(57)【要約】【課題】  確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、誘電特性に優れ、信頼性の高い半田接合を可能とする、熱硬化性フラックス、フラックスシートおよび多層配線板を提供する。【解決手段】  半田接合時にフラックスとして作用する熱硬化性フラックスであって、フェノール性水酸基を有する樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤である樹脂（Ｂ）および環状オレフィン系樹脂（Ｃ）を含むことを特徴とする熱硬化性フラックスにより達成される。配線パターンと、該配線パターン上に形成された導体ポストと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層とを有する接続層と、該導体ポストとの層間接続用ランドを有する被接続層とを、前記熱硬化性フラックスからなるフラックス層を介して、加熱・加圧して熱圧着することにより半田接合させた層間接続部を有する多層配線板。【選択図】  図１
2006102753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田接合時にフラックスとして作用する熱硬化性フラックスであって、フェノール性水酸基を有する樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤である樹脂（Ｂ）および環状オレフィン系樹脂（Ｃ）を含むことを特徴とする熱硬化性フラックス。
【請求項２】
環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系樹脂を含むものである請求項１に記載の熱硬化性フラックス。
【請求項３】
前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネン型モノマーの付加重合体である請求項２に記載の熱硬化性フラックス。
【請求項４】
前記ノルボルネン系樹脂は、下記一般式（１）で表される繰返し単位を有するものである請求項２または３に記載の熱硬化性フラックス。
【化１】
2006102753.tif 000007
［式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、シリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。］
【請求項５】
前記ノルボルネン系樹脂は、下記一般式（２）で表されるモノマーの付加共重合体である請求項２乃至４のいずれかに記載の熱硬化性フラックス。
【化２】
2006102753.tif 000008
［式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、シリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。］
【請求項６】
フェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）が、フェノールフタリンおよびジヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも１種類以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の熱硬化性フラックス。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の熱硬化性フラックスからなるフラックス層と、少なくとも一層以上の剥離可能な保護フィルム層で構成されることを特徴とするフラックスシート。
【請求項８】
配線パターンと、該配線パターン上に形成された導体ポストと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層とを有する接続層と、該導体ポストとの層間接続用ランドを有する被接続層とを、請求項１乃至６のいずれかに記載の熱硬化性フラックスからなるフラックス層を介して、加熱・加圧して熱圧着することにより半田接合させた層間接続部を有する多層配線板。
【請求項９】
前記フラックス層は、請求項７に記載のフラックスシートをラミネートして得られたものである請求項８に記載の多層配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱硬化性フラックス、フラックスシートおよび多層配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ほとんどの電子部品、電子機器には電気的、機械的接続において半田接合が使用されている。近年、環境への関心が世界的に高まっている中、これらの電子部品、電子機器の鉛フリー化への取り組みが半導体業界および電子機器業界で広まりつつある。このような中、半導体パッケージにとっての最大の課題は、鉛フリー製品の接合で必要となるリフロー温度が、従来のスズ−鉛共晶半田による半田接合に比べて高いことであり、この最大値は２６０℃とされるのが一般的である。これは、半導体搭載用基板に搭載される部品のすべてが、鉛フリー・ハンダの融点にさらされることを意味し、リフロー温度の高温化に対応した高耐熱、低吸水率のパッケージ用材料が求められている。
【０００３】
一方で、従来より、熱硬化性樹脂、活性剤、及び溶剤を含有することを特徴とする半田付け用フラックスが知られている（例えば、特許文献１参照。）が、昨今の鉛フリー半田対応の温度の高いリフロープロファイルにおいては、リフロー前の乾燥等の処理を厳密に行わないと半田接合時にボイドが発生してしまう場合が考えられる。また、接合が問題なく達成されたとしても、鉛フリー対応のリフロープロファイルでの吸湿耐熱信頼試験などにより膨れ、接着界面剥離などの問題が発生する恐れがある。
【０００４】
また、近年の電子機器の使用においては、情報伝達に高速伝送が行われており、高速伝送においては電気信号の劣化が問題となっており、特に、多層配線板の層間絶縁材料の誘電特性に起因する誘電体損失は、電気信号周波数を増加させると、顕著に劣化することから、この問題を解決するために、絶縁材料において対応が求められている。このような対応は、これまで配線板などの電子部品の絶縁材料として用いられてきたエポキシ樹脂やポリイミド樹脂では、誘電率および誘電正接の電気特性が不足する場合があり、高速伝送化に対応することが困難である。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−９０２８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、誘電特性に優れ、信頼性の高い半田接合を可能とする、熱硬化性フラックス、フラックスシートおよび多層配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
