(57)【要約】【課題】  小型化・集積化に伴う半導体素子等の実装プロセスにおける要求に応え、微小なバンプ接合電極や半導体化セラミクス素子のような微小電気・電子素子を、ブリッジを生じさせずに、また酸化物生成に起因する接合部の電気抵抗の上昇を防止して配線基板の電極や金属バッド電極へ搭載・接合するための新規な微小電気・電子素子の接合技術を提供する。【解決手段】  この出願の発明による微小電気・電子素子の接合方法は、基板上に設けられた電極上に微小電気・電子素子を当接させた状態で、中央に尖った先端が突出した高融点材製の導電性放電プローブが取り付けられるとともにその周囲に配置された作動ガスの吹き付け手段を持つトーチ型電極を用い、トーチ型電極の導電性放電プローブを微小電気・電子素子と接触配置するか又は一定距離だけ離間配置し、作動ガスを供給しながら導電性放電プローブと基板上の電極との間に高電圧を印加して放電を発生させ、その熱エネルギーにより微小電気・電子素子を基板上の電極に溶融接合させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた電極上に微小電気・電子素子を当接させた状態で、中央に尖った先端が突出した高融点材製の導電性放電プローブが取り付けられるとともにその周囲に配置された作動ガスの吹き付け手段を持つトーチ型電極を用い、トーチ型電極の導電性放電プローブを微小電気・電子素子と接触配置するか又は一定距離だけ離間配置し、作動ガスをトーチ型電極の導電性放電プローブの長さ方向に沿って供給しながら導電性放電プローブと基板上の電極との間に高電圧を印加して放電を発生させ、その熱エネルギーにより微小電気・電子素子を基板上の電極に接合させることを特徴とする微小電気・電子素子の接合方法。
【請求項２】
作動ガスとして、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする請求項１記載の微小電気・電子素子の接合方法。
【請求項３】
トーチ型電極として、導電性放電プローブの先端で微小電気・電子素子を静電気力あるいは真空吸着力により吸着し、移動及び位置決めを行うマニュピレータ機能を有するものを用いることを特徴とする請求項１又は２記載の微小電気・電子素子の接合方法。
【請求項４】
パルス状高電圧を印加することにより、放電を間欠的に繰り返し行うことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の微小電気・電子素子の接合方法。
【請求項５】
パルス状高電圧の印加を、放電電圧の波高値、パルス幅及びデューティ比を制御して行うことを特徴とする請求項４記載の微小電気・電子素子の接合方法。
【請求項６】
微小電気・電子素子を基板上に設けられた電極と接合させるための装置であって、
中央に尖った先端が突出した高融点材製の導電性放電プローブが取り付けられるとともにその周囲に配置された作動ガスの吹き付け手段を持つトーチ型電極と、
導電性放電プローブと基板上に設けられた電極との間に高電圧を印加する直流高電圧電源と、
微小電気・電子素子を包み込むように導電性放電プローブの長さ方向に沿って作動ガスを供給する作動ガス供給部を備え、
導電性放電プローブを微小電気・電子素子と接触配置するか又は一定距離だけ離間配置し、作動ガス供給部により作動ガスを供給しながら直流高電圧電源により導電性放電プローブと基板上の電極との間に高電圧を印加して放電を発生させ、その熱エネルギーにより微小電気・電子素子を基板上の電極に接合させることを特徴とする微小電気・電子素子の接合装置。
【請求項７】
作動ガス供給部が、不活性ガスと還元ガスとの混合ガスを供給するものであることを特徴とする請求項６記載の微小電気・電子素子の接合装置。
【請求項８】
トーチ型電極が、導電性放電プローブの先端で微小電気・電子素子を静電気力あるいは真空吸着力により吸着し、移動及び位置決めを行うマニュピレータ機能を有することを特徴とする請求項６又は７記載の微小電気・電子素子の接合装置。
【請求項９】
直流高電圧電源が、パルス状高電圧を印加することができる電源であることを特徴とする請求項６から８のいずれかに記載の微小電気・電子素子の接合装置。
【請求項１０】
