(57)【要約】【課題】ユニット間差を抑制することを目的とする。【解決手段】基板処理装置に、塗布処理を行う複数の第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃと、配給路３２を介して清浄な空気を供給する気体供給機構５０と、セルコントローラＣＴ３とを設ける。また、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに、回転角度を調整することにより配給路３２の開度を調整する調整板２３および排気用ファンユニット２５を設ける。セルコントローラＣＴ３は、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃにおける塗布処理の結果が略同一となるように予め求めた設定値に応じて各調整板２３の回転角度を調整する。このようにして、空気の供給量を個別に制御して、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの気圧を制御する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
基板に対して同一の処理を行う複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように、前記複数の処理ユニットにおける気圧を制御する気圧制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記気圧制御手段は、予め設定された値に応じて、前記複数の処理ユニットにおける気圧を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ユニット内の気圧を計測するセンサをさらに備え、
前記気圧制御手段は、前記センサの検出結果に応じて、前記複数の処理ユニットにおける気圧が略同一となるように気圧を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ユニットは、互いに高さ位置が異なるものを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記気圧制御手段が、
前記複数の処理ユニットに気体を供給する供給手段を備え、
前記供給手段による気体の供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記供給手段が、
前記複数の処理ユニットに供給する前記気体の温度および湿度を調整する調整手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の基板処理装置であって、
前記供給手段は、前記気体を前記複数の処理ユニットに対して上方から供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記気圧制御手段が、
前記複数の処理ユニット内の雰囲気を排出する排出手段を備え、
前記排出手段による前記雰囲気の排出量を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記排出手段は、前記雰囲気を前記複数の処理ユニットの下方から排出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ユニットは、基板に所定の処理液を塗布することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ユニットが、
基板を保持しつつ回転させる回転機構と、
前記回転機構により保持された前記基板を覆うカップと、
前記回転機構により回転する前記基板の表面に前記所定の処理液を吐出するノズルと、
を備え、
前記気圧制御手段は、前記カップ内の気圧を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
基板処理方法であって、
複数の処理ユニットによって、基板に対して同一の処理を行う基板処理工程と、
前記複数の処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように、前記複数の処理ユニットにおける気圧を制御する気圧制御工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理方法であって、
前記気圧制御工程では、予め設定された値に応じて前記複数の処理ユニットにおける気圧の制御が行われることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニット内の気圧を計測する計測工程をさらに有し、
前記気圧制御工程において、前記計測工程における検出結果に応じて、前記複数の処理ユニットにおける気圧が略同一となるように、前記複数の処理ユニットにおける気圧の制御を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
請求項１２ないし１４のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記気圧制御工程は、互いに高さ位置が異なるものを含む前記複数の処理ユニットにおいて行われることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
請求項１２ないし１５のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記気圧制御工程において、前記複数の処理ユニットに供給する気体の供給量を制御することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理方法であって、
前記複数の処理ユニットに供給する気体の温度および湿度を調整する調整工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７に記載の基板処理方法であって、
前記気圧制御工程において、前記気体は、前記複数の処理ユニットに対して上方から供給されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】
請求項１２ないし１８のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記気圧制御工程において、前記複数の処理ユニットから排出する雰囲気の排出量を制御することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の基板処理方法であって、
前記気圧制御工程において、前記雰囲気は、前記複数の処理ユニットの下方から排出されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２１】
請求項１２ないし２０のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記基板処理工程において、基板に所定の処理液が塗布されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の基板処理方法であって、
前記基板処理工程は、
基板を覆うカップ内で基板を保持しつつ回転させる回転工程と、
前記回転工程が実行されている間に、回転する前記基板の表面に前記所定の処理液を吐出する工程と、
を有し、
前記気圧制御工程では、前記カップ内の気圧が制御されることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板や液晶デバイス等に用いるガラス基板などに対し所定の処理を行う複数の処理ユニットを備える基板処理装置における雰囲気制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶デバイス等の製造工程において、半導体基板やガラス基板などに種々の処理を行う基板処理装置が用いられる。このような基板処理装置においては、１つの処理工程を担う処理ユニットを複数設け、多ユニット化による並行処理によって、スループットの向上を図っている。
【０００３】
しかし、多ユニット化を単純に導入すると、同じ処理工程を実行させてもユニットが異なれば完全に同一の処理を実行することはできず、処理後の基板の品質に差を生じるという問題がある。この品質の差をユニット間差と呼ぶ。
【０００４】
そこで、ユニット間差を生じさせないように、処理工程における温度や薬液の流量、吐出タイミングなどのパラメータを一致させる技術が提案されている。例えば、これらのパラメータが略同一になるように補正する基板処理装置が特許文献１，２に記載されている。
【０００５】
一方、多ユニット化には、フットプリントの増加を招来するという問題があり、これを解決するために、増加した複数の処理ユニットを互いに積層するという技術も提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−０２５０５８公報
