(57)【要約】【課題】反射率が高く、消費電力の低い光散乱型の液晶表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置は、画素電極となる第１電極１１が設けられた第１基板と、透明性の第２電極２１が設けられた第２基板２０との間に、第１電極１１と第２電極２１とを介して光散乱性の液晶層が挟持されたものである。そして、第１電極１１および第２電極２１は、各電極の表面に複数の凹部１１ａ、２１ａが設けられることで、表面が凹凸形状に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、当該基板の一主面側にそれぞれ設けられた電極と、前記基板間に前記電極を介して挟持される光散乱性の液晶層とを備えた液晶表示装置において、
少なくとも一方の前記電極は、前記液晶層側の表面に凹凸形状が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記液晶層は、ネットワーク構造を有するポリマーと、当該ポリマーのネットワーク構造中に分散された液晶部とを備えている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記電極の表面の凹凸形状は、前記電極をエッチングすることで設けられる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置において、
前記電極の表面の凹凸形状を構成する前記凹部または前記凸部の径は、０．５μｍ以上であり、かつ前記電極間の間隔以下で形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記基板と前記電極との間に、前記電極側の表面が凹凸形状に設けられた樹脂層が介在することで、前記電極の前記液晶層側の表面に凹凸形状が設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶表示装置において、
前記電極の表面の凹凸形状を構成する前記凹部または前記凸部の径は、０．５μｍ以上であり、かつ前記電極間の間隔以下で形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関するものであって、特には、電界の印加により光散乱性が変化する液晶層を備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯情報端末などのモバイル機器の発達にともない、低消費電力かつ高品位画質の表示装置の需要が高まっている。このような表示装置として、現在一般的に用いられているツイストネマチック（Twisted Nematic（ＴＮ））モードの液晶表示装置は、偏光板を必要とするため、反射率または透過率が低くなり、表示が暗くなり易い。
【０００３】
そこで、偏光板を使わない液晶表示装置として、電界により散乱状態（明表示）と透過状態（暗表示）とを制御する光散乱型の液晶表示装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−３０８４７２号公報
【０００５】
光散乱型の液晶表示装置としては、樹脂中に液晶マイクロカプセルを分散させた高分子分散型液晶（Polymer Dispersion Liquid Crystal（ＰＤＬＣ））を用いた液晶表示装置や、スポンジ状のポリマーネットワーク構造内に液晶を分散させたポリマーネットワーク（ＰＮ）型液晶を用いた液晶表示装置がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上述した光散乱型の液晶表示装置において、光散乱によるディスプレイの反射率を上げるためには、液晶層の厚みを増やせばよいが、その分駆動電圧が高くなり、消費電力が増加してしまう、という問題がある。また、逆に、消費電力を低下させるために液晶層を薄くすると、反射率が下がってしまう。このため、液晶表示装置において、反射率を高く、かつ消費電力を低下させることが難しい、という問題がある。
【０００７】
本発明は、反射率が高く、消費電力の低い光散乱型の液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、これらの基板の一主面側にそれぞれ設けられた電極と、これらの基板間に電極を介して挟持される光散乱性の液晶層とを備えた液晶表示装置において、上記電極の少なくとも一方は、液晶層側の表面に凹凸形状が設けられていることを特徴としている。
【０００９】
