(57)【要約】      （修正有）【課題】複数種類の材料ガスを反応室に導入して触媒体との接触により解離するようにした触媒接触型ラジカル生成装置において、従来の場合よりも高い分解率でもって解離できるようにする。【解決手段】各々、反応室４０に複数種類の材料ガスＧ−１，Ｇ−２をそれぞれ導入する複数のガス導入手段５０−１，５０−２と、反応室４０内に各ガス導入手段５０−１，５０−２毎に１つ以上設けられ、ガス導入手段５０−１，５０−２により反応室４０に導入された材料ガスＧ−１，Ｇ−２を解離可能な触媒体１３−１，１３−２と、各ガス導入手段５０−１（又は５０−２）毎に設けられた触媒体１３−１（又は１３−２）に該ガス導入手段５０−１（又は５０−２）とは異なる他のガス導入手段５０−２（又は５０−１）により反応室４０に導入された材料ガスＧ−２（又はＧ−１）が接触するのを抑える接触抑制手段１４とを備えるようにする。【選択図】図１
2006173242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室と、
各々、前記反応室に材料ガスを導入する複数のガス導入手段と、
前記反応室内に前記各ガス導入手段毎に１つ以上設けられ、前記複数のガス導入手段により前記反応室に導入された前記材料ガスを解離可能な触媒体と、
前記各ガス導入手段毎に設けられた前記触媒体に該ガス導入手段とは異なる他の前記ガス導入手段により前記反応室に導入された前記材料ガスが接触するのを抑える接触抑制手段とを備えていることを特徴とする触媒接触型ラジカル生成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の触媒接触型ラジカル生成装置において、
前記各ガス導入手段は、前記反応室内に開設された１つ以上のガス導入口を有し、
前記触媒体は、前記各ガス導入口近傍の領域毎に少なくとも１つずつ配置され、
前記接触抑制手段は、前記領域毎に配置された前記触媒体に該ガス導入口以外の前記ガス導入口から導入された材料ガスが接触するのを抑えるように設けられていることを特徴とする触媒接触型ラジカル生成装置。
【請求項３】
請求項２に記載の触媒接触型ラジカル生成装置において、
前記接触抑制手段は、前記各領域の材料ガスが該領域以外の前記領域内の前記触媒体に接触するのを抑えるように前記領域同士を仕切る仕切部材とされていることを特徴とする触媒接触型ラジカル生成装置。
【請求項４】
請求項３に記載の触媒接触型ラジカル生成装置において、
前記反応室は、生成したラジカルを用いて対象物に所定の処理を行う処理室であり、
前記処理室に設けられ、前記対象物を保持するためのホルダを備え、
前記各触媒体は、該触媒体と前記ホルダに保持された前記対象物との間の距離が、前記仕切部材と前記ホルダに保持された前記対象物との間の距離よりも長く、かつ前記各ガス導入口と前記ホルダに保持された前記対象物との間の距離よりも短くなる位置に配置されていることを特徴とする触媒接触型ラジカル生成装置。
【請求項５】
請求項１に記載の触媒接触型ラジカル生成装置において、
前記各触媒体に対応する前記材料ガスの種類毎に該触媒体の温度を変更する温度変更手段を備えていることを特徴とする触媒接触型ラジカル生成装置。
【請求項６】
請求項１に記載の触媒接触型ラジカル生成装置により生成したラジカルを用いて形成された薄膜を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の触媒接触型ラジカル生成装置により生成したラジカルを用いてドライエッチングされた薄膜を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の触媒接触型ラジカル生成装置により生成したラジカルを用いてクリーニングされた処理容器を用いて所定の処理が行われてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
