(57)【要約】【課題】光源からの放射光を偏向させられる光偏向器を提供する。【解決手段】放射状に進む光を偏向させる光偏向器において、第１の有効屈折率を有する周辺領域と、前記第１の有効屈折率とは異なる第２の有効屈折率を有する所定の形状の偏向パターン領域とが境界をなして構成されるが、前記所定の形状の偏向パターン領域により、放射状に進む光は特定の点から出発して進むように偏向させられる光偏向器を提供する。【選択図】図２ａ
2006113578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射状に進む光を偏向させる光偏向器において、
第１の有効屈折率を有する周辺領域と、
前記第１の有効屈折率とは異なる第２の有効屈折率を有する所定の形状の偏向パターン領域とが境界をなして構成されるが、
前記所定の形状の偏向パターン領域により、放射状に進む光は特定の点から出発して進むように偏向させられることを特徴とする光偏向器。
【請求項２】
前記第２の有効屈折率の変化により、前記特定の点は移動することを特徴とする請求項１記載の光偏向器。
【請求項３】
前記移動する特定の点は直線あるいは閉曲線の軌跡を有することを特徴とする請求項２記載の光偏向器。
【請求項４】
前記放射状の進行光を生成するために、第３の有効屈折率を有する円形パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の光偏向器。
【請求項５】
前記第３の有効屈折率は、第１の屈折率と同一であることを特徴とする請求項４記載の光偏向器。
【請求項６】
下部クラッド層、上部クラッド層およびコア層を有する光導波路に設けられる光偏向器において、
第１の有効屈折率を有する周辺領域と、
前記第１の有効屈折率とは異なる第２の有効屈折率を有する所定の形状の偏向パターン領域とが境界をなして構成されるが、
前記偏向パターン領域により、前記放射状の進行光は特定の点から出発して進む方向に偏向させられることを特徴とする光偏向器。 
【請求項７】
前記周辺領域と前記所定の形状の偏向パターン領域は、各領域のコア層に加えられる電流の差によって区分けされることを特徴とする請求項６記載の光偏向器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射光を偏向させるための光偏向器に関する。
【背景技術】
【０００２】
光偏向器は、ＣＤプレーヤまたは磁気光学ディスクドライバーなどでデータへのアクセス時間を早めるために使われ、レーザプリンター、スキャナ、ディスプレイ素子においても使われる。光の方向を変える光偏向器の代表的なものとしては、プリズムが挙げられる。プリズムは、通常、自由空間(Free space)において平行光(Collimating beam)に対して多用される。
【０００３】
プリズムタイプの光偏向器は、光導波路のタイプにも作製され、その素材としては、シリカ系、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ＩｎＰ、ＬｉＴａＯ３、ポリマーなどが使われる。ここで、光導波路タイプの偏向器とは、縦方向(Vertical direction)に光を導波させると共に、横方向(Lateral direction)に光を偏向させる構造を有するものを言う。 
【０００４】
光が偏向させられる原理は、特定のパターンにて光が伝播(propagation)するときに、外部からの電気信号に基づいてパターン内の媒質の屈折率(refractive index)を変え、屈折率の変化領域と不変領域との間の境界面における入射角による屈折特性に基づく。
【０００５】
一方、導波路を介して横方向に放射する光の偏向特性は、光スイッチ、アレイ導波路格子(Arrayed waveguide grating)、凹面格子(Concave grating)など各種の光素子に活用でき、光源とのモノリシック集積(Monolithic integration)が可能なので、素子が極めてコンパクトになる。従来の技術による導波路タイプの光偏向器については、下記の非特許文献に詳細に開示されている。例えば、非特許文献１では、ビームの伝播特性の波動光学的な解析を通じて導波路タイプの偏向器により光が偏向させられることを示しており、非特許文献２では、偏向器の製作後にガスレーザ（Ｈｅ−Ｎｅ、６３５ｎｍ）を用いての光偏向の特性が実験的に示している。
【０００６】
