(57)【要約】【課題】  ダイボンド設備およびダイボンド作業工程を減少して、製品の品質を向上すると共に、製品のコストダウンを図ることができるダイボンド方法を提供することにある。【解決手段】  この発明のダイボンド方法では、ゲージング爪４により、ステム１にサブマウント２を載置した状態でサブマウント２の位置決めを行うので、従来のようなサブマウントを別ステージで角度補正してレーザチップとサブマウントとをダイボンドする工程を、省くことができる。【選択図】  図３
2006024816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステムを加熱して保持する工程と、
上記ステムにサブマウントを載置した状態でこのサブマウントの位置決めを行う工程と、
上記ステムに位置決めされた上記サブマウントに半導体レーザ素子を載置する工程と
を備えることを特徴とするダイボンド方法。
【請求項２】
ステムを搭載して加熱するダイボンドステージと、
サブマウントを上記ダイボンドステージへ搬送するサブマウント搬送手段と、
半導体レーザ素子を上記ダイボンドステージへ搬送する半導体レーザ素子搬送手段と、
上記ダイボンドステージに接近ないし離間すると共に、上記ダイボンドステージに搭載された上記ステムに上記サブマウントが載置された状態で上記サブマウントに接触して上記サブマウントの位置決めを行うゲージング爪と
を備えることを特徴とするダイボンド装置。
【請求項３】
請求項２に記載のダイボンド装置において、
上記ゲージング爪は、上記サブマウントに上記半導体レーザ素子が載置されたときに上記半導体レーザ素子の出射端面と同じ側になる上記サブマウントの端面に、上記ステムに取り付けられる上記半導体レーザ素子の予定される出射方向に略一致する方向から、接近することを特徴とするダイボンド装置。
【請求項４】
請求項３に記載のダイボンド装置において、
上記ステムの載置面に上記サブマウントが載置されて、上記ゲージング爪の先端部が上記サブマウントの端面に接近される状態で、上記ゲージング爪の先端部の上記ステムの載置面に対して略垂直な方向の厚みは、上記サブマウントの端面の上記ステムの載置面に対して略垂直な方向の厚みよりも薄いことを特徴とするダイボンド装置。
【請求項５】
請求項３に記載のダイボンド装置において、
上記ゲージング爪は、上記サブマウントの端面に接触する接触面を有し、上記ゲージング爪の接触面は、スリット状の窪み部を有することを特徴とするダイボンド装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば、ステム、サブマウントおよび半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）をダイボンドするダイボンド方法およびダイボンド装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のダイボンド方法は、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、レーザチップとサブマウントとをダイボンドする工程と、図９Ｄおよび図９Ｅに示すように、レーザチップ搭載済みのサブマウントとステム（ヒートシンク）とをダイボンドする工程とを備える（特開平１−１８９９８１号公報：特許文献１参照）。
【０００３】
具体的に説明すると、まず、図９Ａに示すように、ヒータブロック１０１の上に吸着コレット１０３で吸着したサブマウント１０２を搭載する。このとき、上記サブマウント１０２の角度補正を行う一対のゲージング爪１０４，１０５は、矢印の方向に開いている。
【０００４】
次に、図９Ｂに示すように、上記ヒータブロック１０１の吸着穴１０６から真空引きを行って、上記サブマウント１０２を吸着し固定する。そして、上記一対のゲージング爪１０４，１０５を矢印の方向に閉じることにより、上記サブマウント１０２の角度補正が行われる。その後、別ステージで、既に角度補正（画像認識）済みの上記レーザチップ１１０を上記吸着コレット１０９で吸着し、上記サブマウント１０２の中央に搭載する。
