(57)【要約】      （修正有）【課題】コンデンサ内蔵多層配線板の製造方法及びコンデンサ内蔵多層配線板を提供する。【解決手段】金属箔の片面に膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられ、かつ、誘電体薄膜が設けられた反対面の金属箔に絶縁材料が積層されたコンデンサ用基板を用い、１コンデンサ用基板表面の誘電体薄膜上にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、２少なくともコンデンサ用基板表面の前記金属層が形成されたパターンを含む誘電体薄膜上にエッチングレジストを形成する工程と、３セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程と、４エッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有する工程によりコンデンサ内蔵多層配線板用材料を作製し、該コンデンサ内蔵多層配線板用材料の少なくとも片面上に絶縁層を介して１層又は２層以上の配線層を形成するコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の片面に膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が、かつ、誘電体薄膜が設けられた反対面の金属箔に絶縁材料が積層されたコンデンサ用基板を用い、
（１）コンデンサ用基板表面の誘電体薄膜上にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、
（２）少なくともコンデンサ用基板表面の前記金属層が形成されたパターンを含む誘電体薄膜上にエッチングレジストを形成する工程と、
（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程と、
（４）エッチング後にエッチングレジストを除去する工程と
を有する工程によりコンデンサ内蔵多層配線板用材料を作製し、該コンデンサ内蔵多層配線板用材料の少なくとも片面上に絶縁層を介して１層又は２層以上の配線層を形成するコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項２】
高圧水洗に用いるセラミック粒子の平均粒径が、１０〜５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項３】
高圧水洗に用いるセラミック粒子の硬度が、７〜１３であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項４】
高圧水洗に用いるセラミック粒子が、金属酸化物を第一成分とすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項５】
高圧水洗の水圧が、０．１〜１ＭＰａであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項６】
（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程の後工程として、超音波洗浄を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項７】
（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程の前工程として、溶液により酸洗浄を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項８】
酸洗浄に用いる溶液が、塩酸を含むことを特徴とする請求項７に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項９】
エッチングレジストとして感光性ドライフィルムを用いることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１０】
感光性ドライフィルムの膜厚が、感光性ドライフィルムによって形成されたエッチングレジストにより保護されるコンデンサ電極となる金属層の厚みの１〜３倍であることを特徴とする請求項９に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１１】
誘電体薄膜と金属箔との間または誘電体薄膜の表面に、保護用の金属膜を形成したことを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１２】
保護用の金属膜が、酸化保護皮膜または自己酸化皮膜である請求項１１に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１３】
誘電体薄膜が、チタン酸ジルコン酸鉛又はチタン酸いずれか１種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１４】
誘電体薄膜が、結晶性の構造である層を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１５】
誘電体薄膜が、非結晶性の構造である層を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項１４のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１６】
誘電体薄膜が、結晶性の箇所と非結晶性の箇所が分布した構造である層を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１７】
結晶性の箇所が、粒径１００ｎｍ以下の粒状の構造であることを特徴とする請求項１４又は請求項１６に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１８】
誘電体薄膜の体積に対して、結晶性の箇所が５０〜７０体積％であることを特徴とする請求項１６又は請求項１７に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１ないし請求項１８のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法により得られるコンデンサ内蔵多層配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサを有するコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法及びそれにより得られるコンデンサ内蔵多層配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器は小型化・高機能化の要求が益々高まっている。機器の高機能化に伴い、搭載する半導体チップやコンデンサをはじめとする受動素子などの電子部品点数は増加し、搭載基板の微細配線化など従来の高密度化技術では小型化への対応が非常に困難となってきている。そこで、より効率的な実装を行うため搭載部品の一部を配線板内部に内蔵化する必要性が出てきた。
【０００３】
この中で、コンデンサの基板内蔵化では無機フィラーを用いた樹脂コンポジット材料を用いる方法と無機薄膜材料を用いる方法の２つが提案されている。樹脂コンポジット材料を用いる方法では、従来の配線板製造プロセスで対応できるため、生産性や設備コストの面で優れている。しかしながら、樹脂自体の比誘電率が低いことなどから発現できる容量密度が比較的小さいという欠点があり、用途としてはインピーダンスのマッチング用など特定の範囲に限られていた。一方、無機薄膜を用いる方法では、膜厚を薄くすることによって高い容量密度が得られるため、デカップリングコンデンサをはじめとして幅広い用途に適用できることがメリットである。無機薄膜を形成する方法としては、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ゾル−ゲル法などを用いることができ、形成した薄膜は任意のサイズにパターニングすることで所望の容量を有するコンデンサを得ることができる。
