(57)【要約】【課題】  仕切り板で区切られる各々の部分での圧力勾配を軽減し、プラズマ生成部分での失活と被処理体へのダメージを低減し、腐食性ガスのマイクロ波導入窓材への反応を抑制する。【解決手段】  マイクロ波およびプラズマ生成ガスが導入されるプラズマ生成室８と、プラズマ生成室８に連通可能に設けられた処理室９と、処理室９内に設けられたウエハ載置台１０と、プラズマ生成室８と処理室９の境界に設けられこれらの両室を連通可能に結ぶ開口部分を備える仕切り板１１とを有し、仕切り板１１はプラズマ生成室８側に各開口部分で異なる所定の角度にて傾斜した整流板１２を有し、処理室９内へ反応ガスを噴出する反応ガスノズル１４を有する。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波およびプラズマ生成ガスが導入されるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通可能に設けられた処理室と、前記処理室内に設けられた被処理体載置台と、前記プラズマ生成室と前記処理室の境界に設けられこれらの両室を連通可能に結ぶ開口部分を備える仕切り板とを有し、前記仕切り板は前記プラズマ生成室側に各開口部分で異なる所定の角度にて傾斜した整流板と、前記処理室内へ反応ガスを噴出する反応ガス噴出口を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記反応ガス噴出口が、希ガス又は窒素ガスの中から選択した希釈ガスを添加する手段をもつことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記処理室に排気を整流するためのガス排出口を有することを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記反応ガス噴出口を前記開口部分の断面に持つことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記仕切り板が絶縁体よりなることを特徴とする１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記処理室内の雰囲気は大気圧より低い圧力であって、１３Ｐａ以上に維持されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記仕切り板が、プラズマ発生ガスを導入するための誘電体表面から、マイクロ波の波長にｎ／２（ｎは整数）を乗じた長さに等しい距離だけ離れた位置にあることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記反応ガス噴出口から、腐食性ガスとして、少なくともハロゲン原子を１原子含む分子構造をもつガスを噴出することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応室内に配置されたシリコンウエハやガラス基板等の被処理基板の被処理面に、薄模をエッチングしたり、あるいはアッシングしたりするためのプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に形成された酸化膜などを選択的にエッチングする工程や、ウエハの表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。これらの工程では、不所望な部分に対するエッチングまたはイオン注入を防止するため、ウエハの最表面に感光性樹脂などの有機物からなるレジスト膜がパターン形成されて、エッチングまたはイオン注入を所望しない部分がレジスト膜によってマスクされる。ウエハ上にパターン形成されたレジスト膜は、エッチングまたはイオン注入の後は不要になるから、エッチングまたはイオン注入の後には、そのウエハ上の不要となったレジスト膜を除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
