(57)【要約】【課題】ナノ粒子インクを用いた配線形成にあたり、インク使用効率の向上、インク着弾精度の緩和、配線断面の順テーパ形成を実現すること。【解決手段】第１段階のフォトリソグラフィー工程において、フォトレジスト２を全面に塗布した基板１上に配線領域１０を形成する際、そのレジスト断面が逆テーパ形状となるように露光する。ついで、第２段階のインク噴射工程において、インクジェット方式を採用し、ナノ粒子インクを配線領域１０に噴射する。その後、レベリング工程、乾燥工程、レジスト剥離工程、焼成工程を経て配線を形成する。【選択図】      図１
2006024695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上全面にフォトレジストを形成した後、前記フォトレジストに対しフォトリソグラフィー技術を用いて配線領域を形成する配線領域形成工程と、前記配線領域上に金属ナノ粒子を含んだインクを噴射して配線パターンを描画する配線パターン描画工程とを含むことを特徴とするナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項２】
前記配線領域形成工程は、前記フォトレジストに対する露光工程及び現像工程を備えたフォトリソグラフィ工程により実現することを特徴とする請求項１記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項３】
前記配線パターン描画工程は、前記インクをジェット噴射するインクジェット噴射工程により実現することを特徴とする請求項１記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項４】
前記フォトリソグラフィ工程は、前記基板上に残されるレジスト部分の断面を逆テーパ状に形成し、不要なレジスト部分を除去することにより、配線領域を形成することを特徴とする請求項２記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項５】
前記フォトレジストは、ネガ型フォトレジストを用いたことを特徴とする請求項１，請求項２もしくは請求項４記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項６】
基板上に配線領域を形成するためのフォトレジストを全面に塗布するレジスト塗布工程と、前記フォトレジストに対し露光および現像処理を行って前記基板上に残されるレジスト部分の断面を逆テーパ状に形成し且つ不要なレジスト部分を除去することにより、配線パターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、前記配線領域に対し金属ナノ粒子を含むインクをジェット噴射するインク噴射工程と、前記配線領域に噴射された前記インクの高さを揃えるレベリング工程と、前記インクを乾燥させる乾燥工程と、前記配線領域における乾燥後のインクを残し、前記基板上のフォトレジストおよび前記フォトレジスト上の不要な乾燥後のインクを除去するレジスト剥離工程と、前記乾燥後のインクを焼成させる焼成工程とを含むことを特徴とするナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項７】
前記焼成工程において、前記乾燥後のインクを焼結させる温度は、３５０℃以下で行うことを特徴とする請求項６記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項８】
前記フォトレジストは、複数の感光度の異なる複数のフォトレジスト膜を前記基板上に積層した積層フォトレジストにより形成することを特徴とする請求項１あるいは請求項４記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項９】
前記積層フォトレジストは、ポジ型フォトレジストを用い、前記基板に近い側を高感度フォトレジストとし、順次前記基板から遠ざかるにつれて低感度フォトレジストとすることを特徴とする請求項８記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項１０】
前記積層フォトレジストは、ネガ型フォトレジストを用い、前記基板に近い側を低感度フォトレジストとし、順次前記基板から遠ざかるにつれて高感度フォトレジストとすることを特徴とする請求項８記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【請求項１１】
