(57)【要約】 【課題】  近接場露光に使用するフォトマスクにおいて、各スリットにおける近接場光の強度分布が同等となるようにする。【解決手段】  フォトマスクを使用して、波長４３６ｎｍの露光光で露光を行う。フォトマスクの遮光膜１０２には、５本のスリットｓを相互に平行に形成されている。各スリットｓの開口長さは２０００ｎｍ、各スリットＳ間のピッチｐ（中心間距離）は、１００ｎｍである。内側の３本のスリットＳは、開口幅４０ｎｍに、また外側の２本のスリットＳの開口幅は５０ｎｍに設定した。これにより、波長４３６ｎｍの露光光で露光を行ったときに、各スリットｓによる近接場光の強度分布を同等にすることができる。【選択図】      図５ 
2006019445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場一括露光に使用されるフォトマスクにおいて、
開口幅が露光光の波長以下である、整列された複数の微小開口を有する微小開口群が形成されている遮光膜を備え、
前記微小開口群に露光光が照射されたときに、前記複数の微小開口からしみ出す近接場光の強度分布がほぼ同等となるように、前記微小開口群の形状及び配置が設定されている、
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記複数の微小開口が、前記開口幅方向にほぼ等間隔で整列されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記複数の微小開口のうちの端部に配置された微小開口は、近接場光の強度分布を他の微小開口と同等にすべく前記開口幅が前記他の微小開口の前記開口幅よりも大きく設定されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記複数の微小開口のうちの端部に配置された微小開口における近接場光の強度分布を他の微小開口と同等にすべく前記端部に配置された微小開口の外側に、補正開口を設けた、
ことを特徴とする請求項２に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記端部に配置された微小開口から前記補正開口までの距離ｄが、前記遮光膜とこれに接するフォトレジストとの界面に励起されるプラズモンポラリトンの波長λに対して、λ／４からλ×（３／４）の範囲にある、
ことを特徴とする請求項４に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記補正開口の前記開口幅が、前記微小開口の前記開口幅よりも小さく設定されている、
ことを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項７】
前記端部に配置された微小開口から前記補正開口までの距離ｄは、隣接する前記微小開口間のピッチｐと前記プラズモンポラリトンの波長λとに対して、λ／２≦Ｐ及びＰ≦λ／２のいずれの場合においても、ｐとλ／２との中間にある、
ことを特徴とする請求項５に記載のフォトマスク。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のフォトマスクを、フォトレジストが成膜されている被露光基板に密着させ、露光光を照射して前記フォトレジスト内に光潜像を形成させる近接場露光方法であって、
前記補正開口を設けた場合においては、前記補正開口における近接場光の露光量が小さくて実質的に像を形成しないような前記露光光の照射量を用いる、
ことを特徴とする近接場露光方法。
【請求項９】
前露光現像プロセスに、前記フォトレジストとして上層レジストと下層レジストとを有する２層レジスト法を用い、前記フォトレジストのうちの前記微小開口に対応する位置では、現像後に前記上層レジストの底まで達するレジストパターンが形成され、前記補正開口に対応する位置では、現像後に前記上層レジストの底まで達しないレジストパターンが形成される、
ことを特徴とする請求項８に記載の近接場露光方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の近接場露光方法によって素子を製造する、
