(57)【要約】      （修正有）【課題】ガス放電プロセスにおいてアークを効果的に消弧もしくは抑圧できるアーク抑圧装置を提供すること。【解決手段】アーク認識デバイス２２とアーク抑圧デバイス１８からなるアーク抑圧装置２３．１において、アーク抑圧デバイス１８は制御可能な少なくとも１つの抵抗を有しており、前記抵抗は通常モードにおいて僅かな抵抗値をとり、アーク認識デバイス２２によりアークが識別された場合には高い抵抗値をとるように駆動制御される。それにより交流電圧発生器７．１において電力がアーク抑圧デバイス１８内で消費され、ガス放電装置５には供給されない。【選択図】図１ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アーク抑圧デバイス（１８，１８.３）を有し、交流電圧（Ｕ）、特にＭＦ交流電圧を用いて作動されるガス放電装置（５）におけるアーク消弧のためのアーク抑圧装置であって、
前記アーク抑圧デバイス（１８，１８.３）は少なくとも１つの制御可能な抵抗を有し、該制御可能な抵抗は、直列回路において交流電圧源からガス放電装置（５）の電極（３）まで延在する電気的線路（１７）に設けられている形式のものにおいて、
前記制御可能な抵抗が、アークの発生していない作動モードにおいてアーク発生時のものよりも少ない抵抗値を有するように構成されていることを特徴とするアーク抑圧装置。
【請求項２】
前記アーク抑圧デバイス（１８，１８.３）を駆動制御するアーク識別デバイス（２２）が設けられている、請求項１記載のアーク抑圧装置。
【請求項３】
前記制御可能な抵抗は、アークの発生していない作動モードにおいては１Ωよりも小さい抵抗値、特に０.１Ω以下の抵抗値を有しており、アークが識別された場合には１００ｋΩよりも大きい抵抗値、特に１ＭΩ以上の抵抗値を有している、請求項１または２記載のアーク抑圧装置。
【請求項４】
少なくとも１つの制御可能な抵抗はトランジスタ、特に並列接続されたダイオード（３２，３３）を備えたＩＧＢＴを有している、請求項１から３いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項５】
アーク抑圧デバイス（１８，１８.３）は、対向的に直列接続された２つのトランジスタ（３０，３１）、特にそれぞれ並列に接続されたダイオード（３２，３３）を備えたＩＧＢＴを有している、請求項１から４いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項６】
それぞれ１つのトランジスタ（３０，３１）に並列に接続されたダイオード（３２，３３）が設けられている、該ダイオード（３２，３３）はトランジスタ（３０，３１）に対して対向的な導通方向を有している、請求項１から５いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項７】
前記アーク抑圧装置（２３.１，２３.２，２３.３，２３.４）は、少なくとも１つの電圧制限回路（３５.１，３５.２）を有している、請求項１から６いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項８】
各トランジスタ（３０，３１）に１つの電圧制限回路（３５.１，３５.２）が対応付けられている、請求項１から７いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項９】
電圧制限回路（３５，３５.１，３５.２）は、少なくとも１つのダイオード（３６.１，３７.１，３６.２，３７.２）、有利には直列接続された複数のダイオードを有している、請求項１から８いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項１０】
前記電圧制限回路（３５.１，３５.２）のダイオード（３６.１，３７.１，３６.２，３７.２）は、ツェナーダイオードとして構成されている、請求項１から９いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの制御可能な接続装置（５０，５１）が、異なる電極（３，４）に接続された２つの線路（１７，１９）間に設けられている、請求項１から１０いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項１２】
