(57)【要約】【課題】パッド下部電極の金属層厚さを調節して、パッド部に形成されるコンタクトホールの傾斜度を緩やかに形成することによって、パッド下部電極の腐蝕防止とパッド下部電極と接触するパッド電極端子の切断を防止する。【解決手段】アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極４１０と、パッド下部電極上部に形成された絶縁層４２０と、絶縁層４２０の所定領域がエッチングされてパッド下部電極４１０を露出させるコンタクトホール４４０と、コンタクトホール４４０上に形成されてパッド下部電極４１０と接触するパッド端子電極４５０が含まれて構成され、パッド下部電極４１０はアルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、モリブデン層の厚さが少なくともその下部に形成されるアルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成される。【選択図】図４
2006018239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極と、
前記パッド下部電極の上部に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させることにより形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホール上に形成されて前記パッド下部電極と接触するパッド端子電極と
が含まれて構成され、
前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成されることを特徴とする液晶表示装置のパッド構造。
【請求項２】
前記コンタクトホールは、前記コンタクトホールのスロープを減らすために、所定の反応ガスを添加した窒化シリコンをエッチングガスとして使用してエッチング形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置のパッド構造。
【請求項３】
前記コンタクトホールは、前記コンタクトホールのスロープを減らすために、エッチング形成された後にアッシング工程を連続して進行させることにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置のパッド構造。
【請求項４】
前記モリブデン層の厚さは、前記アルミニウム合金層厚さの１／２よりは小さく形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置のパッド構造。
【請求項５】
前記アルミニウム合金層は、２０００Åの厚さに形成されて、前記モリブデン層は、５００Å〜１０００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置のパッド構造。
【請求項６】
前記パッドは、ゲートパッドまたはデータパッドであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置のパッド構造。
【請求項７】
前記絶縁層は、ゲート絶縁膜及び保護層を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置のパッド構造。
【請求項８】
前記信号配線は、ゲート配線またはデータ配線であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置のパッド構造。
【請求項９】
アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積でパッド下部電極を形成する段階と、
前記パッド下部電極の上部に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させるようにコンタクトホールを形成する段階と、
前記露出したパッド下部電極と接触するように前記コンタクトホール上にパッド端子電極を形成する段階と
が含まれ、
前記パッド下部電極を形成する段階は、モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成されるアルミニウム合金層の厚さの１／４より大きくなるようにして、前記アルミニウム合金層と前記モリブデン層との二重層構造からなるパッド下部電極を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置のパッド製造方法。
【請求項１０】
前記コンタクトホールを形成する段階は、前記コンタクトホールのスロープを減らす所定の反応ガスを添加した窒化シリコンをエッチングガスとして使用して前記コンタクトホールをエッチング形成することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置のパッド製造方法。
【請求項１１】
前記コンタクトホールを生成する段階は、エッチング形成した後にアッシング工程を連続して進行することにより前記コンタクトホールを形成することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置のパッド製造方法。
