(57)【要約】【課題】  不必要なルーティング空間を最小化し得るメモリモジュールとそのメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法を提供する。【解決手段】  ＰＣＢにメモリ装置を少なくとも２個以上搭載する方法において、前記メモリ装置中で少なくとも一つを前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線が所定の傾斜を有するように、前記ＰＣＢの少なくとも一面に搭載する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＣＢにメモリ装置を少なくとも２個以上搭載する方法において、
前記メモリ装置中で少なくとも一つを前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線が所定の傾斜を有するように、前記ＰＣＢの少なくとも一面に搭載することを特徴とするメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項２】
前記メモリ装置はラムバスＤＲＡＭであることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項３】
前記メモリ装置をそれぞれ、ほぼ０°、４５°、９０°、１３５°、１８０°の所定の傾斜を有するように搭載することを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項４】
メモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法において、
前記メモリ装置を装着するＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ０°で傾くようにして前記ＰＣＢの最左側に第１メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ４５°で傾くようにして前記第１メモリ装置の右側部に第２メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ９０°で傾くようにして前記第２メモリ装置の右側部に１つ以上の第３メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１３５°で傾くようにして前記第３メモリ装置の右側部に第４メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１８０°で傾くようにして前記第４メモリ装置の右側部に第５メモリ装置を搭載する段階と、を備えることを特徴とするメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項５】
メモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法において、
前記メモリ装置を装着する前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ０°で前記ＰＣＢの最右側に第１メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ４５°で傾くようにして前記第１メモリ装置の左側部に第２メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ９０°で傾くようにして前記第２メモリ装置の左側部に一つ以上の第３メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１３５°で傾くようにして前記第３メモリ装置の左側部に第４メモリ装置を搭載する段階と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１８０°で傾くようにして前記第４メモリ装置の左側部に第５メモリ装置を搭載する段階と、を備えることを特徴とするメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項６】
前記メモリ装置はラムバスＤＲＡＭであることを特徴とする請求項４または５に記載のメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項７】
前記第１メモリ装置を前記ＰＣＢのタブと前記第２メモリ装置よりも近いところに搭載することを特徴とする請求項４または５に記載のメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項８】
前記メモリ装置は前記ＰＣＢの両面に交互に搭載することを特徴とする請求項４または５に記載のメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法。
【請求項９】
メモリ装置を少なくとも２個以上のＰＣＢに搭載したメモリモジュールにおいて、
前記メモリ装置中少なくとも一つが前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線が所定の傾斜を有するように前記ＰＣＢの少なくとも一面に搭載されることを特徴とするメモリモジュール。
【請求項１０】
前記メモリ装置はラムバスＤＲＡＭであることを特徴とする請求項９に記載のメモリモジュール。
【請求項１１】
前記メモリ装置はそれぞれ０°、４５°、９０°、１３５°、１８０°の傾斜を有するように搭載されることを特徴とする請求項９に記載のメモリモジュール。
【請求項１２】
前記メモリ装置は前記ＰＣＢの両面に交互に搭載されることを特徴とする請求項９に記載のメモリモジュール。
【請求項１３】
メモリモジュールをＰＣＢに搭載するメモリモジュールにおいて、
前記メモリ装置を搭載するＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ０°で前記ＰＣＢの最左側に搭載される第１メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ４５°で傾くようにして前記第１メモリ装置の右側部に搭載される第２メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ９０°で傾くようにして前記第２メモリ装置の右側部に搭載される１つ以上の第３メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１３５°で傾くようにして前記第３メモリ装置の右側部に搭載される第４メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１８０°で傾くようにして前記第４メモリ装置の右側部に搭載される第５メモリ装置と、を備えることを特徴とするメモリモジュール。
