(57)【要約】      （修正有）【課題】基板と、少なくとも２つの化合物ＡおよびＢを含む材料の複数の層のスタックとから成る積層層構造の製造方法を提供する。【解決手段】化合物Ａが基板３上でホモエピタキシャル成長又はヘテロエピタキシャル成長が十分にできるような結晶構造を有し、スタック５の層の少なくとも一部は、ｘが０≦ｘ≦１の範囲を有する組成パラメータであり、且つ、組成パラメータ（１−ｘｇ）が対応する層の厚みの上に徐々に、特に線形に増大する勾配組成ＡｘＢ（１−ｘｇ）を有する。表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘｇ）よりも小さくなるように選択される。本発明は、また、このような積層層構造１を製造する方法にも関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３）と、
前記基板（３）上に設けられ、層中に、少なくとも２つの化合物Ａ、Ｂを含む材料の複数の層（５ａ、・・・、５ｈ）のスタック（５）とから成り、
化合物Ａが、前記基板（３）上でホモエピタキシャル成長またはヘテロエピタキシャル成長が十分にできるような格子パラメータを有し、
前記スタックの層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の少なくとも一部が勾配つきの組成ＡｘｇＢ（１−ｘｇ）を有し、前記ｘが０≦ｘ≦１の範囲を有する組成パラメータであり、組成パラメータ（１−ｘｇ）が対応する層の厚みの方向に徐々に、特に線形に増加するようになっている、積層層構造であって、
前記スタック（５）内の勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と前記スタック（５）内の後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）との界面で前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータ（１−ｘｓ）が前記勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータ（１−ｘｇ）より小さいことを特徴とする積層層構造。
【請求項２】
スタック（５）内で、前記勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と前記一定組成（１−ｘｃ）の層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）とが交互になっている請求項１に記載の積層層構造。
【請求項３】
前記スタック（５）内の一定組成の層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）と前記勾配組成を有する後続層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）との界面で、組成パラメータ（１−ｘｃ）と組成パラメータ（１−ｘｇ）とが基本的に同一である請求項２に記載の積層層構造。
【請求項４】
前記組成パラメータが、前記スタック（５）内の勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と前記一定組成の後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）との界面で、０．００１≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０７の関係、特に０．００５≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０５の関係を満足する請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項５】
前記スタック（１１）内において、前記基板（３）上に設けられた第１の層（１１ａ）は、対応する前記組成パラメータが約０．０１〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内の一定組成の層、または、対応する前記組成パラメータ（１−ｘｇ）の勾配組成を有する層が前記基板（３）との界面で、約０．０１〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内の層である請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項６】
前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータが前記前の層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータより小さい各々の界面で、対応する前記組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が基本的に一定である請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項７】
前記組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が、前記基板（３）からスタートして、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ）の組成パラメータが前記前の層（５ａ、５ｃ、５ｅ）の組成パラメータより小さいある一つの界面から、前記後続層（５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータが前記前の層（５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータより小さい、後続の界面に向けて増加する請求項１又は５に記載の積層層構造。
【請求項８】
前記組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が、前記基板からスタートして、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ）の組成パラメータが前記前の層（５ａ、５ｃ、５ｅ）の組成パラメータより小さいある一つの界面から、前記後続層（５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータが前記前の層（５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータより小さい、後続の界面に向けて増加する請求項１又は５に記載の積層層構造。
【請求項９】
化合物Ａは、シリコンとゲルマニウムのうちの１つであり、前記化合物Ｂは、シリコンとゲルマニウムのうちの他の１つであり、および／または、前記基板（３）は、シリコン基板またはゲルマニウム基板である請求項１〜８のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項１０】
