(57)【要約】【課題】  低背化、小型化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現したＳＡＷデバイスを提供する。【解決手段】  ＳＡＷデバイス１は、ＳＡＷ圧電体素子２と配線基板１９の間に形成された空間を、ＳＡＷ圧電体素子２の天井高さＨを超えないように封止するための封止樹脂１１と、ＳＡＷ圧電体素子２の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に設ける、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽膜１８とを有し、遮蔽膜１８を配線基板１９のグランドパターン１７にＶＩＡホール１０、パッド電極９ａ及びバンプ電極９ｂを介して接続してなる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂材料よりなる配線基板と、
上記配線基板上にフリップ・チップ実装される表面弾性波（ＳＡＷ）圧電体素子と、
上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板の間に形成された活性面上の空間を、上記ＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止するための封止樹脂と、
上記ＳＡＷ圧電体素子の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に設ける、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段とを有し、
上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
上記ＳＡＷ圧電体素子の圧電基板にビアホールを形成し、このビアホールと上記ＳＡＷ圧電体素子のバンプとによって上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなることを特徴とする請求項１記載のＳＡＷデバイス。
【請求項３】
上記ＳＡＷ圧電体素子は、非圧電体基板と、その上に形成された圧電体であって、圧電軸であるｃ軸が同一方向に揃った薄膜と、さらに、その圧電体薄膜の上に形成されたＩＤＴ電極からなることを特徴とする請求項１記載のＳＡＷデバイス。
【請求項４】
上記ＳＡＷ圧電体素子の非圧電体基板にビアホールを形成し、このビアホールと上記ＳＡＷ圧電体素子のバンプとによって上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなることを特徴とする請求項３記載のＳＡＷデバイス。
【請求項５】
絶縁体材料として熱硬化性樹脂を用いた熱硬化性樹脂層と、上記熱硬化性樹脂層よりも吸水率及び水分透過性の低い熱可塑性樹脂材料を用いた熱可塑性樹脂層とを積層した多層構造の配線基板を用いた通信モジュールであって、
上記熱硬化性樹脂層に半導体集積回路のベアチップを内蔵し、かつ上記熱硬化性樹脂層上に積層した上記熱可塑性樹脂層上には、当該熱可塑性樹脂層を配線基板とし、上記配線基板上に、フリップ・チップ実装される表面弾性波（ＳＡＷ）圧電体素子とを備え、
上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板の間に形成された空間を、上記ＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止するための封止樹脂と、
上記ＳＡＷ圧電体素子の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に設ける、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段とを有し、
上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなることを特徴とする通信モジュール。
【請求項６】
上記ＳＡＷ圧電体素子の圧電基板にビアホールを形成し、このビアホールと上記ＳＡＷ圧電体素子のバンプとによって上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなることを特徴とする請求項５記載の通信モジュール。
【請求項７】
上記ＳＡＷ圧電体素子は、非圧電体基板と、その上に形成された圧電体であって圧電軸であるｃ軸が同一方向に揃った圧電薄膜と、さらに、その圧電体薄膜の上に形成されたＩＤＴ電極からなることを特徴とする請求項５記載の通信モジュール。
【請求項８】
上記ＳＡＷ圧電体素子の非圧電体基板にビアホールを形成し、このビアホールと上記ＳＡＷ圧電体素子のバンプとによって上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなることを特徴とする請求項７記載の通信モジュール。
【請求項９】
熱可塑性樹脂材料よりなる配線基板と、この配線基板上に、フリップ・チップ実装される表面弾性波（ＳＡＷ）圧電体素子とを備えるＳＡＷデバイスの製造方法において、
上記ＳＡＷ圧電体素子を形成するために圧電基板上にＩＤＴ電極、反射器電極及びパッド電極を活性面を構成するように形成する電極形成工程と、
上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板とを接合するときに、上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板の間に形成された空間を、上記ＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止樹脂にて封止する工程と、
上記ＳＡＷ圧電体素子の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に上記配線基板のグランドパターンに接続できる、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段を形成する遮蔽手段形成工程とを
