(57)【要約】【課題】フリッカの発生を低減させ、サステインパルスの個数または維持時間を調節して放電特性を向上させることが可能なプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイ装置、プラズマディスプレイパネルの駆動装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供する。【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルと、電極を駆動するための駆動部と、１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、複数のサブフィールド群において駆動部を制御し、複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くするサステインパルス制御部と、を備える。【選択図】図８
2006293303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群において前記駆動部を制御し、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くするサステインパルス制御部と、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記サステインパルス制御部は、１個のサブフィールド群が、２個以上の低階調サブフィールドを含み、同一のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、全て同一にすることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記サステインパルス制御部は、１個のサブフィールド群が、２個以上の低階調サブフィールドを含み、同一のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドのうち少なくとも一つは、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他の低階調サブフィールドと異ならせることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記サステインパルス制御部が、１個のサブフィールド群内において、単位階調当たりのサステインパルスの個数が異なる２個の低階調サブフィールドのうち第２の低階調サブフィールドよりも階調値がより小さな第１の低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、第２のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数よりも多くすることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記低階調サブフィールドが、１サブフィールド群内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最小であるサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記低階調サブフィールドが、１サブフィールド群内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最小であるサブフィールドであることを特徴とする、請求項５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記低階調サブフィールドが、１フレーム内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最大であるサブフィールドのサステインパルスの総数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記低階調サブフィールドが、１フレームのサステインパルスの総数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
少なくとも一つ以上のサブフィールド群内におけるサブフィールドが、階調値の大きさの順に不規則に配列されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記各フレーム間には、所定の長さを有する休止期間が含まれ、前記フレームのサブフィールド群は、同一のフレーム内において連続であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記各フレーム間には、所定の長さを有する第１の休止期間が含まれ、同一のフレーム内において、前記サブフィールド群の間には、所定の長さを有する第２の休止期間がさらに含まれることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第１の休止期間と前記第２の休止期間の長さが、同一であることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記複数のサブフィールド群が、それぞれ複数のサブフィールドを含み、前記複数のサブフィールド群は、各群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記複数のサブフィールド群が、それぞれ複数のサブフィールドを含み、前記複数のサブフィールド群は、各群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記フレームが、２個のサブフィールド群に分けられ、前記２個のサブフィールド群は、それぞれ複数のサブフィールドを含み、前記２個のサブフィールド群は、各サブフィールド群内において、サブフィールドの異なる階調値の大小関係に基づく順序で配列されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記２個のサブフィールド群のいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする、請求項１５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする、請求項１５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列され、前記２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されることを特徴とする、請求項１５に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記電極を駆動するための駆動部と、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群において前記駆動部を制御し、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くするサステインパルス制御部と、を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項２０】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルにおいて、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くして駆動されることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数が、他のサブフィールドよりも多くして駆動することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２２】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルと、
前記電極を駆動するための駆動部と、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群において前記駆動部を制御し、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他のサブフィールドよりも長くするサステインパルス制御部と、
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記サステインパルス制御部は、１個のサブフィールド群が、２個以上の低階調サブフィールドを含み、同一のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、全て同一にすることを特徴とする、請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２４】
前記サステインパルス制御部は、１個のサブフィールド群が、２個以上の低階調サブフィールドを含み、同一のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドのうち少なくとも一つは、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他の低階調サブフィールドと異ならせることを特徴とする、請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記サステインパルス制御部が、１個のサブフィールド群内において、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが異なる２個の低階調サブフィールドのうち第２の低階調サブフィールドよりも階調値がより小さな第１の低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、第２のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さよりも長くすることを特徴とする、請求項２４に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２６】
前記低階調サブフィールドが、１サブフィールド群内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最小であるサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする、請求項２２乃至２５のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２７】
前記低階調サブフィールドが、１サブフィールド群内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最小であるサブフィールドであることを特徴とする、請求項２６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２８】
前記低階調サブフィールドが、１フレーム内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最大であるサブフィールドのサステインパルスの総数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項２２乃至２５のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２９】
前記低階調サブフィールドが、１フレームのサステインパルスの総数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする、請求項２２乃至２５のうちいずれか一項に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３０】
少なくとも一つ以上のサブフィールド群内におけるサブフィールドが、階調値の大きさの順に不規則に配列されることを特徴とする、請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３１】
前記各フレーム間には、所定の長さを有する休止期間が含まれ、前記フレームのサブフィールド群は、同一のフレーム内において連続であることを特徴とする、請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３２】
前記各フレーム間には、所定の長さを有する第１の休止期間が含まれ、同一のフレーム内において、前記サブフィールド群の間には、所定の長さを有する第２の休止期間がさらに含まれることを特徴とする請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３３】
前記第１の休止期間と前記第２の休止期間の長さが、同一であることを特徴とする請求項３２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３４】
前記複数のサブフィールド群が、それぞれ複数のサブフィールドを含み、前記複数のサブフィールド群は、各群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３５】
前記複数のサブフィールド群が、それぞれ複数のサブフィールドを含み、前記複数のサブフィールド群は、各群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３６】