レジスト除去処理は、たとえば、アッシング装置でレジスト膜をアッシング（灰化）して除去した後、ウエハを洗浄装置に搬入して、ウエハの表面からアッシング後のレジスト残渣を除去することによって達成できる。アッシング装置では、例えば、処理対象のウエハを収容した処理室内が酸素ガス雰囲気にされて、その酸素ガス雰囲気中にマイクロ波が放射される。これにより、処理室内に酸素ガスのプラズマ（酸素プラズマ）が発生し、この酸素プラズマがウエハの表面に照射されることによって、ウエハの表面のレジストが分解されて除去される。
【０００４】
しかし、通常のダウンフロータイプのレジスト除去装置を用いた場合に、いくつかの課題がある。
課題の一つは、イオン注入によって変質硬化されたレジストを除去することが非常に困難になることである。なぜなら、イオン注入時の熱により前記レジストが炭化され、Ｏ２ラジカルによりＣＯ、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等に酸化され、気化させるのが困難となり、除去に要する時間が長くなるからである。また注入種（Ｐ+ 、Ａｓ+ 、Ｂ+ 等）の酸化物の蒸気圧は低く、残渣になりやすいからである。結果として、酸素ガスのプラズマでは、レジスト膜を除去できないか、レジスト膜の除去に長時間を要する。
【０００５】
そこで、イオン注入によって表面が変質したレジスト膜は、ＣＦ４に代表されるフッ化炭素系ガスを酸素ガスに添加した混合ガスを処理ガスとして、この処理ガスのプラズマを励起させた時に発生するフッ素の活性種によって除去できることが知られている。
【０００６】
しかし、フッ素等の活性種を含むプラズマがマイクロ波導入窓材である誘電体に長時間照射されていると、マイクロ波導入窓材の表面が活性種により腐食され、腐食されて生成された反応物質がパーティクルとしてウエハ上に落下するおそれがある。
【０００７】
そこで、既存の技術として、六フッ化硫黄、四フッ化炭素等の腐食性ガスをプラズマ生成ガスとは分離して反応器に導入する技術等が開示されている。
【０００８】
両ガスを分離して反応器に導入する方法の一つとして、プラズマ生成ガスはウエハから離れた誘電体窓近傍からプラズマ処理容器に導入し、反応ガスは誘電体窓から離れた箇所に、プラズマガスを通過させる孔と処理ガスの噴出口を有する仕切り板を配置して導入する方法がある。
【０００９】
または、プラズマ生成ガスの導入口と異なる位置から、プラズマ処理容器の壁面より反応ガスを導入してプラズマガスにより励起して行う方法がある。
【００１０】
そして、前記のマイクロ波を用いたプラズマによる処理のもう一つの課題として、プラズマ生成によって発生する荷電粒子であるイオンが処理対象物であるウエハへダメージを与えるおそれである。
それは、例えば、プラズマ生成ガスがマイクロ波透過窓から導入されたマイクロ波によってプラズマ化されて活性種となる場合、プラズマ生成ガスから発生したプラズマを用いて、半導体基板に所定のパターンで形成されているフォトレジスト膜を取り除くには、反応ガスとして酸素を含むガスを用いる。この前記酸素を含むガスのプラズマは酸素ラジカル（Ｏ＊）と酸素イオン（Ｏ++）とを含んでいる。そのため、活性種のラジカルは、被処理体に作用して、被処理体をアッシングしたりエッチングしたりするが、イオンは、入射によりゲート酸化膜またはその下に照射損傷を誘発する。そこでイオンは、ウエハ処理室に侵入しないように工夫しなければならず、仕切り板を配置する場合があり、仕切り板によりイオンを逃がすことでその侵入を防いでいた。
【特許文献１】特開昭３−１１７２５号公報
【特許文献２】特開平０８−３３９９９０号公報
【特許文献３】特開平０７−３１２３４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、ダウンフロー型のプラズマアッシング装置を用いた場合に、前述のように目的および効果は異なるが、プラズマ生成部分と処理対象物であるウエハの間に、前記仕切り板に代表されるような、遮蔽物を配置すると処理容器内を流れるガス流の大きな抵抗となる。
【００１２】
そのため、前記遮蔽物の前後、前記仕切り板の場合では、プラズマ生成室側であるガス導入部分と処理対象物であるウエハ側であるウエハ処理室側で圧力勾配が発生する。
【００１３】
