(57)【要約】【課題】  ＡＬＤ法において、多種類の材料が露出した基体に表面処理を施すことにより、均一な安定した膜を形成する方法を提供する。【解決手段】  原子層気相成長法において、金属を含む第二反応物を反応炉内に供給する前に、水酸基を含む第一反応物を少なくとも一度前記反応炉内に供給する。例えば、水酸基を含む第一反応物を反応炉内に供給する第一の工程と、前記反応炉内に不活性ガスを流してパージする第二の工程と、金属元素を含む第二反応物を前記反応炉内に供給する第三の工程と、前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第四の工程と、窒素を含む第三反応物を前記反応炉内に供給する第五の工程と、前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第六の工程と、を有し、前記第一の工程〜前記第六の工程を一サイクル行った後、前記第三の工程〜前記第六の工程を複数サイクル繰り返すことにより基体の上に薄膜を形成することができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素を含む第二反応物と、第三反応物と、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、
前記第二反応物を前記反応炉内に供給する前に、水酸基を含む第一反応物を少なくとも一度前記反応炉内に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
水酸基を含む第一反応物を反応炉内に供給する第一の工程と、
前記反応炉内に不活性ガスを流してパージする第二の工程と、
金属元素を含む第二反応物を前記反応炉内に供給する第三の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第四の工程と、
窒素を含む第三反応物を前記反応炉内に供給する第五の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第六の工程と、
を有し、
前記第一の工程〜前記第六の工程を一サイクル行った後、前記第三の工程〜前記第六の工程を複数サイクル繰り返すことにより基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
水酸基を含む第一反応物を反応炉内に供給する第一の工程と、
前記反応炉内に不活性ガスを流してパージする第二の工程と、
金属元素を含む第二反応物を前記反応炉内に供給する第三の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第四の工程と、
窒素を含む第三反応物を前記反応炉内に供給する第五の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第六の工程と、
を有し、
前記第一の工程〜前記第六の工程を複数サイクル繰り返すことにより基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
水酸基を含む第一反応物を反応炉内に供給する第一の工程と、
前記反応炉内に不活性ガスを流してパージする第二の工程と、
金属元素を含む第二反応物を前記反応炉内に供給する第三の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第四の工程と、
窒素を含む第三反応物を前記反応炉内に供給する第五の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第六の工程と、
を有し、
前記第一の工程〜前記第六の工程を５サイクル繰り返した後、前記第三の工程〜前記第六の工程を複数サイクル繰り返すことにより基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記水酸基を含む第一反応物は、Ｈ２Ｏであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記水酸基を含む第一反応物は、アルコールであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、原子層気相成長法において、基板表面の前処理を工夫した半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造に際しては、配線溝の側壁のような部分に、薄膜を均一な膜厚で堆積する必要がある場合が多い。以下、この具体例について説明する。
【０００３】
すなわち、近年、半導体装置の配線での信号伝搬の遅延が素子動作を律速している。配線での遅延定数は配線抵抗と配線間容量の積で表される。従って、配線抵抗を下げることによって素子動作を高速化するために、配線層間膜と材料には従来のＳｉＯ２よりも比誘電率の小さい材料が用いられ、配線材料には比抵抗値の小さいＣｕが用いられる。Ｃｕ配線の形成に当たっては、ＣｕのＳｉ中への拡散による素子特性の劣化、絶縁膜との密着性が乏しいことによる加工性の劣化、不動態酸化膜を形成せずに酸化が内部まで進行する事による配線特性の劣化、などの課題を解決する必要がある。これらの課題を解決するための一手段として、バリアメタルがＣｕと配線層間膜との界面に設けられる。具体的には、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、ＳｉＮ、ＨｆＯｘ、ＨｆＡｌＯなどの様々な材料の薄膜を、被覆性よく堆積することが要求される。
