(57)【要約】【課題】  一つの画素部の良否を他の画素部の影響を受けずに検出し、且つノイズが印加された場合でも安定して画素部の良否を判定する。【解決手段】  画素部７０は、２本一組の信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉが一本の走査線Ｇｊに交差する交差領域Ｐｊｉ毎に一つずつ設けられている。画素部７０は、信号線の組Ｐｊｉに含まれる信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉのうち一方の信号線として選択された第１信号線Ｓｏｉにのみ電気的に接続されている。中間電位を有する第２電位信号は、交差領域Ｐｊｉにおいて画素部が電気的に接続されていない信号線Ｓｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される。したがって、第２電位信号が画素部の不具合の有無に影響されず中間電位に維持されており、この第２電位信号と画素部から出力された第１電位信号とに基づいて画素部の良否を正確に判定できる。【選択図】  図８
2006323044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上で互いに交差するように配設された複数の走査線及び複数の信号線と、
該複数の信号線のうち２本の信号線を一組として構成される複数の信号線の組と前記複数の走査線との各交差に対応して一つずつ設けられており、当該交差の夫々に対応して前記２本の信号線のうち一方の信号線にのみ電気的に接続された複数の画素回路と、
前記一方の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に前記２本の信号線の他方の信号線を介して第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を、出力する増幅手段と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記複数の画素回路の夫々は、前記一の走査線に電気的に接続されたスイッチング素子を有しており、
前記第１電位信号は、前記一の走査線を介して供給されたスイッチング信号に応じて前記スイッチング素子がオン状態にされた状態で前記一方の信号線を介して前記増幅手段に供給されること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記基板の基板面における前記画素回路からみて前記増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記２本一組の信号線の途中に電気的に接続されたトランスミッションゲートと、
該トランスミッションゲートのオンオフを切り換える切り換え手段とを更に備えており、
前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記トランスミッションゲートが前記切り換え手段によってオン状態に切り換えられた状態で前記２本一組の信号線を介して前記増幅手段に供給されること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記増幅手段は、前記複数の信号線の組毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有しており、
前記トランスミッションゲートは、前記切り換え手段から供給される一系列の信号によってオンオフが切り換えられるように前記複数の信号線の組に共通に電気的に接続された単一のトランスミッションゲートであり、
前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記一系列の信号に応じて前記単一のトランスミッションゲートがオン状態に切り換えられた状態で前記複数の差動増幅回路に供給されること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記増幅手段は、前記複数の信号線の組を夫々複数組含む複数の信号線群毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有しており、
前記トランスミッションゲートは、前記切り換え手段から供給される複数系列の信号によって個別にオンオフが切り換えられるように前記信号線群に含まれる複数の信号線の組毎に別々に電気的に接続された複数のトランスミッションゲートであり、
前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記切り換え手段から異なるタイミングで供給された複数系列の信号に応じて、前記信号線群に含まれる複数の信号線の組毎に前記複数のトランスミッションゲートがオン状態に切り換えられた状態で前記複数の差動増幅回路に供給されること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記一方の信号線は、前記画素回路に画像信号を供給するデータ線と共用されており、
前記高電位信号又は前記低電位信号は、前記データ線に前記画像信号をサンプリングするサンプリング回路がオン状態に切り換えられた状態で前記画素回路毎に前記判定手段に供給されること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記一方の信号線及び前記他の信号線は、前記複数の信号線のうち前記複数の走査線が延びる方向に沿って互いに隣接していること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
前記画素回路は、前記画素回路が前記一方の信号線に電気的に接続されることによって前記一方の信号線に生じる容量の変動が前記画像表示領域内で平均化されるように配設されていること
を特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項９】
前記第１電位信号及び前記第２電位信号が前記増幅手段に供給される前に、前記２本の信号線の電位を等しくするように前記２本の信号線の夫々の電位を設定する電位設定手段を更に備えたこと
を特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１０】
基板と、
該基板上の画像表示領域に延在するように配設された複数の走査線と、
前記画像表示領域で前記複数の走査線に交差するように配設された複数の第１信号線と、
該複数の第１信号線のうちＮ本（Ｎは２以上の自然数）の第１信号線を含む信号線群毎に１本配設された第２信号線と、
前記複数の走査線及び前記複数の第１信号線が交差する複数の交差領域の夫々に設けられており、前記複数の第１信号線の夫々に電気的に接続された複数の画素回路と、
該画素回路から前記第１信号線を介して第１電位信号が供給されると共に前記第２信号線を介して第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記第１信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記第１信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を、電圧論理によって前記画素回路の良否を判定する判定手段に出力する増幅手段と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項１１】
前記複数の画素回路の夫々は、前記一の走査線に電気的に接続されたスイッチング素子を有しており、
前記第１電位信号は、前記一の走査線を介して供給されたスイッチング信号に応じて前記スイッチング素子がオン状態にされた状態で前記第１信号線を介して前記増幅手段に供給されること
を特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１２】
前記第２信号線は、前記画像表示領域において前記複数の第１信号線に隣接するように前記第１信号線が延びる方向に沿って延在する複数の分岐線に分岐されていること
を特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１３】
前記基板の基板面における前記画素回路からみて前記増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記第１信号線を夫々複数本含む複数の信号線群に共通に電気的に接続された複数のトランスミッションゲートと、
該複数のトランスミッションゲートのオンオフを切り換える切り換え手段とを更に備え、
前記増幅手段は、前記信号群毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有しており、
前記複数のトランスミッションゲートは、前記信号線群に含まれる複数の第１信号線に別々に電気的に接続されており、
前記第１電位信号は、前記切り換え手段から互いに異なるタイミングで供給された複数系列の信号に応じて前記複数のトランスミッションゲートが順次オン状態に切り換えられた状態で前記信号線群に含まれる複数の第１信号線毎に互いに異なるタイミングで前記差動増幅回路に供給されること
を特徴とする請求項１１又は１２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項１４】
請求項１から１３の何れか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる基板であって液晶等の電気光学素子を駆動するためのＴＦＴ等の半導体素子が形成された電気光学装置用基板、及びこれを備えた電気光学装置、並びに電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下「ＴＦＴ」と称す。）等が形成されたＴＦＴアレイ基板等の電気光学装置用基板を検査する工程と、ＴＦＴアレイ基板及び液晶等の電気光学素子を駆動するための対向電極が形成された対向基板間に液晶を封入する工程とを経て形成される。完成品である液晶装置が正常に作動するか否かの検査は、完成された液晶装置によって表示された画像が正しく表示されるか否かによって行われる。このような電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成されたＴＦＴの不具合がＴＦＴアレイ基板を検査する工程で検出されなかった場合には、完成品である液晶装置に対して行う検査によって不具合が検出されることになる。
【０００３】
完成品である液晶装置で不具合が検出された場合の対応策として、液晶装置から液晶を抜き取った後、ＴＦＴアレイ基板を交換する或いは不具合箇所を修理する等の措置が考えられるが、電気光学装置を製造する際の歩留まりの低下及びコストの増大を考慮すると実質的にこれらの措置を採用することは難しい。加えて、ＴＦＴアレイ基板を形成した後の工程が無駄な工程となってしまい、液晶装置等の電気光学装置を製造する際の歩留まりの低下及びコストの増大を招く問題点がある。
【０００４】
このような問題点を解決する手段の一つとして、例えば特許文献１は、画素アレイ内においてコンパレータに電気的に接続された２本の信号線及び走査線の全ての交差に対応して画素が配置されており、電気光学装置用基板を形成した段階で２つの画素に供給された電位情報を比較することによって画素に不良が生じているか否かを検査する技術を開示している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４―２２６５５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、コンパレータに電気的に接続された２本の信号線のうち一方の信号線と走査線とが交差する領域に配置された画素を検査する場合、他方の信号線及び走査線が交差する領域に配置された画素に供給された信号の電位が互いに参照電位となり、参照電位側の画素に不具合が存在することによって参照電位が変動する。これにより、正常である被検査対象の画素に不具合が存在すると判断されてしまい、１画素の不良が２画素の不良として検出されてしまう技術的問題点がある。加えて、１画素に含まれるＴＦＴ等の半導体素子又はキャパシタのどの箇所にどのような不具合が発生しているかを電気的に検出することが困難である問題点もある。
【０００７】
参照電位側の信号線の電位及び被検査対象の画素が電気的に接続された信号線の電位の夫々を、例えば差動増幅器によって増幅した後に比較することによって画素の良否を判定する手法も考えられる。しかしながら、被検査対象の画素が電気的に接続された信号線或いは参照電位に維持された信号線にノイズが印加された場合、これら２本の信号線の電位の高低関係を正確に判定することが困難となり、画素の不良の有無を正確に検出することが難しくなる問題点もある。より具体的には、画素の不良の有無に応じて出力される信号の電位が参照電位に比べて僅かに高い、又は低い場合にノイズによる参照電位の変動によって、画素の良否に応じて出力される信号の電位及び参照電位の高低関係が逆転してしまうこともあり、正確に画素の良否を判定することが困難になる。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、画素の良否を一画素ずつ判定でき、且つ信号線にノイズが印加された場合でも画素の良否を正確に判定できるように構成された電気光学装置用基板、及びこれを備えた電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、該基板上で互いに交差するように配設された複数の走査線及び複数の信号線と、該複数の信号線のうち２本の信号線を一組として構成される複数の信号線の組と前記複数の走査線との各交差に対応して一つずつ設けられており、当該交差の夫々に対応して前記２本の信号線のうち一方の信号線にのみ電気的に接続された複数の画素回路と、前記一方の信号線を介して第１電位信号が供給されると共に前記２本の信号線の他方の信号線を介して第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記一方の信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を、出力する増幅手段とを備える。
【００１０】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板では、２本の信号線は物理的に見て同等の配線であり、画像表示領域で複数の走査線と交差するように夫々配設されている。ここで、「物理的に見て同等」とは、配線の幅、厚み及び構成材料等の物理的な構成要素の少なくとも一つが同等であることを意味する。
【００１１】
２本の信号線のうち交差領域で一方の信号線として選択された信号線は、この２本の信号線が他の走査線と交差する交差領域で一方の信号線として選択されていない場合もある。勿論、２本の信号線が複数の走査線と交差する交差領域の夫々において、特定の信号線にのみ画素回路が電気的に接続されていてもよい。尚、「交差領域」は、２本の信号線が一の走査線と交差する領域であればよく、例えば２本の信号線が一の走査線が延在する方向に沿って他の信号線を介して離れて配設されている場合にこれら２本の信号線の夫々が一の走査線と交差する領域の何れか一方の領域に画素回路が一つ設けられている場合も含む。また、一の走査線に沿って、例えば、画像表示領域の端から奇数番目に配設された信号線及び偶数番目に配設された信号線を２本の信号線とした場合に、各交差領域で奇数番目の信号線及び偶数番目の信号線のどちらかの信号線のみを一方の信号線として選択してもよいし、交差領域毎に一方の信号線として選択される信号線が異なっていてよい。
