(57)【要約】【課題】現像剤と反射層との間の反応により生じる問題を回避するように機能する保護層を反射層上に形成して、反射層の剥離又は貫通孔のような欠陥、及びブライトスポットのような画素の不良をなくす。【解決手段】反射型及び半透過型液晶ディスプレイデバイス、並びにその製造方法を提供する。この製造方法は以下のステップを具えている。先ず、反射型又は半透過型液晶ディスプレイデバイスの基板構体を用立てる。次に、基板構体上に反射層を形成し、この反射層上に保護層を形成し、そしてこの保護層上にフォトレジスト層を形成する。次いで、フォトレジスト層をパターン化してパターン化したフォトレジスト層を形成し、保護層をパターン化してパターン化した保護層を形成し、そして反射層をパターン化してパターン化した反射層を形成する。この後、パターン化したフォトレジスト層を除去する。【選択図】図１
2006293307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板構体を用立てるステップと、
前記基板構体上に反射層を設けるステップと、
前記反射層上に保護層を設けるステップと、
前記保護層をパターン化して、パターン化した保護層を形成するステップと、
前記パターン化した保護層をマスクとして用いて反射層をパターン化し、パターン化した反射層を形成するステップと、
を具えている、液晶ディスプレイデバイスの反射層構体を形成する方法。
【請求項２】
前記保護層をパターン化する前記ステップは、保護層上にフォトレジスト層を設けるステップと、フォトレジスト層をパターン化して、保護層をパターン化するためのマスクとして、パターン化したフォトレジスト層を形成するステップと、を具えている、請求項１記載の方法。
【請求項３】
請求項１記載の反射層構体を形成するステップと、
前記反射層構体上に液晶層を設けるステップと、
前記液晶層上に透明電極構体を設けるステップと、
を具えている、液晶デバイスを製造する方法。
【請求項４】
前記反射層の材料は、金属又は合金とする、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
前記保護層の材料は、有機材料、導電性無機材料又は非導電性無機材料とする、請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
前記有機材料は、樹脂又は有機ポリマとする、請求項５記載の製造方法。
【請求項７】
前記導電性無機材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）で構成するようにする、請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
前記保護層を、前記反射層の表面に陽極酸化法を施すことにより形成する、請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
前記反射層を反射型液晶ディスプレイデバイスに用いる際に、前記パターン化した反射層は反射領域を具えるようにする、請求項１記載の製造方法。
【請求項１０】
前記反射層を半透過型液晶ディスプレイデバイスに用いる際に、前記パターン化した反射層は反射領域及び透明領域を具えるようにする、請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
基板構体と、
前記基板構体上のパターン化した反射層と、
前記反射層上のパターン化した保護層であって、
前記パターン化した反射層を、前記パターン化した保護層をマスクとして使用してパターン化して、パターン化した反射層を形成した保護層と、
透明電極基板構体と、
前記基板構体と前記透明電極基板構体との間に配置される液晶層と、
を具えている液晶ディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記透明電極基板構体の、液晶層から離れた側に配置した光源を更に具えている、請求項１１記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１３】
請求項１１記載の液晶ディスプレイパネルを具えている、液晶ディスプレイデバイス。
【請求項１４】
前記基板構体の、前記液晶層から離れた側に配置した光源を更に具えている、請求項１３記載の液晶ディスプレイデバイス。
【請求項１５】
