(57)【要約】【課題】上部電極に付着した薄膜を上部電極から剥がれにくくして、処理室の内部におけるパーティクルの発生を可及的に抑止する。【解決手段】処理室１と、処理室１の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、処理室１の内部で互いに対向配置された第１電極２及び第２電極３とを備え、第１電極２及び第２電極３の間にプラズマを発生させて、処理室１の内部に供給された原料ガスを励起することにより、第２電極３の第１基板２側に配置された処理基板４の表面に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置であって、第１電極２は、第２電極３側の表面が全面に亘って粗面（表面粗さＲａが０．５μｍ以上且つ４０μｍ未満）に形成されている。【選択図】図１
2006173343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
上記処理室の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
上記処理室の内部で互いに対向配置された第１電極及び第２電極とを備え、
上記第１電極及び第２電極の間にプラズマを発生させて、上記処理室の内部に供給された原料ガスを励起することにより、上記第２電極の上記第１基板側に配置された基板の表面に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置であって、
上記第１電極は、上記第２電極側の表面が全面に亘って粗面に形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたプラズマＣＶＤ装置において、
上記第１電極の上記第２電極側の表面の表面粗さＲａは、０．５μｍ以上且つ４０μｍ未満であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項１に記載されたプラズマＣＶＤ装置において、
上記第１電極の粗面は、ブラスト処理又はラッピング処理により形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項１に記載されたプラズマＣＶＤ装置において、
上記処理室の内部表面は、粗面に形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項４に記載されたプラズマＣＶＤ装置において、
上記処理室の粗面は、ブラスト処理又はラッピング処理により形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
処理室と、上記処理室の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給部とを備え、上記処理室の内部にプラズマを発生させて、上記処理室の内部に供給された原料ガスを励起することにより、上記処理室の内部に配置された基板の表面に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置に用いられ、上記プラズマを発生させるためのＣＶＤ装置用電極であって、
上記基板に対向配置され、上記基板側の表面が全面に亘って粗面に形成されていることを特徴とするＣＶＤ装置用電極。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置用電極に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置等のスイッチング素子として使用される薄膜トランジスタを構成するアモルファスシリコン膜、窒化シリコン膜等のケイ素系の薄膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により好適に成膜される。
【０００３】
このＣＶＤ法に用いられる成膜装置としては、プラズマＣＶＤ装置がよく知られている。
【０００４】
例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置では、処理室の内部に設けられた一対の平行平板電極を有し、上記平行平板電極の一方を接地された下部電極とし、他方を高周波電源に接続された上部電極としている。そして、この上部電極に高周波電力を印加すると共に、両電極間に原料ガスを供給して、両電極間に形成したプラズマによって原料ガスを励起して成膜物質を生成させ、上記下部電極上に載置されたガラス基板の表面に薄膜を堆積させるようになっている。
