(57)【要約】【課題】  反射方式の検査を行う場合でも、検査の停止を招かずに高精度の検査を可能とするフォトマスクデータの作成方法を提供すること。【解決手段】  フォトマスクデータの作成方法は、フォトマスクの設計データを用意する工程（Ｓ1）と、前記設計データを用いて前記フォトマスクの描画データを生成する工程（Ｓ４）と、前記描画データを用いて前記フォトマスク上の欠陥の検査を制御するための検査制御情報を生成する工程（Ｓ５）と、前記描画データに前記検査制御情報を付与し、前記描画データと前記検査制御情報を含む描画・検査用データを生成する工程（Ｓ６）とを有する。【選択図】      図１
2006039059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクの設計データを用意する工程と、
前記設計データを用いて前記フォトマスクの描画データを生成する工程と、
前記描画データを用いて前記フォトマスク上の欠陥の検査を制御するための検査制御情報を生成する工程と、
前記描画データに前記検査制御情報を付与し、前記描画データと前記検査制御情報を含む描画・検査用データを生成する工程と
を有することを特徴とするフォトマスクデータの作成方法。
【請求項２】
前記検査制御情報は、前記フォトマスク上の検査領域内の一部の領域を他の領域と異なる検査条件で検査するための情報、前記フォトマスク上の検査領域内の一部の領域を検査するための情報、および、前記フォトマスク上の検査領域内の一部の領域を除いた領域を検査するための情報の少なくとも一つであることを特徴とするフォトマスクデータの作成方法。
【請求項３】
前記検査領域内の一部の領域は、前記フォトマスク上の検査領域内に存在する膜の種類またはパターンの種類に基づいて決定されることを特徴とする請求項１または２に記載のフォトマスクデータの作成方法。
【請求項４】
前記検査領域内の一部の領域は、遮光膜と半透明膜の積層膜を含む領域、または、補正パターンを含む領域であることを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクデータの作成方法。
【請求項５】
前記フォトマスクは、光を透過する透明基板、該透明基板上に設けられ、前記光を遮光する遮光パターン、および、該遮光パターンの一部分を含む領域上に設けられ、前記光の一部を透過する半透明パターンを備え、
前記検査制御情報を生成する工程は、前記描画データに基づいて、前記ガラスパターンと前記遮光パターンと前記ハーフトーンが積層されてなる積層構造部を含む領域の範囲に係る第１の範囲情報、および、前記積層構造部を含まない領域の範囲に係る第２の範囲情報を生成する工程を含み、
前記描画・検査用データを生成する工程は、前記描画データに前記第１および第２の範囲情報を付与する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のフォトマスクデータの作成方法。
【請求項６】
前記フォトマスク上の欠陥の検査は、Die to Database 方式の形状欠陥検査であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のフォトマスクデータの作成方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のフォトマスクデータの作成方法により、描画・検査用データを含むフォトマスクデータを作成する工程と、
前記描画・検査用データに基づいて、透明基板上に遮光パターンおよび半透明パターンを含むパターンを形成する工程と、
前記描画・検査用データに基づいて、前記パターンを検査する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの製造に使用されるフォトマスクデータの作成方法および該フォトマスクデータを用いてフォトマスクを製造および検査する工程を含むフォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、半導体デバイスの製造に使用されるフォトマスクのパターンの微細化が進んでいる。パターンの微細化が進むにつれて、フォトマスク上に形成された微細な欠陥を正確に検出することがより困難になる。
【０００３】
フォトマスク上の形状欠陥を検査する装置の一つとして、Die to Database 比較方式の形状欠陥検査が知られている（特許文献１）。この形状欠陥検査の検査精度の低下の原因の一つとして、正常な微細なパターンが欠陥として検出されることがあげられる。このような欠陥は擬似欠陥と呼ばれている。