そして、前記理由によりプラズマ生成室とウエハ処理室の間に圧力勾配が発生した場合、プラズマ生成部分であるプラズマ生成室の側で圧力が上昇し、プラズマ粒子の平均自由行程が短くなる、言い換えると、プラズマ粒子の衝突周波数が大きくなるために、プラズマ粒子が失活する原因となる。
【００１４】
前記プラズマ生成室の圧力が上昇し、プラズマが失活してプラズマ密度が低下した場合には、ウエハの処理および処理速度に影響がでる原因となる。
【００１５】
処理への影響としては、失活することによる処理速度の低下、処理の均一性の悪化、膜質・膜種によって処理が不能になるなどの影響がある。
【００１６】
また、前記プラズマ生成ガス部分と処理ガス導入部分を離した場合に、プラズマガスの失活によって、処理ガスが励起されにくくなるため、前述同様に処理速度の低下、処理の均一性の悪化、膜質・膜種によって処理が不能になるなどの影響がでる。
【００１７】
そこで、本発明では仕切り板を有するマイクロ波プラズマ装置において、仕切り板で区切られる各々の部分での圧力勾配を軽減し、プラズマ生成部分での失活を低減することを目的とする。
【００１８】
さらに、前記仕切り板の開口部分（孔）と各々傾斜する角度の異なる整流板の大きさ角度を調節することで、処理対象物のウエハへマイクロ波の入射を防ぐことでダメージを低減し、開口部分の位置を調節することで、マイクロ波導入窓材を腐食するおそれのある六フッ化硫黄、四フッ化炭素、または三フッ化窒素等の腐食性ガスのマイクロ波導入窓材への反応を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波およびプラズマ生成ガスが導入されるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室に連通可能に設けられた処理室と、前記処理室内に設けられた被処理体載置台と、前記プラズマ生成室と前記処理室の境界に設けられこれらの両室を連通可能に結ぶ開口部分を備える仕切り板とを有し、前記仕切り板は前記プラズマ生成室側に各開口部分で異なる所定の角度にて傾斜した整流板を有し、前記処理室内へ反応ガスを噴出する反応ガス噴出口を有することを特徴とする。この場合、前記被処理体載置台に平行な面もしくは開口部断面にマイクロ波発生部と、前記プラズマ生成ガスを供給するガス供給部とが、含まれていてもよい。前記反応ガス噴出口は前記被処理体載置台に平行な面もしくは開口部断面に設けることが好ましい。
【００２０】
また、本発明は、前記反応ガス噴出口が、Ａｒガス等の希ガスや、Ｎ２ガスなどの中から選択した希釈ガスを添加する手段をもつことを特徴としてもよく、前記処理室に排気を整流するための排気ガス排出口を有することを特徴としてもよく、前記反応ガス噴出口を前記開口部分の断面に持つことを特徴としてもよく、前記仕切り板が絶縁体よりなることを特徴としてもよく、前記処理室内の雰囲気は大気圧より低い圧力であって、１３Ｐａ以上に維持されることを特徴としてもよく、前記仕切り板が、プラズマ発生ガスを導入するための誘電体表面から、マイクロ波の波長にｎ／２（ｎは整数）を乗じた長さに等しい距離だけ離れた位置であることを特徴としてもよく、前記反応ガス噴出口から、腐食性ガスとして、少なくともハロゲン原子を１原子含む分子構造をもつガスを噴出することを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の効果として、ダウンフロー式のプラズマ処理装置のプラズマ処理容器内に、前記仕切り板に代表されるプロセスガスのガス流への抵抗となる遮蔽物を設ける場合に、前記仕切り板のプラズマ生成室側に各々傾斜角度の異なる整流板を設けることで、プラズマ生成室側の圧力上昇を抑制でき、ウエハ等の載置側である処理室側の圧力勾配の発生を低減できる。そして、前記プラズマ生成室の圧力上昇を抑制することで、プラズマ粒子の失活を低減でき、処理速度の低下、処理の均一性の悪化、膜質・膜種によって処理が不能になるなどの影響を低減できる。
【００２２】
また、前記プラズマ生成ガス部分と処理ガス導入部分を離した場合には、プラズマガスの失活が低減されて、処理ガスが励起され易くなるため、前述同様に処理速度の低下、処理の均一性の悪化、膜質・膜種によって処理が不能になるなどの影響を低減できる。さらに、前記仕切り板の開口部分（孔）と整流板の角度と大きさを調節することにより、プラズマ処理容器に導入されたマイクロ波の照射によって起こるウエハなどの被処理体へのダメージを低減できる。なおかつ、開口部分（孔）を調節することで反応処理後の生成物の巻き上げ、腐食性ガスの誘電体窓への接触を低減できる。
