(57)【要約】【課題】書き込み電流を低減できる磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、前記磁気抵抗効果素子の下方に配置され前記磁気抵抗効果素子に向かって突出した部分を有する第１配線層と、前記第１配線層の側壁を覆う第１領域と前記第１配線層の底面を覆う第２領域と前記突出した部分の両側壁に接して設けられ前記第１、第２領域と磁気的に結合された第３領域を有する第１ヨーク層とを備えた第１書き込み用配線２１と、前記磁気抵抗効果素子の上方に配置され前記磁気抵抗効果素子に向かって突出した部分を有する第２配線層と、前記第２配線層の側壁を覆う第４領域と前記第２配線層の上面を覆う第５領域と前記突出した部分の両側壁に接して設けられ前記第４、第５領域と磁気的に結合された第６領域を有する第２ヨーク層とを備えた第２書き込み用配線２２とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の下方に配置され前記磁気抵抗効果素子に向かって突出した部分を有する第１配線層と、前記第１配線層の側壁を覆う第１領域と前記第１配線層の底面を覆う第２領域と前記突出した部分の両側壁に接して設けられ前記第１、第２領域と磁気的に結合された第３領域を有する第１ヨーク層とを備えた第１書き込み用配線と、
前記磁気抵抗効果素子の上方に配置され前記磁気抵抗効果素子に向かって突出した部分を有する第２配線層と、前記第２配線層の側壁を覆う第４領域と前記第２配線層の上面を覆う第５領域と前記突出した部分の両側壁に接して設けられ前記第４、第５領域と磁気的に結合された第６領域を有する第２ヨーク層とを備えた第２書き込み用配線とを具備すること
を特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２】
前記第１、第２書き込み用配線間の距離は、２００Å以上２０００Å以下であること
を特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記第１、第２配線層の突出した部分は、前記第１、第２配線層の他の部分よりも抵抗値が高い材料により形成されていること
を特徴とする請求項１または２に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記突出した部分の両側壁に接した第３、第６領域の端部は、テーパ角を有すること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
絶縁層中に溝を形成し、この溝の内壁に沿った第１ヨーク層を形成する工程と、
前記溝内の第１ヨーク層上に第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の上面をリセスして、前記第１ヨーク層の側壁の一部を露出する工程と、
リセスされた前記第１導電層の上面上および露出された前記第１ヨーク層の側壁に第２ヨーク層を形成する工程と、
前記第２ヨーク層を前記第１導電層の表面上までエッチバックして、前記第２ヨーク層を第１ヨーク層の側壁に残存させる工程と、
前記溝内の前記第１導電体上、および第２ヨーク層の側壁に第２導電層を埋め込み形成して第１書き込み用配線を形成する工程と、
前記第１書き込み用配線上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果素子上に第２書き込み用配線を形成する工程とを具備すること
を特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気記憶装置およびその製造方法に関し、例えば、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：magnetic random access memory）等に適用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速読み書き、大容量、低消費電力動作も可能な次世代の固体不揮発メモリとして、強磁性体の磁気抵抗効果を利用したＭＲＡＭへの関心が高まっている。特に、強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子が、大きな磁気抵抗変化率を示すことが見いだされて以来、ますます注目されている。
【０００３】
強磁性トンネル接合は、外部磁場によって磁化方向が容易に変化するフリー層（磁化自由層）と、上記フリー層と対向し外部磁場が加わっても所定の磁化方向を維持するピン層（磁化固着層）と、上記フリー層とピン層に挟まれたトンネルバリア層（絶縁体層）との三層積層構造を基本構成とする。強磁性トンネル接合では、トンネルバリア層をトンネルして電流が流れる。このとき、接合部の抵抗は、ピン層とフリー層との磁化方向の相対角により変化し、磁化方向が平行のとき極小値を、反平行のとき極大値をとる。この抵抗変化はトンネル磁気抵抗効果（Tunneling Magneto-Resistance effect：以下ＴＭＲ効果と記す）と呼ばれ、実際にＭＲＡＭの一つの記憶セルとして強磁性トンネル接合を有する磁気素子を用いる場合には、ピン層とフリー層との磁化の平行、反平行状態（すなわち抵抗の極小、極大）を二進情報の“０”または“１”に対応づけることにより、情報を記憶する。
【０００４】
磁気情報の書き込み動作は、記憶セル近傍に書き込み用配線を配置し、電流を流した際に発生する電流磁場によって、フリー層の磁化方向のみを反転させることによって行う。また、磁気情報の読み出し動作は、記憶セルにセンス電流を流し、ＴＭＲ効果による抵抗変化を検出することにより行う。以上に説明したようなＴＭＲ効果を利用した磁気抵抗効果素子を以下、ＭＴＪ素子（Magnetic Tunnel Junction 素子 ）という。
【０００５】
ところで、ギガビット（Ｇ Bit）級のＭＲＡＭを実現しようとしてＭＴＪ素子が集積化されるのに伴い、上記ＭＴＪ素子を書き込むために必要な書き込み電流が増大することが問題となっている。そこで、書き込み用配線に、ＭＴＪ素子側が開放された単純なコの字型のヨーク層を設け、書き込み電流を低減することが試みられてきた（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
より具体的に、従来のコの字型のヨーク層を設けた書き込み用配線を備えた磁気記憶装置について、図４６および図４７を用いて説明する。図中においては、書き込み用配線に設けられたヨーク層１１、１２を抽出して示している。
【０００７】
図示するように、２本の書き込み用配線のいずれにもコの字型のヨーク層１１、１２が設けられ、この書き込み用配線の交差位置にＭＴＪ素子が設けられている。このヨーク層１１、１２が形成された書き込み用配線に書き込み用電流Ｉ−１１、Ｉ−１２を流すと、アンペアの法則により、それぞれ磁場１３、１４が発生する。この際、ヨーク層１１、１２によって、この磁場１３、１４が書き込み用配線周辺に磁場が漏れることを防止して、書き込み効率を向上し、書き込み電流を低減するとも考えられる。