【０００４】
多数の擬似欠陥が検出されると、検査が停止してしまう。検査の停止が生じた場合、擬似欠陥の検出を抑制することが行われる。具体的には、検査感度を調整したり、検査感度を下げることが行われている。しかし、このような検査感度の変更を行うと、高精度な検査を行えなくなる。
【０００５】
今後、微細化がさらに進むにつれ、微細パターンをウェハ上で所望のパターン形状に仕上げることがよりいっそう困難になる。その理由は、光近接効果によるパターンひずみや線幅寸法変動を無視できなくなるからである。
【０００６】
そこで、光近接効果によるパターンひずみや線幅寸法変動を防ぐための技術、つまり、ＯＰＣ（光近接効果補正：Optical Proximity Correct）が重要となってくる。しかし、現在の欠陥検査装置では、ＯＰＣパターンなどの微細パターンを含むフォトマスクの検査は困難である。
【０００７】
高精度マスクの形状欠陥検査では、従来からの透過方式の検査に加えて、検査感度向上を目的として反射方式の検査が行われている。
【０００８】
ハーフトーン（ＨＴ）マスクに対して反射方式の検査を行う場合、フォトマスクのガラス部より反射する光と、ＨＴ膜部より反射する光からの２つの光強度を基づいて、フォトマスク上に形成されているパターンのデータイメージ（マスクデータイメージ）を生成している。このマスクデータイメージと検査データイメージとを比較参照し、これらの二つのイメージの差異が一定値を越えた箇所をフォトマスク上に形成された欠陥とみなし検出している。
【０００９】
ＨＴマスクには、透過率が３段階に変化する領域（３階調領域）が存在する。３階調領域は、ガラス部、ＨＴ膜部および遮光膜部からなるトライトーン部を含んでいる。３階調領域は、検査領域の周辺部などに局所的に存在する。さらに、ＨＴマスクには、３階調領域と遮光膜部の境界が存在する。
【００１０】
このような３階調領域と遮光膜部の境界を含むパターンの一例を図１５（ａ）に示す。図１５（ａ）において、８１は石英基板（Ｑｚ）、８２は石英基板８１の一部の領域上に形成されたハーフトーン膜（ＨＴ）、８３はハーフトーン膜８２の一部の領域上に形成された遮光膜としてのＣｒ膜、８４は３階調領域と遮光膜部の境界を示している。ハーフトーン膜８２の透過率は、例えば、光源がＡｒＦの場合で３０％である。図１５（ｂ）に、図１５（ａ）の矢視Ａ−Ａ’における光学像（透過）を示す。
【００１１】
３階調領域と遮光膜部の境界８４は、通常の検査条件の反射方式の検査では、図１５（ｃ）の反射プロファイルに示すように、ノイズ８５として検出される。なお、透過方式の検査では、３階調領域と遮光膜部の境界８４は、図１５（ｄ）に示すように、ノイズとしては検出されない。
【００１２】
反射方式の検査では、３階調領域と遮光膜部の境界８４は、擬似欠陥として検出されるので、検査が停止する恐れが生じる。擬似欠陥の検出を抑制するためには、検査感度を下げて検査を行う必要がある。しかし、検査感度を下げると、高精度な検査を行えなくなったり、検査スループットが低下してしまう。
【００１３】
また一部マスクでは、マスク全面の中の特定領域のみの検査を行うようなものもあり、そのような場合には検査前に予め検査する領域を装置に座標入力しておく必要がありオペレータの人為的な入力ミス等の恐れもあった。
【特許文献１】特開平８−８７１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、反射方式の検査を行う場合でも、検査の停止を招かずに高精度の検査を可能とするフォトマスクデータの作成方法および該検査データを用いてフォトマスクを検査する工程を含むフォトマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１６】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係るフォトマスクデータの作成方法は、フォトマスクの設計データを用意する工程と、前記設計データを用いて前記フォトマスクの描画データを生成する工程と、前記描画データを用いて前記フォトマスク上の欠陥の検査を制御するための検査制御情報を生成する工程と、前記描画データに前記検査制御情報を付与し、前記描画データと前記検査制御情報を含む描画・検査用データを生成する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、本発明に係るフォトマスクデータの作成方法により、描画・検査用データを含むフォトマスクデータを作成する工程と、前記描画・検査用データに基づいて、透明基板上に遮光パターンおよび半透明パターンを含むパターンを形成する工程と、前記描画・検査用データに基づいて、前記パターンを検査する工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、反射方式の検査を行う場合でも、検査の停止を招かずに高精度の検査を可能とするフォトマスクデータの作成方法および該検査データを用いてフォトマスクを検査する工程を含むフォトマスクの製造方法を実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００２２】
