(57)【要約】【課題】  機能液をパターン形成領域の全域、及びその端部まで十分に流し込むことで、信頼性の高い膜パターンを安定して形成可能とした、膜パターンの形成方法、この形成方法により得られた膜パターン、この膜パターンを備えたデバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】  機能液Ｘ１を基板Ｐ上に配置して膜パターンＸ１´を形成する方法である。基板Ｐ上に膜パターンＸ１´の形成領域に対応したバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画されたパターン形成領域３４に機能液Ｘ１を配置する工程と、機能液Ｘ１を硬化処理して膜パターンＸ１´とする工程と、を有する。そして、機能液Ｘ１の配置を、バンクＢによって区画されたパターン形成領域３４の底面３５に対する機能液Ｘ１の接触角と、バンクＢの側面に対する機能液Ｘ１の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで行う。【選択図】        図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画されたパターン形成領域に前記機能液を配置する工程と、
前記機能液を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有し、
前記機能液の配置を、前記バンクによって区画されたパターン形成領域の底面に対する該機能液の接触角と、前記バンクの側面に対する該機能液の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで、行うことを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記パターン形成領域は、第１パターン形成領域と、該第１パターン形成領域より幅の狭い第２パターン形成領域とを含むことを特徴とする請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載の膜パターンの形成方法において、前記第２パターン形成領域は、前記第１パターン形成領域から分岐して形成されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記機能液に含有される機能材料が、導電性材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記膜パターンが配線であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画されたパターン形成領域に第１の機能液を配置する工程と、
前記第１の機能液を硬化処理して第１の膜パターンとする工程と、
該第１の膜パターン上に第２の機能液を配置する工程と、
該第２の機能液を硬化処理することで第２の膜パターンとし、前記第１の膜パターンと前記第２の膜パターンとが積層されてなる膜パターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、を有し、
前記第２の機能液の配置を、前記第１の膜パターンに対する該第２の機能液の接触角と、前記バンクの側面に対する前記第２の機能液の接触角との接触角との和が９０°以下となる条件のもとで、行うことを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項７】
請求項６に記載の膜パターンの形成方法において、前記第１の膜パターンと前記第２の膜パターンとが積層されて形成される膜パターンが所望の膜厚に達していない場合、
前記膜パターン上に前記第２の機能液を配置する工程を、前記パターン形成領域に形成される膜パターンが所望の膜厚となるまで、繰り返すことを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項８】
前記第１の機能液と前記第２の機能液とは、互いに同一の機能材料を含有してなる液であることを特徴とする請求項６又は７に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項９】
前記第１の機能液と前記第２の機能液とは、互いに異なる種類の機能材料を含有してなる液であることを特徴とする請求項６又は７に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
前記パターン形成領域は、第１パターン形成領域と、該第１パターン形成領域より幅の狭い第２パターン形成領域とを含むことを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の膜パターンの形成方法において、前記第２パターン形成領域は、前記第１パターン形成領域から分岐して形成されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項１２】
前記第１の機能液および第２の機能液に含有される機能材料は、いずれも導電性材料であることを特徴とする請求項６〜１１のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１３】
前記膜パターンが配線であることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１４】
前記第２の機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う第２の機能材料を含有し、前記第１の機能液は、前記第２の機能材料と前記基板との密着性を向上させるための第１の機能材料を含有してなることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１５】
前記第１の機能液と前記第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、前記主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料を含有してなることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１６】
前記第１の機能液と前記第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、絶縁特性を有する材料を含有してなることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１７】
前記第１の機能液と前記第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料を含有してなることを特徴とする請求項９〜１６のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１８】
前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料は、前記プラズマダメージによる拡散を抑制するためのバリア材料であることを特徴とする請求項１７に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項に記載の膜パターン形成方法によって形成された膜パターン。
【請求項２０】
請求項１９に記載の膜パターンを備えることを特徴とするデバイス。
【請求項２１】
請求項２０に記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法、膜パターン、デバイス、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置（デバイス）は、基板上に、導体からなる薄膜パターン（膜パターン）が配置された回路配線と、この回路配線を覆う絶縁膜等と、半導体層とが積層して形成されている。このような薄膜パターンの形成方法としては、膜を構成する材料を溶質として含む機能液の液滴を液滴吐出ヘッドから吐出し、着弾した機能液を乾燥させて溶媒を除き薄膜パターンを形成する、所謂インクジェット法が知られている。インクジェット法では、基板上に薄膜形成領域を囲むようにバンクを形成することによって、薄膜パターンと同じ平面形状の凹部を形成する。そして、この凹部に向けて機能液を吐出し、凹部に着弾した機能液を乾燥させることによって、所望のパターンの薄膜パターンが形成できる。
【０００３】
ところで、近年、半導体装置を構成する回路の高密度化が進み、例えば配線についてもさらなる微細化、細線化が要求されている。そこで、微細な幅のバンクによって区画された配線形成領域に上記のインクジェット法によって、機能液を吐出して微細配線を形成することが考えられる。
このとき、配線を形成する領域にのみ機能液を選択的に吐出（配置）できることが望ましい。そこで、前記配線形成領域を区画するバンクの表面を撥液化処理し、その他の部分、例えば配線形成領域となる基板上を親液化処理することで、前記配線形成領域に機能液を吐出した際に、機能液の一部がバンクの上面に吐出されても、配線形成領域に全ての機能液を流れ込ませて微細化された配線を形成する技術がある。
【０００４】
ここで、撥液処理された撥液部分と親液処理された親液部分との間で、前記機能液に対する濡れ性（親和性）の差が小さいと、バンク上にのった液滴がバンクの外へと弾かれ、前記配線形成領域内に濡れ拡がらないおそれがある。そこで、バンク（撥液部分）と基板（親液部分）との前記機能液に対する接触角の差を４０°以上とすることで、バンク上に着弾した液滴を確実に前記配線形成領域内に濡れ拡がらせる技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、微細な幅のバンクによって区画された配線形成領域に直接液滴を着弾させると、上記の接触角の規定のみでは依然として、バンク上に微細な液滴の残渣が残ってしまう。このとき、例えば機能液が導電性を有している場合、バンク上の残渣も導電性を有してしまう。すると、機能液の残渣によって、配線自体の特性やこの配線を用いたデバイスの特性が変化するおそれがある。
