(57)【要約】  【課題】多画素１セルのＭＯＳ型撮像素子において、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して検出部にあふれ出した電荷が飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぐことができる撮像装置を提供する。  【解決手段】受光量に応じた輝度情報を蓄積する単位セルが複数個配列されている撮像装置であって、各単位セルは、Ｎ個（Ｎは２以上）の受光素子１１１，１１２（フォトダイオード）と、１個の検出部１１３と、Ｎ個のフォトダイオードのそれぞれと検出部との間を開閉し輝度情報を検出部に読み出すＮ個のリードトランジスタ１１５、１１６と、電源端子と検出部との間を開閉する１個のリセットトランジスタ１１４と、検出部に読み出された輝度情報を増幅する１個の増幅用トランジスタとを含み、Ｎ個のリードトランジスタはエンハンス型トランジスタであり、リセットトランジスタはデプレッション型トランジスタであることを特徴とする。  【選択図】  図４
2006270890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光量に応じた輝度情報を蓄積する単位セルが、複数個配列されている撮像装置であって、
各単位セルは、
Ｎ個（Ｎは２以上）のフォトダイオードと、
１個の検出部と、
前記Ｎ個のフォトダイオードのそれぞれと、前記検出部との間を開閉し、輝度情報を前記検出部に読み出すＮ個の読み出し用トランジスタと、
電源端子と、前記検出部との間を開閉する１個のリセット用トランジスタと、
前記検出部に読み出された輝度情報を増幅する１個の増幅用トランジスタとを含み、
前記Ｎ個の読み出し用トランジスタは、エンハンス型トランジスタであり、
前記リセット用トランジスタは、デプレッション型トランジスタであること
を特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記増幅用トランジスタは、増幅された輝度情報を直接、複数の単位セルで共通に用いられる共通出力線に出力すること
を特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
受光量に応じた輝度情報を蓄積する単位セルが、複数個配列されている撮像装置であって、
各単位セルは、
Ｎ個（Ｎは２以上）のフォトダイオードと、
１個の検出部と、
前記Ｎ個のフォトダイオードのそれぞれと、前記検出部との間を開閉し、輝度情報を前記検出部に読み出すＮ個の読み出し用トランジスタと、
電源端子と、前記検出部との間を開閉する１個のリセット用トランジスタとを含み、
前記Ｎ個の読み出し用トランジスタ、及び、前記リセット用トランジスタは、エンハンス型トランジスタであり、
当該撮像装置は、
前記リセット用トランジスタのゲートにローバイアス電圧をかけるバイアス回路を備えること
を特徴とする撮像装置。
【請求項４】
前記増幅用トランジスタは、増幅された輝度情報を直接、複数の単位セルで共通に用いられる共通出力線に出力すること
を特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
請求項１〜４のうちの何れか１項に記載の撮像装置を備えるデジタルカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光を入射して光電変換する単位セルが、半導体基板上に１次元又は２次元に配置してなる撮像装置及び当該撮像装置を備えるデジタルカメラに関し、特に、多画素１セルのＭＯＳ型撮像素子に特有の問題である、画素間の電荷のリークを解決するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラ付き携帯電話等の撮像機器が一般に普及している。
これらの撮像機器は、軽量化及び連続使用時間を延ばす為に消費電力を抑えることが必須であるので、ＣＣＤ型撮像素子と比べ消費電力が著しく低いＭＯＳ型撮像素子を搭載しているものが多い。
ＭＯＳ型撮像素子には、２つ以上のフォトダイオードから、それぞれに対応する読み出しトランジスタを介して１つの検出部に信号を読み出す多画素１セルのタイプがある。
【０００３】
またＭＯＳ型撮像素子には、ラインセレクトトランジスタを備えずに、リセットトランジスタ、リードトランジスタ、及び電源端子に与えるパルスのタイミングにより行の選択を行い、トランジスタ数を減らして画素密度を上げたタイプがある（特許文献１、２）。
また非特許文献１には、４画素１セルで、セル毎に行選択機能とリセット機能とを１つのリセットトランジスタ（Ｍ５）に担わせるＭＯＳ型撮像素子が開示されており（非特許文献１のｆｉｇ．３、４参照）、出力信号線の電位をコントロールしながら選択したい行のリセットトランジスタ（Ｍ５）をＯＮにすることにより当該行を選択することができ（非特許文献１のｆｉｇ．４参照）、トランジスタ数を減らして画素密度を上げることができると記載されている。
