(57)【要約】【課題】絶縁基板にパターンを露光する露光装置およびその方法ならびに基板処理装置において、基板に形成される半導体素子を静電気から保護する方向および構造を提供する。【解決手段】この発明の露光装置１は、光源２からの所定波長の光を絶縁性基板Ｓに照射する投影光学系３，４と、絶縁性基板と投影光学系との間に非アルカリ系で導電性を示す流体Ｆを供給する流体供給機構７と、絶縁性基板上に供給された流体を回収する流体回収機構８と、を有する。この露光装置を用いることで、絶縁性基板に形成される半導体素子を、途中の工程で生じる静電気から保護することができる。【選択図】  図１
2006019585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの所定波長の光を絶縁性基板に照射する投影光学系と、
前記絶縁性基板と前記投影光学系との間に非アルカリ系で導電性を示す流体を供給する流体供給機構と、
前記絶縁性基板上に供給された前記流体を回収する流体回収機構と、
を有することを特長とする露光装置。
【請求項２】
前記流体は、炭酸を含む弱酸性または中性の水であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記流体と接する領域の少なくとも一部は、接地されていることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記露光装置は、前記絶縁性基板に生じる電荷を除去する除電装置と、をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記流体は、炭酸を含む弱酸性または中性の水であることを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記流体と接する領域の少なくとも一部は、接地されていることを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項７】
前記絶縁性基板は、所定厚さが与えられた板状のガラスを含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記絶縁基板上には、化学増幅型レジスト層が形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記流体の屈折率は、ｎであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
ステージ上に載置された処理対象基板と処理対象基板にパターンを結像する結像光学系との間に、非アルカリ系で導電性を示す流体を供給し、
処理対象基板にパターンを結像する結像光学系との間に流体が満たされた状態でマスクのパターンを露光し、
露光終了後、処理対象基板を洗浄し、
除電装置により除電しながら、処理対象基板を乾燥する、
ことを特徴する露光方法。
【請求項１１】
非アルカリ系で導電性を示す流体は、炭酸を含む弱酸性または中性の水を含むことを特徴とする請求項１０記載の露光方法。
【請求項１２】
流体が接する部分は、少なくとも流体の供給、パターンの露光、および処理対象基板の洗浄の間、接地されていることを特徴とする請求項１０または１１記載の露光方法。
【請求項１３】
処理対象基板は、所定厚さが与えられた板状のガラスを含むことを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれかに記載の露光方法。
【請求項１４】
処理対象基板には、化学増幅型レジスト層が形成されていることを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれかに記載の露光方法。
【請求項１５】
流体の屈折率は、ｎであることを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれかに記載の露光方法。
【請求項１６】
絶縁性を示す処理対象基板の表面に設けられた化学増幅型レジスト層に、フォトマスクのパターンを結像する光学系と、
