(57)【要約】【課題】  媒体の製造ばらつきに起因した媒体特性にばらつきが生じても、簡易に各媒体の最適アニールパワーを求めることができるレーザーアニール処理装置及び磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】  磁壁移動型光磁気記録媒体に設けられた最適アニ−ルパワーを求めるためのテスト領域において、二種類以上の条件でアニールされたテスト領域を記録再生することにより得られる二種類以上の再生信号品位と、規準媒体において最適アニールパワーでアニール処理した場合の再生信号品位とを比較することにより各媒体に適したアニールパワーを求める。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁壁移動型光磁気記録媒体は、アニールすべき最適アニ−ルパワーを求めるためのテスト領域を有し、
前記テスト領域でアニ−ルパワーを変えてアニ−ル処理を行う手段と、
前記アニール処理されたテスト領域の信号を記録再生し、該再生結果に基づいた再生信号品位を検出する手段と、
前記検出手段で得られた結果に基づいて前記最適アニ−ルパワーを検出する手段とを有するアニール処理装置において、
前記テスト領域における前記アニール処理のアニ−ルパワーに対する前記再生信号品位の関係を、テストの条件を変化させて２以上取得する手段と、
前記取得された２以上の関係夫々において、所定のアニールパワーに対する再生信号品位を検知し、各再生信号品位の差を記憶する手段と、
異なる媒体のアニールパワーを調整する際には、前記テスト領域で得られた前記各再生信号品位の差が前記記憶された各再生信号品位の差と同等となるようにアニールパワーの調整を行う手段と、
前記調整手段によって得られるアニ−ルパワーを前記媒体のユーザーデータ領域における最適アニールパワーとしてアニ−ルを行う手段とを有することを特徴とするアニール処理装置。
【請求項２】
前記テストの条件の変化とは、前記テスト領域に２以上の異なるＬ／Ｇデューティー比を備える場合であることを特徴とする請求項１記載のアニール処理装置。
【請求項３】
前記テスト条件の変化とは、媒体の回転速度を２以上変える場合であることを特徴とする請求項１記載のアニール処理装置。
【請求項４】
所定アニールパワーに対する再生信号品位とは、前記取得手段で得られる２以上の関係において、一定のアニールパワーに対する２以上の再生信号品位であることを特徴とする請求項１記載のアニール処理装置。
【請求項５】
磁壁移動型光磁気記録媒体において、
レーザーアニールパワーの適正をテストするためのアニールテスト領域と、
データを記録するデータ記録領域の少なくとも二種類の領域が設けられ、
前記アニールテスト領域は、少なくとも２以上のＬ／Ｇデューティー比をもつトラックを有することを特徴とする磁壁移動型光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザー光により記録・再生を行うアニール処理装置及び光磁気記録媒体、更に詳しくは媒体の高密度記録化を可能とする光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平６−２９０４９６号公報は、交換結合多層膜からなる光磁気記録媒体により、再生信号振幅を低下させることなく光学的な検出限界以下の周期の信号が高速で再生可能となり、記録密度並びに転送速度を大幅に向上できる光磁気記録媒体、再生方法及び再生装置が提案されている。すなわち、特開平６−２９０４９６号公報においては、付属の加熱装置により再生記録マークに温度分布をもたせ、この温度分布と再生記録マーク中の磁壁エネルギーの温度依存性とにより、磁壁に再生光スポット（７４）内へ移動する圧力が誘発される（図７参照）。図７中記載の第二の磁性層（７３２）のキュリー温度近傍まで再生記録マークが昇温された場合、第一の磁性層（７３１）と他の磁性層との交換結合が切断され、記録トラックの両サイドの磁気的結合分断領域の存在により、第一の磁性層（７３１）の磁壁（７２）が瞬間的に再生光スポット（７４）内へ移動する。そして、その結果、再生光スポット（７４）内の原子スピン（７１）の向きが反転して全て一方向にそろい、再生記録マークが拡大される。従って、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔（すなわち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題から完全に解放されるのである。以上の再生方法はＤＷＤＤ（ｄｏｍａｉｎ  ｗａｌｌ  ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）再生方式と呼ばれている。
