(57)【要約】【課題】  基板間の導電性接続部材によって薄膜半導体回路層を損傷することのない、フレキシブル性に富む電気泳動表示装置を提供する。【解決手段】  可撓性基板(11)の一面に複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層(12)が形成された半導体回路基板(10)と、透明基板(31)の一面に透明電極層(32)が形成されて、該透明電極層が薄膜半導体回路層(12)に対向するように配置される透明電極基板(30)と、薄膜半導体回路層(12)と透明電極層(32)間に配置される電気泳動表示層(20)と、透明電極基板の透明電極層(32)と薄膜半導体回路基板の回路端子(14)とを電気的に接続する基板間接続部材(22)と、を含み、基板間接続部材(22)が、薄膜半導体回路層(12)よりも硬い導電性粒子を含まない導電性接着剤によって構成される。導電性粒子による薄膜半導体回路層(12)のダメージを回避する。【選択図】  図１
2006259243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基板の一面に複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層が形成された半導体回路基板と、
透明基板の一面に透明電極層が形成されて、該透明電極層が前記薄膜半導体回路層に対向するように配置される透明電極基板と、
前記薄膜半導体回路層と前記透明電極層間に配置される電気泳動表示層と、
前記透明電極基板の透明電極層と前記薄膜半導体回路基板の回路端子とを電気的に接続する基板間接続部材と、を含み、
前記基板間接続部材が、前記薄膜半導体回路層よりも硬い導電性粒子を含まない導電性接着剤によって構成される、電気泳動表示装置。
【請求項２】
前記基板間接続部材が、金属微粒子を含まない導電性接着剤によって構成される、請求項１に記載の電気泳動表示装置。
【請求項３】
前記基板間接続部材が、カーボン微粒子を主たる導電材料とする、請求項１又は２に記載の電気泳動表示装置。
【請求項４】
前記基板間接続部材が、カーボン繊維を主たる導電材料とする、請求項１又は２に記載の電気泳動表示装置。
【請求項５】
前記基板間接続部材が、接着層又は接着面の間にカーボン微粒子又はカーボン繊維を含む両面テープとなっている、請求項１又は２に記載の電気泳動表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電気泳動表示装置を表示部として備える電子機器。
【請求項７】
半導体回路が形成された薄膜半導体回路層を可撓性基板上に転写して半導体回路基板を得る第１の工程と、
前記半導体回路基板に異方性導電膜を介して可撓性の印刷配線回路基板を接続する第２の工程と、
可撓性透明基板上に透明な共通電極を形成してなる共通電極基板及び前記半導体回路基板相互の電気的接続位置に前記薄膜半導体回路層よりも柔らかい材質によって構成される基板間接続部材を配置する第３の工程と、
前記共通電極基板と前記半導体回路基板とを電気泳動層を介して貼り合わせる第４の工程と、
を含む電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板間接続部材が接着層に又は接着面の間にカーボン微粒子又はカーボン繊維を含む両面テープとなっている、請求項７に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１乃至第４工程が１００℃を超えないようにして行われる、請求項７に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、媒体中の荷電粒子が電圧の印加によって移動する電気泳動を画像形成などに利用した電気泳動表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気泳動表示装置は、例えば、ガラスの表面にＩＴＯ膜（錫がドープされた酸化インジウム膜）を形成した２つの透明電極基板間に電気泳動表示用分散液が封止されて構成される。電気泳動表示分散液は一つ又は複数の種類の色の電気泳動粒子と電気泳動分散媒を含む。２つの電極間への電圧の印加によって電気泳動粒子が電気泳動分散媒中を移動してその存在位置が変わることによって情報の表示を行っている。
【０００３】