直流高電圧電源が、パルス状高電圧の印加を、放電電圧の波高値、パルス幅及びデューティ比を制御して行うことができるものであることを特徴とする請求項９記載の微小電気・電子素子の接合装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この出願の発明は、微小電気・電子素子を基板上に設けられた電極に接合する方法及び装置に関するものである。より詳しくは、この出願の発明は、微小な半導体素子やバンプ接合電極のような微小電気・電子素子を配線基板の電極や金属バッド電極へ搭載・接合するための方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子等のリード電極やパッド電極を基板に接合する場合、あらかじめ半導体素子等が配置・搭載された基板をリフロー炉に入れて、熱風や赤外線等を用いてこれを加熱することにより一括接合する手法が使用されてきた。今後、基板等に搭載する半導体素子等の小型化・集積化が一層進み、高密度実装の傾向（非特許文献１）が加速されると、半導体素子等内でのリード電極間の間隔あるいはパッド電極間の間隔が狭くなり、接合処理に際して発生するこれら狭窄した配線スペース間でのブリッジが深刻な問題となることが容易に想定できる。
【０００３】
またハンダボール等で電気的な接合をはかるＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）方式においては、リフロー炉による接合処理の温度が３００℃以下であることから、ハンダの表面で生成しているハンダ酸化物が溶融したハンダ内に取り込まれて、接合部の電気抵抗を上昇させる要因となっている。今後、搭載部品の小型化が進むとともに、ハンダボールのサイズも小型化が進むことは避けられない。このことはハンダボールの体積に対する表面積の割合の増大を意味し、ハンダとハンダ酸化物との比率が酸化物サイドに大きく傾いていき、その結果として接合部の電気抵抗が大きく上昇していくことを示唆している。
【０００４】
近年、利用が増大している半導体化セラミクス素子においても、小型化・集積化により上記と同様な問題が生じてくる。
【非特許文献１】工業調査会、ＣＳＰ技術のすべて、Ｐ．４５、図１．２０（１９９７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術では、小型化・集積化に伴う狭窄した配線スペース間でのブリッジに対する有効な対策がとられていない。
【０００６】
また、半導体素子等と基板を接合する現在の一括接合処理においては、接合時にこれらハンダ酸化物を処理し接合部の電気抵抗の上昇を防ぐ有効な手段は持ち合わせていない。
【０００７】
この出願は、以上のとおりの事情に鑑みてなされたもので、小型化・集積化に伴う半導体素子等の実装プロセスにおける要求に応え、微小なバンプ接合電極や半導体化セラミクス粒子のような微小電気・電子素子を、ブリッジを生じさせずに、また酸化物生成に起因する接合部の電気抵抗の上昇を防止して配線基板の電極や金属バッド電極へ搭載・接合するための新規な微小電気・電子素子の接合方法及び接合装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この出願の発明は、上記課題を解決するものとして、第１には、基板上に設けられた電極上に微小電気・電子素子を当接させた状態で、中央に尖った先端が突出した高融点材製の導電性放電プローブが取り付けられるとともにその周囲に配置された作動ガスの吹き付
け手段を持つトーチ型電極を用い、トーチ型電極の導電性放電プローブを微小電気・電子素子と接触配置するか又は一定距離だけ離間配置し、作動ガスをトーチ型電極の導電性放電プローブの長さ方向に沿って供給しながら導電性放電プローブと基板上の電極との間に高電圧を印加して放電を発生させ、その熱エネルギーにより微小電気・電子素子を基板上の電極に接合させることを特徴とする微小電気・電子素子の接合方法を提供する。
【０００９】
また、第２には、上記第１の発明において、作動ガスとして、不活性ガスと還元性ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする微小電気・電子素子の接合方法を提供する。
【００１０】
また、第３には、上記第１又は第２の発明において、トーチ型電極として、導電性放電プローブの先端で微小電気・電子素子を静電気力あるいは真空吸着力により吸着し、移動及び位置決めを行うマニュピレータ機能を有するものを用いることを特徴とする微小電気・電子素子の接合方法を提供する。
【００１１】
また、第４には、上記第１から第３のいずれかの発明において、パルス状高電圧を印加することにより、放電を間欠的に繰り返し行うことを特徴とする微小電気・電子素子の接合方法を提供する。
【００１２】
また、第５には、上記第４の発明において、パルス状高電圧の印加を、放電電圧の波高値、パルス幅及びデューティ比を制御して行うことを特徴とする微小電気・電子素子の接合方法を提供する。