【特許文献２】特開２００４−０３１６７１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、特許文献１および２に記載されているパラメータ（処理結果に影響を与えるとして提案されているパラメータ）を一致させるように制御したとしても、依然としてユニット間差が生じているという問題があった。特に、複数の処理ユニットを積層した場合に、このユニット間差が顕著になるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、多ユニット化によるフットプリントの増加を抑制しつつ、ユニット間差を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、基板に対して同一の処理を行う複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように、前記複数の処理ユニットにおける気圧を制御する気圧制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記気圧制御手段は、予め設定された値に応じて、前記複数の処理ユニットにおける気圧を制御することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の処理ユニット内の気圧を計測するセンサをさらに備え、前記気圧制御手段は、前記センサの検出結果に応じて、前記複数の処理ユニットにおける気圧が略同一となるように気圧を制御することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし３のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットは、互いに高さ位置が異なるものを含むことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５の発明は、請求項１ないし４のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記気圧制御手段が、前記複数の処理ユニットに気体を供給する供給手段を備え、前記供給手段による気体の供給量を制御することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６の発明は、請求項５の発明に係る基板処理装置であって、前記供給手段が、前記複数の処理ユニットに供給する前記気体の温度および湿度を調整する調整手段を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７の発明は、請求項５または６の発明に係る基板処理装置であって、前記供給手段は、前記気体を前記複数の処理ユニットに対して上方から供給することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項８の発明は、請求項１ないし７のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記気圧制御手段が、前記複数の処理ユニット内の雰囲気を排出する排出手段を備え、前記排出手段による前記雰囲気の排出量を制御することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明に係る基板処理装置であって、前記排出手段は、前記雰囲気を前記複数の処理ユニットの下方から排出することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１０の発明は、請求項１ないし９のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットは、基板に所定の処理液を塗布することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１１の発明は、請求項１０の発明に係る基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットが、基板を保持しつつ回転させる回転機構と、前記回転機構により保持された前記基板を覆うカップと、前記回転機構により回転する前記基板の表面に前記所定の処理液を吐出するノズルとを備え、前記気圧制御手段は、前記カップ内の気圧を制御することを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１２の発明は、基板処理方法であって、複数の処理ユニットによって、基板に対して同一の処理を行う基板処理工程と、前記複数の処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように、前記複数の処理ユニットにおける気圧を制御する気圧制御工程とを有する基板処理方法。
【００２１】
また、請求項１３の発明は、請求項１２の発明に係る基板処理方法であって、前記気圧制御工程では、予め設定された値に応じて前記複数の処理ユニットにおける気圧の制御が行われることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１４の発明は、請求項１２の発明に係る基板処理方法であって、前記複数の処理ユニット内の気圧を計測する計測工程をさらに有し、前記気圧制御工程において、前記計測工程における検出結果に応じて、前記複数の処理ユニットにおける気圧が略同一となるように、前記複数の処理ユニットにおける気圧の制御を行うことを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１５の発明は、請求項１２ないし１４のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記気圧制御工程は、互いに高さ位置が異なるものを含む前記複数の処理ユニットにおいて行われることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項１６の発明は、請求項１２ないし１５のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記気圧制御工程において、前記複数の処理ユニットに供給する気体の供給量を制御することを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１７の発明は、請求項１６の発明に係る基板処理方法であって、前記複数の処理ユニットに供給する気体の温度および湿度を調整する調整工程をさらに有することを特徴とする。
【００２６】
また、請求項１８の発明は、請求項１６または１７の発明に係る基板処理方法であって、前記気圧制御工程において、前記気体は、前記複数の処理ユニットに対して上方から供給されることを特徴とする。
【００２７】
また、請求項１９の発明は、請求項１２ないし１８のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記気圧制御工程において、前記複数の処理ユニットから排出する雰囲気の排出量を制御することを特徴とする。
【００２８】
また、請求項２０の発明は、請求項１９の発明に係る基板処理方法であって、前記気圧制御工程において、前記雰囲気は、前記複数の処理ユニットの下方から排出されることを特徴とする。
【００２９】
また、請求項２１の発明は、請求項１２ないし２０のいずれかの発明に係る基板処理方法であって、前記基板処理工程において、基板に所定の処理液が塗布されることを特徴とする。
【００３０】
また、請求項２２の発明は、請求項２１の発明に係る基板処理方法であって、前記基板処理工程は、基板を覆うカップ内で基板を保持しつつ回転させる回転工程と、前記回転工程が実行されている間に、回転する前記基板の表面に前記所定の処理液を吐出する工程とを有し、前記気圧制御工程では、前記カップ内の気圧が制御されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
請求項１ないし２２に記載の発明は、基板に対して同一の処理を行う複数の処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように、複数の処理ユニットにおける気圧を制御することにより、ユニット間差を抑制することができる。
【００３２】
請求項２および１３に記載の発明では、予め設定された値に応じて、複数の処理ユニットにおける気圧を制御することにより、処理結果が略同一となるように容易に制御することができる。
【００３３】
請求項３および１４に記載の発明では、複数の処理ユニット内の気圧を計測するセンサの検出結果に応じて、複数の処理ユニットにおける気圧が略同一となるように気圧を制御することにより、処理結果が略同一となるように容易に制御することができる。
【００３４】
請求項４および１５に記載の発明では、互いに高さ位置が異なる複数の処理ユニットについて気圧の制御を行うことにより、従来ユニット間差が特に大きかった構成においてもユニット間差を抑制することができる。
【００３５】
請求項５および１６に記載の発明では、気体の供給量を制御することにより、容易に気圧を制御することができる。
【００３６】
請求項６および１７に記載の発明では、複数の処理ユニットに供給する気体の温度および湿度を調整することにより、処理ユニット内の雰囲気を容易に処理に適した条件にすることができる。
