(57)【要約】【課題】  使用環境が高温においても放熱性に優れ、記録の熱揺らぎや、ヘッドクラッシュ等が起こりにくい、小型の磁気ディスクを提供する。【解決手段】  磁気記録層の潤滑層で被覆された表面に、各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第１溝部を有する、１．８インチ以下の直径を持つ磁気ディスク。【選択図】      図３
2006048765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクの直径が１．８インチ以下の磁気ディスクであって、
基板と、
前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、
前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第１溝部を有することを特徴とする磁気ディスク。
【請求項２】
前記第１溝部の隣接する溝の間隔は５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
【請求項３】
前記第１溝部の溝の深さは０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜２に記載の磁気ディスク。
【請求項４】
前記第１溝部の溝の開口の幅は２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３に記載の磁気ディスク。
【請求項５】
前記第１溝部の溝の開口の幅が、底部の幅よりも幅広いことを特徴とする請求項１〜４に記載の磁気ディスク。
【請求項６】
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された前記表面には、前記記録トラックを横切る螺旋状の第２溝部がさらに設けられていることを特徴とする請求項１〜５に記載の磁気ディスク。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の磁気ディスクと、
前記潤滑層と向き合うように配置される磁気ヘッドと、
前記磁気ディスクを前記磁気ヘッドに対して前記記録トラックに沿った方向に回転させる駆動機構とを具備したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された前記表面には、前記記録トラックを横切る螺旋状の第２溝部がさらに設けられており、
前記駆動機構は、前記第２溝部が右巻きである場合には前記磁気ディスクを左回りに回転させ、前記第２溝部が左巻きである場合には前記磁気ディスクを右回りに回転させることを特徴とする請求項７記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
請求項１〜６の磁気ディスクを回転するための回転軸が装置筐体の上下方向と物理的に接触して熱が装置筐体の上下から放熱されることを特徴とする請求項６記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記磁気ヘッドは浮上型磁気ヘッドであることを特徴とする請求項７〜９に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記磁気ヘッドは接触型磁気ヘッドであることを特徴とする請求項７〜９に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク及び磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電子機器は、益々、小型化及び高機能化している。そのため、携帯電子機器に搭載される記憶装置には小型化及び大容量化が要求されており、そのような記憶装置の１つとして磁気ディスク装置が検討されている。
【０００３】
小型の磁気ディスク装置では、例えば１．８インチ以下の直径の小さな磁気ディスクが使用される。
【０００４】
しかし、小型の磁気ディスクでは単位記録容量あたりの消費電力が２.５インチより小さいと上昇することが知られている。そのため、単位容量あたりの発熱量が大きくなり、記録の熱揺らぎや、ヘッドクラッシュ等が起こりやすくなる。これは使用環境が高温になるほど加速する。しかし小型の磁気ディスク装置は車載用やモバイル用に用いられることから使用環境温度は高いことが多い。このため、小型の磁気ディスク装置内の放熱性はより良好にすることが望ましい。
【０００５】
従来の通常の大きさの磁気ディスク装置では、例えば装置内でディスクを部分的に取り囲む中空壁に溝を設けて気流の流路を形成した装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特願２００２−２３０７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、使用環境が高温においても放熱性に優れ、記録の熱揺らぎや、ヘッドクラッシュ等が起こりにくい、小型の磁気ディスクや磁気ディスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１に、ディスクの直径が１．８インチ以下の磁気ディスクであって、
基板と、
前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、
前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第１溝部を有することを特徴とする磁気ディスクを提供する。
【０００８】
本発明は、第２に、基板、前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層、及び前記堆積層を被覆した潤滑層とを含み、前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第１溝部を有する磁気ディスクと、
前記潤滑層と向き合うように配置される磁気ヘッドと、
前記磁気ディスクを前記磁気ヘッドに対して前記記録トラックに沿った方向に回転させる駆動機構とを具備したことを特徴とする磁気ディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は使用環境が高温においても放熱性に優れ、記録の熱揺らぎや、ヘッドクラッシュ等が起こりにくい、小型の磁気ディスクや磁気ディスクを提供する
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の第１態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図である。図２は、図１の磁気ディスクの一部を拡大して示す平面図である。図３は、図２の磁気ディスクのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。なお、図中、両矢印Ｄ１はトラック方向である第１方向を示しており、両矢印Ｄ２は第１方向Ｄ１と交差する第２方向（ここでは、第１方向Ｄ１に垂直な方向、すなわち半径方向）を示している。
【００１２】
この磁気ディスク１０は、図３に示すように、基板１を含んでいる。基板１上には、堆積層２が形成されている。堆積層２は、潤滑剤からなる潤滑層３で被覆されている。
【００１３】
堆積層２は、磁気記録層２２を含んでいる。ここでは一例として、堆積層２として、下地層２１と磁気記録層２２と保護層２３との積層体を形成している。
【００１４】
この磁気ディスク１０は、図１及び図２に示すように、基板１の一主面上にデータ領域Ａdとサーボ領域Ａsとを設けた構造を有している。
【００１５】
