(57)【要約】【課題】  ポップコーンノイズが少なく、信頼性の高い焦電型赤外線検出素子、および焦電型赤外線検出器を提供する。【解決手段】  焦電型赤外線検出素子１を、焦電性基板２と、焦電性基板２の対向する一対の表面２０ａ、２０ｂに形成された電極３ａ、３ｂと、を備えて構成する。焦電性基板２の体積抵抗率を、１×１０10〜１×１０13Ωｃｍとする。焦電性基板２の体積抵抗率が低いため、温度変化により電荷が発生しても、その電荷は焦電性基板２内を通って速やかに消滅する。このため、焦電性基板２の表面は高電圧にならず、放電が抑制され、ポップコーンノイズが低減される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦電性基板と、該焦電性基板の対向する一対の表面に形成された電極と、を備える焦電型赤外線検出素子であって、
該焦電性基板の体積抵抗率は、１×１０10〜１×１０13Ωｃｍであることを特徴とする焦電型赤外線検出素子。
【請求項２】
前記焦電性基板は、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶からなる請求項１に記載の焦電型赤外線検出素子。
【請求項３】
前記タンタル酸リチウム単結晶および前記ニオブ酸リチウム単結晶は、還元処理されている請求項２に記載の焦電型赤外線検出素子。
【請求項４】
前記還元処理は、前記タンタル酸リチウム単結晶または前記ニオブ酸リチウム単結晶からなるウエーハと、アルカリ金属化合物を含む還元剤と、を処理容器に収容し、該処理容器内を減圧下、該タンタル酸リチウム単結晶のウエーハの場合には２００℃以上６００℃以下、該ニオブ酸リチウム単結晶のウエーハの場合には２００℃以上１０００℃以下の温度に保持して行う請求項３に記載の焦電型赤外線検出素子。
【請求項５】
前記タンタル酸リチウム単結晶および前記ニオブ酸リチウム単結晶は、鉄、銅、マンガン、モリブデン、コバルト、ニッケル、亜鉛、炭素、マグネシウム、チタン、タングステン、インジウム、錫、希土類元素から選ばれる少なくとも一種以上の添加元素を含有する請求項２に記載の焦電型赤外線検出素子。
【請求項６】
前記添加元素の含有割合は、０．０１質量％以上１．００質量％以下である請求項５に記載の焦電型赤外線検出素子。
【請求項７】
請求項１に記載された焦電型赤外線検出素子を備えることを特徴とする焦電型赤外線検出器。
【請求項８】
前記焦電型赤外線検出素子の電極間の抵抗は１×１０10〜５×１０11Ωであり、該焦電型赤外線検出素子で生じた電荷を取り出すためのインピーダンス回路には、入力抵抗体が接続されていない請求項７に記載の焦電型赤外線検出器。
【請求項９】
前記焦電型赤外線検出素子の電極は、直列接続または直並列接続される請求項７に記載の焦電型赤外線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、焦電効果を利用した焦電型赤外線検出素子、および焦電型赤外線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
焦電型赤外線検出素子は、焦電効果を利用して、物体から放出される赤外線エネルギーを検出する素子であり、人感センサ、炎検出器等、種々の用途に利用される。焦電型赤外線検出素子の基本構造を説明する。図１２に、焦電型赤外線検出素子の断面図を示す。また、図１３に、同素子の回路記号を示す。図１２に示すように、焦電型赤外線検出素子１００は、焦電性基板１１０と、電極１３０ａ、１３０ｂと、を備える。
【０００３】
焦電性基板１１０は、タンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶等の焦電材料からなる。焦電性基板１１０は、図１２中の矢印で示す方向に単一分極される。電極１３０ａ、１３０ｂは、焦電性基板１１０の分極方向に対向する一対の表面１２０ａ、１２０ｂにそれぞれ形成される。電極１３０ａ、１３０ｂには、電荷を取り出すための導線１４０ａ、１４０ｂがそれぞれ接続される。赤外線は、焦電性基板１１０の表面１２０ａ側から照射される。
【０００４】
通常、焦電性基板１１０の表面１２０ａ、１２０ｂは、周囲のイオンや電子等の浮遊電荷を捕獲して、電気的に中性な平衡状態を保っている。赤外線が照射されると、焦電性基板１１０の温度が上昇する。すると、その温度変化に応じて自発分極が変化する。図１４に、温度と自発分極との関係を示す。図１４に示すように、温度変化（ΔＴ）に対して自発分極がΔＰｓだけ変化する。自発分極の変化により、焦電性基板１１０の表面１２０ａ、１２０ｂでは電荷の平衡状態が崩れ、電荷が発生する。発生した電荷を、電極１３０ａ、１３０ｂから導線１４０ａ、１４０ｂを介して取り出すことで、赤外線を検出する。その後、表面１２０ａ、１２０ｂの電荷は、周囲の浮遊電荷により中和され、再び平衡状態となる。
【０００５】
ところで、このような焦電型赤外線検出素子を使用した検出器では、ポップコーンノイズと呼ばれる突発的なノイズの発生が問題となる。ポップコーンノイズは、環境温度の急激な変化等により突発的に発生し、検出器の誤作動の原因となる。ポップコーンノイズは、焦電性基板の表面に蓄積した電荷が、高電圧になり放電されることが原因と考えられる。例えば、赤外線が照射されなくても、温度変化があれば、焦電性基板の表面に電荷が発生する。また、温度変化があると、焦電性基板とそれを支える回路基板との熱膨張率の違いにより、焦電性基板に歪みが生じる。よって、この歪みに起因した電荷の発生も考えられる。ポップコーンノイズの問題を解決すべく、従来から、様々な試みがなされている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２７９３号公報
