(57)【要約】      （修正有）【課題】基板上に蒸着された薄膜の誘電率を紫外光照射で制御する方法及び装置を提供する。【解決手段】真空から大気圧周辺を制御できるチャンバー６と、前記チャンバー６内に設置された複数の紫外光発光体８と、前記チャンバー６内に前記発光体８に対向して設置されたヒーター１２と、前記発光体８とヒーター１２間に配置された紫外光の強度を均一化するフィルター９と、を包含し、更に該発光体８からの光の強度を該ヒーター１２面上で均一分布とするための構造を備えた半導体基板の処理装置。【選択図】図１
2006203191.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空から大気圧周辺を制御できるチャンバーと、
前記チャンバー内に設置された複数の紫外光発光体と、
前記チャンバー内に前記発光体に対向して設置されたヒーターと、
前記発光体とヒーター間に配置された紫外光の強度を均一化するフィルターと、を包含し、さらに、前記発光体からの光の強度を前記ヒーター面上で均一分布とするための、
A）前記発光体はヒーター面と平行な平面内に配置された内側発光体と、前記内側発光体の外側に前記内側発光体よりもヒーター面に近づけて配置された外側発光体とからなる構造、
B）前記発光体の直接光と反射光を基板に照射するための反射板、及び前記反射板の反射角の角度を可変とする角度調整機構を更に備えている構造、
C）前記フィルターと前記ヒーター間の照射時の設定距離を変更可能とする距離調整機構を更に備えている構造、
の少なくとも一つの構造を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記チャンバーの内周面から中心方向へ向かってガスを前記チャンバー内に導入するための複数のガス導入口を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ヒーターを軸回転させるための回転機構を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記フィルターは、中心付近の厚みが外周付近の厚みよりも厚く、凸状部を有し、前記凸状部は曲面加工されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記発光体は前記ヒーター面と平行な平面内に配置された内側発光体と、前記内側発光体の外側に前記内側発光体よりも前記ヒーター面に近づけて配置された外側発光体とから成る、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記チャンバーは、前記紫外光発光体を収納する上部チャンバーと、前記ヒーターを取り囲む下部チャンバー、及び前記上部チャンバーと前記下部チャンバーの間に設けられたフランジから成る、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記フィルターは、前記フランジと前記上部チャンバーとの間で支持されている、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記フランジには、前記フランジの内周面から中心方向へ向かって、ガスを前記チャンバー内に導入するための複数のガス導入口が配置されている、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記複数のガス導入口は、前記フランジの内周面上で等間隔に配置されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記紫外光発光体による照射を制御するための制御ユニットを更に含み、前記制御ユニットは前記チャンバーの上部に設置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記構造A、B、Cの全てを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
真空から大気圧周辺を制御できるチャンバーと、
前記チャンバー内に設置された複数の紫外光発光体と、
前記チャンバー内に前記発光体に対向して設置されたヒーターと、
前記発光体とヒーター間に配置された紫外光の強度を均一化するフィルターと、
前記チャンバーの内周面から中心方向へ向かってガスを前記チャンバー内に導入するための複数のガス導入口と、
から成る半導体基板の処理装置。
【請求項１３】
前記チャンバーは、前記紫外光発光体を収納する上部チャンバーと、前記ヒーターを取り囲む下部チャンバー、及び前記上部チャンバーと前記下部チャンバーの間に設けられたフランジと、から成る、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記フィルターは、前記フランジと前記上部チャンバーとの間で支持されている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記フランジには、前記フランジの内周面から中心方向へ向かってガスを前記チャンバー内に導入するための複数のガス導入口が配置されている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記複数のガス導入口は、前記フランジ内周面上で等間隔に配置されている、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
基板上に低誘電率薄膜を形成する工程、
所定の条件下で、前記低誘電率薄膜に対して紫外光の照射を開始し、前記低誘電率薄膜の誘電率を低下させる工程、
前記所定の条件下で、前記紫外光の照射を継続すると、前記低誘電率薄膜の前記誘電率の値が低下し、ある時点で最小となり、その後上昇を始めるところの、前記最小の時点またはその近傍の時点で、前記紫外光の照射を中止する工程、
から成る半導体基板の処理方法。
【請求項１８】
前記所定の条件において、紫外光の強度が１ｍW/cm2から５０ｍW/cm2である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記所定の条件において、前記紫外光の照射時間が５秒以上１００秒未満である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記紫外光の照射前に、更に、N2または希ガス雰囲気とする工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
更に、CO2を添加する工程を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記低誘電率薄膜は、メチル基を含有する膜である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記低誘電率薄膜は、低誘電率炭素（C）ドープ酸化シリコン膜または炭化シリコン系膜である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
