(57)【要約】【課題】  本発明は、サンプルを真空排気するための装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明は、サンプルを真空排気するための装置に関する。サンプル４は、滑らかな表面２を備えるシート１の空洞３に位置する。単独プレート５は当該滑らかな表面２上に位置し、それによって、滑らかな表面２とそこに位置する単独プレート５は共に真空の密封を形成する。真空カラム６が設置される単独プレート５は、滑らかな表面２上にわたって摺動できる。単独プレート５を空洞４上で摺動することによって、空洞４は幾つかのステップで真空排気される。本発明の実施態様において、真空カラム６はＥＳＥＭ（環境制御走査型電子顕微鏡）の形態となる。この手法において、ＥＳＥＭで真空排気されたサンプル４を検査することが可能である。【選択図】  図１Ａ 
2006019280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルの少なくとも一部を真空排気するための装置であって、該装置は、
滑らかな表面を設けたシートと、
前記滑らかな表面に関して摺動可能な単独プレートと、
を含み、前記滑らかな表面で前記サンプル（４）が配置されるように少なくとも穴が生成されて、前記単独プレートは前記滑らかな表面に関して密封表面を成し、
前記単独プレートは、貫通穴の一端が密封表面を貫通し、前記貫通穴のもう一方の端が真空カラムの内側に結合されるようにして貫通穴を提供し、
前記サンプル全体が真空排気され、
前記単独プレートが前記穴を完全に覆うことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記真空手段は、前記穴を少なくとも一つの真空バッファー体積に結合することによって、前記真空カラムに結合する前に前記穴を真空排気するように提供し、前記真空バッファー体積は穴の体積よりも大きい体積を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記真空手段は、連続的に多数の前記真空バッファー体積に前記穴を結合する前記真空手段の形態であることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記真空バッファー体積は、前記単独プレートの前記密封表面のくぼみに結合されることを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。
【請求項５】
前記真空手段は真空バルブを含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の装置。
【請求項６】
前記単独プレートの前記滑らかな表面と前記密封表面は、共に摺動ベアリングを形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記穴は前記シートを貫通し、前記単独プレートが密封する側と反対に位置する前記シート側は、平面上で密封するように成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記穴は空洞の形状であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記真空カラムは分析カラムを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記真空カラムは、電気的に帯電した粒子を生じるように成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記真空カラムは、フォトンを生じるように成されたカラムを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サンプルの少なくとも一部を真空排気するための装置に関し、該装置は滑らかな表面を設けたシートと、滑らかな表面に関して摺動可能な単独プレートと、を含み、滑らかな表面でサンプルが配置されるように少なくとも穴が生成されて、単独プレートは滑らかな表面に関して密封表面を成し、単独プレートは、貫通穴の一端が密封表面を貫通し、貫通穴のもう一方の端が真空カラムの内側に結合されるようにして貫通穴を提供する。
【背景技術】
【０００２】
前述のような装置は既知である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、そのような装置は、電子ビームの照射による走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）でのウェハーの検査における半導体工業で採用され、情報がウェハー上に得られる。