前記フレームが、２個のサブフィールド群に分けられ、前記２個のサブフィールド群は、それぞれ複数のサブフィールドを含み、前記２個のサブフィールド群は、各サブフィールド群内において、サブフィールドの異なる階調値の大小関係に基づく順序で配列されることを特徴とする請求項２２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３７】
前記２個のサブフィールド群のいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする請求項３６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３８】
前記２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする請求項３６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３９】
前記２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列され、前記２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されることを特徴とする請求項３６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４０】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記電極を駆動するための駆動部と、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群において前記駆動部を制御し、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他のサブフィールドよりも長くするサステインパルス制御部と、
を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項４１】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルにおいて、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他のサブフィールドよりも長くして駆動されることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
【請求項４２】
スキャン電極及びサステイン電極と、前記スキャン電極及び前記サステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、前記複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが、他のサブフィールドよりも長くして駆動することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関し、より詳しくは、ＰＡＬ駆動方式において、サステイン期間に印加されるサステインパルスの個数または維持時間を調節する、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイ装置、プラズマディスプレイパネルの駆動装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という）は、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が１個の単位セルをなすものであり、各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）またはネオン及びヘリウムの混合ガス（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電ガスと少量のキセノンを含有する不活性ガスが充填されている。高周波電圧により放電されるとき、不活性ガスは、真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）を発生し、隔壁間に形成された蛍光体を発光させて画像が表示される。このようなＰＤＰは、薄型かつ軽量の構成が可能であるので、次世代の表示装置として注目されている。
【０００３】
図１は、一般のＰＤＰの構造を示す図である。
【０００４】
図１に示すように、ＰＤＰは、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス１０１であって、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３とが対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル１００と、背面をなす後面ガラス１１１であって、前記複数の維持電極対と交差して複数のアドレス電極１１３が配列された後面パネル１１０とが、一定の距離を置いて平行に結合される。
【０００５】
前面パネル１００には、１個の放電セルにおいて相互放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３、すなわち、透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極ａと、金属材質で作製されたバス電極ｂとを備えたスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が対をなして設けられている。スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３は、放電電流を制限するとともに、電極対間を絶縁させる一つ以上の上部誘電体層１０４により覆われ、上部誘電体層１０４の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層１０５が形成される。
【０００６】
後面パネル１１０は、複数個の放電空間、すなわち、放電セルを形成させるためのストライプ状（または、ウェル状）の隔壁１１２が平行を維持して配列される。また、アドレス放電を行って真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極１１３が、隔壁１１２に対して平行に配置される。後面パネル１１０の上側面には、アドレス放電の際に画像表示のための可視光線を放出するＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体１１４が塗布される。アドレス電極１１３と蛍光体１１４との間には、アドレス電極１１３を保護するための下部誘電体層１１５が形成される。
【０００７】
このようなＰＤＰにおける画像階調の具現方法は、以下の図２の通りである。
【０００８】
図２は、従来のＰＤＰの画像階調の具現方法を示す図である。
【０００９】
図２に示すように、従来のＰＤＰの画像階調（Ｇｒａｙ Ｌｅｖｅｌ）の表現方法は、１フレームを発光回数の異なる数個のサブフィールドに分け、各サブフィールドは、さらに全てのセルを初期化させるためのリセット期間ＲＰＤと、放電すべきセルを選択するためのアドレス期間ＡＰＤと、放電回数により階調を具現するサステイン期間ＳＰＤとに分けられる。例えば、２５６階調で画像を表示しよとうする場合、１／６０秒に該当するフレーム期間（１６．６７ｍｓ）は、図２のように８個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分けられ、８個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間にさらに分けられるようになる。
【００１０】
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールド毎に同一である。放電すべきセルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極とスキャン電極である透明電極との間の電圧差によって引き起こされる。サステイン期間は、各サブフィールドにおいて、２ｎ（但し、ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加する。このように各サブフィールドにおけるサステイン期間が異なるので、各サブフィールドのサステイン期間、すなわち、サステイン放電回数を調節して画像の階調を表現するようになる。このようなＰＤＰの駆動方法による駆動波形を、以下の図３に示す。
【００１１】
図３は、従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形を示す図である。
【００１２】
図３に示すように、ＰＤＰは、全てのセルを初期化させるためのリセット期間と、放電すべきセルを選択するためのアドレス期間と、選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間と、放電されたセル内の壁電荷を消去するための消去期間とに分けられて駆動される。
【００１３】
リセット期間において、セットアップ期間には、全てのスキャン電極に立上りランプ波形（Ｒａｍｐ−ｕｐ）が同時に印加される。この立上りランプ波形によって、全画面の放電セル内には、弱い暗放電（Ｄａｒｋ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が引き起こされる。このセットアップ放電により、アドレス電極とサステイン電極との上には正極性壁電荷が蓄積され、スキャン電極の上には負極性壁電荷が蓄積されるようになる。
【００１４】
セットダウン期間には、立上りランプ波形が供給された後、立上りランプ波形のピーク電圧よりも低い正極性の電圧から落ち始め、グランド（ＧＮＤ）レベル電圧以下の特定の電圧レベルまで落ちる立下りランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎ）が、セル内に微弱な消去放電を引き起こすことにより、スキャン電極に過渡に形成された壁電荷を充分に消去させるようになる。このセットダウン放電により、アドレス放電が安定に行われる程度の壁電荷がセル内に均一に残される。
【００１５】
アドレス期間には、負極性のスキャンパルスがスキャン電極に順次印加されるとともに、スキャンパルスに同期されてアドレス電極に正極性のデータパルスが印加される。このスキャンパルスとデータパルスとの電圧差と、リセット期間に生成された壁電圧とが加えられることにより、データパルスが印加される放電セル内には、アドレス放電が発生する。アドレス放電により選択されたセル内には、サステイン電圧Ｖｓが印加されるとき、放電を引き起こす程度の壁電荷が形成される。サステイン電極には、セットダウン期間とアドレス期間との間、スキャン電極との電圧差を減らしてスキャン電極との誤放電が生じないように、正極性の電圧Ｖｚが供給される。
【００１６】
サステイン期間には、スキャン電極とサステイン電極に交互にサステインパルスｓｕｓが印加される。アドレス放電により選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスが加えられることにより、サステインパルスが印加される度に、スキャン電極とサステイン電極との間にサステイン放電、すなわち、表示放電が引き起こされるようになる。
【００１７】
サステイン放電が完了した後、消去期間では、パルス幅と電圧レベルの小さな消去ランプ波形（Ｒａｍｐ−ｅｒｓ）の電圧が、サステイン電極に供給されて全画面のセル内に残された壁電荷を消去させるようになる。
【００１８】
このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドにおいて、単位階調当たりのサステインパルスの個数が同一である。
【００１９】
このような従来の駆動波形において、サステインパルスの個数は、以下の図４の通りである。
【００２０】
図４は、図３の従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数をより詳しく説明する図である。
【００２１】
図４に示すように、従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形における、単位階調当たりのサステインパルスの個数が、全てのサブフィールドで同一である。
【００２２】
例えば、この図４におけるように、従来の駆動波形において、１０個のサステインパルスの重み１、すなわち、階調１を具現するならば、第１のサブフィールドでの階調とサステインパルス個数との比は、階調１：サステインパルス１０個である。言い換えると、単位階調当たりの供給されるサステインパルスの個数が、全てのサブフィールドにおいて同一である。例えば、第２のサブフィールドにおいて、階調２を具現するために、２０個のサステインパルスを印加すると、第８のサブフィールドでも、階調１２８を具現するためには、１２８０個のサステインパルスを印加することである。
【００２３】
このような階調とサステインパルスの個数との比は、上述した第１のサブフィールドだけでなく、第２、３、４、５、６、７、８のサブフィールドにおける比と同一である。
【００２４】
このように全てのサブフィールドにおいて、単位階調当たりのサステインパルスの個数が同一である従来の駆動方法では、階調値が相対的に低い低階調サブフィールドにおいて、他の高階調サブフィールドと比較するとき、リセット期間において、放電セル内に充分量の壁電荷が生成しないという問題点があった。これにより、階調値が相対的に低い低階調サブフィールドでは、以降のアドレス放電が不安定になり、さらに、アドレス放電以降のサステイン放電が不安定になるという問題点があった。
【００２５】
