(57)【要約】【課題】  キューテーブルの内容を復元すること。【解決手段】  複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブル１１の内容に従ってロットを処理する半導体製造装置１は、キューテーブル１１を記憶するための揮発性記憶領域２と、揮発性記憶領域２に記憶されたキューテーブル１１の内容を不揮発性記憶領域３に記憶させる制御ユニット１０と、を備える。【選択図】  図１
2006339268.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブルの内容に従ってロットを処理する半導体製造装置であって、
前記キューテーブルを記憶する揮発性記憶領域と、
前記揮発性記憶領域に記憶されたキューテーブルの内容を不揮発性記憶領域に記憶させる制御ユニットと、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記不揮発性記憶領域に記憶されたキューテーブルの内容を前記揮発性記憶領域に復元する指示を前記制御ユニットに与える端末ユニットを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記端末ユニットは、前記不揮発性記憶領域に記憶されたキューテーブルの内容を表示する表示ユニットを備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記制御ユニットは、前記端末ユニットからの指示に応じて、当該半導体製造装置の起動時に、前記不揮発性記憶領域に保存されたキューテーブルの内容を前記端末ユニットの表示ユニットに表示させることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記不揮発性記憶領域に保存されたキューテーブルの内容をホストコンピュータに通知する通信ユニットを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記通信ユニットは、前記不揮発性記憶領域に保存されたキューテーブルの内容を前記揮発性記憶領域に復元する命令を与えるよう構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記通信ユニットは、当該半導体製造装置の起動時に、前記不揮発性記憶領域に保存されたキューテーブルの内容を前記ホストコンピュータに送信するよう構成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記半導体製造装置は、半導体露光装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブルの内容に従ってロットを処理する半導体製造装置の制御方法であって、
複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブルを揮発性記憶領域に記憶させる工程と、
前記揮発性記憶領域に記憶されたキューテーブルの内容を不揮発性記憶領域に記憶させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体製造装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体露光装置を用いて潜像パターンが形成された基板を用意する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及びその制御方法並びにデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置、特に、半導体露光装置においては、半導体の少量多品種化が進むにつれて、１ロット当たりのウエハ枚数が減り、ロット数が増える傾向にある。このような状況では、半導体製造装置におけるロットの切り替えを迅速かつ効率良く行う必要がある。例えば、特許文献１では、半導体製造装置は、ロット処理条件及びロット処理順番を登録するためのキューテーブルを用いて、処理すべきロットを予約できるように構成されている。
【特許文献１】特開２００２−２１７０９８号公報（図４、段落番号００３１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１では、例えば、キューテーブルにロット情報が登録されている状態で半導体製造装置を再起動すると、キューテーブルの内容が失われてしまう。従って、半導体製造装置を再起動する必要があるような不測の事態が発生した場合には、ロット処理を継続するために、ロット情報をキューテーブル上に再度登録する必要があった。結果として、半導体製造装置の生産効率の低下を招いていた。
