(57)【要約】【課題】  ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板と、複数の導電体を有する電極層とを備え、前記基板と前記電極層との間にシラン誘導体層を備えることを特徴とするディスプレイ装置及びその製造方法。これにより、基板と複数の導電体を備える電極層との結合力が改善される。【選択図】  図１
2006039550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、複数の導電体を有する電極層とを備え、前記基板と前記電極層との間にシラン誘導体層を備えることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
前記基板は、ガラス基板またはＩＴＯでコーティングされた基板であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記シラン誘導体層は、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｐ結合、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合からなる群から選択された一つ以上の結合を持つことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記シラン誘導体層は、ヘキサメチルジシロキサンまたはヘキサメチルジシラザンから製造されたことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記シラン誘導体層は、ジメチルジエトキシシラン、トリメトキシ−プロピルシラン、ビス−テトラメチルアンモニウムシロキサノレート、３−メルカプトプロピル−トリメトキシルシラン、ビス（３−トリメトキシシリル）プロピル−エチレンジアミン、３−（トリメトキシシリル）プロピル−ジエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−エチレンジアミンテトラアセト酸及びそれらの塩からなる群から選択された一つまたは二つ以上の混合物から製造されたことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記混合物は、二酸化硅素粒子、珪酸塩、及び懸濁重合体からなる群から選択された一つ以上の添加剤を備えることを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記懸濁重合体は、ポリジメチルシロキサンを備えることを特徴とする請求項６に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記シラン誘導体層の厚さは、１ｎｍないし５０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
前記シラン誘導体層の厚さは、５０ｎｍないし１０μｍであることを特徴とする請求項６または７に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記ディスプレイ装置は、液晶ディスプレイ、有機電界発光ディスプレイまたはプラズマディスプレイであることを特徴とする請求項１ないし７のうちいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記複数の導電体は、アドレス電極またはバス電極であることを特徴とする請求項１ないし７のうちいずれか１項に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
基板を準備する工程と、
前記基板上部にシラン誘導体層を形成する工程と、
前記シラン誘導体層の上部に複数の導電体を有する電極層を形成する工程と、を含むことを特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記シラン誘導体層は、ヘキサメチルジシロキサンまたはヘキサメチルジシラザンから製造されることを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記シラン誘導体層は、ジメチルジエトキシシラン、トリメトキシ−プロピルシラン、ビス−テトラメチルアンモニウムシロキサノレート、３−メルカプトプロピル−トリメトキシルシラン、ビス（３−トリメトキシシリル）プロピル−エチレンジアミン、３−（トリメトキシシリル）プロピル−ジエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−エチレンジアミンテトラアセト酸及びそれらの塩からなる群から選択された一つまたは二つ以上の混合物から製造されることを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記混合物は、二酸化硅素粒子、珪酸塩及び懸濁重合体からなる群から選択された一つ以上の添加剤を備えることを特徴とする請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記懸濁重合体は、ポリジメチルシロキサンを備えることを特徴とする請求項１５に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