(57)【要約】【課題】  電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用正極を提供すること。【解決手段】  ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。【選択図】      図１
2006024913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。
【請求項２】
電流拡散層がボンディングパッドと負極の最短電流流路領域の外側に主に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の透光性正極。
【請求項３】
電流拡散層の一部がボンディングパッドと近接または接続していることを特徴とする請求項１または２に記載の透光性正極。
【請求項４】
電流拡散層の一部が最短電流流路領域内にあるかまたは近接していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の透光性正極。
【請求項５】
コンタクトメタル層が白金族金属またはその合金からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の透光性正極。
【請求項６】
コンタクトメタル層が白金、ロジウム、パラジウム、イリジウムおよびルテニウムからなる群から選ばれた金属またはそれらの金属を含む合金からなることを特徴とする請求項５に記載の透光性正極。
【請求項７】
コンタクトメタル層が白金またはその合金からなることを特徴とする請求項６に記載の透光性正極。
【請求項８】
コンタクトメタル層の厚さが０．１〜７．５ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の透光性正極。
【請求項９】
コンタクトメタル層の厚さが０．１〜５ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の透光性正極。
【請求項１０】
電流拡散層の面積がコンタクトメタル層の面積（ボンディングパッドの領域を除く）の５％〜５０％であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の透光性正極。
【請求項１１】
電流拡散層がコンタクトメタル層と同一材料からなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の透光性正極。
【請求項１２】
電流拡散層が金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、コバルト、白金族金属およびこれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の透光性正極。
【請求項１３】
電流拡散層が金またはその合金からなることを特徴とする請求項１２に記載の透光性正極。
【請求項１４】
基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層がこの順序で積層され、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層に負極および正極がそれぞれ設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、正極が請求項１〜１３のいずれか一項に記載された透光性正極であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項１５】
請求項１４に記載の発光素子を使用したランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は透光性正極、特に窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体発光素子用に適した良好な透光性とオーミック性を有する透光性正極および発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、短波長光発光素子用の半導体材料としてＧａＮ系化合物半導体材料が注目を集めている。ＧａＮ系化合物半導体は、サファイア単結晶を始めとして、種々の酸化物やＩＩＩ−Ｖ族化合物を基板として、その上に有機金属気相化学反応法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等によって形成される。
【０００３】
ＧａＮ系化合物半導体材料の特性として、横方向への電流拡散が小さいことがある。原因は、エピタキシャル結晶中に多く存在する、基板から表面へ貫通する転位の存在であることが考えられるが、詳しいことは判っていない。さらに、ｐ型のＧａＮ系化合物半導体においてはｎ型のＧａＮ系化合物半導体に比べて抵抗率が高くその表面に金属を積層しただけではｐ型半導体層内の横の電流の広がりはほとんど無く、ｐｎ接合を持ったＬＥＤ構造とした場合正極の直下しか発光しない。