また、このような従来の駆動波形は、全てのサブフィールドにおいて、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが同一である。
【００２６】
このような従来の駆動波形において、サステインパルスの維持時間の長さは、以下の図５の通りである。
【００２７】
図５は、図３の従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの維持時間の一例をより詳しく説明する図である。
【００２８】
図５に示すように、従来の駆動波形では、全てのサブフィールドのサステイン期間において、印加されるサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、サステインパルスの幅が同一である。例えば、図５のように、全てのサブフィールドのサステイン期間において、サステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、サステインパルスの幅は、Ｗとして一定に維持される。
【００２９】
このような図５の駆動波形とは異なり、１個のサステイン期間のサステインパルスのうちいずれか一つの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅を増加させることもできるが、このような駆動波形は、以下の図６の通りである。
【００３０】
図６は、図３の従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの幅の他の例をより詳しく説明する図である。
【００３１】
図６に示すように、従来の他の駆動波形では、サステイン期間において、印加されるサステインパルスのうちいずれか一つの維持時間の長さ、すなわち、サステインパルスの幅が他のサステインパルスよりも長い。例えば、図６のように、それぞれのサステイン期間に供給されるサステインパルスのうち、１番目のサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅をＷ１とし、２番目以降のサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅をＷ２とすると、Ｗ１は、Ｗ２よりも大きい。
【００３２】
このようにサステイン期間において、供給されるサステインパルスの少なくとも一つ以上の維持時間の長さ、すなわち、パルス幅を他のサステインパルスよりも大きくする場合でも、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さは、全てのサブフィールドにおいて同一である。より詳述すると、図６の従来の駆動波形では、１番目のサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅Ｗ１は、全てのサブフィールドにおいて同一に維持された。また、２番目以降のサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅Ｗ２も、全てのサブフィールドにおいて一定に維持される。
【００３３】
これにより、相対的に階調値が低くて、アドレス放電が不安定になる可能性が高い低階調サブフィールドにおいて、高階調サブフィールドに比べて相対的に放電が不安定になる現象がさらに酷くなるという問題点があった。
【００３４】
なお、上述した駆動方法で駆動されるＰＤＰでは、一般にちらつき、すなわち、フリッカが発生する。
【００３５】
このようなフリッカは、一般に映像信号の垂直周波数（フレーム周波数）よりも、蛍光体の残光時間が短い場合に生じる現象である。例えば、垂直周波数が６０Ｈｚとするとき、１６．６７ｍ／ｓｅｃ当たり１個のフレームの映像を表示するが、蛍光体の反応速度は、これより速くなり、画面のちらつき、すなわち、フリッカが発生する。
【００３６】
特に、ＰＡＬ（Ｐｈａｓｅ ＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇＬｉｎｅ）方式では、その垂直周波数が５０Ｈｚとしており、ＮＴＳＣ（National Television Standards Committee）方式に比較して相対的に短いため、フリッカの発生がさらに酷くなるという問題点があった。
【００３７】
このようなＰＡＬ方式では、１個のフレーム内において、サブフィールドの配列を、複数の段階とすることにより、上述したフリッカの問題を低減させようとした。
【００３８】
このようなＰＡＬ方式でのサブフィールドの配列を、以下の図７に示す。
【００３９】
図７は、従来のＰＡＬ方式でのＰＤＰの画像を具現するためのサブフィールドの配列を説明する図である。
【００４０】
図７に示すように、従来のＰＡＬ方式では、１個のフレーム内において異なる重みのサブフィールドを複数個、好ましくは２個の群に分けて配列した。例えば、図７のように、第１のサブフィールド群に重み、すなわち、階調値１のサブフィールド、重み８のサブフィールド、重み１６のサブフィールド、重み３２のサブフィールド及び重み６４のサブフィールドを含ませる。
【００４１】
また、第２のサブフィールド群には、重み２のサブフィールド、重み４のサブフィールド、２個の重み８のサブフィールド、重み１６のサブフィールド、重み３２のサブフィールド及び重み６４のサブフィールドを含ませる。
【００４２】
このように、配列された１個のフレーム内でのサブフィールドの重みの和、すなわち、階調値の和は、１＋２＋４＋８＋（８＋８）＋（１６＋１６）＋（３２＋３２）＋（６４＋６４）、すなわち、２５５である。結果として、２５６階調を具現することができる。
【００４３】
このように、１個のフレーム内におけるサブフィールドの配列を２段階としてＰＤＰを駆動させるＰＡＬ方式では、上述したフリッカの発生を低減させる効果はあるが、１フレーム内での重みが相対的に低い、すなわち、階調値が低いサブフィールドの個数が増加するという問題点があった。
【００４４】
すなわち、１個のフレーム内におけるサブフィールドの配列を１段階とする一般の方式では、上述した図２におけるように、重みが相対的に低い、すなわち、階調値が低いサブフィールドを、階調値が１、２、４、８である第１、２、３、４のサブフィールドに区分するのに対して、１個のフレーム内におけるサブフィールドの配列を２段階とするＰＡＬでは、重みが相対的に低い、すなわち、階調値が相対的に低いサブフィールドは、第１のサブフィールド群における第１、２のサブフィールドであり、また、第２のサブフィールド群における第１、２、３、４のサブフィールドである。
【００４５】
これにより、ＰＡＬ方式では、１個のフレーム内におけるサブフィールドの配列を１段階とする一般の方式に比べて、重み、すなわち、階調値が相対的に低い低階調サブフィールドの個数が増加することにより、不安定なアドレス放電のために、以降のサステイン放電が不安定になり、さらには、サステイン放電が発生しない現象がさらに酷くなるという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４６】
本発明の目的は、１フレームを複数のサブフィールドに分割して駆動するフラットパネルディスプレイ装置の駆動方式において、画質を向上させることにある。
また、本発明の目的は、フリッカの発生を低減させ、サステインパルスの個数または維持時間を調節して放電特性を向上させることができる、ＰＤＰ、装置、パネルの駆動装置及び駆動方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００４７】
前記の目的を達成するために、本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するＰＤＰと、電極を駆動するための駆動部と、１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、複数のサブフィールド群において駆動部を制御し、複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くするサステインパルス制御部と、を備えることを特徴とする。
【００４８】
本発明の他の一実施の形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するＰＤＰと、電極を駆動するための駆動部と、１フレームをそれぞれ一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、複数のサブフィールド群において駆動部を制御し、複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群の低階調サブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他のサブフィールドよりも長くするサステインパルス制御部と、を備えることを特徴とする。
【００４９】
前記サステインパルス制御部は、１個のサブフィールド群が、２個以上の低階調サブフィールドを含み、同一のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、全て同一にすることを特徴とする。
【００５０】
また、サステインパルス制御部は、１個のサブフィールド群が、２個以上の低階調サブフィールドを含み、同一のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドのうち少なくとも一つは、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他の低階調サブフィールドと異ならせることを特徴とする。
【００５１】
また、サステインパルス制御部は、１個のサブフィールド群内において、単位階調当たりのサステインパルスの個数が異なる２個の低階調サブフィールドのうち第２の低階調サブフィールドよりも階調値がより小さな第１の低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、第２のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数よりも多くすることを特徴とする。
【００５２】
また、低階調サブフィールドは、１サブフィールド群内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最小であるサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであることを特徴とする。
【００５３】
また、低階調サブフィールドは、１サブフィールド群内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最小であるサブフィールドであることを特徴とする。
【００５４】
また、低階調サブフィールドは、１フレーム内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最大であるサブフィールドのサステインパルスの総数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００５５】
また、低階調サブフィールドは、１フレームのサステインパルスの総数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることを特徴とする。
【００５６】
また、少なくとも一つ以上のサブフィールド群内におけるサブフィールドは、階調値の大きさの順に不規則に配列されることを特徴とする。
【００５７】
また、前記各フレーム間には、所定の長さを有する休止期間が含まれ、フレームのサブフィールド群は、同一のフレーム内において連続であることを特徴とする。
【００５８】
また、各フレーム間には、所定の長さを有する第１の休止期間が含まれ、同一のフレーム内において、前記サブフィールド群の間には、所定の長さを有する第２の休止期間がさらに含まれることを特徴とする。
【００５９】
また、第１の休止期間と第２の休止期間の長さは、同一であることを特徴とする。
【００６０】
また、複数のサブフィールド群は、それぞれ複数のサブフィールドを含み、複数のサブフィールド群は、各群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする。
【００６１】
また、複数のサブフィールド群は、それぞれ複数のサブフィールドを含み、複数のサブフィールド群は、各群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする。
【００６２】
また、フレームは、２個のサブフィールド群に分けられ、２個のサブフィールド群は、それぞれ複数のサブフィールドを含み、２個のサブフィールド群は、各サブフィールド群内において、サブフィールドの異なる階調値の大小関係に基づく順序で配列されることを特徴とする。
【００６３】
また、２個のサブフィールド群のいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されたことを特徴とする。
【００６４】
また、２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列されたことを特徴とする。
【００６５】
また、２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが減少する順に配列され、２個のサブフィールド群のうちいずれか一つが、群内において、サブフィールドが階調値の大きさが増加する順に配列されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００６６】
