(57)【要約】【課題】薄板のコア材を使用せず、コア材にウィンドウを形成し、その中に半導体チップを内蔵してパッケージの厚さを減らした、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】回路パターンおよびワイヤボンディングパッドパターンを含み、実装されるチップの大きさに相応するウィンドウを有し、前記チップがワイヤボンディングパッドにワイヤボンディングで接続されている第１外層と、回路パターン、前記第１外層のウィンドウ領域に対応する部分およびソルダボールパッドパターンを有し、ボールパッド上にチップが実装されている第２外層と、前記第１外層と前記第２外層間に形成され、前記第１外層のウィンドウに対応する部分にウィンドウが形成された絶縁層とを含む。【選択図】図４ａ
2006173554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンおよびワイヤボンディングパッドパターンを含み、実装されるチップの大きさに相応するウィンドウを有し、前記チップがワイヤボンディングパッドにワイヤボンディングで接続されている第１外層と、
回路パターン、前記第１外層のウィンドウ領域に対応する部分およびソルダボールパッドパターンを有し、ボールパッド上にチップが実装されている第２外層と、
前記第１外層と前記第２外層間に形成され、前記第１外層のウィンドウに対応する部分にウィンドウが形成された絶縁層とを含むことを特徴とするボールグリッドアレイ基板。
【請求項２】
前記ウィンドウ上に複数の半導体チップが積層されて実装されることを特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイ基板。
【請求項３】
前記基板上に複数の基板が積層されることを特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイ基板。
【請求項４】
前記ワイヤボンディングパッドパターン、前記ソルダボールパッドパターン、前記ウィンドウの内壁、および前記第２外層の回路パターン上に形成される第１メッキ層をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載のボールグリッドアレイ基板。
【請求項５】
前記ワイヤボンディングパターンと金メッキ層との間、前記ソルダボールパターンと金メッキ層との間、前記ウィンドウと金メッキ層との間、および前記第２外層の回路パターン間に形成される第２メッキ層をさらに含むことを特徴とする請求項４記載のボールグリッドアレイ基板。
【請求項６】
（Ａ）第１外層、第２外層、および前記第１外層と前記第２外層間に形成される絶縁層を含む原板を提供する段階と、
（Ｂ）前記第１外層および前記絶縁層にウィンドウを形成する段階と、
（Ｃ）前記第１外層にパターンおよびワイヤボンディングパッドを含むパターンを形成し、前記第２外層に回路パターンおよびソルダボールパッドパターンを含むパターンを形成する段階と、
（Ｄ）前記第１外層および前記第２外層にソルダレジストを塗布した後、前記ワイヤボンディングパッドパターンおよび前記ソルダボールパッドパターンに対応する部分が開放されたソルダレジストパターンを形成する段階と、
（Ｅ）前記第１外層のワイヤボンディングパッドパターン、前記第２外層のソルダボールパッドパターン、前記ウィンドウパターン、および前記第２外層の回路パターンを金メッキする段階とを含むことを特徴とするボールグリッドアレイ基板の製作方法。
【請求項７】
前記（Ａ）段階の後、
（Ｆ）前記原板にビアホールを形成する段階と、
（Ｇ）前記原板の表面およびビアホールの内壁に銅メッキ層を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項６記載のボールグリッドアレイ基板の製作方法。
【請求項８】
前記（Ｄ）段階の後、
（Ｅ）前記ワイヤボンディングパッドパターンおよび前記ソルダボールパッドパターン上にニッケルメッキ層を形成する段階と、
（Ｆ）前記ワイヤボンディングパッドパターンおよび前記ソルダボールパターンのニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する段階と、
（Ｇ）前記ソルダボールパッドパターンの金メッキ層上にソルダボールを形成し、前記ワイヤボンディングパッドパターンの金メッキ層上にワイヤボンディングを形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項６記載のボールグリッドアレイ基板の製作方法。
【請求項９】
前記（Ｄ）段階は、
（Ｄ−１）前記第１外層および前記第２外層のソルダレジスト上にエッチングレジストを塗布した後、前記エッチングレジストを露光および現像することにより、前記ソルダボールパッドパターンおよび前記ワイヤボンディングパッドに対応する部分が開放されたエッチングレジストパターンを形成する過程と、
（Ｄ−２）前記エッチングレジストを除去する過程とを含むことを特徴とする請求項６記載のボールグリッドアレイ基板の製作方法。
【請求項１０】
前記エッチングレジストは感光性物質からなることを特徴とする請求項９記載のボールグリッドアレイ基板の製作方法。
【請求項１１】
前記絶縁層は内層が多層であることを特徴とする請求項６記載のボールグリッドアレイ基板の製作方法。
【請求項１２】