【０００８】
しかし、書き込み用配線間の距離Ｌ１が小さくなると（例えば、Ｌ１≦２０００Å程度）、以下に示す要因によって、期待される書き込み電流の低減の効果が得られないことが分かった。
【０００９】
即ち、ヨーク層の端部１６においては、上側の書き込み用配線から発生した磁場Ｍ１と下側の書き込み用配線から発生した磁場Ｍ２とが同じ向きとなって強め合う相乗効果により、この端部１６にＭＴＪ素子に向かった磁場が集中する。一方、ヨーク層の端部１７においては、上記磁場Ｍ１、Ｍ２とが反対向きとなって弱め合い、この端部１７で磁場が弱くなり、ＭＴＪ素子に向かった磁場の空き領域（磁場の吸い込み）が発生する。
【００１０】
そのため、配線層にヨーク層１１、１２を設けて配線間の距離Ｌ１を小さくすれば、書き込み電流を低減できるとも考えられるが、実際は、ヨーク層１１、１２の効果が得られずに、依然として大きな書き込み電流が必要となるという問題がある。
【００１１】
さらに、この問題は、書き込み用配線の距離Ｌ１が小さいほどより顕著である（例えば、Ｌ１≦２０００Å程度）。そのため、書き込み電流を低減しようとして、書き込み用配線間の距離Ｌ１を近づけた製造プロセス側の工夫が無駄となり、製造コストを増大させていた。
【００１２】
上記のように従来の磁気記憶装置では、書き込み用配線間の距離を近づけようとすると、書き込み用配線の交差位置の近傍の磁場の不均一が生じて素子近傍の磁場が減少し、書き込み電流が増大するという事情があった。
【特許文献１】米国特許  ＵＳ  ６，６６１，６８８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
この発明は上記のような事情に鑑みて、書き込み電流を低減できる磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明の一態様によれば、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の下方に配置され前記磁気抵抗効果素子に向かって突出した部分を有する第１配線層と、前記第１配線層の側壁を覆う第１領域と前記第１配線層の底面を覆う第２領域と前記突出した部分の両側壁に接して設けられ前記第１、第２領域と磁気的に結合された第３領域を有する第１ヨーク層とを備えた第１書き込み用配線と、前記磁気抵抗効果素子の上方に配置され前記磁気抵抗効果素子に向かって突出した部分を有する第２配線層と、前記第２配線層の側壁を覆う第４領域と前記第２配線層の上面を覆う第５領域と前記突出した部分の両側壁に接して設けられ前記第４、第５領域と磁気的に結合された第６領域を有する第２ヨーク層とを備えた第２書き込み用配線とを具備する磁気記憶装置を提供できる。
【００１５】
この発明の一形態によれば、絶縁層中に溝を形成し、この溝の内壁に沿った第１ヨーク層を形成する工程と、前記溝内の第１ヨーク層上に第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層の上面をリセスして、前記第１ヨーク層の側壁の一部を露出する工程と、リセスされた前記第１導電層の上面上および露出された前記第１ヨーク層の側壁に第２ヨーク層を形成する工程と、前記第２ヨーク層を前記第１導電層の表面上までエッチバックして、前記第２ヨーク層を第１ヨーク層の側壁に残存させる工程と、前記溝内の前記第１導電体上、および第２ヨーク層の側壁に第２導電層を埋め込み形成して第１書き込み用配線を形成する工程と、前記第１書き込み用配線上に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子上に第２書き込み用配線を形成する工程とを具備する磁気記憶装置の製造方法を提供できる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、書き込み電流を低減できる磁気記憶装置およびその製造方法が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、この発明の実施形態について図面を参照して説明する。尚、この説明においては、全図にわたり共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１８】
［第１の実施形態］
この発明の第１の実施形態に係る磁気記憶装置について、図１を用いて説明する。図１は、磁気記憶装置を模式的に示す断面図である。
【００１９】
図示するように、ＭＴＪ素子（磁気抵抗効果素子）の下方に書き込み用配線２１が配置され、ＭＴＪ素子の上方に上記書き込み用配線２１との距離Ｄ１が、２００Å以上２０００Å以下（２００Å≦Ｄ１≦２０００Å以下）となるように書き込み用配線２２が配置されている。
【００２０】
ＭＴＪ素子は絶縁層２０−２中に設けられ、強磁性層（例えば、ピン層）４５、強磁性層４５上に設けられたトンネル絶縁層４６、トンネル絶縁層４６上に設けられた強磁性層（例えば、フリー層）４７を備えている。
【００２１】
書き込み用配線２１は、ストッパ膜１９を貫通して絶縁層２０−１上に設けられ、ＭＴＪ素子に向かって突出した配線層２４−１（突出した部分）とこの配線層２４−１の下に設けられた配線層２４−２と有した配線部２４と、この配線部２４の側壁および底面を覆うヨーク層２６（第１、第２領域）と配線層２４−１の両側壁に接して配置され上記ヨーク層２６と磁気的に結合されたヨーク層２３（第３領域）を備えている。
【００２２】
上記のように、ヨーク層２６、２３は、配線部の側壁、底面、および上面の一部を覆っている。以下、それぞれを、第１〜第３領域とし、本例では第１領域と第２領域とが連続してヨーク層２６として形成されている。
【００２３】
ヨーク層２６表面上を覆うようにしてバリアメタル膜２５、２７が設けられている。
【００２４】
このヨーク層２３の上面と突出した配線層２４−１の上面およびヨーク層２６の上面とは、連続するように（面一であるように）設けられている。
【００２５】
突出した配線層２４−１は、配線層２４−２と電気的に接続されている。
【００２６】
書き込み用配線２２は、ストッパ膜２９を貫通して絶縁層２０−２上に設けられ、ＭＴＪ素子に向かって突出した配線層３８（突出した部分）とこの配線層３８の両側壁に設けられた配線層４０と配線層３８の側面および底面を覆うバリアメタル膜とを有する配線部３４と、この配線部２４の側壁を覆うヨーク層３６（第４領域）と上面を覆うヨーク層３３（第５領域）と配線層３８の両側壁に接して配置され上記ヨーク層３６、３３と磁気的に結合されたヨーク層３３（第３領域）を備えている。
【００２７】