前記高感度フォトレジストおよび前記低感度フォトレジストは、その断面形状を逆テーパに形成することを特徴とする請求項９あるいは請求項１０記載のナノ粒子インクを用いた配線形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板などの配線形成に関し、特に金属ナノ粒子インクを用いた配線形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置などに用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をアレイ状に形成した透明の基板等において、配線を形成するには、各種の工程、すなわち、スパッタ工程、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を経て形成される。例えば、スパッタ工程は基板上に配線のもとになる金属膜などを均一に被着させる工程であり、フォトリソグラフィー工程は配線用の所定パターンを形成する工程であり、またエッチング工程は配線の必要部分を残し且つ不要部分を除去する工程である。このような基板上にＴＦＴを形成する場合は、スパッタ工程において真空装置を使用するため、製造費が高くなる。
【０００３】
それに代わる配線形成技術としては、特許文献１に記載されているように、金属ナノ粒子を含むインクを塗布する方法が知られている。この金属ナノ粒子は、粒径がナノメートル（ｎｍ：０．００１μｍ）レベルの導電性超微粒子（以下、ナノ粒子と称す）である。
【０００４】
図４（ａ）〜（ｅ）はそれぞれこのような従来の一例を説明するための工程順に示した配線形成基板の断面図である。図４（ａ）に示すように、従来の配線形成方法は、基板１上にナノ粒子を含むインク３１をスピンコートで塗布し、この塗布したインク３１を乾燥させる。具体的には、基板１をスピンコータによって回転させ、銀・パラジウム超微粒子を含んだインク３１を滴下することにより、基板１上に均一なスピンコーティングが行われる。しかる後、２〜３分加熱し、インク３１の有機溶媒を蒸発させ、乾燥させると、銀・パラジウム合金薄膜が形成される。
【０００５】
次に、図４（ｂ）に示すように、乾燥後のナノ粒子を含むインク３２の上にフォトレジスト２を塗布し、配線パターンを形成する（フォトリソグラフィー工程）。ここでは、銀・パラジウム合金薄膜として形成された乾燥後のインク３１の上に、フォトレジスト２を一面にコーティングする。ついで、銀・パラジウム合金薄膜をエッチングにより必要部分だけを残すように、露光および現像工程により、フォトレジスト２のパターニング処理を行う。
【０００６】
次に、図４（ｃ）に示すように、フォトレジスト２をマスクとしてエッチングを実施し、余分な乾燥後のナノ粒子を含むインク３２を除去する（エッチング工程）。
【０００７】
次に、図４（ｄ）に示すように、インク３２を形成している銀・パラジウム合金薄膜上に残されたフォトレジスト２を除去すると、乾燥後のナノ粒子を含むインク３２が配線パターンとして残される。
【０００８】
しかる後、図４（ｅ）に示すように、基板１を焼成炉の中で焼成すると、乾燥後のナノ粒子を含むインク３２が焼成され、焼成後のナノ粒子を含むインク３３が配線として形成される。
【０００９】
従来の配線形成は、このような各種の工程を経て行われるが、従来の配線形成方法では、インク材料を全面に塗布するため、製造コストが高くなる。そこで、ナノ粒子を含むインクの使用量を低減し、低コスト化をはかるために、インクの局所的な塗布を可能とするインクジェット方式が採用されている。
【００１０】
しかし、このインクジェット方式は、インクの着弾位置精度が悪い為、微細パターンの形成には、一般的に不向きである。
【００１１】
このような従来の問題を解決するために、特許文献２にも記載されたように、撥水加工技術を採用したものが知られている。この撥水加工技術を採用したものは、基板上に撥水加工膜を形成した後、形成すべき配線パターンに応じてレーザ光を照射し、そのレーザ光により撥水加工膜が除去された領域にインクジェットによりナノ粒子を含むインクを塗布する方法である。
【００１２】
図５（ａ）〜（ｅ）はそれぞれこのような従来の他の例を説明するための工程順に示した配線形成基板の断面図である。
【００１３】
図５（ａ）に示すように、従来の他の例は、まず基板１の表面にフッ素系樹脂などの撥水加工膜４を形成する。
【００１４】
次に、図５（ｂ）に示すように、形成すべき配線パターンに応じてレーザ光５を照射する。この結果、撥水加工膜４に対しレーザ光５を照射した部分は除去され、基板１の表面が露出する。
【００１５】
次に、図５（ｃ）に示すように、粗地化させるような場合には、基板１の表面を洗浄し、堀削カスを除去した後、基板１の表面を乾燥させる。
