(57)【要約】【課題】本発明は、リセットパルスの大きさ及び個数を調整することにより、コントラスト特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネル、装置、パネルの駆動装置及び駆動方法を提供する。【解決手段】 本発明のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、電極を駆動するための駆動部と、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループで駆動部を制御し、複数のサブフィールドグループの中から少なくともいずれか一つのサブフィールドグループでは、少なくともいずれか一つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。【選択図】図８
2006293305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整するリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記リセットパルスの大きさは、３個以上の互いに異なる電圧値を有するようにすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記３個以上の互いに異なる電圧値のリセットパルスを該当サブフィールドの階調値の大きさが小さいほど大きくすることを特徴とする、請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記リセットパルスの中から少なくとも一つは、その大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とすることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とするサブフィールドは、１サブフィールドグループ内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とするサブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とするサブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記リセットパルスの中から少なくとも一つは、その大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とすることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、１サブフィールドグループ内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドからサステインパルスの個数が減少する順に４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記リセットパルスの中から少なくとも一つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Ｖｓであることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、サブフィールドは、階調値の大きさ順に不規則に配列されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整するリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１６】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整することを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整されることを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１８】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記低階調サブフィールドでリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍より大きな電圧とすることを特徴とする、請求項１８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記低階調サブフィールドは、１サブフィールドグループ内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項１８または１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記低階調サブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項１８または１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記低階調サブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項１８または１９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２３】
少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内でサブフィールドは、階調値の大きさ順に不規則に配列されることを特徴とする、請求項１８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２４】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記リセットパルスの中から少なくとも一つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項１８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Ｖｓであることを特徴とする、請求項２４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２６】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項２７】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項２８】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを、他のサブフィールドよりさらに大きくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２９】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項３０】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記高階調サブフィールドでリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とすることを特徴とする、請求項２９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３１】
前記リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、前記リセットパルスの中から少なくとも一つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がるようにすることを特徴とする、請求項２９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３２】
前記リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスが所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がるサブフィールドは、高階調サブフィールドであることを特徴とする、請求項３１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３３】
前記所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Ｖｓであることを特徴とする、請求項３１または３２に記載のディスプレイ装置。
【請求項３４】
前記高階調サブフィールドは、１サブフィールドグループ内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドからサステインパルスの個数が減少する順に４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項２９または３０、または３２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３５】
前記高階調サブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項２９または３０、または３２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３６】
前記高階調サブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項２９または３０、または３２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３７】
少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内でサブフィールドは、階調値の大きさ順に不規則に配列されることを特徴とする、請求項２９ないし３１のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３８】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項３９】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項４０】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、高階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４１】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドよりさらに多くするリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項４２】
前記リセットパルス制御部は、一つのサブフィールドグループが、二つ以上の低階調サブフィールドを含み、同じサブフィールドグループ内に含まれた低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数は、全て同一にすることを特徴とする、請求項４１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４３】
前記リセットパルス制御部は、一つのサブフィールドグループが、二つ以上の低階調サブフィールドを含み、同じサブフィールドグループ内に含まれた低階調サブフィールドのうち、いずれか一つは、リセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他の低階調サブフィールドと互いに異なるようにすることを特徴とする、請求項４１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４４】
一つのサブフィールドグループ内でリセットパルスの個数が互いに異なる低階調サブフィールドは、階調値の大きさが小さいほど、さらに多くの個数のリセットパルスを含むことを特徴とする、請求項４３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４５】
前記低階調サブフィールドは、１サブフィールドグループ内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項４１ないし４４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４６】
前記低階調サブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項４１ないし４４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４７】
前記低階調サブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項４１ないし４４のいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４８】
少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内でサブフィールドは、階調値の大きさ順に不規則に配列されることを特徴とする、請求項４１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４９】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記電極を駆動するための駆動部と、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループで前記駆動部を制御して、前記複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドより多くするリセットパルス制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項５０】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドより多くすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項５１】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、該複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、前記スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を、他のサブフィールドより多くすることを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５２】
前記各フレームの間には、所定の長さを有する休止期間がさらに含まれ、前記フレームのサブフィールドグループは、同一フレーム内で連続であることを特徴とする、請求項１または１８、または請求項２９または４１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５３】
前記各フレームの間には、所定の長さを有する第１休止期間が含まれ、同一フレーム内で、前記サブフィールドグループの間には、所定の長さを有する第２休止期間がさらに含まれることを特徴とする、
請求項１または１８、若しくは請求項２９または４１の何れか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５４】
前記第１休止期間と前記第２休止期間との長さは、互いに同じであることを特徴とする、請求項５３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５５】
前記複数のサブフィールドグループは、各々複数のサブフィールドを含み、該複数のサブフィールドグループは、各グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする、
請求項１または１８、若しくは請求項２９または４１、若しくは請求項５２または５３の何れか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５６】
前記複数のサブフィールドグループは、各々複数のサブフィールドを含み、該複数のサブフィールドグループは、各グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする、
請求項１または１８、若しくは請求項２９または４１、若しくは請求項５２または５３の何れか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５７】
前記フレームは、二つのサブフィールドグループに分けられ、前記二つのサブフィールドグループは、各々複数のサブフィールドを含み、前記二つのサブフィールドグループは、各サブフィールドグループ内でサブフィールドの互いに異なる階調値の大きさ順に配列されることを特徴とする、
請求項１または１８、若しくは請求項２９または４１、若しくは請求項５２または５３の何れか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５８】
前記二つのサブフィールドグループのうち、いずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする、請求項５７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５９】
前記二つのサブフィールドグループのうち、いずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする、請求項５７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６０】
前記二つのサブフィールドグループのうち、いずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列され、前記二つのサブフィールドグループのうち、いずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されることを特徴とする、請求項５７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関し、さらに詳細には、ＰＡＬ駆動方式において、リセット期間に印加されるリセットパルスの大きさ及び個数を調整するプラズマディスプレイパネル、装置、パネルの駆動装置及び駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が一つの単位セルをなすものであって、各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、またはネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノン（Ｘｅ）とを含有する不活性ガスが充填されている。高周波電圧により放電される時、不活性ガスは、真空紫外線（Vacuum Ultraviolet rays）を発生し、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより、映像が具現される。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄くて軽い構成が可能なので、次世代表示装置として注目されつつある。
【０００３】
図１は、通常のプラズマディスプレイパネルの構造を示した図である。
【０００４】
