(57)【要約】 【課題】  ２本のアームを備えた基板搬送手段を用いて基板の搬送を行なうにあたり、温調モジュールから塗布モジュールへの搬送する際の基板の温度変化を抑えること。【解決手段】  塗布モジュール（ＣＯＴ）と加熱モジュール（ＨＰ）との間にダミー載置台（ＤＵＭ）を配置すると共に、上流端の載置台モジュール（ＴＲＳ）を１番目のモジュールとして、温調モジュール（ＣＰＬ）が偶数番目のモジュールになるときにはＴＲＳ上の基板（ウエハＷ）を上アーム２１により、ＣＰＬが奇数番目のモジュールになるときには下アーム２２により夫々受け取る。このようにするとＣＰＬからＣＯＴへのウエハＷの搬送を下アーム２２により行い、ＨＰからのウエハＷの受け取りを上アーム２２により行うので、ＣＰＬからＣＯＴへの搬送際のウエハＷの温度変化を抑えることができる。【選択図】    図３
2006313788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する温調モジュール、温度調整された基板に塗布液を塗布する塗布モジュール、及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理方法において、
温調モジュールから塗布モジュールに搬送するアームと加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における塗布モジュールと加熱モジュールとの間にダミー載置台を配置し、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取り、こうして温調モジュールから塗布モジュールへの基板の搬送を常に下アームにより行うようにしたことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項２】
基板に塗布液を塗布する前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールが搬送経路に配置され、基板に応じて、疎水化モジュールを使用する搬送経路と疎水化モジュールを使用しない搬送経路との間で搬送経路が切り替えられることを特徴とする請求項１記載の塗布処理方法。
【請求項３】
基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する第１の温調モジュール、温度調整された基板に第１の塗布液を塗布する第１の塗布モジュール、第１の塗布液が塗布された基板を加熱する第１の加熱モジュール、基板を冷却して設定温度に調整する第２の温調モジュール、温度調整された基板に第２の塗布液を塗布する第２の塗布モジュール及び第２の塗布液が塗布された基板を加熱する第２の加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理方法において、
第１の温調モジュールから第１の塗布モジュールに搬送するアームと第１の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第１の塗布モジュールと第１の加熱モジュールとの間に第１のダミー載置台を配置し、
また第２の温調モジュールから第２の塗布モジュールに搬送するアームと第２の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第２の塗布モジュールと第２の加熱モジュールとの間に第２のダミー載置台を配置し、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取り、こうして温調モジュールから塗布モジュールへの基板の搬送を常に下アームにより行うようにしたことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項４】
第１の塗布モジュールは、反射防止膜用の薬液を基板に塗布するためのモジュールであり、第２の塗布モジュールは、レジスト液を基板に塗布するためのモジュールであることを特徴とする請求項３記載の塗布処理方法。
【請求項５】
基板に対して前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールが搬送経路における第１の温調モジュールの上流側に配置され、基板に応じて、第１の温調モジュール、第１の塗布モジュール、第１のダミー載置台及び第１の加熱モジュールを使用する搬送経路と、これらモジュールを使用する代わりに疎水化モジュールを使用する搬送経路との間で搬送経路が切り替えられることを特徴とする請求項４記載の塗布処理方法。
【請求項６】
搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、基板の受け渡し用の受け渡し台モジュールであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の塗布処理方法。
【請求項７】
受け渡し台モジュールは基板の冷却プレートを兼用していることを特徴とする請求項６記載の塗布処理方法。
【請求項８】
塗布モジュールは、基板にレジスト液又は反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであることを特徴とする請求項１記載の塗布処理方法。
【請求項９】
塗布モジュールは、基板に現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光されかつ加熱された基板が載置されるモジュールであることを特徴とする請求項１記載の塗布処理方法。
【請求項１０】
塗布モジュールは、基板に現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光された基板が載置されるモジュールであり、搬送経路における載置台モジュールと温調モジュールとの間に、基板を加熱しかつ冷却するためのモジュールが配置されていることを特徴とする請求項１記載の塗布処理方法。
【請求項１１】
基板の搬送経路を認識する工程と、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュールが偶数番目のモジュールであるか、奇数番目のモジュールであるかを認識する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか一に記載の塗布処理方法。
【請求項１２】
基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する温調モジュール、温度調整された基板に塗布液を塗布する塗布モジュール、及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理装置において、
温調モジュールから塗布モジュールに搬送するアームと加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における塗布モジュールと加熱モジュールとの間に配置されたダミー載置台と、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取るように基板搬送手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布処理装置。
【請求項１３】
基板に塗布液を塗布する前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールが搬送経路に配置され、
制御部は、基板に応じて、疎水化モジュールを使用する搬送経路と疎水化モジュールを使用しない搬送経路との間で搬送経路を切り替えるように構成されていることを特徴とする請求項１２記載の塗布処理装置。
【請求項１４】
基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する第１の温調モジュール、温度調整された基板に第１の塗布液を塗布する第１の塗布モジュール、第１の塗布液が塗布された基板を加熱する第１の加熱モジュール、基板を冷却して設定温度に調整する第２の温調モジュール、温度調整された基板に第２の塗布液を塗布する第２の塗布モジュール及び第２の塗布液が塗布された基板を加熱する第２の加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理装置において、
第１の温調モジュールから第１の塗布モジュールに搬送するアームと第１の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第１の塗布モジュールと第１の加熱モジュールとの間に配置された第１のダミー載置台と、
第２の温調モジュールから第２の塗布モジュールに搬送するアームと第２の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第２の塗布モジュールと第２の加熱モジュールとの間に配置された第２のダミー載置台と、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取るように基板搬送手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする塗布処理装置。
【請求項１５】
第１の塗布モジュールは、反射防止膜用の薬液を基板に塗布するためのモジュールであり、第２の塗布モジュールは、レジスト液を基板に塗布するためのモジュールであることを特徴とする請求項１４記載の塗布処理装置。
【請求項１６】
基板に対して前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールが搬送経路における第１の温調モジュールの上流側に配置され、  制御部は、基板に応じて、第１の温調モジュール、第１の塗布モジュール、第１のダミー載置台及び第１の加熱モジュールを使用する搬送経路と、これらモジュールを使用する代わりに疎水化モジュールを使用する搬送経路との間で搬送経路を切り替えるように基板搬送手段を制御することを特徴とする請求項１５記載の塗布処理装置。
【請求項１７】
搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、基板の受け渡し用の受け渡し台モジュールであることを特徴とする請求項１１ないし１６のいずれか一に記載の塗布処理装置。
【請求項１８】
受け渡し台モジュールは基板の冷却プレートを兼用していることを特徴とする請求項１７記載の塗布処理装置。
【請求項１９】
塗布モジュールは、基板にレジスト液または反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであることを特徴とする請求項１２記載の塗布処理装置。
【請求項２０】
