(57)【要約】【課題】半導体物質を溶解させた溶液中に発生する再結晶化物などの固形物を成長室に流入するのを防止して、異常成長を防止する。【解決手段】液相エピタキシャル成長装置は、基板４を格納して基板４に液相エピタキシャル成長させる成長室２と、半導体物質を溶解させた溶液６を格納する溶液室３と、溶液室３から成長室２に溶液６が流れる経路と、溶液６を溶液室３から前記経路を通して成長室２に送り込む溶液送り手段７、８とを有する成長ボート１を備える。さらに、溶液室３内に溶液６中に発生する結晶化した固形物が溶液６とともに越流部１３に流れ出るのを防ぐ仕切り板９を越流部１３に近接して設けている。【選択図】  図１
2006173192.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を格納して該基板表面で液相エピタキシャル成長を行わせる成長室と、この成長室と越流部を介して配設され、半導体物質を溶解させた溶液を収容する溶液室と、この溶液室から前記溶液を前記越流部に溢出させて前記成長室に送り込む溶液送り手段とを有する成長ボートを備えた液相エピタキシャル成長装置において、
前記溶液室内に、前記溶液中に発生する結晶化した固形物が該溶液とともに前記越流部に流れ出るのを防ぐ濾過手段が、前記越流部に近接して設けられたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
【請求項２】
前記濾過手段は、前記溶液の液面より上部が突出する一方溶液室の底部において溶液の潜流路を確保する状態で溶液内に浸漬された阻止部材からなることを特徴とする請求項１に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項３】
前記溶液室の底面に、前記潜流路の入口に向かって開口し、潜流路に流入する溶液から沈殿する前記固形物を捕捉する固形物捕捉部が設けられた請求項２に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項４】
前記阻止部材は仕切り板であることを特徴とする請求項２または３に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項５】
前記仕切り板は、前記越流部に連なる溶液室の壁面と対向する側面に、該壁面と当接し該壁面との間に前記溶液の流路を確保するためのスペーサが設けられたものである請求項４に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項６】
前記仕切り板は、前記側面に、前記流路を通過する前記溶液内に漏出した前記固形物を遮蔽する遮蔽部が設けられたものである請求項５に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項７】
前記潜流路は、前記仕切り板の下端と前記溶液室の底面との間に確保されてなる請求項２から請求項６のいずれか一に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項８】
前記潜流路は、前記溶液室の底面と接する前記仕切り板の下端近傍に位置するよう該仕切り板に開口された開口部により確保されてなる請求項２から請求項６のいずれか一に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項９】
前記溶液送り手段は、前記溶液室内において前記濾過手段に対して進退可能に設けられたピストンと、このピストンの進退を操作する操作棒からなる請求項２に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項１０】
前記成長室と前記溶液室とが水平に並設されてなる請求項１から９のいずれか一に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項１１】
前記成長室が、前記越流部を介して前記溶液室の上方に設けられてなる請求項１から９のいずれか一に記載の液相エピタキシャル成長装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一に記載の液相エピタキシャル成長装置を用いた液相エピタキシャル成長方法であって、
