(57)【要約】【課題】  ウェハのエッジ部の形状に影響を受けることなく、エッジ部のレジスト又はダストの除去精度を向上させる洗浄装置を提供する。【解決手段】  板状のウェハ１０を円周方向に回転させるステージ２０と、ウェハ１０のエッジ部の形状及びウェハ１０のエッジ部の濡れ性の少なくとも一方を計測する計測部５０と、計測した形状及び濡れ性の少なくとも一方を分類し、その分類結果を判断基準として、洗浄液の供給量及びウェハ１０を円周方向に回転させる回転速度を決定する制御部６０と、供給量によりウェハ１０の裏面１４に洗浄液を供給する洗浄液供給部４０とを備える。【選択図】      図１
2006339364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状のウェハのエッジ部の形状を計測するステップと、
前記計測した形状を分類し、該分類の結果を判断基準の一つとして洗浄液の供給量と前記ウェハを円周方向に回転させる回転速度を決定するステップと、
洗浄液を前記供給量により前記ウェハの裏面に供給し、前記回転速度で前記ウェハを回転して遠心力により前記エッジ部の斜面に前記洗浄液を供給し、前記ウェハの裏面及びエッジ部を洗浄するステップ
とを含むことを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
前記ウェハのエッジ部の濡れ性を計測するステップを更に含み、
前記供給量と前記回転速度を決定するステップは、計測した前記濡れ性を判断基準の一つに加えることを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
円板状のウェハを円周方向に回転させるステージと、
前記ウェハのエッジ部の形状及び前記ウェハのエッジ部の濡れ性の少なくとも一方を計測する計測部と、
前記計測した形状及び濡れ性の少なくとも一方を分類し、該分類結果を判断基準として、洗浄液の供給量及び前記ウェハを円周方向に回転させる回転速度を決定する制御部と、
前記供給量により前記ウェハの裏面に前記洗浄液を供給する洗浄液供給部
とを備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】
前記ウェハの表面にガスを供給する表面側供給部を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記計測部と前記ステージの間にシャッターを更に備えることを特徴とする請求項３又は４に記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置等の円板状のウェハを用いる種々の電子装置の製造工程で使用される洗浄装置に関し、特にウェハを回転させてエッジ部及び裏面の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程におけるフォトリソグラフィ工程では、半導体ウェハ上にレジスト膜を塗布するレジスト塗布処理が行われる。
【０００３】
レジスト塗布処理は、通常、スピンコート法で行われる。スピンコート法の手順としては、回転させたウェハの中心にレジスト液が供給され、遠心力によってウェハ表面全面に拡散される。そして、半導体ウェハの回転速度が調節され、半導体ウェハ上のレジスト液の膜厚が調節される。このときに、レジスト液がレジスト膜形成予定位置をはみ出し、半導体ウェハのエッジ部及び裏面にまで付着してしまう場合がある。半導体ウェハのエッジ部及び裏面に付着したレジスト液を除去するために、半導体ウェハを回転させたまま、例えば半導体ウェハの裏面に洗浄液が供給され、半導体ウェハのエッジ部及び裏面の洗浄処理が行われる（例えば、特許文献１参照。）。洗浄処理の終了後、更に半導体ウェハの回転が継続され、半導体ウェハの裏面に付着した洗浄液を振り切る半導体ウェハの乾燥処理が行われる。こうしてレジスト塗布処理が終了し、半導体ウェハ上に所定膜厚のレジスト膜が形成される。
【０００４】
また、半導体製造工程におけるロット処理中に、処理装置又は半導体ウェハから発生したダストが半導体ウェハに付着する場合がある。発生したダストのうち半導体ウェハのエッジ部及び裏面に付着したダストは、レジストの除去と同様に、半導体ウェハを回転させながら洗浄液を半導体ウェハ裏面側から供給することにより除去される。