【０００４】
薄膜をパターニングする方法としてはイオンビーム法やＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法を用いることができるが、いずれもドライプロセスであるため設備コストが高く、また生産性が低いという欠点があった。より経済的な手段としては溶液によるウェットエッチング法がある。これはエッチャントを用いて化学的に薄膜を除去する方法であり、一般にフッ酸が用いられるのが主流であった（例えば、特許文献１）。しかし、フッ酸は反応性が高いことから取扱いに注意が必要で、通常の配線板プロセスに適用するのは難しい。そこでフッ酸に代わるエッチャントの検討がこれまでになされており、アンモニア、過酸化水素、水系の溶液で薄膜をエッチングする方法（例えば、特許文献２）、ＥＤＴＡ、アンモニア、過酸化水素、水系の溶液で薄膜をエッチングする方法（例えば、特許文献３）などが提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特許第３１６９６５４号公報
【特許文献２】特許第３２４５５６４号公報
【特許文献３】特開平７−５７９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２、３に提案されているエッチャントはアルカリ性であるため、エッチングによってパターニングを行う場合、エッチングレジストには耐アルカリ性のエッチングレジスト、例えば、ゴム系エッチングレジストなどを用いる必要があった。このようなエッチングレジストでは現像液や剥離液に特殊な薬品や溶剤を用いていることから専用の設備を設ける必要があり、設備コストの増加や大型基板への適用が難しいことが問題となっていた。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みなされ、プリント配線板の製造プロセスに容易に適用でき、かつ経済性に優れる誘電体薄膜のパターニング方法を提供し、それを用いるコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法及びそれにより得られるコンデンサ内蔵多層配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、［１］金属箔の片面に膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられ、かつ、誘電体薄膜が設けられた反対面の金属箔に絶縁材料が積層されたコンデンサ用基板を用い、（１）コンデンサ用基板表面の誘電体薄膜上にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、（２）少なくともコンデンサ用基板表面の前記金属層が形成されたパターンを含む誘電体薄膜上にエッチングレジストを形成する工程と、（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程と、（４）エッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有する工程によりコンデンサ内蔵多層配線板用材料を作製し、該コンデンサ内蔵多層配線板用材料の少なくとも片面上に絶縁層を介して１層又は２層以上の配線層を形成するコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【０００９】
また、本発明は、［２］高圧水洗に用いるセラミック粒子の平均粒径が１０〜５０μｍであることを特徴とする上記［１］に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１０】
また、本発明は、［３］高圧水洗に用いるセラミック粒子の硬度が７〜１３であることを特徴とする上記［１］又は上記［２］に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１１】
また、本発明は、［４］高圧水洗に用いるセラミック粒子が、金属酸化物を第一成分とすることを特徴とする上記［１］ないし上記［３］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、［５］高圧水洗の水圧が０．１〜１ＭＰａであることを特徴とする上記［１］ないし上記［４］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１３】
また、本発明は、［６］（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程の後工程として、超音波洗浄を行うことを特徴とする上記［１］ないし上記［５］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１４】
また、本発明は、［７］（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程の前工程として、溶液により酸洗浄を行うことを特徴とする上記［１］ないし上記［６］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１５】
また、本発明は、［８］酸洗浄に用いる溶液が、塩酸を含むことを特徴とする上記［７］に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１６】
また、本発明は、［９］エッチングレジストとして感光性ドライフィルムを用いることを特徴とする上記［１］ないし上記［８］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１７】
また、本発明は、［１０］感光性ドライフィルムの膜厚が、感光性ドライフィルムによって形成されたエッチングレジストにより保護されるコンデンサ電極となる金属層の厚みの１〜３倍であることを特徴とする上記［９］に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１８】
また、本発明は、［１１］誘電体薄膜と金属箔との間または誘電体薄膜の表面に、保護用の金属膜を形成したことを特徴とする上記［１］ないし上記［１０］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００１９】
また、本発明は、［１２］保護用の金属膜が、酸化保護皮膜または自己酸化皮膜である上記［１１］に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００２０】
また、本発明は、［１３］誘電体薄膜が、チタン酸ジルコン酸鉛又はチタン酸バリウムのいずれか１種以上を含む積層体からなる膜であることを特徴とする上記［１］ないし上記［１２］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００２１】
また、本発明は、［１４］誘電体薄膜が、結晶性の構造である層を含むことを特徴とする上記［１］ないし上記［１３］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００２２】
また、本発明は、［１５］誘電体薄膜が、非結晶性の構造である層を含むことを特徴とする上記［１］ないし上記［１３］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００２３】
また、本発明は、［１６］誘電体薄膜が、結晶性の箇所と非結晶性の箇所が分布した構造である層を含むことを特徴とする上記［１］ないし上記［１３］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００２４】
