(57)【要約】【課題】  誘電率が低く、厚膜を形成することができるＴＦＴ層間絶縁膜材料を提供すること。【解決手段】  カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。【選択図】  選択図なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。
【請求項２】
前記カゴ状シルセスキオキサン化合物が下記構造を含有することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。
【化１】
2006319114.tif 000019
（ＲおよびＸは水素原子、水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭化水素基、ケイ素原子含有基、およびそれらを組み合わせた基、または他のシルセスキオキサンへの結合を表す）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなど、主にディスプレイで使用される薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと称する）用の絶縁膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイの大型化、高精細化に伴い、寄生容量に由来する信号のゆがみが大きな問題になってきている。こうした問題を解決するためには層間絶縁膜の誘電率を下げ、層間絶縁膜の膜厚を厚くすることにより、寄生容量を小さくすることが必要になる。
従来ＴＦＴ用層間絶縁膜材料としては、窒化ケイ素が用いられてきた（非特許文献１）。
ところが、従来層間絶縁膜として用いられる窒化ケイ素は誘電率が７以上と非常に高く、しかも膜厚を厚くするとクラックが入ってしまうため、厚膜形成ができないという問題があった。
また、低誘電率材料としてシリカ系膜のような半導体用層間絶縁膜材料があるが、ＴＦＴでは段差被覆性が要求されること、層間の寄生容量が重要視されること、から１μm以上の厚膜が要求されるため、ＴＦＴ層への適用には問題がある。
【非特許文献１】松下晋司編、９５最新液晶プロセス技術、プレスジャーナル、平成６年１０月、ｐ．２１〜２６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、誘電率が低く、厚膜を形成することができるＴＦＴ層間絶縁膜材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の絶縁膜は、カゴ状シルセスキオキサン化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料である。この材料によれば、１μmを越える厚膜の絶縁膜を形成することができ、しかも誘電率が低いためＴＦＴの寄生容量を小さくすることができる。
すなわち、本発明は、以下の通りである。
［１］カゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。
［２］前記カゴ状シルセスキオキサン化合物が下記構造を含有することを特徴とする上記［１］記載の薄膜トランジスタ用層間絶縁膜材料。
【０００５】
【化１】
2006319114.tif 000002
（ＲおよびＸは水素原子、水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭化水素基、ケイ素原子含有基、およびそれらを組み合わせた基、または他のシルセスキオキサンへの結合を表す）
【発明の効果】
【０００６】
本発明は、ＴＦＴ層間絶縁膜材料であって、前記絶縁膜材料はカゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする。この材料を用いれば、低誘電率で厚膜のＴＦＴ層間絶縁膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
本発明の層間絶縁膜材料はカゴ状シルセスキオキサン化合物を含有することを特徴とする。カゴ状シルセスキオキサン化合物は、主骨格としてシリカ（無機物）の構造と類似したカゴ状構造をもちながら、かつカゴの頂点に有機官能基が結合された独特の構造をしている。このため、無機物の絶縁膜の性質を保有しながらも、有機部分がいわばクッションのような役割を果たし、クラック等の問題なく厚膜化できるものと考えられる。
【０００８】
本発明に係るカゴ状シルセスキオキサン化合物とは、（１）重合していないカゴ状シルセスキオキサン（下記一般式（１）でｎ＝０の構造）；（２）重合していない部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン（下記一般式（９）でＲおよびＸが一般式（１）におけるＲ1と同様である構造）；（３）複数のカゴ状シルセスキオキサンが重合してなるカゴ状シルセスキオキサン重合体（下記一般式（１）でｎが１以上ｍ以下の構造）；（４）複数の部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンが重合してなる部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン重合体（下記一般式（９）でＲのうちの少なくともひとつ、および／またはＸのうちの少なくともひとつが他のカゴ状シルセルキオキサンへの結合を表す構造）；（５）カゴ状シルセスキオキサンと部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンの共重合体、を含む。
