(57)【要約】【課題】  対象トランジスタに所定の電流を流す電流補償回路を簡易な構成にて実現する。【解決手段】  対象トランジスタの第１導通端子に入力電流に対応した電流を流す電流補償回路であって、第１導通端子が上記入力電流を供給する電流源に接続された第１のトランジスタと、第１導通端子が上記対象トランジスタの制御端子に接続されるとともに第２導通端子が上記第１のトランジスタの制御端子のみに接続され、かつ制御端子が上記第１のトランジスタの第１導通端子に接続された第２のトランジスタとを備える。【選択図】図１
2006211550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象トランジスタの第１導通端子に入力電流に対応した電流を流す電流補償回路であって、
第１導通端子が上記入力電流を供給する電流源に接続された第１のトランジスタと、
第１導通端子が上記対象トランジスタの制御端子に直接あるいは所定回路を介して接続されるとともに第２導通端子が上記第１のトランジスタの制御端子のみに接続され、かつ制御端子が上記第１のトランジスタの第１導通端子に接続された第２のトランジスタと、を備えたことを特徴とする電流補償回路。
【請求項２】
対象トランジスタの導通端子間に、入力電流に対応する電流を流すための電流補償回路であって、
第１導通端子が上記入力電流を供給する電流源に接続された第１のトランジスタと、
第１導通端子が上記対象トランジスタの制御端子に直接あるいは所定回路を介して接続されるとともに第２導通端子が上記第１のトランジスタの制御端子に接続され、かつ制御端子が上記第１のトランジスタの第１導通端子に接続された第２のトランジスタとを備え、
この第２のトランジスタの第２導通端子および上記第１のトランジスタの制御端子間には、電流の流れない端子のみが接続されていることを特徴とする電流補償回路。
【請求項３】
上記第１および第２のトランジスタはＮＰＮ型トランジスタであり、上記第１導通端子はコレクタ端子であり、上記第２導通端子はエミッタ端子であり、上記制御端子はベース端子であることを特徴とする請求項１または２記載の電流補償回路。
【請求項４】
上記第１および第２のトランジスタはＰＮＰ型トランジスタであり、上記第１導通端子はコレクタ端子であり、上記第２導通端子はエミッタ端子であり、上記制御端子はベース端子であることを特徴とする請求項１または２記載の電流補償回路。
【請求項５】
上記第２のトランジスタは電界効果型トランジスタであることを特徴とする請求項１または２記載の電流補償回路。
【請求項６】
上記第１のトランジスタはＮＰＮ型トランジスタであり、その第１導通端子はコレクタ端子であり、その第２導通端子はエミッタ端子であり、その制御端子はベース端子であるとともに、上記第２のトランジスタはＮチャネルの電界効果型トランジスタであり、その第１導通端子はドレイン端子であり、その第２導通端子はソース端子であり、その制御端子はゲート端子であることを特徴とする請求項５記載の電流補償回路。
【請求項７】
上記第１のトランジスタはＰＮＰ型トランジスタであり、その第１導通端子はコレクタ端子であり、その第２導通端子はエミッタ端子であり、その制御端子はベース端子であるとともに、上記第２のトランジスタはＰチャネルの電界効果型トランジスタであり、その第１導通端子はドレイン端子であり、その第２導通端子はソース端子であり、その制御端子はゲート端子であることを特徴とする請求項５記載の電流補償回路。
【請求項８】
上記所定回路がカレントミラー回路であることを特徴とする請求項１記載の電流補償回路。
【請求項９】
増幅用トランジスタと、
第１導通端子が上記入力電流を供給する電流源に接続された第１のトランジスタと、
第１導通端子が上記増幅用トランジスタの制御端子に直接あるいは所定回路を介して接続されるとともに第２導通端子が上記第１のトランジスタの制御端子のみに接続され、かつ制御端子が上記第１のトランジスタの第１導通端子に接続された第２のトランジスタとを備えたことを特徴とする増幅回路。
【請求項１０】
上記増幅用トランジスタがＮＰＮ型トランジスタであることを特徴とする請求項９記載の増幅回路。
【請求項１１】
上記増幅用トランジスタがＰＮＰ型トランジスタであることを特徴とする請求項９記載の増幅回路。
【請求項１２】
上記所定回路がカレントミラー回路であり、上記第１のトランジスタと増幅用トランジスタとが同極性であることを特徴とする請求項９記載の増幅回路。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の増幅回路を備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば増幅回路の入力段に用いる電流補償回路等に関する。
【背景技術】
【０００２】
バイポーラトランジスタ１３０１を増幅用トランジスタに用いた増幅回路のバイアスは、一般的に図１３（ａ）のように電源電圧Ｖｃｃを抵抗１３１１と抵抗１３１２とで分圧して与えられる。また、図１３（ｂ）のように、電源電圧Ｖｃｃにつながる定電流源１３２１を用いて増幅用トランジスタ１３０１のベース端子にベース電流を流し込んでもよい。
【０００３】
しかし、増幅用トランジスタ１３０１の電流増幅率（以下、βとする）は、周囲環境や製造バラツキによる変動が大きい。したがって、上記した図１３（ａ）や（ｂ）の構成をとった場合、増幅用トランジスタ１３０１に流れるコレクタ電流は、βが大きくなれば大きくなり、βが小さくなれば小さくなるといったように、β変動の影響を大きく受けてしまう。
【０００４】
そこで、周囲環境や製造バラツキに起因するβ変動の影響を受けにくくする電流補償回路が特許文献１に開示されている。この従来の電流補償回路を図１４に示す。同図に示されるように、従来の電流補償回路１００は、定電流源１４２１と、２つのＰＮＰトランジスタ１４０３・１４０４と、２つのＮＰＮトランジスタ１４０１・１４０２とを備える。なお、ＮＰＮトランジスタ１４０５は補償の対象となるトランジスタである。
【０００５】
