(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子と有機基板等の基板段差のある半導体素子搭載用支持部材とを埋め込み性不十分なく低温で接着することができ耐リフロー性の優れた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】アクリル酸エステル共重合体、多官能エポキシ化合物、硬化剤、及びテトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物を含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする半導体用接着フィルムであり、エポキシ樹脂の硬化促進剤としてテトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物を含むことにより密着性と熱履歴後のフロー性を両立していることを特徴とする半導体用接着フィルムであり、その半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、
（Ｂ）多官能エポキシ化合物、
（Ｃ）硬化剤、及び、
（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物、
を含有してなることを特徴とする半導体用接着フィルム。
【請求項２】
成分（Ｄ）のテトラ置換ホスホニウムが、テトラフェニルホスホニウムである請求項１記載の半導体用接着フィルム。
【請求項３】
成分（Ｄ）の多官能フェノール化合物が、ヒドロキシベンゼン化合物、ビフェノール化合物、ビスフェノール化合物、ヒドロキシナフタレン化合物、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂を含むものである請求項１または２記載の半導体用接着フィルム。
【請求項４】
成分（Ｃ）がフェノール系硬化剤である請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
【請求項５】
半導体接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度が５００[Ｐａ・ｓ]以上５０００[Ｐａ・ｓ]以下であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
【請求項６】
半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理したあと、さらに１７５℃で４時間処理した後の２４０℃での弾性率が１から５０ＭＰａであることを特徴とする半導体用接着フィルム。
【請求項７】
半導体素子、半導体素子搭載用支持部材、及びこれらを接合する接着剤を含んで構成される半導体装置であって、
当該接着剤が請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体用接着フィルムである半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化等に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求がされるようになってきている。このような要求に対応するため、半導体装置の構造として、例えば、半導体素子の上にリードを接着するリード・オン・チップ（ＬＯＣ）構造が採用されている。このＬＯＣ構造では、半導体素子とリードフレームとを接合するため、その接合部での接着信頼性が半導体パッケージの信頼性に大きく影響している。
【０００３】
従来は、半導体用接着剤として、ペースト状の接着剤が用いられてきた。ところが、特に近年の半導体パッケージはチップの上にチップを多段で積層することでパッケージの小型化、薄型化、大容量化を実現している。こういったパッケージではペースト状接着剤ではチップからはみ出しワイヤーボンド時に不具合が発生したり、接着剤層の厚み制御が難しい等の問題が発生していた。このような問題を解決するためにフィルム状の接着剤が使用されるようになってきた。
【０００４】
ここでＬＯＣ構造ではポリイミド樹脂を用いたホットメルト型の接着剤フィルム等の耐熱性基材に接着剤と塗布したフィルム状接着剤が用いられてきている（特許文献１）。
しかし、ホットメルト型の接着剤フィルムは、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレームに熱損傷を与える場合があった。
【０００５】
また半導体装置の高密度化、高集積化を実現するためにリードフレームに代わりビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板の使用が増加している。こうした有機基板の表面には、リードフレーム以上に表面の段差があり、この段差をなくす段差埋め込みがフィルム状の接着剤使用時の課題点となっている。
【０００６】
フィルム状の接着剤を用いた場合の段差埋め込みは、モールド材封入時の圧力を利用して行われることが多いが、この場合の接着剤層には、封入温度でのフロー性が要求される。しかしチップの多段化が進み、ワイヤーボンド時や接着剤層硬化時の熱履歴が過剰にかかることで接着剤層が硬化してしまい、基板段差うめこみを行えるだけの充分なフロー性得られないという問題があった。またボイド巻き込み等の不具合が発生することもあった。更にフロー性が満足していても前記熱履歴で一部硬化してしまっているので、密着性が不足したりする問題もあり、硬化性と密着性の両立が課題となっている。
【特許文献１】特開平６−２６４０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、半導体素子と、リードフレーム又は有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ、熱履歴後の硬化性及び密着性に優れた半導体用接着フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記[１]〜[７]に記載の本発明により達成される。
[１]（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、
（Ｂ）多官能エポキシ化合物、
（Ｃ）硬化剤、及び、
（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物、
を含有してなることを特徴とする半導体用接着フィルム。