アーク抑圧デバイス（１８，１８.３）の両側にそれぞれ１つの制御可能な接続装置（５０，５１）が設けられている、請求項１から１１いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項１３】
前記制御可能な接続装置（５０，５１）は、少なくとも１つのトランジスタ（５２，５３）を含んでいる、請求項１から１２いずれか１項記載のアーク抑圧装置。
【請求項１４】
交流電圧発生器（７.１，７.２）、特にＭＦ発生器と、請求項１から１３いずれか１項記載のアーク抑圧装置（２３.１，２３.２，２３.３，２３.４）を含んでいる、交流電圧式ガス放電励起装置（１）において、
前記交流電圧発生器（７.１，７.２）がブリッジ回路（１１）を有している電圧変換器（１０）と電圧変換器制御部（１３）を含んでおり、該電圧変換器制御部は、アーク識別デバイス（２２）に接続されていることを特徴とする交流電圧式ガス放電励起装置。
【請求項１５】
前記電圧変換器（１０）は、出力側共振回路（１２）に接続されている、請求項１４記載の交流電圧式ガス放電励起装置。
【請求項１６】
前記電圧変換器制御部（１３）は、アーク識別デバイス（２２）によってアークを識別した場合に電圧変換器（１０）を、出力側共振回路（１２）にエネルギーを何も供給しないように駆動制御する、請求項１４または１５記載の交流電圧式ガス放電励起装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アーク抑圧デバイスを有し、交流電圧、特に中間周波数の交流電圧を用いて作動されるガス放電装置におけるアーク消弧のためのアーク抑圧装置並びに交流電圧式ガス放電励起装置に関している。
【背景技術】
【０００２】
交流電圧式のガス放電励起装置の構成要素であり得る真空プラズマ発生器は、様々な出力クラスのものが公知であると共に種々異なる出力信号波形を有するものも公知である。
【０００３】
真空式ガラスコーティングでは例えば中間周波（ＭＦ）出力信号を用いた３０ｋＷ〜３００ｋＷの電力のＭＦ発生器が用いられている。この中間周波信号は、主に１０ｋＨｚ〜２００ｋＨｚの周波数帯域の正弦波信号である。その場合の出力電圧は数百ボルトから１０００ボルトまでに達し得る。プラズマの点弧に対してはこの電圧は通常作動モードの時に比べて頻繁に高くなるものである。
【０００４】
プラズマにおいては、短時間の間だけでなく比較的長い時間に亘っていわゆるアークが発生する可能性があり、これは望ましくない。これらのアークは通常は電圧の遮断や低下、並びに電流、特に発生器出力側もしくは発生器内部の別の箇所における電流の増加によるものが知られている。そのようなアークの発生が検出された場合には、できるだけ迅速にそれを消弧させるか完全に広がることがないように対処する必要がある。それに対してはすでに多くの提案がなされてきており、例えばドイツ連邦共和国特許出願DE 41 27 505 C2 明細書では、アークが識別された場合に、交流電流発生器の出力が短絡されている。このことは特に出力の小さなＭＦ式発生器に対しては一番よく用いられている手段である。出力が大きくなればなるほど、そのようなスイッチを短絡させるべき電圧と相応の電流も増大する。このことは非常に大きくて高価な構成部材に結びつく。極端なケースでは、高い電圧と電流を切り替えられるようにするためには複数の構成部材が直列および／または並列回路で結合されなければならない。特に重要なことは、アークの発生の際にＭＦ発生器はできるだけ僅かな残留エネルギーをガス放電プロセスの中で供給することである。このことは特にＭＦプロセスの場合にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の製造が求められる。ここではアークはピクセルエラーにつながる恐れがあり、その場合は個々のピクセルエラーが大きな画面（例えば１９インチＴＦＴモニター）の品質に非常に強く影響を及ぼし、それと共に比較的高い損傷が引き起こされる。アークが発生したなら、できるだけ早くそれを識別して中断させる必要があり、大きな残留エネルギーをアークに流すことは許されない。
