(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザー光の照射によりブラインドビアを形成する際に発生するブラインドビア内部および開口縁部周辺のスミアの発生を低減させ、かつ十分に除去することが可能な回路基板の製造方法および回路基板を提供する。【解決手段】樹脂層と、導体層とを備え、ブラインドビアが形成された回路基板の製造方法であって、前記樹脂層には、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層が設けられており、前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれる。【選択図】図３
2006203074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層と、導体層とを備え、ブラインドビアが形成された回路基板の製造方法であって、
前記樹脂層には、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層が設けられており、
前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、
前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、
前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
樹脂層と、導体層とを備え、ブラインドビアが形成された回路基板の製造方法であって、
前記樹脂層に、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層を設ける工程と、
前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、
前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、
前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記保護層を形成する工程は、前記樹脂膜をラミネートする工程または前記金属層をスパッタリングする工程である請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記焦点の位置と、前記保護層の表面との離間距離が、０．０１〜３ｍｍである請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記焦点は、前記保護層の表面から前記樹脂層と反対側に位置する請求項１ないし４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記レーザー光のビーム径は、２０〜８０μｍである請求項１ないし５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記ブラインドビアは、開口に向かって内部の横断面積が広がっているものである請求項１ないし６のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記ブラインドビアの側壁が前記導体層の表面に対してなすテーパー角度が１０〜２５度である請求項１ないし７のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記保護層は、樹脂組成物で構成される樹脂層または金属層である請求項１ないし８のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂組成物は、アクリル系樹脂を含むものである請求項９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属層は、銅を含む金属で構成されているものである請求項９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかの回路基板の製造方法により得られたことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度化に伴い、これに用いられる回路基板の多層化、細線化が要求されている。多層用回路基板を製造する工程には、バンプめっきにより基板同士を接合する工程が有り、次のように行なわれている。
基板の絶縁層にＵＶレーザー等でブラインドビアを形成し、そのブラインドビアにバンプめっきを施し、基板同士を積層して、多層化することにより、基板間の導通を得ている。
【０００３】
このレーザー光の照射により、ブラインドビアを形成するとブライドビアの内部または周辺等にスミアが残存する場合があった。
ブラインドビアの内部または周辺にスミアが残存すると、次工程のめっきを良好な品質・形状に施すことが困難となる場合がある。
特に、ブラインドビアの底部には、照射するレーザー光のブラインドビアの深さ方向に対するエネルギー密度のばらつきに起因して銅箔が一部溶融してしまい、スミアと入り混じり強固に銅箔に付着するスミアが残存する場合がある。また、ブラインドビアの開口縁部周辺にはレーザー光の照射によって熱的ダメージを受けて絶縁層が酸化したり、レーザー光による絶縁層の分解昇華物が強固に付着したりしてスミアが残存する場合がある。
【０００４】