本発明によれば、１フレームを複数のサブフィールドに分割して駆動するフラットパネルディスプレイ装置の駆動方式において、画質を向上させることが可能である。
また、ＰＡＬ駆動方式における、サブフィールドの階調の重みを異ならせて、フリッカの発生を低減させることができるという効果がある。
【００６７】
また、本発明は、サステイン期間に印加されるサステインパルスの個数とサステイン期間を調節して、放電特性を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
前記の目的以外に本発明の他の目的及び特徴は、添付図面を参照した実施形態についての説明を通じて明白に表れる。
【００６９】
（１）第１実施形態
図８は、本発明よるプラズマディスプレイ装置を示す図である。
【００７０】
図８に示すように、本発明によるプラズマディスプレイ装置は、ＰＤＰ８００と、駆動パルスを印加するためのデータ駆動部８０２、スキャン駆動部８０３、サステイン駆動部８０４、及びサステインパルス制御部８０１を有する駆動装置とを備える。
【００７１】
例えば、本発明によるプラズマディスプレイ装置は、図８に示すように、リセット期間、アドレス期間、及びサステイン期間に、前記アドレス電極Ｘ１〜Ｘｍ、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ、及びサステイン電極Ｚに駆動パルスが印加される少なくとも一つ以上のサブフィールドの組合せにより、フレームからなる画像を表現するＰＤＰ８００と、ＰＤＰ８００に形成されたアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍにデータを供給するデータ駆動部８０２と、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎを駆動するスキャン駆動部８０３と、共通電極であるサステイン電極Ｚを駆動するサステイン駆動部８０４と、ＰＤＰ８００の駆動の際に前記スキャン駆動部８０３及びサステイン駆動部８０４を制御して、サステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅または個数を調節するためのサステインパルス制御部８０１と、それぞれの駆動部８０２、８０３、８０４に必要な駆動電圧を供給する駆動電圧発生部８０５と、を備える。
【００７２】
このような本発明のプラズマディスプレイ装置は、リセット期間、アドレス期間、及びサステイン期間に、アドレス電極、スキャン電極及びサステイン電極に駆動パルスが印加される少なくとも一つ以上のサブフィールドの組合せにより、フレームからなる画像を表現し、前記フレームをそれぞれ少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、このようなサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群において、低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅及び個数を他のサブフィールドよりもさらに増加させるようにする。
【００７３】
ここで、前記ＰＤＰ８００は、前面パネル（図示せず）と後面パネル（図示せず）が一定の間隔を置いて貼り合わせられ、前面パネルまたは後面パネルに複数の電極、例えば、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ及びサステイン電極Ｚが対をなして形成され、前記スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ及びサステイン電極Ｚと交差してアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍが形成される。
【００７４】
データ駆動部８０２には、図示していない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路により逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路により、各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部８０２は、タイミングコントロール部（図示せず）からのデータタイミング制御信号ＣＴＲＸに応じて、データをサンプリングしてラッチした後、そのデータをアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍに供給するようになる。
【００７５】
スキャン駆動部８０３は、サステインパルス制御部８０１の制御下で、サステイン期間の間サブフィールドの階調値に応じて、単位階調当たりの個数または維持時間の長さ、すなわち、パルス幅が調節されたサステインパルスをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。また、スキャン駆動部８０３は、アドレス期間の間、スキャン電圧−ＶｙのスキャンパルスＳｐをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに順次供給し、サステイン区間の間には、サステインパルスｓｕｓをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。
【００７６】
サステイン駆動部８０４は、タイミングコントロール部（図示せず）の制御下で、立下りランプ波形（Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎ）が発生する期間と、アドレス期間の間、所定の大きさのバイアス電圧をサステイン電極Ｚに供給し、サステイン期間の間、スキャン駆動部８０３と交互に動作して、サブフィールドの階調値に応じて、単位階調当たりの個数または維持時間の長さ、すなわち、パルス幅が調節されたサステインパルスｓｕｓをサステイン電極Ｚに供給するようになる。
【００７７】
サステインパルス制御部８０１は、リセット期間において、スキャン駆動部８０３またはサステイン駆動部８０４の動作タイミングとの同期化を制御するための所定の制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をスキャン駆動部８０３またはサステイン駆動部８０４に供給することにより、スキャン駆動部８０３またはサステイン駆動部８０４を制御する。特に、サステインパルス制御部８０１は、１個のフレームが分けられた複数のサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群において、低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数及び維持時間の長さ、すなわち、パルス幅を階調値に応じて調節するように、制御信号をスキャン駆動部８０３及びサステイン駆動部８０４に供給する。
【００７８】
なお、前記データ制御信号ＣＴＲＸには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号とが含まれる。スキャン制御信号ＣＴＲＹには、スキャン駆動部８０３内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれ、また、サステイン制御信号ＣＴＲＺには、サステイン駆動部８０４内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
【００７９】
駆動電圧発生部８０５は、セットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐ、スキャン共通電圧Ｖｓｃａｎ−ｃｏｍ、スキャン電圧−Ｖｙ、サステイン電圧Ｖｓ、データ電圧Ｖｄなどを発生する。このような駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セルの構造により異なり得る。
【００８０】
このような図８に示した本発明によるプラズマディスプレイ装置の機能は、以降の駆動方法においてより明確になるだろう。
【００８１】
このような本発明のプラズマディスプレイ装置によって行われる駆動方法の第１の実施の形態は、１個のフレームをそれぞれ少なくとも一つ以上のサブフィールド含む複数のサブフィールド群に分け、このように分けたサブフィールド群のうち一つ以上において、低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くするものであるが、このため、１個のフレーム内において、サブフィールドの配列を複数の段階とする一例について、以下の図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す。
【００８２】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールドに分ける一例を説明する図である。
【００８３】
図９ａ及び図９ｂに示すように、本発明のＰＤＰの駆動方法では、１個のフレームを複数個のサブフィールド群、例えば、図９（ａ）のように、２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群に分けてサブフィールドを配列することにより、サブフィールドの配列を２段階とした。
【００８４】
ここで、前記第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群との間には、図９（ｂ）のように、所定の長さを有する休止期間が含まれる。すなわち、１個の休止期間が２個のサブフィールド群の間に含まれる。
【００８５】
ここで、サブフィールドは、各群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群において、重みの大きさ、すなわち、階調値の大きさが増加する順に配列される。すなわち、サブフィールドの重み、すなわち、階調値の大きさが最低であるサブフィールドが、各サブフィールド群内において初期に位置し、後に行くほど段々重みが高いサブフィールドが位置する。例えば、図９（ａ）の第１のサブフィールド群のように、重み１、すなわち、階調値１のサブフィールド、重み８のサブフィールド、重み１６のサブフィールド、重み３２のサブフィールド、及び重み６４のサブフィールドが順次含まれる。
【００８６】
また、第２のサブフィールド群には、重み２、すなわち、階調値２のサブフィールド、重み４のサブフィールド、２個の重み８であるサブフィールド、重み１６のサブフィールド、重み３２のサブフィールド、及び重み６４のサブフィールドが順次含まれる。
【００８７】
このように配列された１個のフレーム内におけるサブフィールドの重みの和は、１＋２＋４＋８＋（８＋８）＋（１６＋１６）＋（３２＋３２）＋（６４＋６４）、すなわち、２５５である。結局として、重みが１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８であるサブフィールドが順に配列された、図２のフレームのような２５６階調を具現することができる。また、１２１階調を具現可能な第１のサブフィールド群と、１３５階調を具現可能な第２のサブフィールド群とを含み、２５６階調の１個のフレームで実質的に１２１と１３５の階調を具現する２個のフレームを具現する効果が得られる。これにより、視覚的にフレーム周波数が２倍に増加する結果をもたらし、フリッカの発生が低減することが可能となる。このような１個のフレーム内におけるのサブフィールドの重みに対する概念と休止期間に対する概念が図９（ｂ）に示されている。
【００８８】
図９（ｂ）に示すように、１個のフレーム内において、２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群が含まれ、これらのサブフィールド群の間には、休止期間が含まれる。ここで、各サブフィールド群に含まれたサブフィールドの重みが三角形状であることに注目されたい。これは、各サブフィール内において、サブフィールドが重み、すなわち、階調値の大きさが増加する順に配列されることを意味する。
【００８９】
このように、１個のフレームが複数のサブフィールド群に区分されて駆動される方式において、一つ以上のサブフィールド群において重みが低い低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を調節するが、このような駆動方法の一例は、図１０の通りである。
【００９０】
図１０は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態を説明する図である。
【００９１】
図１０に示すように、スキャン電極及びサステイン電極と、スキャン電極及びサステイン電極と交差する複数のアドレス電極とを有するＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態は、１フレームをそれぞれ少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、このように分けたサブフィールド群のうち少なくとも一つにおいて、低階調サブフィールドでは、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数が、他のサブフィールドよりも多い。
【００９２】