【０００５】
特許文献１には、上記上部電極に対応するカソード電極の中央部分の表面に波状の凹凸を設けることにより、プラズマを電極の全面に一様な強さで発生させ、大面積の基板の表面に均一に膜質の良好な薄膜を形成することができる高周波プラズマＣＶＤ装置が記載されている。
【０００６】
ところで、プラズマＣＶＤ装置において、薄膜は、処理室の内部に保持されたガラス基板の表面に成膜されるだけでなく、上部電極の表面にも成膜されてしまう。この上部電極の表面に形成された余分な薄膜は、その電極表面から剥離した後、処理室の内部に飛散する恐れがある。例えば、その飛散物が上記ガラス基板にパーティクル（浮遊塵埃）として付着すると、そのガラス基板は不良となる恐れがある。
【０００７】
そこで、ガラス基板を所定枚数、成膜処理する毎に、処理室の内部に、例えば、ＮＦ3ガスを導入して、上記余分な薄膜を除去するセルフクリーニングを行うことも知られている。具体的には、上記両電極間に形成するプラズマを用いてＮＦ3ガスを分解して、活性なフッ素ラジカルを生じさせ、そのフッ素ラジカルによって、上部電極の表面に付着している例えばケイ素系の薄膜をエッチング除去する。
【０００８】
しかしながら、上記のような定期的なセルフクリーニングを行うだけでは、セルフクリーニングを行った後の成膜処理の回数が増加すると、上記上部電極に成膜された薄膜がガラス基板の表面に落下して、パーティクルとなることが避けられない。
【０００９】
これに対して、成膜処理を１回行う毎にセルフクリーニングを行えば、確実にパーティクルの発生を低減することができるが、成膜に係る製造コストが高くなり、液晶表示装置等の製造においては、非現実的である。
【００１０】
そこで、特許文献２には、反応室（処理室）の構成部品に一部あるいは全部品材料の表面処理として、ブラスト処理による粗化、あるいは多数の気孔を有するポーラスなメッキを施すことにより、連続して膜堆積してもパーティクルの発生が少なくすることができるプラズマＣＶＤ装置が記載されている。
【００１１】
また、特許文献３には、ＣＶＤによる堆積層が剥離して生じるダスト（パーティクル）の量を低減するために、プラズマＣＶＤ装置用の電極板の表面をブラスト処理又は溶射により、表面粗さが最大高さ（Ｒmax）において４０〜１００μｍとすると記載されている。
【００１２】
さらに、特許文献４には、パーティクル、コンタミネーション等の発生が殆ど起こらなくするために、反応ガス整流用の多数の小径孔を有する電極板において、小径孔内壁の表面粗さＲaを０．０１〜５μｍの範囲に仕上げると記載されている。
【特許文献１】特開平６−５５２２号公報
【特許文献２】特開平７−２０１７４２号公報
【特許文献３】特開平１１−１８１５７０号公報
【特許文献４】特開平１１−１０４９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記のように上部電極の表面を粗面にするだけでは、パーティクルの発生が低減できるとは限らない。
【００１４】
具体的に、特許文献２には、粗化（表面粗さ）の程度が記載されておらず、上部電極の表面粗さを規定しないと、電極表面とその電極表面に堆積する薄膜との密着性を保証することができず、パーティクルの発生が低減できるとは限らない。
【００１５】
また、特許文献３には、表面粗さが最大高さ値（Ｒmax）で規定されているので、電極表面とその電極表面に堆積する、例えば、１μｍ程度の薄膜との密着性を保証することができず、パーティクルの発生が低減できるとは限らない。
【００１６】
さらに、上記特許文献１のように、上部電極の中央部分の表面に対し、比較的ピッチ及び深さが大きい凹凸形状を形成するだけでは、上部電極の全面に付着する余分な薄膜を剥がれにくくすることは困難である。
【００１７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上部電極に付着した薄膜を上部電極から剥がれにくくして、処理室の内部におけるパーティクルの発生を可及的に抑止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、第１電極（上部電極）の第２電極（下部電極）側の表面が全面に亘って粗面に形成されるようにしたものである。
