(57)【要約】  【課題】不揮発性メモリに記録する画素欠陥位置情報量を削減できる画素欠陥補正装置を提供する。  【解決手段】  画像信号入力部１１は、画素加算した画像信号を入力する。画素欠陥検出部１３は、画像信号から画素欠陥位置を検出する。画素欠陥位置算出部１４は、画像信号の画素と撮像素子の画素との位置関係に基づいて、検出した画像信号の画素欠陥位置から撮像素子の画素欠陥位置を算出する。不揮発性メモリ１５は、算出された撮像素子の画素欠陥位置を記録する記録手段である。補正位置算出部１６は、記録された撮像素子の画素欠陥位置から、画素加算した各々の画像信号の補正位置を算出する。画素欠陥補正部１７は、算出された補正位置の画像信号を補正する。【選択図】  図１
2006211319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素加算した画像信号を入力する手段と、
前記画像信号から画素欠陥位置を検出する手段と、
前記画像信号の画素と撮像素子の画素との位置関係に基づいて、検出した前記画像信号の画素欠陥位置から前記撮像素子の画素欠陥位置を算出する手段と、
前記撮像素子の画素欠陥位置を記録する手段と、
記録された前記撮像素子の画素欠陥位置から、画素加算した各々の画像信号の補正位置を算出する手段と、
前記補正位置の画像信号を補正する手段と、
を備えたことを特徴とする画素欠陥補正装置。
【請求項２】
前記撮像素子の画素欠陥位置を記録したときに記録手段の記憶容量に余裕があるか否かを判定する手段と、前記記憶容量に余裕があると判定されたときに画素欠陥検出閾値を変更する手段とを備え、前記画像信号から画素欠陥を検出する手段は、変更された前記画素欠陥検出閾値を用いて前記画像信号の着目画素と周囲画素を比較して画素欠陥を再度検出することを特徴とする請求項１に記載の画素欠陥補正装置。
【請求項３】
画素加算した画像信号を入力するステップと、
前記画像信号から画素欠陥位置を検出するステップと、
前記画像信号の画素と撮像素子の画素との位置関係に基づいて、検出した前記画像信号の画素欠陥位置から前記撮像素子の画素欠陥位置を算出するステップと、
前記撮像素子の画素欠陥位置を記録するステップと、
前記記録ステップにて記録された撮像素子の画素欠陥位置から、画素加算した各々の画像信号の補正位置を算出するステップと、
前記補正位置の画像信号を補正するステップと、
を持つことを特徴とする画素欠陥補正方法。
【請求項４】
前記撮像素子の画素欠陥位置を記録したときに記録手段の記憶容量に余裕があるか否かを判定し、前記記憶容量に余裕があると判定されたときに画素欠陥検出閾値を変更し、変更された前記画素欠陥検出閾値を用いて前記画像信号の着目画素と周囲画素を比較して前記画像信号から画素欠陥を再度検出することを特徴とする請求項３に記載の画素欠陥補正方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の画素欠陥補正方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項６】
請求項３または４に記載の画素欠陥補正方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素欠陥補正装置に関し、特に画素加算を行う撮像装置の画素欠陥を補正する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子は、画素と呼ばれる光電変換回路を集積したものである。多数の画素の中には、入射光量とは無関係な出力をしたり、温度変化や入射光量に過剰に反応してしまう画素欠陥が存在することが知られている。こうした画素欠陥は、画像にはノイズとして現れて、画質劣化の要因となる。そのため、画素欠陥に対しては補正処理を行って画質の劣化を抑えることが求められる。
【０００３】
