(57)【要約】【課題】  外部の光注入によるロック特性を用いる集積型半導体光源を提供する。【解決手段】  集積型半導体光源は、電流注入によって光利得と光出力を調節する活性領域と、前記活性領域に単一集積された構造を有し、電流注入または逆電圧印加によって空洞モードを移動させて注入光をロックさせる受動領域とを備える。【選択図】  図３
2006173563.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の光注入によるロック特性を用いる集積型半導体光源において、
電流注入によって光利得と光出力を調節する活性領域と、
前記活性領域に単一集積された構造を有し、電流注入または逆電圧印加によって空洞モードを移動させて注入光をロックさせる受動領域とを備えることを特徴とする集積型半導体光源。
【請求項２】
前記受動領域は前記活性層を中心として少なくとも一側に配置されることを特徴とする請求項１に記載の集積型半導体光源。
【請求項３】
基板上の一領域上に形成された活性領域、及び
前記活性領域と分離されて形成された受動領域を備えるが、
前記活性領域は、第１クラッド層によって取り囲まれた活性層と、前記活性層に電流を注入するための電極とを備え、
前記受動領域は、前記活性層へ光を伝達するために、コア層と第２クラッド層と前記コア層に電流を注入（逆電圧を印加）するための電極とを含むことを特徴とする請求項１に記載の集積型半導体光源。
【請求項４】
前記受動領域では電流注入または逆電圧印加によって発振モードを移動させ、
前記活性領域では電流注入によって光利得と光出力を調節することを特徴とする請求項１に記載の集積型半導体光源。
【請求項５】
前記集積型半導体光源装置は波長分割多重方式の受動型光加入者網でＯＮＴとして用いられることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型半導体光源。
【請求項６】
前記空洞モードの間隔が前記注入される光のチャネル間隔と実質的に同一となるように、前記受動領域の空洞長が設計されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型半導体光源。
【請求項７】
前記受動領域の有効屈折率を前記活性領域の屈折率と異にして活性領域と受動領域間の境界面で導波光の一部分を反射させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型半導体光源。
【請求項８】
前記受動領域内のコア層の物質組成または厚さを調節して有効屈折率を変化させることにより前記反射を調節することを特徴とする請求項７に記載の集積型半導体光源。
【請求項９】
前記受動領域の導波路幅を活性領域の導波路幅と異にして前記反射を調節することを特徴とする請求項７に記載の集積型半導体光源。
【請求項１０】
活性領域の導波路構造に対して受動領域の導波路構造を異にすることにより、前記反射を調節することを特徴とする請求項７に記載の集積型半導体光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部の光注入によるロック特性を用いる集積型半導体光源に係り、特に活性領域と受動領域が分離された構造を有する集積型半導体光源に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、インターネットを始めとしたデータサービスなどの需要が引き続き増加しており、ＨＤＴＶ、電子商取引、ＶＯＤ、画像会議などの新しいマルチメディアサービスの登場で増えるデータトラヒックを十分にサービスしなければならないことにより、光ファイバを中央基地局から各加入者に直接連結する受動型光加入者網(PON, Passive Optical Network）に関する研究が活発に行われている。
【０００３】
受動型光加入者網は、送受信機を除いた中央基地局と各加入者とを連結する屋外ネットワークが光ファイバ、分配器または多重化器／逆多重化器などの受動型光素子のみから構成されており、追加電源が不要なので維持管理が容易であり、送受信モジュールのみを取り替えることにより通信容量を増大させたり新しい通信サービスを受け入れたりすることができるという長所がある。このような受動型光加入者網の中でも中央基地局と加入者間の通信が各加入者ごとに割り当てられた固有な波長を用いて行われる方式を、波長分割多重方式受動型光加入者網(WDM-PON, Wavelength Division Multiplexing Passive Optical Network）という。
【０００４】
