(57)【要約】【課題】  簡単に、ウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償することができる露光調整方法を提供する。【解決手段】  荷電粒子線を使用してレチクルに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に露光転写する分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルの撓みによる露光位置の光軸方向のずれに起因して発生するウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償するために投影光学系に加える補正量を、レチクル面の位置ごとに固有のデータとしてテーブル化しておき、露光転写時に、露光されるレチクルの位置に応じて、対応するテーブル化された補正量に基づいて、投影光学系を調整する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を使用してレチクルに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に露光転写する分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルの撓みによる露光位置の光軸方向のずれに起因して発生するウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償するために投影光学系に加える補正量を、前記レチクル面の位置ごとに固有のデータとしてテーブル化しておき、露光転写時に、露光されるレチクルの位置に応じて、対応する前記テーブル化された補正量に基づいて、投影光学系を調整することを特徴とする荷電粒子線露光装置における露光調整方法。
【請求項２】
荷電粒子線を使用してレチクルに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に露光転写する分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度に依存して発生するウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償するために投影光学系に加える補正量を、前記レチクルステージの位置、及び前記レチクルステージ速度ごとに固有のデータとしてテーブル化しておき、露光転写時に、露光されるレチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度に応じて、対応する前記テーブル化されたデータに基づいて、投影光学系を調整することを特徴とする荷電粒子線露光装置における露光調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルの撓み、レチクルステージ位置、レチクルステージ速度に依存して発生する、ウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補正する露光調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する工程においては、レチクル（本明細書、及び請求の範囲においてはマスクを含む意味で使用する）に形成されたパターンをウエハ等の感応基板に露光転写する工程が含まれる。近年、半導体デバイスの集積度の向上により微細化されたパターンは従来の紫外光を用いた露光方法では解像が困難になりつつあり、荷電粒子線や極短紫外線（ＥＵＶ）を用いた新しい露光方法が使用されるようになってきている。中でも荷電粒子線を用いた露光装置は、電気的手段による制御性が良い、等の利点を持ち、次世代の露光手段として有望である。
【０００３】
荷電粒子線露光装置においては、荷電粒子線光学系の収差や歪等のために、広い領域を一度に露光転写することができない。このため、例えば１つのチップに相当する領域を、複数のサブフィールドと呼ばれる領域に分けて、サブフィールドごとに露光転写を行い、露光転写されたパターンをつなぎ合わせて１つのチップのパターンを得る、分割露光転写方式が採用されるようになってきている。
【０００４】
図１に分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置の概要を示す。図１において、１００はレチクル、１００ａはレチクル１００上のサブフィールド、１００ｂはサブフィールド１００ａ間の境界領域、１１０はレジストを塗布したウエハ等の感応基板、１１０ａは感応基板１１０の１チップ分の領域、１１０ｂはサブフィールド１００ａそれぞれに対応した感応基板１１０の被転写領域、ＡＸは荷電粒子線光学系の光軸（システム軸）、ＥＢは荷電粒子線、ＣＯは荷電粒子光学系のクロスオーバポイントである。
【０００５】