このような液晶表示装置によれば、少なくとも一方の電極は、液晶層側の表面に凹凸形状が設けられていることから、凸部分に電界集中が生じ易くなる。このため、電界集中が生じた箇所付近の液晶層の液晶分子が一方向に配向し、これにともない、他の液晶分子も連鎖的に同じ方向に配向されることから、従来構造よりも低い電圧で液晶分子を一方向に配向させることが可能である。これにより、液晶層の厚みを薄くすることなく、従来よりも駆動電圧を低くすることが可能となる。また、従来構造と同等の駆動電圧となる程度に上記液晶層の厚みを厚くすることが可能である。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置によれば、液晶層の厚みを薄くすることなく、従来構造よりも駆動電圧を低くすることが可能となることから、光散乱型の液晶表示装置の反射率を維持した状態で、駆動回路の耐圧を下げることができ、消費電力を低くすることができる。また、従来構造と同等の駆動電圧となる程度に上記液晶層の厚みを厚くすることが可能であることから、駆動電圧を維持した状態で、光散乱型の液晶表示の反射率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の液晶表示装置に係わる実施の形態の一例を、詳細に説明する。ここでは、図１に示すように、ＰＮ型液晶からなる液晶層を用いた反射型液晶表示装置の例について説明する。
【００１２】
この液晶表示装置は、透明性基板からなる第１基板１０と第２基板２０との間に、光散乱性の液晶層３０が挟持されている。
【００１３】
第１基板１０は、背面側の基板であり、第１基板１０の一主面側には、各画素を独立に駆動する画素電極となる第１電極１１がマトリクス状に設けられている。第１電極１１は、透明性を有する例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide)膜により構成されている。また、ここでの図示は省略するが、第１基板１０には、第１電極１１に電気的に接続された駆動素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor（ＴＦＴ））および配線などを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。また、第１基板１０における第１電極１１の形成面側とは反対側の面には、光吸収層１２が設けられている。この光吸収層１２は例えばカーボンナノ粒子により構成されている。
【００１４】
一方、第１基板１０に対向配置される第２基板２０は、表示側の基板であり、例えばガラスなどの透明材料により構成されている。第２基板２０には、第１基板１０に対向する側に透明性を有する例えばＩＴＯ膜からなる第２電極２１が設けられている。
【００１５】
上記第１基板１０と第２基板２０とは、各電極形成面を対向させた状態で、周縁に設けられたシール材（図示省略）により接着されている。また、第１基板１０と第２基板２０との間には、上記第１電極１１と第２電極２１を介して液晶層３０が挟持されている。
【００１６】
この液晶層３０は、三次元網目状のネットワーク構造を有するポリマー３１と、ポリマー３１のネットワーク構造中に分散された液晶ドロプレット３２（液晶部）とを備えている。各ドロプレット３２中には液晶分子３３が包括されており、各ドロプレット３２は連通した状態で設けられていてもよい。ここで、液晶層３０の厚みとなる第１電極１１と第２電極２１との間隔（セルギャップｇ）は、２０μｍ〜８０μｍの範囲で設けられており、ここでは、セルギャップｇが５０μｍであることとする。なお、ここでの図示は省略したが、第１基板１０と第２基板２０との間には、スペーサが点在しており、上記セルギャップｇが上記基板間の全域で維持されるように構成されている。
【００１７】
本実施形態では、第１電極１１および第２電極２１と液晶層３０とが接触する状態で設けられることとするが、これらの間に、例えばポリイミドからなる配向膜が形成されていてもよい。
【００１８】
そして、本発明の特徴的な構成として、上記第１電極１１または上記第２電極２１の表面に凹凸形状が設けられている。ここでは、第１電極１１と第２電極２１の両方の表面に、複数の凹部１１ａ、２１ａがそれぞれ設けられることで、各電極の表面が凹凸形状に設けられていることとする。各電極の表面が凹凸形状に設けられることで、凸部分、具体的には、各凹部１１ａ、２１ａの開口上部の角部分に電界集中が生じ易くなる。これにより、電界を印加することで、この付近の液晶分子３３が基板面に対して垂直方向に配向し、後述するように、従来構造よりも低い駆動電圧で、液晶分子３３を一方向に配向し易くなる。
