(57)【要約】【課題】良好な封止性と電磁シールド性を備えた分波器パッケージを得る。【解決手段】ベース基板と、ベース基板に実装されたＳＡＷフィルタを覆う蓋基板と、ベース基板に実装され互いに異なる中心周波数を有する複数のＳＡＷフィルタと、当該フィルタ同士の位相を整合させる位相整合線路とを有する分波器で、位相整合線路は、蓋基板に配した第一線路部と、ベース基板に配した第二線路部とを有し、第一線路部と第二線路部とが電気的に接続されている。好ましくは第一線路部と第二線路部とが略同一の長さを有する。ベース基板及び蓋基板は、３層以上のかつ略同数の配線層を備える多層基板である。ベース基板・蓋基板は共に基準電位電極を備え、これらの基準電位電極が互いに電気的に接続される。【選択図】図１
2006203542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波フィルタを実装可能なベース基板と、当該ベース基板に実装された弾性表面波フィルタを覆う蓋基板と、前記ベース基板に実装され互いに異なる帯域中心周波数を有する複数の弾性表面波フィルタと、これら弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合線路とを有する分波器であって、
前記位相整合線路は、前記蓋基板に配した第一の線路部と、前記ベース基板に配した第二の線路部とを有し、
当該第一の線路部と第二の線路部とが電気的に接続されている
ことを特徴とする分波器。
【請求項２】
前記第一の線路部と、前記第二の線路部とが、略同一の長さを有する
請求項１に記載の分波器。
【請求項３】
前記ベース基板および前記蓋基板は、共に、基板の表面および裏面を含めて３層以上のかつ略同数の配線層を備える多層基板である
請求項１または２に記載の分波器。
【請求項４】
前記ベース基板および前記蓋基板は、厚さが略同一である
請求項１から３のいずれか一項に記載の分波器。
【請求項５】
前記ベース基板および前記蓋基板は、樹脂を主体とする材料からなる
請求項１から４のいずれか一項に記載の分波器。
【請求項６】
前記ベース基板および前記蓋基板は、共に基準電位電極を備え、
当該ベース基板および蓋基板に備えられた基準電位電極が互いに電気的に接続されている
請求項１から５のいずれか一項に記載の分波器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波フィルタを用いた分波器に関し、特に、分波器パッケージ内における位相整合線路の配置構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などの移動体通信機器では、小型かつ高機能化に適する点から、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタという）を用いた分波器が近年広く使用されており、その使用周波数帯は８００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯あるいは１．５ＧＨｚ〜２．０ＧＨｚ帯等と多岐に亘っている。
【０００３】
かかる分波器は、アンテナを通して送受信される信号の分岐および生成を行うＲＦ部に設けられ、送信用フィルタと受信用フィルタとを少なくとも備えるとともに、送受信信号間の干渉を防ぐ整合回路を有する。この整合回路は、例えば送受信フィルタの帯域中心周波数に対応した所定の線路長を有する線路パターン（位相整合線路）により構成される。
【０００４】
図９は、従来の分波器の一例を示すものである。同図に示すようにこの分波器１は、ベース基板２の表面に送信用および受信用の各ＳＡＷフィルタ６，７が実装され、これらのＳＡＷフィルタ６，７を蓋体５により覆って気密封止したパッケージ構造を有する。ベース基板２は、複数（この例の場合、基板表裏面を合わせて６層）の配線層を有する多層基板により形成され、当該基板内に位相整合線路８が配置されている。
【０００５】
一方、蓋体５は、ＳＡＷフィルタ６，７を取り囲むようにベース基板２上に設けられかつ中央部分にＳＡＷフィルタ６，７を収容する孔３ａを有する枠体３と、この枠体３の上面に被せられ、孔３ａを塞ぐ平板状の天板４とからなる。これら枠体３および天板４、並びに前記ベース基板２は、例えばいずれも樹脂材料（樹脂基板）により構成することができ、これらの基板２，３，４を例えば接着シートを介在させつつ順次積層することによりパッケージングされた分波器１を形成することが出来る。また、天板４の上下両面には、蓋体５の補強のため、金属層４ａ，４ｂが設けられることがある。
