(57)【要約】【課題】  大容量のフラッシュメモリを用いても、小容量単位での書込みに対する処理速度の低下を防ぐことのできるメモリカードを提供する。【解決手段】  書込みデータ単位の大きい大容量フラッシュメモリと、書込みデータ単位の小さい小容量フラッシュメモリと、前記大容量フラッシュメモリ及び前記小容量フラッシュメモリを制御するコントローラとを備え、大容量フラッシュメモリのページサイズ未満のデータを書込む際には、小容量フラッシュメモリへデータを書込むようにする。【選択図】      図１
2006018591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書込みデータ単位の大きい大容量フラッシュメモリと、
書込みデータ単位の小さい小容量フラッシュメモリと、
前記大容量フラッシュメモリ及び前記小容量フラッシュメモリを制御するコントローラとを備える、
ことを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
請求項１に記載のメモリカードにおいて、
前記小容量フラッシュメモリは、
前記大容量フラッシュメモリ内のデータ及び該小容量フラッシュメモリ内のデータに関する論物変換情報を保持する管理領域を有する、
ことを特徴とするメモリカード。
【請求項３】
請求項１に記載のメモリカードにおいて、
前記小容量フラッシュメモリは、
ＦＡＴ（File Allocation Tables）データのみを保持するデータ領域を有する、
ことを特徴とするメモリカード。
【請求項４】
請求項１に記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラは、
ホストから送られるデータの先頭セクタを前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとに転送し、ホストから１セクタのみの転送であった場合には前記小容量フラッシュメモリに書込みを行ない、ホストから連続してデータが送られる場合には前記大容量フラッシュメモリに書込みを行なう、
ことを特徴としたメモリカード。
【請求項５】
請求項４記載のメモリカードにおいて、
前記コントローラからの前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとへのデータバスを共用する、
ことを特徴としたメモリカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリカードに関し、特に、書換え可能なフラッシュメモリを有するものに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
昨今、コンピュータ等の電子機器で用いられるデータを記憶させておく外部記憶装置として、書換え可能な不揮発性メモリを用いた主としてカード形態の記憶装置の使用が広がっている。
【０００３】
このメモリカードにおける記憶手段である不揮発性メモリの代表的なものにフラッシュメモリがある。フラッシュメモリに保持するデータはブロック単位で管理され、フラッシュメモリのデータの消去はブロック単位で行なわれる。また、各ブロックは複数のページからなる。このページは、フラッシュメモリへのデータの読出し・書込みの最小単位である。（一般にフラッシュメモリの消去とは全ビットを“１”とする処理を示し、書込みとは指定ビットを“０”とする処理を示す。）したがって、ホストから要求されたデータの書込みの対象領域がページの一部である場合には、書き換える必要のないデータが当該書き換え処理に巻き込まれないようにするために、一旦当該ページのデータを読出して該当部分を書込みデータで置き換え、その置き換え後のデータを当該ページに書込むという巻き込み退避処理を行なう必要がある。同様に、ホストから要求されたデータの読出しの対象領域がページの一部である場合には、当該ページのデータを読出し、そこから該当部分のデータを選択してホストに送出する。
【０００４】
また、各ページはデータとは別に冗長部を有しており、この冗長部に、当該ページに割り当てられている論理アドレスに関した情報や、データの訂正符号を保持する。ここで、各ページにはフラッシュメモリ内で一意な物理アドレスが割り当てられており、コントローラはフラッシュメモリにコマンドを送る際に、物理アドレスを指定することで、処理を制御することができる。
【０００５】