有することを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミナ，窒化アルミニウム，ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等のセラミックス、あるいは、液晶ポリマー，ＳＰＳ（Syndiotactic Polystyrene）の如く、湿度透過性の低い熱可塑性樹脂で出来た配線基板上に、表面弾性波（surface-acoustic-wave：ＳＡＷ）圧電体素子をフェース・ダウンで、フリップ・チップ実装してなるＳＡＷデバイスに関する。また、ＳＡＷデバイスを有し、さらに他の実装部品（ＩＣ，トランジスタ，ダイオード，抵抗器，コンデンサ，コイル，他の受動素子等）から成る通信モジュールに関する。また、ＳＡＷデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話，携帯情報端末（personal digital assistant：ＰＤＡ），ラップトップパーソナルコンピュータ（personal computer：ＰＣ），バーコード・リーダー等の多種多様なモバイル端末において、ブルートゥース（Bluetooth），無線ＬＡＮ（local area network），ＵＷＢ，ＧＰＳ（global positioning system），ＤＴＶ（degital television）等の無線通信回路の組込みの需要が増している。無線通信回路において、通過周波数帯域と阻止周波数帯域を明確に分別できる急峻な濾波特性が要求される場合には、表面弾性波（surface-acoustic-wave：ＳＡＷ）フィルタのようなＳＡＷデバイスが必要になる。ＳＡＷフィルタは、周波数１０７〜１０９Ｈｚの範囲の表面弾性波を利用する。
【０００３】
しかし、機器への組込みのため小型化が要求されている無線通信回路の中で、パッケージングされたＳＡＷデバイスは、最も背の高い部品の一つである。そこで、ＳＡＷデバイスの低背化が必要不可欠になってきている。
【０００４】
従来のＳＡＷデバイスのパッケージング形態には、下記特許文献１〜８に記載された次の４種類がある。
【０００５】
第１のパッケージング形態は、特許文献１及び特許文献２に記載されているような形態である。これは、ＳＡＷ圧電体素子のフリップ・チップ実装＋蓋なし、という構成である。すなわち、この第１のパッケージング形態は、図１５に示すように、ＳＡＷ圧電体素子１４０の圧電基板１４１の活性面に形成したＩＤＴ電極１４２ａ及び反射器電極１４２ｂを、配線基板１４６側に向け、かつＩＤＴ電極１４２ａと電気的に接続されたパッド電極１４３を、配線基板１４６の表層電極１４７にバンプ１４４を介して接続した、いわゆるフリップ・チップ実装であり、ＩＤＴ電極１４２ａと配線基板１４６間に形成された振動空間となる部分１４２を除いて、ＳＡＷ圧電体素子１４０の圧電基板１４１と配線基板１４６の間を封止樹脂１４５で封止してなる。配線基板１４６の表層電極１４７と端子電極１４８は、配線基板１４６の厚み方向に形成された基板スルーホール１４９によって接続されているので、ＩＤＴ電極１４２ａは端子電極１４８と接続される。
【０００６】
第２のパッケージング形態は、特許文献３及び特許文献４に記載されている形態である。これは、ＳＡＷ圧電体素子のフリップ・チップ実装＋樹脂封止という構成である。すなわち、この第２のパッケージング形態は、図１６に示すように、ＳＡＷ圧電体素子１００の圧電基板１０１の活性面である表面弾性波の振動部分１０２に形成したインターディジタルトランスデューサ（Interdigital Transducer：ＩＤＴ）電極１０２ａ及び反射器電極１０２ｂを、配線基板１１０側に向け、かつＩＤＴ電極１０２ａと電気的に接続されたパッド電極１０３を、配線基板１１０の表層電極１１１に突起電極（バンプ）１０４を介して接続した、いわゆるフリップ・チップ実装という形となっている。また、この形態にあって、ＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ電極１０２ａと配線基板１１０間に形成された振動空間となる部分を除いて、ＳＡＷ圧電体素子１００の外周部及び圧電基板１０１と配線基板１１０の間を樹脂被膜１１２で封止してなる。なお、配線基板１１０の表層電極１１１と端子電極１１３は、配線基板１１０に形成された貫通穴１１４に設けられたビア電極１１５によって接続されている。
【０００７】
第３のパッケージング形態は、特許文献５及び特許文献６に記載されている形態である。これは、ＳＡＷ圧電体素子のフリップ・チップ実装＋キャビティ（cavity：窪み）付基板＋蓋による封止という構成である。すなわち、この第３のパッケージング形態は、図１７に示すように、ＳＡＷ圧電体素子１２０を窪み（又は凹部）１２１付の配線基板１２２（容器）内にフリップ・チップ実装により収容し、かつ金属蓋１２３で凹部１２１を封止した形態である。容器１２２は、上面に凹部１２１を備えた絶縁材料からなる容器本体１２４と、容器本体１２４の外底部に設けた端子電極１２５と、凹部１２１の内底面に設けられかつ端子電極１２５と導通した表層電極１２６と、凹部１２１内にＳＡＷ圧電体素子１２０を収容した状態で凹部１２１を封止するために凹部の周壁に固定される金属蓋１２３とを備えている。なお、このパッケージング形態でも、配線基板１２４の表層電極１２６と端子電極１２５は、配線基板１２４に形成された貫通穴１２７に設けられたビア電極１２８によって接続されている。
【０００８】
第４のパッケージング形態は、特許文献７、特許文献８に記載されている形態である。これは、ＳＡＷ圧電体素子のワイヤ・ボンディング実装＋キャビティ付基板＋蓋による封止という構成である。すなわち、この第４のパッケージング形態は、図１８に示すように、ＳＡＷ圧電体素子１３０を窪み（又は凹部）１３１付の配線基板１３２（容器）内にワイヤ・ボンディング実装し、かつ金属蓋１３３で凹部１３１を封止した形態である。ＳＡＷ圧電体素子１３０上に形成した、ＩＤＴ電極１３４ａ及び反射器電極１３４ｂからなる表面弾性波の振動部分１３４を上に向け、これら電極をワイヤ１３５により配線基板１３２の内部電極１３６に接続するように、ＳＡＷ圧電体素子１３０を配線基板（容器）１３２内の凹部１３１にワイヤ・ボンディング実装する。また、凹部１３１内にＳＡＷ圧電体素子１３０をワイヤ・ボンディング実装した状態で凹部１３１を封止するために凹部の周壁に固定される金属蓋１３３とを備えている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−０４３８８９号公報
【特許文献２】特開２００２−２９０１８３号公報
【特許文献３】国際公開第２００２／０６１９４３号パンフレット
【特許文献４】特開２００４−２００７７６号公報
【特許文献５】特開２００３−１６８９５４号公報
【特許文献６】特開２００４−１９３８７９号公報
【特許文献７】特開２００２−０７６８３１号公報
【特許文献８】特開２０００−２６１２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上記第１〜第４のパッケージング形態では、現在進行している無線通信モジュールの薄型化、小型化傾向及び高周波雑音の除去のための遮蔽性という要望を満足できないことが予想される。
【００１１】
現状において、第４のパッケージング形態から第１のパッケージング形態に向かう順番である程度の低背化、小型化は可能である。
【００１２】
