(57)【要約】 【課題】  ＳＡＷデバイスのＩＤＴ電極上に付着させた絶縁膜の上から強固に超音波ボンディングする手段を得る。【解決手段】  圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置すると共に該ＩＤＴ電極上に絶縁膜を付着し、これをパッケージに収容して構成した弾性表面波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極のパッド電極と前記パッケージの端子電極とを接続するボンディングワイヤの線形をφ３０μｍより太くして弾性表面波デバイスを構成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置すると共に該ＩＤＴ電極を含む圧電基板主面の全面に絶縁膜を付着し、これをパッケージに収容して構成した弾性表面波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極のパッド電極と前記パッケージの端子電極とを接続するボンディングワイヤの線形をφ３０μｍより太くしたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記ボンディングワイヤの線形をφ４０μｍより太くしたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面波デバイスに関し、特にＩＤＴ電極とパッケージの端子とを結ぶボンディングワイヤの線径を太くした表面波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）は通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話等に多く用いられている。図２は、ＳＡＷデバイスの一つであるトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの構成を示す概略平面図であって、圧電基板１１の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って２つのＩＤＴ電極１２、１３を所定の間隙を隔して配置すると共に、該ＩＤＴ電極１２、１３の間に電極１４（ベタ電極）を配設する。ＩＤＴ電極１２、１３はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対の櫛形電極より構成されており、ＩＤＴ電極１２の一方の櫛形電極はボンディングワイヤ１６ａにて入力端子電極ＩＮに接続すると共に、他方の櫛形電極はボンディングワイヤ１６ｂにて接地電極に接続する。そして、ＩＤＴ電極１３の一方の櫛形電極はボンディングワイヤ１７ａにて出力端子電極ＯＵＴに接続すると共に、他方の櫛形電極はボンディングワイヤ１６ｂにて接地電極に接続して、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタを構成する。この際、ボンディングワイヤの線径はφ３０μｍが一般的に用いられている。
なお、ＩＤＴ電極１２、１３の間に設けた電極１４は接地し、その作用は入出力端子間の直達波の遮蔽用として機能している。そして、圧電基板１１の長辺方向（表面波伝搬方向）の両端に弾性表面波吸収体（吸音材）１５を塗布して不要反射波を抑圧するのが一般的である。また、ＩＤＴ電極１２、１３の両外側にグレーティング反射器を設ける場合もある。
【０００３】
ＳＡＷデバイスのＩＤＴ電極を形成する際、あるいはＳＡＷデバイスに振動、衝撃等が印加された際にＩＤＴ電極等から微小な金属粉がはがれ、この金属粉がＩＤＴ電極の電極指間に付着して短絡し、ＩＤＴ電極の性能を劣化させる問題があった。この問題の解決方法として、予めＩＤＴ電極等の上面に絶縁物、例えばＳｉＯ２の薄膜を付着させ、金属粉による電極指間短絡を防止する方法が採用されている。しかし、ボンディングワイヤの接続部であるボンディングパッド部を避けて絶縁物薄膜を付着させるにはマスク等が必要となる。
【０００４】
ＩＤＴ電極上に付着させる絶縁膜の厚さとしては、特開平５−２２０６７号公報に開示されているように、ＩＤＴ電極上に１００Åから１０００ÅのＳｉＯ２膜を付着することにより、耐湿性が改善されたことが記述されている。また、特開平７−３２６９４２号公報にはＩＤＴ電極上にｋｈ≦０．１５（ｈは絶縁膜の厚さ、ｋはλを表面波の波長としたとき、ｋ＝２π／λを満たす空間周波数）を満たす絶縁膜を付着することにより、ＳＡＷデバイスの周波数調整が可能になることが開示されている。
【特許文献１】特開５−２２０６７号公報