そこで、微細な配線形成領域に連続して形成され、この配線形成領域よりも大きな幅の配線形成領域に機能液を吐出する。そして、毛細管現象を利用することで、幅の大きな配線形成領域から微細な配線形成領域に機能液を流し込ませることで、微細な配線を形成する技術がある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−３６３５６０号公報
【特許文献２】特開２００５−１２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、このように毛細管現象を利用して微細な配線を形成する場合、バンクによって区画された微細な配線形成領域（パターン形成領域）の端部まで機能液を流し込めず、これによりパターン精度が低下して良好な配線特性が得られず、その信頼性が低下してしまうことがある。また、配線形成領域に、間隔をおいて複数箇所に機能液を吐出した場合、吐出された機能液が同様に配線形成領域の全域に拡がらず、良好な配線特性が得られず、その信頼性が低下してこともあった。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、機能液をパターン形成領域の全域、及びその端部まで十分に流し込むことで、信頼性の高い膜パターンを安定して形成可能とした、膜パターンの形成方法、この形成方法により得られた膜パターン、この膜パターンを備えたデバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、前記課題を解決するために鋭意研究した結果、パターン形成領域の端部まで十分に機能液を流し込ませるためには、バンク側面の濡れ性と基板上の濡れ性が重要であるとの知見を得た。
そして、このような知見に基づき、本発明者は本発明を完成させた。
【０００９】
本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、前記バンクによって区画されたパターン形成領域に前記機能液を配置する工程と、前記機能液を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有し、前記機能液の配置を、前記バンクによって区画されたパターン形成領域の底面に対する該機能液の接触角と、前記バンクの側面に対する該機能液の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで、行うことを特徴とする。
【００１０】
本発明の膜パターンの形成方法によれば、パターン形成領域の底面、及びバンクの側面に対する機能液の接触角のそれぞれの和が９０°以下となる条件のもとで、例えば液滴吐出法によって機能液を吐出している。すると、吐出された機能液は、膜パターン形成領域を流れる。そして、後述する実験例に示すように、機能液をパターン形成領域の端部まで確実に流し込むことで、所望の形状の膜パターンを安定して形成できる。また、パターン形成領域が大きく、膜パターン形成領域に間隔をおいて機能液を複数箇所に吐出すると、機能液は膜パターン形成領域を流れて他の機能液と混合することで、パターン形成領域全面に濡れ拡がるようになる。
よって、良好で信頼性の高い膜パターンを得ることができる。
【００１１】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記パターン形成領域は、第１パターン形成領域と、該第１パターン形成領域より幅の狭い第２パターン形成領域とを含むことが好ましい。
このようにすれば、パターン形成領域に配置された機能液は、幅の広い第１パターン形成領域から幅の狭い第２パターン形成領域に対しても安定して流れ込むようになる。このように、本発明によれば、幅の異なるパターン形成領域であっても、上述したように機能液を全面に流し込むことができ、膜パターンを確実に形成することができる。
ここで、前記第２パターン形成領域は、前記第１パターン形成領域から分岐して形成されることが好ましい。
このようにすれば、後述する実験例に示すように、パターン形成領域に配置された機能液は、毛細管現象によって幅の広い第１パターン形成領域から幅の狭い第２パターン形成領域の端部まで確実に流れ込むようになる。
よって、微細部分を含んだ膜パターンを安定して形成することができる。
【００１２】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液に含有される機能材料が、導電性材料であることが好ましい。
ここで、例えば機能液が導電性微粒子を含んだ導電性材料である場合、形成される膜パターンに導電性付与することができ、この膜パターンを配線として形成することができる。
【００１３】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記膜パターンが配線であることが好ましい。
このようにすれば、例えば微細部分を前述した膜パターンによって形成することで、信頼性が高く微細化が図られた配線を形成することができる。
【００１４】
本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、前記バンクによって区画されたパターン形成領域に第１の機能液を配置する工程と、前記第１の機能液を硬化処理して第１の膜パターンとする工程と、該第１の膜パターン上に第２の機能液を配置する工程と、該第２の機能液を硬化処理することで第２の膜パターンとし、前記第１の膜パターンと前記第２の膜パターンとが積層されてなる膜パターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、を有し、前記第２の機能液の配置を、前記第１の膜パターンに対する該第２の機能液の接触角と、前記バンクの側面に対する前記第２の機能液の接触角との接触角との和が９０°以下となる条件のもとで、行うことを特徴とする。
【００１５】
本発明の膜パターンの形成方法によれば、第１の膜パターン、及びバンクの側面に対する第２の機能液の接触角のそれぞれの和が９０°以下となる条件のもとで、例えば液滴吐出法によって第２の機能液を吐出している。このとき、パターン形成領域の底部には、第１の膜パターンが形成されている。よって、バンクによって区画された領域に吐出した第２の機能液は、前記第１の膜パターン上を濡れ拡がり、膜パターンの端部まで流し込まれるようになる。
このように、前記第１の膜パターン上に前記第２の膜パターンが積層された良好で信頼性の高い膜パターンを得ることができる。
【００１６】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の膜パターンと前記第２の膜パターンとが積層されて形成される膜パターンが所望の膜厚に達していない場合、
前記膜パターン上に前記第２の機能液を配置する工程を、前記パターン形成領域に形成される膜パターンが所望の膜厚となるまで、繰り返すことが好ましい。
ここで、前記パターン形成領域に吐出できる機能液の量は、バンクの高さに依存する。また、機能液は硬化処理によって成膜すると、その厚みが減少するため、１度の吐出工程では、所望の膜厚の膜パターンとならない場合が考えられる。
そこで、本発明を採用すれば、パターン形成領域に所望の膜厚の膜パターンが形成されるまで、第２の機能液を配置する工程を繰り返すことで、確実に所望の膜厚の膜パターンを形成できる。
このように、良好で信頼性が高く、かつ所望の膜厚を満たした膜パターンを形成できる。
【００１７】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と前記第２の機能液とは、互いに同一の機能材料を含有してなる液であることが好ましい。
このようにすれば、膜パターン形成工程を少なくとも２回に分割して行うことで、所望の膜厚を満たし、同一の機能材料からなる膜パターンを安定して形成することができる。
【００１８】
また、前記膜パターンの形成方法において、前記第１の機能液と前記第２の機能液とは、互いに異なる種類の機能材料を含有してなる液であることが好ましい。
このようにすれば、複数の材料が積層されて、所望の膜厚を満たす膜パターンを形成できる。これによって、膜パターンに一種類の材料では得られなかった種々の機能性を付与することが可能となる。
【００１９】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記パターン形成領域は、第１パターン形成領域と、該第１パターン形成領域より幅の狭い第２パターン形成領域とを含むことが好ましい。
このようにすれば、パターン形成領域に配置された機能液は、幅の広い第１パターン形成領域から幅の狭い第２パターン形成領域に対しても安定して流れ込むようになる。このように、本発明によれば、幅の異なるパターン形成領域であっても、上述したように機能液を全面に流し込むことができ、膜パターンを確実に形成することができる。
ここで、前記第２パターン形成領域は、前記第１パターン形成領域から分岐して形成されることが好ましい。
このようにすれば、後述する実験例に示すように、パターン形成領域に配置された機能液は、毛細管現象によって幅の広い第１パターン形成領域から幅の狭い第２パターン形成領域の端部まで確実に流れ込むようになる。