【０００５】
そして、上記レーザチップ１１０の搭載後、直ぐに上記ヒータブロック１０１で加熱し、上記サブマウント１０２の蝋材が反応した後に、例えば窒素ガスやドライエアー等を用いて、冷却ブローを行い冷却して、図９Ｃに示すように、レーザチップ実装済サブマウント１１１を形成する。
【０００６】
次に、図９Ｄに示すように、ステム（ヒートシンク）１１３のブロック部分（実装面）１１５に、銀ペーストが入ったシリンジ１１４を用いて、銀ペースト１１２を塗布する。その後、別ステージで、既に角度補正（上記レーザチップ１１０を発光させて発光軸を画像認識し角度を算出する方法）された上記レーザチップ搭載済サブマウント１１１を、吸着コレット１１６を用いて吸着し、上記銀ペースト１１２が、既に塗布された上記ブロック部分１１５の中央に搭載したものを別のオーブンに入れて熱硬化して、図９Ｅに示すように、上記レーザチップ実装済サブマウント１１１を上記ステム１１３に実装する。
【０００７】
ここで、上記レーザチップ１１０から出射されるレーザ光の発光点と発光軸の精度は、上記ステム１１３に対して高精度に配置されている必要がある。例えば、以下の（式１）（式２）を満たす必要がある。
発光点精度：ΔＸ、ΔＹ、ΔＺ＝０±５０ミクロン  ・・・（式１）
発光軸精度：Δθ//（φ平行）＝０±０.８度        ・・・（式２）
【０００８】
このため従来のダイボンド方法では、上記実装精度を確保するために、（図９Ａと図９Ｂに示すように）上記レーザチップ１１０と上記サブマウント１０２のダイボンド工程と、（図９Ｄと図９Ｅに示すように）上記レーザチップ実装済サブマウント１１１と上記ステム１１３のダイボンド工程との、２回のダイボンド工程を行っている。そして、上記レーザチップ１１０と上記サブマウント１０２のダイボンド工程では、図９Ｂに示すように、上記サブマウント１０２を中間ステージ（上記ヒータブロック１０１）上に一旦搭載して、角度補正（ゲージング方式）を行っている。
【０００９】
しかしながら、上記従来のダイボンド方法では、２回のダイボンド工程を行っているため、以下（ａ）〜（ｃ）の問題があった。
【００１０】
（ａ）ダイボンド設備が多くて、ダイボンド設備のコストが大となる。
（ｂ）ダイボンド強度が不安定になり、チップの剥れ不良が発生し易い。
（ｃ）ダイボンド作業工程が多くて、製品のコストが大となる。
【特許文献１】特開平１−１８９９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の課題は、ダイボンド設備およびダイボンド作業工程を減少して、製品の品質を向上すると共に、製品のコストダウンを図ることができるダイボンド方法およびダイボンド装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、この発明のダイボンド方法は、
ステムを加熱して保持する工程と、
上記ステムにサブマウントを載置した状態でこのサブマウントの位置決めを行う工程と、
上記ステムに位置決めされた上記サブマウントに半導体レーザ素子を載置する工程と
を備えることを特徴としている。
【００１３】
この発明のダイボンド方法によれば、上記ステムに上記サブマウントを載置した状態で上記サブマウントの位置決めを行うので、従来のサブマウントを別ステージで角度補正してレーザチップとサブマウントとをダイボンドする工程を省くことができて、上記半導体レーザ素子（レーザチップ）、上記サブマウントおよび上記ステムを１回でほぼ同時にダイボンドすることができる。
【００１４】
したがって、ダイボンド工程を１回にできて、以下（ｉ）〜（ｉｉｉ）の効果を奏する。
【００１５】
（ｉ）ダイボンド設備を低減できて、ダイボンド設備のコストを低減できる。
（ｉｉ）ダイボンド強度が安定して、チップの剥れ不良が削減される。
（ｉｉｉ）ダイボンド作業工程を低減できて、製品のコストダウンを図ることができる。