図１に示すように、プラズマディスプレイパネルは、映像がディスプレイされる表示面である前面基板１０１にスキャン電極１０２とサステイン電極１０３とが対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル１００と、背面をなす後面基板１１１上に上述した複数の維持電極対と交差されるように、複数のアドレス電極１１３が配列された後面パネル１１０とが一定な距離を置いて平行に結合される。
【０００５】
前面パネル１００は、一つの放電セルで相互放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極１０２とサステイン電極１０３、すなわち透明なＩＴＯ物質からなる透明電極ａと金属材質からなるバス電極ｂとから備えられたスキャン電極１０２とサステイン電極１０３とが対をなして含まれる。スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３は、放電電流を制限し、電極の対間を絶縁させる一つ以上の上部誘電体層１０４により覆われ、上部誘電体層１０４の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層１０５が形成される。
【０００６】
後面パネル１１０は、複数個の放電空間、すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ（またはウェルタイプ）の隔壁１１２が平行を維持し配列される。また、アドレス放電を行なって真空紫外線を発生させる複数のデータ電極１１３が、隔壁１１２に対して平行に配置される。後面パネル１１０の上側面には、アドレス放電の際に映像表示のための可視光線を放出するＲ，Ｇ，Ｂ蛍光体１１４が塗布される。アドレス電極１１３と蛍光体１１４との間には、アドレス電極１１３を保護するための下部誘電体層１１５が形成される。
【０００７】
このようなプラズマディスプレイパネルにおいて、映像の階調を具現する方法は、次の図２の通りである。
図２は、従来のプラズマディスプレイパネルの映像の階調を具現する方法を示した図である。
【０００８】
図２に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルにおける映像の階調（Gray Level）の表現方法は、一つのフレームを発光回数の異なる複数のサブフィールドに分け、各サブフィールドは、再び全てのセルを初期化させるためのリセット期間（ＲＰＤ）、放電されるセルを選択するためのアドレス期間（ＡＰＤ）及び放電回数に応じて階調を具現するサステイン期間（ＳＰＤ）に分けられる。例えば、２５６階調で映像を表示しようとする場合、１／６０秒に該当するフレーム期間（１６．６７ｍｓ）は、図２のように、８個のサブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦ８）に分けられ、８個のサブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦ８）のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に再び分けられる。
【０００９】
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールドごとに同一である。放電されるセルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極とスキャン電極である透明電極の間の電圧差により発生する。サステイン期間は、各サブフィールドで２n（但し、n＝０，１，２，３，４，５，６，７）の割合で増加される。このように、各サブフィールドでサステイン期間が異なるようになるので、各サブフィールドのサステイン期間、すなわち、サステイン放電回数を調整して、映像の階調を表現するようになる。このようなプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形を説明すれば、次の図３の通りである。
【００１０】
図３は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形を示した図である。
【００１１】
図３に示すように、プラズマディスプレイパネルは、全てのセルを初期化させるためのリセット期間、放電するセルを選択するためのアドレス期間、選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間及び放電されたセル内の壁電荷を消去するための消去期間に分けられて駆動される。
【００１２】
リセット期間において、セットアップ期間には、全てのスキャン電極に立ち上がりランプＲａｍｐ-ｕｐが同時に印加される。この立ち上がりランプ波形により、全画面の放電セル内には弱い暗放電（Dark Discharge）が起こる。このセットアップ放電により、アドレス電極とサステイン電極との上には、正極性壁電荷が蓄積され、スキャン電極上には、負極性の壁電荷が蓄積される。
【００１３】
セットダウン期間には、立ち上がりランプ波形が供給された後、立ち上がり波形のピック電圧より低い正極性電圧から低下し始めて、グラウンドＧＮＤレベル電圧以下の特定レベルまで低下する立ち下がりランプ波形Ｒａｍｐ‐ｄｏｗｎがセルに微弱な消去放電を起こすことにより、スキャン電極に過度に形成された壁電荷を充分に消去させる。このセットダウン放電により、アドレス放電が安定して起こることができる程度の壁電荷がセル内に均一に残留される。
【００１４】
アドレス期間には、負極性スキャン波形がスキャン電極に順次印加されると同時に、スキャン波形に同期されて、アドレス電極に正極性のアドレス波形が印加される。このスキャンパルスとデータパルスとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧とが加えられながら、データパルスが印加される放電セル内には、アドレス放電が発生する。アドレス放電により選択されたセル内には、サステイン電圧Ｖｓが印加される時、放電が起こることができる程度の壁電荷が形成される。サステイン電極には、セットダウン期間とアドレス期間との間、スキャン電極との電圧差を減らして、スキャン電極との誤放電が起こらないように正極性電圧Ｖｚが供給される。
【００１５】
サステイン期間には、スキャン電極とサステイン電極とに交互にサステインパルスＳｕｓが印加される。アドレス放電により選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスとが加えられながら、毎サステインパルスが印加される時ごとに、スキャン電極とサステイン電極との間にサステイン放電、すなわち、表示放電が起こる。
【００１６】
サステイン放電が完了した後、消去期間では、パルス幅と電圧レベルの小さな消去ランプ波形Ｒａｍｐ‐ｅｒｓの電圧がサステイン電極に供給されて、全画面のセル内に残留する壁電荷を消去させる。
【００１７】
このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドでリセットパルスの大きさが同じである。
【００１８】
このような従来の駆動波形において、リセットパルスの大きさを説明すれば、次の図４の通りである。
【００１９】
図４は、図３の従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形において、リセットパルスをさらに詳細に説明するための図である。
【００２０】
図４に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法に係る駆動波形において、リセットパルスは、その大きさが全てのサブフィールドで同じである。
【００２１】
例えば、上述した図４のように、従来の駆動波形で、全てのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスは、所定の正極性電圧、例えばサステイン電圧Ｖｓから所定の傾きを有して立ち上がる立ち上がりランプがセットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐまで立ち上がった後、再び所定の正極性電圧まで立ち下がる。
【００２２】
このように、全てのサブフィールドで同じ大きさのリセットパルスを印加する従来の駆動方法では、全てのサブフィールドでリセットパルスの大きさが同じであるため、加重値が相対的に低くて、すなわち、階調値が相対的に低くて、低階調を具現する低階調サブフィールドでは、他の高階調サブフィールドに比べて、リセット期間において、放電セル内に充分な量の壁電荷が生成されないという問題点がある。これにより、階調値が相対的に低い低階調サブフィールドでは、以後のアドレス放電が不安定になり、また、アドレス放電以後のサステイン放電が不安定になるという問題がある。
【００２３】
これとは異なり、階調値が相対的に高い高階調サブフィールドでは、リセット期間でプラズマディスプレイパネルの放電セルを充分に初期化させ得るので、駆動マージン（Margin）相対的に高いという特徴がある。しかし、このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドのリセット期間で、相対的に高いセットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐにより、相対的に強い放電が発生する。
【００２４】
これにより、映像表示に寄与しない不要な放電の大きさがさらに増加して、コントラスト（Contrast）特性を悪化させるという問題がある。
【００２５】
以上で説明した一例とは異なり、従来には、前述したように、一つのフレームの全てのサブフィールドのリセット期間においてリセットパルスを印加せず、一つのフレーム内で選択された一つ以上のサブフィールドだけでリセットパルスを印加して、コントラスト特性を向上させようとした。例えば、一つのフレームに選択的書き込み（Selective writing）方式のサブフィールドと選択的消去（Selective erasing）方式のサブフィールドとの両方を含ませて映像を具現した。
【００２６】
このように、選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールドとの両方を利用する駆動方法を説明すれば、次の図５の通りである。
【００２７】
図５は、一つのフレームに選択的書き込み及び選択的消去方式のサブフィールドを全て含ませる駆動方法を説明するための図である。
【００２８】
図５に示すように、一つのフレームは、少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む選択的書き込みサブフィールドＷＳＦと、少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む選択的消去サブフィールドＥＳＦとを含む。
【００２９】
選択的書き込みサブフィールドＷＳＦは、ｍ（但し、ｍは、０より大きい正の整数）個のサブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦｍ）を含む。ｍ番目のサブフィールドＳＦｍを除いた第１ないし第ｍ−１サブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦｍ−１）のそれぞれは、全画面のセルに一定の量の壁電荷を均一に形成するためのリセット期間、書き込み放電を用いてオンセル（on-cells）を選択する選択的書き込みアドレス期間（以下、「書き込みアドレス期間」とする）、選択されたオンセルに対してサステイン放電を起こすサステイン期間及びサステイン放電後、セル内の壁電荷を消去させるための消去期間に分けられる。
【００３０】
選択的書き込みサブフィールドＷＳＦの最後のサブフィールドである第ｍサブフィールドＳＦｍは、リセット期間、書き込みアドレス期間及びサステイン期間に分けられる。選択的書き込みサブフィールドＷＳＦのリセット期間、書き込みアドレス期間及び消去期間は、各サブフィールド（ＳＦ１ないしＳＦｍ）ごとに同じであるに対して、サステイン期間は、予め設定された輝度加重値が同一であるか、異なるように設定されることができる。
【００３１】
選択的消去サブフィールドＥＳＦは、ｎ−ｍ（但し、ｎは、ｍより大きい正の整数）個のサブフィールド（ＳＦｍ＋１ないしＳＦｎ）を含む。第ｍ＋１ないし第ｎサブフィールド（ＳＦｍ＋１ないしＳＦｎ）のそれぞれは、消去放電を用いてオフセル（off-cell）を選択するための選択的消去アドレス期間（以下、「消去アドレス期間」とする）及びオンセルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン期間に分けられる。選択的消去サブフィールドＥＳＦのサブフィールド（ＳＦｍ＋１ないしＳＦｎ）において、消去アドレス期間は、同一に設定され、サステイン期間は、輝度相対比または階調に応じて、同一に設定されるか、異なるように設定され得る。
【００３２】
このような図５に示された駆動方法では、ｍ個のサブフィールドを選択的書き込み方式で駆動し、ｎ−ｍ個のサブフィールドを選択的消去方式で駆動することにより、アドレス期間を短く設定できる。すなわち、一つのフレームが、短いスキャンパルス（Scan pulse）を有する選択的消去サブフィールドを含むことによって、充分なサステイン期間を確保することができる。
【００３３】
このような図５のように、選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールドとの両方を含む駆動方法において、各サブフィールドにおけるリセットパルスをさらに詳細に説明すれば、次の図６の通りである。
【００３４】
図６は、図５の駆動方法でリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを説明するための図である。
【００３５】
図６に示すように、図５と同様に、選択的書き込みサブフィールドと選択的消去サブフィールドとの両方が含まれた駆動方法では、選択的書き込みサブフィールドだけでリセット期間を設けて、リセットパルスを印加する。
【００３６】
例えば、第１サブフィールドが選択的書き込みサブフィールドであり、残りのサブフィールド、すなわち第２サブフィールドから第ｎサブフィールドまでのサブフィールドは、選択的消去サブフィールドであると仮定すれば、選択的書き込みサブフィールドである第１サブフィールドだけでリセットパルスを印加し、残りの他のサブフィールドでは、リセットパルスを印加しない。これにより、映像表示に寄与しない不要な放電の大きさが減少して、図４に比べて、コントラスト（Contrast）特性を改善する。
【００３７】
しかし、このような駆動方法は、全てのサブフィールドのリセット期間において、リセットパルスを印加する従来の駆動方法に比べて、プラズマディスプレイパネルの放電セルを十分に初期化させるのが困難であって、駆動マージンが減少するという問題がある。
【００３８】
一方、前述した駆動方法で駆動されるプラズマディスプレイパネルでは、通常、チラツキ現象、すなわちフリッカー（Flicker）が発生する。
【００３９】
このようなフリッカーは、通常、映像信号の垂直周波数（フレーム周波数）より蛍光体の残光時間が短い場合に発生する現象である。例えば、垂直周波数が６０Ｈｚであると仮定する時、１６．６７ｍ／ｓｅｃ当たり一つのフレームの映像を表示するが、蛍光体の反応速度は、これよりさらに速くなって、画面のちらつき、すなわち、フリッカーが発生する。
【００４０】
特に、ＰＡＬ（Phase Alternating Line）方式では、その垂直周波数が５０Ｈｚで、相対的に短くて（フレーム間の間隔が長く）、フリッカーの発生がさらに深刻になるという問題点がある。
【００４１】
このようなＰＡＬ方式では、一つのフレーム内でサブフィールドの配列を複数のステップにして、前述したフリッカーの問題を低減させようとした。
【００４２】
このようなＰＡＬ方式におけるサブフィールドの配列を説明すると、次の図７の通りである。
【００４３】
図７は、従来のＰＡＬ方式でのプラズマディスプレイパネルの映像を具現するためのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【００４４】
図７に示すように、従来のＰＡＬ方式では、一つのフレーム内で互いに異なる加重値のサブフィールドを複数個、好ましくは、二つのグループに分けて配列した。例えば、図７のように、第１サブフィールドグループに加重値、すなわち、階調値１のサブフィールド、加重値８のサブフィールド、加重値１６のサブフィールド、加重値３２のサブフィールド及び加重値６４のサブフィールドを含ませる。
【００４５】
また、第２サブフィールドグループには、加重値が２のサブフィールド、加重値が４のサブフィールド、二つの加重値が８のサブフィールド、加重値が１６のサブフィールド、加重値が３２のサブフィールド及び加重値が６４のサブフィールドを含ませる。
【００４６】
このように、配列された一つのフレーム内におけるサブフィールドの加重値の合計、すなわち、階調値の合計は、１＋２＋４＋８＋（８＋８）＋（１６＋１６）＋（３２＋３２）＋（６４＋６４）、すなわち、２５５である。つまり、２５６階調を具現できる。
【００４７】
このように、一つのフレーム内でサブフィールドの配列を２ステップにしてプラズマディスプレイパネルを駆動させるＰＡＬ方式では、前述したフリッカーの発生を低減させる効果はあるが、一つのフレーム内での加重値が相対的に低い、すなわち、階調値が低いサブフィールドの個数が増加するという問題点がある。
【００４８】
すなわち、一つのフレーム内でサブフィールドの配列を１ステップにする通常の方式では、前述した図２のように、加重値が相対的に低い、すなわち階調値が低いサブフィールドは、階調値が１，２，４，８の第１，２，３，４サブフィールドに区分すると仮定すれば、一つのフレーム内でサブフィールドの配列を２ステップにするＰＡＬ方式では、加重値が相対的に低い、すなわち、階調値が相対的に低いサブフィールドは、第１サブフィールドグループで第１，２サブフィールドであり、また、第２サブフィールドグループで第１，２，３，４サブフィールドである。
【００４９】
これにより、ＰＡＬ方式では、一つのフレーム内でサブフィールドの配列を１ステップにする通常の方式に比べて、加重値が相対的に低い、すなわち、階調値が低いサブフィールドの個数が増加することによって、アドレス放電が不安定になる可能性の大きい初期サブフィールド、すなわち、階調値が相対的に低いサブフィールドでは、アドレス放電以後の放電セル内での壁電荷の分布が充分でなく、以後のサステイン放電が不安定になるか、または、サステイン放電が発生しない現象がさらに深刻になるという問題点がある。
【００５０】
また、このようなＰＡＬ方式では、一つのフレーム内に含まれたサブフィールドの個数が増加する。例えば、図２の駆動方法と図７の駆動方法は、同様に１２８階調を具現する駆動方法であるが、図２の通常の駆動方法では、一つのフレームに総８個のサブフィールドが含まれ、図７のＰＡＬ方式の駆動方法では、総１２個のサブフィールドが含まれる。これにより、図７のＰＡＬ方式の駆動方法では、図２の駆動方法と比較して、セットアップパルスの個数がさらに多い。つまり、一つのフレーム内でセットアップパルスにより発生する不要な光の強さが、図７の駆動方法で図２の駆動方法に比べてさらに多く発生する。言い換えれば、図７のようなＰＡＬ方式では、映像表示に寄与しない不要な放電の大きさがさらに増加して、コントラスト（Contrast）特性をさらに悪化させるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００５１】