【０００４】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、キューテーブルの内容を復元可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の側面は、複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブルの内容に従ってロットを処理する半導体製造装置に係り、前記キューテーブルを記憶する揮発性記憶領域と、前記揮発性記憶領域に記憶されたキューテーブルの内容を不揮発性記憶領域に記憶させる制御ユニットと、を備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明の第２の側面は、複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブルの内容に従ってロットを処理する半導体製造装置の制御方法に係り、複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブルを揮発性記憶領域に記憶させる工程と、前記揮発性記憶領域に記憶されたキューテーブルの内容を不揮発性記憶領域に記憶させる工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の第３の側面は、デバイス製造方法に係り、上記の半導体露光装置を用いて潜像パターンが形成された基板を用意する工程と、前記潜像パターンを現像する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、キューテーブルの内容を復元することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
[半導体製造装置]
図１は、本発明の好適な実施形態に係る半導体製造装置１の概略構成を示す図である。
【００１０】
図１に示すように、本発明の好適な実施形態に係る半導体製造装置１は、例えば、揮発性記憶領域２、不揮発性記憶領域３、端末ユニット４、通信ユニット５及び半導体製造ユニット８で構成される。ここで、上記の揮発性または不揮発性の記憶領域としては、種々の揮発性または不揮発性の記憶装置または記憶ユニットから適宜選択されたものを用いることができる。
【００１１】
揮発性記憶領域２は、半導体製造装置１に使用される各種記憶情報を書き換え、保持し、読み出すために用いられる。揮発性記憶領域２に格納された記憶情報は、電源が切られと失われる。揮発性記憶領域２には、通常は、処理すべきロットの情報（例えば、複数のロットの処理条件及び処理順番）が登録されたキューテーブル１１が格納される。
【００１２】
不揮発性記憶領域３は、揮発性記憶領域２に格納されたキューテーブル１１の内容を保存し、半導体製造装置１の再起動時に、格納したキューテーブル１１の内容を読み出すために用いられる。図１では、不揮発性記憶領域３が半導体製造装置１の内部に配置されているが、本実施形態はこれに限定されず、半導体製造装置１の外部に配され半導体製造装置１と通信可能に接続された不揮発性記憶領域を用いてもよい。
【００１３】
端末ユニット４は、半導体製造装置１に付属するユーザインターフェースを持つ。オペレータは、端末ユニット４を介して半導体製造装置１内の各ユニットを操作したり、半導体製造装置１内の各装置情報を参照したりすることができる。端末ユニット４は、不揮発性記憶領域３に記憶されたキューテーブル１１の内容を揮発性記憶領域２に復元するための指示を制御ユニット１０に与える。また、端末ユニット４は、不揮発性記憶領域３に記憶されたキューテーブル１１の内容等を表示するための表示ユニット９を備える。オペレータは、表示部ユニット９を介して不揮発性記憶領域３に記憶されたキューテーブル１１の内容を確認することができる。
【００１４】
通信ユニット５は、半導体製造装置１とホストコンピュータ７とを、RS-２３２C等の規格に適合した通信線６を通して接続する。これによって、半導体製造装置１は、ホストコンピュータ７から制御することもできる。通信ユニット５は、不揮発性記憶領域３に保存されたキューテーブル１１の内容をホストコンピュータ７に通知する。
【００１５】
半導体製造ユニット８は、半導体を処理する為の装置を含み、半導体露光装置、半導体洗浄装置及びその他各種半導体処理（後述の段落００２８に記載のウエハプロセスに係る各種処理等）を実行する装置等を適用することができる。
【００１６】
制御ユニット１０は、半導体製造装置１全体の動作をコントロールし、揮発性記憶領域２に格納されたキューテーブル１１の内容に従ってロット処理の実行などを行う。また、制御ユニット１０は、端末ユニット４からの指示に応じて、半導体製造装置１の起動時に、不揮発性記憶領域３に保存されたキューテーブル１１の内容を端末ユニット４の表示ユニット９に表示させる。
【００１７】
図２は、キューテーブル１１に登録されるロット情報２０の一例を示す図である。２０-１は処理単位であるロットの名称を示す。２０-２は、処理に使用されるレシピの名称を示す。２０-３は、例えば半導体露光装置等に使用されるマスクの名称を示す。２０-４は、半導体製造装置１全体の処理を制御する制御ユニット１０に特有のパラメータを示す。２０-５は、ロットの現在の処理状態を示す。キューテーブル１１に登録されたロット情報２０−１〜２０−５の内容は、制御ユニット１０によって書き換えられる。
【００１８】
