(57)【要約】【課題】駆動電圧を低減させ，かつ発光効率を向上させる表示装置を提供する。【解決手段】相互対向して配置され，その間に空間を形成する第１基板１１０および第２基板１２０と，第１基板と第２基板との間に配置されるセルと，セルに対応するように配置される第１電極と，セルに対応するように配置される第２電極と，第１電極上に形成されるものであって，第１ビームをセルの内部に放出させうる第１電子加速層と，セルの内部に充填され，第１電子ビームによって励起されて紫外線を発生させうるガスと，紫外線によって励起されて可視光を発生させうる発光体層と，を備える表示装置である。【選択図】図４
2006173103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の距離を有して相互に対向して配置されることにより空間を形成する第１基板および第２基板と；
前記第１基板と前記第２基板との間に形成されるセルと；
前記セルに対応して配置される第１電極と；
前記セルに対応して配置される第２電極と；
前記第１電極上に形成され，第１電子ビームを前記セルの内部に放出させる第１電子加速層と；
前記セルの内部に充填され，前記第１電子ビームによって励起されて紫外線を発生するガスと；
紫外線によって励起されて可視光を発生する発光体層と；
を備えることを特徴とする，表示装置。
【請求項２】
前記第１電子加速層上に，第３電極をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１電極，前記第２電極および前記第３電極に印加される電圧をそれぞれＶ１，Ｖ２およびＶ３とするとき，Ｖ１＜Ｖ３＜Ｖ２を満たすことを特徴とする，請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２電極は，接地されることを特徴とする，請求項２または３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１電極，前記第２電極および前記第３電極に印加される電圧をそれぞれＶ１，Ｖ２およびＶ３とするとき，Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３を満たすことを特徴とする，請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２電極および前記第３電極は，接地されることを特徴とする，請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２電極または前記第３電極のうち少なくとも一つは，メッシュ構造であることを特徴とする，請求項２〜６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１電極および前記第２電極は，前記セルの相異なる内部面に配置されることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１電極は，前記第１基板上に配置され，
前記第２電極は，前記第２基板上に配置されることを特徴とする，請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１電極および前記第２電極は，前記セルの同一内部面に配置されることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２電極上に形成され，第２電子ビームを前記セルの内部に放出させる第２電子加速層をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１電極または前記第２電極は，交流駆動されることを特徴とする，請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１電子加速層上に形成される第３電極と，
前記第２電子加速層上に形成される第４電極と，
をさらに備えることを特徴とする，請求項１１または１２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１電極，前記第２電極，前記第３電極および前記第４電極に印加される電圧をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３およびＶ４とするとき，Ｖ１＜Ｖ３およびＶ２＜Ｖ４を満たすことを特徴とする，請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第３電極および前記第４電極は，それぞれ接地されることを特徴とする，請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第３電極および前記第４電極は，メッシュ構造であることを特徴とする，請求項１３〜１５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１電極および前記第２電極は，前記セルの相異なる内部面に配置されることを特徴とする，請求項１３〜１６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１電極は，前記第１基板上に配置され，
前記第２電極は，前記第２基板上に配置されることを特徴とする，請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１電極または前記第２電極のうちいずれか一方は，前記第１基板または前記第２基板上に配置され，他方は，前記セルの側面のうち少なくとも一つに配置されることを特徴とする，請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１電極および前記第２電極は，相互に対向する前記セルの側面に配置されることを特徴とする，請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１電極は，前記第２電極と前記セルの同一内部面に配置されることを特徴とする，請求項１３〜１６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第１電極および前記第２電極を対向する前記セルの内部面に配置される第５電極と，
前記第５電極と同一内部面に配置される第６電極と，
前記第５電極上に形成され，第３電子ビームを前記セルの内部に放出させる第３電子加速層と，
前記第６電極上に形成され，第４電子ビームを前記セルの内部に放出させる第４電子加速層と，
前記第３電子加速層上に配置される第７電極と，
前記第４電子加速層上に配置される第８電極と，
をさらに備えることを特徴とする，請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１電極および前記第２電極と交差するように延設されるアドレス電極をさらに備えることを特徴とする，請求項１３に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記アドレス電極を覆う誘電体層をさらに備えることを特徴とする，請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第１電子ビームは，前記ガスを励起させるのに必要なエネルギーより大きく，前記ガスをイオン化させるのに必要なエネルギーより小さいエネルギーを有することを特徴とする，請求項１〜２４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第１電子加速層は，酸化された多孔性シリコンを含むことを特徴とする，請求項１〜２５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２７】
前記酸化された多孔性シリコンは，酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンであることを特徴とする，請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記第２電極を覆う誘電体層をさらに備えることを特徴とする，請求項１〜２７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２９】
前記ガスは，Ｘｅを含むことを特徴とする，請求項１〜２８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項３０】
前記第１電子ビームは，８．２８〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有することを特徴とする，請求項２９に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記第１電子ビームは，８．２８〜９．５７ｅＶのエネルギーを有することを特徴とする，請求項３０に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記第１電子ビームは，８．２８〜８．４５ｅＶのエネルギーを有することを特徴とする，請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記第１電子ビームは，８．４５〜９．５７ｅＶのエネルギーを有することを特徴とする，請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３４】