【０００５】
さらにアークが識別された場合に、エネルギーが発生器の出力側共振回路へ流れることのないように、発生器もしくは発生器の一部を遮断ないし起動させることも公知である。この手法は、フラットパネルディスプレイＦＰＤの製造に対しては不十分である。なぜならまだ過度に多くの残留エネルギーが出力側共振回路内並びに場合によって存在する発生器の出力トランスのインダクタンス内や給電線路内に残留するからである。それらは実質的にプラズマ（ガス放電プロセス）やアーク自体の大部分に置き換えられる。
【特許文献１】ドイツ連邦共和国特許出願DE 41 27 505 C2 明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、ガス放電プロセスにおいてアークを効果的に消弧もしくは抑圧できるアーク抑圧装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題は本発明により、アーク抑圧デバイスを有し、交流電圧、特にＭＦ交流電圧を用いて作動されるガス放電装置におけるアーク消弧のためのアーク抑圧装置であって、前記アーク抑圧デバイスは少なくとも１つの制御可能な抵抗を有し、該制御可能な抵抗は、直列回路において交流電圧源からガス放電装置の電極まで延在する電気的線路に設けられている形式のものにおいて、前記制御可能な抵抗が、アークの発生していない作動モードにおいてアーク発生時のものよりも少ない抵抗値を有するように構成されて解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
この場合の電気的線路は、交流電圧発生器又はガス放電装置における交流電圧発生器とガス放電装置の間のあらゆる種類の電気的な導通接続線路であり得る。有利には前記アーク抑圧デバイスを駆動制御するアーク識別デバイスが設けられている。制御可能な抵抗は、次のように制御される。すなわち通常の作動モードにおいては低い抵抗値を有するように制御され、アークが識別された場合には高い抵抗値を有するように制御される。高い抵抗値のもとでは、出力側共振回路において、出力トランスのインダクタンスと、ガス放電プロセス、特にガス放電チャンバの電極までのリード導体のインダクタンスに蓄えられた残留エネルギーが消費、特に熱に変換され、それによってガス放電チャンバは遠ざけられている。先の特許文献１（DE 42 27 505 C2）による（並列な）短絡回路では、ガス放電チャンバ内の部材をアークから効果的に保護するためにはまだ不十分である。なぜならそれは何も電力を消費しないからである。閉成されたスイッチを介した電圧はより低く、特に０Ｖ近傍にあり、そのため多大な電流のもとでも言うに値するほどの電力の消費はない。すなわち残留エネルギーの主要な成分が、プラズマとアークの中で消費される。このことは特に望まれないことである。このようなことは本発明による装置によって回避することができる。
【０００９】
すでに前述したように有利には、制御可能な抵抗はアークの発生していない作動モードにおいてアーク発生時のものよりも少ない抵抗値を有する。このことは通常作動モードにおいては制御可能な抵抗により僅かな電力のみが消費され、アーク発生時には高い電力が消費され、それによってガス放電チャンバからそれが遠ざけられることを意味している。
【００１０】
有利には、前記制御可能な抵抗は、アークの発生していない作動モードにおいては１Ωよりも小さい抵抗値、特に０.１Ω以下の抵抗値を有しており、アークが識別された場合には１００ｋΩよりも大きい抵抗値、特に１ＭΩ以上の抵抗値を有している。つまり制御可能な抵抗は、アークが識別された場合には、低いオーム抵抗値から高いオーム抵抗値へ移行するように駆動制御される。この場合の移行期間の間は、エネルギーの一部が発生器の出力側共振回路から消費される。残留エネルギーは発生器内に残される。