しかしながら、電気泳動表示装置の電子ペーパーなどの各種電子機器への応用を考えた場合、全体が柔軟性に富んだ可撓性基板に形成された電気泳動表示装置が望ましい。このような可撓性に富む電気泳動表示装置を得るためには、柔軟性に優れた材料、例えば、プラスチック材料などを薄膜基板として電気泳動表示装置を作成する必要がある。プラスチック材料は一般的に耐熱温度が低く、半導体プロセスには向かない。
【０００４】
そこで、出願人は耐熱基板上に薄膜半導体装置を別途製造し、これを剥離して可撓性のプラスチック（樹脂）基板上に転写する手法を提案している（非特許文献１、特許文献１〜３）。また、電気泳動粒子の分散媒を基板間に封止する柔軟性のあるシール材も提案されている（非特許文献２）。
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開平１１−２６７３３号公報
【特許文献３】特開２００４−３２７８３６号公報
【非特許文献１】S.Utsunomiya et.al., SID 03 Digest.P864-867
【非特許文献２】Y.Reznikov et.al., Asia Display IMID 04 Digest,P297-299
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、可撓性の電気泳動表示装置を曲げたり、丸めたりすると、可撓性の樹脂基板上に形成された薄膜半導体回路基板に局所的な圧力が加わり、薄膜半導体回路層のデバイス回路（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路）が破壊されてしまうことがある。
【０００６】
例えば、金属粒子が混入した導電接着剤を使用した場合、電気泳動表示層を塗工した共通電極基板（透明電極基板）と薄膜半導体回路基板とを貼り合わせ（ラミネート加工）した際に、共通電極基板と薄膜半導体回路基板とを電気的に接続する基板間の接続部材部分でデバイス回路にクラックが発生したり、電気泳動表示装置が完成した後に、該表示装置を曲げたり、丸めたりしている間にデバイス回路にクラックが入ったりして信頼性が著しく低下する。
【０００７】
よって、本発明の目的は、薄膜半導体回路を損傷することのない、フレキシブル性に富む電気泳動表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため本発明の電気泳動表示装置は、可撓性基板の一面に複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層が形成された半導体回路基板と、透明基板の一面に透明電極層が形成されて、該透明電極層が上記薄膜半導体回路層に対向するように配置される透明電極基板と、上記薄膜半導体回路層と上記透明電極層間に配置される電気泳動表示層と、上記透明電極基板の透明電極層と上記薄膜半導体回路基板の回路端子とを電気的に接続する基板間接続部材と、を含み、上記基板間接続部材が、上記薄膜半導体回路層よりも硬い導電性粒子を含まない導電性接着剤によって構成される。
【０００９】
かかる構成とすることによって、基板間接続部材中の導電性粒子によって薄膜半導体回路層がダメージを受けることを回避可能とする。
【００１０】
上記基板間接続部材は、金属微粒子を含まない導電性接着剤によって構成されることが好ましい。それにより、アルミ、金、銀、チタンなどの半導体薄膜層よりも硬い金属微粒子が薄膜半導体層に突き当たることを回避する。
【００１１】
上記基板間接続部材は、カーボン微粒子（カーボンブラック）を主たる導電材料とするものである。カーボン微粒子は薄膜半導体層よりも柔らかく、かつ導電性であるので薄膜半導体層にダメージを与えることなく、薄膜半導体回路基板と透明電極とを電気的に接続することが可能となる。
【００１２】
上記基板間接続部材は、繊維状のカーボン繊維、例えば、カーボン・ナノチューブを主たる導電材料とする。柔らかい繊維状のカーボンであっても、同様の効果が得られる。
【００１３】
上記基板間接続部材は、接着層に又は接着面の間にカーボン微粒子を含む両面テープとなっていることが好ましい。それにより、所定の位置に該両面テープを配置すれば取付が済み、取り扱いが容易で組立作業工程が簡単になる。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、上述した電気泳動表示装置を情報の表示部として含む。これにより、表示部の信頼性が向上して信頼性の向上した電子機器が得られる。電子機器には、ビデオカメラ、テレビ、大型スクリーン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、携帯型情報機器（いわゆるＰＤＡ）、その他各種のものが含まれる。
