(57)【要約】 【課題】  クロムを用いないことにより環境に悪影響を与えることのない非線形抵抗素子、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】  基材６ａと、基材６ａ上に設けられた非線形抵抗素子３３と、基材６ａ上に設けられ、非線形抵抗素子３３に接続される画素電極２４ａとを有し、非線形抵抗素子３３が、基材６ａ側から第１金属層３６、絶縁層３７、及び第２金属層３８の順に積層されて形成され、第２金属層３８が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成され、画素電極２４ａが、インジウム亜鉛酸化物から形成されていることを特徴とする。【選択図】        図１
2006098480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上に設けられた非線形抵抗素子と、
前記基材上に設けられ、前記非線形抵抗素子に接続される画素電極とを有し、
前記非線形抵抗素子が、前記基材側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層の順に積層されて形成され、
前記第２金属層が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成され、
前記画素電極が、インジウム亜鉛酸化物から形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、
前記画素電極が、前記基材側からインジウム亜鉛酸化物及びアモルファスインジウム錫酸化物の順に積層して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、
前記第２金属層が、前記モリブデンに、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の電気光学装置において、
前記第２金属層を構成する合金が、モリブデンに対してタングステンを５０原子％以下含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４記載の電気光学装置において、
前記第２金属層を構成する合金が、モリブデンに対してタングステンを３０〜４０原子％含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の電気光学装置において、
前記第２金属層を構成する合金が、モリブデンに対してニオブを４０原子％以下含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の電気光学装置において、
前記第２金属層を構成する合金が、添加金属としてタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される２種以上の金属を合計で５０原子％以下含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
基材上に第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、モリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金から成る第２金属層を形成する工程とから、前記第１金属層、前記絶縁層及び前記第２金属層から成る非線形抵抗素子を形成する工程と、
前記基材上に、前記第２金属層に接続されるインジウム亜鉛酸化物からなる画素電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電気光学装置において、
前記インジウム亜鉛酸化物を成膜する工程に次いで、前記インジウム亜鉛酸化物上にアモルファスインジウム錫酸化物を成膜する工程と、
前記基材上に積層される前記インジウム亜鉛酸化物及び前記アモルファスインジウム錫酸化物を同時にエッチング処理して、前記第２金属層に接続される所定パターンの画素電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９記載の電気光学装置の製造方法において、
前記エッチング処理後に、前記アモルファスインジウム錫酸化物に対してアニール処理を施して、前記アモルファスインジウム錫酸化物をポリインジウム錫酸化物に変化させる工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項７のいずれか１項記載の電気光学装置を有することを特徴とする
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本願発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本願発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶表示装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の表示を行うために電気光学装置が用いられている。なお、液晶表示装置は、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等といった像を表示する電気光学装置である。
【０００３】
液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板によって液晶を挟む構造
を有する。それらの電極を平面的に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向
にマトリクス状に並び、これらの各領域が画素を構成する。そして、個々の画素内に存在
する液晶に印加する電圧を画素ごとに制御して液晶の配向を制御することにより、表示が
行われる。
【０００４】
このような液晶表示装置には、画素に印加する電圧をスイッチング素子を用いて制御す
ることにより液晶の配向を制御する構造のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置と、
スイッチング素子を用いることなく互いに対向するストライプ状電極に印加する電圧の制
御により液晶の配向を制御する構造のパッシブマトリクス方式、すなわち単純マトリクス
方式の液晶表示装置とがある。
【０００５】
また、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型のスイッチング素子を用いたものと、ＴＦＤ（Thin Film Diode）等といった２端子型の非線形抵抗素子を用いたものとがある。２端子型の非線形抵抗素子は３端子型のスイッチング素子に比べて構成が簡単で、製造工程も少なくて済むという利点を持っている。
【０００６】
２端子型の非線形抵抗素子であるＴＦＤ素子は、一般に、金属（Metal）−絶縁膜（Insulator）−金属（Metal）の積層構造、いわゆるＭＩＭ構造を有し、電圧−電流特性が非線形性を有するものである。このＴＦＤ素子は、従来、第１の金属がＴａＷ（タンタル・タングステン）によって形成され、絶縁膜が陽極酸化膜によって形成され、第２の金属がクロム（クロム）によって形成されていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１６４２０２号公報（第１３頁、図３４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年、環境問題の観点からクロム、特に６価クロムの使用が産業界において
抑制される傾向にある。この傾向から見てＴＦＤ素子を構成する金属としてクロムを用い
ることが好ましくない。このことに関し、本願発明者等はクロムの代替金属を求めて種々の実験を行った。このとき、代替金属の条件として下記項目を考えた。
（１）素子特性がクロムと同程度又はそれ以上であること、
（２）シート抵抗値がクロムと同程度又はそれ以下であること、
（３）クロムの場合と同様に、パターニングの際にウエットエッチングを用いることができること、
（４）クロムの場合と同様に、灰色に近い銀系の金属光沢色のような色であって、Ｃｕ（銅）色や黄色でないこと。
上記項目中、（４）の項目を条件としたのは、液晶表示装置の内部にそのような色の金属が存在すると、その色のために表示品質が低下するからである。
【０００８】
以上の各項目について検討を行ったところ、本願発明者等はモリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金がクロムの代替金属として好適であることを知見した。また、モリブデンに高融点金属を添加することがクロムの代替金属として、より好適であることを知見した。さらに、高融点金属として、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、及びジルコニウム（Ｚｒ）の単体又は混合物を添加することがクロムの代替金属として、さらに好適であることを知見した。
【０００９】
本願発明は、上記の知見に基づいて成されたものであって、クロムを用いないことにより環境に悪影響を与えることのない電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するため、本願発明に係る電気光学装置は、基材と、前記基材上に設けられた非線形抵抗素子と、前記基材上に設けられ、前記非線形抵抗素子に接続される画素電極とを有し、前記非線形抵抗素子が、前記基材側から第１金属層、絶縁層、及び第２金属層の順に積層されて形成され、前記第２金属層が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成され、前記画素電極が、インジウム亜鉛酸化物から形成されていることを特徴とする。
