(57)【要約】    【課題】  保存特性に優れ、さらに、繰り返しオーバーライト特性にも優れた光記録媒体を提供する。    【解決手段】  記録膜を含む少なくとも一層の情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成されたことを特徴とする光記録媒体。【選択図】  図２
2006095821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録膜を含む少なくとも一層の情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成されたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記相変化材料に主成分として含まれている前記Ｓｂ、ＧｅおよびＭｇの原子比率（原子％）が、７０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｇｅ＜３０、および、０＜Ｍｇ≦２５を満たしていることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、保存特性に優れ、さらに、繰り返しオーバーライト特性にも優れた光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。
【０００３】
光記録媒体のデータ記録方式としては、一般に、記録すべきデータを、光記録媒体に設けられたトラックに沿って形成される記録マークとして所定の長さに変調するという記録方式が用いられている。たとえば、ユーザによるデータの書き換えが可能な光記録媒体の一種であるＤＶＤ−ＲＷにおいては、３Ｔから１１Ｔおよび１４Ｔ（Ｔは１クロック周期）に対応する長さの記録マークが用いられ、光記録媒体に設けられたトラックに沿って、記録マークを、情報層に含まれた記録膜に形成することによって、データが記録されるように構成されている。
【０００４】
このようにして、データ書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録マークを形成して、データを記録する場合には、光記録媒体に設けられたトラックに沿って、記録膜にレーザビームが照射され、記録膜に含まれている結晶状態にある相変化材料がアモルファス化されて、所定の長さを有するアモルファス領域が、記録膜に形成され、こうして形成されたアモルファス領域が記録マークとして利用される。
【０００５】
すなわち、データ書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜にデータを記録する場合には、そのパワーが十分に高いレベルの記録パワーＰｗに設定されたレーザビームが、記録膜に照射され、レーザビームが照射された記録膜の領域が相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、溶融される。次いで、そのパワーが十分に低いレベルの基底パワーＰｂに設定されたレーザビームが、記録膜に照射され、溶融された領域が急冷される。その結果、記録膜の領域に含まれている相変化材料が、結晶状態からアモルファス状態に変化し、記録膜に記録マークが形成され、データが記録される。
【０００６】
一方、データ書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に形成されている記録マークを消去して、記録膜に記録されたデータを消去する場合には、そのパワーが、基底パワーＰｂを越えた消去パワーＰｅに設定されたレーザビームが、記録膜に照射され、記録マークが形成された領域が相変化材料の結晶化温度以上の温度に加熱され、次いで、記録膜の加熱された領域が徐冷される。その結果、記録マークが形成されていた記録膜の領域に含まれている相変化材料が、アモルファス状態から結晶状態に変化し、記録マークが消去されて、データが消去される。
【０００７】
したがって、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に照射されるレーザビームのパワーを、記録パワーＰｗ、基底パワーＰｂおよび消去パワーＰｅに対応する複数のレベルに変調することによって、記録膜に記録マークを形成して、データを記録するだけでなく、記録膜に形成された記録マークを消去しつつ、新たな記録マークを形成して、新たなデータによって、ダイレクトオーバーライトすることが可能になる。
【０００８】
このようにして、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に既に記録されたデータを、ダイレクトオーバーライトする場合には、速やかに、記録マークを形成しているアモルファス状態の相変化材料を結晶化して、記録マークを消去し得ることが好ましく、そのため、一般に、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜は、結晶化速度が大きい相変化材料によって形成されている。結晶化速度が比較的大きい相変化材料によって形成された記録膜を含む光記録媒体として、たとえば、ＳｂＴｅを必須元素とし、これにＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂのうちから少なくとも１種類以上の元素を添加してなる相変化型記録膜を含む光記録媒体（特開２０００−３２２７４０号公報（特許文献１）参照）や、組成式ＧｅαＳｂβで表され、α、βはそれぞれ原子比率で５≦α≦４０、６０≦β≦９５の範囲である記録膜を含む光記録媒体（特開２００４−１９５７４２号公報（特許文献２）参照）などが知られている。
【特許文献１】特開２０００−３２２７４０号公報
【特許文献２】特開２００４−１９５７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載された光記録媒体に、データを記録して、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを記録した領域に、初めて、ダイレクトオーバーライトした場合には、ジッタが著しく悪化してしまい、保存特性が著しく悪化するという問題があった。
