(57)【要約】【課題】基板上のエッチング液の流速や廃液濃度を予測するのに加えて、パターン近傍の局所的な流れやキャビティのエッチング進行速度と形状変化等を予測するエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置を提供する。【解決手段】  本発明のエッチング・シミュレーション方法は、基板全体の事象を評価するものとして、ノズルの向きを算出して銅基板上への噴霧量の分布を算出し、これから銅基板上のエッチング液の流速分布を求めるマクロ状態算出部１００と、局所部の事象を評価するものとして、キャビティのエッチレートとエッチファクター、及びキャビティ近傍におけるエッチング液の流速と濃度、さらに前記廃液の濃度を算出するミクロ状態算出部２００とからなる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング液を噴霧するための複数のノズルを配したエッチングチャンバ内に基板を搬送させることで前記基板にキャビティを形成するエッチング処理に関して、前記エッチング処理中のエッチング液の流速及び前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを算出するエッチング・シミュレーション方法であって、
前記ノズル及び前記基板に係る形状及び駆動設計値と、別に算出された前記キャビティ近傍のエッチング液の局所流速とから、前記基板上のエッチング液の流速分布を算出するマクロ状態算出部と、
前記マクロ状態算出部で算出された前記流速分布と前記キャビティの形状設計値と前記エッチング液の温度及び物性値とから、前記基板上の所定の位置に形成される前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを算出するとともに、前記キャビティ近傍におけるエッチング液の前記局所流速を算出して前記マクロ状態算出部に出力するミクロ状態算出部とからなり、
前記エッチング液の流速分布と前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを統合して算出する
ことを特徴とするエッチング・シミュレーション方法。
【請求項２】
前記マクロ状態算出部は、
前記ノズルの前記駆動設計値をもとに、前記基板上のエッチング液の平均液厚を算出する平均液厚算出手段と、
前記ノズルの前記形状及び駆動設計値をもとに、前記ノズルの位置及び向きを算出するノズル軌跡算出手段と、
前記ノズル軌跡算出手段で算出した前記ノズルの位置及び向きから、前記基板上の噴霧量分布を算出する噴霧量分布算出手段と、
前記平均液厚算出手段で算出した前記平均液厚と前記噴霧量分布算出手段で算出した前記噴霧量分布と前記ミクロ状態算出部から入力した前記局所流速とから、前記基板上のエッチング液の流速分布を算出する流速分布算出手段とを備え、
前記ミクロ状態算出部は、
前記平均液厚算出手段で算出した前記平均液厚をもとに前記局所流速を算出する局所流速算出手段と、
前記局所流速算出手段で算出した前記局所流速をもとに、前記キャビティのエッチレートとエッチファクター、及び前記エッチング液と前記廃液の局所濃度を算出するエッチング状態量算出手段とを備える
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング・シミュレーション方法。
【請求項３】
前記流速分布算出手段で算出された前記流速分布と前記エッチング状態算出手段で算出された前記キャビティ近傍でのエッチング液及び廃液の前記局所濃度とから、前記エッチング液の濃度分布を算出する濃度分布算出手段を前記マクロ状態算出部に追加した
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエッチング・シミュレーション方法。
【請求項４】
前記ミクロ状態算出部は、
エッチング液の前記局所流速、前記キャビティの形状設計値、及びエッチング処理時間をパラメータとして前記エッチレート及び前記エッチファクターを設定した所定のテーブルを事前に備え、
前記所定のテーブルをもとに前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを算出する
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のエッチング・シミュレーション方法。