前記液晶ディスプレイデバイスは、反射型液晶ディスプレイデバイスを具えるようにした、請求項１３記載の液晶ディスプレイデバイス。
【請求項１６】
前記保護層の材料は、有機材料、導電性無機材料、又は非導電性無機材料とした、請求項１５記載の液晶ディスプレイデバイス。
【請求項１７】
前記液晶ディスプレイデバイスは、半透過型液晶ディスプレイデバイスを具えるようにした、請求項１３記載の液晶ディスプレイデバイス。
【請求項１８】
前記保護層の材料は、有機材料、導電性無機材料、又は非導電性無機材料とした、請求項１７記載の液晶ディスプレイデバイス。
【請求項１９】
電子デバイスであって、請求項１５記載の反射型液晶ディスプレイデバイス、及び請求項１７記載の半透過型液晶ディスプレイデバイスのうち少なくとも１つと、
当該電子デバイスの動作を制御するための制御ユニットと、
を具えている、電子デバイス。
【請求項２０】
前記保護層の材料は、有機材料、導電性無機材料、又は非導電性無機材料とした、請求項１９記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般にディスプレイデバイスの反射層の製造方法に関する。特に、本発明は、ディスプレイデバイス、反射型液晶ディスプレイデバイス、及び半透過型液晶ディスプレイデバイスの反射層の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、慣例のＬＣＤは、ＬＣＤの光源のタイプによって、透過型ＬＣＤ、反射型ＬＣＤ、及び半透過型ＬＣＤに分類することができる。反射型ＬＣＤの場合には、周囲環境からの光又は光モジュールからの光を反射するための反射層を、液晶パネルの背後に配置している。半透過型ＬＣＤの場合には、液晶パネルの背後にバックライトモジュールを配置し、かつＬＣＤの周囲環境の光が液晶パネルを通過するようにしている。更に、液晶パネルとバックライトモジュールとの間には、反射領域及び半透過領域を含む層を配置している。
【０００３】
したがって、反射型ＬＣＤ及び半透過型ＬＣＤの電力消費を大幅に低減させることができる。特に、携帯型の電気製品は、しばしば屋外で使用される。一般に、周囲環境の照明が明るい場合は、背景の輝度が高いために、透過型ＬＣＤのコントラスト比は低くなる。しかしながら、反射型ＬＣＤ又は半透過型ＬＣＤでは、周囲環境の光が光源として用いられるため、反射型ＬＣＤ又は半透過型ＬＣＤのコントラスト比は影響を受けない。
【０００４】
慣例の反射型ＬＣＤ又は半透過型ＬＣＤの製造処理においては、反射層を製造する際に問題が生じる。一般に、非パターン化反射層を形成し、かつこの非パターン化反射層上にフォトレジスト層を形成し、次いでこのフォトレジスト層をパターン化する。フォトレジスト層を現像するため、現像剤溶液と反射層又は反射層の下側の薄膜層との間で、化学反応又は電気化学反応が生ずることがある。したがって、反射層には、剥離又は貫通孔のような多数の欠陥が生じるため、これらの欠陥によりＬＣＤの画素がダメージを受けたり、又はいくつかのブライトスポットが生成したりする。したがって、歩留まりを向上させるためには、反射型ＬＣＤ又は半透過型ＬＣＤの製造処理を改善する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、現像剤と反射層との間の反応により生じる問題を回避するように機能する保護層を反射層上に形成することで、反射層の剥離又は貫通孔のような欠陥、及びブライトスポットのような画素の不良をなくすことができる、ディスプレイデバイスの反射層の製造方法を提供することにある。反射層は、保護層をエッチング処理することにより破損されないようにすることができる。このようにしてディスプレイの歩留まりを向上させることができる。
【０００６】
更に、本発明の目的は、反射層上に保護層を形成することで、反射層の剥離又は貫通孔のような欠陥、及びブライトスポットのような画素の不良をなくすことができる、反射型液晶ディスプレイデバイス及び半透過型液晶ディスプレイデバイスを提供することにある。保護層は透明とするのが好適であり、こうすることで性能に影響が及ばないため、この保護層は除去する必要がない。このようにして、ディスプレイの歩留まりを向上させることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例によると、反射型又は半透過型液晶ディスプレイデバイスの反射層の製造方法は、次の諸ステップを具えている。先ず、反射型又は半透過型液晶ディスプレイデバイスの基板構体を用立てる。次に、基板構体上に、反射層、保護層、及びフォトレジスト層を形成する。次いで、フォトレジスト層、保護層、及び反射層をパターン化する。その後、パターン化したフォトレジスト層を除去する。