【特許文献２】特開７−３２６９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＩＤＴ電極上に絶縁膜を付着する際に、ボンディングパッド部を避けて絶縁物薄膜を付着させるにはマスク等が必要であり、さらにマスクの位置決めに工数を要するという問題があった。また、マスクを用いないで全面に絶縁膜を付着し、絶縁膜の上から該絶縁膜を破壊してボンディングパッド部とφ３０のボンディングワイヤとを超音波溶接すること可能であるが、ボンディングパッド部へ直接ボンディングするのに比べ、ボンディングワイヤの接合強度が低下し、衝撃、振動等に対しＳＡＷデバイスの信頼性が大幅に低下するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、絶縁膜の上からワイヤボンディングするため、請求項１の発明は、圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を配置すると共に該ＩＤＴ電極を含む圧電基板主面の全面に絶縁膜を付着し、これをパッケージに収容して構成した弾性表面波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極のパッド電極と前記パッケージの端子電極とを接続するボンディングワイヤの線形をφ３０μｍより太くして弾性表面波デバイスを構成したことを特徴とする。
請求項２の発明は、前記ボンディングワイヤの線形をφ４０μｍより太くしたことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の弾性表面波デバイスは、ボンディングワイヤの線形を太くするため、溶接器の超音波出力を大きくできるので、絶縁膜の上からボンディングしても、ボンディングパッドとボンディングワイヤとの接合は大幅に強力となり、ボンディングパッド部を覆うマスクが不要となるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は本発明に係るＳＡＷデバイスの一つである縦結合二重モードＳＡＷフィルタの実施の形態を示す平面図であって、圧電基板１の主表面上に弾性表面波の伝搬方向に沿って、２つのＩＤＴ電極２、３を近接配置すると共に、該ＩＤＴ電極２、３の両側にグレーティング反射器４ａ、４ｂを配設する。そして、ＩＤＴ電極２、３及びグレーティング反射器４ａ、４ｂを含む圧電基板主表面の全面を覆うように厚さ１０００Å以下のＳｉＯ２膜５を付着する。尚、ここで全面にＳｉＯ２膜を付着することは、ＩＤＴ電極のパッド部分をマスクした上で成膜する必要がないということを意味するのであって、成膜時に圧電基板を保持するための治具によりＳｉＯ２膜が成膜されない部分があったとしても、実質的に圧電基板全面に成膜したものであり、本発明に含まれる。
ＩＤＴ電極２、３はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛形電極により形成され、ＩＤＴ電極２の一方の櫛形電極はボンディングワイヤ６ａにより入力端子電極ＩＮに接続すると共に、他方の櫛形電極はボンディングワイヤ６ｂにより接地電極に接続する。さらに、ＩＤＴ電極３の一方の櫛形電極はボンディングワイヤ７ａにより出力端子電極ＯＵＴに接続すると共に、他方の櫛形電極はボンディングワイヤ７ｂにより接地電極に接続して、縦結合二重モードＳＡＷフィルタを構成する。
【０００９】
本発明の特徴は、ＩＤＴ電極の上面に付着する絶縁膜（ＳｉＯ２膜）５を破壊し、その下のボンディングパッド部（パッド電極）と強固に溶接するため、溶接器の超音波出力を大きくすることを想致した。このためにはボンディングワイヤの線径を太くすることが必要であり、線形の太さを実験的に見出したことである。実験によると、線形がφ３０μｍより細いと超音波出力を十分に大きくできず、ボンディングワイヤとボンディングパッド部との接合強度が不足し、振動、衝撃等で接合部分があ破損する場合があることが分かった。そこで、ボンディングワイヤの線径をφ３０μｍより太くすることにより、強力な超音波を加えて絶縁膜を破壊できるので、その下のボンディングパッド部との接合強度も大幅に改善され、要求される振動、衝撃等の試験にも十分に耐えられることが判明した。
【００１０】
さらに、ボンディングワイヤの線径をφ４０μｍより太くして実験を行ったが、接合強度は十分に強固であり、振動、衝撃等の試験にも十分に耐えられることを確認した。
【００１１】
以上の説明では、ＳＡＷデバイスの一つである縦結合二重モードＳＡＷフィルタを例にして本発明を説明したが、１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタ、一端子対ＳＡＷ共振子、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタ、横結合二重モードＳＡＷフィルタ等に適用できることは説明するまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係る縦結合二重モードＳＡＷフィルタの構造を示した概略構成図である。
【図２】トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの構成を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００１３】
１  圧電基板
２、３  ＩＤＴ電極
４ａ、４ｂ  グレーティング反射器
５  絶縁膜
６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ  ボンディングワイヤ
【図１】
2006203299.tif 000003
【図２】
2006203299.tif 000004