(57)【要約】    【課題】  半導体チップの表裏面における面圧分布が不均一になりにくい圧接型半導体装置を提供する。    【解決手段】  上熱緩衝板３が第１圧接電極７と当接する面３ａは、凹状の曲面であり、第１圧接電極７が上熱緩衝板３を押圧する突起７ａの先端７ｂは、面３ａと相補形状に形成された凸状の曲面であるので、両者はその凹凸曲面で嵌合した状態となる。面３ａの曲率半径と、先端７ｂの曲率半径とは略等しい。これにより、第１圧接電極７の加工精度などに起因して、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接しても、面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化が少ない。【選択図】      図１
2006019637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの表面に一方の端面が接触する第１の熱緩衝板と、
前記半導体チップの裏面に一方の端面が接触する第２の熱緩衝板と、
前記第１の熱緩衝板の他方の端面に当接する突起部を有する第１の電極板と、
前記第２の熱緩衝板の他方の端面に当接する第２の電極板とを備える圧接型半導体装置において、
互いに当接する前記第１の熱緩衝板の他方の端面および前記第１の電極板の突起部のうち、いずれか一方は、他方側から一方側に向かって凹む凹状の曲面を有し、いずれか他方は、一方側に向かって突出して前記凹状の曲面と相補形状に形成された凸状の曲面を有し、
前記第１の熱緩衝板の他方の端面と前記第１の電極板の突起部とは、前記凹状の曲面と、前記凸状の曲面とで当接することを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の圧接型半導体装置において、
前記凹状の曲面の曲率半径と、前記凸状の曲面の曲率半径とは略等しいことを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の圧接型半導体装置において、
前記凸状の曲面の曲率半径は、前記凹状の曲面の曲率半径より小さいことを特徴とする圧接型半導体装置。    
【請求項４】
請求項３に記載の圧接型半導体装置において、
前記半導体チップは、略同一平面内で重ならないように複数設けられ、
前記第１の熱緩衝板および前記第１の電極板の突起部は、前記半導体チップに対して一対一で対応するように設けられ、
互いに当接する前記凸状の曲面の曲率半径と前記凹状の曲面の曲率半径との差は、所定の位置に配設された半導体チップから前記平面方向に沿って離れるほど大きくなることを特徴とする圧接型半導体装置。              
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの項に記載の圧接型半導体装置において、
少なくとも前記凸状の曲面または前記凹状の曲面のうちの一方は、前記第１の熱緩衝板の他方の端面または前記第１の電極板の突起部に施された軟質金属のメッキ層で形成されていることを特徴とする圧接型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップを圧接して使用する圧接型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の半導体チップを圧接して使用する圧接型半導体装置が用いられるようになってきている。この圧接型半導体装置では、厚さの異なる複数の半導体チップを均一に加圧するために、半導体チップと電極板の突起部との間に配設される熱緩衝板の厚さを調節している（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−８２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の圧接型半導体装置では、電極板の突起部と熱緩衝板とが当接するそれぞれの当接面は、どちらも平面であるため、いずれかの部材に傾きがあると、その熱緩衝板で圧接されるチップに偏荷重が加わって半導体チップとの接触状態が不均一になり、電気抵抗や接触熱抵抗が高くなってしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、互いに当接する第１の熱緩衝板の他方の端面および第１の電極板の突起部のうち、いずれか一方は、他方側から一方側に向かって凹む凹状の曲面を有し、いずれか他方は、一方側に向かって突出して凹状の曲面と相補形状に形成された凸状の曲面を有し、第１の熱緩衝板の他方の端面と第１の電極板の突起部とは、凹状の曲面と、凸状の曲面とで当接することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、互いに当接する熱緩衝板の端面および電極板の突起部のうち、いずれか一方に凹状の曲面を、他方に凸状の曲面を形成するよう構成した。これにより、電極板の突起部が熱緩衝板に対して傾いて当接しても、当該当接面の接触状態の変化が少ないので、熱緩衝板によって押圧される半導体チップの表裏面における面圧分布が不均一になりにくく、電気抵抗や接触熱抵抗を低く抑えられる。したがって、圧接型半導体装置の性能を安定化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