【００３７】
請求項７および１８に記載の発明では、気体を複数の処理ユニットに対して、上方から供給することにより、処理に適した気流を効率よく発生させることができるため、パーティクルなどを効率よく排出することができる。
【００３８】
請求項８および１９に記載の発明では、雰囲気の排出量を制御することにより、容易に気圧を制御することができる。
【００３９】
請求項９および２０に記載の発明では、雰囲気を複数の処理ユニットの下方から排出することにより、処理に適した気流を効率よく発生させることができるため、パーティクルなどを効率よく排出することができる。
【００４０】
請求項１０および２１に記載の発明では、基板に所定の処理液を塗布する複数の処理ユニットについて気圧を制御することにより、従来ユニット間差が大きかった処理について、ユニット間差を抑制することができる。
【００４１】
請求項１１および２２に記載の発明では、カップ内の気圧を制御することにより、塗布処理の処理結果に対する影響が大きい空間の気圧を制御することができる。したがって、効果的に気圧を制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００４３】
＜１．  第１の実施の形態＞
＜全体構成＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１００の平面図である。基板処理装置１００は、半導体基板（以下、単に「基板」という）に対し、所定の回路パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程に係る、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに伴う所定の熱処理、薬液処理等を担う装置である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【００４４】
図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、インデクサブロック（ＩＤブロック）１と、反射防止膜処理ブロック（ＢＡＲＣブロック）２と、レジスト膜処理ブロック（ＳＣブロック）３と、現像処理ブロック（ＳＤブロック）４と、インタフェイスブロック（ＩＦＢブロック）５とから主に構成される。基板処理装置１００においては、これらの５つのブロックが上記の順に隣接配置されている。また、ＩＦＢブロック５の側方には、レジスト膜に対し所定の回路パターンを露光する処理を担う露光装置（ステッパ）ＳＴＰが、隣接して配置されている。各ブロックは、個別にフレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロックのフレームを上記の順に連結することにより、基板処理装置１００が構成されている。
【００４５】
基板処理装置１００は、各ブロックが互いに隣接配置されて構成されているが、動作制御については、「セル」と呼ばれる構成要素単位を基準に行われる。各セルは、原則として、基板Ｗに所定の処理を行う少なくとも１つの処理ユニット、および、該処理ユニットに対して基板の受け渡しをする一の搬送機構を含む被制御ユニットと、該被制御ユニットを制御するセルコントローラとから構成される。
【００４６】
さらに、基板処理装置１００は、各セルコントローラを統括制御するメインコントローラＭｃを備える。メインコントローラＭｃは、本実施の形態に係る基板処理装置１００が設置される半導体製造行程の全体を管理する図示しないホストコンピュータとの間で通信可能に構成されている。
【００４７】
基板処理装置１００は、あらかじめ設定されたレシピデータに従って、メインコントローラＭｃおよび各セルコントローラが各部を制御することにより動作する。レシピデータには、各セルにおける基板の出入り口となる基板載置部ＰＡＳＳの指定、搬送順序やタイミング等についての設定である搬送設定や、各処理ユニットにおける処理条件についての設定である処理条件設定が各セルに対応させて記述されている。レシピデータは、例えば、カセット１個分の基板や、所定枚数の基板など、１枚または複数枚の基板の集合である所定の基板処理単位ごとに定められる。これより、基板処理装置１００は、基板処理単位ごとに処理手順が定められてなる基板群について、各基板に所定の処理を行う装置であるともいえる。
【００４８】
また、基板処理装置１００においては、気体供給機構５０（図４）によって各ブロック内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されている。これにより、各ブロック内おいて、パーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響が回避される。また、各ブロック内は外部に対して若干陽圧に保たれており、パーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、ＢＡＲＣブロック２内の気圧はＩＤブロック１内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、ＩＤブロック１内の雰囲気がＢＡＲＣブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロックで処理を行うことができる。なお、メインコントローラＭｃ（セルコントローラ）および気体供給機構５０による各セルの気圧制御については、後述する。
【００４９】
＜ブロック構成＞
ＩＤブロック１は、基板処理装置１００の外部からの未処理の基板Ｗの受け入れや、逆に処理済の基板Ｗの外部への払い出しを担う部位である。ＩＤブロック１には、所定枚数の基板Ｗを多段に収納可能なカセットＣを複数個（図１においては４個）並べて載置するカセット載置台６と、カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出して後段の処理へと供するとともに、処理済の基板Ｗを受け取って再びカセットＣへと順に収納するインデクサ用搬送機構７とを備えている。
【００５０】
インデクサ用搬送機構７は、カセット載置台６にＹ軸方向に水平移動可能な可動台７ａと、可動台７ａ上にあって基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂと、保持アーム７ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）とを備えている（図１参照）。保持アーム７ｂは、Ｚ軸方向への上下移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向への進退移動がそれぞれ可能に設けられている。基板Ｗは、ピン１０ｃによって水平姿勢で保持される。
【００５１】
ＩＤブロック１における基板Ｗの受け渡しについて概説する。まず、インデクサ用搬送機構７が、所定のカセットＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、そのカセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデクサ用搬送機構７が、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカセットＣに処理済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り返し行う。
【００５２】
図２は、後述する薬液処理部ＬＰの配置構成を示す、基板処理装置１００の正面図である。図３は、図２と同じ方向（−Ｙ方向）からみた場合の、後述する熱処理部ＴＰの配置構成を示す図である。以下、図１ないし図３に基づいて、ＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、ＳＤブロック４について説明する。
【００５３】
ＢＡＲＣブロック２は、フォトレジスト膜の下部に、露光装置ＳＴＰにおける露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜を形成する処理を担う。ＢＡＲＣブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布する処理を担う第１塗布処理部８と、塗布に際し必要な熱処理を行う第１熱処理部９と、第１塗布処理部８および第１熱処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１主搬送機構１０Ａとを備える。
【００５４】
ＳＣブロック３は、反射防止膜が形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を形成する処理を担う。なお、本実施の形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いる。ＳＣブロック３は、フォトレジスト膜を塗布する処理を担う第２塗布処理部２０と、塗布に際し必要な熱処理を行う第２熱処理部１６と、第２塗布処理部２０および第２熱処理部１６に対して基板Ｗの受け渡しをする第２主搬送機構１０Ｂとを備える。