基板上に低誘電率薄膜を形成する工程、
所定の条件下で、前記低誘電率薄膜に対して紫外光の照射を開始し前記低誘電率薄膜の誘電率を低下させる工程、
前記所定の条件下で、紫外光の照射を継続し、前記低誘電率薄膜が酸化膜化する前に紫外光の照射を中止する工程、
から成る半導体基板の処理方法。
【請求項２５】
基板上に第一の値の誘電率を有する薄膜を形成する工程、
所定の条件下で、前記薄膜に対して紫外光を照射したとき、前記薄膜の誘電率が低下し、その後上昇して、再び前記第一の値の誘電率になるまでの照射時間間隔を求める工程、
前記所定の条件下で、前記照射時間間隔の１０％から５０％の時間間隔の間、紫外光を照射する工程、
から成る半導体基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、半導体素子形成回路製造工程における半導体薄膜処理技術に関し、特に半導体薄膜に対して紫外光照射処理を行う半導体製造装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の微細化に伴い薄膜の膜質向上が求められている現在、半導体基板上に対し成膜された薄膜を改善する様々なアプローチが存在する。
【０００３】
その方法として、紫外光照射による半導体基板上に成膜された薄膜の膜質改善があり、米国特許第6,756,085号においては膜弾性率と膜硬度の改善を挙げている。米国特許第6,756,085号では、その他、薄膜の誘電率が紫外光照射により±２０％変化することが示唆されているが、該誘電率の±２０％の変化は制御の結果ではなく、単にその範囲でばらついていたと解釈される。該特許では誘電率を紫外光照射で制御するという認識は全くなく、事実該特許には「The UV curing process improves the mechanical properties of the low-k dielectric material, increasing material hardness while maintaining the dielectric pore, structure, density, and electrical properties」（７欄３７−４１行）「紫外光キュア処理は、誘電体の気孔、構造、密度及び電気的特性を維持しながら、膜材料の硬度を増加して、低誘電率材料の機械的性質を改善する」と記載されている。該特許において、薄膜の誘電率の低減は専ら紫外光照射処理後のアニーリング等により実現され、紫外光照射により誘電率の制御ができることは示唆されていない。
【０００４】
また、紫外光照射処理装置及び方法として、例えば、米国特許第6,284,050号は、紫外光ランプ及びその中心軸下にヒーターを設置し、紫外光を照射する構造が開示されている。
【０００５】
しかしながら、その装置の主な構造は薄膜に対し中心軸上に紫外光ランプを設けたもので、薄膜への紫外光照射は中心方向に偏る構造になっており、紫外光の薄膜全体への均一照射、膜質に応じた紫外光照射の調整等は考慮されておらず局所的または画一的な処理効果しか期待できない。
【０００６】
また、該特許では、紫外光照射による膜硬度、密着性の改善を挙げているが、誘電率の制御に関しては全く記載がなく、示唆もない。
【特許文献１】米国特許第6,756,085号明細書
【特許文献２】米国特許第6,284,050号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願発明の少なくとも一つの態様によれば、下記の目的、効果の一つあるいはそれ以上を達成することができる。なお、一つの態様において全ての目的、効果が達成される必要はなく、ここに記載されていない別の目的、効果（本明細書の記載から把握し得る或いは本来的な目的、効果）が達成されていてもよい。
１）薄膜の誘電率を低下させる。
２）薄膜の誘電率の低下程度を的確に制御する。
３）薄膜中に存在する親水基を減少させる。
４）基板に対して紫外光の照度を均一に照射する。
５）紫外光照射中の基板の温度を均一にする。
６）紫外光照射中のガス雰囲気を均一にする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある態様によれば、
真空から大気圧周辺を制御できるチャンバーと、
該チャンバー内に設置された複数の紫外光発光体と、
該チャンバー内に前記発光体に対向して設置されたヒーターと、
該発光体とヒーター間に配置された紫外光の強度を均一化するフィルターと、を包含し、
該発光体からの光の強度を該ヒーター面上で均一分布とするため、
A）該発光体はヒーター面と平行な平面内に配置された内側発光体と、該内側発光体の外側に該内側発光体よりもヒーター面に近づけて配置された外側発光体とからなる構造、
B）該発光体の直接光と反射光を基板に照射するための反射板、及び該反射板の反射角の角度を可変とする角度調整機構を更に備えている構造、
C）該フィルターと該ヒーター間の照射時の設定距離を変更可能とする距離調整機構を更に備えている構造、
の少なくともいずれか一つを備えた基板の処理装置が提供される。
【０００９】
上記の態様には更に次の態様を含むことができる。該チャンバーの内周面から中心方向へ向かってガスを該チャンバー内に導入するための複数のガス導入口が更に配置されている装置。
【００１０】
該ヒーターを軸回転させるための回転機構が更に備えられた装置。
【００１１】
該フィルターは、中心付近の厚みが外周付近の厚みよりも厚い凸状であり、該凸状部は曲面加工されている装置。
【００１２】
該発光体はヒーター面と平行な平面内に配置された内側発光体と、該内側発光体の外側に該内側発光体よりもヒーター面に近づけて配置された外側発光体とからなる装置。
【００１３】
該チャンバーは、該紫外光発光体を収納する上部チャンバーと、該ヒーターを取り囲む下部チャンバー、及び該上部チャンバーと該下部チャンバーの間に設けられたフランジからなる装置。
【００１４】
該フィルターは、該フランジと該上部チャンバーとの間で支持されている装置。
【００１５】
該フランジに、該フランジの内周面から中心方向へ向かってガスを該チャンバー内に導入するための複数のガス導入口が配置されている装置。
【００１６】
該複数のガス導入口は、該フランジ内周面上で等間隔に配置されている装置。
【００１７】
該紫外光発光体による照射を制御する制御ユニットが、該チャンバーの上部に更に設置されている装置。
【００１８】
構造A、B、Cの全てを備えた装置。
【００１９】
また、本発明の別の態様によれば、
真空から大気圧周辺を制御できるチャンバーと、
該チャンバー内に設置された複数の紫外光発光体と、
該チャンバー内に該発光体に対向して設置されたヒーターと、
