(57)【要約】  【課題】  コンデンサマイクロホンにおいて、所期の音響特性を維持した上でその薄型化を図る。  【解決手段】  円筒状に形成された金属製のハウジング１２内に、該ハウジング１２とコンデンサ構造部１６の背面電極板３６とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュ１４を設ける。この絶縁ブッシュ１４は、ハウジング１２の内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部１４Ａと、ハウジング１２の中心Ｏを通るようにして直線状に延びる中央梁部１４Ｂと、コンデンサ構造部１６を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部１４Ｃとを備えた構成とする。そして、中央梁部１４Ｂの曲げ剛性によりハウジング１２等の撓み変形を効果的に抑制し、コンデンサマイクロホン１０の薄型化を可能とする。また、絶縁ブッシュ１４により、コンデンサ構造部１６が収容された空間部Ｃ１と連通する４つの空間部Ｃ２、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ６を形成し、所要の背圧空間を確保する。  【選択図】          図２
2006019883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する回路基板と、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板を収容する金属製のハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ハウジングが、略円筒状に形成されており、
このハウジング内に、該ハウジングと上記背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュが設けられており、
この絶縁ブッシュが、上記ハウジングの内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部と、上記ハウジングの略中心を通るようにして略直線状に延びる中央梁部と、この中央梁部と上記第１リング部との間において上記コンデンサ構造部を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部とを備えてなる、ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
上記絶縁ブッシュが、上記中央梁部から上記第２リング部とは反対側へ延びる少なくとも１つの補助梁部を備えている、ことを特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
上記ハウジングの厚さが、１ｍｍ以下の値に設定されている、ことを特徴とする請求項１または２記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
上記インピーダンス変換素子が、上記中央梁部に関して上記第２リング部とは反対側の空間に配置されている、ことを特徴とする請求項１〜３記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
上記絶縁ブッシュの外周面に、該絶縁ブッシュを上記ハウジングに対して位置決め固定するための複数の位置決め用突起部が形成されている、ことを特徴とする請求項１〜４記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、小型のコンデンサマイクロホンに関するものであり、特に、その薄型化を図るための構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、コンデンサマイクロホンは、振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部を有しており、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子が回路基板に実装された構成となっている。
【０００３】
その際「特許文献１」には、コンデンサ構造部の外周側にインピーダンス変換素子が配置された状態で、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板が金属製のハウジング内に収容されたコンデンサマイクロホンが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−９８７９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯電話機等に搭載されるコンデンサマイクロホンにおいては、その薄型化を図ることが強く要請されるが、ある程度以上の薄型化を図ろうとすると、次のような問題がある。
【０００６】
すなわち、一般に、小型のコンデンサマイクロホンは、そのハウジングや回路基板によってある程度の外部荷重に耐え得る構造となっているが、これを大幅に薄型化しようとすると、そのハウジングや回路基板もかなり薄型化せざるを得なくなるため、強度が大幅に低下してしまい、小さな荷重でも撓み変形が発生しやすくなる。そして、このような撓み変形が発生すると、コンデンサマイクロホンとしての所期の音響特性を維持することができなくなってしまう、という問題がある。
