(57)【要約】【課題】    陰極層に導電性高分子を用いた固体電解コンデンサにおいて、容量含浸率が高く、小型で静電容量が大きく、かつ電気特性に優れた固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供。【解決手段】    １−ブチルピリジニウム塩及び／または１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩に例示される、分解点が少なくとも３００℃の常温溶融塩と、導電性高分子とからなる陰極層を形成させた固体電解コンデンサであり、該陰極層は、コンデンサ素子に、常温溶融塩含浸させた後、導電性高分子を形成させるか、または、常温溶融塩及び導電性高分子モノマーの混合液を重合させて形成させる。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させてなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
常温溶融塩が、少なくとも３００℃の分解温度を有する常温溶融塩であることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
常温溶融塩が、１−ブチルピリジニウム塩及び／または１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩であることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを重合させて、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを化学重合させて、第１の導電性高分子層を形成させ、ついで、第１の導電性高分子層上に、導電性高分子モノマーを電解重合させて、第２の導電性高分子層を形成させることにより、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、少なくとも常温溶融塩及び導電性高分子モノマーを含有する溶液中、導電性高分子モノマーを重合させて、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項７】
常温溶融塩が、少なくとも３００℃の分解温度を有する常温溶融塩であることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項８】
常温溶融塩が、１−ブチルピリジニウム塩及び／または１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩のいずれかであることを特徴とする請求項４から請求項７のいずれか一項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型大容量の固体電解コンデンサ及びその製造方法に関し、より詳しくは、陰極層に導電性高分子を用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、陰極材料に電解液を使用した電解液型コンデンサが知られているが、該電解液は電導度が低いため、得られるコンデンサの電気特性が劣り、また、コンデンサが高温に曝された時、電解液の分解や溶媒の蒸発による不具合が発生しやすく、耐熱性に乏しいという欠点があった。
【０００３】
特許文献１には、陰極層に導電性高分子、例えば、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフラン、ポリアセチレンあるいはポリチオフェンまたはこれらの誘導体ポリマーを形成させた固体電解コンデンサが提案されており、該固体電解コンデンサは、従来の電解液型コンデンサに較べ、周波数特性、電気的特性及び耐熱性に優れている。
【０００４】
近年、電子機器の小型化にともない、コンデンサの特性としては、小型大容量化が要求されており、この対策として、固体電解コンデンサでは、エッチング倍率が大きい陽極アルミニウム箔や、微細な金属粉からなるタンタル焼結体のような、表面を高倍率化させた素子が用いられている。
【０００５】
一般に、表面を高倍率化させた素子を用いて大容量の固体電解コンデンサを得るためには、表面の微細化された細孔内に固体電解質を十分に充填させる必要があり、固体電解質の充填が不十分な場合、容量含浸率（電解液を用いたときの静電容量値に対する固体電解質を用いたときの静電容量値の百分率）が低下することが知られている。
【０００６】
従来、導電性高分子を合成する方法としては、各ポリマーに対応するモノマーを酸化剤と接触させて重合する化学重合法や、電解酸化で重合する電解重合法及び有機金属錯体触媒を用いる重縮合反応法などが知られている。また、特許文献１には、絶縁性の誘電体酸化膜上に化学重合による導電性高分子膜を形成させた後、該導電性高分子膜上に電解重合による導電性高分子膜を形成させて、陰極層とする固体電解コンデンサが提案されている。