また、本願発明に係る電気光学装置の製造方法は、基材上に第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、モリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金から成る第２金属層を形成する工程とから、前記第１金属層、前記絶縁層及び前記第２金属層から成る非線形抵抗素子を形成する工程と、前記基材上に、前記第２金属層に接続されるインジウム亜鉛酸化物からなる画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本願発明において、基材とは、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成された板材である。この基材上に、電極、配向膜、その他各種の要素を形成することにより、素子基板、カラーフィルタ基板、その他、電気光学装置の種類に応じて必要とされる各種の基板が製造される。
ここで、上記検討項目の１つである素子特性について考えると、２端子型の非線形抵抗
素子、例えばＴＦＤ素子の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書
込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、素子に保持電圧として４ボルト（Ｖ
）を印加したときの抵抗値である。また、抵抗値Ｒ１０は、素子に書込み電圧として１０
Ｖを印加したときの抵抗値である。今、第２金属層としてクロムを用いたＴＦＤ素子を非線形抵抗素子として考えると、室温で、
Ｒ４＝１×１０１１  Ω
Ｒ１０＝１×１０９    Ω
であり、このことをグラフによって表すと図１３に示すようになる。なお、図１３に示す
素子特性線図において、実線で示す特性が第２金属層としてクロムを用いたＴＦＤ素子の素子特性である。また、図１３の特性は、後述するバック・ツー・バックの構造を有するＴＦＤ素子に関するものである。
【００１２】
クロムの代替金属を考えるとき、素子特性はクロムと同等又はそれ以上であることが望
ましい。ここで、クロムにおいて、Ｒ４＝１×１０１１  Ω、Ｒ１０＝１×１０９  Ωであることを考えれば、代替金属として望ましいのは、保持特性を良好に維持する観点から、
Ｒ４≧１×１０１１  Ω  ……（１）
であり、書込み特性を良好に維持する観点から、
Ｒ１０≦１×１０９  Ω  ……（２）
である。上記の（１）式及び（２）式を図１３のグラフに示せば、斜線で示す領域が素子
特性として良好な領域である。従って、鎖線Ａで示す直線のようにクロムから成る素子の
特性直線よりも傾きの大きい直線で表される特性を実現できることが望ましい。本願発明者等の実験によれば、ＴＦＤ素子の第２金属層をモリブデンにタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成したところ、上記（１）式及び（２）式を満足するＴＦＤ素子が得られた。
【００１３】
なお、モリブデン系の合金はクロムに比べて素子抵抗値が高くなる傾向にある。従って、ＴＦＤ素子の全体の抵抗値を低く抑えるためには、第１金属層と第２金属層との間に存在する絶縁層の層厚を薄く形成することが望ましい。
【００１４】
次に、他の検討項目であるシート抵抗値について考えると、クロムのシート抵抗値は、
０．２μｍの膜厚で約１Ωである。これに対し、モリブデンにタングステン、ニオブ、タ
ンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加して成る合金も、ほぼ同程度
のシート抵抗値であった。例えば、ＭｏＷ（モリブデン・タングステン）のシート抵抗値
は約０．７Ωである。
【００１５】
次に、さらに他の検討項目であるエッチング処理について考えると、クロムがウェット
エッチングによってパターニングできること、例えば硝酸セリウムアンモニウムを主成分
とするエッチング液によってエッチングできることは知られている。本願発明者等の実験によれば、クロムの場合と同様に、モリブデンを主成分とする合金もウエットエッチングできることが確認された。但し、例えばＭｏＷを用いて第２金属層を形成する場合を考えると、タングステンが混合したことによりエッチングしづらくなることが分かった。
【００１６】
次に、さらに他の検討項目である色の問題について考えると、モリブデンを主成分とし
てタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加
して成る合金は、いずれも、Ｃｕ色や黄色等といった表示品質を低下させる色ではなく、クロムと同様な、灰色に近い銀系の金属光沢色を持っている。従って、それらの合金はクロムの代替金属として好適である。
【００１７】
なお、非線形抵抗素子を構成する第１金属層には、第２金属層とは異なり、モリブデン系合金を使用していない。これは、モリブデンが、非線形抵抗素子の形成工程の際に使用する硫酸（Ｈ２ＳＯ４）等の薬品等に対して耐食性が弱いためである。従って、本発明の非線形抵抗素子を構成する第１金属層には、モリブデン系合金ではない、例えば、タンタル・タングステン等を使用している。
【００１８】
以上のように、本願発明に係る非線形抵抗素子によれば、クロムを用いないで第２金属層を形成したので、環境汚染の防止に寄与できる。また、クロムの代替としてＭｏ系合金を用いたことにより、（１）非線形抵抗素子としての素子特性がクロムとほとんど同じであり、（２）シート抵抗値がクロムとほとんど同じであり、（３）簡便なパターニング手法であるウエットエッチングをパターニング工程で用いることが可能であり、（４）Ｃｕ色や黄色等といった表示に悪影響を与える色ではない、灰色に近い銀系の金属光沢色が得られる、等といった効果が得られる。
【００１９】
ところで、一般的に、非線形抵抗素子の第２金属層には画素電極が接続される。そして、この画素電極は、透明導電膜であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）を材料として形成される。しかしながら、ＩＴＯを材料とする画素電極では、以下の問題があった。
（１）第２金属層をクロムによって形成していた従来の方法では、第２金属層の形成後に、王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液を用いてＩＴＯのパターニングを行っていた。クロムはこれらのエッチング液に対して耐性を持っているのでＩＴＯのパターニングは支障なく行われていた。これに対し、本願発明において第２金属層として用いられるＭｏ系合金は、上記の王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液等に対して耐性が弱い。そのため、ＩＴＯをパターニングする際に、王水系等のエッチング液を用いることができなかった。
（２）透明導電膜の基板上への成膜は、高温プロセス工程を経る場合がある。この場合に、例えば、耐熱性の低いガラス基板、プラスチック基板等では、透明導電膜の成膜時の高温状態に耐えることができない場合があった。
（３）多結晶化されたＩＴＯでは、ＩＴＯを材料とする画素電極の表面の平坦性を確保することが困難であった。
そこで、本願発明者が検討した結果、画素電極の材料として使用されるＩＴＯの代替材料として、インジウム亜鉛酸化物（登録商標ＩＺＯ）が適切であることを見出した。このように、画素電極の材料としてＩＴＯに代替してＩＺＯを使用することにより、上記（１）〜（３）の問題を解決することができた。すなわち、ＩＺＯから成る透明導電膜によれば、弱酸性のエッチング液により、エッチング処理を行うことが可能となる。また、Ｍｏ系合金も弱酸性のエッチング液に対して耐性を有している。そのため、非線形抵抗素子を構成する第２金属層が、Ｍｏ系合金を材料とする場合でも、弱酸性のエッチング液によりエッチング処理が可能となる。また、透明導電膜である画素電極がＩＺＯから形成されているため、低温での成膜が可能となり、耐熱性の低い例えば、ガラス基板、プラスチック基板等を使用することが可能となる。また、成膜されるＩＺＯは、アモルファス（非結晶）状態であるため、緻密で平坦性に優れた膜が形成することができ、ＩＺＯ電極とこれに対向配置される対向電極の導通による電極リークを抑制することができる。
【００２０】
次に、本願発明に係る電気光学装置及びその製造方法において、前記非線形抵抗素子はバック・ツー・バック構造を有することが望ましい。ここで、バック・ツー・バック構造とは、図１に示すように、一対のＴＦＤ要素を互いに直列に接続して成るＴＦＤ素子の構造である。１つのＴＦＤ要素を見たとき、そのＴＦＤ要素は極性差を有する。この極性差とは、ＴＦＤ要素の端子間に印加する電圧のプラス、マイナスの極性を変えたときにこのＴＦＤ要素の非線形特性に現れる差のことである。このように１つのＴＦＤ要素が極性差を持っている場合、その１つのＴＦＤ要素だけでは安定したスイッチング特性が得られない可能性が高い。これに対し、上記のバック・ツー・バック構造を採用すれば、極性差が相殺されて安定したスイッチング特性を得ることができる。
【００２１】
本願発明者等の実験によれば、モリブデンを主成分としてタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって非線形抵抗素子の第２電極を形成した場合、得られた非線形抵抗素子の極性差がかなり大きいことが分かった。従って、モリブデンを主成分とする合金を用いて非線形抵抗素子を構成する場合には、安定したスイッチング特性を得るために上記のバック・ツー・バック構造を採用することが望ましい。
【００２２】
また本願発明の電気光学装置は、前記画素電極が、前記基材側からインジウム亜鉛酸化物及びアモルファスインジウム錫酸化物の順に積層して設けられていることも好ましい。