【０００８】
本発明の一実施例によると、反射型液晶ディスプレイデバイスは、第１の透明電極を含む第１の基板、第２の基板、第１の透明電極と第２の基板との間の液晶層、光源モジュール、偏光子、反射層、及び保護層を具えている。反射層は、第２の基板の、液晶層側の表面上に配置させることができ、反射層は反射領域を具えている。保護層は、反射層の、液晶層側の表面上に配置させることができる。
【０００９】
本発明の一実施例によると、半透過型液晶ディスプレイデバイスは、第１の透明電極を含む第１の基板、第２の透明電極を含む第２の基板、第１及び第２の透明電極間の液晶層、光源モジュール、第１の偏光子、第２の偏光子、反射層、及び保護層を具えている。反射層は、第２の透明電極の、液晶層側の表面上に配置させることができ、反射層は反射領域及び透明領域を具えている。保護層は、反射層の、液晶層側の表面上に配置させることができる。
【００１０】
なお、前述の一般的な説明及び後述の詳細な説明は例示であり、請求の範囲に記載された発明を更に説明すべく意図したものである。
【００１１】
添付の図面は、発明を更に理解するためのもので、本明細書の一部をなすものである。これらの図面は発明の実施例を例示し、明細書の記述と共に、本発明の原理を説明するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を、発明の実施例を示す添付の図面につき詳細に説明する。しかしながら、本発明は多くの異なる形態で実施することが可能であり、ここで説明する実施例に限定されるものとして解釈されるべきものではない。本実施例は、本発明の開示が充分で完全なものとなり、かつ当業者に発明の範囲が充分に伝わるものとなるために提供されるものである。同様の参照番号は、全体を通して同じような要素を示すものとする。
【００１３】
図１は、本発明の一実施例による反射型ＬＣＤを示す概略断面図である。図１を参照するに、反射型ＬＣＤ１００は、例えばこれに限定されるものでなく、光源モジュール１０２、偏光子１０４、第１の基板１０６、第１の透明電極１０８、複数の液晶分子１１６を含む液晶層１１０、第２の基板１１２、反射層１２２、及び反射層１２２上に形成される保護層１２４を具えている。なお、反射層１２２は、液晶分子１１６の偏光方向を変えるべく、第１の透明電極１０８と協働する電極とすることができる。
【００１４】
図１を参照するに、光源モジュール１０２から放射される光１３２は、光源モジュール１０２を経て直接外部環境に通過はせずに、表面１０２ａにより反射されて光１３４を形成することができる。光１３４は、反射層１２２により反射されて、光１３６を形成することができる。更に、光源モジュール１０２の表面１０２ａ上方の周囲環境からの光１３８もまた、反射層１２２により反射されて、光１４０を形成する。光１３６又は１４０が偏光子１０４を通過する場合に、ビューワは光１３６又は１４０を見ることができる。したがって、周囲環境からの光もしくは光源モジュール１０２からの光のうち一方又は双方を、反射型ＬＣＤ１００の光源とすることができる。
【００１５】
図１を参照するに、光１３４又は１３８を偏光するために偏光子１０４を用いて、光１３４又は１３８は、偏光子１０４を通過した後では、特定の偏光方向を有するようになる。その後、光１３４（もしくは光１３８）又は光１３４（もしくは光１３８）の反射光１３６（もしくは光１４０）の偏光方向が、液晶分子１１６によって変化しない場合には、光１３６（又は光１４０）は、偏光子１０４及び光源モジュール１０２を経てビューワに伝わり、さもなければ、ビューワには光１３６（もしくは光１４０）の一部のみが見えるか、又は全く何も見ることができない。特に、光１３６（又は光１４０）の偏光方向が偏光子１０４の偏光方向に対して垂直の場合には、光１３６（又は光１４０）は偏光子１０４を通過することができず、したがってビューワには光は見えなくなる。
【００１６】