記シラン誘導体層の形成工程は、プラズマ重合法またはプラズマ蒸着法を利用して行うことを特徴とする請求項１３に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記プラズマ重合法またはプラズマ蒸着法は、プラズマ強化化学気相蒸着法によって行うことを特徴とする請求項１７に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記シラン誘導体層の形成工程は、スピンコーティング法、スプレー法またはスクリーン印刷法を利用して行うことを特徴とする請求項１４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２０】
前記複数の導電体を有する電極層の形成工程は、含金属溶液または含金属懸濁液をインクジェット方式で印刷することにより行うことを特徴とする請求項１２ないし１９のうちいずれか１項に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２１】
前記複数の導電体を有する電極層の形成後、前記シラン誘導体層を１００℃ないし３００℃の温度で熱処理する工程を含むことを特徴とする請求項２０に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２２】
前記熱処理工程は５分ないし３０分間行うことを特徴とする請求項２１に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２３】
前記ディスプレイ装置は、液晶ディスプレイ、有機電界発光ディスプレイまたはプラズマディスプレイパネルであることを特徴とする請求項１２ないし１９のうちいずれか１項に記載のディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、より詳細には、基板と、複数の導電体を有する電極層とを備え、前記基板と前記電極層との間にシラン誘導体層を備えて、基板と複数の導電体を有する電極層との結合力が改善されたディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット技術によって印刷されたバス及びアドレス電極は、金属ナノ粒子を含むインクを利用して印刷される。例えば、以下の特許文献１及び２には、銀ナノ粒子、界面活性剤及び有機金属の分散物を備える銀ナノインクが開示されている。
【０００３】
以下の特許文献３には、グルーブがガラスでミリングまたはエッチングされ、そのグルーブとアドレス電極がインクジェット印刷を利用して印刷される平板モニタスクリーンの製造方法が開示されている。
【０００４】
微細金属線をガラスまたはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）基板上にインクジェット印刷技術を利用して印刷するための他の手法は、基板を事前処理して基板と金属インクとの接触角を３０°ないし６０°の範囲に属させる方式で処理することである。このように処理すれば、インクが基板上に無制限に広がることを防止できる（特許文献４参照）。このような場合に、プラズマを利用した表面処理が用いられる。一般的に、２０゜ないし６０゜の接触角は、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６またはＣ３Ｆ８を利用したプラズマフッ素化によって得られる。この方法の短所は、基板上に印刷及び焼結されたインクの粘性または結合力が非常に低いという点である。
【特許文献１】欧州特許出願公開１３４９１３５号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開２００４００４３６９１号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開２００４００３８６１６号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開２００３００８３２０３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする技術的課題は、基板と、複数の導電体を有する電極層と、前記基板と前記電極層との間にシラン誘導体層とを備えて、基板と複数の導電体を含む電極層との結合力が改善されたディスプレイ装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記従来技術の問題点を解決するために、本発明は、基板と、複数の導電体を有する電極層とを備え、前記基板と前記電極層との間にシラン誘導体層を備えるディスプレイ装置であり、基板と金属インクとの接触角が３０゜ないし６０゜の範囲に属し、同時に前記複数の導電体（電気的に導体である金属線）とガラスまたはＩＴＯ、すなわち、基板間に改善された結合力を持つディスプレイ装置を説明及び提供することである。本発明によって、前記導電体が分離される現象及び／または前記導電体の損傷が防止でき、ガラスまたはＩＴＯ基板上にインクジェット方式で印刷される導電体の解像度を向上できる。