(57)【要約】【課題】  パンチで半導体装置のリードの不要部分を打抜いた時に生じる不要打抜片を確実にパンチの先端部から分離した状態で、パンチを打抜き穴から脱抜することができるリード加工装置を提供する。【解決手段】  ダイ５の下方に、パンチ４で打抜かれたリード３の不要打抜片３ａを真空吸着する吸着板８が設けられ、吸着板８は、不要打抜片３ａを吸着する吸着位置Ｃと、吸着位置Ｃから退避して不要打抜片３ａを排除する排除位置とに横行移動自在に構成され、且つ、吸着位置Ｃにおいてダイ５の打抜き穴の下方に対向する吸着口９を有し、パンチ４は、リード３の不要部分を打抜いた際、打抜き穴内の不要打抜片３ａをダイ５の下方へ押し出して吸着口９へ押し付けるように構成されている。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のリードの不要部分を打抜くパンチがダイに形成された打抜き穴に対して挿脱自在に設けられた半導体装置のリード加工装置であって、
上記ダイの下方に、パンチで打抜かれたリードの不要打抜片を吸着する吸着装置が設けられ、
上記吸着装置は、不要打抜片を吸着する吸着位置と、この吸着位置から退避して吸着した不要打抜片を排除する排除位置とに移動自在に構成され、且つ、上記吸着位置において打抜き穴の下方に対向する吸着部を有し、
上記パンチは、リードの不要部分を打抜いた際、打抜き穴内の不要打抜片をダイの下方へ押し出して吸着部へ押し付けるように構成されていることを特徴とする半導体装置のリード加工装置。
【請求項２】
排除位置まで移動した吸着装置から不要打抜片を除去する除去手段が備えられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置のリード加工装置。
【請求項３】
半導体装置をダイ上にセットし、パンチを下降してダイに形成された打抜き穴に挿入することによって、半導体装置のリードの不要部分を打抜く半導体装置のリード加工方法であって、
パンチを下降させてリードの不要部分を打抜き、上記パンチの下降により打抜き穴内の不要打抜片をダイの下方へ押し出し、押し出された不要打抜片を吸着装置で吸着し、パンチを上昇させた後、吸着装置を吸着位置から排除位置へ移動させ、排除位置において、上記不要打抜片を吸着装置から排除することを特徴とする半導体装置のリード加工方法。
【請求項４】
半導体装置のリードの不要部分を打抜くパンチがダイに形成された打抜き穴に対して挿脱自在に設けられた半導体装置のリード加工装置であって、
上記ダイの下方に、パンチで打抜かれたリードの不要打抜片を受け止める受止部材が設けられ、
上記受止部材は、不要打抜片を受け止める受止位置と、この受止位置から退避して受け止めた不要打抜片を排除する排除位置とに移動自在に構成され、
上記パンチは、リードの不要部分を打抜いた際、打抜き穴内の不要打抜片を、ダイの下方へ押し出して受止部材との間に挟んで押し潰すことを特徴とする半導体装置のリード加工装置。
【請求項５】
排除位置まで移動した受止部材から不要打抜片を除去する除去手段が備えられていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置のリード加工装置。
【請求項６】
半導体装置をダイ上にセットし、パンチを下降してダイに形成された打抜き穴に挿入することによって、半導体装置のリードの不要部分を打抜く半導体装置のリード加工方法であって、
パンチを下降させてリードの不要部分を打抜き、上記パンチの下降により打抜き穴内の不要打抜片をダイの下方へ押し出して、上記不要打抜片をパンチの先端部とダイの下方に設けられた受止部材との間に挟んで押し潰し、
パンチを上昇させた後、受止部材を受止位置から排除位置へ移動させ、排除位置において、上記不要打抜片を受止部材から排除することを特徴とする半導体装置のリード加工方法。
【請求項７】
半導体装置のリードの不要部分を打抜くパンチがダイに形成された打抜き穴に対して挿脱自在に設けられた半導体装置のリード加工装置であって、
上記ダイの下方に、打抜き穴を突き抜けてダイの下方へ突出するパンチの先端部を両側から挟む開閉自在なシャッター装置が設けられていることを特徴とする半導体装置のリード加工装置。
【請求項８】
半導体装置をダイ上にセットし、パンチを下降してダイに形成された打抜き穴に挿入することによって、半導体装置のリードの不要部分を打抜く半導体装置のリード加工方法であって、
パンチを下降させて打抜き穴に挿入し、リードの不要部分を打抜いた際、パンチの先端部を打抜き穴からダイの下方へ突出させ、