【００１９】
具体的に本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、処理室と、上記処理室の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、上記処理室の内部で互いに対向配置された第１電極及び第２電極とを備え、上記第１電極及び第２電極の間にプラズマを発生させて、上記処理室の内部に供給された原料ガスを励起することにより、上記第２電極の上記第１基板側に配置された基板の表面に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置であって、上記第１電極は、上記第２電極側の表面が全面に亘って粗面に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、薄膜が基板の表面だけでなく、第１電極の第２電極側の表面にも成膜されたとしても、その第１電極の第２電極側の表面が全面に亘って粗面に形成されているので、その成膜された薄膜と第１電極の表面との接触面積が増え、その薄膜の密着性が高まることになる。
【００２１】
そのため、第１電極の第２電極側の表面に付着した薄膜が剥がれ難くなり、その薄膜が基板の表面に落下してパーティクルとなることが抑止される。
【００２２】
従って、第１電極の第２電極側の表面が粗面に形成されることにより、上部電極に付着した薄膜が上部電極から剥がれにくくなり、処理室の内部におけるパーティクルの発生が可及的に抑止される。
【００２３】
上記第１電極の上記第２電極側の表面の表面粗さＲａは、０．５μｍ以上且つ４０μｍ未満であってもよい。
【００２４】
上記の構成によれば、第１電極の表面粗さＲａが０．５μｍ以上であるので、成膜された薄膜と第１電極の表面との接触面積が増え、その薄膜の密着性が高まることになる。
【００２５】
そのため、第１電極の第２電極側の表面に付着した薄膜が剥がれ難くなり、その薄膜が基板の表面に落下してパーティクルとなることが抑止される。
【００２６】
そして、第１電極の表面粗さＲａが４０μｍ未満であるので、成膜の際に、プラズマが基板に対してほぼ均一に発生することになり、基板の表面に成膜される薄膜の膜厚がほぼ均一になる。
【００２７】
上記第１電極の粗面は、ブラスト処理又はラッピング処理により形成されていてもよい。
【００２８】
上記の構成によれば、第１電極の表面に、例えば、サンドブラスト等のブラスト処理、又は、ラッピング処理を施すことにより、容易に第１電極の第２電極側の表面が粗面に形成される。
【００２９】
上記処理室の内部表面は、粗面に形成されていてもよい。
【００３０】
上記の構成によれば、薄膜が基板の表面だけでなく、第１電極の第２電極側の表面及び処理室の内部表面にも成膜されたとしても、その第１電極の第２電極側の表面及び処理室の内部表面が全面に亘って粗面に形成されているので、その成膜された薄膜と第１電極の表面及び処理室の内部表面との接触面積が増え、その薄膜の密着性が高まることになる。
【００３１】
そのため、第１電極の第２電極側の表面及び処理室の内部表面に付着した薄膜が剥がれ難くなり、その薄膜が基板の表面に落下してパーティクルとなることが抑止される。
【００３２】
上記処理室の粗面は、ブラスト処理又はラッピング処理により形成されていてもよい。
【００３３】
上記の構成によれば、処理室の内部表面に、例えば、サンドブラスト等のブラスト処理、又は、ラッピング処理を施すことにより、容易に処理室の内部表面が粗面に形成される。
【００３４】
また、本発明に係るＣＶＤ装置用電極は、処理室と、上記処理室の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給部とを備え、上記処理室の内部にプラズマを発生させて、上記処理室の内部に供給された原料ガスを励起することにより、上記処理室の内部に配置された基板の表面に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置に用いられ、上記プラズマを発生させるためのＣＶＤ装置用電極であって、上記基板に対向配置され、上記基板側の表面が全面に亘って粗面に形成されていることを特徴とする。
【００３５】