そのため、レーザー加工等によって形成されたビアの内部および周辺のスミアを除去するため、過マンガン酸溶液に浸漬させてスミアを溶解除去していた（例えば、特許文献１参照）。しかし、ブラインドビアの底部または周辺に強固に付着したスミアに対して、処理液の工夫、繰り返し処理等の処理条件の最適化を行ってきたが、十分にスミアを除去するのが困難な場合があった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４６５３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、レーザー光の照射によりブラインドビアを形成する際に発生するブラインドビア内部および開口縁部周辺のスミアの発生を低減させ、かつ十分に除去することが可能な回路基板の製造方法および回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１）樹脂層と、導体層とを備え、ブラインドビアが形成された回路基板の製造方法であって、前記樹脂層には、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層が設けられており、前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）樹脂層と、導体層とを備え、ブラインドビアが形成された回路基板の製造方法であって、前記樹脂層に、前記導体層と反対面側に該樹脂層を保護する保護層を設ける工程と、前記樹脂層および前記保護層にレーザー光を照射しブラインドビアホールを形成する工程と、前記ブラインドビア形成後に前記保護層を除去する工程とを有し、前記レーザー光の照射は、その焦点が前記保護層の表面に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態で行なわれることを特徴とする回路基板の製造方法。
（３）前記保護層を形成する工程は、前記樹脂膜をラミネートする工程または前記金属層をスパッタリングする工程である上記（２）に記載の回路基板の製造方法。
（４）前記焦点の位置と、前記保護層の表面との離間距離が、０．０１〜３ｍｍである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（５）前記焦点は、前記保護層の表面から前記樹脂層と反対側に位置する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（６）前記レーザー光のビーム径は、２０〜８０μｍである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（７）前記ブラインドビアは、開口に向かって内部の横断面積が広がっているものである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（８）前記ブラインドビアの側壁が前記導体層の表面に対してなすテーパー角度が１０〜２５度である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（９）前記保護層は、樹脂組成物で構成される樹脂層または金属層である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（１０）前記樹脂組成物は、アクリル系樹脂を含むものである上記（９）に記載の回路基板の製造方法。
（１１）前記金属層は、銅を含む金属で構成されているものである上記（９）に記載の回路基板の製造方法。
（１２）上記（１）ないし（１１）のいずれかの回路基板の製造方法により得られたことを特徴とする回路基板。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、レーザー光の照射によりブラインドビアを形成する際に発生するブラインドビア内部および開口縁部周辺のスミアの発生を低減させ、かつ十分に除去することが可能な回路基板の製造方法および回路基板を提供することができる。
また、前記デフォーカスした状態における前記レーザー光の焦点の位置は、前記保護層の表面から前記樹脂層と反対側に位置している場合、特にブライドビアのサイズをより正確にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明を添付図面に示す好適な実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、樹脂層と導体層とを備える回路基板に保護層を形成する工程の一例を示す断面図である。図２は、樹脂層と導体層とを備える回路基板に保護層を形成している一例を示す断面図である。図３は、回路基板にレーザー光を照射する状態を模式的に示す断面図である。図４は、回路基板にブラインドビアを形成している一例を示す断面図である。図５は、レーザー光のエネルギー密度の分布を模式的に示すエネルギー強度分布図である。図６は、従来の方法により回路基板にレーザー光を照射する状態を模式的に示す断面図である。
【００１０】
以下、各工程を説明する。
【００１１】
保護層を形成する工程では、図１に示すように導体層２と、導体層２の片面側に設けられた樹脂層３とを積層した積層体４の樹脂層３を覆うようにラミネーター１０で保護層３１を形成する。
保護層３１は、樹脂層３の表面（導体層２と反対側の表面）に付着したスミアを容易に除去するために用いられる。すなわち、後述するレーザー光５の照射により、ブラインドビアの樹脂層３表面に付着したスミアを保護層３１ごと除去することができる。
