(57)【要約】【課題】真空チャンバを大気開放することなく所定部位にグリスを注入することができ、真空処理装置の稼働率を向上させて生産性の向上を図ることができるとともに、グリス注入のメンテナンスを確実に実行することのできる真空処理装置を提供する。【解決手段】真空搬送チャンバ１０の内部には、グリス供給機構７０が配置されている。このグリス供給機構７０は、内部にグリスＧを収容する有底筒状のグリス収容部７１と、グリス収容部７１の開口部を閉塞するように配置され、グリス収容部７１の内壁と摺動して移動可能とされた蓋体７２とを具備している。蓋体７２を押圧、移動させると、グリスがグリス供給口７３を経てグリス注入口６４内に注入される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気下で被処理物に真空処理を施す真空処理装置であって、
真空チャンバと、当該真空チャンバ内に設けられたグリス供給機構とを具備し、このグリス供給機構によって、前記真空チャンバ内で摺動する摺動機構にグリスを供給するよう構成されたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空処理装置であって、
前記摺動機構にグリスを供給するタイミングを記憶し、この記憶されたタイミングに基づき、前記グリス供給機構によって、前記摺動機構にグリスを供給する制御手段を具備したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の真空処理装置であって、
前記摺動機構が、前記真空チャンバ内で前記被処理物を搬送する搬送機構に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の真空処理装置であって、
前記摺動機構が、前記搬送機構を構成するボールスクリューとボールナットであることを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
被処理物に真空処理を施す複数の真空処理チャンバと、
前記真空処理チャンバとゲートバルブを介して接続された真空搬送チャンバと、
前記真空搬送チャンバ内で前記被処理物を搬送し、当該真空搬送チャンバ内に開口するグリス注入口を有する搬送機構と、
前記真空搬送チャンバ内に設けられ、グリス収容部と当該グリス収容部内に収容されたグリスを供給するためのグリス供給口を有するグリス供給機構と、
前記搬送機構を移動させて前記グリス注入口を前記グリス供給機構の前記グリス供給口に当接させ、前記グリス収容部内に収容されたグリスを前記グリス注入口に注入する制御機構と
を具備したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の真空処理装置であって、
前記搬送機構が前記真空搬送チャンバ内に設けられたボールスクリューとボールナットとを具備し、前記グリス注入口から注入されたグリスが当該ボールスクリューとボールナットに供給されることを特徴とする真空処理装置。
【請求項７】
請求項５または６記載の真空処理装置であって、
前記制御機構が前記ボールスクリューとボールナットによって前記搬送機構が駆動された駆動量を積算し、この積算された駆動量が所定の値に達した時に前記グリス供給機構によりグリスを注入することを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
請求７記載の真空処理装置であって、
前記制御機構は前記駆動量を、駆動距離又は駆動時間を積算することによって算出することを特徴とする真空処理装置。
【請求項９】
請求１〜８いずれか１項記載の真空処理装置であって、
前記グリス供給機構が、グリス収容部と、
このグリス収容部の開口部を塞ぎかつグリス収容部内壁と摺動して移動可能とされ、グリス供給口を有する蓋体とを具備し、
前記蓋体を、所定距離前記グリス収容部内に押圧、移動させることによって、前記グリス供給口から所定量のグリスが供給されるように構成されたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１０】
請求１記載の真空処理装置であって、
前記グリス供給機構が、グリス収容部と、
このグリス収容部の内壁と摺動して移動可能とされたピストンと、
前記ピストンに接続されたバイメタルとを具備し、
温度が上昇すると前記バイメタルが変形し、前記ピストンを移動させて、前記グリス収容部内のグリスを供給するように構成されたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の真空処理装置であって、
前記摺動機構が、前記真空チャンバ内で前記被処理物を搬送する搬送機構に設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の真空処理装置であって、