第４のパッケージング形態におけるボンディング・ワイヤはＳＡＷ圧電体素子からの高さが約0.2mmほど必要である。これに対して、第３のパッケージング形態のフリップ・チップ実装の接合厚みは、配線基板がセラミックスならば、基板電極厚みとバンプ高さを足した20μm程度で済む。更に、第３のパッケージング形態の場合、非活性面であるＳＡＷ圧電体素子の天井から封止している金属蓋の天井まで約0.4mm程度は必要だが、第２のパッケージング形態における樹脂封止ならば、樹脂乗り上げ厚みはＳＡＷ圧電体素子の天井から0.2mm程度で済む。
【００１３】
しかし、第２のパッケージング形態においても、配線基板厚み約0.4mm、ＳＡＷ圧電体素子厚み約0.4mm、樹脂乗り上げ厚み約0.2mmを足すと、1mm程度となってしまい、現在進行している無線通信モジュールの薄型化で用いられる1005サイズや0603サイズのチップ部品の高さ0.15-0.5mmと比較すると、更なる低背化が必要である。
【００１４】
第１のパッケージング形態は、配線基板厚み約0.4mm、ＳＡＷ圧電体素子の厚み約0.4mmとなるので、厚みの合計を約0.8mm程度に抑えられる。前述した従来の第２〜第４のパッケージング形態によるＳＡＷデバイスのどれよりも低背化が達成できる。
【００１５】
一方で、ＳＡＷデバイスは、高周波信号を扱う無線通信回路の中で使用されるため、上記特許文献５に記載されているように、周囲の高周波雑音がＳＡＷデバイスの電極に飛び込んで、ＳＡＷデバイスの周波数特性を乱さないように、遮蔽する必要がある。しかしながら、前述の第１のパッケージ形態では、ＳＡＷデバイスのパッケージに充分な遮蔽導体を形成することができない。上記特許文献５に開示されているように、周囲の高周波雑音から遮蔽するためには、ＳＡＷ圧電体素子を実装する配線基板にグランド・パターンがあるだけでなく、ＳＡＷ圧電体素子の上面、および、側面をグランド導体で囲う必要がある。しかるに、上記第１のパッケージ形態の従来技術では、ＳＡＷ圧電体素子の非活性面に導体膜を形成して上面を覆うことはできても、ＳＡＷ圧電体素子の側面を導体で囲うことができない。かつ、上面の導体もグランドからは浮いた状態で、充分な遮蔽効果は得られない。
【００１６】
上面の導体をグランドと接続する手段として、ＳＡＷ圧電体素子の非活性面に導体膜とＳＡＷを実装する基板のグランド・パターンをボンディング・ワイヤで繋ぐという方法があるが、この場合には、ボンディング・ワイヤのインダクタンスが大きいため安定した遮蔽効果が得られ難く、かつ、ボンディング・ワイヤのためにＳＡＷデバイスの高さが高くなってしまう。
【００１７】
このように、従来技術では、ＳＡＷデバイスの低背化・小型化と、ＳＡＷパッケージの遮蔽性の両立は困難である。
【００１８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低背化、小型化を実現できるＳＡＷデバイス、通信モジュールの提供を目的とする。また、低背化、小型化が可能なＳＡＷデバイスの製造方法の提供を目的とする。また、低背化、小型化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現したＳＡＷデバイス、通信モジュールの提供を目的とする。また、低背化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現したＳＡＷデバイスの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係るＳＡＷデバイスは、上記課題を解決するために、熱可塑性樹脂材料よりなる配線基板と、上記配線基板上にフェース・ダウンで、フリップ・チップ実装される表面波弾性波（ＳＡＷ）圧電体素子と、上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板の間に形成された空間を、上記ＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止するための封止樹脂と、上記ＳＡＷ圧電体素子の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に設ける、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段とを有し、上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなる。
【００２０】
本発明のＳＡＷデバイスは、封止樹脂にてＳＡＷ圧電体素子と配線基板の間に形成された空間を、ＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止する。また、ＳＡＷ圧電体素子の非活性面に高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段を形成し、この遮蔽手段を配線基板のグランドパターンに接続する。
【００２１】
配線基板は、セラミックス，ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等を材料とする。本発明のＳＡＷデバイスは、配線基板に、ＳＡＷ（表面弾性波）圧電体素子をフェース・ダウンで、フリップ・チップ実装するＳＡＷデバイスである。また、ＳＡＷ圧電体素子基板と配線基板の間の隙間をＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止樹脂により樹脂封止する。このため、低背化、小型化を実現できる。
【００２２】
また、ＳＡＷ圧電体素子の非活性面（圧電体薄膜と電極の形成されてない面）に、高周波雑音などの電磁雑音から遮蔽するための遮蔽手段となる導体膜を形成し、この遮蔽手段を配線基板のグランドパターンに接続するので、高周波雑音などの電磁雑音を確実に除去することができる。
【００２３】
また、ＳＡＷ圧電体素子は、シリコン単結晶板，ガラス基板，アルミナ基板のような非圧電体基板と、その上に形成された、ＡｌＮ，ＺｎＯ，ＫＮｂＯ３のような圧電体で、圧電軸であるｃ軸が同一方向にそろった薄膜と、更に、その圧電体薄膜の上に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極から成ってもよい。
【００２４】
更に、その非圧電体基板の非活性面（圧電体薄膜と電極の形成されてない面）に、電磁雑音から遮蔽するための遮蔽膜を形成し、かつ、非圧電体基板内のＶＩＡホールと、バンプによって、その遮蔽導体膜が、前述の配線基板のグランド・パターンに接続されていてもよい。
【００２５】
また上記ＳＡＷデバイスを実装した配線基板上に、他の部品（ＩＣ，トランジスタ，ダイオード，抵抗器，コンデンサ，コイル，他の受動素子等）を実装して通信モジュールを構成してもよい。
【００２６】