また、本発明は、［１７］結晶性の箇所が粒径が１００ｎｍ以下の粒状の構造であることを特徴とする上記［１４］又は［１６］に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００２５】
また、本発明は、［１８］誘電体薄膜の体積に対して、結晶性の箇所が５０〜７０体積％であることを特徴とする上記［１６］又は上記［１７］に記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法である。
【００２６】
また、本発明は、［１９］上記［１］ないし上記［１８］のいずれかに記載のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法により得られるコンデンサ内蔵多層配線板である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によって、従来のプリント配線板製造プロセスへの適用が容易で、かつ経済性に優れる誘電体薄膜のパターニング方法を用いたコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法を提供でき、また、それにより得られたコンデンサ内蔵多層配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法は、金属箔３の片面にかつ、膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜１が設けられ、かつ、誘電体薄膜１が設けられた反対面の金属箔３に絶縁材料４が積層されたコンデンサ用基板を用い（図２の（ｂ）参照）、（１）コンデンサ用基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程と、（２）少なくともコンデンサ用基板表面の前記金属層が形成されたパターンを含む誘電体薄膜上にエッチングレジストを形成する工程と、（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程と、（４）エッチング後にエッチングレジストを除去する工程とを有する工程によりコンデンサ内蔵多層配線板用材料を作製し、該コンデンサ内蔵多層配線板用材料の少なくとも片面上に絶縁層を介して１層又は２層以上の配線層を形成する製造方法である。
【００２９】
本発明の製造方法において用いるコンデンサ用基板は、金属箔の片面に膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜が設けられ、かつ、誘電体薄膜が設けられた反対面の金属箔に絶縁材料が積層されたものであれば良く、その他の構造については特に制限はない。例えば、（ａ）絶縁材料と、その片面又は両面に設けられた本発明で用いる金属箔の片面に誘電体薄膜が設けられ金属箔のみからなるコンデンサ用基板、（ｂ）絶縁材料と、その片面に設けられた本発明で用いる金属箔の片面に誘電体薄膜が設けられ金属箔と、絶縁材料の他の面に設けられた金属層からなるコンデンサ用基板、（ｃ）絶縁材料と、その片面に設けられた本発明で用いる金属箔の片面に誘電体薄膜が設けられ金属箔と、絶縁材料の他の面に設けられた多層配線層からなるコンデンサ用基板等が挙げられる。
【００３０】
また、本発明において、上記（１）〜（４）の工程を含む限り、製造方法の工程に特に制限はない。例えば、コンデンサ用基板（ａ）を用いた場合には、工程（４）の後、コンデンサ用基板の金属箔を公知の方法によって誘電体薄膜下のコンデンサ電極を含む形状の回路に形成し、その後、コンデンサ用基板の少なくとも片面上に公知の方法によって絶縁層を介して１層又は２層以上の配線層を形成することにより、コンデンサ内蔵多層配線板を製造することができる。
【００３１】
また、コンデンサ用基板（ｂ）を用いた場合には、工程（４）の後、コンデンサ用基板の金属箔を公知の方法によって誘電体薄膜下のコンデンサ電極を含む形状の回路に形成し、絶縁材料の他の面上の金属層を回路形成し、必要に応じてその後、コンデンサ用基板の少なくとも片面上に公知の方法によって絶縁層を介して１層又は２層以上の配線層を形成することにより、コンデンサ内蔵多層配線板を製造することができる。
【００３２】
コンデンサ用基板（ｃ）を用いた場合には、工程（４）の後、コンデンサ用基板の金属箔を公知の方法によって誘電体薄膜下のコンデンサ電極を含む形状の回路に形成し、絶縁材料の他の面上の多層配線層の導電層を回路形成し、必要に応じてその後、コンデンサ用基板の少なくとも片面上に公知の方法によって絶縁層を介して１層又は２層以上の配線層を形成することにより、コンデンサ内蔵多層配線板を製造することができる。
【００３３】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法において、誘電体薄膜上に形成される金属層の金属としては、銅、銀、ニッケルなどを用いることができ、通常、銅が用いられる。
【００３４】
また、本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法において、エッチングされる膜厚が０．０５〜２μｍの誘電体薄膜は、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸鉛、チタン酸ビスマス、二酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸鉛のいずれか、あるいはこれらのいずれか１種以上を含む固溶体、あるいは、これらのいずれか１種以上を含む積層体からなる膜であることが好ましい。なかでも、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウムのいずれか１種以上を含む積層体からなる膜がより好ましい。これらの膜は高い比誘電率を有することからコンデンサ材料として適しており、高圧水洗によりエッチングが可能なことから優れた特性と経済性を有するコンデンサが作製可能である。また任意のサイズにパターニングすることで所望のコンデンサを得ることができる。
【００３５】
誘電体薄膜の比誘電率は、１０〜２０００が好ましく、２０〜１０００がより好ましく、５０〜２００がさらに好ましい。誘電体薄膜の比誘電率が１０未満であると、容量密度が低くなり、十分な特性が得られない場合がある。また、２０００を超えると、安定した膜の特性を得ることが困難となる傾向にある。
【００３６】
誘電体薄膜の膜厚が０．０５μｍ未満であると、リーク電流により絶縁性の確保が困難となり、２μｍを超えると不経済である。好ましくは０．１〜１μｍである。
【００３７】
誘電体薄膜の構造としては、結晶性の構造である層を含むことが出来る。結晶性の構造である層は、比誘電率が高いこと、耐薬品性に優れていることが特長であり好ましい。誘電体薄膜の構造としては、非結晶性の構造である層を含むことが出来る。非結晶性の構造である層は、結晶性の構造である層に対して相対的に硬さが低いため、高圧水洗による加工を効率的に行うことが可能であり、好ましい。
【００３８】
誘電体薄膜の構造としては、結晶性の箇所と非結晶性の箇所が分布した構造である層を含むことが出来る。結晶性の箇所は比誘電率を高めることに効果があり、非結晶性の箇所は結晶性の構造である層に対して相対的に硬さが低いため、高圧水洗による加工性を高めることに効果がある。結晶性の箇所と非結晶性の箇所は均一に分布した構造であることが好ましい。均一な比誘電率と加工性を得ることに有効である。また、結晶性の箇所は粒径１００ｎｍ以下の粒状の構造であることが好ましい。１００ｎｍを超えると、厚みのむらやナノレベルでの特性において、均一な誘電体薄膜を得ることが難しいためである。さらに、結晶性の箇所が５０〜７０体積％であることが好ましい。５０体積％未満では、比誘電率を高める効果に乏しく、７０体積％を超えると加工性が低下してくるためである。