【特許文献１】特開２００３−４６８６４号公報
【特許文献２】特開２００４−３１２４７２号公報
【非特許文献１】IEEE  Journal  of  Solid-State  Circuits,  Vol.39  No.12,  December  2004  P.2417〜2425  “A  3.9-μm  Pixel  Pitch  VGA  Format  10-b  Digital  Output  CMOS  Image  Sensor  With  1.5  Transistor/Pixel”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以下のように、多画素１セルのＭＯＳ型撮像素子においてのみ発生する問題がある。
なお、本明細書では説明を簡単にするために２画素１セルのＭＯＳ型撮像素子について主に説明する。
２画素１セルのＭＯＳ型撮像素子において、一方のフォトダイオードに強い光が入射し、このフォトダイオードが飽和した場合に、読み出しトランジスタから検出部に電荷があふれ出し、さらに検出部にあふれ出した電荷が、飽和していないもう一方のフォトダイオードにリークして、正しい輝度信号が読み出せなくなるという問題が生じる。
【０００５】
上記の問題を解決するために、ラインセレクトトランジスタを備えたタイプであれば、ラインセレクトトランジスタのソースドレイン間を非導通にして非選択とした状態において、リセットトランジスタのソースドレイン間を導通させて検出部をリセットするという解決方法が考えられる。
しかしながら、ラインセレクトトランジスタを備えないタイプでは、選択したセルの検出部から電荷を読み出している時には、非選択のセルの検出部をリセットすれば選択されてしまうので、上記の解決方法は適用できない。
【０００６】
そこで本発明は、多画素１セルのＭＯＳ型撮像素子において、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して、検出部にあふれ出した電荷が、飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぐことができる撮像装置及び当該撮像装置を備えるデジタルカメラを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、受光量に応じた輝度情報を蓄積する単位セルが複数個配列されている撮像装置であって、各単位セルは、Ｎ個（Ｎは２以上）のフォトダイオードと、１個の検出部と、前記Ｎ個のフォトダイオードのそれぞれと前記検出部との間を開閉し輝度情報を前記検出部に読み出すＮ個の読み出し用トランジスタと、電源端子と前記検出部との間を開閉する１個のリセット用トランジスタと、前記検出部に読み出された輝度情報を増幅する１個の増幅用トランジスタとを含み、前記Ｎ個の読み出し用トランジスタはエンハンス型トランジスタであり、前記リセット用トランジスタはデプレッション型トランジスタであることを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係るデジタルカメラは、上記記載の撮像装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
課題を解決するための手段に記載した構成により、読み出し用トランジスタがエンハンス型トランジスタであり、リセット用トランジスタがデプレッション型トランジスタなので、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して検出部に電荷があふれ出した場合に、検出部の電位が０Ｖになる前に、検出部にあふれ出した電荷がドレインに排出され、電荷が飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぐことができる。
【００１０】
また、ラインセレクトトランジスタを備えたタイプにおいても、非選択のセルの検出部をリセット用トランジスタを用いてリセットするというような、特別の制御をする必要がない。
また撮像装置において、前記増幅用トランジスタは、増幅された輝度情報を直接、複数の単位セルで共通に用いられる共通出力線に出力することを特徴とすることもきる。
【００１１】
またデジタルカメラにおいて、上記記載の撮像装置を備えることを特徴とすることもきる。
これによって、撮像装置はラインセレクトトランジスタを備えないタイプなので、このタイプでは選択したセルの検出部から電荷を読み出している時には、非選択のセルの検出部をリセットすることができないにもかかわらず、上記の事態を防ぐことができる。
【００１２】
