(57)【要約】【課題】  エピタキシャル成長により製造される歪みシリコンウエハにおいて、最上層である歪みＳｉ層における貫通転位および欠陥密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウエハの製造方法を提供する。【解決手段】  単結晶シリコン基板１上に、Ｇｅ濃度を２５％／μｍ未満の傾斜で増加させながら、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）２をエピタキシャル成長させ、その上に、厚さ５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層（ｘ≦０．５）３をエピタキシャル成長させ、さらに、Ｇｅ濃度を５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少させながら、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）４をエピタキシャル成長させ、最後に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層５をエピタキシャル成長させて、歪みシリコンウエハを得る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板上に、Ｇｅ濃度を２５％／μｍ未満の傾斜で増加させながら、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層上に、厚さ５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層上に、Ｇｅ濃度を５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少させながら、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層上に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させる工程とを備えていることを特徴とする歪シリコンウエハの製造方法。
【請求項２】
単結晶シリコン基板上に、Ｇｅ濃度を２５％／μｍ未満の傾斜で増加させながら、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層上に、Ｇｅ濃度を５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少させながら、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層上に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させる工程とを備えていることを特徴とする歪シリコンウエハの製造方法。
【請求項３】
単結晶シリコン基板上に、Ｇｅ濃度を２５％／μｍ未満の傾斜で増加させながら、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層上に、Ｇｅ濃度を５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少させながら、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層上に、厚さ５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層上に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させる工程とを備えていることを特徴とする歪シリコンウエハの製造方法。
【請求項４】
前記組成傾斜層および／または歪み緩和層において、Ｓｉ1-xＧｅxに代えて、Ｓｉ1-yＣy（ｙ＞０．１）またはＳｉ1-zＮz（ｚ＞０．１）であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の歪みシリコンウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通転位および積層欠陥密度の低減化を図ることができる歪みシリコンウエハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、単結晶シリコン基板上にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させ、該ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させた歪みシリコンウエハが提案されている。
前記歪みＳｉ層には、Ｓｉに比べて格子定数が大きいＳｉＧｅ層によって、引っ張り歪みが生じており、この歪みにより、Ｓｉのバンド構造が変化し、縮退が解けてキャリア移動度が高まる。
したがって、この歪みＳｉ層をチャネル領域として用いることによって、通常のバルクシリコンを用いた場合と比べて、１．５倍以上のキャリア移動の高速化が可能となる。
このため、歪みシリコンウエハは、高速ＭＯＳＦＥＴ、ＭＯＤＦＥＴ、ＨＥＭＴ等に好適なウエハとして注目されている。
【０００３】
上記のような歪みシリコンウエハにおいて、良質な歪みＳｉ層を得るためには、その下地として、シリコン基板上に、良質なＳｉＧｅ層、すなわち、貫通転位密度が低く、歪みが緩和され、平滑な表面を有するＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させることが必要である。
【０００４】
しかしながら、ＳｉとＳｉＧｅの格子定数の違いから、シリコン基板上へのＳｉＧｅ層のエピタキシャル成長の際、ミスフィット転位が発生する。そして、該ミスフィット転位に起因する貫通転位は、高密度でその表面まで達し、該ＳｉＧｅ層上に形成される歪みＳｉ層にまで、同様の高密度の転位が発生するという課題が生じていた。
【０００５】
前記歪みＳｉ層における転位は、デバイス素子の形成時において、接合リーク電流が増大する大きな原因となることから、従来から、貫通転位密度を低減させるための様々な提案がなされている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、単結晶シリコン基板上に、Ｇｅ成分が約２５％／μｍ以下の濃度勾配で増大するＳｉＧｅ階層化層をエピタキシャル成長させた後、前記ＳｉＧｅ階層化層の上に、歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させる半導体デバイスの製造方法が開示されている。
【０００７】
同様に、特許文献２にも、第１の元素Ａの単結晶基板上に、ＡxＢx-1で表される各層が一定組成である複数の組成傾斜層を形成し、最上層より下の層の端にミスフィット転位を発生させることにより、不整合な低欠陥の最上層を形成させた多層材料が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特許第２７９２７８５号