【００５５】
ＳＤブロック４は、露光装置ＳＴＰにおいて所定の回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理をする機構である。ＳＤブロック４は、現像液により現像処理を行う現像処理部４０と、現像処理に際し必要な熱処理を行う第３熱処理部３１と、現像処理部４０および第３熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡しをする第３主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００５６】
以上のＢＡＲＣブロック２、ＳＣブロック３、およびＳＤブロック４においては、それぞれ、第１主搬送機構１０Ａ、第２主搬送機構１０Ｂ、および第３主搬送機構１０Ｃ（以下、これらを「主搬送機構１０」と総称する）を間に挟み、第１塗布処理部８、第２塗布処理部２０、および現像処理部４０（以下、これらを「薬液処理部ＬＰ」と総称する）が装置正面側に位置するように、そして、第１熱処理部９、第２熱処理部１６、および第３熱処理部３１（以下、これらを「熱処理部ＴＰ」と総称する）が装置背面側に位置するように配置されている。すなわち、各部においてそれぞれに所定の薬液を用いた処理を行う薬液処理部ＬＰと、各部においてそれぞれに熱処理を担う熱処理部ＴＰとが、主搬送機構１０を介在させて離間して備わるので、熱処理部ＴＰから薬液処理部ＬＰへの熱的影響が抑制される。また、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、熱処理部ＴＰの正面側（主搬送機構１０側）に図示しない熱隔壁が設けられており、この熱隔壁によっても、薬液処理部ＬＰへの熱的影響が回避される態様となっている。
【００５７】
図２に示すように、薬液処理部ＬＰを構成する第１塗布処理部８、第２塗布処理部２０、および現像処理部４０においては、いずれも、複数の処理ユニットが積層配置されている。
【００５８】
第１塗布処理部８においては、３つの第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃが積層配置されている。第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１、スピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２などを備えている。
【００５９】
同様に、第２塗布処理部２０においては、３つの第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃが積層配置されている。第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２１、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル２２などを備えている。
【００６０】
さらに、現像処理部４０においては、５つの現像処理ユニット４０ａ〜４０ｅが積層配置されている。現像処理ユニット４０ａ〜４０ｅはそれぞれ、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４２などを備えている。
【００６１】
図３に示すように、熱処理部ＴＰを構成する第１熱処理部９、第２熱処理部１６、および第３熱処理部３１においては、それぞれに、複数の処理ユニットが２列に積層配置されている。
【００６２】
第１熱処理部９においては、基板Ｗを所定の温度にまで加熱し、当該温度に保持可能な複数の加熱プレートＨＰ、基板Ｗを所定の温度にまで冷却し当該温度に保持可能な複数の冷却プレートＣＰ、基板Ｗに対するレジスト膜の密着力強化のために、ＨＭＤＳ（へキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数のアドヒージョン処理ユニットＡＨＬが処理ユニットとして備わり、それぞれが所定の位置に積層配置されている。また、下部には、熱処理部ＴＰの各部を制御するヒータコントローラＣＯＮＴが配置されている。なお、図３中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
【００６３】
同様に、第２熱処理部１６および第３熱処理部３１においても、複数の加熱プレートＨＰ、複数の冷却プレートＣＰなどが処理ユニットとして備わる。各処理ユニットが２列に積層配置されている点は、第１熱処理部９と同様である。なお、第３熱処理部３１には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８も備わっている。
【００６４】
なお、加熱プレートＨＰの一部には、加熱後の基板Ｗを一時的に載置するための基板仮置部１９（図１参照）に設けられる仮置部付加熱プレート（図示せず）を採用すればよい。この場合、加熱された基板Ｗはいったん基板仮置部１９に載置され、主搬送機構１０Ｂないし１０Ｃは、基板仮置部１９にアクセスして基板Ｗを受け取ることができる。加熱プレートＨＰに対して直接に基板Ｗの受け渡しをしないので、主搬送機構１０Ｂおよび１０Ｃに対する熱的影響が最小限に抑制されるという利点がある。図１には、第２熱処理部１６および第３熱処理部３１に基板仮置部１９が備わる態様を例示的に示している。
【００６５】
次に、主搬送機構１０（１０Ａ〜１０Ｃ）について説明する。なお、後述するＩＦＢブロック５に備わる第４主搬送機構１０Ｄも同様に構成されている。
【００６６】
主搬送機構１０においては、基台１０ｄ上に２個の保持アーム１０ａ，１０ｂが上下に備わっている（ただし、図１には１個のみ図示）。保持アーム１０ａ，１０ｂは、略Ｃ字状の先端部分を有しており、この先端部分の内側に突出する複数本のピン１０ｃ（図１には３個の場合を図示）によって基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。保持アーム１０ａ、１０ｂは、図示しない駆動機構によって、水平面内の旋回移動、Ｚ軸方向の昇降移動、および旋回半径方向の進退移動が可能に構成されている。
【００６７】
ＩＦＢブロック５は、基板処理装置１００と、隣接して備わる露光装置ＳＴＰとの間の基板Ｗの受け渡しを担う。ＩＦＢブロック５は、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しをするインタフェイス用搬送機構３５と、フォトレジストが塗布された基板Ｗの周縁部を前もって露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが出来ない場合に、一時的に基板Ｗを収納する送り用バッファＳＢＦと、露光後の基板Ｗを後段の処理部が処理できない場合に基板Ｗを収納する戻し用バッファＲＢＦと、第４主搬送機構１０Ｄとインタフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡しを行う後述する基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０と、該エッジ露光ユニットＥＥＷとＳＤブロック４に備わる加熱プレートＨＰとに隣接し、これらに対して基板Ｗを受け渡しする第４主搬送機構１０Ｄとを主として備えている。このうち、２つのＥＥＷ、戻し用ＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は、上からこの順に積層配置されている。また、基板載置用送り用バッファＳＢＦおよび戻し用バッファＲＢＦはいずれも、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されている。
【００６８】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３６、スピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、ＩＦＢブロック５の中央部分に積層配置されている。
【００６９】
図２に示すように、インタフェイス用搬送機構３５は、水平方向（Ｙ軸方向）に移動可能な可動台３５ａと、この可動台３５ａ上にあって基板Ｗを保持する保持アーム３５ｂとを備えている。保持アーム３５ｂは、図示しない駆動手段によって、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能とされている。インタフェイス用搬送機構３５の水平方向の可動範囲は、積層された基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０の下方位置Ｐ１にまで延びており、この下方位置Ｐ１で、露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。また、インタフェイス用搬送機構３５の可動範囲の他端位置Ｐ２では、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの受け渡しとを行えるようになっている。
【００７０】
＜セル間の基板の受け渡し＞