よって、微細部分を含んだ膜パターンを安定して形成することができる。
【００２０】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液および第２の機能液に含有される機能材料は、いずれも導電性材料であることが好ましい。
ここで、第１の機能液および第２の機能液が導電性微粒子を含んだ導電性材料であるので、形成する膜パターンに導電性付与することができる。よって、この膜パターンを、例えば配線として好適に用いることができる。
【００２１】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記膜パターンが配線であることが好ましい。
本膜パターンの形成方法によれば、安定して形成される微細な膜パターンを、微細化配線として確実に形成することができる。
【００２２】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第２の機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う第２の機能材料を含有し、前記第１の機能液は、前記第２の機能材料と前記基板との密着性を向上させるための第１の機能材料を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、膜パターンの主なる機能を担う第２の機能材料が第１の機能材料によって基板から剥離することを防止するようになる。
なお、本発明において第２の機能材料は、膜パターンの主なる機能を有する材料であり、例えば膜パターンを配線として形成する場合には、主として電流を流す機能を担う銀や銅である。また、前記第１の機能材料としては、クロム、マンガン、鉄、ニッケル、モリブデン、チタン及びタングステン等が挙げられる。
【００２３】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と前記第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、前記主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、例えば膜パターンを配線として用いた場合のエレクトロマイグレーションを抑制することが可能となる。
ここで、エレクトロマイグレーションとは、長時間にわたり配線に電流を流すことによって原子が電子の流れに沿って移動する現象であり、配線の抵抗値の増加や断線の原因となる。なお、このエレクトロマイグレーションを抑制する材料としては、チタン等が挙げられる。
【００２４】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と前記第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、絶縁特性を有する材料を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、絶縁特性を有する材料を、例えば膜パターンを配線として採用する場合における絶縁層として機能させることができる。
【００２５】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と前記第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、ＣＶＤによるプラズマダメージ、及び四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）によって、バンクに対して撥液処理を行った際に、膜パターンの主材料へのプラズマダメージを抑制できる。よって、本膜パターンの形成方法において、好適にプラズマ処理を採用することができる。
このとき、前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料は、前記プラズマダメージによる拡散を抑制するためのバリア材料であることが好ましい。
このようにすれば、膜パターンを金属配線として用いた場合に、層間絶縁膜への金属イオンの拡散によるリーク電流の発生を防止することができる。
【００２６】
本発明の膜パターンは、前記膜パターン形成方法によって形成されたことを特徴とする。
本発明の膜パターンは、前述したようにバンクの端部まで、機能液が確実に流し込まれることで所望の形状に形成されており、信頼性が高いものとなる。
【００２７】
本発明のデバイスは、前記膜パターンを備えることを特徴とする。
本発明のデバイスによれば、前述したように、信頼性の高い膜パターンを、例えばスイッチング素子に接続される配線として有することで確実な動作を可能とし、信頼性の高いデバイスとなる。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、前記デバイスを備えることを特徴とする。
本発明の電気光学装置によれば、信頼性の高いデバイスを搭載したことで、このデバイスを備えた電気光学装置を確実に駆動させることができる。
【００２９】
本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えることを特徴とする。
本発明の電気光学装置によれば、信頼性の高い電気光学装置を電子機器の表示部として用いることで、その表示を良好に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の膜パターンの形成方法、膜パターン、デバイス、電気光学装置、及び電子機器の実施の形態を図面を参照にして説明する。
【００３１】
（第１実施形態）
はじめに、本発明の膜パターンの形成方法における第１実施形態について説明する。
本実施形態では、液滴吐出法によって液体吐出ヘッドのノズルから導電性微粒子を含む膜パターン形成用のインク（機能液）を液滴状に吐出し、配線パターンに対応して基板上に形成されたバンクの間、すなわちバンクに区画された領域に、配線パターン（膜パターン）を形成する場合の実施形態について説明する。なお、本発明における機能液に対する接触角とは、静的接触角を意味している。また、以下の説明における、バンクにおける上面とは、バンクが形成される基板面に対して平行をなす、バンク面を意味し、バンクにおける側面とは、このバンクによって区画されたパターン形成領域の底面と前記バンクの上面との間における、バンクの側壁面を意味している。
【００３２】
このインクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散媒）に分散させた溶液からなるものである。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに有機銀化合物や導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００３３】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３４】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３５】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３６】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００３７】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。
【００３８】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３９】
次に、本発明に係る膜パターンを製造する際に用いられる膜パターン製造装置について説明する。
この膜パターン製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出することにより膜パターンを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００４０】
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００４１】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００４２】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００４３】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４４】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。
このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００４５】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４６】
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて製造される装置（デバイス）の一例である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））について説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ１個を含む一部の概略構成を示した平面図である。図４（ａ）は、ＴＦＴの断面図であり、図４（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図である。
【００４７】