該発光体とヒーター間に配置された紫外光の強度を均一化するフィルターと、
該チャンバーの内周面から中心方向へ向かってガスを該チャンバー内に導入するための複数のガス導入口と、
を包含する半導体基板の処理装置が提供される。
【００２０】
上記において、一つの態様における各構成要件は、他の一つあるいはそれ以上の態様における各構成要件と相互に交換可能であり、それぞれの構成要件を組み合わせることもできる。本発明は上記の態様に限定されるものではなく、上で述べた目的の一つ以上またそれ以外の目的を達成し得るその他の態様も含むものである。
【００２１】
また、本発明は製法にも適用でき、ある態様によれば、
基板上に低誘電率薄膜を形成する工程、
ある条件下で該薄膜に対して紫外光の照射を開始し該薄膜の誘電率を低下させる工程、
該条件下で紫外光の照射を継続し該薄膜の誘電率が最低になりその後上昇を始める最下点およびその近傍で紫外光の照射を中止する工程、
を包含する半導体基板の処理方法が提供される。
【００２２】
上記の態様には更に次の態様を含むことができる。
【００２３】
紫外光の強度は１ｍW/cm2から５０ｍW/cm2である方法。
【００２４】
紫外光の照射は１００秒未満である方法。
【００２５】
該紫外光照射前に、更にN2または希ガス雰囲気とする工程を含む方法。
【００２６】
更にCO2を添加する工程を含む方法。
【００２７】
該低誘電率薄膜は、メチル基を含有する膜である方法。
【００２８】
該低誘電率薄膜は、低誘電率炭素（C）ドープ酸化シリコン膜または炭化シリコン系膜である方法。
【００２９】
また、本発明の別の態様によれば、
基板上に低誘電率薄膜を形成する工程、
ある条件下で該薄膜に対して紫外光の照射を開始し該薄膜の誘電率を低下させる工程、
該条件下で紫外光の照射を継続し該薄膜が酸化膜化する前に紫外光の照射を中止する工程、
を包含する半導体基板の処理方法が提供される。
【００３０】
更に、本発明の別の態様によれば、
基板上に第一の誘電率を有する薄膜を形成する工程、
ある条件下で該薄膜に対して紫外光を照射したとき該薄膜の誘電率が低下し、その後上昇し、再び第一の誘電率になるまでの照射時間間隔を求める工程、
該条件下で該照射時間間隔の１０％から５０％の時間間隔の間、紫外光を照射する工程、
を包含する半導体基板の処理方法が提供される。
【００３１】
上記において、ある態様における各構成要件は、他の態様における各構成要件と相互に交換可能であり、それぞれの構成要件を組み合わせることもできる。本発明は上記の態様に限定されるものではなく、上記で述べた目的の一つ以上またそれ以外の目的を達成し得る他の態様も含むものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
上記したように本発明のある態様による半導体基板の処理装置は、（１）真空から大気圧周辺を制御できるチャンバー、（２）該チャンバー内に設置された紫外光発光体、（３）該発光体に平行に対向して設置されたヒーター、（４）該発光体とヒーター間に紫外光の強度を均一化するフィルター、（５）該フィルターと該ヒーター間の設定距離を変更可能とする距離調整機構、とを包含する。
【００３３】
他の態様においては、上記の装置において、フィルターの形状及び厚さを変える事により、紫外光の照度制御を行い薄膜全体に均一に照射させることができる。
【００３４】
また、ある態様によれば、紫外光発光体からの紫外光は、直接光と反射板によって反射する反射光からなり、各紫外光発光体と反射板の適正な配置により照度の均一性が向上する。
【００３５】
また、別の態様によれば、紫外光発光体と反射板は位置調整及び角度の微調整を行うことにより照度均一性の調整ができる。
【００３６】
さらに、別の態様によれば、ヒーターの回転による照度の薄膜周辺の偏りを無くすことができる。
【００３７】
また、他の態様によれば、紫外光発光体とヒーター間の距離を最適化することにより薄膜に対する照度分布も同様に最適化できる。なお、紫外光発光体とフィルターの距離があまり大きくない場合、例えば１０mm〜３０ｍｍ程度の場合は、光が散乱光であることから、照射処理上はその距離がほとんど問題にならない。その場合はフィルターとヒーター間の距離を最適化することが有効となる。
【００３８】
さらに、他の態様によれば、ヒーターの温度は紫外光照射による薄膜の改善に寄与しており、薄膜全体に均一に温度を加えることが可能なヒーターを用いることにより均一性を向上できる。
【００３９】
また、ガス導入用フランジのガス導入口を対称配置し、ガスをチャンバー内に均一に導入することにより薄膜の改善の偏りを無くすことができる。
【００４０】
なお、紫外光の照射周期は連続またはパルス状（例えば、０kHz〜kHz、１kHz、１０kHz、４０kHz、１００kHz、３００kHz、およびそれらの間の数値を含む）のいずれでも実施できる。また、紫外光の波長は約１００nmから約５００nm（好ましくは、約１００nmから約４００nm）で出力は発光体の総計で約1mＷ/cm2から約１０００ｍW/cm2（２ｍW/cm2、５ｍW/cm2、１０ｍW/cm2、５０ｍW/cm2、１００ｍW/cm2、２００ｍW/cm2、およびそれらの間の数値を含み、好ましくは約１ｍW/cm2〜約５０ｍW/cm2）で実施することができる。なお、上記した態様の装置は、成膜に使用するものではなく、成膜後の改質処理に使うものであり、成膜に必要なエネルギーは不要である。
【００４１】
次に、図面を参照して本発明を更に説明するが、本発明は該図面に記載された態様に限定されるものではない。
【００４２】
図１は本発明の一態様に基づく処理装置を示す概略図である。図は説明のため、過度に簡略化して記載されている。図１のように真空から大気圧周辺を制御できるチャンバー6と該チャンバー上部に設置された紫外光照射ユニット1から構成されており、連続またはパルス状に発光する紫外光発光体8と、前記発光体8に平行に対向して設置されたヒーター12と、紫外光発光体8とヒーター12間に平行に対向して配置されたフィルター9から成る。紫外光照射ユニット1にはトランス等の抵抗や発光の為の制御基盤が格納されている。該ユニット1はチャンバー上部に載置するのがスペース的に好ましいが、装置によりチャンバーと切り離してもよく、またはチャンバーの横に設置してもよい。フィルター9はフランジ3の上にO−リング（図示せず）を介して載置されている。ヒーター12にはゲートバルブ4を介して基板搬送口5から搬入、搬出される被処理体11が載置されている。ガスは、処理ガス供給源7からガス導入口10を経てチャンバー6内へ供給される（ガス導入口は一箇所でもよいが、後述するように複数箇所に設けるのが好ましい）。チャンバー6内のガスは排気口13を経てチャンバー外へ排出される。紫外光発光体8には反射板2が備えられており、フィルター9へは直接光と反射光が届くようにしている。なお、反射板2、ヒーター12、フランジ3は、例えば、それぞれアルミ製である。