【０００５】
しかしながら、半導体ウェハのエッジ形状は、メーカー間、半導体ウェハ間でのばらつきが大きく、半導体ウェハのエッジ部に付着したレジスト又はダストの除去が不完全となり残存してしまうことがある。レジストが半導体ウェハのエッジ部に残存してしまうと、半導体ウェハ搬送時にロボットアーム等との接触によるパーティクル発生が問題となる。そして、ダストが半導体ウェハのエッジ部に残存してしまうと、ダストが半導体ウェハ表面側のデバイス領域に回り込み、キラー欠陥となり歩留まり低下を招くという問題となる。一方で、エッジ部でのレジスト及びダストの残存を避けるが故、洗浄液を多量に供給した場合には、半導体ウェハ表面のデバイス領域まで洗浄液が回り込んでしまい、デバイス領域に形成されたレジスト膜の塗布領域が狭まり、デバイス領域を狭めてしまう問題もある。
【０００６】
同様な問題は、半導体装置の製造に限定されるわけではなく、液晶表示装置、磁気記録媒体、超伝導素子等種々の電子デバイスの製造においても同様である。
【特許文献１】特開平２−１９８１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ウェハのエッジ部の形状に影響を受けることなく、エッジ部のレジスト又はダストの除去精度を向上させる洗浄方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の特徴は、円板状のウェハのエッジ部の形状を計測するステップと、計測した形状を分類し、その分類の結果を判断基準の一つとして洗浄液の供給量とウェハを円周方向に回転させる回転速度を決定するステップと、洗浄液を供給量によりウェハの裏面に供給し、回転速度でウェハを回転して遠心力によりエッジ部の斜面に洗浄液を供給し、ウェハの裏面及びエッジ部を洗浄するステップとを含む洗浄方法であることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第２の特徴は、円板状のウェハを円周方向に回転させるステージと、ウェハのエッジ部の形状及びウェハのエッジ部の濡れ性の少なくとも一方を計測する計測部と、計測した形状及び濡れ性の少なくとも一方を分類し、その分類結果を判断基準として、洗浄液の供給量及びウェハを円周方向に回転させる回転速度を決定する制御部と、供給量によりウェハの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給部とを備える洗浄装置であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウェハのエッジ部の形状に影響を受けることなく、エッジ部のレジスト又はダストの除去精度を向上させる洗浄方法及び洗浄装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１２】
尚、以下に説明する洗浄装置は半導体装置の製造に用いる場合に関して説明するが、半導体装置は例示であり、円板状のウェハを用い、且つ、ウェハのエッジ部に斜面を有するのであれば、半導体装置以外の液晶表示装置、磁気記録媒体用ヘッド、超伝導素子等種々の電子デバイスの製造における洗浄工程に適用可能であることは勿論である。ここで円板状とは、半導体ウェハで周知のようにオリフラ（オリエンテーションフラット）と称される切り欠き部を円周の一部に備えていても良いことは勿論である。
【００１３】
（洗浄装置）
本発明の実施の形態に係る洗浄装置は、図１に示すように、円板状のウェハ１０を円周方向に回転させるステージ２０と、ウェハ１０のエッジ部の形状及びウェハ１０のエッジ部の濡れ性の少なくとも一方を計測する計測部５０と、計測した形状及び濡れ性の少なくとも一方を分類し、その分類結果を判断基準として、洗浄液の供給量及びウェハ１０を円周方向に回転させる回転速度を決定する制御部６０と、供給量によりウェハ１０の裏面１４に洗浄液を供給する洗浄液供給部４０とを備える。ここで「ウェハ１０」としては、半導体装置の場合にはシリコン（Ｓｉ）ウェハやガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ウェハ等の半導体ウェハが対応するが、ジョセフソン素子等の超伝導素子の場合は超伝導材料ウェハが対応し、その他セラミック基板等を含めて種々の円板状の材料に適用可能である。