(57)【要約】【課題】  シール剤に含有されている気泡を効率的かつ容易に脱泡することができる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置を提供する。【解決手段】  電気光学物質を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、電気光学物質の周囲に形成されたシール剤とを具備する電気光学装置の製造方法であって、第１基板上にシール剤を描画する描画工程Ｓ１と、シール剤が描画された第１基板を真空雰囲気に曝すシール剤の脱泡工程Ｓ４と、電気光学物質を介在させて第１基板と第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程Ｓ５とを含むこと、を特徴とする。【選択図】  図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記電気光学物質の周囲に形成されたシール剤とを具備する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板上に前記シール剤を描画する描画工程と、
前記シール剤が描画された前記第１基板を真空雰囲気に曝すシール剤の脱泡工程と、
前記電気光学物質を介在させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
を含むこと、
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記脱泡工程においては、前記第１基板を加熱すること、
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板を加熱しながら前記第２基板を加熱すること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記脱泡工程においては、前記真空雰囲気の圧力値を変動させること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記描画工程の前に、シール剤を攪拌して脱泡すること、
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記描画工程は、大気圧雰囲気で行うこと、
を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記脱泡工程と前記貼り合わせ工程とを同一のチャンバ内において行うこと、
を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記脱泡工程を第１チャンバ内において行い、
前記貼り合わせ工程を前記第１チャンバとは異なる第２チャンバ内において行うこと、
を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
電気光学物質を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記電気光学物質の周囲に形成されたシール剤とを具備する電気光学装置の製造装置であって、
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を行うこと、
を特徴とする電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話等の電子機器におけるカラー画像表示部においては、液晶装置等の電気光学装置が使用されている。このような液晶装置は、一対の透明基板の間に液晶層が挟持された構成を有している。当該液晶装置の製造方法は、基板の表面周縁部に形成されたシール剤の一部に液晶の注入口を形成し、当該注入口から液晶層を注入する方法が一般的である。近年では、上記液晶注入口を有しない枠状のシール剤を設けた基板上に液晶を滴下し、基板の貼り合わせを行う滴下組立法（ＯＤＦ法）が提案されている。
【０００３】
ところで、滴下組立法による液晶装置の製造方法においては、シール剤中に気泡が残留していると、加熱加圧によってシール剤を硬化させた後に気泡痕がシール剤中に残留してしまい、気泡痕から液晶が流出する等の不具合が生じてしまう。
そこで、シール剤中の気泡を十分に除去するための脱泡技術が求められていた。シール剤に含有されている気泡を脱泡する技術としては、真空攪拌機を利用した自転・公転により何回も繰り返して脱泡する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−９６０２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような脱泡方法においては、取扱液を遠心力で加速させて脱泡する場合、容器が大型化してしまい、コスト負担が大きくなってしまうという問題がある。また、一旦真空状態に減圧したものを大気開放するため、シール剤が大気に接触し、気泡の混入を抑制することができないという問題もある。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、シール剤に含有されている気泡を効率的かつ容易に脱泡することができる電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
即ち、本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学物質を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記電気光学物質の周囲に形成されたシール剤とを具備する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板上に前記シール剤を描画する描画工程と、前記シール剤が描画された前記第１基板を真空雰囲気に曝すシール剤の脱泡工程と、前記電気光学物質を介在させて前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を含むこと、を特徴としている。
【０００７】
ここで、電気光学物質又は電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。従って、例えば液晶装置や有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置、無機ＥＬ装置に代表される発光装置等を含む概念である。
【０００８】
このようにすれば、シール剤が第１基板上に描画されることによって、シール剤の表面積が描画前に比べると大きくなる。具体的には、シール剤の表面積は、シール剤の描画の長さと、第１基板上における単位長さ当りのシール剤表面積との積でシール剤の表面積が決定される。その後に、脱泡工程を施すことにより、シール剤の内部に含有されている気泡が、シール剤の表面を介してその外部に放出される。従って、シール剤中の気泡を除去（脱泡）することができる。
また、従来の真空攪拌機を利用する方法と比較すると、真空攪拌機内のシール剤の表面積が小さいためにその表面から放出する気泡量が少なく脱泡効率が低い。
これに対して、本発明においては、第１基板にシール剤を描画した後に脱泡工程が行われるので、第１基板上でシール剤の表面積を大きくさせた状態で脱泡工程を施すことができる。即ち、従来と比較して、真空雰囲気に曝される表面積が大きくなり、その表面から放出する気泡量が多く、脱泡効率を向上させることができる。また、繰り返し攪拌する必要もないので、短時間に脱泡を行うことができる。
