(57)【要約】【課題】比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい薄膜抵抗体およびその製造方法を提供する。【解決手段】ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が０．１５〜１．１である薄膜に熱処理を施し、比抵抗が５００〜３０００μΩ・ｃｍであり、かつ、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃である薄膜抵抗体を得る。前記熱処理の温度は、４００〜８００℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が０．１５〜１．１であることを特徴とする薄膜抵抗体。
【請求項２】
比抵抗が５００〜３０００μΩ・ｃｍであり、かつ、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜抵抗体。
【請求項３】
ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が０．１５〜１．１である薄膜を、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃となるように熱処理して得られた薄膜抵抗体。
【請求項４】
ニッケル、クロム、珪素および炭素からなるスパッタリングターゲット、またはニッケル−クロム合金からなるスパッタリングターゲットと炭化珪素からなるスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に装着し、スパッタリング法により、ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が０．１５〜１．１である薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理して、比抵抗が５００〜３０００μΩ・ｃｍであり、かつ、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃である薄膜抵抗体を形成することを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理の温度が、４００〜８００℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される温度であることを特徴とする請求項４に記載の薄膜抵抗体の製造方法。
【請求項６】
抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃となるように熱処理することを特徴とする請求項５に記載の薄膜抵抗体の製造方法。
【請求項７】
ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が０．１５〜１．１であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜チップ抵抗器に用いる薄膜抵抗体およびその製造方法ならびに該製造において用いることのできるスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、薄膜チップ抵抗器には薄膜抵抗体が用いられている。該薄膜抵抗体は、Ｎｉ−Ｃｒ系合金（比抵抗は１００〜１５０μΩ・ｃｍ）やＣｒ−Ｓｉ系合金（比抵抗は最大３００μΩ・ｃｍ）等の金属を、スパッタリング法または真空蒸着法によりセラミック基板上に堆積させて得ることができる。Ｎｉ−Ｃｒ系合金による薄膜抵抗体の比抵抗は、１００〜１５０μΩ・ｃｍであり、Ｃｒ−Ｓｉ系合金による薄膜抵抗体の比抵抗は、最大３００μΩ・ｃｍである。該薄膜抵抗体が薄膜チップ抵抗器に用いられる際には、フォトリソグラフィー等により所定の形状に加工される。かかる薄膜抵抗体を用いて作製された薄膜チップ抵抗器は、比抵抗が３００μΩ・ｃｍ以下であり、この比抵抗領域において−２５ｐｐｍ／℃〜＋２５ｐｐｍ／℃という良好な抵抗温度係数（ＴＣＲ）が得られる。このため、Ｎｉ−Ｃｒ系合金やＣｒ−Ｓｉ系合金からなる薄膜抵抗体を用いて作製されるチップ抵抗器は、高精度チップ抵抗器として広く各種電子機器に用いられている。
【０００３】
一方、薄膜チップ抵抗器等に用いられる薄膜抵抗体は、抵抗温度係数の絶対値が小さいことだけでなく、比抵抗が大きいことも求められている。
【０００４】
しかし、現状では、前記金属薄膜を用いて、例えば５００μΩ・ｃｍ以上の高い比抵抗を有し、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい高精度の薄膜抵抗体を製造することは困難である。
【０００５】
そのため、比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい薄膜抵抗体を開発するための研究が続けられており、例えば、特許文献１では、２０００μΩ・ｃｍ以上の大きい比抵抗を持ち、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい薄膜抵抗体として、Ｓｉ、ＣおよびＣｒからなる薄膜抵抗体が開示されている（特許文献1参照）。この薄膜抵抗体の比抵抗は、２０００μΩ・ｃｍ以上と高抵抗であるが、抵抗温度係数の組成依存性が大きく、抵抗温度係数が±２５ｐｐｍ／℃以内である薄膜を安定して作製することは困難である。
【０００６】
また、特許文献２では、Ｃｒ、Ｓｉにバルブ金属または遷移金属を加えたスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行い、薄膜抵抗体を得ている。該スパッタリングの際、Ｎ2を反応性ガスとしてＡｒに混入し、さらに、成膜後にＮ2ガス雰囲気中でエージング処理を行うことにより、比抵抗が５００〜１００００μΩ・ｃｍで、抵抗温度係数が±２５ｐｐｍ／℃程度の薄膜抵抗体が得られることが開示されている。しかし、一般にＮ2による反応性スパッタリングで成膜した薄膜抵抗体では、その組成の制御が難しく、安定した抵抗値を得ることは困難である。
【０００７】
【特許文献１】特開平０７‐０８６００４号公報