【０００７】
特に、携帯電話機等に搭載されるコンデンサマイクロホンにおいては、音響シールを図るために介装される弾性部材により、ハウジングに常時ある程度の外部荷重が作用する状態となることが多く、このため撓み変形が一層発生しやすくなる。
【０００８】
これに対し、上記「特許文献１」に記載されているように、ハウジング内における大半のスペースをフィルム状の絶縁材料で充填するように構成すれば、撓み変形を抑制することが可能となる。
【０００９】
しかしながら、このような構成を採用した場合には、コンデンサマイクロホンをある程度以上薄型化すると、そのコンデンサ構造部の背圧空間を十分に確保することができなくなってしまい、コンデンサマイクロホンとしての所期の音響特性を維持することができなくなってしまう、という問題がある。
【００１０】
本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、所期の音響特性を維持した上で薄型化を図ることができるコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明は、ハウジング内に、該ハウジングと背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュを設けるとともに、この絶縁ブッシュの構成に工夫を施すことにより、上記目的達成を図るようにしたものである。
【００１２】
すなわち、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、
振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する回路基板と、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板を収容する金属製のハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ハウジングが、略円筒状に形成されており、
このハウジング内に、該ハウジングと上記背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュが設けられており、
この絶縁ブッシュが、上記ハウジングの内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部と、上記ハウジングの略中心を通るようにして略直線状に延びる中央梁部と、この中央梁部と上記第１リング部との間において上記コンデンサ構造部を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部とを備えてなる、ことを特徴とするものである。
【００１３】
上記「ハウジング」は、金属製であって略円筒状に形成されたものであれば、その具体的な材質や形状あるいは大きさ等は特に限定されるものではない。
【００１４】
上記「コンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板」のハウジング内における具体的な配置は特に限定されるものではない。
【００１５】
上記「回路基板」は、インピーダンス変換素子のみが実装された構成となっていてもよいし、それ以外の電子部品（例えばコンデンサや抵抗等）も実装された構成となっていてもよい。
【００１６】
上記「絶縁ブッシュ」は、絶縁性を有する材料で構成されていれば、その具体的な材質は特に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１７】
上記構成に示すように、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、コンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板が、略円筒状に形成された金属製のハウジング内に収容されているが、このハウジング内には、さらに該ハウジングとコンデンサ構造部の背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュが設けられており、この絶縁ブッシュは、ハウジングの内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部と、ハウジングの略中心を通るようにして略直線状に延びる中央梁部と、コンデンサ構造部を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部とを備えているので、次のような作用効果を得ることができる。
【００１８】
すなわち、上述したように、コンデンサマイクロホンをある程度以上薄型化すると、小さな外部荷重でも撓み変形が発生しやすくなり、その撓み変形量はハウジングの中心部において最も大きくなるが、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、その絶縁ブッシュが、ハウジングの略中心を通るようにして略直線状に延びる中央梁部を備えているので、この中央梁部の曲げ剛性によって、ハウジングや回路基板等が撓み変形してしまうのを効果的に抑制することができる。
【００１９】
しかも、この絶縁ブッシュは、中央梁部以外にも第１および第２リング部を備えているので、その曲げ剛性を高めることができ、これにより撓み変形抑制効果を一層高めることができる。