【請求項５】
前記ミクロ状態算出部で対象とする前記基板上の前記所定の位置は、
予め指定された前記基板上のいずれかの１地点、または２以上の地点である
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のエッチング・シミュレーション方法。
【請求項６】
前記ミクロ状態算出部で対象とする前記基板上の前記所定の位置は、
前記基板上の全ての地点である
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のエッチング・シミュレーション方法。
【請求項７】
前記基板及び前記ノズルに係る前記形状及び駆動設計値と前記キャビティの前記形状設計値と前記エッチング液の前記温度及び物性値とを入力する入力部と、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のエッチング・シミュレーション方法に係る所定の演算を行う演算処理部と、
前記演算処理部の演算結果を出力する出力部と
からなることを特徴とするエッチング・シミュレーション装置。
【請求項８】
前記出力部は、
前記演算処理部で算出された前記流速分布及び前記エッチファクターを画像化して表示するための画像表示手段を備える
ことを特徴とする請求項７に記載のエッチング・シミュレーション装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェットエッチング工法におけるエッチング現象を評価するエッチング・シミュレーション方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの高集積化に伴い、半導体チップ間を接続する回路基板においても、配線のさらなる高密度化に加えて大電流化の要求も高まっている。回路基板がより大電流での使用環境となるに伴い、銅基板をより厚くする厚銅化が進められており、例えば従来は主として１５μｍ〜１５０μｍ厚の銅板が使用されていたのに対し、大電流化対応として２００μｍ以上の厚銅板が用いられることもある。
【０００３】
上記のような高密度化、大電流化ないしは厚銅化に伴って、いくつかの課題も顕著になってきている。その一つとして、サイドエッチがより顕著になるという問題がある。サイドエッチとは、銅厚方向へエッチングする間に、レジスト膜の下側で銅厚と垂直な方向へもエッチングされる現象であり、回路器板の高密度化及び厚銅化を図る上での大きな阻害要因の一つとなっている。
【０００４】
また、エッチングプロセスのばらつきも、高密度化への障害となっている。エッチング中の液の分布や濃度が基板上の位置で異なるなど、エッチング効果が基板上の位置で大きく異なることは、回路基板の不良率を増加させる要因となる。特に高周波基板では、厳しい均一性が求められている。
【０００５】
そこで、高密度化や大電流化等の新たなニーズに対応してエッチングプロセスを最適化するために、エッチング現象をできるだけ正確にとらえ、エッチング装置の最適な制御パラメータを決定することが求められている。このような目的に供するために、エッチング現象を理論計算式等に基づいて評価するシミュレーション技術の開発が進められている。
【０００６】
特許文献１は、エッチングチャンバ内に取り付けられた複数のノズルの先端軌道を算出して、基板上の液流分布を算出するシミュレーション方法を提供している。
【０００７】
非特許文献１では、ノズルの軌跡を算出してエッチング液のムラを評価しており、その結果をもとにノズル配置の最適化やノズルの首振り速度の最適化などについて検討した結果が報告されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−５９５７６号
【非特許文献１】「連続回路形成法における高精度エッチング条件」、佐藤光司、北川修次、松下電工技報、２００１年８月号ｐ８２−８７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の技術では以下のような課題がある。
すなわち、エッチング効果は銅表面におけるエッチング液の流速と濃度により決まるが、レジストなどの影響によりパターン近傍の局所的な流れを予測することは非常に困難であった。また、エッチング廃液はエッチングの阻害要因となるが、廃液の濃度を直接シミュレーションした報告はこれまでにない。