【特許文献２】特開２００２‐１４１２０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい薄膜抵抗体を安定して提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る薄膜抵抗体の第一の態様は、Ｎｉ、Ｃｒ、ＳｉおよびＣからなり、ＳｉおよびＣの含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１５〜１．１であることを特徴とする。
【００１０】
前記薄膜抵抗体において、比抵抗が５００〜３０００μΩ・ｃｍであり、かつ、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃であることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る薄膜抵抗体の第二の態様は、ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が０．１５〜１．１である薄膜を、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃となるように熱処理して得られた薄膜抵抗体である。
【００１２】
本発明に係る薄膜抵抗体の製造方法は、ニッケル、クロム、珪素および炭素からなるスパッタリングターゲット、またはニッケル−クロム合金からなるスパッタリングターゲットと炭化珪素からなるスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に装着し、スパッタリング法により、ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が０．１５〜１．１である薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理して、比抵抗が５００〜３０００μΩ・ｃｍであり、かつ、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃である薄膜抵抗体を形成することを特徴とする。
【００１３】
前記熱処理の温度は、４００〜８００℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される温度であることが好ましく、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃となるように熱処理することがより好ましい。
【００１４】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、Ｎｉ、Ｃｒ、ＳｉおよびＣからなり、ＳｉおよびＣの含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１５〜１．１であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る薄膜抵抗体は、Ｎｉ、Ｃｒ、ＳｉおよびＣからなり、ＳｉおよびＣの含有量が４０〜６５質量％であり、かつ、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１５〜１．１である薄膜からなり、該薄膜に適切な熱処理を施すことにより、比抵抗が５００〜３０００μΩ・ｃｍであり、かつ、抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃である薄膜抵抗体とすることができる。
【００１６】
このような比抵抗および抵抗温度係数を有する薄膜抵抗体をチップ抵抗器に適用することにより、５００〜３０００μΩ・ｃｍと大きい比抵抗を持ち、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい高精度チップ抵抗器を得ることができる。
【００１７】
また、本発明に係る薄膜抵抗体の比抵抗および抵抗温度係数は、膜組成および熱処理条件だけで制御され得る。したがって、膜組成およびこれに応じた適切な熱処理条件を規制することにより、比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値の小さい薄膜抵抗体を、安定して製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明に係る薄膜抵抗体は、Ｎｉ、Ｃｒ、ＳｉおよびＣからなる。一般に、ＮｉおよびＣｒは導電性成分であり、比抵抗が小さく、かつ、抵抗温度係数も小さいという特徴を有する。
【００１９】
一方、ＳｉおよびＣは絶縁性成分である。本発明に係る薄膜抵抗体において、ＣのＳｉに対するモル比は特に限定されないが、０．９〜１．３であることが好ましい。
【００２０】
本発明の薄膜抵抗体中のＣｒのＮｉに対する質量比は０．１５〜１．１が好ましく、より好ましくは０．９〜１．１である。ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１５より小さいと抵抗温度係数が大きくなってしまうため、好ましくない。また、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．１より大きいと、本発明の薄膜抵抗体の製造に用いるＮｉ−Ｃｒ合金またはＮｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｃ合金スパッタリングターゲットを製造する際に割れが発生しやすくなるため、好ましくない。
【００２１】
ＳｉおよびＣは、絶縁性成分であるので、これを含有させることで薄膜抵抗体の比抵抗を大きくする作用がある。ＳｉおよびＣの含有量が４０質量％より少ないと、比抵抗が小さくなり、５００μΩ・ｃｍ以上の高抵抗の薄膜抵抗体を得ることはできない。また、ＳｉおよびＣの含有量が６５質量％を上回ると、高い比抵抗が得られるが、熱処理をしても負の抵抗温度係数の絶対値が大きくなってしまい、高精度の薄膜抵抗体を得ることができない。
【００２２】
次に、本発明に係る薄膜抵抗体の製造方法について説明する。本発明に係る薄膜抵抗体の製造方法においては、薄膜を形成する手段としてスパッタリング法を用いる。スパッタリング法は、高融点材料であっても所望の組成の膜を製造できる方法であり、抵抗温度係数の小さい高精度の薄膜抵抗体の製造に用いることに適している。用いるスパッタリング法の種類は特に限定されず、直流スパッタリング法でも高周波スパッタリング法でもよい。
【００２３】