本発明の一実施例においては、第１の基板１０６は、例えば、ガラス基板のような透明基板とすることができる。第２の基板１１２は、例えば、ガラス基板又はシリコン基板のような透明又は不透明の基板とすることができる。第１の透明電極１０８は第１の基板１０６上に形成し、かつ反射層１２２は第２の基板１１２上に形成する。第１の透明電極１０８の材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）で構成することができる。液晶分子１１６を含む液晶層１１０は、第１の透明電極１０８と保護層１２４との間に充填させる。
【００１７】
本発明の一実施例においては、反射層１２２を第２の基板１１２の表面上に形成し、かつこの材料を金属又は合金とすることができる。保護層１２４は反射層上に形成し、かつこの材料は有機材料、導電性無機材料、又は非導電性無機材料とすることができる。有機材料は、例えば、樹脂又は有機ポリマとすることができ、かつこれは例えばコーティング法により形成することができる。導電性無機材料は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）とすることができ、かつこれは例えば物理蒸着（ＰＶＤ）法により形成することができる。非導電性無機材料は、例えば、完全に透明な非導電性無機材料とすることができ、かつこれは例えばＰＶＤ法又は化学蒸着（ＣＶＤ）法により形成することができる。
【００１８】
本発明の他の実施例では、反射層１２２の表面に陽極酸化処理を直接施すことにより、保護層１２４を形成することができ、こうして反射層１２２の表面上の陽極酸化層を保護層１２４として使用する。
【００１９】
本発明の一実施例においては、反射層１２２と第２の基板１１２との間に、半導体コンポーネント層１１８を更に設けることができる。この半導体コンポーネント層１１８は、例えば、反射型ＬＣＤ１００を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２０を具えることができる。
【００２０】
図２は、図１に示した反射型ＬＣＤ１００のＡ−Ａ’線上での概略断面図である。図２を参照するに、反射層１２２は、半導体コンポーネント層１１８の表面上に形成され、この半導体コンポーネント層１１８にて各画素は反射層１２２の領域によって覆われる。本発明の一実施例において、画素は、単一色の画素又は三原色（赤、緑又は青）の何れか１色を有するサブ画素とすることができる。図２にて点線で示したブロック１２０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２０を表しており、これは、この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２０を含む反射層１２２に対応する画素を駆動するためのものである。なお、図１に示した反射型ＬＣＤ１００の断面図は、図２に示したＢ−Ｂ’線上での断面図である。
【００２１】
図３Ａ〜３Ｆは、本発明の一実施例による反射層及び保護層の製造処理を説明する概略断面図である。図３Ａを参照するに、基板構体３００ａを以下の諸ステップにより形成する。先ず、例えばガラス基板又はシリコン基板のような、透明又は不透明の基板からなる第２の基板１１２を用立てる。本発明の他の実施例においては、第２の基板１１２上に、例えば薄膜トランジスタ１２０を具える半導体コンポーネント層１１８を形成することができる。
【００２２】
次に図３Ｂを参照するに、基板構体３００ａ上に、反射層３２２、保護層３２４、及びフォトレジスト層３２６を形成することができる。かくして、基板構体３００ｂを形成する。
【００２３】
本発明の一実施例においては、反射層３２２の材料は、金属又は合金とすることができる。保護層３２４の材料は有機材料、導電性無機材料、又は非導電性無機材料とすることができる。有機材料は、例えば、樹脂又は有機ポリマとすることができ、かつこれは例えばコーティング法により形成することができる。導電性無機材料は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）とすることができ、かつこれは例えば物理蒸着（ＰＶＤ）法により形成する。非導電性無機材料は、例えば、完全に透明な非導電性無機材料とすることができ、かつこれは例えばＰＶＤ法又は化学蒸着（ＣＶＤ）法により形成することができる。
【００２４】
本発明の他の実施例においては、反射層３２２の表面に陽極酸化処理を直接施すことができ、かくして反射層３２２の表面上の陽極酸化層を保護層３２４として使用する。
【００２５】
この後、図３Ｃを参照するに、基板構体３００ｂ上のフォトレジスト層３２６をパターン化して（例えばマスキング及びエッチングのステップを含む）、パターン化したフォトレジスト層３２６ａを形成する。この後、基板構体３００ｃが得られる。