１対の透明基板と、該１対の透明基板間に配置された液晶層とを備えた液晶表示装置であって、
前記１対の透明基板のうちの少なくとも一方に、請求項６，７，８のうちの何れか１項に記載の半導体装置を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒接触型ＣＶＤ装置やドライエッチング装置などにおいて、複数種の材料ガスを触媒体に接触させてラジカルを生成するようにしたラジカル生成装置に関し、特に各ガス種の分解率の低下を回避する対策に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、集積回路，液晶ディスプレイ，有機エレクトロルミネッセンス素子，太陽電池などの電子デバイスの製造過程において、基板などの基材上にラジカルを堆積して半導体膜や絶縁膜などの薄膜を形成するようにしたＣＶＤ装置（Chemical Vapor Deposition system）の１つとして、例えば、特許文献１に記載されているような触媒接触型ＣＶＤ装置がある。
【０００３】
この触媒接触型ＣＶＤ装置では、気密状に形成された処理室（真空容器）に、複数種類の材料ガスを触媒接触法によって解離するための高融点材料（タングステン，モリブデン，タンタルなど）の触媒体が配置されており、この触媒体の対向側には、シリコン基板やガラス基板などの基材が配置される。そして、複数種類の材料ガスからなる混合ガスを高温の触媒体に接触させることで、解離，熱脱離により各材料ガスが活性化し、ラジカルＲが生成され、そのラジカルＲが基材上に堆積することで薄膜が形成されるようになっている。
【特許文献１】特開平８−２５０４３８号公報（第４頁，図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、各材料ガスが触媒体に接触して解離する際には、「ＦＴＩＲによるＣａｔ−ＣＶＤ装置の排気ガス分析」（北添牧子氏他，「２００２年秋季第６３回応用物理学会学術講演会講演予稿集Ｎｏ．２」第７３１頁）に記載されているように、分解しにくいガス（例えば、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｏなど）の解離よりも、分解しやすいガス（例えば、ＳｉＨ4 など）の解離が支配的であり、このことから、上記従来の触媒接触型ＣＶＤ装置の場合には、成膜速度の低下が懸念される。
【０００５】
尚、触媒接触型ＣＶＤ法は、成膜のみならず、ドライエッチングや処理室のクリーニングにも利用されるものであることから、上記の難点は、ドライエッチングの場合にはエッチング速度の問題として、またクリーニングの場合にはクリーニング速度の問題として顕在化する。
【０００６】
本発明は斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、複数種類の材料ガスを触媒体との接触により解離するようにした触媒接触型ラジカル生成装置において、触媒体に対する各材料ガスの接触の仕方に改良を加えることで、前記複数種類の材料ガスのうち、分解しにくい材料ガスを、従来の場合よりも高い分解率でもって解離できるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成すべく、本発明では、各材料ガス毎に専用の触媒体を配置し、各触媒体には１種類の材料ガスのみを接触させるようにし、このことで、分解しにくい材料ガスの分解率が、分解しやすい材料ガスの解離の影響を受けて低下するのを抑制するようにした。
【０００８】
具体的には、本発明では、反応室と、各々、前記反応室に材料ガスを導入する複数のガス導入手段と、前記反応室内に前記各ガス導入手段毎に１つ以上設けられていて、前記複数のガス導入手段により前記反応室に導入された前記材料ガスを解離可能な触媒体と、前記各ガス導入手段毎に設けられた前記触媒体に該ガス導入手段とは異なる他の前記ガス導入手段により前記反応室に導入された前記材料ガスが接触するのを抑制する接触抑制手段とを備えるようにする。