また、ウェハ１０は、始めはウェハメーカーから提供される原材料としてのウェハで、製造工程の進行と共に、随時その表面に新たな被膜等が形成され、「新たなウェハ」に変化するものであり、現在対象とする処理プロセスがなされるウェハという意味に定義される。実施の形態に係る洗浄装置は、回転軸２４の垂直延長方向、つまりウェハ１０の中心上方に表面側供給部３０を更に備える。表面側供給部３０は、例えばウェハ１０の表面１２中心部にノボラック系感光剤を主成分とするレジスト液を供給する。また、表面側供給部３０は、ウェハ１０の表面１２にガスを吹き付ける。
【００１４】
ステージ２０は、回転軸２４を介して駆動モータ２２の回転駆動が伝えられるので、回転軸２４を中心とした回転駆動が可能である。また、ステージ２０は、真空チャック等を備えていてウェハ１０を保持する。ステージ２０へのウェハ１０の保持は、ステージ２０の回転中心とウェハ１０の中心を一致させる。ステージ２０の直径は、ウェハ１０の直径より小さく形成されているのが一般的であり、ウェハ１０の裏面１４の中心部分のみがステージ２０に載置されるようになっている。
【００１５】
洗浄液供給部４０は、ウェハ１０の下方に配置され、ウェハの裏面１４に向けて洗浄液を噴出する。表面側供給部３０から供給する洗浄液は、レジストを溶解するシンナー、シクロヘキサノン、及びγ−ブチルラクトン等の有機溶剤類、及びウェハ１０に付着した洗浄液を洗い流すための超純水等のリンス液などを用いることができる。また、洗浄液として、ウェハ１０に付着したダストを洗浄するためのアンモニア水溶液（ＮＨ4ＯＨ）、塩酸（ＨＣｌ）、フッ化水素（ＨＦ）、コリン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）、オゾン（Ｏ3）水等の洗浄薬液、又はこれらの洗浄薬液を組み合わせた混合液を用いることもできる。
【００１６】
計測部５０は、ＣＣＤカメラ等のイメージセンサや音波アレイセンサ等で、図２に示すようなウェハ１０のエッジ部の形状を計測することが可能なセンサである。計測部５０によって計測するエッジ部の箇所は、図２に示すように、エッジ部１６の斜面の半径方向の表面側長さＬｆ及び裏面側長さＬｂ、エッジ部１６の平坦領域の長さＡ、表面１２と斜面の交差する角度Ｂｆ、裏面１４と斜面の交差する角度Ｂｂ等である。また、計測部５０は、図３に示すようなウェハ１０のエッジ部に付着した純水等の液体の盛り上がりの高さを計測することが可能である。計測部５０は、図１に示したように１つのセンサでエッジ部１６の半径方向の表面側長さＬｆとエッジ部に付着した液体の盛り上がりの高さを計測できるものでも良いし、別々に計測するものでも良い。計測部５０がエッジ部１６の表面側長さＬｆ及びエッジ部に付着した液体の盛り上がりの高さを計測した結果は、信号として制御部６０に送信される。計測部５０とウェハ１０の間には、飛散したレジスト及び洗浄液等が計測部に付着するのを防止するためにシャッター５２を設けることが好ましい。シャッター５２は、計測部５０が計測するときのみ開く開閉式であったり、透光性材料等で形成されていて計測の妨げにならない構造であればどのような構造でも構わない。
【００１７】
制御部６０は、分類部６２と決定部６４を備える。分類部６２は、計測部５０から送信される信号により得られるエッジ部１６の形状の計測結果を判断基準としていくつかのグループからなる分類のいずれのグループに属するか選別する。
【００１８】
グループ毎にはそれぞれ、予めエッジ部１６の形状に対応する最適な洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度の情報が設定されている。決定部６４は、いずれのグループに属するかにより、洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度を決定する。
【００１９】