次に、基板処理装置１００における基板Ｗの受け渡しについて、隣接するブロック間における受け渡しを中心に説明する。基板処理装置１００においては、隣接するブロック同士の境界部に、互いの雰囲気を遮断することを目的とする隔壁１３がそれぞれ設けられている。そして、それぞれの隔壁１３には、基板Ｗを載置するための基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６が、当該隔壁１３を部分的に貫通させて、上下に２個一組で設けられている。なお、基板Ｗを大まかに冷却するための複数の冷却プレートＷＣＰが基板載置部ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ６の下方に設けられている。
【００７１】
いま、ＩＤブロック１とＢＡＲＣブロック２との間には上段側から順に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が、ＢＡＲＣブロック２とＳＣブロック３との間には同様に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が、ＳＣブロック３とＳＤブロック４との間には、同様にＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が、それぞれ設けられている。
【００７２】
また、ＳＤブロック４とＩＦＢブロック５との間で基板Ｗを受け渡すための基板載置部ＰＡＳＳ７およびＰＡＳＳ８は、ＳＤブロック４の第３熱処理部３１に設けられている。さらに、上述したように、ＩＦＢブロック５には基板載置部ＰＡＳＳ９およびＰＡＳＳ１０が備わっている。これらを総称して基板載置部ＰＡＳＳと称する。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０には、それぞれ、基板Ｗを支持可能な図示しない複数本の支持ピンと、光学式センサＳとがそれぞれ設けられている。該光学式センサＳは、基板Ｗが支持ピン上に載置されているか否かを検出するために備わる。
【００７４】
なお、１０個の基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０は、５カ所に上下２段に設けられているが、それぞれ上段側に備わる基板載置部ＰＡＳＳには、原則として、ＩＤブロック１から露光装置ＳＴＰに向かって基板Ｗを搬送する方向（これを「送り方向」と称する）の受け渡しに際して使用される。一方、下段側に備わる基板載置部ＰＡＳＳには、原則として、露光装置ＳＴＰからＩＤブロック１に向かって基板を搬送する方向（これを「戻り方向」と称する）の受け渡しに際して使用される。
【００７５】
＜セルにおける搬送動作＞
基板処理装置１００では、上述のように、セルを単位として制御が行われることから、基板処理装置１００は独立して動作する６つのセルを並設して構成されたものであり、各セル間の基板の受け渡しを、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０を介して行っている、と考えることができる。
【００７６】
ここで、各セルにおける搬送動作、つまりは、隣接するセル間の基板の受け渡し、および、セル内の基板の受け渡しについて、ＳＣセルＣ３を例にとって説明する。
【００７７】
なお、ＳＣセルＣ３においては、基板載置部ＰＡＳＳ３が、送り方向において、隣接するＢＡＲＣセルＣ２から基板Ｗを受け入れるための入口となる。各セルにおいて、このように送り方向において基板Ｗの入口となる基板載置部ＰＡＳＳを、以下、「送り入口パス」ＳＩと称する。同様に、送り方向の出口を「送り出口パス」ＳＯ、戻り方向の入り口を「戻り入口パス」ＲＩ、戻り方向の出口を「戻り出口パス」ＲＯと称する。ＳＣセルＣ３については、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６，ＰＡＳＳ４が、順にこれらに相当する。
【００７８】
ＢＡＲＣセルＣ２に備わる第１主搬送機構１０Ａにより、ＳＣセルＣ３にとっての送り入口パスＳＩである基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理基板Ｗが載置されると、基板載置部ＰＡＳＳ３に備わる光学式センサＳがこれを検知する。ＳＣセルＣ３の制御を担うセルコントローラＣＴ３は、このとき発せられる載置状態信号に応答して、ＳＣセルＣ３に備わる第２主搬送機構１０Ｂを制御し、所定のタイミングによって、載置された基板Ｗを受け取らせる。その際、第２主搬送機構１０Ｂが、戻り出口パスＲＯに相当する基板載置部ＰＡＳＳ４を介してＢＡＲＣセルＣ２に戻す基板Ｗを保持しているのであれば、その払い出しも行わせる。
【００７９】
基板Ｗの受け渡しを行うために、第２主搬送機構１０Ｂは、保持アーム１０ａ，１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、まず、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済みの基板Ｗを、戻り出口パスＲＯである基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。その後、送り入口パスＳＩである基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されている基板Ｗを、空の状態になった一方の保持アーム１０ｂを再び駆動して、その保持アーム１０ｂ上に受け取る。すなわち、保持アーム１０ｂだけを使って基板Ｗの受け渡し動作を行う。
【００８０】
この受け渡し動作によって、基板載置部ＰＡＳＳ３は空状態になり、基板載置部ＰＡＳＳ４には基板が載置された状態となる。それぞれに備わる光学式センサＳによってその状態は検知され、それぞれの状態を示す信号が、ＢＡＲＣセルＣ２のセルコントローラＣＴ２へと伝達されることになる。ＢＡＲＣセルＣ２においては、この信号に応答することにより、次後の基板Ｗの受け渡しが可能となる。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対する基板Ｗの受け渡しが終わると、第２主搬送機構１０Ｂは、レシピデータＲＤの設定内容に基づくセルコントローラＣＴ３の制御に従って、受け取った基板Ｗを、原則として所定の処理ユニットヘと搬送する。ＳＣセルＣ３の場合、具体的には、冷却プレートＣＰ、加熱プレートＨＰ、第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃのいずれかが搬送先となる。第２主搬送機構１０Ｂは、基板Ｗを保持していない空の状態の保持アーム１０ａと、基板Ｗを保持している保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移動させて、搬送先となる処理ユニットに対向させる。通常、この搬送先となる処理ユニットには、先行して処理されている基板Ｗが入っている。そこで、まず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その処理ユニットにおいて処理された基板Ｗを受け取り、続いて、基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板Ｗを該処理ユニットの所定位置に載置する。
【００８２】
第２主搬送機構１０Ｂは、以降も同様に、レシピデータＲＤに基づくセルコントローラＣＴ３の制御に従い、保持アーム１０ａ，１０ｂにより、所定の処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行う。すなわち、基板Ｗを保持していない一方の保持アームによって該処理ユニットで処理された基板Ｗを受け取り、入れ替わりに、もう一方の保持アームで保持していた基板Ｗを該処理ユニットの所定位置に載置する。ただし、加熱プレートＨＰで加熱処理がなされた基板Ｗを受け取る場合だけは、保持アーム１０ａ，１０ｂのうちのいずれか一方のみを用いるように制御される。これにより、保持アーム１０ａ，１０ｂから基板Ｗに与える熱的影響を抑制するとともに、その熱的影響の「変動」を最小限度に抑えることができる。
【００８３】
このようにして、いくつかの処理ユニットに順次受け渡されて、レシピデータＲＤに定められた所定の処理がなされた基板Ｗは、ＳＣセルＣ３からＳＤセルＣ４へと受け渡すべく、送り出口パスＳＯに相当する基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されることとなる。その際の手順は、ＢＡＲＣセルＣ２からＳＣセルＣ３に基板が受け渡される際と同様である。なお、レシピデータＲＤの設定内容によっては、セル内で所定の処理を行った基板Ｗを、後段のセルにおける処理に供することなく、戻り出口パスＲＯに相当する基板処理部ＰＡＳＳ４からＢＡＲＣセルＣ２側へと戻す場合、受け取った基板Ｗに対し処理ユニットによる処理を行うことなく直ちにＳＤセル４へと払い出す場合も、基本的な動作は同様である。また、露光等の処理を経て戻り方向をＩＤセルＣ１へと基板Ｗを戻す場合は、戻り入口パスＲＩに相当する基板処理部ＰＡＳＳ６から基板Ｗを受け取って、所定のタイミングでそのまま戻り出口パスＲＯに相当する基板処理部ＰＡＳＳ４へと払い出すことになるが、これらの受け渡し動作も、上述と同様に行われることになる。