レチクル１００上には、感応基板１１０に転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数のサブフィールド１００ａが、パターンが存在しない境界領域１００ｂにより区分されて存在している。そして、境界領域１００ｂに対応する部分には、格子状の支柱（桟）が設けられ、メンブレンを熱的及び強度的に保護している。
【０００６】
各サブフィールド１００ａは、感応基板１１０の１チップ分の領域１１０ａに転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞれ備えており、分割した部分パターン毎に感応基板１１０に転写される。
【０００７】
感応基板１１０の外観形状は図１（ｂ）に示したとおりであり、図１（ａ）においては、感応基板１１０の一部（図１（ｂ）のＶａ部）を拡大して示してある。
【０００８】
図１において、荷電粒子線光学系の光軸ＡＸと平行にｚ軸をとり、サブフィールド１００ａの並び方向と平行にｘ軸、ｙ軸をとる。そして、矢印Ｆｍ、Ｆｗで示すように、レチクル１００及び感応基板１１０をｘ軸方向へ互いに逆向きに連続移動させながら、荷電粒子線をｙ軸方向にステップ的に走査して一列のサブフィールド１００ａのパターンを順次転写し、その列のパターン転写が終了した後に、ｘ軸方向に隣接する次のサブフィールド１００ａの列を荷電粒子線で走査し、以降同様にしてサブフィールド１００ａ毎に転写（分割露光転写）を繰り返して１チップ分のパターンを転写する。この矢印Ｆｍ、Ｆｗで示されるｘ軸方向を、ステージのスキャン方向と呼ぶ。
【０００９】
このときのサブフィールド１００ａの走査順序及び感応基板１１０への転写順序は、それぞれ矢印Ａｍ、Ａｗで示すとおりである。なお、レチクル１００と感応基板１１０の連続移動方向が逆なのは、一対の投影レンズによりレチクル１００と感応基板１１０とでｘ軸、ｙ軸がそれぞれ反転するためである。
【００１０】
このような手順で転写（分割転写）を行う場合、ｙ軸方向の一列のサブフィールド１００ａのパターンを一対の投影レンズで感応基板１１０にそのまま投影するだけでは、サブフィールド１００ａそれぞれに対応した感応基板１１０の被転写領域１１０ｂそれぞれの間に、境界領域１００ｂに対応する隙間が生じる。これに対する対策として、各サブフィールド１００ａを通過した荷電粒子線ＥＢを境界領域１００ｂの幅Ｌｙに相当する分だけｙ軸方向に偏向してパターン転写位置を補正している。
【００１１】
ｘ軸方向に関しても、パターン縮小率比及びサブフィールド間隔Ｌｘを考慮した一定速度で散乱透過レチクル１００と感応基板１１０を移動させるだけでなく、サブフィールド１００ａの像と感応基盤１１０との相対速度がゼロになるように偏向しながら露光し、被転写領域１１０ｂ同士の間にｘ軸方向の隙間が生じないように、パターン転写位置を補正している。
【００１２】
以上説明したように、分割露光転写方式においては、レチクル１００上の１チップに対応するパターンが多数のサブフィールド１００ａに分割され、各サブフィールド１００ａ間に形成された境界領域１００ｂに格子状の支柱（ストラット）が設けられているので、荷電粒子線照射によるレチクル基板のたわみや熱歪みを抑制することができ、精度のよい露光転写を行うことができる。
【００１３】
また、このような方法で露光が行われるため、従来の荷電粒子線露光装置と比較すると、サブフィールド領域が一括露光され、またレチクルには露光すべきパターンが全て形成されているため、非常にスループットを向上させることができる。
【００１４】
なお、以上のような露光方法で露光できるサブフィールドの数は、ｙ軸方向では２０個程度である。ｙ軸方向には正方向と負方向に、それぞれサブフィールド１０個分程度の偏向を行わな無ければならないのに対し、ｘ軸方向には、正方向と負方向にサブフィールド１個分の偏向を行えばよい。よって、本明細書及び特許請求の範囲ではｙ軸方向のことを「主偏向方向」と呼ぶことにする。
【００１５】
このような荷電粒子線露光装置の光学系の１例を図２に示す。図２は、荷電粒子線露光装置の光学系の概要図である。図２において、１１は荷電粒子線源、１２Ａ〜１２Ｃは照明用レンズ、１３はビーム成形アパーチャ、１４は開口絞り、１５はレチクル、１６Ａ、１６Ｂは投影用レンズ、１７は散乱アパーチャ、１８はウエハである。
【００１６】
荷電粒子線源１１から放出された荷電粒子線は、照明用レンズ１２Ａによりビーム成形アパーチャ１３の開口面を均一に照明し、レンズ１２Ｂ，１２Ｃによりビーム成形アパーチャ１３の開口面の像をレチクル１５上に形成する。この像の領域が照明領域となる。レチクル１５上に形成されたパターンの像は、投影用レンズ１６Ａ、１６Ｂによりウエハ１８上に結像し、ウエハ１８上のレジストを感光させる。照明荷電粒子線の開口角を制限するために開口絞り１４が設けられ、レチクル１５で散乱された散乱線をカットするために散乱アパーチャ１７が設けられている。
【００１７】