【特許文献２】特開２００１−２６７６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１には、電極の周囲三方向にサンドブラスト加工でくり抜き孔を形成することで、焦電性基板の応力を軽減する方法が開示されている。しかし、この方法では、焦電型赤外線検出素子の製造工程が多くなり、加工費用も高くなる。また、くり抜き孔を形成する分だけ焦電性基板の面積を大きくする必要がある。このため、一枚のウエーハから作製できる焦電性基板の数が減り、コスト高となる。
【０００７】
上記特許文献２には、タンタル酸リチウム単結晶からなる焦電性基板にクロムを拡散させて、焦電性基板の体積抵抗率を低下させる方法が開示されている。しかし、この方法では、ウエーハを１枚ずつ高電圧処理しなければならず、生産性が悪い。また、特許文献２には、クロムを拡散させると体積抵抗率はどの程度低下するのか、あるいは体積抵抗率をどの程度低下させればよいのか、について何も記載されていない。
【０００８】
このように、ポップコーンノイズを低減することのできる実用的な技術は、未だ実現されていない。本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、ポップコーンノイズが少なく、信頼性の高い焦電型赤外線検出素子、および焦電型赤外線検出器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述したように、焦電性基板は、タンタル酸リチウム単結晶等の焦電材料からなる。タンタル酸リチウム単結晶等は、焦電係数が大きく、体積抵抗率が大きいという特性を有する。例えば、タンタル酸リチウム単結晶やニオブ酸リチウム単結晶の体積抵抗率は、１０14Ωｃｍ程度となる。このため、わずかな温度変化により表面に電荷が発生し、一旦発生した電荷は蓄積され、外部から除電処理を施さない限り帯電状態が続いてしまう。
【００１０】
本発明者は、ポップコーンノイズの低減について鋭意研究を重ねた結果、焦電性基板の体積抵抗率を所定の範囲にすることで、実用的な出力を維持しつつポップコーンノイズを低減することができるという知見を得た。
【００１１】
すなわち、本発明の焦電型赤外線検出素子は、焦電性基板と、該焦電性基板の対向する一対の表面に形成された電極と、を備える焦電型赤外線検出素子であって、該焦電性基板の体積抵抗率は、１×１０10〜１×１０13Ωｃｍであることを特徴とする（請求項１に対応）。
【００１２】
焦電性基板の体積抵抗率が、１×１０10〜１×１０13Ωｃｍと低いため、温度変化により電荷が発生しても、その電荷は焦電性基板内を通って速やかに消滅する。このため、焦電性基板の表面は高電圧にならず、放電は抑制される。これより、ポップコーンノイズは大幅に低減される。よって、本発明の焦電型赤外線検出素子によれば、誤作動が少なく、信頼性の高い焦電型赤外線検出器を構成することができる。また、焦電性基板の体積抵抗率が低いため、電気的時定数が小さく、応答性が向上する。
【００１３】
また、焦電型赤外線検出素子の製造過程においても、次のような利点がある。焦電型赤外線検出素子は、タンタル酸リチウム単結晶等からなるウエーハ上に複数の電極を一度に形成した後、ウエーハを切断して製造される。焦電性基板の体積抵抗率が小さい、言い換えれば、ウエーハの体積抵抗率が小さいため、ウエーハは帯電し難い。例えば、ウエーハの表面に蒸着等で電極を形成する工程では、ウエーハと金属製マスクとが静電気で密着するおそれは少なくなる。このため、ウエーハと金属製マスクとの剥離が容易になり、ウエーハの破損は少なくなる。また、従来は、温度変化によりウエーハに生じた電荷が、ダスト等により中和され、電極に欠陥を生じていた。しかし、ウエーハの帯電が抑制されるため、このような電極の欠陥が減少し、作業効率が向上する。また、ウエーハを切断する工程では、切断時の放電が抑制されるため、ウエーハの破損は少なくなる。このように、焦電型赤外線検出素子の製造歩留まりが向上し、製造コストを低減することができる。
【００１４】
また、赤外線の照射により焦電型赤外線検出素子で生じた電荷は、通常、同素子と並列に接続された入力抵抗体と、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）と、からなるインピーダンス変換回路により電圧として取り出される。本発明の焦電型赤外線検出素子では、焦電性基板の体積抵抗率が小さいため、素子自身に導電性がある。よって、焦電性基板の体積抵抗率、電極面積、電極間隔等を調整することで、焦電型赤外線検出素子をＦＥＴの入力端に用いるのに適した抵抗体とすることができる。これより、高価な入力抵抗体は不要になり、安価な焦電型赤外線検出器を構成することができる。また、多数の焦電型赤外線検出素子からなる焦電型赤外線検出器を構成する場合、素子ごとに必要であった入力抵抗体を省略することができる。その結果、焦電型赤外線検出器の配線の簡略化、組み立ての容易化が可能となり、焦電型赤外線検出器を小型化することができる。
【００１５】
通常、焦電性基板に二対の電極を形成する場合、または、一対の電極を持つ焦電型赤外線検出素子を二つ組み合わせて焦電型赤外線検出器を構成する場合には、雑音を少なくするため、電極を並列に接続する。これらの場合、図１５に回路記号を示すように、各電極は自発分極の向きが互いに逆になるよう接続される。並列接続の場合、直列接続と比較して、検出感度は低下するが、雑音が大幅に少なくなり、Ｓ／Ｎ（信号／雑音）が改善される。これに対して、本発明の焦電型赤外線検出素子では、焦電性基板の体積抵抗率が低いため、二対の電極を直列接続した場合でも雑音が少なく、Ｓ／Ｎが向上する。また、本発明者が検討したところ、直列接続した場合には、検出感度が大幅に向上することがわかった。直列接続の一例の回路記号を図１６に示す。直列接続の場合には、太陽光線等の影響による誤動作防止のため、各電極は自発分極の向きが互いに逆になるよう接続される。
【００１６】
