(57)【要約】      （修正有）【課題】１つのサブ画素領域内を２つの領域に分割して、一方の領域の光学特性と他方の領域の光学特性を夫々所望の関係に設定することが可能なＩＰＳ方式の液晶表示装置等を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、素子基板とカラーフィルタ基板間に液晶が封入されてなる。素子基板は、データ線、走査線、ＴＦＤ素子、画素電極等を有しており、１つの画素領域内は、反射表示領域と透過表示領域の２つの領域に分割され、各領域には、櫛歯状電極部が形成されている。各電極部の間には、複数の透明画素電極部が形成されており、素子基板と略平行な方向に横電界Ｅが生じて液晶分子の配向が制御される。特に、この液晶表示装置では、反射表示領域と透過表示領域とで透明電極と電極部との間隔やセルギャップなどが異なる値に設定され、横電界方式のしきい値電圧Ｖｃが異なり、反射表示領域の光学特性と透過表示領域の光学特性とを所望の関係に設定することができる。【選択図】    図５
2006259501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１サブ画素領域内に第１領域及び第２領域を有し、液晶を保持する素子基板を備え、
前記第１領域及び前記第２領域には各々スイッチング素子が設けられており、
前記第１領域及び前記第２領域は、
第１の電極と、
前記第１の電極に接続された前記スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された画素電極と、
前記第１の電極と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の電極と、を有し、
前記第１領域及び前記第２領域において、前記スイッチング素子と前記第２の電極との間には保持容量が形成されており、
前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔、前記液晶の厚さ及び／又は前記保持容量の大きさは、前記第１領域と前記第２領域とで異なる値に設定されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１の電極は、前記第１領域と前記第２領域とに渡って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２の電極は、前記第１領域と前記第２領域とに渡って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１領域は透過領域又は反射領域であると共に、前記第２領域は透過領域又は反射領域であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔、前記液晶の厚さ及び／又は前記保持容量の大きさと、
前記第２領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔、前記液晶の厚さ及び／又は前記保持容量の大きさとの関係は、前記第１領域に対応する前記液晶のしきい値電圧の式と前記第２領域に対応する前記液晶のしきい値電圧の式とを等号で表した式に基づき規定されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記画素電極の容量と前記保持容量を加算した値を前記スイッチング素子の容量で除算した値を容量比とし、
前記第１領域に対応する前記液晶のしきい値電圧をＶｃ１、前記第１領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔をＬ１、前記第１領域に対応する前記液晶の厚さをｄ１及び前記第１領域に対応する容量比をａ１としたとき、
前記液晶のしきい値電圧Ｖｃ１は、下記の式、
Ｖｃ１＝｛ａ１／（１＋ａ１）｝×（Ｌ１／ｄ１）により規定されており、
前記第２領域に対応する前記液晶のしきい値電圧をＶｃ２、前記第２領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔をＬ２、前記第２領域に対応する前記液晶の厚さをｄ２及び前記第２領域に対応する容量比をａ２としたとき、
前記液晶のしきい値電圧Ｖｃ２は、下記の式、
Ｖｃ２＝｛ａ２／（１＋ａ２）｝×（Ｌ２／ｄ２）により規定されており、
前記第１領域に対応する電極間隔Ｌ１、前記液晶の厚さＬ１及び前記容量比ａ１と、前記第２領域に対応する電極間隔Ｌ２、前記液晶の厚さＬ２及び前記容量比ａ２とは、下記の式、
（Ｌ２／ｄ２）＝｛｛（１＋ａ２）×ａ１｝／｛（１＋ａ１）×ａ２｝｝×（Ｌ１／ｄ１）
に基づき規定されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２の電極は、前記第１の電極の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部を有すると共に、前記画素電極は、前記導電部の各々の間において前記導電部と略平行に配置された直線状の複数の透明導電部を有し、
前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔は、前記導電部と当該導電部に隣接する前記透明導電部との電極間隔に対応していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記スイッチング素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の一部に形成された第２金属膜とを有する二端子素子であり、
前記第２の電極は、前記複数の導電部と略直交する方向に延在する複数の他の導電部を有し、
前記他の導電部上には絶縁膜が形成されていると共に、当該絶縁膜上には前記第２金属膜の一部が形成されており、
当該第２金属膜の一部上は、対応する前記透明導電部と電気的に接続されており、
前記保持容量は、当該絶縁膜内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１領域及び／又は前記第２領域は反射領域であり、前記第１領域内及び／又は前記第２領域内には、樹脂散乱層、前記樹脂散乱層上に反射層、前記反射層上にオーバーコート層、前記オーバーコート層上に前記第２の電極及び前記画素電極が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記反射層は誘電体ミラーであることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式などの液晶装置は、一対の基板間に液晶を封入し、各基板に設けられた透明電極により基板に垂直な方向に電界を印加することにより、液晶分子の配向を制御する。これに対し、近年では、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする方式が知られている。この方式は、横電界方式、ＩＰＳ（In−Plane Switching）方式などと呼ばれ、視角特性に優れていることから最近注目されている。この種のＩＰＳ方式を、透過型表示及び反射型表示の両表示モードを有する半透過反射型液晶表示装置に適用した一例が特許文献１に記載されている。
【０００３】
この特許文献１に係る半透過反射型液晶表示装置では、少なくとも透過型表示領域を横電界駆動方式とすると共に、その横電界駆動する横電界駆動電極の液晶層側とは反対側に二分の一波長板を設けるようにしている。これにより、透過領域において直線偏光の配置角を９０度回転させてノーマリホワイトの表示特性をノーマリブラックの表示特性となるように変換している。その結果、この半透過反射型液晶表示装置では、透過型表示領域も反射型表示領域も共にノーマリブラックモードとなり、デバイス構造や信号処理構成に特別な工夫を施すことなく、高視野角特性が得られている。
【０００４】
また、この半透過反射型液晶表示装置では、反射型表示領域及び透過型表示領域に横電界駆動を適用することで、反射型表示領域と透過型表示領域の境界で良好な表示が得られている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３４４８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、１つのサブ画素領域内を２つの領域に分割して、一方の領域の光学特性と他方の領域の光学特性を夫々所望の関係に設定することが可能なＩＰＳ方式の液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、１サブ画素領域内に第１領域及び第２領域を有し、液晶を保持する素子基板を備え、前記第１領域及び前記第２領域には各々スイッチング素子が設けられており、前記第１領域及び前記第２領域は、第１の電極と、前記第１の電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、前記第１の電極と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の電極と、を有し、前記第１領域及び前記第２領域において、前記スイッチング素子と前記第２の電極との間には保持容量が形成されており、前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔、前記液晶の厚さ及び／又は前記保持容量の大きさは、前記第１領域と前記第２領域とで異なる値に設定されている。
【０００８】
上記の液晶装置は、１サブ画素領域内に第１領域及び第２領域を有し、液晶を保持する素子基板を備えている。第１領域及び第２領域には各々ＴＦＤ素子やＴＦＴ素子などのスイッチング素子が設けられている。第１領域及び第２領域は、それぞれ、第１の電極と、第１の電極に電気的に接続されたスイッチング素子と、スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、第１の電極と交差し、且つ画素電極に対向するように延びる第２の電極と、を有している。好適な例では、第１の電極は走査線又はデータ線とすることができる一方、それに対応して第２の電極はデータ線又は走査線とすることができる。また、第２の電極は画素電極との間で、横方向の電界（即ち、横電界）を発生させる機能を有し、これにより液晶の配向が制御される。つまり、これにより、スイッチング素子を適用した横電界方式或いはＩＰＳ方式の液晶装置を構成することができる。また、かかる液晶装置では、上記のように第１領域及び第２領域に各々スイッチング素子を設けるようにしているので、第１領域に対応する画素電極と、第２領域に対応する画素電極を各々独立に制御することができる。即ち、液晶の駆動時、第１領域に対応する液晶の配向制御と、第２領域に対応する液晶の配向制御を各々独立に実行することができる。