【０００４】
既知の装置は、平らな上面のシートを含み、そこに穴が形成される。検査されるウェハーは、この穴に配置できる。位置づけ手段は穴に適合され、その手段は、ウェハーの上面が正確にシートの上面で単一の平面に位置するように、穴に置かれたウェハーの高さ位置を決定することができる。
【０００５】
単独プレートはシートに位置され、シート上にわたって移動可能である。この単独プレートは、中央の貫通穴を提供する。ＳＥＭカラムの形態の真空カラムは、ＳＥＭカラムの真空排気された内部が貫通穴と結合されるように、単独プレートにマウントされる。ＳＥＭカラムを使用して、ウェハーは単独プレートの貫通穴を介して分析できる。単独プレートにおいて、シートが隣接する表面で、多数のくぼみが中心の貫通穴の周りで同心円状に作成され、それらのくぼみは真空ポンプに接続される。この手法で、ＳＥＭカラムの操作に必要なように、貫通穴の位置で局所の真空が成されることが可能である。
【０００６】
単独プレートにおけるエアベアリング（air  bearing）の存在により、単独プレートは非常にわずかな力を使用して、シートの上面にわたって移動できる。シートと単独プレートとの間のギャップは、小さいように（典型的には、数マイクロメートル）維持されて、許容できない真空漏れは生じない。
【０００７】
シートでの穴の輪郭は、そこに置かれるウェハーの輪郭と実際は同一である。結果として、ウェハーとシートとの間のギャップはあまりにも小さいので、単独プレートの貫通穴がギャップ上に位置したとしても、これは許容できない真空漏れを生じない。
【０００８】
操作において、ウェハーはシートの穴に位置する。この状況では、カラムがマウントされた単独プレートは、シートの穴が完全に自由であるようにシートに位置する。この後、ウェハーの上面は、シートの上面で単一な平面に位置するまでの高さで位置する。その後、単独プレート（カラムが設けられた）は、関心のある領域が存在する、ウェハー上の位置へ摺動される。単独プレートは、これによって、ウェハーのシートから上面にわたり、同じ高さで位置する。
【０００９】
既知の装置の問題点は、ウェハーなどの非常に平らなサンプルだけに使用できることである。これは単独プレートがウェハー上をシールで密封するためであり、真空漏れを回避するために、単独プレートとウェハーとの間のギャップは非常に小さくするべきである。
【００１０】
別の問題点は、局所的に生じる真空力の影響下で変形しないように、サンプルが十分に硬い形成でなければならないことである。生物学的なサンプルやプラスチックフォイルなどの変形しやすいサンプルは、“吸い上げられる”か、又は少なくとも損傷される危険がある。
【００１１】
さらにまた、別の問題は、穴に位置されるサンプルが、穴の輪郭と実質的に同じ輪郭を有しなければならないことである。これは、穴の輪郭がサンプルの輪郭から外れる場合、ギャップがサンプルとシートの間に生じるためである。次いで、単独プレートの貫通穴がこのギャップ上に移動する場合、貫通穴に接続された真空カラムの真空に妨害をもたらして、真空漏れが発生するであろう。
【特許文献１】米国特許第６，７１０，３５４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上述の問題点をもたらさない装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
したがって、本発明による装置は、
−サンプル全体が真空排気され、
−単独プレートが穴を完全にカバーする、
ことを特徴とする。
【００１４】
本発明は、単独プレートが穴を完全に密封でき、サンプルが完全に真空排気できる場合、サンプルの形態はもはや本願の主題に関連しないという洞察に基づく。これは、単独プレートがシートに関して密封表面を成し、サンプルと単独プレートとの間に密封を生じる必要性がない。
【００１５】
この手法で、不均一な形態のサンプルを真空排気することも可能である。
【００１６】
少なくともサンプルが完全に穴の中に適合する限り、サンプルの輪郭の形状は重要ではないことがさらに明白である。
【００１７】
生物学的なサンプルやプラスチックフォイルなどの硬くない形状のサンプルを真空排気することがさらに可能である。これは、サンプルに局所的な真空力を作用させずに、サンプルが真空排気されるためである。
【００１８】