【００１２】
保護層３１に用いる材料としては、樹脂組成物で構成される樹脂層または金属材料で構成される金属層等のレーザー光を照射した後で除去可能な材料であれば、特に限定されない。具体的には、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコーン系樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂層、銅、ニッケル、コバルト、クロム等の金属材料で構成される金属層を挙げることができる。これらの中でも前記樹脂層では、アクリル系樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂層が好ましい。これにより、ドライフィルムレジストの形状とすることができ、それによって保護層３１の形成および除去が容易にできる。すなわち、前記ドライフィルムレジストの場合、ラミネーターにより熱圧着で容易に保護層３１を形成でき、苛性ソーダにより保護層３１の剥離除去が容易にできる。
また、前記金属層では、銅で構成される金属層が好ましい。これにより、スパッタリングにより保護層３１を容易に形成することができる。さらに、硫酸過酸化水素等のエッチング液により保護層３１の溶解除去が容易にできる。
【００１３】
保護層３１が前記樹脂層の場合、その厚さは特に限定されないが、５〜４０μｍが好ましく、特に７〜２５μｍが好ましい。厚さが前記下限値未満であるとレーザー光５を照射する際に生じる熱エネルギーにより除去される場合があり、前記上限値を超えると照射するレーザー光５の密度のばらつきによりブラインドビア６の底部６１に樹脂残りが発生する場合がある。
【００１４】
保護層３１が前記金属層の場合、その厚さは特に限定されないが、０．５〜３μｍが好ましく、特に１〜２μｍが好ましい。厚さが前記下限値未満であるとレーザー光５を照射する際に生じる熱エネルギーにより除去される場合があり、前記上限値を超えると導体層２もエッチングされる場合がある。
【００１５】
このように保護層３１を形成して、図２に示すような導体層２と、導体層２の片面側に設けられた樹脂層３と、導体層２と反対面側に樹脂層３を保護する保護層３１が設けられている回路基板１を得る。
なお、本実施形態では保護層３１を形成する工程を有していたが、予め保護層３１が形成されている回路基板１を用いても良い。
【００１６】
導体層２は、後にエッチング処理等により回路が形成される。
導体層２としては、例えば銅箔、アルミニウム等が挙げられる。これらの中でも銅箔が好ましい。これにより、任意の配線パターンを容易に形成できる。
【００１７】
導体層２の厚さは、特に限定されないが、５〜７０μｍが好ましく、特に９〜３５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特にエッチング処理による回路形成性に優れる。
【００１８】
樹脂層３は、導体層２と他の層との絶縁層を保持するために用いられる。
樹脂層３としては、例えばポリイミドフィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、液晶ポリマーフィルム等の樹脂フィルム、エポキシ樹脂積層板、フェノール樹脂積層板、シアネート樹脂積層板等の積層板等が挙げられる。これらの中でもポリイミドフィルムに代表される樹脂フィルムが好ましい。これにより、耐熱性を向上することができる。さらに、フレキシブル性を発揮することもできる。
【００１９】
樹脂層３の厚さは、特に限定されないが、９〜１００μｍが好ましく、特に１２〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、後述するブラインドビア６を導通するためにバンプめっきを形成するめっき時間を短縮することができる。
【００２０】
そして、ビアホールを形成する工程では、図３に示すように回路基板１の保護層３１側からレーザー光５を照射して、図４に示すようなブラインドビア６を形成する。本発明で用いるレーザー光は平行光ではなく、集束する光である。すなわち、レーザー光のビームの前方に向かって集束する。その場合、レーザー光５の照射をその焦点（集光点）５１が保護層３１の表面３１１に対して光軸方向にずれるようにデフォーカスした状態（以下、単に「デフォーカス状態」と言う）で行なう。これにより、レーザー光５の照射によりブラインドビア６の底部６１（導体層２部分）に、導体層２とスミアとが入り混じって強固に付着したスミアの発生を防止することができる。以下、その理由を詳述する。
【００２１】
従来、基板にレーザー光を照射する場合、図６に示すように樹脂層３の表面にレーザー光５の焦点を合わせて（ジャストフォーカス状態）レーザー加工を行なっていた。しかし、ジャストフォーカス状態でレーザー光を照射する場合、図５に示すように比較的エネルギー密度の高いレーザー光５２が照射されることになる。このようなエネルギー密度の高いレーザー光５２を照射した場合、レーザー光５２のプロファイルのバラツキによりブラインドビアの底部（すなわち、導体層）の損傷が大きくなっていた。それにより、ブラインドビアの底部（導体層部分）に発生する導体層とスミアとが入り混じって強固に付着したスミアが発生する場合があった。