【０００９】
特に、この液晶装置では、第１領域及び第２領域において、スイッチング素子と第２の電極との間には保持容量が形成されており、第２の電極と画素電極の電極間隔、液晶の厚さ及び／又は保持容量の大きさは、第１領域と第２領域とで異なる値に設定されている。
【００１０】
好適な例では、前記第１領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔、前記液晶の厚さ及び／又は前記保持容量の大きさと、前記第２領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔、前記液晶の厚さ及び／又は前記保持容量の大きさとの関係は、前記第１領域に対応する前記液晶のしきい値電圧の式と前記第２領域に対応する前記液晶のしきい値電圧の式とを等号で表した式に基づき規定されている。
【００１１】
また、好適な例では、前記画素電極の容量と前記保持容量を加算した値を前記スイッチング素子の容量で除算した値を容量比とし、前記第１領域に対応する前記液晶のしきい値電圧をＶｃ１、前記第１領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔をＬ１、前記第１領域に対応する前記液晶の厚さをｄ１及び前記第１領域に対応する容量比をａ１としたとき、前記液晶のしきい値電圧Ｖｃ１は、下記の式、Ｖｃ１＝｛ａ１／（１＋ａ１）｝×（Ｌ１／ｄ１）により規定されており、前記第２領域に対応する前記液晶のしきい値電圧をＶｃ２、前記第２領域に対応する前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔をＬ２、前記第２領域に対応する前記液晶の厚さをｄ２及び前記第２領域に対応する容量比をａ２としたとき、前記液晶のしきい値電圧Ｖｃ２は、下記の式、Ｖｃ２＝｛ａ２／（１＋ａ２）｝×（Ｌ２／ｄ２）により規定されており、前記第１領域に対応する電極間隔Ｌ１、前記液晶の厚さＬ１及び前記容量比ａ１と、前記第２領域に対応する電極間隔Ｌ２、前記液晶の厚さＬ２及び前記容量比ａ２とは、下記の式、（Ｌ２／ｄ２）＝｛｛（１＋ａ２）×ａ１｝／｛（１＋ａ１）×ａ２｝｝×（Ｌ１／ｄ１）に基づき規定されている。
【００１２】
これにより、第１領域に対応する液晶の応答時間と第２領域に対応する液晶の応答時間を一致させることができる。また、第１領域に対応する液晶に印加される電圧と、第２領域に対応する液晶に印加される電圧を夫々異ならせることができ、第１領域に対応する液晶の再配向状態と、第２領域に対応する液晶の再配向状態を適切な関係に設定することができる。その結果、第１領域の光学的特性と第２領域の光学的特性とを所望の関係に設定することができる。
【００１３】
好適な例では、前記第１の電極は、前記第１領域と前記第２領域とに渡って設けられている。これにより、スイッチング素子としてＴＦＤ素子又はＴＦＴ素子のいずれの素子を有する場合であっても、第１の電極を、第１領域と第２領域とで共通の電極とすることができる。また、前記第２の電極は、前記第１領域と前記第２領域とに渡って設けられている。これにより、特に、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を有する場合に、第２の電極には共通電位（通常のＴＮ方式であれば対向基板側の電位）を印加することができる構成とすることができる。
【００１４】
好適な例では、前記第１領域は透過領域又は反射領域とすることができると共に、前記第２領域は透過領域又は反射領域とすることができる。特に、第１領域と第２領域の両方を透過領域に設定した場合、上記のように第１領域と第２領域とで電極間隔や液晶の厚さが異なるため、第１領域に対応する実際の視野角の大きさと、第２領域に対応する実際の視野角の大きさとは異なることになる。その結果、観察者に視認される見かけ上の視野角は、第１領域に対応する実際の視野角と、第２領域に対応する実際の視野角とを合成した円形状の領域となる。よって、第１領域と第２領域とで電極間隔等を同一に設定したものと比べて、視野角の向上を図ることができる。
【００１５】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記第２の電極は、前記第１の電極の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部を有すると共に、前記画素電極は、前記導電部の各々の間において前記導電部と略平行に配置された直線状の複数の透明導電部を有し、前記第２の電極と前記画素電極の電極間隔は、前記導電部と当該導電部に隣接する前記透明導電部との電極間隔に対応している。
【００１６】
この態様では、第２の電極は、第１の電極の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部を有している。画素電極は、導電部の各々の間において前記導電部と略平行に配置された直線状の複数の透明導電部を有している。そして、第２の電極と画素電極の電極間隔は、導電部と当該導電部に隣接する透明導電部との電極間隔に対応している。
【００１７】
上記の液晶装置の他の態様では、前記スイッチング素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の一部に形成された第２金属膜とを有する二端子素子であり、前記第２の電極は、前記複数の導電部と略直交する方向に延在する複数の他の導電部を有し、前記他の導電部上には絶縁膜が形成されていると共に、当該絶縁膜上には前記第２金属膜の一部が形成されており、当該第２金属膜の一部上は、対応する前記透明導電部と電気的に接続されており、前記保持容量は、当該絶縁膜内に形成されている。
【００１８】
この態様では、スイッチング素子は、例えばタンタルタングステンなどからなる第１金属膜と、その第１金属膜上に形成され、例えば酸化タンタルなどからなる絶縁膜と、その絶縁膜上の一部に形成され、例えばクロムなどからなる第２金属膜とを有する二端子素子である。第２の電極は、複数の導電部と略直交する方向に延在する複数の他の導電部を有しており、他の導電部上には絶縁膜が形成されている。また、当該絶縁膜上には第２金属膜の一部が形成されており、当該第２金属膜の一部上は、対応する透明導電部と電気的に接続されている。そして、保持容量は当該絶縁膜内に形成されている。即ち、他の導電部と第２金属膜の一部との間には、絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成されている。
【００１９】
好適な例では、前記第１領域及び／又は前記第２領域は反射領域であり、前記第１領域内及び／又は前記第２領域内には、樹脂散乱層、前記樹脂散乱層上に反射層、前記反射層上にオーバーコート層、前記オーバーコート層上に前記第２の電極及び前記画素電極が形成されている。また、前記反射層は、低屈折率物質（例えば、二酸化ケイ素など）からなる層と、高屈折率物質（例えば、二酸化チタンなど）からなる層とを交互に積層してなる誘電体ミラーとすることができる。
【００２０】
また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各種の実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。各種実施形態は、１つのサブ画素領域内を２つの領域に分割し、その一方の領域内及び他方の領域内に各々ＴＦＤ素子を設けると共に、その一方の領域と他方の領域とで、所定の式に基づき透明電極部と導電部の電極間隔、容量比の大きさなどを各々異なる値に設定する。これにより、一方の領域に対応する液晶の配向制御と、他方の領域に対応する液晶の配向制御を独立に実行して、当該一方の領域の光学特性と当該他方の光学特性とを所望の関係に設定する。
【００２２】
[第１実施形態]
第１実施形態は、１つのサブ画素領域内を透過表示領域と反射表示領域にて構成し、本発明の作用効果を得る。
【００２３】
（液晶表示装置の構成）
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、第１実施形態に係る液晶表示装置１００は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置である。また、この液晶表示装置１００は、電極が形成された基板側において、当該基板面に略平行な方向に電界を発生させて液晶分子の配向を制御する、ＩＰＳ方式などのいわゆる横電界方式の液晶表示装置である。このため、この液晶表示装置１００では高い視野角を得ることが可能となっている。さらに、この液晶表示装置１００は、反射型表示モードと透過型表示モードを併せ持つ、いわゆる半透過反射型の液晶表示装置でもある。
【００２４】
図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。図３は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす透過表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図である。図２及び図３において、１つのサブ画素領域ＳＧは、１つの反射表示領域Ｅ１と１つの透過表示領域Ｅ２とから構成されている。
【００２５】
まず、図２を参照して、１つの横列をなす反射表示領域Ｅ１に対応する液晶表示装置１００の断面構成について説明し、続いて、図３を参照して、１つの横列をなす透過表示領域Ｅ２に対応する液晶表示装置１００の断面構成について説明する。そして、その後、素子基板９１の電極及び配線の構成について説明する。なお、第１実施形態では、素子基板９１が電極及び配線を有する基板を構成している。
