(57)【要約】【課題】  大気圧雰囲気下において局所的なプラズマを発生させ、電極表面上に形成した任意の凹凸パターンを転写することにより、マスクを用いることなくシリコン、石英ガラス、水晶等の誘電体基板からなる機能材料表面上に、所望の凹凸構造を形成することが可能な誘電体基板のパターン転写加工方法を提供する。【解決手段】  大気圧近傍のガス雰囲気中に回転電極２と表面に凹凸パターン８を形成したパターン電極３とを間隔を置いて配設し、パターン電極表面に密接した厚さが１μｍ〜１ｍｍの誘電体や比抵抗が大きな半導体からなる加工基板７の表面と回転電極との間に加工ギャップｇを維持しつつ、回転電極を高速に回転させ、回転電極とパターン電極間に高周波電圧を印加し、回転電極に対してパターン電極表面と加工基板を相対的に移動させ、凹凸パターンと反転した凹凸構造を加工基板の表面に形成する。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガス及び不活性ガス等を含む大気圧近傍のガス雰囲気中に、円筒状の回転電極と、表面に凹凸パターンを形成した導電性のパターン電極とを、間隔を置いて配設し、前記パターン電極の回転電極側表面に密接して配した厚さが１μｍ〜１ｍｍの誘電体や比抵抗が大きな半導体からなる加工基板の表面と前記回転電極との間に加工ギャップを維持しつつ、該回転電極を高速に回転させながら、回転電極とパターン電極間に高周波電圧を印加するとともに、該回転電極に対してパターン電極表面と加工基板を相対的に移動させ、前記パターン電極表面の凹凸パターンと反転した凹凸構造を加工基板の表面に形成することを特徴とする誘電体基板のパターン転写加工方法。
【請求項２】
前記パターン電極が平面パターン電極であり、該平面パターン電極を移動ステージに設けた保持台に取付けるとともに、該平面パターン電極表面に前記加工基板を密着状態で着脱可能に保持する請求項１記載の誘電体基板のパターン転写加工方法。
【請求項３】
前記パターン電極が円筒パターン電極であり、該円筒パターン電極の中心軸を前記回転電極の回転軸と平行に回転可能に配し、シート状又はフィルム状の前記加工基板を、前記円筒パターン電極の表面に密着状態で該円筒パターン電極の回転に伴って前記回転電極に対して連続的に繰り送る請求項１記載の誘電体基板のパターン転写加工方法。
【請求項４】
前記加工基板の厚さを５０〜５００μｍ、前記加工ギャップを１００〜５００μｍとすることで、空間分解能が１０〜１００μｍの凹凸構造を形成する請求項１〜３何れかに記載の誘電体基板のパターン転写加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体基板のパターン転写加工方法に係わり、更に詳しくはマスクを用いることなくシリコン、石英ガラス、水晶等の機能材料表面上に所望する表面構造をパターン形成することが可能な誘電体基板のパターン転写加工方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、マスクレスで表面構造を形成する手法としてはエンドミルを用いたＮＣフライス加工や放電加工等が挙げられるが、フライス加工の場合には一度に転写できないため能率が低く、放電加工の場合には被加工物は導体である必要があり絶縁体は加工できない。また、薄板材料の研磨においてはチャック面に凹凸を形成して被加工物を弾性変形させて研磨圧力の差を生じさせ、加工量を部分的に変化させることができるが、弾性変形の領域が広範囲に及ぶため、微細な表面構造を形成することは困難である。
【０００３】
一方、プラズマを利用した微細表面構造のパターニング技術はＬＳＩ製造プロセス等で実用化されているが、この場合、リソグラフィープロセスによって加工物表面に形成されたマスクが必要不可欠である。また、一般的な半導体製造プロセスに用いられるプラズマエッチングでは、低圧力雰囲気下において、ウエハ全体のような広範囲にわたって一様なプラズマ密度分布を得て、均一なエッチングを可能にするという点に研究開発の力点が置かれていた。
【０００４】