本発明は、上記の従来の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、リセットパルスの大きさ及び個数を調整することにより、コントラスト特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイ装置、プラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００５２】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、電極を駆動するための駆動部と、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループで駆動部を制御して、複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、少なくともいずれか一つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００５３】
本発明は、ＰＡＬ駆動方式でサブフィールドの階調加重値を異にして、フリッカー発生を低減させ得るという効果がある。
【００５４】
また、本発明は、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさ及び個数を調整して、コントラスト特性を向上させ得るという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、電極を駆動するための駆動部と、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループで駆動部を制御して、複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、少なくとも一つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整するリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００５６】
本発明に係る他のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、電極を駆動するための駆動部と、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループで駆動部を制御して、複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００５７】
本発明に係るさらに他のプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差するアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルと、電極を駆動するための駆動部と、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループで駆動部を制御して、複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つのサブフィールドグループでは、高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくするリセットパルス制御部とを含むことを特徴とする。
【００５８】
上述したリセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、リセットパルスの大きさは、３個以上の互いに異なる電圧値を有するようにすることを特徴とする。
【００５９】
また、リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、３個以上の互いに異なる電圧値のリセットパルスを当サブフィールドの階調値の大きさが小さいほど大きくすることを特徴とする。
【００６０】
また、リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、リセットパルスの中から少なくとも一つは、その大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とすることを特徴とする。ここで、「２倍超過」とは、「２倍よりも大きい」ことを意味する。以下の説明において同様である。
【００６１】
また、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、１サブフィールドグループ内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
【００６２】
また、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００６３】
また、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００６４】
また、リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、リセットパルスの中から少なくとも一つは、その大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とすることを特徴とする。
【００６５】
また、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、１サブフィールドグループ内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドからサステインパルスの個数が減少する順に４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
【００６６】
また、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００６７】
また、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの１倍以上２倍以下の電圧とするサブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００６８】
また、リセットパルス制御部は、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、リセットパルスの中から少なくとも一つは、所定の大きさの正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がるようにすることを特徴とする。
【００６９】
また、所定の大きさの正極性電圧は、その大きさがサステイン電圧Ｖｓであることを特徴とする。
【００７０】
また、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内で、サブフィールドは、階調値の大きさ順に不規則に配列されることを特徴とする。
【００７１】
上述した各フレームの間には、所定の長さを有する休止期間がさらに含まれ、フレームのサブフィールドグループは、同一フレーム内で連続であることを特徴とする。
【００７２】
また、各フレームの間には、所定の長さを有する第１休止期間が含まれ、同一フレーム内で、サブフィールドグループの間には、所定の長さを有する第２休止期間がさらに含まれることを特徴とする。
【００７３】
また、第１休止期間と第２休止期間との長さは、互いに同じであることを特徴とする。
【００７４】
また、複数のサブフィールドグループは、各々複数のサブフィールドを含み、複数のサブフィールドグループは、各グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする。
【００７５】
また、複数のサブフィールドグループは、各々複数のサブフィールドを含み、複数のサブフィールドグループは、各グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする。
【００７６】
また、フレームは、二つのサブフィールドグループに分けられ、二つのサブフィールドグループは、各々複数のサブフィールドを含み、二つのサブフィールドグループは、各サブフィールドグループ内でサブフィールドの互いに異なる階調値の大きさ順に配列されることを特徴とする。
【００７７】
また、二つのサブフィールドグループの中からいずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする。
【００７８】
また、二つのサブフィールドグループの中からいずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする。
【００７９】
また、二つのサブフィールドグループの中からいずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列され、二つのサブフィールドグループの中からいずれか一つは、グループ内でサブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されることを特徴とする。
【００８０】
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照して詳細に説明する。
【００８１】
図８は、本発明のプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【００８２】
図８に示すように、本発明のプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネル８００と、駆動パルスを印加するためのデータ駆動部８０２、スキャン駆動部８０３、サステイン駆動部８０４及びリセットパルス制御部８０１を含む駆動装置を備えてなる。
【００８３】
例えば、本発明のプラズマディスプレイ装置は、図８のように、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に、前述したアドレス電極Ｘ１ないしＸｍ、スキャン電極Ｙ１ないしＹｎ及びサステイン電極Ｚに駆動パルスが印加される少なくとも一つ以上のサブフィールドの組み合わせによって、フレームからなる映像を表現するプラズマディスプレイパネル８００と、プラズマディスプレイパネル８００に形成されたアドレス電極Ｘ１ないしＸｍにデータを供給するためのデータ駆動部８０２と、スキャン電極Ｙ１ないしＹｎを駆動するためのスキャン駆動部８０３と、共通電極であるサステイン電極Ｚを駆動するためのサステイン駆動部８０４と、プラズマディスプレイパネル８００の駆動時、スキャン駆動部８０３を制御してリセットパルスの大きさを調整するためのリセットパルス制御部８０１と、各々の駆動部８０２、８０３、８０４に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部８０５とを含む。
【００８４】
このように、本発明のプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にアドレス電極、スキャン電極及びサステイン電極に駆動パルスが印加される少なくとも一つ以上のサブフィールドの組み合わせによって、フレームからなる映像を表現し、前述したフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、このようなサブフィールドグループのうち、一つ以上のサブフィールドグループで一つ以上のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整する。
【００８５】
ここで、前述したプラズマディスプレイパネル８００は、前面パネル（図示せず）と後面パネル（図示せず）とが一定の間隔をおいて合着され、複数の電極、例えば、スキャン電極Ｙ１ないしＹｎ及びサステイン電極Ｚが対をなして形成され、スキャン電極Ｙ１ないしＹｎ及びサステイン電極Ｚと交差されるようにアドレス電極Ｘ１ないしＸｍが形成される。
【００８６】
データ駆動部８０２には、図示しない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などにより逆ガンマ補正及び誤差拡散されてから、サブフィールドマッピング回路により各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部８０２は、タイミングコントロール部（図示せず）からのデータタイミング制御信号ＣＴＲＸに応答してデータをサンプリングしラッチしてから、そのデータをアドレス電極Ｘ１ないしＸｍに供給する。
【００８７】
スキャン駆動部８０３は、リセットパルス制御部８０１の制御下に、リセット期間の間、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整されたリセットパルスをスキャン電極Ｙ１ないしＹｎに供給する。また、スキャン駆動部８０３は、アドレス期間の間、スキャン電圧−ＶｙのスキャンパルスＳｐをスキャン電極Ｙ１ないしＹｎに順次供給し、サステイン区間の間には、サステインパルスｓｕｓをスキャン電極Ｙ１ないしＹｎに供給する。
【００８８】
サステイン駆動部８０４は、タイミングコントロール部（図示せず）の制御下に、立ち下がりランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが発生する期間とアドレス期間との間、サステイン電圧Ｖｓのバイアス電圧をサステイン電極Ｚに供給し、サステイン期間の間、スキャン駆動部８０３と交代に動作してサステインパルスｓｕｓをサステイン電極Ｚに供給する。
【００８９】
リセットパルス制御部８０１は、リセット期間にスキャン駆動部８０３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部８０３に供給することによって、スキャン駆動部８０３を制御する。特に、リセットパルス制御部８０１は、一つのフレームが分けられた複数のサブフィールドグループのうち、一つ以上のサブフィールドグループで一つ以上のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを階調値に応じて調整するように制御信号をスキャン駆動部８０３に供給する。
【００９０】
また、このようなリセットパルス制御部８０１は、前述したリセットパルスの大きさが一つのサブフィールドグループ内で３個以上の互いに相違した電圧値を有するようにし、このような３個以上の互いに相違した電圧値を有するリセットパルスの大きさを該当するサブフィールドの階調値の大きさが減少するほど小さくなるように制御信号をスキャン駆動部８０３に供給する。
【００９１】
一方、前述したデータ制御信号ＣＴＲＸには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。スキャン制御信号ＣＴＲＹには、スキャン駆動部８０３内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれ、サステイン制御信号ＣＴＲＺには、サステイン駆動部８０４内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
【００９２】
駆動電圧発生部８０５は、セットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐ、スキャン共通電圧Ｖｓｃａｎ−ｃｏｍ、スキャン電圧−Ｖｙ、サステイン電圧Ｖｓ、データ電圧Ｖｄなどを発生する。このような駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セルの構造によって変わることができる。
【００９３】
このような図８における本発明のプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法においてより明確になるはずである。
【００９４】
また、図示しなかったが、本発明の他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が前述した図８における本発明のプラズマディスプレイ装置と同一である。但し、リセットパルス制御部８０１は、リセット期間において、スキャン駆動部８０３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部８０３に供給することによって、スキャン駆動部８０３を制御することはもちろん、特に、一つのフレームが分けられた複数個のサブフィールドグループのうち、一つ以上のサブフィールドグループ内で低階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくするように、所定の制御信号をスキャン駆動部８０３に印加する。
【００９５】
このような構造における本発明の他のプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明においてより明確になるはずである。
【００９６】
なお、図示しなかったが、本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が前述した図８における本発明のプラズマディスプレイ装置と同一である。但し、リセットパルス制御部８０１は、リセット期間において、スキャン駆動部８０３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部８０３に供給することによって、スキャン駆動部８０３を制御することはもちろん、特に、一つのフレームが分けられた複数個のサブフィールドグループのうち、一つ以上のサブフィールドグループ内で高階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくするように、所定の制御信号をスキャン駆動部８０３に印加する。
【００９７】
このような構造の本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置の機能は、以後の駆動方法の説明においてより明確になるはずである。
【００９８】
本発明のさらに他のプラズマディスプレイ装置は、その構造が前述した図８における本発明のプラズマディスプレイ装置と同一である。但し、リセットパルス制御部８０１は、リセット期間において、スキャン駆動部８０３の動作タイミングと同期化とを制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部８０３に供給することによって、スキャン駆動部８０３を制御することはもちろん、特に、一つのフレームが分けられた複数個のサブフィールドグループのうち、一つ以上のサブフィールドグループ内で低階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数が他のサブフィールドよりさらに多いように、所定の制御信号をスキャン駆動部８０３に印加する。
【００９９】
このような本発明のプラズマディスプレイ装置により行われる駆動方法の第１実施形態は、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、このように分けたサブフィールドグループで低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極Ｙ１ないしＹｎに印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくするものであるが、このために、一つのフレーム内でサブフィールドの配列を複数のステップにする一例を説明すれば、次の図９ａないし図９ｂの通りである。
【０１００】
図９ａないし図９ｂは、一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分ける一例を説明するための図である。
【０１０１】