堆積層２のデータ領域Ａdに対応した部分は、図２及び図３に示すように、複数の記録トラックＴＲと複数の第１溝部Ｇ１とを含んでいる。なお、図１では、第１溝部Ｇ１のうち、最内周及び最外周に位置したもののみを描いており、それら第１溝部Ｇ１間に位置したものは省略している。記録トラックＴＲ及び第１溝部Ｇ１は、螺旋状又は同心円状に形成されている。また、記録トラックＴＲと第１溝部Ｇ１とは、１つの第１溝部Ｇ１と１つ又は複数の記録トラックＴＲとが第２方向Ｄ２に交互に配列するように形成されている。
【００１６】
図２及び図３では、一例として、記録トラックＴＲと第１溝部Ｇ１とは、１つの第１溝部Ｇ１と１つの記録トラックＴＲとが第２方向Ｄ２に交互に配列するように形成している。また、ここでは、一例として、磁気記録層２２をパターニングすることにより、溝間隔Ｃで配列され、開口幅Ｂをもつ溝を有する第１溝部Ｇ１を形成している。さらに、ここでは、一例として、最内周及び最外周の第１溝部Ｇ１以外の第１溝部Ｇ１は、データ領域Ａdにのみ形成し、サーボ領域Ａsには形成していない。
【００１７】
サーボ領域Ａsは、データ領域Ａdに対し、第１方向Ｄ１に隣接している。サーボ領域Ａsは、例えば、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）部Ｐ１、アドレス部Ｐ２、パッド部Ｐ３、バースト部Ｐ４、及びパッド部Ｐ５を含んでいる。なお、図２に示す例では、情報の書き込み時及び読み出し時において、磁気ディスク１０は磁気ヘッド（図示せず）に対して左方向に相対移動させる。したがって、ＡＧＣ部Ｐ１、アドレス部Ｐ２、パッド部Ｐ３、バースト部Ｐ４、及びパッド部Ｐ５は、図中、左側から右側へ向けて順次配列している。
【００１８】
ＡＧＣ部Ｐ１は、アドレス部Ｐ２やバースト部Ｐ４や記録トラックＴＲなどからの信号を適正な大きさに増幅するための基準として利用可能な信号，例えばＨｉｇｈレベルの信号，を出力する。ＡＧＣ部Ｐ１は、第２方向Ｄ２に連続しており、磁気ヘッドを第２方向Ｄ２に移動させた場合でも一定強度の信号を出力するように構成されている。ＡＧＣ部Ｐ１は必ずしも設ける必要はないが、ＡＧＣ部Ｐ１を設けると、アドレス部Ｐ２やバースト部Ｐ４や記録トラックＴＲなどからの信号を増幅するに際し、ＡＧＣ部Ｐ１からの信号強度に応じて、磁気ディスク装置の利得を変化させることができる。したがって、情報の書き込み及び読み出しをより高い精度で実施可能となる。
【００１９】
アドレス部Ｐ２は、各記録トラックＴＲに対応したアドレス情報を保持している。アドレス部Ｐ２の各記録トラックＴＲに対応したそれぞれの部分は、例えば、Ｈｉｇｈレベルの信号を出力する第１信号レベル部ＰＨとＬｏｗレベルの信号を出力する第２信号レベル部ＰＬとを第１方向Ｄ１に沿って配列した構造を有しており、それら第１信号レベル部ＰＨと第２信号レベル部ＰＬとの配列パターンはアドレス情報に対応して定められている。また、アドレス部Ｐ２において第２方向Ｄ２に隣り合う第１信号レベル部ＰＨと第２信号レベル部ＰＬとは、隣接した記録トラックＴＲ間を通り且つ第１方向Ｄ１に沿った線を境界としている。
【００２０】
パッド部Ｐ３は必ずしも設ける必要はないが、パッド部Ｐ３を設けた場合、アドレス部Ｐ２からの信号とバースト部Ｐ４からの信号とを分離するうえで有利である。同様に、パッド部Ｐ５は必ずしも設ける必要はないが、パッド部Ｐ５を設けた場合、バースト部Ｐ４からの信号と記録トラックＴＲからの信号とを分離するうえで有利である。
【００２１】
バースト部Ｐ４は、磁気ヘッドと選択した記録トラックＴＲとの第２方向Ｄ２に関する相対位置の情報を与える。バースト部Ｐ４は、例えば、第１方向Ｄ１に配列した第１乃至第４領域Ｐ４１乃至Ｐ４４を含んでいる。また、第１乃至第４領域Ｐ４１乃至Ｐ４４のそれぞれにおいては、例えば、Ｈｉｇｈレベルの信号を出力する第１信号レベル部ＰＨとＬｏｗレベルの信号を出力する第２信号レベル部ＰＬとが第２方向Ｄ２に配列している。
【００２２】
第１信号レベル部ＰＨには、例えば、記録トラックＴＲと同様の層構造を採用することができる。第２信号レベル部ＰＬには、例えば、記録トラックＴＲと同様の層構造を採用してもよく、或いは、第１溝部Ｇ１と同様の層構造を採用してもよい。或いは、第２信号レベル部ＰＬの一部に記録トラックＴＲと同様の層構造を採用し、第２信号レベル部ＰＬの他の一部に第１溝部Ｇ１と同様の層構造を採用してもよい。
【００２３】
第１信号レベル部ＰＨ及び第２信号レベル部ＰＬに記録トラックＴＲと同様の層構造を採用する場合、例えば、第１信号レベル部ＰＨと第２信号レベル部ＰＬとで磁気記録層２２の磁化の向きを異ならしめることにより、それらの信号レベルを異ならしめることができる。また、第１信号レベル部ＰＨに記録トラックＴＲと同様の層構造を採用し且つ第２信号レベル部ＰＬに第１溝部Ｇ１と同様の層構造を採用する場合、磁気記録層２２の成膜後にサーボ領域Ａsに各種情報を記録する必要がない。
【００２４】
本発明の磁気ディスクは、ディスクの直径が１．８インチ以下である。一方、磁気ディスクの直径が０．１インチより小さいと製造が困難になるため、本発明では、直径０．１インチ以上のディスクが好ましい。
【００２５】
本態様に係る磁気ディスク１０において、第１溝部Ｇ１は、ディスク回転によって気流と接触し、ディスクの熱を気流に渡す働きを有する。ＬＳＩやモーターは発熱源であるがその熱もディスクを介して気流に渡される。空気流は磁気ディスク装置の筐体部分に熱を渡し、放熱に寄与する。同心円もしくは螺旋状の溝がディスク回転により効率よく記録トラック部を冷却することができる。
【００２６】
第２方向Ｄ２に隣り合う第１溝部Ｄ１間の距離Ｃ（溝の間隔）が３００ｎｍより大きい場合、上記の効果は顕著には現れない。また５nmより小さいと記録トラック幅が小さくなり、熱膨張等の影響を受けやすくなり、ヘッドのトラッキングが困難になる。好ましくは溝の間隔は２００nm以下３０ｎｍ以上である。
【００２７】
第１溝部Ｇ１の深さは、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内とする。０．５ｎｍより浅いと、気流への放熱効果が平板とほぼ同様になる。一方５０ｎｍより深いと、ＨＤＩが不安定になり、ヘッドクラッシュしやすくなる。好ましくは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
【００２８】
第１溝部Ｇ１の開口の幅Ｂは２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内とする。２ｎｍより狭いと、気流への放熱効果が平板とほぼ同様になる。一方２００ｎｍより広いと、ＨＤＩが不安定になり、ヘッドクラッシュしやすくなる。好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００２９】
また第１溝部のＧ１は開口の幅の方が底部よりも幅広いことが好ましい。これにより気流の流れがよりスムーズになり冷却効率が増す。
【００３０】
次に、磁気ディスク１０に使用可能な材料などについて説明する。
【００３１】
基板１としては、例えば、ガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、及びこれらの基板の表面にＮｉＰ層を形成したものなどを用いることができる。ガラス基板には、アモルファスガラス又は結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどがある。セラミック基板としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。基板の表面にＮｉＰ層を形成するには、例えば、メッキやスパッタリングを利用することができる。基板１の直径は、例えば、１インチ（２．５４ｃｍ）とする。
【００３２】
堆積層２は、磁気記録層２２を含んでいる。典型的には、堆積層２は、下地層２１や保護層２３をさらに含んでいる。
【００３３】
