(57)【要約】【課題】  被検出体を検出できなくなった場合に、簡単な構成で発光素子の発光量を増加させることができるとともに、もし、塵や埃等の付着よるものであれば、すぐに復帰させることができる被検出体検出装置を提供する。【解決手段】  発光素子２と、この発光素子２からの光を受光する受光素子３とを有し、被検出体が発光素子２からの光を遮ることにより受光素子３の出力レベルが変化し、この出力レベルと予め設定した検出レベルとを比較することにより前記被検出体の有無を検出するようにした被検出体検出装置１において、受光素子２を飽和領域で動作させる通常モードと、受光素子３の出力レベルが検出レベルより下がった場合、飽和領域を越えるように発光素子２を発光動作させる増光モードとを有する。【選択図】      図１
2006078385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、この発光素子からの光を受光する受光素子とを有し、被検出体が前記発光素子からの光を遮ることにより前記受光素子の出力レベルが変化し、この出力レベルと予め設定した検出レベルとを比較することにより前記被検出体の有無を検出するようにした被検出体検出装置において、
前記受光素子を飽和領域で動作させる通常モードと、前記受光素子の出力レベルが前記検出レベルより下がった場合、前記飽和領域を越えるように前記発光素子を発光動作させる増光モードとを有することを特徴とする被検出体検出装置。
【請求項２】
前記発光素子は、第１の抵抗と第１のトランジスタとを直列に接続した第1の直列回路とともに電源とグランドとの間に直列に接続されているとともに、前記第1の直列回路に、第２の抵抗と第２のトランジスタとを直列に接続した第２の直列回路が並列に接続されており、前記第１の抵抗の抵抗値と前記第２の抵抗の抵抗値は異なることを特徴とする請求１記載の被検出体検出装置。
【請求項３】
前記増光モードにおいて、前記発光素子に流れる電流は、前記発光素子の定格値以内であることを特徴とする請求項１または２記載の被検出体検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子と受光素子とを用いて被検出体の有無を検出する被検出体検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子と受光素子とを有する被検出体検出装置は、例えば、カードリーダに用いられており、上記発光素子および受光素子は、カード搬送路を挟んで所定の位置に対向して配置されている。上記カード搬送路上を被検出体としてのカードが搬送され、このカードが上記発光素子からの光を遮ることにより上記受光素子の出力レベルが変化する。この出力レベルと予め設定した検出レベルとを比較することにより上記カードの有無を検出している。
【０００３】
この種の被検出体検出装置では、カードリーダ内に侵入した塵や埃等が上記発光素子や受光素子に付着することにより、上記発光素子の光量及び上記受光素子の出力レベルが低下する場合でも、カード有無の検出動作を確実に行うようになっている（例えば特許文献１、２、３参照）。
【０００４】
特許文献１及び２に記載の被検出体検出装置では、上記発光素子に、第１の抵抗と第２の抵抗とを並列に接続するとともに、上記第２の抵抗にスイッチ手段を接続して上記第２の抵抗の上記発光素子に流れる電流経路への挿入・切り離しを行うようになっている。また、この被検出体検出装置では、発光素子へは、予め設定して固定された電圧が印加されるようになっている。
【０００５】
そして、通常の使用状態では、第２の抵抗を発光素子に流れる電流経路へ挿入して、発光素子に十分に大きな電流を流して、上記発光素子が上記受光素子の飽和領域で発光動作するようになっている。この飽和領域とは、受光素子でカードを検出できる範囲で、上記発光素子に流れる電流の上限レベル及びその近傍を示している。換言すれば、「飽和領域を越える」とは、上記発光素子が発した光がカードを透過し、透過した光を上記受光素子が検出し、上記カードの有無に関係なく受光量に変化を示さない状態となっている。
一方、検出レベルの設定時には、第２の抵抗を発光素子に流れる電流経路から切り離し、検出レベル最大値に至らない程度の電流を流し上記発光素子を発光動作させ、そのときの受光素子の出力レベルの測定結果に基づいて、検出レベルを固定して設定している。  