また、特許文献１には、被加工物と回転電極を反応ガスを含む雰囲気ガス中に配し、被加工物と回転電極間に高周波電圧を印加して、ギャップ近傍に局所的な大気圧プラズマを発生させ、この発生させた高密度プラズマによって生成された反応ガスに基づく中性ラジカルを被加工物の加工面に供給し、この中性ラジカルと加工面を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し、シリコン単結晶等の半導体若しくは導体又はガラスやセラミックス等の絶縁体に欠陥や熱的変質層を導入することなく高精度に加工することが可能なプラズマＣＶＭ法が提供されている。そして、特許文献１の図２３〜図２５には、回転電極の表面形状を被加工物に転写する形状転写加工装置の原理も開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、対向する一対の電極からなる対向電極間に基板を配置し、大気圧近傍の圧力下で前記対向電極間に電界を印加してプラズマを発生させることにより基板上に成膜を行うＣＶＤ装置であって、前記対向電極の少なくとも一方の電極に、プラズマを局所的に発生させるための凸部が、基板の成膜領域に対応するパターン形状で形成されているＣＶＤ装置が開示されている。尚、プラズマを発生させる一対の対向電極のうち少なくとも一方の対向面を、シート状又はフィルム状の固体誘電体によって密着状態で完全に被覆し、アーク放電の発生を抑制する点が開示されている。ここで、前記基板は、固体誘電体の上か若しくは対向する電極面に密接して配置するのである。
【特許文献１】特許第３０６９２７１号公報（図２３〜図２５）
【特許文献２】特開２００４−１２８３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前述の特許文献１に記載のものは、回転電極の表面に形成した回転対称形の凹凸形状を被加工物の表面に転写加工するものであるので、原理的に回転電極の回転の接線方向のみに連続した溝状の凹凸構造しか形成することができない。また、回転電極の表面に凹凸を形成したので、微細なパターンを被加工物に転写することは不可能である。一方、特許文献２に記載のものは、平行平板型の対向電極を用いたプラズマＣＶＤであるが、プラズマプロセスであるので原理的に電極間の距離と同程度以下の空間分解能で成膜することは不可能であるので、基板の表面に微細なパターン成膜を行うには、電極間の距離を狭くする必要がある。しかし、電極間の距離を必要以上に狭くすると、大気圧近傍の圧力ではガスの粘性が大きくなり、処理ガスを電極間の全体に均一に供給することが不可能になり、そのため成膜速度も不均一になり、プラズマも安定しなくなる。従って、特許文献２では、電極間の距離の好ましい範囲を０．５〜３ｍｍとしているのであり、これ以上の空間分解能でパターン成膜することはできない。
【０００７】
そこで、本発明が前述の状況に鑑み、解決しようとするところは、大気圧雰囲気下において電極表面と被加工物表面の間隙が数十μｍから数百μｍという非常に狭い空間に局所的なプラズマを発生させ、電極表面上に形成した任意の凹凸パターンを転写することにより、マスクを用いることなくシリコン、石英ガラス、水晶等の誘電体基板からなる機能材料表面上に、所望の凹凸構造を形成することが可能な誘電体基板のパターン転写加工方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、前述の課題解決のために、反応ガス及び不活性ガス等を含む大気圧近傍のガス雰囲気中に、円筒状の回転電極と、表面に凹凸パターンを形成した導電性のパターン電極とを、間隔を置いて配設し、前記パターン電極の回転電極側表面に密接して配した厚さが１μｍ〜１ｍｍの誘電体や比抵抗が大きな半導体からなる加工基板の表面と前記回転電極との間に加工ギャップを維持しつつ、該回転電極を高速に回転させながら、回転電極とパターン電極間に高周波電圧を印加するとともに、該回転電極に対してパターン電極表面と加工基板を相対的に移動させ、前記パターン電極表面の凹凸パターンと反転した凹凸構造を加工基板の表面に形成してなる誘電体基板のパターン転写加工方法を提供するものである。
