(57)【要約】【課題】  半導体ウェハ表面に、層間絶縁膜や、パッシベーション膜などの、半導体基板と異なる材料からなる表層が形成されていても、改質領域を起点とした切断の際に発生する界面剥離がなく、直進性に優れた分割を可能とする半導体ウェハを提供する。【解決手段】    半導体基板上に積層された表層部分に複数の半導体素子および半導体素子間において個々の半導体装置に分割するための分割領域を備えた半導体ウェハであって、前記分割領域の少なくとも一部に、前記半導体基板の内部に形成される改質領域を起点として生じる劈開を誘導するための分割誘導パターンを形成した。【選択図】  図２
2006203002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に積層された表層部分に複数の半導体素子および半導体素子間において個々の半導体装置に分割するための分割領域を備えた半導体ウェハであって、  前記分割領域の少なくとも一部に、前記半導体基板の内部に形成される改質領域を起点として生じる劈開を誘導するための分割誘導パターンを形成したことを特徴とする半導体ウェハ。
【請求項２】
前記分割誘導パターンが、前記表層部分を積層方向に貫通して形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
前記分割誘導パターンが、連続してライン状に形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体ウェハ。
【請求項４】
前記分割誘導パターンが、不連続な複数の部分パターンの集合体により帯状に形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
前記分割誘導パターンが、連続してライン状に形成されるものと、不連続な複数の部分パターンの集合体により帯状に形成されるものとを複合してなることを特徴とする請求項１及び請求項２記載の半導体ウェハ。
【請求項６】
前記分割誘導パターンが、前記表層部分に形成されたスリットを具備することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項記載の半導体ウェハ。
【請求項７】
前記分割誘導パターンが、層間絶縁膜およびパッシベーションを含む前記表層部において金属層パターンを具備することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項記載の半導体ウェハ。
【請求項８】
前記金属層パターンが、ビアと配線層とのスタック構造をなすことを特徴とする請求項７記載の半導体ウェハ。
【請求項９】
前記金属層パターンが、ドット状パターンをなすことを特徴とする請求項７又は請求項８記載の半導体ウェハ。
【請求項１０】
前記分割誘導パターンが形成されている前記分割領域の幅が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項記載の半導体ウェハ。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハの分割領域に形成された分割誘導パターンに沿ってレーザ光を走査する工程を具備し、レーザ光の照射により前記半導体基板の内部に形成される改質領域を起点として生じる劈開を前記分割誘導パターンで誘導することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１０の何れか１項記載の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法であって、半導体ウェハの分割領域に形成された分割誘導パターンに沿ってレーザ光を走査する工程と、前記分割誘導パターンに沿って分割する機械的応力を半導体ウェハに与える工程とを具備し、レーザ光の照射により前記半導体基板の内部に形成される改質領域を起点として生じる劈開を前記分割誘導パターンで誘導し、前記半導体ウェハを前記分割誘導パターンに沿って個々の半導体装置に分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ光を走査する工程において、半導体基板の内部に集光点をあわせてレーザ光を照射し、多光子吸収により半導体基板の内部に改質領域を形成することを特徴とする請求項１１又は１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザ光を走査する工程において、集光点を変更して複数回の走査を行うことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記レーザ光を走査