(57)【要約】【課題】いわゆる先ダイシングの技術によってウェーハを分割する場合において、個々のデバイスに欠けが生じないようにする。【解決手段】分離予定ラインである第一のストリート及び第二のストリートにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの第一の溝Ｇ１と、第一の溝Ｇ１より深い第二の溝Ｇ２とを形成し、ウェーハＷの裏面Ｗ２の研削により、第一の溝Ｇ１と第二の溝Ｇ２とを異なるタイミングで表出させて個々のデバイスに分割する【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離予定ラインである第一のストリート及び該第一のストリートに交差する分離予定ラインである第二のストリートによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたウェーハについて、該表面側において該分離予定ラインに該デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、該ウェーハの裏面を研削して該溝を裏面側から表出させて個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
該分離予定ラインに形成する溝を、少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの第一の溝と、該第一の溝より深い第二の溝とで構成し、該ウェーハの裏面の研削により、該第一の溝と該第二の溝とを異なるタイミングで表出させて個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法。
【請求項２】
前記第一のストリートに前記第一の溝を形成し、前記第二のストリートに前記第二の溝を形成する請求項１に記載のウェーハの分割方法。
【請求項３】
前記第一のストリートに前記第一の溝及び前記第二の溝とを交互に形成し、前記第二のストリートに該第一の溝及び該第二の溝とを交互に形成する請求項１に記載のウェーハの分割方法。
【請求項４】
前記第一のストリートまたは前記第二のストリートには、前記第二の溝より深い第三の溝が形成される請求項１、２または３に記載のウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの表面に溝を形成し、裏面を研削して溝を裏面側から表出させて個々のデバイスに分割する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ストリート等の分離予定ラインによって区画されてＩＣやＬＳＩ等のデバイスが複数形成されたウェーハは、その分離予定ラインを分離させることにより個々のデバイスに分割される。
【０００３】
ウェーハを個々のデバイスに分割する方法としては、ウェーハ表面の分離予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成しておき、ウェーハの裏面を研削し、形成しておいた溝を裏面側から表出させて個々のデバイスに分割する先ダイシングと称される技術がある。この先ダイシングの技術によれば、通常のダイシングによる場合と比較して、より薄い（例えば厚みが５０μｍ〜１００μｍの）デバイスを形成することができる（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−０１７４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、裏面の研削により溝が表出して個々のデバイスに分割されると、その瞬間にデバイスにバタつきが生じ、デバイスの角部に欠けが生じるという問題がある。かかる問題は、裏面の研削によりすべての溝が同時に表出し、すべてのデバイスが同時にバタつくことが要因となっていると考えられる。
【０００６】
そこで本発明が解決しようとする課題は、いわゆる先ダイシングの技術によってウェーハを分割する場合において、個々のデバイスに欠けが生じないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、分離予定ラインである第一のストリート及び第一のストリートに交差する分離予定ラインである第二のストリートによって区画されて表面に複数のデバイスが形成されたウェーハについて、ウェーハの表面側において分離予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、ウェーハの裏面を研削して溝を裏面側から表出させて個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、分離予定ラインに形成する溝を、少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの第一の溝と、第一の溝より深い第二の溝とで構成し、ウェーハの裏面の研削により、第一の溝と第二の溝とを異なるタイミングで表出させて個々のデバイスに分割することを特徴とする。
【０００８】
上記ウェーハの分割方法においては、第一のストリートに第一の溝を形成し、第二のストリートに第二の溝を形成することが好ましいが、第一のストリートに第一の溝及び第二の溝とを交互に形成し、第二のストリートに第一の溝及び第二の溝とを交互に形成することもできる。また、溝の深さは必ずしも２種類である必要はなく、３種類以上の深さの溝を形成してもよい。例えば３種類の溝を形成する場合は、第一のストリートまたは第二のストリートに、第二の溝より深い第三の溝が形成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明においては、分離予定ラインに形成する溝を、少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの第一の溝と、第一の溝より深い第二の溝とで構成し、ウェーハの裏面の研削により、第一の溝と第二の溝とを異なるタイミングで表出させて個々のデバイスに分割するため、すべての溝が同時に表出してすべてのデバイスが同時にバタつくことがない。したがって、デバイスの角部に欠けが生じるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１に示すウェーハＷを本発明に係るウェーハの分割方法によって個々のデバイスに分割する場合を例に挙げて説明する。図１のウェーハＷの表面Ｗ１には、分離予定ラインである第一のストリートＳ１及び第一のストリートに交差（図示の例では直交）する分離予定ラインである第二のストリートＳ２によって区画されて複数のデバイスＤが形成されている。