前記（Ａ）段階において、前記原板は、絶縁層の上面に銅箔が形成され、下面に接着剤を介して保護フィルムが形成されることを特徴とする請求項６記載のボールグリッドアレイ基板の製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板およびその製造方法に係り、より詳しくは薄板のコア材を使用せず、コア材にウィンドウを形成し、その中に半導体チップを内蔵してパッケージの厚さを減らした、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体チップ用パッケージの軽薄短小化に従い、半導体チップ用パッケージの厚さが段々薄くなっている。半導体チップの厚さの減少だけでなく、半導体チップを実装するボールグリッドアレイ基板の厚さ減少も要求されている。
【０００３】
また、ボールグリッドアレイパッケージは、高集積度の半導体チップおよび多ピン化の要求などを受容するために開発されたもので、メインボードへの実装のため、底面に一定の形態に配列された複数の導電性ボール、例えばソルダボールを有する表面実装型（ＳＭＴ）パッケージの一種である。
【０００４】
このようなボールグリッドアレイは、実装のため、ボールグリッドアレイ基板上のソルダボールがプリント基板の導電性接続パターンに対応して電気的に接合される。ボールグリッドアレイは、半導体実装技術において、プリント配線基板の背面に球形の半田をアレイ状に配列してリードの役割をする表面実装型パッケージの一種である。ボールグリッドアレイはプリント基板の表面に高集積回路（ＬＳＩ）チップを搭載しモールド樹脂またはポッティング（potting）で封止した半導体チップであって、一般に２００ピン以上の多ピン用ＬＳＩ用パッケージに活用され、ＰＡＣ（Pad Array Carrier）とも言われ、パッケージ本体のサイズにおいては、４側辺からＬ字状のリードピンが出ているＱＦＰ（Quad Flat Package）よりも小さくし得る利点を有する。
【０００５】
したがって、最近、ＭＣＭ（Multi-Chip Package）、ＳＩＰ（System In Package）の如く半導体チップを積層するパッケージ製品に対し、薄板のコア材を使用してボールグリッドアレイ基板の厚さを薄く対応している。
【０００６】
図１ａないし図１ｊは従来のボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【０００７】
図１ａに示すように、絶縁樹脂層１０１の両面に銅箔１０２ａ、１０２ｂを含む銅張積層板（ＣＣＬ）である原板１００を用意する。
【０００８】
図１ｂに示すように、原板１００の上下銅箔１０２ａ、１０２ｂの回路接続のためにビアホールＡを形成する。
【０００９】
図１ｃに示すように、前記ビアホールＡの電気的接続のため、原板１００の上下銅箔１０２ａ、１０２ｂおよびビアホールＡの側壁に銅メッキ層１０３ａ、１０３ｂを形成する。
【００１０】
図１ｄに示すように、原板１００の上下銅メッキ層１０３ａ、１０３ｂ上にドライフィルム１０４ａ、１０４ｂをそれぞれ成膜する。
【００１１】
図１ｅに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム１０４ａ、１０４ｂに対して露光および現像を行う。ここで、所定のパターンは、回路パターン、ビアホールＡのランド、ワイヤボンディングパッドパターン、ソルダボールパッドパターンを含む。
【００１２】
図１ｆに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム１０４ａ、１０４ｂをエッチングレジストとして使用し、原板１００をエッチング液に浸漬することにより、ドライフィルム１０４ａ、１０４ｂの所定のパターンに対応する部分を除いた残りの部分の上下銅箔１０２ａ、１０２ｂおよび銅メッキ層１０３ａ、１０３ｂをエッチングして除去する。
【００１３】
図１ｇに示すように、原板１００の上下両面に塗布されたドライフィルム１０４ａ、１０４ｂを剥離して除去する。
【００１４】
図１ｈに示すように、原板１００のソルダレジスト１０５ａ、１０５ｂを塗布した後、仮乾燥させる。
【００１５】
図１ｉに示すように、所定のパターンが印刷された上下ソルダレジスト１０５ａ、１０５ｂを露光および現像することにより、ソルダレジスト１０５ａ、１０５ｂのパターンに対応する部分を硬化させる。ついで、硬化していない部分のソルダレジストを除去してソルダレジスト１０５ａ、１０５ｂのパターンを形成する。
【００１６】
図１ｊに示すように、原板１００の上部ソルダレジスト１０５ａのパターンの開口部Ｂのワイヤボンディングパッドに金メッキ層１０６ａを形成し、原板１００の下部ソルダレジスト１０５ｂのパターンの開口部Ｃのソルダボールパッドに金メッキ層１０６ｂを形成する。
【００１７】
つぎに、図２は図１ａないし図１ｊに示す方法で製作されたボールグリッドアレイ基板に半導体チップを実装した製品の断面図である。
【００１８】
図２に示すように、接着剤２１０で半導体チップ２２０を実装し、ワイヤボンディング２３０およびソルダボール２４０の付着を行った後、モールディング２５０を形成すると、ボールグリッドアレイパッケージ基板に半導体チップが実装された製品が出来上がる。
【００１９】
前記ボールグリッドアレイ基板の製作方法については、本出願人が１９９９年１２月１５日付で出願した特許文献１に開示されている。