付加的な層（７）、特に歪みシリコン層は、前記スタック（５）上に形成される請求項１〜９のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項１１】
前記スタック（５）の最終の層（５ｈ）は、対応する組成パラメータ（１−ｘｃ）が０．２以上、特に組成パラメータ（１−ｘｃ）が０．４以上の一定組成の層である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項１２】
前記スタック（５）の前記最終層（５ｈ）は、厚さが約５０ｎｍから５μｍの範囲内、特に約０．９μｍから５μｍの範囲内の一定組成の層である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項１３】
前記材料は、ｙが、範囲０≦ｙ≦１の第２の組成パラメータである化合物ＡｘＣｙＢ（１−ｘ−ｙ）を生成するための第3の化合物Ｃｙを含み、
前記スタックの層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の少なくとも一部は、対応する前記層の厚みの上に、前記組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）が徐々に増大し、特に線形に増大し、かつ前記組成パラメータｙｇが徐々に減少し、特に線形に減少する勾配組成ＡｘｇＣｙｇＢ（１−ｘｇ−ｙｇ）を有し、
前記スタック（５）内の勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と前記スタック（５）内の前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）との界面で、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータ（１−ｘｓ−ｙｓ）が前記勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）よりも小さく、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータｙｓが前記勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータｙｇよりも大きい請求項１〜１２のいずれか１項に記載の積層層構造。
【請求項１４】
前記化合物Ｃが炭素である請求項１３に記載の積層層構造。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の積層層構造（１、９）を備える集積回路。
【請求項１６】
積層層構造を形成するための方法であって、
ａ）基板（３）を設ける工程と、
ｂ）勾配組成ＡｘｇＢ（１−ｘｇ）を有する少なくとも２つの化合物ＡｘとＢ（１−ｘ）とを含む材料の層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）を、前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の厚みの上に前記組成パラメータ（１−ｘｇ）が徐々に、特に線形に増加するように成長させる工程と、
ｃ）材料ＡｘｓＢ（１−ｘｓ）の後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）を、勾配組成ＡｘｇＢ（１−ｘｇ）の材料ＡｘＢ（１−ｘ）の層の上に成長させる工程と、
ｄ）前記工程ｂ）とｃ）を所定回数繰り返し、前記材料ＡｘＢ（１−ｘ）の層のスタック（５）を形成する工程と、
を含み、
前記化合物Ａが、前記基板（３）上にホモエピタキシャル成長またはヘテロエピタキシャル成長が十分にできるような格子パラメータを有し、前記ｘは、０≦ｘ≦１の範囲を有する組成パラメータである、前記方法において、
勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）との界面において、成長パラメータは、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータ（１−ｘｓ）が前記勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータ（１−ｘｇ）より小さいように選択されることを特徴とする、積層層構造を形成するための方法。
【請求項１７】
前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）は、一定の組成（１−ｘｃ）を備える請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記スタック内の一定組成の層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）と勾配組成を有する前記後続層（５ｃ、５ｅ、５ｇ）との界面において、これらの層は、前記一定組成の層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータ（１−ｘｃ）が前記勾配組成を有する層（５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータ（１−ｘｇ）と基本的に同じであるように設けられる請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
勾配組成を有する前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）との界面において、勾配組成を有する前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）とは、前記組成パラメータが、０．００１≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０７の関係、特に０．００５≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０５の関係を満足するように成長させられる請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記工程ｂ）の前に、一定組成の第１の層（１１ａ）は、約０．０１〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内である対応する組成パラメータ（１−ｘｃ）をともなって成長させられる請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板（３）上に設けられた前記勾配組成の第１の層が、前記基板（３）との境界において、約０．０１〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内である組成パラメータ（１−ｘｇ）をともない成長させられる請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