【００１３】
また、第６には、微小電気・電子素子を基板上に設けられた電極と接合させるための装置であって、中央に尖った先端が突出した高融点材製の導電性放電プローブが取り付けられるとともにその周囲に配置された作動ガスの吹き付け手段を持つトーチ型電極と、導電性放電プローブと基板に設けられた電極との間に高電圧を印加する直流高電圧電源と、微小電気・電子素子を包み込むように導電性放電プローブの長さ方向に沿って作動ガスを供給する作動ガス供給部を備え、導電性放電プローブを微小電気・電子素子と接触配置するか又は一定距離だけ離間配置し、作動ガス供給部により作動ガスを供給しながら直流高電圧電源により導電性放電プローブと基板上の電極との間に高電圧を印加して放電を発生させ、その熱エネルギーにより微小電気・電子素子を基板上の電極に接合させることを特徴とする微小電気・電子素子の接合装置を提供する。
【００１４】
また、第７には、上記第６の発明において、作動ガス供給部が、不活性ガスと還元ガスとの混合ガスを供給するものであることを特徴とする微小電気・電子素子の接合装置を提供する。
【００１５】
また、第８には、上記第６又は第７の発明において、トーチ型電極が、導電性放電プローブの先端で微小電気・電子素子を静電気力あるいは真空吸着力により吸着し、移動及び位置決めを行うマニュピレータ機能を有することを特徴とする微小電気・電子素子の接合装置を提供する。
【００１６】
また、第９には、上記第６から第８のいずれかの発明において、直流高電圧電源が、パルス状高電圧を印加することができる電源であることを特徴とする微小電気・電子素子の接合装置を提供する。
【００１７】
さらに、第１０には、上記第９の発明において、直流高電圧電源が、パルス状高電圧の印加を、放電電圧の波高値、パルス幅及びデューティ比を制御して行うことができるものであることを特徴とする微小電気・電子素子の接合装置を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
この出願の発明によれば、先が尖った導電性放電プローブ（導電性針）を用い、作動ガスを供給しながら放電により局所及び急速加熱を行うため、小型化・集積化に伴う半導体素子等の実装プロセスにおける要求に応えることができ、バンプ接合電極や半導体化セラミクス素子のような微小電気・電子素子を、ブリッジを生じさせずに、配線基板上の電極や金属パッド電極へ搭載・接合することが可能となる。
【００１９】
また、大気圧下での接合のため、接合のために特別な容器を必要とせず、既設の製造ライン中への組み入れが容易となる。
【００２０】
また、局所的な急速加熱及び急速冷却を利用しての接合のため、ハンダ酸化物等の溶融をも可能とし、酸化物生成に起因する接合部の電気抵抗の上昇を防止することができる。
【００２１】
また、作動ガス中に適当な還元ガスを混合することにより、たとえば酸化被膜を還元しながらの接合が可能となる。
【００２２】
また、パルス状の放電電圧の波高値、パルス幅及びデューティ比（パルスの休止と供給時の比）の制御により、３０００Ｋを超える放電の温度にもかかわらず、基板を傷めることなく接合を行うことができる上、放電エネルギーの制御を容易とし、接合処理の確度を上げることができる。
【００２３】
また、トーチ型電極に微小電気・電子素子を個別に吸着、移動、位置決めする等のマニュピレータ機能を持たせることにより、一括接合処理等で生じた搭載微小電気・電子素子の位置ズレ等を個別に修正していくことも可能となる。
【００２４】
また、基板全体を加熱することなく接合が行えるので、微小電気・電子素子のふくらみや散りといった悪影響となる現象の発生を防止することができる。
【００２５】
さらに、微小な接合対象部のみが局所的に高温となるため、特に専用の冷却機構を設けなくとも短時間で冷却され、作業時間が短縮できる利点もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
この出願の発明は上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態について説明する。
【００２７】
この出願の発明では、導電性放電プローブ（導電性針）を備えたトーチ型電極を用い、作動ガスを吹き付けながら放電を行い、基板に設けられた電極上に微小電気・電子素子を接合させる。ここで、微小電気・電子素子とは、典型的には、たとえば半導体集積回路等の製造に使用されるバンプ接合電極や半導体化セラミクス粒子等の粒子状素子や、直方体の電子セラミクスデバイス（セラミクスコンデンサやフィルタ素子［表面にハンダ層を設けたもの］）等を含む、微小な電気素子又は電子素子のことをいう。微小電気・電子素子のサイズは下限が１０μｍ程度のものである。
