(57)【要約】 【課題】  レジストをスピンコータにより塗布したときに、遠心力で広がったレジスト液がウエハの四隅に溜まり中央部分より厚膜になる。隅にレジスト膜の残渣がある状態で、従来のメタルマスクに装填して蒸着あるいはスパッタを行うと、レジストの残渣により上下のマスク２１、２３とウエハとの密着が悪くなり、形成する蒸着パターンの精度が劣化するという問題があった。【解決手段】  複数の所定のパターンの開口窓５を有する上マスク２と、開口部６を有する中板３と、複数の所定のパターンの開口窓６を有する下マスク４とを備えたメタルマスクであって、前記上マスク２及び下マスク４の中板３に接する面の四隅に三角状のハーフエッチング１０，１１を施してメタルマスクを構成する。【選択図】  図１
2006183115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上マスクと、矩形の被加工基板を収容するための開口部を有する中板と、下マスクとを備えたメタルマスクにおいて、
前記上マスク及び下マスクの中板に接する面の被加工基板の四隅に対応する位置に三角状のハーフエッチングを施したことを特徴とするメタルマスク。
【請求項２】
上マスクと、矩形の被加工基板を収容するための開口部を有する中板と、下マスクとを備えたメタルマスクにおいて、
前記上マスク及び下マスクの中板に接する面の被加工基板の周縁と対応する位置に帯状のハーフエッチングを施したことを特徴とするメタルマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメタルマスクに関し、特にフォトリソを用いて加工するデバイス用に改善したメタルマスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、水晶基板の加工法としてフォトリソ技法を用いて種々の加工を行うことが多い。例えば、矩形のＡＴカット水晶基板（ウエハ）上にスピンコータを用いてフォトレジストを塗布し、ガラスマスクを通して露光し、これを現像して所望のパターンを形成し、更にエッチング加工してウエハを所定の形状に加工する。 そして、剥離剤を用いてレジスト膜を剥離して、加工したウエハを得る。この加工したウエハにメタルマスクを用いて電極等を付着して圧電デバイスを構成する。
【０００３】
メタルマスクは半導体デバイスから圧電振動子等の圧電デバイスまで、種々の電子デバイスを加工する際に治具として用いられる。図３は従来の被加工基板の上下面を加工するメタルマスクの構成を示す図であって、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。メタルマスク本体２０は、一般に上マスク２１と、中板２２と、下マスク２３とからなる。
【０００４】
図３（ａ）に示すように上マスク２１には所定の位置に所望のパターンの開口窓２５が複数形成され、下マスクにも所定の位置に複数の所望のパターンの開口窓２６が形成される。中板２２には被加工基板（ウエハ）２４、例えばＡＴカット水晶基板とほぼ同じ大きさの開口部を設け、中板２２の厚さはウエハ２４の厚さとほぼ同等の厚さとしている。下マスク２３に中板２２を固定し、中板２２の開口部にウエハ２４を収容した後で、上マスク２１を中板２２、下マスク２３と共に固定する。この際、中板２２とウエハ２４とのガタをできるだけ少なくし、上下マスク２１、２３とウエハ２４とを密着することが望ましい。そして、上下マスク２１、２３の開口窓２５、２６を通して、ウエハ２４に所望の物質、例えば電極用の金属材料を蒸着装置等を用いて付着する。
【特許文献１】特開２０００−５４１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、メタルマスクを用いる前段階において、剥離剤を用いてレジスト膜を剥離する際に、図４に示すようにウエハの４つの隅にレジスト膜が若干残る場合がある。これはレジストをスピンコータにより塗布したときに、遠心力で広がったレジスト液がウエハの四隅に溜まり易いので、中央部分より厚膜になることが原因である。隅にレジスト膜の残渣２７がある状態で、図３に示すような従来のメタルマスクに装填して蒸着あるいはスパッタを行うと、レジストの残渣２７により上下のマスク２１、２３とウエハとの密着が悪くなり、形成する蒸着パターンの精度が劣化するという問題があった。さらに、蒸着あるいはスパッタを行う際の熱によりレジスト膜の残渣２７が溶け、ウエハを挟んで上下マスクが固着し、ウエハをマスクから取り外す際にウエハが破損するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の請求項１の発明は、上マスクと、矩形の被加工基板を収容するための開口部を有する中板と、下マスクとを備えたメタルマスクにおいて、前記上マスク及び下マスクの中板に接する面の被加工基板の四隅に対応する位置に三角状のハーフエッチングを施したメタルマスクを構成することを特徴とする。
請求項２の発明は、上マスクと、矩形の被加工基板を収容するための開口部を有する中板と、下マスクとを備えたメタルマスクにおいて、前記上マスク及び下マスクの中板に接する面の被加工基板の周縁と対応する位置に帯状のハーフエッチングを施したメタルマスクを構成することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係るメタルマスクは、フォトリソ加工を行った後にウエハ上の四隅にレジスト膜残渣がある場合でも、上マスク及び下マスクの周縁をハーフエッチングして、前記残渣が上下マスクに当たらないようにしているため、レジスト膜残渣によるマスクパターンの劣化が生じることはなく、またメタルマスクにウエハを充填して真空中で加熱しても、ウエハと上下マスクが固着することがないという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は本発明に係るメタルマスクの実施の形態を示す図であって、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。メタルマスク本体１は、上マスク２と、中板３と、下マスク４とからなり、上マスク２及び下マスク４にはそれぞれ所定の位置に所望のパターンを有する開口窓５、６が複数個形成されている。また、中板３には開口部が形成され、該開口部に被加工基板７を収容するため、開口部の形状は矩形の被加工基板７の外形形状とほぼ等しく形成され、また、中板３の厚さは被加工基板７の厚さとほぼ等しく設定する。
【０００９】
さらに、上マスク２及び下マスク４が中板３に接する面の被加工基板７の四隅と対応する位置に三角形状のハーフエッチングを施して薄くし、被加工基板７上の四隅にレジスト膜残渣が有る場合でも、該残渣が上下のマスクに当たらないようにしている。ハーフエッチングの深さは０．０５ｍｍ程度エッチングすれば十分である。
【００１０】
図２は、第２の実施例のメタルマスクの構成を示す図であって、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図である。図１（ａ）、（ｂ）に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付ける。第２の発明の特徴は上マスク及び下マスクの中板に接する面の被加工基板７の周縁と対応する位置に帯状のハーフエッチング１０、１１を施したことである。ハーフエッチング１０、１１を施すことにより、被加工基板７上の四隅にレジスト膜残渣が有る場合でも、該残渣が上下のマスクに当たらないので、マスクパターンの劣化はなく、また被加工基板７を充填したメタルマスク本体を真空中で加熱しても被加工基板７上のレジスト膜残渣が上下マスク２、４に固着することはない。
【００１１】
以上の説明では一つのメタルマスクに一つの被加工基板を収容するものを例示したが、例示したメタルマスクを複数個平面方向に連結一体化した量産バッチ処理用の大形メタルマスクに適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係るメタルマスクの構造を示した概略構成図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図ある。
【図２】第２の実施例の構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図ある。
【図３】従来のメタルマスクの構成を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断面図ある。
【図４】被加工基板上の四隅のレジスト膜残渣を示す平面図である。
【符号の説明】
【００１３】
１  メタルマスク本体
２  上マスク
３  中板
４  下マスク
開口窓
７  被加工基板
８、９、１０、１１  ハーフエッチング部
【図１】
2006183115.tif 000003
【図２】
2006183115.tif 000004
【図３】
2006183115.tif 000005
【図４】
2006183115.tif 000006