【００２０】
前記特許文献１に開示された従来の方式によると、パッケージの厚さが厚くなる問題点があった。
【００２１】
また、薄板コア材を使用するため、薄板コア材移動させるための投資が必要となるという問題がある。
【００２２】
また、パッケージアセンブリ工程において、薄板ハンドリングのために付着しなければならないキャリアが要求されるという問題がる。
【００２３】
つぎに、図３は従来のほかの例によるボールグリッドアレイ基板に半導体チップが実装された製品の完成状態を示す断面図である。
【００２４】
図３に示すように、絶縁体３０１の両面に回路パターン３０４を含む原板３００に空洞を形成した後、空洞の内部に半導体チップ３０５を実装する。ついで、ワイヤボンディングパッドと半導体チップをワイヤボンディング３０３で接続し、ソルダボールパッドにソルダボール３０２を実装する。最後に、ボールグリッドアレイ基板をパッケージ化するとできあがる。
【００２５】
前述したボールグリッドアレイ基板の製作方法は特許文献２に開示されている。
【００２６】
前記特許文献２に開示された従来の方式によると、半導体チップ３０５から発生する熱はワイヤボンディング３０３を介してだけ放出可能であり、熱伝導性のない絶縁体３０１では熱を放出することができないため、放熱性に劣るという問題がある。
【００２７】
【特許文献１】大韓民国特許第３４４，６１８号明細書
【特許文献２】米国特許第５，６９６，６６６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
したがって、前記のような従来の問題点を解決するための本発明の技術的課題は、薄板のコア材を使用せず、コア材にウィンドウ（window）を形成し、その中に半導体チップを内蔵してパッケージの厚さを減らした、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記課題を解決するため、本発明は、回路パターンおよびワイヤボンディングパッドパターンを含み、実装されるチップの大きさに相応するウィンドウを有し、前記チップがワイヤボンディングパッドにワイヤボンディングで接続されている第１外層と、回路パターン、前記第１外層のウィンドウ領域に対応する部分およびソルダボールパッドパターンを有し、ボールパッド上にチップが実装されている第２外層と、前記第１外層と前記第２外層間に形成され、前記第１外層のウィンドウに対応する部分にウィンドウが形成された絶縁層とを含むボールグリッドアレイ基板を提供する。
【００３０】
また、前記課題を解決するため、本発明は、（Ａ）第１外層、第２外層、および前記第１外層と前記第２外層間に形成される絶縁層を含む原板を提供する段階と、（Ｂ）前記第１外層および前記絶縁層にウィンドウを形成する段階と、（Ｃ）前記第１外層にパターンおよびワイヤボンディングパッドを含むパターンを形成し、前記第２外層に回路パターンおよびソルダボールパッドパターンを含むパターンを形成する段階と、（Ｄ）前記第１外層および前記第２外層にソルダレジストを塗布した後、前記ワイヤボンディングパッドパターンおよび前記ソルダボールパッドパターンに対応する部分が開放されたソルダレジストパターンを形成する段階と、（Ｅ）前記第１外層のワイヤボンディングパッドパターン、前記第２外層のソルダボールパッドパターン、前記ウィンドウパターン、および前記第２外層の回路パターンを金メッキする段階とを含む、ボールグリッドアレイ基板の製作方法を提供する。
【発明の効果】
【００３１】
以上のような本発明によるウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板は、ウィンドウを形成して半導体チップを内蔵することにより、パッケージの厚さを減らすことができる効果がある。
【００３２】
また、本発明によるウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板は、薄板コア材を使用しなくてもよいので、薄板コア材の駆動のための新規の設備投資が不要である効果がある。
【００３３】
また、本発明によるウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板は、パッケージの組立工程においても、薄板のハンドリングのために付着するキャリアなしでも組立工程の進行が可能な効果がある。
【００３４】
また、本発明によるウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板は、側壁メッキにより金属の放熱面積が増加する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に添付図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００３６】
図４ａないし図４ｃは本発明の一実施形態によるボールグリッドアレイ基板の断面図である。
【００３７】
図４ａに示すように、本発明の実施形態によるボールグリッドアレイ基板は、絶縁層５０１と前記絶縁層の上下面を電気的に接続するビアホールからなる。絶縁層５０１の上面は回路パターン５０３ａおよびワイヤボンディングパッドパターンを含み、絶縁層５０１の下面は回路パターン５０３ｂおよびソルダボールパッドパターンを含む。
【００３８】