滑らかな表面及び単独プレートが２つの平面の形態を仮定することが必要でないことを特に強調する。滑らかな表面及び単独プレートにおいて、密封表面を成し、互いに関して摺動できることで十分である。例えば、さらに、滑らかな表面及び単独プレートが円筒状の表面の部分形態を仮定する実施態様も申し分ないものである。
【００１９】
さらに、真空カラムが移動されている一方、シートが“固定場所”に関して静止して維持される実施態様が可能であるが、さらに、真空カラムが静止して維持され、シートが移動される実施態様も可能であることを留意する。単に、シート及び真空カラムが互いに関して移動可能であることが必要である。
【００２０】
本発明の実施態様において、真空手段は、穴を少なくとも一つの真空バッファー体積（ｖａｃｕｕｍ  ｂｕｆｆｅｒ  ｖｏｌｕｍｅ）に結合することによって、真空カラムに結合する前に穴を真空排気するように提供し、真空バッファー体積は穴の体積よりも大きい体積を有する。
【００２１】
真空ポンプの支援で体積を真空排気することは、真空ポンプの容量と、ポンプと真空排気されるスペースとの間の結合の断面積と長さに依存して、比較的時間を要する。サンプルが位置する穴を真空バッファー体積に結合することによって、穴の圧力はほとんど瞬間的に低下する。
【００２２】
本発明のさらなる実施態様において、真空手段は、連続的に多数の真空バッファー体積に穴を結合する真空手段の形態を仮定する。
【００２３】
穴を連続的に異なる真空バッファー体積に結合することによって、穴の圧力は異なるステップで所望の真空圧まで低下することができる。穴に結合された後（それによって真空バッファー体積の圧力が高まる）、非結合の真空バッファー体積は、再度、限界容量のポンプシステムを使用して、完全に真空排気できる。
【００２４】
本発明の別の実施態様において、真空バッファー体積は、単独プレートの密封表面のくぼみに結合される。
【００２５】
真空バッファー体積を単独プレートの密封表面のくぼみに結合することによって、くぼみを穴上に位置づけることで穴を真空バッファー体積に結合することが可能である。ここで、真空バッファー体積に結合されるくぼみを穴と真空接触するようにして単独プレートを移動することによって、穴の圧力は減少する。これ以後、単独プレートの貫通穴は穴上に位置づけでき、穴は、単独プレート上に設置される真空カラムに結合される。この手法で、穴の真空排気は、個別の真空バルブを使用せずに、単独プレートを移動することによって生じる。
【００２６】
幾つかの真空バッファー体積に結合される幾つかのくぼみが存在する場合、単に一つの真空バッファー体積が一度に穴に結合されるようにしてくぼみが単独プレートに提供されなければならないか、あるいは、一つの真空バッファー体積が穴を介して別の真空バッファー体積に結合され得ることを特に強調する。これは、単独プレートのくぼみの間に、少なくとも穴の直径の密閉表面の幅が存在するに違いないことを意味する。
【００２７】
さらに真空バッファー体積を形成するようにして、くぼみを形成することも可能であることを留意する。
【００２８】
本発明のさらなる実施態様において、真空手段は真空バルブを含む。
【００２９】
特に、穴が大きな直径を有する場合、真空バルブを介して真空バッファー体積への結合を実現することは魅力的である。これは、少なくとも穴の直径の相互の分離で単独プレートのくぼみを提供することが必要ではないためである。
【００３０】
本発明のさらなる別の実施態様において、単独プレートの滑らかな表面と密封表面は、共に摺動ベアリングを形成する。
【００３１】
単独プレートの滑らかな表面と密封表面との間の密封シールは、互いに対して２つの表面を配置することによって、この実施態様で形成される。
【００３２】
当業者に既知であるように、単独プレートの滑らかな表面と密封表面によって形成される真空シールの良好な性能を認識するために、２つの表面間の距離が非常に短く維持されることが必要であることを特に強調する。次いで、滑らかな表面と密封表面との間に生じる最小のギャップは、このギャップを介する内部の空気漏出が真空ポンプによって容易に除去できるような真空制限を形成する。
【００３３】
摺動ベアリングとしての真空シールを具体化することによって、真空シールは良好な性能を生じる。単独プレートの摺動において、滑らかな表面と密封表面との間で生じる摩擦力は、ここで克服されなければならない。
【００３４】
シート及び単独プレートを形成する物質の選択は、摩擦係数を決定することを特に強調する。例えば、スチールとセラミック物質の組み合わせは、比較的小さな摩擦係数を導く。物質の適切な選択の場合、３ｌ／ｓのポンピング率が、１３０ｘ５０ｍｍ２の真空排気された表面でほぼ０．５ｍｂａｒの真空を達成できることを実施例は示す。この実施例での最大の摩擦係数は、ほぼ１５Ｎとなる。