塗布モジュールは、基板に現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光されかつ加熱された基板が載置されるモジュールであることを特徴とする請求項１２記載の塗布処理装置。
【請求項２１】
塗布モジュールは、基板に現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光された基板が載置されるモジュールであり、搬送経路における載置台モジュールと温調モジュールとの間に、基板を加熱しかつ冷却するためのモジュールが配置されていることを特徴とする請求項１２記載の塗布処理装置。
【請求項２２】
基板に塗布処理を行うための塗布処理装置に用いられるコンピュータプログラムであって、請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の塗布処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とするコンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布処理方法及び塗布処理装置に関し、より詳しくは、基板搬送手段による基板の搬送のための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスの一つとして、基板にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る一連の工程があり、このような処理は、一般に、レジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。このような装置としては特許文献１にて提案されている装置が知られており、この装置では例えば図１６に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内の半導体ウエハＷ（以下「ウエハＷ」という）は受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂでは塗布ユニット１３Ａ等によりレジスト膜を形成するための一連の処理が行われ、次いでインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。
【０００３】
露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像ユニット１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。図１６中１４Ａ〜１４Ｃは、塗布ユニット１３Ａや現像ユニット１３Ｂの処理の前後にウエハＷに対して所定の加熱処理や冷却処理を行なうための加熱ユニット（ＨＰ，ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）、冷却ユニット（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ４）や、受け渡しステージ（ＴＲＳ）等を備えた棚ユニットである。ここでウエハＷは処理ブロック１Ｂに設けられたメインアーム１５により、塗布ユニット１３Ａと現像ユニット１３Ｂと棚ユニット１４Ａ〜１４Ｃの各部等の、処理ブロック１Ｂ内においてウエハＷが置かれるモジュール間を搬送される。この際、ウエハＷは上記の処理を施されるにあたり、特許文献１に示すように処理予定の全てのウエハＷについて、予め各々がどのタイミングでどのモジュールに搬送されるかを定めた搬送スケジュールに従って搬送されている。１６は処理ブロック１Ｂと露光装置１Ｄとの間でウエハＷの搬送を行うインターフェイスアームである。
【０００４】
図１７は、このシステムにおけるウエハＷの搬送経路を示す説明図である。受け渡しアーム１２は、キャリアステージ１１に載置されたキャリア１０内の処理前のウエハＷを受け渡しユニット（ＴＲＳ）に搬送し、現像を終えて冷却ユニット（ＣＰＬ４）に置かれた処理後のウエハＷを前記キャリア１０に搬送する役割を有する。メインアーム１５は、受け渡しユニット（ＴＲＳ１）上のウエハＷを冷却ユニット（ＣＰＬ１）、塗布ユニット（ＣＯＴ）、加熱ユニット（ＨＰ）、冷却ユニット（ＣＰＬ２）の順で搬送し、更にインターフェイスブロック１Ｃから搬出されて加熱ユニット（ＰＥＢ）内に載置されたウエハＷを冷却ユニット（ＣＰＬ３）、現像ユニット（ＤＥＶ）、加熱ユニット（ＰＯＳＴ）、冷却ユニット（ＣＰＬ４）の順で搬送する役割を有する。
【０００５】
ここでメインアーム１５は、例えば図１８に示すように、例えば基台１７に沿って進退自在に設けられた３枚のアーム１５ａ，１５ｂ，１５ｃを備えており、前記基台１７は図示しない昇降機構及び回転機構により、昇降自在かつ鉛直軸回りに回転自在に構成されている。そして例えば一のアーム１５ｂにより前ユニットに置かれているウエハＷを受け取った後、他のアーム１５ｃにより次ユニットに置かれているウエハＷを受け取り、次いで前記一のアーム１５ｂ上のウエハＷを次ユニットに受け渡すように動作するように構成されている。
【０００６】
この際、メインアーム１５と冷却ユニット（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ４）や加熱ユニット（ＨＰ，ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）との間では、アーム１５ｂ，１５ｃがユニットの内部に進入して当該ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うので、加熱ユニットからウエハＷを受け取る際には、アーム自身が加熱され、昇温してしまう。
【０００７】
そしてこの蓄熱したアームを用いて、塗布ユニット（ＣＯＴ）の前工程の冷却ユニット（ＣＰＬ１）からウエハＷを受け取り、塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送すると、冷却ユニット（ＣＰＬ１）で冷却されたウエハＷにアームから伝熱して搬送中にウエハＷの温度が上昇してしまい、ウエハ温度の面内均一性が悪化する。ここで塗布処理時のウエハ温度は、膜厚に大きな影響を与えるので、搬送中にウエハ温度が変化すると、この温度変化に依存して、膜厚の面内均一性が低くなってしまう。
【０００８】
このため従来では、前記メインアーム１５の一つのアーム１５ａを、ウエハＷを冷却ユニット（ＣＰＬ１）から塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送する際の専用のアームとして用意し、温度変化のないアームを用いて冷却ユニット（ＣＰＬ１）から塗布ユニット（ＣＯＴ）へウエハＷを搬送することにより、冷却ユニット（ＣＰＬ１）にて冷却されたウエハＷの搬送中の温度変化を抑えて、膜厚の面内均一性の向上を図っている。しかしながらこのアーム１５ａは通常の搬送には用いていないので、このような使用頻度の少ないアーム１５ａを用意するのでは、その分の駆動系が必要になるためコスト高につながり、装置の低廉化を阻む原因となってしまう上、メインアームが大型化してしまうという問題がある。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−０５０６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、上アームと下アームの２本のアームを備えた基板搬送手段を用いてモジュール間における基板の搬送を行なうにあたり、温調モジュールから塗布モジュールへの基板の搬送を下アームで行い、加熱モジュールからの基板の受け取りを上アームにより行うことにより、温調モジュールから塗布モジュールへの搬送中の基板の温度変化を抑えることのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このため本発明の塗布処理方法は、基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する温調モジュール、温度調整された基板に塗布液を塗布する塗布モジュール、及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理方法において、
温調モジュールから塗布モジュールに搬送するアームと加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における塗布モジュールと加熱モジュールとの間にダミー載置台を配置し、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取り、こうして温調モジュールから塗布モジュールへの基板の搬送を常に下アームにより行うようにしたことを特徴とする。ここで前記搬送経路には、基板に塗布液を塗布する前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールを配置し、基板に応じて、疎水化モジュールを使用する搬送経路と疎水化モジュールを使用しない搬送経路との間で搬送経路が切り替えられるようにしてもよい。
【００１２】
また本発明の塗布処理方法は、基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する第１の温調モジュール、温度調整された基板に第１の塗布液を塗布する第１の塗布モジュール、第１の塗布液が塗布された基板を加熱する第１の加熱モジュール、基板を冷却して設定温度に調整する第２の温調モジュール、温度調整された基板に第２の塗布液を塗布する第２の塗布モジュール及び第２の塗布液が塗布された基板を加熱する第２の加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理方法において、
第１の温調モジュールから第１の塗布モジュールに搬送するアームと第１の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第１の塗布モジュールと第１の加熱モジュールとの間に第１のダミー載置台を配置し、
また第２の温調モジュールから第２の塗布モジュールに搬送するアームと第２の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第２の塗布モジュールと第２の加熱モジュールとの間に第２のダミー載置台を配置し、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取り、こうして温調モジュールから塗布モジュールへの基板の搬送を常に下アームにより行うようにしたことを特徴とする。ここで第１の塗布モジュールは、反射防止膜用の薬液を基板に塗布するためのモジュールであり、第２の塗布モジュールは、レジスト液を基板に塗布するためのモジュールであることを特徴とする。
