(57)【要約】【課題】  装置内でのウエハの搬送に伴うウエハの温度の変動を抑制できる、液浸型の露光装置を用いたリソグラフィー装置を提供すること。【解決手段】  リソグラフィー装置は、レジスト処理装置１と、液浸型の露光装置２と、レジスト処理装置１および露光装置２に連結され、レジスト処理装置１と露光装置２との間におけるウエハ５の搬送を行うための搬送装置３と、露光装置２内の温度および湿度に基づいて、搬送装置３の内部の温度および湿度を制御する温湿度制御ユニット４とを備えている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置に連結され、前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間における前記被処理基板の搬送を行うための搬送装置と、
前記液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記レジスト処理装置および前記搬送装置の少なくとも一方の内部の温度および湿度の少なくとも一方を制御する温湿度制御手段と
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。
【請求項２】
前記温湿度制御手段は、
前記搬送装置内の温度および湿度を調整するための温湿度調整手段と、
前記搬送装置内の温度および湿度をモニターするための第１の温湿度センサと、
前記露光処理装置内の温度および湿度をモニタするための第２の温湿度センサと、
前記第１および第２の温湿度センサにて取得された前記搬送装置および前記液浸型の露光装置内の温度情報および湿度情報に基づいて、前記液浸型の露光装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記温湿度調整手段を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィー装置。
【請求項３】
前記温湿度制御手段は、
前記液浸型の露光装置内において前記被処理基板が待機される箇所の温度および湿度を調整するための温湿度調整手段と、
前記被処理基板が待機される箇所の温度および湿度をモニターするための第１の温湿度センサと、
前記液浸型の露光装置内において露光が行われる箇所近傍の温度および湿度をモニタするための第２の温湿度センサと、
前記第１および第２の温湿度センサにて取得された前記液浸型の露光装置内の温度情報および湿度情報に基づいて、前記被処理基板が待機される箇所から前記露光が行われる箇所に前記被処理基板を搬送する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記温湿度調整手段を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィー装置。
【請求項４】
前記温湿度制御手段は、
前記レジスト処理装置内の温度および湿度を調整するための温湿度調整手段と、
前記レジスト処理装置内の温度および湿度をモニタするための第１の温湿度センサと、
前記液浸型の露光装置内の温度および湿度をモニターするための第２の温湿度センサと、
前記第１および第２の温湿度センサにて取得された前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置内の温度情報および湿度情報に基づいて、
前記レジスト処理装置内から前記搬送装置を介して前記液浸型の露光装置内に前記被処理基板を搬入する時、または、前記液浸型の露光装置内から前記搬送装置を介して前記レジスト処理装置内に前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記温湿度調整手段を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィー装置。
【請求項５】
被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置に連結され、前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間における前記被処理基板の搬送を行うための搬送装置と、
前記被処理基板の前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間の搬送経路の少なくとも一箇所に設けられた開閉可能なシャッターと
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。
【請求項６】
前記開閉可能なシャッターは、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記搬送装置との間の搬送経路、および、前記被処理基板の前記搬送装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路の少なくとも一方に設けられていることを特徴とする請求項５に記載のリソグラフィー装置。
【請求項７】
前記開閉可能なシャッターは、前記搬送処理装置内に設けられた前記被処理基板を待機させるための待機ユニット、前記液浸型の露光装置内に設けられた前記被処理基板を待機させるための待機ユニットまたは前記レジスト処理装置内に設けられた前記被処理基板を待機させるための待機ユニットに設けられていることを特徴とする請求項５に記載のリソグラフィー装置。
【請求項８】
レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程と、
前記液浸型の露光装置内に、前記温度および湿度の少なくとも一方が制御された前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜に対してベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項９】
前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程において、前記液浸型の露光装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記搬送装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記レジスト処理装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程と、