例えば、図１０に示すように、１個のフレームを２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群に分ける場合、それぞれのサブフィールド群において、重みが最も低くて最低の階調を具現する１番目のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群での第１のサブフィールド及び第２のサブフィールド群での第１のサブフィールドにおけるサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数が、他のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群の第２、３、４、５のサブフィールド及び第２のサブフィールド群の第２、３、４、５、６、７のサブフィールドにおける単位階調当たりのサステインパルスの個数よりも多い。すなわち、第１のサブフィールド群の第１のサブフィールドにおいて、１階調（単位階調）を具現するために用いられるサステインパルスの個数は１２個であり、第１のサブフィールド内における他のサブフィールドでは、１階調（単位階調）を具現するために用いられるサステインパルスの個数は１０個である。また、第２のサブフィールド群の第１のサブフィールドにおいて、１階調（単位階調）を具現するために用いられるサステインパルスの個数は１２個であり（２４個のサステインパルスを用いて階調２を具現したので）、第２のサブフィールド内における他のサブフィールドでは、１階調（単位階調）を具現するために用いられるサステインパルスの個数は１０個である。
【００９３】
この図１０では、１フレームの全てのサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群の全てにおいて、低階調サブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くするが、これとは異なり、複数のサブフィールド群のうち一部の選択されたサブフィールド群、例えば、図１０において、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群のうちいずれか一つのサブフィールド群においてのみ、単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドより多くすることもできる。
【００９４】
以下、このように、低階調サブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くする理由について説明する。
【００９５】
１個のフレームが分けられた複数のサブフィールド群内において、重みが相対的に低くて低階調を具現する低階調サブフィールドでは、アドレス放電が不安定になる可能性が他の高階調サブフィールドに比べて高い。これにより、低階調サブフィールドでは、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数が少な過ぎると、不安定なアドレス放電により、放電セル内の壁電荷が充分に生成されず、以降のサステイン放電が不安定になる。
【００９６】
このように放電が不安定になる低階調サブフィールドは、１個のフレームを複数個のサブフィールド群に分けて駆動するＰＡＬ方式において、その個数がさらに増加するようになる。例えば、低階調サブフィールドを重みが１０以下、すなわち、階調値が１０以下であるサブフィールドを、低階調サブフィールドとして設定する場合、図２の従来の駆動方式では、低階調サブフィールドが階調１である第１のサブフィールド、階調２である第２のサブフィールド、階調４である第３のサブフィールド、及び階調８である第４のサブフィールド、すなわち、合計４個の低階調サブフィールドを含むのに対して、図１０の駆動方式では、重みが１０以下、すなわち、階調値が１０以下である低階調サブフィールドが、第１のサブフィールド群において、階調１である第１のサブフィールドと、階調８である第２のサブフィールド、第２のサブフィールド群において、階調２である第１のサブフィールド、階調４である第２のサブフィールド、階調８である第３のサブフィールド、及び階調８である第４のサブフィールドが、低階調サブフィールドとして含まれる。すなわち、ＰＡＬ方式において、低階調サブフィールドの個数が増加する。
【００９７】
したがって、相対的に低階調サブフィールドがさらに多く含まれるＰＡＬ方式において、重みが低くて低い階調を具現する低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くして、フリッカの発生を抑制するとともに、不安定なアドレス放電で発生するサステイン放電の不安定を緩和させる。
【００９８】
なお、上述した低階調サブフィールドは、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数によって決定され得る。例えば、このような低階調サブフィールドは、１個のフレーム内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドにおけるサステインパルスの総数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドであることが好ましい。例えば、１個のフレーム内に含まれたサブフィールドのうち、サステインパルスの個数が最も多いサブフィールドが、合計１０００個のサステインパルスを含むと仮定すると、５００個以下のサステインパルスを含むサブフィールドは、低階調サブフィールドとして設定されることである。
【００９９】
これとは異なり、１個のフレームのサステインパルスの総数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドを低階調サブフィールドとして設定することも可能である。例えば、１個のフレーム内で発生するサステインパルスの個数を２０００個とすると、４００個以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドが低階調サブフィールドとして設定されることである。１個のフレームのサステインパルスの総数は、例えば、本実施形態によるパルス数の調整前の通常の駆動方式でのパルス数で計算することが可能である。
【０１００】
このような低階調サブフィールドは、より好ましくは、１個のサブフィールド群内において、サステインパルスの個数が最小であるサブフィールドである。
【０１０１】
あるいは、１個のフレーム内において、サステインパルスの個数が少ない順によって、複数個の低階調サブフィールドを設定することもできるが、このような低階調サブフィールドの設定の一例は、以下の図１１の通りである。
【０１０２】
図１１は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態における低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明する図である。
【０１０３】
図１１に示すように、１個のサブフィールド群内において、複数個のサブフィールドを低階調サブフィールドとして設定するが、このような低階調サブフィールドの設定基準は、サステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最小であるサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであるサブフィールドが低階調サブフィールドとして設定される。例えば、図１０のように、合計７個のサブフィールドが１個のサブフィールド群、すなわち、第２のサブフィールド群をなすとすれば、サステインパルスが最も少ない、すなわち、重みが最も小さくて最小の階調を具現する第１のサブフィールドから、その次の第２のサブフィールド、第３のサブフィールド及び第４のサブフィールドを低階調サブフィールドとして設定する。
【０１０４】
このように設定された低階調サブフィールドにおける単位階調当たりのサステインパルスの個数を、上述したように、他のサブフィールドよりも多くする。すなわち、図１１におけるように、低階調サブフィールドとして設定された第１、２、３、４のサブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くして、１階調を具現するためのサステインパルスの個数を１０個超の個数として設定する。
【０１０５】
このように、１個のサブフィールド群内において、複数個の低階調サブフィールドが含まれる場合、低階調サブフィールド間においても、単位階調当たりのサステインパルスの個数を異ならせることができる。例えば、図１１のように、第２のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドである第１のサブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数が１４個、すなわち、１階調を具現するのに用いられるサステインパルスの個数が１４個（２階調を具現するために、２８個のサステインパルスが用いられたので）であり、他の低階調サブフィールドである第２のサブフィールドでは、単位階調当たりのサステインパルスの個数が１３個、すなわち、１階調を具現するのに用いられるサステインパルスの個数が１３個（４階調を具現するために、５２個のサステインパルスが用いられたので）である。このような図１１の第２のサブフィールド群の場合のように、１個のサブフィールド群内において選択された一つ以上の低階調サブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他の低階調サブフィールドと異ならせも、あるいは、図１１の第１のサブフィールド群の場合のように、１個のサブフィールド群内において、それぞれの低階調サブフィールドの単位階調当たりの個数を異ならせてもよい。すなわち、図１１の第１のサブフィールド群の低階調サブフィールドである第１のサブフィールドは、単位階調当たりのサステインパルスの個数が１４個、他の低階調サブフィールドである第２のサブフィールドは１３個、また他の低階調サブフィールドである第３のサブフィールドは１２個である。このように、１個のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドが一つ以上異なる単位階調当たりのサステインパルスの個数を有する場合、サブフィールド群内において、当該サブフィールドの階調値の大きさに応じて、単位階調当たりのサステインパルスの個数が決定される。例えば、１個のサブフィールド群に含まれた低階調サブフィールドのうち２個の低階調サブフィールド、すなわち、第１の低階調サブフィールドと第２の低階調サブフィールドを選択した場合、上述した第１の低階調サブフィールドと第２の低階調サブフィールドのうち、相対的に階調値がさらに小さいサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数がより多い。図１１の第１のサブフィールド群の場合を挙げて説明すると、第１のサブフィールドと第２のサブフィールドは、異なる単位階調当たりのサステインパルスの個数を有する。このような第１のサブフィールドと第２のサブフィールドのうち、階調値がさらに低い第１のサブフィールドでの単位階調当たりのサステインパルスの個数（１４個）が、第２のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数（１３個）よりも多い。
【０１０６】
これとは異なり、１個のサブフィールド群内に複数個の低階調サブフィールドが含まれても、それぞれの低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、全て同一にすることも可能である。図１１の第１のサブフィールドの場合を挙げて説明すると、図１１では、低階調サブフィールドである第１のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数が１４個、第２のサブフィールドは１３個、第３のサブフィールドは１２個で異なるが、これとは異なり、第１のサブフィールド群の低階調サブフィールドである第１、２、３のサブフィールドの全てにおいて、単位階調当たりのサステインパルスの個数を１２個として同一にすることもできる。
【０１０７】
以上では、１個のサブフィールド群に含まれたサブフィールドが重みの大きさ、すなわち、階調値の大きさの順に規則的に配列された一例のみを説明したが、これとは異なり、１個のサブフィールド群内において、サブフィールドが不規則に配列されることも可能であるが、このような駆動方法の一例は、以下の図１２の通りである。
【０１０８】
図１２は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態において、１個のサブフィールド群内におけるサブフィールドの配列を説明する図である。
【０１０９】
図１２に示すように、少なくとも一つ以上のサブフィールド群内において、サブフィールドが重みの大きさ、すなわち、階調値の大きさの順に規則に配列されるものではなく、階調値の大きさに関わらず、ランダムに配列される。このような不規則的なサブフィールドの配列を有するサブフィールド群内でも、第１のサブフィールド群において相対的に重みが低い低階調サブフィールドである３番目のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数（１２個）を、他のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数（１０個）よりも多くし、第２のサブフィールド群でも、４番目のサブフィールド、すなわち、第１サブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数（１２個）を、他のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数（１０個）よりも多くする。