する工程において、前記分割誘導パターンに接触する位置に改質領域が形成されるように焦光点をあわせることを特徴とする請求項１３又は１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板上に積層された表層部分に半導体素子および分割誘導パターンを有する半導体装置であって、前記半導体装置の側面をなす分割誘導パターンに沿った分割面に、半導体基板に形成された改質領域と、前記改質領域から前記分割誘導パターンに延びた劈開面とを有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハを個々の半導体装置（チップ）に分割するダイシングに関し、ダイシングの際にチッピングがほとんど無く、分割に必要な領域としてのダイシングレーンの幅を狭めることを可能とするもので、特にレーザ加工に最適な半導体ウェハ構造に係る技術である。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハのダイシング方法にはブレードダイシングの手法が最も一般的に用いられてきた。このブレードダイシングは、ダイヤモンドやＣＢＮ（cubic boron nitride）の粒子をボンド材で保持させた環状のダイシングソーを高速回転させて、分割に必要な領域としてのダイシングレーン（ダイシングソーによる実際のダイジング幅）において破砕加工するものである。
【０００３】
ダイシングソーによるダイシングの加工技術においては、ダイヤモンド粒子の粒径や、密度、ボンド材等のダイシングソー仕様や、回転速度、送り速度、切り込み深さなどの設備条件の改善と最適化により、加工品質の向上に取り組まれてきた。
【０００４】
しかし、ダイシングソーによる加工品質の向上には限界がきており、特に以下のような課題に対して、ダイシングソーのような破砕加工では、これ以上の改善は望めなくなってきている。
（１）破砕加工のために、切断面にチッピング（chipping：欠け）が発生することにより、ダイシング後の半導体基板の抗折強度が劣化する。
（２）チッピングの欠片がダストとなり、ダイシング後の工程歩留まりや、信頼性に悪影響を及ぼす。
（３）チッピングがウェハ上の半導体素子の領域に入らないように、実際のダイシング幅（ダイシングレーン）よりも、スクライブライン（Scribe grid）の各スクライブ領域（スクライブレーン）を幅広く取る必要がある。
（４）ダイシングソーの厚みは、その機械的強度を保つために、一般に２０μｍ以上の厚みが必要となる。
（５）近年、半導体のプロセスルールの微細化に伴い、層間絶縁膜には、Ｌｏｗ−ｋ材料（低誘電層間絶縁膜材料）が使用されているが、一般的にＬｏｗ−ｋ材料は脆弱で、かつ密着性が弱いため、ダイシング時のダメージにより、層間膜剥離が非常に発生しやすい。
【０００５】
近年、以上の課題を解決する方法として、レーザ光による加工が注目されてきている。この加工方法には、例えば特許文献１に記載するものがある。これは、多光子吸収により対象物に改質領域を形成するものであり、多光子吸収とは、光子のエネルギーが材料の吸収のバンドギャップよりも小さい場合に、つまり光学的に透過となる場合でも、光の強度を非常に大きくすると材料に吸収が生じる現象である。
【０００６】
特許文献１におけるレーザ加工方法について、図面を参照して説明する。図８は加工対象物である半導体ウェハのスクライブライン（スクライブ領域）およびその周辺を示す平面図であり、図９はレーザ加工中の図８に示すｂ−ｂ´断面図である。図８および図９において、１０１は半導体ウェハ、１０２はスクライブレーン、１０２ａはスクライブレーンの中心、１０３はレーザ光、１０４は改質領域、１０５は改質領域１０４を起点として生じた切断部（クラック）を示している。
【０００７】
まず、多光子吸収を起こさせる条件で、半導体ウェハ１０１の内部に集光点を合わせてレーザ光１０３を照射する。そして、多光子吸収を連続的、または断続的に生じさせながらスクライブレーン１０２の中心（ダイシングレーン）１０２ａに沿ってレーザ光１０３の集光点を走査することにより、半導体ウェハ１０１の内部にスクライブレーン１０２に沿って改質領域１０４を形成する。
【０００８】
この改質領域１０４を起点として生じる劈開により切断部（亀裂）１０５を形成し、ダイシングレーンに沿って半導体ウェハ１０１を割ってダイシングするので、ダイシングレーンからはずれた不必要な割れ、即ちチッピングを発生させること無く半導体ウェハのダイシングを可能としている。また、比較的小さな外力で半導体ウェハ１０１を容易に分割することが出来、特に半導体ウェハ１０１が薄い場合は、特に外力を与えないでも、自然に厚み方向に割れる。半導体ウェハ１０１が厚い場合においても、例えば、改質領域１０４を厚み方向に、平行に複数形成しておけば（図示せず）、容易に分割できるものである。