【００２６】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、その内部に、例えばホモジニアス配列された液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。また、この液晶表示装置１００において、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２の間であって、反射表示領域Ｅ１の適切な位置には、スペーサ（図示略）が配置されている。これにより、この液晶表示装置１００では、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４の厚さが一定の間隔ｄ１に、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４の厚さが一定の間隔ｄ２（＞ｄ１０）に夫々設定されている。つまり、この液晶表示装置１００は、反射表示領域Ｅ１と透過表示領域Ｅ２とで夫々適切な表示を行うことのできる、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
【００２７】
下側基板１の内面上には、表面に微細な凹凸を有する樹脂散乱層１７が形成されている。樹脂散乱層１７の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。
【００２８】
反射表示領域Ｅ１に対応する樹脂散乱層１７の内面上には、反射層５が形成されている。各反射層５には樹脂散乱層１７の微細な凹凸が反映されており、各反射層５の内面上には微細な凹凸が形成されている。好適な例では、各反射層５は、絶縁性を有する反射層、いわゆる「誘電体ミラー」を適用することができる。ここで、「誘電体ミラー」とは、一般に、低屈折率物質（例えば、二酸化ケイ素など）からなる層と、高屈折率物質（例えば、二酸化チタンなど）からなる層とを交互に積層してなるものをいう。誘電体ミラーの要素である各層の厚さ、積層数等を最適な値に設定することにより、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各波長の光を選択的に効率良く反射させることができる。
【００２９】
樹脂散乱層１７及び反射層５の内面上には、オーバーコート層１９が形成されている。オーバーコート層１９の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。このオーバーコート層１９は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から反射層５などを保護する機能を有する。
【００３０】
反射表示領域Ｅ１に対応するオーバーコート層１９の内面上には、データ線３２の要素である、第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄなどを含む１つの電極部３２Ｒが形成されている。第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂ、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃ、及び第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄは、それぞれ一定の間隔をおいてオーバーコート層１９の内面上に配置されている。電極部３２Ｒを含むデータ線３２はタンタルタングステン（ＴａＷ）等にて形成されている。なお、データ線３２の表面上には絶縁膜が形成されているが、図２では、便宜上、その絶縁膜の図示は省略している。
【００３１】
また、反射表示領域Ｅ１に対応するオーバーコート層１９の内面上において、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、及び第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には、画素電極１０の要素である第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃを有する１つの画素電極１０Ｒが形成されている。
【００３２】
また、下側基板１の内面上の左右周縁部には、クロム等よりなる配線３１（「引き回し配線」とも称される）が形成されており、各配線３１は樹脂散乱層１７により覆われている。少なくとも電極部３２Ｒを含むデータ線３２、画素電極１０Ｒ及びオーバーコート層１９等の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。また、下側基板１の内面上であって且つ各反射表示領域Ｅ１の隅の位置近傍には、ＴＦＤ素子２１（図５を参照）が形成されている。
【００３３】
一方、上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。そして、着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂの各々は、反射表示領域Ｅ１内における電極部３２Ｒ及び画素電極１０Ｒ、及び、後述する透過表示領域Ｅ２内における電極部３２Ｔ及び画素電極１０Ｔに対向している。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素領域Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を特定する場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を特定する場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００３４】
また、上側基板２の内面上であって且つ各着色層６を区画する位置には、隣接するサブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素領域ＳＧから他方のサブ画素領域ＳＧへの光の混入を防止するため黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが好ましい。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。
【００３５】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有している。
【００３６】
下側基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１３及び偏光板１４が配置されている一方、上側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１１及び偏光板１２が配置されている。また、偏光板１４の下側には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００３７】
さて、本実施形態の液晶表示装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置１００に入射した外光は、図２に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶表示装置１００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層６、画素電極１０及びオーバーコート層１９等が形成されている領域を通過して、そのオーバーコート層１９の下側にある反射層５により反射され、再度オーバーコート層１９、画素電極１０及び着色層６等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００３８】
続いて、図３を参照して、１つの横列をなす透過表示領域Ｅ１に対応する、液晶表示装置１００の断面構成について説明する。
【００３９】
透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板１の内面上には、データ線３２の要素である、第１導電部３２ｋ、第２導電部３２Ｌ、第３導電部３２ｍ及び第４導電部３２ｎなどを含む１つの電極部３２Ｔが形成されている。第１導電部３２ｋと第２導電部３２Ｌ、第２導電部３２Ｌと第３導電部３２ｍ、及び第３導電部３２ｍと第４導電部３２ｎは、それぞれ一定の間隔をおいて下側基板１の内面上に配置されている。電極部３２Ｔは、上記した電極部３２Ｒと同様にタンタルタングステン（ＴａＷ）等にて形成されており、その電極部３２Ｔの表面上には図示しない絶縁膜が形成されている。また、透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板１の内面上において、第１導電部３２ｋと第２導電部３２Ｌの間、第２導電部３２Ｌと第３導電部３２ｍの間、及び第３導電部３２ｍと第４導電部３２ｎの間には、画素電極１０の要素である、第１透明電極部１０ｄ、第２透明電極部１０ｅ及び第３透明電極部１０ｆを有する１つの画素電極１０Ｒが形成されている。少なくとも電極部３２Ｔを含むデータ線３２、画素電極１０Ｔ及び下側基板１等の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。また、下側基板１の内面上であって且つ各透過表示領域Ｅ２の隅の位置近傍には、ＴＦＤ素子２２（図５を参照）が形成されている。
【００４０】
一方、図３に示されるカラーフィルタ基板９２の構成は、図２と同様であるため、その説明は省略する。
【００４１】
さて、本実施形態の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図３に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４２】
（素子基板の電極及び配線構成）
次に、図１及び図４を参照して、第１実施形態の素子基板９１の電極及び配線の構成について説明する。図４は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２及び図３における上方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。また、図４において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００４３】