このように、上記検出レベルの設定時と上記受光素子の飽和状態で発光動作させるレベルとの間を十分にマージンをとって、塵や埃等の付着による劣化があっても確実にカードの有無を検出できるようになっている。
【０００６】
また、特許文献３に記載の被検出体検出装置では、図７に示すように、ＣＰＵ１１０が、発光素子１１１の発光量を可変させて、受光素子１１２の受光量を常時一定にするようにして被検出体有無の検出動作を確実に行うようになっている。
発光素子１１１の発光量の調整は、つぎのようにして行うようになっている。発光素子１１１は、メモリ内に格納された発光量データに基づく印加電圧がかけられて点灯する。発光素子１１１から照射された光線は、受光素子１１２で受光され、受光素子１１２から受光量に応じた出力電圧Ｖｒが電圧比較器１１３に出力される。電圧比較器１１３では、出力電圧Ｖｒと調整用基準電圧（Ｖａ１、Ｖａ２）の比較がなされ、比較結果がＣＰＵ１１０に出力される。ＣＰＵ１１０は、Ｖａ１＞Ｖｒ＞Ｖａ２が成立するまで、発光量データの値を可変させて調整処理を繰り返す。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２２１４６７号公報
【特許文献２】特開２００１−４７６１号公報
【特許文献３】特開平７−３０３９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１及び２記載の被検出体検出装置では、発光素子に流れる電流及び検出レベルを予め設定して固定している。このため、カードの有無を検出できなくなった場合、被検出体検出装置を搭載したカードリーダが突然停止するので、ユーザに迷惑がかかるという問題がある。
【０００９】
さらに、その原因が、塵や埃等が上記発光素子や上記受光素子に付着することによるものなのか、それとも、上記発光素子または上記受光素子自体の寿命または故障によるものか区別ができないという問題がある。その結果、その都度、付着によるものか、故障によるものかを検査するため、上記カードリーダを長時間停止させならなければならない。そのため、復帰するまでの間、上記カードリーダを利用することが全くできなくなるため、コンビニエンスストア等のように、カードリーダを1台だけしか備えていないところでは大きな問題となっている。
【００１０】
また、特許文献３記載の被検出体検出装置では、特許文献１及び２記載の被検出体検出装置とは異なり、ＣＰＵが、発光素子の発光量を可変させて受光素子側の出力電圧を、調整用基準電圧の上限値（Ｖａ１）と下限値（Ｖａ２）の範囲内に入るように常時制御している。そのため、上述した特許文献１及び２に記載の被検出体検出装置で生じるような問題は発生しない。しかしながら、ＣＰＵ１１０を介して、上記範囲内に入るまで調整処理が繰り返されるので、調整に時間がかかるという問題がある。また、調整処理時には、ＣＰＵ１１０が常時使用されるため、ＣＰＵ１１０に負荷がかかるという問題もある。
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、塵や埃等の付着より被検出体を検出できなくなった場合であっても、簡単な構成で発光素子の発光量を増加させることができるとともに、短時間で使用可能な状態に復帰させることができる被検出体検出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明では、発光素子と、この発光素子からの光を受光する受光素子とを有し、被検出体が上記発光素子からの光を遮ることにより前記受光素子の出力レベルが変化し、この出力レベルと予め設定した検出レベルとを比較することにより前記被検出体の有無を検出するようにした被検出体検出装置において、前記受光素子を飽和領域で動作させる通常モードと、前記受光素子の出力レベルが前記検出レベルより下がった場合、前記飽和領域を越えるように前記発光素子を発光動作させる増光モードとを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明において、前記受光素子の出力レベルが前記検出レベルより下がった場合、前記飽和領域を越えるように前記発光素子を発光動作させる増光モードを有しているので、増光モードに切り換えるという簡単な調整で、上記発光素子に、前記通常モードを超える電流を流して発光動作させることができる。このため、上記発光素子の発光量が増加するので、上記受光素子の出力レベルを高めることができる。従って、塵や埃等の付着によって、発光素子の発光量が低下していたり、又は受光素子の出力レベルが低下していたような場合には、受光素子の出力レベルを検出レベル以上とすることができ、短時間で被検出体検出装置を使用可能な状態に復帰することができる。