このように、脱泡が行われることによって、気泡の残留に起因するシール剤の細りを抑制できる。また、貼り合わせ工程における加熱加圧によってシール剤を硬化させた後に、気泡痕がシール剤中に残留するのを防止できる。従って、液晶を注入する際に気泡痕から液晶が流出する等の不具合を防止できる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記脱泡工程においては、前記第１基板を加熱すること、を特徴としている。
このようにすれば、第１基板の基板本板を伝熱して、第１基板に接触状態にあるシール剤、即ち、第１基板に描画されたシール剤が加熱される。これによって、シール剤の温度が高くなって粘度が低下し、シール剤中の気泡の脱泡性（気泡の抜け易さ）を向上させることができる。また、第１基板を加熱していない場合、即ち、高粘度の状態のシール剤に対して脱泡を行う場合と比較して、気泡の脱泡効率を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記第１基板を加熱しながら前記第２基板を加熱すること、を特徴としている。
また、本発明においては、第１基板と第２基板の温度は等しいことが好ましい。
また、第１基板と第２基板とを同一チャンバ内で加熱する場合には、第２基板の加熱は脱泡工程と同時に行う。また、第１基板と第２基板とを各々別に加熱する場合には、第１基板における脱泡工程と並行して、第２基板を加熱する。また、第２基板の加熱は必ずしも真空雰囲気において行う必要はなく、第１基板への加熱と同程度の加熱を施せばよい。
【００１１】
シール剤が描画されている第１基板のみに加熱を行う場合では、第１基板の基板本体と、第２基板の基板本体との温度差が生じる。そして、当該温度差に起因して第１基板と第２基板との熱膨張の差異が生じることとなり、温度が高い側の基板が膨張して温度が低い側の基板よりも長くなってしまう。このように長さが異なっている場合では、貼り合わせ工程において、第１基板と第２基板との位置ズレが生じ、貼り合わせ不良を招いてしまう。そこで、本発明のように、第１基板と第２基板とを共に加熱することにより、第１基板と第２基板とが共に熱膨張するので、熱膨張に起因する基板の位置ズレを抑制できる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記脱泡工程においては、前記真空雰囲気の圧力値を変動させること、を特徴としている。
ここで、「圧力値を変動させる」とは、時間軸と圧力軸とからなる圧力特性において、時間の進行方向に対して、所定の圧力値よりも高したり、低くしたりすることを意味する。また、圧力値の変動を連続的に繰り返してもよい。
このようにすれば、気泡がシール剤の内部から外部に抜ける際に、圧力値に応じて気泡が膨張したり縮小したりしながら脱泡される。これによりシール剤中から気泡が抜ける脱泡効率を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記描画工程の前に、シール剤を攪拌して脱泡すること、を特徴としている。
このようなシール剤を攪拌しながら行う脱泡方法は、真空雰囲気において行われる。
このようにすれば、シール剤を真空雰囲気において攪拌することで、当該シール剤に含まれる所定量の気泡を描画工程の前に除去することができる。攪拌による脱泡は、上記した描画後の真空雰囲気における脱泡工程と比べて脱泡効率が劣るものの、描画前に攪拌脱泡することで、シール剤に含まれる気泡を粗雑に脱泡することができる。そして、攪拌脱泡されたシール剤を上記のように描画し、真空雰囲気において脱泡することで、シール剤中の微細な気泡等を確実に除去することができる。
このように、描画前と描画後とにおいて、２段階で気泡を脱泡するので、シール剤に含まれる気泡をより確実に脱泡することができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記描画工程は、大気圧雰囲気で行うこと、を特徴としている。
このようにすれば、真空雰囲気でシール剤を描画する必要がなく、容易に描画工程を行うことができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記脱泡工程と前記貼り合わせ工程とを同一のチャンバ内において行うこと、を特徴としている。
このようにすれば、同一のチャンバ内において、脱泡工程と貼り合わせ工程とを連続的に行うことができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記脱泡工程を第１チャンバ内において行い、前記貼り合わせ工程を前記第１チャンバとは異なる第２チャンバ内において行うこと、を特徴としている。
ここで、第１チャンバと第２チャンバとの間には、当該第１チャンバ及び第２チャンバの各々を隔離するゲートバルブが設けられていることが好ましい。これによって、第１チャンバ及び第２チャンバの各々の真空雰囲気を維持することができる。
【００１７】
また、脱泡工程と貼り合わせ工程とを各々別のチャンバにおいて行うので、複数の電気光学装置を製造する場合において生産性を向上させることができる。具体的に説明すると、シール剤の脱泡が施されていない処理前の第１基板の脱泡工程を第１チャンバにおいて行いながら、シール剤の脱泡が施された処理済の第１基板の貼り合わせ工程を第２チャンバにおいて行うことができる。
また、第１チャンバにおいて脱泡が終了し、かつ、第２チャンバにおいて貼り合わせが終了した後には、第２チャンバから貼り合わされた基板が搬出され、第１チャンバから第２チャンバに向けてシール剤が脱泡された第１基板が搬送され、シール剤の脱泡が施されていない処理前の第１基板が第１チャンバに搬入される。
従って、本発明における製造方法においては、脱泡工程や貼り合わせ工程を含む全工程のうち、処理時間が長い工程の処理時間によってタクトタイムが決定される。一方、同一のチャンバ内において脱泡工程と貼り合わせ工程とを連続的に行う場合では、脱泡工程と貼り合わせ工程との処理時間の和によってタクトタイムが決定される。即ち、本発明のように、第１チャンバと第２チャンバの各々において脱泡工程と貼り合わせ工程を並行して行うことができ、生産性を向上させることができる。
【００１８】
また、本発明の電気光学装置の製造装置は、電気光学物質を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、前記電気光学物質の周囲に形成されたシール剤とを具備する電気光学装置の製造装置であって、先に記載の電気光学装置の製造方法を行うこと、を特徴としている。
ここで、本発明の電気光学装置の製造装置は、上記の製造方法を行うために、第１基板上に前記シール剤を描画するシール剤描画手段と、第１基板が真空雰囲気において曝される空間としてのチャンバと、当該チャンバ内において排気量調整用のバルブや真空ポンプを備えたりチャンバ内にパージガスを導入したりする圧力調整手段と、第１基板と第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ手段と、を備えることが好ましい。更に、第１基板や第２基板を加熱する加熱手段も具備されていることが好ましい。
このようにすれば、上述の製造方法と同様の効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２０】
（液晶装置）
まず、本発明に係る製造方法により得られる電気光学装置の一形態である液晶装置について説明する。
図１は、本発明に係る液晶装置について、各構成要素とともに示す対向基板（第１基板）側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図４は液晶装置の部分拡大断面図である。
【００２１】