【００１０】
特許文献１は、基板上のエッチング液の２次元液流分布を予測しているが、パターン近傍の局所的な流れを予測することはできない。また、廃液濃度も算出できず、エッチングによって形成されるキャビティの形状を知ることもできないといった問題がある。
【００１１】
非特許文献１は、エッチング液の分布を算出しているが、液の流れの状態は計算されていないため、時間的な経過を知ることはできない。また、パターン近傍の局所的な流れや廃液濃度等も算出されておらず、キャビティの形状を知ることもできない。
【００１２】
そこで、本発明はこれらの問題を解決するためになされたものであり、基板上のエッチング液の流速や廃液濃度を予測するのに加えて、パターン近傍の局所的な流れやキャビティのエッチング進行速度と形状変化等を予測するエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明のエッチング・シミュレーション方法の第１の態様は、エッチング液を噴霧するための複数のノズルを配したエッチングチャンバ内に基板を搬送させることで前記基板にキャビティを形成するエッチング処理に関して、前記エッチング処理中のエッチング液の流速及び前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを算出するエッチング・シミュレーション方法であって、前記ノズル及び前記基板に係る形状及び駆動設計値と、別に算出された前記キャビティ近傍のエッチング液の局所流速とから、前記基板上のエッチング液の流速分布を算出するマクロ状態算出部と、前記マクロ状態算出部で算出された前記流速分布と前記キャビティの形状設計値と前記エッチング液の温度及び物性値とから、前記基板上の所定の位置に形成される前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを算出するとともに、前記キャビティ近傍におけるエッチング液の前記局所流速を算出して前記マクロ状態算出部に出力するミクロ状態算出部とからなり、前記エッチング液の流速分布と前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを統合して算出することを特徴とするエッチング・シミュレーション方法である。
【００１４】
第２の態様は、前記マクロ状態算出部が、前記ノズルの前記駆動設計値をもとに、前記基板上のエッチング液の平均液厚を算出する平均液厚算出手段と、前記ノズルの前記形状及び駆動設計値をもとに、前記ノズルの位置及び向きを算出するノズル軌跡算出手段と、前記ノズル軌跡算出手段で算出した前記ノズルの位置及び向きから、前記基板上の噴霧量分布を算出する噴霧量分布算出手段と、前記平均液厚算出手段で算出した前記平均液厚と前記噴霧量分布算出手段で算出した前記噴霧量分布と前記ミクロ状態算出部から入力した前記局所流速とから、前記基板上のエッチング液の流速分布を算出する流速分布算出手段とを備え、前記ミクロ状態算出部が、前記平均液厚算出手段で算出した前記平均液厚をもとに前記局所流速を算出する局所流速算出手段と、前記局所流速算出手段で算出した前記局所流速をもとに、前記キャビティのエッチレートとエッチファクター、及び前記エッチング液と前記廃液の局所濃度を算出するエッチング状態量算出手段とを備えることを特徴とするエッチング・シミュレーション方法である。
【００１５】
第３の態様は、前記流速分布算出手段で算出された前記流速分布と前記エッチング状態算出手段で算出された前記キャビティ近傍でのエッチング液及び廃液の前記局所濃度とから、前記エッチング液の濃度分布を算出する濃度分布算出手段を前記マクロ状態算出部に追加したことを特徴とするエッチング・シミュレーション方法である。
【００１６】
第４の態様は、前記ミクロ状態算出部が、エッチング液の前記局所流速、前記キャビティの形状設計値、及びエッチング処理時間をパラメータとして前記エッチレート及び前記エッチファクターを設定した所定のテーブルを事前に備え、前記所定のテーブルをもとに前記キャビティのエッチレート及びエッチファクターを算出することを特徴とするエッチング・シミュレーション方法である。
【００１７】
第５の態様は、前記ミクロ状態算出部で対象とする前記基板上の前記所定の位置が、予め指定された前記基板上のいずれかの１地点、または２以上の地点であることを特徴とするエッチング・シミュレーション方法である。