【０００９】
尚、上記の構成において、前記各ガス導入手段が、前記反応室内に開設された１つ以上のガス導入口を有するものである場合には、前記触媒体を、前記各ガス導入口近傍の領域毎に少なくとも１つずつ配置し、その上で、前記接触抑制手段を、前記領域毎に配置された前記触媒体に該ガス導入口以外の前記ガス導入口から導入された材料ガスが接触するのを抑えるように設けることができる。
【００１０】
また、前記接触抑制手段としては、前記各領域の材料ガスが該領域以外の前記領域内の前記触媒体に接触するのを抑えるように前記領域同士を仕切る仕切部材とすることができる。その際に、前記反応室が、生成したラジカルを用いて対象物に所定の処理（成膜処理やエッチング処理など）を行う処理室であり、この処理室に、前記対象物を保持するためのホルダが設けられている場合には、前記各触媒体を、該触媒体と前記ホルダに保持された前記対象物との間の距離が、前記仕切部材と前記ホルダに保持された前記対象物との間の距離よりも長くなる位置に配置すると好適であり、さらには、前記各触媒体を該触媒体と前記ホルダに保持された前記対象物との間の距離が、前記各ガス導入口と前記ホルダに保持された前記対象物との間の距離よりも短くなる位置に配置することが好ましい。
【００１１】
さらに、上記の構成に加え、前記各触媒体に対応する材料ガスの種類毎に該触媒体の温度を変更する温度変更手段を備えるようにすることもできる。
【００１２】
また、上記構成の触媒接触型ラジカル生成装置により生成したラジカルを用いて、例えば液晶表示装置の画素電極部に対するスイッチング素子などとして使用される半導体装置の半導体膜や絶縁膜などの薄膜を形成する成膜処理や、そのような薄膜のドライエッチング処理など，さらには、それらの処理が行われる処理容器のクリーニングなどを行うことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数種類の材料ガスを触媒体に接触させてラジカルを生成するようにした触媒接触型ラジカル生成装置において、各ガス種毎に配置した触媒体に、対応するガス種以外の材料ガスが接触するのを抑制することができるので、分解しにくい材料ガスの分解率が、分解しやすい材料ガスの解離の影響により低下するのを抑えることができ、よって、複数種類の材料ガスを混合ガスとして触媒体に接触させるようにした従来の場合に比べ、分解しにくい材料ガスの分解率を高くすることができる。
【００１４】
この結果、例えば、生成したラジカルを堆積させて薄膜を形成するようにした触媒接触型ＣＶＤ装置の場合には、成膜速度を従来の場合よりも高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に係るＣａｔ−ＣＶＤ装置（触媒接触型ＣＶＤ装置）の全体構成の断面を模式的に示しており、このＣＶＤ装置は、液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板の製造過程において、基材としての成膜用基板である透明な絶縁基板上にＴＦＴ（Thin Filmed Transistor）を形成する際に、複数種類の材料ガスとしてのＳｉＨ4 ガスおよびＮＨ3 ガスを触媒体との接触により解離してラジカルを生成し、そのラジカルを絶縁基板上に堆積させて半導体膜としてのシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を形成するようにした成膜処理に用いられる。
【００１７】
このＣａｔ−ＣＶＤ装置は、気密性を有する反応室としての処理室４０を備えており、処理室４０には、成膜用基板２を保持するための基板ホルダ３が設けられている。また、処理室４０には、処理室４０を真空引きするための排気装置４１が接続されている。