図１及び図２において、本実施形態の液晶装置（電気光学装置）１００は、液晶５０を挟持して対向配置されたＴＦＴアレイ基板（第２基板）１０と対向基板（第１基板）２０と、液晶５０の周囲に形成されたシール剤５２とを具備する構成となっている。具体的には、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが熱硬化性の封止材であるシール剤５２によって貼り合わされ、このシール剤５２によって区画された領域内に封入材としての液晶（電気光学物質）５０が封入、保持されている。シール剤５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えないものとなっている。
【００２２】
シール剤５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール剤５２の外側領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００２３】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２４】
このような構造を有する液晶装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００２５】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶装置１００を実現することができる。
【００２６】
図４は液晶装置１００の部分拡大断面図であって、ガラス基板１０’を主体として構成されるＴＦＴアレイ基板１０上には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており（図３参照）、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）がそれぞれ電気的に接続されている。また、画素電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａおよび走査線３ａに対して接続されている。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール１５及びドレイン電極６ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域に電気的に接続されている。なお、画素電極９の表層にはポリイミド主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜１２が形成されている。
【００２７】
一方、対向基板２０においては、上基板側のガラス基板２０’上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクスまたはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０がシール剤５２（図１参照）により基板内に封入されている。
【００２８】
（液晶装置の製造装置）
次に、液晶装置１００の製造工程のうち、基板に対してシール剤を描画する描画工程、基板に対して液晶を滴下する液晶滴下工程、シール剤に含まれる気泡を脱泡する脱泡工程、基板を貼り合わせる貼り合わせ工程、シール剤を硬化させるシール剤硬化工程、に至る工程を行うデバイス製造装置（電気光学装置の製造装置）について説明する。
【００２９】
図５は、デバイス製造装置６１の概略構成図である。
デバイス製造装置６１は、図５に示すように、基板の給材及び除材を行う基板給除部６２と、基板上にシール剤を描画したり液晶を滴下したりする材料供給部（シール剤描画手段）６３と、基板を貼り合わせる基板貼り合わせ部（貼り合わせ手段）６４と、貼り合わされた基板に加熱加圧を施す加熱加圧部１６４とを、主体として備えた構成となっている。
【００３０】
（材料供給部）
図６は、基板給除部６２および材料供給部６３の概略構成図である。
なお、以下の説明では、基板の表面に沿う方向をＸ方向（例えば図６中、左右方向）及びＹ方向（例えば図６中、紙面と垂直な方向）とし、ＸＹ平面と直交する方向をＺ方向として説明する。
材料供給部６３は、図６に示すように、基板を保持してＸ方向、Ｙ方向及びθ方向（Ｚ軸と平行な軸周りの回転方向）に移動自在なテーブル６５と、テーブル６５の上方に配設され液晶材料（電気光学物質）を吐出、滴下する液滴吐出ヘッド６６と、液滴吐出ヘッド６６の近傍に配設されシール剤を塗布するシール剤塗布部（シール剤描画手段）６７とを主体に構成されている。
【００３１】
また、基板給除部６２は、材料供給部６３と基板貼り合わせ部６４との間、及び基板貼り合わせ部６４と加熱加圧部１６４との間、で基板を搬送するキャリアを主な構成要素としている。
なお、基板給除部６２は、図６に示した構成の他に、搬送ロボットや搬送アーム等を備え、材料供給部６３、基板貼り合わせ部６４、及び加熱加圧部１６４を接続する搬送機能を有したユニットを含んだ構成としてもよい。
【００３２】
シール剤塗布部６７から塗布されるシール剤には、略球形状のギャップ制御材が含まれており、ギャップ制御材の直径は、基板のセルギャップを所定厚さ（例えば３μｍ）に保持できる寸法（例えば直径８μｍ）に形成されている。
なお、液晶材料を滴下させるのに液滴吐出ヘッド６６の他に、精密薬液吐出機（計量型ディスペンサ）など、滴下する液晶材料量を制御できるものであればどのような装置を用いてもよい。また、ギャップ制御材は略球形状に形成され、シール剤に含まれるものに限られることなく、繊維形状に形成されシール剤に含まれるものや、シール剤に含まれず基板から柱状に突出して形成されたもの等さまざまなものを使用することができるが、基板の所定位置に固定され、基板の貼り合わせ時等において基板上を移動しないものを用いることが好ましい。
【００３３】
図６に示した液滴吐出ヘッド６６としては、例えば図７に示す構成の液滴吐出ヘッドを用いることができる。液滴吐出ヘッド６６のヘッド本体９０には、リザーバ９５および複数のインク室（圧力発生室）９３が形成されている。リザーバ９５は、各インク室９３に液晶等の電気光学物質を含むインクを供給するための流路になっている。また、ヘッド本体９０の一方端面には、インク吐出面６６Ｐを構成するノズルプレートが装着されている。そのノズルプレートには、各インク室９３に対応して、インクを吐出する複数のノズル９１が開口されている。そして、各インク室９３から対応するノズル９１に向かって流路が形成されている。一方、ヘッド本体９０の他方端面には振動板９４が装着されている。
この振動板９４はインク室９３の壁面を構成している。その振動板９４の外側には、各インク室９３に対応して、ピエゾ素子（圧力発生手段）９２が設けられている。ピエゾ素子９２は、水晶等の圧電材料を一対の電極（図示せず）で挟持したものである。
【００３４】
図８は、ピエゾ素子の駆動電圧波形Ｗ１と、その駆動電圧に対応した液滴吐出ヘッド６６の動作を示す概略図である。以下には、ピエゾ素子９２を構成する一対の電極に対して、波形Ｗ１の駆動電圧が印加された場合について説明する。まず正勾配部ａ１，ａ３では、ピエゾ素子９２が収縮してインク室９３の容積が増加し、リザーバ９５からインク室９３内にインクが流入する。また負勾配部ａ２では、ピエゾ素子９２が膨張してインク室９３の容積が減少し、加圧されたインク９９がノズル９１から吐出される。そして、この駆動電圧波形Ｗ１の振幅および印加回数等により、インクの塗布量が決定される。
【００３５】