特に、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ：以下、ＰＤＰ）のためのバス及びアドレス電極は、基板上に高いレベルの接着力及び高解像度を持つように、インクジェット印刷方式を利用してＰＤＰに印刷できる。また、前記ディスプレイ装置の製造方法が本発明によって説明及び提供されるが、それによれば、電気的に導体である金属線（すなわち、電極層をなす導電体）とガラスまたはＩＴＯ基板との結合力が改善される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によるディスプレイ装置は、基板と、複数の導電体を有する電極層との間にシラン誘導体層を備えているので、これにより、前記基板と電極層との結合力が改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するために、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照する。
【０００９】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することにより、本発明を詳細に説明する。各図面において、同じ参照符号は同じ部材を表す。
【００１０】
前述されたような本発明の目的は、基板と、複数の導電体を有する電極層とを備え、前記基板と前記電極層との間にシラン誘導体層を備えるディスプレイ装置を提供することにより達成される。また、基板を準備する工程と、前記基板上部にシラン誘導体層を形成する工程と、前記シラン誘導体層の上部に複数の導電体を有する電極層を形成する工程と、を含むディスプレイ装置の製造方法を提供することにより達成される。本発明の提案される実施形態は従属項に含まれる。
【００１１】
本発明の特徴的な長所は、例えば、バスまたはアドレス電極のような導電体が、例えば、ガラス基板またはＩＴＯによってコーティングされた基板上に高い結合力で備えられうるという点である。このような方式により、特に線形導電体（電気的に導体である金属線（例えば、バス電極及びアドレス電極））の解像度が高くなるため、結果的にディスプレイ装置の解像度が高くなる。さらに、前記導電体が分離される現象または導電体の損傷（製品の欠陥の原因となって、結果的に生産性を低下させる）が防止される。このような目的で、本発明によるディスプレイ装置では、シラン誘導体層が基本基板と複数の導電体を有する電極層との間に備えられている。前記シラン誘導体層（以下、基板と電極層との間に備えられるという側面で、中間層という）は、望ましい表面特性を持つ薄層を形成するプラズマ重合反応及び／または適当な溶液からの蒸着過程を利用して形成できる。
【００１２】
本発明によるディスプレイ装置のうち、基板と、シラン誘導体層及び複数の導電体を有する電極層とを備えた領域を概略的に示す断面図を図１に示す。
【００１３】
図１によれば、本発明によるディスプレイ装置は、基板１を備えている。前記基板とは、ディスプレイ装置のうち、電極層が形成される領域を備えた支持体を示すものであり、例えば、ディスプレイ装置がＰＤＰであり、形成しようとする電極層がアドレス電極である場合、前記基板とは、ガラスなどからなる背面基板を意味する。前記基板１は、製作しようとするディスプレイ装置の種類によって相異なるものであり、前記基板１が示すところは、当業者には容易に認識可能なものである。
【００１４】
本発明の望ましい一実施形態で、基板１は、ガラス基板またはＩＴＯによってコーティングされた基板である。
【００１５】
前記基板１の上部にはシラン誘導体層２が備えられている。本発明によるシラン誘導体層２は、基本基板１上に高い接着力で付着されなければならない。このような結果は、シラン誘導体層２をなす物質のうち相応する反応基を利用するか、及び／または正イオン基を利用して達成できる。さらに、本発明によるシラン誘導体層と、複数の導電体を有する電極層３の導電体との間に高い接着力が保証されなければならない。前記複数の導電体を有する電極層３の導電体は、前記シラン誘導体層２の上部に形成され、含金属溶液または含金属懸濁液をインクジェット印刷して形成されることが望ましい。前記導電体とシラン誘導体層２との間の接着力を保証するために、本発明によれば、相応する化学的固定基が、接着効果を向上させるために、シラン誘導体層をなす物質中に付着されることが提案される。蒸着金属（独：ａｂｚｕｓｃｈｅｉｄｅｎｄｅｍ ｍｅｔａｌｌ）として銀が使われる場合、チオール基、二硫化基はもとより硫化ジアルキル基のような硫黄を含む構造成分、またはアミン基のような窒素を含む構造成分が使われることが望ましい。また、カルボキシレートはもとよりエチレンジアミン、ジエチレントリアミンのようなキレート基も適して使用することができる。
【００１６】
本発明の一実施形態によれば、望ましくは、シラン誘導体層２は、ヘキサメチルジシロキサンまたはヘキサメチルジシリザンから製造されるか、ジメチルジエトキシシラン、トリメトキシ−プロピルシラン、ビス−テトラメチルアンモニウムシロキサノレート、３−メルカプトプロピル−トリメトキシルシラン、ビス（３−トリメトキシシリル）プロピル−エチレンジアミン、３−（トリメトキシシリル）プロピル−ジエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−エチレンジアミンテトラアセト酸及びそれらの塩からなる群から選択された一つまたは二つ以上の混合物から製造されることが望ましい。