【０００４】
そのため、電子線照射や高温のアニールを行なってｐ型半導体層の抵抗率を下げることで電流の拡散性を強めることが行なわれている。しかし、電子線照射は装置が非常に高価で製造コストが見合わなくなる。またウェーハ面内を均一に処理することは難しい。高温のアニール処理においても効果が顕著に現れる為には９００℃以上のプロセスが必要となるがその際ＧａＮの結晶構造の分解が始まり、窒素の脱離による逆方向電圧特性の劣化が危惧される。
【０００５】
また、正極としてｐ型半導体層上にＮｉとＡｕを各々数１０ｎｍ程度積層させ酸素雰囲気下で合金化処理を行い、ｐ型半導体層の低抵抗化の促進および透光性とオーミック性を有した正極の形成を行なうことが提案されている（特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、酸素雰囲気下での合金化処理については露出したｎ型ＧａＮ層の表面に酸化物層が形成され負極のオーミック性に影響を与える。さらに酸化雰囲気合金化処理されたＡｕ／Ｎｉ電極は網目構造を有しており発光むらが起こりやすいことや機械強度が弱く保護膜の設置が必須となり製造コストの上昇につながる。さらにＮｉを酸素雰囲気下で熱処理する為、Ｎｉの酸化物が表面を覆い透光性電極上にパッド電極を形成するとその密着性が弱くボンディング強度が得られない。
【０００７】
また、正極としてｐ型半導体層上にＰｔを形成し酸素を含む雰囲気中で熱処理し、ｐ型半導体層の低抵抗化と合金化処理を同時に行なうことが提案されている（特許文献２）。しかし、この方法も酸素雰囲気下で熱処理するため、上述の問題を有する。さらに、Ｐｔ単体で良好な透明電極とするためには相当薄く（５ｎｍ以下）しなければならないが、結果としてＰｔ層の電気抵抗が高くなり、熱処理によりＰｔ層の低抵抗化が成されたとしても電流の広がりが悪く、不均一な発光となり順方向電圧（ＶＦ）の上昇および発光強度の低下を招く。
【０００８】
【特許文献１】特許第２８０３７４２号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６６０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、上述の問題点を解決する為に、電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極を提供することである。本発明において透光性とは、３００〜６００ｎｍの波長領域における光に対して透光性（透過率２０％以上）であることを意味する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、以下の発明を提供する。
（１）ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。
【００１１】
（２）電流拡散層がボンディングパッドと負極の最短電流流路領域の外側に主に配置されていることを特徴とする上記１項に記載の透光性正極。
（３）電流拡散層の一部がボンディングパッドと近接または接続していることを特徴とする上記１または２項に記載の透光性正極。
【００１２】
（４）電流拡散層の一部が最短電流流路領域内にあるかまたは近接していることを特徴とする上記１〜３項のいずれか一項に記載の透光性正極。
【００１３】
（５）コンタクトメタル層が白金族金属またはその合金からなることを特徴とする上記１〜４項のいずれか一項に記載の透光性正極。
【００１４】
（６）コンタクトメタル層が白金、ロジウム、パラジウム、イリジウムおよびルテニウムからなる群から選ばれた金属またはそれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなることを特徴とする上記５項に記載の透光性正極。
【００１５】
（７）コンタクトメタル層が白金またはその合金からなることを特徴とする上記６項に記載の透光性正極。
【００１６】
（８）コンタクトメタル層の厚さが０．１〜７．５ｎｍであることを特徴とする上記１〜７項のいずれか一項に記載の透光性正極。
【００１７】
（９）コンタクトメタル層の厚さが０．１〜５ｎｍであることを特徴とする上記８項に記載の透光性正極。
【００１８】
（１０）電流拡散層の面積がコンタクトメタル層の面積（ボンディングパッドの領域を除く）の５％〜５０％であることを特徴とする上記１〜９項のいずれか一項に記載の透光性正極。
【００１９】
（１１）電流拡散層がコンタクトメタル層と同一材料からなることを特徴とする上記１〜１０項のいずれか一項に記載の透光性正極。