【００２０】
さらに、従来のようにハウジング内における大半のスペースをフィルム状の絶縁材料で充填するのではなく、上記のような絶縁ブッシュを設けることにより、その第１リング部と第２リング部と中央梁部とで囲まれた空間部および第１リング部と中央梁部とで囲まれた空間部をコンデンサ構造部の背圧空間として利用することができるので、コンデンサマイクロホンを大幅に薄型化した場合においても、所要の背圧空間を確保することができる。
【００２１】
このように本願発明によれば、コンデンサマイクロホンにおいて、所期の音響特性を維持した上でその薄型化を図ることができる。
【００２２】
上記構成において、絶縁ブッシュを、その中央梁部から第２リング部とは反対側へ延びる少なくとも１つの補助梁部を備えた構成とすれば、絶縁ブッシュの曲げ剛性をさらに高めることができ、これにより撓み変形抑制効果をさらに高めることができる。
【００２３】
上記構成において、ハウジングの具体的な構成が特に限定されないことは上述したとおりであるが、このハウジングの厚さが１ｍｍ以下という極めて小さい値に設定されている場合には、小さな荷重であっても撓み変形が容易に発生しやすくなるので、本願発明の構成を採用することが特に効果的である。
【００２４】
上記構成において、インピーダンス変換素子を、中央梁部に関して第２リング部とは反対側の空間に配置された構成とすれば、コンデンサ構造部とインピーダンス変換素子とをハウジング内にバランス良く配置した上で、コンデンサマイクロホンの薄型化を図ることができる。
【００２５】
上記構成において、絶縁ブッシュの外周面に、該絶縁ブッシュをハウジングに対して位置決め固定するための複数の位置決め用突起部が形成された構成とすれば、次のような作用効果を得ることができる。
【００２６】
すなわち、一般に、ハウジングにおけるコンデンサ構造部の振動膜と対向する位置には音孔が形成されるが、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、その絶縁ブッシュの中央梁部がハウジングの略中心を通るように配置されているので、コンデンサ構造部の振動膜はハウジングの中心から外れた位置に配置されることとなり、これに伴って音孔もハウジングの中心から外れた位置に配置されることとなる。したがって、この音孔をコンデンサ構造部の振動膜と確実に対向させるためには、ハウジングと絶縁ブッシュとの周方向の位置関係を一定に維持しておくことが必要となる。
【００２７】
そこで、絶縁ブッシュの外周面に複数の位置決め用突起部を形成しておき、これら各位置決め用突起部をハウジングの内周面に係合させることにより、絶縁ブッシュをハウジングに対して位置決め固定するようにすれば、音孔の位置が不用意に周方向にずれてしまうのを未然に防止することができる。
【００２８】
また、コンデンサマイクロホンを組み付ける方法として、ハウジング内に、絶縁ブッシュと、コンデンサ構造部を構成する各部材と、インピーダンス変換素子が実装された回路基板とを順次組み込む方法が考えられるが、その際、最初に絶縁ブッシュをハウジング内に組み込んで該ハウジングに対して位置決めしておくようにすれば、コンデンサ構造部を構成する部材の一部が絶縁ブッシュとハウジングとの隙間に不用意に入り込んでしまうような事態が発生するのを未然に防止することができ、これに起因する組付不良の発生防止を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。
【００３０】
図１は、本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０を上向きに配置した状態で示す側断面図であり、図２は、図１のII-II 線断面図である。
【００３１】
これらの図に示すように、このコンデンサマイクロホン１０は、小型のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、高さが０．６ｍｍ程度で直径が６ｍｍ程度の背の低い略円筒形の外形形状を有している。
【００３２】
このコンデンサマイクロホン１０は、ハウジング１２内に、絶縁ブッシュ１４と、コンデンサ構造部１６と、コンタクトスプリング１８と、インピーダンス変換素子２０と、２つのコンデンサ２２、２４と、回路基板２６とが収容されてなっている。
【００３３】
ハウジング１２は、下端部が開放された円筒状の金属製部材であって、上記各構成部材を上方側から覆うように配置された状態で、その周壁１２ｂの下端部１２ｂ１が内周側へ折り曲げられることにより、回路基板２６の周縁部にカシメ固定されている。そして、このハウジング１２には、その上面部１２ｃにおけるコンデンサ構造部１６と対向する位置に、音孔１２ａが形成されている。
【００３４】
図３は、絶縁ブッシュ１４を単品で示す平面図である。
【００３５】
同図にも示すように、この絶縁ブッシュ１４は、ハウジング１２とコンデンサ構造部１６の背面電極板３６とを電気的に絶縁するための合成樹脂製部材であって、ハウジング１２の内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部１４Ａと、ハウジング１２の中心Ｏを通るようにして直線状に延びる中央梁部１４Ｂと、この中央梁部１４Ｂと第１リング部１４Ａとの間においてコンデンサ構造部１６を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部１４Ｃと、中央梁部１４Ｂから第２リング部１４Ｃとは反対側へ延びる１対の補助梁部１４Ｄとからなっている。
