(57)【要約】  【課題】  パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。  【解決手段】  半導体ウェーハの表面にパシベーション膜６を成長させた後にダイシングを行い、ダイシング後にパシベーション膜６を開口、もしくはパシベーション膜６を選択除去するために塗布する感光性樹脂１２を除去することにより、パシベーション膜６上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。【選択図】    図１
2006173153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面に膜を形成する工程と、
前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、
ダイシング後に前記膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面にパシベーション膜を形成する工程と、
前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、
ダイシング後に前記パシベーション膜のボンディングパッド上部分を開口する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面にパシベーション膜を形成する工程と、
前記パシベーション膜のうちボンディングパッド上部分を開口する工程と、
前記パシベーション膜上および前記パシベーション膜の開口部上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、
ダイシング後に前記パシベーション膜の開口部上の保護膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面にパシベーション膜を形成する工程と、
前記パシベーション膜の上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、
ダイシング後に前記感光性樹脂膜のボンディングパッド上部分を開口する工程と、
前記感光性樹脂膜をマスクとして前記パシベーション膜のボンディングパッド上部分を選択的に開口する工程と、
前記感光性樹脂膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ダイシングの際にダイシングテープを貼り付け、少なくともダイシングテープの一部を残すように切削することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ダイシングを前記半導体ウェーハの厚みより浅く行い、半導体装置の形成後に、前記半導体ウェーハを裏面から研削することにより半導体装置を個辺化することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ上に形成された複数の半導体装置を個辺化して成る半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の一般的な半導体装置のダイシングまでのプロセスについて図１３，図１４，図１５，図１６を用いて説明する。
図１３は従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図、図１４は従来の半導体装置の製造方法における保護膜を形成する工程及びダイシング工程を示す工程断面図、図１５は従来の半導体ウェーハの構成を示す平面図、図１６は従来の半導体装置の個辺化におけるメタルパターンの状況を示す要部断面図である。
【０００３】
図１３に示すように、まず、半導体ウェーハ１の上に、バイポーラ型、ＭＯＳ型、ＢｉＣＭＯＳ型などの半導体デバイスが単体もしくは複数配置された半導体デバイス層２を形成し、前記半導体デバイス層２の上に材料としてアルミや銅を用いた配線層を形成する。前記配線層は、１層構造のものから１０層程度までの多層構造までさまざまであるが、ここでは３層構造を例に説明する。配線層は第１〜第３メタル配線層５１・５２・５３、半導体デバイス層２と第１メタル配線層５１を電気的に結合する第１コンタクトプラグ４１、第１メタル配線層５１と第２メタル配線層５２を電気的に結合する第２コンタクトプラグ４２、第２メタル配線層５２と第３メタル配線層５３を電気的に結合する第３コンタクトプラグ４３、各メタル配線層の間を電気的に絶縁する第１〜第３層間絶縁膜３１・３２・３３などで構成される(図１３（ａ）)。次に、第３メタル配線層５３の形成後に表面の保護と安定化のためにパシベーション膜６を形成し、ボンディングパッド部とダイシングレーンのパシベーション膜６を開口する(図１３（ｂ）)。その後、半導体ウェーハをダイシングテープ９に貼り付けてダイシングにより切削溝１０を形成して個々の半導体装置に分割する(図１３（ｃ）)。ダイシングの前に必要に応じて半導体ウェーハをバックグラインドなどにより薄厚化する。