−−−第１の実施の形態−−−
図１〜５を参照して、本発明による圧接型半導体装置の第１の実施の形態を説明する。図１は、圧接型半導体装置の構造を示す断面図である。圧接型半導体装置１００は、第１半導体チップ１と、第２半導体チップ２と、上熱緩衝板３，４と、下熱緩衝板５，６と、第１圧接電極７と、第２圧接電極８と、位置決めフレーム９と、絶縁外囲器１０とを備え、複数の第１および第２半導体チップ１，２を一括して圧接して、全体として一つの半導体装置として構成されている。
【０００８】
第１および第２半導体チップ１，２は、チップ状に加工された半導体素子であり、チップの表裏面（主面）にそれぞれ電極が形成されている。なお、第１半導体チップ１と第２半導体チップ２の厚さは同じであっても異なっていてもよく、後述する上熱緩衝板３，４や下熱緩衝板５，６の厚さを適宜調節することで適切な圧接状態が得られる。上熱緩衝板３，４は、たとえばモリブデンやタングステンなどの金属粉末を成型および焼結することで得られる板状部材であり、各半導体チップ１，２の一方の主面と、後述する第１圧接電極７とを電気的および熱的に接続する。
【０００９】
上熱緩衝板３は第１半導体チップ１の一方の主面と、上熱緩衝板４は第２半導体チップ２の一方の主面とそれぞれ当接する。上熱緩衝板３，４が各半導体チップ１，２の主面と当接する面は平面である。上熱緩衝板３，４が第１圧接電極７と当接する面の形状は凹型ドーム形状である。すなわち、上熱緩衝板３，４が第１圧接電極７と当接する面は、その面の中央が周囲より凹んでいる凹状の曲面となっている。
【００１０】
下熱緩衝板５，６は、上熱緩衝板３，４と同様に、たとえば、モリブデンやタングステンなどからなる板状部材であり、各半導体チップ１，２の他方の主面と第２圧接電極８とを電気的および熱的に接続する。下熱緩衝板５，６の両端面は平面であり、下熱緩衝板５が第１半導体チップ１の他方の主面と、下熱緩衝板６が第２半導体チップ２の他方の主面とそれぞれ当接する。
【００１１】
第１圧接電極７は、上述のように、上熱緩衝板３，４を介して各半導体チップ１，２の一方の主面に設けられた電極と接続される電極であり、上熱緩衝板３，４を介して各半導体チップ１，２の一方の主面を押圧している。第１圧接電極７は、銅または銅の合金からなる電極であり、上熱緩衝板３，４を押圧する部分には柱状の突起７ａが設けられている。突起７ａの先端部分の形状は凸型ドーム形状である。すなわち、突起７ａの先端は、その先端中央が周囲より突出した凸状の曲面となっている。
【００１２】
第２圧接電極８は、下熱緩衝板５，６を介して各半導体チップ１，２の他方の主面に設けられた電極と接続される電極であり、下熱緩衝板５，６を介して各半導体チップ１，２の他方の主面を押圧している。第２圧接電極８は、第１圧接電極７と同様に、銅または銅の合金からなる電極である。第２圧接電極８には、第１圧接電極７のような柱状の突起は設けられていない。
【００１３】
位置決めフレーム９は、各圧接電極７，８で圧接されたときの各半導体チップ１，２や各熱緩衝板３〜６の位置決めをする絶縁性のフレームである。絶縁外囲器１０は、各圧接電極７，８を結合させるための絶縁性の部材である。各圧接電極７，８は、絶縁外囲器１０で結合されると、各熱緩衝板３〜６を介して各半導体チップ１，２を圧接する。
【００１４】
図２は、図１における第１半導体チップ１の圧接構造を示した拡大図である。なお、第２半導体チップ２の圧接構造についても、第１半導体チップ１の圧接構造と同様であり、その作用効果も同様である。したがって、以下の説明では、第１半導体チップ１の圧接構造について説明することとして、第２半導体チップ２の圧接構造については、詳細な説明を省略する。
【００１５】
上述のように、上熱緩衝板３が第１圧接電極７と当接する面３ａは、凹状の曲面であり、第１圧接電極７が上熱緩衝板３を押圧する突起７ａの先端７ｂは、面３ａと相補形状に形成された凸状の曲面であるので、両者はその凹凸曲面で嵌合した状態となる。面３ａの曲率半径と、先端７ｂの曲率半径とは略等しい。これにより、第１圧接電極７の加工精度などに起因して、図３（ａ）に示すように、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接しても、面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化が少ない。また、圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分の形状が、凹型もしくは凸型ドーム形状、すなわち球面形状であるので、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対してどの方向に傾いて当接しても、面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化を抑制できる。したがって、上熱緩衝板３によって押圧される第１半導体チップ１の主面内の面圧分布が不均一になりにくい。