前記溶液を前記溶液室から前記成長室へ送り込む際の溶液送り込み速度を、液相エピタキシャル成長時に前記基板の表面において異常成長部が形成されるのを最小限に抑制する速度としたことを特徴とする液相エピタキシャル成長方法。
【請求項１３】
前記溶液送り込み速度は、５００mm3／分以上６００mm3／分未満としたことを特徴とする請求項１２に記載の液相エピタキシャル成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオードなどの半導体素子の製造に用いられる液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法に関し、特に結晶の異常成長部の発生を低減しうる液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液相エピタキシャル成長装置は、例えば発光ダイオードのような半導体素子の製造に使用されており、溶解させたＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）などの半導体物質の溶液を基板に接触させ、基板表面に結晶を析出させて成長させる液相エピタキシャル成長を行うものである。
【０００３】
上記液相エピタキシャル成長装置としては、黒鉛製の成長ボートと、この成長ボートを収容する炉芯管とを備えたものがある。成長ボートは、半導体物質を溶解させた溶液を収容するための溶液室と、溶液室の溶液を基板に接触させて基板表面に液相エピタキシャル成長を行わせる成長室とを備えている。
【０００４】
上記の成長ボートとしては、溶液室と成長室を上下に配置したタイプ（例えば、特許文献１参照）と、溶液室と成長室を左右に配置したタイプ（例えば、特許文献２参照）とがある。このうち左右に配置したタイプの成長ボートは、上下に配置したタイプのものより成長ボートの高さを低くできるため、装置を小型化できる利点がある。
【０００５】
図１０は、溶液室と成長室を左右に配置したタイプの従来の液相エピタキシャル成長装置における成長ボートの概略断面図である。
【０００６】
この図に示すように、成長ボート３１は、半導体物質を溶解させた溶液３６を収容する溶液室３３と、基板３４を格納して基板３４に溶液３６を接触させて基板３４の表面に液相エピタキシャル成長を行わせる成長室３２と、溶液３６を溶液室３３から成長室３２に送り込むためのピストン３７と、ピストン３７を操作するために石英製操作棒３８とを備えたものである。成長室３２と溶液室３３は、各室の周壁よりも低い隔壁３９を介して水平に配置されている。成長室３２の内部には、その長手方向に沿って複数の基板保持具３５が並設されており、これら基板保持具３５によって複数の基板３４が立設状態で保持されるようになっている。
【０００７】
次に、上記従来の液相エピタキシャル成長装置を用いて、例えばＧａＡｓの液相エピタキシャル成長を行う方法について説明する。
【０００８】
まず、成長室３２にＧａＡｓ基板３４を基板保持具３５により立設状態に保持させる一方、溶液室３３に材料であるＧａ（ガリウム）とＧａＡｓ多結晶とドーパントとなるＳｉ（シリコン）とを入れ、成長ボート３１を、図示しない炉芯管内にセットする。
【０００９】
次に、炉芯管を昇温し成長ボート３１を９４０℃まで加熱し、その温度を保持する。これにより、溶液室３３内の材料が溶解して、ＧａＡｓの飽和溶液３６が生成される。
【００１０】
続いて、溶液３６を冷却速度２．０℃／分で約９３５℃まで冷却した後、石英製操作棒３８を操作してピストン３７を成長室３２に向けて押し込む。このピストン３７の押し込みにより、溶液室３３の容積が減少するため、溶液３６は成長室３２と溶液室３３との間の隔壁３９の上端を図中矢符Ａで示すように越流し、成長室３２に流れ込み、基板３４に溶液３６が接触して液晶エピタキシャル成長が開始することとなる。
【００１１】
その後、成長ボート３１を冷却速度２．０℃／分で６００℃になるまで冷却し、液相エピタキシャル成長を完遂させる。
【特許文献１】特開平４−１９８０８８号公報（第３頁、図１）
【特許文献２】特開２０００−７２５９２号公報（第１頁、第２頁、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、上記した溶液３６中には、溶液３６がＧａＡｓの飽和溶液となっているために溶液３６中のＧａＡｓが結晶化して生成される固形物や、溶液３６を約９４０℃から約９３５℃に冷却するときに発生する再結晶化物、また、溶液室３３の壁面に残存する不純物や炉芯管に充填された気体中の不純物が原因で生じる固形物などが不可避的に存在している。これらの固形物は、通常、溶液３６よりも比重が小さいことから、溶液３６の液面部に偏在している。
