(57)【要約】【課題】  インクジェット法を利用して、ＩＤＴ電極及び櫛形電極の腐食を防止し、廉価で信頼性の高い弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  第一の工程としてのＳ１０で接続ランド部７ａ，７ｂ部の一部及び圧電体２の主表面３の一部を含む領域にインクジェット法によって、液状材料としてのレジスト１９ａ，１９ｂが吐出されて形成される。Ｓ１１は、Ｓ１０で吐出形成された液状材料としてのレジスト１９ａ，１９ｂを成膜処理するために乾燥し硬化させて硬化膜を形成する第二の工程である。この硬化されたレジスト１９ａ，１９ｂは、第三の工程としてのＳ１２でＩＤＴ電極５に施される陽極酸化処理の硫酸、臭酸、クロム酸、りん酸、アルカリ溶液等の電解液及び煮沸水に耐えるものであればよい。Ｓ１３は、接続ランド部７ａ，７ｂの硬化膜としての硬化したレジスト１９ａ，１９ｂを除去する第四の工程である。【選択図】      図４
2006211182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体の表面に形成された一組の交差指電極の接続ランド部の一部と前記圧電体の一部とを含む領域を液状材料で覆う第一の工程と、
前記液状材料を硬化させて硬化膜を形成する第二の工程と、
前記交差指電極を陽極として電解液中で電解して陽極酸化処理を行う第三の工程と
を少なくとも有することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の前記第一の工程乃至前記第三の工程に加えて、前記接続ランド部の前記硬化膜を除去する第四の工程を備えたことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の前記第四の工程によって前記硬化膜が除去された前記接続ランド部と支持体とが電気的に接続されていることを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の前記硬化膜が導電性を有することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の前記硬化膜と前記支持体とが電気的に接続されていることを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の前記圧電体は圧電体ウェハに複数配設され、前記圧電体ウェハをそれぞれの前記圧電体に切断する第五の工程を有することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の前記圧電体ウェハに配設されている複数の前記圧電体のそれぞれの前記接続ランド部と前記圧電体の一部とを含む領域を前記液状材料で覆うことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１，４，７のいずれか一項に記載の前記液状材料は、インクジェット法によって吐出形成されることを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の前記弾性表面波デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は例えば通信機器などに用いる弾性表面波デバイスとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ等の微細加工技術を利用して、圧電体表面上へ微細電極の形成が可能となり、弾性表面波（Surface Acoustic Wave＝ＳＡＷ）を電気的に駆動あるいは検出できるようになった。これを利用して、およそ１００ＭＨｚからギガＨｚ帯の高周波を安定して得られるようになった。この弾性表面波を用いたＳＡＷデバイスは、高周波用のフィルター（ＳＡＷフィルタ）あるいは発振回路を構成するための弾性表面波共振子（ＳＡＷ共振子）などとして用いられている。
【０００３】
現像液によりＩＤＴ電極が悪影響を受けない弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することを目的として、表面にアルミニウム膜を形成した圧電基板のアルミニウム膜の表面に第１の酸化アルミニウム膜を形成し、フォトリソ法によりＩＤＴ電極及び接続電極を形成して弾性表面波素子を得、ＩＤＴ電極及び接続電極を覆うように圧電基板の上面全体にレジスト膜を形成し、接続電極の表面のレジスト膜を残すようなパッケージで露光し、現像液にてＩＤＴ電極の表面のレジスト膜を除去し、陽極酸化により、ＩＤＴ電極の表面をさらに酸化させて第２の酸化アルミニウム膜を形成後、接続電極の上面のレジスト膜を除去しパッケージ内に弾性表面波素子を収納し、接続電極と外部引出端子とをワイヤにより電気的に接続し、パッケージの開口部をリッドで封止する製造方法が開示されている（特許文献１参照）。
【０００４】
素子特性の安定するＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的として、基板上に所定形状の櫛形電極を形成する工程と、櫛形電極及び基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に所定形状の第１のレジストを形成する工程と、第１のレジストをマスクとして絶縁膜をエッチングする工程と、第１のレジスト上を含む基板上全面にパッド電極層を形成する工程と、パッド電極層上に所定形状の第２のレジストを形成する工程と、第２のレジストをマスクとしてパッド電極層をエッチングする工程とを有する製造方法が開示されている（特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２７８０６７号公報
