(57)【要約】【課題】  キャパシタンスを可能な限り低減させることによりディファレンシャル伝送特性を向上させることが可能なコイル構造体を提供する。【解決手段】  薄膜コイル３０を構成している２つのコイルパターン３１，３２の断面がいずれも左右非対称の逆台形状を有するようにコモンモードチョークコイルを構成する。２つのコイルパターン３１，３２の断面がいずれも左右非対称の逆台形状を有している構造的特徴に基づき、キャパシタンスに寄与する２つのコイルパターン３１，３２間の対向面積が可能な限り小さくなるため、薄膜コイル３０のキャパシタンスが可能な限り小さくなる。【選択図】    図１
2006019506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含む薄膜コイルであって、
前記第１のコイルパターンの断面および前記第２のコイルパターンの断面の双方が、前記下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ前記下地に近い側に位置する他方の端縁を前記一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有している
ことを特徴とする薄膜コイル。
【請求項２】
任意の巻回位置において、前記第１のコイルパターンの断面形状と前記第２のコイルパターンの断面形状とが互いに一致している
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜コイル。
【請求項３】
前記第１のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角とが互いに異なっていると共に、
前記第２のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角とが互いに異なっている
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜コイル。
【請求項４】
前記第１のコイルパターンの断面において、前記第１の内側底角よりも前記第１の外側底角が大きくなっていると共に、
前記第２のコイルパターンの断面において、前記第２の内側底角よりも前記第２の外側底角が大きくなっている
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜コイル。
【請求項５】
任意の巻回位置において、前記第１のコイルパターンの断面形状と前記第２のコイルパターンの断面形状とが互いに異なっている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜コイル。
【請求項６】
前記第１のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角とが互いに一致していると共に、
前記第２のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角とが互いに一致している
ことを特徴とする請求項５記載の薄膜コイル。
【請求項７】
２つの磁性基体の間に、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載した薄膜コイルが絶縁層を介して埋設されている
ことを特徴とするコイル構造体。
【請求項８】
所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含む薄膜コイルの製造方法であって、
前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成する工程が、
前記下地に、フォトレジストを形成する第１の工程と、
露光処理の進行度を制御しながら前記フォトレジストを選択的に露光してパターニングすることにより、前記第１のコイルパターンを形成するための第１の開口および前記第２のコイルパターンを形成するための第２の開口を有すると共に、前記第１の開口の幅および前記第２の開口の幅の双方が前記下地に近づくにしたがって次第に狭まるように、フォトレジストパターンを形成する第２の工程と、
前記フォトレジストパターンのうちの前記第１の開口および前記第２の開口に、前記第１のコイルパターンの断面および前記第２のコイルパターンの断面の双方が、前記下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ前記下地に近い側に位置する他方の端縁を前記一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有するように、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンをそれぞれ形成する第３の工程と、
使用済みの前記フォトレジストパターンを除去する第４の工程と
を含むことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。
【請求項９】
任意の巻回位置において、前記第１のコイルパターンの断面形状と前記第２のコイルパターンの断面形状とが互いに一致するように、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項８記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角とが互いに異なるように、前記第１のコイルパターンを形成すると共に、
前記第２のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角とが互いに異なるように、前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１１】
前記第１のコイルパターンの断面において、前記第１の内側底角よりも前記第１の外側底角が大きくなるように、前記第１のコイルパターンを形成すると共に、
前記第２のコイルパターンの断面において、前記第２の内側底角よりも前記第２の外側底角が大きくなるように、前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１２】
任意の巻回位置において、前記第１のコイルパターンの断面形状と前記第２のコイルパターンの断面形状とが互いに異なるように、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項８記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角とが互いに一致するように、前記第１のコイルパターンを形成すると共に、
前記第２のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角と前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角とが互いに一致するように、前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項１２記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１４】
所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含む薄膜コイルの製造方法であって、
前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成する工程が、
互いに対向配置されることにより前記第１のコイルパターンを形成するための第１の開口を画定する第１の内側フレーム部および第１の外側フレーム部を有すると共に互いに対向配置されることにより前記第２のコイルパターンを形成するための第２の開口を画定する第２の内側フレーム部および第２の外側フレーム部を有するフォトレジストパターンが形成されることとなる前記下地上のうち、前記中心位置に近い側に位置して前記第１の内側フレーム部が形成されることとなる第１の内側領域または前記中心位置から遠い側に位置して前記第１の外側フレーム部が形成されることとなる第１の外側領域のいずれか一方に、露光処理の進行度を制御するための第１の露光制御層をパターン形成すると共に、前記中心位置に近い側に位置して前記第２の内側フレーム部が形成されることとなる第２の内側領域または前記中心位置から遠い側に位置して前記第２の外側フレーム部が形成されることとなる第２の外側領域のいずれか一方に、露光処理の進行度を制御するための第２の露光制御層をパターン形成する第１の工程と、
前記下地、前記第１の露光制御層および前記第２の露光制御層を覆うように、フォトレジストを形成する第２の工程と、
前記フォトレジストを選択的に露光してパターニングして前記第１の開口および前記第２の開口を形成することにより、前記下地上に、前記第１の内側領域に配置された前記第１の内側フレーム部、前記第１の外側領域に配置された前記第１の外側フレーム部、前記第２の内側領域に配設された前記第２の内側フレーム部、ならびに前記第２の外側領域に配設された前記第２の外側フレーム部を有し、前記第１の開口の幅および前記第２の開口の幅の双方が前記下地に近づくにしたがって次第に狭まると共に、前記第１の内側フレーム部のうちの前記第１の開口を画定する第１の内側画定面の傾斜角度と前記第１の外側フレーム部のうちの前記第１の開口を画定する第１の外側画定面の傾斜角度とが互いに異なり、かつ前記第２の内側フレーム部のうちの前記第２の開口を画定する第２の内側画定面の傾斜角度と前記第２の外側フレーム部のうちの前記第２の開口を画定する第２の外側画定面の傾斜角度とが互いに異なるように、前記フォトレジストパターンを形成する第３の工程と、
前記フォトレジストパターンのうちの前記第１の開口および前記第２の開口に、前記第１のコイルパターンの断面および前記第２のコイルパターンの断面の双方が、前記下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ前記下地に近い側に位置する他方の端縁を前記一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有すると共に、前記第１のコイルパターンの断面形状と前記第２のコイルパターンの断面形状とが互いに等しくなるように、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンをそれぞれ形成する第４の工程と、
使用済みの前記フォトレジストパターン、前記第１の露光制御層および前記第２の露光制御層を除去する第５の工程と
を含むことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。
【請求項１５】
前記第１の工程において、前記第１の露光制御層および前記第２の露光制御層の双方として、露光時の反射現象を抑制させるための反射抑制層を形成する
ことを特徴とする請求項１４記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１６】
前記第１の工程において、前記第１の外側領域および前記第２の外側領域の双方に前記反射抑制層を形成し、
前記第３の工程において、前記第１の内側画定面の傾斜角度よりも前記第１の外側画定面の傾斜角度が大きくなると共に、前記第２の内側画定面の傾斜角度よりも前記第２の外側画定面の傾斜角度が大きくなるように、前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第４の工程において、前記第１のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角よりも前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角が大きくなるように、前記第１のコイルパターンを形成すると共に、前記第２のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角よりも前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角が大きくなるように、前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項１５記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１７】
前記第１の工程において、前記第１の露光制御層および前記第２の露光制御層の双方として、露光時の反射現象を促進させるための反射促進層を形成する
ことを特徴とする請求項１４記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１８】
前記第１の工程において、前記第１の内側領域および前記第２の内側領域の双方に前記反射促進層を形成し、
前記第３の工程において、前記第１の内側画定面の傾斜角度が前記第１の外側画定面の傾斜角度よりも小さくなると共に、前記第２の内側画定面の傾斜角度が前記第２の外側画定面の傾斜角度よりも小さくなるように、前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第４の工程において、前記第１のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角が前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角よりも小さくなるように、前記第１のコイルパターンを形成すると共に、前記第２のコイルパターンの断面において、前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角が前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角よりも小さくなるように、前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項１７記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項１９】
前記第１の工程において、前記下地としてのシード層上に、前記第１の露光制御層および前記第２の露光制御層を形成し、
前記第２の工程において、前記シード層、前記第１の露光制御層および前記第２の露光制御層を覆うように、前記フォトレジストを形成し、
前記第３の工程において、前記第１の開口および前記第２の開口の双方に前記シード層が露出すると共に前記第１の開口の幅および前記第２の開口の幅の双方が前記シード層に近づくにしたがって次第に狭まるように、前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第４の工程において、前記シード層を使用してめっき膜を成長させることにより、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成するようにし、
さらに、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンの双方をマスクとして前記シード層を選択的にエッチングすることにより、そのシード層のうちの前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンにより覆われていない部分を除去する第６の工程を含む
ことを特徴とする請求項１４ないし請求項１８のいずれか１項に記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項２０】
所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含む薄膜コイルの製造方法であって、
前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成する工程が、
互いに対向配置されることにより前記第１のコイルパターンを形成するための第１の開口を画定する第１の内側フレーム部および第１の外側フレーム部を有すると共に互いに対向配置されることにより前記第２のコイルパターンを形成するための第２の開口を画定する第２の内側フレーム部および第２の外側フレーム部を有するフォトレジストパターンが形成されることとなる前記下地上のうち、前記中心位置に近い側に位置して前記第１の内側フレーム部が形成されることとなる第１の内側領域および前記中心位置から遠い側に位置して前記第１の外側フレーム部が形成されることとなる第１の外側領域の双方、あるいは前記中心位置に近い側に位置して前記第２の内側フレーム部が形成されることとなる第２の内側領域および前記中心位置から遠い側に位置して前記第２の外側フレーム部が形成されることとなる第２の外側領域の双方、のいずれか一方に、露光処理の進行度を制御するための露光制御層をパターン形成する第１の工程と、
前記下地および前記露光制御層を覆うように、フォトレジストを形成する第２の工程と、
前記フォトレジストを選択的に露光してパターニングして前記第１の開口および前記第２の開口を形成することにより、前記下地上に、前記第１の内側領域に配置された前記第１の内側フレーム部、前記第１の外側領域に配置された前記第１の外側フレーム部、前記第２の内側領域に配設された前記第２の内側フレーム部、ならびに前記第２の外側領域に配設された前記第２の外側フレーム部を有し、前記第１の開口の幅および前記第２の開口の幅の双方が前記下地に近づくにしたがって次第に狭まると共に、前記第１の内側フレーム部のうちの前記第１の開口を画定する第１の内側画定面の傾斜角度と前記第１の外側フレーム部のうちの前記第１の開口を画定する第１の外側画定面の傾斜角度とが互いに等しく、かつ前記第２の内側フレーム部のうちの前記第２の開口を画定する第２の内側画定面の傾斜角度と前記第２の外側フレーム部のうちの前記第２の開口を画定する第２の外側画定面の傾斜角度とが互いに等しくなるように、前記フォトレジストパターンを形成する第３の工程と、
前記フォトレジストパターンのうちの前記第１の開口および前記第２の開口に、前記第１のコイルパターンの断面および前記第２のコイルパターンの断面の双方が、前記下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ前記下地に近い側に位置する他方の端縁を前記一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有すると共に、前記第１のコイルパターンの断面形状と前記第２のコイルパターンの断面形状とが互いに異なるように、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンをそれぞれ形成する第４の工程と、
使用済みの前記フォトレジストパターンおよび前記露光制御層を除去する第５の工程と
を含むことを特徴とする薄膜コイルの製造方法。
【請求項２１】
前記第１の工程において、前記露光制御層して、露光時の反射現象を抑制させるための反射抑制層を形成する