【００３９】
また、誘電体薄膜の構造としては、結晶性の構造である層、非結晶性の構造である層、及び結晶性の箇所と非結晶性の箇所が分布した構造の３種類に関して、任意の複層構造を有することが出来る。耐薬品性や加工性などを考慮して、最適な構造を得ることが出来る。
【００４０】
誘電体薄膜と金属箔との間や誘電体薄膜の表面には、保護用の金属膜を設けることが好ましい。電気的な特性と経済性を考慮した場合、金属箔や金属層には銅を用いることが多い。しかし、銅の表面に金属酸化物の誘電体薄膜を直接形成すると、金属酸化物から銅に酸素が供給されて界面に酸化銅が発生し、密着性を低減させる。したがって、金属酸化物から供給される酸素を遮断し、かつ、銅との密着性を確保する酸化保護皮膜を形成することが好ましい。金属箔や金属層の酸化保護皮膜となる金属として、白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、インジウムなどの保護用の金属膜が挙げられる。あるいは、金属酸化物の誘電体薄膜から供給される酸素を遮断し、かつ銅との密着性を確保する自己酸化皮膜を形成することが好ましい。保護用の金属膜として、安定した自己酸化皮膜を形成する金属には、クロム、モリブデン、チタン、ニッケルなどが挙げられる。
【００４１】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法において、コンデンサ用基板の絶縁材料としては、絶縁性を有するものであれば特に制限はなく、例えば、樹脂とガラス織布又はガラス不織布からなる絶縁材料、樹脂と無機フィラーのみからなる絶縁材料、樹脂とセルロースや合成樹脂などの紙からなる絶縁材料、樹脂のみからなるシート、フィルム等が挙げられる。通常、樹脂とガラス織布又はガラス不織布からなる絶縁材料を用いることが好ましい。コンデンサ用基板を加熱処理する場合、高温において、コンデンサ用基板の剛性を確保することが必要である。したがって、樹脂と無機フィラーのみからなる絶縁材料や樹脂とセルロースや合成樹脂などの紙からなる絶縁材料等を用いるよりも、樹脂とガラス織布又はガラス不織布からなる絶縁材料を用いることが好ましい。また、耐熱性の高いフッ素樹脂やポリエーテルエーテルケトンなどの熱可塑性樹脂、ポリイミドやポリアミドイミドなどの熱硬化性樹脂のシート、フィルムを用いることも可能であるが、経済性を考慮して選択する。織布や不織布の材質は、高温における剛性の高い、すなわち弾性率の高いものであれば限定するものではなく、Ｄガラス、ＥガラスやＳガラスなどが使用可能である。
【００４２】
樹脂とガラス織布又はガラス不織布からなる絶縁材料に用いられる樹脂は、熱硬化性樹脂で、そのガラス転移点温度が１７０℃以上であることが好ましい。熱硬化性樹脂とガラス織布又はガラス不織布からなる絶縁材料を用いたコンデンサ用基板は加工性や経済性に優れており、さらに、内蔵受動素子以外の各種素子を実装する工程においては、はんだリフロー等が用いられるため、剥離や変質などを抑制するために高いガラス転移点を有する材料を用いると有利である。ガラス転移点温度が１７０℃以上である熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、変性トリアジン樹脂、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、変性シアネートエステル樹脂などを用いることができるが、制限するものではない。エポキシ樹脂を用いた絶縁材料材料としては、市販のものとして、ＭＣＬ−Ｅ−６７９、ＭＣＬ−Ｅ−６７９Ｆ（以上、日立化成工業株式会社製、商品名）、Ｒ−１７５５、Ｒ−１５１５（以上、松下電工株式会社製、商品名）、ＥＬＣ−４７８１（以上、住友ベークライト株式会社製、商品名）、ＣＳ−３６６５、ＣＳ−３３６５Ｓ、ＣＳ−３２８７（以上、利昌工業株式会社製、商品名）などを使用できる。また、変性ポリイミド樹脂を用いた銅張積層板としては、市販のものとして、ＭＣＬ−Ｉ−６７１（日立化成工業株式会社製、商品名）、Ｒ−４７０５（松下電工株式会社製、商品名）などを使用できる。また、変性トリアジン樹脂を用いた銅張積層板としては、市販のものとして、ＣＣＬ−８３０、ＣＣＬ−８３２、ＣＣＬ−８３２ＨＳ（以上、三菱ガス化学株式会社製、商品名）などを使用できる。また、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を用いた銅張積層板としては、ＣＳ−３３７６Ｂ（以上、利昌工業株式会社製、商品名）、ＴＬＣ−Ｗ−５９６（京セラケミカル株式会社製、商品名）などを使用できる。上記の各々の銅張り積層板に対応する多層化絶縁材料（プリプレグ）も、各メーカから市販されており、用いることが可能である。
【００４３】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法における工程の(１)コンデンサ用基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程のコンデンサ電極となる金属層を形成する方法としては、誘電体薄膜上にめっき銅を全面に行った後、エッチングにより形成する方法、めっきレジスト形成後、めっき銅により形成する方法、あるいは、導電ペーストを用いた印刷により形成する方法などが挙げられる。
【００４４】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法における工程の(３)セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程で行うセラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗による誘電体薄膜のエッチングは、ドライプロセスによるエッチングに比べ生産性に優れている。また、大型基板にも対応できるため経済的である。さらには、通常のフォトリソプロセスで使用するアルカリ現像型のエッチングレジストを使用できるため、専用の設備を設ける必要がなく、特殊な薬液も使用せず安価であり、かつ効率良く誘電体薄膜をエッチングして薄膜パターニングを行うことが可能である。
【００４５】
誘電体薄膜の加工のためにセラミック粒子を含む水系処理液に用いるセラミック粒子には、平均粒径が１０〜５０μｍであるものを用いると好ましい。平均粒径が５０μｍを超えると、誘電体薄膜の加工が不均一になり、エッチング残りやパターン形成に劣る。また、平均粒径が１０μｍ未満であると、粒子の運動エネルギーが低く、加工性に劣る。好ましくは、平均粒径が、２０〜４０μｍのセラミック粒子を用いると、パターン形成性と加工性の両立に優れる。高精細なパターンを形成する際には、１０〜３０μｍが好ましい。
【００４６】
水系処理液に用いるセラミック粒子の硬度は、７〜１３であることが好ましい。セラミック粒子の硬度が７未満であると、加工性に劣る。また、硬度が１３を超えると、誘電体薄膜と接した金属へのダメージが大きく、加工安定性に劣る。さらに好ましくは、１０〜１２である。ここで、セラミック粒子の硬度は１５段階モース硬度計で測定した値をいう。
【００４７】
セラミック粒子には、金属酸化物の材質を用いることが経済的な観点から好ましい。硬度が７〜１３を示す金属酸化物のセラミック粒子には、シリカガラス（ＳｉＯ２）、石英（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、ケイ酸ジルコニウム（ＺｒＳｉＯ４）などが挙げられ、２以上を併用することもできる。セラミック粒子には、金属酸化物を第一成分とすることが好ましい。第一成分は成分中で多数を占めるもので、それ以外の成分として金属酸化物以外の充填材として知られている固形粉、界面活性剤、カップリング剤、消泡剤、滑剤等を用いることができる。このような材料として、市販のものとして、Ａ７００（株式会社フジミインコーポテッド製、商品名）などを使用できる。