まず、トランジスタ１４０５のエミッタ端子は接地され、トランジスタ１４０５のコレクタ端子はＴ１端子（１４５１）につながっている。トランジスタ１４０５およびトランジスタ１４０１のベース端子同士が接続されるとともに、各エミッタ端子が接地されている。また、トランジスタ１４０１のコレクタ端子とトランジスタ１４０２のベース端子と定電流源１４２１（下流側）とが互いに接続されている。この定電流源１４２１（上流側）はＶｃｃに接続されている。また、トランジスタ１４０１のベース端子とトランジスタ１４０２のエミッタ端子とトランジスタ１４０４のコレクタ端子とトランジスタ１４０５のベース端子とが互いに接続されている。また、トランジスタ１４０３およびトランジスタ１４０４のベース端子同士が接続されるとともに各エミッタ端子がＶｃｃに接続されている。また、トランジスタ１４０２のコレクタ端子とトランジスタ１４０３のコレクタ端子とトランジスタ１４０３のベース端子とトランジスタ１４０４のベース端子とが互いに接続されている。
【０００６】
このように、図１４の電流補償回路１００は、図１５（ａ）のようなトランジスタ１５０１・１５０２を含む一般的なカレントミラー回路へ図１５（ｂ）のようにβの影響を受けにくくするエミッタフォロワのトランジスタ１５０４を追加した３トランジスタ型カレントミラー回路に対して、トランジスタ１４０３・１４０４を含む補償用カレントミラー回路を付加した構成となっている。
【０００７】
この電流補償回路１００によれば、補償対象たるトランジスタ１４０５の電流増幅率βの変動にあまり影響されることなく、トランジスタ１４０５に、定電流源１４２１からの入力電流に対応した（例えば、等しい）コレクタ電流を流すことができる。
【０００８】
この電流補償回路１００を電流補償部１００ａとし、これを増幅部１０１ａに接続した従来の増幅回路の構成を図１７に示す。電流補償部１００ａの構成は電流補償回路１００（図１４参照）と同一である。そして、電流補償部１００ａのトランジスタ１４０５のコレクタ端子は、ＮＰＮ型の増幅用トランジスタ１７０６のエミッタ端子に接続される。この増幅用トランジスタ１７０６のベース端子は、抵抗１７１２を介して接地されるとともに抵抗１７１１を介してＶｃｃに接続され、かつ、信号入力端子ＩＮに接続される。また、増幅用トランジスタ１７０６のコレクタ端子は抵抗１７１３を介してＶｃｃに接続される。
【特許文献１】特開平９−２３２８８０公報（公開日：平成９年９月５日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、この従来の電流補償回路１００（図１４参照）は、多くのトランジスタを含むため、回路構成が複雑でかつ回路面積も大きくなってしまうという問題がある。
【００１０】
また、この従来の電流補償部１００には以下のような問題もある。
【００１１】
すなわち、図１７のように、電流補償回路１００（１００ａ）を用いて増幅回路を構成した場合、補償対象となるトランジスタ１４０５のコレクタ端子に増幅用トランジスタ１７０６のエミッタ端子を接続しなければならないため、トランジスタの２段構成（トランジスタ１７０６・１４０５）となる。これにより、増幅部１０１ａに印加可能な電圧分が減少するという問題がある。例えば、バッテリ駆動の携帯端末を３Ｖ程度の電源電圧で駆動する場合、トランジスタ１４０５のエミッタ端子−コレクタ端子間で１Ｖの電圧降下があるとすれば、残り２Ｖ程度で増幅部１０１ａを構成しなければならない。このように、増幅部１０１ａに印加可能な電圧分が減少すると、負荷抵抗１７１３を大きくできず、その増幅度を上げにくくなってしまう。
【００１２】
特に、入力信号の周波数が高い場合、エミッタ接地の増幅部で起こるミラー効果を低減するために、図１６に示すような、エミッタ接地のトランジスタおよびベース接地のトランジスタを縦に接続したカスコード接続を用いた増幅部１０２ａが用いられる。この増幅部１０２ａを電流補償回路１００に接続した場合の構成を図１８に示す。図１８の構成でＶｃｃを３Ｖとし、電流補償部１００ａのトランジスタ１４０５のエミッタ端子−コレクタ端子間で約１Ｖの電圧降下が起きるとすれば、増幅部１０２ａに印加可能な電圧分は約２Ｖとなる。一方、この増幅部１０２ａでは２つのトランジスタ（増幅用トランジスタ１８０６・カスコード接続されたベース接地トランジスタ１８０７）が縦に２段接続されているため、約２Ｖの電圧が必要である。すなわち、図１８のように、カスコード接続の増幅部１０２ａ（例えば、高周波用増幅部）を電流補償回路１００（電流補償部１００ａ）に接続した場合、電源電圧Ｖｃｃに余裕がなくなり、もはやその増幅度を大きくすることが困難となる。
【００１３】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、対象トランジスタに所定の電流を流す電流補償回路を簡易な構成にて実現する点にある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の電流補償部は、上記課題を解決するために、対象トランジスタの第１導通端子に入力電流に対応した電流を流す電流補償回路であって、第１導通端子が上記入力電流を供給する電流源に接続された第１のトランジスタと、第１導通端子が上記対象トランジスタの制御端子に直接あるいは所定回路を介して接続されるとともに第２導通端子が上記第１のトランジスタの制御端子のみに接続され、かつ制御端子が上記第１のトランジスタの第１導通端子に接続された第２のトランジスタと、を備えたことを特徴としている。
【００１５】
本発明の電流補償部は、上記課題を解決するために、対象トランジスタの導通端子間に、入力電流に対応する電流を流すための電流補償回路であって、第１導通端子が上記入力電流を供給する電流源に接続された第１のトランジスタと、第１導通端子が上記対象トランジスタの制御端子に直接あるいは所定回路を介して接続されるとともに第２導通端子が上記第１のトランジスタの制御端子に接続され、かつ制御端子が上記第１のトランジスタの第１導通端子に接続された第２のトランジスタとを備え、この第２のトランジスタの第２導通端子および上記第１のトランジスタの制御端子間には、電流の流れない端子のみが接続されていることを特徴としている。
【００１６】
上記構成によれば、第２のトランジスタの第２導通端子および上記第１のトランジスタの制御端子間に電流（直流電流）の分岐がおきないため、第２のトランジスタの第２導通端子に流れる電流をすべて第１のトランジスタの制御電流とすることができる。ここで、この第２のトランジスタの第１導通端子は直接あるいは所定回路を介して上記対象トランジスタの制御端子に接続されている。よって、第１のトランジスタおよび対象トランジスタのβ（電流増幅率）ばらつきにほとんど影響されることなく、対象トランジスタの第１導通端子に、定電流源の電流に対応する所定電流を流すことができる。
【００１７】