そして、前記絶縁層５０１の上下面にそれぞれ形成され、前記ワイヤボンディングパッドパターンおよび前記ソルダボールパッドパターンに対応する部分が開いているソルダレジスト層５０５ａ、５０５ｂを含み、前記絶縁層５０１および絶縁層５０１の上面にウィンドウパターンＤを有することを特徴とする。
【００３９】
ここで、絶縁層５０１は内層のない原板５００からなっているが、内層が２、４、６、８層などの多層構造に形成された原板を使用することができ、ウィンドウＤはパンチ、ドリルビットなどを使用して形成する。
【００４０】
また、ウィンドウＤの側壁の金メッキ層５０６ａは無電解金メッキおよび電解金メッキで形成し、半導体チップ６１０は直接ウィンドウＤの金メッキ層５０６ａ上に実装し、絶縁層５０１の下面には金メッキ層５０６ｂを積層する。
【００４１】
そして、側壁の金メッキ層５０６ｂは無電解金メッキおよび電解金メッキにより形成し、ウィンドウＤを形成し、これに半導体チップ６１０を内蔵することにより、パッケージの厚さを減らすことができる。このような構造的特徴により、パッケージの厚さが減少し、放熱効果が向上される。
【００４２】
図４ｂは、従来の基板と本発明によるウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板のマルチチップスタックを示す。
【００４３】
本発明の実施形態によるボールグリッドアレイ基板は、絶縁層１５０１および絶縁層の上下面を電気的に接続するビアホールＨからなる。また、絶縁層１５０１の上面は回路パターン１５０３ａおよびワイヤボンディングパッドパターンを含み、絶縁層１５０１の下面は回路パターン１５０３ｂおよびソルダボールパッドパターンを含む。
【００４４】
そして、前記絶縁層１５０１の上下面にそれぞれ形成され、前記ワイヤボンディングパッドパターンおよび前記ソルダボールパッドパターンに対応する部分が開いているソルダレジスト層１５０５ａ、１５０５ｂを含み、前記絶縁層１５０１および絶縁層１５０１の上面にウィンドウパターンＦを備えたことを特徴とする。
【００４５】
また、ウィンドウＦ上に複数の半導体チップ１６１０を積層して実装したことを特徴とする。
【００４６】
ここで、マルチチップスタックを形成するため、まずボールグリッドアレイ基板を形成した後、ウィンドウＦパターンに形成された金メッキ層１５０６ａ上に、接着剤により半導体チップ１６１０を多層に実装する。それぞれの半導体チップ１６０１はワイヤボンディング１６２０でワイヤボンディングパッドに接続する。
【００４７】
半導体チップ１６１０から発生する熱は、ワイヤボンディング１６２０、ウィンドウパターンＦ上の金メッキ層１５０６ａ、および絶縁樹脂層１５０１の下面上の金メッキ層１５０６ｂを介して放出される。
【００４８】
これにより、パッケージの厚さが減少し、放熱効果が向上する特徴がある。
【００４９】
図４ｃは、従来の基板と本発明によるウィンドウＧを備えたボールグリッドアレイ基板のマルチパッケージスタックを示す。
【００５０】
本発明の実施形態によるボールグリッドアレイ基板は、絶縁層２５０１および絶縁層の上面を電気的に接続するビアホールＩからなる。また、絶縁層２５０１の上面は回路パターン２５０３ａおよびワイヤボンディングパッドパターンを含み、絶縁層２５０１の下面は回路パターン２５０３ｂおよびソルダボールパッドパターンを含む。
【００５１】
そして、前記絶縁層２５０１の上下面にそれぞれ形成され、前記ワイヤボンディングパッドパターンおよび前記ソルダボールパッドパターンに対応する部分が開いているソルダレジスト層２５０５ａ、２５０５ｂを含み、前記絶縁層２５０１および絶縁層２５０１の上面にウィンドウパターンＧを備えたことを特徴とする。
【００５２】
また、ウィンドウＧ上に複数の半導体チップ２６１０を積層して実装したことを特徴とする。
【００５３】
ここで、三つのボールグリッドアレイ基板を形成した後、それぞれを積層して形成する。第１層の基板は複数のソルダボール２６３０を含み、第２層および第３層の基板はそれぞれソルダボール２６３０および絶縁層２５０１の上部の所定の回路２５０３ａのパターン上に形成された金メッキ層２５０６ａに接続される。これにより、パッケージの厚さが減少し、放熱効果が向上する。
【００５４】
また、基板をパッケージングしたとき、モールディング２６４０部分の厚さがソルダボール２６３０の直径より小さい特徴がある。このように、マルチパッケージスタックを形成して高密度のＣＳＰ製品を形成することができる。
【００５５】
図５ａないし図５ｍは本発明の一実施形態によるウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【００５６】
まず、図５ａに示すように、絶縁樹脂層５０１の上面に銅箔５０２を積層し、下面に接着剤１０を介して保護フィルム２０を積層した銅張積層板の原板５００を用意する。
【００５７】
ここで、銅張積層板の種類としては、その用途に応じて、ガラス／エポキシ銅張積層板、耐熱樹脂銅張積層板、紙／フェノール銅張積層板、高周波用銅張積層板、フレキシブル銅張積層板（ポリイミドフィルム）、複合銅張積層板などがあるが、両面プリント基板および多層プリント基板の製造には、主にガラス／エポキシ銅張積層板を使用する。
【００５８】
この実施形態においては、内層のない原板５００を使用したが、使用目的または用途に応じて、内層が２層、４層、６層である多層構造の原板を使用することができる。
