(57)【要約】【課題】反りが少なく、かつ温度サイクル試験等におけるクラックの発生を抑制した信頼性の高い半導体パッケージ用のプリント配線板の提供【解決手段】プリプレグ３枚以上と銅箔とを組み合わせ、加熱硬化してなる銅張積層板であって、銅張積層板の絶縁層の厚みが４０〜８０μｍであり、銅層と接するプリプレグのガラス織布と銅層との間の熱硬化性樹脂組成物層の厚みが３〜１５μｍである銅張積層板を使用する半導体パッケージ用プリント配線板【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリプレグ３枚以上と銅箔とを組み合わせ、加熱硬化してなる銅張積層板であって、銅張積層板の絶縁層の厚みが４０〜８０μｍであり、銅層と接するプリプレグのガラス織布と銅層との間の熱硬化性樹脂組成物層の厚みが３〜１５μｍである銅張積層板を使用する半導体パッケージ用プリント配線板
【請求項２】
銅層と接するプリプレグのガラス織布が、厚み１０〜２０μｍ、重量１０〜２０ｇ／ｍ2のガラス織布である請求項１記載の半導体パッケージ用プリント配線板
【請求項３】
熱硬化性樹脂組成物が、無機充填剤を１０〜６０重量％含有する熱硬化性樹脂組成物である請求項１または２記載の半導体パッケージ用プリント配線板
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス布基材銅張積層板を用いる半導体パッケージ用プリント配線板に関するものである。本発明で得られる半導体パッケージ用プリント配線板は、反りが少なく、また、温度サイクル試験等の信頼性試験において、高い信頼性を有することから、極薄型で小型のチップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等の半導体プラスチックパッケージ用などに好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄型の半導体パッケージに用いるプリント配線板としては、絶縁層厚さ１００〜２００μｍ程度のガラスエポキシ積層板、ＢＴレジン積層板、ポリイミドフィルム、セラミック材等の基板材料が使用されている。（例えば特許文献１参照）しかしながら、近年、より小型化、軽量化が要求される半導体パッケージにおいては、プリント配線板の厚さは、ますます薄くなってきており、絶縁層厚さ６０〜１００μｍの基板材料が用いられるようになってきている。しかし、このような絶縁層厚さ１００μｍ以下の基板材料では、反りが大きくなり易く、プリント配線板の製造工程や半導体パッケージの製造工程において、搬送等での折れ・曲がりによる破損が発生するという欠点があり、反りの少ない基板材料が要望されている。（例えば特許文献２参照）また、半導体パッケージ完成後の温度サイクル試験、吸湿耐熱試験等の信頼性試験においては、絶縁層厚さ１００μｍ以下の基板材料を用いた半導体パッケージは、絶縁層厚さの厚い基板材料を用いた半導体パッケージに比較して、基材部分にクラック（ヒビ、破断）の発生が増大するという欠点もあり、生産性、信頼性に問題を生じていた。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２８６３６２号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７５２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、上記したような課題を解決する、反りが少なく、かつ温度サイクル試験等におけるクラックの発生を抑制した信頼性の高い半導体パッケージ用のプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、かかる問題点の解決のため種々検討した結果、プリプレグ３枚以上と銅箔とを組み合わせ、加熱硬化してなる銅張積層板で、かつ銅層とガラス織布との間の樹脂組成物層の厚みが特定の厚みである銅張積層板を使用することにより、反りが少なく、温度サイクル試験や吸湿耐熱試験においてクラックの発生が低減でき、信頼性の高い半導体パッケージ用のプリント配線板が得られることを見出し本発明に到達した。