【００８４】
以上に示したように、ＳＣセルＣ３においては、セルコントローラＣＴ３が、レシピデータＲＤの設定に従って、第２主搬送機構１０Ｂと各処理ユニットとの動作を制御するが、送り入口パスＳＩあるいは戻り入口パスＲＩに基板Ｗが載置されたことを示す所定の信号に応答して、動作が行われることを除けば、セル内の処理は、隣接するセルとは独立に行われることになる。
【００８５】
他のセルにおいても、処理対象が異なるだけで、その点については同様である。すなわち、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、それぞれに対応する送り入口パスＳＩあるいは戻り入口パスＲＩに載置された基板Ｗを受け取り、所定の処理ユニットヘ順次に搬送し、所定の処理がなされた基板Ｗを送り出口パスＳＯもしくは戻り出口パスＲＯに載置することによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。これは、レシピデータＲＤがセルを単位として、具体的には、処理ユニットあるいは基板載置部ＰＡＳＳから受け取った基板Ｗを搬送機構によってどこに搬送させるか、その際にどのようなタイミングと優先順位で搬送を実行するか、およびそれぞれの処理ユニットでどのような条件で基板Ｗを処理するか、についてセル単位で設定されることで実現されている。
【００８６】
これは、基板処理装置１００においては、各セルにおける搬送および処理が、レシピデータＲＤに基づいて各セルごとに独立に行われ、その結果として、全体の処理が行われることを意味する。全体の処理基板Ｗの出入り口となるせいぜい４つの基板載置部ＰＡＳＳにおける基板Ｗの載置状況を参照することを除くと、隣接するセル間における基板Ｗの受け渡しそのものを直接には制御対象としないので、あるセルにおける動作が他のセルに与える影響を小さくすることができる。よって、装置全体として制御が単純化されるとともに、レシピデータＲＤにおいて容易かつ柔軟な動作設定も可能である。
【００８７】
よって、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、対応する各セル内における搬送機構による基板Ｗの受け渡しと、セルに含まれる処理ユニットの動作だけを制御対象とするので、隣接するセル内での動作内容を考慮する必要がない。従って、各セルコントローラＣＴ１〜ＣＴ６における制御の負担は、比較的軽くなり、全体の搬送動作を一括制御する従来の制御方法に比べて、全体の制御も容易になる。
【００８８】
また、従来の制御方法の場合、新たに処理ユニット等が追加されると、制御プログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明の場合は、新たにセルを追加しても、該セルに係るレシピデータＲＤを付加すればよく、隣接する既存のセルの制御内容に影響を与えることはない。よって、セルの追加を容易かつ柔軟に行うことができる。例えば、ＳＣセルＣ３とＳＤセルＣ４との間に、レジスト膜の厚みや線幅を検査する検査処理ユニットやセル内の搬送を担う搬送機構とを含むセルを追加する態様などが考えられる。
【００８９】
＜気圧制御＞
以上のような構成を有する基板処理装置１００では、各セルの処理ユニットごとに気圧の制御が行われる。この様子を、第２塗布処理部２０および現像処理部４０を例に説明する。図４は、第２塗布処理部２０および現像処理部４０に清浄な空気が供給される様子を示す図である。図５は、第２塗布処理部２０の各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃから内部雰囲気が排気される様子を示す図である。
【００９０】
気体供給機構５０は、空気の温度および湿度を調整する調整機構５１を備えており、調整機構５１によって調整した清浄な空気を各セルに向けて供給する。これにより、基板処理装置１００は、各セル（処理ユニット）において実行される処理に適した雰囲気を形成することができる。なお、気体供給機構５０が供給する気体は空気に限られるものではないが、空気や窒素ガスといった不活性ガスが好ましい。
【００９１】
第２塗布処理部２０は、気体供給機構５０から供給される空気を各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに分配するための配給路３２を備える。同様に、現像処理部４０は、気体供給機構５０から供給される空気を各現像処理ユニット４０ａ〜４０ｅに分配するための配給路３３を備える。
【００９２】
第２塗布処理部２０の各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃは、前述のスピンチャック２１およびノズル２２の他に、調整板２３、吸気用フィルタユニット２４および一対の排気用ファンユニット２５を備える。
【００９３】
調整板２３は、配給路３２から各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに空気を導く配管の開度を調整する。配管の開度は、大きいほど内部に導かれる空気の供給量が増加し、小さいほど空気の供給量が減少する。すなわち、基板処理装置１００では、セルコントローラＣＴ３が各調整板２３の回転角度を調整することによって、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに供給される空気の供給量を調整する。
【００９４】
空気の供給量が増加すれば、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの内部気圧は上昇する。したがって、基板処理装置１００は、調整板２３の回転角度を調整し、空気の供給量を調整することによって、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの気圧を制御する。
【００９５】
吸気用フィルタユニット２４は、配給路３２から取り込んだ空気をフィルタを通して各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃ内に供給することにより、空気からパーティクルを除去する。基板処理装置１００の各部には、気体供給機構５０から清浄な空気が供給されるが、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに到達するまでに、この空気に配給路３２等の配管内に存在する粉塵が混入する可能性もある。しかし、基板処理装置１００は、吸気用フィルタユニット２４により、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃ内に清浄な空気を供給することができ、粉塵等が飛散することを防止することができる。
【００９６】
一対の排気用ファンユニット２５は、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの下方に取り付けられており、セルコントローラＣＴ３からの制御信号によって回転速度および回転方向を調整することができる回転モータと、当該回転モータによって回転するファンとから構成される。排気用ファンユニット２５は、ファンが所定の向きに回転することによって内部雰囲気を排気路３４に向けて排気する。また、ファンの回転数を調整することにより、内部雰囲気の排気量を増減させることができる。
【００９７】
内部雰囲気の排気量が増加すれば、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの内部気圧は下降する。したがって、基板処理装置１００は、ファンの回転速度を調整し、内部雰囲気の排気量を調整することによっても、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの気圧を制御することができる。
【００９８】
また、吸気用フィルタユニット２４は、図４に示すように、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの上部に取り付けられているため、空気は各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの上方から内部に供給される。また、排気用ファンユニット２５は、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの下方に取り付けられているため、内部雰囲気は各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの下方から排気路３４に排出される。これによって、基板処理装置１００は、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの内部に効率よくダウンフローを形成することができる。
【００９９】