【００５９】
ついで、図５ｂに示すように、ウィンドウＤを形成する。
【００６０】
ここで、ウィンドウＤはパンチングまたはドリルビットで加工する。
【００６１】
図５ｃに示すように、接着剤１０を保護している保護フィルム２０を除去する。
【００６２】
図５ｄに示すように、接着剤１０上に銅箔５０２ｂを付着する。
【００６３】
ついで、図５ｄに示すように、接着剤１０上に銅箔５０２ｂを付着する。
【００６４】
以下、接着剤は図面に示さない。
【００６５】
図５ｅに示すように、内層コア資材である銅張積層板の上下面を電気的に接続するためのビアホールＥを加工する。
【００６６】
ここで、ビアホールＥを形成する過程は、ＣＮＣドリル（Computer Numerical Control Drill）またはレーザドリルにより、予め設定した位置にビアホールＥを形成することが好ましい。
【００６７】
ＣＮＣドリルを用いる方式は、両面プリント基板のビアホールＥまたは多層プリント基板の通孔の形成時に好適である。このようなＣＮＣドリルでビアホールＥまたは通孔を加工した後、ドリリング時に発生する銅箔５０２ａ、５０２ｂのバー（burr）、ビアホールEの側壁の埃、銅箔５０２ａ、５０２ｂの表面の埃などを除去するデバリング（deburring）を行うことが好ましい。この場合、銅箔５０２ａ、５０２ｂの表面に粗さが付与されるので、後続の銅メッキ工程において銅との密着力が向上する利点がある。
【００６８】
レーザを用いる方式は、多層プリント基板のマイクロビアホールの形成時に好適である。このようなレーザを用いる方式として、ＹＡＧレーザで銅箔５０２ａ、５０２ｂおよび絶縁層５０１を同時に加工することもでき、ビアホールＥの形成部分の銅箔５０２ａ、５０２ｂを食刻した後、二酸化炭素レーザ（ＣＯ2 laser）で絶縁層５０１を加工することもできる。
【００６９】
一方、ビアホールＥを形成した後、、このビアホールの形成時に発生する熱により絶縁層５０１などが溶けてビアホールＥの側壁で発生するスミア（smear）を除去するデスミア（desmear）工程を行うことが好ましい。
【００７０】
その後、図５ｆに示すように、原板５００の表面、ビアホールＥの内壁およびウィンドウＤの内壁に無電解メッキおよび電解メッキを施してこれらを電気的に導通させる銅メッキ層５０３ａ、５０３ｂを形成する。
【００７１】
ここで、原板５００のビアホールＥの側壁が絶縁樹脂層５０１であるので、ビアホールＥの形成後にすぐ電解銅メッキを行うことができない。
【００７２】
したがって、形成されたビアホールＥの電気的接続および電解銅メッキのため、無電解銅メッキを施す。無電解銅メッキは絶縁体に対するメッキであるので、電気を呈するイオンによる反応は期待することができない。このような無電解銅メッキは析出反応によりなされ、析出反応は触媒により促進される。メッキ液から銅を析出させるためには、メッキしようとする材料の表面に触媒を付着しなければならない。これは、無電解銅メッキが多くの前処理を必要とすることを示す。
【００７３】
一例として、無電解銅メッキ工程は、脱脂（cleanet）過程、ソフト腐食（soft etching）過程、予備触媒処理（pre-catalyst）過程、触媒処理過程、活性化過程、無電解銅メッキ過程、および酸化防止処理過程を含む。
【００７４】
脱脂過程において、上下銅箔５０２ａ、５０２ｂの表面に存在する酸化物または異物、特に油脂分などを酸またはアルカリ界面活性剤の含まれた薬品で除去した後、界面活性剤を完全に水洗する。
【００７５】
ソフト腐食過程において、上下銅箔５０２ａ、５０２ｂの表面に微細な粗さ（例えば、およそ１〜２μｍ）を与えて、メッキ段階で銅粒子が均一に密着するようにし、脱脂過程で処理されていない汚染物を除去する。
【００７６】
予備触媒過程において、低濃度の触媒薬品に原板５００を浸漬することにより、触媒処理段階で使用される薬品が汚染するかまたは濃度が変化することを防止する。さらに、同種成分の薬品槽に原板５００を浸漬するので、触媒処理がより活性化される効果がある。このような予備触媒処理過程には、１〜３％に希釈された触媒薬品を使用することが好ましい。
【００７７】
触媒処理過程において、原板５００の銅箔５０２ａ、５０２ｂおよび絶縁樹脂層５０１の面（すなわち、ビアホールＥの側壁）に触媒粒子を被せる。触媒粒子としてはＰｄ−Ｓｎ化合物を使用することが好ましく、このＰｄ−Ｓｎ化合物はメッキされる粒子のＣｕ2+とＰｄ2-が結合してメッキを促進する役割をする。
【００７８】
無電解銅メッキ過程において、メッキ液は、ＣｕＳＯ4、ＨＣＨＯ、ＮａＯＨおよびそのほかの安定剤からなることが好ましい。メッキ反応を持続させるためには、化学反応が均衡をとらなければならなく、このため、メッキ液の組成を制御することが重要である。組成を維持するためには、不足した成分の適切な供給、機械的撹拌、メッキ液の純化システムをうまく運営しなければならない。このような反応の結果として発生する副産物のための濾過装置が必要であり、これを活用することによりメッキ液の使用時間を延長することができる。
【００７９】
酸化防止処理過程において、無電解銅メッキ後に残存するアルカリ成分によりメッキ膜が酸化することを防止するため、酸化防止膜を全面にコートする。
【００８０】
しかし、前述した無電解銅メッキ工程は、一般に電解銅メッキに比べて物理的特性に劣るので、薄く形成する。