【００４８】
セラミック粒子と水との混合割合は、使用するセラミック粒子の種類、誘電体薄膜の種類、エッチング条件等で変化するので予め実験等で決めておくことが好ましい。通常は、重量比で、セラミック粒子：水＝１０〜７０：１００である。
【００４９】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法における高圧水洗による誘電体薄膜エッチング時の水圧は、０．１〜１ＭＰａである。水圧が０．１未満であると、加工性に劣る。水圧が１ＭＰａを超えると加工安定性に劣る。好ましくは、０．２〜０．４ＭＰａである。
【００５０】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法における工程の(３)セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程の後工程として、超音波洗浄を行うことが好ましい。超音波洗浄を行うことにより、基板上に付着したセラミック粒子を効率的に落とすことが出来る。
【００５１】
本発明の製造方法における工程の(３)セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程の前工程として、溶液により酸洗浄を行うことが好ましい。洗浄することにより、均一な誘電体薄膜加工を可能とすることが出来る。また、酸洗浄に用いる溶液には、硫酸、塩酸、りん酸、硝酸及び酢酸などからなる群から選ばれる少なくとも１つの酸を含む溶液を用いることが好ましく、塩酸を含む溶液を用いることがより好ましい。
【００５２】
本発明のコンデンサ内蔵多層配線板の製造方法における工程の(２)、少なくともコンデンサ用基板表面の前記金属層が形成されたパターンを含む誘電体薄膜上にエッチングレジストを形成する工程では、コンデンサ電極となる金属層上にエッチングレジストが形成されていればよい。エッチングレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムやアルカリ現像型レジストインクなどが使用できるが、感光性ドライフィルムを用いることが好ましい。感光性ドライフィルムは、プリント配線板製造プロセスで最も汎用なエッチングレジスト材である。低コストなエッチングレジスト形成が可能なばかりでなく、作業性にも非常に優れている。使用するエッチングレジストは特に限定されるものではないが、例えばＦＸ１４０（デュポンＭＲＣドライフィルム株式会社製、商品名）、ＮＩＴ２４０（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）、Ｈ−９３４０（日立化成工業株式会社製、商品名）などを用いることができる。なお、市販のアルカリ現像型レジストインクとしては、ＰＥＲ−２０（太陽インキ製造株式会社製、商品名）などが挙げられる。エッチングレジストを、コンデンサ用基板表面のコンデンサ電極となる金属層上と誘電体薄膜上に形成し、回路パターンを焼き付け、さらに現像を行う。なお、現像には有機溶剤を使用しない炭酸ナトリウム水溶液、エッチングレジストの剥離には水酸化ナトリウム水溶液等の水系現像・剥離液を用いることができ、環境に対する負荷が小さいことも特長である。また、スクリーン印刷などで、インク状エッチングレジストを用い、コンデンサ電極となる金属層上のみに、エッチングレジストを形成しても良い。
【００５３】
感光性ドライフィルムを用いる場合、その膜厚は、コンデンサ電極となる金属層の１〜３倍の厚みであることが好ましい。保護される金属層の厚みより薄い場合では、金属層と被エッチング層表面の段差の埋込み性が悪くボイドが発生し、エッチング不良を招きやすい。また、３倍を超えると、エッチング性が低下するためパターンの微細化が困難となる。さらに望ましくは金属層の２〜３倍とすることである。２〜３倍とすることで、段差に対して良好な追従性を有し、かつエッチング性にも優れる。
【実施例】
【００５４】
以下に、本発明の実施の形態を、実施例と図面を用いて具体的に述べる。なお、本発明は、以下の実施例に制限されるものではない。
コンデンサ用金属箔材料（１）
厚み３５μｍの銅箔（金属箔３）ＥＣ−ＶＬＰ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の光沢表面側にＤＣスパッタリング法により、２μｍのニッケル薄膜を形成した。さらにその表面に強誘電体薄膜形成材料ＰＺＴ（関東化学株式会社、商品名）をスピンコートを用いて塗布し、温度３５０℃で加熱時間４分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度６００℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのチタン酸ジルコン酸鉛（以下、ＰＺＴと略す）薄膜を形成した。このようにして、銅箔（金属箔３）の片面に、ニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）を介してＰＺＴ薄膜（誘電体薄膜１）を設けたコンデンサ用金属箔材料（１）を作製した（図１の（ａ）参照）。このようにして得られたＰＺＴ薄膜は、結晶性の構造を有し、その比誘電率は１５０であった。
【００５５】
コンデンサ用金属箔材料（２）
厚み３５μｍの銅箔（金属箔３）ＥＣ−ＶＬＰ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の光沢表面側にＤＣスパッタリング法により、０．４μｍのニッケル薄膜を形成した。さらにその表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ０．５μｍのＰＺＴ薄膜を形成した。このようにして、銅箔（金属箔３）の片面に、ニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）を介してＰＺＴ薄膜（誘電体薄膜１）を設けたコンデンサ用金属箔材料（２）を作製した（図１の（ａ）参照）。このようにして得られたＰＺＴ薄膜は、非結晶性の構造を有し、その比誘電率は７０であった。
【００５６】
コンデンサ用金属箔材料（３）
チタン酸バリウム（以下、ＢＴＯと略す）ナノ粒子（戸田工業株式会社製、平均粒径２０ｎｍ）３ｇを０．２ＭのＢＴＯ前駆体溶液４３．５ｇ（バリウムテトライソプロポキシド２２．５ｇ、チタンテトライソプロポキシド２１．０ｇ）と２―メトキシエタノール６１．５ｇの混合液に加え、超音波を用いて分散し、ＢＴＯ濃度０．２Ｍのナノ粒子を添加した前駆体溶液を得た。なお、ＢＴＯナノ粒子は、水を媒体とするスラリーを遠心分離し、沈降させた粒子を回収してエタノール中に分散し、再度遠心分離して沈降させ回収したものを用いた。
【００５７】
厚み３５μｍの銅箔（金属箔３）ＥＣ−ＶＬＰ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の光沢表面側にＤＣスパッタリング法により、０．４μｍのニッケル薄膜を形成した。さらにその表面に、上記溶液をスピンコートを用いて塗布し、温度３５０℃で加熱時間４分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに５回繰り返し、その後に温度３５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．５μｍのＢＴＯ薄膜を形成した。このようにして、銅箔（金属箔３）の片面に、ニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）を介してＢＴＯ薄膜（誘電体薄膜１）を設けたコンデンサ用金属箔材料（３）を作製した（図１の（ａ）参照）。このようにして得られたＢＴＯ薄膜は、結晶性の構造を有し、結晶性の箇所と非結晶性の箇所が分布した構造を有し、その比誘電率は６０であった。また、結晶性の箇所は平均粒径２０ｎｍであり、その比率は６０体積％であった。