このように、上記構成によれば、定電流源並びに第１および第２のトランジスタを含むだけの簡易な構成で、第１のトランジスタおよび対象トランジスタのβ（電流増幅率）のばらつきにあまり影響されない電流補償回路を構成できる。
【００１８】
上記構成においては、上記第１および第２のトランジスタはＮＰＮ型トランジスタであり、上記第１導通端子はコレクタ端子であり、上記第２導通端子はエミッタ端子であり、上記制御端子はベース端子とすることもできる。
【００１９】
また、上記構成においては、上記第１および第２のトランジスタはＰＮＰ型トランジスタであり、上記第１導通端子はコレクタ端子であり、上記第２導通端子はエミッタ端子であり、上記制御端子はベース端子とすることもできる。
【００２０】
また、上記構成においては、上記第２のトランジスタは電界効果型トランジスタとすることができる。
【００２１】
上記構成のように第２のトランジスタを電界効果型トランジスタにすれば、第２のトランジスタの導通端子（ソースあるいはドレイン端子）および第１のトランジスタの制御端子（ベース端子）間に電流がほとんど流れないため、βばらつきの影響を一層排除することができる。この場合、上記第１のトランジスタはＮＰＮ型トランジスタであり、その第１導通端子はコレクタ端子であり、その第２導通端子はエミッタ端子であり、その制御端子はベース端子であるとともに、上記第２のトランジスタはＮチャネルの電界効果型トランジスタであり、その第１導通端子はドレイン端子であり、その第２導通端子はソース端子であり、その制御端子はゲート端子としても良い。また、上記第１のトランジスタはＰＮＰ型トランジスタであり、その第１導通端子はコレクタ端子であり、その第２導通端子はエミッタ端子であり、その制御端子はベース端子であるとともに、上記第２のトランジスタはＰチャネルの電界効果型トランジスタであり、その第１導通端子はドレイン端子であり、その第２導通端子はソース端子であり、その制御端子はゲート端子としても良い。
【００２２】
上記構成においては、上記所定回路をカレントミラー回路とすることもできる。第２のトランジスタの第１導通端子を、カレントミラー回路を介して対象トランジスタに接続することで、対象となるトランジスタの制御端子（あるいは第１導通端子）に流れる電流を任意に設定あるいは調整することができる。
【００２３】
本発明の増幅回路は、上記課題を解決するために、増幅用トランジスタと、第１導通端子が上記入力電流を供給する電流源に接続された第１のトランジスタと、第１導通端子が上記増幅用トランジスタの制御端子に直接あるいは所定回路を介して接続されるとともに第２導通端子が上記第１のトランジスタの制御端子のみに接続され、かつ制御端子が上記第１のトランジスタの第１導通端子に接続された第２のトランジスタとを備えたことを特徴としている。
【００２４】
上記構成によれば、第１および第２のトランジスタによって電流補償が可能となるトランジスタを増幅用トランジスタとすることができる。したがって、従来のように電流補償回路のほかに別途増幅用トランジスタを設けた増幅回路に比べ、電源電圧に余裕を持たせることができる。これにより、増幅回路の増幅率を高めたり、あるいは省電力化を実現することができる。
【００２５】
上記構成においては、上記増幅用トランジスタをＮＰＮ型トランジスタあるいはＰＮＰ型トランジスタにすることもできる。
【００２６】
上記構成においては、所定回路をカレントミラー回路とすることで、上記第１のトランジスタと増幅用トランジスタとを同極性にすることができる。こうすれば、第１のトランジスタおよび増幅用トランジスタのβばらつきに強い関連性が生じるため、βばらつきの影響を一層排除することができる。
【００２７】
また、本発明の通信装置（例えば、携帯端末）は、上記の増幅回路を備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２８】
上記構成によれば、対象トランジスタ（増幅用トランジスタ）の第１導通端子（コレクタ端子）に、第１のトランジスタおよび対象トランジスタのβ（電流増幅率）のばらつきにほとんど影響されることなく、定電流源に流れる電流に対応する所定電流を流すことができる。すなわち、定電流源並びに第１および第２のトランジスタを含むだけの簡易な構成で、周囲環境や製造バラツキなどによる電流増幅率βのばらつき（変動）にあまり影響されない電流補償回路を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明に係る電流補償部の実施の一形態を説明すれば以下のとおりである。なお、同じ機能を有する部材については、同一の参照番号を付すことがある。
【００３０】
図１に、本電流補償部の回路図を示す。図１に示されるように、本電流補償回路１０は、定電流源１２１と、ＮＰＮトランジスタ１０１（第１のトランジスタ）と、ＮＰＮトランジスタ１０２（第２のトランジスタ）とを備える。定電流源１２１はその上流側がＶｃｃに接続されており、入力電流を供給する。トランジスタ１０１は、そのコレクタ端子が定電流源１２１の下流（出力）側に接続され、そのエミッタ端子が接地電極に接続され、そのベース端子がトランジスタ１０２のエミッタ端子に接続されている。トランジスタ１０２は、そのエミッタ端子がトランジスタ１０１のベース端子に接続され、そのコレクタ端子が、ＴＯ端子１５１に接続され、そのベース端子がトランジスタ１０１のコレクタ端子に接続されている。このＴＯ端子１５１は、例えば増幅部（増幅用トランジスタ）に接続される。トランジスタ１０２のエミッタ端子は、トランジスタ１０１のベース端子にのみ接続され、これ（トランジスタ１０１のベース端子）以外の電流の流れる端子には接続されていない。すなわち、トランジスタ１０２のエミッタ端子およびトランジスタ１０１のベース端子間に直流電流の分岐が起きないように構成されている。
【００３１】
図２は、図１に示す電流補償部１０を電流補償部（バイアス回路）として備える増幅回路の回路図である。同図に示されるように、増幅回路３０ａ（増幅回路）は、電流補償部１０ａと、増幅部２０ａとを備える。電流補償部１０ａは、２つのＮＰＮトランジスタ１０１・１０２と、定電流源１２１とを備える。また、増幅部２０ａは、ＰＮＰ型の増幅用トランジスタ２０１（対象となるトランジスタ・増幅用トランジスタ）と、２つの抵抗２１１・２１２とを備える。
【００３２】