ことを特徴とする請求項２０記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項２２】
前記第１の工程において、前記第１の内側領域および前記第１の外側領域の双方に前記反射抑制層を形成し、
前記第３の工程において、前記第１の内側画定面の傾斜角度および前記第１の外側画定面の傾斜角度の双方が、前記第２の内側画定面の傾斜角度および前記第２の外側画定面の傾斜角度の双方よりも大きくなるように、前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第４の工程において、前記第１のコイルパターンの断面における前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角および前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角の双方が、前記第２のコイルパターンの断面における前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角および前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角の双方よりも大きくなるように、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項２１記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項２３】
前記第１の工程において、前記露光制御層として、露光時の反射現象を促進させるための反射促進層を形成する
ことを特徴とする請求項２０記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項２４】
前記第１の工程において、前記第２の内側領域および前記第２の外側領域の双方に前記反射促進層を形成し、
前記第３の工程において、前記第１の内側画定面の傾斜角度および前記第１の外側画定面の傾斜角度の双方よりも、前記第２の内側画定面の傾斜角度および前記第２の外側画定面の傾斜角度の双方が小さくなるように、前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第４の工程において、前記第１のコイルパターンの断面における前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第１の内側底角および前記中心位置から遠い側に位置する第１の外側底角の双方よりも、前記第２のコイルパターンの断面における前記２つの底角のうちの前記中心位置に近い側に位置する第２の内側底角および前記中心位置から遠い側に位置する第２の外側底角の双方が小さくなるように、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成する
ことを特徴とする請求項２３記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項２５】
前記第１の工程において、前記下地としてのシード層上に、前記露光制御層を形成し、
前記第２の工程において、前記シード層および前記露光制御層を覆うように、前記フォトレジストを形成し、
前記第３の工程において、前記第１の開口および前記第２の開口の双方に前記シード層が露出すると共に前記第１の開口の幅および前記第２の開口の幅の双方が前記シード層に近づくにしたがって次第に狭まるように、前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第４の工程において、前記シード層を使用してめっき膜を成長させることにより、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンを形成するようにし、
さらに、前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンの双方をマスクとして前記シード層を選択的にエッチングすることにより、そのシード層のうちの前記第１のコイルパターンおよび前記第２のコイルパターンにより覆われていない部分を除去する第６の工程を含む
ことを特徴とする請求項２０ないし請求項２４のいずれか１項に記載の薄膜コイルの製造方法。
【請求項２６】
２つの磁性基体の間に薄膜コイルが絶縁層を介して埋設されたコイル構造体の製造方法であって、
前記２つの磁性基体の間に、請求項８ないし請求項２５のいずれか１項に記載した薄膜コイルの製造方法を使用して、前記絶縁層を介して埋設されるように前記薄膜コイルを形成する工程を含む
ことを特徴とするコイル構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに並列しながらスパイラル状に巻回する２つのコイルパターンを含む薄膜コイルおよびその製造方法、ならびに薄膜コイルを備えたコイル構造体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信分野等において、高周波帯域のノイズ低減用コイル部品としてコモンモードチョークコイルが普及している。このコモンモードチョークコイルは、例えば、電話回線にラジオ放送などのノイズが混入することを防止するために使用されている。
【０００３】
コモンモードチョークコイルは、主に、２つの磁性基体の間に薄膜コイルが絶縁層を介して埋設された構成を有している。この薄膜コイルは、一般に、スパイラル状に巻回されたコイルパターンを含んで構成されている。この種のコモンモードチョークコイルとしては、例えば、２つのコイルパターンが同一階層において互いに並列しながら巻回された二重巻構造を有する薄膜コイルを備えたものや（例えば、特許文献１参照。）、２つのコイルパターンが互いに異なる階層において積層された積層構造を有する薄膜コイルを備えたものなどが既に知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１１０４２３号公報
【特許文献２】特開２００３−１３３１３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、コモンモードチョークコイルの作動特性を向上させるためには、例えば、ディファレンシャル伝送（平衡伝送）特性を向上させることを目的として、薄膜コイル（コイルパターン）の巻線間に生じるキャパシタンス（浮遊容量）を可能な限り低減させることが必要である。
【０００６】
より具体的には、一般に、キャパシタンスは薄膜コイルのインダクタンスに依存するため、比較的大きなキャパシタンスが生じた場合には、コモンモードチョークコイルのインピーダンスに関しては高周波帯域においてキャパシタンスが支配的になる。したがって、キャパシタンスによるインピーダンスが周波数に反比例することを考慮すれば、キャパシタンスが大きくなるにしたがってインピーダンスが低下することに起因してディファレンシャル伝送特性が劣化してしまうため、そのディファレンシャル伝送特性を向上させる上でキャパシタンスを低減させる必要があるのである。
【０００７】
しかしながら、従来のコモンモードチョークコイルでは、上記したようにディファレンシャル伝送特性を向上させるためにキャパシタンスを可能な限り低減させる必要があるにもかかわらず、主に薄膜コイル（コイルパターン）の構造的要因に起因してキャパシタンスを十分に低減させることが困難であるため、そのキャパシタンスを可能な限り低減させる観点において未だ改善の余地がある。したがって、コモンモードチョークコイルのディファレンシャル伝送特性を向上させるためには、キャパシタンスを可能な限り低減させることが可能な技術の確立が急務である。この種の技術を確立する場合には、特に、コモンモードチョークコイルの量産性を考慮して、そのコモンモードチョークコイルを可能な限り容易に製造可能であることも重要である。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、ディファレンシャル伝送特性の向上に寄与することが可能な薄膜コイルを提供することにある。
【０００９】
また、本発明の第２の目的は、キャパシタンスを可能な限り低減させることによりディファレンシャル伝送特性を向上させることが可能なコイル構造体を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の第３の目的は、本発明の薄膜コイルを可能な限り容易に製造することが可能な薄膜コイルの製造方法を提供することにある。
【００１１】
さらに、本発明の第４の目的は、本発明のコイル構造体を可能な限り容易に製造することが可能なコイル構造体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る薄膜コイルは、所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含むものであり、第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面の双方が、下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有しているものである。
【００１３】
本発明に係る薄膜コイルでは、薄膜コイルを構成している第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面の双方がいずれも逆台形状（下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状）を有しているため、キャパシタンスに寄与する２つのコイルパターン間の対向面積が可能な限り小さくなると共に、電気抵抗（直流抵抗）が可能な限り小さくなる。
【００１４】
本発明に係るコイル構造体は、２つの磁性基体の間に本発明の薄膜コイルが絶縁層を介して埋設されているものである。
【００１５】
本発明に係るコイル構造体では、本発明の薄膜コイルを備えているため、上記したように、キャパシタンスに寄与する２つのコイルパターン間の対向面積が可能な限り小さくなると共に、電気抵抗（直流抵抗）が可能な限り小さくなる。
【００１６】
本発明の第１の観点に係る薄膜コイルの製造方法は、所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含む薄膜コイルを製造する方法であり、第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを形成する工程が、下地にフォトレジストを形成する第１の工程と、露光処理の進行度を制御しながらフォトレジストを選択的に露光してパターニングすることにより、第１のコイルパターンを形成するための第１の開口および第２のコイルパターンを形成するための第２の開口を有すると共に第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターンを形成する第２の工程と、フォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口に、第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面の双方が下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有するように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンをそれぞれ形成する第３の工程と、使用済みのフォトレジストパターンを除去する第４の工程とを含むようにしたものである。
【００１７】
本発明の第１の観点に係る薄膜コイルの製造方法では、露光処理の進行度が制御されながらフォトレジストが選択的に露光されてパターニングされることにより、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口にそれぞれ第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンが形成される。これにより、第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面が、いずれも逆台形状（下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状）になる。この逆台形状の断面を有するように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンの双方を形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用しないため、薄膜コイルが容易に形成される。
【００１８】
本発明の第２の観点に係る薄膜コイルの製造方法は、所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含む薄膜コイルを製造する方法であり、第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを形成する工程が、互いに対向配置されることにより第１のコイルパターンを形成するための第１の開口を画定する第１の内側フレーム部および第１の外側フレーム部を有すると共に互いに対向配置されることにより第２のコイルパターンを形成するための第２の開口を画定する第２の内側フレーム部および第２の外側フレーム部を有するフォトレジストパターンが形成されることとなる下地上のうち、中心位置に近い側に位置して第１の内側フレーム部が形成されることとなる第１の内側領域または中心位置から遠い側に位置して第１の外側フレーム部が形成されることとなる第１の外側領域のいずれか一方に露光処理の進行度を制御するための第１の露光制御層をパターン形成すると共に、中心位置に近い側に位置して第２の内側フレーム部が形成されることとなる第２の内側領域または中心位置から遠い側に位置して第２の外側フレーム部が形成されることとなる第２の外側領域のいずれか一方に露光処理の進行度を制御するための第２の露光制御層をパターン形成する第１の工程と、下地、第１の露光制御層および第２の露光制御層を覆うようにフォトレジストを形成する第２の工程と、フォトレジストを選択的に露光してパターニングして第１の開口および第２の開口を形成することにより、下地上に、第１の内側領域に配置された第１の内側フレーム部、第１の外側領域に配置された第１の外側フレーム部、第２の内側領域に配設された第２の内側フレーム部、ならびに第２の外側領域に配設された第２の外側フレーム部を有し、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まると共に、第１の内側フレーム部のうちの第１の開口を画定する第１の内側画定面の傾斜角度と第１の外側フレーム部のうちの第１の開口を画定する第１の外側画定面の傾斜角度とが互いに異なり、かつ第２の内側フレーム部のうちの第２の開口を画定する第２の内側画定面の傾斜角度と第２の外側フレーム部のうちの第２の開口を画定する第２の外側画定面の傾斜角度とが互いに異なるようにフォトレジストパターンを形成する第３の工程と、フォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口に、第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面の双方が下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有すると共に第１のコイルパターンの断面形状と第２のコイルパターンの断面形状とが互いに等しくなるように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンをそれぞれ形成する第４の工程と、使用済みのフォトレジストパターン、第１の露光制御層および第２の露光制御層を除去する第５の工程とを含むようにしたものである。
【００１９】
本発明の第２の観点に係る薄膜コイルの製造方法では、第１の露光制御層の有無に基づいて第１の内側領域と第１の外側領域との間で露光範囲に差異が生じると共に第２の露光制御層の有無に基づいて第２の内側領域と第２の外側領域との間で露光範囲に差異が生じながらフォトレジストが選択的に露光されてパターニングされることにより、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口にそれぞれ第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンが形成される。これにより、第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面がいずれも左右非対称の逆台形状（下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状）になると共に、第１のコイルパターンの断面形状と第２のコイルパターンの断面形状とが互いに等しくなる。この左右非対称の逆台形状の断面を有するように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンの双方を形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用しないため、薄膜コイルが容易に形成される。
【００２０】
本発明の第３の観点に係る薄膜コイルの製造方法は、所定の下地に配設され、所定の中心位置を中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回する第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを含む薄膜コイルを製造する方法であり、第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを形成する工程が、互いに対向配置されることにより第１のコイルパターンを形成するための第１の開口を画定する第１の内側フレーム部および第１の外側フレーム部を有すると共に互いに対向配置されることにより第２のコイルパターンを形成するための第２の開口を画定する第２の内側フレーム部および第２の外側フレーム部を有するフォトレジストパターンが形成されることとなる下地上のうち、中心位置に近い側に位置して第１の内側フレーム部が形成されることとなる第１の内側領域および中心位置から遠い側に位置して第１の外側フレーム部が形成されることとなる第１の外側領域の双方、あるいは中心位置に近い側に位置して第２の内側フレーム部が形成されることとなる第２の内側領域および中心位置から遠い側に位置して第２の外側フレーム部が形成されることとなる第２の外側領域の双方のいずれか一方に露光処理の進行度を制御するための露光制御層をパターン形成する第１の工程と、下地および露光制御層を覆うようにフォトレジストを形成する第２の工程と、フォトレジストを選択的に露光してパターニングして第１の開口および第２の開口を形成することにより、下地上に、第１の内側領域に配置された第１の内側フレーム部、第１の外側領域に配置された第１の外側フレーム部、第２の内側領域に配設された第２の内側フレーム部、ならびに第２の外側領域に配設された第２の外側フレーム部を有し、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まると共に、第１の内側フレーム部のうちの第１の開口を画定する第１の内側画定面の傾斜角度と第１の外側フレーム部のうちの第１の開口を画定する第１の外側画定面の傾斜角度とが互いに等しく、かつ第２の内側フレーム部のうちの第２の開口を画定する第２の内側画定面の傾斜角度と第２の外側フレーム部のうちの第２の開口を画定する第２の外側画定面の傾斜角度とが互いに等しくなるようにフォトレジストパターンを形成する第３の工程と、フォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口に、第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面の双方が下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状を有すると共に第１のコイルパターンの断面形状と第２のコイルパターンの断面形状とが互いに異なるように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンをそれぞれ形成する第４の工程と、使用済みのフォトレジストパターンおよび露光制御層を除去する第５の工程とを含むようにしたものである。