これに対して、レーザー光５の照射を、デフォーカス状態で行なうと、図５に示すように樹脂層３に照射されるレーザー光５３のエネルギー密度を低下させることができる。したがって、ブラインドビア６の底部６１の損傷を防止することができるので、ブラインドビア６の底部が溶融すること無く、強固に付着したスミアが発生することが無い。さらに、保護層３１を有しているため、開口縁部６２の形状もシャープにすることができる。
【００２２】
前記デフォーカスした状態におけるレーザー光５の焦点５１の位置と保護層３１の表面３１１との離間距離は、特に限定されないが、０．０１〜３ｍｍが好ましく、特に０．１〜２．８ｍｍが好ましく、最も１．５〜２．７ｍｍが好ましい。焦点５１の位置が前記範囲内であると、特にブラインドビア６の上端部分のサイズを正確にすることができる。
【００２３】
また、前記デフォーカスした状態におけるレーザー光５の焦点５１の位置は、保護層３１の表面３１１から樹脂層３側に位置していても、樹脂層３と反対側に位置していても良いが、樹脂層３と反対側に位置していることが好ましい。これにより、ブラインドビア６のサイズをより正確にすることができる。
【００２４】
また、ブラインドビア６の形成にあたっては、レーザー光５の焦点５１が形成するブラインドビア６の中心近傍を水平方向に動かしながらレーザー光５を照射することが好ましい。これにより、直径５０μｍ程度のブラインドビア６を容易に形成することができる。
【００２５】
さて、このようなレーザー光５としては、赤外線領域のレーザーとして、例えば炭酸ガスレーザー（ＣＯ２レーザー）、ＹＡＧレーザー等が挙げられ、紫外線領域のレーザーとして、例えばＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡＰレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。これらの中でもＹＡＧレーザーが好ましい。これにより、５０μｍ以下の小径加工を容易にすることができる。さらに、保護層３１が金属層であっても樹脂層であっても加工することができる。
【００２６】
このようなブラインドビア６を形成する工程で形成されるブラインドビア６の形状は、特に限定されないが、開口に向かって内部の横断面積が広がっているものであることが好ましい。より具体的には、ブラインドビア６の側壁が導体層２の表面２１に対してなすテーパー角度が１０〜２５度であることが好ましく、特に１２〜２３度が好ましい。
【００２７】
ブラインドビア６を形成した後、デスミア処理する工程で、過マンガン酸溶液、プラズマ処理等でデスミア処理を行なう。特にドライ方式のプラズマ処理が好ましい。これにより、小径のブラインドビアに対してスミアを十分に除去することができる。
【００２８】
次に、保護層３１を除去する工程では、前述したように苛性ソーダ等による剥離除去、硫酸過酸化水素等によるエッチング処理等により保護層３１を除去する。これにより、ブラインドビア６の開口縁部６２の周辺に付着したスミアを保護層ごと除去することができる。
保護層３１を除去する工程は、デスミア処理の前であっても良い。
【００２９】
次に、ブラインドビア６にめっきを析出させて、樹脂層３表面から突出させる。そして、突出させたメッキ部分を覆うようにろう材で被覆する。これにより、導体層２と他の層との導通を図ることができる。
そして、他の導体層をろう材と接合するように積層して多層回路基板を形成する。
【００３０】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されない。
（実施例１）
１．保護層の形成
導体層として厚さ１２μｍの銅箔と、樹脂層として厚さ２５μｍのポリイミドフィルムとで構成されている片面回路基板（宇部興産製：ＳＥ１３１０）に、保護層として厚さ２０μｍのドライフィルムレジスト（アクリル系樹脂、旭化成製：ＡＱ２０７５）をドライフィルムラミネータにより熱圧着した。
【００３１】
２．レーザー光の照射
次に、保護層の表面に対し、レーザー光の焦点が光軸方向の手前側に２ｍｍずれるようにデフォーカスした状態でＵＶレーザー光（レーザービーム径：２２μｍ）を照射し、直径５０μｍ径のブラインドビアを形成した（保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離２ｍｍ）。ブラインドビアの形状は、開口に向かって内部の横断面積が広がっているものであった。
【００３２】
３．保護層の剥離
２％の苛性ソーダを４０℃にて０．１５ＭＰａのスプレー圧で３０秒間噴霧して、保護層を剥離した。
【００３３】
４．デスミア処理
ブラインドビアを形成した後、平行平板型のプラズマ装置を用いてデスミア処理を行なった。真空度５０Ｐａ以下の状態で、２００ｓｃｃｍ導入し、電極間に２，５００Ｗを加え、２分間保持した。
【００３４】
５．メッキ処理および半田被覆
デスミア処理した後、硫酸銅溶液を用いて１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で、１５分間処理を行い、樹脂層からの銅メッキ突起の長さを８μｍとした。次に、突出した銅メッキ突起を覆うように２Ａ／ｄｍ２の電流密度で、１０分間処理を行い、樹脂層からの半田被覆量を１５μｍとした。
【００３５】
（実施例２）
前記レーザー光の焦点の位置を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
前記レーザー光の焦点が光軸方向の手前側に０．０５ｍｍずれるようにデフォーカスした状態でＵＶレーザー光を照射した（保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離０．５ｍｍ）。