【００１３】
この場合、基板に対して前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールを搬送経路における第１の温調モジュールの上流側に配置し、基板に応じて、第１の温調モジュール、第１の塗布モジュール、第１のダミー載置台及び第１の加熱モジュールを使用する搬送経路と、これらモジュールを使用する代わりに疎水化モジュールを使用する搬送経路との間で搬送経路が切り替えられるようにしてもよい。また搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、基板の受け渡し用の受け渡し台モジュールであってもよいし、受け渡し台モジュールは基板の冷却プレートを兼用するものであってもよい。
【００１４】
また塗布モジュールは、基板に塗布液であるレジスト液又は反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであってもよい。また塗布モジュールは、基板に塗布液である現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光されかつ加熱された基板が載置されるモジュールであってもよい。さらに塗布モジュールは、基板に塗布液である現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光された基板が載置されるモジュールであり、搬送経路における載置台モジュールと温調モジュールとの間に、基板を加熱しかつ冷却するためのモジュールを配置するようにしてもよい。
【００１５】
この際、本発明の塗布処理方法は、基板の搬送経路を認識する工程と、上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュールが偶数番目のモジュールであるか、奇数番目のモジュールであるかを認識する工程とを含むものであってもよい。
【００１６】
また本発明の塗布処理装置は、基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する温調モジュール、温度調整された基板に塗布液を塗布する塗布モジュール、及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理装置において、
温調モジュールから塗布モジュールに搬送するアームと加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における塗布モジュールと加熱モジュールとの間に配置されたダミー載置台と、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取るように基板搬送手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１７】
ここで基板に塗布液を塗布する前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールを搬送経路に配置し、制御部は、基板に応じて、疎水化モジュールを使用する搬送経路と疎水化モジュールを使用しない搬送経路との間で搬送経路を切り替えるように構成してもよい。
【００１８】
また本発明の塗布処理装置では、基板の搬送経路において、上流端に位置する載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する第１の温調モジュール、温度調整された基板に第１の塗布液を塗布する第１の塗布モジュール、第１の塗布液が塗布された基板を加熱する第１の加熱モジュール、基板を冷却して設定温度に調整する第２の温調モジュール、温度調整された基板に第２の塗布液を塗布する第２の塗布モジュール及び第２の塗布液が塗布された基板を加熱する第２の加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作し、
基板搬送手段は、互いに上下に設けられると共に独立して進退自在な上アーム及び下アームを備え、前記載置台モジュール上の基板を上アーム及び下アームのうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれている基板を上アーム及び下アームのうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上の基板を当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム及び下アームを交互に動作させて、上流側のモジュールから順番に基板を一つずつ下流側のモジュールに搬送する塗布処理装置において、
第１の温調モジュールから第１の塗布モジュールに搬送するアームと第１の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第１の塗布モジュールと第１の加熱モジュールとの間に配置された第１のダミー載置台と、
第２の温調モジュールから第２の塗布モジュールに搬送するアームと第２の加熱モジュールから基板を受け取るアームとを異ならせるために、前記搬送経路における第２の塗布モジュールと第２の加熱モジュールとの間に配置された第２のダミー載置台と、
上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが偶数番目のモジュールになるときには１番目の載置台モジュール上の基板を前記上アームにより受け取り、第１の温調モジュール及び第２の温調モジュールが奇数番目のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール上の基板を下アームにより受け取るように基板搬送手段を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】
この際、例えば第１の塗布モジュールは、反射防止膜用の薬液を基板に塗布するためのモジュールであり、第２の塗布モジュールは、レジスト液を基板に塗布するためのモジュールとすることができる。また基板に対して前に基板を加熱しながら基板の表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュールを搬送経路における第１の温調モジュールの上流側に配置し、制御部は、基板に応じて、第１の温調モジュール、第１の塗布モジュール、第１のダミー載置台及び第１の加熱モジュールを使用する搬送経路と、これらモジュールを使用する代わりに疎水化モジュールを使用する搬送経路との間で搬送経路を切り替えるように基板搬送手段を制御するものであってもよい。また搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、基板の受け渡し用の受け渡し台モジュールであり、受け渡し台モジュールは基板の冷却プレートを兼用するものであってもよい。
【００２０】
また塗布モジュールは、基板に塗布液であるレジスト液又は反射防止膜用の薬液を塗布するためのものであってもよい。また塗布モジュールは、基板に塗布液である現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光されかつ加熱された基板が載置されるモジュールであってもよいし、塗布モジュールは、基板に塗布液である現像液を塗布するためのものであり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光された基板が載置されるモジュールであり、搬送経路における載置台モジュールと温調モジュールとの間に、基板を加熱しかつ冷却するためのモジュールを配置するようにしてもよい。
【００２１】
さらに本発明のコンピュータプログラムは、前記載置台モジュール、基板の温度を設定温度に調整する温調モジュール、温度調整された基板に塗布液を塗布する塗布モジュール、及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱モジュールが上流側からこの順に配置され、基板搬送手段が基板の搬送経路に沿って上流側から下流側に基板を搬送するように動作する塗布処理装置において、前記塗布処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
【００２２】
以上において温調モジュールとは、温調機構が設けられているものに限られず、例えば室温に調整するための単なるプレートも含まれるものとする。また基板の搬送経路を認識する工程とは、例えば基板を搬送しようとする載置台モジュールや塗布モジュール等のモジュールやダミー載置台と、これらもモジュールやダミー載置台への基板の搬送順序を指定した搬送レシピを選択することにより行なわれる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、温調モジュールから塗布モジュールへの基板の搬送を常に下アームにより行い、塗布モジュールの後に搬送される加熱モジュールからの基板の受け取りを常に上アームにより行うようにしているので、加熱モジュールから基板を受け取るときに加熱された上アームを用いて温調モジュールから塗布モジュールへ基板を搬送することがない。このため温調モジュールで高い精度で温度調整された基板が、温度変化の少ない下アームにより温調モジュールから塗布モジュールまで搬送されるので、アームからの熱影響を抑えた状態で当該搬送を行うことができ、当該搬送の際の基板の面内温度の変化を抑えることができる。これにより塗布モジュールでは、基板の面内温度の均一性が高く、基板温度が適切な状態で塗布液の塗布処理を行うことができ、面内均一性の高い良好な塗布処理を行うことができる。
【００２４】
また前記加熱モジュールからの基板の受け取りを上アームにより行っており、上アームの熱は上方側に伝播していきやすいので、加熱モジュールからの基板の受け取りを下アームにより行う場合に比べて、他方のアームへの熱影響を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
先ず本発明の塗布処理方法の概要について、本発明方法をレジスト液の塗布処理に適用した場合を例にして説明する。この場合には、例えば図１に示すように、塗布処理装置内に、基板であるウエハＷの搬送経路において、例えば上流端に位置する載置台モジュール（ＴＲＳ）、ウエハＷを加熱してウエハＷの表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュール（ＡＤＨ）、ウエハＷの温度を設定温度に調整する温調モジュール（ＣＰＬ１）、温度調整された基板に塗布液例えばレジスト液の塗布処理を行う塗布モジュール（ＣＯＴ）、塗布液が塗布された基板を加熱する加熱モジュール（ＨＰ）、及び基板を冷却する冷却モジュール（ＣＰＬ２）、が上流側からこの順に配置されている。
