(57)【要約】【課題】  ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できるウェーハの研磨装置及びウェーハ研磨方法の提供。【解決手段】  軸を中心に回転するキャリアプレート１４に保持されたウェーハＷを、上記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤１２に設けられた研磨パッド１１に押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、研磨スラリーを研磨パッド１１の表面に供給する手段１６が設けられ、該研磨スラリー供給手段１６は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされ、上記粒径が異なる研磨スラリーは、粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリー３９と、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリー４０であるウェーハ研磨装置。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられたことを特徴とするウェーハ研磨装置。
【請求項２】
軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられ、該研磨スラリー供給手段は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされたことを特徴とするウェーハ研磨装置。
【請求項３】
前記粒径が異なる研磨スラリーは、粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーと、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーであり、第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きいことを特徴とする請求項１または２記載のウェーハ研磨装置。
【請求項４】
研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に粒径が異なる研磨スラリーを供給することを特徴とするウェーハ研磨方法。
【請求項５】
研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することを特徴とするウェーハ研磨方法。
【請求項６】
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更することを特徴とする請求項４または５に記載のウェーハ研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路を形成するウェーハ等の表面を研磨するためのウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表面がエッチングされたシリコンウェーハは、ポリシング工程において、その表面に研磨が施される。従来の研磨では、硬質研磨パッドが備えられたウェーハ研磨装置を用いてウェーハ表面の粗い凹凸を取り除いて表面を平坦にする第１研磨工程と、軟質研磨パッドが備えられたウェーハ研磨装置を用いてウェーハ表面の微小ピットを消滅する第２研磨工程を行うことで、ウェーハの表面を平滑で無歪の鏡面に仕上げている。なお、第１研磨工程と第２研磨工程とでは用いる研磨パッドの種類が異なるために、第１研磨工程と第２研磨工程でそれぞれ専用のウェーハ研磨装置を用いている。
【０００３】
図７は、従来の研磨方法に用いられるウェーハ研磨装置の概略構成を示す図であり、図７の（ａ）は平面図、図７の（ｂ）は側面図である（例えば、特許文献１参照）。
従来のウェーハ研磨装置は、回転円盤３１と、この円盤表面のほぼ全面に亘って貼り付けられた研磨パッド３２と、回転円盤３２の上方に設けられた複数の回転ホルダ３３と、各回転ホルダ３３に固定されたウェーハ取り付けプレート３５から構成されている。回転ホルダ３３は軸３４によって上下運動並びに回転運動を行うように構成されている。ウェーハ取り付けプレート３５に複数のウェーハ６が取り付けられている。なお、図中符号３７は注入パイプであり、この注入パイプ３７から必要に応じて酸化セリウム系などの研磨スラリー３８を供給しながらウェーハの研磨を行うこともある。
【特許文献１】特開昭６４−７８７５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら従来の研磨方法では、第１研磨工程と第２研磨工程でそれぞれ専用のウェーハ研磨装置と研磨パッドを用いて行っているために、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の増加によりウェーハの製造コストがかかると問題があった。また、用いるウェーハ研磨装置を変えて二つの研磨工程を行っているために、研磨工程が煩雑になる、研磨時間がかかるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できるウェーハの研磨装置及びウェーハ研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討及び実験を重ねた結果、研磨前のウェーハの表面の粗さ成分には、図１に示すＰＳＤ（power spectral density)解析により波長が大きい（例えば、波長が１０μｍを超える）成分と、波長が小さい（例えば、波長が１０μｍ以下）成分があることがわかった。
また、ウェーハ表面の研磨を行う際に粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いた場合、図２（ａ）の曲線Ａに示すように波長が大きい成分は短時間で取り除くことができる（収束率が大きい）が、波長が短い成分の収束率は小さいことがわかった。また、ウェーハ表面の研磨を行う際に粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いた場合、図２（ａ）の曲線Ｂに示すように波長が小さい成分は短時間で取り除くことができる（収束率が大きい）が、波長が大きい成分の収束率は小さいことがわかった。
