(57)【要約】【課題】本発明は、スキャン電極及びサステイン電極による電圧降下の差を減少させ、また、輝度むらを減らすことができるプラズマディスプレイパネルを提供することにある。【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、第１断面積を有する第１電極と、前記第１断面積よりも広い第２断面積を有し、前記第１電極と一つの維持電極対を形成する第２電極と、前記第２断面積よりも狭い第３断面積を有し、前記第２電極ともう一つの維持電極対を形成する第３電極とを備える。【選択図】図７
2006173118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１断面積を有する第１電極と、
前記第１断面積よりも広い第２断面積を有し、前記第１電極と一つの維持電極対を形成する第２電極と、
前記第２断面積よりも狭い第３断面積を有し、前記第２電極ともう一つの維持電極対を形成する第３電極とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記第１電極及び前記第３電極はスキャン電極の役割をし、
前記第２電極はサステイン電極の役割をすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第２電極の幅は、前記第１電極及び第３電極のそれぞれの幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第２電極の厚さは、前記第１電極及び第３電極のそれぞれの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、透明電極を有し、
前記第２電極の透明電極の幅は、前記第１電極の透明電極及び前記第３電極の透明電極のそれぞれの幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、バス電極を有し、
前記第２電極のバス電極の幅は、前記第１電極のバス電極及び前記第３電極のバス電極のそれぞれの幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、透明電極を有し、
前記第２電極の透明電極の厚さは、前記第１電極の透明電極及び前記第３電極の透明電極のそれぞれの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、バス電極を有し、
前記第２電極のバス電極の厚さは、前記第１電極のバス電極及び前記第３電極のバス電極のそれぞれの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記第２電極の幅は、前記第１電極または第３電極の幅の１．６倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記第２電極の厚さは、前記第１電極または第３電極の厚さの１．６倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
第１比抵抗を有する第１電極と、
前記第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗を有し、前記第１電極と一つの維持電極対を形成する第２電極と、
前記第２比抵抗よりも大きい第３比抵抗を有し、前記第２電極ともう一つの維持電極対を形成する第３電極とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記第１電極及び前記第３電極はスキャン電極の役割をし、
前記第２電極はサステイン電極の役割をすることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記第２電極の幅は、前記第１電極または第３電極の幅よりも広いことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記第２電極の厚さは、前記第１電極または第３電極の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記第１電極及び前記第３電極は銅からなり、
前記第２電極は銀からなることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
第１抵抗を有する第１電極と、
前記第１抵抗よりも小さい第２抵抗を有し、前記第１電極と一つの維持電極対を形成する第２電極と、
前記第２抵抗よりも大きい第３抵抗を有し、前記第２電極ともう一つの維持電極対を形成する第３電極とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記第２電極の断面積は、前記第１電極及び第３電極のそれぞれの断面積よりも広いことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極の幅は同一であり、
前記第２電極の厚さは、前記第１電極及び前記第３電極のそれぞれの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極の厚さは同一であり、