波長分割多重方式の受動型光加入者網では、中央基地局(CO, Central Office）でデータの送受信を担当するＯＬＴ(Optical Line Terminal)光源として、分布帰還型レーザアレイ(DFB-LD, Distributed Feedback Laser Diode)、波長可変レーザ(Tunable Laser Diode)／多波長光源(Multi-Wavelength Laser Diode)、スペクトル分割方式(Spectrum Slicing)の非干渉光源などを使用することができる。
【０００５】
分布帰還型レーザアレイ、波長可変レーザ、多波長レーザは、一つのモジュールからいろいろな波長の光が出るように集積させたもので、優れた発振特性と高い隣接モード抑制率(SMSR, Side Mode Suppression Ratio)、狭い線幅(Spectral Linewidth)特性に利点があるが、素子製作過程が複雑であって高価なので、経済性の理由でスペクトル分割方式の非干渉光源が主に提案されている。
【０００６】
発光ダイオード(LED, Light Emitting Diode)、超発光ダイオード(SLD, Super Luminescent Diode)、自然放出光(ASE, Amplified Spontaneous Emission)などの非干渉光源は、スペクトルが広いため、アレイ導波路型回折格子(AWG, Arrayed Waveguide Grating)に通過させて多数の波長の光源を得る方式（スペクトル分割方式）で波長分割多重方式の光伝送装置に提案されている。
【０００７】
次に、ＯＮＴ光源としては、これまで多くの構造が提案および報告されたが、ループバック方式と注入ロック(Injection Locking)方式に大別されており、ファブリペロー型レーザダイオード(FP-LD, Fabry-Perot Laser Diode)の注入ロック特性を用いて単一モードの光出力を発生させる方式は、本発明の構造との比較のために詳細に説明する。
【０００８】
図１ａおよび図１ｂは、従来の技術に係るファブリペロー型レーザダイオードの空洞モード（cavity mode）特性と注入光に対するロック特性を示す図である。図１ａに示すように、レーザの空洞モードは、レーザ物質の光利得特性と空洞長(Cavity Length, L)によって決定される。ここで、空洞モードの間隔はΔλであり、λは波長であり、ｎｇは群屈折率(Group Refractive Index)である。各空洞モード別の出力は各空洞モードに結合する自然放出光(Spontaneous Emission)の大きさに比例する。
【０００９】
前述したレーザダイオードの特性に対して図１ｂのように外部から特定の波長に人為的に光を注入すると、注入された波長における光出力は増加する。この際、注入された波長以外の波長における出力は注入ロック特性によって減少し、これにより高い隣接モード抑制率を有する単一モード光源が得られる。
【００１０】
ところが、注入光の波長に対して、上述した注入ロック特性はファブリペローレーザの空洞モード特性に応じて敏感に変わるため、次の問題点をもっている。
【００１１】
１）上述した注入ロック方式の単一モード光源の具現時にスペクトル分割された注入光は、事実上レーザの空洞モードと正確に一致し難い。したがって、図２ａのように注入光がレーザの空洞モード波長（山に該当する波長）からずれる場合、注入ロック特性は著しく低下する。
【００１２】
２）上述した１）の理由により、空洞長を長くすることにより、空洞モードの間隔を狭めて注入光に対するモード選択性を高める構造を使用することができる。ところが、図２ｂに示すように、注入光のスペクトル幅が空洞モードの間隔に比べて相対的に広くなると、２つのモードがビーティング(beating)するようになって単一モード特性を得ることが難しくなる。
【００１３】
３）上述した１）の理由により注入光の波長に比べてファブリペローレーザの温度を調節することにより、空洞モードの間隔を調節して合わせることができる。この方法は、特許文献１（発明の名称：注入された非干渉性光の波長にファブリペロー型レーザダイオードの波長が自動的にロックされるようにするための温度調節方法）と特許文献２（発明の名称：波長可変光源の具現方法および装置とこの光源を用いた波長分割多重方式の光伝送装置）に開示されている。
【００１４】
ところが、温度調節によって注入光の波長を合わせる方法は、熱伝冷却器(TEC, Thermo-Electric Cooler)、自動温度調節装置(ATC, Automatic Temperature)などの高価な部品がさらに入るため、コストがアップする。また、温度調節による方法は、速度が遅く、昇温の際にファブリペローレーザの光利得の減少により光出力特性が低下するので、問題点をもっている。
【００１５】
４）上述した１）の理由によりファブリペローレーザの注入電流を調節して注入光の波長を合わせることができる。この方法は、特許文献２に開示されている。
