(57)【要約】【課題】多層配線基板に内蔵する抵抗ペーストを用いた抵抗体の形成方法において、抵抗体と配線電極間のめっきで、無電解めっきでは抵抗値の変動が大きく、電解めっきで行うと、めっきリードの設置のために配線レイアウトを自由に配置することができなくなっていた。【解決手段】絶縁層１上に抵抗体３０を接続する配線電極１０と配線電極１０を電解めっきするためのめっきリード１１とを具備した配線層を形成し、配線電極１０の接続部分とめっきリード１１の一部分とに貴金属めっきを電解めっきで形成し、配線電極１０間に貴金属めっきした接続部分を介し抵抗ペーストを用いて抵抗体３０を形成し、配線層を粗化してめっきリードの貴金属めっきを施した一部分を切断することを特徴とする抵抗体の形成方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線基板に内蔵する抵抗ペーストを用いた抵抗体の形成方法において、絶縁層上に抵抗体を接続する配線電極と配線電極を電解めっきするためのめっきリードとを具備した配線層を形成し、配線電極の接続部分とめっきリードの一部分とに貴金属めっきを電解めっきで形成し、配線電極間に貴金属めっきした接続部分を介し抵抗ペーストを用いて抵抗体を形成し、配線層を粗化してめっきリードの貴金属めっきを施した一部分を切断することを特徴とする抵抗体の形成方法。
【請求項２】
貴金属めっきに銀、金、パラジウムを含む金属を用いたことを特徴とする請求項1記載の抵抗体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部に抵抗素子を有するプリント配線板の抵抗体の形成方法に関し、特に絶縁基板上の一対の電極とその間に配置された抵抗体の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やデジタルカメラなどの機器の小型化と軽量化が進むにつれて、プリント配線板に実装する素子においては、素子の小型化や素子同士の間隔の削減といった要求が強まっている。これに対し、従来の実装技術では対応が難しくなり、これら素子をプリント配線板内に内蔵した多層プリント配線基板への期待が高まっている。受動素子（キャパシタ、抵抗、インダクタ）は既存のチップ素子を埋め込めば機器メーカーが必要とする特性を比較的容易に満たすことができるが、素子を内蔵した基板が厚くなってしまうという問題点がある。薄い部品や薄膜素子で十分に特性を満たすことができる方法の開発などが急がれている。
【０００３】
プリント配線板内部に抵抗素子を作りこむ方法としては、銅箔上に金属薄膜で抵抗層を形成する方法、絶縁基板上にめっきで形成する方法、抵抗性の厚膜ポリマーを印刷する方法などがある。抵抗値、精度、形状、価格などから用途に応じて形成方法を選択していく必要がある。厚膜ポリマーを印刷する方法では、高抵抗なものを形成できるが、微細な寸法になると形成が困難である。金属材料を用いた薄膜タイプは、厚膜タイプに比べ、抵抗値範囲が低抵抗に制約されるが、小さなサイズで高精度に形成できる。
【０００４】
以下に公知の文献を示す。
【特許文献１】特開平１１−００４０５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
抵抗体ペーストを用いた抵抗素子の形成では、銅の配線層に電極を形成して直接銅上に抵抗ペーストを形成すると、銅の酸化によって抵抗素子の抵抗値が次第に上昇するという問題が発生していた。それに対応するため、最近では抵抗ペーストを形成する電極部に金めっきや銀めっきなどの貴金属めっきを施すことで抵抗素子の抵抗値変動を少なくしている。(図1参照)この貴金属めっきを施す際に、配線パターンによっては独立した配線となるために無電解めっきを用いることが多いが、無電解めっきでは貴金属めっきの膜厚が薄く、抵抗値を安定化するためには薄過ぎる場合がある。