【特許文献２】特開２００１−１６８６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
然しながら、いずれの方法においても、前述のＩＤＴ電極、櫛形電極、接続電極及びパッド電極層はフォトリソ法で製造される。この後に前記電極の表面を安定化するために、陽極酸化処理が施される。この陽極酸化処理を施す際に、接続電極及びパッド電極層は外部の電気回路と電気的に接続するため、陽極酸化処理が施されないようにして、電気的な接続を確保する必要がある。
【０００７】
従来は、接続電極及びパッド電極層を保護するためにレジスト膜を再び全面に塗布して、フォトリソ法によって接続電極及びパッド電極層にレジスト膜を残す。このとき、ＩＤＴ電極及び櫛形電極は、陽極酸化処理が施されていない状態でレジスト膜の現像液に浸漬されて腐食される。このため、ＩＤＴ電極及び櫛形電極の弾性表面波を検出する性能にバラツキが発生していた。
【０００８】
そこで本発明の目的は、インクジェット法を利用して、前述したＩＤＴ電極及び櫛形電極の腐食を防止し、廉価で信頼性の高い弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では、圧電体の表面に形成された一組の交差指電極の接続ランド部の一部と前記圧電体の一部とを含む領域を液状材料で覆う第一の工程と、前記液状材料を硬化させて硬化膜を形成する第二の工程と、前記交差指電極を陽極として電解液中で電解して陽極酸化処理を行う第三の工程とを少なくとも有することを要旨とする。
【００１０】
これによれば、圧電体の表面に形成された一組の交差指電極の接続ランド部の一部と前記圧電体の一部とを含む領域を液状材料で覆う第一の工程により、前記接続ランド部の一部と隣接している前記圧電体の一部とを含む領域を液状材料で覆う。さらに、前記液状材料を硬化させて硬化膜を形成する第二の工程により、前記液状材料を硬化させて硬化膜を形成する。さらに、前記交差指電極を陽極として電解液中で電解して陽極酸化処理を行う第三の工程により、第一の工程及び第二の工程とで形成された前記硬化膜が覆っている前記接続ランド部の一部は、第三の工程での陽極酸化処理が施されないため、前記硬化膜が覆っている前記接続ランド部の一部は導電性を維持することができる。
【００１１】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記第一の工程乃至前記第三の工程に加えて、前記接続ランド部の前記硬化膜を除去する第四の工程を備えたことを要旨とする。
【００１２】
これによれば、前記接続ランド部の前記硬化膜を除去する第四の工程を備えることにより、前記硬化膜が絶縁性の場合に、前記接続ランド部の導電性を確保することができる。
【００１３】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記第四の工程によって前記硬化膜が除去された前記接続ランド部と支持体とが電気的に接続されていることを要旨とする。
【００１４】
これによれば、前記第四の工程によって前記硬化膜が除去された前記接続ランド部と支持体とが電気的に接続されていることにより、弾性表面波デバイスの外部の電気回路と電気的に接続することができ、弾性表面波デバイスとして機能することができる。
【００１５】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記硬化膜が導電性を有することを要旨とする。
【００１６】
これによれば、前記硬化膜が導電性を有することにより、前記硬化膜を除去する必要がなくなるとともに、前記第三の工程の陽極酸化処理から前記接続ランド部の一部を保護することができる。
【００１７】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記硬化膜と前記支持体とが電気的に接続されていることを要旨とする。
【００１８】
これによれば、前記硬化膜と前記支持体とが電気的に接続されていることにより、弾性表面波デバイスの外部の電気回路と電気的に接続することができ、弾性表面波デバイスとして機能することができる。
【００１９】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記圧電体は圧電体ウェハに複数配設され、前記圧電体ウェハをそれぞれの前記圧電体に切断する第五の工程を有することを要旨とする。
【００２０】
これによれば、前記圧電体は圧電体ウェハに複数配設され、前記圧電体ウェハをそれぞれの前記圧電体に切断する第五の工程を有することにより、それぞれの工程での作業効率が向上するとともに、それぞれの前記圧電体の品質を均一にすることができる。
【００２１】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記圧電体ウェハに配設されている複数の前記圧電体のそれぞれの前記接続ランド部と前記圧電体の一部とを含む領域を前記液状材料で覆うことを要旨とする。
【００２２】
これによれば、前記圧電体ウェハに配設されている複数の前記圧電体のそれぞれの前記接続ランド部と前記圧電体の一部とを含む領域を前記液状材料で覆うことにより、作業効率が向上するとともに、それぞれの前記圧電体の品質を均一にすることができる。
【００２３】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記液状材料は、インクジェット法によって吐出形成されることを要旨とする。