【００１０】
これに対して、特許文献２に記載された光記録媒体は、特許文献１に記載された光記録媒体に比べて、保存特性に優れているが、近年、光記録媒体の種々の特性を向上させることが求められており、これらの要求を充分に満足するためには、さらに、光記録媒体の保存特性を改善することが望まれている。
【００１１】
一方、特許文献１および特許文献２に記載された光記録媒体に、データを、１０００回にわたり、繰り返し、ダイレクトオーバーライトした場合には、ジッタが悪化してしまい、繰り返しオーバーライト特性が悪化するという問題があった。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、保存特性に優れ、さらに、繰り返しオーバーライト特性にも優れた光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、本発明の前記目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成された場合には、かかる記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを記録した領域に、初めて、ダイレクトオーバーライトときに、ジッタが著しく悪化することを効果的に防止することが可能になることを見出し、さらに、かかる記録膜に、データを１０回わたり、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときには、十分に低いノイズレベルと、高いキャリア−ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が得られ、その結果、良好なジッタを得ることが可能になり、とくに、かかる記録膜に、データを１０００回にわたり、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときにも、ジッタが悪化することを効果的に防止することが可能になることを見出した。
【００１４】
本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、記録膜を含む少なくとも一層の情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成されたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００１５】
本発明において、「ＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む」とは、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜を形成する元素のうち、Ｓｂの含有率とＧｅの含有率とＭｇの含有率とを合計した含有率が最も大きいことを意味する。
【００１６】
本発明によれば、保存特性に優れ、さらに、繰り返しオーバーライト特性にも優れた光記録媒体を提供することが可能になる。
【００１７】
また、記録膜が、ＳｂとＧｅとを含む相変化材料によって、形成されている場合には、記録膜に形成された記録マークを消去することができる最高の速度として規定される媒体線速度が、Ｇｅの添加量によって大きく変化してしまうが、記録膜が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成された場合には、Ｇｅの添加量によって、媒体線速度が大きな影響を受けることを効果的に防止することができるため、本発明によれば、所望の媒体線速度を有する光記録媒体を安定して生産することが可能になる。
【００１８】
本発明において、相変化材料に主成分として含まれているＳｂ、ＧｅおよびＭｇの原子比率（原子％）が、７０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｇｅ＜３０、および、０＜Ｍｇ≦２５を満たしていることが好ましい。
【００１９】
相変化材料に主成分として含まれているＳｂ、ＧｅおよびＭｇの原子比率（原子％）が、７０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｇｅ＜３０、および、０＜Ｍｇ≦２５を満たしている場合には、保存特性と繰り返しオーバーライト特性を、より一層、向上させることが可能になる。
【００２０】
本発明において、Ｓｂ、ＧｅおよびＭｇを主成分として含む相変化材料には、さらに、Ｓｂ、ＧｅおよびＭｇ以外の元素が添加されていてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、保存特性に優れ、さらに、繰り返しオーバーライト特性にも優れた光記録媒体を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００２３】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【００２４】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。
【００２５】
本実施態様にかかる光記録媒体１０は、書き換え型の光記録媒体として構成され、図２に示されるように、支持基板１１と、支持基板１１の表面上に形成された第四の誘電体膜１２と、第四の誘電体膜１２の表面上に形成された反射膜１３と、反射膜１３の表面上に形成された第三の誘電体膜１４と、第三の誘電体膜１４の表面上に形成された記録膜１５と、記録膜１５の表面上に形成された第二の誘電体膜１６と、第二の誘電体膜１６の表面上に形成された第一の誘電体膜１７と、第一の誘電体膜１７の表面上に形成された放熱膜１８と、放熱膜１８の表面上に形成された光透過層１９とを備え、光透過層１９の一方の表面によって、レーザビームＬが入射する光入射面１９ａが構成されている。本実施態様においては、第四の誘電体膜１２、反射膜１３、第三の誘電体膜１４、記録膜１５、第二の誘電体膜１６、第一の誘電体膜１７および放熱膜１８によって、情報層２０が形成されている。
【００２６】