例えば、表面側長さＬｆを判断基準として第１の分類のグループに選別する場合は、図４に示すように、グループＡ：１００μｍ≦Ｌｆ≦１７０μｍ、グループＢ：１７０μｍ＜Ｌｆ＜２５０μｍ、グループＣ：２５０μｍ≦Ｌｆ≦３００μｍの３つのグループに分類する。図５のグラフには、レジスト膜除去用洗浄液の噴出量一定のときのエッジ部１６の表面側長さＬｆのグループ毎のウェハ回転速度とレジスト除去エリアの関係を示す。図５をもとにして、エッジ部１６の表面側長さＬｆのグループ毎の最適なウェハ回転速度は決定される。図５に示すようにグループＣに選別されたウェハ１０は、１２００ｒｐｍではエッジ部のレジスト残存がなく、デバイス領域のレジスト除去もない。しかし、１５００ｒｐｍ以上ではエッジ部にレジストが残存し、１０００ｒｐｍ以下ではデバイス領域のレジストが除去されてしまう。つまり、図５のグラフから最適なウェハ回転数は、グループＡでは７００ｒｐｍ、グループＢでは１０００ｒｐｍ、グループＣでは１２００ｒｐｍとそれぞれ決定される。ウェハ回転数の決定と同様にレジスト膜除去用の洗浄液の噴出量もエッジ部１６のグループ毎に最適条件が異なる。
【００２０】
また、図６のグラフは、洗浄液の噴出量一定のときエッジ部１６の表面側長さＬｆのグループ毎のウェハ回転速度と洗浄エリアの関係を示す。図６をもとにして、エッジ部の斜面の表面側長さＬｆのグループ毎の最適なウェハ回転速度は決定される。図６に示すようにグループＣに選別されたウェハ１０は、８００ｒｐｍではエッジ部のダスト残存がなく、デバイス領域への洗浄薬液の回り込みもない。しかし、１０００ｒｐｍ以上ではエッジ部にダストが残存し、６００ｒｐｍ以下ではデバイス領域に洗浄液が回り込んでしまう。つまり、図６のグラフから最適なウェハ回転数は、グループＡでは５００ｒｐｍ、グループＢでは６００ｒｐｍ、グループＣでは８００ｒｐｍとそれぞれ決定される。ウェハ回転数の決定と同様に洗浄液の噴出量もエッジ部１６のグループ毎に最適条件が異なる。したがって、エッジ部１６の形状によってウェハ回転数と洗浄液の噴出量を制御することでエッジ部における洗浄エリアの位置精度を安定に保つことが可能となる。
【００２１】
また、分類部６２は、計測部５０から送信される信号により得られるエッジ部の液体の盛り上がり高さからエッジ部の濡れ性Ｈを決定し、濡れ性Ｈを判断基準として第２の分類中のグループのいずれに属するか選別する。第２の分類のグループの例として例えば、濡れ性Ｈの判定値は、H ≧ ５００μｍのときは疎水性グループ、H ＜ ５００μｍのときは親水性グループとする。第２の分類のグループ毎に、予めエッジ部の濡れ性Ｈに対応する最適な洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度の情報が設定されている。決定部６４は、第２の分類中のグループのいずれに属するかにより、洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度を決定する。
【００２２】
（洗浄方法）
本発明の実施の形態に係る洗浄装置を用いたウェハ１０のレジストの洗浄方法を図７のフローチャートを参照しながら説明する。
【００２３】
（イ）ステップＳ１０１において、図１のウェハ１０がウェハ搬送用ロボット（図示せず）によって、ステージ２０上に搬送される。ウェハ１０は、真空チャック等でステージ２０に固定される。そして、ウェハ１０の表面１２上に表面側供給部３０からレジスト液を供給して、ステージ２０を回転させることでウェハ１０上にレジスト膜を塗布する。
【００２４】
（ロ）ステップＳ１０２において、計測部５０を用いて、ウェハ１０の表面１２側のエッジ部１６の表面側長さＬｆを計測する。エッジ部１６の表面側長さＬｆは、例えば数箇所の計測を行って、その平均値をとることが好ましい。計測された結果は、信号として制御部６０に送信される。
【００２５】
（ハ）ステップＳ１０３において、制御部６０は送信されたエッジ部１６の表面側長さＬｆを判断基準として第１の分類中のグループのいずれに属するか選別する。第１の分類中のグループ毎に予めエッジ部１６の表面側長さＬｆに対応する最適な洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度の情報が設定されていて、いずれのグループに分類されたかによって、洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度が決定される。
【００２６】
