(57)【要約】【課題】  導電体パッドの中央部から周辺部に向けて導電体が流動しても、応力が発生することを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る半導体装置は、半導体素子の上方に位置する絶縁膜１０と、絶縁膜１０上に形成された導電体パッド１１と、導電体パッド１１に形成された第１の開口パターン１２とを具備する。このようにすると、導電体パッド１１を形成する導電体が流動しても、導電体の流動性は第１の開口パターン１２によって吸収される。導電体パッド１１が略多角形である場合、第１の開口パターン１２は、導電体パッド１１の角部それぞれの近傍に形成されているのが好ましい。この場合、第１の開口パターン１２は、角部を形成する２つの辺に沿うように配置された略Ｌ字状のスリットを有してもよい。【選択図】      図３
2006339408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子上又は上方に位置する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された導電体パッドと、
前記導電体パッドに形成された第１の開口パターンと、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記導電体パッドの平面形状は略多角形であり、
前記第１の開口パターンは、前記導電体パッドの角部それぞれの近傍に形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の開口パターンは、前記角部を形成する２つの辺に沿うように配置された略Ｌ字状のスリットを有する請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の開口パターンは、前記導電体パットの中央部から前記角部に向けて延伸する第１のスリットを有する請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の開口パターンは、前記角部を形成する２つの辺それぞれに沿って延伸する２つの第２のスリットを更に有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導電体パッドの平面形状は略円形又は略楕円形であり、
前記第１の開口パターンは、前記導電体パッドの縁に沿って配置された複数のスリットを有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導電体パッドの略中央部に形成された第２の開口パターンを更に具備する請求項２〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁膜上及び前記導電体パッドの周辺部上それぞれに形成された保護膜を具備し、
前記保護膜の一部は、前記第１の開口パターンに埋め込まれている請求項２〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導電体パッドはＡｌ合金からなる請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体素子上又は上方に位置する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の導電体パッドと、
前記第１の導電体パッドの周辺部に形成された第１の開口パターンと、
前記第１の絶縁膜上及び前記第１の導電体パッドの周辺部上に形成され、前記第１の導電体パッド上に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、一部が前記開口部に埋め込まれることにより前記第１の導電体パッドに接続している第２の導電体パッドと、
を具備する半導体装置。
【請求項１１】
前記第２の導電体パッドに形成された第２の開口パターンを更に具備する請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体素子上又は上方に位置する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の導電体パッドと、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の導電体パッド上に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、一部が前記開口部に埋め込まれることにより前記第１の導電体パッドに接続している第２の導電体パッドと、
前記第２の導電体パッドに形成され、前記開口部内に位置する開口パターンと、
を具備する半導体装置。
【請求項１３】
半導体素子上又は上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電体膜を形成する工程と、
前記導電体膜をパターニングすることにより、前記半導体素子の上方に位置する導電体パッド、及び該導電体パッド内に位置する開口パターンそれぞれを形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電体パッド及び前記開口パターンを形成する工程の後に、前記導電体パッドにワイヤーをボンディングする工程を具備する請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。特に本発明は、ワイヤーボンディング時などに、導電体パッドの中央部から周辺部に向けて導電体が流動しても、応力が発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置を小型化するために、トランジスタ等が形成された能動面に電極パッドを配置する技術の開発が進められている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−０８６６２０号公報（図１）