即ち、本発明は、
１．  半田接合時にフラックスとして作用する熱硬化性フラックスであって、フェノール性水酸基を有する樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤である樹脂（Ｂ）および環状オレフィン系樹脂（Ｃ）を含むことを特徴とする熱硬化性フラックス、
２．  環状オレフィン系樹脂は、ノルボルネン系樹脂を含むものである第１項に記載の熱硬化性フラックス、
３．  前記ノルボルネン系樹脂は、ノルボルネン型モノマーの付加重合体である第２項に記載の熱硬化性フラックス、
４．  前記ノルボルネン系樹脂は、下記一般式（１）で表される繰返し単位を有するものである第２項または第３項に記載の熱硬化性フラックス、
【０００８】
【化１】
2006102753.tif 000003
［式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、シリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。］
【０００９】
５．  前記ノルボルネン系樹脂は、下記一般式（２）で表されるモノマーの付加共重合体である第２項乃至第４項のいずれかに記載の熱硬化性フラックス、
【００１０】
【化２】
2006102753.tif 000004
［式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、シリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。］
【００１１】
６．  フェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）が、フェノールフタリンおよびジヒドロキシ安息香酸から選ばれる少なくとも１種類以上であることを特徴とする第１項乃至第５項のいずれかに記載の熱硬化性フラックス、
７．  第１項乃至第６項のいずれかに記載の熱硬化性フラックスからなるフラックス層と、少なくとも一層以上の剥離可能な保護フィルム層で構成されることを特徴とするフラックスシート、
８．  配線パターンと、該配線パターン上に形成された導体ポストと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層とを有する接続層と、該導体ポストとの層間接続用ランドを有する被接続層とを、第１項乃至第６項のいずれかに記載の熱硬化性フラックスからなるフラックス層を介して、加熱・加圧して熱圧着することにより半田接合させた層間接続部を有する多層配線板、
９．  前記フラックス層は、請求項７に記載のフラックスシートをラミネートして得られたものである第８項に記載の多層配線板、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続等の半田接合において、確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、誘電特性に優れ、信頼性の高い良好な接合を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、半田接合時にフラックスとして作用する熱硬化性フラックスであって、フェノール性水酸基を有する樹脂(Ａ)、該樹脂の硬化剤である樹脂（Ｂ）および環状オレフィン系樹脂（Ｃ）を含むことを特徴とする熱硬化性フラックスである。
本発明の熱硬化性フラックスは、半田接合時にフラックスとして作用し、次いで加熱することにより、硬化して層間の接着剤として作用する。また、本発明の熱硬化性フラックスは、半田接合の際に、被半田接合金属面及び半田表面の酸化物などを除去し、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、誘電特性に優れ、信頼性の高い良好な接合を可能にする。
更に、本発明の熱硬化性フラックスは、半田接合後に洗浄などにより除去する必要がなく、そのまま加熱することにより、三次元架橋した樹脂となり、密着力に優れた、多層配線板、半導体素子と多層配線板等の層間の接着剤として作用する。また、これを用いたフラックスシートは、熱硬化性フラックスの未硬化状態でのシート性も良好である。
また、配線パターンと、該配線パターン上に形成された導体ポストと、該導体ポストの先端表面に形成された半田層とを有する接続層と、該導体ポストとの層間接続用ランドを有する被接続層とを、加熱・加圧して熱圧着することにより半田接合させた層間接続部を有する多層配線板において、前記接続層と被接続層とを、前記熱硬化性フラックスからなるフラックス層を介して、接合することにより、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、誘電特性に優れ、信頼性の高い半田接合有する多層配線板が得られる。
【００１４】
前記環状オレフィン系樹脂の中でも、一般に、ノルボルネン系樹脂は、その主鎖骨格が脂環構造であるため低吸湿性を特徴とする。これにより、硬化前のシート単体の吸水率を下げることができるため、本発明の硬化性フラックスを用いて半田接合する際の高温時のボイド発生を抑制することができる。また、熱硬化後も吸水率の低い硬化物が得られるため高温高湿雰囲気下での吸湿処理後のリフロー耐熱試験による界面剥離、膨れ、接合部の損傷、ポップコーン・クラック等の不具合を回避することができる。
【００１５】
本発明に用いる環状オレフィン樹脂は、環状オレフィンモノマーとして、例えばシクロヘキセン、シクロオクテン等の単環体、ノルボルネン、ノルボルナジエン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエン、ジヒドロトリシクロペンタジエン、テトラシクロペンタジエン、ジヒドロテトラシクロペンタジエン等の多環体などより重合したものが挙げられる。
【００１６】
このような環状オレフィンモノマーの重合体には、例えば環状オレフィンモノマーの（共）重合体、環状オレフィンモノマ−とα−オレフィン類等の共重合可能な他のモノマ−との共重合体、およびこれらの共重合体の水素添加物等が挙げられる。これらの公知の重合体は、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。これら環状オレフィン系樹脂は、公知の重合法により製造することが可能であり、その重合方法には付加重合法と開環重合法とが挙げられる。このうち、ノルボルネン型モノマーを重合（特に、付加（共）重合）することによって得られたポリマーが好ましいが、本発明はなんらこれに限定されるものではない。
