(57)【要約】    【課題】  両面に配線膜を有する配線基板の低価格化を図り、バンプ相互間の位置精度を高くする。    【解決手段】キャリア１３の一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプ１４を形成したもの１７を用意し、キャリア１３の上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜１８を、該絶縁膜１８自身がバンプ１４に貫通されるように積層し、絶縁膜１８のキャリア１３と反対側の面に配線膜形成用金属箔２３ａを積層し、キャリア１３を除去し、絶縁膜１８のキャリア１３を除去した面に配線膜形成用金属箔２３ａとは別の配線膜形成用金属箔２３ｂを積層してバンプ１４、絶縁膜１８及び二つの配線膜形成用金属箔２３ａ、２３ｂを一体化する。【選択図】  図７
2006313945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアの一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、
上記キャリアの上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層し、
上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線膜形成用金属箔を積層し、
上記キャリアを除去し、
上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記配線膜形成用金属箔とは別の配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
層間絶縁膜となるキャリアの一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、
上記バンプが上記キャリアを貫通する状態にし、
上記キャリアの両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該キャリア、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
一つの配線膜形成用金属箔の一方の主面に複数のバンプを形成した部材と、別の配線膜形成用金属箔の一方の主面に、層間絶縁用の絶縁膜を積層し、該絶縁膜に上記複数のバンプと対応する複数のバンプ対応孔を形成した部材とを用意し、
上記二つの部材を、上記一方の部材の各バンプが他方の部材のそれと対応する各バンプ対応孔に位置整合するように位置合わせして積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
一つの型の一方の主面に複数のバンプを形成した部材と、層間絶縁用の絶縁膜の一方の主面に別の型を積層し、該型に上記バンプと対応するバンプ対応孔を形成した部材を用意し、
上記バンプを形成した部材のそのバンプを形成した側に、それと別の部材の上記絶縁膜を、上記バンプ対応孔と上記バンプとの対応するもの同士が位置整合するようにあてがい、
上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにし、
上記二つの型を取り去った後、上記絶縁膜の両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該絶縁膜、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
上記バンプ対応孔を形成した上記型として、該型の上記絶縁膜と反対側の面に接着剤付きの樹脂フィルムを該接着剤にて接着したものを使用し、
上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにした後、上記二つの型の取り去りの際、上記樹脂フィルムを剥がすことによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接着剤を介して取り去る
ことを特徴とする請求項４記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
バンプ形成用金属箔の一方の主面側からハーフエッチングすることにより複数のハーフバンプを形成する工程と、
上記バンプ形成用金属箔の上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、
上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、
上記バンプ形成用金属箔の他方の主面側からハーフエッチングすることにより上記ハーフバンプと一体化してバンプを成す複数のハーフバンプを形成する工程と、
上記バンプ形成用金属箔の上記他方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、
上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積層する工程と、
前記バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層された面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成用金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された第１の部材を形成する工程と、
該第１の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの頂部が露出するように積層し第２の部材を形成する工程と、
該第２の部材から前記キャリヤ層を除去し一つの配線膜間接続用部材を形成する工程と、
前記バンプ形成用金属層とは別のバンプ形成用金属層に前記キャリヤ層とは別のキャリヤ層を積層する工程と、
前記別のバンプ形成用金属層の前記別のキャリヤ層が積層された面とは反対の面に前記レジストパターンとは別のレジストパターンを形成する工程と、
前記別のレジストパターンをマスクとして前記別のバンプ形成用金属層をエッチングし前記別のキャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された別の第１の部材を形成する工程と、
該別の第１の部材のバンプの頂部が前記一つの配線膜間接続用部材の絶縁膜から露出するように該別の第１の部材と前記一つの配線膜間接続用部材とを積層し前記第２の部材とは別の第２の部材を形成する工程と、
該第２の部材から前記別のキャリヤ層を除去し略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された新たな配線膜間接続用部材を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線膜間接続用部材の製造方法。
【請求項８】
略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された配線膜間接続用部材に導電膜を形成する工程と、
該導電膜の上にメッキにより配線パターンを形成する工程と、
クイックエッチングにより前記導電膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された部材が複数枚、夫々のバンプが重なるように積層されている
ことを特徴とする配線膜間接続用部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法と、それに用いる配線膜間接続用部材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線基板の配線膜間接続を行なう手法については特開２００１−３２６４５９等により各種提案が為されているが、従来からある手法の一つとして、例えば銅から成るバンプを使用する手法がある。図２６を引用してこの手法を簡単に説明すると次の通りである。
（Ａ）先ず、図２６（Ａ）に示すように、多層金属板１を用意する。該多層金属板１は、例えば厚さ１００μｍの銅箔から成るバンプ形成用金属層２の一方の主面に、厚さ例えば１μｍのニッケルから成るエッチングストップ層３を介して、厚さ例えば１８μｍの銅箔から成る配線膜形成用金属層４を積層して成るものである。
【０００３】
（Ｂ）次に、図２６（Ｂ）に示すように、この多層金属板１のバンプ形成用金属層２を選択的エッチングして、配線膜間接続用のバンプ２ａを形成する。
（Ｃ）このエッチングが済んだら、図２６（Ｃ）に示すように、バンプ２ａ及び配線膜形成用金属層４の形成材料である銅をマスクとして、エッチングストップ層３に対するエッチングを行う。
（Ｄ）次いで、図２６（Ｄ）に示すように、バンプ２ａの形成面に、例えば熱硬化性樹脂から成る絶縁膜５を、該バンプ２ａの頂部が露出するように接着する。
（Ｅ）しかる後、図２６（Ｅ）に示すように、多層金属板１のバンプ２ａの頂部が突出する側の面に、例えば銅から成る配線膜形成用金属薄板６を臨ませる。
【０００４】
（Ｆ）次に、図２６（Ｆ）に示すように、配線膜形成用金属薄板６を上記バンプ２ａに接続して該バンプ２ａ形成面側に積層する。
（Ｇ）次に、多層金属板１の配線膜形成用金属層４と上記配線膜形成用金属薄板６とを選択的エッチングによってパターニングし、配線膜４ａ、６ａを形成する。これにより、図２６（Ｇ）に示すように、多層配線基板７が出来上がり、配線膜４ａが上層の配線膜、配線膜６ａが下層の配線膜となる。更に層数を多くする場合は、例えば多層配線基板７の上に図２６（Ｄ）に示す状態の配線基板を積層する。