【０００９】
ここで、前記パターン電極が平面パターン電極であり、該平面パターン電極を移動ステージに設けた保持台に取付けるとともに、該平面パターン電極表面に前記加工基板を密着状態で着脱可能に保持することが好ましい。
【００１０】
また、前記パターン電極が円筒パターン電極であり、該円筒パターン電極の中心軸を前記回転電極の回転軸と平行に回転可能に配し、シート状又はフィルム状の前記加工基板を、前記円筒パターン電極の表面に密着状態で該円筒パターン電極の回転に伴って前記回転電極に対して連続的に繰り送ることも好ましい。
【００１１】
そして、前記加工基板の厚さを５０〜５００μｍ、前記加工ギャップを１００〜５００μｍとすることで、空間分解能が１０〜１００μｍの凹凸構造を形成するものである。
【発明の効果】
【００１２】
以上にしてなる請求項１に係る発明の誘電体基板のパターン転写加工方法は、反応ガス及び不活性ガス等を含む大気圧近傍のガス雰囲気中に円筒状の回転電極と、表面に凹凸パターンを形成した導電性のパターン電極とを間隔を置いて配設し、前記パターン電極の回転電極側表面に密接して配した厚さが１μｍ〜１ｍｍの誘電体や比抵抗が大きな半導体からなる加工基板の表面と前記回転電極との間に加工ギャップを維持しつつ、該回転電極を高速に回転させてその表面でガスを巻き込むことによって前記加工ギャップを横切るガス流を形成するとともに、回転電極とパターン電極間に高周波電圧を印加して加工ギャップでプラズマを発生し、反応ガスに基づく中性ラジカルを生成し、該中性ラジカルと加工基板を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去する加工原理を用い、この際にパターン電極の凸部と凹部とに対応する加工ギャップでのプラズマ密度、ひいてはラジカル密度に空間的不均一を生じさせ、凹部よりも凸部に対応する部分の加工速度が大きくなることを利用し、前記パターン電極表面の凹凸パターンと反転した凹凸構造を加工基板の表面に形成するのである。また、前記回転電極に対してパターン電極表面と加工基板を相対的に移動させることによって、加工基板の全面に凹凸構造を形成することができるのである。
【００１３】
本発明の方法の場合には、加工基板を薄い誘電体や比抵抗が大きな半導体とすることで、その背面に位置するパターン電極の表面構造によってプラズマを発生させる加工ギャップに不平等電界を生じ、更にその不平等電界の分布をより顕著にするために、加工ギャップを数百μｍ以下程度に狭くし、電界強度分布に対応したラジカル（反応種）密度分布を形成することでマスクレスのパターニングが実現できるのである。また、狭ギャップにおいては平均自由行程が大きい低圧下ではプラズマを発生させることができないが、本発明ではプロセス圧力を平均自由行程が０．１μｍ程度の大気圧近傍とすることによりプラズマの発生、安定維持を可能にするとともに、加工基板の表面に形成する凹凸構造の空間分解能を高めることができるのである。また、加工ギャップを狭くしても、回転電極の高速回転によるガス供給作用によって、加工ギャップに十分な量のガスを供給できるのである。本発明により、真空およびマスクパターンの形成が不要のパターニングプロセスを実現でき、装置的にも工程的にも簡略化が図れることに工業的意義がある。そして、ガラス基板、石英基板、水晶基板、合成樹脂基板等の絶縁体のこれまでマスクレスでパターン加工ができなかった基板にも凹凸構造を形成することができるのである。
【００１４】
請求項２によれば、バッチ処理により、多数の薄板状の加工基板表面に、同じ凹凸構造を形成することができる。
【００１５】
請求項３によれば、ロールツーロール方式により、シート状又はフィルム状の加工基板の表面に凹凸構造の繰り返しパターンを連続的に形成することができる。
【００１６】