【０００９】
このため、チッピング起因の抗折強度の低下や、ダスト発生を抑制できるものである。また、ダイシング幅（ダイシングレーン）も破砕加工とは異なり、平面方向に物理的な切削幅をもたないため、スクライブ領域を極めて狭くすることを可能としている。
【特許文献１】特開２００２−１９２３７０号（特許第３４０８８０５号）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１においては、以下のような課題がある。
（１）近年の半導体製造工程においては、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）による平坦化プロセスを入れているため、基本的にスクライブレーンの領域内にも層間絶縁膜が形成されるが、Ｌｏｗ−ｋ材の積層などでは、その層間の密着性が非常に低く、改質領域を起点に切断（劈開）する際のダメージで、層間絶縁膜の界面剥離が発生する。
（２）また、改質領域を起点として切断する場合、改質領域から半導体ウェハの表面までの距離が長い程に、改質領域を起点として発生する劈開の直進性が損なわれるため、結果的に半導体ウェハ表面における劈開の直進性が悪化する。
【００１１】
本発明の目的は、半導体ウェハ表面に、層間絶縁膜やパッシベーションなどの半導体基板と異なる材料からなる表層が形成されていても、改質領域を起点として切断する際に層間絶縁膜等に界面剥離が発生することがなく、切断部の直進性に優れた分割を可能とする半導体ウェハを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以上の課題を解決するため、本発明の半導体ウェハは、半導体基板上に積層された表層部分に複数の半導体素子および半導体素子間において個々の半導体装置に分割するための分割領域を備えた半導体ウェハであって、前記分割領域の少なくとも一部に、前記半導体基板の内部に形成される改質領域を起点として生じる劈開を誘導するための分割誘導パターンを形成したことを特徴とする。
【００１３】
また、前記分割誘導パターンが、前記表層部分を積層方向に貫通して形成されたことを特徴とする。
また、前記分割誘導パターンが、連続してライン状に形成されたことを特徴とする。
【００１４】
また、前記分割誘導パターンが、不連続な複数の部分パターンの集合体により帯状に形成されたことを特徴とする。
また、前記分割誘導パターンが、連続してライン状に形成されるものと、不連続な複数の部分パターンの集合体により帯状に形成されるものとを複合してなることを特徴とする。
【００１５】
また、前記分割誘導パターンが、前記表層部分に形成されたスリットを具備することを特徴とする。
また、前記分割誘導パターンが、層間絶縁膜およびパッシベーションを含む前記表層部において金属層パターンを具備することを特徴とする。
【００１６】
また、前記金属層パターンが、ビアと配線層とのスタック構造をなすことを特徴とする。
また、前記金属層パターンが、ドット状パターンをなすことを特徴とする。
【００１７】
また、前記分割誘導パターンが形成されている前記分割領域の幅が３０μｍ以下であることを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの分割領域に形成された分割誘導パターンに沿ってレーザ光を走査する工程を具備し、レーザ光の照射により前記半導体基板の内部に形成される改質領域を起点として生じる劈開を前記分割誘導パターンで誘導することを特徴とする。
【００１８】
また、半導体ウェハの分割領域に形成された分割誘導パターンに沿ってレーザ光を走査する工程と、前記分割誘導パターンに沿って分割する機械的応力を半導体ウェハに与える工程とを具備し、レーザ光の照射により前記半導体基板の内部に形成される改質領域を起点として生じる劈開を前記分割誘導パターンで誘導し、前記半導体ウェハを前記分割誘導パターンに沿って個々の半導体装置に分割することを特徴とする。
【００１９】
また、前記レーザ光を走査する工程において、半導体基板の内部に集光点をあわせてレーザ光を照射し、多光子吸収により半導体基板の内部に改質領域を形成することを特徴とする。
【００２０】
また、前記レーザ光を走査する工程において、集光点を変更して複数回の走査を行うことを特徴とする。
また、前記レーザ光を走査する工程において、前記分割誘導パターンに接触する位置に改質領域が形成されるように焦光点をあわせることを特徴とする。
【００２１】