【００３５】
この実施態様の利点は、生じる摩擦力の結果として、滑らかな表面と単独プレートとの相互位置は、最大摩擦力よりも小さい力が発生する場合に変化しないままであることである。これは装置の応用に特に望ましく、真空排気された状態で、真空カラムに関するサンプルの位置は変化せずに維持する。ＳＥＭカラムの支援で分析する場合を考慮でき、この場合、ＳＥＭカラムが真空カラムを形成する。
【００３６】
さらに、当業者に既知のように、エアベアリングとしてのベアリングの具体化も可能であることを特に強調する。
【００３７】
本発明のさらなる実施態様で、穴はシートを貫通し、単独プレートが密封する側と反対に位置するシート側は、平面上で密封するように具体化される。
【００３８】
シートを貫通することによって、サンプル上に穴を位置することで、穴にサンプルを設置することが可能である。穴が切断される平面の下面は、これによって、サンプルが置かれる表面上を密閉する。例えば、この密封はＯリングを介して生じる。サンプルが位置される表面は金属プレートとなることができるが、例えば、光学顕微鏡と共に使用されるガラスプレートとなることができる。
【００３９】
本発明のさらに別の実施態様において、穴は空洞の形状を仮定する。
【００４０】
サンプルが配置できる一つ以上の空洞を備えるプレートを提供することによって、サンプルは、単独プレートを所望の空洞の位置まで移動することによって真空排気できる。
【００４１】
本発明の別の実施態様において、真空カラムは分析カラムを含む。
【００４２】
様々な分析技術は、分析されるサンプルが真空排気されることを必要とする。真空カラムの一部を形成するか、又は全体の真空カラムを含むようにして、ここで分析カラムを単独プレートに固定することによって、そのようなサンプルは簡素な手法で分析できる。
【００４３】
本発明のさらなる実施態様において、真空カラムは、電気的に帯電した粒子を生じるように具体化される。
【００４４】
例えば、サンプルが真空に位置することが必要な既知の技術は、集束した電子ビームを用いる検査である。例えば、環境制御走査型電子顕微鏡（ＥＳＥＭ）の場合に、そのような電子ビームを採用する装置は本来知られている。
【００４５】
さらに、分析又は組立て技術を使用することが可能であり、それによって、同時にあるいはほとんど同時に、サンプルの表面はイオンのような帯電した粒子のビームの支援によって除去されるか若しくは修正されることは特に言及に値する。例えば、サンプルの表面層を繰り返して除去することによって、サンプルの空間的な３Ｄ分析がなされることが可能である。例えば、集束したイオンビームが採用される集束イオンビーム装置（ＦＩＢ）や、集束したイオンビーム及び集束した電子ビームの両ビームが採用される、デュアルビーム装置からそのようなビームの使用自体は周知である。
【００４６】
本発明のさらに別の実施態様において、真空カラムはフォトンを生じるように具体化される。
【００４７】
半導体ウェハーを照射するための本来知られている方法は、イクストリーム（Ｅｘｔｒｅｍｅ）ＵＶ（ＥＵＶ）と呼ばれる非常に短波長の光でウェハーを照射することを含む。例えば、１３．４ｎｍの波長でＥＵＶの場合に採用される放射は、実質的に、空気によって吸収される。したがって、そのような吸収を防ぐために、この手順でウェハーを真空排気することが望ましい。
【００４８】
本来から既知の別の方法は、“レーザー溶接”と呼ばれ、レーザー接合はレーザーの支援で成される。この状況において、互いに溶接される部分は真空に位置されて、酸化、又は、そうでなければ、望ましくない化学的な反応は生じないことが望ましい。
【００４９】
本発明は添付図に基づいて記載され、同一の参照番号は対応する要素を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
図１Ａは、本発明による装置を概略して描写し、サンプルが空洞に位置される。
【００５１】
描写された装置は滑らかな表面２を有するシート１を含み、その滑らかな表面２で、空洞３の形状の穴が切断される。サンプル４はこの空洞３に位置される。単独プレート５は滑らかな表面２上に位置し、厳格な真空状態で滑らかな表面２にわたって移動できる。
【００５２】
図１Ｂは、滑らかな表面２上を密封する単独プレート５側を概略的に示す。
【００５３】
単独プレート５は、真空バッファー体積１０、１２及び１４を形成するくぼみを備えて設ける。それらの真空バッファー体積は、それぞれのシャフト１１、１３及び１５を介して（描写されていない）真空ポンプに結合される。