【０００３】
ＤＷＤＤ再生方式において、第一の磁性層上に形成された第三の磁性層からの転写磁区の磁壁を再生光スポット内へ移動させ、磁区の面積を拡大させるには、記録トラックの両サイドに磁気的結合分断領域を形成することが好ましい。この磁気的結合分断領域は少なくとも、第一の磁性層上に形成されていなければならない。また、この磁気的結合分断領域は、磁性を示さない、あるいは、面内磁化膜であることが好ましい。このようにすることにより磁区の拡大に際し、磁気的結合分断領域には磁壁が存在しない、あるいは、存在してもエネルギーの小さい磁壁が形成されるだけなので、スムーズな磁壁の移動を可能にし、記録再生信号の品位が向上する。
【０００４】
この磁気的結合分断領域を形成する方法として、記録トラックの両サイドの磁性膜を高いパワーでレーザー光を照射して、その磁性膜の磁気的性質を変質させて行う方法、いわゆる、レーザーアニール処理法がある。
【０００５】
レーザーアニール処理法では、種々のシステムマージン（記録・再生パワーマージン、デトラックマージン、チルトマージンｅｔｃ）が確保されるようにアニール条件を求め、その条件によりディスク全面にわたってアニール処理を行う。アニール条件としては、アニール時のレーザーパワー、線速度、トラッキングのオフセット量、フォーカスのオフセット量、チルト量などが挙げられる。図６は、記録再生信号品位を示すｄａｔａ−ｔｏ−ｃｌｏｃｋのジッターσ、及び、記録パワーマージンのアニールパワー依存性を示す。ここで、記録パワーマージンは、記録トラックのジッターがσ＜１４．５％（σ＝１４．５％はｂＥＲ＝５×１０−４に相当）を満たし、かつ、隣接トラックへのデータ破壊においても隣接トラックのジッターがσ＝１４．５％までの悪化にとどまる記録パワーを上限とした場合のパワー範囲のことである。この記録パワー範囲の半分のパワー範囲を中心記録パワーで除算した値として示され、実使用上±１５（％）以上の記録パワーマージンが望ましい。また、ジッターσとしても、他の各種システージンの確保のためにもボトム値としてσ＜１２．８％（σ＝１２．８％はｂＥＲ＝１×１０−４に相当）が望ましい。このように考えた場合、図６の結果から、メディアとして使用可能なアニールパワー（最適アニールパワー）は５．４〜５．５ｍＷとなり、アニールパワーマージンは、実に、およそ±１％程度（＝｛（５．５−５．４）／２｝／｛（５．５＋５．４）／２｝×１００（％））ということになる。
【０００６】
レーザーアニール処理法による磁壁移動型光磁気記録媒体の製造においては、以上のような非常に狭いアニールパワーマージンであるため、媒体不良品が発生し、良品製造の歩留まりが悪いという問題があった。
【０００７】
さらに、媒体製造時にはさまざまなばらつきがあり、例えば、基板のチルトばらつきや板厚のばらつき、成膜ばらつきによる膜厚ばらつきや組成ばらつきなどがあり、これらのばらつきにより、媒体毎に最適アニールパワーにもばらつきが生じるという問題があった。
【０００８】
上記の状況では、ある代表的な媒体に対して最適アニールパワーを求め、そのアニールパワー固定でアニールして媒体を製造した場合、アニールパワーマージンが非常に狭いため、製造ばらつきによる最適アニールパワーのばらつきの影響を大きく受け、良品製造の歩留まりを著しく低下させていたのである。
【０００９】
そこで、上記のような問題に対して、特開２００２−３１９２００号公報では、各媒体に最適アニールパワーを求めるためのテスト領域を設けて、複数のアニール領域毎にアニール処理を施した際の再生レーザーの反射率とアニールテスト領域におけるアニール処理されていない領域の再生レーザーによる反射率とを比較し、各媒体に適したアニールパワーを求めることにより上記問題を解決している。
【特許文献１】特開平０６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開２００２−３１９２００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特開２００２−３１９２００号公報では、テストする媒体毎に、段階的に複数のアニールレーザーパワーを変えて、該媒体の最適アニールパワーを抽出しているため、媒体毎の最適アニールパワーを抽出するには、時間がかかるという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、上記のような問題点に鑑み、媒体の製造ばらつきに起因して、媒体特性にばらつきが生じても、簡易に各媒体の最適アニールパワーを求めることができるレーザーアニール処理装置及び磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題は、以下の発明によって達成される。