前記第２電極の幅は、前記第１電極及び前記第３電極のそれぞれの幅よりも広いことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極の断面積は同一であり、
前記第２電極の比抵抗は、前記第１電極及び前記第３電極のそれぞれの比抵抗よりも小さいことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来のプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という）の構造を示す図である。図１に示すように、従来のＰＤＰは、前面パネル１００と後面パネル１１０とからなる。前面パネル１００は、前面ガラス基板１０１を有し、後面パネル１１０は、後面ガラス基板１１１を有する。前面パネル１００と後面パネル１１０は、一定の距離を置いて平行に結合される。
【０００３】
前面ガラス基板１０１上には、相互放電によりセルの発光を維持するための維持電極対１０２、１０３が形成されている。維持電極対１０２、１０３は、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３とからなる。スキャン電極１０２とサステイン電極１０３のそれぞれは、透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極１０２ａ、１０３ａと、金属材質で作製されたバス電極１０２ｂ、１０３ｂとからなる。スキャン電極１０２は、パネルスキャンのためのスキャン信号と、放電維持のための維持信号とを入力される。サステイン電極１０３は、主に維持信号を入力される。上部誘電体層１０４は、維持電極対１０２、１０３の上部に形成され、放電電流を制限し、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間を絶縁させる。保護層１０５は、上部誘電体層１０４の上面に形成され、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる。
【０００４】
後面ガラス基板１１１上には、維持電極対１０２、１０３と交差して、アドレス電極１１３が配置される。下部誘電体層１１５は、アドレス電極１１３の上部に形成され、アドレス電極１１３間を絶縁させる。隔壁１１２は、下部誘電体層１１５上に形成され、放電セルを区画する。蛍光層１１４は、隔壁１１２と隔壁１１２との間に塗布され、画像の表示のための可視光線を放出する。
【０００５】
前面ガラス基板１０１と後面ガラス基板１１１は、シーリング材によって結合される。ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）のような不活性ガスは、排気工程が行われた後、プラズマディスプレイパネルの内部に注入される。
【０００６】
以下、図２を参照して、このような構造を有する従来のＰＤＰの電極構造について説明する。
【０００７】
図２は、従来のＰＤＰの電極構造を示す図である。図２に示すように、ＰＤＰ２００の電極配列は、ｎ×ｍのマトリクス状となっている。列方向にはアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍが配列され、行方向にはスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ及びサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎが配列される。
【０００８】
アドレス電極駆動部２２０は、アドレス電極Ｘ１〜Ｘｍにデータパネルを供給する。スキャン電極駆動部２３０は、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎにリセットパルス、スキャンパルスまたはサステインパネルを供給する。サステイン電極駆動部２４０は、サステイン電極Ｚ１〜Ｚｎにサステインパルスを供給する。制御部２１０は、アドレス電極駆動部２２０、スキャン電極駆動部２３０またはサステイン電極駆動部２４０のパルス供給時点を制御する。
【０００９】
スキャン電極駆動部２３０またはサステイン電極駆動部２４０が、パルスを供給するスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎまたはサステイン電極Ｚ１〜Ｚｎの構造については、図３ａ及び図３ｂに示すようである。
【００１０】
図３ａ及び図３ｂは、従来のＰＤＰのスキャン電極及びサステイン電極の構造を示す図である。
【００１１】
図３ａに示す電極構造では、スキャン電極、サステイン電極、スキャン電極、及びサステイン電極が順次形成される。図３ａに示す電極構造では、一つのスキャン電極と一つのサステイン電極が維持電極対をなす。すなわち、一つのスキャン電極と一つのサステイン電極が対をなすことにより、パルスが放電セルに印加される。
【００１２】
たとえば、１番目のスキャン電極Ｙ１と１番目のサステイン電極Ｚ１、２番目のスキャン電極Ｙ２と２番目のサステイン電極Ｚ２、３番目のスキャン電極Ｙ３と３番目のサステイン電極Ｚ３、４番目のスキャン電極Ｙ４と４番目のサステイン電極Ｚ４、…、及びｎ番目のスキャン電極Ｙｎとｎ番目のサステイン電極Ｚｎのそれぞれが一つの維持電極対をなす。
【００１３】