【００２１】
本発明の第３の観点に係る薄膜コイルの製造方法では、露光制御層の有無に基づいて第１の内側領域および第１の外側領域と第２の内側領域および第２の外側領域との間で露光範囲に差異が生じながらフォトレジストが選択的に露光されてパターニングされることにより、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口にそれぞれ第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンが形成される。これにより、第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面がいずれも左右対称の逆台形状（下地から遠い側に位置して２つの底角を規定する一方の端縁を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつ下地に近い側に位置する他方の端縁を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状）になると共に、第１のコイルパターンの断面形状と第２のコイルパターンの断面形状とが互いに異なることとなる。この左右対称の逆台形状の断面を有するように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンの双方を形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用しないため、薄膜コイルが容易に形成される。
【００２２】
本発明に係るコイル構造体の製造方法は、２つの磁性基体の間に薄膜コイルが絶縁層を介して埋設されたコイル構造体を製造する方法であり、２つの磁性基体の間に本発明の薄膜コイルの製造方法を使用して絶縁層を介して埋設されるように薄膜コイルを形成する工程を含むようにしたものである。
【００２３】
本発明に係るコイル構造体の製造方法では、本発明の薄膜コイルの製造方法を使用して薄膜コイルが形成されるため、その薄膜コイルを形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用されず、薄膜コイルが容易に形成される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る薄膜コイルによれば、薄膜コイルを構成している第１のコイルパターンの断面および第２のコイルパターンの断面がいずれも逆台形状を有している構造的特徴に基づき、キャパシタンスに寄与する２つのコイルパターン間の対向面積が可能な限り小さくなると共に電気抵抗（直流抵抗）が可能な限り小さくなるため、ディファレンシャル伝送特性の向上に寄与することができる。
【００２５】
本発明に係るコイル構造体によれば、本発明の薄膜コイルを備えている構造的特徴に基づき、キャパシタンスに寄与する２つのコイルパターン間の対向面積が可能な限り小さくなると共に電気抵抗（直流抵抗）が可能な限り小さくなるため、キャパシタンスを可能な限り低減させることによりディファレンシャル伝送特性を向上させることができる。
【００２６】
本発明の第１の観点に係る薄膜コイルの製造方法によれば、露光処理の進行度が制御されながらフォトレジストが選択的に露光されてパターニングされることにより、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口にそれぞれ第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンが形成される製法的特徴に基づき、逆台形状の断面を有するように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンを形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用しないため、本発明の薄膜コイルを可能な限り容易に製造することができる。
【００２７】
本発明の第２の観点に係る薄膜コイルの製造方法によれば、第１の露光制御層の有無に基づいて第１の内側領域と第１の外側領域との間で露光範囲に差異が生じると共に第２の露光制御層の有無に基づいて第２の内側領域と第２の外側領域との間で露光範囲に差異が生じながらフォトレジストが選択的に露光されてパターニングされることにより、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口にそれぞれ第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンが形成される製法的特徴に基づき、左右非対称の逆台形状の断面を有するように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンの双方を形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用しないため、本発明の薄膜コイルを可能な限り容易に製造することができる。
【００２８】
本発明の第３の観点に係る薄膜コイルの製造方法によれば、露光制御層の有無に基づいて第１の内側領域および第１の外側領域と第２の内側領域および第２の外側領域との間で露光範囲に差異が生じながらフォトレジストが選択的に露光されてパターニングされることにより、第１の開口の幅および第２の開口の幅の双方が下地に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンのうちの第１の開口および第２の開口にそれぞれ第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンが形成される製法的特徴に基づき、左右対称の逆台形状の断面を有するように第１のコイルパターンおよび第２のコイルパターンの双方を形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用しないため、本発明の薄膜コイルを可能な限り容易に製造することができる。
【００２９】
本発明のコイル構造体の製造方法によれば、本発明の薄膜コイルの製造方法を使用して薄膜コイルが形成される製法的特徴に基づき、その薄膜コイルを形成する上で既存の薄膜プロセスしか使用しないため、本発明のコイル構造体を可能な限り容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る「コイル構造体」としてのコモンモードチョークコイルの構成について説明する。図１は、コモンモードチョークコイルの断面構成を模式的に表している。なお、本発明の「薄膜コイル」はコモンモードチョークコイルを構成するものであるため、その薄膜コイルについては以下で併せて説明する。
【００３２】
このコモンモードチョークコイルは、例えば、高周波帯域のノイズ低減用途において使用されるものであり、図１に示したように、磁性基体としての２つの磁性基板、すなわち下部磁性基板１０と上部磁性基板２０との間に、薄膜コイル３０が絶縁層４０、磁性層５０およびシード層６０を介して埋設された構成を有している。
【００３３】
下部磁性基板１０および上部磁性基板２０は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；いわゆる「パーマロイ（商品名）」）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜１０．０μｍである。
【００３４】
薄膜コイル３０は、通電されることにより磁束を発生させるものであり、所定の下地（シード層６０）上に、絶縁層４０により埋設されるように配設されている。この薄膜コイル３０は、２つのコイルパターン３１（第１のコイルパターン），３２（第２のコイルパターン）を含んで構成されており、これらのコイルパターン３１，３２は、例えば、いずれも銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。なお、薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）の詳細な構成に関しては、後述する（図２および図３参照）。
【００３５】
絶縁層４０は、薄膜コイル３０を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、下部磁性基板１０上に、薄膜コイル３０およびその周辺領域をリング状に覆うように配設されている。この絶縁層４０は、例えば、フォトレジストなどの絶縁性材料により構成されている。
【００３６】
磁性層５０は、下部磁性基板１０と上部磁性基板２０とを互いに磁気的に連結させるものであり、例えば、下部磁性基板１０上に、絶縁層４０およびその周辺領域を覆うように配設されている。この磁性層５０は、例えば、マグネシウム−亜鉛（Ｍｇ−Ｚｎ）系フェライトなどの磁性粉とポリイミドなどの高分子とが混合された複合磁性材料（複合フェライト）により構成されている。
【００３７】
シード層６０は、めっき処理を使用して薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）を形成するために使用されるものであり、下部磁性基板１０と薄膜コイル３０との間にパターン配置されている。このシード層６０は、例えば、薄膜コイル３０の構成材料と同様の材料により構成されている。
【００３８】
次に、図１〜図３を参照して、薄膜コイル３０の詳細な構成について説明する。図２は薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）の平面構成を表しており、図３は薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）の断面構成を部分的に拡大して表している。なお、上記した図１は、図２に示したＡ−Ａ線に沿った断面構成を示している。
【００３９】
薄膜コイル３０を構成しているコイルパターン３１，３２は、図２に示したように、所定の中心位置Ｔを中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回している。このコイルパターン３１，３２の並列関係としては、例えば、コイルパターン３１が相対的に外側に位置しており、コイルパターン３２が相対的に内側に位置している。すなわち、薄膜コイル３０は、上記したコイルパターン３１，３２により構成された二重巻構造を有している。なお、確認までに説明しておくと、上記した「コイルパターン３１，３２が互いに並列している」構成は、コイルパターン３１，３２が高さ方向（図２の紙面に垂直な方向；Ｚ軸方向）に積層配置され、すなわち異なる階層に配置されておらずに、コイルパターン３１，３２が水平方向（図２の紙面の面内方向；ＸＹ面内方向）に並列配置され、すなわち同一階層に配置されていることを意味している。
【００４０】
コイルパターン３１，３２のそれぞれの周端には、通電用の端子が設けられている。すなわち、コイルパターン３１の外周端および内周端にそれぞれ端子３１Ａ，３１Ｂが設けられていると共に、コイルパターン３２の外周端および内周端にそれぞれ端子３２Ａ，３２Ｂが設けられている。なお、図２に示しているコイルパターン３１，３２の巻回数は一例であり、その巻回数は自由に変更可能である。特に、図２では、コイルパターン３１，３２を区別して見やすくするために、コイルパターン３１に淡い網掛を付していると共にコイルパターン３２に濃い網掛を付している。
【００４１】
コイルパターン３１の断面およびコイルパターン３２の断面の双方は、図１および図３に示したように、いずれも逆台形状を有している。すなわち、コイルパターン３１の断面は、シード層６０から遠い側に位置して２つの底角（内側底角θＲ１，外側底角θＬ１）を規定する一方の端縁３１Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する他方の端縁３１Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状（逆台形状）を有している。同様に、コイルパターン３２の断面は、シード層６０から遠い側に位置して２つの底角（内側底角θＲ２，外側底角θＬ２）を規定する一方の端縁３２Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する他方の端縁３２Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状（逆台形状）を有している。
【００４２】
特に、任意の巻回位置において、コイルパターン３１の断面形状とコイルパターン３２の断面形状とは、例えば、図３に示したように、互いに一致しており、より具体的には、コイルパターン３１，３２の双方の断面は、左右非対称の逆台形状を有している。すなわち、コイルパターン３１の断面において、例えば、２つの底角（内側底角θＲ１，外側底角θＬ１）のうちの中心位置Ｔに近い側に位置する内側底角θＲ１（第１の内側底角）と中心位置Ｔから遠い側に位置する外側底角θＬ１（第１の外側底角）とが互いに異なっており（θＲ１≠θＬ１）、ここでは内側底角θＲ１よりも外側底角θＬ１が大きくなっている（θＲ１＜θＬ１）。同様に、コイルパターン３２の断面において、２つの底角（内側底角θＲ２，外側底角θＬ２）のうちの中心位置Ｔに近い側に位置する内側底角θＲ２（第２の内側底角）と中心位置Ｔから遠い側に位置する外側底角θＬ２（第２の外側底角）が互いに異なっており（θＲ２≠θＬ２）、ここでは内側底角θＲ２よりも外側底角θＬ２が大きくなっている（θＲ２＜θＬ２）。
【００４３】
なお、図３に示した場合の具体的な寸法例を挙げれば、端縁３１Ｅ１の長さＬ３１Ｅ１＝端縁３２Ｅ１の長さＬ３２Ｅ１＝約２０μｍ，端縁３１Ｅ２の長さＬ３１Ｅ２＝端縁３２Ｅ２の長さＬ３２Ｅ２＝約１３μｍ，内側底角θＲ１，θＲ２＝約６０°，外側底角θＬ１，θＬ２＝約８５°，巻線間隔Ｇ＝約５μｍである。
【００４４】
次に、図１〜図３を参照して、コモンモードチョークコイルの動作について説明する。
【００４５】
このコモンモードチョークコイルでは、薄膜コイル３０が通電され、すなわち端子３１Ａ，３１Ｂを通じてコイルパターン３１に電流が流れると共に端子３２Ａ，３２Ｂを通じてコイルパターン３２に電流が流れると、それらのコイルパターン３１，３２において磁束が発生する。この際、コイルパターン３１，３２に同相電流が流れると、各コイルパターン３１，３２において発生した磁束が足し合わされることによりインピーダンスが増加するが、コイルパターン３１，３２に逆相電流が流れると、各コイルパターン３１，３２において発生した磁束が打ち消し合うことによりインピーダンスが増加しない。この原理を利用することにより、コモンモードチョークコイルでは、インピーダンスの増加の有無に起因して同相電流が流れた場合には電流が流れにくくなると共に逆相電流が流れた場合には電流が流れやすくなり、すなわち電気的なフィルタ機能が得られるめ、この電気的なフィルタ機能を利用してノイズを電気的に低減させることが可能となる。
【００４６】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルでは、薄膜コイル３０を構成している２つのコイルパターン３１，３２の断面がいずれも左右非対称の逆台形状を有するようにしたので、以下の理由により、キャパシタンスを可能な限り低減させることによりディファレンシャル伝送特性を向上させることができる。
【００４７】
すなわち、二重巻構造を有する薄膜コイルを備えたコモンモードチョークコイルに関しては、２つのコイルパターン間の誘電率（２つのコイルパターン間を埋設している絶縁層の誘電率）をε、２つのコイルパターン間の対向面積（互いに平行に対向し合う面積）をＳ、２つのコイルパターン間の間隔をＤとすると、キャパシタンスＣはＣ＝ε×（Ｓ／Ｄ）という関係式で表され、そのコモンモードチョークコイルのディファレンシャル伝送特性を向上させるためには、上記したキャパシタンスＣを可能な限り低減させる必要がある。この点に関して、本実施の形態では、２つのコイルパターン３１，３２の断面がいずれも左右非対称の逆台形状を有しており、すなわち２つのコイルパターン３１，３２の断面が左右非対称の逆台形状同士の組み合わせであるため、上記したキャパシタンスＣの関係式に基づけば、誘電率εおよび間隔Ｄが一定であるとすると、対向面積Ｓは、２つのコイルパターンの断面が矩形状同士の組み合わせ、逆台形状と矩形状との組み合わせ、あるいは逆台形状と台形状との組み合わせのいずれの場合と比較してもより小さくなる。しかも、本実施の形態では、２つのコイルパターン３１，３２の断面がいずれも左右非対称の逆台形状を有している構造的特徴に基づき、コイルパターン３１，３２の断面積が可能な限り大きくなるため、それらのコイルパターン３１，３２に関して対向面積Ｓを可能な限り小さくしつつ、電気抵抗（直流抵抗）が可能な限り小さくなる。したがって、本実施の形態では、キャパシタンスを可能な限り低減させることによりディファレンシャル伝送特性を向上させることができるのである。
【００４８】
特に、本実施の形態では、図３に示したように、コイルパターン３１，３２の双方の断面において、中心位置Ｔに近い側に位置する内側底角θＲ１，θＲ２よりも中心位置Ｔから遠い側に位置する外側底角θＬ１，θＬ２が大きくなるようにしたので（θＲ１，θＲ２＜θＬ１，θＬ２）、コイルパターン３１，３２の双方が、中心位置Ｔから遠い側の外周面よりも近い側の内周面においてより大きく傾斜することとなる。この場合には、コイルパターン３１，３２のうちの中心位置Ｔに近い側よりも中心位置Ｔから遠い側（相対的に電流線路が長い側）において断面積が大きくなるため、薄膜コイル３０の直流抵抗を小さくすることができる。