電流補償部１０ａは、図１の電流補償部１０と同じ構成である。すなわち、Ｖｃｃにつながる定電流源１２１の出力側と、トランジスタ１０１のコレクタ端子と、トランジスタ１０２のベース端子とが接続され、トランジスタ１０１のエミッタ端子が接地され、トランジスタ１０２のエミッタ端子がトランジスタ１０１のベース端子に接続されている。トランジスタ１０２のエミッタ端子は、トランジスタ１０１のベース端子にのみ接続され、これ（トランジスタ１０１のベース端子）以外の電流の流れる端子には接続されていない。
【００３３】
ここで、トランジスタ１０２のコレクタ端子（ＴＯ端子１５１）がコンデンサ２２１（直流電位分離用）を介して信号入力端子ＩＮに接続されるとともに増幅部２０ａにおける増幅用トランジスタ２０１のベース端子に接続されている。
【００３４】
増幅用トランジスタ２０１のベース端子は、トランジスタ１０２のコレクタ端子に接続されるとともに、コンデンサ２２１を介して信号入力端子ＩＮに接続されている。また、増幅用トランジスタ２０１のエミッタ端子は抵抗２１２を介してＶｃｃに接続され、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ端子が抵抗２１１を介して接地されている。また、信号出力端子ＯＵＴは増幅用トランジスタ２０１のコレクタ端子と抵抗２１１との間に接続されている。コンデンサ２２１は入力端子ＩＮへの直流成分の流入を阻止する。図には示していないが出力端子ＯＵＴにも同様な働きをもつコンデンサを入れることにより直流成分の流出を阻止することができる。また、抵抗２１１は負荷抵抗であり、抵抗２１２はエミッタ抵抗である。この抵抗２１２を省略することも可能であるが、これを入れることによって負帰還がかかり、動作を安定させることができる。
【００３５】
以下に、トランジスタ２０１および増幅用トランジスタ１０１・１０２の電流増幅率をβとした場合に、本電流補償部１０ａが、βのばらつきにほとんど影響されることなく、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流を定電流源１２１の入力電流Ｉｉｎに基づいて設定できる原理（電流補償原理）を説明する。
【００３６】
まず、上記した定電流源１２１の入力電流Ｉｉｎは、トランジスタ１０１のコレクタ電流Ｉ１ｃとトランジスタ１０２のベース電流Ｉ２ｂとの和である。
Ｉｉｎ＝Ｉ１ｃ＋Ｉ２ｂ・・・・・・・・・・・（１）
また、トランジスタ１０１にコレクタ電流Ｉ１ｃが流れるとすれば、トランジスタ１０１のベース端子にはコレクタ電流Ｉ１ｃを１／β倍したベース電流Ｉ１ｂが流れる。
Ｉ１ｂ＝（１／β）×Ｉ１ｃ  ・・・・・・・・（２）
また、トランジスタ１０１のベース端子およびトランジスタ１０２のエミッタ端子間に電流分岐がないため、トランジスタ１０１のベース電流Ｉ１ｂはトランジスタ１０２のエミッタ電流となる。
Ｉ１ｂ＝Ｉ２ｃ＋Ｉ２ｂ・・・・・・・・・・・（３）
また、トランジスタ１０２にコレクタ電流Ｉ２ｃが流れるとした場合、トランジスタ１０２のベース端子にはコレクタ電流Ｉ２ｃを１／β倍したベース電流Ｉ２ｂが流れる。
Ｉ２ｂ＝（１／β）×Ｉ２ｃ  ・・・・・・・・（４）
（１）〜（４）式より、入力電流は次式のようになる。
Ｉｉｎ＝Ｉ１ｃ＋（１／β）×Ｉ２ｃ
＝Ｉ１ｃ＋（１／β）×（Ｉ１ｂ−Ｉ２ｂ）
＝Ｉ１ｃ＋（１／β）×｛（１／β）×Ｉ１ｃ−Ｉ２ｂ）｝
＝｛１＋（１／β）２｝×Ｉ１ｃ−（１／β）×Ｉ２ｂ  ・・・・（５）
ここで、１≫（１／β）２であり、かつ、Ｉ１ｃ≫（１／β）×Ｉ２ｂであることを考慮すると、
Ｉｉｎ＝Ｉ１ｃ  ・・・・・・・・・・・・・・（６）
トランジスタ１０２のコレクタ電流は増幅動作をする増幅用トランジスタ２０１のベース電流Ｉ３ｂになる。
Ｉ２ｃ＝  Ｉ３ｂ・・・・・・・・・・・・・・（７）
また、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流Ｉ３ｃはベース電流Ｉ３ｂをβ倍した電流になるので次式が成り立つ。
Ｉ３ｃ＝β×Ｉ３ｂ  ・・・・・・・・・・・・（８）
（２）〜（８）式より、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流Ｉ３ｃは次式のように書ける。
Ｉ３ｃ＝β×Ｉ２ｃ
＝β×（Ｉ１ｂ−Ｉ２ｂ）
＝β×Ｉ１ｂ−β×Ｉ２ｂ
＝β×（１／β）×Ｉ１ｃ−β×（Ｉｉｎ−Ｉ１ｃ）
＝β×（１／β）×Ｉｉｎ−β×（Ｉｉｎ−Ｉｉｎ）
＝Ｉｉｎ  ・・・・・・・・・・・・・・（９）
ここで、（９）式を見ると、式中に電流増幅率βの項が入っていない。したがって、たとえβにバラツキがあっても（各トランジスタの電流増幅率βのバラツキに影響されることなく）増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流Ｉ３ｃを、定電流源１２１の入力電流であるＩｉｎの値とほぼ同一にすることができる。
【００３７】
本電流補償部１０ａでは、トランジスタ１０２のコレクタ電流が略全てトランジスタ１０１のベース電流となることが重要であり、したがって、トランジスタ１０２のエミッタ端子からトランジスタ１０１のベース端子以外の部分に電流が流れ出ると、電流補償の精度が大きく低下する。ただし、電流が他の端子に流れ出なければよいので、例えば、図３に示す電流補償部１０ｂのごとく、コンデンサなどは接続されていてもよい。なお、図３に示す電流補償部１０ｂは、図２の電流補償部１０ａの変形例であり、電流補償部１０ａのトランジスタ１０２のエミッタ端子を、トランジスタ１０１のベース端子に接続するとともに、コンデンサ３３１を介して接地した構成である。
【００３８】
このように、上記した本構成を用いれば、補償対象のトランジスタ（２０１）に所定のコレクタ電流を流す電流補償回路を、従来（図１４参照）より簡易な構成にて実現することができる。
【００３９】
また、前述したように、従来の電流補償回路１００（１００ａ）を用いて増幅回路を構成した場合（図１７参照）、補償対象となるトランジスタ１４０５のコレクタ端子を、増幅部１０１ａの増幅用トランジスタ１７０６のエミッタ端子に接続する必要がある。すなわち、増幅部１０１ａはトランジスタ２段構成（増幅用トランジスタ１７０６と補償対象のトランジスタ１４０５）となってしまう。したがって、バッテリ駆動の携帯端末を３Ｖ程度の電源電圧で駆動する場合、トランジスタ１４０５のエミッタ端子−コレクタ端子間に約１Ｖの電圧を要するとすれば、残り２Ｖ程度で増幅部１０１ａを構成しなければならないことになる。このように、増幅部１０１ａに印加可能な電圧分が減少すると、負荷抵抗１７１３を大きくできず、その増幅度を上げにくくなってしまう。