前記温度および湿度の少なくとも一方が制御された前記レジスト処理装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜に対してベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１１】
前記レジスト処理装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程において、前記レジスト処理装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する時に、前記被処理基板の温度の変動が抑制されるように、前記レジスト処理装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１０に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路に設けられ、前記被処理基板の表面上の液体を除去するための液体除去手段と
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。
【請求項１３】
被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、
フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、
前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路に設けられ、前記被処理基板の裏面を洗浄するための洗浄手段と
を具備してなることを特徴とするリソグラフィー装置。
【請求項１４】
レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記パターン露光を行う工程の後、かつ、前記レジスト処理装置内に、前記露光置内の前記被処理基板を搬入する工程の前に、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路中で、前記被処理基板の表面上の液体を除去する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜にしてベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１５】
レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、
前記パターン露光を行う工程の後、かつ、前記レジスト処理装置内に、前記露光置内の前記被処理基板を搬入する工程の前に、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路中で、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程と、
前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜にしてベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液浸型の露光装置を用いたリソグラフィー装置およびパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置の一つとしてリソグラフィー装置がある。リソグラフィー装置は、レジスト処理装置と、該レジスト処理装置に連結された搬送装置と、該搬送装置に連結された露光装置とを備えている。レジスト処理装置と露光装置との間のウエハの搬送は、搬送装置を介して行われる。
【０００３】
従来のリソグラフィー装置では、搬送装置内の温湿度が制御されていないか、また制御されたとしても、露光装置内の環境とは独立に、搬送装置内の温湿度が制御されている。
【０００４】
また、露光装置と搬送装置との間には、ウエハ受け渡し用の窓が設けられている。従来のリソグラフィー装置では、露光装置内の空気が、上記窓を介して、搬送装置内に流入してしまう。
【０００５】
上記空気の流入は、通常のドライ式の露光装置を用いた場合には、とくに問題とはならない。しかし、ウエハステージ近傍が高湿度状態となる液浸型の露光装置（特許文献１）を用いた場合には問題となる。すなわち、露光装置内の温湿度を一定に保つことが困難となるばかりか、搬送装置から露光装置内に入っていくウエハの温度が変動するという問題が生じる。これにより、リソグラフィー工程において重要な寸法制御性と重ね合わせ精度が劣化し、設計通りのレジストパターンを形成することが困難になる。
【０００６】
また、液浸型の露光装置を用いた場合には、液浸露光を終えたウエハの表面上に水分が残留していたり、露光中に表面上のレジスト膜等から析出した物質によりウエハの裏面に水分が残留することがある（非特許文献１）。このような状態のウエハをレジスト処理装置で処理すると、レジスト処理装置内が汚染されるという問題が起こる。
【特許文献１】特開平１０−３４０８４６号公報
【非特許文献１】液浸露光ワークショップにおけるNikon社の発表（Nikonhttp://www.sematech.org/resources/litho/meetings/immersion/20040128/index.htm）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、装置内での被処理基板の搬送に伴う被処理基板の温度の変動を抑制できる、液浸型の露光装置を用いたリソグラフィー装置およびパターン形成方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、液浸露光処理済みの被処理基板に起因するレジスト処理装置内の汚染を防止できる、液浸型の露光装置を用いたリソグラフィー装置およびパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１０】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係るリソグラフィー装置は、被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置に連結され、前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間における前記被処理基板の搬送を行うための搬送装置と、前記液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