【００１３】
ここで、上記従来の液相エピタキシャル成長装置では、溶液室３３から溶液３６を隔壁３９を越流させて成長室３２に送り込むため、溶液３６はその液面部から先に成長室３２に流れ込むが、溶液３６の液面部には、上記したように各種の固形物が偏在することから、これら固形物も溶液３６と一緒に成長室３２に流れ込むこととなる。
【００１４】
このように、固形物を含む溶液３６が成長室３２に流れ込むと、基板３４の表面にそれら固形物が付着することとなり、この付着した固形物が結晶の異常成長の起点となって液相エピタキシャル成長が阻害され、成長後の基板３４の膜厚が一定でなくなる。このような事態が生じると、得られた基板３４の電気的特性が不安定になるだけでなく、機械的強度も弱くなってしまうために、半導体素子の製造時においてアルミニウム蒸着法などにより電極を形成する電極形成工程や電力損失を減らす目的でウエハを薄くする厚み加工工程で基板３４が割れるといった不都合を招来し、このため歩留まりが低下するといった問題があった。
【００１５】
本発明は、上記問題点を解決するもので、溶液中に不可避的に発生する上記固形物を成長室３２に流入させない構造とすることで、結晶の異常成長の発生を低減した液相エピタキシャル成長装置及び液相エピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明の液相エピタキシャル成長装置は、基板を格納して該基板表面で液相エピタキシャル成長を行わせる成長室と、この成長室と越流部を介して配設され、半導体物質を溶解させた溶液を収容する溶液室と、この溶液室から前記溶液を前記越流部に溢出させて前記成長室に送り込む溶液送り手段とを有する成長ボートを備えた液相エピタキシャル成長装置において、前記溶液室内に、前記溶液中に不可避的に発生する固形物が該溶液とともに前記越流部に流れ出るのを防ぐ濾過手段が、前記越流部に近接して設けられたことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明によれば、濾過手段が越流部に近接して設けられているから、溶液の液面部に偏在する固形物が濾過手段により濾過され、成長室に固形物が溶液とともに流れ込むのが防止される。この結果、成長室内に格納された基板の表面に固形物が付着することがほぼなくなり、固形物を起点とする結晶の異常成長がほとんど発生しなくなる。
【００１８】
ここで、上記濾過手段は、溶液の液面より上部が突出する一方溶液室の底部において溶液の潜流路を確保する状態で溶液内に浸漬された阻止部材からなるものであってもよい。
【００１９】
このような阻止部材であると、その上部が溶液の液面より上部に突出しているため、成長室への溶液の送り込みの際、溶液の液面部に偏在する固形物が阻止部材の上部で阻止される一方、溶液は、固形物を含まない底部の方から成長室に送り込まれることになる。
【００２０】
また、上記溶液室には、その底面に、潜流路の入口に向かって開口し、潜流路に流入する溶液から沈殿する固形物を捕捉する固形物捕捉部が設けられていてもよい。
【００２１】
このような固形物捕捉部が設けられていると、上記阻止部材により阻止されて集積し溶液から沈殿する固形物を捕捉して、固形物が溶液とともに潜流路に流れ込むのを防止することができる。
【００２２】
上記阻止部材は仕切り板であってもよい。この場合、溶液室の容積が阻止部材により大幅に減少することがないため、溶液室をその必要容積を確保すべく大型化する必要がない。なお、溶液の液面より上部が突出する一方溶液室の底部において溶液の潜流路を確保する状態で溶液内に浸漬されうるものであれば、また、溶液室の大型化が許せば、阻止部材は必ずしも仕切り板である必要はなく、例えば任意形状のブロック状のものであってもよい。阻止部材をブロック状とした場合は、仕切り板の場合に比べて潜流路を長くすることができるため、固形物の越流部への漏出をより効果的に防止することができる。
【００２３】
上記阻止部材として仕切り板を用いた場合、仕切り板は、越流部に連なる溶液室の壁面と対向する側面に、該壁面と当接し該壁面との間に溶液の流路を確保するためのスペーサが設けられたものであってもよい。