請求項４によれば、前記加工基板の厚さを５０〜５００μｍ、前記加工ギャップを１００〜５００μｍとすることで、空間分解能が１０〜１００μｍの凹凸構造を形成することができ、電子デバイスやマイクロ化学デバイスの微細加工に利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、添付図面に示した実施形態に基づき、本発明を更に詳細に説明する。図１及び図２は本発明に係る誘電体基板のパターン転写加工方法を実現する加工装置の概略図、図３はその要部の説明図であり、図中符号１はチャンバー、２は回転電極、３はパターン電極、４は駆動用モータ、５は半同軸型空洞共振器、６は移動ステージをそれぞれ示している。
【００１８】
本実施形態の加工装置は、図１に示すように、前記チャンバー１の内部に円筒状の回転電極２と導電性のパターン電極３とを間隔を置いて配設し、該チャンバー１内を反応ガス及び不活性ガスを含む大気圧近傍のガス雰囲気とし、前記回転電極２を駆動用モータ４にて高速に回転させながら、半同軸型空洞共振器５でインピーダン整合をとって前記回転電極２とパターン電極３間に高周波電圧を印加するとともに、移動ステージ６によって該回転電極２に対してパターン電極３を相対的に移動させるようにした構造である。例えば、前記回転電極２は、直径２００ｍｍ、幅（軸方向長さ）２８０ｍｍであり、表面を高精度にアルマイト処理を施したものである。また、前記回転電極２の回転数は、１００〜５０００ｒｐｍであり、印加周波数は例えば１５０ＭＨｚである。
【００１９】
ここで、本発明で加工対象とする加工基板７は、厚さが１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは５０〜５００μｍの薄い誘電体や比抵抗が大きな半導体の基板であり、前記パターン電極３の回転電極２側表面に密接させて配設する。そして、図３に示すように、前記パターン電極３の表面に凹凸パターン８を形成し、該凹凸パターン８の上に前記加工基板７を密接状態で保持する。前記パターン電極３の表面に前記加工基板７を密接状態で保持するには、真空チャック方式、あるいはその他の加工基板７の表面側へ何ら突出物のない構造の固定手段を採用する。
【００２０】
以下に本発明に係る加工原理を簡単に説明する。反応ガス及び不活性ガスを含む大気圧近傍のガス雰囲気中で、前記回転電極２を高速に回転させて該回転電極２表面でガスを巻き込むことによって、加工基板７の表面と前記回転電極２との間の加工ギャップｇを横切るガス流を形成するとともに、回転電極２とパターン電極３間に高周波電力を供給し、加工ギャップｇでプラズマを発生して反応ガスに基づく中性ラジカルを生成し、該中性ラジカルと加工基板７の表面を構成する原子又は分子とのラジカル反応によって生成した揮発性物質を気化させて除去し且つ回転電極２と加工基板７とを相対的に変移させて加工を進行させるのである。
【００２１】
ここで、前記加工基板７が比抵抗の小さな半導体や金属基板であれば、前記パターン電極３によって形成される不平等電界を遮蔽してしまうが、誘電体や比抵抗が大きな半導体であれば、前記パターン電極３によって形成される不平等電界によって前記加工ギャップｇで生成するプラズマ及び中性ラジカルの密度に局所的な変化が生じ、それによって加工速度が部分的に異なり、もって前記加工基板７の表面に前記パターン電極３表面の凹凸パターン８と反転した凹凸構造が形成されるのである。つまり、前記加工基板７が、誘電体や比抵抗が大きな半導体であり、またその厚さが一様であれば、高周波回路的には前記パターン電極３の凹凸パターン８が、前記回転電極２とパターン電極３間の実効ギャップＧで不平等電界を作り出し、その結果、該凹凸パターン８の凸部８Ａに対応する部分は、凹部８Ｂに対応する部分よりも電界強度が大きくなって、プラズマ及び中性ラジカルの密度が高くなり、それに伴って加工速度が速くなるので、前記凸部８Ａに対応する加工基板７の表面に凹部が形成されるのである。
【００２２】
前記加工基板７の厚さが厚すぎると、前述の実効ギャップＧ（加工基板７の厚さ＋加工ギャップｇ）が大きくなり過ぎて、前記加工基板７の表面に形成される凹凸構造の空間分解能が悪くなり、実用的な機能性デバイスを作製することはできなくなる。従って、本発明では前記加工基板７の厚さを１μｍ〜１ｍｍ、好ましくは５０〜５００μｍの薄い誘電体とし、前記加工ギャップｇを１００〜５００μｍとすることで、空間分解能が１０〜１００μｍの凹凸構造を形成することを目指しているのである。