画素欠陥の補正技術には大きく分けて次の２つの方法がある。第１の方法は、常に注目画素と周囲の画素との比較から画素欠陥を検出して補正を行う方法である。第２の方法は、予め画素欠陥の位置を検出して不揮発性メモリに記録しておき、記録された位置の画素を補正する方法である。画素欠陥補正では、上記２つの方法のどちらか一方で補正処理が行われ、もしくは、両方の併用により補正処理が行われる。
【０００４】
上記の第１の方法、すなわち、常に注目画素と周囲の画素との比較から画素欠陥を検出して補正を行う方法は、経年変化や温度変化により新たに発生する画素欠陥にも対応できる。しかし、検出漏れや誤検出による画質劣化が起こりうる。
【０００５】
一方、第２の方法、すなわち、画素欠陥の位置情報を記録しておく方法は、予め均一被写体等を撮像した状態で画素欠陥を検出する。したがって、検出漏れや誤検出は起こりにくい。しかし、補正を行う画素欠陥の数に応じて、位置情報を記録できる十分な容量の不揮発性メモリが必要となる。
【０００６】
例えば、特許文献１は、上記の第２の方法を開示している。同文献では、ＥＥＰＲＯＭに全部の画素欠陥の位置アドレスが記録されている。これら位置アドレスが、別の５個のレジスタに順次転送される。これにより、補正処理に使用するレジスタの数が削減されている。
【特許文献１】特開２０００−２３０５１号公報（第３−５ページ、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の画素欠陥補正装置は、画素加算を行う撮像装置に適用すると、下記のように、記録すべき画素欠陥位置の情報量が多くなってしまうという問題がある。
【０００８】
画素加算を行う撮像装置は、例えば、上下画素加算を行うインタレース方式の撮像装置である。この種の撮像装置では、撮像素子から出力される画像信号は、上下２画素の信号を加算した信号である。そして、上下画素の組合せがフィールド毎に異なっており、すなわち、奇数フィールドと偶数フィールドで異なっている。したがって、フィールド毎に異なる組合せの上下画素の信号が加算される。
【０００９】
このため、撮像素子に１つの画素欠陥があると、撮像素子から出力される画像信号においては、それぞれのフィールドに画素欠陥の信号が現れる。そして、上下加算画素の組合せがフィールド毎に異なるために、画像信号に現れる画素欠陥の位置もフィールド毎に異なる。
【００１０】
このような撮像装置で従来の画素欠陥補正装置を用いると、それぞれのフィールド用の画素欠陥位置を記録しておく必要がある。したがって、撮像素子の画素欠陥数の２倍の位置情報を不揮発性メモリに記録する必要があった。
【００１１】
以上のように、画素加算を行う撮像装置では、撮像素子の画素欠陥位置が画像信号の画素欠陥位置に直接対応しておらず、画素加算の組合せ毎に異なる補正位置情報を不揮発性メモリに記録しておく必要がある。そして、不揮発性メモリが記憶すべき画素欠陥位置の情報量が多くなり、また、不揮発性メモリから画素欠陥位置の情報を読み出しておくための回路量も多くなるという問題があった。
【００１２】
本発明は、従来の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、不揮発性メモリに記録する画素欠陥位置情報量を削減でき、更に不揮発性メモリに記録した画素欠陥位置情報を読み出しておくための回路量を削減することもできる画素欠陥補正装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の画素欠陥補正装置は、画素加算した画像信号を入力する手段と、前記画像信号から画素欠陥位置を検出する手段と、前記画像信号の画素と撮像素子の画素との位置関係に基づいて、検出した前記画像信号の画素欠陥位置から前記撮像素子の画素欠陥位置を算出する手段と、前記撮像素子の画素欠陥位置を記録する手段と、記録された前記撮像素子の画素欠陥位置から、画素加算した各々の画像信号の補正位置を算出する手段と、前記補正位置の画像信号を補正する手段とを備えている。
【００１４】
この構成により、検出した画像信号の画素欠陥位置から撮像素子の画素欠陥位置を算出して、撮像素子の画素欠陥位置を記録することで、不揮発性メモリの使用量を削減することができ、また、不揮発性メモリに記録した情報を読み出しておく回路量も削減することができる。
