(57)【要約】【課題】遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、半透明位相シフト膜パターンが、遮光膜パターンの寸法精度の影響を受けずに形成ができ、寸法精度が良好であるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】透明基板上に半透明位相シフト層、レジスト層を順次、積層する工程と、レジスト膜に必要とするメインパターンとアライメントマークを形成する工程と、レジスト膜をマスクとして半透明位相シフト層をエッチングして、必要とする半透明位相シフト膜を形成する工程と、遮光層を形成する工程と、レジスト層を積層し、所定の形状のレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングして、遮光膜パターンを形成する工程とを少なくとも有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に半透明位相シフト膜と遮光膜とを順次、その順番に積層してなるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（ａ）透明基板上に半透明位相シフト層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（ｂ）第１レジスト層を所定の形状にパターンニングして、必要とするメインパターンとアライメントマークとの光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（ｃ）パターンニングされた第１レジスト膜をマスクとして半透明位相シフト層をエッチングによってパターンニングして、必要とするメインパターンとアライメントマークとの光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（ｄ）第１レジスト膜を剥離する工程と、
（ｅ）アライメントマーク配置領域より内側であってメインパターン有効領域の全面を覆う遮光層を形成する工程と、
（ｆ）第２レジスト層を積層する工程と、
（ｇ）第２レジスト層を所定の形状にパターンニングして、メインパターン配置領域のみが欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（ｈ）パターンニングされた第２レジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングによってパターンニングして、メインパターン配置領域のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（ｉ）第２レジスト膜を剥膜する工程と、
を少なくとも有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】
透明基板上に半透明位相シフト膜と遮光膜とを順次、その順番に積層してなるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法であって、遮光帯パターンに異常があった場合に、遮光帯パターンのみを再作製する工程を含む製造方法において、
（ａ）ハーフトーン型位相シフトマスクの遮光膜を選択的に剥離する工程と、
（ｂ）アライメントマーク配置領域以外の遮光に必要な領域を覆う遮光層を形成する工程と、
（ｃ）レジスト層を積層する工程と、
（ｄ）レジスト層を所定の形状にパターンニングして、遮光帯パターンに相当するパターンのみが残存する形状のレジスト膜を形成する工程と、
（ｅ）パターンニングされたレジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングする工程と、
（ｆ）レジスト膜を剥膜する工程と、
を少なくとも有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法、特に、半透明位相シフト層からなるメインパターン形成での寸法精度が向上し、遮光帯パターンを形成する工程を含むハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクがある。
【０００３】
従来、位相シフトマスクは、種々の形式のものが提案されている。例えば、形成すべきパターンの隣り合う開口部の一方に位相を反転させるように透明位相シフト膜を設けた構造のレベンソン型位相シフトマスクや、形成すべきパターンの周辺部に解像限界以下の寸法からなる透明位相シフト膜パターンを形成した構造の補助パターン付き位相シフトマスクや、透明基板上に遮光層からなるパターンを形成した後、該パターンをマスクにして透明位相シフト層へオーバーエッチングによって、前記パターン直下に透明位相シフト膜のオーバーエッチングを形成した構造の自己整合型位相シフトマスク等がある。
【０００４】
