(57)【要約】【課題】  波長変換効率がよく、高速な波長変換が可能な波長変換器を提供する。【解決手段】  この波長変換器は、２つの半導体光増幅器２，３による相互位相変調効果を利用したマッハツェンダ型の波長変換器であって、外部から波長λ１の強度変調されたパルス状の入力信号光と波長λ２のＣＷ光（連続光）とを受け、波長λ２の強度変調されたパルス状の信号光を出力する。波長可変ＬＤ４は、波長λ３の連続光であるアシスト光を生成する。半導体光増幅器１１は、波長可変ＬＤ４からのアシスト光を増幅して２つの半導体光増幅器２，３に共通に与える。これにより、半導体光増幅器２，３による相互位相変調効果が大きくなって、波長変換速度が速くなる。したがって、波長変換効率がよく、高速な波長変換が可能な波長変換器が実現できる。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に集積され、第１の波長を有する強度変調されたパルス状の入力信号光と第２の波長を有する入力連続光とに応じて、第１および第２の半導体光増幅器による相互位相変調効果を利用して、前記第２の波長を有する強度変調されたパルス状の出力信号光を生成するマッハツェンダ型の波長変換器であって、
第３の波長を有する連続光を生成する第１の半導体レーザ、および
前記入力連続光と前記第１の半導体レーザの出力連続光とを合波し、合波光を分波して前記第１および第２の半導体光増幅器に与える光合分波器を備える波長変換器。
【請求項２】
前記第１の半導体レーザと前記光合分波器との間に介挿され、前記第１の半導体レーザの出力連続光を増幅して前記光合分波器に与える第３の半導体光増幅器をさらに備える、請求項１に記載の波長変換器。
【請求項３】
前記第１の半導体レーザは、前記第２の波長が変更された場合に対応して、その出力連続光の前記第３の波長を変化させることができる波長可変半導体レーザである、請求項１または請求項２に記載の波長変換器。
【請求項４】
前記入力連続光を生成する第２の半導体レーザをさらに備える、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の波長変換器。
【請求項５】
半導体基板上に集積され、第１の波長を有する強度変調されたパルス状の入力信号光と第２の波長を有する入力連続光とに応じて、第１および第２の半導体光増幅器による相互位相変調効果を利用して、前記第２の波長を有する強度変調されたパルス状の出力信号光を生成するマッハツェンダ型の波長変換器であって、
それぞれ第３の波長を有する第１および第２の連続光を生成する第１および第２の半導体レーザ、
それぞれ前記第１および第２の連続光を増幅して前記第１および第２の半導体光増幅器に与えるための第３および第４の半導体光増幅器を備える波長変換器。
【請求項６】
前記第１および第２の半導体レーザの各々は、前記第２の波長が変更された場合に対応して、その出力連続光の前記第３の波長を変化させることができる波長可変半導体レーザである、請求項５に記載の波長変換器。
【請求項７】
前記入力連続光を生成する第３の半導体レーザをさらに備える、請求項５または請求項６に記載の波長変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、波長変換器に関し、特に、入力信号光の波長を変換して出力するマッハツェンダ型の波長変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
波長の異なる複数の信号光を多重して伝送する波長多重通信システムにおいて、信号光の波長を変換するために波長変換器が用いられる。半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）を用いた波長変換器では、２つの半導体光増幅器による相互位相変調効果を利用したマッハツェンダ型の波長変換器がある。相互位相変調効果は、各半導体光増幅器内部のキャリア密度が高いほど大きくなる。
【０００３】