本発明に係る通信モジュールは、上記課題を解決するために、絶縁体材料として熱硬化性樹脂を用いた熱硬化性樹脂層と、上記熱硬化性樹脂層よりも吸水率及び水分透過性の低い熱可塑性樹脂材料を用いた熱可塑性樹脂層とを積層した多層構造の配線基板を用いた通信モジュールであって、上記熱硬化性樹脂層に半導体集積回路のベアチップを内蔵し、かつ上記熱硬化性樹脂層上に積層した上記熱可塑性樹脂層上には、当該熱可塑性樹脂層を配線基板とし、上記配線基板上にフェース・ダウンで、フリップ・チップ実装される表面弾性波（ＳＡＷ）圧電体素子とを備え、上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板の間に形成された空間を、上記ＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止するための封止樹脂と、上記ＳＡＷ圧電体素子の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に設ける、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段とを有し、上記遮蔽手段を上記配線基板のグランドパターンに接続してなる。
【００２７】
本発明に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、上記課題を解決するために、熱可塑性樹脂材料よりなる配線基板と、この配線基板上にフェース・ダウンで、フリップ・チップ実装される表面弾性波（ＳＡＷ）圧電体素子とを備えるＳＡＷデバイスの製造方法において、上記ＳＡＷ圧電体素子を形成するために圧電基板上にＩＤＴ電極、反射器電極及びパッド電極を活性面を構成するように形成する電極形成工程と、上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板とを接合するときに、上記ＳＡＷ圧電体素子と上記配線基板の間に形成された空間を、上記ＳＡＷ圧電体素子の天井高さを超えないように封止樹脂にて封止する工程と、上記ＳＡＷ圧電体素子の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に上記配線基板のグランドパターンに接続できる、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段を形成する遮蔽手段形成工程とを有する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、低背化、小型化を実現できるＳＡＷデバイス、通信モジュールを提供できる。また、低背化、小型化が可能なＳＡＷデバイスの製造方法を提供できる。また、低背化、小型化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現したＳＡＷデバイス、通信モジュールを提供できる。また、低背化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現したＳＡＷデバイスの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための最の形態を説明する。先ず、ＳＡＷデバイスの実施例１について説明する。このＳＡＷデバイスの実施例１は、アルミナ，窒化アルミニウム，ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等のセラミックス、あるいは、液晶ポリマー，ＳＰＳ（Syndiotactic Polystyrene）の如く、湿度透過性の低い熱可塑性樹脂で出来た配線基板（後述する配線基板９となる）上に、表面弾性波（surface-acoustic-wave：ＳＡＷ）圧電体素子をフェース・ダウンで、フリップ・チップ実装したＳＡＷデバイスである。
【００３０】
図１は実施例１のＳＡＷデバイス１の断面図である。図２はこのＳＡＷデバイス１に搭載されているＳＡＷ圧電体素子２の上面図である。
【００３１】
ＳＡＷ圧電体素子２は、表面弾性波を伝搬する圧電基板３と、圧電基板３の表面に設けられて表面弾性波を励振するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極４ａ、このＩＤＴ電極４ａの外側に配置されて振動エネルギーを封じ込めて共振特性を持たせるための反射器電極４ｂ、及び突起電極（バンプ：入力端子バンプ５ａ、出力端子バンプ５ｂ、ＳＡＷ用グランド・バンプ５ｃ）５を介してＩＤＴ電極４ａを配線基板９やグランドに電気的に接続するためのパッド電極（入力側パッド電極６、出力側パッド電極７、接地用パッド電極８）からなる。また、ＳＡＷ圧電体素子２は、後述する遮蔽膜用のグランド・バンプ９ｂとグランド用パッド電極９ａを備える。
【００３２】
また、ＳＡＷ圧電体素子２は、ＳＡＷ圧電体素子２と配線基板１９の間に形成された空間を、ＳＡＷ圧電体素子２の天井高さＨを超えないように封止するための封止樹脂１１と、ＳＡＷ圧電体素子２の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に設ける、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽膜１８とを有し、遮蔽膜１８を配線基板１９のグランドパターン１７に接続してなる。
【００３３】
ＩＤＴ電極４ａ、反射器電極４ｂは、表面弾性波を励振し、共振させて伝搬する電極であり、これら電極を備えている圧電基板３の面を活性面と呼ぶ。また、これらの活性面上の上記ＩＤＴ電極４ａ、反射器電極４ｂは、適宜、表面弾性波の振動部分４と呼ぶ。また、圧電基板の活性面上の要部と記すこともある。
【００３４】
圧電基板３には、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウム、水晶、ランガサイトなどの単結晶圧電材料を使う。また、酸化亜鉛、窒化アルミニウム等の圧電性薄膜をガラス基板、シリコン上に形成したものを使用してもよい。圧電基板３の厚みは350〜400μmである。
【００３５】
ＩＤＴ電極４ａ、反射器電極４ｂ、パッド電極６〜８は、アルミニウムＡｌ又はＡｌ-Ｃｕのようなアルミニウム合金の金属膜で、その上に、耐電力性、エッチング加工精度等の向上のため、Ｔｉ，Ｔａ、Ｃｕ等の金属膜を積層する。パッド電極６〜８は、バンプ接合強度の向上のため、更にその上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金の金属膜を積層する場合もある。各電極の厚みは１μm以下である。
【００３６】
配線基板１９は、その表面に表層電極１２、１５を、裏面に端子電極１３、１７を有し、ビア１４、１６によって表層電極１２、１５と端子電極１３、１７を接続している。配線基板１９は、ＳＡＷ圧電素子２を封止した後、圧電基板３上の電極を腐食劣化させないように、水分を通過させ難い性質を持つことが特徴的である。アルミナ、窒化アルミニウム、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等のセラミックス、あるいは、液晶ポリマー，ＳＰＳ（Syndiotactic Polystyrene）の如く、湿度透過性の低い熱可塑性樹脂が使用される。