前記摺動機構が、前記搬送機構を構成するボールスクリューとボールナットであり、
前記グリス供給機構が、前記ボールナットに隣接して設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の真空処理装置であって、
前記摺動機構が、前記搬送機構を構成するリニアガイドのレールとスライダであり、
前記グリス供給機構が、前記スライダのベアリング機構に隣接して設けられていることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空雰囲気下で例えば半導体ウエハ等の被処理物を搬送し、エッチング処理や成膜処理等の真空処理を行う真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、真空雰囲気下で例えば半導体ウエハ等の被処理物の真空処理、例えば、エッチング処理や成膜処理等を行う真空処理装置が知られている。このような真空処理装置としては、真空チャンバ（真空搬送チャンバ）内に搬送機構を設け、この真空搬送チャンバ内で半導体ウエハ等の被処理物を搬送するよう構成されたものも知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−１１９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した真空処理装置において、例えば、搬送機構のように機械的に動く機構を真空チャンバ内に設けた場合、この真空チャンバ内に設けられた搬送機構等の摺動機構の部分等に潤滑剤としてグリス（真空グリス）が用いられることがある。このような場合、真空チャンバ内の摺動機構の部分等に定期的にグリスを補給する必要がある。従来の真空装置では、このようなグリスの補給を行う場合、真空チャンバを大気開放し、作業者がグリスガン等を用いて所定部位にグリスを注入することによって行っている。
【０００４】
しかしながら、真空雰囲気とされる真空チャンバを一旦大気開放して、グリスの注入を行う作業は、時間と手間がかかる。また、一旦大気開放した真空チャンバを、真空処理を再開できるように再度真空雰囲気に設定するのにも時間を要する。このため、真空処理装置の稼働率が低下し、生産性が悪化するという問題がある。
【０００５】
また、グリス注入のメンテナンスを忘れてしまう可能性があり、グリスが不足した状態で摺動動作が長期間に亙って行われ、真空処理装置に悪影響を与える可能性があるという問題もある。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、真空チャンバを大気開放することなく所定部位にグリスを注入することができ、真空処理装置の稼働率を向上させて生産性の向上を図ることができるとともに、グリス注入のメンテナンスを確実に実行することのできる真空処理装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の真空処理装置は、真空雰囲気下で被処理物に真空処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバと、当該真空チャンバ内に設けられたグリス供給機構とを具備し、このグリス供給機構によって、前記真空チャンバ内で摺動する摺動機構にグリスを供給するよう構成されたことを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２記載の真空処理装置は、請求項１記載の真空処理装置であって、前記摺動機構にグリスを供給するタイミングを記憶し、この記憶されたタイミングに基づき、前記グリス供給機構によって、前記摺動機構にグリスを供給する制御手段を具備したことを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３記載の真空処理装置は、請求項１又は２記載の真空処理装置であって、前記摺動機構が、前記真空チャンバ内で前記被処理物を搬送する搬送機構に設けられていることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項４記載の真空処理装置は、請求項３記載の真空処理装置であって、前記摺動機構が、前記搬送機構を構成するボールスクリューとボールナットであることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５記載の真空処理装置は、被処理物に真空処理を施す複数の真空処理チャンバと、前記真空処理チャンバとゲートバルブを介して接続された真空搬送チャンバと、前記真空搬送チャンバ内で前記被処理物を搬送し、当該真空搬送チャンバ内に開口するグリス注入口を有する搬送機構と、前記真空搬送チャンバ内に設けられ、グリス収容部と当該グリス収容部内に収容されたグリスを供給するためのグリス供給口を有するグリス供給機構と、前記搬送機構を移動させて前記グリス注入口を前記グリス供給機構の前記グリス供給口に当接させ、前記グリス収容部内に収容されたグリスを前記グリス注入口に注入する制御機構とを具備したことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項６記載の真空処理装置は、請求項５記載の真空処理装置であって、前記搬送機構が前記真空搬送チャンバ内に設けられたボールスクリューとボールナットとを具備し、前記グリス注入口から注入されたグリスが当該ボールスクリューとボールナットに供給されることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項７記載の真空処理装置は、請求項５または６記載の真空処理装置であって、前記制御機構が前記ボールスクリューとボールナットによって前記搬送機構が駆動された駆動量を積算し、この積算された駆動量が所定の値に達した時に前記グリス供給機構によりグリスを注入することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項８記載の真空処理装置は、請求７記載の真空処理装置であって、前記制御機構は前記駆動量を、駆動距離又は駆動時間を積算することによって算出することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項９記載の真空処理装置は、請求１〜８いずれか１項記載の真空処理装置であって、前記グリス供給機構が、グリス収容部と、このグリス収容部の開口部を塞ぎかつグリス収容部内壁と摺動して移動可能とされ、グリス供給口を有する蓋体とを具備し、前記蓋体を、所定距離前記グリス収容部内に押圧、移動させることによって、前記グリス供給口から所定量のグリスが供給されるように構成されたことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項１０記載の真空処理装置は、請求１記載の真空処理装置であって、前記グリス供給機構が、グリス収容部と、このグリス収容部の内壁と摺動して移動可能とされたピストンと、前記ピストンに接続されたバイメタルとを具備し、温度が上昇すると前記バイメタルが変形し、前記ピストンを移動させて、前記グリス収容部内のグリスを供給するように構成されたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１１記載の真空処理装置は、請求項１０記載の真空処理装置であって、  前記摺動機構が、前記真空チャンバ内で前記被処理物を搬送する搬送機構に設けられていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１２記載の真空処理装置は、請求項１１記載の真空処理装置であって、前記摺動機構が、前記搬送機構を構成するボールスクリューとボールナットであり、前記グリス供給機構が、前記ボールナットに隣接して設けられていることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１３記載の真空処理装置は、請求項１１記載の真空処理装置であって、  前記摺動機構が、前記搬送機構を構成するリニアガイドのレールとスライダであり、前記グリス供給機構が、前記スライダのベアリング機構に隣接して設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の真空処理装置によれば、真空チャンバを大気開放することなく所定部位にグリスを注入することができ、真空処理装置の稼働率を向上させて生産性の向上を図ることができるとともに、グリス注入のメンテナンスを確実に実行することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して一実施形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る真空処理装置の全体構成を示すものである。同図に示すように、真空処理装置１の中央部分には、真空搬送チャンバ１０が設けられており、この真空搬送チャンバ１０に沿って、その周囲には、複数（本実施形態では６個）の真空処理チャンバ（プロセスチャンバ）１１〜１６が配設されている。
【００２２】
真空搬送チャンバ１０の手前側（図中下側）には、２つのロードロック室１７が設けられ、これらのロードロック室１７のさらに手前側（図中下側）には、大気中で半導体ウエハＷを搬送するための搬送チャンバ１８が設けられている。また、搬送チャンバ１８のさらに手前側（図中下側）には、複数枚の半導体ウエハＷを収容可能とされたカセット又はフープが配置される載置部１９が複数（図１では３つ）設けられており、搬送チャンバ１８の側方（図中左側）には、オリエンテーションフラット或いはノッチにより半導体ウエハＷの位置合せを行う位置合せ機構２０が設けられている。
【００２３】
