い、ビア用孔４２にフィルドビア５２を、絶縁層４１上の開口部３３及び開口部３４にそれぞれ銅からなる１５μｍ厚の導体層５１を形成した（図４（ｈ）参照）。
めっき液組成
硫酸          １００  ｇ／Ｌ
硫酸銅５水塩  ２００  ｇ／Ｌ
塩素            ７０ｍｇ／Ｌ
有機添加剤として
サプレッサーＡ（ＳＰＲ−Ａ：ＥＥＪＡ社製）５ｍｇ／Ｌ
ＳＰＳ            １ｍｇ／Ｌ
レベラーＡ（ＬＥＶ−Ａ：ＥＥＪＡ社製）  ２０ｍｇ／Ｌ
ここでは、ＰＲ（パルスリバース）電解めっきを行い、条件は、
Ｉon：２Ａ／ｄｍ2、Ｉrev：４Ａ／ｄｍ2、（Ｉrev／Ｉon）：２、ｔon：０．２秒、ｔrev：０．０１秒、ｔoff：０．２秒、（ｔon／ｔrev）：２０とし、トータルで３０分間通電した。
この条件で、ビア用穴は完全に銅めっきで充填された。
【００３５】
次に、上記電気銅めっき液と同じ硫酸酸性液でＰＲ（パルスリバース）電解エッチングにて導体層５１の表面研磨を行い、１２μｍ厚の導体層５１’を形成した（図４（ｉ）参照）。
ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングの電流設定条件は次のとおりである。
Ｉon：２Ａ／ｄｍ2、Ｉrev：４Ａ／ｄｍ2、（Ｉrev／Ｉon）：２、ｔon：０．２秒、ｔrev：０．０１秒、ｔoff：０．２秒、（ｔon／ｔrev）：２０、時間１１分
次に、レジストパターン３２ａ及び３２ｂを剥離処理し、レジストパターン３２ａ及び３２ｂ下部にあっためっき下地導電層をクイックエッチングで除去して、ＩＣパッド５１’ａ及びＢＧＡパッド５１’ｂを形成した（図４（ｊ）参照）。
【００３６】
最後に、スクリーン印刷にてソルダーレジスト感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ソルダーレジスト層６１及び６２を形成して、絶縁基材１１の一方の面に配線層２４ａ及びＩＣパッド５１’ａが、他方の面に配線層２１ａ及びＢＧＡパッド５１’ｂが形成され、配線層２４ａと配線層２１ａとがフィルドビア２３にて、配線層２４ａとＩＣパッド５１’ａとがフィルドビア５２にて、配線層２１ａとＢＧＡパッド５１’ｂとがフィルドビア５２にてそれぞれ電気的に接続された本発明の４層の配線板１００を得た（図４（ｋ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ＰＲ（パルスリバース）電解エッチングの電流設定条件の一例を示す説明図である。
【図２】本発明の配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【図４】（ｇ）〜（ｋ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程の一部を示す模式構成断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０、１００……配線基板
１１……絶縁基材
１２、４２……ビア用孔
２１、２２、２４、５１、５１’……導体層
２１ａ、２４ａ……配線層
２３、５２……フィルドビア
３１ａ、３１ｂ……レジストパターン
３３、３４……開口部
３５……保護層
４１……絶縁層
５１’ａ……ＩＣパッド
５１’ｂ……ＢＧＡパッド
６１、６２……ソルダーレジスト層
【図１】
2006339483.tif 000003
【図２】
2006339483.tif 000004
【図３】
2006339483.tif 000005
【図４】
2006339483.tif 000006