【００３７】
ＳＡＷ圧電体素子２のパッド電極６〜８と、配線基板１９の表層電極１２、１５はＡｕ等の金属導体でできたバンプ５ａ、５ｂ、５ｃ、９ｂにより接続される。更に、ＳＡＷ圧電体素子２と配線基板１９の間に形成された空間は、上述したように、ＳＡＷ圧電体素子２の側面一周を覆うように例えば熱硬化性樹脂である封止樹脂１１により封止される。
【００３８】
ところで、このＳＡＷデバイス１は、主に無線通信等の高周波回路の一部として使用される。あるいは、高周波回路と隣り合った位置で使用されることが多い。このため、このＳＡＷデバイスの電極には、高周波雑音が飛び込んで、特性を劣化させる虞がある。
【００３９】
そこで、実施例１のＳＡＷデバイスでは、ＳＡＷ圧電体素子の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段を有する。
【００４０】
具体的には、ＳＡＷ圧電体素子２の圧電基板３の非活性面に、金属被膜（或いは磁性体被膜）からなる遮蔽膜１８を形成している。この金属被膜（或いは磁性体被膜）からなる遮蔽膜１８により、ＳＡＷ圧電体素子２を、高周波雑音から、電気的、磁気的に遮蔽することができる。
【００４１】
この場合、上記遮蔽膜１８としては、無電解Ｃｕ鍍金と無電解Ｎｉ鍍金から成るシールド鍍金（鍍金下地として、スパッタリングあるいは真空加熱蒸着法などでＣｕ薄膜を形成するようにしてもよい。）、ＡｇあるいはＣｕ等の金属微粒子に樹脂成分と溶剤を加えたシールド塗料のスプレーガンによる吹き付け塗装、ソフトフェライトや金属軟磁性体から成る磁性体微粒子をフィラーとして添加したエポキシ等の樹脂塗料のスクリーン印刷等が使用できる。
【００４２】
さらに、この実施例１では、ＳＡＷ圧電体素子２の圧電基板３に電磁信号遮断用、つまり遮蔽膜１８とグランドを接続するためのビアホール１０を、例えばレーザにより形成している。遮蔽膜１８は、遮断用のＶＩＡホール１０と、このＶＩＡホールに接続したグランド用パッド電極９ａと、このグランド用パッド電極９ａに接続したＳＡＷ圧電体素子２の遮蔽用グランド・バンプ９ｂと、配線基板１９の表層電極１５と、ＶＩＡホール１６等によって配線基板１９のグランドパターン１７に接続される。遮断用ＶＩＡホール１０は、レーザーでＳＡＷ圧電体素子２の圧電基板３に穴を開けて、その穴の側面に鍍金等で導体を形成することにより形成される。以下では、適宜、ホール電極と呼ぶこともある。
【００４３】
ＶＩＡホール１０のインダクタンスはボンディング・ワイヤと比較して小さいため、安定した遮蔽ができる。このため、遮蔽膜１８に乗った高周波雑音などの電磁雑音をＳＡＷ圧電体素子２から確実に除去することができる。
【００４４】
次に、図１及び図２に示したＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。図３はＳＡＷ圧電体素子２を形成する処理手順を示すフローチャートである。図４は、ＳＡＷ圧電体素子２を配線基板１９に接合し、ＳＡＷデバイス１を完成するまでの処理手順を示すフローチャートである。
【００４５】
先ず、ＳＡＷ圧電体素子を形成する処理手順について図３を参照して説明する。ステップＳ１では、圧電基板３上に、スパッタリングあるいは真空加熱蒸着法などで、電極用の金属膜を形成する。ステップＳ２では、同様に、スパッタリングあるいは真空加熱蒸着法により、さらにその上に積層する金属膜を形成する。
【００４６】
ステップＳ３にて、フォトリソグラフィ技術により、上記金属膜上に形成する電極と同形状のレジストパターンを形成する。ステップＳ４では、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）やリフトオフ法などによって、前記の金属膜のレジストが乗っていない部分を取り去る。そして、ステップＳ５にて、レジストパターンを酸素プラズマ等でアッシング除去すると、ＩＤＴ電極、反射器電極、パッド電極が得られる。
【００４７】
ステップＳ１〜ステップＳ５までは、電極形成工程である。この電極形成工程が終わると、ステップＳ６にて、圧電基板３の非活性面に、金属被膜（或いは磁性体被膜）からなる遮蔽膜１８を形成する。
【００４８】
ステップＳ７では、圧電基板３をダイシングで分割して、ＳＡＷ圧電体素子２が出来上がる。
【００４９】
次に、上記ステップＳ７にて得られたＳＡＷ圧電体素子２を用い、ＳＡＷデバイス１を完成するまでの処理手順について図４を参照して説明する。ステップＳ１１では、上記ＳＡＷ圧電体素子３のパッド電極６〜８上にＡｕバンプ５を形成する。ステップＳ１２では、上記ＳＡＷ圧電体素子２のＡｕバンプ５を超音波溶着で、配線基板１９上のＡｕ鍍金された表層電極１２、１５に接合する。
【００５０】
次に、ステップＳ１３では、配線基板１９を予熱し、ディスペンサ等を用いて、ＳＡＷ圧電体素子２と配線基板１９の隙間全周を覆うように封止樹脂１１を塗布する。ステップＳ１４では、上記封止樹脂１１を加熱硬化させる。これにより、ＳＡＷデバイス１が完成する。
【００５１】
このとき、アルミニウム及びアルミニウム合金の上記各電極（ＩＤＴ電極４ａ、反射器電極４ｂ）が腐食劣化してＳＡＷ圧電体素子２の特性が劣化することを防止するため、封止樹脂１１にて隙間を完全に封止し、かつ、樹脂被膜からはみ出した電極部分が無いようにする。
【００５２】
以上に説明した処理手順によって製造したＳＡＷデバイス１は、低背化、小型化を実現できる。また、遮蔽膜１８を設け、配線基板１９のグランドパターン１７と接続するため、高周波雑音の遮蔽性も実現できる。すなわち、高周波雑音の遮蔽性とＳＡＷデバイスの低背化（金属蓋なし）を両立できる。また、ＳＡＷパッケージから蓋がなくなり、かつ、実装工程も単純なため、低コストの実装形態を実現できる。
【００５３】
次に、ＳＡＷデバイスの実施例２について説明する。この実施例２も、アルミナ，窒化アルミニウム，ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等のセラミックス、あるいは、液晶ポリマー，ＳＰＳ（Syndiotactic Polystyrene）の如く、湿度透過性の低い熱可塑性樹脂で出来た配線基板上に、表面弾性波（surface-acoustic-wave：ＳＡＷ）圧電体素子をフェース・ダウンで、フリップ・チップ実装したＳＡＷデバイスである。また、このＳＡＷデバイスは、主に無線通信等の高周波回路の一部として使用される。あるいは、高周波回路と隣り合った位置で使用されることが多い。
【００５４】