本発明に係る撮像装置は、受光量に応じた輝度情報を蓄積する単位セルが複数個配列されている撮像装置であって、各単位セルは、Ｎ個（Ｎは２以上）のフォトダイオードと、１個の検出部と、前記Ｎ個のフォトダイオードのそれぞれと前記検出部との間を開閉し輝度情報を前記検出部に読み出すＮ個の読み出し用トランジスタと、電源端子と前記検出部との間を開閉する１個のリセット用トランジスタとを含み、前記Ｎ個の読み出し用トランジスタ、及び、前記リセット用トランジスタはエンハンス型トランジスタであり、当該撮像装置は、前記リセット用トランジスタのゲートにローバイアス電圧をかけるバイアス回路を備えることを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明に係るデジタルカメラは、上記記載の撮像装置を備えることを特徴とする。
これによって、リセット用トランジスタのゲートにローバイアス電圧をかけるので、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して検出部に電荷があふれ出した場合に、検出部の電位が０Ｖになる前に、検出部にあふれ出した電荷がドレインに排出され、電荷が飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぐことができる。
【００１４】
また、ラインセレクトトランジスタを備えたタイプにおいても、非選択のセルの検出部をリセット用トランジスタを用いてリセットするというような、特別の制御をする必要がない。
また撮像装置において、前記増幅用トランジスタは、増幅された輝度情報を直接、複数の単位セルで共通に用いられる共通出力線に出力することを特徴とすることもきる。
【００１５】
またデジタルカメラにおいて、上記記載の撮像装置を備えることを特徴とすることもきる。
これによって、撮像装置はラインセレクトトランジスタを備えないタイプなので、このタイプでは選択したセルの検出部から電荷を読み出している時には、非選択のセルの検出部をリセットすることができないにもかかわらず、上記の事態を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
＜概要＞
本発明の実施の形態１は、多画素１セルのＭＯＳ型撮像素子において、読み出し用トランジスタをエンハンス型トランジスタにし、リセット用トランジスタをデプレッション型トランジスタにすることにより、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して検出部に電荷があふれ出した場合に、検出部の電位が０Ｖになる前に、検出部にあふれ出した電荷がドレインに排出され、電荷が飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぐことができる撮像装置及び当該撮像装置を備えるデジタルカメラである。
【００１７】
＜構成＞
図１は、本発明の実施の形態１におけるデジタルカメラ１０の概要を示す図である。
図１に示すように、本発明の実施の形態１におけるデジタルカメラ１０は、静止画を撮影することができる撮像装置であって、固体撮像装置１１、及び駆動制御装置１２を備える。
【００１８】
固体撮像装置１１は、遮光装置を通過した光が結像する位置に配置され、受光量に応じた輝度情報を出力する単位セルが複数個配列されている半導体素子及びその周辺回路である。
図２は、本発明の実施の形態１における固体撮像装置１１の概略構成を示す図である。
図２に示すように、本発明の実施の形態１における固体撮像装置１１は、撮像部１、負荷回路２、行選択エンコーダ３、列選択エンコーダ４、信号処理部５、出力回路６から構成される。
【００１９】
撮像部１は、単位セルが１次元又は２次元上に配列された撮像領域である。ここでは、３×３の２次元上に配列された９個の単位セルからなる１８画素分しか記載していないが、実際の画素数は、１次元で数千個、２次元で数十万〜数百万個程度である。
負荷回路２は、縦１列毎に同一の回路が１個接続されており、出力電圧を読み出す為に、列単位で撮像部１の画素に負荷をかける回路である。
【００２０】
行選択エンコーダ３は、横１行毎に、“ＲＥＳＥＴ”、“ＲＥＡＤ１”、“ＲＥＡＤ２”の３本の制御線を備え、撮像部１の画素に対して、行単位で、リセット（初期化）、リード１（読み出し１）、及び、リード２（読み出し２）を制御する。
列選択エンコーダ４は、制御線を備え、列を順次選択する。
信号処理部５は、縦１列毎に同一の回路が１個接続されており、撮像部１からの列単位の出力を処理して、順次出力する。
【００２１】
出力回路６は、信号処理部５の出力に、外部に出力する為に必要な変換を施して出力する。
図３は、実施の形態１の撮像装置の回路の概略を示す図である。
図３に示すように、実施の形態１の撮像装置は、負荷回路１００、画素回路１１０、信号処理回路１２０を備える。
【００２２】
負荷回路１００は、図２の負荷回路２中の１個の回路を記載したものであり、第１信号出力線とＧＮＤとの間に接続された負荷用トランジスタ１０１を含み、負荷電圧（ＬＧ）が供給される。