[２]成分（Ｄ）のテトラ置換ホスホニウムが、テトラフェニルホスホニウムである[１]記載の半導体用接着フィルム。
[３]成分（Ｄ）の多官能フェノール化合物が、ヒドロキシベンゼン化合物、ビフェノール化合物、ビスフェノール化合物、ヒドロキシナフタレン化合物、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂を含むものである[１] または[２]記載の半導体用接着フィルム。
[４]成分（Ｃ）がフェノール系硬化剤である[１]乃至[３]のいずれかに記載の半導体用接着フィルム。
[５]半導体接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度が５００[Ｐａ・ｓ]以上５０００[Ｐａ・ｓ]以下であることを特徴とする半導体用接着フィルム。
[６]半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理したあと、さらに１７５℃で４時間処理した後の２４０℃での弾性率が１から５０ＭＰａであることを特徴とする半導体用接着フィルム。
[７]半導体素子、半導体素子搭載用支持部材、及びこれらを接合する接着剤を含んで構成される半導体装置であって、
当該接着剤が[１]乃至[６]のいずれかに記載の半導体用接着フィルムである半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体素子と、リードフレーム又は有機基板等の半導体素子搭載用支持部材と、を接着することができ、熱履歴後の硬化性及び密着性に優れた半導体用接着フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、（Ａ）アクリル酸エステル共重合体、（Ｂ）多官能エポキシ化合物、（Ｃ）硬化剤、及び、（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物を含有してなることを特徴とする半導体用接着フィルムである。なお下記は例示であり、本発明は何ら下記に限定されるものではない。以下に本発明の半導体用接着フィルムの各成分について詳細に説明する。
【００１１】
（Ａ）アクリル酸エステル共重合体とはアクリル酸、メタクリル酸、これらのエステル、その他の誘導体をモノマーとして含む重合体のことを意味する。具体的にはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル等が挙げられる。アクリロニトリルのようなアクリル系モノマー以外の他のモノマーと、アクリル系モノマーとの共重合体もアクリル酸エステル共重合体に含まれる。
本発明の（Ａ）アクリル酸エステル共重合体はガラス転移温度が低いため、これを添加することで半導体用接着フィルムの初期密着性を向上することができる。
【００１２】
また、本発明においては、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等の官能基を有するアクリル系共重合体が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
【００１３】
本発明に用いられるアクリル酸エステル共重合体としてエチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートの共重合体やエチルアクリレート、ブチルアクリレート、アクリロニトリル、グリシジルメタクリレートの共重合体、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、アクリル酸の共重合体などが挙げられる。
【００１４】
共重合体にエポキシ基含有モノマーを用いた場合には、当該モノマーの含有量は、アクリル酸エステル共重合体全体の０．１〜３０重量％が好ましく、０．５〜２０重量％が更に好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
【００１５】
本発明で用いる（Ａ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。
【００１６】
（Ｂ）多官能エポキシ化合物とは、一分子内にエポキシ基が２個以上あるエポキシ化合物をいい、エポキシ基を含むモノマー、オリゴマー、及びポリマー全般を言う。例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
【００１７】
これらのエポキシ樹脂の内では、融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子であるこれらのエポキシ樹脂の内では、融点が５０〜１５０℃の結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂は、ビフェニル骨格、ビスフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子である。
【００１８】
（Ｂ）多官能エポキシ樹脂化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル酸エステル共重合体全体の１０〜１００重量％が好ましく、特に２０〜５０重量％が好ましい。
【００１９】
（Ｃ）硬化剤とは多官能エポキシ樹脂（Ｂ）の硬化剤として作用するものである。本発明においては、フェノール系硬化剤が好ましい。具体的には、フェノール類とアルデヒド類又はケトン類の共縮反応物であるフェノール樹脂やビスフェノール類、フェノール類とジメトキシパラキシレン等の共縮反応物であるフェニレン又はジフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂が含まれ、単核のレゾルシン、カテコール等も硬化反応を生じるならば使用できるが、「フェノール」の定義が一般に芳香環に結合する水素原子が水酸基で置換された化合物であることから、ナフトール等の縮合多環芳香族由来の水酸基含有化合物とカルボニル化合物の共縮反応物なども含まれる。これらのフェノール樹脂の内では、分子内の水酸基が少ないために硬化物の吸水率が小さく、分子が適度の屈曲性を有するために硬化反応における反応性も良く、又、低粘度化も可能であることから、特にフェノールアラルキル樹脂が好ましい。
【００２０】
本発明の、多官能エポキシ樹脂（Ｂ）と、硬化剤として作用する、硬化剤（Ｃ）との比率は、エポキシ基１モルに対し、フェノール性水酸基を０．５〜２モル、好ましくは、０．８〜１．２程度のモル比となるように調整することにより硬化性、硬化物の耐熱性、電気特性等がより良好となる。