【００１６】
次に、図５（ｄ）に示すように、撥水加工膜４が除去された領域にインクジェットによりナノ粒子を含むインク３１を噴射する。このインク３１を噴射する描画工程は、インクジェットノズルを備えたインクジェット装置を用い、金属性ナノ粒子を含むインクを基板１の表面に噴射し、導体回路を描画する。この導体回路の描画は、基板１上に形成すべき配線パターンに応じ、Ｘ−Ｙテーブルを駆動しながら行う。このとき、撥水加工膜４上にナノ粒子を含むインク３１がはみ出しても、撥水加工膜４の非親水作用により、ナノ粒子を含むインク３１が配線領域上に移動する。この状態で、パターンの乾燥が行われる。
【００１７】
しかる後、図５（ｅ）に示すように、基板１上の撥水加工膜４を洗浄除去し、基板１を乾燥させる。なお、これ以後の焼成処理については、前述した図４の従来例と同様であるので、説明を省略する。
【００１８】
これらの各種工程により、ナノ粒子を含むインク３１が配線として形成される。
【００１９】
【特許文献１】特開２００１−３５８１４号公報（第３頁）
【特許文献２】特開２００３−１８８４９７号公報（第２〜３頁、図１，図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
上述した特許文献１に記載のとおり、第１の従来例は、基板上にナノ粒子を含むインクをスピンコートした後、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を適用し、配線形成を行っているので、インクをスピンコートする時の材料消費の増大や基板の不要部分へのインク塗布などを招くことになる。このため、材料の使用効率が悪く、製造費が高コストとなる。
【００２１】
その場合、インクジェット方式によって配線部位にのみナノ粒子を含むインクを塗布することにより、材料使用効率を改善可能ではあるが、かかるインクジェット方式は、機械的あるいは装置的な制約によりインクの着弾精度が悪く、微細な配線パターンの描画には不向きである。
【００２２】
また、特許文献２に記載のとおり、第２の従来例は、インクジェット方式により微細パターンの形成を行う際に、インクの着弾精度を緩和させる為に、基板表面に撥水加工膜を形成している。すなわち、この第２の従来例は、撥水加工膜形成、配線パターンに応じたレーザ光照射、基板表面の露出領域へのインク噴射により、配線形成を行っている。
【００２３】
しかし、第２の従来例においては、この撥水加工膜へ直接レーザ光を照射してパターン形成を行う為、除去すべき撥水加工膜の形状や厚さを正確に制御できないという問題がある。その結果、除去した撥水加工膜の形状を転写する配線形状は正確に制御できないことになる。その結果、かかる配線よりも上層に配置される膜にボイドが発生しやすく、上層に配置された配線の断線を引き起こし、歩留りの低減を引き起こす。
【００２４】
また、撥水加工膜を用いる場合には、配線形成にレーザ光照射工程を含む為、下層に配置された配線にレーザ光のダメージを与え、断線の原因になりやすいという問題がある。したがって、レーザ光を照射して配線を形成する場合は、レーザ光照射を最下層に配置された配線にしか適用出来ないという欠点がある。
【００２５】
要するに、これら第１，第２の従来例においては、製造コストが高くなったり、微細パターンの形成が困難になったり、配線形状が安定しにくいという問題を抱えている。
【００２６】
本発明の目的は、このようなインク材料の使用効率を向上させて製造コストを低減させること、インク着弾精度を要求せずに微細パターンの形成を可能にすること、及び配線の断面を順テーパに形成して配線形状を安定させることが可能なように制御するナノ粒子インクを用いた配線形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明のナノ粒子インクを用いた配線形成方法は、基板上全面にフォトレジストを形成した後、前記フォトレジストに対しフォトリソグラフィー技術を用いて配線領域を形成する配線領域形成工程と、前記配線領域上に金属ナノ粒子を含んだインクを噴射して配線パターンを描画する配線パターン描画工程とを含んで構成される。
【００２８】
この配線領域形成工程は、前記フォトレジストに対する露光工程及び現像工程を備えたフォトリソグラフィ工程により実現することができる。
【００２９】
この配線パターン描画工程は、前記インクをジェット噴射するインクジェット噴射工程により実現することができる。
【００３０】
また、フォトリソグラフィ工程は、前記基板上に残されるレジスト部分の断面を逆テーパ状に形成し、不要なレジスト部分を除去することにより、配線領域を形成することができる。