前記第１電極および前記第２電極は，相互交差するように延びることを特徴とする，請求項１〜３３のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，表示装置に係り，より詳細には，駆動電圧を低め，かつ発光効率を向上させうる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板ディスプレイ装置の一種であるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；以下，「ＰＤＰ」とする。）は，電気的放電を利用して画像を形成する装置である。ＰＤＰは，輝度や視野角の表示性能に優れているので，その使用は増大しつつある。このようなＰＤＰは，電極に印加される直流または交流電圧によって電極の間でガス放電が起こり，この放電過程で発生する紫外線によって蛍光体が励起されて可視光を発散する。
【０００３】
ＰＤＰは，電極の配置構造により，対向放電構造のＰＤＰと面放電構造のＰＤＰとに分類される。対向放電構造のＰＤＰは，一対の二つの維持電極がそれぞれ上部基板と下部基板とに配置されており，基板に対して垂直方向に放電が生じる。一方，面放電構造のＰＤＰは，一対の二つの維持電極が同じ基板上に配置されて，基板に対して平行方向に放電が生じる。
【０００４】
以下に，従来の交流型面放電構造のＰＤＰについて説明する。ここで，図１は，従来の交流型面放電構造のＰＤＰを示す分離斜視図である。また，図２Ａは，図１のＰＤＰをアドレス電極１１に対して垂直方向に切断した断面を示す断面図である。そして，図２Ｂは，図１のＰＤＰをアドレス電極１１に対して水平方向に切断した断面を示す断面図である。
【０００５】
図１，図２Ａおよび図２Ｂに示すように，下部基板１０と上部基板２０とは，所定の間隔を有して相互に対向して配置されており，下部基板１０と上部基板２０との間でプラズマ放電が起こる放電空間を形成する。下部基板１０の上面には，複数のアドレス電極１１が形成されており，このアドレス電極１１は，第１誘電体層１２によって埋め込まれる。第１誘電体層１２の上面には，放電空間を区画して複数の放電セル１４を形成し，この放電セル１４間の電気的，光学的クロストークを防止する複数の隔壁１３が形成されている。放電セル１４の内壁には，それぞれ赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の蛍光体層１５が塗布されている。そして，放電セル１４の内部には，一般的に，Ｘｅを含む放電ガスが充填される。
【０００６】
上部基板２０は，可視光が透過される透明基板であって，隔壁１３が形成された下部基板１０に結合される。上部基板２０の下面には，放電セル１４ごとに一対の維持電極２１ａ，２１ｂがアドレス電極１１に対して直交する方向に形成されている。ここで，維持電極２１ａ，２１ｂは，可視光が透過されるように主にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性材料で形成される。そして，維持電極２１ａ，２１ｂのライン抵抗を減らすために，維持電極２１ａ，２１ｂの下面には，金属で形成されたバス電極２２ａ，２２ｂが維持電極２１ａ，２１ｂより狭く形成されている。維持電極２１ａ，２１ｂおよびバス電極２２ａ，２２ｂは，透明な第２誘電体層２３によって埋め込まれる。そして，第２誘電体層２３の下面には，酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成された保護膜２４が形成されている。保護膜２４は，プラズマ粒子のスパッタリングによる第２誘電体層２３の損傷を防止し，２次電子を放出して放電電圧を低める役割を行う。
【０００７】
このような構造を有するＰＤＰの駆動は，アドレス放電のための駆動と維持放電のための駆動とに分けられる。アドレス放電は，アドレス電極１１と一対の維持電極２１ａ，２１ｂのうちいずれか一つの電極との間で起こり，このとき，壁電荷が形成される。一方，維持放電は，一対の維持電極２１ａ，２１ｂ間の電位差によって起こり，このような維持放電時に放電ガスから発生する紫外線によって蛍光体層１５が励起されて，可視光が発散される。このように発散された可視光は，上部基板を通じて出射されて，ユーザが認識できる画像を形成する。
【０００８】
例えば，主にＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライトとして使われている平板ランプでも，このようなプラズマ放電が適用される。
【０００９】
次に，従来の交流型面放電構造の平板ランプについて説明する。ここで，図３には，従来の交流型面放電構造の平板ランプを示す一部斜視図である。図３に示すように，下部基板５０と上部基板６０とは，スペーサ５３によって互いに一定の間隔を有して対向するように配置され，下部基板５０と上部基板６０との間にプラズマ放電が起こる放電空間を形成する。下部基板５０と上部基板６０との間には，放電空間を区画して複数の放電セル５４を形成し，下部基板５０と上部基板６０との間隔を一定に維持するための複数のスペーサ５３が設けられている。そして，放電セルの内壁には，放電に発生した紫外線によって励起されて可視光を発生させる蛍光体層５５が塗布されており，放電セルの内部には，一般的に，Ｘｅを含む放電ガスが充填される。
【００１０】
下部基板５０および上部基板６０上には，放電セルの内部にプラズマ放電を起こすための放電電極が形成されている。具体的に，下部基板５０の下面には，第１および第２下部電極５１ａ，５１ｂが放電セル毎に対をなしており，上部基板６０の上面には，第１および第２上部電極６１ａ，６１ｂが放電セル毎に対をなしている。ここで，第１下部電極５１ａと第１上部電極６１ａとには，同じ電位が印加されて，これらの相互間には放電が起こらず，第２下部電極５１ｂと第２上部電極６１ｂとにも同じ電位が印加されて，これら相互間に放電が起こらない。一方，第１下部電極５１ａと第２下部電極５１ｂとの間および第１上部電極６１ａと第２上部電極との間６１ｂには，それぞれ所定の電位差が存在しているため，下部基板５０および上部基板６０に平行な方向に面放電が起こる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし，上記のような従来のＰＤＰおよび平板ランプでは，放電ガスがイオン化されてプラズマ放電が起こる過程で，励起状態のＸｅ＊が安定化され，紫外線が発生する。したがって，従来のＰＤＰおよび平板ランプでは，放電ガスをイオン化させるほど高いエネルギーが必要になるので，駆動電圧は大きいが発光効率は低いという問題があった。
【００１２】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，駆動電圧を低減させ，かつ発光効率を向上させることの可能な，新規かつ改良された表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，所定の距離を有して相互に対向して配置されることにより空間を形成する第１基板および第２基板と，第１基板と第２基板との間に形成されるセルと，セルに対応して配置される第１電極と，セルに対応して配置される第２電極と，第１電極上に形成され，第１電子ビームをセルの内部に放出させる第１電子加速層と，セルの内部に充填され，第１電子ビームによって励起されて紫外線を発生するガスと，紫外線によって励起されて可視光を発生する発光体層と，を備えることを特徴とする，表示装置が提供される。
【００１４】
ここで，第１電子加速層上に，第３電極をさらに備えることもできる。このとき，第１電極，第２電極および第３電極に印加される電圧をそれぞれＶ１，Ｖ２およびＶ３とするとき，例えばＶ１＜Ｖ３＜Ｖ２を満たすようにする。第２電極は，接地してもよい。または，Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３を満たすようにしてもよい。このとき，第２および第３電極は，接地してもよい。また，第２または第３電極のうち少なくとも一つは，メッシュ構造を有するようにしてもよい。
【００１５】
第１電極および第２電極は，セルの相異なる内部面に配置させることができる。このとき，第１電極は，第１基板上に配置させ，第２電極は，第２基板上に配置させてもよい。または，第１電極および第２電極を，セルの同一内部面に配置させることもできる。
【００１６】
また，第２電極上に形成され，第２電子ビームをセルの内部に放出させる第２電子加速層をさらに備えてもよい。このとき，第１または第２電極は，交流駆動される。さらに，第１電子加速層上に形成される第３電極と，第２電子加速層上に形成される第４電極とを備えることもできる。このとき，第１電極，第２電極，第３電極および第４電極に印加される電圧をそれぞれＶ１，Ｖ２，Ｖ３およびＶ４とするとき，Ｖ１＜Ｖ３およびＶ２＜Ｖ４を満たすようにする。ここで，第３電極および第４電極は，それぞれ接地させてもよい。また，第３電極および第４電極は，メッシュ構造を有するように形成してもよい。
【００１７】
そして，第１電極および第２電極は，セルの相異なる内部面に配置させることができる。このとき，第１電極は，第１基板上に配置させて，第２電極は，第２基板上に配置させてもよい。また，第１電極または第２電極のうちいずれか一方は第１基板または第２基板上に配置され，他方はセルの側面のうち少なくとも一つに配置させてもよく，第１電極および第２電極は，相互対向するセルの側面に配置させてもよい。
【００１８】