【００１６】
また、この発明のダイボンド装置は、
ステムを搭載して加熱するダイボンドステージと、
サブマウントを上記ダイボンドステージへ搬送するサブマウント搬送手段と、
半導体レーザ素子を上記ダイボンドステージへ搬送する半導体レーザ素子搬送手段と、
上記ダイボンドステージに接近ないし離間すると共に、上記ダイボンドステージに搭載された上記ステムに上記サブマウントが載置された状態で上記サブマウントに接触して上記サブマウントの位置決めを行うゲージング爪と
を備えることを特徴としている。
【００１７】
この発明のダイボンド装置によれば、上記ダイボンドステージに搭載された上記ステムに上記サブマウントが載置された状態で上記サブマウントに接触して上記サブマウントの位置決めを行うゲージング爪を備えるので、上記ステムに上記サブマウントを載置した状態で上記サブマウントの位置決めを行うことができる。
【００１８】
このように、従来のサブマウントを別ステージで角度補正してレーザチップとサブマウントとをダイボンドする工程を省くことができて、上記半導体レーザ素子（レーザチップ）、上記サブマウントおよび上記ステムを１回でほぼ同時にダイボンドすることができる。
【００１９】
したがって、ダイボンド工程を１回にできて、以下（ｉ）〜（ｉｉｉ）の効果を奏する。
【００２０】
（ｉ）ダイボンド設備を低減できて、ダイボンド設備のコストを低減できる。
（ｉｉ）ダイボンド強度が安定して、チップの剥れ不良が削減される。
（ｉｉｉ）ダイボンド作業工程を低減できて、製品のコストダウンを図ることができる。
【００２１】
また、一実施形態のダイボンド装置では、上記ゲージング爪は、上記サブマウントに上記半導体レーザ素子が載置されたときに上記半導体レーザ素子の出射端面と同じ側になる上記サブマウントの端面に、上記ステムに取り付けられる上記半導体レーザ素子の予定される出射方向に略一致する方向から、接近する。
【００２２】
この一実施形態のダイボンド装置によれば、上記ゲージング爪は、上記半導体レーザ素子の出射端面と同じ側になる上記サブマウントの端面に、上記半導体レーザ素子の予定される出射方向に略一致する方向から、接近するので、上記サブマウントの端面の位置を高精度で管理することが出来る。このように、上記サブマウントの端面を高精度に位置合わせすることで、上記半導体レーザ素子から出射されるレーザビームが上記サブマウントの表面で緩衝することを防止できる。
【００２３】
また、一実施形態のダイボンド装置では、上記ステムの載置面に上記サブマウントが載置されて、上記ゲージング爪の先端部が上記サブマウントの端面に接近される状態で、上記ゲージング爪の先端部の上記ステムの載置面に対して略垂直な方向の厚みは、上記サブマウントの端面の上記ステムの載置面に対して略垂直な方向の厚みよりも薄い。
【００２４】
この一実施形態のダイボンド装置によれば、上記ゲージング爪の先端部の上記ステムの載置面に対して略垂直な方向の厚みは、上記サブマウントの端面の上記ステムの載置面に対して略垂直な方向の厚みよりも薄いので、上記ゲージング爪の先端部を上記サブマウントの端面に接近していくときに、上記ゲージング爪の先端部は、上記ステムに干渉（当接）せずに、上記サブマウントの端面に円滑に接触させることができる。
【００２５】
また、一実施形態のダイボンド装置では、上記ゲージング爪は、上記サブマウントの端面に接触する接触面を有し、上記ゲージング爪の接触面は、スリット状の窪み部を有する。
【００２６】
この一実施形態のダイボンド装置によれば、上記ゲージング爪の接触面は、スリット状の窪み部を有するので、ゲージング中に、上記ゲージング爪や上記サブマウントに付着したゴミ等の付着物は、上記スリット状の窪み部に逃げることができて、上記ゲ―ジング爪の接触面に溜まり難くなって、上記サブマウントのゲージング位置の精度が安定する。
【発明の効果】
【００２７】
この発明のダイボンド方法によれば、上記ステムに上記サブマウントを載置した状態で上記サブマウントの位置決めを行うので、ダイボンド工程を減少できて、製品の品質を向上すると共に、製品のコストダウンを図ることができる。