【００２３】
本実施形態では、前記パターン電極３が平面パターン電極３Ａであり、該平面パターン電極３Ａを移動ステージ６に設けた保持台９に取付けるとともに、該平面パターン電極３Ａ表面に前記加工基板７を密着状態で着脱可能に保持している。この場合、前記平面パターン電極３Ａに真空チャック機能を持たせることが好ましい。
【００２４】
また、前記回転電極２を回転駆動する駆動部は、前記回転軸１０の一端に取付けた高周波絶縁性を有する絶縁軸部１１と、前記チャンバー１の外部に隔離した前記駆動用モータ４に伝達された駆動軸１２とを、マグネットカップリング１３を介在させ、該駆動軸１２の回転力を前記絶縁軸部１１及び回転軸１０に非接触状態で伝達する構造となっている。また、前記移動ステージ６は、前記チャンバー１の底部に設置したＺ軸テーブル１４の上にＸ軸テーブル１５を配し、その上にＹ軸テーブル１６を直交状態で配し、前記Ｘ軸テーブル１５の移動方向を前記回転電極２の回転軸芯と直交する方向に設定したものであり、前記回転電極２に対して加工基板７を移動させるには主にＸ軸テーブル１５を使う。
【００２５】
そして、前記チャンバー１は、電極直下を除いて全面に設置された高周波シールド板１７により高周波回路的に大きく上下２構造に分かれており、チャンバー上部に前記回転電極２が設置され、チャンバー下部には前記移動ステージ６が設置されている。前記保持台９は、シールド板１７の下部と空隙を保った状態でＹ軸テーブル１６上に積載され、該保持台９の上面には平面パターン電極３Ａを設置している。ここで、前記保持台９は、高周波シールド板の機能をも備えている。
【００２６】
また、第２実施形態として、図４に示したものは、前記パターン電極３が円筒パターン電極３Ｂであり、該円筒パターン電極３Ｂの中心軸を前記回転電極２の回転軸と平行に回転可能に配し、シート状又はフィルム状の前記加工基板７を、前記円筒パターン電極３Ｂの表面に密着状態で該円筒パターン電極３Ｂの回転に伴って前記回転電極２に対して連続的に繰り送るものである。ここで、前記シート状又はフィルム状の前記加工基板７は、供給ロール１８から連続的に供給され、前記円筒パターン電極３Ｂの表面に巻回して、その回転に伴って前記回転電極２に対して移動し、凹凸構造が繰り返しパターンとして形成された後、巻取りロール１９に巻き取られる。
【００２７】
加工速度は、中性ラジカルの種類、即ち反応ガスの種類とそれを希釈する不活性ガスの種類及び被加工物の材質に大きく依存するので、被加工物に応じて最適な反応ガス及び不活性ガスを選択する必要がある。また、プラズマ中における反応ガスに基づく中性ラジカルの生成効率は、プラズマを構成する不活性ガスの種類にも依存する。例えば、加工基板７を石英ガラス又はシリコン単結晶とした場合には、反応ガスはＳＦ6が適し、不活性ガスはＨｅが適している。その他の反応ガスとしては、フッ素系ではＣＦ4 等があり、塩素系ではＣｌ2、ＣＣｌ4、ＰＣｌ5等があり、その他の不活性ガスとしては、Ｎｅ、Ａｒ等がある。これらのガスはそれぞれ１種類のみ又は混合して用いることも可能である。更に、Ｏ2等を加えることもある。また、加工量（深さ）は、加工速度が一定であるとした場合には、加工時間に比例するので、この加工時間を制御することによって目的の加工量が得られる。加工時間は、加工基板７に対する回転電極２の停止時間あるいは平均滞在時間によって決まる。
【００２８】
次に、本発明によって前記加工基板７の表面に前記パターン電極３の凹凸パターン８を転写加工することができる点を立証する。前記パターン電極３の代わりに真空チャックを保持台９に固定し、この真空チャック上に吸着固定された加工試料を、円筒型回転電極２の底面と加工ギャップｇを保った状態で加工した。尚、加工試料には♯4,000ラップ研磨した後、ポリッシュ研磨を行い、洗浄目的にウエットエッチング（エッチング量：２０ｎｍ）を施した２５ｍｍ×２０ｍｍ×８０μｍのＡＴカット水晶ウエハを用いた。
【００２９】