【００３６】
そして、この絶縁ブッシュ１４により、ハウジング１２内に６つの空間部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６を形成するようになっている。
【００３７】
空間部Ｃ１は、コンデンサ構造部１６を収容する空間であって、ハウジング１２の内径の半分よりもやや小さい内径を有する円形の空間部として形成されている。空間部Ｃ２、Ｃ３は、この空間部Ｃ１の両側において、第１リング部１４Ａと中央梁部１４Ｂと第２リング部１４Ｃとによって囲まれた略楔形の空間部として形成されている。空間部Ｃ４は、中央梁部１４Ｂに関して空間部Ｃ１とは反対側において、第１リング部１４Ａと中央梁部１４Ｂと１対の補助梁部１４Ｄとによって囲まれた略矩形状の空間部として形成されている。空間部Ｃ５、Ｃ６は、この空間部Ｃ４の両側において、第１リング部１４Ａと中央梁部１４Ｂと各補助梁部１４Ｄとによって囲まれた略扇形の空間部として形成されている。
【００３８】
その際、空間部Ｃ４は、他の空間部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ６から隔離されているが、空間部Ｃ２、Ｃ３は、第２リング部１４Ｃの上面１４ａに形成された連通溝１４ｂ１を介して空間部Ｃ１と連通しており、また、空間部Ｃ５、Ｃ６は、中央梁部１４Ｂの上面１４ａに形成された連通溝１４ｂ２を介して空間部Ｃ２、Ｃ３と連通している。このように空間部Ｃ２、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ６を空間部Ｃ１と連通させることにより、コンデンサ構造部１６の背圧空間を十分に拡大させるようになっている。
【００３９】
この絶縁ブッシュ１４の外周面１４ｃは、その下端から上端へ向けて径が徐々に小さくなるようにテーパ状に形成されており、その周方向４箇所には位置決め用突起部１４ｄが形成されている。その際、これら各位置決め用突起部１４ｄは、中央梁部１４Ｂに対して周方向に４５°程度回転した位置に略等間隔で配置されており、その下端から上端へ向けて略鉛直面状に延びるように形成されている。そして、これら各位置決め用突起部１４ｄがハウジング１２の周壁１２ｂの内周面に係合することにより、絶縁ブッシュ１４がハウジング１２に対して位置決め固定されるようになっている。
【００４０】
コンデンサ構造部１６は、振動膜サブアッセンブリ３２と、スペーサ３４と、背面電極板３６とからなっている。
【００４１】
振動膜サブアッセンブリ３２は、金属製の支持リング３２Ｂの下面に振動膜３２Ａが張設固定されてなり、その振動膜３２Ａは、上面に金属蒸着膜が形成された高分子フィルムで構成されている。スペーサ３４は、金属製の薄板リングで構成されている。
【００４２】
背面電極板３６は、金属製の電極板本体３６Ａと、この電極板本体３６Ａの上面に熱融着されたエレクトレット層３６Ｂとからなり、その外径は支持リング３２Ｂの外径と略同じ値に設定されている。そして、この背面電極板３６には、その周方向の複数箇所に該背面電極板３６を上下方向に貫通する貫通孔３６ａが形成されている。
【００４３】
そして、このコンデンサ構造部１６においては、振動膜サブアッセンブリ３２の振動膜３２Ａと背面電極板３６のエレクトレット層３６Ｂとが、スペーサ３４を介して所定の微小間隔をおいて対向している。
【００４４】
インピーダンス変換素子２０は、接合型の電界効果トランジスタであって、コンデンサ構造部１６の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するようになっている。また、２つのコンデンサ２２、２４は、静電容量の異なる２種類のコンデンサであって、ノイズ除去のために設けられている。そして、インピーダンス変換素子２０は、空間部Ｃ４に収容された状態で回路基板２６に実装されており、２つのコンデンサ２２、２４は、空間部Ｃ２、Ｃ５に各々収容された状態で回路基板２６に実装されてる。
【００４５】
なお、インピーダンス変換素子２０としては、上記のような接合型の電界効果トランジスタ以外にも、ＭＯＳ型の電界効果トランジスタ等を用いることが可能である。
【００４６】
図４は、インピーダンス変換素子２０および２つのコンデンサ２２、２４の回路基板２６への実装構造を示す平面図である。
【００４７】
同図にも示すように、回路基板２６は、基板本体４２と、この基板本体４２の上面４２ａに所定のパターンで形成された導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃと、この基板本体４２の下面４２ｂに形成された導電層４６Ａ、４６Ｂとからなっている。
【００４８】
その際、導電層４６Ａは、基板本体４２の下面４２ｂの中心部に形成されており、導電層４６Ｂは、この導電層４６Ａを同心円状に囲むように形成されている。そして、導電層４６Ａは、スルーホール４２ｃを介して導電層４４Ｃと導通しており、導電層４６Ｂは、スルーホール４２ｄを介して導電層４４Ｂと導通している。
【００４９】