【００１２】
画素回路は、２本の信号線の複数の組が一の走査線と交差する複数の交差領域の夫々の一つずつ設けられている。「交差領域」とは、２本の信号線の複数の組の夫々が一の走査線と交差する一定の広がりを持った領域であり、より具体的には例えば、本発明の電気光学装置用基板を用いて電気光学装置を構成した場合に、画素部が設けられる領域を意味する。画素回路は、２本の信号線が一の走査線と交差する交差領域において一方の信号線にのみ電気的に接続されており、第２電位信号を供給するための他の信号線には他の画素回路が電気的に接続されていない。したがって、第２電位信号は他の画素回路の良否に影響されることなく一定の電位で出力され、画素回路の良否を反映した第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係に基づいて一つ一つの画素回路の良否を判定できる。尚、「画素回路」とは、電気光学装置を構成する前に電気光学装置用基板に形成された各種素子を含む回路であり、電気光学装置が完成した際には画素部の一部に含まれる。したがって、画素回路は最終的に電気光学装置が完成した際の画素部の配置に合わせて基板上に形成されている。
【００１３】
増幅手段は、一方の信号線を介して高電位信号又は低電位信号を出力する。より具体的には、例えば画素回路から出力される第１電位信号が第２電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第２電位信号の電位に対する第１電位信号の電位の高いことが第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、増幅手段は第１電位信号に比べて電位が高められた高電位信号を一方の信号線を介して、例えば判定手段に出力する。第１電位信号が第２電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第２電位信号の電位に対する第１電位信号の電位の低いことが第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって不明瞭とならないように、増幅手段は第１電位信号の電位を低くした後、電位が低く抑えられた低電位信号を一方の信号線を介して出力する。ここで、「第１電位信号」は、画素回路の良否を反映した信号であり、より具体的には、例えば画素回路の良否に応じて出力された信号である。画素回路には、例えば検査に先立ち予め検査信号が供給されており、画素回路の良否に応じて検査信号の電位から変動した電位を有する信号が第１電位信号として出力される。「画素回路の良否」とは、画素回路が不具合を有しているか否かを意味し、第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係は、画素回路に生じた不具合に応じて異なる。
【００１４】
他方の信号線を介して供給される第２電位信号は、第１電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位を有する。ここで、他方の信号線は、交差領域で画素回路と電気的に接続されていないため、この交差領域に設けられた画素回路の良否を判定する際には、画素回路の良否に影響されることない。したがって、例えば検査時に他の信号線を一定に基準電位に設定すれば第２電位信号は基準電位と同電位のまま出力される。
【００１５】
本発明の電気光学装置用基板によれば、ノイズ或いは画素回路の不具合の有無に起因して第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が入れ代わることなく、画素回路の良否を反映した第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位間の高低関係を維持したままで、これら信号を増幅手段に供給できる。尚、「ノイズ」とは、各信号線の外部から印加される不慮の電圧に限定されるものではない。例えば第１電位信号は一方の信号線に電気的に接続された画素回路に不具合が生じているか否か、即ち画素回路の良否を反映した信号であり、第２電位信号と画素回路の良否を反映した第１電位信号の電位との差は一の信号線の配線容量によって変動する電位の大きさに比べて僅かな大きさであり、この僅かな大きさの電位差によって決まる電位の高低関係を判別できるように増幅手段が高電位信号又は低電位信号を出力する。したがって、第１電位信号及び第２電位信号の電位を変動させる原因の一つであるノイズが加わった場合、及び各信号線における電位の変動が生じている場合でも、増幅手段は第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が明確に判定できるように高電位信号又は低電位信号を判定手段に出力する。これにより、判定手段は、一方の信号線に電気的に接続された画素回路に不具合が生じているか否かを電圧論理に基づいて判定できる。
【００１６】
画素回路の良否は、例えば画素回路に予め供給されていた第１電位信号のもとになる検査信号の電位が第２電位信号の電位に対して高いか低いかという情報と、第２電位信号に基づいて増幅手段から出力された信号の電位と比較して高電位信号の電位又は低電位信号の電位が高いか低いかという情報とを比較することによって判定される。
【００１７】
このような判定手法によれば、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に、増幅手段から高電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素回路、即ち第１電位信号の基になる検査信号が供給された画素回路に不具合が発生していないと判断される。一方、第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に増幅手段から低電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素回路に何らかの不具合が発生していると判断される。第１電位信号の元になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に、増幅手段から低電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素回路に不具合が発生していないことを意味する。第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に増幅手段から高電位信号が出力されれば一方の信号線に電気的に接続された画素回路、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素回路に何らかの不具合が発生していると判断される。
【００１８】
このように、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板によれば、第２電位信号の電位又は第１電位信号の電位が、ノイズ或いは画素回路における不具合の有無等によって変動することを低減でき、画素回路の良否を正確に判定できる。加えて第２電位信号を出力する他方の信号線には一の走査線に沿って延びる領域において他の画素回路が電気的に接続されていないため、検査対象とされる画素回路に不具合が発生していない場合に、この画素回路に不具合が生じていると判定されることを原理的に無くすことが可能である。したがって、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板によれば、基板を製造した段階で画素回路に生じた不具合を正確に、且つ漏れなく検出することが可能であり、これに伴い液晶装置等の電気光学装置の歩留まりを高めることができ、製造コストを低減することが可能である。
【００１９】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の一の態様においては、前記複数の画素回路の夫々は、前記一の走査線に電気的に接続されたスイッチング素子を有しており、前記第１電位信号は、前記一の走査線を介して供給されたスイッチング信号に応じて前記スイッチング素子がオン状態にされた状態で前記一方の信号線を介して前記増幅手段に供給されてもよい。
【００２０】
この態様によれば、スイッチング素子をオン状態にすることによって一方の信号線を介して複数の画素回路から第１電位信号を増幅手段に供給できる。より具体的には、例えば複数の走査線の第１行目の走査線から最終行の走査線の夫々に電気的に接続されたスイッチング素子に各行毎に順次スイッチング信号を供給することによって、画像表示領域内に配置された全ての画素回路の良否を各行毎に順次検査できる。
【００２１】
スイッチング素子をオン状態に切り換える際には、一の走査線から各スイッチング素子に一括でスイッチング信号を供給でき、一の走査線に電気的に接続された画素回路に不具合が生じているか否かを判定できる。スイッチング素子は、例えば液晶素子等の電気光学素子を駆動するために各画素回路に設けられたＴＦＴ等の半導体素子である。スイッチング素子のオンオフを切り換えるスイッチング信号は、画像を表示する際に走査線から画素回路に供給される走査信号とは異なる信号であり、走査信号とは別に画素回路を検査する際に一の走査線を介してこの一の走査線に電気的に接続されたスイッチング素子に供給される。
【００２２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記基板の基板面における前記画素回路からみて前記増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記２本一組の信号線の途中に電気的に接続されたトランスミッションゲートと、該トランスミッションゲートのオンオフを切り換える切り換え手段とを更に備えており、前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記トランスミッションゲートが前記切り換え手段によってオン状態に切り換えられた状態で前記２本一組の信号線を介して前記増幅手段に供給されてもよい。
【００２３】
この態様によれば、例えば画素回路の良否を検査する際に、トランスミッションゲートをオン状態に切り換えることによって、第１電位信号を増幅手段に供給できるように一方の信号線を介して画素回路及び増幅手段間を導通させることが可能である。トランスミッションゲートは、切り換え手段によってオンオフが切り換えられる。トランスミッションゲートは、一方の信号線だけでなく他方の信号線の途中にも電気的に接続されていてもよく、第１電位信号を増幅手段に供給する際に、第１電位信号を増幅手段に供給するタイミングに合わせて他方の信号線を介して第２電位信号を増幅手段に供給できる。
【００２４】
この態様においては、前記増幅手段は、前記複数の信号線の組毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有しており、前記トランスミッションゲートは、前記切り換え手段から供給される一系列の信号によってオンオフが切り換えられるように前記複数の信号線の組に共通に電気的に接続された単一のトランスミッションゲートであり、前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記一系列の信号に応じて前記単一のトランスミッションゲートがオン状態に切り換えられた状態で前記複数の差動増幅回路に供給されてもよい。
【００２５】
この態様によれば、２本一組の信号線の組の夫々から、これら組毎に一つずつ電気的に接続された差動増幅回路に一括で第１電位信号及び第２電位信号を供給しつつ、２本一組の信号線の組毎に設けられた各差動増幅回路から高電位信号又は低電位信号を出力できる。
【００２６】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記増幅手段は、前記複数の信号線の組を夫々複数組含む複数の信号線群毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有しており、前記トランスミッションゲートは、前記切り換え手段から供給される複数系列の信号によって個別にオンオフが切り換えられるように前記信号線群に含まれる複数の信号線の組毎に別々に電気的に接続された複数のトランスミッションゲートであり、前記第１電位信号及び前記第２電位信号は、前記切り換え手段から異なるタイミングで供給された複数系列の信号に応じて、前記信号線群に含まれる複数の信号線の組毎に前記複数のトランスミッションゲートがオン状態に切り換えられた状態で前記複数の差動増幅回路に供給されてもよい。
【００２７】
この態様によれば、差動増幅回路を２本一組とされる信号線の複数の組で共用することができ、２本一組とされる信号線の組数より少ない個数の差動増幅回路によって組毎に高電位信号又は低電位信号を出力することが可能である。複数のトランスミッションゲートは、前記切り換え手段から異なるタイミングで供給された複数系列の信号に応じて、信号線群に含まれる複数の信号線の組毎に複数のトランスミッションゲートがオン状態に切り換えられた状態で前記複数の差動増幅回路に供給されるため、２本一組の信号線の組で一つの差動増幅回路を共用しても、第１電位信号及び第２電位信号を組毎に一つの差動増幅回路に供給できる。したがって、画質を高めるために複数の画素回路が狭いピッチで配置されている場合でも、画素回路或いは信号線のピッチに比べて広いスペースに差動増幅回路を設けることが可能である。これにより、差動増幅回路が複数のトランジスタ等の半導体素子を有している場合には、これら半導体素子を簡便、且つ高品質で形成できる。
【００２８】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記一方の信号線は、前記画素回路に画像信号を供給するデータ線と共用されており、前記高電位信号又は前記低電位信号は、前記データ線に前記画像信号をサンプリングするサンプリング回路がオン状態に切り換えられた状態で前記画素回路毎に前記判定手段に供給されてもよい。
【００２９】
この態様によれば、前記２本一組の信号線の一方の信号線は、前記画素回路に画像信号を供給するデータ線と共用されているため、信号線として用いられる配線をデータ線とは別に設ける必要がない。したがって、画像表示領域における開口領域のサイズを狭めることなく、画素回路の良否を判定できる。ここで、「開口領域」とは、採取的に電気光学装置を完成させた際に画素部から実質的に光が出射される領域を意味し、開口領域が大きいほど画像表示領域全体の輝度を高めることができる。また、「共用する」とは、例えば一方の信号線が駆動回路まで延在されていることによって一方の信号線がそのままデータ線として機能する場合だけでなく、一方の信号線から分岐した部分がデータ線として機能する場合までを含んでいてもよい。この態様によれば、画素部の良否を検査できる構成を基板に作り込むことによって開口領域が狭められることを低減でき、画質を低下させることなく画素回路の良否を検査する回路を形成できる。
【００３０】