なお、本明細書中「〜」を用いて記載された数値範囲（１×１０10〜１×１０13Ωｃｍ等）には、その下限値および上限値が含まれる。具体例を示せば、「１×１０10〜１×１０13Ωｃｍ」は、「１×１０10Ωｃｍ以上１×１０13Ωｃｍ以下」を意味する。
【００１７】
本発明の焦電型赤外線検出器は、上記本発明の焦電型赤外線検出素子を備えることを特徴とする（請求項７に対応）。上述したように、本発明の焦電型赤外線検出素子によれば、ポップコーンノイズが大幅に低減される。よって、このような本発明の焦電型赤外線検出素子を用いた本発明の焦電型赤外線検出器では、誤作動が少なく、応答性および信頼性が高い。また、インピーダンス変換回路における入力抵抗体を省略できる場合には、配線の簡略化、組み立ての容易化が可能となり、安価でコンパクトな焦電型赤外線検出器となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の焦電型赤外線検出素子を構成する焦電性基板の体積抵抗率は、１×１０10〜１×１０13Ωｃｍである。焦電性基板の体積抵抗率が低いため、温度変化により電荷が発生しても、その電荷は焦電性基板内を通って速やかに消滅する。これより、本発明の焦電型赤外線検出素子では、ポップコーンノイズが大幅に低減され、応答性も向上する。また、製造過程では、ウエーハの帯電に起因する破損が少なくなり、歩留まりが向上する。
【００１９】
このような本発明の焦電型赤外線検出素子を用いた本発明の焦電型赤外線検出器は、ポップコーンノイズによる誤作動が少ないため、信頼性、応答性に優れる。また、インピーダンス変換回路における入力抵抗体を省略できる場合には、配線の簡略化、組み立ての容易化が可能となり、焦電型赤外線検出器を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。
【００２１】
〈焦電型赤外線検出素子〉
まず、本発明の一実施形態である焦電型赤外線検出素子の構成を説明する。図１に、本実施形態の焦電型赤外線検出素子の模式図を示す。図２に、同素子の回路記号を示す。図１に示すように、焦電型赤外線検出素子１は、焦電性基板２と電極３ａ、３ｂとを備える。
【００２２】
焦電性基板２は、還元処理され、体積抵抗率１×１０11Ωｃｍのタンタル酸リチウム単結晶からなる。なお、還元処理については後述する。焦電性基板２は、縦２ｍｍ×横２ｍｍ×厚さ０．０４ｍｍの大きさの平板状を呈する。焦電性基板２は、図１中の矢印で示す方向に単一分極される。
【００２３】
電極３ａ、３ｂは、焦電性基板２の分極方向に対向する一対の表面２０ａ、２０ｂにそれぞれ形成される。電極３ａは、厚さ１０ｎｍのニッケルクロム（ＮｉＣｒ）薄膜からなる。電極３ａは、ＮｉＣｒの蒸着により、焦電性基板２の表面２０ａに略円形状に形成される。電極３ｂは、厚さ１０ｎｍのＮｉＣｒ薄膜からなる。電極３ｂは、ＮｉＣｒの蒸着により、焦電性基板２の表面２０ｂ全体に形成される。電極３ａ、３ｂには、電荷を取り出すための導線４ａ、４ｂがそれぞれ接続される。赤外線は、焦電性基板２の表面２０ａ側から照射される。
【００２４】
次に、本実施形態の焦電型赤外線検出素子の動作を説明する。焦電型赤外線検出素子１に、赤外線が照射されると、焦電性基板２の温度が上昇する。すると、その温度変化に応じて自発分極が変化する。自発分極の変化により、焦電性基板２の表面２０ａ、２０ｂには電荷が発生する。発生した電荷は、電極３ａ、３ｂから導線４ａ、４ｂを介して取り出される。
【００２５】
一方、赤外線の照射によらない温度変化があった場合にも、焦電性基板２の表面２０ａ、２０ｂに電荷が発生する。しかし、焦電性基板２の体積抵抗率が低いため、発生した電荷は、焦電性基板２内を通って速やかに消滅する。このため、焦電性基板２の表面２０ａ、２０ｂは高電圧にならず、放電が抑制される。その結果、ポップコーンノイズは低減される。
【００２６】
以上、本発明の焦電型赤外線検出素子の実施形態について説明した。しかしながら、本発明の焦電型赤外線検出素子の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した種々の形態で実施することができる。
【００２７】
例えば、上記実施形態では、焦電性基板として、還元処理されたタンタル酸リチウム単結晶を用いた。しかし、焦電性基板として、還元処理されたニオブ酸リチウム単結晶を用いてもよい。さらに、後述する、鉄等の金属が添加されたタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶を還元処理して焦電性基板としてもよい。ここで、焦電性基板の体積抵抗率は、１×１０10〜１×１０13Ωｃｍであればよい。１×１０10Ωｃｍ未満の場合には、充分な出力を得ることができない。特に、１×１０11Ωｃｍ以上とすると好適である。反対に、１×１０13Ωｃｍを超えると、発生した電荷が焦電性基板内を通って消滅し難いため、ポップコーンノイズの低減効果が得られない。特に、１×１０12Ωｃｍ以下とすると好適である。
【００２８】
また、インピーダンス変換回路の入力抵抗体を省略して、焦電型赤外線検出器を構成する場合には、焦電性基板の体積抵抗率、電極面積、電極間隔等を調整し、焦電型赤外線検出素子の電極間の抵抗を所定の範囲内に調整すればよい。例えば、自発分極Ｐｓを、式［Ｖ＝Ｐｓ／Ｃ（Ｖ：電圧、Ｃ：容量）］という形で検出する方法（いわゆる電圧モード）では、焦電型赤外線検出素子の電極間の抵抗を、１×１０10〜５×１０11Ωとするとよい。１×１０10Ω未満では、出力が小さくなる。反対に、５×１０11Ωを超えると、発生した電荷や、ＦＥＴのソース−ゲート間のリーク電流がＦＥＴのゲートに蓄積し、出力が安定しない。
【００２９】
電極の形成方法、および厚さ、形状等の態様は、上記実施形態に限定されるものではない。電極の数は必要に応じて増やすことができ、直列、並列、および両方を組み合わせた直並列等、種々の接続態様を採用することができる。電極の接続態様については、後の〈焦電型赤外線検出器〉において説明する。