【００１６】
これに対して、従来の圧接型半導体装置のように、面３ａと先端７ｂとがともに平面であったとすれば、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いてしまうと、図３（ｂ）に示すように、面３ａおよび先端７ｂは、その面の周縁部分近傍の限られた場所で当接してしまう。そのため、上熱緩衝板３によって押圧される第１半導体チップ１の主面内の面圧分布が不均一になってしまう。
【００１７】
なお、上述の説明では、上熱緩衝板３の面３ａが凹状の曲面であり、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂが凸状の曲面であったが、図４に示すように、その凹凸の関係が逆であってもよい。すなわち、上熱緩衝板３の面３ａが凸状の曲面であり、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂが凹状の曲面であってもよい。このように、凹凸の関係が逆であっても、図５に示すように、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接することに起因する面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化が少ないので、上熱緩衝板３によって押圧される第１半導体チップ１の主面内の面圧分布が不均一になりにくい。
【００１８】
上述した第１の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、次の作用効果を奏する。
（１）  上熱緩衝板３の面３ａ、および第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂに対して、一方に凹状の曲面を、他方に凸状の曲面を形成するよう構成した。これにより、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接しても、面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化が少ないので、上熱緩衝板３によって押圧される第１半導体チップ１の主面内の面圧分布が不均一になりにくく、電気抵抗や接触熱抵抗を低く抑えられる。したがって、圧接型半導体装置１００の性能を安定化できる。また、第１圧接電極７と上熱緩衝板３との傾きが許容されるため、各熱緩衝板３〜６や各圧接電極７，８の加工精度を必要以上に上げなくてもよく、製造コストを抑制できる。
【００１９】
（２）  上熱緩衝板３の面３ａ、および第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂに設けられる凹凸状のそれぞれの曲面の曲率半径が略等しくなるよう構成した。これにより、面３ａと先端７ｂとの接触面積が増えるので、電気抵抗や接触熱抵抗を低く抑えることができ、圧接型半導体装置１００の性能を向上できる。
【００２０】
なお、各熱緩衝板３〜６によって押圧される各半導体チップ１，２の主面内の面圧分布が不均一になる要因としては、第１圧接電極７の加工精度以外の原因によって第１圧接電極７と上熱緩衝板３，４とが傾いた状態で当接した場合、各熱緩衝板３〜６の厚さ方向に平行な軸と端面とが直交していない場合、第２圧接電極８の下熱緩衝板５，６と当接する面が傾斜している場合などが挙げられる。第１の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、これらのいずれかの要因が存在しても、または、これらの要因が複数同時に存在しても、上述の作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００２１】
−−−第２の実施の形態−−−
図６〜９を参照して、本発明による圧接型半導体装置の第２の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。
【００２２】