（ニ）ステップＳ１０４において、制御部６０によって決定された回転速度になるようにウェハ１０を回転させる。そして、回転しているウェハ１０の裏面１４に向けてレジストの洗浄液であるシンナーを噴出する。噴出する洗浄液は、制御部６０によって決定された供給量だけ裏面１４に供給される。裏面１４に供給された洗浄液は、遠心力でウェハ１０のエッジ部へと拡散する。エッジ部へと拡散することで、ウェハ１０のエッジ部及び裏面１４に付着したレジストが除去される。
【００２７】
（ホ）ステップＳ１０５において、ウェハ１０のエッジ部及び裏面１４の洗浄処理が終了した後、エッジ部及び裏面１４に付着した洗浄液を振り切るウェハ１０の乾燥処理が行われる。
【００２８】
（ヘ）ステップＳ１０６において、ウェハ１０は、ウェハ搬送ロボット（図示せず）でベーク機構（図示せず）に搬送され、加熱処理される。こうしてレジスト塗布処理工程におけるレジスト洗浄が終了し、ウェハ１０上のデバイス領域にのみ所定膜厚のレジスト膜が形成される。
【００２９】
形態に係る洗浄装置を用いるレジストの洗浄方法として、エッジ部１６の表面側長さＬｆを判断基準としたが、判断基準は表面側長さＬｆに限定されないのは当然である。裏面側長さＬｂを計測して判断基準にしても良いし、表面側長さＬｆと裏面側長さＬｂを計測して組み合わせて判断基準にしても良い。又、平坦領域の長さＡと角度Ｂｆ、角度Ｂｂを計測してそれぞれ組み合わせて判断基準にしても良い。更に、平坦領域の長さＡ、表面側長さＬｆ、裏面側長さＬｂ、角度Ｂｆ、及び角度Ｂｂをそれぞれ計測して、それぞれを適宜組み合わせることによって判断基準にしても構わない。つまり、計測する箇所を増やして判断基準として適宜組み合わせことによって、高い精度で分類することができる。
【００３０】
本発明の実施の形態に係る洗浄装置を用いるレジストの洗浄方法によれば、エッジ部１６の形状によって最適な回転速度とレジスト膜除去用の洗浄液の供給量を制御することが可能なので、エッジ部にレジストが残存しにくい。また、洗浄液を多量に供給して、ウェハ表面のデバイス領域まで洗浄液が回り込んでしまい、デバイス領域に形成された素子及びレジスト膜等を除去してデバイス領域を狭めてしまうことがないウェハの洗浄を行うことができる。
【００３１】
（変形例１）
本発明の実施の形態の変形例１に係るレジストの洗浄方法は、計測部５０でウェハ１０のエッジ部にレジストが残存しているかをモニタする点が異なる。他は図１に示した洗浄装置と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００３２】
変形例１としての洗浄方法は、図８のフローチャートに示すように、ステップＳ１０４のレジスト除去工程の後に、ステップＳ１０７が更に含まれる。ステップＳ１０７においては、ＣＣＤカメラ等の計測部５０でウェハ１０のエッジ部のレジスト膜の残存をモニタする。モニタした結果は、信号として制御部６０に送信される。制御部６０では、送信された信号からエッジ部のレジストの残存を判断する。レジストの残存がない場合は、ステップＳ１０５の高温ベーキング工程に移行する。もし、レジストの残存が認められた場合は、ステップＳ１０４へ移行しレジスト除去工程をやり直す。
【００３３】
（変形例２）
本発明の実施の形態の変形例２に係るウェハ１０のダストの洗浄方法を図９のフローチャートを参照しながら説明する。
【００３４】
（イ）まず、ステップＳ２０１において、ウェハ１０がウェハ搬送用ロボット（図示せず）によって、ステージ２０上に搬送される。ウェハ１０は、真空チャック等でステージ２０に固定される。そして、計測部５０を用いて、ウェハ１０の表面１２側のエッジ部１６の表面側長さＬｆを計測する。エッジ部１６の表面側長さＬｆは、例えば数箇所の計測を行って、その平均値をとることが好ましい。計測された結果は、信号として制御部６０に送信される。
【００３５】
（ロ）ステップＳ２０２において、制御部６０は送信されたエッジ部１６の表面側長さＬｆを判断基準として第１の分類中のグループのいずれに属するか選別する。第１の分類中のグループ毎に予めエッジ部１６の表面側長さＬｆに対応する最適な洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度の情報が設定されていて、いずれのグループに分類されたかによって、洗浄液である洗浄薬液とリンス液の供給量、及びそれぞれを供給するときのウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度が決定される。