【００１５】
また、本発明の画素欠陥補正装置は、前記撮像素子の画素欠陥位置を記録したときに記録手段の記憶容量に余裕があるか否かを判定する手段と、前記記憶容量に余裕があると判定されたときに画素欠陥検出閾値を変更する手段とを備え、前記画像信号から画素欠陥を検出する手段は、変更された前記画素欠陥検出閾値を用いて前記画像信号の着目画素と周囲画素を比較して画素欠陥を再度算出する。この構成により、不揮発性メモリの記憶容量に余裕があれば、画素欠陥検出閾値を変更して処理が繰り返されて、より多くの画素欠陥のデータが不揮発性メモリに記憶される。したがって、限られた記憶容量の不揮発性メモリを効率よく使用して、より多くの画素欠陥を補正できる。
【００１６】
また、本発明の別の態様は画素欠陥補正方法であり、この補正方法は、画素加算した画像信号を入力するステップと、前記画像信号から画素欠陥位置を検出するステップと、前記画像信号の画素と撮像素子の画素との位置関係に基づいて、検出した前記画像信号の画素欠陥位置から前記撮像素子の画素欠陥位置を算出するステップと、前記撮像素子の画素欠陥位置を記録するステップと、前記記録ステップにて記録された撮像素子の画素欠陥位置から、画素加算した各々の画像信号の補正位置を算出するステップと、前記補正位置の画像信号を補正するステップとを有している。
【００１７】
この構成により、検出した画像信号の画素欠陥位置から撮像素子の画素欠陥位置を算出して、撮像素子の画素欠陥位置を記録することで、不揮発性メモリの使用量を削減することができ、また、不揮発性メモリに記録した情報を読み出しておく回路量も削減することができる。
【００１８】
また、本発明の画素欠陥補正方法は、前記撮像素子の画素欠陥位置を記録したときに記録手段の記憶容量に余裕があるか否かを判定し、前記記憶容量に余裕があると判定されたときに画素欠陥検出閾値を変更し、変更された前記画素欠陥検出閾値を用いて前記画像信号の着目画素と周囲画素を比較して前記画像信号から画素欠陥を再度検出する。この構成により、不揮発性メモリの記憶容量に余裕があれば、画素欠陥検出閾値を変更して処理が繰り返されて、より多くの画素欠陥のデータが不揮発性メモリに記憶される。したがって、限られた記憶容量の不揮発性メモリを効率よく使用して、より多くの画素欠陥を補正できる。
【００１９】
また、本発明の別の態様はプログラムであり、このプログラムは、上記の画素欠陥補正方法をコンピュータに実行させるためのプログラムである。このプログラムをマイクロプロセッサ等で実行させることにより、不揮発性メモリの使用量及び回路量を削減した画素欠陥の補正処理を実現することができる。
【００２０】
また、本発明の別の態様はコンピュータ読取可能な記録媒体であり、この記録媒体は、上記の画素欠陥補正方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録している。この記録媒体に記録されたプログラムをマイクロプロセッサ等で読み取って実行させることにより、不揮発性メモリの使用量及び回路量を削減した画素欠陥の補正処理を実現することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の画素欠陥補正装置は、検出した画像信号の画素欠陥位置から撮像素子の画素欠陥位置を算出して、撮像素子の画素欠陥位置を記録することで、不揮発性メモリの使用量を削減することができ、また、不揮発性メモリに記録した情報を読み出しておく回路量も削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００２３】
本発明の第１の実施の形態に係る画素欠陥装置を図１に示す。画素欠陥装置は、画素加算を行う撮像装置に備えられる。本実施の形態では、撮像装置は、上下画素加算を行うインタレース方式の撮像装置である。そして、画素欠陥装置は、画素加算された画像信号を処理する。
【００２４】