また本願発明の電気光学装置の製造方法は、インジウム亜鉛酸化物を成膜する工程に次いで、前記インジウム亜鉛酸化物上にアモルファスインジウム錫酸化物を成膜する工程と、前記基材上に積層される前記インジウム亜鉛酸化物及び前記アモルファスインジウム錫酸化物を同時にエッチング処理して、前記第２金属層に接続される所定パターンの画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２３】
本願発明に係る電気光学装置及びその製造方法によれば、上記発明と同様に、それに含まれる非線形抵抗素子の第２金属層がクロムを用いないで形成されるので、環境汚染の防止に寄与できる。また、クロムの代替としてＭｏ系合金を用いたことにより、（１）非線形抵抗素子としての素子特性がクロムとほとんど同じであり、（２）シート抵抗値がクロムとほとんど同じであり、（３）簡便なパターニング手法であるウエットエッチングをパターニング工程で用いることが可能であり、（４）Ｃｕ色や黄色等といった表示に悪影響を与える色ではない、灰色に近い銀系の金属光沢色が得られる、等といった効果が得られる。
また、一般的に電気光学装置に設けられる配線や、外部接続用端子、ドライバ接続用端子、基板間の上下導通部等の端子部などは、非線形抵抗素子や画素電極と同時に形成される。そして、本願発明では、第２金属層上に保護膜を設けない場合、第２金属層が配線や端子部の最表面に形成されることになる。また、一般的に、上述したＩＺＯは他材料とのコンタクト抵抗が高いという性質がある。特に最表面にした場合、一対の基板を上下導通する部分や駆動用ドライバIC実装部等でのコンタクト抵抗の上昇は問題である。これに対して、本願発明のように画素電極をＩＺＯとａ−ＩＴＯとの２層構造とすること、即ちＩＺＯよりアニールでポリ化（多結晶化）し易いａ−ＩＴＯを最表面することで上記問題を解決できる。
【００２４】
また本願発明の電気光学装置は、前記モリブデンを主成分とする合金が、前記モリブデンに、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金によって形成されていることも好ましい。
本願発明では、第２金属層の主成分とするモリブデンにタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムを添加することにより、クロムにより第２金属層を形成していた場合とシート抵抗値をほとんど同くすることができる。また、本願発明によれば、耐腐食性を向上させることができる。
【００２５】
また本願発明の電気光学装置は、第２金属層を構成する合金が、モリブデンに対してタングステンを５０原子％以下含むことも好ましい。さらに本願発明の電気光学装置は、第２金属層を構成する合金が、モリブデンに対してタングステンを３０〜４０原子％、より好ましくは３５原子％含むことも好ましい。
また、モリブデンにタングステンを添加すると、耐食性が向上する。そして、タングステンの添加量が多くなる程、耐食性が向上する。この場合、本願発明者等の実験によれば、タングステンの添加量は５０原子％以下であることが望ましかった。さらに、タングステンの添加量は、特に３０〜４０原子％の範囲に入ることが望ましかった。そして特に、タングステンの添加量は３５原子％であることが望ましかった。
【００２６】
また本願発明の電気光学装置は、第２金属層を構成する合金が、モリブデンに対してニオブを４０原子％以下含むことも好ましい。
また、モリブデンにニオブを添加すると、耐食性が向上する。そして、ニオブの添加量が多くなる程、耐食性が向上する。この場合、本願発明者等の実験によれば、ニオブの添加量は、４０原子％以下、より好ましくは２０〜４０原子％の範囲であることが望ましかった。
【００２７】
また本願発明の電気光学装置は、第２金属層を構成する合金が、添加金属としてタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムから選択される２種以上の金属を合計で５０原子％以下含むことも好ましい。
つまり、本願発明では、タングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムの単体を添加することに加えて、それらの混合物を添加することもできる。
【００２８】
また、本願発明の電気光学装置の製造方法において、前記エッチング処理後に、前記アモルファスインジウム錫酸化物に対してアニール処理を施して、前記アモルファスインジウム錫酸化物をポリインジウム錫酸化物に変化させる工程を有することも好ましい。
【００２９】
一般に、非線形抵抗素子の第２電極にはドット状の電極が接続される。この電極は、例
えば多結晶化されたＩＴＯによって形成される。第２金属層をクロムによって形成していた従来の方法では、その第２金属層の形成後に、王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液を用いてＩＴＯのパターニングを行っていた。クロムはこれらのエッチング液に対して耐性を持っているのでＩＴＯのパターニングは支障なく行われていた。
【００３０】
これに対し、本願発明において第２金属層として用いられるＭｏ系合金は、上記の王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液等に対して耐性が弱いので、ＩＴＯをパターニングするためにそれらのエッチング液を用いることができない。そこで、本願発明では、ＩＴＯをアモルファスのａ−ＩＴＯとして成膜することにより、Ｍｏ系合金の使用を可能にした。ａ−ＩＴＯによれば、王水系エッチング液等よりも弱い酸、例えば蓚酸〔（ＣＯＯＨ）２〕によってエッチングできる。しかも、Ｍｏ系合金はこの蓚酸には耐性を持っているので、非線形抵抗素子を構成する第２金属層のＭｏ系合金に支障は生じない。なお、ａ−ＩＴＯは、通常のＩＴＯをスパッタによって成膜する場合に比べて低い温度、例えば１００℃以下でスパッタすることによって形成することができる。また、画素電極を構成するａ−ＩＴＯの下層に形成されるＩＺＯは、上述したように、弱酸でのエッチング処理が可能である。従って、弱酸によるエッチング液により、２層からなるＩＺＯ及びａ−ＩＴＯを同時エッチング処理することができる。
また、アモルファスＩＴＯに対してアニール処理を施すことにより、アモルファスＩＴＯは多結晶化（ポリ化）することで、上下導通部やドライバ実装部等のコンタクト抵抗を上昇することを抑えることができる。
【００３１】
なお、本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、電気光学物質として有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００３２】
次に、本願発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本願発明の電気光学装置はクロムを使用しない安全な装置であるので、これを用いた電子機器も環境を汚染しない安全な機器である。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、腕時計、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
[第１実施形態]
（非線形抵抗素子及び電気光学装置の実施形態）
以下、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方
式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本願発明を適用した場合を例に挙げて本願発明の実施形態を説明する。また、非線形抵抗素子としてＴＦＤ素子を例に挙げて本願発明の実施形態を説明する。なお、本願発明がそれらの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。
【００３４】
図２は、本願発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。図３は、図２におけるＡ−Ａ線に従った断面図である。図２において、液晶表示装置１は、液晶パネル２に駆動用ＩＣ３ａ，３ｂ，３ｃを実装し、さらに液晶パネル２に照明装置４を組み付けることによって形成される。観察者は矢印Ｃ方向から表示を視認する。なお、液晶パネル２には必要に応じてその他の部品要素、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）が装着される。
【００３５】
液晶パネル２は、図３に示すように、素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとをシー
ル材１０で貼り合わせることによって形成される。シール材１０は、図２に示すように、
正方形又は長方形、すなわち方形の環状に形成されていて、その一部に液晶注入用の開口
１０ａが形成される。図３において、素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとの間には
隙間、いわゆるセルギャップが形成され、そのセルギャップ内に電気光学物質としての液
晶、例えばネマチック液晶が封入されて液晶層７が形成されている。
【００３６】
素子基板６ａは透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成された、矢印Ｃ方向
から見て方形状の基材８ａを有し、その基材８ａの外側表面に偏光板９ａが貼着等によっ
て装着される。また、カラーフィルタ基板６ｂは透光性ガラス、透光性プラスチック等に
よって形成された方形状の基材８ｂを有し、その基材８ｂの外側表面に偏光板９ｂが貼着
等によって装着されている。
【００３７】
図４は、図３において矢印Ｃで示す部分を拡大して示している。図４において、多数の
球状のスペーサ３２は素子基板６ａ又はカラーフィルタ基板６ｂのいずれかの表面にばら
撒かれ、それらの基板６ａ，６ｂを互いに貼り合わせた状態で両基板６ａ，６ｂ間のセル
ギャップＧを一定に維持するように機能する。そして、そのセルギャップＧ内に液晶層７