【００１６】
ところが、ファブリペローレーザの動作電流が臨界電流以下の場合には、注入電流を調節すると、光利得の変化で光出力が変動するという問題点があり、ファブリペローレーザの動作電流が臨界電流以上の場合には、電流を増加させてもレーザ内のキャリア密度はそのまま変化しないため屈折率の変化が殆どないから、波長を合わせることが難しい。
【００１７】
上述した理由により、注入ロック特性を用いたファブリペローレーザは、波長分割多重方式の受動型光加入者網のＯＮＴ光源として適用するには困難さがある。
【００１８】
従来の波長分割多重方式の受動型光加入者網でＯＮＴ光源として用いられる注入ロック方式のファブリペローレーザは、注入光の波長がレーザの空洞モードと正確に一致し難いことにより、実際活用する場合に注入ロック特性が低下し、注入光に対するロックの選択性を高めるために空洞長を長くしても、隣接した両モードのビーティングによりロック特性が著しく低下する。
【００１９】
従来の構造では、ファブリペローレーザの温度または電流を調節することにより注入光の波長を合わせる方法が提示されたが、速度が遅く、光出力が大きく変動するという欠点をもっている。
【００２０】
【特許文献１】韓国特許出願第２００２−００５７２２３号公報
【特許文献２】韓国特許出願第２００３−０００８０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、新しい構造を有する集積型半導体光源を提供することにある。
【００２２】
本発明の他の目的は、非常に優れた隣接モード抑制率および雑音特性を有する単一モード光源として活用できる集積型半導体光源を提供することにある。
【００２３】
本発明の別の目的は、温度制御装置が不要で、安くて、ＯＮＴ光源としての活用に適した光源を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記目的を達成するために、本発明の第１側面は、外部の光注入によるロック特性を用いる集積型半導体光源において、電流注入によって光利得と光出力を調節する活性領域と、前記活性領域に単一集積された構造を有し、電流注入または逆電圧印加によって空洞モードを移動させて注入光をロックさせる受動領域とを備える、集積型半導体光源を提供する。
【００２５】
好ましくは、受動領域が活性領域の一側または両側に配置され、電流注入または逆注入印加に応じて受動領域の屈折率が変化して空洞モードを調節することが可能な集積型半導体光源を提供する。一方、受動領域の有効屈折率を活性領域とは異にして、各領域の有効屈折率の差異によって活性領域と受動領域間の境界面で導波光の一部分を反射させる構造がさらに好ましい。前記境界面における反射は、外部注入光に対する波長選択性をさらに向上させる。その他、受動領域の有効屈折率を変化させて反射を調節する幾つかの方式を提示する。
【００２６】
第１方式によれば、受動領域内のコア層の物質組成または厚さを調節すると、有効屈折率が変化して境界面で反射される。第２方式によれば、受動領域の導波路幅を活性領域の導波路幅と異にして反射を調節することができる。第３方式によれば、活性領域の導波路構造に対して受動領域の導波路構造が異なる場合、有効屈折率は変わるので、反射が発生する。前記第１方式の具体的な例を挙げると、活性領域がShallow ridge構造の場合に対して受動領域はDeep Ridge構造、活性領域がBuried Ridge構造の場合に対して受動領域はShallow RidgeまたはDeep Ridge構造、活性領域がBuried Heterostructure構造の場合に対して受動領域はShallow構造、Deep Ridge構造または Buried Ridge構造などを挙げることができる。
【００２７】
上述した受動領域の有効屈折率を調整して反射を調節する三つの方式に対して独立に１つの方式で使用してもよく、あるいは２つまたは３つの方式を組み合わせて使用してもよい。
【００２８】
好ましくは、集積型半導体光源装置は、波長分割多重方式の受動型光加入者網でＯＮＴとして用いられる。一方、注入光の波長が波長分割方式によって各チャネル毎にチャネル間隔でＯＮＴに注入される場合、受動領域の空洞モード間隔が前記注入光の波長チャネル間隔と同一になるように、受動領域の空洞長を製作することが好ましい。
【００２９】
本発明の第２側面は、基板上のある領域上に形成された活性領域、および前記活性領域と分離されて形成された受動領域を備えるが、前記活性領域は、第１クラッド層によって取り囲まれた活性層と、前記活性層に電流を注入するための電極とを含み、前記受動領域は、前記活性層へ光を伝達するためにコア層と第２クラッド層と前記コア層に電流を注入するための電極を含む集積型半導体光源を提供する。