上述した構造の位相シフトマスクは、透明基板上に遮光膜パターンと透明位相シフト膜パターンを設けたものであるが、この構造とは別に、透明、又は半透明位相シフト膜パターンのみによって形成された構造の位相シフトマスクとして、透過型位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスク等も知られている。透過型位相シフトマスクは、透明部を透過した光と位相シフト部を透過した光との境界部において光強度がゼロとなることを利用してパターン境界線を分離する位相シフトマスクであって、シフターエッジ利用型位相シフトマスクともよばれる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクは、投影露光光に対して部分透過性を有する、いわゆる半透明な位相シフト膜パターンを透明基板上に形成して、その半透明な位相シフト膜パターン（以下半透明位相シフト膜パターンと記す）の境界部に形成される光強度がゼロとなることを利用してパターン境界線を分離する位相シフトマスクである。透過型位相シフトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスクは、その層構造が単純であるため、製造工程が容易であり、しかも完成したマスク上の欠陥や、不具合も少ないという長所を有している。
【０００５】
上述したハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法としては、下記の製造工程が行われている。
【０００６】
その製造工程は、（ａ）透明基板（１）の上に半透明位相シフト層、遮光層、第１レジスト層をその順番に順次、積層しする工程と、（ｂ）第１レジスト層を所定の形状にパターンニングした状態の第１レジスト膜パターンを形成する工程と、（ｃ）第１レジスト膜パターンをマスクとして遮光層をエッチングによってパターンニングした状態の遮光膜パターンを形成する工程と、（ｄ）前記第１レジスト膜パターン及び遮光膜パターンをマスクとして半透明位相シフト層をエッチングによってパターンニングした状態の半透明位相シフト膜パターンを形成する工程と、（ｅ）第１レジスト膜パターンを剥離する工程と、（ｆ）第２レジスト層を積層する工程と、（ｇ）第２レジスト層を所定の形状にパターンニングした状態の第２レジスト膜パターンを形成する工程と、（ｈ）第２レジスト膜パターンをマスクとして遮光層をエッチングによってパターンニングした状態の遮光膜パターンを形成する工程と、（ｉ）第２レジスト膜パターンを剥離する工程と、により遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクが完成する。
【０００７】
図４は、従来の遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の一例を示す側断面図である。最初に、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスは、透明基板（１）上に半透明位相シフト層（２）と、遮光層（３）と、レジスト層（４）が予め形成されたものを用いる（図４ａ参照）。
【０００８】
次いで、レジスト層（４）にメインパターンとアライメントマークのパターンを区画形成し、第１レジスト膜パターン（４ａ）を形成する（図４ｂ参照）。
【０００９】
次にフォトプロセス法により、前記第１レジスト膜パターン（４ａ）をマスクとして、遮光層（３）に選択的エッチングし、遮光膜パターン（３ａ）を形成した後、エッチング液、又はエッチング方法を変更して、半透明位相シフト層（２）に、前記遮光膜パターン（３ａ）をマスクとして、エッチングし、半透明位相シフト膜パターン（２ａ）を形成する。次いで、第１レジスト膜パターン（４ａ）を剥膜する。透明基板上には、メインパターン（７）と、アライメントマーク（６）が形成されている（図４ｃ〜ｅ参照）。
【００１０】
前記メインパターンの形成は、高精度に形成された第１レジスト膜パターン（４ａ）をマスクとして、遮光層（３）に選択的エッチングを施す。次いで、遮光膜（３ｂ）をマスクとして、半透明位相シフト層（２）にエッチングを施す。従って、最も高精度に形成される必要がある半透明位相シフトパターン（２ａ）は、遮光膜（３ｂ）のパターン形成精度に影響されるという問題がある。
【００１１】
従来の材料及びフォトプロセス法について説明する。透明基板（１）の材料は、石英、又はガラス等の材料を用いる。半透明位相シフト層（２）の材料は、Ｍｏ・Ｓｉ系の半透明膜である。遮光層（３）の材料は、金属、酸化金属、例えば、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＯ（酸化クロム）である。エッチングの方法は、ウエット又はドライエッチングであり、選択的エッチングは、遮光層（３）用として、硝酸第二セリウムアンモニウムに過塩素酸を混合したウエットエッチング液を用いたウェットエッチング、又は塩素系ガスを用いたドライエッチング等であり、半透明位相シフト層（２）用として、ＣＦ４又はＣ２Ｆ６等のフッ素系ガスを用いたドライエッチング等により順次プロセスを実行し、遮光層（３）と、半透明位相シフト層（２）とを順番にエッチングする。上述したものは、一般的であり、特殊な方法ではない。