図１において、紙面横方向に延在する、各配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂと、紙面縦方向に延在する各データ線３２とが交差する付近の領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、１つのサブ画素領域ＳＧは、上記したように、１つの反射表示領域Ｅ１と１つの透過表示領域Ｅ２とから構成される。このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図４において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００４４】
素子基板９１は、複数のＴＦＤ素子２１、複数のＴＦＤ素子２２、複数の画素電極１０、複数の配線３１、複数のデータ線３２、ＹドライバＩＣ３３、ＸドライバＩＣ３４、及び複数の外部接続用端子３５などを備えている。
【００４５】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、複数のＹドライバＩＣ３３、及びＸドライバＩＣ３４が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図４において、素子基板９１の張り出し領域３６側の辺９１ａから反対側の辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、辺９１ｄから辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００４６】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。複数のＹドライバＩＣ３３、及びＸドライバＩＣ３４の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００４７】
複数のＹドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の配線３１に接続されている。各ＹドライバＩＣ３３は、複数の配線３１の駆動を担う。すなわち、複数のＹドライバＩＣ３３によって、１垂直走査期間において配線３１が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された配線３１には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の配線３１には、非選択電圧の走査信号が供給される。
【００４８】
ＸドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に接続されている。ＸドライバＩＣ３４は、複数のデータ線３２の駆動を担う。すなわち、ＸドライバＩＣ３４は、各ＹドライバＩＣ３３により選択された配線３１に対応する画素電極１０に対し、表示内容に応じたデータ信号を、それぞれ対応するデータ線３２を介して供給するものである。
【００４９】
各画素電極１０は、配線３１の折れ曲がり部分３１ｂとデータ線３２との交差する位置付近に形成される。各画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧ毎に、画素電極１０Ｒ及び１０Ｔを有して構成される。画素電極１０Ｒは、図５を参照して理解されるように、更に、複数の透明電極部により構成され、サブ画素領域ＳＧ内における反射表示領域Ｅ１内に形成される一方、画素電極１０Ｔは、複数の透明電極部により構成され、サブ画素領域ＳＧ内における透過表示領域Ｅ２内に形成される。
【００５０】
各ＴＦＤ素子２１は、各サブ画素領域ＳＧ内における各反射表示領域Ｅ１の隅の位置近傍に形成され（図５を参照）、対応する各配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂに電気的に接続されている。各ＴＦＤ素子２１は、各反射表示領域Ｅ１内に対応する画素電極１０Ｒを駆動する機能を有する。
【００５１】
各ＴＦＤ素子２２は、各サブ画素領域ＳＧ内における各透過表示領域Ｅ２の隅の位置近傍に形成され（図５を参照）、対応する各配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂに電気的に接続されている。各ＴＦＤ素子２２は、各透過表示領域Ｅ２内に対応する画素電極１０Ｔを駆動する機能を有する。
【００５２】
複数のデータ線３２は、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に延在するように形成されていると共に、各データ線３２は一定の間隔をおいて形成されている。各データ線３２は、本線部分３２ｙ、電極部３２Ｒ及び３２Ｔを有している。１つの電極部３２Ｒ及び１つの電極部３２Ｔは１つのサブ画素領域ＳＧ内に形成される。本線部分３２ｙは、Ｙ方向に相隣接する、各サブ画素領域ＳＧ内の電極部３２Ｒ及び３２Ｔを電気的に接続する機能を有している。
【００５３】
複数の配線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に延在するように形成されている。一方、各折れ曲がり部分３１ｂは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に額縁領域３８から有効表示領域Ｖ内にかけて形成されている。また、各折れ曲がり部分３１ｂは、適宜の間隔をおいて、対応する各ＴＦＤ素子２１及び２２に電気的に接続されており、各ＴＦＤ素子２１及び２２は、対応する各画素電極１０Ｒ及び１０Ｔに電気的に接続されている。そして、以上に述べた素子基板９１と、カラーフィルタ基板９２とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。
【００５４】
かかる液晶表示装置１００では、各ＹドライバＩＣ３３から複数の配線３１に走査信号が、ＸドライバＩＣ３４から複数のデータ線３２にデータ信号が夫々出力されると、図２及び図３に示すように、各サブ画素領域ＳＧ内において、データ線３２の要素である電極部３２Ｒと画素電極１０Ｒの間で、及び、データ線３２の要素である電極部３２Ｔと画素電極１０Ｔの間で、素子基板９１の基板面に略平行な方向に横電界Ｅが生じて、液晶分子の配向が制御され表示状態が制御される。
【００５５】
（サブ画素の構成）
次に、図５乃至図７等を参照して、第１実施形態に係る素子基板９１における、１つのサブ画素の構成について説明する。
【００５６】
図５は、図４における素子基板９１を平面視したときの、１つのサブ画素領域ＳＧに対応する複数の要素を拡大して示す部分平面図である。図５において、二点鎖線にて囲まれる領域は、１つのサブ画素領域ＳＧを示している。
【００５７】
図６（ａ）は、図５における切断線Ｅ−Ｅ’に沿った部分断面図であり、特に反射表示領域Ｅ１内に形成される電極部３２Ｒ及び画素電極１０Ｒ等のレイアウトを示す部分断面図を示している。一方、図６（ｂ）は、図５における切断線Ｆ−Ｆ’に沿った部分断面図であり、特に透過表示領域Ｅ２内に形成される電極部３２Ｔ及び画素電極１０Ｔ等のレイアウトを示す部分断面図を示している。
【００５８】
図７（ａ）は、図５における切断線Ｃ−Ｃ’に沿った部分断面図である。特に、図７（ａ）は、反射表示領域Ｅ１内に形成される補助電極部３３６ａ、及び、透過表示領域Ｅ２内に形成される補助電極部３３６ｂを通る位置で切断したときの、反射表示領域Ｅ１内の各要素と透過表示領域Ｅ２内の各要素のレイアウトを示す部分断面図である。一方、図７（ｂ）は、図５における切断線Ｄ−Ｄ’に沿った部分断面図である。特に、図７（ｂ）は、反射表示領域Ｅ１内に形成されるＴＦＤ素子２１、及び、透過表示領域Ｅ２内に形成されるＴＦＤ素子２２を通る位置で切断したときの、反射表示領域Ｅ１内の各要素と透過表示領域Ｅ２内の各要素のレイアウトを示す部分断面図である。なお、図６及び図７において、データ線３２の表面上には絶縁膜が形成されているが、便宜上、その図示は省略している。
【００５９】
図５に示すように、１つのサブ画素領域ＳＧは、１つの反射表示領域Ｅ１と、１つの透過表示領域Ｅ２とにより構成され、当該１つの反射表示領域Ｅ１は、当該１つの透過表示領域Ｅ２の上側に位置している。
【００６０】
まず、図５、図６（ａ）及び図７等を参照して、１つの反射表示領域Ｅ１内に形成される複数の要素の構成等について説明する。
【００６１】
反射表示領域Ｅ１内には、複数の要素、即ち、樹脂散乱層１７、反射層５、オーバーコート層１９、データ線３２の要素である電極部３２Ｒ、画素電極１０Ｒ及びＴＦＤ素子２１等が形成される。電極部３２Ｒは、略櫛歯状に類似した形状をなしており、第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ、第４導電部３２ｄ、第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆ等を更に有している。画素電極１０Ｒは、第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃを更に有している。
【００６２】
反射表示領域Ｅ１に対応する下側基板１上には、電極部３２Ｒの要素のうち、少なくとも第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆ、並びに、樹脂散乱層１７及びＴＦＤ素子２１が夫々形成される。第５導電部３２ｅは、第１部分３２ｅａ（Ｌ字状の破線部分）と、第２部分３２ｅｂ（矩形状の破線部分）とを結合した形状を有している。図５に示すように、第５導電部３２ｅは、反射表示領域Ｅ１内の下側付近に且つＸ方向に延在するように形成されている。第６導電部３２ｆは、直線状の形状をなし、反射表示領域Ｅ１内の上側付近に且つＸ方向に延在するように形成されている。下側基板１上であって且つ第５導電部３２ｅと第６導電部３２ｆの間に対応する位置には、樹脂散乱層１７（一点鎖線にて囲まれる領域）が一定の膜厚を有するように形成されている。なお、樹脂散乱層１７の周囲は、テーパ状の形状に形成されているが、図７等ではその図示を省略している。樹脂散乱層１７上には、誘電体ミラーとしての反射層５が形成されている。反射層５上には、オーバーコート層１９が一定の膜厚を有するように形成されている。なお、オーバーコート層１９の周囲は、テーパ状の形状を有するように形成されているが、図７等ではその図示を省略している。ＴＦＤ素子２１は、下側基板１上であって且つ反射表示領域Ｅ１内の左下隅付近に形成されている。