【００１３】
磁壁移動型光磁気記録媒体は、アニールすべき最適アニ−ルパワーを求めるためのテスト領域を有し、前記テスト領域でアニ−ルパワーを変えてアニ−ル処理を行う手段と、
前記アニール処理されたテスト領域の信号を記録再生し、該再生結果に基づいた再生信号品位を検出する手段と、前記検出手段で得られた結果に基づいて前記最適アニ−ルパワーを検出する手段とを有するアニール処理装置において、前記テスト領域における前記アニール処理のアニ−ルパワーに対する前記再生信号品位の関係を、テストの条件を変化させて２以上取得する手段と、前記取得された２以上の関係夫々において、所定のアニールパワーに対する再生信号品位を検知し、各再生信号品位の差を記憶する手段と、異なる媒体のアニールパワーを調整する際には、前記テスト領域で得られた前記各記録再生信号品位の差が前記記憶された各再生信号品位の差と同等となるようにアニールパワーの調整を行う手段と、前記調整手段によって得られるアニ−ルパワーを前記媒体のユーザーデータ領域における最適アニールパワーとしてアニ−ルを行う手段とを有することを特徴とするアニール処理装置。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、媒体の製造ばらつきに起因して、媒体特性にばらつきが生じても、簡易に各媒体の最適アニールパワーを求めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本実施例における光磁気記録媒体の基本構成図を図８に示す。本実施例で使用した基板（８１）は、ポリカーボネート（ＰＣ）を用いて射出成形により作製した。基板の形状を図１に示す。該基板はランド・グルーブ記録用基板であり、内周側にアニールテスト領域（１０３）が設けられ、その外側にはデータ領域（１０２）が設けられている。本実施例では、アニールテスト領域（１０３）をデータ領域（１０２）よりも内周側に配置したが、データ領域よりも外周側に配置しても良く、データ領域中に配置しても、当然、本発明の効果が得られる。データ領域（１０２）のトラックピッチは１．０８μｍ、グルーブ幅０．４７μｍ（グルーブ・デューティー４３．５％）、溝深さは５５ｎｍである。このとき、グルーブ幅は溝深さの半値幅で規定している。また、アニールテスト領域（１０３）には、図１に示すように、二種類のグルーブ・デューティーのトラックが設けられている。データ領域とテスト領域のグルーブ・デューティー比は同一に限る必要はないが、本実施例では、アニールテスト領域（１０３）の最内周側からグルーブ幅０．４７μｍ（グルーブ・デューティー４３．５％）、グルーブ幅０．５２μｍ（グルーブ・デューティー４８．１％）とする。このとき、トラックピッチは１．０８μｍ、溝深さは５５ｎｍである。本実施例では射出成形基板にポリカーボネート（ＰＣ）を用いたが、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等を成形材料として用いてもよい。また、紫外線硬化樹脂による、いわゆる２Ｐ成形基板を使用することもできる。また、本実施例では、ランド・グルーブ記録用基板を用いたが、当然、ランド記録用基板でも、グルーブ記録用基板でも使用可能である。さらに、本実施例ではウォブルしていない溝形状の基板を使用しているが、二つの斜面の両側がウォブルした溝形状の場合でも、片側だけウォブルしている溝形状の場合でも、本発明の効果を得ることができる。
【００１６】
以上のようにして作製した基板上に記録膜をスパッタ法により成膜した。以下に具体的な各記録膜の例を示すが、本発明はその主旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００１７】