上記真空搬送チャンバ１０の内部には、図２に示すように、搬送機構５０が配置されている。この搬送機構５０は、搬送基台５１と、この搬送基台５１の上に、回転及び屈伸自在とされた２つの搬送アーム５２、５３とを具備している。
【００２４】
搬送基台５１は、図３，４に示すように、両側に設けられたリニアガイド６０とボールスクリュー６１（図３，４には片側のみ示す。）によって、真空搬送チャンバ１０の長手方向に沿って移動可能とされている。
【００２５】
そして、それぞれの搬送アーム５２、５３に半導体ウエハＷを一枚ずつ保持して、図１に示した各真空処理チャンバ１１〜１６及びロードロック室１７に、半導体ウエハＷを搬入、搬出できるよう構成されている。なお、図２に示された開口部１１ａ〜１６ａは、夫々真空処理チャンバ１１〜１６と図示しない開閉機構を介して接続される接続部分を示している。また同様に、図２に示された開口部１７ａは、ロードロック室１７と図示しない開閉機構を介して接続される接続部分を示している。
【００２６】
また、上記搬送基台５１には、この搬送基台５１の動きに応じて屈伸するダクトアーム（アーム機構）５４の一端が接続されており、このダクトアーム５４の他端は、真空搬送チャンバ１０のベース部材１０ａに接続されている。なお、図３，４は、搬送基台５１とダクトアーム５４の構成を分かり易く示すために、搬送基台５１上の搬送アーム５２、５３等の構成を取り除いた状態を示している。
【００２７】
上記ダクトアーム５４は、前半部５４ａと後半部５４ｂを関節部５４ｃで回転可能に接続して構成されており、搬送基台５１との接続部及びベース部材１０ａとの接続部も、回転可能に構成されている。そして、ダクトアーム５４自身は駆動源を持たず、搬送基台５１が移動すると、その移動に伴って、屈伸するように構成されている。なお、図３は、搬送基台５１が、図１に示した真空処理チャンバ１３，１４側に移動し、ダクトアーム５４が最も伸びた状態を示している。
【００２８】
また、ダクトアーム５４の前半部５４ａは、後半部５４ｂの上部に位置するように接続されており、ダクトアーム５４が屈曲した状態では、前半部５４ａが、後半部５４ｂの上側に位置するように重なることによって、前半部５４ａと後半部５４ｂとが干渉することなく、折り畳んだ状態になるよう構成されている。
【００２９】
また、上記ダクトアーム５４の内部は、中空となっており、この中空部分は、ケーブル類を収容可能とされ常圧雰囲気とされたケーブル類収容部５５となっている。なお、このケーブル類とは、例えば、電気ケーブル、吸排気用チューブ、温調媒体循環用チューブ等の真空搬送チャンバ１０内と外部とを接続するもののことを表している。このようなケーブル類を、ダクトアーム５４の内部であるケーブル類収容部５５内に収容することにより、ケーブル類からガスが発生したり、パーティクルが発生して真空搬送チャンバ１０内を汚染することを防止できるようになっている。
【００３０】
図５に示すように、上記真空搬送チャンバ１０の内部には、グリス供給機構７０が配置されている。このグリス供給機構７０は、上記したリニアガイド６０とボールスクリュー６１の端部近傍に配置されている。そして、搬送基台５１が配置されたスライダ６３に設けられ、ボールスクリュー６１に螺合されたボールナット６２の部分にグリス（真空グリス）を供給することができるように構成されている。なお、このグリス（真空グリス）としては、例えば、フッ素系のグリス（例えば、デムナムグリース（商品名：ダイキン工業社製））等を使用することができる。
【００３１】
上記グリス供給機構７０は、内部にグリスＧを収容する筒状のグリス収容部７１を具備しており、このグリス収容部７１は、真空搬送チャンバ１０のベース部材１０ａに図示しないねじ等によって位置調整可能な状態で固定されている。このグリス収容部７１には、当該グリス収容部７１の開口部を閉塞するように蓋体７２が配置されている。この蓋体７２は、グリス収容部７１の内壁と摺動して移動可能とされており、その中央付近にグリス供給口７３が設けられている。また、蓋体７２には、グリス収容部７１の内壁との間を摺動可能に封止して、摺動部分から多量のグリスが漏れることを防止するための環状の封止部材７４が設けられている。
【００３２】
一方、搬送基台５１をリニアガイド６０に沿って移動させるためのスライダ６３に、グリス供給機構７０のグリス供給口７３の位置に合わせてグリス注入口６４が突出するように設けられている。このグリス注入口６４は、グリス通路６５を介してボールナット６２の内側部分に連通されている。なお、このグリス注入口６４及び上記したグリス供給口７３には、バネ等の弾性力によって開閉する開閉機構を設けても良い。特に、蒸発量の多いグリスを使用する場合は、このような開閉機構を設け、グリスが蒸発することを抑制することが好ましい。
【００３３】