【請求項１２】
前記パッド下部電極を形成する段階は、前記アルミニウム合金層を２０００Åの厚さに形成し、前記モリブデン層を５００Å〜１０００Åの厚さに形成して前記パッド下部電極を形成することを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置のパッド製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に液晶表示装置のゲート／データパッド構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、時代が情報化社会に急発展しており、薄形化、軽量化、低消費電力化などの面で優れた特性を有する平板表示装置の必要性が増大している。そのうち、色再現性などに優れた液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）が活発に開発されている。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置は、電極がそれぞれ形成されている両基板を、両電極が形成されている面が向かい合うように配置して、両基板間に液晶物質を注入した後に、両電極に電圧を印加して生成される電界により液晶分子を動かすことによって、これにより変わる光の透過率を調節して画像を表示する装置である。
【０００４】
以下、添付した図面を参照して、一般的な液晶表示装置の構造について説明する。
【０００５】
図１は、一般的な液晶表示装置の下部基板であるアレイ基板の一部を示した拡大平面図である。
【０００６】
ただし、これは、ＴＮモードの液晶表示装置のアレイ基板を示したものである。
【０００７】
前記下部基板１０は、アレイ基板とも言い、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴがマトリックス状に配置され、このような複数の薄膜トランジスタを交差して通り過ぎるゲート配線２５とデータ配線２７が形成される。
【０００８】
この時、前記画素領域Ｐは、前記ゲート配線２５とデータ配線２７が交差して定義される領域である。
【０００９】
前記ゲート配線２５とデータ配線２７の一端には、外部からの信号入力を受けるゲートパッド２９とデータパッド３１が構成される。前記薄膜トランジスタＴは、ゲート電極２１とソース電極６０及びドレイン電極６２と前記ゲート電極上部に構成されたアクティブ層４１を含む。この時、前記画素領域Ｐには、画素電極８１が形成されている。図２は、図１を切断線ＩＩ−ＩＩ、ＩＩＩ−ＩＩＩ、ＩＶ−ＩＶに沿って切った断面図であって、画素領域だけでなく、ゲートパッドとデータパッド領域の断面も示している。
【００１０】
図２に示したように、透明な第１基板１０上に金属のような導電物質からなったゲート電極２１が形成されていて、その上にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜で構成されたゲート絶縁膜３０がゲート電極２１を覆っている。
【００１１】
また、前記ゲート電極２１上部のゲート絶縁膜３０上には、非晶質シリコンで構成されたアクティブ層４１が形成されており、その上に不純物がドーピングされた非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層５１、５２が形成されている。前記オーミックコンタクト層５１、５２上部には、金属のような導電物質で構成されたソース及びドレイン電極６０、６２が形成されているが、ソース及びドレイン電極６０、６２は、ゲート電極２１と一緒に薄膜トランジスタＴを形成する。
【００１２】
続いて、ソース及びドレイン電極６０、６２上には、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜または有機絶縁膜で構成された保護層７０が形成されており、保護層７０は、ドレイン電極６２を露出するコンタクトホール７１を有する。また、前記保護層７０上部には、透明導電物質で構成された画素電極８１が形成されていて、画素電極８１は、コンタクトホール７１を介してドレイン電極６２と連結されている。
【００１３】
一方、前記基板１０上にゲート配線２５とゲート配線２５の一端に所定面積でゲートパッド２９が形成される。前記ゲートパッド２９は、ゲートパッド下部電極２８が形成された基板１０の上部にゲート絶縁膜３０が形成されて、前記下部電極２８が形成された領域上部に具備されたゲート絶縁膜３０及び保護層７０をエッチングして前記下部電極２８を露出するゲートパッドコンタクトホール５９が形成されており、前記コンタクトホールに前記下部電極２８と連結されたゲートパッド端子電極６５が形成されることによってゲートパッドを構成する。
【００１４】
また、前記ゲート絶縁膜３０上に、前記ソース電極６０と垂直に延びたデータ配線２７と、データ配線の一端に所定面積のデータパッド３１とが形成されている。
【００１５】