【００５８】
コンデンサ金属箔材料（４）
厚み３５μｍの銅箔（金属箔３）ＥＣ−ＶＬＰ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の光沢表面側にＤＣスパッタリング法により、０．４μｍのニッケル薄膜を形成した。さらにその表面に、コンデンサ金属箔材料（３）に用いた溶液を、スピンコートを用いて塗布し、温度３５０℃で加熱時間４分間のプリベークを行った。その後に温度３５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ０．１μｍのＢＴＯ薄膜を形成した。このようにして、銅箔（金属箔３）の片面に、ニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）を介してＢＴＯ薄膜（誘電体薄膜１）を設けたコンデンサ金属箔材料（４）を作製した（図１の（ａ）参照）。このようにして得られたＢＴＯ薄膜は、結晶性の構造を有し、結晶性の箇所と非結晶性の箇所が分布した構造を有し、その比誘電率は６０であった。また、結晶性の箇所は平均粒径２０ｎｍであり、その比率は６０体積％であった。
【００５９】
コンデンサ金属箔材料（５）
厚み３５μｍの銅箔（金属箔３）ＥＣ−ＶＬＰ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の光沢表面側にＤＣスパッタリング法により、０．４μｍのニッケル薄膜を形成した。さらにその表面に、コンデンサ金属箔材料（３）に用いた溶液を、スピンコートを用いて塗布し、温度３５０℃で加熱時間４分間のプリベークを行った。塗布とプリベークをさらに１１回繰り返し、その後に温度３５０℃で加熱時間１時間の熱処理を行って、厚さ１μｍのＢＴＯ薄膜を形成した。このようにして、銅箔（金属箔３）の片面に、ニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）を介してＢＴＯ薄膜（誘電体薄膜１）を設けたコンデンサ金属箔材料（５）を作製した（図１の（ａ）参照）。このようにして得られたＢＴＯ薄膜は、結晶性の構造を有し、結晶性の箇所と非結晶性の箇所が分布した構造を有し、その比誘電率は６０であった。また、結晶性の箇所は平均粒径２０ｎｍであり、その比率は６０体積％であった。
【００６０】
コンデンサ金属箔材料（６）
厚み３５μｍの銅箔（金属箔３）ＥＣ−ＶＬＰ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の光沢表面側にＤＣスパッタリング法により、０．４μｍのニッケル薄膜を形成した。さらにその表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ０．０４μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜を形成した。このようにして、銅箔（金属箔３）の片面に、ニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）を介してＰＺＴ薄膜（誘電体薄膜１）を設けたコンデンサ内蔵多層配線板用金属箔材料（６）を作製した（図１の（ａ）参照）。このようにして得られたＰＺＴ薄膜は、非結晶性の構造を有し、その比誘電率は７０であった。
【００６１】
コンデンサ金属箔材料（７）
厚み３５μｍの銅箔（金属箔３）ＥＣ−ＶＬＰ（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の光沢表面側にＤＣスパッタリング法により、０．４μｍのニッケル薄膜を形成した。さらにその表面にチタンテトライソプロポキシド、ジルコンテトラターシャリーブトキシド、ジピバロイルメタン鉛錯体、二酸化窒素を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤにより、基材温度３５０℃の条件下で厚さ２．２μｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜を形成した。このようにして、銅箔（金属箔３）の片面に、ニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）を介してＰＺＴ薄膜（誘電体薄膜１）を設けたコンデンサ内蔵多層配線板用金属箔材料（７）を作製した（図１の（ａ）参照）。このようにして得られたＰＺＴ薄膜は、非結晶性の構造を有し、その比誘電率は７０であった。
【００６２】
［実施例１］
コンデンサ用金属箔材料（１）の銅箔（金属箔３）表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。この銅箔（金属箔３）表面に絶縁樹脂基材（絶縁材料４）となる厚み１００μｍのガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）を介して、厚み１８μｍの銅箔５ＧＴＳ−１８（古河サーキットフォイル株式会社、商品名）を配し、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化し、コンデンサ用基板を得た（図２の（ｂ）参照）。さらに、そのＰＺＴ薄膜（誘電体薄膜１）表面にＤＣスパッタリング法により、０．０５μｍのニッケル膜６を形成した（図２の（ｃ）参照）。
【００６３】
次に、このコンデンサ用基板の銅箔５表面にドライフィルムレジストＨ−９３３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。そして、不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所に直径０．１ｍｍの窓穴７を形成し、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジストを剥離した（図２の（ｄ）参照）。続いて、窓穴７の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴８明けを行った（図２の（ｅ）参照）。
【００６４】
その後、超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去した。本発明の（１）コンデンサ用基板表面の誘電体薄膜上の所定の位置にコンデンサ電極となる金属層を形成する工程として上記のニッケル膜６の形成も含め以下を行った。公知の方法により触媒付与、密着促進処理後無電解銅めっきを行い、コンデンサ用基板の表面に０．５μｍの銅薄膜を形成した。さらに、電気銅めっきを行い、内層の回路導体とコンデンサ用基板表面の導体層とを電気的に接続するめっき銅９からなる金属層を１５μｍ形成した（図２の（ｆ）参照）。続いて、このコンデンサ用基板の表面に、膜厚３０μｍのドライフィルムレジストＨ−９３３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。さらに、塩化第二鉄水溶液を用いて不要なめっき銅９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジストを剥離し、ニッケルエッチング液トップリップＡＺ（奥野製薬工業株式会社製、商品名）を用いてニッケル膜６をエッチング除去して、コンデンサ電極Ａ１０（金属層）のパターンを形成した（図２の（ｇ）参照）。
【００６５】