【００１７】
環状オレフィン系樹脂の付加重合体としては、例えば（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。
【００１８】
このような環状オレフィン系樹脂の付加重合体は、金属触媒による配位重合またはラジカル重合によって得られる。このうち、配位重合においては、モノマーを、遷移金属触媒存在下、溶液中で重合することによってポリマーが得られる（ＮｉＣＯＬＥ  Ｒ．  ＧＲＯＶＥ  ｅｔ  ａｌ．  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ：ｐａｒｔ  Ｂ，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  Ｖｏｌ．３７，  ３００３−３０１０（１９９９））。
配位重合に用いる金属触媒として代表的なニッケルと白金触媒は、ＰＣＴ  ＷＯ  ９７３３１９８とＰＣＴ  ＷＯ  ００／２０４７２に述べられている。配位重合用金属触媒の例としては、（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（メシレン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、（ベンゼン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（テトラヒドロ）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（エチルアセテート）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル、ビス（ジオキサン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル等の公知の金属触媒が挙げられる。
【００１９】
また、ラジカル重合技術については、Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ,  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ,１３,７０８（１９９８）に述べられている。
一般的にはラジカル重合はラジカル開始剤の存在下、温度を５０℃〜１５０℃に上げ、モノマーを溶液中で反応させる。ラジカル開始剤としてはアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、ｔ−ブチル過酸化水素等である。
【００２０】
環状オレフィン系樹脂の開環重合体としては、例えば（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂が挙げられる。これらの樹脂は公知のすべての重合方法で得ることができる。
【００２１】
このような環状オレフィン系樹脂の開環重合体は、公知の開環重合法により、チタンやタングステン化合物を触媒として、少なくとも一種以上のノルボルネン型モノマ−を開環（共）重合して開環（共）重合体を製造し、次いで必要に応じて通常の水素添加方法により前記開環（共）重合体中の炭素−炭素二重結合を水素添加して熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂を製造することによって得られる。
【００２２】
前記付加重合および開環重合に用いる重合溶媒としては、炭化水素や芳香族溶媒が挙げられる。炭化水素溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、やシクロヘキサンなどであるがこれに限定されない。芳香族溶媒の例としては、ベンゼン、トルエン、キシレンやメシチレンなどであるがこれに限定されない。ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチルアセテート、エステル、ラクトン、ケトン、アミドも使用できる。これら溶剤を単独や混合しても重合溶媒として使用できる。
【００２３】
上記環状オレフィン系樹脂において、特に、付加型のノルボルネン系樹脂は耐熱性にも優れるものであり、中でも、下記一般式（１）で表される構造を有する付加型のノルボルネン系樹脂の化学構造における主鎖骨格は、ガラス転移温度が３００℃前後の耐熱性を有し好適である。
【００２４】
【化３】
2006102753.tif 000005
式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、シリル基、エステル基、エーテル基および（メタ）アクリル基、エポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。
【００２５】
前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基およびイソブチル基などの側鎖を有していても良い（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル基、前記シクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基およびメチルシクロヘキシル基などの（Ｃ３−Ｃ１５）シクロアルキル基、前記アルケニル基としては、例えば、（Ｃ３−Ｃ１０）アルケニル基、前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロペニル基、ヘキセイニル基、オクテニル基およびヘプテニル基などの（Ｃ２−Ｃ２０）アルキニル基、前記アルキリデニル基としては、例えば、（Ｃ１−Ｃ６）アルキリデニル基、前記アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基およびフェニルエチニル基などの（Ｃ６−Ｃ４０）アリール基、前記アラルキル基としては、例えば、（Ｃ７−Ｃ１５）アラルキル基、前記シリル基としては、例えば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリエトキシシリル基およびトリエトキシシリルエチル基などのシリル基、前記エステル基としては、例えば、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−ブチルエステル基、ｔ−ブチルエステル基およびｎ−プロピルエステル基などのエステル基、前記（メタ）アクリル基としては、例えば、メタクリロキシメチル基などの（メタ）アクリル基、前記エポキシ基としては、例えば、グリシジルエーテル基などのエポキシ基が挙げられる。