【００２６】
図３Ｄを参照するに、パターン化したフォトレジスト層３２６ａをマスクとして使用して、基板構体３００ｃ上の保護層３２４をエッチングし、パターン化した保護層３２４ａを形成する。こうして、基板構体３００ｄが得られる。
【００２７】
図３Ｅを参照するに、次に、パターン化したフォトレジスト層３２６ａ及びパターン化した保護層３２４ａをマスクとして使用して、基板構体３００ｄ上の反射層３２２をエッチングし、パターン化した反射層３２２ａを形成する。こうして、基板構体３００ｅが得られる。
【００２８】
図３Ｆを参照するに、この後、基板構体３００ｅ上のパターン化したフォトレジスト層３２６ａを除去し、こうして基板構体３００ｆが得られる。本発明の一実施例においては、基板構体３００ｆを、図１に示すような基板３００として用立てることができる。したがって、基板構体３００ｆの概略頂面図は、例えばこれに限定されるものでなく、図２に示す線図のようにすることができ、ここで、反射層３２２ａ及びパターン化した保護層３２４ａの輪郭は、それぞれ図１に示す反射層１２２及び保護層１２４とすることができる。
【００２９】
反射層１２２の厚さの範囲は限定されるものではない。本発明の一実施例においては、保護層１２４の厚さは、約１０ｎｍ〜約１μｍの範囲とすることができ、好適には１０００ｎｍ以下とする。
【００３０】
したがって、本発明においては、フォトレジスト層３２６と反射層３２２との間に保護層３２４を形成するため、フォトレジスト層３２６を現像する際に、現像剤と、反射層３２２（及び反射層３２２の下の薄膜層、例えば第２の基板１１２又は半導体コンポーネント層１１８）の表面との間の反応により生じる問題を回避することができる。したがって、反射層の剥離又は貫通孔のような欠陥をなくすことができ、かつブライトスポットのような画素の不良をなくすことができる。したがって、ディスプレイの歩留まりを向上させることができる。
【００３１】
図４は、本発明の一実施例による半透過型ＬＣＤを説明する概略断面図である。図４を参照するに、半透過型ＬＣＤ４００は、例えばこれに限定されるものでなく、第１の偏光子４０２、第１の基板４０４、第１の透明電極４０６、液晶層４０８、第２の基板４１０、第２の透明電極４１２、第２の偏光子４１４、光源モジュール４１６、並びに、例えば反射層４２４、反射層４２４上の保護層４２６、及び透明領域４２８を具える半透過層を具えている。
【００３２】
図４を参照するに、光源モジュール４１６から放射される光４３２は完全に反射されて光４３４を形成することができる。光４３４の一部は透明領域４２８を通過することができ、かつ光４３４の偏光方向は、液晶層４０８によって変えることができる。更に、偏光子４０２上方の周囲環境からの光４３６は液晶層４０８を通過することができ、かつ反射層４２４により反射されて光４３８を形成することができる。この後、偏光した光４３４又は４３８が第１の偏光子４０２を通過する場合には、ビューワは偏光した光４３４又は４３８を見ることができる。したがって、周囲環境からの光又は光源モジュール４１６からの光のうち何れか一方又は双方を、半透過型ＬＣＤ４００の光源とすることができる。
【００３３】
図４を参照するに、第１の基板４０４及び第２の基板４１０は、例えば、ガラス基板のような透明基板とすることができる。第１の透明電極４０６は第１の基板４０４上に形成し、かつ第２の透明電極４１２は第２の基板４１０上に形成する。透明電極の材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）で構成することができる。液晶分子４１８を含む液晶層４０８は、第１の透明電極４０６と第２の透明電極４１２との間に充填させる。
【００３４】
反射層４２４を第２の透明電極４１２の表面上に形成し、かつこの材料は金属又は合金とすることができる。保護層４２６は反射層４２４上に形成し、かつこの材料は有機材料、導電性無機材料、又は非導電性無機材料とすることができる。保護層４２６の材料及び製造方法は、保護層１２４の場合と同様であり、繰り返しの記載は省略する。
【００３５】
本発明の他の実施例では、反射層４２４の表面に陽極酸化処理を直接施すことにより、保護層４２６を形成することができ、こうして反射層４２４の表面上の陽極酸化層を保護層４２６として使用する。
【００３６】