【００２４】
この場合、溶液の送り込み時に生じる圧力とスペーサとを利用して、仕切り板自体を、その側面と溶液室の壁面との間に溶液の流路を確保した状態で固定することができ、仕切り板を溶液室に固定するための構造を簡素化することができる。
【００２５】
また、上記仕切り板の側面に、上記流路を通過する溶液内に漏出した固形物を遮蔽する遮蔽部が設けられていてもよい。
【００２６】
この場合、潜流路を通って上記流路内に漏出してくる固形物は遮蔽部で遮蔽されるため、固形物が成長室に溶液とともに流れ込むのをより効果的に防止することができる。
【００２７】
前記潜流路は、仕切り板の下端と溶液室の底面との間に確保されていてもよいし、溶液室の底面と接する仕切り板の下端近傍に位置するよう該仕切り板に開口された開口部により確保されていてもよい。
【００２８】
前記溶液送り手段は、溶液室内において前記濾過手段に対して進退可能に設けられたピストンと、このピストンの進退を操作する操作棒からなるものであってもよい。
【００２９】
成長室と溶液室とは、水平に並設されていてもよいし、成長室が、越流部を介して溶液室の上方に設けられていてもよい。
【００３０】
また、本発明の液相エピタキシャル成長方法は、上記した液相エピタキシャル成長装置を用いたものであって、溶液を溶液室から成長室へ送り込む際の溶液送り込み速度を、液相エピタキシャル成長時に基板の表面において異常成長部が形成されるのを最小限に抑制する速度としたことを特徴とするものである。
【００３１】
この方法によれば、基板の表面に均一な膜厚を形成することができる。
【００３２】
ここで、上記溶液送り込み速度としては、５００mm3／分以上６００mm3／分未満とするのが好ましい。
【００３３】
溶液送り込み速度が５００mm3／分未満であると、基板の下端部と上端部とで溶液と接触し始める時間差が大きくなり過ぎることから基板上のエピタキシャル成長表面に段差が生じ、均一な膜厚が得られなくなる。また、溶液送り込み速度が６００mm3／分以上であると、溶液とともに前記固形物が一緒に成長室に流入してしまい、基板表面に固形物が付着して結晶の異常成長を招来する。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、溶液室に収容された溶液に不可避的に発生する固形物の通過を防ぐ濾過手段が溶液室に設けられているので、成長室には固形物が流入せず、基板に固形物が付着することによる結晶の異常成長を防止することができる。したがって、均一な膜厚を有する液相エピタキシャル層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図３を参照して説明する。
【００３６】
図１は、液相エピタキシャル成長装置の成長ボートの概略断面図、図２は成長ボートに設けられた仕切り板の構造を示す図であり、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は右側面図、図２（ｃ）は平面図、図３は、その仕切り板の斜視図である。
【００３７】
図１に示すように、液相エピタキシャル成長装置は、円筒形状の成長ボート１と、成長ボート１を格納する炉芯管（図示せず）とを備えたものである。
【００３８】
成長ボート１は、基板４を格納してこの基板４の表面で液相エピタキシャル成長を行わせる成長室２と、この成長室２と越流部１３を介して配設され、半導体物質を溶解させた溶液６を収容する溶液室３と、この溶液室３から溶液６を越流部１３に溢出させて成長室２に送り込む溶液送り手段としてのピストン７及びこれを操作するための石英製操作棒８とを有しており、溶液室３内に、溶液６中に不可避的に発生する固形物が溶液６とともに越流部１３に流れ出るのを防ぐ濾過手段としての仕切り板９が、越流部１３に近接して設けられたものである。
【００３９】
上記成長室２は、その内部に複数の基板保持具５が並設されており、これら基板保持具５によって複数の基板４が立設状態で保持されるようになっている。
【００４０】
上記越流部１３は、成長室２と溶液室３との間に位置する隔壁１２の高さを各室２，３の周壁よりも低く設定することで隔壁１２の上端に設けられており、またこの隔壁１２を介して成長室２と溶液室３とが水平に配置されている。