【００２４】
これによれば、前記液状材料は、インクジェット法によって吐出形成されることにより、フォトリソ法でのフォトレジストのための現像液を使用せずに前記接続ランド部の一部と前記圧電体の一部とを覆うことができるため、圧電体の表面に形成された一組の交差指電極がフォトレジストのための現像液によって腐食されることを防止することができる。
【００２５】
本発明は、弾性表面波デバイスであって前記弾性表面波デバイスの製造方法によって製造されたことを要旨とする。
【００２６】
これによれば、前記弾性表面波デバイスの製造方法によって製造されることにより、前記圧電体の表面に形成された一組の前記交差指電極の腐食を防止し、廉価で信頼性の高い弾性表面波デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の弾性表面波デバイスの製造方法を具体化した実施例について図面に従って説明する。
【実施例１】
【００２８】
図１は、本実施例のＳＡＷ共振片１の斜視図である。
このＳＡＷ共振片１は、水晶、ＬｉＴａＯ、ＬｉＮｂＯ、ＰＺＴ、ＺｎＯ薄膜などの圧電体を矩形にカットしたものが圧電体２として構成されている。本実施例の圧電体２は、平らな長方形にカットされており、その主表面３に１組の電極４ａ、電極４ｂ、反射器６ａ及び反射器６ｂによってＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極５が構成されている。
【００２９】
格子状の反射器６ａ及び反射器６ｂは、このＩＤＴ電極５の長手方向の両側に形成されている。ＩＤＴ電極５を形成する一組の電極４ａ及び電極４ｂは、一方の反射器６ａの外側、すなわち、圧電体２の縁側を通って、圧電体２の端部２ａに導かれ、若干面積の広くなった接続ランド部７ａ及び接続ランド部７ｂが形成されている。電極４ａ及び電極４ｂ、反射器６ａ及び反射器６ｂ、接続ランド部７ａ及び接続ランド部７ｂは、導電性を備えている素材、例えば、金、アルミニウム、アルミニウム銅合金などが通常用いられ、加工及びコストの点からアルミニウム系の素材が最も多く用いられている。一組の交差指電極は、ＩＤＴ電極５（一組の電極４ａ及び電極４ｂ）及び反射器６ａ及び反射器６ｂとを備えている。
【００３０】
図２は、本実施例のＳＡＷ共振片１の工程フローチャートである。
圧電体２はステップ（以下、Ｓと表記する）１において、圧電体２の洗浄を行う。Ｓ２では、Ｓ１での表面の清浄度を確保した状態で、圧電体２の主表面３（図１参照）にアルミニウムを略一様に蒸着する。
【００３１】
Ｓ３では、Ｓ２で蒸着されたアルミニウムの上にフォトレジストを略一様に塗布する。この場合に、アルミニウムとフォトレジストとの密着性を向上させるために加熱処理してもよい。Ｓ４では、Ｓ３で塗布されたフォトレジストにフォトマスクを密接させ、フォトレジストが感光する波長の平行光を照射してマスク露光する。
【００３２】
Ｓ５では、Ｓ４で照射された平行光によって露光されたフォトレジストの不要部分を取り除く。Ｓ６では、Ｓ５でフォトレジストが取り除かれた部分に露出しているＳ２で蒸着されたアルミニウム層をエッチングして除去する。
【００３３】
Ｓ７では、圧電体２の主表面３に所望のＩＤＴ電極のパターニングが完成する。
【００３４】
Ｓ８では、Ｓ７で圧電体２の主表面３に所望のＩＤＴ電極のパターニングされた状態で全体を洗浄して、清浄度を確保する。Ｓ９では、清浄度が確保されている環境の中で圧電体２を乾燥させる。
【００３５】
Ｓ１０では、インクジェット法により液状材料としてのレジストを二箇所の接続ランド部７ａ，７ｂ（図１参照）に吐出形成する（詳細は後述する）。
【００３６】
Ｓ１１では、Ｓ１０でインクジェット法により吐出形成された接続ランド部７ａ，７ｂのレジストを硬化させて硬化膜を造る。
【００３７】
Ｓ１２は、Ｓ１１でレジストが吐出形成された接続ランド部７ａ，７ｂを除いたＩＤＴ電極５に陽極酸化処理を行う第三の工程である。この陽極酸化処理は、アルマイト処理とも呼ばれ、硫酸、臭酸、クロム酸、りん酸、アルカリ溶液等の電解液中において、アルミニウムを陽極として電解すると表面に特異な形状をした比較的厚い酸化皮膜が生成される。生成された酸化皮膜は、高硬度な皮膜であり、さらに煮沸水中で煮沸すると皮膜の穴の封孔処理が施され化学的に不活性な皮膜となる。したがって、不純物等が皮膜に付着しても影響されることが少なくなりＳＡＷ共振片としては安定したものとなる。また、陽極酸化処理によって生成された酸化皮膜は、電気的に絶縁性となる。
【００３８】
Ｓ１２での陽極酸化処理が施されても、Ｓ１０及びＳ１１によってレジストが吐出形成されている二箇所の接続ランド部７ａ，７ｂのアルミニウムは、前述の電解液に接触しないため酸化皮膜にはならない。このことは、ＳＡＷ共振片１（図１参照）と支持体（後述する）を介して外部の電気回路との電気的な接続が二箇所の接続ランド部７ａ，７ｂによって成されるためである。
【００３９】
Ｓ１３は、二箇所の接続ランド部７ａ，７ｂの硬化膜としてのレジストを除去する第四の工程である。このレジストを除去する除去液は、ＩＤＴ電極と接触するが既にＳ１２において陽極酸化処理が施されているため、その影響を殆ど受けない。
【００４０】
Ｓ１４では、ＳＡＷ共振片１の洗浄を行い表面の汚れを落とし乾燥する。このようにしてＳ１５では、ＳＡＷ共振片１（図１参照）として完成する。
【００４１】
図３（ａ）は、本実施例のＳＡＷ共振片１を支持体１０に装着した弾性表面波デバイス２０の平面図であり、図３（ｂ）は、弾性表面波デバイス２０の断面図である。