本実施態様にかかる光記録媒体１０は、図２において、矢印Ｌで示される方向から、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬが、約０．８５の開口数ＮＡを有する対物レンズ（図示せず）を介して、光透過層１９に照射されるように構成されている。
【００２７】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
【００２８】
支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではいが、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板１１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。
【００２９】
本実施形態においては、支持基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００３０】
本実施形態においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光透過層１９を介して、情報層２０に照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必ずしも必要ではない。
【００３１】
図２に示されるように、支持基板１１の表面には、グルーブ１１ａが形成されている。グルーブ１１ａは、情報層２０にデータを記録し、情報層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬのガイドトラックとしての役割を果たす。
【００３２】
表面に、グルーブ１１ａ有する支持基体１１は、たとえば、スタンパ（図示せず）を用いた射出成形法などによって作製される。
【００３３】
第四の誘電体膜１２は、後述する反射膜１３とともに、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。
【００３４】
第四の誘電体膜１２を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物などが用いられる。本実施態様においては、第四の誘電体膜１２は、酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって、形成されている。
【００３５】
第四の誘電体膜１２は、３ｎｍないし４０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第四の誘電体膜１２の厚さが、３ｎｍ未満の場合には、放熱効果が低下し、４０ｎｍを越えている場合には、生産性が低下してしまう。
【００３６】
第四の誘電体膜１２は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００３７】
反射膜１３は、光透過層１９を介して、記録膜１５に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１９から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、記録膜１５に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。
【００３８】
反射膜１３を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｄなどが用いられ、これらのうちでも、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金など、これらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射膜１３を形成するために、好ましく用いられる。とくに、反射膜１３が、Ａｇを含んでいる場合には、表面平滑性に優れた反射膜１３を形成することができ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になり、好ましい。
【００３９】
反射膜１３の厚さは、とくに限定されるものではないが、５ｎｍないし１５０ｎｍであることが好ましく、７ｎｍないし１２０ｎｍであることが、とくに好ましい。
【００４０】
反射膜１３は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００４１】
第三の誘電体膜１４は、第二の誘電体膜１６とともに、記録膜１５を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生じた熱を、反射膜１３側に放熱させる機能を有している。
【００４２】
第三の誘電体膜１４を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第四の誘電体膜１２を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第三の誘電体膜１４は、第四の誘電体膜１２と同様に、酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって、形成されている。
【００４３】
第三の誘電体膜１４は、３ｎｍないし３５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第三の誘電体膜１４の厚さが、３ｎｍ未満の場合には、第三の誘電体膜１４を連続膜として形成することが困難となり、３５ｎｍを越えている場合には、記録膜１５に生成された熱を効果的に反射膜１３側に放熱させることが困難になることがある。
【００４４】
第三の誘電体膜１４は、たとえば、スパッタリング法などによって、形成される。
【００４５】
記録膜１５は、記録マークを形成するための膜であり、相変化材料によって形成され、単一の膜によって構成されている。
【００４６】
本実施態様において、記録膜１５は、ＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって形成されている。記録膜１５が、かかる相変化材料によって形成された場合には、保存特性に優れ、さらに、繰り返しオーバーライト特性にも優れる。また、Ｇｅの添加量によって、媒体線速度が大きな影響を受けることを効果的に防止することができ、所望の媒体線速度を有する光記録媒体１０を安定して生産することが可能になる。