【請求項１４】
メモリ装置をＰＣＢに搭載するメモリモジュールにおいて、
前記メモリ装置を搭載するＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ０°で傾くようにして前記ＰＣＢの最右側に搭載される第１メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ４５°で傾くようにして前記第２メモリ装置の左側部に搭載される第２メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ９０°で傾くようにして前記第２メモリ装置の左側部に搭載される１つ以上の第３メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１３５°で傾くようにして前記第３メモリ装置の左側部に搭載される第４メモリ装置と、
前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線がほぼ１８０°で傾くようにして前記第４メモリ装置の左側部に搭載される第５メモリ装置と、を備えることを特徴とするメモリモジュール。
【請求項１５】
前記メモリ装置はラムバスＤＲＡＭであることを特徴とする請求項１３または１４に記載のメモリモジュール。
【請求項１６】
前記メモリ装置は前記ＰＣＢの両面に交互に搭載されることを特徴とする請求項１３または１４に記載のメモリモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリモジュールとそのメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法に係るもので、特に不必要なルーティング空間を最小化できるメモリモジュールとそのメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、コンピュータシステムに対する研究は高速動作速度と高周波動作性能とを有するように行なわれている。このようなコンピュータのシステムにおいては主メモリとしてＤＲＡＭのようなメモリ装置が使用される。ＤＲＡＭはコンピュータシステムの要求に応ずる優れた性能の故に、同期式ＤＲＡＭ（ＳＲＡＭ：Synchronous DRAM）、二重データ率ＳＤＲＡＭ、ラムバスＤＲＡＭ（以下、ＲＤＤと称する）の順に発展してきた。
【０００３】
ラムバスＤＲＡＭは以下のような特徴を有する。即ち、多数個のラムバスＤＲＡＭがラムバスシステムのようなメモリシステムのバスライン上に直列に配列される。ラムバスＤＲＡＭはそれぞれ一定区間の間に順次受信される一束の信号により動作が制御される。そして、ラムバスＤＲＡＭはそれぞれ互いに独立的にデータを入出力する。現在、コンピュータシステムのモジュールとして利用されるリム（ＲＩＭＭ：Rambus Inline Memory Module）はラムバスＤＲＡＭから構成される。このとき、ラムバスＤＲＡＭは1つのデータピンから基本的に連続したデータが順次出ており、連続的に出るデータの速度とデータピンの個数により伝送率が決定される。
【０００４】
図３は一般のラムバスシステムの構成を示す図である。
図３に示すように、ラムバスシステムに適用されるリムは多数個のラムバスＤＲＡＭ（ＲＤＤ）を1つのＰＣＢ上に一定した間隔に配置し、ピンまたはボル（これはパッケージタイプに従い異にして表現される）を順次連結する。そして、クロック信号に同期する命令語信号により動作するラムバスＤＲＡＭが決定される。
【０００５】
図４は従来のメモリを用いて構成されるリムを示す図である。
図４に示すように、多数個のラムバスＤＲＡＭがメモリシステムのバスラインＢＵＳ１，ＢＵＳ２，ＢＵＳ３上に配列される。しかし、従来のパッケージング方法により形成されるメモリは一つ目のラムバスＤＲＡＭとタブ（tab）２１とを連結するバスラインが直線でなく９０°に曲がっているため、アンロード部分２０にルーティング空間が必要とされる。また、最後のラムバスＤＲＡＭをタブに連結するためにアンロード部分にルーティング空間が必要とされる。それで、ＰＣＢの両側にアンロード部分のルーティング空間が確保されなければ、製品の開発はできない。
【０００６】
図５は従来の製造方法により形成されるメモリを用いて構成されるリムを示す写真である。
図５に示すように、一部のバスライン３０が空間不足のためリムバスＤＲＡＭに連結されない。
上述のように、制限されたＰＣＢサイズ内で最小限のサイズルールを適用するにしても、ＰＣＢの両方でのルーティング空間の確保が難しくなるに従い、製品のデザインをすることができなくて製品の集積度が低くなり、高い集積度の製品開発自体が不可能になる。
また、このようなリムの大きさの増加は製造原価及びコンピュータシステムの原価を上昇させる要因として作用する。
【０００７】
また、実装されたリムバスＤＲＡＭの数が多いシステム環境において、ＰＣＢ両側のリムバスＤＲＡＭとタブを連結するバスラインを形成する伝送線はラムバスＤＲＡＭの相互間を連結するバスラインを形成する伝送線よりもその厚さが厚い。これはインピーダンスを合わせるためである。そこで、厚いバスラインを形成する伝送線が増加すれば、データシグナルに減衰（attenuation）が一層多く発生し、その減衰のため追加的モジュールの実装に限界があるようになる。従って、このような減衰を減少させるための技術が切実に求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、従来の問題点を解決することができるようにＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、不必要なルーティング空間を最小化できるＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、ＰＣＢの末端に位置したラムバスＤＲＡＭとタブを連結するバスラインの長さを減らし得るメモリモジュール形成用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、データシグナルの減衰を減らし得るメモリモジュール形成用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するため本発明によるメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を少なくとも２個以上搭載する方法は、前記メモリ装置中で少なくとも一つを、前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線が所定の傾斜を有するように、前記ＰＣＢの少なくとも一面に搭載されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明によるメモリ装置を少なくとも２個以上ＰＣＢに搭載したメモリモジュールは、前記メモリ装置中で少なくとも一つが前記ＰＣＢの長手方向に対し前記メモリ装置の長手方向の基準線が所定の傾斜を有するように前記ＰＣＢの少なくとも一面に搭載されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるメモリモジュールとそのメモリモジュール用ＰＣＢにメモリ装置を搭載する方法は、不必要なルーティング空間を最小化し、ＰＣＢ末端に位置したラムバスＤＲＡＭとタブとを連結させるバスラインの長さを減らすことにより、バスラインによるデータシグナルの減衰を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。