ダイの下方に設けられたシャッター装置を閉じて、パンチの先端部を上記シャッター装置で両側から挟み、この状態で、パンチを上昇させて打抜き穴から脱抜することを特徴とする半導体装置のリード加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は例えば半導体装置における樹脂封止済のリードフレーム等のリード付き部品を加工対象とし、そのリード付き部品の不要リード部をパンチとダイで切断除去するリード加工装置およびリード加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、リードフレームに搭載した半導体素子を樹脂に封止したのち、その封止済のリードフレームの不要リード部をリード加工装置で切断除去している。図２１〜図２７は従来におけるこの種のリード加工装置の一例を示す断面図であり、リード加工金型５１は、切り刃部を備え且つ半導体装置５２ａのリード５３の不要部分を打抜くパンチ５４と、このパンチ５４を受ける打抜き穴５５を有するダイ５６とで構成されている。上記パンチ５４は上下方向において打抜き穴５５に挿脱自在である。また、ダイ５６の下方には、不要打抜片５８を回収するボックス５７が設けられている。
【０００３】
以下に、従来のリード加工装置を用いて半導体装置５２ａのリード５３を打抜く工程を説明する。
先ず、図２１に示すように、半導体装置５２ａがダイ５６の上に載置される。次に、図２２に示すように、パンチ５４が下死点Ｂ（下限位置）まで下降してリード５３の不要部分を打抜き、不要打抜片５８（打抜きカス）が、パンチ５４に押されて打抜き穴５５内を落下し、ダイ５６から離脱する。
【０００４】
次に、図２３に示すように、パンチ５４が上死点Ａ（上限位置）まで上昇し、この時、上記不要打抜片５８はダイ５６の下方へ落下してボックス５７に溜まる。次に、図２４，図２５に示すように、リード５３の不要部分が切断されリード加工が完了した半導体装置５２ａが吸着パッド５９ａでダイ５６上から取出され、リード未加工の別の半導体装置５２ｂが吸着パッド５９ｂで搬送されてダイ５６上にセットされる。上記図２１〜図２５を繰り返して、順次、半導体装置５２ａ，５２ｂのリード加工が実施される。
【０００５】
しかしながら、上記の従来形式では、パンチ５４の帯電や打抜き状態等の要因で、図２６に示すように、パンチ５４によって切断された不要打抜片５８がパンチ５４の先端部に付着したまま分離されないことがあった。そのため、図２７に示すように、パンチ５４をダイ５６の上方へ上昇させた際に、それまでパンチ５４の先端部に付着していた不要打抜片５８がダイ５６の上に落下したり、半導体装置５２ａのリード５３の上に落下するなどして、リード５３に圧痕を生じさせたり、半導体装置５２ａにクラック等が発生したり、或いは金型４３が破損するといった問題があった。
【０００６】
上記のような問題の対策として、下記特許文献１には、パンチの先端部に吹出口が形成され、パンチの内部に、上記吹出口へ圧縮エアーを供給するエアー流路が形成されたリード加工装置が開示されている。
【０００７】
これによると、パンチを下降してリードの不要部分を打抜いた際、パンチの先端部がダイのパンチ受け孔内に挿入されている状態で、圧縮エアーを吹出口からパンチ受け孔内に吹き出すことにより、不要打抜片が確実にパンチの先端部から分離する。これにより、パンチの先端部に付着していた不要打抜片がダイの上に落下したり、半導体装置のリードの上に落下するといった問題を防止することができる。
【０００８】
しかしながら上記の従来形式では、例えばリードのピッチが０．３ｍｍのように非常に狭くなった場合、幅が０．３ｍｍ程度のパンチでは、パンチに直径が０．１ｍｍ以下のエアー流路用の穴を形成する必要があり、パンチの加工が困難であるといった問題がある。
【０００９】
また、リードの不要部分を打抜く際、上記パンチには大きな力が作用するため、この力に十分耐える強度が必要である。しかしながら、上記のようにパンチにエアー流路用の穴を形成した場合、パンチの強度が低下するため、エアー流路用の穴の直径を小さくするか或いはパンチの幅を大きくする必要があるが、上記のようにエアー流路用の穴の直径を小さくする場合は、微小な穴の加工が困難となり、また、上記のようにパンチの幅を大きくする場合は、リードのピッチが狭い半導体装置に対して適用できなくなる恐れがある。
【特許文献１】特開平１０−３１３０８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、パンチをダイの打抜き穴に挿入してリードの不要部分を打抜いた後、不要打抜片を確実にパンチの先端部から分離した状態で、パンチを上記打抜き穴から脱抜することができ、さらに、パンチの加工が容易で且つパンチの強度を十分に保つことが可能な半導体装置のリード加工装置およびリード加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本第１発明に係る半導体装置のリード加工装置は、半導体装置のリードの不要部分を打抜くパンチがダイに形成された打抜き穴に対して挿脱自在に設けられた半導体装置のリード加工装置であって、上記ダイの下方に、パンチで打抜かれたリードの不要打抜片を吸着する吸着装置が設けられ、上記吸着装置は、不要打抜片を吸着する吸着位置と、この吸着位置から退避して吸着した不要打抜片を排除する排除位置とに移動自在に構成され、且つ、上記吸着位置において打抜き穴の下方に対向する吸着部を有し、上記パンチは、リードの不要部分を打抜いた際、打抜き穴内の不要打抜片をダイの下方へ押し出して吸着部へ押し付けるように構成されているものである。
【００１２】