【０００４】
また、組立工程での封止樹脂のフィラーによるダメージなどから半導体デバイス層と配線層を保護するため、図１４に示すように、図１３で示したパシベーション膜６の形成とボンディングパッド部とダイシングレーン部の開口の後(図１３（ａ），（ｂ）)、ポリイミドやＰＢＯなどを材料とする保護膜７を形成する場合がある(図１４（ａ）)。この場合も図１３の例と同様にボンディング部とダイシングレーン部を開口した後(図１４（ｂ）)、半導体ウェーハをダイシングテープ９に貼り付けてダイシングをして個々の半導体装置に分割する(図１４（ｃ）)。
【０００５】
ダイシングの際には、組立工程に影響を与えるさまざまな問題が生じる。ここでは２つの事例を説明する。
１つ目の事例は、半導体ウェーハには、図１５に示すように、ダイシング加工を施すためのスクライブレーン１６に、マスク合わせ用のマークやパターンニング寸法管理マークといったアクセサリパターン１７、プロセスモニター用のＴＥＧパターン１８等、拡散工程に必要なパターンが形成されており、一般的にこれらのパターンはメタルや酸化膜、絶縁膜等で形成されている。ここで、ダイシングは前記スクライブレーン１６上のアクセサリパターン１７やＴＥＧパターン１８よりも細いブレードで行われており、メタルを含むパターン（以下メタルパターン１９と記す）を個片化された半導体装置の外周端部に残した状態になっていた。しかし、この場合、図１６に断面図で示したように半導体装置の外周端部に残されたメタルパターン１９がダイシング加工によって反り返らされて、後工程のワイヤボンディングの際にボンディングワイヤと切り残されたメタルパターン１９が接触したり、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）工程の際にインナーリードと前記メタルパターン１９が接触し、いずれの場合も切り残されたメタルパターン１９を介して隣接端子間ショート不良となったり、また半導体チップの基板と短絡することによりアース端子との短絡、または電源端子との短絡による不具合が発生していた。そのため、ダイシングにおいて発生するメタルパターン１９の反り返りとボンディングワイヤやインナーリードとの接触による不具合を防ぐため、ダイシング後にパシベーション膜の形成とボンディングパッド部とダイシングレーン部の開口を施すことにより、半導体装置の外周端部まで絶縁パシベーション膜を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
２つ目の事例は、ダイシングの際に発生した切削屑が半導体装置表面を汚すという問題である。ダイシング加工では、一般的にダイシングテープ９で半導体ウェーハ１を保持し、ダイシングテープ９を数μｍ〜数十μｍまで切り込んだ状態でダイシングを行うことで半導体ウェーハ１を切り残すことなく完全に分割する。また、ダイシングの切削加工に用いるダイシングブレードは、半導体ウェーハ１の単結晶シリコンなどを細かく砕くことで切削を行う。そのため、半導体装置の表面にダイシングテープ９の切りくずやシリコンくずなど切削屑が混ざった切削水が接触することによって、パシベーション膜６上やボンディングパッド開口部、保護膜７上などに切削屑（図１４（ｃ）のボンディングパッド上の切削屑８０１，保護膜上の切削屑８０２，切削側面上の切削屑８０３等）が付着し、組立工程に不具合を引き起こす。特に、ＣＣＤなどの受光素子半導体装置の場合、パシベーション上に切削屑などの異物が付着すると受光素子である半導体デバイス層まで光が到達できずに切削屑の付着した位置が黒点不良となる。また、ボンディングパッド上の切削屑については、ワイヤボンディングや金バンプ形成などの際に不着不良やオープン不良、電気特性不良などを引き起こす。
【特許文献１】特開昭６３−１０２２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
１つ目の事例で示した特許文献１記載の半導体装置の製造方法では、ダイシング後にパシベーション膜の形成とボンディングパッド部とダイシングレーン部の開口を施すことにより、半導体装置の外周端部まで絶縁パシベーション膜を形成している。そのため、ダイシングにおいて発生するメタルパターンの反り返りとボンディングワイヤやインナーリードとの接触による不具合を防ぐことが可能であるが、ダイシング時にメタル配線層が露出しているため、２つ目の事例で示した前記ボンディングパッド上の切削屑不着を防ぐことはできない。
【０００８】