【００６３】
ここで、図８（ａ）を参照して、ＴＦＤ素子２１等の断面構成について説明する。図８（ａ）は、図５における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図であり、特に反射表示領域Ｅ１内に形成されるＴＦＤ素子２１付近の断面構成を示す。
【００６４】
ＴＦＤ素子２１は、図８（ａ）に示すように、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂにより構成される。第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂは、ＴａＷ（タンタルタングステン）などからなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成されたＴａ２Ｏ５等からなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６は、配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂが用いられる。
【００６５】
後者の第２金属膜３３６の一部分（補助電極部３３６ａ）は、図５及び図８（ａ）において、第５導電部３２ｅの要素である第２部分３２ｅｂと平面的に重なる位置に形成される。なお、本実施形態では、補助電極部３３６ａは、当該第２部分３２ｅｂの面積と略同一に設定されているが、実際には、後述のように各種の設計仕様に応じてその面積は変えられる。そして、補助電極部３３６ａは、図８（ａ）に示すように、絶縁膜３２３を介して、第５導電部３２ｅの要素である第２部分３２ｅｂに対向している。これにより、補助電極部３３６ａと第５導電部３２ｅの間には絶縁膜３２３を誘電体とする保持容量Ｃ１が形成されている。また、補助電極部３３６ａは、図５及び図８（ａ）に示すように、反射表示領域Ｅ１内の画素電極１０Ｒと電気的に接続される。
【００６６】
ここで、ＴＦＤ素子２１のうち、第１のＴＦＤ素子２１ａは、配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂ側からみると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第２のＴＦＤ素子２１ｂは、配線３１の要素である折れ曲がり部分３１ｂ側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、第１のＴＦＤ素子２１ａとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２１ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２１ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１は、２つのＴＦＤを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００６７】
図５及び図６（ａ）に戻り、オーバーコート層１９上には、電極部３２Ｒの要素のうち、第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄ、並びに画素電極１０Ｒの構成要素である、第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃが夫々形成されている。
【００６８】
第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄは、直線状の形状をなし、夫々適宜の間隔Ｌ１０をおいて形成されている。このため、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には、夫々一定の間隔Ｌ１０を有する間隙４０が形成されている。
【００６９】
第１導電部３２ａは、Ｙ方向に延在するように形成されており、反射表示領域Ｅ１内において左端付近に位置している。第１導電部３２ａの上端は第６導電部３２ｆの左端側に繋がっていると共に、第１導電部３２ａの下端は第５導電部３２ｅの要素である第２部分ｅａの左端側に繋がっている。第２導電部３２ｂは、第１導電部３２ａに隣接する位置に且つＹ方向に延在するように形成されている。第２導電部３２ｂの上端は第６導電部３２ｆに繋がっていると共に、第２導電部３２ｂの下端は第５導電部３２ｅの要素である第１部分３２ｅａに繋がっている。第３導電部３２ｃは、第２導電部３２ｂに隣接する位置に且つＹ方向に延在するように形成されている。第３導電部３２ｃの上端は第６導電部３２ｆに繋がっていると共に、第３導電部３２ｃの下端は第５導電部３２ｅの要素である第２部分３２ｅｂに繋がっている。第４導電部３２ｄは、第３導電部３２ｃに隣接する位置に且つＹ方向に延在するように形成されている。また、第４導電部３２ｄは、反射表示領域Ｅ１内の右端付近に位置している。第４導電部３２ｄの上端は第６導電部３２ｆに繋がっていると共に、第４導電部３２ｄの下端は第５導電部３２ｅの要素である第２部分３２ｅｂに繋がっている。
【００７０】
図５及び図６（ａ）に示すように、画素電極１０Ｒの要素のうち、第１透明電極部１０ａは、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第１透明電極部１０ａと第２導電部３２ｂとの間は一定の間隔Ｌ１に設定されている。また、第１透明電極部１０ａの上端は、第６導電部３２ｆの下端付近に位置している。なお、第６導電部３２ｆの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第１透明電極部１０ａの上端と第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。また、第１透明電極部１０ａの下端付近は、略Ｌ字状の形状に形成されており、その略Ｌ字状の形状に対応する部分は、第５導電部３２ｅの要素である第１部分３２ｅａ及び第２部分３２ｅｂの一部分と平面的に重なり合っている。また、第１透明電極部１０ａの下端付近は、図５及び図８（ａ）に示すように、補助電極部３３６ａ上に位置しており、当該補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【００７１】
第２透明電極部１０ｂは、直線状の形状をなしており、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第２透明電極部１０ｂと第３導電部３２ｃとの間は一定の間隔Ｌ１に設定されている。また、第２透明電極部１０ｂの上端は、第６導電部３２ｆの下端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部３２ｆの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第２透明電極部１０ｂの上端と第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。第２透明電極部１０ｂの下端付近は、図５及び図８（ａ）に示すように、補助電極部３３６ａ上に位置しており、当該補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【００７２】
第３透明電極部１０ｃは、第２透明電極部１０ｂと同一形状をなしており、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第３透明電極部１０ｃと第４導電部３２ｄとの間は一定の間隔Ｌ１に設定されている。また、第３透明電極部１０ｃの上端は、第６導電部３２ｆの下端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部３２ｆの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第３透明電極部１０ｃの上端と第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。第３透明電極部１０ｃの下端付近は、図５及び図８（ａ）に示すように、補助電極部３３６ａ上に位置しており、当該補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【００７３】
次に、図５、図６（ｂ）及び図７等を参照して、１つの透過表示領域Ｅ２内に形成される複数の要素の構成について説明する。
【００７４】
透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板１上には、複数の要素、データ線３２の要素である電極部３２Ｔ、画素電極１０Ｔ及びＴＦＤ素子２２等が形成される。
【００７５】
電極部３２Ｔは、図５に示すように、電極部３２Ｒを略上下反転させた形状を有しており、第１導電部３２ｋ、第２導電部３２Ｌ、第３導電部３２ｍ、第４導電部３２ｎ、第５導電部３２ｐ及び第６導電部３２Ｑ等を有している。
【００７６】
第５導電部３２ｐは、第５導電部３２ｅを上下反転させた形状をなしていると共に、第１部分３２ｐａ（Ｌ字状の破線部分）と、第２部分３２ｐｂ（矩形状の破線部分）とを結合した形状を有している。第５導電部３２ｐは、配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第５導電部３２ｅと対称的な位置に配置されている。ここで、配線３１の折れ曲がり部分３１ｂは、図５に示すように、下側基板１上において、反射表示領域Ｅ１と透過表示領域Ｅ２の間に形成されている。このため、第５導電部３２ｐは、透過表示領域Ｅ２内の上側付近に位置している。第６導電部３２Ｑは、第６導電部３２ｆと同一形状をなし、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準に、第６導電部３２ｆと対称的な位置に配置されている。このため、第６導電部３２Ｑは、透過表示領域Ｅ２内の下側付近に位置している。
【００７７】
第１導電部３２ｋ、第２導電部３２Ｌ、第３導電部３２ｍ及び第４導電部３２ｎは、直線状の形状をなし、夫々適宜の間隔Ｌ１０をおいて形成されている。このため、第１導電部３２ｋと第２導電部３２Ｌの間、第２導電部３２Ｌと第３導電部３２ｍの間、第３導電部３２ｍと第４導電部３２ｎの間には、夫々一定の間隔Ｌ１０を有する間隙４０が形成されている。