【００４７】
本実施態様において、記録膜１５を形成している相変化材料に主成分として含まれているＳｂ、ＧｅおよびＭｇの原子比率（原子％）が、７０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｇｅ＜３０、および、０＜Ｍｇ≦２５を満たしていることが好ましく、Ｓｂ、ＧｅおよびＭｇの原子比率（原子％）が、７３≦Ｓｂ≦９３、３≦Ｇｅ≦２５、１≦Ｍｇ≦１０を満たしていることが、とくに、好ましい。これらの場合には、保存特性と繰り返しオーバーライト特性を、より一層、向上させることが可能になる。
【００４８】
本実施態様において、記録膜１５を形成するための相変化材料には、さらに、Ｓｂ、ＧｅおよびＭｇ以外の元素が添加されていてもよい。
【００４９】
記録膜１５は、３ｎｍないし２５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。記録膜１５の厚さが、３ｎｍ未満である場合には、記録膜に含まれた相変化材料をアモルファス状態から結晶状態に相変化させることが困難であり、一方、２５ｎｍを超えている場合には、記録膜を溶融させるのに必要な熱量が増大し、高い記録パワーが必要となり記録感度が悪化してしまうことがある。
【００５０】
記録膜１５は、たとえば、記録膜１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第三の誘電体膜１４の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられるが、スパッタリング法によって、記録膜１５を形成することが好ましい。
【００５１】
第二の誘電体膜１６は、第三の誘電体膜１４とともに、記録膜１５を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、ダイレクトオーバーライトなどよって、第一の誘電体膜１７を構成する元素が、記録膜１５中に拡散することを防ぐためのバリア膜としての役割をも果たす。
【００５２】
第二の誘電体膜１６を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第四の誘電体膜１２を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第二の誘電体膜１６は、第四の誘電体膜１２および第三の誘電体膜１４と同様に、酸化ジルコニウムを主成分として含む材料によって、形成されている。
【００５３】
第二の誘電体膜１６は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第二の誘電体膜１６の厚さが、３ｎｍ未満である場合には、バリア膜としての効果が低下するおそれがあり、一方、１５ｎｍを越えている場合には、生産性が低下するおそれがある。
【００５４】
第二の誘電体膜１６は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００５５】
第一の誘電体膜１７は、第二の誘電体膜１６と放熱膜１８との密着性を高める機能を有している。
【００５６】
第一の誘電体膜１７を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、第二の誘電体膜１６および放熱膜１８との密着性が高い材料であれば、とくに限定されるものではないが、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物によって、第一の誘電体膜１７を形成することが好ましい。第一の誘電体膜１７が、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物によって形成された場合には、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比は、６０：４０ないし９５：５であることが好ましい。ＺｎＳのモル比が、６０％未満の場合には、第一の誘電体膜１７の屈折率が低下して、記録マークが形成された記録膜１５の領域と、記録マークが形成されていない記録膜１５の領域との反射率の差が低下するおそれがある。一方、ＺｎＳのモル比が、９５％を越えている場合には、第一の誘電体膜１７を完全な透明膜として形成することが困難であり、信号出力が低下するなどの悪影響がでてくる。
【００５７】
第一の誘電体膜１７は、５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第一の誘電体膜１７の厚さが、５ｎｍ未満の場合には、放熱膜１８にクラックが生じやすくなり、５０ｎｍを越える場合には、放熱効果が低下するおそれがある。
【００５８】
第一の誘電体膜１７は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００５９】
放熱膜１８は、第一の誘電体膜１７を介して、記録膜１５から伝達された熱を放熱する役割を果たす。
【００６０】
放熱膜１８を形成するための材料は、記録膜１５に生じた熱を放熱することができれば、とくに限定されるものではないが、第一の誘電体膜１７の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料が、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２などが好ましく用いられる。
【００６１】
放熱膜１８は、２０ｎｍないし７０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。放熱膜１８の厚さが、２０ｎｍ未満の場合には、充分な放熱効果を得られないおそれがあり、一方、７０ｎｍを越える場合には、放熱膜１８の成膜に長い時間を要するため、生産性が低下するおそれがある。
【００６２】
放熱膜１８は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００６３】