【００３１】
また、フォトレジストは、ネガ型フォトレジストを用いて形成することができる。
【００３２】
さらに、本発明のナノ粒子インクを用いた配線形成方法は、基板上に配線領域を形成するためのフォトレジストを全面に塗布するレジスト塗布工程と、前記フォトレジストに対し露光および現像処理を行って前記基板上に残されるレジスト部分の断面を逆テーパ状に形成し且つ不要なレジスト部分を除去することにより、配線パターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、前記配線領域に対し金属ナノ粒子を含むインクをジェット噴射するインク噴射工程と、前記配線領域に噴射された前記インクの高さを揃えるレベリング工程と、前記インクを乾燥させる乾燥工程と、前記配線領域における乾燥後のインクを残し、前記基板上のフォトレジストおよび前記フォトレジスト上の不要な乾燥後のインクを除去するレジスト剥離工程と、前記乾燥後のインクを焼成させる焼成工程とを含んで構成される。
【００３３】
この焼成工程において、前記乾燥後のインクを焼結させる温度は、３５０℃以下で行うことができる。
【００３４】
また、前記フォトレジストは、複数の感光度の異なる複数のフォトレジスト膜を前記基板上に積層した積層フォトレジストにより形成することができる。
【００３５】
また、この積層フォトレジストは、ポジ型フォトレジストを用い、前記基板に近い側を高感度フォトレジストとし、順次前記基板から遠ざかるにつれて低感度フォトレジストとすることにより、レジスト部分の断面を逆テーパ形状に形成することができる。
【００３６】
また、この積層フォトレジストは、ネガ型フォトレジストを用い、前記基板に近い側を低感度フォトレジストとし、順次前記基板から遠ざかるにつれて高感度フォトレジストとすることにより、レジスト部分の断面を逆テーパ形状に形成するができる。
【００３７】
また、前記高感度フォトレジストおよび前記低感度フォトレジストは、その断面形状を逆テーパに形成することができる。
【００３８】
このために、本発明では、インクジェット方式を用いてナノ粒子を含むインクを塗布することにより材料使用効率を向上させ、フォトリソグラフィー工程を用いてフォトレジストの断面形状を逆テーパ状に形成することにより、インクジェットのインク着弾位置精度を要求せず、配線形状を順テーパに形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明のナノ粒子インクを用いた配線形成方法は、インクジェット描画工程を採用することにより、ナノ粒子を含んだインクをインクジェット方式で噴射できるので、材料使用効率を上げることが可能となり、製造コストの低減を図れるという効果がある。
【００４０】
また、本発明は、配線領域形成工程を採用することにより、フォトリソグラフィーを使用してフォトレジストの断面形状を逆テーパにすることができるので、インクジェットのインク着弾精度を要求せずに微細パターンの形成を実現できるという効果がある。
【００４１】
さらに、本発明は、フォトレジストの断面形状を逆テーパにすることにより、配線断面を順テーパに形成できるので、かかる配線よりも上層に配置される膜にボイドが発生するのを防止し、上層に配置された配線の断線を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
本発明は、配線パターンを形成するにあたり、基板上にフォトレジストを塗布して配線領域を形成する配線領域形成工程と、前記配線領域上にナノ粒子を含んだインクをインクジェット噴射して配線を描画するためのインクジェット描画工程とを含んで構成される。この配線領域形成工程は、前記基板上にフォトレジストを塗布した後、その上から露光および現像することにより、フォトレジストの断面形状を逆テーパ形状に形成し、前記配線を順テーパ形状に形成する。
【実施例１】
【００４３】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【００４４】
図１（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明の第１の実施例を説明するための工程順に示した配線形成基板の平面図であり、また図２（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ図１（ａ）〜（ｆ）に対応したＡ−Ａ線における配線基板の断面図である。
【００４５】