上記の構成によれば、ＣＶＤ装置用電極の基板側の表面が全面に亘って粗面に形成されているので、そのＣＶＤ装置用電極をプラズマＣＶＤ装置の内部に取り付ければ、薄膜が基板の表面だけでなく、ＣＶＤ装置用電極の表面にも成膜されたとしても、その表面が全面に亘って粗面に形成されているので、その成膜された薄膜とＣＶＤ装置用電極の表面との接触面積が増え、その薄膜の密着性が高まることになる。
【００３６】
そのため、ＣＶＤ装置用電極の表面に付着した薄膜が剥がれ難くなり、その薄膜が基板の表面に落下してパーティクルとなることが抑止される。その結果、処理室の内部におけるパーティクルの発生が可及的に抑止される。
【発明の効果】
【００３７】
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、第１電極の第２電極側の表面が全面に亘って粗面に形成されているので、第1電極の表面に成膜される薄膜と、第１電極の表面との接触面積が増え、第１電極の表面における薄膜の密着性が高まる。そのため、第１電極の表面に付着した薄膜が剥がれ難くなり、その薄膜が基板の表面に落下してパーティクルとなることを抑止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、他の構成であってもよい。
【００３９】
図１は、本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置２０の断面模式図である。
【００４０】
このプラズマＣＶＤ装置２０は、処理室１と、ガス供給部（例えば、ガス供給部７等）と、排気部（例えば、排気配管９等）と、高周波電源（ＲＦ電源）８とを有している。
【００４１】
処理室１は、その内部に、ＣＶＤ装置用電極である第１電極（上部電極）２と、第１電極２に対向配置された第２電極（下部電極）３とを備えている。
【００４２】
第１電極２は、その内部に中空部１０を有し、また、その第２電極３側に、中空部１０に繋がった複数のガス噴出口６が形成されており、それら複数のガス噴出口６を介して、上記ガス供給部からの原料ガス及びクリーニングガスがそれぞれ噴出されるように構成されている。
【００４３】
また、第１電極２は、アルミニウム合金等の金属材料により構成されており、後述する理由により、その第２電極３側の表面粗さＲａが０．５μｍ以上且つ４０μｍになるように、全面に亘って粗面に形成されている。
【００４４】
さらに、第１電極２は、高周波電源８に接続され、高周波電源８からの高周波電力が印加されるように構成されている。
【００４５】
また、第１電極２の表面は、陽極酸化等の表面処理が施されていてもよい。
【００４６】
なお、第１電極２の粗面の形成は、第１電極２の表面に、サンドブラスト等のブラスト処理、ラッピング処理、エッチング等の薬液処理、その他の表面処理を施すことによってなされ、その表面処理は、第１電極２となる電極板にガス噴出口６となる複数の孔を形成する前に施しても、その後に施してもよい。
【００４７】
第２電極３は、その第１電極２側にガラス基板等の処理基板４を載置するように構成されていると共に、電気的に接地されている。
【００４８】
また、第２電極３は、アルミニウム合金等の金属材料により構成され、その内部にはヒーター５が内蔵されており、その表面の温度制御ができるようになっている。
【００４９】
上記ガス供給部は、原料ガスを供給する原料ガス供給部である原料ガスボンベ（不図示）と、クリーニングガスを供給するクリーニングガスボンベ（不図示）と、それら両方のガスボンベに接続され、各ガスの流量を個別に制御するマスフローコントローラー等からなるガス制御部（不図示）と、そのガス制御部と処理室１とを接続して、それら原料ガス又はクリーニングガスを処理室１の内部に供給するガス供給配管７とにより構成されている。
【００５０】
上記排気部は、真空ポンプ等からなる排気装置（不図示）と、その排気装置と処理室１とを接続する排気配管９と、排気配管９の中間部分に設けられ、開度を調整することによって処理室１の内部圧力を制御する開度可変バルブ１１とにより構成されている。
【００５１】
また、処理室１の内部表面は、第１電極２の第２電極３側の表面と同様に、粗面に形成されている。
【００５２】
次に、上記構成のプラズマＣＶＤ装置２０を用いて、例えば、アモルファスシリコン薄膜を成膜する成膜処理、及びクリーニング処理について説明する。
【００５３】
＜成膜処理＞