図３ｂに示す電極構造では、スキャン電極、サステイン電極、サステイン電極、及びスキャン電極が順次形成される。図３ｂに示す電極構造では、一つのスキャン電極と一つのサステイン電極が維持電極対をなす。すなわち、一つのスキャン電極と一つのサステイン電極が対をなすことにより、パルスが放電セルに印加される。
【００１４】
図３ｂに示すように、第２サステイン電極Ｚ２と第３サステイン電極Ｚ３が互いに隣接し、第４のサステイン電極Ｚ４と第５のサステイン電極Ｚ５が互いに隣接している。サステイン電極は、単にサステインパルスを供給されるので、第２サステイン電極Ｚ２と第３サステイン電極Ｚ３が一つのサステイン電極に統合され、第４のサステイン電極Ｚ４と第５のサステイン電極Ｚ５が一つのサステイン電極に統合され得る。共通サステイン電極構造は、二つのサステイン電極が一つのサステイン電極に統合された電極構造である。
【００１５】
図４は、従来のＰＤＰの共通サステイン電極構造を示す図である。図４に示すにように、図３ｂに示した電極構造における、スキャン電極、サステイン電極、サステイン電極、及びスキャン電極の順に電極が配列される構造において、隣接した二つのサステイン電極を一つのサステイン電極にまとめたものである。
【００１６】
すなわち、図４に示す電極構造では、スキャン電極、サステイン電極、及びスキャン電極が順次形成される。図４の電極構造では、二つのスキャン電極と一つのサステイン電極が二つの維持電極対をなす。
【００１７】
たとえば、第２スキャン電極Ｙ２、第３スキャン電極Ｙ３、及び第２サステイン電極Ｚ２が、二つの維持電極対をなす。これによって、第２スキャン電極Ｙ２と第２サステイン電極Ｚ２によりパルスが放電セルに印加され、第３スキャン電極Ｙ３と第２サステイン電極Ｚ２によりパルスが放電セルに印加される。
【００１８】
図４に示す電極構造では、スキャン電極とサステイン電極の断面積が互いに同じである。また、図１に示すように、スキャン電極とサステイン電極のそれぞれは、透明電極とバス電極とを有している。すなわち、スキャン電極の断面積は、サステイン電極の断面積と同一であり、スキャン電極をなす物質は、サステイン電極をなす物質と同一である。したがって、図４に示す電極構造において、一つのスキャン電極の抵抗と一つのサステイン電極の抵抗は同じである。
【００１９】
また、図４に示す電極構造では、第２サステイン電極Ｚ２が、第２スキャン電極Ｙ２と一つの維持電極対をなし、第３サステイン電極Ｚ３とも一つの維持電極対をなすため、第２サステイン電極Ｚ２に流れる電流の大きさは、第２スキャン電極Ｙ２に流れる電流の大きさの２倍である。すなわち、一つのサステイン電極に流れる電流の大きさは、一つのスキャン電極に流れる電流の大きさの２倍である。
【００２０】
しかしながら、一つのサステイン電極の抵抗と一つのスキャン電極の抵抗とは同一であるため、一つのサステイン電極で発生する電圧降下は、一つのスキャン電極で発生する電圧降下の２倍である。
【００２１】
図５は、従来のＰＤＰの共通サステイン電極構造におけるスキャン電極とサステイン電極に流れる電流を示す図である。図５に示すように、一つのサステイン電極の最終点に流れる電流の大きさは、一つのスキャン電極の最終点に流れる電流の大きさの２倍である。
【００２２】
これによって、一つのサステイン電極により発生する電圧降下と、一つのスキャン電極により発生する電圧降下とは、異なっている。
【００２３】
図６は、従来のＰＤＰの共通サステイン電極構造におけるスキャン電極とサステイン電極による電圧降下を示す図である。図６に示すように、スキャン電極及びサステイン電極に流れる電流の大きさが異なることにより、スキャン電極とサステイン電極による電圧降下が異なる。従来のＰＤＰでは、スキャン電極とサステイン電極による電圧降下が異なるため、スキャン電極またはサステイン電極の進行方向に輝度むらが生じるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明の目的は、スキャン電極及びサステイン電極による電圧降下の差を減少させることができるＰＤＰを提供するところにある。
【００２５】
本発明の他の目的は、輝度むらを減らすことができるＰＤＰを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
前記の目的を達成するために、本発明の一実施の形態によるＰＤＰは、第１断面積を有する第１電極と、前記第１断面積よりも広い第２断面積を有し、前記第１電極と一つの維持電極対を形成する第２電極と、前記第２断面積よりも狭い第３断面積を有し、前記第２電極ともう一つの維持電極対を形成する第３電極とを備える。
【００２７】
前記第１電極及び前記第３電極はスキャン電極の役割をし、前記第２電極はサステイン電極の役割をする。
【００２８】
前記第２電極の幅は、前記第１電極及び第３電極のそれぞれの幅よりも広い。
【００２９】
前記第２電極の厚さは、前記第１電極及び第３電極のそれぞれの厚さよりも大きい。
【００３０】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、透明電極を有し、前記第２電極の透明電極の幅は、前記第１電極の透明電極及び前記第３電極の透明電極のそれぞれの幅よりも広い。