【００１１】
低い抵抗値から高い抵抗値への移行は、必ずしも同じような形態でもしくは制御信号を介して線形に行われる必要は全くなく、非線形的に例えばまず最初は緩慢にそしてその後で非常に迅速に高い抵抗値へ移行するものであってもよい。例えばアーク発生時のインピーダンスが約２オームであるならば、制御可能な抵抗（これは通常作動モードにおいて０．１オームよりも小さい抵抗値を有する）はまず最初に数μｓの間、同じように２オームの範囲にある値に制御される（例えば１.５オーム）。それによりエネルギーはアークと制御可能な抵抗へ分割され、エネルギーの非常に高い成分がスイッチにて消費され、ガス放電から遠ざけられる。
【００１２】
有利には前記制御可能な抵抗は、できるだけ迅速に０．１オームよりも小さい値から１Ｍオームよりも大きい値に変更させ、それによって伝流通流を中断させることも可能である。いずれにせよ例えば出力側共振回路とリード線路のインダクタンスが考慮され、それに対して伝流通流が維持され続ける。インダクタンスを通って流れる電流は急激に中断できないことは周知である。中断可能なスイッチをインダクタンスを備えた電流ループに組み込む試みは、開放されたスイッチにおいて電圧の過大な増加に結びつく。このことは最終的には中断され得るスイッチにおいて常に閃絡につながりかねない。基本的には出力側共振回路において電流がその中に残されるか共振され、それ自体は必ずしも制御可能な抵抗を介して電圧増加に結びつくわけではない。リード導体インダクタンスは通流電流を導出する可能性は有しておらず、そのため制御可能な抵抗は、開放スイッチに引き出される。
【００１３】
また制御可能な抵抗は必ずしも電圧ないしは電流に関して線形的である必要はない。例えばそれが低いオーム抵抗値の状態において電流に依存しない一定の電圧降下を有している。
【００１４】
本発明の有利な実施形態によれば、少なくとも１つの制御可能な抵抗はトランジスタ、特に並列接続されたダイオードを備えたＩＧＢＴを有している。トランジスタ、特にＩＧＢＴを用いることによって制御可能な抵抗が特に簡単に実現可能である。
【００１５】
また有利には、アーク抑圧デバイスは、対向的に直列接続された２つのトランジスタ、特にそれぞれ並列に接続されたダイオードを備えたＩＧＢＴを有している。この配置構成は本発明の主旨において制御可能な抵抗として理解される。通常の作動モード、つまりアークの発生していない作動モードにおいては２つのトランジスタがスイッチオンされ、それによって導通する。アークが識別されると、２つのトランジスタはスイッチオフされる。これらのトランジスタは相対向的に接続されているので、制御可能な抵抗は交流電圧の２つの半波に対して、つまり２つの相対向する伝流通流方向において、導通的に制御およびスイッチング可能である。ＩＧＢＴは、高い阻止電圧への耐性と大電流のスイッチングが可能である利点を有している。ＩＧＢＴのスイッチングロスは本発明によって特に有利となる。なぜならその場合に消費されるエネルギーがガス放電プロセスに達しないからである。
【００１６】
前述した作動モードに対して有利には、それぞれ１つのトランジスタに並列接続されたダイオードが設けられており、該ダイオードはトランジスタに対して対向的（逆並列）な導通方向を有している。各ＩＧＢＴは、閉成された低抵抗状態において電流をそのつど一方の方向に導通させる。ＩＧＢＴのスイッチオン状態においても阻止方向へダイオードは電流通流を担う。この電流は、第１のトランジスタと第２のトランジスタの逆並列ダイオードを介して一方の方向へ流れ、そして他の方向へは相応に第２のトランジスタと第１のトランジスタの逆並列ダイオードを介して流れる。
【００１７】