【００１２】
次いで、図４（ｆ）では、第２レジスト層を積層する。次に、第２レジスト層に所定の形状にパターンニングして、第２レジスト膜パターンを形成する。描画方法は、前記アライメントマーク（６）で位置合わせをした後、所定の形状のパターンを描画等により露光形成する（図４ｇ参照）。
【００１３】
次にフォトプロセス法により、前記第２レジスト膜パターン（１４ａ）をマスクとして、遮光膜（３ｂ）をエッチングした後、遮光膜パターン（３ａ）を形成する。次いで、第２レジスト膜パターン（１４ａ）を剥膜する（図４ｈ〜ｉ参照）。
【００１４】
図４（ｉ）に示すように、従来のメインパターン配置領域の外側にのみ遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクは完成した。透明基板（１）には、中央部に半透明位相シフト膜パターン（２ａ）からなるメインパターン（７）を配置し、両端部に遮光膜パターン（３ａ）及び半透明位相シフト膜パターン（２ａ）からなるアライメントマーク（６）を配置し、メインパターン配置領域（７０）の外側の周縁部に遮光膜パターン（３ａ）及び半透明位相シフト膜パターン（２ａ）からなる遮光膜帯パターンを配置したレイアウトである。
【００１５】
前述したように、従来の技術では、一般的に、半透明位相シフト膜として、モリブデンシリサイドの化合物（例えば、酸化窒化モリブデンシリサイド：ＭｏＳｉＯｘＮｙ）が用いられ、遮光膜としてクロム（Ｃｒ）が用いられている。フォトプロセス法を用いたパターン図形の区画形成では、モリブデンシリサイドの化合物の膜に比較して、クロム（Ｃｒ）膜はパターン形成の図形の寸法精度が低い。クロム（Ｃｒ）層は、パターンの配置密度の疎密の度合いによってエッチング速度に差が生じるので、データ寸法の正確な再現が困難となる場合がある。
【００１６】
また、図４ｃ〜ｄの工程では、選択的エッチングにより、遮光層（３）にパターンを区画形成し、遮光膜（３ｂ）を形成した後、該遮光膜（３ｂ）をマスクにして、半透明位相シフト膜パターン（２ａ）を形成する。本来、メインパターン（７）は、最も高い精度のパターンが必要であるにもかかわらず、遮光膜（３ｂ）の寸法精度に影響されことが問題点となる。将来展望でも、益々微細化、高密度化へ変化する分野であり、前記問題点を解決することが重要な課題となる。
【００１７】
一方、ハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、精度良くメインパターンを形成する提案や、メインパターン配置領域の外側にのみ遮光膜を設ける製造方法が提案されている（特許文献１、特許文献２参照）。
【００１８】
以下に公知文献を記す。
【特許文献１】特開平８―８２９１６号公報
【特許文献２】特開平８―３３４８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の課題は、遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、半透明位相シフト膜パターンの寸法精度が良好であるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の請求項１に係る発明は、透明基板上に半透明位相シフト膜と遮光膜とを順次、その順番に積層してなるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（ａ）透明基板上に半透明位相シフト層、第１レジスト層を順次、積層する工程と、
（ｂ）第１レジスト層を所定の形状にパターンニングして、必要とするメインパターンとアライメントマークとの光透過パターン部のみが欠落した状態の第１レジスト膜を形成する工程と、
（ｃ）パターンニングされた第１レジスト膜をマスクとして半透明位相シフト層をエッチングによってパターンニングして、必要とするメインパターンとアライメントマークとの光透過パターン部のみが欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
（ｄ）第１レジスト膜を剥離する工程と、
（ｅ）アライメントマーク配置領域より内側であってメインパターン有効領域の全面を覆う遮光層を形成する工程と、
（ｆ）第２レジスト層を積層する工程と、
（ｇ）第２レジスト層を所定の形状にパターンニングして、メインパターン配置領域のみが欠落した状態の第２レジスト膜を形成する工程と、