【００１８】
第６の態様は、前記ミクロ状態算出部で対象とする前記基板上の前記所定の位置が、前記基板上の全ての地点であることを特徴とするエッチング・シミュレーション方法である。
【００１９】
第７の態様は、前記基板及び前記ノズルに係る前記形状及び駆動設計値と前記キャビティの前記形状設計値と前記エッチング液の前記温度及び物性値とを入力する入力部と、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のエッチング・シミュレーション方法に係る所定の演算を行う演算処理部と、前記演算処理部の演算結果を出力する出力部とからなることを特徴とするエッチング・シミュレーション装置である。
【００２０】
第８の態様は、前記出力部が、前記演算処理部で算出された前記流速分布及び前記エッチファクターを画像化して表示するための画像表示手段を備えることを特徴とするエッチング・シミュレーション装置である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、マクロ的なシミュレーションにより、基板全体のエッチング液の流速分布及び濃度分布を算出するとともに、ミクロ的なシミュレーションにより、前記基板上に形成されるキャビティ形状の進展を評価することが可能となる。
【００２２】
特に、マクロ的なシミュレーションとミクロ的なシミュレーションは、お互いに他方の計算結果を用いながら交互に計算を実行しており、エッチング処理の全体的な現象と局所的な現象を統合して評価することが可能なエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置を提供することができる。
【００２３】
さらに、エッチングプロセスにおける設計条件（ノズル噴霧量分布、首振り周期、基板搬送速度、キャビティ形状など）を総合的に取り扱うことで、製造上及びコスト面で優れた設計指針を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図面を参照して本発明の実施の形態におけるエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置について詳細に説明する。なお、同一機能を有する各構成部については、図示及び説明簡略化のため、同一符号を付して示す。
【００２５】
はじめに、エッチング処理の概要を説明する。図２は、銅基板にエッチング処理を施すエッチング装置を模式的に示した図であり、上から見た平面図を表している。エッチング装置３００として、同図ではエッチング液を噴霧するための複数のノズル３０１と、各ノズル３０１にエッチング液を供給するための配管３０２が記載されている。
【００２６】
エッチングが行われる銅基板３０３は、表面に所定のパターンが描かれたレジストが密着されており、ノズル３０１の下を矢印３０４の方向に所定の速度で搬送されている。銅基板３０３は、所定の厚さで均一のものが用いられる。
【００２７】
ノズル３０１は、銅基板３０３から所定の高さの上部に配置されており、各ノズル３０１からエッチング液が銅基板３０３の表面に噴霧される構造となっている。図２には、各ノズル３０１から銅基板３０３の表面上にエッチング液が噴霧される範囲３０５を示している。
【００２８】
ノズルの駆動方式として、首振り型と平行移動型が一般に知られている。図２では前記首振り型を示しており、ノズル３０１は、配管３０２を軸に所定の角度の範囲で周期的に首振り運動を行っている。すなわち、ノズル３０１から銅基板３０３に下ろした垂線を中心に、配管３０２に直角な平面上を所定の角度の範囲で繰り返し反復回転するような構成となっている。これに対し前記平行移動型の場合には、ノズル３０１が配管とともに銅基板３０３の進行方向と直角の方向に反復運動する。尚、ノズルの駆動方式としては、首振り型と平行移動型の両者を組合わせたものを用いてもよい。
【００２９】
ノズル３０１相互間の距離（ピッチ）及びノズル３０１と銅基板３０３との距離は、噴霧範囲３０５や銅基板３０３の搬送速度等を考慮して、エッチング液が銅基板３０３上にできるだけ均等に噴霧されるように決定されている。また、ノズル３０１の駆動方式が前記首振り型の場合には振れ角と回転速度が、前記平行移動型の場合には移動距離と移動速度が、両者を組合わせた首振り平行移動型の場合にはノズル３０１の振れ角、回転速度、移動距離と移動速度が、上記と同様にエッチング液ができるだけ均等に噴霧されるよう決定されている。