【００２８】
トーチ型電極としては、中央に尖った先端が突出した高融点材製の導電性放電プローブが取り付けられるとともにその周囲に配置された作動ガスの吹き付け手段を持つものを用いる。導電性放電プローブとしては、高融点（融点２２００〜３４００℃程度）を有し、高剛性かつ耐熱性を備えている材料で構成されていることが望ましく、たとえばＷ、ＷＣ、ＷＳｉ、ＭｏＳｉ、ＴｉＢ2、ＣｒＢ2等を用いることができる。接合の際、導電性放電プローブは、微小電気・電子素子と接触配置するか又は一定距離だけ離間配置させる。その場合、導電性放電プローブ側を陽極とし、基板上の電極側を陰極とする。
【００２９】
作動ガスの吹き付け手段は、作動ガスをトーチ型電極の導電性放電プローブの長さ方向に沿って供給し、接合対象となる微小電気・電子素子を作動ガスで包み込むように吹き付けを行う。作動ガスは、接合する部位に吹き付けることにより、接合部位の酸化防止を行う。作動ガスとしては、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスと、Ｈ2、ＣＯ等の還元性ガ
スとの混合ガスを用いることができる。混合ガスを用いる場合には、接合する微小電気・電子素子の表面に生成する酸化物を還元しながらの接合が可能となる。作動ガスの吹き付け手段としては、導電性放電プローブと同軸の１本のパイプ状のものであってもよいし、複数本（たとえば３本や４本等）の吹き付け管を導電性放電プローブの回りに一定間隔で配置したものであってもよい。
【００３０】
放電を発生させるための電源としては、直流高電圧電源を用いる。直流高電圧電源としては、たとえばコッククロフト・ウォルトン回路を利用したパルス状高電圧発生電源を用いることができる。
【００３１】
この場合、パルス状高電圧の波高値、パルス幅及びデューティ比（パルスの休止と供給時の比）を制御することにより、放電のエネルギーの制御が容易となり、接合処理の確度を上げることができる利点がある。その場合の放電条件は、たとえば高電圧（２〜１０ｋＶ程度）、低電流（１〜１００ｍＡ程度）とすることができる。放電時間は、１０秒以下である。
【００３２】
この出願の発明では、トーチ型電極として、導電性放電プローブの先端で微小電気・電子素子を静電気力あるいは真空吸着力により吸着し、移動及び位置決めができるマニュピレータ機能を有するものを用いることができる。この場合、トーチ型電極をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、周方向に移動・傾斜可能な構成（トーチ型電極をステージの保持部材で保持させ、ステージを上記各方向に移動可能にする）としてもよいし、基板を載置するステージ側を上記各方向に移動可能な構成としてもよいし、両者を組み合わせた構成としてもよい。
【００３３】
この出願の発明によれば、トーチ型電極の導電性放電プローブを微小電気・電子素子と接触配置するか又は一定距離だけ離間配置し、作動ガス供給部により作動ガスを供給しながら直流高電圧電源により導電性放電プローブと基板上の電極との間に高電圧を印加して放電を発生させ、その熱エネルギーにより微小電気・電子素子を基板上の電極に接合させる。作動ガス供給部をトーチ型電極に組み込むことにより、導電性放電プローブと対向電極となる配線パターン間で大気圧、高電圧・低電流の放電条件とした細く絞られた放電炎を発生させ、その熱プラズマのエネルギーを利用して接合を行う。放電による熱プラズマは、優に３０００Ｋを超えるが、細く絞られた放電炎は、細く尖った導電性放電プローブと作動ガスの吹き出しにより放電経路がガイドされることにより、適切な接合が可能となる。ここで、直流高電圧電源としてパルス状高電圧を印加できるものを使用することにより、放電電圧の波高値、パルス幅及びデューティ比（パルスの休止と供給時の比）を制御すると、基板を傷めることなく、接合処理が高い確度で行えるようになる。
【００３４】
また、トーチ型電極に微小電気・電子素子を個別に吸着、移動、位置決めする等のマニュピレータ機能を持たせると、一括接合処理等で生じた搭載微小電気・電子素子の位置ズレ等を個別に修正していくことが可能となる。この場合、微小電気・電子素子を導電性放電プローブに吸着するには、まず導電性放電プローブを微小電気・電子素子に接触させる。その後、微小電気・電子素子（対象サイズは１０μｍ以上）が４００μｍ以下のサイズの場合、導電性放電プローブに２０〜１００Ｖの電圧を印加して静電気力を生じさせて捕捉する。微小電気・電子素子のサイズが１００μｍ以上の場合、たとえば、導電性放電プローブを作動ガス吹き付け手段内部に格納してからトーチ型電極のノズルを吸い込み口と