【００２８】
また、この発明のダイボンド装置によれば、上記ダイボンドステージに搭載された上記ステムに上記サブマウントが載置された状態で上記サブマウントに接触して上記サブマウントの位置決めを行うゲージング爪を備えるので、上記ステムに上記サブマウントを載置した状態で上記サブマウントの位置決めを行うことができて、ダイボンド工程およびダイボンド設備を減少して、製品の品質を向上すると共に、製品のコストダウンを図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３０】
（第１の実施形態）
図１は、この発明のダイボンド装置の一実施形態である構成図を示している。このダイボンド装置は、ステム１を取り外し可能に搭載するダイボンドステージ１１と、サブマウント（サブマウントチップ）２を供給するサブマウント供給ステージ１４と、半導体レーザ素子（半導体レーザチップ）３を供給する半導体レーザ素子供給ステージ１５と、上記半導体レーザ素子３の位置を補正する半導体レーザ素子補正ステージ１６と、上記サブマウント２を搬送するサブマウント搬送手段１２と、上記半導体レーザ素子３を搬送する半導体レーザ素子搬送手段１３と、上記ダイボンドステージ１１に接近ないし離間するゲージング爪４とを備える。
【００３１】
上記ダイボンドステージ１１は、例えばセラミックヒータであり、搭載された上記ステム１をダイボンドに必要な温度に加熱して保持する。
【００３２】
上記サブマウント搬送手段１２は、例えば吸着コレットを有し、上記サブマウント２を、上記サブマウント供給ステージ１４から上記ダイボンドステージ１１へ搬送する。
【００３３】
上記半導体レーザ素子搬送手段１３は、例えば吸着コレットを有し、上記半導体レーザ素子３を、上記半導体レーザ素子供給ステージ１５から上記半導体レーザ素子補正ステージ１６へ搬送してから、上記半導体レーザ素子補正ステージ１６から上記ダイボンドステージ１１へ搬送する。
【００３４】
上記半導体レーザ素子補正ステージ１６は、例えば、上記半導体レーザ素子３の平面位置（ＸＹ方向および回転角度θ）の補正を行う。
【００３５】
なお、上記ダイボンドステージ１１、上記サブマウント供給ステージ１４、上記半導体レーザ素子供給ステージ１５および上記半導体レーザ素子補正ステージ１６の上側には、それぞれ、（ＣＣＤカメラ等の）認識カメラ１８が配置され、この複数の認識カメラ１８にて、上記ステージ１１，１４，１５，１６における作業を判断している。
【００３６】
そして、上記サブマウント搬送手段１２により、上記ダイボンドステージ１１に搭載された上記ステム１の載置面（実装面）に上記サブマウント２を載置し、上記半導体レーザ素子搬送手段１３により、上記サブマウント２の上面に上記半導体レーザ素子３を載置する。
【００３７】
上記ゲージング爪４は、上記ダイボンドステージ１１に搭載された上記ステム１に上記サブマウント２が載置された状態で上記サブマウント２に接触して上記サブマウント２の位置決めを行う（ゲージングする）。
【００３８】
具体的に述べると、図２に示すように、上記ゲージング爪４は、上記ステム１のステムブロック部分５の載置面６に上記サブマウント２を載置した状態で、矢印に示すように、上記ステム１の正面（前面）から上記サブマウント２の端面（前面）２０に接近する。
【００３９】
ここで、上記サブマウント２の端面２０とは、図３に示すように、上記サブマウント２に上記半導体レーザ素子３が載置されたときに上記半導体レーザ素子３の出射端面３０と同じ側になる面をいう。また、上記ステム１の正面（前面）とは、上記ステム１に取り付けられる上記半導体レーザ素子３の予定される出射方向に略一致する方向をいう。
【００４０】