勾配組成の前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）は、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータが前記前の層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータより小さい各界面で、組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が一定であるように設けられる請求項１６〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
勾配組成の前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と、対応する前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）とは、前記組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が、前記基板からスタートして、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ）の組成パラメータが前記前の層（５ａ、５ｃ、５ｅ）の組成パラメータより小さい一つの界面から、前記後続層（５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータが前記前の層（５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータより小さい、後続する界面に向けて増加するように設けられる請求項１６〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
勾配組成の前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と、対応する前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）とは、前記組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が、前記基板からスタートして、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ）の組成パラメータが前記前の層（５ａ、５ｃ、５ｅ）の組成パラメータより小さい一つの界面から、前記後続層（５ｄ、５ｆ、５ｈ）の組成パラメータが前記前の層（５ｃ、５ｅ、５ｇ）の組成パラメータより小さい、後続する界面に向けて減少するように設けられる請求項１６〜２１のいずれか１項に記載の積層層構造の形成方法。
【請求項２５】
前記層（５ａ、・・・、５ｈ）は、デポジション法、特に化学的蒸気沈殿法（ＣＶＤ）を用いて成長させられ、勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）との界面で、前記組成パラメータ（１−ｘ）の減少は、前記成長パラメータのうちの１つのみ、特に前記化合物ＡおよびＢの堆積に用いる前記前駆体ガスのうちの１つの流量のみを変化させることによって達成される請求項１６〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
工程ｂ）において、３つの化合物Ａｘ、ＣｙおよびＢ（１−ｘ−ｙ）から成る材料の層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）は、前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の厚みの上に、前記組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）が、徐々に、特に線形に増加し、かつ、前記組成パラメータｙｇが徐々に、特に線形に減少するように、勾配組成ＡｘＣｙｇＢ（１−ｘｇ−ｙｇ）をともなって成長させられ、工程ｃ）において、化合物ＡｘｓＣｙｓＢ（１−ｘｓ−ｙｓ）の後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）は、勾配組成ＡｘＣｙｇＢ（１−ｘｇ−ｙｇ）を有する層上に成長させられ、勾配組成を有する層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）と後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）との界面で、前記成長パラメータは、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の前記組成パラメータ（１−ｘｓ−ｙｓ）が、勾配組成を有する前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の前記組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）より小さく、かつ、前記後続層（５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈ）の前記組成パラメータｙｓが、前記勾配組成を有する前記層（５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ）の前記組成パラメータｙｇより大きくなるように選択される請求項１６〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板と、少なくとも２つの化合物Ａ、Ｂを含む材料の複数の層のスタックとを備えて成り、この層において、化合物Ａは、基板上でホモエピタキシャル成長またはヘテロエピタキシャル成長が十分にできるような格子定数を有し、且つこの層において、少なくともスタックの層の一部が、ｘが０≦ｘ≦１の範囲の組成パラメータであり、そして、組成パラメータ（１−ｘｇ）が徐々に特に線形に、対応する層の厚さ方向に増加するような勾配つきの組成ＡｘｇＢ（１−ｘｇ）を有する、積層層構造に関する。本発明は、また、このような積層層構造の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような積層構造体は米国特許６，５２５，３３８号明細書から知られ、その積層構造体は、歪みシリコン基板を得るためのスターティングマテリアルとして用いられる。歪みシリコン基板は、高速超小型電子デバイスで用いられる。この歪みシリコン技術は、化合物内で原子が相互に整然と整列するという傾向を利用するものである。基板の表面に堆積されたシリコンの原子は、シリコンの原子に比較してより離間した状態にある。基板の構造に適合するため、シリコン層の原子はその下の原子を整列させるために引っ張り、それによってシリコンに歪を生じさせる。歪シリコン層内では、電子は、受ける抵抗がより少なく、そのことにより、歪シリコン基板を用いて製造した超小型電子チップ内での速度が上昇する。