さらに、この回路基板２６においては、その基板本体４２の上面４２ａに、各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃを部分的に露出させるようにしてこれらを覆う絶縁層４８が、所定のパターンで形成されている。
【００５０】
コンタクトスプリング１８は、略逆環状コーン形に形成された金属製のプレートスプリングであって、その上端部において背面電極板３６の電極板本体３６Ａに当接するとともに、その下端部において回路基板２６の導電層４４Ａに当接している。
【００５１】
インピーダンス変換素子２０は、直方体形状を有するチップ本体２０Ａと、このチップ本体２０Ａから側方へ突出する３つの端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄとからなっている。
【００５２】
端子片２０Ｇは、ゲート電極を構成する端子部であって、チップ本体２０Ａの一方の側壁における水平方向中央部の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。残り２つの端子片２０Ｓ、２０Ｄは、ソース電極およびドレイン電極を構成する端子部であって、チップ本体２０Ａの他方の側壁における水平方向両端部近傍部位の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。
【００５３】
そして、ゲート電極を構成する端子片２０Ｇは、導電層４４Ａおよびコンタクトスプリング１８を介して背面電極板３６の電極板本体３６Ａと導通しており、ソース電極を構成する端子片２０Ｓは、導電層４４Ｂ、導電層４６Ｂ、ハウジング１２および支持リング３２Ｂを介して振動膜３２Ａと導通しており、ドレイン電極を構成する端子片２０Ｄは、導電層４４Ｃを介して導電層４６Ａと導通している。
【００５４】
インピーダンス変換素子２０の回路基板２６への実装は、そのチップ本体２０Ａを基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃおよび絶縁層４８が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該インピーダンス変換素子２０の各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃに各々ハンダ付けすることにより行われている。
【００５５】
各コンデンサ２２、２４は、インピーダンス変換素子２０よりもやや高さが低い直方体形状を有しており、その長手方向の両端面に配置された１対の端子部において導電層４４Ｂ、４４Ｃと導通している。これら各コンデンサ２２、２４の回路基板２６への実装は、該コンデンサ２２、２４を、基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ｂ、４４Ｃおよび絶縁層４８が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該コンデンサ２２の各端子部を各導電層４４Ｂ、４４Ｃに各々ハンダ付けすることにより行われている。
【００５６】
図５は、コンデンサマイクロホン１０の組付工程を示す側断面図である。
【００５７】
同図に示すように、このコンデンサマイクロホン１０の組付けは、ハウジング１２を上下逆向きに配置し、このハウジング１２内に、絶縁ブッシュ１４と、コンデンサ構造部１６を構成する振動膜サブアッセンブリ３２、スペーサ３４および背面電極板３６と、コンタクトスプリング１８と、インピーダンス変換素子２０およびコンデンサ２２、２４が実装された回路基板２６とを、順次組み込んだ後、ハウジング１２の周壁１２ｂの下端部１２ｂ１を内周側へ折り曲げて、回路基板２６の周縁部にカシメ固定することにより行われるようになっている。
【００５８】
その際、最初に組み込まれる絶縁ブッシュ１４は、ハウジング１２の上方において、その空間部Ｃ１の略中心とハウジング１２の音孔１２ａとを位置合わせした状態で、その上面１４ａがハウジング１２の上面部１２ｃの内面に当接する位置までハウジング１２内に挿入されるようになっている。このとき、絶縁ブッシュ１４の外周面１４ｃに形成された４つの位置決め用突起部１４ｄがハウジング１２の周壁１２ｂの内周面に係合し、これにより絶縁ブッシュ１４は、その上面１４ａがハウジング１２の上面部１２ｃの内面と面接触した状態で該ハウジング１２に位置決め固定されるようになっている。
【００５９】
そして、このようにして位置決め固定された絶縁ブッシュ１４に対して、その空間部Ｃ１に振動膜サブアッセンブリ３２、スペーサ３４、背面電極板３６およびコンタクトスプリング１８が順次落とし込まれるようになっている。
【００６０】
以上詳述したように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、コンデンサ構造部１６、インピーダンス変換素子２０および回路基板４２が、円筒状に形成された金属製のハウジング１２内に収容されているが、このハウジング１２内には、さらに該ハウジング１２とコンデンサ構造部１６の背面電極板３６とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュ１４が設けられており、この絶縁ブッシュ１４は、ハウジング１２の内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部１４Ａと、ハウジング１２の中心Ｏを通るようにして直線状に延びる中央梁部１４Ｂと、コンデンサ構造部１６を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部１４Ｃとを備えているので、次のような作用効果を得ることができる。