サンプリング回路は、電気光学装置を完成させた際に画像信号を画素回路に供給するために予め設けられている回路であり、データ線を一方の信号線として共用することにより既存のサンプリング回路を介して高電位信号又は低電位信号を判定手段に供給することが可能である。加えて、サンプリング回路のオンオフを順次切り換えることにより、一の走査線に電気的に接続された複数の画素回路の夫々の良否を個別に判定できる。より具体的には、例えばサンプリング回路に含まれる一のサンプリングスイッチをオン状態にすることにより、このサンプリングスイッチを介して画素回路毎に高電位信号又は低電位信号を判定手段に出力できる。したがって、順次サンプリングスイッチを切り換えることによって一の走査線に電気的に接続された画素回路の良否を個別に検査することが可能である。
【００３１】
この態様によれば、一の走査線に電気的に接続された複数の画素回路の良否を個別に判定でき、不具合が生じている画素回路の検出精度を高めることが可能である。尚、画像を表示する際には、トランスミッションゲートをオフ状態にしておけば、画像信号を供給するためにデータ線を使用でき、データ線及び一方の信号線が共用されていても画像を表示する際に問題は生じない。
【００３２】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記一方の信号線及び前記他の信号線は、前記複数の信号線のうち前記複数の走査線が延びる方向に沿って互いに隣接していてもよい。
【００３３】
この態様によれば、２本一組の信号線の組を構成する一方の信号線及び他の信号線が隣接しているため、一方の信号線及び他方の信号線に印加されるノイズは、これら一方の信号線及び他方の信号線に同等或いはこれに準じた程度に印加され、一方の信号線から供給される第１電位信号及び他方の信号線から供給される第２電位信号の夫々に同等の電位を有するノイズが印加されることになる。増幅手段は、第１電位信号及び第２電位信号の夫々の電位を比較することによって高電位信号又は低電位信号を出力することから、第１電位信号及び第２電位信号の夫々の電位の変動が同等であれば、これら第１電位信号及び第２電位信号の相対的な電位の高低関係はノイズによって変化しないことになる。したがって、増幅手段は画素回路の良否を反映した電位を有する第１電位信号を高電位信号又は低電位信号として判定手段に出力することができ、画素回路の良否が正確に判定される。
【００３４】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記画素回路は、前記画素回路が前記一方の信号線に電気的に接続されることによって前記一方の信号線に生じる容量の変動が前記画像表示領域内で平均化されるように配設されていてもよい。
【００３５】
この態様では、例えば第１電位信号と第２電位信号との電位差は僅かである場合に、第１電位信号をそのまま増幅手段に供給しても第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が変わらないように、一方の信号線及び他方の信号線の容量の変動を平均化するように画素回路が設けられている。より具体的には、例えば、画像表示領域内で同数或いはこれに準じた配分で各信号線に画素回路を電気的に接続してもよい。これにより、各信号線間における相対的な容量の変動が一定となる。増幅手段は、第１電位信号を第２電位信号と比較することによって第２電位信号の電位に対する第１電位信号の電位の高低関係が維持された高電位信号又は低電位信号を出力することが可能であり、画素回路の良否が誤って判定されることを低減できる。
【００３６】
本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記第１電位信号及び前記第２電位信号が前記増幅手段に供給される前に、前記２本の信号線の電位を等しくするように前記２本の信号線の夫々の電位を設定する電位設定手段を更に備えていてもよい。
【００３７】
この態様によれば、画素回路の検査時に２本の信号線を介して増幅手段に供給される第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係を維持でき、画素回路の良否を正確に判定できる。電位設定手段は、例えば２本の信号線間に電気的に接続された複数のＴＦＴ等で行使することが可能であり、これら信号線間に電位差が生じている場合には、これらＴＦＴの電流が流れることによって両信号線の電位を同電位に設定できる。
【００３８】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画像表示領域に延在するように配設された複数の走査線と、前記画像表示領域で前記複数の走査線に交差するように配設された複数の第１信号線と、該複数の第１信号線のうちＮ本（Ｎは２以上の自然数）の第１信号線を含む信号線群毎に１本配設された第２信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の第１信号線が交差する複数の交差領域の夫々に設けられており、前記複数の第１信号線の夫々に電気的に接続された複数の画素回路と、該画素回路から前記第１信号線を介して第１電位信号が供給されると共に前記第２信号線を介して第２電位信号が供給され、（ｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より低い場合には、前記第１信号線を介して前記第１電位信号の電位より低い電位を有する低電位信号を、（ｉｉ）前記第１電位信号の電位が前記第２電位信号の電位より高い場合には、前記第１信号線を介して前記第１電位信号の電位より高い電位を有する高電位信号を、電圧論理によって前記画素回路の良否を判定する判定手段に出力する増幅手段とを備えている。
【００３９】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板によれば、複数の第１信号線のうちＮ本（Ｎは２以上の自然数）の第１信号線を含む信号線群毎に１本配設された第２信号線は、Ｎ本の第１信号線の夫々と順次一組とされ、この一組に含まれる第１信号線を介して第１電位信号が増幅手段に供給される。第２信号線と前記Ｎ本の第１信号線の夫々とを順次一組とすることにより、第２電位信号を増幅手段に供給するための第２信号線をＮ本の第１信号線で順次共用でき、Ｎ本の第１信号線を介して増幅手段に順次供給される第１電位信号を第２電位信号と比較することができる。これにより、第２信号線の本数を第１信号線の本数より減らすことができ、画像表示領域内に設けられる信号線の本数を減らすことが可能である。これに伴い、第２信号線によって画素部から出射される光が遮られることを低減でき、実質的に画素部から光が出射される領域である開口領域の大きさを狭めることなく、画素回路の良否を判定できる。
【００４０】
増幅手段は、第２信号線と一組とされる第１信号線を介して高電位信号又は低電位信号を判定手段に出力し、これら高電位信号又は低電位信号に基づいて電圧論理によって画素回路の良否を判定できる。より具体的には、例えば第１電位信号が第２電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって第１電位信号及び第２電位信号の電位差が不明瞭とならないように、増幅手段は第１電位信号の電位が高められた高電位信号を第１信号線を介して出力する。第１電位信号が第２電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第１信号線及び第２信号線に印加されるノイズによって第１電位信号及び第２電位信号の電位差が不明瞭とならないように、増幅手段は第１電位信号の電位を低くした後、電位が低く抑えられた低電位信号を一方の信号線を介して出力する。したがって、第２信号線を介して増幅手段に供給される第２電位信号は、例えば第１電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位である。尚、「ノイズ」、及び「電圧論理」は、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板における意味と同様である。
【００４１】
このように、本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板によれば、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板と同様に画素回路毎に不具合が生じているか否かを検出することが可能である。したがって、画素部に生じた不具合を正確に検出することが可能であり、これに伴い液晶装置等の電気光学装置の歩留まりを高めることができ、製造コストを低減することが可能である。
【００４２】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板の一の態様においては、前記複数の画素回路の夫々は、前記一の走査線に電気的に接続されたスイッチング素子を有しており、前記第１電位信号は、前記一の走査線を介して供給されたスイッチング信号に応じて前記スイッチング素子がオン状態にされた状態で前記第１信号線を介して前記増幅手段に供給されてもよい。
【００４３】
この態様によれば、スイッチング素子をオン状態にすることによって第１信号線を介して複数の画素回路から第１電位信号を増幅手段に供給できる。より具体的には、例えば複数の走査線の第１行目の走査線から最終行の走査線の夫々に電気的に接続されたスイッチング素子に各行毎に順次スイッチング信号を供給することによって、画像表示領域内に配置された全ての画素回路の良否を各行毎に順次検査できる。
【００４４】
第１電位信号は、例えば予め画素回路に供給された検査信号を画素回路から読み出した信号であり、画素回路に不具合が生じている場合には、この不具合に応じて電位が変動した検査信号が第１電位信号として増幅手段に供給される。尚、スイッチング素子をオン状態に切り換える際には、一の走査線から各スイッチング素子に一括でスイッチング信号を供給でき、一の走査線に電気的に接続された画素回路に不具合が生じているか否かを判定できる。スイッチング素子は、例えば液晶素子等の電気光学素子を駆動するために各画素回路に設けられたＴＦＴ等の半導体素子である。スイッチング素子のオンオフを切り換えるスイッチング信号は、画像を表示する際に走査線から画素回路に供給される走査信号とは異なる信号であり、走査信号とは別に画素回路を検査する際に一の走査線から供給される。
【００４５】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記第２信号線は、前記画像表示領域において前記複数の第１信号線に隣接するように前記第１信号線が延びる方向に沿って延在する複数の分岐線に分岐されていてもよい。
【００４６】
この態様によれば、例えば、複数の分岐線に印加されるノイズ等は、これら分岐線に隣接する第１信号線と同等或いはこれに準じた程度であり、ノイズ等によって第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が出力時の本来の高低関係から逆転することを低減できる。したがって、第１電位信号及び第２電位信号に基づいて増幅手段から出力される高電位信号或いは低電位信号に基づいて正確に画素回路の良否を判定できる。
【００４７】
本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板の他の態様においては、前記基板の基板面における前記画素回路からみて前記増幅手段に近い側の領域に設けられており、前記第１信号線を夫々複数本含む複数の信号線群に共通に電気的に接続された複数のトランスミッションゲートと、該複数のトランスミッションゲートのオンオフを切り換える切り換え手段とを更に備え、前記増幅手段は、前記信号群毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有しており、前記複数のトランスミッションゲートは、前記信号線群に含まれる複数の第１信号線に別々に電気的に接続されており、前記第１電位信号は、前記切り換え手段から互いに異なるタイミングで供給された複数系列の信号に応じて前記複数のトランスミッションゲートが順次オン状態に切り換えられた状態で前記信号線群に含まれる複数の第１信号線毎に互いに異なるタイミングで前記差動増幅回路に供給されてもよい。
【００４８】
この態様によれば、例えば画素回路の良否を検査する際に、信号線群に含まれる第１信号線から個別に第１電位信号を増幅手段に供給できる。差動増幅回路は、前記信号線群に一つずつ設けられているため、Ｎ本の第１信号線の夫々と第２信号線との各組毎に差動増幅回路を設ける場合に比べて差動増幅回路の個数を減らすことができ、その分差動増幅回路１個当たりのスペースを広くすることが可能である。これにより、例えば差動増幅回路に含まれる複数の半導体素子を高品質に形成することが可能である。
【００４９】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために上述の第１の発明又は第２の発明に係る電気光学装置用基板を備えている。
【００５０】
本発明に係る電気光学装置によれば、上述した第１又は第２の発明に係る電気光学装置用基板を備えているため、歩留まりが高く、且つ高品質の電気光学装置を提供できる。
【００５１】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備えている。
【００５２】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。このような電子機器は、上述した電気光学装用基板を含んでいるため、歩留まりが向上されている。
【００５３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５４】
以下図面を参照しながら、本発明の電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、本発明の第１発明及び第２の発明に係る電気光学装置用基板の一例としＴＦＴアレイ基板を挙げ、本発明の電気光学装置の一例としてＴＦＴアレイ基板を備えた液晶パネルを例に挙げる。
【００５５】
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら本実施形態の液晶パネルの構成を説明する。図１は、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の一例であるＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た液晶パネル１００の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。尚、本実施形態の液晶パネル１００は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採用している。
【００５６】
図１及び図２において、液晶パネル１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と、ＴＦＴアレイ基板１０に対向配置された対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２を介して相互に接着されている。