【特許文献２】特許第２５８２５０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１、２に記載されているような、従来のＳｉＧｅ組成傾斜層（階層化層）によっては、格子歪みを十分に緩和させることは困難であり、完全に歪みを緩和させるためには、歪み緩和ＳｉＧｅ層の厚さが約１μｍ以上必要であった。このため、前記ミスフィット転位に起因するクロスハッチ模様の凹凸が発生し、その上に成長させる歪みＳｉ層の表面粗さＲmsが２〜４μｍにもなり、表面が平滑に形成されないという不都合も招いていた。
【００１０】
また、最上層である歪みＳｉ層の厚さは、その下層のＳｉＧｅ層のＧｅ濃度（格子定数）に依存し、例えば、ＳｉＧｅ層のＧｅ濃度が２０％の場合は、歪みＳｉ層の厚さは１０ｎｍ以下では擬似的な成長となり、歪みＳｉ層／ＳｉＧｅ層界面において、ミスフィット転位が発生しない。
【００１１】
しかしながら、半導体デバイス製造においては、デバイス活性層および製造プロセスにおいて消耗される歪みＳｉ層の厚さを考慮すると、歪みＳｉ層の厚さは、１５ｎｍ程度は必要であり、Ｇｅ濃度によっては臨界膜厚を超える場合もあった。
【００１２】
したがって、歪みシリコンウエハを製造するに際して、デバイス形成に十分な厚さを有する歪みＳｉ層を形成することができ、かつ、上記のような組成傾斜層をエピタキシャル成長させる際の貫通転位の発生および伸張を防止することができる方法が求められていた。
【００１３】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、エピタキシャル成長により製造される歪みシリコンウエハにおいて、最上層である歪みＳｉ層における貫通転位および欠陥密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウエハの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る歪みシリコンウエハの製造方法は、単結晶シリコン基板上に、Ｇｅ濃度を２５％／μｍ未満の傾斜で増加させながら、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層上に、厚さ５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層上に、Ｇｅ濃度を５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少させながら、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層上に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させる工程とを備えていることを特徴とする。
上記のように、歪みＳｉ層を形成する前に、歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層上に、擬似的な成長を維持した状態で、Ｇｅ濃度を減少させていくＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層を形成しておくことにより、歪みＳｉ層は、歪み緩和ＳｉＧｅ層のＧｅ濃度に対応した格子定数を有する歪みＳｉの臨界膜厚よりも厚い膜厚で形成することが可能となる。
【００１５】
また、本発明に係る第２の態様の歪みシリコンウエハの製造方法は、単結晶シリコン基板上に、Ｇｅ濃度を２５％／μｍ未満の傾斜で増加させながら、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層上に、Ｇｅ濃度を５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少させながら、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層上に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させる工程とを備えていることを特徴とする。
このように、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層のエピタキシャル成長において、Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層により生じた歪みを十分に緩和することができる限り、前記歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層の形成を省略しても、上記と同様の歪みシリコンウエハを得ることができる。
【００１６】
さらに、本発明に係る第３の態様の歪みシリコンウエハの製造方法は、単結晶シリコン基板上に、Ｇｅ濃度を２５％／μｍ未満の傾斜で増加させながら、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層上に、Ｇｅ濃度を５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少させながら、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層上に、厚さ５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層（ｘ≦０．５）をエピタキシャル成長させる工程と、前記歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層上に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させる工程とを備えていることを特徴とする。
このように、歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層上に、擬似的な成長を維持した状態で、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層を形成した後に歪み緩和ＳｉＧｅ層を形成することによっても、上記と同様の歪みシリコンウエハを得ることができる。
【００１７】
前記組成傾斜層および／または歪み緩和層は、Ｓｉ1-xＧｅxに代えて、Ｓｉ1-yＣy（ｙ＞０．１）またはＳｉ1-zＮz（ｚ＞０．１）であってもよい。
このように、本発明においては、ヘテロ層の組成は、ＳｉＧｅに限定されるものではなく、ＳｉＣまたはＳｉＮによっても同様に、歪みシリコンウエハを得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
上述のとおり、本発明によれば、従来よりも、貫通転位および積層欠陥等の欠陥密度がより低減された歪みシリコンウエハが提供される。
したがって、本発明に係る製造方法により得られる歪みシリコンウエハは、貫通転位密度の低い高品質の歪みＳｉ層が形成されるため、該歪みＳｉ層をデバイス活性層として用いることにより、キャリア移動度の高速化が図られ、次世代以降のＬＳＩや個別半導体デバイス等に好適に利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明をより詳細に説明する。