（ｈ）パターンニングされた第２レジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングによってパターンニングして、メインパターン配置領域のみが欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
（ｉ）第２レジスト膜を剥膜する工程と、
を少なくとも有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【００２１】
上記の（ｅ）において遮光層を形成する場合は、アライメントマーク上に形成しないようにマスキングをして形成するか、もしくは、形成した後、アライメントマーク上の遮光層をエッチングで除去して、アライメントマーク上に遮光層がない状態にする。
【００２２】
本発明の製造方法によれば、透明基板上に単層の半透明位相シフト層が形成され、レジスト膜パターンをマスクにして、半透明位相シフト層をエッチングし、半透明位相シフト膜パターンを形成するため、遮光膜の寸法精度の影響を受けずに半透明位相シフト膜パターンを形成することができ、且つ遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクを製造することができる。すなわち、寸法再現性が良好で、メインパターン配置領域の外側にのみ遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【００２３】
次に、本発明の請求項２に係る発明は、透明基板上に半透明位相シフト膜と遮光膜とを順次、その順番に積層してなるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法であって、遮光帯パターンに異常があった場合に、遮光帯パターンのみを再作製する工程を含む製造方法において、
（ａ）ハーフトーン型位相シフトマスクの遮光膜を選択的に剥離する工程と、
（ｂ）アライメントマーク配置領域以外の遮光に必要な領域を覆う遮光層を形成する工程と、
（ｃ）レジスト層を積層する工程と、
（ｄ）レジスト層を所定の形状にパターンニングして、遮光帯パターンに相当するパターンのみが残存する形状のレジスト膜を形成する工程と、
（ｅ）パターンニングされたレジスト膜をマスクとして遮光層を選択的エッチングする工程と、
（ｆ）レジスト膜を剥膜する工程と、
を少なくとも有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【００２４】
上記の（ｂ）において遮光層を形成する場合は、アライメントマーク上に形成しないようにマスキングをして形成するか、もしくは、形成した後、アライメントマーク上の遮光層をエッチングで除去して、アライメントマーク上に遮光層がない状態にする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の請求項１に係る製造方法によれば、モリブデンシリサイドノの化合物に代表される半透明位相シフト層にパターンニングする際に、クロム等の金属に代表される遮光膜をマスクとせずに、レジストを介して直接に半透明位相シフト層をパターンニングすることにより、半透明位相シフト膜パターンを高精度に形成できる。さらに、パターンの微細化に対応でき、また、パターンの配置密度の疎密差による寸法変動への対応ができるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することができる。
【００２６】
本発明の請求項２に係る製造方法によれば、遮光膜に変更、又は不具合が発生した場合に、遮光膜のみを再作製することができるので、材料や製造工数を無駄にすることなく、
ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
請求項１の発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を一実施形態に基づいて以下説明する。
【００２８】
図１は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を説明する工程図で、側断面図である。図１（ｉ）に示すように、遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板（１）上には、両端部にアライメントマーク（６）と、その内側に遮光帯パターン（５）と、その内側の中央にメインパターン（７）が形成されている。
メインパターン配置領域（７０）には、半透明位相シフト膜パターン（２ａ）からなるメインパターン（７）が形成され、超微細な図形を配置した。また、遮光帯パターン（５）は、主として照射光を遮蔽する目的のパターンである。
【００２９】
次に、本発明の製造方法を以下に具体的に説明する。
【００３０】