【０００６】
また、この種の分波器、特に位相整合線路の配置構造を提案するものとして下記特許文献がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３２０２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、従来の分波器では、製造時にあるいは経年使用につれ次第にパッケージの気密性（蓋体による封止）が損なわれ、パッケージ内にあるＳＡＷフィルタが腐食してフィルタ特性が劣化する問題が生じることがあった。
【０００９】
この原因を種々検討したところ、従来のパッケージ構造では、パッケージを形成する各基板（ベース基板２、枠体３および天板４）自体に同質材料を使用したとしても、蓋体を構成する基板とベース基板とでは構造的な違いが大きく、このため熱膨張による変形量が蓋体とベース基板とで大きく異なる点にあることを見い出した。
【００１０】
すなわち、天板４や枠体３は表裏面があるだけの単板状の構造を有するのに対し、ベース基板２は基板内部にも多数の配線層を備え、さらに他の回路パターンと較べて線路長の長い位相整合線路８も、前記特許文献１に記載のようにたとえ複数層に亘り分けて配置したとしてもベース基板２の内部にすべて配されることとなる。
【００１１】
したがって、かかる構造的な差異に基づく熱膨張による変形量の違いによってパッケージが歪み、あるいは各基板間の接合部に応力がかかって封止性が損なわれ、分波器自体の電気特性の劣化を引き起こす原因となることがある。
【００１２】
さらに、従来のパッケージ構造では、前述のように天板４の両面に金属層４ａ，４ｂが設けられることがあるが、この金属層は一方においてベース基板表面の導体パターンと間に容量結合や浮遊容量を生じさせ、例えば送信信号が受信側に流れ込んでノイズを発生させたり、信号のスルーパスを引き起こす原因ともなり得る。したがって、この点でも従来の分波器のパッケージ構造は、改良の余地がある。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、良好な封止性と電磁シールド性を備えた分波器のパッケージ構造を得る点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記目的を達成して課題を解決するため、本発明に係る分波器は、弾性表面波フィルタを実装可能なベース基板と、当該ベース基板に実装された弾性表面波フィルタを覆う蓋基板と、前記ベース基板に実装され互いに異なる帯域中心周波数を有する複数の弾性表面波フィルタと、これら弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合線路とを有する分波器であって、前記位相整合線路は、前記蓋基板に配した第一の線路部と、前記ベース基板に配した第二の線路部とを有し、当該第一の線路部と第二の線路部とが電気的に接続されている。
【００１５】
本発明の分波器では、ベース基板に実装され蓋体により覆われた複数のＳＡＷ（弾性表面波）フィルタと、これらＳＡＷフィルタの位相を整合させる位相整合線路とを有するが、当該位相整合線路を蓋基板とベース基板とに分けて配置する。具体的には、位相整合線路は、第一の線路部と第二の線路部とを有し、第一線路部を蓋基板に、第二線路部をベース基板にそれぞれ配して両線路部を電気的に接続する。これにより、蓋基板とベース基板との構造上の不均一さを従来より軽減し、蓋基板とベース基板との熱膨張による変形量の差を小さくすることが出来る。
【００１６】
蓋基板の具体的な構造は、後に述べる実施の形態により明らかにするが、一例を述べれば、ベース基板と一定の間隔を隔てて配置される平板状の基板により構成することが出来る。この平板状の蓋基板とベース基板との間には、ＳＡＷフィルタの実装部を取り囲むように配される枠状の基板を介在させ、この枠状基板によってベース基板と蓋基板との間にＳＡＷフィルタの収容空間を形成する。尚、蓋基板の構造は、この例に限定されるものではない。
【００１７】
製造にあたっては、これらベース基板、枠状基板および蓋基板を順次積層し、あるいは一括積層することにより、分波器の封止パッケージを形成すれば良い。また、ベース基板に設けられる第一線路部と、蓋基板に設けられる第二線路部とを電気的に接続するには、例えば枠状基板を通り蓋基板とベース基板との間に亘って形成したキャスタレーション（サイドビア／側面層間接続構造）やビアホール等によれば良い。
【００１８】