これによると、半導体装置をダイ上にセットし、パンチを半導体装置の上方から下降して打抜き穴に挿入し、半導体装置のリードの不要部分を打抜く。この際、パンチは、上記打抜きによって発生した不要打抜片を、打抜き穴内からダイの下方へ押し出し、吸着位置に待機している吸着装置の吸着部へ押し付ける。これにより、上記不要打抜片が吸着部に吸着されてパンチの先端部から分離され、パンチのみが上昇して打抜き穴から脱抜される。そして、上記吸着装置が吸着位置から排除位置へ移動し、排除位置において、上記不要打抜片が吸着装置から排除される。その後、吸着装置は、排除位置から吸着位置へ戻り、次の半導体装置に対する打抜きのために吸着位置に待機する。
【００１３】
これにより、パンチによってリードの不要部分を打抜いた後、不要打抜片をパンチの先端部から確実に分離することができ、したがって、パンチを上昇させた際に、不要打抜片がダイの上に落下したり、半導体装置のリードの上に落下するといったことを防止することができる。
【００１４】
また、ダイの下方に、不要打抜片を吸着する吸着装置を設けたため、パンチに吹出口やエアー流路を形成する必要はなく、したがって、パンチの加工が容易であり、パンチの強度を十分に保つことが可能である。
【００１５】
また、本第２発明に係る半導体装置のリード加工装置は、排除位置まで移動した吸着装置から不要打抜片を除去する除去手段が備えられているものである。
これによると、リードの不要部分を打ち抜いた際、不要打抜片が吸着部に吸着されてパンチの先端部から分離され、パンチのみが上昇して打抜き穴から脱抜される。そして、吸着装置が吸着位置から排除位置へ移動し、除去手段が上記不要打抜片を吸着装置から除去する。その後、吸着装置は、排除位置から吸着位置へ戻り、次の半導体装置に対する打抜きのために吸着位置に待機する。これにより、排除位置まで移動した吸着装置から不要打抜片を確実に除去して回収することができる。
【００１６】
本第３発明に係る半導体装置のリード加工方法は、半導体装置をダイ上にセットし、パンチを下降してダイに形成された打抜き穴に挿入することによって、半導体装置のリードの不要部分を打抜く半導体装置のリード加工方法であって、パンチを下降させてリードの不要部分を打抜き、上記パンチの下降により打抜き穴内の不要打抜片をダイの下方へ押し出し、押し出された不要打抜片を吸着装置で吸着し、パンチを上昇させた後、吸着装置を吸着位置から排除位置へ移動させ、排除位置において、上記不要打抜片を吸着装置から排除するものである。
【００１７】
また、本第４発明に係る半導体装置のリード加工装置は、半導体装置のリードの不要部分を打抜くパンチがダイに形成された打抜き穴に対して挿脱自在に設けられた半導体装置のリード加工装置であって、上記ダイの下方に、パンチで打抜かれたリードの不要打抜片を受け止める受止部材が設けられ、上記受止部材は、不要打抜片を受け止める受止位置と、この受止位置から退避して受け止めた不要打抜片を排除する排除位置とに移動自在に構成され、上記パンチは、リードの不要部分を打抜いた際、打抜き穴内の不要打抜片を、ダイの下方へ押し出して受止部材との間に挟んで押し潰すものである。
【００１８】
これによると、半導体装置をダイ上にセットし、パンチを半導体装置の上方から下降して打抜き穴に挿入し、半導体装置のリードの不要部分を打抜く。この際、パンチは、不要打抜片を、打抜き穴内からダイの下方へ押し出し、受止位置に待機している受止部材との間に挟んで押し潰す。上記不要打抜片は上記のように押し潰されることで打抜き穴の径よりも大きくなるため、パンチが上昇した際、不要打抜片は、パンチの先端部に付随して上昇しても打抜き穴内へ侵入することはできず、ダイの下面に当接してパンチの先端部から分離され、受止部材上に受け止められる。これにより、パンチのみが上昇して打抜き穴から脱抜される。そして、上記受止部材が受止位置から排除位置へ移動し、排除位置において、上記不要打抜片が受止部材上から排除される。その後、受止部材は、排除位置から受止位置へ戻り、次の半導体装置に対する打抜きのために受止位置に待機する。
【００１９】
これにより、パンチによってリードの不要部分を打抜いた後、不要打抜片をパンチの先端部から確実に分離することができ、したがって、パンチを上昇させた際に、不要打抜片がダイの上に落下したり、半導体装置のリードの上に落下するといったことを防止することができる。
【００２０】
また、ダイの下方に、不要打抜片を受け止める受止部材を設けたため、パンチに吹出口やエアー流路を形成する必要はなく、したがって、パンチの加工が容易であり、パンチの強度を十分に保つことが可能である。
【００２１】
また、本第５発明に係る半導体装置のリード加工装置は、排除位置まで移動した受止部材から不要打抜片を除去する除去手段が備えられているものである。
これによると、リードの不要部分を打ち抜いた際、不要打抜片が、パンチの先端部と受止位置に待機している受止部材との間に挟まれて押し潰され、打抜き穴の径よりも大きくなる。このため、パンチが上昇した際、不要打抜片は、ダイの下面に当接してパンチの先端部から分離され、受止部材上に受け止められる。そして、受止部材が受止位置から排除位置へ移動し、除去手段が上記不要打抜片を受止部材から除去する。その後、受止部材は、排除位置から受止位置へ戻り、次の半導体装置に対する打抜きのために受止位置に待機する。これにより、排除位置まで移動した受止部材から不要打抜片を確実に除去して回収することができる。