【００１７】
本発明の望ましい他の実施形態で、前記混合物は、二酸化硅素粒子、珪酸塩及び懸濁重合体から形成された群から選択された一つ以上の添加剤を含むことが望ましい。
【００１８】
本発明の望ましい他の実施形態で、懸濁重合体はポリジメチルシロキサンを含む。シラン誘導体からなるシラン誘導体層は、プラズマ重合作用またはプラズマ蒸着作用（独：ｐｌａｓｍａａｂｓｃｈｅｉｄｕｎｇ）（例えば、プラズマ強化化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ、Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）である）、スピンコーティング法、スプレー塗布法またはスクリーンプリンティング法のような方法を利用して形成できる。プラズマ重合方法、スピンコーティング法またはスプレー法を利用する場合のシラン誘導体層２の厚さは１ｎｍないし５０ｎｍであり、スクリーンプリンティング法を利用する場合には、５０ｎｍないし１０μｍに達する。
【００１９】
本発明によるディスプレイ装置は、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、有機電界発光ディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＬＥＤ）またはＰＤＰでありうる。このような装置は、シラン誘導体層が複数の導電体を有する電極層と基本基板との間に備えられているということを特徴とする。望ましくは、前記複数の導電体を有する電極層３は、ディスプレイ装置のアドレス電極またはバス電極を形成する。
【００２０】
本発明によるディスプレイ装置（例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤまたはＰＤＰ）は、基本基板及び電極層（複数の導電体からなる）を備え、シラン誘導体層は、前記電極層と基本基板との間に備えられている。
【００２１】
図２は、前述したような本発明によるディスプレイ装置の一具現例であり、有機電界発光ディスプレイの一具現例であるアクティブマトリックス型の有機電界発光ディスプレイのうち有機電界発光素子が形成された領域の断面図を概略的に示すものである。特に、図２には、キャパシタ５０、駆動ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４０及び有機電界発光素子６０が図示されている。
【００２２】
図２を参照すれば、前記アクティブマトリス型の有機電界発光ディスプレイには基板８１が設けられている。前記基板８１は、透明な素材、例えば、ガラスまたはプラスチック材で形成できる。前記基板８１上には、全体的にバッファ層８２が形成されている。
前記バッファ層８２の上面には、所定パターンで配列された活性層４４が形成されている。前記活性層４４は、ゲート絶縁膜８３によって埋め込まれている。前記活性層４４は、ｐ型またはｎ型の半導体からなる。
【００２３】
前記ゲート絶縁膜８３の上面には、前記活性層４４と対応する所に駆動ＴＦＴ４０のゲート電極４２が形成されている。前記ゲート電極４２は、中間絶縁膜８４によって埋め込まれている。前記中間絶縁膜８４が形成された後、ドライエッチングなどのエッチング工程によって、前記ゲート絶縁膜８３と中間絶縁膜８４とをエッチングしてコンタクトホール８３ａ、８４ａを形成させて、前記活性層４４の一部を露出させている。
【００２４】
前記活性層４４の露出された部分は、コンタクトホール８３ａ、８４ａを通じて活性層４４の両側において所定のパターンで形成された駆動ＴＦＴ４０のソース電極４１と、ドレイン電極４３とそれぞれ連結されている。前記ソース電極４１とドレイン電極４３とは、保護膜８５によって埋め込まれている。前記保護膜８５が形成された後には、エッチング工程を通じて前記ドレイン電極４３の一部が露出されている。
【００２５】
前記保護膜８５は、絶縁体で形成され、酸化ケイ素や窒化ケイ素のような無機膜、またはアクリル、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）のような有機膜で形成できる。また、前記保護膜８５の上には、保護膜８５の平坦化のために別途の絶縁膜をさらに形成することもできる。
【００２６】
一方、前記有機電界発光素子６０は電流の流れによって、赤、緑、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するものであり、駆動ＴＦＴ４０のドレイン電極４３に連結された画素電極である第１電極６１と、全体画素を覆うように備えられた対向電極である第２電極６２、及びそれら第１電極６１と第２電極６２との間に配置されて発光する有機発光層６３で構成されている。前記有機発光層６３は、画素定義膜８６に沿って形成できる。前記画素定義膜８６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物のような絶縁性無機物または絶縁性有機物として多様に備えられている。
【００２７】