下地層２１は、軟磁性層を含むことができる。例えば、磁気記録層２２が垂直磁気記録層である場合、この軟磁性層は、書込磁極からの記録磁界を磁気記録層２２に通過させ、書込磁極の近傍に配置されたリターンヨークへ記録磁界を還流させる役割を果たす。すなわち、軟磁性層は、記録ヘッドの機能の一部を担っており、磁気記録層２２に急峻な垂直磁界を印加して、記録効率を向上させる役割を果たす。
【００３４】
この軟磁性層には、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏのうち少なくとも１種を含む高透磁率材料が用いられる。このような材料としては、例えば、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなどのＦｅＣｏ系合金、ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなどのＦｅＮｉ系合金、ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなどのＦｅＡｌ系及びＦｅＳｉ系合金、ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなどのＦｅＴａ系合金、ＦｅＺｒＮなどのＦｅＺｒ系合金が挙げられる。
【００３５】
軟磁性層には、Ｆｅを６０原子％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造、又は微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラ構造を有する材料を用いることもできる。
【００３６】
軟磁性層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ及びＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。軟磁性層中のＣｏ含量は、例えば８０原子％以上とする。このようなＣｏ合金をスパッタリングにより成膜した場合には、アモルファス層が形成され易い。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥及び粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、アモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。アモルファス軟磁性材料としては、例えば、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。
【００３７】
下地層２１は、軟磁性層の結晶性の向上又は軟磁性層と基板１との密着性の向上のために、軟磁性層と基板１との間に他の層をさらに含むことができる。そのような層には、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、これらを含む合金、これらの酸化物、これらの窒化物などを用いることができる。
【００３８】
下地層２１は、軟磁性層と磁気記録層２２との間に、非磁性層をさらに含むことができる。この非磁性層の役割は、軟磁性層と磁気記録層２２との交換結合相互作用を遮断すること、及び磁気記録層２２の結晶性を制御することである。非磁性層の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、これらを含む合金、これらの酸化物、これらの窒化物などを挙げることができる。
【００３９】
スパイクノイズ防止のために複数の軟磁性層を設けると共に、これら軟磁性層間に例えば厚さ０．５ｎｍ乃至１．５ｎｍ程度のＲｕ層を介在させて、それら軟磁性層同士を反強磁性結合させてもよい。さらに、軟磁性層と、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持った硬磁性膜又はＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピニング層とを交換結合させてもよい。この場合、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の上下に、Ｃｏ層などの磁性層又はＰｔ層などの非磁性層を配置してもよい。
【００４０】
磁気記録層２２が垂直磁気記録層である場合、その材料としては、例えば、Ｃｏを主成分として含有し、さらにＰｔと酸化物とを含有した材料を使用することができる。この材料は、Ｃｒをさらに含有することができる。また、この材料が含有する酸化物としては、例えば、酸化シリコン及び酸化チタンなどを挙げることができる。
【００４１】
磁気記録層２２中で、磁性結晶粒子は柱状構造を形成していてもよい。このような構造を有する磁気記録層２２では、磁性結晶粒子の配向性及び結晶性が良好である。そのため、そのような磁気記録層２２によると、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を得ることができる。
【００４２】
上記の構造を得るうえでは、酸化物の量が重要である。酸化物含量は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒの総量に対して、例えば、３ｍｏｌ％乃至１２ｍｏｌ％の範囲内としてもよく、５ｍｏｌ％乃至１０ｍｏｌ％の範囲内としてもよい。磁気記録層２２中の酸化物含量が上記の範囲であれば、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を孤立化及び微細化させることができる。酸化物含量が上記範囲を超えると、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性及び結晶性を損ね、さらには磁性粒子の上下に酸化物が析出することがある。その結果、磁性粒子が磁気記録層２２を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなることがある。他方、酸化物含量が上記範囲未満であると、磁性粒子の孤立化及び微細化が不十分となることがある。その結果、記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなることがある。
【００４３】
磁気記録層２２のＰｔ含量は、例えば、１０原子％乃至２５原子％の範囲内とする。Ｐｔ含量が上記範囲内にある場合、垂直磁気記録層に必要な一軸磁気異方性定数Ｋｕが得られ、さらに磁性粒子の結晶性及び配向性が良好になる。その結果、高密度記録に適した熱揺らぎ特性及び記録再生特性が得られる。Ｐｔ含量が上記範囲を超えると、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性及び配向性が損なわれるおそれがある。他方、Ｐｔ含量が上記範囲未満であると、高密度記録に適したＫｕが得られず、したがって、高密度記録に適した熱揺らぎ特性が得られなくなることがある。
【００４４】
磁気記録層２２のＣｒ含量は、例えば、０原子％乃至１６原子％の範囲内としてもよく、１０原子％乃至１４原子％の範囲内としてもよい。Ｃｒ含量が上記範囲内にあると、磁性粒子の一軸磁気異方性定数Ｋｕを下げることなく高い磁化を維持できる。その結果、高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性とが得られる。Ｃｒ含量が上記範囲を超えると、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し且つ磁性粒子の結晶性及び配向性が悪化することがある。その結果、記録再生特性が劣化するおそれがある。
【００４５】