【００２６】
そして例えば図２に示すような、上アーム２１と下アーム２２との２枚のアームを備えた基板搬送手段２により、ウエハＷを前記搬送経路に沿って上流側から下流側に、例えば反射防止膜が形成されたウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行う場合には、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を用いない搬送経路、つまり載置台モジュール（ＴＲＳ）→温調モジュール（ＣＰＬ１）→塗布モジュール（ＣＯＴ）→加熱モジュール（ＨＰ）→冷却モジュール（ＣＰＬ２）の順で搬送し、また例えば反射防止膜が形成されていないウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行う場合には、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を用いる搬送経路、つまり載置台モジュール（ＴＲＳ）→疎水化モジュール（ＡＤＨ）→温調モジュール（ＣＰＬ１）→塗布モジュール（ＣＯＴ）→加熱モジュール（ＨＰ）→冷却モジュールモジュール（ＣＰＬ２）の順で搬送する。
【００２７】
ここで前記基板搬送手段２は、互いに上下に設けられた前記上アーム２１と下アーム２２とが、基台２３に沿って独立して進退自在に構成されており、この基板搬送手段２では、前記載置台モジュール（ＴＲＳ）上のウエハＷを上アーム２１及び下アーム２２のうちの一方のアームにより受け取り、次のモジュールに置かれているウエハＷを上アーム２１及び下アーム２２のうちの他方のアームにより受け取り、更に前記一方のアーム上のウエハＷを当該次のモジュールに受け渡し、このように上アーム２１及び下アーム２２を交互に動作させて、上流側のモジュールから順番にウエハＷを一つずつ下流側のモジュールに搬送するように動作する。
【００２８】
そして本発明では、図３（ａ）に示す疎水化モジュール（ＡＤＨ）を用いない搬送経路でウエハＷの搬送を行うときのように、前記載置台モジュール（ＴＲＳ）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュール（ＣＰＬ１）が偶数番目（２番目）のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール（ＴＲＳ）上のウエハＷを前記上アーム２１により取りに行き、次の温調モジュール（ＣＰＬ１）に置かれているウエハＷを下アーム２２により受け取り、前記上アーム２１上のウエハＷを温調モジュール（ＣＰＬ１）へ受け渡す。このようにすると、温調モジュール（ＣＰＬ１）上のウエハＷを下アーム２２により受け取り、次の塗布モジュール（ＣＯＴ）に置かれているウエハＷを上アーム２１により受け取り、前記下アーム２２上のウエハＷを塗布モジュール（ＣＯＴ）へ受け渡すことになる。
【００２９】
ここで図３（ａ）に示すように、前記温調モジュール（ＣＰＬ１）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てたときに、奇数番目のモジュールについては、当該モジュール上のウエハＷは温調モジュール（ＣＰＬ１）上のウエハＷを取りに行くアームと同じになるので、塗布モジュール（ＣＯＴ）の次に加熱モジュール（ＨＰ）にウエハＷを搬送すると、温調モジュール（ＣＰＬ）から塗布モジュール（ＣＯＴ）に搬送するアームと、加熱モジュール（ＨＰ）からウエハＷを受け取るアームとが同じになってしまう。このため、本発明では、前記搬送経路における塗布モジュール（ＣＯＴ）と加熱モジュール（ＨＰ）との間にダミー載置台（ＤＵＭ）を配置し、温調モジュール（ＣＰＬ１）から塗布モジュール（ＣＯＴ）に搬送するアーム（下アーム２２）と、加熱モジュール（ＨＰ）からウエハＷを受け取るアーム（上アーム２１）とを異ならせている。
【００３０】
また図３（ｂ）に示す疎水化モジュール（ＡＤＨ）を用いる搬送経路でウエハＷを搬送するときのように、前記載置台モジュール（ＴＲＳ）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュール（ＣＰＬ１）が奇数番目（３番目）のモジュールになるときには、１番目の載置台モジュール（ＴＲＳ）上のウエハＷを前記下アーム２２により取りに行き、次の疎水化モジュール（ＡＤＨ）に置かれているウエハＷを上アーム２１により受け取り、前記下アーム２２上のウエハＷを疎水化モジュール（ＡＤＨ）へ受け渡す。このようにすると、温調モジュール（ＣＰＬ１）上のウエハＷを下アーム２２により受け取り、次の塗布モジュール（ＣＯＴ）に置かれているウエハＷを上アーム２１により受け取り、前記下アーム２２上のウエハＷを塗布モジュール（ＣＯＴ）へ受け渡すことになる。
【００３１】
この場合であっても、塗布モジュール（ＣＯＴ）と加熱モジュール（ＨＰ）との間にダミー載置台（ＤＵＭ）を設けない場合には、温調モジュール（ＣＰＬ１）から塗布モジュール（ＣＯＴ）に搬送するアームと、加熱モジュール（ＨＰ）からウエハＷを受け取るアームとが同じになってしまうので、前記搬送経路における塗布モジュール（ＣＯＴ）と加熱モジュール（ＨＰ）との間にダミー載置台（ＤＵＭ）を配置し、温調モジュール（ＣＰＬ１）から塗布モジュール（ＣＯＴ）に搬送するアーム（下アーム２２）と、加熱モジュール（ＨＰ）からウエハＷを受け取るアーム（上アーム２１）とを異ならせている。
【００３２】
続いて本発明の第１の実施の形態について説明する。図４は、本発明の塗布処理装置の一実施の形態を示す装置の平面図を示し、図５は同概略斜視図、図６は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア３０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００３３】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア３０を複数個載置可能な載置台３１と、この載置台３１から見て前方の壁面に設けられる開閉部３２と、開閉部３２を介してキャリア３０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ２の受け渡しステージＴＲＳ１，２，ＴＲＳ−Ｆとの間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア３０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００３４】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体３３にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第５の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００３５】
続いて第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して塗布液を塗布するための塗布モジュールと、前記塗布モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱・冷却系モジュールと、前記塗布モジュールと加熱・冷却系モジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。
【００３６】
先ず図４に示すＣＯＴ層Ｂ４を例にして以下に説明する。このＣＯＴ層Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するための、ウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、塗布液であるレジスト液の塗布処理を行うための複数個例えば３個の塗布部４０を筐体４２内に配置した塗布モジュール４１が設けられている。塗布部４０はウエハを保持して回転させるウエハ保持部とこのウエハ保持部を囲むカップ４３などを備えており、薬液ノズルからレジスト液をウエハの中心部に供給し、ウエハ保持部を回転させてレジスト液を展伸させて塗布処理を行うように構成されている。
【００３７】
またＣＯＴ層Ｂ４の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系モジュールを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、塗布モジュール４１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば２段に積層した構成とされている。上述の前処理及び後処理を行うための各種モジュールの中には、例えば図７に示すように、前記レジスト液の塗布前にウエハＷを設定温度に調整するための温調モジュール（ＣＰＬ４１）、レジスト液の塗布後にウエハＷを加熱する処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱モジュール（ＨＰ４）、レジスト液の塗布後に、例えばウエハＷを露光装置Ｓ４内の温度に予め高精度に調整するためにウエハを冷却する処理を行うための冷却モジュール（ＣＰＬ４２）、レジスト液の塗布後にレジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるために、ウエハＷを加熱してウエハＷ表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュール（ＡＤＨ）、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。また温調モジュール（ＣＰＬ４１）や加熱モジュール（ＨＰ４）等の各処理ユニットは、夫々処理容器４４内に収納されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、前記処理容器４４が２段に積層されて構成され、各処理容器４４の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口４５が形成されている。
【００３８】