前記データパッド３１もデータパッド下部電極３２が形成された領域上部に具備された保護層７０をエッチングして前記下部電極３２を露出するデータパッドコンタクトホール６１が形成されており、前記下部電極３２と連結されたデータパッド端子電極６７が形成されている。
【００１６】
この時、前記ゲートパッドコンタクトホール５９及びデータパッドコンタクトホール６１を形成するために、ゲート絶縁膜３０及び保護層７０の所定領域に対して一括エッチングをするようになるが、この場合、コンタクトホール５９、６１のスロープ、すなわち、傾斜度が相当に急激に形成される。
【００１７】
一方、前記ゲート／データ配線２５、２７の一端に所定面積で形成されているゲート／データパッド下部電極２８、３２上には、ゲートパッド端子電極（ＩＴＯ６５またはＩＺＯ６７）がパターニングされている。
【００１８】
前記ゲート／データ配線２５、２７の材料でアルミニウムやアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）を用いる場合、ゲート／データパッド下部電極２８、３２とゲート／データパッド端子電極６５、６７との接触時に酸化膜が形成される。
【００１９】
したがって、酸化膜は、アルミニウム金属とゲート／データパッド端子電極６５、６７との直接の接触を妨害しているので、アルミニウム金属と端子電極６５、６７間にモリブデン（Ｍｏ）による緩衝層が形成される。
【００２０】
すなわち、前記ゲート／データ配線２５、２７をアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）及びモリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成することによって、前記ゲート／データ配線がゲート／データパッド端子電極６５、６７と接触する時に発生する酸化膜を除去することができる。
【００２１】
図３は、従来のゲートパッドの構造をさらに詳細に示す断面図であって、これは、ゲートパッドをその例にしているが、データパッドにも同様に適用できる。
【００２２】
図３に示したように、従来の場合、ゲートパッド下部電極３１０を形成するアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）３１２及びモリブデン（Ｍｏ）３１４の二重層構造において、前記モリブデン層３１４は約５００Å、アルミニウム合金層３１２は２０００Åの厚さを有するように形成される。
【００２３】
また、前記ゲートパッド下部電極３１０上部に形成されるゲート絶縁膜３２０／保護層３３０は、４０００／２０００Åの厚さを有する。
【００２４】
ここで、前記ゲートパッド下部電極３１０にゲートパッド端子電極３５０を接触させるようにコンタクトホール３４０を形成するが、従来の場合、前記コンタクトホール３４０を形成するためにエッチング工程を遂行する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
しかし、従来の場合、前記エッチング工程進行中にオーバーエッチングになる場合が頻繁に発生してエッチングによるコンタクトホール形成時に、前記ゲート絶縁膜３２０／保護層３３０が除去されるだけでなく、前記下部電極３１０のモリブデン３１４が全部除去される場合が発生する問題がある。
【００２６】
すなわち、図３に示したように、オーバーエッチングにより前記モリブデン層３１４がエッチングされた場合には、ＩＴＯまたはＩＺＯで構成されたゲートパッド端子電極３５０と下部電極３１０のアルミニウム合金層３１２が直接接触するようになって、それによってその界面において腐蝕が発生する。
【００２７】
また、従来の場合、前記エッチング工程進行時ゲート絶縁膜／保護層の所定領域に対して一括エッチングをするようになって、図示したように、前記コンタクトホールのスロープ３６０、すなわち、傾斜度が相当に急激に形成される。
【００２８】
それで、前記コンタクトホール３４０にゲートパッド端子電極（ＩＴＯ等）３５０を蒸着する際に、急傾斜周囲のステップカバレッジが不良となり、前記ゲートパッド端子電極３５０の切断現象が生じる問題がある。
【００２９】
前記切断が生じたゲートパッド部分では、前記ゲートパッド下部電極３１０のアルミニウム合金３１２層が露出されるため腐蝕の原因になる問題がさらに発生する。
【００３０】
本発明は液晶表示装置のパッド構造において、前記パッドを構成するアルミニウム合金／モリブデンの二重層構造で、前記モリブデンの厚さを少なくともアルミニウム合金厚さの１／４より厚く形成することにより、また、前記パッドを露出させるコンタクトホールの形成時に遂行されるエッチング工程を調節して、前記コンタクトホールのスロープ、すなわち、傾斜度を緩やかに形成することにより、パッドの腐蝕を防止する液晶表示装置のパッド構造及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