第１電極は，第２電極とセルの同一内部面に配置させることもできる。このとき，第１電極および第２電極を対向するセルの内部面に配置される第５電極と，第５電極と同一内部面に配置される第６電極と，第５電極上に形成され，第３電子ビームをセルの内部に放出させる第３電子加速層と，第６電極上に形成され，第４電子ビームをセルの内部に放出させる第４電子加速層と，第３電子加速層上に配置される第７電極と，第４電子加速層上に配置される第８電極とをさらに備えてもよい。
【００１９】
また，第１電極および第２電極と交差するように延設されるアドレス電極をさらに備えてもよい。ここで，アドレス電極を覆う誘電体層をさらに備えることもできる。
【００２０】
第１電子ビームは，ガスを励起させるのに必要なエネルギーより大きく，ガスをイオン化させるのに必要なエネルギーより小さいエネルギーを有する。
【００２１】
また，第１電子加速層は，例えば酸化された多孔性シリコンを含む。そして，酸化された多孔性シリコンは，例えば，酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンである。
【００２２】
さらに，第２電極を覆う誘電体層を備えることもできる。
【００２３】
また，ガスは，Ｘｅを含むようにする。このとき，第１電子ビームは，電子ビームがＸｅを励起させるのに必要な，８．２８〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。この場合，第１電子ビームは，望ましくは，８．２８〜９．５７ｅＶのエネルギー，または８．２８〜８．４５ｅＶのエネルギーを有する。または，８．４５〜９．５７ｅＶのエネルギーを有するものであってもよい。
【００２４】
そして，第１電極および第２電極は，相互に交差するように延設されてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように，プラズマ放電を利用した従来のＰＤＰおよび平板ランプでは，放電ガスをイオン化させるために比較的多くのエネルギーが必要である一方，本発明では，電子加速層から放出される電子ビームがガスを励起させるほどのエネルギーのみ有すれば，画像を形成できる。したがって，本発明による平板ディスプレイ装置および平板ランプは，従来のＰＤＰおよび平板ランプより駆動電圧を低め，発光効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また，以下では，本発明の表示装置の例として，平板ディスプレイ装置および平板ランプについて説明するが，本発明は，これに限定されるものではない。
【００２７】
（第１の実施形態）
まず，図４に基づいて，本発明の第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置について説明する。ここで，図４は，本実施形態にかかる対向構造の平板ディスプレイ装置を概略的に示す一部断面図である。
【００２８】
図４に示すように，下部基板である第１基板１１０と上部基板である第２基板１２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置されている。ここで，第１基板１１０および第２基板１２０は，例えば，透明なガラス基板で形成することができる。そして，第１基板１１０と第２基板１２０との間には，第１基板１１０と第２基板１２０との間の空間を区画して複数のセル１１４を形成し，セル１１４間の電気的，光学的クロストークを防止する複数の隔壁１１３が設けられている。セル１１４の内壁には，それぞれＲ，Ｇ，Ｂの発光体層１１５が塗布されている。ここで，発光体層とは，紫外線を受けて可視光を生成する物質層を意味する。しかし，本発明はかかる例に限定されず，例えば，発光体層が電子によって可視光を生成することもある。
【００２９】
セル１１４の内部には，一般的に，Ｘｅを含むガスが充填される。なお，以下において，本発明で示すガスは，例えば電子ビームのような外部エネルギーによって励起されて紫外線を発生させることのできるガスを称する。また，かかるガスは，放電ガスとしても作用することができる。
【００３０】
第１基板１１０の上面には，第１電極１３１がセル１１４ごとに形成されており，第２基板１２０の下面には，第２電極１３２が，第１電極１３１と交差する方向に，セル１１４ごとに形成されている。ここで，第１電極１３１および第２電極１３２は，それぞれカソード電極およびアノード電極となる。第２電極１３２は，可視光が透過されるように，例えばＩＴＯのような透明な導電性物質で形成することができる。そして，第２電極１３２上には，誘電体層（図示せず）がさらに形成されることもある。
【００３１】
第１電極１３１の上面には，電子加速層１４０が形成されており，電子加速層１４０の上面には，グリッド電極である第３電極１３３が形成されている。電子加速層１４０としては，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化した多孔性シリコンを用いるのがよい。ここで，酸化した多孔性シリコンとして，例えば，酸化した多孔性ポリシリコンまたは酸化した多孔性非晶質シリコン等がある。
【００３２】
電子加速層１４０は，第１電極１３１と第３電極１３３（および／または第２電極１３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，第１電極１３１から流入された電子を加速させて第３電極１３３を通じてセル１１４の内部に電子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）放出させる。セル１１４の内部に放出された電子ビームは，ガスを励起させ，励起されたガスは安定化され，紫外線を発生させる。そして，紫外線は，発光体層１１５を励起させて可視光を発生させ，このように発生した可視光は，第２基板１２０側に出射されて画像を形成する。
【００３３】
電子ビームは，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。したがって，第１電極１３１および第３電極１３３（および／または第２電極１３２）には，電子ビームがガスを励起させるために必要な最適化された電子エネルギーを有するような電圧が印加される。
【００３４】
図５は，紫外線発生源であるＸｅのエネルギー準位が概略的に示すグラフである。図５に示すように，Ｘｅをイオン化させるためには，１２．１３ｅＶのエネルギーが必要であり，Ｘｅを励起させるためには，８．２８ｅＶ以上のエネルギーが必要であることが分かる。具体的には，Ｘｅを１Ｓ５，１Ｓ４，１Ｓ２状態でそれぞれ励起させるためには，８．２８ｅＶ，８．４５ｅＶ，９．５７ｅＶのエネルギーが必要になる。このように励起されたＸｅ＊は安定化され，約１４７ｎｍの紫外線が発生する。そして，励起状態のＸｅ＊と基底状態Ｘｅとが衝突すれば，エキシマーＸｅ２＊が生成されるが，このようなエキシマーＸｅ２＊が安定化されると，約１７３ｎｍの紫外線が発生する。
【００３５】
これにより，電子加速層１４０によってセル１１４の内部に放出される電子ビームがＸｅを励起させるためには，約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する必要がある。この場合，電子ビームは，望ましくは，８．２８ｅＶ〜９．５７ｅＶのエネルギーまたは８．２８ｅＶ〜８．４５ｅＶのエネルギーを有する必要がある。また，電子ビームは，８．４５ｅＶ〜９．５７ｅＶのエネルギーを有することもある。
【００３６】
次に，図６Ａ〜図６Ｄに基づいて，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置で各電極に印加される電圧類型について説明する。ここで，図６Ａは，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第１の例を示す図である。図６Ｂは，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第２の例を示す図である。図６Ｃは，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第３の例を示す図である。図６Ｄは，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第４の例を示す図である。
【００３７】
まず，第１の例は，図６Ａに示すように，第１電極１３１，第２電極１３２および第３電極１３３にそれぞれパルス状の電圧が印加されるとき，第１電極１３１，第２電極１３２および第３電極１３３に印加される電圧をＶ１，Ｖ２およびＶ３とすれば，Ｖ１＜Ｖ３＜Ｖ２を満足させるように各電極に所定の電圧を印加させる場合である。このような電圧が印加されれば，第１電極１３１と第３電極１３３とに印加された電圧によって，電子加速層１４０を通じてセル１１４の内部に電子ビームが放出され，このように放出された電子ビームは，第３電極１３３および第２電極１３２に印加された電圧によって，第２電極１３２側に加速され，この過程でガスが励起される。このとき，第２電極１３２の電圧を調節してガスが放電状態となるように調節してもよい。また，第２の例として，図６Ｂに示したように，第２電極１３２を接地させてもよい。この場合には，第２電極１３２に到達する電子が外部に放出される。
【００３８】