【００４９】
また、上記した他、本実施の形態に係る薄膜コイル３０では、コイルパターン３１，３２の断面がいずれも左右非対称の逆台形状を有するようにしたので、上記したように、コイルパターン３１，３２の断面形状に基づいてキャパシタンスが可能な限り低減する。したがって、この薄膜コイル３０を使用してコモンモードチョークコイルを構成すれば、ディファレンシャル伝送特性の向上に寄与することができる。
【００５０】
次に、図１〜図１１を参照して、本実施の形態に係る「コイル構造体の製造方法」として、図１〜図３に示したコモンモードチョークコイルの製造方法について説明する。図４〜図１１はコモンモードチョークコイルの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１に対応した断面構成を表している。特に、図８は、図７に示した断面構成を部分的に拡大して示している。なお、本発明の「薄膜コイルの製造方法」は、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程において薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）を形成するために使用されるものであるため、その薄膜コイルの製造方法に関しては、以下で併せて説明する。
【００５１】
以下では、まず、図１を参照してコモンモードチョークコイル全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図１１を参照してコモンモードチョークコイルの主要部（薄膜コイル３０）の形成工程について詳細に説明する。なお、コモンモードチョークコイルの一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴に関しては既に詳述したので、その説明を随時省略するものとする。
【００５２】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理やスパッタリングなどの成膜技術、ならびにフォトリソグラフィ処理などのパターニング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図１に示したように、まず、下部磁性基板１０上に、シード層６０および薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）をパターン形成する。続いて、薄膜コイル３０を覆い、具体的にはコイルパターン３１，３２の巻線間およびその周辺領域を覆うように絶縁層３０を形成したのち、その絶縁層３０およびその周辺領域を覆うように磁性層４０を形成する。最後に、磁性層４０上に上部磁性基板５０を形成することにより、下部磁性基板１０と上部磁性基板２０との間に、薄膜コイル３０が絶縁層４０、磁性層５０およびシード層６０を介して埋設された構成を有するコモンモードチョークコイルが完成する。
【００５３】
薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）を形成する際には、下部磁性基板１０を準備したのち、まず、図４に示したように、例えばスパッタリングを使用して、下部磁性基板１０を覆うようにシード層６０を形成する。このシード層６０を形成する際には、例えば、後工程において形成されるコイルパターン３１，３２（図９参照）の形成材料と同様の高導電性材料を使用する。なお、シード層６０の形成手法としては、例えば、上記したスパッタリングに代えて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）などの他の成膜手法を使用することも可能である。
【００５４】
続いて、図４に示したように、シード層６０を覆うように、露光処理の進行度を制御するための露光制御層を形成する。この露光制御層は、後工程において形成されるフォトレジスト膜９０（図６参照）を露光する際に、その露光範囲を制御するために使用されるものである。ここでは、例えば、シード層６０を覆うように光反射性が低い材料を成膜することにより、露光制御層として、露光時の反射現象を抑制させるための反射抑制層７０を形成する。この反射抑制層７０を形成する際には、例えば、シード層６０よりも光反射特性が低い材料を使用し、具体的には低反射特性を有するレジスト材料を使用する。この種のレジスト材料を使用する場合には、例えば、シード層６０の表面にレジスト材料を塗布することによりレジスト膜を形成したのち、そのレジスト膜を必要に応じて加熱・冷却することにより反射抑制層７０を形成する。
【００５５】
続いて、図４に示したように、所定のパターン形状を有するマスク８０を準備する。このマスク８０を準備する際には、後工程においてフォトレジストパターン１１０（図７参照）が形成される領域に基づいて、マスク８０の配置位置を決定する。具体的には、例えば、後述する図７を参照して説明すると、Ｘ軸方向において互いに対向配置されることによりコイルパターン３１を形成するための開口１１０Ｋ１（第１の開口）を画定する内側フレーム部１１０Ｒ１（第１の内側フレーム部）および外側フレーム部１１０Ｌ１（第１の外側フレーム部）を有すると共に、同様にＸ軸方向において互いに対向配置されることによりコイルパターン３２を形成するための開口１１０Ｋ２（第２の開口）を画定する内側フレーム部１１０Ｒ２（第２の内側フレーム部）および外側フレーム部１１０Ｌ２（第２の外側フレーム部）を有するフォトレジストパターン１１０が形成されることとなるシード層６０上のうち、中心位置Ｔに近い側に位置して内側フレーム部１１０Ｒ１が形成されることとなる内側領域Ｆ１Ｒ（第１の内側領域）または中心位置Ｔから遠い側に位置して外側フレーム部１１０Ｌ１が形成されることとなる外側領域Ｆ１Ｌ（第１の外側領域）のいずれか一方と、中心位置Ｔに近い側に位置して内側フレーム部１１０Ｒ２が形成されることとなる内側領域Ｆ２Ｒ（第２の内側領域）または中心位置Ｔから遠い側に位置して外側フレーム部１１０Ｌ２が形成されることとなる外側領域Ｆ２Ｌ（第２の外側領域）のいずれか一方とに、マスク８０を配置させる。
【００５６】
ここでは、例えば、内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒまたは外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌのうち、外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにマスク８０を配置する。この場合には、例えば、図４に示したように、上記した外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌと共に、開口１１０Ｋ１が形成されることとなる中央領域Ｆ１Ｃおよび開口１１０Ｋ２が形成されることとなる中央領域Ｆ２Ｃにマスク８０を配置し、すなわち内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒに対応する箇所にそれぞれ開口８０Ｋ１，８０Ｋ２が設けられ、それらの開口８０Ｋ１，８０Ｋ２がそれぞれコイルパターン３１，３２のパターン形状に対応した開口形状を有するマスク８０を準備する。
【００５７】
このマスク８０を配置させる領域（内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒまたは外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌ）は、図３に示したコイルパターン３１，３２の断面形状（内側底角θＲ１，θＲ２と外側底角θＬ１，θＬ２との間の大小関係）に基づいて選択され、すなわち内側領域Ｆ１Ｒに対応する内側底角θＲ１および内側領域Ｆ２Ｒに対応する内側底角θＲ２、あるいは外側領域Ｆ１Ｌに対応する外側底角θＬ１および外側領域Ｆ２Ｌに対応する外側底角θＬ２のうち、相対的に角度を大きくしたい側の底角に対応する領域に、マスク８０を配置させる。ここでは、例えば、内側底角θＲ１，θＲ２よりも外側底角θＬ１，θＬ２が大きくなるようにコイルパターン３１，３２の断面形状を設定するために、その外側底角θＬ１，θＬ２に対応する外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにマスク８０を配置させている。なお、図４、ならびに後述する図５以降では、図示内容を簡略化するために、シード層６０上に存在する複数の領域（内側領域，中央領域，外側領域）の一部のみに符号（Ｆ１Ｒ，Ｆ１Ｌ，Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｒ，Ｆ２Ｌ，Ｆ２Ｃ）を付している。
【００５８】
続いて、マスク８０を用いたフォトリソグラフィ処理を使用して、そのマスク８０のパターン形状に対応するように反射抑制層７０をパターニングする。具体的には、マスク８０越しに反射抑制層７０を選択的に露光し、引き続き露光後の反射抑制層７０を必要に応じて加熱・冷却したのち、その反射抑制層７０を現像液で現像し、すなわち反射抑制層７０のうちの不要部分（マスク８０の開口８０Ｋ１，８０Ｋ２を通じて露光された部分）を選択的に除去する。これにより、図５に示したように、シード層６０上の外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｃのみに反射抑制層７０が残存し、すなわち外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに反射抑制層７１（第１の露光制御層）がパターン形成されると共に、外側領域Ｆ２Ｌおよび中央領域Ｆ２Ｃに反射抑制層７２（第２の露光制御層）がパターン形成される。参考までに、反射抑制層７１，７２の配置領域に関しては、必ずしも外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに反射抑制層７１を配置させると共に外側領域Ｆ２Ｌおよび中央領域Ｆ２Ｃに反射抑制層７２を配置させなければならないわけではなく、例えば、中央領域Ｆ１Ｃを除いて外側領域Ｆ１Ｌのみに反射抑制層７１を配置させると共に中央領域Ｆ２Ｃを除いて外側領域Ｆ２Ｌのみ反射抑制層７２を配置させるようにしてもよい。なお、図５では、使用済みのマスク８０を除去した状態を示している。
【００５９】
続いて、シード層６０および反射抑制層７１，７２の表面にフォトレジストを塗布したのち、そのフォトレジストを必要に応じて加熱・冷却することにより、図６に示したように、シード層６０および反射抑制層７１，７２を覆うようにフォトレジスト膜９０を形成する。このフォトレジスト膜９０を形成する際には、例えば、そのフォトレジスト膜９０の形成厚さが後工程において形成されるコイルパターン３１，３２の形成厚さ（図９参照）よりも大きくなるように調整するのが好ましい。
【００６０】
続いて、図６に示したように、所定のパターン形状を有するマスク１００を準備する。このマスク１００を準備する際には、中央領域Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｃに対応する箇所にそれぞれ開口１００Ｋ１，１００Ｋ２を有し、それらの開口１００Ｋ１，１００Ｋ２がそれぞれコイルパターン３１，３２のパターン形状に対応した開口形状を有するようにする。
【００６１】
続いて、マスク１００を用いたフォトリソグラフィ処理を使用して、そのマスク１００のパターン形状に対応するようにフォトレジスト膜９０をパターニングする。具体的には、マスク１００越しにフォトレジスト膜９０を選択的に露光し、引き続き露光後のフォトレジスト膜９０を必要に応じて加熱・冷却したのち、そのフォトレジスト膜９０を現像液で現像し、すなわちフォトレジスト膜９０のうちの不要部分（マスク１００の開口１００Ｋ１，１００Ｋ２を通じて露光された部分）を選択的に除去する。特に、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９０をパターニングする際には、例えば、そのフォトレジスト９０と共に反射抑制層７１，７２を併せてパターニングすることにより、フォトレジスト膜９０のうちの不要部分（露光部分）と共に反射抑制層７１，７２のうちの不要部分（露光部分）も併せて除去する。これにより、図７に示したように、フォトレジスト膜９０のうちの開口１００Ｋ１，１００Ｋ２に対応する箇所にそれぞれ開口１１０Ｋ１，１１０Ｋ２が形成されるため、シード層６０上に、内側領域Ｆ１Ｒに配置された内側フレーム部１１０Ｒ１および外側領域Ｆ１Ｌに配置された外側フレーム部１１０Ｌ１を有すると共に、内側領域Ｆ２Ｒに配置された内側フレーム部１１０Ｒ２および外側領域Ｆ２Ｌに配置された外側フレーム部１１０Ｌ２を有し、内側フレーム部１１０Ｒ１および外側フレーム部１１０Ｌ１により開口１１０Ｋ１が画定されると共に、内側フレーム部１１０Ｒ２および外側フレーム部１１０Ｌ２により開口１１０Ｋ２が画定されるようにフォトレジストパターン１１０が形成される。なお、図７では、使用済みのマスク１００を除去した状態を示している。
【００６２】
フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９０が露光されてパターニングされることによりフォトレジストパターン１１０が形成される際には、露光用の光がフォトレジスト膜９０を露光したのちにシード層６０において乱反射するため、その光の乱反射現象の影響を受けてフォトレジスト膜９０の露光範囲にＺ軸方向において差異が生じる結果、フォトレジスト膜９０の露光範囲がシード層６０に近い側から遠い側に向かって次第に広がることとなる。これにより、最終的に形成されるフォトレジストパターン１１０では、開口１１０Ｋ１，１１０Ｋ２の幅（開口幅）がシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まることとなる。
【００６３】
この場合には、特に、シード層６０上の内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒに反射抑制層７１，７２が配置されていない一方で外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにそれぞれ反射抑制層７１，７２が配置されているため、内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒと外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌとの間において反射抑制層７１，７２の有無に基づいてフォトレジスト膜９０の露光範囲に相対的に差異が生じ、具体的には内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒにおいて光が相対的に乱反射しやすい一方で外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにおいて光が相対的に乱反射しにくいため、フォトレジスト膜９０の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒよりも外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにおいて狭くなる。この露光範囲の相対的な差異を利用することにより、図８に示したように、内側フレーム部１１０Ｒ１のうちの開口１１０Ｋ１を画定する内側画定面１１０Ｒ１Ｍ（第１の内側画定面）の傾斜角度ωＲ１と外側フレーム部１１０Ｌ１のうちの開口１１０Ｋ１を画定する外側画定面１１０Ｌ１Ｍ（第１の外側画定面）の傾斜角度ωＬ１とが互いに異なると共に（ωＲ１≠ωＬ１）、内側フレーム部１１０Ｒ２のうちの開口１１０Ｋ２を画定する内側画定面１１０Ｒ２Ｍ（第２の内側画定面）の傾斜角度ωＲ２と外側フレーム部１１０Ｌ２のうちの開口１１０Ｋ２を画定する外側画定面１１０Ｌ２Ｍ（第２の外側画定面）の傾斜角度ωＬ２とが異なり（ωＲ２≠ωＬ２）、具体的には傾斜角度ωＲ１よりも傾斜角度ωＬ１が大きくなると共に（ωＲ１＜ωＬ１）、傾斜角度ωＲ２よりも傾斜角度ωＬ２が大きくなる（ωＲ２＜ωＬ２）。
【００６４】
確認までに説明しておくと、傾斜角度ωＲ１は内側画定面１１０Ｒ１Ｍとシード層６０の延在面（ＸＹ面）との間の角度、傾斜角度ωＬ１は外側画定面１１０Ｌ１Ｍとシード層６０の延在面との間の角度であり、同様に、傾斜角度ωＲ２は内側画定面１１０Ｒ２Ｍとシード層６０の延在面との間の角度、傾斜角度ωＬ２は外側画定面１１０Ｌ２Ｍとシード層６０の延在面との間の角度である。これらの傾斜角度ωＲ１，ωＬ１，ωＲ２，ωＬ２は、それぞれ後工程において形成されるコイルパターン３１，３２の断面のうちの内側底角θＲ１，外側底角θＬ１，内側底角θＲ２，外側底角θＬ２（図３参照）を規定する角度である。すなわち、最終的にコイルパターン３１，３２が形成される場合には、傾斜角度ωＲ１に基づいて内側底角θＲ１が規定され、かつ傾斜角度ωＬ１に基づいて外側底角θＬ１が規定されると共に、傾斜角度ωＲ２に基づいて内側底角θＲ２が規定され、かつ傾斜角度ωＬ２に基づいて外側底角θＬ２が規定される。具体的には、例えば、上記したように、傾斜角度ωＲ１よりも傾斜角度ωＬ１が大きくなり、かつ傾斜角度ωＲ２よりも傾斜角度ωＬ２が大きくなるようにフォトレジストパターン１１０を形成した場合には（ωＲ１＜ωＬ１，ωＲ２＜ωＬ２）、最終的に形成されるコイルパターン３１，３２の断面では、内側底角θＲ１よりも外側底角θＬ１が大きくなり、かつ内側底角θＲ２よりも外側底角θＬ２が大きくなる（θＲ１＜θＬ１，θＲ２＜θＬ２）。
【００６５】
なお、フォトレジストパターン１１０を形成する過程においてフォトレジスト膜９０を加熱した場合には、実際には、フォトレジストの表面張力に起因して内側画定面１１０Ｒ１Ｍ，１１０Ｒ２Ｍおよび外側画定面１１０Ｌ１Ｍ，１１０Ｌ２Ｍが湾曲することにより曲面状となる場合があるが、図７および図８、ならびに後述する図９以降では、図示内容を簡略化するために、内側画定面１１０Ｒ１Ｍ，１１０Ｒ２Ｍおよび外側画定面１１０Ｌ１Ｍ，１１０Ｌ２Ｍを平面状に示している。
【００６６】