【００１９】
各電極の表面の複数の凹部１１ａ、２１ａは、各電極を貫通する状態で設けられてもよく、表面のみに設けられていてもよい。また、凹部１１ａ、２１ａは、開口形状が略円形状であり、その表面における径は０．５μｍ以上で、かつ上述したセルギャップｇ以下の範囲で設けられていることとする。好ましくは、１μｍ以上で、かつセルギャップｇの半分以下である。ここで、上述したセルギャップｇは、凹部１１ａ、２１ａを除いた領域の第１電極１１および第２電極２１の表面間での距離であることとする。ここでは、セルギャップｇが５０μｍであることから、凹部１１ａ、２１ａは、０．５μｍ以上５０μｍ以下の径で設けられることとなり、１μｍ以上２５μｍ以下の径で設けられることが好ましい。
【００２０】
上述したように、各凹部１１ａ、２１ａの径が０．５μｍ以上であることで、凸部分に電界集中が生じ、駆動電圧の低下が確実となる。また、各凹部１１ａ、２１ａの径がセルギャップｇ以下で設けられることで、その凹部１１ａ、２１ａが画像表示に現れることが防止される。なお、各凹部１１ａ、２１ａは、上述した範囲内の径であれば、各凹部１１ａ、２１ａで径がばらついていてもよい。
【００２１】
なお、ここでは、凹部１１ａ、２１ａの開口形状が略円形状であることとするが、開口形状については、特に限定されるものではなく、例えば矩形状であってもよい。この場合には、矩形状の短辺側が０．５μｍ以上で、長辺側がセルギャップｇ以下で設けられることとする。
【００２２】
また、第１電極１１表面および第２電極２１表面における各凹部１１ａ、２１ａの間隔は、電界集中が生じることで駆動電圧の低下が可能な間隔で設けられることとする。また、各凹部１１ａ、２１ａの個数は、第１電極１１または第２電極２１のシート抵抗が許容範囲内に収まる程度に設けられていることとする。
【００２３】
ここでは、例えば１５０μｍ四方の画素内の第１電極１１および第２電極２１の表面に、１μｍ〜１０μｍの径の凹部１１ａ、２１ａが、上述したような間隔を有して、１００個〜１００００個程度設けられることとする。ただし、これらの凹部１１ａ、２１ａは、第１電極１１および第２電極２１の面内に不均一に設けられることが好ましく、これにより、モアレが防止される。
【００２４】
また、これらの凹部１１ａ、２１ａは、後述する製造方法において詳細に説明するように、第１電極１１または第２電極２１をエッチングすることで設けられることとする。
【００２５】
なお、ここでは、第１電極１１と第２電極２１の両方の液晶層３０側の表面が凹凸形状に設けられる例について説明するが、第１電極１１および第２電極２１の少なくとも一方の表面が凹凸形状に設けられていればよい。ただし、第１電極１１と第２電極２１の両方の表面が凹凸形状に設けられた方が、後述するように、液晶分子３３を配向させるための駆動電圧を低くできるため、好ましい。
【００２６】
次に、この液晶表示装置における液晶分子３３の配向制御について、図２の模式図を用いて説明する。図２（ａ）に示すように、回転楕円体である液晶分子３３の長手方向の屈折率ｎeは、それと垂直方向の屈折率ｎoに対してｎe＞ｎoの関係が成り立っている。
【００２７】
ここで、図２（ｂ）に示すように、第１電極１１と第２電極２１との間に電界Ｅを印加していないとき（Ｅ＝０）には、液晶ドロプレット３２中の液晶分子３３がランダムに配向している。このため、液晶ドロプレット３２中の液晶分子３３の屈折率がポリマー３１の屈折率より高くなる。通常、このときの液晶分子３３の平均的な屈折率はｘ，ｙ，ｚの三軸方向を考えて、（ｎe＋２×ｎo）／３になる。したがって、第２基板２０側から入射した光に対してポリマー３１と液晶ドロプレット３２との間で屈折率差が生じ、光が散乱されて白表示となる（ノーマリーホワイト）。
【００２８】
一方、図２（ｃ）に示すように、上述した液晶表示装置において、第１電極１１と第２電極２１との間に電界Ｅを印加したとき（Ｅ≠０）には、液晶分子３３は電界に対して線形に応答するわけではなく、ある閾値電圧まではほとんど応答せず、更に電界Ｅを強めることで一方向へ配向する。
【００２９】
この際、図１を用いて説明したように、第１電極１１または第２電極２１の表面が凹凸形状に設けられることで、凸部分に電界集中が生じ、その近傍の液晶ドロプレット３２中の液晶分子３３が基板面に対して垂直方向に配向する。そして、一部の液晶ドロプレット３２の液晶分子３３で配向が始まると、連鎖的に他の液晶ドロプレット３２中の液晶分子３３も同じ方向に配向し、従来よりも低い電圧で全ての液晶ドロプレット３２の液晶分子３３が基板面に対して垂直方向に配向する。