磁気記録層２２は、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素をさらに含むことができる。これらの元素を添加すると、磁性粒子の微細化を促進するか又は磁性粒子の結晶性や配向性を向上させることができる。したがって、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。これら添加元素の合計含量は、例えば、８原子％以下とする。添加元素の合計含量が８原子％を超えると、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成され、磁性粒子の結晶性及び配向性が乱れることがある。その結果、高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性が得られなくなることがある。
【００４６】
磁気記録層２２に使用可能な他の材料としては、例えば、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉなどが挙げられる。磁気記録層２２としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群より選択される少なくとも一種を主成分とする合金層とＣｏ層との多層膜を用いることもできる。また、磁気記録層２２としては、これらの多層膜の少なくとも１つの層に、Ｃｒ、Ｂ又はＯを添加したものも使用することができる。そのような多層膜としては、例えば、ＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ膜、ＣｏＢ／ＰｄＢ膜、ＣｏＯ／ＲｈＯ膜などを挙げることができる。
【００４７】
磁気記録層２２の厚さは、例えば、５ｎｍ乃至６０ｎｍの範囲内としてもよく、１０ｎｍ乃至４０ｎｍの範囲内としてもよい。厚さがこの範囲内にある磁気記録層２２は、高記録密度に適している。磁気記録層２２が薄いと、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。他方、磁気記録層２２が厚いと、再生出力が高過ぎて波形が歪む傾向がある。
【００４８】
磁気記録層２２の保磁力は、例えば、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とする。保磁力が小さいと、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。また、磁気記録層２２の垂直角型比は、例えば、０．８以上とする。垂直角型比が小さいと、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。
【００４９】
保護層２４は、磁気記録層２２の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触したときにその表面の損傷を防ぐ役割を果たす。保護層２４の材料としては、例えば、Ｃ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2を含む材料が挙げられる。保護層２４の厚さは、例えば、１ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲内とする。保護層２４の厚さが上記範囲内にあると、磁気ヘッドと磁気ディスクとの距離を小さくできる。これは、高密度記録の観点で有利である。
【００５０】
上述した堆積層２が含む各層は、例えば、スパッタリング、真空蒸着、電解メッキなどの方法で形成することができる。
【００５１】
潤滑層３の材料としては、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を使用することができる。潤滑層３は、例えば、保護層２３に潤滑剤を塗布することにより形成することができる。
【００５２】
次に、本発明の第２態様について説明する。
【００５３】
図４は、本発明の第２態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図である。この磁気ディスク１０は、データ領域Ａd及びサーボ領域Ａsの形状を変更し且つ堆積層２に第２溝部Ｇ２をさらに設けたこと以外は、図１乃至図３に示した磁気ディスク１０と同様の構造を有している。
【００５４】
具体的には、図４の磁気ディスク１０では、データ領域Ａdとサーボ領域Ａsとの境界は、螺旋状である。図４では、一例として、データ領域Ａdとサーボ領域Ａsとの境界を、左巻きの螺旋形状としている。
【００５５】
第２溝部Ｇ２は、この例では、データ領域Ａdとサーボ領域Ａsとの境界上に設けており、左巻きの螺旋形状としている。第２溝部Ｇ２は、サーボ領域Ａs内に設けてもよい。
【００５６】
各第２溝部Ｇ２の一端は、この例では、最内周の第１溝部Ｇ１に接続している。また、各第２溝部Ｇ２の他端は、この例では、最外周の第１溝部Ｇ１に接続している。各第２溝部Ｇ２は、最内周の第１溝部Ｇ１や最外周の第１溝部Ｇ１に接続しなくてもよい。また、各第２溝部Ｇ２は、最内周の第１溝部Ｇ１と最外周の第１溝部Ｇ１との間で複数の部分に分断されていてもよい。
【００５７】
この磁気ディスク１０を図中時計回りに回転させると、気流はＧ２に沿ってうまく流れる。
【００５８】
なお、上記の効果は、第２溝部Ｇ２を右巻きの螺旋形状とし且つ磁気ディスク１０を反時計回りに回転させた場合にも得ることができる。
【００５９】
次に、第１及び第２態様に係る磁気ディスク１０を搭載した磁気ディスク装置について説明する。
【００６０】
図５は、第１及び第２態様に係る磁気ディスク１０を搭載可能な記録ディスク装置の一例を概略的に示す斜視図である。  
この磁気ディスク装置は、第１又は第２態様に係る磁気ディスク１０、スピンドル２０、ピボット３０、磁気ヘッドアセンブリ４０及びボイスコイルモータ５０などを含んでいる。これらは、筐体６０内に配置されている。
【００６１】
磁気ディスク１０はスピンドル２０に回転可能に支持されており、スピンドル２０には制御部（図示せず）が含む制御回路からの制御信号に応じて動作するモータ（図示せず）が接続されている。図５に示す磁気ディスク装置では、これにより、磁気ディスク１０の回転などを制御可能としている。
【００６２】
磁気ディスク１０の外周近傍にはピボット３０が配置されており、このピボット３０は、その上下２ヶ所に配置されたボールベアリング（図示せず）を介して磁気ヘッドアセンブリ４０を揺動可能に支持している。磁気ヘッドアセンブリ４０のボビン部にはコイル（図示せず）が巻きつけられており、このコイルとそれを挟んで対向して配置された永久磁石と対向ヨークとは磁気回路を形成するとともにボイスコイルモータ５０を構成している。このボイスコイルモータ５０も制御部に接続されており、それにより、磁気ヘッドアセンブリ４０の先端のヘッドスライダ４０１を、磁気ディスク１０の所望の記録トラックＴＲ上へと位置させることを可能としている。
【００６３】
磁気ヘッドアセンブリ４０は、例えば、駆動コイルを保持するボビン部などを備えたアクチュエータアーム４０２を有している。このアクチュエータアーム４０２にはサスペンション４０３の一端が取り付けられており、サスペンション４０３の他端にはヘッドスライダ４０１が取り付けられている。なお、アクチュエータアーム４０２の先端には微小位置制御を行うためのピエゾ素子が設置されている。
【００６４】
ヘッドスライダ４０１には、磁気ヘッドが組み込まれている。この磁気ヘッドは、例えば、複合型ヘッドであり、単磁極構造の書込ヘッドと、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子などのシールド型ＭＲ素子を用いた読出ヘッドとを含んでいる。
【００６５】