ホストからメモリカードに対しデータアクセスを行なう際には、ホストはセクタと呼ばれるデータサイズでデータを取り扱う。また、ホストからのデータは、フラッシュメモリ上で保持される際には、フラッシュメモリの管理単位である物理ブロックのサイズに合わせて、論理ブロックという単位で管理される。この論理ブロックは一般的に複数のセクタから構成される。各セクタには論理的な順番である論理アドレスが付加されており、ホストはメモリカードに論理アドレスを指定することにより、データ処理の制御を行なう。
【０００６】
図９は、一般的なメモリカードで実施されているデータ管理手法における論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を示す図である。
【０００７】
メモリカードへ書込まれている論理ブロックは、フラッシュメモリ内の物理ブロックと１対１で対応付けられ、管理されている（ただし、未書込みの論理ブロックに対しては対応した物理ブロックは存在しない）。そして、複数の論理ブロック（ここではＭ個）をまとめて論理セグメントが構成され、物理ブロック（ここではＮ個）をまとめて物理セグメントが構成される。ここで、ある論理セグメントは１つの物理セグメントに割り当てられ、当該論理セグメントを構成する論理データは、特定の物理セグメントで管理される領域に保持される（物理ブロックには不良ブロックも存在するため、一般にＭ＜Ｎ）。よって、フラッシュメモリ内に保持する論理ブロックと物理ブロックとの対応情報（以下、論物変換情報と記す）は物理セグメント単位で管理されることになる。
【０００８】
図１０は、従来のメモリカードを示すブロック図である。
図１０に示されるように、メモリカード１０４は、フラッシュメモリ１０２と、フラッシュメモリ１０２の制御を行なうコントローラ１０３とから構成される。また、フラッシュメモリ１０２は、論物変換情報を保持する管理領域１０２１と、論理アドレスに割当てられるデータを保持する領域１０２２とから構成される。また、１０１はメモリカード１０４に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
【０００９】
以上のように構成された従来のメモリカードにおけるデータ処理の一例として、以下にホスト機器１０１からのデータの書込み時の処理手順について説明する。
【００１０】
図１１は、従来のメモリカードにおける書込み処理のフローチャートである。
まず、ホスト機器１０１がコントローラ１０３に書込み命令を出す（Ｓ１１−１）。ホスト機器１０１からの書込み命令を受けたコントローラ１０３は、フラッシュメモリ１０２のデータ領域１０２２に対して書込み命令を出す（Ｓ１１−２）。フラッシュメモリ１０２の書込み処理終了を判断し（Ｓ１１−３）、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、フラッシュメモリ１０２のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する（Ｓ１１−４）。
【００１１】
Ｓ１１−４にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、フラッシュメモリ１０２への書込みデータサイズがページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない（Ｓ１１−５）、その後、論物変換情報を保持する管理領域１０２１に論物変換情報の書込みを行なう（Ｓ１１−６）。また、Ｓ１１−４にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、Ｓ１１−５の巻き込み退避処理を行なわずにＳ１１−６の書込みを行なう。
【００１２】
その後、フラッシュメモリ１０２の書込み処理が終了したかを判断し（Ｓ１１−７）、処理が終了すれば、ホスト機器１０１へデータ書込み完了の合図を送る（Ｓ１１−８）。
【００１３】
このように、従来のメモリカードは、１枚のフラッシュメモリ、もしくは同種の複数枚のフラッシュメモリを有し、各々のフラッシュメモリ内にデータ領域と、ホストから見た論理アドレスとフラッシュメモリ内の物理アドレスとを対応付ける論物変換情報を保持する領域とを持っていた（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−１４２７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
メモリカードに使用されるフラッシュメモリは近年大容量化が進んでおり、この大容量化にあたり、消去単位であるブロックサイズや書込み単位であるページサイズが大きくなる傾向にある。
【００１５】