本発明の目的は、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことのできる半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明における請求項１記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面に膜を形成する工程と、前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、ダイシング後に前記膜を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項２記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面にパシベーション膜を形成する工程と、前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、ダイシング後に前記パシベーション膜のボンディングパッド上部分を開口する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
請求項３記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面にパシベーション膜を形成する工程と、前記パシベーション膜のうちボンディングパッド上部分を開口する工程と、前記パシベーション膜上および前記パシベーション膜の開口部上に保護膜を形成する工程と、前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、ダイシング後に前記パシベーション膜の開口部上の保護膜を除去する工程と
を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項４記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体装置を形成した半導体ウェーハを個辺化する半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置を形成中の半導体ウェーハ表面にパシベーション膜を形成する工程と、前記パシベーション膜の上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記半導体装置を個辺化するためにダイシングを行う工程と、ダイシング後に前記感光性樹脂膜のボンディングパッド上部分を開口する工程と、前記感光性樹脂膜をマスクとして前記パシベーション膜のボンディングパッド上部分を選択的に開口する工程と、前記感光性樹脂膜を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングの際にダイシングテープを貼り付け、少なくともダイシングテープの一部を残すように切削することを特徴とする。
【００１４】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイシングを前記半導体ウェーハの厚みより浅く行い、半導体装置の形成後に、前記半導体ウェーハを裏面から研削することにより半導体装置を個辺化することを特徴とする。
【００１５】
以上により、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェーハの表面にパシベーション膜を成長させた後にダイシングを行い、ダイシング後にパシベーション膜を開口、もしくはパシベーション膜を選択除去するために塗布する感光性樹脂を除去することにより、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体デバイスやボンディングパッドなどによって成る半導体装置が形成された半導体ウェーハの表面にパシベーション膜等を成長させた後、前記パシベーション膜等を開口する前、もしくはパシベーション膜等を選択除去するために塗布する感光性樹脂等を除去する前にダイシングし、ダイシング後に前記パシベーション膜等のうちボンディングパッド上部分を開口することを特徴としたものである。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法について、実施の形態１から実施の形態４までを、断面図を参照して解説する。なお、ここでは配線層は３層構造を例に説明するが、本発明の半導体装置の製造方法については１層構造のものから１０層以上も含め、さまざまな多層配線構造の半導体装置に適用可能である。
【００１９】
まず、半導体デバイス層と配線層の形成については、実施の形態１から実施の形態４まで共通工程であるため先にここで説明する。
半導体デバイス層は、デバイスの種類のバイポーラ型、ＭＯＳ型、ＢｉＣＭＯＳ型などにより異なるが、単結晶シリコン基板に以下の様な処理を基板全面に対して、あるいは酸化膜マスクや感光性レジストパターニングなどにより選択エリア的に行うことを繰り返すことにより、ダイオードやトランジスタ、キャパシタなどが形成されている。半導体デバイス層を形成するための工程としては、熱処理による酸化膜形成、III価の元素であるボロンなどをシリコン中に打ち込み拡散させる工程、また同様にＶ価の元素であるヒ素やリンなどをシリコン中に打ち込み拡散させる工程、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、など約１μｍ以下の絶縁膜を形成する工程、エピタキシャル膜、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜などの半導体膜を形成する工程、感光性樹脂を塗布してマスクを用いて回路パターンを感光性樹脂膜に露光転写、現像を行うリソグラフィー工程、前記リソグラフィー工程で形成した感光性樹脂膜の回路パターンをマスクとして感光性樹脂膜の下に形成されている膜を選択的の除去するエッチング工程、リソグラフィー工程の焦点深度の問題を解決するためパターンが形成された半導体ウェーハの表面段差を平坦化するエッチバック工程やＣＭＰ工程などから構成される。
