(57)【要約】【課題】複数のフラッシュメモリに対してデータの消去又は書込みを行う際の処理速度を可及的に向上させる。【解決手段】データ消去コマンド又はデータ書込みコマンドの受取りに伴う消去動作又は書込み動作の開始後に消去動作又は書込み動作が完了したか否かを示す信号を出力可能なフラッシュメモリＦＭを複数個備えたメモリシステムＭＳにおいてデータの読み書きを制御するメモリシステム制御装置において、複数のフラッシュメモリＦＭに対するデータの消去又はデータの書込みを同時に行う際に、複数のフラッシュメモリＦＭに対して前記データ消去コマンド又は前記データ書込みコマンドを順次に出力した後に、前記データ消去コマンド又は前記データ書込みコマンドを出力した複数のフラッシュメモリＦＭについて、前記消去動作又は前記書込み動作が完了したか否かを示す信号の読出し動作を順次に行うように構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ消去コマンド又はデータ書込みコマンドの受取りに伴う消去動作又は書込み動作の開始後に消去動作又は書込み動作が完了したか否かを示す信号を出力可能なフラッシュメモリを複数個備えたメモリシステムにおいてデータの読み書きを制御するメモリシステム制御装置であって、
複数のフラッシュメモリに対するデータの消去又はデータの書込みを同時に行う際に、複数のフラッシュメモリに対して前記データ消去コマンド又は前記データ書込みコマンドを順次に出力した後に、前記データ消去コマンド又は前記データ書込みコマンドを出力した複数のフラッシュメモリについて、前記消去動作又は前記書込み動作が完了したか否かを示す信号の読出し動作を順次に行うように構成されているメモリシステム制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ消去コマンド又はデータ書込みコマンドの受取りに伴う消去動作又は書込み動作の開始後に消去動作又は書込み動作が完了したか否かを示す信号を出力可能なフラッシュメモリを複数個備えたメモリシステムにおいてデータの読み書きを制御するメモリシステム制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１にも記載のようなフラッシュメモリは、外部からデータ消去コマンドを受け取って消去動作を開始した後、外部からの処理状況の読出し要求に応じて消去動作が完了したか否かを示す信号を出力する。
又、外部からデータ書込みコマンドを受け取った場合も同様に、書込み動作を開始した後、外部からの処理状況の読出し要求に応じて書込み動作が完了したか否かを示す信号を出力する。
フラッシュメモリに対するデータの読み書きを制御する制御装置の基本的な動作としては、フラッシュメモリのデータを消去する場合には、フラッシュメモリに対してデータ消去コマンドを送信した後、処理状況の読み出し要求を高速に繰り返し送信して消去動作が完了したか否かを確認し、消去動作の完了を確認した後に、次の消去動作あるいは書込み動作等に移行する。
フラッシュメモリにデータを書込む場合も同様であり、フラッシュメモリに対してデータ書込みコマンドを送信した後、処理状況の読み出し要求を高速に繰り返し送信して書込み動作が完了したか否かを確認し、書込み動作の完了を確認した後に、次の書込み動作等に移行する。
メモリシステムが複数個のフラッシュメモリを備えて構成され、複数のフラッシュメモリに対して同時に消去又は書込みの必要が生じたときでも、従来、各フラッシュメモリ毎に上記の基本的な動作を順次に繰り返していた。
すなわち、あるフラッシュメモリに対してデータ消去コマンドを送信してデータの消去を開始させた後、そのフラッシュメモリの消去動作の完了を確認してから次のフラッシュメモリにデータ消去コマンドを送信するという動作を繰り返していた。
又、あるフラッシュメモリに対してデータ書込みコマンドを送信してデータの書込みを開始させた後、そのフラッシュメモリの書込み動作の完了を確認してから次のフラッシュメモリにデータ書込みコマンドを送信するという動作を繰り返していた。
【特許文献１】特開２００１−２９７５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記の基本的な動作では、データ消去コマンドやデータ書込みコマンドの発行後、消去動作あるいは書込み動作の完了するまでにはある程度の時間を要するため、そのための待ち時間による処理の遅延が発生してしまい、複数のフラッシュメモリに対して同時に消去又は書込みを行う場合は、処理の完了までに、上記の基本的な動作の所要時間に消去又は書込みの対象のフラッシュメモリの個数をかけた時間を必要としてしまうことになる。