図１に示すように、画素欠陥補正装置は、画像信号入力部１１、フィールド情報入力部１２、画素欠陥検出部１３、画素欠陥位置算出部１４、不揮発性メモリ１５、補正位置算出部１６、画素欠陥補正部１７および画像信号出力部１８で構成されている。
【００２５】
図２は、撮像素子の画素のイメージ図であり、図３は、第１フィールドの画像信号のイメージ図であり、図４は第２フィールドの画像信号のイメージ図である。図３及び図４のような信号が、画像信号入力部１１から順次入力される。まずは、図２、図３、図４を用いて、撮像素子の画素欠陥と画像信号の画素欠陥の関係を説明する。
【００２６】
撮像素子は、入射光を電気信号に変換する画素を集積した素子である。上下画素加算を行うインタレース方式の撮像素子では、出力される画像信号は、上下２つの画素の信号を加算した信号である。
【００２７】
そして、第１フィールドの０ライン目の画像信号３１は、撮像素子の画素の０行目と１行目を加算した信号である。以下同様に、ｎライン目の信号は、撮像素子の画素の２ｎ行目と２ｎ＋１行目を加算した信号となっている。
【００２８】
一方、第２フィールドの０ライン目の画像信号４１は、撮像素子の画素の１行目と２行目を加算した信号となっている。以下同様に、ｎライン目の信号は、撮像素子の画素の２ｎ＋１行目と２ｎ＋２行目を加算した信号となっている。
【００２９】
したがって、撮像素子の奇数行目の画素欠陥２２は、第１フィールド、第２フィールド共に同じラインの画像信号に現れる（図３および図４の欠陥画素３２、４２）。
【００３０】
しかし、撮像素子の偶数行目の画素欠陥２３は、第１フィールドと第２フィールドでは異なるラインに現れる（図３および図４の欠陥画素３３、４３）。そして、第１フィールドに現れるライン番号から１を引いたライン番号が、第２フィールドに現れるライン番号になる。
【００３１】
本実施の形態の画素欠陥補正装置は、上記のような画像信号の画素と撮像素子の画素との位置関係に基づいて、画像信号の画素欠陥の位置関係から撮像素子の画素欠陥位置を算出するように構成されている。
【００３２】
画像信号入力部１１は、工場調整時または適当な調整タイミングで、均一な被写体等を撮像した画像信号を順次入力する。画素欠陥検出部１３は、画像信号から画素欠陥とその位置を検出する。本実施の形態では、画素欠陥検出部１３は、注目画素と周囲画素との信号レベルを比較することにより画素欠陥を検出する。例えば、注目画素と周囲画素の信号レベルの差が閾値以上であるときに、画素欠陥が検出される。画素欠陥検出部１３は、第１フィールドと第２フィールド両方の信号に対して画素欠陥の検出を行う。
【００３３】
画素欠陥位置算出部１４は、画像信号の画素と撮像素子の画素の位置関係に基づいて、画像信号の画素欠陥位置から撮像素子の画素欠陥位置を算出する。
【００３４】
画素欠陥位置算出部１４は、フィールド情報を用いる。フィールド情報は、画像信号入力部１１から入力された画像信号が第１フィールドか第２フィールドのどちらの信号であるかを示す信号である。フィールド情報は、フィールド情報入力部１２から入力され、画素欠陥位置算出部１４に供給される。また、画素欠陥位置算出部１４には、画素欠陥検出部１３で検出された画像信号（第１フィールドおよび第２フィールド）の画素欠陥の位置情報が供給される。そして、画素欠陥位置算出部１４は、撮像素子の画素の位置と画像信号に現れる画素欠陥の位置の関係を用いて、画像信号の画素欠陥の位置情報とフィールド情報とから、撮像素子の画素欠陥位置を算出する。この算出処理は、下記の通りであり、画像信号と撮像素子の間での画素位置の変換処理である。
【００３５】
すなわち、第１フィールドの画素欠陥位置情報（ｘ,ｙ）に対して、第２フィールドの画素欠陥位置情報（ｘ,ｙ）が存在したなら、撮像素子の（ｘ,ｙ＊２＋１）を画素欠陥位置とする。
【００３６】
また、第１フィールドの画素欠陥位置情報（ｘ,ｙ）に対して、第２フィールドの画素欠陥位置情報（ｘ,ｙ−１）が存在したなら、撮像素子の（ｘ,ｙ＊２）を画素欠陥位置とする。
【００３７】
これらの算出処理は下式で表現される。
（Ｘ，Ｙ）＝（ｘ,ｙ＊２＋１）
第１フィールド、第２フィールド共に画素欠陥位置が（ｘ,ｙ）の時