【０１１０】
この図１２では、図１０と比較した場合を考える。図１０のサブフィールドの配列順序が、第１のサブフィールド群内において第１、２、３、４、５のサブフィールドの順序、第２のサブフィールド群において第１、２、３、４、５、６、７のサブフィールドの順序であるとすると、図１０と同じサブフィールドの番号を付したサブフィールドの配列順序は、図１２では、以下のようになる。
すなわち、図１２では、第１のサブフィールド群内において、図１０のサブフィールドに対応するサブフィールドの配列順序は第２、３、１、４、５のサブフィールドの順序、第２のサブフィールド群内において、図１０のサブフィールドに対応するサブフィールドの配列順序は第５、４、７、１、２、３、６のサブフィールドの順序である。
この図１２では、１個のサブフィールド群内における重みの大きさ、すなわち階調値の大きさと関わらず、ランダムにサブフィールドを配列したが、これに対して、１個のサブフィールド群内において、相対的に重みが大きい、すなわち、階調値が高い高階調サブフィールドと、相対的に重みが小さい、すなわち階調値がが低い低階調サブフィールドとを、交互に配列することもできる。このようなサブフィールド配列の順序によって、本発明が限定されるものではなく、サブフィールド群のいずれのサブフィールドの配列を有するとしても、そのサブフィールド群内に含まれたサブフィールドのうち、低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くすることが何よりも重要なことである。
【０１１１】
なお、以上では、１個のサブフィール群内において、サブフィールドが重み、すなわち、階調値の増加する順に配列されることを基準として説明したが、これに対して、一つ以上のサブフィールド群内において、サブフィールドが階調値が減少する順に配列されることも可能であり、これは、以下の図１３（ａ）及び図１３（ｂ）の通りである。
【０１１２】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分けるまた他の例を説明する図である。
【０１１３】
図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、１個のフレームを複数個のサブフィールド群に分ける際に、少なくとも一つのサブフィールド群内では、サブフィールドが重みの大きさ、すなわち、階調値の大きさが減少する順に配列される。
【０１１４】
例えば、図１３（ａ）のように、１個のフレームが２個のサブフィールド群に分けられる場合、サブフィールドが各群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群内において、重みの大きさ、すなわち階調値の大きさが減少する順に配列される。すなわち、サブフィールドの重みが最も高くて最高の階調を具現するサブフィールドが、各サブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群または第２のサブフィールド群の初期に位置し、後に行くほど、段々重み、すなわち階調が低いサブフィールドが位置する。
【０１１５】
例えば、ここで、第１のサブフィールド群に重み６４のサブフィールド、重み３２のサブフィールド、重み１６のサブフィールド、重み８のサブフィールド、及び重み１のサブフィールドが順に含まれる。  
また、第２のサブフィールド群には、重み６４のサブフィールド、重み３２のサブフィールド、重み１６のサブフィールド、２個の重み８のサブフィールド、重み４のサブフィールド、及び重み２のサブフィールドが順に含まれる。このような１個のフレーム内におけるサブフィールドの重みに対する概念と休止期間に対する概念が図１３（ｂ）に示されている。
【０１１６】
図１３（ｂ）に示すように、１個のフレーム内において、２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群が含まれ、これらのサブフィールド群の間には、休止間が含まれる。ここで、各サブフィールド群に含まれたサブフィールドの重みが三角形状であることに注目されたい。これは、各サブフィール内において、サブフィールドが重み、すなわち、階調値の大きさが減少する順に配列されることを意味する。
【０１１７】
ここでも、上述した第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群との間に、所定の長さを有する休止期間がさらに含まれる。
【０１１８】
このように、配列された１個のフレーム内におけるサブフィールドの重みの和は、上述した図９（ａ）と同様に、１＋２＋４＋８＋（８＋８）＋（１６＋１６）＋（３２＋３２）＋（６４＋６４）、すなわち、２５５である。結果として、重みが１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８であるサブフィールドが、階調値の大きさの逆順に配列されて、合計の重み、合計の階調値は、図２のフレームのような２５６階調を具現することができる。また、１２１階調を具現可能な第１のサブフィールド群と、１３５階調を具現可能な第２のサブフィールド群とを含み、１２１と１３５の階調を具現する２個のフレームを具現する効果が得られる。これにより、視覚的にフレーム周波数が増加する結果をもたらし、フリッカの発生が低減する効果がある。このようなサブフィールドの配列方式の駆動方法は、上述した図９（ａ）と比べて、サブフィールドの配列順序が逆順であることを除いては、実質的に同様であるので、重複する説明は省略する。
【０１１９】
このように、１個のフレームが複数のサブフィールド群に区分されて駆動される方式において、１サブフィールド群内において、サブフィールドが階調値の大きさの逆順に配列された場合も、相対的に重みが低い低階調サブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数が他のサブフィールドより多いが、このような駆動方法の一例は、以下の図１４の通りである。
【０１２０】
図１４は、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）のサブフィールドの配列順序を有する駆動波形の一例を説明する図である。
【０１２１】
図１４に示すように、図１０の場合とそれぞれのサブフィールド群内におけるサブフィールドの配列順序が互いに反対である。
【０１２２】
例えば、図１４のように、１個のフレームを２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群に分ける場合、それぞれのサブフィールド群において、重みが最も低くて最低の階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群での第５のサブフィールド及び第２のサブフィールド群での第７のサブフィールドにおけるサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの個数（１２個）が、他のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群の第１、２、３、４のサブフィールド及び第２のサブフィールド群の第１、２、３、４、５、６のサブフィールドにおける単位階調当たりのサステインパルスの個数（１０個）よりも多い。
【０１２３】
以上では、１個のフレームを複数個のサブフィールド群に分け、このように分けた複数個のサブフィールド群間に、一つの休止期間を含ませるが、これとは異なり、サブフィールド群間はもとより、各フレーム間に所定の長さを有する休止期間をさらに含ませることも可能であるが、このような駆動方法は、以下の図１５（ａ）及び図１５（ｂ）の通りである。
【０１２４】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分ける他の例を説明する図である。
【０１２５】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、上述した図９（ａ）は、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群との間に所定の長さを有する一つの休止期間が含まれるのに対して、フレームの前端に所定の長さを有する第１の休止期間が含まれ、また第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群との間にも、所定の長さを有する第２の休止期間が含まれる。
【０１２６】
先ず、図１５（ａ）では、上述した図９（ａ）と同様に、１個のフレームのサブフィールドは、複数の群、好ましくは、２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群に分けられ、このような各サブフィールド群において、重みの大きさ、すなわち、階調値の大きさが増加する順に配列される。すなわち、サブフィールドの重み、すなわち、階調値の大きさが最も低いサブフィールドが、各サブフィールド群内において初期に位置し、後に行くほど、段々重みが高いサブフィールドが位置する。例えば、図１５（ａ）のように、第１のサブフィールド群に、重み１、すなわち、階調値１のサブフィールド、重み８のサブフィールド、重み１６のサブフィールド、重み３２のサブフィールド、及び重み６４のサブフィールドが順次含まれる。また、第２のサブフィールド群には、重み２、すなわち階調値２のサブフィールド、重み４のサブフィールド、２個の重み８のサブフィールド、重み１６のサブフィールド、重み３２のサブフィールド、及び重み６４のサブフィールドが順次含まれる。
【０１２７】
このように配列されるサブフィールド群間には、上述したように、所定の長さを有する第２の休止期間が含まれ、各フレームの間にも所定の長さを有する第１の休止期間が含まれる。このような第１の休止期間と第２の休止期間は、その長さが同一または相違してもよい。しかし、好ましくは、各サブフィールド群間に視覚的分割の効果及び駆動制御の容易さを考慮するとき、第１の休止期間と第２の休止期間の長さは同一であることが好ましい。このようにフレーム間の第１の休止期間とサブフィールド群間の第２の休止期間によって、１個のフレームを２個のフレームとして認識させる視覚的効果がさらに増大される。これにより、フリッカの発生がさらに減少して画質を向上させることが可能である。このような図１５（ａ）及び図１５（ｂ）の駆動方法は、実質的に図９（ａ）及び図９（ｂ）に対する駆動方法（図１０の駆動方法）と同様であるので、重複する説明は省略する。
【０１２８】
このような図１５（ａ）のように、サブフィールド群間とフレーム間にそれぞれ休止期間を含ませるとともに、図１５（ａ）とは、サブフィールドの配列を反対にする駆動方法の一例は、以下の図１６（ａ）及び図１６（ｂ）の通りである。
【０１２９】
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分けるまた他の例を説明する図である。
【０１３０】
図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、上述した図１５（ａ）及び図１５（ｂ）とは異なり(・・)、重みの大きさ、すなわち階調値の大きさが減少する順に配列される。すなわち、サブフィールドの重みが最も高くて最高の階調を具現するサブフィールドが、各サブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群または第２のサブフィールド群の初期に位置し、後に行くほど、段々重み、すなわち階調が低いサブフィールドが位置する。このような図１６（ａ）及び図１６（ｂ）の駆動波形は、図１５（ａ）及び１５（ｂ）と比べて、サブフィールドの配列が互いに反対であるだけで、その内容は実質的に同様であり、また図１４に示す駆動方法と同様であるので、重複する説明は省略する。
なお、図９及び図１３ではサブフィールド群の間に所定の長さを有する休止期間が含まれる場合を示し、図１５及び図１６ではサブフィールド群の間及びフレーム間に所定の長さを有する休止期間が含まれる場合を示したが、各フレーム間に所定の長さを有する休止期間が含まれ、フレームのサブフィールド群は同一のフレーム内において連続であるようにしても良い。
【０１３１】
（２）第２実施形態
以上の本発明のＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態では、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分け、このように分けたサブフィールド群のうち一つ以上において、低階調サブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの個数を、他のサブフィールドよりも多くしているが、このような第１の実施の形態とは異なり、低階調サブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅の長さを、他のサブフィールドよりも長くすることも可能であるが、以下の第２の実施の形態において、このような駆動方法について説明する。
【０１３２】
図１７は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態を説明する図である。
【０１３３】