上記のように、ヨーク層３３、３６は、配線部３４の側壁、上面、および底面の一部を覆っている。以下、それぞれを、第４〜第６領域とし、本例では第４領域と第６領域とが連続してヨーク層３６として形成されている。
【００２８】
ヨーク層３６表面上を覆うようにしてバリアメタル膜３５、３７が設けられている。
【００２９】
このヨーク層３６の底面と突出した配線層３８の底面とは、連続するように（面一であるように）設けられている。
【００３０】
バリアメタル膜２５、２７は、配線層２４−１、ヨーク層２６中の物質の拡散に対するバリアとして働く。バリアメタル膜３９は、配線層３８、４０中の物質の拡散に対するバリアとして働き、バリアメタル膜３５、３７は、ヨーク膜３６中の物質の拡散に対するバリアとして働く。
【００３１】
配線層２４−１、２４−２、３８、４０は、例えば、銅（Ｃｕ）等により形成されている。バリアメタル膜２５、２７、３５、３７、３９は、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）等により形成されている。ヨーク層２３、２６、３３、３６は、例えば、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）等により形成されている。
【００３２】
強磁性層４５、４７は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）等を主成分とした強磁性材料により形成され、例えば、コバルト鉄（ＣｏＦｅ）等により形成されている。
【００３３】
上記のような構成によれば、書き込み用配線２１はヨーク層２３を備えているため、この配線２１から発生した磁場をこのヨーク層２３内に導き、ヨーク層２６の端部の近傍４８の磁場の空き領域（磁場の吸い込み）や磁場の集中する領域を緩和して、ＭＴＪ素子近傍の磁場を増大できる。そのため、書き込み電流を低減でき、消費電力を効率化できる。
【００３４】
同様に、書き込み用配線２２はヨーク層３６を備えているため、配線２２から発生した磁場をヨーク層内３６に導き、ヨーク層３６の端部の近傍４９の磁場の空き領域（磁場の吸い込み）や集中する領域を緩和して、ＭＴＪ素子近傍の磁場を増大でき、書き込み電流を低減できる。
【００３５】
上記のように、近傍４８、４９の磁場の空き領域（磁場の吸い込み）や集中する領域を緩和できるため、書き込み用配線２１、２２間の距離Ｄ１を２０００Å以下のように、より近づけることが可能となり、書き込み電流を低減できる。書き込み電流の大きさは、配線間２１、２２の距離Ｄ１の大きさに伴って増大するからである。また、かかる距離Ｄ１を低減できることによって、膜面垂直方向の専有面積を低減でき、微細化できる点でも有利である。
【００３６】
また、書き込み用配線２１、２２間の距離Ｄ１を２００Å以上確保することによって、ＭＴＪ素子の最小膜厚程度の間隔を確保できる。
【００３７】
次に、図１に示した磁気記憶装置を例に挙げて、磁気記憶装置の製造方法を説明する。
【００３８】
まず、図２に示すように、周知の工程を用いて絶縁層２０−１上にストッパ膜１９を形成する。
【００３９】
続いて、図３に示すように、ストッパ膜１９上に絶縁層２０−２を形成する。
【００４０】
続いて、図４に示すように、絶縁層２０−２上にフォトレジスト５１を塗布し、このフォトレジスト５１に露光および現像を行って、絶縁層２０−２中に配線を形成するための開口部を形成する。
【００４１】
続いて、図５に示すように、上記フォトレジスト５１をマスクとして、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層２０−１表面上まで行って、絶縁層２０−２、ストッパ膜１９を貫通する溝５２を形成する。この工程の際にストッパ膜１９は、オーバーエッチングされることに対するストッパとして働く。
【００４２】
続いて、図６に示すように、例えばＣＶＤ法により、絶縁層２０−１上、溝５２の内壁に沿って、タンタル（Ｔａ）等を堆積し、バリアメタル膜２５を形成する。その後、バリアメタル膜２５上に、例えばニッケル鉄（ＮｉＦｅ）等を形成し、ヨーク層２６を形成する。さらに、ヨーク層２６上に、同様の工程によってタンタル（Ｔａ）等を堆積して、バリアメタル膜２７を形成する。その後、バリアメタル膜２７上に、例えば、電気めっき法により銅（Ｃｕ）等を堆積し、配線層２４−２を形成する。
【００４３】
続いて、図７に示すように、例えば、ＣＭＰ法により、ヨーク層２６、バリアメタル膜２５、２７、配線層２４−２を絶縁層２０−２表面上まで平坦化して、溝５２内に埋め込む。
【００４４】
続いて、図８に示すように、例えば、ウエットエッチング法等により配線層２４−２の表面を厚さＤｙ１程度までリセスし、ヨーク層２６の上部の側壁を露出させる。
【００４５】
続いて、図９に示すように、絶縁層２０−２上、ヨーク層２６上、配線層２４−２上に、例えば、スパッタ法により膜厚Ｄｙ２程度のニッケル鉄（ＮｉＦｅ）層５３を堆積形成する。
【００４６】
続いて、図１０に示すように、ニッケル鉄層５３を、例えば、イオンミリング法等によりエッチバックして、露出させたヨーク層２６の上部の側壁に残存させ、ヨーク層２３を形成する。
【００４７】
このヨーク層２３の高さは、配線層２４−２をリセスする深さＤｙ１により決定され、ヨーク層２３の長さは、リセスされた配線層２４−２上に堆積された上記ニッケル鉄層５３等の膜厚Ｄｙ２により決定される。
【００４８】
続いて、図１１に示すように、周知の工程により、配線層２４−２上にヨーク層２３に接するように配線層２４−１を形成し、さらに絶縁層２０−２表面上まで、例えば、ＣＭＰ法等を用いて、ヨーク層２６、２３、および配線層２４−１の上面が連続するように（面一となるように）平坦化することにより、書き込み用配線２１を形成する。
【００４９】
尚、この配線層２４−１の材料は、銅（Ｃｕ）等に限らず、例えば、ＣＶＤ法により形成されたアルミ二ウム（Ａｌ）等により形成することも可能である。このように配線層２４−１、２４−２を異なる材料で形成した場合には、必要に応じて配線部２４の抵抗値を制御できる。
【００５０】
続いて、図１２に示すように、周知の工程により、絶縁層２０−２中に順次強磁性層４５、トンネル絶縁層４６、強磁性層４７を形成して、ＭＴＪ素子を形成する。この際、絶縁層２０−２の膜厚（書き込み用配線間の距離）Ｄ１は、２００Å以上２０００Å以下（２００Å≦Ｄ１≦２０００Å）となるように形成する。その後、絶縁層２０−２上にストッパ膜２９、絶縁層２３−３を順次形成する。さらに、上記と同様の工程により、絶縁層２０−３およびストッパ膜２９を貫通して底が絶縁層２０−２表面上の溝５５を形成する。このストッパ膜２９は、溝５５を形成する際のストッパとして働く。
【００５１】