【０００３】
従来、歪みシリコンは、より格子定数の大きいＳｉｘＧｅ１−ｘ層上にシリコン（Ｓｉ）をエピタキシャル成長させて得られ、ＳｉｘＧｅ１−ｘ層それ自体がＳｉ基板上にエピタキシャル堆積する。異なる層間で格子パラメータが異なるため、転位および大きい表面の粗さ等の結晶欠陥が発生し、それによって歪みシリコン層の結晶の品質が制限される。これらの欠陥は、歪みシリコンの応用性を制限する。この問題を克服するため、米国特許６，５２５，３８８号明細書では、シリコンゲルマニウムバッファ層が最初のシリコン基板上に設けられ、バッファ層がシリコンゲルマニウム勾配組成の交互に並んだ層から成る複数の積層層から構成され、ゲルマニウムの組成が基礎材料の組成から徐々に増加し、勾配組成を有する層の上にシリコンゲルマニウムの一定の組成の層が設けられ、ゲルマニウムの組成比が勾配組成を有する層の上面のうちの１つと等しい。層を交互に積み重ねて設けることによって、表面粗さが１６オングストロームＲＭＳ、転位密度が３．５×１０５ｃｍ−２まで低減され、改善された歪みシリコン層が得られた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、マイクロエレクトロニクス産業用に引続き増大している改良された半導体基板に対する必要性から、米国特許６，５２５，３８８号明細書に基づいて得られる歪シリコン基板で達成された品質の改良では十分ではない。本発明の目的は、それゆえ、このような積層層構造を、表面粗さおよび転位密度がさらに減少するようにさらに改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本目的は、請求項１に記載の積層層構造および請求項１６に記載の積層層構造の形成方法によって達成される。
【０００６】
材料ＡｘＢ１−ｘのエピタキシャル成長中に、基本的に２つの現象が発生する、すなわち応力の発生、これは層が相対的に薄くかつ格子パラメータがその下の層の格子パラメータと整合させるための歪みを受ける限り発生し、これと、層厚が所定の最小の厚さ以上となったときの、転位等の欠陥の発生である。同じ効果が第１の層を、通常結晶性の材料からなる基板上にエピタキシャル成長している間にも発生する。この場合、勾配組成を伴って２元の物質からなる層が成長し、１つの元素の百分率が増加し、一方で、他の元素の百分率が減少し、転位の発生率を制御しているため、層内の応力は減少するが、しかしながら、勾配の端部の層は依然として応力が存在し、転位はない。
【０００７】
発明者は、組成をステップバックしたとき、すなわち、材料中の化合物Ｂの含有量を低下させたとき、勾配組成を有する層と後続層との界面で、勾配組成を有する層の端部の層の応力による好ましくない効果が驚くほど低減されることを発見した。実際、組成の変化は、改善された条件の下で後続層の結晶構造を再構成させる、すなわち、応力が付加されることも無ければさらなる転位の発生もない。この効果は、スタック全体に亘って観測でき、最終的には、従来の積層層構造技術によって得られるものと比較して転位密度が低減されかつ表面粗さの改善された積層層構造もたらす。
【０００８】
スタックは、少なくとも２つの化合物ＡｘＢ１−ｘを含む材料において、所望の比率の化合物Ｂを達成するために必要な限りの層数の層から成る。
【０００９】
この書面における後続という用語は、後続層が前の勾配組成を有する層よりも基板から離れた順序であることを意味し、化合物という用語は、単一の化学元素に限定されるものではなく、複数の元素の組み合わせからなるものであってもよい。
【００１０】
好ましくは、スタック内では、勾配組成を有する層は組成パラメータ（１−ｘｃ）が一定の一定組成の層と交互に配置される。この場合、一定組成の層は、それゆえ、前の勾配組成を有する層の端部における化合物Ｂの比率よりも、材料中の化合物Ｂの比率が低い。一定組成の層は、改善された条件の下で結晶構造が再構築され、その結果、それまで存在していた転位が、新たな応力を生成することなく再結合して消滅するという利益をもたらす。このようにして、さらに改良された積層層構造を達成することができる。
【００１１】
有利な実施形態によれば、一定組成のスタックにおける層と勾配組成を有する後続層との界面における組成パラメータ（１−ｘｃ）は、基本的には勾配組成を有する層の組成パラメータ（１−ｘｇ）と同一である。このように、これらの界面では、結晶の品質を高く維持するために組成をステップバックさせないことが必要であるので、材料ＡｘＢ１−ｘにおける化合物Ｂの比率を、スタックの端部での所望のレベルになるまでスタック内で急激に増加させることができる。このように、化合物Ｂの所望の比率とするまでの層数を少なく維持でき、製造コストを低く維持できる。
【００１２】
スタック内の勾配組成を有するスタックにおける層と後続層との界面で、組成パラメータは、０．００１≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０７、特に０．００５≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０５という関係を都合よく、満足することができる。このような組成のステップバックに対して、勾配層内の残留応力が基本的に無視できる後続層の組成レベルが得られる。もし組成の変化がこの値より小さければ、幾分かの残留応力が後続層内に残り結晶品質に好ましくない影響を与え、組成のステップバックが上記の範囲より大きい場合は、所望の組成の最終層を得るために時間がかかり、厚い積層層構造および／または費用のかさむ製造になる。
【００１３】
好ましい実施形態によれば、基板上に設けられる第１の層は、対応する組成パラメータ（１−ｘｃ）が約０．０１〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内の値をとる一定組成の層か、または、対応する組成パラメータ（１−ｘｇ）が基板（３）を有する界面で、０．０１〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内の値をとる勾配組成を有する層であり得る。この組成範囲内で、格子パラメータの変化は基板に比較して小さく、それゆえ、結晶品質に与える第１の層の影響は依然小さくできるとともに、スタックの最終層の結晶品質に与える影響は小さいか又は無くなることすらある。さらに、ｘ＝１（１−ｘ＝０）から始まる勾配組成を有する第１の層を省いてもよいため、スタック内の層数を少なく維持できる。
【００１４】
後続層の組成パラメータが前の層のものよりも小さい各界面で、対応する組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）を基本的に一定にすることができ、都合がよい。新たな応力を生成することなく次の層の再構成がなされような、スタックの成長を十分に続けることができる組成パラメータのステップバックである限り、一定のステップバックを伴った構造を成長させることは、成長工程のパラメータの制御を容易にするので好ましい。