光透過層１９は、レーザビームＬが透過する層であり、その一方の表面によって、光入射面１９ａが構成されている。
【００６４】
光透過層１９を形成するための材料は、近赤外から紫外の波長領域で吸収が小さく、かつ、複屈折率が小さいことが要求される。光透過層１９を形成するための材料は、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などを含有する樹脂組成物が好ましく使用され、紫外線硬化型アクリル樹脂を含有する樹脂組成物が、より好ましく使用される。
【００６５】
光透過層１９は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００６６】
光透過層１９は、樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、情報層２０の表面上に塗布して、形成されることが好ましいが、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、情報層２０の表面に接着して、光透過層１９を形成することもできる。
【００６７】
以上のように構成された本実施態様にかかる光記録媒体１０の記録膜１５に、データを記録し、記録膜１５に記録されたデータをダイレクトオーバーライトする場合には、記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅおよび基底パワーＰｂとの間で、そのパワーが変調されたレーザビームＬが、光透過層１９を介して、記録膜１５にフォーカスされる。
【００６８】
本実施態様においては、記録膜１５は、ＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含み、Ｓｂ、ＧｅおよびＭｇの原子比率（原子％）が、７０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｇｅ＜３０、および、０＜Ｍｇ≦２５を満たしている相変化材料によって、形成されており、記録膜１５がかかる相変化材料によって形成された場合には、記録膜１５に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを記録した領域に、初めて、ダイレクトオーバーライトしたときに、ジッタが著しく悪化することを、より一層、効果的に防止することが可能になるとともに、記録膜１５にデータを１０回にわたり、繰り返し、オーバーライトしたときには、十分に低いノイズレベルと、高いキャリア−ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が得られ、その結果、さらに良好なジッタを得ることが可能になり、とくに、記録膜１５にデータを１０００回にわたり、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときにも、ジッタが悪化することを、より一層、効果的に防止することが可能になる。したがって、記録膜１５に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した場合にも、データを記録した領域に、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることが可能になるとともに、記録膜１５に記録されたデータを、所望のように、複数回にわたって、繰り返して、ダイレクトオーバーライトすることが可能になる。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【００７０】
実施例１
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【００７１】
まず、射出成型法により、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍで、表面に、グルーブが、０．３２μｍのグルーブピッチで形成されたポリカーボネート基板を作製した。
【００７２】
次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、グルーブが形成された表面上に、酸化ジルコニウムを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金を含み、１０ｎｍの厚さを有する反射膜、酸化ジルコニウムを主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜、８４．２原子％のＳｂ、１３．９原子％のＧｅおよび１．９原子％のＭｇを主成分として含む相変化材料を含み、６ｎｍの厚さを有する記録膜、酸化ジルコニウムを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ならびに、窒化アルミニウムを主成分として含み、４０ｎｍの厚さを有する放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成し、情報層を形成した。
【００７３】
ここに、第二の誘電体膜、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、ＺｒＯ２ターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。
【００７４】
反射膜は、アルゴンガス雰囲気中で、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金ターゲットを用いたスパッタリング法によって形成し、記録膜は、アルゴンガス雰囲気中で、ＳｂＧｅ合金ターゲットとＭｇターゲットを用いた２元スパッタリング法によって形成した。
【００７５】
また、第一の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分とするターゲットを用いたスパッタリング法によって形成し、放熱膜は、アルゴンガスおよび窒素ガス雰囲気中で、Ａｌターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって形成した。