図９ａないし図９ｂを説明すれば、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法では、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループ、例えば、図９ａのように、二つのサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとに分けてサブフィールドを配列することによって、サブフィールドの配列を２ステップとした。
【０１０２】
ここで、前述した第１サブフィールドと第２サブフィールドとの間には、図９ｂのように、所定の長さを有する休止期間が含まれる。すなわち、一つの休止期間が二つのサブフィールドグループ間に含まれる。
【０１０３】
ここで、サブフィールドは、各グループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループ内で加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさが増加する順に配列される。すなわち、サブフィールドの加重値、すなわち、階調値の大きさが最も低いサブフィールドが各サブフィールドグループ内で初期に位置し、以後に行くほど次第に加重値の高いサブフィールドが位置する。例えば、図９ａの第１サブフィールドグループのように、加重値１、すなわち、階調値１のサブフィールド、加重値８のサブフィールド、加重値１６のサブフィールド、加重値３２のサブフィールド及び加重値６４のサブフィールドが順に含まれる。
【０１０４】
また、第２サブフィールドグループには、加重値２、すなわち、階調値２のサブフィールド、加重値４のサブフィールド、二つの加重値８のサブフィールド、加重値１６のサブフィールド、加重値３２のサブフィールド及び加重値６４のサブフィールドが順に含まれる。
【０１０５】
このように、配列された一つのフレーム内におけるサブフィールドの加重値の合計は、１＋２＋４＋８＋（８＋８）＋（１６＋１６）＋（３２＋３２）＋（６４＋６４）、すなわち、２５５である。つまり、加重値が１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８のサブフィールドが順に配列された図２のフレームのような２５６階調を具現できる。また、１２１階調を具現できる第１サブフィールドグループと１３５階調を具現できる第２サブフィールドグループとを含んで、２５６階調の一つのフレームで１２１と１３５の階調を具現する２つのフレームを具現する効果を得ることができる。これにより、視覚的にフレーム周波数（Frame Frequence）が２倍に増加する結果を招いてフリッカー（Flicker）の発生が低減される。このような一つのフレーム内におけるサブフィールドの加重値に対する概念と休止期間に対する概念とが図９ｂに示されている。
【０１０６】
図９ｂを説明すれば、一つのフレーム内で二つのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとが含まれ、これらのサブフィールドグループ間には、休止期間が含まれる。ここで、各サブフィールドグループに含まれたサブフィールドの加重値が三角形状に表したことに注目されたい。これは、各サブフィールド内でサブフィールドが加重値、すなわち、階調値の大きさが増加する順に配列されることを意味する。
【０１０７】
このように、一つのフレームが複数のサブフィールドグループに区分されて駆動される方式において加重値が低い、すなわち、階調値が相対的に低いいずれか一つのサブフィールド、すなわち、低階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを調整するが、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図１０ａないし図１０ｂの通りである。
【０１０８】
＜第１実施形態＞
図１０ａないし図１０ｂは、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態を説明するための図である。
【０１０９】
図１０ａないし図１０ｂに示すように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態は、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、このように分けたサブフィールドグループの中から少なくともいずれか一つでは、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに大きくする。
【０１１０】
例えば、図１０ａのように、一つのフレームを二つのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとに分ける場合、各々のサブフィールドグループで加重値が最も低くて、最も低い階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループで、第１サブフィールド及び第２サブフィールドグループで第１サブフィールドにおけるリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ２が他のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループの第２、３、４、５サブフィールド及び第２サブフィールドグループの第２、３、４、５、６、７サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさＶ１よりさらに大きい。ここで、図１０ａでは、一つのフレームの全てのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとの両方でいずれか一つのサブフィールドのリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくしたが、これとは異なり、複数のサブフィールドグループのうち、一部の選択されたサブフィールドグループ、例えば、図１０ａにおいて、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループのうち、いずれか一つのサブフィールドグループだけでリセットパルスの大きさを調整することもできる。
【０１１１】
ここで、前述した低階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ２は、サステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧、すなわち、２Ｖｓ超過のものが好ましい。
【０１１２】
このように、少なくともいずれか一つのサブフィールドグループの低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きく、望ましくは、２Ｖｓ超過の電圧とする理由を説明すれば、次の通りである。
【０１１３】
加重値が相対的に低くて、低階調を具現する低階調サブフィールドは、加重値が相対的に大きくて、高階調を具現するサブフィールドに比べてアドレス放電が不安定になる可能性がより大きい。これにより、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさがあまりにも小さければ、放電セル内の壁電荷の分布が均等にならず、以後のアドレス放電が不安定になって、アドレスジッタ（Jitter）が悪化し、且つ、以後のサステイン放電が不安定になる。
【０１１４】
このように、放電が不安定になる低階調サブフィールドは、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分けて駆動するＰＡＬ方式において、その個数がさらに増加するようになる。例えば、低階調サブフィールドを加重値が１０以下、すなわち、階調値が１０以下であるサブフィールドを低階調サブフィールドに設定する場合、図２の従来の駆動方式では、低階調サブフィールドが階調１の第１サブフィールド、階調２の第２サブフィールド、階調４の第３サブフィールド及び階調８の第４サブフィールド、すなわち、総４個の低階調サブフィールドを含むに対して、図１０ａの駆動方式では、加重値が１０以下、すなわち、階調値が１０以下である低階調サブフィールドが第１サブフィールドグループで階調１の第１サブフィールドと階調８の第２サブフィールド、第２サブフィールドグループで階調２の第１サブフィールド、階調４の第２サブフィールド、階調８の第３サブフィールド及び階調８の第４サブフィールドが低階調サブフィールドに含まれる。すなわち、ＰＡＬ方式で低階調サブフィールドの個数が増加する。
【０１１５】
したがって、相対的に低階調サブフィールドがより多く含まれるＰＡＬ方式において、加重値が低くて、低い階調を具現する低階調のサブフィールドでリセット期間において印加されるリセットパルスの大きさを２Ｖｓより大きくして、フリッカーの発生を抑制しながらも、加重値が低くて、低階調を具現する低階調のサブフィールドにおけるアドレス放電を安定させる。このように、アドレス放電が安定すれば、全体プラズマディスプレイ装置の駆動マージン（Margin）の低下が抑制される。
【０１１６】
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図１０ａのリセットパルスを図１０ｂにさらに詳細に示した。
【０１１７】
図１０ｂを説明すれば、図１０ａの第２サブフィールドグループ内で第１サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさＶ２が最も大きく、残りのサブフィールドにおけるリセットパルスの大きさは、第１サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさより小さなことが確認できる。図１０ｂでは、第１サブフィールドにおけるリセットパルスの立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐの傾きと第２、３、４、５、６、７、８サブフィールドにおけるリセットパルスの立ち上がりランプの傾きとが互いに同じであり、但し、最大電圧値の大きさが互いに異なる。このように、全てのサブフィールドで同じ傾きの立ち上がりランプを有するようになると、立ち上がりランプを発生させる回路の構造の観点から、同じセットアップパルス発生回路（図示せず）を用いて第１サブフィールドから第８サブフィールドまでの全てのサブフィールドにおける立ち上がりランプを発生させることが可能であり、制御がより容易であり得る。
【０１１８】
一方、前述した低階調サブフィールドは、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数によって決められることができる。例えば、このような低階調サブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。例えば、一つのフレーム内に含まれたサブフィールドのうち、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドが、総１０００個のサステインパルスを含んでいると仮定する時、５００個以下のサステインパルスを含むサブフィールドを階調サブフィールドに設定する。
【０１１９】
これとは異なり、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドを低階調サブフィールドに設定することも可能である。例えば、一つのフレーム内で供給されるサステインパルスの個数を２０００個であると仮定すれば、４００個以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドが低階調サブフィールドに設定される。
【０１２０】
または、一つのサブフィールドグループ内でサステインパルスの個数が少ない順に応じて、低階調サブフィールドを設定することもできるが、このような低階調サブフィールド設定の一例を説明すれば、次の図１１の通りである。
【０１２１】
図１１は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態において、低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０１２２】
図１１に示すように、一つのサブフィールドグループ内で複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定する。ここで、図１１には、二つのサブフィールドを低階調サブフィールドに設定するように図示されているが、本発明では、一つのサブフィールドグループ内でサステインパルスの個数が少ない順にサステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでのサブフィールドが低階調サブフィールドに設定されることが好ましい。例えば、図１０ａのように、総７個のサブフィールドが第２サブフィールドグループをなすと仮定する時、サステインパルスが最も少ない、すなわち、加重値が最も小さくて、最も小さな階調を具現する第１サブフィールドからその次の第２、３、４サブフィールドを低階調サブフィールドに設定する。
【０１２３】
このように設定された低階調サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさを前述したように他のサブフィールドよりさらに大きくする。すなわち、図１１のように、低階調サブフィールドに設定された第１、２サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きく、例えば、Ｖ２、すなわち、２Ｖｓを超過する電圧に設定し、残りの他のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを前述したＶ２より小さいＶ１に設定する。
【０１２４】
以上の説明では、低階調サブフィールドでない、他のサブフィールド、例えば、図１１において、第２サブフィールドグループの第３サブフィールドから第７サブフィールドまでのサブフィールドでもリセットパルスは、所定の傾きを有する状態で立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐが含まれるが、これとは異なり、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループのいずれか一つのサブフィールドのリセット期間において、立ち上がりランプが含まれないようにリセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図１２の通りである。
【０１２５】
図１２は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態に係るさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【０１２６】
図１２に示すように、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態に係るさらに他の駆動波形は、一つのサブフィールドグループ内に含まれたサブフィールドの中から少なくともいずれか一つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾きを有する状態で立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐ が省略された。例えば、図１２のように、第２サブフィールドグループの第７サブフィールドにおけるリセットパルスが所定の正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がる立ち下がりランプＲａｍｐ−ｕｐ の波形を有する。このような第７サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドから第６サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較して立ち上がりランプが省略され、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第７サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えば、サステイン電圧Ｖｓが維持され、以後に立ち下がりランプの波形を有するものである。
【０１２７】
このように、立ち上がりランプが省略されたリセットパルスが印加されるサブフィールドは、相対的に加重値が高くて、高階調を具現する高階調サブフィールドであることが望ましく、これにより、前述した低階調サブフィールドとは異なり、相対的に放電が安定した高階調サブフィールドのリセット期間において、リセットパルス、特に、立ち上がりランプにより発生する映像表示に寄与しない不要な放電の大きさがさらに減少してコントラスト特性をより一層改善する。
【０１２８】
また、駆動回路の観点から見ると、立ち上がりランプのパルス形態を有するセットアップ電圧を供給する必要がないため、駆動回路の制御がより容易であるという長所がある。
【０１２９】
なお、相対的に高い電圧の立ち上がりランプを供給しなくなり、電力消費を減らす。
【０１３０】
以上では、一つのサブフィールドグループに含まれたサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさ順に規則に配列された一例だけを図示し説明したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であるが、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図１３の通りである。
【０１３１】
図１３は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【０１３２】
図１３に示すように、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内においてサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさ順に規則に配列されることでなく、階調値の大きさに関係なく、ランダム（Random）に配列される。このような不規則なサブフィールド配列を有するサブフィールドグループ内でも、第１サブフィールドグループで加重値が低くて、すなわち、階調値が低くて低階調を具現する低階調サブフィールドである３番目のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくし、第２サブフィールドグループにおける４番目のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドでリセット期間においてスキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくする。
【０１３３】
ここで、図１３では、図１０ａと比較して図１０ａのサブフィールド配列順序が第１サブフィールドグループ内で第１、２、３、４、５サブフィールドの順、第２サブフィールドグループ内で第１、２、３、４、５、６、７サブフィールドの順であると仮定すれば、図１３では、第１サブフィールドグループ内で第２、３、１、４、５サブフィールドの順、第２サブフィールドグループ内で第５、４、７、１、２、３、６サブフィールドの順である。図１３では、一つのサブフィールドグループ内で加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさと関係なく、ランダムにサブフィールドを配列したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内で相対的に加重値が大きい、すなわち、階調値が大きい高階調サブフィールドと相対的に加重値が低い、すなわち、階調値が低い低階調サブフィールドを交代に配列することができる。このようなサブフィールド配列の順序によって本発明が限定されることではなく、サブフィールドグループのいかなるサブフィールド配列を有するとしても、そのサブフィールドグループ内に含まれたサブフィールドのうち、低階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくするのが、何より重要なものである。