【００２０】
（１２）電流拡散層が金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、コバルト、白金族金属およびこれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなる群から選ばれることを特徴とする上記１〜１１項のいずれか一項に記載の透光性正極。
【００２１】
（１３）電流拡散層が金またはその合金からなることを特徴とする上記１２項に記載の透光性正極。
（１４）基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層がこの順序で積層され、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層に負極および正極がそれぞれ設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、正極が請求項１〜１３のいずれか一項に記載された透光性正極であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【００２２】
（１５）請求項１４に記載の発光素子を使用したランプ。
【発明の効果】
【００２３】
ｐ型ＧａＮ系化合物半導体と接触抵抗の低い金属、例えば白金族金属の薄膜をコンタクトメタル層とし、そのコンタクトメタル層上において電流の拡散が不十分な領域に電流拡散層を設けた本発明の透光性正極は、正極の面方向での電流の拡がりが改良される。また、電流の拡散が十分な領域のコンタクトメタル層は薄膜の状態を維持することで輝度の低下が抑えられる。その結果、順方向電圧（ＶＦ値）が低くかつ高輝度の発光素子の製造が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本発明の透光性正極を有する発光素子の一例の平面構造を示した模式図である。また、図２は図１の中心線Ａ−Ｂで切断した断面構造を模式的に示した図である。１１がコンタクトメタル層、１２（１２１〜１２３）が電流拡散層、１３がボンディングパッドであり、１１〜１３が本発明の透光性正極１０を構成している。最短電流流路領域を斜線部３０で示してある。１は基板である。２はＧａＮ系化合物半導体層であり、ｎ型半導体層３、発光層４およびｐ型半導体層５から構成される。６はバッファ層であり、２０は負極である。
【００２５】
コンタクトメタル層に要求される性能としては、ｐ型半導体層との接触抵抗が小さいことは必須である。さらに、発光層からの光を電極面側より取り出すフェイスアップマウント型の発光素子にあっては優れた光透過性が要求される。
【００２６】
コンタクトメタル層の材料はｐ型半導体層との接触抵抗の観点から、白金族金属またはその合金が好ましい。白金族金属としては白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）が好ましい。これらの中でもＰｔは、仕事関数が高く、高温熱処理を施していない比較的高抵抗なｐ型ＧａＮ系化合物半導体層に対して非加熱で良好なオーミック接触を得ることが可能なので、特に好ましい。
【００２７】
コンタクトメタル層を白金族金属で構成した場合、光透過性の観点から、その厚さを非常に薄くすることが必要である。コンタクトメタル層の厚さは、０．１〜７．５ｎｍの範囲が好ましい。０．１ｎｍ未満では安定した薄層が得られ難い。７．５ｎｍを超えると透光性が低下する。０．１〜５ｎｍがさらに好ましい。また、その後の電流拡散層の形成による輝度の低下と成膜の安定性を考慮すると、０．５〜２．５ｎｍの範囲が特に好ましい。
【００２８】
しかし、コンタクトメタル層の厚さを薄くすることでコンタクトメタル層の面方向の電気抵抗が高くなり、かつ比較的高抵抗なｐ型半導体層とあいまって、電流注入部であるボンディングパッドの周辺部および最短電流流路領域のみに集中して電流が拡がり、結果として発光素子周辺部への電流の広がりが不十分となり不均一な発光パターンとなって、発光出力が低下する。
【００２９】
本発明において最短電流流路領域とは、電流注入部であるボンディングパッドおよび負極の両者の外周に接する２本の直線（図１における３１および３２）に挟まれるコンタクトメタル層上の領域（図１における３０）のことであり、ボンディングパッドから負極へ向う最短電流流路をコンタクトメタル層へ投影した領域である。この領域は正極から負極への電流の流れやすい領域、すなわち電流拡散の十分な領域である。
【００３０】
そこで、コンタクトメタル層の電流拡散性を補う手段として、導電率がコンタクトメタル層以上の金属膜からなる電流拡散層をコンタクトメタル層上に適切に配置することにより、コンタクトメタル層例えば白金族金属の低接触抵抗性や光透過率を大きく損なうことなく電流を均一に広げることが可能となり、結果として発光出力の高い発光素子を得ることが出来る。
