(57)【要約】【課題】  半導体集積回路等の微細パターンの開発工程におけるパターンの変遷を閲覧可能な形状検査システムを提供する。【解決手段】  フォトマスクのパターン及び基板上に形成されたフォトマスクの投影パターンを観察する観察装置201と、基板上に形成する回路の設計データを記憶する回路データ記憶装置310と、設計データ、フォトマスクのパターンの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれの座標情報ファイルを作成する座標ファイル作成部211と、座標情報ファイルを基に、設計データ、フォトマスクの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの同一座標部分を画像出力する画像インタフェース321とを備える。【選択図】    図１
2006078589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクのパターン及び基板上に形成された前記フォトマスクの投影パターンを観察する観察装置と、
前記基板上に形成する回路の設計データを記憶する回路データ記憶装置と、
前記設計データ、前記フォトマスクのパターンの観察画像、及び前記投影パターンの観察画像のそれぞれの座標情報ファイルを作成する座標ファイル作成部と、
前記座標情報ファイルを基に、前記設計データ、前記フォトマスクの観察画像、及び前記投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの同一座標部分を画像出力する画像インタフェース
とを備えることを特徴とする形状検査システム。
【請求項２】
前記設計データ、前記フォトマスクの観察画像、及び前記投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの類似度を判定する類似度判定部を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の形状検査システム。
【請求項３】
座標ファイル作成部が、フォトマスクのパターン及び基板上に形成された前記フォトマスクの投影パターンのそれぞれの観察画像を取得するステップと、
前記座標ファイル作成部が前記基板上に形成する回路の設計データを取得するステップと、
前記座標ファイル作成部が、前記設計データ、前記フォトマスクのパターンの観察画像、及び前記投影パターンの観察画像のそれぞれの座標情報ファイルを作成し、回路データ記憶装置に保存するステップと、
画像インタフェースが、前記座標情報ファイルを基に前記設計データ、前記フォトマスクの観察画像、及び前記投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの同一座標部分を画像出力するステップ
とを含むことを特徴とする形状検査方法。
【請求項４】
類似度判定部が、前記設計データ、前記フォトマスクの観察画像、及び前記投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの類似度を判定するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の形状検査方法。
【請求項５】
前記画像インタフェースが、前記画像出力された回路パターンを前記回路データ記憶装置に保存するステップを更に含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の形状検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細パターンの製造技術に係り、特に形状検査システム及び形状検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の開発工程は、回路設計、光近接効果(OPE)による回路パターンの寸法誤差予測、OPEによる寸法誤差を抑制するための回路パターンの光近接効果補正(OPC)処理、マスク製造、及びレジスト上へのマスクパターン転写等の複数の工程を含む。したがって、最終的に製造された半導体集積回路が当初に設計された回路パターンと一致するか否かを検査し、回路動作に影響を及ぼす寸法誤差が生じていた場合には、開発工程のどの段階で寸法誤差の原因が生じたのかを検証することが重要となる。これに対し、半導体集積回路の複数の生産工程のそれぞれにおける生産履歴情報をデータベース化し、必要に応じて目的とする生産履歴情報を検索する方法が提案されている（例えば、特許文献1参照。）。
【０００３】
しかし、半導体集積回路の開発工程において、特定の回路パターンが各工程でどのように変化したかを検証するには、各工程で得られる複数の設計データや観察画像から検証対象となる同一の回路パターンを抽出する必要がある。しかし、各工程で得られる設計データや観察画像はそれぞれ画像サイズや撮影領域が異なるため、検証対象の抽出は独立した処理で行われており、半導体集積回路の検証時間の長期化をもたらす原因となっていた。