【００４０】
しかし、図２に示す本電流補償部１０ａを用いた増幅回路３０ａでは、電流補償部１０ａのトランジスタ１０２のコレクタ端子を増幅部２０ａの増幅用トランジスタ２０１のベース端子に接続するため、増幅部２０ａをトランジスタ１段構成（増幅用トランジスタ２０１のみ）にすることができる。したがって、バッテリ駆動の携帯端末を３Ｖ程度の電源電圧Ｖｃｃで駆動する場合には、増幅部２０ａをほぼ３Ｖ程度で構成することができる。この結果、負荷抵抗２１２を大きくすることが可能となり、増幅部２０ａの増幅率を上げることが可能となる。
【００４１】
ここで、本電流増幅回路（図２）における増幅用トランジスタのコレクタ電流値のβ依存性（シミュレーション結果）を図７に示す。図７は、電流補償回路１０（電流補償部１０ａ）にエミッタ接地の増幅部（２０ａ）を接続して、トランジスタのβの値を変化させたときの増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流の変化である。図７より、本電流補償回路の構成によれば、βが５５から１６０までばらついたときでも増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流をほぼ一定に保てることがわかる。
【００４２】
図１・２の構成ではトランジスタ１０１・１０２にＮＰＮ型バイポーラトランジスタを用いているが、図２の電流補償部１０ａを、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタを用いて構成することもできる。図４にＰＮＰ型バイポーラトランジスタを用いた電流補償部１０ｃの構成を示す。同図に示されるように、電流補償部１０ｃは、２つのＰＮＰトランジスタ１０１ｃ・１０２ｃと、定電流源１２１とを備える。
【００４３】
そして、トランジスタ１０１ｃは、そのコレクタ端子が定電流源１２１の上流側に接続され、そのエミッタ端子がＶｃｃに接続され、そのベース端子がトランジスタ１０２ｃのエミッタ端子に接続されている。このトランジスタ１０１ｃのベース端子は、トランジスタ１０２ｃのエミッタ端子にのみ接続され、これ以外の電流の流れる端子には接続されていない。トランジスタ１０２ｃは、そのエミッタ端子がトランジスタ１０１ｃのベース端子にのみ接続され、そのコレクタ端子がＴＯ端子（例えば、図２の増幅用トランジスタ２０１のベース端子）に接続され、そのベース端子がトランジスタ１０１ｃのコレクタ端子および定電流源１２１の上流側に接続されている。定電流源１２１の下流側は接地されている。
【００４４】
電流補償部１０ａ〜１０ｃでは、トランジスタ１０２（１０２ｃ）にバイポーラトランジスタを用いているが、これにＮチャネルあるいはＰチャネルの電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いることも可能である。この場合の構成を図５（ａ）・（ｂ）に示す。
【００４５】
図５（ａ）に示される電流補償部１０ｄは、ＮＰＮトランジスタ１０１ｄと、Ｎチャネルの電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）１０２ｄと、定電流源１２１とを備える。
【００４６】
トランジスタ１０１ｄは、そのコレクタ端子が定電流源１２１の出力側に接続され、そのエミッタ端子が接地電極に接続され、そのベース端子がトランジスタ１０２ｄのソース端子にのみ接続されている。定電流源１２１の上流側はＶｃｃに接続されている。トランジスタ１０２ｄは、そのソース端子がトランジスタ１０１ｄのベース端子にのみ接続され、そのドレイン端子がＴＯ端子１５１（例えば、図２における増幅用トランジスタ２０１のベース端子）に接続され、そのゲート端子がトランジスタ１０１ｄのコレクタ端子および定電流源１２１の出力側に接続されている。このトランジスタ１０２ｄのソース端子は、トランジスタ１０１ｄのベース端子にのみ接続され、これ以外の電流の流れる端子には接続されていない。
【００４７】
図５（ｂ）に示される電流補償部１０ｅは、ＰＮＰトランジスタ１０１ｅと、Ｐチャネルの電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）１０２ｅと、定電流源１２１とを備える。
【００４８】
そして、トランジスタ１０１ｅは、そのコレクタ端子が定電流源１２１（上流側）に接続され、そのエミッタ端子がＶｃｃに接続され、そのベース端子がトランジスタ１０２ｅのソース端子に接続されている。トランジスタ１０２ｅは、そのソース端子がトランジスタ１０１ｅのベース端子に接続され、そのドレイン端子がＴＯ端子（例えば、図２の増幅用トランジスタ２０１のベース端子）に接続され、そのゲート端子がトランジスタ１０１ｅのコレクタ端子および定電流源１２１の上流側に接続されている。トランジスタ１０２ｅのソース端子はトランジスタ１０１ｅのベース端子にのみ接続され、これ以外の電流の流れる端子には接続されていない。定電流源１２１の下流側は接地されている。
【００４９】
以下に、図５（ａ）のトランジスタ１０１ｄの電流増幅率を増幅用トランジスタ２０１（図２参照）のそれと同じβとした場合に、本電流補償部１０ｄが、βに影響されることなく、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流を定電流源１２１の入力電流Ｉｉｎに基づいて設定できる原理（電流補償原理）を説明する。
【００５０】
まず、電界効果型トランジスタ１０２ｄのゲート端子には電流がほとんど流れないため、トランジスタ１０１ｄのコレクタ電流Ｉ１ｃは定電流源１２１の入力電流Ｉｉｎと等しいと近似できる。
Ｉ１ｃ＝Ｉｉｎ・・・・・・・・・・・・・・・（１０）
また、トランジスタ１０１ｄにコレクタ電流Ｉ１ｃが流れるとした場合、トランジスタ１０１ｄのベース端子にはコレクタ電流Ｉ１ｃを１／β倍したベース電流Ｉ１ｂが流れる。
Ｉ１ｂ＝（１／β）×Ｉ１ｃ  ・・・・・・・・（１１）
また、トランジスタ１０１ｄのベース端子およびトランジスタ１０２ｄのソース端子間に電流分岐がないため、トランジスタ１０２ｄのドレイン電流Ｉ２ｄはトランジスタ１０１ｄのベース電流Ｉ１ｂとなる。
Ｉ１ｂ＝Ｉ２ｄ・・・・・・・・・・・・・・・（１２）
トランジスタ１０２ｄのドレイン電流は増幅動作をする増幅用トランジスタ２０１のベース電流Ｉ３ｂになる。