【００２２】
また、本第６発明に係る半導体装置のリード加工方法は、半導体装置をダイ上にセットし、パンチを下降してダイに形成された打抜き穴に挿入することによって、半導体装置のリードの不要部分を打抜く半導体装置のリード加工方法であって、パンチを下降させてリードの不要部分を打抜き、上記パンチの下降により打抜き穴内の不要打抜片をダイの下方へ押し出して、上記不要打抜片をパンチの先端部とダイの下方に設けられた受止部材との間に挟んで押し潰し、パンチを上昇させた後、受止部材を受止位置から排除位置へ移動させ、排除位置において、上記不要打抜片を受止部材から排除するものである。
【００２３】
また、本第７発明に係る半導体装置のリード加工装置は、半導体装置のリードの不要部分を打抜くパンチがダイに形成された打抜き穴に対して挿脱自在に設けられた半導体装置のリード加工装置であって、上記ダイの下方に、打抜き穴を突き抜けてダイの下方へ突出するパンチの先端部を両側から挟む開閉自在なシャッター装置が設けられているものである。
【００２４】
これによると、半導体装置をダイ上にセットし、パンチを下降させて打抜き穴に挿入し、リードの不要部分を打抜く。この際、パンチの先端部を打抜き穴からダイの下方へ突出させ、シャッター装置を閉じて、パンチの先端部を上記シャッター装置で両側から挟み、この状態で、パンチを上昇させて打抜き穴から脱抜する。
【００２５】
これにより、不要打抜片の側端部に形成された返り部分が下方からシャッター装置に引っ掛かるため、不要打抜片の上昇が阻止されて不要打抜片がパンチの先端部から確実に分離され、パンチのみが上昇して打抜き穴から脱抜される。
【００２６】
また、本第８発明に係る半導体装置のリード加工方法は、半導体装置をダイ上にセットし、パンチを下降してダイに形成された打抜き穴に挿入することによって、半導体装置のリードの不要部分を打抜く半導体装置のリード加工方法であって、パンチを下降させて打抜き穴に挿入し、リードの不要部分を打抜いた際、パンチの先端部を打抜き穴からダイの下方へ突出させ、ダイの下方に設けられたシャッター装置を閉じて、パンチの先端部を上記シャッター装置で両側から挟み、この状態で、パンチを上昇させて打抜き穴から脱抜するものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、半導体装置のリードの不要部分を打抜いた後、パンチを上昇させた際に、不要打抜片がダイの上に落下したり、半導体装置のリードの上に落下するといったことを防止することができ、したがって、リードに圧痕を生じさせたり、半導体装置にクラック等が発生したり、或いは金型が破損するといった不具合を防止することができる。また、パンチの加工が容易であり、パンチの強度を十分に保つことが可能であり、リードのピッチが狭い半導体装置に対しても適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明における実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１〜図５は、第１の実施の形態におけるリード加工装置の断面図であり、プレス金型１によって、半導体装置２ａのリード３の不要部分を打ち抜いて除去するものである。上記プレス金型１は、上死点Ａ（上限位置）と下死点Ｂ（下限位置）との間を昇降自在な複数のパンチ４と、パンチ４の下方に設置されたダイ５とで構成されている。上記ダイ５には、上下両面に開口する複数の打抜き穴６が形成されており、各パンチ４は上方から各打抜き穴６に挿脱自在である。
【００２９】
上記ダイ５の下方には、上記パンチ４で打抜かれたリード３の不要打抜片３ａ（打抜きカス）を真空吸着する真空吸着装置７（吸着装置の一例）が設けられている。この真空吸着装置７は、吸着板８と、吸着板８の上面に開口する複数の吸着口９（吸着部の一例）と、真空発生手段の一例である真空ポンプ１０と、この真空ポンプ１０と上記吸着板８の接続口１１との間に接続されるフレキシブルな接続配管１２（ホース等）と、この接続配管１２の途中に設けられた真空バルブ１３とで構成されている。上記吸着板８内には、接続口１１と各吸着口９とに連通する吸引通路１４が形成されている。
【００３０】
また、上記真空吸着装置７の吸着板８は、レール１５上に支持されており、シリンダ等の移動装置（図示せず）によって、不要打抜片３ａを吸着する吸着位置Ｃと、この吸着位置Ｃから横方向へ退避して吸着した不要打抜片３ａを排除する排除位置Ｄとに横行移動するように構成されている。尚、図１に示すように、吸着板８が吸着位置Ｃにある場合、各吸着口９はダイ５の各打抜き穴６の下方に対向して位置する。
【００３１】
また、図２に示すように、パンチ４は、下死点Ｂまで下降した際、その先端部がダイ５の下面から下方へ突出するように構成され、打抜き穴６内の不要打抜片３ａをダイ５の下方へ押出して吸着口９へ押し付ける。
【００３２】