処理対象基板を任意方向に移動可能に支持するステージと、
処理対象基板の表面のレジスト層と前記光学系との間の空間に、純水に所定比率の炭酸が溶解された炭酸水を、気泡を生じさせることなく循環させる媒体循環機構と、
この媒体循環機構により供給される炭酸水を介して、処理対象基板に蓄えられることのある電荷を接地する接地構造と、
処理対象基板に生じる静電気を除電する除電装置と、
を有することを特長とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンスディスプレイ等に代表される平面表示装置に使用される絶縁基板にパターンを露光する露光装置およびその方法ならびに基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平面表示装置として、液晶ディスプレイが既に広く普及している。また、自己発光型表示装置であるエレクトロルミネッセンスディスプレイも製品化が進んでいる。
【０００３】
液晶ディスプレイ等に用いられるガラス基板には、半導体層や絶縁体層等の複数の材料がパターニングされ、かつ積層される。パターニングには、フォトリソグラフィーが広く利用されている。
【０００４】
しかしながら、フォトリソグラフィー技術においては、パターニングすなわちパターンの露光に利用される露光装置の投影光学系の焦点深度（ＤＯＦ：Depth of Focus）や基板表面の平面性等に起因して、露光されたパターンの解像度が要求される解像度に達しない場合がある。なお、露光におけるレジスト層上の像の解像度とＤＯＦの関係は、    
ＤＯＦ＝ｋ・Ｒ２／λ    
λ：光源波長，Ｒ：線幅（解像度），ｋ：比例係数（プロセスによるが１程度の値）  であることが目安とされている。
【０００５】
なお、類似した露光装置すなわち投影光学系を用いる例として、半導体ウエハに所定のパターンを露光する場合に、投影光学系と半導体ウエハ（露光対象）との間に、水や有機溶媒等の液体を満たす方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】国際公開ＷＯ９９／４９５０４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１には、投影光学系と半導体ウエハとの間に満たされる液体として純水、弗素系不活性液体、セダー油が示されているが、露光対象が絶縁性基板である平面表示装置にそのまま適用することは困難である。
【０００７】
例えば、液晶ディスプレイ向けの絶縁性ガラス基板と露光装置との間に、特許文献１に記載の液体を満たした場合には、液体の供給や回収の際に液体の摩擦によって、静電気が生じ、基板上に形成された半導体素子が破壊される問題がある（静電破壊により基板に形成した半導体素子が損傷する）。このことは、水洗後の乾燥工程においても同様である。
【０００８】
なお、パターン形成に用いられるレジスト材が化学増幅型レジストである場合は、利用可能な液体も制限される。
【０００９】
さらに、絶縁性基板は、特許文献１で露光対象としている半導体ウエハに比較して表面の平坦性が低いことから、露光用光源としてｉ線（３６５ｎｍ）を用いる場合、基板表面で目標とする解像度を得ること困難である。
【００１０】
またさらに、特許文献１において処理対象とする半導体ウエハは、ディスプレイ向けの絶縁性ガラス基板に面積が小さく、しかも表面平滑度が高いことから、同一装置でガラス基板を処理することは困難である。
【００１１】
この発明の目的は、絶縁性の基板に形成される半導体素子を静電気から保護することのできる基板処理装置ならびに露光装置および露光方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、光源からの所定波長の光を絶縁性基板に照射する投影光学系と、前記絶縁性基板と前記投影光学系との間に非アルカリ系で導電性を示す流体を供給する流体供給機構と、前記絶縁性基板上に供給された前記流体を回収する流体回収機構と、を有することを特長とする露光装置を提供するものである。