図６は、圧接型半導体装置１００の内部に組み込まれた第１半導体チップ１の圧接構造を示す拡大図である。上熱緩衝板３が第１圧接電極７と当接する面３ａは、凹状の曲面であり、第１圧接電極７が上熱緩衝板３を押圧する突起７ａの先端７ｂは、凸状の曲面である。先端７ｂの曲率半径は、面３ａの曲率半径より小さい。すなわち、凸状の曲面の曲率半径は、凹状の曲面の曲率半径より小さい。そのため、図７に示すように、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接しても、第１の実施の形態の第１圧接電極７および上熱緩衝板３と比べて、面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化がさらに少ない。したがって、上熱緩衝板３によって押圧される第１半導体チップ１の主面内の面圧分布がさらに不均一になりにくい。
【００２３】
なお、上述の説明では、上熱緩衝板３の面３ａが凹状の曲面であり、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂが凸状の曲面であったが、図８に示すように、その凹凸の関係が逆であってもよい。すなわち、上熱緩衝板３の面３ａが凸状の曲面であり、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂが凹状の曲面であってもよい。この場合も、凸状の曲面の曲率半径は、凹状の曲面の曲率半径より小さい。このように、凹凸の関係が逆であっても、図９に示すように、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接することに起因する面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化が少ないので、同様の作用効果が得られる。
【００２４】
第２の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、第１の実施の形態の作用効果に加えて、次の作用効果を奏する。
（１）  上熱緩衝板３の面３ａ、または第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂのいずれか一方に設けられる凸状の曲面の曲率半径を、他方に設けられる凹状の曲面の曲率半径よりも小さくなるよう構成した。これにより、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接することによる面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化をさらに抑制できるので、第１圧接電極７と上熱緩衝板３との傾きの許容範囲は、第１の実施の形態の圧接型半導体装置１００の場合よりも大きい。したがって、圧接型半導体装置１００の性能をより安定化できるとともに、各熱緩衝板３〜６や各圧接電極７，８の加工精度を上げなくてもよいので、製造コストを抑制できる。
【００２５】
−−−第３の実施の形態−−−
図１０を参照して、本発明による圧接型半導体装置の第３の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１および第２の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１および第２の実施の形態と同じである。第３の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、所定の位置に配設された半導体チップから離れるほど、面３ａおよび先端７ｂのいずれか一方に設けられる凸状の曲面の曲率半径と、他方に設けられる凹状の曲面の曲率半径との差が大きくなるよう構成している。
【００２６】
図１０は、本実施の形態の圧接型半導体装置の構造を示す断面図である。略同一平面内にそれぞれが重ならないように配設される複数枚の各半導体チップ１，２のうち、配設されている平面の略中央に位置する半導体チップを中央チップ２ａと呼ぶ。この圧接型半導体装置１００では、先端７ｂの曲率半径は、面３ａ，４ａの曲率半径より小さい。また、互いに当接する先端７ｂと面３ａ，４ａとの曲率半径との差は、中央チップ２ａから離れるほど大きい。
【００２７】
一般的に、圧接型半導体装置では、並列に並べた複数枚の半導体チップなどを圧接する際に、各圧接電極の中央を基準として半導体チップなどの位置決めをしてから組み立てている。そのため、各圧接電極の加工精度などに起因する各部の寸法や角度の誤差により、各圧接電極の中央から離れるほど、熱緩衝板を押圧する突起部分の角度位置が本来の角度位置から傾斜する傾向にある。
【００２８】
これに対して本実施の形態の圧接型半導体装置１００では、上述のように、互いに当接する先端７ｂと面３ａ，４ａとの曲率半径との差が、中央チップ２ａから離れるほど大きくなるように構成しているため、中央チップ２ａから離れた各半導体チップ１，２であっても、上熱緩衝板３，４によって押圧される各半導体チップ１，２の主面内の面圧分布が不均一になりにくい。また、中央チップ２ａに近いほど、互いに当接する先端７ｂと面３ａ，４ａとの曲率半径との差が小さいので、先端７ｂと面３ａ，４ａとがより安定して接触できる。