また、図４に示すように、上記排除位置Ｄまで移動した吸着板８上から不要打抜片３ａを除去する除去ブラシ１７（除去手段の一例）が備えられている。尚、上記除去ブラシ１７は、シリンダ等の昇降装置（図示せず）によって除去位置Ｅと退避位置Ｆとの間を昇降し、図４に示すように除去位置Ｅまで下降した場合、除去ブラシ１７の先端部が吸着板８の上面に当接可能となり、図１に示すように退避位置Ｆまで上昇した場合、除去ブラシ１７の先端部が吸着板８の上面から上方へ退避する。
【００３３】
また、図４に示すように、上記排除位置Ｄまで移動した吸着板８の下方には、上記除去ブラシ１７によって吸着板８上から除去された不要打抜片３ａを回収する集塵ボックス１９が設置されている。
【００３４】
以下、上記リード加工装置を用いたリード加工方法を説明する。
先ず、図１に示すように、半導体装置２ａをダイ５の上にセットする。この際、パンチ４を上死点Ａに待機させ、吸着板８を吸着位置Ｃに待機させ、除去ブラシ１７を退避位置Ｆに待機させておく。
【００３５】
次に、図２に示すように、パンチ４を下死点Ｂまで下降させる。これにより、パンチ４が打抜き穴６に挿入され、リード３の不要部分が打抜かれ、パンチ４の先端部がダイ５の下面から下方へ突出する。この際、上記パンチ４は、上記打抜きによって発生した不要打抜片３ａを、打抜き穴６内からダイ５の下方へ押し出し、吸着板８の吸着口９へ押し付ける。
【００３６】
上記不要打抜片３ａが吸着板８に到達することにより、真空バルブ１３がＯＮ（開）に切換わり、真空ポンプ１０と各吸着口９とが接続配管１２を介して連通し、不要打抜片３ａが吸着口９に真空吸着される。
【００３７】
その後、図３に示すように、パンチ４を下死点Ｂから上死点Ａまで上昇させる。この際、不要打抜片３ａは、吸着口９に真空吸着されているため、パンチ４の先端部から確実に分離され、パンチ４のみが上昇して打抜き穴６から脱抜される。
【００３８】
次に、図４に示すように、上記リード３の不要部分が打抜かれてリード３の加工が完了した半導体装置２ａを吸着パッド２０ａでダイ５上から取り出し、後続のリード未加工の半導体装置２ｂを吸着パッド２０ｂでダイ５上へ搬送してセットする。
【００３９】
また、不要打抜片３ａを真空吸着した状態で、吸着板８を吸着位置Ｃから排除位置Ｄへ移動させる。この際、吸着板８はレール１５に支持案内されて移動し、吸着板８が排除位置Ｄへ到達することにより、真空バルブ１３がＯＦＦ（閉）に切換わり、真空ポンプ１０と各吸着口９との間が真空バルブ１３によって遮断され、真空吸着が解除される。これにより、不要打抜片３ａは、吸着口９に吸着されず、吸着板８上に載置されただけの状態となる。さらに、除去ブラシ１７を退避位置Ｆから除去位置Ｅまで下降し、除去ブラシ１７の先端部を吸着板８の上面に当接させる。
【００４０】
その後、図５に示すように、吸着板８を排除位置Ｄから吸着位置Ｃへ戻す。この際、吸着板８上の不要打抜片３ａは除去ブラシ１７に当って吸着位置Ｃへの移動が阻止されるため、吸着板８のみが吸着位置Ｃへ移動し、上記不要打抜片３ａは、吸着板８上から除去されて落下し、集塵ボックス１９内に回収される。
【００４１】
その後、図１に示すように、吸着板８を吸着位置Ｃに待機させるとともに、除去ブラシ１７を除去位置Ｅから退避位置Ｆまで上昇して待機させる。そして、上記後続のリード未加工の半導体装置２ｂに対して、順次、図１〜図５に示した同様なリード加工を繰り返して行う。
【００４２】
上記のようなリード加工方法により、パンチ４でリード３の不要部分を打抜いた後、不要打抜片３ａをパンチ４の先端部から確実に分離することができる。したがって、パンチ４を上昇させた際に、パンチ４と共に不要打抜片３ａが上昇することはなく、これにより、不要打抜片３ａがダイ５の上に落下したり半導体装置２ａのリード３の上に落下するといったことを防止することができる。
【００４３】
また、ダイ５の下方に、不要打抜片３ａを吸着する真空吸着装置７の吸着板８を設けたため、パンチ４に吹出口やエアー流路を形成する必要はなく、したがって、パンチ４の加工が容易であり、パンチ４の強度を十分に保つことが可能である。
【００４４】
また、上記除去ブラシ１７を用いることにより、排除位置Ｄまで移動した吸着板８上から不要打抜片３ａを確実に除去して回収することができる。
尚、上記第１の実施の形態において、集塵ボックス１９の底部に真空吸引口２３を形成し、吸着板８上から除去された不要打抜片３ａを、上記真空吸引口２３で強制的にエアー吸引して回収してもよい。
【００４５】
上記第１の実施の形態では、吸着装置の一例として、不要打抜片３ａを真空吸着する真空吸着装置７を用いたが、不要打抜片３ａを電磁石の磁力等で吸着するものであってもよい。
（第２の実施の形態）
図６〜図１１は、第２の実施の形態におけるリード加工装置の断面図であり、ダイ５の下方に、パンチ４で打抜かれたリード３の不要打抜片３ａを受け止める受止部材２７が設けられている。この受止部材２７は、平板状に形成され、レール１５上に支持されており、移動装置（図示せず）によって、不要打抜片３ａを受け止める受止位置Ｇと、この受止位置Ｇから横方向へ退避して受け止めた不要打抜片３ａを排除する排除位置Ｈとに横行移動するように構成されている。