【００６１】
すなわち、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０のように、コンデンサマイクロホン１０を極限近くまで薄型化すると、小さな外部荷重でも撓み変形が発生しやすくなり、その撓み変形量はハウジング１２の中心部において最も大きくなるが、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０においては、そのハウジング１２内に設けられた絶縁ブッシュ１４が、ハウジング１２の中心Ｏを通るようにして直線状に延びる中央梁部１４Ｂを備えているので、この中央梁部１４Ｂの曲げ剛性によって、ハウジング１２や回路基板２６等が撓み変形してしまうのを効果的に抑制することができる。
【００６２】
しかも、この絶縁ブッシュ１４は、中央梁部１４Ｂ以外にも第１および第２リング部１４Ａ、１４Ｃを備えており、また、中央梁部１４Ｂから第２リング部１４Ｃとは反対側へ延びる１対の補助梁部１４Ｄをも備えているので、絶縁ブッシュ１４の曲げ剛性を十分に高めることができ、これにより撓み変形抑制効果を一層高めることができる。
【００６３】
さらに、従来のようにハウジング１２内における大半のスペースをフィルム状の絶縁材料で充填するのではなく、本実施形態のような絶縁ブッシュ１４を備えた構成とすることにより、コンデンサ構造部１６が収容された空間部Ｃ１だけでなく、中央梁部１４Ｂと第１リング部１４Ａと第２リング部１４Ｃと各補助梁部１４Ｄとで囲まれた４つの空間部Ｃ２、Ｃ３、Ｃ５、Ｃ６もコンデンサ構造部１６の背圧空間として利用することができ、これによりコンデンサマイクロホン１０が極限近くまで薄型化されているにもかかわらず、所要の背圧空間を確保することができる。
【００６４】
このように本実施形態によれば、コンデンサマイクロホン１０の所期の音響特性を維持した上でその薄型化を図ることができる。そしてこれにより、このコンデンサマイクロホン１０を携帯電話機等に搭載するのに適したものとすることができる。
【００６５】
また本実施形態においては、インピーダンス変換素子２０が、中央梁部１４Ｂに関して第２リング部１４Ｃとは反対側の空間部Ｃ４に配置されているので、コンデンサ構造部１６とインピーダンス変換素子２０とをハウジング１２内にバランス良く配置した上で、コンデンサマイクロホン１０の薄型化を図ることができる。
【００６６】
本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０においては、絶縁ブッシュ１４の中央梁部１４Ｂがハウジング１２の中心Ｏを通るように配置されているので、コンデンサ構造部１６の振動膜３２Ａおよびハウジング１２の音孔１２ａはハウジング１２の中心Ｏから外れた位置に配置されているが、絶縁ブッシュ１４には、その外周面１４ｃの４箇所に位置決め用突起部１４ｄが形成されており、これら各位置決め用突起部１４ｄがハウジング１２の周壁１２ｂの内周面に係合することにより、絶縁ブッシュ１４がハウジング１２に対して位置決め固定されるようになっているので、音孔１２ａの位置が不用意に周方向にずれてしまうのを未然に防止することができる。
【００６７】
また、このように絶縁ブッシュ１４がハウジング１２に対して位置決め固定される構成となっていることにより、次のような作用効果も得ることができる。
【００６８】
すなわち、上述したように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０の組付けは、ハウジング１２内に各構成部材を順次組み込むようにして行われるが、その際、仮に絶縁ブッシュ１４の外周面１４ｃに複数の位置決め用突起部１４ｄが形成されていないとすると、最初にハウジング１２内に組み込まれる絶縁ブッシュ１４がハウジング１２に対して正確に位置決め固定されない事態が発生し得ることとなる。
【００６９】
例えば、図６に示すように、組付工程において、一旦はハウジング１２内の所定位置（すなわち、絶縁ブッシュ１４の上面１４ａがハウジング１２の上面部１２ｃの内面と面接触する位置）まで組み込まれた絶縁ブッシュ１４が、何らかの原因でハウジング１２の上面部１２ｃから浮き上がってしまい、ハウジング１２内において斜めに配置されたような状態で、この絶縁ブッシュ１４の空間部Ｃ１に振動膜サブアッセンブリ３２、スペーサ３４、背面電極板３６およびコンタクトスプリング１８が順次落とし込まれると、最初に落とし込まれた振動膜サブアッセンブリ３２が絶縁ブッシュ１４の上面１４ａとハウジング上面部１２ｃの内面との隙間に不用意に入り込んでしまうような事態が発生し得ることとなる。
【００７０】
そして、このような異常事態が発生した状態のまま、回路基板２６が組み込まれて、その周縁部にハウジング１２の周壁１２ｂの下端部１２ｂ１がカシメ固定されてしまったような場合には、図７に示すように、振動膜サブアッセンブリ３２が本来の位置（すなわち図２に示す位置）から大きくずれた状態で組付けが行われてしまうこととなるが、このようにして出来上がったコンデンサマイクロホン１０´では所期の音響特性を得ることはできない。
【００７１】