【０００３】
図１４は、従来の半導体装置の構造を説明するための断面図である。本図に示す半導体装置は、シリコン基板１０１に形成されたトランジスタを有する。トランジスタ及び素子分離膜１０２上には、第１の層間絶縁膜１０８が形成されている。第１の層間絶縁膜１０８上にはＡｌ合金配線１０９ａ，１０９ｂが形成されている。Ａｌ合金配線１０９ａ，１０９ｂそれぞれは、トランジスタのソース及びドレインとなる不純物領域１０７ａ，１０７ｂに接続している。
【０００４】
第１の層間絶縁膜１０８上及びＡｌ合金配線１０９ａ，１０９ｂ上には、第２の層間絶縁膜１１０が形成されている。第２の層間絶縁膜１１０上にはＡｌ合金パッド１１１が形成されている。Ａｌ合金パッド１１１の端部はトランジスタの上方に位置している。
【０００５】
第２の層間絶縁膜１１０上及びＡｌ合金パッド１１１上には、パッシベーション膜１１３が形成されている。パッシベーション膜１１３には、Ａｌ合金パッド１１１の中央部上に位置する開口部１１３ａが形成されている。開口部１１３ａ内に位置するＡｌ合金パッド１１１には、ワイヤー（図示せず）がボンディングされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
導電体パッドにワイヤーをボンディングするときなど、導電体パッドの中央部に力が加わる場合がある。この場合、パッドを形成する導電体が中央部から周辺部に向けて流動し、パッドの端部に応力を発生させる。このため、パッドの端部の下方に位置する層間絶縁膜にクラック等が入る場合があった。また、トランジスタ等の素子を破壊する可能性もあった。
【０００７】
また、クラック等が入らない場合、パッドの端部には応力が残留したままになるため、パッドの端部の下方に位置する素子（例えばトランジスタ）の電気的特性が変化する場合があった。
【０００８】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、導電体パッドの中央部から周辺部に向けて導電体が流動しても、応力が発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体素子上又は上方に位置する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された導電体パッドと、
前記導電体パッドに形成された第１の開口パターンとを具備する。
【００１０】
この半導体装置によれば、導電体パッドには第１の開口パターンが形成されているため、導電体パッドを形成する導電体が流動しても、導電体の流動性は第１の開口パターンによって吸収される。従って、導電体パッドの周辺部で応力が発生することを抑制できる。前記導電体パッドは、例えばＡｌ合金からなる。
【００１１】
前記導電体パッドの平面形状が略多角形である場合、前記第１の開口パターンは、前記導電体パッドの角部それぞれの近傍に形成されているのが好ましい。この場合、前記第１の開口パターンは、前記角部を形成する２つの辺に沿うように配置された略Ｌ字状のスリットを有してもよいし、前記導電体パットの中央部から前記角部に向けて延伸する第１のスリットを有してもよい。後者の場合、前記第１の開口パターンは、前記角部を形成する２つの辺それぞれに沿って延伸する２つの第２のスリットをさらに有するのが好ましい。
【００１２】
前記導電体パッドの平面形状が略円形又は略楕円形である場合、前記第１の開口パターンは、前記導電体パッドの縁に沿って配置された複数のスリットを有するのが好ましい。
【００１３】
前記導電体パッドの略中央部に形成された第２の開口パターンを更に具備してもよい。
また、前記絶縁膜上及び前記導電体パッドの周辺部上それぞれに形成された保護膜を具備し、前記保護膜の一部は、前記第１の開口パターンに埋め込まれていてもよい。この場合、流動した導電体は、前記第１の開口パターンに埋め込まれた前記保護膜によって塞き止められる。
【００１４】
本発明に係る他の半導体装置は、半導体素子上又は上方に位置する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の導電体パッドと、
前記第１の導電体パッドの周辺部に形成された第１の開口パターンと、
前記第１の絶縁膜上及び前記第１の導電体パッドの周辺部上に形成され、前記第１の導電体パッド上に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、一部が前記開口部に埋め込まれることにより前記第１の導電体パッドに接続している第２の導電体パッドとを具備する。
前記第２の導電体パッドに形成された第２の開口パターンを更に具備してもよい。
【００１５】
本発明に係る他の半導体装置は、半導体素子上又は上方に位置する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の導電体パッドと、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の導電体パッド上に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、一部が前記開口部に埋め込まれることにより前記第１の導電体パッドに接続している第２の導電体パッドと、