【００４６】
また、図７に示すように、上記パンチ４は、下死点Ｂまで下降した際、その先端部がダイ５の下面から下方へ突出するように構成され、打抜き穴６内の不要打抜片３ａを、ダイ５の下方へ押し出して受止部材２７との間に挟んで押し潰す。
【００４７】
また、図１０に示すように、除去ブラシ１７は、排除位置Ｈまで移動した受止部材２７の上面から不要打抜片３ａを除去する除去手段の一例である。
以下、上記リード加工装置を用いたリード加工方法を説明する。
【００４８】
先ず、図６に示すように、半導体装置２ａをダイ５の上にセットする。この際、パンチ４を上死点Ａに待機させ、受止部材２７を受止位置Ｇに待機させ、除去ブラシ１７を退避位置Ｆに待機させておく。
【００４９】
次に、図７に示すように、パンチ４を下死点Ｂまで下降させる。これにより、パンチ４が打抜き穴６に挿入され、リード３の不要部分が打抜かれ、パンチ４の先端部がダイ５の下面から下方へ突出する。この際、上記パンチ４は、上記打抜きによって発生した不要打抜片３ａを、打抜き穴６内からダイ５の下方へ押し出し、受止部材２７の上面との間に挟んで押し潰す。このように、不要打抜片３ａは、押し潰されることで、厚さが薄くなるとともに、直径が打抜き穴６の直径よりも若干大きくなる。
【００５０】
その後、図８，図９に示すように、パンチ４を下死点Ｂから上死点Ａまで上昇させる。この際、不要打抜片３ａは、パンチ４の先端部に付随して上昇しても、直径が若干増大しているため打抜き穴６内へ侵入することはできず、ダイ５の下面に当接してパンチ４の先端部から分離され、落下して受止部材２７上に受け止められる。これにより、パンチ４のみが上昇して打抜き穴６から脱抜される。
【００５１】
次に、図１０に示すように、上記リード３の不要部分が打抜かれてリード３の加工が完了した半導体装置２ａを吸着パッド２０ａでダイ５上から取り出し、後続のリード未加工の半導体装置２ｂを吸着パッド２０ｂでダイ５上へ搬送してセットする。また、不要打抜片３ａを受け止めた状態で、受止部材２７を受止位置Ｇから排除位置Ｈまで移動させる。この際、受止部材２７はレール１５に支持案内されて移動する。その後、除去ブラシ１７を退避位置Ｆから除去位置Ｅまで下降し、除去ブラシ１７の先端部を受止部材２７の上面に当接させる。
【００５２】
その後、図１１に示すように、受止部材２７を排除位置Ｈから受止位置Ｇへ戻す。この際、受止部材２７上の不要打抜片３ａは除去ブラシ１７に当って受止位置Ｇへの移動が阻止されるため、受止部材２７のみが受止位置Ｇへ移動し、上記不要打抜片３ａは、受止部材２７上から除去されて落下し、集塵ボックス１９内に回収される。
【００５３】
その後、図６に示すように、受止部材２７を受止位置Ｇに待機させるとともに、除去ブラシ１７を除去位置Ｅから退避位置Ｆまで上昇して待機させる。そして、上記後続のリード未加工の半導体装置２ｂに対して、順次、図６〜図１１に示した同様なリード加工を繰り返して行う。
【００５４】
上記のようなリード加工方法により、パンチ４でリード３の不要部分を打抜いた後、不要打抜片３ａをパンチ４の先端部から確実に分離することができる。したがって、パンチ４を上昇させた際に、パンチ４と共に不要打抜片３ａが上昇することはなく、これにより、不要打抜片３ａがダイ５の上に落下したり半導体装置２ａのリード３の上に落下するといったことを防止することができる。
【００５５】
また、ダイ５の下方に、不要打抜片３ａを受け止める受止部材２７を設けたため、パンチ４に吹出口やエアー流路を形成する必要はなく、したがって、パンチ４の加工が容易であり、パンチ４の強度を十分に保つことが可能である。
【００５６】
また、上記除去ブラシ１７を用いることにより、排除位置Ｈまで移動した受止部材２７上から不要打抜片３ａを確実に除去して回収することができる。
尚、上記第２の実施の形態において、集塵ボックス１９の底部に真空吸引口２３を形成し、受止部材２７上から除去された不要打抜片３ａを、上記真空吸引口２３で強制的にエアー吸引して回収してもよい。
【００５７】
また、上記第２の実施の形態において、受止部材２７の上面に第１の実施の形態と同様な吸着口９を形成し、不要打抜片３ａを吸着口９で真空吸着することにより、不要打抜片３ａを受止部材２７の上面に確実に捕捉するようにしてもよい。
（第３の実施の形態）
以下、第３の実施の形態におけるリード加工装置の構成を図１２〜図２０に基いて説明する。尚、図１２に示す半導体装置２ａは図１に示す半導体装置２ａと同方向から見たものであり、図１６に示す半導体装置２ａは図１２に示す半導体装置２ａをＹ−Ｙ方向から見たものである。
【００５８】
図１７に示すように、複数のパンチ４ａ，４ｂ，４ｃは、下死点Ｂまで下降した際、その先端部がダイ５の下面から下方へ突出するように構成されている。また、ダイ５の下方には、下死点Ｂまで下降したパンチ４ａ，４ｂ，４ｃの先端部を両側から挟む開閉自在なシャッター装置３０と、このシャッター装置３０を開閉させる開閉駆動装置３１とが設けられている。
【００５９】