が形成される。
【００３８】
図４において、素子基板６ａを構成する基材８ａの液晶側表面には、線状のライン配線
３１、アクティブ素子又はスイッチング素子又は非線形抵抗素子としてのＴＦＤ素子３３
及び透明な画素電極２４ａが形成される。さらに、それらの要素の上に配向膜２６ａが形成され、その配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２６ａの近傍の液晶分子の配向が決められる。
【００３９】
図５は、図４の矢印Ｃ方向から見た場合の画素電極２４ａ、ＴＦＤ素子３３及びライン配線３１の位置関係を示している。図示の通り、ライン配線３１は複数本が互いに間隔をおいて平行に並べられ、いわゆるストライプ状に形成されている。そして、それらのライン配線３１の間に複数の画素電極２４ａが形成され、それらの画素電極２４ａがＴＦＤ素子３３によってライン配線３１に接続されている。複数の画素電極２４ａはマトリクス状に形成される。
【００４０】
画素電極２４ａは、インジウム・亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー，（登録商標））を材料としてフォトエッチング処理、すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理、によって形成される。また、配向膜２６ａは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。この配向膜２６ａは、ラビング処理等といった配向処理を受け、この配向処理により配向膜２６ａの近傍の液晶分子の配向が決められる。
【００４１】
図１は、図５において矢印Ｅで示す部分を裏側から見た状態を示している。図１に示す
ように、個々のＴＦＤ素子３３は、第１ＴＦＤ要素３３ａと第２ＴＦＤ要素３３ｂとを直
列に接続することによって形成されている。このＴＦＤ素子３３は、例えば、次のように
して形成される。すなわち、まず、ＴａＷ（タンタル・タングステン）によってライン配
線３１の第１層３１ａ及びＴＦＤ素子３３の第１金属層３６を形成する。次に、陽極酸化処理によってライン配線３１の第２層３１ｂ及びＴＦＤ素子３３の絶縁膜３７を形成する。次に、ライン配線３１の第３層３１ｃ及びＴＦＤ素子３３の第２金属層３８を形成する。
【００４２】
第２金属層３８は、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として、それにタングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選択される少なくとも１つを添加して成る合金、すなわちＭｏ系合金によって形成されている。従来、この第２金属層３８はクロムによって形成されることが多かった。しかしながら、このクロムは環境汚染の観点から見て必ずしも最良の材料ではなかった。これに対し、Ｍｏ系合金は、環境汚染の心配がなく、しかも、（１）素子特性がクロムを用いる場合とほぼ同じであり、（２）シート抵抗値がクロムを用いる場合とほぼ同じであり、（３）クロムと同様にウエットエッチング処理によってパターニングでき、そして（４）クロムと同様に灰色に近い銀系の金属光沢色を有するといった、ＴＦＤ素子３３の第２金属層３８として好ましい機能を発揮する。
【００４３】
添加金属であるタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムは、それぞれを単独に
添加しても良いし、いずれかの２種以上を添加しても良い。タングステンを添加する場合
には、主成分であるモリブデンに対して５０原子％以下、望ましくは３０〜４０原子％、、より好ましくは３５原子％含まれる。また、ニオブを添加する場合には、４０原子％以下、望ましくは２０〜４０原子％含まれる。また、２種以上の金属を添加する場合は、２種以上の金属の合計で５０原子％含むことが望ましい。
【００４４】
モリブデンにタングステンやニオブを添加すると、モリブデン単体に比べて耐食性が向上する。このことに関し、モリブデンにタングステンを添加する場合には、タングステンの含有率が５０原子％以下、３０〜４０原子％、より好ましくは３５％の範囲であれば速くて確実なエッチングを行うことができた。
【００４５】
また、モリブデンにニオブを添加する場合には、ニオブの含有率が４０原子％以下であることが好ましい。また、２０〜４０原子％の範囲であればより好ましい。さらに、モリブデンにタングステン、ニオブ、タンタル、ジルコニウムのいずれか２種以上を添加する場合には、それらの金属をモリブデンに対して合計で５０原子％含ませることが好ましい。
【００４６】
図１において、第１ＴＦＤ要素３３ａの第２金属層３８はライン配線３１の第３層３１ｃから延びている。また、第２ＴＦＤ要素３３ｂの第２金属層３８の先端に重なるように、ドット電極２４ａが形成される。ライン配線３１から画素電極２４ａへ向けて電気信号が流れることを考えれば、その電流方向に従って、第１ＴＦＤ要素３３ａでは第２電極３８→絶縁膜３７→第１金属層３６の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素３３ｂでは第１金属３６→絶縁膜３７→第２金属層３８→画素電極２４ａの順に電気信号が流れる。
【００４７】
つまり、第１ＴＦＤ要素３３ａと第２ＴＦＤ要素３３ｂとの間では電気的に逆向きの一
対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツ
ー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて、安定した特性を得られることが知られている。なお、ＴＦＤ素子の安定化がそれ程に必要でない場合には、１つのＴＦＤ要素のみでＴＦＤ素子を構成しても良い。
【００４８】
図４において、カラーフィルタ基板６ｂを構成する基材８ｂの液晶側表面には樹脂層１
６が形成され、その上に反射膜１７が形成される。また、反射膜１７の上には遮光膜１９
が形成され、その遮光膜１９の間にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色着色要素２１が
矢印Ｃ方向から見て所定の平面的な配列で形成される。そして、これら複数の着色要素２
１によってカラーフィルタ２２が構成されている。また、遮光膜１９及び着色要素２１の
上にはオーバーコート層２３が形成され、その上に透光性を有する線状電極２４ｂが形成
され、その上に配向膜２６ｂが形成される。
【００４９】
オーバーコート層２３は、例えば、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布及び焼
成して形成したり、あるいは、必要に応じて、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にフ
ォトリソグラフィ処理を施すことによって形成される。また、配向膜２６ｂは、例えば、
ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする
。この配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向
膜２６ｂの近傍の液晶分子の配向が決められる。この配向膜２６ｂのラビング方向と素子
基板６ａ側の配向膜２６ａのラビング方向は、液晶の特性に応じて適宜の角度で交差する
ようになっている。
【００５０】
図４において、樹脂層１６は第１層１６ａ及びその上に積層された第２層１６ｂを有す
る。これらの層は同じ材料によって形成できる。第１層１６ａの表面には複数の凹部２７
が矢印Ｃ方向から見て平面的に不規則、すなわちランダムに配置されている。このため、
第１層１６ａの上に積層された第２層１６ｂの表面には、これらの凹部２７及びそれに隣
接する凸部に対応して凹凸が形成されている。第１層１６ａの表面に形成される凹凸は粗
い状態であり、これに第２層１６ｂを積層することにより滑らかな凹凸が得られる。第２
層１６ｂの表面、すなわち樹脂層１６の表面に凹凸を設けたことにより、その樹脂層１６
に積層された反射膜１７の表面にも凹凸が形成される。この凹凸の存在により、反射膜１
７に入射した光は散乱光となって反射する。
【００５１】
線状電極２４ｂは、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ等を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成される。これらの線状電極２４ｂは、図４の紙面垂直方向に延びている。これらの線状電極２４ｂは、図５に示すように、素子基板６ａ上のライン配線３１に対して直角の方向に延在し、且つそれと直角な方向に互いに間隔をおいて平行に、すなわち全体としてストライプ状に形成されている。また、個々の線状電極２４ｂは、ライン配線３１と直角の方向に列状に並ぶ複数の画素電極２４ａに対向するように形成される。そして、画素電極２４ａと線状電極２４ｂとが重なる領域は表示のための最小領域である表示用画素領域Ｄを構成する。
【００５２】
図４において、反射膜１７は、例えば、光反射性の金属材料、例えばＡｌ（アルミニウ
ム）を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成される。この
とき、反射膜１７には、個々の表示用画素領域Ｄに対応して光通過用の貫通穴、すなわち開口３４が設けられる。これらの開口３４は、反射膜１７に光を透過させる機能を持たせるための構成であるが、この開口３４を設ける代わりに反射膜１７の厚さを薄くして、光を反射する機能と光を透過させる機能の両方を持たせるようにすることもできる。表示用画素領域Ｄのうち、反射膜１７が存在する領域は反射部Ｒを構成し、開口３４に対応する領域は透過部Ｔを構成する。
【００５３】
着色要素２１は、カラー表示の３原色であるＲ，Ｇ，Ｂの３色によって構成されている