前記第２の導電体パッドに形成され、前記開口部内に位置する開口パターンとを具備する。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子上又は上方に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電体膜を形成する工程と、
前記導電体膜をパターニングすることにより、前記半導体素子の上方に位置する導電体パッド、及び該導電体パッド内に位置する開口パターンそれぞれを形成する工程とを具備する。
前記導電体パッド及び前記開口パターンを形成する工程の後に、前記導電体パッドにワイヤーをボンディングする工程を具備してもよい。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１の各図、図２（Ａ）、及び図３（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。図２（Ｂ）及び図３（Ｂ）は、それぞれ図２（Ａ）及び図３（Ａ）の状態における半導体装置の平面図である。
【００１８】
まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１に素子分離膜２を形成し、トランジスタが形成される素子領域を他の領域から分離する。素子分離膜２はＬＯＣＯＳ酸化法により形成されても良いが、トレンチアイソレーション法によりシリコン基板１に埋め込まれてもよい。
【００１９】
次いで、シリコン基板１を熱酸化する。これにより、素子領域に位置するシリコン基板１にはゲート酸化膜３が形成される。次いで、ゲート酸化膜３上及び素子分離膜２上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングする。これにより、ゲート酸化膜３上にはゲート電極４ａが形成され、素子分離膜２上にはポリシリコン抵抗４ｂが形成される。次いで、ゲート電極４ａ及び素子分離膜２をマスクとして、シリコン基板１に不純物を注入する。これにより、シリコン基板１には、トランジスタの低濃度不純物領域６ａ，６ｂが形成される。
【００２０】
次いで、ゲート電極４ａを含む全面上に、酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極４ａ及びポリシリコン抵抗４ｂそれぞれの側壁は、サイドウォール５で覆われる。次いで、ゲート電極４ａ、サイドウォール５、及び素子分離膜２をマスクとして、シリコン基板１に不純物を注入する。これにより、シリコン基板１には、トランジスタのソース及びドレインとなる不純物領域７ａ，７ｂが形成される。
このようにして、シリコン基板１の素子領域にはトランジスタが形成される。
【００２１】
次いで、トランジスタを含む全面上に、酸化シリコンを主成分とする第１の層間絶縁膜８を形成する。第１の層間絶縁膜８は、ＣＶＤ法により形成された第１の層、ＳＯＧ膜である第２の層、及びＣＶＤ法により形成された第３の層を有する。第２の層は、表面がエッチバックされている。第２の層が設けられることにより、第１の層間絶縁膜８は、表面の平坦性が向上する。
【００２２】
次いで、第１の層間絶縁膜８上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第１の層間絶縁膜８上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして第１の層間絶縁膜８をエッチングする。これにより、第１の層間絶縁膜８には、不純物領域７ａ，７ｂそれぞれ上に位置する接続孔８ａ，８ｂが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００２３】
次いで、接続孔８ａ，８ｂそれぞれの中、及び第１の層間絶縁膜８上に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、このＡｌ合金膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングする。これにより、第１の層間絶縁膜８上にはＡｌ合金配線９ａ，９ｂが形成される。Ａｌ合金配線９ａは、接続孔８ａを介して不純物領域７ａに接続し、Ａｌ合金配線９ｂは、接続孔８ｂを介して不純物領域７ｂに接続する。その後、レジストパターンを除去する。
【００２４】
次いで、第１の層間絶縁膜８上及びＡｌ合金配線９ａ，９ｂ上に、第２の層間絶縁膜１０を形成する。第２の層間絶縁膜１０の構造及び形成方法は、第１の層間絶縁膜８の構造及び形成方法と同一である。次いで、第２の層間絶縁膜１０上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第２の層間絶縁膜１０上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして第２の層間絶縁膜１０をエッチングする。これにより、第２の層間絶縁膜１０には、接続孔（図示せず）が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００２５】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、第２の層間絶縁膜１０上及び図示しない接続孔中に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。