【００２９】
第３の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、第１および第２の実施の形態の作用効果に加えて、次の作用効果を奏する。
（１）  各圧接電極７，８の中央から離れるほど、本来の角度位置から傾斜する傾向にある突起７ａに対応して、互いに当接する先端７ｂと面３ａ，４ａとの曲率半径との差が、中央チップ２ａから離れるほど大きくなるように構成している。このため、中央チップ２ａから離れた各半導体チップ１，２であっても、上熱緩衝板３，４によって押圧される各半導体チップ１，２の主面内の面圧分布が不均一になりにくく、電気抵抗や接触熱抵抗を低く抑えられる。したがって、各圧接電極７，８の加工が容易となり、各半導体チップ１，２の圧接状態が良好な圧接型半導体装置１００を低コストで提供できる。
【００３０】
（２）  中央チップ２ａに近いほど、互いに当接する先端７ｂと面３ａ，４ａとの曲率半径との差が小さいので、先端７ｂと面３ａ，４ａとがより安定して接触するので、電気抵抗や接触熱抵抗を低く抑えることができ、圧接型半導体装置１００の性能を向上できる。
【００３１】
−−−第４の実施の形態−−−
図１１，１２を参照して、本発明による圧接型半導体装置の第４の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１〜第３の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１〜第３の実施の形態と同じである。
【００３２】
図１１は、圧接型半導体装置１００の内部に組み込まれた第１半導体チップ１の圧接構造を示す拡大図である。上熱緩衝板３が第１圧接電極７と当接する面３ａは、凹状の曲面であり、第１圧接電極７が上熱緩衝板３を押圧する突起７ａの先端７ｂは、凸状の曲面である。突起７ａの先端７ｂには、たとえば半田や銀などの良好な延性を有する軟質金属によって、凸状の曲面を形成するメッキ層７ｃが設けられている。
【００３３】
メッキ層７ｃの曲率半径は、面３ａの曲率半径と略等しい。なお、メッキ層７ｃが形成される下地の部分である先端７ｂの曲率半径は、面３ａの曲率半径と等しくなくてもよい。すなわち、先端７ｂの曲率半径とメッキ層７ｃの曲率半径とは等しくなくてもよく、メッキ層７ｃの形成過程でメッキ層７ｃの表面の曲率半径が面３ａの曲率半径と略等しくなればよい。
【００３４】
第１半導体チップ１を圧接すると、凸状の曲面を形成するメッキ層７ｃが凹状の曲面である面３ａと当接して塑性変形するので、面３ａと先端７ｂとの接触性が向上する。したがって、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接しても、上熱緩衝板３によって押圧される第１半導体チップ１の主面内の面圧分布が不均一になりにくい。
【００３５】
なお、図１２に示すように、突起７ａの先端７ｂではなく、面３ａに軟質金属によるメッキ層３ｂを形成してもよく、先端７ｂおよび面３ａの双方にメッキ層を形成してもよい。また、上述の説明では、上熱緩衝板３の面３ａが凹状の曲面であり、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂが凸状の曲面であったが、その凹凸の関係が逆であってもよい。いずれの場合であっても、同様の作用効果を奏する。
【００３６】
第４の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、第１〜第３の実施の形態の作用効果に加えて、次の作用効果を奏する。
（１）  突起７ａの先端７ｂに軟質金属によるメッキ層７ｃを形成した。これにより、メッキ層７ｃの塑性変形を利用して面３ａと先端７ｂとの接触性を向上できるので、上熱緩衝板３によって押圧される半導体チップ１の主面内の面圧分布が不均一になりにくく、電気抵抗や接触熱抵抗を低く抑えられる。したがって、圧接型半導体装置１００の性能を安定化できる。
【００３７】
（２）  圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分にメッキ層７ｃを形成するので、圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分の曲面加工が難しい場合でも、メッキ層７ｃの形成過程でメッキ層７ｃの表面の曲率半径を当接する相手の面の曲率半径と略等しくすればよいので、圧接型半導体装置１００の製造コストを低減できる。
【００３８】
−−−第５の実施の形態−−−