マッハツェンダ型の波長変換器は、外部から波長λ１の強度変調されたパルス状の入力信号光と波長λ２のＣＷ光（連続光）とを受け、波長λ２の強度変調されたパルス状の信号光を出力する。従来のマッハツェンダ型の波長変換器は、２つの半導体光増幅器に対応して、波長λ３の連続光であるアシスト光を生成する２つの波長可変ＬＤ（Laser Diode）を備える。各半導体光増幅器が対応する波長可変ＬＤからのアシスト光を受けることによって、各半導体光増幅器内部のキャリア密度が高くなる。このため、２つの半導体光増幅器による相互位相変調効果が大きくなり、波長変換の高速化が図られる。
【０００４】
しかし、この従来のマッハツェンダ型の波長変換器では、２つの波長可変ＬＤが生成するアシスト光の波長を同一にするのが困難であるという問題があった。各半導体光増幅器が受けるアシスト光の波長が異なると、２つの半導体光増幅器の利得などの特性バランスが崩れ、波長変換効率が低下するという問題があった。また、半導体光増幅器には数十（ｍＷ）程度のアシスト光を与えるのが望ましいが、波長可変ＬＤから出力されるアシスト光は十分な光強度を有しないため、波長変換の高速化が十分に実現できなかった。
【０００５】
下記の特許文献１には、対称マッハツェンダ干渉型の構成において、安定な差分型位相変調動作によって安定な強度変調動作を実現する光変調装置が開示されている。この場合、基板上に集積化される光導波路により、半導体光増幅器に入力する２つの変調光間の位相差Δτを精度よく設定できる。
【０００６】
また、下記の特許文献２には、半導体光増幅器への注入電流を少なくして省電力化を実現するとともに、１００ＧＨｚ以上の高速動作を実現する波長変換素子が開示されている。この場合、強度変調された入力光を半導体増幅器に入力すると同時に、光源から励起光を入力する。このため、入力光の強度変化に対するキャリア密度の変化の速度は、励起光を入力しない場合に比べて速くなる。
【０００７】
また、下記の特許文献３には、集積された波長同調可能な１段階及び２段階の純光学式波長変換器のための方法および装置が開示されている。この場合、半導体へテロ構造内に同調可能レーザと干渉計がモノリシックに製造される。
【０００８】
また、下記の非特許文献１には、分布帰還型半導体レーザを備えた、モノリシックに集積された波長変換器が開示されている。この場合、半導体光増幅器の利得回復時間７（ｐｓ）が達成される。
【特許文献１】特開２００２−２３６２７２号公報
【特許文献２】特開２００４−１６３５８５号公報
【特許文献３】特表２００３−５１０６６４号公報
【非特許文献１】ミヤハラトシハル（Toshiharu Miyahara） 他８名,「アシストDFB-LDを有するモノリシック集積されたSOA-MZI波長変換器（Monolithically integrated SOA-MZI wavelength converter with assist DFB-LD）」,OFC2004 ThS4
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上のように、従来の波長変換器では、２つの半導体光増幅器の利得などの特性バランスが崩れ、波長変換効率が低下するという問題があった。また、半導体光増幅器に与えられるアシスト光が十分な光強度を有しないため、波長変換の高速化が十分に実現できなかった。これらの問題点は、上記特許文献１〜３および非特許文献１では十分に解決されない。
【００１０】
それゆえに、この発明の主たる目的は、波長変換効率がよい波長変換器を提供することである。
【００１１】
また、この発明の他の目的は、高速な波長変換が可能な波長変換器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明に係わる波長変換器は、半導体基板上に集積され、第１の波長を有する強度変調されたパルス状の入力信号光と第２の波長を有する入力連続光とに応じて、第１および第２の半導体光増幅器による相互位相変調効果を利用して、第２の波長を有する強度変調されたパルス状の出力信号光を生成するマッハツェンダ型の波長変換器であって、第３の波長を有する連続光を生成する第１の半導体レーザと、入力連続光と第１の半導体レーザの出力連続光とを合波し、合波光を分波して第１および第２の半導体光増幅器に与える光合分波器とを備えたものである。
【００１３】
好ましくは、第１の半導体レーザと光合分波器との間に介挿され、第１の半導体レーザの出力連続光を増幅して光合分波器に与える第３の半導体光増幅器がさらに設けられる。