また、増光モードに切り換えた際、上記受光素子の出力レベルが変化したかどうかを調べることで、塵や埃等の付着によるものか、あるいは、発光素子または受光素子自体の寿命または故障によるものか判別することができる。
【００１４】
さらに、増光モードに切り換えるという簡単な調整で、短時間で被検出体検出装置を使用可能な状態に復帰することができる。そのため、従来のように、調整処理が繰り返されることがないので、短時間で調整処理を行うことができ、被検出体検出装置を搭載した上位装置等を長時間停止させることもなく、ユーザに迷惑をかけることも少ない。
【００１５】
また、本発明において、前記発光素子は、第１の抵抗と第１のトランジスタとを直列に接続した第1の直列回路とともに電源とグランドとの間に直列に接続されているとともに、前記第1の直列回路に、第２の抵抗と第２のトランジスタとを直列に接続した第２の直列回路が並列に接続されており、前記第１の抵抗の抵抗値と前記第２の抵抗の抵抗値とは異なることが好ましい。
この場合には、抵抗とトランジスタとを直列に接続した第１、２の直列回路を用いた簡単な回路構成で増光モードを構成することができる。
【００１６】
さらに、本発明では、前記増光モードにおいて、前記発光素子に流れる電流が前記発光素子の定格値以内であるので、上記発光素子の寿命を縮めることなく安全に使用することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、前記受光素子の出力レベルが前記検出レベルより下がった場合、前記飽和領域を越えるように前記発光素子を発光動作させる増光モードを有しているので、増光モードに切り換えるという簡単な調整で、上記発光素子に、前記通常モードを超える電流を流して発光動作させることができる。このため、上記発光素子の発光量が増加するので、上記受光素子の出力レベルを高めることができ、短時間で被検出体検出装置を使用可能な状態に復帰することができる。
また、増光モードに切り換えた際、上記受光素子の出力レベルが変化したかどうかを調べることで、塵や埃等の付着によるものか、あるいは、発光素子または受光素子自体の寿命または故障によるものか判別することができる。
【００１８】
さらに、増光モードに切り換えるという簡単な調整で、すぐに被検出体検出装置を使用可能な状態に復帰することができる。そのため、従来のように、調整処理が繰り返されることがないので、短時間で調整処理を行うことができ、被検出体検出装置を搭載した上位装置等を長い間停止させることもなく、ユーザに迷惑をかけることも少なくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づき説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施の形態にかかる被検出体検出装置を示す回路図である。図２は、図１に示す実施の形態による発光素子の発光動作モードを示す図である。なお、被検出体検出装置は、カードリーダにおいて、カード搬送路上を搬送するカードを検出する装置として用いている。
【００２１】
（被検出体検出装置の構成）
図１に示す被検出体検出装置１は、発光素子２、受光素子３、ＣＰＵ４、Ｉ／Ｏポート５、Ａ／Ｄコンバータ６、ＲＯＭ７、メモリ８、第１の直列回路１１、第２の直列回路１２を主な構成要素としている。
発光素子２と受光素子３とは、図示しないカード搬送路を挟んで対向して配置されており、発光素子２の光出射面と受光素子３の受光面との間を、被検出体としてのカード（図示せず）が搬送されるようになっている。
【００２２】
発光素子２は発光ダイオード（ＬＥＤ）からなり、電源とグランドとの間で、発光素子２は第1の直列回路１１と直列に接続されている。
第1の直列回路１１は、第１の抵抗２１と第1のトランジスタ２２とを直列に接続して構成されている。
【００２３】
さらに、第２の直列回路１２は、発光素子２に対して第１の直列回路１１と並列に接続されており、第２の直列回路１２は、第1の直列回路１１と同様に、第２の抵抗２３と第２のトランジスタ２４とを直列に接続して構成されている。