【特許文献１】特開2002-351526号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、半導体集積回路等の微細パターンの開発工程におけるパターンの変遷を閲覧可能な形状検査システム及び形状検査方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第1の特徴は、（イ）フォトマスクのパターン及び基板上に形成されたフォトマスクの投影パターンを観察する観察装置と、（ロ）基板上に形成する回路の設計データを記憶する回路データ記憶装置と、（ハ）設計データ、フォトマスクのパターンの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれの座標情報ファイルを作成する座標ファイル作成部と、（ニ）座標情報ファイルを基に、設計データ、フォトマスクの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの同一座標部分を画像出力する画像インタフェースとを備える形状検査システムであることを要旨とする。
【０００６】
本発明の第2の特徴は、（イ）座標ファイル作成部が、フォトマスクのパターン及び基板上に形成されたフォトマスクの投影パターンのそれぞれの観察画像を取得するステップと、（ロ）座標ファイル作成部が基板上に形成する回路の設計データを取得するステップと、（ハ）座標ファイル作成部が、設計データ、フォトマスクのパターンの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれの座標情報ファイルを作成し、回路データ記憶装置に保存するステップと、（ニ）画像インタフェースが、座標情報ファイルを基に設計データ、フォトマスクの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの同一座標部分を画像出力するステップとを含む形状検査方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体集積回路等の微細パターンの開発工程におけるパターンの変遷を閲覧可能な形状検査システム及び形状検査方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。なお以下の示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において種々の変更を加えることができる。
【０００９】
実施の形態に係る形状検査システムは、図1に示すように、半導体集積回路製造用のフォトマスクのパターンを半導体基板上のレジストに投影する露光装置3、及びフォトマスクのパターン及び基板上に形成されたフォトマスクの投影パターンを観察する観察装置201を有する。さらに形状検査システムは、基板上に形成する回路の設計データを記憶する回路データ記憶装置310、設計データ、フォトマスクのパターンの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれの座標情報ファイルを作成する座標ファイル作成部211、及び座標情報ファイルを基に、設計データ、フォトマスクの観察画像、及び投影パターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンの同一座標部分を画像出力する画像インタフェース321を有する中央演算処理装置(CPU)300を備える。
【００１０】
図2に一例を示す半導体集積回路製造用のフォトマスクは、周囲を遮光領域27に囲まれたデバイスパターン領域57を有する。デバイスパターン領域57には、図3に示すように、半導体集積回路の回路パターン30が描画されている。回路パターン30には、OPC処理により、セリフ40a, 40b, 40c, 40d, 40e, 40f, 40g, 40hのそれぞれが設けられている。図2に示す寸法精度マーク20a, 20b, 20cのそれぞれには、フォトマスクの製造誤差を評価するためのラインアンドスペースパターンが描画されている。アライメントマーク26a, 26b, 26cのそれぞれは、フォトマスクを図1及び図4に示す露光装置3のレチクルステージ25に配置する際の位置あわせに用いられる。
【００１１】
露光装置3は、図4に示すように、照明光源41、照明光源41の下部に配置される開口絞りホルダ58、照明光を集光する集光光学系43、集光光学系43の下部に配置されるスリットホルダ54、スリットホルダ54の下部に配置されるレチクルステージ25、レチクルステージ25の下部に配置される投影光学系42、投影光学系42の下部に配置されるウェハステージ32を備える。