【００３０】
これにより、第２基板２０側から入射する光に対して液晶ドロプレット３２の屈折率がｎoとなり、液晶ドロプレット３２の周囲にあるポリマー３１の屈折率と等しくなるので、この光は散乱されることなく液晶層３０および第１基板１０を透過して下側に設けられた光吸収層１２で吸収されることで黒表示される。
【００３１】
このような構成の液晶表示装置は、次のような方法により製造される。
【００３２】
まず、図１に示すように、第１基板１０上にＴＦＴを配列形成した後、ＴＦＴを覆う状態で、平坦化絶縁膜（図示省略）を形成する。その後、この平坦化絶縁膜にＴＦＴに達する接続孔を形成する。次いで、平坦化膜上に、例えば蒸着法、スパッタリング法、または化学的気相成長（Chemical Vapor Deposition（ＣＶＤ））法により、上記接続孔を埋め込む状態で、例えばＩＴＯ膜を形成する。次いで、通常のリソグラフィ技術により、ＩＴＯ膜をパターン加工することで、第１電極１１を形成する。
【００３３】
次に、第１電極１１を覆う状態で、第１基板１０上にレジストを塗布し、第１電極１１上に、孔径１μｍ〜１０μｍの開口部が例えば１５０μｍ四方の一画素中に１００個〜１００００個程度不均一に設けられたレジストパターン（図示省略）を形成する。続いて、このレジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、第１電極１１の表面に複数の凹部１１ａを形成する。これにより第１電極１１の表面は粗面化され、凹凸形状に設けられる。この際、ＩＴＯ膜からなるエッチング液としては、塩酸と硝酸の混合液を用いることとするが、塩酸と塩化第二鉄の混合液またはシュウ酸を用いることが可能である。
【００３４】
なお、ここでは、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、第１電極１１の表面に複数の凹部１１ａを形成する例について説明したが、レジストパターンを形成せずに上記エッチング液を第１電極１１の表面にミスト状に吹き付けることで、凹部１１ａを形成してもよい。また、エッチング液の組成比等を変更して、エッチングが不均一に進行するようにすることで、凹部１１ａを形成してもよい。この場合には、レジストパターンの形成工程が省略されるため、製造工程が容易になるため、好ましい。
【００３５】
なお、ここでは、ＩＴＯ膜のパターン加工により第１電極１１を形成した後、第１電極１１の表面に凹部１１ａを形成するため、２回のリソグラフィ処理を行うこととするが、レジストパターンの開口形状またはエッチング条件を制御することで、ＩＴＯ膜のパターン加工と第１電極１１への凹部１１ａの形成を同一工程で行ってもよい。
【００３６】
また、第２基板２０上にも、ＩＴＯ膜からなる第２電極２１を形成する。この場合の第２電極２１はベタ膜状に設けられることとする。その後、第１電極１１と同様に、通常のリソグラフィ処理により、第２電極２１の表面にも複数の凹部２１ａを形成する。
【００３７】
次いで、各電極形成面を対向させた状態で、第１基板１０と第２基板２０とをスペーサ（図示省略）を挟んで重ね合わせ、第１基板１０と第２基板２０の周囲に設けられたシール材（図示省略）により接着する。続いて、第１基板１０と第２基板２０との間に、例えば架橋性のモノマーと液晶との混合液を注入し、このモノマーを重合することで、ポリマー３１と液晶分子３３が包括された液晶ドロプレット３２とからなる液晶層３０を形成する。以上により、図１に示した液晶表示装置が完成する。
【００３８】
このような液晶表示装置によれば、第１電極１１および第２電極２１の液晶層３０側の表面が凹凸形状に設けられていることから、液晶層３０の厚みを薄くすることなく、従来構造よりも駆動電圧を低くすることができる。したがって、光散乱型の液晶表示装置の反射率を維持した状態で、駆動回路やＴＦＴの耐圧を下げることができ、消費電力を低くすることができる。また、従来構造と同等の駆動電圧となる程度に上記液晶層３０の厚みを厚くすることが可能であることから、駆動電圧を維持した状態で、光散乱型の液晶表示装置の反射率を高めることができる。
【００３９】
また、本実施形態の液晶表示装置によれば、第１電極１１と第２電極２１の両方の表面が凹凸形状に設けられていることから、第１電極１１または第２電極２１のいずれか一方の表面のみが凹凸形状に設けられる場合によりも、駆動電圧を低くすることができる。