なお、液滴吐出ヘッド６６の駆動方式として、ピエゾ素子９２を用いたピエゾジェットタイプに限られず、例えば熱膨張を利用したサーマルインクジェットタイプなどを採用してもよい。また液晶の塗布手段として、インクジェットヘッド以外の塗布手段を採用することも可能である。インクジェットヘッド以外の液晶塗布手段として、たとえばディスペンサを採用することができる。ディスペンサは、インクジェットヘッドに比べて大口径のノズルを有しているので、粘度が高い状態の液晶を吐出することも可能である。
【００３６】
（基板貼り合わせ部）
図９は、基板貼り合わせ部６４の概略構成図である。
基板貼り合わせ部６４は、図９に示すように、基板を保持してＸ方向、Ｙ方向及びθ方向に移動自在なテーブル６８と、テーブル６８上に設置された下チャック部６９と、下チャック部６９の上方に配置された真空チャンバ（チャンバ）７０と、真空チャンバ７０内に下チャック部６９と対向配置された上チャック部７１と、上チャック部７１をＺ方向に移動自在に支持し、且つ下チャック部６９に向けて加圧する下降機構７２とを備えて構成されている。
真空チャンバ７０の壁面には、覗き窓７０ａと、排気部（圧力調整手段）７６と、パージバルブ（圧力調整手段）７７が配設されている。覗き窓７０ａの上方には、覗き窓７０ａを介して基板上のアライメントマークを拡大、観測する貼り合わせ用顕微鏡７４と、拡大観測されたアライメントマークの画像を取り込むＣＣＤカメラ８１とを備えた光学測定手段が設けられている。
排気部７６には、収容空間７０ｂ内の気体を排気（真空引き）するための真空ポンプや、真空ポンプと真空チャンバ７０との間を隔離するアイソレーションバルブを備えた吸引装置７８が接続されている。また、パージバルブ７７には、真空チャンバ７０に窒素（Ｎ２）ガスを供給するためのガス供給源が接続されている。
なお、排気部７６の構成として、コンダクタンスを調整して真空チャンバ７０の排気速度を調整する圧力調整バルブを備えてもよい。
【００３７】
また、真空チャンバ７０内には、加熱ユニット（加熱手段）８２が備えられている。詳細には、加熱ユニット８２は、上チャック部７１の内部に設けられた上加熱部８２ａと、下チャック部６９の内部に設けられた下加熱部８２ｂとによって構成されている。上加熱部８２ａは、上チャック部７１に保持される基板を接触面から加熱し、下加熱部８２ｂは、下チャック部６９に保持される基板を接触面から加熱するようになっている。
【００３８】
このような加熱ユニット８２の構成としては、基板貼り合わせ部６４の外部に設けられた加熱装置によって加熱された液状媒体を加熱部８２ａ，８２ｂ内で循環させる構成や、加熱部８２ａ，８２ｂが電気ヒータによって構成され当該電気ヒータに電力が供給されることによって加熱する構成等が採用される。
また、加熱ユニット８２は、上チャック部７１と基板との間、或いは下チャック部６９と基板との間に、ヘリウム等の熱伝導性が高いガスを供給するガス供給手段を備えてもよい。真空雰囲気においては、伝熱媒体が殆ど存在していないために、両チャック部７１，６９から基板への熱伝導は、概ね接触面のみから行われる。そこで、ガス供給手段を備えることにより、上チャック部７１と基板との間、或いは下チャック部６９と基板との間にヘリウム等のガスを供給することが可能となり、供給されるガスによる熱伝導性を高め、効率的に基板を加熱することが可能となる。
【００３９】
なお、本実施形態の基板貼り合わせ部６４においては、加熱ユニット８２を備えたことにより熱硬化型のシール剤を硬化させることが可能となっている。基板貼り合わせ部６４の構成としては、当該加熱ユニット８２に代えて、紫外線を放射する水銀ランプ等のＵＶランプを具備するＵＶ照射ユニットを採用してもよい。この場合、光硬化型のシール剤を硬化させることが可能となっている。更に、必要に応じて、ＵＶ照射ユニットがファイバ等の導光手段を備えてもよい。
また、基板貼り合わせ部６４として、加熱ユニット８２とＵＶ照射ユニットとの両者を備えた構成を採用してもよい。この場合、熱硬化型と光硬化型との両特性を有するシール剤を硬化させることが可能となる。
【００４０】
更に、基板貼り合わせ部６４には、ＣＣＤカメラ８１により取り込まれた画像を処理する画像処理部８３と、画像処理部８３により処理された画像情報に基づいてテーブル６８と下降機構７２とを制御する制御部８４が設けられている。
【００４１】
また、下チャック部６９及び上チャック部７１には、互いに対向する保持面６９ａ、７１ａでそれぞれ基板を保持するための保持機構（図示せず）が備えられている。
なお、下チャック部６９及び上チャック部７１には、静電気力や粘着力を用いたチャック機構、または機械的に基板を保持する機械的保持機構など、略真空雰囲気においても基板を保持できる機構であればどのような機構が備えられていてもよい。例えば、基板に石英ガラスを用いた場合、静電気力による保持方法を用いると保持力が弱く、基板の相対位置を十分な精度で調整することができない。その一方、接着力、分子間力、真空力、機械式保持等の保持方法であれば、石英ガラスでも十分な保持力を発揮することができるため、下チャック部６９及び上チャック部７１の保持機構に用いて好適である。
【００４２】
（加熱加圧部）
図１０は、加熱加圧部１６４の概略構成図である。
加熱加圧部１６４は、基板貼り合わせ部６４において貼り合わされた貼り合わせ基板を保持するテーブル１６８と、テーブル１６８と対向配置された加圧板１６９と、加圧板１６９をテーブル１６８に向けて加圧する加圧機構１７２と、テーブル１６８と加圧板１６９の各々の内部に設けられた加熱ユニット１７０と、を備えた構成となっている。
ここで、加熱ユニット１７０は、加圧板１６９の内部に設けられた上加熱部１７０ａと、テーブル１６８の内部に設けられた下加熱部１７０ｂとによって構成されている。
上加熱部１７０ａは、貼り合わせ基板と加圧板１６９との接触面から加熱し、下加熱部１７０ｂは、テーブル１６８に保持される貼り合わせ基板を接触面から加熱するようになっている。これにより、加熱ユニット１７０は、シール剤５２の粘度を高め、硬化させる程度のエネルギーをシール剤５２に付与することが可能となる。このような加熱ユニット１７０の構成としては、例えば、上記の基板貼り合わせ部６４に設けられた加熱ユニット８２と同様の構成が採用される。
【００４３】
このような構成の加熱加圧部１６４においては、加圧機構１７２が動作することにより、テーブル１６８に保持された貼り合わせ基板を加圧板１６９が押圧し、かつ、加熱ユニット１７０ａ、１７０ｂの熱によって貼り合わせ基板のシール剤が硬化されるようになっている。
なお、本実施形態の加熱加圧部１６４においては、加熱ユニット１７０を備えたことにより熱硬化型のシール剤を硬化させるようになっているが、当該加熱ユニット１７０に代えて、紫外線を放射する水銀ランプ等のＵＶランプを具備するＵＶ照射ユニットを採用してもよい。この場合、貼り合わせ基板を加圧すると共に、光硬化型のシール剤を硬化させることが可能となる。更に、必要に応じて、ＵＶ照射ユニットがファイバ等の導光手段を備えてもよい。
また、加熱加圧部１６４として、加熱ユニット１７０とＵＶ照射ユニットとの両者を備えた構成を採用してもよい。この場合、貼り合わせ基板を加圧すると共に、熱硬化型と光硬化型との両特性を有するシール剤を硬化させることが可能となる。
【００４４】
（液晶装置の製造方法の第１実施形態）
次に、図１１から図１４を参照して、上記のデバイス製造装置６１により液晶装置１００を製造する手順について説明する。
図１１は、本実施形態の製造方法を説明するためのフロー図である。
また、図１２から図１４は、本実施形態の製造方法を説明する図であって、材料供給部６３、基板貼り合わせ部６４、及び加熱加圧部１６４を示す断面図である。
【００４５】
まず、図４に示すように、ガラス基板１０’上にＴＦＴ３０を形成し、更に画素電極９及び配向膜１２等を形成してＴＦＴアレイ基板１０を得る一方、ガラス基板２０’上に遮光膜２３、対向電極２１、配向膜２２等を形成して対向基板２０を得る。