まず、フォトマスクのデバイス設計データが用意される（ステップＳ１）。デバイス設計データはＣＡＤツールにより生成される。
【００２３】
次に、デバイス設計データはＧＤＳIIストリーム形式のデータ（ＧＤＳIIデータ）に変換される（ステップＳ２）。デバイス設計データはＧＤＳIIストリーム形式以外のデータに変換されても構わない。
【００２４】
次に、ＧＤＳIIデータに対してマスクデータ処理が施され（ステップＳ３）、ＥＢ描画データが生成される（ステップＳ４）。ＥＢ描画データは、磁気テープ、磁気ディスクなどの外部記憶媒体などに記憶される。
【００２５】
次に、ＥＢ描画データを用いて検査制御情報が生成される（ステップＳ５）。検査制御情報は、上記外部記憶媒体などに記憶される。
【００２６】
図２は、ステップＳ５の内容を示すフローチャートである。
【００２７】
ここでは、簡単のため、図３に示すフォトマスク１中の形状欠陥検査領域２中の一部分（太線で囲まれた部分）について具体的に説明する。フォトマスク１は、石英基板、ＨＴ領域およびＣｒ遮光領域を含む。図３において、３はウエハ上に形成されるチップに対応する領域の外形（チップ外形）を示している。太線で囲まれた部分以外の領域についても同様に本実施形態が実施される（他の実施形態も同様）。
【００２８】
図４は、形状欠陥検査領域２中の一部分の具体的な構成を示す平面図である。
【００２９】
図４において、４は石英基板とＨＴ膜の積層構造部が存在する領域（Ｑｚ／ＨＴ混在領域）、５は石英基板とＣｒ膜の積層構造部が存在する領域（Ｑｚ／Ｃｒ混在領域）、６は石英基板とＣｒ膜とＨＴ膜の積層構造部（トライトーン部）が存在する領域（３階調領域）、７は形状欠陥検査領域２を二つの領域に分ける境界線である。
【００３０】
境界線７は、従来の反射方式の検査においてノイズ発生の原因となる箇所と、ノイズ発生の原因となる箇所を含まない領域との二つの領域に分けるための線である。
【００３１】
本実施形態では、境界線７は、Ｑｚ／Ｃｒ混在領域５の最外周を結ぶことで得られる線であり、境界線７で囲まれた領域の外周が矩形であるとする。また、境界線７の個数は一つとする。
【００３２】
境界線７で囲まれた領域の外周の形状は、矩形以外でも構わない。また、境界線７の個数は、ノイズ発生の原因となる３階調領域の箇所や個数などによって二つ以上になることもある。３階調領域は、一般には、パターン外周部に存在することが多い。
【００３３】
図２の説明に戻ると、まず、ＥＢ描画データを用いて境界線７に係るデータ（境界線データ）を取得する（ステップＳ５−１）。本実施形態の場合（境界線７の外周が矩形）、境界線データは矩形の合い対向する二つの頂点の座標となる。
【００３４】
図４には、一方の座標（ＸＬ，ＹＬ）が示されている。座標（ＸＬ，ＹＬ）は、フォトマスク（石英基板／ＨＴ膜／Ｃｒ膜）１上のパターン（イメージ）を石英基板側から見た場合に、フォトマスク１の中心を原点（０，０）とした座標系で定義された座標である。上記座標系は、ＥＢ描画データで決まるレイアウト上の座標系である。
【００３５】
次に、境界線データに基づいて、通常の検査条件で検査する領域（３階調領域を含まない領域）に係る情報（通常検査領域情報）と、ノイズが発生しない条件で検査する領域（３階調領域を含む領域）に係る情報（トライトーン検査領域情報）とを含む検査制御情報が生成される（ステップＳ５−２）。
【００３６】
トライトーン検査領域情報は、ノイズが発生しない条件で検査する領域（３階調領域を含む領域）の範囲を規定する情報（第１の範囲情報）を含む。第１の範囲情報は、上記領域の形状が矩形の場合であれば、矩形の合い対向する二つの頂点の座標となる。
【００３７】
通常検査領域情報は、通常の検査条件で検査する領域（３階調領域を含まない領域）の範囲を規定する情報（第２の範囲情報）を含む。第２の範囲情報は、例えば、検査領域全体からノイズが発生しない条件で検査する領域を除いた領域の範囲を規定する情報（第３の情報）を含む