又、倍率、回転、焦点位置を微少量、迅速に調整するためにフォーカスコイル（ダイナミックフォーカスコイル）１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃが設けられており、非点ボケ、直交度、非等方倍率の調整のために２つのスティグメータ２０Ａ、２０Ｂが設けられている。パターン像の位置を調整するために、偏向器２１Ａ〜２１Ｄが設けられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
このような荷電粒子線光学系において、何らかの条件の変化により、像の回転、像の倍率、焦点位置、直交度、非等方倍率、０−９０度非点ボケ、４５−１３５度非点ボケ、像のｘ方向位置、ｙ方向位置のうち少なくとも１つが変動したとき、その変動を、フォーカスコイル１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、スティグメータ２０Ａ、２０Ｂ、偏向器２１Ａ〜２１Ｄのコイルに流す電流、又は電極に印加する電圧を変えることにより補償することが行われるようになってきている。
【００１９】
その方法は、前記像の回転、像の倍率、焦点位置、直交度、非等方倍率、０−９０度非点ボケ、４５−１３５度非点ボケ、像のｘ方向位置、ｙ方向位置の変化量を示すベクトル（像ベクトル）から、前記３つのフォーカスコイルに流す電流と、前記２組のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧と、前記一組以上の偏向器のコイルに流す電流又は電極に印加する電圧の変化量を示すベクトル（操作量ベクトル）を求める９行９列の行列（補正行列）を予め求めておき、前記像ベクトルを決定することにより、前記操作量ベクトルを前記像ベクトルと前記補正行列の積として求める方法である。
【００２０】
すなわち、像の回転をRot、像の倍率をMag、焦点位置をFoc、非等方倍率をAniMag、直交度をOrtho、０−９０度非点ボケをS1、４５−１３５度非点ボケをS2、像のｘ方向位置をＸ、像のｙ方向位置をＹとし、第１のフォーカスコイルに流す電流をＩＦＣ１、第２のフォーカスコイルに流す電流をＩＦＣ２、第３のフォーカスコイルに流す電流をＩＦＣ３、第１組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧をＩｓｔｉｇ１＝０、Ｉｓｔｉｇ１＝４５、第２組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧をＩｓｔｉｇ２＝０、Ｉｓｔｉｇ２＝４５、１組の偏向器に流す電流をＩＤＦｘ、ＩＤＦｙとするとき、
【００２１】
【数１】
2006203067.tif 000002
【００２２】
となる関係を与えるような、Ｃ１１〜Ｃ９９を要素とする行列[Ｃ]を予め求めておき、変化させたい像の回転Rot、像の倍率Mag、焦点位置Foc、非等方倍率AniMag、直交度Ortho、０−９０度非点ボケS1、４５−１３５度非点ボケS2、像のｘ方向位置Ｘ、像のｙ方向位置Ｙが分かったとき、（３）式に代入することにより、各操作量を求めるものである。ただし、（３）式においてΔは変化量を表す。
【００２３】
このような行列[Ｃ]のことを、本明細書では「補正行列」と呼ぶ。補正行列を求めるには、各操作量であるＩＦＣ１、ＩＦＣ２、ＩＦＣ３、Ｉｓｔｉｇ１＝０、Ｉｓｔｉｇ１＝４５、Ｉｓｔｉｇ２＝０、Ｉｓｔｉｇ２＝４５、ＩＤＦｘ、ＩＤＦｙを変化させ、そのときに回転Rot、像の倍率Mag、焦点位置Foc、非等方倍率AniMag、直交度Ortho、０−９０度非点ボケS1、４５−１３５度非点ボケS2、像のｘ方向位置Ｘ、像のｙ方向位置Ｙの変化量を実測し、これらの関係から、最小２乗法等を用いて補正行列[Ｃ]の逆行列である感度行列[Ｓ]を求める。そして、[Ｓ]の逆行列を求めることにより、補正行列[Ｃ]を決定するようにしている。
【００２４】
以上の議論と関連して、露光中に像ベクトルの変化を発生させるものに、レチクルの高さ方向位置変化とウエハの高さ方向位置変化がある。なお、「高さ方向」とは、露光装置の光軸方法のことをいう。この像変化を補正するために、オートフォーカス制御が使用されている。これは、オートフォーカスセンサと呼ばれるセンサによりレチクルの高さ方向位置、ウエハの高さ方向位置を検出して、フィードバック制御により、これらの位置を一定に保つようにレチクルステージ、ウエハステージの位置を制御すると共に、フィードバック制御で取りきれなかった高さ方向位置誤差によって発生する像ベクトルの変化を、投影光学系を調整することにより補償するものである。
【００２５】
例えばレチクルステージの高さを単位量だけ変えたときの像ベクトルの変化を測定し、それに補正行列[Ｃ]を掛けることにより、要素が１×９のレチクル高さ補正行列[ＣＲ]を求めておく。同様にして、ウエハステージの高さを単位量だけ変えたときの像ベクトルの変化を測定し、それに補正行列[Ｃ]を掛けることにより、要素が１×９のウエハ高さ補正行列[ＣＷ]を求めておく。そして、露光中にレチクル高さがΔＺＲ、ウエハ高さがΔＺＷだけ変動した場合には、
[ＣＲ]ΔＺＲ＋[ＣＷ]ΔＺＷ
で決まる操作量ベクトルに対応する操作量を投影光学系に加えることにより像ベクトルの変動を抑える。