【００３０】
上記実施形態では、タンタル酸リチウム単結晶を還元処理することにより、体積抵抗率を１×１０11Ωｃｍとした。以下に、上記実施形態における還元処理の方法を説明する。図３に、還元処理装置の概略を示す。図３に示すように、還元処理装置１０は、処理容器１１と、ヒータ１２と、真空ポンプ１３とを備える。
【００３１】
処理容器１１は、石英製である。処理容器１１の一端には配管が接続される。接続された配管を通して、処理容器１１中の排気が行われる。処理容器１１には、タンタル酸リチウム単結晶からなるウエーハ１４、および還元剤としての塩化リチウム粉末１６が収容される。ウエーハ１４の直径は４インチ（約１０．１６ｃｍ）、厚さは０．５ｍｍである。ウエーハ１４は、石英製のウエーハカセットケース１５内に、約５ｍｍの間隔で５０枚配置される。塩化リチウム粉末１６は、ウエーハ１４とは別に、石英ガラス製のシャーレ１７内に１００ｇ収容される。ヒータ１２は、処理容器１１の周囲を覆うように配置される。真空ポンプ１３は、処理容器１１に配管を介して接続される。真空ポンプ１３は、処理容器１１内のガスを排気し、処理容器１１内を真空にする。
【００３２】
次に、還元処理の流れを説明する。まず、真空ポンプ１３により、処理容器１１内を１．３３Ｐａ程度の真空雰囲気とする。次いで、ヒータ１２により処理容器１１を加熱し、処理容器１１内の温度を３時間で５５０℃まで上昇させる。処理容器１１内の温度が５５０℃に達したら、その状態で１８時間保持する。その後、ヒータ１２を停止し、処理容器１１内を自然冷却する。
【００３３】
これより、還元剤から供給されるリチウム原子が、タンタル酸リチウム単結晶中の酸素と反応し、ウエーハ１４は還元される。リチウムは、タンタル酸リチウム単結晶の構成成分であるため、他元素の混入による汚染の心配はない。また、タンタル酸リチウム単結晶中のリチウム原子が放出され難いため、同単結晶中のリチウム：タンタル比は変化しない。また、還元剤を供給し続けることで、還元反応を連続的に進行させることができ、ウエーハ１４全体を均一に還元することができる。
【００３４】
なお、本実施形態では、タンタル酸リチウム単結晶からなるウエーハを還元処理したため、処理温度を６００℃以下とした。一方、ニオブ酸リチウム単結晶のキュリー点は１１３３℃と高い。よって、ニオブ酸リチウム単結晶からなるウエーハを還元処理する場合には、処理温度を１０００℃近傍まで上げることができる。すなわち、タンタル酸リチウム単結晶のウエーハを還元処理する場合には２００℃以上６００℃以下の温度で行うことが望ましい。また、ニオブ酸リチウム単結晶のウエーハを還元処理する場合には２００℃以上１０００℃以下の温度で行うことが望ましい。
【００３５】
また、還元剤の種類は、塩化リチウムに限定されるものではない。例えば、炭酸リチウム、水酸化リチウム等のリチウム化合物を用いることができる。また、リチウム化合物以外のアルカリ金属化合物、具体的には、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム等のナトリウム化合物、炭酸カリウム、水酸化カリウム、塩化カリウム等のカリウム化合物等を用いてもよい。これらのアルカリ金属化合物を、それぞれ単独で使用してもよく、二種以上を併用してもよい。
【００３６】
本実施形態では、還元剤とウエーハとを別々に配置したが、ウエーハを還元剤に埋設して還元処理を行ってもよい。また、還元剤としてアルカリ金属化合物を含むガスを用いてもよい。この場合、所定の条件下の処理容器にアルカリ金属化合物を含むガスを導入して還元処理を行えばよい。あるいは、アルカリ金属化合物を含むガスを処理容器に連続的に供給、排気しながら還元処理を行えばよい。さらに、還元剤としてアルカリ金属化合物溶液を用いてもよい。この場合、アルカリ金属化合物溶液を容器に収容してウエーハと別々に配置してもよく、ウエーハを同溶液に浸漬してもよい。また、処理圧力は１．３３Ｐａより低い圧力でも構わない。処理容器内の真空度を高くすることで、比較的低温下でも、アルカリ金属化合物を還元力の高い蒸気にすることができる。
【００３７】
このように、還元剤の種類、使用量、配置形態、処理容器内の真空度、温度、および処理時間を適宜調整し、ウエーハの還元度合いを制御することで、所望の体積抵抗率を持つウエーハを得ることができる。そして、得られたウエーハ上に複数の電極を形成し、ウエーハを切断することで、上記焦電型赤外線検出素子となる。
【００３８】
一方、焦電性基板としては、所定の元素が添加されたタンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶も好適である。これらの単結晶は、還元処理を施さなくても、焦電性基板として用いることができる。添加される元素としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、炭素（Ｃ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、および希土類元素から選ばれる少なくとも一種以上が好適である。なかでも、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、イットリウム（Ｙ）、Ｔｉが特に好適である。
【００３９】
添加元素の含有割合は、タンタル酸リチウム単結晶等の質量全体を１００質量％とした場合の、０．０１質量％以上が望ましい。０．０１質量％未満の場合には、体積抵抗率の低減効果が低い。０．０５質量％以上がより好適である。また、添加元素量が多すぎると、結晶中に添加元素が偏析し、結晶欠陥が生じやすくなる。加えて、組成も不均一になり易い。よって、添加元素の含有割合は、１．００質量％以下であることが望ましい。０．１０質量％以下がより好適である。このような添加元素を含むタンタル酸リチウム単結晶等は、チョクラルスキー法等の既に公知の方法に従って製造すればよい。すなわち、所定の原料を混合、焼成して原料混合物とした後、該原料混合物を溶融し、該融液の中に種結晶を浸して引き上げることにより製造することができる。