このような本発明のＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態は、１個のフレームをそれぞれ少なくとも一つ以上のサブフィールドを含む複数のサブフィールド群に分け、このように分けたサブフィールド群の一つ以上において、低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他のサブフィールドよりも長くするものであるが、このため、上述した図９（ａ）乃至図９（ｂ）と同様に、１個のフレーム内におけるサブフィールドを、第１のサブフィールドと第２のサブフィールドに分けて配列する。
【０１３４】
ここで、上述した単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さは、１階調を具現するためのサステインパルスのサステイン電圧Ｖｓの維持時間を意味する。例えば、１個のサブフィールド群において２階調を具現するために、サステイン電圧Ｖｓの維持時間が１μｓであるサステインパルスの１０個を印加すると、この際のサステインパルスの合計の維持時間は、１０μｓである。すなわち、このようなサブフィールドでは、階調１を具現するために、平均５μｓの維持時間を有することである。ここで、上述したような階調に対する全サステインパルスのサステイン電圧Ｖｓの維持時間の総和（サブフィールドの維持期間の総和／サブフィールドの階調）を、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さとする。
【０１３５】
ここで、前記第１のサブフィールドと第２のサブフィールドとの間には、上述した図９（ｂ）のように、所定の長さを有する休止期間が含まれる。すなわち、一つの休止期間が２個のサブフィールド群間に含まれる。
【０１３６】
このように、１個のフレームが複数のサブフィールド群、例えば、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群に分けられ、このように分けられたサブフィールド群のうち一つ以上のサブフィールド群において重みが低い、すなわち、低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを調節することである。
【０１３７】
例えば、図１７のように、１個のフレームを２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群に分ける場合、それぞれのサブフィールド群において重みが最も低くて最低の階調を具現する１番目のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群での第１のサブフィールド及び第２のサブフィールド群での第１のサブフィールドにおけるサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅の長さが異なるサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群の第２、３、４、５のサブフィールド及び第２のサブフィールド群の第２、３、４、５、６、７のサブフィールドにおける単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅の長さよりも長い。すなわち、第１のサブフィールド群の第１のサブフィールドにおいて、階調１を具現するために用いられるサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅の長さがＷ１であると、第１のサブフィールド内における他のサブフィールドでは、階調１を具現するために用いられるサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅の長さはＷ２である。ここで、前記Ｗ１は、Ｗ２よりもさらに大きい値を有する。即ち、Ｗ１＞Ｗ２である。
【０１３８】
この図１７では、１フレームの全てのサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群のいずれもおいても、低階調サブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅の長さを他のサブフィールドよりも長くしたが、これとは異なり、複数のサブフィールド群のうち一部の選択されたサブフィールド群、例えば第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群のうちいずれか一つのサブフィールド群においてのみ、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅の長さを他のサブフィールドよりも長くしてもよい。
【０１３９】
この図１７では、１サブフィールドの全てのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅が、他のサブフィールドのサステインパルスの維持時間の長さよりも長いものを示しているが、１個のサブフィールド群内において、低階調サブフィールドのサステインパルスのうち一部のサステインパルスのみが、他のサブフィールドのサステインパルスの維持時間の長さよりも長く、残りは、短くすることも可能である。
【０１４０】
例えば、１個のサブフィールド群に、第１のサブフィールドと第２のサブフィールドが、相対的に重みが低い低階調サブフィールドとして含まれているとする。ここで、階調値が１である第１のサブフィールドには、維持時間の長さが１０であるサステインパルスの２個と、２５であるサステインパルスの１個が含まれており、階調値が２である第２のサブフィールドには、維持時間の長さが１２であるサステインパルスの６個が含まれているとすると、第１のサブフィールドでは、合計４５のサステインパルスの維持時間で階調１を具現し、第２のサブフィールドでは、合計７２のサステインパルスの維持時間で階調２を具現する。したがって、第１のサブフィールドでは、１階調を具現するためのサステインパルスの全維持時間の長さが４５であり、第２のサブフィールドでは、１階調を具現するためのサステインパルスの全維持時間の長さは３６である。すなわち、第１のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが、第２のサブフィールドよりも長いが、第１のサブフィールドの全てのサステインパルスの維持時間の長さが、第２のサブフィールドの全てのサステインパルスの維持時間の長さより無条件に長いものではなく、第２のサブフィールドのサステインパルスのうちいずれか一つは、第１のサブフィールドのサステインパルスよりも維持時間の長さが長いサステインパルスを有していてもよい。
【０１４１】
このように、低階調サブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅を他のサブフィールドよりも長くすることは、フリッカの発生を抑制するとともに、相対的にアドレス放電が弱い低階調サブフィールドでのサステイン放電を安定させるためである。このように低階調サブフィールドでのサステイン放電を安定させるために、サステインパルスの維持時間の長さを長くすることは、実質的に、上述した本発明のＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１４２】
このような本発明の駆動方法の第２の実施の形態でも、第１の実施の形態と同様に、上述した低階調サブフィールドは、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数によって決定され得る。例えば、このような低階調サブフィールドは、１個のフレーム内において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数が最も多いサブフィールドのサステインパルスの総数の１／２以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドである。
【０１４３】
あるいは、１個のフレームのサステインパルスの総数の２０％以下のサステインパルスが供給されるサブフィールドを、低階調サブフィールドとして設定する。
【０１４４】
あるいは、１個のサブフィールド群内において、サステインパルスの個数が少ない順によって複数個の低階調サブフィールドを設定することもできる。例えば、サステインパルスの個数が少ない順に、サステインパルスの個数が最も少ないサブフィールドから４番目のサブフィールドまでであるサブフィールドが低階調サブフィールドとして設定される。すなわち、図１７のように、合計７個のサブフィールドが第２のサブフィールド群をなすとすると、サステインパルスが最も少ない、すなわち階調値が最小である第１のサブフィールドからその次の第２のサブフィールド、第３のサブフィールド及び第４のサブフィールドを低階調サブフィールドとして設定する。このような低階調サブフィールドは、１個のサブフィールド群内における階調値が最小である１個のサブフィールドであることがさらに好ましい。
【０１４５】
このように設定された低階調サブフィールドにおける単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、上述したように、他のサブフィールドよりも長くすることである。
【０１４６】
このように、１個のサブフィールド群内に複数個の低階調サブフィールドが含まれる場合、低階調サブフィールド間にも、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを異ならせることができる。このような駆動波形の一例を、図１８に示す。
【０１４７】
図１８は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、低階調サブフィールドのサステインパルスの維持時間の長さの設定方法の一例を説明する図である。
【０１４８】
図１８に示すように、１個のサブフィールド群が７個のサブフィールドからなり、この際、階調値が小さい順によって、階調値が最小である第１のサブフィールド、その次の第２のサブフィールド、その次の第３のサブフィールドを低階調サブフィールドとして設定する場合、このような低階調サブフィールドである第１、２、３のサブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さは、それぞれ異なり、残りの他のサブフィールド、例えば、第７のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さＷ７よりは長い。例えば、図１８のように、第１のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さをＷ１、第２のサブフィールドではＷ２、第３のサブフィールドではＷ３とすると、Ｗ３＜Ｗ２＜Ｗ１の関係が成り立つ。
【０１４９】
このように、１個のサブフィールド群内に含まれた低階調サブフィールドが、一つ以上異なる単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを有する場合、サブフィールド群内において、当該サブフィールドの階調値の大きさによって、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが決定される。例えば、１個のサブフィールド群に含まれた低階調サブフィールドのうち、２個の低階調サブフィールド、すなわち、第１の低階調サブフィールドと第２の低階調サブフィールドを選択した場合、前記第１の低階調サブフィールドと第２の低階調サブフィールドのうち、相対的に階調値がより小さいサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さがさらに長い。
【０１５０】
これとは異なり、１個のサブフィールド群内に複数個の低階調サブフィールドが含まれていても、それぞれの低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、全部同一にすることも可能である。図１８の場合を例として説明すると、図１８には、低階調サブフィールドである第１のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さがＷ１、第２のサブフィールドはＷ２、第３のサブフィールドではＷ３として異なるが、これに対して、第１のサブフィールド群の低階調サブフィールドである第１、２、３のサブフィールドの全てにおいて、単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さをＷ１として同一にすることもできる。
【０１５１】
上述した単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さは、１個のサブフィールドの全てのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅を調節することにより調節され得るが、これとは異なり、選択された所定の個数のサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅を調節することにより、当該サブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを調節することも可能であり、このような駆動方法を、以下の図１９に示す。
【０１５２】
図１９は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、低階調サブフィールドのサステインパルスの維持時間の長さの設定方法の他の例を説明する図である。