ステップＳ５（Ｓ５−１，Ｓ５−２）の後には、ＥＢ描画データに上記検査制御情報が付与され、フォトマスクの検査および描画に係るデータ（描画・検査用データ）が作成される（ステップＳ６）。本実施形態の場合、検査データフォーマットと描画データフォーマットとは共通のフォーマットとなるので、描画・検査用データの扱いは容易になる。
【００３８】
次に、ステップＳ６にて得られた描画・検査用データを用い、Die to Database 比較方式の形状欠陥検査がフォトマスクに対して行われる（ステップＳ７）。
【００３９】
上記フォトマスクの検査は透過方式および反射方式の両方で行われる。透過方式の検査は従来と同じであるが、反射方式の検査は、以下に説明するように、従来とは異なる。
【００４０】
本実施形態の反射方式の検査では、描画・検査用データ中の通常検査領域情報およびトライトーン検査領域情報に基づいて、３階調領域を含まない領域は通常の検査条件で検査され、３階調領域を含む領域は３階調に起因して発生するノイズが検出されない条件で検査される。すなわち、３階調領域を含まない領域と３階調領域を含む領域とをそれぞれ適切な条件で検査する。３階調に起因して発生するノイズが検出されない条件とは、例えば、通常の検査条件よりも検査感度を下げることである。
【００４１】
図５は、従来のフォトマスクの製造方法のＥＢ描画までの流れを示すフローチャートである。また、図６に、従来の形状欠陥検査領域２中の一部分の具体的な構成の平面図を示す。図５および図６は、それぞれ、本実施形態の図１および図４に相当するものである。
【００４２】
従来技術の場合、図５に示すように、ＧＤＳIIデータに対してマスクデータ処理が施され（ステップＳ３’）、検査制御情報およびＥＢ描画データはそれぞれ別に作成され（ステップＳ６−１，Ｓ６−２）、検査制御情報およびＥＢ描画データはそれぞれ別のフォーマットとなる。したがって、従来技術では、検査制御情報およびＥＢ描画データの取り扱いが煩雑になる。
【００４３】
また、従来技術の場合、図６に示すように、３階調領域を含む領域と３階調領域を含まない領域の二つの領域に分けることは行われない。したがって、従来技術では、検査領域内の全面を通常の検査条件で反射方式の検査を行うことになるので、３階調領域を含む領域でノイズが検出され、該ノイズを欠陥として認識してしまう恐れがある。
【００４４】
ステップＳ７でフォトマスクを検査した結果、欠陥が検出された場合には、該欠陥の修正が行われる。なお、検出された欠陥の数や欠陥の度合い（大きさ）によっては、フォトマスクが破棄される場合もある。
【００４５】
次に、描画・検査用データ中の描画データを用いて、ＥＢ描画装置により、マスクブランクス基板内のレジスト上にパターンが描画される。上記マスクブランクス基板は、石英基板と、該石英基板上に形成された遮光膜（ここではＣｒ膜）、該遮光膜上に形成されたレジストとを備えている。上記パターンは遮光膜パターンに対応したパターンである。
【００４６】
次に、上記レジストを現像してレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにして上記遮光膜をエッチングし、遮光膜パターンを形成する（ステップＳ８）。しかる後、上記レジストパターンは除去される。
【００４７】
次に、石英基板および遮光膜パターンの全面にＨＴ膜を形成し、ＨＴ膜上にレジストを塗布し、描画・検査用データ中の描画データを用いて、ＥＢ描画装置により、上記レジスト上にパターンが描画される。該パターンはＨＴ膜パターンに対応したパターンである。
【００４８】
次に、上記レジストを現像してレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにして上記ＨＴ膜をエッチングし、ＨＴ膜パターンを形成する（ステップＳ９）。しかる後、上記レジストパターンは除去される。
【００４９】
以上の工程を経てフォトマスクが得られる。
【００５０】
以上述べたように本実施形態によれば、検査領域を３階調領域を含む領域と３階調領域を含まない領域の二つの領域に分け、さらに、３階調領域を含む領域と３階調領域を含まない領域をそれぞれ適切な検査条件で反射方式の検査することにより、高精度のマスク検査が可能となる。また、３階調領域を含む領域でノイズは検出されないので、検査が途中でストップすることはなく、高スループットのマスク検査が可能となる。
【００５１】
（第２の実施形態）
図７は、本発明の第２の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図である。