素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場露光に使用する近接場一括露光用のフォトマスク及びこれを用いた近接場露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリの大容量化やＣＰＵの高速化・高集積化の進展とともに、光リソグラフィーのさらなる微細化は必要不可欠となっている。一般に、光リソグラフィー装置を使用した微細加工における加工の限界は、光源の波長程度であるといわれている。このため、光リソグラフィー装置の光源として近紫外線レーザーを用いるなど短波長化が図られ、０．１μｍ程度の微細加工が可能となっている。
【０００３】
ところが、光リソグラフィー装置において、０．１μｍ以下の微細加工を行おうとすると、光源のさらなる短波長化が必要となり、この波長域でのレンズの開発等解決すべき課題も多い。
【０００４】
そこで、光リソグラフィー装置において、光源の短波長化とは別の方向で、微細加工を可能とする方法として、近接場露光法が注目されている。
【０００５】
特許文献１には、近接場光が遮光膜間から滲み出るようなパターンを有したフォトマスクを、基板上のフォトレジストに密着させて露光し、フォトマスク上の微細パターンを一度にフォトレジストに転写する、という方法が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６１７１７３０明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の特許文献１においては、近接場光の強度分布のばらつきの抑制については検討がなされていない。
【０００８】
なお、特許文献２（米国特許第５２４２７７０号明細書）には、ｅｄｇｅ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  ｌｅｖｅｌｉｎｇ  ｂａｒｓの付与による孤立パターンとｄｅｎｓｅパターンの光学像サイズの等化が開示されている。しかしながら、この技術は、投影露光における光学像の近接効果を補正するものであり、そのまま直ちに近接場マスク露光に適用できるものではない。
【０００９】
そこで、本発明は、近接場露光において、近接場光の強度分布を適宜に補正することができるフォトマスク、及びこれを使用した近接場露光方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るフォトマスクは、近接場一括露光に使用されるフォトマスクにおいて、開口幅が露光光の波長以下である、整列された複数の微小開口を有する微小開口群が形成されている遮光膜を備え、前記微小開口群に露光光が照射されたときに、前記複数の微小開口からしみ出す近接場光の強度分布がほぼ同等となるように、前記微小開口群の形状及び配置が設定されている、ことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る近接場露光方法は、請求項１ないし８のいずれか１項に記載のフォトマスクを、フォトレジストが成膜されている被露光基板に密着させ、露光光を照射して前記フォトレジスト内に光潜像を形成させる近接場露光方法であって、前記補正開口を設けた場合においては、前記補正開口における近接場光の露光量が小さくて実質的に像を形成しないような前記露光光の照射量を用いる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るフォトマスクによると、開口パターンの形状及び配置によって、複数の微小開口における近接場光の強度分布をほぼ同等にすることができる。
【００１３】
本発明に係る近接場露光方法によると、補正開口を設けて、複数の微小開口における近接場光の強度分布を同等にした場合であっても、この補正開口によっては像は形成されることはない。つまり補正開口がフォトレジストに対して実質的な影響を与えることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面に沿って、本発明の実施の形態について説明する。なお、各図面において同じ符号を付したものは、同様の構成あるいは同様の作用をなすものであり、これらについての重複説明は適宜省略した。