スパッタリングターゲットとしては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＳｉおよびＣからなり、ＳｉおよびＣの含有量が４０〜６５質量％であるスパッタリングターゲットを用いることができる。該スパッタリングターゲットを用いて形成される薄膜抵抗体の組成は、実質的にスパッタリングターゲットの組成と同じである。なお、かかるスパッタリングターゲットは、まずＳｉＣからなるスパッタリングターゲットを作製し、その後、該スパッタリングターゲットの表面に溝を彫り、所望の組成とすべく、表面積の比率に合わせてＮｉ−Ｃｒ合金チップを埋め込むことにより作製してもよい。また、ＳｉＣからなるスパッタリングターゲット上にＮｉ−Ｃｒ合金チップを載置したものを、スパッタリングターゲットとして用いてもよい。
【００２４】
また、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるスパッタリングターゲットおよびＳｉＣからなるスパッタリングターゲットを用いて、同時スパッタリングにより本発明に係る薄膜抵抗体を作製することも可能である。
【００２５】
そして、前記スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に設置し、該スパッタリング装置の系内を１．０×１０-4Ｐａ以下の真空度まで真空引きした後に、系内にＡｒガス（純度：９９．９９９％）を導入してスパッタリング圧力を０．２７〜１．１Ｐａとして、基板上にスパッタリングにより薄膜を形成することで、本発明に係る薄膜抵抗体を製造することができる。
【００２６】
次に、薄膜の比抵抗を安定させるとともに、抵抗温度係数を０に近づけるために、前述のようにして得られた薄膜に熱処理を行う。本発明に係る薄膜抵抗体の製造のための熱処理では、組成に応じて、４００〜８００℃の温度範囲において適切な熱処理温度を選択する。この熱処理を行うことにより、薄膜抵抗体の抵抗温度係数を−２５ｐｐｍ／℃〜＋２５ｐｐｍ／℃と小さくすることができる。
【００２７】
熱処理温度を４００〜８００℃の温度範囲に限定した理由は、いずれの組成範囲においても、熱処理温度が４００℃未満であると、抵抗温度係数が−２５ｐｐｍ／℃より負に大きくなってしまうからであり、一方、８００℃を上回ると、抵抗温度係数が２５ｐｐｍ／℃より正に大きくなってしまうからである。抵抗温度係数の絶対値が最も小さくなるように、薄膜の各組成ごとに熱処理温度を設定することが好ましく、該熱処理温度は、４００〜８００℃の温度範囲に存在する。
【００２８】
熱処理をする際の雰囲気は、特殊な雰囲気で行う必要はなく、真空中、アルゴン中、窒素中などの不活性雰囲気中で行うことができ、また大気中でもよい。
【００２９】
このように、本発明に係る薄膜抵抗体の製造方法は、膜組成および熱処理条件だけで比抵抗および抵抗温度係数を制御できるため、比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値の小さい薄膜抵抗体を安定して製造することに寄与することができる。
【実施例】
【００３０】
（実施例１）
薄膜抵抗体はＮｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットとＳｉＣスパッタリングターゲットの同時スパッタリングにより作製した。
【００３１】
まず、電気ニッケル、電解クロムを原料とし、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．０となるようにそれぞれ秤量して、真空溶解炉により、約２ｋｇのＮｉ-Ｃｒ合金のインゴットを作製し、それぞれのインゴットについて、均質化処理をした後、ワイヤカットで厚さ５ｍｍ、直径１５０ｍｍの丸板を切り出し、上下面を研削してＮｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットとした。
【００３２】
このＮｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットとＳｉＣスパッタリングターゲット（ブリヂストン製ＰｕｒｅｂｅｔａＳ、直径１５４．２ｍｍ、厚み５ｍｍ）を、直流スパッタリング装置（アルバック製ＳＢＨ２２０６）にセットするとともに、膜を形成させる基板として、京セラ（株）製、グレード：Ａ４７６のアルミナ基板（以下、「基板」と記す。）を該装置内にセットした。
【００３３】
系内を１．０×１０-4Ｐａ以下の真空度にした後、Ａｒガス（純度：９９．９９９％）を導入して、スパッタリング圧力を０．３Ｐａとし、同時スパッタリングを行い、前記基板上に薄膜を形成した。Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力は０．６Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力は１．４６Ａとし、スパッタリング時間を調整することで、厚さ５０ｎｍの膜を形成した。スパッタリングを所定の時間だけ行った後、３０分以上冷却してからチャンバー内から薄膜が形成された基板を取り出した。なお、基板上にスパッタリングで膜を形成する前に、シャッターを閉じた状態で１０分以上プレスパッタを行った。
【００３４】
このようにして得られた実施例１の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合プラズマ発光分光分析：Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy）により定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が５０質量％、ＳｉおよびＣの含有量が５０質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．０であった。
【００３５】
基板に成膜した薄膜抵抗体を真空炉に入れ、真空中（７．０×１０-3Ｐａ以下）において、３００〜９００℃の温度範囲で１００℃間隔で温度条件を振って、３０分間の熱処理を行い、熱処理温度を変えた薄膜抵抗体サンプルを作製した。昇温速度は各熱処理温度の１０℃手前まで１０℃／分とし、その温度から、熱処理する温度までを１℃／分とした。そして、各熱処理温度で３０分間保持した。
【００３６】
真空中で熱処理をした薄膜抵抗体サンプルおよび熱処理を行わなかった薄膜抵抗体の両側に厚さ５０ｎｍのＮｉをスパッタリングにより成膜し、さらにその上に厚さ３００ｎｍのＡｕをスパッタリングにより成膜して、Ｎｉ／Ａｕ電極が形成された薄膜抵抗体サンプルを得た。この基板を大気炉に入れ、大気中で３００℃、３時間の熱処理をして、安定化処理をした。昇温速度は２９０℃までを１０℃／分とし、２９０℃から３００℃までを１℃／分とした。