【００１３】
また、この発明は、ステージ上に載置された処理対象基板と処理対象基板にパターンを結像する結像光学系との間に、非アルカリ系で導電性を示す流体を供給し、処理対象基板にパターンを結像する結像光学系との間に流体が満たされた状態でマスクのパターンを露光し、露光終了後、処理対象基板を洗浄し、除電装置により除電しながら、処理対象基板を乾燥することを特徴する露光方法を提供するものである。
【００１４】
また、この発明は、絶縁性を示す処理対象基板の表面に設けられた化学増幅型レジスト層に、フォトマスクのパターンを結像する光学系と、処理対象基板を任意方向に移動可能に支持するステージと、処理対象基板の表面のレジスト層と前記光学系との間の空間に、純水に所定比率の炭酸が溶解された炭酸水を、気泡を生じさせることなく循環させる媒体循環機構と、この媒体循環機構により供給される炭酸水を介して、処理対象基板に蓄えられることのある電荷を接地する接地構造と、処理対象基板に生じる静電気を除電する除電装置と、を有することを特長とする基板処理装置を提供するものである。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、ガラス基板へ半導体素子を形成する際に半導体素子が静電気により損傷することが防止される。
【００１６】
また、この発明によれば、フォトマスクのパターンが露光されたガラス基板をエアーナイフやスピン乾燥によって乾燥させる際に、ガラス基板上に形成された半導体素子が静電気により破壊されることが抑止される。
【００１７】
さらに、この発明によれば、平坦度が一定の許容範囲内にある基板に薄膜トランジスタ向けのパターンを形成する際に、結像光学系の焦点深度を特別に改善することなく所定の解像度で、パターンを容易に形成できる。
【００１８】
従って、ガラス基板にパターンを形成する露光装置のランニングコストが低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、この発明の実施の形態が適用可能な露光装置の一例を概略的に示している。
【００２１】
図１に示すように、露光装置１は、所定波長の光を出力する光源２、光源２からの光を露光対象である被処理基板、すなわち所定厚さのガラス基板Ｓに向けて案内する照明光学系３、照明光学系３からの光をガラス基板Ｓの所定の位置に結像する結像光学系４を有する。なお、ガラス基板Ｓは、たとえば液晶ディスプレイ用板ガラスの上に化学気相成長法（ＣＶＤ）により下地膜（下層保護膜）および非単結晶半導体膜例えば非晶質シリコン膜が順次形成されたものである。
【００２２】
光源２は、例えば波長２４８ｎｍの光を出射するＫｒＦエキシマレーザである。なお、光源２を水銀ランプ（放電灯）とし、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いてもよい。また、光源２には、ＸｅＣｌエキシマレーザやＹＡＧレーザ等を用いることも可能である。
【００２３】
照明光学系３は、詳述しないが、例えばビームエキスパンダ、フライアイレンズ、コンデンサレンズ、絞り等を含み、結像光学系４に向かう光の光軸と直交する面内の光強度を均一化できる。
【００２４】
結像光学系４は、詳述しないが、例えば絞り、照明光学系３側レンズ、ガラス基板Ｓ側レンズを有し、照明光学系３からの光をガラス基板Ｓに、所定の倍率で結像する。
【００２５】
結像光学系４により照明光学系３からの光が結像される位置には、ガラス基板Ｓを保持するステージ５が位置されている。照明光学系３と結像光学系４との間の所定の位置には、ステージ５に保持されたガラス基板Ｓに露光されるべきパターンが与えられたフォトマスクＭが位置されている。なお、ステージ５は、ステージコントローラ６により、ガラス基板Ｓを保持した状態で、所定タイミングで所定距離だけ移動される。
【００２６】