【００１４】
また好ましくは、第１の半導体レーザは、第２の波長が変更された場合に対応して、その出力連続光の第３の波長を変化させることができる波長可変半導体レーザである。
【００１５】
また好ましくは、入力連続光を生成する第２の半導体レーザがさらに設けられる。
【００１６】
この発明に係わる他の波長変換器は、半導体基板上に集積され、第１の波長を有する強度変調されたパルス状の入力信号光と第２の波長を有する入力連続光とに応じて、第１および第２の半導体光増幅器による相互位相変調効果を利用して、第２の波長を有する強度変調されたパルス状の出力信号光を生成するマッハツェンダ型の波長変換器であって、それぞれ第３の波長を有する第１および第２の連続光を生成する第１および第２の半導体レーザと、それぞれ第１および第２の連続光を増幅して第１および第２の半導体光増幅器に与えるための第３および第４の半導体光増幅器とを備えたものである。
【００１７】
好ましくは、第１および第２の半導体レーザの各々は、第２の波長が変更された場合に対応して、その出力連続光の第３の波長を変化させることができる波長可変半導体レーザである。
【００１８】
また好ましくは、入力連続光を生成する第３の半導体レーザがさらに設けられる。
【発明の効果】
【００１９】
この発明に係わる波長変換器では、第３の波長を有する連続光を生成する第１の半導体レーザと、入力連続光と第１の半導体レーザの出力連続光とを合波し、合波光を分波して第１および第２の半導体光増幅器に与える光合分波器とが設けられる。したがって、第１の半導体レーザによって生成された連続光が第１および第２の半導体光増幅器に共通に与えられる。これにより、第１および第２の半導体光増幅器の特性バランスが崩れるのが防止されるため、波長変換効率がよい波長変換器が実現できる。
【００２０】
この発明に係わる他の波長変換器では、それぞれ第３の波長を有する第１および第２の連続光を生成する第１および第２の半導体レーザと、それぞれ第１および第２の連続光を増幅して第１および第２の半導体光増幅器に与えるための第３および第４の半導体光増幅器とが設けられる。したがって、第１および第２の半導体レーザによって生成された第１および第２の連続光が、それぞれ第３および第４の半導体光増幅器によって増幅されて第１および第２の半導体光増幅器に与えられる。これにより、第１および第２の半導体光増幅器による相互位相変調効果が大きくなって波長変換速度が速くなるため、高速な波長変換が可能な波長変換器が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１による波長変換器の概略構成を示す図である。図１において、この波長変換器は、２つの半導体光増幅器による相互位相変調効果を利用したマッハツェンダ型の波長変換器であって、ＩｎＰ基板１、半導体光増幅器（ＳＯＡ）２，３、波長可変ＬＤ４および光合分波器５〜７を備える。
【００２２】
半導体光増幅器２，３の各々は、同一の光学長さを有するアーム導波路ＷＧ１，ＷＧ２に設けられる。アーム導波路ＷＧ１，ＷＧ２の両端の結合部には、光合分波器５，６が設けられる。半導体光増幅器２と光合分波器５との間には、光合分波器７が設けられる。光合分波器７は、波長λ１の強度変調されたパルス状の入力信号光を外部から光導波路ＷＧ３を介して受ける。波長可変ＬＤ４は、波長λ３の連続光であるアシスト光を生成する。光合分波器６は、波長λ２のＣＷ光（連続光）を外部から光導波路ＷＧ４を介して受けるとともに、波長可変ＬＤ４からの波長λ３のアシスト光を光導波路ＷＧ５を介して受ける。波長λ２の強度変調されたパルス状の信号光が、光合分波器５から光導波路ＷＧ６を介して外部に出力される。このように光合分波器５〜７は、異なる波長の信号光をひとまとめにしたり（合波）、信号光を分岐したりする（分波）。この波長変換器では、半導体光増幅器（ＳＯＡ）２，３、波長可変ＬＤ４および光合分波器５〜７がＩｎＰ基板１上にモノリシック集積される。
【００２３】