【００１５】
また、電気泳動表示装置の製造方法は、半導体回路が形成された薄膜半導体回路層を可撓性基板上に転写して半導体回路基板を得る第１の工程と、上記半導体回路基板に異方性導電膜を介して可撓性の印刷配線回路基板を接続する第２の工程と、可撓性透明基板上に透明な共通電極を形成してなる共通電極基板及び上記半導体回路基板相互の電気的接続位置に上記薄膜半導体回路層よりも柔らかい材質によって構成された基板間接続部材を配置する第３の工程と、上記共通電極基板と上記半導体回路基板とを電気泳動層を介して貼り合わせる第４の工程と、を含む。
【００１６】
かかる構成とすることによって、製造工程において基板間接続部材によって半導体回路基板にダメージを与えることが回避可能となる。
【００１７】
上記基板間接続部材は接着層又は接着面の間にカーボン微粒子又はカーボン繊維を含む両面テープ状となっていることが好ましい。それにより、組立工程が容易となる。
【００１８】
上記第１乃至第４工程が１００℃を超えないようにして行うことが好ましい。それにより、可撓性樹脂基板の撓み発生や、回路デバイスへのダメージ発生が回避可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、電気泳動表示装置の断面を示している。同図に示されるように、電気泳動表示装置１は、大別して可撓性の半導体回路基板１０、電気泳動表示層２０及び可撓性の透明電極基板３０、外部回路との電気的接続を行う可撓性印刷配線（ＦＰＣ）基板電気４０によって構成される。
【００２１】
この実施例では、半導体回路基板１０と透明電極基板３０とを電気的に接続するための基板間の接続部材２２として、薄膜半導体回路層１２よりも柔らかい材質の導電性接続材料を使用して薄膜半導体回路層１２にダメージを与えないようにしている。
【００２２】
半導体回路基板１０は、電気回路を形成する絶縁性下地基板としての可撓性基板１１、薄膜の半導体回路層１２及び電極配線１３等を含む。可撓性基板１１は、例えば、膜厚２００μｍのポリカーボネート基板である。この可撓性基板１１上にＵＶ（紫外線）硬化型接着剤（図示せず）を介して半導体回路層１２が積層（貼り合わせ）されている。このような可撓性基板（樹脂基板）１１上に、薄膜半導体回路層１２を形成する場合には、例えば、既述した、特開平１０−１２５９３１号公報、特開平１１−２６７３３号公報、特開２００４−３２７８３６号公報等で紹介されている、耐熱基板（ガラス基板）上で薄膜半導体回路を形成し、該耐熱基板からこの薄膜半導体回路を含む薄膜半導体回路層を剥離して樹脂基板上に全体的にあるいは部分的に転写する薄膜回路の転写手法（以下、「薄膜回路転写法」という。）を使用することができる。
【００２３】
薄膜半導体回路層１２には、行方向及び列方向にそれぞれ複数配列された配線群、画素電極群、画素駆動回路、接続端子等が形成されている。画素駆動回路には既述ＴＦＴが使用されている。また、後述するように、半導体回路基板１０には、駆動画素を選択する行デコーダ及び列デコーダが形成されている。
【００２４】
マトリクス状に配列された画素電極群は画像（２次元情報）を表示する表示領域部１５を形成している。また、薄膜半導体回路層１２の外周部（表示領域部１５の外周）には透明電極基板３０の透明電極３２と半導体回路基板１０の回路配線との接続用の接続電極１４が形成されている。半導体回路基板１０の膜厚は、例えば、薄膜回路形成の際の基板の物理的強度の点から２５μｍ以上あることが望ましく、基板の可撓性（フレキシビリティ）確保の点からは２００μｍ以下であることが望ましい。
【００２５】
半導体回路基板１０の表示領域部１４上に多数のマイクロカプセル２１がバインダ２２で固定されて電気泳動表示層２０を形成している。マイクロカプセル２１内には電気泳動分散媒、電気泳動粒子が含まれている。電気泳動粒子は印加電圧に応じて電気泳動分散媒中を移動する性質を有し、一種類（一色）以上の電気泳動粒子が使用される。電気泳動表示層２０の膜厚は、例えば、５０〜７５μｍである。
【００２６】
この電気泳動表示層２０上を透明電極基板３０が覆っている。透明電極基板３０は下面に透明電極３２が形成された薄膜フィルム（透明な絶縁性合成樹脂基材）３１で構成されている。薄膜フィルム３１は電気泳動表示層２０の封止及び保護の役割を担っている。例えば、透明電極基板３０の下地となる薄膜フィルムはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムであり、例えば、透明電極基板３０の膜厚は１００μｍである。