Ｉ２ｄ＝  Ｉ３ｂ・・・・・・・・・・・・・・（１３）
また、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流Ｉ３ｃはベース電流Ｉ３ｂをβ倍した電流になるので次式が成り立つ。
Ｉ３ｃ＝β×Ｉ３ｂ  ・・・・・・・・・・・・（１４）
（１１）〜（１４）式より、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流Ｉ３ｃは次式のように書ける。
Ｉ３ｃ＝β×Ｉ２ｄ
＝β×Ｉ１ｂ
＝Ｉ１ｃ
＝Ｉｉｎ  ・・・・・・・・・・・・・・（１５）
ここで、（１５）式を見ると、式中に電流増幅率βの項が入っていない。したがって、たとえβにバラツキがあっても（各トランジスタの電流増幅率βのバラツキに影響されることなく）増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流Ｉ３ｃを、定電流源１２１の入力電流であるＩｉｎの値とほぼ同一にすることができる。
【００５１】
このように、トランジスタ１０２ｄのゲート端子には電流がほとんど流れないため、上記（１０）式は、トランジスタ１０２をバイポーラトランジスタで構成した場合の（５）式より精度よく成り立つといえる。すなわち、より精度良く、増幅用トランジスタ２０１のコレクタ電流Ｉ３ｃを、定電流源１２１の入力電流であるＩｉｎに近づけることができる。
【００５２】
図６は、本電流補償部をカスコード接続の増幅部２０ｆに接続した場合の回路図を示す。同図に示されるように、増幅部３０ｆは、電流補償部１０ｆと、増幅部２０ｆとを備える。電流補償部１０ｆは、２つのＮＰＮトランジスタ１０１・１０２と、定電流源１２１とを備える。また、増幅部２０ｆは、増幅用ＮＰＮトランジスタ２０１ｆと、カスコード接続用のＮＰＮトランジスタ６０１と、４つの抵抗２１１ｆ・２１２ｆ・６１１・６１２と、コンデンサ６２１とを備える。
【００５３】
電流補償部１０ｆは、図１の電流補償部１０と同じ構成である。すなわち、定電流源１２１の出力側と、トランジスタ１０１のコレクタ端子と、トランジスタ１０２のベース端子とが接続され、トランジスタ１０１のエミッタ端子が接地され、トランジスタ１０２のエミッタ端子がトランジスタ１０１のベース端子に接続されている。トランジスタ１０２のエミッタ端子は、トランジスタ１０１のベース端子にのみ接続され、これ（トランジスタ１０１のベース端子）以外の電流の流れる端子には接続されていない。
【００５４】
増幅用トランジスタ２０１ｆのベース端子は、トランジスタ１０２のコレクタ端子に接続されるとともにコンデンサ２２１を介して信号入力端子に接続されている。また、増幅用トランジスタ２０１ｆのエミッタ端子は抵抗２１２ｆを介してＶｃｃに接続され、増幅用トランジスタ２０１ｆのコレクタ端子がトランジスタ６０１のエミッタ端子に接続されている。トランジスタ６０１のベース端子と接地電極との間には、抵抗６１２およびコンデンサ６２１が並列に配されるとともに、トランジスタ６０１のベース端子とＶｃｃとの間には抵抗６１１が配されている。なお、コンデンサ６２１はトランジスタ６０１のベース端子を交流的に接地するものである。
【００５５】
また、トランジスタ６０１のコレクタ端子は、抵抗２１１ｆを介して接地されている。なお、信号出力端子ＯＵＴはトランジタ６０１のコレクタ端子と抵抗２１１ｆとの間に接続される。
【００５６】
前述したように、従来の電流補償回路１００（１００ａ）をカスコード接続の増幅部に接続した増幅回路（図１８参照）では、補償対象となるトランジスタ１４０５のコレクタ端子を、増幅部１０２ａの増幅用トランジスタ１８０６のエミッタ端子に接続する必要がある。すなわち、増幅部１０２ａはトランジスタ３段構成（増幅用トランジスタ１８０６、これにカスコード接続されたトランジスタ１８０７および補償対象のトランジスタ１４０５）となってしまう。したがって、バッテリ駆動の携帯端末を３Ｖ程度の電源電圧で駆動する場合、トランジスタ１４０５のエミッタ端子−コレクタ端子間に約１Ｖの電圧を要するとすれば、残り２Ｖ程度で増幅部１０２ａを構成しなければならないことになる。一方、この増幅部１０２ａでは２つのトランジスタ（増幅用トランジスタ１８０６およびこれにカスコード接続されたベース接地トランジスタ１８０７）が縦に２段接続されているため、約２Ｖの電圧が必要である。すなわち、図１８のように、カスコード接続の増幅部１０２ａ（例えば、高周波用増幅部）を電流補償回路１００（電流補償部１００ａ）に接続した場合、電源電圧Ｖｃｃに余裕がなくなり、負荷抵抗１８１５を大きくして増幅率を上げることが困難となる。
【００５７】
しかし、図６に示す本電流補償部１０ｆを用いた増幅回路３０ｆでは、電流補償部１０
ｆのトランジスタ１０２のコレクタ端子を増幅部２０ｆの増幅用トランジスタ２０１のベース端子に接続するため、増幅部２０ｆをトランジスタ２段構成（増幅用トランジスタ２０１およびこれにカスコード接続されたトランジスタ６０１）にすることができる。したがって、バッテリ駆動の携帯端末を３Ｖ程度の電源電圧Ｖｃｃで駆動する場合には、増幅部２０ｆをほぼ３Ｖ程度で構成することができる。この結果、負荷抵抗２１２を大きくすることが可能となり、増幅部２０ｆの増幅率を上げることが可能となる。
【００５８】
上記した本電流補償回路には、図８のように、カレントミラー回路を付加することもできる。
【００５９】
図８に示す増幅回路３０ｇは、電流補償部１０ｇと増幅部２０ｇとを備える。電流補償部１０ｇは、カレントミラー回路ＣＭを構成するＰＮＰトランジスタ８０１・８０２とを備え、電流補償回路１０のトランジスタ１０２のコレクタ端子をトランジスタ８０１のコレクタ端子に接続する一方、カレントミラー回路ＣＭのトランジスタ８０２のコレクタ端子をＮＰＮ型の増幅用トランジスタ２０１ｇのベース端子に接続した構成である。
【００６０】
増幅回路３０ｇを具体的に説明すれば以下のとおりである。
【００６１】