カゴ状シルセスキオキサンとは、カゴ状に閉じたシルセスキオキサン構造を指す。このカゴ状シルセスキオキサンの具体的な構造は、下記一般式（１）で表される。
【０００９】
【化２】
2006319114.tif 000003
一般式（１）において、ｍは６から１４の整数であり、ｎは０以上ｍ以下の整数である。ｎ＝０のとき、上記（１）重合していないカゴ状シルセスキオキサンに該当する。
Ｒ1は水素原子、水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭化水素基、ケイ素原子含有基、およびそれらを組み合わせた基、から選ばれ、Ｒ1はすべて同一でも異なっていても良い。
上記アルコキシル基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。アルコキシル基の炭素原子数としては、１から６が好ましい。
上記アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、２，６−ジメチルフェノキシ基などが挙げられる。
【００１０】
上記炭化水素基の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ブチル（ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、sec−ブチル）、ペンチル（ｎ−ペンチル、ｉ−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチルなど）、ヘキシル（ｎ−ヘキシル、ｉ−ヘキシル、シクロヘキシルなど）、ヘプチル（ｎ−ヘプチル、ｉ−ヘプチルなど）、オクチル（ｎ−オクチル、ｉ−オクチル、ｔ−オクチルなど）、ノニル（ｎ−ノニル、ｉ−ノニルなど）、デシル（ｎ−デシル、ｉ−デシルなど）、ウンデシル（ｎ−ウンデシル、ｉ−ウンデシルなど）、ドデシル（ｎ−ドデシル、ｉ−ドデシルなど）などの非環式又は環式の脂肪族炭化水素基；ビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、シクロヘキセニルエチル、ノルボルネニルエチル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、スチレニルなどの非環式又は環式のアルケニル基；ベンジル、フェネチル、２−メチルベンジル、３−メチルベンジル、４−メチルベンジルなどのアラルキル基；ＰｈＣＨ＝ＣＨ−基のようなアラアルケニル基；フェニル基、トリル基あるいはキシリル基のようなアリール基；４−アミノフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ビニルフェニル基のような置換アリール基などが挙げられる。
【００１１】
前記炭化水素基の水素原子又は主鎖骨格の一部は、エーテル結合、エステル基（結合）、水酸基、カルボニル基、カルボン酸無水物結合、チオール基、チオエーテル結合、スルホン基、アルデヒド基、エポキシ基、アミノ基、アミド基（結合）、ウレア基（結合）、イソシアネート基、シアノ基などの極性基（極性結合）；フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子などの置換基で部分的に置換されていても良い。
前記置換又は無置換の炭化水素基中の置換基も含めた全炭素原子数は、通常２０以下であるが、これに限定されるものではない。絶縁膜の耐熱性を考慮すると、全炭素原子数は、好ましくは１６以下、より好ましくは６以下である。
前記ケイ素含有基としては、例えば、下記一般式（２）、一般式（３）で表す構造の基などが挙げられる。ケイ素原子含有基中のケイ素原子数は、通常１〜１０、好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３であるが、これに限定されるものではない。
【００１２】
【化３】
2006319114.tif 000004
一般式（２）において、ｎ’は、通常１〜１０の整数であり、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数であるが、これに限定されるものではない。一般式（２）において、置換基Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、水素原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基、塩素原子、又は炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１〜６の有機基である。
前記アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。
前記炭素数１〜１０の有機基の例としては、各種の置換又は無置換の炭化水素基が挙げられ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基などの脂肪族炭化水素基；ビニル基、プロペニル基などの不飽和炭化水素結合含有基；フェニル基、ベンジル基、又はフェネチル基のような芳香族炭化水素基；ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２−などの含フッ素アルキル基；アミノアルキル基などの極性基置換アルキル基などが挙げられる。