【００３１】
電流拡散層を設ける目的は電流拡散の十分な領域（最短電流流路領域）から不十分な領域へ電流を導くことである。従って、電流拡散層は主に最短電流流路領域の外側に配置され、その一部がボンディングパッドおよび／または最短電流流路領域に接続または近接していることが好ましい。その結果、ボンディングパッドおよび／または最短電流流路領域から電流拡散層を経由して発光素子の周辺部にまで電流が十分拡散する。
本発明において、「主に」とは電流拡散層面積の５０％以上が最短電流流路領域の外側に配置されていることを意味し、「近接して」とはボンディングパッドおよび／または最短電流流路領域から３０μｍ以内を意味する。
【００３２】
電流拡散層がボンディングパッドに直接接続していることは必ずしも必要ではなく、電流拡散の十分な領域に対して近接もしくは接続していれば良い。これにより電流拡散層の面積は低く抑えることが可能となり、電流拡散層による発光の取り出し効率の低下を最小限に抑えることが出来る。
【００３３】
図１に示した例では、２本の電流拡散層１２１および１２２が最短電流流路領域３０の外側の発光素子周辺部に設けられ、それらの中央部を繋ぐ電流拡散層１２３が設けられており、電流拡散層１２３の一部が最短電流流路領域３０内にある。電流は、最短電流流路領域３０から電流拡散層１２３を経由して電流拡散層１２１および１２２に流れ、発光素子周辺部に十分拡散する。
【００３４】
電流拡散層の別の一例を図３に示す。図３では、図１における電流拡散層１２３の替わりに、ボンディングパッド１３が設けてある辺に沿って電流拡散層１２４および１２５が設けられ、それらの一端は電流拡散層１２１および１２２に接続しており、他端はボンディングパッド１３に近接している。電流は、ボンディングパッド１３から電流拡散層１２４および１２５を経由して電流拡散層１２１および１２２に流れ、発光素子周辺部に十分拡散する。
【００３５】
図１および図３はボンディングパッドと負極が発光素子の対向する辺の中央部に設けられている例であるが、ボンディングパッドと負極は発光素子の対角線上のコーナーに設けることもできる。図４および図５はその一例である。
【００３６】
図４では、負極およびボンディングパッドの無い隅部を挟んで発光素子周辺部に沿った２本の電流拡散層１２１および１２２が最短電流流路領域３０の外側に設けられ、更にそれらの隅部を繋ぐ電流拡散層１２３が設けられ、電流拡散層１２３の一部が最短電流流路領域３０内にある。電流は、最短電流流路領域３０から電流拡散層１２３を経由して電流拡散層１２１および１２２に流れ、発光素子周辺部に十分拡散する。
【００３７】
図５では、図４における電流拡散層１２３の替わりに、正方形のボンディングパッド１３の辺に近接して電流拡散層１２４および１２５が設けられ、それぞれの一端は電流拡散層１２１および１２２に接続している。電流は、ボンディングパッド１３から電流拡散層１２４および１２５を経由して電流拡散層１２１および１２２に流れ、発光素子周辺部に十分拡散する。
【００３８】
一般に電流拡散層は光を十分透過しないので、その存在によって当然光透過率は低下する。従って、電流拡散層の面積はなるべく小さいほうが良いのであるが、あまり小さくしすぎると電流の拡散が不十分になる。光透過率および電流拡散両者の兼ね合いから、電流拡散層の面積はコンタクトメタル層（ボンディングパッドの領域を除く）の面積の５％〜５０％が好ましい。１０％〜４０％がさらに好ましく、１０％〜３０％が特に好ましい。
【００３９】
上記面積を満足すれば、電流拡散層の形状は如何なる形状でもよい。例えば、幅が５μｍ〜３０μｍで適当な長さの矩形状の電流拡散層を適宜組み合せて用いることができる。
【００４０】
電流拡散層の厚さは特に制限されない。金属材料の場合、一般的に膜厚の増加に伴って光透過率は減少し、シート抵抗は低下する。高光透過率と低抵抗化による電流の拡散効果を両立させる為には５〜１０ｎｍの範囲とするのが好ましい。その結果、全面で発光し、かつ高出力な発光が得られる。
【００４１】
また、電流拡散層の膜厚を厚くしてよりシート抵抗を低下させた場合、電流拡散層の前記面積をより小さくすることで同様な効果が得られる。
【００４２】
電流拡散層の材料は、導電率の高い金属、例えばアルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、鉄、コバルト、白金族金属およびこれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなる群から選ばれた金属が好ましい。これらの中でもアルミニウム、金、銀および銅が好ましい。特に、金またはその合金が好ましい。また、コンタクトメタル層と同一材料であっても良い。
【００４３】
