(57)【要約】【課題】  パーフルオロメタンなどのプラズマ分解が困難な有害成分含有ガスに対して良好な処理効率を示す有害成分含有ガスの処理方法および処理装置を提供する。【解決手段】    有害成分含有ガスを、反応性ガスの共存下、プラズマ１００により分解する有害成分含有ガスの処理方法であって、前記有害成分含有ガス中におけるパーフルオロメタンの有無により、前記プラズマ１００を発生させるマイクロ波の電力を調節することを特徴とする有害成分含有ガスの処理方法を用いる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有害成分含有ガスを、反応性ガスの共存下、プラズマにより分解する有害成分含有ガスの処理方法であって、
前記有害成分含有ガス中におけるパーフルオロメタンの有無により、前記プラズマを発生させるマイクロ波の電力を調節することを特徴とする有害成分含有ガスの処理方法。
【請求項２】
マイクロ波の電力の調節を、有害成分含有ガスの排出源である半導体製造装置のエッチャーから送られる信号に基づいて行うことを特徴とする請求項１記載の有害成分含有ガスの処理方法。
【請求項３】
マイクロ波の電力の調節を、有害成分含有ガス中におけるパーフルオロメタンを検出する検出手段から送られる信号に基づいて行うことを特徴とする請求項１または２記載の有害成分含有ガスの処理方法。
【請求項４】
反応性ガスが、水素と酸素の混合物であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の有害成分含有ガスの処理方法。
【請求項５】
マイクロ波の電力の調節時間が、１分以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の有害成分含有ガスの処理方法。
【請求項６】
半導体製造装置から流入する有害成分含有ガスを処理するプラズマ容器と、
このプラズマ容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記プラズマ容器に反応性ガスを供給する反応性ガス供給機構とを備えた有害成分含有ガスの処理装置であって、
前記有害成分含有ガス中におけるパーフルオロメタンの有無を通知する信号を送出する送出部と、
この送出部からの信号を受けてマイクロ波電源の電力を制御する制御部とを備えたことを特徴とする有害成分含有ガスの処理装置。
【請求項７】
半導体製造装置から流入する有害成分含有ガスを処理するプラズマ容器と、
このプラズマ容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、
前記プラズマ容器に反応性ガスを供給する反応性ガス供給機構とを備えた有害成分含有ガスの処理装置であって、
前記有害成分含有ガス中におけるパーフルオロメタンを検出するとともに、その検出結果を通知する信号を送出する検出部と、
この検出部からの信号を受けてマイクロ波電源の電力を制御する制御部とを備えたことを特徴とする有害成分含有ガスの処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有害成分含有ガスの処理方法および処理装置に関するものであり、特に、半導体製造工程などから排出されるガス中の有害成分、例えばパーフルオロコンパウンドを処理する方法、およびこの方法に用いられる処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程におけるエッチング工程、ＣＶＤ（化学気相成長）チャンバーのクリーニング工程などでは、パーフルオロメタン（以下、「ＣＦ４」と略記する）、パーフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）、パーフルオロプロペン（Ｃ３Ｆ６）、パーフルオロペンタジエン（Ｃ５Ｆ８）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、３フッ化窒素（ＮＦ３）、６フッ化硫黄（ＳＦ６）などが大量に使用されている。これらのガスはパーフルオロコンパウンド（以下、「ＰＦＣ」と略記する）と総称され、地球温暖化の原因である温室効果ガスとされている。従って、ＰＦＣの処理を適切に行い、その排出を抑制することが求められている。