【００１３】
一般式（２）で表されるケイ素原子含有基の具体的な例としては、トリメチルシロキシ基（Ｍｅ３Ｓｉ−）、ジメチルフェニルシロキシ基（Ｍｅ２ＰｈＳｉＯ−）、ジフェニルメチルシロキシ基、フェネチルジメチルシロキシ基、ジメチル−ｎ−ヘキシルシロキシ基、ジメチルシクロヘキシルシロキシ基、ジメチルオクチルシロキシ基、（ＣＨ３）３ＳｉＯ［Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ］ｑ−（ｑ＝１〜９）、２−フェニル−２，４，４，４−テトラメチルジシロキシ基（ＯＳｉＰｈＭｅＯＳｉＭｅ３）、４，４−ジフェニル−２，２，４−トリメチルジシロキシ（ＯＳｉＭｅ２ＯＳｉＭｅＰｈ２）、２，４−ジフェニル−２，４，４−トリメチルジシロキシ（ＯＳｉＰｈＭｅＯＳｉＰｈＭｅ２）、ビニルジメチルシロキシ基、３−グリシジルプロピルジメチルシロキシ基、３−アミノプロピルジメチルシロキシ基（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｍｅ２ＳｉＯ−）、Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｍｅ（ＨＯ）ＳｉＯ−、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルジメチルシロキシ基（Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｍｅ２ＳｉＯ−）、Ｈ２ＮＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｍｅ（ＨＯ）ＳｉＯ−などが挙げられる。
【００１４】
【化４】
2006319114.tif 000005
一般式（３）において、Ｒaは炭素数１〜１０の２価の炭化水素基であり、炭素数は、好ましくは２〜６であり、より好ましくは２又は３である。Ｒaの具体例としては、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）p−（ｐ＝４〜１０）などのアルキレン基が挙げられる。
一般式（３）におけるＲ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は、一般式（２）におけるＲ２，Ｒ３，Ｒ４と同じである。ｎ’’は、０又は１〜９の整数であるが、好ましくは０又は１〜５の整数、特に好ましくは０，１又は２である。
【００１５】
上記で説明したカゴ状シルセスキオキサンの具体的な例としては、一般式（１）においてｍ＝６で表される一般式（４）のような構造、一般式（１）においてｍ＝８で表される一般式（５）のような構造、一般式（１）においてｍ＝１０で表される一般式（６）のような構造、一般式（１）においてｍ＝１２で表される一般式（７）のような構造、一般式（１）においてｍ＝１４で表される一般式（８）のような構造などが挙げられる。ただし、一般式（４）〜（８）におけるＲは、一般式（１）におけるＲ1と同様若しくは他のカゴ状シルセスキオキサン構造又は部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造ヘの結合を表し、Ｒのうちのｎ個（すなわち１個以上ｍ個以下）は他の（部分開裂型）カゴ状シルセスキオキサン構造ヘの結合を表す。
【００１６】
【化５】
2006319114.tif 000006
【００１７】
【化６】
2006319114.tif 000007
【００１８】
【化７】
2006319114.tif 000008
【００１９】
【化８】
2006319114.tif 000009
【００２０】
【化９】
2006319114.tif 000010
部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンとは、カゴ状シルセスキオキサン構造の一部のケイ素−酸素結合が開裂した構造、又はカゴ状シルセスキオキサンの一部が脱離した構造を指す。具体的な構造は下記一般式（９）で表される。
（ＲＸＳｉＯ）ｉ（ＲＳｉＯ３／２）ｊ  （６≦ｉ＋ｊ≦４０，ｉ≧１，ｊ≧４）  （９）
一般式（９）においてＲおよびＸは、一般式（１）におけるＲ1と同様または他のカゴ状シルセスキオキサンへの結合を表わし、すべて同一の構造でも、互いに異なっていても良い。ＲおよびＸが一般式（１）におけるＲ1と同様である場合、前述の（２）重合していない部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンに該当する。
【００２１】
このような部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンの具体的な例としては、一般式（１０）のような構造、一般式（１１）及び一般式（１２）のような構造、一般式（１３）のような構造などが挙げられる。
【００２２】
【化１０】
2006319114.tif 000011
【００２３】
【化１１】
2006319114.tif 000012
【００２４】
【化１２】
2006319114.tif 000013
【００２５】
【化１３】
2006319114.tif 000014