【００２７】
透明電極層３２は、例えば、錫がドープされた酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）である。
【００２８】
薄膜半導体回路基板１０の外周部には、外部回路との電気的接続を行う可撓性印刷配線回路（ＦＰＣ）基板４０が接続されている。この接続はＦＰＣ基板４０の接続端子４２と薄膜半導体回路基板１０の接続端子１５とを異方性導電膜（ＡＣＦ）４３を介して貼り合わせることによって行われている。
【００２９】
前述したように、透明電極層３２は薄膜フィルム３１の外周部で薄膜半導体回路層１２の接続電極（端子）１４と導電性接続部材２２を介して接続されている。
【００３０】
導電性接続部材２２は、例えば、図２（Ａ）に示すように、導電材料としてはカーボン微粒子（カーボンブラック）とこれ等カーボン微粒子の結合材（例えば、ウレタン系樹脂）を含むカーボンペーストが用いられる。導電性接続部材２２の表（上）面及び裏（下）面は接着剤２２ｄとして、例えば、熱可塑性の接着剤として機能する。接着剤は結合材２２ｂ自身の粘性、凝固性を接着剤として利用するものであっても、また、導電性接続部材２２の表面に薄く接着剤層２２ｄを別途に形成するものであってもよい。導電性接続部材２２の表面及び裏面の当該接着層（あるいは接着面）２２ｄにはそれぞれ表面が撥液性の剥離紙２２ｃが剥離可能に貼り付けられている。導電性接続部材２２を基板上に取り付ける際には剥離紙２２ｃを剥がすことによって導電性接続部材２２の接着面２２ｄが露出する。剥離紙を利用することによって、導電性接続部材２２がいわゆる両面テープ状となって、表面に接着剤２２ｄが存在する導電性接続部材２２の組み立て工程における取り扱いが容易になる。
【００３１】
上述のように、基板間の電気的接続を担う導電性接続部材２２の導電材料として、ＩＴＯ、アルミニウム、銅、タングステンなどの金属系ではなく、非金属のより柔らかい導電材料、より具体的には、薄膜半導体回路層よりも柔らかい導電材料、例えば、カーボンを使用する。これによって、相対的に薄膜半導体層１２に対してより柔らかい材質の接続材料を使用することになり、導電性微粒子と結合材（樹脂）とを含む導電性接続部材２２の圧迫による薄膜半導体回路層１２のダメージを軽減することが可能となる。また、当該ダメージによる、組立時の薄膜半導体回路層１２へのクラックの発生のみならず、組立後の電気泳動表示装置の曲げ、丸める等の取り扱いに起因する薄膜半導体回路層１２へのクラックの発生も抑制可能となる。
【００３２】
図２（Ｂ）は、導電性接続部材２２の他の構成例を示している。同図において図２（Ａ）と対応する部分には同一符号を付し、かかる部分の説明は省略する。
【００３３】
この実施例では、導電性接続部材２２の導電材料として、粒状ではなく、繊維状のカーボンを使用している。例えば、繊維状のカーボンの例としてはカーボン・ナノチューブが挙げられる。このような構成によっても同様の効果を得ることが可能である。
【００３４】
次に、上述した電気泳動表示装置の製造方法について図３及び図４を参照して説明する。両図において、図１と対応する部分には同一符号を付している。
【００３５】
まず、図３（Ａ）に示すように、透明電極基板３０を作製する。透明電極基板３０は、透明な絶縁材料である、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３１上に透明な導電膜としてＩＴＯ３２をスパッタ法などによって蒸着し、ＩＴＯ膜が形成されたＰＥＴフィルムを得ることができる。
【００３６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、透明電極基板３０のＩＴＯ面上にマイクロカプセル２１とバインダ２２の混合液を、例えば、ロールコーターを用いて均一に塗布する。塗布後、８０℃で２０分間乾燥させ、透明電極基板３０上に電気泳動表示層２０を形成して、例えば、膜厚１００μｍの電気泳動表示シートを形成する。
【００３７】
一方、図４（Ａ）に示すように、半導体回路基板１０は上記電気泳動シートとは別途の工程によって作製される。一般的に耐熱温度が低い樹脂基板上への薄膜半導体回路の形成においては、低温プロセスの半導体製造技術を使用することが可能であるが、半導体膜の性能が低く、従ってＴＦＴの性能も低い。そこで、実施例では、既述した薄膜回路転写法を使用して半導体回路基板１０を形成する。