【００２６】
次いで、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、Ａｌ合金膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングする。これにより、第２の層間絶縁膜１０上には、Ａｌ合金パッド１１及びＡｌ合金配線１１ｂが形成される。Ａｌ合金配線１１ｂは、一部が前記した接続孔に埋め込まれている。その後、レジストパターンを除去する。
【００２７】
Ａｌ合金パッド１１は、図２（Ｂ）に示すように、略正方形であり、Ａｌ合金配線１１ｂに接続している。また、Ａｌ合金パッド１１の角部の一つは、トランジスタの上方に位置しており、別の角部はポリシリコン抵抗４ｂの上方に位置している。Ａｌ合金パッド１１の４つの角部それぞれには、スリット状の開口パターン１２が形成されている。開口パターン１２は、略Ｌ字形状をしており、角部を形成する２つの辺に沿う方向に配置されている。
【００２８】
次いで、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第２の層間絶縁膜１０、Ａｌ合金パッド１１、及びＡｌ合金配線１１ｂそれぞれ上、並びに開口パターン１２内に、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜をこの順に積層したパッシベーション膜１３を、ＣＶＤ法により形成する。次いで、パッシベーション膜１３上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、パッシベーション膜１３上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜１３をエッチングする。これにより、パッシベーション膜１３には、Ａｌ合金パッド１１上に位置する開口部１３ａが形成される。開口部１３ａの内側には、開口パターン１２が含まれておらず、開口パターン１２の内部にはパッシベーション膜１３が埋め込まれたままである。
【００２９】
次いで、ワイヤーボンディング法により、開口部１３ａ内に位置するＡｌ合金パッド１１に、ワイヤー（図示せず）を接続する。このとき、開口部１３ａ内に位置するＡｌ合金パッド１１には力が加わるため、Ａｌ合金パッド１１を形成するＡｌ合金が、周辺部に向けて流動する。流動したＡｌ合金はＡｌ合金パッド１１の４つの角部に向かう。しかし、角部の開口パターン１２の内部にはパッシベーション膜１３が埋め込まれているため、流動したＡｌ合金の一部は、開口パターン１２によって塞き止められる。従って従来と比べて、Ａｌ合金が角部に集中することが抑制される。
【００３０】
従って、本実施形態によれば、Ａｌ合金パッド１１の角部に発生する応力が、従来と比べて小さくなる。このため、第２の層間絶縁膜１０に亀裂等が発生することが、抑制される。また、Ａｌ合金パッド１１の下方に位置するトランジスタ及びポリシリコン抵抗４ｂの破壊が抑制される。さらに、トランジスタやポリシリコン抵抗４ｂの特性が応力によって変化することが、抑制される。
【００３１】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図であり、第１の実施形態における図３（Ｂ）に相当する図である。本図に示す半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１の形状を除いて、第１の実施形態によって製造される半導体装置と同一の構成を有する。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３２】
本実施形態において、Ａｌ合金パッド１１は略円形である。開口パターン１２は、複数のスリットを有している。これら複数のスリットは、Ａｌ合金パッド１１の縁に沿って配置されている。Ａｌ合金パッド１１上に位置するパッシベーション膜１３には、開口部１３ａが形成されているが、開口パターン１２にはパッシベーション膜１３が埋め込まれたままである。なお、Ａｌ合金パッド１１の周辺部の下方には、第１の実施形態で示したトランジスタ（図示せず）及びポリシリコン抵抗（図示せず）が配置されている。
【００３３】
本実施形態において、開口部１３ａ内に位置するＡｌ合金パッド１１にワイヤー（図示せず）をボンディングする場合、第１の実施形態と同様に、Ａｌ合金パッド１１を形成するＡｌ合金が周辺部に向けて流動する。しかし、Ａｌ合金パッド１１の周辺部に位置する開口パターン１２の内部には、パッシベーション膜１３が埋め込まれているため、第１の実施形態と同様の作用により、Ａｌ合金が周辺部に集中することが抑制される。
従って、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
図５は、第３の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図であり、第１の実施形態における図３（Ｂ）に相当する図である。本図に示す半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１に角部に設けられた開口パターン１２が、パッシベーション膜１３に設けられた開口部１３ａ内に位置している点を除いて、第１の実施形態と同一である。このため、開口パターン１２の内部には、パッシベーション膜１３は埋め込まれていない。なお、本図に示す半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同一である。