図３に示すように、ＴＦＴ３０を有するＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート配線１２と、ソース配線１６と、ドレイン電極１４と、ドレイン電極１４に電気的に接続する画素電極１９とを備えている。ゲート電極１１はＸ軸方向に延びるように形成され、その一部がＹ軸方向に延びるように形成されている。そして、Ｙ軸方向に延びるゲート配線１２の一部がゲート電極１１として用いられている。なお、ゲート電極１１の幅はゲート配線１２の幅よりも狭くなっている。そして、このゲート配線１２が、本実施形態の配線パターン形成方法で形成される。また、Ｙ軸方向に延びるように形成されたソース配線１６の一部は幅広に形成されており、このソース配線１６の一部がソース電極１７として用いられている。
【００４８】
図４（ａ）に示すように、ゲート配線１２及びゲート電極１１は、基板Ｐの上に設けられたバンクＢの間に形成されている。ゲート配線１２及びゲート電極１１並びにバンクＢは、絶縁膜２８に覆われており、絶縁膜２８の上に、半導体層である活性層６３と、ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４と、バンクＢ１とが形成されている。活性層６３は、概ねゲート電極１１に対抗する位置に設けられており、活性層６３のゲート電極１１に対抗する部分がチャネル領域とされている。活性層６３上には、接合層６４が積層されており、ソース電極１７は接合層６４を介して、ドレイン電極１４は接合層６４を介して、活性層６３と接合されている。ソース電極１７及び接合層６４と、ドレイン電極１４及び接合層６４とは、活性層６３上に設けられたバンク６７によって、互いに絶縁されている。また、図４（ｂ）に示すように、ゲート配線１２は、絶縁膜２８によって、ソース配線１６と絶縁されており、ゲート電極１１は、絶縁膜２８によって、ソース電極１７及びドレイン電極１４と絶縁されている。ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４とは、絶縁膜２９で覆われている。絶縁膜２９のドレイン電極１４を覆う部分には、コンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介してドレイン電極１４と接続する画素電極１９が、絶縁膜２９の上面に形成されている。
【００４９】
次に、ＴＦＴ３０のゲート配線（配線パターン）１２を形成する工程について説明する。本実施形態に係る配線パターンの形成方法では、基板上にバンクを形成することで、バンクによって区画されるパターン形成領域を形成する。このパターン形成領域は、薄膜パターン形状と同一の平面形状を有し、上述した配線パターン形成用のインクをこのパターン形成領域に配置することで配線パターンを形成する。
なお、本発明においては、後述する実験例に示すように、前記バンクによって区画されたパターン形成領域の底面に対する機能液の接触角と、前記バンクの側面に対する該機能液の接触角との接触角との和が９０°以下となる条件のもとで配線パターン形成用のインクを前記パターン形成領域に配置するようにしている。
【００５０】
本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。
以下に、バンク膜形成工程について説明する。図５（ａ）〜（ｄ）は、バンクを形成する手順の一例を示す模式図である。
始めに、バンク膜を形成する工程を行う。まず、基板Ｐを用意し、この基板Ｐ上にバンクの形成材料を塗布する前に表面改質処理として、この基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。
ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ３）３ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ３）３）を上記上にして塗布する方法である。これにより、バンクＢと基板Ｐとの密着性を向上する密着層となるＨＭＤＳ層（図示せず）が基板Ｐ上に形成する。
【００５１】
バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、バンクの形成材料を塗布する。基板ＰのＨＭＤＳ層の上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料が塗布されて、図５（ａ）に示すようなバンク膜３１が形成される。
【００５２】
本実施形態のゲート配線（配線パターン）１２の形成方法においては、バンクＢの形成材料として、及びバンク膜形成工程においては、バンク膜３１の形成材料として、機能液に対して親液性を有する材料が好ましい。機能液（炭化水素系溶媒）に対して親液性を有する材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や光感性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセズキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、機能液に対して親液性を有するバンク形成材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。なお、バンク形成材料は、後述する実験例に示すように、バンク側面、及び基板に対する機能液の接触角の和が９０°以下の条件のもとで機能液の吐出ができる程度の親液性を有することが好ましい。
【００５３】
次に、バンク形成工程、及び撥液処理について説明する。
バンク形成工程では、フォトリソグラフィ法を用いて、前記バンク膜３１の一部を取り除き、バンクＢと、バンクＢに囲まれた溝状の配線形成領域（パターン形成領域）３４を形成する。
最初に、バンク膜形成工程で形成されたバンク膜３１の上にレジスト層を塗布・乾燥する。
【００５４】
次に、撥液化処理工程について説明する。撥液化処理では、バンク膜３１に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ６やＳＦ５ＣＦ３などのガスも用いることができる。
このように、バンク膜３１の表面が機能液に対する撥液性を備えることで、バンク上に吐出された機能液を配線形成領域（パターン形成領域）内に良好に流し込まれるようになっている。
【００５５】
次に、バンク形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することにより、図５（ｂ）に示したように、バンク形状に合わせたレジスト３８を残す。最後に、エッチングして、レジスト３８に覆われた以外の部分のバンク膜３１を除去し、さらに、レジスト３８を除去する。これにより、図５（ｃ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに囲まれた配線形成領域３４を形成する。
【００５６】
基板Ｐ上にバンクＢが形成した後、フッ酸処理を施す。このフッ酸処理は、例えば、２．５％フッ素水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ，Ｂ間のＨＭＤＳ層を除去する処理を行う。このフッ酸処理では、バンクＢ，Ｂがマスクとして機能し、バンクＢ間に形成された配線形成領域３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層が除去され、基板Ｐが露出する。配線パターンが形成される基板Ｐとして用いられるガラスや石英ガラスは、機能液に対して親液性を有しており、基板Ｐが露出した底部３５は、機能液に対して親液性となる。
これにより、図５（ｄ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに区画された凹部から配線形成領域３４が形成されて、バンク形成工程が終了する。なお、この配線形成領域３４は、ゲート配線１２を形成するための配線形成領域（パターン形成領域）となっている。
【００５７】
バンク形成工程で形成された、バンクＢの上面は、上記の撥液化処理により、機能液に対して撥液性となっている。対照的に、凹部である配線形成領域３４の側面であり、バンクＢの側面３６は、親液性を有するバンク膜３１の形成材料が直接露出しており、機能液に対して、親液性となっている。上述したように、底部３５は機能液に対して親液性となっており、配線形成領域３４は、親液性の側面３６及び底部３５で構成されている。
【００５８】
なお、形成されたバンクＢは、親液化処理、及び撥液化処理を適宜行うことで、その親液性を調節することで、このバンクＢによって区画された配線形成領域（配線形成領域３４）の底面に対する機能液の接触角と、前記バンクＢの側面に対する該機能液の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで、ゲート配線１２を構成する機能液の配置が行なわれるようになっている。例えば、前記配線形成領域の底面、すなわち基板Ｐにおける機能液に対する親液性を増加させる際には、基板Ｐに対し、プラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。このとき、プラズマ処理条件を調整することで（例えば基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする）、所望の親液性を付与することができる。
なお、前記実施形態では、機能液を吐出する領域には、基板Ｐが直接露出した状態となっていたが、前記基板Ｐ上に予めＣＶＤ法等で成膜されたＳｉＯ２等の絶縁層が形成されていて、その絶縁層上にバンクを形成した後、機能液を吐出するようにしてもよい。