【００４３】
図２は、図１の装置の分解透視概略図である。チャンバーはフランジ3を挟んで上部チャンバー6bと下部チャンバー6aから成り、それぞれ紫外光照射ユニット1、ヒーター12と同軸上に配置される。上部チャンバー6b内に紫外光発光体8、反射板2が収納される。また、フィルター9を設置したフランジ3は、それを介して真空から大気圧周辺を制御できる下部チャンバー6a（基板処理部）と、連続またはパルス状に発光する紫外光発光体8とを備えた上部チャンバー6b（紫外光発光部）に分離される。尚、紫外光発光体は容易に取り外し交換可能な構造になっている。
【００４４】
この態様では、紫外光照射ユニット1内の紫外光発光体8はチューブ形状で平行に複数本配置し、その発光体8の配置位置は、照度の均一化を目的として適正に配置されており、照度の均一性の調整が図れるよう位置調整されている。加えて、各紫外光発光体からの紫外光を薄膜に対し適切に反射するように反射板2が設けられ、反射板2のその角度は照度の均一化を図るべく調整可能となっている。発光体の本数は、多いほど照度の均一性には有利であるが、実際に装置に組み込むためにはスペース上及び構造上の制限がある。複数本であればよいが、通常は４本から１５本、好ましくは６本から８本である。また、形状も特に制限されないが、棒状チューブ型や環状チューブ型である。それぞれの発光体の直径サイズ及び長さは、同じでも、異なっていてもよい。
【００４５】
図１の装置では、発光体8は図３Bにあるように等距離平面配置を示しているが、基板の外周付近での紫外光強度（照度）が弱くなる場合は、図３Aに示すような適正配置が有効である。なお、図３A、３Bともに発光体が６本の例を示しているが、本発明はそれに限定されるものではない。図３Bの等距離平面配置と比べると図３Aでは基板外周付近での照度の均一性を有意に高めることができる。更に、図３Aでは、同一平面にある発光体8b、8c、8d、8eでは外側の発光体8e、8bと内側の発光体8d、8cとのそれぞれの距離を広げ、内側の発光体8d、8c同士の距離は縮めており、また、それよりも外側の発光体8a、8fは基板方向にずらしている。更に、図３Aでは反射板２の角度も変化させており、外側の反射板2a、2b、2i、2jは弧を描くように角度が調整されている。また、反射板2c、2d、2e、2f、2g、2hは発光体間の距離に応じて角度が調整されている。なお、反射板2aから2jはそれぞれが単一部材でもよいが、複数部材からなり伸縮可能な構造であってもよい。
【００４６】
図９は紫外光発光体の配置による照度分布均一性の違いを示したグラフである（フィルターは考慮されていない）。図９で「適正配置」は、図３Aの配置（三次元配置）で６本の紫外光発光体を用いた３２０ｍｍの範囲（３００ｍｍの基板を想定）で求めた分布において均一性を計算したものである。「平行方向考慮配置」は、上記の適正配置を二次元方向に配置を変えた配置（両端の発光体の位置を下方にずらしていない場合）であり、「無考慮配置」は、ただ平面方向に等間隔に配置した図３Bの配置である。この図からも明らかなように、三次元配置としたものでは照度分布の均一性が有意に高く、不均一性は１％以下である。二次元配置で平面方向の適正化を図ったものでは等間隔配置よりも均一性が高いが、三次元配置に比べると均一性は劣っている。なお、図９は、点光源と仮定し、各光源の照度を重ね合わせていく手法で計算したもので、パラメータとして光源間の間隔、基板までの距離を考慮し光源の範囲を指定し、その範囲での重ね合わせたものである。ここでは、計算は１０ｍｍ間隔で照度の重ね合わせを行い、均一性を算出している。以下で説明する図６、図１０についても同様である。
【００４７】
なお、後述するように、３２０ｍｍよりも外周の部分に関しては照度が落ちる傾向にあり、その結果、被処理体のエッジ部付近での膜質の不均一性が起こる可能性がある。このため、ある態様においては、後述するように、フィルターの形状によりかかる問題を解決する。
【００４８】
なお、図３Aと図３Bの配置はそれぞれが固定されていてもよいが、好ましくは、図３Bの配置から図３Aの配置等（図３Aに限定されない）に変更することが可能な位置調整機構を備え、照度の均一性の調整が図れるようにする。例えば、発光体の位置を完全に固定化せず、平面方向に遊びを設けて微妙な位置調整が可能になるようにして目盛りを設けて位置の同定ができるようにする、等である。
【００４９】
また、反射板の角度も好ましくは調整可能である。図４にその一例を示す。図４では反射板2a、2bは可動軸15に、反射板2b、2cは可動軸17に、反射板2c、2dは可動軸16にそれぞれ開閉可能に支持されている。可動軸15、16は図面で横方向へは可動であり、可動軸17は図面で上下横いずれの方向へも可動である。それぞれの反射板はスライド状の板を数枚重ねたもので構成されており、可動軸15、16、17の位置関係により反射板の角度が変わると共にスライド状の板が伸び縮みし角度調整が可能となる。角度の同定にはダイヤルメーター等を使用することができる。
【００５０】
図１に示した装置のフィルター9は平面状であるが、照度の均一性を向上させるためには、図５Aから図５Cに示したような曲面加工されたフィルターを使うことができる。図５Aはフィルターの一例を示す側面概略図である（ヒーターエッジ付近の照度が高い場合等で有効）。図５Bはフィルターのほかの一例を示す側面概略図である（中心付近の照度が高い場合等で有効）。図５Cはそれらのフィルターの平面図である。紫外光発光体とフィルター間の距離は、例えば約１０ｍｍ〜約３０ｍｍの比較的短い距離であれば、光が散乱光であるため、紫外光はフィルターまでは均一に到達する。しかし、フィルター径はヒーター（あるいは被処理体）の径と比べて構造上それほど大きくできないので、紫外光発光体が複数備えられていても紫外光は点光源の重ね合わせとなり、その結果、チャンバーの内壁付近あるいはヒーターのエッジ付近の照度は中心付近の照度よりも必然的に弱くなる傾向にある。従って、被処理体の外周付近が受ける光の強度も弱くなるため被処理体の紫外光による改質作用が不均一となりやすい。よって、フィルターから被処理体までの距離（ある態様では約５ｍｍ〜約６０ｍｍ、好ましくは約１０ｍｍ〜約４０ｍｍ）は、均一性にとって重要であるが、該距離のみで均一性を確保することは困難である場合がある。
【００５１】
図６は紫外光発光体を６本使用した場合（図３Aの適正配置）のチャンバー内のヒーター上面（照射面）における紫外光の強度を示した図である（フィルターは考慮されていない）。各紫外光発光体の光強度（Intensity 1-6）とその合計（Total Intensity）を示している。図６から分かるように、図３Aの適正配置としてもヒーターエッジ付近（チャンバー内壁近傍）では光強度が弱くなっている（なお、エッジ付近を除く３２０ｍｍの範囲での均一性は１シグマ１％以下と均一になっている）。照度を実測した一例でもエッジ付近の照度は中心付近の約８０％から約９０％程度である。かかる不均一性を改善するための一態様としては、図５Bに示した中心付近の照度が高い場合のフィルター形状を採用することが挙げられる。即ち、照度が低い部分のフィルターの厚みを薄くすることである。フィルターの厚みは次の計算式を使って概算することもできる。