すなわち本発明は、プリプレグ３枚以上と銅箔とを組み合わせ、加熱硬化してなる銅張積層板であって、銅張積層板の絶縁層の厚みが４０〜８０μｍであり、銅層と接するプリプレグのガラス織布と銅層との間の熱硬化性樹脂組成物層の厚みが３〜１５μｍである銅張積層板を使用する半導体パッケージ用プリント配線板であり、好ましくは、銅層と接するプリプレグのガラス織布が、厚み１０〜２０μｍ、重量１０〜２０ｇ／ｍ2のガラス織布である半導体パッケージ用プリント配線板であり、より好ましくは、熱硬化性樹脂組成物が、無機充填剤を１０〜６０重量％含有する熱硬化性樹脂組成物である半導体パッケージ用プリント配線板である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明で得られる半導体パッケージ用プリント配線板は、使用する銅張積層板やプリント配線板での反りが少ないことから、製造工程における搬送等での折れ・曲がりによる破損の発生が抑制される。またプリント配線板から得られる半導体パッケージの温度サイクル試験等の信頼性試験においてクラックの発生が低減され、信頼性の高い半導体パッケージが作製されることから、極薄型で小型のチップ・サイズ・パッケージ等の半導体プラスチックパッケージ用等に好適に使用される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明で使用される銅張積層板は、プリプレグ３枚以上と銅箔とを組み合わせ、加熱硬化してなる銅張積層板であって、銅張積層板の絶縁層の厚みが４０〜８０μｍであり、銅層と接するプリプレグのガラス織布と銅層との間の熱硬化性樹脂組成物層の厚みが３〜１５μｍである銅張積層板である。ガラス織布と銅層との間の樹脂組成物層の厚みは、反り低減、信頼性向上の面から、３〜１５μｍであることが必要であり、樹脂組成物層の厚みが１５μｍを超えると、樹脂組成物層とガラス織布との熱膨張率の差異によるストレスが増大し、反り増大、信頼性低下が起きる。また、樹脂組成物層の厚みが３μｍ未満の場合は、ガラス織布と銅層とに接触が起きる可能性が増大し、プリント配線板に必須の電気絶縁性が損なわれる危険性や吸湿耐熱性の低下が起こる。ガラス織布と銅層との間の樹脂組成物層の厚みは、ガラス織布の凸部と凸部とを結ぶ接線と銅層の凹凸の中心を結ぶ線との間隔を、金属顕微鏡や電子顕微鏡を用いて断面観察し、測定することで求められる。
【０００８】
本発明で使用される銅張積層板のガラス織布に用いるガラス繊維としては、Ｅ、ＮＥ、Ｎ、Ｓ、Ｄガラス等の公知のものが用いられる。ガラス単繊維の平均直径としては、好適には、５μｍ以下のものが用いられる。また、織り方としては、平織り、ななこ織り、綾織り等公知のものが使用でき、これらを開繊処理したものやシランカップリング剤などで表面処理したガラス織布が好適に使用される。ガラス織布の厚さや重量は、３枚以上のガラス織布を組み合わせた積層板の絶縁層の厚みが４０〜８０μｍの範囲となるガラス織布であれば、特に限定されないが、銅層と接するプリプレグのガラス織布は、厚み１０〜２０μｍ、重量１０〜２０ｇ／ｍ2のガラス織布であることが好適である。このガラス織布としては、具体的には、厚さ１０μｍ、重量１１ｇ／ｍ2のガラス織布（Ｃ３０００ヤーン使用、織密度８４本／２５ｍｍｘ８４本／２５ｍｍ、旭シュエーベル(株)製）、厚さ２０μｍ、重量１９ｇ／ｍ2のガラス織布（Ｃ１５００ヤーン使用、織密度７５本／２５ｍｍｘ７５本／２５ｍｍ、旭シュエーベル(株)製）、厚さ１８μｍ、重量１７ｇ／ｍ2のガラス織布（ＢＣ２２５０ヤーン使用、織密度９５本／２５ｍｍｘ９５本／２５ｍｍ、ユニチカグラスファイバー(株)製）、厚さ１４μｍ、重量１２ｇ／ｍ2のガラス織布（ＢＣ２２５０ヤーン使用、織密度７０本／２５ｍｍｘ７０本／２５ｍｍ、ユニチカグラスファイバー(株)製）等が例示される。
【０００９】