【００３０】
前記受動領域では電流注入によって空洞モードが移動し、前記活性領域では電流注入によって光利得と光出力が調節される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の構造は、受動領域の電流注入により発振モードを移動させて注入光の波長を合わせることができるため、従来の問題点を容易に克服することができる。
【００３２】
また、活性領域と受動領域間の内部反射特性を用いて受動領域のモード間隔が注入光のチャネル間隔と同一の長さになるように設計する場合、常時受動領域の発振モードの山に該当する波長に対して注入ロックとなるように注入電流で調節することができるので、非常に優れた隣接モード抑制率および雑音特性を有する単一モード光源として活用できる。
【００３３】
また、本発明の構造では、温度制御装置が不要なので、非常に安いＯＮＴ光源として活用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例に係る集積型半導体光源装置を詳細に説明する。これらの実施例は様々な形に変形できるが、本発明の範囲を限定するものではない。これらの実施例は本発明の開示を完全にし、当該技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。
【００３５】
図３は本発明の実施例に係る集積型半導体光源の概略構成図である。図３を参照すると、本集積型半導体光源１は、半導体電流注入によって光利得を提供する活性領域２と、活性領域２に単一集積された構造を有し、電流注入（逆電圧印加）によって導波光の屈折率を変化させることにより空洞モードを移動させる受動領域３とを含む。
【００３６】
本構造によれば、受動領域３の電流注入により空洞モードを移動させて注入光の波長を一致させることができるので、上述した従来の問題点を容易に克服することができ、活性領域２と受動領域３間の境界面における反射特性を用いて受動領域３の空洞モード間隔が注入光のチャネル間隔と同一になるように受動領域の長さを設計して波長分割多重方式の受動型光加入者網のＯＮＴとして用いられる場合、各ＯＮＴ毎に常時受動領域の空洞モードの山に該当する波長に対して注入ロックとなるように注入電流で調節することができる。したがって、優れた隣接モード抑制率と雑音特性を持つようにすることができ、特に温度調節装置が不要なので、安い波長可変単一モード光源装置として活用することができる。
【００３７】
次に、図３を参照して本集積型半導体光源１の詳細な構成の一例を説明する。図３を参照すると、集積型半導体光源１の活性領域２では、ｎ型ドーピングされたインジウム燐基板１０の上に、インジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓＰ）の物質構造を有する活性層２０、ｐ型ドーピングされたインジウム燐（ＩｎＰ）４０、ｐ型ドーピングされたインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）６０物質が順次積層される。活性層２０は、注入電流Ｉａによって例えば１．５５μｍで光利得が生成されるように、インジウムとガリウム、ヒ素とリンの量を適切に調節される。
【００３８】
集積型光源装置１の受動領域３では、ｎ型ドーピングされたインジウム燐基板１０の上にインジウムガリウムヒ素燐（ＩｎＧａＡｓＰ）からなるコア層３０が積層され、ｐ型ドーピングされたインジウム燐（ＩｎＰ）４０、ｐ型ドーピングされたインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）７０物質が順次積層される。前記コア層３０は、約１．５５μｍの波長を有する光が少ない損失で導波されるようにするために、バンドギャップエネルギーの大きい物質のインジウムガリウムヒ素燐（ＩｎＧａＡｓＰ）から構成され、電流Ｉｐの注入により物質の屈折率が変化して発振モードの波長が変わる。また、活性領域２と受動領域３との電気的分離のために、ｐ型ドーピングのインジウムガリウムヒ素を部分的にエッチングして図面符号６０と７０に分離する。
【００３９】
上述した集積型半導体光源において、活性領域と受動領域の有効屈折率(Effective Refractive Index)の差異により境界面で反射が発生し、活性層とコア層の物質組成、厚さ、幅、導波路構造を調節して透過および反射量を調節することができる。
【００４０】
次に、集積型半導体光源１の内部共振特性を説明する。図４ａは図３の集積型光源装置の共振特性を説明するための概念図、図４ｂは集積型光源装置の光スペクトル特性を説明するための概念図である。
【００４１】