記レジスト処理装置および前記搬送装置の少なくとも一方の内部の温度および湿度の少なくとも一方を制御する温湿度制御手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る他のリソグラフィー装置は、被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、前記レジスト処理装置および前記液浸型の露光装置に連結され、前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間における前記被処理基板の搬送を行うための搬送装置と、前記被処理基板の前記レジスト処理装置と前記液浸型の露光装置との間の搬送経路の少なくとも一箇所に設けられた開閉可能なシャッターとを具備してなることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係るパターン形成方法は、レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程と、前記液浸型の露光装置内に、前記温度および湿度の少なくとも一方が制御された前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜に対してベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る他のパターン形成方法は、レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、前記搬送装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記液浸型の露光装置内の温度および湿度の少なくとも一方に基づいて、前記搬送装置内の温度および湿度の少なくとも一方を制御する工程と、前記レジスト処理装置内に、前記温度および湿度の少なくとも一方が制御された前記搬送装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜に対してベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係るリソグラフィー装置は、被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路に設けられ、前記被処理基板の表面上の液体を除去するための液体除去手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る他のリソグラフィー装置は、被処理基板上にレジストを塗布する処理、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、前記被処理基板上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うレジスト処理装置と、フォトマスク上に形成されたパターンの像を、前記被処理基板上に形成された前記レジスト膜上に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記レジスト膜との間の光路中に位置する液体を介して露光を行う液浸型の露光装置と、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路に設けられ、前記被処理基板の裏面を洗浄するための洗浄手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係るパターン形成方法は、レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記パターン露光を行う工程の後、かつ、前記レジスト処理装置内に、前記露光置内の前記被処理基板を搬入する工程の前に、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路中で、前記被処理基板の表面上の液体を除去する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜にしてベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る他のパターン形成方法は、レジスト処理装置内に被処理基板を搬入する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上にレジストを塗布し、前記被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト処理装置に連結された搬送装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記搬送装置に連結された液浸型の露光装置内に、前記レジスト処理装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記液浸型の露光装置を用いて、前記被処理基板上の前記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、前記レジスト処理装置内に、前記液浸型の露光装置内の前記被処理基板を搬入する工程と、前記パターン露光を行う工程の後、かつ、前記レジスト処理装置内に、前記露光置内の前記被処理基板を搬入する工程の前に、前記被処理基板の前記液浸型の露光装置と前記レジスト処理装置との間の搬送経路中で、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程と、前記レジスト処理装置を用いて、前記被処理基板上の前記パターン露光が行われた前記レジスト膜にしてベーク処理および現像処理を行って、レジストパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、装置内での被処理基板の搬送に伴う被処理基板の温度の変動を抑制できる、液浸型の露光装置を用いたリソグラフィー装置および該リソグラフィー装置を用いたパターン形成方法を実現できるようになる。
【００２０】
また、本発明によれば、液浸露光処理済みの被処理基板に起因するレジスト処理装置内の汚染を防止できる、液浸型の露光装置を用いたリソグラフィー装置および該リソグラフィー装置を用いたパターン形成方法を実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００２２】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。