本発明の半導体装置は、半導体基板上に積層された表層部分に半導体素子および分割誘導パターンを有する半導体装置であって、前記半導体装置の側面をなす分割誘導パターンに沿った分割面に、半導体基板に形成された改質領域と、前記改質領域から前記分割誘導パターンに延びた劈開面とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体ウェハによれば、半導体ウェハをエキスパンドなどで分割した際に、半導体基板の内部に形成された改質領域を起点として発生する劈開の切断部（亀裂）は、半導体基板の厚み方向において表層部分に形成された分割誘導パターンに向かって進展するため、不要な蛇行が発生しない。
【００２３】
また、分割誘導パターンが前記表層部分を積層方向に貫通して形成されたことにより、改質領域を起点として発生した劈開は、半導体基板の厚み方向において表層部分に形成された分割誘導パターンに向かって進展し、表層部分を積層方向に貫通するように形成された誘導パターンを伝うようにして表層部分に進展して表層部分を分割するため、表層部分の界面剥離が発生することがない。
【００２４】
また、分割誘導パターンが連続してライン状に形成されたことにより、改質領域を起点として発生した劈開は、半導体基板の厚み方向において表層部分に形成された分割誘導パターンに向かって進展し、さらにライン状に形成された誘導パターンに沿って進展して半導体ウェハを分割するため、直進性に優れた分割面が得られる。
【００２５】
また、分割誘導パターンが不連続な複数の部分パターンの集合体により帯状に形成されたことにより、改質領域を起点として発生した劈開は、半導体基板の厚み方向において表層部分に形成された分割誘導パターンに向かって進展するが、このとき、誤差要因によって突発的な蛇行が発生した場合にあっても、分割誘導パターンが帯状に幅をもつことで、分割ライン（ダイシングライン）が帯状の分割誘導パターン内に入る。即ち、蛇行に対してのマージンが得られるため、劈開（亀裂）の誘導がより効果的に発揮される。
【００２６】
また、分割誘導パターンが、連続してライン状に形成されるものと、不連続な複数の部分パターンの集合体により帯状に形成されるものとを複合してなることにより、ライン状に形成された分割誘導パターンによる直進性と、帯状に形成された分割誘導パターンによる突発性の蛇行に対するマージンが得られるものである。
【００２７】
ここで、分割誘導パターンは、例えば、スリット、金属層パターン、およびビアなどであり、一般的な半導体ウェハの工程の中で作成できるので、特別な工程を追加することなく作成が可能である。
【００２８】
また、金属層パターンが、ビアと配線層とのスタック構造をなすことにより、表層部の層間絶縁膜に釘を打ったような状態となして層間絶縁膜の密着性を向上し、半導体ウェハ分割時における界面剥離を抑制する効果が得られるとともに、半導体ウェハ分割時のエネルギー伝播をスタック方向に助長することで、より分割性をよくすることができる。
【００２９】
また、金属層パターンの形状をドット状にすることで、金属層パターンと、金属層パターンを覆っている層間絶縁膜との接触面積が増加することで、界面の密着性を向上し、半導体ウェハ分割時の界面剥離を抑制する効果が得られる。
【００３０】
また、本発明の分割誘導パターンによれば、半導体ウェハの分割の際に不要な蛇行が発生しないため、分割領域の幅は３０μｍ以下とすることが可能となり、本来、半導体ウェハとして不要な領域である分割領域の占有面積を大幅に削減することが可能である。
【００３１】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、レーザ光は分割誘導パターンに沿って走査されるため、レーザ光の加工点（改質領域）は分割誘導パターンと重なるように形成される。従って、半導体ウェハが分割される際に、加工点を起点として発生するクラックは容易に分割誘導パターンに向かって進展し、分割誘導パターンをはずれた不要な蛇行を生じることがない。
【００３２】
また、半導体ウェハの分割領域に形成された分割誘導パターンに沿ってレーザ光を走査する工程と、前記分割誘導パターンに沿って分割する機械的応力を半導体ウェハに与える工程とを具備することにより、半導体ウェハに加えられた機械的応力が、分割誘導パターンに沿って走査されたレーザ光によって形成された加工点（改質領域）に作用し、加工点から分割誘導パターンへの劈開（亀裂）を進展させることによって、半導体ウェハの分割が容易になされる。ここで、レーザ光の走査は、半導体基板内部に焦光点をあわせ、半導体基板内部に改質領域を形成する工程とすることで、レーザ加工時の溶融物の飛散を防止することができる。
【００３３】