実施例２のＳＡＷデバイスが実施例１と異なるのは、ＳＡＷ圧電体素子の構成である。図５に示すように、このＳＡＷデバイス２１で用いるＳＡＷ圧電体素子２２は、非圧電体基板２３と、その上に形成された圧電体であって圧電軸であるｃ軸が同一方向に揃った圧電薄膜２４と、さらに、その圧電体薄膜２４の上に形成されたＩＤＴ電極４ａからなる。また、ＩＤＴ電極４ａの外側に配置され、振動エネルギーを封じ込めて共振特性を持たせるための反射器電極４ｂ、および、バンプ５ａ〜５ｂを介してＩＤＴ電極４ａを配線基板１９に電気的に接続するためのパッド電極６〜８からなる。
【００５５】
上記実施例１は、ＳＡＷ圧電体素子２の圧電基板３にＶＩＡホール１０を形成して、これとグランド用パッド電極９ａ、グランドバンプ９ｂを介してＳＡＷ圧電体素子の非活性面側遮蔽膜１８と配線基板１９のグランド・パターン１７を接続する構成であった。ＶＩＡホール１０のインダクタンスはボンディング・ワイヤと比較して小さいため、安定した遮蔽ができる。
【００５６】
ＶＩＡホールを形成するために、現状ではレーザーでＳＡＷ圧電体素子の圧電基板に穴を開けて、その穴の側面に鍍金等で導体を形成している。この際、レーザーの高温のため、圧電体素子の分極がおかしくなる虞がある。
【００５７】
そこで、この実施例２では、非圧電体基板２３の上に圧電体であって圧電軸であるｃ軸が同一方向に揃った圧電薄膜２４を形成してなり、非圧電体基板２３にＶＩＡホール１０をあけている。
【００５８】
非圧電体基板２３としては、シリコン単結晶板，ガラス基板，アルミナ基板を使用できる。また、その上に形成する圧電体薄膜２４としては、ＡｌＮ（窒化アルミニウム），ＺｎＯ（酸化亜鉛），ＫＮｂＯ３（ニオブ酸カリウム）を使用できる。圧電体薄膜は、表面が平滑で、かつ、圧電軸であるｃ軸の配向が一定に揃っている必要がある。ＣＶＤやイオンビームスパッタを用いてエピタキシャル成長させた、ｃ軸が基板面に平行な単結晶薄膜が好ましい。また、下地の非圧電基板もそのような薄膜を成長させるのに最適な配向の単結晶基板が好ましい。
【００５９】
また、このＳＡＷ圧電体素子２２の圧電体薄膜２４と電極の無い面（非活性面）には一面に遮蔽導体膜１８があり、ＳＡＷ圧電体素子の非圧電体基板２３を貫通する導体のＶＩＡホール１０によって、ＳＡＷ圧電体素子基板活性面側のグランド用バンプ電極９ｂに接続される。
【００６０】
このグランド用バンプ電極９ｂは、配線基板１９に形成される表層電極１２、１５、ビアホール１６を介してグランドパターン１７に接続されているので、遮蔽導体膜１８によって遮蔽された電磁雑音信号はグランドに流れる。このため、このＳＡＷデバイス２１の電極は、高周波雑音が飛び込んでも特性を劣化させる虞がない。
【００６１】
この実施例２では、表面弾性波を得るのに、実施例１のＳＡＷデバイス１のように全体が圧電体３の基板を用いるのではなく、上述したように、非圧電体基板２３上に形成した圧電体薄膜２４を用いる。圧電体薄膜２４では、ＣＶＤやイオンビームスパッタによって分極処理をすることなくｃ軸配向の揃った圧電体を形成できる。また、圧電体薄膜形成前に非圧電体基板にＲＩＥ（Reactive Ion Etching）やレーザーでＶＩＡ用の穴開けを行えばＶＩＡ形成工程で圧電特性を劣化させず、結合係数の高いＳＡＷデバイスを実現できる。
【００６２】
ＶＩＡの間隔ｘは、遮蔽したい高周波雑音の最高周波数または遮断周波数（0.35/立上り時間）をf0とすると、
ｘ ＜ λg /(２√εr)  
を満足すれば、充分な遮蔽性能を得ることができる。
【００６３】
ここで、εrは非圧電体基板の比誘電率、真空中の管内波長λg ＝ C / f0である。また、Cは光速である。
【００６４】
配線基板１９は、前述したように、その表面に表層電極１２、１５を、裏面に端子電極１３、１７を有し、ＶＩＡホール１４、１６によって表層電極１２、１５と端子電極１３、１７を接続する。配線基板１９は、ＳＡＷ圧電体素子２２を封止した後、ＩＤＴ電極、反射器電極などの電極を腐食劣化させないように、水分を通過させ難い性質を持つことが必要で、アルミナ，窒化アルミニウム，ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）等のセラミックスが使用される。
【００６５】
ＳＡＷ圧電体素子の各パッド電極と、配線基板１９の表層電極１２、１５はＡｕ等の金属導体でできたバンプにより接続される。更に、ＳＡＷ圧電体素子基板と配線基板１９の隙間は、ＳＡＷ圧電体素子の側面一周を覆うように封止樹脂１１で被覆されることで、完全に封止されている。
【００６６】
次に、実施例１のパッケージ形態で、ＳＡＷ圧電体素子２を実装した無線通信回路３１の基板３２について図６を参照して説明する。無線通信配線基板３２に表面実装する部品としては、ＳＡＷデバイスは最も背の高い部品の一つで、従来のパッケージ品では通常高さ1mmを超えている。チップ部品の抵抗器、コンデンサ、コイルでは1005サイズ、0603サイズが主流になりつつあり、これらの高さ0.15〜0.5mmと比較するとかなり高い。
【００６７】
同様に背の高い部品であった水晶発振器、水晶振動子の高さが0.6mm程度になり、半導体素子もベアダイをフリップ・チップ実装すれば、0.6mm以下になる現状では、ＳＡＷデバイスの低背化が無線通信モジュールの厚みを決定すると言っても過言ではない。
【００６８】
図６に示した無線通信回路３１は、実施例１のＳＡＷデバイス１を構成したＳＡＷ圧電体素子２を、配線基板３２上に、半導体集積回路（ＩＣ）、トランジスタ及びダイオード等の能動素子部品３３と、抵抗器、コンデンサ及びコイル等の受動素子３４と、水晶発振器（又は水晶振動子）３５と共に表面実装し、シールド・キャップ３６にて封止している。ＳＡＷ圧電体素子２は、バンプ５ａを介して表層電極１２と接続しており、表層電極１２は基板の各層のビア電極１４を通して端子電極３７に接続している。
【００６９】
上述したように、受動素子３４は高さ0.15〜0.5mmに、能動素子３３は0.6mm以下に、水晶発振器３５も高さ0.6mm程度になった。また、ＳＡＷ圧電体素子２もＳＡＷデバイス１としては上述のように0.8mmほどになったので、この無線通信回路３１は表面実装部をシールド・キャップ３６にて封止しても、実装部の低背化を図ることができる。
【００７０】
また、このＳＡＷ圧電体素子の圧電体薄膜と電極の無い面（非活性面）には一面に遮蔽導体膜１８があり、ＳＡＷ圧電体素子基板を貫通する導体のＶＩＡホール１０によって、ＳＡＷ圧電体素子基板活性面側のグランド用バンプ電極９ｂに接続される。
【００７１】
このグランド用バンプ電極９ｂは、配線基板３２に形成される表層電極１２、１５、ビアホールを介してグランドパターン３７に接続されているので、遮蔽導体膜１８によって遮蔽された電磁雑音信号はグランドに流れる。このため、このＳＡＷデバイス１の電極は、高周波雑音が飛び込んでも特性を劣化させる虞がない。
【００７２】