【００５２】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、形状欠陥検査領域２のうち特定の領域だけを、Die to Database 比較方式の形状欠陥検査装置により検査することにある。
【００５３】
形状欠陥検査領域２は、第１〜第６の領域２1 〜２6 を備えている。第１および第６領域２1 ，２6 は、Die to Database 比較方式の検査が必要な領域である。第２〜第５の領域２2 〜２5 は、Die to Database 比較方式の検査が不要な領域である。
【００５４】
図８は、本実施形態のフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する（他の実施形態についても同様）。
【００５５】
本実施形態のフォトマスクの製造方法では、まず、第１の実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４が行われる。
【００５６】
次に、ＥＢ描画データを用いて検査制御情報が生成される（ステップＳ５Ａ）。
【００５７】
具体的には、まず、ＥＢ描画データに基づいて、第１〜第６の領域２1 〜２6 の中から、検査するべき領域が抽出される（ステップＳ５Ａ−１）。
【００５８】
検査するべき領域か否かの判断は、例えば、領域内のパターン中の最小寸法が予め決められた値（閾値）よりも小さいか否かで判断される。この場合、閾値よりも小さい最小寸法を有するパターンを含む領域が、検査される領域となる。
【００５９】
その後、検査するべきと抽出した領域（ここでは領域２1 ，２6 ）に係るデータ（限定検査領域データ）が検査制御情報として生成される（ステップＳ５Ａ−２）。
【００６０】
図７の形状欠陥検査領域２の場合、限定検査領域データは、以下の（１）〜（４）となる。
【００６１】
（１）（ＸＬ１，ＹＬ１）：領域２1 の左下座標。
【００６２】
（２）（ＸＨ１，ＹＨ１）：領域２1 の右上座標。
【００６３】
（３）（ＸＬ６，ＹＬ６）：領域２6 の左下座標。
【００６４】
（４）（ＸＨ６，ＹＨ６）：領域２6 の右上座標。
【００６５】
上記各座標は、フォトマスク（石英基板／ＨＴ膜／Ｃｒ膜）１上のパターン（イメージ）を石英基板側から見た場合に、フォトマスク１の中心を原点（０，０）とした座標系で定義された座標である。上記座標系は、ＥＢ描画データで決まるレイアウト上の座標系である。
【００６６】
座標（ＸＬ１，ＹＬ１）および（ＸＨ１，ＹＨ１）により、矩形状の領域２1 の合い対向する二つの頂点が決まり、領域２1 の範囲が決まる。同様に、座標（ＸＬ６，ＹＬ６）および（ＸＨ６，ＹＨ６）により、矩形状の領域２6 の合い対向する二つの頂点が決まり、領域２6 の範囲が決まる。
【００６７】
ステップＳ５Ａ（Ｓ５Ａ−１，Ｓ５Ａ−２）の後には、ＥＢ描画データに検査制御情報が付与され、フォトマスクの検査および描画に係るデータ（描画・検査用データ）が作成される（ステップＳ６Ａ）。
【００６８】
次に、ステップＳ６Ａにて得られた描画・検査用データを用い、Die to Database 比較方式の形状欠陥検査がフォトマスクに対して行われる（ステップＳ７Ａ）。
【００６９】
本実施形態の反射方式の検査においては、描画・検査用データ中の限定検査領域データに基づいて、限定検査領域データに対応した領域（領域２1 ，２6 ）が特定され、該領域（領域２1 ，２6 ）だけに対して Die to Database 比較方式の検査が行われ、他の領域に対しては Die to Database 比較方式の検査は行われない。したがって、本実施形態によれば、無駄な Die to Database 比較方式の検査を行わずに済むので、高スループットのマスク検査が可能となる。
【００７０】
なお、限定検査領域がないフォトマスクについては従来通りパターン外形の内側の領域を検査領域とし検査を行う。
【００７１】
この後は、第１の実施形態の同様に遮光膜パターンの作成（ステップＳ８）およびＨＴマウパターンの作成（ステップＳ９）が行われ、フォトマスクが得られる。
【００７２】
（第３の実施形態）
図９は、本発明の第３の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図である。
【００７３】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、形状欠陥検査領域２内の一部の領域（検査除外領域）を除いた領域だけを Die to Database 比較方式の形状欠陥検査装置により検査することにある。