【０００４】
原子層気相成長（以下、Atomic Layer Deposition：「ＡＬＤ」と表記する）法は、このような目的に適した方法として知られている。ＡＬＤは、少なくとも二種類の原料を基板に交互に供給して行う。このとき、基板温度、原料流量、原料供給時間などの成膜条件を、それらの原料が基板上に飽和吸着する条件に設定する。成膜量や組成は飽和吸着量で定まるが、理想的なＡＬＤでは飽和吸着量はウェハ面内やパターン上で一定であり、ウェハ面内やパターン上で均一な成膜が可能となる。また、一回の供給で飽和量の分子しか吸着しないため、原子オーダーでの膜厚制御が可能である。 
【０００５】
この特徴を生かして、二種類の原料を基板に交互に供給する工程の間に、水（Ｈ２Ｏ）を導入して酸化物の薄膜を形成する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２０９１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＡＬＤ法は、基板の表面反応を利用するため、基板の表面状態によって、成膜速度や膜厚が左右される。そのため、例えば、配線溝の側壁のように、他種類の膜が露出している部分に成膜する場合、材料の異なるそれぞれの部分で吸着量すなわち成長速度が異なり、安定した成膜ができないという問題があった。
【０００７】
図７は、従来のＡＬＤ法において、配線溝の側壁に成膜する様子をあらわす模式断面図である。  
図７（ａ）は、ＡＬＤ法において、配線溝の側壁に原料を供給した状態を表している。同図に表すように、Ｃｕなどの配線層２００上に、ＳｉＮなどのライナー膜２１０と、ｌｏｗ−ｋ膜２２０と、ＳｉＯ２などのハードマスク２３０とがこの順に形成されていて、ＳｉＮなどのライナー膜２１０と、ｌｏｗ−ｋ膜２２０と、ＳｉＯ２などのハードマスク２３０との中央に、Ｃｕなどの配線層２００を埋め込むためのトレンチ２４０が設けられている。同図は、ＳｉＯ２などのハードマスク２３０の表面と、トレンチ２４０の底面及び側面とに、ＴａＮ膜を形成する断面図である。
【０００８】
ここで、ＴａＮ膜を形成するための原料のうちの一つであるＰＤＭＡＴ（PentakisDiMethylAminoTantalum）２５０を、Ａｒキャリアガスに含有させて反応炉内に１００〜３０００ｓｃｃｍ供給する。このとき、同図に表すように、ｌｏｗ−ｋ膜２２０の表面には、ＰＤＭＡＴ２５０が、吸着しにくい。この原因としては、ｌｏｗ−ｋ膜２２０内のＣＨ３基がＰＤＭＡＴ２５０の吸着を阻害していることや、ｌｏｗ−ｋ膜２２０の表面上ではＰＤＭＡＴ２５０がマイグレートしにくいことが考えられる。
【０００９】
図７（ｂ）は、ＡＬＤ法において、配線溝の側壁に薄膜が形成された状態を表す模式断面図である。同図に表すように、膜厚の不均一な膜２６０が形成されている。
【００１０】
本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、ＡＬＤ法において、多種類の材料が露出した基体に表面処理を施すことにより、均一な安定した膜を形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様によれば、
金属元素を含む第二反応物と、第三反応物と、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、
前記第二反応物を前記反応炉内に供給する前に、水酸基を含む第一反応物を少なくとも一度前記反応炉内に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明の他の一態様によれば、
水酸基を含む第一反応物を反応炉内に供給する第一の工程と、
前記反応炉内に不活性ガスを流してパージする第二の工程と、
金属元素を含む第二反応物を前記反応炉内に供給する第三の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第四の工程と、
窒素を含む第三反応物を前記反応炉内に供給する第五の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第六の工程と、
を有し、
前記第一の工程〜前記第六の工程を一サイクル行った後、前記第三の工程〜前記第六の工程を複数サイクル繰り返すことにより基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
また、本発明のさらに他の一態様によれば、
水酸基を含む第一反応物を反応炉内に供給する第一の工程と、
前記反応炉内に不活性ガスを流してパージする第二の工程と、
金属元素を含む第二反応物を前記反応炉内に供給する第三の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第四の工程と、
窒素を含む第三反応物を前記反応炉内に供給する第五の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第六の工程と、