次に、この波長変換器における信号光の経路について説明する。外部からの波長λ１の強度変調されたパルス状の入力信号光が、光導波路ＷＧ３、光合分波器７およびアーム導波路ＷＧ１を介して半導体光増幅器２に入力される。また、外部からの波長λ２のＣＷ光が、光導波路ＷＧ４を介して光合分波器６に与えられるとともに、波長可変ＬＤ４からの波長λ３のアシスト光が光導波路ＷＧ５を介して光合分波器６に与えられる。光合分波器６は、ＣＷ光およびアシスト光を合波し、合波光を分波してアーム導波路ＷＧ１，ＷＧ２を介して半導体光増幅器２，３に与える。半導体光増幅器２，３から出力された信号光は光合分波器５で合波され、波長λ２の強度変調されたパルス状の信号光が、光合分波器５から光導波路ＷＧ６を介して外部に出力される。
【００２４】
図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、各種信号光の波形を示す図である。図２（Ａ）は、波長λ１の強度変調されたパルス状の入力信号光の波形を示す。図２（Ｂ）は、波長λ２のＣＷ光（連続光）の波形を示す。図２（Ｃ）は、波長λ３の連続光であるアシスト光の波形を示す。図２（Ｄ）は、波長λ２の強度変調されたパルス状の出力信号光の波形を示す。
【００２５】
ここで、ＣＷ光および出力信号光の波長λ２が変更された場合、半導体光増幅器２，３に与えられるアシスト光の波長λ３が固定されていると波長変換効率が悪くなることがある。そこで、出力するアシスト光の波長λ３を変化させることができる波長可変ＬＤ４を用いる。この波長可変ＬＤ４は、たとえば分布反射型半導体レーザ（ＤＢＲ−ＬＤ）または分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）である。波長可変ＬＤ４を用いて、半導体光増幅器２，３に与えられるアシスト光の波長λ３を変化させることによって、波長変換効率の低下が防止される。
【００２６】
次に、この波長変換器における波長変換動作について説明する。波長λ１の強度変調されたパルス状の入力信号光は、半導体光増幅器２，３による相互位相変調効果によってＣＷ光の波長λ２と同じ波長に変換され、波長λ２の強度変調されたパルス状の出力信号光が生成される。ここで、半導体光増幅器２，３が波長可変ＬＤ４からのアシスト光を受けることによって、半導体光増幅器２，３内部のキャリア密度が高くなる。入力信号光の強度変化に対するキャリア密度の変化の速度は、アシスト光が入力されない場合に比べて速くなる。このため、半導体光増幅器２，３による相互位相変調効果が大きくなって、波長変換速度が速くなる。なお、相互位相変調効果を大きくするためには、波長（λ３−λ１）＜５０ｎｍとする必要がある。
【００２７】
図３は、従来の波長変換器の概略構成を示す図である。図３において、この波長変換器は、ＩｎＰ基板１０１、半導体光増幅器１０２，１０３、波長可変ＬＤ１０４，１０５および光合分波器１０６〜１１０を備える。
【００２８】
半導体光増幅器１０２，１０３の各々は、同一の光学長さを有するアーム導波路ＷＧ１０１，ＷＧ１０２に設けられる。アーム導波路ＷＧ１０１，ＷＧ１０２の両端の結合部には、光合分波器１０６，１０７が設けられる。半導体光増幅器１０２と光合分波器１０６との間には、光合分波器１０８が設けられる。光合分波器１０８は、外部からの波長λ１の強度変調されたパルス状の入力信号光を光導波路ＷＧ１０３を介して受ける。光合分波器１０７は、外部からの波長λ２のＣＷ光を光導波路ＷＧ１０４を介して受ける。半導体光増幅器１０２と光合分波器１０７との間には、光合分波器１０９が設けられる。光合分波器１０９は、波長可変ＬＤ１０４からの波長λ３の連続光であるアシスト光を光導波路ＷＧ１０５を介して受ける。半導体光増幅器１０３と光合分波器１０７との間には、光合分波器１１０が設けられる。光合分波器１１０は、波長可変ＬＤ１０５からの波長λ３の連続光であるアシスト光を光導波路ＷＧ１０６を介して受ける。波長λ２の強度変調されたパルス状の信号光が、光合分波器１０６から光導波路ＷＧ１０７を介して外部に出力される。
【００２９】