図１に示す本発明の遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程において、最初に、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスは、透明基板（１）上に半透明位相シフト層（２）とレジスト層（４）が予め形成されたものを用いる（図１ａ参照）。
【００３１】
次いで、レジスト層（４）にメインパターンとアライメントマークのパターンを区画形成し、第１レジスト膜パターン（４ａ）を形成する（図１ｂ参照）。
【００３２】
次にフォトプロセス法により、前記第１レジスト膜パターン（４ａ）をマスクとして、半透明位相シフト層（２）にエッチングし、半透明位相シフト膜パターン（２ａ）を形成する。次いで、第１レジスト膜パターン（４ａ）を剥膜する。透明基板上には、メインパターン（７）と、アライメントマーク（６）が形成されている（図１ｃ〜ｄ参照）。
【００３３】
以上図１ａ〜ｄの製造工程により、透明基板（１）上には、半透明位相シフト層（２）からなる超微細な図形を高密度に配置したメインパターン（７）が形成された。
【００３４】
本発明の製造方法では、図１（ｃ）に示すように、前記第１レジスト膜パターン（４ａ）をマスクとして、半透明位相シフト層（２）に直接的にエッチングし、半透明位相シフト膜パターン（２ａ）を形成することに特徴がある。
【００３５】
次いで、本発明の製造工程では、アライメントマーク配置領域（６０）以外でメインパターン有効領域（７１）の全面を覆う遮光層（３）を形成する（図１ｅ参照）。第２レジスト層（１４）を積層する（図１ｆ参照）。第２レジスト層（１４）を所定の形状にパターンニングした状態の第２レジスト膜パターン（１４ａ）を形成する（図１ｇ参照）。パターンニングされた第２レジスト膜パターン（１４ａ）をマスクとして遮光層（３）を選択的エッチングによってパターンニングして、遮光膜パターン（３ｂ）を形成する工程と（図１ｈ参照）、第２レジスト膜パターン（１４ａ）を剥膜することによりハーフトーン型位相シフトマスクの製造する製造方法である（図１ｉ参照）。
【００３６】
以上図１ｅ〜ｉの製造工程により、メインパターン（７）が形成された透明基板には、遮光層（３）を配置した遮光帯パターン（５）が形成された。
【００３７】
本発明の製造方法では、遮光層（３）を部分的に選択した領域に形成後、再度、フォトプロセス法により、図１（ｈ）に示すように、前記第２レジスト膜パターン（１４ａ）をマスクとして、遮光層（３）に直接的にエッチングし、遮光膜パターン（３ａ）を形成することに特徴がある。この方法により、工程内での品質監視、例えば、図１（ｄ）でのメインパターン（７）の精度及び不具合の検査が可能となる。
【００３８】
次に、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造に関する説明をする。透明基板は、石英、又はガラス等より形成された材料で、その規定のサイズより選択する。通常は透明基板単独ではなく、その上に予め半透明位相シフト層（２）と、第１レジスト層（４）が積層され、準備されている。半透明位相シフト層（２）の材料は、Ｍｏ・Ｓｉ系を用いて、その膜厚が８０〜１５０ｎｍの範囲で最適化する。第１レジスト層（４）の膜厚は、２００〜５００ｎｍの範囲である。レジストは、種類が多く、最適な材料を選択し、選択した材料に添付した仕様書等に従って用いる。
【００３９】
第１レジスト層（４）へのパターン形成は、電子線描画装置を用いる方法が一般的である。その方法等は公知であり、省略する。次に、フォトプロセス法により、現像、エッチング、剥膜により所定のパターンを区画形成する。露光したレジスト層にアルカリ溶液等の現像液により第１レジスト膜パターンを形成、該第１レジスト膜パターン（４ａ）をマスクとして、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングによりエッチングを行い、半透明位相シフト膜パターン（２ａ）を形成する。
【００４０】
次に、遮光層の形成は、真空蒸着等により行う。形成部分は、予め、透明基板上にレジスト膜を形成、又は遮蔽板等の枠を透明基板上に挟んで形状を規定する方法である。遮光層の（３）の材料は、Ｃｒ（クロム）  、ＣｒＯ（酸化クロム）、ＣｒＮ（窒化クロム）、ＣｒＯＮ（窒化酸化クロム）、又はそれらを積層した複合層を用いて、その膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲である。
【００４１】