図１に、本発明に係る製造方法により得られた歪みシリコンウエハの構造の一例を示す。
図１に示す歪みシリコンウエハは、単結晶シリコン基板１上に、Ｇｅ濃度が２５％／μｍ未満の傾斜で増加する厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）２が積層されている。そして、その上に、厚さ５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層（ｘ≦０．５）３が積層され、さらに、Ｇｅ濃度が５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少するＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）４が積層され、最後に、厚さ５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の歪みＳｉ層５が順次積層されている。
【００２０】
上記のように、歪みＳｉ層５を積層させる前に、歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３上に、擬似的な成長を維持した状態で、Ｇｅ濃度を減少させていくＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４を形成しておくことにより、歪みＳｉ層５の膜厚は、臨界膜厚ではなく、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４の条件により決定される。
すなわち、歪みＳｉ層５は、歪み緩和ＳｉＧｅ層３のＧｅ濃度に対応した格子定数を有する歪みＳｉの臨界膜厚よりも厚い膜厚で形成することが可能となる。
したがって、ミスフィット転位および貫通転位密度が低い歪みＳｉウエハを得ることができる。
【００２１】
以下、図１に示す本発明に係る歪みシリコンウエハの製造方法を詳細に説明する。
本発明において用いられる単結晶シリコン基板１としては、例えば、チョクラルスキー（ＣＺ）法で引き上げられた単結晶インゴットから切り出されたＰ型ホウ素ドープ基板で、方位（１００）、抵抗率０．１Ωｃｍ以上、初期酸素濃度１５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下等の仕様のシリコンプライム基板が好適に用いられる。もちろん、ＣＺ基板以外の基板、例えば、ＦＺ基板等も用いることができる。
【００２２】
そして、前記単結晶シリコン基板１上に、厚さ１μｍ以上３μｍ以下のＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．５）２をエピタキシャル成長させる。
このＳｉ1-xＧｅx組成傾斜層２は、Ｇｅ濃度が２５％／μｍ未満の傾斜で増加するように形成される。
Ｇｅ濃度傾斜が２５％／μｍを超える場合は、濃度傾斜が急激すぎるため、エピタキシャル成長時に転位や欠陥を生じるおそれがある。
同様の観点から、前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層２のＧｅ濃度比ｘは０．５以下であることが好ましい。
また、前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層２の厚さが１μｍ未満の場合には、歪みが不十分となり、一方、３μｍを超えても、望ましい歪み量はあまり変わらないことから、Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層２の厚さは１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
次に、前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層２の上に、Ｇｅ組成比が一定の歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３をエピタキシャル成長させる。
この歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３は、Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層２より生じた歪みを十分に緩和させる観点から、厚さ５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下で形成されることが好ましい。
本発明においては、この歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３の表面において、緩和率が９５％を超えており、かつ、貫通転位密度が１０3／ｃｍ2以下であることが前提条件となる。
【００２４】
また、本発明においては、次に積層させるＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４のエピタキシャル成長において、Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層２により生じた歪みを十分に緩和することができれば、前記歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３の形成を省略することもできる。
この場合は、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４の表面において、緩和率が９５％を超えており、かつ、貫通転位密度が１０3／ｃｍ2以下であることが必要である。
【００２５】
さらに、前記歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３の上に、Ｇｅ濃度が５％／μｍ以上２５％／μｍ以下の傾斜で減少するＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４をエピタキシャル成長させる。
このときのＧｅ濃度傾斜は、上記範囲内とすることにより、下記実施例に示すように、貫通転位密度を１０3／ｃｍ2以下と低くすることができる。
また、前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４のＧｅ濃度比ｘは０．０５以上であることが好ましい。
【００２６】
なお、上記のように、歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３の形成を省略した場合において、例えば、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４の表面において、緩和率が９５％を超えており、かつ、貫通転位密度が１０3／ｃｍ2以下でないときは、前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４上に、歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層を形成してもよい。