前記有機発光層６３は、低分子または高分子有機物が使用できるが、低分子有機物を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成でき、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして、多様に適用可能である。それら低分子有機物は、真空蒸着の方法で形成できる。
【００２８】
高分子有機物の場合には、おおよそＨＴＬ及びＥＭＬを備えた構造を持つことができ、この時、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴを使用し、ＥＭＬとしてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用し、それをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成できる。前記のような有機発光層６３は、必ずしもそれに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用できるということはいうまでもない。
【００２９】
前記第１電極６１は、アノード電極の機能を行い、前記第２電極６２は、カソード電極の機能を行えるが、もちろん、それら第１電極６１と第２電極６２との極性は逆になってもよい。そして、第１電極６１は、各画素の領域に対応するようにパターニングされ、第２電極６２はあらゆる画素を覆うように形成できる。
【００３０】
前記第１電極６１は、透明電極または反射型電極として備えることができるが、透明電極として使われる時にはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３が用いられ、反射型電極として使われる時にはＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物で反射層を形成した後、その上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３で透明電極層を形成できる。
【００３１】
本発明の第２電極６２は、有機発光層６３のうちＥＭＬに容易に電子を供給できるように仕事関数の低い物質を使用する。その具体的な例には、Ｌｉ、Ｃａ、Ａｌ、ＡｇまたはＭｇなどがあるが、これに限定されるものではない。前記金属のうち２つ以上を同時に使用することもできる。特に、前記第２電極６２が透明電極として使われる場合、第２電極６２はカソード電極として使われるので、前記物質からなる薄膜上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などで補助電極層やバス電極ラインを形成できる。
【００３２】
前記第２電極６２と前記画素定義膜８６との間には、本発明によるシラン誘導体層６５が備えられている。前記シラン誘導体層６５に関する詳細な説明は、前述した通りである。シラン誘導体層６５は、画素定義膜８６の上部に備えられて、第２電極６２と画素定義膜８６との結合力を高める役割を行う。
【００３３】
ＯＬＥＤにおいて、図２では、シラン誘導体層６５が第２電極６２と画素定義膜８６との間に介在される場合を例としたが、これに限定されるものではない。例えば、本発明によるシラン誘導体層は、保護膜８５と第１電極６１との間に介在されてそれら間の結合力を高めるか、ゲート電極４２とゲート絶縁膜８３との間に記載されてそれら間の結合力を高めるか、または、ソース電極４２及びドレイン電極４３と中間絶縁膜８４との間に介在されて、それら間の結合力を高めるなど、多様な変形例が可能である。このような変形例は、ＯＬＥＤ及び本発明を理解する当業者に容易に認識可能なものであり、本発明の範囲に属するものである。
【００３４】
図３は、前述したような本発明によるディスプレイ装置の一具現例であり、ＰＤＰの部分切開分離斜視図を概略的に示すものである。
【００３５】
図３のＰＤＰは、大きく分けて、上板２１０とそれと平行に結合される下板２２０とを備えているが、上板２１０に備えられた前面基板２１１と下板２２０に備えられた背面基板２２１との間には、隔壁２２４によって複数の放電セル２２６及び非放電領域が区画されている。放電セル２２６は放電領域を形成し、隔壁２２４は、放電セル２２６間の光学的クロストークを防止する機能を行う。
【００３６】
上板２１０の前面基板２１１には、維持電極対２１４が配置されている。前面基板２１１を通じて放電セル２２６で形成された可視光線が透過されるために、前面基板２１１は、ガラスを主材料とした透明な材料で形成されている。
【００３７】
維持電極対２１４は、維持放電を引き起こすために前面基板２１１の背面に形成された１対の維持電極を意味し、前面基板２１１には、そのような維持電極対２１４が所定の間隔で平行に配列されている。この維持電極対２１４は、それぞれＸ電極２１２及びＹ電極２１３を備えている。本実施形態では、維持電極対２１４が前面基板２１１の背面に配置されているが、維持電極対の配置位置はそれに限定されない。例えば、維持電極対２１４は、前面基板２１１の背面から所定の間隔で離隔されて配置することができる。但し、維持電極対は、前面基板２１１から同じレベルに配置されることが望ましい。
【００３８】