このような、バンク形成工程、親液化処理工程により、配線パターニング用基板が形成される。
配線形成領域３４はバンクＢに囲まれているので、後述する工程に置いて、機能液が所定位置（配線形成領域）以外に拡がることを阻止している。また、バンクＢの上面は前述したように撥液性が付与されているため、吐出された機能液の一部がバンクＢ上にのっても、表面の撥液性によってバンクＢ上面からはじかれる。ここで、前記バンクＢの内側面をテーパ形状にし、機能液を配線形成領域３４に良好に落とし込ませるようにしてもよい。
そして、前述したように、バンクＢの側面３６、及びバンクＢ，Ｂ間の底部３５に露出した基板Ｐは親液性を付与されている。よって、配線形成領域３４内に吐出された機能液は、この配線形成領域３４の底面３５に露出する基板Ｐ上を濡れ拡がり易くなっている。
【００５９】
（機能液配置工程）
次に、前記の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用インク（機能液）をバンクＢ，Ｂ間によって区画されたゲート配線用の形成領域としての前記配線形成領域３４内に吐出する。なお、ここでは、導電性微粒子として銀を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた配線パターン用のインクＸ１（機能液）を吐出する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。また、本実施形態では、液滴の直径がバンクＢ、Ｂによる配線形成領域３４の幅と略同程度とする。
【００６０】
このとき、良好な配線パターンを得るためには、バンクＢに区画された配線形成領域にインクＸ１が濡れ拡がって、配線形成領域の全域（端部）まで流し込ませることが望ましい。
そこで、バンクＢに区画された領域にインクＸ１を吐出した際の、インクの濡れ広がりを説明するに際し、吐出された機能液（インクＸ１）の伸びに関する実験例について説明する。
【００６１】
（実験例）
図６は、本実験に用いた、バンクによって区画されたパターン形成領域を備えた実験用パターンの要部を示した平面図である。この実験用パターンは、ガラスからなる基板上に形成されたバンクによって区画された溝状の領域である。
なお、実験用パターンは、１００μｍ毎に配置されたパターン形成領域が複数形成されているが、図示を簡略化するため、図６中ではパターン形成領域を２つのみ図示し、他のパターン形成領域については図示を省略している。各パターン形成領域は、図６中に示すように、その延在方向に直交する部分の幅が３０μｍであるパターンＰ１と、このパターンＰ１に略直交する方向に連続して形成された、その幅が１０μｍ、長さが５０μｍのパターンＰ２とから構成されている。したがって、この実験用パターンは、幅の広い部分（Ｐ１）と幅の狭い部分（Ｐ２）とから構成されたものとなっている。そして、この実験用パターンに、前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、実験用インクを吐出（配置）し、実験用インクの流動を確認する実験を行った。
なお、前記実験用インクは、溶媒としては、テトラデカンを用い、導電性微粒子として、後述する銀、マンガン、ニッケルを分散させた実験用インクを用いた。また、前記バンク用パターンを構成する材料としては、ポリシラザンを用いた。
【００６２】
以下に、実験方法について具体的に説明する。
まず、図７（ａ）に示すようにして、前記パターンＰ１及び前記パターンＰ２の中心を通るラインが直交する前記パターン形成領域内に、７．５ｎｇの実験用インクを吐出する。ここで、吐出されるインクの飛翔径は２０μｍとなっている。
着弾した実験用インクは、毛細管現象によって、図７（ｂ）に示すように、幅の広いパターンＰ１から幅の狭いパターンＰ２へとインクが流れ込むようになる。本実験で、パターンＰ２の端部までインクが流れ込んだ場合と、流れ込まなかった場合とにおいて、前記パターン形成領域を構成するバンクの側面に対するインクの接触角と、前記パターン形成領域の底面に対するインクの接触角とを測定し、図８に示す結果を得た。なお、前述したように、本実験における接触角とは、静的接触角を意味している。
【００６３】
ここで、図８に示す底面材料とは、バンクに区画された実験用インクを吐出する面を示している。すなわち、この底面材料がガラスの場合とは、バンクによって区画された実験用パターン内に実験用インクを直接吐出した場合を示している。なお、ガラス底面の撥液処理としては、前述した四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法を用いた。そして、図８に示す底面接触角とした。
また、図８に示す底面材料がＭｎ／Ａｇの場合とは、前記実験用パターンの底面に露出するガラス面（基板面）上に、１層目の膜パターンとしてＭｎ（マンガン）を導電性微粒子として含むインクを吐出し、２５０℃で６０分の焼成工程によりＭｎ層を形成しておく。そして、このＭｎ層上にＡｇ（銀）を含むインクを吐出して、マンガン層と銀層とが積層されてなる膜パターンを形成する。したがって、この場合（Ｍｎ／Ａｇ）の底面接触角とは、前記Ｍｎ層に対するＡｇインクの接触角を示している。
また、図８に示す底面材料がＡｇ／Ｎｉの場合とは、前記実験用パターンの底面に露出するガラス面上に、１層目の膜パターンとしてＡｇ（銀）を導電性微粒子として含むインクを吐出し、２５０℃で６０分の焼成工程によりＡｇ層を形成しておく。そして、このＡｇ層上にＭｎ（マンガン）を含むインクを吐出して、銀層とマンガン層とが積層されてなる膜パターンを形成する。したがって、この場合（Ａｇ／Ｎｉ）の底面接触角とは、前記Ａｇ層に対するＭｎインクの接触角を示している。
【００６４】
次に、図８に示すインクの流れ込みにおける判定結果について図９、及び図１０を用いて説明する。なお、図９、及び図１０においては、図６に示したパターンＰ２の要部を示している。
ここで、図８に示した実験用インクの流れ込みが×の状態とは、後述するように、パターンＰ２の端部までインクが良好に流し込めない状態を示している。
実験用インクをパターン形成領域に吐出した後、インクの先端形状が、図９（ａ）に示すような凸形状となっていると、例えばインクの流れ込みがパターンＰ２の途中で止まってしまったり、図９（ｂ）に示すように、パターンＰ２の端部までインクを十分に流し込ませることができないが分かった。よって、図９（ｂ）に示すパターンＰ２の端部までインクが流し込まれていない状態を判定結果×とした。
【００６５】
一方、インクの流れ込みが○の状態とは、パターンＢの端部までインクが流れ込んだ状態（図１０（ｄ）参照）を示している。
図１０（ａ）に示すような吐出したインクの先端形状が凹形状となっていると、パターンＰ２の端部までインクが流し込めることが分かった。
図１０（ｂ）に示すように、先端が凹形状となったインクはパターンＰ２の端部に到達するようになる。このとき、インクの先端が凹形状となっているため、インクの先端はバンクの側面に接触してパターンＰ２の端部まで到達することで、図１０（ｃ）に示すように、インクがバンクの全側面に回り込んだ状態となる。やがて、表面張力によってインクが全面に濡れ拡がって、図１０（ｄ）に示すように幅の狭いパターンＰ２の端部までインクを流し込むことができる。ここで、インクの流れ込みが△の状態とは、図１０（ｃ）に示した状態でインクの流し込みが止ましまう場合を意味している。この場合には、インクはパターンＰ２の全外周縁部に濡れ拡がっているので、予め吐出するインク量を増やすことでパターンＰ２を良好なパターンとすることができる。したがって、本実験においては、△の状態の膜パターンは、インクの吐出量によってその機能を十分に果たすことができるため、問題のない膜パターンとして判定した。したがって、インクの流れ込みの判定が△〜○となる場合には、良好な膜パターンが得られることとした。
【００６６】
以上の実験例により、パターンＰ２の端部へのインクの流れ込みの結果から、バンク側面に対するインクの接触角と基板に対するインクの接触角が重要であるとが分かった。すなわち、図８に示した結果から、前記パターン形成領域の底面に対するインクの接触角と、前記バンクの側面に対するインクの接触角との和が９０°以下となっている場合には、パターンＰ２の端部までインクを安定して流し込める。
【００６７】
また、図８に示したように、予めパターン形成領域にＭｎ層、Ａｇ層（第１の膜パターン）が形成されていて、この層上にＡｇ、Ｎｉを含有する、他のインク（第２の機能液）を吐出する場合のインクの流れ込みについても実験を行った。
このとき、前記Ｍｎ層、Ａｇ層に対する他のインクの接触角と、前記バンクの側面に対する他のインクの接触角との和が９０°以下となる場合には、同様にパターンＰ２の端部までインクが流れ込むことが確認できた。
【００６８】
このような実験結果をもとに、本発明の膜パターンの形成方法では、インク（機能液）の配置を、バンクによって区画された配線形成領域（パターン形成領域）の底面、又は第１の膜パターンに対するインクの接触角と、前記バンクの側面に対するインクの接触角との和が９０°以下となる条件のもとで行っている。したがって、パターン形成領域の端部まで十分に機能液を流し込むことができる。
なお、前記の接触角との和が９０°以下となる条件のもとでインクを配置するとは、バンクの親液性を調節する方法に限定されること無く、予め形成したバンクに対して、前記の接触角の条件（９０°以下）を満たすようなインクを用いて膜パターンを形成するようにしてもよい。
【００６９】