【００３５】
本実施形態において、ワイヤーボンディング法により、開口部１３ａ内に位置するＡｌ合金パッド１１にワイヤー（図示せず）を接続する場合、第１の実施形態と同様に、Ａｌ合金パッド１１を形成するＡｌ合金が、Ａｌ合金パッド１１の角部に向けて流動する。しかし、Ａｌ合金の流動性は、開口パターン１２が変形することによって吸収される。
【００３６】
このため、本実施形態によれば、従来と比べて、流動したＡｌ合金がＡｌ合金パッド１１の角部に集中することが抑制される。従って、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３７】
図６は、第４の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図であり、第１の実施形態における図３（Ｂ）に相当する図である。本図に示す半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１の角部に形成された開口パターン１２の形状を除いて、第１の実施形態と同一の構成を有する。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３８】
本実施形態において、開口パターン１２は、Ａｌ合金パッド１１の角から中心部に向けて延伸するスリット１２ａと、角を形成する２つの辺それぞれに平行に配置された２つのスリット１２ｂとを有する。スリット１２ａ，１２ｂそれぞれの端部のうち、Ａｌ合金パッド１１の角側の端部は、互いに近接している
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の作用及び効果を得ることができる。
【００３９】
図７は、第５の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図であり、第１の実施形態における図３（Ｂ）に相当する図である。本図に示す半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１の角部に形成された開口パターン１２の形状を除いて、第４の実施形態と同一の構成を有する。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同一である。以下、第４の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４０】
本実施形態において、開口パターン１２のスリット１２ａ，１２ｂは、Ａｌ合金パッド１１の中央側の端部が互いに近接している。
本実施形態によっても、第４の実施形態と同一の作用及び効果を得ることができる。
【００４１】
図８は、第６の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図であり、第１の実施形態における図３（Ｂ）に相当する図である。本図に示す半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１の角部に形成された略Ｌ字状の開口パターン１２が、それぞれの角部で多重に配置されている点を除いて、第１の実施形態と同一の第１の実施形態と同一の構成を有する。内側に配置された開口パターン１２は、外側に配置された開口パターン１２より小さい。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の作用及び効果を得ることができる。
【００４２】
図９は、第７の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図であり、第１の実施形態における図３（Ｂ）に相当する図である。本図に示す半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１の角部それぞれに形成された開口パターン１２の形状を除いて、第１の実施形態と同一の構成を有する。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４３】
本実施形態において、開口パターン１２は、スリット形状をしており、Ａｌ合金パッド１１の４つの角部それぞれから、Ａｌ合金パッド１１の中央に向けて延伸している。開口パターン１２それぞれは、角部側の内部がパッシベーション膜１３によって埋め込まれているが、中央部側が開口部１３ａの内部で露出している。
【００４４】
本実施形態において、開口部１３ａ内に位置するＡｌ合金パッド１１にワイヤー（図示せず）をボンディングする場合、第１の実施形態と同様に、Ａｌ合金パッド１１を形成するＡｌ合金が、Ａｌ合金パッド１１の角部に向けて流動する。しかし、Ａｌ合金の流動性は、開口部１３ａ内部で露出している開口パターン１２が変形することによって吸収される。また、流動したＡｌ合金は、角部側に位置する開口パターン１２の内部に埋め込まれたパッシベーション膜１３によって塞き止められる。
従って、本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４５】