【０１３４】
一方、以上の説明では、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが加重値、すなわち、階調値が増加する順に配列されることを基準として図示し説明したが、これとは異なり、一つ以上のサブフィールドグループ内でサブフィールドが、階調値が減少する順に配列されることも可能であるが、これを説明すれば、次の図１４ａないし図１４ｂの通りである。
【０１３５】
図１４ａないし図１４ｂは、一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分けるさらに他の例を説明するための図である。
【０１３６】
図１４ａないし図１４ｂを説明すれば、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分け、少なくともいずれか一つのサブフィールドグループ内では、サブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさが減少する順に配列される。
【０１３７】
例えば、図１４ａのように、一つのフレームが二つのサブフィールドグループに分けられる場合、サブフィールドが各グループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループ内で加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさが減少する順に配列される。すなわち、サブフィールドの加重値が最も高くて、最も高い階調を具現するサブフィールドが各サブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループまたは第２サブフィールドグループの初期に位置し、以後へ行くほど次第に加重値、すなわち、階調が低いサブフィールドが位置する。例えば、ここで、第１サブフィールドグループに加重値６４のサブフィールド、加重値３２のサブフィールド、加重値１６のサブフィールド、加重値８のサブフィールド及び加重値１のサブフィールドが順に含まれる。
【０１３８】
また、第２サブフィールドグループには、加重値６４のサブフィールド、加重値３２のサブフィールド、加重値１６のサブフィールド、二つの加重値８のサブフィールド、加重値４のサブフィールド及び加重値２のサブフィールドが順に含まれる。このような一つのフレーム内におけるサブフィールドの加重値に対する概念と休止期間に対する概念とを図１４ｂに示した。
【０１３９】
図１４ｂを説明すれば、一つのフレーム内で二つのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとが含まれ、これらのサブフィールドグループ間には、休止期間が含まれる。ここで、各サブフィールドグループに含まれたサブフィールドの加重値を三角形状に表したことに注目されたい。これは、各サブフィールド内でサブフィールドが加重値、すなわち、階調値の大きさが減少する順に配列されることを意味する。
【０１４０】
ここでも、前述した第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとの間に所定の長さを有する休止期間が含まれる。
【０１４１】
このように、配列された一つのフレーム内におけるサブフィールドの加重値の合計は、前述した図９ａと同様に、１＋２＋４＋８＋（８＋８）＋（１６＋１６）＋（３２＋３２）＋（６４＋６４）、すなわち、２５５である。つまり、加重値が１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８のサブフィールドが階調値の大きさの逆順に配列されて、総加重値、総階調値は、図２のフレームのような２５６階調を具現できる。また、１２１階調を具現できる第２サブフィールドグループと１３５階調を具現できる第１サブフィールドグループを含んで、１２１と１３５の階調を具現する二つのフレームの効果を得ることができる。これにより、フリッカーの発生が低減される。このようなサブフィールド配列方式の駆動方法は、前述した図９ａと比較してサブフィールドの配列順序が逆順であり、残りは、実質的に同一であって、重複する説明は省略する。
【０１４２】
このように、一つのフレームが複数のサブフィールドグループに区分されて駆動される方式において、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが階調値の大きさの逆順に配列された場合に、加重値が低い、すなわち、階調値が相対的に低いいずれか一つのサブフィールド、すなわち、低階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを調整するが、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図１５ａないし図１５ｂの通りである。
【０１４３】
図１５ａないし図１５ｂは、図１４ａないし図１４ｂの配列順序を有する駆動方法において、駆動波形の一例を説明するための図である。
【０１４４】
図１５ａないし図１５ｂに示すように、図１０ａの場合と各々のサブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列順序が反対である。すなわち、サブフィールドが階調値の大きさの逆順に配列される。
【０１４５】
例えば、図１５ａのように、一つのフレームを二つのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとに分ける場合、各々のサブフィールドグループで加重値が最も低くて、最も低い階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループで第５サブフィールド及び第２サブフィールドグループで第７サブフィールドにおけるリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ２が他のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループの第１、２、３、４サブフィールド及び第２サブフィールドグループの第１、２、３、４、５、６サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさＶ１よりさらに大きい。
【０１４６】
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図１５ａのリセットパルスを図１５ｂにより詳細に示した。
【０１４７】
図１５ｂを説明すれば、図１５ａの第２サブフィールドグループ内で第７サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさＶ２が最も大きく、残りのサブフィールドにおけるリセットパルスの大きさは、第７サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさより小さなことが確認できる。ここでは、第７サブフィールドにおけるリセットパルスの立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐの傾きと第１、２、３、４、５、６サブフィールドにおけるリセットパルスの立ち上がりランプの傾きとが互いに同じであることが好ましい。但し、最大電圧値の大きさが互いに異なる。図１５ａないし図１５ｂの駆動波形は、図１０ａないし図１０ｂと比較してサブフィールドの配列が逆順であるだけ、その内容は、実質的に同一であって、重複する説明は省略する。
【０１４８】
以上の本発明の駆動方法の第１実施形態の説明では、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分け、このように分けた複数個のサブフィールドグループ間に一つの休止期間を含ませているが、これとは異なり、サブフィールドグループ間にはもちろん、各フレーム間に所定の長さを有する休止間間をさらに含ませることも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の図１６ａないし図１６ｂの通りである。
【０１４９】
図１６ａないし図１６ｂは、一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分けるさらに他の例を説明するための図である。
【０１５０】
図１６ａないし１６ｂを説明すれば、前述した図９ａは、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとの間に所定の長さを有する一つの休止期間が含まれるに対して、フレームの前段に所定の長さを有する第１休止期間が含まれ、また、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとの間にも所定の長さを有する第２休止期間が含まれる。
【０１５１】
まず、図１６ａを説明すれば、一つのフレームのサブフィールドは、複数のグループ、望ましくは、二つのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとに分けられ、このような各サブフィールドグループ内で加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさが増加する順に配列される。すなわち、サブフィールドの加重値、すなわち、階調値の大きさが最も低いサブフィールドが、各サブフィールドグループ内で初期に位置し、以後へ行くほど次第に加重値の高いサブフィールドが位置する。例えば、図１６ａのように、第１サブフィールドグループに加重値１、すなわち、階調値１のサブフィールド、加重値８のサブフィールド、加重値１６のサブフィールド、加重値３２のサブフィールド及び加重値６４のサブフィールドが順に含まれる。また、第２サブフィールドグループには、加重値２、すなわち、階調値２のサブフィールド、加重値４のサブフィールド、二つの加重値８のサブフィールド、加重値１６のサブフィールド、加重値３２のサブフィールド及び加重値６４のサブフィールドが順に含まれる。
【０１５２】
このように配列されるサブフィールドグループ間には、前述したように所定の長さを有する第２休止期間が含まれ、各フレーム間にも所定の長さを有する第１休止期間が含まれる。このような第１休止期間と第２休止期間とは、その長さが互いに異なるか、同一であり得る。しかし、望ましくは、各サブフィールドグループ間に視覚的な分割の効果及び駆動の制御の容易性を考慮する時、第１休止期間と第２休止期間との長さは、同一である。
【０１５３】
このように、フレーム間の第１休止期間とサブフィールドグループ間の第２休止期間とにより一つのフレームを二つのフレームに認識するようにする視覚的な効果がさらに増大する。これにより、フリッカーの発生がさらに減少して画質を向上させる。このような図１６ａないし図１６ｂの駆動方法は、前述した図９ａないし図９ｂと比較して休止期間がもう一つ追加されただけであり、その内容は、実質的に前述した図９ａないし図９ｂの駆動方法と同様であるため、これ以上の重複する説明は省略する。
【０１５４】
このような本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態において、前述した図１６ａないし図１６ｂとは異なり、各サブフィールドグループ内でサブフィールドが加重値、すなわち、階調値が減少する順に配列され得るが、このような駆動方法を説明すれば、次の図１７ａないし図１７ｂの通りである。
【０１５５】
図１７ａないし図１７ｂは、一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分けるさらに他の例を説明するための図である。
【０１５６】
図１７ａないし図１７ｂを説明すれば、前述した図１６ａないし図１６ｂでは、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループ内でサブフィールドが階調値の大きさ順に応じて階調値が増加する順にサブフィールドが配列されるに対して、このような図１７ａないし図１７ｂの駆動波形は、図１６ａないし図１６ｂと比較してサブフィールドの配列が互いに反対であるだけ、その内容が実質的に同一なので、重複する説明は省略する。
【０１５７】
以上のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態では、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整することもでき、これを説明すれば、次の本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態の通りである。
【０１５８】
＜第２実施形態＞
図１８ａないし図１８ｂは、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態を説明するための図である。
【０１５９】
図１８ａないし図１８ｂに示すように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態は、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つ以上のサブフィールドグループのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、他のサブフィールドよりさらに小さい。
【０１６０】
例えば、図１８ａのように、一つのフレームを二つのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとに分ける場合、各々のサブフィールドグループで加重値が最も高くて、最も高い階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループで第５サブフィールド及び第２サブフィールドグループで第７サブフィールドにおけるリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ１が異なるサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループの第１、２、３、４サブフィールド及び第２サブフィールドグループの第１、２、３、４、５、６サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさＶ２よりさらに小さい。図１８ａでは、一つのフレームの全てのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとの両方でいずれか一つのサブフィールドのリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくしたが、これとは異なり、複数のサブフィールドグループのうち、一部の選択されたサブフィールドグループ、例えば、図１８ａで第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとのうち、いずれか一つのサブフィールドグループだけでリセットパルスの大きさを調整することもできる。
【０１６１】
ここで、前述した高階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ１は、サステイン電圧Ｖｓの２倍以下、すなわち、２Ｖｓ以下であり、サステイン電圧Ｖｓ以上であることが好ましい。すなわち、Ｖｓ≦Ｖ１≦２Ｖｓである関係が成立する。
【０１６２】
このように、一つのサブフィールドグループのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さく、望ましくは、サステイン電圧Ｖｓ以上、２倍のサステイン電圧２Ｖｓ以下にする理由を説明すれば、次の通りである。
【０１６３】
加重値が相対的に高くて、高階調を具現する高階調サブフィールドは、加重値が相対的に小さくて、低階調を具現する低階調サブフィールドに比べてアドレス放電が不安定になる可能性が相対的に小さい。これにより、リセット期間において、スキャン電極へ印加されるリセットパルスが低階調サブフィールドよりさらに小さくても、放電セル内の壁電荷の分布を十分に均等にすることができるようになる。したがって、高階調サブフィールドでは、相対的に小さい電圧大きさのリセットパルスを供給しても、他の低階調サブフィールドに比べて以後のアドレス放電が相対的に安定することになって、アドレスジッタの悪化を抑制し、また、以後のサステイン放電が不安定になることを防止する。つまり、一つのサブフィールドグループ内のサブフィールドのうち、加重値が相対的に高くて、高階調を具現する高階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるスキャンパルスの幅を他のサブフィールドよりさらに小さくすることにより、プラズマディスプレイパネルの放電特性を安定させ、且つ、リセットパルスにより発生する映像表示に寄与しない不要な放電の大きさが減少してコントラスト特性を改善する。
【０１６４】
特に、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分けて駆動するＰＡＬ方式では、一つのフレームに含まれたサブフィールドの個数が増加する。例えば、図２のような通常の駆動方式では、一つのフレームに総８個のサブフィールドが含まれるに対して、ＰＡＬ方式の一例である図１８ａの場合には、図２のような２５６階調を具現しながらも、一つのフレームに第１サブフィールドグループの５個のサブフィールド及び第２サブフィールドグループの７個のサブフィールド、すなわち、総１２個のサブフィールドが含まれる。結果的に、図１８ａの場合において、リセット期間において、印加されるリセットパルスの個数がさらに含まれる。
【０１６５】
したがって、相対的にサブフィールドの個数がさらに多く含まれて、リセットパルスの個数がより多いＰＡＬ方式において、加重値が高くて、相対的に高い階調を具現する高階調のサブフィールドでリセット期間において、印加されるリセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓ以上、２倍のサステイン電圧２Ｖs以下にしてフリッカーの発生を抑制しながらも、リセット期間にリセットパルスにより発生する暗放電の大きさを低減させてコントラスト特性を向上させる。
【０１６６】
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整された図１８ａのリセットパルスを図１８ｂにさらに詳細に示した。
【０１６７】
図１８ｂを説明すれば、第２サブフィールドグループ内で第７サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさＶ１が最も小さく、残りのサブフィールドにおけるリセットパルスの大きさは、第７サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさより大きいことが確認できる。図１８ｂでは、第２サブフィールドグループ内の第７サブフィールドにおけるリセットパルスの立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐの傾きと第１、２、３、４、５、６サブフィールドにおけるリセットパルスの立ち上がりランプの傾きとが互いに同じであり、但し、最大電圧値の大きさが互いに異なる。このように、全てのサブフィールドで同じ傾きの立ち上がりランプを有するようになると、立ち上がりランプを発生させる回路の構造の観点で同じセットアップパルス発生回路（図示せず）を用いて第１サブフィールドから第７サブフィールドまでの全てのサブフィールドにおける立ち上がりランプを発生させることが可能であり、制御がより容易であり得る。