【００７４】
具体的には、形状欠陥検査領域２内に存在する微細なＯＰＣパターン等の擬似欠陥の原因となるパターンや、ノイズ発生の原因となるパターンの存在位置が予め分かっている場合に、それらのパターンが含まれる領域を検査領域から除外して検査を行うことにある。
【００７５】
図９の形状欠陥検査領域２の場合、領域２2 ，２6 中の領域８1 ，８2 が検査領域から除外された領域である。領域８1 ，８2 は、擬似欠陥の原因となるパターンやノイズ発生の原因となるパターンを含む領域（サブ領域）である。
【００７６】
図１０は、本実施形態のフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００７７】
本実施形態のフォトマスクの製造方法では、まず、第１の実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４が行われる。
【００７８】
次に、ＥＢ描画データを用いて検査制御情報が生成される（ステップＳ５Ｂ）。
【００７９】
具体的には、まず、ＥＢ描画データに基づいて、形状欠陥検査領域２の中から、検査の対象外となる領域（検査除外領域）が抽出される（ステップＳ５Ｂ−１）。
【００８０】
検査除外領域か否かの判断は、例えば、ＯＰＣのためのパターン（ＯＰＣパターン）、プロセス近接効果補正（ＰＰＣ：Process proximity Correction）のためのパターン（ＰＰＣパターン）、または、ＯＰＣおよびＰＰＣパターン等の補正パターンを含む否かで判断される。この場合、ＯＰＣパターン等を含む領域が、検査除外領域となる。
【００８１】
その後、検査除外領域（ここでは領域８1 ，８2 ）に係るデータ（検査除外領域データ）が検査制御情報として生成される（ステップＳ５Ｂ−２）。
【００８２】
図９の形状欠陥検査領域２の場合、査除外領域データは、以下の（１）〜（４）となる。
【００８３】
（１）（ＸＬ８1 ，ＹＬ８1 ）：領域８1 の左下座標
（２）（ＸＨ８1 ，ＹＨ８1 ）：領域８1 の右上座標
（３）（ＸＬ８2 ，ＹＬ８2 ）：領域８2 の左下座標
（４）（ＸＨ８2 ，ＹＨ８2 ）：領域８2 の右上座標
上記各座標は、フォトマスク（石英基板／ＨＴ膜／Ｃｒ膜）１上のパターン（イメージ）を石英基板側から見た場合に、フォトマスク１の中心を原点（０，０）とした座標系で定義された座標である。上記座標系は、ＥＢ描画データで決まるレイアウト上の座標系である。
【００８４】
座標（ＸＬ８1 ，ＹＬ８1 ）および（ＸＨ８1 ，ＹＨ８1 ）により、矩形状の領域８1 の合い対向する二つの頂点が決まり、領域８1 の範囲が決まる。同様に、座標（ＸＬ８2 ，ＹＬ８2 ）および（ＸＨ８2 ，ＹＨ８2 ）により、矩形状の領域８2 の合い対向する二つの頂点が決まり、領域８2 の範囲が決まる。
【００８５】
ステップＳ５Ｂ（Ｓ５Ｂ−１，Ｓ５Ｂ−２）の後には、ＥＢ描画データに検査制御情報が付与され、フォトマスクの検査および描画に係るデータ（描画・検査用データ）が作成される（ステップＳ６Ｂ）。
【００８６】
次に、ステップＳ６Ｂにて得られた描画・検査用データを用い、Die to Database 比較方式の形状欠陥検査がフォトマスクに対して行われる（ステップＳ７Ｂ）。
【００８７】
本実施形態の反射方式の検査においては、描画・検査用データ中の検査除外領域データに基づいて、検査除外領域データに対応した領域、つまり、擬似欠陥等の原因を含む領域８1 ，８2 が特定され、該領域８1 ，８2 は検査されない。したがって、本実施形態によれば、高精度かつ高スループットのマスク検査が可能となる。
【００８８】
なお、このような検査除外領域が存在しないマスクについては従来通りパターン外形の内側領域を検査領域とし検査を行う。
【００８９】
この後は、第１の実施形態の同様に遮光膜パターンの作成（ステップＳ８）およびＨＴ膜パターンの作成（ステップＳ９）が行われ、フォトマスクが得られる。
【００９０】
（第４の実施形態）
図１１は、本発明の第４の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図である。
【００９１】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、形状欠陥検査領域２（領域２1 〜２6 ）のうち特定の領域だけを Die to Database 比較方式の形状欠陥検査装置により検査するとともに、上記特定の領域のうちＯＰＣパターン等の擬似欠陥の原因となるパターンや、ノイズ発生の原因となるパターンの存在領域が予め分かっている場合に、それらのパターンが含まれる領域を検査領域から除外して検査を行うことにある。すなわち、本実施形態は第２の実施形態と第３の実施形態とを組み合わせた実施形態である。