【００７６】
次いで、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、記録膜に初期化処理を施し、記録膜を結晶化させた。
【００７７】
さらに、放熱膜の表面上に、紫外線硬化性アクリル樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂組成物を硬化させ、１００μｍの厚さを有する光透過層を形成した。
【００７８】
こうして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【００７９】
次いで、８５．０原子％のＳｂと１３．０原子％のＧｅと２．０原子％のＭｇとからなる相変化材料を含み、６ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。
【００８０】
さらに、８６．１原子％のＳｂと１１．９原子％のＧｅと２．０原子％のＭｇとからなる相変化材料を含み、６ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃３を作製した。
【００８１】
次いで、８５．９原子％のＳｂと１３．１原子％のＧｅと１．０原子％のＭｇとからなる相変化材料を含み、６ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃４を作製した。
【００８２】
さらに、８４．６原子％のＳｂと１１．６原子％のＧｅと３．８原子％のＭｇとからなる相変化材料を含み、６ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃５を作製した。
【００８３】
次いで、８６．０原子％のＳｂと１４．０原子％のＧｅとからなる相変化材料を含み、６ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃６を作製した。
【００８４】
さらに、０．８原子％のＩｎと、７１．１原子％のＳｂと、１６．４原子％のＴｅと、５．５原子％のＧｅと、６．２原子％のＭｎとからなる相変化材料を含み、６ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃７を作製した。
【００８５】
次いで、光記録媒体サンプル＃１ないし＃７を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、１０．５ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、チャンネルクロック周波数１３２ＭＨｚ、チャンネルビット長０．１２μｍ／ｂｉｔで、４０５ｎｍの波長を有し、そのパワーが、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、所定のパターンにしたがって、変調されたレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、光透過層を介して、記録膜に照射し、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔないし８Ｔの長さを有する記録マークのランダム信号を、それぞれ、１０回および１０００回にわたって、ダイレクトオーバーライトし、さらに、別の記録領域に、８Ｔの長さを有する記録マークのみからなる８Ｔマーク信号を、１０回にわたって、ダイレクトオーバーライトした。
【００８６】
ここに、光記録媒体サンプル＃１ないし＃７の記録膜にランダム信号および８Ｔマーク信号をダイレクトオーバーライトする場合には、レーザビームの記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、再生パワーＰｒ、および、基底パワーＰｂを、それぞれ、９．４ｍＷ、３．５ｍＷ、０．７ｍＷ、および、０．３ｍＷに設定した。
【００８７】
次いで、上述のダイレクトオーバーライト条件において、ダイレクトオーバーライトしたランダム信号を、それぞれ、再生したときの再生信号のジッタを測定して、１０回および１０００回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときの繰り返しオーバーライト特性を評価するとともに、ダイレクトオーバーライトした８Ｔ信号を、再生したときの再生信号のＣ／Ｎおよびノイズレベルを、それぞれ、測定して、８Ｔ信号特性を評価した。
【００８８】
各サンプルの測定結果は、表１に示されている。
【００８９】
１０回および１０００回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときの繰り返しオーバーライト特性は、表１において、それぞれ、「ＯＷ１０」および「ＯＷ１０００」として、示されている。
【００９０】
さらに、このようにして、ランダム信号を、１０回にわたって、ダイレクトオーバーライトした後に、各サンプルを、それぞれ、８０℃、１０％ＲＨの環境下で、２４時間にわたって、保存した。
【００９１】
次いで、上述したのと同様にして、各サンプルのランダム信号を、１０回にわたって、ダイレクトオーバーライトした領域に、それぞれ、ランダム信号を、１回ダイレクトオーバーライトして、新たに記録したランダム信号を、それぞれ、再生したときの再生信号のジッタを測定し、保存特性を評価した。
【００９２】
各サンプルの測定結果は、表１に示されている。
【００９３】
【表１】
2006095821.tif 000003
【００９４】
表１から明らかなように、光記録媒体サンプル＃７にあっては、８Ｔ信号のノイズレベルが高いために、Ｃ／Ｎが５３．１ｄＢと低くなっており、その結果、１０回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタが大きく、とくに、１０００回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタも大きく、さらには、保存特性を評価したジッタもきわめて大きいことが認められたのに対して、光記録媒体サンプル＃６にあっては、１０回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタ、および、保存特性を評価したジッタが、いずれも、小さく、良好なジッタが得られたが、１０００回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタは、依然として、大きいことが認められた。