サスペンション４０３上には信号の書き込み及び読み取り用などのリード線（図示せず）が形成されており、これらリード線はヘッドスライダ４０１に組み込まれた磁気ヘッドの電極にそれぞれ電気的に接続されている。なお、この磁気ディスク装置において、情報の記録及び再生は、磁気ディスク１０を回転させ、それによって生じる気流によりヘッドスライダ４０１を磁気ディスク１０から浮上させた状態で行う。また、図５に示す磁気ディスク装置において、スピンドル２０に接続されたモータ及びボイスコイルモータ５０などは駆動機構を構成している。この磁気ディスク装置の内部にはサーボ領域Ａsからの信号に基づいてトラッキング信号を発生するためのマイクロプロセッサが設置されている。
【００６６】
以上、浮上型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置について説明したが、磁気ヘッドとして接触型磁気ヘッドを用いてもよい。
【００６７】
図６は、接触型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の一部を概略的に示す断面図である。なお、図６において、参照符号４０１０はヘッドスライダ本体を示し、参照符号４０１１は書込磁極を示している。
【００６８】
図６に示すヘッドスライダ４０１は、接触型ヘッドスライダである。図６に示すように、接触型ヘッドスライダ４０１を使用した場合、ヘッドを通しても放熱ができるため冷却に都合がよい。
【００６９】
図５はディスクが下部のみ固定されたモーター回転軸に設けられた例であるが、図７に、上下が固定され、その下部にモーターベース７０４を有するモーター回転軸に、磁気ディスクが設けられたディスク装置の断面図を示す。図示するように、この例では、ベアリング７０２を備え、固定ねじ７０６により、ディスク固定板７０５に取り付けられた、磁気ディスク１０を回転するための回転軸７０１が、装置筐体６０の上下方向と物理的に接触して、熱が装置筐体６０の上下から放熱される構造にすると、より冷却効率が高まる。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００７１】
（実施例１）
図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を以下の方法で作成した。  
まず、直径０．８５インチのガラス基板１上に、下地層２１として、厚さ１００ｎｍの軟磁性層及び厚さ３０ｎｍのＰｄ層を順次形成した。次に、この下地層２１上に、磁気記録層２２として、ＣｏＣｒＰｔとＳｉＯ2との混合物からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層を形成した。この磁気記録層２２の厚さは２０ｎｍとした。
【００７２】
次に、磁気記録層２２をパターニングするために、以下の工程を実施した。  
すなわち、まず、磁気記録層２２上に、厚さ５０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。このＳｉＯ2膜上にスピンコート法によりレジスト膜を形成し、これに、第１溝部Ｇ１と第２信号レベル部ＰＬとに対応した位置に凸部を設けたＮｉ金型（スタンパ）を押し当てた。これにより、レジスト膜に、Ｎｉ金型の凸パターンに対応した形状の凹パターンを形成した。
【００７３】
なお、Ｎｉ金型としては、電子線リソグラフィー及びメッキなどを利用して形成したものを使用した。Ｎｉ金型の凸部の高さは、５０ｎｍとした。また、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応した円周状凸部のそれぞれの幅は５０ｎｍとし、隣り合う円周状凸部間の間隔は１００ｎｍとした。
【００７４】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、レジスト層及びＳｉＯ2膜をエッチングした。このエッチングは、レジスト層に形成した凹部の位置で、磁気記録層２２の表面が露出するまで行った。これにより、レジスト層の凹パターンに対応した位置で開口した、ＳｉＯ2パターンを得た。
【００７５】
続いて、Ａｒイオンミリングにより、ＳｉＯ2パターンの開口に対応した位置で磁気記録層２２をエッチングすると共に、このＳｉＯ2パターンもエッチングした。以上のようにして、磁気記録層２２をパターニングした。
【００７６】
次に、基板１の磁気記録層２２側の面に、埋め込み層２３として、ＳｉＯ2膜を製膜後エッチバックした。次に保護層２４としてダイアモンドライクカーボン層を順次形成した。
【００７７】
ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）による測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも３ｎｍ低かった。
【００７８】
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層２４上に塗布して潤滑層３を形成した。以上のようにして、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を完成した。なお、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは３ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。第１溝部の表面の幅は４０ｎｍであり、表面の幅の方が底部よりも広い。
【００７９】
次に、この磁気ディスク１０を図５の磁気ディスク装置に搭載し、以下の条件で加速寿命試験を行った。
【００８０】
すなわち、ここでは、ヘッドスライダ４０１としては、磁気ディスク１０から１０ｎｍ浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第２方向Ｄ２の寸法は１００ｎｍとし、書込ヘッドの書込磁極の第２方向Ｄ２の寸法は１２０ｎｍとした。温度６０℃、湿度８０％の条件下で、磁気ディスク１０を３６００ｒｐｍで回転させて連続で駆動した。その結果、試験開始から約５００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【００８１】
（実施例２）
直径１インチのガラス基板１を用いたこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも３ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは３ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【００８２】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約４５０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【００８３】
（実施例３）
まず、直径０．８５インチのガラス基板１上に、下地層２１として、厚さ１００ｎｍの軟磁性層及び厚さ３０ｎｍのＰｄ層を順次形成した。次に、この下地層２１上に、磁気記録層２２として、ＣｏＣｒＰｔとＳｉＯ2との混合物からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層を形成した。この磁気記録層２２の厚さは２０ｎｍとした。
【００８４】
次に、磁気記録層２２をパターニングするために、以下の工程を実施した。  
すなわち、まず、磁気記録層２２上に、厚さ７０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。このＳｉＯ2膜上にスピンコート法によりレジスト膜を形成し、これに、第１溝部Ｇ１と第２信号レベル部ＰＬとに対応した位置に凸部を設けたＮｉ金型（スタンパ）を押し当てた。これにより、レジスト膜に、Ｎｉ金型の凸パターンに対応した形状の凹パターンを形成した。
【００８５】