まず、搬送ロボット等を用いて、処理基板４を処理室１に搬入させ、処理室１の内部にある第２電極３にその処理基板４を載置させた後、ガス供給配管７と第１電極２にある中空部１０及びガス噴出口６とを介して、処理室１の内部にＳｉＨ4等の原料ガスを供給しながら、開度可変バルブ１１の開度を調整して、処理室１の内部圧力を１００〜２００Ｐａにする。
【００５４】
次いで、処理室１の内部圧力を１００〜２００Ｐａに維持したまま、第１電極２に高周波電源８からの高周波電力を印加する。このとき、第１電極２及び第２電極３の間に形成されたプラズマによって、原料ガス（ＳｉＨ4）が励起されることにより成膜物質が生成して、第２電極３上に載置された処理基板４の表面にアモルファスシリコン薄膜が形成（堆積）される。
【００５５】
次いで、高周波電源８からの高周波電力の出力を停止し、処理室１の内部の圧力制御、及び処理室１への原料ガスの供給を停止した後、搬送ロボット等を用いて処理基板４を処理室１から搬出させる。
【００５６】
以上のようにして、１回の成膜処理が完了する。
【００５７】
そして、上記成膜処理を例えば５回繰り返した後に、定期的なセルフクリーニングとして、以下のクリーニング処理を行うことになる。
【００５８】
＜クリーニング処理＞
上記成膜処理が完了した処理基板４を処理室１の外部に搬出させた状態で、開度可変バルブ１１を全開にして、ガス供給配管７と第１電極２にある中空部１０及びガス噴出口６とを介して、処理室１の内部にＮＦ3等のクリーニングガスを供給しながら、第１電極２に高周波電源８からの高周波電力を印加して、フッ素ラジカルを生成するか、あるいは、あらかじめ生成させたフッ素ラジカルを処理室１に導入して、第１電極２の表面及び処理室１の内部表面に付着しているアモルファスシリコン薄膜がエッチングされる。そして、真空ポンプ等を用いて、エッチングにより発生したガスが排気配管９を介して処理室１の外部に排出される。
【００５９】
以上のようにして、クリーニング処理が完了する。
【００６０】
以上説明したように本発明のプラズマＣＶＤ装置２０は、アモルファスシリコン薄膜が処理基板４の表面だけでなく、第１電極２の第２電極３側の表面にも成膜されたとしても、その第１電極２の第２電極３側の表面が全面に亘って粗面に、具体的には、表面粗さＲａが、０．５μｍ以上且つ４０μｍ未満になるように形成されているので、第１電極２の表面粗さＲａが、０．５μｍ以上であることにより、その成膜されたアモルファスシリコン薄膜と第１電極２の表面との接触面積が増え、そのアモルファスシリコン薄膜の密着性が高まることになる。
【００６１】
そのため、第１電極２の第２電極３側の表面に付着したアモルファスシリコン薄膜が剥がれ難くなり、そのアモルファスシリコン薄膜が処理基板４の表面に落下してパーティクルとなることを抑止することができる。
【００６２】
従って、第１電極２の第２電極３側の表面が粗面に形成されることにより、上部電極２に付着したアモルファスシリコン薄膜が上部電極２から剥がれにくくなり、処理室１の内部におけるパーティクルの発生を可及的に抑止することができる。
【００６３】
また、第１電極２の表面粗さＲａが４０μｍ未満であることにより、成膜の際に、プラズマが処理基板４に対してほぼ均一に発生することになり、処理基板４の表面に成膜されるアモルファスシリコン薄膜の膜厚をほぼ均一にすることができる。
【００６４】
さらに、処理室１の内部表面も、粗面に形成されているので、アモルファスシリコン薄膜が処理基板４の表面だけでなく、第１電極２の第２電極３側の表面及び処理室１の内部表面にも成膜されたとしても、その第１電極２の第２電極３側の表面及び処理室１の内部表面が全面に亘って粗面に形成されているので、その成膜されたアモルファスシリコン薄膜と第１電極２の表面及び処理室１の内部表面との接触面積が増え、そのアモルファスシリコン薄膜の密着性が高まることになる。
【００６５】
そのため、第１電極２の第２電極３側の表面及び処理室１の内部表面に付着したアモルファスシリコン薄膜が剥がれ難くなり、そのアモルファスシリコン薄膜が処理基板４の表面に落下してパーティクルとなることを抑止することができる。
【００６６】
次に、具体的に行った実験について説明する。
【００６７】
本発明の実施例及び比較例として、ラッピング処理によって、表面粗さＲａが０．１μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ、１．０μｍ及び１．５μｍに形成された電極を準備して、その電極を上述の実施形態と同一のプラズマＣＶＤ装置の第１電極として取り付けた後、各電極に対して上述の実施形態と同様に、ガラス基板上に連続５回のアモルファスシリコン薄膜の成膜処理を行い、アモルファスシリコン薄膜が成膜されたガラス基板上のパーティクルの個数を測定した。