このように、上記ゲージング爪４は、上記半導体レーザ素子３の出射端面３０と同じ側になる上記サブマウント２の端面２０に、上記ステム１の正面から接近するので、上記サブマウント２の端面２０の位置を高精度で管理することが出来る。したがって、上記サブマウント２の端面２０を高精度に位置合わせすることで、上記半導体レーザ素子３から出射されるレーザビームが上記サブマウント２の表面で緩衝することを防止できる。具体的に述べると、上記サブマウント２の端面２０の位置は、上記半導体レーザ素子３の出射端面３０とほぼ同等、もしくは、図３に示すように、１０〜２０μｍ程度後方に下げるのが一般的である。
【００４１】
図４に示すように、上記ステム１の載置面６に上記サブマウント２が載置されて、上記ゲージング爪４の先端部４０が上記サブマウント２の端面２０に接近される状態で、上記ゲージング爪４の先端部４０の上記ステム１の載置面６に対して略垂直な方向（上下方向）の厚みＴ1は、上記サブマウント２の端面２０の上記ステム１の載置面６に対して略垂直な方向（上下方向）の厚みＴ2よりも薄い。
【００４２】
すなわち、上記ゲージング爪４の先端部４０の先端面（接触面）４１は、上記サブマウント２の端面２０に接触する。上記ゲージング爪４は、平板状であり、上記ステム１の載置面６に略平行に配置される。
【００４３】
このように、上記ゲージング爪４の先端部４０の厚みＴ1は、上記サブマウント２の端面２０の厚みＴ2よりも薄いので、上記ゲージング爪４の先端部４０を上記サブマウント２の端面２０に接近していくときに、上記ゲージング爪４の先端部４０は、上記ステム１のステムブロック部分５に干渉（当接）せずに、上記サブマウント２の端面２０に円滑に接触させることができる。
【００４４】
図５Ａと図５Ｂに示すように、上記ゲージング爪４の先端面４１は、複数のスリット状の窪み部４２を有する。このスリット状の窪み部４２は、上記ゲージング爪４の上下方向に形成され、上記ゲージング爪４の左右方向に並設される。すなわち、上記ゲージング爪４の先端面４１は、櫛状に形成されている。
【００４５】
このように、上記ゲージング爪４の先端面４１は、上記スリット状の窪み部４２を有するので、図６と図７に示すように、ゲージング中に、上記ゲージング爪４や上記サブマウント２に付着したゴミ等の付着物５０は、上記スリット状の窪み部４２に逃げることができて、上記ゲ―ジング爪４の先端面４１に溜まり難くなって、上記サブマウント２のゲージング位置の精度が安定する。
【００４６】
次に、図８Ａ〜図８Ｇにて、上記構成のダイボンド装置を用いたダイボンド方法を説明する。
【００４７】
まず、図８Ａに示すように、上記ステム１を（図示しない）上記ダイボンドステージ１１に搭載して、上記ステム１の載置面（実装面）６を、約３８０℃まで加熱してこの温度を保持する。
【００４８】
そして、図８Ｂに示すように、仮想線から実線にて示すように、上記サブマウント搬送手段１２で吸着した上記サブマウント２を、上記ステム１の載置面６に搭載する。すると、同時に、上記サブマウント２の裏面に形成されていた（例えばＡｕＳｎ等の）蝋材８が、溶融して、上記サブマウント２からはみ出て来る。
【００４９】
このとき、上記サブマウント搬送手段１２は、上記サブマウント２を押えたままである。例えば、コレット加重は、９０グラム以下である。
【００５０】
上記サブマウント２は、上記ステム１搭載時に、上記載置面６上で回転して、搭載角度のずれが発生する。すなわち、ステム中心線１ａに対して、サブマウント中心線２ａの位置がずれている。
【００５１】
その後、図８Ｃに示すように、上記先端面４１が平らな上記ゲージング爪４を矢印の方向に（上記ステム１の正面に向かって）移動させることで、上記ゲージング爪４の先端面４１が、上記サブマウント２の端面２０を押して、上記サブマウント２の角度を補正する（位置決めを行う）。なお、上記ゲージングが行われる間も、上記サブマウント搬送手段１２は、上記サブマウント２を押えたままで行う。
【００５２】
そして、図８Ｄに示すように、上記ゲージング爪４は、矢印の方向に後退して、上記サブマウント２の角度補正および光軸方向（図８Ｃの矢印の方向）の補正を完了する。
【００５３】