次に、本発明の（２）少なくともコンデンサ用基板表面の前記金属層が形成されたパターンを含む誘電体薄膜上にエッチングレジストを形成する工程として、このコンデンサ用基板のコンデンサ電極Ａ１０側に、エッチングレジスト１１となる膜厚４０μｍのドライフィルムレジストＨ−９３４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、コンデンサ電極Ａ１０上にエッチングレジスト１１を形成した（図２の（ｈ）参照）。この時のドライフィルムレジストの厚みは、電極Ａ１０の厚みの２．６であった。続いて、本発明の（３）セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程として、セラミック粒子として平均粒径３０μｍのアルミナを含む水系処理液（アルミナ２０重量％含有、硬度１２）を用いた高圧水洗を行った。このときの水圧は０．３ＭＰａであり、処理時間は６分間であった。その後、超音波洗浄（周波数２８ｋＨｚ）を２分間行った。さらにニッケルエッチング液トップリップＡＺ（奥野製薬工業株式会社製、商品名）を用いてニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）をエッチング除去して（図２の（ｉ）参照）、本発明の（４）エッチング後にエッチングレジストを除去する工程として水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジスト１１を剥離した（図２の（ｊ）参照）。
【００６６】
このコンデンサ用基板にドライフィルムレジストＨ−９３４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。続いて、塩化第二鉄水溶液にて不要な銅箔（金属箔３）、不要な銅箔５及びその上のめっき銅９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジストを剥離し、銅箔（金属箔３）から形成されたコンデンサ電極Ｂ１２を含む回路パターンを形成してコンデンサ内蔵多層配線板用材料を作製した（図２の（ｋ）参照）。
【００６７】
このコンデンサ内蔵多層配線板用材料の回路表面に、多層化接着前処理として、有機酸系マイクロエッチング剤ＣＺ−８１００Ｂ（メック株式会社製、商品名）による粗化処理を行った。
【００６８】
そして、下記の（１）から（５）の材料を積層一体化した。
（１）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）、（２）厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ（日立化成工業株式会社製、商品名）、（３）上記で作製したコンデンサ内蔵多層配線板用材料、（４）厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ、（５）３５μｍキャリア銅箔付き厚み３μｍの銅箔ＭＴ３５Ｓ３（三井金属鉱業株式会社製、商品名）の順に重ね、温度１７０℃、圧力１．５ＭＰａ、加熱加圧時間６０分のプレス条件で積層一体化することにより、コンデンサ内蔵多層配線板用材料の両面上に、絶縁樹脂基材１３（厚み１００μｍのフィラー入りガラスエポキシプリプレグＧＥＡ−６７９Ｆ）を介して銅箔を積層した。キャリア銅箔を剥がし、不要なコンデンサ用基板端部を切断後、このコンデンサ用基板の表面にドライフィルムレジストＨ−９３３０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。次に不要な銅箔を塩化第二鉄水溶液を用いてエッチング除去して、所望の箇所に直径０．１５ｍｍの窓穴を形成した。
【００６９】
この窓穴の箇所に三菱電機株式会社製ＭＬ５０５ＧＴ型炭酸ガスレーザを用いて、出力パワー２６ｍＪ、パルス幅１００μｓ、ショット数４回の条件でレーザ穴明けを行った。超音波洗浄とアルカリ過マンガン酸液で炭化した樹脂カスを除去後、公知の方法により洗浄触媒付与、密着促進後無電解銅めっきを行い、レーザ穴内壁と銅箔表面に約２０μｍの無電解めっき銅の層を形成した。この回路板表面のパッドや回路パターンなど必要な箇所にドライフィルムレジストＨ−９３３０（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いてエッチングレジストを形成し、不要な銅をエッチング除去して、銅箔及びめっき銅から形成された外層回路を形成した。
【００７０】
この回路板表面にソルダーレジストＰＳＲ−４０００  ＡＵＳ５（太陽インキ製造株式会社製、商品名）をロールコータで３０μｍ塗布、乾燥後に露光・現像して所望の箇所にソルダーレジスト１４を形成した。その後、３μｍの無電解ニッケルめっきと０．１μｍの無電解金めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき）を外層回路パターン露出部表面層に形成して、コンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２の（Ｉ）参照）。
【００７１】
［実施例２］
コンデンサ用金属箔材料（１）をコンデンサ用金属箔材料（２）に替え、高圧水洗の水圧を０．２ＭＰａ、その処理時間を５分間とした以外は、実施例１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７２】
［実施例３］
コンデンサ用金属箔材料（１）をコンデンサ用金属箔材料（３）に替え、高圧水洗の水圧を０．２ＭＰａ、その処理時間を５分間とした以外は、実施例１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７３】
［実施例４］
高圧水洗の処理の前に１０重量％塩酸溶液で１分間薄膜表面を処理し、高圧水洗の処理時間を２分間とした以外は、実施例３と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７４】
［実施例５］
コンデンサ金属箔材料（１）をコンデンサ金属箔材料（４）に替え、高圧水洗の水圧を０．２ＭＰａ、その処理時間を２分間とした以外は、実施例１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７５】
［実施例６］
コンデンサ金属箔材料（１）をコンデンサ金属箔材料（５）に替え、高圧水洗の処理時間を５分間とした以外は、実施例４と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７６】
［実施例７］
セラミック粒子を含む水系処理液を用いた高圧水洗によって誘電体薄膜をエッチングする工程に用いるセラミック粒子として平均粒径３０μｍのシリカガラスを含む水系処理液（シリカガラス２０重量％含有、硬度７）を用いた高圧水洗を行った。このときの水圧は０．３ＭＰａであり、処理時間は１０分間とした以外は、実施例１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７７】
［実施例８］
高圧水洗の水圧を０．６ＭＰａ、その処理時間を３分間とした以外は、実施例３と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７８】
［実施例９］
高圧水洗の水圧を０．８ＭＰａ、その処理時間を３分間とした以外は、実施例３と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００７９】
［実施例１０］
高圧水洗の水圧を１．２ＭＰａ、その処理時間を１分間とした以外は、実施例３と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００８０】
［実施例１１］
高圧水洗の水圧後の超音波洗浄を除いた以外は、実施例３と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００８１】
［比較例１］