ページサイズが大きくなれば、ページサイズ以下での書込みを行なう際に巻き込み退避処理を行なう必要があるため、メモリカードの処理速度が低下してしまうという問題があった。
【００１６】
また、フラッシュメモリにデータ部分と論物変換情報部分とを別途に書込むケースにおいても、ページサイズの大容量化に伴いフラッシュメモリの書込み処理時間が増加するため、論物変換情報部分の書込み時のオーバーヘッドが大きくなり、やはりメモリカード自体の処理速度が低下してしまうという問題があった。
【００１７】
本発明は、上述のような従来の問題点を解決するためになされたものであり、大容量のフラッシュメモリを用いても、小容量単位での書込みに対する処理速度の低下を防ぐことのできるメモリカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の請求項１に係るメモリカードは、書込みデータ単位の大きい大容量フラッシュメモリと、書込みデータ単位の小さい小容量フラッシュメモリと、前記大容量フラッシュメモリ及び前記小容量フラッシュメモリを制御するコントローラとを備えるものである。
【００１９】
本発明の請求項２に係るメモリカードは、請求項１に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、前記大容量フラッシュメモリ内のデータ及び該小容量フラッシュメモリ内のデータに関する論物変換情報を保持する管理領域を有するものとしたものである。
【００２０】
本発明の請求項３に係るメモリカードは、請求項１に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、ＦＡＴデータのみを保持するデータ領域を有するものとしたものである。
【００２１】
本発明の請求項４に係るメモリカードは、請求項１に記載のメモリカードにおいて、前記コントローラが、ホストから送られるデータの先頭セクタを前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとに転送し、ホストから１セクタのみの転送であった場合には前記小容量フラッシュメモリに書込みを行ない、ホストから連続してデータが送られる場合には前記大容量フラッシュメモリに書込みを行なうものとしたものである。
【００２２】
本発明の請求項５に係るメモリカードは、請求項４記載のメモリカードにおいて、前記コントローラからの前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとへのデータバスを共用するものとしたものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の請求項１に係るメモリカードは、書込みデータ単位の大きい大容量フラッシュメモリと、書込みデータ単位の小さい小容量フラッシュメモリと、前記大容量フラッシュメモリ及び前記小容量フラッシュメモリを制御するコントローラとを備え、大容量フラッシュメモリのページサイズ未満のデータを書込む際に小容量フラッシュメモリを用いるようにしたので、小容量単位での書込みに対する処理速度を向上させることができるという効果がある。
【００２４】
本発明の請求項２に係るメモリカードは、請求項１に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、前記大容量フラッシュメモリ内のデータ及び該小容量フラッシュメモリ内のデータに関する論物変換情報を保持する管理領域を有するものとし、大容量フラッシュメモリのページサイズ以下の論物変換情報データを小容量フラッシュメモリへ書込むようにしたので、論物変換情報データの書込み時間を短縮し、実効速度を向上させることができるという効果がある。
【００２５】
本発明の請求項３に係るメモリカードは、請求項１に記載のメモリカードにおいて、前記小容量フラッシュメモリが、ＦＡＴデータのみを保持するデータ領域を有するものとし、ＦＡＴ領域の書替え処理に小容量フラッシュメモリを用いて巻き込み退避処理を行なわないようにしたので、実効速度を向上させることができるという効果がある。
【００２６】
本発明の請求項４に係るメモリカードは、請求項１に記載のメモリカードにおいて、前記コントローラが、ホストから送られるデータの先頭セクタを前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとに転送し、ホストから１セクタのみの転送であった場合には前記小容量フラッシュメモリに書込みを行ない、ホストから連続してデータが送られる場合には前記大容量フラッシュメモリに書込みを行なうものとしたので、１セクタ単位での書込み時間を短縮し、実効速度を向上させることができるという効果がある。