再び、機能液配置工程の説明に戻り、図３に示したゲート配線１２に対応し、バンクＢに区画されたパターン形成領域にインクＸ１を吐出した際の、インクＸ１の流れ込みについて説明する。
上述した実験例をもとに、本実施形態における配線パターン用インクＸ１の吐出工程は、基板Ｐに対するインクＸ１の接触角と、前記バンクＢの側面に対する該インクＸ１の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで行っている。
【００７０】
ここで、前記ゲート配線１２と同じ形状を有するパターン形成領域は、第１パターン形成領域（ゲート配線用形成領域）と、この第１パターン形成領域に比べて幅が狭い第２パターン形成領域（ゲート電極用形成領域）とを含んで形成されている。ここで、前記ゲート電極１１は、ゲート配線１２に対して分岐された状態に形成されていて、具体的には、図３に示したように、略直交方向に連続的に形成されている。なお、ゲート電極１１を構成するためのパターン形成領域は、吐出されたインクＸ１の液滴直径よりも狭く、微細領域となっている。
【００７１】
始めに、図１１（ａ）に示すように、バンクＢによって区画された配線形成領域３４に、インクＸ１を吐出している。なお、図１１（ａ）に示される溝３４は、幅の広い前記ゲート配線１２に対応するものである。このとき、平面視した状態で、前記インクＸ１の先端は凹形状となっている（図１０（ａ）参照）。
このとき、配線形成領域に吐出されたインクＸ１は、幅の広いゲート配線１２に対応する領域から幅の狭いゲート電極１１に対応する領域に毛細管現象によって流れ込むようになる。
よって、本実施形態では、吐出されたインクＸ１は、ゲート配線１２における、幅の狭いゲート電極１１を構成するパターン部分にまで確実に流し込まれるようになる。このとき、前記インクＸ１は、先端部が凹形状となっており、バンクＢの側面に接触した状態でゲート電極１１を構成するパターンの端部まで到達する。そして、ゲート電極１１の全領域にインクＸ１が流し込まれて、安定したゲート電極１１を形成することができる（図３参照）。
【００７２】
また、図１１（ｂ）に示すように、ゲート配線１２に対応する配線形成領域３４内に、間隔を設けてインクＸ１を吐出するようにしてもよい。このとき、吐出されたインクＸ１の先端形状は、前述した実験例のように、平面視した状態で凹状となって、前記溝３４内を濡れ拡がる。
【００７３】
すると、図１１（ｃ）に示すように、隣接する位置に吐出されたインクＸ１の端部同士が接触して連続するようになる。このとき、インクＸ１は、バンクＢの側面に接触した状態で、配線形成領域内を濡れ拡がるので、図１１（ｄ）に示すように、インクＸ１は、バンクＢの側面上で接触した状態となる。よって、この配線形成領域３４内に外周縁部の全てにインクＸ１が濡れ拡がった状態となり、表面張力によって配線形成領域の全領域にインクＸ１が濡れ拡がった状態となる。
このようにして、吐出されたインクＸ１は、ゲート配線１２、及び微細部分であるゲート電極１１の端部まで安定して均一な状態で流れ込むようになる。
【００７４】
（中間乾燥工程）
基板Ｐにインク滴を吐出した後、インクの分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などの処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。
ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００７５】
吐出工程後の乾燥膜は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐに対して熱処理及び／又は光処理が施される。
【００７６】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子や有機銀化合物の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
たとえば、有機銀化合物の有機分を除去するためには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
以上の工程により吐出工程後の導電性材料（有機銀化合物）は銀粒子の残留により、導電性膜に変換されることで、連続した膜としての導電性パターン、すなわちゲート配線（膜パターン）１２を得る。
このようにして、本発明の膜パターンの形成方法によって、ゲート電極１１を含むゲート配線１２を形成することができる（図３参照）。
【００７７】
本発明の膜パターンの形成方法によれば、配線形成領域の底面、及びバンクＢの側面に対するインクＸ１の接触角のそれぞれの和が９０°以下となる条件のもとで、インクＸ１を吐出している。すると、吐出されたインクＸ１は、前記実験例からゲート配線用の配線形成領域の端部まで確実に流し込まれるようになる。よって、所望の形状のゲート配線を安定して形成できる。
また、膜パターン形成領域に間隔をおいて複数箇所にインクＸ１を吐出した場合、インクＸ１は配線形成領域を拡がって、隣り合う他のインクＸ１の液滴と合流する。よって、配線形成領域全面に濡れ拡がるようになる。このように、良好で信頼性の高いゲート配線１２を得ることができる。
【００７８】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る膜パターンの形成方法の第２の実施形態について説明する。本実施形態では、前記第１の実施形態と異なり、配線形成領域に第１の機能液を吐出して、第１の膜パターンを形成した後、この第１の膜パターン上に第２の機能液を吐出することで、ゲート配線１２を形成する。なお、本実施形態においては、第１の機能液と第２の機能液とが、互いに同一の機能材料（銀）を含有してなる液である。よって、前記第１の機能液および第２の機能液に含有される機能材料は、いずれも導電性材料である。このようにすれば、配線パターンを少なくとも２回の工程で行うことで、同一の機能材料からなる膜パターンを安定して形成するようにしている。また、本実施形態の説明においては、前記第１の実施形態と同一の構造を有するものについては、同じ符号を付して説明し、その説明を簡略化するものとする。
【００７９】
図１２は、第２の実施形態における膜パターンの形成工程を示す図である。
はじめに、前記第１の実施形態と同様にして、基板Ｐ上に配線形成領域（パターン形成領域）を区画するバンクＢを形成する。
具体的には、図１２（ａ）に示すように、前記配線形成領域に配線パターン用インクＸ１を前記実施形態の吐出条件によって吐出し、前述した中間乾燥、熱処理及び／又は光処理を行い、図１２（ｂ）に示すように、第１層配線パターン（第１の膜パターン）Ｘ１´を形成する。
【００８０】
次に、前記第１層配線パターンＸ１´上に、図１２（ｃ）に示すように、再度インクＸ１（第２の機能液）を吐出する。そして、吐出した配線パターン用インクＸ１を中間乾燥、熱処理及び／又は光処理を行うことで、図１２（ｄ）に示すように、同一材料からなる第２層配線パターン（第２の膜パターン）Ｘ１´を形成する。ここで、この配線パターン用インクＸ１を吐出する工程は、機能液の、前記第１層配線パターンに対する配線パターン用インクＸ１の接触角と、前記バンクＢの側面に対する配線パターン用インクＸ１の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで行うようにしている。
よって、第１層配線パターンＸ１´上の端部までインクＸ１を流し込むことができ、同一材料からなる第１層配線パターンと第２層配線パターンとが積層されてなるゲート配線（膜パターン）１２を良好に形成できる。
【００８１】
本実施形態の膜パターンの形成方法によれば、第１層配線パターンＸ１´、及びバンクの側面に対するインクＸ１の接触角のそれぞれの和が９０°以下となる条件のもとで、インクＸ１を吐出しているので、前記第１層配線パターンＸ１´上に吐出されたインクＸ１は、前記第１層配線パターンＸ１´上を濡れ拡がり、配線形成領域の端部まで流し込むことができる。
このように、同一の銀を含有した第１層配線パターンＸ１´と第２層配線パターンＸ１´とが積層された良好で信頼性の高い配線パターンを得ることができる。
【００８２】
ところで、前記配線形成領域に吐出できるインクの量は、バンクＢの高さに依存している。そして、インクは硬化処理（中間乾燥、熱処理及び／又は光処理）によって成膜すると、その厚みが減少することから、１度の吐出工程では、所望の膜厚の膜パターンとならない場合がある。
そこで、前記第１層配線パターンＸ１´と前記第２層配線パターンＸ１´とが積層されて形成されるゲート配線１２が所望の膜厚に達していない場合、前記ゲート配線１２上に前記第２の機能液（前記インクＸ１）を配置する工程を、前記ゲート配線１２が所望の膜厚となるまで繰り返すようにしてもよい。
そこで、本発明を採用すれば、配線形成領域に所望の膜厚のゲート配線１２が形成されるまで、インクＸ１を吐出する工程を繰り返すことで、所望の膜厚のゲート配線１２を形成できる。このように、良好で信頼性が高く、かつ所望の膜厚を満たしたゲート配線１２を形成できる。
【００８３】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る膜パターンの形成方法の第３の実施形態について説明する。本実施形態では、前記第２の実施形態と異なり、第１層配線パターン上に吐出する第２の機能液が、第１層配線パターンを構成する材料と異なる種類の機能材料を含有してなる液となっている。すなわち、本実施形態では、複数の材料が積層されなるゲート配線１２を形成している。これによって、ゲート配線１２に一種類の材料では得られなかった種々の機能性を付与することが可能となっている。なお、本実施形態の説明においては、前記実施形態と同一の構造を有するものについては、同じ符号を付して説明し、その説明を簡略化するものとする。