【００３７】
大気炉から取り出した薄膜抵抗体サンプルについて、膜厚ｔ（ｃｍ）、長さＬ（ｃｍ）、幅Ｗ（ｃｍ）を測定し、さらに直流四端子法により抵抗Ｒ（Ω）を測定して、下記数式１から比抵抗を求めた。
【００３８】
【数１】
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【００３９】
また、抵抗体試料を恒温槽に入れ、２５℃での抵抗値Ｒ25[Ω]と１２５℃での抵抗値Ｒ125[Ω]を測定し、下記数式２から抵抗温度係数を求めた。
【００４０】
【数２】
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【００４１】
実施例１の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときの比抵抗と抵抗温度係数の測定結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
表１からわかるように、真空中での熱処理温度が３００〜９００℃の範囲では、比抵抗は、熱処理温度に大きくは依存しないものの、熱処理温度が高くなるほど大きくなる傾向が見られる。
【００４４】
これに対して、抵抗温度係数は、熱処理温度に大きく依存している。熱処理温度が低いほど抵抗温度係数は負に大きくなっており、熱処理温度が高いほど抵抗温度係数は正に大きくなっている。そして、熱処理温度が５００℃のときに抵抗温度係数の絶対値が最も小さくなっている。
【００４５】
従って、前述の条件による製造方法を用いる場合、前記組成の薄膜抵抗体は、５００℃で熱処理を施されることが好ましい。
【００４６】
（実施例２）
Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を０．６Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力を０．９８Ａとし、ＳｉおよびＣの成膜速度を実施例１よりも小さくした以外は、実施例１と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
【００４７】
得られた実施例２の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が６０質量％、ＳｉおよびＣの含有量が４０質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．０であった。
【００４８】
得られた実施例２の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときに最も抵抗温度係数が小さくなったときの熱処理温度、およびこの熱処理温度により熱処理された薄膜抵抗体の比抵抗、抵抗温度係数を表２に示す。
【００４９】
（実施例３）
Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を０．３Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力を１．３６Ａとし、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力に対するＮｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を実施例１よりも小さくした以外は、実施例１と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
【００５０】
得られた実施例３の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が３５質量％、ＳｉおよびＣの含有量が６５質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．０であった。
【００５１】
得られた実施例３の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときに最も抵抗温度係数が小さくなったときの熱処理温度、およびこの熱処理温度により熱処理された薄膜抵抗体の比抵抗、抵抗温度係数を表２に示す。
【００５２】
（実施例４）
ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１５になるようにＮｉ−Ｃｒ合金を作製し、これを用いてＮｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を０．６Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力を１．４５Ａとした以外は、実施例１と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
【００５３】
得られた実施例４の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が５０質量％、ＳｉおよびＣの含有量が５０質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１５であった。
【００５４】
得られた実施例４の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときに最も抵抗温度係数が小さくなったときの熱処理温度、およびこの熱処理温度により熱処理された薄膜抵抗体の比抵抗、抵抗温度係数を表２に示す。
【００５５】
（実施例５）
ＣｒのＮｉに対する質量比が１．１になるようにＮｉ−Ｃｒ合金を作製し、これを用いてＮｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を０．６Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力を１．４６Ａとした以外は実施例１と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
【００５６】