なお、上記収束率は、ウェーハ表面が鏡面化するまでの時間の逆数であり、収束率が大きいほど鏡面化するまでの時間が短く、研磨の効率が良いものである。
【０００７】
さらに、本発明者は鋭意検討及び実験を重ねた結果、ウェーハの表面の研磨を行う際に研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更（粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更、但し、第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きい）すると、図３（ａ）の曲線Ｃに示すように波長が大きい成分については図３（ａ）の曲線Ｄに示す従来の硬度が９６の硬質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図３（ａ）の曲線Ｅに示す従来の硬度が７０の軟質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、また、波長が小さい成分については図３（ａ）の曲線Ｅに示す従来の硬度が７０の軟質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図３（ａ）の曲線Ｄに示す従来の硬質研磨パッドを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、しかも一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方を効率良く取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができることを究明し、本発明を完成した。
【０００８】
また、ウェーハの表面の研磨を行う際に研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更（粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更、但し、第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きい）すると、図２（ａ）の曲線Ｃに示すように波長が大きい成分については図２（ａ）の曲線Ａに示す粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図２（ａ）の曲線Ｂに示す粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、また、波長が小さい成分については図２（ａ）の曲線Ｂに示す粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が僅かに小さくなるものの、図２（ａ）の曲線Ａに示す粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する研磨スラリーを用いる場合よりも収束率が大幅に大きくなり、しかも一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方を効率良く取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができることを究明し、本発明を完成した。なお、図２（ｂ）と図３（ｂ）に、ウェーハ表面の粗さ成分の波長との関係を示すグラフを示した。
【０００９】
本発明のウェーハ研磨装置は、軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられたことにより上記課題を解決した。
本発明は、軸を中心に回転するキャリアプレートに保持されたウェーハを、前記軸と異なる軸を中心として回転する研磨定盤に設けられた研磨パッドに押圧摺動して研磨するウェーハ研磨装置において、
研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられ、該研磨スラリー供給手段は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより上記課題を解決した。
【００１０】
本発明のウェーハ研磨装置において、前記粒径が異なる研磨スラリーは、粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーと、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーであり、第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きいものであることが好ましい。
【００１１】
本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に粒径が異なる研磨スラリーを供給することにより上記課題を解決した。
本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するウェーハ研磨方法であって、
前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより上記課題を解決した。
上記構成の本発明のウェーハ研磨方法においては、前記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のウェーハ研磨装置は、粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられたことにより、粒径の大きな研磨スラリーと粒径の小さな研磨スラリーを研磨工程における所定時に供給してウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除き、一回の研磨工程によって平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。