【００５２】
I＝IoExp[-4P*T*k/R]  （I=透過強度、Io=初期強度、P=円周率、T=厚さ、k=減衰率、R=波長）
なお、ある態様ではフィルターのエッジ部分の厚みは中心付近の厚みの約７０％から約９５％程度（７５％、８０％、８５％、９０％、およびそれらの間の数値を含む、好ましくは８０％から９０％）となるようにするとよい。好ましくは、図５Bにあるような曲面加工（あるいは球面加工）を施す。
【００５３】
なお、フィルターは石英ガラス等で構成することができる。例えば、SiCl4 石英ガラス ( 4塩化シリコン石英ガラス)を使用することができる。紫外光の性質上、波長が短くなるに連れてガラスを透過しにくくなり、真空紫外域より短い波長は特に透過しにくくなるが、上記のSiCl4は透過性がよい。これ以外にも紫外光透過特性のよいCaFなどのフッ化系のガラスを使うこともできる。
【００５４】
また、石英ガラスを使った場合、フィルターは真空下における大気圧の力にも耐え得る厚さとして、２０ｍｍ以上（２５ｍｍ、３０ｍｍ、４０ｍｍ、５０ｍｍ、その間の数値を含む）は必要となる。
【００５５】
また、本態様では、フィルターのメンテナンス及びその交換も容易なようにフランジにO−リングを介して載置した構造としている。
【００５６】
次に、ヒーターはある態様では約０℃から約６５０℃までの範囲で温度調整ができるものである。また、好ましくは、温度分布特性の良いヒーターを用いる。温度分布が良いヒーターとしては、１）温度の追随性がよい、２）熱容量が高い、３）ヒーター内のヒーター線がヒーター表面から深いところにある、４）温度を読み取るセンサー例えばTCゲージが1箇所だけでなく数箇所ありヒーター表面の温度を読み取ることが可能、５）上記４）のセンサー区域に対応して独立したヒーター線を設け、基板の領域ごとの精密な加熱、温度制御を行うことができる、等の一つ以上の要件を満足するものを好適に使うことができる。
【００５７】
また、ヒーターは好ましくは回転機構を備えている（約０.１rpmから約１００rpm、好ましくは約１rpmから約６０rpm）。紫外光処理中に被処理体を回転することで照射の均一性を高めることができる。図７はヒーターに回転機構を装着した態様を示す概略図である。図１と共通な部分には同じ符号を付してある。図７では、ヒーター12が回転できるようにモーター20が備えられており、該モーター20によりヒーター12は回転軸21の周りで矢印23に示すように回転する。なお、回転方向は時計回り、逆時計回りのどちらでもよく、また、回転方向を一回の処理中に変えてもよい。また、回転軸はヒーターの中心である必要はなく、ヒーターの中心（被処理体中心）から若干ずらすことで照射の均一性を高めることも可能である。
【００５８】
更に、被処理体に対する紫外光照度および均一性を調節できるように、フィルターとヒーター間の距離は好ましくは調整が可能な構造となっている。例えば、ヒーターの位置を約５ｍｍから約６０ｍｍで変更可能とし、エンコーダーを用いてモーターで距離を指定しヒーターの位置を調整し、フィルターとヒーター間の距離を調整することができる。
【００５９】
図１０は紫外光発光体と被処理体間までの距離による照度分布均一性の違いを示したグラフである（フィルターは考慮されていない）。図１０で「適正距離」は図３Aの適正配置を元にしたものであり、この場合、中央4本の発光体から照射面までの距離は１３５ｍｍ、両端の発光体から照射面までの距離は６５ｍｍ（発光体の最下点を基準）として計算したものである。この適正距離では照度の不均一性は１％以下であるがそれよりも２０ｍｍ長くなると不均一性は１.５％を超え、また、それよりも２０ｍｍ短くなると不均一性は２％を超えることとなる。
【００６０】
次に、ガス導入口について説明する。ガス導入口は紫外光照射中に不活性ガス等をチャンバー内に導入するためのものであり、どのような構造でも、かかる目的を達成できるものであれば使うことができる。好ましくは、ガスが均一にチャンバー内に導入されるようにガス導入口を配置する。その一例としては、ガス導入口を複数設けるものであるが、該複数のガス導入口をチャンバー内周に一定間隔で配置しチャンバー中心に向かってガスが導入されるようにする。ガス導入口の数としては好ましくは３個から２０個、より好ましくは４個から１２個である。
【００６１】
また、ガス導入口をフランジ内に設けることもできる。図８にその一例を示す。図８ではガス31はフランジ3内に設けられたガス導入管32及びガス導入口10を介してヒーター12上の被処理体11に向かって導入される。ガス導入口10は複数（８個）設けられその配置は均一な処理雰囲気を作る為に対称配置（４５度対称配置）されている。
【００６２】
次に、紫外光照射処理方法について説明する。
【００６３】
本発明はこれに限定されるものではないが、本発明のある態様によれば、１）基板上に低誘電率薄膜を形成する工程、２）ある条件下で該薄膜に対して紫外光の照射を開始し該薄膜の誘電率を低下させる工程、３）該条件下で紫外光の照射を継続し該薄膜の誘電率が最低になりその後上昇を始める最下点およびその近傍で紫外光の照射を中止する工程、とを包含する処理工程により実施することができる。
【００６４】
まず、対象となる薄膜は特に制限されないが、半導体基板上に成膜された低誘電率炭素（C）ドープ酸化シリコン膜や炭化シリコン系膜を対象とすることができる。このようなシリコン系低誘電率膜は炭化水素含有シリコン化合物を前駆体として形成することができる。
【００６５】
例えば、以下の化学式１〜６で表される材料を少なくとも一種類含む材料から形成される薄膜を挙げることができる。また、ここに参考文献として組み込む、米国特許第6,455,445号に開示されている材料を使うことができる。
化学式１：
【００６６】
【化１】
2006203191.tif 000003
（式中、R1、R2、R3およびR4はCH3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかである）
上記化学式１で示される化合物としてはDMDMOS（ジメチルジメトキシシラン）、DEDEOS(ジエチルジエトキシオキシシラン)等が挙げられる。
化学式２：
【００６７】
【化２】
2006203191.tif 000004
（式中、R1、R2、R3およびR4はCH3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかである）