【００５４】
例えば、集束した電子ビーム７を生じる環境制御走査型電子顕微鏡のカラム（ＥＳＥＭカラム）６の形態の真空カラムが、単独プレート５に固定される。装置が本来既知であるＥＳＥＭは、ほぼ１０ｍｂａｒ又はそれ未満のサンプル付近の圧力でサンプルを分析できる。ＥＳＥＭカラム６によって生成された電子ビーム７は、単独プレート５のくぼみ８を介してサンプル４をプローブする。これによって、電子ビーム７は、例えば、二次電子及びＸ線照射などの放射線の照射を引き起こし、その放射線は（描写されていない）検出器の支援で検出できる。
【００５５】
サンプル４を導入する前に、単独プレート５は、まず、空洞３が単独プレート５によって覆われないようにして、滑らかな表面２にわたって摺動する。次いで、すでに分析された任意のサンプルを空洞３から取り除き、分析される次のサンプルを空洞に位置することは容易である。
【００５６】
次に、空洞３が真空バッファー体積１４、１２及び１０に対して連続的に結合される結果として、単独プレートは、滑らかな表面にわたって摺動する。真空バッファー体積の体積は、空洞３の体積よりも数倍大きく、例えば、１０倍大きい。そのような真空バッファー体積が空洞３に結合される場合、空洞の圧力は、ほとんど瞬間的に、例えば、１０倍に減じる。
【００５７】
描写された位置で、圧力は、例えば、各ステップにおいて１０倍で３ステップによって減少し、したがって、圧力は最終的に１０３倍に減じる。サンプル導入の圧力が１ｂａｒであったと仮定すると、圧力は１ｍｂａｒまで減少し、その圧力はＥＳＥＭカラムの支援で分析する（及び様々な他の分析技術）ために十分に低い。
【００５８】
周囲と第一の真空バッファー体積１４との間の分離１８は、空洞３が第一の真空バッファー体積に結合される前に空洞が完全に覆われているようなサイズである。この手法において、真空バッファー体積が空洞を介して雰囲気圧力に瞬間的に接触されるのを回避する。これは、分離１８の幅が空洞３の直径よりも大きいことを必要とする。
【００５９】
同様に、第一の真空バッファー体積１４と第二の真空バッファー体積１２との間の分離１９は、第二の真空バッファー体積１２と第三の真空バッファー体積１０との間の分離２０と同様に、空洞の直径よりも大きい幅を有する。
【００６０】
描写された装置において、真空バッファー体積１０及び１２を形成する単独プレート５のくぼみは、非対称的に形成される。さらに、例えば、くぼみが真空バッファー体積１０に関して同心円的に形成される実施態様が可能であることが明らかである。
【００６１】
他の望ましい圧力にとって、装置が異なる数の真空バッファー体積を設けることができるか、又は、空洞の体積と真空バッファー体積のサイズとの間の異なる比率を選択できることを特に強調する。
【００６２】
描写された装置において、単に、サンプル４が位置できる穴３は、シート１で成る。本発明による装置は、サンプルを配置できる複数の穴を提供でき、それによって一つ以上の穴が単独プレート５によって覆われることは明らかである。例えば、第一の穴が真空バッファー体積１４に結合され、一方で、第二の穴は真空バッファー体積１２に結合され、第三の穴は真空バッファー体積１０に接続されるようにして単独プレートの位置づけが可能である。
【００６３】
各真空バッファー体積が個別のポンプに結合する必要がないことを特に強調する。当業者に既知のように、真空バッファー体積と真空ポンプとの間に正確なポンプ抵抗を適用することによって、単に一つの真空ポンプを使用して、例えば、一つの真空バッファー体積が空洞を真空排気している場合に（それによって、当然のこととして、当該の真空バッファー体積の圧力が変化する）、他の真空バッファー体積の圧力が全く影響されないか、又は単にほんのわずかだけ影響されるようにして、３つの真空バッファー体積を真空排気することが可能である。
【００６４】
図２は、図１から生じるものとみなすことができる。穴３は、シート１を貫通する形態であると仮定する。サンプル４は顕微鏡のガラススライド２２の形態の滑らかな表面上に配置され、穴３はサンプル４上に対して位置される。穴３と顕微鏡スライド２２との間のシールは、Ｏリング２３の形態の密封手段によって形成される。
【００６５】
この実施態様において、サンプル４は、比較的簡素で、清潔で使い捨ての顕微鏡のガラススライド上に配置される。これは特に、例えば、光学顕微鏡での作業となる応用において利点である。これ以後、分析は、真空下で、又はＥＳＥＭカラム６を使用して実行でき、例えば、サンプル４は光学顕微鏡で可能な解像度よりも高い解像度で検査できる。
【００６６】