【０００７】
上記公報に記載の固体電解コンデンサは、従来の電解液型コンデンサに比べ、電気特性に優れているが、容量含浸率が未だ不十分であり、表面を高倍率化させた素子の特性が十分に引き出されてなく、静電容量や誘電損失などの電気特性の点で、改善すべき課題が残されていた。
【０００８】
【特許文献１】特開昭６３−１７３３１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的とするところは、陰極層に導電性高分子を用いた固体電解コンデンサにおいて、容量含浸率が高く、小型で静電容量が大きく、かつ電気特性に優れた固体電解コンデンサ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは鋭意検討した結果、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させた固体電解コンデンサが、上記課題を解決し得ることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させてなることを特徴とする固体電解コンデンサである。
【００１２】
また、常温溶融塩が、少なくとも３００℃の分解温度を有することを特徴とする固体電解コンデンサである。
【００１３】
また、常温溶融塩が、１−ブチルピリジニウム塩及び／または１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩であることを特徴とする固体電解コンデンサである。
【００１４】
さらに、本発明は、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを重合させて、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層が形成された固体電解コンデンサであり、本発明により形成された陰極層は、高倍率化させた陽極金属表面の微細な細孔内に、常温溶融塩を十分に滲入させることができるため、容量含浸率が高く、小型で静電容量が大きく、誘電損失が小さく、電気特性に優れた固体電解コンデンサが得られ、また、本発明に用いられる常温溶融塩は、分解温度が高いため、耐熱性、耐久性に優れた固体電解コンデンサを得ることができる。
【００１６】
また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法によれば、上記陰極層を有する固体電解コンデンサを、容易に、効率的に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の固体電解コンデンサは、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させてなるものである。
【００１８】
上記陽極金属としては、アルミニウム、タンタル、チタン、ジルコニウム、ニオブなどの皮膜形成性金属単体またはその合金からなる平板状、巻回型、焼結体などがあげられ、エッチングを施した後、化成処理により誘電体酸化皮膜を形成させて用いられる。
【００１９】
本発明に用いられる導電性高分子は、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフラン、ポリチオフェンあるいはこれらの誘導体ポリマーであり、該誘導体ポリマーとしては、ポリ−３−アルキルピロール、ポリ−３−アルキルチオフェン、ポリ−３，４−アルキレンジオキシピロール、ポリ−３，４−アルキレンジオキシチオフェンなどがあげられる。
【００２０】
また、本発明に用いられる常温溶融塩は、イオン性液体とも呼ばれ、カチオン成分とアニオン成分とからなる常温付近で液体の塩である。カチオン成分としては、アルキルアンモニウム、アルキルホスホニウム、アルキルピリジニウム、アルキルイミダゾリウム等があげられ、また、アニオン成分としては、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロりん酸、トリフルオロメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホンイミド、環状パーフルオロアルキレンイミド、ヒドロフッ化物等があげられる。
【００２１】
上記化合物としては、１−ブチルピリジニウムテトラフルオロホウ酸、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホンイミド、トリメチルヘキシルアンモニムヘキサフルオロりん酸などを例示することができる。