を有し、
前記第一の工程〜前記第六の工程を複数サイクル繰り返すことにより基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
また、本発明のさらに他の一態様によれば、
水酸基を含む第一反応物を反応炉内に供給する第一の工程と、
前記反応炉内に不活性ガスを流してパージする第二の工程と、
金属元素を含む第二反応物を前記反応炉内に供給する第三の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第四の工程と、
窒素を含む第三反応物を前記反応炉内に供給する第五の工程と、
前記反応炉内に前記不活性ガスを流してパージする第六の工程と、
を有し、
前記第一の工程〜前記第六の工程を５サイクル繰り返した後、前記第三の工程〜前記第六の工程を複数サイクル繰り返すことにより基体の上に薄膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１５】
ここで、前記水酸基を含む第一反応物は、Ｈ２Ｏであるものとすることができる。  
または、前記水酸基を含む第一反応物は、アルコールであるものとすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＡＬＤ法において、多種類の材料が露出した基体に表面処理を施すことにより、均一な安定した膜を形成する方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。すなわち、図１は、原子層気相成長法（ＡＬＤ）を用いて、薄膜を形成する方法を表すフローチャートである。
【００１８】
まず、被処理基体を反応炉内に入炉する。被処理基体としては、様々な種類の基体を用いることができる。その後、反応炉内をパージする。反応炉のパージには、例えばＡｒガスなどの、不活性ガスを用いる。  
次に、第一の工程１１として、反応炉内に配置された基体上に、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する。水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物として例えば、Ｈ２Ｏや、メタノール（ＣＨ３ＯＨ）、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）などのアルコール類を挙げることができる。第一反応物を例えば、Ａｒキャリアガスなどの不活性ガスに含有させて反応炉内に１００〜１０００ｓｃｃｍ供給する。ガスの流量は、被処理基体やガスの種類によって適宜変更可能である。
【００１９】
次に、第二の工程１２として、反応炉内をパージする。Ａｒガスなどの、不活性ガスを反応炉内に導入し、未反応物を除去する。  
次に、第三の工程１３として、金属元素を含む第二反応物を供給する。金属元素を含む第二反応物として例えば、ＴａＮ膜を形成する場合には、ＰＤＭＡＴ（PentakisDiMethylAminoTantalum）を挙げることができる。しかしＰＤＭＡＴには限定されず、その他、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、ＴａＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、ＳｉＮ、ＨｆＯｘ、ＨｆＡｌＯなどの様々な膜に応じて、適宜変更することができる。第二反応物を例えば、Ａｒキャリアガスなどの不活性ガスに含有させて反応炉内に１００〜３０００ｓｃｃｍ供給する。
【００２０】
次に、第四の工程１４として、反応炉内をパージする。すなわち、Ａｒガスなどの不活性ガスを反応炉内に導入し、未反応物を除去する。  
次に、第五の工程１５として、窒素を含む第三反応物を供給する。窒素を含む第三反応物としては、例えば、ＮＨ３を挙げることができる。第三反応物を例えば、Ａｒキャリアガスなどの不活性ガスに含有させて反応炉内に１００〜５０００ｓｃｃｍ供給する。  
最後に、第六の工程１６として、反応炉内をパージする。すなわち、Ａｒガスなどの不活性ガスを反応炉内に導入し、未反応物を除去する。
【００２１】
第一〜第六の工程を一周期行った後は、第三〜第六の工程を一周期とし、形成している薄膜が所望の厚さに達するまで、この周期を繰り返す。  
次に、前述した第一の工程１１において、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給することの効果について説明する。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の要部を表す工程断面図である。同図では、一例として、低誘電率材料からなる層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）上に、ＴａＮ膜を形成する場合の工程断面図を例示する。特に、ＣＨ３基を含有する低誘電率材料からなるｌｏｗ−ｋ膜上に、形成する場合を例示する。
【００２３】