【００３０】
次に、エッチング処理により銅基板３０３にキャビティが形成されていく過程を、図３を用いて説明する。図３は、銅基板３０３の局所部において、銅基板３０３がエッチングされてキャビティ３１４が形成される過程を模式的に示した図である。銅基板３０３の表面には、回路パターンを形成する位置にレジスト３１１が密着されており、それ以外の位置にはレジスト３１１が密着されていない。
【００３１】
銅基板３０３の上からエッチング液３１２が噴霧されており、銅基板３０３の上面ではエッチング液３１２が矢印３１３の方向に流れを形成していることが示されている。エッチング液３１２は、銅基板３０３上でほぼ均等の厚さで分布している。レジスト３１１が密着されていない位置の銅基板３０３には、銅がエッチング液３１２で溶解されてキャビティ３１４が形成される。
【００３２】
キャビティ３１４は、レジスト３１１が密着されていない位置のみに形成されるのが望ましい。しかしながら、キャビティ３１４内に流入したエッチング液３１２は、キャビティ３１４の側面も溶解するため、レジスト３１１が密着された位置にもキャビティが進展していく。これがサイドエッチの現象であり、図３では３１５の位置にサイドエッチの現象が見られる。
【００３３】
図２及び図３を用いて説明したエッチング処理による現象を、所定の理論式等に基づいて定量的に解析するシミュレーション方法を以下に説明する。図１は、本発明のエッチング・シミュレーション方法に係る実施の形態を説明するための処理の流れ図である。
【００３４】
本実施の形態のシミュレーション方法は、マクロ状態算出部１００とミクロ状態算出部２００とからなっている。マクロ状態算出部１００は、図２に示すエッチング処理全体の事象を評価するもので、ノズル３０１の向きを算出して銅基板３０３上への噴霧量の分布を算出し、これから銅基板３０３上のエッチング液の流速分布を求めるものである。
【００３５】
一方、ミクロ状態算出部２００は、図３に示すキャビティ３１４が形成された局所部周辺の事象を評価するもので、キャビティ３１４のエッチレートとエッチファクター、及びキャビティ３１４近傍におけるエッチング液３１２の流速と濃度、さらに前記廃液の濃度を算出する。
【００３６】
マクロ状態算出部１００は、マクロ状態計算条件設定手段１１０、平均液厚算出手段１２０、ノズル軌跡算出手段１３０、噴霧量分布算出手段１４０、流速分布算出手段１５０、濃度分布算出手段１６０、及びマクロ状態量出力手段１７０からなっている。
【００３７】
本実施の形態のマクロ状態算出部１００は、濃度分布算出手段１６０を有しているが、濃度分布算出手段１６０を用いない実施形態であってもよい。この場合には、エッチング液３１２の濃度と前記廃液の濃度は算出されない。
【００３８】
マクロ状態計算条件設定手段１１０は、エッチング装置３００の運転条件に係るデータを設定するための手段である。エッチング装置３００の運転条件には、銅基板３０３のサイズ、銅基板３０３の搬送速度、ノズル３０１の配置位置、ノズル３０１の噴霧量分布、及びノズル３０１の運動条件が含まれる。ノズル３０１の該運動条件は、前記首振り型の場合には振れ角と回転速度、前記平行移動型の場合にはノズル３０１の移動距離と移動速度を含む。
【００３９】
平均液厚算出手段１２０は、マクロ状態計算条件設定手段１１０で設定されたノズル３０１の前記噴霧量分布等をもとに、銅基板３０３上のエッチング液３１２の平均液厚を算出する。ここでは、液表面圧力を０Ｐａと仮定し、ベルヌーイの式とブラジウスの式を用いて平均液厚を算出する。エッチング液３１２の液厚は、銅基板３０３全体にわたって一定と仮定しており、ここで算出した前記平均液厚を以降の計算に用いている。
【００４０】
ノズル軌跡算出手段１３０は、マクロ状態計算条件設定手段１１０からノズル３０１の前記配置位置と前記運動条件とを入力し、これをもとにノズル３０１の軌跡を表す方程式を作成し、該方程式に基づいて各時点でのノズル３０１の噴霧口の位置と向きを算出している。
【００４１】