【００５７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００５８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５９】
画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、Ｘ−ドライバ回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。Ｙ−ドライバ回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、Ｙ−ドライバ回路１０４を、Ｘ−ドライバ回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つのＹ−ドライバ回路１０４は互いに接続されるようにする。
【００６０】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これら上下導通端子及び上下導通材１０６により、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間で電気的な導通をとることができる。
【００６１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００６２】
なお、アレイ基板にシリコン等の半導体基板を用いる場合には、画素スイッチング素子としてトランジスタを用いることが可能である。
【００６３】
＜電気光学装置用基板の構成＞
次に、図３乃至図１２を参照しながら、ＴＦＴアレイ基板１０の構成及び検査時における処理手順を説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板１０の主要な回路構成を示したブロック図である。以下では、説明を簡便にするためにひとまず図中左側から見て走査線Ｇｊ（ｊ＝１、２、・・・、ｎ；２以上の整数）の延びる方向に沿って偶数番目に配設された信号線Ｓｏｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは２以上の整数）が本発明の「一方の信号線」として選択され、奇数番目に配置された信号線Ｓｅｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは整数）が本発明の「他方の信号線」として選択されている場合を前提にして説明する。
【００６４】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０は、検査回路４、Ｘ−ドライバ１０１、Ｙ−ドライバ１０４及びサンプリング回路１１０を備えている。
【００６５】
検査回路４は、本発明の「増幅手段」の一例を構成する複数の差動増幅回路１５、第１駆動信号供給回路２１、第２駆動信号供給回路２２、イコライズ回路２３、電圧印加用配線２４、プリチャージ回路２５、本発明の「切り換え手段」の一例である接続回路２６、ＴＦＴ１１、１２ａ、１２ｂ、１３ｐ、及び１３ｎ、トランスミッションゲート６、複数の信号線Ｓｏｉ、及び複数の信号線Ｓｅｉを備えている。尚、イコライズ回路２３、電圧印加用配線２４、プリチャージ回路２５、ＴＦＴ１１、１２ａ、及び１２ｂは、本発明の「電位設定手段」の一例を構成している。
【００６６】
信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉは、画像表示領域１０ａから差動増幅回路１５まで夫々複数本延在されており、差動増幅回路１５の接続点Ｓｏ及びＳｅに夫々電気的に接続されている。信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉは、後に図８を参照しながら詳細に説明する画像表示領域１０ａに設けられた複数の走査線Ｇｊ（ｊ＝１、２、・・・、ｎ；ｎは２以上の整数）に交差するように画像表示領域１０ａの画像表示領域内に延在している。画像表示領域１０ａに設けられた画素部７０は、信号線Ｓｏｉ及び複数の走査線Ｇｊの交差に合わせて配置され、信号線Ｓｏｉに電気的に接続されている。信号線Ｓｅｉは、画素部７０と電気的に接続されていない。
【００６７】
接続回路２６は、テスト回路接続ゲート端子を介してテスト回路と電気的に接続されたテスト信号供給線４５と、プルダウン回路３５とを備えている。テスト信号供給線４５は、ＴＦＴアレイ基板１０を検査する際に、テスト回路から供給された一系列のテスト信号をトランスミッションゲート６に供給する。プルダウン回路３５は、テスト信号供給線４５を介してトランスミッションゲート６に供給されるテスト信号が変動しないようにテスト信号供給線４５の電位を安定化させる。
【００６８】
ここで、図７に示すように、プルダウン回路３５は、電源ＶＤＤに電気的に接続されたゲート、アースされたソース、及びテスト信号供給線４５に電気的に接続されたドレインを備えたＴＦＴ１３５を備えており、テスト信号が供給される際にテスト信号供給線４５の電位が変動することを低減する。尚、プルダウン回路３２、３２、３３及び３４もプルダウン回路３５と同様の回路構成を有している。
【００６９】
再び図３において、トランスミッションゲート６は、本発明の「単一のトランスミッションゲート」の一例であり、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々の途中に設けられている。トランスミッションゲート６は、画素部７０からみて差動増幅回路１５に近い側に設けられており、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々の途中に電気的に接続された複数のＴＦＴ１４を備えている。複数のＴＦＴ１４は、ＴＦＴアレイ基板１０を検査する際にテスト信号供給線４５を介してテスト回路から供給されるテスト信号に応じて一括でオン状態に切り換えられる。これにより、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して差動増幅回路１５に供給される第１電位信号及び第２電位信号の供給路を確保でき、後述する画素部７０に設けられたＴＦＴ７１がオン状態に切り換えられていれば、各画素部７０から各差動増幅回路１５に信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して第１電位信号及び第２電位信号を一括で供給できる。
【００７０】
ここで、第１電位信号は、予め画素部７０に供給されていた検査信号が画素部７０から読み出された信号であり、画素部７０に生じた不具合に応じて検査信号の電位と異なる電位で出力される。第１電位信号と同時に信号線Ｓｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される第２電位信号の電位は予め信号線Ｓｅｉに印加されていた中間電位と同等の電位で出力される。中間電位とは、差動増幅回路１５が第１電位信号の電位の高低を判定する際に比較対象となる基準電位である。
【００７１】
イコライズ回路２３は、イコライズ信号供給線４３及びプルダウン回路３３を備えており、ＴＦＴ１１のオンオフを切り換えるためのプリチャージ信号がイコライズ信号供給線４３を介してＴＦＴ１１のゲートに供給される。プルダウン回路３３は、イコライズ信号供給線４３の電位が変動することを低減する。
【００７２】
プリチャージ回路２５は、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂのゲートに電気的に接続されたプリチャージ信号供給線４４と、プリチャージ信号供給線４４に電気的に接続されたプルダウン回路３４とを備えている。プリチャージ信号供給線４４はイコライズ信号供給線４３にも電気的に接続されている。プリチャージ信号供給線４４は、ＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのオンオフを切り換えるためにプリチャージ端子を介して外部から供給されたプリチャージ信号をＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのゲートに供給する。プルダウン回路３４は、プリチャージ信号供給線４４の電位の変動を低減する。
【００７３】
電圧印加用配線２４は、ＴＦＴ１２ａのソース及び１２ｂのドレインに電気的に接続されており、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂにプリチャージ電圧を印加する。プリチャージ電圧は、予め中間電位に設定されており、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂに供給される。尚、プリチャージ電圧は、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々を介して第１電位信号及び第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される前にＴＦＴ１２ａ及び１２ｂに供給される。
【００７４】
ＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂは、プリチャージ信号によってオン状態に切り換えられ、第１電位信号及び第２電位信号が第１信号線Ｓｏｉ及び第２信号線Ｓｅｉに供給される前に信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの電位差が無くなるように信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの電位を設定する。より具体的には、ＴＦＴＦ１１のソース及びドレインと、ＴＦＴ１２ａのドレイン及びＴＦＴ１２ｂのソースの夫々が信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉに電気的に接続されており、プリチャージ信号がＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのゲートに供給された後、プリチャージ電圧がＴＦＴ１２ａ及び１２ｂの夫々のソース及びドレイン間に供給される。これにより、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの電位差を無くすように、ＴＦＴ１１のソース及びドレイン間、ＴＦＴ１２ａ及び１２ｂの夫々のソース及びドレイン間に電流が流れ、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々の電位が中間電位に等しくなる。したがって、差動増幅回路１５が第１電位信号及び第２電位信号を比較する前提として、これら信号を差動増幅回路１５に供給する信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの電位を揃えることができる。
【００７５】
第１電位信号及び第２電位信号が、電位が揃った信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々を介して差動増幅回路１５に供給された場合、画素部７０から出力された第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が維持されたまま第１電位信号及び第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される。したがって、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係が信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉ間の電位差に起因して変動することを低減でき、第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係が逆転することを低減できる。
【００７６】
第１駆動信号供給回路２１は、第１駆動信号供給線４１及びプルアップ回路３１を備えている。第１駆動信号供給線４１は、差動増幅回路１５に電気的に接続されたスイッチング素子であるＴＦＴ１３ｐのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第１駆動信号ＳＡｐＥをＴＦＴ１３ｐのゲートに供給する。第１駆動信号は、センスアンプを駆動するためのセンスアンプ駆動信号であり、後述するように差動増幅回路１５は、接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々に入力される信号のうち高い電位を有する信号の電位をより高くし、低い信号の電位をより低くするセンスアンプとして機能する。ＴＦＴ１３ｐはｐチャネル型のＴＦＴであり、ＴＦＴ１３ｐは第１駆動信号ＳＡｐＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを差動増幅回路１５の接続端子Ｓｐに供給する。
【００７７】
ここで、図６に示すように、プルアップ回路３１はゲートが接地されたｐチャネル型のＴＦＴ１３１を備えている。ＴＦＴ１３１は、第１駆動信号供給線４１に電源ＶＤＤを供給する。
【００７８】
第２駆動信号供給回路２２は、第２駆動信号供給線４２及びプルダウン回路３２を備えている。第２駆動信号供給線４２は、差動増幅回路１５に電気的に接続されたＴＦＴ１３ｎのゲートに電気的に接続されており、外部から供給された第２駆動信号ＳＡｎＥをＴＦＴ１３ｎのゲートに供給する。ＴＦＴ１３ｎはｎチャネル型のＴＦＴであり、第２駆動信号ＳＡｎＥがゲートに供給されるとオン状態に切り換わり、電源ＶＤＤを差動増幅回路１５に供給する。プルダウン回路３２は、第２駆動信号供給線４２の電位を維持する。
【００７９】
差動増幅回路１５は、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉを一組とする信号線の組毎に一つずつ設けられている。トランスミッションゲート６がオン状態になった際に、第１電位信号及び第２電位信号が信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々から差動増幅回路１５の接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々に供給される。差動増幅回路１５は、第１電位信号及び第２電位信号を比較することによって信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して判定手段であるテスト回路に高電位信号又は低電位信号を出力する。
【００８０】
ここで、図４を参照しながら差動増幅回路１５の詳細な構成を説明する。図４は、差動増幅回路１５の電気的な構成を示す回路図である。
【００８１】
図４において、差動増幅回路１５は４個のトランジスタで構成された増幅回路であり、具体的にはｐチャネル型のＴＦＴ５１及び５２と、ｎチャネル型のＴＦＴ５３及び５４とを備えた交差結合型の差動増幅回路である。より具体的には、ＴＦＴ５１及び５２が電気的に直列に接続された直列回路と、ＴＦＴ５３及び５４が電気的に直列に接続された直列回路とが電気的に並列に接続されている。ＴＦＴ５１のゲートが、ＴＦＴ５２及び５４の接続点Ｓｏに電気的に接続されている。ＴＦＴ５２のゲートは、ＴＦＴ５１及び５３の接続点Ｓｅに電気的に接続されている。ＴＦＴ５３のゲートは、ＴＦＴ５２及び５４の接続点Ｓｏに電気的に接続されている。ＴＦＴ５４のゲートは、ＴＦＴ５１及び５３の接続点Ｓｅに電気的に接続されている。接続点Ｓｏは、第１信号線Ｓｏｉに電気的に接続されており、接続点Ｓｅは、第２信号線Ｓｅｉに電気的に接続されている。ＴＦＴ５１及び５２の接続点Ｓｐは、ＴＦＴ１３ｐのドレインに電気的に接続されている。ＴＦＴ５３及び５４の接続点Ｓｎは、ＴＦＴ１３ｎのドレインに電気的に接続されている。