して、微小電気・電子素子とノズル間の真空吸着力を用いて行うことができる。
【００３５】
また、基板全体を加熱することなく接合が行えるので、微小電気・電子素子のふくらみや散りといった悪影響となる現象の発生が防止できる。さらに、微小な接合対象部のみが局所的に高温となるため、特に専用の冷却機構を設けなくとも短時間で冷却され、作業時間が短縮できる。
【００３６】
以下、実施例によりこの出願の発明ついてさらに詳しく説明する。もちろん、この出願の発明は上記の実施形態及び以下の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【００３７】
実施例１
図１は、この出願の発明による一実施例の接合方法及び接合装置を模式的に示す図である。トーチ型電極（１）は、Ｗ（タングステン）からなる中央に尖った先端が突出した導電性放電プローブ（２）（先端径２μｍ）を備え、その周囲には作動ガスである不活性ガス（４）（この例では（Ｎ2ガス））の通路（５）及び吹き出し口（６）を有するガス吹
き付け手段（３）が配置されている。ガス吹き付け手段（３）はＳＵＳ３０４鋼により構成されている。ガス吹き付け手段（３）は不活性ガス（４）を供給するための容器（７）に連結されている。
【００３８】
一方、Ｃｕからなる金属パッド（８）を設けたガラスエポキシ製基板（９）が、図示しないステージ上に載置されている。トーチ型電極（１）の導電性放電プローブ（２）は陽極としてパルス方式の高電圧電源（１０）（マクセレック社製；商品名ＲＨＶ−１０Ｋ１ＰＮ型）に接続されている。また金属パッド（８）は陰極としてパルス方式の高電圧電源（１０）に接続されている。金属パッド（８）には直径８００μｍのチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）粒子状素子（１１）を当接させた。
【００３９】
上記のような構成により粒子状素子（１１）を金属パッド（８）に接合するために、トーチ型電極（１）の導電性放電プローブ（２）の先端を粒子状素子（１１）と５０μｍ以上５００μｍ以下離間させて、パルス方式の高電圧電源（１０）により下記の条件で高電圧を印加して放電を行い、プラズマを発生させた。その際、粒子状素子（１１）と金属パッド（８）あるいは基板（９）で放電による高温の熱を集中させるため及び酸化防止のために作動ガスである不活性ガス（４）をガス吹き付け手段（３）により導電性放電プローブ（２）と同軸に粒子状素子（１１）を包み込むような形に吹き付けた。この吹き付けにより接合対象部が大気からシールドされ、さらに、パルス放電が接合対象部に集中し、酸化被膜のない接合を行うことができた。
【００４０】
接合条件
電圧：１．８〜２ｋＶ
電流：１０ｍＡ
平均パルス幅：０．２７ｍｓｅｃ．
放電時間：５〜１０秒
実施例２
図２は、電子セラミクスの一種である半導体化セラミクス粒子（１２）表面にハンダ等の低融点導電性微粒子（１３）を島状に被覆した粒子状素子（１１）を金属パッド（８）に接合させる方法を概念的に示す。なお、図２において、図１と同様な要素には同じ符号を付してある。図２の（ａ）はホットプレートまたはリフローにより加熱して接合する従来の接合方法であり、図２の（ｂ）はこの出願の発明による接合方法である。一般にセラミクスは耐熱性が良いので高温から低温まで広い範囲で使用でき、これを半導体化させた
セラミクスはサーミスタ等の抵抗素子やコンデンサ材料として利用できる。この半導体化セラミクス粒子（１２）は表面に電極となる低融点導電性微粒子（１３）を形成することにより低電気抵抗のコンタクト性を備えた実装容易な電子セラミクス素子となる。図２（ａ）の（１４）はホットプレートである。
【００４１】
図２（ａ）に示した粒子接合方法はホットプレートやリフローによりハンダ等の低融点導電性微粒子（１３）が溶融するまで加熱する必要がある。したがって、加熱・冷却に要する接合時間が長くなり、広い面積を加熱することになる。加熱後の接合界面に酸化被膜が付着し接合性が悪くなり、ハンダは表面張力によりふくらんだり広い範囲に流れ易くなる。将来、高密度実装が進むと、素子はさらに小型化し、従来の接合方法では、接続ピッチも狭くなりピッチ間で短絡することも予想される。
【００４２】