【００８１】
ほかの実施形態として、無電解銅メッキ層の形成工程は、プラズマなどにより発生する気体のイオン粒子（例えば、Ａｒ+）を銅ターゲットに衝突させることで、絶縁層５０１、ビアホールＥの内壁およびランドに無電解銅メッキ層を形成するスパッタリング方式を用いることができる。
【００８２】
無電解銅メッキが完了した後、原板５００を銅メッキ作業槽に浸漬した後、直流整流器により電解銅メッキを行う。このような電解銅メッキは、メッキしようとする面積を計算し、直流整流器に適した電流で銅を析出する方式を用いることが好ましい。
【００８３】
電解銅メッキは、無電解銅メッキ層より銅メッキ層の物理的特性に優れており、厚い銅メッキ層を形成し易い利点がある。
【００８４】
ついで、図５ｇに示すように、原板５００の上下メッキ層５０３ａ、５０３ｂにドライフィルム５０４ａ、５０４ｂをそれぞれ塗布する。
【００８５】
ここで、ドライフィルム５０４ａ、５０４ｂは、カバーフィルム、フォトレジストフィルムおよびマイラーフィルムの３層からなるが、実質的にレジストの役割をする層はフォトレジストフィルムである。
【００８６】
ついで、所定のパターンが印刷されたドライフィルム５０４ａ、５０４ｂを露光および現像することにより、ドライフィルム５０４ａ、５０４ｂに所定のパターンを形成する。
【００８７】
ここで、所定のパターンとしては、回路パターン、ビアホールＥのランド、ワイヤボンディングパッドパターン、ソルダボールパッドパターン、およびウィンドウパターンを含む。
【００８８】
ドライフィルム５０４ａ、５０４ｂの露光および現像工程は、所定のパターンがプリントされたアートワークフィルムをドライフィルム５０４ａ、５０４ｂ上に密着させた後紫外線を照射する。この際、アートワークフィルムのパターンが印刷された黒い部分は紫外線が透過せず、印刷されていない部分は紫外線が透過してアートワークフィルムの下のドライフィルムを硬化させる。このようにドライフィルム５０４ａ、５０４ｂが硬化した原板５００を現像液に浸漬すると、硬化していないドライフィルム５０４ａ、５０４ｂ部分が現像液によって除去され、硬化したドライフィルム５０４ａ、５０４ｂ部分のみが残ってレジストパターンを形成する。ここで、現像液としては炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）または炭酸カリウム（Ｋ2ＣＯ3）の水溶液などを使用する。
【００８９】
そして、図５ｈに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム５０４ａ、５０４ｂをエッチングレジストとして使用し、原板５００にエッチング液を噴霧することにより、ドライフィルムの所定のパターンに対応する部分を除いた残りの部分の上下銅箔５０２ａ、５０２ｂおよび銅メッキ層５０３ａ、５０３ｂをエッチングして除去する。
【００９０】
図５ｉに示すように、原板５００の上下面に塗布されたドライフィルム５０４ａ、５０４ｂを剥離して除去する。
【００９１】
ここで、ドライフィルム５０４ａ、５０４ｂは、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液を使用して除去する。
【００９２】
図５ｇないし図５ｉに示す過程ではエッチングレジストとしてドライフィルム５０４ａ、５０４ｂを使用したが、液状の感光材をエッチングレジストとして使用することができる。
【００９３】
この場合、紫外線に感光される液状の感光材を原板５００の銅メッキ層５０３ａ、５０３ｂに塗布した後、乾燥させる。ついで、所定のパターンが形成されたアートワークフィルムで感光材を露光および現像することにより、感光材に所定のパターンを形成する。その後、所定のパターンが形成された感光材をエッチングレジストとして使用し、原板５００にエッチング液を噴霧することにより、感光材の所定のパターンに対応する部分を除いた残りの部分の上下銅箔５０２ａ、５０２ｂおよび銅メッキ層５０３ａ、５０３ｂをエッチングして除去する。その後、感光材を除去する。ここで、液状の感光材をコートする方式としては、ディップコーティング（dip coating）方式、ロールコーティング（roll coating）方式、電気蒸着（electro-deposition）方式などがある。
【００９４】
このような液状の感光材を用いる方式は、ドライフィルム５０４ａ、５０４ｂより薄く塗布することができるので、より微細な回路パターンを形成することができる利点がある。また、原板５００の表面に凹凸がある場合、その凹部を満たすことで均一な表面を形成することができる利点もある。
【００９５】
その後、図５ｊに示すように、ソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを塗布した後、仮乾燥させる。
【００９６】
ここで、銅箔５０２ａ、５０２ｂおよび銅メッキ層５０３ａ、５０３ｂに回路パターンが形成された原板５００に指紋、油分、埃などが付いている場合、後続の工程で形成されるソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂと原板５００が全く密着しない問題が発生し得る。したがって、ソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを塗布する前、ソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂと原板５００間の密着力を向上させるため、基板の表面を洗浄し、基板の表面に粗さを付与する前処理を行うことが好ましい。