本発明のウェーハ研磨装置は、研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給する手段が設けられ、該研磨スラリー供給手段は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより、このウェーハ研磨装置を用いてウェーハの表面の研磨を行うと、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除いて、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。すななち、本発明のウェーハ研磨装置を用いる研磨では一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
【００１３】
本発明のウェーハ研磨方法は、粒径の異なる研磨スラリーを前記研磨パッドの表面に供給することにより、粒径の大きな研磨スラリーと粒径の小さな研磨スラリーを研磨工程における所定時に供給してウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除き、一回の研磨工程によって平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。
また、本発明のウェーハ研磨方法は、研磨パッドを回転させ、該研磨パッドの表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するに際して、上記研磨パッドの表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより、一つのウェーハ研磨装置で、研磨スラリーを粒径が異なるものに切り替えるだけで、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
また、本発明のウェーハ研磨方法は、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係るウェーハ研磨装置の実施形態を図面に基づいて説明する。
図４は、本実施形態のウェーハ研磨装置の要部拡大断面図であり、図５は、図１のウェーハ研磨装置に備えられた研磨定盤とキャリアプレートを示す平面図である。
本実施形態のウェーハ研磨装置１０は、研磨パッド１１が表面に設けられた研磨定盤１２と、この上方に配設された複数台（図面では４台）の研磨ヘッド１３と、研磨スラリーを研磨パッド１１の表面に供給する研磨スラリー供給手段１６を備えている。
各研磨ヘッド１３は、軸を中心に回転可能に設けられている。各研磨ヘッド１３の研磨定盤と対向する面にキャリアプレート１４が設けられており、研磨ヘッド１３が回転するとこの研磨ヘッド１３に設けられたキャリアプレート１４も軸を中心に回転することになる。このキャリアプレート１４には複数（図面では５枚）のシリコンウェーハＷがヘッド中心部を中心に所定間隔（図面では７２度間隔）で保持されている。シリコンウェーハＷは、例えば、スライスやラッピング後にエッチングが施されたもので、さらに表面を鏡のように磨く研磨工程（ポリシング工程）を施す必要があるものである。このシリコンウェーハＷの寸法は、例えば、直径３００ｍｍ、厚さ７５０ｍｍのものが好適に用いられている。
研磨パッド１１は、発泡ウレタンあるいは不織布やスエードから構成されている。
【００１５】
研磨スラリー供給手段１６は、第１の研磨スラリー３９又は第２の研磨スラリー４０を研磨パッド１１の表面に供給する供給パイプ１７と、この供給パイプ１７の一方の端部に接続されたバルブ（切り替え手段）１８と、このバルブ１８に第１の供給パイプ１９ｂを介して接続された第１の研磨スラリー供給源１９ａと、上記バルブ１８に第２の供給パイプ２０ｂを介して接続された第２の研磨スラリー供給源２０ａを主体として構成されている。供給パイプ１７の他方の端部は、研磨パッド１１の中央部の上方に開口している。
この研磨スラリー供給手段１６はバルブ１８を操作することにより、供給パイプ１７から研磨パッド１１の表面に第１の研磨スラリー３９又は第２の研磨スラリー４０のいずれかが供給されるようになっており、また、各研磨スラリーの供給量も調整できるようになっている。
【００１６】
第１の研磨スラリー３９は、粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有するものである。上記粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を分散させる溶媒としては、例えば、アルカリ性の水溶液を挙げることができる。
第２の研磨スラリー４０は、粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有するものである。
上記粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を分散させる溶媒としては、例えば、アルカリ性の水溶液を挙げることができる。
上記第１の研磨スラリー中の研磨剤の粒径は上記第２の研磨スラリー中の研磨剤の粒径より大きいことが好ましい。
すなわち、上記研磨スラリー供給手段１６は供給する研磨スラリーを粒径の異なるものに切り替え可能な構成になっている。
【００１７】
研磨定盤１２は上記軸とは異なる軸を中心に回転可能に設けられている。研磨定盤１２および各研磨ヘッド１３の回転方向は同じ方向とされている。なお、研磨ヘッド１３の移動方法は、本実施形態に限るものではない。
シリコンウェーハＷをキャリアプレート１４に取り付ける方法は、ワックス貼着であってもよいし、ワックスレスマウント式でもよい。
【００１８】
次に、この研磨装置１０を用いたシリコンウェーハＷの研磨方法を説明する。
図４と図５に示すように、まず複数枚（図面では５枚）のシリコンウェーハＷを所定間隔（図面では７２度間隔）で各キャリアプレート１４にワックス貼着し、それから各キャリアプレート１４を対応する研磨ヘッド１３の下面に固着する。