【００２６】
しかしながら、前述のようなオートフォーカス制御を行う場合には、実際のレチクル高さ、ウエハ高さを検出して、これにレチクル高さ補正行列、ウエハ高さ補正行列を掛けて、操作量ベクトルを算出しなければならず、演算に時間を要し、スループットを低下させる一要因となっていた。
【００２７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、上記のような補正方法を基本としながら、より簡単に、ウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償することができる露光調整方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
前記課題を解決するための第１の手段は、荷電粒子線を使用してレチクルに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に露光転写する分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルの撓みによる露光位置の光軸方向のずれに起因して発生するウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償するために投影光学系に加える補正量を、前記レチクル面の位置ごとに固有のデータとしてテーブル化しておき、露光転写時に、露光されるレチクルの位置に応じて、対応する前記テーブル化された補正量に基づいて、投影光学系を調整することを特徴とする荷電粒子線露光装置における露光調整方法である。
【００２９】
発明者が実際の露光状態における像変化を観察した結果、殆どの像変化は、レチクルの光軸方向位置の関数として表されることを見いだした。レチクルとウエハは、露光時においてそれぞれレチクルステージ、ウエハステージに静電チャックにより固定されるが、このうち、ウエハについてはウエハ全面を固定することができるので、光軸方向の高さ位置変動は問題とならない。よって、ウエハの高さ変動による補正は行わなくてよい。
【００３０】
これに対し、レチクルは、その機能上荷電粒子線を透過させる必要があるので、その周囲の部分のみを固定することができるのみであり、重力による撓みが避けられない。レチクルは、前述のようにメンブレンで構成され、サブフィールド間には補強材であるストラットが形成されているが、それでもある程度の撓みが避けられない。従って、露光されるサブフールド毎に光軸方向の位置が変わることになり、それが像変化を引き起こす原因となる。
【００３１】
一方、レチクルの撓みは、レチクルの寸法（大きさ、ストラット配置等）が同一であれば、レチクルに形成されたパターンには殆ど影響せず、同一とみなして差し支えないことも見いだした。よって、同一寸法のサンプルレチクルについて、レチクル面の位置（典型的にはサブフィールド）毎に前記像ベクトルを求め、さらにこれに、予め求められている補正行列を掛けて、レチクル高さ変動に伴う像ベクトルの変動を補償する操作量ベクトル（レチクル高さ補償ベクトルと称する）を求めてテーブル化しておき、そのサンプルレチクルと同一寸法のレチクルを使用して露光を行うときは、対応位置（サブフィールド）のレチクル高さ補償ベクトルをテーブルからピックアップして、それに基づいて投影光学系を調整するようにすればよい。
【００３２】
前記課題を解決するための第２の手段は、荷電粒子線を使用してレチクルに形成されたパターンをウエハ等の感応基板上に露光転写する分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置において、レチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度に依存して発生するウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償するために投影光学系に加える補正量を、前記レチクルステージの位置、及び前記レチクルステージ速度ごとに固有のデータとしてテーブル化しておき、露光転写時に、露光されるレチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度に応じて、対応する前記テーブル化されたデータに基づいて、投影光学系を調整することを特徴とする荷電粒子線露光装置における露光調整方法である。
【００３３】