【００４０】
なお、本実施形態では、各電極の表面に複数の凹部１１ａ、２１ａを形成することで、電極の表面が凹凸形状に設けられた構成としたが、各電極の表面に複数の凸部が設けられていても良い。この場合には、この凸部の径や各凸部の間隔は、上記凹部１１ａ、２１ａと同様に形成されることとする。なお、この場合におけるセルギャップｇは、上記凸部を除いた領域の第１電極１１および第２電極２１の表面間での距離であることとする。また、各電極の表面に凹部と凸部が混在していても構わない。この場合のセルギャップｇは、上記凹部と凸部を除いた領域の第１電極１１および第２電極２１の表面間での距離であることとする。
【００４１】
（第２実施形態）
本実施形態においては、図３に示すように、第１基板１０と第１電極１１との間に、第１電極１１側に複数の凸部４０ａを有する樹脂層４０を介在させることで、第１電極１１の表面が凹凸形状に設けられる例について説明する。なお、第１実施形態と同様の構成については、同一の番号を付して説明する。
【００４２】
この場合には、樹脂層４０上に設けられる第１電極１１も樹脂層４０の表面形状に倣って複数の凸部１１ｂを有して設けられる。これにより、第１電極１１の表面は凹凸形状に設けられる。ここで、凸部１１ｂの径および間隔は、第１実施形態において、第１電極１１の表面に設けられた凹部１１ａの径および間隔と同様であることとする。ここでは、１５０μｍ四方の画素内における樹脂層４０の第１電極１１側の面に、例えば１０μｍの径の略半球状の凸部４０ａが、不均一に２００個〜５００個程度設けられており、第１電極１１は、この凸部４０ａを覆う状態で、樹脂層４０上に設けられていることとする。なお、この場合のセルギャップｇは、凸部１１ｂを除く領域の第１電極１１と凹部２１ａを除く領域の第２電極２１の表面間の距離であることとする。
【００４３】
このような液晶表示装置は、次のような方法により製造される。
【００４４】
この場合には、ＭＲＳ（Micro Reflective Structure)構造を形成する場合と同様の方法により製造することが可能である。まず、第１基板１０上にＴＦＴを配列形成した後、平坦化絶縁膜（図示省略）を形成する。次に、この平坦化絶縁膜上に、例えば感光性のアルキル系樹脂を塗布形成する。次に、通常のリソグラフィ技術により、島状の樹脂パターンとなるように、上記アルキル系樹脂をパターンニングする。次いで、熱処理を行うことにより、この樹脂パターンを流動させて、略半球状とする。その後、必要に応じて、この略半球状の樹脂パターンによる凹凸形状を滑らかにするために、カバー膜を形成することで、表面側に複数の凸部４０ａが設けられた樹脂層４０を形成する。次に、この樹脂層４０および平坦化絶縁膜に上記ＴＦＴに達する接続孔を形成する。
【００４５】
なお、ここでは、上記樹脂パターンを熱処理により略半球状としたが、この熱処理は行わなくてもよい。また、樹脂パターン上にカバー膜を形成することとしたが、このカバー膜も形成しなくてもよい。
【００４６】
その後、この接続孔を埋め込む状態で、樹脂層４０上に、スパッタリング法、蒸着法、またはＣＶＤ法により、ＩＴＯ膜を形成する。これにより、ＩＴＯ膜の表面に、樹脂層４０の表面形状に倣った複数の凸部が形成される。続いて、上記接続孔を介してＴＦＴに接続されるように、画素電極となる第１電極１１をパターン形成する。これにより、表面に複数の凸部１１ｂを有する第１電極１１が形成されることで、第１電極１１の表面が凹凸形状となる。
【００４７】
そして、このようにして得られた第１基板１０側のパネルを用いた、以降の液晶表示装置の製造工程は、第１実施形態と同様に行われることとする。
【００４８】
以上説明した構成の液晶表示装置によっても、第１電極１１の表面が凹凸形状に設けられていることから、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４９】
なお、本実施形態では、樹脂層４０の第１電極１１側の表面に複数の凸部４０ａが設けられた例について説明したが、樹脂層４０が、凸部４０ａのみで島パターン状に構成されていてもよい。
【００５０】