コンタクトメタル層および電流拡散層の成膜方法については、特に制限されることはなく公知の真空蒸着法やスパッタ法を用いることができる。
【００４４】
ボンディングパッドについては、各種の材料を用いた各種の構造のものが知られており、これら公知のものを特に制限されることなく用いることが出来る。但し、コンタクトメタル層との密着性の良い材料を用いることが望ましく、厚さはボンディング時の応力に対してコンタクトメタル層へダメージを与えないよう十分厚くする必要がある。また最表層はボンディングボールとの密着性の良い材料とすることが望ましい。
【００４５】
本発明の透光性正極は、図２に示したような、基板上にバッファ層を介して窒化ガリウム系化合物半導体を積層し、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を形成した従来公知の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に何ら制限無く用いることができる。
【００４６】
基板には、サファイア単結晶（Ａｌ2Ｏ3；Ａ面、Ｃ面、Ｍ面、Ｒ面）、スピネル単結晶（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、ＺｎＯ単結晶、ＬｉＡｌＯ2単結晶、ＬｉＧａＯ2単結晶、ＭｇＯ単結晶などの酸化物単結晶、Ｓｉ単結晶、ＳｉＣ単結晶、ＧａＡｓ単結晶、ＡｌＮ単結晶、ＧａＮ単結晶およびＺｒＢ2などのホウ化物単結晶などの公知の基板材料を何ら制限なく用いることができる。なお、基板の面方位は特に限定されない。また、ジャスト基板でも良いしオフ角を付与した基板であっても良い。
【００４７】
ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層は各種構造のものが周知であり、これら周知のものを何ら制限なく用いることができる。特にｐ型半導体層のキャリア濃度は一般的な濃度のものを用いるが、比較的キャリア濃度の低い、例えば１×１０17ｃｍ-3程度のｐ型半導体層にも本発明の透光性正極は適用できる。
【００４８】
それらを構成する窒化ガリウム系化合物半導体としても、一般式ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体が周知であり、本発明におけるｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を構成する窒化ガリウム系化合物半導体としても、一般式ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体を何ら制限なく用いることができる。
【００４９】
これらの窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は特に限定されず、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、などＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることが知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法としては、膜厚制御性、量産性の観点からＭＯＣＶＤ法である。ＭＯＣＶＤ法では、キャリアガスとして水素（Ｈ2）または窒素（Ｎ2）、ＩＩＩ族原料であるＧａ源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ）、Ｉｎ源としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）またはトリエチルインジウム（ＴＥＩ）、Ｖ族原料であるＮ源としてアンモニア（ＮＨ3）、ヒドラジン（Ｎ2Ｈ4）などが用いられる。また、ドーパントとしては、ｎ型にはＳｉ原料としてモノシラン（ＳｉＨ4）またはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を、Ｇｅ原料としてゲルマン（ＧｅＨ4）を用い、ｐ型にはＭｇ原料としては例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＥｔＣｐ）2Ｍｇ）を用いることができる。
【００５０】
基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層が順次積層された窒化ガリウム系化合物半導体のｎ型半導体層に接して負極を形成するために、発光層およびｐ型半導体層の一部を除去して、ｎ型半導体層を露出させる。その後残したｐ型半導体層上に本発明の透光性正極を形成し、露出させたｎ型半導体層上に負極を形成する。負極としては、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができる。
