(57)【要約】【課題】高密度電子基板に実装する高密度電子部品の位置決め用の認識マークの配置を工夫することにより、完成品としての高密度電子基板を大型化しないようにした高密度電子基板の製造方法及び集合基板を得る。【解決手段】高密度電子基板２，３に実装される高密度電子部品５０，６０の位置決め用として、各高密度電子部品５０，６０を挟んで両側に設けられる各一対の認識マーク５１ａ，５１ｂ及び６１ａ，６１ｂを、捨て基板４及び捨て基板７ａ，７ｂ上に施し、これらの認識マークを基準に位置決めして高密度電子部品５０，６０を実装するようにした。全電子部品の実装後に、高密度電子基板２，３は集合基板１から切断分離される。【選択図】図１
2006319100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度電子部品が実装される高密度電子基板と、この高密度電子基板に隣接して切り離し可能に設けられた、捨て基板及び／又は電子部品が実装される相取り基板とで集合基板が形成され、電子部品が実装された後に上記集合基板から切り離される高密度電子基板の製造方法において、
上記高密度電子基板に実装される上記高密度電子部品の位置決め用として、上記高密度電子部品を挟んで両側に設けられる一対の認識マークのうち、少なくとも一方を上記捨て基板又は上記相取り基板上に施し、上記認識マークを基準にして位置決めして、上記高密度電子部品を上記高密度電子基板に実装するようにしたことを特徴とする高密度電子基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の高密度電子基板の製造方法において、上記高密度電子部品には属性形状情報として上記高密度電子部品に設ける基準点の位置情報と上記基準点を通る基準線の情報とを備え、上記一対の認識マークを結ぶ連絡線が上記基準点を通るように上記一対の認識マークを配置し、上記一対の認識マークのいずれか一方には属性配置情報として当該認識マークの位置から上記基準点までの距離情報と上記連結線と上記基準線とのなす角度情報とを備え、上記各情報に基づき、上記高密度電子部品を位置決めして上記高密度電子基板上に配置することを特徴とする高密度電子基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の高密度電子基板の製造方法において、平面が矩形状をした上記高密度電子部品の上記属性形状情報として、上記高密度電子部品の対角線の交点を上記基準点の位置とし、上記対角線の一つを上記基準線とすることを特徴とする高密度電子基の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の高密度電子基板の製造方法において、複数の上記高密度電子部品の各一対の認識マークのうち、片方の認識マークを共用させたものが存在することを特徴とする高密度電子基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の高密度電子基板の製造方法において、一対となる上記認識マークは同一形状の認識マークを使用し、複数の上記高密度電子部品にそれぞれ独立して上記一対の認識マークを設けるときは、上記高密度電子部品毎に異なる形状の認識マークを使用することを特徴とする高密度電子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の高密度電子基板の製造方法において、上記高密度電子基板と上記捨て基板又は上記相取り基板との境界線にはＶカット溝又は長穴スリットが形成され、矩形状をした上記高密度電子基板の２つの対辺の内、一方の対辺は上記Ｖカット溝によって上記集合基板と連結され、他方の対辺は上記長穴スリットが設けられていることを特徴とする高密度電子基板の製造方法。
【請求項７】
高密度電子部品が実装される高密度電子基板と、この高密度電子基板に隣接して切り離し可能に設けられた、捨て基板及び／又は電子部品が実装される相取り基板とで形成された集合基板において、
上記高密度電子基板に実装される上記高密度電子部品の位置決め用として、上記高密度電子部品を挟んで両側に設けられる一対の認識マークのうち、少なくとも一方が上記捨て基板又は上記相取り基板上に施されたことを特徴とする集合基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、集合基板上に形成され、高密度電子部品が実装された後に集合基板から切り離される高密度電子基板の製造方法、及びその集合基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像認識された電子部品が、画像認識された認識マークを基準に実装されるプリント基板の製造方法は広く実用されている。例えば、プリント基板上に、電子部品が実装される部品パターンと同時に画像認識されるＩＣマークが形成され、このＩＣマークは、個々の電子部品に対する部品パターン毎に、その位置，姿勢に対応して設けられている技術が開示されている（特許文献１参照）。