【００２３】
本実施形態のリソグラフィー装置は、レジスト処理装置１、露光装置２、搬送装置３および温湿度制御ユニット（温湿度制御手段）４を備えている。
【００２４】
レジスト処理装置１は、ウエハ（被処理基板）上にレジストを塗布する処理、ウエハ上に形成されたレジスト膜を加熱する処理、および、ウエハ上に形成されたレジスト膜を現像する処理を行うための装置である。
【００２５】
露光装置２は、フォトマスク上に形成されたパターンの像を、ウエハ５上に形成されたレジスト膜上に投影する投影レンズ６を含む投影光学系を備え、この投影光学系と上記レジスト膜との間の光路中に位置する液体（液浸用液体）７を介して露光を行う液浸型のＡｒＦ露光装置である。
【００２６】
液浸用液体７は代表的には純水である。液浸用液体７は図示しない液体供給機構によりウエハ５上に形成されたレジスト膜と投影レンズ６との間に供給される。
【００２７】
上記レジスト膜に対してのパターン露光は、図示しないＡｒＦ光源から発生した露光光（ＡｒＦレーザー）がフォトマスク８を照射し、フォトマスク８を通過した露光光が、投影レンズ６および液浸用液体７を介して、ウエハステージ９上に搭載されたウエハ５上に照射され、パターン露光が行われる。ＡｒＦ光源以外の露光光源も使用可能である。
【００２８】
搬送装置３は、レジスト処理装置１と露光装置２との間でウエハ５の搬送を行うための装置である。搬送装置３内には、待機ユニット１０が設けられている。待機ユニット１０は、レジスト処理装置１内のレジスト膜が形成されたウエハ５を露光装置２内に搬入する前、あるいは、露光装置２内の露光処理（パターン露光）が行われたウエハ５をレジスト処理装置１内に入れる前に、ウエハ５を一定時間待機させるためのユニットである。
【００２９】
待機ユニット１０は、図２に示すように、ウエハ５を待機させるための待機室１１と、待機室１１内に設けられ、基板支持ピン１２を備えた待機ステージ１３とを備えている。ウエハ５は基板指示ピン１２上に載置される。待機ユニット１０の基板受け渡し口１４，１５以外の部分は、レジスト処理装置１と搬送装置３の間、および、搬送装置３と露光装置２の間で空気の行き来がないように遮蔽されている。
【００３０】
温湿度制御ユニット４は、露光装置２内の指定された場所（例えばウエハステージ近傍）の温度および湿度に基づいて、露光装置２内に、待機ユニット１０内のウエハを搬入する時に、ウエハの温度の変動が抑制されるように、待機ユニット１０内の温湿度を制御するためのユニットである。そのためには、例えば、待機ユニット１０内の温湿度が、露光装置２内の温湿度と同じになるように、待機ユニット１０内の温湿度を制御する。
【００３１】
待機ユニット１０内の温度と露光装置２内の温度、待機ユニット１０内の温度と露光装置２内の湿度、待機ユニット１０内の湿度と露光装置２内の温度、または、待機ユニット１０内の湿度と露光装置２内の湿度をモニタし、待機ユニット１０内の温度情報と露光装置２内の温度情報、待機ユニット１０内の温度情報と露光装置２内の湿度情報、待機ユニット１０内の湿度情報と露光装置２内の温度情報、または、待機ユニット１０内の湿度情報と露光装置２内の湿度情報に基づいて、ウエハの温度の変動を抑制することも可能である。
【００３２】
温湿度制御ユニット４は、温湿度が制御されたエアー１６を待機ユニット１０内に供給するためのエアー供給ユニット１７と、待機ユニット１０内の指定された場所の温湿度をモニタするための第１の温湿度センサ１８と、露光装置２内の指定された場所の温湿度をモニタするための第２の温湿度センサ１９と、第１および第２の温度センサ１８，１９により取得された温度情報および湿度情報に基づいて、露光装置２内に、待機ユニット１０内のウエハを搬入する時に、ウエハの温度の変動が抑制されるエアー１６が、待機ユニット１０内に供給されるように、エアー供給ユニット１７を制御する制御ユニット２０とを備えている。
【００３３】
本実施形態によれば、露光装置に入る前にウエハ周辺の温湿度を管理しない、もしくは搬送装置内の温湿度を露光装置内の温湿度と無関係に制御する従来のリソグラフィー装置に比べて、露光装置２内で露光処理されるウエハ５の枚数の増加に伴う、露光装置２の温湿度の変動を効果的に低減することができる。その結果、リソグラフィー工程において重要な寸法制御性と重ね合わせ精度が向上し、設計通りのレジストパターンを容易に形成することが可能となる。
【００３４】
本実施形態では、温度および湿度をモニタした場合について説明したが、どちらか一方をモニタして制御を行っても構わない（他の実施形態も同様）。この場合も、従来に比べて、露光装置２の温湿度の変動を低減することができるので、設計通りのレジストパターンを容易に形成することが可能となる。
【００３５】
次に、本実施形態のリソグラフィー装置を用いたパターン形成方法について説明する。
【００３６】
まず、レジスト処理装置１内にウエハ５が搬入される。その後、レジスト処理装置１によりウエハ５上にレジストが塗布され、ウエハ５上にレジスト膜が形成される。本実施形態では、ウエハ５は、生ウエハ、あるいはデバイスの一部が既に形成されているウエハである。
【００３７】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１内から搬出され、搬送装置３の待機ユニット１０内に搬入される。
【００３８】
次に、待機ユニット１０内にウエハ５が待機された状態で、第１および第２の温湿度センサ１８，１９により、待機ユニット１０および露光装置２内の温度情報および湿度情報が取得される。
【００３９】
上記取得された温度情報および湿度情報に基づいて、制御ユニット２０は、エアー供給ユニット１７を制御する。
【００４０】
具体的には、待機ユニット１０から露光装置２内にウエハ５を搬入する際に、ウエハ５の温度の変動が十分に抑制される温湿度を有するエアー１６が、待機ユニット１０内に供給されるように、制御ユニット２０はエアー供給ユニット１７を制御する。
【００４１】
このように、露光装置２内の温湿度（装置内環境）を考慮して搬送装置３（待機ユニット１０）内の温湿度（装置内環境）を制御することにより、搬送装置３・露光装置２間のウエハ５の搬送工程における、ウエハ５の温度の変動は、十分に抑制される。
【００４２】