【００４１】
上記仕切り板９は、図２及び図３に示すように、外形状が溶液室３の横断面形状と合致する、下端部が略水平に切除１４された円形に形成されている。また、このようになる仕切り板９の上記隔壁１２と対向する側面２２には、その両端部に、外側面が仕切り板９の外周面と沿う曲面とされるとともに内側面が平面とされた一対のスペーサ１５，１５が設けられている。
【００４２】
このようになる仕切り板９を溶液室３内に越流部１３に近接して、つまりこの場合、スペーサ１５，１５が隔壁１２と当接するように設けることにより、この仕切り板９の下端（切除１４部分）と溶液室３の底部との間に溶液６を通過させる潜流路１１が確保されるとともに、スペーサ１５，１５によって隔壁１２の壁面と仕切り板９との間に溶液６の流路が確保されている。
【００４３】
また、溶液室３の底部には、上記潜流路１１の入口に向かって開口し、潜流路に流入する溶液６から沈殿する固形物を捕捉する固形物捕捉部１０が設けられている。この固形物捕捉部１０は、溶液室３の底部に形成された凹部で構成されるが、その形成位置は、仕切り板９の直下よりややピストン７側に寄った位置が、固形物を効率的に捕捉するうえで望ましい。
【００４４】
次に、上記のようになる成長ボート１を備えた液相エピタキシャル成長装置を用いてＧａＡｓの液相エピタキシャル成長を行う方法について説明する。
【００４５】
まず、成長室２に、ＧａＡｓ基板４を基板保持具５により立設状態に保持させる一方、溶液室３に材料であるＧａとＧａＡｓ多結晶とドーパントとなるＳｉとを入れ、成長ボート１を、図示しない炉芯管内にセットする。
【００４６】
次に、炉芯管を昇温し成長ボート１を９４０℃まで加熱し、その温度を保持する。これにより、溶液室３内の材料が溶解して、ＧａＡｓの飽和溶液６が生成される。
【００４７】
続いて、溶液６を冷却速度２．０℃／分で約９３５℃まで冷却した後、石英製操作棒８を操作してピストン７を成長室２に向けて押し込む。このピストン７の押し込みにより、溶液室３の容積が減少するため、仕切り板９よりピストン７側に位置する溶液６は、その底部に位置するものから仕切り板９の下方における潜流路１１を通って隔壁１２と仕切り板９との間の流路に流れ込み、さらにピストン７を仕切り板９に向けて押し込むことにより溶液６は隔壁１２の上端における越流部１３に溢出し、図１中矢符Ａで示すように成長室２側へ越流して成長室２に流れ込む。一方、溶液６の液面部に偏在する固形物は、ピストン７に押されるものの、仕切り板９によりその進行が阻止されて、徐々に仕切り板９の表面（ピストン７側の面）に集積する。やがて仕切り板９の表面における固形物の集積度が高まると、固形物は潜流路１１に流れ込む溶液６に引き込まれるようにして溶液室３の底部に沈殿していくが、そこには固形物捕捉部１０があるため、溶液６から沈殿した固形物はこの固形物捕捉部１０内に捕捉される。このように、溶液６の液面部に偏在する固形物は仕切り板９で阻止されるとともに、固形物捕捉部１０にて捕捉されるため、固形物が成長室２に流れ込むことはほとんどない。
【００４８】
以上のようにして溶液６が成長室２に流れ込むと、基板４に溶液６が接触して液晶エピタキシャル成長が開始することとなる。
【００４９】
その後、成長ボート１を冷却速度２．０℃／分で６００℃になるまで冷却し、液相エピタキシャル成長を完遂させる。
【００５０】
ここで、成長室２に流れ込んだ溶液６には上述したように固形物がほとんど含まれていないため、基板４の表面で結晶の異常成長が生じるようなことがなく、所望の液相エピタキシャル成長が行われ、均一な膜厚を有する基板が得られることとなる。
【００５１】
ところで、仕切り板の形態は、上述したものに限るものではなく、例えば、図４及び図５に示すような形態であってもよい。
【００５２】
図４（ａ）は、仕切り板の他の実施の形態を示す正面図、図４（ｂ）はその右側面図、図４（ｃ）はその平面図、図５はその斜視図である。
【００５３】
この仕切り板１６は、その外形状が溶液室３の横断面形状と合致する円形に形成されるとともに、その下端部に、潜流路１１を確保するための矩形の開口部１７が形成されたものである。また、このようになる仕切り板９の上記隔壁１２と対向する側面２２には、上記した実施の形態のものと同様、その両端部に、外側面が仕切り板９の外周面と沿う曲面とされるとともに内側面が平面とされた一対のスペーサ１５，１５が設けられている。