下支持体１１には凹状の溝１２が配設され、ＳＡＷ共振片１の弾性表面波と下支持体１１との共鳴を防止している。また、下支持体１１には、支持体としての２本の出力端子１３ａ，１３ｂが固着されている。出力端子１３ａ，１３ｂは、導電性を備えた金属であればよく、好ましくはハンダ付け性を良くするために金メッキ又はニッケルメッキ等を施すとよい。
【００４２】
この下支持体１１にＳＡＷ共振片１が接着剤等で固着されている。同図（ａ）での説明をし易くするために、上支持体１４を取り除いた状態で示してある。圧電体２の主表面３には、一組の交差指電極としての、ＩＤＴ電極５を構成している電極４ａ，４ｂと反射器６ａ，６ｂとが配設されている。電極４ａ，４ｂのそれぞれが圧電体２の一端に延在していて、それぞれの先端部は電気的な接続をするために少し広くなっている。この接続部を接続ランド部７ａ，７ｂという。
【００４３】
下支持体１１に固着されている出力端子１３ａ，１３ｂのそれぞれの一端と、下支持体１１に固着されているＳＡＷ共振片１の接続ランド部７ａ，７ｂとの間に、連結線１５ａ，１５ｂが係着されている。連結線１５ａ，１５ｂのそれぞれの端部は、ハンダ又は導電性接着剤等で固着され電気的に接続されている。さらに上支持体１４が下支持体１１と気密性を保って固着されている。連結線１５ａ，１５ｂは、導電性を有する金属であればよい。また、連結線１５ａ，１５ｂはワイヤボンディング加工してもよい。
【００４４】
出力端子１３ａ，１３ｂのそれぞれの一端は、回路基板１６に配設されている導電パターン１７にハンダ１８で電気的に接続されている。本実施例では、回路基板１６を貫通して出力端子１３ａ，１３ｂが導電パターン１７と電気的に接続しているが、下支持体１１の下方に出力端子１３ａ，１３ｂが配設され、回路基板１６の導電パターン１７と対向した状態で電気的に接続してもよい。
【００４５】
また、ＳＡＷ共振片１が下支持体１１に両持ちの状態で固着されているが片持ちの状態で固着されていてもよい。さらに、下支持体１１と上支持体１４とで構成されている空間には、窒素ガス等の不活性ガスを封入してもよい。
【００４６】
図４は、図２のＳＡＷ共振片１の工程フローチャートのＳ１０〜Ｓ１３を説明するＳＡＷ共振片１の斜視図である。
図２のＳＡＷ共振片１の工程フローチャートのＳ１〜Ｓ９までの間で、圧電体２の主表面３に１組の電極４ａ、電極４ｂ、反射器６ａ及び反射器６ｂによって一組の交差指電極としてのＩＤＴ電極５が構成されている。第一の工程としてのＳ１０で接続ランド部７ａ，７ｂ部の一部及び圧電体２の主表面３の一部を含む領域にインクジェット法によって、液状材料としてのレジスト１９ａ，１９ｂが吐出されて形成される。ここで、レジスト１９ａ，１９ｂの材料としては、有機質又は無機質の材料であればよい。また、液状材料としての溶媒液は油性でも水性でもよい。
【００４７】
Ｓ１１は、Ｓ１０で吐出形成された液状材料としてのレジスト１９ａ，１９ｂを成膜処理するために乾燥し硬化させて硬化膜を形成する第二の工程である。加熱、紫外線照射、赤外線照射等によって硬化が行われ液状材料としてのレジスト１９ａ，１９ｂは、硬化したレジスト１９ａ，１９ｂとなる。この硬化されたレジスト１９ａ，１９ｂは、第三の工程としてのＳ１２でＩＤＴ電極５に施される陽極酸化処理の硫酸、臭酸、クロム酸、りん酸、アルカリ溶液等の電解液及び煮沸水に耐えるものであればよい。
【００４８】
Ｓ１３は、接続ランド部７ａ，７ｂの硬化膜としての硬化したレジスト１９ａ，１９ｂを除去する第四の工程である。除去する方法は、化学的に溶解する方法と機械的に削り落とす方法がある。ＩＤＴ電極５に損傷を与えない方法であればよい。
【００４９】
図５は、第一の工程としての液状材料２１が吐出形成される状態を説明するＳＡＷ共振片１の部分断面図である。
第一の工程として、液滴吐出装置（図示せず）のインクジェットヘッド（図示せず）から液状材料２１が吐出されて、接続ランド部７ａ，７ｂの一部と圧電体２の一部とを含む領域にレジスト１９ａ，１９ｂが形成される。ここで、液状材料２１が接続ランド部７ａ，７ｂの上だけに吐出形成された場合に、陽極酸化処理の硫酸、臭酸、クロム酸、りん酸、アルカリ溶液等の電解液及び煮沸水は、接続ランド部７ａ，７ｂの周辺部のアルミニウムと直接接触するため、腐食されてしまい接続ランド部７ａ，７ｂの品質が低下してしまう。
【００５０】
そこで、本実施例は、液状材料２１を圧電体２の一部を含む領域まで吐出することにより、接続ランド部７ａ，７ｂの周辺部もレジスト１９ａ，１９ｂが覆うため、陽極酸化処理の電解液及び煮沸水には直接接触しなくなる。この方法によって、接続ランド部７ａ，７ｂの周辺部の腐食を防止することができる。
【００５１】
また、接続ランド部周辺部７ｃからレジスト１９ａ，１９ｂが圧電体２の一部を含むオーバ量２２は、接続ランド部７ａ，７ｂの厚さ以上が望ましい。接続ランド部７ａ，７ｂの厚さは、２００ｎｍ以上である。
【００５２】
以下、本実施例の効果を記載する。
（１）接続ランド部７ａ，７ｂと圧電体２の一部とを含む領域を液状材料で覆うことによって、陽極酸化処理による接続ランド部７ａ，７ｂの腐食を防止し、廉価で信頼性の高い弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することができる。
【実施例２】
【００５３】
以下、本発明の弾性表面波デバイスの製造方法を具体化した他の実施例について図面に従って説明する。本実施例は前記実施例と異なる事項について記載する。
図６は、液状材料としての導電性液状材料１１１が吐出されて導電層１１０ａ，１１０ｂが形成される第一の工程を説明するＳＡＷ共振片１の部分断面図である。