第２レジスト層（１４）を積層した後、第２レジスト層（１４）へのパターン形成は、電子線描画装置を用いる方法が一般的である。その方法等は公知であり、省略する。次に、フォトプロセス法により、現像、エッチング、剥膜により所定のパターンを区画形成する。露光したレジスト層にアルカリ溶液等の現像液により第２レジスト膜パターンを形成し、該第２レジスト膜パターン（１４ａ）をマスクとして、硝酸第二セリウムアンモニウムに過塩素酸を混合したウエットエッチング液を用いたウェットエッチング、又は塩素系ガスを用いたドライエッチングによりエッチングを行い、遮光膜パターン（３ａ）を形成する。なお、このとき、半透明位相シフト膜パターン（２ａ）はエッチング剤には影響されない。第１レジスト膜パターン（４ａ）又は第２レジスト膜パターン（１４ａ）の剥膜は、硫酸溶液、又は酸素プラズマを用いる。
【００４２】
次いで、請求項２の発明の、遮光帯パターン（５）に精度不良あるいは不具合が生じた場合におけるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を説明する。図２は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を説明する工程図で、側断面図である。製造工程では、遮光膜パターン（３ａ）を選択的に剥離する（図２ａ参照）。アライメントマーク配置領域以外のメインパターン有効領域（７１）の全面を覆う遮光層（３）を形成する（図２ｂ参照）。第２レジスト層（１４）を積層する（図２ｃ参照）。第２レジスト層（１４）を所定の形状にパターンニングした第２レジスト膜パターン（１４ａ）を形成する（図２ｄ参照）。パターンニングされた第２レジスト膜パターン（１４ａ）をマスクとして遮光層（３）を選択的エッチングによってパターンニングした遮光膜パターン（３ａ）を形成する（図２ｅ参照）。第２レジスト膜パターン（１４ａ）を剥膜することによりハーフトーン型位相シフトマスクを製造する方法である（図２ｆ参照）。
【００４３】
この製造方法では、図２（ａ）以外は、図１ｅ〜ｉと同じものである。図２（ａ）に示す遮光膜パターン（３ａ）の剥離は、硝酸第二セリウムアンモニウムに過塩素酸を混合したウエットエッチング液を用いたウェットエッチングによる、又は塩素系ガスを用いたドライエッチングによる等で剥離する方法である。
【００４４】
図３は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクのパターンの配置の一例を説明する上面図であり、ａは半透明位相シフト層（２）を全面に形成した透明基板で、ｂは半透明位相シフト膜パターン（２ａ）を形成した状態、ｃは遮光層（３）を一部分に形成した状態で、ｄは完成した遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクである。図３（ａ）は、図１（ａ）の第１レジスト層（４）の積層前の状態であり、透明基板の全面に半透明位相シフト層（２）が形成された状態である。図３（ｂ）は、図１（ｄ）の半透明位相シフト膜パターン（２ａ）の状態であり、透明基板上にアライメントマーク（６）及びメインパターン（７）が形成された状態である。図３（ｃ）は、図１（ｅ）の遮光層（３）を形成後の状態であり、透明基板上のメインパターン有効領域（７１）に遮光層（３）が形成された状態である。図３（ｄ）は、図１（ｉ）の状態であり、遮光膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクが形成された状態の上面図である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】請求項１に係る本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を説明する工程図で、側断面図である。
【図２】請求項２に係る本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を説明する工程図で、側断面図である。
【図３】本発明のハーフトーン型位相シフトマスクのパターンの配置の一例を説明する上面図である。
【図４】従来のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を説明する工程図で、側断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…透明基板
２…半透明位相シフト層
２ａ…半透明位相シフト膜パターン
３…遮光層
３ａ…遮光膜パターン
３ｂ…遮光膜
４…第１レジスト層
４ａ…第１レジスト膜パターン
５…遮光帯パターン
６…アライメントマーク
７…メインパターン
１４…第２レジスト層
１４ａ…第２レジスト膜パターン
６０…アライメントマーク配置領域
７０…メインパターン配置領域
７１…メインパターン有効領域
【図１】
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【図２】
2006078727.tif 000004
【図３】
2006078727.tif 000005
【図４】
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