【００６８】
図２（ａ）は、比較例として準備した表面粗さＲａが０．３μｍに形成された電極の表面の表面粗さを測定したデータであり、図２（ｂ）は、実施例として準備した表面粗さＲａが１．０μｍに形成された電極の表面の表面粗さを測定したデータである。
【００６９】
結果を以下に示す。
【００７０】
図３及び図４は、準備した各電極に対するパーティクル数の変化を示したグラフである。ここで、図中の横軸は、クリーニング後の成膜枚数を示し、図中の縦軸は、ガラス基板当たりのパーティクルの個数を示している。
【００７１】
まず、図３に示された結果について説明する。
【００７２】
図３は、４００ｍｍ×５００ｍｍの大きさのガラス基板において、そのガラス基板当たりの１μｍ以上のパーティクルの個数の変化を示したグラフである。
【００７３】
表面粗さＲａが０．５μｍ、１．０μｍ及び１．５μｍに形成された電極を用いた実施例では、成膜枚数が増えても、パーティクル数が増加せず、成膜枚数が５枚の場合であっても、パーティクル数が１０個未満であった。
【００７４】
これに対して、表面粗さＲａが０．１μｍ及び０．３μｍに形成された電極を用いた比較例では、成膜枚数が増える毎にパーティクル数が増加して、成膜枚数が５枚の場合においては、パーティクル数が３５０〜４００個に達した。
【００７５】
次に、図４に示された結果について説明する。
【００７６】
図４は、１５００ｍｍ×１８００ｍｍの大きさのガラス基板において、そのガラス基板当たりの５μｍ以上のパーティクルの個数の変化を示したグラフである。
【００７７】
表面粗さＲａが０．５μｍ以上に形成された電極を用いた実施例では、成膜枚数が増えても、パーティクル数が増加せず、成膜枚数が５枚の場合であっても、パーティクル数が５０個未満であった。
【００７８】
これに対して、表面粗さＲａが０．５μｍ未満に形成された電極を用いた比較例では、成膜枚数が増える毎にパーティクル数が増加して、成膜枚数が５枚の場合においては、パーティクル数が８００〜９００個に達した。
【００７９】
このように、本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いた表面粗さＲａが０．５μｍ以上である実施例では、成膜枚数が増えても、パーティクル数がほとんど増加しなかったに対して、表面粗さＲａが０．５μｍ未満である比較例では成膜枚数が増えると、パーティクル数が成膜枚数に対して比例的に増加したので、本発明によって、パーティクルの発生が抑止されることが確認できた。
【００８０】
また、表面粗さＲａが４０μｍ以上に形成された電極を用いてアモルファスシリコン薄膜の成膜処理を行った場合には、ガラス基板上のアモルファスシリコン薄膜の膜厚のばらつきが大きくなり、アモルファスシリコン薄膜の膜質の低下が確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
以上説明したように、本発明は、処理室内のパーティクルの発生が抑止されるので、液晶表示装置の製造等、高スループットで連続成膜が不可欠なＣＶＤ装置について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置２０の断面模式図である。
【図２】本発明の実施例及び比較例における第１基板の第２基板側の表面の表面粗さを測定したデータである。
【図３】本発明の実施例及び比較例におけるパーティクル数の変化を示すグラフである。
【図４】本発明の他の実施例及び比較例におけるパーティクル数の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８３】
１    処理室
２    第１電極
３    第２電極
４    処理基板
５    ヒーター
６    ガス噴出口
７    ガス供給配管
８    高周波電源
９    排気配管
１０  中空部
１１  開度可変バルブ
２０  プラズマＣＶＤ装置
【図１】
2006173343.tif 000003
【図２】
2006173343.tif 000004
【図３】
2006173343.tif 000005
【図４】
2006173343.tif 000006