【００１５】
＜実施の形態１＞
図１（ａ），（ｂ）に、近接場一括露光用の一般的なフォトマスク１００を示す。なお、図１（ａ）は、フォトマスク１００を表面側（（ｂ）中の矢印Ｘ方向）から見た図であり、図１（ｂ）は支持体１０４に取り付けた状態のフォトマスク１００の、厚さ方向に切った縦断面図である。
【００１６】
同図に示すように、フォトマスク１００は、マスク母体１０１と、このマスク母体１０１上（表面）に設けられた同じく遮光膜１０２とによって構成されている。
【００１７】
マスク母体１０１は、厚さＴが０．１〜１００μｍの、露光光（後述）に対して透過率の高い材料、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＳｉＣなどの材料によって形成されている。
【００１８】
これに対して、遮光膜１０２は、厚さがｔの、露光光に対して透過率の低い材料、例えば、Ｃｒ，Ａｌ，Ａｕ，Ｔａなどの金属材料によって形成されている。この遮光膜１０２には、複数の微小開口からなる開口パターン（微小開口群）１０３が形成されている。それぞれの微小開口は、例えば、図１（ａ）に示すように表面側から見た形状が矩形のスリットｓによって形成されている。スリットｓは、図１（ｂ）に示すように、遮光膜１０２を表裏方向に貫通している。このスリットｓの開口幅ｗは、露光光源（図２の水銀ランプ１３０）から発生される露光光の波長以下のサイズであり、また開口長さは開口幅ｗに対して十分に長く設定されている。このような開口パターン１０３の形成には、収束イオンビームや走査型プローブ加工機による直接加工、また電子ビームリソグラフィーやＸ線リソグラフィーなどによってレジスト膜を加工するリソグラフィー、ナノインプリント法や近接場露光法による微細パターン作製方法等を用いることができる。
【００１９】
上述のような全体として薄膜状のフォトマスク１００は、支持体１０４によって支持されている。支持体１０４は、図１（ｂ）に示すように形成されていて、マスク母体１０１の裏面の外周側を支持している。上述の遮光膜１０２のうちの、開口パターン１０３が形成されている部分は、支持体１０４の中空部分に対応している。
【００２０】
このフォトマスク１００は、基板（後述）に塗布した薄膜状のフォトレジストに密着させて、これに垂直な方向から光を照射して、パターンを露光するものである。
【００２１】
フォトマスク１００に照射された光によって、フォトレジスト中に形成される光強度分布がフォトレジスト中に光潜像を形成する。フォトレジストに適切な現像プロセスを施すことで、この光潜像に対応したフォトレジストパターンを得ることができる。
【００２２】
図２に、フォトマスク１００を保持して、フォトレジストが塗布されている基板に、パターンを転写をする露光装置１１０を示す。
【００２３】
近接場露光用のフォトマスク１００は、その表面を下側に向けた状態、すなわちマスク母体１０１上側で、遮光膜１０２が下側に位置した状態で支持体１０４を介して圧力調整容器１１１の下部に取り付けられている。言い換えると、フォトマスク１００は、表面側（同図中の下面）を圧力調整容器１１１の外側に、また裏面側（同図中の上面）を圧力調整容器１１１の向けた状態で配置されている。この圧力容器１１１は、その内側の圧力が、圧力調整手段１１２によって調整することができるようになっている。
【００２４】
被露光物としては、表面にレジスト膜（フォトレジスト）１２１が形成された基板１２０が使用される。基板１２０は、ステージ１２２上に取り付けられる。そして、ステージ３０８をｘ−ｙ面内で駆動して、フォトマスク１００に対して基板１２０のマスク面内２次元方向の相対位置合わせを行う。次に、マスク面法線方向（同図中の上下方向）にステージ１２２を駆動し、フォトマスク１００を基板１２０上のレジスト膜１２１に密着させる。
【００２５】
圧力調整手段１１２によって圧力調整容器１１１内の圧力を調整して、フォトマスク１００の表面と基板１２０上のレジスト膜１２１との間隔が全面にわたって１００ｎｍ以下になるように両者を密着させる。