【００９２】
図１２は、本実施形態のフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャートである。  本実施形態のフォトマスクの製造方法では、まず、第１の実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４が行われる。
【００９３】
次に、ＥＢ描画データを用いて検査制御情報が生成される（ステップＳ５Ｃ）。
【００９４】
具体的には、第２の実施形態のステップＳ５Ａ−１，Ｓ５Ａ−２および第３の実施形態のステップＳ５Ｂ−１，Ｓ５Ｂ−２が行われ、限定検査領域データおよび検査除外領域データが生成される（ステップＳ５Ｃ−１，Ｓ５Ｃ−２）。
【００９５】
ステップＳ５Ｃ（Ｓ５Ｃ−１，Ｓ５Ｃ−２）の後には、ＥＢ描画データに検査制御情報が付与され、フォトマスクの検査および描画に係るデータ（描画・検査用データ）が作成される（ステップＳ６Ｃ）。
【００９６】
次に、ステップＳ６Ｃにて得られた描画・検査用データを用い、Die to Database 比較方式の形状欠陥検査がフォトマスクに対して行われる（ステップＳ７Ｃ）。したがって、本実施形態によれば、高精度かつ高スループットのマスク検査が可能となる。
【００９７】
この後は、第１の実施形態の同様に遮光膜パターンの作成（ステップＳ８）およびＨＴ膜パターンの作成（ステップＳ９）が行われ、フォトマスクが得られる。
【００９８】
（第５の実施形態）
図１３は、本発明の第５の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図である。形状欠陥検査領域２内には、同じパターンを含む領域２1 〜２6 が、規則的に繰り返し配置されている。
【００９９】
図１４は、本実施形態のフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャートである。  本実施形態のフォトマスクの製造方法では、まず、第１の実施形態と同様に、ステップＳ１〜Ｓ４が行われる。
【０１００】
次に、ＥＢ描画データを用いて検査制御情報が生成される（ステップＳ５Ｄ）。
【０１０１】
具体的には、まず、ＥＢ描画データに基づいて、同じパターンを含み、かつ、規則的に繰り返し配置されている領域（繰り返しパターン部）の抽出が行われる（ステップＳ５Ｄ−１）。ここでは、繰り返しパターン部は領域２1 〜２6 となる。
【０１０２】
次に、領域２1 〜２6 の位置に係るデータ（パターン繰り返しデータ）が生成される（ステップＳ５Ｄ−２）。
【０１０３】
図１３の形状欠陥検査領域２の場合、パターン繰り返しデータは以下の（１）〜（６）となる。
【０１０４】
（１）ＸＮ：Ｘ方向に繰り返し配置され、同一パターンを含む領域の数（＝３）。
【０１０５】
（２）ＹＮ：Ｙ方向に繰り返し配置され、同一パターンを含む領域の数（＝２）。
【０１０６】
（３）ＸＰ：Ｘ方向に繰り返し配置され、同一パターンを含む領域のピッチ（Ｘ方向のパターン配列ピッチ）
（４）ＹＰ：Ｙ方向に繰り返し配置され、同一パターンを含む領域のピッチ（Ｙ方向のパターン配列ピッチ）
（５）（ＸＬ，ＹＬ）：領域２1 の左下座標（Die to Die 方式の検査で使用される基準パターンの左下座標）。
【０１０７】
（６）（ＸＨ，ＹＨ）：領域２1 の右上座標（Die to Die 方式の検査で使用される基準パターンの右上座標）。
【０１０８】
上記座標（ＸＬ，ＹＬ）および（ＸＨ，ＹＨ）は、フォトマスク（石英基板／ＨＴ膜／Ｃｒ膜）１上のパターン（イメージ）を石英基板側から見た場合に、フォトマスク１の中心を原点（０，０）とした座標系で定義された座標である。上記座標系は、ＥＢ描画データで決まるレイアウト上の座標系である。
【０１０９】
ステップＳ５Ｄ（Ｓ５Ｄ−１，Ｓ５Ｄ−２）の後には、ＥＢ描画データに検査制御情報が付与され、フォトマスク１の検査および描画に係るデータ（描画・検査用データ）が作成される（ステップＳ６Ｄ）。
【０１１０】
次に、ステップＳ６Ｄにて得られた描画・検査用データを用い、Die to Database および Die to Die 方式の形状欠陥検査がフォトマスク１に対して行われる（ステップＳ７Ｄ）。
【０１１１】