【００３１】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、バス電極を有し、前記第２電極のバス電極の幅は、前記第１電極のバス電極及び前記第３電極のバス電極のそれぞれの幅よりも広い。
【００３２】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、透明電極を有し、前記第２電極の透明電極の厚さは、前記第１電極の透明電極及び前記第３電極の透明電極のそれぞれの厚さよりも大きい。
【００３３】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、バス電極を有し、前記第２電極のバス電極の厚さは、前記第１電極のバス電極及び前記第３電極のバス電極のそれぞれの厚さよりも大きい。
【００３４】
前記第２電極の幅は、前記第１電極または第３電極の幅の１．６倍以上２倍以下である。
【００３５】
前記第２電極の厚さは、前記第１電極または第３電極の厚さの１．６倍以上２倍以下である。
【００３６】
本発明の一実施の形態によるＰＤＰは、第１比抵抗を有する第１電極と、前記第１比抵抗よりも小さい第２比抵抗を有し、前記第１電極と一つの維持電極対を形成する第２電極と、前記第２比抵抗よりも大きい第３比抵抗を有し、前記第２電極ともう一つの維持電極対を形成する第３電極とを備える。
【００３７】
前記第１電極及び前記第３電極はスキャン電極の役割をし、前記第２電極はサステイン電極の役割をする。
【００３８】
前記第２電極の幅は、前記第１電極または第３電極の幅よりも広い。
【００３９】
前記第２電極の厚さは、前記第１電極または第３電極の厚さよりも大きい。
【００４０】
前記第１電極及び前記第３電極は銅からなり、前記第２電極は銀からなる。
【００４１】
本発明の一実施の形態によるＰＤＰは、第１抵抗を有する第１電極と、前記第１抵抗よりも小さい第２抵抗を有し、前記第１電極と一つの維持電極対を形成する第２電極と、前記第２抵抗よりも大きい第３抵抗を有し、前記第２電極ともう一つの維持電極対を形成する第３電極とを備える。
【００４２】
前記第２電極の断面積は、前記第１電極及び第３電極のそれぞれの断面積よりも広い。
【００４３】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極の幅は同一であり、前記第２電極の厚さは、前記第１電極及び前記第３電極のそれぞれの厚さよりも大きい。
【００４４】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極の厚さは同一であり、前記第２電極の幅は、前記第１電極及び前記第３電極のそれぞれの幅よりも広い。
【００４５】
前記第１電極、前記第２電極及び前記第３電極の断面積は同一であり、前記第２電極の比抵抗は、前記第１電極及び前記第３電極のそれぞれの比抵抗よりも小さい。
【発明の効果】
【００４６】
本発明によれば、ＰＤＰのスキャン電極及びサステイン電極による電圧降下の差を減少させることができるという効果がある。
【００４７】
また、ＰＤＰの輝度むらを減らすことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
前記の目的以外に本発明の他の目的及び特徴は、添付図面を参照した実施形態についての説明を通じて明白に表れる。
【００４９】
＜第１の実施の形態＞
図７は、本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰの電極を示す図である。図７に示すにように、本実施の形態によるＰＤＰの電極構造では、スキャン電極、サステイン電極、及びスキャン電極が順次形成される。
【００５０】
ここで、二つのスキャン電極と一つのサステイン電極が、二つの維持電極対を形成する。たとえば、第２スキャン電極Ｙ２と第２サステイン電極Ｚ２が一つの維持電極対を形成し、第３スキャン電極Ｙ３と第２サステイン電極Ｚ２がもう一つの維持電極対を形成する。これにより、第２スキャン電極Ｙ２と第２サステイン電極Ｚ２によりパルスが放電セルに印加され、第３スキャン電極Ｙ３と第２サステイン電極Ｚ２によりパルスが放電セルに印加される。
【００５１】
サステイン電極とスキャン電極が同一の物質からなり、サステイン電極の厚さは、スキャン電極の厚さと同一であり、サステイン電極の幅が、スキャン電極の幅よりも広い。したがって、サステイン電極の断面積は、スキャン電極の断面積よりも広いので、サステイン電極の抵抗は、スキャン電極の抵抗よりも小さい。サステイン電極の幅は、スキャン電極の幅の１．６倍以上２．４倍以下である。
【００５２】
本実施の形態によるＰＤＰの電極構造において、第２サステイン電極Ｚ２は、第２スキャン電極Ｙ２と一つの維持電極対を形成し、第３スキャン電極Ｙ３ともう一つの維持電極対を形成するので、サステイン期間に第２サステイン電極Ｚ２に流れる電流は、一つのスキャン電極に流れる電流の２倍である。しかし、サステイン電極の断面積は、スキャン電極の断面積よりも広いため、サステイン電極の抵抗は、スキャン電極よりも小さい。
【００５３】
したがって、本実施の形態において、サステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下の差は、従来のサステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下の差よりも小さい。このため、本実施の形態では、輝度むらを減らすことができる。