【特許文献１】特開２００１−３２６４５９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の手法では、多層金属板１を使用する。この多層金属板１は、上述したとおり、例えば銅・ニッケル・銅の３層構造で、単なる銅箔のような汎用品ではなく特注品である。このため単価が高い。また、上記従来の手法では、１回目はバンプ２ａを形成するためのエッチング、２回目はエッチングストップ層３を除去するためのエッチングと、少なくとも２回、種類の異なるエッチングを行なう必要がある。このためその分の工数が掛かり、選択的にエッチングする為にエッチング材料も異なりエッチング材料費も掛かる。
【０００６】
上記従来の技術では、層数を多くする場合、例えば配線膜形成用金属層４にエッチングで配線膜４ａを形成してから図２６（Ｄ）に示す状態の配線基板を積層し、その配線膜形成用金属層４ａにエッチングで次の配線膜４ａを形成してから図２６（Ｄ）に示す状態の次の配線基板を積層するといった手順を繰り返す必要があり、一度に所要の層数を重ねて一括してプレスするというようなことはできなかった。
【０００７】
また、上記従来の手法では、図２７に示すように、バンプ形成用金属層２にバンプに対応したエッチングレジストパターン８を形成し、このパターン８をマスクとしてエッチンを行ないバンプ２ａを形成するが、この場合、エッチングの深さとの関係で、各エッチングレジストパターン８の直径は或る値以下にすることはできず、また各エッチングレジストパターン８の間にも或る値以上の隙間Ｇを設けておく必要がある。
このため、エッチングレジストパターン８のピッチ、言い換えればバンプ２ａのピッチは或る値以下にはすることはできず、例えば金属層の厚みが０．１ｍｍの時０．４ｍｍＰが限界となっている（このときバンプの裾部分の直径は０．１５ｍｍ）。
【０００８】
また、上記従来の手法では、形成されるバンプ２ａを支承するために配線膜形成用金属層４はコンベアでの搬送に耐え得る厚みが必要であり，極端に薄くなることは処理中にしわ、傷、破れが生じ実質的に採用できない。サブトラクト法より微細化の可能なセミアディティブ法を採用することは絶縁膜５の両側に３〜５μ程度の厚みの金属箔が利用できれば好都合であるが、配線層を３〜５μ程度の厚みにすることは上述の理由で困難だった。
また、上記従来の手法では、バンプ２ａを高くした場合にバンプ２ａのいわば裾の部分の直径も必然的に大きくなる。このため、バンプ２ａを高くした状態では、バンプ２ａのピッチをある程度以下にすることはできなかった。
【０００９】
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、一度に所要の層数を重ね一括してプレスすることも可能な、或いは、エッチングレジストパターンのピッチの限界より更に小さなピッチでバンプを配置することができる、或いは絶縁膜の両側にセミアディティブ法により微細な配線パターンを形成することも可能な、或いはバンプを高くしてもファインピッチが維持できる、多層配線基板の製造方法と、それに用いる配線膜間接続用部材及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の多層配線基板の製造方法は、キャリアの一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、上記キャリアの上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層し、上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを除去し、上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記配線膜形成用金属箔とは別の配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。
【００１１】
請求項２の多層配線基板の製造方法は、層間絶縁膜となるキャリアの一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、上記バンプが上記キャリアを貫通する状態にし、上記キャリアの両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該キャリア、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。
【００１２】
請求項３の多層配線基板の製造方法は、一つの配線膜形成用金属箔の一方の主面に複数のバンプを形成した部材と、別の配線膜形成用金属箔の一方の主面に、層間絶縁用の絶縁膜を積層し、該絶縁膜に上記複数のバンプと対応する複数のバンプ対応孔を形成した部材とを用意し、上記二つの部材を、上記一方の部材の各バンプが他方の部材のそれと対応する各バンプ対応孔に位置整合するように位置合わせして積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。
【００１３】
請求項４の多層配線基板の製造方法は一つの型の一方の主面に複数のバンプを形成した部材と、層間絶縁用の絶縁膜の一方の主面に別の型を積層し、該型に上記バンプと対応するバンプ対応孔を形成した部材を用意し、上記バンプを形成した部材のそのバンプを形成した側に、それと別の部材の上記絶縁膜を、上記バンプ対応孔と上記バンプとの対応するもの同士が位置整合するようにあてがい、上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにし、上記二つの型を取り去った後、上記絶縁膜の両面に配線膜形成用金属箔を積層して、該絶縁膜、上記バンプ及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化することを特徴とする。
【００１４】
請求項５の多層配線基板の製造方法は、請求項４記載の多層配線基板の製造方法において、上記バンプ対応孔を形成した上記型として、該型の上記絶縁膜と反対側の面に接着剤付きの樹脂フィルムを該接着剤にて接着したものを使用し、上記二つの型に加圧力を加えて上記絶縁膜が上記バンプに貫通されるようにした後、上記二つの型の取り去りの際、上記樹脂フィルムを剥がすことによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接着剤を介して取り去ることを特徴とする。
【００１５】
請求項６の多層配線基板の製造方法は、バンプ形成用金属箔の一方の主面側からハーフエッチングすることにより複数のハーフバンプを形成する工程と、上記バンプ形成用金属箔の上記一方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、上記バンプ形成用金属箔の他方の主面側からハーフエッチングすることにより上記ハーフバンプと一体化してバンプを成す複数のハーフバンプを形成する工程と、上記バンプ形成用金属箔の上記他方の主面に層間絶縁用の絶縁膜を上記ハーフバンプにより貫通されるように積層する工程と、上記絶縁層の表面に上記ハーフバンプと接続される配線膜形成用金属箔を積層する工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
請求項７の配線膜間接続用部材の製造方法は、バンプ形成用金属層にキャリヤ層を積層する工程と、前記バンプ形成用金属層の前記キャリヤ層が積層された面とは反対の面にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記バンプ形成用金属層をエッチングし前記キャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された第１の部材を形成する工程と、該第１の部材に絶縁膜を該絶縁膜から前記バンプの頂部が露出するように積層し第２の部材を形成する工程と、該第２の部材から前記キャリヤ層を除去し一つの配線膜間接続用部材を形成する工程と、前記バンプ形成用金属層とは別のバンプ形成用金属層に前記キャリヤ層とは別のキャリヤ層を積層する工程と、前記別のバンプ形成用金属層の前記別のキャリヤ層が積層された面とは反対の面に前記レジストパターンとは別のレジストパターンを形成する工程と、前記別のレジストパターンをマスクとして前記別のバンプ形成用金属層をエッチングし前記別のキャリヤ層に略コニーデ状のバンプが突設された別の第１の部材を形成する工程と、該別の第１の部材のバンプの頂部が前記一つの配線膜間接続用部材の絶縁膜から露出するように該別の第１の部材と前記一つの配線膜間接続用部材とを積層し前記第２の部材とは別の第２の部材を形成する工程と、該第２の部材から前記別のキャリヤ層を除去し略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された新たな配線膜間接続用部材を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
請求項８の多層配線基板の製造方法は、 略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された配線膜間接続用部材に導電膜を形成する工程と、該導電膜の上にメッキにより配線パターンを形成する工程と、クイックエッチングにより前記導電膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。