第一の工程として、液滴吐出装置（図示せず）のインクジェットヘッド（図示せず）から導電性液状材料１１１が吐出されて、接続ランド部７ａ，７ｂの一部と圧電体２の一部とを含む領域に導電層１１０ａ，１１０ｂが形成される。
【００５４】
ここで、本実施例において「導電性液状材料１１１」とは、インクジェットヘッドのノズル（図示せず）から吐出可能な粘度を有する材料をいう。この場合、材料が水性であること油性であることを問わない。ノズルから吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。
【００５５】
導電性液状材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には、導電性液状材料１１１の液滴を吐出する際にノズルの周辺部が導電性液状材料１１１の流出により汚染されやすい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズルにおける目詰まり頻度が高くなり、このため円滑な液滴の吐出が困難となり得る。
【００５６】
ここで導電性液状材料１１１の材質について説明する。導電層１１０ａ，１１０ｂとなる導電性液状材料１１１は、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有し、液滴吐出装置（図示せず）によって接続ランド部７ａ，７ｂの一部と圧電体２の一部とを含む領域に所定の形状で所定の位置に設けられて導電層１１０ａ，１１０ｂとなる。導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する導電性液状材料１１１としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液、液体の有機金属化合物、有機金属化合物の溶液、又はそれらの混合物を用いる。
【００５７】
ここで用いられる導電性微粒子は、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、マンガン、インジウム、スズ、アンチモン及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００５８】
これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に、キシレンやトルエン等の有機溶剤やクエン酸等をコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと導電性微粒子に対するコーテイング材の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。コーティング材で導電性微粒子を被覆したものを用いる場合、液状体の形態では導電性を示さず、乾燥又は焼結した際に導電性を呈するようなインクとすることもできる。
【００５９】
導電性微粒子のコーティング剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、導電性微粒子のコーティング剤として、２−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールを用いることができる。
【００６０】
また、有機金属化合物としては、例えば金、銀、銅、パラジウムなどを含有する化合物や錯体で、熱分解により金属を析出するものが挙げられる。具体的には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などが挙げられる。
【００６１】
導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液体の分散媒又は溶媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高いと、吐出後に分散媒又は溶媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるからである。
【００６２】
また、分散媒又は溶媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であるのがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高いと、液滴吐出法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難になるからである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒又は溶媒の場合には、乾燥が遅くなって膜中に分散媒又は溶媒が残留しやすくなり、後工程の熱及び／又は光処理後に良質の導電膜が得られにくくなる。
【００６３】
分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００６４】
前記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度としては、１質量％以上８０質量％以下とするのが好ましく、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくくなる。また、同様の理由で、前記有機金属化合物の溶液の溶質濃度としても、前記の分散質濃度と同範囲のものが好ましい。
【００６５】