その後、図８Ｅに示すように、上記半導体レーザ素子補正ステージ１６にて、上記半導体レーザ素子３の位置補正を行う。すなわち、半導体レーザ素子中心線３ａと補正ステージ中心線１６ａとの搭載角度のずれを補正する。具体的に述べると、（図１参照の）上記認識カメラ１８にて、上記半導体レーザ素子３の外形（上記半導体レーザ素子３の出射端面３０のエッジ）を画像認識して、上記補正ステージ中心線１６ａに対して、上記半導体レーザ素子中心線３ａの角度補正を行う。上記補正ステージ中心線１６ａは、予め、（図１参照の）上記ダイボンドステージ１１の基準面および基準線に対して、所定の位置に設定されているので、この補正により、上記半導体レーザ素子３の出射端面３０の方向、上記半導体レーザ素子３の光軸方向の位置、および、上記半導体レーザ素子３の光軸方向に対して垂直な方向の位置を、所定の位置に調整することができる。
【００５４】
次に、上記半導体レーザ素子補正ステージ１６で角度補正された上記半導体レーザ素子３を、上記半導体レーザ素子搬送手段１３で吸着して、仮想線から実線に示すように、角度補正済みの上記サブマウント２上に搭載する。このとき、上記半導体レーザ素子３を移動すべき距離は、上記ダイボンドステージ１１の基準線と上記補正ステージ中心線１６ａとの距離であるから、機械的に移動させることができる。
【００５５】
なお、上記サブマウント２の光軸方向に対して垂直な方向の位置は、図８Ｃに示す工程では設定されないが、上記サブマウント２の幅は広いので、上記ステム１に機械的に置くだけでよく、カメラで位置をモニターして調整するほどの精度は必要としない。
【００５６】
そして、図８Ｆに示すように、上記半導体レーザ素子３を上記半導体レーザ素子搬送手段１３にて加圧することで、上記サブマウント２上に形成された（例えばＡｕＳｎ等の）蝋材９が、溶融して、上記半導体レーザ素子３からはみ出て来る。
【００５７】
なお、図８Ｂに示すように、約３８０℃まで加熱保持された上記ステム１の載置面６に上記サブマウント２を搭載した時点から、図８Ｆに示すように、上記半導体レーザ素子３が上記サブマウント２に搭載され加圧されて上記蝋材９が溶融するまでの所要時間は、１秒以下である。
【００５８】
その後、（例えば窒素ガスやドライエアー等の）冷却ガスを冷却ノズル１９から矢印に示すように吹きかけ、上記ステム１の全体を冷却して、図８Ｇに示すように、上記半導体レーザ素子３と上記サブマウント２とを略同時に上記ステム１に実装して、半導体レーザ装置を完成する。
【００５９】
上記構成のダイボンド装置によれば、上記ダイボンドステージ１１に搭載された上記ステム１に上記サブマウント２が載置された状態で上記サブマウント２に接触して上記サブマウント２の位置決めを行う上記ゲージング爪４を備えるので、上記ステム１に上記サブマウント２を載置した状態で上記サブマウント２の位置決めを行うことができる。
【００６０】
このように、（従来のような）サブマウントを別ステージで角度補正してレーザチップとサブマウントとをダイボンドする工程（図９Ｂ参照）を省くことができて、上記半導体レーザ素子３、上記サブマウント２および上記ステム１を１回でほぼ同時にダイボンドすることができる。
【００６１】
すなわち、従来の設備技術で、半導体レーザ素子とサブマウントをステムへ同時にダイボンドさせるダイボンド装置を製作しようとした場合、ダイボンドステージ（図１のダイボンドステージ１１）とサブマウント供給ステージ（図１のサブマウント供給ステージ１４）との間に、サブマウントチップ用のX、Y、θ補正ステージ（中間ステージ）を設ける場合やゲージングステージを設けるなどの方法があるが、その場合は、中間ステージからダイボンドステージへのサブマウントチップの受渡し作業が1回増えるため、ステムへのサブマウントのダイボンド精度が低下してしまう。そこで、本発明では、これらサブマウントのダイボンド精度を低下させないために、ステム上でサブマウントチップのゲージングを行う手法を用いることで、高精度に同時ダイボンドを可能にすることが出来る。
【００６２】