図１３，１４を参照して、本発明による圧接型半導体装置の第５の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１〜第４の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１〜第４の実施の形態と同じである。
【００３９】
図１３は、圧接型半導体装置１００の内部に組み込まれた第１半導体チップ１の圧接構造を示す拡大図である。本実施の形態の圧接型半導体装置１００では、第４の実施の形態とは異なり、凸状の曲面となるように形成されたメッキ層７ｃは、その曲率半径が、面３ａの曲率半径より小さくなるように形成されている。
【００４０】
これにより、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接することに起因する面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化をさらに抑制できるので、第１圧接電極７と上熱緩衝板３との傾きの許容範囲は、第４の実施の形態の圧接型半導体装置１００の場合よりも大きい。また、第１半導体チップ１を圧接すると、メッキ層７ｃが面３ａと当接して塑性変形するので、面３ａと先端７ｂとの接触性が向上する。
【００４１】
第４の実施の形態の場合と同様に、先端７ｂの曲率半径とメッキ層７ｃの曲率半径とは等しくなくてもよい。すなわち、メッキ層７ｃの形成過程でメッキ層７ｃの曲率半径と面３ａの曲率半径との差が所定の値となればよい。
【００４２】
なお、図１４に示すように、突起７ａの先端７ｂではなく、面３ａに軟質金属によるメッキ層３ｂを形成してもよく、先端７ｂおよび面３ａの双方に形成してもよい。また、上述の説明では、上熱緩衝板３の面３ａが凹状の曲面であり、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂが凸状の曲面であったが、その凹凸の関係が逆であってもよい。上述したいずれの場合であっても、凸状の曲面の曲率半径が凹状の曲面の曲率半径よりも小さくなっていれば、同様の作用効果を奏する。
【００４３】
第５の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、第１〜第４の実施の形態の作用効果に加えて、次の作用効果を奏する。
（１）  突起７ａの先端７ｂ形成した軟質金属によるメッキ層７ｃの曲率半径を面３ａの曲率半径より小さくなるように構成した。これにより、当接する面同士の曲率半径の差によって接触状態の変化を抑制する効果と、メッキ層７ｃの塑性変形による面３ａと先端７ｂとの接触性向上効果とが相乗して作用する。これにより、各圧接電極７，８で圧接される各部分の電気抵抗や接触熱抵抗を低く抑えられるので、圧接型半導体装置１００の性能をより一層安定化できる。
【００４４】
（２）  圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分にメッキ層７ｃを形成するので、圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分の曲面加工が難しい場合でも、メッキ層７ｃの表面の曲率半径と当接する相手の面の曲率半径との差がメッキ層７ｃの形成過程で所定の値になればよいので、圧接型半導体装置１００の製造コストを低減できる。
【００４５】
−−−変形例−−−
（１）  第３の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、互いに当接する先端７ｂと面３ａとの曲率半径との差が、中央チップ２ａから離れるほど大きくなるように構成したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、各圧接電極の端部のある一点など、任意の一カ所を基準として位置決めをしてから組み立てる圧接型半導体装置の場合には、各熱緩衝板３，４を押圧する突起７ａが傾斜する傾向にあるところほど、互いに当接する先端７ｂと面３ａとの曲率半径との差が大きくなるように構成すればよい。
【００４６】
（２）  第４および第５の実施の形態の圧接型半導体装置１００では、圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分にメッキ層７ｃを形成しているが、本発明はこれに限定されない。たとえば、メッキ層７ｃの代わりに、メッキ層７ｃと同様の形状を有する軟質金属製のシートを、当該当接部分に挟み込むこととしてもよい。
【００４７】
（３）  上述の説明では、圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分の形状は球面形状であるが、本発明はこれに限定されない。たとえば、かまぼこ型、すなわちアーチ型の形状をなす、中高で断面が半月型をなす形状、およびその相補形状であってもよい。この場合には、球面形状の場合と異なって、許容される圧接電極７の突起７ａの傾斜方向が限定されるが、あらかじめ圧接電極７の突起７ａの傾斜方向が分かっている場合には、その傾斜方向に合わせて当接部分を加工することで対応可能である。