【００１２】
レチクルステージ25には図2に示すフォトマスクが配置される。図4に示すレチクルステージ25は、レチクル用XYステージ81、レチクル用XYステージ81上部に配置されたレチクル用可動軸83a, 83b、レチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれでレチクル用XYステージ81に接続されるレチクル用Z傾斜ステージ82を備える。レチクルステージ25にはレチクルステージ駆動部97が接続される。レチクルステージ駆動部97はレチクル用XYステージ81をx, y方向に走査する。またレチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれをz方向に駆動する。よって、レチクル用Z傾斜ステージ82はレチクル用XYステージ81によってx, y方向に位置決めされ、かつレチクル用可動軸83a, 83bのそれぞれによりx - y面に対して傾斜をつけて配置することができる。レチクル用Z傾斜ステージ82端部にはレチクル用移動鏡98が配置される。レチクル用Z傾斜ステージ82の配置位置はレチクル用移動鏡98に対向して配置されたレチクル用レーザ干渉計99で計測される。
【００１３】
ウェハステージ32には、レジストを塗布された半導体基板が配置される。ウェハステージ32は、ウェハ用XYステージ91、ウェハ用XYステージ91上部に配置されたウェハ用可動軸93a, 93b、ウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれでウェハ用XYステージ91に接続されるウェハ用Z傾斜ステージ92を備える。ウェハステージ32にはウェハステージ駆動部94が接続される。ウェハステージ駆動部94はウェハ用XYステージ91をx, y方向に走査する。またウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれをz方向に駆動する。よって、ウェハ用Z傾斜ステージ92はウェハ用XYステージ91によってx, y方向に位置決めされ、かつウェハ用可動軸93a, 93bのそれぞれによりx - y面に対して傾斜をつけて配置することができる。ウェハ用Z傾斜ステージ92端部にはウェハ用移動鏡96が配置される。ウェハ用Z傾斜ステージ92の配置位置はウェハ用移動鏡96に対向して配置されたウェハ用レーザ干渉計95で計測される。
【００１４】
図1に示す現像装置4は図2に示すフォトマスク上のパターンを投影された半導体基板上のレジストを現像し、レジストパターンを形成させるための装置である。現像装置4には、現像液濃度、温度、及び現像時間等の現像条件を管理可能な装置が使用可能である。図1に示すエッチング装置5は、レジストパターンでマスクされた半導体基板あるいは絶縁層等を選択的にエッチングするための装置である。
【００１５】
観察装置201は、図2に示すフォトマスクのデバイスパターン領域57を観察する。また観察装置201は、半導体基板上のレジストパターン、及びレジストパターンをマスクにして形成される半導体基板あるいは絶縁層のエッチングパターン等のフォトマスクの投影パターンを観察する。観察装置201には原子間力顕微鏡(AFM)や走査型電子顕微鏡(SEM)等が使用可能である。
【００１６】
図1に示す回路データ記憶装置310は、設計データ記憶部311、補正データ記憶部312、マスクデータ記憶部313、マスク画像記憶部314、レジストパターン記憶部315、エッチングパターン記憶部316、及びファイル記憶部317を備える。設計データ記憶部311は、半導体集積回路のCAD等によって作成される設計データを画像ファイルとして保存する。補正データ記憶部312は、OPC処理されたマスクデータを用いた光学シミュレーションにより算出される予測投影像を保存する。マスクデータ記憶部313は、設計データを基にOPC処理されたマスクデータを画像ファイルとして保存する。マスク画像記憶部314は、マスクデータを基に製造された図2に示すフォトマスクの観察画像を保存する。レジストパターン記憶部315は、レジストパターンの観察画像を保存する。エッチングパターン記憶部316は、半導体基板あるいは絶縁層のエッチングパターンの観察画像を保存する。
【００１７】
露光装置3、観察装置201、現像装置4、エッチング装置5、及び回路データ記憶装置310のそれぞれはCPU300に接続される。CPU300の座標ファイル作成部211は、設計データの画像ファイルに記録されている半導体集積回路の領域の大きさ、及び領域の中心位置と半導体集積回路の中心位置との相対距離を抽出し、図5に一例を示す座標情報ファイルを作成する。図1に示す座標ファイル作成部211は、予測投影像、マスクデータ、フォトマスクの観察画像、レジストパターンの観察画像、及びエッチングパターンの観察画像のそれぞれについても座標情報ファイルを作成する。