【００８４】
図１３は、第３の実施形態における膜パターンの形成工程を示す図である。
はじめに、基板Ｐ上に配線形成領域を区画するバンクＢを前記実施形態と同様にして形成する。本実施形態では、第１の機能液として、マンガンを含み、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた配線パターン用のインクＸ２を用いた。
まず、図１３（ａ）に示すように、前記配線形成領域にインクＸ２を前記実施形態の吐出条件によって吐出する。
【００８５】
前記インクＸ２を吐出した後、中間乾燥工程を行う。このとき、乾燥条件によっては、基板Ｐ上に配置されたインクＸ２が多孔体になると、インクＸ２上に配置される機能液（異なる金属）がインクＸ２の中に入り込んでしまい、インクＸ２の層が所望の機能を得られないことが懸念される。このため、本中間乾燥工程においては、インクＸ１が多孔体とならないような乾燥条件で乾燥することが好ましい。例えば、６０℃加熱を５分間程度、２００℃加熱を６０分間程度あるいは２５０℃加熱を６０分間程度行うことによって、インクＸ２が多孔体になることを抑止するようにしている。
そして、図１３（ｂ）に示すように、第１層配線パターン（第１の膜パターン）Ｘ２´を形成する。
【００８６】
次に、マンガン（第１の機能材料）を含んだ第１層配線パターンＸ２´上に異なる導電性微粒子を含む第２の機能液を配置することによって、異なる種類のインクからなる膜パターンが積層されて構成されるゲート配線１２を形成する。なお、本実施形態では、銀（第２の機能材料）を導電性微粒子として用いたインクＸ３を第２の機能液として用いて、前記第１層配線パターンＸ２´上に積層する。
【００８７】
次に、前記第１層配線パターンＸ２´上に、吐出したインクＸ３を中間乾燥、熱処理及び／又は光処理を行うことで、異なる材料からなる第２層配線パターン（第２の膜パターン）Ｘ３´を形成する。ここで、このインクＸ３を吐出する工程は、前記第１層配線パターンＸ２´に対するインクＸ３の接触角と、前記バンクＢの側面に対するインクＸ３の接触角との和が９０°以下となる条件のもとで行うようにしている。
よって、異なる材料からなる第１層配線パターンＸ２´と第２層配線パターンＸ３´とが積層されてなるゲート配線（膜パターン）１２を形成することができる。
本実施形態の膜パターンの形成方法によれば、複数の材料が積層されてなるゲート配線１２を形成することができる。これによって、ゲート配線１２に一種類の材料では得られなかった種々の機能性を付与することが可能となる。
【００８８】
本実施形態では、マンガンと銀とが積層されてなるゲート配線１２が形成できるので、配線としての主の機能を担う銀をマンガンによって確実に基板Ｐに密着させ、剥離を防止することができる。
なお、前記ゲート配線１２を構成する主なる機能を有する材料としては、マンガンに限られず、クロム、鉄、ニッケル、モリブデン、チタン及びタングステン等を適宜用いるようにしてもよい。
【００８９】
なお、前記第１配線パターンと第２層配線パターンとが積層されてなるゲート配線１２の膜厚が所望の厚みとなっていない場合には、前記実施形態と同様にして、配線パターン上に、上記の接触角を満たす条件のもとで、インクの吐出工程を所望の膜厚になるまで繰り返すようにしてもよい。
このとき、配線パターン上に形成する機能液を種々に変更することで、複数の種類の材料が積層されてなるゲート配線１２を形成するようにしてもよい。
例えば、前記第１の機能液と前記第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、絶縁特性を有する材料を含むようにしてもよい。このようにすれば、絶縁特性を有する材料を、ゲート配線１２における絶縁層として機能させることができる。
【００９０】
また、前記ゲート配線１２を異なる材料を積層して構成する他の実施形態について説明する。例えば、上記第３実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、バンク間にチタンを導電性微粒子として用いたインクと銀を導電性微粒子として用いたインクを積層させる。
そして、これらのインクに上記実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンク間に、チタン、銀、チタンの順に積層されてなるゲート配線１２を形成できる。
【００９１】
チタンと銀の積層からなる配線は、銀単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生が遅いという性質を有しているため、本実施形態のように、銀がチタンによって挟まれてなるゲート配線１２を形成することで、導電率が確保されると共にエレクトロマイグレーションの発生が遅くなる。このようにすれば、エレクトロマイグレーションの発生を抑制したゲート配線１２を得ることが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションの発生を遅らせる材料としては、上述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。
【００９２】
また、上記実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、バンクＢ，Ｂ間に、基板Ｐから順にマンガンを導電性微粒子として用いたインク、銀を導電性微粒子として用いたインク、ニッケルを導電性微粒子として用いたインクを積層させる。
そして、これらのインクに上記実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことによって、バンクＢ，Ｂ間に、マンガン、銀、ニッケルの順に積層されてなるゲート配線１２が形成される。
【００９３】
このように構成されたゲート配線１２は、銀と基板Ｐとの間に配置されるマンガンの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上される。また、ニッケルは、基板Ｐと銀の密着性を向上する機能の他に、プラズマ照射による銀の劣化を抑止する機能を有している。このため、銀の上にニッケルが配置されることによって、ゲート配線１２が形成された基板Ｐに対してプラズマ照射を行う際に、銀の劣化を抑止することができるゲート配線１２を得ることが可能となる。
このとき、前記のニッケルは、前記プラズマダメージによって銀の拡散を抑制するためのバリア材料として機能させてもよい。
このようにすれば、ゲート配線２１上に形成される層間絶縁膜への金属イオン（銀）の拡散によるリーク電流の発生を防止することができる。
【００９４】
（ＴＦＴの形成工程）
上述した実施形態においては、本発明に係る膜パターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について説明する。
【００９５】
前記実施形態によってゲート配線１２を形成した後、図１４（ａ）に示すように、このゲート配線１２（ゲート電極１１）上にプラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜２８、活性層６３、接合層６４の連続成膜を行う。なお、図１４中においては、ゲート電極１１上の積層構造の断面形状を示している。
ゲート絶縁膜２８として窒化シリコン膜、活性層６３としてアモルファスシリコン膜、接合層６４としてｎ＋シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
【００９６】
上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１４（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜２８の上面に、２層目のバンクＢ１をフォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンクＢ１によって区画された配線形成領域（パターン形成領域）７６には、後述するソース／ゲート電極が設けられるようになっている。また、このバンクＢ１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料のほかポリシラザンなどの無機系の材料が好適に用いられる。
【００９７】
この形成後のバンクＢ１に撥液性を持たせるためにＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンクＢ１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ４プラズマ処理等を省略することができる。
【００９８】
上記第２層目のバンクＢ１形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンクＢ１で区画された描画領域である前記溝７６内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図１４（ｃ）に示すように、前記ゲート電極１１に対して交差するソース電極１７及びドレイン電極１４が形成される。そして、ソース電極１７及びドレイン電極１４を形成するときに、本発明に係る膜パターンの形成方法が適用される。
【００９９】