本発明の一実施例においては、第２の透明電極４１２と第２の基板４１０との間に、半導体コンポーネント層４２０を更に設けることができる。この半導体コンポーネント層４２０は、例えば、反射型ＬＣＤ４００を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４２２を具えることができる。
【００３７】
図５は、図４に示した半透過型ＬＣＤ４００のＣ−Ｃ’線上での概略断面図である。図５を参照するに、反射層４２４及び透明領域４２８は、第２の透明電極４１２の表面上に形成され、この透明電極４１２にて各画素は反射層４２４の領域によって覆われる。図４に示すように、透明領域４２８は、光源モジュール４１６からの光４３４を通過させるために用い、かつ反射層４２４は、周囲環境からの光４３６を反射するために設けられている。本発明の一実施例において、画素は、単一色の画素又は三原色（赤、緑又は青）の何れか１色を有するサブ画素を具えることができる。図５にて点線で示したブロック４２２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４２２を表しており、これは、この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４２２を具える反射層４２４に対応する画素を駆動するためのものである。なお、図４に示した半透過型ＬＣＤ４００の断面図は、図５に示したＤ−Ｄ’線上での断面図である。
【００３８】
図６Ａ〜６Ｆは、本発明の一実施例による反射層、保護層及び透過領域の製造処理を説明する概略断面図である。図６Ａを参照するに、基板構体６００ａを以下の諸ステップにより形成する。先ず、例えばガラス基板のような、透明基板からなる第２の基板４１０を用立てる。次いで、第２の基板４１０上に第２の透明電極４１２を形成する。第２の透明電極４１２の材料は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）で構成することができる。本発明の他の実施例においては、第２の基板４１０上に、例えば薄膜トランジスタ４２２を具える半導体コンポーネント層４２０を形成することができ、次いでこの半導体コンポーネント層４２０上に、第２の透明電極４１２を形成することができる。
【００３９】
次に図６Ｂを参照するに、基板構体６００ａ上に、反射層６２４、保護層６２６、及びフォトレジスト層６２８を形成することができる。かくして、基板構体６００ｂを形成する。反射層６２４、保護層６２６、及びフォトレジスト層６２８の材料及び製造方法は、反射層３２２、保護層３２４、及びフォトレジスト層３２６の場合と同様であり、したがって繰り返しの記載は省略する。
【００４０】
本発明の他の実施例では、反射層６２４の表面に陽極酸化処理を直接施すことができ、こうして反射層６２４の表面上の陽極酸化層を保護層６２６として使用する。
【００４１】
この後、図６Ｃを参照するに、基板構体６００ｂ上のフォトレジスト層６２８をパターン化して（例えばマスキング及びエッチングのステップを含む）、パターン化したフォトレジスト層６２８ａを形成する。その後、基板構体６００ｃが得られる。
【００４２】
図６Ｄを参照するに、パターン化したフォトレジスト層６２８ａをマスクとして使用して、基板構体６００ｃ上の保護層６２６をエッチングし、パターン化した保護層６２６ａを形成する。こうして、基板構体６００ｄが得られる。
【００４３】
図６Ｅを参照するに、パターン化したフォトレジスト層６２８ａ及びパターン化した保護層６２６ａをマスクとして使用して、基板構体６００ｄ上の反射層６２４をエッチングし、パターン化した反射層６２４ａを形成する。こうして、基板構体６００ｅが得られる。
【００４４】
図６Ｆを参照するに、この後、基板構体６００ｅ上のパターン化したフォトレジスト層６２８ａを除去し、こうして基板構体６００ｆが得られる。本発明の一実施例においては、基板構体６００ｆを、図４に示すような基板６００として用立てることができる。したがって、基板構体６００ｆの概略頂面図は、例えばこれに限定されるものでなく、図５に示す線図のようにすることができ、ここで、反射層６２４ａ、パターン化した保護層６２６ａ及び透明領域６３２の輪郭は、それぞれ図４に示す反射層４２４、保護層４２６及び透明領域４２８とすることができる。
【００４５】
反射層４２４の厚さの範囲は限定されるものではない。本発明の一実施例においては、保護層４２６の厚さは、約１０ｎｍ〜約１μｍの範囲とすることができ、好適には１０００ｎｍ以下とする。