【００７８】
第１導電部３２ｋは、第１導電部３２ａと同一形状をなし、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第１導電部３２ｅと対称的な位置に配置されている。このため、第１導電部３２ｋは、透過表示領域Ｅ２内の左端付近に位置している。第１導電部３２ｋの上端は第５導電部３２ｐの要素である第１部分３２ｐａの左端側に繋がっていると共に、第１導電部３２ｋの下端は第６導電部３２Ｑの左端側に繋がっている。
【００７９】
第２導電部３２Ｌは、第２導電部３２ｂと同一形状をなし、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第２導電部３２ｂと対称的な位置に配置されている。第２導電部３２Ｌの上端は第５導電部３２ｐの要素である第１部分３２ｐａに繋がっていると共に、第２導電部３２Ｌの下端は第６導電部３２Ｑに繋がっている。
【００８０】
第３導電部３２ｍは、第３導電部３２ｃと同一形状をなし、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第３導電部３２ｃと対称的な位置に配置されている。第３導電部３２ｍの上端は第５導電部３２ｐの要素である第２部分３２ｐｂに繋がっていると共に、第３導電部３２ｍの下端は第６導電部３２Ｑに繋がっている。
【００８１】
第４導電部３２ｎは、第４導電部３２ｄと同一形状をなし、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたときに、第４導電部３２ｄと対称的な位置に配置されている。このため、第４導電部３２ｎは、透過表示領域Ｅ２内の右端付近に位置している。第４導電部３２ｎの上端は第５導電部３２ｐの要素である第２部分３２ｐｂに繋がっていると共に、第４導電部３２ｎの下端は第６導電部３２Ｑに繋がっている。
【００８２】
ＴＦＤ素子２２は、図５に示すように、透過表示領域Ｅ２内の左上隅付近に形成されている。図８（ｂ）は、図５における切断線Ｘ１−Ｘ３に沿った部分断面図であり、特に透過表示領域Ｅ２内に形成されるＴＦＤ素子２２付近の断面構成を示す。
【００８３】
図８（ｂ）に示すように、ＴＦＤ素子２２は、ＴＦＤ素子２１と同様の構成をなしており（図８（ａ）を参照）、第１のＴＦＤ素子２２ａ及び第２のＴＦＤ素子２２ｂにより構成される。ＴＦＤ素子２２の要素のうち、第１のＴＦＤ素子２２ａは、図５、図７及び図８に示すように、ＴＦＤ素子２１の要素である第１のＴＦＤ素子２１ａと同一の素子になっている。即ち、図８等では、説明の便宜上、第１のＴＦＤ素子２２ａと第１のＴＦＤ素子２１ａの符号を異ならせているが、両者は同一の素子となっている。このため、第１のＴＦＤ素子２１ａたる第１のＴＦＤ素子２２ａは、画素電極１０Ｒ及び１０Ｔを夫々駆動する素子として兼用される。また、ＴＦＤ素子２２を構成する、その他の要素は、ＴＦＤ素子２１を構成する要素の構成と同様であるため、以下では説明を省略する。
【００８４】
ＴＦＤ素子２２の要素である第２金属膜３３６の一部分（補助電極部３３６ｂ）は、図５及び図８（ｂ）において、第５導電部３２ｐの要素である第２部分３２ｐｂと平面的に重なる位置に形成される。なお、本実施形態では、補助電極部３３６ｂは、当該第２部分３２ｐｂの面積と略同一に設定されているが、上記した補助電極部３３６ａと同様に、実際には、後述のように各種の設計仕様に応じてその面積は変えられる。そして、補助電極部３３６ｂは、図８（ｂ）に示すように、絶縁膜３２３を介して、第５導電部３２ｐの要素である第２部分３２ｐｂに対向している。これにより、補助電極部３３６ｂと第５導電部３２ｐの間には絶縁膜３２３を誘電体とする保持容量Ｃ２が形成されている。また、補助電極部３３６ｂは、図５及び図８（ｂ）に示すように、透過表示領域Ｅ２内の画素電極１０Ｔと電気的に接続される。
【００８５】
画素電極１０Ｔは、図５に示すように、画素電極１０Ｒを上下反転させた形状を有しており、第１透明電極部１０ｄ、第２透明電極部１０ｅ及び第３透明電極部１０ｆを有している。
【００８６】
図５及び図６（ｂ）に示すように、第１透明電極部１０ｄは、第１導電部３２ｋと第２導電部３２Ｌの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第１透明電極部１０ｄと第２導電部３２Ｌとの間は一定の間隔Ｌ２（≠Ｌ１）に設定されている。このため、第１透明電極部１０ｄは、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたとき、第１透明電極部１０ａと対称的な位置に配置されていない。第１透明電極部１０ｄの上端付近は、略Ｌ字状の形状に形成されており、その略Ｌ字状の形状に対応する部分は、第５導電部３２ｐの要素である第１部分３２ｐａ及び第２部分３２ｐｂの一部分と平面的に重なり合っている。第１透明電極部１０ｄの上端付近は、図５及び図８（ｂ）に示すように、補助電極部３３６ｂ上に位置しており、当該補助電極部３３６ｂと電気的に接続されている。一方、第１透明電極部１０ｄの下端は、第６導電部３２Ｑの上端付近に位置している。なお、第６導電部３２Ｑの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第１透明電極部１０ｄの下端と第６導電部３２Ｑとは電気的に接続されていない。
【００８７】
第２透明電極部１０ｅは、第２導電部３２Ｌと第３導電部３２ｍの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第２透明電極部１０ｅと第３導電部３２ｍとの間は一定の間隔Ｌ２（≠Ｌ１）に設定されている。このため、第２透明電極部１０ｅは、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたとき、第２透明電極部１０ｂと対称的な位置に配置されていない。第２透明電極部１０ｅの上端は、図５及び図８（ｂ）に示すように、補助電極部３３６ｂ上に位置しており、当該補助電極部３３６ｂと電気的に接続されている。一方、第２透明電極部１０ｅの下端は、第６導電部３２Ｑの上端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部３２Ｑの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第２透明電極部１０ｅの上端と第６導電部３２Ｑとは電気的に接続されていない。
【００８８】
第３透明電極部１０ｆは、第３導電部３２ｍと第４導電部３２ｎの間に形成された間隙４０内において、Ｙ方向に延在するように形成されている。そして、第３透明電極部１０ｆと第４導電部３２ｎとの間は一定の間隔Ｌ２（≠Ｌ１）に設定されている。このため、第３透明電極部１０ｆは、図５に示す配線３１の折れ曲がり部分３１ｂを基準としたとき、第３透明電極部１０ｃと対称的な位置に配置されていない。第３透明電極部１０ｆの上端は、図５及び図８（ｂ）に示すように、補助電極部３３６ｂ上に位置しており、当該補助電極部３３６ｂと電気的に接続されている。一方、第３透明電極部１０ｆの下端は、第６導電部３２Ｑの上端付近に位置している。なお、上記のように第６導電部３２Ｑの表面上には図示しない絶縁膜が形成されているため、第３透明電極部１０ｆの上端と第６導電部３２Ｑとは電気的に接続されていない。
【００８９】
また、１つのサブ画素領域ＳＧ内における、反射表示領域Ｅ１と透過表示領域Ｅ２の間の構成は次の通りである。
【００９０】
即ち、下側基板１上であって且つ反射表示領域Ｅ１と透過表示領域Ｅ２の間には、１つの配線３１の折れ曲がり部分３１ｂ、及び、データ線３２の要素である本線部分３２ｙが形成されている。１つの配線３１の折れ曲がり部分３１ｂは、Ｘ方向に延在するように形成されている。本線部分３２ｙは、第２導電部３２ｂと第２導電部３２Ｌの間に位置しており、反射表示領域Ｅ１内の電極部３２Ｒと、透過表示領域Ｅ２内の電極部３２Ｔとを繋いでいる。なお、図５に示される反射表示領域Ｅ１内の電極部３２Ｒは、その反射表示領域Ｅ１の上側に且つ隣接する他のサブ画素における透過表示領域内の電極部３１Ｔ（図示略）と本線部分３２ｙにより繋がっていると共に、同図に示される透過表示領域Ｅ２内の電極部３２Ｔは、その透過表示領域Ｅ２の下側に且つ隣接する他のサブ画素における反射表示領域内の電極部３２Ｒ（図示略）と本線部分３２ｙにより繋がっている。
【００９１】
このため、各ＹドライバＩＣ３３から出力された走査信号は、本線部分３１ａ（図４を参照）、折れ曲がり部分３１ｂ、ＴＦＤ素子２１及び２２、画素電極１０Ｒ及び１０Ｔの順に出力されると共に、ＸドライバＩＣ３４から出力されたデータ信号は、本線部分３２ｙ、電極部３２Ｔ、本線部３２ｙ、電極部３２Ｒ、本線部分３２ｙの順に出力される。これにより、図５において、素子基板９１等の基板面と略平行なＸ方向に横電界Ｅが生じ、液晶層４の液晶分子の配向が制御される。
【００９２】
次に、本発明の液晶表示装置１００の特徴的な点及びその作用効果について説明する。
【００９３】
本発明の液晶表示装置１００は、各種の設計仕様に応じて、一般的に知られた横電界方式のしきい値電圧Ｖｃ（フレデリクス転移のしきい値電圧Ｖｃ）の式に基づいて、反射表示領域Ｅ１の光学的特性と透過表示領域Ｅ２の光学的特性とが所望の関係になるように設定することができる点に特徴を有している。
【００９４】
ここで、横電界方式のしきい値電圧Ｖｃは、液晶層４の粘性係数、弾性係数、誘電率異方性、液晶層４に印加される電界強度等の因子によって決定される。
【００９５】
具体的には、しきい値電圧Ｖｃの式は、
Ｖｃ  ＝  （π×Ｌ／ｄ）×√｛Ｋ２／（ε０×｜Δε｜）｝        （式１）
で与えられる。なお、上記の式１において、「Ｌ」は電極間ギャップ、「ｄ」はセルギャップ、「Ｋ２」はツイストの弾性定数、「ε０」は真空の誘電率、「Δε」は誘電率異方性を夫々示している。
【００９６】