さらに、上記蓋基板とベース基板との構造上の不均一さを軽減する観点から、第一線路部と第二線路部とは略同一の長さを有するものとすることが望ましい。
【００１９】
また同様の理由から、上記蓋基板およびベース基板を共に、基板の表面および裏面を含めて３層以上のかつ略同数の配線層を備える多層基板とすることが望ましく、また蓋基板およびベース基板の厚さを略同一とすることが好ましい。
【００２０】
上記蓋基板およびベース基板は、例えば樹脂を主体とする材料により形成することが出来る。このとき、樹脂材料に無機材料を適宜混合させ、基板を形成する材料を樹脂と無機材料との複合材料とすることも可能である。尚、本発明において基板の材料は、樹脂材料に限定されるものではなく、セラミックスその他の材料により形成されていても（例えばセラミック基板としても）良い。
【００２１】
さらに、前記蓋基板およびベース基板は共に、基準電位電極を備え、当該蓋基板およびベース基板に備えられた基準電位電極が互いに電気的に接続されていることが望ましい。
【００２２】
これは、分波器パッケージの封止性だけでなく、電磁シールド性をも高めるためである。従来のパッケージ構造では、蓋体（蓋基板）に金属層が設けられることがあってもこの金属層はベース基板の（したがって当該分波器が実装される基板の）基準電位電極に接続されておらず、電磁シールド性が十分とは言えなかったが、上記本発明の構造によれば、従来に較べ電磁シールド性を向上させることが出来る。尚、ベース基板に設けた基準電位電極と、蓋基板に設けた基準電位電極とを電気的に接続するには、前記第一および第二線路部間の接続と同様に、例えば枠状基板を通り蓋基板とベース基板との間に亘って形成したキャスタレーション（サイドビア／側面層間接続構造）やビアホール等によれば良い。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、良好な封止性と電磁シールド性を備えた分波器のパッケージ構造を得ることが出来る。
【００２４】
本発明の他の目的、特徴および利点は、図面に基づいた以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。尚、各図中、同一の符号は、同一又は相当部分を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態に係る分波器を示すブロック図である。同図に示すようにこの分波器１１は、アンテナに接続される共通端子Ｃに接続された受信用フィルタ６と送信用フィルタ７とを有し、送信用フィルタ７と共通端子Ｃとの間に位相整合回路８を備えている。受信用フィルタ６および送信用フィルタ７には、小型化および高機能化に有利なＳＡＷ（弾性表面波）フィルタを用いる。尚、図１において符号Ｔｘは送信信号が入力される送信信号端子、符号Ｒｘは受信信号が出力される受信信号端子を示す。
【００２６】
位相整合回路８は、導体線路により形成する。位相整合回路８は、共通端子Ｃと受信用フィルタ６の間に設けても、あるいは共通端子Ｃと受信用フィルタ６の間並びに共通端子Ｃと送信用フィルタ７の間の両方に設けても良いが、分波器を小型化する観点からは、本実施形態のように共通端子Ｃといずれか一方のフィルタとの間に設けることが好ましい。また、かかる位相整合用の導体線路は、後に述べるように天板基板とベース基板とに分けて配置した第一線路部８ａと第二線路部８ｂとからなる。
【００２７】
図２は、上記実施形態に係る分波器を示す断面図である。同図に示すようにこの分波器１１では、ベース基板２１の上面に送信用フィルタ６と受信用フィルタ７とを実装し、これらのフィルタ６，７を枠状基板３１および天板基板４１（蓋基板）からなる蓋体５１により気密封止する。送信用・受信用の各フィルタ６，７の実装は、例えばベース基板２１の上面に設けた導体パッド６１，７１（図３Ｇ参照）に金バンプ１０を介して接続することにより行うことが出来る。
【００２８】
また、ベース基板２１および天板基板４１は、この実施形態では共に表裏面を合わせて４層の配線層とこれら配線層の間に介在される絶縁層を備えた多層基板とする。これら各基板の絶縁層を形成する材料としては、例えばＢＴレジンやＦＲ４等の樹脂材料を用いることが出来る。樹脂材料には無機フィラーを適宜混合しても良い。
【００２９】
分波器１１の製造にあっては、ベース基板２１の上面にフィルタ６，７を実装した後、枠状基板３１および天板基板４１を位置合わせし、かつベース基板２１と枠状基板３１の間および枠状基板３１と天板基板４１との間に接着剤または接着シートを介在させつつ順次ベース基板２１の上に積層していけば良い。尚、製造工程数を減らすため各基板２１，３１，４１を一括して積層することも可能である。