【００５４】
なお、上記開口部１７の形成位置は、仕切り板１６の下端部であれば、固形物の阻止に影響を与えない限り任意の位置でよい。また、その形状も矩形である必要はなく、円形、楕円形、三角形、五角形、その他の多角形等任意の形状とされる。さらにその開口面積も溶液６の円滑な流動を妨げない限りにおいて任意とされる。
【００５５】
さらに、仕切り板の形態としては、図６及び図７に示すようなものであってもよい。  
【００５６】
図６（ａ）は、仕切り板の正面図、図６（ｂ）はその右側面図、図６（ｃ）はその平面図、図７はその斜視図である。
【００５７】
仕切り板１８は、図４及び図５に示した上述の仕切り板１６に遮蔽板１９，２０を設けたものである。すなわち、仕切り板１９の側面（隔壁１２に対向する面）に、スペーサ１５，１５の内側面からそれぞれ斜め上方に伸びる一対の遮蔽板１９，２０を設けたものである。これら遮蔽板１９，２０は、少なくともスペーサ１５，１５の表面（隔壁１２と当接する面）よりも突出しない高さとされている。
【００５８】
これら遮蔽板１９，２０は、潜流路１１を溶液６とともに通過した固形物が越流部１３に溢出するのをここで阻止するためのものである。なお、図示例では、各遮蔽板１９，２０はそれぞれ柱状のものであるが、固形物をここで阻止できるのであれば、薄板状であってもよく、また、柱状、薄板状のいずれにせよ正面視円弧状であってもよい。さらに、その数も２枚である必要はなく、１枚あるいは３枚以上であってもよく、傾斜角も図示例のものに限るものではない。
【００５９】
図８は、成長ボートの他の実施の形態を示す概略断面図である。
【００６０】
この図に示す成長ボートは、成長室２及び溶液室３、並びに越流部１３を完全に閉じた状態としたものである。なお、上記した実施の形態と同一構成要素には同一の符号を付しその説明を省略する。
【００６１】
図９は、成長ボートのさらに他の実施の形態を示す概略断面図である。
【００６２】
この図に示す成長ボートは、成長室２が、越流部１３を介して溶液室３の上方に設けられたものであり、図１及び図８に示す実施の形態のものとは、成長室２と溶液室３の位置関係が異なる点及び越流部１３が格段に長くなっている点を除き同じであるので、上記した実施の形態と同一構成要素には同一の符号を付しその説明を省略する。
【実施例１】
【００６３】
図１に示す形態の成長ボートにおいて、仕切り板として図２及び図３に示した形態の仕切り板を用い、ＧａＡｓ基板の表面にＧａＡｓの液相エピタキシャル成長を行わせた。仕切り板の下端部における切除部分の高さは１０ｍｍとした。
【００６４】
このようになる成長ボートの成長室にＧａＡｓ基板を立設状態で格納する一方、溶液室に、材料であるＧａと、９４０℃で飽和溶液が得られる量のＧａＡｓ多結晶と、ドーパントとなるＳｉとを準備した。
【００６５】
次に、上記成長ボートを炉心管内にセットするとともに、炉外からピストンを操作するための石英製操作棒を配置した。
【００６６】
続いて、炉の温度を約９４０℃まで上昇させ、溶液室において飽和溶液が得られるまでその温度を保持した。
【００６７】
次に、冷却速度２．０℃／分で冷却を行い、温度が９３５℃になった時点で操作棒を操作してピストンを仕切り板に向けて押し込み、溶液室内の溶液を成長室へ越流させた。このときの溶液の送り込み速度は、５５０mm3／分とした。
【００６８】
その後、温度が６００℃になるまで冷却速度２．０℃／分で冷却を行い、基板の表面にエピタキシャル成長を行わせた。
【００６９】
このようにして液相エピタキシャル成長が行われた基板について、その表面における結晶の異常成長部の発生率を測定した。ここで、異常成長部の発生率としては、次式で示す異常成長発生部占有率（％）を採用した。
【００７０】
異常成長発生部占有率（％）＝異常成長発生部の面積  ÷  基板面積
その結果を表１に示す。
【実施例２】
【００７１】
仕切り板として、図４及び図５に示した形態のものを用いた以外は上記実施例１と同じ条件で液相エピタキシャル成長を行った。なお、仕切り板の開口部は、幅約２０ｍｍ、高さ５ｍｍの矩形とし、仕切り板の下端から約１０ｍｍの位置に形成した。
【００７２】
その結果を表１に示す。
【実施例３】
【００７３】
仕切り板として、図６及び図７に示した形態のものを用い、また、溶液の送り込み速度を５００mm3／分とした以外は上記実施例２と同じ条件で液相エピタキシャル成長を行った。