さらに，第３の例は，図６Ｃに示すように，第１電極１３１，第２電極１３２および第３電極１３３に印加される電圧をＶ１，Ｖ２およびＶ３としたとき，Ｖ１＜Ｖ３＝Ｖ２を満足させるように，各電極に所定の電圧が印加させる場合である。このような電圧が印加されれば，第１電極１３１および第３電極１３３に印加された電圧によって，電子加速層１４０を通じてセル１１４の内部に電子ビームが放出され，このように放出された電子ビームによってガスが励起される。また，第４の例として，図６Ｄに示すように，第２電極１３２および第３電極１３３を接地させてもよい。この場合には，第２電極１３２に到達する電子が外部に放出される。
【００３９】
図７は，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の変形例を示す概略的な断面図である。以下では，上述した実施形態と異なる点のみについて説明する。図７を参照すれば，第２電極１３２´は，セル１１４で発生した可視光が透過されるように，例えばメッシュ構造に形成されている。そして，第３電極１３３´は，電子加速層１４０によって加速された電子がセル１１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造に形成されている。
【００４０】
以上，第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置について説明した。なお，第１の実施形態では，第１基板１１０が下部基板となり，第２基板１２０が上部基板となる場合について説明したが，本発明はかかる例に限定されず，電子加速層１４０が形成された第１基板１１０が上部基板となり，第２基板１２０が下部基板となる場合にも適用することができる。
【００４１】
（第２の実施形態）
次に，図８に基づいて，第２の実施形態にかかる対向構造の平板ディスプレイ装置について説明する。ここで，図８は，本実施形態にかかる対向構造の平板ディスプレイ装置を概略的に示す一部断面図である。
【００４２】
本実施形態にかかる対向構造の平板ディスプレイ装置は，図８に示すように，第１基板２１０と第２基板２２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置されている。そして，第１基板２１０と第２基板２２０との間には，第１基板２１０と第２基板２２０との間の空間を区画して複数のセル２１４を形成する複数の隔壁２１３が設けられている。セル２１４の内壁には，それぞれＲ，Ｇ，Ｂの発光体層２１５が塗布されており，セル２１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００４３】
第１基板２１０の上面には，第１電極２３１がセル２１４ごとに形成されており，第２基板２２０の下面には，第２電極２３２が第１電極２３１と交差する方向にセル２１４ごとに形成されている。第１および第２電極２３１，２３２上には，それぞれ第１および第２電子加速層２４１，２４２が形成されており，第１および第２電子加速層２４１，２４２上には，第３および第４電極２３３，２３４が形成されている。第１および第２電子加速層２４１，２４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。ここで，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば，酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００４４】
第１電子加速層２４１は，第１電極２３１と第３電極２３３（および／または第２電極２３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，第１電極２３１から流入された電子を加速させて第３電極２３３を通じてセル２１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層２４２は，第２電極２３１と第４電極２３４（および／または第１電極２３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されれば，第２電極２３２から流入された電子を加速させて第４電極２３４を通じてセル２１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極２３１と第２電極２３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル２１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，かつ発光体層２１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，上述したように，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。
【００４５】
第２および第４電極２３２，２３４は，可視光が透過されるように例えばＩＴＯのような透明な導電性物質で形成することができる。そして，第３および第４電極２３３，２３４は，第１および第２電子加速層２４１，２４２によって加速された電子がセル２１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造で形成される。一方，第１基板２１０および第２基板２２０のうちいずれか一つの基板には，複数のアドレス電極（図示せず）がさらに形成される。
【００４６】
次に，図９Ａおよび図９Ｂに基づいて，図８に示された平板ディスプレイ装置で各電極に印加される電圧類型について説明する。ここで，図９Ａは，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置で各電極に印加される電圧類型の第１の例を示す図である。また，図９Ｂは，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置で各電極に印加される電圧類型の第２の例を示す図である。
【００４７】
第１の例では，図９Ａに示すように，第１電極２３１，第２電極２３２，第３電極２３３および第４電極２３４にそれぞれパルス状の電圧が印加されるとき，第１電極２３１，第２電極２３２，第３電極２３３および第４電極２３４に印加される電圧をＶ１，Ｖ２，Ｖ３およびＶ４とすれば，Ｖ１＜Ｖ３およびＶ２＜Ｖ４を満足させるように各電極に所定の電圧が印加される。このような電圧が印加されれば，第１電極２３１および第３電極２３３（および／または第２電極２３２）に印加された電圧によって第１電子加速層２４１を通じてセル２１４の内部に第１電子ビームが放出され，第２電極２３２および第４電極２３４（および／または第１電極２３１）に印加された電圧によって第２電子加速層２４２を通じてセル２１４の内部に第２電子ビームが放出される。ここで，第１電極２３１と第２電極２３２との間には交流電圧が印加されるので，第１および第２電子ビームは，交互にセル２１４の内部に放出されてガスを励起させる。また，第２の例では，図９Ｂに示したように，第３および第４電極２３３，２３４は接地されている。
【００４８】
以上，第２の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置について説明した。次に，図１０に基づいて，第３の実施形態にかかる対向構造の平板ディスプレイ装置について説明する。ここで，図１０は，第３の実施形態にかかる対向構造の平板ディスプレイ装置を概略的に示す一部断面図である。
【００４９】
（第３の実施形態）
本実施形態にかかる対向構造の平板ディスプレイ装置は，図１０に示すように，第１基板３１０と第２基板３２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置され，その間に複数のセル３１４を形成する。第１基板３１０の上面には，複数のアドレス電極３１１が形成されており，アドレス電極３１１は，誘電体層３１２によって埋め込まれている。そして，セル３１４の内壁には，それぞれＲ，Ｇ，Ｂの発光体層３１５が塗布されており，セル３１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００５０】
第１基板３１０と第２基板３２０との間には，セル３１４ごとに第１および第２電極３３１，３３２が対をなして形成されている。ここで，第１および第２電極３３１，３３２は，セル３１４の両側に配置される。そして，第１および第２電極３３１，３３２の内側面には，それぞれ第１および第２電子加速層３４１，３４２が形成されており，第１および第２電子加速層３４１，３４２上には，それぞれ第３および第４電極３３３，３３４が形成されている。第１および第２電子加速層３４１，３４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。このとき，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば，酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００５１】
第１電子加速層３４１は，第１電極３３１と第３電極３３３（および／または第２電極３３２）にそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル３１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層３４２は，第２電極３３１と第４電極３３４（および／または第１電極３３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル３１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。