電流補償部１０ｇは、図１の電流補償部１０にカレントミラー回路ＣＭを加えた構成である。すなわち、Ｖｃｃにつながる定電流源１２１の出力側と、ＮＰＮ型のトランジスタ１０１ｇのコレクタ端子と、ＮＰＮ型のトランジスタ１０２ｇのベース端子とが接続され、トランジスタ１０１ｇのエミッタ端子が接地され、トランジスタ１０２ｇのエミッタ端子がトランジスタ１０１ｇのベース端子に接続されている。トランジスタ１０２ｇのエミッタ端子は、トランジスタ１０１ｇのベース端子にのみ接続され、これ（トランジスタ１０１ｇのベース端子）以外の電流の流れる端子には接続されていない。さらに、カレントミラー回路ＣＭでは、トランジスタ８０１およびトランジスタ８０２の各ベース端子は互いに接続されるとともに各エミッタ端子はＶｃｃに接続される。両トランジスタ８０１・８０２の共通ベース端子は、トランジスタ８０１のコレクタ端子およびトランジスタ１０２ｇのコレクタ端子に接続される。トランジスタ８０２のコレクタ端子は増幅部２０ｇの増幅用トランジスタ２０１のベース端子に接続されている。
【００６２】
増幅部２０ｇは、ＮＰＮ型の増幅用トランジスタ２０１ｇと抵抗２１１・２１２とを備える。増幅用トランジスタ２０１ｇのベース端子は、トランジスタ８０２のコレクタ端子に接続されるとともに、コンデンサ２２１を介して信号入力端子ＩＮに接続されている。また、増幅用トランジスタ２０１ｇのエミッタ端子は抵抗２１２を介して接地され、増幅用トランジスタ２０１ｇのコレクタ端子が抵抗２１１を介してＶｃｃに接続されている。また、信号出力端子ＯＵＴは増幅用トランジスタ２０１ｇのコレクタ端子と抵抗２１１との間に接続されている。
【００６３】
増幅回路３０ａ（図２参照）の増幅用トランジスタ２０１のベース電流は電流補償部１０ａの入力電流によって決まってしまうが、上記図８の増幅回路３０ｇではカレントミラー回路ＣＭを用いることによって、カレントミラー回路ＣＭの電流比、すなわち、トランジスタ１０２ｇのコレクタ電流（レファレンス電流）と増幅用トランジスタ２０１ｇのベース電流（出力電流）の比を設定することができる。よって、増幅用トランジスタ２０１ｇのベース電流を微調整することができる。
【００６４】
さらに、図８の上記構成のように、図１に示す電流補償部をカレントミラー回路ＣＭに接続してから増幅部（増幅用トランジスタ）に接続することで、電流補償部のトランジスタ１０１ｇと増幅用トランジスタ２０１ｇの極性を同じにすることができる。トランジスタ１０１ｇと増幅用トランジスタ２０１ｇの極性を同じにすることにより、ＮＰＮ型バイポーラトランジスタを用いた増幅回路のβのバラツキをＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを用いた電流補償回路で補償することができるので、より精度よくばらつきの影響を小さくすることができる。もちろん、ＰＮＰ型バイポーラトランジスタを用いた場合も同様である。
【００６５】
図８の電流補償部１０ｇにおいてはトランジスタ８０１および８０２のエミッタ端子は電源Ｖｃｃに直接接続されているが、エミッタ端子に抵抗を接続してもよい。すなわち、図９の電流補償部１０ｇ’に示すように、図８のトランジスタ８０１のエミッタ端子およびＶｃｃ間に抵抗を設けるとともに、トランジスタ８０２のエミッタ端子およびＶｃｃ間にも抵抗を設ける。これにより、アーリー効果の影響を小さくすることができ、定電流性を向上させることができる。また、抵抗値を変えることによって、電流比を細かく調整できる。
【００６６】
上記した本電流補償回路には、図１０のように、カレントミラー回路を複数付加することもできる。これにより、カレントミラー回路の電流比を大きくすることが可能である。図１０はカレントミラー回路を複数回折り返した一例であり、何回折り返しても構わない。
【００６７】
図１０に示す増幅回路３０ｈは、電流補償部１０ｈと増幅部２０ｈとを備える。電流補償部１０ｈは、図１の電流補償回路を、ＰＮＰトランジスタ９０１・９０２を含むカレントミラー回路ＣＭ１、ＰＮＰトランジスタ１００１・１００２を含むカレントミラー回路ＣＭ２、およびＰＮＰトランジスタ１００３・１００４を含むカレントミラー回路ＣＭ３に接続してから増幅部（増幅用トランジスタ２０１ｈ）に接続する構成である。
【００６８】
増幅回路３０ｈを具体的に説明すれば以下のとおりである。
【００６９】
電流補償部１０ｈは、図１の電流補償部１０にカレントミラー回路ＣＭ１〜ＣＭ３を加えた構成である。すなわち、Ｖｃｃにつながる定電流源１２１の出力側と、ＮＰＮ型のトランジスタ１０１ｈのコレクタ端子と、ＮＰＮ型のトランジスタ１０２ｈのベース端子とが接続され、トランジスタ１０１ｈのエミッタ端子が接地され、トランジスタ１０２ｈのエミッタ端子がトランジスタ１０１ｈのベース端子に接続されている。トランジスタ１０２ｈのエミッタ端子は、トランジスタ１０１ｈのベース端子にのみ接続され、これ（トランジスタ１０１ｈのベース端子）以外の電流の流れる端子には接続されていない。
【００７０】
さらに、カレントミラー回路ＣＭ１では、トランジスタ９０１およびトランジスタ９０２の各ベース端子は互いに接続されるとともに各エミッタ端子はＶｃｃに接続される。両トランジスタ９０１・９０２の共通ベース端子は、トランジスタ９０１のコレクタ端子およびトランジスタ１０２ｈのコレクタ端子に接続される。カレントミラー回路ＣＭ２では、トランジスタ１００１およびトランジスタ１００２の各ベース端子は互いに接続されるとともに各エミッタ端子は接地される。両トランジスタ１００１・１００２の共通ベース端子は、トランジスタ１００１のコレクタ端子およびトランジスタ９０２のコレクタ端子に接続される。カレントミラー回路ＣＭ３では、トランジスタ１００３およびトランジスタ１００４各ベース端子は互いに接続されるとともに各エミッタ端子は接地される。両トランジスタ１００３・１００４の共通ベース端子は、トランジスタ１００３のコレクタ端子およびトランジスタ１００２のコレクタ端子に接続される。トランジスタ１００４のコレクタ端子は増幅部２０ｈの増幅用トランジスタ２０１ｈに接続される。
【００７１】
増幅部２０ｈは、ＮＰＮ型の増幅用トランジスタ２０１ｈと抵抗２１１・２１２とを備える。増幅用トランジスタ２０１ｈのベース端子は、トランジスタ１００４のコレクタ端子に接続されるとともに、コンデンサ２２１を介して信号入力端子ＩＮに接続されている。また、増幅用トランジスタ２０１ｈのエミッタ端子は抵抗２１２を介して接地され、増幅用トランジスタ２０１ｈのコレクタ端子が抵抗２１１を介してＶｃｃに接続されている。また、信号出力端子ＯＵＴは増幅用トランジスタ２０１ｈのコレクタ端子と抵抗２１１との間に接続されている。
【００７２】
また、図８のように、バイポーラトランジスタで形成されたカレントミラー回路を接続すると電流補償回路がトランジスタ３段積みになり電源電圧に余裕がなくなる場合があるので、その場合は電界効果型トランジスタでカレントミラー回路を形成すればよい。その一例を図１１に示す。