前記搬送領域Ｒ１には単位ブロック用の基板搬送手段であるメインアームＡ４が設けられている。このメインアームＡ４は、当該ＣＯＴ層Ｂ４内の全てのモジュールと、後述する棚ユニットＵ５と棚ユニットＵ６の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されている。メインアームＡ１〜Ａ５は、例えば図２に示す基板搬送手段２と同様に構成され、例えば図７に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための互いに上下に配置された上アーム２１と下アーム２２の２本のアームを備えており、これら上アーム２１，下アーム２２は基台２３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台２３は回転機構２４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構２５により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部２６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール２７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール２８に沿って昇降自在に構成されている。こうして上アーム２１，下アーム２２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各モジュールや、後述する棚ユニットＵ５，Ｕ６の第１及び第２の受け渡しステージやダミー載置台（ＤＵＭ）、塗布モジュール（ＣＯＴ）との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００３９】
また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図４及び図６に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ４とがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の受け渡しアーム５１を備えている。
【００４０】
前記棚ユニットＵ５は、図６に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の組で構成される第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えており、これにより第１の受け渡しステージが多段に積層された第１の受け渡しステージ群を構成している。また第１の受け渡しアーム５１は各第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２の第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成され、さらにこの例では、第２の単位ブロックＢ２は第１の受け渡しステージとして例えば２個のＴＲＳ−Ｆを備えており、この受け渡しステージＴＲＳーＦはトランスファーアームＣによりウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するための専用の受け渡しステージとして用いられる。この受け渡しステージＴＲＳーＦは第１の単位ブロックＢ１に設けるようにしてもよいし、この受け渡しステージＴＲＳーＦを別個に設けずに、トランスファーアームＣからウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入する際に、受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を用いて行なうようにしてもよい。
【００４１】
さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図６に示すように、メインアームＡ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられると共に、この棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の受け渡しアーム５２を備えている。
【００４２】
前記棚ユニットＵ６は、図６に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えており、これにより第２の受け渡しステージが多段に積層された第２の受け渡しステージ群が構成されている。第２の受け渡しアーム４２は各第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。
【００４３】
このように本実施の形態では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の第１の受け渡しアーム５１と第２の受け渡しアーム５２とにより、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５とＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。
【００４４】
またＣＯＴ層Ｂ４では、例えば第１の受け渡しステージＴＲＳ４、第２の受け渡しステージＴＲＳ９のいずれかが、当該ＣＯＴ層Ｂ４内のウエハＷの搬送経路において上流端に位置する載置台モジュールをなす受け渡し台モジュールとして用いられる。さらに棚ユニットＵ５、棚ユニットＵ６のいずれかには、例えば各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５が夫々アクセスできる位置に、１個以上例えば１個のダミー載置台（ＤＵＭ１〜ＤＵＭ５）が設けられている。
【００４５】
続いて他の単位ブロックについて説明すると、ＴＣＴ層Ｂ３及びＢＣＴ層Ｂ５は、塗布モジュールにおける薬液がレジスト液の代わりに反射防止膜用の薬液であって、反射防止膜形成用の塗布モジュールである反射防止膜モジュールが設けられていることを除けば、実質ＣＯＴ層Ｂ４の構成と同様であり、例えばＴＣＴ層Ｂ３には、棚ユニットＵ５又は棚ユニットＵ６に載置台モジュールをなす第１の受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ８と、ダミー載置台（ＤＵＭ３）とが設けられると共に、棚ユニットＵ１〜Ｕ４にはレジスト膜の上部側の反射防止膜を形成するための反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ２）、前記反射防止膜用の薬液の塗布前にウエハＷを設定温度に調整するための温調モジュール（ＣＰＬ３１）、前記薬液の塗布後にウエハＷを加熱する処理を行うための加熱モジュール（ＨＰ３）、前記薬液の塗布後にウエハＷを冷却する処理を行うための冷却モジュール（ＣＰＬ３２）等が設けられると共に、これらモジュールとダミー載置台（ＤＵＭ３）との間でウエハＷを搬送する基板搬送手段をなすメインアームＡ３が設けられている。
【００４６】
また例えばＢＣＴ層Ｂ５には、棚ユニットＵ５又は棚ユニットＵ６に載置台モジュールをなす第１の受け渡しステージＴＲＳ５，ＴＲＳ１０と、ダミー載置台（ＤＵＭ５）とが設けられると共に、棚ユニットＵ１〜Ｕ４にはレジスト膜の下部側の反射防止膜を形成するための反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ１）、前記反射防止膜用の薬液の塗布前にウエハＷを設定温度に調整するための温調モジュール（ＣＰＬ５１）、前記薬液の塗布後にウエハＷを加熱する処理を行うための加熱モジュール（ＨＰ５）、前記薬液の塗布後にウエハＷを冷却する処理を行うための冷却モジュール（ＣＰＬ５２）等が設けられると共に、これらモジュールとダミー載置台（ＤＵＭ５）との間でウエハＷを搬送する基板搬送手段をなすメインアームＡ５が設けられている。
【００４７】
またＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成され、ウエハＷに対して現像液の塗布処理を行うための塗布モジュールである現像モジュール（ＤＥＶ）が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている、露光後の基板に対して加熱処理を行う加熱モジュール（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）や、この加熱モジュール（ＰＥＢ１，ＰＥＢ２）における処理の後にウエハＷを設定温度に調整するための温調モジュール（ＣＰＬ１１，ＣＰＬ２１）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱モジュール（ＰＯＳＴ１，ＰＯＳＴ２）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。なお現像ユニットは、カップで囲まれたウエハ保持部にウエハを保持し、薬液ノズルから現像液を液盛りして現像を行い、その後洗浄液でウエハ表面を洗浄し、ウエハ保持部を回転させて乾燥するものであり、その構成は図１の塗布ユニットとほぼ同様である。
【００４８】
そしてこれらＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２では、棚ユニットＵ５又は棚ユニットＵ６に第１の受け渡しステージ（ＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ）、第２の受け渡しステージ（ＴＲＳ６，ＴＲＳ７）と、ダミー載置台（ＤＵＭ１，ＤＵＭ２）とが設けられ、夫々基板搬送手段２をなすメインアームＡ１，Ａ２により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、ダミー載置台（ＤＵＭ１，ＤＵＭ２）と、現像モジュール（ＤＥＶ）と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各モジュールとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００４９】
ここで前記温調モジュール（ＣＰＬ１１，ＣＰＬ２１，ＣＰＬ３１，ＣＰＬ４１，ＣＰＬ５１）及び冷却モジュール（ＣＰＬ３２，ＣＰＬ４２，ＣＰＬ５２）としては、所定の温度に調整された温調プレート（冷却プレート）上にウエハＷを載置して温度調整を行なう構成の装置が用いられ、加熱モジュール（ＨＰ３，ＨＰ４，ＨＰ５）としては、加熱プレート上にウエハＷを載置してウエハを加熱する構成の装置が用いられる。
【００５０】
また加熱モジュール（ＰＥＢ１，２、ＰＯＳＴ１，２）としては、加熱プレートと、搬送アームを兼用する冷却プレートとを備え、メインアームＡ１〜Ａ５と加熱プレートとの間のウエハＷの受け渡しを冷却プレートにより行なう、加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられ、これら加熱モジュール（ＰＥＢ１，２、ＰＯＳＴ１，２）は、基板を加熱しかつ冷却するためのモジュールに相当する。