【００５４】
サステイン電極の幅がスキャン電極の幅の２倍であるとき、本実施の形態におけるサステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下の差はさらに減らすようになる。
【００５５】
図８ａ乃至図８ｄは、本実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【００５６】
図８ａに示すように、透明電極層を形成するための透明電極ペースト８１０をスクリーンマスク８２０上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、透明電極ペースト８１０を下方へ押し出す。スクリーンマスク８２０は、通常、金属からなる編目ネット８２１と透明電極のパターンが形成されたパターン形成層８２３とで構成される。パターン形成層８２３において、サステイン電極の役割をする透明電極パターンの幅は、スキャン電極の役割をする透明電極パターンの幅よりも広い。
【００５７】
このようにスクイーザー８３０を用いて、透明電極ペースト８１０を押し出すと、パターン形成層８２１のパターンによる孔８２５を通じて、透明電極ペースト８１０が移動することにより、図８ｂに示すように、透明電極８４０がガラス基板８５０上に形成される。透明電極８４０のうちある透明電極８４１−ａがサステイン電極の役割をし、透明電極８４１−ａに隣接した他の二つの透明電極８４３−ａ、８４５−ａのそれぞれがスキャン電極の役割をする。サステイン電極の役割をする透明電極８４１−ａの幅は、スキャン電極の役割をする透明電極８４３−ａ、８４５−ａの幅よりも広い。
【００５８】
図８ｃに示すように、バス電極を形成するための銀ペースト８６０をスクリーンマスク８７０の網目ネット８７１上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、銀ペースト８６０を下方へ押し出す。パターン形成層８７３のサステイン電極用バス電極パターンの幅は、スキャン電極用バス電極のパターンの幅と同じであるかまたはそれより広い。
【００５９】
図８ｄに示すように、スクイーザー８３０を用いて、銀ペースト８６０を下方へ押し出すと、スクリーンマスク８７０のパターン形成層８７１のパターンによる孔８７５を通じて、銀ペースト８６０が移動することにより、透明電極８４０上にバス電極８８０が形成される。バス電極８８０のうちある透明電極８８１−ｂがサステイン電極の役割をし、透明電極８８１−ｂに隣接した他の二つの透明電極８８３−ｂ、８８５−ｂのそれぞれがスキャン電極の役割をする。サステイン電極の役割をする透明電極８８１−ｂの幅は、スキャン電極の役割をする透明電極８８３−ｂ、８８５−ｂの幅と同じであるかまたはそれより広い。
【００６０】
＜第２の実施の形態＞
図９は、本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの電極を示す図である。本実施の形態は、サステイン電極の幅は、スキャン電極の幅と同一であり、サステイン電極の厚さがスキャン電極の厚さよりも大きい。
【００６１】
図９に示すにように、本実施の形態によるＰＤＰの電極構造では、スキャン電極、サステイン電極、及びスキャン電極が順次形成される。
【００６２】
これによって、二つのスキャン電極と一つのサステイン電極が二つの維持電極対を形成する。たとえば、第２スキャン電極Ｙ２と第２サステイン電極Ｚ２が、一つの維持電極対を形成し、第３スキャン電極Ｙ３と第２サステイン電極Ｚ２が、もう一つの維持電極対を形成する。
【００６３】
サステイン電極とスキャン電極が同一の物質からなり、サステイン電極の幅は、スキャン電極の幅と同一であり、サステイン電極の厚さは、スキャン電極の厚さよりも大きい。したがって、サステイン電極の断面積は、スキャン電極の断面積よりも広いので、サステイン電極の抵抗は、スキャン電極の抵抗よりも小さい。サステイン電極の厚さは、スキャン電極の厚さの１．６倍以上２．４倍以下である。
【００６４】
本実施の形態によるＰＤＰの電極構造において、第２サステイン電極Ｚ２は、第２スキャン電極Ｙ２と一つの維持電極対を形成し、第３スキャン電極Ｙ３ともう一つの維持電極対を形成するので、サステイン期間に第２サステイン電極Ｚ２に流れる電流は、一つのスキャン電極に流れる電流の２倍であり、サステイン電極の抵抗は、スキャン電極の抵抗よりも小さい。したがって、本実施の形態では、輝度むらを減らすことができる。
【００６５】
サステイン電極の厚さがスキャン電極の厚さの２倍であるとき、本実施の形態におけるサステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下の差はさらに減らすようになる。
【００６６】
図１０ａ乃至図１０ｇは、本実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【００６７】