。これらの各色の着色要素２１は、矢印Ｃ方向から見たときに所定の平面配列、例えば図
６（ａ）に示すストライプ配置や、図６（ｂ）に示すモザイク配置や、図６（ｃ）に示す
デルタ配置等に形成されている。
【００５４】
図６（ａ）のストライプ配置は、図の縦方向に同じ色の着色要素２１が並べられる配列
である。また、図６（ｂ）のモザイク配置は、図の縦方向及び横方向の両方向で着色要素
２１の色が順々に循環的に変化する配列である。そして、図６（ｃ）のデルタ配置は、着
色要素２１が三角形の頂点に位置するように配列されるとともに横方向の色が順々に循環的に変化する配列である。なお、着色要素２１の配列の仕方に関しては、上記の３種類以外にも種々に提案されているので、必要に応じて、適宜の配列が選択される。
【００５５】
個々の着色要素２１は表示用画素領域Ｄに対応して設けられている。着色要素２１を用いない白黒表示の場合は１つの表示用画素領域Ｄによって１つの画素が形成されるが、本実施形態のように３色の着色要素２１を用いてカラー表示を行う構造の場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色の着色要素２１の集まりによって１つの画素が形成される。
【００５６】
図２において、素子基板６ａの１辺はカラーフィルタ基板６ｂの外側へ張り出して、張
出し部４１を構成している。駆動用ＩＣ３ａ，３ｂ，３ｃはこの張出し部４１の表面に実
装されている。この実装は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導
電膜）を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて行うことができる。中央の駆動用
ＩＣ３ｂの出力端子は素子基板６ａ上のライン配線３１に直接に接続される。一方、両側
の駆動用ＩＣ３ａ及び３ｃは、シール材１０内に分散した導電粒子を介してカラーフィル
タ基板６ｂ上の線状電極２４ｂに接続される。
【００５７】
なお、基板と駆動用ＩＣとの接続は、ＣＯＧ技術以外の任意の接続手法を用いることが
できる。このような接続手法としては、例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の上にＩＣチップがボンディングされて成るＴＣＰ（Tape Carrier Package）を液晶表示装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップを硬質の基板にボンディングするＣＯＢ（Chip On Board）技術を用いても良い。
【００５８】
次に、図２において、液晶パネル２を構成するカラーフィルタ基板６ｂの外側表面に対
向して配設された照明装置４は、例えば、透明なプラスチックによって形成された方形状
で板状の導光体４２と、点状光源としてのＬＥＤ４３とを有する。図３に示すように、導
光体４２のうち液晶パネル２と反対側の面には光反射シート４４を装着することができる
。また、導光体４２のうち液晶パネル２に対向する面には光拡散シート４６を装着するこ
とができる。また、光拡散シート４６の上に、さらに、プリズムシート（図示せず）を装
着することもできる。ＬＥＤ４３は本実施形態では３個使用しているが、ＬＥＤ４３は必
要に応じて１個とすることもでき、あるいは、３個以外の複数個とすることもできる。ま
た、ＬＥＤ等といった点状光源に代えて、冷陰極管等といった線状光源を用いることもで
きる。以上のように構成された照明装置４は、液晶パネル２を背面から照明するバックラ
イトとして機能する。
【００５９】
図７は、図２の液晶表示装置１の電気的な等価回路を示している。図７において、複数
本の走査線４７が行方向Ｘに延びるように形成され、さらに、複数本のデータ線４８が列
方向Ｙに延びるように形成されている。走査線４７は図２の線状電極２４ｂによって実現
され、データ線４８は図２のライン配線３１によって実現される。表示用画素領域Ｄは走査線４７とデータ線４８との各交差部分に形成される。各表示用画素領域Ｄにおいては、液晶層７と、ＴＦＤ素子３３とが直列に接続されている。本実施形態では、液晶層７が走査線４７の側に接続され、ＴＦＤ素子３３がデータ線４８の側に接続されている。各走査線４７は、走査線駆動回路５１によって駆動される。一方、各データ線４８は、データ線駆動回路５２によって駆動される。走査線駆動回路５１は図２の駆動用ＩＣ３ａ，３ｃによって構成され、データ線駆動回路５２は図２の駆動用ＩＣ３ｂによって構成される。
【００６０】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図２において、液晶表示装置１が明
るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて、反
射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、
照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６１】
反射型表示を行う場合、図４において、観察側Ｃの方向から素子基板６ａを通して液晶
パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層７を通過してカラーフィルタ基板６ｂ内へ入
った後、反射部Ｒにおいて反射膜１７で反射して再び液晶層７へ供給される。他方、透過
型表示を行う場合、図２の照明装置４のＬＥＤ４３が点灯し、それらの光が導光体４２の
光入射面４２ａから導光体４２へ導かれ、さらに、光出射面４２ｂから面状の光として出
射する。この出射光は、図４の符号Ｌ１で示すように透過部Ｔにおいて開口３４を通って
液晶層７へ供給される。
【００６２】
以上のようにして液晶層７へ光が供給される間、素子基板６ａ側の画素電極２４ａとカラーフィルタ基板６ｂ側の線状電極２４ｂとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される表示用画素領域Ｄに所定の電圧が印加され、これにより、液晶層７内の液晶分子の配向が表示用画素領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層７に供給された光が表示用画素領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、図２の観察側の偏光板９ａを通過するか、通過しないかによって、観察側に文字、数字、図形等といった像が表示され、矢印Ｃ方向から視認できる。遮光膜１９は、表示画素領域Ｄの間から光が漏れることを防止するためのブラックマスクとして機能する。
【００６３】
本実施形態の液晶表示装置１では、図１のＴＦＤ素子３３の第１ＴＦＤ要素３３ａ及び
第２ＴＦＤ要素３３ｂにおいて、第２金属層３８をＭｏ系合金によって形成した。クロムによって第２金属層３８を形成した従来の液晶表示装置においては、クロムの存在により環境汚染をもたらすおそれがあったが、Ｍｏ系合金を用いた本実施形態によれば、環境汚染の心配がない。
さらに、上記液晶表示装置１において、ＩＺＯから成る画素電極２４ａでは、弱酸性のエッチング液により、エッチング処理を行うことが可能となる。そのため、ＴＦＤ素子３３を構成する第２金属層３８が、Ｍｏ系合金を材料とする場合でもエッチング処理が可能となる。また、画素電極２４ａがＩＺＯから形成されているため、低温での成膜が可能となり、耐熱性の低い例えば、ガラス基板、プラスチック基板等を使用することが可能となる。また、基材８ａの液晶側表面に成膜されるＩＺＯは、アモルファス（非結晶）状態であるため、緻密で平坦性に優れた膜を形成することができ、画素電極２４ａとこれに対向配置される線状電極２４ｂの導通による電極リークを抑制することができる。
【００６４】
（変形例）
上記実施形態では、着色要素２１及び反射膜１７の両方を１つの基板であるカラーフィ
ルタ基板６ｂ内に設ける場合を例示したが、これに代えて、反射膜１７を一方の基板に設
け、着色要素２１を他方の基板に設ける構成の液晶表示装置にも本願発明を適用できる。
【００６５】
また、上記実施形態では、着色要素２１と遮光膜１９とを同じ基板上に形成したが、そ
れらを異なる基板上に形成することもできる。
【００６６】
また、上記実施形態では本願発明を液晶表示装置に適用したが、本願発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等において、ＴＦＤ素子、あるいはその他の非線形抵抗素子を使用する場合にも適用できる。
【００６７】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
以下、本願発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図２に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図８は、液晶表示装置の製造方法の一例を工程図として示している。図８において、工程Ｐ１から工程Ｐ６が図４の素子基板６ａを形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図４のカラーフィルタ基板６ｂを形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。
【００６８】
なお、本実施形態の製造方法では、図２に示す素子基板６ａ及びカラーフィルタ基板６
ｂを１つずつ形成するのではなく、素子基板６ａに関しては、複数の素子基板６ａを形成
できる大きさの面積を有する素子側マザー基材を用いて複数の素子基板６ａを同時に形成
する。また、カラーフィルタ基板６ｂに関しては、複数のカラーフィルタ基板６ｂを形成
できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー基材を用いて複数のカラーフィルタ