記録膜としては、基板上に第一の誘電体層（８２）（ＳｉＮ）、第一の磁性層（８３１）（磁壁移動層、ＧｄＦｅＣｏ、膜厚２０ｎｍ）、第二の磁性層（８３２）（磁壁移動補助層、ＧｄＦｅ、膜厚２０ｎｍ）、第三の磁性層（８３３）（制御層、ＴｂＦｅＣｏ、膜厚１０ｎｍ）、第四の磁性層（８３４）（スイッチング層、ＴｂＦｅ、膜厚１５ｎｍ）、第五の磁性層（８３５）（記録層、ＴｂＦｅＣｏ、膜厚６０ｎｍ）、第二の誘電体層（８４）（ＳｉＮ）が順次積層されている。各誘電体層としては、上記誘電体層の他に、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２などの透明誘電材料が使用できる。また、第一の磁性層（８３１）、第二の磁性層（８３２）、第三の磁性層（８３３）、第四の磁性層（８３４）、第五の磁性層（８３５）としては、上記磁性材料を含む種々の磁性材料によって構成することが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの遷移金属の一種類あるいは二種類以上が６０〜９０ａｔ％で構成される希土類・遷移金属非晶質合金によって構成し得る。また、耐食性向上などのために、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎなどの元素を少量添加してもよい。
【００１８】
また、各磁性層の詳細な説明を以下に記す。磁壁移動型光磁気記録媒体の基本的な層構成は、第一の磁性層（８３１）、第四の磁性層（８３４）、第五の磁性層（８３５）であり、この三つの磁性層により、磁壁移動・磁区拡大再生動作が実現できる光磁気記録媒体を作製することが可能となる。このとき、第一の磁性層（８３１）は少なくとも再生ビームスポット内の記録情報検出領域内では第五の磁性層（８３５）に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなっている。また、第四の磁性層（８３４）は、全磁性層の中で最もキュリー温度の低い磁性層からなり、垂直磁気異方性、磁壁抗磁力が大きく、安定に磁化状態を転写できるものが望ましい。第五の磁性層（８３５）は垂直磁化膜からなっており、垂直磁気異方性、磁壁抗磁力が大きく、安定に記録磁区が保持できるものが望ましい。
【００１９】
さらに、他の磁性層について説明すると、第二の磁性層（８３２）は再生特性を向上させるために設けており、第一の磁性層（８３１）のキュリー温度よりは低く、また、少なくとも再生ビームスポット内の記録情報検出領域内では第五の磁性層（８３５）に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなっている。第三の磁性層（８３３）は、再生ビームスポット後方端部での第五の磁性層（８３５）から第一の磁性層（８３１）へ再転写された磁区の磁壁の移動により引き起こされる、再生信号への重畳信号、いわゆるゴースト信号を抑制するための磁性層である。この第三の磁性層（８３３）は、垂直磁気異方性が大きく、第一の磁性層（８３１）よりも磁壁抗磁力が大きい磁性層を用いるのが望ましい。
【００２０】
本実施例では、各磁性層のキュリー温度として、第一の磁性層（８３１）は３００℃程度、第二の磁性層（８３２）は２２０℃程度、第三の磁性層（８３３）は１９０℃程度、第四の磁性層（８３４）は１７０℃程度、第五の磁性層（８３５）は３３０℃程度であった。
【００２１】
以上のようにして作製した光磁気記録媒体のランドとグルーブ間に、図５で示すアニール処理装置により、レーザー光を記録膜面側から照射してアニール処理を行った。このとき、図５の（５０１）は光磁気記録媒体の断面図を表している。ここで用いたアニール機は、光学系（５０２）としてはλ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５であり、回折格子により０次の回折光からなるアニール処理用のメインビームと±１次の回折光からなるトラッキング、及び、フォーカシング・サーボ用の２つのサブビームに分けられている。二つのサブビームを隣り合うランドとグルーブに照射し、ここからの回折光による各々二つのプッシュプル信号をもとにメインビームをランドとグルーブ間の側壁に照射するようにサーボをかけてアニール処理を行っている。ディスク回転速度は４．５ｍ／ｓで行った。また、本実施例では、上述したように、膜面側からレーザー光を照射してアニール処理を行ったが、基板側からレーザー光を照射してアニール処理を施しても、膜面側、及び、基板側の両面からレーザー光を照射してアニール処理を施しても、同様に本発明の効果を得ることができる。
【００２２】