ついで、各研磨ヘッド１３を下降することで、各シリコンウェーハＷを、研磨定盤１２上に設けられた研磨パッド１１の研磨作用面に押圧する。この状態を維持しつつ、研磨の初期では研磨パット１１上に研磨スラリー供給手段１６から第１の研磨スラリー３９を供給しながら、研磨定盤１２を図２の実線矢印方向に回転させる。同時に、各研磨ヘッド１３を、図５の二点鎖線矢印方向に回転させ、各シリコンウェーハＷを研磨パッド１１に押圧摺動し、研磨する。このようにすると、研磨の初期には波長が大きい粗さ成分を効率良く取り除くことができる。
【００１９】
ついで、研磨の終期では各シリコンウェーハＷを研磨パッド１１の研磨作用面に押圧した状態を維持しつつ、研磨パット１１上に研磨スラリー供給手段１６から供給する研磨スラリーを第２の研磨スラリー４０に変更し、この第２の研磨スラリー４０を供給しながら、研磨定盤１２を図２の実線矢印方向に回転させる。同時に、各研磨ヘッド１３を、図５の二点鎖線矢印方向に回転させ、各シリコンウェーハＷを研磨パッド１１に押圧摺動し、研磨する。このようにすると、研磨の終期には波長が小さい粗さ成分を効率良く消滅させることができる。
上記のような研磨工程により、各シリコンウェーハＷの研磨面（表面）が研磨される。
【００２０】
本実施形態のウェーハ研磨装置１０は、研磨スラリーを研磨パッド１１の表面に供給する手段１６が設けられ、該研磨スラリー供給手段１６は供給する研磨スラリーの粒径を異なるものに切り替え可能な構成とされたことにより、このウェーハ研磨装置１０を用いてウェーハＷの表面の研磨を行うと、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を効率良く取り除くことができ、平滑で無歪の鏡面に仕上げることができる。すななち、本実施形態のウェーハ研磨装置１０を用いる研磨では一つのウェーハ研磨装置でウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方（波長が大きい粗さ成分と波長が小さい粗さ成分の両方）を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
【００２１】
また、本実施形態のウェーハ研磨方法は、研磨パッド１１を回転させ、該研磨パッド１１の表面に研磨スラリーを供給するとともに回転するウェーハを押圧摺動してウェーハ表面を研磨するに際して、上記研磨パッド１１の表面に供給する研磨スラリーを途中で粒径が異なるものに変更することにより、すなわち、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、一つのウェーハ研磨装置で、ウェーハ表面の粗い凹凸と微小ピットの両方を取り除くことができるので、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いる研磨パッドを変更しなくても済み、ウェーハを研磨するための設備や研磨資材の削減が可能で、しかもウェーハの研磨工程の簡略化と研磨時間を短縮でき、ウェーハを効率良く研磨できる。
【００２２】
具体例を挙げると、従来のようにウェーハ表面の粗い凹凸を取り除く場合と微小ピットを消滅させる場合で用いるウェーハ研磨装置や研磨パッドを変更して研磨を行う場合（硬質研磨パッドを用いる第１研磨工程と軟質研磨パッドを用いる第２研磨工程を行う場合、比較例）の加工時間は、図６に示すように約１６５０秒要した。これに対して研磨スラリー供給手段１６が備えられた実施形態のウェーハ研磨装置１０を用い、研磨パッド１１の表面に供給する研磨スラリーを粒径が６０ｎｍ〜１４０ｎｍの研磨剤を含有する第１の研磨スラリーから粒径が５０ｎｍ〜７０ｎｍの研磨剤を含有する第２の研磨スラリーに変更してシリコンウェーハＷの表面を研磨した場合（実施例）の加工時間は、図６に示すように約８００時間であり、比較例に比べてウェーハの研磨加工に要する時間を１／２以下に短縮することができ、ウェーハを効率良く研磨することができることがわかった。
本実施例によれば、研磨の初期から終期にかけて変化する粗さ成分に応じて供給する研磨スラリーを使い分けることにより、各粗さ成分に応じた加工を１軸上で行うことができ、これによって研磨加工に要する時間を半減でき、設備も半減でき、研磨パッドも半減でき、コストダウンすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】研磨前のウェーハの表面の粗さのＰＳＤ解析結果を示すグラフ。
【図２】（ａ）は、研磨スラリーと収束率の関係を示すグラフ、（ｂ）ウェーハの表面の粗さの成分と波長との関係を示すグラフ。
【図３】（ａ）は、研磨パッドと収束率の関係と研磨スラリーと収束率の関係を示すグラフ、（ｂ）ウェーハの表面の粗さの成分と波長との関係を示すグラフ。
【図４】本発明の実施形態のウェーハ研磨装置の要部拡大断面図。
【図５】図１のウェーハ研磨装置に備えられた研磨定盤とキャリアプレートを示す平面図。
【図６】実施例と比較例の研磨加工時間を示すグラフ。
【図７】従来のウェーハ研磨装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図。
【符号の説明】
【００２４】
１０・・・ウェーハ研磨装置、１１・・・研磨パッド、１２・・・研磨定盤、１３・・・研磨ヘッド、１４・・・キャリアプレート、１６・・・研磨スラリー供給手段、１７・・・供給パイプ、１８・・・バルブ、１９ａ・・・第１の研磨スラリー供給源、１９ｂ・・・第１の供給パイプ、２０ａ・・・第２の研磨スラリー供給源、２０ｂ・・・第２の供給パイプ、３９・・・第１の研磨スラリー、４０・・・第２の研磨スラリー、Ｗ・・・シリコンウェーハ
【図１】
2006324417.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006324417.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006324417.tif 000007
【図６】
2006324417.tif 000008
【図７】
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