結像光学系４とステージ５に保持されたガラス基板Ｓとの間には、屈折率ｎが与えられた焦点深度改善媒体Ｆが満たされる。焦点深度改善媒体Ｆは、供給部７からステージ５およびガラス基板Ｓ上に供給され、回収部８により回収される。なお、焦点深度改善媒体Ｆがガラス基板Ｓに供給される際に、結像光学系４とガラス基板Ｓとの間に所定量の焦点深度改善媒体Ｆを維持するために、結像光学系４とガラス基板Ｓと間に、スカート（ガイド部材）９が設けられてもよい。
【００２７】
ステージ５もしくはステージ５に保持されたガラス基板Ｓに近傍には、焦点深度改善媒体Ｆの供給や回収の際に液体の摩擦、あるいは水洗後の乾燥工程において生じる静電気を除去する除電装置１０が設けられている。なお、除電装置１０は、例えばヒューグルエレクトロニクス株式会社等から容易に入手可能である。
【００２８】
また、焦点深度改善媒体Ｆが接する部分は、焦点深度改善媒体Ｆの供給や回収の際に液体の摩擦や、水洗後の乾燥工程において生じる静電気を逃がすために接地されている。なお、接地される領域または部分は、例えば結像光学系４のステージ５側の所定領域、ステージ５のガラス基板Ｓと接する領域、供給部７および回収部８のステージ５の近傍に位置するノズル部、ならびにスカート９等である。
【００２９】
図１に示した露光装置１において、光源２からのレーザ光または任意波長の光は、照明光学系２により光束の進行方向と直交する面内の光強度が概ね均一化され、照明光学系２の焦点位置に設けられるフォトマスクＭに照射される。
【００３０】
フォトマスクＭを通過した光は、フォトマスクＭに与えられているパターンに対応する光強度分布が与えられ、結像光学系４に入射される。
【００３１】
結像光学系４に入射された光は、ステージ５に保持されているガラス基板Ｓ上に、焦点深度改善媒体Ｆに固有の屈折率ｎと結像光学系４の焦点距離及び開口数により規定される焦点深度で、集光される。なお、焦点深度は、焦点深度改善媒体Ｆに固有の屈折率ｎ倍に大きくなる。従って、ガラス基板Ｓのような、板厚偏差（平坦度）が１００ｍｍ□（スクエア）あたり１０μｍにも達する基板上に、サブミクロンの薄膜トランジスタを製造するためには、屈折率が１より大きな焦点深度改善媒体Ｆを用いることが有益である。
【００３２】
ステージ５に保持されているガラス基板Ｓは、例えばステージコントローラ６の制御により、結像光学系４による照明光により定義される面（以下、露光面と呼称する）の面内で、任意の方向に、所定距離だけ移動される。ステージ５の位置は、図示しない位置測定装置、例えばレーザ干渉計等により検知され、ステージコントローラ６にフィードバックされる。従って、ガラス基板Ｓの全域に、フォトマスクＭに形成されているパターンが光学的に転写される。これにより、ガラス基板Ｓに予め所定厚さに形成されているレジスト材（図示しない）に、フォトマスクＭのパターンが形成される。
【００３３】
ガラス基板Ｓは、図示しないが、例えば真空チャックや静電チャック等によりステージ５上の所定位置に保持されている。なお、ガラス基板Ｓの大きさは、例えば一辺が（１００〜）２００ｍｍより大きく、厚さは、例えば１ｍｍ以下である。また、ガラス基板Ｓの表面と結像光学系４との間に供給される焦点深度改善媒体Ｆの量すなわちガラス基板Ｓの表面と結像光学系４との間の距離（間隔）は、例えば（２０〜）３０ｍｍ程度である。
【００３４】
ところで、絶縁性であるガラス基板Ｓに焦点深度改善媒体Ｆを供給し、あるいはガラス基板Ｓと接した状態の焦点深度改善媒体Ｆを除去する際には、ガラス基板Ｓに形成された半導体素子を破損する虞れのある静電気が生じることが知られている。
【００３５】
しかしながら、上述した通り、ステージ５もしくはステージ５に保持されたガラス基板Ｓに近傍には、焦点深度改善媒体Ｆの供給や回収の際に液体の摩擦、あるいは水洗後の乾燥工程において生じる静電気を除去する除電装置１０が設けられている。また、結像光学系４のステージ５側の所定領域、ステージ５のガラス基板Ｓと接する領域、供給部７および回収部８のステージ５の近傍に位置するノズル部ならびにスカート９等の焦点深度改善媒体Ｆが接する部分は、接地されているので、ガラス基板Ｓ上に形成された半導体素子が静電気により破壊されることもない。