【００１８】
図5に示す座標情報ファイルは、例えばXML(eXtensible Markup Language)形式が採用可能であり、ヘッダセクション121、及び回路パターンセクション122, 123のそれぞれを有する。ヘッダセクション121は、ドキュメントタイプ宣言タグ10、表示横サイズセクション11、表示縦サイズセクション12、及び製品名称タグ13を有する。ドキュメントタイプ宣言タグ10にはXMLのバージョン等が記載される。表示横サイズセクション11には、図1に示す出力装置333の画面表示サイズの横(x)方向の初期値が記載される。表示縦サイズセクション12には、出力装置333の画面表示サイズの縦(y)方向の初期値が記載される。製品名称タグ13には、製造される半導体集積回路の製品名が記載される。
【００１９】
回路パターンセクション122には、半導体集積回路の回路パターンの一部の設計データ、予測投影像、マスクデータ、フォトマスクの観察画像、レジストパターンの観察画像、及びエッチングパターンの観察画像のそれぞれの画像ファイルの画像情報が記載される。記載される回路パターンの名称はパターン名称タグ202aで定義される。ここでは、記載される回路パターンの名称として、「GATE01」が定義されている。また図5においては、一例として、設計データの画像ファイルの情報が記載された設計データセクション301と、マスクの観察画像ファイルの情報が記載されたフォトマスクセクション302を示している。
【００２０】
設計データセクション301は、ファイル名セクション204a、横サイズセクション205a、縦サイズセクション206a、相対横位置セクション207a、相対縦位置セクション208aを有する。ファイル名セクション204aには、設計データの画像ファイルの所在地が記載される。例えば、図1に示す設計データ記憶部311のインターネットアドレスが記載される。図5に示す横サイズセクション205aには設計データの画像ファイルに記録された領域の横(x)方向の大きさが記載される。縦サイズセクション206aには設計データの画像ファイルに記録された領域の縦(y)方向の大きさが記載される。相対横位置セクション207aには、半導体集積回路の中心位置と、画像ファイルに記録された領域の中心位置との横(x)方向の距離が記載される。相対縦位置セクション208aには、半導体集積回路の中心位置と、画像ファイルに記録された領域の中心位置との縦(y)方向の距離が記載される。ファイル名セクション204a、横サイズセクション205a、縦サイズセクション206a、相対横位置セクション207a、及び相対縦位置セクション208aのそれぞれは、設計データセクション301の開始宣言タグ203aと終了宣言タグ14に挟まれている。
【００２１】
フォトマスクセクション302は、ファイル名セクション214a、横サイズセクション215a、縦サイズセクション216a、相対横位置セクション217a、相対縦位置セクション218aを有する。ファイル名セクション214aには、フォトマスクの観察画像ファイルの所在地が記載される。例えば、図1に示すマスク画像記憶部314のインターネットアドレスが記載される。図5に示す横サイズセクション215aにはフォトマスクの観察画像ファイルに記録された横(x)方向の大きさが記載される。縦サイズセクション216aにはフォトマスクの観察画像ファイルに記録された領域の縦(y)方向の大きさが記載される。相対横位置セクション217aには、フォトマスクに描画された半導体集積回路パターンの中心位置と、観察画像ファイルに記録された領域の中心位置との横(x)方向の距離が記載される。相対縦位置セクション218aには、フォトマスクに設けられた半導体集積回路パターンの中心位置と、観察画像ファイルに記録された領域の中心位置との縦(y)方向の距離が記載される。ファイル名セクション214a、横サイズセクション215a、縦サイズセクション216a、相対横位置セクション217a、及び相対縦位置セクション218aのそれぞれは、開始宣言タグ213aと終了宣言タグ15に挟まれている。回路パターンセクション122の末尾には終了宣言タグ16が記載される。
【００２２】
回路パターンセクション123には、回路パターンセクション122に記載された領域とは異なる領域「Point1」の設計データ、予測投影像、マスクデータ、フォトマスクの観察画像、レジストパターンの観察画像、エッチングパターンの観察画像のそれぞれの画像ファイルの画像情報が記載される。記載される回路パターンの名称はパターン名称タグ202bで定義される。図5においては、一例として、「Point1」と定義された回路パターンの設計データの画像ファイル情報が記載された設計データセクション303を示している。設計データセクション303は、開始宣言タグ203b、ファイル名セクション204b、横サイズセクション205b、縦サイズセクション206b、相対横位置セクション207b、相対縦位置セクション208b、及び終了宣言タグ17を有する。また座標情報ファイルの最終行には終了宣言タグ18が記載される。作成された座標情報ファイルは、図1に示すファイル記憶部317に保存される。