さらに有利には、前記アーク抑圧装置は、少なくとも１つの電圧制限回路を有しており、これは特に制御可能な抵抗ないしはそれに包含されるトランジスタを介して低下する電圧の制限のためである。この手段によって、制御可能な抵抗若しくはそれに含まれる半導体素子、例えばトランジスタなどが電圧によって過負荷されることが回避される。アークが識別された場合には、制御可能な抵抗の抵抗値は、急激に高められ、例えばそれに含まれるスイッチ、特にトランジスタがスイッチオフされることで高められる。ガス放電チャンバへのリード導体のインダクタンスおよび／または発生器の出力側トランスのインダクタンスによって誘起される電流は、制御可能な抵抗を介して高い電圧を引き起こす。電圧制限は、制御可能な抵抗ないしはそれに含まれるスイッチに作用を及ぼし、このスイッチは少なくとも部分的に再び導通状態にもたらされる。すなわち制御可能な抵抗の抵抗値が再び低減される。その場合この抵抗は有利には高抵抗に維持される。
【００１８】
それにより制御可能な抵抗を介して電圧が降下し電流が流れる。これにより熱が発生し、電力が消費される。熱に変換された電力はガス放電プロセスには至らない。アークは著しく低減されたエネルギーしか蓄えず、それによって抑圧若しくは消弧される。残留エネルギーは発生器の振動ないし共振回路において振動する。この関係において有利には、制御可能な抵抗ないしはその構成部材が特に水冷方式によって冷却される。
【００１９】
本発明によるアーク抑圧装置において特に有利には、各トランジスタに１つの電圧制限回路が対応付けられる。相対向的に接続されたトランジスタが直列接続されているので、これらのトランジスタの端子はそれぞれ異なる電位におかれる。それ故に各トランジスタを過電圧から効果的に保護するために、有利には、各トランジスタがそれぞれ固有の電圧制限回路を有している。これによってこれらのトランジスタは特に良好に保護される。
【００２０】
電圧制限回路の特に簡単な構成によれば、電圧制限回路は、少なくとも１つのダイオード、有利には直列接続された複数のダイオードを有している。
【００２１】
また有利には前記電圧制限回路のダイオードは、ツェナーダイオードとして構成されている。この場合この種のＺダイオードは、ＳＧＳトムソン社の登録商標であるトランシルダイオードとして公知である。
【００２２】
特に有利な実施例によれば、少なくとも１つの制御可能な接続装置が、異なる電極に接続された２つの線路間に設けられている。この接続装置によれば、線路間の短絡が形成可能であり、それによってまだ存在する残留エネルギーが消滅可能である。それによりこの残留エネルギーは付加的回路において消費され、ガス放電プロセスには影響しない。
【００２３】
また有利には、アーク抑圧デバイスの両側にそれぞれ１つの制御可能な接続装置が設けられている。この接続装置はアーク識別デバイスによって駆動制御可能である。
【００２４】
前記した制御可能な接続装置は、少なくとも１つのトランジスタを含んでいてもよい。１つのトランジスタは駆動制御可能であり、それによって短絡が形成できる。有利には接続装置は付加的な構成素子、例えば熱を発生し得る抵抗を含んでいてもよい。それにより可及的に多くの残留エネルギーが接続装置において消費され得る。
【００２５】
本発明の枠内ではその他にも交流電圧発生器、特にＭＦ発生器と、前述してきたアーク抑圧装置を含んでいる、交流電圧式ガス放電励起装置が関連している。この場合アーク抑圧装置は、完全に若しくは部分的に交流電圧発生器内に配設されていてもよい。またアーク識別デバイスを交流電圧発生器に設け、アーク抑圧デバイスを交流電圧発生器外部に設けることも考えられる。特にアーク抑圧デバイスは、発生器からガス放電装置へ通じるリード線路の１つに設けてもよい。さらにアーク抑圧デバイスをガス放電装置の端子近傍に設けることも考えられる。しかしながら有利には、すべての構成要素が交流電圧発生器、特にＭＦ発生器内に設けられる。それにより交流電圧発生器は実質的に交流電圧式ガス放電励起装置に相応する。
【００２６】
有利な構成によれば、交流電圧発生器が電圧変換器と電圧変換器制御部を含んでおり、該電圧変換器制御部は、アーク識別デバイスに接続されている。それにより、アークを識別した場合のアーク抑圧デバイスの駆動制御のほかにさらに電圧変換器制御部がアークの発生に関する情報提供もできるようになる。それにより電圧変換器制御部は、電圧変換器を次のように駆動制御可能となる。すなわちできるだけ僅かなエネルギーを交流電圧発生器の出力側共振回路に供給するようにである。この手段によれば、アーク発生時にガス放電プロセスからエネルギーないし電力を遠ざけることがさらに効果的に達成できる。