【０００３】
現在、使用されている処理方法としては、燃焼分解方法、加熱分解方法、触媒分解方法、加熱反応方法、回収処理方法、プラズマ分解方法などが挙げられる。これらの中でも、装置の構造が比較的簡単であることから、プラズマ分解方法が最も実用的であるとされており、近年、精力的に研究されている（例えば、特許文献１参照。）。プラズマ分解方法とは、マイクロ波などの電磁波を用いて、ＰＦＣなどの有害成分含有ガスをプラズマ化して分解する方法である。
【０００４】
プラズマ分解方法に用いられる処理装置の一例を図１に示す。この例の処理装置は、反応性ガス供給機構１０と、プラズマ発生機構２０と、プラズマ容器３０とから概略構成されており、有害成分含有ガスとして、半導体製造装置から排出されるＰＦＣを処理するものである。
反応性ガス供給機構１０は、プラズマ容器３０に反応性ガスを供給するためのものである。この反応性ガスは、プラズマ化されたＰＦＣと反応して二酸化炭素、フッ化水素などの安定な化合物を生成し、ＰＦＣ同士の再結合を防止するものである。反応性ガスとしては、加水分解反応を起こす水蒸気、酸化反応を起こす酸素などの酸化剤が用いられる。
【０００５】
プラズマ発生機構２０は、ＰＦＣをプラズマ化するためのマイクロ波を発生して、プラズマ容器３０に入射させるためのものである。このプラズマ発生機構２０には、マイクロ波電源２１とマイクロ波発振器２２とが設けられており、両者は互いに電気ケーブルにより連結されている。このマイクロ波電源２１を操作し、マイクロ波発振器２２に駆動用電力を供給すると、このマイクロ波発振器２２から所定の周波数を有するマイクロ波が発生する。
【０００６】
発生したマイクロ波は、導波管２３、アイソレータ２４を介してパワーモニタ２５に伝播し、このパワーモニタ２５により入射電力が検出される。アイソレータ２４は、プラズマ容器３０から反射するマイクロ波を吸収して、マイクロ波発振器２２を保護するためのものである。また、この反射するマイクロ波にあっては、その反射電力をパワーモニタ２５によって検出することができる。
ついで、マイクロ波は、整合器２６、テーパ導波管２７を介してプラズマ容器３０に入射する。この整合器２６は、反射が最小限になるように負荷を整合するためのものである。また、テーパ導波管２７はプラズマ容器３０に効率良くマイクロ波を伝播するためのものである。
【０００７】
プラズマ容器３０は、その内部においてＰＦＣをプラズマ化して処理するためのものである。このプラズマ容器３０の上部には、ガス流入管３１が取り付けられており、半導体製造装置４０から排出されたＰＦＣを０．０１〜１０％程度含んだ窒素ベースの処理ガスが流通している。このガス流入管３１には、上記反応性ガス供給機構１０が設けられており、反応性ガスが処理ガス中に添加されるようになっている。また、ガス流入管３１は、ガス導入部３２と連通しており、処理ガスと反応性ガスとからなる混合ガスがプラズマ容器３０の内部に導入されるようになっている。
【０００８】
ガス導入部３２の下部には、空洞共振器３３が設けられている。この空洞共振器３３にプラズマ発生機構２０からマイクロ波が入射するとともに共振することにより、ガス導入部３２から導入され、空洞共振器３３内を貫通しているガス流通管３９(石英等のセラミックで製作されている)内を下降する混合ガスがプラズマ化される。空洞共振器３３の下部には、延長管３４、反応管３５が続けて設けられており、プラズマ化された混合ガスは、これらを通って下降するとともに、ＰＦＣと反応性ガスとが反応することにより、二酸化炭素、フッ化水素などの安定なガスを生成する。なお、符号１００はプラズマ容器３０において発生したプラズマを示す。
【０００９】
プラズマ容器３０の底部には冷却装置３６が設けられており、この冷却装置３６から冷却用水が噴霧されることにより、生成したガスが冷却される。その後、一方では、吸引ポンプ３７によってガスがプラズマ容器３０から排出される。また、他方では、排水ポンプ３８によってプラズマ容器３０の底に溜まった水がプラズマ容器３０から排出される。
このような処理装置を用いることにより、ＰＦＣを無害なガスに変換して処理することができる。