発明者が、実際の露光を観察した結果、像ベクトルは、レチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度の影響を受けることを見いだした。像ベクトルがレチクルステージの位置や速度の影響を受けるのは、レチクルステージを駆動するリニアモータの磁界の影響であると推定される。レチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度と像ベクトルの関係には、再現性があるので、サンプルレチクルについて、レチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度を変化させて露光を行って、像ベクトルとレチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度の関係を求め、さらに像ベクトルに、予め求められている補正行列を掛けて、レチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度変動に伴う像ベクトルの変動を補償する操作量ベクトル（それぞれ、レチクルステージ位置補償ベクトル、レチクルステージ速度補償ベクトルと称する）を求めてテーブル化しておき、そのサンプルレチクルと同一寸法のレチクルを使用して露光を行うときは、対応するレチクルステージの位置、及びレチクルステージ速度についてのレチクルステージ位置補償ベクトル、レチクルステージ速度補償ベクトルをテーブルからピックアップして、それに基づいて投影光学系を調整するようにすればよい。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、簡単にウエハ上での像の位置、形状、焦点位置の変化を補償することができる露光調整方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。以下の説明においては、前述の（３）式における補正行列[Ｃ]は予め求まっているものとする。
【００３６】
サンプルとなるレチクル（サンプルレチクル）を用意し、各サブフィールドに基準となるパターンを形成し、標準的な条件（補正行列[Ｃ]を求めたときの条件）で露光を行って、ウエハを現像し、像の回転Rot、像の倍率Mag、焦点位置Foc、非等方倍率AniMag、直交度Ortho、０−９０度非点ボケS1、４５−１３５度非点ボケS2、像のｘ方向位置Ｘ、像のｙ方向位置Ｙをサブフィールド毎に求める。そして、これらの標準値からの差のベクトル
【００３７】
【数２】
2006203067.tif 000003
【００３８】
を求め、これを補正行列[Ｃ]に掛けて、レチクル高さ補償ベクトルを、サブフィールド毎に求めておく。レチクル高さ補償ベクトルは、
【００３９】
【数３】
2006203067.tif 000004
【００４０】
と表すことができる。
このレチクル高さ補償ベクトルをテーブルの形で記憶しておく。
【００４１】
そして、サンプルレチクルと同一寸法のレチクルを使用して露光を行う場合には、対応するサブフィールドのレチクル高さ補償ベクトルをこのテーブルから読み出し、読み出した値に対応する分だけ、第１のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ１、第２のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ２、第３のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ３、第１組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ１＝０、Ｉｓｔｉｇ１＝４５、第２組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ２＝０、Ｉｓｔｉｇ２＝４５、１組の偏向器に流す電流ＩＤＦｘ、ＩＤＦｙを変化させる。
【００４２】
これにより、従来補正にかかっていた演算時間が短くなり、スループットが向上する。又、レチクルの高さ方向位置制御を省略することができる。なお、レチクルの高さ方向位置制御を省略するためであれば、サブフィールド毎のレチクル高さ補償ベクトルの代わりに、像ベクトルを記憶し、露光時に像ベクトルに補正行列[Ｃ]を掛けてレチクル高さ補償ベクトルを求めるようにしてもよい。
【００４３】
なお、レチクル高さ補償ベクトルは、以下のようにしても求めることができる。まず、レチクルの撓み量をサブフィールド毎に測定しておく。そして、サンプルレチクルを使用して、単位撓み量当たりの像ベクトルの変化量を求め、これらの積からサブフィールド毎の像ベクトルの変化量を求める。そして、これに補正行列[Ｃ]を掛けて、サブフィールド毎のレチクル高さ補償ベクトルを求める。
【００４４】
レチクルステージ位置補償ベクトルも同様の方法によって求める。すなわち、標準パターンが各サブフィールドに形成されたサンプルレチクルを使用して、標準的な条件（補正行列[Ｃ]を求めたときの条件）と標準の露光速度（ＳＦtime）で、ウエハの露光を行い、ウエハを現像して露光パターンの像の回転Rot、像の倍率Mag、焦点位置Foc、非等方倍率AniMag、直交度Ortho、０−９０度非点ボケS1、４５−１３５度非点ボケS2、像のｘ方向位置Ｘ、像のｙ方向位置Ｙをサブフィールド毎に求める。そして、これらの標準値からの差のベクトル
【００４５】
【数４】
2006203067.tif 000005
【００４６】
を求め、これを補正行列[Ｃ]に掛けて、レチクルステージ位置補償ベクトルを、サブフィールド毎に求めておく。レチクルステージ位置補償ベクトルは、