【００５２】
ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極３３１と第２電極３３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル３１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，かつ発光体層３１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，前述したように，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。
【００５３】
第３および第４電極３３３，３３４は，第１および第２電子加速層３４１，３４２によって加速された電子がセル３１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造で形成される。第１および第２電子加速層３４１，３４２は，第１基板３１０と第２基板３２０との間の空間を区画してセル３１４を形成できる。一方，第１基板３１０と第２基板３２０との間には，第１基板３１０と第２基板３２０との間の空間を区画してセル３１４を形成する複数の隔壁（図示せず）をさらに設けてもよい。
【００５４】
以上，第３の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置について説明した。なお，第３の実施形態にかかる構造の平板ディスプレイ装置では，各電極には，例えば図９Ａおよび図９Ｂに示された類型の電圧を印加させることができる。これについての詳細な説明は上述したので，ここでは省略する。
【００５５】
（第４の実施形態）
次に，図１１に基づいて，第４の実施形態にかかる面構造の平板ディスプレイ装置について説明する。ここで，図１１は，本実施形態にかかる面構造の平板ディスプレイ装置を概略的に示す一部断面図である。
【００５６】
本実施形態にかかる面構造の平板ディスプレイ装置は，図１１に示すように，下部基板である第１基板４１０と上部基板である第２基板４２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置されている。そして，第１基板４１０と第２基板４２０との間には，第１基板４１０と第２基板４２０との間の空間を区画して複数のセル４１４を形成する複数の隔壁４１３が設けられている。セル４１４の内壁には，それぞれＲ，Ｇ，Ｂの発光体層４１５が塗布されており，セル４１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００５７】
第１基板４１０の上面には，複数のアドレス電極４１１が形成されており，このようなアドレス電極４１１は，誘電体層４１２によって埋め込まれる。第２基板４２０の下面には，セル４１４ごとに第１および第２電極４３１，４３２が対をなして形成されている。ここで，第１および第２電極４３１，４３２は，アドレス電極４１１と交差する方向（図１１紙面に対して垂直方向）に形成される。そして，第１および第２電極４３１，４３２の下面には，それぞれ第１および第２電子加速層４４１，４４２が形成されており，第１および第２電子加速層４４１，４４２の下面には，それぞれ第３および第４電極４３３，４３４が形成されている。第１および第２電子加速層４４１，４４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。このとき，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００５８】
第１電子加速層４４１は，第１電極４３１と第３電極４３３（および／または第２電極４３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル４１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層４４２は，第２電極４３２と第４電極４３４（および／または第１電極４３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル４１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。
【００５９】
ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極４３１と第２電極４３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル４１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，かつ発光体層４１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，上述したようにガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。
【００６０】
第１，第２，第３および第４電極４３１，４３２，４３３，４３４は，可視光が透過されるように，例えばＩＴＯのような透明な導電性物質で形成することができる。また，第３および第４電極４３３，４３４は，第１および第２電子加速層４４１，４４２によって加速された電子がセル４１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造で形成してもよい。
【００６１】
以上，第４の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置について説明した。なお，このような構造の平板ディスプレイ装置では，各電極には，例えば図９Ａおよび図９Ｂに示した類型の電圧を印加することができる。これについての詳細な説明は前述したので，ここでは省略する。そして，第４の実施形態では，第１基板４１０が下部基板となり，第２基板４２０が上部基板となる場合について説明したが，本発明はかかる例に限定されず，第１基板４１０が上部基板となり，第２基板４２０が下部基板となる場合にも適用することができる。
【００６２】
以上，第１〜第４の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置では，電子加速層がガスを励起させる電子ビームを放出させることによって，従来のＰＤＰより駆動電圧を低め，発光効率を向上させることができる。
【００６３】
一方，上述した電子ビームを放出させてガスを励起させる電子加速層は，主にＬＣＤのバックライトとして使われている平板ランプにも適用される。以下，図１２に基づいて，第５の実施形態にかかる対向構造の平板ランプについて説明する。ここで，図１２は，第５の実施形態にかかる対向構造の平板ランプを概略的に示す一部断面図である。
【００６４】
（第５の実施形態）
本実施形態にかかる対向構造の平板ランプは，図１２に示すように，下部基板である第１基板５１０と上部基板である第２基板５２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置され，その間に少なくとも一つのセル５１４を形成する。ここで，第１基板５１０および第２基板５２０は，透明なガラス基板で形成することができる。第１基板５１０と第２基板５２０との間には，第１基板５１０と第２基板５２０との間の空間を区画してセル５１４を形成するスペーサ５１３が設けられる。そして，セル５１４の内壁には，発光体層５１５が塗布されており，セル５１４の内部には，一般的に，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００６５】
第１基板５１０の上面には，第１電極５３１がセル５１４ごとに形成されており，第２基板５２０の下面には，第２電極５３２が第１電極５３１と平行な方向にセル５１４ごとに形成されている。ここで，第１電極５３１および第２電極５３２は，それぞれカソード電極およびアノード電極となる。第２電極５３２は，可視光が透過されるように，例えばＩＴＯのような透明な導電性物質で形成される。一方，第２電極５３２は，例えばメッシュ構造を有するように形成されてもよい。
【００６６】
第１電極５３１の上面には，電子加速層５４０が形成されており，電子加速層５４０の上面には，グリッド電極の第３電極５３３が形成されている。電子加速層５４０は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンで形成を用いるのがよい。ここで，酸化された多孔性シリコンとしては，酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００６７】
電子加速層５４０は，第１電極５３１と第３電極５３３（および／または第２電極５３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，第１電極５３１から流入された電子を加速させて第３電極５３３を通じてセル５１４の内部に電子ビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）を放出させる。セル５１４の内部に放出された電子ビームは，ガスを励起させ，励起されたガスは安定化され，紫外線を発生させる。そして，紫外線は，発光体層５１５を励起させて可視光を発生させ，このように発生した可視光は，第２基板５２０側に出射される。一方，第３電極５３３は，電子加速層５４０によって加速された電子がセル５１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造に形成してもよい。