続いて、図１３に示すように、例えばＣＶＤ法により、絶縁層２０−３上、溝５２の内壁に沿って、タンタル（Ｔａ）等を堆積し、バリアメタル膜３５を形成する。その後、バリアメタル膜３５上に、例えばニッケル鉄（ＮｉＦｅ）等を形成し、ヨーク膜３６を形成する。さらに、ヨーク膜３６上に、同様の工程によってタンタル（Ｔａ）等を堆積して、バリアメタル膜３７を形成する。その後、バリアメタル膜３７上に、例えば、電気めっき法により膜厚Ｄｙ３程度の銅（Ｃｕ）等を堆積し、配線層４０を形成する。
【００５２】
続いて、図１４に示すように、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層２０−２表面上まで行い、ヨーク膜３６、バリアメタル膜３５、３７、配線層４０を溝５３の側壁に残存させる。この工程により、溝５５の内側方向に突出したヨーク層３６を形成する。ヨーク層３６の長さは、配線層４０の膜厚Ｄｙ３により決定される。
【００５３】
続いて、図１５に示すように、絶縁層２０−３上、ヨーク層３６上、配線層４０上、および配線層４０の側壁に沿ってバリメタル膜３９を形成する。その後、バリアメタル膜３９上に、例えば、電気めっき法により銅（Ｃｕ）層５７を堆積形成する。
【００５４】
続いて、図１６に示すように、銅層５７を絶縁層２０−３表面上まで、例えばＣＭＰ法等により平坦化して溝５５内に埋め込み、配線層３８を形成する。
【００５５】
続いて、図１７に示すように、バリアメタル膜３９上、配線層３８上に、例えばＣＶＤ法によりニッケル鉄（ＮｉＦｅ）層５８等を堆積する。
【００５６】
続いて、図１８に示すように、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）層５８上にフォトレジストを塗布し露光および現像を行って、書き込み用配線２２となる部分以外が露出するようなフォトレジスト５９を形成する。
【００５７】
続いて、図１９に示すように、上記フォトレジスト５９をマスク層として、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングを絶縁層２０−３表面上まで行い、ヨーク層３３を形成する。その後、フォトレジスト５９を除去し、書き込み用配線２２を形成する。
【００５８】
以下、周知の工程を用いて、書き込み用配線２２上を覆うように絶縁層を形成し、図１に示す磁気記憶装置を製造する。
【００５９】
上記のような磁気記憶装置の製造方法によれば、ヨーク層２３の高さは、配線層２４−２をリセスする深さＤｙ１程度となり、ヨーク層２３の長さは、リセスされた配線層２４−２上に堆積されるニッケル鉄層５３等の膜厚Ｄｙ２程度となる。そのため、配線層２４−２をリセスする深さＤ１および膜厚Ｄｙ２を形成する際の反応条件等を制御することにより、ヨーク層２３の高さおよび長さを選択できる。そのため、必要に応じてヨーク層２３の磁気特性を選択できる点で有利である。
【００６０】
また、ヨーク層３６の配線層３８に接した部分の長さは、配線層４０の膜厚Ｄｙ３により決定されるため、配線層４０を形成する際の反応条件等を制御することにより、ヨーク層３６の配線層３８に接した部分の長さを選択できる。そのため、必要に応じてヨーク層３６の磁気特性を選択できる点で有利である。
【００６１】
さらに、図１１に示すように、絶縁層２０−２表面上までヨーク層２６、２３、および配線層２４−１の上面が連続するように（面一となるように）平坦化することにより、書き込み用配線２１を形成する。そのため、書き込み用配線２１の上面が平坦となって、以後の製造工程が容易になるさ。また、書き込み用配線２１上に形成されＭＴＪ素子を構成する強磁性層４５、４７、トンネル絶縁膜４６の平坦性を向上でき、ＭＴＪ素子の磁気特性の劣化を防止できる点で有利である。
【００６２】
［変形例１（下側書き込み用配線の変形例−１）］
次に、上記書き込み用配線２１の変形例について、図２０を用いて説明する。図２０は、この変形例に係る書き込み用配線を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００６３】
図示するように、ＭＴＪ素子に向かって突出するように設けられた上記配線層２４−１に置換して絶縁層６０が埋め込み形成されている。この絶縁層６０の表面、ヨーク層２３、２６の表面、およびバリアメタル膜２５、２７の表面とは連続するように（面一であるように）設けられている。
【００６４】
絶縁層６０は、例えば、ＴＥＯＳ（Tetraethylorthosilicate）膜等の酸化膜により形成されている。また、絶縁層に限らずに、有する高抵抗層をこの位置に設けることも可能である。尚、図示しないが、この書き込み用配線２１の上方には、ＭＴＪ素子および書き込み用配線２２が設けられている。
【００６５】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様な効果が得られる。さらに、絶縁層６０を備えているため、ヨーク層２３の間に流れる書き込み用電流を低減して、磁場の不均一をより緩和できる点で有利である。
【００６６】
次に、この変形例１に係る磁気記憶装置の書き込み用配線２１の製造方法について、図２１および図２２を用いて説明する。
【００６７】
まず、図２１に示すように、上記第１の実施形態と同様の工程により、配線層２４−２上にヨーク層２６の側壁に接したヨーク層２３を形成する。
【００６８】
続いて、図２２に示すように、絶縁層２０−２上、ヨーク層２３、２６上、配線層２４−２上、バリアメタル層２５、２７上に、例えば、反応ガスにＴＥＯＳを用いたＣＶＤ法によってＴＥＯＳ膜７０を形成する。その後、絶縁層２０−２表面上まで、例えば、ＣＭＰ法等によりＴＥＯＳ膜７０を平坦化して埋め込む。
【００６９】
以後周知の工程により、図２０に示す書き込み用配線２１を製造する。
【００７０】
上記のように、この変形例１に係る書き込み用配線２１の製造方法によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７１】
［変形例２（下側書き込み用配線の変形例−２）］
次に、上記書き込み用配線２１の変形例について、図２３を用いて説明する。図２３は、この変形例に係る書き込み用配線を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００７２】
図示するように、ヨーク層２６上に配線層２４−１の両側壁に接して配置されたヨーク層６１（第３領域）が設けられている。このヨーク層６１の上面と、配線層２４−１の上面とは連続するように設けられている。配線部２４の内に、導電層６２が設けられている。この導電層６２とヨーク層６１とは、例えば、ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）等の同一材料により形成されている。上記のように、ヨーク層６１、２６は、配線部２４の側壁、底面、および上面の一部を覆っており、本例では第１領域と第２領域とが連続してヨーク層２６として形成されている。