【００２６】
本発明においては、ノルボルネン型モノマーの付加重合体であることが好ましく、特に、上記の置換基を有するノルボルネン型モノマーである一般式（２）で表されるモノマーを２種以上用いて付加共重合体とすることにより、密着性や電気特性などの特性をバランスよく付与することができるので、より好ましい。
【００２７】
【化２】
2006102753.tif 000006
［式（１）中のＸは、−О−，−ＣＨ２−または−ＣＨ２ＣＨ２−を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４はそれぞれ水素、あるいは、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデニル基、アリール基、アラルキル基、シリル基、エステル基、エーテル基、（メタ）アクリル基およびエポキシ基から選ばれる基を示し、これらの基はアルキル基、エーテル基、エステル基を介して結合していても良く、同一であっても異なっていても良い。ｍは１０〜１００００の整数、ｎは０〜５までの整数である。］
【００２８】
上記置換基を有するノルボルネンモノマーとしては、例えば、アルキル基を有するものとして、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−プロピル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ペンチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−ヘプチル−２−ノルボルネン、５−オクチル−２−ノルボルネン、５−ノニル−２−ノルボルネン、５−デシル−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルボルネンなど；、シクロアルキル基を有するものとして、５−シクロヘキシル−２−ノルボルネンおよび５−シクロヘキセニル−２−ノルボルネンなど；、アルケニル基を有するものとして、５−ビニル−２−ノルボルネンおよび５−アリル−２−ノルボルネンなど；、アルキニル基を有するものとしては、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（２，３−ジメチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−エチル−３−ブテニル）−２−ノルボルネン、５−（３，４−ジメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネン、５−（７−オクテニル）−２−ノルボルネン、５−（２−メチル−６−ヘプテニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２−ジメチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（５−エチル−５−ヘキセニル）−２−ノルボルネン、５−（１，２，３−トリメチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネンなど；、アルキリデニル基を有するものとしては、５−エチリデン−２−ノルボルネンおよび５−イソプロピリデン−２−ノルボルネンなど；、アリール基を有するものとしては、５−フェニル−２−ノルボルネン、５−ベンジル−２−ノルボルネン、５−フェネチル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニル−２−ノルボルネン、５−ペンタフルオロフェニルメタン−２−ノルボルネン、５−（２−ペンタフルオロフェニルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−ペンタフルオロフェニルプロピル）−２−ノルボルネンなど；、シリル基を有するものとしては、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジメチルビス（（２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル）トリシロキサン、５−トリメトキシシリル−２−ノルボルネン、５−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、５−（２−トリメトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（２−トリエトキシシリルエチル）−２−ノルボルネン、５−（３−トリメトキシプロピル）−２−ノルボルネン、５−（４−トリメトキシブチル）−２−ノルボルネン、５−トリメチルシリルメチルエーテル−２−ノルボルネン、ジメチルビス（（５−ノルボルネン−２−イル）メトキシ））シランなど；、エポキシ基を有するものとしては、５−アリルグリシジル−エーテル−２−ノルボルネンなど；、
また、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エステル基、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するものとしては、５−ノルボルネン−２−メタノール、酢酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、プロピオン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、酪酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、吉草酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプロン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、カプリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ラウリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、ステアリン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、オレイン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