【００３６】
図２は、焦点深度改善媒体を循環させる焦点深度改善媒体循環機構の一例を説明する概略図である。
【００３７】
図２に示す通り、焦点深度改善媒体循環機構１１は、供給部７を通じて結像光学系４とステージ５に保持されているガラス基板Ｓの表面と間の空間（以下、露光部と略称する）Ｅに供給されるべき焦点深度改善媒体Ｆを保持する供給タンク１２を有する。供給タンク１２には、回収部８により回収された焦点深度改善媒体Ｆを供給タンク１２に戻す循環路（流路）１３、および回収された焦点深度改善媒体Ｆを一時的に収容する回収タンク１４等が所定の順に接続されている。
【００３８】
回収タンク１４と供給タンク１２との間の流路または供給タンク１２から露光部Ｅ（スカート９）を含む回収タンク１４までの流路の任意の位置には、脱泡装置１５、フィルタ１６およびポンプ１７等が、所定の順に設けられている。なお、それぞれが設けられる順および位置は、任意に設定可能である。脱泡装置１５は、所定量の焦点深度改善媒体Ｆを密閉（気密）収容する密閉容器１５ａと密閉容器１５ａに接続された真空ポンプ１５ｂ等を含み、焦点深度改善媒体Ｆ中に含まれる空気やガスを、容器１５ａ内を所定の真空度に減圧することにより、除去できる。フィルタ１６は、流路１３を通じて回収タンク１４に戻される焦点深度改善媒体Ｆに含まれるゴミを除去する。ポンプ１７は、供給タンク１２から供給部７を通じて露光部Ｅに供給される焦点深度改善媒体Ｆおよび回収部８により露光部Ｅから回収されて回収タンク１４に戻される焦点深度改善媒体Ｆに所定の流量および流速を与える。
【００３９】
以上説明したように、焦点深度改善媒体Ｆは、露光部Ｅにおいて気泡が生じることのないよう、ポンプ１７により規定される流量および流速で、露光部Ｅを含む流路（循環路）１３を循環される。なお、図１においては、供給部７および回収部８のそれぞれと露光部Ｅにおいて焦点深度改善媒体Ｆに接する部分をノズル状として説明したが、例えば回収部８は、流路１３に焦点深度改善媒体Ｆを吸い込むことのできるドレイン（吸い出し口）状であってもよい。
【００４０】
焦点深度改善媒体Ｆは、例えば弱酸性あるいは中性すなわち非アルカリ系で導電性を示す液体であり、本発明では、純水に、基準温度すなわち露光装置１が動作される環境の温度において、所定量、例えば３〜５モル百分率の二酸化炭素を溶解させた炭酸水を用いている。従って、ガラス基板Ｓとして、絶縁性を示すディスプレイ向けの材質を用いる場合に、ガラス基板Ｓ上に形成される半導体素子が、ガラス基板Ｓに生じる静電気により損傷することが防止される。また、焦点深度改善媒体Ｆに炭酸水（弱酸性）を用いることで、ガラス基板Ｓ上に設けられているレジスト材が、例えば化学増幅型である場合においても、酸の発生が途中で止まる等の問題も生じない。なお、炭酸水Ｆは、接触する金属部材すなわちノズル７ａ，・・・，７ｎおよび８ａ，・・・，８ｎやステージ５ならびにガラス基板Ｓの表面に形成されているレジスト材に対して不活性であるから、結像光学系４とガラス基板Ｓの表面との間に満たす材料として好適である。
【００４１】
ところで、フォトマスクＭのパターンが露光されたガラス基板Ｓは、水しみ（ウォーターマーク）を生じさせないために、ベーク（熱処理すなわちＰＥＢ）に先だって乾燥させる必要がある。この場合、エアーナイフによる気流の吹きつけやスピン乾燥を用いて、熱処理に先だって洗浄に利用した水分を除去（乾燥）させることは可能であるが、その際には、大きな電圧（電荷量の多い）静電気が生じる。
【００４２】
また、ガラス基板Ｓに用いられるレジスト材に化学増幅型レジストを用いる場合には、酸の除去のために、純水による水洗（洗浄）は、不可欠である。
【００４３】
しかしながら、本発明の露光装置１においては、炭酸水Ｆが接する部分は、接地されているので、静電気が不所望に蓄えられることは、実質的に阻止されている。また、炭酸水の供給や回収の際に液体の摩擦あるいは水洗後の乾燥工程において生じる静電気は、除電装置１０により除電される。