請求項９の配線膜間接続用部材は、略コニーデ状のバンプが絶縁膜に埋設配置された部材が複数枚、夫々のバンプが重なるように積層されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の多層配線基板の製造方法によれば、一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成したキャリアの一方の主面に形成した層間絶縁用の絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層した後、上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に配線膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを除去し、その除去面に別の配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化するので、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができる。従って、その分コストが低く抑えられる。
【００１９】
そして、２つの配線膜形成用金属箔銅箔を２回に分けて別々のプレスにより積層するので、１回目の積層の際には層間絶縁用絶縁膜とキャリアとの二つの部材によりバンプ相互の位置関係を規定してその配線膜形成用金属箔に一体化することができ、バンプ相互間の位置関係のずれを極めて小さくすることができる。そして、そのバンプ相互の位置関係が上記配線膜形成用金属箔により規定された状態で別の配線膜形成用金属箔のプレスによる積層を行うので、その位置関係についての高い精度を維持しながら配線基板の形成ができるのである。
【００２０】
請求項２の多層配線基板の製造方法によれば、一方の主面に略コニーデ状の複数のバンプを形成した層間絶縁膜となるキャリアを用意し、更に該バンプが上記キャリアを貫通する状態にし、上記キャリアの両面に配線膜形成用金属箔を積層して一体化するので、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができる。従って、その分コストが低く抑えられる。そして、キャリアをそのまま層間絶縁膜として用いるので、キャリアを無駄にしなくて済み、延いては、材料費の節減を図ることができる。
【００２１】
請求項３の多層配線基板の製造方法によれば、単に、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができるのみならず、配線膜形成用金属箔にバンプを形成した部材に積層する層間絶縁用の絶縁膜に予め上記バンプと対応するバンプ対応孔を形成しておくので、該絶縁膜を積層する際に、該絶縁膜がバンプにスムーズに貫通され、その際に生じる絶縁膜形成材料によるゴミ、カスによる汚染をより少なくすることができる。
【００２２】
請求項４の多層配線基板の製造方法によれば、単に、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができるのみならず、層間絶縁用絶縁膜を、バンプ対応孔を形成した型を介して、バンプのある配線膜形成用金属箔に上記バンプ対応孔と上記バンプとを位置整合した状態でプレスして積層するので、該絶縁膜を積層する際に、該絶縁膜がバンプ対応孔を有する型とバンプとにより鋭く貫通され、その際に生じる絶縁膜形成材料により生じるゴミ、カスを低減することができ、汚染をより少なくすることができる。
【００２３】
請求項５の多層配線基板の製造方法によれば、請求項１０記載の多層配線基板の製造方法において、バンプ対応孔を形成した型として、該型の上記絶縁膜と反対側の面に接着剤付きの樹脂フィルムを該接着剤にて接着したものを使用し、該樹脂フィルムを剥がすことによりバンプ対応孔を有する方の型を上記接着剤を介して取り去るようにするので、樹脂フィルムを取り去ることにより型を貫通に際して生じたゴミもろとも取り去ることができる。従って、よりゴミ、カスを低減することができ、汚染をより少なくすることができる。
【００２４】
請求項６の多層配線基板の製造方法によれば、バンプをその配置密度を高めることを徒に制約することなく、高くすることができる。即ち、通常、選択的エッチングにはサイドエッチングが伴い、サイドエッチング量は概ねエッチング深さに比例する。従って、バンプの高いものを得ようとする程サイドエッチング量が大きくなり、延いては集積密度が低くなる。しかし、本多層配線基板の製造方法によれば、厚いバンプ形成用銅箔の両面からのハーフエッチング（異時又は同時のハーフエッチング）によりハーフバンプを形成し、二つのハーフバンプの組み合わせにより一つのバンプを形成することとするので、少ないサイドエッチング量で高いバンプを形成することができるのである。
【００２５】
請求項７の配線膜間接続用部材の製造方法によれば、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができ、その分コストが低く抑えられるのみならず、エッチングレジストパターンのピッチの限界を越えて更に小さなピッチでバンプを配置することができるという効果がある。
【００２６】
請求項８の多層配線基板の製造方法によれば、両面に配線膜を有する配線基板を、汎用品として安価である通常の銅箔等を素材として製造することができ、その分コストが低く抑えられるのみならず、絶縁膜の両側にセミアディティブ法の特徴である微細パターンを形成することができるという効果がある。
請求項９の配線膜間接続用部材によれば、バンプを高くしてもファインピッチを維持することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の最良の形態は、例えば樹脂からなるキャリアの一方の主面に、例えば銅からなる略コニーデ状の複数のバンプを形成したものを用意し、上記キャリアの上記一方の主面に層間絶縁用の例えば樹脂からなる絶縁膜を、該絶縁膜自身が上記バンプに貫通されるように積層し、上記絶縁膜の上記キャリアと反対側の面に例えば銅からなる配線膜形成用金属箔を積層し、上記キャリアを除去し、上記絶縁膜の上記キャリアを除去した面に上記配線膜形成用金属箔とは別の例えば銅からなる配線膜形成用金属箔を積層して上記バンプ、絶縁膜及び二つの配線膜形成用金属箔を一体化するというものである。
【実施例１】
【００２８】
以下、本発明の詳細を図示実施例に基いて説明する。
図１（Ａ）〜（Ｈ）は第１の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法を工程順に示す断面図ものである。
【００２９】
（Ａ）先ずバンプ形成用金属層たる銅箔１２に接着剤を介してあるいは直接ラミネートすることにより、キャリヤ層たる第１の樹脂フィルム１３を積層（接着）する（図１（Ａ））。銅箔１２の厚さは任意で、形成しようとするバンプ１４の高さに対応して定められるが、例えば厚さ１００μｍとされる。なお、第１の樹脂フィルム１３に代え、例えばアルミニウムなどから成る金属箔をキャリヤ層として銅箔１２に積層しても良い。
【００３０】
（Ｂ）次に、銅箔１２の二面のうち前記第１の樹脂フィルム１３が積層された面ではない方の面に、バンプ形成のためのエッチングレジストパターン１６を形成する（図１（Ｂ））。
（Ｃ）次に、このエッチングレジストパターン１６をマスクとして、銅箔１２をエッチングする。
【００３１】
これで、第１の樹脂フィルム１３に略コニーデ状のバンプ１４が突設された第１の部材１７が形成される（図１（Ｃ））。バンプ１４の大きさは任意であるが、例えば高さ１００μｍの場合、頂部の直径１００μｍ、裾の部分の直径１５０μｍなどとされる。
【００３２】
（Ｄ）次に、配線板の絶縁膜に相当する絶縁膜たる第２の樹脂フィルム１８を第１の部材１７のバンプ１４が突設されている側から当設する（図１（Ｄ））。この第２の樹脂フィルム１８の厚さも任意であるが、例えば５０μｍとされる。また、素材としては熱可塑性樹脂、例えば液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂または熱硬化性樹脂のＢステージ状態のエポキシプリプレグなども好適である。
（Ｅ）次に、バンプ１４の頂部が露出するように、この第２の樹脂フィルム１８に第１の部材１７を積層して第２の部材１９を形成する（図１（Ｅ））。
【００３３】
尚、第２の樹脂フィルム１８の第１の部材１７への積層は、具体的には例えば図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すような手順で行なう。即ち、先ず第２の樹脂フィルム１８を第１の部材１７のバンプ１４が突設されている側から当接する（図２（Ａ））。次いで、この第２の樹脂フィルム１８を砥石２１でこする（図２（Ｂ））。これにより、バンプ１４の頂部にあたる部分の樹脂が研磨除去され、第２の樹脂フィルム１８に食い込んで行き、やがてこの第２の樹脂フィルム１８を突き破り、バンプ１４の頂部が第２の樹脂フィルム１８から露出した状態になる。なお、砥石２１の代りに研磨ローラ等を用いても良い。
【００３４】
（Ｆ）次に、バンプが樹脂フィルム１８に食い込み、保持されたら、この第２の部材１９から第１の樹脂フィルム１３を剥離する（図１（Ｆ））。これで略コニーデ状のバンプ１４が絶縁膜たる第２の樹脂フィルム１８に埋設配置された配線膜間接続用部材２２が形成される。尚、図１（Ｆ）に示すような配線膜間接続用部材２２、即ち、略コニーデ状のバンプ１４の裾の部分（基部）が第２の樹脂フィルムから突出する配線膜間接続用部材２２ではなく、図１（（Ｆ‘）に示すような配線膜間接続用部材２２、即ち、バンプ１４の頂部が第２の樹脂フィルム１８から突出する配線膜間接続用部材２２を得るようにすることもできる。
【００３５】
図３（Ａ）〜（Ｃ）はその図１（Ｆ‘）に示すような配線膜間接続用部材２２を得る方法を示す。具体的には、図３（Ａ）に示す状態（図１（Ｃ）に示す状態と同じ）にし、その後、第２の樹脂フィルム１８に弾力性のあるシート、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、紙、ポリ塩化ビニデンあるいはゴムのシート７０を配置し、全面をプレスして図３（Ｂ）に示す状態にし、その後、そのシート７０及び第１樹脂フィルム１３を除去して図３（Ｃ）に示す状態にする。すると、図１（Ｆ’）に示す配線膜間接続用部材２２を得ることができる。