、リノレン酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸エチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｔ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｉ−ブチルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリメチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリエチルシリルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸イソボニルエステル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシエチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチル−２−カルボン酸メチルエステル、ケイ皮酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、５−ノルボルネン−２−メチルエチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｎ−ブチルカルボネート、５−ノルボルネン−２−メチルｔ−ブチルカルボネート、５−メトキシ−２−ノルボルネン、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−メチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−エチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｎ―プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−ブチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ｉ−プロピルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−ヘキシルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−オクチルエステル、（メタ）アクリル酸５−ノルボルネン−２−デシルエステルなど；が挙げられる。
【００２９】
これらのモノマーより得られた重合体の例として、前記一般式（１）で表される構造を有する付加型のノルボルネン系樹脂において、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、目的に応じて、その置換基の種類と該置換基を有する繰り返し単位の割合を調整することにより、特性を好ましいものとすることができる。例えば、前記一般式（１）において、Ｘは−ＣＨ２−とし、Ｒ３およびＲ４は水素とし、ｎは０の場合、Ｒ１およびＲ２として、例えば、前記アルキル基を導入した場合、可とう性に優れるポリノルボルネン樹脂フィルムを得ることができるので好ましい。また、トリメトキシシリル基、またはトリエトキシシリル基を導入した場合、銅などの金属との密着性が向上するので好ましい。ただし、トリエトキシシリル基、トリメトキシシリル基の割合が多い場合、ポリノルボルネン樹脂の誘電正接が大きくなることがあるため、トリエトキシシリル基および／またはトリメトキシシリル基を有するノルボルネンの繰り返し単位は、一般式（１）で表されるノルボルネン１分子において、５〜８０ｍｏｌ％の範囲にすることが好ましい。さらに好ましくは５〜５０ｍｏｌ％である。
【００３０】
中でも、特に、可とう性、密着性および誘電特性が良好な樹脂フィルムを得る上で、一般式（１）において、ｎ−ブチル基を有するノルボルネン９０ｍｏｌ％とトリエトシキシシリル基を有するノルボルネン１０ｍｏｌ％からなるポリノルボルネン、未置換（置換基が水素原子）ノルボルネン９０ｍｏｌ％とトリエトシシリル基を有するノルボルネン１０ｍｏｌ％からなるポリノルボルネン、および未置換ノルボルネン７５ｍｏｌ％とｎ−ヘキシル基を有するノルボルネン２５ｍｏｌ％からなるポリノルボルネンが好ましい。
【００３１】
また、前記側鎖にトリエトキシシリル基、トリメトキシシリル基の替わりに、エポキシ基を有するノルボルネン５〜９５モル％、好ましくは、２０〜８０モル％、さらに好ましくは３０〜７０％の割合で使用する場合、基材との密着性を向上することができる。
【００３２】
前記環状オレフィン系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１，０００〜１，０００，０００が好ましく、特に５，０００〜５００，０００が好ましく、１０，０００〜２５０，０００がより好ましく、さらには、１２，０００〜７０，０００が好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が前記範囲内であると、耐熱性、半田接合性、フラックスシートのシート性、成形物表面の平滑性等がバランスに優れる。
前記重量平均分子量は、例えばシクロヘキサン又はトルエンを有機溶剤とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算で評価することができる。
【００３３】
前記環状オレフィン系樹脂の分子量分布［重量平均分子量：Ｍｗと、数平均分子量：Ｍｎとの比（Ｍｗ／Ｍｎ）］は、特に限定されないが、５以下が好ましく、特に４以下が好ましく、特に１〜３が好ましい。分子量分布が前記範囲内であると、電気特性に特に優れる。
前記分子量分布を測定する方法としては、例えばシクロヘキサンまたはトルエンを有機溶剤とするＧＰＣで測定することができる。
また、上記方法で重量平均分子量や分子量分布が測定できない環状オレフィン系樹脂の場合には、通常の溶融加工法により樹脂層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを使用することができる。前記環状オレフィン系樹脂のガラス転移温度は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２５℃以上である。
【００３４】
本発明に用いる環状オレフィン系樹脂の含有量としては、硬化性フラックス全体の５ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下であることが好ましい。前記含有量において、未硬化状態のシート性、硬化後の密着力、可撓性および半田接合性がより好ましい。