なお、Ｎｉ金型としては、電子線リソグラフィー及びメッキなどを利用して形成したものを使用した。Ｎｉ金型の凸部の高さは、５０ｎｍとした。また、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は５０ｎｍとし、隣り合う円周状凸部間の間隔は１００ｎｍとした。
【００８６】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、レジスト層及びＳｉＯ2膜をエッチングした。このエッチングは、レジスト層に形成した凹部の位置で、磁気記録層２２の表面が露出するまで行った。これにより、レジスト層の凹パターンに対応した位置で開口した、ＳｉＯ2パターンを得た。
【００８７】
続いて、Ａｒイオンミリングにより、ＳｉＯ2パターンの開口に対応した位置で磁気記録層２２をエッチングすると共に、このＳｉＯ2パターンもエッチングした。以上のようにして、磁気記録層２２をパターニングした。
【００８８】
次に、基板１の磁気記録層２２側の面に、保護層２４としてダイアモンドライクカーボン層を順次形成した。
【００８９】
ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）による測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも３０ｎｍ低かった。
【００９０】
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層２４上に塗布して潤滑層３を形成した。以上のようにして、磁気ディスク１０を完成した。なお、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは３０ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【００９１】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５５０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【００９２】
（実施例４）
実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、実施例１と同様に４．７ｍｍとした。また、ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、エッチバックの条件を実施例１と変えることにより第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも１０ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは１０ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【００９３】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約６００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【００９４】
（実施例５）
直径１．８インチのガラス基板１を用いたこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも３ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは３ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【００９５】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【００９６】
（実施例６）
円周状の溝パターンを有するＮｉ原盤を用いる代わりに螺旋状の溝パターンを有するＮｉ原盤を用いる以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、磁気ディスク１０を作成した。ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも３ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す螺旋状の第１溝部の深さは３ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【００９７】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【００９８】
（比較例１）
磁気記録層２２をパターニングしなかったこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
【００９９】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１５０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１００】
（比較例２）
磁気記録層２２をパターニングしなかったこと以外は、実施例２で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
【０１０１】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１7０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１０２】
（比較例３）
磁気記録層２２をパターニングしなかったこと以外は、実施例５で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
【０１０３】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約３００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１０４】
（比較例４）
直径２．０インチのガラス基板１を用いたこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも３ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは３ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【０１０５】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１０６】
（比較例５）
磁気記録層２２をパターニングしなかったこと以外は、比較例４で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込んだ。
【０１０７】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約４８０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１０８】
実施例１及び６、比較例１から５の結果から、直径が１．８インチ以下のディスクにおいて、基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、  前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記各記録トラックの両側に気流を通す同心円もしくは螺旋状の第１溝部を有すると、前記溝部がない磁気ディスクと比較して高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。
【０１０９】
（実施例７）