続いて、図９に示したように、フォトレジストパターン１１０のうちの開口１１０Ｋ１Ｋにコイルパターン３１を形成すると共に、同様に開口１１０Ｋ２にコイルパターン３２を形成する。これらのコイルパターン３１，３２を形成する際には、例えば、シード層６０を使用してめっき膜を成長させることにより、コイルパターン３１，３２を形成する。特に、コイルパターン３１，３２を形成する際には、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料を使用すると共に、それらのコイルパターン３１，３２の形成厚さがフォトレジストパターン１１０の形成厚さよりも小さくなるように調整するのが好ましい。このコイルパターン３１は、図１および図３に示したように、シード層６０から遠い側に位置して内側領域Ｆ１Ｒに対応する内側底角θＲ１および外側領域Ｆ１Ｌに対応する外側底角θＬ１を規定する端縁３１Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する端縁３１Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、それらの内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が互いに異なる左右非対称の逆台形状の断面を有するように形成される。同様に、コイルパターン３２は、シード層６０から遠い側に位置して内側領域Ｆ２Ｒに対応する内側底角θＲ２および外側領域Ｆ２Ｌに対応する外側底角θＬ２を規定する端縁３２Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する端縁３２Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、それらの内側底角θＲ２および外側底角θＬ２が互いに異なる左右非対称の逆台形状の断面を有するように形成される。ここでは、例えば、コイルパターン３１の断面において内側底角θＲ１よりも外側底角θＬ１が大きくなると共に（θＲ１＜θＬ１）、コイルパターン３２の断面において内側底角θＲ２よりも外側底角θＬ２が大きくなる（θＲ２＜θＬ２）。
【００６７】
続いて、例えばアセトンなどの有機溶剤を使用して反射抑制層７１，７２およびフォトレジストパターン１１０を溶解させることにより、図１０に示したように、それらの反射抑制層７１，７２およびフォトレジストパターン１１０を除去する。これにより、反射抑制層７１，７２およびフォトレジストパターン１１０が設けられていた箇所に、シード層６０が露出する。
【００６８】
最後に、コイルパターン３１，３２の双方をマスクとして用いて、例えばイオンミリングを使用してシード層６０を選択的にエッチングすることにより、図１１に示したように、そのシード層６０のうちのコイルパターン３１，３２により覆われていない部分を除去して下部磁性基板１０を露出させる。イオンミリングを使用してシード層６０をエッチングする際には、例えば、アルゴンイオン（Ａｒ+ ）雰囲気中においてエッチング処理を行うようにする。なお、シード層６０をエッチングする際には、例えば、上記したイオンミリングに代えて、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などの他のドライエッチングや、ドライエッチングに代えてウェットエッチングも使用可能である。これにより、下部磁性基板１０上に、中心位置Ｔを中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回するコイルパターン３１，３２を含んで構成された薄膜コイル３０が完成する。
【００６９】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法では、外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにそれぞれ反射抑制層７１，７２を形成した状態においてフォトレジスト膜９０を露光してパターニングすることにより、開口１１０Ｋ１，１１０Ｋ２の開口幅がいずれもシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン１１０を形成したのち、そのフォトレジストパターン１１０のうちの開口１１０Ｋ１，１１０Ｋ２にそれぞれコイルパターン３１，３２を形成することにより薄膜コイル３０を形成している。この場合には、上記したように、反射抑制層７１，７２の有無に基づいてフォトレジスト膜９０の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒよりも外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにおいて相対的に狭まる光学的作用を利用して、フォトレジストパターン１１０において内側フレーム部１１０Ｒ１，１１０Ｒ２の傾斜角度ωＲ１，ωＲ２よりも外側フレーム部１１０Ｌ１，１１０Ｌ２の傾斜角度ωＬ１，ωＬ２が大きくなるため、そのフォトレジストパターン１１０のうちの開口１１０Ｋ１，１１０Ｋ２にそれぞれコイルパターン３１，３２を形成すれば、それらのコイルパターン３１，３２の断面では傾斜角度ωＲ１，ωＬ１，ωＲ２，ωＬ２間の大小関係を反映して内側底角θＲ１，θＲ２よりも外側底角θＬ１，θＬ２が大きくなり、すなわち左右非対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン３１，３２の双方が形成される。しかも、この場合には、左右非対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン３１，３２を形成する上で、成膜技術、パターニング技術およびエッチング技術などの既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しないため、既存の薄膜プロセスのみを使用して薄膜コイル３０が容易に形成される。したがって、本実施の形態では、コイルパターン３１，３２の断面が左右非対称の逆台形状となるように薄膜コイル３０を容易に形成可能であるため、その薄膜コイル３０を備えたコモンモードチョークコイルを可能な限り容易に製造することができる。
【００７０】
また、上記した他、本実施の形態に係る薄膜コイルの製造方法では、コイルパターン３１，３２の断面が左右非対称の逆台形状を有する薄膜コイル３０を形成する上で、上記したように、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態では、既存の薄膜プロセスのみを使用して薄膜コイル３０を可能な限り容易に製造することができる。
【００７１】
また、本実施の形態では、フォトレジストパターン１１０を形成する際に、露光用の光の強度を変化させることによりフォトレジスト膜９０に対する露光量を調整すると共に、反射抑制層７１，７２の厚さを変化させることにより反射抑制量を調整すれば、それらの露光量および反射抑制量に基づいて傾斜角度ωＲ１，ωＬ１，ωＲ２，ωＬ２が変化するため、最終的に傾斜角度ωＲ１，ωＬ１，ωＲ２，ωＬ２に基づいてコイルパターン３１，３２の断面のうちの内側底角θＲ１，θＲ２および外側底角θＬ１，θＬ２が設定される。したがって、フォトレジストパターン１１０を形成する際に露光量および反射抑制量を調整することにより内側底角θＲ１，θＲ２および外側底角θＬ１，θＬ２を制御可能なため、コイルパターン３１，３２の断面形状を自由に制御することができる。
【００７２】
なお、本実施の形態では、図６および図８に示したように、フォトレジスト膜９０を露光してパターニングすることによりフォトレジストパターン１１０を形成する際に、外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに反射抑制層７１を配置させると共に、外側領域Ｆ２Ｌおよび中央領域Ｆ２Ｃに反射抑制層７２を配置させることにより、図３に示したように、コイルパターン３１の断面において内側底角θＲ１よりも外側底角θＬ１が大きくなると共に、コイルパターン３２の断面において内側底角θＲ２よりも外側底角θＬ２が大きくなるようにしたが（θＲ１＜θＬ１，θＲ２＜θＬ２）、必ずしもこれに限られるものではない。具体的には、例えば、図１２に示したように、外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに代えて内側領域Ｆ１Ｒおよび中央領域Ｆ１Ｃに反射抑制層７１を配置させると共に、外側領域Ｆ２Ｌおよび中央領域Ｆ２Ｃに代えて内側領域Ｆ２Ｒおよび中央領域Ｆ２Ｃに反射抑制層７２を配置させることにより、図１３に示したように、図６および図８に示した場合と同様に反射抑制層７１，７２の有無に基づく露光範囲の相対的な差異を利用して、傾斜角度ωＲ１，ωＲ２がそれぞれ傾斜角度ωＬ１，ωＬ２よりも大きくなるようにフォトレジストパターン１１０を形成してもよい（ωＲ１＞ωＬ１，ωＲ２＞ωＬ２）。この場合には、図１３に示したフォトレジストパターン１１０を使用してコイルパターン３１，３２を形成することにより、図１４に示したように、コイルパターン３１の断面において内側底角θＲ１が外側底角θＬ１よりも大きくなると共に、コイルパターン３２の断面において内側底角θＲ２が外側底角Ｌ２よりも大きくなる（θＲ１＞θＬ１，θＲ２＞θＬ２）。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、内側底角θＲ１，θＲ２および外側底角θＬ１，θＬ２の値、ならびにそれらの大小関係は、例えば、コモンモードチョークコイルの設計仕様や目標性能等に応じて自由に設定可能である。
【００７３】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００７４】
図１５および図１６は本発明の第２の実施の形態に係る「コイル構造体」としてのコモンモードチョークコイルの構成を表しており、図１５はコモンモードチョークコイルの断面構成を模式的に表し、図１６は薄膜コイル１３０（コイルパターン１３１，１３２）の断面構成を部分的に拡大して表している。これらの図１５および図１６では、上記第１の実施の形態において説明した構成要素と同一の要素に、同一の符号を付している。なお、本発明の「薄膜コイル」はコモンモードチョークコイルを構成するものであるため、その薄膜コイルについては以下で併せて説明する。
【００７５】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルは、図１５に示したように、コイルパターン３１，３２を含んで構成された薄膜コイル３０に代えて、それらのコイルパターン３１，３２にそれぞれ対応するコイルパターン１３１，１３２を含んで構成された薄膜コイル１３０を備える点を除き、上記第１の実施の形態において説明したコモンモードチョークコイルと同様の構成を有している（図１参照）。すなわち、このコモンモードチョークコイルは、下部磁性基板１０と上部磁性基板２０との間に、薄膜コイル１３０が絶縁層４０、磁性層５０およびシード層６０を介して埋設された構成を有している。
【００７６】
薄膜コイル１３０を構成しているコイルパターン１３１，１３２は、例えば、互いに同一の断面形状を有すると共にいずれも左右非対称の逆台形状を有している代わりに、互いに異なる断面形状を有すると共にいずれも左右対称の逆台形状を有している点を除き、上記第１の実施の形態において説明したコイルパターン３１，３２とそれぞれ同様の構成を有している（図２および図３参照）。
【００７７】
より詳細に説明すれば、コイルパターン１３１の断面およびコイルパターン１３２の断面の双方は、図１５および図１６に示したように、いずれも逆台形状を有している。すなわち、コイルパターン１３１の断面は、シード層６０から遠い側に位置して２つの底角（内側底角θＲ１，外側θＬ１）を規定する一方の端縁１３１Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する他方の端縁１３１Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状（逆台形状）を有している。同様に、コイルパターン１３２の断面は、シード層６０から遠い側に位置して２つの底角（内側底角θＲ２，外側底角θＬ２）を規定する一方の端縁１３２Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する他方の端縁１３２Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とする台形状（逆台形状）を有している。
【００７８】
特に、任意の巻回位置において、コイルパターン１３１の断面形状とコイルパターン１３２の断面形状とは、例えば、図１６に示したように、互いに異なっており、より具体的には、コイルパターン１３１，１３２の双方の断面は、左右対称の逆台形状を有している。すなわち、コイルパターン１３１の断面において、例えば、２つの底角（内側底角θＲ１，外側底角θＬ１）のうちの中心位置Ｔに近い側に位置する内側底角θＲ１（第１の内側底角）と中心位置Ｔから遠い側に位置する外側底角θＬ１（第１の外側底角）とが互いに一致している（θＲ１＝θＬ１）。同様に、コイルパターン１３２の断面において、２つの底角（内側底角θＲ２，外側底角θＬ２）のうちの中心位置Ｔに近い側に位置する内側底角θＲ２（第２の内側底角）と中心位置Ｔから遠い側に位置する外側底角θＬ２（第２の外側底角）とが互いに一致している（θＲ２＝θＬ２）。これらの内側底角θＲ１および外側底角θＬ１と内側底角θＲ２および外側底角Ｌ２とは、互いに異なっており（θＲ１，θＬ１≠θＲ２，θＬ２）、ここでは内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が内側底角θＲ２および外側底角θＬ２よりも大きくなっている（θＲ１，θＬ１＞θＲ２，θＬ２）。
【００７９】
なお、図１６に示した場合の具体的な寸法例を挙げれば、端縁１３１Ｅ１の長さＬ１３１Ｅ１＝約２０μｍ，端縁１３１Ｅ２の長さＬ１３１Ｅ２＝約１８μｍ，端縁１３２Ｅ１の長さＬ１３２Ｅ１＝約２０μｍ，端縁１３２Ｅ２の長さＬ１３２Ｅ２＝約８μｍ，内側底角θＲ１，外側底角θＬ１＝約８５°，内側底角θＲ２，外側端縁θＬ２＝約６０°，巻線間隔Ｇ＝約５μｍである。
【００８０】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルでは、薄膜コイル１３０を構成している２つのコイルパターン１３１，１３２の断面がいずれも左右対称の逆台形状を有するようにしたので、上記第１の実施の形態と同様の作用により、キャパシタンスに寄与する対向面積を可能な限り小さくしつつ、電気抵抗（直流抵抗）が可能な限り小さくなる。したがって、キャパシタンスを可能な限り低減させることによりディファレンシャル伝送特性を向上させることができる。
【００８１】
また、上記した他、本実施の形態に係る薄膜コイル１３０では、コイルパターン１３１，１３２の断面がいずれも左右対称の逆台形状を有するようにしたので、上記したように、コイルパターン１３１，１３２の断面形状に基づいてキャパシタンスが可能な限り低減する。したがって、この薄膜コイル１３０を使用してコモンモードチョークコイルを構成すれば、ディファレンシャル伝送特性の向上に寄与することができる。
【００８２】
なお、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルに関する上記以外の構成、動作、作用および効果は、上記第１の実施の形態と同様である。
【００８３】
次に、図１７〜図２４を参照して、本実施の形態に係る「コイル構造体の製造方法」として、図１５および図１６に示したコモンモードチョークコイルの製造方法について説明する。図１７〜図２４はコモンモードチョークコイルの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１５に対応した断面構成を表している。特に、図２１は、図２０に示した断面構成を部分的に拡大して示している。以下では、コモンモードチョークコイルの製造方法のうち、薄膜コイル１３０（コイルパターン１３１，１３２）の製造方法について言及する。なお、本発明の「薄膜コイルの製造方法」は、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程において薄膜コイル１３０（コイルパターン１３１，１３２）を形成するために使用されるものであるため、その薄膜コイルの製造方法に関しては、以下で併せて説明する。
【００８４】
薄膜コイル１３０（コイルパターン１３１，１３２）を形成する際には、図１７に示したように、上記第１の実施の形態において図４を参照して説明した手順と同様の手順を経ることにより下部磁性基板１０上にシード層６０および露光制御層（反射抑制層１７０）を順次形成して積層させたのち、所定のパターン形状を有するマスク８１を準備する。このマスク８１を準備する際には、後工程においてフォトレジストパターン１１１（図２０参照）が形成される領域に基づいて、マスク８１の配置位置を決定する。具体的には、例えば、後述する図２０を参照して説明すると、Ｘ軸方向において互いに対向配置されることによりコイルパターン１３１を形成するための開口１１１Ｋ１（第１の開口）を画定する内側フレーム部１１１Ｒ１（第１の内側フレーム部）および外側フレーム部１１１Ｌ１（第１の外側フレーム部）を有すると共に、同様にＸ軸方向において互いに対向配置されることによりコイルパターン１３２を形成するための開口１１１Ｋ２（第２の開口）を画定する内側フレーム部１１１Ｒ２（第２の内側フレーム部）および外側フレーム部１１１Ｌ２（第２の外側フレーム部）を有するフォトレジストパターン１１１が形成されることとなるシード層６０上のうち、中心位置Ｔに近い側に位置して内側フレーム部１１１Ｒ１が形成されることとなる内側領域Ｆ１Ｒ（第１の内側領域）および中心位置Ｔから遠い側に位置して外側フレーム部１１１Ｌ１が形成されることとなる外側領域Ｆ１Ｌ（第１の外側領域）の双方、あるいは中心位置Ｔに近い側に位置して内側フレーム部１１１Ｒ２が形成されることとなる内側領域Ｆ２Ｒ（第２の内側領域）および中心位置Ｔから遠い側に位置して外側フレーム部１１１Ｌ２が形成されることとなる外側領域Ｆ２Ｌ（第２の外側領域）の双方、のいずれか一方に、マスク８１を配置させる。
【００８５】
ここでは、例えば、内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌ、あるいは内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌのうち、内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌにマスク８１を配置する。この場合には、例えば、図１７に示したように、上記した内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌと共に、開口１１１Ｋ１が形成されることとなる中央領域Ｆ１Ｃにマスク８１を配置し、すなわ内側領域Ｆ２Ｒ、外側領域Ｆ２Ｌおよび開口１１１Ｋ２が形成されることとなる中央領域Ｆ２Ｃの合成領域に対応する箇所に開口８１Ｋが設けられ、その開口８１Ｋがコイルパターン１３２のパターン形状に対応した開口形状を有するマスク８１を準備する。
【００８６】