【００３５】
本発明に用いるフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂および多価フェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂樹脂、ポリビニルフェノール樹脂などが好適に用いることができる。これらの内、多価フェノールノボラック樹脂は、１個のベンゼン環に２個以上のフェノール性ヒドロキシル基有するので、単官能のフェノールノボラック樹脂に比べて、半田接合のフラックスとして、より飛躍的に向上した性能を有する。また、２，４−ジヒドロキシ安息香酸および２，５−ジヒドロキシ安息香酸などのジヒドロキシ安息香酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸および２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸などのヒドロキシナフトエ酸、フェノールフタリン、ヒドロキシ安息香酸、ヒドロキシフェニル酢酸、４-ヒドロキシ-３-メトキシ安息香酸、ジフェノール酸、４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸などは、分子内にカルボキシル基を有するため、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去する作用が向上し、安定した半田接合を達成するのに好適であり、中でも、ジヒドロキシ安息香酸、フェノールフタリンがより好ましい。
【００３６】
本発明に用いるフェノール性水酸基を有する樹脂の、硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）としては、具体的には、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂系、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂系、ビフェノール型エポキシ樹脂系、ナフトール型エポキシ樹脂やレソルシノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂や、上記樹脂と同じ骨格のイソシアネート樹脂やシアネート樹脂であってもよい。また、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族等の骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物やイソシアネート化合物が挙げられる。例えばシリコン変性のエポキシ樹脂が挙げられる。
【００３７】
本発明の熱硬化性フラックスにおいて、フェノール性水酸基を有する樹脂は、５ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下で含まれることが好ましい。５重量％未満であると、金属表面を清浄化する作用が低下し、半田接合できなくなる恐れがある。また、８０重量％より多いと、十分な硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下する恐れがある。フェノール性水酸基を有する樹脂の硬化剤として作用する樹脂の配合量は、例えば、エポキシ基当量またはイソシアネート基当量が、少なくともフェノール性水酸基を有する樹脂のヒドロキシル基当量に対し０．５倍以上、１．５倍以下が好ましいが、良好な金属接合性と硬化物物性が得られる場合はこの限りではない。
【００３８】
本発明の熱硬化性フラックスには、フラックスシートにおけるフラックス層のシート性を向上する上で、上記特性を損ねない範囲で熱可塑性樹脂を用いることができる。前記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂類、ポリウレタン樹脂類、ポリイミドシロキサン樹脂、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル樹脂、ナイロン、スチレン−イソプレン共重合体、スチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体、ポリメチルメタクリレート樹脂などを挙げることができる。
また、接着剤には、上記成分の他に、無機充填材、硬化触媒、着色料、消泡剤、難燃剤、カップリング剤等の各種添加剤や、溶剤を添加しても良い。
【００３９】
本発明の熱硬化性フラックスは、前記各成分を所望の割合で配合し混合して得られる。得られた熱硬化性フラックスは、溶媒に混合して熱硬化性フラックスワニスとして用いることができる。前記溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、トルエン、メシチレン、キシレン、ヘキサン、イソブタノール、ｎ−ブタノール、１−メトキシ，２−プロパノールアセテート、ブチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセルソルブ、セルソルブアセテート、乳酸エチル、酢酸エチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル、ジエチレングリコール、安息香酸−ｎ−ブチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、γ−ブチルラクトン、アニソール等が挙げられる。
【００４０】
本発明のフラックスシートは、熱硬化性フラックスからなるフラックス層と、少なくとも一層以上の剥離可能な保護フィルム層で構成されるであり、以下に本発明のフラックスシートの製造方法について記載する。まず、フラックスシートの材料となる樹脂ワニスを調整する。剥離可能な保護フィルム上に、硬化性フラックスワニスを塗布して、熱硬化性フラックス層を形成し、乾燥して、フラックスシートを得ることができる。保護フィルムとしては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェンレンスルフィド、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン等が挙げられる。塗布方法としては、印刷、カーテンコート、バーコート、コンマコート、ダイコート等が挙げられる。熱硬化性フラックス層の厚みは、加工性、フラックス活性、接着力、熱応力緩和効果等との関係で適宜選択できるが、０．５〜５００μｍが好ましく、１〜２５０μｍがさらに好ましい。乾燥温度としては、使用する溶媒にも依存するが、６０℃〜１８０℃が好ましく、７０℃〜１５０℃がさらに好ましい。また、巻き取りの再に硬化性フラックスシート面と保護フィルム離面の融着防止のために、乾燥後のフラックスシートの塗布面に剥離可能なカバーフィルムを張り合わせてもよい。