本発明で使用される銅張積層板の熱硬化性樹脂組成物に使用する樹脂としては、エポキシ樹脂、シアン酸エステル樹脂、マレイミド−シアン酸エステル樹脂、マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニレンエーテル樹脂等の公知の熱硬化性樹脂が使用可能であり、１種或いは２種類以上を適宜組み合わせることや、必要に応じて公知の硬化剤、硬化促進剤を併用することも可能である。これら熱硬化性樹脂の内、プリント配線板及び半導体パッケージにおける、耐熱性、剛性等の点からは、ガラス転移温度が１５０℃以上の熱硬化性樹脂組成物が好ましく、特に耐湿性、耐マイグレーション性、吸湿後の電気特性等の点から、シアン酸エステル樹脂を含有する熱硬化性樹組成物が好適である。
【００１０】
本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物には、無機充填剤の配合が好適であり、天然シリカ、合成シリカ、クレー、タルク、焼成タルク、天然マイカ、合成マイカ、カオリン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の公知の無機充填剤が使用できる。これら無機充填剤の平均粒子径は、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好適である。無機充填剤の配合量は、熱硬化性樹脂組成物の１０〜６０重量％である。配合量が１０重量％未満の場合は、絶縁層の弾性率が不足し、脆く、クラックが発生しやすくなる。また、配合量が６０重量％を超えると、絶縁層が硬くなり過ぎ、プリント配線板や半導体パッケージの製造時の搬送等での割れが発生しやすくなると共に、特にプリント配線板におけるメカニカルドリル加工において、ドリルビットの折損や穴加工できないという不具合が発生する。
【００１１】
本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物には、組成物本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の添加物を配合することができる。これらの添加物としては、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマー及びそのプレポリマー類；ポリブタジエン、エポキシ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量のゴム類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリ−４−メチルペンテン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＳ樹脂、スチレン−イソプレンゴム、ポリエチレン−ポリプロピレン共重合体、４フッ化エチレン−６フッ化エチレン共重合体、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンサイファイド等の高分子量プレポリマー若しくはオリゴマー、ポリウレタン等が例示され適宜使用される。また、その他、公知の有機充填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わせて用いられる。
【００１２】
本発明で使用される銅張積層板の製法は、先ず上記ガラス織布に、上記熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてＢステージ化して、好適には、ガラス布含有量２０〜７０重量％となるようにプリプレグを製造する。プリプレグの製造条件は、１００〜２００℃の乾燥機中で、１〜３０分加熱させる方法などにより、Ｂステージ化して、プリプレグを製造する方法などが例示される。次に、このプリプレグを３枚以上重ね合わせ、その上下面に銅箔を配置して、加熱・加圧下に積層成形し、銅張積層板とする。３枚以上のプリプレグの組み合わせ事例としては、同種のプリプレグを３枚以上重ねて使用するか、或いは、表層各１枚に同種のプリプレグを使用し、内層には表層と異なるプリプレグを１枚以上使用する方法等が挙げられるが、プリント配線板や半導体パッケージにおける反りの低減のためには、表層各１枚のプリプレグは同種にすることが好ましい。
