(57)【要約】【課題】  半導体ウェハに形成されているノッチ部が裏面から表面にまで貫通しており、レジスト除去工程にて半導体ウェハ表面に達しているノッチ部にて溶剤の飛散、液浸露光時のパターンのばらつき、保護テープ切り離し工程での保護テープの密着性悪化など発生していた。【解決手段】  裏面から表面に達しない溝によりノッチ部が形成されている半導体ウェハを提供する。これにより、半導体ウェハ表面にノッチ部が露出しないため、各種プロセス実行時にノッチ部に起因する障害の発生を防止することを可能とした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハにおいて、裏面から表面に達しない溝によりノッチ部が形成されていることを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
前記半導体ウェハの表面には各種プロセス工程によって素子が形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、改良されたノッチ構造を有する半導体ウェハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの外周の一部に形成されるノッチ部は、半導体ウェハ自身の結晶方位や各種の半導体製造装置にて処理を行う場合のウェハ基準点を決定するうえで重要な役割を果たしている。一般的に利用されているノッチ部の構造は、図５に示すように、半導体ウェハ５１の外周に表面５１ａから裏面５１ｂに貫通する溝によりノッチ部５２が形成されている。ノッチ部５２の形状は図５に示した例では略Ｕ字状であるが、他にＶ字状も利用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したような半導体ウェハ５１の表面５１ａから裏面５１ｂに貫通する形状のノッチ部５２においては、ＩＣ製造工程のいくつかのプロセスにて問題が発生している。すなわち、図６に示すように、露光工程にて半導体ウェハ６１の表面にフォトレジスト６２を塗布した後に半導体ウェハ６１の外周のフォトレジスト膜を溶剤にて除去する。この工程では、半導体ウェハ６１を回転させながら溶剤６３を噴射部材６４にて半導体ウェハ６１の外周へ吹き付ける（図６ａ）。この際、溶剤６３はノッチ部６０に当たり周囲に飛散し半導体ウェハ６１上に落下する。
【０００４】
この結果、飛散した溶剤６５は半導体ウェハ６１のフォトレジスト６２上に付着してしまう（図６ｂ）。このため、その後の工程にて半導体ウェハ６１表面に各種のレジストパターン６６を形成した際に、飛散した溶剤６５が素子形成領域６７のレジストパターン６６を崩す問題が発生していた（図６ｃ）。
【０００５】
また、露光方式として液浸露光技術が知られている。図７には従来の半導体ウェハ（図５）に液浸露光を行った状態を示してある。すなわち、ウェハステージ７１にノッチ部７２を有する半導体ウェハ７３が装着され、露光レンズ７４並びに液体７５を介して露光が行われる。このとき、図７の拡大図に示すように、半導体ウェハ７３のノッチ部７２にかかるショットでは、液体７５の表面張力のバランスが崩れて液体７５を均一に盛れなくなる。この結果、気泡７６が液中に入り屈折率のゆらぎが生じてしまい、ショット内パターンのばらつきを悪化させるほか、結像に大きな影響を及ぼす。
【０００６】
このほか、ラップ工程では半導体ウェハの裏面を研磨するため、図８に示すように半導体ウェハ８１の表面に保護テープ８２を貼り付ける。その後、余分な保護テープ８２を半導体ウェハ８１の外周に沿って切り離す際に、ノッチ部８３の部分において応力が集中し半導体ウェハ８１との密着性が悪化する。このため、半導体ウェハ８１の裏面研磨中に使用する水分８４がノッチ部８３から半導体ウェハ８１と保護テープ８２の間に染み込み保護テープ８２に剥がれを起こす問題が発生している。
【０００７】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたもので、簡単な構成で各種課題を解決しプロセス精度の向上を図ることを可能とした半導体ウェハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係わる半導体ウェハは、裏面から表面に達しない溝によりノッチ部が形成されていることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係わる半導体ウェハにおいては、ノッチ部がウェハ表面に達していないため、ノッチ部での溶剤飛散によるパターン崩しを防止することができ、液浸露光ではノッチにかかるショットでの液体を均一に盛ることができ、気泡の発生を防止することができ、更にラップ工程での保護テープ切り離しの際のノッチ部での応力集中による半導体ウェハとの密着性悪化を防止することなどが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に本発明に係わる半導体ウェハを図を参照して説明する。図１には本発明に係わる半導体ウェハの一実施形態を示す。すなわち、半導体ウェハ１１の表面１２に達することなく裏面１３側のみに片面ノッチ部１４を形成したものである。従って、半導体ウェハ１１の表面１２には片面ノッチ部１４の切り込みが現れない。なお、半導体ウェハ１１の表面には各種プロセス工程によって素子が形成される。
【００１１】
このような構造の半導体ウェハ１１を用いることにより、従来発生していた各種の問題を解決することが可能となった。図２には片面ノッチ部１４が形成された半導体ウェハ１１の表面にフォトレジスト１５を塗布した後、外周のフォトレジスト膜を除去するために噴射部材１６から溶剤１７を回転する半導体ウェハ１１の外周へ吹き付けた場合の例を示してある。この結果、溶剤１７が吹き付けられた半導体ウェハ１１の外周には片面ノッチ部１４の切り込みが現れていないことから、吹き付けられた溶剤１７はノッチ部に当たることもなくフォトレジスト１５の表面に溶剤１７が飛散することがなくなり、パターン崩しを防止することが可能となった。
【００１２】
また、図３には片面ノッチ部３１が形成された半導体ウェハ３２に、露光レンズ３３、液体３４を介して液浸露光を行う場合を示してあるが、拡大図にも示すように半導体ウェハ３２の表面にはノッチ部が現れていないため、ショットでの液体を均一に盛ることができ、気泡の発生を防止することができるようになった。すなわち、気泡による屈折率のゆらぎから生じるショット内パターンのバラツキを防止することができる。
【００１３】
更に、図４に示すように、片面ノッチ部４１が形成された半導体ウェハ４２のラップ工程においては、余分なテープを切り離す際に片面ノッチ部４１にて応力が集中することがなく、保護テープ４３は半導体ウェハ４２の全面に密着して貼り付けることが可能となる。この結果、半導体ウェハ４２の裏面を研磨中に使用する水分が片面ノッチ部４１から半導体ウェハ４２と保護テープ４３の間に染み込むこともなく、テープ剥がれも発生しない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態を示す図。
【図２】本発明の実施形態に係わる半導体ウェハの機能を説明するための図。
【図３】本発明の実施形態に係わる半導体ウェハの他の機能を説明するための図。
【図４】本発明の実施形態に係わる半導体ウェハの更に他の機能を説明するための図。
【図５】従来の半導体ウェハを示す図。
【図６】従来の半導体ウェハを用いた工程を説明するための図。
【図７】従来の半導体ウェハを用いた他の工程を説明するための図。
【図８】従来の半導体ウェハを用いた更に他の工程を説明するための図。
【符号の説明】
【００１５】
１１、３２、４２…半導体ウェハ、１２…表面、１３…裏面、１４、３１、４１…片面ノッチ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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