画素回路１１０は、図２の撮像部１中の１個の単位セルを記載したものであり、初期化時の電圧を増幅したリセット電圧と読み出し時の電圧を増幅したリード電圧とを第１信号出力線に出力することを特徴とし、入射した光を光電変換して電荷を発生して蓄積し、蓄積した電荷を電圧信号として出力するフォトダイオード等の受光素子１１１、１１２と、受光素子１１１又は１１２により発生した電荷を蓄積する検出部１１３と、検出部１１３の示す電圧が初期電圧（ここではＶＤＤ）になるようにリセットするリセットトランジスタ１１４と、受光素子１１１により出力される電荷を検出部１１３に供給するリードトランジスタ１１５と、
受光素子１１２により出力される電荷を検出部１１３に供給するリードトランジスタ１１６と、検出部１１３の示す電圧に追従して変化する電圧を出力する増幅用トランジスタ１１７とを含む。
【００２３】
ＶＤＤＣＥＬＬは、周期的にＨｉ電位（ＶＤＤ）とＬｏ電位（ＧＮＤ）とを繰り返す電源入力である。
ここで特に、リードトランジスタ１１５、１１６はエンハンス型トランジスタであり、リセットトランジスタ１１４はデプレッション型トランジスタである。
信号処理回路１２０は、図２の信号処理部５中の縦１列用の１個の回路を記載したものであり、当該単位セルにより出力されるリセット電圧と当該リード電圧との差分を示す輝度情報を出力することを特徴とし、第１信号出力線と第２信号出力線との間に直列に接続されたサンプリングトランジスタ１２１及びクランプ容量１２２と、第２信号出力線とＧＮＤとの間に直列に接続されたサンプリング容量１２３と、第２信号出力線と基準電圧端子（ここではＶＤＤ）との間に直列に接続されたクランプトランジスタ１２４と、クランプ容量１２２と並列に接続されている。
【００２４】
駆動制御装置１２は、固体撮像装置１１に制御信号を供給して駆動及び制御する半導体素子及びその周辺回路であり、外部から撮影指示が入力されるのを待ち、撮影指示が入力されると、適切な露光時間の経過後に全ての単位セルから順次輝度情報を読み出させる。
ここで、画素回路１１０には、駆動制御装置１２からリセットパルス（初期化信号：ＲＥＳＥＴ）、リードパルス１（読み出しパルス１：ＲＥＡＤ１）、及び、リードパルス２（読み出しパルス２：ＲＥＡＤ２）が、信号処理回路１２０には、サンプリングパルス（ＳＰ）、及び、クランプパルス（ＣＰ）が決められたタイミングで供給され、これら各制御パルスにそれぞれ対応するトランジスタが開閉（ＯＦＦ／ＯＮ）される。
【００２５】
＜動作＞
本発明の固体撮像装置は２画素１セルなので、同一セルにおいて各画素毎に同様の動作を繰り返すものであり、各画素毎の詳細な動作は、特許文献２に示された従来の固体撮像装置と同様である。
図４〜図１０、は、受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないとき（以下、「通常時」と記す）の各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【００２６】
ここで、図４〜図１０の各図は、上半分が回路の概略を示し、下半分が上半分の回路の各位置に対応する領域毎のポテンシャルの状態を示している。
図４に示すように、リードトランジスタ１１５、１１６、リセットトランジスタ１１４がＯＦＦの状態で、受光素子１１１、１１２に電荷が生じ、通常時ではこれらの電荷は検出部１１３に移動しない。
【００２７】
図５に示すように、図４の状態からリードトランジスタ１１５、１１６がＯＦＦのままで、リセットトランジスタ１１４がＯＮになると、受光素子１１１、１１２で生じた電荷はまだ検出部１１３に移動せず、検出部１１３の電荷はＶＤＤＣＥＬＬ端子に移動する。
図６に示すように、図５の状態からＶＤＤＣＥＬＬ端子の電位がＶＤＤの時にリセットトランジスタ１１４がＯＮからＯＦＦになると、リードトランジスタ１１５、１１６、リセットトランジスタ１１４がＯＦＦなので、検出部１１３の電圧がＶＤＤにリセットされ、またこの時クランプトランジスタ１２４がＯＮであり、第２信号出力線の電圧がＶＤＤにリセットされる。
【００２８】
続いてクランプトランジスタ１２４がＯＮからＯＦＦになり、リセット電圧とＶＤＤとの差分相当がクランプ容量１２２に保持される。
図７に示すように、図６の状態からリセットトランジスタ１１４がＯＦＦのまま、リードトランジスタ１１５がＯＮになると、受光素子１１１で生じた電荷が検出部１１３に移動する。
【００２９】
図８に示すように、図７の状態からリセットトランジスタ１１４がＯＦＦのままで、リードトランジスタ１１５がＯＦＦになると、受光素子１１１で生じた電荷が検出部１１３に読み出される。