図１０ａに示すように、透明電極層を形成するための透明電極ペースト８１０をスクリーンマスク１０２０上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、透明電極ペースト８１０を下方へ押し出す。スクリーンマスク１０２０は、通常、編目ネット１０２１とパターン形成層１０２３とで構成される。パターン形成層１０２３において、サステイン電極の役割をする透明電極パターンの幅は、スキャン電極の役割をする透明電極パターンの幅と同一である。
【００６８】
このようにスクイーザー８３０を用いて、透明電極ペースト８１０を押し出すと、パターン形成層１０２１のパターンによる孔１０２５を通じて、透明電極ペースト８１０が移動することにより、図１０ｂに示すように、透明電極１０４０がガラス基板８５０上に形成される。透明電極１０４０のそれぞれの幅は互いに同一である。透明電極１０４０のうちある透明電極１０４１−ａがサステイン電極の役割をし、透明電極１０４１−ａに隣接した他の二つの透明電極１０４３−ａ、１０４５−ａのそれぞれがスキャン電極の役割をする。
【００６９】
図１０ｃに示すように、サステイン電極の役割をする透明電極１０４１−ａの厚さを大きくするために、透明電極ペースト８１０をスクリーンマスク１０５０上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、透明電極ペースト８１０を下方へ押し出す。
【００７０】
このようにスクイーザー８３０を用いて、透明電極ペースト８１０を押し出すと、図１０ｄに示すように、サステイン電極の役割をする透明電極１０４１−ａの厚さが、スキャン電極の役割をする透明電極１０４３−ａ、１０４５−ａのそれぞれの厚さよりも大きい。したがって、サステイン電極の役割をする１０４１−ａの断面積が、スキャン電極の役割をする透明電極１０４３−ａ、１０４５−ａのそれぞれの断面積よりも広い。
【００７１】
図１０ｅに示すように、バス電極を形成するための銀ペースト８６０をスクリーンマスク１０６０の網目ネット１０６１上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、銀ペースト８６０を下方へ押し出す。パターン形成層１０６３のサステイン電極用バス電極パターンの幅と、スキャン電極用バス電極のパターンの幅とは同じである。
【００７２】
図１０ｆに示すように、透明電極１０４０上にバス電極１０８０が形成される。バス電極１０８０のうちある透明電極１０８１−ｂがサステイン電極の役割をし、透明電極１０８１−ｂに隣接した他の二つの透明電極１０８３−ｂ、１０８５−ｂのそれぞれがスキャン電極の役割をする。サステイン電極の役割をするバス電極１０８１−ｂの幅は、スキャン電極の役割をするバス電極１０８３−ｂ、１０８５−ｂの幅と同じである。その後、サステイン電極の役割をするバス電極１０８１−ｂの厚さを大きくするために、銀ペースト８６０をスクリーンマスク上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、銀ペースト８６０を下方へ押し出す。例えば、サステイン電極の役割をするバス電極１０８１−ｂの厚さを大きくするために、銀ペースト８６０を、サステイン電極１０８１−ｂに対応する位置に開口部を有する別のスクリーンマスク（図示せず）上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、銀ペースト８６０を下方へ押し出す。
【００７３】
図１０ｇに示すように、サステイン電極の役割をするバス電極１０８１−ｂの厚さが、スキャン電極の役割をするバス電極１０８３−ｂ、１０８５−ｂのそれぞれの厚さよりも大きい。したがって、サステイン電極の役割をするバス電極１０８１−ｂの断面積が、スキャン電極の役割をするバス電極１０８３−ｂ、１０８５−ｂのそれぞれの断面積よりも広い。
【００７４】
＜第３の実施の形態＞
図１１は、本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの電極を示す図である。本実施の形態は、サステイン電極の幅及び厚さは、スキャン電極の幅及び厚さと同一であり、サステイン電極を形成する物質の比抵抗が、スキャン電極を形成する物質の比抵抗よりも小さい。
【００７５】
図１１に示すように、本実施の形態によるＰＤＰの電極構造では、スキャン電極、サステイン電極、及びスキャン電極が順次形成される。
【００７６】
これによって、二つのスキャン電極と一つのサステイン電極が二つの維持電極対を形成する。たとえば、第２スキャン電極Ｙ２と第２サステイン電極Ｚ２が、一つの維持電極対を形成し、第３スキャン電極Ｙ３と第２サステイン電極Ｚ２が、もう一つの維持電極対を形成する。
【００７７】
本実施の形態によるＰＤＰの電極構造において、第２サステイン電極Ｚ２は、第２スキャン電極Ｙ２と一つの維持電極対を形成し、第３スキャン電極Ｙ３ともう一つの維持電極対を形成するので、サステイン期間に第２サステイン電極Ｚ２に流れる電流は、一つのスキャン電極に流れる電流の２倍である。また、サステイン電極を形成する物質の比抵抗が、スキャン電極を形成する物質の比抵抗よりも小さいので、サステイン電極の抵抗は、スキャン電極の抵抗よりも小さい。したがって、本実施の形態では、輝度むらを減らすことができる。
【００７８】
図１２ａ乃至図１２ｆは、本実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【００７９】