このマスク８１を配置させる領域（内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌ、あるいは内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌ）は、図１６に示したコイルパターン１３１，１３２の断面形状（内側底角θＲ１および外側底角θＬ１と内側底角θＲ２および外側底角θＬ２との間の大小関係）に基づいて選択され、すなわち内側領域Ｆ１Ｒに対応する内側底角θＲ１および外側領域Ｆ１Ｌに対応する外側底角θＬ１、あるいは内側領域Ｆ２Ｒに対応する内側底角θＲ２および外側領域Ｆ２Ｌに対応する外側底角θＬ２のうち、相対的に角度を大きくしたい側の底角に対応する領域に、マスク８１を配置させる。ここでは、例えば、内側底角θＲ１および外側底角θＬ１において内側底角θＲ２および外側底角θＬ２よりも大きくなるようにコイルパターン１３１，１３２の断面形状を設定するために、その内側底角θＲ１および外側底角θＬ１に対応する内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌにマスク８１を配置させている。なお、図１７および後述する図１８以降では、図示内容を簡略化するために、シード層６０上に存在する複数の領域（内側領域，中央領域，外側領域）の一部のみに符号（Ｆ１Ｒ，Ｆ１Ｌ，Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｒ，Ｆ２Ｌ，Ｆ２Ｃ）を付している。
【００８７】
続いて、マスク８１を用いたフォトリソグラフィ処理を使用して、そのマスク８１のパターン形状に対応するように反射抑制層１７０をパターニングする。具体的には、マスク８１越しに反射抑制層１７０を選択的に露光し、引き続き露光後の反射抑制層１７０を必要に応じて加熱・冷却したのち、その反射抑制層１７０を現像液で現像し、すなわち反射抑制層１７０のうちの不要部分（マスク８１の開口８１Ｋを通じて露光された部分）を選択的に除去する。これにより、図１８に示したように、シード層６０上の内側領域Ｆ１Ｒ、外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃのみに反射抑制層１７０が残存してパターン形成される。参考までに、反射抑制層１７０の配置領域に関しては、必ずしも内側領域Ｆ１Ｒ、外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに反射抑制層１７０を配置させなければならないわけではなく、例えば、中央領域Ｆ１Ｃを除いて内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌのみに反射抑制層１７０を配置させるようにしてもよい。なお、図１８では、使用済みのマスク８１を除去した状態を示している。
【００８８】
続いて、シード層６０および反射抑制層１７０の表面にフォトレジストを塗布したのち、そのフォトレジストを必要に応じて加熱・冷却することにより、図１９に示したように、シード層６０および反射抑制層１７０を覆うようにフォトレジスト膜９１を形成する。このフォトレジスト膜９１を形成する際には、例えば、そのフォトレジスト膜９１の形成厚さが後工程において形成されるコイルパターン１３１，１３２の形成厚さ（図２２参照）よりも大きくなるように調整するのが好ましい。
【００８９】
続いて、図１９に示したように、所定のパターン形状を有するマスク１０１を準備する。このマスク１０１を準備する際には、中央領域Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｃに対応する箇所にそれぞれ開口１０１Ｋ１，１０１Ｋ２を有し、それらの開口１０１Ｋ１，１０１Ｋ２がそれぞれコイルパターン１３１，１３２のパターン形状に対応した開口形状を有するようにする。
【００９０】
続いて、マスク１０１を用いたフォトリソグラフィ処理を使用して、そのマスク１０１のパターン形状に対応するようにフォトレジスト膜９１をパターニングする。具体的には、マスク１０１越しにフォトレジスト膜９１を選択的に露光し、引き続き露光後のフォトレジスト膜９１を必要に応じて加熱・冷却したのち、そのフォトレジスト膜９１を現像液で現像し、すなわちフォトレジスト膜９１のうちの不要部分（マスク１０１の開口１０１Ｋ１，１０１Ｋ２を通じて露光された部分）を選択的に除去する。特に、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９１をパターニングする際には、例えば、そのフォトレジスト９１と共に反射抑制層１７０を併せてパターニングすることにより、フォトレジスト膜９１のうちの不要部分（露光部分）と共に反射抑制層１７０のうちの不要部分（露光部分）も併せて除去する。これにより、図２０に示したように、フォトレジスト膜９１のうちの開口１０１Ｋ１，１０１Ｋ２に対応する箇所にそれぞれ開口１１１Ｋ１，１１１Ｋ２が形成されるため、シード層６０上に、内側領域Ｆ１Ｒに配置された内側フレーム部１１１Ｒ１および外側領域Ｆ１Ｌに配置された外側フレーム部１１１Ｌ１を有すると共に、内側領域Ｆ２Ｒに配置された内側フレーム部１１１Ｒ２および外側領域Ｆ２Ｌに配置された外側フレーム部１１１Ｌ２を有し、内側フレーム部１１１Ｒ１および外側フレーム部１１１Ｌ１により開口１１１Ｋ１が画定されると共に、内側フレーム部１１１Ｒ２および外側フレーム部１１１Ｌ２により開口１１１Ｋ２が画定されるようにフォトレジストパターン１１１が形成される。なお、図２０では、使用済みのマスク１０１を除去した状態を示している。
【００９１】
フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９１が露光されてパターニングされることによりフォトレジストパターン１１１が形成される際には、露光用の光がフォトレジスト膜９１を露光したのちにシード層６０において乱反射するため、その光の乱反射現象の影響を受けてフォトレジスト膜９１の露光範囲にＺ軸方向において差異が生じる結果、フォトレジスト膜９１の露光範囲がシード層６０に近い側から遠い側に向かって次第に広がることとなる。これにより、最終的に形成されるフォトレジストパターン１１１では、開口１１１Ｋ１，１１１Ｋ２の幅（開口幅）がシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まることとなる。
【００９２】
この場合には、特に、シード層６０上の内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌに反射抑制層１７０が配置されている一方で内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌに反射抑制層１７０が配置されていないため、内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌと内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌとの間において反射抑制層１７０の有無に基づいてフォトレジスト膜９１の露光範囲に相対的に差異が生じ、具体的には内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌにおいて光が相対的に乱反射しにくい一方で内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌにおいて光が相対的に乱反射しやすいため、フォトレジスト膜９１の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌにおいて内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌよりも狭くなる。この露光範囲の相対的な差異を利用することにより、図２１に示したように、内側フレーム部１１１Ｒ１のうちの開口１１１Ｋ１を画定する内側画定面１１１Ｒ１Ｍ（第１の内側画定面）の傾斜角度ωＲ１および外側フレーム部１１１Ｌ１のうちの開口１１１Ｋ１を画定する外側画定面１１１Ｌ１Ｍ（第１の外側画定面）の傾斜角度ωＬ１と、内側フレーム部１１１Ｒ２のうちの開口１１１Ｋ２を画定する内側画定面１１１Ｒ２Ｍ（第２の内側画定面）の傾斜角度ωＲ２および外側フレーム部１１１Ｌ２のうちの開口１１１Ｋ２を画定する外側画定面１１１Ｌ２Ｍ（第２の外側画定面）の傾斜角度ωＬ２とが互いに異なり、具体的には傾斜角度ωＲ１，ωＬ１が傾斜角度ωＲ２，ωＬ２よりも大きくなる（ωＲ１，ωＬ１＞ωＲ２，ωＬ２）。なお、上記第１の実施の形態において説明した理由により、図２０および図２１、ならびに後述する図２２以降では、内側画定面１１１Ｒ１Ｍ，１１１Ｒ２Ｍおよび外側画定面１１１Ｌ１Ｍ，１１１Ｌ２Ｍを平面状に示している。
【００９３】
続いて、図２２に示したように、フォトレジストパターン１１１のうちの開口１１１Ｋ１Ｋにコイルパターン１３１を形成すると共に、同様に開口１１１Ｋ２にコイルパターン１３２を形成する。これらのコイルパターン１３１，１３２を形成する際には、例えば、シード層６０を使用してめっき膜を成長させることにより、コイルパターン１３１，１３２を形成する。特に、コイルパターン１３１，１３２を形成する際には、例えば、それらのコイルパターン１３１，１３２の形成厚さがフォトレジストパターン１１１の形成厚さよりも小さくなるように調整するのが好ましい。このコイルパターン１３１は、図１５および図１６に示したように、シード層６０から遠い側に位置して内側領域Ｆ１Ｒに対応する内側底角θＲ１および外側領域Ｆ１Ｌに対応する外側底角θＬ１を規定する端縁１３１Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する端縁１３１Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、それらの内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が互いに等しい左右対称の逆台形状の断面を有するように形成される。同様に、コイルパターン１３２は、シード層６０から遠い側に位置して内側領域Ｆ２Ｒに対応する内側底角θＲ２および外側領域Ｆ２Ｌに対応する外側底角θＬ２を規定する端縁１３２Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する端縁１３２Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、それらの内側底角θＲ２および外側底角θＬ２が互いに等しく、かつ内側底角θＲ１および外側底角θＬ１とは異なる左右対称の逆台形状の断面を有するように形成される。ここでは、例えば、コイルパターン１３１，１３２の断面において、内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が内側底角θＲ２および外側底角θＬ２よりも大きくなる（θＲ１，θＬ１＞θＲ２，θＬ２）。
【００９４】
続いて、例えばアセトンなどの有機溶剤を使用して反射抑制層１７０およびフォトレジストパターン１１１を溶解させることにより、図２３に示したように、それらの反射抑制層１７０およびフォトレジストパターン１１１を除去する。これにより、反射抑制層１７０およびフォトレジストパターン１１１が設けられていた箇所に、シード層６０が露出する。
【００９５】
最後に、コイルパターン１３１，１３２の双方をマスクとして用いて、例えばイオンミリングを使用してシード層６０を選択的にエッチングすることにより、図２４に示したように、そのシード層６０のうちのコイルパターン１３１，１３２により覆われていない部分を除去して下部磁性基板１０を露出させる。これにより、下部磁性基板１０上に、中心位置Ｔを中心として互いに並列しながらスパイラル状に巻回するコイルパターン１３１，１３２を含んで構成された薄膜コイル１３０が完成する。
【００９６】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法では、内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌに反射抑制層１７０を形成した状態においてフォトレジスト膜９１を露光してパターニングすることにより、開口１１１Ｋ１，１１１Ｋ２の開口幅がいずれもシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン１１１を形成したのち、そのフォトレジストパターン１１１のうちの開口１１１Ｋ１，１１１Ｋ２にそれぞれコイルパターン１３１，１３２を形成することにより薄膜コイル１３０を形成している。この場合には、上記したように、反射抑制層１７０の有無に基づいてフォトレジスト膜９１の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌにおいて内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌよりも相対的に狭まる光学的作用を利用して、フォトレジストパターン１１１において内側フレーム部１１１Ｒ１および外側フレーム部１１１Ｌ１の傾斜角度ωＲ１，ωＬ１が内側フレーム部１１１Ｒ２および外側フレーム部１１１Ｌ２の傾斜角度ωＲ２，ωＬ２よりも大きくなるため、そのフォトレジストパターン１１１のうちの開口１１１Ｋ１，１１１Ｋ２にそれぞれコイルパターン１３１，１３２を形成すれば、それらのコイルパターン１３１，１３２の断面では傾斜角度ωＲ１，ωＬ１，ωＲ２，ωＬ２間の大小関係を反映して内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が内側底角θＲ２および外側底角θＲ２よりも大きくなり、すなわち左右対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン１３１，１３２の双方が形成される。しかも、この場合には、左右対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン１３１，１３２を形成する上で、成膜技術、パターニング技術およびエッチング技術などの既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑案製造プロセスを使用しないため、既存の薄膜プロセスのみを使用して薄膜コイル１３０が容易に形成される。したがって、本実施の形態では、コイルパターン１３１，１３２の断面が左右対称の逆台形状となるように薄膜コイル１３０を容易に形成可能であるため、その薄膜コイル１３０を備えたコモンモードチョークコイルを可能な限り容易に製造することができる。
【００９７】
また、上記した他、本実施の形態に係る薄膜コイルの製造方法では、コイルパターン１３１，１３２の断面が左右対称の逆台形状を有する薄膜コイル１３０を形成する上で、上記したように、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態では、既存の薄膜プロセスのみを使用して薄膜コイル１３０を可能な限り容易に製造することができる。
【００９８】
なお、本実施の形態では、図１９および図２１に示したように、フォトレジスト膜９１を露光してパターニングすることによりフォトレジストパターン１１１を形成する際に、内側領域Ｆ１Ｒ、外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに反射抑制層１７０を配置させることにより、図１６に示したように、コイルパターン１３１，１３２の断面において内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が内側底角θＲ２および外側底角θＬ２よりも大きくなるようにしたが（θＲ１，θＬ１＞θＲ２，θＬ２）、必ずしもこれに限られるものではない。具体的には、例えば、図２５に示したように、内側領域Ｆ１Ｒ、外側領域Ｆ１Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに代えて内側領域Ｆ２Ｒ、外側領域Ｆ２Ｌおよび中央領域Ｆ１Ｃに反射抑制層１７０を配置させることにより、図２６に示したように、図１９および図２１に示した場合と同様に反射抑制層１７０の有無に基づく露光範囲の相対的な差異を利用して、傾斜角度ωＲ１，ωＬ１よりも傾斜角度ωＲ２，ωＬ２が大きくなるようにフォトレジストパターン１１１を形成してもよい（ωＲ１，ωＬ１＜ωＲ２，ωＬ２）。この場合には、図２６に示したフォトレジストパターン１１１を使用してコイルパターン１３１，１３２を形成することにより、図２７に示したように、コイルパターン１３１，１３２の断面において内側底角θＲ１および外側底角θＬ１よりも内側底角θＲ２および外側底角θＬ２が大きくなる（θＲ１，θＬ１＜θＲ２，θＬ２）。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、上記したように、内側底角θＲ１，θＲ２および外側底角θＬ１，θＬ２の値、ならびにそれらの大小関係は、例えば、コモンモードチョークコイルの設計仕様や目標性能等に応じて自由に設定可能である。
【００９９】
なお、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法に関する上記以外の手順、作用および効果は、上記第１の実施の形態と同様である。
【０１００】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。
【０１０１】
図２８および図２９は本発明の第３の実施の形態に係る「コイル構造体の製造方法」としてコモンモードチョークコイルの製造工程を説明するためのものであり、それぞれ上記第１の実施の形態において示した図６および図８に対応している。これらの図２８および図２９では、上記第１の実施の形態において説明した構成要素と同一の要素に同一の符号を付している。なお、本発明の「薄膜コイルの製造方法」は、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程において薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）を形成するために使用されるものであるため、その薄膜コイルの製造方法に関しては、以下で併せて説明する。
【０１０２】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法は、図１〜図３に示したコイルパターン３１，３２が左右非対称の逆台形状の断面を有している薄膜コイル３０を形成するために、露光制御層として露光時の反射現象を抑制させるための反射抑制層７１，７２を利用した上記第１の実施の形態とは異なり、その露光制御層として反射抑制層７１，７２に代えて露光時の反射現象を促進させるための反射促進層２７１，２７２を利用する点を除き、上記第１の実施の形態の製造工程とほぼ同様の形成工程を経て薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）を形成するものである（図４〜図１１参照）。
【０１０３】