しかしながら、このような構造を有する従来の光偏向器は、入射光が平行光である場合に限って適用が可能であり、放射する光に対しては適用が困難である。以下、添付した図面に基づき、従来の技術による不具合について詳細に説明する。図１ａおよび図１ｂは、従来の技術による光偏向きから見られる光偏向の特性を示すものである。
【０００７】
図１ａは、光導波路を介して伝達されて三角形の偏向器２０に入射する光が平行光であるときの偏向特性を示しており、これを参照すると、全ての光は境界面と同じ入射光を有するため、同じ角度にて屈折して偏向させられる。ｎ１の有効屈折率を有する領域５でｘ方向に平行に進む光が、ｎ２の有効屈折率を有する所定のパターンの偏向器により偏向させられる。ここで、有効屈折率とは光導波路の有効屈折率(effective refractive index)を意味し、導波路内におけるコア層媒質の屈折率の変化により有効屈折率が変わることになる。
【０００８】
図１ｂは、光導波路１０を介して伝達されて三角形の偏向器２０に入射する光が点Ｏから放射する光であるときの偏向特性を示している。ここで、点Ｏから放射する光をＡ、偏向器パターン内の光をＢ、偏向器パターンを通過した後の光をＣとする。放射光Ａは屈折率ｎ１とｎ２との間の境界を通過し、スネルの法則により光はθ２に屈折する。光Ｂはさらにｎ２とｎ１との間の境界面を通過しつつθ３からθ４へと屈折し、結果として、２回の屈折を経て光Ｃとなる。このため、図１ｂの場合、それぞれの放射光は、境界面への入射角が相異なるため、屈折光の方向も相異なる結果となる。
【０００９】
非特許文献３では、シリコン基板上にポリマ−(Polymer) 光導波路を作って、e-beam lithography方法で三角形の電極を作った後電極に電圧を加えて熱を発生させる熱光学効果を利用して進行する光の方向を変化させる方法を使用した。
【００１０】
特許文献１では、光の方向を変化させるために光学効果(Accosto-optic effect)を利用した素子に入力される信号の周波数を調節することで、1次回折光の方向を変化させて1次回折光を偏向された光で利用する構造を開始している。
【００１１】
このように、従来の技術による偏向器は、放射光に対しては向いていないという不具合があった。
【００１２】
【非特許文献１】ＩＥＥＥ Journal of Lightwave Technology、vol.１３、no.１５、Oct.１９９５．
【非特許文献２】ＩＥＥＥ Journal of Lightwave Technology、vol.１２、no.８、Aug.１９９４．
【非特許文献３】ＩＥＥＥ Photonics Technology Letters、vol.１３、no. ５、May. ２００１．
【特許文献１】米国特許公開第４，８７２，７４６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光源からの放射光を偏向させられる光偏向器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の第１側面によれば、放射状に進む光を偏向させる光偏向器において、第１の有効屈折率を有する周辺領域と、前記第１の有効屈折率とは異なる第２の有効屈折率を有する所定の形状の偏向パターン領域とが境界をなして構成されるが、前記所定の形状の偏向パターン領域により、放射状に進む光は特定の点から出発して進むように偏向させられる光偏向器を提供する。
【００１５】
望ましくは、第２の有効屈折率の変化により前記特定の点は移動し、前記移動する特定の点は直線あるいは閉曲線の軌跡を有する。
【００１６】
一方、放射状の進行光を生成するために、第３の有効屈折率を有する円形パターンをさらに含むことができる。
【００１７】
本発明の第２の側面によれば、下部クラッド層、上部クラッド層およびコア層を有する光導波路に設けられる光偏向器において、第１の有効屈折率を有する周辺領域と、前記第１の有効屈折率とは異なる第２の有効屈折率を有する所定の形状の偏向パターン領域とが境界をなして構成されるが、前記偏向パターン領域により、前記放射状の進行光は特定の点から出発して進む方向に偏向させられる光偏向器を提供する。
【００１８】
望ましくは、前記周辺領域と前記所定の形状の偏向パターン領域は、各領域のコア層に加えられる電流の差によって区分けされる。 