【００７３】
尚、図示は省略するが、この書き込み用配線２１の上方には、ＭＴＪ素子および書き込み用配線２２が設けられている。
【００７４】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７５】
次に、この変形例２に係る磁気記憶装置の製造方法について、図２４乃至図３０を用いて説明する。
【００７６】
まず、図２４に示すように、上記第１の実施形態と同様の工程により、バリアメタル膜２５、２７、ヨーク層２６を堆積形成する。その後、バリアメタル膜２７上に、例えば、電気めっき法により銅（Ｃｕ）等の導電層６５を形成する。
【００７７】
続いて、図２５に示すように、バリアメタル膜２５、２７、ヨーク層２６、および導電層６５を絶縁層２０−２表面上まで、例えば、ＣＭＰ法等により平坦化し、溝５２内に埋め込み、配線層２４−２を形成する。
【００７８】
続いて、図２６に示すように、バリアメタル膜２５、２７、ヨーク層２６、および導電層６５の表面上を、例えば、ウエットエッチング法等により深さＤｙ５程度でリセスする。
【００７９】
続いて、図２７に示すように、例えば、スパッタ法により、バリアメタル膜２５、２７、ヨーク層２６、および導電層６５上にニッケル鉄等の磁性層６６を形成する。この工程の際には、スパッタ法の異方性を利用して、膜面垂直方向のみに磁性層６６を形成する。
【００８０】
続いて、図２８に示すように、磁性層６６上に、例えば、電気めっき法により銅（Ｃｕ）等の導電層６７を形成する。
【００８１】
続いて、図２９に示すように、導電層６７および磁性層６６を絶縁層２０−２表面上まで、例えば、ＣＭＰ法により平坦化して溝５２内に埋め込み、配線層２４−１と膜厚Ｄｙ５程度のヨーク層６１とを形成する。
【００８２】
続いて、図３０に示すように、絶縁層２０−２上、ヨーク層６１上、および配線層２４−１上に絶縁層２０−４を形成する。以上の工程により、図２３に示す磁気記憶装置を製造する。
【００８３】
上記のような磁気記憶装置の製造方法によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、ヨーク層６１の高さは、ヨーク層２３および導電層６５をリセスする深さＤｙ５程度となる。そのため、リセスする際の反応条件等を制御することにより、ヨーク層６１の高さおよび長さを選択でき、必要に応じてヨーク層６１の磁気特性を選択できる点で有利である。
【００８４】
［変形例３（上側書き込み用配線の変形例２）］
次に、上記書き込み用配線２２の変形例について、図３１を用いて説明する。図３１は、この変形例に係る書き込み用配線を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００８５】
図示するように、ヨーク層３６上および配線部３４上における絶縁層２０−３中にヨーク層６９（第５領域）が設けられ、このヨーク層６９の側面および底面を覆うようにバリアメタル膜６８が設けられている。ヨーク層６９上、バリアメタル膜６８上に絶縁層２０−４が設けられている。上記のように、ヨーク層６９、３６は、配線部３４の側壁、上面、および底面の一部を覆っており、本例では第４領域と第６領域とが連続してヨーク層３６として形成されている。
【００８６】
バリアメタル膜６８は、例えばタンタル（Ｔａ）等により形成され、銅（Ｃｕ）等により形成された配線層３８、４０中の物質の拡散に対するバリアとして働く。
【００８７】
尚、図示しないが、この書き込み用配線の下方には、ＭＴＪ素子および書き込み用配線２１が設けられている。
【００８８】
上記のような構成によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、配線層３８、４０中の物質の拡散に対するバリアとして働くメタルバリア膜６８が設けられているため、書き込み用配線２２の信頼性を向上できる点で有利である。
【００８９】
次に、図３１で示した書き込み用配線を例にあげて、この変形例３に係る書き込み用配線の製造方法を、図３２乃至図３５を用いて説明する。
【００９０】
まず、図３２に示すように、上記第１の実施形態と同様の工程を用いて、ヨーク層３６、配線部３６の上面を、例えばウエットエッチング法等によりリセスする。
【００９１】
続いて、図３３に示すように、絶縁層２０−３上、上記リセスしたヨーク層３６および配線部３４の上面上に、例えば、ＣＶＤ法等によりバリアメタル膜７１を形成する。その後、バリアメタル膜７１上に、例えば、ＣＶＤ法等によりニッケル鉄（ＮｉＦｅ）等を堆積して磁性層７２を形成する。
【００９２】
続いて、図３４に示すように、バリアメタル膜７１および磁性膜７２を絶縁層２０−３表面上まで、例えばＣＭＰ法等により平坦化して溝５２内に埋め込み、バリアメタル膜６８、ヨーク層６９を形成する。
【００９３】
続いて、図３５に示すように、周知の工程を用いて、絶縁層２０−３上およびヨーク層６９上に絶縁層２０−４を形成する。
【００９４】
以上の製造工程により、図３１に示す書き込み用配線を製造する。
【００９５】
上記のように、この変形例に係る磁気記憶装置における書き込み用配線の製造方法によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００９６】
［変形例４（上側書き込み用配線の変形例３）］
次に、上記書き込み用配線２２の変形例について、図３６を用いて説明する。図３６は、この変形例に係る書き込み用配線を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【００９７】
図示するように、ＭＴＪ素子（図示せず）に向かって突出した配線層３８の両側壁に接したヨーク層３６の端部７５はテーパ角（鋭角）を有している。そのため、配線層３８を埋め込み易くできる点で有利である。尚、図示しないが、この書き込み用配線２２の下方には、ＭＴＪ素子および書き込み用配線２１が設けられている。
【００９８】
次に、図３６で示した書き込み用配線を例に挙げて、この変形例に係る書き込み用配線の製造方法について説明する。
【００９９】
まず、図３７に示すように、上記第１の実施形態と同様の工程により、絶縁層２０−３上および溝５５の内壁に沿って、バリアメタル膜３５、ヨーク層３６、バリアメタル膜３７を順次形成する。その後、バリアメタル膜３７上に、例えば、電気めっき法により銅（Ｃｕ）等を堆積し、配線層４０を形成する。
【０１００】
続いて、図３８に示すように、例えば、ＲＩＥ法等の異方性エッチングについてテーパ角を付けて絶縁層２０−２表面上まで行い、ヨーク層３６、バリアメタル膜３５、３７、配線層４０を溝５５の側壁に残存させる。この工程により、溝５５の内側方向に突出し、端部７５にテーパ角を有するヨーク層３６を形成する。
【０１０１】
続いて、上記第１の実施形態と同様の工程を用いてバリアメタル膜３９を形成した後、このバリアメタル膜３９上に、例えば、電気めっき法により銅（Ｃｕ）層を堆積形成し、