【００１３】
本発明で使用される銅張積層板に使用する最外層の銅箔は、電解銅箔、圧延銅箔等の公知のものが使用できるが、特に厚さ３〜１８μｍの電解銅箔が好適に使用される。銅張積層板の積層成形条件としては、通常のプリント配線板用積層板の手法が適用でき、例えば、多段プレス、多段真空プレス、連続成形、オートクレーブ成形機などを使用し、温度：１００〜３００℃、圧力：２〜１００kgf/cm2、加熱時間：０.１〜５時間の範囲が一般的であるが、絶縁層厚みの均一化、気泡の除去等の点から、積層成形は７０mmHg以下の真空下で行うことが好ましい。
【００１４】
本発明で使用される銅張積層板における絶縁層の厚みは、４０〜８０μｍである。この絶縁層の厚みは、ガラス織布とこれに含浸させた熱硬化性樹脂組成物の積層成形後の厚みであり、上下に配置した銅層の凹凸の中心を結ぶ線と線との間隔を、金属顕微鏡や電子顕微鏡を用いて断面観察し、測定することで求められる。絶縁層の厚みが４０μｍ未満の場合には、プリント配線板や半導体パッケージの製造工程における搬送が困難となり、折れ・曲がりが頻発し、実質的に製造が困難である。厚みが８０μｍを超える場合には、半導体パッケージの小型化、軽量化の要求に対応できず、本発明の目的とは相違する。
【００１５】
上記の手法により得られた銅張積層板は、例えば、「プリント回路ハンドブック」(出版：近代科学社、Ｃ.Ｆ.クームズＪｒ.編、プリント回路学会監訳)等の公知のプリント配線板の製法に関する文献、書籍に提示されている方法に準じて、プリント配線板に加工される。具体的には、メカニカルドリル加工やレーザー加工等による孔あけ工程、無電解銅メッキ工程、電解銅メッキ工程、サブトラクティブ工法やセミアディティブ工法或いはアディティブ工法等によるパターン形成工程、ソルダーレジスト工程、外形加工工程、洗浄工程等を経て、プリント配線板に加工される。更に、こうして得られたプリント配線板は、公知の方法により、半導体パッケージに加工される、具体的には、プラズマ等での洗浄、半導体素子の搭載、搭載用樹脂の硬化、ワイヤボンディング接合、フリップチップ接合等による半導体素子とプリント配線板との電気的接続、半導体素子と電気的接続部の樹脂による保護（封止）、保護した樹脂の硬化等の工程を経て半導体パッケージに加工される。こうして得られた半導体パッケージは、温度サイクル試験等に供され、その電気的信頼性を評価される。温度サイクル試験は、半導体パッケージを−７０〜０℃程度の低温相と５０〜３００℃程度の高温相との間に、１０秒〜６０分程度の一定時間毎に暴露させる試験で、通常、１０〜１０、０００サイクル程度行われ、電気的接続性、クラックの発生等を評価する。暴露温度、サイクル数の試験条件は、半導体パッケージの用途・目的に応じて決められ、これにより、半導体パッケージの信頼性評価が下される。
【実施例】
【００１６】
（実施例１）
２、２−ビス(４−シアナトフェニル)プロパン９００部、ビス(４-マレイミドフェニル)メタン１００部を１５０℃に溶融させ、攪拌しながら４時間反応させ、プレポリマーを得た。これをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、これにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(商品名：エピコート１００１、ジャパンエポキシレジン(株)製)４００部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品名：Ｎ-６８０、大日本インキ化学工業(株)製)６００部を加え、均一に溶解混合した。更にオクチル酸亜鉛０．４部を加え、溶解混合後、焼成タルク(商品名：ＢＳＴ-３００、平均粒径３μｍ、日本タルク(株)製) １０００部、黒色顔料５部を加え、均一攪拌混合してワニスを得た。このワニスを、厚さ１８μｍ、重量１７ｇ／ｍ2の平織りＥガラス織布（商品名：Ｅ０２Ｅ-ＳＫ、ユニチカグラスファーバー(株)製）に含浸し、１５０℃で乾燥させ、ガラス布含有量が５５重量％のプリプレグを作製した。