【００３８】
すなわち、図示しない石英ガラス基板などの耐熱基板上に剥離層を介してポリシリコンの半導体膜を成膜し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、信号配線、画素電極群などのマトリクス表示器用回路を形成した薄膜半導体回路１２を形成する。この薄膜半導体回路１２上に図示しない仮転写基板を水溶性接着剤で貼り合わせ、剥離層を光照射などによって破壊して薄膜半導体回路１２を仮転写基板側に転写する。次に、仮転写基板の薄膜半導体回路１２を非溶解性接着剤を介して可撓性の樹脂基板１１に貼り合わせる。可撓性基板１１は、例えば、膜厚２００μｍのポリカーボネート基板である。更に、仮転写基板と薄膜半導体回路１３基板間の水溶性接着剤を溶解して除去し、仮転写基板を分離する。
【００３９】
このようにして、仮転写基板から可撓性基板１１上に電極配線１３や共通電極接続用端子１４、外部接続１５等が形成された薄膜半導体回路１２を剥離転写して薄膜半導体回路基板１０を形成する（図４（Ａ）参照）。
【００４０】
次に、図４（Ｂ）に示されるように、薄膜半導体回路基板１０に外部回路との接続を行う可撓性印刷配線回路（ＦＰＣ）基板４０を接続する。
【００４１】
ＦＰＣ基板４０は、絶縁層、金属薄膜の配線層、絶縁層が積層された可撓性基板４１で、その端部に配線層に接続された接続電極４２が露出している。接続は、ＦＰＣ基板４０の接続電極４２と薄膜半導体回路基板１０の接続端子１５との間に異方性導電膜（ＡＣＦ）４３を介在させることによって行われる。例えば、８０℃で０．６ＭＰａの圧力で異方性導電膜４３を挟み、異方性導電膜４３の接着剤（樹脂）を利用したラミネート加工（貼り合わせ）によって薄膜半導体回路基板１０及びＦＰＣ基板４０相互の接続を行う。
【００４２】
図４（Ｃ）に示すように、半導体回路基板１０上に設けられている共通電極３２（図４（Ｄ）参照）との通電用の接続電極１４上に、導電性接続部材２２を配置する。上述したように、導電性接続部材２２が両面テープ状の構造をしているので、その下面の剥離紙（テープ）を除いて接着層（接着面）２２ｄを露出させ、接続電極１４上に配置する。その後上面の剥離紙を除いて配置を完了する。
【００４３】
カーボン微粒子を主たる導電材料とし、この導電材料と柔軟性を持続する結合樹脂と組み合わされた導電性接続部材２２は薄膜半導体回路層１２よりも柔らかく、薄膜半導体回路層１２にダメージを与えることが回避される。なお、イクジェット（液滴吐出）法、オフセット印刷法等によって導電性接続部材２２を接続電極１４上に適量配置することとしてもよい。
【００４４】
次に、図４（Ｄ）に示すように、半導体回路基板１０と電気泳動表示シート（２０，３０）とを貼り合わせる。
【００４５】
まず、半導体回路基板１０上の表示領域部１５（図１参照）に電気泳動表示層２０が位置するように、電気泳動表示シートと、半導体回路基板１０とを対向させて位置合せし、図示しない真空ラミネータにて減圧雰囲気下で９０℃、０．８ＭＰａの圧力によってラミネート加工を行い、半導体回路基板１０、電気泳動表示層２０及び透明電極基板３０を貼り合わせて電気泳動表示装置１を作製する。
【００４６】
なお、上述した実施例では各種膜材料の一例を示したが、これに限定されるものではなく、種々の材料を使用可能である。
【００４７】
例えば、可撓性基板１１としては軽量性、可撓性、弾性などに優れた樹脂材料を用いることができ、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ-(４-メチルペンテン-1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル-スチレン共重合体、ブタジエンースチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロへキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不蝕和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。可撓性基板の厚みは１〜５００μｍ程度、より好ましくは、機械的強度と可撓性の点から２５〜２００μｍ程度である。
【００４８】