この銅層を絶縁層２０−３表面上まで、例えばＣＭＰ法等により平坦化して溝５５内に埋め込み、配線層３８を形成する。
【０１０２】
以後、上記第１の実施形態と同様の工程により、ヨーク部６９、バリアメタル膜６８、および絶縁層２０−４を形成することにより、図３６に示す書き込み用配線を製造する。
【０１０３】
上記のように、この変形例に係る磁気記憶装置における書き込み用配線の製造方法によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１０４】
さらに、この変形例に係る製造方法によれば、端部７５にテーパ角を有するヨーク層３６を形成した後、例えば、電気めっき法により銅（Ｃｕ）層を堆積形成し、この銅層を絶縁層２０−３表面上まで、例えばＣＭＰ法等により平坦化して溝５５内に埋め込み、配線層３８を形成する。そのため、端部７５が鋭角となって、溝５５内に銅層等の配線層３８を埋め込み易くできる点で有利である。また、配線層３８を埋め込み易くできるため、例えば溝５５の深さが深い場合にあっては、埋め込む際に配線層３８中のボイドの発生を防止でき、信頼性を向上できる点で有利である。
【０１０５】
［変形例５（上側書き込み用配線の変形例４）］
次に、上記書き込み用配線２２の変形例について、図３９を用いて説明する。図３９は、この変形例に係る書き込み用配線を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【０１０６】
図示するように、配線層３８の側壁および底面を覆うように高抵抗層８１が設けられ、この高抵抗層８１の底面とバリアメタル膜３５の底面とは連続するように（面一であるように）設けられている。換言すれば、配線部３４のうちのＭＴＪ素子に向かって突出した部分は高抵抗であって、ヨーク層３６に挟まれて高抵抗層８１が設けられ、この高抵抗層８１の底面とバリアメタル膜３５の底面とは連続するように設けられている。
【０１０７】
高抵抗層８１は、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等により形成されている。また、高抵抗層に限らずに、さらに高い抵抗値を有する絶縁層をこの高抵抗層８１の位置に設けることも可能である。尚、図示しないが、この書き込み用配線２２の下方には、ＭＴＪ素子および書き込み用配線２１が設けられている。
【０１０８】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様な効果が得られる。さらに、高抵抗層８１を備えているため、ヨーク層３６の間に流れる書き込み用電流を低減して、磁場の不均一をより緩和できる点で有利である。
【０１０９】
また、この高抵抗層８１の位置にさらに抵抗値が高い絶縁層を設けた場合では、ヨーク層３６の間に流れる書き込み用電流をさらに低減できる。
【０１１０】
次に、図３９で示した書き込み用配線を例に挙げて、この変形例に係る書き込み用配線の製造方法について説明する。
【０１１１】
まず、図４０に示すように、上記第１の実施形態と同様の工程により、溝５５の側壁に沿ってヨーク層３６、バリアメタル膜３５、３６、および配線層４０を形成する。その後、ヨーク層３６、バリアメタル膜３５、３６、および配線層４０の溝５５の内壁上に沿って、例えば、ＣＶＤ法等によりタンタル（Ｔａ）等を堆積形成して、高抵抗層８１を形成する。さらに、高抵抗層８１上および溝５５内に導電層５７を形成する。
【０１１２】
続いて、図４１に示すように、高抵抗層８１および導電層５７を、例えば、ＣＭＰ法等により絶縁層２０−３表面上まで平坦化して溝５５内に埋め込む。以後、周知の工程を用いて、図３９に示す書き込み用配線を製造する。
【０１１３】
上記のような磁気記憶装置における書き込み用配線の製造方法によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１１４】
［第２の実施形態（１Ｔ１ＭＴＪ型）］
次に、この発明の第２の実施形態に係る磁気記憶装置について、図４２を用いて説明する。この実施形態は、いわゆる１Ｔ１ＭＴＪ（１transistor-１MTJ）型の磁気記憶装置の一例である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【０１１５】
図示するように、この実施形態に係る１Ｔ１ＭＴＪ型の磁気記憶装置では、以下の点で第１の実施形態に係る磁気記憶装置と相違する。まず、書き込み用配線２１、２２が交差するように配置され、この交差位置にＭＴＪ素子が設けられている。ＭＴＪ素子の強磁性層４７の上面は書き込み用配線２２に接してこの配線２２に電気的に接続されている。ＭＴＪ素子の強磁性層４５の底面は配線２２方向に引き出された下地導電層８３に接して電気的に接続されている。さらに、基板８５上に選択トランジスタＴＲが設けられ、下地導電層８３がドレインコンタクトＤＣ−１〜ＤＣ−４を介して選択トランジスタＴＲのドレインＤに電気的に接続されている。選択トランジスタＴＲは、基板８５上に設けられたゲート絶縁膜８６、ゲート絶縁膜８６上に設けられたゲート電極８７、ゲート電極８７を挟むように基板８７中に設けられたソースＳ／ドレインＤを備えている。ソースＳ上にソースコンタクトＳＣを介してソース線ＳＬが設けられている。また、書き込み用配線２１、２２間の距離Ｄ２は、２００Å以上２０００Å以下（２００Å≦Ｄ２≦２０００Å）である。
【０１１６】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、この実施形態に係る磁気記憶装置には、ＭＴＪ素子の底面に電気的に接続された選択トランジスタＴＲが設けられている。そのため、ＭＴＪ素子がアレイ状に配置されている場合に、選択した以外のＭＴＪ素子にも書き込み電流が流れ込むいわゆる回り込み電流を防止し、選択されたＭＴＪ素子のみにデータを書き込む／読み込むことができる点で有利である。
【０１１７】
尚、この実施形態に係る磁気記憶装置の主要部の製造方法は、第１の実施形態と実質的に同様であるため説明を省略する。
【０１１８】
［第３の実施形態（クロスポイント型）］
次に、この発明の第３の実施形態に係る磁気記憶装置について、図４３を用いて説明する。この実施形態は、いわゆるクロスポイント型の磁気記憶装置の一例である。図４３は、この実施形態に係る磁気記憶装置を示す断面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【０１１９】
図示するように、この実施形態に係るクロスポイント型の磁気記憶装置は、以下の点で上記第１の実施形態に係る磁気記憶装置と相違する。まず、書き込み用配線２１、２２が交差するように配置され、この交差位置にＭＴＪ素子が設けられている。ＭＴＪ素子の強磁性層４７の上面は書き込み用配線２２に接してこの配線２２に電気的に接続されている。ＭＴＪ素子の強磁性層４５の底面は書き込み用配線２１に接してこの配線２１に電気的に接続されている。また、書き込み用配線２１、２２間の距離Ｄ３は、２００Å以上２０００Å以下（２００Å≦Ｄ３≦２０００Å）である。