噴霧量分布算出手段１４０は、ノズル軌跡算出手段１３０で算出した前記噴霧口の位置と向きから、前記エッチング液が各ノズル３０１から噴霧されて銅基板３０３上に到達する領域３０５を算出している。ここでは、ノズル３０１からエッチング液が噴霧される範囲を、例えばノズル３０１の前記噴霧口を頂点とする三角錐であると仮定し、該三角錐と銅基板３０３とが交わる面を噴霧領域３０５とすることができる。
【００４２】
噴霧量分布算出手段１４０ではさらに、上記で算出された各ノズル３０１の噴霧領域３０５から、銅基板３０３上の地点（計算格子）毎にエッチング液３１２が噴霧されてくるノズル３０１を同定し、これをもとにエッチング液３１２の噴霧量分布を算出する。
【００４３】
流速分布算出手段１５０は、平均液厚算出手段１２０で算出した前記平均液厚と噴霧量分布算出手段１４０で算出した前記噴霧量分布とをもとに、ナビエーストークスの式を用いてエッチング液３１２の流速分布を算出する。また、後述のミクロ状態算出部２００で算出されるキャビティ近傍でのエッチング液３１２の局所的な流速が与えられた場合には、前記局所的な流速を圧力損失として反映した前記流速分布を算出する。
【００４４】
濃度分布算出手段１６０は、流速分布算出手段１５０で算出された前記流速分布と、後述のミクロ状態算出部２００で算出されるキャビティ近傍でのエッチング液３１２及び前記廃液の濃度とを用いて、銅基板３０３全体にわたるエッチング液３１２の濃度分布を算出する。
【００４５】
マクロ状態量出力手段１７０は、上記で算出されたエッチング液３１２の前記流速分布及び前記濃度分布を外部表示装置等に出力するためのものである。マクロ状態量出力手段１７０はまた、前記流速分布及び前記濃度分布をミクロ状態算出部２００にも出力する。
【００４６】
次に、ミクロ状態算出部２００について以下に説明する。ミクロ状態算出部２００は、ミクロ状態計算条件設定手段２１０、局所流速算出手段２２０、エッチング状態算出量手段２３０、及びミクロ状態量出力手段２４０からなっている。
【００４７】
ミクロ状態計算条件設定手段２１０は、キャビティ３１４の形状設計値とエッチング液３１２の温度及び物性値を設定する。エッチング液３１２の物性値としては、塩酸濃度及び粘度等がある。さらに、ミクロ状態計算条件設定手段２１０では、以下の各算出手段で評価対象とする銅基板３０３上の位置の指定を行う。
【００４８】
ミクロ状態算出部２００が評価対象とする前記位置は、銅基板３０３上のいずれか１地点としてもよいし、例えば銅基板３０３の中心部と周辺部の複数の地点を選択して指定してもよい。さらには、銅基板３０３上の全ての地点とすることも可能である。
【００４９】
局所流速算出手段２２０は、平均液厚算出手段１２０で算出した前記平均液厚をもとに、ナビエーストークスの式を用いて当該地点における局所流速を算出する。
【００５０】
エッチング状態量算出手段２３０は、局所流速算出手段２２０で算出した前記局所流速をもとに銅基板３０３の溶解量を算出し、これからキャビティ３１４の前記エッチレートと前記エッチファクター、及びエッチング液３１２と前記廃液の局所濃度を算出する。
【００５１】
ミクロ状態量出力手段２４０は、上記で算出された前記エッチレート、前記エッチファクター、及び前記局所濃度を外部表示装置等に出力する。ミクロ状態量出力手段２４０はまた、前記局所流速及び前記局所濃度をマクロ状態算出部１００にも出力する。
【００５２】
上記のマクロ状態算出部１００とミクロ状態算出部２００は、所定の時間幅ずつ時間を進めながら実行され、所定のエッチング処理時間に達すると計算を終了する。また、マクロ状態算出部１００とミクロ状態算出部２００は、お互いに他方の計算結果を用いながら交互に計算を実行しており、エッチング処理の全体的な現象と局所的な現象を統合して評価できるようにしている。
【００５３】
上記のようになされた本実施の形態のエッチング・シミュレーション方法によれば、マクロ状態算出部１００で評価した銅基板３０３上の前記流速分布を用いて、キャビティ３１４近傍の局所領域における流速及びキャビティ拡散過程を算出することができ、時々刻々のキャビティ形状の変化を予測することが可能となる。
【００５４】
本発明の別の実施の形態として、ミクロ状態算出部２００のエッチング状態量算出手段２４０に代わり、事前に作成された所定のテーブルを用いることができる。前記所定のテーブルは、エッチング液３１２の前記局所流速、キャビティ３１４の形状設計値、及びエッチング処理時間をパラメータとして、前記エッチレートと前記エッチファクターが設定されている。