【特許文献１】特開２００３−２４５５２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来のプラズマ分解方法にあっては、ＰＦＣのプラズマ化に要するマイクロ波の電力が高く、処理効率（すなわち、マイクロ波の電力に対するＰＦＣの分解率）が悪いという問題があった。これは、ＰＦＣが、一般に反応性に乏しく、安定な物質であるためである。特に、ＣＦ４は非常に安定な物質であり、このＣＦ４を分解するためには、高電力でマイクロ波プラズマを発生させなければならない。
【００１１】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
ＰＦＣなどのプラズマ分解が困難な有害成分含有ガスに対して良好な処理効率を示す有害成分含有ガスの処理方法、およびその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、有害成分含有ガスを、反応性ガスの共存下、プラズマにより分解する有害成分含有ガスの処理方法であって、前記有害成分含有ガス中におけるＣＦ４の有無により、前記プラズマを発生させるマイクロ波の電力を調節することを特徴とする有害成分含有ガスの処理方法である。
【００１３】
請求項２にかかる発明は、マイクロ波の電力の調節を、有害成分含有ガスの排出源である半導体製造装置のエッチャーから送られる信号に基づいて行うことを特徴とする請求項１記載の有害成分含有ガスの処理方法である。
【００１４】
請求項３にかかる発明は、マイクロ波の電力の調節を、有害成分含有ガス中におけるＣＦ４を検出する検出手段から送られる信号に基づいて行うことを特徴とする請求項１または２記載の有害成分含有ガスの処理方法である。
【００１５】
請求項４にかかる発明は、反応性ガスが、水素と酸素の混合物であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の有害成分含有ガスの処理方法である。
【００１６】
請求項５にかかる発明は、マイクロ波の電力の調節時間が、１分以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の有害成分含有ガスの処理方法である。
【００１７】
請求項６にかかる発明は、半導体製造装置から流入する有害成分含有ガスを処理するプラズマ容器と、このプラズマ容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記プラズマ容器に反応性ガスを供給する反応性ガス供給機構とを備えた有害成分含有ガスの処理装置であって、前記有害成分含有ガス中におけるパーフルオロメタンの有無を通知する信号を送出する送出部と、この送出部からの信号を受けてマイクロ波電源の電力を制御する制御部とを備えたことを特徴とする有害成分含有ガスの処理装置である。
【００１８】
請求項７にかかる発明は、半導体製造装置から流入する有害成分含有ガスを処理するプラズマ容器と、このプラズマ容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、前記プラズマ容器に反応性ガスを供給する反応性ガス供給機構とを備えた有害成分含有ガスの処理装置であって、前記有害成分含有ガス中におけるパーフルオロメタンを検出するとともに、その検出結果を通知する信号を送出する検出部と、この検出部からの信号を受けてマイクロ波電源の電力を制御する制御部とを備えたことを特徴とする有害成分含有ガスの処理装置である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、プラズマ分解が困難なＣＦ４を処理する際に高電力のマイクロ波を用い、プラズマ分解が比較的容易な有害成分含有ガスを処理する際に低電力のマイクロ波を用いることにより、マイクロ波の消費電力を必要最小限に抑えることができる。従って、有害成分含有ガスの処理効率を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明にかかる有害成分含有ガスの処理装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の処理装置の一例であり、図４の従来装置と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略または簡略化する。