【００１５】
好ましい実施形態によれば、組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が、基板側から始めて、後続層の組成パラメータがその前の層のものよりも小さいひとつの界面から、後続層の組成パラメータがその前の層のものよりも小さくなっている次の界面に向けて増加している。別の実施形態として、組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が、１つの界面から次の界面に向けて減少するのでもよい。材料の特性によって、応力が観測されないような勾配組成層を有する層において、組成レベルが材料そのものの組成の関数として変化する場合には、組成パラメータのステップバックの大きさを変化させる方が有利である。すなわち、積層層構造は、組成のステップバックの大きさを調整することでさらに最適化が可能である。
【００１６】
好ましい実施形態によれば、化合物Ａをシリコンとゲルマニウムのうちの１つとし、且つ、化合物Ｂをシリコンとゲルマニウムのうちの他の１つとすること、および／または、基板をシリコンまたはゲルマニウム基板からなるものとすることができる。これらの材料は、上記の積層層構造用として、これらが電子産業において通常使われそれゆえ入手が容易であるのみならず、これらの材料で表面粗さが１５ÅＲＭＳ以下で転位密度が１０５ｃｍ−２以下、特に１０４又は１０３ｃｍ−２以下にさえ抑えられる一方、同時に集積転位密度を２０ｃｍ−１以下のレベルに維持できる積層層構造が達成できるため、特に興味深い。そのため、最後の層の結晶品質が従来のものよりも著しく優れた積層層構造が得られる。
【００１７】
好ましい実施形態によれば、付加的な層、特に歪みシリコン層がスタック上に設けられる。特に上記の材料の組み合わせで、従来得られたものよりも結晶品質が改善された歪みシリコン層を得ることができる。
【００１８】
スタックの最後の層が、対応する組成パラメータ（１−ｘｃ）≧０．２、特に（１−ｘｃ）≧０．４の組成パラメータを有する一定組成の層であるのは有利である。上記で詳述したように、本発明による積層層構造で転位密度と表面粗さを小さく抑えられるため、最後の層の化合物Ｂの比率を高くしながら、さらに転位密度が低く表面粗さを小さくするという要求を満たす積層層構造を提供することが可能となる。
【００１９】
スタックの最後の層は、厚さが約５０ｎｍ〜５μの範囲内、特に約０．９μ〜５μの範囲内の一定組成の層とすることができ、有利である。この最後の層は、緩和層として働き、そして、応力と転移に関して下層の特性が改善されているため、所望の格子パラメータを一定に維持しながら、相対的に厚く成長させ、引続いて行われる歪みシリコンの堆積に用いる基板として使える。
【００２０】
好ましい実施形態によれば、材料は、ｙが０≦ｙ≦１の範囲内の値をとる第２の組成パラメータであり、化合物ＡｘＣｙＢ（１−ｘ−ｙ）を生成する第３の化合物Ｃｙを含めることができ、スタックを構成する層の少なくとも一部が、対応する層の厚みの上に、組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）が徐々に、特に線形に増大し、かつ、組成パラメータｙｇが徐々に、特に線形に減少するような勾配組成ＡｘｇＣｙｇＢ（１−ｘｇ−ｙｇ）を有し、そして、勾配組成を有するスタック内の層とスタック内の後続層との界面で、後続層の組成パラメータ（１−ｘｓ−ｙｓ）が勾配組成を有する層の組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）よりも小さく、かつ、後続層の組成パラメータｙｓが勾配組成を有する層の組成パラメータｙｇよりも大きくなっている。この種の材料では、化合物ＢとＣの両方の組成を変え得る。これは、格子パラメータの変化をさらに微調整して応力および転位密度を低減できるため有利である。組成のステップバックは、（１−ｘ−ｙ）を減少させおよび／またはｙを増加させることによって達成できる。
【００２１】
化合物Ｃは、炭素であることが好ましい。特に、ＳｉおよびＧｅと組み合わせにおいて、Ｓｉ基板からスタートして高品質のＳｉＧｅ化合物を形成することができる。格子パラメータを徐々に増加させることが勾配層の目的である。３つの化合物を含む材料においては、これは、Ｇｅの比率を増加させること、および／または、炭素の比率を下げることによって達成しうる。組成のステップバックは、界面におけるＧｅの比率を低減すること、および／または、炭素の比率を増やすことによって達成しうる。
【００２２】
本発明は、上記したような積層層構造から成る集積回路にも関する。特に、積層層構造の最上部に歪みシリコンを伴った組み合わせでは、本発明の積層層構造を用いて、高速の集積回路が高い歩留まりで製造できる。
【００２３】
本発明の目的は、請求項１６に記載の積層層構造を形成する方法によっても達成できる。
【００２４】
勾配組成を有する層と後続層との界面における組成の変化によって、後続層の結晶構造が、その成長中の改善された条件の下で、すなわち応力と転位を少なくすることで、再構成させることができる。この効果は、全スタックに亘って観測でき、最終的には、従来の積層層構造の技術状態で得られたものと比較して、転位密度が低減し表面粗さが改善したスタックが得られる。
【００２５】
後続層は、工程ｃ）で、一定の組成（１−ｘｃ）で成長することができ、好ましい。成長中に、結晶構造は改善された条件下で再構成することができ、その結果、それまで存在していた転位が新たな応力を生成することなく再結合することができ、消滅する。
【００２６】
一定の組成のスタックにおける層と勾配組成を有する後続層との界面で、組成パラメータ（１−ｘｃ）が勾配組成を有する層の組成パラメータ（１−ｘｇ）と基本的に同一になるように膜を成長させることができるのは有利である。それゆえ、材料ＡｘＢ（１−ｘ）における化合物Ｂの比率を、スタックの端部で所望のレベルになるまでスタック内で急激に増加させることができる。その結果、化合物Ｂの所望の比率を得るための層数を少なく維持することができ、それによって製造コストを低く抑えることができる。
【００２７】
好ましい実施形態によれば、勾配組成を有する層と後続層との界面において、勾配組成を有する層および後続層は、組成パラメータが０．００１≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０７の関係、特に０．００５≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）≦０．０５の関係を満足するように成長することができる。この範囲では、応力と転位密度を低減できるという利点は層の成膜中に達成され、同時に化合物Ｂの比率の増加は、依然、満足のいく製造上の処理量が得られるほど大きい。