したがって、図６に示した、無線通信回路３１は、低背化、小型化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現することができる。
【００７３】
同様に、実施例２のＳＡＷデバイス２１も、無線通信回路３１に用いることができる。この無線通信回路３１でも、低背化、小型化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現することができる。
【００７４】
次に、実施例１又は実施例２のパッケージ形態でＳＡＷ圧電体素子を実装し、かつＩＣ（半導体集積回路）を内蔵した無線通信回路の基板について説明する。電子機器のモバイル化に伴い、無線通信等に使用される高周波回路モジュールには、上述したように、小型化、低背化、軽量化が求められている。高周波回路モジュールの小型化、低背化の方法として、実装部品を基板に内蔵して、実装を高密度化することが考えられている。特に、実装部品の中でも面積、高さ共に大きい、ＩＣとＳＡＷデバイスを基板に内蔵することが有効である。
【００７５】
しかし、高周波回路モジュールの小型化・低背化を目的とした、ＩＣの基板内蔵とＳＡＷデバイスの低背実装（ベア実装）の両立は、従来の技術では困難であった。以下に、その理由を説明する。
【００７６】
ＩＣについては、特開２００２−２７０７１２号公報、特開２００３−２１８１４３号公報に記載されているように、ＩＣベアチップを基板に内蔵する技術が開示されていた。ＩＣ内蔵基板５０の場合、図７に示すように、内蔵したＩＣベアチップ５１の上に他の部品５２を実装できるため、実装に要する基板面積を少なくできる。なお、内蔵したＩＣベアチップ５１は、基板５０を構成する各層の表層電極にバンプにより接続される。表層電極は、ビア電極や端子電極に接続されている。図９では、端子電極がはんだボール５３に接続している。
【００７７】
しかし、図７に示したようにＩＣ内蔵が出来るのは樹脂基板に限られ、実際には、ガラスエポキシ基板“ＦＲ−４”等の熱硬化樹脂の積層基板内にＩＣを埋め込む以外は行われていない。ＩＣ内蔵基板５０は、図７に示したように、ＩＣをフリップ実装した基板の上に、更に基材（ＩＣ部分はくり貫かれている）を積層していく技術であるが、熱硬化樹脂の絶縁基材のプリプレグの融着温度が１８０℃前後であるのに比較し、熱可塑性樹脂の融着温度は３００℃以上であり、埋め込んだＩＣに熱履歴がかかり過ぎるためである。また、セラミックス基板では、基板積層後の焼成温度が高いため（ＬＴＣＣで８００〜９００℃、アルミナ等は１０００数百℃以上）、この場合もＩＣベアチップを基板に内蔵することはできない。
【００７８】
また、特開２００４−９５７６７号公報に開示のように、基板にキャビティを形成すれば、熱可塑性樹脂基板でも、セラミックス基板でも、キャビティ部分にＩＣベアチップを内蔵できるが、この場合、キャビティの上には他の部品を実装できないため、実装に要する基板面積は殆ど少なくならない。
【００７９】
図８及び図９は、熱可塑性樹脂基板又はセラミックス基板５４及び５７に、キャビティ部分５５及び５８を形成し、そのキャビティ部分５５及び５８に、ＩＣベアチップ５６をフリップチップ実装した構成、及びＩＣベアチップ５９をワイヤボンディング実装した構成を示す。共に、キャビティ部分５５及び５８の上には、他の部品を実装できないことが判る。よって、上述のように、実装に要する基板面積は殆ど少なくならない。
【００８０】
一方、ＳＡＷデバイスの実装スペースを小さくするためには、上記実施例１、実施例２で説明したように基板上にベアのＳＡＷデバイスを実装するのが望ましい。ＳＡＷデバイスのパッケージは背が高いため、とりわけ低背化に有効である。しかし、ベアのＳＡＷデバイスは、ＩＤＴ電極や、反射器電極を含む表面弾性波の振動部分をセラミックス基板側に向け、その空間を封止する必要がある。
【００８１】
ガラスエポキシ等の熱硬化樹脂基板は、ポーラスで、吸湿率が高く、水分を透過させてしまう。しかし、表面弾性波圧電基板の表面に形成される上記ＩＤＴ電極や、反射器電極、さらにはパッド電極は、用いられる電極材料がＡｌ（アルミニウム）もしくはＡｌ合金であるため、水分の影響により腐食劣化しやすい。
【００８２】
図１０には、ＳＡＷ圧電体素子９１の上面図を示す。このＳＡＷ圧電体素子９１は、圧電基板９２上に、上記ＩＤＴ電極９３ａや、反射器電極９３ｂ、さらにはパッド電極（入力側パッド電極９４、出力側パッド電極９５、接地用パッド電極９６）をＡｌ（アルミニウム）もしくはＡｌ合金を電極材料として形成している。このように、圧電基板９２上に、Ａｌ（アルミニウム）もしくはＡｌ合金からなる各電極を剥きだしにし、これら各電極を、上記ガラスエポキシ等の熱硬化樹脂基板に向けて配置すれば、熱硬化樹脂基板がポーラスで、吸湿率が高く、水分を透過させてしまうので、水分の影響により、各電極は腐食劣化してしまうことになる。
【００８３】
上記のような例えばＡｌ電極が腐食すると、ＳＡＷ圧電体素子との接合強度が弱くなり、最終的に上記電極がＳＡＷ圧電体素子から剥離してしまう虞がある。このため、ガラスエポキシ等の熱硬化樹脂基板は、ＳＡＷデバイスを実装することはできない。
【００８４】
そこで、本発明では、図１１に示すように、絶縁体材料としてガラスエポキシのような熱硬化性樹脂を用いた層６２と、吸水率および水分透過性の低い熱可塑性の樹脂を用いた層６３からなる異種材料を積層した基板６１を有する高周波通信回路６０にあって、熱硬化性樹脂層６２に半導体集積回路のベアチップ６４を内蔵し、熱可塑性樹脂層６３の上に、上記第１実施例のＳＡＷデバイス１をベア実装する。また、熱可塑性樹脂層６３の上には、抵抗器、コンデンサ、コイルのような低背化部品６５，６６等も表面実装する。また、熱可塑性樹脂層６３には、インダクタ６７を内蔵させてもよい。また、熱硬化性樹脂層６２に、コンデンサ６８等を内蔵させてもよい。
【００８５】
熱硬化性樹脂層６２としては、上述したように、ガラスエポキシを用いることができる。また、熱可塑性樹脂層６３としては、液晶ポリマー、ＳＰＳ（シンジオタクチック・ポリスチレン）等の低誘電率で、かつ、低吸水率の樹脂材料を用いる。
【００８６】
ガラスエポキシの吸水率が約0.4％であるのに比較し、液晶ポリマーやＳＰＳの吸水率は0.05％程度であり、ＳＡＷ圧電体基板を実装した封止領域への水分の透過を防ぐことができる。ＬＴＣＣの吸水率0.1％を基準にし、それ以下の上記液晶ポリマー、ＳＰＳが望ましいといえる。なお、その他の樹脂基板材料の吸水率としては、ポリイミドが0.24％、ＢＴレジンが0.15％である。
【００８７】
また、液晶ポリマー、ＳＰＳは非誘電率が2〜3程度で、ガラスエポキシの4.7よりも低いため、基板の寄生容量による表面弾性波圧電基板のＱ値の劣化を少なくするという点からも有利である。
【００８８】