【００２２】
一般的に、固体電解コンデンサは、製造工程や実装時において、高温に曝されることがあり、また、長寿命化の点からも耐熱性が要求される。従って、耐熱性に優れた常温溶融塩、すなわち、分解温度が少なくとも３００℃の常温溶融塩が好ましく、特に、約４００℃の分解温度を有する１−ブチルピリジニウム塩及び／または１−エチル−３−メチルイミダゾリウム塩が好ましい。
【００２３】
本発明の固体電解コンデンサは、上記常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層が形成されてなり、以下、本発明の固体電解コンデンサの製造方法について、詳細に説明する。
【００２４】
まず、表面を高倍率化させた陽極金属上に、化成処理を施して誘電体酸化皮膜を形成させる。本発明を実施する上では、表面を高倍率化させた陽極金属を用いることにより、静電容量の大きなコンデンサを得ることができ、好ましい。
【００２５】
次に、上記陽極金属表面に常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる。
【００２６】
上記陰極層を形成させるには、（１）誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを重合させて、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる方法、（２）誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを化学重合させて、第１の導電性高分子層を形成させ、ついで、第１の導電性高分子層上に、導電性高分子モノマーを電解重合させて、第２の導電性高分子層を形成させることにより、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる方法、（３）誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、少なくとも常温溶融塩及び導電性高分子モノマー含有溶液中、導電性高分子モノマーを重合させて、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる方法があげられる。
【００２７】
以下、上記（１）の陰極層形成方法について説明する。
【００２８】
（１）に記載の陰極層形成方法は、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを重合させて、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる方法である。
【００２９】
具体的には、まず、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属表面に、常温溶融塩を浸漬、塗布、吹き付けなどの方法で含浸させる。この際、不織布等を用いて、過剰に付着した常温溶融塩を拭い取ってもよい。
【００３０】
ついで、常温溶融塩を含浸させた陽極金属上に、導電性高分子層を形成させる。導電性高分子層を形成させる方法としては、陽極金属表面に導電性高分子モノマー溶液を浸漬、塗布、吹き付けなどの方法により含浸させる。ついで、陽極金属上に含浸させた導電性高分子モノマーに、酸化剤を接触させることによって、化学重合により導電性高分子層を形成する。なお、先に酸化剤を含浸させ、その後、導電性高分子モノマーを接触させて重合する方法や、導電性高分子モノマーと酸化剤とを一度に含浸させて重合する方法も適用でき、特に限定されない。また、化学重合は、０〜１００℃の温度下、気相中または液相中で行われる。
【００３１】
上記酸化剤としては、ヨウ素、臭素、ヨウ化臭素、二酸化塩素、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、亜塩素酸などのハロゲン化物、５フッ化アンチモン、５塩化リン、５フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化物、あるいは過マンガン酸塩、重クロム酸塩、無水クロム酸、第二鉄塩、第二銅塩などの高原子価状態金属イオンの塩、硫酸、硝酸、トリフルオロメタン硫酸などのプロトン酸、三酸化硫黄、二酸化窒素などの酸素化合物、過酸化水素、過硫酸アンモニム、過ホウ酸ナトリウムなどのペルオキソ酸及び塩、モリブドリン酸、タングストリン酸、タングストモリブドリン酸等のヘテロポリ酸及び塩があげられる。また、アニオン成分を含む酸化剤を用いることにより、化学重合後に、アニオン成分が導電性高分子に取り込まれてドーパントとして機能し、特性を向上させた導電性高分子を得ることができる。好ましいアニオン成分としては、有機スルホン酸イオン、カルボン酸イオン、ホウ素化合物イオン、りん酸化合物イオンなどがあげられる。