薄膜半導体回路層１２としては、例えば、図示しないゲート線及びデータ線に接続されたＴＦＴ及びこれに接続された電極を含む画素部と、ゲート線及びデータ線に電圧を与えて画素部を駆動するためのＴＦＴを含むドライバ部とから構成されている。
【００４９】
可撓性基板１１と薄膜半導体層１２との間の接着層として用いられる材料は、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。特に、工程のタクトタイム低減の観点からは光硬化性接着剤を用いることが好ましい。上記の光硬化性材料としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系の光硬化性材料を用いることができる。また、接着層の厚さは、１μｍ〜１ｍｍ程度、さらに好ましくは１０〜１００μｍ程度である。
【００５０】
上述したように、本発明の電気泳動表示装置は電気泳動分散媒と分散媒中に封入された電気泳動粒子とを封入したマイクロカプセルとバインダとで均一に塗工されている。
【００５１】
電気泳動分散媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ペンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩又はその他の種々の油類等の単独又はこれらの混合物に界面活性剤等を配合したものを用いることができる。
【００５２】
電気泳動粒子は、前述したように、電気泳動分散媒中で電位差による電気泳動を行って所望の電極側に移動する性質を有する粒子（高分子あるいはコロイド）である。例えば、アニリンブラックやカーボンブラック等の黒色顔料、二酸化チタンや亜鉛華、三酸化アンチモン、酸化アルミニウム等の白色顔料、モノアゾやジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、イソインドリノンや黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー、アンチモン等の黄色顔料、キナクリドンレッドやクロムバーミリオン等の赤色顔料、フタロシアニンブルーやインダスレンブルー、アントラキノン系染料、紺青、群青、コバルトブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料等で有る。此等の粒子は単独で使用しても良いし、或いは二種類以上を共に用いても良い。さらにこれらの顔料には必要に応じて電解質や界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、或いはチタンカップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。
【００５３】
マイクロカプセル２１を構成する材料としては、アラビアゴム・ゼラチン系の化合物やウレタン系の化合物等の柔軟性を有するものを用いるのが好ましい。マイクロカプセル２１は界面重合法や不溶化反応法、相分離法或いは界面沈殿法等の公知のマイクロカプセル化手法を用いて形成できる。またマイクロカプセル２１は、大きさがほぼ均一であることが優れた表示機能を発揮せしめる上で好ましい。大きさがほぼ均一なマイクロカプセル２１は、例えば、濾過又は比重差分級等を用いて得ることができる。マイクロカプセル２１の大きさは通常３０〜６０μｍ程度である。
【００５４】
電気泳動表示層２０は、上述のマイクロカプセル２１をバインダ樹脂２２中に所望の誘電率調節剤とともに混合し、得られた樹脂組成物（エマルジョンあるいは有機溶媒溶液）を基材上にロールコーターを用いる方法やロールラミネータを用いる方法、スクリーン印刷による方法、スプレー法等の公知のコーティング法を用いて形成することができる。
【００５５】
使用できるバインダ樹脂２２としては、マイクロカプセル２１と親和性が良好で電極との密着性に優れ、かつ絶縁性を有するものであれば特に制限はない。
【００５６】
かかるバインダ樹脂２２として、上述した絶縁性合成樹脂基材と同様、下記に例示するものを用いることができる。
【００５７】