本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、複数のフラッシュメモリに対してデータの消去又は書込みを行う際の処理速度を可及的に向上させる点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本出願の発明は、データ消去コマンド又はデータ書込みコマンドの受取りに伴う消去動作又は書込み動作の開始後に消去動作又は書込み動作が完了したか否かを示す信号を出力可能なフラッシュメモリを複数個備えたメモリシステムにおいてデータの読み書きを制御するメモリシステム制御装置において、複数のフラッシュメモリに対するデータの消去又はデータの書込みを同時に行う際に、複数のフラッシュメモリに対して前記データ消去コマンド又は前記データ書込みコマンドを順次に出力した後に、前記データ消去コマンド又は前記データ書込みコマンドを出力した複数のフラッシュメモリについて、前記消去動作又は前記書込み動作が完了したか否かを示す信号の読出し動作を順次に行うように構成されている。
【０００５】
すなわち、複数のフラッシュメモリに対して同時にデータの消去又はデータの書込みを行うとき、個々のフラッシュメモリについて、データ消去コマンド又はデータ書込みコマンドの発行後に、そのデータ消去コマンド又はデータ書込みコマンドを発行した対象のフラッシュメモリについての処理状況の監視状態に移行するのではなく、複数のフラッシュメモリに対して連続的にデータ消去コマンド又はデータ書込みコマンドを発行し、その連続的なデータ消去コマンド又はデータ書込みコマンドの発行が完了した後に、それら複数のフラッシュメモリについて処理状況の監視動作に移行するのである。
通常、１つのフラッシュメモリに対してデータ消去コマンド又はデータ書込みコマンドを発行するのに必要な時間は、データ消去コマンド又はデータ書込みコマンドを受け取ったフラッシュメモリが消去動作又は書込み動作を完了するまでの時間に対して十分短く、複数のフラッシュメモリに対して消去又は書込みを行う場合でも、実質的に、１つのフラッシュメモリに対して消去又は書込みを行うのと同等の時間で処理を完了することができる。
【発明の効果】
【０００６】
上記本出願の発明によれば、複数のフラッシュメモリに対して消去又は書込みを行う場合でも、実質的に、１つのフラッシュメモリに対して消去又は書込みを行うのと同等の時間で処理を完了することができるので、複数のフラッシュメモリに対してデータの消去又は書込みを行う際の処理速度を可及的に向上できるに至った。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明のメモリシステム制御装置を、フィルム読取り装置に備えられる光源の管理用機器として組み込んだ場合の実施の形態を図面に基づいて説明する。
〔フィルム読取り装置ＦＳの全体構成〕
フィルム読取り装置ＦＳには、図３に概略的に示すように、写真フィルム読取り用の照明光源であるＬＥＤ光源装置１０と、光源制御装置１１と、写真フィルム１の駒画像を光電変換するＣＣＤラインセンサユニット１２と、写真フィルム１の画像をＣＣＤラインセンサユニット１２上に結像させるためのレンズ１３と、光路を９０度屈曲させるためのミラー１４と、ＣＣＤラインセンサユニット１２の出力信号を増幅及びＡ／Ｄ変換等する信号処理回路１５と、所定の読取り用位置を経由して写真フィルム１を搬送するフィルムキャリア１６とが備えられている。尚、ＬＥＤ光源装置１０とフィルムキャリア１６におけるフィルム搬送位置との間には、光拡散ボックス１７が備えられている。
【０００８】
ＣＣＤラインセンサユニット１２は、約５０００個の受光素子を写真フィルム１の幅方向に配列したＣＣＤラインセンサを３列に並べて備えており、各ＣＣＤラインセンサの受光面には夫々赤色、緑色、青色のカラーフィルタが形成されて、写真フィルム１の駒画像を色分解して検出する。
フィルム読取り装置ＦＳでは、フィルムキャリア１６に写真フィルム１がセットされると、写真フィルム１の搬送が開始され、駒画像が順次読み取られて、赤色、緑色、青色毎のデジタル画像データとして出力される。
【０００９】
〔ＬＥＤ光源装置１０の構成〕
ＬＥＤ光源装置１０は、図４に示すように、ほぼ閉空間を構成する筐体３０内に、光源である発光ダイオードのチップ３１を多数配列した金属製の２つのチップ支持基板３２と、２つのチップ支持基板３２を支持する略Ｌ字状のヒートシンク３３と、２つのチップ支持基板３２の夫々に対応して備えられる２つの第１レンズ３４と、波長選択性反射ミラー３５と、２つのチップ支持基板３２に対して共通に備えられる第２レンズ３６と、筐体３０の一側に配置される吸気ファンユニット３７と、筐体３０における吸気ファンユニット３７と反対側に配置される排気ファンユニット３８とが備えられ、更に、ヒートシンク３３におけるチップ支持基板３２取付け位置付近にヒータ３９が埋め込まれている。
【００１０】
光源制御装置１１は、チップ３１の配列方向（図４の紙面に対する垂直方向）で光出射光量が極力均一となるようにチップ３１の駆動電流を制御する。