【００３０】
図３Ａから図３Ｊは、上記分波器１１の基板２１，３１，４１各層の構成を示す平面図である。上記分波器１１において、天板基板４１の最上面の配線層を第１層４１ａ、その下の配線層を第２層４１ｂ、さらにその下の配線層を第３層４１ｃ、天板基板４１の最下面の配線層を第４層４１ｄとし、同様にベース基板２１の最上面の配線層を第１層２１ａ、その下の配線層を第２層２１ｂ、さらにその下の配線層を第３層２１ｃ、ベース基板２１の最下面（分波器パッケージ裏面）の配線層を第４層２１ｄとすると、図３Ａから図３Ｄは、それぞれ天板基板４１の第１層４１ａから第４層４１ｄを示し、図３Ｇから図３Ｊは、それぞれベース基板２１の第１層２１ａから第４層２１ｄを示している。また、図３Ｅおよび図３Ｆは、それぞれ枠状基板３１の上面および下面を示すものである。尚、これら図３Ａから図３Ｊは、いずれも分波器１１の上面側から見た状態を示すものであり、したがって図３Ｄ、図３Ｆおよび図３Ｊは、それぞれ絶縁層または枠状基板を透視して下面側のパターンを見た状態を示している。
【００３１】
図２、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、天板基板の上面（第１層）４１ａ並びに第２層４１ｂには金属層１２ａ，１２ｂをそれぞれ形成してある。これら金属層のうち第２層４１ｂの金属層１２ｂは基準電位層であり、後に述べる天板基板第４層４１ｄに設けた基準電位層１２ｃ、ベース基板第２層２１ｂに設けた基準電位層１２ｄおよびベース基板第４層２１ｄの基準電位層１２ｅとキャスタレーション１３を通じて電気的に接続されている。このように天板基板４１およびベース基板２１に設けた基準電位層１２ｂ〜１２ｅのすべてを電気的に接続すれば、送受信フィルタ６，７の収納空間をパッケージ外部から良好に電磁的にシールドすることが出来る。
【００３２】
図２および図３Ｃに示すように天板基板４１の第３層４１ｃには、前記位相整合用の導体線路８の一部（第一線路部８ａ）を形成してある。前記位相整合用の導体線路８は、この第一線路部８ａと、ベース基板２１に設ける第二線路部８ｂ（後述する）とからなり、これら第一線路部８ａと第二線路部８ｂとは、枠状基板３１を貫通して天板基板４１とベース基板２１に亘って形成したビアホール１４（図２では図示せず）により電気的に接続してある。
【００３３】
より具体的には、第一線路部８ａは、一端をベース基板２１の下面（第４層）２１ｄに設けたアンテナ接続用の外部接続端子（共通端子）Ｃに電気的に接続されているキャスタレーション１５に接続してあり、他端をベース基板２１に設けた第二線路部８ｂに接続するために設けたビアホール１４のランド１４ａに接続してある。このランド１４ａは、枠状基板３１を貫通してベース基板２１に設けた第二線路部８ｂ（後述）に接続するためのビアホール１４に接続されている。このビアホール１４は、分波器内の他のすべての回路パターンと電気的に接続されていない。
【００３４】
第一線路部８ａと第二線路部８ｂとは、略同一の長さを有する。すなわち本実施形態では、位相整合用導体線路８を２等分して一方を天板基板４１に、他方をベース基板２１に配置した。天板基板４１とベース基板２１の構造上の差異を減らし、両基板間の熱膨張による変形量の差を低減するためである。また、かかる位相整合用の導体線路８（第一線路部８ａおよび第二線路部８ｂ）は、マイクロストリップラインにより構成し、第一および第二線路部全体として特性インピーダンスが約５０Ωになるように、各線路部８ａ，８ｂの厚さおよび幅を設定し、当該線路部８ａ，８ｂに隣接する絶縁層４３，４４，２３，２４の厚さを調整する。
【００３５】
図２および図３Ｄに示すように、天板基板４１の下面（第４層）４１ｄには、当該配線層の略全面に亘り基準電位層としての金属層１２ｃが形成され、また前記ビアホール１４に接続されたランド１４ｂが設けられている。
【００３６】
図２、図３Ｅおよび図３Ｆに示すように枠状基板３１には、中央部に貫通孔３１ａを形成してあり、この貫通孔３１ａにより天板基板４１とベース基板２１との間に送受信フィルタ６，７の収容空間を形成する。尚、前記位相整合用導体線路８の第一線路部８ａと第二線路部８ｂとを接続するビアホール１４が枠状基板３１を貫通して設けられている。
【００３７】
図３Ｇに示すようにベース基板の上面（第１層）２１ａには、受信用フィルタ６を実装するためのパッド６１、および送信用フィルタ７を実装するためのパッド７１を含むフィルタ実装部を形成してある。