得られた実施例５の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が５０質量％、ＳｉおよびＣの含有量が５０質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．１であった。
【００５７】
得られた実施例５の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときに最も抵抗温度係数が小さくなったときの熱処理温度、およびこの熱処理温度により熱処理された薄膜抵抗体の比抵抗、抵抗温度係数を表２に示す。
【００５８】
（比較例１）
Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を１．０Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力を１．０５Ａとした以外は実施例１と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
【００５９】
得られた比較例１の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が７０質量％、ＳｉおよびＣの含有量が３０質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．０であった。
【００６０】
得られた比較例１の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときに最も抵抗温度係数が小さくなったときの熱処理温度、およびこの熱処理温度により熱処理された薄膜抵抗体の比抵抗、抵抗温度係数を表２に示す。
【００６１】
（比較例２）
Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を０．２Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力を１．１４Ａとした以外は実施例１と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
【００６２】
得られた比較例２の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が３０質量％、ＳｉおよびＣの含有量が７０質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が１．０であった。
【００６３】
得られた比較例２の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときに最も抵抗温度係数が小さくなったときの熱処理温度、およびこの熱処理温度により熱処理された薄膜抵抗体の比抵抗、抵抗温度係数を表２に示す。
【００６４】
（比較例３）
ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１になるようにＮｉ−Ｃｒ合金を作製し、これを用いてＮｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ｎｉ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの出力を０．６Ａ、ＳｉＣスパッタリングターゲットの出力を１．４５Ａとした以外は実施例１と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
【００６５】
得られた比較例３の薄膜抵抗体は、ＩＣＰ−ＡＥＳにより定量分析した結果、ＮｉおよびＣｒの含有量が５０質量％、ＳｉおよびＣの含有量が５０質量％であり、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１であった。
【００６６】
得られた比較例３の薄膜抵抗体について、真空中での熱処理温度を３００〜９００℃の範囲で１００℃間隔で振ったときに最も抵抗温度係数が小さくなったときの熱処理温度、およびこの熱処理温度により熱処理された薄膜抵抗体の比抵抗、抵抗温度係数を表２に示す。
【００６７】
【表２】
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【００６８】
表２からわかるように、組成について本発明の範囲内である実施例１〜５は、真空中での熱処理温度を適切に設定することで、比抵抗が５００〜３０００μΩ・ｃｍの範囲内に入り、かつ、抵抗温度係数は−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内に入っている。
【００６９】
これに対して、比較例１は、ＳｉおよびＣの含有量が３０質量％であり、本発明の下限値である４０質量％を下回っている。このため、最適な温度で真空中での熱処理を行っても、比抵抗は３５０μΩ・ｃｍであり、５００μΩ・ｃｍを下回っており、また、抵抗温度係数は５０ｐｐｍ／℃であり、−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内に入っていない。
【００７０】
比較例２は、ＳｉおよびＣの含有量が７０質量％であり、本発明の上限値である６５質量％を上回っている。このため、比抵抗は２００００μΩ・ｃｍと大きかったものの、最適な温度で真空中での熱処理を行っても、抵抗温度係数は−１５００ｐｐｍ／℃であり、−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲から大きくはずれている。
【００７１】
比較例３は、ＮｉおよびＣｒならびにＳｉおよびＣの含有量は本発明の範囲内に入っているものの、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．１であり、本発明の下限値である０．１５を下回っている。このため、最適な温度で真空中での熱処理を行っても、抵抗温度係数は１００ｐｐｍ／℃であり、−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲に入っていない。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】Ｎｉ／Ａｕ電極が形成された薄膜抵抗体サンプルの模式図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  アルミナ基板
２  薄膜抵抗体
３  Ｎｉ電極
４  Ａｕ電極
【図１】
2006313785.tif 000007