前記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法によりインクを吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インクのノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、インクの基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００６６】
このような導電性液状材料１１１としては、具体的には、直径１０ｎｍ程度の銀微粒子が有機溶剤に分散した銀微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトシルバー」）の分散媒をテトラデカンで置換してこれを希釈し、濃度が６０ｗｔ％、粘度が８ｍＰａ・ｓ、表面張力が０．０２２Ｎ／ｍとなるように調整したものを例示することができる。
【００６７】
また、吐出された導電性液状材料１１１は、熱及び／又は光処理等の成膜処理が施されて所望の導電層１１０を得る。熱及び／又は光処理とは、加熱、紫外線照射、赤外線照射又は可視光照射等により導電層１１０を構成している物質を活性化して、反応させ、導電層１１０としての性能を得るための処理をいう。以降、この処理を成膜処理という。
【００６８】
本実施例での導電性液状材料１１１の吐出範囲は、弾性表面波を電気的に駆動あるいは検出するＩＤＴ電極５の櫛形電極の近傍から接続ランド部７ａ，７ｂまでの間である。このように形成することにより、陽極酸化処理によってＩＤＴ電極５と接続ランド部７ａ，７ｂまでの間の電気抵抗値の上昇を回避することができる。勿論、吐出範囲が接続ランド部７ａ，７ｂの近傍だけでもよい。
【００６９】
さらに、本実施例では導電性液状材料１１１は、ＩＤＴ電極５の櫛形電極の近傍から接続ランド部７ａ，７ｂまでの間の圧電体２の表面の一部をも含む領域に吐出される。これにより、ＩＤＴ電極５の櫛形電極の近傍から接続ランド部７ａ，７ｂまでの間の電極の断面方向（厚み方向）からの陽極酸化処理を阻止することができる。
【００７０】
図７は、本実施例のＳＡＷ共振片１の工程フローチャートである。
Ｓ１０１〜Ｓ１０９については、前記実施例１のＳ１〜Ｓ９と同様のため説明を省略する。Ｓ１１０では、第一の工程として、液滴吐出装置（図示せず）のインクジェットヘッド（図示せず）からインクジェット法により導電性液状材料１１１を二箇所の接続ランド部７ａ，７ｂからＩＤＴ電極５の櫛形電極の近傍までの間と圧電体２（図６参照）の一部とを含む領域に吐出する。
【００７１】
Ｓ１１１では、熱及び／又は光処理等の成膜処理が施されて所望の導電層１１０ａ，１１０ｂ（図６参照）を得る。熱及び／又は光処理とは、加熱、紫外線照射、赤外線照射又は可視光照射等により導電層１１０ａ，１１０ｂを構成している物質を活性化して、反応させ、導電層１１０ａ，１１０ｂとしての性能を得るための処理である。
【００７２】
Ｓ１１２は、Ｓ１１１で導電性液状材料１１１が吐出形成された領域を除いたＩＤＴ電極の陽極酸化処理を行う第三の工程である。この陽極酸化処理は、アルマイト処理とも呼ばれ、硫酸、臭酸、クロム酸、りん酸、アルカリ溶液等の電解液中において、アルミニウムを陽極として電解すると表面に特異な形状をした比較的厚い酸化皮膜を生成する。生成された酸化皮膜は、高硬度な皮膜であり、さらに煮沸水中で煮沸すると皮膜の穴の封孔処理が施され化学的に不活性な皮膜となる。したがって、不純物等が皮膜に付着しても影響されることが少なくなりＳＡＷ共振片としては安定したものとなる。また、陽極酸化処理によって生成された酸化皮膜は、電気的に絶縁性となる。
【００７３】
Ｓ１１２での陽極酸化処理が施されても、Ｓ１１０及びＳ１１１によって導電性液状材料１１１が吐出形成され導電層１１０によって覆われている二箇所の接続ランド部７ａ，７ｂ及びＩＤＴ電極５の櫛形電極の近傍までのアルミニウムは、前述の電解液に接触しないため酸化皮膜にはならない。このことは、ＳＡＷ共振片１（図１参照）と支持体を介して外部の電気回路との電気的な接続が二箇所の接続ランド部７ａ，７ｂによって成されるためであり、ＩＤＴ電極５の櫛形電極と外部の電気回路との電気的な抵抗値を低減することができる。
【００７４】
Ｓ１１３は、ＳＡＷ共振片１の洗浄を行い表面の汚れを落とし乾燥する。このようにしてＳ１１４では、ＳＡＷ共振片１（図６参照）として完成する。
【００７５】
以下、本実施例の効果を記載する。
（２）前記実施例では、接続ランド部７ａ，７ｂの硬化膜を除去する第四の工程が必要であったが、本実施例は導電層１１０が接続ランド部７ａ，７ｂの一部を含んでいるため第四の工程を必要としない。このため廉価な弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００７６】
（３）接続ランド部７ａ，７ｂとＩＤＴ電極５との間を導電層１１０ａ，１１０ｂで覆うことにより、電気的な抵抗値を低く抑えることができるため信頼性の高い弾性表面波デバイスを提供することができる。
【実施例３】
【００７７】
以下、本発明の弾性表面波デバイスの製造方法を具体化した他の実施例について図面に従って説明する。本実施例は前記実施例と異なる事項について記載する。
図８（ａ）は、圧電体ウェハ１２０を示す平面図であり、図８（ｂ）は、圧電体ウェハ１２０から切断されて完成されたＳＡＷ共振片１を示す斜視図である。図９は、図８の詳細を示す圧電体ウェハ１２０の平面図である。図１０は、図８及び図９の圧電体ウェハ１２０及びＳＡＷ共振片１の工程フローチャートである。
【００７８】