図３は、図２の処理状態２０-５の具体例を示す図である。図３に示す処理状態は、３０-１、３０-２、３０-３、３０-４の順に遷移する。図２の処理状態２０-５には、３０-１〜３０-４のうち現在の処理状態が登録される。３０-１は、ロット情報２０がキューテーブル１１に登録されただけの待機中の状態を示す。３０-２は、ロットで使用するウエハの搬送を行っている準備中の状態を示す。３０-３は、ウエハの処理を行っている処理中の状態を示す。３０-４は、ロット内の全ウエハの加工が終了した処理完了の状態を示す。
【００１９】
図４は、不揮発性記憶領域３に保存されたキューテーブル１１の内容を端末ユニット４の表示ユニット９に復元したときの復元画面４０の一例を示す図である。復元画面４０は、不揮発性記憶領域３に保存されたキューテーブル１１の内容を、現在のキューテーブル１１として復元する際に用いられる。４０-１は、保存されたキューテーブル１１に含まれる内容を表示するための画面領域である。４０-２は、保存されたキューテーブル１１に含まれる内容である。４０-２は、一つ又は複数のロット情報２０（図２を参照）から構成されうる。図４では、一例として、ＬＯＴ−Ａ、ＬＯＴ−Ｂ、ＬＯＴ−Ｃ及びＬＯＴ−Ｄの４つのロットに関するロット情報２０が示されている。ＬＯＴ−Ａは、使用レシピ名２０−２が「Recipe０１」、使用マスク名２０−３が「Mask０１」、処理状態２０−５が「処理中」である。ＬＯＴ−Ｂは、使用レシピ名２０−２が「Recipe０３」、使用マスク名２０−３が「Mask０２」、処理状態２０−５が「準備中」である。ＬＯＴ−Ｃは、使用レシピ名２０−２が「Recipe０１」、使用マスク名２０−３が「Mask０１」、処理状態２０−５が「待機中」である。ＬＯＴ−Ｄは、使用レシピ名２０−２が「Recipe０２」、使用マスク名２０−３が「Mask０５」、処理状態２０−５が「待機中」である。
【００２０】
４０-３はキューテーブル１１の内容を復元する際に、復元対象とするロット情報２０を選択するためのチェックボックスである。４０-４は、キューテーブル１１の内容を復元するためのボタンである。オペレータが、端末ユニット４を用いてボタン４０-４を押下することによって、チェックボックス４０-３で選択されたロット情報２０が現在のキューテーブル１１に復元される。キューテーブル１１が復元された後は、画面４０は閉じられる。４０-５はキャンセルボタンである。オペレータは、端末ユニット４を用いてボタン４０-５を押下することによって、キューテーブル１１の内容が復元されることなく画面４０が閉じられる。
【００２１】
半導体製造装置によって製造が行われる時には、オペレータ又はホストコンピュータ６が、処理対象であるロットの情報２０をキューテーブル１１に登録する。次いで、半導体製造装置１の制御ユニット１０が、キューテーブル１１の内容を監視し、登録されたロット情報２０を順番に使用してロット処理を実行する。また、半導体製造装置１の制御ユニット１０は、各ロットの現在の処理状態３０をキューテーブル１１に登録されたロット情報２０に書き込む。
【００２２】
ここで、半導体製造装置１の制御ユニット１０は、キューテーブル１１の内容が変化する度に、その内容を不揮発性記憶領域３に保存する。また、半導体製造装置１の制御ユニット１０は、キューテーブル１１が空になった場合には、不揮発性記憶領域３に保存された内容を消去する。
【００２３】
半導体製造装置によって製造が行われる間に、故障等の理由によって、キューテーブル１１にロット情報２０が登録された状態で装置１を再起動する場合がある。この場合、半導体製造装置１の制御ユニット１０は、キューテーブル１１の内容を起動時に一旦全て消去する。しかし、半導体製造装置１の制御ユニット１０は、不揮発性記憶領域３に保存された情報を変更しない。従って、半導体製造装置１の起動が完了した後に、半導体製造装置１の制御ユニット１０は、端末ユニット４に画面４０を表示する。これによって、半導体製造装置１の制御ユニット１０は、不揮発性記憶領域３に保存されたキューテーブル１１の内容をオペレータに提示することができる。ここで提示されるキューテーブル１１の内容は、半導体製造装置１が再起動される直前のキューテーブル１１の内容と一致する。
【００２４】
画面４０の内容を確認したオペレータは、復元したいロット情報のチェックボックス４０-３をチェックした後に、復元ボタン４０-４を押下する。これによって、選択したロット情報２０がキューテーブル１１上に復元され、半導体製造装置１でロット処理が続行される。オペレータがロット情報２０を復元したくない場合には、画面４０上でキャンセルボタン４０-５を押下する。すると、キューテーブル１１は空の状態のままとなり、新たにロット情報２０が登録されるまでの間、装置１が待機状態となる。
【００２５】
なお、上記実施形態では、キューテーブル１１の内容の復元操作をオペレータが行う場合を一例として示したが、この復元操作はホストコンピュータ７によって実行されてもよい。この場合、不揮発性記憶領域装置３に保存されたキューテーブル１１の内容は、装置１の起動完了後に、通信経路６を介して通信機構５によって、ホストコンピュータ７に通知される。また、その通知を受けたホストコンピュータ７は、どのロット情報を復元するかを装置１に指示する。