【００２８】
工程ｂ）の前に、一定組成の第１の層を、約０．０３〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内となる組成パラメータ（１−ｘｃ）で成長させることができるのは好ましい。組成パラメータｘ＝１からスタートして、勾配組成を有する層を成長させるのに必要な、化合物Ｂの比率の低い層を実現するため、層を成長させるときに化合物Ｂの量を正確に制御する必要がある。しかしながら、このような層を成長させるとき、材料の組成百分率を極めて小さく制御することは困難なため、第１の層内で比較的大きな変動が発生することがある。第１の層に対しては、組成の小さなステップはスタックの最後の層の品質に影響しないため、スタックの第１の層を一定組成の層とするのでもよい。
【００２９】
他の実施形態によれば、基板（３）上に設けられる勾配組成を有する第１の層は、基板（３）との界面で、組成パラメータ（１−ｘｇ）が約０．０１〜０．０９の範囲内、特に０．０５〜０．０６の範囲内の値をとるように成長することができる。第１の層に関しては、濃度の小さなステップはスタックの最後の層の品質に影響しないため、スタックの第１の層が勾配組成を有する層である場合、その界面で（１−ｘ）＝０の組成パラメータから成膜を開始する必要はない。それゆえ、スタックの最後の層を、より早く所望の組成にすることができる。
【００３０】
勾配組成を有する層と後続層とは、後続層の組成パラメータがその前の層の一つより低い各界面で、組成パラメータの差（１−ｘｃ）−（１−ｘｓ）が一定になるように設けることができ、有利である。組成のステップバックを一定に維持することによって、成長パラメータの制御が容易になる。
【００３１】
他の実施形態によれば、後続層における勾配組成の層は、基板から始めて、組成パラメータの差（１−ｘｇ）−（１−ｘｓ）が、後続層の組成パラメータがその前の層のそれよりも小さい一つの界面から、後続層の組成パラメータがその前のそれよりも小さい後続の界面に向けて、増加又は減少するように設けられうる。化合物ＡおよびＢの材料特性に応じて、表面粗さと転位密度の特性を、各界面で組成のステップバックを調節してさらに最適化を図ることができる。
【００３２】
好ましい実施形態によれば、層はデポジション法、特に化学的蒸気堆積法（ＣＶＤ）を用いて成長することができ、勾配組成を有する層と後続層との界面で、成長パラメータのうちの１つのみ、特に化合物ＡおよびＢの堆積に用いる前駆体ガスうちの１つの流速、のみを変えることによって、組成パラメータ（１−ｘ）を減少させることができる。ただ１つの成長パラメータを変えることによって、組成パラメータの所望の分布が容易かつ再現性よく達成される。
【００３３】
一つの変形例によれば、工程ｂ）において、３つの化合物Ａｘ、ＣｙおよびＢ（１−ｘ−ｙ）から成る材料の層は、組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）が層の厚みの上に徐々に、特に線形に、増加し、かつ組成パラメータｙｇが層の厚みの上に、特に線形に、減少するように、勾配組成ＡｘＣｙｇＢ（１−ｘｇ−ｙｇ）を伴って成長することができ、工程ｃ）おいて、化合物ＡｘｓＣｙｓＢ（１−ｘｓ−ｙｓ）の後続層は、勾配組成ＡｘｇＣｙｇＢ（１−ｘｇ−ｙｇ）を有する層の上に形成することができ、勾配組成を有する層と後続層との界面で、後続層の組成パラメータ（１−ｘｓ−ｙｓ）が勾配組成を有する層の組成パラメータ（１−ｘｇ−ｙｇ）よりも小さく、かつ、後続層の組成パラメータｙｓが勾配組成を有する層の組成パラメータｙｇよりも大きくなるように、成長パラメータが選択される。３番目の化合物を用いることによって、格子パラメータの変化をさらに微細に調整でき、応力と転位密度を減少することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明の有利な実施形態を以下の図面に基づいて説明する。
【００３５】
図１は、本発明に係る積層層構造１の第１の実施形態を示す。積層体１は、基板３と、複数の層のスタック５から成る。加えて、付加的な層７、特に歪みシリコン層が、スタック５の頂部にエピタキシャル成長する。さらに、バッファ層がスタック５と付加的な層７との間に設けられ得る。
【００３６】
基板３は、例えば、所定の結晶構造を有するシリコン又はゲルマニウムのウェーハのような典型的な半導体ウェーハである。
【００３７】
複数の層のスタック５は、材料ＡｘＢ（１−ｘ）の層から成る。特に、化合物Ａはシリコン又はゲルマニウムであり、化合物Ｂはシリコンおよびゲルマニウムのうちの他の１つである。ｘおよび（１−ｘ）は、それぞれ、材料ＡｘＢ（１−ｘ）における化合物Ａおよび化合物Ｂの比率を記述する組成パラメータである。
【００３８】
基板材料は、化合物Ａが基板３でエピタキシャル成長できるものが選ばれる。化合物Ａと基板３とは、ホモエピタキシャル成長を可能にする同一の格子パラメータを有するものが好ましい。第２の化合物Ｂは、材料ＡｘＢ（１−ｘ）が基板Ａとわずかに異なる格子定数を有し、この差異が材料ＡｘＢ（１−ｘ）内の化合物Ｂの量の増加と共に増大するように選ばれる。
【００３９】
以下では、２元の材料を形成する基板の材料としてのシリコンと、スタックの材料としてのＳｉｘＧｅ（１−ｘ）を用いて発明が示される。しかしながら、出発基板としてゲルマニウムを用いるというような他の材料の組み合わせもまた本発明の範囲内であるということに留意すべきである。
【００４０】
図１に示す積層層構造１の左側に、組成パラメータ（１−ｘ）の変化を複数の層からなるスタック５の厚さの関数として示す。
【００４１】
スタック５の第１の層５ａは勾配組成を有する。すなわち、組成パラメータ１−ｘは、第１の層５ａの厚みの上に徐々に増加している。この実施形態では、増加は線形である。組成パラメータ（１−ｘｇ）は、０から始まり、それゆえ、基板３と第１の層５ａとは、その界面で同一の組成Ｓｉ１Ｇｅ０、すなわち、同一の格子パラメータを有し、後続層５ｂとの界面で予め決められた値になる。
【００４２】
スタック５内の後続する第２の層はその厚み全体の上に一定組成を有し、対応する組成パラメータ（１−ｘｃ）は勾配組成を有する下の第１の層５ａ側の界面で組成パラメータ（１−ｘｇ）より小さくなっている。スタック５内の後続の第３の層５ｃは、また、勾配組成を有する層であり、第２の層５ｂ側の界面で、両方の層５ｂおよび５ｃの組成パラメータ（１−ｘｇ）および（１−ｘｃ）は同じになっている。そして、第４の層５ｄは、また、化合物Ｂの比率の大きい、層５ｂと匹敵する一定組成の層であるが、また、第３の層側の界面で、組成パラメータ（１−ｘｃ）は、この界面における第３の層５ｃの組成パラメータ（１−ｘｇ）よりも小さくなっている。次に、交互の層構造がさらに繰り返され、この実施形態では合計４回繰り返される。しかしながら、勾配組成を有する層と一定組成の層とからなる２層の層数は、４に限定されるものではなく、１〜１０までの範囲でよく、特に３または４が好ましい。