また、プリント基板本体に電子部品を実装する際に、電子部品の実装位置周囲に複数の認識マークを設け、それを基準に電子部品を実装した後、例えばシールド部品などの部品を後付けする場合は、後付電子部品の脚部を取り付ける実装スペースの一部に、上記の認識マークを利用することにより省スペースを図る技術が開示されている（特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特許第２５１２８２７号公報（第１頁、第１１図）
【特許文献２】特開２００３−２８３０７４号公報（第２頁、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１によるプリント基板の製造方法の場合は、プリント基板上にＩＣマーク（認識マーク）を施しているために、小型高密度電子基板では認識マークを施すスペースに制限があるので、認識マークを施すが故に製品が大型化するという問題点がある。
また、上記特許文献２によるプリント基板の場合には、シールド部品又は放熱部品等の後付け部品を有するものに対しては省スペースのために有効であるが、後付け部品を持たない高密度電子部品に対しては省スペース手段とはならず、認識マークをプリント基板に配置する分のスペースを必要とするという問題点があった。
【０００５】
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、電子部品の実装後に集合基板から切り離される高密度電子基板の製造方法において、電子部品の位置決め用の認識マークの設置スペースを工夫することにより、完成品としての高密度電子基板を大型化しないようにした高密度電子基板の製造方法及び集合基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明による高密度電子基板の製造方法は、高密度電子部品が実装される高密度電子基板と、この高密度電子基板に隣接して切り離し可能に設けられた、捨て基板及び／又は電子部品が実装される相取り基板とで集合基板が形成され、電子部品が実装された後に集合基板から切り離される高密度電子基板の製造方法において、高密度電子基板に実装される高密度電子部品の位置決め用として、高密度電子部品を挟んで両側に設けられる一対の認識マークのうち、少なくとも一方を捨て基板又は相取り基板上に施し、認識マークを基準にして位置決めして、高密度電子部品を高密度電子基板に実装するようにしたものである。
【０００７】
また、この発明による集合基板は、高密度電子部品が実装される高密度電子基板と、この高密度電子基板に隣接して切り離し可能に設けられた、捨て基板及び／又は電子部品が実装される相取り基板とで形成された集合基板において、高密度電子基板に実装される高密度電子部品の位置決め用として、高密度電子部品を挟んで両側に設けられる一対の認識マークのうち、少なくとも一方が捨て基板又は相取り基板上に施されたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明の高密度電子基板の製造方法、又は集合基板によれば、高密度電子部品の位置決め用として、高密度電子部品を挟んで両側に設けられる一対の認識マークのうち、少なくとも一方を捨て基板又は相取り基板上に施し、その認識マークを基準にして高密度電子部品を高密度電子基板に実装したのち、集合基板から切断分離するようにしたので、完成品状態において切り離される捨て基板又は相取り基板側に認識マークがあるため、高密度電子基板を小型化することができ、また、限られた面積の中で、特に認識マークを必要とする高密度電子部品を数多く搭載することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
以下この発明の第１実施の形態による高密度電子基板の製造方法を、図に基づいて説明する。図１はこの発明の実施の形態１による高密度電子基板を備えた集合基板の平面図である。図のように、集合基板１は２個の高密度電子基板２，３と、捨て基板（中間基板）４と、上側周縁部の捨て基板（上部外側基板）５ａ，５ｂと、下側周縁部の捨て基板（下部外側基板）６ａ，６ｂと、左右周縁部の捨て基板（左右外側基板）７ａ，７ｂとによって構成されている。このうち、捨て基板４，５ａ〜７ｂは、電子部品が実装された後、最終的に切り離されて捨てられるものである。