次に、ウエハ５は、待機ユニット１０から露光装置２内に搬入され、その後、上記レジスト膜と投影レンズ６との間に液浸用液体７を介在させた状態で、パターン露光が行われる。このとき、上記の通り、ウエハ５の温度の変動は十分に抑制されているので、リソグラフィー工程において重要な寸法精度性と重ね合わせ精度の劣化は防止される。
【００４３】
次に、ウエハ５は、露光装置２内から搬出され、搬送装置３内に搬入される。
【００４４】
次に、ウエハ５は搬送装置３内に一定時間保持された後、レジスト処理装置１内に搬入される。
【００４５】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１によりパターン露光が行われた上記レジスト膜に対してベーク処理が行われ、さらに現像処理が行われる。その結果、ウエハ５上にレジストパターンが形成される。
【００４６】
その後、上記レジストパターンをマスクにしてウエハ５をエッチングするなどの周知の工程が続き、半導体装置が完成する。
【００４７】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明（構成、作用効果など）は省略する。
【００４８】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、待機ユニット１０が露光装置２内に設けられていることにある。本実施形態の場合、待機ユニット１０内の温湿度をモニタするための第１の温湿度センサ１８は露光装置２内にある。そのため、露光装置２内の温湿度をモニタするための第２の温湿度センサ１９は、なるべくウエハステージ近傍等の実際にパターン露光が行われる箇所（ユースポイント）の近傍に設けることが好ましい。
【００４９】
次に、本実施形態のリソグラフィー装置を用いたパターン形成方法について説明する。
【００５０】
まず、レジスト処理装置１内にウエハ５が搬入される。その後、レジスト処理装置１によりウエハ５上にレジストが塗布され、ウエハ５上にレジスト膜が形成される。
【００５１】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１内から搬出され、搬送装置３を介して、露光装置２の待機ユニット１０内に搬入される。
【００５２】
次に、待機ユニット１０内にウエハ５が待機された状態で、第１および第２の温湿度センサ１８，１９により、露光装置２内の待機ユニット１０およびユースポイント近傍の温度情報および湿度情報が取得される。
【００５３】
上記取得された温度情報および湿度情報に基づいて、制御ユニット２０は、エアー供給ユニット１７を制御する。具体的には、待機ユニット１０内からウエハステージ９上にウエハ５を搬送する際に、ユースポイント近傍におけるウエハ５の温度の変動が抑制される温湿度を有するエアー１６が、待機ユニット１０内に供給されるように、制御ユニット２０はエアー供給ユニット１７を制御する。そのためには、例えば、待機ユニット１０内の温湿度が、ユースポイント近傍における温湿度と同じになるように、待機ユニット１０内の温湿度を制御する。
【００５４】
待機ユニット１０内の温度とユースポイント近傍における温度、待機ユニット１０内の温度とユースポイント近傍における湿度、待機ユニット１０内の湿度とユースポイント近傍における温度、または、待機ユニット１０内の湿度とユースポイント近傍における湿度をモニタし、待機ユニット１０内の温度情報とユースポイント近傍における温度情報、待機ユニット１０内の温度情報とユースポイント近傍における湿度情報、待機ユニット１０内の湿度情報とユースポイント近傍における温度情報、または、待機ユニット１０内の湿度情報とユースポイント近傍における湿度情報に基づいて、ウエハの温度の変動を抑制することも可能である。
【００５５】
このように、露光装置２内のユースポイント近傍の温湿度を考慮して待機ユニット１０内の温湿度を制御することにより、待機ユニット１０・ユースポイント間のウエハ５の搬送工程における、ユースポイント近傍におけるウエハ５の温度の変動は、十分に抑制される。
【００５６】
次に、ウエハ５は、待機ユニット１０内からウエハステージ９上に搬送され、その後、上記レジスト膜と投影レンズ６との間に液浸用液体７を介在させた状態で、パターン露光が行われる。このとき、上記の通り、ユースポイント近傍におけるウエハ５の温度の変動は十分に抑制されているので、リソグラフィー工程において重要な寸法精度性と重ね合わせ精度の劣化は防止される。
【００５７】
次に、ウエハ５は、露光装置２内から搬出され、搬送装置３内に搬入される。
【００５８】
次に、ウエハ５は搬送装置３内に一定時間保持された後、レジスト処理装置１内に搬入される。
【００５９】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１によりパターン露光が行われた上記レジスト膜に対してベーク処理が行われ、さらに現像処理が行われる。その結果、ウエハ５上にレジストパターンが形成される。
【００６０】
その後、上記レジストパターンをマスクにしてウエハ５をエッチングするなどの周知の工程が続き、半導体装置が完成する。
【００６１】
（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明（構成、作用効果など）は省略する。
【００６２】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、待機ユニット１０がレジスト処理装置１内に設けられていることにある。
【００６３】
次に、本実施形態のリソグラフィー装置を用いたパターン形成方法について説明する。
【００６４】
まず、レジスト処理装置１内にウエハ５が搬入される。その後、レジスト処理装置１によりウエハ５上にレジストが塗布され、ウエハ５上にレジスト膜が形成される。
【００６５】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１内の待機ユニット１０内に搬入される。
【００６６】
次に、待機ユニット１０内にウエハ５が待機された状態で、第１および第２の温湿度センサ１８，１９により、待機ユニット１０（レジスト処理装置１）および露光装置２内の温度情報および湿度情報が取得される。
【００６７】
上記取得された温度情報および湿度情報に基づいて、制御ユニット２０は、エアー供給ユニット１７を制御する。
【００６８】