図２（ａ）は、前述した第一の工程１１における、トレンチ２４の開口部の断面構造を例示する模式図である。同図に表すように、Ｃｕなどの配線層２０上に、ＳｉＮなどのライナー膜２１と、ｌｏｗ−ｋ膜２２と、ＳｉＯ２などのハードマスク２３と、がこの順に積層され、Ｃｕなどの配線層２０を埋め込むために、これらを貫通するトレンチ２４が設けられている。そして、ハードマスク２３の表面と、トレンチ２４の底面及び側面とに、ＴａＮ膜を形成する。
【００２４】
第一の工程１１において、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給したので、トレンチ２４の表面には、ＯＨ基が吸着する。すなわち、Ｃｕなどの配線層２０と、ＳｉＮなどのライナー膜２１と、ｌｏｗ−ｋ膜２２と、ＳｉＯ２などのハードマスク２３との表面に、ＯＨ基が吸着する。
【００２５】
図２（ｂ）は、前述した第三の工程１３における、トレンチ２４の開口部の断面構造を例示する模式図である。同図に表すように、前述した第三の工程１３において、金属元素を含む第二反応物２５を供給する。例えば、金属元素を含む第二反応物２５として、ＰＤＭＡＴ（PentakisDiMethylAminoTantalum）を、Ａｒキャリアガスに含有させて反応炉内に１００〜３０００ｓｃｃｍ供給することができる。
【００２６】
ここで、トレンチ２４の開口部は、その表面がＯＨ基によって終端されているので、ＰＤＭＡＴは、長距離にわたってマイグレート（migrate）できる。その結果、ｌｏｗ−ｋ膜２２の表面にも、ＳｉＮなどのライナー膜２１やＳｉＯ２などのハードマスク２３の表面と同様にＰＤＭＡＴが吸着しやすくなるので、均一な膜厚の薄膜を形成できる。また、薄膜の段差被覆性も改善される。
【００２７】
図２（ｃ）は、前述した第一〜第六の工程を５〜６サイクル繰り返した後の、トレンチ２４の開口部の断面構造を例示する模式図である。同図に表すように、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法によると、均一な膜厚の、被覆性のよい薄膜２６を形成できる。
【００２８】
次に、前述した第一の工程１１において、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給することの、もう一つの効果について説明する。
【００２９】
図３は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の要部を表す工程断面図である。同図では、一例として、低誘電率材料からなる層間絶縁膜（ｌｏｗ−ｋ膜）上に、ＴａＮ膜を形成する場合の工程断面図を例示する。特に、ＣＨ３基を含有する低誘電率材料からなるｌｏｗ−ｋ膜上に、形成する場合を例示する。
【００３０】
図３（ａ）は、ｌｏｗ−ｋ膜３１を入炉した直後の、ｌｏｗ−ｋ膜３１の断面構造を例示する模式図である。ｌｏｗ−ｋ膜３１は、ＣＨ３基を含有する低誘電率材料からなる。
【００３１】
図３（ｂ）は、前述した第一の工程１１における、ｌｏｗ−ｋ膜３１の断面構造を例示する模式図である。すなわち、反応炉内に、Ｈ２Ｏを供給した状態を表す。同図に表すようにＨ２Ｏを供給すると、Ｈ２ＯのＯＨ基がｌｏｗ−ｋ膜３１内のＣＨ３基を脱離させ、ｌｏｗ−ｋ膜３１の表面にＯＨ基が吸着する。ｌｏｗ−ｋ膜３１内のＣＨ３基は、ＰＤＭＡＴなどがｌｏｗ−ｋ膜３１の表面に吸着するのを阻害しやすい。従って、本実施形態のように、ＰＤＭＡＴなどを供給する前にＨ２Ｏを供給すると、その後供給されるＰＤＭＡＴがｌｏｗ−ｋ膜３１の表面に吸着しやすくなる。
【００３２】
図４は、本実施形態において用いることができるＡＬＤ装置の要部構成を例示する模式図である。  
図４に表したＡＬＤ装置について説明すると、この装置は、基板ステージ４６が収容されたチャンバ４１を有する。基板ステージ４６には、製造途中の半導体装置の基板３５が載置される。また、チャンバ４１には、ガス導入口４２〜４４が設けられ、所定のガスが導入される。また、チャンバ４１には、ガス排出口４７が設けられ、導入されたガスを排出するとともに、図示しない真空ポンプなどの排気手段によってチャンバ４１の内部を排気可能としている。
【００３３】
ＡＬＤによる堆積の際には、ガス導入口４２〜４４からそれぞれ原料ガスや搬送ガス、パージガスなどが適宜導入され、被処理基体４５の表面あるいはその近傍で、熱分解やプラズマなどを利用した分解により所定の堆積種が形成され、被処理基体４５の上に薄膜が形成される。
【００３４】
図１から図４において説明したように、金属元素を含む第二反応物を供給する工程の前に、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給することによって、被処理基体の表面にＯＨ基を吸着させる。そうすることによって、その後供給される、金属元素を含む第二反応物の被処理基体の表面でのマイグレートと、被処理基体の表面への吸着を促進することができる。特に、被処理基体が他種類の材料から形成される場合や、被処理基体がＣＨ３基を含有する材料からなる場合には、より大きな効果が得られる。
【００３５】
その結果、ＡＬＤ法において、早い成膜速度で、被覆性のよい均一な膜を形成することができる。特に、多種材料が露出したＣｕ配線溝内に、ＡＬＤ法によりＴａＮ膜を形成することが可能となる。
【００３６】
次に、本発明の第一の実施例について説明する。  
図５は、本発明の第一の実施例にかかる半導体装置の製造方法を表すフローチャートである。  