【００３６】
（実施例３）
前記レーザー光の焦点の位置を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
前記レーザー光の焦点が光軸方向の手前側に３ｍｍずれるようにデフォーカスした状態でＵＶレーザー光を照射した（保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離３ｍｍ）。
【００３７】
（実施例４）
前記レーザー光の焦点の位置を以下のようにした以外は、実施例１と同様にした。
前記レーザー光の焦点が光軸方向の樹脂層側に２ｍｍずれるようにデフォーカスした状態でＵＶレーザー光を照射した（保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離３ｍｍ）。
【００３８】
（実施例５）
前記保護層として銅箔を用い、保護層の形成を以下のようにした以外は実施例１と同様にした。
銅箔を厚さが１μｍとなるようにスパッタリング装置（島津製作所製）を用いてスパッタリングした。
【００３９】
（比較例１）
前記保護層を設けずに、かつ前記レーザー光の照射の際に、その焦点を保護層の表面に位置するようにした以外は、実施例１と同様にした（保護層の表面と、レーザー光の焦点との離間距離０ｍｍ）。
【００４０】
（比較例２）
前記保護層を用いなかった以外は、実施例１と同様にした。
【００４１】
各実施例および各比較例で得られた回路基板について、以下の評価を行なった。評価項目を内容と共に示す。
１．樹脂層の残存
レーザー光で樹脂層を除去した後の状態を目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：樹脂層を除去できた。
○：樹脂層が一部残存するが、デスミア処理で除去可能な範囲であった。
△：樹脂層が一部残存し、デスミア処理でも除去できない範囲であった。
×：樹脂層が多く残存していた。
【００４２】
２．残存スミア量
ブラインドビアの開口縁部および底部の残存スミア量を、デスミア処理後のブラインドビアを目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：残存スミア量がほとんど無し。
○：残存スミア量が一部有るが、実用上問題無し。
△：残存スミア量が一部有り、実用不可。
×：残存スミア量有り。
【００４３】
３．めっきの形状
めっき処理した後のメッキ形状を目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：均一なメッキ層が形成できる。
○：一部不均一なメッキ層部分が有るが、実用上問題無し。
△：一部不均一なメッキ層部分が有り、実用不可。
×：メッキ層が形成できない。
【００４４】
４．耐熱性
耐熱性は、温度サイクル試験（ホットオイル２６０℃１０秒⇔常温２０秒  １００サイクル）を行い、外観および導通抵抗を測定し、評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±５％未満である。
○：外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±５％以上で±８％未満である。
△：外観に異常がなく、導通抵抗の初期値からの変化率が、±８％以上で±１０％未満である。
×：外観に膨れ、剥がれ等の異常がある、または導通抵抗の初期値からの変化率が±１０％以上である。
【００４５】
【表１】
2006203074.tif 000003
【００４６】
表１から明らかなように、実施例１〜５は、残存スミア量を低減することができた。
また、残存スミア量を低減できたことにより、メッキの形状も良好であった。
また、実施例１および５は、レーザー光照射後に導体層を損傷することなく、樹脂層をほぼ除去することができた。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】樹脂層と導体層とを備える回路基板に保護層を形成する工程の一例を示す断面図である。
【図２】樹脂層と導体層とを備える回路基板に保護層を形成している一例を示す断面図である。
【図３】回路基板にレーザー光を照射する状態を模式的に示す断面図である。
【図４】回路基板にブラインドビアを形成している一例を示す断面図である。
【図５】レーザー光のエネルギー密度の分布を模式的に示すエネルギー強度分布図である。
【図６】従来の方法でレーザー光を照射する状態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１      回路基板
１０    ラミネーター
２      導体層
２１    導体層の表面
３      樹脂層
３１    保護層
３１１  保護層の表面
４      積層体
５      レーザー光
５１    焦点
５２    エネルギー密度の高いレーザー光
５３    エネルギー密度の低いレーザー光
６      ブラインドビア
６１    底部
６２    開口縁部
【図１】
2006203074.tif 000004
【図２】
2006203074.tif 000005
【図３】
2006203074.tif 000006
【図４】
2006203074.tif 000007
【図５】
2006203074.tif 000008
【図６】
2006203074.tif 000009