具体的には、待機ユニット１０内から搬送装置３を介して露光装置２内にウエハ５を搬入する際に、ウエハ５の温度の変動が抑制される温湿度を有するエアー１６が、待機ユニット１０内に供給されるように、制御ユニット２０はエアー供給ユニット１７を制御する。そのためには、例えば、待機ユニット１０内の温湿度が、露光装置２内の温湿度と同じになるように、待機ユニット１０内の温湿度を制御する。
【００６９】
待機ユニット１０内の温度と露光装置２内の温度、待機ユニット１０内の温度と露光装置２内の湿度、待機ユニット１０内の湿度と露光装置２内の温度、または、待機ユニット１０内の湿度と露光装置２内の湿度をモニタし、待機ユニット１０内の温度情報と露光装置２内の温度情報、待機ユニット１０内の温度情報と露光装置２内の湿度情報、待機ユニット１０内の湿度情報と露光装置２内の温度情報、または、待機ユニット１０内の湿度情報と露光装置２内の湿度情報に基づいて、ウエハの温度の変動を抑制することも可能である。
【００７０】
このように、露光装置２内の温湿度を考慮してレジスト処理装置１内の温湿度を制御することにより、レジスト処理装置１・露光装置２間のウエハ５の搬送工程における、ウエハ５の温度の変動は、十分に抑制される。
【００７１】
次に、ウエハ５は、待機ユニット１０（レジスト処理装置１）内から搬送装置３を介して、露光装置２内に搬入される。このとき、上述したように、ウエハ５の温度の変動は十分に抑制される。
【００７２】
次に、上記レジスト膜と投影レンズ６との間に液浸用液体７を介在させた状態で、パターン露光が行われる。このとき、上記の通り、ウエハ５の温度の変動は十分に抑制されているので、リソグラフィー工程において重要な寸法精度性と重ね合わせ精度の劣化は防止される。
【００７３】
次に、露光装置２内にウエハ５が待機された状態で、第１および第２の温湿度センサ１８，１９により、待機ユニット１０（レジスト処理装置１）および露光装置２内の温度情報および湿度情報が再び取得される。
【００７４】
上記取得された温度情報および湿度情報に基づいて、制御ユニット２０は、エアー供給ユニット１７を制御する。
【００７５】
具体的には、露光装置２内から搬送装置３を介して待機ユニット１０（レジスト処理装置１）内にウエハ５を搬入する際に、ウエハ５の温度の変動が抑制される温湿度を有するエアー１６が、待機ユニット１０内に供給されるように、先と同様に、制御ユニット２０はエアー供給ユニット１７を制御する。
【００７６】
ここで、液浸露光の場合、レジスト膜は、露光装置２内で液中に浸水された状態でパターン露光が行われた後、レジスト処理装置１内に搬入される。そのため、レジスト処理装置１内の温湿度は、ウエハ上に残留している水分によって変動しやすい。
【００７７】
しかし、本実施形態では、上記の通りに、露光装置２内の温湿度を考慮してレジスト処理装置１内の温湿度を制御しているので、露光装置２・レジスト処理装置１間のウエハ５の搬送工程における、ウエハ５の温度の変動は、十分に抑制される。
【００７８】
次に、ウエハ５は、露光装置２内から搬送装置３を介してレジスト処理装置１の待機ユニット１０内に搬入される。このとき、上述したように、レジスト処理装置１内の温湿度の変動は十分に抑制される。
【００７９】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１によりパターン露光が行われた上記レジスト膜に対してベーク処理が行われ、さらに現像処理が行われる。その結果、ウエハ５上にレジストパターンが形成される。このとき、上記の通り、ウエハ５の温度の変動は十分に抑制されているので、ベーク処理および現像処理は正常に行われ、所望通りのレジストパターンが得られる。
【００８０】
その後、上記レジストパターンをマスクにしてウエハ５をエッチングするなどの周知の工程が続き、半導体装置が完成する。
【００８１】
本実施形態では、レジスト処理装置１内から搬送装置３を介して露光装置２内にウエハ５を搬入する時、および、露光装置２内から搬送装置３を介してレジスト処理装置１内にウエハ５を搬入する時に、ウエハ５の温度の変動を抑制する場合について説明したが、どちらか一方の時だけ、ウエハ５の温度の変動を抑制しても構わない。
【００８２】
（第４の実施形態）
図５は、本発明の第４の実施形態に係るリソグラフィー装置の待機ユニットの構成を模式的に示す図である。図２と対応する部分には図２と同一符号を付してあり、詳細な説明（構成、作用効果など）は省略する。
【００８３】
本実施形態が第１−第３の実施形態と異なる点は、ウエハのレジスト処理装置と露光装置との間の搬送経路の少なくとも一箇所に開閉可能なシャッターが設けられていることにある。
【００８４】
図５は、２箇所に開閉可能なシャッターが設けられた例を示している。すなわち、図５には、待機ユニット１０の露光装置側の基板受け渡し口に設けられた開閉可能な第１のシャッター２１と、待機ユニット１０のレジスト処理装置側の基板受け渡し口に設けられた開閉可能な第２のシャッター２２とが示されている。
【００８５】
さらに、本実施形態では、第１および第２のシャッター２１，２２を制御する制御ユニット２３を備えている。待機ユニット１０が搬送装置３内にある場合（第１の実施形態）について、制御ユニット２３による第１および第２のシャッター２１，２２の制御について、具体的に説明する。
【００８６】
第１のシャッター２１は、制御ユニット２３により、搬送装置３内から露光装置２内へウエハ５を搬送する時、および、露光装置２内から搬送装置３内にウエハ５を搬送する時以外は閉じるように制御される。これにより、露光装置２内の高湿度の空気が搬送装置３側に不必要に流入することを防止でき、その結果として露光装置２内の温湿度を一定に保つことが容易になる。
【００８７】
第２のシャッター２２は、制御ユニット２３により、搬送装置３内からレジスト処理装置１内へウエハ５を搬送する時、および、レジスト処理装置１内から搬送装置３内にウエハ５を搬送する時以外は閉じるように制御される。これにより、レジスト処理装置１・搬送装置３間の空気の移動を防止でき、その結果としてレジスト処理装置１内の温湿度を一定に保つことが容易になる。
【００８８】
また、搬送装置３の待機ユニット１０内のウエハ５を露光装置２内に搬入する前には、第１および第２のシャッター２１，２２が閉じられた状態で、第１の実施形態で説明したように、待機ユニット１０内の温湿度がエアー１６により制御される。その後、上記の通りに第１および第２のシャッター２１，２２が制御され、ウエハ５の搬送が行われる。
【００８９】
ここでは、待機ユニット１０が搬送装置３内にある場合について説明したが、待機ユニット１０が露光装置２またはレジスト処理装置１内にある場合も同様に実施できる。