【００１１】
図２に示すように、このウェーハＷの第一のストリートＳ１には第一の溝Ｇ１を形成し、第二のストリートＳ２には第二の溝Ｇ２を形成する。図３に示すように、第一の溝Ｇ１の深さはｄ１であり、ｄ１の値は、デバイスＤの仕上がり厚さの値に相当する。ｄ１の値は、必ずしもデバイスＤの仕上がり厚さと完全に一致しているとは限らず、デバイスＤの仕上がり厚さより若干大きな値（例えばプラス３μｍ程度）であってもよい。一方、第二の溝Ｇ２の深さはｄ２であり、ｄ２の値はｄ１より大きい。第一の溝Ｇ１及び第二の溝Ｇ２は、切削ブレードを用いた切削によって形成することもできるし、レーザ光の照射によって形成することもできる。
【００１２】
次に、図４に示すように、第一の溝Ｇ１及び第二の溝Ｇ２が形成されたウェーハＷの表面Ｗ１に、各デバイスＤを保護するための保護部材１を貼着する。図５は、ウェーハＷ１の表面に保護部材１を貼着して裏返した状態を示している。
【００１３】
図５のようにウェーハＷの表面Ｗ１に保護部材１が貼着されると、次に、例えば図６に示す研削装置２のチャックテーブル２０に保護部材１側が保持され、裏面Ｗ２が露出した状態となる。この研削装置２は、被研削物を保持して回転及び水平方向に移動可能なチャックテーブル２０と、チャックテーブル２０に保持された被研削物に研削加工を施す研削手段２１と研削手段駆動部２２とを備えている。
【００１４】
研削手段駆動部２２は、壁部２２０に垂直方向に配設された一対のガイドレール２２１と、ガイドレール２２１と平行に配設されたボールネジ２２２と、ボールネジ２２２の一端に連結されたパルスモータ２２３と、ガイドレール２２１に摺動可能に係合すると共に内部のナットがボールネジ２２２に螺合した支持部２２４とから構成されており、パルスモータ２２３に駆動されてボールネジ２２２が回動するのに伴い、支持部２２４がガイドレール２２１にガイドされて昇降し、支持部２２４に支持された研削手段２１も昇降する構成となっている。
【００１５】
研削手段２１は、垂直方向の軸心を有するスピンドル２１０と、スピンドル２１０を回転駆動する駆動源２１１と、スピンドル２１０の下端においてホイールマウント２１２を介して固定された研削ホイール２１３と、研削ホイール２１３の下面に固着された研削砥石２１４とから構成され、駆動源２１１によって駆動されてスピンドル２１０が回転するのに伴い、研削砥石２１４が回転する構成となっている。
【００１６】
チャックテーブル２０において保護部材１が貼着されたウェーハＷが保持されると、チャックテーブル２０が水平方向に移動して研削手段２１の直下に位置付けられる。そして、チャックテーブル２０が回転すると共に、研削砥石２１４が回転しながら研削手段２１が下降してウェーハＷの裏面Ｗ２に接触して裏面が研削される。
【００１７】
このようにしてウェーハＷの裏面Ｗ２を研削していくと、図７（ａ）に示すように、第一の溝Ｇ１の深さｄ１よりも深い深さｄ２を有する第二の溝Ｇ２が裏面Ｗ２側から露出する。そして更に研削を続けると、図７（ｂ）に示すように第一の溝Ｇ１も裏面Ｗ２側から露出し、ここではじめてウェーハＷが個々のデバイスＤに分割される。
【００１８】
このように、一度にすべての溝を表出させるのではく、第一の溝Ｇ１と第二の溝Ｇ２とを段階的に表出させていくことにより、すべてのデバイスが同時にバタつくことがなくなるため、各デバイスに欠けが生じるのを防止することができ、デバイスの品質が向上する。
【００１９】
なお、上記の例では第一のストリートＳ１に第一の溝Ｇ１を形成し、第二のストリートＳ２に第二の溝Ｇ２を形成することとしたが、第一の溝Ｇ１と第二の溝Ｇ２を形成する位置は、上記の例には限定されない。例えば図８に示すウェーハＷａのように、第一のストリートＳ１に第一の溝Ｇ１及び第二の溝Ｇ２を交互に形成し、第二のストリートＳ２に第一の溝Ｇ１及び第二の溝Ｇ２を交互に形成してもよい。
【００２０】
また、第一の溝Ｇ１及び第二の溝Ｇ２に加えて、第二の溝Ｇ２より深い第三の溝Ｇを形成してもよい。更には、４種類以上の深さの溝を形成してもよい。すなわち、少なくとも２種類の深さの溝を形成し、そのうちの１つがデバイスの仕上がり厚さに相当する深さを有していればよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】第一の溝及び第二の溝を形成したウェーハを示す斜視図である。
【図３】第一の溝及び第二の溝を形成したウェーハの一部を拡大して示す斜視図である。
【図４】ウェーハの表面に保護部材を貼着する様子を示す斜視図である。
【図５】表面に保護部材が貼着されたウェーハを示す斜視図である。
【図６】研削装置の一例を示す斜視図である。
【図７】（Ａ）は第二の溝が表出した状態を示す斜視図であり、（Ｂ）は第二の溝と共に第一の溝が表出した状態を示す斜視図である。
【図８】第一の溝及び第二の溝が交互に形成されたウェーハを示す断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面  Ｗ２：裏面  Ｓ１：第一のストリート  Ｓ２：第二のストリート
Ｄ：デバイス  Ｇ１：第一の溝  Ｇ２：第二の溝
１：保護部材
２：研削装置
２０：チャックテーブル
２１：研削手段
２１０：スピンドル  ２１１：駆動源  ２１２：ホイールマウント
２１３：研削ホイール  ２１４：研削砥石
２２：研削手段駆動部
２２０：壁部  ２２１：ガイドレール  ２２２：ボールネジ
２２３：パルスモータ  ２２４：支持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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