【００１０】
高密度電子基板２，３と捨て基板４，５ａ〜７ｂとの境界線には、切り離し用のＶカット溝又は長穴スリットが形成されている。高密度電子基板２の側で説明すると、矩形状をした高密度電子基板２の２つの対辺の内、一方の対辺（図では左右）はＶカット溝８によって集合基板１と連結され、他方の対辺（図では上下）は長穴スリット９が設けられている。同様に、高密度電子基板３側にもＶカット溝と長穴スリットが形成されている。ここで、複数個の高密度電子基板が配列される場合、Ｖカット溝を形成する側の対辺と長穴スリットを設ける側の対辺は同じ側としている。
【００１１】
なお、この発明において、集合基板とは、少なくとも１個以上の高密度電子基板と、捨て基板、又は相取り基板（実施の形態２で説明）とを備えたものを指すものとする。
通常は、図のように複数の高密度電子基板を有し、その中間部及び周縁部に捨て基板が形成されたものであり、この内の高密度電子基板は、横方向に配列されたもの以外に、縦方向に配列されたものや、縦横に多数配列されたものでも良い。
【００１２】
次に、高密度電子基板２，３に実装する電子部品について説明する。高密度電子基板２には、位置決め用の認識マーク５１ａ，５１ｂを必要とする、例えばＩＣパッケージ等のような高密度電子部品５０が、図示しない多数の接続ピンを介して半田付けされるようになっている。認識マーク５１ａ，５１ｂは銅箔パターンから成っており、高密度電子基板２に配線パターンを生成するときに同時に生成される。その具体的配置位置や高密度電子部品５０との相互関係については後述する。
更に、高密度電子基板２上には、例えば、高密度に実装される小型集積回路素子、トランジスタ、抵抗、コンデンサ等のような多数の電子部品５２が搭載されるようになっている。
同様に、高密度電子基板３には、位置決め用の認識マーク６１ａ，６１ｂを必要とする高密度電子部品６０と、多数の電子部品６２が実装されるようになっている。
【００１３】
次に、高密度電子部品と認識マークとの関係について説明する。図２は高密度電子部品と認識マークとの配置関係を説明する図である。図において、高密度電子部品４０は図１の高密度電子部品５０又は６０に対応し、認識マーク４１ａ，４１ｂは認識マーク５１ａ，５１ｂ又は６１ａ，６１ｂに対応するものである。一般的に説明するために符号を変えている。
高密度電子部品４０には、基準点Ｐとその基準点Ｐを通る基準線を設け、その基準点Ｐの位置と基準線（方向情報を含む）とを属性形状情報として備えている。通常、高密度電子部品４０は平面から見て矩形形状をしているので、図のように一対の対角線の交点を基準点Ｐとし、対角線の一方を基準線４２とすれば、基準点位置と基準線を簡単に決定することができる。
【００１４】
高密度電子部品４０を挟んでその両側に設ける一対の認識マーク４１ａ，４１ｂを結ぶ連結線４３は基準点Ｐ上を通るように、認識マーク４１ａ，４１ｂの位置を設定する。
認識マークのいずれか一方には、属性配置情報として当該認識マークの位置から基準点Ｐまでの距離情報と基準線と連結線とのなす角度情報とを備えている。例えば、認識マーク４１ａ側を属性配置情報を持つ側とすると、距離情報は、認識マーク４１ａの中心点から基準点Ｐまでの距離Ｌであり、角度情報は基準線（この場合は対角線）４２と連結線４３とのなすαである。
【００１５】
図１に戻り、集合基板１上に施される認識マークの配置位置について説明する。高密度電子部品５０側で説明すると、基準点Ｐは高密度電子部品５０の対角線の交点とし、基準線は一方（右下がり側）の対角線としている。そして、この基準線上に一対の認識マーク５１ａ，５１ｂを結ぶ連絡線が位置するように、認識マーク５１ａ，５１ｂを配置する。このとき、一方の認識マーク５１ａは捨て基板（左外側基板）７ａに、他方の認識マーク５１ｂは捨て基板（中間基板）４上に施される。認識マーク５１ａには、属性配置情報として、認識マーク５１ａの中心点から基準点Ｐまでの距離情報と、連絡線と基準線とのなす角度情報（図１の場合は０度）を備えている。このように、基準線に連絡線を一致させるようにすれば角度情報は常に０度なので、属性配置情報としては距離情報のみを保持すればよい。
高密度電子部品６０側も同様にして、認識マーク６１ａを捨て基板（中間基板）４へ、認識マーク６１ｂを捨て基板（右外側基板）７ｂに配置している。
【００１６】
認識マークの形状は、図１に示すように、一対となる認識マークは同一形状のものを使用する。複数の高密度電子部品があり、それぞれ独立して一対の認識マークを設けるときは、図のように高密度電子部品毎に異なる形状の認識マークを使用するようにしている。
【００１７】