図２に、アニールテスト領域の２種類のグルーブ・デューティーにおけるアニールパワー依存性を示す。ここで用いた記録再生信号特性を測定する記録再生系が、図５に示されている。本実施例では、記録再生系の光学系（５０３）は、図５に示すようにアニール処理に用いる光学系（５０２）とは１８０°逆側に配置されている。光学系（５０３）はλ＝６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６であり、記録膜とは反対側の基板側からレーザー光を入射させている。また、光学系（５０３）と対峙した膜面側には信号を記録するための磁気ヘッド（５０４）が配置されており、従来からの磁界変調記録が行えるようになっている。以上のような記録再生系を用いて、８０ｎｍ／ｂｉｔ、（１，７）−ＲＬＬの信号を、ディスク回転速度２．４ｍ／ｓ、磁界強度２５０Ｏｅ、クロック周波数４５ＭＨｚで記録した。情報の再生は、記録と同一の光学系（５０３）で、ディスク回転速度２．４ｍ／ｓ、レーザーパワー２．１ｍＷ、クロック周波数４５ＭＨｚで各アニールパワーに対するｄａｔａ−ｔｏ−ｃｌｏｃｋのジッター（σ）測定を行い、ジッターσのアニールパワー依存性を２種類のグルーブ・デューティーに対して測定した。そして、図３は、図２から各アニールパワーでのグルーブ・デューティー依存性を求めたものである。ここで、本実施例では図２、図３として、ｄａｔａ−ｔｏ−ｃｌｏｃｋのジッターにより求めたが、再生信号品位を表すものであればなんでもよく、例えば、ｂＥＲ、もしくは、ＣＮＲにより、図２、図３を求め、それを用いても本発明の効果を得ることができる。
【００２３】
また、図４はグルーブ幅０．４７μｍ（グルーブ・デューティー４３．５％）における、記録パワーマージンのアニールパワー依存性を示している。グルーブ幅０．４７μｍ（グルーブ・デューティー４３．５％）はデータ領域のグルーブ幅と同一であり、図４はデータ領域でのアニールパワー依存性と等価となる。記録パワーマージンの求め方については、記録トラック（本実施例ではグルーブ）に記録パワーを変化させて記録再生したときに、記録トラックのジッターσ＜１４．５％（σ＝１４．５％はｂＥＲ＝５×１０−４に相当）となる最小の記録パワーをＰＷ１として求め、また、隣接する記録トラック（本実施例ではランド）に予め記録されたデータを破壊し隣接トラックのジッターσ＞１４．５％となる最小の記録パワーをＰＷ２として求め、｛（ＰＷ１−ＰＷ２）／２｝／｛（ＰＷ１＋ＰＷ２）／２｝×１００（±％）を記録パワーマージンとして求めている。
【００２４】
本実施例では、ジッターσ＜１２．８％、かつ、記録パワーマージン＞１５（±％）を満たす媒体を良品とすることにし、この条件を満たすアニールパワーを最適アニールパワーとした。本実施例においては、図２、及び、図４より、最適アニールパワーは５．４〜５．５ｍＷであることが分かる。そして、仮に最適アニールパワーを５．５ｍＷとした場合、アニールパワー５．５ｍＷでのグルーブ・デューティー依存性は図３から○プロットとして求まる。この○プロットの依存性は、製造ばらつきなく作製された場合の媒体におけるグルーブ・デューティー依存性ということになり、この依存性が製造中の各々の媒体に対し、データ領域をへの設定アニールパワーを取り決める判断基準となる。
【００２５】
例えば、ある製造した媒体に対し、アニールテスト領域の２種類のトラックにアニールパワー５．５ｍＷでアニールして、グルーブ・デューティー依存性を求める。図３の○プロットと同様のグルーブ・デューティー依存性であれば、アニールパワー５．５ｍＷでデータ領域を全周アニールする。
【００２６】
一方、図３の○プロットと比較した結果、異なったグルーブ・デューティー依存性を示すような媒体であった場合、この媒体のグルーブ・デューティー依存性と同様の依存性となるときのアニールパワーを、図３から求める。そして、このときに求められたアニールパワーとアニールパワー５．５ｍＷとの差を見積もり、その差をアニールパワー５．５ｍＷに補正を加えたアニールパワーでデータ領域の全周アニールを行う。例えば、アニールパワー５．５ｍＷでアニールテスト領域をアニールしたにもかかわらず、グルーブ・デューティー依存性が図３の５．２ｍＷに相当する依存性が得られた場合、データ領域に全周アニールするアニールパワーとしては５．５＋（５．５−５．２）＝５．８ｍＷということである。このような媒体は、製造ばらつきの影響を受けていることを示しており、アニールパワー５．５ｍＷのままでアニールするとアニール不足の状態であることを示している。そして、それを補うためにアニールパワーを５．８ｍＷに補正してアニールした時に、所望の良好な特性を示す状態になるということである。また、逆に、アニールパワー５．５ｍＷのままでアニールするとアニール過多の状態となる場合もあり、この場合も、図３を用いてアニールパワーの補正量を求め、データ領域を補正したアニールパワーで全周アニールする。この場合、補正後のアニールパワーとしては５．５ｍＷ以下に設定することになる。