このプリプレグを３枚重ね、その上下面に厚さ１２μｍの電解銅箔を配置し、２００℃、２０kgf/cm2、３０mmHg以下の真空下で２時間積層成形し、絶縁層厚み６７μｍの銅張積層板を得た。この銅張積層板に、炭酸ガスレーザー加工機にて、直径１００μｍの貫通孔をあけた後、電解銅メッキを平均厚さ１０μｍ施し、貫通孔の電気的接続を確保した。この後、最細部で幅３０μｍとなる銅パターンをサブトラクティブ工法にて形成し、更に光硬化性樹脂ソルダーレジスト（商品名：ＰＳＲ−４０００、太陽インキ製造製）を平均厚さ４０μｍに所定のパターンにて形成した。最後に、露出している銅パターン部分に、厚さ５μｍの電解ニッケルメッキ、厚さ０.３μｍの電解金メッキを施し、半導体パッケージ用プリント配線板を作製した。（このプリント配線板は、１個の製品の大きさが１５ｘ１５ｍｍであり、上面には、半導体素子搭載用の大きさ１０ｘ１０ｍｍの正方形状の金メッキ露出部が製品中央に配置されており、下面には、直径２５０μｍの円形の金メッキ露出部（ボールパッド）が、５００μｍ毎に縦横全面に、計３６１個配置されている構造になっている。）次に、このプリント配線板の上面中央部に、大きさ１０ｘ１０ｍｍ、厚さ２５０μｍの半導体素子を、ダイボンディング用ペースト（商品名：スミレジンエクセルＣＲＭ-１５２５、住友ベークライト(株)製）にて接合し、硬化した後、その上から、半導体封止用エポキシ樹脂（商品名：ＣＶ５４０１、松下電工(株)製）層を、半導体素子上の厚さ３００μｍ、大きさ１５ｘ１５ｍｍになるように形成、硬化した。更に、プリント配線板の下面には、直径３００μｍの錫・鉛からなるハンダボールを、最高温度２３０℃となるようなハンダリフロー条件にて接合し、半導体パッケージを作製した。評価結果を表１に示す。
【００１７】
（比較例１）
実施例１において、厚さ１８μｍ、重量１７ｇ／ｍ2のガラス織布の代わりに、厚さ３３μｍ、重量３１ｇ／ｍ2の平織りＥガラス織布（商品名：Ｅ０３ＣＳＫ、ユニチカグラスファイバー(株)製）を用いる以外は実施例１と同様に行い、ガラス布含有量が７０重量％のプリプレグを作製し、このプリプレグ２枚を用いて、絶縁層厚み６５μｍの銅張積層板を作製し、この銅張積層板を使用し、実施例１と同様の方法で、プリント配線板、半導体パッケージを作製した。評価結果を表１に示す。
【００１８】
（実施例２）
ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(商品名：エピコート５０４５、ジャパンエポキシレジン(株)製)１４００部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(Ｎ-６８０)６００部、ジシアンジアミド７０部、２-エチル-４-メチルイミダゾール２部をメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解後、合成シリカ(商品名：ＦＳ-３ＤＣ、平均粒径２.９μｍ、電気化学工業(株)製)５００部を加え、均一攪拌混合してワニスを得た。このワニスを、厚さ１０μｍ、重量１１ｇ／ｍ2の平織りＥガラス織布（商品名：１００７、旭シュエーベル(株)製）に含浸し、１５０℃で乾燥させ、ガラス布含有量が４０重量％のプリプレグを作製した。このプリプレグを３枚重ね、その上下面に厚さ９μｍの電解銅箔を配置し、１８０℃、２０kgf/cm2、３０mmHg以下の真空下で２時間積層成形し、絶縁層厚み４３μｍの銅張積層板を得た。この銅張積層板を使用し、実施例１と同様の方法で、プリント配線板、半導体パッケージを作製した。評価結果を表１に示す。
【００１９】
（比較例２）
実施例２において、厚さ１０μｍ、重量１１ｇ／ｍ2のガラス織布の代わりに、厚さ３５μｍ、重量２５ｇ／ｍ2の平織りＥガラス織布（商品名：１０６、旭シュエーベル(株)製）を用いる以外は実施例１と同様に行い、ガラス布含有量が５０重量％のプリプレグを作製し、このプリプレグ１枚を用いて、絶縁層厚み４５μｍの銅張積層板を作製し、この銅張積層板を使用し、実施例１と同様の方法で、プリント配線板、半導体パッケージを作製した。評価結果を表１に示す。