【０１６８】
一方、前述した高階調サブフィールドは、一つのフレーム内のサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数によって決められることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、一つのサブフィールドグループに含まれたサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。例えば、一つのサブフィールドグループに含まれたサブフィールドのうち、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドが総１０００個のサステインパルスを含んでいると仮定する時、５００個以上のサステインパルスを含むサブフィールドが高階調サブフィールドに設定される。
【０１６９】
これとは異なり、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドを高階調サブフィールドに設定することも可能である。例えば、一つのサブフィールドグループ内から発生するサステインパルスの個数を２０００個であると仮定すれば、４００個以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドが高階調サブフィールドに設定される。
【０１７０】
または、一つのサブフィールドグループ内でサステインパルスの個数が多い順にしたがって高階調サブフィールドを設定することもできるが、このような高階調サブフィールド設定の一例を説明すれば、次の図１９の通りである。
【０１７１】
図１９は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態において、高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０１７２】
図１９に示すように、一つのサブフィールドグループ内に含まれたサブフィールドのうち、複数個のサブフィールドを高階調サブフィールドに設定する。図１９には、一つのサブフィールドグループに２つの低階調サブフィールドが含まれるように図示されたが、一つのサブフィールドグループ内で複数個のサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドからサステインパルスの個数が減少する順に４番目のサブフィールドまでのサブフィールドを高階調サブフィールドに設定することが好ましい。例えば、図１８ａの第２サブフィールドグループのように、総７個のサブフィールドが一つのサブフィールドグループをなすと仮定する時、サステインパルスが最も多い、すなわち、加重値が最も大きくて、最も大きい階調を具現する第７サブフィールドからサステインパルスの個数が減少する順に、その次のサブフィールドである第６、５、４サブフィールドを高階調に設定する。
【０１７３】
このように設定された高階調サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさを前述したように他のサブフィールドよりさらに小さくする。すなわち、図１９のように、高階調サブフィールドに設定された第６、７サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さく、例えば、Ｖ１、すなわち、サステイン電圧Ｖｓよりは大きく、２倍のサステイン電圧２Ｖｓよりは小さいように設定し、残りの他のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを前述したＶ１より大きいＶ２に設定する。
【０１７４】
以上の説明では、高階調サブフィールド、例えば、図１９において、第６サブフィールドから第７サブフィールドまでのサブフィールドでリセットパルスは所定の傾きを有する状態で立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐが全て含まれるが、これとは異なり、サブフィールドグループのサブフィールドのうち、一つ以上のサブフィールドのリセット期間において、立ち上がりランプが含まれないようにリセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図２０の通りである。
【０１７５】
図２０は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態に係わるさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【０１７６】
図２０に示すように、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態に係わるさらに他の駆動波形は、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドの中から少なくともいずれか一つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾きを有する状態で立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐが省略された。例えば、図２０のように、第６サブフィールドと第７サブフィールドにおけるリセットパルスが所定の正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がる立ち下がりランプＲａｍｐ−ｄｏｗｎの波形を有する。このような第６、７サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドから第５サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較して立ち上がりランプが省略され、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第６、７サブフィールドでは所定の正極性電圧、例えば、サステイン電圧Ｖｓが維持され、以後に立ち下がりランプの波形に立ち下がる。
【０１７７】
このように、立ち上がりランプが省略されたリセットパルスが印加されるサブフィールドは、前述したように、相対的に加重値が高くて、高階調を具現する高階調サブフィールドであることが望ましく、これにより、前述した低階調サブフィールドとは異なり、相対的に放電が安定した高階調サブフィールドのリセット期間において、リセットパルス、特に、立ち上がりランプにより発生する映像表示に寄与しない不要な放電の大きさがさらに減少してコントラスト特性をより一層改善する。
【０１７８】
以上では、一つのサブフィールドグループに含まれたサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさ順に規則に配列された一例だけを図示し説明したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であるが、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図２１の通りである。
【０１７９】
図２１は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【０１８０】
図２１に示すように、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさ順に規則に配列されることでなく、階調値の大きさに関係なく、ランダムに配列される。このような不規則なサブフィールド配列を有するサブフィールドグループ内でも加重値が高くて、すなわち、階調値が高くて、相対的に高階調を具現する高階調サブフィールド、例えば、第２サブフィールドグループの３番目のサブフィールド、すなわち、第７サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくする。
【０１８１】
図２１では、図１８ａと比較して図１８ａのサブフィールドの配列順序が第１サブフィールドグループ内で第１、２、３、４、５サブフィールドの順、第２サブフィールドグループ内で第１、２、３、４、５、６、７サブフィールドの順であると仮定すれば、図１７では、第１サブフィールドグループ内で第２、３、１、４、５サブフィールドの順、第２サブフィールドグループ内で第５、４、７、１、２、３、６サブフィールドの順である。図１７では、一つのサブフィールドグループ内で加重値の大きさ、すなわち階調値の大きさと関係なく、ランダムにサブフィールドを配列したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内で相対的に加重値が大きい、すなわち、階調値が大きい高階調サブフィールドと相対的に加重値が低い、すなわち、階調値が低い低階調サブフィールドとを交代に配列することができる。このようなサブフィールド配列の順序によって本発明が限定されることではなく、サブフィールドグループがいかなるサブフィールド配列を有するとしても、そのサブフィールドグループ内に含まれたサブフィールドのうち、高階調サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくすることが何より重要である。
【０１８２】
一方、以上の説明では、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが加重値、すなわち、階調値が増加する順に配列されることを基準として図示し説明したが、これとは異なり、図１４ａないし図１４ｂのように、一つ以上のサブフィールドグループ内でサブフィールドが階調値が減少する順に配列されることも可能であるが、これを説明すれば、次の図２２の通りである。
【０１８３】
図２２は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドのさらに他の配列を説明するための図である。
【０１８４】
図２２に示すように、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分け、少なくともいずれか一つのサブフィールドグループ内では、サブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさが減少する順に配列される。すなわち、図２２では、サブフィールドグループ内でサブフィールドの配列が図１８ａと比較して逆順である。
【０１８５】
このように、一つのフレームが複数のサブフィールドグループに区分されて駆動される方式において、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが階調値の大きさの逆順に配列された場合にも、相対的に加重値が高い高階調サブフィールドでリセット期間に供給されるリセットパルスの大きさが他のサブフィールドより小さい。
【０１８６】
以上では、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分け、このように分けた複数個のサブフィールドグループ間に一つの休止期間を含ませるが、これとは異なり、本発明の駆動方法の第２実施形態も図１６ａないし図１６ｂのように、サブフィールドグループ間にはもちろん、各フレーム間に所定の長さを有する休止期間をさらに含ませることも可能である。
【０１８７】
また、図１７ａないし図１７ｂのように、前述した図１６ａないし図１６ｂの場合とは、サブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を逆順にし、図１６ａないし図１６ｂの場合のように、サブフィールドグループとフレームとの間に各々休止期間、すなわち、第１休止期間と第２休止期間とを含ませることもできる。
【０１８８】
このように、各フレームとサブフィールドグループとの間に所定の長さを有する休止期間を各々含ませる一例を、既に前述した本発明の駆動方法で詳細に説明したので、重複する説明は省略する。
【０１８９】
以上では、一つのサブフィールドグループ内に含まれたサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを低階調のサブフィールドで調整したり、または高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを調整したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内に含まれたサブフィールドのリセットパルスを少なくとも３つ以上の互いに相違した電圧値に設定することも可能であり、このような駆動方法を説明すれば、次の本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態の通りである。
【０１９０】
＜第３実施形態＞
図２３は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態を説明するための図である。
【０１９１】
図２３に示すように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態は、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、このように分けた複数のサブフィールドグループの中から少なくとも一つ以上のサブフィールドグループで一つ以上のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさは、階調値に応じて調整される。
【０１９２】
例えば、図２３のように、一つのフレームが二つのサブフィールドグループに分けられた場合、このような各々のサブフィールドグループ内で当該サブフィールドの加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさによってリセットパルスの大きさを調整する。
【０１９３】
ここで、総７個のサブフィールドからなる第２サブフィールドグループで加重値、すなわち、階調値が大きい順に最も大きい階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち、第７サブフィールドとその次に高い階調の第６サブフィールド、第５、４、３サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをＶ１、加重値、すなわち、階調値が低い順に最も低い階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをＶ３、加重値、すなわち、階調値が前述した２つの場合の間の中間階調である第２サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさをＶ２であると仮定すれば、Ｖ１＜V２＜V３である関係が成立する。
【０１９４】
ここで、前述したように、リセットパルスの大きさをＶ１にするサブフィールドは、高階調サブフィールドであって、このような高階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ１は、サステイン電圧Ｖｓ以上、２倍のサステイン電圧Ｖｓ以下、すなわち、２Ｖｓ以下、すなわち、Ｖs≦Ｖ１≦２Ｖｓであることが好ましい。
【０１９５】
このように、リセットパルスの電圧の大きさをサステイン電圧Ｖｓ以上、２倍のサステイン電圧Ｖｓ以下、すなわち、Ｖs≦Ｖ１≦２Ｖsにするサブフィールド、すなわち、高階調サブフィールドは、一つのサブフィールドグループのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数によって決められることができる。例えば、このような高階調サブフィールドは、一つのフレームのサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。
【０１９６】
また、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以上のサステインパルスが供給されるサブフィールドを前述したような高階調サブフィールドに設定することも可能である。
【０１９７】
このように、一つのサブフィールドグループのサブフィールドのうち、高階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さく、望ましくは、サステイン電圧Ｖｓ以上、２倍のサステイン電圧２Ｖs以下にする理由は、前述したように、高階調サブフィールドでは、アドレス放電が相対的に安定的であり、相対的に多いサステインパルスの個数を有するため、高階調サブフィールドの全体にかけて放電が安定するためである。言い換えれば、高階調サブフィールドの全体にかけて放電が安定するため、リセット期間におけるリセットパルスの電圧の大きさが相対的に小さくても、プラズマディスプレイパネルの全体にかけた放電セル内における壁電荷の分布を均等にすることができるためである。したがって、高階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの電圧の大きさを相対的に小さくすることにより、放電セル内における壁電荷の分布を均等にしながらも、リセット期間において、暗放電により発生する光の量を減少させてコントラスト特性を向上させる。
【０１９８】
また、ここで、前述したように、リセットパルスの大きさをＶ３とするサブフィールドは、低階調サブフィールドであって、このような低階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさＶ３は、２倍のサステイン電圧を超過する、すなわち、２Ｖs超過の電圧値を有することが好ましい。ここで、前述した低階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくする理由は、前述したように、加重値が相対的に低くて、低階調を具現する低階調サブフィールドは、加重値が相対的に大きくて、高階調を具現するサブフィールドに比べてアドレス放電が不安定になる可能性がより大きいため、リセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくしてアドレス放電及びサステイン放電を安定させるためである。このように、低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさをさらに大きくする理由は、前述した本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態、または第２実施形態において詳細に説明したので、重複する説明は省略する。
【０１９９】
ここで、前述したように、一つのサブフィールドグループ内でリセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールド、すなわち、低階調サブフィールドは、サステインパルスの個数の観点で決められることができる。例えば、前述したように、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、一つのフレーム内に含まれたサブフィールドのうち、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであり、または、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドは、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。