この制御のために、光源制御装置１１には、図１に示すように、各チップ３１の駆動電流を設定して光出力を補正するための光出力補正回路２１と、光出力補正回路２１を動作させる補正データを記憶するための第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３の２つのフラッシュメモリＦＭからなるメモリシステムＭＳと、メモリシステムＭＳの読み書きを制御するメモリシステム制御装置であるコントローラ２４と、フィルム読取り装置ＦＳの起動時に第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に初期設定するデータを記憶保持する初期化用データ記憶装置２５とが備えられている。
【００１１】
次に、フィルム読取り装置ＦＳに通電が開始されて起動したときの光源制御装置１１の動作について、コントローラ２４が実行する図２のフローチャートに基づいて説明する。
コントローラ２４は、フィルム読取り装置ＦＳに通電が開始されると、図２に示す「起動時処理」を実行し、第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３の記憶データを初期化する。
この初期化は、もし第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に不定データが記憶されていると、その不定データに基づいて光出力補正回路２１が動作してしまったときに、場合によってはチップ３１を損傷してしまう畏れもあるため、そのような不定データを所定のデータ（初期化用データ）に書き換えるものである。
初期化用データの具体的な内容としては、各チップ３１のばらつきを補正しないことに相当するデータで良い。
【００１２】
図２の処理が開始されると、初期化用データの書込みの前に第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３の記憶内容を同時に消去する。
この消去処理においては、第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に対して連続的にデータ消去コマンドを送信する（ステップ＃１，＃２）。
すなわち、第１フラッシュメモリ２２へデータ消去コマンドを送信した後、その第１フラッシュメモリ２２へ消去状況の読出し要求を送信して消去動作が完了したか否かを監視するのではなく、直ちに第２フラッシュメモリ２３へデータ消去コマンドを送信するのである。
このデータ消去コマンドは、例えば、フラッシュメモリＦＭのセクタ単位での消去を指令するもので良く、アドレスバスＡＢ及びデータバスＤＢにセクタ単位の消去であることやどのセクタを消去するかの情報を所定のサイクルで出力する他、図示を省略する制御信号線に対して必要な制御信号を出力する。
【００１３】
第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に対して連続して出力するデータ消去コマンドは瞬時に出力が完了し、直ちに、第１フラッシュメモリ２２の消去動作が完了したか否かの監視に入る。
この消去動作が完了したか否かの監視は、消去状況の読出し要求として、消去を指示したセクタのアドレスを出力するもので、いわゆるデータポーリングと称されるものである。
フラッシュメモリＦＭは、この消去状況の読出し要求に応じて、特定のビットに消去動作が完了したか否かを示す信号を含めたデータをデータバスＤＢに出力する。
【００１４】
第１フラッシュメモリ２２に対して消去状況の読出し要求を繰り返して出力して（ステップ＃３）、受け取ったデータが消去動作の完了を示していると（ステップ＃４）、更に、第２フラッシュメモリ２３に対しても同様の操作を繰り返す（ステップ＃５，＃６）。
セクタ単位のデータの消去完了には１秒程度の時間を必要とするが、上述のようにデータ消去コマンドを２つのフラッシュメモリＦＭに対して連続的に出力することによって、２つのフラッシュメモリＦＭに対してセクタ単位でデータを消去するときも、１個のフラッシュメモリＦＭの消去に必要な時間と同等の１秒程度の時間で消去を済ませることができる。
【００１５】
更に、消去の必要な他のセクタについても同様の操作を繰り返して（ステップ＃７）、消去が必要な全てのセクタについて消去動作が完了すると、第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に初期化用データを同時に書込む処理に移行する。
初期化用データの書込みにおいても、消去の場合と同様に、第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に対して連続的にデータ書込みコマンドを送信する（ステップ＃８，＃９）。
すなわち、第１フラッシュメモリ２２へデータ書込みコマンドを送信した後、その第１フラッシュメモリ２２へ書込み状況の読出し要求を送信して書込み動作が完了したか否かを監視するのではなく、直ちに第２フラッシュメモリ２３へデータ書込みコマンドを送信するのである。