【００２６】
その後、露光光源としての水銀ランプ１３０から出射される露光光１３１をコリメーターレンズ１３２で平行光にした後、ガラス窓１３３を通し、圧力調整容器１１１内に導入し、フォトマスク１００に対して裏面側から照射する。このような照明によって、フォトマスク１００表面側のスリットの近くに生じる近接場でレジスト膜１２１の露光を行う。
【００２７】
図３（ａ）〜（ｄ）に、１層のバッファ層を含む本実施の形態のパターン作成方法を示す。２層レジスト法と呼ばれる方法である。図３（ａ）にフォトマスク１００と被露光物としての基板１２０とを示す。フォトマスク１００は、上述のように、マスク母体１０１と、開口パターン１０３を有する遮光膜１０２とによって構成されている。また、基板１２０は、以下のような構成である。Ｓｉ基板１２３上に、ネガ型フォトレジストをスピンコータで塗布する。その後、ハードベークして１層目の下層レジスト（汎用レジスト：バッファ層）１２４とする。下層レジスト１２４の膜厚は１８０ｎｍとした。この加熱処理によって、下層レジスト１２４の感光性能は失われる。
【００２８】
次に、この下層レジスト１２４上に、Ｓｉ含有ポジ型フォトレジスト（例えば、ＦＨ−ＳＰ３ＣＬ：富士フィルムアーチ社製）を塗布後、プリベークしてこれを２層目の上層レジスト１２５とする。上層レジスト１２５の膜厚は、２０ｎｍとなるようにして、２層構造のフォトレジスト層を形成した。
【００２９】
２層構造のフォトレジスト層が塗布されたＳｉ基板１２３とフォトマスク１００とを、前述の図２に示す露光装置１１０によって近接させ、圧力を加えて上層レジスト１２５とフォトマスク１００とを密着させる。フォトマスク１００を介して露光光１３１を照射して、フォトマスク１００上のパターンを上層レジスト１２５に露光する（図３（ｂ））。その後、フォトマスク１００を上層レジスト１２５表面から離し、上層レジスト１２５の現像、ポストベークを行い、フォトマスク１００上のパターンをレジストパターンとして転写した（図３（ｃ））。
【００３０】
しかしながら、図１に示したレジストパターンにおいて、遮光膜１０２上の複数のスリットのうちの端に位置するスリットにおける近接場光の強度分布が低いという問題が発生した。
【００３１】
そこで、本発明者ら以下のようにしてこの問題が解決した。
【００３２】
ここで、薄膜のフォトレジスト中に形成される光潜像の形状、すなわち光強度分布については、ベクトル電磁界解析手法を用いて数値的に解析することが可能である。
【００３３】
発明者は、ベクトル電磁界解析手法のひとつである有限差分時間域法（ＦＤＴＤ法）によってこの光潜像の形状を解析した。
【００３４】
計算の前提は以下のものである。マスク母材１０１は屈折率１．９のＳｉＮによって形成し、このマスク母体１０１の表面に遮光膜１０２として、厚さｔが５０ｎｍのＣｒ膜を設けた。この遮光膜１０２に、複数のスリット（複数の微小開口）からなる開口パターン１０３が形成されている。このフォトマスク１００を、Ｓｉ基板上のフォトレジストに密着させた。露光光源としては水銀ランプ１３０（図２参照）を使用した。この水銀ランプから発生される露光光の波長は、真空中で４３６ｎｍのｇ線であるものとして計算を行った。ここでの計算例としては、開口パターン１０３としては、各微小開口としてのスリットがＮ本繰り返されるパターンを用いた。このスリットは、開口幅が４０ｎｍで、ピッチ（相互に隣接するスリットの中心間の距離）がｐｎｍで、開口長さが開口幅に対して十分に長いものである。
【００３５】
ピッチｐを１００ｎｍから８０ｎｍ、スリットの本数Ｎを２本から５本まで変化させて解析を行った。
【００３６】
解析の結果、これらの開口パターン１０３に対するフォトレジスト中の近接場光の強度分布は、以下のような特徴をもつことが明らかになった。
（１）３本以上の並びのパターンにおいて、端のスリット直下の近接場光の強度が、中央のスリット直下の近接場光の強度と比べて弱い。
（２）スリットが５本の並びのパターンにおいて、中央３本のスリット間の近接場光の強度のばらつきは小さい。
【００３７】