【００２１】
本発明で用いる（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物は、単なる混合物ではなく、塩構造、超分子構造等の構造を有する化合物である。
【００２２】
本発明で用いる（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物のうち、テトラ置換ホスホニウムとは、アルキル基や芳香族化合物がリン原子に４つ配位している化合物である。テトラ置換ホスホニウムがテトラフェニルホスホニウムであることが好ましい。
その構成成分の一つであるテトラ置換ホスホニウムの置換基については何ら限定されず、置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。例えば、置換又は無置換のアリール基やアルキル基を置換基に有するテトラ置換ホスホニウムイオンが、熱や加水分解に対して安定であり好ましい。具体的には、テトラフェニルホスホニウム、テトラトリルホスホニウム、テトラエチルフェニルホスホニウム、テトラメトキシフェニルホスホニウム、テトラナフチルホスホニウム、テトラベンジルホスホニウム、エチルトリフェニルホスホニウム、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウム、２−ヒドロキシエチルトリフェニルホスホニウム、トリメチルフェニルホスホニウム、メチルジエチルフェニルホスホニウム、メチルジアリルフェニルホスホニウム、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム等を例示できる。
【００２３】
本発明で用いる（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物のうち、多官能フェノール化合物とはフェノール性の水酸基を有するもので少なくともその1つの水酸基の水素が外れてフェノキシド型の化合物となっているものである。
好ましくはヒドロキシベンゼン化合物、ビフェノール化合物、ビスフェノール化合物、ヒドロキシナフタレン化合物、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂である。
【００２４】
本発明の分子化合物（Ｄ）の構成成分である、多官能フェノール化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール及び、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタン及びこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）・製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
【００２５】
本発明で用いる（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物は、前述のようにホスホニウム−フェノキシド型の塩を構造中に有するが、従来の技術におけるホスホニウム−有機酸アニオン塩型の化合物と異なる点は、本発明の分子化合物（Ｄ）では水素結合による高次構造がイオン結合を取り囲んでいる点である。従来の技術における塩では、イオン結合の強さのみにより反応性を制御しているのに対し、本発明の分子化合物（Ｄ）では、常温ではアニオンの高次構造による囲い込みが活性点の保護を行う一方、成形の段階においては、この高次構造が崩れることで活性点がむき出しになり、反応性を発現する、いわゆる潜伏性が付与されている。
【００２６】
本発明で用いる（Ｄ）テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物は、前述の化合物（Ｂ）、化合物（Ｃ）の合計重量１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部程度が硬化性、保存性、他特性のバランスがよく好適である。
【００２７】
本発明の半導体用接着フィルムは、必要に応じてカップリング剤を含んでも良い。これにより樹脂と被着体及び樹脂とシリカ界面との密着性を向上させることができる。前記カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
【００２８】
前記カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００２９】
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．１〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
【００３０】
本発明は前記半導体接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度が５００[Ｐａ・ｓ]以上５０００[Ｐａ・ｓ]以下であることを特徴とする半導体用接着フィルムである。
【００３１】
前記溶融粘度は、例えば粘弾性測定装置であるレオメーターを用いて、フィルム状態のサンプルに１０℃／分の昇温速度で、周波数１Ｈｚのずり剪断を与えて測定することができる。
【００３２】
１７５℃での溶融粘度が５００[Ｐａ・ｓ]以下であると熱時での溶融粘度が低下し過ぎて熱による発泡を起こす可能性があり５０００[Ｐａ・ｓ]以上であるとフロー性が充分でなく段差埋め込みが不十分となる。
【００３３】
１５０℃で１時間の熱履歴はワイヤーボンドや熱硬化工程を想定した熱履歴であり１７５℃でのフロー性が重要なのはモールド材封入温度が通常１７５℃であるためである。
【００３４】
前記半導体接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後のさらに１７５℃で４時間処理した後の２４０℃での弾性率が１から５０ＭＰａであることが好ましい。
【００３５】
２４０℃での弾性率が１ＭＰａ未満であると耐リフロー時に強度の不足により剥離やボイドの発生の恐れがあり、５０ＭＰａを超えると応力緩和性が低下してしまい好ましくない。
【００３６】
本発明の半導体用接着フィルムの製造方法は、例えば前記樹脂組成物をメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥させることで得られる。
【００３７】
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