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る偏向器パターンは、放射光に対して偏向を行うものであり、外部からの電気信号に基づいてパターン内の屈折率を変えることにより、偏向光の光源の位置を仮想的に移動させることができる。
【００２０】
このように、屈折率の変化による光源の位置が直線、円、楕円、放物線など各種の形状を描いて移動可能にパターンの軌跡を用いると、光スイッチ、アレイされた光導波路の格子(Arrayed waveguide grating)、凹面格子(Concave grating)など各種の光通信用および光処理素子に活用できるという効果がある。 
【００２１】
また、本発明は、光源からの放射光に対して偏向器として使えるパターンの構造を提案しており、提案されたパターン構造を解析するためのモデリング方法及び幾つかの具体的なパターン構造をも提示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付した図面に基づき、本発明の好適な実施例に係る光偏向器について詳細に説明する。しかし、本発明の実施例は各種の形態に変形でき、本発明の範囲は後述する実施例によって限定されるものではない。本発明の実施例は、当業者に本発明をより完全に理解させるために提供されるものである。
【００２３】
図２ａは、本発明の第１の実施例に係る光偏向器を説明するための概要図である。
【００２４】
図２ａを参照すると、本発明の第１の実施例に係る光偏向器は、第１の有効屈折率ｎ１を有する周辺領域３０と、他の有効屈折率である第２の有効屈折率ｎ２を有することにより、境界ｆ（ｘ）を形成する所定の形状の偏向パターン領域２０とからなる。この光偏向器によれば、入力導波路１０を介して入射した光が放射されるとき、所定の偏向パターンの境界ｆ（ｘ）により特定の点（ａ、ｂ）から出発して進むように偏向させられる。一方、第２の有効屈折率ｎ２の変化により特定の点（ａ、ｂ）の位置は変わる。すなわち、第２の有効屈折率の変化により、所定の偏向パターン領域２０を通過した光の仮想の光源（ａ、ｂ）は、限られた区間内に直線、円などの任意の軌跡を描くことができる。各領域における“有効屈折率”とは、媒質の屈折率ではなく、導波路の有効屈折率である。有効屈折率は媒質の屈折率とは異なり、導波路の固有のモード(eigen-mode)であり、導波路の幅、コア層の厚さ、コア層の屈折率が変われば、有効屈折率も変わる。参考までに、入力導波路１０の有効屈折率と入力導波路の外側における有効屈折率は、積層されている物質が同じであっても、導波路の厚さが異なるために相異なる場合がある。
【００２５】
所定の形状を有する偏向パターン領域２０の境界を形成する軌跡ｙ＝ｆ（ｘ）を求める方法は、次の通りである。軌跡ｙ＝ｆ（ｘ）のｘ切片をｑとし、任意の放射光ｙ=ｍｘ｛ｍ＝ｔａｎ（θm）とｙ＝ｆ（ｘ）との交点における軌跡ｙ＝ｆ（ｘ）の接線の勾配をｔ｛＝ｔａｎ（−θt）｝とする。ここで、放射光と軌跡の接線に直交する法線とがなす角をθ１（入射角）としたとき、下記式１が得られる。
【００２６】
【数１】
2006113578.tif 000003
【００２７】
ここで、図２における１四分面の交点から明らかなように、接線の勾配ｔは負の値を有し、θｔは正の角で示されるスカラーであるため、上記式１が得られるのである。一方、上記式１の両辺にタンジェントを取れば、下記式２が得られる。
【００２８】
【数２】
2006113578.tif 000004
【００２９】
ここで、ｍ(＝ｙ／ｘ)とｔａｎ（θ２）はｘ、ｙの変数であり、ｔａｎ（−θ１）は軌跡ｙ＝ｆ（ｘ）の接線の勾配ｔであるためにｙの１次微分ｙ’であり、結局、ｘに対する１次微分方程式となる。一方、上記図２におけるθ１は偏向光の屈折角であり、偏向光（点線）は仮想の原点（ａ、ｂ）を通過するとすれば、下記式３で表わされる。
【００３０】
【数３】
2006113578.tif 000005
【００３１】
ここで、θ１とθ２はスネルの法則（ｎ１ｓｉｎθ１＝ｎ２ｓｉｎθ２）を満足し、θ１をθ２に対して整理すれば、下記式４で表わされる。
【００３２】
【数４】
2006113578.tif 000006
【００３３】
軌跡ｆ（ｘ）は、上記式４により得られるｔａｎ（θ２）を上記式２に代入し、初期値がｑ、０となる微分方程式を解けば得られる。上記のｆ（ｘ）を求める方法について、上記式４のｔａｎ（θ１）は平方根(square root)の内外にあるために直接的に解き難く、上記式２の微分方程式の通常解はｘとｙが結合されているために解析解(analytic solution)により表わし難い。このため、上記式４は ｔａｎ（θ２）に対して自己矛盾(self-consistent)を用いて数値的(numerical)に解き、上記式２はルンゲ・クッタ法(Runge-Kutta Method)により軌跡を得た。数値解析は、当業界における通常の方式を用いる。