これらの現象は、以下のようなことに起因するものとして解釈、理解することができる。
【００３８】
ピッチｐなどの諸パラメータがここに挙げた条件下では、複数のスリットの近接場において、相互に近接場光を強め合う作用がある。この作用は、それぞれのスリットにおいて、隣接するスリットから働く。しかし、端に位置するスリットでは、この作用が片側からしか得られないので近接場光の強度が相対的に弱いものとなる。
【００３９】
ここで、近接場光が相互に強め合う作用は、それぞれのスリットを透過した光が、フォトレジスト内ないしマスク／レジスト界面（フォトマスクとフォトレジストとの境界面）を伝搬することによる現象と考えることができる。
【００４０】
図４に示すように、微小開口としてのスリットＡ，Ｂに対して、スリットＡ，Ｂの長手方向と垂直な電界ベクトルを有する各振動数ωの平面波（露光光１３１）が入射している。スリットＡの出射側（同図中の下側）で右向きの電界が最大値となっている瞬間を考える。スリットＡの右側の壁Ａ１の下端であるＡ＋点では、メタル表面の誘起電荷が最大値σ＋となっており、スリット左側の壁Ａ２の下端のＡ−点では、誘起電荷が負の最大値σ−となっている。これによって、フォトマスク１００近傍のフォトレジスト内の電界の方向は、Ａ＋近傍で上向き、Ａ−近傍で下向きとなっている。平面波で励起されているので、スリットＢにおいても同様の状況である。すなわち、スリットＢの右側の壁Ｂ１の下端であるＢ＋点近傍では、上向きの電界が生じ、スリットＢの左側の壁Ｂ２の下端であるＢ−点近傍では、下向きの電界が生じている。
【００４１】
これら、フォトレジスト中で上向きないし下向きの電界は、マスク／レジスト界面の表面プラズモンポラリトンと結合して、この界面にそって伝搬する波となる。Ｂ−点とＡ＋点での振動数ωでの振動は位相が１８０度異なっているので、Ｂ−点とＡ＋点の距離が例えば表面プラズモンポラリトンの波長λの半分（λ／２）のときには、Ｂ−点での誘起電荷に励起された表面プラズモンポラリトンが、Ａ＋点近傍の電磁界と同相での振動となり、近接場の光強度を増大させることがわかる。また、このような原理によって近接場光強度を増大させるためには、Ｂ−点とＡ＋点との距離が、λ／４よりは大きくλ×（３／４）よりも小さければよいことが容易にわかる。
【００４２】
また、ピッチｐが１００ｎｍないしそれよりも小さな領域では、スリットを透過する光そのものが、隣接するスリットと結合した表面プラズモンポラリトンモードを形成して、スリットアレイを透過してくる。この場合、端のスリットにおいて最も外側のスリット／遮光膜界面でのプラズモンポラリトンモードは、遮光膜１０２の向こう側に結合する相手が存在しないために、外側のスリットで損失が大きめになる。
【００４３】
この場合、上に述べたメカニズムとは異なった理由で、しかし、現象としては同様のものが得られ、スリット並びの端からの近接場光の強度分布が弱いものとなる。
【００４４】
さて、このようにして、同じ開口幅のスリット並びによって生じる近接場光の強度及び潜像のサイズが異なり、並びの端のスリットにおいて近接場光の強度が弱いので、開口パターンの設計において、あらかじめこの効果を考慮した設計を行うことで、各スリットに対応する近接場光の強度の変動を抑え、均一な近接場光の強度分布を得て、サイズの揃った光潜像を得ることができる。
【００４５】
具体的には、各スリットのサイズに補正を加えて、近接場光の弱くなるスリット並びの端におけるスリットのスリット幅を大きくすることで、フォトレジスト中に形成される近接場光の強度分布が等しくなるように補正することができる。
【００４６】
このような補正の例、すなわち本発明を適用することができるフォトマスクの一例を図５に示す。
【００４７】