【００２３】
以下、ダウンフローのプラズマ処理装置を例として、本発明の実施例およびシミュレーション結果について、図面を参照して詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、プラズマ処理装置のプラズマ処理容器内に、プラズマ生成室とウエハ処理室の間に各々の領域を区分する仕切り板を配置し、図１に例示するような仕切り板内に開口部分（孔）を有し、プラズマ生成室側には各々の開口部分（孔）に対し角度の異なる整流板を具備したことに特徴がある。
【００２５】
即ち、本発明のプラズマ処理装置は、例えば、マイクロ波によって反応ガスがプラズマ化されるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室で発生したプラズマによって半導体ウエハ表面を処理するウエハ処理室と、前記プラズマ生成室と前記ウエハ処理室との間を仕切るとともに開口部分（孔）を有する仕切り板とを備え、前記仕切り板は前記プラズマ生成室側に角度の異なる整流板を有し、プラズマ生成室からのプラズマを整流することでプラズマ生成室とウエハ処理室の圧力勾配を軽減し、プラズマ生成室での失活を低減することが好ましい。
【００２６】
また、本発明のプラズマ処理装置は、マイクロ波によってプラズマ生成ガスがプラズマ化されるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室で発生したプラズマによって半導体ウエハ表面を処理するウエハ処理室と、前記プラズマ生成室と前記ウエハ処理室との間を仕切る仕切り板とを備え、前記仕切り板は、前記プラズマ生成ガスのプラズマ化によって発生するイオン成分を前記ウエハ処理室に入るのを遮蔽し、低減して、前記プラズマ生成ガスのプラズマ化によって発生するラジカルを前記ウエハ処理室に導入する。前記ウエハ処理室には、半導体ウエハを加熱するヒータを設置するようにしても良い。
【００２７】
さらに、前記仕切り板の開口部分（孔）の面積と整流板の角度と大きさを調整することで、マイクロ波導入窓を介してプラズマ生成室へ入射したマイクロ波が、処理対象物であるウエハに直接照射されることで生じるおそれがあるダメージを防ぐように整流板と開口部分を配置しても良い。
【００２８】
またさらに、マイクロ波導入窓を介してプラズマ生成室へ入射したマイクロ波が、前記仕切り板へ与えるダメージを低減するために、仕切り板を配置する位置は、マイクロ波導入窓表面より、プラズマ生成に使用するマイクロ波の波長λに対して、λ/2の整数倍の長さの位置にしても良い。
【００２９】
そして、前記仕切り板の開口部分（孔）の開口形状および開口面積を調整することで、前記六フッ化硫黄、四フッ化炭素、三フッ化窒素等の腐食性ガスを使用する場合に、前記腐食性ガスとマイクロ波導入窓材との反応による反応物質の生成を低減でき、さらには、処理対象物であるウエハとその構成物質と反応して生成された物質のプラズマ処理容器の壁面への付着を防止でき、付着物の剥落から起こるパーティクルの発生を低減するようにしても良い。
【実施例１】
【００３０】
図１（１）は本発明の実施例１に係るマイクロ波プラズマ処理装置を示す概略平面図であり、図１（２）はその断面図である。まず、本発明の特徴である仕切り板に具備する整流板の圧力勾配を低減する効果を検討するために、流体解析ソフトＳＴＡＲ−ＬＴを使用して、以下の条件のもとで作成したモデルの場合について、シミュレーションを試みた。図２は本発明の実施例１に係る整流板を具備したモデルのシミュレーション結果を示す図である。
【００３１】
仕切り板１１は、プラズマ処理容器７の中心軸より放射状の開口部分（孔）１１ａをプラズマ処理容器７の中心軸からプラズマ処理容器７の側壁までの１／２までの距離で途中に整流板１２を具備できる格子をもつ形状で開口した構造を有する。仕切り板１１に具備したプラズマ生成室８側の整流板１２は、プラズマ処理容器７の中心軸からプラズマ処理容器７の側壁側へ向かって段階的にウエハ載置台（またはこれに平行な仕切り板１１）の面に対して８０度、６０度、４５度となる傾斜角度の異なる３つの整流板１２を同心的に配置して設けた。