このデータ書込みコマンドは、例えば、１バイト単位での書込みを指令するもので良く、アドレスバスＡＢ及びデータバスＤＢにデータの書込みであることやどのアドレスにどういうデータを書込むかを示す情報を所定のサイクルで出力する他、図示を省略する制御信号線に対して必要な制御信号を出力する。尚、このデータ書込みコマンドに含まれる書込みデータは、初期化用データ記憶装置２５から読出した初期化用データである。
【００１６】
第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に対して連続して出力するデータ書込みコマンドは瞬時に出力が完了し、直ちに、第１フラッシュメモリ２２の書込み動作が完了したか否かの監視に入る。
この書込み動作が完了したか否かの監視は、消去の場合と同様に、書込み状況の読出し要求として、書込みを指示したアドレスを出力するもので、いわゆるデータポーリングと称されるものである。
フラッシュメモリＦＭは、この書込み状況の読出し要求に応じて、特定のビットに書込み動作が完了したか否かを示す信号を含めたデータをデータバスＤＢに出力する。
【００１７】
第１フラッシュメモリ２２に対して書込み状況の読出し要求を繰り返して出力して（ステップ＃１０）、受け取ったデータが書込み動作の完了を示していると（ステップ＃１１）、更に、第２フラッシュメモリ２３に対しても同様の操作を繰り返す（ステップ＃１２，＃１３）。
バイト単位のデータの書込み完了には１０μｓｅｃ弱程度の時間を必要とするが、上述のようにデータ書込みコマンドを２つのフラッシュメモリＦＭに対して連続的に出力することによって、２つのフラッシュメモリＦＭに対してバイト単位でデータを書込むときも、１個のフラッシュメモリＦＭの書込みに必要な時間にごくわずかの時間を付加した程度の時間で書込みを済ませることができる。
更に、初期化用データを全て書込むまで同様の操作を繰り返して（ステップ＃１４）、全ての初期化用データについて書込み動作が完了すると、処理を終了する。
【００１８】
この初期化データの書込みを含む起動時の処理が完了した後、フィルム読取り装置ＦＳに接続したパーソナルコンピュータ等の制御下で、ＬＥＤ光源装置１０のチップ３１の並び方向での出射光量のばらつきが測定され、その測定結果から光出力補正回路２１において補正するためのデータが求まると、図２の処理と同様の処理によって、その補正のためのデータが第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３へ書込まれる。
但し、このとき、ステップ＃８及びステップ＃９のデータ書込みコマンドに含まれる書込みデータは、初期化用データ記憶装置２５から読出したデータではなく、上記パーソナルコンピュータから読込んだ補正用のデータである。
【００１９】
〔別実施形態〕
以下、本発明の別実施形態を列記する。
（１）上記実施の形態では、ＬＥＤ光源装置１０においてチップ３１の並び方向での出射光量のばらつきを補正するについて、各チップ３１の出射光量を補正するものとして、その補正用データの記憶にメモリシステムＭＳを備える場合を例示しているが、信号処理回路１５において、ＣＣＤラインセンサユニット１２の読取り信号を補正することによってＬＥＤ光源装置１０の光量ばらつきを補正するものとして、その補正用データの記憶のためにメモリシステムＭＳを備えるようにしても良く、本発明のメモリシステム制御装置は種々の用途に適用することができる。
【００２０】
（２）上記実施の形態では、第１フラッシュメモリ２２及び第２フラッシュメモリ２３に対して連続してデータ消去コマンド又はデータ書込みコマンドを発行した後、第１フラッシュメモリ２２について消去動作又は書込み動作が完了したのを確認してから、第２フラッシュメモリ２３について消去動作又は書込み動作の完了を確認する状態に移行しているが、消去については、消去状況の読出し要求の送信とそれに伴ってフラッシュメモリＦＭから出力される信号の読取りとを、第１フラッシュメモリ２２と第２フラッシュメモリ２３とに対して交互に行い、書込みについては、書込み状況の読出し要求の送信とそれに伴ってフラッシュメモリＦＭから出力される信号の読取りとを、第１フラッシュメモリ２２と第２フラッシュメモリ２３とに対して交互に行うようにしても良い。
（３）上記実施の形態では、メモリシステムＭＳを２つのフラッシュメモリＦＭを備えて構成する場合を例示しているが、３つ以上のフラッシュメモリＦＭを備えるメモリシステムＭＳの制御にも本発明を適用できるのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態にかかる要部ブロック構成図
【図２】本発明の実施の形態にかかるフローチャート
【図３】本発明の実施の形態にかかるフィルム読取り装置の概略構成図
【図４】本発明の実施の形態にかかるＬＥＤ光源装置の概略構成図
【符号の説明】
【００２２】
ＦＭ  フラッシュメモリ
ＭＳ  メモリシステム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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