以下の条件を設計の前提としている。マスク母材１０１は屈折率１．９のＳｉＮを使用し、このマスク母体１０１表面に遮光膜１０２として厚さ５０ｎｍのＣｒ膜を設け、この遮光膜１０２に微小開口としてスリットを形成している。このフォトマスク１００を、Ｓｉ基板上の２００ｎｍ厚のフォトレジストに密着させた。露光光源からの露光光の波長は真空中で４３６ｎｍのｇ線としてある。遮光膜１０２には、５本のスリットＳが平行に並べて整列された状態で形成されている。各スリットＳの開口長さはいずれも２０００ｎｍであり、各スリットＳ間のピッチｐはいずれも１００ｎｍとした。各スリットｓの開口幅については、内側の３本のスリットｓは４０ｎｍ、最外に位置する２本のスリットｓは５０ｎｍとした。つまり、近接場光の強度分布が等しくなるような補正として、図５に示すものでは、最外に位置する２本のスリットｓの開口幅のみを広くするようにしている。
【００４８】
このように補正が加えられた開口パターン１０３を有する遮光膜１０２を、上述の図２に示す露光装置１１０に取り付けて露光を行ったところ、各スリットｓについて近接場光の強度分布をほぼ同等に生じさせることができた。
【００４９】
＜実施の形態２＞
図６に、本発明を適用することができるフォトマスク１００の他の例を示す。本実施の形態では、スリット並びの外側にさらに補助的な微小開口（補正開口）を配置して、一番外側のスリットｓにおいても先に述べた外側の開口からの増強作用が得られるようにすることができた。
【００５０】
設計の条件は、図５のものと同じであるが、ピッチｐが１００ｎｍで開口幅４０ｎｍ、長さ２０００ｎｍの長いスリットｓが５本並んでいるものの外側に、開口幅２０ｎｍ、長さ２０００ｎｍの補正開口ｓａを配している。５本のスリットｓのうちの補正開口ｓａに隣接するスリットｓの中心と、補正開口ｓａの中心との間の距離は、並びのスリットｓのピッチｐ（＝１００ｎｍ）よりもわずかに大きく、１１０ｎｍとしている。
【００５１】
この場合に、補正開口ｓａそのものがレジスト中に像を作ることは望ましいことではないので、補正開口ｓａのサイズは、並びのスリットｓ開口幅よりも小さくしておく必要がある。
【００５２】
ここで、並びのスリットｓの開口幅よりも小さく、弱い近接場光の分布しか作らないような補正開口ｓａを用いたときにこれをどのような場所に配置するのがよいかについて説明する。
【００５３】
前述のように、並びのスリットｓからの距離がλ／４よりは大きく（λ×３）／４よりは小さいときに、補正開口ｓａからのプラズモンポラリトンが隣のスリットｓの近接場強度を増強するので、この範囲内に補正開口ｓａを配置すれば、ある程度の補正効果が得られる。
【００５４】
次に、最適な補正効果を得るために最適なスリットの配置について考えるために、仮に、補正開口ｓａの開口幅が並びのスリットｓの開口幅と同等であるものとする。並びのスリットｓの間隔と同じピッチｐを用いて補正開口ｓａを配置したときに、並びの端のスリットｓが補正開口ｓａから受ける近接場光の増強作用が最適なものとなる。すなわち、他の並びの内側に位置するスリットｓからの近接場強度と、並びの端のスリットｓからの近接場光の分布が同等のものとなるのである。ところで、ここで用いる補正開口ｓａは、並びのスリットｓと比べて近接場強度が弱いものであった。そこで、今考えた状況よりも近接場の増強作用は弱くなる。
【００５５】
ここまで述べたことを考慮すると、補正開口ｓａの最適配置は、並びのスリットｓと同等の間隔で配置した場合よりも強く増強作用が得られる場所にシフトすることが望ましい。増強作用が最も強く得られる配置とは、間隔がλ／２の位置であることは、先に述べたとおりである。
【００５６】
このように補正が加えられた開口パターン１０３を有する遮光膜１０２を、上述の図２に示す露光装置１１０に取り付けて露光を行ったところ、各スリットについて近接場光の強度分布をほぼ同等に生じさせることができた。
【００５７】
＜実施の形態３＞
図７に、本発明を適用することができるフォトマスク１００のさらに別の例を示す。なお、同図に示すものは、図６に示すものと同一の原理に基づいて別の補正開口ｓｂを設けた例である。
【００５８】
ここでは、補正開口ｓｂとして、開口幅の小さなスリットを用いる代わりに、並びのスリットｓの開口幅と同じ開口幅で長さも波長の半分よりも短い微小開口を複数並べたものを用いている。
【００５９】
縦横ともに波長よりも小さな微小開口の近接場光の強度分布は、スリット状の近接場光の強度分布と比べて弱くなっているので、このような方法によっても、並びのスリットｓの開口よりも強度の弱い補正開口ｓｂを構成することができる。