また、第２の抵抗２３の抵抗値Ｒ２３は、第1の抵抗２１の抵抗値Ｒ２１に比べて小さい値となっている。
【００２４】
第１、２のトランジスタ２２、２４は、ＣＰＵ４によってそのＩ／Ｏポート５を介してオン・オフ制御されるように接続されている。第１、２のトランジスタ２２、２４のオン・オフ制御によって、発光素子２の動作モードを切り換えるようになっている。
【００２５】
受光素子３はフォトトランジスタからなり、電源とグランドとの間で、受光素子３は抵抗３１と直列に接続されている。
受光素子３は、発光素子２からの光を受光し、受光素子３の受光量に応じた電流が出力されるようになっている。その出力レベルに応じて抵抗３１の端子電圧が変化するようになっている。
抵抗３１の端子電圧は、抵抗３２を介してＡ／Ｄコンバータ６に入力されるように構成されている。
【００２６】
Ａ／Ｄコンバータ６は抵抗３１の端子電圧をデジタル信号に変換し、ＣＰＵ４に入力するように構成されている。
ＣＰＵ４は動作ないしは制御プログラムが書き込まれたＲＯＭ７を有し、また、ＣＰＵ４には、データを格納するメモリ（ＲＡＭ）８がバスラインによって接続されている。
【００２７】
本実施の形態において、発光素子２の発光動作モードは、図２に示すように、４モードに設定されている。
図２には、各発光動作モードの名称、第１のトランジスタ２２（Ｔｒ２２）のオン／オフ状態、第２のトランジスタ２４（Ｔｒ２４）のオン／オフ状態がそれぞれ示されている。
【００２８】
第1のモードは『消灯モード』であり、第1、２のトランジスタ２２、２４が両者ともにオフの場合である。この『消灯モード』では、第１、２の抵抗２１、２３に電流が流れないので、発光素子１が発光動作しないようになっている。
【００２９】
第２のモードは『減光モード』であり、第１のトランジスタ２２がオン、第２のトランジスタ２４がオフの場合である。
この『減光モード』では、第１の抵抗２１の抵抗値Ｒ２１が第２の抵抗２３の抵抗値Ｒ２３よりも大きいので、発光素子２が通常の使用時より所定割合減光された状態で発光動作するようになっている。本実施の形態では、『通常モード』に比べて１／２〜１／４程度の発光量となるように設定されている。
また、本実施の形態では、この『減光モード』における受光素子３の出力レベルに基づいて、検出レベルを設定するようになっている。
【００３０】
第３のモードは『通常モード』であり、被検出体検出装置１を通常使用するモードである。この『通常モード』は、第１のトランジスタ２２がオフ、第２のトランジスタ２４がオンの場合である。
第２の抵抗２３の抵抗値Ｒ２３が第１の抵抗２１の抵抗値Ｒ２１よりも小さいので、発光素子２には『減光モード』に比べて大きな電流が流れ、発光素子２に十分に大きな印加電圧をかけて飽和領域で発光動作させるようになっている。これにより、発光素子２が『減光モード』よりも多い発光量で発光動作するようになっている。
【００３１】
第４のモードは『増光モード』であり、第１、２のトランジスタ２２、２４ともにオンの場合である。
すなわち、第１の抵抗２１と第２の抵抗２３が並列に接続された回路構成となるので、その抵抗値Ｒは（１／Ｒ＝１／Ｒ２１＋１／Ｒ２３）から計算されるが、この値Ｒは、『通常モード』の抵抗値Ｒ２１に比べて小さい値となっている。これによって、発光素子２には、『通常モード』よりも大きな電流が流れ、発光素子２に『通常モード』よりも大きな印加電圧をかけて発光動作させるようになっている。
【００３２】
本実施の形態では、『通常モード』の発光量の１．２〜１．５倍程度となるように設定されている。
また、本実施の形態では、『増光モード』において、発光素子２に流れる電流は、定格値以内に入るように設計されている。
【００３３】
なお、上述したとおり、『増光モード』における発光素子２の発光量は、『通常モード』よりも多いので、飽和領域を越えるようになっている。
しかし、『増光モード』に変更する状態は、例えば、塵や埃等が発光素子２や受光素子３に付着して、上記発光素子の発光量や上記受光素子の出力レベルが低下している状態である。したがって、発光素子２に流れる電流を、飽和領域を越える状態に上げたとしても、受光素子３は上記カードの有無を検出することができるようになっている。
【００３４】
被検出体検出装置１においては、実際に使用する前に、次のようにして調整ないしは設定が行われる。