図８（ａ）の圧電体ウェハ１２０の主表面３には、図１０で示すフローチャートのＳ２０１〜Ｓ２１２に沿って製造された複数のＳＡＷ共振片１が配設されている。Ｓ２０１では、圧電体ウェハ１２０の洗浄が行われ表面の清浄化が確保される。Ｓ２０２では、圧電体ウェハ１２０の主表面３にアルミニウム等が略均一に蒸着される。Ｓ２０３では、Ｓ２０２で蒸着されたアルミニウム等の上にフォトレジストがスピンコート又はディピングコート等により略均一に塗布される。
【００７９】
Ｓ２０４では、ガラス等の透明なマスク基板（図示せず）にクロム等が蒸着され、所望のＩＤＴ電極５が得られるようにパターン化されている。このマスク基板のクロム等が蒸着された面と、Ｓ２０２でアルミニウム等が蒸着された面とを密着させ、マスク基板の上方から平行光線を照射し、Ｓ２０３で塗布されたフォトレジストを感光してマスク露光する。
【００８０】
Ｓ２０５では、Ｓ２０４で感光されたフォトレジストの現像を行い、所望のパターンにアルミニウム等が圧電体ウェハ１２０の主表面３に残るようにフォトレジストを残存させる。
【００８１】
Ｓ２０６では、フォトレジストが残存していない部分のアルミニウム等をエッチングして除去する。Ｓ２０７では、圧電体ウェハ１２０の主表面３にＳＡＷ共振片１としての複数のＩＤＴ電極５のパターニングが完成する。
【００８２】
Ｓ２０８では、圧電体ウェハの洗浄を行い清浄度を確保し、Ｓ２０９では、圧電体ウェハの乾燥を行う。
【００８３】
このパターニングの方法について詳しく説明する。図８（ａ）において、配列Ｌ１には、ＳＡＷ共振片１としての６個分のＩＤＴ電極５が一定ピッチで配設されている。配列Ｌ２には、ＳＡＷ共振片１としての１０個分のＩＤＴ電極５が配列Ｌ１と同じピッチで配設されている。配列Ｌ１と配列Ｌ２とのＩＤＴ電極５の向きが対向するように配設されている。
【００８４】
つまり、配列Ｌ１の接続ランド部７ａ，７ｂと配列Ｌ２の接続ランド部７ａ，７ｂとが対向するように複数配設されている。このようにすることによって、図１０で示すＳ２１０では、配列Ｌ１の接続ランド部７ａと配列Ｌ２の接続ランド部７ｂとを含む領域と、配列Ｌ１の接続ランド部７ｂと配列Ｌ２の接続ランド部７ａとを含む領域と、配列Ｌ１及び配列Ｌ２の隣り合う接続ランド部７ａ又は接続ランド部７ｂの少なくとも一つを含む領域に対して導電性液状材料１１１が液滴吐出装置（図示せず）のノズル（図示せず）から吐出され、Ｓ２１１において吐出された導電性液状材料１１１に成膜処理が施されて導電層１１０が形成される。
【００８５】
Ｓ２１２では、ＩＤＴ電極５の陽極酸化処理が施される。この場合、導電層１１０が配設されている下の電極は陽極酸化処理の電解液と接触しないため陽極酸化処理が施されずに、導電性が低抵抗のまま確保される。
【００８６】
また、それぞれの導電層１１０は、第五の工程としてのスライシングマシーン等によって切断される切断線１２１を含んでいる。このため、圧電体ウェハ１２０の上では隣り合うＳＡＷ共振片１の導電層１１０を共有しているが、Ｓ２１３での圧電体ウェハ１２０の切断により、それぞれのＳＡＷ共振片１としての導電層１１０ａ及び導電層１１０ｂ（図８（ｂ）参照）となる。
【００８７】
Ｓ２１４では、ＳＡＷ共振片の洗浄・乾燥を行い、Ｓ２１５で、ＳＡＷ共振片の完成となる。
【００８８】
本実施例では、配列Ｌ１〜Ｌ７の間でＩＤＴ電極５の向きがそれぞれ対向するようになっているが、本実施例のように配列数が奇数の場合には、配列Ｌ７は対向する配列がないため同じ配列の隣り合う間で導電層１１０をそれぞれ共有している。
【００８９】
本実施例では、第一の工程として、圧電体の表面に形成された一組の交差指電極の接続ランド部としての接続ランド部７ａ，７ｂの一部と圧電体の一部としての主表面３を含む領域を液状材料としての導電性液状材料１１１で覆うことにより成り得ているものである。
【００９０】
以下、本実施例の効果を記載する。
（４）本実施例によれば、単に圧電体ウェハ１２０の主表面３の上に、複数のＳＡＷ共振片１を配設したのではなく、接続ランド部７ａ，７ｂを配列させ、他の接続ランド部７ａ，７ｂの配列と対向させて、導電層１１０を一つの大きな形状にすることができるため、一度に吐出される導電性液状材料１１１の吐出量を多くすることができ短時間に製造することができる。
【００９１】
（５）また、それぞれのＳＡＷ共振片１の導電層１１０は切断線１２１を含む領域に配設されており、圧電体ウェハ１２０をこの切断線１２１で切断することによって、それぞれのＳＡＷ共振片１の導電層１１０ａ，１１０ｂとして機能することができる。
【実施例４】
【００９２】
以下、本発明の弾性表面波デバイスの製造方法を具体化した他の実施例について図面に従って説明する。本実施例は前記実施例と異なる事項について記載する。
図１１は、圧電体ウェハ１２０を示す平面図である。本実施例と実施例３との相違点は、接続ランド部７ａ，７ｂが短手方向に配設されている点である。圧電体ウェハ１２０の上には、ＩＤＴ電極５が配列Ｒ１〜Ｒ８のように複数配設されている。例えば、配列Ｒ４と配列Ｒ５について説明する。配列Ｒ４のＩＤＴ電極５ａは、紙面に対して右方向に接続ランド部７ａが配設されている。これに対して、配列Ｒ５のＩＤＴ電極５ｂの接続ランド部７ａは、紙面に対して左方向に配設されている。即ち、ＩＤＴ電極５ａとＩＤＴ電極５ｂとは切断線１２１に対して線対称の位置に配設されている。
【００９３】
これによって、配列Ｒ４のＩＤＴ電極５ａの接続ランド部７ｂと、配列Ｒ５のＩＤＴ電極５ｂの接続ランド部７ｂとが同じ位置になるため、導電性液状材料１１１が配列Ｒ４のＩＤＴ電極５ａの接続ランド部７ｂと、配列Ｒ５のＩＤＴ電極５ｂの接続ランド部７ｂ及び圧電体ウェハ１２０の主表面３の一部を含む一つの領域に吐出され、成膜処理されることによって導電層１１０となる。この後、陽極酸化処理が施される。また、この導電層１１０の領域は、切断線１２１を含んでおり、スライシングマシーン等によって切断線１２１上で切断される。