【００２０】
（実施例３）
２、２−ビス(４−シアナトフェニル)プロパン９００部、ビス(４-マレイミドフェニル)メタン１００部を１５０℃に溶融させ、攪拌しながら４時間反応させ、プレポリマーを得た。これをメチルエチルケトンに溶解し、これにフェノールノボラック型エポキシ樹脂(商品名：エピクロンＮ７７０、大日本インキ化学工業(株)製)２００部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(Ｎ-６８０)８００部を加え、均一に溶解混合した。更にオクチル酸亜鉛０．２部を加え、溶解混合後、合成シリカ(商品名：ＳＦＰ-３０Ｍ、平均粒径０.７μｍ、電気化学工業(株)製) ５００部、水酸化アルミニウム(商品名：Ｂ７０３、平均粒径２μｍ、日本軽金属(株)製)２０００部を加え、均一攪拌混合してワニスを得た。このワニスを、厚さ２０μｍ、重量１９ｇ／ｍ2の平織りＥガラス織布（商品名：１０２７ＭＳ、旭シュエーベル(株)製）に含浸し、１５０℃で乾燥させ、ガラス布含有量が６０重量％のプリプレグを作製した。このプリプレグを３枚重ね、その上下面に厚さ１２μｍの電解銅箔を配置し、２００℃、２０kgf/ cm2、３０mmHg以下の真空下で２時間積層成形し、絶縁層厚み７８μｍの銅張積層板を得た。この銅張積層板を使用し、実施例１と同様の方法で、プリント配線板、半導体パッケージを作製した。評価結果を表１に示す。
【００２１】
（比較例３）
実施例３において、厚さ２０μｍ、重量１９ｇ／ｍ2のガラス織布の代わりに、厚さ４６μｍ、重量４８ｇ／ｍ2の平織りＥガラス織布（商品名：Ｅ０６ＥＳＫ、ユニチカグラスファイバー(株)製）を用いて、ガラス布含有量が４０重量％のプリプレグを作製し、このプリプレグ１枚を用いて、絶縁層厚み８０μｍの銅張積層板を作製し、この銅張積層板を使用し、実施例１と同様の方法で、プリント配線板、半導体パッケージを作製した。評価結果を表１に示す。
【００２２】
（測定・評価方法）
・絶縁層厚み：銅張積層板をダイシングソーで切断、平滑な断面を得た後、金属顕微鏡で断面を撮影し、上下に配置した銅層の凹凸の中心を結ぶ線と線との間隔を測定し、絶縁層厚みとした。（ｎ＝５の平均値）
・樹脂層厚み：銅張積層板をダイシングソーで切断、平滑な断面を得た後、金属顕微鏡で断面を撮影し、幅５ｍｍの範囲における、ガラス織布の凸部と凸部とを結ぶ接線と銅層の凹凸の中心を結ぶ線との間隔の平均値を樹脂層厚みと定め、５画像の測定における最小値、最大値を示した。
・銅張積層板の反り：サイズ２００ｘ２００ｍｍの銅張積層板を平滑な定盤上に静置し、銅張積層板と定盤表面との間隔の最大値を求めた。（ｎ＝５の平均値）
・吸湿耐熱性：片面の銅箔を除去したサイズ５０ｘ５０ｍｍの銅張積層板を、１２１℃、２気圧のプレッシャークッカー試験器で５時間処理し、２２０℃のハンダ浴に３０秒浸漬後の銅箔の膨れ等を目視にて観察した。（ｎ＝５での不良数）
・プリント配線板の反り：サイズ１５０ｘ１５０ｍｍのプリント配線板を、平滑な定盤上に静置し、プリント配線板と定盤表面との間隔の最大値を求めた。（ｎ＝５の平均値）  
・耐折性試験：ＪＩＳ Ｃ６４７１に準拠して、サイズ１５ｘ１３０ｍｍの銅張積層板に幅１ｍｍの連続した銅パターンを有するプリント配線板を作製し、曲率半径３ｍｍおいて、銅パターンが断線するまでの折曲回数を測定した。（ｎ＝３の平均値）
・クラック発生率：半導体パッケージを使用し、−６５℃/３０分と１５０℃/３０分の温度サイクル試験を１、０００サイクル繰り返した後、ハンダボール、半導体封止用エポキシ樹脂、半導体素子を機械研磨により除去し、倍率：１００倍の顕微鏡により、プリント配線板下面のボールパッド周辺のクラック発生数を観察し、［周辺にクラックのあるボールパッド数］/［全ボールパッド数］をクラック発生率（％）とした。（ｎ＝５、１８０５ボールパッド分）
【００２３】
【表１】
2006339503.tif 000002