【００４６】
したがって、本発明においては、フォトレジスト層６２８と反射層６２４との間に、現像剤と反射層６２４（及び反射層６２４の下の薄膜層、例えば第２の透明電極４１２）との間の反応により生じる問題を回避するように機能する新規な保護層６２６を形成するため、フォトレジスト層６２８を現像する際に、反射層の剥離又は貫通孔のような欠陥をなくすことができ、かつブライトスポットのような画素の不良をなくすことができる。したがって、ディスプレイの歩留まりを向上させることができる。
【００４７】
図７は、コンピュータシステムのような電子デバイスを示している。電子デバイス７００は、例えばコンピュータシステム、テレビシステム、監視システム、携帯電話等とすることができる。コンピュータシステムを一例とする。コンピュータシステム７００は、制御ユニット７０２及びＬＣＤユニット７０４を具えている。制御ユニット７０２は、電子デバイスの動作を制御する。ＬＣＤユニット７０４は、本発明による構造を有しかつ前述の説明により形成される表示パネル７０６を具えている。換言するに、本発明の表示パネルは、少なくとも、任意の情報を表示するためのＬＣＤデバイスを有する電子デバイスに組み込むことができる。
【００４８】
本発明の範囲又は精神から逸脱することなく、本発明の構成に種々の修正及び変更をなし得ることは、当業者には明らかである。前述の記載に鑑みて、本発明の修正及び変更が特許請求の範囲及びそれらの均等の範囲内にある限り、本発明は当該修正及び変更にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施例による反射型ＬＣＤを示す概略断面図である。
【図２】図１に示した反射型ＬＣＤのＡ−Ａ’線上での概略断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施例による、反射層及び保護層の一製造処理を示す概略断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施例による、反射層及び保護層の次の製造処理を示す概略断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施例による、反射層及び保護層の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施例による、反射層及び保護層の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施例による、反射層及び保護層の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図３Ｆ】本発明の一実施例による、反射層及び保護層の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図４】本発明の一実施例による半透過型ＬＣＤを示す概略断面図である。
【図５】図４に示した半透過型ＬＣＤのＣ−Ｃ’線上での概略断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施例による、反射層、保護層及び透過領域の一製造処理を示す概略断面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施例による、反射層、保護層及び透過領域の次の製造処理を示す概略断面図である。
【図６Ｃ】本発明の一実施例による、反射層、保護層及び透過領域の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図６Ｄ】本発明の一実施例による、反射層、保護層及び透過領域の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図６Ｅ】本発明の一実施例による、反射層、保護層及び透過領域の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図６Ｆ】本発明の一実施例による、反射層、保護層及び透過領域の更に次の製造処理を示す概略断面図である。
【図７】本発明の一実施例による電子デバイスの概略を示すブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図７】
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