【００５１】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム５３を備えている。このインターフェイスアーム５３は、この例では、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ９に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。また前記インターフェイスアーム５３は、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成してもよい。
【００５２】
図８は、処理ブロックＳ２のうちのレジスト膜を形成するための単位ブロックＢ４（ＣＯＴ層）と、現像を行うための単位ブロックＢ１（ＤＥＶ層）と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、をウエハＷの搬送系及びウエハＷの搬送の順番と合わせて示した説明図であり、また制御部６の構成も示してある。ここに示すＣＯＴ層Ｂ４内のウエハＷの搬送経路は、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用しない搬送経路である。この図８を用いて今までの説明を補うとすると、露光装置Ｓ４は搬入ステージ５４及び搬出ステージ５５を備えている。
【００５３】
そして図８に示す制御部６は、塗布、現像装置の搬送系全体を制御するものであるが、ここではこの実施の形態の要部に関連する部位についてのみ示している。メインアーム制御プログラム６１は、搬送スケジュール６２を参照して塗布膜形成用の単位ブロックＢ１〜Ｂ３のメインアームＡ１〜Ａ３と、現像処理用の単位ブロックＢ１、Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２を制御すると共に、アーム管理部６３からの情報に基づいて、前記メインアームＡ１〜Ａ５を制御するプログラムである。
【００５４】
搬送スケジュール６２は、ウエハＷが置かれる個所をモジュールと呼ぶとすると、各モジュールとウエハＷとの対応関係を時系列に表したものである。図９は、前記疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用しない搬送経路を用いてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行なうときの搬送スケジュールの一部（ＣＯＴ層Ｂ４の搬送スケジュール）を示しており、フェーズ１、２、……は、ある搬送サイクルにおけるモジュールとウエハ（Ａ０１〜Ａ１０）との対応関係を示し、上欄には各モジュールの配列を示している。横に配列したモジュールは、モジュール及びダミー載置台（ＤＵＭ４）のいずれかであり、ＣＯＴ層Ｂ４内に配置されているＴＲＳ４（載置台モジュール）、ＣＰＬ４１（温調モジュール）、ＣＯＴ（塗布モジュール）、ＤＵＭ４（ダミー載置台）、ＨＰ（加熱モジュール）、ＣＰＬ４２（冷却モジュール）、ＴＲＳ９（受け渡しステージ）である。このモジュールの配列はウエハの流れの順番であり、図８のモジュールの配列に対応する。
【００５５】
例えばフェーズ１は、ロットの先頭のウエハである１枚目のウエハＡ０１がＴＲＳ４に位置していることを示している。またフェーズ３はＴＲＳ４にウエハＡ０３、ＣＰＬ４１にウエハＡ０２、ＣＯＴにウエハＡ０１が夫々位置していることを示している。メインアーム制御プログラム６１は、この搬送スケジュール６２のフェーズを順番に読み出し、読み出したフェーズに対応する状態になるようにウエハの搬送を行う。従ってフェーズを順番に読み出してウエハの搬送を行うと、ウエハを１枚づつ一つ順番が後のモジュールに移すように順次搬送を行う。  またアーム管理部６３においては、温調モジュール（ＣＰＬ４１）から塗布モジュール（ＣＯＴ）へのウエハＷの搬送を常に下アーム２２により行うように、搬送経路の上流端の１番目の載置台モジュール（ＴＲＳ４）上のウエハＷの受け取りを上アーム２１及び下アーム２２のいずれで行うかを判断するプログラムを備えている。
【００５６】
次にこの実施の形態の作用について、図１０に示すフローチャートを参照して説明する。この装置では、レジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成すること、レジスト膜の上下の一方のみに反射防止膜を形成すること、あるいは反射防止膜を形成せずにＣＯＴ層（単位ブロックＢ４）のみを用いてレジスト膜を形成することのいずれの処理も行うことができるが、ここでは説明をできるだけ簡単にするために、ＣＯＴ層（単位ブロックＢ４）のみを用いてレジスト膜を形成し、そして単位ブロックＢ１であるＤＥＶ層を用いて現像処理を行う場合について述べる。
【００５７】
先ずオペレータが、反射防止膜が形成されたウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行なう搬送レシピ、つまり疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用しない搬送経路でウエハＷを搬送する搬送レシピを選択する（ステップＳ１）。この搬送レシピは、使用するモジュールやダミー載置台（ＤＵＭ４）と、これらを使用する順番（ウエハＷが搬送される順番）とが記載されるものであり、例えばＣＯＴ層Ｂ４内において、図９に示す搬送スケジュールに従ってウエハＷを搬送するレシピである。このように搬送レシピが選択されると、アーム管理部６３では、載置台モジュール（ＴＲＳ４）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てたときに、温調モジュール（ＣＰＬ４１）が偶数番目のモジュールになるか否かを判断し（ステップＳ２）、偶数番目のモジュールになるときには、ステップＳ３に進んで、載置台モジュール（ＴＲＳ４）のウエハＷを上アーム２１が受け取りに行くようにメインアームＡ４に指令を出力する。また奇数番目のモジュールになるときには、ステップＳ４に進んで、載置台モジュール（ＴＲＳ４）のウエハＷを下アーム２２が受け取りに行くようにメインアームＡ４に指令を出力する。この場合には、温調モジュール（ＣＰＬ４１）が２番目のモジュールであるので、載置台モジュール（ＴＲＳ４）のウエハＷを上アーム２１が取りに行くように指令を出力する。
【００５８】
一方装置では、外部からキャリア３０がキャリアブロック３１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア３０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、先ず第２の単位ブロックＢ２の棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦに受け渡され、次いで第１の受け渡しアーム５１により第１の受け渡し部ＴＲＳ４（載置台モジュール）に受け渡される。
【００５９】
次いでステップＳ５では、メインアームＡ４の決定されたアーム（上アーム２１）により載置台モジュール（ＴＲＳ４）上のウエハＷを受け取りに行き、以降は搬送スケジュールに従い、ウエハＷを搬送して、レジスト液の塗布処理を行う。つまり図３（ａ），図８に示すようにメインアームＡ４により、ウエハＷを温調モジュール（ＣＰＬ４１）→塗布モジュール（ＣＯＴ）→ダミー載置台（ＤＵＭ４）→加熱モジュール（ＨＰ４）→冷却モジュール（ＣＰＬ４２）→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ９の順序で搬送して化学増幅型のレジスト膜を形成する。続いて受け渡しステージＴＲＳ９のウエハＷはインターフェイスアーム５３により露光装置Ｓ４の搬入ステージ５４に搬送され、露光装置Ｓ４にて露光処理が行われる。
【００６０】
露光処理後のウエハＷは、搬出ステージ５５に搬出され、インターフェイスアーム５３により、ＤＥＶ層Ｂ１の受け渡しステージＴＲＳ６に搬送される。そしてこのステージＴＲＳ６上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１に受け取られ、加熱モジュール（ＰＥＢ１）→温調モジュール（ＣＰＬ１１）→現像モジュール（ＤＥＶ）→加熱モジュール（ＰＯＳＴ１）→受け渡しステージＴＲＳ１の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、受け渡しステージＴＲＳ１からトランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア３０に戻される。処理ブロックＳ２におけるウエハの搬送については、ＤＥＶ層においても同様にして搬送スケジュールに従ってウエハを１枚づつ一つ順番が後のモジュールに移すように順次搬送を行う。
【００６１】
また、ロットの切り替えのとき等に、オペレータが反射防止膜を形成していないウエハＷに対してレジスト液の塗布処理をする搬送レシピ、つまり疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用する搬送経路でウエハＷを搬送する搬送レシピを選択した場合には、このときの搬送スケジュールは図１１に示すものであり、前記図１０に示すフローチャートに従って、載置台モジュール（ＴＲＳ４）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てたときに、温調モジュール（ＣＰＬ４１）が３番目のモジュールになるので、載置台モジュール（ＴＲＳ４）のウエハＷを下アーム２２が受け取りに行くようにメインアームＡ４に指令を出力する。
【００６２】
そして下アーム２２により載置台モジュール（ＴＲＳ４）上のウエハＷを受け取りに行き、以降は搬送スケジュールに従い、ウエハＷを搬送してレジスト液の塗布処理を行う。つまり図３（ｂ）に示すようにメインアームＡ４により、疎水化モジュール（ＡＤＨ）→温調モジュール（ＣＰＬ４１）→塗布モジュール（ＣＯＴ）→ダミー載置台（ＤＵＭ４）→加熱モジュール（ＨＰ４）→冷却モジュール（ＣＰＬ４２）→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ９の順序で搬送して化学増幅型のレジスト膜を形成する。こうして行なわれる一連の塗布処理は、制御部６に格納され、これらの処理を実施するようにステップが組まれたコンピュータプログラムに従って行なわれる。
【００６３】