【０１２０】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、この実施形態に係る磁気記憶装置は、上記第２の実施形態のように選択トランジスタが設けられていない。そのため、選択トランジスタを設ける必要がない分だけセル面積を低減でき、微細化に対して有利である。
【０１２１】
尚、この実施形態に係る磁気記憶装置の主要部の製造方法は、第１の実施形態と実質的に同様であるため説明を省略する。
【０１２２】
［第４の実施形態（クロスポイント型）］
次に、この発明の第３の実施形態に係る磁気記憶装置について、図４４を用いて説明する。この実施形態は、いわゆるクロスポイント型の磁気記憶装置の一例である。図４４は、この実施形態に係る磁気記憶装置を示す断面図である。この説明において、上記第３の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【０１２３】
図示するように、この実施形態に係るクロスポイント型の磁気記憶装置は、強磁性層４５と書き込み用配線２１との間にダイオード層８８が更に設けられている点で、上記第３の実施形態に係る磁気記憶装置と相違する。尚、ダイオード層８８は、強磁性層４７と書き込み用配線２２との間に設けることも可能である。
【０１２４】
上記のような磁気記憶装置によれば、上記第３の実施形態と同様な効果が得られる。さらに、この実施形態に係る磁気記憶装置は、ＭＴＪ素子と書き込み用配線２１との間に、ダイオード層８８が更に設けられている。そのため、いわゆる回り込み電流を防止でき、信頼性を向上できる点で有利である。
【０１２５】
また、ダイオード層８８は、ＭＴＪ素子と書き込み用配線２１との間、またはＭＴＪ素子と書き込み用配線２２との間に少なくとも一層設ければよいため、ＭＴＪ素子方向の専有面積の増大を低減でき、微細化に対して有利である。
【０１２６】
尚、この実施形態に係る磁気記憶装置の主要部の製造方法は、第１の実施形態と実質的に同様であるため説明を省略する。
【０１２７】
［第５の実施形態（トグルセル型）］
次に、この発明の第５の実施形態に係る磁気記憶装置について、図４５を用いて説明する。この実施形態は、いわゆるトグルセル（ toggle cell）型の磁気記憶装置の一例である。図４５は、この実施形態に係る磁気記憶装置を示す平面図である。この説明において、上記第１の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
【０１２８】
図示するように、この実施形態に係るトグルセル型の磁気記憶装置では、以下の点で、上記第１の実施形態に係る磁気記憶装置と相違する。まず、ＭＴＪ素子の磁化容易軸が、書き込み用配線２２の延設方向（Ｘ方向）または書き込み用配線２１の延設方向（Ｙ方向）に対して傾くように設けられている。換言すれば、書き込み用配線２２に流す書き込み用電流Ｉｗ１の方向は、書き込み用配線２１に流す書き込み用電流Ｉｗ２の方向に対して傾くようにＭＴＪ素子が配置されている。ここで、ＭＴＪ素子の傾きは、例えば、３０°乃至６０°程度であり、４５°がより望ましい。また、断面構造は、図４３等と同様である。
【０１２９】
さらに、上記のようなトグルセル型において、データの書き込み／読み出しは、以下のように行われる。
【０１３０】
まず、書き込み動作が行われる前に、選択セルのデータを読み出す確認サイクルを行う。従って、選択セルのデータを読み出した結果、任意のデータが既に書き込まれていた場合には書き込みを行わず、任意のデータと異なるデータが書き込まれていた場合にはデータを書き換えるために書き込みが行われる。
【０１３１】
上記のような確認サイクルの後、選択セルにデータを書き込む必要がある場合は、２本の書き込み用配線２１、２２を順にＯＮし、先にＯＮした書き込み用配線を先にＯＦＦしてから、後にＯＮした書き込み用配線をＯＦＦする。例えば、書き込み用配線２２をＯＮして書き込み用電流Ｉｗ１を流す→書き込み用配線２１をＯＮして書き込み用電流Ｉｗ２を流す→書き込み用配線２２をＯＦＦして書き込み用電流Ｉｗ１を流すのをやめる→書き込み用配線２１をＯＦＦして書き込み用電流Ｉｗ２を流すのをやめる、という４サイクルの手順となる。
【０１３２】
一方、データの読み出し動作は、選択されたＭＴＪ素子に接続する書き込み用配線２１、２２に読み出し電流を流して、ＭＴＪ素子のデータが読み出される。
【０１３３】
このトグルセル型の磁気記憶装置では、フリー層（強磁性層）４７は、少なくとも強磁性層／非磁性層／強磁性層の三層構造であって、この２つの強磁性層は互いに反強磁性結合していることが望ましい。
【０１３４】
上記のような構成によれば、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、この実施形態に係るトグルセル型の磁気記憶装置では、ＭＴＪ素子の磁化容易軸が、書き込み用配線２２の延設方向（Ｘ方向）または書き込み用配線２１の延設方向（Ｙ方向）に対して傾くように設けられている。さらに、書き込み動作が上記の４サイクルの手順により行われる。
【０１３５】
よって、書き込み用配線２１、２２のいずれか一方のみに書き込み用電流を流した場合に非選択のセルが書き込まれること、即ち、半選択セルの誤書き込みを低減でき、信頼性を向上できる点で有利である。
【０１３６】
この実施形態に係る磁気記憶装置の主要部の製造方法は、第１の実施形態と実質的に同様であるため説明を省略する。
【０１３７】
尚、上記第１乃至第５の実施形態で示した書き込み用配線２１、２２は、一例であり、上記変形例１乃至変形例５で示した種々の書き込み用配線２１、２２等を適用することが可能である。
【０１３８】
また、この発明はＭＴＪ素子に限定されず、例えば、ＧＭＲ（Giant Magneto-resistance）素子、ＣＭＲ（Colossal Magneto-resistance）素子等、その他の磁気抵抗効果素子（magneto-resistance effect element）を備えた磁気記憶装置に適用することが可能である。
【０１３９】