【００２０】
次に、配線層は１層構造のものから１０層程度までさまざまな多層配線構造が考えられるが、前述のとおりここでは３層構造を例に説明する。配線層形成の工程フローは、簡略化して説明すると、第１層間絶縁膜の形成、第１コンタクトプラグの形成、第１メタル配線層の形成、第２層間絶縁膜の形成、必要に応じて平坦化処理を行った後に、第２コンタクトプラグの形成、第２メタル配線層の形成、第３層間絶縁膜の形成、必要に応じて平坦化処理を行った後に、第３コンタクトプラグの形成、第３メタル配線層の形成というフローである。層間絶縁膜の形成にはＣＶＤ法、ＰＶＤ法、塗布法などの技術が用いられる。コンタクトプラグの形成方法は、層間絶縁膜にリソグラフィー技術を用いてコンタクトホールを形成し、スパッタリング法などを用いてチタンやチタンナイトライド、アルミニウム、タングステン、ポリシリコン、銅などを堆積させることにより形成する。メタル配線層は、アルミニウム、銅などをＣＶＤ法、ＰＶＤ法、めっき法などの技術を用いて堆積したのち、リソグラフィー技術を用いて回路パターンに形成する。
【００２１】
次に、配線層以降の工程にて、ダイシングしてから膜を除去する様々な方法について、断面図を参照して実施の形態１から実施の形態４までに解説する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における半導体装置の感光性樹脂膜形成工程を示す工程断面図、図２は実施の形態１における半導体装置のダイシング工程を示す工程断面図であり、図１（ａ）〜（ｃ），図２（ａ）〜（ｄ）において、１は半導体ウェーハ、２は半導体デバイス層、３１・３２・３３は第１〜第３層間絶縁膜、４１・４２・４３は第１〜第３コンタクトプラグ、５１・５２・５３は第１〜第３メタル配線層をそれぞれ示している。なお、第３層間絶縁膜と第３コンタクトプラグ、第３メタル配線層を総称して第３配線層と呼ぶものとする。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、第３配線層上にパシベーション膜６を形成する。次に、図１（ｂ）に示すように、塗布法などを用いてフォトレジストとして感光性樹脂膜１２を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ上の半導体デバイス層、配線層のパターンとフォトマスク１１を位置合わせし、ボンディングパッド部やダイシングレーン部等のフォトマスク１１の開口部にあたる感光性樹脂膜１２を選択的に露光し感光性樹脂の露光された領域１２１を形成する。次に、図２（ａ）に示すように、半導体ウェーハをダイシングテープ９に貼り付けて半導体ウェーハのスクライブレーンをダイシングにより切削する。ここで、ダイシングテープ９まで切削して半導体装置を完全に個辺化しても良いが、ダイシングテープ９を切断しない程度にダイシングすることにより、半導体ウェーハの形状が保持され、後の工程を容易に行うことができる。この時、ダイシングの際に切削屑が発生するため、ボンディングパッド上の切削屑８０１やパシベーション膜上の切削屑８０２、切削側面上の切削屑８０３が付着する。次に、図２（ｂ）に示すように、感光性樹脂膜１２をディップ法、スプレー法、パドル法などを用いて現像する。この現像により感光性樹脂の露光された領域１２１が除去され感光性樹脂膜の開口部１２２が形成される。そのために、感光性樹脂の露光された領域１２１に付着していたボンディングパッド上の切削屑８０１は感光性樹脂膜１２と一緒に除去される。次に、図２（ｃ）に示すように、パターニングされた感光性樹脂膜１２をマスクとして感光性樹脂膜の開口部１２２下のパシベーション膜６をエッチング法などにより選択的に除去する。最後に、図２（ｆ）に示すように、感光性樹脂膜１２を剥離液などにより除去する。このとき、感光性樹脂膜と一緒に半導体ウェーハ表面の切削屑はすべて除去される。
【００２３】
以上のように半導体ウェーハのダイシングの際に、ダイシングの前にパッシベーション膜を選択除去するための感光性樹脂膜を形成し、ダイシング後に感光性樹脂膜を除去することにより、ボンディングパッド上の切削屑やパシベーション膜上の切削屑が除去されるため、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。