【００９０】
本実施形態は以下のように変形して実施できる。
【００９１】
（１）第１および第２のシャッター２１，２２の一方だけを採用する。
【００９２】
（２）待機ユニット１０でなく、搬送装置３と露光装置２との連結部分に第１の開閉可能なシャッターを設ける。
【００９３】
（３）待機ユニット１０でなく、搬送装置３とレジスト処理装置１との連結部分に第２の開閉可能なシャッターを設ける。
【００９４】
（４）上記（２）および（３）の第１および第２のシャッターを設ける。
【００９５】
（５）上記（２）−（４）の場合において、温湿度制御ユニット４を省く。
【００９６】
（第５の実施形態）
図６は、露光装置２内から搬送装置３内に搬入された、液浸露光済みのウエハ５の表面状態の一例を示している。ウエハ５の表面には、時として図６に示すように、露光領域３１上に液浸露光で用いた液体３２が残留している場合がある。このような状態のウエハ５をリソグラフィー装置で処理すると、リソグラフィー装置が汚染されるという問題が起こる。
【００９７】
本実施形態では、ウエハ５をレジスト処理装置１内に搬入する前に、搬送装置３内で上記問題を解決できる、リソグラフィー装置・方法について説明する。
【００９８】
図７は、本実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明（構成、作用効果など）は省略する。
【００９９】
本実施形態のリソグラフィー装置は、搬送装置３内に水分除去機構（液体除去手段）４０が設けられている。水分除去機構４０は、ウエハ５の表面上に残留している液体を除去する機構である。水分除去機構４０の具体例は後で説明する。
【０１００】
次に、本実施形態のリソグラフィー装置を用いたパターン形成方法について説明する。
【０１０１】
まず、レジスト処理装置１内にウエハ５が搬入される。その後、レジスト処理装置１によりウエハ５上にレジストが塗布され、ウエハ５上にレジスト膜が形成される。レジストによっては、更にこの上に後の液浸露光の際にレジスト中から液浸用液体への物質の溶解や液浸用液体のレジストへの浸透を抑制するために保護膜が設ける場合もある。
【０１０２】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１内から搬送装置３を介して露光装置２内に搬入される。その後、上記レジスト膜の露光領域と投影レンズ６との間に液浸用液体を介在させた状態で、パターン露光が行われる。
【０１０３】
次に、露光を終えたウエハ５は、露光装置２内から搬出され、搬送装置３内に搬入される。
【０１０４】
次に、ウエハ５の表面上に残留している液体が水分除去機構４０により除去される。
【０１０５】
次に、ウエハ５は搬送装置３からレジスト処理装置１内に搬入される。
【０１０６】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１によりパターン露光が行われた上記レジスト膜に対してベーク処理が行われ、さらに現像処理が行われる。その結果、ウエハ５上にレジストパターンが形成される。
【０１０７】
このとき、ウエハ５の表面上には液体が残留していないので、レジスト処理装置１内の汚染は防止される。また、残留水がベーク時に蒸発することに起因する加熱斑が生じることなく、残留液体に起因するレジストパターンの不良（欠陥）の発生は防止される。
【０１０８】
その後、上記レジストパターンをマスクにしてウエハ５をエッチングするなどの周知の工程が続き、半導体装置が完成する。
【０１０９】
なお、水分除去機構４０の設置位置は、図７の例に限定されるものではなく、ウエハ５の露光装置２とレジスト処理装置１との間の搬送経路であれば、他の設置位置でも構わない。
【０１１０】
図８は、水分除去機構４０の具体例の一つであるエアーナイフ４１を模式的に示す図である。エアーナイフ４１からエアー４２をウエハ５の表面上に吹き付けるとともに、ウエハ５の上方でエアーナイフ４１を図中の方向Ｄ１に沿って走査することにより、ウエハ５上の残留液体は除去される。
【０１１１】
図９は、水分除去機構４０の具体例の一つである吸引ノズル４３を模式的に示す図である。吸引ノズル４３によりウエハ５上の残留液体を吸引するとともに、ウエハ５の上方でエアーナイフ４１を図中の方向Ｄ２またはＤ３に沿って走査することにより、ウエハ５上の残留液体は除去される。なお、図９中の４４は、ウエハ５から吸引ノズル４３に向かうエアーを示している。
【０１１２】
（第６の実施形態）
図１０は、露光装置内２から搬送装置３内に搬入された、液浸露光済みのウエハ５の裏面状態の一例を示している。ウエハ５の裏面には、時として図１０に示すように、液浸露光時にウエハ５の表面から抽出された物質（汚染物質）３３が裏面に回り込んで裏面を汚染する場合がある。
【０１１３】
本実施形態では、ウエハ５をレジスト処理装置１内に搬入する前に、搬送装置３内で上記問題を解決できるリソグラフィー装置・方法について説明する。このような状態のウエハ５をリソグラフィー装置で処理すると、リソグラフィー装置が汚染されるという問題が起こる。
【０１１４】
本実施形態では、ウエハ５をレジスト処理装置１内に搬入する前に、搬送装置３内で上記問題を解決できる、リソグラフィー装置・方法について説明する。
【０１１５】
図１１は、本実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明（構成、作用効果など）は省略する。
【０１１６】
本実施形態のリソグラフィー装置は、搬送装置３内に裏面洗浄機構（洗浄手段）４０’が設けられている。裏面洗浄機構４０’は、ウエハ５の裏面上に残留している汚染物質を除去する機構である。裏面洗浄機構４０’の具体例は後で説明する。
【０１１７】
次に、本実施形態のリソグラフィー装置を用いたパターン形成方法について説明する。
【０１１８】
まず、レジスト処理装置１内にウエハ５が搬入される。その後、レジスト処理装置１によりウエハ５上にレジストが塗布され、ウエハ５上にレジスト膜が形成される。レジストによっては、更にこの上に後の液浸露光の際にレジスト中から液浸用液体への物質の溶解や液浸用液体のレジストへの浸透を抑制するために保護膜が設ける場合もある。
【０１１９】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１内から搬送装置３を介して露光装置２内に搬入される。その後、上記レジスト膜の露光領域と投影レンズ６との間に液浸用液体を介在させた状態で、パターン露光が行われる。