【００３２】
ガスの流量は、静圧力１３３．３Ｐａの条件で、プラズマ生成ガスである酸素ガスを２５００ｓｃｃｍでプラズマ生成領域に供給し、反応ガスとしてフッ素含有ガスである六フッ化硫黄（ＳＦ６）をウエハ載置台に平行な仕切り板１１の面に設けた反応ガスノズルより総供給量１０ｓｃｃｍで供給する条件で計算を行った。
【００３３】
また、本発明の効果を明確にするために、その他モデル条件及びガス流量、圧力、及び計算回数等は同条件であって、本発明に係る仕切り板１１のプラズマ生成室８側に整流板１２を具備するモデルと、整流板を具備しないモデルについて計算を行った。
【００３４】
その結果、図２のように整流板１２を具備するモデルでは、図３のように整流板を具備しないモデルに比べ、仕切り板１１を挟んだプラズマ生成室８とウエハ載置台のある処理室９での圧力勾配が低減することが確認された。
【実施例２】
【００３５】
図４は、本発明の実施例２に係るマイクロ波プラズマ処理装置を示す概略断面図である。
図４のダウンフロー式のマイクロ波プラズマ処理装置は、マイクロ波発振器１により発生した、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波をマイクロ波導波管４を介してスロットアンテナ５へと導いていく。マイクロ波導波管４は、プラズマ処理容器７の上部に進行するマイクロ波の方向が、マイクロ波導入窓６およびスロットアンテナ５と平行になるように連結されており、他端にアイソレータ２および４Ｅチューナ３が取り付けられている。スロットアンテナ５へと導かれたマイクロ波は、マイクロ波導入窓６である誘電体例えば石英ガラスやアルミナ、または窒化アルミニウムを介してプラズマ処理容器７内のプラズマ生成空間に導入される。
【００３６】
また、前記プラズマ処理容器７内には、被処理体であるウエハ２３が載置される上下可変型でヒータを内蔵したウエハ載置台１０が配置されている。
【００３７】
そして、プラズマ処理容器７内には、本発明に係るプラズマ生成室８とウエハ処理室９を仕切る仕切り板１１を有する。仕切り板１１は、プラズマ処理容器７の中心軸より放射状の開口部分（孔）１１ａをプラズマ処理容器７の中心軸からプラズマ処理容器７の側壁までの１／２までの距離で開口した構造を有し、プラズマ生成室８側にプラズマ処理容器７の中心軸からプラズマ処理容器７の側壁に向かって段階的にウエハ載置台１０の面に対してそれぞれ８０度、５０度、２０度となる傾斜角度の異なる整流板１２を有する。そして、仕切り板１１は、マイクロ波導入窓６とステージであるウエハ載置台１０の間に位置するプラズマ処理容器７内に配設され、マイクロ波導入窓６側のプラズマ処理容器７をプラズマ生成室８の領域とし、ウエハ載置台１０側のプラズマ処理容器７内をウエハ処理室９の領域としてそれぞれ区分し規定している。
【００３８】
プラズマ生成ガス導入口としては、プラズマ処理容器７のプラズマ生成室８側に複数の噴出口であるプラズマ生成ガスノズル１３が設けられている。また、フッ素含有ガスである反応ガスの噴出口として反応ガスノズル１４は、ウエハ処理室９側に多数の小径の穴（φ０．５〜１ｍｍ程度）を仕切り板１１の断面及びウエハ載置台１０へ平行な面に開けた形状で配置している。反応ガスノズル１４のガス噴射方向については、プラズマ生成ガスおよび反応ガスの流量比、処理室内圧力により任意に選択するものとする。
【００３９】