【００３６】
また、樹脂フィルム１８として、予めドリルあるいはパンチングあるいはレーザ光で、穴をあける方法により、所定位置に穴あけしたものを用いて図１（Ｆ’）に示す配線膜間接続用部材２２を得るようにしても良い。図４（Ａ）〜（Ｃ）はそのような配線膜間接続用部材２２を得る方法を示すものである。即ち、図１（Ｄ）に示す工程、図２に示す工程では第２の樹脂フィルム１８として孔のないものを用意するが、本方法では、図４（Ａ）に示すように、各バンプ１４に対応する位置に、そのバンプ１４の少なくとも基部（裾野部分）の径よりも小さい径の孔７１を形成したものを第２の樹脂フィルム１８として用意する。
【００３７】
その後、その第２の樹脂フィルム１８をバンプ１４が形成された第１の樹脂フィルム１３上に、その各孔７１と各バンプ１４を対応するように位置合わせして常温下による圧着、或いは熱圧着により、一体化する。図４（Ｂ）はその一体化後の状態を示す。しかる後、図４（Ｃ）に示すように、第１の樹脂フィルム１３を剥離する。このような方法によっても図１（Ｆ’）に示すような配線膜間接続用部材２２を得ることができる。
【００３８】
次に、図１（Ｆ）に示す工程の次の工程（Ｇ）から説明を続ける。
（Ｇ）２枚の配線膜形成用銅箔２３を配線膜間接続用部材２２の両側から当接する（図１（Ｇ））。
（Ｈ）次に、これら配線膜形成用銅箔２３及び配線膜間接続用部材２２を、例えば液晶ポリマーの場合３００゜Ｃ以上の高温でプレスする（図１（Ｈ））。これにより、各配線膜形成用銅箔２３と同じ銅からなるバンプ１４とは、同種金属同士ということで堅固に接合し（Ｃｕ−Ｃｕ接合）、良好な導通状態が実現される。
【００３９】
（変形例）
図５（Ａ）〜（Ｃ）は第１の実施例の変形例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図５（Ａ）に示すように、三層構造の樹脂フィルム１８ａを用意する。該樹脂フィルム１８ａは、芯材を成すポリイミドフィルム１８1の両面に熱可塑性ポリイミド或いはエポキシ変性熱硬化接着材等熱圧着のできるポリイミドフィルム１８2、１８2を接着してなるものである。本変形例は、層間絶縁膜となる第２の樹脂フィルム１８に代えて三層構造の樹脂フィルム１８ａを用いることが図１に示す第１の実施例の製造方法との違いの一つである。
【００４０】
（Ｂ）次に、図５（Ｂ）に示すように、配線膜形成用銅箔２３の一方の主面にバンプ１４、１４、・・・を形成した部材１７ａを、そのバンプ１４、１４、・・で上記三層構造の樹脂フィルム１８ａを貫通するように該樹脂フィルム１８ａの一方の主面に積層して熱圧着する。尚、上記部材１７ａは、例えば、樹脂フィルム上にバンプ形成用の銅箔を積層し、該銅箔を選択的にエッチングし、その後、配線膜形成用銅箔を上記樹脂フィルムと反対側の面に加圧して積層し、しかる後、該樹脂フィルムを除去するというような方法でつくることができる。
【００４１】
（Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すように、樹脂フィルム１８ａの上記配線膜形成用銅箔２３が積層された側と反対側の面に、別の配線膜形成用銅箔２３を積層し熱圧着する。すると、変形例の配線基板１１’ができる。このように、図１に示す配線基板１１には図５（Ｃ）に示すような変形例１１’がある。
【００４２】
なお、配線膜形成用銅箔２３及び配線膜間接続用部材２２等に対するプレスは、例えば図６に示すように二つの高温ローラ２４の間を通す形で実行しても良い。こうするとプレスが連続的に実行され、生産効率を高めることが可能になる。このあと、従来の場合と同様に配線膜形成用銅箔２３をエッチングし、所要の配線パターンを形成する（不図示。図２６（Ｇ）に示す従来の多層配線基板のようになる。）。なお、図１（Ｇ）、（Ｈ）に示す工程において図１（Ｆ）に示す配線膜間接続用部材２２に代えて、図１（Ｆ’）に示す配線膜間接続用部材２２を用いるようにしても良いことはいうまでもない。また、図５に示す変形例或いはそれより後で述べる各種積層についても図６に示すローラを用いることができる。
【実施例２】
【００４３】
図７（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第２の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す方法によって図１（Ｃ）に示す第１の部材１７をつくる。１３は第１の樹脂フィルム、１４は該第１の樹脂フィルム１３に突設された略コニーデ状のバンプである。
【００４４】
ここで、簡単に、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す方法を説明する。バンプ形成用金属層たる銅箔１２にキャリヤ層たる第１の樹脂フィルム１３を積層（接着）し、銅箔１２の二面のうち前記第１の樹脂フィルム１３が積層された面ではない方の面に、バンプ形成のためのエッチングレジストパターン１６を形成し、その後、このエッチングレジストパターン１６をマスクとして、銅箔１２をエッチングする。すると、図７（Ａ）［図１（Ｃ）］に示す第１の部材１７が出来上がる。
【００４５】
（Ｂ）次に、配線板の絶縁膜に相当する絶縁膜たる第２の樹脂フィルム１８を第１の部材１７のバンプ１４が突設されている側から当接し、バンプ１４の頂部が露出するように、この第２の樹脂フィルム１８に第１の部材１７を積層して第２の部材１９を形成する。図７（Ｂ）はその第２の部材１９形成後の状態を示す。この場合、第２の樹脂フィルム１８を第１の樹脂フィルム１３に密着するように積層する。それは、例えば、前述の図４（Ａ）、（Ｂ）に示す方法により、容易に為し得る。
【００４６】
（Ｃ）次に、配線膜形成用銅箔２３ａを、第２の部材１９の第１の樹脂フィルム１３が形成された側と反対側にあてがい、該樹脂フィルム１３にプレスすることにより積層する。図７（Ｃ）はその積層後の状態を示す。
（Ｄ）次に、図７（Ｄ）に示すように、第１の樹脂フィルム１３を剥離する。
（Ｅ）その後、その樹脂フィルム１３を剥離した面に配線膜形成用銅箔２３ｂをあてがい、その状態で第２の部材１９にプレスにより積層する。すると、図７（Ｅ）に示すように、第２の実施例の多層配線基板１１ａが出来上がる。
【００４７】
このように、第２の部材１９に対して樹脂フィルム１３を除去することなく、該フィルム１３の反対側のみに配線膜形成用銅箔２３ａをプレスし、その後、樹脂フィルム１３を除去し、しかる後、その除去した面に２枚目の配線膜形成用銅箔２３ｂをプレスするのは、図１に示す第１の実施例のように部材に対して両方の面側から配線膜形成用銅箔２３、２３をプレスにより積層する場合に比較して、バンプ１４、１４の形成位置のバラツキを少なくすることができるからである。
【００４８】
即ち、図１に示す実施例のように、一度に２枚の銅箔２３、２３を両側からプレスして部材と一体化すると、プレス時におけるバンプ１４、１４、・・・相互の位置関係が第２の樹脂フィルム１８のみによって保持されているに過ぎないので、プレス時に加わる衝撃的加圧力により僅かながらずれが生じ、バンプ１４、１４、・・・の形成位置に僅かながらバラツキが生じる。従って、バンプ１４、１４、・・・の位置精度が相当に高いことが要求される場合には、その要求に応えることが難しい場合がある。
【００４９】
しかし、図７に示す実施例のように、２枚の銅箔２３ａ、２３ｂを２回に分けて別々のプレスにより積層すると、１回目の積層の際には第１の樹脂フィルム１３と第２の樹脂フィルム２８の２枚の樹脂フィルムによりバンプ１４、１４、・・・相互の位置関係を規定することができ、バンプ１４、１４、・・・相互間の位置関係のずれを極めて小さくすることができる。そして、そのバンプ１４、１４、・・・相互の位置関係が銅箔２３ａにより規定された状態で銅箔２３ｂのプレスによる積層を行うので、その位置関係についての高い精度を維持しながら配線基板１１ａの形成ができるのである。従って、工程数が増えるも、バンプ１４、１４、・・・相互間の位置精度が極めて高いことを要求される場合には、図７に示す製造方法により製造すれば良く、位置精度はそこそこの高さで良く、製造工程を減らして製造コストの低減に対する要求が強い場合には、図１に示す製造方法により製造すればよい。
【実施例３】
【００５０】
図８（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第３の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すのと同じ方法により、図８（Ａ）に示す、第１の部材１７をつくる。１３は樹脂フィルム、１４、１４、・・・は銅からなるバンプである。尚、該樹脂フィルム１３は当初はバンプ１４、１４、・・・の形成にあたっての台としての役割を果たすが、後で層間絶縁膜としての役割を果たし、除去されない。
【００５１】
（Ｂ）次に、樹脂フィルム１３の下側に図示しないクッション材を置き、加圧することにより，バンプ１４、１４、・・・をその樹脂フィルム１３を貫通させる。図８（Ｂ）はその貫通した状態を示す。これによりその樹脂フィルム１３を層間絶縁膜として使用することが可能となる。尚、上記クッション材としては発泡剤、例えば発泡ポリプロピレン、発泡ウレタン、厚手の紙、ゴムシート等が好適である。
（Ｃ）次に、図８（Ｃ）に示すように、２枚の配線膜形成用銅箔２３を配線膜間接続用部材２２の両側から当接する。
【００５２】
（Ｄ）その後、これら配線膜形成用銅箔２３及び配線膜間接続用部材２２を高温でプレスする。これにより図８（Ｄ）に示すような配線基板１１ｂができる。本配線基板１１ｂの前述の配線基板１１及び１１ａとの違いは、バンプ１４、１４、・・・の形成の際に台として用いた樹脂フィルム１３を、バンプ１４、１４、・・・形成後も除去することなく層間絶縁膜として用いることにあり、それ故、樹脂フィルム１３を無駄に使うことを回避することができ、延いては材料費の節減を図ることができる。