【００３２】
次に、前記（２）の陰極層形成方法について説明する。
【００３３】
（２）に記載の陰極層形成方法は、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを化学重合させて、第１の導電性高分子層を形成させ、ついで、第１の導電性高分子層上に、導電性高分子モノマーを電解重合させて、第２の導電性高分子層を形成させることにより、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる方法である。
【００３４】
具体的には、まず、前記（１）と同様にして、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含浸させた後、導電性高分子モノマーを化学重合させて、第１の導電性高分子層を形成させる。ついで、必要に応じて化成液中で再化成を行い、化学重合工程で損傷を受けた誘電体酸化皮膜を修復させ、その後、導電性高分子モノマー及び支持電解質を含有する電解液中で電解重合を行い、第２の導電性高分子層を形成させる。
【００３５】
電解重合に用いられる支持電解質のアニオン成分としては、ヨウ素、臭素、塩素等のハロゲンイオン、ヘキサフロロリン、ヘキサフロロヒ素、ヘキサフロロアンチモン、テトラフロロホウ素、過塩素酸等のハロゲン化物イオン、またはメタンスルホン酸、ドデシルスルホン酸等のアルキル置換有機スルホン酸イオン、カンファースルホン酸イオンなどの環状スルホン酸イオン、またはベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸等のアルキル置換もしくは無置換のベンゼンモノもしくはジスルホン酸イオン、２-ナフタレンスルホン酸、１,７-ナフタレンジスルホン酸等のスルホン酸基を１〜４個置換したナフタレンスルホン酸のアルキル置換もしくは無置換イオン、アントラセンスルホン酸イオン、アントラキノンスルホン酸イオン、アルキルビフェニルスルホン酸、ビフェニルジスルホン酸等のアルキル置換もしくは無置換のビフェニルスルホン酸イオン、ポリスチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合体等の高分子スルホン酸イオン等、以上例示される置換または無置換の芳香族スルホン酸イオン、またはビスサルチレートホウ素、ビスカテコレートホウ素等の有機ホウ素錯体イオン、またはモリブドリン酸、タングストリン酸、タングストモリブドリン酸等のヘテロポリ酸イオンがあげられる。また、好ましいカチオンとしては、水素イオンの他、リチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属イオン、アンモニウムイオン、３級アンモニウムイオン、テトラアルキルアンモニウム等の４級アンモニウムイオンである。具体的な支持電解質としては、ＬｉＰＦ６、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＢＦ４、ＫＩ、ＮａＰＦ６、ＮａＣｌＯ４、ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム、トルエンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、１，７−ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、ｎ−オクタデシルナフタレンスルホン酸テトラエチルアンモニウム、ビスサルチレートホウ素テトラメチルアンモニウム、モリブドリン酸ナトリウム等があげられる。
【００３６】
上記電解重合液中に、先に作製した第１の導電性高分子層を形成させた素子を浸漬させ、補助電極を第１の導電性高分子層に接触または近傍に配置して陽極とし、外部陰極との間で電解重合させて、電解重合による第２の導電性高分子層を形成させる。
【００３７】
電解重合組成としては、ドーパントとなる支持電解質０．０１〜２ｍｏｌ／Ｌ及び対応するモノマー０．０１〜５ｍｏｌ／Ｌを含有する電解液が好ましい。
【００３８】
次に、前記（３）の陰極層形成方法について説明する。
【００３９】
（３）に記載の陰極層形成方法は、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極上に、少なくとも常温溶融塩及び導電性高分子モノマー含有溶液中、導電性高分子モノマーを重合させて、該陽極金属上に、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる方法である。
【００４０】