【００３８】
図２および図３Ｈに示すようにベース基板２１の第２層２１ｂには、当該配線層の略全面に亘り、基準電位層として金属層１２ｄを形成する。
【００３９】
図２および図３Ｉに示すようにベース基板２１の第３層２１ｃには、前記位相整合用の導体線路８を構成する第二線路部８ｂを設け、この第二線路部８ｂを前述のようにビアホール１４を通じて第一線路部８ａと電気的に接続する。すなわち、第二線路部８ｂは、一端を送信用フィルタ７の出力端子（送信用フィルタ７の出力端子が接続される接続パッド７１／図３Ｇ参照）に接続されるビアホール１６のランド１６ｂに接続し、他端を前記第一線路部８ａに接続するために設けたビアホール１４のランド１４ｆに接続してある。
【００４０】
図２および図３Ｊに示すようにベース基板２１の下面（第４層）２１ｄには、外部接続用端子Ｃ，Ｒｘ，Ｔｘと、基準電位層としての金属層１２ｅを設ける。基準電位層１２ｅは、既に述べたように天板基板４１およびベース基板２１に設けた各基準電位層１２ｂ〜１２ｄとキャスタレーション１３を通じて電気的に接続されている。また、符号Ｃはアンテナ接続用の共通端子、Ｒｘは受信端子、Ｔｘは送信端子をそれぞれ示す。
【００４１】
ベース基板２１、枠状基板３１および天板基板４１は、接着剤または接着シートを介して加熱プレスすることにより積層し一体化する。このとき、各基板２１，３１，４１に設けられたキャスタレーション１３は、各基板の対向するランド１３ａが圧着されることによって電気的に接続され導通される。同様に、第一線路部と第二線路部とを接続するビアホール１４は、天板基板下面（第４層）４１ｄのランド１４ｂ（図３Ｄ参照）と枠状基板上面のランド１４ｃ（図３Ｅ参照）が圧着され、かつ枠状基板下面のランド１４ｄ（図３Ｆ参照）とベース基板上面のランド１４ｅ（図３Ｇ参照）が圧着されてそれぞれ電気的に接続されることにより導通される。
【００４２】
上記送信用および受信用のＳＡＷフィルタの構造や材料等は特に限定されないが、一例を挙げれば、ＬｉＴａＯ3（例えば方位：３９°ＹＣｕｔ−Ｘ伝搬）等の圧電基板上に、アルミニウムを主体とした合金（Ａｌ−Ｃｕ）またはＡｌ単結晶等の材料からなる電極を形成したＳＡＷフィルタを用いることが出来る。
【００４３】
また、上記各基板の配線層に形成する導体パターン（導体線路および基準電位層等）は、例えば銅等の金属により形成すれば良い。また、ベース基板上面（第１層）２１ａに設けるフィルタ実装用の接続パッド６１，７１、並びにベース基板下面（第４層）２１ｄに設ける外部接続用端子Ｃ，Ｒｘ，Ｔｘは、例えば銅によりパターン形成を行い、その上にニッケルおよび金めっきを施すことにより形成する。さらに、ベース基板下面２１ｄには、外部接続端子の形成部分を除く領域に、外部接続用端子の短絡を防ぐレジストを塗布する。このレジストの材料としては、例えば現像型ソルダーレジストインキを使用することが出来る。
【００４４】
図４は、前記図９に示した従来のパッケージ構造を有する分波器と、上記実施形態に係るパッケージ構造を有する分波器における天板基板とベース基板の熱膨張による変形量を測定した結果を示すものである。測定は、常温（２５℃）から８５℃まで温度上昇させたときの水平方向（各基板の長さ及び幅方向）と、垂直方向（各基板の厚さ方向）について行った。
【００４５】
この測定結果から明からなように、天板基板とベース基板の膨張率の差が、従来の分波器では、水平方向で０．０１２％、垂直方向で０．１２６％であるのに対し、本実施形態の分波器では、水平方向で０．００４％、垂直方向で０．０４％となっており、本実施形態によれば天板基板とベース基板の熱膨張による変形量の差を従来に較べ格段に小さくすることが出来ることが分かる。
【００４６】
そして、このように天板基板とベース基板の間の熱膨張による変形量の差を小さくすれば、温度上昇に伴うパッケージの変形を防ぎ、またパッケージの封止部分（天板基板４１と枠状基板３１の接合部や枠状基板３１とベース基板２１の接合部）にかかる応力を抑えることができ、当該パッケージの封止性を向上させることが可能となる。
【００４７】
さらに図５から図８は、上記従来の分波器と実施形態の分波器に対して外部から妨害波を与えた場合の信号波形の変化（送信側フィルタの通過特性）を測定した結果を示すものである。図５が妨害波を与えない状態の従来の分波器、図６が妨害波を与えたときの従来の分波器、図７が妨害波を与えない状態の本実施形態の分波器、図８が妨害波を与えたときの本実施形態の分波器を示している。尚、妨害波としては、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚの持続波（ＣＷ／continuous waves）を使用した。