【００３４】
一方、半導体の光導波路の構造においては、印加電流により有効屈折率が増減可能である。これは、入射光の波長に対するコア層のバンドギャップエネルギーによるが、通常、入射光の波長エネルギーに比べてコア層のバンドギャップエネルギーが高くなるようにコア層の組成物質を用いることにより、電流の印加により有効屈折率が下げられる。このようにコア層の組成物質を用いる理由は、コア層のバンドギャップエネルギーが入射光の波長エネルギーに比べて高いほど、光損失が減るためである。しかし、光損失が減るにつれて屈折率の変化も抑えられるため、屈折率の変化量に鑑みて好適に設計することが望ましい。
【００３５】
このため、本発明の図２ａにおいて、軌跡を求めるための数学的なモデルは、ｎ１＞ｎ２の場合を例にとって示したが、上記条件とは逆にｎ１＜ｎ２の場合には、軌跡のタイプが変わりうる。しかし、解析過程は同じである。
【００３６】
一方、上述した数学的なモデルにおいて、放射光と軌跡との交点における接線の勾配ｔが負数である場合について開示しているが、正数の場合にも成り立つ。この場合、θｔに対するθｍと θ１の関係の変化により（上記式１および２の変化）軌跡のタイプが変わることもある。上述した内容についてのｙ＝ｆ（ｘ）の概略的な形状は、図２ｂに示してある。
【００３７】
また、図２における解析モデルは光が左側から右側へと放射する場合についての例示であるが、右側から左側へと放射する場合には軌跡のタイプは変わり、このとき、軌跡がｙ軸に対して対称になるということが予測できる。
【００３８】
図３は、本発明の第２の実施例に係る光偏向器を説明するための概念図である。
【００３９】
図３を参照すると、本発明の第２の実施例に係る光偏向器は、偏向パターン領域２０と入力導波路１０との間に放射状の進行光を生成するために第３の有効屈折率を有する円形のパターン領域４０をさらに含む。この円形のパターン領域４０は、原点Ｏから放射される光が有効屈折率ｎ３とｎ２との間の境界を有する半円（ｘ２＋ｙ２＝ｒ２、ｘ＞０）を通過するとき、放射光と円の接線が常に直交するため、入射角が０となって屈折が起こらない。一方、この円形のパターン領域４０の第３の有効屈折率は、第１の有効屈折率と同様にできる。円形のパターン領域４０により放射される光は、有効屈折率ｎ３とｎ２との間の境界を有する半径ｒの円を通過し、この境界を通過するときには屈折が起こらない。通過した光は、さらに軌跡ｆ（ｘ）を示す境界を通過しつつ屈折し、このとき、屈折した光は、常に仮想の原点（ａ、ｂ）を通過することになる。
【００４０】
すなわち、第２の実施例と第１の実施例とを比較すれば、第２の実施例の場合は放射光を形成する目安となる原点が偏向パターン領域２０の外部に形成されている。これに対し、第１の実施例の場合は、放射光を形成する目安となる原点が偏向パターン領域２０の内部もしくは境界線に形成されるため、第２の実施例における円形のパターン領域４０を別に備えなくても良い。
【００４１】
図４は、本発明に係る光偏向器をＩｎＰ系の物質を用いて実際に実現した例を示す断面図であって、図３のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００４２】
図４を参照すると、本発明に係る光偏向器は、ｎ型金属層１００、ｐ型金属層１７０、上部クラッド層１３０、１４０、コア層１２０および下部クラッド層１１０を備える。ここで、符号１５０は絶縁層である。
【００４３】
ｎ型金属層１００は、例えば、Ｃｒ−Ａｕからなり、ｐ型金属層１７０は、導電性を高めるために、例えば、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕからなる。ＩｎＧａＡｓ金属コンタクト層１８０は、ｐ型金属層１７０と上部クラッド層１３０、１４０との間の円滑な電気伝導のために高濃度にてｐドープされている。ＩｎＰ上部クラッド層１３０、１４０は、図４に示すように、ｎ型とｐ型に別々にドープされており、ｐドープされたＩｎＰとｎドープされたＩｎＰとの間の境界は、図３における偏向パターンの境界となる。ＩｎＰ（３〜５族）にｐまたはｎドープを行うために、例えば、４族（Ｓｉ、Ｇｅ）または６族の元素をソースとして用いる。