まず、発光素子２と受光素子３との間にカードが無い状態で、『減光モード』に設定される。具体的には、ＣＰＵ４によって、第１のトランジスタ２２がオン状態、第２のトランジスタ２４がオフ状態となるように制御される。
【００３５】
ＣＰＵ４において、上記『減光モード』での受光素子３の出力電圧から、通常使用時におけるカードの検出レベルすなわちスライスレベルを計算する。
なお、本実施の形態では、ノイズ等によって生じるチャタリング現象を避けるために、受光素子３の出力が「Ｈ」から「Ｌ」に変化する場合すなわちカード無しから有りに変化する場合と、受光素子３の出力が「Ｌ」から「Ｈ」に変化する場合すなわちカード有りから無しに変化する場合とで、検出レベルに差を付け、いわゆるヒステリシスを与える。
このようにして計算した検出レベルをそれぞれメモリ８に格納する。これによって調整ないしは設定が完了する。
なお、具体的な検出レベルの計算等は特許文献２に記載されているので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３６】
（カード有無の検出動作及び異常を示した場合の処理動作）
図３は、被検出体検出装置１による『通常モード』においての検出動作を示すフローチャートである。図４は、被検出体検出装置の異常を検出した場合の処理動作を示すフローチャートである。
【００３７】
カード有無の検出動作時、被検出体検出装置１は『通常モード』に設定されている。
被検出体検出装置１は、図３に示すように、カードの有無検出動作に入ると（Ｓ１）、Ａ／Ｄコンバータ６に入力される受光素子３の出力レベルが、メモリ８に格納された検出レベルより大きいかどうかを判断する（Ｓ２）。検出レベルより大きければカードが無いと判断し（Ｓ３）、検出レベルより小さければカードが有ると判断する（Ｓ４）。『通常モード』では、以上の動作を繰り返す。
【００３８】
つぎに、被検出体検出装置１の異常を検出した場合の処理動作を図４の処理内容を示すフローチャートを用いて説明する。
【００３９】
例えば、被検出体検出装置１を搭載したカードリーダを始動させたように、カードが無い状態で、被検出体検出装置１を『通常モード』で発光素子２を発光動作させ、受光素子３の出力レベルを検出する。もし、その出力レベルが検出レベル以下であれば、ＣＰＵ４は、その検出結果を上位装置としてのカードリーダに送信する。上記カードリーダは『異常』と判断し、ＣＰＵ４は、カードリーダからの通信データを受けて、調整を行う（Ｓ１００）。
【００４０】
まず、ＣＰＵ４は、Ｉ／Ｏポート７を介して第１、２のトランジスタ２２、２４を切り換えて、『減光モード』に変更する。変更後、受光素子３の出力レベルを検出し、検出レベルとして再調整可能かどうかを判断する（Ｓ１０１）。
具体的には、本実施の形態では、受光素子３の出力レベルが、例えば、『通常モード』の１／５程度以上であれば、ＣＰＵ４は検出レベルを再調整可能であると判断する。
【００４１】
出力レベルが検出レベルとして再調整可能であれば、上述した計算に基づき新たな検出レベルを計算し、メモリ１２に格納する（Ｓ１０２）。また、被検出体検出装置１は復帰し、カード有無検出時の『通常モード』に設定され、カードリーダは稼動する（Ｓ１０７）。
【００４２】
一方、受光素子３の出力レベルを検出できない場合または出力レベルが低く再調整できない場合には、『減光モード』以外のモード、例えば、『増光モード』に切り換えて、発光素子２に供給する電流を増加し、受光素子３の出力レベルに変化があるかどうかを検出する（Ｓ１０３）。
【００４３】
もし、受光素子３の出力レベルが変化しなければ、受光素子３または発光素子２が故障していると判断し（Ｓ１０４）、ＣＰＵ４を介してカードリーダにその結果を送信する。カードリーダは、故障を表示するとともに停止する（Ｓ１０８）。
【００４４】
一方、受光素子３の出力レベルが変化したならば、『増光モード』の状態で、すなわち、発光素子２に『通常モード』を超える電流を流して、受光素子３の出力レベルが飽和領域を超えるように発光素子２を発光動作させ、受光素子３の出力レベルを検出する（Ｓ１０５）。
【００４５】
もし、この受光素子３の出力レベルが格納されている検出レベルよりも低い場合には、発光素子２または受光素子３が寿命であると判断し（Ｓ１０６）、ＣＰＵ４を介してカードリーダにその結果を送信する。カードリーダは故障を表示するとともに停止する（Ｓ１０７）。
【００４６】