【００４０】
〈焦電型赤外線検出器〉
次に、本発明の焦電型赤外線検出器の一実施形態として、上記同様の構成の焦電型赤外線検出素子を用いた焦電型赤外線検出器の構成を説明する。図４に、焦電型赤外線検出器の分解斜視図を示す。また、図５に、同検出器の等価回路を示す。
【００４１】
図４に示すように、焦電型赤外線検出器９は、焦電型赤外線検出素子５と、回路基板６と、ＴＯ−５ヘッダ７と、キャップ８とを備える。
【００４２】
回路基板６は、円板状を呈し、入力抵抗体６０と、ＦＥＴ６１と、二つの支持部６２ａ、６２ｂを備える。図５に示すように、入力抵抗体６０は、焦電型赤外線検出素子５と並列に接続される。入力抵抗体６０とＦＥＴ６１とは対向して配置され、インピーダンス変換回路を構成する。支持部６２ａ、６２ｂは、回路基板６の左右側部にそれぞれ配置される。支持部６２ａ、６２ｂは、焦電型赤外線検出素子５を橋渡し状態で支持する。
【００４３】
焦電型赤外線検出素子５は、支持部６２ａ、６２ｂの上面に、銀ペースト接着剤で固着される。焦電型赤外線検出素子５を構成する焦電性基板５０は、縦２．１ｍｍ×横４．８ｍｍ×厚さ０．０４ｍｍの大きさの平板状を呈する。それ以外は、上記実施形態の焦電型赤外線検出素子（前出図１参照。）と同じであるため、ここでは焦電型赤外線検出素子５の説明を省略する。
【００４４】
ＴＯ−５ヘッダ７は、回路基板６の下側に配置され、回路基板６を支持する。ＴＯ−５ヘッダ７は、円板状を呈し、下方に突出した電源用端子７０、出力用端子７１、接地用端子７２を備える。キャップ８は下方に開口した円筒形状を呈し、開口部周囲にはフランジ８１が形成される。キャップ８の上面には、矩形状の窓部８０が形成される。窓部８０には赤外線を透過するシリコン製のフィルタが配置される。キャップ８は、回路基板６の上方から被せられる。フランジ８１とＴＯ−５ヘッダ７とが溶接され、キャップ８はＴＯ−５ヘッダ７上に固定される。
【００４５】
次に、本実施形態の焦電型赤外線検出器の動作を説明する。赤外線が窓部８０を通して焦電型赤外線検出素子５に照射されると、焦電性基板５０の温度が昇し、電荷が発生する。発生した電荷は、入力抵抗体６０とＦＥＴ６１とによりインピーダンス変換され、出力用端子７１から電圧として取り出される。一方、焦電性基板５０に、赤外線の照射によらない温度変化があった場合には、発生した電荷は、焦電性基板５０内を通って速やかに消滅する。このため、焦電性基板５０の放電は抑制され、ポップコーンノイズは低減される。その結果、誤作動が少なくなり、焦電型赤外線検出器９の信頼性は高い。
【００４６】
以上、本発明の焦電型赤外線検出器の実施形態について説明した。しかしながら、本発明の焦電型赤外線検出器の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した種々の形態で実施することができる。例えば、焦電型赤外線検出素子の態様は、上述した通り、種々の態様を採用することができる。また、焦電型赤外線検出素子の数、回路基板の構成、ヘッダおよびキャップの態様も、焦電型赤外線検出器の用途に応じて適宜変更可能である。
【００４７】
また、上記実施形態では、入力抵抗体を用いてインピーダンス変換回路を構成した。しかし、焦電性基板の体積抵抗率、電極面積、電極間隔等を調整することにより、入力抵抗体を省略することができる。すなわち、焦電型赤外線検出素子の電極間の抵抗が１×１０10〜５×１０11Ωの場合には、焦電型赤外線検出素子で生じた電荷を取り出すためのインピーダンス回路に、入力抵抗体を接続しないで焦電型赤外線検出器を構成することができる。この場合には、焦電型赤外線検出器の低価格化、小型化に加え、配線の簡略化、組み立ての容易化が可能となる。
【００４８】
ここで、本発明の焦電型赤外線検出器における電極の接続態様について説明する。電極の接続態様には、直列、並列、および両方を組み合わせた直並列等がある。並列接続の態様として、次の二つが挙げられる。一つは、ワイヤーボンディング等により接続する態様である。図１７に、本態様を採用した回路基板上の電極接続形態の上面図を示す。図１８に、同形態の側面図を示す。なお、図４と対応する部位については同じ符号で示す。本電極接続形態の回路記号は、前出図１５に示す。図１７、図１８に示すように、回路基板６上には、焦電型赤外線検出素子４１、４２が配置される。焦電型赤外線検出素子４１は、支持部４４ａ、４４ｂにて支持され、焦電性基板４１０と電極４１１ａ、４１１ｂとを備える。焦電性基板４１０の分極方向は、図１８中の上向きである。焦電型赤外線検出素子４２は、支持部４４ｃ、４４ｄにて支持され、焦電性基板４２０と電極４２１ａ、４２１ｂとを備える。焦電性基板４２０の分極方向は、焦電性基板４１０とは逆方向の下向きである。各焦電性基板４１０、４２０の上面に形成された電極４１１ａ、４２１ａは、それぞれ導線４３ａ、４３ｂによりＦＥＴ（図略）に接続される。各焦電性基板４１０、４２０の下面に形成された電極４１１ｂ、４２１ｂは、回路基板６上の配線４３ｃにより接地用端子（図略）に接続される。
【００４９】
例えば、太陽光線等の光が、焦電型赤外線検出素子４１、４２に同時に照射された場合、各々に形成された電極４１１ａ、４２１ａの表面には等しい量の電荷が発生する。このため、＋電荷および−電荷は、４１１ａと４２１ａ、４１１ｂと４２１ｂで消滅し、出力が発生することはない。本電極接続形態によれば、各焦電型赤外線検出素子における焦電性基板の面積は小さくてよい。しかし、二つの焦電型赤外線検出素子を回路基板上に配置し、各々の上側の電極に別途導線を接続する必要があるため、工数が多くなるという問題がある。
【００５０】