前記目的を達成するために、本発明による液晶表示装置のパッド構造は、アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積で形成されたパッド下部電極と、前記パッド下部電極の上部に形成された絶縁層と、前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させることにより形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール上に形成されて前記パッド下部電極と接触するパッド端子電極とが含まれて構成され、前記パッド下部電極は、アルミニウム合金層とモリブデン層との二重層構造であって、前記モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成される前記アルミニウム合金層の厚さの１／４より大きく形成されることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明による液晶表示装置のパッド製造方法は、アレイ基板上に複数形成された信号配線の一端に所定面積でパッド下部電極を形成する段階と、前記パッド下部電極の上部に絶縁層が形成する段階と、前記絶縁層の所定領域をエッチングして前記パッド下部電極を露出させるようにコンタクトホールを形成する段階と、前記露出したパッド下部電極と接触するように前記コンタクトホール上にパッド端子電極を形成する段階とが含まれ、前記パッド下部電極を形成する段階は、モリブデン層の厚さが少なくとも前記モリブデン層の下部に形成されるアルミニウム合金層の厚さの１／４より大きくなるようにして、前記アルミニウム合金層と前記モリブデン層との二重層構造からなるパッド下部電極を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
このような本発明によれば、パッドを構成するアルミニウム合金／モリブデンの二重層構造で、前記モリブデンの厚さを少なくともアルミニウム合金厚さの１／４より厚く形成することにより、前記アルミニウム合金が腐蝕されることを防止する効果がある。
【００３４】
また、前記パッドを露出させるコンタクトホール形成時に遂行されるエッチング工程を調節して、前記コンタクトホールのスロープ、すなわち、傾斜度を緩やかに形成することによって、パッド下部電極と接触するパッド電極端子の切断及びパッド接触部の腐蝕を防止することができるという長所がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態をさらに詳細に説明する。
【００３６】
図４は、本発明による液晶表示装置のパッド構造を示す断面図である。
【００３７】
ただし、これは、ゲートパッド構造を説明しているが、データパッド構造にも適用できる。
【００３８】
また、本発明による液晶表示装置のパッドが具備される液晶表示装置のアレイ基板構造は、先に図１及び図２を用いて説明したことと同一であるので、その説明は省略する。
【００３９】
本発明によるゲートパッドは、液晶表示装置のアレイ基板に複数形成されたゲート配線の一端に所定面積で形成されている。
【００４０】
前記ゲートパッドは、ゲートパッド下部電極４１０が形成された基板４００の上部に、ゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０が形成されて、前記下部電極４１０が形成された領域上部に具備されたゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０をエッチングして、前記下部電極４１０を露出するゲートパッドコンタクトホール４４０が形成されている。
【００４１】
そして、前記コンタクトホール４４０に前記下部電極４１０と連結されたゲートパッド端子電極４５０が形成されることによってゲートパッドを構成する。
【００４２】
また、前記ゲートパッド下部電極４１０は、前記ゲートパッド端子電極４５０との接触による酸化膜形成を防止するために、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）４１２／モリブデン（Ｍｏ）４１４の二重層で構成される。
【００４３】
ここで、本発明は、前記コンタクトホール４４０を形成するためのエッチング工程進行時に、オーバーエッチングになることにより前記モリブデン層４１４までエッチングされて発生する問題点を克服するために、前記モリブデン層４１４の形成厚さを既存より厚く形成することをその特徴とする。
【００４４】
すなわち、従来の場合、前記アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）４１２及びモリブデン（Ｍｏ）４１４の二重層構造において前記モリブデン層は約５００Å、アルミニウム合金層は２０００Åの厚さを有するように形成されたが、本発明においては、前記モリブデン層４１４が５００Å〜１０００Åの厚さに形成される。
【００４５】
言い換えれば、本発明の場合、前記モリブデン層４１４の厚さは、少なくともその下部に形成されるアルミニウム合金層４１２の厚さの１／４より大きく形成することをその特徴とする。ただし、前記モリブデン層４１４は、前記アルミニウム合金層４１２の厚さの１／２よりは小さく形成することが望ましい。
【００４６】