【００４１】
次に、本発明のフラックスシートを用いた多層配線板の製造方法の一例を示す。
本発明の多層配線板の製造方法としては、まず、金属箔１０１と絶縁層１０２からなる２層構造体を用意し、絶縁層１０２にビアホール１０３を形成する（図１（ａ））。２層構造体は、金属箔１０１上に樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布することにより得ることができる。さらには、市販の樹脂付銅箔（例えば、ポリイミド付銅箔）のような２層構造体を用意しても良い。また、２層構造体は、ガラスエポキシ両面銅張積層板の一方の銅箔を全面エッチングして得ることもできる。
【００４２】
ビアホール１０３の形成方法は、この製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等が挙げられる。レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザー、エキシマレーザー等を使用することができる。絶縁層１０２がガラスエポキシのように補強繊維を含む場合には、樹脂とガラスクロスを貫通してビアホール１０３を形成することができる炭酸ガスレーザーを使用することが好ましい。絶縁層１０２がポリイミド等の補強繊維を含まない場合には、より微細なビアホール１０３を形成できる紫外線レーザーを使用することが好ましい。また、絶縁層１０２を感光性樹脂とした場合には、絶縁層１０２を選択的に感光し、現像することでビアホール１０３を形成することもできる。
【００４３】
次に、金属箔１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として、電解めっきにより、導体ポスト１０４をビアホール１０３内に形成し、続いて、導体ポスト１０４の先端表面に、半田層１０５を形成する（図１（ｂ））。電解めっきにより導体ポスト１０４を形成すれば、導体ポスト１０４の先端の形状を自由に制御することができ、導体ポストは、絶縁層１０２の表層面と同じか、もしくは、表層面より突出していることが望ましい。表層面より導体ポストを突出させることで、導体ポスト先端に形成された半田が溶融し補強構造を形成した半田接合が得られるからである。
【００４４】
導体ポスト１０４の材質としては、この製造方法に適するものであればどのようなものでも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀およびパラジウム等が挙げられる。特に、銅を用いることで、低抵抗で安定した導体ポスト１０４が得られる。
【００４５】
半田層１０５の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、金属箔１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として電解めっきにより形成する方法、半田を含有するペーストを印刷する方法などの方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導体ポスト１０４に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体ポスト１０４の先端表面以外に半田層１０５が形成されることがないため、導体ポスト１０４の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。
【００４６】
半田層１０５の材質としては、ＳｎやＩｎ、もしくはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｕの少なくとも二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいＰｂフリー半田である。
【００４７】
次に、金属箔１０１を選択的にエッチングすることにより、配線パターン１０６を形成して、接続層１１０を得る（図１（ｃ））。
【００４８】
次に、前記接続層１１０の導体ポスト１０４に対応して配設された層間接続用ランド１０７を有する被接続層１２０の表面にフラックスシート１０８を形成する（図１（ｄ））。フラックスシート１０８の形成方法としては、使用する樹脂に応じて適した方法で良く、例えば、真空ラミネートおよび真空プレス等の方法により積層する方法が挙げられる。図１においては、被接続層１２０の表面に接着剤層を形成する方法を示したが、接続層１１０の半田バンプが形成された面に接着剤層を形成しても良い。
【００４９】
次に、接続層１１０と被接続層１２０とを位置合わせする（図１（ｅ））。位置合わせは、接続層１１０および被接続層１２０に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わせ用のピン等で位置合わせする方法等の方法を用いることができる。
【００５０】
次に、接着剤層１０８と、接続層１１０および被接続層１２０とを密着させる（図１（ｅ））。密着させる方法としては、例えば、真空プレスまたは加圧式真空ラミネーターを用いて、加熱・加圧することにより、接着剤層１０８を軟化させる方法が挙げられる。上記工程においては、半田層１０５と層間接続用ランド１０７とが非接触に保たれていることが好ましい。
【００５１】
次いで、接続層１１０と被接続層１２０とを、半田層１０５を構成する半田の融点以上の温度に加熱して、半田を溶融させるとともに、加圧して半田接合させる（図１（ｆ））。最後に、接着剤層１０８の硬化、必要によりソルダーレジスト形成、個片化等の所望の工程を経て、本発明の多層配線板１３０を得る。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００５３】
（１）接着剤ワニス１の調合
ｍ,ｐ−クレゾールノボラック樹脂（日本化薬(株)製ＰＡＳ−１、ＯＨ基当量１２０）１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量２２０）５００ｇと、フェノールフタリン１５０ｇとポリノルボルネン溶液７００ｇ（プロメラス社製、アバトレル（ブチルノルボルネン９０ｍｏｌ％とトリエトキシシランノルボルネン１０ｍｏｌ％の付加共重合体の３０ｗｔ％メシチレン溶液））を混合・攪拌し、硬化性フラックスワニスを作製した。次に、上記で得た硬化性フラックスワニスをポリエステル（ダイアホイルヘキスト（株）製、Ｔ−１００Ｇ、厚み２５μｍ）フィルムに塗布後、１００℃で２０分乾燥し、５０μｍ厚の硬化性フラックス層を形成し、硬化性フラックスシートを得た。