以上、第１乃至第５の実施形態、および変形例１乃至変形例５を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態および各変形例に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記各実施形態および各変形例には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、各実施形態および各変形例に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図２】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図４】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図５】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図６】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図７】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図８】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図９】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１０】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１１】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１２】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１３】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１４】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１５】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１６】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１７】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１８】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図１９】この発明の第1の実施形態に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２０】この発明の変形例１に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図２１】この発明の変形例１に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２２】この発明の変形例１に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２３】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図２４】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２５】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２６】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２７】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２８】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図２９】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３０】この発明の変形例２に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３１】この発明の変形例３に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図３２】この発明の変形例３に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３３】この発明の変形例３に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３４】この発明の変形例３に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３５】この発明の変形例３に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３６】この発明の変形例４に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図３７】この発明の変形例４に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３８】この発明の変形例４に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図３９】この発明の変形例５に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図４０】この発明の変形例５に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図４１】この発明の変形例５に係る磁気記憶装置の一製造工程を示す断面図。
【図４２】この発明の第２の実施形態に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図４３】この発明の第３の実施形態に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図４４】この発明の第４の実施形態に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図４５】この発明の第５の実施形態に係る磁気記憶装置を示す断面図。
【図４６】従来の磁気記憶装置を示す斜視図。
【図４７】従来の磁気記憶装置を示す平面図。
【符号の説明】
【０１４１】
２１、２２…書き込み用配線、ＭＴＪ…ＭＴＪ素子、２４、３４…配線部、２３−１、２３、３３−１〜３３−３…ヨーク部、Ｄ１…書き込み用配線２１、２２間の距離。
【図１】
2006173472.tif 000003
【図２】
2006173472.tif 000004
【図３】
2006173472.tif 000005
【図４】
2006173472.tif 000006
【図５】
2006173472.tif 000007
【図６】
2006173472.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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