【００２３】
画像インタフェース321は、出力装置333に表示する回路パターンの指定を受けると、座標情報ファイルを参照し、設計データ、予測投影像、マスクデータ、フォトマスクの観察画像、レジストパターンの観察画像、及びエッチングパターンの観察画像のそれぞれに記録された回路パターンを同じ画面表示サイズで出力装置333に表示させる。例えば、回路パターンとして「GATE01」が指定され、設計データ記憶部311に保存されている設計データに記録された回路パターンを表示する場合、画像インタフェース321は、図5に示す表示横サイズセクション11、表示縦サイズセクション12、横サイズセクション205a、及び縦サイズセクション206aのそれぞれを読み出す。ここで、表示横サイズセクション11及び表示縦サイズセクション12のそれぞれに定義された横(x)及び縦(y)方向の画面表示サイズは、図5に示す例では共に100μmである。また横サイズセクション205a及び縦サイズセクション206aのそれぞれに記載された、設計データの画像ファイルに記録された領域の横(x)及び縦(y)方向の大きさも共に100μmである。この場合図1に示す画像インタフェース321は、設計データの単位長さあたりのピクセル数に対する出力装置333の単位長さあたりのピクセル数の比を算出し、算出された比の倍率で設計データを出力装置333に表示させる。
【００２４】
一方、マスク画像記憶部314に保存されているフォトマスクの観察画像に記録された回路パターンを表示する場合、画像インタフェース321は、図5に示す表示横サイズセクション11、表示縦サイズセクション12、横サイズセクション215a、及び縦サイズセクション216aのそれぞれを読み出す。ここで、横サイズセクション215a及び縦サイズセクション216aのそれぞれに記載された、フォトマスクの観察画像に記録された領域の横(x)及び縦(y)方向の大きさは共に200μmである。したがって図1に示す画像インタフェース321は、図5に示す表示横サイズセクション11及び表示縦サイズセクション12のそれぞれに定義された横(x)及び縦(y)方向の画面表示サイズである100μm四方の領域をフォトマスクの観察画像の中心から切り出す。さらに図1に示す画像インタフェース321は、切り出されたフォトマスクの観察画像の単位長さあたりのピクセル数に対する出力装置333の単位長さあたりのピクセル数の比を算出し、算出された比の倍率で切り出されたフォトマスクの観察画像を出力装置333に表示させる。したがって、出力装置333には設計データ及びフォトマスクの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンが同じ大きさで表示される。画像インタフェース321は、予測投影像、マスクデータ、レジストパターンの観察画像、及びエッチングパターンの観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンついても同様に座標情報ファイルを参照して同じ大きさで出力装置333に表示させる。
【００２５】
出力装置333の表示画面は、図6に示すように、複数の表示窓102a, 102b, 102c, 102d, 102e, 102fを有する。表示窓102aは設計データの画像を表示する。表示窓102bは予測投影像の画像を表示する。表示窓102cはマスクデータの画像を表示する。表示窓102dはフォトマスクの観察画像を表示する。表示窓102eはレジストパターンの観察画像を表示する。表示窓102fはエッチングパターンの観察画像を表示する。また出力装置333の表示画面は、検証対象とする回路パターンを選択するプルダウンメニュー101、回路パターンの新規登録名称を記入する入力窓103、及び入力窓103に入力された新規の登録名称の登録を確定する追加登録ボタン104を有する。図6においては、回路パターン「GATE01」がプルダウンメニュー101で選択された例を示している。
【００２６】
また図1に示す画像インタフェース321は、オペレータがマウス等の入力装置332から図7に示すように表示窓102fにポインタ90を設定した場合、エッチングパターン観察画像表示窓102fの中心座標(xo, yo)と、ポインタ90が位置する指示座標(xp, yp)を抽出する。さらに画像インタフェース321は中心座標(xo, yo)と指示座標(xp, yp)の差をとり、移動ベクトルを算出する。画像インタフェース321は、表示窓102a〜102fに表示されている総ての画像のピクセルを、図8に示すように算出した移動ベクトル分移動させる。