なお、以下の説明においては、ＴＦＴアレイ基板１０を下基板１０と称し、対向基板２０を上基板２０と称して説明する。上基板２０は、本発明における第１基板に対応し、下基板１０は本発明における第２基板に対応している。
【００４６】
（シール描画工程）
次に、図１１のフロー図に示すように、上基板２０の上面にシール剤を描画するシール描画工程を行う（描画工程、ステップＳ１）。
具体的に説明すると、対向電極等が形成された上基板２０は、図１２（ａ）に示すように、基板給除部６２により運搬され、封止面２０ａを上側に向けて材料供給部６３のテーブル６５上に給材される。その後、テーブル６５を移動させつつ、上基板２０上にシール剤塗布部６７からシール剤が閉ざされた枠状（図１参照、符号５２）に塗布される。ここで、シール剤塗布部６７に供給されているシール剤５２は、塗布前に脱泡処理が施されたものではなく、シール剤５２中に気泡が混在している。従って、上基板２０上に描画されたシール剤５２においても、同様に気泡が混在したものとなっている。また、シール描画工程は、大気圧雰囲気において行われる。
【００４７】
なお、図１２（ａ）においては、シール剤５２によって囲まれた領域が１ヶ所形成されているが、１ヶ所に滴下するものに限られることなく、複数ヶ所に滴下してもよい。例えば、一方のマザーガラス上に複数のＴＦＴアレイ領域を形成し、他方のマザーガラス上に対向領域を形成し、当該両マザーガラスを貼り合わせた後に分割して液晶装置を製造する方法においては、シール剤５２によって囲まれる領域が複数形成される。
【００４８】
次に、基板給除部６２において上基板２０を反転する（ステップＳ２）。
上記のようにシール剤５２が塗布された後、上基板２０は基板給除部６２により運搬されると共に上下面が反転され、図１２（ｃ）に示すように、基板貼り合わせ部６４の上チャック部７１に給材される。そして、保持機構により保持面７１ａに保持される。
また、図１２（ｃ）において、上チャック部７１に保持された上基板２０は、上加熱部８２ａによって加熱され、その温度は４０℃以下となるように設定される。
【００４９】
上記基板給除部６２による上基板２０の反転動作は、材料供給部６３からの基板排出後、直ちに行うことが好ましい。シール剤５２は、塗布後の時間経過とともに上基板２０上で広がり、塗布高さが低くなる。特に、シール剤５２の粘度が２０万ｃｐｓ以下である場合、上記塗布高さの変化が顕著になる。そこで、シール剤５２を塗布した後に直ちに上基板２０を反転させて保持しておくことで、シール剤５２の広がりを抑え、シール剤の「だれ」を低減することができる。その結果、上基板２０と下基板１０との貼り合わせ強度を保持することができ、信頼性に優れた液晶装置を製造することが可能になる。
【００５０】
（液晶滴下工程）
一方、図１１のフロー図に示すように、下基板１０の上面に液晶を滴下する液晶滴下工程を行う（ステップＳ３）。
具体的に説明すると、ＴＦＴ等が形成された下基板１０は基板給除部６２により運搬され、図１２（ｂ）に示すように、封止面１０ａを上側に向けて材料供給部６３のテーブル６５上に給材される。その後、テーブル６５を移動させつつ、液滴吐出ヘッド６６から液晶を吐出、滴下して、封止面１０ａ上の所定位置に液晶５０を配置する。上記液晶の配置後、下基板１０は基板給除部６２により運搬され、図１２（ｃ）に示すように、基板貼り合わせ部６４の下チャック部６９に給材され、保持機構により保持面６９ａに保持される。また、図１２（ｃ）において、下チャック部６９に保持された下基板１０は、下加熱部８２ｂによって加熱され、その温度は４０℃以下となるように設定される。
【００５１】
なお、図１２（ｂ）では、液晶５０は封止面１０ａ上の１ヶ所に滴下するように図示しているが、１ヶ所に滴下するものに限られることなく、複数ヶ所に滴下してもよい。また、本実施形態において、下基板１０の封止面１０ａに滴下する液晶５０の粘度は、１３０Ｐａ・ｓ〜２５０Ｐａ・ｓとすることが好ましい。液晶５０の粘度を上記範囲とすることで、液晶５０がシール剤５２と下基板１０との接着領域にまで濡れ広がるのを効果的に防止することができ、両基板１０，２０の貼り合わせを確実に行えるようになる。
【００５２】
本実施形態の場合、上記上基板２０の基板貼り合わせ部６４への給材を、下基板１０の給材に先立って行うようになっており、下基板１０及び上基板２０の封止面１０ａ、２０ａにおける清浄性を保持しつつ両基板１０，２０の貼り合わせを行えるようになっている。下チャック部６９に保持される下基板１０の基板貼り合わせ部６４への給材を先に行うと、上チャック部７１への上基板２０の給材時に、既に配置されている下基板１０上、及びその封止面１０ａに配置された液晶５０に対し異物が堆積するおそれがあり好ましくない。
また、本実施形態では、単一の材料供給部６３により上基板２０上へのシール剤５２の配置工程、及び下基板１０上への液晶５０の配置工程を行っているが、２台の材料供給部６３を用いて上記シール剤５２及び液晶５０の配置工程を行うこともできる。この場合、上記２工程を並行して行うことができるため、スループットを向上させることができる。
【００５３】
（脱泡工程）
次に、基板貼り合わせ部６４において、シール剤５２に含まれる気泡を脱泡する脱泡工程を行う（ステップＳ４）。
具体的に説明すると、図１３（ａ）に示すように、真空チャンバ７０を下降させて下チャック部６９に当接させ、収容空間７０ｂを密封状態に閉塞する。収容空間７０ｂが密封状態となったら、排気部７６から負圧吸引して収容空間７０ｂ内を真空雰囲気にする。例えば、収容空間７０ｂ内の圧力を２００ｐａ以下に設定する。そして、この状態で１分程度放置する。また、当該脱泡工程においては、上記のように上基板２０が上加熱部８２ａによって加熱され、下基板１０が下加熱部８２ｂによって加熱され、両者共に温度が４０℃以下に設定されている。
【００５４】
ここで、シール剤５２は、上基板２０上に描画されたものであるから、シール剤５２の表面積が描画前に比べると大きくなっている。具体的には、シール剤５２の表面積は、シール剤５２の描画の長さと、上基板２０上における単位長さ当りのシール剤５２の表面積との積で表面積が決定されるため、描画が施されていないシール剤よりも大きい表面積を有するものとなる。
従って、表面積が大きなっているシール剤５２が、真空雰囲気に密閉された収容空間７０ｂ内に放置されることで、シール剤５２の内部に含有されている気泡が、シール剤５２の表面を介してその外部に放出される。
【００５５】
更に、上基板２０が加熱されていることから、上基板２０に描画されて接触状態となっているシール剤５２が加熱されることとなり、シール剤５２の内部に含有されている気泡は、熱よって軟化したシール剤５２から放出される。更に、下基板１０が上基板２０と同温度で加熱されていることから、両基板１０，２０は同じ熱膨張によって伸長する。
【００５６】
（貼り合わせ工程）
次に、基板貼り合わせ部６４において、液晶５０を介在させて上基板２０と下基板１０とを貼り合わせる貼り合わせ工程を行う（ステップＳ５）。
従って、脱泡工程と貼り合わせ工程とは同一の真空チャンバ７０内において行われることとなる。
貼り合わせ工程においては、収容空間７０ｂ内を１．３３Ｐａ〜１．３３×１０−２Ｐａ程度の圧力に設定し、図１３（ｂ）に示すように、上基板２０と下基板１０とに形成されたアライメントマーク（図示せず）を貼り合わせ用顕微鏡７４、７４を用いて拡大してＣＣＤカメラ８１に取り込む。ＣＣＤカメラ８１に取り込まれたアライメントマークの画像データは、画像処理部８３に入力され、画像処理部８３にて上基板２０と下基板１０との相対位置が検出される。制御部８４は、画像処理部８３により検出された相対位置に基づきテーブル６８を駆動して上基板２０を水平移動させて位置決めする。