Ｘ電極２１２とＹ電極２１３とは、所定の間隔で離隔されて、ｘ方向に互いに平行に放電セル２２６を横切って延びている。Ｘ電極２１２とＹ電極２１３とは、金属材質からなり、狭い幅で形成されている。このようなＸ電極２１２及びＹ電極２１３は、Ａｇ、ＡｌまたはＣｕのような金属を利用して断層構造で形成されているが、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒなどの多層構造を持つように形成されることもできる。また、Ｘ電極２１２とＹ電極２１３とは、それぞれ透明電極２１２ｂ、２１３ｂ及びバス電極２１２ａ、２１３ａを備えている。前記透明電極２１２ｂ、２１３ｂは、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３などからなり、前記バス電極２１２ａ、２１３ａは、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇなどの金属材質からなるが、これに限定されるものではない。
【００３９】
前記透明電極２１２ｂと前記バス電極２１２ａ及び前記透明電極２１３ｂと前記バス電極２１３ａとの間には、それぞれ本発明によるシラン誘導体層２２７’が備えられている。前記シラン誘導体層２２７’についての詳細な説明は、前述した通りである。シラン誘導体層２２７’によって、前記透明電極２１２ｂ、２１３ｂと前記バス電極２１２ａ、２１３ａとの結合力が向上できる。
【００４０】
維持電極対２１４が備えられた前面基板２１１には、維持電極対２１４を埋め込むように第１誘電体層２１５が形成されている。第１誘電体層２１５は、隣接したＸ電極２１２とＹ電極２１３とが互いに通電されることと、正イオンまたは電子がＸ電極２１２及びＹ電極２１３に直接衝突してＸ電極２１２及びＹ電極２１３を損傷させることを防止するとともに、電荷を誘導できる誘電体として形成されており、このような誘電体としてはＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２などがある。
【００４１】
また、第１誘電体層２１５の背面には、通常ＭｇＯからなる保護層２１６が形成されている。このような保護層２１６は、放電時に正イオンと電子とが第１誘電体層２１５に衝突して、第１誘電体層２１５が損傷することを防止し、透光性が良く、放電時に２次電子を多く放出する。特に、ＭｇＯ層２１６は、主にスパッタリング、電子ビーム蒸着法などを利用して薄膜で形成される。
【００４２】
前面基板２１１の維持電極対２１４が配置された面に対向する背面基板２２１の前面には、アドレス電極２２２が配置されている。アドレス電極２２２は、各放電セル２２６でＸ電極２１２及びＹ電極２１３と交差するように、放電セル２２６を横切って延びている。このようなアドレス電極２２２は、放電セル２２６の中央部分に対向する背面基板２２１の上に配置されることが望ましい。
【００４３】
アドレス電極２２２は、Ｘ電極２１２とＹ電極２１３との間の維持放電をさらに容易にするためのアドレス放電を引き起こすためのものであり、より具体的には、維持放電を引き起こすための電圧を低める役割を行う。前記アドレス電極２２２は、Ａｇ、Ｍａ、Ａｌのような多様な金属材質からなることができる。
【００４４】
前記アドレス電極２２２と前記背面基板２２１との間には、本発明によるシラン誘導体層２２７が備えられている。前記シラン誘導体層２２７に関する詳細な説明は、前述した通りである。シラン誘導体層２２７によって、アドレス電極２２２と背面基板２２１との結合力が向上できる。
【００４５】
アドレス電極２２２が備えられた背面基板２２１には、アドレス電極２２２を埋め込むように第２誘電体層２２３が形成されている。第２誘電体層２２３は、放電時に正イオンまたは電子がアドレス電極２２２に衝突して、アドレス電極２２２を損傷させることを防止しつつも電荷を誘導できる誘電体で形成されるが、このような誘電体としては、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２などがある。
【００４６】
放電セル２２６を区画する隔壁２２４間の第２誘電体層２２３の前面と、隔壁２２４の側面とには、赤色発光、緑色発光、青色発光蛍光体層２２５が形成されている。このような蛍光体層２２５は、紫外線を受けて可視光線を発生させる成分を持つが、赤色放電セルに形成された赤色発光蛍光体層はＹ（Ｖ，Ｐ）Ｏ４：Ｅｕのような蛍光体を備え、緑色放電セルに形成された緑色発光蛍光体層は、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎのような蛍光体を備え、青色放電セルに形成された青色発光蛍光体層は、ＢＡＭ：Ｅｕのような蛍光体を備えている。
【００４７】
また、前記放電セル２２６には、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）などが混合された放電ガスが満たされ、前記のように放電ガスが満たされた状態で、前面基板及び背面基板２１１、２２１の最端部に形成されたフリットガラスのような密封部材により、前面基板２１１と背面基板２２１とが互いに封合されて結合される。
【００４８】
本発明によるＰＤＰを、図３を参照して説明したが、多様な変形例が可能であり、これは本発明の範囲に属する。
【００４９】