【００６８】
電子ビームは，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。これにより，電子ビームがＸｅを励起させるのに必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。この場合，電子ビームは，望ましくは，８．２８ｅＶ〜９．５７ｅＶのエネルギーまたは８．２８ｅＶ〜８．４５ｅＶのエネルギーを有する。また，電子ビームは，８．４５ｅＶ〜９．５７ｅＶのエネルギーを有してもよい。
【００６９】
以上，第５の実施形態にかかる平板ランプについて説明した。なお，このような構造を有する平板ランプの各電極には，例えば図６Ａ〜図６Ｄに示した類型の電圧を印加させることができる。これについての詳細な説明は上述したので，ここでは省略する。また，第５の実施形態では，第１基板５１０が下部基板となり，第２基板５２０が上部基板となる場合を説明したが，本発明はかかる例に限定されず，例えば電子加速層５４０が形成された第１基板５１０が上部基板となり，第２基板５２０が下部基板となる場合にも適用することができる。
【００７０】
（第６の実施形態）
次に，図１３に基づいて，第６の実施形態にかかる対向構造の平板ランプについて説明する。ここで，図１３は，本実施形態にかかる対向構造の平板ランプを概略的に示す一部断面図である。
【００７１】
本実施形態にかかる対向構造の平板ランプは，図１３に示すように，第１基板６１０と第２基板６２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置され，その間に少なくとも一つのセル６１４を形成する。第１基板６１０と第２基板６２０との間には，第１基板６１０と第２基板６２０との間の空間を区画してセル６１４を形成するスペーサ６１３が設けられる。そして，セル６１４の内壁には，発光体層６１５が塗布されており，セル６１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００７２】
第１基板６１０の上面には，第１電極６３１がセル６１４ごとに形成されており，第２基板６２０の下面には，第２電極６３２が第１電極６３１と平行な方向にセル６１４ごとに形成されている。そして，第１および第２電極６３１，６３２上には，それぞれ第１および第２電子加速層６４１，６４２が形成されており，第１および第２電子加速層６４１，６４２上には，第３および第４電極６３３，６３４が形成されている。第１および第２電子加速層６４１，６４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。ここで，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００７３】
第１電子加速層６４１は，第１電極６３１と第３電極６３３（および／または第２電極６３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，第１電極６３１から流入された電子を加速させて第３電極６３３を通じてセル６１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層６４２は，第２電極６３１と第４電極６３４（および／または第１電極６３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，第２電極６３２から流入された電子を加速させて第４電極６３４を通じてセル６１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。
【００７４】
ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極６３１と第２電極６３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル６１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，発光体層６１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，上述したようにガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。
【００７５】
第２および第４電極６３２，６３４は，可視光が透過されるように，例えばＩＴＯのような透明な導電性物質で形成される。そして，第３および第４電極６３３，６３４は，第１および第２電子加速層６４１，６４２によって加速された電子がセル６１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造で形成される。
【００７６】
以上，第６の実施携帯にかかる平板ランプについて説明した。なお，このような構造を有する平板ランプでは，各電極には，例えば図９Ａおよび図９Ｂに示した類型の電圧が印加される。これについての詳細な説明は上述したので，ここでは省略する。
【００７７】
（第７の実施形態）
次に，図１４に基づいて，第７の実施形態にかかる対向構造の平板ランプについて説明する。ここで，図１４は，本実施形態にかかる対向構造の平板ランプを概略的に示す一部断面図である。
【００７８】
図１４を参照すれば，第１基板７１０と第２基板７２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置され，その間に少なくとも一つのセル７１４を形成する。セル７１４の内壁には，発光体層７１５が塗布されており，セル７１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００７９】
本実施形態にかかる対向構造の平板ランプは，図１４に示すように，第１基板７１０と第２基板７２０との間には，セル７１４ごとに第１および第２電極７３１，７３２が対をなして形成されている。ここで，第１および第２電極７３１，７３２は，セル７１４の両側に配置される。そして，第１および第２電極７３１，７３２の内側面には，それぞれ第１および第２電子加速層７４１，７４２が形成されており，第１および第２電子加速層７４１，７４２上には，それぞれ第３および第４電極７３３，７３４が形成されている。第１および第２電子加速層７４１，７４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンで形成するのがよい。このとき，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００８０】
第１電子加速層７４１は，第１電極７３１と第３電極７３３（および／または第２電極７３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル７１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層７４２は，第２電極７３２と第４電極７３４（および／または第１電極７３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル３１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。
【００８１】
ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極７３１と第２電極７３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル７１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，かつ発光体層７１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，前述したように，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。
【００８２】
第３および第４電極７３３，７３４は，第１および第２電子加速層７４１，７４２によって加速された電子がセル７１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造で形成してもよい。第１および第２電子加速層７４１，７４２は，第１基板７１０と第２基板７２０との間の空間を区画してセル７１４を形成できる。一方，第１基板７１０と第２基板７２０との間には，第１基板７１０と第２基板７２０との間の空間を区画してセル７１４を形成する少なくとも一つのスペーサ（図示せず）がさらに設けられてもよい。
【００８３】
以上，第７の実施形態にかかる平板ランプについて説明した。なお，このような構造の平板ランプの各電極には，例えば図９Ａおよび図９Ｂに示した類型の電圧が印加される。これについての詳細な説明は上述したので，ここでは省略する。
【００８４】
（第８の実施形態）
次に，図１５に基づいて，第８の実施形態にかかる面構造の平板ランプについて説明する。ここで，図１５は，本実施形態にかかる面構造の平板ランプを概略的に示す一部断面図である。