【００５７】
なお、上記収容空間７０ｂ内の真空引きと、両基板１０，２０の位置決めとは、同時に併行して実施してもよいし、位置決めを先に実施して真空引きを後から実施してもよい。真空引きと位置決めとを同時に実施した場合は、製造時間を短縮することができる。
また、上チャック部７１には、貼り合わせ用顕微鏡７４及び覗き窓７０ａの直下の位置に貫通孔７１ｂが形成されており、この貫通孔７１ｂを介して各基板１０，２０のアライメントマークを検出するようになっている。
【００５８】
両基板１０，２０が位置決めされたら、図１３（ｃ）に示すように、下降機構７２により上チャック部７１を下降（相対移動）させて対向する両基板１０，２０を貼り合わせる。更に、上チャック部７１を下チャック部６９に向けて下降させ、両基板１０，２０に加圧してシール剤５２を所定厚さまで圧縮する。
両基板１０，２０の貼り合わせが完了すると、加熱ユニット８２により両基板１０，２０が加熱され、シール剤５２が硬化する。
【００５９】
なお、両基板１０，２０を貼り合わせた後の加圧は、製造のプロセスおよびシール剤５２などの選択によっては実施しなくてもよい。また、ＵＶ照射ユニット８２によるシール剤５２の仮硬化も同様にシール剤５２の種類によっては実施しなくてもよい。
【００６０】
この後、収容空間７０ｂ内に大気が導入され、略真空状態から大気圧に戻される。真空チャンバ７０の収容空間７０ｂが大気圧になると、圧力差により両基板１０，２０は押圧されてシール剤５２は更に圧縮される。その後、上チャック部７１と下チャック部６９との保持を解除し、図１４（ａ）に示すように、真空チャンバ７０を上昇させる。そして、下チャック部６９に非保持状態で載置されている基板（この場合は両基板１０，２０が貼り合わされた液晶装置１００）を基板給除部６２により除材する。
【００６１】
（加熱加圧工程）
次に、加熱加圧部１６４において、貼り合わされた液晶装置１００を加熱加圧する工程を行う（ステップＳ６）。
具体的に説明すると、貼り合わされた液晶装置１００は、基板給除部６２により加熱加圧部１６４へ運搬され、図１４（ｂ）に示すように、上基板２０が加圧板１６９側に、下基板１０がテーブル１６８側になるように給材される。
下基板１０がテーブル１６８によって保持された後には、加圧機構１７２が駆動することにより、テーブル１６８と加圧板１６９とによって両基板１０，２０が大気圧下において押圧される。
更に、加熱ユニット１７０によって、両基板１０，２０間のシール剤５２を加熱硬化する。すると、シール剤５２は更に圧縮され、シール剤５２に含まれるギャップ制御材５２ａが両基板１０，２０に当接し、両基板１０，２０の間隔が略３μｍ以下になるように調節される。
なお、加圧機構１７２による加圧方法は、一括して押圧力を加える加圧方法や、段階的に押圧力を上げる加圧方法、連続的に押圧力を上げる加圧方法、押圧してその押圧力を一時保持しその後に押圧力を上げるＳ字加圧など、さまざまな加圧方法で加圧してもよい。
【００６２】
また、加圧板１６９とテーブル１６８とが上基板２０と下基板１０と接触して押圧する領域は、接触している面全体で押圧してもよいし、シール剤５２に含まれているギャップ制御材５２ａが配置されている領域のみに接触して押圧してもよい。ギャップ制御材５２ａが配置されている領域のみを押圧する方法では、ギャップ制御材５２ａが配置されていない領域を押圧しないので、両基板１０，２０の撓みによる基板の狭ギャップ化や、基板上に配置されたスペーサによる構成部材の破損を防ぐことができる。
【００６３】
なお、加熱加圧工程を施した後には、ＵＶランプにより紫外線をシール剤５２に照射して硬化させ、両基板１０，２０のギャップを保持させてもよい。また、この場合、ＵＶランプの照射は、加圧機構１７２の押圧力が所定圧力に到達した直後から照射したり、所定時間放置して液晶が液晶装置１００のすみずみまで行き渡るまで待ってから照射したりするなど、さまざまなタイミングで照射を行ってもよい。また、使用するシール剤によっては、必要な接着力を得るために、シール剤硬化の工程を更に追加してもよい。
【００６４】
シール剤５２の硬化が完了すると、加圧板１６９とテーブル１６８とによる保持を上下順次または同時に開放し、下チャック部６９に非保持状態で載置されている液晶装置１００を基板給除部６２により除材する。
このようにして、液晶装置１００の製造が完了する。
【００６５】
上述したように、本実施形態においては、シール剤５２が上基板２０上に描画されることによって、シール剤５２の表面積が描画前に比べると大きくなり、脱泡工程を施すことにより、シール剤５２の内部に含有されている気泡が、シール剤５２の表面を介してその外部に放出されるので、シール剤５２の内部の気泡を除去（脱泡）することができる。
また、シール剤５２の内部に気泡が残留することに起因するシール剤５２の細りを抑制できる。また、貼り合わせ工程における加熱加圧によってシール剤５２を硬化させた後に、気泡痕がシール剤５２中に残留するのを防止できる。従って、液晶を注入する際に気泡痕から液晶が流出する等の不具合を防止できる。
また、従来の真空攪拌機を利用する場合と比較すると、本実施形態の製造方法においてはシール剤５２の表面積を大きくさせ、かつ、その表面から気泡を除去するので、脱泡効率を向上させることができる。また、繰り返し攪拌する必要もないので、短時間に脱泡を行うことができる。
【００６６】
また、本実施形態においては、上基板２０を加熱しているので、当該上基板２０を伝熱してシール剤５２が加熱される。これによって、シール剤５２の温度が高くなって粘度が低下し、シール剤中の気泡の脱泡性（気泡の抜け易さ）を向上させることができる。また、上基板２０を加熱していない場合、即ち、高粘度の状態のシール剤に対して脱泡を行う場合と比較して、気泡の脱泡効率を向上させることができる。
【００６７】
また、本実施形態においては、下基板１０と上基板２０との両者が同温度になるように加熱しているので、熱膨張に起因する下基板１０の伸び量と上基板２０の伸び量とを同じにすることができる。これにより、熱膨張に起因する下基板１０と上基板２０の位置ズレを抑制できる。
【００６８】
（液晶装置の製造方法の第１実施形態の変形例）
次に、本実施形態の変形例について説明する。
本変形例においては、シール描画工程の前にシール剤５２の脱泡を行うと共に、上記の脱泡工程を行っている。即ち、シール描画工程の前後においてシール剤の脱泡を行っている。
なお、本変形例においては、第１実施形態と同一工程には、同一符号を付して説明を省略している。
【００６９】
本変形例において、シール描画工程の前におけるシール剤の脱泡は、真空攪拌機内において行われ、真空雰囲気において攪拌されることによって脱泡が行われる。そして、攪拌脱泡が終了した後に、シール剤５２を材料供給部６３のシール剤塗布部６７に充填し、当該シール剤５２を上基板２０上に塗布する。そして、上記の脱泡工程Ｓ４においてシール剤５２は更に脱泡される。
【００７０】
上述したように、本変形例においては、シール描画工程の前にシール剤を真空雰囲気において攪拌することで、当該シール剤に含まれる所定量の気泡を描画工程の前に除去することができる。攪拌による脱泡は、上記した描画後の真空雰囲気における脱泡工程と比べて脱泡効率が劣るものの、描画前に攪拌脱泡することで、シール剤に含まれる気泡を粗雑に脱泡することができる。そして、攪拌脱泡されたシール剤を上記のように描画し、真空雰囲気において脱泡することで、シール剤中の微細な気泡等を確実に除去することができる。そして、このように描画前と描画後とにおいて、２段階で気泡を脱泡するので、シール剤に含まれる気泡をより確実に脱泡することができる。