受光素子３の出力レベルが上記検出レベル以上であれば、被検出体検出装置１はカードを検出することが可能であると判断し、被検出体検出装置１は復帰するとともに、カードリーダは稼動する（Ｓ１０７）。
なお、『増光モード』は、被検出体検出装置１を一時的に動作可能な状態にしているため、カードリーダはメンテナンスの必要性を示す表示を行うようにしている。
【００４７】
（本形態の効果）
以上説明した本発明の実施の形態によれば、被検出体検出装置１は、発光素子２を受光素子３の出力レベルが飽和領域となるように発光動作させる『通常モード』と、受光素子３の出力レベルが検出レベルより下がった場合、上記飽和状態を超える状態で発光動作させる『増光モード』とを有している。
【００４８】
このことより、受光素子３の出力レベルが検出レベルより下がった場合、『増光モード』に切り換えるという簡単な調整で、発光素子２に、『通常モード』を超える電流を流して発光動作させることができる。このため、発光素子２の発光量が増加するので、受光素子３の出力レベルを高めることができ、塵や埃等の付着によって、発光素子２の発光量が低下していたり、又は受光素子３の出力レベルが低下していたような場合には、短時間で被検出体検出装置１を使用可能な状態に復帰することができる。
また、『増光モード』に切り換えた際、受光素子２の出力レベルが変化したかどうかを調べることで、塵や埃等の付着によるものか、あるいは、発光素子２または受光素子３自体の寿命または故障によるものか判別することができる。
【００４９】
さらに、『増光モード』に切り換えるという簡単な調整で、すぐに被検出体検出装置１を使用可能な状態に復帰することができる。そのため、従来のように、調整処理が繰り返されることがないので、短時間で調整処理を行うことができ、被検出体検出装置１を搭載したカードリーダを長い間停止させることもなく、ユーザに迷惑をかけることも少ない。
【００５０】
また、被検出体検出装置１は、電源とグランドとの間で、発光素子２に、第１の抵抗２１と第１のトランジスタ２２とを直列に接続した第1の直列回路１１を直列に接続している。また、第1の直列回路１１に、第２の抵抗２３と第２のトランジスタ２４とを直列に接続した第２の直列回路１２が並列に接続されている。さらに、第１の抵抗２１の抵抗値Ｒ２１と第２の抵抗２３の抵抗値Ｒ２３の抵抗値とは異なるように構成している。このため、第１、２の直列回路１１、１２を用いた簡単な回路構成で『増光モード』を構成することができる。
【００５１】
さらに、被検出体検出装置１は、『増光モード』において、発光素子２に流れる電流は、発光素子２の定格値以内であるので、発光素子２の発光量を増加しても、発光素子２の寿命を縮めることなく、かつ、安全に使用することができる。
【００５２】
（他の実施の形態）
なお、上述の実施の形態は、本発明の好適な実施例の一例であるがこれに限定されるものではなく、本発明の要旨に逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。
【００５３】
図５は、本発明に係る被検出体検出装置の他の実施形態を示す発光側の回路図である。なお、発光側の回路構成以外は、図１に示す回路図と同じであるので、ここでの説明は省略する。
【００５４】
図５に示すとおり、発光素子２には、３組の抵抗とトランジスタからなる直列回路がそれぞれ並列に接続されている。
具体的には、電源とグランドとの間で、発光素子２は、第１の抵抗２１と第１のトランジスタ２２とからなる第１の直列回路１１と直列に接続されている。
さらに、第２、第３の直列回路１２、１３が、発光素子２に対して第１の直列回路１１と並列に接続されている。
【００５５】
第２の直列回路１２では、第1の直列回路１１と同様に、第２の抵抗２３と第２のトランジスタ２４とを直列に接続しており、また、第３の直列回路１３では、第３の抵抗２４と第３のトランジスタ２６とを直列に接続している。
また、第３の抵抗２５の抵抗値Ｒ２５は、第２の抵抗２３の抵抗値Ｒ２３に比べて小さい値となっており、これら第1、２、３の抵抗２１、２３、２５の抵抗値の関係は、Ｒ２１＞Ｒ２３＞Ｒ２５となっている。
【００５６】
図６は、図５に示す構成を備えた発光素子の動作モードを示しており、２つの増光モード『増光１モード』、『増光２モード』を有する５モードに設定されている。図６には、各動作モードの名称、トランジスタ２２（Ｔｒ２２）のオン／オフの状態、トランジスタ２４（Ｔｒ２４）のオン／オフの状態、トランジスタ２６（Ｔｒ２６）のオン／オフがそれぞれ示されている。