【０１２０】
次に、露光を終えたウエハ５は、露光装置２内から搬出され、搬送装置３内に搬入される。
【０１２１】
次に、ウエハ５の裏面上に残留している汚染物質が、裏面洗浄機構４０’により除去される。
【０１２２】
次に、ウエハ５は搬送装置３からレジスト処理装置１内に搬入される。
【０１２３】
次に、ウエハ５は、レジスト処理装置１によりパターン露光が行われた上記レジスト膜に対してベーク処理が行われ、さらに現像処理が行われる。その結果、ウエハ５上にレジストパターンが形成される。
【０１２４】
このとき、ウエハ５の裏面上には汚染物質が残留していないので、レジスト処理装置１内の汚染は防止される。また、裏面残留水がベーク時に蒸発することに起因する加熱斑が生じることなく、残留汚染物質に起因するレジストパターンの不良（欠陥）は発生しない。
【０１２５】
その後、上記レジストパターンをマスクにしてウエハ５をエッチングするなどの周知の工程が続き、半導体装置が完成する。
【０１２６】
なお、裏面洗浄機構４０’の設置位置は、図１１の例に限定されるものではなく、ウエハ５の露光装置２とレジスト処理装置１との間の搬送経路であれば、他の設置位置でも構わない。
【０１２７】
図１２は、裏面洗浄機構４０’の具体例を示す平面図である。図１３は、図１２の矢視Ａ−Ａ’断面図である。
【０１２８】
裏面洗浄機構４０’は、ウエハ５が載置され、回転可能な受け皿５０と、受け皿５０を回転させるための回転機構５１と、ウエハ５の外周部の裏面を洗浄するための洗浄ユニット５２と、ウエハ５の外周部の裏面を乾燥するためのドライユニット５３を備えている。
【０１２９】
受け皿５０の形状は、代表的には、円形またはリング状であるが、矩形等の形状でも構わない。
【０１３０】
洗浄ユニット５２は、洗浄ノズル５４を備えている。回転機構５１により受け皿５０をゆっくり回転させながら、洗浄ノズル５４の先端から洗浄液が吐出されることで、ウエハ５の裏面に残留している汚染物質３３は洗浄される。
【０１３１】
上記洗浄液としては、例えば、水、オゾン水、水素水、炭酸水またはアルコールが使用される。また、上記洗浄液は図示しない容器内に蓄えられ、該溶液内に蓄えられた洗浄液は図示しない液吐出機構により洗浄ノズル５４の先端から吐出される。なお、ウエハ５の裏面の洗浄の際に、洗浄液がウエハ５から滴るときには、ウエハ５の外周よりもやや大きめの受け皿５０を使用すると良い。
【０１３２】
洗浄終了後、回転機構５１により受け皿５０を回転させながら、ウエハ５の外周部の裏面が、ヒーター等を含むドライユニット５３によって加熱されることで、ウエハ５の外周部の裏面は乾燥される。
【０１３３】
ウエハ５の外周部の裏面の洗浄から乾燥にいたるまでの時間は、ウエハ１枚の露光処理時間以内で行うことが望ましい。それ以上の時間を要すると、露光装置２が使用されない時間が増え、生産性が悪くなる。
【０１３４】
なお、本実施形態の裏面洗浄機構４０’と第５の実施形態の水分除去機構４０を備えたリソグラフィー装置も実施することができる。裏面洗浄機構４０’と水分除去機構４０を備えることにより、液浸露光に固有な液体起因の問題をより容易かつ効果的に解決することができるようになる。さらに、本実施形態（あるいは第５の実施形態との組合せ）と第１ないし第４の実施形態のいずれかと一つとを組み合わせたリソグラフィー装置・方法も実施することができる。
【０１３５】
また、本実施形態および第５の実施形態では、ウエハ表面の水除去機構およびウエハ裏面の洗浄機能を搬送部分に設けているが、これらが液浸型露光装置から見てレジスト処理装置の返り口にこれらの機構を設けて、処理を行っても良い。
【０１３６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、また、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、レジスト膜形成に先立ち反射防止膜を形成した場合においても本発明の効果は十分発揮できた。さらに、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらにまた、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【０１３７】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図。
【図２】実施形態の待機ユニットの具体的な構成を示す図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図。
【図５】本発明の第４の実施形態に係るリソグラフィー装置の待機ユニットの構成を模式的に示す図。
【図６】露光装置内から搬送装置内に搬入された露光済みのウエハの表面状態の一例を示す図。
【図７】本発明の第５の実施形態に係るリソグラフィー装置の概略構成を模式的に示す図。
【図８】水分除去機構の具体例の一つであるエアーナイフを模式的に示す図。
【図９】水分除去機構の具体例の一つである吸引ノズルを模式的に示す図。
【図１０】露光装置内から搬送装置内に搬入された、液浸露光済みのウエハの裏面状態の一例を示す図。
【図１１】本発明の第６の実施形態に係るリソグラフィー装置の待機ユニットの構成を模式的に示す図。
【図１２】裏面洗浄機構の具体例を示す平面図。
【図１３】図１２の矢視Ａ−Ａ’断面図。
【符号の説明】
【０１３９】
１…レジスト処理装置、２…露光装置、３…搬送装置、４…温湿度制御ユニット、５…ウエハ、６…投影レンズ、７…液浸用液体、８…フォトマスク、９…ウエハステージ、１０…待機ユニット、１１…待機室、１２…基板指示ピン、１３…待機ステージ、１４，１５…基板受け渡し口、１６…エアー、１７…エアー供給ユニット、１８…第１の温湿度センサ、１９…第２の温湿度センサ、２０…制御ユニット、２１…第１のシャッター、２２…第２のシャッター、２３…制御ユニット、３１…露光領域、３２…液滴、３３…汚染物質、４０…水分除去機構、４０’…裏面洗浄機構、４１…エアーナイフ、４２…エアー、４３…吸引ノズル、４４…エアー、５０…受け皿、５１…回転方向、５２…洗浄ユニット、５３…ドライユニット、５４…洗浄ノズル、５５…基板回転機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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