【００２４】
さらに、ダイシング後にパシベーション膜のエッチング加工を行うため、前記ドライエッチングの際にダイシング切削溝の側面も表面エッチングされ、表層の切削ダメージ層を除去することができるため、個片化された半導体装置の破壊強度を向上させることが可能となる。
（実施の形態２）
図３は実施の形態２における半導体装置の保護膜形成工程を示す工程断面図、図４は実施の形態２における半導体装置のダイシング工程を示す工程断面図であり、図３（ａ）〜（ｃ），図４（ａ）〜（ｂ）において、１は半導体ウェーハ、２は半導体デバイス層、３１・３２・３３は第１〜第３層間絶縁膜、４１・４２・４３は第１〜第３コンタクトプラグ、５１・５２・５３は第１〜第３メタル配線層をそれぞれ示している。
【００２５】
まず、図３（ａ）に示すように第３配線層上にパシベーション膜６を形成し、リソグラフィー法を用いてボンディングパッド部とスクライブレーン部のみを選択的に開口する。  次に、図３（ｂ）に示すように、パシベーション膜６の表面に塗布法などを用いて保護膜７を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ上１の半導体デバイス層２や配線層、パシベーション膜６のパターンとフォトマスク１１を位置合わせし、フォトマスク１１の開口部にあたるボンディングパッド部やダイシングレーン部を含む領域の保護膜７を選択的に露光し、保護膜の露光された領域７０２を形成する。次に、図４（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１をダイシングテープ９に貼り付けて半導体ウェーハ１のスクライブレーンをダイシングにより切削する。この時、ダイシングテープ９まで切削して半導体装置を完全に個辺化しても良いが、ダイシングテープ９を切断しない程度にダイシングすることにより、半導体ウェーハの形状が保持され、後の工程を容易に行うことができる。ダイシングの際に切削屑が発生するためボンディングパッド上の切削屑８０１や保護膜上の切削屑８０２、切削側面上の切削屑８０３が付着する。次に、図４（ｂ）に示すように、保護膜７をディップ法、スプレー法、パドル法などを用いて現像する。この現像により保護膜の露光された領域７０２が除去され保護膜の開口部７０３が形成される。このとき、保護膜の露光された領域７０２に付着していた切削屑は感光性樹脂と一緒にすべて除去される。
【００２６】
以上のように半導体ウェーハのダイシングの際に、ダイシングの前に保護膜を形成し、ダイシング後に保護膜を除去することにより、ボンディングパッド上の切削屑やパシベーション膜上の切削屑が除去されるため、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。
（実施の形態３）
図５は実施の形態３における半導体装置の感光性樹脂膜形成工程を示す工程断面図、図６は実施の形態３における半導体装置のダイシング工程及び切削屑除去工程を示す工程断面図、図７は実施の形態３における半導体装置の個辺化工程を示す工程断面図、図８は実施の形態３における半導体装置の保護テープ剥離工程を示す工程断面図であり、図５（ａ）〜（ｃ），図６（ａ）〜（ｄ），図７（ａ）〜（ｃ），図８（ａ）〜（ｃ）において、１は半導体ウェーハ、２は半導体デバイス層、３１・３２・３３は第１〜第３層間絶縁膜、４１・４２・４３は第１〜第３コンタクトプラグ、５１・５２・５３は第１〜第３メタル配線層をそれぞれ示している。
【００２７】
図５（ａ）に示すように第３配線層上にパシベーション膜６を形成する。次に、図５（ｂ）に示すように、塗布法などを用いて感光性樹脂膜１２を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ上の半導体デバイス層、配線層のパターンとフォトマスク１１を位置合わせし、フォトマスク１１のボンディングパッド部やダイシングレーン部の開口部にあたる感光性樹脂膜１２を選択的に露光し感光性樹脂の露光された領域１２１を形成する。次に、図６（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１のスクライブレーンをダイシングにより切削する。このときダイシングの切削深さは、半導体ウェーハを最終薄加工する狙い厚みよりも深く、かつ半導体ウェーハの総厚より浅くする。これにより半導体ウェーハ１はこの時点では個片化されておらずウェーハ状態での加工取り扱いが可能である。ダイシングの際に切削屑が発生するため、ボンディングパッド上の切削屑８０１やパシベーション膜上の切削屑８０２、切削側面上の切削屑８０３が付着する。ただし、ダイシングテープを貼り付けていないため、テープの粘着剤を含んだ付着力の強い切削屑は発生しない。次に、図６（ｂ）に示すように、感光性樹脂膜１２をディップ法、スプレー法、パドル法などを用いて現像する。この現像により感光性樹脂の露光された領域１２１が除去され感光性樹脂の開口部１２２が形成される。