本実施の形態に係るコイルモードチョークコイルの製造工程において薄膜コイル３０（コイルパターン３１，３２）を形成する際には、上記第１の実施の形態において図４を参照して説明した手順と同様の手順を経ることにより下部磁性基板１０上にシード層６０を形成したのち、まず、図２８に示したように、そのシード層６０上に、露光処理の進行度を制御するための露光制御層を形成する。ここでは、例えば、シード層６０上に光反射特性が高い材料を成膜することにより、上記したように、露光制御層として露光時の反射現象を促進させるための反射促進層２７１，２７２をパターン形成する。この反射促進層２７１，２７２を形成する際には、例えば、シード層６０よりも光反射特性が高い材料を使用し、具体的にはシード層６０が銅（Ｃｕ）などの着色金属材料により構成されている場合には低光吸収特性を有する金属材料（例えば高白色光沢性を有する銀（Ａｇ）や白金（Ｐｔ）等）を使用する。特に、反射促進層２７１，２７２を形成する場合には、例えば、スパッタリングなどの成膜手法を使用して、内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒまたは外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌのいずれか一方にそれぞれ反射促進層２７１，２７２を配置させるようにする。ここでは、例えば、内側領域Ｆ１Ｒに反射促進層２７１（第１の露光制御層）を配置させると共に、内側領域Ｆ２Ｒに反射促進層２７２（第２の露光制御層）を配置させる。これらの反射促進層２７１，２７２を配置させる領域（内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ１Ｒあるいは外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌ）は、図３に示したコイルパターン３１，３２の断面形状（内側底角θＲ１，θＲ２と外側底角θＬ１，θＬ２との間の大小関係）に基づいて選択され、すなわち内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒに対応する内側底角θＲ１，θＲ２、あるいは外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌに対応する外側底角θＬ１，θＬ２のうち、相対的に角度を小さくしたい方の底角に対応する領域に、反射促進層２７１，２７２を配置させる。ここでは、例えば、内側底角θＲ１，θＲ２が外側底角θＬ１，θＬ２よりも小さくなるようにコイルパターン３１，３２の断面形状を設定するために、それらの内側底角θＲ１，θＲ２に対応する内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒに反射促進層２７１，２７２を配置させている。
【０１０４】
続いて、シード層６０および反射促進層２７１，２７２の表面にフォトレジストを塗布したのち、そのフォトレジストを必要に応じて加熱・冷却することにより、図２８に示したように、シード層６０および反射促進層２７１，２７２を覆うようにフォトレジスト膜９０を形成する。
【０１０５】
続いて、図２８に示したように、中央領域Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｃに対応する箇所にそれぞれコイルパターン３１，３２のパターン形状に対応した開口形状を有する開口１００Ｋ１，１００Ｋ２が設けられたマスク１００を準備したのち、そのマスク１００を用いたフォトリソグラフィ処理を使用して、そのマスク１００のパターン形状に対応するようにフォトレジスト膜９０をパターニングする。具体的には、マスク１００越しにフォトレジスト膜９０を選択的に露光し、引き続き露光後のフォトレジスト膜９０を必要に応じて加熱・冷却したのち、そのフォトレジスト膜９０を現像液で現像し、すなわちフォトレジスト膜９０のうちの不要部分（マスク１００の開口１００Ｋ１，１００Ｋ２を通じて露光された部分）を選択的に除去する。特に、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９０をパターニングする際には、例えば、必要に応じて反射促進層２７１，２７２を部分的にドライエッチングすることにより、それらの反射促進層２７１，２７２のうちの不要部分も併せて除去する。これにより、図２９に示したように、シード層６０上に、上記第１の実施の形態において図８を参照して説明した場合と同様の構造的特徴（ωＲ１，ωＲ２＜ωＬ１，ωＬ２）を有するフォトレジストパターン１１０が形成される。
【０１０６】
フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９０がパターニングされることによりフォトレジストパターン１１１が形成される際には、上記第１の実施の形態において説明したように、シード層６０における光の乱反射現象に基づいてフォトレジスト膜９０の露光範囲にＺ軸方向において差異が生じるため、開口１１０Ｋ１，１１０Ｋ２の幅（開口幅）がシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まる。この場合には、特に、シード層６０上の内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒにそれぞれ反射促進層２７１，２７２が配置されている一方で外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌに反射促進層２７１，２７２が配置されていないため、内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒと外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌとの間において反射促進層２７１，２７２の有無に基づいてフォトレジスト膜９０の露光範囲に相対的な差異が生じ、具体的には内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒにおいて外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌよりも光が相対的に乱反射しやすくなるため、フォトレジスト膜９０の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒにおいて外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌよりも広くなる。これにより、図２９に示したように、内側フレーム部１１０Ｒ１のうちの開口１１０Ｋ１を画定する内側画定面１１０Ｒ１Ｍの傾斜角度ωＲ１と外側フレーム部１１０Ｌ１のうちの開口１１０Ｋ１を画定する外側画定面１１０Ｌ１Ｍの傾斜角度ωＬ１とが互いに異なると共に（ωＲ１≠ωＬ１）、内側フレーム部１１０Ｒ２のうちの開口１１０Ｋ２を画定する内側画定面１１０Ｒ２Ｍの傾斜角度ωＲ２と外側フレーム部１１０Ｌ２のうちの開口１１０Ｋ２を画定する外側画定面１１０Ｌ２Ｍの傾斜角度ωＬ２とが異なり（ωＲ２≠ωＬ２）、具体的には傾斜角度ωＲ１が傾斜角度ωＬ１よりも小さくなると共に（ωＲ１＜ωＬ１）、傾斜角度ωＲ２が傾斜角度ωＬ２よりも小さくなる（ωＲ２＜ωＬ２）。すなわち、例えば、上記したように、傾斜角度ωＲ１が傾斜角度ωＬ１よりも小さくなると共に、傾斜角度ωＲ２が傾斜角度ωＬ２よりも小さくなるようにフォトレジストパターン１１０を形成した場合には、図３に示したように、最終的に形成されるコイルパターン３１，３２の断面では、内側底角θＲ１が外側底角θＬ１よりも小さくなると共に（θＲ１＜θＬ１）、内側底角θＲ２が外側底角θＬ２よりも小さくなる（θＲ２＜θＬ２）。
【０１０７】
なお、フォトレジストパターン１１０を形成したのち、そのフォトレジストパターン１１０を使用してコイルパターン３１，３２を形成することにより最終的に薄膜コイル３０を形成する手順は、上記第１の実施の形態において図９〜図１１を参照して説明した手順と同様であるので、その説明を省略する。この場合においても、図１〜図３に示したコイルパターン３１，３２の断面が左右非対称の逆台形状を有する薄膜コイル３０を形成することが可能である。
【０１０８】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法では、内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒにそれぞれ反射促進層２７１，２７２を形成した状態においてフォトレジスト膜９０を露光してパターニングすることにより、開口１１０Ｋ１，１１０Ｋ２の開口幅がいずれもシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン１１０を形成したのち、そのフォトレジストパターン１１０を使用してコイルパターン３１，３２を形成するようにしている。この場合には、上記したように、反射促進層２７１，２７２の有無に基づいてフォトレジスト膜９０の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒにおいて外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌよりも相対的に広がる光学的作用を利用して、フォトレジストパターン１１０において内側フレーム部１１０Ｒ１，１１０Ｒ２の傾斜角度ωＲ１，ωＲ２が外側フレーム部１１０Ｌ１，１１０Ｌ２の傾斜角度ωＬ１，ωＬ２よりも小さくなるため、そのフォトレジストパターン１１０を使用してコイルパターン３１，３２を形成すれば、それらのコイルパターン３１，３２の断面では傾斜角度ωＲ１，ωＬ１，ωＲ２，ωＬ２間の大小関係を反映して内側底角θＲ１，θＲ２が外側底角θＬ１，θＬ２よりも小さくなり、すなわち左右非対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン３１，３２の双方が形成される。しかも、この場合には、左右非対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン３１，３２を形成する上で既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態においても、既存の薄膜プロセスのみを使用して薄膜コイル３０を備えたコモンモードチョークコイルを可能な限り容易に製造することができる。
【０１０９】
なお、本実施の形態では、図２８および図２９に示したように、フォトレジスト膜９０を露光してパターニングすることによりフォトレジストパターン１１０を形成する際に、内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒにそれぞれ反射促進層２７１，２７２を配置させることにより、図３に示したように、コイルパターン３１，３２の断面において内側底角θＲ１，θＲ２が外側底角θＬ１，θＬ２よりも小さくなるようにしたが（θＲ１，θＲ２＜θＬ１，θＬ２）、必ずしもこれに限られるものではない。具体的には、例えば、図３０に示したように、内側領域Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒに代えて外側領域Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌにそれぞれ反射促進層２７１，２７２を配置させることにより、図３１に示したように、図２８および図２９に示した場合と同様に反射促進層２７１，２７２の有無に基づく露光範囲の相対的な差異を利用して、傾斜角度ωＲ１，ωＲ２よりも傾斜角度ωＬ１，ωＬ２において小さくなるようにフォトレジストパターン１１０を形成してもよい（ωＲ１，ωＲ２＞ωＬ１，ωＬ２）。この場合には、図３１に示したフォトレジストパターン１１０を使用してコイルパターン３１，３２を形成することにより、上記第１の実施の形態において変形例として図１４に示したように、コイルパターン３１，３２の断面において内側底角θＲ１，θＲ２よりも外側底角θＬ１，θＬ２において小さくなる（θＲ１，θＲ２＞θＬ１，θＬ２）。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
なお、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法ならびに薄膜コイルの製造方法に関する上記以外の手順、作用および効果は、上記第１の実施の形態と同様である。
【０１１１】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
【０１１２】
図３２および図３３は本発明の第４の実施の形態に係る「コイル構造体の製造方法」としてコモンモードチョークコイルの製造工程を説明するためのものであり、それぞれ上記第２の実施の形態において示した図１９および図２１に対応している。これらの図３２および図３３では、上記第２の実施の形態において説明した構成要素と同一の要素に同一の符号を付している。なお、本発明の「薄膜コイルの製造方法」は、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程において薄膜コイル１３０（コイルパターン１３１，１３２）を形成するために使用されるものであるため、その薄膜コイルの製造方法に関しては、以下で併せて説明する。
【０１１３】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法は、図１５および図１６に示したコイルパターン１３１，１３２が左右対称の逆台形状の断面を有している薄膜コイル１３０を形成するために、露光制御層として露光時の反射現象を抑制させるための反射抑制層１７０を利用した上記第２の実施の形態とは異なり、その露光制御層として反射抑制層１７０に代えて露光時の反射現象を促進させるための反射促進層３７０を利用する点を除き、上記第２の実施の形態の製造工程とほぼ同様の形成工程を経て薄膜コイル１３０（コイルパターン１３１，１３２）を形成するものである（図１７〜図２４参照）。
【０１１４】
本実施の形態に係るコイルモードチョークコイルの製造工程において薄膜コイル１３０（コイルパターン１３１，１３２）を形成する際には、上記第１の実施の形態において図４を参照して説明した手順と同様の手順を経ることにより下部磁性基板１０上にシード層６０を形成したのち、まず、図３２に示したように、そのシード層６０上に、露光処理の進行度を制御するための露光制御層を形成する。ここでは、例えば、シード層６０上に光反射特性が高い材料を成膜することにより、上記したように、露光制御層として露光時の反射現象を促進させるための反射促進層３７０をパターン形成する。この反射促進層３７０の形成材料および形成手順は、上記第３の実施の形態において説明した反射促進層２７１，２７２の形成材料および形成手順と同様である。特に、反射促進層３７０を形成する場合には、例えば、スパッタリングなどの成膜手法を使用して、内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌ、あるいは内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌのいずれか一方に反射促進層３７０を配置させるようにする。ここでは、例えば、内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌに反射促進層３７０を配置させる。この反射促進層３７０を配置させる領域（内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌ、あるいは内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌ）は、図１６に示したコイルパターン１３１，１３２の断面形状（内側底角θＲ１および外側底角θＬ１と内側底角θＲ２および外側底角θＬ２との間の大小関係）に基づいて選択され、すなわち内側領域Ｆ１Ｒに対応する内側底角θＲ１および外側領域Ｆ１Ｌに対応する外側底角θＬ１、あるいは内側領域Ｆ２Ｒに対応する内側底角θＲ２および外側領域Ｆ２Ｌに対応する外側底角θＬ２のうち、相対的に角度を小さくしたい方の底角に対応する領域に反射促進層３７０を配置させる。ここでは、例えば、内側底角θＲ１および外側底角θＬ１よりも内側底角θＲ２および外側底角θＬ２において小さくなるようにコイルパターン１３１，１３２の断面形状を設定するために、それらの内側底角θＲ２および外側底角θＬ２に対応する内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｃに反射促進層３７０を配置させている。
【０１１５】
続いて、シード層６０および反射促進層３７０の表面にフォトレジストを塗布したのち、そのフォトレジストを必要に応じて加熱・冷却することにより、図３２に示したように、シード層６０および反射促進層３７０を覆うようにフォトレジスト膜９１を形成する。
【０１１６】
続いて、図３２に示したように、中央領域Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｃに対応する箇所にそれぞれコイルパターン１３１，１３２のパターン形状に対応した開口形状を有する開口１０１Ｋ１，１０１Ｋ２が設けられたマスク１０１を準備したのち、そのマスク１０１を用いたフォトリソグラフィ処理を使用して、そのマスク１０１のパターン形状に対応するようにフォトレジスト膜９１をパターニングする。具体的には、マスク１０１越しにフォトレジスト膜９１を選択的に露光し、引き続き露光後のフォトレジスト膜９１を必要に応じて加熱・冷却したのち、そのフォトレジスト膜９１を現像液で現像し、すなわちフォトレジスト膜９１のうちの不要部分（マスク１０１の開口１０１Ｋ１，１０１Ｋ２を通じて露光された部分）を選択的に除去する。特に、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９１をパターニングする際には、例えば、必要に応じて反射促進層３７０を部分的にドライエッチングすることにより、その反射促進層３７０のうちの不要部分も併せて除去する。これにより、図３３に示したように、シード層６０上に、上記第２の実施の形態において図２１を参照して説明した場合と同様の構造的特徴（ωＲ１，ωＬ１＞ωＲ２，ωＬ２）を有するフォトレジストパターン１１１が形成される。
【０１１７】
フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜９１がパターニングされることによりフォトレジストパターン１１１が形成される際には、上記第２の実施の形態において説明したように、シード層６０における光の乱反射現象に基づいてフォトレジスト膜９１の露光範囲にＺ軸方向において差異が生じるため、開口１１１Ｋ１，１１１Ｋ２の幅（開口幅）がいずれもシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まる。この場合には、特に、シード層６０上の内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌに反射促進層３７０が配置されていない一方で内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌに反射促進層３７０が配置されているため、内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌと内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌとの間において反射促進層３７０の有無に基づいてフォトレジスト膜９１の露光範囲に相対的な差異が生じ、具体的には内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌよりも内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌにおいて光が相対的に乱反射しやすくなるため、フォトレジスト膜９１の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌよりも内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌにおいて広くなる。これにより、内側フレーム部１１１Ｒ１のうちの開口１１１Ｋ１を画定する内側画定面１１１Ｒ１Ｍの傾斜角度ωＲ１と外側フレーム部１１１Ｌ１のうちの開口１１１Ｋ１を画定する外側画定面１１１Ｌ１Ｍの傾斜角度ωＬ１とが互いに一致すると共に（ωＲ１＝ωＬ１）、内側フレーム部１１１Ｒ２のうちの開口１１１Ｋ２を画定する内側画定面１１１Ｒ２Ｍの傾斜角度ωＲ２と外側フレーム部１１１Ｌ２のうちの開口１１１Ｋ２を画定する外側画定面１１１Ｌ２Ｍの傾斜角度ωＬ２とが互いに一致する（ωＲ２＝ωＬ２）。すなわち、例えば、上記したように、傾斜角度ωＲ１，ωＬ１よりも傾斜角度ωＲ２，ωＬ２において小さくなるようにフォトレジストパターン１１１を形成した場合には（ωＲ１，ωＬ１＞ωＲ２，ωＬ２）、図１６に示したように、最終的に形成されるコイルパターン１３１，１３２の断面では、内側底角θＲ１および外側底角θＬ１よりも内側底角θＲ２および外側底角θＬ２において小さくなる（θＲ１，θＬ１＞θＲ２，θＬ２）。
【０１１８】
なお、フォトレジストパターン１１１を形成したのち、そのフォトレジストパターン１１１を使用してコイルパターン１３１，１３２を形成ことにより最終的に薄膜コイル１３０を形成する手順は、上記第２の実施の形態において図２２〜図２４を参照して説明した手順と同様であるので、その説明を省略する。この場合においても、図１５および図１６に示したコイルパターン１３１，１３２の断面が左右非対称の逆台形状を有する薄膜コイル１３０を形成することが可能である。
【０１１９】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法では、内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌに反射促進層３７０を形成した状態においてフォトレジスト膜９１を露光してパターニングすることにより、開口１１１Ｋ１，１１１Ｋ２の開口幅がいずれもシード層６０に近づくにしたがって次第に狭まるようにフォトレジストパターン１１１を形成したのち、そのフォトレジストパターン１１１を使用してコイルパターン１３１，１３２を形成するようにしている。この場合には、上記したように、反射促進層３７０の有無に基づいてフォトレジスト膜９１の露光範囲が内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌよりも内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌにおいて相対的に広がる光学的作用を利用して、フォトレジストパターン１１１において内側フレーム部１１１Ｒ１および外側フレーム部１１１Ｌ１の傾斜角度ωＲ１，ωＬ１よりも内側フレーム部１１１Ｒ２および外側フレーム部１１１Ｌ２の傾斜角度ωＲ２，ωＬ２において小さくなるため、そのフォトレジストパターン１１１を使用してコイルパターン１３１，１３２を形成すれば、それらのコイルパターン１３１，１３２の断面では傾斜角度ωＲ１，ωＬ１，ωＲ２，ωＬ２間の大小関係を反映して内側底角θＲ１および外側底角θＬ１よりも内側底角θＲ２および外側底角θＬ２において小さくなり、すなわち左右対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン１３１，１３２の双方が形成される。しかも、この場合には、左右対称の逆台形状の断面を有するようにコイルパターン１３１，１３２を形成する上で既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態においても、既存の薄膜プロセスのみを使用して薄膜コイル１３０を備えたコモンモードチョークコイルを可能な限り容易に製造することができる。
【０１２０】
なお、本実施の形態では、図３２および図３３に示したように、フォトレジスト膜９１を露光してパターニングすることによりフォトレジストパターン１１１を形成する際に、内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌに反射促進層３７０を配置させることにより、図１６に示したように、コイルパターン１３１，１３２の断面において内側底角θＲ１および外側底角θＬ１よりも内側底角θＲ２および外側底角θＬ２において小さくなるようにしたが（θＲ１，θＬ１＞θＲ２，θＬ２）、必ずしもこれに限られるものではない。具体的には、例えば、図３４に示したように、内側領域Ｆ２Ｒおよび外側領域Ｆ２Ｌに代えて内側領域Ｆ１Ｒおよび外側領域Ｆ１Ｌに反射促進層３７０を配置させることにより、図３５に示したように、図３２および図３３に示した場合と同様に反射促進層３７０の有無に基づく露光範囲の相対的な差異を利用して、傾斜角度ωＲ１，ωＬ１が傾斜角度ωＲ２，ωＬ２よりも小さくなるようにフォトレジストパターン１１１を形成してもよい（ωＲ１，ωＬ１＜ωＲ２，ωＬ２）。この場合には、図３５に示したフォトレジストパターン１１１を使用してコイルパターン１３１，１３２を形成することにより、上記第２の実施の形態において変形例として図２７に示したように、コイルパターン１３１，１３２の断面において内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が内側底角θＲ２および外側底角θＬ２よりも小さくなる（θＲ１，θＬ１＜θＲ２，θＬ２）。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２１】
なお、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法ならびに薄膜コイルの製造方法に関する上記以外の手順、作用および効果は、上記第２の実施の形態と同様である。
【０１２２】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記各実施の形態では、第１および第３の実施の形態において、２つのコイルパターン３１，３２の断面形状が互いに一致しており、より具体的にはコイルパターン３１，３２の断面形状がいずれも左右非対称の逆台形状である場合について説明したと共に、第２および第４の実施の形態において、２つのコイルパターン１３１，１３２の断面形状が互いに異なっており、より具体的にはコイルパターン１３１，１３２の断面形状がいずれも左右対称の逆台形状である場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、２つのコイルパターンの断面形状がいずれも逆台形状である構造的特徴に基づいてキャパシタンスを可能な限り低減させることによりディファレンシャル伝送特性を向上させることが可能な限り、２つのコイルパターンの断面形状の組み合わせは自由に変更可能である。具体的には、例えば、２つのコイルパターンの断面形状が互いに一致している上記第１および第３の実施の形態の場合には、その２つのコイルパターンの断面形状の組み合わせに関して、左右非対称の逆台形状同士の組み合わせに限らず、例えば、左右対称の逆台形状同士の組み合わせであってもよい。また、２つのコイルパターンの断面形状が互いに異なっている上記第２および第４の実施の形態の場合には、その２つのコイルパターンの断面形状の組み合わせに関して、左右対称の逆台形状同士の組み合わせに限らず、左右非対称の逆台形状同士の組み合わせであってもよいし、あるいは左右対称の逆台形状と左右非対称の逆台形状との組み合わせであってもよい。２つのコイルパターンの断面形状がいかなる逆台形状の組み合わせであっても、上記各実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２３】
また、上記各実施の形態では、本発明をコモンモードチョークコイルに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明をコモンモードチョークコイル以外の他の電子部品に適用するようにしてもよい。この場合においても、上記各実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明に係る薄膜コイルおよびその製造方法は、例えばコモンモードチョークコイルなどのコイル構造体およびその製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの断面構成を模式的に表す断面図である。
【図２】薄膜コイルの平面構成を表す平面図である。
【図３】薄膜コイルの断面構成を部分的に拡大して表す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程における一工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に示した断面構成を部分的に拡大して表す断面図である。
【図９】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法に関する変形例を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に示したフォトレジストパターンを使用して形成される薄膜コイルの断面構成を表す断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの断面構成を模式的に表す断面図である。
【図１６】薄膜コイルの断面構成を部分的に拡大して表す断面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程における一工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に示した断面構成を部分的に拡大して表す断面図である。
【図２２】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法に関する変形例を説明するための断面図である。
【図２６】図２５に続く工程を説明するための断面図である。
【図２７】図２６に示したフォトレジストパターンを使用して形成される薄膜コイルの断面構成を表す断面図である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程における一工程を説明するための断面図である。
【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図である。
【図３０】本発明の第３の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法に関する変形例を説明するための断面図である。
【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図である。
【図３２】本発明の第４の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造工程における一工程を説明するための断面図である。
【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図である。
【図３４】本発明の第４の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法に関する変形例を説明するための断面図である。
【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１０…下部磁性基板、２０…上部磁性基板、３０，１３０…薄膜コイル、３１，３２，１３１，１３２…コイルパターン、３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ…端子、３１Ｅ１，３１Ｅ２，３２Ｅ１，３２Ｅ２，１３１Ｅ１，１３１Ｅ２，１３２Ｅ１，１３２Ｅ２…端縁、４０…絶縁層、５０…磁性層、６０…シード層、７０，７１，７２，１７０…反射抑制層、８０，８１，１００，１０１…マスク、８０Ｋ１，８０Ｋ２，８１Ｋ，１００Ｋ１，１００Ｋ２，１０１Ｋ１，１０１Ｋ２，１１０Ｋ１，１１０Ｋ２，１１１Ｋ１，１１１Ｋ２…開口、９０，９１…フォトレジスト膜、１１０，１１１…フォトレジストパターン、１１０Ｌ１，１１０Ｌ２，１１１Ｌ１，１１１Ｌ２…外側フレーム部、１１０Ｒ１，１１０Ｒ２，１１１Ｒ１，１１１Ｒ２…内側フレーム部、１１０Ｌ１Ｍ，１１０Ｌ２Ｍ，１１１Ｌ１Ｍ，１１１Ｌ２Ｍ…外側画定面、１１０Ｒ１Ｍ，１１０Ｒ２Ｍ，１１１Ｒ１Ｍ，１１１Ｒ２Ｍ…内側画定面、Ｆ１Ｃ，Ｆ２Ｃ…中央領域、Ｆ１Ｌ，Ｆ２Ｌ…外側領域、Ｆ１Ｒ，Ｆ２Ｒ…内側領域、Ｇ…巻線間隔、Ｔ…中心位置、θＬ１，θＬ２…外側底角、θＲ１，θＲ２…内側底角、ωＬ１，ωＬ２，ωＲ１，ωＲ２…傾斜角度。
【図１】
2006019506.tif 000003
【図２】
2006019506.tif 000004
【図３】
2006019506.tif 000005
【図４】
2006019506.tif 000006
【図５】
2006019506.tif 000007
【図６】
2006019506.tif 000008
【図７】
2006019506.tif 000009
【図８】
2006019506.tif 000010
【図９】
2006019506.tif 000011
【図１０】
2006019506.tif 000012
【図１１】
2006019506.tif 000013
【図１２】
2006019506.tif 000014
【図１３】
2006019506.tif 000015
【図１４】
2006019506.tif 000016
【図１５】
2006019506.tif 000017
【図１６】
2006019506.tif 000018
【図１７】
2006019506.tif 000019
【図１８】
2006019506.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
2006019506.tif 000022
【図２１】
2006019506.tif 000023
【図２２】
2006019506.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2006019506.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
2006019506.tif 000028
【図２７】
2006019506.tif 000029
【図２８】
2006019506.tif 000030
【図２９】
2006019506.tif 000031
【図３０】
2006019506.tif 000032
【図３１】
2006019506.tif 000033
【図３２】
2006019506.tif 000034
【図３３】
2006019506.tif 000035
【図３４】
2006019506.tif 000036
【図３５】
2006019506.tif 000037
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
続いて、図９に示したように、フォトレジストパターン１１０のうちの開口１１０Ｋ１にコイルパターン３１を形成すると共に、同様に開口１１０Ｋ２にコイルパターン３２を形成する。これらのコイルパターン３１，３２を形成する際には、例えば、シード層６０を使用してめっき膜を成長させることにより、コイルパターン３１，３２を形成する。特に、コイルパターン３１，３２を形成する際には、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料を使用すると共に、それらのコイルパターン３１，３２の形成厚さがフォトレジストパターン１１０の形成厚さよりも小さくなるように調整するのが好ましい。このコイルパターン３１は、図１および図３に示したように、シード層６０から遠い側に位置して内側領域Ｆ１Ｒに対応する内側底角θＲ１および外側領域Ｆ１Ｌに対応する外側底角θＬ１を規定する端縁３１Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する端縁３１Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、それらの内側底角θＲ１および外側底角θＬ１が互いに異なる左右非対称の逆台形状の断面を有するように形成される。同様に、コイルパターン３２は、シード層６０から遠い側に位置して内側領域Ｆ２Ｒに対応する内側底角θＲ２および外側領域Ｆ２Ｌに対応する外側底角θＬ２を規定する端縁３２Ｅ１を互いに平行な一組の対辺のうちの長い方の対辺とし、かつシード層６０に近い側に位置する端縁３２Ｅ２を一組の対辺のうちの短い方の対辺とすると共に、それらの内側底角θＲ２および外側底角θＬ２が互いに異なる左右非対称の逆台形状の断面を有するように形成される。ここでは、例えば、コイルパターン３１の断面において内側底角θＲ１よりも外側底角θＬ１が大きくなると共に（θＲ１＜θＬ１）、コイルパターン３２の断面において内側底角θＲ２よりも外側底角θＬ２が大きくなる（θＲ２＜θＬ２）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
なお、フォトレジストパターン１１１を形成したのち、そのフォトレジストパターン１１１を使用してコイルパターン１３１，１３２を形成することにより最終的に薄膜コイル１３０を形成する手順は、上記第２の実施の形態において図２２〜図２４を参照して説明した手順と同様であるので、その説明を省略する。この場合においても、図１５および図１６に示したコイルパターン１３１，１３２の断面が左右対称の逆台形状を有する薄膜コイル１３０を形成することが可能である。