前述したように本発明によるディスプレイ装置の製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上部にシラン誘導体層を形成する工程と、前記シラン誘導体層の上部に複数の導電体を有する電極層を形成する工程と、を含む。前記ディスプレイ装置の製造方法は、複数の導電体を含む電極層を形成する前に、基板上にシラン誘導体層を形成する工程を含むことを特徴とする。すなわち、前記シラン誘導体層を形成した後、ディスプレイ装置に備えられる複数の導電体を有する電極層を形成する。
【００５０】
本発明によるディスプレイ装置の製造方法の一具現例は、図４Ａないし図４Ｃを参照する。
【００５１】
まず、図４Ａのように、基板１１を準備する。この時、基板とは、前述したような意味の基板であり、例えば、前記基板１１は、ガラス基板またはＩＴＯでコーティングされた基板を用いることができる。必要な場合、前記基板を洗浄する工程をさらに含むことができる。
【００５２】
次いで、図４Ｂのように、基板１１の上部にシラン誘導体層１２を形成する。
【００５３】
望ましくは、シラン誘導体層１２は、ヘキサメチルジシロキサンまたはヘキサメチルジシラザンから製造できる。本発明のさらに他の実施形態で、シラン誘導体層１２は、ジメチルジエトキシシラン、トリメトキシ−プロピルシラン、ビス−テトラメチルアンモニウムシロキサノレート、３−メルカプトプロピル−トリメトキシルシラン、ビス（３−トリメトキシリル）プロピル−エチレンジアミン、３−（トリメトキシシリル）プロピル−ジエチレントリアミン、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−エチレンジアミンテトラアセト酸及びそれらの塩からなる群から選択された一つまたは二つ以上の混合物で製造されることが望ましい。前記混合物は、二酸化硅素粒子、珪酸塩及び懸濁重合体からなる群から選択された一つ以上の添加剤をさらに含むことが望ましい。懸濁重合体として、ポリジメチルシロキサンが使われることが望ましい。シラン誘導体を含むシラン誘導体層１２は、電気的に非絶縁体であるが、電極層をなす導電体の縦軸を横切る方向には、少なくとも電気的に絶縁であることが望ましい。このような特性は、シラン誘導体層１２を単分子層に相応する薄い層厚に形成することによって達成できる。本発明によれば、シラン誘導体層１２は、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−Ｐ結合、Ｓｉ−Ｃ結合、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｓｉ結合からなる群から選択された一つ以上の結合を持つ。
【００５４】
次いで、図４Ｃに示すように、シラン誘導体層１２の上部に複数の導電体を有する電極層１３を形成する。前記導電体は、複数の金属線または金属を含む線であり、銀または他の金属粒子を含む線によって形成される。前記導電体は、インクジェット印刷技術を利用して形成される。このような目的のために、望ましくは、前記導電体をなす物質の粒子、例えば、銀粒子などを含むインクで線分を形成させる方法で、一滴ずつシラン誘導体層１２を備える基板１１上に印刷される。細線を具現するために、小さなインク滴の体積を形成するプリントヘッドが使われることが望ましい。細線及び細線によって得られる高解像度の導電体は、シラン誘導体層１２を基板１１に形成するように、基板１１を事前処理することによって具現できる。表面エネルギーにおいて、例えば、プラズマ処理法（例えば、ＰＥＣＶＤのような）によって印刷されたインクに対する最大限大きい接触角を獲得させる方法でシラン誘導体層１２は形成される。このような方法では、インクの無制限拡散が予防される。
【００５５】
また、同じ基板領域に数回印刷することもやはり可能である。数回印刷することにより、それぞれの金属線（すなわち、電極層１３をなす導電体）の層厚をさらに厚くすることができる。
【００５６】
複数の導電体からなる電極層のうち導電体（例えば、銀（Ａｇ）からなる）の最大導電性は、熱処理工程を行うことによって得られる。前記熱処理工程は、１００℃ないし３００℃の温度で５分ないし３０分間行うことが望ましい。前記熱処理工程中、複数の導電体からなる電極層１３のうち導電体をなす粒子（例えば、Ａｇ粒子）の焼結が行われる。前記方法を利用すれば、複数の導電体からなる電極層１３のうち導電体をなす粒子（例えば、Ａｇ粒子）を含むインクとして、１（Ｏｈｍ／ｃｍ）未満の線抵抗を得られる。
【００５７】
前述したようなディスプレイ装置の製造方法において、前記ディスプレイ装置は、ＬＣＤ、ＯＬＥＤまたはＰＤＰであるが、本発明によるディスプレイ装置の製造方法は、前述したように基板、シラン誘導体層及び複数の導電体を有する電極層の形成工程を含むことができる。
【００５８】
例えば、ＯＬＥＤ製造方法において、図２を参照すれば、画素定義膜８６の上部にシラン誘導体層６５を前述したように形成した後、前記シラン誘導体層６５の上部に第２電極６２を形成する工程を含む。その他にも、ゲート絶縁膜８３の上部にシラン誘導体層を形成した後、ゲート電極４２を形成する工程、中間絶縁膜８３の上部にシラン誘導体層を形成した後、ソース電極４１及びドレイン電極４３を形成する工程、及び保護膜８５の上部にシラン誘導体層を形成した後に第１電極６１を形成する工程のうち一つ以上をさらに含むことができる。前記ゲート電極４２、ソース電極４１、ドレイン電極４３、第１電極６１、第２電極６２は、例えば、インクジェットプリント法を利用して形成できる。以後、多様な後続工程が進む。前記多様な後続工程は、公知のあらゆるＯＬＥＤ製造方法（例えば、大韓民国特許公開番号第２００４−３９７８９号明細書、第２００２−７８５３５号明細書及び第２００２−７１６６０号明細書など）を参照し、それは本願発明に引用して適用できる。