【００２７】
図1に示すCPU300はさらに類似度判断部334を有する。類似度判断部334は、表示窓102aに表示された設計データの画像と、表示窓102bに表示された予測投影像の画像について幾何形状パターンマッチングを行い、類似度を判定する。具体的には、表示窓102a, 102bのそれぞれが横方向にxピクセル、縦方向にyピクセルの画素を有するとして、表示窓102aにおける各画素の高さ情報をfa(x, y)、表示窓102bにおける各画素の高さ情報をfb(x, y)として、(1)式より類似度Sabを算出する。
【数１】
2006078589.tif 000003
【００２８】
類似度判断部334は、表示窓102c〜102fのそれぞれに表示される画像についても、設計データの画像との類似度を同様に算出する。
【００２９】
CPU300には入力装置332、出力装置333、一時記憶装置331、及びプログラム記憶装置330が接続されている。入力装置332としては、例えばキーボード、及びマウス等のポインティングデバイス等が使用可能である。出力装置333には液晶ディスプレイ、モニタ等の画像表示装置、及びプリンタ等が使用可能である。一時記憶装置331は、CPU300による演算結果を逐次格納する。プログラム記憶装置330は、CPU300を制御するオペレーティングシステム等を保存する。回路データ記憶装置310、一時記憶装置331及びプログラム記憶装置330としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクや磁気テープなどのプログラムを記録する記録媒体等が使用可能である。
【００３０】
次に、図1に示した形状検査システムを利用した実施の形態に係る形状検査方法を、図9に示すフローチャートを用いて説明する。
【００３１】
(a) まずステップS100で、図1及び図4に示す露光装置3のレチクルステージ25に図2に示すフォトマスクを配置する。次に図4に示す露光装置3のウェハステージ32にレジストをスピン塗布した半導体基板を配置する。さらに照明光源41から光を照射することにより、図3に示すデバイスパターン領域57に描画された回路パターン30をレジスト上に投影する。
【００３２】
(b) 次にステップS101で、半導体基板上のレジストを図1に示す現像装置4で現像処理することにより、レジストパターンを形成させる。ステップS102に進み、フォトマスクの図2及び図3に示すデバイスパターン領域57を図1に示す観察装置201で観察する。フォトマスクの観察画像は、マスク画像記憶部314に保存する。
【００３３】
(c) ステップS103で、半導体基板上のレジストパターンを観察装置201で観察する。レジストパターンの観察画像は、レジストパターン記憶部315に保存する。次にステップS104で、レジストパターンをマスクにして半導体基板、あるいは半導体基板上の絶縁層等をエッチング装置5で選択的に除去し、エッチングパターンを形成させる。形成されたエッチングパターンを、ステップS105で、観察装置201で観察する。エッチングパターンの観察画像は、エッチングパターン記憶部316に保存する。
【００３４】
(d) ステップS106で、座標ファイル作成部211は設計データ記憶部311に予め保存されている半導体集積回路の設計データを取得する。ステップS107で、座標ファイル作成部211は補正データ記憶部312に予め保存されている予測投影像を取得する。ステップS108で、座標ファイル作成部211はマスクデータ記憶部313に予め保存されている図2に示すマスクデータを取得する。
【００３５】
(e) ステップS109で、図1に示す座標ファイル作成部211は、マスク画像記憶部314、レジストパターン記憶部315、エッチングパターン記憶部316のそれぞれからフォトマスク、レジストパターン、及びエッチングパターンのそれぞれの観察画像を読み出す。さらに座標ファイル作成部211は、半導体集積回路の設計データ、予測投影像、マスクデータ、フォトマスク観察画像、レジストパターン観察画像、及びエッチングパターン観察画像のそれぞれのx及びy方向の寸法値、半導体集積回路の中心からそれぞれの画像の中心までのx及びy方向の寸法値を抽出し、図5に示す座標情報ファイルを作成する。
【００３６】
(f) ステップS110で、図1に示す画像インタフェース321は図5に示す座標情報ファイルを基に、半導体集積回路の設計データ、予測投影像、マスクデータ、フォトマスク観察画像、レジストパターン観察画像、及びエッチングパターン観察画像のそれぞれに含まれる回路パターンを同じ画面表示サイズで図1に示す出力装置333に表示させる。それぞれの回路パターンは、図6に示すように出力装置333に表示される。