【００９５】
一方、光記録媒体サンプル＃１ないし＃５にあっては、８Ｔ信号のノイズレベルが低下して、約５５ｄＢの高いキャリア−ノイズ比（Ｃ／Ｎ）が得られ、その結果、１０回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタが小さく、とくに、１０００回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときのジッタも小さく、繰り返しオーバーライト特性が改善されていることが認められ、かつ、保存特性を評価したジッタが、光記録媒体サンプル＃６よりも小さく、保存特性が、さらに改善されていることが認められた。
【００９６】
したがって、光記録媒体サンプル＃１ないし＃５にあっては、再生信号のノイズを低減させることによって、キャリア−ノイズ比（Ｃ／Ｎ）を、より一層、向上させることができるため、いずれも、各サンプルの記録膜にデータを記録した領域に、１０回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときに、再生信号のジッタの悪化を、より一層、効果的に防止することができ、さらには、各サンプルの記録膜にデータを記録した領域に、１０００回にわたって、ダイレクトオーバーライトしたときにも、再生信号のジッタの悪化を、より一層、効果的に防止することができるから、繰り返しオーバーライト特性がさらに優れており、したがって、各サンプルに記録されたデータを、所望のように、複数回にわたって、繰り返して、ダイレクトオーバーライトすることが可能になることが判明した。
【００９７】
また、光記録媒体サンプル＃１ないし＃６にあっては、いずれも、各サンプルに記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを記録した領域に、初めて、ダイレクトオーバーライトときに、ジッタが著しく悪化することを効果的に防止することができるため、保存特性が優れており、とくに、光記録媒体サンプル＃１ないし＃５にあっては、いずれも、保存特性が、さらに優れており、したがって、各サンプルを、長期間にわたって、高温下で保存した後においても、各サンプルの記録膜にデータを記録した領域に、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることが可能になることが判明した。
【００９８】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００９９】
たとえば、前記実施態様においては、光記録媒体１０の情報層２０は、第四の誘電体膜１２、反射膜１３、第三の誘電体膜１４、記録膜１５、第二の誘電体膜１６、第一の誘電体膜１７および放熱膜１８が積層されて、構成されているが、光記録媒体の情報層が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成された記録膜を含んでいれば、他の構成はとくに限定されるものではなく、たとえば、情報層が、支持基板側から、第四の誘電体膜、反射膜、第三の誘電体膜、記録膜、第二の誘電体膜、第一の誘電体膜が積層されて、構成されていてもよく、また、支持基板側から、反射膜、第二の誘電体膜、記録膜、第一の誘電体膜および放熱膜が積層されて、構成されていてもよい。
【０１００】
また、前記実施態様においては、光記録媒体１０の第四の誘電体膜１２、第三の誘電体膜１４、第二の誘電体膜１６および第一の誘電体膜１７が、いずれも、単一の膜から構成されているが、第四の誘電体膜１２、第三の誘電体膜１４、第二の誘電体膜１６および第一の誘電体膜１７が、いずれも、単一の膜から構成されていることは必ずしも必要でなく、第四の誘電体膜、第三の誘電体膜、第二の誘電体膜および第一の誘電体膜の少なくとも１つが、二以上の膜が積層されて、構成されていてもよい。
【０１０１】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、支持基板１１と、光透過層１９と、支持基板１１と光透過層１９との間に設けられた情報層２０を備え、一層の情報層を備えているが、光記録媒体が、一層の情報層を備えていることは必ずしも必要でなく、本発明の光記録媒体は、二層以上の情報層を有していてもよい。光記録媒体が、二層以上の情報層を備えている場合には、情報層がすべて、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成された記録膜を含んでいる必要はなく、少なくとも一つの情報層が、少なくともＳｂとＧｅとＭｇとを主成分として含む相変化材料によって、形成された記録膜を含んでいればよい。
【０１０２】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、光透過層１９を備え、レーザビームＬが、光透過層１９を介して、記録膜１５に照射されるように構成されているが、光記録媒体が、光透過層１９を備え、光透過層１９を介して、記録膜１５に、レーザビームＬが照射されるように構成されていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体が、光透過性材料によって形成された支持基板を備え、レーザビームＬが、支持基板を介して、記録膜に照射されるように構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１０  光記録媒体
１１  支持基板
１２  第四の誘電体膜
１３  反射膜
１４  第三の誘電体膜
１５  記録膜
１６  第二の誘電体膜
１７  第一の誘電体膜
１８  放熱膜
１９  光透過層
２０  情報層
【図１】
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【図２】
2006095821.tif 000005