【００１８】
処理室４０には、基板ホルダ３に保持された成膜用基板２に対し平行になるように配置されたガス導入板１１が設けられている。このガス導入板１１には、それぞれ、複数の第１および第２ガス導入口５３−１，５３−２が設けられている。尚、ここでは、説明を原理的に行うべく、第１ガス導入口５３−１と、第２ガス導入口５３−２とは、同一直線上に交互に配置されているものとする。
【００１９】
処理室４０に複数種類の材料ガスを供給するガス供給系は、第１材料ガスＧ−１（ＳｉＨ4 ガス）のみを供給するガス導入手段としての第１ガス供給系５０−１と、第２材料ガスＧ−２（ＮＨ3 ガス）のみを供給するガス供給手段としての第２ガス供給系５０−２とに分けて設けられており、第１材料ガスＧ−１は第１供給系５０−１のみにより、また第２材料ガスＧ−２は第２供給系５０−２のみによりそれぞれ処理室４０に供給されるようになっている。
【００２０】
具体的には、処理室４０の外部には、第１材料ガスＧ−１を処理室４０に供給するための第１ガス供給部５１−１と、第２材料ガスＧ−２を処理室４０に供給するための第２ガス供給部５１−２とが設けられている。第１ガス供給部５１−１には、該第１ガス供給部５１−１の第１材料ガスＧ−１を処理室４０に導入するための第１ガス配管５２−１が接続されており、第２ガス供給部５１−２には、該第２ガス供給部５１−２の第２材料ガスＧ−２を処理室４０に導入するための第２ガス配管５２−２が接続されている。そして、第１ガス配管５２−１は、処理室４０の壁部を気密状に貫通して複数に分岐しており、各分岐部は、ガス導入板１１の第１ガス導入口５３−１に接続されている。一方、第２ガス配管５２−２も、処理室４０の壁部を気密状に貫通して複数に分岐しており、各分岐部は、ガス導入板１２のガス導入口５３−２に接続されている。
【００２１】
第１ガス導入口５３−１および第２ガス導入口５３−２と、基板ホルダ３との間の空間のうち、ガス導入口５３−１，５３−２側（図１の上側）の空間では、隣り合う第１および第２ガス導入口５３−１，２間において、第１ガス導入口５３−１の近傍領域と、第２ガス導入口５３−２の近傍領域とを仕切る仕切板１４が設けられている。各仕切板１４は、基板ホルダ３の側（同図の下側）に向かって突出するようにガス導入板１２に取り付けられており、これら仕切板１４により、第１ガス導入口５３−１から導入された第１材料ガスＧ−１と、第２ガス導入口５３−２から導入された第２材料ガスＧ−２とが混じり合うのを抑えるようになっている。一方、基板ホルダ３側の空間は、仕切りのない混合空間となっている。
【００２２】
さらに、仕切板１４により仕切られている第１ガス導入口５３−１の各近傍領域には、それぞれ、タングステン，タンタル，モリブデンなどの高融点材料からなっていて、第１材料ガスＧ−１を接触分解させる第１触媒体１３−１が配置されている。各第１触媒体１３−１は、その配置されている領域が仕切板１４により第２ガス導入口５３−２の近傍領域と仕切られているので、該第２ガス導入口５３−２から導入された第２材料ガスＧ−２の接触が抑えられており、対応する第１ガス導入口５３−１から導入された第１材料ガスＧ−１のみが接触できるようになっている。
【００２３】
一方、仕切板１４により仕切られている第２ガス導入口５３−２の各近傍領域には、それぞれ、第１触媒体１３−１の場合と同様にタングステン，タンタル，モリブデンなどの高融点材料からなっていて、第２材料ガスＧ−２を接触分解させる第２触媒体１３−２が配置されている。各第２触媒体１３−２は、その配置されている領域が隣接する第１ガス導入口５３−１の近傍領域と仕切板１４により仕切られているので、該第１ガス導入口５３−１から導入された第１材料ガスＧ−１の接触が抑えられるようになっている。