【００２７】
本発明の請求項５に係るメモリカードは、請求項４記載のメモリカードにおいて、前記コントローラからの前記大容量フラッシュメモリと前記小容量フラッシュメモリとへのデータバスを共用するものとしたので、コントローラの接続端子を増やすことなく、実効速度を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１によるメモリカードを示すブロック図である。
図１に示されるように、メモリカード１４は、大容量フラッシュメモリ１２と、小容量フラッシュメモリ１５と、大容量フラッシュメモリ１２及び小容量フラッシュメモリ１５を制御するコントローラ１３とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ１２は、論物変換情報を保持する管理領域１２１と論理アドレスに割当てられるデータを保持するデータ領域１２２とから構成され、小容量フラッシュメモリ１５は、論物変換情報を保持する管理領域１５１と論理アドレスに割当てられるデータを保持する領域１５２とから構成される。また、１１はメモリカード１４に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
【００２９】
また、大容量フラッシュメモリ１２は、ページサイズが２ＫＢｙｔｅに対して、書込み処理時間が６００ｕｓ程度で、小容量フラッシュメモリ１５は、ページサイズが５１２Ｂｙｔｅに対して、書込み処理時間が２００ｕｓ程度であり、コントローラ１３は、ホスト機器１１からのデータの書込み処理の際に、５１２Ｂｙｔｅ単位のデータは小容量フラッシュメモリ１５に書込むよう制御する。
【００３０】
このような本実施の形態１のメモリカードは、５１２Ｂｙｔｅ単位でのデータの書換えに対して小容量フラッシュメモリを使用するようにしたので、小容量単位での書込みに対する処理速度を向上させることができる。
【００３１】
（実施の形態２）
図２は、本発明の実施の形態２によるメモリカードを示すブロック図である。
図２に示されるように、メモリカード２４は、大容量フラッシュメモリ２２と、小容量フラッシュメモリ２５と、大容量フラッシュメモリ２２及び小容量フラッシュメモリ２５を制御するコントローラ２３とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ２２は、論理アドレスに割当てられるデータを保持するデータ領域２２２で構成され、小容量フラッシュメモリ２５は、論物変換情報を保持する管理領域２５１で構成される。また、２１はメモリカード２４に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
【００３２】
また、大容量フラッシュメモリ２２は、ページサイズが２ＫＢｙｔｅに対して、書込み処理時間が６００ｕｓ程度で、小容量フラッシュメモリ２５はページサイズが５１２Ｂｙｔｅに対して、書込み処理時間が２００ｕｓ程度であり、コントローラ２３は、書込みデータサイズが可変するデータは大容量フラッシュメモリ２２のデータ領域２２２に書込み、一書込みデータサイズが２ＫＢｙｔｅ以下である論物変換データは小容量フラッシュメモリ２５の管理領域２５１に書込むよう制御する。
【００３３】
以上のように構成されたこの本実施の形態２によるメモリカードにおけるデータ処理の一例として、ホスト機器２１からのデータの書込み時の処理手順について説明する。
【００３４】
図３は、本発明の実施の形態２によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。
【００３５】
まず、ホスト機器２１がコントローラ２３に書込み命令を出す（Ｓ３−１）。ホスト機器２１からの書込み命令を受けたコントローラ２３は、大容量フラッシュメモリ２２のデータ領域２２２に対して書込み命令を出す（Ｓ３−２）。大容量フラッシュメモリ２２の書込み処理終了を判断し（Ｓ３−３）、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、大容量フラッシュメモリ２２のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する（Ｓ３−４）。
【００３６】