【００９７】
ソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを塗布する方式としては、スクリーン印刷（screen printing）方式、ローラコーティング（roller coating）方式、カーテンコーティング（curtain coating）方式、スプレーコーティング（spray coating）方式などが使用可能である。
【００９８】
ここで、スクリーン印刷方式は、ソルダレジストパターンを直接印刷する方式であり、ローラコーティング方式は、スクリーン印刷法に使用されるものより粘度が低いソルダレジストインクをゴムローラで薄く塗って基板にコーティングする方式である。
【００９９】
前記カーテンコーティング方式は、ローラコーティングに使用されるものより粘度が低いソルダレジストインクを使用する方式であり、スプレーコーティング方式は、レジストインクを噴霧してコーティングする方式である。
【０１００】
ついで、原板５００の上下ソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂにソルダレジストパターンが印刷されたアートワークフィルムを密着させた後、ソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを露光および現像することにより、ソルダレジストパターンに対応するソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを硬化させる。
【０１０１】
ここで、アートワークフィルムのパターンが印刷された黒い部分は露光工程により紫外線が透過せず、印刷されていない部分は紫外線が透過してソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを硬化させる。
【０１０２】
図５ｋに示すように、アートワークフィルムを除去した後、硬化していない部分のソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを現像工程で除去してソルダレジストパターンを形成する。ついで、紫外線を照射して硬化させ、乾燥機（図示せず）でソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂを全く硬化させる。
【０１０３】
ここで、原板５００のソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂが除去された部分に残存するソルダレジスト５０５ａ、５０５ｂの残渣、異物などをプラズマなどで除去する工程をさらに行うことが好ましい。
【０１０４】
図５ｌに示すように、ソルダボールパッドパターン、ワイヤボンディングパッドパターン、ウィンドウパターンおよび原板５００の下部パターンに金メッキ層５０６ａ、５０６ｂを形成する。
【０１０５】
ここで、前記原板５００の一部が絶縁樹脂層５０１であるため、すぐ電解金メッキを行うことができない。
【０１０６】
したがって、絶縁樹脂層５０１の電気的接続および電解金メッキを行うために、無電解金メッキを施す。無電解金メッキは絶縁体に対するメッキであるので、電気を呈するイオンによる反応を期待することができない。
【０１０７】
一実施形態として、無電解金メッキ層の形成工程は、プラズマなどにより発生する気体のイオン粒子（例えば、Ａｒ+）を金ターゲットに衝突させることにより、絶縁層５０１、ウィンドウに無電解金メッキ層を形成するスパッタリング方式を用いることができる。
【０１０８】
無電解金メッキの後、原板５００を金メッキ作業槽に浸漬した後、直流整流器で電解金メッキを施して金メッキ層５０６ａ、５０６ｂを形成する。この際、メッキ面積を計算し、直流整流器に適した電流を加えて金を析出する方式を用いることがより好ましい。
【０１０９】
また、加熱との接着性を高めるため、ニッケルを薄くメッキした後、金メッキ層５０６ａ、５０６ｂを形成することが好ましい。
【０１１０】
図５ｍに示すように、ルータ（router）またはパワープレスなどにより原板の外郭を形成する。
【０１１１】
ついで、半導体チップ６１０を実装し、ワイヤボンディング６２０およびソルダボール６３０を形成した後、モールディング６４０を形成すると、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板が出来上がる。