図１０（Ａ）は、第８の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の断面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）に示す半導体装置の平面図である。本図は、第１の実施形態における図３に相当する図である。本図に示す半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１の中央部に開口部２０が形成されている点を除いて、第１の実施形態と同一の構成を有する。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４６】
この半導体装置によれば、第１の実施形態と同一の作用により、Ａｌ合金パッド１１の角部に発生する応力が、従来と比べて小さくなる。また、Ａｌ合金パッド１１の中央部には開口部２０が形成されているため、ワイヤーボンディング時に流動するＡｌ合金の量を減少させることができる。従って、Ａｌ合金パッド１１の角部に発生する応力が、さらに小さくなる。
【００４７】
このため、第２の層間絶縁膜１０に亀裂等が発生することが、抑制される。また、Ａｌ合金パッド１１の下方に位置するトランジスタ及びポリシリコン抵抗４ｂの破壊が抑制される。さらに、トランジスタやポリシリコン抵抗４ｂの特性が応力によって変化することが、抑制される。
【００４８】
図１１の各図は、第９の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置は、Ａｌ合金パッドが２層構造になっている。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４９】
まず、図１１（Ａ）に示すように、シリコン基板１に素子分離膜２を形成する。次いで、ゲート酸化膜３、ゲート電極４ａ、ポリシリコン抵抗４ｂ、サイドウォール５、低濃度不純物領域６ａ，６ｂ、不純物領域７ａ，７ｂ、第１の層間絶縁膜８、接続孔８ａ，８ｂ、Ａｌ合金配線９ａ，９ｂ、第２の層間絶縁膜１０、Ａｌ合金パッド１１を形成する。Ａｌ合金パッド１１には開口パターン１２が設けられている。これらの形成方法は、第１の実施形態と同一である。
【００５０】
次いで、図１１（Ｂ）に示すように、第２の層間絶縁膜１０上及びＡｌ合金パッド１１上に、第３の層間絶縁膜１４を形成する。このとき、開口パターン１２の内部に第３の層間絶縁膜１４が埋め込まれる。なお、第３の層間絶縁膜１４の構造及び形成方法は、第１の層間絶縁膜８の構造形成方法と同一である。
【００５１】
次いで、第３の層間絶縁膜１４上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第３の層間絶縁膜１４上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして第３の層間絶縁膜１４をエッチングする。これにより、第３の層間絶縁膜１４には、Ａｌ合金パッド１１上に位置する開口部１４ａが形成される。なお、Ａｌ合金パッド１１の角部に位置する開口パターン１２は、第３の層間絶縁膜１４に被覆されたままである。
【００５２】
次いで、第３の層間絶縁膜１４上及び開口部１４ａ内に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、Ａｌ合金膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングする。これにより、第３の層間絶縁膜１４上には第２のＡｌ合金パッド１５が形成される。第２のＡｌ合金パッド１５は、下部が開口部１４ａ内に埋め込まれることにより、Ａｌ合金パッド１１に接続している。
【００５３】
次いで、第３の層間絶縁膜１４上及び第２のＡｌ合金パッド１５上にパッシベーション膜１３を形成し、第２のＡｌ合金パッド１５上に開口部１３ａを形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態と同一である。
【００５４】
次いで、開口部１３ａ内に位置する第２のＡｌ合金パッド１５に、ワイヤー（図示せず）をボンディングする。このとき、Ａｌ合金パッド１１に力が加わり、Ａｌ合金パッド１１１を形成するＡｌ合金が流動して４つの角部に向かう。しかし、角部の開口パターン１２の内部にはパッシベーション膜１３が埋め込まれているため、流動したＡｌ合金の一部は、開口パターン１２によって塞き止められる。従って従来と比べて、Ａｌ合金がＡｌ合金パッド１１の角部に集中することが抑制される。
【００５５】
従って、本実施形態によれば、Ａｌ合金パッド１１の角部に発生する応力が、従来と比べて小さくなる。このため、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第２の層間絶縁膜１０が大気に晒されることを抑制できるため、半導体装置の耐湿性が低下することを抑制できる。
【００５６】
図１２は、第１０の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１に開口パターン１２が形成されていない点、及び、第２のＡｌ合金パッド１５に、開口パターン１６が形成されている点を除いて、第９の実施形態によって形成される半導体装置と同一の構成を有する。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第９の実施形態と同一である。開口パターン１６は、第２のＡｌ合金パッド１５を形成するためのパターニングにより、形成される。以下、第９の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００５７】