上述の実施の形態によれば、アーム管理部６３により、搬送経路の上流端の１番目の載置台モジュール（ＴＲＳ４）上のウエハＷの受け取りを上アーム２１及び下アーム２２のいずれで行うかを判断すると共に、塗布モジュール（ＣＯＴ）と加熱モジュール（ＨＰ）との間にダミー載置台（ＤＵＭ４）を配置しているので、図３（ａ）,（ｂ）に示すように、搬送レシピが異なり、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用する場合と使用しない場合とであって、ウエハＷの搬送経路が異なる場合であっても、温調モジュール（ＣＰＬ）から塗布モジュール（ＣＯＴ）へのウエハＷの搬送を常に下アーム２２により行い、加熱モジュール（ＨＰ）から常に上アーム２１によりウエハＷが受け取られる。
【００６４】
このため加熱モジュール（ＨＰ４）からウエハＷを受け取るときに加熱された上アーム２１を用いて温調モジュール（ＣＰＬ４１）から塗布モジュールＣＯＴ）へウエハＷを搬送することがない。これにより温調モジュール（ＣＰＬ４１）で高い精度で温度調整されたウエハＷが、加熱されずに温度変化の少ない下アーム２２により温調モジュール（ＣＰＬ４１）から塗布モジュール（ＣＯＴ）まで搬送されるので、アームからの熱影響を抑えた状態で当該搬送を行うことができる。
【００６５】
このようにすると、当該搬送の際に、ウエハＷのアームが接触している個所と接触していない個所とで、アームからの伝熱によりウエハ温度が異なり、ウエハ温度の面内均一性が悪化するといった、ウエハＷの基板の面内温度の変化を抑えることができる。これにより塗布モジュール（ＣＯＴ）では、ウエハＷの面内温度の均一性が高く、ウエハ温度が適切な状態でレジスト液の塗布処理を行うことができ、膜厚等の面内均一性の高い良好な塗布処理を行うことができる。
【００６６】
また前記加熱モジュール（ＨＰ）からのウエハＷの受け取りを上アーム２１により行うようにすると、熱は上方側に伝播していきやすいので、加熱モジュール（ＨＰ４）からのウエハＷの受け取りを下アーム２２により行う場合に比べて、他方のアームへの熱影響を小さくすることができる。
【００６７】
この例では、ウエハＷに応じた、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用する搬送経路と疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用しない搬送経路との間での搬送経路の切り替えは、既述のように、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用する搬送経路でウエハＷを搬送する搬送レシピと、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用しない搬送経路でウエハＷを搬送する搬送レシピとのいずれかを選択することにより行なわれる。
【００６８】
以上において本実施の形態では、塗布モジュールが、ウエハＷに塗布液である現像液を塗布する現像モジュール（ＤＥＶ）であってもよく、この場合には、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは、露光されかつ加熱された基板が載置されるモジュール、例えば第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）や、加熱モジュール（ＰＥＢ）等の、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）内のウエハＷの搬送経路において温調モジュール（ＣＰＬ１１）の上流側に配列されるモジュールとすることができる。
【００６９】
この場合について図１２を用いてＤＥＶ層Ｂ１のモジュールを例にして説明すると、例えば加熱モジュール（ＰＥＢ１）を搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールとする場合には、ウエハＷは、加熱モジュール（ＰＥＢ１）→温調モジュール（ＣＰＬ１１）→現像モジュール（ＤＥＶ）→ダミー載置台（ＤＵＭ１）→加熱モジュール（ＰＯＳＴ１）の順で搬送される。なおこの場合には加熱モジュール（ＰＥＢ１）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、温調モジュール（ＣＰＬ１１）が偶数番目（２番目）のモジュールになるので、１番目の加熱モジュール（ＰＥＢ１）上のウエハＷを前記上アーム２１により受け取るようにメインアームＡ１（Ａ２）を制御する。また前記搬送経路における現像モジュール（ＤＥＶ）と加熱モジュール（ＨＰ）との間にダミー載置台（ＤＵＭ１）を配置しているので、温調モジュール（ＣＰＬ１１）から現像モジュール（ＤＥＶ）に搬送するアーム（下アーム２２）と、加熱モジュール（ＰＯＳＴ１）からウエハＷを受け取るアーム（上アーム２１）とが異なったものになる。
【００７０】
従ってこの場合においても、温調モジュール（ＣＰＬ１１）から現像モジュール（ＤＥＶ）に加熱されていないアームを用いてウエハＷを搬送することにより、当該搬送の際のウエハＷの温度変化を抑えているので、高い温度の面内均一性を維持した状態でウエハＷに現像処理を行うことができ、現像処理の面内均一性を高めることができる。なおこの例では、加熱モジュール（ＰＯＳＴ１）として、加熱プレートと冷却プレートとを備えた構成の装置を用いているが、加熱モジュール（ＰＯＳＴ１）の代わりに、加熱プレートのみを備える加熱モジュール（ＨＰ）と、冷却プレートのみを備える冷却モジュール（ＣＰＬ）とを組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００７１】
また本実施の形態では、ＴＣＴ層Ｂ３やＢＣＴ層Ｂ５においても適用でき、例えばＴＣＴ層Ｂ３では、塗布モジュールが反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ２）であり、搬送経路の上流端に位置する載置台モジュールは受け渡しユニットＴＲＳ３（又はＴＲＳ８）であって、受け渡しユニットＴＲＳ３（又はＴＲＳ８）→温調モジュール（ＣＰＬ３１）→反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ２）→ダミー載置台（ＤＵＭ３）→加熱モジュール（ＨＰ３）→冷却モジュール（ＣＰＬ３２）→受け渡しユニットＴＲＳ８（又はＴＲＳ３）の順で搬送される。
【００７２】
この場合においては、前記載置台モジュール（ＴＲＳ３又はＴＲＳ８）を１番目のモジュールとすると、温調モジュール（ＣＰＬ）が偶数番目（２番目）のモジュールになるので、１番目の載置台モジュール（ＴＲＳ３又はＴＲＳ８）上のウエハＷを前記上アーム２１により受け取るようにメインアームＡ３を制御する。また前記搬送経路における反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ２）と加熱モジュール（ＨＰ）との間にダミー載置台（ＤＵＭ３）を配置しているので、温調モジュール（ＣＰＬ３１）から反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ２）に搬送するアーム（下アー）ム２２）と、加熱モジュール（ＨＰ３）からウエハＷを受け取るアーム（上アーム２１）とが異なったものになる。またＢＣＴ層Ｂ５においても、反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ１）となる以外はＴＣＴ層Ｂ３と同様にウエハＷが搬送される。
【００７３】
従ってこれらの場合においても、温調モジュール（ＣＰＬ３１，ＣＰＬ５１）から反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ１，ＢＡＲＣ２）にウエハＷを搬送する際のウエハＷの温度変化が抑えられるので、高い温度の面内均一性を維持した状態でウエハＷに反射防止膜の形成処理を行うことができ、当該処理の面内均一性を高めることができる。
【００７４】
続いて本発明の第２の実施の形態について説明する。この実施の形態は、塗布処理装置として、例えば図１３に示すように、載置台モジュール（ＴＲＳ）と、ウエハＷの温度を設定温度に調整する第１の温調モジュール（ＣＰＬ）と、温度調整されたウエハＷに第１の塗布液である反射防止膜用の薬液を塗布する第１の塗布モジュールをなす反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ）と、第１のダミー載置台（ＤＵＭ１）と、ウエハＷに対して、塗布液を塗布する前にウエハＷを加熱しながらウエハＷの表面に対して疎水化処理を行う疎水化モジュール（ＡＤＨ）と、第１の塗布液が塗布されたウエハＷを加熱する第１の加熱モジュール（ＨＰ１）と、ウエハＷを冷却して設定温度に調整する第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）と、温度調整されたウエハＷに第２の塗布液を塗布する第２の塗布モジュールをなす塗布モジュール（ＣＯＴ）と、第２の塗布液が塗布されたウエハＷを加熱する第２の加熱モジュール（ＨＰ２）と、ウエハＷを冷却する冷却モジュール（ＣＰＬ３）とを、同じ処理ブロック内に配設し、共通の基板搬送手段２により、各モジュールに対してウエハＷの搬送を行なう装置を用いた例である。
【００７５】
このような装置としては、図１４に示す装置が用いられ、図１４（ａ）に示す装置では、多数枚のウエハＷが収納されたキャリアが搬入出されるキャリアブロック７１と、前記図１３に示す各モジュール等と、現像処理を行なうためのモジュール（載置台モジュールである受け渡し台モジュールや加熱モジュール（ＰＥＢ）、現像モジュール（ＤＥＶ）、温調モジュール（ＣＰＬ）、加熱モジュール（ＰＯＳＴ）、ダミー載置台（ＤＵＭ）等）と、これらに対してウエハＷの受け渡しを行うための基板搬送手段２が配置されて、反射防止膜の形成や、レジスト液の塗布、現像処理等を行う処理ブロック７２と、インターフェイスブロック７３と、露光装置７４とが、キャリアブロック７１から順に互いに隣接するように横方向に並列に配置されている。この装置では、キャリアブロック７１から搬送されたウエハＷに対して処理ブロック７２にて反射防止膜の形成やレジスト液の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロック７３を介して露光装置７４にて露光処理が行なわれ、次いで再び処理ブロック７２にて現像処理が行なわれてキャリアブロック７１に戻されるようになっている。
【００７６】