したがって、図１１に示した高周波回路６０は、基板６１を構成する熱硬化性樹脂層６２に内蔵したＩＣベアチップ６４の上に、基板６１を構成する熱可塑性樹脂層６３を介してＳＡＷデバイス１を実装できるため、実装に要する基板面積を少なくできる。また、ＳＡＷデバイス１は、吸水率および水分透過性の低い熱可塑性の樹脂を用いた層（熱可塑性樹脂層）６３上にベアチップ実装するのでＩＤＴ電極、反射器電極のようなアルミニウム系電極を腐食させることがない。このＡｌ電極の腐食を防止できるので、ＳＡＷ圧電体素子との接合強度を弱くすることがなく、最終的に上記各電極がＳＡＷ圧電体素子から剥離してしまうのを防止できる。さらに、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽手段（遮蔽膜１８）を形成し、ＳＡＷ圧電体素子基板を貫通する導体のＶＩＡホール１０によって、ＳＡＷ圧電体素子基板活性面側のグランド用バンプ電極９ｂに接続するので、高周波雑音に対する遮蔽性を実現できる。つまり、高周波雑音の遮蔽性と、ＳＡＷデバイスの低背化を両立できる。
【００８９】
同様に、実施例２のＳＡＷデバイス２１を、熱可塑性樹脂層６３の上に、ベア実装してもよい。この場合も、高周波雑音の遮蔽性と、ＳＡＷデバイスの低背化を両立できる。
【００９０】
図１０に示した構成では、熱硬化性樹脂層６２として用いるガラスエポキシの吸水率が約0.4％であるのに比較し、熱可塑性樹脂層６３として用いる液晶ポリマーやＳＰＳの吸水率は0.05％程度であり、ＳＡＷ圧電体基板を実装した封止領域への水分の透過を防ぐことができる。
【００９１】
また、これらの樹脂は非誘電率が2〜3程度で、ガラスエポキシの4.7よりも低いため、基板の寄生容量による表面弾性波圧電基板のＱ値の劣化を少なくするという点からも有利である。
【００９２】
また、更なる小型化、低背化のために、図１１に示した配線基板に図１２〜図１４に示すようにインダクタ、コンデンサ、抵抗器を導体パターンとして内蔵することも可能である。このとき、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すコンデンサは高誘電率のガラスエポキシ層に内蔵して、小型、高容量にするべきである。一方、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すインダクタは、低誘電率、低誘電正接である、液晶ポリマー、ＳＰＳ等の低吸水率樹脂層に内蔵して高Ｑ値にするべきである。液晶ポリマーのtanδは0.003程度、ＳＰＳのtanδは0.001程度で、ガラスエポキシの約0.01よりも一桁少ない。また、図１４に示す抵抗器の例は、ポリマー厚膜ペースト（ポリエステル）の両端をＣｕ（銅）に接続してなる。
【００９３】
また、基板は全て樹脂基板なので、軽量化という観点からも有利である。
【００９４】
以上、図１１を参照して説明した、熱硬化性樹脂層６２と熱可塑性樹脂層６３からなる配線基板６１への、半導体集積回路のベアチップの内蔵と、ＳＡＷデバイスのベアチップ実装により、次の効果がある。
【００９５】
すなわち、ＳＡＷデバイスを液晶ポリマー、ＳＰＳ等の低吸水率の熱可塑性樹脂材料を用いた層に実装することで、表面弾性波圧電基板のＡｌ電極を犯す水分を透過させない封止を実現できる。これにより、ＩＤＴ電極、反射器電極のようなアルミニウム系電極を腐食させることがない。このＡｌ電極の腐食を防止できるので、ＳＡＷ圧電体素子との接合強度を弱くすることがなく、最終的に上記各電極がＳＡＷ圧電体素子から剥離してしまうのを防止できる。
【００９６】
また、半導体集積回路をガラスエポキシ層に内蔵することで、実績のある安定した工程で、高い信頼性のＩＣ内蔵基板が実現できる。
【００９７】
また、液晶ポリマー、ＳＰＳ等の吸水率の樹脂層とガラスエポキシ層を積層することで、これまで両立不可能だった、ＳＡＷデバイスのベア実装とＩＣ内蔵基板の２つの技術を両立した小型、低背の高周波モジュールを実現できる。
【００９８】
また、液晶ポリマー、ＳＰＳ等の低吸水率の樹脂は、低誘電率でもあるので、ＳＡＷデバイスのＱ値の劣化も防ぐことができる。
【００９９】
共に、樹脂基板であるので全体としても軽量である。
【０１００】
さらに、インダクタ、コンデンサ、抵抗器等を内蔵して、更なる小型化を実現できる。その場合に、ガラスエポキシの高誘電率と、液晶ポリマー、ＳＰＳ等の低吸水率の樹脂の低誘電率、低誘電正接を使い分ければ、高性能も実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】実施例１のＳＡＷデバイスの断面図である。
【図２】ＳＡＷデバイスに搭載されているＳＡＷ圧電体素子の上面図である。
【図３】ＳＡＷ圧電体素子を形成する処理手順を示すフローチャートである。
【図４】ＳＡＷ圧電体素子を配線基板に接合し、ＳＡＷデバイスを完成するまでの処理手順を示すフローチャートである。
【図５】実施例２のＳＡＷデバイスの断面図である。
【図６】実施例１、実施例２のＳＡＷデバイスのＳＡＷ圧電体素子を実装した無線通信回路の断面図である。
【図７】半導体集積回路を内蔵した樹脂基板の断面図である。
【図８】基板に形成したキャビティ部分にＩＣベアチップをフリップチップ実装した回路の断面図である。
【図９】基板に形成したキャビティ部分にＩＣベアチップをワイヤボンディング実装した回路の断面図である。
【図１０】圧電基板上に、Ａｌ（アルミニウム）もしくはＡｌ合金からなる各電極を剥きだしにした構成を示す上面図である。
【図１１】異種材料を積層した基板に、ＩＣベアチップを内蔵し、かつ実施例１、実施例２のＳＡＷデバイスを表面実装した構成の高周波通信回路の断面図である。
【図１２】異種材料を積層した基板に、導体パターンとして内蔵するインダクタを示す図である。
【図１３】異種材料を積層した基板に、導体パターンとして内蔵するコンデンサを示す図である。
【図１４】異種材料を積層した基板に、導体パターンとして内蔵する抵抗器を示す図である。
【図１５】従来の第１のパッケージング形態によるＳＡＷデバイスの断面図である。
【図１６】従来の第２のパッケージング形態によるＳＡＷデバイスの断面図である。
【図１７】従来の第３のパッケージング形態によるＳＡＷデバイスの断面図である。
【図１８】従来の第４のパッケージング形態によるＳＡＷデバイスの断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１  ＳＡＷデバイス、２  ＳＡＷ圧電体素子、３  圧電基板、４  表面弾性波の振動部分、４ａ  ＩＤＴ電極、４ｂ  反射器電極、５  バンプ、１０  ＶＩＡホール、１１  封止樹脂、１２  表層電極、１３  端子電極
【図１】
2006211613.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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