図１２〜図１５に示すように、上記シャッター装置３０は一対の櫛歯状のシャッター３２，３３を有している。このうち、一方のシャッター３２は、開閉方向Ｏ，Ｓにおいて所定間隔をあけて形成された複数のシャッター片３２ａ，３２ｂ，３２ｃと、これら各シャッター片３２ａ，３２ｂ，３２ｃの一端部間を連結する連結部３２ｄとでＥ形状に構成されている。尚、中央部のシャッター片３２ｂは両側のシャッター片３２ａ，３２ｃよりも下位になるように形成されている。また、他方のシャッター３３も同様に複数のシャッター片３３ａ，３３ｂ，３３ｃと連結部３３ｄとで構成されている。
【００６０】
上記一方のシャッター３２の各シャッター片３２ａ〜３２ｃと他方のシャッター３３の各シャッター片３３ａ〜３３ｃとは、互いに反対方向から各打抜き穴６間の下方に挿入されている。また、図１６に示すように、シャッター片３２ａとシャッター片３３ａ、並びに、シャッター片３２ｃとシャッター片３３ｃが同じ高さで開閉方向Ｏ，Ｓにおいて相対向している。また、シャッター片３２ｂとシャッター片３３ｂとは、上記シャッター片３２ａ，３２ｃ，３３ａ，３３ｃよりも下側に位置して、開閉方向Ｏ，Ｓにおいて相対向している。
【００６１】
図１５に示すように、上記開閉駆動装置３１は、一方のシャッター３２の連結部３２ｄに設けられた一方の駆動子３４ａと、一方の駆動子３４ａの一端部を押圧して一方のシャッター３２を開方向Ｏへ付勢する一方の圧縮ばね３４ｂと、一方の圧縮ばね３４ｂの付勢力に抗して一方のシャッター３２を閉方向Ｓへ移動させるための圧縮空気を一方の駆動子３４ａの他端部に作用させる一方の圧縮空気供給用配管３４ｃと、他方のシャッター３３の連結部３３ｄに設けられた他方の駆動子３５ａと、他方の駆動子３５ａの一端部を押圧して他方のシャッター３３を開方向Ｏへ付勢する他方の圧縮ばね３５ｂと、他方の圧縮ばね３５ｂの付勢力に抗して他方のシャッター３３を閉方向Ｓへ移動させるための圧縮空気を他方の駆動子３５ａの他端部に作用させる他方の圧縮空気供給用配管３５ｃと、上記両配管３４ｃ，３５ｃに圧縮空気を供給する圧縮空気供給装置３６（コンプレッサー等）と、この圧縮空気供給装置３６と上記両配管３４ｃ，３５ｃとの間を接続する接続配管３７
と、この接続配管３７に設けられた空気バルブ３８とで構成されている。
【００６２】
上記開閉駆動装置３１において、空気バルブ３８をＯＮに切替えた場合、圧縮空気が圧縮空気供給装置３６から接続配管３７を経て両方の圧縮空気供給用配管３４ｃ，３５ｃ内に供給され、図１５（ｂ）に示すように、一方の駆動子３４ａが上記圧縮空気の圧力を受けて一方の圧縮ばね３４ｂの付勢力に抗して閉方向Ｓへ押されるとともに、他方の駆動子３５ａが上記圧縮空気の圧力を受けて他方の圧縮ばね３５ｂの付勢力に抗して閉方向Ｓへ押される。これにより、両方のシャッター３２，３３が閉方向Ｓへ移動する。
【００６３】
また、図１５（ａ）に示すように、空気バルブ３８をＯＦＦに切替えた場合、縮空気供給装置３６から両方の圧縮空気供給用配管３４ｃ，３５ｃへの圧縮空気の供給が遮断されるとともに、両方の圧縮空気供給用配管３４ｃ，３５ｃ内の圧縮空気が空気バルブ３８を経て外部に排出される。これにより、一方の駆動子３４ａが一方の圧縮ばね３４ｂによって開方向Ｏへ押されるとともに、他方の駆動子３５ａが他方の圧縮ばね３５ｂによって開方向Ｏへ押されるため、両方のシャッター３２，３３が開方向Ｏへ移動する。
【００６４】
以下、上記リード加工装置を用いたリード加工方法を説明する。
先ず、図１２，図１６に示すように、半導体装置２ａをダイ５の上にセットする。この際、パンチ４ａ，４ｂ，４ｃを上死点Ａに待機させ、両シャッター３２，３３を開位置Ｐｏに待機させておく。
【００６５】
次に、図１７に示すように、パンチ４ａ，４ｂ，４ｃを下死点Ｂまで下降させる。これにより、パンチ４ａ，４ｂ，４ｃが打抜き穴６に挿入され、リード３の不要部分が打抜かれ、パンチ４ａ，４ｂ，４ｃの先端部がダイ５の下面から下方へ突出する。この際、図２０に示すように、上記打抜きによって発生した不要打抜片３ａの側端部には、斜め上向きに屈曲してはみ出た返り部分３ｂが形成される。
【００６６】
次に、空気バルブ３８をＯＮに切替えて、圧縮空気を圧縮空気供給装置３６から両方の圧縮空気供給用配管３４ｃ，３５ｃ内へ供給する。これにより、図１５（ｂ），図１８に示すように、両方のシャッター３２，３３が閉方向Ｓへ移動し、一対のシャッター片３２ａ，３３ａがパンチ４ａの先端部を両側から挟み、一対のシャッター片３２ｂ，３３ｂがパンチ４ｂの先端部を両側から挟み、一対のシャッター片３２ｃ，３３ｃがパンチ４ｃの先端部を両側から挟む。
【００６７】
その後、この状態で、図１９に示すように、パンチ４ａ，４ｂ，４ｃを下死点Ｂから上死点Ａへ上昇させることにより、各パンチ４ａ，４ｂ，４ｃが、各シャッター片３２ａ〜３２ｃ，３３ａ〜３３ｃに対して摺動しながら上昇し、打抜き穴６から上方へ脱抜される。この際、不要打抜片３ａがパンチ４ａ，４ｂ，４ｃの先端に付着してパンチ４ａ，４ｂ，４ｃと共に上昇することがあるが、図２０に示すように、不要打抜片３ａの返り部分３ｂが下方からシャッター片３２ａ〜３２ｃ，３３ａ〜３３ｃに引っ掛かるため、不要打抜片３ａの上昇が阻止され、図１９に示すように、不要打抜片３ａがパンチ４ａ，４ｂ，４ｃの先端部から確実に分離されて落下し、パンチ４ａ，４ｂ，４ｃのみが上昇する。