化学式２に含まれる化合物としてはTMOS(テトラメトキシシラン)等が挙げられる。
化学式３：
【００６８】
【化３】
2006203191.tif 000005
（式中、R1、R2、R3およびR4はCH3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかである）
化学式３に含まれる化合物としてはPTMOS(フェニルトリメトキシシラン)等が挙げられる。
化学式４：
【００６９】
【化４】
2006203191.tif 000006
（式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6はCH3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかである）
化学式４に含まれる化合物としてはDMOTMDS(1.3ジメトキシテトラメチルジシロキサン)等が挙げられる。
化学式５：
【００７０】
【化５】
2006203191.tif 000007
（式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6はCH3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかである）
化学式５に含まれる化合物としてはHMDS(ヘキサメチルジシラン)等が挙げられる。
化学式６：
【００７１】
【化６】
2006203191.tif 000008
（式中、R1、R2、R3およびR4はCH3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかである）
化学式６に含まれる化合物としてはDVDMS(ジビニルジメチルシラン)や4MS(テトラメチルシラン)等が挙げられる。
化学式７：
【００７２】
【化７】
2006203191.tif 000009
（式中、R1、R2、R3、R4、R5およびR6はCH3、C2H3、C2H5、C3H7、C6H5のいずれかである）
化学式７に含まれる化合物としてはOMCTS(オクタメチルシクロトリシロキサン)等が挙げられる。
【００７３】
なお、化学式６のように酸素原子を材料中に含まない場合は、別途酸素原子を酸化性ガスとして添加してもよい。
【００７４】
紫外光照射処理は、薄膜が成膜された基板を紫外光照射処理装置に搬入し実施することができる。なお、成膜を実施するCVD装置等に紫外光照射装置をつけることにより単一装置で成膜と紫外光照射処理を実施することも可能であるが、構造的には紫外光照射装置は成膜装置と分けた方が好ましい。
【００７５】
紫外光照射処理の一態様によれば、チャンバー内を、Ar、CO、CO2、C2H4、CH４、H2、He、Kr、Ne、N2、N2O、O2、Xe、アルコール系CHガス及び有機系ガスから選択されるガス（流量は、ある態様では約０.１sccmから約２０slm、好ましく約５００sccmから約１００００sccm、で選択することができる）にて、圧力を約０.１Torrから大気圧付近の雰囲気とする。温度が約０℃から約６５０℃に設定されたヒーター上に、被処理体である基板を乗せ、紫外光発光体から適正な距離を通して、波長が約１００nmから約４００nmで、出力が約１mW/cm2から約１０００mW/cm2、好ましくは約１mW/cm2から約１００mW/cm2、より好ましくは約５mW/cm2から約５０mW/cm2の紫外光を、連続またはパルス状に０〜約１０００Hzで照射する。半導体基板上の薄膜に対する紫外光の照射は、図７に示すように、ヒーターの中心を回転軸として回転させた状態で（処理時間を約５秒から約３００秒、好ましくは約２０秒から約２００秒、より好ましくは約３０秒から約１００秒、に設定することができる）実行することができる。この一連の処理をこの半導体製造装置は自動シーケンスで行うことができ、処理のステップとしてガス導入、紫外光照射、照射停止、ガス停止のステップとなっている。
【００７６】
なお、導入するガスとしては、チャンバー内で紫外光により解離しないN2または希ガス類のガスを使うことが好ましく、このようなガスを使うことで誘電率を有効に低下させることができる。但し、場合により、紫外光で解離しないN2または希ガスでは親水基（Si-H基、Si-OH基等）が発生することもある。薄膜に存在する親水基は薄膜特性を劣化させる可能性があるのが、このピークを抑制することで薄膜特性の劣化を防止することができる。親水基の発生を抑制することは、CO2をチャンバー内に入れる（ある態様では５００sccm以下）ことで可能となる（図１１、実施例１０参照）。これはCO2が紫外光により分解され薄膜を構成する分子と反応したためと考えられる。CO2を入れることで膜強化も可能となるが、CO2は紫外光で解離するため、薄膜が酸化し誘電率がわずかながら上昇する傾向がある。
【００７７】
紫外光照射処理装置にて半導体基板上に成膜された薄膜に対し紫外光を照射した場合、薄膜の誘電率を低減させる事ができる。この現象に関しては以下の現象を含む様々な要因が考えられる。
【００７８】
薄膜内の永久双極子間の結合（例えば極性が異なる2つの原子、分子で、C-O(炭素、酸素)、Si-CH3(シリコン-メチル基)などの結合）に対し紫外光を照射した場合、永久双極子間の結合（この場合ファンデルワールス力で非常に弱く紫外光で容易に結合を切ることができる）が壊れ、結合が消失したことにより永久双極子自体は不安定となり、永久双極子間には静電気力による反発が生じ、その力により永久双極子の極性の向きが反転する。紫外光の照射をやめると極性の向きが反転した永久双極子はその状態で安定化を図るため永久双極子間に働く結合が再び成される。これより薄膜自体の極性は極性の向きが反転した事により下がり、結果、誘電率は低下する。
【００７９】
しかしながら、紫外光を照射した場合、薄膜中に電場が形成され基板表面に電荷が生じる為、照射時間を長くしていくとチャージする電荷が多くなり、その静電気力により、反転した薄膜中の永久双極子は配向分極により電場の向きに整列し、極性は増加傾向を示す。その結果、誘電率は増加傾向を示す。
【００８０】
また、薄膜に対し紫外光を照射した場合、薄膜中のメチル基が減少する（図１５、実施例３参照）ことから、分極率が高いメチル基が減少することにより誘電率が低下する（Si-CH3基も減少する（図１６、実施例３参照））。
【００８１】
しかし、上記と同様に照射時間を長くしていくとメチル基が消失し（図１３、比較例１参照）薄膜が酸化膜状（図１４、比較例１参照）になり、結果、誘電率は増加傾向を示す。一般に、SiOCH系のLow-k膜はある程度のメチル基をもつことで低い誘電率を保持している為、メチル基が急激に失われると誘電率は上昇し、膜の構成はSiO化し誘電率は上昇する。紫外光照射により膜中のメチル基量を調整すれば誘電率を低下させることができる。
【００８２】