一方、図２（ｂ）で示したこの出願の発明による粒子接合方法では、放電により瞬間的なパルス放電を繰り返し加える。この接合方法では、局所領域を瞬間的に加熱するので、すぐに冷却されるため、半導体化セラミクス（１２）の表面の低融点導電性微粒子（１３）と金属パッド（８）の接触点近傍が酸化被膜を形成することなく溶融・凝固する。さらに、この出願の発明による接合方法では、基板全体を加熱することがないので、ハンダのふくらみや散りといった素子にとって悪影響となる現象は起こらない。
【００４３】
図３は、電子セラミクス素子の一例として、半導体化チタン酸バリウムの粒子表面に２０μｍ篩下のハンダ粒子を被覆した複合粒子を示す。半導体化チタン酸バリウムはＰＴＣ特性を示すセラミクス材料であり、粒子表面には島状に被覆したハンダが観察される。ハンダは導通を確保するためのコンタクト電極に利用するが、金属パッドの粒子間に配置することにより、図４に示すような温度と抵抗の良好な特性が得られる。
【００４４】
図５は、粒子表面をハンダで島状に被覆した直径８００μｍの半導体化チタン酸バリウム粒子とハンダ層を銅表面に被覆した基板を、この出願の発明の接合方法により接合した結果を示す写真である。放電は導電性放電プローブ（２）と粒子状素子（１１）を５０μｍ以上５００μｍ以下離間させてパルス状電圧を印加した。その他の接合条件は実施例１と同様とした。その結果、ハンダとなじみにくい半導体化セラミクス粒子がハンダを介して銅基板と溶融接合し、電気的な導通が得られた。
【００４５】
図６は、低融点導電性微粒子（１３）であるハンダ粒子で島状に被覆された半導体化セラミクス粒子（１２）と銅基板と間の抵抗値を測定する回路の概略図を示した。抵抗値は金属パッド（８）に接合された粒子状素子（１１）と先端径５００μｍの抵抗測定用金属針（１５）を接触させ、加圧してから抵抗測定用金属針（１５）と金属パッド（８）間の抵抗値を精密抵抗測定器（１６）を用いて測定した。ホットプレート（１４）で加熱して接合した従来法の場合は抵抗値が約５０ＭΩとなった。一方、この出願の発明による接合方法では、粒子状素子（１１）と基板（９）上の金属パッド（８）を放電接合した場合の抵抗値は約３００ｋΩとなり、抵抗値を２桁小さくできることが分かった。
【００４６】
図７は、粒子状素子（１１）を電子回路基板（１７）に表面実装したときの模式図である。基板表面には導通ライン（１８）があらかじめ描画されており、粒子状素子（１１）が配線された導通ライン（１８）の任意の位置に配置すれば、電源（１９）より供給された信号を受けて、抵抗素子やコンデンサ素子を組み込んだ電子回路が完成できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この出願の発明による一実施例の接合方法及び接合装置を模式的に示す図である。
【図２】半導体化セラミクス粒子表面にハンダ等の低融点導電性微粒子を島状に被覆した粒子状素子を金属パッドに接合させる方法を概念的に示す図で、（ａ）が従来の方法、（ｂ）がこの出願の発明による方法である。
【図３】ハンダ被覆された半導体化チタン酸バリウム複合粒子を写真で示す図である。
【図４】図３の複合粒子を金属パッドの粒子間に配置したときの温度−抵抗特性を示す図である。
【図５】ハンダ被覆された半導体化チタン酸バリウム複合粒子と銅基板との接合の様子を写真で示す図である。
【図６】ハンダ被覆されたの粒子表面にハンダ微粒子と銅基板の接合回路の抵抗測定の概略説明図である。
【図７】粒子状素子を電子回路基板に表面実装したときの模式図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    トーチ型電極
２    導電性放電プローブ
３    ガス吹き付け手段
４    不活性ガス
５    不活性ガスの通路
６    吹き出し口
７    不活性ガス用容器
８    金属パッド
９    基板
１０    高電圧電源
１１    粒子状素子
１２    半導体化セラミクス粒子
１３    低融点導電性微粒子
１４    ホットプレート
１５    抵抗測定用金属針
１６    精密抵抗測定器
１７    電子回路基板
１８    導通ライン
１９    電源
【図１】
2006339334.tif 000003
【図２】
2006339334.tif 000004
【図３】
2006339334.tif 000005
【図４】
2006339334.tif 000006
【図５】
2006339334.tif 000007
【図６】
2006339334.tif 000008
【図７】
2006339334.tif 000009