【００２４】
また、各第１触媒体１３−１は線状をなしており、その両端には、第１触媒体１３−１に所定の電圧を印加して該第１触媒体１３−１を通電加熱する温度変更としての第１熱電源６０−１が電気的に接続されている。一方、各第２触媒体１３−２も、第１触媒体１３−１の場合と同じく線状をなしており、その両端には、第２触媒体１３−２に所定の電圧を印加して該第２触媒体を通電加熱する温度変更手段としての第２熱電源６０−２が電気的に接続されている。このように、第１触媒体１３−１と第２触媒体１３−２とは、互いに異なる熱電源６０−１，６０−２に接続されているので、互いに異なる温度に設定できるようになっている。そして、通電加熱された状態の第１触媒体１３−１に第１材料ガスＧ−１が接触することによりラジカルＲ−１が、また、通電加熱された状態の第２触媒体１３−２に第２材料ガスＧ−２が接触することによりラジカルＲ−２がそれぞれ生成されるようになっている。
【００２５】
次に、仕切板１４と、各触媒体１３−１，１３−２と、基板ホルダ３に保持された成膜用基板２と、ガス導入口５３−１，５３−２との間の位置関係を、図２に基づいて説明する。
【００２６】
ここで、仕切板１４と前記成膜用基板２との間の距離をＤ−１，触媒体１３−１，１３−２と前記成膜用基板２との間の距離をＤ−２，各ガス導入口５３−１，５３−２と前記成膜用基板２との間の距離をＤ−３とすると、これらＤ−１，Ｄ−２，Ｄ−３の間には、  Ｄ−１＜Ｄ−２＜Ｄ−３
という関係がある。すなわち、仕切板１４は、各触媒体１３−１，１３−２の基板ホルダ３側（図２の下側）の空間にも存在しているということである。これは、もしも触媒体１３−１，１３−２の基板ホルダ３側の空間に仕切板１４が存在していないと、第２材料ガスＧ−２が第１触媒体１３−１に、また、第１材料ガスＧ−１が第２触媒体１３−２にそれぞれ仕切板１４を越えて接触してしまうからである。つまり、Ｄ−１＜Ｄ−２の関係を満たすことにより、材料ガスの状態での接触を抑えることができる。
【００２７】
次に、上記のように構成されたＣａｔ−ＣＶＤ置の作用について説明する。
【００２８】
処理室４０の気圧を、排気装置５３の真空引きにより、例えば１×１０-3〜１×１０-4Ｐａにした後、第１および第２熱電源５２−１，５２−２から電力を供給して第１および第２触媒体１３−１，１３−２の温度をそれぞれ１６００℃以上に上昇させる。次いで、第１および第２ガス供給部５１−１，５１−２により第１および第２材料ガスＧ−１，Ｇ−２をそれぞれ第１および第２ガス配管５２−１，５２−２を経由して第１および第２ガス導入口５３−１，５３−２から処理室４０に導入する。
【００２９】
第１ガス導入口５３−１から導入された第１材料ガスＧ−１は、第１触媒体１３−１に接触し、この第１触媒体１３−１との接触により第１材料ガスＧ−１が解離することで、ラジカルＲ−１が生成される。一方、第２ガス導入口５３−２から導入された第２材料ガスＧ−２は、第２触媒体１３−２に接触し、この第２触媒体との接触により第２材料ガスが解離することで、ラジカルＲ−２が生成される。このとき、互いに隣接する第１触媒体１３−１と第２触媒体１３−２とは、両触媒体１３−１，１３−２間の仕切板１４により仕切られているので、第１触媒体１３−１に対する第２材料ガスＧ−２の接触および第２触媒体１３−２に対する第１材料ガス１３−１の接触は、共に抑えられる。よって、分解しやすいガス種である第１材料ガス１３−１の解離が支配的になって、その分、分解しにくいガス種である第２材料ガスＧ−２の解離が妨げられて該第２材料ガスＧ−２の分解率が低下するという事態は未然に防止されることとなる。
【００３０】
このようにして生成されたラジカルＲ−１，Ｒ−２は、混合空間で互いに混合した後、基板ホルダ３に保持されている成膜用基板２上に均一に分布するように堆積し、ＴＦＴの半導体膜としてのシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）が形成されることとなる。