【００４４】
このような構造において、ドープとは無関係にクラッド層１１０、１３０、１４０の媒質屈折率は、入射光が１．５５μｍのときにいずれも約３．１７となる。ＩｎＧａＡｓＰコア層１２０は未ドープ状態であり、かつ、ＧａとＡｓが加えられることによりクラッド層１１０、１３０、１４０に比べて媒質の屈折率が相対的に高くなっているため、光はＩｎＧａＡｓＰコア層１２０に導かれる。
【００４５】
このような構造において、電流の未印加状態では、導波路の有効屈折率が特定の値を有する。ここでは、有効屈折率がｎ１であるとする。これに対し、電流が印加される場合、通常のｐ−ｎ接合の順方向バイアスに該当するため、電流はｐ型金属層１７０、金属コンタクト層１８０、上部クラッド層１３０、１４０、ＩｎＧａＡｓＰコア層１２０、下部クラッド層１１０およびｎ型金属層１００へと順次に流れる。
【００４６】
ここで、上部クラッド層１３０、１４０内に印加された電流は、ｐドープされたＩｎＰとｎドープされたＩｎＰとの間の電位バリアにより、偏向器パターン内のｐドープされたＩｎＰだけに流れる。このような構造により、電流は偏向器パターン内にのみ印加され、コア層内の偏向器パターンの媒質の屈折率は変わる。このため、コア層の媒質の屈折率の変化により、偏向器パターン内の有効屈折率は、ｎ１からｎ２へと変わる。
【００４７】
上述した構造においては、偏向器パターンを上部クラッド層に形成するのに代えて、電極または金属コンタクト層を偏向器パターンとして形成する構造が使われうる。しかし、電極または金属コンタクト層を偏向器パターンに形成する場合、電流は上部クラッド層に広がってしまうため、活性層に達する電流のパターンは偏向器パターンとは異なってき、その結果、図４における構造に比べて効率的にならない可能性がある。一方、図４における構造は、電極または金属コンタクト層としての偏向器パターンとは無関係にコア層の真上の上部クラッド層に偏向器パターンが形成されており、パターン内にのみ電流が流れてコア層に入り込むため、安定した光偏向特性が得られる。
【００４８】
一方、入射光の波長が１．５５μｍである場合、ＩｎＧａＡｓＰ物質において、通常、電流の印加により媒質の屈折率は最大約０．０５程度下がる。しかし、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ物質において入射光の波長が異なる場合、あるいはＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ物質の他に半導体光素子に使われる他の物質（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓなど）においては、電流の印加による屈折率の変化量が異なり、電流の印加による屈折率の変化の他に、電圧または電気光学、音響光学効果により屈折率が増減する場合がある。
【００４９】
（シミュレーション）
図３における構造を用いてシミュレーションを行った。図５ａおよび図５ｂは、図３における構造をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【００５０】
図５ａを参照すると、解析に当たり、軌跡のｘ切片が２００μｍであり、ｎ１＝３．２３、ｎ２＝３．１８、（ａ、ｂ）は（０、−１０μｍ）であり、かつ、屈折光の軌跡を線にて描いた。図５ａにおいて、実線は媒質内の屈折率が変化していない場合（ｎ１＝３．２３）の軌跡であり、点線はパターン内の屈折率が変化したとき（ｎ２＝３．１８）の軌跡である。図５ａを点０の近くで拡大して示す図５ｂを参照すると、パターンを通過しながら屈折した光は（０、−１０μｍ）に集束されるということが分かる。図５ｃは、図３における構造に対し、偏向パターン内の屈折率ｎ１が３．２３から３．１８へと０．０１ずつ下がる場合の偏向光を示しており、偏向光の光源の位置が（０、０）から（０、−１０μｍ）へとｙ軸に沿って仮想的に移動するということが分かる。
【００５１】
一方、偏向光の光源の位置（ａ、ｂ）が直線ではない任意の軌跡に沿って移動するようにｆ（ｘ）を設計することができる。具体例として、偏向光の光源の位置が、中心が（ｃ１=３００μｍ、ｃ２＝−４００μｍ）、半径Ｒが５００μｍである円を通過するようにｆ（ｘ） を求めることができる。上記媒質の屈折率がｎ１＝３．２３、ｎ２＝３．１８である場合、光源のｘ地点（ａ）を−１０μｍとすれば、
【数５】