[半導体製造装置の制御方法]
次に、本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置の制御方法のフローを説明する。まず、制御ユニット１０は、複数のロットの処理条件及び処理順番を予約するためのキューテーブル１１を揮発性記憶領域２に記憶させる。次いで、制御ユニット１０は、揮発性記憶領域２に記憶されたキューテーブル１１の内容を不揮発性記憶領域３に記憶させる。これによって、制御ユニット１０は、端末ユニット４からの指示に応じて不揮発性記憶領域３に保存されたキューテーブルの内容を半導体製造装置１の起動時に端末ユニット４の表示ユニット９に復元することができる。
【００２６】
図５は、不揮発性記憶領域に保存されたキューテーブルの内容を復元するための制御の流れをより詳細に示すフローである。
【００２７】
ステップ５０−１では、半導体製造装置１の制御ユニット１０を起動する。
【００２８】
ステップ５０−２では、制御ユニット１０は、不揮発性記憶領域３にキューテーブル１１が記憶されているか否かを判断する。不揮発性記憶領域３にキューテーブル１１が記憶されていれば（ステップ５０−２で「ＹＥＳ」）、ステップ５０−３に進み、不揮発性記憶領域３にキューテーブル１１が記憶されていなければ（ステップ５０−２で「ＮＯ」）、ステップ５０−７に進む。
【００２９】
ステップ５０−３では、制御ユニット１０は、不揮発性記憶領域３に記憶されているキューテーブル１１の内容を端末ユニット４の表示ユニット９に表示させるか、或いは、不揮発性記憶領域３に記憶されているキューテーブル１１の内容を通信ユニット５によってホストコンピュータ７に通知させる。
【００３０】
ステップ５０−４では、制御ユニット１０は、不揮発性記憶領域３に記憶されているキューテーブル１１のロット情報を揮発性記憶領域２に復元するための指示が端末ユニット４又はホストコンピュータ７から与えられたか否かを判断する。復元するための指示が与えられた場合には（ステップ５０−４で「ＹＥＳ」）、ステップ５０−５に進み、復元するための指示が与えられていなければ（ステップ５０−４で「ＮＯ」）、ステップ５０−７に進む。
【００３１】
ステップ５０−５では、制御ユニット１０は、ステップ５０−４で指示されたキューテーブル１１のロット情報に従って、揮発性記憶領域２にキューテーブル１１を生成する。
【００３２】
ステップ５０−６では、制御ユニット１０は、ステップ５０−４で指示されたキューテーブル１１のロット情報に従って、不揮発性記憶領域２のキューテーブル１１を更新する。ステップ５０−４で指示されなかったキューテーブル１１のロット情報については、不揮発性記憶領域２から削除されうる。
【００３３】
ステップ５０−７では、制御ユニット１０は、キューテーブル１１のロット情報を更新するための指示が端末ユニット４又はホストコンピュータ７から与えられたか否かを判断する。更新するための指示が与えられた場合には（ステップ５０−７で「ＹＥＳ」）、ステップ５０−８に進み、復元するための指示が与えられていなければ（ステップ５０−７で「ＮＯ」）、ステップ５０−９に進む。
【００３４】
ステップ５０−８では、制御ユニット１０は、ステップ５０−７における更新指示に従って、揮発性記憶領域２及び不揮発性記憶領域３内のロット情報をそれぞれ更新する。
【００３５】
ステップ５０−９では、制御ユニット１０は、半導体製造装置１をシャットダウンするための指示が端末ユニット４又はホストコンピュータ７から与えられたか否かを判断する。シャットダウンするための指示が与えられた場合には（ステップ５０−９で「ＹＥＳ」）、処理を終了し、シャットダウンするための指示が与えられていなければ（ステップ５０−９で「ＮＯ」）、ステップ５０−７に戻る。
【００３６】
[半導体デバイスの製造プロセス]
次に、この半導体製造装置を半導体露光装置として利用した場合の半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００３７】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の好適な実施の形態に係るロット情報の内容の一例を示す図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係るロット状態の遷移の一例を示す図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係るキューテーブル復元画面の一例を示す図である。
【図５】本発明の好適な実施の形態に係る半導体製造装置の制御方法のフローを示す図である。
【図６】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１：半導体製造装置、２：不揮発性記憶領域、３：不揮発性記憶領域、１０：制御ユニット、１１：キューテーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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