【００３６】
（ハ）ステップＳ２０３において、制御部６０によって決定された回転速度になるようにウェハ１０を回転させる。そして、回転しているウェハ１０の裏面１４に向けてフッ素系薬液等の洗浄薬液を噴出する。噴出する洗浄薬液は、制御部６０によって決定された供給量だけ裏面１４に供給される。裏面１４に供給された洗浄薬液は、遠心力でウェハ１０のエッジ部へと拡散する。エッジ部へと拡散ことで、ウェハ１０のエッジ部及び裏面１４に付着したダストを除去する。
【００３７】
（ニ）ステップＳ２０４において、制御部６０によって決定された回転速度になるようにウェハ１０を回転させる。そして、回転しているウェハ１０の裏面１４に向けて超純水等のリンス液を噴出する。噴出するリンス液は、制御部６０によって決定された供給量だけ裏面１４に供給される。裏面１４に供給されたリンス液は、遠心力でウェハ１０のエッジ部へと拡散する。エッジ部へと拡散ことで、ウェハ１０のエッジ部及び裏面１４に付着した洗浄薬液を除去する。
【００３８】
本発明の実施の形態の変形例２に係るダストの洗浄方法によれば、エッジ部１６の形状によって最適な回転速度及び洗浄薬液とリンス液の供給量を制御することが可能なので、エッジ部にダストが残存しにくい。また、洗浄薬液とリンス液を多量に供給して、ウェハ表面のデバイス領域まで洗浄液が回り込んでしまい、デバイス領域に形成された素子及びレジスト膜等を除去してデバイス領域を狭めてしまうことがないウェハ１０の洗浄を行うことができる。
【００３９】
（変形例３）
本発明の実施の形態に変形例３に係る洗浄装置は、図１０に示すように、図１に示した洗浄装置と比して、表面側供給部３０と制御部６０が接続されている点が異なる。他は図１に示した洗浄装置と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００４０】
表面側供給部３０は、窒素（Ｎ2）等のガスをウェハ１０の表面１２に吹き付ける。ウェハ１０の表面１２に吹き付けられるガスは、裏面１４からデバイス領域に回り込む洗浄液の侵入を防ぐ。
【００４１】
制御部６０に備える決定部６４は、計測部５０から送信される信号から計測したエッジ部１６の表面側長さＬｆ及びエッジ部の濡れ性Ｈの少なくとも一方を判断基準として第１の分類中及び第２の分類中のいずれのグループに属するか選別し、洗浄液の供給量、ウェハ１０を円周方向に回転させる回転速度、及び表面側供給部３０から吹き付けるガスの風量を決定する。ここで決定されるガスの風量は、デバイス領域をガスが覆っている状態に保っていることができる風量である。制御部６０は、ガスの風量の情報を表面側供給部３０に送信する。
【００４２】
実施の形態の変形例３に係る洗浄装置によれば、表面側供給部３０から供給されるガスの風量を制御して、ガスがデバイス領域を覆っていることにより、デバイス領域に洗浄液が回り込むことを防ぐことができる。
【００４３】
（変形例４）
実施の形態の変形例４に係るダストの洗浄方法は、図１１に示すように、図９のフローチャートで示したダストの洗浄方法と比して、ウェハ１０のエッジ部の濡れ性を計測する点が異なる。他は図９に示したダストの洗浄方法と実質的に同様であるので、重複した記載を省略する。
【００４４】
まず、図１１に示すようにステップＳ２１１において、ウェハ１０がウェハ搬送用ロボット（図示せず）によって、ステージ２０上に搬送される。ウェハ１０は、真空チャック等でステージ２０に固定される。そして、洗浄液供給部４０からウェハ１０に純水を噴射して、図３に示すように、ウェハ１０の裏面１４及びエッジ部に付着させる。計測部５０を用いて、ウェハ１０の表面１２側のエッジ部１６の表面側長さＬｆと、エッジ部に付着した純水の盛り上がりの高さを計測する。計測された結果は、信号として制御部６０に送信される。
【００４５】