2006113578.tif 000007
であるため、ｂは約−７．７μｍとなる。このような構造についての解析の結果を図６ａおよび図６ｂに示す。この結果から明らかなように、偏向光の光源は、半径Ｒが５００μｍである円に沿って仮想的に移動する。
【００５２】
一方、以上では直線と円の場合を例に取って示しているが、楕円、双曲線などｘ−ｙ座標における任意の軌跡に対しても同様な結果が得られる。一方、上記ｙ＝ｆ（ｘ）を解析するための図２における軌跡は、接線の勾配が正数である場合に対しても成り立ち、ｙ軸に対称となる構造に対しても成り立つということは言うまでもない。
【００５３】
（比較例）
図７は、三角形の偏向パターンからの放射光が偏向させられる現象をシミュレーションした結果を示すグラフであり、横が３００μｍ、縦が３００μｍ（ｂ＝４５°）、境界線のｘ切片が２００μｍである三角形パターンと媒質の屈折率がそれぞれｎ１＝３．２３、ｎ２＝３．１８の構造に対する光偏向特性を示す。図７を参照すると、実線は媒質内の屈折率が変化していない場合（ｎ１＝３．２３）の偏向光の軌跡であり、点線はパターン内の屈折率が変化している場合（ｎ２＝３．１８）の偏向光の軌跡である。
【００５４】
図７を点０の近くで拡大してみれば、偏向された光は一点に集束されないということが分かる。この場合、放射光が偏向器パターンを通過する場合、パターン内の屈折率の変化により屈折は行われるものの、パターン通過後に光を回帰させたときに一点に集束されないために偏向器としては向いていない。
【００５５】
一方、上述した実施例においては、偏向器パターンの内部と外部の物質が同じであり、単に偏向器パターンの内部に電気信号を印加してパターン内のコア層の媒質の屈折率を変えることにより、有効屈折率を変えるような構造を例にとって本発明を説明したが、本発明は、このような特定の方式に限定されないことは言うまでもない。
【００５６】
以上、本発明を具体的な実施例を挙げて詳細に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の技術的な思想内であれば、当業者にとってその変形や改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１ａ】従来の技術に係る光偏向器の光偏向特性を示す図である。
【図１ｂ】従来の技術に係る光偏向器の光偏向特性を示す図である。
【図２ａ】本発明の第１の実施例に係る光偏向器を説明するための概念図である。
【図２ｂ】本発明の第１の実施例に係る光偏向器を説明するための概念図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る光偏向器を説明するための概念図である。
【図４】本発明に係る光偏向器の実際の実現例を示す断面図である。
【図５ａ】図３の構造をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図５ｂ】図３の構造をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図５ｃ】図３の構造をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図６ａ】図５の解析の結果を示すグラフである。
【図６ｂ】図５の解析の結果を示すグラフである。
【図７】本発明の比較例に基づき、三角形の偏向パターンから放射された光が偏向させられる現象をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５８】
１０    入力導波路
２０    偏向パターン領域
３０    周辺領域
ｎ１    第１の有効屈折率
ｎ２    第２の有効屈折率
【図１ａ】
2006113578.tif 000008
【図１ｂ】
2006113578.tif 000009
【図２ａ】
2006113578.tif 000010
【図２ｂ】
2006113578.tif 000011
【図３】
2006113578.tif 000012
【図４】
2006113578.tif 000013
【図５ａ】
2006113578.tif 000014
【図５ｂ】
2006113578.tif 000015
【図５ｃ】
2006113578.tif 000016
【図６ａ】
2006113578.tif 000017
【図６ｂ】
2006113578.tif 000018
【図７】
2006113578.tif 000019