【００３８】
本発明の半導体装置の製造方法は、まず、シリコンウエハーの裏面に本発明の半導体用接着フィルムを温和な条件で貼付した後、ダイアタッチフィルム付きシリコンウエハーを、ダイシングフィルムに積層しダイシング装置上に固定し、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記の半導体用接着フィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得る。
【００３９】
また本発明の半導体用接着フィルムはキャリアフィルムに塗工し乾燥した後、ダイシングテープに積層したあとシリコンウエハーを温和な条件で貼り付けし、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、半導体用接着フィルムつきシリコンウエハーを、個片単位に切断して個片ダイとした半導体チップを得ることもできる。
【００４０】
次に、本発明の半導体装置について説明する。得られた半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と金属製のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板等の有機基板の接合に用いることができる。
【００４１】
接合の条件としては半導体素子と前記半導体搭載用支持部材を該接着フィルムを介して温度８０〜２００℃、時間０．１〜３０秒で圧着する。その後必要に応じてワイヤボンディング、封止材により封入を経て半導体装置を得ることができる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。まず、半導体用接着剤の実施例および比較例について説明する。
（実施例１）
１．半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製
アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、多官能エポキシ樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）４０重量部、テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物としてテトラ置換ホスホニウムとしてテトラフェニルホスホスホニウムで多官能フェノール化合物として４，４‘スルホニルジフェノール化合物０．１重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
【００４３】
２．半導体用接着フィルムの製造
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（王子製紙社製、品番ＲＬ−０７、厚さ３８μｍ）に塗布した後、７０℃、１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ２５μｍの半導体用接着フィルムを得た。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は１８００[Ｐａ・ｓ]であった。さらに１７５℃４時間で熱処理した後の弾性率は２０ＭＰａであった。
【００４４】
（実施例２）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、多官能エポキシ樹脂としてクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ樹脂１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）４０重量部と、テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物としてテトラ置換ホスホニウムとしてテトラフェニルホスホスホニウムで多官能フェノール化合物としてビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン化合物０．１重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は２２００[Ｐａ・ｓ]であった。さらに１７５℃４時間で熱処理した後の弾性率は１８ＭＰａであった。
【００４５】
（実施例３）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、多官能エポキシ樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＸＬＣ−２Ｌ、三井化学（株）製）７０重量部、テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物としてテトラ置換ホスホニウムとしてテトラフェニルホスホスホニウムで多官能フェノール化合物としてビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン化合物０．１重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．１重量部、とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は３３００[Ｐａ・ｓ]であった。さらに１７５℃４時間で熱処理した後の弾性率は１５ＭＰａであった。
【００４６】
（実施例４）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸エステル共重合体として水酸基を含むアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８、Ｔｇ：℃、重量平均分子量：８００，０００）１００重量部と、多官能エポキシ樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）３０重量部、テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子化合物としてテトラ置換ホスホニウムとしてテトラフェニルホスホスホニウムで多官能フェノール化合物として４，４‘スルホニルジフェノール化合物０．１重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．１重量部、とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は３０００[Ｐａ・ｓ]であった。さらに１７５℃４時間熱処理した後の弾性率は１５ＭＰａであった。