【００４４】
図３は、図１および図２により前に説明したガラス基板と結像光学系との間に焦点深度改善媒体すなわち炭酸水を供給し、ガラス基板およびステージから炭酸水を回収する例をさらに詳しく説明している。なお、図３は、図１および図２により説明したガラス基板がステージ上に載置された状態を、ガラス基板の平面方向から見た状態を示している。
【００４５】
図３に示されるように、供給部７に接続されたノズル７ａ，・・・，７ｎは、スカート９により規定される円に対して、例えば放射状に配列されている。また、回収部８と接続されたノズル８ａ，・・・，８ｎは、ノズル７ａ，・・・，７ｎの間にそれぞれのノズルに対して交互に配列されている。
【００４６】
結像光学系４の詳述しないガラス基板側レンズあるいは保護ガラスとステージ５に保持されているガラス基板Ｓとの間の空間であって、スカート９により囲まれた範囲内には、所定時間の間に所定量の炭酸水Ｆが、供給部７に接続されたノズル７ａ，・・・，７ｎを介して供給される。
【００４７】
ガラス基板Ｓの表面すなわち露光面Ｅに供給される炭酸水Ｆの流量および流速は、結像光学系４により露光光が結像される範囲内で、露光光に不所望な屈折や回折を生じさせる要因となる気泡が発生しない流量および流速に規定される。また、回収部８と接続されたノズル８ａ，・・・，８ｎによる回収量は、スカート９により囲まれた露光面Ｅの範囲内に、露光光に不所望な屈折や回折を生じさせることのない量に規定される。
【００４８】
なお、炭酸水Ｆの量は、図４に「符号」Ａにより一例を示すが、好ましくはスカート９の上部（結像光学系４側）と結像光学系４との間から不純物が侵入することのないよう、例えばスカート９の上部と結像光学系４の周縁部との間で炭酸水自身の表面張力による所定の盛り上がりが生起され、その盛り上がりが維持される程度である。また、同図に「符号」Ｂにより一例を示すが、スカート９の下部（ガラス基板Ｓ側）においては、炭酸水Ｆの量は、所定量が流れでる量であることが好ましい。すなわち、炭酸水Ｆは、スカート９により囲まれた露光面Ｅに気泡が生じることがないよう、回収部８と接続されたノズル８ａ，・・・，８ｎによる回収量と合計して、スカート９の下部とガラス基板Ｓとの間の空間から、所定量ずつ排出される。
【００４９】
また、炭酸水Ｆは、上述した表面張力による盛り上がりが所定のレベルに維持可能に、露光光によるガラス基板Ｓならびに自身の温度の上昇を抑える効果も有する。この場合、例えば供給タンク１２に、炭酸水（焦点深度改善媒体）Ｆの温度を制御することのできる媒体温度制御装置を設け、必要に応じて炭酸水の温度を変化させてもよい。
【００５０】
なお、供給部７のそれぞれのノズル７ａ，・・・，７ｎおよび回収部８のノズル８ａ，・・・，８ｎを、独立に、あるいは一体的に、露光面と平行に移動させることで、ガラス基板Ｓの表面に対する個々のノズルの相対位置が変化されてもよい。この場合、露光面Ｅに炭酸水Ｆを供給し、また露光面Ｅから炭酸水Ｆを回収する際の単位面積あたりの炭酸水Ｆの流速を向上できる。これにより、ガラス基板ＳにフォトマスクＭのパターンを投影する際に露光光により炭酸水Ｆが加熱されて気泡が生じることが低減される。
【００５１】
また、露光面Ｅに供給される炭酸水Ｆが結像光学系４とガラス基板Ｓとの間に満たされるまでに必要な時間を低減するために、それぞれのノズル７ａ，・・・，７ｎが一旦露光面Ｅの中央付近に移動された後、炭酸水Ｆを供給しながら露光面Ｅの周辺部に向けて移動されてもよい。この方法によれば、結像光学系４とガラス基板Ｓとの間に供給される炭酸水Ｆの量が一時的に不足して、スカート９により囲まれた領域に、不所望に気泡が生じることが抑止される。
【００５２】
ところで、ガラス基板Ｓには、ガラス板を製造する際の冷却時の特性に起因して、図５に示すような、一軸方向に関連づけることのできる凹凸、すなわちうねりが存在することが知られている。
【００５３】