本発明の液晶表示装置１００において、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４のしきい値電圧をＶｃ１、及び、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４のしきい値電圧をＶｃ２とした場合に、当該しきい値電圧Ｖｃ１の値と、当該しきい値電圧Ｖｃ２の値とが一致するように、容量比の大きさ、セルギャップの厚さ、透明電極部と導電部との電極間隔の大きさを夫々最適な値に設定することにより、上記の目的を達成することができる。なお、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ１の値と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ２の値を同一に設定することにより、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶分子の動き始めの応答時間と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶分子の動き始めの応答時間とを一致させることができる。
【００９７】
ここで、上記の式１の右項中、「π」、及び「｛Ｋ２／（ε０×｜Δε｜）｝」の値を一定とし、反射表示領域Ｅ１及び透過表示領域Ｅ２の各々に対応する容量比を考慮した場合、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ１と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ２は、夫々次式のように変形できる。
【００９８】
まず、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ１の式は、
Ｖｃ１  ＝  ｛ａ１／（１＋ａ１）｝×（Ｌ１／ｄ１）        （式２）
で与えられる。ここで、「ａ１」は容量比（実質的な画素電極１０の容量をＴＦＤ素子２１の容量で除算した値）であり、具体的には「画素電極１０Ｒの容量」と「補助電極部３３６ａの位置に形成される保持容量Ｃ１」を加算した値を、「ＴＦＤ素子２１の容量」で除算した値であり、「Ｌ１」は第１透明電極部１０ａと第２導電部３２ｂの間隔、第２透明電極部１０ｂと第３導電部３２ｂの間隔、及び、第３透明電極部１０ｃと第４導電部３２ｄの間隔であり、「ｄ１」は反射表示領域Ｅ１に対応するセルギャップ（図２に示す液晶層４の厚さ）である。
【００９９】
一方、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４のしきい値電圧Ｖｃ２の式は、
Ｖｃ２  ＝  ｛ａ２／（１＋ａ２）｝×（Ｌ２／ｄ２）        （式３）
で与えられる。ここで、「ａ２」は容量比（実質的な画素電極１０の容量をＴＦＤ素子２２の容量で除算した値）であり、具体的には「画素電極１０Ｔの容量」と「補助電極部３３６ｂの位置に形成される保持容量Ｃ２」を加算した値を、「ＴＦＤ素子２２の容量」で除算した値であり、「Ｌ２」は第１透明電極部１０ｄと第２導電部３２Ｌの間隔、第２透明電極部１０ｅと第３導電部３２ｍの間隔、及び、第３透明電極部１０ｆと第４導電部３２ｎの間隔であり、「ｄ２」は透過表示領域Ｅ２に対応するセルギャップ（図３に示す液晶層４の厚さ）である。
【０１００】
そして、上記の式２の右項と上記の式３の右項とを等号で結び、例えば、（Ｌ２／ｄ２）について求めると、
（Ｌ２／ｄ２）＝｛｛（１＋ａ２）×ａ１｝／｛（１＋ａ１）×ａ２｝｝×（Ｌ１／ｄ１）        （式４）
を得ることができる。
【０１０１】
本発明の液晶表示装置１００では、各種の設計仕様に応じて、上記の式４が成立するように、「Ｌ２」、「ｄ２」、「ａ２」、「ａ１」、「Ｌ１」、「ｄ１」の各パラメータの値を変えて、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶の配向制御と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶の配向制御とを各々独立に実行にする。これにより、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４に印加する電圧と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４に印加する電圧を異ならせることができ、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶の再配向状態と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶の再配向状態を適切な関係に設定することができる。その結果、第１実施形態では、反射表示領域Ｅ１の光学的特性と透過表示領域Ｅ２の光学的特性とを所望の関係に設定することができる。
【０１０２】
本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置１００における好適な設計値の一例として、上記の式４に基づき、透過表示領域Ｅ２に対応する各パラメータを、「ｄ２」＝３μｍ、「Ｌ２」＝５μｍ、「ａ２」＝１／８に夫々設定した場合には、反射表示領域Ｅ１に対応する各パラメータを、「ｄ１」＝１．５μｍ、「Ｌ１」＝２.５μｍ、「ａ１」＝１／８に夫々設定することができる。なお、このとき、他の設計値の例として、「ｄ１」＝１．５μｍに設定した状態で、「Ｌ１」を１．６７μｍ〜４.４４μｍに設定することができると共に、それに応じて「ａ１」を１／５〜１／１５に設定することができる。ここで、透過表示領域Ｅ２の容量比である「ａ２」及び反射表示領域Ｅ１の容量比である「ａ１」は、夫々保持容量Ｃ２及びＣ１の大きさを変えることにより調整できる。保持容量Ｃ２及びＣ２の大きさは、一般的な静電容量の式に基づいて、例えば、図５及び図８において、補助電極部３３６ａ及び３３６ｂの面積を変える、或いは補助電極部３３６ａと第５導電部３２ｅの要素である第２部分３２ｅｂとの間の絶縁膜３２３の厚さｄ３０を変える、及び／又は、補助電極部３３６ｂと第５導電部３２ｐの要素である第２部分３２ｐｂとの間の絶縁膜３２３の厚さｄ３１を変えるなどの方法により調整することができる。なお、上記の設計値は一例であり、第１実施形態では、設計仕様に応じて、上記の式４が成立するように種々の設計をすることができる。
【０１０３】
[第２実施形態]
上記の第１実施形態では、１つのサブ画素領域ＳＧ内を２分割し、反射表示領域Ｅ１と透過表示領域Ｅ２とに分けて構成したが、第２実施形態では、１つのサブ画素領域ＳＧ内を２分割し、２つの透過表示領域にて構成する。図９（ａ）に、１つのサブ画素領域ＳＧ内を、２つの透過表示領域Ｅ３及びＥ２にて構成した模式図を示す。なお、図９（ａ）に示される透過表示領域Ｅ２に対応する要素の構成は、図５に示される透過表示領域Ｅ２に対応する要素の構成と同様である。
【０１０４】
具体的には、第２実施形態に係る１つのサブ画素領域ＳＧは、図５において、反射表示領域Ｅ１内の一点鎖線に対応する要素、即ち、樹脂散乱層１７、反射層５及びオーバーコート層１９を除去することにより、反射表示領域Ｅ１を透過表示領域Ｅ３に代えた構成と、透過表示領域Ｅ２に対応する構成とを有する。
【０１０５】
このような構成を有する第２実施形態では、各種の設計仕様に応じて、上記の式４が成立するように、透過表示領域Ｅ３及びＥ２の各々に対応する、「Ｌ１」、「Ｌ２」、「ａ１」、「ａ２」の各パラメータを適切な値に設定することにより、視野角の向上を図る点に特徴を有している。なお、第２実施形態は透過型の液晶表示装置であるので、第１実施形態と異なり、上記の式４のパラメータである、セルギャップ「ｄ１」及び「ｄ２」は同一の値に設定される。
【０１０６】
ここで、図１０を参照して、第２実施形態による、視野角を向上させる原理について説明する。
【０１０７】
図１０（ａ）は、比較例に係る液晶表示装置の視野角の特性図を示す。一方、図１０（ｂ）は、第２実施形態に係る液晶表示装置の視野角の特性図を示す。図１０（ａ）及び（ｂ）の視野角の特性図では、３時方向を基準方向（方位角α＝０）とし、そこから反時計回りに方位角αを示している。なお、「方位角α」は、液晶表示装置に対する観察者の視線の上下左右方向のずれ角を示す。
【０１０８】
ここに、比較例は、図９（ａ）において１つのサブ画素領域ＳＧ内における、透過表示領域Ｅ３の電極間隔「Ｌ１」と透過表示領域Ｅ２の電極間隔「Ｌ２」とを同一の値に設定した構成を有する。一方、第２実施形態は、特に、１つのサブ画素領域ＳＧにおいて、透過表示領域Ｅ３の電極間隔「Ｌ１」と透過表示領域Ｅ２の電極間隔「Ｌ２」とを異なる値に設定した構成を有する。但し、以下では、説明の便宜上、第２実施形態において「Ｌ２」＞「Ｌ１」に設定し、さらに、比較例及び第２実施形態において、透過表示領域Ｅ３に対応する容量比「ａ１」と、透過表示領域Ｅ２に対応する容量比「ａ２」とは同一の値に設定した場合を考える。
【０１０９】
比較例の場合、透過表示領域Ｅ３に対応する電極間隔「Ｌ１」と、透過表示領域Ｅ２に対応する電極間隔「Ｌ２」とは同一の値に設定されているため、液晶の駆動時、透過表示領域Ｅ３に対応する液晶層４に印加される電圧値と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４に印加される電圧値とは同一になる。このため、比較例では、透過表示領域Ｅ３における液晶分子の再配向状態と、透過表示領域Ｅ２における液晶分子の再配向状態は同一となり、透過表示領域Ｅ３及びＥ２の各々に対応する実際の視野角は領域Ｅ１０で示される領域となる。このため、観察者に視認される、透過表示領域Ｅ３に対応する実際の視野角と透過表示領域Ｅ２に対応する実際の視野角とを合成した見かけ上の視野角は、楕円状の領域Ｅ１０で示される領域となる。
【０１１０】
これに対し、第２実施形態の場合、透過表示領域Ｅ３に対応する電極間隔「Ｌ１」と、透過表示領域Ｅ２に対応する電極間隔「Ｌ２」とは異なる値に設定されているため、液晶の駆動時、透過表示領域Ｅ３に対応する液晶層４に印加される電圧値と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４に印加される電圧値とは異なる。このため、第２実施形態では、透過表示領域Ｅ３における液晶分子の再配向状態と、透過表示領域Ｅ２における液晶分子の再配向状態は異なることになる。ここでは、一例として電極間隔「Ｌ２」＞電極間隔「Ｌ１」に設定されているため、透過表示領域Ｅ３に対応する実際の視野角は領域Ｅ１１で示される領域になると共に、透過表示領域Ｅ２に対応する実際の視野角は領域Ｅ１２で示される領域になる。つまり、観察者は、上記のように、液晶分子が小さく動いて形成される領域Ｅ１１と、液晶分子が大きく動いて形成される領域Ｅ１２とを同時に見ることになるので、観察者に視認される見かけ上の視野角は、透過表示領域Ｅ３に対応する実際の視野角（領域Ｅ３）と、透過表示領域Ｅ２に対応する実際の視野角（領域Ｅ１２）とを合成した円形状の領域Ｅ１３で示される領域となる。これにより、第２実施形態では、比較例に比べて視野角の向上を図ることができる。