【００２７】
前記電圧変換器が出力側共振回路に接続されているならば、交流電圧は特に簡単に発生器から出力結合可能である。
【００２８】
本発明のさらなる特徴や利点は、以下の明細書において本発明の主要な個別要素が示されている図面に基づいた本発明の実施例の説明および従属請求項から明らかとなる。これらの個々の特徴部分はそれ自体個別であってもあるいは本発明の変化実施例における任意の組み合わせにおいても実現が可能である。
【００２９】
本発明の別の有利な実施例は図面にも概略的に示されており、さらに以下の明細書では図面に基づいて詳細に説明される。
【実施例】
【００３０】
次に本発明の実施例を図面に基づき以下の明細書で詳細に説明する。図１ａには交流電圧式ガス放電励起装置１が示されており、このガス放電励起装置１はリード線路２を介してガス放電装置５、特にプラズマ装置の電極３，４に接続されている。これらの電極３，４は、真空チャンバ内に設けられており、この真空チャンバ内で加工製品６が処理されている。
【００３１】
この交流電圧式ガス放電励起装置１は、交流電圧発生器７.１を含んでおり、この交流電圧発生器７.１は配電網端子８を有している。この配電網端子８には、配電網整流器９が接続されており、この配電網整流器９はさらなる構成素子、例えばＤＣ／ＤＣ変換器を有し得る。配電網整流器９には電圧変換器１０が後置接続されており、この電圧変換器１０はブリッジ回路１１を含んでいる。電圧変換器１０によって出力側共振回路１２が駆動制御される。電圧変換器１０の出力信号は、電圧変換器１０を駆動制御する電圧変換器制御部１３によって設定される。電圧変換器１０と出力側共振回路１２は、交流電圧源として見なされる。
【００３２】
出力側共振回路１２はコンデンサ１４と出力トランス１６の漂遊インダクタンス１５を含んでいる。出力トランス１６によってガルバニック分離が実施され得る。その他に出力トランス１６は電圧設定に用いることが可能である。ガス放電装置５の電極３につながる電気的線路１７は、アーク抑圧デバイス１８を直列に接続している。電気的線路１７と１９並びに交流電圧発生器７.１の出力端子２０の間には通常作動モードにおいてＭＦ交流電圧が印加される。
【００３３】
ガス放電装置５のガス放電チャンバ内でアークが発生すると、このアークは交流電圧発生器７.１における電流及び／又は電圧及び／又は電力に作用を及ぼす。この特性量若しくはこれらの特性量は例えば電圧変換器１０と出力共振回路１２の間に設けられている測定デバイス２１によって測定され得る。この測定デバイス２１は、交流電圧発生器７.１のその他の箇所に配設してもよいし、あるいはガス放電装置側に設けてもよい。
【００３４】
測定デバイス２１によって測定された特性量に基づいてアーク識別デバイス２２はアークが発生しているか否かを決定する。またこのアーク識別デバイス２２は、アーク抑圧デバイス１８と同じようにアーク抑圧装置２３.１の一部を形成している。その他にこのアーク識別デバイス２２は、電圧変換器制御部にも接続されている。アーク抑圧デバイス１８は、制御可能な少なくとも１つの抵抗を有している。この抵抗は通常作動モードにおいて僅かな抵抗値をとり、アークが識別された場合にはそれが高い抵抗値をとるように駆動制御される。それにより当該交流電圧発生器７.１において電力がアーク抑圧デバイス１８内で消費され、ガス放電装置５には供給されない。
【００３５】
図１ｂは実質的に図１ａに相応しており、唯一の相違点はアーク抑圧装置２３.２が交流電圧発生器７.２の外部に設けられている点である。このことは、アーク抑圧デバイス１８がガス放電装置５にまでのリード線路２の１つに配設されていることを意味する。
【００３６】