【実施例４】
【００５３】
図９（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第４の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）配線膜形成用銅箔２３上に層間絶縁膜となる樹脂フィルム（例えばポリイミド或いはＬＣＰからなる）１８を積層した片面銅張り積層板を用意し、該積層板の層間絶縁膜となる樹脂フィルム１８の銅箔２３を積層した側と反対側の面に保護フィルム１３を貼る。図９（Ａ）はその保護フィルム１３を貼った後の状態を示す。ここで、保護フィルム１３は後で行うデスミア処理によるアタックや表面汚れを防止するために貼られるものである。尚、配線膜形成用銅箔２３上の樹脂１８としてポリイミド樹脂を用い、更に、該樹脂１８として熱可塑性ポリイミド或いはエポキシ変性の熱硬化性接着剤など熱圧着のできるポリイミドを用いるようにしても良い。この例では、熱圧着により保護フィルム１３を形成するのである。
【００５４】
（Ｂ）次に、上記保護フィルム１３及び樹脂フィルム１８にレーザビームによる選択的にバンプ対応孔を形成する。１８ｈはそのバンプ対応孔であり、後でバンプが嵌挿される。その後、デスミア処理を施す。具体的には、レーザビームによる孔開け後、そのバンプ対応孔１８ｈの内底面に露出する銅箔２３表面上に残存する有機物を、例えば過マンガン酸カリ溶液等で除去するものである。また、オゾン、プラズマ、サンドブラスト、液体ホーミング等によりドライデスミアをするようにしても良い。図９（Ｂ）はその孔開け及びデスミア処理を施した後の状態を示す。尚、レーザビームによる孔開けを行うのではなく、樹脂フィルム１８として感光性を付与した樹脂フィルムを用い、露光、現像により選択的に孔開けを行うことによりバンプ対応孔１８ｈを形成するようにしても良い。
【００５５】
（Ｃ）次に、図９（Ｃ）に示すように、保護フィルム１３を除去する。
（Ｄ）次に、配線膜形成用銅箔２３の一方の主面にバンプ１４、１４、・・・を形成した部材１７ａを用意し、該部材１７ａを、その各バンプ１４、１４、・・・が上記積層体（銅箔２３に樹脂フィルム１８を積層してなる積層体）のバンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、・・・と対応するように位置合わせして積層体の孔形成面に臨ませる。図９（Ｄ）はその部材１７を積層体に臨ませた状態を示す。
【００５６】
（Ｅ）その後、上記部材１７ａと上記積層体をプレスにより積層すると、上記樹脂フィルム１８を層間絶縁膜とし、その各バンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、・・・にバンプ１４、１４、・・・が位置した配線基板１１ｃが出来上がる。図９（Ｅ）はその配線基板１１ｃを示す。
【００５７】
このような方法によっても配線基板を得ることができる。このような方法によれば、樹脂フィルム１８にバンプ１４、１４、・・・と対応してそれが通バンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、・・・を形成したので、バンプ１４、１４、・・・を樹脂フィルム１８中に押し込んで嵌挿する際に生じる樹脂フィルム１８によるゴミ、カスによる汚染を軽減することができる。
【００５８】
尚、上位部材１７ａは、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す方法で形成した部材１７を用意し、その各バンプ１４、１４、・・・を対応するバンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、・・・に嵌合した状態にし、その後、樹脂フィルム１３［図１（Ａ）〜（Ｃ）における第１の樹脂フィルム１３参照］のプレス前にその樹脂フィルム１３を剥がし、更に、配線膜形成用銅箔２３を重ね、その後、プレスすることによって得ることができる。
【００５９】
また、図９（Ａ）における保護フィルム１３としてフォトレジストからなるものを用い、これを感光及び現像することによりパターニングし、そのパターニングされた保護フィルム１３をマスクとして樹脂フィルム１８をエッチングすることによりバンプ対応孔１８ｈ、１８ｈ、・・・を形成するようにしても良い。また、本実施例において、樹脂フィルム１８として多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用いるようにしても良い。というのは、多孔質であることからバンプ１４、１４、・・・による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからである。即ち、上述したように、多孔性でない通常の樹脂だと、バンプ１４、１４、・・・で貫通されるとき、貫通されにくく、樹脂が歪み、ゴミ、カスが生じそれが汚染源になるからであり、そのため、前述のように、クリーニング処理が必要となる。しかるに、貫通性が良好だと汚染が少なく、クリーニング処理が簡単で済む、ないしは、不要となる。ところで、多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイプと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向がある。
【実施例５】
【００６０】
図１０（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の第５の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。（Ａ）先ず、図１０（Ａ）に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム１８上に、上型８０を積層したものを用意する。該上型８０は、金属（例えばＳＵＳ等）或いは樹脂からなり、後述するバンプ（１４、１４、・・・）と対応したバンプ対応孔８２、８２、・・・を有する。尚、該バンプ対応孔８２、８２、・・・は、例えば、樹脂フィルム１８上に接着された上型８０上にフォトレジストを塗布し、該フォトレジストを露光及び現像することによりパターニングしてマスク膜とし、このフォトレジストからなるマスク膜をマスクとして上型８０をエッチングすることにより形成することができる。尤も、上型８０のバンプ対応孔８２、８２、・・・の形成は、上型８０を樹脂フィルム１８上に接着しない段階で行うようにしても良い。
【００６１】
（Ｂ）次に、図１０（Ｂ）に示すように、金属（例えばＳＵＳ等）或いは樹脂からなる下型８４上にバンプ１４、１４、・・・を形成した部材１７ｂを用意し、その部材１７ｂのバンプ１４、１４、・・・形成面の上方に、上記上型８０を樹脂フィルム１８が下側を向く向きで、且つ各バンプ対応孔８２、８２、・・・が対応するバンプ１４、１４、・・・と位置が整合するように位置合わせして臨ませる。
（Ｃ）次に、図１０（Ｃ）に示すように、上記上型８０を上記下型８４側に加圧して、上記樹脂フィルム１８がバンプ１４、１４、・・・により貫通された状態にする。
【００６２】
（Ｄ）次に、図１０（Ｄ）に示すように、上型８０を取り去る。尚、ここで、この貫通により樹脂のゴミ、カス等が生じ、それにより樹脂フィルム１８表面が汚染されるので、この加圧工程の終了後、クリーニングすることが好ましい。
（Ｅ）次に、図１０（Ｅ）に示すように、下型８４を取り去る。
（Ｆ）次に、図１０（Ｆ）に示すように、バンプ１４、１４、・・・により貫通された樹脂フィルム１８の両面に配線膜形成用銅箔２３、２３を臨ませる。
（Ｇ）その後、該配線膜形成用銅箔２３、２３をその樹脂フィルム１８に加圧して積層する。すると、配線基板１１ｄができ上がる。
【００６３】
尚、本実施例においても、上記第４の実施例におけると同様に、樹脂フィルム１８として多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用いるようにしても良い。
（変形例）
【００６４】
図１１（Ａ）〜（Ｅ）は上記図１０に示す製造方法の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図１１（Ａ）に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム１８上に上型８０ａを形成したものを用意する。この上型８０ａは材料は金属（例えばＳＵＳ）或いは樹脂からなる点で、図１０に示す製造方法の場合と同じであるが、その場合よりも厚さの薄いものを用いる。具体的には、バンプ１４の高さから樹脂フィルム１８の厚さを減じた程度の厚さしか有しないものを用いる。
【００６５】
（Ｂ）次に、図１１（Ｂ）に示すように、上型８０ａにバンプ１４、１４、・・・と対応するバンプ対応孔８２ａ、８２ａ、・・・を形成する。バンプ対応孔８２ａ、８２ａ、・・・の形成方法は図１０に示す製造方法と同じでよい。
（Ｃ）次に、上記上型８０ａ上に、接着剤付きフィルム８６を接着する。８８はフィルム８６の本体、９０は接着剤である。この接着剤付きフィルム８６は後の工程で樹脂フィルム１８をバンプ１４、１４、・・・で貫通することにより樹脂によるゴミ、カスで汚染されることを軽減するためのものである。
【００６６】
そして、その接着剤付きフィルム８６、それに接着された上型８０ａ及び樹脂フィルム１８を，部材１７ｂ［下型８４の一方の主面にバンプ１４、１４、・・・が形成されたもの：図１０（Ｂ）参照］のバンプ１４、１４、・・・形成面上に、バンプ対応孔８２ａ、８２ａ、・・・がバンプ１４、１４、・・・と位置が整合するよう位置合わせして臨ませる。図１１（Ｃ）はその臨ませた状態を示す。