これに対し、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０のように、絶縁ブッシュ１４の外周面１４ｃに形成された４つの位置決め用突起部１４ｄをハウジング１２の周壁１２ｂの内周面に係合させることにより、絶縁ブッシュ１４をハウジング１２に対して位置決め固定しておくようにすれば、その後ハウジング１２内に組み込まれる振動膜サブアッセンブリ３２等の構成部材が絶縁ブッシュ１４の上面１４ａとハウジング上面部１２ｃの内面との隙間に不用意に入り込んでしまうような事態が発生するのを未然に防止することができ、これに起因する組付不良の発生防止を図ることができる。
【００７２】
なお、上記実施形態においては、位置決め用突起部１４ｄが４箇所に形成されているものとして説明したが、複数箇所であれば形成箇所を４箇所以外に設定することも可能である。
【００７３】
また、上記実施形態のように絶縁ブッシュ１４の外周面１４ｃに形成された複数の位置決め用突起部１４ｄにより絶縁ブッシュ１４とハウジング１２との位置決め固定を行う代わりに、絶縁ブッシュ１４の上面１４ａに接着剤と塗布した状態で、該絶縁ブッシュ１４をハウジング１２内に組み込むようにした場合においても、絶縁ブッシュ１４とハウジング１２との位置決め固定を行うことが可能である。
【００７４】
ところで、上記実施形態においては、中央梁部１４Ｂがハウジング１２の中心Ｏを通るようにして延びているものとして説明したが、正確に中心Ｏを通るように延びていなくても、中心Ｏの近傍を通るようにして延びていれば、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。具体的には、図３において２点鎖線で示す円形領域Ａ内のいずれかの点を通るように形成されていれば、上記実施形態と同様の撓み変形抑制効果を得ることができる。ここで、円形領域Ａは、中心Ｏを中心とする直径ｄの領域であって、この直径ｄは絶縁ブッシュ１４の外径（すなわちハウジング１２の内径）Ｄに対して１０分の１程度の値に設定されている。
【００７５】
また、上記実施形態においては、中央梁部１４Ｂが直線状に延びているものとして説明したが、正確な直線状に延びていなくても略直線状に延びていれば上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００７６】
さらに、上記実施形態においては、第２リング部１４Ｃが、略円形に形成されているものとして説明したが、円形の空間部Ｃ１を囲むように形成されたものであれば、これ以外の形状に形成されていてもよい。
【００７７】
また、上記実施形態においては、中央梁部１４Ｂから第２リング部１４Ｃとは反対側へ延びる補助梁部として１対の補助梁部１４Ｄが設けられているものとして説明したが、単一の補助梁部あるいは３つ以上の補助梁部が設けられた構成とすることも可能である。
【００７８】
なお、上記実施形態においては、コンデンサマイクロホン１０がエレクトレットコンデンサマイクロホンであるものとして説明したが、これ以外のコンデンサマイクロホンである場合においても、上記実施形態と同様の構成を採用することにより上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図
【図２】図１のII-II 線断面図
【図３】上記コンデンサマイクロホンの絶縁ブッシュを単品で示す平面図
【図４】上記コンデンサマイクロホンにおけるインピーダンス変換素子および２つのコンデンサの回路基板への実装構造を示す平面図
【図５】上記コンデンサマイクロホンの組付工程を示す側断面図
【図６】上記コンデンサマイクロホンにおいて組付けが正常に行われなかったとした場合に生じ得る現象を説明するための側断面図
【図７】上記コンデンサマイクロホンにおいて組付けが正常に行われなかったとした場合に生じ得る現象を説明するための図であって、図２と同様の図
【符号の説明】
【００８０】
１０  コンデンサマイクロホン
１２  ハウジング
１２ａ  音孔
１２ｂ  周壁
１２ｂ１  下端部
１２ｃ  上面部
１４  絶縁ブッシュ
１４Ａ  第１リング部
１４Ｂ  中央梁部
１４Ｃ  第２リング部
１４Ｄ  補助梁部
１４ａ  上面
１４ｂ１、１４ｂ２  連通溝
１４ｃ  外周面
１４ｄ  位置決め用突起部
１６  コンデンサ構造部
１８  コンタクトスプリング
２０  インピーダンス変換素子
２０Ａ  チップ本体
２０Ｄ、２０Ｇ、２０Ｓ  端子片
２２、２４  コンデンサ
２６  回路基板
３２  振動膜サブアッセンブリ
３２Ａ  振動膜
３２Ｂ  支持リング
３４  スペーサ
３６  背面電極板
３６Ａ  電極板本体
３６Ｂ  エレクトレット層
３６ａ  貫通孔
４２  基板本体
４２ａ  上面
４２ｂ  下面
４２ｃ、４２ｄ  スルーホール
４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、４６Ａ、４６Ｂ  導電層
４８  絶縁層
Ａ  円形領域
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６  空間部
Ｏ  中心
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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