並列接続のもう一つの態様は、一枚の焦電性基板に二対の電極を形成し、導電パターンにより並列接続とする態様である。図１９に、本態様を採用した回路基板上の電極接続形態の上面図を示す。図２０に、同形態の側面図を示す。なお、図４と対応する部位については同じ符号で示す。本電極接続形態の回路記号は、前出図１５に示す。図１９、図２０に示すように、回路基板６上には、焦電型赤外線検出素子４５が配置される。焦電型赤外線検出素子４５は、支持部６２ａ、６２ｂの上面に、銀ペーストの接着剤６３ａ、６３ｂにより固着される。焦電型赤外線検出素子４５は、焦電性基板４５０と二対の電極４５１ａ−４５１ｂ、４５３ａ−４５３ｂとを備える。電極４５１ａは、リード部４５２ａにより支持部６２ｂに接続される。同様に、電極４５３ｂも、リード部４５４ｂにより支持部６２ｂに接続される。一方、電極４５３ａは、リード部４５４ａにより支持部６２ａに接続される。同様に、電極４５１ｂも、リード部４５２ｂにより支持部６２ａに接続される。支持部６２ａはＦＥＴ（図略）に、支持部６２ｂは接地用端子（図略）に接続される。よって、本電極接続形態も、前出図１５に示した回路記号で表せる。
【００５１】
本電極接続形態では、焦電性基板上にリード部を形成する必要があるため、その分焦電性基板の面積は大きくなる。また、焦電性基板の上面のリード部と下面のリード部とを接続しなければならない。このため、支持部に銀ペーストの接着剤を塗布した後、焦電型赤外線検出素子を搭載し、さらに同接着剤を塗布して、焦電性基板の端面で導通させるという工程が必要となる。よって、上記形態と同様、工数が多くなるという問題がある。
【００５２】
一方、本発明の焦電型赤外線検出素子を用いれば、上述したように、電極を直列接続しても雑音が少ない。以下に、直列接続、直並列接続の態様を一つずつ挙げる。図２１に、直列接続した場合の回路基板上の電極接続形態の上面図を示す。図２２に、同形態の側面図を示す。なお、図４、図１９と対応する部位については同じ符号で示す。本電極接続形態の回路記号は、前出図１６に示す。図２１、図２２に示すように、回路基板６上には、焦電型赤外線検出素子４５が配置される。焦電型赤外線検出素子４５は、支持部６２ａ、６２ｂの上面に、銀ペーストの接着剤６３ａ、６３ｂにより固着される。焦電型赤外線検出素子４５は、焦電性基板４５０と二対の電極４５１ａ−４５１ｂ、４５３ａ−４５３ｂとを備える。電極４５１ａと電極４５３ａとは、リード部４５５により導通される。また、電極４５１ｂは、接着剤６３ａにより支持部６２ａに接続される。電極４５３ｂは、接着剤６３ｂにより支持部６２ｂに接続される。支持部６２ａはＦＥＴ（図略）に、支持部６２ｂは接地用端子（図略）に接続される。電極４５１ａと電極４５３ａとは、支持部６２ａ、６２ｂに接続されていない。
【００５３】
このように、本電極接続形態では、焦電性基板の下面の電極の導通をとるだけでよい。このため、焦電性基板の面積を小さくすることができる。また、支持部に銀ペーストの接着剤を塗布した後、焦電型赤外線検出素子を搭載するだけでよいため、工数が少なく、信頼性も向上する。
【００５４】
図２３に、直並列接続した場合の回路基板上の電極接続形態の上面図を示す。なお、図２１と対応する部位については同じ符号で示す。本電極接続形態は、焦電性基板の上面に電極を四つ形成した点で、前出図２１に示した直列接続の形態と異なる。図２４に、本電極接続形態の回路記号を示す。図２３に示すように、回路基板６上には、焦電型赤外線検出素子４５が配置される。焦電型赤外線検出素子４５は、焦電性基板４５０と、その上面に形成された電極４５１ａ、４５３ａ、４５６ａ、４５７ａと、下面に形成された電極４５１ｂ、４５３ｂとを備える。電極４５１ｂは、電極４５１ａおよび４５６ａと対向する。また、電極４５３ｂは、電極４５３ａおよび４５７ａと対向する。
【００５５】
電極４５１ａと電極４５３ａとは、リード部４５５により導通される。電極４５６ａと電極４５７ａとは、リード部４５８により導通される。また、電極４５１ｂは、接着剤６３ａにより支持部６２ａに接続される。電極４５３ｂは、接着剤６３ｂにより支持部６２ｂに接続される。支持部６２ａはＦＥＴ（図略）に、支持部６２ｂは接地用端子（図略）に接続される。焦電性基板４５０の上面の電極４５１ａ、４５３ａ、４５６ａ、４５７ａは、支持部６２ａ、６２ｂに接続されていない。
【００５６】
上記直列接続の場合と同様、本電極接続形態では、焦電性基板の下面の電極の導通をとるだけでよい。このため、焦電性基板の面積を小さくすることができる。また、支持部に銀ペーストの接着剤を塗布した後、焦電型赤外線検出素子を搭載するだけでよいため、工数が少なく、信頼性も向上する。
【実施例】
【００５７】
次に、実施例を挙げ、本発明をより具体的に説明する。
【００５８】
〈還元処理〉
上記実施形態で使用した還元処理装置を使用して、タンタル酸リチウム単結晶（以下「ＬＴ単結晶」と称する。）のウエーハ、およびニオブ酸リチウム単結晶（以下「ＬＮ単結晶」と称する。）のウエーハを、下記表１、表２に示す種々の条件で還元処理した。還元処理したウエーハの厚さは０．５ｍｍとし、処理圧力は、すべて０．１７３Ｐａとした。還元処理は、上記実施形態の手順に準じて行った。その後、還元処理された各ウエーハについて、体積抵抗率を測定した。体積抵抗率は、東亜ディーケーケー株式会社製「ＤＳＭ−８１０３」を用いて測定した（以下同じ。）。また、還元処理された各ウエーハを８０±５℃に設定されたプレートの上に置き、その後の表面電位の経時変化から、表面電位がほぼ０ｋＶになるまでの時間（電荷中和時間）を測定した。表１に、ＬＮ単結晶の各ウエーハの還元処理条件、体積抵抗率、および電荷中和時間の測定結果を示す。また、表２に、ＬＴ単結晶の各ウエーハの還元処理条件、体積抵抗率、および電荷中和時間の測定結果を示す。なお、表１、表２には、比較のため、還元処理を行わなかったＬＴ単結晶、ＬＮ単結晶の各ウエーハの体積抵抗率、および電荷中和時間も併せて示す。