そして、グリスを補給する際は、モータ６６でボールスクリュー６１を回転させることによって、搬送基台５１をスライダ６３と伴にリニアガイド６０に沿って移動させ、グリス注入口６４を蓋体７２に当接させる。次に、この状態からさらに搬送基台５１を蓋体７２側に移動させ、蓋体７２を押圧、移動させることによって、グリス収容部７１内のグリスがグリス供給口７３を経てグリス注入口６４内に注入される。この時、グリスの注入量は、蓋体７２の移動距離によって制御することができる。
【００３４】
なお、搬送基台５１及びスライダ６３の通常の搬送動作の場合の移動範囲は、グリス注入口６４が蓋体７２に接触しない位置までとなっている。したがって、通常の搬送動作の際にグリスが注入されることはない。
【００３５】
上記のグリス供給機構７０を用いたグリス注入動作は、真空装置１の全体の動作を統括的に制御する制御装置１００によって制御される。すなわち、制御装置１００がモータ６６の駆動を制御することによって、搬送基台５１の移動を制御し、上述したグリス注入動作を実行する。本実施形態では、制御装置１００が搬送基台５１（スライダ６３）の駆動量の積算値を記憶し、この積算値が所定の値の達した時に、上記のグリス注入動作を実行する。この駆動量の積算値は、例えば、モータ６６の回転数に対応した搬送基台５１（スライダ６３）の移動距離とすることができる。また、モータ６６の動作時間に対応した搬送基台５１（スライダ６３）の移動時間とすることもできる。移動距離の積算値を採用した場合、移動距離が例えば１０ｋｍ毎にグリス注入動作する等の設定となる。
【００３６】
さらに、上記のような移動量の積算値ではなく、モータ６６のトルクの大きさに基づいて、グリス注入動作を実行するよう構成することもできる。すなわち、ボールスクリュー６１とボールナット６２との間にグリスが多く存在する場合は、このグリスの粘性によって、ボールスクリュー６１を回転させるために必要とされるモータ６６のトルクはある程度大きくなる。そして、次第にグリスの量が減少して来ると、ボールスクリュー６１を回転させるために必要とされるモータ６６のトルクは次第に小さくなる。このため、このトルクの大きさでグリスの量を検知するこができる。この場合、制御装置１００は上記モータ６６トルクの値を監視し、トルクの値が一定値以下に低下した際に、グリス注入動作を実行する等の設定となる。
【００３７】
上記構成のグリス供給機構７０は、定期的にグリスの注入が必要な部位に複数設けられている。例えば、ボールスクリュー６１は搬送基台５１の両側に設けられており、これらの両側のボールスクリュー６１に夫々グリス供給機構７０が設けられている。また、実際には、ボールスクリュー６１にはねじ溝が二条に設けられ、スライダ６３には１つのボールスクリュー６１に対して２つのボールナット６２が設けられている。そして、これらの２つのボールナット６２に対して、夫々グリス供給機構７０が設けられている。また、搬送基台５１の両側に設けられた２つのリニアガイド６０とスライダ６３との間についても、同様に夫々グリス供給機構７０が設けられている。
【００３８】
上記のように、本実施形態の真空処理装置１では、真空搬送チャンバ１０を大気開放することなく、グリス供給機構７０によって、必要部位にグリスを注入することができる。したがって、従来必要としていたグリス注入のための作業時間と手間を削減することができる。また、一旦大気開放した真空チャンバを、真空処理を再開できるように再度真空雰囲気に設定する時間を必要としない。このため、真空処理装置の稼働率を向上させ、生産性の向上を図ることができる。さらに、予め設定された所定のタイミングで自動的にグリス注入が行われるので、グリス注入のメンテナンスを忘れてしまうこともなくなり、グリス注入のメンテナンスを確実に実行することができる。
【００３９】
次に、上記構成の本実施形態の真空処理装置１における真空処理の動作について説明する。載置部１９にカセット又はフープが載置されると、このカセット又はフープから搬送チャンバ１８内に設けられた図示しない搬送機構によって半導体ウエハＷを取り出し、位置合せ機構２０に搬送して位置合せした後、ロードロック室１７内に配置する。
【００４０】
そして、搬送機構５０により、半導体ウエハＷをロードロック室１７から各真空処理チャンバ１１〜１６に搬送して所定の処理を施す。また、処理の終了した半導体ウエハＷを、各真空処理チャンバ１１〜１６から、搬送機構５０で搬送して、ロードロック室１７内に配置する。
【００４１】
以上のようにして、ロードロック室１７内に配置された処理済みの半導体ウエハＷは、この後搬送チャンバ１８内の搬送機構によってロードロック室１７内から取り出され、載置部１９に載置されたカセット又はフープに収容される。
【００４２】
上記のような真空処理を行う際に、真空雰囲気とされた真空搬送チャンバ１０内で、搬送基台５１が直線状に駆動される。この駆動量を、前述した制御装置１００が積算して記憶する。そして、この駆動量の積算値が所定の値に達すると、前述したグリス供給機構７０によるグリス注入動作を実行する。