認識マークを必要とする高密度電子部品５０，６０の位置決め基準は以上の通りであるが、それ以外の電子部品５２，６２の位置決めについては、通常、捨て基板（外側基板）のどこかには集合基板１を取り付けるための基準穴が設けられているので、例えば、その基準穴の位置を基準にして位置決めが行われるようになっている。
【００１８】
高密度電子部品５０，６０の実装方法は、例えば、自動部品装着装置（図示せず）により、高密度電子基板２，３上に高密度電子部品５０，６０を装着し、高密度電子部品５０，６０の属性形状情報と、認識マーク５１ａ，５１ｂ及び６１ａ，６１ｂの属性配置情報とに基づき基準点と基準線を定めて位置決めされ、リフロー半田等により半田付けされる。他の電子部品５２，６２も基準穴の位置を基準にして位置決めされ半田付けされる。
全ての部品の実装が完了すれば、集合基板１から高密度電子基板５０，６０を切断分離するため、Ｖカット溝に沿って、捨て基板（中間基板）４及び捨て基板（左右外側基板）７ａ，７ｂを折り曲げて分離する。上下の捨て基板５ａ、５ｂ及び６ａ，６ｂと高密度電子基板２及び３との境界線には、あらかじめ長穴スリットが形成されているので、Ｖカット溝の切断だけで、高密度電子基板２，３を切断分離することができる。
【００１９】
なお、本実施の形態では高密度電子部品の属性形状情報として、対角線の交点と対角線の方向を用いるようにしたが、複雑な外形形状を持つ高密度電子部品の場合は、例えば、基準点に重心点を、基準線に慣性主軸を使用するようにしてもよい。
【００２０】
また、上記の説明では、認識マークの全てをいずれかの捨て基板に設けたが、高密度電子基板にスペースが確保される場合には、一部の認識マークは高密度電子基板の中に設けても良い。
【００２１】
以上のように、本実施の形態の発明によれば、高密度電子基板と捨て基板とからなる集合基板から電子部品が実装された後に切り離される高密度電子基板の製造方法、又はその集合基板において、高密度電子基板に実装される高密度電子部品の位置決め用として、高密度電子部品を挟んで両側に設けられる一対の認識マークのうち、少なくとも一方を捨て基板上に施し、認識マークを基準にして位置決めして高密度電子部品を高密度電子基板に実装するようにしたので、完成品状態において切断され捨てられる捨て基板を有効活用でき、また、高密度電子基板を小型化することができる。更に、限られた基板面積の中で、特に認識マークを必要とする高密度電子部品を数多く搭載することが可能となる。
【００２２】
また、位置決めを必要とする高密度電子部品には、属性形状情報として高密度電子部品に設ける基準点の位置情報と基準点を通る基準線の情報とを備え、一対の認識マークを結ぶ連絡線が基準点を通るように認識マークを配置し、一対の認識マークのいずれか一方には属性配置情報としてその認識マークの位置から基準点までの距離情報と、連結線と基準線とのなす角度情報とを備え、これらの各情報に基づき位置決めするようにしたので、認識マークの配置位置と高密度電子部品の設置位置との関係が単純なルールで規定されて、速やかに位置決めを行うことができると共に、認識マークの配置位置の自由度を高めることができる。
【００２３】
また、平面が矩形状をした高密度電子部品の属性形状情報として、高密度電子部品の対角線の交点を基準点の位置とし、対角線の一つを基準線とするようにしたので、高密度電子部品の形状が矩形形状の場合に、基準点と基準線を簡単に設定することができる。
【００２４】
また、一対となる認識マークは同一形状の認識マークを使用し、複数の高密度電子部品にそれぞれ独立して一対の認識マークを設けるときは、それらの高密度電子部品毎に異なる形状の認識マークを使用するようにしたので、対となる認識マークの組み合わせを容易に判別し特定することができる。
【００２５】
また、高密度電子基板と捨て基板との境界線にはＶカット溝又は長穴スリットが形成され、矩形状をした高密度電子基板の２つの対辺の内、一方の対辺はＶカット溝によって集合基板と連結され、他方の対辺は長穴スリットが設けられているようにしたので、少ない手折り回数で集合基板から高密度電子基板を分離抽出することができる。
【００２６】
実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２による高密度電子基板を備えた集合基板の平面図である。図において、集合基板１０は、一対の高密度電子基板１１，１２と、相取り基板１３と、捨て基板（中間基板）１４ａ，１４ｂと、上側周縁部の捨て基板（上部外側基板）１５ａ，１５ｂと、下側周縁部の捨て基板（下部外側基板）１６ａ，１６ｂと、左右周縁部の捨て基板（左右外側基板）１７ａ，１７ｂとによって構成されており、このうち、各捨て基板１４ａ〜１７ｂは基板に電子部品が実装された後に切り離されて捨てられるものである。