【０１１２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１ａ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｂ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｃ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｄ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｅ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｆ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｇ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｈ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｉ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１ｊ】従来の第１実施形態によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２】図１ａないし図１ｊの方法で製作されたボールグリッドアレイ基板に半導体チップを実装した製品の断面図である。
【図３】従来の第２実施形態によるボールグリッドアレイ基板に半導体チップを実装して完成した製品の断面図である。
【図４ａ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の断面図である。
【図４ｂ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の断面図である。
【図４ｃ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の断面図である。
【図５ａ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｂ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｃ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｄ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｅ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｆ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｇ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｈ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｉ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｊ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｋ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｌ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図５ｍ】本発明の実施形態による、ウィンドウを備えたボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１００    原板
１０１    絶縁層
１０２ａ、１０２ｂ  銅箔
１０３ａ、１０３ｂ  銅メッキ層
１０４ａ、１０４ｂ  ドライフィルム
１０５ａ、１０５ｂ  ソルダレジスト
１０６ａ、１０６ｂ  金メッキ層
２１０    接着剤
２２０    半導体チップ
２３０    ワイヤボンディング
２４０    ソルダボール
【図１ａ】
2006173554.tif 000003
【図１ｂ】
2006173554.tif 000004
【図１ｃ】
2006173554.tif 000005
【図１ｄ】
2006173554.tif 000006
【図１ｅ】
2006173554.tif 000007
【図１ｆ】
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【図１ｇ】
2006173554.tif 000009
【図１ｈ】
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【図１ｉ】
2006173554.tif 000011
【図１ｊ】
2006173554.tif 000012
【図２】
2006173554.tif 000013
【図３】
2006173554.tif 000014
【図４ａ】
2006173554.tif 000015
【図４ｂ】
2006173554.tif 000016
【図４ｃ】
2006173554.tif 000017
【図５ａ】
2006173554.tif 000018
【図５ｂ】
2006173554.tif 000019
【図５ｃ】
2006173554.tif 000020
【図５ｄ】
2006173554.tif 000021
【図５ｅ】
2006173554.tif 000022
【図５ｆ】
2006173554.tif 000023
【図５ｇ】
2006173554.tif 000024
【図５ｈ】
2006173554.tif 000025
【図５ｉ】
2006173554.tif 000026
【図５ｊ】
2006173554.tif 000027
【図５ｋ】
2006173554.tif 000028
【図５ｌ】
2006173554.tif 000029
【図５ｍ】
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