次に、制御部６０は送信されたエッジ部１６の表面側長さＬｆを判断基準として第１の分類中のグループのいずれに属するか選別する。更に制御部６０は、エッジ部の水の盛り上がり高さから得られるエッジ部の濡れ性Ｈを判断基準として第２の分類中のグループのいずれに属するか選別する。第１の分類中及び第２の分類中のグループ毎に予めエッジ部１６の長さ及びエッジ部の濡れ性Ｈに対応するそれぞれ最適な洗浄液の供給量とウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度の情報が設定されていて、いずれのグループに分類されたかによって、洗浄液である洗浄薬液とリンス液の供給量、及びそれぞれを供給するときのウェハ１０の円周方向に回転させる回転速度が決定する。
【００４６】
実施の形態の変形例４に係る洗浄装置を用いるダストの洗浄方法によれば、エッジ部１６の形状、及びエッジ部の濡れ性によって最適な回転速度及び洗浄薬液とリンス液の供給量を制御することが可能なので、エッジ部にダストが残存しにくい。また、洗浄薬液とリンス液を多量に供給して、ウェハ表面のデバイス領域まで洗浄液が回り込んでしまい、デバイス領域に形成された素子及びレジスト膜等を除去してデバイス領域を狭めてしまうことがないウェハの洗浄を行うことができる。
【００４７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
【００４８】
例えば、図１に示す洗浄装置は、計測部５０が１つであるように記載されているが、計測部５０は１つに限られず複数の計測部５０で計測しても構わない。
【００４９】
上記において、半導体装置を例示したが、半導体装置に限定される必要はなく、半導体装置以外に液晶表示装置、磁気記録媒体用ヘッド、超伝導素子等種々の電子デバイスの製造に適用可能である。
【００５０】
尚、洗浄処理を行うウェハ１０は、半導体製造装置の場合には半導体ウェハが対応するが、磁気記録媒体用ヘッドであれば磁性材料を含む基板でもよく、ジョセフソン素子等の超伝導素子の場合は超伝導材料ウェハが対応するように種々の材料に適用可能である。
【００５１】
又、実施の形態において洗浄装置にウェハ１０を保持する方法として真空チャック方式を記載したが、真空チャック方式に限られるわけではなく、ウェハエッジ保持方式を採用しても構わない。
【００５２】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態に係る洗浄装置の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る洗浄装置でエッジ部の斜面の形状で計測する箇所を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る洗浄装置で液体の盛り上がりの高さを計測するときの例を示すウェハの断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄装置でエッジ部の斜面の長さをもとに分類するグループの例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を用いたときのウェハ回転速度とレジスト除去エリアの関係を示すグラフである。
【図６】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を用いたときのウェハ回転速度と洗浄エリアの関係を示すグラフである。
【図７】本発明の実施の形態に係るレジストの洗浄方法を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第１の変形例に係るレジストの洗浄方法を示すフローチャートである。
【図９】本発明の第２の変形例に係るダストの洗浄方法を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第３の変形例に係る洗浄装置の模式図である。
【図１１】本発明の第４の変形例に係るレジストの洗浄方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５４】
１０…ウェハ
１２…表面
１４…裏面
１６…エッジ部
２０…ステージ
２２…駆動モータ
２４…回転軸
３０…表面側供給部
４０…洗浄液供給部
５０…計測部
５２…シャッター
６０…制御部
６２…分類部
６４…決定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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