【００４８】
これらの図から明らかなように、従来の分波器に較べ本実施形態の分波器の方が妨害波による影響が少なく、本実施形態によれば分波器パッケージに良好な電磁界シールドを形成して外部の影響を排除してフィルタ特性の劣化を防ぐことが可能となる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。
【００５０】
例えば、フィルタの実装形式は、上記実施形態ではフリップチップ実装により行ったが、ワイヤボンディング実装によるものであっても良い。また実施形態では、ベース基板と天板基板の積層数を同一としたが、必ずしも同一の積層数でなくても構わない。さらに本発明の別の態様に係る分波器は、ＳＡＷフィルタを実装可能なベース基板と、当該ベース基板に実装されたＳＡＷフィルタを覆う蓋基板と、前記ベース基板に実装され互いに異なる帯域中心周波数を有する複数のＳＡＷフィルタとを有する分波器であって、前記ベース基板と天板基板とが略同一の熱膨張率を有するものである。この分波器では、天板基板とベース基板の積層数は同一であっても良いし、異なっていても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係る分波器を示すブロック図である。
【図２】前記実施形態に係る分波器を模式的に示す断面図である。
【図３Ａ】前記実施形態の分波器を形成する基板（天板基板の第１層／上面）を示す平面図である。
【図３Ｂ】前記実施形態の分波器を形成する基板（天板基板の第２層）を示す平面図である。
【図３Ｃ】前記実施形態の分波器を形成する基板（天板基板の第３層）を示す平面図である。
【図３Ｄ】前記実施形態の分波器を形成する基板（天板基板の第４層／下面）を示す平面図である。
【図３Ｅ】前記実施形態の分波器を形成する基板（枠状基板の上面）を示す平面図である。
【図３Ｆ】前記実施形態の分波器を形成する基板（枠状基板の下面）を示す平面図である。
【図３Ｇ】前記実施形態の分波器を形成する基板（ベース基板の第１層／上面）を示す平面図である。
【図３Ｈ】前記実施形態の分波器を形成する基板（ベース基板の第２層）を示す平面図である。
【図３Ｉ】前記実施形態の分波器を形成する基板（ベース基板の第３層）を示す平面図である。
【図３Ｊ】前記実施形態の分波器を形成する基板（ベース基板の第４層／下面）を示す平面図である。
【図４】従来のパッケージ構造を有する分波器と、前記実施形態に係るパッケージ構造を有する分波器における天板基板とベース基板の熱膨張による変形量を測定した結果を示す図である。
【図５】従来の分波器における送信側フィルタの通過特性を示す線図である。
【図６】従来の分波器に対し外部から妨害波を与えた場合の送信側フィルタの通過特性を示す線図である。
【図７】前記実施形態の分波器における送信側フィルタの通過特性を示す線図である。
【図８】前記実施形態の分波器に対し外部から妨害波を与えた場合の送信側フィルタの通過特性を示す線図である。
【図９】従来の分波器の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
６  受信用ＳＡＷフィルタ
７  送信用ＳＡＷフィルタ
８  位相整合回路（導体線路）
８ａ  第一線路部
８ｂ  第二線路部
１１  分波器
１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ  基準電位層
１３，１５  キャスタレーション
１４，１６  ビアホール
１３ａ，１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ，１４ｆ，１６ａ，１６ｂ  ランド
２１  ベース基板
３１  枠状基板
４１  天板基板
【図１】
2006203542.tif 000003
【図２】
2006203542.tif 000004
【図３Ａ】
2006203542.tif 000005
【図３Ｂ】
2006203542.tif 000006
【図３Ｃ】
2006203542.tif 000007
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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