【００８２】
差動増幅回路１５は、第１電位信号が第２電位信号より僅かに高い電位を有している場合には、第１電位信号に比べて電位が高められた高電位信号を信号線Ｓｏｉを介して判定手段の一例であるテスト回路に出力する。このように電位が高められた高電位信号によれば、第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より高いことを明確にできる。差動増幅回路１５は、第１電位信号が第２電位信号より僅かに低い電位を有している場合には、第１電位信号に比べて電位がより低くされた低電位信号を信号線Ｓｏｉを介して出力する。このような低電位信号によれば、第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より低いことを明確にできる。
【００８３】
信号線Ｓｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される第２電位信号は、第１電位信号の電位を高くする或いは低くする際の基準となる基準電位である。第１電位信号は、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０に不具合が生じているか否か、即ち画素部７０の良否を反映した信号であり、第２電位信号と第１電位信号との電位差は、これら信号線の配線容量によって変動する電位の大きさに比べて僅かな大きさである。差動増幅回路１５は、第１電位信号の電位及び第２電位信号の高低関係が明確に判定できるように高電位信号又は低電位信号を出力する。
【００８４】
加えて、後に詳細に説明するように、画素部７０は一方の信号線の一例である信号線Ｓｏｉに電気的に接続されており、他方の信号線の一例である信号線Ｓｅｉには電気的に接続されていない。信号線Ｓｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される第２電位信号は画素部７０の不具合に起因する電位の変動をうけることなく、基準電位である中間電位と同等の電位に維持されたまま差動増幅回路１５に供給される。これにより、正常な画素部７０に不具合が生じていると判定されることを低減でき、画素部７０の検査精度を高めることができる。
【００８５】
図３に図示しないテスト回路は、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０に不具合が生じているか否かを電圧論理に基づいて判定する。テスト回路は、画素部に予め供給されていた第１電位信号のもとになる検査信号の電位の第２電位信号の電位に対する高低関係と、中間電位及び高電位信号の電位又は低電位信号の電位の高低関係の情報とを比較することによって画素部７０に不具合が発生しているか否かを判定する。より具体的には、第１電位信号の元になる検査信号の電位が中間電位より高い場合に、差動増幅回路１５から高電位信号が出力されれば信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に不具合が発生していないとテスト回路は判定する。同様に第１電位信号のもとになる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に、差動増幅回路１５から低電位信号が出力されれば第１信号線に電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部に不具合が発生していないとテスト回路は判定する。
【００８６】
第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より高い場合に差動増幅回路１５から低電位信号が出力されれば、信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号の基になる検査信号が供給された画素部７０に何らかの不具合が発生しているとテスト回路は判定する。第１電位信号の基になる検査信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合に差動増幅回路１５から高電位信号が出力されれば信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０、即ち第１電位信号のもとになる検査信号が供給された画素部７０に何らかの不具合が発生しているとテスト回路は判定する。
【００８７】
ここで、図３及び４を参照しながら差動増幅回路１５が高電位信号又は低電位信号を出力する手順を説明する。ここでは、中間電位を有する第２電位信号の電位に比べて高い電位を有する第１電位信号が差動増幅回路１５に供給された場合を例に挙げて説明する。
【００８８】
図３および図４において、第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、ＴＦＴ１３ｎがオン状態に切り換えられ、ＴＦＴ１３ｎを介して接続点Ｓｎの電位がグランド電位に近づく。ＴＦＴ５３のソースの電位は中間電位に設定されているため、ＴＦＴ５３のソース・ドレイン間に電流が流れ、接続点Ｓｅの電位が低下する。このとき、ｐチャネル型のＴＦＴ５２のゲートは接続点Ｓｅに電気的に接続されているため、接続点Ｓｅの電位が低下していることによってＴＦＴ５２がオン状態に切り換えられる。第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、ＴＦＴ１３ｐがオン状態に切り換えられ、ＴＦＴ１３ｐを介して接続点Ｓｐに電源ＶＤＤが供給される。これにより、電源ＶＤＤがＴＦＴ１３ｐ及び５２を介して接続点Ｓｏに供給され、接続点Ｓｏの電位が高められる。
【００８９】
このようにして差動増幅回路１５は、第１電位信号の電位を高め、且つ第２電位信号の電位を低くする。差動増幅回路１５によれば、第１電位信号が中間電位より高い場合に、第１電位信号をより高い電位を有する高電位信号としてテスト回路等の判定手段に出力できる。したがって、テスト回路等の判定手段は、中間電位より低い電位を有する参照信号と高電位信号との電位の高低関係を明確に判断でき、電圧論理に基づいて画素部７０の良否を判定できる。第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より低い場合には、上述したＴＦＴ５２及び５３と同様にＴＦＴ５１及び５４が動作し、第１電位信号に基づいて低電位信号が出力される。この場合には、中間電位に設定されて第２電位信号は電位が高められた参照信号として出力され、これと共に第１電位信号は参照信号の電位より低い電位を有する低電位信号として出力される。尚、参照信号とは、差動増幅回路１５から第２電位信号に基づいて出力された信号である。
【００９０】
再び図３において、ＴＦＴアレイ基板１０の構成を説明する。Ｙ−ドライバ回路１０４は、画素部７０の検査時においてスイッチング信号を走査線毎に順次供給する。ここで、スイッチング信号とは、画像を表示する際に画素部７０に供給される画像表示用の走査信号とは異なる信号であり、予め画素部７０に供給された検査信号を画素部７０から出力させるために画素部７０が備えるスイッチング素子をオン状態に切り換えるための信号である。
【００９１】
Ｘ−ドライバ回路１０１は、サンプリング回路１１０を構成するサンプリングスイッチ１１１にサンプリング信号を供給し、これらサンプリングスイッチ１１１をオン状態に切り換える。ここで、「サンプリング信号」とは、画像を表示する際にＸ−ドライバ回路１０１からサンプリング回路１１０に供給される信号とは異なり、各行の画素部７０から出力された第１電位信号に基づいて差動増幅回路１５から一括で出力された高電位信号又は低電位信号を画素部７０毎に外部のテスト回路に個別に出力するための信号である。
【００９２】
サンプリング回路１１０は、画素部７０を検査する際に各行毎に読み出される第１電位信号を画素部７０に対応させて個別に出力させ、画像信号供給線１１２を介して外部のテスト回路に高電位信号又は低電位信号を出力する。サンプリング回路１１０によれば、画素部７０の行毎に出力される高電位信号又は低電位信号をこの行を構成する画素部７０毎にテスト回路に出力でき、テスト回路は不具合の発生の有無を画素部毎に判定できる。したがって、画像表示領域内にマトリクス状に配置された画素部７０の良否を正確に画素部毎に検出できる。加えて、サンプリング回路１１０及びＸ−ドライバ回路１０１等の既存の回路を用いて検査精度を高めることが可能であるため、別途新たに設ける回路を低減しつつＴＦＴアレイ基板１０の製造コストを低減でき、且つ歩留まりを向上させることが可能である。
【００９３】
次に、図５及び図８を参照しながら、画素部の回路構成及び配置を説明する。図５は画素部の回路図であり、図８は、画像表示領域における画素部、走査線及び信号線の配置を模式的に示した配置図である。
【００９４】
図５において、画素部７０は、本発明の「スイッチング素子」の一例であるＴＦＴ７３、液晶素子７２、及び蓄積容量７３を備えており、ＴＦＴ７３及び蓄積容量７３が本発明の「画素回路」の一例を構成する。尚、液晶パネル１００を構成した後には、液晶素子を画素回路の一部に含んでいてもよい。
【００９５】
ＴＦＴ７１は、ソースが信号線Ｓｏｉに電気的に接続されており、ゲートが走査線Ｇｊに電気的に接続されている。ＴＦＴ７１は、検査時に供給されるスイッチング信号によってオンオフが切り換えられ、画素部７０は第１電位信号を信号線Ｓｏｉに出力する。液晶素子７２は、ＴＦＴアレイ基板１０及びＴＦＴアレイ基板１０に対応するように配置される対向基板間に注入される液晶と、この液晶を挟持する一対の電極を有している。蓄積容量７３は、画像表示が行われる際に画素部７０に供給された画像信号を一時的に保持し、複数の画素部７０のアクティブマトリクス駆動を可能にする。
【００９６】
図８において、複数の走査線Ｇｊと、複数の信号線Ｓｏｉ及び複数の信号線Ｓｅｉとが、画像表示領域１０ａで互いに交差するように配設されており、複数の画素部７０は、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを一組とする信号線の組が走査線Ｇｊと交差する交差領域Ｐｊｉに夫々配置されると共に、交差領域Ｐｊｉにおいて信号線Ｓｏｉに電気的に接続されている。
【００９７】
信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉは、物理的に見て同等の配線であり、例えば信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの幅、厚み及び構成材料等の物理的な構成要素の少なくとも一つが同等である。信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉは、複数の走査線Ｇｊが延びる方向に沿って互いに隣接する。したがって、画像表示領域１０ａにノイズが印加された場合には隣接する信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉに同等の電位或いは波形を有するノイズが印加されるため、ノイズに起因する第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の変動は同等である。よって、交差領域Ｐｊｉにおいて２本一組とされる信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを介して出力される第１電位信号及び第２電位信号の電位の高低関係がノイズによって変動することを低減できる。より具体的には、第１電位信号の電位が第２電位信号の電位より僅かに高い又は低いことが区別にできるように第１電位信号及び第２電位信号が信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々を介して差動増幅回路１５に供給される。
【００９８】
本実施形態では、全ての交差領域Ｐｊｉで信号線Ｓｏｉが、本発明の「一方の信号線」の一例として選択されているが、信号線Ｓｅｉが一方の信号線として選択されていてもよいし、各交差領域Ｐｊｉで信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉのどちらか一方が画素部７０と電気的に接続されていればよい。より具体的には、例えば一組の信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに注目した場合、この組が走査線Ｇ１と交差する交差領域Ｐ１ｉでは、信号線Ｓｏｉが一方の信号線として選択されており、この組が別の走査線Ｇｊと交差する交差領域Ｐｊｉでは信号線Ｓｅｉが一方の信号線として選択されていてもよい。
【００９９】
画素部７０は、２本一組の信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉが一本の走査線Ｇｊに交差する交差領域Ｐｊｉ毎に一つずつ設けられている。画素部７０は、信号線の組Ｐｊｉに含まれる第１信号線Ｓｏｉ及び第２信号線Ｓｅｉのうち信号線Ｓｏｉにのみ電気的に接続されている。２本一組とされる信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉが他の信号線を介在して離れて配設されている場合には、画素部７０は、これら信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々が走査線Ｇｊと交差する領域の一方の領域に配置されると共にこれら信号線の一方に電気的に接続されていてもよい。
【０１００】
一本の走査線Ｇｊに注目してみた場合、この走査線Ｇｊに沿って位置する各交差領域Ｐｊｉにおいて、画素部７０が電気的に接続される信号線は交差領域Ｐｉｊ毎に異なっていてもよい。後述するように、第１電位信号及び第２電位信号は、画像表示領１０ａに配置された画素部７０の行毎に出力される。各行に位置する交差領域Ｐｉｊにおける２本一組の信号線の一方に画素部が電気的に接続され、他方の信号線に中間電位が供給されていれば、交差領域Ｐｊｉ毎に第１電位信号及び第２電位信号を差動増幅回路１５に出力できる。
【０１０１】
尚、図８では、画素部７０の配置を示すために便宜上走査線Ｇｊ及び信号線Ｓｏｉの交点に画素部７０を配置しているが、画素部７０は、交差領域Ｐｊｉ内に配置されていればよく、画像表示領域１０ａでマトリクス状に分布するように走査線Ｇｊ、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉで規定された基板上の画素領域に配置される。
【０１０２】
次に、図３、図５及び図８を参照しながら、画素部７０から差動増幅回路１５に第１電位信号及び第２電位信号を供給する手順を説明する。
【０１０３】