基板６ｂを同時に形成する。素子側マザー基材及びカラーフィルタ側マザー基材は、例え
ば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００６９】
まず、図８の工程Ｐ１において、素子側マザー基材の表面に図１のＴＦＤ素子３３及び
ライン配線３１を形成する。次に、工程Ｐ２において、画素電極２４ａをＩＺＯを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成する。次に、工程Ｐ３において、図４の配向膜２６ａを塗布や印刷等によって形成し、さらに工程Ｐ４において、その配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理を施す。次に、工程Ｐ５において、例えばエポキシ系の樹脂を材料として印刷等によって図２のシール材１０を形成し、さらに、工程Ｐ６において、表面に図４のスペーサ３２を分散する。以上により、素子側マザー基材の上に複数の素子基板６ａが形成されて素子側マザー基板が形成される。
【００７０】
次に、図８の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー基材の表面上に図４の樹脂
層１６の第１層１６ａを、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処
理によって形成する。この処理の際に、ランダムに分散した多数の凹凸によって形成され
る凹凸パターンが第１層１６ａの表面に形成される。
【００７１】
その後、図４において、第１層１６ａの上に同じ材料の第２層１６ｂを薄く塗布して、
樹脂層１６を形成する。第２層１６ｂを積層するのは、凹部又は凸部の表面を滑らかにす
るためである。次に、図８の工程Ｐ１２において、図４の反射膜１７を、例えばＡｌやＡ
ｌ合金等を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成する。こ
のとき、表示用画素領域Ｄごとに開口３４を形成することにより、光反射部Ｒと透光部Ｔを形成する。樹脂層１６の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された反射膜１７にも同様の凹凸パターンが形成される。この凹凸パターンを有する反射層１７に光が当って反射する場合には、その反射光は散乱光となる。
【００７２】
次に、工程Ｐ１３において、図４の遮光膜１９を、例えばクロムを材料としてフォトリ
ソグラフィ処理及びエッチング処理によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドッ
ト領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。次に、工程Ｐ１４において
、図４の着色要素２１を形成する。着色要素２１については、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色ごとに順
々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォ
トリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１５において、図４の
オーバーコート層２３を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を
材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００７３】
次に、図８の工程Ｐ１６において、図４の線状電極２４ｂをＩＴＯ等を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において図４の配向膜２６ｂを形成し、さらに工程Ｐ１８において配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー基材の上に複数のカラーフィルタ基板６ｂが形成されてカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００７４】
その後、図８の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板
とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個
々の液晶表示装置の領域において図２のシール材１０を挟んで貼り合わされた構造の大面
積のパネル構造体が形成される。
【００７５】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１０を、
工程Ｐ２２において硬化させて両マザー基板を接着する。次に、工程Ｐ２３において、パ
ネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図２の液晶パネル２の複数が１列に
並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成
する。シール材１０には予め適所に開口１０ａ（図２参照）が形成されており、上記の１
次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１０の開口１０
ａが外部に露出する。
【００７６】
次に、図８の工程Ｐ２４において、上記のシール材の開口１０ａを通して各液晶パネル
部分の内部へ電気光学物質としての液晶を注入し、その注入の完了後、その開口１０ａを
樹脂によって封止する。次に、工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイ
クを行い、短冊状のパネル構造体から図２に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００７７】
次に、図８の工程Ｐ２６において、図２の駆動用ＩＣ３ａ，３ｂ，３ｃを実装する。次
に、工程Ｐ２７において、図２の液晶パネル２に偏光板９ａ及び９ｂを貼着によって装着
し、さらに工程Ｐ２８において、図２の照明装置４を取り付ける。これにより、液晶表示
装置１が完成する。
【００７８】
図９は、図８におけるＴＦＤ素子の形成工程Ｐ１、２の一実施形態を示している。この
ＴＦＤ素子の形成工程は、図１に示すＴＦＤ素子３３であって、第２金属層３８をＭｏＷによって形成したものを製造するための工程である。このＴＦＤ素子の形成工程は、大きく分けて、下地層形成工程Ｑ１、第１金属層３６を形成する工程Ｑ２、絶縁層３７を形成する工程Ｑ３、第２金属層３８を形成する工程Ｑ４、そして電極２４ａを形成する工程Ｑ５から成っている。なお、図１では、下地層形成工程によって形成される下地層の図示は省略されている。
【００７９】
より具体的に説明すれば、まず、工程Ｐ３１において、Ｔａ２Ｏ５をスパッタ処理によって成膜して下地層を形成する。次に、工程Ｐ３２において、ＴａＷ（タンタル・タングステン）をスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３３において、フォトエッチング処理、すなわち、フォトリソグラフィ処理、例えばドライエッチング処理及び剥離処理により、非パッド状の第１金属層３６を形成する。なお、エッチング処理後のレジスト剥離処理はＨ２ＳＯ４（硫酸）溶液を用いて行われる。
【００８０】
非パッド状の第１金属層３６とは、島状でない連続した状態の第１金属層３６ということである。図１に示す第１金属層３６は個々の画素電極２４ａに対して１つずつ島状に独立している。このように島状に独立する状態を本明細書ではパッド状という。図９の第１金属層形成工程Ｑ２では、パッド状の第１金属層３６をいきなり形成するのではなく、ライン配線３１の第１層３１ａにつながる第１金属層３６又は複数の島状の第１金属層３６が互いに連続する状態の第１金属層３６が形成される。このとき、ライン配線３１につながる第１金属層３６や互いに連続して線状に延びる第１金属層３６が非パッド状の第１金属層３６ということである。
【００８１】
次に、工程Ｐ３４において、クエン酸水溶液中で１０Ｖの電圧で陽極酸化処理を行って
、層厚約２００Åの図１の絶縁層３７を形成する。次に、工程Ｐ３５において、温度３２
０℃で第１回目のアニール処理、すなわちアニールＡを実行する。このアニールＡは、絶
縁層３７の膜質を整えるために行われる。次に、工程Ｐ３６において、エッチング処理後は、Ｈ２ＳＯ４溶液を用いてレジスト不要な部分の絶縁層３７及び第１金属層３６を剥離して、パッド状の第１金属層３６及び絶縁層３７を形成する。
【００８２】
ここで、本実施形態におけるパッド分離工程Ｐ３６を理解するために、ＴＦＤ素子の第
２金属をクロムによって形成するようにした従来のＴＦＤ素子の製造方法について考える
。図１０は、従来のＴＦＤ素子の一例を示している。図１０の従来方法は、図９の実施形
態と同様に、下地層形成工程Ｑ１、非パッド状の第１金属層形成工程Ｑ２、絶縁層形成工程Ｑ３、第２金属層形成工程Ｑ４、及び電極形成工程Ｑ５によって構成される。従来の方法において、Ｔａ２Ｏ５のスパッタ工程Ｐ５１からアニールＡ工程Ｐ５５までの処理は、図９の実施形態と同様に行うことができる。
【００８３】
図９の本実施形態では、絶縁層形成工程Ｑ３を実行した後、第２金属層形成工程Ｑ４を実行する前にパッド分離工程Ｐ３６を実行しているが、図１０の従来の方法では、絶縁層形成工程Ｑ３の後、さらに第２金属層形成工程Ｑ４を実行した後に、パッド分離工程Ｐ５８を行っている。この違いについて説明すれば次の通りである。すなわち、本願発明に係るＴＦＤ素子では第２金属層をクロムからＭｏ系合金に変更した。このＭｏ系合金がＴＦＤ素子の第２金属層として存在すると、パッド分離工程Ｐ５８のＨ２ＳＯ４剥離に第２金属層のＭｏ系合金が溶けて消失してしまうため、Ｍｏ系合金を積層する前にパッド分離Ｐ３６を行って、第１金属層及び絶縁層のパッド状部分を形成するようにした。