【００５９】
【表１】
2006203009.tif 000003
【００６０】
【表２】
2006203009.tif 000004
【００６１】
表１、表２に示すように、いずれの単結晶においても、還元処理を行うことによって、体積抵抗率は低下し、電荷中和時間は短くなった。電荷中和時間が短いということは、ウエーハ表面に発生した電荷が、より速やかに消滅したことを示す。特に、体積抵抗率が１×１０13Ωｃｍ以下になると、電荷中和時間は大幅に短縮された。また、処理温度が高いほど、体積抵抗率の低下が大きくなった。
【００６２】
また、表１中＃１３のウエーハを、表面から厚さ方向に研磨して、所定の厚さごとに体積抵抗率を測定した。結果を図６に示す。図６に示すように、＃１３のウエーハの体積抵抗率は、厚さ方向に略一定であった。これより、ウエーハは、厚さ方向に均一に還元されていることが確認された。
【００６３】
〈出力測定〉
まず、ＬＴ単結晶のウエーハ（以下、適宜「ＬＴウエーハ」と称す。）を、種々の条件で還元処理し、体積抵抗率を調整した。還元処理は、上記実施形態の手順に準じて行った。次に、体積抵抗率の異なる各ＬＴウエーハから、それぞれ焦電型赤外線検出素子を製造した。製造した焦電型赤外線検出素子を用いて焦電型赤外線検出器（以下、適宜「検出器」と称す。）を作製した。いずれの検出器においても、前出図１９に示したように、電極を並列に接続した。作製した検出器を＃３２〜＃３６と番号付けした。そして、各検出器の出力を測定した。出力の測定結果を表３に示す。表３には、各ＬＴウエーハ、つまり各検出器を構成する焦電性基板の体積抵抗率を示す。また、表３では、各検出器の出力を、還元処理を行わず、体積抵抗率の高い従来のＬＴウエーハから製造した焦電型赤外線検出素子を備える検出器（＃３１）の出力を１とした時の相対値で示す。
【００６４】
【表３】
2006203009.tif 000005
【００６５】
表３より、焦電性基板の体積抵抗率が低下するとともに、出力は小さくなった。しかし、焦電性基板の体積抵抗率が１×１０10〜１×１０13Ωｃｍの範囲の本発明の検出器（＃３２〜＃３５）では、実用的な出力が得られることが確認された。
【００６６】
〈ヒートサイクル試験〉
（１）上記＃３１〜＃３５の検出器に対して、ヒートサイクル試験を行いポップコーンノイズの発生を調べた。ヒートサイクル試験は、次のような手順で行った。各検出器を環境試験器に収容し、環境試験器内の温度を−１０〜５０℃まで周期的に変化させた。その際、各検出器から発生したノイズを測定した。ノイズの測定は、１５時間行った。図７に、ヒートサイクル条件、および＃３１、＃３４の検出器におけるノイズの測定結果を示す。
【００６７】
図７に示すように、焦電性基板の体積抵抗率が５．６０６５×１０14Ωｃｍである従来の検出器（＃３１）では、−１０℃の低温領域で、突発的な大きな出力（ポップコーンノイズ）が合計４回測定された。これに対して、焦電性基板の体積抵抗率が２．８７７７×１０11Ωｃｍである本発明の検出器（＃３４）では、ポップコーンノイズは検出されなかった。なお、図示しないが、他の本発明の検出器（＃３２、＃３３、＃３５）においても、＃３４の検出器と同様、ポップコーンノイズは検出されなかった。
【００６８】
（２）従来技術として紹介した特許文献１（特開平１０−２７９３号公報）に示された、電極の三方向にくり抜き孔を持つ焦電型赤外線検出素子を製造した。図８に、同焦電型赤外線検出素子の電極の配置形態を示す。図９に同焦電型赤外線検出素子の回路記号を示す。図８に示すように、焦電型赤外線検出素子５１の焦電性基板５１０には、縦０．５ｍｍ×横０．５ｍｍの正方形状を呈する電極５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃ、５１１ｄが形成される。電極５１１ａ、５１１ｂ、５１１ｃ、５１１ｄの周囲には、コの字型のくり抜き孔５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄがそれぞれ形成される。くり抜き孔５１２ａ、５１２ｂ、５１２ｃ、５１２ｄの幅は、０．１ｍｍである。焦電性基板５１０は、体積抵抗率５．６０６５×１０14ΩｃｍのＬＴ単結晶からなる。焦電性基板５１０の大きさは、縦２．５ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ０．０４ｍｍである。
【００６９】
一方、体積抵抗率２．８７７７×１０11ΩｃｍのＬＴ単結晶からなる焦電性基板を用いて、くり抜き孔を持たない焦電型赤外線検出素子を製造した。図１０に、同焦電型赤外線検出素子の電極の配置形態を示す。なお、同焦電型赤外線検出素子の回路記号は、くり抜き孔を持つ上記焦電型赤外線検出素子のそれと同じである（前出図９参照。）。図１０に示すように、焦電型赤外線検出素子５２の焦電性基板５２０には、縦０．５ｍｍ×横０．５ｍｍの正方形状を呈する電極５２１ａ、５２１ｂ、５２１ｃ、５２１ｄが形成される。焦電性基板５２０は、還元処理され、体積抵抗率２．８７７７×１０11ΩｃｍのＬＴ単結晶からなる。本焦電型赤外線検出素子では、焦電性基板５２０の大きさを、縦２．１ｍｍ×横４．８ｍｍ×厚さ０．０４ｍｍとすることができた。つまり、くり抜き孔を形成しない分、焦電性基板の面積を小さくすることができた。
【００７０】
また、焦電型赤外線検出素子５２を用いて焦電型赤外線検出器を作製した。そして、上記同様にヒートサイクル試験を行い、ポップコーンノイズの発生を調べた。その結果、ポップコーンノイズは全く検出されなかった。このように、くり抜き孔を形成することなく、ポップコーンノイズを低減できる本発明の焦電型赤外線検出素子は、製造工程が少なく、焦電性基板の面積も小さいため、原価低減に有効である。
【００７１】