【００８５】
本実施形態にかかる面構造の平板ランプは，図１５に示すように，下部基板である第１基板８１０と上部基板である第２基板８２０が一定の間隔をおいて相互対向して配置され，その間に少なくとも一つのセル８１４を形成する。第１基板８１０と第２基板８２０との間には，第１基板８１０と第２基板８２０との間の空間を区画してセル８１４を形成するスペーサ８１３が設けられる。そして，セル８１４の内壁には，発光体層８１５が塗布されており，セル８１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００８６】
第１基板８２０の上面には，セル８１４ごとに第１および第２電極８３１，８３２が対をなして形成されている。そして，第１および第２電極８３１，８３２の上面には，それぞれ第１および第２電子加速層８４１，８４２が形成されており，第１および第２電子加速層８４１，８４２の上面には，それぞれ第３および第４電極８３３，８３４が形成されている。第１および第２電子加速層８４１，８４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。このとき，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００８７】
第１電子加速層８４１は，第１電極８３１と第３電極８３３（および／または第２電極８３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル８１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層８４２は，第２電極８３２と第４電極８３４（および／または第１電極８３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル８１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。
【００８８】
ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極８３１と第２電極８３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル８１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，かつ発光体層８１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，上述したように，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。一方，第３および第４電極８３３，８３４は，第１および第２電子加速層８４１，８４２によって加速された電子がセル８１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造で形成することもできる。
【００８９】
以上，第８の実施形態にかかる平板ランプについて説明した。このような構造の平板ディスプレイ装置では，各電極に，例えば図９Ａおよび図９Ｂに示した類型の電圧が印加される。これについての詳細な説明は前述したので，ここでは省略する。また，第８の実施形態では，第１基板８１０が下部基板となり，第２基板８２０が上部基板となる場合について説明したが，本発明はかかる例に限定されず，第１基板８１０が上部基板となり，第２基板８２０が下部基板となる場合にも適用することができる。
【００９０】
（第９の実施形態）
次に，図１６に基づいて，第９の実施形態にかかる平板ランプについて説明する。ここで，図１６は，本実施形態にかかる平板ランプを概略的に示す一部断面図である。図１６に示す平板ランプは，電極が第１基板８１０だけでなく，第２基板８２０にも形成されている点で第８の実施形態と相違する。以下では，第８の実施形態と異なる点のみを説明する。
【００９１】
第２基板８２０の下面には，セル８１４ごとに第５および第６電極９３１，９３２が対をなして形成されている。ここで，第５および第６電極９３１，９３２は，第１および第２電極８３１，８３２に対して平行に形成される。そして，第５および第６電極９３１，９３２の下面には，それぞれ第３および第４電子加速層９４１，９４２が形成されており，第３および第４電子加速層９４１，９４２の下面には，それぞれ第７および第８電極９３３，９３４が形成されている。ここで，第３および第４電子加速層９４１，９４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。ここで，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンが例示される。
【００９２】
第３電子加速層９４１は，第５電極９３１と第７電極９３３（および／または第６電極９３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル８１４の内部に第３電子ビーム（Ｅ３−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第４電子加速層９４２は，第６電極９３２と第８電極９３４（および／または第５電極９３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル８１４の内部に第４電子ビーム（Ｅ４−ｂｅａｍ）を放出させる。ここで，第３および第４電子ビームは，第５電極８３１と第６電極８３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル８１４の内部に交互に放出される。第７および第８電極９３３，９３４は，第３および第４電子加速層９４１，９４２によって加速された電子がセル９１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造に形成することもできる。
【００９３】
以上，第９の実施形態にかかる平板ランプについて説明した。次に，図１７に基づいて，第１０の実施形態にかかる平板ランプについて説明する。ここで，図１７は，本実施形態にかかる平板ランプを概略的に示す一部断面図である。
【００９４】
（第１０の実施形態）
本実施形態にかかる平板ランプは，図１７に示すように，第１基板１０１０と第２基板１０２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置され，その間に少なくとも一つのセル１０１４が形成されている。セル１０１４の内壁には，発光体層１０１５が塗布されており，セル１０１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【００９５】
第１基板１０１０と第２基板１０２０との間には，セル１０１４ごとに１個の第１電極１０３１および対をなす２個の第２電極１０３２が形成されている。ここで，第２電極１０３２は，セル１０１４の両側に配置される。そして，第１電極１０３１は，第１基板１０１０の上面に配置される。
【００９６】
第１および第２電極１０３１，１０３２の内側面には，それぞれ第１および第２電子加速層１０４１，１０４２が形成されており，第１および第２電子加速層１０４１，１０４２上には，それぞれ第３および第４電極１０３３，１０３４が形成されている。第１および第２電子加速層１０４１，１０４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。ここで，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【００９７】
第１電子加速層１０４１は，第１電極１０３１と第３電極１０３３（および／または第２電極１０３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル１０１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層１０４２は，第２電極１０３２と第４電極１０３４（および／または第１電極１０３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル１０１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。
【００９８】
ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極１０３１と第２電極１０３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル１０１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，発光体層１０１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，上述したように，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。
【００９９】
第３および第４電極１０３３，１０３４は，第１および第２電子加速層１０４１，１０４２によって加速された電子がセル１０１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造に形成することができる。第２電子加速層１０４２は，第１基板１０１０と第２基板１０２０との間の空間を区画してセル１０１４を形成できる。一方，第１基板１０１０と第２基板１０２０との間には，第１基板１０１０と第２基板１０２０との間の空間を区画してセル１０１４を形成する少なくとも一つのスペーサ（図示せず）がさらに設けられてもよい。