相取り基板１３は、例えば、小型集積回路素子，トランジスタ，抵抗，コンデンサ等の電子部品７０が実装された基板であり、切り離し後も電子基板として使用されるものである。
【００２７】
実施の形態１と同様に、高密度電子基板１１，１２及び相取り基板１３と、各捨て基板１４ａ〜１７ｂとの境界線上には、切り離しのためのＶカット溝と長穴スリットを混在させて設けている。このとき、矩形状の高密度電子基板１１，１２及び相取り基板１３の各２つの対辺の一方をＶカット溝１８に他方を長穴スリット１９，２０になるように揃えている。
【００２８】
高密度電子基板１１，１２には位置決め用の認識マークを必要とする高密度電子部品５３、６３が図示しない多数の接続ピンを介して半田付けされるようになっている。それ以外にも電子部品５２，６２が実装されるが、これらは実施に形態１の図１で説明した電子部品５２，６２と同等なので説明は省略する。
高密度電子部品５３，６３には、基準点Ｐとその基準点Ｐを通る基準線が設けられており、本実施形の態においては、基準点Ｐは矩形状をした高密度電子部品５３の対角線の交点とし、対角線の一方を基準線として属性形状情報として備えている。
【００２９】
高密度電子部品５３の位置決め用の一対の認識マークのうち、一方の認識マーク５４ｂは捨て基板（外側基板）１７ａ上に銅箔パターンによって生成され、他方の認識マーク５４ａは相取り基板１３上に銅箔パターンによって生成されている。両認識マーク５４ａ，５４ｂを結ぶ連結線が高密度電子部品５３の基準線（対角線）と一致するような位置に、両認識マーク５４ａ，５４ｂを配置している。実施の形態１と同様に、一方の認識マークには、属性配置情報として、当該認識マークから基準点Ｐまでの距離情報と連結線と基準線とのなす角度情報（この場合は０度）とを備えている。
高密度電子基板１２側も同様であり、高密度電子部品６３に対応して認識マーク６４ａ，６４ｂが設けられ、多数の電子部品６２が搭載されている。
【００３０】
本実施に形態の特徴とするところは、実施の形態１の図１では捨て基板となっていた中間基板部の一部を、相取り基板１３として活用し、その相取り基板１３上に一対の認識マークの内の一方を設けるようにしたものである。
更に、このとき、相取り基板１３に設ける認識マークは、相取り基板１３に隣接する両側の高密度電子基板１１，１２のそれぞれに実装する高密度電子部品５３，６３の位置決め用の認識マークの片方として共用したものである。
このとき、一対となる認識マークは同一形状の認識マークを使用するようにしているので、共用の認識マークを有する場合は、それら全てを同じ形状の認識マークとする。
【００３１】
認識マークを基準に高密度電子部品を高密度電子基板に実装し、実装後切り離される製造方法は、実施の形態１と同様なので説明を省略する。
【００３２】
以上のように、本実施の形態の発明によれば、高密度電子基板に実装される高密度電子部品の位置決め用として、高密度電子部品を挟んで両側に設けられる一対の認識マークのうち、少なくとも一方を相取り基板上に施し、認識マークを基準にして位置決めし、高密度電子部品を高密度電子基板に実装するようにしたので、実施の形態１の効果に加え、中間基板の一部を電子部品が実装される相取り基板として利用でき、製品完了後に捨てられる部分を少なくして、基板を有効活用することができる。
【００３３】
また、複数の高密度電子部品の各一対の認識マークのうち、片方の認識マークを共用させるようにしたので、認識マークの個数を削減して、速やかに位置決め情報を検索することができる。
【００３４】
実施の形態３．
図４はこの発明の実施の形態３による高密度電子基板を備えた集合基板の平面図である。図において、集合基板２１は、２個の高密度電子基板２２，２３と、捨て基板（中間基板）２４と、上側周縁部の捨て基板（上部外側基板）２５ａ，２５ｂと、下側周縁部の捨て基板（下部外側基板）２６ａ，２６ｂと、左右周縁部の捨て基板（左右外側基板）２７ａ，２７ｂとによって構成されており、このうち、各捨て基板２４〜２７ｂは基板に電子部品が実装された後に切り離され捨てられるものである。
【００３５】
Ｖカット溝２８、長穴スリット２９は実施の形態１で説明した図１の８，９と同等なので説明は省略する。また、以下に説明する高密度電子部品やその他の電子部品、また認識マークの生成方法等も、実施の形態１で説明したものと同等なので細部の説明は省略し、異なる部分を中心に説明する。主な相違点は、１個の高密度電子基板に複数個の高密度電子部品が実装されるようになっている点と、その場合の認識マークの配置である。
【００３６】