図１に示した実施の形態１による波長変換器では１つの波長可変ＬＤ４が設けられているのに対し、図３に示した従来の波長変換器では２つの波長可変ＬＤ１０４，１０５が設けられている。図３において、波長可変ＬＤ１０４からの波長λ３のアシスト光が、光導波路ＷＧ１０５、光合分波器１０９およびアーム導波路ＷＧ１０１を介して半導体光増幅器１０２に入力される。また、波長可変ＬＤ１０５からの波長λ３のアシスト光が、光導波路ＷＧ１０６、光合分波器１１０およびアーム導波路ＷＧ１０２を介して半導体光増幅器１０３に入力される。外部からの波長λ２のＣＷ光が、光導波路ＷＧ１０４、光合分波器１０７，１０９およびアーム導波路ＷＧ１０１を介して半導体光増幅器１０２に入力される。また、外部からの波長λ２のＣＷ光は、光導波路ＷＧ１０４、光合分波器１０７，１１０およびアーム導波路ＷＧ１０２を介して半導体光増幅器１０３に入力される。この波長変換器の波長変換動作は、図１に示した波長変換器の波長変換動作と同様である。
【００３０】
ここで、波長可変ＬＤ１０４，１０５は、ともに波長λ３のアシスト光を生成する。しかし、波長可変ＬＤ１０４，１０５が生成するアシスト光の波長λ３を厳密に一致させるのは困難であるという問題があった。半導体光増幅器１０２，１０３が受けるアシスト光の波長λ３が異なると、半導体光増幅器１０２，１０３の利得などの特性バランスが崩れるため、波長変換効率が低下するという問題があった。
【００３１】
しかし、この実施の形態１では、１つの波長可変ＬＤ４によって生成された波長λ３のアシスト光を２つの半導体光増幅器２，３に共通に与える構成にする。これにより、２つの半導体光増幅器２，３の特性バランスが崩れるのが防止される。したがって、波長変換効率がよい波長変換器が実現できる。
【００３２】
［実施の形態２］
図４は、この発明の実施の形態２による波長変換器の概略構成を示す図であって、図１と対比される図である。図４の波長変換器を参照して、図１の波長変換器と異なる点は、半導体光増幅器１１が追加されている点である。なお、図４において、図１と対応する部分においては同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
【００３３】
半導体光増幅器１１は、波長可変ＬＤ４と光合分波器６との間の光導波路ＷＧ５に設けられる。半導体光増幅器１１は、波長可変ＬＤ４からのアシスト光を増幅して、光導波路ＷＧ５を介して光合分波器６に与える。光合分波器６は、外部からの波長λ２のＣＷ光、および半導体光増幅器１１からの波長λ３のアシスト光を合波し、合波光を分波してアーム導波路ＷＧ１，ＷＧ２を介して半導体光増幅器２，３に与える。波長変換の高速化を十分に実現するためには、半導体光増幅器２，３に数十（ｍＷ）程度のアシスト光を与えるのが望ましい。しかし、波長可変ＬＤ４から出力されるアシスト光は十分な光強度を有しない。
【００３４】
そこで、この実施の形態２では、波長可変ＬＤ４からのアシスト光を半導体光増幅器１１で増幅して半導体光増幅器２，３に与える構成にする。これにより、半導体光増幅器２，３による相互位相変調効果が大きくなって、波長変換速度が速くなる。したがって、波長変換効率がよく、高速な波長変換が可能な波長変換器が実現できる。
【００３５】
［実施の形態２の変更例］
図５は、この発明の実施の形態２の変更例による波長変換器の概略構成を示す図であって、図４と対比される図である。図５の波長変換器を参照して、図４の波長変換器と異なる点は、波長可変ＬＤ２１が追加されている点である。
【００３６】
波長可変ＬＤ２１は、波長λ２の連続光であるＣＷ光を生成する。この波長可変ＬＤ２１は、出力するＣＷ光の波長λ２を変化させることができる。このように、この実施の形態２の変更例では、ＣＷ光を生成する波長可変ＬＤ２１をＩｎＰ基板１上にモノリシック集積する。この場合も、実施の形態２と同様に、波長変換効率がよく、高速な波長変換が可能な波長変換器が実現できる。
【００３７】
なお、波長可変ＬＤ２１の代わりに、出力するＣＷ光の波長λ２が固定された半導体レーザを用いてもよい。
【００３８】
［実施の形態３］
図６は、この発明の実施の形態３による波長変換器の概略構成を示す図であって、図１と対比される図である。図６の波長変換器を参照して、図１の波長変換器と異なる点は、波長可変ＬＤ４が削除され、波長可変ＬＤ３１，３２、半導体光増幅器３３，３４および光合分波器３５，３６が追加されている点である。なお、図６において、図１と対応する部分においては同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
【００３９】