ここで、検出部１１３の電圧が変化し、この変化後の電圧が増幅用トランジスタ１１７により増幅されるので、第１信号出力線の電圧がリード電圧に変化し、またリセット電圧とＶＤＤとの差分相当がクランプ容量１２２に保持されているので、第２信号出力線の電圧が「ＶＤＤ−第１信号出力線の電圧の変化分相当」となり、この電圧が輝度情報として出力される（第１信号出力線の電圧変化分をＳＩＧ、クランプ容量１２２をＣｃｐ、サンプリング容量１２３をＣｓｐとすると：第２信号出力線の電圧はＶＤＤ−ＳＩＧ×Ｃｃｐ／（Ｃｃｐ＋Ｃｓｐ）となる）。
【００３０】
続いて、図５、図６の状態を経て、図９に示すように、図６の状態からリセットトランジスタ１１４がＯＦＦのまま、リードトランジスタ１１６がＯＮになると、受光素子１１２で生じた電荷が検出部１１３に移動する。
図１０に示すように、図９の状態からリセットトランジスタ１１４がＯＦＦのままで、リードトランジスタ１１６がＯＦＦになると、受光素子１１２で生じた電荷が検出部１１３に読み出される。
【００３１】
以下の動作は上記と同様である。
図１１は、一方の受光素子１１１が飽和する程の強い光を入射したとき（以下、「異常時」と記す）の図４と同様のタイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
ここで、図１１は図４〜図１０と同様に、上半分が回路の概略を示し、下半分が上半分の回路の各位置に対応する領域毎のポテンシャルの状態を示している。
【００３２】
図１１に示すように、図４と同様のタイミングにおいて、異常時では、受光素子１１１で生じた電荷がリードトランジスタ１１５の閾値を越え、検出部１１３にあふれ出すが、リードトランジスタ１１６よりもリセットトランジスタ１１４の方が閾値が低く、この電荷はリードトランジスタ１１６のゲートを越えるよりも先にリセットトランジスタ１１４のゲートを越えるので、受光素子１１２にリークすることはない。
【００３３】
＜まとめ＞
以上のように、本発明の実施の形態１によれば、読み出し用トランジスタをエンハンス型トランジスタで構成し、リセット用トランジスタをデプレッション型トランジスタで構成したので、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して検出部に電荷があふれ出した場合に、検出部の電位が０Ｖになる前に、検出部にあふれ出した電荷がドレインに排出され、電荷が飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぐことができる。
【００３４】
なおラインセレクトトランジスタを備えないタイプでは、選択したセルの検出部から電荷を読み出している時には、非選択のセルの検出部をリセットすることができないにもかかわらず、上記の事態を防ぐことができるので、特に有用である。
またラインセレクトトランジスタを備えたタイプにおいても、非選択のセルの検出部をリセット用トランジスタを用いてリセットするというような特別の制御をする必要がないので有用である。
（変形例１）
＜概要＞
本発明の変形例１は、多画素１セルのＭＯＳ型撮像素子において、読み出し用トランジスタとリセット用トランジスタとをエンハンス型トランジスタにし、前記リセット用トランジスタのゲートにローバイアス電圧をかけることにより、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して検出部に電荷があふれ出した場合に、検出部の電位が０Ｖになる前に、検出部にあふれ出した電荷がドレインに排出され、電荷が飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぐことができる撮像装置及び当該撮像装置を備えるデジタルカメラである。
【００３５】
＜構成＞
本発明の変形例１は、実施の形態１と比較して、リセット用トランジスタが、実施の形態１のようにデプレッション型トランジスタとはせずにエンハンス型トランジスタにして、このリセット用トランジスタのゲートにローバイアス電圧をかける点が異なる。
図１２は、ローバイアス電圧を出力するローバイアス回路の概略を示す図である。
【００３６】
Ｔｒ２００は、スイッチングトランジスタであり、駆動制御装置１２がＨｉ電圧（ＶＤＤ）を出力した場合に導通し、Ｌｏ電圧（ＧＮＤ）を出力した場合に非導通となる。
Ｄ２０１、及びＤ２０２は電流の逆流を防止するダイオードでありそれぞれＨｉ電圧端子及びローバイアス電圧端子に接続され、Ｃ２０３はパルス成分のみを出力するためのコンデンサ、Ｒ２０４は接地抵抗である。
【００３７】
＜動作＞
図１２から明らかなように、ローバイアス回路は、駆動制御装置１２がＨｉ電圧を出力した場合には、Ｔｒ２００が導通しＨｉ電圧端子からＤ２０１を介してＨｉ電圧を出力し、駆動制御装置１２がＬｏ電圧を出力した場合には、Ｔｒ２００が非導通となりローバイアス電圧端子からＤ２０２を介してローバイアス電圧を出力する。
【００３８】