高密度電子基板２２には、位置決め用の認識マークを必要とする２個の高密度電子部品５５，５７と、その他の電子部品５２が実装されるようになっている。同様に、高密度電子基板２３には、２個の高密度電子部品６５，６７とその他の電子部品６２が実装されるようになっている。
【００３７】
高密度電子部品５５及び５７の位置決め用の一方の認識マーク５６ａ，５８ａは捨て基板（中間基板）２４上に施され、他方の認識マーク５６ｂ，５８ｂは捨て基板（左外側基板）２７ａ上に施されている。
同様に、高密度電子部品６５及び６７の位置決め用の一方の認識マーク６６ａ，６８ａは捨て基板（中間基板）２４上に施され、他方の認識マーク６６ｂ，６８ｂは捨て基板（右外側基板）２７ｂ上に施されている。ここで、捨て基板（中間基板）２４上に生成される認識マークは、その両隣の高密度電子部品の各一対の認識マークのうち、片方の認識マークを共用させている。そして、一対となる認識マークは同一形状の認識マークを使用するようにしているので、共用場合、図のように３個の認識マークを同一形状としている。また。共用関係がない、別の組の高密度電子部品の認識マークとは異なる形状としている。
【００３８】
なお、共用対象の高密度電子部品は、図のように左右の高密度電子部品の場合以外に、上下２個の高密度電子部品や、４個の高密度電子部品全ての認識マークの片方を共用させて捨て基板（中間基板）２４上に設けることも可能である。また、共用させるものとさせないものを混在させても良い。高密度電子基板に実装する高密度電子部品のサイズ、個数等によって、適宜選択すればよい。
【００３９】
高密度電子部品の基準点Ｐや基準線、また、認識マークと高密度電子部品との関係は、実施の形態１，２と同様なので、説明は省略する。
また、認識マークを基準に高密度電子部品が高密度電子基板に実装され、実装後、Ｖカット溝から切り離されるのも、実施の形態１，２と同様である。
【００４０】
以上のように、本実施の形態の発明によれば、複数個の高密度電子部分を実装した複数個の高密度電子基板と捨て基板とで集合基板が形成され、高密度電子部品の一対の認識マークのうち片方の認識マークを共用させて捨て基板上に施したので、実施の形態１と同様に、捨て基板を有効活用し、認識マークを施すことができ、高密度電子基板を小型化することができる。また、認識マークの個数を削減できる。
更に、認識マークを共用するグループが複数個有る場合、同一グループは同一形状とし、異なるグループでは形状を変えるようにしたので、複数組の認識マークが存在する場合に対となる認識マークを特定するのが容易になり、複数の高密度電子部品に対する位置決め情報が手軽に検索できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明の実施の形態１による高密度電子基板を備えた集合基板の平面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による高密度電子基板の高密度電子部品と認識マークとの関係を説明する図である。
【図３】この発明の実施の形態２による高密度電子基板を備えた集合基板の平面図である。
【図４】この発明の実施の形態３による高密度電子基板を備えた集合基板の平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１，１０，２１  集合基板
２，３，１１，１２、２２，２３  高密度電子基板
４，１４ａ，１４ｂ，２４  捨て基板（中間基板）
５ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂ，２５ａ，２５ｂ  捨て基板（上部外側基板）
６ａ，６ｂ，１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂ  捨て基板（下部外側基板）
７ａ，７ｂ，１７ａ，１７ｂ，２７ａ，２７ｂ  捨て基板（左右外側基板）
８，１８，２８  Ｖカット溝
９，１９，２０、２９  長穴スリット
１３  相取り基板
４０  高密度電子部品
４１ａ，４１ｂ  認識マーク
４２  基準線
４３  連絡線
５０，５３，５５，５７，６０，６３，６５，６７  高密度電子部品
５１ａ，５１ｂ，６１ａ，６１ｂ  認識マーク
５４ａ，５４ｂ，６４ａ，６４ｂ  認識マーク
５６ａ，５６ｂ，５８ａ，５８ｂ，６６ａ，６６ｂ，６８ａ，６８ｂ  認識マーク
Ｐ  基準点
Ｌ  距離情報
α  角度情報。
【図１】
2006319100.tif 000003
【図２】
2006319100.tif 000004
【図３】
2006319100.tif 000005
【図４】
2006319100.tif 000006