Ｓ３−４にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ２２への書込みデータサイズが大容量フラッシュメモリ２２のページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない（Ｓ３−５）、その後、小容量フラッシュメモリ２５の論物変換情報を保持する管理領域２５１に論物変換情報の書込みを行なう（Ｓ３−６）。また、Ｓ３−４にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、Ｓ３−５の巻き込み退避処理は行なわずにＳ３−６の書込みを行なう。
【００３７】
その後、小容量フラッシュメモリ２５の書込み処理終了を判断し（Ｓ３−７）、処理が終了すれば、ホスト機器２１へデータ書込み完了の合図を送る（Ｓ３−８）。
このような本実施の形態２のメモリカードは、大容量フラッシュメモリのページサイズ以下の論物変換情報データを小容量フラッシュメモリへ書込むようにしたので、論物変換情報データの書込み時間を短縮し、実効速度を向上させることができる。
【００３８】
（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３によるメモリカードを示すブロック図である。
図４に示されるように、メモリカード４４は、大容量フラッシュメモリ４２と、小容量フラッシュメモリ４５と、大容量フラッシュメモリ４２及び小容量フラッシュメモリ４５を制御するコントローラ４３とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ４２は、ＦＡＴ（File Allocation Tables）以外のデータが保持されるデータ領域４２１で構成され、小容量フラッシュメモリ４５は、論物変換情報を保持する管理領域４５１とＦＡＴデータが保持されるデータ領域４５２とから構成されている。また、４１はメモリカード４４に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
【００３９】
また、大容量フラッシュメモリ４２は、ページサイズが２ＫＢｙｔｅに対して、書込み処理時間が６００ｕｓ程度で、小容量フラッシュメモリ４５はページサイズが５１２Ｂｙｔｅに対して、書込み処理時間が２００ｕｓ程度であり、コントローラ４３は、一度での書込みデータサイズが変化するデータは大容量フラッシュメモリ４２のデータ領域４２１に書込み、一度での書込みデータサイズ５１２ＢｙｔｅであるＦＡＴ領域は小容量フラッシュメモリ４５のデータ領域４５２に書込むよう制御する。
【００４０】
以上のように構成されたこの本実施の形態３によるメモリカードにおけるデータ処理の一例として、ホスト機器４１からのデータの書込み時の処理手順について説明する。
【００４１】
図５は、本発明の実施の形態３によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。
【００４２】
まず、ホスト機器４１がコントローラ４３に書込み命令を出す（Ｓ５−１）。ホスト機器４１からの書込み命令を受けたコントローラ４３は、ホスト機器４１からの書込みがＦＡＴ領域を対象としたものであるかどうかを判断する（Ｓ５−２）。
【００４３】
Ｓ５−２にてホスト機器４１からの書込みがＦＡＴ領域に対するものでないと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ４２のデータ領域４２２に対してホスト機器４１からのデータに対して書込み命令を出す（Ｓ５−３）。大容量フラッシュメモリ４２の書込み処理終了を判断し（Ｓ５−４）、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、大容量フラッシュメモリ４２のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する（Ｓ５−５）。
【００４４】
Ｓ５−５にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ４２への書込みデータサイズが大容量フラッシュメモリ４２のページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない（Ｓ５−６）、その後、小容量フラッシュメモリ４５の論物変換情報を保持する管理領域４５１に論物変換情報の書込みを行なう（Ｓ５−９）。また、Ｓ５−５にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、Ｓ５−６の巻き込み退避処理を行なわずにＳ５−６の書込みを行なう。
【００４５】