まず、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すように、この工程は、配線形成の第１段階であり、フォトレジスト２を全面に塗布した基板１上に、光や電子線を当てて配線領域１０を形成するフォトリソグラフィー工程である。このフォトリソグラフィー工程は、配線領域形成工程であり、フォトレジスト（ネガ型フォトレジスト）２を全面に塗布する塗布工程と、配線領域１０以外のフォトレジスト２に対し光を当てて露光する露光工程と、現像工程とを含んでいる。このネガ型フォトレジストは、露光後の現像液中では光などが当たらなかった配線領域１０のフォトレジスト部分が取り去られる。すなわち、配線領域１０に形成されていたフォトレジスト部分は現像液中に溶けてなくなる。その際、フォトレジストの表面は光が強く当たりより広く硬化するが、光が到達しにくい基板表面側のフォトレジストはより狭く硬化するようになる為、基板上に残されたフォトレジスト２の断面は逆テーパ形状となる。この結果、最終工程の配線の断面を順テーパ形状にすることができる。
【００４６】
次に、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、この工程は、配線形成の第２段階であり、インクジェット噴射工程である。このインクジェット噴射工程は、インクジェットによる配線の描画工程であり、配線領域１０に所定のナノ粒子を含むインク３１をインクジェット方式により噴射する。かかるインクジェット方式を用いることにより、不要部へナノ粒子を含むインク３１を塗布せずに済み、材料使用効率を高くできるので、配線形成の製造コストを低く抑えることができる。また、その際、基板１上に残されたフォトレジスト２により、インク３１が流れ出さないように、フレーム（枠）を形成することができるので、着弾精度やインクの滑りを気にせずに済む。
【００４７】
次に、図１（ｃ）及び図２（ｃ）に示すように、この工程は、配線形成の第３段階であり、配線領域１０におけるナノ粒子を含んだインク３１の高さを揃えるレベリング工程である。このレベリング工程は、インクジェット噴射によっても塗布できなかった部位にナノ粒子を含むインク３１を流し込む為に行われる。このレベリング工程は、各種の方法が可能であるが、例えば大気雰囲気中において、水平静止状態を所定時間保つことにより可能である。
【００４８】
次に、図１（ｄ）及び図２（ｄ）に示すように、この工程は、配線形成の第４段階であり、配線領域１０におけるナノ粒子を含んだインク３１を乾燥させ、乾燥後のインク３２を形成するインク乾燥工程である。この乾燥工程は、ナノ粒子を含むインク３１の溶媒を除去するために行われる。この溶媒の乾燥は、単に室温で大気中に放置するだけでもよく、あるいは加熱手段を用いても構わない。
【００４９】
次に、図１（ｅ）及び図２（ｅ）に示すように、この工程は、配線形成の第５段階であり、配線領域１０における乾燥後のインク３２を残し、基板１上のフォトレジスト２やフォトレジスト２上の不要な乾燥後のインク３２を除去するためのレジスト剥離工程である。かかるレジスト剥離工程は、有機溶剤を使用してフォトレジストを剥離する。
【００５０】
次に、図１（ｆ）及び図２（ｆ）に示すように、この工程は、配線形成の第６段階であり、基板１を焼成炉の中に入れ、乾燥後のインク３２を３５０℃以下で焼結することにより、焼成後のインク３３を形成する焼成工程である。この焼成工程により、ナノ粒子同士の接触が行われ、配線領域１０における焼成後のインク３３が配線として形成される。
【００５１】
上述したように、本実施例は、基板１上に、形成すべき配線パターンの断面が逆テーパのフォトレジスト２により枠を形成し、しかもナノ粒子を含むインク３１をインクジェット方式により噴射することにより、材料使用効率を高くすると共に、インクジェットのインク着弾位置精度を要求しなくて済むことになる。また、このフォトレジスト２の断面形状が逆テーパに形成されることにより、配線を順テーパ形状に形成することができる。この配線の順テーパ形状は、かかる配線よりも上層に配置される膜のボイド（欠陥）を減らすことが可能であるため、かかる配線の上層に配置される配線の断線を引き起こさないようにすることができる。
【００５２】
以上の例は、フォトレジストを１層で形成した例であるが、フォトレジストを２層以上で形成することも可能である。その場合、フォトレジストとしては、ネガ型フォトレジストおよびポジ型フォトレジストのいずれを用いても良い。以下には、ポジ型フォトレジストを用いた場合を説明する。
【実施例２】
【００５３】