上記部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造の中でも特に一般式（１３）で示される構造は、分子のフレキシビリティが高く、膜厚を厚くできるため好ましい。
次に（３）複数のカゴ状シルセスキオキサンが重合してなるカゴ状シルセスキオキサン重合体、（４）複数の部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンが重合してなる部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン重合体及び（５）カゴ状シルセスキオキサンと部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンの共重合体について説明する。前記一般式（１）でｎが１以上ｍ以下の場合、（３）カゴ状シルセスキオキサン重合体に該当する。また上記一般式（９）でＲのうちの少なくともひとつ、および／またはＸのうちの少なくともひとつが他のカゴ状シルセルキオキサンへの結合を表す場合、（４）部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン重合体に該当する。
【００２６】
これらのシルセスキオキサン重合体は、直鎖状、分枝状、三次元網目状に結合していても良い。
シルセスキオキサン構造同士（すなわち、カゴ状シルセスキオキサン構造同士、部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造同士、カゴ状シルセスキオキサン構造と部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造）は、直接結合されていても良く、任意の原子又は官能基、例えば、酸素原子又は有機基を介して結合されていても良い。なお、有機基としては、炭化水素基、オキシアルキレン基、シロキサン基、それらの重合体、並びにそれらを組み合わせた構造などが挙げられる。
【００２７】
前記炭化水素基及びその重合体としては、−（ＣＨ２）s−、（ｓは自然数）で表されるアルキレン基、芳香族炭化水素基などが挙げられる。−（ＣＨ２）s−におけるｓは、１以上１００以下が好ましく、１以上２０以下がより好ましい。具体的には、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ポリエチレン構造などが挙げられ、芳香族炭化水素基としては、フェニレン基などが挙げられる。
前記オキシアルキレン基及びその重合体−（Ｒ’Ｏ）ｔ−（ｔは自然数）としては、オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、ポリオキシメチレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレンなどが挙げられる。上記ｔは１以上１００以下が好ましく、１以上２０以下がより好ましい。
【００２８】
前記シロキサン基及びその重合体としては、例えば、下記一般式（１４）で表される構造が挙げられる。
【００２９】
【化１４】
2006319114.tif 000015
ここで、Ｒ２，Ｒ３は一般式（２）におけるＲ２，Ｒ３と同じである。ｎ’’’は自然数である。
上記の炭化水素基、オキシアルキレン基、シロキサン基及びそれらの重合体は、水素原子又は骨格の一部が有機基によって部分的に置換されていても良い。有機基としては、例えば、エーテル結合、エステル基（結合）、水酸基、カルボニル基、カルボン酸無水物結合、チオール基、チオエーテル結合、スルホン基、アルデヒド基、エポキシ基、アミノ基、アミド基（結合）、ウレア基（結合）、イソシアネート基、シアノ基などの極性基（極性結合）、ジエン（結合）、共役ジエン（結合）、フェニレン基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。
【００３０】
絶縁膜の耐熱性を考慮すると、前記シルセスキオキサン同士を結合する有機基としては、フェニレン基、フェニル基などの芳香族基が含有されていることが好ましい。また、膜厚の厚い膜を形成する場合には、シルセスキオキサン同士を結合する有機基にシロキサン基が含有されていることが好ましい。
前記シルセスキオキサン重合体の数平均分子量は、５００以上４０万以下が好ましく、より好ましくは５００以上５万以下である。
カゴ状シルセスキオキサン重合体と部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン重合体が共重合している場合、カゴ状シルセスキオキサン構造と部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造の結合シーケンスにおいては、両者が交互に結合していても良く、ランダムな順番で結合していても良い。また、一定の規則性をもって結合していても良い。
【００３１】
カゴ状シルセスキオキサン構造と部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造の比率は、モル比で、（カゴ状シルセスキオキサン構造）：（部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造）＝１：９９〜９５：５であることが好ましく、より好ましくは５：９５〜３０：７０である。