本実施形態では、まず、Die to Database 方式の形状欠陥検査がフォトマスク１に対して行われる。このとき、描画・検査用データ中の検査制御情報中の（ＸＬ，ＹＬ）および（ＸＨ，ＹＨ）に基づいて、領域２1 が検査される。
【０１１２】
次に、Die to Die 方式の形状欠陥検査がフォトマスク１に対して行われる。このとき、描画・検査用データ中の検査制御情報中の（ＸＬ，ＹＬ）および（ＸＨ，ＹＨ）に基づいて、領域２1 が Die to Die 方式の形状欠陥検査の際に使用される基準パターンとして選択される。さらに、描画・検査用データ中の検査制御情報中のＸＮ、ＹＮ、ＸＰおよびＹＰに基づいて、Die to Die 方式の形状欠陥検査が領域２2 〜２6 に対して行われる。
【０１１３】
繰り返しパターン部以外の検査領域については Die to Data base 方式の検査を実施し欠陥を検出する。
【０１１４】
この後は、第１の実施形態の同様に遮光膜パターンの作成（ステップＳ８）およびＨＴ膜パターンの作成（ステップＳ９）が行われ、フォトマスクが得られる。
【０１１５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態ではＥＢ露光の場合について説明したが、本発明はイオンビーム等を用いた露光の場合についても適用できる。また、遮光膜の種類、ＨＴ膜の種類、使用する光源の波長などは、特に限定されるものではない。
【０１１６】
さらに、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【０１１７】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャート。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る検査制御情報の作成ステップの内容を示すフローチャート。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクを示す平面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域の一部分の具体的な構成を示す平面図。
【図５】従来のフォトマスクの製造方法のＥＢ描画までの流れを示すフローチャート。
【図６】従来のフォトマスク内の形状欠陥検査領域中の一部分の具体的な構成を示す平面図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図。
【図８】本発明の第２の実施形態に係るフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャート。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャート。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係るフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャート。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係るフォトマスク内の形状欠陥検査領域を示す平面図。
【図１４】本発明の第５の実施形態に係るフォトマスクの製造方法の流れを示すフローチャート。
【図１５】３階調領域が存在する場合の問題点を説明するための図。
【符号の説明】
【０１１９】
１…フォトマスク、２…形状欠陥検査領域、４…Ｑｚ／ＨＴ混在領域、５…Ｑｚ／Ｃｒ混在領域、６…３階調領域、８1 ，８2 …検査除外領域。
【図１】
2006039059.tif 000003
【図２】
2006039059.tif 000004
【図３】
2006039059.tif 000005
【図４】
2006039059.tif 000006
【図５】
2006039059.tif 000007
【図６】
2006039059.tif 000008
【図７】
2006039059.tif 000009
【図８】
2006039059.tif 000010
【図９】
2006039059.tif 000011
【図１０】
2006039059.tif 000012
【図１１】
2006039059.tif 000013
【図１２】
2006039059.tif 000014
【図１３】
2006039059.tif 000015
【図１４】
2006039059.tif 000016
【図１５】
2006039059.tif 000017