活性領域２と受動領域３の境界面における内部反射Ｒ３により３つの共振特性Ａ、Ｂ、Ｃが複合的に作用し、図４ｂにおいて、活性領域２の共振器の長さＬａが受動領域の長さＬｐに比べて長いと仮定して、活性領域２のモード間隔Δλａが受動領域３のモード間隔Δλｐに比べて短くなるように示した。
【００４２】
活性領域２のモード間隔Δλａは数式１で表わされる。
【００４３】
【数１】
2006173563.tif 000003
【００４４】
式中、ｎａｇは電流Ｉａによる活性領域２の群屈折率(Group Refractive Index)、Ｌａは活性領域の長さ、λは光の波長をそれぞれ示す。
【００４５】
受動領域３のモード間隔Δλｐは数式２で表わされる。
【００４６】
【数２】
2006173563.tif 000004
【００４７】
式中、ｎｐｇは電流Ｉｐによる受動領域３の群屈折率、Ｌｐは受動領域の長さ、λは光の波長をそれぞれ示す。
【００４８】
この構造において内部反射Ｒ３がなければ、全長（Ｌａ＋Ｌｐ）に対するモード特性に 性領域２の光利得特性が追加されて示され、内部反射Ｒ３が存在すると、ＡとＢの影響が重なり合って光利得の変調で示される。一方、図４ｂにおいて、受動領域３の電流注入Ｉｐにより受動領域３の有効屈折率が変わることにより、発振モードの波長が移動する。
【００４９】
（実験例）
前述した構造に対する実際の検証のために実験を行った。図５ａおよび図５ｂは、図３の集積型光源装置を実際に製作して得た光出力スペクトルを示すグラフである。実験に使用された条件は次のとおりである。活性領域の長さＬａは５００μｍ、受動領域の長さＬｐは１６０μｍにする。製作された素子の臨界電流(Threshold Current)は３３ｍＡであり、活性領域には２８ｍＡを注入した。
【００５０】
実験による光スペクトルは活性層の光利得特性に応じて全体スペクトルにおいて包絡線(Envelope)を示しており、分布はガウシアン(Gaussian)特性を示している。内部反射の影響により約２ｎｍの波長間隔で包絡線が変調されている。注入電流は、臨界電流以下なので、ガウシアン分布を示しているが、臨界電流以上で注入されると、ローレンツ(Lorentzian)分布を示す。また、注入電流による包絡線の模様は本発明の特性に対して影響を与えないので、臨界電流以上のスペクトル特性に対しては省略する。
【００５１】
図５ｂは図５ａのスペクトルを狭いスペクトル領域で拡大した図である。図面において、広いモード間隔Δλ１と狭いモード間隔Δλ２はそれぞれ２ｎｍ、０．５ｎｍと測定された。また、活性領域と受動領域の群屈折率を１．５４μｍで３．６と仮定すると、長さがそれぞれ１６０μｍ、６６０μｍと得られる。したがって、測定された結果より、Δλ１は受動領域の発振モード間隔を示し、Δλ２は全体領域の発振モード間隔を示す。
【００５２】
図６は図３の集積型光源装置におっける受動領域の注入電流による波長可変特性を示すグラフである。前述したように、製作された集積型光源装置に対して、活性領域の電流Ｉａは２８ｍＡ、受動領域の電流Ｉｐは３０ｍＡまで５ｍＡ単位で増加させたときの光出力スペクトルを示している。
【００５３】
これは、受動領域の電流増加に伴って発振モードが長波長に移動し、前記受動領域の注入電流の調節により注入光の波長と一致するように正確に合わせることができることを示している。前記受動領域の電流増加に伴って光損失の増加で光出力が多少低くなり、活性領域の電流増加により光出力を高めることができるので、問題にならない。
【００５４】
一方、アレイ導波路型回折格子から注入された光のチャネル間隔が０.８ｎｍ（１００ＧＨｚ）の場合、受動領域の長さを４００μｍにすると、波長１.５４μｍで数式３によって発振モード間隔Δλ１が約０．８ｎｍとなるので、波長分割多重方式の受動型光加入者網のＯＮＴとして用いられる場合、全てのＯＮＴに対して常時受動領域の発振モードの山に該当する波長のみで注入ロックとなるように受動領域の電流を調整することができる。
【００５５】
【数３】
2006173563.tif 000005
【００５６】
したがって、活性領域と受動領域間の境界面で反射がある場合、受動領域の空洞モードで利得のピーク値が現れるので、受動領域の電流注入により受動領域の空洞モードを注入光の波長に合わせることができることになり、これによりさらに高い隣接モード抑制率を得ることができるという利点がある。
【００５７】
よって、従来の構造で使用される温度制御装置（ＴＥＣ）が不要であり、ただ駆動回路のみが必要なので、非常に高いＯＮＴ光源として活用できる。
【００５８】
一方、実際の場合においてファブリペローレーザの注入ロックの最適条件は、注入ロックとなる前のファブリペローレーザのモード波長より注入光の波長が多少長波長のときに現れる。この原因は注入ロックによって活性領域内のキャリア密度(Carrier Density)が減少して屈折率が増加することにあり、屈折率の増加によりレーザモードの波長は増加する。上述した内容も受動領域の電流注入によって解決することができる。