【００５５】
本実施の形態では、上記のように作成された前記所定のテーブルをもとに、局所流速算出手段２３０で算出した前記局所流速と、ミクロ状態計算条件設定手段２１０で設定されたキャビティ３１４の前記形状設計値、及び該シミュレーションにおいて積算して計算されている前記エッチング処理時間とから、キャビティ３１４の前記エッチレート及び前記エッチファクターを算出している。このような前記所定のテーブルを用いることにより、計算時間を大幅に高速化できるという効果が得られる。
【００５６】
本発明のエッチング・シミュレーション装置の実施の形態を図４に示す。エッチング・シミュレーション装置４００は、入力部４１０と演算処理部４２０と出力部４３０から構成されている。
【００５７】
入力部４１０は、マクロ状態計算条件設定手段１１０で設定されるデータと、ミクロ状態計算条件設定手段２１０で設定されるデータを入力する手段を提供するものである。入力部４１０で入力された前記各データは、演算処理部４２０に出力される。また、入力部４１０は、ミクロ状態算出部２００が評価対象とする銅基板３０３上の位置を入力する手段を提供する。
【００５８】
演算処理部４２０は、所定の性能のＣＰＵ及び記憶装置等からなり、本発明のエッチング・シミュレーション方法に基づいて作成されたプログラムを実行させるものである。
【００５９】
出力部４３０は、演算処理部４２０で前記プログラムを実行して得られた計算結果を出力するためのものであり、前記流速分布、前記濃度分布、前記エッチレート、前記エッチファクター、及び前記局所濃度等を外部に出力する手段を提供する。
【００６０】
本実施の形態では、出力部４３０は画像表示手段４３１を有しており、前記計算結果を画像化して表示することが可能となっている。画像表示の一実施例を図５に示す。図５（ａ）は、前記流速分布を画像化して表示したものであり、図５（ｂ）は前記エッチファクターをもとに、銅基板３０３に形成されるキャビティ３１４を画像化して表示したものである。
【００６１】
このような画像表示を用いることにより、エッチング液３１２のよどみの有無等のエッチング処理状態を視覚的に確認することができ、エッチング処理に係る運転条件等が適切か否かを速やかに判定できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、本発明のエッチング・シミュレーション方法に係る実施の形態を説明するための処理の流れ図である。
【図２】図２は、銅基板にエッチング処理を施すエッチング装置を模式的に示した平面図である。
【図３】図３は、エッチングにより銅基板の局所部にキャビティが形成される過程を模式的に示した図である。
【図４】図４は、本発明のエッチング・シミュレーション装置の実施の形態を説明するブロック図である。
【図５】図５は、本発明のエッチング・シミュレーション装置の出力部に表示される画像の一実施例を説明する図である。図５（ａ）は、エッチング液の流速分布を画像化して表示したものであり、図５（ｂ）は、銅基板に形成されるキャビティを画像化して表示したものである。
【符号の説明】
【００６３】
１００・・・マクロ状態算出部
１１０・・・マクロ状態計算条件設定手段
１２０・・・平均液厚算出手段
１３０・・・ノズル軌跡算出手段
１４０〜１４４・・・噴霧量分布算出手段
１５０・・・流速分布算出手段
１６０・・・濃度分布算出手段
１７０・・・マクロ状態量出力手段
２００・・・ミクロ状態算出部
２１０・・・ミクロ状態計算条件設定手段
２２０・・・局所流速算出手段
２３０・・・エッチング状態量算出手段
２４０・・・ミクロ状態量出力手段
３００・・・エッチング装置
３０１・・・ノズル
３０２・・・配管
３０３・・・銅基板
３０４・・・矢印
３０５・・・噴霧される範囲
３１１・・・レジスト
３１２・・・エッチング液
３１３・・・矢印
３１４・・・キャビティ
３１５・・・サイドエッチ
４００・・・エッチング・シミュレーション装置
４１０・・・入力部
４２０・・・演算処理部
４３０・・・出力部
４３１・・・画像表示手段
【図１】
2006265641.tif 000003
【図２】
2006265641.tif 000004
【図３】
2006265641.tif 000005
【図４】
2006265641.tif 000006
【図５】
2006265641.tif 000007