光合分波器３５は、半導体光増幅器２と光合分波器６との間に設けられる。光合分波器３６は、半導体光増幅器３と光合分波器６との間に設けられる。波長可変ＬＤ３１，３２は、それぞれ波長λ３の連続光であるアシスト光を生成する。これらの波長可変ＬＤ３１，３２は、たとえば分布反射型半導体レーザ（ＤＢＲ−ＬＤ）または分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）であり、出力するアシスト光の波長λ３を変化させることができる。これにより、ＣＷ光および出力信号光の波長λ２が変更された場合、波長変換効率が低下するのが防止される。半導体光増幅器３３は、波長可変ＬＤ３１と光合分波器３５との間の光導波路ＷＧ１１に設けられる。半導体光増幅器３３は、波長可変ＬＤ３１からのアシスト光を増幅して、光導波路ＷＧ１１、光合分波器３５およびアーム導波路ＷＧ１を介して半導体光増幅器２に与える。半導体光増幅器３４は、波長可変ＬＤ３２と光合分波器３６との間の光導波路ＷＧ１２に設けられる。半導体光増幅器３４は、波長可変ＬＤ３２からのアシスト光を増幅して、光導波路ＷＧ１２、光合分波器３６およびアーム導波路ＷＧ２を介して半導体光増幅器３に与える。
【００４０】
図３に示した従来の波長変換装置では、波長可変ＬＤ１０４，１０５の出力部に半導体光増幅器が設けられていなかった。波長変換の高速化を十分に実現するためには、半導体光増幅器２，３に数十（ｍＷ）程度のアシスト光を与えるのが望ましい。しかし、波長可変ＬＤ４から出力されるアシスト光は十分な光強度を有しない。このため、従来の波長変換装置では波長変換の高速化が十分に実現できなかった。
【００４１】
そこで、この実施の形態３では、波長可変ＬＤ３１からのアシスト光を半導体光増幅器３３で増幅して半導体光増幅器２に与え、波長可変ＬＤ３２からのアシスト光を半導体光増幅器３４で増幅して半導体光増幅器３に与える構成にする。これにより、半導体光増幅器２，３による相互位相変調効果が大きくなって、波長変換速度が速くなる。したがって、高速な波長変換が可能な波長変換器が実現できる。
【００４２】
［実施の形態３の変更例］
図７は、この発明の実施の形態３の変更例による波長変換器の概略構成を示す図であって、図６と対比される図である。図７の波長変換器を参照して、図６の波長変換器と異なる点は、波長可変ＬＤ４１が追加されている点である。
【００４３】
波長可変ＬＤ４１は、波長λ２の連続光であるＣＷ光を生成する。この波長可変ＬＤ４１は、出力するＣＷ光の波長λ２を変化させることができる。このように、この実施の形態３の変更例では、ＣＷ光を生成する波長可変ＬＤ４１をＩｎＰ基板１上にモノリシック集積する。この場合も、実施の形態２と同様に、高速な波長変換が可能な波長変換器が実現できる。
【００４４】
なお、波長可変ＬＤ４１の代わりに、出力するＣＷ光の波長λ２が固定された半導体レーザを用いてもよい。
【００４５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の実施の形態１による波長変換器の概略構成を示す図である。
【図２】各種信号光の波形を示す図である。
【図３】従来の波長変換器の概略構成を示す図である。
【図４】この発明の実施の形態２による波長変換器の概略構成を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態２の変更例による波長変換器の概略構成を示す図である。
【図６】この発明の実施の形態３による波長変換器の概略構成を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態３の変更例による波長変換器の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１，１０１  ＩｎＰ基板、２，３，１１，３３，３４，１０２，１０３  半導体光増幅器（ＳＯＡ）、４，２１，３１，３２，４１，１０４，１０５  波長可変ＬＤ、５〜７，３５，３６，１０６〜１１０  光合分波器。
【図１】
2006078530.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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