【００４３】
以上説明したとおり、本実施形態の真空処理装置によれば、真空チャンバを大気開放することなく所定部位にグリスを注入することができ、真空処理装置の稼働率を向上させて生産性の向上を図ることができるとともに、グリス注入のメンテナンスを確実に実行することができる。
【００４４】
次に、図６、図７を参照して、他のグリス供給機構８０を説明する。このグリス供給機構８０は、グリスＧを収容する筒状のグリス収容部８１を具備している。このグリス収容部８１の後端側には、グリス収容部８１の内壁と接触した状態で移動するピストン８２が設けられている。このピストン８２は、バイメタル８３に接続され、バイメタル８３の変形に伴って、グリス収容部８１内を、図中左右方向に移動する。グリス収容部８１の下側には、グリス供給口８４が設けられている。バイメタル８３は、例えば渦巻状に形成されている。しかし、温度上昇時にピストン８２を移動させることのできるものであれば、バイメタル８３は、どのような形状のものでもよい。
【００４５】
そして、温度が上昇してバイメタル８３が変形すると、このバイメタル８３によってピストン８２が押されて図中右側に移動し、グリス供給口８４からグリスＧが押し出される。図７（ａ）は、常温の状態を示し、図７（ｂ）は、温度が上昇してグリス供給口８４からグリスＧが押し出された状態を示している。
【００４６】
このグリス供給機構８０は、リニアガイド（レール）６０に沿って移動するスライダ６３の例えばベアリング機構６７に隣接して取り付けられている。グリス供給機構８０のグリス供給口８４は、リニアガイド６０の方向を向いている。したがって、スライダ６３がリニアガイド６０に沿って移動する際に、グリスが不足し摩擦熱が発生してベアリング機構６７の温度が上昇する（例えば５０〜６０℃）と、熱がグリス供給機構８０に伝わり、グリス供給機構８０から、リニアガイド６０にグリスが供給される。これによって、グリス不足が発生すると、自動的にグリス供給機構８０から、リニアガイド６０にグリスが供給される。また、グリス供給機構８０は、ボールスクリュー６１とボールナット６２の摺動部分にグリスを供給するように取り付けることができる。この場合、グリス供給機構は、ボールナット６２の近傍に取り付けることが好ましい。これにより、ボールスクリュー６１が回転し、ボールナット６２と摺動する際に、グリスが不足し摩擦熱が発生してボールナット６２の温度が上昇する（例えば５０〜６０℃）と、熱がグリス供給機構８０に伝わり、グリス供給機構８０から、ボールスクリュー６１又はボールナット６２にグリスが供給される。
【００４７】
なお、上記実施形態では、搬送機構の直線駆動部分の摺動機構にグリスを注入するグリス注入機構を設けた場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、その他の摺動機構についても、同様にして適用することができることは、勿論である。また、グリス注入機構の構成は、図５に示したものや、図６，７に示したものに限られものではなく、グリスを収容し、この収容したグリスを注入できるものであれば、どのようなものでもよい。さらに、真空チャンバ外の摺動機構について、同様なグリス注入機構を設けることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態における真空処理装置の全体概略構成を示す図。
【図２】図１の真空処理装置の要部概略構成を示す図。
【図３】図１の真空処理装置の要部概略構成を示す図。
【図４】図１の真空処理装置の要部概略構成を示す図。
【図５】図１の真空処理装置の要部概略構成を示す図。
【図６】他のグリス供給機構の概略構成を示す図。
【図７】図６のグリス供給機構の常温の状態及び高温の状態を示す図。
【符号の説明】
【００４９】
１……真空処理装置、１０……真空搬送チャンバ、１１〜１６……真空処理チャンバ、１７……ロードロック室、１８……搬送チャンバ、１９……載置部、２０……位置合せ機構、５０……搬送機構、５１……搬送基台、５２，５３……搬送アーム、５４……ダクトアーム、５５……ケーブル類収容部、６０……リニアガイド、６１……ボールスクリュー、６２……ボールナット、６３……スライダ、６４……グリス注入口、６５……グリス通路、６６……モータ、７０……グリス供給機構、７１……グリス収容部、７２……蓋体、７３……グリス供給口、７４……封止部材、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
2006203175.tif 000003
【図２】
2006203175.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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