【００７３】
図１１に示す増幅回路３０ｉは、電流補償部１０ｉと増幅部２０ｉとを備える。電流補償部１０ｉは、図８の電流補償部１０ｇのトランジスタ１０２ｇをＮチャネル電界効果型トランジスタ１０２ｉに置き換え、カレントミラー回路ＣＭをＰチャネル電界効果トランジスタからなるＣＭ４に置き換えた構成である。増幅部２０ｉは図８の増幅部２０ｇと同一である。
【００７４】
カレントミラー回路ＣＭ４は、２つのＰチャネル電界効果トランジスタ１１０１・１１０２からなり、両トランジスタの各ソース端子がＶｃｃに接続されるとともに各ゲート端子がトランジスタ１１０１のドレイン端子およびトランジスタ１０２ｉのドレイン端子に接続されている。トランジスタ１１０２のドレイン端子は増幅部２０ｉの増幅用トランジスタ２０１ｉに接続されている。なお、トランジスタ１０２ｉのソース端子はトランジスタ１０１ｉのベース端子にのみ接続され、トランジスタ１０２ｉのゲート端子は定電流源１２１の出力側およびトランジスタ１０１ｉのコレクタ端子に接続されている。
【００７５】
なお、図１１に示すように、トランジスタ１０１ｉと増幅用トランジスタ２０１ｉにバイポーラトランジスタを用いれば、他のトランジスタはバイポーラトランジスタであっても電界効果型トランジスタであっても上記の効果を得ることができる。
【００７６】
本電流補償回路を用いて増幅回路を構成すれば、電源電圧に余裕ができ、携帯端末などに用いることができる。
【００７７】
ところで、携帯端末に載せる回路はバッテリ駆動なので電源電圧をあまり大きくできず、電源電圧３Ｖ程度で駆動することが多い。また、周波数が高くなるとエミッタ接地の増幅回路で起こるミラー効果を低減するために、エミッタ接地のトランジスタとベース接地のトランジスタを縦に接続したカスコード接続回路が用いられる。カスコード接続回路はトランジスタを縦に２段積みした構成なので約２Ｖの電圧が必要となる。カスコード接続を用いた増幅回路に従来の電流補償回路を接続すると約３Ｖになり電源電圧とほぼ同じ程度になる（図１８参照）。そのような構成になると、増幅回路の負荷抵抗を大きくできず、増幅度を大きくできない。
【００７８】
しかし、本発明の電流補償回路を用いると増幅回路の電源電圧に余裕ができるので、カスコード接続回路のバイアス回路としても利用できる。また、上記のようなカスコード接続回路を用いた高周波回路にも利用できる。特に、増幅回路の特性バラツキに影響を受けやすい低雑音増幅器や電力増幅器などに用いることができる。
【００７９】
図１２は、本発明の電流補償回路を携帯端末の低雑音増幅器に適用した場合の構成を示すブロック図である。
【００８０】
図１２の携帯端末は、フィルタ１と、低雑音増幅器２と、ミキサ３と、電圧制御発信器４と、復調回路５とを備える。アンテナから入ってきた信号は、ローパスフィルタやバンドパスフィルタなどのフィルタ１を通って、所望の周波数だけが取り出され、低雑音増幅器２に入る。ここで、上記の本電流補償回路を用いた低雑音増幅器２で増幅され、その出力信号はミキサなどの回路に送られる。
【００８１】
アナログ回路はトランジスタや抵抗、そして容量などの各特性値が製造誤差によってばらつくことは宿命であり、アナログ回路部分の高周波化、プロセスの微細化が進むにつれて、そのバラツキの影響が無視できなくなっている。しかし、上記のように、本電流補償回路を使用することによって、各トランジスタの電流増幅率βの影響を受けにくくなるので、製造歩留まりが向上する。また、電源電圧が大きくできない場合でも本電流補償回路を使用でき、また、回路の低消費電力化にも貢献できる。
【００８２】
本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、実施の形態に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本電流補償回路は低雑音増幅器に用いることができ、本電流補償回路を用いた低雑音増幅器は、テレビチューナ、携帯電話端末、テレビチューナを搭載した携帯端末や移動端末、無線ＬＡＮの端末など、電波を受信する端末に適用可能である。
【００８４】
また、本電流補償回路は電力増幅器に用いることができ、本電流補償回路を用いた電力増幅器は、携帯電話端末、無線ＬＡＮの端末など、電波を送信する端末に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の電流補償回路の一例を示す回路図である。
【図２】本電流補償回路を用いた増幅回路の一例を示す回路図である。
【図３】本電流補償回路の他の構成例を示す回路図である。
【図４】本電流補償回路の他の構成例を示す回路図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は、本電流補償回路の他の構成例を示す回路図である。
【図６】本電流補償回路を用いた増幅回路の他の構成例を示す回路図である。
【図７】図２の増幅回路の特性（増幅用トランジスタのコレクタ電流）を表すグラフである。
【図８】本電流補償回路を用いた増幅回路の他の構成例を示す回路図である。
【図９】本電流補償回路を用いた増幅回路の他の構成例を示す回路図である。
【図１０】本電流補償回路を用いた増幅回路の他の構成例を示す回路図である。
【図１１】本電流補償回路を用いた増幅回路の他の構成例を示す回路図である。
【図１２】本発明に係る携帯端末の構成を示すブロック図である。
【図１３】（ａ）（ｂ）従来の増幅回路の回路図である。
【図１４】従来の電流補償回路の回路図である。
【図１５】（ａ）（ｂ）は、従来の電流補償回路の回路図である。
【図１６】従来の増幅回路における増幅部の回路図である。
【図１７】従来の増幅回路の回路図である。
【図１８】従来の増幅回路の回路図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０  電流補償回路
１０ａ〜１０ｉ  電流補償部
２０ａ〜２０ｉ  増幅部
３０ａ〜１０ｉ  増幅回路
１０１  トランジスタ（第１のトランジスタ）
１０２  トランジスタ（第２のトランジスタ）
２０１  増幅用トランジスタ（対象トランジスタ）
【図１】
2006211550.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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