例えば、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニルアクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル−メタクリル酸共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、エチレン−ビニルアルコール−塩化ビニル共重合体、プロピレン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、セルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂。ポリアミド系樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリアミドイミド、ポリアミノビスマレイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリアリレート、グラフト化ポリフィニレンエーテル、ポリエーテルエテルケトン、ポリエーテルイミド等の高分子。ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレン、四フッ化エチレン−パーフロロアルコキシエチレン共重合体、エチレン−四フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化エチレン、フッ素ゴム等のフッ素系樹脂。シリコーン樹脂、シリコンゴム等の珪素樹脂。その他のバインダ材として、メタクリル酸−スチレン共重合体、ポリブチレン、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等を用いることができる。また、バインダ材は、特開平１０−１４９１１８号公報に記載の如く、電気泳動表示液の誘電率と分散剤の誘電率を略同じとするのが好ましい。
【００５８】
透明電極基板３０は、前述したように、薄膜フィルム３１上に透明導電膜３２が形成されたものである。薄膜フィルム３１としては絶縁性の透明基材で有れば、上述した可撓性基板１１の種々の材料を用いることができる。薄膜フィルム３１の厚みは可撓性基板１１の厚みよりも薄い方がよい。より好ましくは可撓性基板１１の厚みの半分以下程度である。
【００５９】
用いられる透明電極３２としては、例えば、上述したＩＴＯ膜の他に、フッ素がドープされた酸化スズ膜（ＦＴＯ膜）、アンチモンがドープされた酸化亜鉛膜、インジウムがドープされた酸化亜鉛膜、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛膜等を例示することができる。薄膜フィルム３１上透明電極を形成する方法には特に制限はないが、例えば、スパッタ法、電子ビーム法、イオンプレーティング法、真空蒸着法又は化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等により形成することができる。
【００６０】
（電子機器）
本発明の電気泳動表示装置は各種の電子機器の表示部に適用可能である。図５は、電気泳動表示装置を表示部に使用した電子機器の例を示している。
【００６１】
同図は携帯電話への適用例であり、携帯電話５３０は、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、及び本発明の電気泳動表示装置１００を備えている。このように本発明の電気泳動表示装置１０を携帯電話２３０の表示部として利用可能である。
【００６２】
上記例に限らず本発明の電気泳動表示装置は、画像表示や文字表示を行う種々の電子機器に適用可能である。例えば、電子ペーパー、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は本発明の実施例を示す電気泳動表示装置の断面図である。
【図２】図２は実施例の電気泳動表示装置の基板間の電気的接続部材を説明する断面図である。
【図３】図３は本発明の電気泳動表示装置（透明電極基板）の製造工程を説明する工程図である。
【図４】図４は本発明の電気泳動表示装置（半導体回路基板）の製造工程を説明する工程図である。
【図５】図５は本発明の電気泳動表示装置を表示部に使用した電子機器の例を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０  半導体回路基板、１１  可撓性基板、１２  薄膜半導体回路層、２０  電気泳動表示層、２１  マイクロカプセル、２２  導電性接続部材、３０  透明電極基板、３１  透明基板、３２  透明電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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