【０２００】
このように、リセットパルスの大きさをサステイン電圧Ｖｓの２倍超過の電圧とするサブフィールドを決める方法に対するより詳細な説明は、前述した本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態、または第２実施形態において詳細に説明したので、重複する説明は省略する。
【０２０１】
このように、サブフィールドの階調値に応じて大きさが調整されたリセットパルスは、一つのサブフィールドグループ内で少なくとも３個以上の互いに異なる電圧値を有する。言い換えれば、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが有するリセットパルスの電圧値は、少なくとも３個以上の相違した値である。また、このようなリセットパルスは、一つのサブフィールドグループ内で当該サブフィールドの加重値、すなわち、階調値の大きさが減少するほど、その電圧値が大きくなることが好ましい。例えば、一つのサブフィールドグループ内で加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさが増加する順に第２サブフィールドと第３サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさが互いに異なる電圧値を有すると仮定すれば、このような第２サブフィールドと第３サブフィールドのうち、加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさがさらに小さなサブフィールド、すなわち、第２サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさが第３サブフィールドにおけるリセットパルスの大きさよりさらに大きい。
【０２０２】
以上の説明では、一つのサブフィールドグループ内における全てのサブフィールドでリセットパルスは、所定の傾きを有する状態で立ち上がる立ち上がりランプＲａｍｐ−ｕｐが全て含まれるが、これとは異なり、サブフィールドグループ内のサブフィールドのうち、一つ以上のサブフィールドのリセット期間において、立ち上がりランプが含まれないようにリセットパルスを印加することも可能である。このような駆動波形を説明すれば、次の図２４の通りである。
【０２０３】
図２４は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態に係わるさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【０２０４】
図２４に示すように、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態に係わるさらに他の駆動波形は、一つのフレームのサブフィールドグループ内で少なくともいずれか一つのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスには、所定の傾きを有する状態で立ち上がる立ち上がりランプが省略された。例えば、図２４のように、第６サブフィールドと第７サブフィールドにおけるリセットパルスが所定の正極性電圧を維持してから、傾きを有して立ち下がる立ち下がりランプＲａｍｐ−ｄｏｗｎの波形を有する。このような第６、７サブフィールドのリセットパルスは、他のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドから第５サブフィールドまでのサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスと比較して立ち上がりランプが省略され、このような他のサブフィールドで立ち上がりランプが印加される期間において、第７、８サブフィールドでは、所定の正極性電圧、例えば、サステイン電圧Ｖｓが維持されてから、以後に立ち下がりランプの波形で立ち下がる。このようなサブフィールドは、一つのフレーム内で一つが含まれることもでき、複数個が含まれることもできる。
【０２０５】
一方、以上の説明では、一つのサブフィールドグループ内でリセットパルスの大きさが他のサブフィールドよりさらに大きい、例えば、図２３のように、リセットパルスの大きさがＶ３のサブフィールドを決める場合に、一つのサブフィールドグループ内に含まれたサステインパルスの個数を基準として、所定の個数以上のサステインパルスを有するサブフィールドでリセットパルスの大きさをＶ３にした。しかし、一つのフレーム内で各フレームをサステインパルスの個数が少なく含まれた順序を基準として、リセットパルスの大きさがＶ３のサブフィールドを決めることもできる。このような方法を説明すれば、次の図２５の通りである。
【０２０６】
図２５は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０２０７】
図２５に示すように、一つのフレーム内で複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定するが、このような低階調サブフィールドの設定基準は、一つのサブフィールドグループ内でサステインパルスの個数が少ない順にサステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであるサブフィールドが低階調サブフィールドに設定される。例えば、図２５のように、加重値が小さい順、すなわち、階調値の大きさが小さい順に最も小さい階調のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドからその次のサブフィールド、すなわち、第２、３、４サブフィールドを低階調サブフィールドに設定し、リセットパルスの大きさをＶ３とする。このように、低階調サブフィールドを設定する方法に対する詳細な説明は、既に図１１で前述されたので、重複する説明は省略する。
【０２０８】
また、一つのサブフィールドグループ内で高階調サブフィールド、すなわち、一つのサブフィールドグループ内でリセットパルスの大きさが他のサブフィールドよりさらに小さい、例えば、図２３のように、リセットパルスの大きさがＶ１のサブフィールドを決める場合に、一つのフレーム内に含まれたサステインパルスの個数を基準として、所定の個数以上のサステインパルスを有するサブフィールドでリセットパルスの大きさをＶ１にした。しかし、一つのフレーム内で各フレームをサステインパルスの個数が多く含まれた順序を基準として、リセットパルスの大きさがＶ１のサブフィールドを決めることもできる。このような方法を説明すれば、次の図２６の通りである。
【０２０９】
図２６は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０２１０】
図２６に示すように、一つのサブフィールドグループ内で複数個のサブフィールドを高階調サブフィールドに設定する。図２６には、一つのサブフィールドグループ内に２つの高階調サブフィールドが含まれるように図示されたが、サステインパルスの個数が多い順にサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであるサブフィールドが高階調サブフィールドに設定されることが好ましい。例えば、第２サブフィールドグループ内で加重値が大きい順、すなわち、階調値の大きさが大きい順に最も大きい階調のサブフィールド、すなわち、第７サブフィールドからその次のサブフィールド、すなわち、第６、５、４サブフィールドを高階調サブフィールドに設定し、ここでのリセットパルスの大きさをＶ１とする。このように、高階調サブフィールドを設定する方法に対する詳細な説明は、既に図１９で前述されたので、重複する説明は省略する。
【０２１１】
以上の本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態においては、一つのサブフィールドグループに含まれたサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさの順に規則に配列された一例だけを図示し説明したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図２７の通りである。
【０２１２】
図２７は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、一つのフレーム内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【０２１３】
図２７に示すように、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさの順に規則に配列されることではなく、階調値の大きさに関係なく、ランダムに配列される。すなわち、図２７では、図２３と比較してサブフィールド配列順序が第１サブフィールドグループ内で第２、３、１、４、５サブフィールドの順、第２サブフィールドグループ内で第５、４、７、１、２、３、６サブフィールドの順である。
【０２１４】
このような不規則なサブフィールド配列を有する第２サブフィールドグループの場合を例に挙げると、階調値が低くて、低階調を具現する低階調サブフィールドである４番目のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドのリセット期間において、供給されるリセットパルスの大きさをＶ３、階調値が高くて、高階調を具現する高階調サブフィールドである第３、４、５、６、７サブフィールドのリセット期間に供給されるリセットパルスの大きさをＶ１、前述した低階調サブフィールド及び高階調サブフィールドを除いた残りの中間階調サブフィールドである５番目のサブフィールド、すなわち、第２サブフィールドのリセット期間に供給されるリセットパルスの大きさをＶ２とする時、Ｖ１＜Ｖ２＜Ｖ３の関係が成立する。
【０２１５】
ここでは、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドのリセット期間に供給されるリセットパルスの大きさを総３つの相違した値にした場合のみを図示し説明したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内で各々のサブフィールドのリセット期間に供給されるリセットパルスの大きさを互いに異なるように設定することもできる。例えば、一つのサブフィールドグループが７個のサブフィールドからなった場合に、第１サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ１、第２サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ２、第３サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ３、第４サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ４、第５サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ５、第６サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ６、第７サブフィールドのリセットパルスの大きさをＶ７に設定する。ここで、前述したＶ１からＶ７までは、それぞれ互いに異なる値を有する。例えば、第１から第７サブフィールドの順に階調値が高くなる場合には、リセットパルスの大きさＶ１からＶ７の順に小さくなるように設定することが可能である。例えば、第１から第７サブフィールドの順に階調値が低くなる場合には、リセットパルスの大きさＶ１からＶ７の順に大きくなるように設定することが可能である。リセットパルスＶ１からＶ７は、階調値が低いサブフィールドのほど大きくなるように互いに異なるように設定することが可能である。
【０２１６】
このように、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態においては、一つのサブフィールドグループ内で相対的に加重値が高くて、すなわち、階調値が高くて、高階調を具現する少なくとも一つ以上の高階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに小さくし、相対的に加重値が低くて、すなわち、階調値が低くて、低階調を具現する少なくとも一つ以上の低階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに大きくし、前述した高階調サブフィールドと低階調サブフィールドとの間の中間階調を具現するサブフィールドでは、リセットパルスの大きさを高階調サブフィールドより大きく、低階調サブフィールドより小さくすることにより、相対的にアドレス放電が不安定になる可能性が大きい低階調サブフィールドでは、相対的に大きい大きさのリセットパルスでリセット放電を安定させて、以後のアドレス放電を安定させる。また、前述した低階調サブフィールドよりは、アドレス放電が相対的に安定した高階調サブフィールドでは、相対的に小さい大きさのリセットパルスで暗放電による映像表示に寄与しない不要な光の発生を減少させて、コントラスト特性を向上させる。また、このような本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態は、サブフィールドグループ内のサブフィールドを高階調サブフィールドと低階調サブフィールドとの２種類だけに分けず、サブフィールドグループ内で少なくとも３つ以上の相違した大きさのリセットパルスを有するようにすることによって、各々のサブフィールドの加重値、すなわち階調値に応じる最適の大きさのリセットパルスを印加できるようになる。これにより、駆動マージンをさらに向上させながらも、コントラスト特性の低下を抑制できる。
【０２１７】
一方、以上の本発明の駆動方法の第３実施形態の説明では、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが加重値、すなわち、階調値が増加する順、または、ランダムな順に配列されることを図示し説明したが、これとは異なり、階調値が減少する順に配列されることも可能であるが、これを説明すれば、次の図２８の通りである。
【０２１８】
図２８は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドのさらに他の配列を説明するための図である。
【０２１９】
図２８に示すように、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分け、少なくともいずれか一つのサブフィールドグループ内では、サブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさが減少する順に配列される。すなわち、図２８では、サブフィールドグループ内でサブフィールドの配列が図２３と比較して逆順である。
【０２２０】
このように、一つのフレームが複数のサブフィールドグループに区分されて駆動される方式において、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが階調値の大きさの逆順に配列された場合にも、相対的に加重値が高い高階調サブフィールドでリセット期間に供給されるリセットパルスの大きさを残りのサブフィールドより小さくし、合わせて、低階調サブフィールドでは、リセットパルスの大きさを他のサブフィールドより大きくする。また、前述した高階調サブフィールドよりは、階調値が小さく、低階調サブフィールドよりは、階調値が大きい中間階調サブフィールドでは、リセット期間に供給されるリセットパルスの大きさを前述した高階調サブフィールドよりは大きく、低階調サブフィールドよりは小さくする。
【０２２１】
このような本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、低階調サブフィールドの設定方法、または、高階調サブフィールドの設定方法などは、上記で既に詳細に説明したので、重複する説明は省略する。
【０２２２】
以上の本発明の駆動方法の第３実施形態の説明では、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分け、このように分けた複数個のサブフィールドグループ間に一つの休止期間を含ませるが、これとは異なり、本発明の駆動方法の第３実施形態も図１６ａないし図１６ｂのように、サブフィールドグループ間にはもちろん、各フレーム間に所定の長さを有する休止期間をさらに含ませることも可能である。
【０２２３】
また、図１７ａないし図１７ｂのように、前述した図１６ａないし図１６ｂの場合とは、サブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を逆順とし、図１６ａないし図１６ｂの場合のように、サブフィールドグループとフレームとの間に各々休止期間、すなわち、第１休止期間と第２休止期間とを含ませることもできる。
【０２２４】
このように、各フレームとサブフィールドグループとの間に所定の長さを有する休止期間をそれぞれ含ませる一例を、既に前述した本発明の駆動方法で詳細に説明したので、重複する説明は省略する。
【０２２５】
以上の本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１、２、３実施形態では、当該サブフィールドの階調値の大きさによってリセットパルスの大きさが調整されたが、これとは異なり、当該サブフィールドの階調値の大きさによってリセットパルスの個数を調整することも可能である。このような駆動方法を説明すれば、次の第４実施形態の通りである。
【０２２６】
＜第４実施形態＞
図２９は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態を説明するための図である。
【０２２７】
図２９に示すように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態は、一つのフレームを各々少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールドグループに分け、このように分けたサブフィールドグループの中から少なくともいずれか一つで、低階調サブフィールドでは、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数が他のサブフィールドよりさらに多い。
【０２２８】
例えば、図２９のように、一つのフレームを二つのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとに分ける場合、各々のサブフィールドグループで加重値が最も低くて、最も低い階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループで第１サブフィールド及び第２サブフィールドグループで第１サブフィールドにおけるリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数が異なるサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドグループの第２、３、４、５サブフィールド及び第２サブフィールドグループの第２、３、４、５、６、７サブフィールドにおけるリセットパルスの個数よりさらに多い。図２９では、一つのフレームの全てのサブフィールドグループ、すなわち、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループの両方でいずれか一つのサブフィールドのリセットパルスの個数を他のサブフィールドよりさらに多いようにしたが、これとは異なり、複数のサブフィールドグループのうち、一部の選択されたサブフィールドグループ、例えば、図２９において、第１サブフィールドグループと第２サブフィールドグループとのうち、いずれか一つのサブフィールドグループだけでリセットパルスの個数を調整することもできる。