【００６８】
そして、図１６に示すように、上記パンチ４ａ，４ｂ，４ｃが上死点Ａに達すると、空気バルブ３８をＯＦＦに切替えて、圧縮空気供給装置３６から両方の圧縮空気供給用配管３４ｃ，３５ｃへの圧縮空気の供給を遮断するとともに、両方の圧縮空気供給用配管３４ｃ，３５ｃ内の圧縮空気を外部に排出する。これにより、両シャッター３２，３３が開方向Ｏへ移動して開位置Ｐｏに待機する。
【００６９】
その後、リード加工済みの半導体装置２ａをダイ５上から取り出し、後続のリード未加工の半導体装置２ｂをダイ５の上にセットし、順次、図１６〜図１９に示した同様なリード加工を繰り返して行う。
【００７０】
上記第３の実施の形態では、両シャッター３２，３３にそれぞれ３本ずつシャッター片３２ａ〜３２ｃ，３３ａ〜３３ｃを形成しているが、３本に限定するものではなく、３本以外の複数本又は１本ずつ形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
打抜き加工時に発生する不要打抜片を確実に除去する必要のあるプレス金型にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置のリード加工装置の側面の断面図である。
【図２】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図３】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図４】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図５】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における半導体装置のリード加工装置の側面の断面図である。
【図７】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図８】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図９】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図１０】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図１１】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態における半導体装置のリード加工装置の側面の断面図である。
【図１３】図１２におけるＸ−Ｘ矢視図である。
【図１４】同、リード加工装置のシャッター装置の構成を示す斜視図である。
【図１５】同、リード加工装置のシャッター装置とこのシャッター装置を開閉する開閉駆動装置との構成を示す平面図であり、（ａ）はシャッター装置を開にした状態を示し、（ｂ）はシャッター装置を閉にした状態を示す。
【図１６】図１２におけるＹ−Ｙ矢視図である。
【図１７】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図１８】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図１９】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図２０】同、リード加工装置のパンチの先端部とシャッター装置のシャッター片と不要打抜片との拡大図であり、図１８におけるＱの部分に該当する。
【図２１】従来の半導体装置のリード加工装置の側面の断面図である。
【図２２】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図２３】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図２４】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図２５】同、リード加工装置を用いたリード加工方法を示す図である。
【図２６】同、リード加工装置を用いたリード加工方法における問題点を示す図である。
【図２７】同、リード加工装置を用いたリード加工方法における問題点を示す図である。
【符号の説明】
【００７３】
２ａ，２ｂ      半導体装置
３      リード
３ａ    不要打抜片
４，４ａ〜４ｃ      パンチ
５      ダイ
６      打抜き穴
７      真空吸着装置（吸着装置）
９      吸着口（吸着部）
１７    除去ブラシ（除去手段）
２７    受止部材
３０    シャッター装置
Ｃ      吸着位置
Ｄ      排除位置
Ｇ      受止位置
Ｈ      排除位置
【図１】
2006324266.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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