【０１１１】
以上のように、第２実施形態では、１つのサブ画素領域ＳＧを２つの透過表示領域Ｅ３及びＥ２にて構成し、各種の設計仕様に応じて、上記の式４が成立するように、透過表示領域Ｅ３及びＥ２の各々に対応する、「Ｌ１」、「Ｌ２」、「ａ１」、「ａ２」の各パラメータを適切な値に設定して、透過表示領域Ｅ３に対応する液晶の配向制御と、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶の配向制御とを各々独立に実行にする。これにより、透過表示領域Ｅ３に対応する液晶層４に印加される電圧値と、透過表示領域Ｅ１に対応する液晶層４に印加される電圧値とを異ならせることができ、透過表示領域Ｅ３に対応する液晶分子の再配向状態と、透過表示領域Ｅ１に対応する液晶分子の再配向状態とを異ならせることができる。その結果、視野角の向上を図ることができる。
【０１１２】
なお、ここでは、透過表示領域Ｅ３に対応する容量比「ａ１」と、透過表示領域Ｅ２に対応する容量比「ａ２」とを同一の値に設定して考えたが、両者の値を適宜変えることにより、視野角の向上を図りつつ、透過表示領域Ｅ３の光学的特性と透過表示領域Ｅ２の光学的特性とを夫々所望の関係に設定することができる。
【０１１３】
本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置における好適な設計値の一例として、上記の式４に基づき、透過表示領域Ｅ２に対応する各パラメータを、「ｄ２」＝３μｍ、「Ｌ２」＝５μｍ、「ａ２」＝１／８に夫々設定した場合には、透過表示領域Ｅ３に対応する各パラメータを、「ｄ１」＝３μｍ、「Ｌ１」＝４.４μｍ、「ａ１」＝１／７に夫々設定することができる。なお、このとき、他の設計値の例として、「ｄ１」＝３μｍに設定した状態で、「Ｌ１」を３.３μｍ〜６．１１μｍに設定することができると共に、それに応じて「ａ１」を１／５〜１／１０に設定することができる。また、第２実施形態では、上記の設計値の一例において、透過表示領域Ｅ３に対応する上記の各パラメータの値と、透過表示領域Ｅ２に対応する上記の各パラメータの値とを逆にしても構わない。即ち、かかる設計値は一例であり、第２実施形態では、上記の式４が成立するように種々の設計をすることができる。
【０１１４】
[第３実施形態]
第３実施形態では、１つのサブ画素領域ＳＧ内を２分割し、２つの反射表示領域にて構成する。図９（ｂ）に、１つのサブ画素領域ＳＧ内を２分割して、２つの反射表示領域にて構成した模式図を示す。なお、図９（ｂ）に示される反射表示領域Ｅ１に対応する要素の構成は、図５に示される反射表示領域Ｅ１に対応する要素の構成と同様である。
【０１１５】
具体的には、第３実施形態に係る１つのサブ画素領域ＳＧは、図５において透過表示領域Ｅ２を反射表示領域Ｅ１と略同様の構成に代えてできる反射表示領域Ｅ４の構成と、反射表示領域Ｅ１の構成とを有する。
【０１１６】
そして、第３実施形態では、各種の設計仕様に応じて、上記の式４が成立するように、反射表示領域Ｅ２及びＥ４に対応する、「Ｌ２」、「ｄ２」、「ａ２」、「ａ１」、「Ｌ１」、「ｄ１」の各パレメータの値を変えて、反射表示領域Ｅ２に対応する液晶の配向制御と、反射表示領域Ｅ４に対応する液晶の配向制御とを各々独立に実行にする。これにより、反射表示領域Ｅ２に対応する液晶層４に印加される電圧値と、反射表示領域Ｅ４に対応する液晶層４に印加される電圧値とを異ならせることができ、反射表示領域Ｅ２に対応する液晶の再配向状態と、反射表示領域Ｅ４に対応する液晶の再配向状態を適切な関係に設定することができる。その結果、第３実施形態では、反射表示領域Ｅ２の光学的特性と反射表示領域Ｅ４の光学的特性とを所望の関係に設定することができる。
【０１１７】
［変形例］
上記の各実施形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子２１及び２２を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、ＴＦＤ素子２１及び２２の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスＴＦＴなどの三端子素子を用いることも可能である。この場合、アモルファスＴＦＴなどの三端子素子は、上記の各実施形態において１つのサブ画素領域ＳＧ内を区画する２つの領域内に夫々設ける必要がある。図１１に、アモルファスＴＦＴの断面図を示す。
【０１１８】
図１１において、ＴＦＴ４５０は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極４０２の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜４０３が設けられている。ゲート絶縁膜４０３の上には、ゲート電極４０２に重なるようにａ−Ｓｉ層４０５が設けられている。ａ−Ｓｉ層４０５の上には、２つに分断されたｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａ、４０６ｂが設けられている。さらに、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａの上には図示しないソース線から分岐したソース電極４０８が設けられ、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ｂの上にはドレイン電極４０９が設けられている。ドレイン電極４０９の上には、画素電極１０Ｒ又は１０Ｔが部分的に重なるように設けられている。
【０１１９】
［電子機器］
次に、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。なお、第２及び第３実施形態に係る液晶表示装置も、当該電子機器の表示装置として適用可能である。
【０１２０】
図１２は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【０１２１】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【０１２２】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１２３】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図１３を参照して説明する。
【０１２４】
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置１００等を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１３（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１２５】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１３（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１２６】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図１３（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１３（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図２】図１の切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置の断面図。
【図３】図１の切断線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置の断面図。
【図４】本発明の第１実施形態に係る素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図５】素子基板における１つのサブ画素領域に対応する要素の構成等を示す平面図。
【図６】図５における切断線Ｅ−Ｅ’及びＦ−Ｆ’に沿った素子基板の部分断面図。
【図７】図５における切断線Ｃ−Ｃ’及びＤ−Ｄ’に沿った素子基板の部分断面図。
【図８】図５における切断線Ｘ１−Ｘ２及びＸ１−Ｘ３に沿ったＴＦＤ素子等の構成を示す断面図。
【図９】第２及び第３実施形態に係る液晶表示装置の１つのサブ画素領域の構成を模式的に示す平面図。
【図１０】比較例及び第２実施形態に係る視野角特性を説明する図。
【図１１】ＴＦＴ素子を利用した液晶表示装置への適用例を示す。
【図１２】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１３】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１２８】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ５  反射層、  ６  着色層、  １０、１０Ｒ、１０Ｔ  画素電極、  １７  樹脂散乱層、  １８、１９  オーバーコート層、  ２１、２２  ＴＦＤ素子、  ３２  データ線、  ３２Ｒ、３２Ｔ  電極部、  ３１  配線、  ３３６ａ、３３６ｂ  補助電極部、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００  液晶表示装置
【図１】
2006259501.tif 000003
【図２】
2006259501.tif 000004
【図３】
2006259501.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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