第２塗布処理部２０と同様に、現像処理部４０の各現像処理ユニット４０ａ〜４０ｅは、調整板４３、吸気用フィルタユニット４４および一対の排気用ファンユニット４５を備える。また、複数の現像処理ユニット４０ａ〜４０ｅは５段に積層されていることを除けば、構造および機能は、第２塗布処理部２０とほぼ同様である。
【０１００】
図６は、本実施の形態における第２塗布処理部２０の動作を示す流れ図である。第２塗布処理部２０のセルコントローラＣＴ３は、まず、初期設定（ステップＳ１）において、各調整板２３の回転角度および各排気用ファンユニット２５のファンの回転速度など、予めレシピとして記憶されている設定値を取得する。
【０１０１】
この設定値は、基板Ｗに応じて、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃにおける処理結果が略同一となるように、予め実験等で求められ記憶されている。本実施の形態における基板処理装置１００では、まず、各排気用ファンユニット２５のファンをすべて同じ所定の回転数（固定値）で回転させるとともに、気体供給機構５０からの空気の供給量（送風量）を所定値（固定値）にする。この状態で、各調整板２３の回転角度を様々に変更しつつ、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃにおいて塗布処理実験を行い、処理後の基板Ｗを評価する。そして、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃにおける処理結果が略同一となる各調整板２３の回転角度の組合せを決定し、これを各調整板２３の設定値とする。
【０１０２】
全ての排気用ファンユニット２５について、同じ回転数でファンを回転させたとしても、個体差や気圧の違いなどの理由から排気量が同じになるとは限らない。また、気体供給機構５０の空気の送風量を一定にしても、気体供給機構５０から各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに供給される空気の供給量は、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃまでの供給路の距離差や高低差などにより微妙に異なる。
【０１０３】
本実施の形態における基板処理装置１００は、このような様々な要因から生じる気圧に関するユニット間差を、各調整板２３の回転角度を予め求めた設定値に応じて個別に制御し、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃへの空気の供給量を制御することによって解消するのである。
【０１０４】
なお、基板処理装置１００は、前述のように内部雰囲気の排気量についても、ユニット間差を解消するための制御が可能な構成である。したがって、空気の供給量だけでなく、内部雰囲気の排気量についても同時に制御するようにしてもよい。また、空気の供給量（調整板２３の回転角度）を固定して、内部雰囲気の排気量のみを制御するようにしてもよい。
【０１０５】
初期設定が終了すると、第２塗布処理部２０は気体供給機構５０からの空気の供給が開始されるまで待機し（ステップＳ２）、空気の供給が開始されると、ステップＳ１で取得した設定値に応じて、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの調整板２３の回転角度をそれぞれ決定する。
【０１０６】
このようにして、セルコントローラＣＴ３は、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに供給される空気の供給量をそれぞれ決定する（ステップＳ３）。すなわち、ステップＳ３により、設定値に応じて空気の供給量が制御され、所定の供給量（流量）の空気が各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの上方から吸気用フィルタユニット２４を介して内部に供給される。なお、気体供給機構５０は、空気の供給を開始するまでに、調整機構５１により調整工程（図示せず）を実行し、供給する空気の温度および湿度を予め調整しておく。
【０１０７】
また、ステップＳ３と並行して、ステップＳ１で取得した設定値（固定値）に応じて、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの排気用ファンユニット２５のファンを設定されている回転速度とする。これにより、セルコントローラＣＴ３は、各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃから排出される内部雰囲気の排気量を決定する（ステップＳ４）。すなわち、ステップＳ３，Ｓ４が主に気圧制御工程の開始に相当する。
【０１０８】
各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃの気圧の制御が完了すると、処理対象となる基板ＷがＢＡＲＣブロック２からＰＡＳＳ３に搬送されるまで待機する（ステップＳ５）。
【０１０９】
ＰＡＳＳ３が備える光学式センサＳが基板Ｗを検出すると、セルコントローラＣＴ３は、光学式センサＳから発せられる載置状態信号に応答して、第２主搬送機構１０Ｂを制御して、載置された基板Ｗを受け取らせる。さらに、セルコントローラＣＴ３は、第２主搬送機構１０Ｂを制御して、受け取った基板Ｗを第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃのいずれかに搬入させる（ステップＳ６）。
【０１１０】
基板Ｗが搬入された第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃは、スピンチャック２１で基板Ｗを保持しつつ回転させ、ノズル２２から塗布液を吐出して塗布処理を行う（ステップＳ７）。塗布処理が終了した基板Ｗは、再び第２主搬送機構１０Ｂによって取り出され、後工程に搬送される（ステップＳ８）。基板処理装置１００では、塗布処理が終了するまでの間も、調整板２３、排気用ファンユニット２５による気圧の制御は継続されているため、塗布処理を行う際の処理条件の再現性は確保されている。
【０１１１】
なお、ＢＡＲＣブロックからＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗについて、第２塗布処理部による塗布処理に先立って、冷却あるいは加熱処理などが必要な場合には、セルコントローラＣＴ３はこれらの基板Ｗを、一旦冷却プレートＣＰや加熱プレートＨＰに搬送した後、各塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに搬送する。また、より詳しくは、セルコントローラＣＴ３は、ステップＳ６〜Ｓ８の実行中にもステップＳ５を実行して、新たな基板Ｗが搬送されてくるのを監視している。
【０１１２】
図７は、従来の装置および基板処理装置１００における処理結果を示す図である。図７における塗布ユニットＡ〜Ｃは、３段に積層されて配置されており、塗布ユニットＡが最下段、塗布ユニットＣが最上段の塗布ユニットである。図７における「平均膜厚」は、各塗布ユニットで処理された基板Ｗに形成された薄膜の膜厚を、直径に沿って計測した値の平均値である（単位：ｎｍ）。なお、図７は、気圧の制御以外の均一性調整を行った状態の塗布ユニットについて、その処理結果を示している。
【０１１３】
図８は、従来の装置で処理された３枚の基板Ｗについて、直径に沿った膜厚の変化を示す図である。また、図９は、基板処理装置１００で処理された３枚の基板Ｗについて、直径に沿った膜厚の変化を示す図である。図８および図９では、グラフの重なり具合が各塗布ユニットにおいて処理された基板Ｗのユニット間差の大小を示す。
【０１１４】
基板処理装置１００では、第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃが互いに積層されており、それらは互いの高さ位置が異なる。このように、高さ位置の異なる処理ユニットに対して、従来の装置のような単純なダウンフローを発生させると、高い位置にある処理ユニット（ダウンフローの吹き出し口に近く、気圧が高い）と、低い位置にある処理ユニット（排気口に近く、気圧が低い）との間の気圧の差が大きくなる。特に、塗布処理のように気圧の影響を受けやすい処理を行う処理ユニットについては、平面的に配置する場合に比べて、ユニット間差が顕著となる。
【０１１５】
このようなユニット間差は、図７を見ても明らかである。従来の装置の処理結果では、最も平均膜厚が薄い基板Ｗ（塗布ユニットＣで処理された基板Ｗ）と、最も平均膜厚が厚い基板Ｗ（塗布ユニットＢで処理された基板Ｗ）とでは、０．７［ｎｍ］ものユニット間差が生じており、図８における各基板Ｗのグラフの重なり具合もよくない。
【０１１６】
一方、気圧の制御を行った基板処理装置１００では、図８および図１０に示すように、最も平均膜厚が薄い基板Ｗと、最も平均膜厚が厚い基板Ｗとでは、ユニット間差が０．３［ｎｍ］に抑えられており、図９における各基板Ｗのグラフのバラツキが少ないことがわかる。
【０１１７】