（Ｘ，Ｙ）＝（ｘ,ｙ＊２）
第１フィールドの画素欠陥位置が（ｘ,ｙ）、
第２フィールドの画素欠陥位置が（ｘ,ｙ−１）の時
Ｘ，Ｙ ・・・撮像素子の座標
ｘ，ｙ ・・・画像信号の座標
【００３８】
不揮発性メモリ１５は、画素欠陥位置算出部１４で算出された撮像素子の画素欠陥位置を記録する。従来のように第１フィールド、第２フィールド別々に画素欠陥位置を記録する場合に比べ、ｙ座標の信号幅は１ビット大きくなるものの、記録個数は半分となる。したがって、不揮発性メモリの使用量は従来の約１／２に抑えることができる。
【００３９】
次に、画素欠陥の補正処理を行う構成を説明する。補正位置算出部１６は、不揮発性メモリ１５に記録された撮像素子の画素欠陥位置情報から、画像信号の補正位置を算出する。このとき、補正位置算出部１６は、フィールド情報入力部１２から入力されるフィールド情報の信号に合わせて、各フィールド毎の補正位置を算出する。
【００４０】
補正位置の算出は、原理的には、上述の画素欠陥位置の算出の逆の処理である。補正位置算出部１６は、撮像素子の画素の位置と画像信号に現れる画素欠陥の位置の関係から、画像信号に現れる画素欠陥の位置を算出する。この算出処理は、下記の通りである。
【００４１】
すなわち、撮像素子の画素欠陥位置を（Ｘ，Ｙ）とすると、第１フィールドの補正位置は（Ｘ，Ｙ／２）となり、第２フィールドの補正位置は（Ｘ，（Ｙ−１）／２）となる。これらの算出処理は下式で表現される。
（ｘ，ｙ）＝（Ｘ，Ｙ／２）             第１フィールドの補正位置
（ｘ，ｙ）＝（Ｘ，（Ｙ−１）／２）     第２フィールドの補正位置
ｘ，ｙ ・・・画像信号の座標
Ｘ，Ｙ ・・・撮像素子の座標
【００４２】
補正位置算出部１６は、不揮発性メモリ１５に記録した撮像素子の画素欠陥位置を記録して処理するように構成されればよい。画素欠陥位置の情報量が前述のように削減されている。したがって、補正位置算出部１６の処理での記録のための回路規模を削減することができる。
【００４３】
画素欠陥補正部１７は、補正位置算出部１６で算出された補正位置の信号を補正する。本実施の形態では、画素欠陥補正部１７は、補正位置の信号を周囲の信号で置き換える処理を行って、画素欠陥の補正を行うように構成されている。
【００４４】
以上に、画素欠陥補正装置の各部構成について説明した。次に、上記の画素欠陥補正装置の動作を説明する。
【００４５】
全体的な動作の概略としては、工場調整時または適当な調整タイミングで、画素欠陥位置の記録が行われる。そして、実際の撮影時に、記録された画素欠陥位置を用いて、画像信号の画素欠陥が補正される。
【００４６】
まず、工場調整時または適当な調整タイミングの動作を説明する。均一な被写体等が撮像素子により撮像されて、画像信号入力部１１から画像信号が順次入力される。また、フィールド情報入力部１２からは、画像信号が第１フィールドか第２フィールドのどちらの信号であるかを示す信号が入力される。
【００４７】
画像信号は、画素欠陥検出部１３に供給される。そして、画素欠陥検出部１３では画像信号から画素欠陥とその位置が検出される。第１フィールドと第２フィールドの各信号から画素欠陥が検出される。
【００４８】
検出された画像信号の画素欠陥位置の情報は、画素欠陥位置算出部１４に供給される。また、画素欠陥位置算出部１４にはフィールド情報入力部１２からフィールド情報が供給される。画素欠陥位置算出部１４では、画像信号の画素欠陥の位置情報とフィールド情報から、撮像素子の画素欠陥位置が算出される。この計算は、前述したように、撮像素子の画素の位置と画像信号（第１フィールドおよび第２フィールド）の画素位置の関係を用いて行われる。そして、算出された撮像素子の画素欠陥位置が、不揮発性メモリ１５に記録される。
【００４９】
次に、補正処理の動作を説明する。補正処理は、上記の調整動作にて画素欠陥位置を記録した後に、撮像装置の実用時に行われる。そして、補正処理では、上記のようにして不揮発性メモリ１５に記録された撮像素子の画素欠陥位置の情報を用いて、画像信号の画素欠陥が補正される。