ＥＳＥＭカラムで、電気的な帯電の問題もなく、電気的に分離したサンプルの画像を得ることが可能であることを特に強調する。それにも関わらず、当該適用でサンプルがアースに電気的に接続されることを要求する場合、例えば、金属が蒸着した顕微鏡のガラススライドを活用することができるか、又は、顕微鏡のガラススライド２２に代わって、例えば、金属プレートを利用することができる。
【００６７】
図３は、ウェハーが真空カラム内で移動可能な分析カラムによって分析されている、本発明による装置を概略して描写する。
【００６８】
描写された装置は滑らかな表面２を備えるシート１を含み、滑らかな表面２では、空洞３の形状の穴が切断されている。半導体ウェハー４の形態のサンプルは、この空洞３に配置される。単独プレート５は滑らかな表面２に位置し、滑らかな表面２上を移動可能である。単独プレート５上に真空カラム９が設置され、描写されていない真空排気手段を使用して、真空が維持される。真空カラム９内に、ＥＳＥＭカラム６などの分析カラムが位置されて、（描写されていない移動手段の支援で）真空カラム９内を移動できる。空洞３は、空洞３と真空バッファー体積１０、１２及び１４に結合できる真空バルブ（２５、２６、２７）に結合される。それらの真空バッファー手段は、（描写されていない）真空ポンプによって真空排気される。
【００６９】
ウェハー４を導入する前に、単独プレート５は、まず、空洞３が単独プレート５によって覆われないようにして、滑らかな表面２にわたって摺動する。これによって、真空バルブ（２５、２６、２７）は閉じられ、真空バッファー体積（１０、１２、１４）は空洞３とは真空結合していない。
【００７０】
ウェハー４を導入した後、単独プレート５は、空洞３が単独プレート５によって完全に覆われるが、空洞３と真空カラム９との間に真空結合がないようにして、滑らかな表面２上を摺動する。その後、空洞３は、真空バルブ２５、２６及び２７を開閉することによって、真空バッファー体積１０、１２及び１４に連続的に結合される。
【００７１】
一般的に、真空バルブ（２５、２６、２７）の一つが最大量開かれ、真空バッファー体積（１０、１２、１４）は互いに真空結合にされないことを特に強調する。
【００７２】
その後、単独プレート５は、真空カラム９が空洞３上に位置するようにして、滑らかな表面２上にわたって摺動する。その後、真空カラム９内で移動可能なＥＳＥＭカラム６は、分析されるウェハー４に関心のある領域に移動される。
【００７３】
分析後、空気は、空洞が単独プレートによってもはや覆われないようにして、滑らかな表面２上にわたって単独プレート５を移動することによって空洞３に注入される。
【００７４】
また、描写されていない個別の空気注入バルブを使用して、空気を空洞３に注入することが可能であることを特に留意する。空洞３が単独プレート５によってまだ覆われているが、空洞３がもはや真空カラム９と真空結合していないようにして、単独プレート５が摺動する場合に空気の流入が生じる。例えば、空気の流入に代わって、さらに、窒素を流入できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１Ａ】サンプルが空洞に位置する、本発明による装置の概略図である。
【図１Ｂ】滑らかな表面上を密封する単独プレート側の概略図である。
【図２】サンプルが顕微鏡のガラススライド上に位置する、本発明による装置を示す概略図である。
【図３】真空カラム内で移動可能な分析カラムがウェハーを分析している、本発明による装置を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７６】
１    シート
２    滑らかな表面
３    空洞
４    サンプル
５    単独プレート
６    分析カラム
７    電子ビーム
８    くぼみ
９    真空カラム
１０  真空バッファー体積
１１  シャフト
１２  真空バッファー体積
１３  シャフト
１４  真空バッファー体積
１５  シャフト
１８  周囲と第一の真空バッファー体積１４との間の分離
１９  第一の真空バッファー体積１４と第二の真空バッファー体積１２との間の分離
２０  第二の真空バッファー体積１２と第三の真空バッファー体積１０との間の分離
２２  顕微鏡のガラススライド
２３  Ｏリング
２５  真空バルブ
２６  真空バルブ
２７  真空バルブ
【図１Ａ】
2006019280.tif 000003
【図１Ｂ】
2006019280.tif 000004
【図２】
2006019280.tif 000005
【図３】
2006019280.tif 000006