図１２ａに示すように、透明電極層を形成するための透明電極ペースト８１０をスクリーンマスク８２０上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、透明電極ペースト８１０を下方へ押し出す。スクリーンマスク１２２０は、編目ネット１２２１とパターン形成層１２２３とで構成される。パターン形成層１２２３において、サステイン電極の役割をする透明電極パターンの幅は、スキャン電極の役割をする透明電極パターンの幅と同一である。
【００８０】
図１２ｂに示すように、透明電極１２４０がガラス基板８５０上に形成される。透明電極１２４０のそれぞれの幅は互いに同一である。透明電極１２４０のうちある透明電極１２４１−ａがサステイン電極の役割をし、透明電極１２４１−ａに隣接した他の二つの透明電極１２４３−ａ、１２４５−ａのそれぞれがスキャン電極の役割をする。
【００８１】
図１２ｃに示すように、サステイン電極の役割をする透明電極１２４３−ａ、１２４５−ａ上にバス電極を形成するために、銅ペースト１２５０をスクリーンマスク１２２０上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、銅ペースト１２５０を下方へ押し出す。
【００８２】
図１２ｄに示すように、スキャン電極の役割をする透明電極１２４３−ａ、１２４５−ａ上に銅により形成されたバス電極１２７１−ｂ、１２７１−ｂが形成される。
【００８３】
図１２ｅに示すように、サステイン電極の役割をする透明電極１２４１−ａ上にバス電極を形成するためるに、銀ペースト１２８０をスクリーンマスク１２９０上に塗布した後、スクイーザー８３０を用いて、銀ペースト１２８０を下方へ押し出す。
【００８４】
図１２ｆに示すように、サステイン電極の役割をする透明電極１２４１−ａ上に銀により形成されたバス電極１３００−ｂが形成される。
【００８５】
本実施の形態によるＰＤＰの電極構造において、サステイン電極のバス電極は銀で形成され、スキャン電極のバス電極は銅で形成される。銀の比抵抗は銅の比抵抗（抵抗率）よりも小さいので、サステイン電極の抵抗はスキャン電極の抵抗よりも小さい。したがって、本実施の形態は、輝度むらを減らすことができる。
【００８６】
図１３は、本発明の第１乃至第３の実施の形態によるＰＤＰの電極に流れる電流を示す図である。図７、図９及び図１１の第２サステイン電極Ｚ２の終点の電流は、第２スキャン電極Ｙ２または第３スキャン電極Ｙ３の終点の電流の２倍である。
【００８７】
図１４は、本発明の第１乃至第３の実施の形態によるＰＤＰの電極による電圧降下を示す図である。図７における第１の実施の形態のように、サステイン電極の幅がスキャン電極の幅よりも広いか、または、第２の実施の形態のように、サステイン電極の厚さがスキャン電極の厚さよりも大きいか、または、第３の実施の形態のように、サステイン電極の比抵抗がスキャン電極の比抵抗よりも小さい場合は、サステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下との差は、従来のサステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下との差よりも小さいので、輝度むらが低減されるようになる。
【００８８】
〈他の実施形態〉
第１実施形態ではサステイン電極の幅をスキャン電極の幅よりも広く形成し、第２実施形態ではサステイン電極の厚さをスキャン電極の厚さより厚く形成し、第３実施形態ではサステイン電極の抵抗率をスキャン電極の抵抗率よりも小さく形成したが、第１乃至第３実施形態のうち２つ又は３つを組み合わせても良い。
具体的には、サステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下との差が小さくなるように、サステイン電極の幅をスキャン電極の幅よりも広く形成し、かつ、サステイン電極の厚さをスキャン電極の厚さより厚く形成しても良い。
また、サステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下との差が小さくなるように、サステイン電極の厚さをスキャン電極の厚さより厚く形成し、かつ、サステイン電極の抵抗率をスキャン電極の抵抗率よりも小さく形成しても良い。
また、サステイン電極での電圧降下とスキャン電極での電圧降下との差が小さくなるように、サステイン電極の抵抗率をスキャン電極の抵抗率よりも小さく形成し、かつ、サステイン電極の幅をスキャン電極の幅よりも広く形成しても良い。
また、サステイン電極の幅をスキャン電極の幅よりも広く形成し、かつ、サステイン電極の厚さをスキャン電極の厚さより厚く形成し、かつ、サステイン電極の抵抗率をスキャン電極の抵抗率よりも小さく形成しても良い。
【００８９】
以上説明した内容を通じて、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、ＰＤＰ関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】従来のＰＤＰの構造を示す斜視図である。
【図２】従来のＰＤＰの電極構造を示す図である。