【００８４】
次に、図９の工程Ｐ３７において、第２金属層３８の材料であるＭｏＷをスパッタ処理によって膜厚約０．２μｍに形成する。次に、工程Ｐ３８において、ＭｏＷに対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、ＭｏＷを第２金属層３８のための所定の形状にパターニングする。ここで、エッチング処理は、例えば、ウエットエッチング処理とし、エッチング液として燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度２％のものを用い４０秒のエッチング時間で行うことにより、希望の形状の第２金属層を形成した。燐硝酢酸水溶液というのは、Ｈ３ＰＯ４約８０％、ＨＮＯ３１％、ＣＨ３ＣＯＯＨ約５％、Ｈ２０約１４％によって形成されたエッチング液である。そして、燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度２％のものとは、燐硝酢酸水溶液の硝酸（ＨＮＯ３）濃度を１％から２％へ上げたものである。
【００８５】
モリブデンにタングステンが添加されるとエッチング処理がし難くなるが、本願発明者等の実験によれば、燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度を２％に上げれば、ＭｏＷに対して良好なエッチングができることが分かった。また、レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＭｏ系合金を溶かさない有機溶剤を用いる。
【００８６】
次に、図９の電極形成工程Ｑ５において、図１のＴＦＤ素子３３の第２ＴＦＤ要素３３
ｂの第２金属層３８の一部に接触するように、画素電極２４ａを形成する。具体的には、工程Ｐ３９において、ＩＺＯをスパッタ処理によって一様な膜厚で形成する。例えば、Ａｒ（アルゴン）流量１００ＳＣＣＭ、Ｏ２流量０．４ＳＣＣＭ、トータル圧力０．８パスカルの混入ガスの下、２３℃の室温で５００ÅのＩＺＯを成膜した。なお、図１０の従来方法では、工程Ｐ５９で、アモルファスでないｐ−ＩＴＯを成膜した。
【００８７】
次に、工程Ｐ４０において、ＩＺＯの層膜に対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、ＩＺＯを希望する画素電極形状にパターニングする。このときのエッチング処理は、例えば、ウエットエッチング処理とし、エッチング液として蓚酸（（ＣＯＯＨ）２）を用いて、４０℃で４０秒間行った。
【００８８】
図１０に示す従来の方法では工程Ｐ６０において、王水系エッチング液（ＨＮＯ３：ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ＝１：１０：１０）を用いてＩＴＯをエッチング処理した。本実施形態においてＩＺＯのためのエッチング液として王水系エッチング液よりも弱酸である蓚酸を用いたのは、ＴＦＤ素子の第２金属層を形成するＭｏＷが王水系エッチング液に耐えることができないが、蓚酸には耐えることができるからである。アモルファスのＩＺＯを成膜し、これに蓚酸によるエッチング処理を施すことにより、ＭｏＷのパターンを維持しつつ、ＩＺＯのパターニングを可能にしている。なお、レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＩＺＯを溶かさない有機溶剤を用いる。
【００８９】
次に、図９の工程Ｐ４１において、第２金属層３８の化学的構造を安定化させるために、第２回目のアニール処理であるアニールＢを実行する。具体的には、２５０℃で６０分のアニール処理を行う。なお、ＴＦＤ素子３３の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、ＴＦＤ素子に保持電圧として４Ｖを印加したときの抵抗値であり、抵抗値Ｒ１０は、ＴＦＤ素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。工程Ｐ４１のアニール処理を行うにあたって、アニール温度条件及びアニール時間が変化すると、ＴＦＤ素子におけるＲ４及びＲ１０が変化する。本実施形態において、図９の工程Ｐ４１のアニールＢは、ＴＦＤ素子３３の素子特性が
Ｒ４  ＝１×１０１２
Ｒ１０＝１×１０９
となることを目指して行われる。
【００９０】
[第２実施形態]
次に、第２実施形態の液晶表示装置について図面を参照して説明する。
上記第１実施形態と異なる点は、画素電極がＩＺＯとａ−ＩＴＯとの２層から形成されている点である。なお、その他の液晶表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。また、以下の全ての図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺を適宜変更している。
【００９１】
図１１は、非線形抵抗素子の一実施形態であるＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
図１１に示すように、素子基板６ａを構成する基材８ａの液晶側表面には、線状のライン配線３１、アクティブ素子又はスイッチング素子又は非線形抵抗素子としてのＴＦＤ素子３３及び透明な画素電極２４ａが形成されている。ライン配線３１は複数本が互いに間隔をおいて平行に並べられ、いわゆるストライプ状に形成されている。そして、それらのライン配線３１の間に複数の画素電極２４ａが形成され、それらの画素電極２４ａがＴＦＤ素子３３を介してライン配線３１に接続されている。また、ライン配線３１と画素電極２４ａとの間に形成される第１ＴＦＤ素子３３ａの第２金属層３８の先端部はライン配線３１に接続されている。そして、第２ＴＦＤ素子３３ｂの先端部はライン配線３１に対して垂直方向に延在して形成され、画素電極２４ａに接続されている。
【００９２】
画素電極２４ａは、基材８ａの液晶側表面に第１層目のＩＺＯ２４ｃと、このＩＺＯ２４ｃの全面に重なるようにして形成される第２層目のａ−ＩＴＯ２４ｄとから構成されている。すなわち、画素電極２４ａは、第１実施形態と異なり、ＩＺＯ２４ｃとａ−ＩＴＯ２４ｄとの２層が積層された２層構造となっている。ここで、画素電極２４ａを構成する第１層目のＩＺＯ２４ｃは、第２ＴＦＤ素子３３ｂを構成する第２金属層３８の一部に重なるようにして、基材８ａの液晶側表面に形成されている。これにより、第１ＴＦＤ要素３３ａでは第２電極３８→絶縁膜３７→第１金属層３６の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素３３ｂでは第１金属層３６→絶縁膜３７→第２金属層３８→画素電極２４ａの順に電気信号が流れるようになっている。
【００９３】
本液晶表示装置１の製造方法によれば、画素電極２４ａがＩＺＯ２４ｃとこれに積層されるａ−ＩＴＯ２４ｄとの２層構造となっているため、ＩＺＯ２４ｃの表面がａ−ＩＴＯ２４ｄによって被覆される。これにより、アニールによりポリ化（多結晶化）し易いａ−ＩＴＯ２４ｄが最表面になることで、上下導通部や駆動用ドライバ実装部等のコンタクト抵抗の上昇を抑えることができる。また、ＩＺＯ２４ｃ及びａ−ＩＴＯ２４ｄは、弱酸性の蓚酸等のエッチング液でエッチングすることが可能である。従って、ＴＦＤ素子３３のモリブデンを主成分とする第２金属層に対して、ダメージを与えることなくエッチング処理を施すことができる。
【００９４】
次に、第２実施形態の液晶表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、上記第１実施形態の液晶表示の製造方法と途中の工程までは同様であるため、かかる工程については説明を省略する。具体的には、第１実施形態の図９に示す下地層形成Ｑ１から第２金属層形成Ｑ４までの工程は同様であるため、同様の工程部分については省略して説明する。
【００９５】
まず、図９に示したように、下地層形成工程Ｑ１、第１金属層形成工程Ｑ２、絶縁層形成工程Ｑ３、第２金属層形成工程Ｑ４により、基材８ａの液晶側表面にＴＦＤ素子３３を形成する。
次に、図１２の電極形成工程Ｑ５において、図１のＴＦＤ素子３３の第２ＴＦＤ要素３３ｂの第２金属層３８の少なくとも一部に重なるように、画素電極２４ａを構成する１層目のＩＺＯ２４ｃを基材８ａの液晶側表面に成膜する。具体的には、工程Ｐ７８において、ＩＺＯ２４ｃをスパッタ処理によって一様な膜厚で形成する。例えば、Ａｒ（アルゴン）流量１００ＳＣＣＭ、Ｏ２流量０．４ＳＣＣＭ、トータル圧力０．８パスカルの混入ガスの下、２３℃の室温で５００ÅのＩＺＯを成膜した。ここで、成膜したＩＺＯはアモルファスの状態である。なお、図１０の従来方法では、工程Ｐ５９で、アモルファスでないｐ−ＩＴＯを成膜した。
【００９６】
次に、工程Ｐ７９において、画素電極２４ａを構成する２層目のａ−ＩＴＯを成膜する。具体的には、上記ＩＺＯ２４ｃを成膜後、上記ＩＺＯを成膜した素子基板６ａを外部の大気に触れないようにして、ＩＺＯを成膜した成膜装置とは別の成膜装置に移動させる。そして、連続して、ＩＺＯ２４ｃを含む領域に、スパッタ法によりアモルファスのＩＴＯ２４ｄを一様な膜厚で成膜する。
【００９７】
次に、基材８ａの液晶側表面に、連続して成膜された２層からなるＩＺＯ２４ｃ及びａ−ＩＴＯ２４ｄをフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施す。具体的には、まず、ａ−ＩＴＯ２４ｄの上面を含む領域にレジストを塗布する。次に、このレジストに露光処理、現像処理を施して所定形状にパターニングする。次に、所定形状にパターニングしたレジストをマスクとして、ａ−ＩＴＯ２４ｄ及びこの下層に形成されるＩＺＯ２４ｃに対して同時にエッチング処理を施す。このようにして、２層から成るＩＺＯ２４ｃ及びａ−ＩＴＯ２４ｄを希望する画素電極形状にパターニングする。このときのエッチング処理は、例えば、ウエットエッチング処理とし、エッチング液として蓚酸（（ＣＯＯＨ）２）を用いて、４０℃で４０秒間行った。