実施例での説明は本発明が属する技術分野の通常の知識を有した者に本発明のより徹底した理解を助けるための意図のほか、別の意図なしに例をあげて図示され限定されたに過ぎないため、本発明の範囲を制限するものとして使用してはならない。
図１は本発明の一実施例による製造方法にて形成されるメモリを用いて構成されるリムを示す図である。
【００１３】
図１は８個のラムバスＤＲＡＭを配列した図である。図１に示すように、ＰＣＢの左側に位置するラムバスＤＲＡＭは約０°、４５°、９０°の角度で傾斜して搭載される。即ち、最初に位置するラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ４１はＰＣＢの長手方向に対し０°でタブ近くにＰＣＢの表面に位置する。次いで、ラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ４２はＰＣＢの裏面に位置しＰＣＢの長手方向に対し約４５°で傾斜する。次いで、ラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ４３はＰＣＢの表面に位置しＰＣＢの長手方向に対し約９０°で傾斜する。
【００１４】
また、ＰＣＢの右側に位置するラムバスＤＲＡＭを約９０°、１３５°、１８０°の角度で傾斜して配置する。即ち、右側の最初に位置するラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ４４はＰＣＢの長手方向に対し約１８０°で傾斜してタブ近くにＰＣＢの裏面に位置する。次のラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ４５はＰＣＢの表面に位置し、ＰＣＢの長手方向に対し約１３５°で傾斜する。次のラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ４６はＰＣＢの裏面に位置しＰＣＢの長手方向に対し約９０°で傾斜する。
【００１５】
上述のように、ラムバスＤＲＡＭを位置させると、まず、ＰＣＢの両側縁部に位置したラムバスＤＲＡＭとタブとを連結するバスラインの長さを減らすことにより、バスラインによるデータシグナルの減衰を減らすことができる。従って、実装されるラムバスＤＲＡＭの数が多くなるシステムの環境内で減衰による追加的モジュール実装の限界を克服することができるようになる。
また、バスラインがほぼ４５°で２度曲がってラムバスと連結されるため、不要なルーティング空間が減らして集積度を高め、不要な空間を減らすことができる。
【００１６】
図２は本発明の第２実施例による製造方法にて形成されるメモリを用いて構成されるリムを示す図である。
図２は３２個のラムバスＤＲＡＭを配列する図である。図２に示すように、ＰＣＢの右側に位置するラムバスＤＲＡＭを約０°、４５°、９０°の角度で傾いて配置する。即ち、最初に位置するラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ５１はＰＣＢの長手方向に対して約０°でタブ近くに位置する。次のラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ５２はＰＣＢの長手方向に対し４５°で傾いて位置する。次のラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ５３はＰＣＢの長手方向に対し９０°で傾いて位置する。
【００１７】
また、ＰＣＢの左側に位置するラムバスＤＲＡＭを約９０°、１３５°、１８０°の角度で傾いて配置する。即ち、左側の最初に位置するラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ５４はＰＣＢの長手方向に対し約１８０°で傾いてタブ近くに位置する。次のラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ５５はＰＣＢの長手方向に対し約１３５°で傾いて位置する。次のラムバスＤＲＡＭ  ＲＤＤ５６はＰＣＢの長手方向に対し約９０°で傾いて位置する。そこで、図示したように、１６個のラムバスＤＲＡＭがＰＣＢ表面に配置され、別の１６個のラムバスＤＲＡＭはＰＣＢの裏面に配置されて、総３２個のラムバスＤＲＡＭが配置される。
【００１８】
上述のように、不必要なルーティング空間を最小化し、ＰＣＢ末端に位置したラムバスＤＲＡＭとラブを連結するバスラインの長さを減らすことにより、バスラインによるデータのシグナルの減衰を減らすことができる。
本発明は、図面を用いて一実施例を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、本技術分野の通常の知識を有したものならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能なことは理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第一実施例による搭載方法により形成されるメモリを用いて構成されるリムを示す図である。
【図２】本発明の第２実施例による搭載方法により形成されるメモリを用いて構成されるリムを示す図である。
【図３】一般のラムバスシステムの構成を示す図である。
【図４】従来のメモリを用いて構成されるリムを示す図である。
【図５】従来の製造方法により形成されるメモリを用いて構成されるリムを示す写真である。
【符号の説明】
【００２０】
ＲＤＤ：ラムバスＤＲＡＭ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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