同図に表すように、本実施例における製造方法では、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する第一の工程１１から窒素を含む第三反応物を供給後にパージする第六の工程１６までを１サイクルとして、所望の膜厚に達するまで、このサイクルを繰り返す。
【００３７】
前述した実施の形態では、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する第一の工程１１を一度しか行わなかった。しかし、原子層気相成長法では、原料供給を数サイクル繰り返すことによって一層形成できる。したがって、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する第一の工程１１を一度行った直後にはまだ、水酸基（ＯＨ基）が吸着していないｌｏｗ−ｋ膜の表面が露出している。それゆえ、本実施例では、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する第一の工程１１から窒素を含む第三反応物を供給後にパージする第六の工程１６までを１サイクルとして、金属を含む第二反応物を供給する前に毎回、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する。
【００３８】
このように本実施例によると、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給することによる効果を、２サイクル目以降も得ることができる。
【００３９】
次に、本発明の第二の実施例について説明する。  
図６は、本発明の第二の実施例にかかる半導体装置の製造方法を表すフローチャートである。  
同図に表すように、本実施例における製造方法では、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する第一の工程１１から窒素を含む第三反応物を供給後にパージする第六の工程１６までを１サイクルとして、これを５サイクル繰り返す。その後、所望の膜厚に達するまで、金属元素を含む第二反応物を供給する工程１３から窒素を含む第三反応物を供給後にパージする第六の工程１６までのサイクルを繰り返す。
【００４０】
第一の工程〜第六の工程を約５サイクル繰り返すと、薄膜が一層形成される。すなわち、５サイクルまでは、ｌｏｗ−ｋ膜の表面のうち、ＰＤＭＡＴが吸着していない領域が露出している可能性があるので、金属元素を含む第二反応物の吸着を促進するために水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物の供給を繰り返す。  
そして、５サイクル以降、ＴａＮ膜が一層形成された後は、水酸基（ＯＨ基）を含む第一反応物を供給する工程は省き、ＰＤＭＡＴとＮＨ３とを供給する工程を繰り返す。
【００４１】
このように本実施例によると、Ｈ２Ｏを供給することによる効果を、ＴａＮ膜が一層形成されるまで継続させ、ＴａＮ膜が一層形成されたあとは余分な工程を省く。こうすることによって、前述した実施形態で得られる効果と同様の効果を、更に倍増し、効率的に得ることができる。
【００４２】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。  
しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、本発明にかかる半導体装置の具体的な構造、材料、供給原料の種類などについては、当業者が公知の範囲から適宜選択したものも本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の要部を表す工程断面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の要部を表す工程断面図である。
【図４】本発明の実施の形態において用いることができるＡＬＤ装置の要部構成を例示する模式図である。
【図５】本発明の第一の実施例にかかる半導体装置の製造方法を表すフローチャートである。
【図６】本発明の第二の実施例にかかる半導体装置の製造方法を表すフローチャートである。
【図７】従来の半導体装置の製造方法の要部を表す工程断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１ 第一の工程
１２ 第二の工程
１３ 第三の工程
１４ 第四の工程
１５ 第五の工程
１６ 第六の工程
２０ 配線層
２１ ライナー膜
２２、３１ ｌｏｗ−ｋ膜
２３ ハードマスク
２４ トレンチ
２５ 第二反応物
２００ 配線層
２１０ ライナー膜
２２０ ｌｏｗ−ｋ膜
２３０ ハードマスク
２４０ トレンチ
【図１】
2006173299.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2006173299.tif 000006
【図５】
2006173299.tif 000007
【図６】
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【図７】
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