【００４７】
（比較例１）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸エステル共重合体として水酸基を含むアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：８００，０００）１００重量部と、多官能エポキシ樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）３０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径２μｍ）０．２重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部とを用いた。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は８０００[Ｐａ・ｓ]であった。さらに１７５℃４時間熱処理した後の弾性率は１８ＭＰａであった。
【００４８】
（比較例２）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
アクリル酸エステル共重合体としてグリシジル基を含むアクリル酸エステル共重合体（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部と、多官能エポキシ樹脂として結晶性のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、エポキシ当量１９７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０重量部、フェノール硬化剤（ＭＥＨ７５００、明和化成（株）製）３０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製、平均粒径２μｍ）０．２重量部と、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）１重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
得られた半導体用接着フィルムを１５０℃で１時間熱処理した後の１７５℃での溶融粘度は７５００[Ｐａ・ｓ]であった。さらに１７５℃４時間で熱処理した後の弾性率は２０ＭＰａであった。
【００４９】
次に、半導体装置について説明する。
（実施例１〜実施例４）
３．半導体装置の製造
実施例１〜４で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを接着フィルム側に５インチ５５０μｍウエハーの裏面を６０℃で貼り付けし、キャリアテープ及び接着フィルム付きウエハーを得た。
その後ダイシングフィルムをキャリアテープをはがしウエハーに貼り付けた。そして、ダイシングソーを用いて、接着フィルムが接合した半導体ウエハーをスピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）して、ダイシングフィルム及びキャリアテープが接合した半導体素子を得た。次に、ダイシングシート裏面から突上げしキャリアテープ接着フィルム層間で剥離し接着フィルムが接合した半導体素子をビスマレイミド―トリアジン基板に、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１５０℃１時間で加熱し、樹脂で封止し１７５℃４時間で封止樹脂を硬化させて１０個の半導体装置を得た。
（比較例１〜比較例２）
半導体用接着フィルムとして、比較例１〜比較例２で得られたキャリアテープ付き接着フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００５０】
各実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムおよび半導体装置に関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．埋め込み性
ダイアタッチフィルム付きガラスチップを平均１０ｕｍの凹凸のあるビスマレイミド―トリアジン基板に１３０℃／１ＭＰａ／１ｓでダイボンドし１５０℃１時間熱処理を行った。その後１７５℃／７ＭＰａ／３０ｓの荷重で加圧し凹凸の埋め込み性を観察した。埋め込み性は元のフィルムの面積のうち埋め込まれている面積の割合を百分率で評価した。
◎：埋め込み性が、９０％以上である
○：埋め込み性が、７０〜９０％未満である
△：埋め込み性が、５０〜７０％未満である
×：埋め込み性が、５０％未満である
【００５１】
２．接着フィルムの初期接着性
ダイアタッチフィルムとビスマレイミド―トリアジン基板との接着性は、ダイアタッチフィルムが接合した半導体素子と、ビスマレイミド―トリアジン基板とを１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、そのまま未処理（硬化処理前）の状態でチップとリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
【００５２】
３．吸湿処理後の接着性
各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、半導体素子とリードフレームとの剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
【００５３】
４．耐クラック性
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体装置を８５℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが全く無し
○：クラックが、７／１０個以上無し
△：クラックが、９／１０個以上、かつ７／１０個未満有り
×：クラックが、１０／１０個有り
【００５４】
【表１】
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（１）テトラ置換ホスホニウムと４，４’スルホニルジフェノール分子化合物
（２）テトラ置換ホスホニウムとビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン分子化合物
【００５５】
表１から明らかなように、実施例１〜４は、埋め込み性、初期及び吸湿後の接着性に優れ、かつ耐クラック性も優れていた。