【００９８】
図１０に示す従来の方法では工程Ｐ６０において、王水系エッチング液（ＨＮＯ３：ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ＝１：１０：１０）を用いてＩＴＯをエッチング処理した。本実施形態においてＩＺＯ２４ｃ及びａ−ＩＴＯ２４ｄのためのエッチング液として王水系エッチング液よりも弱い酸である蓚酸を用いたのは、ＴＦＤ素子の第２金属層を形成するＭｏＷが王水系エッチング液に耐えることができないが、蓚酸には耐性を有するからである。従って、蓚酸のエッチング液を用いることにより、ＭｏＷのパターンを維持しつつ、ＩＺＯ２４ｃ及びａ−ＩＴＯ２４ｄのパターニングを可能にしている。また、エッチング処理時は、ＩＺＯ２４ｃ及びＩＴＯ２４ｄともにアモルファスであるため、従来と比較してエッチングレートを短くすることができ、従って、全体の処理時間の短縮を図ることができる。なお、レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＩＺＯ２４ｃ及びａ−ＩＴＯｄを溶かさない有機溶剤を用いる。
【００９９】
次に、図１２の工程Ｐ８１において、第２金属層３８の化学的構造を安定化させるために、第２回目のアニール処理であるアニールＢを実行する。具体的には、２５０℃で６０分のアニール処理を行う。なお、ＴＦＤ素子３３の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、ＴＦＤ素子に保持電圧として４Ｖを印加したときの抵抗値であり、抵抗値Ｒ１０は、ＴＦＤ素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。工程Ｐ８１のアニール処理を行うにあたって、アニール温度条件及びアニール時間が変化すると、ＴＦＤ素子におけるＲ４及びＲ１０が変化する。また、アニールＢにより、ａ−ＩＴＯは多結晶化されたＩＴＯに戻る。これにより、ＩＴＯのコンタクト抵抗の低下及び透明性、耐腐食性が確保される。
【０１００】
本実施形態の液晶表示装置１の製造方法によれば、画素電極２４ａ及び上下導通部や駆動用ドライバIC実装部等が、ＩＺＯ２４ｃとａ−ＩＴＯ２４ｄの２層構造となっている、即ちアニールによりポリ化（多結晶化）し易いａ−ＩＴＯ２４ｄが最表面になることで、上下導通部や駆動用ドライバ実装部等のコンタクト抵抗の上昇を抑えることができる。
【０１０１】
（変形例）
以上の実施形態では、液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて本願発明に係る電気光学装置の製造方法を説明したが、本願発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置（発光装置）、プラズマディスプレイ装置等を製造する場合にも適用できる。
【０１０２】
（電子機器の実施形態）
以下、本願発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本願発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１０３】
図１４は、本願発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１０１、表示情報処理回路１０２、電源回路１０３、タイミングジェネレータ１０４及び液晶表示装置１０５によって構成される。そして、液晶表示装置１０５は液晶パネル１０７及び駆動回路１０６を有する。
【０１０４】
表示情報出力源１０１は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０４により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０２に供給する。
【０１０５】
次に、表示情報処理回路１０２は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ
補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を
実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０６へ供給する。ここで、駆
動回路１０６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したもの
である。また、電源回路１０３は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１０６】
液晶表示装置１０５は、例えば、図２に示した液晶表示装置１と同様に構成できる。液
晶表示装置１は、ＴＦＤ素子の第２金属層としてクロムを用いることなくＭｏ系合金によって形成されるので、環境汚染の心配がない。従って、それを用いた本電子機器も環境汚染の心配がない。
【０１０７】
図１５は、本願発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１２０は、ヒンジ１２２を中心として折り畳み可能な第１ボディ１２１ａと第２ボディ１２１ｂとを有する。そして、第１ボディ１２１ａには、液晶表示装置１２３と、受話口１２４と、アンテナ１２６とが設けられる。また、第２ボディ１２１ｂには、複数の操作ボタン１２７と、送話口１２８とが設けられる。液晶表示装置１２３を、図２に示した液晶表示装置１によって構成すれば、環境汚染の心配のない携帯電話機を構成できる。
【０１０８】
図１６は、本願発明に係る電子機器のさらに他の実施形態であるＰＤＡ（Personal Digital Assistant:パーソナル・デジタル・アシスタント：携帯型情報端末装置）を示している。ここに示すＰＤＡ１５０は、接触方式、いわゆるタッチパネル方式の入力装置１５１をその正面パネル上に有する。この入力装置１５１は透明であり、その下には表示部としての液晶表示装置１５２が配置されている。
【０１０９】
使用者は、付属のペン型入力具１５３を入力装置１５１の入力面に接触させることによ
り、液晶表示装置１５２に表示されたボタン、その他の表示を選択したり、文字、図形等
を描いたりして、必要な情報を入力する。この入力情報に対してＰＤＡ１５０内のコンピ
ュータによって所定の演算が行われ、その演算の結果が液晶表示装置１５２に表示される
。液晶表示装置１５２として図２に示した液晶表示装置１を用いれば、環境汚染の心配の
ないＰＤＡを構成できる。
【０１１０】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機や、ＰＤＡの他にも、パーソナル
コンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコー
ダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークス
テーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【０１１１】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において上述した各例を組み合わせても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本願発明に係る非線形抵抗素子の一実施形態であるＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
【図２】本願発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の一例を分解状態で示す斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に従った断面図である。
【図４】図３において矢印Ｃで示す部分を拡大して示す断面図である。
【図５】図４に示す構造を矢印Ｃ方向から見た平面図である。
【図６】着色要素の配列例を示す図である。
【図７】図２の液晶表示装置の電気等価回路を示す回路図である。
【図８】本願発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図９】図８の主要工程の内容を示す工程図である。
【図１０】図９に対応する従来の工程を示す工程図である。
【図１１】本願発明に係る非線形抵抗素子の一実施形態であるＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
【図１２】本願発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１３】ＴＦＤ素子の素子特性を示すグラフである。
【図１４】本願発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１５】本願発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【図１６】本願発明に係る電子機器のさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１…液晶表示装置（電気光学装置）、  ６ａ…素子基板（基材）、２４ａ…画素電極、
２４ｃ…ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、  ２４ｄ…ａ−ＩＴＯ（アモルファスインジウム錫酸化物）、３３…ＴＦＤ素子（非線形抵抗素子）、  ３６…第１金属層、３７…絶縁層、  ３８…第２金属層、  １２０…携帯電話機（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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