誘電率低下の要因には以上のものが考えられるが、照射時間を長くすると誘電率は増加に転じることになる。この結果、上記の要因から誘電率を下げる為には最適な照射時間を必要とする。なお、本発明は上記の理論により限定されるものではない。また、誘電率の制御には好ましくはチャンバー内雰囲気ガスが紫外光で解離しないN2または希ガス類のガスを使用するとよい。
【００８３】
上記の誘電率の変化の一例をグラフにすると図１２（実施例１４参照）のようになる。この例では、照射開始後、約５０秒間程度は誘電率が低下する。その後は上昇に転じ、約１５０秒ほどで誘電率は照射開始時と同程度まで上昇し、それ以降は膜が酸化膜化していき、誘電率は更に上昇していく。誘電率を有効に低下させる照射時間は、照射開始後、薄膜の誘電率が低下した後上昇し再び照射開始時の誘電率になる照射時間の約１０％〜約５０％（２０％、３０％、４０％、及びそれらの間の数値を含む）（ある態様では５％から８０％）の時間である。照射時間としては、ある態様では約５秒から約３００秒、好ましくは約２０秒から約２００秒、より好ましくは約３０秒から約１００秒、に設定することができる。
【００８４】
また、上記で、照射時間を決定するために、照射開始時を含む３点程度（たとえば５０秒、１００秒後）で膜の誘電率を測定し、得られた誘電率から、誘電率が照射開始時と同じレベルになる時間を予測し、それから照射時間を例えばその約１０％〜約５０％として予測することもできる。予測した時間で照射した結果得られた誘電率を先の３点のデータと合わせれば、更に的確な照射時間を特定することができる（必要により何度か繰り返すことで更に的確な照射時間も特定できる）。
【００８５】
また、他の態様では、紫外光の照射を開始し薄膜の誘電率を低下させ、該薄膜が酸化膜化する前に紫外光の照射を中止するようにしてもよい。酸化膜化しているかどうかは、たとえばFT-IRデータ等で把握することができるので、上記と同様にして照射時間を特定することもできる。
【００８６】
前述したように、誘電率の低下等の膜質改善効果を半導体基板上の薄膜全体に均一に与えるために均一な紫外光の照射環境である照度、温度及び／又はガス雰囲気への均一化を実施するのが好ましい。即ち、ある態様によれば、以下の少なくとも一つを均一化のために採用する。
（１）フィルターの形状及び厚さを変える事により、紫外光の照度制御を行う。
（２）各紫外光発光体と反射板を適正に配置し、紫外光発光体と反射板は位置調整及び角度の微調整を行う。
（３）ヒーターを中心軸の回りに回転させる。
（４）紫外光発光体とヒーター間の距離を最適化する。
（５）温度均一性が良いヒーターを用いる。
（６）ガス導入用フランジのガス導入口を対称配置し、チャンバー内に均一に導入する。
【００８７】
（１）〜（６）の少なくとも一つを採用することにより薄膜全体に均一した効果が得られる。
【実施例】
【００８８】
次に本発明の実施例を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【００８９】
共通条件：
各実施例における共通条件は以下の通りであった。リアクターは図３A、図５B、図７、図８で示した構造を備えたものを用いた。なお、本実施例の場合、照射前の薄膜材料の膜特性は以下のとおりである。
・薄膜の材料DMOTMDSの膜特性
誘電率：2.65
Modulus：5.0GPa
Hardness：0.9GPa
RI(n)：1.360@633nm
・薄膜の材料DMDMOSの膜特性
誘電率：2.75
Modulus：5.5GPa
Hardness：1.0GPa
RI(n)：1.390@633nm
【００９０】
実施例１：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：90秒
照度：10mW/cm2
N2：4000sccm
圧力：4Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.6
Modulus：7.9GPa
Hardness：1.5GPa
RI(n)：1.364@633nm
【００９１】
実施例２：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：180秒
照度：10mW/cm2
N2：4000sccm
圧力：4Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.66
Modulus：11.3GPa
Hardness：2.0GPa
RI(n)：1.373@633nm
【００９２】
実施例３：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
N2：4000sccm
圧力：50Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.59
Modulus：7.7GPa
Hardness：1.4GPa
RI(n)：1.362@633nm
【００９３】
なお、照射前後における薄膜内のCH3基の状態を示したFT-IRのグラフを図１５に示す。また、照射前後における薄膜内のSi-CH3基の状態を示したFT-IRのグラフを図１６に示す。照射によって、CH3基、Si-CH3基が減少していることが分かる（完全消失はしていない）。
【００９４】
実施例４：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
N2：1700sccm
圧力：250Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.60
Modulus：7.7GPa
Hardness：1.4GPa
RI(n)：1.362@633nm
【００９５】
実施例５：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
N2：3650sccm
圧力：500Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.59
Modulus：7.7GPa
Hardness：1.4GPa
RI(n)：1.362@633nm
【００９６】
実施例６：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
N2：8500sccm
圧力：760Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.61
Modulus：7.6GPa
Hardness：1.4GPa
RI(n)：1.362@633nm
【００９７】
実施例７：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
Ar：4000sccm
圧力：4Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.61