図２にはアーク抑圧装置２３.３の構成が示されている。このアーク抑圧装置２３.３は、２つの相対向的に直列接続されている、ＩＧＢＴとして構成されたトランジスタ３０，３１を含んでおり、これらのトランジスタは制御可能な抵抗を表している。トランジスタ３０，３１に対してはそれぞれ１つのダイオード３２，３３が並列接続されており、この場合これらのダイオード３２，３３は、それぞれのトランジスタ３０，３１に対して相対的な導通方向で配設されている。トランジスタ３０，３１は、アーク識別デバイス２２によって駆動制御されている。
【００３７】
図２には各トランジスタ毎に電圧制限回路３５.１，３５.２も示されている。これらの電圧制限回路３５.１，３５.２はそれぞれ２つのＺ（ツェナー）ダイオード３６.１，３７.１，３６.２，３７.２を含んでいる。通常作動モードにおいてはトランジスタ３０，３１は導通される。このことは、電流通流がトランジスタ３０とダイオード３３を介して３８の矢印方向に行われることを意味し、さらにトランジスタ３１とダイオード３２を介して３９の矢印方向に電流が流れることを意味する。２つの方向３８，３９で導通され、制御可能な抵抗として作動可能になる構成素子が得られると同時に２つのトランジスタ３０，３１は固有の１つの構成素子によって置きかえられ得る。
【００３８】
アークが識別されると、アーク識別デバイス２２は、トランジスタ３０，３１を次のように駆動制御する。すなわちそれらがスイッチオフされるように駆動制御する。それにより、矢印方向３８若しくは矢印方向３９の電流通流はもはや不可能となる。しかしながら電圧制限回路３５が所定の値を上回る電圧を確定すると、トランジスタ３０，３１は再び導通状態に切り替えられ、それによってアーク識別時にトランジスタ３０，３１を介して降下する高い電圧に対して付加的に電流が流され、電力が消費される。
【００３９】
図３のアーク抑圧装置２３.４の実施例では、アーク識別デバイス２２とトランジスタ３０，３１の間にそれぞれ１つのガルバニック分離部４０，４１が接続されている。それによってトランジスタ３０，３１の端子４２，４３がアーク識別時にそれぞれ異なった電位におかれることが考慮される。
【００４０】
図４の実施例では、アーク抑圧デバイス１８の両側にさらに付加的な任意の制御可能な接続装置５０，５１が配設されており、これらの接続装置によって、発生器側で交流電圧Ｕが印加されている線路１７，１９が特に短絡的に接続可能となる。この目的のために接続装置５０，５１は、トランジスタとして構成されている切り替え素子５２，５３を有している。この切り替え素子５２，５３に対して当該実施例ではそれぞれ１つの抵抗５４，５５が直列接続されている。それにより接続装置５０，５１を介した電流通流の際に当該抵抗５４，５５において電力が消費される。それにより残留エネルギー、特に共振器１２若しくは出力トランス１６又は線路１７，１９のインダクタンス内に蓄えられた残留エネルギーが変換ないしは消費される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１ａ】ガス放電チャンバに接続されている交流電圧式ガス放電励起装置の第１実施例を示した図
【図１ｂ】交流電圧式ガス放電励起装置の代替的実施例を示した図
【図２】アーク抑圧装置の第１実施例を示した図
【図３】アーク抑圧装置の第２実施例を示した図
【図４】アーク抑圧装置の第３実施例を示した図
【符号の説明】
【００４２】
１      交流電圧式ガス放電励起装置
２      リード線路
３      電極
４      電極
５      ガス放電装置
７.１  交流電圧発生器
８      配電網端子
９      配電網整流器
１０    電圧変換器
１１    ブリッジ回路
１３    電圧変換器制御部
１４    コンデンサ
１６    出力トランス
１７    線路
１８    アーク抑圧デバイス
１９    線路
２１  測定デバイス
２２    アーク識別デバイス
２３.１  アーク抑圧装置
２３.２  アーク抑圧装置
【図１ａ】
2006313752.tif 000003
【図１ｂ】
2006313752.tif 000004
【図２】
2006313752.tif 000005
【図３】
2006313752.tif 000006
【図４】
2006313752.tif 000007