【００２１】
図１の処理装置にあっては、従来装置と異なるところは、半導体製造装置４０のエッチャー４１に送出部４２が設けられた点と、半導体製造装置４０と反応性ガス供給機構１０との間におけるガス流入管３１に検出部５０が設けられた点と、マイクロ波電源２１に制御部２８が設けられた点である。
【００２２】
送出部４２は、エッチャー４１から排出されるＰＦＣ中におけるＣＦ４の有無を通知する信号を、制御部２８に送るためのものである。エッチング工程に用いられるエッチングガス（ＰＦＣ）は、通常、その種類および使用順序が予め決定されている。従って、この使用順序に応じて、信号が送出部４２から通信ケーブル４３を介して制御部２８に送られる。
【００２３】
検出部５０は、エッチャー４１から排出されたＰＦＣを分析して、ＣＦ４を検出するためのものである。この検出部５０に用いられる分析機器としては、ＦＴ-ＩＲ(赤外分光)、ＮＤ−ＩＲ、定電位電解式センサー、隔膜センサー、質量分析器、ガスクロマトグラフィーなどが挙げられるが、本発明はこれらに限定されず、ＰＦＣの各成分を高速、高感度で分析・検出できるものであれば、全て適用可能である。また、検出部２８は通信ケーブル５１を介して制御部２８と接続しており、ＣＦ４の有無などの分析結果を通知する信号が制御部２８に送られるようになっている。なお、本発明では、通信ケーブル４３，５１に限らず、無線通信を信号媒体として用いてもよい。
【００２４】
制御部２８は、送出部４２または検出部５０から送られた信号に基づいて、マイクロ波電源２１からマイクロ波発振器２２に供給される電力を調節するためのものである。具体的には、ＰＦＣ中にＣＦ４が含まれている場合は高電力のマイクロ波を、含まれていない場合は低電力のマイクロ波を発生するように、マイクロ波電源２１を制御してマイクロ波発振器２２に電力を供給する。従って、ＰＦＣ中におけるＣＦ４の有無により、マイクロ波の電力を調節することができる。なお、本明細書において、高電力は低電力の１４０〜１６０％の値であり、低電力は高電力の６０〜７０％の値を意味する。また、マイクロ波が高電力のときを通常処理モード、低電力のときを省エネ処理モードと呼ぶ。
【００２５】
以下、上記処理装置を用いた有害成分含有ガスの処理方法の一実施形態について説明する。
先ず、半導体製造装置４０のエッチャー４１からＰＦＣが排出される。このＰＦＣは、窒素により希釈されて処理ガスとなり、ついで、反応性ガスと混合されて混合ガスとなり、プラズマ容器３０の空洞共振器３３に流入する。混合ガスの流量は、特に限定されないが、処理能力の観点から、６０〜８０ｓｌｍであることが好ましく、７０〜８０ｓｌｍであることがさらに好ましい。
【００２６】
上記反応性ガスとしては、水素、酸素、水蒸気などの単体または混合物が用いられる。その中でも、水素と酸素の混合物が好ましく、その混合比は加水分解反応における化学量論比に基づいて、水素：酸素＝２：１であることが好ましい。加水分解反応は、酸化反応と比較して副生成物が少ないため、ＰＦＣの処理に好適である。また、水素と酸素は常温で気体であり、水蒸気のように熱を加える必要がないため、処理ガス中に安定に供給することができる。
さらに、水素と酸素は、水蒸気に比べて結合エネルギーが小さく、ラジカル化が容易であるためプラズマ化し易い。また、水蒸気と比較して気体媒体中における拡散速度が大きく、ＰＦＣとの混合が容易であるため反応し易い。従って、ＰＦＣの分解率を向上することができる。
【００２７】
一方、エッチャー４１の送出部４２または検出部５０からは、上述したように、ＰＦＣ中におけるＣＦ４の有無を通知する信号が、通信ケーブル４３，５１を介して制御部２８に送出される。制御部２８は、これらの信号に基づいてマイクロ波発振器２２に供給する電力を調節する。なお、制御部２８は、送出部４２または検出部５０のいずれか一方からの信号に基づいて動作してもよく、または、両方からの信号に基づいて動作してもよい。また、マイクロ波の平均電力は、ＰＦＣの分解率が一定の場合、混合ガスの流量と比例関係にあるので、用いた混合ガスの流量に応じて調整される。