【００７１】
（液晶装置の製造方法の第２実施形態）
次に、図１５を参照して、液晶装置の製造方法の第２実施形態について説明する。
図１５は、本実施形態の製造方法を説明するための図であって、脱泡工程における圧力変動を示す図である。
なお、以下の説明においては、上記の実施形態や変形例と同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略している。
【００７２】
図１５は、脱泡工程における真空チャンバ７０内の圧力変動を示しており、横軸は処理時間、縦軸は真空チャンバ７０内の圧力を意味している。
このような真空チャンバ７０内の圧力変動は、排気部７６の動作を制御することによって行われる。例えば、圧力を下げる場合には、パージバルブ７７を閉じて、真空ポンプにより収容空間７０ｂ内の気体を排気する。また、圧力を上げる場合には、真空ポンプと真空チャンバ７０との間を隔離するアイソレーションバルブを閉じて、パージバルブ７７を開き収容空間７０ｂ内の窒素ガスを供給する。また、圧力を一定に保つ場合には、パージバルブ７７を閉じると共に、アイソレーションバルブを閉じる。
また、このような圧力調整は、真空チャンバ７０に付設された圧力計の測定値に応じて自動的に行われる。
【００７３】
そして、本実施形態の脱泡工程においては、最初に真空チャンバ７０内の圧力を大気圧状態から２００Ｐａまで低下させる。その後、圧力を上げたり（図１５中符号Ｐ１）、下げたり（図１５中符号Ｐ２）することで、圧力を変動させる。また、圧力変動が終了した後には、再び２００Ｐａの一定値に設定する。
【００７４】
上述したように、本実施形態においては、脱泡工程において真空チャンバ７０内の圧力を変動させているので、気泡がシール剤５２の内部から外部に抜ける際に、圧力値に応じて気泡が膨張したり縮小したりしながら脱泡される。これによりシール剤中から気泡が抜ける脱泡効率を向上させることができる。
【００７５】
（液晶装置の製造方法の第３実施形態）
次に、図１６を参照して、液晶装置の製造方法の第３実施形態について説明する。
なお、以下の説明においては、上記の実施形態や変形例と同一構成には同一符号を付して詳細な説明を省略している。
【００７６】
本実施形態の製造方法は、シール剤脱泡部２６４を備えたデバイス製造装置において、行われる。本実施形態にデバイス製造装置は、上記のデバイス製造装置６１にシール剤脱泡部２６４が追加して設けられた構成となっている。従って、基板給除部６２、材料供給部６３、基板貼り合わせ部６４、加熱加圧部１６４、及びシール剤脱泡部２６４を主体として備えた構成となっている。
【００７７】
（シール剤脱泡部）
図１６は、シール剤脱泡部２６４の概略構成図である。
シール剤脱泡部２６４は、デバイス製造装置を構成する一部であって、上記の製造方法のうち脱泡工程を行うものである。また、その構成は、真空チャンバ（第１チャンバ）２７０と、当該真空チャンバ２７０の内部において基板が搭載される搭載部２６８と、真空チャンバ２７０の壁面に設けられた排気部７６と、パージバルブ７７と、下加熱部８２ｂと、真空チャンバ２７０において基板の搬入側と搬出側に設けられたゲートバルブ２８０，２８１と、を備えたものとなっている。
【００７８】
また、排気部７６には、収容空間２７０ｂ内の気体を排気（真空引き）するための真空ポンプや、真空ポンプと真空チャンバ２７０との間を隔離するアイソレーションバルブを備えた吸引装置７８が接続されている。また、パージバルブ７７には、真空チャンバ２７０に窒素（Ｎ２）ガスを供給するためのガス供給源が接続されている。
なお、排気部７６の構成として、コンダクタンスを調整して真空チャンバ２７０の排気速度を調整する圧力調整バルブを備えてもよい。
【００７９】
また、シール剤脱泡部２６４のゲートバルブ２８０側には材料供給部６３が配置されている。従って、ゲートバルブ２８０が開くことによって、材料供給部６３からシール剤脱泡部２６４に基板が搬入され、搬入後にはゲートバルブ２８０が閉じて、シール剤脱泡部２６４内が密閉状態となる。
また、シール剤脱泡部２６４のゲートバルブ２８１側には基板貼り合わせ部６４が配置されている。従って、ゲートバルブ２８１が開くことによって、シール剤脱泡部２６４から基板貼り合わせ部６４に基板が搬出され、搬出後にはゲートバルブ２８１が閉じて、シール剤脱泡部２６４内が密閉状態となる。
【００８０】
また、このようなシール剤脱泡部２６４は、上記の両基板１０，２０のうち、シール剤５２が描画された基板、即ち、上基板２０に描画されたシール剤５２を脱泡するようになっている。従って、脱泡工程を施す必要がない下基板１０は、シール剤脱泡部２６４を通じることなく、材料供給部６３から基板貼り合わせ部６４に搬送されるようになっている。
【００８１】
また、本実施形態において基板貼り合わせ部６４の真空チャンバ７０は、本発明の第２チャンバに相当するものである。
従って、シール剤脱泡部２６４において行われる脱泡工程と、基板貼り合わせ部６４において行われる貼り合わせ工程とは、各々異なる真空チャンバで行われるようになっている。
【００８２】
次に、上記のシール剤脱泡部２６４を備えたデバイス製造装置における製造方法について説明する。
まず、材料供給部６３においてシール剤５２が描画された上基板２０は、シール剤脱泡部２６４に搬入された後に、当該シール剤脱泡部２６４において脱泡工程が行われる。従って、ゲートバルブ２８０，２８１を閉じて収容空間２７０ｂが密封状態となったら、排気部７６から負圧吸引して収容空間７０ｂ内を真空雰囲気にする。例えば、収容空間７０ｂ内の圧力を２００ｐａ以下に設定する。そして、この状態で１分程度放置する。ここで、収容空間７０ｂ内の圧力を変動させてもよい。また、当該脱泡工程においては、上基板２０が下加熱部８２ｂによって加熱される。
【００８３】
ここで、シール剤５２は、上基板２０上に描画されたものであるから、シール剤５２の表面積が描画前に比べると大きくなっている。具体的には、シール剤５２の表面積は、シール剤５２の描画の長さと、上基板２０上における単位長さ当りのシール剤５２の表面積との積で表面積が決定されるため、描画が施されていないシール剤よりも大きい表面積を有するものとなる。
従って、表面積が大きなっているシール剤５２が、真空雰囲気に密閉された収容空間７０ｂ内に放置されることで、シール剤５２の内部に含有されている気泡が、シール剤５２の表面を介してその外部に放出される。
【００８４】
次に、脱泡工程が終了した後には、シール剤脱泡部２６４から上基板２０が搬出される。その後、当該上基板２０は反転され、基板貼り合わせ部６４に搬送される。当該基板貼り合わせ部６４においては、上基板２０は上チャック部７１に保持され、予め下チャック部６９に保持されている下基板１０と対向配置される。下基板１０は、上基板２０と同じ温度となるように加熱されている。そして、上述の第１実施形態と同様に貼り合わせ工程が施される。
その後、貼り合わされた液晶装置１００には、加熱加圧部１６４において加熱加圧工程が施される。
【００８５】
また、シール剤脱泡部２６４においては、貼り合わせ工程が施されている間に、別の上基板２０に描画されたシール剤５２の脱泡工程が行われる。即ち、貼り合わせ工程と、別の基板２０に対する脱泡工程とを同時進行で行うことが可能となる。
更に、シール剤脱泡部２６４において脱泡工程が終了し、かつ、基板貼り合わせ部６４において貼り合わせ工程が終了し、かつ、加熱加圧部１６４において加熱加圧工程が終了した後に、上基板２０及び液晶装置１００の搬送が行われる。