【００２７】
前記Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層２、歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４等のエピタキシャル成長は、例えば、ランプ加熱によるＣＶＤ法、超高真空中でのＣＶＤ法（ＵＨＶ−ＣＶＤ）等の気相エピタキシャル成長法や分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等により行うことができる。
成長条件は、成長させるＳｉＧｅ層のＳｉとＧｅの組成比や、膜厚、用いる成長方法、装置等により異なり、適宜設定されるが、例えば、ランプ加熱によるＣＶＤ法により、歪み緩和Ｓｉ0.7Ｇｅ0.3層をエピタキシャル成長させる場合は、キャリアガス：Ｈ2、原料ガス：ＳｉＨ4、ＧｅＨ4、チャンバ圧：１０〜１００Ｔｏｒｒ、温度：６５０〜６８０℃、成長速度１０〜５０ｎｍ／分の条件下で行われる。
【００２８】
なお、前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４の表面は、例えば、Ｈ2気流中８５０〜１２００℃、圧力１０〜７６０Ｔｏｒｒ程度での高温水素熱処理等により、平滑化しておくことが好ましい。
これにより、その上に形成される歪みＳｉ層５は、平滑な表面が平滑になり、かつ、転位の発生も抑制される。
【００２９】
上記のようにして形成されたＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層４の上に、例えば、ＣＶＤ法等により単結晶Ｓｉ層をエピタキシャル成長させる。
この単結晶Ｓｉ層は、単結晶シリコン基板１と格子定数が異なる歪みＳｉ層５として形成される。
この歪みＳｉ層５は、デバイス活性領域となることから、歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層３に対する臨界膜厚を超える十分な厚さとして、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下で形成されることが好ましい。
【００３０】
上記ＣＶＤ法による歪みＳｉ層５の形成は、例えば、キャリアガス：Ｈ2、原料ガス：ＳｉＨ2Ｃｌ2またはＳｉＨ4、チャンバ圧：１０〜７６０Ｔｏｒｒ、温度：６５０〜１０００℃の条件下で行われる。
【００３１】
上記のような貫通転位密度の低い歪みＳｉ層が形成された歪みシリコンウエハは、該歪みＳｉ層において、キャリア移動の高速化が図られ、高速デバイスを形成する上で好適な基板として用いることができる。
【００３２】
上記実施形態においては、組成傾斜層および／または歪み緩和層として、ＳｉＧｅ層を形成した場合について説明したが、本発明は、特にこれに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ層に代えて、ＳｉＣまたはＳｉＮをエピタキシャル成長させた層であってもよい。
前記ＳｉＣ層、ＳｉＮ層は、ＳｉＧｅ層の場合と同様の厚さで形成される。
また、Ｓｉ1-yＣy層の場合のＣ濃度比ｙは、最終的に形成されるデバイスのキャリア移動度等の性能に関係する歪みＳｉ層の適度な歪みの観点から、０．１以上であることが好ましい。
同様に、Ｓｉ1-zＮz層の場合のＮ濃度比ｚも、０．１以上であることが好ましい。
【００３３】
前記ＳｉＣ層、ＳｉＮ層の形成も、ＳｉＧｅ層の場合と同様に、例えば、ランプ加熱によるＣＶＤ法、超高真空中でのＣＶＤ法（ＵＨＶ−ＣＶＤ）等の気相エピタキシャル成長法や分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）等により行うことができる。
成長条件は、成長させるＳｉＣ層のＳｉとＣの濃度比、ＳｉＮ層のＳｉとＮの濃度比や、膜厚、用いる成長方法、装置等により異なり、適宜設定される。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記の実施例により制限されるものではない。
［実施例および比較例］
単結晶シリコン基板として、ＣＺ法−Ｐ型（ボロン）のシリコン基板で、方位（１００）、抵抗率０．１〜１．０Ω・ｃｍ、初期酸素濃度１５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下のものを用いた。
この基板表面に、Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層（ｘ≦０．３）を厚さ２０００ｎｍでエピタキシャル成長させ、その上に、厚さ１０００ｎｍの歪み緩和Ｓｉ0.7Ｇｅ0.3層をエピタキシャル成長させた。
さらに、その上に、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層（ｘ≧０．０５）を厚さ１０００ｎｍでエピタキシャル成長させた。
このとき、前記Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層は、Ｇｅ濃度が低下する組成傾斜を１〜３０％／μｍの範囲（８点）で変化させて形成した。
そして、これらの表面に、厚さ２０ｎｍの歪みＳｉ層をエピタキシャル成長させた。
図２に、各Ｇｅ濃度傾斜によりＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層を形成した各歪みシリコンウエハの貫通転位密度をグラフとして示した。
【００３５】
図２のグラフからわかるように、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層のＧｅ濃度傾斜は、２５％／μｍ以下とすることにより、貫通転位密度が１０3／ｃｍ2以下と低くなる傾向にある。
ただし、前記Ｇｅ濃度傾斜が５％／μｍ未満の場合になると、貫通転位密度が高くなる傾向にある。
したがって、Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層のＧｅ濃度傾斜は、５％／μｍ以上２５％／μｍ以下であることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る製造方法により得られた歪みシリコンウエハの一例を示す概略断面図である。
【図２】実施例におけるＳｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層のＧｅ濃度傾斜に伴う歪みシリコンウエハの貫通転位密度を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３７】
１  単結晶シリコン基板
２  Ｓｉ1-xＧｅx組成傾斜層
３  歪み緩和Ｓｉ1-xＧｅx層
４  Ｓｉ1-xＧｅx逆組成傾斜層
５  歪みＳｉ層
【図１】
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【図２】
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