【００５９】
（波長分割多重方式受動型光加入者網）
図７は本発明の実施例に係る集積型光源装置が適用された波長分割多重方式の受動型光加入者網の概略図である。
【００６０】
波長分割多重方式の受動型光加入者網１００は、中央基地局(CO, Central Office)１１０と、データの分配または多重化／逆多重化を行う分配器(RN,、Remote Node)１２０と、加入者内のデータの受信と送信を担当するＯＮＴ(Optical Network Terminal)（１３０−１、．．．、１３０−Ｎ）とから構成される。また、中央基地局１１０は、ＯＬＴ ＬＤ１１２と受信機１１４を備える。各ＯＮＴ（１３０−１、．．．、１３０−Ｎ）は、結合器（１３２−１、．．．、１３２−Ｎ）、受信機（１３４−１、．．．、１３４−Ｎ）および集積型半導体光源装置（１３６−１、．．．、１３６−Ｎ）を備える。また、波長分割多重方式の受動型光加入者網１００は、光サーキュレータ１４０をさらに含むことができる。
【００６１】
ここで、ＯＬＴ ＬＤ１１０光源から出射したビームは、分配器１２０にあるアレイ導波路型回折格子を経てスペクトル分割されてＯＮＴ（１３０−１、．．．、１３０−Ｎ）へ伝送される。前記スペクトル分割されたビームの波長間隔はアレイ導波路型回折格子のチャネル間隔によって決定され、一般にＤＷＤＭ(Dense Wavelength Division Multiplexing)通信のために０．８ｎｍ（１００ＧＨｚ）のチャネル間隔で製作される。ＯＮＴ（１３０−１、．．．、１３０−Ｎ）に入射したビームは、各結合器（１３２−１、．．．、１３２−Ｎ）を介して受信器（１３４−１、．．．、１３４−Ｎ）と集積型半導体光源装置（１３６−１、．．．、１３６−Ｎ）へそれぞれ伝達される。
【００６２】
前述したように、注入された光のチャネル間隔が０．８ｎｍの場合、全てのＯＮＴに対して常時受動領域の発振モードの山に該当する波長のみで注入ロックとなるように受動領域の電流を調整することができる。また、活性領域と受動領域間の境界面で反射がある場合、受動領域の発振モードで光利得が最大となるので、受動領域の電流注入により受動領域の発振モードを注入光の波長に合わせることができることになり、これによりさらに高い隣接モード抑制率を得ることができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１ａ】従来の技術のファブリペロー型レーザダイオードの空洞モード特性と注入光に対するロック特性を示す図である。
【図１ｂ】従来の技術のファブリペロー型レーザダイオードの空洞モード特性と注入光に対するロック特性を示す図である。
【図２ａ】従来の技術のファブリペロー型レーザダイオードの注入ロック特性の問題点を説明するための概念図である。
【図２ｂ】従来の技術のファブリペロー型レーザダイオードの注入ロック特性の問題点を説明するための概念図である。
【図３】本発明の実施例に係る集積型半導体光源の概略構成図である。
【図４ａ】図３の集積型光源装置の共振特性を説明するための概念図である。
【図４ｂ】図３の集積型半導体光源の光スペクトラム特性を説明するための概念図である。
【図５ａ】図３の集積型光源装置を実際に製作して得た光出力スペクトルを示すグラフである。
【図５ｂ】図３の集積型光源装置を実際に製作して得た光出力スペクトルを示すグラフである。
【図６】図３の集積型光源装置における受動領域の注入電流による波長可変特性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施例に係る集積型光源装置が適用された波長分割多重方式の受動型光加入者網の概略図である。
【符号の説明】
【００６４】
１    光源
２    活性領域
３    受動領域
１０    基板
２０    活性層
３０    コア層
１００    光加入者網
１１０    中央基地局
１１２    ＯＬＴ ＬＤ
１１４    受信機
１２０    分配器
１４０    光サーキュレータ
【図１ａ】
2006173563.tif 000006
【図１ｂ】
2006173563.tif 000007
【図２ａ】
2006173563.tif 000008
【図２ｂ】
2006173563.tif 000009
【図３】
2006173563.tif 000010
【図４ａ】
2006173563.tif 000011
【図４ｂ】
2006173563.tif 000012
【図５ａ】
2006173563.tif 000013
【図５ｂ】
2006173563.tif 000014
【図６】
2006173563.tif 000015
【図７】
2006173563.tif 000016