（Ｄ）次に、上記上型８０を上記下型８４に加圧して、上記樹脂フィルム１８がバンプ１４、１４、・・・により貫通された状態にする。図１１（Ｄ）はその状態を示す。尚、この貫通により樹脂のゴミ、カス等が生じると一応はいえる。
【００６７】
（Ｅ）次に、上記接着剤付きフィルム８６を、接着剤９０により該フィルム８６に接着された上型８０ａもろとも除去する。すると、上記貫通により生じた樹脂のゴミ、カス等が接着剤付きフィルム８６及び上型８０ａと共に除かれ、樹脂によるゴミ、カス等による配線基板の汚染がほとんどなくなる。図１１（Ｅ）はその接着剤付きフィルム８６及び上型８０ａの除去後の状態を示す。その後、図１０（Ｅ）〜（Ｇ）に示したと同じ方法で、配線基板１１ｄを得る。このような製造方法によれば、上述したように、樹脂によるゴミ、カス等による配線基板の汚染がほとんどなくなるので、その点で図１０に示す方法よりも優れていると言える。
尚、本変形例においても、より汚染を軽減するために、層間絶縁膜を成す樹脂フィルム１８として、多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用いるようにしても良い。
【実施例６】
【００６８】
図１２（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第６の実施例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。本実施例は、図１０、図１１に示す実施例のものよりもバンプ高さを例えば２倍以上と高くしたものである。
（Ａ）先ず、図１２（Ａ）に示すように、得ようとするバンプ高さ（例えば１００μｍ）より適宜厚い（例えば１５０μｍ）バンプ形成用銅箔１１０を用意する。
【００６９】
（Ｂ）次に、図１２（Ｂ）に示すように、上記バンプ形成用銅箔１１０の一方の主面から選択的にハーフエッチング（例えば７５μｍのエッチング）することによりハーフバンプ１４ａ、１４ａ、・・・を形成する。
（Ｃ）次に、上記バンプ形成用銅箔１１０のハーフバンプ１４ａ、１４ａ、・・・の形成面に、層間絶縁膜を成す樹脂フィルム１１２を、該ハーフバンプ１４ａ、１４ａ、・・・によって貫通されるように積層し、更に、配線膜形成用銅箔１１４をその樹脂フィルム１１２及びハーフバンプ１４ａ、１４ａ、・・・側の面にプレスして一体化する。図１２（Ｃ）はそのプレスによる一体化後の状態を示す。
【００７０】
（Ｄ）次に、上記バンプ形成用銅箔１１０を他方の面（ハーフバンプ１４ａ形成面と反対側の面）から選択的にハーフエッチング（約７５μｍのエッチング）することにより上記ハーフバンプ１４ａ、１４ａ、・・・と一体化してバンプ１４、１４、・・・を成すハーフバンプ１４ｂ、１４ｂ、・・・を形成する。図１２（Ｄ）は該ハーフバンプ１４ｂ形成後の状態を示す。
（Ｅ）上記バンプ形成用銅箔１１０のハーフバンプ１４ｂ、１４ｂ、・・・の形成面に、層間絶縁膜を成す樹脂フィルム１１２を、該ハーフバンプ１４ｂ、１４ｂ、・・・によって貫通されるように積層し、更に、配線膜形成用銅箔１１４をその樹脂フィルム１１２及びハーフバンプ１４ｂ、１４ｂ、・・・側の面にプレスして一体化する。図１２（Ｅ）はそのプレスによる一体化後の状態を示す。
【００７１】
このような配線基板１１ｈは、バンプ１４を、その配置密度を高めることを徒に制約することなく、高くすることができる。即ち、バンプ１４の高さが５０μｍ程度の低い配線基板が要求される場合もあれば、それより高い例えば１００μｍ程度のバンプの配線基板が要求される場合もある。高いバンプの配線基板は、厚い銅箔をベースとしてそれを選択的にエッチングすることにより形成することができるが、通常、選択的エッチングにはサイドエッチングが伴い、サイドエッチング量は概ねエッチング深さに比例する。従って、バンプの高いものを得ようとする程サイドエッチング量が大きくなり、延いては集積密度が低くなる。しかし、厚いバンプ形成用銅箔１１０の両面からのハーフエッチング（異時又は同時のハーフエッチング）によりハーフバンプ（１４ａ、１４ｂ）を形成し、二つのハーフバンプ（１４ａ、１４ｂ）の組み合わせにより一つのバンプ１４を形成することとすれば、少ないサイドエッチング量で高いバンプ１４、１４、・・・を形成することができる。従って、バンプ１４を、その配置密度を高めることを徒に制約することなく、高くした配線基板１１を得ることができる。
【実施例７】
【００７２】
図１３（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第７の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。この実施例は、バンプ１４のピッチについての限界を、複数回の部材の積層で打破しようとするものである。
（Ａ）先ず、第１の実施例の工程の一部、即ち、図１の（Ａ）〜（Ｆ）までを実行し、一つの配線膜間接続用部材２２を形成する（図１３（Ａ））。
【００７３】
次に、同じく第１の実施例の工程の一部、即ち、図１の（Ａ）〜（Ｃ）までを実行し、別の第１の部材３２を形成する（図１３（Ａ））。なお、ここで「別の」と断わったのは、上記一つの配線膜間接続用部材２２を形成する途中でも第１の部材１７が形成されるため（上記図１の（Ａ）〜（Ｆ）の途中の（Ｃ））、これとは別に形成する第１の部材であるということを明確にするためである（以下同じ。）。
【００７４】
（Ｂ）次に、この両者を図１３（Ａ）に示すような位置関係で重ね、別の第１の部材３２のバンプ１４の頂部が一つの配線膜間接続用部材２２の第２の樹脂フィルム１８から露出するように、この別の第１の部材３２と一つの配線膜間接続用部材２２とを積層する。これで別の第２の部材３３が形成される（図１３（Ｂ））。
（４）次に、この別の第２の部材３３から別の第１の樹脂フィルム３４を除去する。これで、略コニーデ状のバンプ１４が第２の樹脂フィルム１８に埋設配置された新たな配線膜間接続用部材３１が形成される（図１３（Ｃ））。
【００７５】
この新たな配線膜間接続用部材３１のバンプ１４のＰ（：ピッチ）は例えば０．２ｍｍＰであり、元になった一つの配線膜間接続用部材２２及び別の第１の部材３２の各バンプ１４のピッチ、例えば０．４ｍｍＰの半分となる。なお、積層の向きであるが、例えば図１４に示す配線膜間接続用部材３６のように、バンプ１４の向きが隣同士反対になるように積層しても良い。また、積層の回数も、上記第２の実施例の配線膜間接続用部材３１のように１回に限られるものではなく、２回、３回と行なっても良い。また、別の第１の部材３２と一つの配線膜間接続用部材２２とでバンプ１４の直径が異なっていても良い。
【実施例８】
【００７６】
図１５（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第８の実施例を示すもので、配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。この実施例は一括プレスで多層配線基板４１を形成するというものである。
（Ａ）先ず、例えば４枚の各両面配線基板４２〜４５の間に、３枚の各配線膜間接続用部材４６〜４８を配置する（図１５（Ａ））。
【００７７】
（Ｂ）次に、これらを高温で一括プレスする。これにより、多層配線基板４１が完成する（図１５（Ｂ））。この場合、４枚の各両面配線基板４２〜４５は第１の実施例の工程の全部を実行し更に配線膜形成用銅箔２３へのパターニングをすることで形成され、３枚の各配線膜間接続用部材４６〜４８は、第１の実施例の工程の一部（図１（Ａ）〜（Ｆ））を実行することで形成される。
【実施例９】
【００７８】
図１６（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第９の実施例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）図１６（Ａ）に示すように、三層構造の金属積層体９０を用意する。該三層構造の金属積層体９０は、例えば１００μｍ程度の厚さのバンプ形成用の銅箔９２の表面に、例えば厚さ０．１程度のニッケルからなるエッチングバリア層９２を介して配線膜形成用の厚さ例えば１８μｍ程度の銅箔９４を積層してなるものである。
【００７９】
（Ｂ）上記銅箔９４に対する選択的エッチング（フォトレジストを塗布し、該フォトレジストを露光、現像することによりパターニングし、そのパターニングしたフォトレジストをマスクとするエッチング）によりパターニングし、更に、そのパターニングされた銅箔９４をマスクとしてエッチングバリア層９２をエッチングし、しかる後、樹脂フィルム９８を、三層構造の金属積層体９０の銅箔９４及びエッチングバリア層９２側の表面に接着する。図１６（Ｂ）はその接着後の状態を示す。該樹脂フィルム９８として熱や紫外線によって接着力が消失し、且つ、樹脂が他のフィルムに転写しないという性質を有するもの（例えば熱により、粘着性が消失するシートとして、日東電工製、品名：リバアルファ）を使用する。
【００８０】
（Ｃ）次に、図１６（Ｃ）に示すように、上記バンプ形成用銅箔９２をその裏面（下面）側から選択的にエッチングすることによりバンプ１４、１４、・・・を形成する。
（Ｄ）次に、図１６（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム１８を、上記バンプ１４、１４、・・・に貫通されるようにして上記樹脂フィルム９８に積層した状態にする。
【００８１】
（Ｅ）次に、上記樹脂フィルム９８に対して例えば紫外線を照射してその接着力を奪い、除去する。図１６（Ｅ）はその樹脂フィルム９８が除去されてできた配線基板１１ｅを示す。この配線基板１１ｅは、配線基板１１、１１ａ〜１１ｄとは配線膜が一方の主面にのみ形成されるという点で大きく異なっている。