【００２８】
マイクロ波の電力の調節に掛かる時間（以下、「調節時間」と略記する）は、エッチング工程において使用されるＰＦＣの排出時間に追随できるように、短時間であることが好ましく、例えば、１分以下であることが好ましい。一般に、調節時間は、マイクロ波電源２１における電力供給時間に主に依存している。この電力供給時間は、プラズマ１００の安定性を維持しつつ、１〜４秒まで短縮され得るものである。従って、調節時間は、プラズマ発生機構２０における他の動作時間も含めて、約１分以下に短縮することができる。
このように調節時間をできるだけ短縮することにより、ＰＦＣ中におけるＣＦ４の有無に対応して、マイクロ波の電力を適切に調節することができる。
【００２９】
次に、空洞共振器３３内を貫通しているガス流通管３９に流入する混合ガスを、プラズマ発生機構２０から入射されたマイクロ波によりプラズマ化する。この際、マイクロ波にあっては、その電力が予めエッチャー４１または検出部５０からの信号によって調節されているので、過剰な電力を供給することなく、効率よく混合ガスをプラズマ化することができる。ついで、プラズマ化した混合ガスは、延長管３４、反応管３５において、互いに反応して安定なガスを生成するとともに、脱水されてプラズマ容器３０の外部へ排出される。
以上の処理方法を用いることにより、ＰＦＣの処理効率を向上することができる。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。本発明は、下記実施例に何ら制限されるものではない。
【００３１】
［実施例１］
実施例１では、ＣＦ４の分解性を評価するため、本発明の有害成分含有ガスの処理装置によるＣＦ４の分解率を測定した。ＣＦ４の分解率の測定にあたっては、窒素と反応性ガスとの混合ガスを用い、ＣＦ４、窒素の流量をそれぞれ０．８、８０ｓｌｍに設定した。また、反応性ガスとしては水素と酸素を用い、それぞれの流量を１．６、０．８ｓｌｍに設定した。また、比較対象として、ＰＦＣの１つである６フッ化硫黄（以下、ＳＦ６と略記する）の分解率も測定し、このＳＦ６の流量を０．８ｓｌｍに設定した。その他のガスの流量は上記と同様である。
【００３２】
図２に、測定結果のグラフを示す。このグラフから、ＣＦ４（菱形でプロット）は４．７ｋＷ、ＳＦ６（三角形でプロット）は３．０ｋＷのマイクロ波の電力において、９０％の分解率が得られることが確認された。両者を比較すると、９０％の分解率を得るためには、ＣＦ４はＳＦ６よりも約１．６倍高いマイクロ波の電力を必要とすることがわかった。一方、ＣＦ４以外のＰＦＣは、概ねＳＦ６と同様の分解率を示すことが知られている。従って、ＣＦ４以外のＰＦＣのプラズマ分解に要するマイクロ波の電力は、ＣＦ４の場合の６４％で済むことが明らかとなった。
【００３３】
［実施例２］
実施例２では、本発明の有害成分含有ガスの処理装置におけるマイクロ波の電力の調節時間を測定した。調節時間の測定にあたっては、通常処理モードと省エネ処理モードを切替えながらＣＦ４の分解率を測定し、この分解率の変化から調節時間を評価した。また、ＣＦ４と窒素と反応性ガスとからなる混合ガスを用い、ＣＦ４および窒素の流量をそれぞれ０．８、８０ｓｌｍに設定した。また、反応性ガスとしては水素と酸素を用い、それぞれの流量を１．６、０．８ｓｌｍに設定した。一方、通常処理モードにおけるマイクロ波の電力を５．３ｋＷ、省エネモードにおけるマイクロ波の電力を３．０ｋＷに設定した。
図３に、測定結果のグラフを示す。このグラフにおける曲線の立ち上がりおよび立ち下がりから、調節時間は約１分であることが確認された。また、各モードの切替え時において、図１に図示したプラズマ１００が安定して発生することも確認された。
【００３４】
［実施例３］
実施例３では、水素および酸素の混合物が有する反応性ガスとしての効果を評価するため、本発明の有害成分含有ガスの処理方法によるＣＦ４の分解率を測定した。分解率の測定にあたっては、ＣＦ４と窒素との混合ガスを用い、水素、酸素、ＣＦ４、窒素の流量をそれぞれ１．６、０．８、０．８、８０ｓｌｍに設定した。また、比較対象として、反応性ガスとして水蒸気を用いた場合のＣＦ４の分解率を測定し、この水蒸気の流量を１．６ｓｌｍに設定した。その他のガスの流量は、水素および酸素の混合物の場合と同様である。