【０１５３】
図１９に示すように、１個のサブフィールド内において、サステイン期間に印加されるサステインパルスのうち少なくとも一つのサステインパルスの維持時間の長さ、すなわち、サステインパルスの幅を調節して、１個のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを調節することができる。例えば、１個のサブフィールド群内において、低階調サブフィールドのサステインパルスのうちいずれか一つのサステインパルスの維持時間の長さを増加させることにより、このような低階調サブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他のサステインパルスよりも長くすることができる。
【０１５４】
例えば、図１９のように、１番目のサブフィールドのサステイン期間に供給されるサステインパルスのうち、１番目のサステインパルスａの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅をＷａ１、２番目以降のサステインパルスｂの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅を前記Ｗａ１よりも小さいＷｂ１とし、２番目のサブフィールドのサステイン期間に供給されるサステインパルスのうち、１番目のサステインパルスａの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅をＷａ２、２番目以降のサステインパルスｂの維持時間の長さ、すなわち、パルス幅をＷａ２（＜Ｗａ１）よりも小さいＷｂ２とする場合、１番目のサブフィールドのサステインパルスの全維持時間の長さはＷａ１＋Ｗｂ１であり、２番目のサブフィールドのサステインパルスの全維持時間の長さはＷａ２＋Ｗｂ２である。ここで、図１９には、Ｗｂ１がＷｂ２よりも長く示されているが、Ｗｂ１がＷｂ２と同じ長さを有するとしても、Ｗａ１がＷａ２よりも長いため、１番目のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが、２番目のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さよりも長くなることになる。これは、前記１番目のサブフィールドの階調値が、２番目のサブフィールドの階調値よりも小さい場合である。
【０１５５】
以上では、１個のサブフィールド群に含まれたサブフィールドが重みの大きさ、すなわち階調値の大きさの順に規則に配列された例についてのみ説明したが、これとは異なり、１個のサブフィールド群内においてサブフィールドが不規則に配列されることも可能であり、このような駆動方法の一例を、以下の図２０に示す。
【０１５６】
図２０は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、１個のサブフィールド群内におけるサブフィールドの配列を説明する図である。
【０１５７】
図２０に示すように、少なくとも一つ以上のサブフィールド群内において、サブフィールドが重みの大きさ、すなわち階調値の大きさの順に規則に配列されるものではなく、階調値の大きさに関わらず、ランダムに配列される。このような不規則的なサブフィールドの配列を有するサブフィールド群内でも、第１のサブフィールド群において相対的に重みが低い低階調サブフィールドである３番目のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さＷ１を、他のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さＷ２よりも長くし、第２のサブフィールド群でも、４番目のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さＷ１を、他のサブフィールドの単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さＷ２よりも長くする。
【０１５８】
この図２０では、図１７と比較した場合を考える。図１７のサブフィールドの配列順序が、第１のサブフィールド群内において、第１、２、３、４、５のサブフィールドの順であり、第２のサブフィールド群内において、第１、２、３、４、５、６、７のサブフィールドの順であるとすると、図１７と同じサブフィールドの番号を付したサブフィールドの配列順序は、図２０では、以下のようになる。
すなわち、図２０では、第１のサブフィールド群内において、図１７のサブフィールドに対応するサブフィールドの配列順序は第２、３、１、４、５のサブフィールドの順であり、第２のサブフィールド群内において、図１７のサブフィールドに対応するサブフィールドの配列順序は第５、４、７、１、２、３、６のサブフィールドの順である。
この図２０では、１個のサブフィールド群内において、重みの大きさ、すなわち階調値の大きさと関わらず、ランダムにサブフィールドを配列したが、これとは異なり、１個のサブフィールド群内において、相対的に重みが大きい、すなわち階調値が高い高階調サブフィールドと、相対的に重みが小さい、すなわち階調値が低い低階調サブフィールドとを交互に配列することもできる。このようなサブフィールドの配列順序によって本発明が限定されるものでなく、サブフィールド群のいずれのサブフィールド配列を有するとしても、そのサブフィールド群内に含まれたサブフィールドのうち、低階調サブフィールドのサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さを、他のサブフィールドよりも長くすることが何よりも重要である。
【０１５９】
なお、以上の本発明の駆動方法の第２の実施の形態では、１個のサブフィールド群内において、サブフィールドが重み、すなわち階調値が増加する順に配列されるものを基準として説明したが、これとは異なり、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）のように、一つ以上のサブフィールド群内において、サブフィールドが階調値が減少する順に配列されることも可能である。このような駆動方法を、以下の図２１に示す。
【０１６０】
図２１は、本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、１個のサブフィールド群内におけるサブフィールドのさらに他の配列を説明する図である。
【０１６１】
図２１に示すように、サブフィールド群内におけるサブフィールドの配列が、図１７と比べて逆順である。ここでも、前記第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群との間に所定の長さを有する休止期間が含まれる。
【０１６２】
このように、１個のフレームが複数のサブフィールド群に区分されて駆動される方式において、１サブフィールド群内において、サブフィールドが階調値の大きさの逆順で配列された場合も、相対的にに重みが低い低階調サブフィールドにおいて、サステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが、他のサブフィールドよりも長い。
【０１６３】
例えば、図２１のように、１個のフレームを２個のサブフィールド群、すなわち、第１のサブフィールド群と第２のサブフィールド群に分ける場合、それぞれのサブフィールド群において、重みが最低である階調を具現する最後のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群での第５のサブフィールド及び第２のサブフィールド群での第７のサブフィールドにおけるサステイン期間に供給される単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さが、他のサブフィールド、すなわち、第１のサブフィールド群の第１、２、３、４のサブフィールド及び第２のサブフィールド群の第１、２、３、４、５、６のサブフィールドにおける単位階調当たりのサステインパルスの維持時間の長さよりも長い。
【０１６４】
このようなサブフィールドの配列方式の駆動方法は、上述した図１７と比べて、サブフィールドの配列順序が逆順であるだけで、残りは、実質的に同様であるので、説明は省略する。
【０１６５】
以上では、１個のフレームを複数個のサブフィールド群に分け、このように分けた複数個のサブフィールド群間に一つの休止期間を含めているが、これとは異なり、図１５（ａ）及び１５（ｂ）のように、サブフィールド群間はもとより、各フレーム間に所定の長さを有する休止期間をさらに含めることも可能である。
【０１６６】
また、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）のように、上述した図１５（ａ）の場合とは、サブフィールド群内におけるサブフィールドの配列を逆順とし、図１５（ａ）及び１５（ｂ）におけるように、サブフィールド群間とフレーム間にそれぞれ休止期間、すなわち、第１の休止期間と第２の休止期間を含めることもできる。
【０１６７】
このように各フレーム間とサブフィールド群間に、所定の長さを有する休止期間をそれぞれ含ませるものについては、上述した本発明の駆動方法において詳述しているので、重複する説明は省略する。
【０１６８】
以上説明した内容を通じて、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１６９】
本発明は、ＰＤＰ関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１７０】
【図１】一般のＰＤＰの構造を示す図である。
【図２】従来のＰＤＰの画像階調を具現する方法を示す図である。
【図３】従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形の一例を示す図である。
【図４】図３の従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数をより詳しく説明する図である。
【図５】図３の従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの維持時間の長さの一例をより詳述する図である。
【図６】図３の従来のＰＤＰの駆動方法による駆動波形において、サステイン期間に供給されるサステインパルスの維持時間の長さの他の例をより詳述する図である。
【図７】従来のＰＡＬ方式でのＰＤＰの画像を具現するためのサブフィールドの配列を説明する図である。
【図８】本発明によるプラズマディスプレイ装置を示す図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分ける一例を説明する図である。
【図１０】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態を説明する図である。
【図１１】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態において、低階調サブフィールドの設定方法の一例を説明する図である。
【図１２】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第１の実施の形態において、１個のサブフィールド群内でのサブフィールドの配列を説明する図である。
【図１３】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分ける他の例を説明する図である。
【図１４】図１３（ａ）乃至図１３（ｂ）のサブフィールドの配列順序を有する駆動波形の一例を説明する図である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分けるまた他の例を説明する図である。
【図１６】図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、１個のフレームを複数のサブフィールド群に分けるまた他の例を説明する図である。
【図１７】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態を説明するための図である。
【図１８】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、低階調サブフィールドのサステインパルスの維持時間の長さの設定方法の一例を説明するための図である。
【図１９】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、低階調サブフィールドのサブテインパルスの維持時間の長さの設定方法の他の例を説明する図である。
【図２０】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、１個のサブフィールド群内でのサブフィールドの配列を説明する図である。
【図２１】本発明によるＰＤＰの駆動方法の第２の実施の形態において、１個のサブフィールド群内でのサブフィールドの他の配列を説明する図である。
【符号の説明】
【０１７１】
８００  プラズマディスプレイパネル
８０１  サステインパルス制御部
８０２  データ駆動部
８０３  スキャン駆動部
８０４  サステイン駆動部
８０５  駆動電圧発生部
Ｘ１〜Ｘｍ  アドレス電極
Ｙ１〜Ｙｎ  スキャン電極 
Ｚ  サステイン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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