【００７４】
その結果を表１に示す。
【実施例４】
【００７５】
溶液の送り込み速度を５５０mm3／分とした以外は上記実施例３と同じ条件で液相エピタキシャル成長を行った。
【００７６】
その結果を表１に示す。
【実施例５】
【００７７】
溶液の送り込み速度を６００mm3／分とした以外は上記実施例３と同じ条件で液相エピタキシャル成長を行った。
【００７８】
その結果を表１に示す。
【実施例６】
【００７９】
溶液の送り込み速度を７００mm3／分とした以外は上記実施例３と同じ条件で液相エピタキシャル成長を行った。
【００８０】
その結果を表１に示す。
【比較例】
【００８１】
従来の成長ボートと同様、仕切り板を無くし、溶液室の底部に固形物捕捉部を設けなかった以外は上記実施例１と同じ条件で液相エピタキシャル成長を行った。
【００８２】
その結果を表１に示す。
【００８３】
【表１】
2006173192.tif 000003
表１から明らかなように、本発明によれば、従来に比べて、基板表面における結晶の異常成長の発生を極めて低く抑えることができる。
【００８４】
ここで、溶液送り込み速度としては、５００mm3／分以上６００mm3／分未満とするのが好ましい。溶液送り込み速度が５００mm3／分未満であると、基板の下端部と上端部とで溶液と接触し始める時間差が大きくなり過ぎることから基板上のエピタキシャル成長表面に段差が生じ、均一な膜厚が得られなくなる。また、溶液送り込み速度が６００mm3／分以上であると、溶液とともに前記固形物が一緒に成長室に流入してしまい、基板表面に固形物が付着して結晶の異常成長を招来する。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の液相エピタキシャル成長装置における成長ボートの実施の形態を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）はその成長ボートの仕切り板の正面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は平面図である。
【図３】その仕切り板の斜視図である。
【図４】（ａ）は、本発明の液相エピタキシャル成長装置における仕切り板の他の実施の形態を示す正面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は平面図である。
【図５】その仕切り板の斜視図である。
【図６】（ａ）は、本発明の液相エピタキシャル成長装置における仕切り板のさらに他の実施の形態を示す正面図、（ｂ）は右側面図、（ｃ）は平面図である。
【図７】その仕切り板の斜視図である。
【図８】本発明の液相エピタキシャル成長装置における成長ボートの他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図９】本発明の液相エピタキシャル成長装置における成長ボートのさらに他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図１０】従来の液相エピタキシャル成長装置における成長ボートを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１      成長ボート
２      成長室
３      溶液室
４      基板
５      基板保持具
６      溶液
７      ピストン
８      石英製操作棒
９      仕切り板
１０    凹部
１３    越流部
１５    スペーサ
１６    仕切り板
１７    潜流路
１８    仕切り板
１９    遮蔽板
２０    遮蔽板
【図１】
2006173192.tif 000004
【図２】
2006173192.tif 000005
【図３】
2006173192.tif 000006
【図４】
2006173192.tif 000007
【図５】
2006173192.tif 000008
【図６】
2006173192.tif 000009
【図７】
2006173192.tif 000010
【図８】
2006173192.tif 000011
【図９】
2006173192.tif 000012
【図１０】
2006173192.tif 000013