本発明のカゴ状シルセスキオキサン化合物における部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造の含有量としては、２０重量％以上１００重量％以下が好ましく、４０重量％以上１００重量％以下がより好ましい。
なお、カゴ状シルセスキオキサン化合物の構造は、１Ｈ−ＮＭＲ及び２９Ｓｉ−ＮＭＲを用いることにより確認することができる。
【００３２】
次に、カゴ状シルセスキオキサン化合物を成膜する方法について説明する。上記カゴ状シルセスキオキサン化合物が含有される塗布液を目的に応じた基体上に塗布し、必要に応じて加熱処理することにより、基体上に成膜することができる。
まず、上記含シルセスキオキサン化合物を溶媒に溶解して塗布液を作製する。溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロホルム、トルエン、メチルアルコール、エチルアルコールなどの有機溶媒が挙げられる。これらの溶媒は、揮発性が高く、容易に除去可能なので好ましい溶媒である。また、含シルセスキオキサン化合物を合成した反応溶液を、そのままあるいは希釈して、塗布液として使用しても良い。なお、塗布液には、本発明の効果を損なわない範囲内で、上記含シルセスキオキサン化合物以外の成分（例えば、界面活性剤などの添加剤）を含有しても良い。
【００３３】
前記塗布液を基体に塗布する方法としては、例えば、塗布液をバーコート、ローラーコート、ダイコート、ブレードコート、ディップコート、ドクターナイフ、スプレーコート、フローコート、スピンコート、刷毛塗りする方法などが挙げられる。
塗布した反応溶液を加熱することにより、含シルセスキオキサン化合物の架橋を促進させて剛性のある膜を得ることができる。加熱温度としては、約２００℃〜約４００℃が好ましい。膜厚としては、１μm以上１ｍｍ以下の厚膜を形成することができるため、ＴＦＴ用層間絶縁膜として使用される。
【実施例】
【００３４】
次に、本発明に係る絶縁膜の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
［実施例１］
まず、含シルセスキオキサン化合物を合成する。トリス（ジメチルシラン）イソブチル−ＰＯＳＳ（Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane）ＳＨ１３０７（ハイブリッドプラスチック社製、商品名）１ｇ、オクタキス（ジメチルシロキシ）−Ｔ８−シルセスキオキサン（Gelest社製）０．６７ｇ、１，４−ジフェニルブタジイン（関東化学社製）０．３１ｇ、及び白金触媒（１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン白金触媒３％キシレン溶液、アルドリッチ社製）０．０２４ｇをテトラヒドロフラン（関東化学社製）１０ｍｌに溶解させて、窒素雰囲気下６０℃で３時間反応させることによりシルセスキオキサン化合物（複数のカゴ状シルセスキオキサンが重合してなるカゴ状シルセスキオキサン重合体）を合成した。
この化合物の数平均分子量をテトラヒドロフランを溶媒としてＧＰＣにより測定すると約４８００であった。なお、使用するＧＰＣカラムは、Shodex  ＫＦ−８０４Ｌ（昭和電工社製、商品名）を用いた。
【００３５】
また、この化合物の１Ｈ−ＮＭＲ、２９Ｓｉ−ＮＭＲを下記表１に示す。なお、ＮＭＲ測定装置としては、ＪＮＭ−ＬＡ４００（日本電子社製、商品名）を用いた。また、ＮＭＲ測定用の溶媒としては、重水素化テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ８）を用いた。また、表１において、２９Ｓｉ−ＮＭＲ結果のＭ，Ｄ，Ｔ，Ｑは、Ｓｉに直接結合される酸素が１つ、２つ、３つ、４つであることをそれぞれ表す。ただし、Ｍ１は、隣接するＳｉ（酸素を介して結合されるＳｉ）がＭである場合のＳｉを表し、Ｍ４は、隣接するＳｉ（酸素を介して結合されるＳｉ）がＱである場合のＳｉを表す。
【００３６】
このようにして合成した含シルセスキオキサン化合物の反応溶液をテトラヒドロフランにより１．３倍希釈し、スピンコータを用いて基体である無アルカリガラス上に回転数１０００ｒｐｍ、３０秒の条件で希釈した反応溶液を塗布した。なお、スピンコータとしては、MIKASA COATER（MIKASA社製、商品名）を用いる。次いで、反応溶液を塗布したシリコンウエハを縦型炉に投入し、窒素雰囲気下で３５０℃、１時間の条件で塗布膜を焼成した。なお、縦型炉としては、ＶＦ−１０００（光洋リンドバーグ社製、商品名）を用いた。これにより、シリコンウエハ上に厚さ約３μｍの絶縁膜が形成された。なお、膜厚は、反射分光膜厚計ＦＥ−３０００（大塚電子社製、商品名）を用いて測定した。
この膜の誘電率を測定したところ、２．９９であった。
【００３７】
［実施例２］
オクタキス（ジメチルシロキシ）−Ｔ８−シルセスキオキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）０．５ｇ、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）０．２８ｇ、および白金触媒（Ｐｌａｔｉｎｕｍ（０）−１，３−ｄｉｖｉｎｙｌ−１，１，３，３−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ  ｃｏｍｐｌｅｘ，  ３ｗｔ％  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｉｎ  ｘｙｌｅｎｅｓ，  Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．００８ｇをテトラヒドロフラン（脱水，  関東化学製）４ｍｌに溶解して窒素下６０℃にて３時間反応させることにより、シルセスキオキサン化合物（複数のカゴ状シルセスキオキサンが重合してなるカゴ状シルセスキオキサン重合体）を合成した。