【０２２９】
ここで、前述した低階調サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数は、２個以上であることが好ましい。
【０２３０】
このように、少なくともいずれか一つのサブフィールドグループの低階調サブフィールドでリセットパルスの大きさを他のサブフィールドよりさらに多くする理由を説明すれば、次の通りである。
【０２３１】
加重値が相対的に低くて、低階調を具現する低階調サブフィールドは、加重値が相対的に大きくて、高階調を具現するサブフィールドに比べてアドレス放電が不安定になる可能性がより大きい。これにより、リセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさがあまりにも小さければ、放電セル内の壁電荷の分布が均等にならず、以後のアドレス放電が不安定になって、アドレスジッタが悪化し、また、以後のサステイン放電が不安定になる。
【０２３２】
このように、放電が不安定になる低階調サブフィールドは、一つのフレームを複数個のサブフィールドグループに分けて駆動するＰＡＬ方式において、その個数がますます増加するようになる。例えば低階調サブフィールドを加重値が１０以下、すなわち、階調値が１０以下のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定する場合に、図２の従来の駆動方式では、低階調サブフィールドが階調１の第１サブフィールド、階調２の第２サブフィールド、階調４の第３サブフィールド及び階調８の第４サブフィールド、すなわち、総４個の低階調サブフィールドを含むことに対して、図９ａのようなＰＡＬ方式の駆動方式では、加重値が１０以下、すなわち、階調値が１０以下である低階調サブフィールドが第１サブフィールドグループで階調１の第１サブフィールドと階調８の第２サブフィールド、第２サブフィールドグループで階調２の第１サブフィールド、階調４の第２サブフィールド、階調８の第３サブフィールド及び階調８の第４サブフィールドが低階調サブフィールドに含まれる。すなわち、ＰＡＬ方式において、低階調サブフィールドの個数が増加する。
【０２３３】
したがって、相対的に低階調サブフィールドがより多く含まれるＰＡＬ方式において、加重値が低くて、低い階調を具現する低階調のサブフィールドでリセット期間において、印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドよりさらに多くしてフリッカーの発生を抑制しながらも、加重値が低くて、低階調を具現する低階調のサブフィールドにおけるアドレス放電を安定させる。このように、アドレス放電が安定すれば、全体プラズマディスプレイ装置の駆動マージンの低下が抑制される。
【０２３４】
このように、前述した低階調サブフィールドは、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数によって決められることができる。例えば、このような低階調サブフィールドは、一つのフレーム内でサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総個数の１/２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。
【０２３５】
これとは異なり、一つのフレームのサステインパルスの総個数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドを低階調サブフィールドに設定することも可能である。このような低階調サブフィールドの設定方法は、本発明の第１実施形態で既に詳細に説明したので、重複する説明を省略する。
【０２３６】
あるいは、一つのサブフィールドグループ内でサステインパルスの個数が少ない順によって低階調サブフィールドを設定することもできるが、このような低階調サブフィールド設定の一例を説明すれば、次の図３０の通りである。
【０２３７】
図３０は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態において、低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【０２３８】
図３０に示すように、一つのサブフィールドグループ内で複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドに設定する。図３０では、一つのサブフィールドグループ内に二つの低階調サブフィールドが含まれたことと図示したが、サステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであるサブフィールドが低階調サブフィールドに設定されることが好ましい。例えば、図２９のように、総７個のサブフィールドが第２サブフィールドグループをなすと仮定する時、サステインパルスが最も少ない、すなわち、加重値が最も小さくて、最も小さい階調を具現する第１サブフィールドからその次の第２、３、４サブフィールドを低階調サブフィールドに設定する。
【０２３９】
このように設定された低階調サブフィールドにおけるリセットパルスの個数を前述したように他のサブフィールドよりさらに多くする。すなわち、図３０のように、第２サブフィールドグループ内で低階調サブフィールドに設定された第１、２サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドよりさらに多く、例えば、２個に設定し、残りの他のサブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数は、前述した第１、２サブフィールドよりは少ない１個に設定する。
【０２４０】
以上では、一つのサブフィールドグループに含まれたサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさ順に規則に配列された一例だけを図示し説明したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内でサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を説明すれば、次の図３１の通りである。
【０２４１】
図３１は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【０２４２】
図３１に示すように、少なくとも一つ以上のサブフィールドグループ内でサブフィールドが加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさ順に規則に配列されることでなく、階調値の大きさに関係なく、ランダムに配列される。このような不規則なサブフィールド配列を有するサブフィールドグループ内でも第１サブフィールドグループで加重値が低くて、すなわち、階調値が低くて、低階調を具現する低階調サブフィールドである３番目のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドよりさらに多く、例えば、２個に設定し、第２サブフィールドグループにおける４番目のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドでリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドよりさらに多く、例えば、２個に設定する。
【０２４３】
以上のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態の説明では、一つのサブフィールドグループ内における低階調サブフィールドでリセットパルスの個数を全ての低階調サブフィールドで同一に、例えば、図３０のように、２個に設定したが、これとは異なり、一つのサブフィールドグループ内で低階調サブフィールドにおけるリセットパルスの個数を相違に設定することもでき、これを説明すれば、次の図３２の通りである。
【０２４４】
図３２は、本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態において、リセットパルスの個数を説明するための図である。
【０２４５】
図３２に示すように、図２９とは異なり、一つのサブフィールドグループ内に複数個の低階調サブフィールドが含まれ、このような複数の低階調サブフィールドのうち、いずれか一つのリセットパルスの個数は、他の低階調サブフィールドと異なる。
【０２４６】
例えば、図３２のように、一つのフレームが二つのサブフィールドグループに分けられる場合、このような各々のサブフィールドグループ内で当該サブフィールドの加重値の大きさ、すなわち、階調値の大きさによってリセットパルスの個数を調整する。
【０２４７】
ここで、図３２のように、総７個のサブフィールドからなる第２サブフィールドグループで加重値、すなわち、階調値が小さい順に最も小さい階調を具現する最初のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドのリセットパルスの個数と、その次の低い階調の第２サブフィールドのリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの個数を他のサブフィールドより多くし、前述した第１サブフィールドのリセットパルスの個数と第２サブフィールドのリセットパルスの個数も互いに異なる。例えば、第１サブフィールドのリセットパルスの個数は、３個であり、第２サブフィールドのリセットパルスの個数は、２個である。言い換えれば、一つのサブフィールドグループに互いに相違した個数のリセットパルスが含まれた低階調サブフィールドが含まれる場合、このような低階調サブフィールドは、前述したサブフィールドグループ内で階調値の大きさが小さいほどより多い個数のリセットパルスを含む。
【０２４８】
このように、一つのサブフィールドグループのサブフィールドのうち、低階調サブフィールドでリセットパルスの個数を他のサブフィールドよりさらに多く、望ましくは、２個以上に設定することによって、相対的に放電が不安定な低階調サブフィールドで放電セル内の壁電荷の量を均等にして放電を安定させ、特に、前述した低階調サブフィールドのうち、階調値がより小さい低階調サブフィールドで他の低階調サブフィールドよりリセットパルスの個数をより多くすることによって、プラズマディスプレイパネルの駆動時の放電をさらに安定させる。
【０２４９】
このような本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態においても、前述した図１４ａないし図１４ｂのように、サブフィールドグループ内でサブフィールドの配列を階調値の大きさが減少する順にすることもできる。
【０２５０】
または、図１３のように、サブフィールドの配列を階調値の大きさに関係なく、ランダムにすることもできる。
【０２５１】
また、前述した第１、２、３実施形態のように、本発明の駆動方法の第４実施形態も図１６ａないし図１６ｂに示すように、サブフィールドグループ間にはもちろん、各フレーム間に所定の長さを有する休止期間をさらに含ませることも可能である。
【０２５２】
また、図１７ａないし図１７ｂのように、前述した図１６ａないし図１６ｂの場合とは、サブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を逆順とし、図１６ａないし図１６ｂの場合のように、サブフィールドグループとフレームとの間に各々休止期間、すなわち、第１休止期間と第２休止期間とを含ませることができる。
【０２５３】
このように、各フレームとサブフィールドグループとの間に所定の長さを有する休止期間をそれぞれ含ませる一例を、既に前述した本発明の駆動方法で詳細に説明したので、重複する説明は省略する。
【図面の簡単な説明】
【０２５４】
【図１】通常のプラズマディスプレイパネルの構造を示した図である
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルの映像階調を具現する方法を示した図である。
【図３】従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形を示した図である。
【図４】図３の従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形でリセットパルスをより詳細に説明するための図である。
【図５】一つのフレームに選択的書き込み及び選択的消去方式のサブフィールドを全て含ませる駆動方法を説明するための図である。
【図６】図５の駆動方法でリセット期間において、スキャン電極に印加されるリセットパルスの大きさを説明するための図である。
【図７】従来のＰＡＬ方式におけるプラズマディスプレイパネルの映像を具現するためのサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図８】本発明のプラズマディスプレイ装置を説明するための図である。
【図９】一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分ける一例を説明するための図である。
【図１０ａ】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態を説明するための図である。
【図１０ｂ】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態を説明するための図である。
【図１１】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態において、低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図１２】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態に係わるさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【図１３】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第１実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図１４】一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分けるさらに他の例を説明するための図である。
【図１５ａ】図１４ａないし図１４ｂの配列順序を有する駆動方法で駆動波形の一例を説明するための図である。
【図１５ｂ】図１４ａないし図１４ｂの配列順序を有する駆動方法で駆動波形の一例を説明するための図である。
【図１６】一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分けるさらに他の例を説明するための図である。
【図１７】一つのフレームを複数のサブフィールドグループに分けるさらに他の例を説明するための図である。
【図１８ａ】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態を説明するための図である。
【図１８ｂ】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態を説明するための図である。
【図１９】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態において、高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図２０】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態に係わるさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【図２１】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図２２】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第２実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドのさらに他の配列を説明するための図である。
【図２３】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態を説明するための図である。
【図２４】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態に係わるさらに他の駆動波形を説明するための図である。
【図２５】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図２６】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、高階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図２７】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、一つのフレーム内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図２８】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第３実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドのさらに他の配列を説明するための図である。
【図２９】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態を説明するための図である。
【図３０】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態において、低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明するための図である。
【図３１】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態において、一つのサブフィールドグループ内におけるサブフィールドの配列を説明するための図である。
【図３２】本発明のプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第４実施形態において、リセットパルスの個数を説明するための図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０ａ】
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【図１０ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８ａ】
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【図１８ｂ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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