このため、露光装置１を用いてフォトマスクＭのパターンを露光する際に、例えば長辺ａと短辺ｂとが所定の割合で形成されたフォトマスクＭを用い、図６に示すように、短辺ｂの側を、凹凸（うねり）の周期または凹凸（うねり）が現出するタイミングの範囲内に収めることで、ガラス基板Ｓ上に形成されるパターンの解像度を高めることができる。
【００５４】
また、図７に示すように、ステージ５の所定の位置に複数の吸着素子あるいは圧電素子２１等のガラス基板の凹凸（うねり）を露光時に低減することのできる素子を、一軸状に配列し、ガラス基板Ｓの凹凸の周期またはガラス基板Ｓの凹凸（うねり）が現出するタイミング（間隔）に対応させて、露光毎に、ガラス基板Ｓの表面と結像光学系４の焦点位置との間の距離を、結像光学系４により実際にパターンが結像される位置に一致させることによっても、ガラス基板Ｓ上に形成されるパターンの解像度を高めることができる。
【００５５】
以上説明したように、本発明の露光装置においては、特許文献１に記載された液浸用の液体として、抵抗値が高く実質的に絶縁性を示す、純水、弗素系不活性液体、セダー油を用いる露光装置および露光方法を、ガラス基板へ半導体素子を形成する工程に適用する際に、半導体素子が静電気により損傷することが防止される。
【００５６】
また、フォトマスクのパターンが露光されたガラス基板をエアーナイフやスピン乾燥によって乾燥させる際に、ガラス基板上に形成された半導体素子が静電気により破壊されることが抑止される。
【００５７】
さらに、ガラス基板上に半導体素子、例えば薄膜トランジスタを形成する際に利用可能な露光光源としてｉ線（３６５ｎｍ）が利用可能で、露光装置の寿命が向上される。
【００５８】
またさらに、ＫｒＦやＡｒＦを光源として用いた場合に要求される光源のメンテナンス（定期交換）費用等が低減可能であり、露光装置のランニングコストが圧縮される。
【００５９】
さらにまた、板厚偏差（平坦度）が１００ｍｍ□あたり１０μｍにも及ぶガラス基板に炭酸水を結像光学系とガラス基板の表面との間に満たすことのみにより、結像光学系のＤＯＦ（光学系の焦点深度）を特別に改善することなく、薄膜トランジスタ向けのパターンを所定の解像度（１μｍより高い解像度）で形成できる。
【００６０】
なお、この発明は、前記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形もしくは変更が可能である。また、各実施の形態は、可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合、組み合わせによる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】この発明の実施の形態が適用可能な露光装置の一例を説明する概略図。
【図２】焦点深度改善媒体循環機構の一例を説明する概略図。
【図３】ガラス基板に炭酸水を供給し、回収する構成の一例を説明する概略図。
【図４】ガラス基板に供給される炭酸水の流量および供給例を説明する概略図。
【図５】ガラス基板の表面の特性を説明する概略図。
【図６】ガラス基板の表面の特性に合わせた露光方法の一例を説明する概略図。
【図７】ガラス基板の表面の特性に合わせた露光方法の一例を説明する概略図。
【符号の説明】
【００６２】
１…露光装置、２…光源、３…照明光学系、４…結像光学系、５…ステージ、７…供給部、７ａ，・・・，７ｎ…ノズル、８…回収部、８ａ，・・・，８ｎ…ノズル、９…スカート（ガイド部材）、１０…除電装置、１１…焦点深度改善媒体循環機構、１２…供給タンク、１３…循環路（流路）、１４…回収タンク、１５…脱泡装置、１６…フィルタ、２１…吸着素子（圧電素子）。
【図１】
2006019585.tif 000003
【図２】
2006019585.tif 000004
【図３】
2006019585.tif 000005
【図４】
2006019585.tif 000006
【図５】
2006019585.tif 000007
【図６】
2006019585.tif 000008
【図７】
2006019585.tif 000009