この重合体の数平均分子量をＧＰＣにより測定したところ約７３００であった。
この重合体の１Ｈ−ＮＭＲおよび２９Ｓｉ−ＮＭＲ測定結果を表２に示す。
このシルセスキオキサン化合物を実施例１と同様の手順で成膜したところ、約１．２μmの膜厚が得られた。また、この膜の誘電率は３．０であった。
【００３８】
［実施例３］
３００ｍｌの三口フラスコにフェニルトリメトキシシラン（Ｇｅｌｅｓｔ製）２４ｇ、水酸化ナトリウム（関東化学製）３．２ｇ、水２．５ｇおよび脱水イソプロピルアルコール（関東化学製、以下ＩＰＡと略す）１２０ｍｌを仕込んだ。窒素パージ後８０℃にて４時間反応したのち、室温まで冷却し、１Ｎ酢酸水溶液を１６０ｍｌ加えた。析出物を濾過にて回収し、アセトニトリルで洗浄し、中間体Ａ５ｇを得た。
続いてこの中間体Ａ５ｇをテトラヒドロフラン（関東化学製）３５ｍｌに溶解し、トリエチルアミン（関東化学製）２ｇを加えた。この溶液にジメチルクロロシラン（Ｇｅｌｅｓｔ製）１．７ｇを滴下して６時間室温で撹拌した。析出した塩を濾過したのち溶媒を留去して下記構造の部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンＢを５ｇ得た。
部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンＢ４ｇ、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）２．３ｇ、および白金触媒（Ｐｌａｔｉｎｕｍ（０）−１，３−ｄｉｖｉｎｙｌ−１，１，３，３−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ  ｃｏｍｐｌｅｘ，  ３ｗｔ％  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｉｎ  ｘｙｌｅｎｅｓ，  Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．１ｇをテトラヒドロフラン（脱水，  関東化学製）２０ｍｌに溶解して窒素下６０℃にて３時間反応させることにより、シルセスキオキサン化合物（複数の部分開裂型カゴ状シルセスキオキサンが重合してなる部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン重合体）を合成した。
【００３９】
【化１５】
2006319114.tif 000016
この重合体の数平均分子量をＧＰＣにより測定したところ約１００００であった。
このシルセスキオキサン化合物を実施例１と同様の手順で成膜したところ、約５μmの膜厚が得られた。また、この膜の誘電率は３．０であった。
【００４０】
［実施例４］
オクタキス（ジメチルシロキシ）−Ｔ８−シルセスキオキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）４ｇ、１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｇｅｌｅｓｔ社製）５．９ｇ、および白金触媒（Ｐｌａｔｉｎｕｍ（０）−１，３−ｄｉｖｉｎｙｌ−１，１，３，３−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ  ｃｏｍｐｌｅｘ，  ３ｗｔ％  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｉｎ  ｘｙｌｅｎｅｓ，  Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．７ｇをテトラヒドロフラン（脱水，  関東化学製）５４ｍｌに溶解して窒素下６０℃にて８時間反応させることにより、シルセスキオキサン化合物（複数のカゴ状シルセスキオキサンが重合してなるカゴ状シルセスキオキサン重合体）を合成した。
この重合体の数平均分子量をＧＰＣにより測定したところ約１４０００であった。
このシルセスキオキサン化合物を、固形分濃度３０％の塗布液として、実施例１と同様の手順で成膜したところ、約５．９μmの膜厚が得られた。また、この膜の誘電率は３．１であった。
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。また、その他、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４１】
【表１】
2006319114.tif 000017
【００４２】
【表２】
2006319114.tif 000018
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明によると、誘電率が低く、厚膜のＴＦＴ用層間絶縁膜を提供することが可能であり、得られる絶縁膜は液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどに利用できる。