以上のように、第１の実施の形態における基板処理装置１００は、同一の処理を行う複数の処理ユニット（第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃなど）における処理結果が略同一となるように、複数の処理ユニットにおける気圧を制御することにより、ユニット間差を抑制することができる。
【０１１８】
また、予め設定された値に応じて、複数の処理ユニットにおける気圧を制御することにより、複数の処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように容易に制御することができる。
【０１１９】
また、基板処理装置１００は、略同一の処理を行う複数の処理ユニットが、互いに高さ位置が異なるものを含んでいる。したがって、従来の装置に比べて気圧を制御する効果が高い。
【０１２０】
また、各調整板２３の回転角度を制御して、気体供給機構５０による空気の供給量を制御することにより、容易に気圧を制御することができる。
【０１２１】
気体供給機構５０が、供給する空気の温度および湿度を調整する調整機構５１を備えていることにより、処理ユニットにおける処理条件を適切に調整することができる。
【０１２２】
また、複数の処理ユニットに対して、上方から空気を供給するとともに、下方から内部雰囲気を排出することにより、パーティクルを効率よく排出することができる。
【０１２３】
＜２．  第２の実施の形態＞
第１の実施の形態における基板処理装置１００は、設定値に応じて、各処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように制御していたが、気圧を制御する手法は、フィードフォワード制御に限られるものではない。例えば、処理中の計測値に応じてリアルタイム制御を行ってもよい。
【０１２４】
図１０は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態における第２塗布処理部２０を示す図である。第２の実施の形態における基板処理装置１００は、第１の実施の形態における基板処理装置１００の各第２塗布処理ユニット２０ａ〜２０ｃに相当する構成が、各第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆに変更されている以外は、第１の実施の形態における基板処理装置１００とほぼ同様の構成である。なお、第１の実施の形態における基板処理装置１００と同様の構成については、同符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１２５】
各第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆは、スピンチャック２１が保持した基板Ｗを覆うカップ２６と、カップ２６内に配置される気圧センサ２７とを備える。カップ２６は、基板Ｗの回転によって振り切られて飛散する塗布液を受け止めて、所定の回収機構に回収させる機能を有する。また、気圧センサ２７は、各第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆ内、特にカップ２６内の気圧を測定して、所定のタイミングでセルコントローラＣＴ３に測定結果（検出結果）を伝達する。
【０１２６】
以上のような構成を有する第２の実施の形態における基板処理装置１００の動作について説明する。なお、第１の実施の形態における基板処理装置１００の動作と同様の動作については適宜説明を省略する。
【０１２７】
まず、第２の実施の形態における基板処理装置１００は、図６に示すステップＳ１ないしＳ６までの処理については、第１の実施の形態における基板処理装置１００と同様の動作を行う。
【０１２８】
次に、ステップＳ７の塗布処理において、基板Ｗがスピンチャック２１に保持されると、カップ２６が所定の位置まで上昇して、基板Ｗがカップ２６の内部に収容される。この時点で、気圧センサ２７がセルコントローラＣＴ３に気圧の測定結果を伝達する。
【０１２９】
セルコントローラＣＴ３は、塗布処理開始時の気圧として設定されている値と、測定結果とを比較し、測定結果における気圧が低い場合には、調整板２３の回転角度を水平に近づけて開度を開く。一方、測定結果における気圧が高い場合には、調整板２３の回転角度を垂直に近づけて開度を閉じる。このようにして、カップ２６内の気圧が所定の値になると、基板Ｗを回転させつつ、ノズル２２から塗布液を吐出させて塗布処理を行う。
【０１３０】
これにより、各第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆにおいて塗布処理が行われる場合には、カップ２６内の気圧が所定値（同じ値）に制御される。したがって、本実施の形態における基板処理装置１００は、各第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆにおける処理結果が略同一となるように、容易に気圧を制御することができる。
【０１３１】
ステップＳ７の塗布処理が終了すると、ステップＳ８を実行することにより、塗布処理が終了した基板Ｗを後工程に搬送するため、第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆから基板Ｗを搬出する。
【０１３２】
以上のように、第２の実施の形態における基板処理装置１００においても、第１の実施の形態における基板処理装置１００と同様の効果を得ることができる。
【０１３３】
また、各気圧センサ２７からの測定結果に応じて、各カップ２６内の気圧が略同一となるように、各調整板２３の回転角度を制御して、気圧を制御することにより、各第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆにおいて、特に塗布処理における影響の大きいカップ２６内の気圧を略同一とすることができ、処理結果が略同一となるように容易に制御することができる。
【０１３４】
また、気圧センサ２７を設けてリアルタイム制御することによって、例えば、吸気用フィルタユニット２４の経時変化などにも柔軟に対応することができる。
【０１３５】
なお、ＢＡＲＣブロック２の第１塗布処理ユニット８ａ〜８ｃや、現像処理部４０の現像処理ユニット４０ａ〜４０ｅについても、第２塗布処理ユニット２０ｄ〜２０ｆのように気圧センサを備える構造としてもよい。
【０１３６】
＜３．  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１３７】
例えば、複数の処理ユニットにおける気圧の制御は、フィードバック制御であってもよい。すなわち、基板処理装置１００で処理した基板Ｗに形成された薄膜の膜厚を検査装置等で検査し、その検査結果に応じて、調整板２３，４３の回転角度や排気用ファンユニット２５，４５のファンの回転速度を制御するようにしてもよい。
【０１３８】
また、上記実施の形態における基板処理装置１００の動作は、図６に示す順序で実行されることに限定されるものではない。すなわち、同様の効果が得られる順序であれば、各ステップの実行順序が適宜変更されてもよい。
【０１３９】
また、第２の実施の形態における基板処理装置１００において、気圧センサ２７がカップ２６内の気圧を測定するタイミングは、ここに示すタイミングに限られるものではない。例えば、定期的に測定してセルコントローラＣＴ３に通知するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】薬液処理部の配置構成を示す、基板処理装置の正面図である。
【図３】熱処理部の配置構成を示す図である。
【図４】第１の実施の形態における第２塗布処理部および現像処理部に清浄な空気が供給される様子を示す図である。
【図５】第１の実施の形態における第２塗布処理部の各第２塗布処理ユニットから内部雰囲気が排気される様子を示す図である。
【図６】第１の実施の形態における第２塗布処理部の動作を示す流れ図である。
【図７】従来の装置と第１の実施の形態における基板処理装置とにおける処理結果を示す図である。
【図８】従来の装置で処理された３枚の基板について、直径に沿った膜厚の変化を示す図である。
【図９】第１の実施の形態における基板処理装置で処理された３枚の基板について、直径に沿った膜厚の変化を示す図である。
【図１０】第２の実施の形態における第２塗布処理部を示す図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１００  基板処理装置
３  ＳＣブロック
２０  第２塗布処理部
２０ａ〜２０ｆ  第２塗布処理ユニット
２１，４１  スピンチャック
２２，４２  ノズル
２３，４３  調整板
２４，４４  吸気用フィルタユニット
２５，４５  排気用ファンユニット
２６  カップ
２７  気圧センサ
４  ＳＤブロック
４０  現像処理部
４０ａ〜４０ｅ  現像処理ユニット
５０  気体供給機構
５１  調整機構
Ｍｃ  メインコントローラ
ＣＴ１〜ＣＴ６  セルコントローラ
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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