【実施例】
【００５１】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
【００５２】
（実施例１）
図６は本実施例で作製した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の平面構造を示した模式図であり、図７は図６の中心線Ａ−Ｂで切断した断面構造を示した模式図である。サファイアからなる基板（１）上に、ＡｌＮからなるバッファ層（６）を介して、厚さ３μｍのアンドープＧａＮからなる下地層（３ａ）、厚さ２μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層（３ｂ）、厚さ０．０３μｍのｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層（３ｃ）、厚さ０．０３μｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ２．５ｎｍのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ井戸層を５回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層（４）、厚さ０．０５μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層（５ａ）、厚さ０．１５μｍのＭｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層（５ｂ）を順に積層した窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型ＧａＮコンタクト層上に、厚さ１．５ｎｍのＰｔコンタクトメタル層（１１）、厚さ５ｎｍのＡｕ電流拡散層（１２）およびＡｕ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ５層構造（厚さはそれぞれ５０／２０／１０／１００／２００ｎｍ）のボンディングパッド（１３）よりなる本発明の正極（１０）を形成した。次にｎ型ＧａＮコンタクト層上にＴｉ／Ａｕの二層構造の負極（２０）を形成し、光取り出し面を半導体側とした発光素子である。正極および負極の形状は図６に示したとおりである。
【００５３】
この構造において、ｎ型ＧａＮコンタクト層のキャリア濃度は１×１０19ｃｍ-3であり、ＧａＮ障壁層のＳｉドープ量は１×１０18ｃｍ-3であり、ｐ型ＧａＮコンタクト層のキャリア濃度は５×１０18ｃｍ-3であり、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層のＭｇドープ量は５×１０19ｃｍ-3であった。
【００５４】
窒化ガリウム系化合物半導体層の積層は、ＭＯＣＶＤ法により、当該技術分野においてよく知られた通常の条件で行なった。また、正極および負極は次の手順で形成した。
【００５５】
初めに反応性イオンエッチング法によって負極を形成する部分のｎ型ＧａＮコンタクト層を下記手順により露出させた。
【００５６】
まず、エッチングマスクをｐ型半導体層上に形成した。形成手順は以下の通りである。レジストを全面に一様に塗布した後、公知のリソグラフィー技術を用いて、正極領域からレジストを除去した。真空蒸着装置内にセットして、圧力４×１０-4Ｐａ以下でＮｉおよびＴｉをエレクトロンビーム法により膜厚がそれぞれ約５０ｎｍおよび３００ｎｍとなるように積層した。その後リフトオフ技術により、正極領域以外の金属膜（ＮｉおよびＴｉ）をレジストとともに除去した。
【００５７】
次いで、反応性イオンエッチング装置のエッチング室内の電極上に半導体積層基板を載置し、エッチング室を１０-4Ｐａに減圧した後、エッチングガスとしてＣｌ2を供給してｎ型ＧａＮコンタクト層が露出するまでエッチングした。エッチング後、反応性イオンエッチング装置より取り出し、上記エッチングマスクを硝酸およびフッ酸により除去した。
【００５８】
次に、公知のフォトリソグラフィー技術及びリフトオフ技術を用いて、ｐ型ＧａＮコンタクト層上の正極を形成する領域にのみ、Ｐｔからなるコンタクトメタル層を真空蒸着法で形成した。引き続き同様の手法で、図６に示した様に１辺が３５０μｍの正方形の発光素子の相対する２辺に沿った、幅２０μｍ、長さ３００μｍの長方形の電流拡散層１２１および１２２と、それらの中央部を繋ぐ幅２０μｍ、長さ２６０μｍの長方形の電流拡散層１２３とで構成されるＨ型のＡｕからなる電流拡散層を形成した。さらに同様な手法でコンタクトメタル層上の一部にＡｕからなる第１の層、Ｔｉからなる第２の層、Ａｌからなる第３の層、Ｔｉからなる第４の層、Ａｕからなる第５の層を順に積層し、ボンディングパッドを形成した。このようにしてｐ型ＧａＮコンタクト層上に、本発明の正極を形成した。