【００４３】
図１から分かるように、組成パラメータ（１−ｘｃ）は１つの一定組成の層から次のものへ増加している。一つの変形例によれば、組成の平坦域は、最終の層５ｈに対し、５％、１０％、１５％および２０％であり、その結果、層５ｈにおける２元の材料の組成は、この例では、Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２に等しくなっている。もちろん、１つの平坦域から次のものまでの組成の増加は必ずしも規則的でなければならないという必要はなく、（１−ｘ）＝０．２という値もまた単に２元の材料の最終組成に対する１つの可能性に対応するだけである。実際、ゲルマニウムの組成は、０．４％でもそれ以上でもよい。
【００４４】
スタック５の層は、厚みが、約２０ｎｍ〜１μｍの範囲内であり、特に、約５０ｎｍ〜約５００ｎｍの範囲内である。スタック５ｈの最後の層は、歪みシリコン層７に対するバッファ層の役割を果たすため５μに達する厚みさえも有してよい。各層が同一の厚さを有する必要はない。同じことが勾配組成を有する層５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇ内の組成パラメータの傾きに対しても有効である。この第１の実施形態において、勾配組成を有する各層５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇに対して、勾配は一定であるが、層毎に異なっていてもよい。さらに、増加は、例えば、放物線状のような他のいかなる形であってもよい。線形の勾配に対しては、組成パラメータ（１−ｘ）の傾きは、約０．２５Ｇｅ％／μｍ未満が好ましいであろう。
【００４５】
勾配組成を有する層５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇと一定組成の後続層５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈとの間の界面における組成のステップバックは、重要な役割を果たす。これらのステップバックが存在するため、スタック５内の層、特にスタック５の最後の層５ｈ内の転位密度と表面粗さは、ステップバックのないスタックに比較して低減される。
【００４６】
実際、下の基板との間で結晶構造の不整合を有する層のエピタキシャル成長は、エピタキシャル層の厚さが薄いとき、エピタキシャル層内に応力を生じさせることになる。実際、堆積した層の結晶構造は、その格子パラメータを下の基板のものに適合させるようになっている。一旦、層の厚さが臨界の膜厚以上となると、堆積された層の格子パラメータは、徐々に本来の格子パラメータに戻る。この現象は、堆積層内において、転位の生成および応力の緩和を伴う。転位が存在すると結晶品質は制限され、さらに、表面粗さは好ましくない影響を受ける。
【００４７】
転位密度および表面粗さを減らすように試みるとき、基板上に勾配組成を有する層を設けることによって転位密度を比較的低く保持できるが、勾配組成を有する層の最後の層では残留応力が存在する。それゆえ、一定組成の層の組成が勾配組成を有する界面の一つと一致するように、勾配を有する層と一定組成を有する層とを変更することが提案された。この配設は好ましくない効果を低減することに役立つ、しかしながら、ある量の応力が残り、転位の低減と表面粗さは依然十分ではない。
【００４８】
本発明の発明者は、組成にステップバックを設けることによって転位密度と表面粗さがさらに改善できることを確認した。ここで、一定組成の層は、勾配組成を有する層内で応力が存在しないか又は低減されていることが観測されるような組成と一致する組成を有する。それゆえ、組成のステップバックは、層の結晶構造を、新たな転位を発生させることなく再編成させ、それと同時に新しいエピタキシャル層が緩和される。
【００４９】
転位密度と表面粗さに関して最善の結果が、概略０．００１≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｃ）≦０．０７、特に０．００５≦（１−ｘｇ）−（１−ｘｃ）≦０．０５の組成のステップバックに対して達成された。ここで、（１−ｘｇ）は勾配組成を有する層側の界面における組成パラメータであり、（１−ｘｃ）は一定組成の層側の界面における組成である。それゆえ、これらの組成のステップバックに対して、応力レベルが緩和された層を成長させることができる。
【００５０】
変形例によれば、勾配組成を有する層５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇと一定組成の後続層５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈとの間の各界面における組成のステップバックは、一定でもよく、基板３から始めて、１つの界面から以降の界面に向けて増加しても、または、基板３から始めて、１つの界面から次の界面に向けて減少してもよい。
【００５１】
第１の実施形態による積層層構造１で、転位密度を１０５ｃｍ−２未満に、転位蓄積密度を２０ｃｍ−１未満にすることができる一方、同時にスタック５の最後の層５ｈの表面における表面粗さは、１５ÅＲＭＳよりもよい。
【００５２】
積層層構造１は、以下の方法で製造できる。
【００５３】
第１の工程で、シリコンウェーハは、例えばＨＦを用いて表面の天然の酸化物を除去する等によって洗浄された後に基板３として提供される。次に、スタック５の層５ａ、・・・、５ｈをデポジション法、特に化学的蒸気堆積法（ＣＶＤ）によってエピタキシャル成長させる。ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced CVD）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法またはＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）法技術等のような他のエピタキシャル成長法を用いてもよい。シリコン基板３はＣＶＤ装置の反応室内に持ち込まれ、そこでＨ２を用いて９５０℃〜１１５０℃の間の温度で酸化物を除去する他の工程が行われ、または、予めＨＦを用いて約８００℃〜１０００℃の温度でクリーニングが行われたときに持ち込まれる。
【００５４】
次に、反応室の温度が、堆積に用いる前駆体ガスに依存した堆積温度に調節される。シリコンゲルマニウムの膜に対して、好ましい前駆体ガスは、キャリアガスをＨ２として、ＳｉＨ４、ＤＣＳまたはＴＣＳ、および、ＧｅＨ４、ＧｅＨ３Ｃｌ、ＧｅＨ２Ｃｌ２、ＧｅＨＣｌ３またはＣｅＣｌ４である。
【００５５】