【００５０】
補正処理では、画像信号入力部１１から画像信号が入力され、また、フィールド情報入力部１２からはフィールド情報が入力される。画像信号は、実際にユーザ等により撮影された被写体の画像信号である。画像信号は画素欠陥補正部１７に供給され、フィールド情報は補正位置算出部１６に供給される。
【００５１】
補正位置算出部１６では、不揮発性メモリ１５から撮像素子の画素欠陥位置情報が読み出される。そして、フィールド情報に合わせて、各フィールド毎の補正位置を、撮像素子の画素欠陥位置から算出する。この計算は、前述した通り、撮像素子の画素の位置と画像信号に現れる画素欠陥の位置の関係を用いて行われる。補正位置の情報は、画素欠陥補正部１７に供給される。
【００５２】
画素欠陥補正部１７では、補正位置算出部１６で算出された補正位置の情報に従い、画像信号の補正位置の信号が補正される。ここでは、補正位置の信号を周囲の信号で置き換える等の処理が行われる。補正後の画像信号が画像信号出力部１８に供給される。そして、画像信号出力部１８から、補正後の画像信号が出力される。
【００５３】
以上に、第１の実施の形態に係る画素欠陥補正装置について説明した。本実施の形態によれば、上記のようにして検出した画像信号の画素欠陥位置から撮像素子の画素欠陥位置を算出して、撮像素子の画素欠陥位置を記録することで、不揮発性メモリの使用量を削減することができる。そして、画素欠陥の位置を記録する不揮発性メモリ量を抑えることでコスト削減を図ることができる。または、従来と同量の不揮発性メモリ使用量でより多くの画素欠陥の補正を行うことができ、画質を向上させることができる。
【００５４】
また、画素欠陥の位置を記録する不揮発性メモリ量を抑えることで、画素欠陥位置を読み出しておくレジスタ等の回路規模も抑えることができる。
【００５５】
なお、本実施の形態の変形例として、画像を補正する際にも画素欠陥検出部１３を同時に動作させてよい。周囲の画素との比較から画素欠陥が検出され、補正が行われる。すなわち、補正対象の画像信号からも画素欠陥が検出され、検出された画素欠陥が補正される。このような補正処理が、上記の実施の形態の補正処理と併用される。この構成は他の実施の形態でも採用されてよい。
【００５６】
また、上記の実施の形態は、上下画素加算を行うインタレース方式の撮像装置における画素欠陥を補正している。しかし、本発明の画素欠陥補正装置はこれに限定されるものではない。例えば、左右２画素加算や上下左右４画素加算のような画素加算を行う撮像装置においても、本発明を適用可能である。画素加算の組合せが複数種類あって、各画像信号の画素欠陥位置から撮像素子の画素欠陥位置が算出できるなら、本発明の画素欠陥補正を適用できる。以下の実施の形態の説明に関しても同様である。
【００５７】
次に、本発明の第２の実施の形態の画素欠陥補正装置を図５に示す。図５において、画像信号入力部５１、フィールド情報入力部５２、画素欠陥検出部５３、不揮発性メモリ５６、補正位置算出部５７、画素欠陥補正部５８および画像信号出力部５９は、図１の実施の形態における同一名称の構成と同様である。以下、第１の実施の形態との相違点を説明する。
【００５８】
図５に示されるように、本実施の形態では、図１の画素欠陥位置算出部１４が削除されている。そして、画素欠陥位置レジスタ５４とマイコン５５が追加されている。マイコン５５が、画素欠陥位置を算出する構成として機能する。
【００５９】
本実施の形態では、画素欠陥検出部５３で第１フィールドおよび第２フィールドの画像信号の画素欠陥位置が検出されると、画素欠陥位置の情報が画素欠陥位置レジスタ５４に記録される。そして、マイコン５５は、画素欠陥位置レジスタ５４から画像信号の画素欠陥位置情報を読み出し、画像信号の画素欠陥位置情報から撮像素子の画素欠陥位置を算出する。このとき、マイコン５５は、図１の実施の形態で画素欠陥位置情報算出部が行ったのと同様の処理を行う。すなわち、マイコン５５は、フィールド情報入力部５２に入力された情報を基に、撮像素子の画素欠陥位置を算出する。撮像素子の画素とフィールドの画素の位置関係に従って画素位置を変換する計算が行われる。そして、算出した位置情報は、不揮発性メモリ５６に記録される。