【０１００】
以上，第１０の実施形態にかかる平板パネルについて説明した。このような構造の平板ディスプレイ装置では，各電極に，例えば図９Ａおよび図９Ｂに示された類型の電圧が印加される。これについての詳細な説明は上述したので，ここでは省略する。
【０１０１】
（第１１の実施形態）
次に，図１８に基づいて，第１１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置について説明する。ここで，図１８は，本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置を概略的に示す一部断面図である。
【０１０２】
本実施形態にかかる平板ディスプレイ装置は，図１８に示すように，第１基板１１１０と第２基板１１２０とが一定の間隔をおいて相互対向して配置され，その間に複数のセル１１１４が形成される。そして，セル１１１４の内壁には，それぞれＲ，Ｇ，Ｂの発光体層１１１５が塗布されており，セル１１１４の内部には，Ｘｅを含むガスが充填される。
【０１０３】
第１基板１１１０と第２基板１１２０との間には，セル１１１４ごとに１個の第１電極１１３１および対をなす２個の第２電極１１３２が形成されている。第１基板１１１０の上面には，第１電極１１３１が配置され，第２電極１１３２は，セル１１１４の両側に配置される。第１電極１１３１と第２電極１１３２とは，互いに交差するように延設されている。
【０１０４】
第１および第２電極１１３１，１１３２の内側面には，それぞれ第１および第２電子加速層１１４１，１１４２が形成されており，第１および第２電子加速層１１４１，１１４２上には，それぞれ第３および第４電極１１３３，１１３４が形成されている。第１および第２電子加速層１１４１，１１４２は，電子を加速させて電子ビームを発生させることの可能な物質ならば適用可能であり，望ましくは，酸化された多孔性シリコンを用いるのがよい。ここで，酸化された多孔性シリコンとしては，例えば酸化された多孔性ポリシリコンまたは酸化された多孔性非晶質シリコンがある。
【０１０５】
第１電子加速層１１４１は，第１電極１１３１と第３電極１１３３（および／または第２電極１１３２）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル１１１４の内部に第１電子ビーム（Ｅ１−ｂｅａｍ）を放出させる。そして，第２電子加速層１１４２は，第２電極１１３２と第４電極１１３４（および／または第１電極１１３１）とにそれぞれ所定の電圧が印加されると，セル１１１４の内部に第２電子ビーム（Ｅ２−ｂｅａｍ）を放出させる。
【０１０６】
ここで，第１および第２電子ビームは，第１電極１１３１と第２電極１１３２との間に交流電圧が印加されるにつれて，セル１１１４の内部に交互に放出される。第１および第２電子ビームは，それぞれガスを励起させ，このように励起されたガスは安定化され，発光体層１１１５を励起させる紫外線を発生させる。したがって，第１および第２電子ビームは，上述したように，ガスの励起に必要なエネルギーより大きく，ガスのイオン化に必要なエネルギーよりは小さいエネルギーを有することが望ましい。具体的には，第１および第２電子ビームは，Ｘｅの励起に必要な約８．２８ｅＶ〜１２．１３ｅＶのエネルギーを有する。
【０１０７】
第３および第４電極１１３３，１１３４は，第１および第２電子加速層１１４１，１１４２によって加速された電子がセル１１１４の内部に容易に放出されるように，例えばメッシュ構造に形成してもよい。第２電子加速層１１４２は，第１基板１１１０と第２基板１１２０との間の空間を区画してセル１１１４を形成できる。一方，第１基板１１１０と第２基板１１２０との間には，第１基板１１１０と第２基板１１２０との間の空間を区画してセル１１１４を形成する複数の隔壁（図示せず）をさらに設けてもよい。
【０１０８】
以上，第１１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置について説明した。このような構造の平板ディスプレイ装置では，各電極に，例えば図９Ａおよび図９Ｂに示された類型の電圧を印加させることができる。これについての詳細な説明は前述したので，ここでは省略する。
【０１０９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明は，ＰＤＰに関連した技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】従来のＰＤＰを示す分離斜視図である。
【図２Ａ】図１のＰＤＰを横方向に切断した断面を示す断面図である。
【図２Ｂ】図１のＰＤＰを縦方向に切断した断面を示す断面図である。
【図３】従来の平板ランプを示す一部斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置を示す概略的な断面図である。
【図５】Ｘｅのエネルギー準位を示すグラフである。
【図６Ａ】第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第１の例を示す図である。
【図６Ｂ】第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第２の例を示す図である。
【図６Ｃ】第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第３の例を示す図である。
【図６Ｄ】第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の各電極に印加される電圧の第４の例を示す図である。
【図７】第１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の変形例を示す概略的な断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の概略的な断面図である。
【図９Ａ】第２の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置での各電極に印加される電圧の第１の例を示す図面である。
【図９Ｂ】第２の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置での各電極に印加される電圧の第２の例を示す図面である。
【図１０】本発明の第３の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の概略的な断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の概略的な断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施形態にかかる平板ランプの概略的な断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態にかかる平板ランプの概略的な断面図である。
【図１４】本発明の第７の実施形態にかかる平板ランプの概略的な断面図である。
【図１５】本発明の第８の実施形態にかかる平板ランプの概略的な断面図である。
【図１６】本発明の第９の実施形態にかかる平板ランプの概略的な断面図である。
【図１７】本発明の第１０の実施形態にかかる平板ランプの概略的な断面図である。
【図１８】本発明の第１１の実施形態にかかる平板ディスプレイ装置の概略的な断面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１１０        第１基板
１１３        隔壁
１１４        セル
１１５        発光体層
１２０        第２基板
１３１        第１電極
１３２        第２電極
１３３        第３電極
１４０        電子加速層
【図１】
2006173103.tif 000003
【図２Ａ】
2006173103.tif 000004
【図２Ｂ】
2006173103.tif 000005
【図３】
2006173103.tif 000006
【図４】
2006173103.tif 000007
【図５】
2006173103.tif 000008
【図６Ａ】
2006173103.tif 000009
【図６Ｂ】
2006173103.tif 000010
【図６Ｃ】
2006173103.tif 000011
【図６Ｄ】
2006173103.tif 000012
【図７】
2006173103.tif 000013
【図８】
2006173103.tif 000014
【図９Ａ】
2006173103.tif 000015
【図９Ｂ】
2006173103.tif 000016
【図１０】
2006173103.tif 000017
【図１１】
2006173103.tif 000018
【図１２】
2006173103.tif 000019
【図１３】
2006173103.tif 000020
【図１４】
2006173103.tif 000021
【図１５】
2006173103.tif 000022
【図１６】
2006173103.tif 000023
【図１７】
2006173103.tif 000024
【図１８】
2006173103.tif 000025