具体的には、基板貼り合わせ部６４から加熱加圧部１６４に向けて液晶装置１００が搬送され、シール剤脱泡部２６４から基板貼り合わせ部６４に向けてシール剤が脱泡された上基板２０が搬送され、シール剤の脱泡が施されていない処理前の上基板２０がシール剤脱泡部２６４に搬入される。
そして、搬送後には、上記と同様に各工程が繰り返される。
【００８６】
上述したように、本実施形態においては、デバイス製造装置がシール剤脱泡部２６４を備えているので、脱泡工程と貼り合わせ工程とを各々別のチャンバにおいて行うことが可能となり、複数の液晶装置１００を製造する場合において生産性を向上させることができる。
従って、脱泡工程や貼り合わせ工程を含む全工程のうち、処理時間が長い工程の処理時間によってタクトタイムが決定される。一方、同一のチャンバ内において脱泡工程と貼り合わせ工程とを連続的に行う場合では、脱泡工程と貼り合わせ工程との処理時間の和によってタクトタイムが決定される。即ち、本発明のように、シール剤脱泡部２６４（真空チャンバ２７０）と基板貼り合わせ部６４（真空チャンバ７０）との各々において脱泡工程と貼り合わせ工程を並行して行うことができ、生産性を向上させることができる。
【００８７】
なお、液晶装置１００のように液晶注入口を有さない、いわゆる封口レスのシール剤５２を備えた液晶装置を製造する場合、液晶５０を基板上に配置した後に基板の貼り合わせを行うので、セルギャップを保持するために液晶５０中に混入されるスペーサが動きやすく、スペーサの分布が不均一になり易くなる。そこで、上記の製造方法によって製造される液晶装置では、一方の基板上に固定される固着型のスペーサや、一方の基板上にフォトリソグラフィ技術を用いて形成した柱状のスペーサ（フォトスペーサ）を用いることが好ましい。
【００８８】
また、固着型スペーサは固着するための加熱工程が必要であり、また、固着に先立ちスペーサを均一に基板上に分散させる必要がある。フォトスペーサでは露光、現像工程が必要となるが、加熱によるカラーフィルタの損傷や、スペーサの分散性、更にはフォトリソグラフィ工程の連続性を勘案して、ＴＦＴ３０が設けられた下基板１０側に固着スペーサやフォトスペーサを形成することが好ましい。
【００８９】
上記実施形態では、上基板２０上にシール剤５２を設け、下基板１０上に液晶５０を滴下する場合について説明したが、液晶５０は、上基板２０に設けられたシール剤５２に囲まれる領域内に滴下することもできる。このような製造方法を採用すれば、材料供給部６３においてシール剤５２の配置と液晶５０の滴下を同一装置にて行えるため、製造の効率化が可能であるとともに、上基板２０は材料供給部６３からの排出後、封止面２０ａを下側に向けて保持されるため、液晶５０が上基板２０上で濡れ広がるのを防止でき、シール剤５２と液晶５０との接触も効果的に防止できる。更には、液晶５０に異物が堆積し難くなるので、液晶５０の変質も防止することができる。
【００９０】
上記実施形態では、透過型の液晶装置１００の製造に本発明の製造方法を適用する場合について説明したが、本発明に係る製造方法は、反射型、半透過反射型の液晶装置の製造にも好適に用いることができる。特に、半透過反射型の液晶装置であって、各ドット領域内を反射表示領域と透過表示領域とに区画するとともに、両領域の液晶層厚を異ならせた、いわゆるマルチギャップ構造の液晶装置の製造に用いる場合に本発明は有効である。
【００９１】
上記液晶層厚調整層が基板内面（封止面）に形成されている場合、透過表示領域と反射表示領域との間に、液晶層厚調整層による段差部が形成される。そして、この段差部は通常複数のドット領域に跨るように基板面内に延在するので、複数のドット領域の透過表示領域が連なった溝部が基板上に存在することとなる。そして、このような溝部を有する基板に対して液晶の滴下を行うと、前記溝部に沿って液晶が濡れ広がり、シール剤と接触したり、シール剤により接着される領域まで液晶が広がったりするおそれがある。そこで、本発明では、液晶を滴下する基板（本実施形態では下基板１０）には、上記液晶層厚調整層が設けられていない構成とすることが好ましい。このような方法を採用することで、上記溝部に沿って基板上にて液晶が濡れ広がるのを効果的に防止することができる。
【００９２】
また、液晶材料の滴下に液滴吐出ヘッド６６を用いることにより、滴下する液晶材料の量を正確に調節することができる。そのため、両基板１０，２０とシール剤５２に封入される液晶材料量を正確に調節することができ、ひいては両基板１０，２０のセルギャップを正確に制御することができる。
【００９３】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１７（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１７（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１７（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１７（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１７（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１７（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１７（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、高精度に基板が貼り合わされ、液晶の閾値ムラが低減された高品質の表示が可能な表示部を有する電子機器となる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の製造方法によって製造される液晶装置の平面図。
【図２】本発明の製造方法によって製造される液晶装置の断面図。
【図３】本発明の製造方法によって製造される液晶装置の回路図。
【図４】本発明の製造方法によって製造される液晶装置の断面図。
【図５】本発明の製造装置の概略構成図。
【図６】本発明の製造装置の基板給除部および材料供給部の概略構成図。
【図７】本発明の製造装置の材料供給部における要部を説明するための斜視構成図。
【図８】本発明の製造装置の材料供給部における要部を説明するための説明図。
【図９】本発明の製造装置における基板貼り合わせ部の概略構成図。
【図１０】本発明の製造装置における加熱加圧部の概略構成図。
【図１１】本発明の製造方法の第１実施形態を説明するためのフロー図。
【図１２】本発明の製造方法の第１実施形態における製造手順を示す図。
【図１３】本発明の製造方法の第１実施形態における製造手順を示す図。
【図１４】本発明の製造方法の第１実施形態における製造手順を示す図。
【図１５】本発明の製造方法の第２実施形態を説明するための説明図。
【図１６】本発明の製造方法の第３実施形態におけるシール剤脱泡部の概略構成図。
【図１７】本発明の製造方法によって製造される液晶装置を備える電子機器を示す図。
【符号の説明】
【００９５】
１０  ＴＦＴアレイ基板，下基板（第２基板）
２０  対向基板，上基板（第１基板）
５０  液晶（電気光学物質）
５２  シール剤
６４  基板貼り合わせ部（第２チャンバ）
７０  真空チャンバ（第２チャンバ）
１００  液晶装置（電気光学装置）
２６４  シール剤脱泡部（第１チャンバ）
２７０  真空チャンバ（第１チャンバ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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