実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも３ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは３ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【０１１０】
この磁気ディスク１０を用いると共にスライダヘッド４０１として接触型スライダヘッドを使用したこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５５０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１１１】
（実施例８）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。すなわち、本例では、Ｎｉ金型の凸部の高さは、実施例１と同様、５０ｎｍとした。また、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は、実施例１と同様、５０ｎｍとした。但し、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部間の間隔は２８０ｎｍとした。
【０１１２】
作製した記録トラックＴＲの幅は２９０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも４ｎｍ低かった。
【０１１３】
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層２４上に塗布して潤滑層３を形成した。以上のようにして、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を完成した。なお、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは４ｎｍ、間隔は２９０ｎｍであった。
【０１１４】
次に、この磁気ディスク１０を図５の磁気ディスク装置に搭載し、以下の条件で加速寿命試験を行った。
【０１１５】
すなわち、ここでは、ヘッドスライダ４０１としては、磁気ディスク１０から１０ｎｍ浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第２方向Ｄ２の寸法は２９０ｎｍとし、書込ヘッドの書込磁極の第２方向Ｄ２の寸法は３００ｎｍとした。その結果、試験開始から約４８０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１１６】
（実施例９）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。すなわち、本例では、Ｎｉ金型の凸部の高さは、実施例１と同様、５０ｎｍとした。また、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は、実施例１と同様、５０ｎｍとした。但し、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部間の間隔は３２０ｎｍとした。
【０１１７】
作製した記録トラックＴＲの幅は３３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも４ｎｍ低かった。
【０１１８】
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層２４上に塗布して潤滑層３を形成した。以上のようにして、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を完成した。なお、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは４ｎｍ、間隔は３３０ｎｍであった。
【０１１９】
次に、この磁気ディスク１０を図５の磁気ディスク装置に搭載し、以下の条件で加速寿命試験を行った。
【０１２０】
すなわち、ここでは、ヘッドスライダ４０１としては、磁気ディスク１０から１０ｎｍ浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第２方向Ｄ２の寸法は３２０ｎｍとし、書込ヘッドの書込磁極の第２方向Ｄ２の寸法は３４０ｎｍとした。その結果、試験開始から約４００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１２１】
（実施例１０）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図４に示す磁気ディスク１０を作成した。
【０１２２】
すなわち、本例では、Ｎｉ金型のデータ領域Ａdに対応した部分とサーボ領域Ａsに対応した部分との境界を螺旋状とした。Ｎｉ金型の凸部の高さは、５０ｎｍとした。Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は５０ｎｍとし、隣り合うリング状凸部間の間隔は１００ｎｍとした。また、第２溝部Ｇ２に対応した凸部は右巻きの螺旋形状とし、その幅は５０ｎｍとした。
【０１２３】
作製された磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは３ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。右巻きの螺旋形状の第２溝部Ｇ２の深さは３ｎｍであった。
【０１２４】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その際、左向きにディスクを回転させた。その結果、試験開始から約６００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１２５】
（実施例１１）
左向きにディスクを回転させる代わりに右向きに回転させることを除いては実施例１１と同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１２６】
実施例１及び１０、１１の結果から、第２溝部Ｇ２を設け且つ磁気ディスク１０を所定の向きに回転させると、第２溝部Ｇ２を設けない場合と比較して、高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。
【０１２７】
（実施例１２）
実施例１で作製した磁気ディスクを図７の断面図で示すように、磁気ディスクを回転するための回転軸が装置筐体の上下方向と物理的に接触して熱が装置筐体の上下から放熱される構造にした。
【０１２８】
実施例１と同様の加速試験を行ったところ、試験開始から約６５０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となり、筐体の片側だけへの接触と比べて高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。
【０１２９】
（実施例１３）
エッチバックの条件を変えて、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも０．５ｎｍ低くし、さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは０．５ｎｍであったことを除いては実施例２と同様にして磁気ディスク１０を作製した。この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例２で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約３００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１３０】
（実施例１４）