【００４７】
【数５】
2006203067.tif 000006
【００４８】
と表すことができる。
このレチクルステージ位置補償ベクトルをテーブルの形で記憶しておく。
【００４９】
そして、サンプルレチクルと同一寸法のレチクルを使用して露光を行う場合には、対応するサブフィールドのレチクルステージ位置補償ベクトルをこのテーブルから読み出し、読み出した値に対応する分だけ、第１のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ１、第２のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ２、第３のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ３、第１組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ１＝０、Ｉｓｔｉｇ１＝４５、第２組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ２＝０、Ｉｓｔｉｇ２＝４５、１組の偏向器に流す電流ＩＤＦｘ、ＩＤＦｙを変化させる。
【００５０】
レチクルステージ速度補償ベクトルも同様の方法によって求める。すなわち、標準パターンが各サブフィールドに形成されたサンプルレチクルを使用して、標準的な条件（補正行列[Ｃ]を求めたときの条件）で、露光速度（ＳＦtime）を変化させてウエハの露光を行い、ウエハを現像して露光パターンの像の回転Rot、像の倍率Mag、焦点位置Foc、非等方倍率AniMag、直交度Ortho、０−９０度非点ボケS1、４５−１３５度非点ボケS2、像のｘ方向位置Ｘ、像のｙ方向位置Ｙを露光速度毎に求める。そして、これらの標準値からの差のベクトル
【００５１】
【数６】
2006203067.tif 000007
【００５２】
を求め、これを補正行列[Ｃ]に掛けて、レチクルステージ速度補償ベクトルを、露光速度毎に求めておく。レチクルステージ速度補償ベクトルは、
【００５３】
【数７】
2006203067.tif 000008
【００５４】
と表すことができる。
このレチクルステージ速度補償ベクトルをテーブルの形で記憶しておく。
【００５５】
そして、所定の露光速度で露光を行う場合には、対応する露光速度のレチクルステージ速度補償ベクトルをこのテーブルから読み出し、読み出した値に対応する分だけ、第１のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ１、第２のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ２、第３のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ３、第１組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ１＝０、Ｉｓｔｉｇ１＝４５、第２組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ２＝０、Ｉｓｔｉｇ２＝４５、１組の偏向器に流す電流ＩＤＦｘ、ＩＤＦｙを変化させる。
【００５６】
以上、レチクルの撓みに起因する像変化の補償、レチクルステージ位置に起因する像変化の補償、レチクルステージ速度に起因する像変化の補償について説明したが、必要に応じ、これらを組み合わせて、第１のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ１、第２のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ２、第３のフォーカスコイルに流す電流ＩＦＣ３、第１組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ１＝０、Ｉｓｔｉｇ１＝４５、第２組目のスティグメータのコイルに流す電流又は電極に印加する電圧Ｉｓｔｉｇ２＝０、Ｉｓｔｉｇ２＝４５、１組の偏向器に流す電流ＩＤＦｘ、ＩＤＦｙを決定してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置の概要を示す図である。
【図２】荷電粒子線露光装置の光学系の１例を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１１…荷電粒子線源、１２Ａ〜１２Ｃ…照明用レンズ、１３…ビーム成形アパーチャ、１４…開口絞り、１５…レチクル、１６Ａ、１６Ｂ…投影用レンズ、１７…散乱アパーチャ、１８…ウエハ、１９Ａ〜１９Ｃ…フォーカスコイル、２０Ａ，２０Ｂ…スティグメータ、２１Ａ〜２１Ｄ…偏向器、１００…レチクル、１００ａ…サブフィールド、１００ｂ…境界領域１１０…感応基板、ＡＸ…光軸、ＥＢ…荷電粒子線、ＣＯ…クロスオーバポイント
【図１】
2006203067.tif 000009
【図２】
2006203067.tif 000010