また、レーザ光を走査する工程において集光点を変更して複数回の走査を行うことにより、半導体基板内部に深さの異なる改質領域が複数本形成されるので、例えば、厚いウェハなどにおいても容易に分割が可能となる。
【００３４】
また、レーザ光を走査する工程において分割誘導パターンに接触する位置に改質領域が形成されるように焦光点をあわせることにより、改質領域が分割誘導パターンと接触して形成されるので、半導体ウェハの分割が確実に分割誘導パターンに沿ってなされることとなり、極めて良好な分割品質が得られる。
【００３５】
本発明の半導体装置によれば、半導体装置の側面をなす分割誘導パターンに沿った分割面に、半導体基板に形成された改質領域と、前記改質領域から前記分割誘導パターンに延びた劈開面とを有することにより、半導体装置の側面は整然と延びた分割面となり、従来のダイシングソーを用いた破砕面を有する半導体装置とくらべ極めてチッピングの少なく、機械的な強度に優れているとともに、極めて位置寸法精度の高い半導体装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明の半導体ウェハの一実施形態について、以下、図面を参照しながら説明する。
（第一の実施形態）
図１は半導体ウェハの分割領域であるスクライブレーン、およびその周辺を示す平面図、図２は図１におけるａ−ａ´断面図である。
【００３７】
図１および図２において、１は半導体ウェハ、２は半導体デバイス（半導体素子）、３はスクライブレーン（分割領域）、４はシリコンなどの半導体基板、５はシリコン酸化膜や有機ガラスに代表される層間絶縁膜、６はシリコンナイトライドやポリイミドなどのパッシベーション、７はライン状分割誘導パターン、８は帯状分割誘導パターンを示している。
【００３８】
図１に示すように、半導体ウェハ１には半導体基板４の上に積層した表層部分に複数の半導体デバイス２およびスクライブレーン３が形成されており、複数の半導体デバイス２はスクライブレーン３によって区切られている。スクライブレーン３は、半導体ウェハ１から各半導体デバイス２を個々に分割する際の分割領域である。
【００３９】
また、図２に示すように、スクライブレーン３には表層部分を積層方向に貫通して形成され分割誘導パターン２０が形成されており、分割誘導パターン２０はライン状分割誘導パターン７および帯状分割誘導パターン８を複合してなるものであり、帯状分割誘導パターン８はライン状分割誘導パターン７を中心に含んでその両側に帯状に形成されている。
【００４０】
ライン状分割誘導パターン７は連続したライン状をなし、層間絶縁膜５を積層した表層部に金属層パターンを具備する。金属層パターンは層間絶縁膜５を貫通するように形成されてラインビア７ａと配線層で形成された配線パターン７ｂとのスタック構造で構成され、ラインビア７ａおよび配線パターン７ｂはライン状分割誘導パターン７に沿って連続する形状をなす。ここで、ラインビア７ａには、例えばタングステン、銅、アルミニウム、またはポリシリコンなどが用いられる。また、配線パターン７ｂには、アルミニウム、銅などが用いられる。
【００４１】
帯状分割誘導パターン８は不連続な複数の部分パターンの集合体により形成された帯状をなし、各部分パターンは層間絶縁膜５を積層した表層部に金属層パターンを具備し、金属層パターンは層間絶縁膜５を貫通するように形成されたビア８ａと、配線層で形成されたドットパターン８ｂのスタック構造で構成され、ビア８ａおよびドットパターン８ｂは部分パターン毎に不連続な形状をなす。ここで、ビア８ａは、ラインビア７ａと同様の材料で形成され、ドットパターン８ｂは配線パターン７ｂと同様の材料で形成されている。
【００４２】
また、半導体ウェハ１の最上層にはパッシベーション６が形成されており、分割誘導パターン２０の上面を含むスクライブレーン３の領域にはスリット状にパッシベーション６が開口されている。ここでは、パッシベーション６の開口がスクライブレーン３の全幅にわたって設けられているが、ライン状分割誘導パターン７に対応する部位にのみ開口させても問題はない。
【００４３】
次に、図３を参照して本発明の半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法を説明する。図３は図２の半導体ウェハ１による半導体装置の製造方法を示す模式図である。
図３において、９はレーザ光、１０はレーザ光によって加工された改質領域、１１は分割の際に発生した層間絶縁膜５の間における界面剥離を示すものであり、他の部材は図１および図２において示すものと同様であるので説明を省略する。
【００４４】