具体的には、誘電体酸化皮膜を形成させた陽極金属上に、常温溶融塩を含有させた導電性高分子モノマー溶液または常温溶融塩を含有させた酸化剤溶液を含浸させ、続いて酸化剤溶液または導電性高分子モノマー溶液と接触させて化学重合し、常温溶融塩及び導電性高分子からなる陰極層を形成させる。なお、導電性高分子モノマー及び酸化剤の両方に常温溶融塩を含有させて、化学重合させる方法も適用可能である。
【００４１】
また、化学重合により第１の導電性高分子層を形成させた素子を、常温溶融塩を添加した前記（２）の電解重合液に浸漬して、電解重合を施し、第２の導電性高分子層を形成させる。本方法によると、導電性高分子層の形成と同時に、常温溶融塩が取り込まれた陰極層が形成され、陰極層の形成工程がより簡便となる。
【００４２】
上記（１）、（２）または（３）に記載の方法により常温溶融塩及び導電性高分子層からなる陰極層を形成した後、陰極層の表面にカーボンペースト、銀ペースト等の導電性ペーストにより導電性塗膜を形成し、その後、樹脂モールドまたは外装ケースにより外装を施し、更にエージング処理して本発明の固体電解コンデンサを完成する。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は実施例により何ら限定されるものではない。また、実施例中、「％」は、「質量％」を表し、静電容量（Ｃ）及び誘電損失（ｔａｎδ）は１２０Ｈｚで、等価直列抵抗（ＥＳＲ）は１００ｋＨｚで測定した。容量含浸率は、アルミニウム素子においては、１５％アジピン酸アンモニウム水溶液中での静電容量を、また、タンタル焼結体素子においては２０％硫酸水溶液中での静電容量を基準として測定した。
【００４４】
実施例１
表面にエッチングを施した５ｍｍ×５ｍｍのアルミニウム箔に、コンデンサの陽極リードとなるアルミニウムワイヤを溶接し、この陽極アルミニウム箔に、アジピン酸アンモニウム水溶液中、４Ｖの電圧を印加させて、化成処理し、誘電体酸化皮膜を形成させた。
【００４５】
なお、上記アルミニウム箔素子の液中での静電容量は２２５μＦであった。
【００４６】
次に、常温溶融塩である１−エチル−３−メチルイミダゾリウムテトラフルオロホウ酸（以下、「ＥＭＩ−ＢＦ４」と略記する。分解点：約３９１℃）と、２０％塩化第二鉄及び１０％３，４−エチレンジオキシチオフェンモノマーのブタノール溶液からなる酸化剤溶液をそれぞれ別の容器に準備した。
【００４７】
上記常温溶融塩に、先に作製したアルミニウム箔素子を室温で１分間浸漬した後、過剰の溶液を不織布で軽く拭い取り、ＥＭＩ−ＢＦ４を含浸させた。
【００４８】
ついで、上記素子を、酸化剤溶液に３０秒浸漬させた後、８０℃のオーブン中で１時間加熱して化学重合させ、洗浄、乾燥後、アジピン酸アンモニウム溶液中で再化成を行い、この操作を７回繰り返してポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）からなる陰極層を形成させた。
【００４９】
ついで、上記素子の陰極層に、コロイダルカーボン及び銀ペーストを塗布して導電性塗膜を形成させ、その一部から対極を取り出した後、エポキシ樹脂でモールドさせ、その後、４Ｖの電圧を印加させてエージングを行い、定格電圧２Ｖ、定格静電容量２２０μＦの固体電解コンデンサを完成させた。
【００５０】
得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率及び高温負荷（温度２６０℃の雰囲気に１０秒間保持）後の電気特性を表１に示す。
【００５１】
実施例２
実施例１と同様にして、アルミニウム箔素子を作製した。なお、この素子の液中での静電容量を測定した結果、２２７μＦであった。
【００５２】
次に、常温溶融塩である１−エチル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメタンスルホン）イミド（以下、「ＥＭＩ−ＴＦＳＩと略記する。分解温度：約４１７℃）８０％とピロールモノマー２０％からなる溶液を調製し、該液に、先に作製したアルミニウム箔素子を室温で５分間浸漬した後、過剰の溶液を不織布で軽く拭い取った。
【００５３】
ついで、５％過硫酸アンモニウム及び５％２−ナフタレンスルホン酸ナトリウムからなるエタノール溶液に、上記素子を１０分間浸漬して化学重合させ、洗浄、乾燥させた後に、アジピン酸アンモニウム水溶液中で再化成させ、この操作を３回繰り返して、ポリピロールからなる第１の導電性高分子層を形成させた。
【００５４】
ついで、得られた素子を、ピロールモノマー０．５ｍｏｌ／Ｌ及び２−ナフタレンスルホン酸ナトリウム０．３ｍｏｌ／Ｌを含有するアセトニトリル電解液中に浸漬させ、ステンレス製補助電極を化学重合層に接触させて、外部陰極との間で定電流電解重合（０．５ｍＡ，６０分）を行い、電解重合によるポリピロール層を形成させた。補助電極を取り外した後、水及びメタノールで洗浄、乾燥させた。