【００６０】
補正開口ｓｂの配置は、実施の形態１に示したものと同様の考え方に従って配置されている。本実施の形態では並びのスリットｓのピッチｐが表面プラズモンポラリトンの半波長よりも大きいので、補正開口ｓｂから並びのスリットｓまでの中心間距離を並びのスリットｓ相互のピッチｓよりも小さくしている。
【００６１】
具体的には、ピッチｐが１６０ｎｍで、開口幅４０ｎｍ、開口長さ２０００ｎｍの長いスリットｓが５本並んでいるものの外側に、開口幅４０×開口長さ４０ｎｍの方形の微小開口を、８０ｎｍピッチで配して補正開口ｓｂを構成している。並びのスリットｓと補正開口ｓｂとの中心間距離は、並びの開口のピッチｐ（＝１６０ｎｍ）よりも小さく、１４０ｎｍとしている。
【００６２】
この補正開口ｓｂによって、５本並んだスリットｓの近接場光の強度分布が同等になるように補正することができる。また、方形の補正開口ｓｂの作る近接場光はスリットｓの近接場光よりも弱いので、この部分は浅いレジストパターンしか形成されず、最終的に基板には転写されない。
【００６３】
以上の実施の形態１〜３で説明したフォトマスク１００、すなわち補正を加えたフォトマスク１００を用いて、１００ｎｍ以下のサイズの構造の製造において、構造のサイズを精度よく作製することができる。
【００６４】
このような１００ｎｍ以下のサイズの構造の製造技術を例えば、
（１）５０ｎｍサイズのＧａＡｓ量子ドットを５０ｎｍ間隔で２次元で並べた構造製造に用いることによる量子ドットレーザー素子、
（２）５０ｎｍサイズの円錐状ＳｉＯ２構造をＳｉＯ２基板上に５０ｎｍ間隔で２次元に並べた構造製造に用いることによる光反射防止機能を有するサブ波長素子（ＳＷＳ）構造、
（３）ＧａＮや金属からなる１００ｎｍサイズの構造を１００ｎｍ間隔で２次元に周期的に並べた構造製造に用いることによるフォトニック結晶光学デバイス、プラズモン光学デバイス、
（４）５０ｎｍサイズのＡｕ微粒子をプラスティック基板上、５０ｎｍ間隔で２次元に並べた構造製造に用いることによる局在プラズモン共鳴（ＬＰＲ）や表面増強ラマン分光（ＳＥＲＳ）を利用したバイオセンサやマイクロトータル解析システム（μＴＡＳ）、
（５）トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡、近接場光学顕微鏡等の走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）に用いられる５０ｎｍ以下のサイズの尖鋭な構造製造に用いることによるＳＰＭプローブ等のナノエレクトロメカニカルシステム（ＮＥＭＳ）素子、
等の具体的素子製造に応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）は一般的なフォトマスクの構成を示す上面図である。（ｂ）は支持体に取り付けられた上体の一般的なフォトマスクの縦断面図である。
【図２】露光装置の構成を示す縦断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は２層レジスト法によりレジストパターンの製造方法を説明する図である。
【図４】近接場光が強め合う作用を説明する図である。
【図５】実施の形態１におけるフォトマスクの開口パターンを示す図である。
【図６】実施の形態２におけるフォトマスクの開口パターンを示す図である。
【図７】実施の形態３におけるフォトマスクの開口パターンを示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１００      フォトマスク
１０１      マスク母体
１０２      遮光膜
１０３      開口パターン（開口群）
１２０      基板（被露光基板）
１２１      フォトレジスト
１２３      Ｓｉ基板
１２４      下層レジスト
１２５      上層レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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