また、電解めっきで貴金属めっきする際には、めっきのためのめっきリードが必要となり、そのための配線レイアウトが必要で、めっき後にこのめっきリードを切断する必要があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、本発明の請求項１の発明は、多層配線基板に内蔵する抵抗ペーストを用いた抵抗体の形成方法において、絶縁層上に抵抗体を接続する配線電極と配線電極を電解めっきするためのめっきリードとを具備した配線層を形成し、配線電極の接続部分とめっきリードの一部分とに貴金属めっきを電解めっきで形成し、配線電極間に貴金属めっきした接続部分を介し抵抗ペーストを用いて抵抗体を形成し、配線層を粗化してめっきリードの貴金属めっきを施した一部分を切断することを特徴とする抵抗体の形成方法としたものである。
【０００７】
上記の発明では、抵抗体を形成する際に、配線レイアウトを気にせずに、その配線電極
部に貴金属めっきを電解めっきで形成できる。めっきリードの一部分に貴金属めっきが施してあると、銅のような配線層の粗化処理の際に、局部電池の作用によって貴金属の端部で配線層が切れてしまう。抵抗素子の部分も、貴金属めっきが施してあるが、この部分は抵抗体が貴金属めっきを被っているため、銅配線に影響を及ぼすことはない。
【０００８】
本発明の請求項２の発明は、貴金属めっきに銀、金、パラジウムを含む金属を用いたことを特徴とする請求項1記載の抵抗体の形成方法としたものである。
【０００９】
上記発明では、貴金属めっきに、一般に市販されている金や銀、パラジウムなどの金属を含む電解めっき液を使用することができる。
【発明の効果】
【００１０】
多層配線基板に内蔵する抵抗体の形成方法では、抵抗体と電極配線の界面に電解めっきによる貴金属めっきを介したことで、抵抗素子の抵抗値変動がなくなり、精度の高い抵抗素子を基板内に埋め込むことが可能になった。また、めっきリードの切断が容易になったために、電解めっきの際のめっきリードのための配線レイアウトを自由に設計することができ、切断のための配置を考える必要がなくなった。無電解めっきは、めっき浴の管理が難しく寿命も短いため、電解めっきを採用できることで、基板のコストダウンもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の多層配線基板に内蔵する抵抗体の形成方法を図１、２、３を使って説明する。図１、２、３は、本発明の抵抗体の形成方法の一例を、平面（左側）及び断面（右側）で見た部分説明図である。本例の抵抗素子内蔵基板の抵抗体の形成方法は、図１（ａ）のように絶縁基板１上に抵抗体を形成するための配線電極１０と貴金属めっきを施すためのめっきリード１１を形成し、次に図１（ｂ）のように部分的に貴金属めっきを施すためのレジスト１５を基板と配線層全面にコートする。ただし、図１（ｂ）の平面で見た図には、説明のため、レジスト１５は示していない。図１（ｃ）のように露光と現像を行い、貴金属めっきを施すための露出部を形成したレジストパターン１５ａを形成する。図２（ｄ）のように貴金属めっきを施して、レジストの開口部に貴金属めっき２５を行う。図２（ｅ）のようにレジストを除去した後に、図２（ｆ）のように抵抗体３０を銀めっき２５を被うように電極１０上に形成する。図３（ｇ）では、多層配線層の上層を形成するために、接着層と配線層との密着を向上するため、銅の表面をＣＺ処理や黒化処理によって粗化する必要があるが、その工程によって露出している貴金属めっきの部分が侵食され、切断されている。このため、従来のようにめっきリードをわざわざ切断する必要がなく、抵抗素子の端子部にも適度な膜厚の貴金属めっきが行える抵抗素子の形成方法を提供できる。
【実施例１】
【００１２】
以下、実施例について図１、２、３を用いて詳細に説明する。
【００１３】
本発明の抵抗素子内蔵基板の抵抗体の形成方法の実施例は次の方法のようになる。
【００１４】
配線基板１に１２μｍの銅箔を両面に有する０．６ｍｍ厚のＢＴレジン基板（三菱ガス化学社製）を用いて、通常のプリント配線基板の形成方法と同様にフォトリソグラフィ工程とエッチングにより、抵抗素子を形成する部分に配線電極１０とめっきリード１１を含む配線層を形成した（図１（ａ））。