エッチバックの条件を変えて、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも０．３ｎｍ低くし、さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは０．３ｎｍであったことを除いては実施例２と同様にして磁気ディスク１０を作製した。この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例２で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約２２０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１３１】
（実施例１５）
エッチバックの条件を変えて、第１溝部Ｇ１の底部と表面の幅を同じにした他は実施例１と同様にして磁気ディスク１０を作製した。この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例２で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約４００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。実施例２との比較により、底部よりも表面が幅広い方が高温でのディスク装置の寿命に優れることがわかった。
【０１３２】
（実施例１６）
直径０．８５インチのガラス基板１上に、下地層２１として、厚さ１００ｎｍの軟磁性層及び厚さ３０ｎｍのＰｄ層を順次形成した。次に、この下地層２１上に、磁気記録層２２として、ＣｏＣｒＰｔとＳｉＯ2との混合物からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層を形成した。この磁気記録層２２の厚さは３０ｎｍとした。
【０１３３】
次に、磁気記録層２２をパターニングするために、以下の工程を実施した。  
すなわち、まず、磁気記録層２２上に、厚さ５０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。このＳｉＯ2膜上にスピンコート法によりレジスト膜を形成し、これに、第１溝部Ｇ１と第２信号レベル部ＰＬとに対応した位置に凸部を設けたＮｉ金型（スタンパ）を押し当てた。これにより、レジスト膜に、Ｎｉ金型の凸パターンに対応した形状の凹パターンを形成した。
【０１３４】
なお、Ｎｉ金型としては、電子線リソグラフィー及びメッキなどを利用して形成したものを使用した。Ｎｉ金型の凸部の高さは、５０ｎｍとした。また、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は５０ｎｍとし、隣り合う円周状凸部間の間隔は１００ｎｍとした。
【０１３５】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、レジスト層及びＳｉＯ2膜をエッチングした。このエッチングは、レジスト層に形成した凹部の位置で、磁気記録層２２の表面が露出するまで行った。これにより、レジスト層の凹パターンに対応した位置で開口した、ＳｉＯ2パターンを得た。
【０１３６】
続いて、Ａｒイオンミリングにより、ＳｉＯ2パターンの開口に対応した位置で磁気記録層２２および下地層２１の一部をエッチングすると共に、このＳｉＯ2パターンもエッチングした。以上のようにして、磁気記録層２２および下地層２１の一部をパターニングした。
【０１３７】
次に、基板１の磁気記録層２２側の面に、保護層２４としてダイアモンドライクカーボン層を順次形成した。
【０１３８】
ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）による測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも５０ｎｍ低かった。
【０１３９】
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層２４上に塗布して潤滑層３を形成した。以上のようにして、磁気ディスク１０を完成した。なお、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは５０ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【０１４０】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５００時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【０１４１】
（実施例１７）
ミリング条件を変えて、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも５５ｎｍ低くしたことを除いては実施例１５と同様に磁気ディスクを作製した。
【０１４２】
その後、単分子吸着性の潤滑剤を保護層２４上に塗布して潤滑層３を形成した。以上のようにして、磁気ディスク１０を完成した。なお、この磁気ディスク１０において、潤滑層３で被覆された表面では、各記録トラックの両側に気流を通す同心円状の第１溝部の溝の深さは５５ｎｍ、間隔は１１０ｎｍであった。
【０１４３】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約２８０時間経過後にビットエラーレートが１０-5以上となった。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の第１態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図。
【図２】図１の磁気ディスクの一部を拡大して示す平面図。
【図３】図２の磁気ディスクのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】本発明の第２態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図。
【図５】第１及び第２態様に係る磁気ディスクを搭載可能な記録ディスク装置の一例を概略的に示す斜視図。
【図６】接触型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の一部を概略的に示す断面図。
【図７】磁気ディスクを回転するための回転軸が装置筐体の上下方向と物理的に接触した磁気ディスク装置の一部を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【０１４５】
１…基板、２…堆積層、３…潤滑層、１０…磁気ディスク、２０…スピンドル、２１…下地層、２２…磁気記録層、２３…埋め込み層、２４…保護層、３０…ピボット、４０…磁気ヘッドアセンブリ、５０…ボイスコイルモータ、６０…筐体、４０１…ヘッドスライダ、４０２…アクチュエータアーム、４０３…サスペンション、４０１０…ヘッドスライダ本体、４０１１…書込磁極、７０１…固定軸、７０２…ベアリング、７０３…磁性流体シール、７０４…モーターベース、７０５…ディスク固定板、７０６…固定ねじ、Ａd…データ領域、Ａs…サーボ領域、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、Ｇ１…第１溝部、Ｇ２…第２溝部、Ｐ１…ＡＧＣ部、Ｐ２…アドレス部、Ｐ３…パッド部、Ｐ４…バースト部、Ｐ５…パッド部、Ｐ４１…第１領域、Ｐ４２…第２領域、Ｐ４３…第３領域、Ｐ４４…第４領域、ＰＨ…第１信号レベル部、ＰＬ…第２信号レベル部、ＴＲ…記録トラック。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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