Modulus：7.1GPa
Hardness：1.3GPa
RI(n)：1.360@633nm
【００９８】
実施例８：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
He：2000sccm
圧力：4Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.61
Modulus：6.7GPa
Hardness：1.2GPa
RI(n)：1.360@633nm
【００９９】
実施例９：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
N2：8000sccm
H2：80sccm
圧力：50Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.66
Modulus：7.9GPa
Hardness：1.4GPa
RI(n)：1.360@633nm
【０１００】
実施例１０：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
N2：2500sccm
CO2：400sccm
圧力：50Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.69
Modulus：9.5GPa
Hardness：1.6GPa
RI(n)：1.361@633nm
【０１０１】
図１１はCO2を添加しなかったものと、したもののFT-IRグラフである。CO2を添加することで親水基であるSi-H基、Si-OH基が有効に制御されていることが分かる。
【０１０２】
実施例１１：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：15秒
照度：34mW/cm2
N2：10000sccm
圧力：760Torr
ヒーター温度：350℃
・照射結果    
誘電率：2.63
Modulus：6.7GPa
Hardness：1.1GPa
RI(n)：1.358@633nm
【０１０３】
実施例１２：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：15秒
照度：50mW/cm2
N2：10000sccm
圧力：760Torr
ヒーター温度：300℃
・照射結果    
誘電率：2.71
Modulus：6.6GPa
Hardness：1.0GPa
RI(n)：1.358@633nm
【０１０４】
実施例１３：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMDMOS
処理時間：60秒
照度：10mW/cm2
N2：4000sccm
圧力：50Torr
ヒーター温度：430℃
・照射結果    
誘電率：2.70
Modulus：7.0GPa
Hardness：1.3GPa
RI(n)：1.390@633nm 
【０１０５】
実施例１４：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
照度：10mW/cm2
N2：4000sccm
圧力：4Torr
ヒーター温度：430℃
【０１０６】
実施例１４では照射処理時間を変えて誘電率の変化を測定した。その結果を図１２に示す。照射開始後、６０秒程度で測定した中では最低となり、開始後、１８０秒では開始時の誘電率を超え、それ以後は増加を続けた。
【０１０７】
比較例１：本実施例におけるプロセス条件と、成膜結果を以下示す。
・プロセス条件
薄膜材料：DMOTMDS
処理時間：1860秒
照度：10mW/cm2
N2：4000sccm
圧力：50Torr
ヒーター温度：430℃
【０１０８】
本比較例における照射の結果、過剰照射により薄膜内のCH3基とSi−CH3基がほぼ消失し、Si−O構造が増加していた（図１３）。また、過剰照射により本実施例のSiOCH膜は酸化膜化し、対照のTEOS酸化膜に類似のFT-IRを示した（図１４）。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】図１は、本発明の一態様に基づく処理装置を示す概略図である。なお、図は説明のため、過度に簡略化して記載されている。
【図２】図２は、図１の装置の分解透視概略図である。
【図３】図３Aは、紫外光発光体の適正配置の一例を示す概略図であり、図３Bは、紫外光発光体の等距離平面配置の一例を示す概略図である。
【図４】図４は、反射板の角度調整機構の一例を示す概略図である。
【図５】図５Aは、フィルターの一例を示す側面概略図であり、図５Bは、フィルターのほかの一例を示す側面概略図であり、図５Cは、それらのフィルターの平面図である。
【図６】図６は、紫外光発光体を６本使用した場合のチャンバー内のヒーター上面における紫外光の強度を示した図である。各紫外光発光体の光強度とその合計を示している。
【図７】図７は、ヒーターに回転機構を装着した一態様を示す概略図である。
【図８】図８は、ガス導入フランジの一態様を示す概略図である。
【図９】図９は、紫外光発光体の配置による照度分布均一性の違いを示したグラフである。
【図１０】図１０は、紫外光発光体と被処理体間までの距離による照度分布均一性の違いを示したグラフである。
【図１１】図１１は、薄膜への紫外光照射によるCO2環境での親水基の影響の一例を示すFT‐IRデータである。
【図１２】図１２は、誘電率と照射時間の関係の一例を示すグラフである。
【図１３】図１３は、過剰照射による膜変化の一例を示すFT‐IRデータである。
【図１４】図１４は、過剰照射による膜変化のほかの一例を示すFT‐IRデータである。
【図１５】図１５は、照射前後における膜内のCH3基の状態を示すFT‐IRデータである。
【図１６】図１６は、照射前後における膜内のSi−CH3基の状態を示すFT‐IRデータである。
【図１】
2006203191.tif 000010
【図２】
2006203191.tif 000011
【図３】
2006203191.tif 000012
【図４】
2006203191.tif 000013
【図５】
2006203191.tif 000014
【図６】
2006203191.tif 000015
【図７】
2006203191.tif 000016
【図８】
2006203191.tif 000017
【図９】
2006203191.tif 000018
【図１０】
2006203191.tif 000019
【図１１】
2006203191.tif 000020
【図１２】
2006203191.tif 000021
【図１３】
2006203191.tif 000022
【図１４】
2006203191.tif 000023
【図１５】
2006203191.tif 000024
【図１６】
2006203191.tif 000025