図３は本発明の第２の実施例を説明するための配線形成基板の断面図である。図３に示すように、本実施例における基板１およびフォトレジストの断面は、前述した第１の実施例で説明した図２（ａ）に相当する断面のみを示しており、他の工程における基板１およびその上に形成されるフォトレジストやインクによって形成される配線の断面は、図２（ｂ）〜（ｆ）と同様であるので、図示を省略する。
【００５４】
上述した第１の実施例では、第１段階のフォトリソグラフィー工程において、基板１上に塗布するフォトレジストに、断面が逆テーパ形状のネガフォトレジストを用いていた。本実施例は、このネガフォトレジストに代えて、ポジフォトレジストを用いたものである。
【００５５】
すなわち、本実施例は、第１段階としてのフォトリソグラフィー工程において、まず基板１上に高感度のポジフォトレジスト２１を基板上全面に塗布し、ついでその上層に低感度のポジフォトレジスト２２を塗布する。この状態で、配線領域１０の個所に光を当て露光する。これらフォトレジスト２１，２２は、２層の積層ポジフォトレジストを形成している。
【００５６】
このポジ型のフォトレジストは、光可溶化型のレジストであり、光を当てた個所が現像液中で取り去られる。要するに、上述した第１の実施例におけるネガ型のフォトレジストが配線となるパターン以外のレジスト領域に光を当てたのに対し、このポジ型のフォトレジストの場合は、配線となるパターン領域に光を当てれば良いことになる。
【００５７】
また、本実施例において、基板側に高感度のフォトレジストを用いているのは、フォトレジスト全体の断面に逆テーパを形成するためである。要するに、ポジ型のフォトレジストを用いる場合は、光のレジスト透過時に光の鈍化よりも有意な感光度の差のあるフォトレジストによって断面を逆テーパ状に形成している。
【００５８】
この積層フォトレジストは、２層に限らず、３層以上の複数層から形成されていても良い。要するに、基板側が最も感度が高く、順次上層にいくにつれて、感度が低くなるポジフォトレジストであれば、何層に積層しても構わない。
【００５９】
本実施例においても、フォトリソグラフィー工程に続くインク噴射工程においてインクジェット方式を採用することにより、材料使用効率を上げて製造コストを低減することができる。また、２層の積層ポジフォトレジストの断面形状を逆テーパ状にして枠を形成することにより、インクジェットのインク着弾精度を要求せずに微細パターンの形成を可能にし且つ配線の形状を順テーパに形成することができる。
【００６０】
また、上述した第２の実施例では、フォトレジストに２層のポジフォトレジストを用いた場合を例にとって説明したが、２層のネガフォトレジストを用いても実現することができる。その場合は、低感度のポジフォトレジスト２２を基板上全面に塗布し、ついでその上層に高感度のポジフォトレジスト２１を塗布する。すなわち、この積層ネガフォトレジストを用いるときは、光を配線領域１０以外のレジスト部分に当てるため、上層がより広く硬化（光が強い）し、下層がより狭く硬化（光が弱い）するため、全体のネガフォトレジストは、逆テーパ状に形成される。
【００６１】
かかる２層のネガフォトレジストを積層した場合でも、２層の積層ポジフォトレジストと同様の効果を実現することができる。
［産業上の利用分野］
【００６２】
本発明は、一例として、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、その他有機ＥＬ等の表示デバイスなどの微細配線形成に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順に示した配線形成基板の平面図である。
【図２】図１に対応したＡ−Ａ線における配線基板の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を説明するための配線形成基板の断面図である。
【図４】従来の一例を説明するための工程順に示した配線形成基板の断面図である。
【図５】従来の他の例を説明するための工程順に示した配線形成基板の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１    基板
２    フォトレジスト
１０    配線領域
２１    低感度フォトレジスト
２２    高感度フォトレジスト
３１    ナノ粒子を含むインク
３２    乾燥後のナノ粒子を含むインク
３３    焼成後のナノ粒子を含むインク
【図１】
2006024695.tif 000003
【図２】
2006024695.tif 000004
【図３】
2006024695.tif 000005
【図４】
2006024695.tif 000006
【図５】
2006024695.tif 000007