実施例１と同様にして、コンデンサ電極Ａ１０（金属層）のパターンを形成した（図２の（ｇ）参照）。そして、このコンデンサ用基板のコンデンサ電極Ａ１０側にエッチングレジスト１１となる溶剤現像型レジストＡＺ９２４５（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）を１２μｍ塗布し、１１０℃で１０分間プリベークした後所望のポジパターンを露光して１２０℃で１０分間乾燥し、ＡＺ４００Ｋデベロッパー（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にて現像してエッチングレジスト１１を形成した（図２の（ｈ）参照）。続いて、２０重量％重フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）水溶液を用いて２０℃でＰＺＴ薄膜１をエッチング除去し、ニッケルエッチング液トップリップＡＺ（奥野製薬工業株式会社製、商品名）を用いてニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）をエッチング除去して（図２の（ｉ）参照）、ＡＺリムーバー７００（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にてエッチングレジスト１１を剥離した（図２の（ｊ）参照）。
【００８２】
このコンデンサ用基板にドライフィルムレジストＨ−９３４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。続いて塩化第二鉄水溶液にて不要な銅箔（金属箔３）、不要な銅箔５及びその上のめっき銅９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジストを剥離し、銅箔（金属箔３）から形成されたコンデンサ電極Ｂ１２を含む回路パターンを形成してコンデンサ内蔵多層配線板用材料を作製した（図２の（ｋ）参照）。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用い、その後、実施例１と同様な工程によってコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２の（ｌ）参照）。
【００８３】
［比較例２］
実施例１と同様にして、コンデンサ電極Ａ１０（金属層）のパターンを形成した（図２の（ｇ）参照）。そして、このコンデンサ用基板のコンデンサ電極Ａ１０側にエッチングレジスト１１となる溶剤現像型レジストＡＺ９２４５（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）を１２μｍ塗布し、１１０℃で１０分間プリベークした後、所望のポジパターンを露光して１２０℃で１０分間乾燥し、ＡＺ４００Ｋデベロッパー（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にて現像してエッチングレジスト１１を形成した（図２の（ｈ）参照）。
【００８４】
続いて、ＣＦ４ガスを用いたＲＩＥ法によってＰＺＴ薄膜（誘電体薄膜１）とニッケル薄膜（自己酸化皮膜２）をエッチング除去した後（図２の（ｉ）参照）、ＡＺリムーバー７００（クラリアントジャパン株式会社製、商品名）にてエッチングレジスト１１を剥離した（図２の（ｊ）参照）。このコンデンサ用基板にドライフィルムレジストＨ−９３４０（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、所望のネガパターンを露光して炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、エッチングレジストを形成した。続いて塩化第二鉄水溶液にて不要な銅箔（金属箔３）、不要な銅箔５及びその上のめっき銅９をエッチング除去した後、水酸化ナトリウム水溶液にてエッチングレジストを剥離し、銅箔（金属箔３）から形成されたコンデンサ電極Ｂ１２を含む回路パターンを形成してコンデンサ内蔵多層配線板用材料を作製した（図２の（ｋ）参照）。このコンデンサ内蔵多層配線板用材料を用い、その後、実施例１と同様な工程によってコンデンサ内蔵多層配線板を得た（図２の（ｌ）参照）。
【００８５】
［比較例３］
コンデンサ金属箔材料（１）をコンデンサ金属箔材料（６）に替え、高圧水洗の水圧を０．２ＭＰａ、その処理時間を１分間とした以外は、実施例１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００８６】
［比較例４］
コンデンサ金属箔材料（１）をコンデンサ金属箔材料（７）に替え、高圧水洗の水圧を０．２ＭＰａ、その処理時間を１分間とした以外は、実施例１と同様な工程によりコンデンサ内蔵多層配線板を得た。
【００８７】
実施例１〜１１において、誘電体薄膜のエッチング時にエッチング残渣やエッチングレジストの剥れ等はいずれのコンデンサ用基板材料にもみられず、パターニング性は良好であった。得られたコンデンサ内蔵多層配線板のコンデンサ容量は次のようにして測定した。コンデンサ容量は、インピーダンスアナライザ４２９１Ｂ（アジレントテクノロジー株式会社製、商品名）に５０Ω同軸ケーブルＳＵＣＯＦＬＥＸ１０４／１００（ＳＵＨＮＥＲ社製、商品名）を介して高周波信号測定プローブＭＩＣＲＯＰＲＯＢＥ  ＡＣＰ５０（ＧＳＧ２５０型、Ｃａｓｃａｄｅ社製、商品名）に接続した測定システムを用いた。キャパシタの電極サイズは１ｍｍ□とし１ＧＨｚの容量を測定した。この測定結果を表１に示した。
【００８８】
【表１】
2006019407.tif 000003
【００８９】
表１に示したように、実施例１〜５、７，８，１１で作製したコンデンサ内蔵多層配線板のコンデンサ容量のばらつきは、全て±１０％未満であり、均一で良好なコンデンサを作製することができた。これは従来の製造方法によって作製した比較例１〜２と同等のばらつきであり、本発明を用いても従来と同等な精度のコンデンサ内蔵多層配線が得られることがわかる。しかも、従来のＣＦ４ガスを用いたドライエッチングＲＩＥ法（比較例２）や２０重量％重フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）水溶液（比較例１）を用いたウェットエッチング法とは異なり、前述したようにアルカリ現像型のエッチングレジストを用いたウェットエッチング法であるため、従来のプリント配線板の工程に容易に適用することが可能であり、作業性及び経済性の点で優れている。なお、高圧水洗による誘電体薄膜エッチング時の水圧が、他の実施例と比べやや大きい実施例９，１０は、作製したコンデンサ内蔵多層配線板のコンデンサ容量のばらつきも、−１０〜３３％とやや大きいことがわかる。
【００９０】
なお、誘電体薄膜の膜厚が０．０４μｍの比較例３は、ショートしたため、コンデンサ容量の測定は不可能であった。また誘電体薄膜の膜厚が２．２μｍの比較例４は、誘電体薄膜の膜厚が１．０μｍの実施例６と比べ、作製したコンデンサ内蔵多層配線板のコンデンサ容量のばらつきは、やや大きく（２５％）、しかも膜厚が２μｍを超えているため不経済である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明に用いられるコンデンサ用金属箔材料の断面図である。
【図２】本発明の実施例および比較例の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１．誘電体薄膜（ＰＺＴ薄膜、またはＢＴＯ薄膜）、
２．自己酸化皮膜（ニッケル膜）、
３．金属箔（銅箔）、
４．絶縁材料（絶縁樹脂基材）、
５．銅箔、
６．ニッケル膜、
７．窓穴、
８．レーザ穴、
９．めっき銅（金属層）、
１０．コンデンサ電極Ａ（金属層）、
１１．エッチングレジスト、
１２．コンデンサ電極Ｂ、
１３．絶縁樹脂基材、
１４．ソルダーレジスト
【図１】
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【図２】
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