まず、図３（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１の半導体基板４の側からレーザ光９を照射する。このレーザ光９の照射は、半導体基板４を透過する波長のレーザ光９を用いて、半導体基板４の内部に集光点をあわせ多光子吸収が生じるように行う。
【００４５】
そして、半導体ウェハ１の厚み方向においてライン状分割誘導パターン７と重なるように、且つライン状分割誘導パターン７に沿ってレーザ光９を走査し、図３（ｃ）に示すように、改質領域１０を形成する。
【００４６】
次に、図３（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１にエキパンド等により外力を加えることで、改質領域１０を起点に劈開（亀裂）２１を成長させる。この際に劈開（亀裂）２１は半導体ウェハ１の厚み方向でライン状分割誘導パターン７に向かって進展する。これは、複数の要素の接点に応力が集中する現象を利用したものである。
【００４７】
その後に劈開（亀裂）２１は表層部分を積層方向に貫通して形成されたライン状分割誘導パターン７の側壁２２に沿って進展し、図３（ｅ）に示すような分割に至る。この際に、層間絶縁膜５が、Ｓｉ０Ｃ、ＳｉＣ等のＬｏｗ−ｋ材料などを用いている場合は、層間絶縁膜５の間の密着強度が弱いために、分割時のダメージで界面剥離１１が発生する場合があるが、帯状分割誘導パターン８によって界面剥離１１の進行が抑制されるため、界面剥離１１は帯状分割誘導パターン８を越えることはない。
【００４８】
このように、半導体ウェハ１の分割は、改質領域１０を起点とする劈開によりライン状分割誘導パターン７の側壁２２に沿って延在する劈開面において行われるために、その加工幅（ダイシングレーン）は物理的な幅を持たず、さらに帯状分割誘導パターン８によって界面剥離１１も抑制されることで、不要なチッピングや界面剥離、及び蛇行を極めて小さくして分割することが可能である。
【００４９】
従って、スクライブレーン３は狭くすることができる。本発明者の試算によれば、使用している層間絶縁膜材料や構造にもよるが、本実施の分割誘導パターン２０により、スクライブレーン３を１５μｍ〜３０μｍ幅まで狭くできることを確認している。
【００５０】
上述したように、半導体の製造工程の中で形成された極めて高い位置精度のライン状分割誘導パターン７によって半導体ウェハ１の劈開位置を決定することにより、半導体ウェハ１の分割によって得られる半導体装置は、その側面をなす分割誘導パターン２０に沿った分割面に、半導体基板４に形成された改質領域１０と、改質領域１０から分割誘導パターン２０に延びた劈開面とを有することになり、半導体装置の側面は整然と延びた分割面となり、従来のダイシングソーを用いた破砕面を有する半導体装置とくらべ極めてチッピングの少なく、機械的な強度に優れているとともに、極めて位置寸法精度の高い半導体装置となる。
（第二の実施形態）
図４は、本発明の第二の実施形態を示すものであり、図１におけるａ−ａ´断面図である。また、図５は図４の半導体ウェハ１による半導体装置の製造方法を示す模式図である。
【００５１】
図１、図４および図５において、１２はパッシベーション６に設けられたスリットであり、他の部材は図１および図２において示すものと同様であるので説明を省略する。
本実施形態では、第一の実施例と異なり、帯状分割誘導パターンは特に設けず、ライン状分割誘導パターン７とライン状分割誘導パターン７に沿ったスリット１２によって分割誘導パターン２０を形成したものであり、ライン状分割誘導パターン７はラインビア７ａのみのスタック構造としている。
【００５２】
これは例えば、層間絶縁膜５の間の密着性が高く、層間膜剥離などの懸念がない場合などに用いられるとともに、図５に示すような製造方法に適している。
図５に示す製造方法においては、図５（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１の半導体基板４の側からレーザ光９を照射する。このレーザ光９の照射は、半導体基板４を透過する波長のレーザ光９を用いて、ライン状分割誘導パターン７に接触する位置に集光点をあわせ多光子吸収が生じるように行う。
【００５３】
そして、半導体ウェハ１の厚み方向においてライン状分割誘導パターン７と重なるように、且つライン状分割誘導パターン７に沿ってレーザ光９を走査し、図５（ｃ）に示すように、改質領域１０ａを形成する。
【００５４】
その後、図５（ｄ）に示すように、レーザ光９の集光点をずらして、再びライン状分割誘導パターン７に沿ってレーザ光９を操作し、図５（ｅ）に示すような改質領域１０ｂを形成する。
【００５５】