（３）体積抵抗率５．７７８８×１０11ΩｃｍのＬＴウエーハから、電極間の抵抗が１．１２３３×１０11Ωの焦電型赤外線検出素子を製造した。この焦電型赤外線検出素子を用いて、入力抵抗体を接続しない焦電型赤外線検出器を作製した。この際、回路基板の部品の接合箇所を、７箇所から５箇所へ減らすことができた。作製した検出器の出力を測定したところ、実用的な出力が得られた。また、上記同様にヒートサイクル試験を行い、ポップコーンノイズの発生を調べた。その結果、ポップコーンノイズは全く検出されなかった。このように、本発明の焦電型赤外線検出素子を用いると、高価な入力抵抗体を省略することができ、検出器の信頼性も向上する。
【００７２】
〈応答性〉
出力測定等を行った上記＃３４の検出器の赤外線に対する応答性を調べるため、＃３４の検出器の立ち上がり時間を測定した。立ち上がり時間の測定方法は次の通りである。まず、６００Ｋの黒体炉から５０ｃｍ離れた場所に＃３４の検出器を配置した。次に、赤外線を＃３４の検出器に照射して、出力をデジタルオシロで記録した。出力ピーク値の１０％から９０％までの時間を算出し、その時間を立ち上がり時間とした。図１１に、＃３４の検出器と従来の検出器との出力の経時変化を示す。従来の検出器の立ち上がり時間は６５７ｍｓであるのに対して、＃３４の検出器の立ち上がり時間は１６７ｍｓと大幅に短くなった。これより、本発明の焦電型赤外線検出器は、応答性に優れることがわかる。
【００７３】
〈電極接続態様〉
体積抵抗率２．８７７７×１０11ΩｃｍのＬＴウエーハから、前出図２１に示した二対の電極を直列に接続した焦電型赤外線検出素子を製造した。本焦電型赤外線検出素子の焦電性基板の大きさは、縦２．５ｍｍ×横５．０ｍｍ×厚さ０．０４ｍｍであり、各電極の大きさは、縦２ｍｍ×横１ｍｍである。製造した焦電型赤外線検出素子を用いて焦電型赤外線検出器を作製した。作製した検出器の出力を測定したところ、電極を並列接続した従来の＃３１の検出器と比較して、出力は２割増加した（前出表３における出力相対値１．２０）。また、この検出器に対して、上述したヒートサイクル試験を行ったところ、ポップコーンノイズは全く検出されなかった。このように、本発明の焦電型赤外線検出器では、電極を直列接続しても、ポップコーンノイズは発生せず、感度が高いことがわかる。
【００７４】
〈歩留まり〉
ＬＴウエーハから焦電型赤外線検出素子を製造する過程において、電極を形成する蒸着工程、およびウエーハを切断するダイシング工程の歩留まりを算出した。蒸着工程における従来の歩留まりは８０％程度であったが、体積抵抗率２．８７７７×１０11ΩｃｍのＬＴウエーハから製造した場合には、ＬＴウエーハの帯電による破損が減少したため、歩留まりは９５％に上がった。また、ダイシング工程における従来の歩留まりは８３％程度であったが、体積抵抗率２．８７７７×１０11ΩｃｍのＬＴウエーハから製造した場合には、切断時の放電によるウエーハの破損が減少したため、歩留まりは９６％に上がった。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の一実施形態である焦電型赤外線検出素子の模式図である。
【図２】同焦電型赤外線検出素子の回路記号を示す図である。
【図３】還元処理装置の概略図である。
【図４】本発明の一実施形態である焦電型赤外線検出器の分解斜視図である。
【図５】同焦電型赤外線検出器の等価回路図である。
【図６】ＬＴ単結晶（＃１３）のウエーハの厚さ方向における体積抵抗率を示すグラフである。
【図７】ヒートサイクル試験におけるヒートサイクル条件およびノイズの測定結果を示す図である。
【図８】くり抜き孔を持つ焦電型赤外線検出素子の電極の配置形態を示す図である。
【図９】同焦電型赤外線検出素子の回路記号を示す図である。
【図１０】くり抜き孔を持たない焦電型赤外線検出素子の電極の配置形態を示す図である。
【図１１】本発明の＃３４の検出器および従来の検出器の出力の経時変化を示すグラフである。
【図１２】焦電型赤外線検出素子の断面図である。
【図１３】同焦電型赤外線検出素子の回路記号を示す図である。
【図１４】焦電性基板における温度と自発分極との関係を示す模式図である。
【図１５】電極を並列接続した焦電型赤外線検出素子の回路記号の一例を示す図である。
【図１６】電極を直列接続した焦電型赤外線検出素子の回路記号の一例を示す図である。
【図１７】ワイヤーボンディングによる並列接続を採用した電極接続形態の上面図である。
【図１８】同電極接続形態の側面図である。
【図１９】一枚の焦電性基板に二対の電極を形成して並列接続した電極接続形態の上面図である。
【図２０】同電極接続形態の側面図である。
【図２１】一枚の焦電性基板に二対の電極を形成して直列接続した電極接続形態の上面図である。
【図２２】同電極接続形態の側面図である。
【図２３】一枚の焦電性基板に四対の電極を形成して直並列接続した電極接続形態の上面図である。
【図２４】同電極接続形態の回路記号を示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
１：焦電型赤外線検出素子  ２：焦電性基板  ２０ａ、２０ｂ：表面
３ａ、３ｂ：電極  ４ａ、４ｂ：導線
５：焦電型赤外線検出素子  ５０：焦電性基板
６：回路基板  ６０：入力抵抗体  ６１：ＦＥＴ  ６２ａ、６２ｂ：支持部
７：ＴＯ−５ヘッダ  ７０：電源用端子  ７１：出力用端子  ７２：接地用端子
８：キャップ  ８０：窓部  ８１：フランジ  ９：焦電型赤外線検出器
１０：還元処理装置  １１：処理容器  １２：ヒータ  １３：真空ポンプ
１４：ウエーハ  １５：ウエーハカセットケース  １６：塩化リチウム粉末（還元剤）  １７：シャーレ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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