図４に示したように、前記モリブデン層４１４をアルミニウム合金層４１２の厚さの１／４よりも厚く形成することによって、前記コンタクトホール４４０形成時にオーバーエッチングが発生しても、モリブデン層４１４全体がエッチングされる場合が発生せず、従来の腐蝕問題を克服できるようにした。
【００４７】
また、先に説明したように、従来の場合、前記コンタクトホール形成のためのエッチング工程進行時に、ゲート絶縁膜／保護層の所定領域に対して一括エッチングをするようになって、図３に示したように前記コンタクトホールのスロープ、すなわち、傾斜度が相当に急激に形成されていた。
【００４８】
それにより、前記コンタクトホールにゲートパッド端子電極（ＩＴＯ等）を形成する際に、急傾斜周囲のステップカバレッジが不良となり、前記ゲートパッド端子電極の切断現象が生じる問題があった。
【００４９】
本発明はこのような問題を克服するために、コンタクトホール４４０が形成されるエッチング工程において、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）エッチングガスに前記コンタクトホールのスロープ４６０を減らすことができる所定の反応ガスを添加してエッチング工程を遂行するか、または、エッチング工程後にアッシング工程を連続で進行する。
【００５０】
この結果、図４に示したように、前記コンタクトホールのスロープ４６０の角度が緩やかな角度を有して、ゲートパッド端子電極形成時の電極切断不良が発生しない。
【００５１】
図５Ａないし図５Ｃは、本発明による液晶表示装置のパッドの製造工程を説明する工程断面図である。
【００５２】
ただし、これは、ゲートパッド構造を説明しているが、データパッド構造にも同様に適用できる。
【００５３】
また、本発明による液晶表示装置のパッドが具備される液晶表示装置のアレイ基板構造は、先に図１及び図２を用いて説明したことと同一であるので、その説明は省略する。
【００５４】
図５Ａに示したように、先にゲートパッド下部電極４１０がアレイ基板４００上で各ゲート配線の一端に所定の面積で形成されて、その上部にゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０が形成される。
【００５５】
ここで、前記ゲートパッド下部電極４１０を構成する金属は、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）４１２及びモリブデン（Ｍｏ）４１４の二重層構造であって、本発明は、前記モリブデン４１４層の厚さが少なくともその下部に形成されるアルミニウム合金層４１２の厚さの１／４より大きく形成して、アルミニウム合金層４１２の厚さの１／２よりは小さく形成することをその特徴とする。
【００５６】
一例として、前記アルミニウム合金４１２層は、２０００Åの厚さを有して、前記モリブデン層４１４が５００Å〜１０００Åの厚さで形成することが望ましい。
【００５７】
これは、以後、コンタクトホール４４０を形成するためのエッチング工程進行時にオーバーエッチングになる場合、前記モリブデン４１４層までエッチングされて前記アルミニウム合金４１２が露出される問題点を克服するためである。
【００５８】
前記ゲートパッド下部電極４１０、すなわち、ゲート配線をアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する工程の一実施形態に対しては、図６を用いて後述する。
【００５９】
次に、図５Ｂに示したように、前記ゲートパッド下部電極４１０が形成された領域上部に具備されたゲート絶縁膜４２０及び保護層４３０をエッチングして、前記下部電極４１０を露出するゲートパッドコンタクトホール４４０が形成される。
【００６０】
ただし、前記コンタクトホール４４０が形成されるエッチング工程において、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）エッチングガスに前記コンタクトホールのスロープ４６０を減らすことができる所定の反応ガスを添加してエッチング工程を遂行するか、または、エッチング工程後にアッシング工程を連続で進行することによって、前記コンタクトホールのスロープ４６０を緩やかに減らすようにすることをその特徴とする。
【００６１】
最後に、図５Ｃに示したように、前記コンタクトホール４４０が形成されると、その上部にＩＴＯまたはＩＺＯ等のような透明電極でなったゲートパッド端子電極４５０を形成し、これによりゲートパッドが完成される。
【００６２】
図６Ａないし図６Ｅは、前記ゲートパッド下部電極、すなわち、ゲート配線をアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する一実施形態に対する工程順序を示す断面図である。
【００６３】
ただし、これは、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する一実施形態に過ぎないことであって、本発明による二重層構造製造工程は、このアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層構造に限られるものではない。