次に、図５（ｆ）に示すように、エキスパンド等により外力を加えて改質領域１０ａ、及び１０ｂを起点に生じる劈開（亀裂）２１によって分割し、半導体装置を形成する。
この方法によれば、改質領域１０ａ、又は１０ｂから生じる劈開（亀裂）２１は、ライン状分割誘導パターン７に沿って確実に延在することになり、より精度の高い半導体装置を得ることができるとともに、半導体ウェハ１の厚みが大きい場合でも高精度に分割することが可能である。さらに、勿論のことに、本実施形態において、第一の実施形態における帯状分割誘導パターンを形成することは可能である。
（第三の実施形態）
図６は本発明の第三の実施形態を示すものであり、図１におけるａ−ａ´断面図である。図６においては、第一の実施形態と異なり、ライン状分割誘導パターンを設けずに、帯状分割誘導パターン８のみによって分割誘導パターン２０を形成している。
【００５６】
ここでドットパターン８ｂは、格子状に配列しているが、特に行列が揃っていなくても構わず、例えば千鳥配置でも良いし、また、ビア８ａのみのスタック構造や、ビア８ａを形成しないドットパターン８ｂのみの構造でも勿論構わない。
【００５７】
さらに、本実施形態においては、ドットパターン８ｂの集合で帯状分割誘導パターン８を構成しているが、第二の実施形態に示すライン状分割誘導パターン７を複数本並行して配置する構成としても良い。
（第四の実施形態）
図７は、本発明の第四の実施形態を示すものであり、図１におけるａ−ａ´断面図である。
【００５８】
図７においては、第二の実施形態と異なり、ライン状分割誘導パターン７のラインビア７ａを層間絶縁膜５の最表層まで貫通させていない。これは、例えばビアが銅などの腐食しやすい材料で形成されて半導体ウェハ１の表面に露出できない場合に有効である。
【００５９】
なお、上述した実施形態では特に図示していないが、半導体基板４にＬＯＣＯＳ（Local  Oxidantion  of  Silicon）や、ＳＴＩ（Shallow  Trench  Isolation）といわれる素子分離構造や、ポリシリコンなどで形成されたゲート及び配線などを形成しても構わないし、半導体基板４としては、ＳｉＧｅ基板や、ＧａＡｓ基板などの化合物半導体基板でも勿論構わない。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の半導体ウェハ及びそれを用いた製造方法ならびに半導体装置は、シリコン基板や、化合物半導体基板の分割において、無用なチッピングを無くし、切削幅を狭めることができ、極めて加工位置制度に優れた高品質な半導体装置を製造するのに適し、特に、分割ライン上に、脆弱な膜等の異材質が形成されている半導体基板等の高品位・高精度な分割として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第一、第二、第三、および第四の実施形態にかかる、半導体ウェハの分割領域であるスクライブレーン、およびその周辺を示す平面図
【図２】本発明の第一の実施形態にかかる半導体ウェハの断面図
【図３】本発明の第一の実施形態にかかる半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法を示す模式図
【図４】本発明の第二の実施形態にかかる半導体ウェハの断面図
【図５】本発明の第二の実施形態にかかる半導体ウェハを用いた分割方法を示す断面図
【図６】本発明の第三の実施形態にかかる半導体ウェハの断面図
【図７】本発明の第四の実施形態にかかる半導体ウェハの断面図
【図８】従来の半導体基板のダイシング方法を示す被レーザ加工物である半導体ウェハのスクライブレーンおよびその周辺を示す平面図
【図９】従来の半導体基板のダイシング方法を示す断面図
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体ウェハ
２  半導体デバイス
３  スクライブレーン（分割領域）
４  半導体基板
５  層間絶縁膜
６  パッシベーション
７  ライン状分割誘導パターン
７ａ  ラインビア
７ｂ  配線パターン
８  帯状分割誘導パターン
８ａ  ビア
８ｂ  ドットパターン
９  レーザ光
１０、１０ａ、１０ｂ  改質領域
１１  界面剥離
１２  スリット
２０  分割誘導パターン
２１  劈開（亀裂）
２２  側壁
１０１  半導体基板
１０２  ダイシングライン
１０２ａ  ダイシングラインの中心
１０３  レーザ光
１０４  改質領域
１０５  改質領域を起点とするクラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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