また、Ｓ５−２にてホスト機器４１からの書込みがＦＡＴ領域に対するものであると判断した場合は、小容量フラッシュメモリ４５のデータ領域４５２に対してホスト機器４１からのデータに対して書込み命令を出す（Ｓ５−７）。その後、小容量フラッシュメモリ４５の書込み処理終了を判断し（Ｓ５−８）、書込み処理が終了すれば、Ｓ５−９の書込みを行なう。ここで、小容量フラッシュメモリ４５のページサイズは５１２Ｂｙｔｅであるため、巻き込み退避処理は発生しない。
【００４６】
その後、小容量フラッシュメモリ４５の書込み処理終了を判断し（Ｓ５−１０）、処理が終了すれば、ホスト機器４１へデータ書込み完了の合図を送る（Ｓ５−１１）。
【００４７】
このような本実施の形態３のメモリカードは、ＦＡＴ領域の書替え処理に小容量フラッシュメモリを用いて巻き込み退避処理を行なわないようにしたので、実効速度を向上させることができる。
【００４８】
（実施の形態４）
図６は、本発明の実施の形態４によるメモリカードを示すブロック図である。
図６に示されるように、メモリカード６４は、大容量フラッシュメモリ６２と、小容量フラッシュメモリ６５と、大容量フラッシュメモリ６２及び小容量フラッシュメモリ６５を制御するコントローラ６３とから構成される。また、大容量フラッシュメモリ６２は、データが保持されるデータ領域６２１で構成され、小容量フラッシュメモリ６５は、論物変換情報を保持する管理領域６５１とデータが保持されるデータ領域６５２とから構成されている。また、６１はメモリカード６４に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
【００４９】
また、大容量フラッシュメモリ６２は、ページサイズが２ＫＢｙｔｅに対して、書込み処理時間が６００ｕｓ程度で、小容量フラッシュメモリ６５はページサイズが５１２Ｂｙｔｅに対して、書込み処理時間が２００ｕｓ程度であり、コントローラ６３は、ホスト機器６１から１セクタ単位で送られるデータは小容量フラッシュメモリ６５のデータ領域６５２に書込み、ホスト機器６１から連続して送られるデータは大容量フラッシュメモリ６２のデータ領域６２２に書込むよう制御する。
【００５０】
以上のように構成されたこの本実施の形態４によるメモリカードにおけるデータ処理の一例として、ホスト機器６１からのデータの書込み時の処理手順について説明する。
図７は、本発明の実施の形態４によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。
【００５１】
まず、ホスト機器６１がコントローラ６３に書込み命令を出す（Ｓ７−１）。ホスト機器６１からの書込み命令を受けたコントローラ６３は、大容量フラッシュメモリ６２のデータ領域６２１と小容量フラッシュメモリ６５のデータ領域６５２との双方に対してホスト機器６１からのデータを転送する（Ｓ７−２）。
【００５２】
その後、ホスト機器６１からの書込みが１セクタのみかどうかを判断する（Ｓ７−３）。ホスト機器６１からの２セクタ以上データが送られてくる場合は、大容量フラッシュメモリ６２のデータ領域６２２に対してホスト機器６１からのデータに対しての書込み命令を出し（Ｓ７−４）、小容量フラッシュメモリ６２に対する転送データをキャンセルする（Ｓ７−５）。大容量フラッシュメモリ６２の書込み処理終了を判断し（Ｓ７−６）、書込み処理が終了すれば、書込んだデータサイズが、大容量フラッシュメモリ６２のページサイズ単位より小さいかどうかを判断する（Ｓ７−７）。
【００５３】
Ｓ７−７にてページサイズ単位より小さいと判断した場合は、大容量フラッシュメモリ６２への書込みデータサイズが大容量フラッシュメモリ６２のページサイズ単位となるように巻き込み退避処理を行ない（Ｓ７−８）、その後、小容量フラッシュメモリ６５の論物変換情報を保持する管理領域６５１に論物変換情報の書込みを行なう（Ｓ７−１２）。また、Ｓ７−７にてページサイズ単位より大きいと判断した場合は、Ｓ７−８の巻き込み退避処理を行なわずにＳ７−１２の書込みを行なう。
【００５４】
また、Ｓ７−３にてホスト機器６１からの書込みが１セクタのみであると判断した場合は、小容量フラッシュメモリ６５のデータ領域６５２に対してホスト機器６１からのデータに対して書込み命令を出し（Ｓ７−９）、大容量フラッシュメモリ６２に対して転送データのキャンセルする（Ｓ７−１０）。その後、小容量フラッシュメモリ６５の書込み処理終了を判断し（Ｓ７−１１）、書込み処理が終了すれば、Ｓ７−１２の書込みを行なう。ここで、小容量フラッシュメモリ６５のページサイズは５１２Ｂｙｔｅであるため、巻き込み退避処理は発生しない。
【００５５】
その後、小容量フラッシュメモリ６５の書込み処理終了を判断し（Ｓ７−１３）、処理が終了すれば、ホスト機器６１へデータ書込み完了の合図を送る（Ｓ７−１４）。