図３、図５及び図８において、先ず走査線Ｇ１に電気的に接続された複数の画素部７０が備えるスイッチング素子７１の夫々に走査線Ｇ１を介してスイッチング信号が供給される。この段階で、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０から第１電位信号が差動増幅回路１５に供給される。このとき、第１電位信号を差動増幅回路１５に供給できるようにトランスミッションゲート６はオン状態に切り換えられており、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０の夫々から信号線Ｓｏｉを介して第１電位信号が差動増幅回路１５に供給される。このとき、第２電位信号も信号線Ｓｅｉを介して差動増幅回路１５に供給される。続いて、複数の走査線Ｇｎの２行目の走査線Ｇ２を介して走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０にスイッチング信号が供給され、これら画素部７０から第１電位信号が差動増幅回路１５に供給される。スイッチング信号は、Ｙ−ドライバ回路１０４から各走査線Ｇｊに出力されるが、画像を表示する際に走査線Ｇｊから画素部７０に供給される走査信号とは異なる信号である。このようにして、最終行の走査線Ｇｎに電気的に接続された画素部７０まで順次スイッチング信号が供給され、各画素部７０から第１電位信号及び第２電位信号の夫々が差動増幅回路１５に供給される。
【０１０４】
次に、図３を参照しながら差動増幅回路１５から出力された高電位信号又は低電位信号を個別に判定手段に出力する手順を説明する。
【０１０５】
図３において、信号線Ｓｏｉの一端は差動増幅回路１５まで延在されており、他端はＸ−ドライバ回路１０１まで延在されている。信号線Ｓｏｉが画像表示領域１０ａ内で複数の走査線Ｇｊと交差するように配設されており、信号線Ｓｏｉの途中にはサンプリング回路１１０を構成するＴＦＴ１１１が電気的に接続されている。画像表示領域１０ａで画像を表示する際には、信号線Ｓｏｉは各画素部７０に画像信号を供給するデータ線として機能する。即ち、信号線Ｓｏｉは、画像表示領域１０ａに画像信号を供給するためのデータ線と共用されると共に、検査時にはサンプリング回路１１０を介して差動増幅回路１５から出力された高電位信号又は低電位信号をテスト回路に出力する。本実施形態では、信号線Ｓｏｉがそのままデータ線として機能するように信号線Ｓｏｉが各部と電気的に接続されている。信号線Ｓｅｉは画素部７０と電気的に接続されていないため、画像を表示する際にデータ線として機能しないが、サンプリング回路１１０を構成するＴＦＴ１１１と電気的に接続されている。これにより、信号線Ｓｅｉと一組とされる信号線Ｓｏｉから高電位信号又は低電位信号をテスト回路に出力する際に、高電位信号又は低電位信号と比較される参照信号がテスト回路に出力される。また、後述する各実施形態で信号線Ｓｅｉに画素部が電気的に接続されている場合には、一方の信号線とされる信号線Ｓｅｉをデータ線と共用できる。また、各交差領域Ｐｊｉで一方の信号線として選択される信号線が互いに異なっている場合には、結果的に信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの両方がデータ線と共用される。
【０１０６】
データ線と共用された信号緯Ｓｏｉによれば、データ線とは別に信号線を設ける必要がない。したがって、画像表示領域１０ａにおける開口領域のサイズを狭めることなく、画素部７０の良否を判定するために高電位信号又は低電位信号を出力するための回路を構成することが可能である。よって、画質を高めるために画素部の密度を高めるに伴いデータ線のピッチが狭められた場合でも、画素部の画質を低下させることなく画素部の良否を検査するための検査回路４を基板上の狭い領域に形成できる。
【０１０７】
ＴＦＴアレイ基板１０によれば、一本の走査線に電気的に接続された複数の画素部の良否を個別に判定でき、不具合が生じている画素部を特定できる。尚、画像を表示する際には、例えばトランスミッションゲート６をオフ状態に切り換えておけば、画像信号を供給するためにデータ線を使用でき、画像表示領域１０ａで支障なく画像を表示できる。
【０１０８】
このように、本実施形態のＴＦＴアレイ基板によれば、画素部毎に不具合が生じているか否かを検出することが可能である。加えて第２電位信号を出力する他方の信号線には、この信号線が一の走査線と交差する交差領域において他の画素部が電気的に接続されていないため、正常な画素部に不具合が発生していると判断されない。したがって、本実施形態のＴＦＴアレイ基板によれば、ＴＦＴアレイ基板を製造した段階で画素部に生じている不具合を正確に、且つ漏れなく検出することが可能であり、これに伴い例えば液晶装置等の電気光学装置の歩留まりを高めることができ、装置の製造コストを低減することが可能である。
【０１０９】
次に、図９を参照しながら、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉを介して高電位信号又は低電位信号を出力する際の各種信号のタイミングを説明する。図９は、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉを介して各種信号を出力するタイミングを示したタイミングチャートである。尚、図９では、画素部に予め供給される検査信号の電位が中間電位より高い場合を例に挙げており、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉを除く他の２本一組とされる信号線の組も同様なタイミングチャートで各信号を出力する。
【０１１０】
図９において、タイミングｔ１までに画素部７０には検査信号が供給されている。プリチャージ回路２５は、プリチャージ信号供給線４４を介してタイミングｔ１にプリチャージ信号ＰＣＧをＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂのゲートに供給する。ＴＦＴ１１、１２ａ及び１２ｂはオン状態となり、電圧印加用配線２４を介してプリチャージ電圧が信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉに印加される。これにより、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの電位が中間電位に設定される。
【０１１１】
トランスミッションゲート６がオン状態に切り換えられた後、走査線Ｇ１は、タイミングｔ３においてスイッチング信号を画素部７０に供給し、交差領域Ｐ１ｉにおいて第１電位信号が信号線Ｓｏｉを介して差動増幅回路１５に供給される。尚、走査線Ｇ１は、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０の全てにスイッチング信号を供給し、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０が備えるＴＦＴ７１がオン状態に切り換えられる。第１電位信号は、走査線Ｇ１に電気的に接続された複数の画素部７０の夫々からこれら画素部に対応する差動増幅回路１５に供給される。
【０１１２】
ここで、画素部７０に不具合が生じていない場合には、予め画素部に供給された検査信号の電位と同様に、中間電位より高い電位を有する第１電位信号が信号線Ｓｏｉを介して差動増幅回路１５に供給される。このとき、第１電位信号は、中間電位よりわずかに高い電位を有している。第２電位信号を出力する信号線Ｓｅｉの電位は、予め設定された中間電位であり、第１電位信号の電位より僅かに低い。このように、画素部７０に不具合が生じていない場合には、画素部７０に予め供給された検査信号の電位及び中間電位間の電位の高低関係が、第１電位信号の電位及び第２電位信号の電位の高低関係にそのまま維持されている。
【０１１３】
タイミングｔ４に第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、差動増幅回路１５は信号線Ｓｅｉの電位を低下させる。これにより、第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位より低い電位を有する接続点Ｓｅの電位は、第２電位信号を供給された時点より低い電位に下げられる。
【０１１４】
タイミングｔ５において、第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、差動増幅回路１５は第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を第２電位信号が供給された時点の電位より高める。
【０１１５】
タイミングｔ４及びｔ５の夫々において、差動増幅回路１５に供給された信号のうち低い電位を有する第２電位信号が供給された接続点Ｓｅの電位はより低く下げられ、高い電位を有する第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位はより高く上げられる。これにより、接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々の電位の高低関係が明確になる。差動増幅回路１５は、接続点Ｓｏの電位を有する高電位信号を信号線Ｓｏｉを介してテスト回路等の判定手段に出力する。これと同時に差動増幅回路１５は、接続点Ｓｅの電位を有する参照信号を信号線Ｓｅｉを介してテスト回路等の判定手段に出力する。
【０１１６】
テスト回路は、高電位信号及び参照信号を比較する。高電位信号は第１電位信号より電位が高められており、且つ参照信号は中間電位より電位が下げられているので、テスト回路は、第２電位信号及びこの第２電位信号よりわずかに高い電位を有する第１電位信号を比較する場合に比べて、高電位信号の電位が参照信号の電位より高いことを明確に判定できる。ここで、検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、高電位信号の電位及び参照信号の電位の高低関係は一致しているため、テスト回路は被検査対象である画素部に不具合が生じていないと判定する。
【０１１７】
次に、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部の良否を判定するために、タイミングｔ６からｔ７間において、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉにプリチャージ電圧が供給され、これら信号線が再び中間電位に設定される。
【０１１８】
タイミングｔ８において、走査線Ｇ２がスイッチング信号を出力し、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０にスイッチング信号が供給される。スイッチング信号が供給された画素部７０は、走査線Ｇ１に電気的に接続された画素部７０と同様に第１電位信号を信号緯Ｓｏｉを介して差動増幅回路１５に出力する。ことき、信号線Ｓｅｉは第２電位信号を差動増幅回路１５に供給する。これにより、走査線Ｇ１と同様にして信号線Ｓｏｉに電気的に接続された画素部７０のうち走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０に対応した高電位信号又は低電位信号、及び参照信号が差動増幅回路から各信号線を介してテスト回路に出力され、走査線Ｇ２に電気的に接続された画素部７０の良否を判定できる。このようにして、順次走査線Ｇ３、Ｇ４、・・・、Ｇｎの夫々に電気的に接続された画素部の良否を順次判定することが可能である。加えて、すでに述べたように、各差動増幅回路１５から出力される高電位信号又は低電位信号、及び参照信号をサンプリング回路１１０を介して差動増幅回路１５毎にテスト回路に出力できることから、画素部毎に良否を判定することが可能であり、画像表示領域１０ａに配置された複数の画素部の一つ一つについて不具合が生じていないことを確認できる。
【０１１９】
次に、図９を参照しながら画素部に不具合が生じている場合を説明する。画素部７０には、予め中間電位より高い電位を有する検査信号が供給されている。走査線Ｇ１からスイッチング信号が画素部に供給されたタイミングｔ３において、画素部７０は中間電位より僅かに低い電位を有する第１電位信号を差動増幅回路１５に供給する。尚、中間電位より低い電位を有する第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を図中点線で示したＬ０とする。ここで、第１電位信号が中間電位より低い電位を有しているのは、例えば電流リークが生じているＴＦＴ、或いは電流リークが生じている蓄積容量を画素部が含んでいる場合に相当する。
【０１２０】
タイミングｔ４において、第２駆動信号供給回路２２からＴＦＴ１３ｎに第２駆動信号ＳＡｎＥが供給されると、差動増幅回路１５は、中間電位より低い電位を有する第１電位信号が供給された接続点Ｓｏの電位を更に低い電位に低下させる（図中点線Ｌ１で示す）。より具体的には、差動増幅回路１５の接続点Ｓｏに供給された第１電位信号の電位は、差動増幅回路１５の接続点Ｓｅに供給された第２電位信号の電位より僅かに低いため、差動増幅回路１５は第１電位信号及び第２電位信号の電位を比較し、信号線Ｓｏｉの電位をより低い電位に下げる。差動増幅回路１５は、接続点Ｓｏの電位と等しい電位を有する低電位信号を出力する。
【０１２１】
タイミングｔ５において、第１駆動信号供給回路２１からＴＦＴ１３ｐに第１駆動信号ＳＡｐＥが供給されると、差動増幅回路１５は第２電位信号の電位を高める。接続点Ｓｅの電位は差動増幅回路１５によって電位が下げられた接続点Ｓｏの電位より高い電位であるため、差動増幅回路１５は、接続点Ｓｅの電位を中間電位より高い電位に高める。差動増幅回路１５は、中間電位より電位が高められた接続点Ｓｅの電位と等しい電位を有する参照信号を出力する。
【０１２２】
この結果、テスト回路は、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々に供給された第１電位信号及び第２電位信号の高低関係が維持されたままの低電位信号及び参照信号を検出する。テスト回路は、第１電位信号より電位が下げられた低電位信号を検出することによって第１電位信号の電位が中間電位より低いことを明確に検出できる。尚、低電位信号及び中間電位の高低関係は中間電位の電位に対する検査信号の電位の高低関係とは逆であり、このような場合にはテスト回路は画素部に不具合が生じていると判定する。
【０１２３】
このように、本実施形態のＴＦＴアレイ基板１０によれば、予め画素部に供給された検査信号の電位及び中間電位の高低関係と、テスト回路で電位が比較される高電位信号又は低電位信号の電位、及び参照信号の電位の高低関係が一致するか否かを判定することによって、画素部に不具合が生じているか否かを判定できる。加えて、各交差領域において他の信号線とされる信号線Ｓｅｉには画素部が電気的に接続されていないため、各交差領域で２本一組とされる信号線を介してテスト回路に出力される２つの信号の電位を比較することによって正常な画素部に不具合が生じていると判定されることをなくすことができる。これにより、画素部の良否を画素部毎に確実に判定できる。
【０１２４】
次に、図１０乃至図１２を参照しながら画素部の他の配置例を説明する。図１０乃至図１２の夫々は、画素部の他の配置例を模式的に示した配置図である。尚、図１０乃至図１２では、図８と同様に信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉは走査線Ｇｎが延びる方向に沿って互いに隣接するように配設された物理的に同等の信号線である。
【０１２５】