【００３１】
したがって、本実施形態によれば、液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板の製造過程において、第１材料ガスＧ−１（ＳｉＨ4 ガス）と、この第１材料ガスＧ−１よりも分解しにくいガス種である第２材料ガスＧ−２（ＮＨ3 ガス）とを、触媒体との接触により解離してラジカルＲ−１，Ｒ−２を生成するようにしたＣａｔ−ＣＶＤ装置を用い、成膜用基板３上にシリコン窒化膜を形成する際に、処理室４０に対する材料ガス供給系を、第１材料ガスＧ−１のみを供給する第１供給系５０−１と、第２材料ガスＧ−２のみを供給する第２供給系５０−２とに分け、その上で、第１供給系５０−１の第１ガス導入口５３−１の近傍空間には、第１材料ガスＧ−１を解離可能な第１触媒体１３−１を配置する一方、第２供給系５０−２の第２ガス供給口５３−２の近傍空間には、第２材料ガスＧ−２を解離可能な第２触媒体１３−２を配置し、さらに、第１ガス導入口５３−１の近傍空間と、第２ガス導入口５３−２の近傍空間とを仕切板１４で仕切り、仕切板１４と基板ホルダ３に保持された成膜用基板２との間の距離Ｄ−１，触媒体１３−１，１３−２と基板ホルダ３に保持された成膜用基板２との間の距離Ｄ−２を、仕切板１４と基板ホルダ３に保持された成膜用基板２との間の距離Ｄ−１よりも長くする一方、各ガス導入口５３−１，５３−２と前記成膜用基板２との間の距離Ｄ−３よりも短くする（Ｄ−１＜Ｄ−２＜Ｄ−２）ことで、第１ガス導入口５３−１から導入された第１材料ガスＧ−１が第２触媒体Ｇ−２に接触するのを防止するようにしたので、第１材料ガスＧ−１が第２触媒体１３−２に接触して該第２触媒体１３−２に対する第２材料ガスＧ−２の接触を阻害するという事態を回避することができる。
【００３２】
よって、第１材料ガスＧ−１と第２材料ガスＧ−２とを混合ガスとして共通の触媒体に接触させるようにする従来のＣａｔ−ＣＶＤ装置とは異なり、第２材料ガスＧ−２の分解率を大きく損なわずにラジカルＲ−１，Ｒ−２を生成することができるので、第１および第２触媒体１３−１，１３−２と、成膜用基板２との間に、第１および第２触媒体１３−１，１３−２から成膜用基板２の側に向かって流れるラジカルＲ−１，Ｒ−２に対する障害物がないことと相俟って、さらなる成膜速度の向上に寄与することができる。
【００３３】
尚、上記の実施形態では、仕切板１４および成膜用基板２間の距離Ｄ−１と、触媒体１３−１，１３−２および成膜用基板２間の距離Ｄ−２と、各ガス導入口５３−１，５３−２および成膜用基板２間の距離Ｄ−３とを、Ｄ−１＜Ｄ−２＜Ｄ−３、とするようにしているが、これら仕切板１４と成膜用基板２とガス導入口５３−１，５３−２との間の位置関係については、必要に応じて適宜設計することができる。
【００３４】
また、上記の実施形態では、ＳｉＨ4 ガスおよびＮＨ3 ガスを用いて液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板のＴＦＴにおけるシリコン窒化膜を形成する場合について説明しているが、本発明は、アモルファスシリコン膜，ｎ+ シリコン膜，シリコン酸化膜など、種々の薄膜の形成に用いることができる。
【００３５】
また、上記の実施形態では、成膜処理に用いられるＣａｔ−ＣＶＤ装置の場合について説明しているが、本発明は、半導体膜や絶縁膜などの薄膜のドライエッチング装置や、ＣＶＤ装置およびドライエッチング装置などの処理装置における処理室のガスクリーニング装置など、ラジカルを生成するとともにそのラジカルを用いて所定の処理を行うようにした種々の処理装置に適用することができる。
【００３６】