図４に、測定結果のグラフを示す。このグラフから、水素と酸素の混合物（菱形でプロット）は、水蒸気（正方形でプロット）と比較してＣＦ４の分解率を向上することが確認された。また、水素と酸素の混合物を用いた場合には、ＣＯ２、ＨＦ、ＮＯＸが主に生成されることが確認された。
【００３５】
［実施例４］
実施例４では、本発明の有害成分含有ガスの処理方法を用いて、ＣＦ４およびＳＦ６を連続的に処理し、その分解率を測定した。具体的には、ＣＦ４とＳＦ６を交互に流し、これらを、通常処理モードと省エネ処理モードとを切替えながら処理した。ＣＦ４およびＳＦ６の分解率の測定にあたっては、窒素と反応性ガスとの混合ガスを用い、ＣＦ４、ＳＦ６、窒素の流量をそれぞれ０．８、０．８、８０ｓｌｍに設定した。また、反応性ガスとしては水素と酸素を用い、それぞれの流量を１．６、０．８ｓｌｍに設定した。
一方、実施例１の結果および反射電力が０．１ｋＷであったことに基づき、通常処理モードにおけるマイクロ波の電力を４．８ｋＷ、省エネモードにおけるマイクロ波の電力を３．１ｋＷに設定した。また、ＣＦ４の流入時間を３分、ＳＦ６の流入時間を７分とし、各時間が経過した後、これらを交換した。この割合は、エッチング工程において実際に使用されているＣＦ４とその他のＰＦＣとの割合と同様のものである。
結果、ＣＦ４およびＳＦ６の分解率は、常に９０％以上であった。また、従来の処理方法（すなわち、通常処理モードを常に維持する方法）よりも消費電力を２５％抑えることができ、処理効率を向上することができた。
【００３６】
なお、消費電力の減少割合を求めるための計算式は、以下の通りである。
Ｅ＝[{Ｐ１×Ｔ１−（Ｐ１×Ｔ２＋Ｐ２×Ｔ３）}／（Ｐ１×Ｔ１）]×１００…（１）
（１）      式において、
Ｅ：消費電力の減少割合（％）
Ｐ１：通常処理モードにおけるマイクロ波の電力（ｋＷ）
Ｐ２：省エネ処理モードにおけるマイクロ波の電力（ｋＷ）
Ｔ１：ＣＦ４の流入時間とＳＦ６の流入時間の和（分）
Ｔ２：ＣＦ４の流入時間（分）
Ｔ３：ＳＦ６の流入時間（分）
【００３７】
［実施例５］
実施例５では、本発明の有害成分含有ガスの処理方法を用いて、ＣＦ４およびＳＦ６を連続的に処理し、その分解率を測定した。実施例４にあっては、実施例３と異なるところは、ＣＦ４、ＳＦ６、窒素、水素、酸素の流量をそれぞれ０．６、０．６、６０、１．２、０．６ｓｌｍに設定した点と、通常処理モードにおけるマイクロ波の電力を３．８ｋＷ、省エネモードにおけるマイクロ波の電力を２．３ｋＷに設定した点である。その他の手順は同じであるので、その説明を省略する。
結果、ＣＦ４およびＳＦ６の分解率は、常に９０％以上であった。また、従来の処理方法よりも消費電力を２８％抑えることができ、処理効率を向上することができた。
なお、消費電力の比較には、上記（１）式を用いた。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラズマ式処理装置の一例を示す図である。
【図２】実施例１におけるマイクロ波の電力に対するＣＦ４、ＳＦ６の分解率を示すグラフである。
【図３】実施例２における通常処理モード、省エネ処理モードによるＣＦ４の分解率を示すグラフである。
【図４】実施例３における水素と酸素の混合物または水蒸気を反応性ガスとして用いた場合の、マイクロ波の電力に対するＣＦ４の分解率を示すグラフである。
【図５】従来のプラズマ式処理装置の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０・・・反応性ガス供給機構、２０・・・マイクロ波発生機構、２８・・・制御部、３０・・・プラズマ容器、４０・・・半導体製造装置、４１・・・エッチャー、４２・・・送出部、５０・・・検出部、１００・・・プラズマ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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