このとき、感光性樹脂の露光された領域１２１に付着していた切削屑８０１は感光性樹脂１２と一緒に除去される。次に、図６（ｃ）に示すように、パターニングされた感光性樹脂膜１２をマスクとして感光性樹脂膜の開口部１２２下のパシベーション膜６をエッチング法などにより選択的に除去する。このときダイシングの切削溝も同時にエッチングされる。次に、図６（ｄ）に示すように、感光性樹脂膜１２を剥離液などにより除去する。このとき、感光性樹脂膜１２と一緒に半導体ウェーハ表面の切削屑はすべて除去される。次に、図７（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１の表面に保護テープ１３を貼り合わせる。次に、図７（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１を裏返して、貼付した保護テープ１３の表面が接するように研削ステージ１５の上に載せ、研削砥石基台１４１に取り付けられた研削砥石１４で半導体ウェーハ１の裏面を研削し所望の厚みまで薄化する。これにより、図７（ｃ）に示すように半導体ウェーハ１が個々の半導体装置に個片分割される。次に、図８（ａ）に示すように半導体ウェーハ１の裏面、すなわち図７（ｂ）で研削した研削面にダイシングテープ９を貼り付ける。次に、図８（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１を裏返し、最後に、図８（ｃ）に示すように、保護テープ１３を剥離する。
【００２８】
以上のように半導体ウェーハのダイシングの際に、ダイシングの前にパシベーション膜および感光性樹脂膜を形成し、ダイシング後にパシベーション膜および感光性樹脂膜を除去することにより、ボンディングパッド上の切削屑やパシベーション膜上の切削屑が除去されるため、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。
【００２９】
さらに、ダイシング後にパシベーション膜のエッチング加工を行うため、前記ドライエッチングの際にダイシング切削溝の側面も表面エッチングされ、表層の切削ダメージ層を除去することができるため、個片化された半導体装置の破壊強度を向上させることが可能となる。
【００３０】
ここでは、ダイシングを半導体ウェーハ厚より浅く行い、最後に半導体ウェーハ裏面を研削して半導体装置を個辺化する例を用いて説明したが、実施の形態１，実施の形態２と同様に、ダイシングテープを貼り付けて、ダイシング時にダイシングテープを切り離さない程度に半導体ウェーハ厚全てを切削しても良い。
（実施の形態４）
図９は実施の形態４における半導体装置の保護膜形成工程を示す工程断面図、図１０は実施の形態４における半導体装置のダイシング工程及び切削屑除去工程を示す工程断面図、図１１は実施の形態４における半導体装置の個辺化工程を示す工程断面図、図１２は実施の形態４における半導体装置の保護テープ剥離工程を示す工程断面図であり、図９（ａ）〜（ｃ），図１０（ａ）〜（ｂ），図１１（ａ）〜（ｃ），図１２（ａ）〜（ｃ）において、１は半導体ウェーハ、２は半導体デバイス層、３１・３２・３３は第１〜第３層間絶縁膜、４１・４２・４３は第１〜第３コンタクトプラグ、５１・５２・５３は第１〜第３メタル配線層をそれぞれ示している。
【００３１】
まず、図９（ａ）に示すように、第３配線層上にパシベーション膜６を形成し、リソグラフィー法を用いてボンディングパッド部とスクライブレーン部のみを選択的に開口する。次に、図９（ｂ）に示すように、パシベーション膜６の表面に塗布法などを用いて保護膜７を形成する。次に、図９（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ１上の半導体デバイス層２や配線層、パシベーション膜６のパターンとフォトマスク１１を位置合わせし、フォトマスク１１の開口部にあたる保護膜７のボンディングパッド部やスクライブレーン部を選択的に露光し、保護膜の露光された領域７０２を形成する。次に、図１０（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１のスクライブレーンをダイシングにより切削する。このとき、ダイシングの切削深さは、半導体ウェーハを最終薄加工する狙い厚みよりも深く、かつ半導体ウェーハ１の総厚より浅くする。これにより半導体ウェーハ１はこの時点では個片化されておらずウェーハ状態での加工取り扱いが可能である。ダイシングの際に切削屑が発生するためボンディングパッド上の切削屑８０１や保護膜上の切削屑８０２、切削側面上の切削屑８０３が付着する。ただし、ダイシングテープを貼り付けていないためテープの粘着剤を含んだ付着力の強い切削屑は発生しない。次に、図１０（ｂ）に示すように、保護膜７をディップ法、スプレー法、パドル法などを用いて現像する。この現像により保護膜の露光された領域７０２が除去され保護膜の開口部７０３が形成される。このとき、保護膜の露光された領域７０２に付着していた切削屑は保護膜７と一緒にすべて除去される。