この時の導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極１７及びドレイン電極１４は、バンクＢ１に十分な撥液性が予め与えられているので、溝７６からはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。また、本発明の膜パターン形成方法を用いることで、端部まで導電性材料を流し込ませることができ、安定したソース電極１７及びドレイン電極１４を形成できる。
【０１００】
また、ソース電極１７及びドレイン電極１４を配置した溝７６を埋めるように絶縁材料が配置されて、絶縁膜２９が形成される。以上の工程により、基板Ｐ上には、バンクＢ１と絶縁膜２９からなる平坦な上面が形成される。
【０１０１】
そして、絶縁膜２９にコンタクトホールを形成するとともに、上面上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）１９を形成し、コンタクトホールを介してドレイン電極１４と画素電極１９とを接続することで、図４に示したＴＦＴ３０が形成できる。
このＴＦＴ３０は、信頼性の高いゲート配線１２、ゲート電極１１、ソース電極１７及びドレイン電極１４とから構成されているので、その駆動性能が高いものとなる。
【０１０２】
（電気光学装置）
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図１５は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１６は図１５のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１６は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１７は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【０１０３】
図１５及び図１６において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【０１０４】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【０１０５】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１０６】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１７に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１０７】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１５に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１０８】
図１８はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記実施形態のパターン形成方法によって形成された複数の異なる材料が積層されてなるゲート配線６１が形成されている。なお、本実施形態では、ゲート配線６１を形成する際に、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約３５０℃まで加熱されるため、その温度に耐えられる材料として無機質のバンク材を用いている。また、本実施形態においては、クロム６１ａと銀６１ｂとが積層されてなるゲート配線６１を一例として図示する。
【０１０９】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【０１１０】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６を形成し、これらバンク６６間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、ソース線、ドレイン線を形成することができる。なお、これらのソース線及びドレイン線も本発明に係る膜パターンとすることができる。
本実施形態の電気光学装置によれば、本発明の配線形成方法によって形成された配線を備えた信頼性の高いデバイスを搭載したことで、液晶表示装置１００を確実に駆動できる。
なお、この配線が前記実施形態において説明したクロムと銀との２層からなる場合には、ゲート配線１２、ソース線及びドレイン線の密着性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、前記配線が前述したような、チタン、銀、チタンの順で積層されてなる場合には、ゲート配線１２、ソース線及びドレイン線のエレクトロマイグレーションが抑制された液晶表示装置１００を得ることができる。また、前記配線が前述したような、マンガン、銀、ニッケルの順で積層されてなる場合には、ゲート配線１２、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に銀のプラズマ処理による劣化が抑止された液晶表示装置１００を得ることができる。
【０１１１】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に応用が可能である。有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬ装置を製造することができる。
本発明における電気光学装置の範囲にはこのような有機ＥＬ装置をも含むものである。
【０１１２】
なお、本発明に係る電気光学装置としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１１３】
ＴＦＴ３０を形成する以外の他の実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図１９に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。
【０１１４】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２０（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２０（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２０（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図２０（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、複数の機能性を有したパターンを備える電子機器を提供することが可能となる。
本実施形態の電子機器によれば、前述した信頼性の高い電気光学装置を表示部として備えているので、その表示を良好に行うことが可能なものとなっている。
【０１１５】
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図３】ＴＦＴアレイ基板の要部の概略構成を示した平面図である。
【図４】（ａ）はＴＦＴの断面図、（ｂ）は他のＴＦＴ部分における断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）はバンクを形成する手順の一例を示す模式工程図である。
【図６】本実験例に用いた実験用パターンを示す平面図である。
【図７】本実験方法を説明する図である。
【図８】本実験例における実験結果を説明する図である。
【図９】本実験例を説明するための図である。
【図１０】本実験例を説明するための図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）はゲート配線形成工程の説明図である。
【図１２】(ａ)〜（ｃ）は第２の実施形態のゲート配線形成工程の説明図である。
【図１３】(ａ)〜（ｃ）は第３の実施形態のゲート配線形成工程の説明図である。
【図１４】(ａ)〜（ｃ）はＴＦＴを製造する工程を説明する図である。
【図１５】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１６】図１４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１７】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１８】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１９】非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図２０】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１２…ゲート配線（膜パターン）、３０…ＴＦＴ、３４…配線形成領域（膜パターン形成領域）、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、６００…携帯電話（電子機器）、７００…情報処理装置（電子機器）、８００…時計（電子機器）、Ｘ１…インク（機能液）、Ｘ２…インク（機能液）、Ｘ３…インク（機能液）、Ｂ…バンク、Ｂ１…バンク、Ｐ１…パターン（主体となる領域）、Ｘ１´…第１層膜パターン（第１の膜パターン）、Ｘ２´…第２層膜パターン（第２の膜パターン）、Ｐ…基板
【図１】
2006319016.tif 000003
【図２】
2006319016.tif 000004
【図３】
2006319016.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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