【００４８】
（４）  上述の説明では、圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分の表面全体に凹状もしくは凸状の曲面を形成したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、圧接電極７と上熱緩衝板３との当接部分の表面の一部分に凹状もしくは凸状の曲面を形成して、その凹凸曲面同士で当接するように構成してもよい。
【００４９】
（５）  上述の説明では、半導体チップの枚数は複数枚であったが、半導体チップが１枚の圧接型半導体装置にも本発明は適用できる。
（６）  上述した各実施の形態および変形例は、それぞれ組み合わせてもよい。
【００５０】
以上の実施の形態およびその変形例において、たとえば、第１の熱緩衝板は上熱緩衝板３，４に、第２の熱緩衝板は下熱緩衝板５，６に、第１の電極板は第１圧接電極７に、第２の電極板は第２圧接電極８にそれぞれ対応する。さらに、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、本発明は、上述した実施の形態における機器構成に何ら限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】圧接型半導体装置１００の構造を示す断面図である。
【図２】図１における第１半導体チップ１の圧接構造を示した拡大図である。
【図３】第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接した状態を示す図であり、（ａ）は、第１の実施の形態の圧接型半導体装置１００における当接状態を示し、（ｂ）は、従来の圧接型半導体装置における当接状態を示す。
【図４】図２における熱緩衝板３の面３ａと、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂとに形成された凹凸状の曲面の凹凸関係を逆にしたときの第１半導体チップ１の圧接構造を示す図である。
【図５】図４における第１半導体チップ１の圧接構造で、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接した状態を示す図である。
【図６】第２の実施の形態の圧接型半導体装置１００における第１半導体チップ１の圧接構造を示した拡大図である。
【図７】図６における第１半導体チップ１の圧接構造で、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接した状態を示す図である。
【図８】図６における熱緩衝板３の面３ａと、第１圧接電極７の突起７ａの先端７ｂとに形成された凹凸状の曲面の凹凸関係を逆にしたときの第１半導体チップ１の圧接構造を示す図である。
【図９】図８における第１半導体チップ１の圧接構造で、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接した状態を示す図である。
【図１０】第３の実施の形態の圧接型半導体装置１００の構造を示す断面図である。
【図１１】第４の実施の形態の圧接型半導体装置１００における第１半導体チップ１の圧接構造を示した拡大図である。
【図１２】メッキ層７ｃを上熱緩衝板３に形成したときの第１半導体チップ１の圧接構造を示す図である。
【図１３】第５の実施の形態の圧接型半導体装置１００における第１半導体チップ１の圧接構造を示した拡大図である。
【図１４】メッキ層７ｃを上熱緩衝板３に形成したときの第１半導体チップ１の圧接構造を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  第１半導体チップ                            ２  第２半導体チップ
２ａ  中央チップ                                ３，４  上熱緩衝板
３ａ，４ａ  面                                  ５，６  下熱緩衝板
７  第１圧接電極                                ７ａ  突起
７ｂ  先端                                      ７ｃ  メッキ層
８  第２圧接電極                                ９  位置決めフレーム
１０  絶縁外囲器                                １００  圧接型半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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