【００５９】
例えば、ＯＬＥＤの場合に、前記基板、シラン誘導体層及び複数の導電体を有する電極層の形成後、有機発光層が形成できる。
【００６０】
他の例として、ＰＤＰの製造方法において、図３を参照すれば、背面基板２２１の上部にシラン誘導体層２２７を形成した後、前記シラン誘導体層２２７の上部にアドレス電極２２２を形成する工程、及び透明電極２１２ｂ、２１３ｂの上部にシラン誘導体層２２７’を形成した後、前記シラン誘導体層２２７’の上部にバス電極２１２ａ、２１３ａをそれぞれ形成する工程のうち一つ以上をさらに含むことができる。前記アドレス電極２２２、前記バス電極２１２ａ、２１３ａは、例えば、インクジェットプリント法を利用して形成できる。以後、多様な後続工程が進む。前記多様な後続工程は、公知のあらゆるＰＤＰ製造方法（例えば、大韓民国特許登録番号第０４５３８９１号明細書、第０４４５０３１号明細書及び第０４４１５１７号明細書など）を参照し、それは、本願発明に引用して適用できる。
【００６１】
本発明は、図面に少なくとも一部分が図示された実施例に基づいて、後述するように詳細に説明される。
【００６２】
（実施例）
本実施例は、基板と、複数の導電体を有する電極層とを備え、前記基板と前記電極層との間にシラン誘導体層を備えたプラズマディスプレイの製造方法の一具現例に関する。プラズマディスプレイのためのバス及びアドレス電極の製造過程は、２つの相異なる基板上で行われるが、この基板は、ガラス基板（アドレス電極の場合）及びＩＴＯコーティングされたガラス基板（バス電極の場合）である。その中でも、ＰＤＰのアドレス電極の製作過程を例示したものとして、図４Ａないし図４Ｃを参照する。
【００６３】
まず、ガラスからなる洗浄された基本基板を最初の基板として準備した。
【００６４】
洗浄された基本基板にＨＭＤＳＯ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）を利用したプラズマ重合処理を行い、５ｎｍの層厚を持つシラン誘導体層を形成した。前記シラン誘導体層上で銀インク滴の接触角は約３０゜を示した。プラズマ重合処理は、ＨＭＤＳＯを利用したＰＥＣＶＤ処理を利用した。この時、プラズマ重合処理のためのパラメータは、表１の通りである。
【００６５】
【表１】
2006039550.tif 000003
【００６６】
銀インクとしては、有機溶媒中の銀ナノ粒子（直径が約７ｎｍの粒子）の分散物を準備した。前記はインクを、前記基板上に形成されたシラン誘導体層上に印刷した。この時、圧電印刷ヘッドを利用して印刷した後、乾燥させて１００μｍの線幅を持つアドレス電極を形成した。
【００６７】
これと類似した方法で、銀インクが印刷された基板を２５０℃の温度に露出させて熱処理した。前記熱処理工程を通じて銀ナノ粒子を焼結させて、電気的に導電性を帯びて２μｍ以上の層厚を有するアドレス電極を得た。
【００６８】
本発明は、図面に示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できる。
【００６９】
したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により定められなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明によるディスプレイ装置及びその製造方法を利用すれば、基板と電極層との結合力が向上した高性能ディスプレイ装置を得られる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明によるディスプレイ装置の一具現例であり、基板及び電極層が備えられた領域を簡略に示す図面である。
【図２】本発明によるディスプレイ装置の一具現例であり、有機電界発光ディスプレイの一具現例を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明によるディスプレイ装置の一具現例であり、ＰＤＰの一具現例を概略的に示す部分分離切開斜視図である。
【図４Ａ】本発明によるディスプレイ装置の製造方法の一具現例を説明する図面である。
【図４Ｂ】本発明によるディスプレイ装置の製造方法の一具現例を説明する図面である。
【図４Ｃ】本発明によるディスプレイ装置の製造方法の一具現例を説明する図面である。
【符号の説明】
【００７２】
１  基板
２  シラン誘導体層
３  複数の導電体を備える電極層
６１  第１電極
６２  第２電極
２１２ａ、２１３ａ  バス電極
２２２  アドレス電極
【図１】
2006039550.tif 000004
【図２】
2006039550.tif 000005
【図３】
2006039550.tif 000006
【図４Ａ】
2006039550.tif 000007
【図４Ｂ】
2006039550.tif 000008
【図４Ｃ】
2006039550.tif 000009