【図３ａ】従来のＰＤＰのスキャン電極及びサステイン電極の構造を示す図である。
【図３ｂ】従来のＰＤＰのスキャン電極及びサステイン電極の構造を示す図である。
【図４】従来のＰＤＰの共通サステイン電極構造を示す図である。
【図５】従来のＰＤＰの共通サステイン電極構造におけるスキャン電極とサステイン電極に流れる電流を示す図である。
【図６】従来のＰＤＰの共通サステイン電極構造におけるスキャン電極とサステイン電極による電圧降下を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰの電極を示す図である。
【図８ａ】本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図８ｂ】本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図８ｃ】本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図８ｄ】本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの電極を示す図である。
【図１０ａ】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１０ｂ】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１０ｃ】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１０ｄ】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１０ｅ】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１０ｆ】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１０ｇ】本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの電極を示す図である。
【図１２ａ】本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１２ｂ】本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１２ｃ】本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１２ｄ】本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１２ｅ】本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１２ｆ】本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰの製造方法を示す図である。
【図１３】本発明の第１乃至第３の実施の形態によるＰＤＰの電極に流れる電流を示す図である。
【図１４】本発明の第１乃至第３の実施の形態によるＰＤＰの電極による電圧降下を示す図である。
【符号の説明】
【００９２】
８１０  透明電極ペースト
８２０  スクリーンマスク
８２１  編目ネット
８２３  パターン形成層
８２５  孔
８３０  スクイーザー
８４０  透明電極
８５０  ガラス基板
８６０  銀ペースト
８７０  スクリーンマスク
８７１  網目ネット
８７３  パターン形成層
８７５  孔
８８０  バス電極
【図１】
2006173118.tif 000003
【図８ａ】
2006173118.tif 000004
【図８ｂ】
2006173118.tif 000005
【図８ｃ】
2006173118.tif 000006
【図８ｄ】
2006173118.tif 000007
【図１０ａ】
2006173118.tif 000008
【図１０ｂ】
2006173118.tif 000009
【図１０ｃ】
2006173118.tif 000010
【図１０ｄ】
2006173118.tif 000011
【図１０ｅ】
2006173118.tif 000012
【図１０ｆ】
2006173118.tif 000013
【図１０ｇ】
2006173118.tif 000014
【図１２ａ】
2006173118.tif 000015
【図１２ｂ】
2006173118.tif 000016
【図１２ｃ】
2006173118.tif 000017
【図１２ｄ】
2006173118.tif 000018
【図１２ｅ】
2006173118.tif 000019
【図１２ｆ】
2006173118.tif 000020
【図２】
2006173118.tif 000021
【図３ａ】
2006173118.tif 000022
【図３ｂ】
2006173118.tif 000023
【図４】
2006173118.tif 000024
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１１】
2006173118.tif 000029
【図１３】
2006173118.tif 000030
【図１４】
2006173118.tif 000031