開口パターン１６の平面形状は略Ｌ字形状であり、第９の実施形態における開口パターン１２の平面形状と略同一である。ただし、開口パターン１６は、パッシベーション膜１３の開口部１３ａ内に位置しており、かつ、第３の層間絶縁膜１４の開口部１４ａの内側に位置している。
【００５８】
本実施形態によれば、第２のＡｌ合金パッド１５を形成するＡｌ合金が流動しても、その流動性は開口パターン１６によって吸収される。従って、本実施形態によっても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００５９】
図１３は、第１１の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、Ａｌ合金パッド１１に開口パターン１２が形成されている点を除いて、第１０の実施形態によって形成される半導体装置と同一の構成を有する。また、本図に示す半導体装置の製造方法は、第１０の実施形態と同一である。以下、第９の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００６０】
本実施形態によれば、第９の実施形態で示した作用及び第１０の実施形態で示した作用の双方を得ることができる。従って、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００６１】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態において、円形又は多角形状の複数の開口部を、スリット状に配置して開口パターンを形成してもよい。また、円形又は多角形状の複数の開口部を、Ａｌ合金パッド１１の全面上又は周辺部上に、マトリックス状に設けてもよい。
【００６２】
また、第９〜第１１の実施形態それぞれにおいて、第３の層間絶縁膜１４に開口部１４ａを設けずに、Ａｌ合金パッド１１上に位置する複数の接続孔を、第３の層間絶縁膜１４を形成してもよい。この場合、複数の接続孔それぞれにはタングステンプラグが埋め込まれてもよい。
【００６３】
また、上記した各実施形態において、Ａｌ合金パッドにワイヤーをボンディングせずに、Ａｌ合金パッド上にバンプを形成した場合、バンプを他の基板に押圧する際の押圧力によって、Ａｌ合金パッドを形成するＡｌ合金が周辺部に向けて流動する。しかし、この場合でも、上記した実施例形態と同様の作用によって、Ａｌ合金パッドの角部又は周辺部に発生する応力が、従来と比べて小さくなる。従って、上記した実施形態と同一の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図２】（Ａ）は図１（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の状態における半導体装置の平面図。
【図３】（Ａ）は図２（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の状態における半導体装置の平面図。
【図４】第２の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図。
【図５】第３の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図。
【図６】第４の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図。
【図７】第５の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図。
【図８】第６の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図。
【図９】第７の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の平面図。
【図１０】（Ａ）は第８の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の断面図、（Ｂ）は図１０（Ａ）に示す半導体装置の平面図。
【図１１】（Ａ）は第９の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図１２】第１０の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の断面図。
【図１３】第１１の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の断面図。
【図１４】従来の半導体装置の構造を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００６５】
１，１０１…シリコン基板、２，１０２…素子分離膜、３…ゲート酸化膜、４ａ…ゲート電極、４ｂ…ポリシリコン抵抗、５…サイドウォール、６ａ，６ｂ…低濃度不純物領域、７ａ，７ｂ，１０７ａ，１０７ｂ…不純物領域、８，１０８…第１の層間絶縁膜、８ａ，８ｂ…接続孔、９ａ，９ｂ，１１ｂ，１０９ａ，１０９ｂ…Ａｌ合金配線、１０，１１０…第２の層間絶縁膜、１１，１１１…Ａｌ合金パッド、１２…開口パターン、１２ａ，１２ｂ…スリット、１３，１１３…パッシベーション膜、１３ａ，１４ａ，２０，１１３ａ…開口部、１４…第３の層間絶縁膜、１５…第２のＡｌ合金パッド、１６…開口パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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