【００６０】
画素欠陥補正時には、マイコン５５が、撮像素子の画素欠陥位置情報を不揮発性メモリ５６から読み出す。そして、マイコン５５は、撮像素子の画素欠陥位置情報を画素欠陥位置レジスタ５４に書き込む。補正位置算出部５７は、マイコン５５により書き込まれた撮像素子の画素欠陥位置情報と、フィールド情報入力部５２に入力されたフィールド情報とを基に、補正位置を算出する。そして、補正位置の信号が画素欠陥補正部５８により補正され、補正後の画像信号が画像信号出力部５９から出力される。
【００６１】
第２の実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様の利点が得られる。さらに、第２の実施の形態では、下記の利点も得られる。第２の実施の形態では、マイコン５５がプログラムを実行して、画素欠陥位置情報を算出する。したがって、画素欠陥位置算出の処理内容をプログラム化することができる。多数のデータ同士を比較し判断するような処理は、プログラム化が容易である。逆に、このような処理を回路化すると、回路規模は大きくなるので、この処理の回路削減効果は大きい。したがって、本実施の形態によれば、簡潔な回路構成で、かつ、少ない不揮発性メモリ使用量で、画素欠陥補正処理を実現することができる。
【００６２】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る画素欠陥補正装置について説明する。本実施の形態の画素欠陥補正装置は、画素欠陥補正処理を実現するプログラムを実行するコンピュータである。本実施の形態のプログラムは、上述の実施の形態で説明した処理をコンピュータに行わせる。以下、上述の実施の形態と相違する処理について説明する。
【００６３】
図６は、本実施の形態の画像欠陥補正を実行するためのプログラムのフローチャートである。図６は、特に、画像信号の画素欠陥検出処理および撮像素子の画素欠陥位置算出処理の部分のフローチャートである。その他の部分の処理もプログラムで実現されてもよい。ただし、本実施の形態では、画素欠陥補正処理の一部または全部が、プログラムで実現されなくてもよく、その代わりに回路構成で実現されてもよい。図６の処理の一部または全部についても同様である。
【００６４】
図６では、まず、予め定められた初期の画素欠陥検出閾値であって所定の大きな閾値が設定される（Ｓ６１）。そして、均一被写体の画像信号から、第１フィールドの画素欠陥が検出され（Ｓ６２）、画素欠陥位置情報が読み出される。同様に、第２フィールドの画素欠陥が検出され（Ｓ６３）、画素欠陥位置情報が読み出される。
【００６５】
これらの画素欠陥検出処理では、ステップＳ６１で設定された画素欠陥検出閾値が用いられる。この閾値を用いて着目画素が周囲画素と比較されて、欠陥画素が算出される。着目画素と周囲画その差が閾値以上であれば、着目画素が欠陥画素である。そして、着目画素が順次ずらされて、画像全体の各画素の欠陥が判定される。欠陥画素の検出原理とその処理自体は、上述の実施の形態と同様でよい。
【００６６】
次に、ステップＳ６２、Ｓ６３で求められた画像信号の画素欠陥位置から、撮像素子の画素欠陥位置が算出される（Ｓ６４）。この処理は、上述の実施の形態で説明したように、撮像素子の画素の位置と画像信号に現れる画素欠陥の位置の関係を用いて行われる。そして、両方のフィールドの画素欠陥位置情報から撮像素子の画素欠陥位置が算出される。この算出の原理と処理も、上述の実施の形態と同様でよい。算出結果、すなわち、算出された撮像素子の画素欠陥位置情報は不揮発性メモリに記録される（Ｓ６５）。
【００６７】
次に、不揮発性メモリの記録領域が満杯かどうが判断される（Ｓ６６）。ここでは、不揮発性メモリの記録容量に余裕があるか否かが判定される。より具体的には、予め適当な閾残容量が設定されている。そして、撮像素子の画素欠陥位置を記録した状態で、残容量が閾残容量以上であれば、記録容量に余裕があると判定される。