そして、プラズマ生成ガスノズル１３には、バルブ１５やマスフローコントローラ１６などで構成されたガス導入装置が接続されている。ガス導入装置には、酸素含有ガス源１７からの酸素含有ガスおよび希ガス源１８もしくは窒素ガス源からの希ガスまたは窒素ガスが供給されるようになっており、ガス導入装置には各ガス供給ライン（酸素含有ガス供給ライン、窒素ガス供給ライン）上に設けられたバルブ１５の開閉およびマスフローコントローラ１６を制御することによって、プラズマ生成ガスノズル１３からプラズマ生成室８に導入されるプラズマ生成ガスに含まれるガスの種類を変更することができる。また、各ガス供給ライン上に設けられたマスフローコントローラ１６を制御することにより、プラズマ生成ガスノズル１３からプラズマ生成室８に導入されるプラズマ生成ガスの流量および含まれる各ガス成分の濃度（ガス混合比）を変更することができる。さらに、仕切り板１１に設けられた前記反応ガスノズル１４へのフッ素含有ガスである反応ガスのガス導入管にも、バルブ１９やマスフローコントローラ２０などを含むガス導入装置が接続され、前記反応ガスのフッ素含有ガス源２１からの供給量を変更することができる。
【００４０】
さらに、ガス排出口２２は、プラズマ処理容器７の底部であるウエハ処理室９側のウエハ載置台１０付近に設けられ、図示していない排気系装置が連結され、プラズマ処理容器７の気圧を大気圧以下で１３．３Ｐａ以上に調節するよう排気が行われる。
【００４１】
上記構成のプラズマ反応装置で、圧力条件を１０６．６Ｐａで調整して、プラズマ生成ガスである酸素とアルゴンが各々流量８００ｓｃｃｍで混入され、プラズマ生成室８にプラズマ生成ガスが充満した状態で、マイクロ波発振器１からマイクロ波が３ｋＷの電力で出力され、マイクロ波導入窓６を透過してプラズマ生成室８内に放射され、そして、その放射されるマイクロ波のエネルギーにより、プラズマ生成室８内の混合ガスが、高密度プラズマに励起される。
【００４２】
そして、高密度プラズマから発生した酸素活性種とアルゴン活性種が衝突による失活を起こさないで、仕切り板１１の整流板１２でウエハ処理室９に導かれ、仕切り板１１に具備された反応ガスノズル１４より供給されたフッ素含有ガスである六フッ化硫黄（ＳＦ６）１０ｓｃｃｍを効果的に励起して、ウエハ２３の表面に形成されているレジストパターンに到達させることで、処理速度の低減を抑制し、処理能力の変化を最小限に抑えて、効率的にレジストパターンがアッシングされていく。
【００４３】
また、プラズマ生成ガスとしての酸素含有ガスとしては、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、及びＣＯ２などのうちのいずれかを使用することができる。そして、フッ素含有ガスとしては、Ｆ２、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ３Ｆ８、Ｓ２Ｆ２、ＳＦ２、ＳＦ４、及びＳＯＦ２などのうちのいずれかを使用することができる。さらに、処理フォーミングガスにおいて使用される水素の希釈ガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒなどの希ガスのほか、窒素などのいずれかを使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】（１）は本発明の実施例１に係るマイクロ波プラズマ処理装置の主要部を示す概略平面図であり、（２）はその断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る整流板を具備したモデルのシミュレーション結果を示す図である。
【図３】本発明に係る整流板を具備しないモデルのシミュレーション結果を示す図である。
【図４】本発明の実施例２に係るマイクロ波プラズマ処理装置について説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１：マイクロ波発振器、２：アイソレータ、３：４Eチューナ、４：マイクロ波導波管、５：スロットアンテナ、６：マイクロ波導入窓（誘電体）、７：プラズマ処理容器、８：プラズマ生成室、９：ウエハ処理室：１０：ウエハ載置台、１１：仕切り板、１１ａ：開口部分（孔）、１２：整流板、１３：プラズマ生成ガスノズル、１４：反応ガスノズル、１５：バルブ、１６：マスフローコントローラ、１７：酸素含有ガス源、１８：希ガス源、１９：バルブ、２０：マスフローコントローラ、２１：フッ素含有ガス源、２２：ガス排出口、２３：ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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