【００６４】
まず、図６Ａに示したように、ゲートパッド部領域の基板上に低抵抗のアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）８１を蒸着する。
【００６５】
蒸着されたアルミニウム金属８１上に、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）ないしタングステンのような金属８２をもう一度蒸着する。
【００６６】
次に、図６Ｂに示したように、二重金属で構成されたゲートパッド下部電極８１、８２をパターニングするために、その上にフォトレジスト８４を覆う。前記フォトレジスト８４上にフォトマスクを用いて露光した後、現像する。
【００６７】
続いて、図６Ｃに示したようにパターニングしようとする形態を具現するために、エッチング工程を実施するが、ウェットエッチングを先に実施する。ウェットエッチングをする際には、前記モリブデン（Ｍｏ：８２）をエッチングするエッチング溶液によって前記モリブデン（Ｍｏ：８２）とアルミニウム金属（ＡｌＮｄ：８１）間に発生する転移現象による電極の腐蝕が発生する。
【００６８】
このような腐蝕現象を一般的にガルバニック腐蝕と言って、さらに詳細に説明すると、前記モリブデン（Ｍｏ：８２）とアルミニウム金属（ＡｌＮｄ：８１）が溶液の中に浸された際に電位差が存在するようになって、したがって、これらの間に電子の移動が起こる現象を言う。
【００６９】
したがって、ウェットエッチングによるガルバニック腐蝕の結果、アルミニウム金属（ＡｌＮｄ：８１）層が図６Ｃで見るように陥没されている形状を有するようになって、以後、ゲート絶縁膜（図２の３０）や保護層（図２の７０）を蒸着する場合、陥没空間が発生して蒸着不良の原因になる。
【００７０】
図６Ｄに示したように、このような原因を解決するために、ウェットエッチング後に再びフラッドドライエッチング（ｆｌｏｏｄ  ｄｒｙ  ｅｔｃｈｉｎｇ）をして、パターン境界領域のモリブデン（Ｍｏ：８２）の一部を除去して、その後、ゲート絶縁膜や保護層が円滑に蒸着されるようにする。
【００７１】
その後、前記フォトレジスト８４を除去すれば、図６Ｅに示したように、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層構造が完成される。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】一般的な液晶表示装置の下部基板であるアレイ基板の一部を図示した拡大平面図。
【図２】図１を切断線ＩＩ−ＩＩ、ＩＩＩ−ＩＩＩ、ＩＶ−ＩＶに沿って切った断面図。
【図３】従来のゲートパッドの構造をさらに詳細に示す断面図。
【図４】本発明による液晶表示装置のパッド構造を示す断面図。
【図５Ａ】本発明による液晶表示装置のパッドの製造工程を説明する工程断面図。
【図５Ｂ】本発明による液晶表示装置のパッドの製造工程を説明する工程断面図。
【図５Ｃ】本発明による液晶表示装置のパッドの製造工程を説明する工程断面図。
【図６Ａ】図４のパッド下部電極をアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する一実施形態に対する工程順序を示す断面図。
【図６Ｂ】図４のパッド下部電極をアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する一実施形態に対する工程順序を示す断面図。
【図６Ｃ】図４のパッド下部電極をアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する一実施形態に対する工程順序を示す断面図。
【図６Ｄ】図４のパッド下部電極をアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する一実施形態に対する工程順序を示す断面図。
【図６Ｅ】図４のパッド下部電極をアルミニウム（Ａｌ）／モリブデン（Ｍｏ）の二重層で形成する一実施形態に対する工程順序を示す断面図。
【符号の説明】
【００７３】
４００  基板、４１０  パッド下部電極、４１２  アルミニウム合金層、４１４  モリブデン層、４２０  ゲート絶縁膜、４３０  保護層、４４０  コンタクトホール、４５０  パッド端子電極、４６０  コンタクトホールのスロープ。
【図１】
2006018239.tif 000003
【図２】
2006018239.tif 000004
【図３】
2006018239.tif 000005
【図４】
2006018239.tif 000006
【図５Ａ】
2006018239.tif 000007
【図５Ｂ】
2006018239.tif 000008
【図５Ｃ】
2006018239.tif 000009
【図６Ａ】
2006018239.tif 000010
【図６Ｂ】
2006018239.tif 000011
【図６Ｃ】
2006018239.tif 000012
【図６Ｄ】
2006018239.tif 000013
【図６Ｅ】
2006018239.tif 000014