【００６８】
記録容量に余裕がある場合、不揮発性メモリが満杯でなく、ステップＳ６６の判断がｎｏになる。この場合、画素欠陥検出閾値が小さく変更されて、再設定される。変更の幅は、所定の幅でよい。変更の幅は、不揮発性メモリの残容量に応じて設定されてもよい。そして、プログラムの処理は、ステップＳ６１に戻る。したがって、変更後の画素欠陥検出閾値を用いて、これまでの処理が繰り返される。画素欠陥検出閾値を小さく変更しているので、ステップＳ６２、Ｓ６３にて検出される画像信号の画素欠陥の数が増大し、そして、ステップＳ６４で算出されてステップＳ６５で記録される撮像素子の画素欠陥の数も増大する。
【００６９】
ステップＳ６６の判断がｙｅｓのとき、すなわち、不揮発性メモリが満杯であり、残容量の余裕がないとき、処理が終了する。したがって、不揮発性メモリは、ステップＳ６５で記録された撮像素子の画素欠陥位置情報を維持する。この情報が、後に画素欠陥補正処理で使用される。
【００７０】
なお、ステップＳ６６の判断は、上記に限定されない。例えば、記録容量に対する残容量の比率が所定値以上であれば、余裕があると判定されてよい。
【００７１】
また、記録容量の余裕を考慮して画素欠陥位置情報の閾情報量が予め設定されていてもよい。画素欠陥位置の情報量が閾情報量より少なければ、記録容量に余裕があると判定されてよい。このような処理でもステップＳ６６の判断が実現される。この場合、画素欠陥位置の情報量が閾情報量以上になってから画素欠陥位置が不揮発性メモリに書き込まれ、記録されてもよい。
【００７２】
以上に本発明の第３の実施の形態について説明した。このような処理シーケンスにより、上述の実施の形態と同様に、撮像素子の画素欠陥位置を記録することで不揮発性メモリ使用量を削減できる。
【００７３】
また、本実施の形態では、最初の画素欠陥検出閾値を使ったときに不揮発性メモリの記憶容量に余裕があれば、画素欠陥検出閾値を変更して処理が繰り返される。記憶容量に余裕があれば、順次閾値が小さく変更される。このようにして、より多くの画素欠陥のデータが不揮発性メモリに記憶される。したがって、限られた記憶容量の不揮発性メモリを効率よく使用して、より多くの画素欠陥を補正できる。そうして、記憶容量を効率よく使用し、画像中に強く現れる画素欠陥から順に不揮発性メモリに記録することができるため、効果の大きい画素欠陥補正を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
以上のように、本発明にかかる画素欠陥補正装置は、不揮発性メモリに記録する画素欠陥位置情報量を削減でき、更に不揮発性メモリに記録した画素欠陥位置情報を読み出しておくための回路量を削減できるという効果を有し、画素加算を行う撮像装置の画素欠陥補正装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る画素欠陥補正装置のブロック図
【図２】固体撮像素子のイメージを示す図
【図３】第１フィールドの画像信号のイメージを示す図
【図４】第２フィールドの画像信号のイメージを示す図
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る画素欠陥補正装置のブロック図
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る画素欠陥補正を実行するためのプログラムのフローチャート
【符号の説明】
【００７６】
１１  画像信号入力部
１２  フィールド情報入力部
１３  画素欠陥検出部
１４  画素欠陥位置算出部
１５  不揮発性メモリ
１６  補正位置算出部
１７  画素欠陥補正部
１８  画像信号出力部
【図１】
2006211319.tif 000003
【図２】
2006211319.tif 000004
【図３】
2006211319.tif 000005
【図４】
2006211319.tif 000006
【図５】
2006211319.tif 000007
【図６】
2006211319.tif 000008