【００２７】
以上のようにして、レーザーアニール処理法による磁壁移動型光磁気記録媒体を１０００枚作製したところ、すべての媒体で、σ＜１２．８％、かつ、記録パワーマージン＞１５（±％）の条件を満たしていた。また、このとき、データ領域に実際に処理したときのアニールパワーは、６５５枚／１０００枚はアニールパワー５．５ｍＷ、１０５枚／１０００枚はアニールパワー５．４ｍＷ、９０枚／１０００枚はアニールパワー５．６ｍＷ、５２枚／１０００枚はアニールパワー５．３ｍＷ、４８枚／１０００枚はアニールパワー５．７ｍＷ、２６枚／１０００枚はアニールパワー５．２ｍＷ、２４枚／１０００枚はアニールパワー５．８ｍＷであった。以上の結果と図２、及び、図４の結果から、本発明を用いなかった場合の歩留まり（σ＜１２．８％、かつ、記録パワーマージン＞１５（±％）の条件を満たす媒体を良品とした場合の歩留まり）は、（６５５＋９０）／１０００＝７４．５％と見積もられ、本発明により１００％にまで歩留まりが改善されたことが分かる。
【００２８】
以上のように、本発明を用いれば、アニールテスト領域の２種類のグルーブ・デューティーのアニールパワー依存性を予め求めておけば、これらの依存性を用いて容易に精度良くアニールパワーを求めることができる。すなわち、製造中の各々の媒体に対して、アニールテスト領域の２種類のグルーブ・デューティーのトラックに、予め求めた最適アニールパワーの１条件でアニールして記録再生信号を測定するだけで、データ領域への設定アニールパワーを的確かつ簡易に求めることができるのである。
【００２９】
また、本実施例ではアニールテスト領域でのアニールパワーは最適アニールパワーの１条件だけで行っていたが、生産タクト的に余裕がある場合や、アニールパワーマージンがより狭い特性を示す媒体のような場合は、アニールテスト領域でのアニール条件を複数条件（例えば２、３条件）にして行うと、より一層データ領域への設定アニールパワーを精度良く的確に選ぶことができ、歩留まりの向上に対しより効果的なものとなる。
【００３０】
また、本実施例ではアニールテスト領域に二種類のグルーブ・デューティーのトラックを設けているが、さらに多くのグルーブ・デューティーによるトラックを設けてアニールテストを行っても、より一層データ領域への設定アニールパワーを精度良く的確に選ぶことができ、歩留まりの向上に対してより効果的なものとなる。このとき、１トラック上に複数種類のグルーブ・デューティーからなるトラックを形成すれば、アニール処理、及び、記録再生に要する回転数を減らすことができ、グルーブ・デューティー依存性がより早く求められ、アニール条件決めの時間をより一層短縮することができ、生産性を向上させることができる。
【００３１】
また、さらには、データ領域と同一のグルーブ・デューティーにしてアニールテスト領域を設ける場合には、線速度を二条件以上にして、各々の線速度でのアニールパワー依存性（図２）を求め、実施例と同様にしてアニール処理を行えば、本発明の効果をえることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の磁壁移動型光磁気記録媒体の模式斜視図
【図２】本実施例におけるアニールテスト領域の３種類のグルーブ・デューティーにおけるアニールパワー依存性
【図３】本実施例における各アニールパワーでのグルーブ・デューティー依存性
【図４】本実施例における記録パワーマージンのアニールパワー依存性
【図５】本実施例で用いた、記録再生系装置を搭載したアニール機の概略構成断面図
【図６】磁壁移動型光磁気記録媒体のジッター、及び、記録パワーマージンのアニールパワー依存性
【図７】ＤＷＤＤ再生方式の原理説明図
【図８】本願実施例で用いた光磁気記録媒体の基本構成図
【符号の説明】
【００３３】
（１０１）  光磁気記録媒体
（１０２）  データ領域
（１０３）  アニールテスト領域
（５０１）  光磁気記録媒体
（５０２）  アニール処理用光学系
（５０３）  記録再生系光学系
（５０４）  磁気ヘッド
（７１）  原子スピン
（７２）  磁壁
（７４）  光スポット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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