また図１４（ｂ）に示す装置は、キャリアブロック７５と、レジスト液の塗布処理を行う塗布ブロック７６と、現像処理を行う現像ブロック７７と、インターフェイスブロック７８と、露光装置７９とが、キャリアブロック７５から順に互いに隣接するように横方向に並列に配置されたものであり、前記塗布ブロック７６には、例えば図１３に示すモジュールと、これらに対してウエハＷの受け渡しを行なう基板搬送手段２とが設けられ、反射防止膜の形成やレジスト液の塗布処理が行なわれるようになっている。また前記現像ブロック７７には、現像処理を行なうためのモジュール（載置台モジュールである受け渡し台モジュールや加熱モジュール（ＰＥＢ）、現像モジュール（ＤＥＶ）、温調モジュール（ＣＰＬ）、加熱モジュール（ＰＯＳＴ）、ダミー載置台（ＤＵＭ）等）と、これらに対してウエハＷの受け渡しを行うための基板搬送手段が配置されて、露光後のウエハＷに対して現像処理が行われるようになっている。
【００７７】
この装置では、キャリアブロック７５から搬送されたウエハＷに対して塗布ブロック７６にて反射防止膜の形成やレジスト液の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロック７８を介して露光装置７９にて露光処理が行なわれ、次いで現像ブロック７７にて現像処理が行なわれてキャリアブロック７５に戻されるようになっている。
【００７８】
そしてこのような装置では、例えば図１５（ａ）に示すように、ウエハＷに反射防止膜を形成し、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用しない処理では、ウエハＷは、上流端に位置する載置台モジュール（ＴＲＳ）→第１の温調モジュール（ＣＰＬ１）→反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ）→第１のダミー載置台（ＤＵＭ１）→第１の加熱モジュール（ＨＰ１）→第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→第２のダミー載置台（ＤＵＭ２）→第２の加熱モジュール（ＨＰ２）→冷却モジュール（ＣＰＬ３）の搬送経路で搬送される。
【００７９】
そして第１の温調モジュール（ＣＰＬ１）及び第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）は、上流端の載置台モジュール（ＴＲＳ）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、夫々２番目及び６番目のモジュールになるので、１番目の載置台モジュール（ＴＲＳ）上のウエハＷを前記上アーム２２により受け取りに行く。図中各モジュールの下に記載した、「上」、「下」の文字は、当該モジュール内のウエハＷを受け取りに行くアームが上アーム２１であるか、下アーム２２であるかを示している。
【００８０】
また第１の塗布モジュールである反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ）と第１の加熱モジュール（ＨＰ１）との間、及び前記第２の塗布モジュールである塗布モジュール（ＣＯＴ）と第２の加熱モジュール（ＨＰ２）との間に、夫々第１のダミー載置台（ＤＵＭ１）及び第２のダミー載置台（ＤＵＭ２）を配置しているので、第１及び第２の加熱モジュール（ＨＰ１，ＨＰ２）からウエハＷを受け取るアームが上アーム２２となり、第１の温調モジュール（ＣＰＬ１）から反射防止膜モジュール（ＢＡＲＣ）に搬送するアーム、及び第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）から塗布モジュール（ＣＯＴ）に搬送するアームと、第１及び第２の加熱モジュール（ＨＰ１，ＨＰ２）からウエハＷを受け取るアームと、が異なるものになる。
【００８１】
また、例えば図１５（ｂ）に示すように、ウエハＷに反射防止膜を形成せず、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用する処理では、ウエハＷは、上流端に位置する載置台モジュール（ＴＲＳ）→疎水化モジュール（ＡＤＨ）→第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→第２のダミー載置台（ＤＵＭ２）→第２の加熱モジュール（ＨＰ２）→冷却モジュール（ＣＰＬ３）の搬送経路で搬送される。
【００８２】
そしてこの場合、第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）は、上流端の載置台モジュールを１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てると、３番目のモジュールになるので、１番目の載置台モジュール（ＴＲＳ）上のウエハＷを前記下アーム２２により受け取りに行く。
【００８３】
また塗布モジュール（ＣＯＴ）と第２の加熱モジュール（ＨＰ２）との間に、第２のダミー載置台（ＤＵＭ２）を配置しているので、第２の加熱モジュール（ＨＰ２）からウエハＷを受け取るアームが上アーム２２となり、第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）から塗布モジュール（ＣＯＴ）に搬送するアームと、第２の加熱モジュール（ＨＰ２）からウエハＷを受け取るアームと、が異なるものになる。
【００８４】
これらの装置においては、これらの装置では、第１の温調モジュール（ＣＰＬ１）と第２の温調モジュール（ＣＰＬ２）とは、上流端の載置台モジュール（ＴＲＳ）を１番目のモジュールとして下流側のモジュールに順番に番号を割り当てたときに、予め両モジュール共、奇数番目のモジュールになるか、両モジュール共、偶数番目のモジュールになるように、モジュールの搬送経路を作成しておく必要がある。
【００８５】
そしてウエハＷに反射防止膜を形成し、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用しない搬送経路でウエハＷを搬送する搬送レシピと、ウエハＷに反射防止膜を形成せず、疎水化モジュール（ＡＤＨ）を使用する搬送経路でウエハＷを搬送する搬送レシピとを用意し、ウエハＷに応じて搬送レシピを選択することにより、ウエハＷに応じて、第１の温調モジュール（ＣＨＰ１）、第１の塗布モジュール（ＢＡＲＣ）、第１のダミー載置台（ＤＵＭ１）及び第１の加熱モジュール（ＨＰ１）を使用する搬送経路と、これらモジュールを使用する代わりに疎水化モジュール（ＡＤＨ））を使用する搬送経路との間で搬送経路が切り替えられるように基板搬送手段２を制御するようになっている。またこれらの装置においても現像処理については、図１２を用いて説明した手法と同様の手法が適用される。
【００８６】
以上において、搬送経路の上流側に位置する載置台モジュールとして用いられる受け渡し台モジュールは、ウエハＷの冷却プレートを兼用するものであってもよいし、載置台モジュールは、ウエハＷの加熱プレートや冷却プレートを備えた加熱モジュール（ＰＥＢ，ＰＯＳＴ）であってもよい。
【００８７】
また上述の例では、塗布モジュール（ＣＯＴ）の下流側には加熱プレートを備えた加熱モジュール（ＨＰ）と冷却プレートを備えた冷却モジュール（ＣＰＬ）とを順に配列するようにしたが、これら加熱モジュール（ＨＰ）、冷却モジュール（ＣＰＬ）に代えて、ウエハＷの加熱プレートや冷却プレートを備えたタイプの加熱モジュールを設けるようにしてもよい。以上において温調モジュールとは、温調機構が設けられているものに限られず、例えば室温に調整するための単なるプレートも含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に係る塗布処理方法で用いられるモジュールの配列を示す図である。
【図２】本発明に係る塗布処理方法で用いられる基板搬送手段を示す斜視図である。
【図３】前記塗布処理方法の概要を説明するためのモジュールの配列と、基板搬送手段の使用アームを説明する図である。
【図４】本発明に係る塗布、現像装置の一実施の形態の全体構成を示す平面図である。
【図５】前記塗布、現像装置の全体構成を示す斜視図である。
【図６】前記塗布、現像装置のキャリアブロックと、処理ブロックと、インターフェイスブロックとを示す側部断面図である。
【図７】前記塗布、現像装置の処理ブロックに設けられる、棚ユニットと、塗布モジュールと、基板搬送手段とを示す概略斜視図である。
【図８】前記塗布、現像装置におけるウエハの流れ及び各基板搬送手段の搬送領域並びに制御部を示す説明図である。
【図９】塗布膜形成用の単位ブロックにおけるウエハの搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１０】塗布膜形成用の単位ブロックにおけるウエハの搬送の様子を示すフローチャートである。
【図１１】塗布膜形成用の単位ブロックにおけるウエハの搬送スケジュールの一例を示す説明図である。
【図１２】本発明の他の塗布処理方法の一実施の形態で用いられるモジュールの配列を示す説明図である。
【図１３】本発明のさらに他の塗布処理方法の一実施の形態で用いられるモジュールの配列を示す説明図である。
【図１４】本発明の他の実施の形態の塗布、現像装置を示す平面図である。
【図１５】前記他の塗布、現像装置内のモジュールの配列と、基板搬送手段の使用アームを説明する図である。
【図１６】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【図１７】従来の塗布、現像装置における基板の流れと搬送手段の動きとを示す説明図である。
【図１８】従来の塗布、現像装置に用いられる基板搬送手段の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｗ          半導体ウエハ
２          基板搬送手段
２１        上アーム
２２        下アーム
３０        キャリア
Ｓ１，７１，７５    キャリアブロック
Ｓ２，７６    処理ブロック
Ｓ３，７３，７８    インターフェイスブロック
Ｓ４，７４，７９    露光装置
Ａ１〜Ａ５  メインアーム
４１        塗布モジュール
５１        第１の受け渡しアーム
５２        第２の受け渡しアーム
５３        インターフェイスアーム
ＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０    受け渡しステージ
ＤＵＭ      ダミー載置台    
６          制御部
【図１】
2006313788.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2006313788.tif 000017
【図１６】
2006313788.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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