前駆体ガスの反応室への導入を開始することによって、スタック５の層の成長が開始される。与えられた水素の流量での前駆体ガスにおけるゲルマニウムに対するシリコンの比が、堆積されるＳｉｘＧｅ１−ｘ層の組成を決定する。同時に、２元材料の組成はまた、２０Ｔｏｒｒ（２、６６ｋＰａ）から約大気圧までの範囲の値をとる圧力と、典型的には５００℃〜１１００℃までの範囲の値をとる温度との関数である。層５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇに対して勾配組成を得るため、前駆体ガスの流量が連続的に修正され、それによって堆積される層の組成が連続的に修正される。結局、組成は、温度を修正することによってもまた影響される。成長中、基板３を載せるサセプタを１０００tr／min以下の速度で回転させることが、好ましい。
【００５６】
一定組成の層５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈを得るために反応室内の成長パラメータが固定され、堆積時間をそれに応じて選択することによって堆積される層の所望の膜厚が達成される。勾配組成の層５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇと引続く一定組成の層５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈとの間の界面に組成のステップバックを設けるため、成長パラメータの１つ、特に前駆体ガスのうちの１つの流量、この実施形態ではゲルマニウムの前駆体ガスの流量が変化させられる。
【００５７】
一定組成の層５ｂ、５ｄ、５ｆの成長後、勾配組成を有する後続層５ｃ、５ｅ、５ｇが上記と同様の方法で成長する。ここで、成長パラメータは、開始の組成が一定組成の層５ｂ、５ｄ、５ｆの組成と一致するように選択される。
【００５８】
勾配組成を有する層５ａ、５ｃ、５ｅ、５ｇと一定組成の層５ｂ、５ｄ、５ｆ、５ｈとをステップバックを伴って交互に堆積することが４回繰り返され、引続いて堆積される付加的な層７、ここでは歪みシリコン層が、高速の電子デバイスを形成することができる所望の格子パラメータを有するようなＳｉｘＧｅ１−ｘ組成中において所望の比率のゲルマニウム、を有するスタックの最後の層５ｈが得られる。
【００５９】
上記のプロセスを用いることによって、スタックの最後の層におけるゲルマニウムの比率が２０％のＳｉｘＧｅ（１−ｘ）の積層層構造であって表面粗さが１５ÅＲＭＳ未満、蓄積密度が２０ｃｍ−１未満および転位密度が１０４ｃｍ−２未満のものが得られた。
【００６０】
２元の材料の代わりに、例えばＳｉｘＧｅ（１−ｘ−ｙ）Ｃｙのような３つの異なる元素から成る材料を用いて層のスタックを形成することも可能である。この実施形態では、格子パラメータの成長は、炭素の比率を減らすことで、および／または、Ｇｅの量を増やすことで達成することが出来る。勾配組成を有する層と一定組成の層との界面での組成におけるステップバックは、炭素の量を増やすことで、および／または、Ｇｅの比率を減らすことで達成される。この実施形態に対して、表面粗さ、蓄積密度および転位密度は、２元の材料ＳｉＧｅからなるスタックと同様のものが観測された。
【００６１】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る積層層構造９を示す。図１に示す第１の実施形態の積層層構造との唯一の差異は、スタック１１が実施形態１のスタック５よりも層数が１層少ないことである。同等の層、特に基板および付加的な層は、第１の実施形態と第２の実施形態との間で同じ特性および特徴を共有する。それらの記述はここでは省略するが、図１についての説明を参照することによってここに記述したものとする。これは、また、第２の実施形態の積層層構造９の形成方法についても該当する。
【００６２】
第２の実施形態では、基板３上のスタック１１の第１の層１１ａは、第１の実施形態に示す勾配組成を有する層ではなく一定組成の層である。これは、極めて少ない質量流量で操作するとき、ゲルマニウムのための前駆体ガスの質量流量制御を実現することが容易ではないため、シリコン基板３上の第１の層１１ａ内のゲルマニウムの極めて低いパーセントで実際に開始することが簡単ではないにしても、好ましい。その結果、もし第１の層が勾配組成を有するものであれば、２元の材料の組成にもたらされる誤差はパーセント台となり、ゲルマニウムの比率が高い層に比較して相対的に高いものとなる。しかしながら、スタックの第１の層１１ａが一定組成を有する層、特に組成パラメータ（１−ｘｃ）が約１〜９％の範囲内、さらに５〜６％の範囲内のＳｉｘＧｅ１−ｘからなる層であるとき、転位と表面粗さとに関して、その層の品質が、大きな誤差を伴う勾配組成を有する層よりも十分良いか又はより良い品質が達成でき、その結果、第１の実施形態に示すものに匹敵するかまたはそれよりも良い品質の歪みシリコン層７が得られた。さらに、スタック１１内の層数が第１の実施形態に比較して少ないと同時に、最後の層１１ｇにおけるゲルマニウムの比率を層５ｈと同じにすることができたため、このような積層層構造を製造するためのスループットは第２の実施形態におけるものが高い。それゆえ、積層層構造９はより安価に製造できる。
【００６３】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る積層層構造１３を示す。図１に示す第１の実施形態の積層層構造との差異は、スタック１５が基板３との界面に、０以外、特に（１−ｘｇ）が約１〜９％の範囲内、さらに約５〜６％の範囲内の勾配つきの組成パラメータ（１−ｘｇ）を有する第１の層１５ａを備えていることである。それゆえ、第２の実施形態におけるものと同様に、最終組成は、堆積する層をより少なくすることができ、高い製造スループットをもたらす。実際、第１の実施形態に比較して、最終の、所望の組成は勾配組成を有する３つの層だけで実現できる。しかしながら、同等の層、特に基板および付加的な層は、第１の実施形態と第２の実施形態との間で、第１の実施形態と同様に同じ特性および特徴を有する。第３の実施形態のさらなる層の特徴および特性についての記載は、第１の実施形態に示したものと同等であるためここでは省略し、図１についての説明を参照することによってここに記述したものとする。これは、第３の実施形態の積層層構造１３を製造する方法に関しても、同様に該当する。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る積層層構造、および、スタックの厚みの関数としての化合物Ｂの比率の依存性を示す。
【図２】スタックの第１の層が一定の組成を有する本発明の第２の実施形態に係る積層層構造を示す。
【図３】第１の層が勾配組成を有する本発明の第３の実施形態に係る積層層構造を示す。
【符号の説明】
【００６５】
１、９、１３  積層層構造
３  基板
５、１１、１５  スタック
５ａ〜５ｈ、１１ａ〜１１ｈ、１５ａ〜１５ｈ  層
７  付加的な層
【図１】
2006319310.tif 000003
【図２】
2006319310.tif 000004
【図３】
2006319310.tif 000005
【外国語明細書】
2006319310000001.pdf