なお、読み出し用トランジスタとリセット用トランジスタとは、必ずしもエンハンス型トランジスタでなくてもよい。例えばデプレッション型トランジスタであってもよいし、異なるトランジスタであっても、リセット用トランジスタのゲートにローバイアス電圧をかけることによって、検出部の電位が０Ｖになる前に、検出部にあふれ出した電荷がドレインに排出される状態になればよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどの撮像機器に適用することができる。本発明によって、多画素１セルのＭＯＳ型撮像素子において、一部のフォトダイオードに強い光が入射し飽和して検出部にあふれ出した電荷が飽和していない他のフォトダイオードにリークする事態を防ぎ、正しく輝度信号を読み出すことができ、撮像機器の画質の向上に寄与することができるので、その産業的利用価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるデジタルカメラ１０の概要を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１における固体撮像装置１１の概略構成を示す図である。
【図３】実施の形態１の撮像装置の回路の概略を示す図である。
【図４】受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないときの各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図５】受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないときの各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図６】受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないときの各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図７】受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないときの各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図８】受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないときの各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図９】受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないときの各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図１０】受光素子１１１、１１２が飽和する程の強い光を入射していないときの各タイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図１１】一方の受光素子１１１が飽和する程の強い光を入射したときの図４と同様のタイミングにおける画素回路１１０中の領域毎のポテンシャルの状態を示す図である。
【図１２】ローバイアス電圧を出力するローバイアス回路の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    撮像部
２    負荷回路
３    行選択エンコーダ
４    列選択エンコーダ
５    信号処理部
６    出力回路
１０    デジタルカメラ
１１    固体撮像装置
１２    駆動制御装置
１００    負荷回路
１０１    負荷用トランジスタ
１１０    画素回路
１１１    受光素子
１１２    受光素子
１１３    検出部
１１４    リセットトランジスタ
１１５    リードトランジスタ
１１６    リードトランジスタ
１１７    増幅用トランジスタ
１２０    信号処理回路
１２１    サンプリングトランジスタ
１２２    クランプ容量
１２３    サンプリング容量
１２４    クランプトランジスタ
２０１    Ｄ
２０２    Ｄ
２０３    Ｃ
２０４    Ｒ
【図１】
2006270890.tif 000003
【図２】
2006270890.tif 000004
【図３】
2006270890.tif 000005
【図４】
2006270890.tif 000006
【図５】
2006270890.tif 000007
【図６】
2006270890.tif 000008
【図７】
2006270890.tif 000009
【図８】
2006270890.tif 000010
【図９】
2006270890.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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