【００３７】
(g) ステップS111で、図7に示すように、ポインタ90を表示窓102f上の指示座標(xp, yp)に設定されると、図1に示す画像インタフェース321は、中心座標(xo, yo)と、指示座標(xp, yp)とを結ぶベクトルを算出する。さらに画像インタフェース321は、表示窓102a〜102fのそれぞれに表示された画像を図8に示すよう算出したベクトルだけ移動させる。
【００３８】
(h) ステップS112で、図1に示す類似度判断部334は、表示窓102aに表示された設計データの画像と、表示窓102bに表示された予測投影像の画像との類似度を算出する。また類似度判断部334は、表示窓102c〜102fのそれぞれに表示される画像についても、設計データの画像との類似度を同様に算出する。ステップS113で、画像インタフェース321は図8に示す移動後の回路パターンの画像を回路データ記憶装置310に保存し、形状検査方法を終了する。
【００３９】
従来においては、設計データ、予測投影像、マスクデータ、フォトマスクの観察画像、レジストパターンの観察画像、及びエッチングパターンの観察画像のそれぞれの画像ファイルは別個に管理されており、各画像ファイルの同一座標部分の閲覧が容易でなかった。特に、フォトマスク、レジストパターン、及びエッチングパターンのそれぞれの観察画像は図1に示した観察装置201が有する走査速度及び解像度の限界から、半導体集積回路の一部のみを撮影するのが通常である。そのため、複数の観察画像から所望の位置の観察画像を抽出するのは容易ではなかった。これに対し、図1及び図9に示した形状検査システム及び形状検査方法によれば、設計データ、予測投影像、マスクデータ、フォトマスクの観察画像、レジストパターンの観察画像、及びエッチングパターンの観察画像のそれぞれの画像ファイルの座標情報ファイルを作成することによって、各画像ファイルの同一座標部分の閲覧が容易となる。またステップS112で設計データに対するレジストパターン及びエッチングパターン等の類似度を算出することができるため、レジストパターン及びエッチングパターン等が正確に設計データを再現しているかを評価することも可能となる。
【００４０】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。例えば図1に示したCPU300、回路データ記憶装置310、及び観察装置201等は同じ場所にある必要はなく、それぞれがネットワークで接続されていてもよい。また出力装置333の表示画面の説明において、検証対象とする回路パターンの画像を選択するプルダウンメニュー101を説明した。しかし、図5に示したファイル名セクション204aに記載されたインターネットアドレスを図1に示した入力装置332から入力して出力装置333に表示する画像を呼び出してもよい。以上示したように、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明からは妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態に係る形状検査システムを示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るフォトマスクを示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る回路パターンを示す模式図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る露光装置を示す模式図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る座標情報ファイルの一例である。
【図６】本発明の実施の形態に係る閲覧表示画像の模式図（その1）である。
【図７】本発明の実施の形態に係る閲覧表示画像の模式図（その2）である。
【図８】本発明の実施の形態に係る閲覧表示画像の模式図（その3）である。
【図９】本発明の実施の形態に係る形状検査方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４２】
3…露光装置
201…観察装置
310…回路データ記憶装置
211…座標ファイル作成部
321…画像インタフェース
【図１】
2006078589.tif 000004
【図２】
2006078589.tif 000005
【図３】
2006078589.tif 000006
【図４】
2006078589.tif 000007
【図５】
2006078589.tif 000008
【図６】
2006078589.tif 000009
【図７】
2006078589.tif 000010
【図８】
2006078589.tif 000011
【図９】
2006078589.tif 000012