【００５６】
このような本実施の形態４のメモリカードは、ホストからの１セクタの書込み処理に小容量フラッシュメモリを用いて巻き込み退避処理を行なわないようにしたので、実効速度を向上させることができる。
【００５７】
（実施の形態５）
図８は、本発明の実施の形態５によるメモリカードを示すブロック図である。
図８に示されるように、メモリカード８４は、大容量フラッシュメモリ８２と、小容量フラッシュメモリ８５と、大容量フラッシュメモリ８２及び小容量フラッシュメモリ８５を制御するコントローラ８３とから構成される。ここで、大容量フラッシュメモリ８２と小容量フラッシュメモリ８５とはコントローラ８３から同一のＢＵＳにて制御されている。また、大容量フラッシュメモリ８２は、データが保持されるデータ領域８２１で構成され、小容量フラッシュメモリ８５は、論物変換情報を保持する管理領域８５１とデータが保持されるデータ領域８５２とから構成されている。また、８１はメモリカード８４に対してデータアクセスを行なうホスト機器である。
【００５８】
また、大容量フラッシュメモリ８２は、ページサイズが２ＫＢｙｔｅに対して、書込み処理時間が６００ｕｓ程度で、小容量フラッシュメモリ８５はページサイズが５１２Ｂｙｔｅに対して、書込み処理時間が２００ｕｓ程度であり、コントローラ８３は、ホスト機器８１から１セクタ単位で送られるデータは小容量フラッシュメモリ８５のデータ領域８５２に書込み、ホスト機器８１から連続して送られるデータは大容量フラッシュメモリ８２のデータ領域８２１に書込むよう制御する。
【００５９】
このような本実施の形態５のメモリカードは、コントローラの接続端子を増やすことなく、上記実施の形態４のメモリカードと同等の実効速度を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明に係るメモリカードは、大容量のフラッシュメモリを用いても、小容量単位での書込みに対する処理速度の低下を防ぐことができるので、メモリカードを使用した大容量かつ高速な画像記録等の処理を行なうシステム等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態１によるメモリカードを示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態２によるメモリカードを示すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態２によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態３によるメモリカードを示すブロック図である。
【図５】本発明の実施の形態３によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態４によるメモリカードを示すブロック図である。
【図７】本発明の実施の形態４によるメモリカードの書込み処理を説明するためのフローチャートである。
【図８】本発明の実施の形態５によるメモリカードを示すブロック図である。
【図９】一般的なメモリカードで実施されているデータ管理手法における論理アドレスと物理アドレスとの対応関係を示す図である。
【図１０】従来のメモリカードを示すブロック図である。
【図１１】従来のメモリカードにおける書込み処理のフローチャートである。
【符号の説明】
【００６２】
１１，２１，４１，６１，８１，１０１  ホスト機器
１２，２２，４２，６２，８２  大容量フラッシュメモリ
１３，２３，４３，６３，８３，１０３  コントローラ
１４，２４，４４，６４，８４，１０４  メモリカード
１５，２５，４５，６５，８５  小容量フラッシュメモリ
１２１，１５１，２５１，４５１，６５１，８５１，１０２１  管理領域
１２２，１５２，２２２，４２１，４５２，６２１，６５２，８２１，８５２，１０２２  データ領域
１０２  フラッシュメモリ
【図１】
2006018591.tif 000003
【図２】
2006018591.tif 000004
【図３】
2006018591.tif 000005
【図４】
2006018591.tif 000006
【図５】
2006018591.tif 000007
【図６】
2006018591.tif 000008
【図７】
2006018591.tif 000009
【図８】
2006018591.tif 000010
【図９】
2006018591.tif 000011
【図１０】
2006018591.tif 000012
【図１１】
2006018591.tif 000013