【００１５】
抵抗素子を形成する配線電極１０部ならびにめっきリード１１の切断部に選択的にめっきを行うために、レジスト１５として１５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ＲＹ３３１５  日立化成工業製）をラミネーターを用いてラミネートした（図１（ｂ））。ラミネート条件は、１１０℃，３ＭＰａ，０．５ｍ／ｓｅｃである。めっき部分の電極配線が露出
するようなパターンで露光現像することで、図１（ｃ）のようにレジストパターン１５ａを形成することができた。露光条件は、６０ｍＪ／ｃｍ2で現像は、１％の炭酸ソーダ溶液でスプレー現像で、１５秒ほどの現像時間で現像することができた。レジストパターンを形成した後、電解銀めっき液（テンペレジスト銀めっき液  日本高純度化学製）を用いて、めっき膜厚が０．５μｍ以上となるようにめっき処理を施した（図２（ｄ））。めっき後に、３％の水酸化ナトリウム溶液でドライフィルムレジストの除去を行った（図２（ｅ））。洗浄、乾燥後に抵抗体３０として抵抗ペーストをスクリーン印刷で電極配線上に形成した銀めっきが被われるように印刷した（図２（ｆ））。印刷後、８０℃で３０分乾燥後に１８０℃、２時間の本ベークを行った。次に、上層の配線層を形成するために、配線層の粗化をメック社のＣＺ処理によって行った。このＣＺ処理によってめっきリード部に形成した露出している銀めっきの両端で配線層が切断され、めっきリードの断線した回路として働く配線層が形成できた（図３（ｇ））。接着層にプリプレグを介して、銅箔などを積層することで、めっきリードの切断を行う必要がなく、次の配線層の形成が可能となった。また、銀めっきの厚みも無電解めっきで形成するよりも短時間に膜厚も厚くできるため、抵抗の変動がなく、製造時間の短縮につながった。
【実施例２】
【００１６】
貴金属めっきにパラジウムめっきを用いても、実施例１と同様に抵抗値の安定しためっきリードの切断が必要ない抵抗素子を内蔵した多層配線基板を形成することが可能であった。
【実施例３】
【００１７】
図４のような独立した回路が存在する場合でも配線レイアウトを気にせずに電解めっきのめっきリードを配置することが可能であり、めっきリードの切断を考えない抵抗体を内蔵する配線基板の形成が可能であった。詳細なめっき方法などは、実施例１や２と同様である。
【産業上の利用可能性】
【００１８】
本発明の配線回路基板内蔵用抵抗素子の形成方法は、配線回路基板上に実装されている実装部品を基板内部に内蔵しようというものである。実装部品を基板内部に取り込むことで、実装エリアにスペースが生まれより高機能な部品を実装することが可能となる。また、従来の基板サイズも小さくすることが可能となり、電子機器の軽薄短小化を促進する原動力ともなる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の抵抗体の形成方法の一例を平面および断面で見た部分説明図である。
【図２】本発明の抵抗体の形成方法の一例を平面および断面で見た部分説明図である。
【図３】本発明の抵抗体の形成方法の一例を平面および断面で見た部分説明図である。
【図４】本発明の抵抗体の形成方法の他の例を平面で見た部分説明図である。
【符号の説明】
【００２０】
１・・・・・・・・・  配線基板
１０・・・・・・・・・  電極配線
１１・・・・・・・・・  めっきリード
１１ａ・・・・・・・・・  切断されためっきリード
１５・・・・・・・・・  めっきレジスト
１５ａ・・・・・・・・・  パターニングされためっきレジスト
２５・・・・・・・・・  電解めっきによる貴金属めっき
３０・・・・・・・・・  抵抗体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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