また、この発明のダイボンド方法は、上記ステム１を加熱して保持する工程と、上記ステム１に上記サブマウント２を載置した状態でこのサブマウント２の位置決めを行う工程と、上記ステム１に位置決めされた上記サブマウント２に上記半導体レーザ素子３を載置する工程とを備える。
【００６３】
この発明のダイボンド方法によれば、上記ステム１に上記サブマウント２を載置した状態で上記サブマウント２の位置決めを行うので、上記半導体レーザ素子３、上記サブマウント２および上記ステム１を１回でほぼ同時にダイボンドすることができる。
【００６４】
したがって、上記発明のダイボンド装置および上記発明のダイボンド方法によれば、上記ステム１上で上記サブマウント２の角度補正を直接に行う（シングルゲージング）ので、ダイボンド工程を１回にできて、以下（ｉ）〜（ｉｉｉ）の効果を奏する。
【００６５】
（ｉ）ダイボンド設備を低減できて、ダイボンド設備のコストを低減できる。
（ｉｉ）ダイボンド強度が安定して、チップの剥れ不良が削減される。
（ｉｉｉ）ダイボンド作業工程を低減できて、製品のコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明のダイボンド装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２】ゲージング爪の作用説明を兼ねた斜視図である。
【図３】サブマウントと半導体レーザ素子との位置関係を示す説明図である。
【図４】ゲージング爪の作用説明を兼ねた側面図である。
【図５Ａ】ゲージング爪の平面図である。
【図５Ｂ】ゲージング爪の正面図である。
【図６】ゲージング爪の作用説明を兼ねた平面図である。
【図７】図６のＡ部の拡大図である。
【図８Ａ】本発明のダイボンド方法の第１の工程を示す説明図である。
【図８Ｂ】本発明のダイボンド方法の第２の工程を示す説明図である。
【図８Ｃ】本発明のダイボンド方法の第３の工程を示す説明図である。
【図８Ｄ】本発明のダイボンド方法の第４の工程を示す説明図である。
【図８Ｅ】本発明のダイボンド方法の第５の工程を示す説明図である。
【図８Ｆ】本発明のダイボンド方法の第６の工程を示す説明図である。
【図８Ｇ】本発明のダイボンド方法の第７の工程を示す説明図である。
【図９Ａ】従来のダイボンド方法の第１の工程を示す説明図である。
【図９Ｂ】従来のダイボンド方法の第２の工程を示す説明図である。
【図９Ｃ】従来のダイボンド方法の第３の工程を示す説明図である。
【図９Ｄ】従来のダイボンド方法の第４の工程を示す説明図である。
【図９Ｅ】従来のダイボンド方法の第５の工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６７】
１    ステム
２    サブマウント
３    半導体レーザ素子
４    ゲージング爪
６    載置面
１１  ダイボンドステージ
１２  サブマウント搬送手段
１３  半導体レーザ素子搬送手段
２０  （サブマウントの）端面
３０  （半導体レーザ素子の）出射端面
４０  （ゲージング爪の）先端部
４１  （ゲージング爪の）先端面（接触面）
４２  （ゲージング爪の）スリット状の窪み部
Ｔ1  （ゲージング爪の）厚み
Ｔ2  （サブマウントの）厚み
【図１】
2006024816.tif 000003
【図２】
2006024816.tif 000004
【図３】
2006024816.tif 000005
【図４】
2006024816.tif 000006
【図５Ａ】
2006024816.tif 000007
【図５Ｂ】
2006024816.tif 000008
【図６】
2006024816.tif 000009
【図７】
2006024816.tif 000010
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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