図１０において、画素部７０は、２本一組とされる信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉが走査線Ｇｊと交差する交差領域Ｐｊｉにおいて一つずつ配置されており、交差領域Ｐｊｉにおいて信号線Ｓｅｉにのみ電気的に接続されている。図１０では、本発明の「一方の信号線」として信号線Ｓｅｉが選択されており、画像表示領域内に配置されたすべての画素部７０が信号線Ｓｅｉに電気的に接続されている。画素部７０は、信号線Ｓｅｉを介して第１電位信号を差動増幅回路１５に供給する。これにより、図３と同様に差動増幅回路１５は高電位信号又は低電位信号を信号線Ｓｅｉを介してテスト回路等の判定手段に出力する。
【０１２６】
図１１において、画素部７０は、２本一組とされる信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉが走査線Ｇｊと交差する交差領域Ｐｊｉに一つずつ配置されており、一方の信号線として選択される信号線は、画像表示領域内で信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉのどちらか一方に固定されていない。より具体的には、例えば交差領域Ｐ１ｍでは、画素部７０は信号線Ｓｅｍに電気的に接続されており、交差領域Ｐ２ｍでは信号線Ｓｏｍには電気的に接続されている。
【０１２７】
画素部７０は、各交差領域ｊｉにおいて信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉのどちらか一方にのみ電気的に接続されていればよい。各交差領域Ｐｊｉにおいて信号線の各組に一つずつ配置された画素部７０は、信号線Ｓｏｉ又は信号線Ｓｅｉの一方に電気的に接続されることによって画素部を電気的に接続することによって各信号線に生じる容量が画像表示領域全体で平均化されている。
【０１２８】
より具体的には、図中上側から奇数番目の走査線Ｇｊにおいては、画素部は信号線Ｓｅｉに電気的に接続されており、偶数番目の走査線Ｇｊにおいては走査線Ｓｏｉに電気的に接続されている。このように配置された画素部によれば、画像表示領域全体で見た場合、各信号線に同数或いはこれと同等の個数の画素部が電気的に接続されていることになり、信号線に生じる容量のばらつきを画像表示領域全体で平均化できる。
【０１２９】
このように画素部が電気的に接続された複数の信号線によれば、信号線間で電位が変動することを抑制でき、プリチャージ電圧を信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々に印加することによって、検査に先立ちこれら信号線間で電位を揃えることが可能になる。よって、これら信号線の電位の変動に起因して誤った電位を有する信号がテスト回路に出力されることを低減でき、画素部の良否を正確に判定することが可能である。
【０１３０】
尚、信号線に画素部を電気的に接続することによって各信号線に生じる容量がばらつかないように、画素部は、画像表示領域全体で各信号線に同数或いはこれと同等に配置されていれば本例の画素部の配置に限定されるものではない。
【０１３１】
図１２において、画素部７０は各交差領域Ｐｊｉに一つずつ配置されており、交差領域Ｐｊｉにおいて信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの一方にのみ電気的に接続されている。加えて画素部７０が電気的に接続される信号線は、図１１と同様に信号線Ｓｏｉ又は信号線Ｓｅｉの一方に固定されていない。但し、画素部７０は、各信号線に画素部を電気的に接続することによって各信号線に生じる容量が画像表示領域で平均化されるように配置されている。より具体的には、図中信号線Ｓｏｉには合計４つの画素部が電気的に接続されており、信号線Ｓｅｉにも合計４つの画素部が電気的に接続されている。
【０１３２】
このような画素部の配置によれば、図１１に示した画素部の配置と同様に信号線を介して供給或いは出力される各種信号の電位が信号線に容量ばらつきが生じることによって変動することを抑制できる。信号線に生じる容量が画像表示領域で平均化されていることから、プリチャージ電圧を信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々に印加してこれら信号線間で電位を揃えることによって、中間電位に対する第１電位信号の電位の相対的な高さをそのまま反映した高電位信号又は低電位信号を出力できる。したがって、これら信号線の電位の変動に起因して誤った電位を有する信号がテスト回路に出力されることを低減でき、画素部の良否を正確に判定することが可能である。
【０１３３】
図１１及び図１２に示した画素部の配置によれば、画素部の良否を反映する第１電位信号及び第１電位信号と比較される中間電位の変動を低減でき、中間電位を基準として第１電位信号が僅かに高い電位を有している場合、又は僅かに低い電位を有している場合でも、第１電位信号の電位が中間電位に対して本来出力されるべき電位を有するように出力され、テスト回路は画素部の良否を判定できる。
【０１３４】
また、蓄積容量７３の２つの端子のうち複数の画素部間で共通とされる一方の端子の電位を所定の電位に設定し、他方の端子の電位及び画素部に供給される検査信号の電位を所定の電位を基準として夫々設定することによって、ＴＦＴ及び蓄積容量の少なくとも一方の不具合のモードを判定することも可能である。
【０１３５】
図８、図１０、図１１及び図１２に示した画素部の配置によれば、画素部の良否を判定する際に基準となる中間電位に維持される信号線に画素部が電気的に接続されていないため、この中間電位に維持される信号線と一組とされる信号線に電気的に接続された画素部の一つ一つについて良否を判定できる。これにより、電気光学装置の歩留まりを高め、且つ製造コストを低減できる。加えて、２本一組とされる信号線は画像表示領域内で隣接するように配設されていることから、仮にこれら信号線にノイズ等が印加された場合でも、隣接する信号線には同等の電位或いは波形を有するノイズが印加され、画素部の良否を判定するための電位差を逆転させるような検査上の不具合を生じさせることがない。よって、このように配置された画素部を備える電気光学装置用基板によれば、信号線等に印加されるノイズ等に影響されることなく画素部の良否判定を正確に、且つ安定して行うことが可能である。
【０１３６】
以下、本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の実施形態、及び本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板の実施形態を順次説明する。尚、以下の実施形態では、第１実施形態の電気光学装置用基板と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明は便宜省略する。
【０１３７】
（第２実施形態）
＜電気光学装置用基板の構成＞
図１３及び図１４を参照しながら本発明の第１の発明に係る電気光学装置用基板の他の実施形態を説明する。図１３は、本実施形態の電気光学装置用基板の主要な回路構成の一例を示したブロック図であり、図１４は、本実施形態の電気光学装置用基板の主要な回路構成の他の例を示したブロック図である。本実施形態の電気光学装置用基板は、複数の信号線の組を夫々複数組含む複数の信号線群毎に一つずつ電気的に接続された複数の差動増幅回路を有している。加えて、複数のトランスミッションゲートが複数系列の信号によって個別にオンオフが切り換えられることによって、差動増幅回路を信号線群に含まれる複数の信号線の組毎に別々に電気的に接続できる点で第１実施形態の電気光学装置用基板の構成と異なっている。本実施形態の電気光学装置用基板によれば、第１電位信号及び第２電位信号は、異なるタイミングで供給された複数系列の信号に応じて信号線群に含まれる複数の信号線の組毎に複数の差動増幅回路に供給される。
【０１３８】
図１３において、ＴＦＴアレイ基板２１０が供える検査回路２０４は、複数の差動増幅回路１５、２つのトランスミッションゲート１６ａ及び１６ｂ、複数の信号線Ｓｏｉ及び複数の信号線Ｓｅｉ、本発明の「切り換え手段」の一例を構成するテスト信号供給回路１３０、及び接続回路１２６ａ、１２６ｂを備えている。
【０１３９】
差動増幅回路１５は、２本一組である信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを夫々２組備えた複数の信号線群Ｄ毎に配置されている。信号線群Ｄｋ（ｋ＝１、２、・・・、ｌ）は、図中横方向に沿って隣接するように配設された信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉを２本一組とする２つの信号線の組を含んでいる。信号線Ｓｏｉは差動増幅回路１５の接続点Ｓｏに電気的に接続されるように差動増幅回路１５に向かって延在している。同様に信号線Ｓｅｉは、差動増幅回路１５の接続点Ｓｅに電気的に接続されるように差動増幅回路１５に向かって延在している。一の信号線群Ｄｋに含まれる信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉの夫々は、画像表示領域１０ａ側から差動増幅回路１５に延在する途中で合流し、夫々一本の配線として接続点Ｓｏ及びＳｅの夫々に電気的に接続されている。
【０１４０】
テスト信号供給回路１３０は、テスト回路接続ゲート端子回路１４０と、テストゲートデコーダ回路１４１とを備えており、ＴＦＴ１５ａ及び１５ｂを介して接続回路１２６ａ及び１２６ｂに電気的に接続されている。
【０１４１】
テスト回路接続ゲート端子回路１４０は、ＴＦＴ１５ａ及び１５ｂをオン状態に切り換える信号をＴＦＴ１５ａ及び１５ｂのゲートに供給する。ＴＦＴ１５ａ及び１５ｂの夫々のソース及びドレインは、接続回路１２６ａ及び１２６ｂから延びる配線４６ａ及び４６ｂと、テストゲートデコーダ回路１４１とに電気的に接続されている。テストゲートデコーダ回路１４１は、画素部の検査時において、トランスミッションゲート１６ａ及び１６ｂを切り換える２系列の信号を互いに異なるタイミングで２つのトランスミッションゲート１６ａ及び１６ｂの夫々に供給する。トランスミッションゲート１６ａ及び１６ｂは、テストゲートデコーダ回路１４１から供給された２系列の信号に応じてオン状態に夫々切り換えられ、信号線群Ｄｋに含まれる信号線の組の夫々から、異なるタイミングで第１電位信号及び第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される。
【０１４２】
より具体的には、例えば信号線群Ｄｋにおいて、ＴＦＴ１５ｂを介して信号が供給されると、トランスミッションゲート１６ｂに含まれるＴＦＴ１１４ｂがオン状態に切り換えられ、信号線Ｓｏｉ及び信号線Ｓｅｉの夫々から第１電信信号及び第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される。また、ＴＦＴ１５ａを介して信号が供給されると、トランスミッションゲート１６ａに含まれるＴＦＴ１１４ａがオン状態に切り換えられ、信号線Ｓｏｉ−１及び信号線Ｓｅｉ−１の夫々から第１電位信号及び第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される。このように一の信号線群Ｄｋに含まれる２本一組の信号線の組の夫々は、第１電位信号及び第２電位信号を互いに異なるタイミングで出力するため、一の信号線群に差動増幅回路１５を一つ割り当てておけば、これら２組の信号線の組で一の差動増幅回路１５を共用できる。尚、本実施形態では、２組の信号線の組を含む信号線群を例に挙げたが、一の信号線群が３組以上の信号線の組を含んでいてもよいことは言うまでもない。このような場合でも、信号線群に含まれる信号線の組を切り換え可能なように信号線の組数に応じたトランスミッションゲートを設けておけば、これら信号線の組で一の差動増幅回路を共用できる。
【０１４３】
したがって、画質を高めるために複数の画素回路が狭いピッチで配置されている場合でも、信号線のピッチに比べて広いスペースに差動増幅回路を設けることが可能であり、差動増幅回路が複数のトランジスタ等の半導体素子を有している場合には、これら半導体素子を簡便、且つ高品質で形成できる。尚、各信号線の組における各種信号のタイミングチャートは、図９に示したタイミングチャートと同様であるため詳細な説明は省略する。
【０１４４】
２本一組とされる信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉは、走査線Ｇｊが延びる方向に沿って隣接するように配設されていることから、ノイズはこれら信号線に同等に印加され、２本一組とされる信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉにおいてノイズに起因する電位の変動はこれら信号線間で同等である。ＴＦＴアレイ基板２１０は、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板１０と同様に、信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉを介して供給される第１電位信号及び第２電位信号の電位の相対的な電位の高低関係を変化させることなく、画素部の良否を反映した第１電位信号及びこの第１電位信号と比較される第２電位信号に基づいて画素部の良否を判定可能にする。
【０１４５】
図１４において、ＴＦＴアレイ基板２１０´が供える検査回路２０４´は、互いに隣接しない信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉによって２本一組の信号線の組を構成している点で図１３に示したＴＦＴアレイ基板の構成と異なっている。このようなＴＦＴアレイ基板は、２本一組とされる信号線Ｓｏｉ及びＳｅｉに印加されるノイズによってこれら信号線間に若干の電位の乱れが生じる場合もあるが、図１３に示したＴＦＴアレイ基板と相応に安定して画素部の良否を判定可能にする。加えて、差動増幅回路１５を構成する複数のＴＦＴ等の半導体素子を高品質で形成できる。
【０１４６】
尚、図１３及び図１４に示した画像表示領域１０ａでは、第１実施形態で説明した図８、図１０、図１１及び図１２と同様に画素部を配置することは勿論である。
【０１４７】
（第３実施形態）
＜電気光学装置用基板の構成＞
次に、図１５乃至図１８を参照しながら本発明の第２の発明に係る電気光学装置用基板の実施形態を説明する。図１５は、本実施形態の電気光学装置用基板の一例であるＴＦＴアレイ基板３１０の主要な回路構成を示すブロック図であり、図１６は、本実施形態のＴＦＴアレイ基板の画像表示領域における画素部の配置を模式的に示した図である。本実施形態のＴＦＴアレイ基板は、差動増幅回路の複数の信号線が接続されており、画素回路の検査時に第１電位信号及び第２電位信号を差動増幅回路に供給する２本一組の信号線のうち画素部が電気的に接続されている信号線を選択できる点に特徴を有する。尚、以下の各例では、画素部を検査する際のタイミングチャートは図９に示したタイミングチャートと同様であるため詳細な説明を省略する。
【０１４８】