【００９４】
切断された圧電体ウェハ１２０はＳＡＷ共振片１として機能する。それぞれのＳＡＷ共振片１の接続ランド部７ａ，７ｂの上に配設され、切断された導電層１１０は、接続ランド部７ａ，７ｂそれぞれの導電層１１０として機能する。
【００９５】
以下、本実施例の効果を記載する。
（６）接続ランド部７ａ，７ｂがＳＡＷ共振片１の短手方向に配設されている場合でも、導電層１１０を一つの大きな形状にすることができるため、一度に吐出される導電性液状材料１１１の吐出量を多くすることができ短時間に製造することができる。
【００９６】
（７）また、それぞれのＳＡＷ共振片１の導電層１１０は切断線１２１を含む領域に配設されており、圧電体ウェハ１２０をこの切断線１２１で切断することによって、それぞれのＳＡＷ共振片１の接続ランド部７ａ，７ｂの導電層１１０として機能することができる。
【実施例５】
【００９７】
以下、本発明を具体化した他の実施例について図面に従って説明する。本実施例は前記実施例と異なる事項について記載する。
図１２は、圧電体ウェハ１２０及びＳＡＷ共振片１の工程フローチャートである。本実施例は、圧電体ウェハ１２０のそれぞれのＳＡＷ共振片１の接続ランド部７ａ，７ｂに液状材料としてのレジストをインクジェット法で吐出形成して、接続ランド部７ａ，７ｂ及び接続ランド部７ａ，７ｂとＩＤＴ電極５との間の電極が陽極酸化処理されないようにしたものである。
【００９８】
同図のＳ３０１〜Ｓ３０９は、図１０のＳ２０１〜Ｓ２０９と同様なため説明を省略する。Ｓ３１０では、第一の工程としてのインクジェット法によって図８、図９及び図１１と同様に接続ランド部７ａ，７ｂ及び接続ランド部７ａ，７ｂとＩＤＴ電極５との間の電極にレジスト１９（図示せず）を吐出形成する。
【００９９】
Ｓ３１１では、液状材料を硬化させて硬化膜を形成する第二の工程として、吐出形成された液状材料としてのレジスト１９を加熱処理して硬化させレジスト１９の硬化膜を形成する。
【０１００】
Ｓ３１２では、前記実施例と同様な方法で第三の工程としての陽極酸化処理が施される。Ｓ３１３では、接続ランド部の硬化膜を除去する第四の工程として、接続ランド部７ａ，７ｂ及び接続ランド部７ａ，７ｂとＩＤＴ電極５との間の電極に硬化されて形成されているレジスト１９を化学的に溶解してレジスト１９を除去する。
【０１０１】
Ｓ３１４では、圧電体ウェハ１２０を圧電体２毎に切断する第五の工程として、圧電体ウェハ１２０を切断線１２１に沿って切断し、複数のＳＡＷ共振片１を取り出す。Ｓ３１５では、取り出された複数のＳＡＷ共振片１の洗浄・乾燥を行い、表面を清浄化する。このようにして、Ｓ３１６で、ＳＡＷ共振片１が完成する。
【０１０２】
以下、本実施例の効果を記載する。
（８）本実施例によれば、単に圧電体ウェハ１２０の主表面３の上に、複数のＳＡＷ共振片１を配設したのではなく、接続ランド部７ａ，７ｂを配列させ、他の接続ランド部７ａ，７ｂの配列と対向させて、レジスト１９を一つの大きな形状にすることができるため、一度に吐出される液状材料としてのレジスト１９の吐出量を多くすることができ短時間に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】実施例１における、ＳＡＷ共振片１の斜視図。
【図２】実施例１における、ＳＡＷ共振片１の工程フローチャート。
【図３】（ａ）は、実施例１における、ＳＡＷ共振片１を支持体１０に装着した弾性表面波デバイス２０の平面図、（ｂ）は、実施例１における、弾性表面波デバイス２０の断面図。
【図４】実施例１における、図２のＳＡＷ共振片１の工程フローチャートのＳ１０〜Ｓ１３を説明するＳＡＷ共振片１の斜視図。
【図５】実施例１における、第一の工程としての液状材料２１が吐出形成される状態を説明するＳＡＷ共振片１の部分断面図。
【図６】実施例２における、液状材料としての導電性液状材料１１１が吐出されて導電層１１０ａ，１１０ｂが形成される第一の工程を説明するＳＡＷ共振片１の部分断面図。
【図７】実施例２における、本実施例のＳＡＷ共振片１の工程フローチャート。
【図８】実施例３における、（ａ）は、圧電体ウェハ１２０を示す平面図、（ｂ）は、圧電体ウェハ１２０から切断されて完成されたＳＡＷ共振片１を示す斜視図。
【図９】実施例３における、図８の詳細を示す圧電体ウェハ１２０の平面図。
【図１０】実施例３における、図８及び図９の圧電体ウェハ１２０及びＳＡＷ共振片１の工程フローチャート。
【図１１】実施例４における、圧電体ウェハ１２０を示す平面図。
【図１２】実施例５における、圧電体ウェハ１２０及びＳＡＷ共振片１の工程フローチャート。
【符号の説明】
【０１０４】
１…ＳＡＷ共振片、２…圧電体、２ａ…端部、３…主表面、４ａ，４ｂ…電極、５，５ａ，５ｂ…ＩＤＴ電極、６ａ，６ｂ…反射器、７ａ，７ｂ…接続ランド部、７ｃ…接続ランド部周辺部、１０…支持体、１１…下支持体、１２…溝、１３ａ，１３ｂ…出力端子、１４…上支持体、１５ａ，１５ｂ…連結線、１６…回路基板、１７…導電パターン、１８…ハンダ、１９，１９ａ，１９ｂ…レジスト、２０…弾性表面波デバイス、２１…液状材料、２２…オーバ量、１１０，１１０ａ，１１０ｂ…導電層、１１１…導電性液状材料、１２０…圧電体ウェハ、１２１…切断線、Ｌ１〜Ｌ７，Ｒ１〜Ｒ８…配列。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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