【００５５】
ついで、上記素子の陰極層に、コロイダルカーボン及び銀ペーストを塗布して導電性塗膜を形成し、その一部から対極を取り出した後、エポキシ樹脂でモールドさせ、その後、４Ｖの電圧を印加させてエージングを行い、定格電圧２Ｖ、定格静電容量２２０μＦの固体電解コンデンサを完成させた。
【００５６】
得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率及び高温負荷（温度２６０℃の雰囲気に１０秒間保持）後の電気特性を表１に示す。
【００５７】
実施例３
陽極リードを備えたタンタル焼結体素子に、リン酸水溶液中、５Ｖの電圧を印加させて化成処理を施し、誘電体酸化皮膜を形成させた。該素子の硫酸水溶液中における静電容量は２２９μＦであった。
【００５８】
次に、常温溶融塩である１−ブチルピリジニウムテトラフルオロホウ酸（以下ＢＰ−ＢＦ４と略記する。分解温度：約３４２℃）、２０％過酸化水素及び３％硫酸からなる酸化剤水溶液、及び２０％ピロールモノマーの水溶液をそれぞれ別の容器に調製し、準備した。
【００５９】
タンタル焼結体素子を、ＢＰ−ＢＦ４液に室温で１分間浸漬させた後、不織布で軽く拭い取って含浸させ、ついで、ピロールモノマー溶液に３分間浸漬した後、酸化剤水溶液に２０分間浸漬して化学重合させ、洗浄・乾燥させた。この操作を３回繰り返して、素子表面にポリピロールからなる第１の導電性高分子層を形成させた。
【００６０】
得られた素子に再化成を施した後、該素子をピロールモノマー０．５ｍｏｌ／Ｌ及び２−ナフタレンスルホン酸ナトリウム０．３ｍｏｌ／Ｌを含有するアセトニトリル電解液中に浸漬させ、ステンレス製補助電極を第１の導電性高分子層に接触させて、外部陰極との間で定電流電解重合（０．５ｍＡ，６０分）を行い、電解重合によるポリピロール層を形成させた。補助電極を取り外した後、水及びメタノールで洗浄、乾燥させた。
【００６１】
ついで、上記素子の陰極層に、コロイダルカーボン及び銀ペーストを塗布して導電性塗膜を形成し、その一部から対極を取り出した後、エポキシ樹脂でモールドさせ、その後、４Ｖの電圧を印加させてエージングを行い、定格電圧２Ｖ、定格静電容量２２０μＦの固体電解コンデンサを完成させた。
【００６２】
得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率及び高温負荷（温度２６０℃の雰囲気に１０秒間保持）後の電気特性を表１に示す。
【００６３】
比較例１
実施例1において、アルミニウム箔素子をＥＭＩ−ＢＦ４液に浸漬させる工程を省略した以外は、実施例１に準じて固体電解コンデンサを完成させた。
【００６４】
得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率及び高温負荷（温度２６０℃の雰囲気に１０秒間保持）後の電気特性を表１に示す。
【００６５】
比較例２
実施例２において、８０％ＥＭＩ−ＴＦＳＩ及び２０％ピロールモノマーからなる溶液の代わりに、ピロールモノマー２０％のエタノール溶液を用いた以外は、実施例２に準じて固体電解コンデンサを完成させた。
【００６６】
得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率及び高温負荷（温度２６０℃の雰囲気に１０秒間保持）後の電気特性を表１に示す。
【００６７】
比較例３
実施例３において、タンタル焼結体素子をＢＰ−ＢＦ４液に浸漬させる工程を省略した以外は、実施例３に準じて固体電解コンデンサを完成させた。
【００６８】
得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率及び高温負荷（温度２６０℃の雰囲気に１０秒間保持）後の電気特性を表１に示す。
【００６９】
比較例４
実施例１において、ＥＭＩ−ＢＦ４液に代えて、２０％テトラメチルアンモニウムマレイン酸のガンマブチロラクトン電解液（沸点：約２０４℃）を用いた以外は、実施例１に準じて固体電解コンデンサを完成させた。
【００７０】
得られた固体電解コンデンサの初期電気特性、容量含浸率及び高温負荷（温度２６０℃の雰囲気に１０秒間保持）後の電気特性を表１に示す。
【００７１】
【表１】
2006024708.tif 000002
【００７２】
表１に示すように、本発明の固体電解コンデンサ（実施例１〜３）は、従来の固体電解コンデンサ（比較例１〜３）に比べ、容量含浸率が高く、小型大容量で電気特性に優れた固体電解コンデンサである。
【００７３】
また、比較例４では、従来のコンデンサ用電解液と導電性高分子とを組み合わせた陰極層を形成させたが、耐熱性に乏しく、好特性の固体電解コンデンサを得ることができなかった。