また、上記の実施形態では、２種類の材料ガスを用いる場合について説明しているが、例えば成膜処理の場合に、ＳｉＨ4 ガス，ＮＨ3 ガス，Ｎ2 ガス，Ｈ2 ガスの４種類の材料ガスからなる成膜用材料ガスを用いてシリコン窒化膜ＳｉＮを形成するなど、３種類以上の材料ガスを用いるようにしたラジカル生成装置に適用することができる。
【００３７】
−実験例−
ここで、上記構成のＣａｔ−ＣＶＤ装置を実施例として用いて行ったガス分解率の評価実験について説明する。
【００３８】
具体的には、成膜用ガス（ＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 ），ドライエッチング用ガス（ＣＦ4 ＋Ｈ2 ），クリーニング用ガス（ＮＦ3 ＋Ａｒ）の３種類のガスについて、各ガス導入時のガス分解率の評価をそれぞれ行った。ガス分解率の測定としては、排気側（ポンプ側）でＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外分光光度計）による分析を行った。また、値の算出には、ラジカル生成する状況下で材料ガスを処理室に導入したときの検出値ｄ´と、ラジカル生成しない状況下で材料ガスを処理室に導入したときの検出値ｄとの割合（ｄ´／ｄ）から行った。
【００３９】
本実施例に係るＣａｔ−ＣＶＤ装置の各寸法としては、仕切板〜成膜用基板間の距離Ｄ−１を、Ｄ−１＝４０ｍｍ、触媒体〜成膜用基板間の距離Ｄ−２を、Ｄ−２＝５０ｍｍ、ガス導入口〜成膜用基板間の距離Ｄ−３を、Ｄ−３＝７０ｍｍ、仕切板間隔Ｄ−４を、Ｄ−４＝４０ｍｍとした。
【００４０】
一方、比較例として、従来のＣａｔ−ＣＶＤ装置、つまり、実施例のＣａｔ−ＣＶＤ装置から仕切板が除去された状態のＣａｔ−ＣＶＤ装置を用い、上記の場合と同じガス分解率の評価を行った。尚、触媒体〜成膜用基板間の距離Ｄ−２は、実施例の場合と同じく、Ｄ−２＝５０ｍｍとした。以上の結果を、次表に併せて示す。
【００４１】
【表１】
2006173242.tif 000003
上記の表によれば、比較例の場合には、ガス導入時において、分解しにくいガス種（成膜用ガスではＮＨ3 ，ドライエッチング用ガスではＣＦ4 ，クリーニング用ガスではＮＦ3 ）の分解率が低いことが確認できる。これに対し、個々の触媒体には１種の材料ガスしか接触させないようにした実施例の場合には、比較例の場合に比べて、分解しにくいガス種の分解率が高く（ＮＨ3 では５．９％から４９．３％に、ＣＦ4 では６１．８％から８１．５％に、ＮＦ3 では５７．１％から７８．０％に）なっている。よって、実施例の場合には、分解しにくいガス種の分解率を高めて、成膜処理，ドライエッチング処理，クリーニング処理を行えるということが判る。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態に係るＣａｔ−ＣＶＤ装置の全体構成を模式的に示す側面図である。
【図２】Ｃａｔ−ＣＶＤ装置の要部を拡大して示す側面図である。
【符号の説明】
【００４３】
２  成膜用基板（対象物）
３  基板ホルダ（ホルダ）
１３−１  第１触媒体（触媒体）
１３−２  第２触媒体（触媒体）
１４  仕切板（接触抑制手段）
４０  処理室（反応室）
５０−１  第１ガス供給系（ガス供給手段）
５０−２  第２ガス供給系（ガス供給手段）
５３−１  第１ガス導入口
５３−２  第２ガス導入口
６０−１  第１熱電源（温度変更手段）
６０−２  第２熱電源（温度変更手段）
Ｇ−１  第１材料ガス（材料ガス）
Ｇ−２  第２材料ガス（材料ガス）
Ｒ−１  第１ラジカル（ラジカル）
Ｒ−２  第２ラジカル（ラジカル）
Ｄ−１  仕切板と成膜用基板との間の距離
Ｄ−２  触媒体と成膜用基板との間の距離
Ｄ−３  ガス導入口と成膜用基板との間の距離
【図１】
2006173242.tif 000004
【図２】
2006173242.tif 000005