また、樹脂層４０に複数の凹部が形成されることで、第１電極１１の表面が凹凸形状に設けられていてもよい。この場合には、樹脂層４０を塗布形成した後、樹脂層４０の表面をエッチングすることで、複数の凹部を形成する。これにより、樹脂層４０の表面形状に倣って上層に形成される第１電極１１の表面が凹凸形状に設けられる。この場合の液晶表示装置のセルギャップｇは、凹部を除く領域の第１電極１１と凹部２１ａを除く領域の第２電極２１の表面間の距離であることとする。さらに、樹脂層４０の表面に複数の凸部と複数の凹部とが混在していてもよい。この場合の液晶表示装置のセルギャップｇは、凸部および凹部を除く領域の第１電極１１と凹部２１ａを除く領域の第２電極２１の表面間の距離であることとする。
【００５１】
また、ここでは、第１基板１０と第１電極１１の間にのみ樹脂層４０を介在させることとするが、第２基板２０と第２電極２１との間に樹脂層４０が設けられていてもよい。ただし、この場合には、第２基板２０側からの光の透過率および第２基板２０側への光の透過率が低くなることから、透過率の低下が許容される範囲内の厚みで設けられることが好ましい。
【００５２】
以上説明した第１実施形態と第２実施形態では、ＰＮ型液晶層を備えた液晶表示装置について説明したが、本発明は光散乱型の液晶表示装置であればよく、液晶ドロプレット３２同士が完全に分離されたタイプのＰＤＬＣ型液晶層を備えた液晶表示装置であっても適用可能である。ただし、ＰＮ型液晶層は、ＰＤＬＣ型液晶層と比較して、液晶ドロプレット３２が連通して設けられたものも含むため、液晶分子３３が連鎖的に配向し易い。このため、ＰＮ型液晶層を備えた液晶表示装置は、本発明の効果を顕著に奏することができる。
【００５３】
また、第１実施形態と第２実施形態では、反射型の液晶表示装置の例を用いて説明したが、透過型の液晶表示装置であっても、本発明は適用可能である。この場合には、図２（ｂ）の模式図で示す第１基板１０の光吸収層１２は設けられず、例えば第１基板１０側から入射した光を第２基板２０側へ透過させる。このため、電界Ｅを印加していない図２（ｂ）の状態が遮光となり、電界Ｅを印加した図２（ｃ）の状態が透過となる。
【実施例】
【００５４】
（実施例１）
上述した第１実施形態と同様に、図１に示す液晶表示装置を製造した。すなわち、１５０μｍ四方の画素内の第１電極１１および第２電極２１の表面に、１μｍ〜１０μｍの径の凹部１１ａ、２１ａが１００個〜１００００個程度設けられた液晶表示装置を製造した。
【００５５】
（実施例２）
上述した第２実施形態と同様に、図３に示す液晶表示装置を製造した。すなわち、第１基板１０と第１電極１１との間に樹脂層４０が介在されており、１５０μｍ四方の画素内における樹脂層４０の第１電極１側の表面には、１０μｍ程度の径の凸部４１ａが２００個〜５００個程度設けられている。そして、第１電極１１が樹脂層４０の表面形状に倣って形成された液晶表示装置を製造した。
【００５６】
（比較例１）
上述した実施例１と実施例２に対する比較例１として、第１電極１１の表面および第２電極２１の表面が凹凸形状に設けられていない液晶表示装置を製造した。
【００５７】
なお、上述した実施例１、２および比較例１の液晶表示装置のセルギャップｇは５０μｍであることとする。そして、これらの液晶表示装置について、印加電圧を上昇させた場合の反射率の変化を測定した。
【００５８】
この結果を図４のグラフに示す。このグラフに示すように、比較例１の液晶表示装置では、液晶分子の配向が変化し、反射率が最低値で落ち着く駆動電圧は２２Ｖであることが確認された。また、これに対して、実施例１の液晶表示装置の駆動電圧は１８Ｖであり、比較例１よりも３Ｖ低くなることが確認された。また、実施例２の液晶表示装置の駆動電圧は１５Ｖであり、比較例１よりも５Ｖ低くなることが確認された。
【００５９】
これにより、第１電極１１の表面および第２電極２１の表面を凹凸形状にすることで、駆動電圧が低くなることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の液晶表示装置に係る第１実施形態を説明するための断面構成図である。
【図２】本発明の液晶表示装置に係る液晶分子の配向制御を説明するための模式図である。
【図３】本発明の液晶表示装置に係る第２実施形態を説明するための断面構成図である。
【図４】印加電圧と反射率の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１０…第１基板、１１…第１電極、２０…第２基板、２１…第２電極、３０…液晶層、３１…ポリマー、３２…液晶ドロプレット
【図１】
2006293050.tif 000003
【図２】
2006293050.tif 000004
【図３】
2006293050.tif 000005
【図４】
2006293050.tif 000006