次に、図１１（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１の表面に保護テープ１３を貼り合わせる。次に、図１１（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１を裏返して、貼付した保護テープ１３の表面が接するように研削ステージ１５の上に載せ、研削砥石基台１４１に取り付けられた研削砥石１４で半導体ウェーハ１の裏面を研削し所望の厚みまで薄化する。これにより図１１（ｃ）に示すように半導体ウェーハ１が個々の半導体装置に個片分割される。次に、図１２（ａ）に示すように半導体ウェーハ１の裏面、すなわち図１１（ｂ）で研削した研削面にダイシングテープ９を貼り付ける。次に、図１２（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１を裏返し、最後に、図１２（ｃ）に示すように、保護テープ１３を剥離する。
【００３２】
以上のように半導体ウェーハのダイシングの際に、ダイシングの前に保護膜を形成し、ダイシング後に保護膜を除去することにより、ボンディングパッド上の切削屑やパシベーション膜上の切削屑が除去されるため、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができる。
【００３３】
ここでは、ダイシングを半導体ウェーハ厚より浅く行い、最後に半導体ウェーハ裏面を研削して半導体装置を個辺化する例を用いて説明したが、実施の形態１，実施の形態２と同様に、ダイシングテープを貼り付けて、ダイシング時にダイシングテープを切り離さない程度に半導体ウェーハ厚全てを切削しても良い。
【００３４】
実施の形態１，実施の形態２においては、ダイシングテープを用いて半導体装置を個辺化する例を用いて説明したが、実施の形態１，実施の形態２においても、実施の形態３，実施の形態４の様に、半導体ウェーハの裏面を研削することにより半導体装置の個辺化を行っても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことができ、半導体ウェーハ上に形成された複数の半導体装置を個辺化して成る半導体装置の製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施の形態１における半導体装置の感光性樹脂膜形成工程を示す工程断面図
【図２】実施の形態１における半導体装置のダイシング工程を示す工程断面図
【図３】実施の形態２における半導体装置の保護膜形成工程を示す工程断面図
【図４】実施の形態２における半導体装置のダイシング工程を示す工程断面図
【図５】実施の形態３における半導体装置の感光性樹脂膜形成工程を示す工程断面図
【図６】実施の形態３における半導体装置のダイシング工程及び切削屑除去工程を示す工程断面図
【図７】実施の形態３における半導体装置の個辺化工程を示す工程断面図
【図８】実施の形態３における半導体装置の保護テープ剥離工程を示す工程断面図
【図９】実施の形態４における半導体装置の保護膜形成工程を示す工程断面図
【図１０】実施の形態４における半導体装置のダイシング工程及び切削屑除去工程を示す工程断面図
【図１１】実施の形態４における半導体装置の個辺化工程を示す工程断面図
【図１２】実施の形態４における半導体装置の保護テープ剥離工程を示す工程断面図
【図１３】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図
【図１４】従来の半導体装置の製造方法における保護膜を形成する工程及びダイシング工程を示す工程断面図
【図１５】従来の半導体ウェーハの構成を示す平面図
【図１６】従来の半導体装置の個辺化におけるメタルパターンの状況を示す要部断面図
【符号の説明】
【００３７】
１：半導体ウェーハ
２：半導体デバイス層
３１：第１層間絶縁膜
３２：第２層間絶縁膜
３３：第３層間絶縁膜
４１：第１コンタクトプラグ
４２：第２コンタクトプラグ
４３：第３コンタクトプラグ
５１：第１メタル配線層
５２：第２メタル配線層
５３：第３メタル配線層
６：パシベーション膜
７：保護膜
７０２：保護膜の露光された領域
７０３：保護膜の開口部
８０１：ボンディングパッド上の切削屑
８０２：保護膜上の切削屑
８０３：切削側面上の切削屑
９：ダイシングテープ
１０：切削溝
１１：フォトマスク
１２：感光性樹脂膜
１２１：感光性樹脂の露光された領域
１２２：感光性樹脂膜の開口部
１３：保護テープ
１４：研削砥石
１４１：研削砥石基台
１５：研削ステージ
１６：スクライブレーン
１７：アクセサリパターン
１８：ＴＥＧパターン
１９：メタルパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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