図１５において、ＴＦＴアレイ基板３１０が供える検査回路３０４は、複数の差動増幅回路１５、４つのトランスミッションゲート１６ａ、１６ｂ、１６ｃ及び１６ｄ、本発明の「第１信号線」の夫々一例である複数の信号線Ｓｏｉｐ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは２以上の整数、ｐ＝１、２、３、４）、及び本発明の「第２信号線」の夫々一例である複数の信号線Ｓｅｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは２以上の整数）、本発明の「切り換え手段」の一例を構成するテスト信号供給回路３３０、及び接続回路１２６を備えている。ＴＦＴアレイ基板３１０は、後述するように画像表示領域１０ａで信号線Ｓｏｉｐ及びＳｅｉの夫々と交差するように配設された複数の走査線を備えている。
【０１４９】
差動増幅回路１５は、複数の信号線Ｓｏｉｐ（ｐ＝１、２、３、４）及び一本の信号線Ｓｅｉ（ｉ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは２以上の整数）を備えた複数の信号群Ｄｋ（ｋ＝１、２、・・・、ｍ；ｍは２以上の整数）毎に配置されている。信号線Ｓｏｉｐは、画像表示領域１０ａ側から差動増幅回路１５に延在する途中で合流し、夫々一本の配線として接続点Ｓｏに電気的に接続されている。後述するように信号線Ｓｏｉｐは、画像表示領域で画素部７０に電気的に接続されている。同様に、接続点Ｓｅも画像表示領域側から差動増幅回路１５に延在しており、接続点Ｓｅに電気的に接続されている。
【０１５０】
テスト信号供給回路３３０は、テスト回路接続ゲート端子回路１４０と、テストゲートデコーダ回路３４１、ＴＦＴ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ及び１５ｄを備えている。
【０１５１】
テスト回路接続ゲート端子回路１４０は、ＴＦＴ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ及び１５ｄをオン状態に切り換える信号をＴＦＴ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ及び１５ｄのゲートに供給する。ＴＦＴ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ及び１５ｄのソース及びドレインは、接続回路１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｃ及び１２６ｄの夫々から延びる配線４６ａ、４６ｂ、４６ｃ及び４６ｄと、テストゲートデコーダ回路３４１とに電気的に接続されている。テストゲートデコーダ回路３４１は、画素部の検査時において、トランスミッションゲート１６ａ、１６ｂ、１６ｃ及び１６ｄを切り換える４系列の信号を互いに異なるタイミングで４つのトランスミッションゲート１６ａ、１６ｂ、１６ｃ及び１６ｄの夫々に供給する。トランスミッションゲート１６ａ、１６ｂ、１６ｃ及び１６ｄは、４系列の信号に応じて異なるタイミングでオン状態に夫々切り換えられることによって、信号線群Ｄｋに含まれる信号線Ｓｏｋｐの夫々から、第１電位信号が異なるタイミングで差動増幅回路１５に供給される。
【０１５２】
より具体的には、例えば図中右端に位置する信号線群Ｄｋにおいて、ＴＦＴ１５ａを介して信号が供給されると、トランスミッションゲート１６ａに含まれるＴＦＴ１１４ａがオン状態に切り換えられ、信号線Ｓｏｋ４から第１電信信号が差動増幅回路１５に供給される。このとき、他の信号線群Ｄｉにおいて、この信号線群Ｄｉに含まれる信号線Ｓｏｉｐのうち配線４６ａに電気的に接続されたＴＦＴ１１４ａを介して第１電信信号が差動増幅回路１５に供給される。したがって、オン状態に切り換えられたトランスミッションゲート１６ａは、各信号線群Ｄｉに電気的に接続された差動増幅回路１５に複数の信号線群Ｄｉの夫々に含まれる一本の信号線Ｓｏｉｐを介して第１電位信号を供給する。ＴＦＴ１５ａに信号を供給したタイミングと異なるタイミングで信号がＴＦＴ１５ｂを介して供給されると、トランスミッションゲート１６ｂに含まれるＴＦＴ１１４ｂがオン状態に切り換えられ、信号線Ｓｏｋ３から第１電位信号が差動増幅回路１５に供給される。この場合にも、他の信号線群Ｄｋにおいてトランスミッションゲート１６ｂに電気的に接続されたＴＦＴ１１４ｂを介して信号線Ｓｏｉｐから第１電位信号が差動増幅回路１５に供給される。このように順次トランスミッションゲート１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄをオン状態に切り換えることによって各信号線群Ｄｋに含まれる信号線Ｓｏｋｐから第１電位信号を異なるタイミングで差動増幅回路１５に供給できる。信号線群Ｄｋ毎に差動増幅回路１５を一つ割り当てておけば、この信号線群に含まれる複数の信号線Ｓｏｋｐの夫々から異なるタイミングで１電位信号を差動増幅回路１５に供給でき、信号線群Ｄｋに含まれる複数の信号線Ｓｏｋｐで一つの差動増幅回路１５を共用できる。したがって、画質を高めるために複数の画素回路が狭いピッチで配置されている場合でも、信号線のピッチに比べて広いスペースに差動増幅回路を設けることが可能であり、差動増幅回路が複数のトランジスタ等の半導体素子を有している場合には、これら半導体素子を簡便、且つ高品質で形成できる。尚、第２電位信号は、各信号線群Ｄｋに一本ずつ含まれる信号線Ｓｅｋを介して差動増幅回路１５に供給される。
【０１５３】
次に、図１６を参照しながら、画像表示領域１０ａにおける信号線及び走査線の配置、並びに画素部の配置について詳細に説明する。図１６は、画像表示領域の一部における信号線及び走査線、並びに画素部の配置を模式的に示した配置図である。
【０１５４】
図１６において、信号線群Ｄｋは、複数の走査線Ｇｊ、この走査線Ｇｊが延びる方向に沿って隣接するように配設された信号線Ｓｏｋ１、Ｓｏｋ２、Ｓｏｋ３、及びＳｏｋ４、信号線群Ｄｋの図中左端に設けられた信号線Ｓｅｋを備えている。
【０１５５】
信号線Ｓｏｋ１、Ｓｏｋ２、Ｓｏｋ３、及びＳｏｋ４、並びに信号線Ｓｅｋの夫々は、検査回路３０４から画像表示領域１０ａに延在されており、走査線Ｇｊと交差している。画素部７０は、各走査線Ｇｊと、信号線Ｓｏｋ１、Ｓｏｋ２、Ｓｏｋ３、及びＳｏｋ４との交差領域に夫々配置されている。画素部７０を検査する際には信号線Ｓｅｋが、信号線Ｓｏｋ１、Ｓｏｋ２、Ｓｏｋ３、及びＳｏｋ４の夫々と２本一組の信号線の組を構成し、信号線Ｓｏｋ１、Ｓｏｋ２、Ｓｏｋ３、及びＳｏｋ４の夫々に電気的に接続された画素部７０から信号線Ｓｏｋ１、Ｓｏｋ２、Ｓｏｋ３、及びＳｏｋ４の夫々を介して第１電位信号が差動増幅回路１５に供給される。
【０１５６】
画素部７０は、第１実施形態と同様の構成を有しており、スイッチング素子の一例であるＴＦＴが走査線Ｇｊを介して供給されたスイッチング信号によってオン状態で切り換えられる。これにより、画素部７０は、第１電位信号を信号線Ｓｏｋを介して差動増幅回路１５に供給する。
【０１５７】
各信号線群Ｄｋに含まれる信号線Ｓｅｋは、トランスミッションゲート１６ａ、１６ｂ、１６ｃ及び１６ｄに電気的に接続されることなく差動増幅回路１５の接続点Ｓｅに電気的に接続されているため、画素部の検査時に中間電位に維持された信号線Ｓｅｋから第２電位信号が差動増幅回路１５の接続点Ｓｅに供給される。差動増幅回路１５は、第１及び第２実施形態と同様に第１電位信号及び第２電位信号を比較し、信号線Ｓｏｋｐを介して高電位信号又は低電位信号をテスト回路に出力する。画素部は、信号線Ｓｅｉに電気的に接続されておらず、信号線Ｓｏｉｐにのみ電気的に接続されている。
【０１５８】
信号線Ｓｅｉは、検査時に信号線Ｓｏｉｐの一つと共に２本一組の信号線の組を構成し、差動増幅回路の接続点Ｓｅを中間電位に維持する専用の信号線として使用される。本例のＴＦＴアレイ基板３１０によれば、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板１０と同様に、差動増幅回路１５によって比較される第１電位信号及び第２電位信号間の電位の高低関係を明確にでき、各信号線に印加されるノイズ等の影響を受けることなく画素部の良否を正確に判定できる。
【０１５９】
本例では、信号線群Ｄｋが４本の信号線Ｓｏｋｐを含む例に挙げたが、４本に限定されず一の信号線群に２本以上の信号線Ｓｏｋが含まれていてもよい。このような場合、信号線群Ｄｉに含まれる信号線Ｓｏｋの本数と同数のトランスミッションゲートの夫々によって各信号線Ｓｏｋｐを介した第１電位信号の供給を順次異なるタイミングで行うことにより、一つの信号線群Ｄｋに含まれる複数の信号線Ｓｏｋｐで差動増幅回路１５を共用できる。
【０１６０】
次に、本実施形態のＴＦＴアレイ基板の変形例を説明する。図１７は、本実施形態のＴＦＴアレイ基板の変形例のブロック図である。図１８は、本例のＴＦＴアレイ基板４１０の画像表示領域における画素部の配置を模式的に示した図である。
【０１６１】
図１７において、ＴＦＴアレイ基板４１０が供える検査回路４０４は、画素部の検査時に第２電位信号を差動増幅回路１５に供給する信号線として、信号線群Ｄｋに信号線Ｓｅｉの複数の分岐線Ｓｅｉｐを備えている点で上述したＴＦＴアレイ基板３１０の回路構成を異なっている。ＴＦＴアレイ基板４１０は、ＴＦＴアレイ基板３１０と同様に、一つの信号線群Ｄｋに差動増幅回路１５が一つ割り当てられており、信号線群Ｄｋに含まれる信号線Ｓｏｋｐ及び分岐線Ｓｅｋｐからなる２本一組の信号線の各組で共用される。
【０１６２】
図１８において、画像表示領域に延びる信号線Ｓｅｋｐ及び分岐線Ｓｏｋｐは、走査線Ｇｊが延びる方向に沿って交互に配設されている。分岐線Ｓｅｋｐ及び信号線Ｓｏｋｉは、画像表示領域内で隣接しており、隣接する２本の信号線が２本一組の信号線の組を構成する。画素部を検査する際には、この２本一組の信号線の組を構成する信号線Ｓｏｋｉを介して第１電位信号が差動増幅回路１５に出力され、分岐線Ｓｅｋｉを介して第２電位信号が差動増幅回路１５に供給される。尚、分岐線Ｓｅｋｐは、差動増幅回路１５の接続点Ｓｅに電気的に接続された信号線が画像表示領域で複数の信号線として分岐した分岐線である。画素部７０は、複数の走査線Ｇｊ及び信号線Ｓｏｋｐの交差領域に配置されていると共に信号線Ｓｏｋｐに電気的に接続されている。
【０１６３】
本例のＴＦＴアレイ基板４１０によれば、ＴＦＴアレイ基板３１０と同様に画素部７０の良否を正確に判定できる。より具体的には、信号線Ｓｏｋｐ及び分岐線Ｓｅｋｐが隣接しているため、検査時に第１電位信号を供給する信号線Ｓｏｋｐと、第２電位信号を供給する分岐線Ｓｅｋｐとに印加されるノイズが同等であり、差動増幅回路１５に供給される第１電位信号及び第２電位信号の相対的な電位の高低関係が変化しない。したがって、信号線Ｓｏｋｐを介して画素部７０から出力される第１電位信号と、分岐線Ｓｅｋｐを介して差動増幅回路１５に供給される第２電位信号の電位が僅かであっても、差動増幅回路１５はこの僅かな電位差に応じて高電位信号又は低電位信号をテスト回路等の判定手段に出力できる。
【０１６４】
なお、本発明が適用可能な電気光学装置としては、上述の実施例で示した液晶パネルの他に、有機ＥＬ装置、電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）、反射型液晶装置の一例であるＬＣＯＳ(Liquid Crystal On Silicon)などがある。
【０１６５】
（電子機器）
次に、図１９及び図２０を参照しながら上述した液晶パネルを各種電子機器に応用した例を説明する。図１９は、上述した液晶パネルを適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図１９において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１６６】
更に、上述した液晶パネルを携帯電話に適用した例について説明する。図２０は、上述した液晶パネルを適用した携帯電話の斜視図である。図２０において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１６７】
本実施形態の電子機器の各例によれば、ＴＦＴ等の各種素子が形成されたＴＦＴアレイ基板等の電気光学装置用基板の不具合を基板を形成した段階で、画素部における不具合の有無を検出できるため、電気光学装置の歩留まりを高め、且つ基製造コストを低減できる。加えて、画素部の良否を画素部毎に判定できるため、リペア等も簡便に施すことが可能である。
【０１６８】
本発明に係る電子機器によれば、図１９乃至図２０を参照して説明した電子機器の他にも、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。（ここで示された各種デバイスは電気光学装置に分類されます。電子機器に含まれるものではありません。）
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、及びこれを備えた電気光学装置、並びにこのような電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置用基板の主要な回路構成を示すブロック図である。
【図４】差動増幅回路の回路構成を示す回路図である。
【図５】画素部の回路構成を示す回路図である。
【図６】プルアップ回路の回路構成を示す回路図である。
【図７】プルダウン回路の回路構成を示す回路図である。
【図８】画像表示領域における画素部、信号線及び走査線の配置の一例を模式的に示した配置図である。
【図９】第１実施形態に係る電気光学装置用基板における検査時のタイミングチャートである。
【図１０】画像表示領域における画素部、信号線及び走査線の配置の他の例を模式的に示した配置図である。
【図１１】画像表示領域における画素部、信号線及び走査線の配置の他の例を模式的に示した配置図である。
【図１２】画像表示領域における画素部、信号線及び走査線の配置の他の例を模式的に示した配置図である。
【図１３】第２実施形態に係る電気光学装置用基板の主要な回路構成の一例を示したブロック図である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置用基板の主要な回路構成の他の例を示したブロック図である。
【図１５】第３実施形態に係る電気光学装置用基板の主要な回路構成の一例を示したブロック図である。
【図１６】画像表示領域における画素部、信号線及び走査線の配置の一例を模式的に示した配置図である。
【図１７】第３実施形態に係る電気光学装置用基板の主要な回路構成の他の例を示したブロック図である。
【図１８】画像表示領域における画素部、信号線及び走査線の配置の他の例を模式的に示した配置図である。
【図１９】本発明に係る電子機器の一例の斜視図である。
【図２０】本発明に係る電子機器の他の例の斜視図である。
【符号の説明】
【０１７０】
１０、２１０、３１０、４１０  ＴＦＴアレイ基板、４、２０４、２０４´、３０４、４０４  検査回路、１５  差動増幅回路、７０  画素部
【図１】
2006323044.tif 000003
【図２】
2006323044.tif 000004
【図３】
2006323044.tif 000005
【図４】
2006323044.tif 000006
【図５】
2006323044.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006323044.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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