【００５９】
次に、露出したｎ型ＧａＮコンタクト層上に負極を以下の手順により形成した。レジストを全面に一様に塗布した後、公知リソグラフィー技術を用いて、露出したｎ型ＧａＮコンタクト層上の負極形成部分からレジストを除去して、通常用いられる真空蒸着法で半導体側から順にＴｉが１００ｎｍ、Ａｕが２００ｎｍよりなる負極を形成した。その後レジストを公知の方法で除去した。
【００６０】
このようにして正極および負極を形成したウエーハを、基板裏面を研削・研磨することにより８０μｍまで基板の板厚を薄くして、レーザスクライバを用いて半導体積層側から罫書き線を入れたあと、押し割って、３５０μｍ角のチップに切断した。続いてこれらのチップをプローブ針による通電で電流印加値２０ｍＡにおける順方向電圧の測定をしたところ２．９Ｖであった。
【００６１】
その後、ＴＯ−１８缶パッケージに実装してテスターによって発光出力を計測したところ印加電流２０ｍＡにおける発光出力は４ｍＷを示した。またその発光面の発光分布は正極上の全面で発光しているのが確認できた。
【００６２】
（実施例２）
本実施例では、図６における電流拡散層１２（１２３）の替わりに、図８に示した如く、ボンディングパッド１３が存在する辺に沿って、幅４５μｍ、長さ６０μｍの長方形の電流拡散層１２（１２４）および１２（１２５）をそれぞれ電流拡散層１２（１２１）および１２（１２２）に接続して設けた以外は実施例１と同様な方法で窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。実施例１と同様にこの発光素子の順方向電圧及び発光出力を測定したところ、それぞれ２．９Ｖ及び４．０ｍＷで実施例１と同様であった。またその発光面の発光分布についても実施例１と同様に正極上の全面で発光しているのが確認できた。
【００６３】
（比較例１）
電流拡散層を設けないこと以外は、実施例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。この発光素子の順方向電圧及び発光出力を実施例１と同様に測定したところ、それぞれ３．１Ｖ及び３．７ｍＷであった。その発光面を観察すると正極上の発光がボンディングパッド周辺およびボンディングパッドから負極に通ずる線上の最短電流流路領域を中心とした部分にのみ限定されていた。
この原因はコンタクトメタル層の面方向の電気抵抗が高くコンタクトメタル層上全体に電流が広がらなかったことが推察される。
【００６４】
（比較例２）
電流拡散層を設けずに、コンタクトメタル層の厚さを１２ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製した。この発光素子の順方向電圧及び発光出力を実施例１と同様に測定したところ、それぞれ２．９Ｖ及び３．０ｍＷであった。その発光面を観察すると実施例１と同様に全面で発光が確認されたが、コンタクトメタル層を厚くしたために光透過率が低下し、結果として発光出力が低下した。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明によって提供される窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用正極は、透光型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の正極として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の発光素子の一例の平面構造を示した模式図である。
【図２】図１の中心線Ａ−Ｂで切断した断面構造を示した模式図である。
【図３】本発明の発光素子の別の一例の平面構造を示した模式図である。
【図４】本発明の発光素子の別の一例の平面構造を示した模式図である。
【図５】本発明の発光素子の別の一例の平面構造を示した模式図である。
【図６】実施例１で作製した発光素子の平面構造を示した模式図である。
【図７】図６の中心線Ａ−Ｂで切断した断面構造を示した模式図である。
【図８】実施例２で作製した発光素子の平面構造を示した模式図である。
【符号の説明】
【００６７】
１    基板
２    ＧａＮ系化合物半導体層
３    ｎ型半導体層
４    発光層
５    ｐ型半導体層
６    バッファ層
１０    正極
１１    コンタクトメタル層
１２    電流拡散層
１３    ボンディングパッド
２０    負極
３０    最短電流流路領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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