【００５４】
＜多層配線板製造用配線基板の製造＞
表面を粗化処理した厚み１５０μｍの圧延銅板（金属板２０１・古川電気工業（株）製、ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ）に、ドライフィルムレジスト（旭化成（株）製、ＡＱ−２０５８）をロールラミネートし、所定のネガフィルムを用いて、露光・現像し、導体回路２１１の形成に必要なめっきレジストを形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、金層とニッケル層を電解めっきにより形成し、さらに、電解銅めっきすることにより、銅回路を形成して、導体回路を得た。導体回路は、線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ ／１０μｍとした。次に、樹脂付銅箔（住友ベークライト製）を、真空ラミネートにより、配線パターンの凹凸を埋め込みながら成形し、銅箔を全面エッチングして、２５μｍ厚の絶縁層を形成した。
【００５５】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、絶縁層にトップ径が４５μｍ、ボトム径が２５μｍのビアを形成した。ビア内部およびビア周辺部を、過マンガン酸樹脂エッチング液にて清浄化した後、裏面の圧延銅板を、電解めっき用リード（給電用電極）として、電解銅めっきを行って、ビアを銅で充填し、銅ポストを形成した。ここで、銅ポストの直径が４５μｍとなるよう、電解銅めっきの時間を調整した。次に、銅ポストの表面に、ニッケル層２０５を、電解めっきによって、１μｍの厚みで形成し、続いて、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜を、電解めっきによって、５μｍの厚みで形成して、導体ポストを得た。なお、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜の先端表面の絶縁層表面から突出している高さは、１１μｍであった。最後に、圧延銅板をエッチングして除去した。これにより、導体ポストが、銅ポスト、ニッケル層、半田被膜から構成され、導体回路が、銅回路、ニッケル層、金皮膜から構成される多層配線板製造用配線基板を得た。
【００５６】
＜多層配線板の製造＞
上述の方法によって得られた多層配線板製造用配線基板に対して、バーコートにより、上述の硬化性フラックスシートを、絶縁層の表面、すなわちＳｎ−Ｐｂ共晶半田層が形成された面に、真空ラミネーターを用いてラミネートし、ＰＥＴフィルムをはがして硬化性フラックス層を形成した。
【００５７】
一方、厚み１２μｍ銅箔が両面に形成されたＦＲ−５相当のガラスエポキシ両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＥＬＣ−４７８１）を用い、銅箔を、選択的にエッチングして、回路パターンを形成し、コア基板（コア基板２３０）を得た。
【００５８】
次に、上述の工程により得られた多層配線板製造用配線基板と、コア基板に、予め、形成されている位置決めマークを、画像認識装置により、読み取り、両者を位置合わせし、２５０℃、０．５ＭＰａ、１分間の条件で熱圧着した。これにより、多層配線板を得た。さらに、硬化性フラックス層を硬化させるために、窒素雰囲気下で、２５０℃／６０分間の熱処理を行った。得られた多層配線板をＳＡＴ（超音波映像装置）を用いて硬化性フラックス層とコア基板、または、多層配線板製造用配線基板との界面の剥離の有無を調査した結果、層間剥離およびボイドの発生は認められなかった。
【００５９】
得られた多層配線板の導通を確認した後、−５５℃で１０分、１２５℃で１０分を１サイクルとする温度サイクル試験を実施した。サンプル数は１０個とした。温度サイクル試験１０００サイクル後の断線不良接合部はゼロであった。
【００６０】
得られた多層配線板をＪＥＤＥＣ規格レベル２に準拠した熱処理、吸湿処理を行い、吸湿耐熱信頼性評価を行った。具体的には、１２５℃／２４時間のプレ乾燥を行った後、８５℃６０％ＲＨで１９６時間の吸湿処理を行い、さらにピーク温度が２６０℃の鉛フリー半田対応リフロープロファイルの赤外リフロー炉を３回通した。リフロー後の多層配線板の外観を観察して膨れの有無を確認した。また、ＳＡＴ（超音波映像装置）を用いて多層配線基板内部のボイドの発生、剥離状態について調査した。結果は、実態顕微鏡による外観観察からは膨れ箇所は認められなかった。また、ＳＡＴの結果からも剥離、膨れ、ボイド等の不具合は認められなかった。
【００６１】
また、絶縁層の誘電特性を測定するため、７０μｍ厚の銅箔（商品名：３ＥＣ−ＶＬＰ箔、三井金属（株）製）の光沢面に、上記で得たフラックスシートを、真空ラミネーターを用いてラミネートし窒素雰囲気の乾燥機により、１８０℃で１時間、熱処理して硬化させた。次いで、７０μｍ厚の銅箔を、エッチング除去し、フラックスシートの硬化フィルムを得た。誘電特性の測定は、円筒空洞共振機を用いた摂動法で行い、マイクロ波ネットワークアナライザ  ＨＰ８５１０Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いた。その結果、誘電率は３．４、誘電正接は０．００５であった。
【００６２】
以上のことから、本発明の硬化性フラックスを用いた多層配線板は高い接合部信頼性と高い吸湿耐熱信頼性を有しており、本発明の効果は明白である。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明によれば、半導体チップの搭載時及び多層配線板の層間接続等の半田接合において、確実に半田接合することができ、半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必要なく、接着剤として高い吸湿耐熱信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明のフラックスシートを用いた多層配線板の製造方法の一例を示す。
【符号の説明】
【００６５】
１０１  金属箔
１０２  絶縁層
１０３  ビアホール
１０４  導体ポスト
１０５  半田層
１０６  配線パターン
１０７  層間接続用ランド
１０８  フラックスシート（接着剤層）
１１０  接続層
１２０  被接続層
１３０  多層配線板１３０
【図１】
2006102753.tif 000009