【００８２】
図１７（Ａ）、（Ｂ）はそのような配線基板１１ｄを多数積層して高集積度の多層配線基板を得る製造方法の一例を示す。
（Ａ）先ず、図１７（Ａ）に示すように、所定枚数の配線基板１１ｄ、１１ｄ、・・・を用意し、所定の位置関係で重ね合わせる。
【００８３】
（Ｂ）次に、図１７（Ｂ）に示すように、上記重ね合わされた所定枚数の配線基板１１ｄ、１１ｄ、・・・をプレスにより加圧して一体化する。このように、一方の主面のみに配線膜が形成された配線基板１１ｄを多数枚積層して一体化することによっても高集積度多層配線基板を得ることができる。
【実施例１０】
【００８４】
図１８（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第１０の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図１８（Ａ）に示すように、配線膜形成用銅箔２３を接着シート１００の一方の主面に接着したものを用意する。
（Ｂ）次に、図１８（Ｂ）に示すように、上記配線膜形成用銅箔２３を例えばフォトエッチングによりパターニングすることにより配線膜を形成する。
【００８５】
（Ｃ）次に、図１８（Ｃ）に示すように、上記各配線膜２３、２３、・・・上に導電ペース膜からなるバンプ１４ａ、１４ａ、・・・を形成する。導電ペーストは、銀或いは銅等の金属粉とバインダと溶剤を混合してペースト化したものである。
（Ｄ）次に、図１８（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜となる樹脂フィルム１８を、上記バンプ１４ａ、１４ａ、・・・に貫通されるようにして上記接着シート１００に接着した状態にする。
【００８６】
（Ｅ）その後、上記接着シート１００を除去する。それにより、図１８（Ｅ）はその接着シート１００が除去されてできた配線基板１１ｆを示す。この配線基板１１ｆは、配線基板１１、１１ａ〜１１ｄとは配線膜が一方の主面にのみ形成されるという点で大きく異なっており、また、バンプ１４ａが導電ペーストから形成されるという点で、配線基板１１、１１ａ〜１１ｅの何れとも異なる。
【００８７】
図１９（Ａ）、（Ｂ）はそのような配線基板１１ｆを多数積層して高集積度の多層配線基板を得る製造方法の一例を示す。
（Ａ）先ず、図１９（Ａ）に示すように、所定枚数の配線基板１１ｆ、１１ｆ、・・・を用意し、所定の位置関係で重ね合わせる。
【００８８】
（Ｂ）次に、図１９（Ｂ）に示すように、上記重ね合わされた所定枚数の配線基板１１ｆ、１１ｆ、・・・をプレスにより加圧して一体化する。このように、一方の主面のみに配線膜が形成され、バンプ１４ａが導電ペーストからなる配線基板１１ｆを多数枚積層して一体化することによっても高集積度多層配線基板を得ることができる。
【実施例１１】
【００８９】
図２０（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１１の実施例を示すもので、多層配線基板を形成する方法の工程を順に示す断面図であり、この実施例は、配線膜間接続用部材２２の両面にセミアディティブ法で配線パターンを形成するものである。
（Ａ）先ずアルミニウムキャリヤ５２に担持されている厚さ３μｍの銅箔５３を配線膜間接続用部材２２の両面に積層プレスし、一体化する（図２０（Ａ））。
【００９０】
（Ｂ）次にエッチングでアルミニウムキャリヤ５２を剥離し、配線膜間接続用部材２２の両面に積層された銅箔５３を露出させる（図２０（Ｂ））。
（Ｃ）次に、所要のパターンの逆のメッキレジストを形成し（図示せず）、これら銅箔５３を導電膜として、夫々の銅箔５３の表面にメッキにより配線パターン５４を形成し、メッキレジストを剥離する（図２０（Ｃ））。
【００９１】
（Ｄ）次に、クイックエッチングで前記３μｍの銅箔５３をエッチング除去する。この際、パターン５４は同時にエッチングを受けるが若干量であり、パターンとしては支障はない。これにより、両面に配線パターン５４を備えた多層配線基板５１が完成する（図２０（Ｄ））。
【００９２】
尚、樹脂フィルム１８として多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用いると良い。というのは、多孔質であることからバンプ１４、１４、・・・による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからである。即ち、多孔性でない通常の樹脂だと、バンプ１４、１４、・・・で貫通されるとき、貫通されにくく、樹脂が歪み、ゴミ、カスが生じそれが汚染源となる。しかるに、多孔質の樹脂フィルムを用いると、貫通性がよいので、そのような汚染が少ないのである。尚、多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイプと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向がある。
【実施例１２】
【００９３】
図２１（Ａ）、（Ｂ）は第１２の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断面図であり、この実施例はバンプ１４を２段重ねにするものである。
（Ａ）先ず、配線膜間接続用部材２２を２枚重ねて配置すると共に配線膜となる銅箔２３をその上下に配置する（図２１（Ａ））。
【００９４】
（Ｂ）次に、これらを一括して高温でプレスする。これでバンプ１４が２段重ねにされた多層配線基板６１が完成する（図２１（Ｂ））。元来、バンプを高くしたい場合には、バンプ形成用金属層１２の厚みを単に増加させると、バンプの頂部の直径が同じであってもバンプが高い分、裾の直径は大きくなり、結果として、バンプのピッチが大きくならざるを得ない。しかし、この第５の実施例のようにバンプ１４を重ねるという手法を用いると、個々のバンプ１４の高さが無い分、夫々のバンプ１４の裾の部分の直径は細い侭に維持され、結果として、バンプ１４のピッチを小さい侭に維持できる。なお、上記実施例においては、２段に重ねるようにしていたが、さらに多段に重ねることも可能である。
【実施例１３】
【００９５】
図２２（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１３の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図２２（Ａ）に示すように、三層構造の金属積層体９０を用意する。該三層構造の金属積層体９０は、例えば１００μｍ程度の厚さのバンプ形成用の銅箔９２の表面に、例えば厚さ０．１μｍ程度のニッケルからなるエッチングバリア層９４を介して配線膜形成用の厚さ例えば９μｍ程度の銅箔９６を積層してなるものである。
【００９６】
（Ｂ）次に、上記金属積層体９０のバンプ形成用の銅箔９２に対して選択的エッチング処理を施すことにより図２２（Ｂ）に示すように、バンプ１４、１４、・・・を形成する。この場合、上記エッチングバリア層９４が配線膜形成用銅箔９６のエッチングを阻む。その後、バンプ１４、１４、・・・間が該エッチングバリア層９４を介して電気的に接続された状態を回避するために、該バンプ１４、１４、・・・をマスクとして該エッチングバリア層９４を選択的に除去する。
【００９７】
（Ｃ）次に、層間絶縁膜となる、例えばポリイミド樹脂膜或いは熱硬化樹脂等の樹脂膜９８を、バンプ１４、１４、・・・に貫通されるようにして上記積層体９０のバンプ形成面に積層する。図２２（Ｃ）はその積層された状態を示す。
（Ｄ）その後、上記配線膜形成用銅箔９６に対する選択的エッチング処理を施すことにより、図２２（Ｄ）に示すように配線膜９６を形成して配線基板１１ｈを形成する。
【００９８】
上記配線基板１１ｈは、例えばベアチップあるいはウェハバーンインテスト用のコンタクタとして最適である。図２３は該配線基板１１ｈをウェハバーンイン用コンタクタとして使用している状態を示す断面図であり、同図において、１００は半導体ウェハ、１０２、１０２、・・・はそのＩ／Ｏ電極、１０４はテスト回路側のコネクタ、１６、１０６、・・・はその端子で、該端子１０６、１０６、・・・とウェハ１００の電極１０２、１０２、・・・との間にコンタクタとして配線基板１１ｈが介在し、その間の電気的接続状態をバーンインテストの間維持する。
【００９９】
尚、上記ポリイミド樹脂として多孔質ポリイミド樹脂（例えば日東電工製）を用いても良い。というのは、多孔質であることからバンプ１４、１４、・・・による貫通性が良好であり、汚染等が生じないからである。多孔質ポリイミド樹脂等、多孔質樹脂には独立気泡タイプと連続気泡タイプがあり、独立気泡タイプの方が貫通性がより良好で、汚染等が生じにくいという傾向がある。
【実施例１４】
【０１００】
図２４（Ａ）〜（Ｄ）は第１４の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。本実施例は、配線膜間接続用部材２２として、各バンプ１４の上下両端部が第２の樹脂フィルム１８上下両面から突出したものを用い、その部材２２の上下両面に絶縁性樹脂フィルム７２の一方の表面に配線膜７３を形成したものを２枚積層して両面に配線膜７３を有する多層配線基板を得る方法である。
【０１０１】
（Ａ）図２４（Ａ）に示すように、シート（絶縁性であっても金属であっても良い）７２に配線膜となる例えば銅等の金属箔７３を積層したものを用意する。
（Ｂ）次に、上記金属箔７３を選択的にエッチングすることによりパターニングして配線膜７３を形成する（図２４（Ｂ）。これにより片面のみに配線膜７３が形成された片面配線板７４を得る。
【０１０２】