【００５７】
図６において、『消灯モード』、『減光モード』、『通常モード』、『増光１モード』は図２に示す『消灯モード』、『減光モード』、『通常モード』、『増光モード』にそれぞれ対応しているので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５８】
『増光２モード』は、第１、２、３のトランジスタ２２、２４、２６全てオンの場合を示している。すなわち、第１の抵抗２２、第２の抵抗２４、第３の抵抗２６が、発光素子２に並列に接続されたことになり、合計の抵抗値Ｒ’は（１／Ｒ’＝１／Ｒ２１＋１／Ｒ２３＋１／Ｒ２５）で計算されるが、『増光１モード』の抵抗値Ｒ（１／Ｒ＝１／Ｒ２１＋１／Ｒ２３）に比べてさらに小さい値となっている。これによって、発光素子２には、『増光１モード』よりも大きな電流が流れ、発光素子２に『通常モード』及び『増光１モード』よりもさらに大きな印加電圧をかけて発光動作させるようになっている。
本実施の形態では、『通常モード』の発光量の１．５〜２．０倍程度となるように設定されている。
【００５９】
なお、上述したとおり、『増光モード』における発光素子２の発光量は、『通常モード』よりも多いので、受光素子３の出力レベルが飽和状態を越えるようになっているが、『増光２モード』に変更する状態は、塵や埃等が発光素子２や受光素子３に付着して、発光素子２の発光量や受光素子３の出力レベルが低下している状態である。したがって、発光素子２に流れる電流を、飽和領域を越える状態に上げたとしても、受光素子３は上記カードの有無を検出することができるようになっている。
【００６０】
本実施の形態では、上述のように、カードが無い状態から有りに変化する場合と、カード有りからカード無しに変化する場合とでは、検出レベルに差を付け、チャタリング現象による不安定さを解消している。しかしながら、本発明では、カードが有るか無いかを検出するものであり、有るか無いかは比較的明確に区別することができるから、必ずしも、上記のように有りから無しに変化する場合と無しから有りに変化する場合とで検出レベルに差を設ける必要はなく、同じ検出レベルとしても差し支えない。
【００６１】
また、各モードにおける発光量はこれに限定されるものではなく、さらに、各抵抗の抵抗値を変更してもよい。
【００６２】
本実施の形態では、メモリ８に格納する検出レベルは、『減光モード』での受光素子３の出力レベルに基づき、これを演算して設定していたが、『減光モード』での受光素子３の出力レベルそのものを検出レベルとして、これをメモリ８に格納し、この検出レベルを用いて被検出体としてのカードの有無を検出するようにしても差し支えない。また、検出レベルの計算は、『減光モード』での受光素子３からＡ／Ｄコンバータ８への入力に基づき、ＣＰＵ６内で自動的に演算してメモリ８に格納してもよいし、手動的に演算してこれをメモリ８に格納してもよい。検出レベルを格納するメモリ８は、ＲＡＭに限らず、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、その他各種メモリの中から、適宜のメモリを選択して使用しても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態にかかる被検出体検出装置を示す回路図である。
【図２】図１に示す実施の形態による発光素子の発光動作モードを示す図である。
【図３】図１に示す実施の形態による通常モードにおいての検出動作を示すフローチャートである。
【図４】図１に示す実施の形態による被検出体検出装置の異常を検出した場合の処理動作を示すフローチャートである。
【図５】本発明に係る被検出体検出装置の他の実施形態を示す発光側の回路図である。
【図６】図５に示す他の実施の形態による発光素子の動作モードを示す図である。
【図７】従来の被検出体検出装置に用いる回路図である。
【符号の説明】
【００６４】
１．  被検出体検出装置
２．  発光素子
３．  受光素子
１１．  第1の直列回路
１２．  第２の直列回路
２１．  第1の抵抗
２２．  第１のトランジスタ
２３．  第２の抵抗
２４．  第２のトランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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