（Ｃ）次に、図２４（Ｃ）に示すように、配線膜間接続用部材として、各バンプ１４の上下両端部が第２の樹脂フィルム１８上下両面から突出したもの２２と、図２４（Ａ）、（Ｂ）に示すようにして得た片面配線板７４を２枚用意し、その配線膜間接続用部材２２の両面に、上記片面配線板７４、７４を、その配線膜７３を部材２２側を向く向きにして臨ませ、位置合わせ（バンプ１４と、各片面配線板７４及び７４の配線膜７３及び７３との間の位置関係を所定通りにする位置合わせ）して臨ませる。
【０１０３】
（Ｄ）次に、常温下或いは熱圧着により上記配線膜間接続用部材２２及び片面配線板７４、７４を一体化する。すると、各片面配線板７４の配線膜７３の表面と第２の樹脂フィルム１８の表面とが同一平面上に位置するように一体化した、即ち、配線膜７３をその表面が樹脂フィルム１８の表面と同一平面上に位置するように埋め込んだ両面に配線膜４３を有する多層配線基板を得る。その後、上記上下両面のシート７２、７２の剥離して除去する。図２４（Ｄ）はその剥離後の状態を示す。
【０１０４】
図２４（Ｄ）に示す両面配線を有する多層配線基板は、配線膜７３のある両面に凹凸がないので、即ち、平坦なので、反りがでにくく、ソルダーレジスト膜の形成が容易になり、ソルダーレジスト膜の欠陥も生じにくく、良好なソルダーレジスト膜の形成が可能になる。また、このような多層配線基板に他の一又は複数の配線基板を積層してより層数の覆い多層配線基板を得るような場合に、その多層配線基板として両面が平坦なものを用いることはその積層を容易にし、信頼性、品質を高める要因になる。
【実施例１５】
【０１０５】
図２５（Ａ）〜（Ｃ）は第１５の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。本実施例は、コアとなる配線基板としてスルーホールを有する多層配線基板を用意し、その両面に、バンプを有する配線間接続部材を積層し、その表面の金属箔を選択的にエッチングして配線膜を形成するというものである。
（Ａ）図２５（Ａ）に示すように、コアとなる多層配線基板としてスルーホールを有するもの７５と、図１（Ｇ）に示す配線膜間接続用部材２２を２枚と、配線膜となる金属箔２３を２枚用意し、コアとなる多層配線基板７５の両面に配線膜間接続用部材２２、２２を位置合わせして臨ませ、更に、その配線膜間接続用部材２２、２２の外側に金属箔２３、２３を臨ませる。
【０１０６】
ここで、上記コアとなる配線基板７５について説明する。７７は絶縁板、７８は該絶縁板７７に形成された貫通孔、７９は該貫通孔７７の表面に形成された、上下配線間接続用配線膜で、例えばメッキ膜からなり、所謂スルーホール、ビアホール形成技術として公知の技術により形成することができる。
（Ｂ）次に、上記コアとなるスルーホールを有する多層配線基板７５と、配線膜間接続用部材２２を２枚と、配線膜となる金属箔２３を２枚を、常温下における圧着或いは加熱による圧着により、図２５（Ｂ）に示すように一体化する。
【０１０７】
（Ｃ）次に、図２５（Ｃ）に示すように、上下両面の金属箔２３、２３をフォトエッチングすることにより配線膜とする。これにより、４層の配線基板が出来上がる。
このような、実施の形態によれば、コアとして従来の一般的な方法により製造された機械的強度を充分に確保できる多層配線基板７５を用い、それに上記配線膜間接続用部材２２、２２を利用した多層配線化技術を適用して、厚くて強度の強い多層配線基板を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明は、多層配線基板の製造方法と、それに用いる配線膜間接続用部材及びその製造方法に広く産業上の利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】（Ａ）〜（Ｈ）は第１の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法を工程順に示す断面図ものであり、（Ｆ’）は（Ｆ）の変形例を示す。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は上記第１の実施例の絶縁膜たる第２の樹脂フィルムと第１の部材とを積層する方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は図１（Ｆ’）に示す配線膜間接続用部材の製造方法の一つの例を工程順に示す断面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は図１（Ｆ’）に示す配線膜間接続用部材の製造方法の別の例を工程順に示す断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は第１の実施例の変形例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図６】配線膜間接続用部材に配線膜形成用銅箔を積層する工程の一例を示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第２の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第３の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第４の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明の第５の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｅ）は上記図１０に示す製造方法の変形例の要部を工程順に示す断面図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第６の実施例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図１３】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の第７の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図１４】図１３に示す実施例の変形例であるところの、バンプの向きが隣同士反対になるように交互に積層された配線膜間接続用部材の一例を示す断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第８の実施例を示すもので、配線基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１６】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第９の実施例を示すもので、配線基板のの製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図１７】（Ａ）、（Ｂ）は図１６に示す方法で製造された配線基板を多数積層して高集積度の多層配線基板を得る製造方法の一例を示す。
【図１８】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第１０の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図１９】（Ａ）、（Ｂ）は図１６に示す方法で製造された配線基板を多数積層して高集積度の多層配線基板を得る製造方法の一例を示す。
【図２０】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１１の実施例を示すもので、多層配線基板を形成する方法の工程を順に示す断面図である。
【図２１】（Ａ）、（Ｂ）は第１２の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断面図であ
【図２２】（Ａ）、（Ｂ）は第１２の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断面図である。
【図２３】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第１３の実施例を示すもので、配線基板の製造方法の工程を順に示す断面図である。
【図２４】（Ａ）〜（Ｄ）は第１４の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。
【図２５】（Ａ）〜（Ｃ）は第１５の実施例を示すもので、多層配線基板の形成方法の工程を順に示すものである。
【図２６】（Ａ）〜（Ｇ）は従来の多層配線基板の形成方法の工程を順に示す断面図である。
【図２７】バンプのピッチの限界の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１１…多層配線基板、１２…銅箔、１３…第１の樹脂フィルム、１４…バンプ、
１６…エッチングレジストパターン、１７…第１の部材、
１８…第２の樹脂フィルム（層間絶縁用絶縁膜）、１９…第２の部材、
２１…砥石、２２…配線膜間接続用部材、２３…配線膜形成用金属（銅）箔、
２４…高温ローラ、３１…配線膜間接続用部材、３２…別の第１の部材、
３３…別の第２の部材、３４…別の第１の樹脂フィルム、３６…配線膜間接続用部材、    ４１…多層配線基板、４２〜４５…両面配線基板、４６〜４８…配線膜間接続用部材、
５１…多層配線基板、５２…アルミニウムキャリヤ、５３…銅箔、５４…配線パターン、  ６１…多層配線基板、７２…キャリア、７３…銅箔、
７５…スルーホールを有する配線板。８０…型（上型）、８２…バンプ対応孔、
８４…型（下型）、８６…接着剤付き樹脂、１１０…バンプ形成用金属箔、
１１２…層間絶縁用絶縁膜、１１４…配線膜形成用金属箔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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