図５は、平面研削によって仕上げた真空チャックに吸着した水晶ウエハの全面を加工した結果を示している。図５（ａ）に示すように、加工面には周期０．３〜０．４ｍｍ間隔、高さ２〜３μｍの凸形状のうねりが形成された。これを図５（ｂ）に示す真空チャックの表面粗さと対応させると、真空チャックの表面に存在する深さ１０μｍ程度の溝がある位置と、加工面での高さ２〜３μｍの凸形状の位置が一致することがわかる。本装置では、円筒型回転電極と真空チャックとの間に印加した高周波電界によってプラズマを発生、維持させているが、加工試料が誘電体でかつウエハ厚さが８０μｍと薄いことから、下地の真空チャック表面の溝部分では周囲より電界強度が弱くなり、プラズマ中で生成される反応種の密度が減少することによって加工速度が低下し、その結果、加工面に凸形状が形成されたものと考えられる。
【００３０】
次に、真空チャックの表面を超精密ダイヤモンド旋削加工で鏡面仕上げたものを使用した。図６（ｂ）に鏡面化した真空チャックの表面粗さを示すが、周期が約１ｍｍでｐｖ６０〜８０ｎｍの表面粗さが存在する。この真空チャックを用いて水晶ウエハの加工を行うと、図６（ａ）に示すように、加工面には周期１ｍｍ、ｐｖ約１００ｎｍ程度の表面粗さが生じた。
【００３１】
更に、超精密ダイヤモンド旋削加工で鏡面化した真空チャックの表面に硬質アルマイト被膜処理を施した後、精密ラップ加工を行った。製作した真空チャックの表面粗さを図７（ｂ）に、加工面の表面粗さを図７（ａ）に示す。本加工結果からは上述した真空チャック面粗さと加工面粗さとの相関は見られない。また、硬質アルマイト被膜処理を施すことで真空チャック表面のアルミ下地が絶縁膜で覆われることになり、下地の表面形状に起因する電界強度ムラが緩和されているものと推察される。
【００３２】
これらの結果により、真空チャックの表面における僅か１００ｎｍ程度の凹凸でも加工面の表面粗さに影響することが分かった。本発明は、この事実を積極的に利用し、真空チャックの表面に凹凸パターンを形成しておけば、この凹凸パターンを誘電体基板の表面に転写する加工が実現できることを見出したのである。つまり、大気圧プラズマＣＶＭを用いて非常に薄い水晶素板（厚さ８０μｍ）の加工を行ったところ、素板を保持する真空チャック上における幅がサブミリで深さが数ミクロン程度の表面粗さに起因する不平等電界が、加工物表面上の微細構造の形成に大きく寄与することを見出した。即ち、真空チャックの表面粗さの凹部は電界強度が小さくなるためプラズマの強度が弱くなり加工速度が相対的に遅くなるため、凸状の表面形状を形成することになる。よって、大気圧狭ギャッププラズマならではの本加工特性を利用すれば、任意の表面構造を極めて容易に形成し得るのである。
【００３３】
本発明は、加工面を除去するパターン転写加工に関するものであるが、同様の発想により反応ガスの種類を変えることにより、大気圧プラズマＣＶＤによりパターン転写成膜を実現することができる可能性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係る大気圧プラズマＣＶＭ装置の概略断面図である。
【図２】同じく電極周りの要部を示し、（ａ）は回転電極の回転軸と直交する方向から見た正面図、（ｂ）は回転電極の回転軸と平行な方向から見た側面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る要部を示す説明用断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る要部を示す説明図である。
【図５】平面研削によって仕上げた真空チャックを用いた水晶ウエハの加工結果を示し、（ａ）は加工後の水晶ウエハの表面凹凸形状を示すグラフ、（ｂ）は真空チャックの表面凹凸形状を示すグラフである。
【図６】表面を超精密ダイヤモンド旋削加工で鏡面仕上げた真空チャックを用いた水晶ウエハの加工結果を示し、（ａ）は加工後の水晶ウエハの表面凹凸形状を示すグラフ、（ｂ）は真空チャックの表面凹凸形状を示すグラフである。
【図７】超精密ダイヤモンド旋削加工で鏡面化した表面に硬質アルマイト被膜処理を施した後、精密ラップ加工を施した真空チャックを用いた水晶ウエハの加工結果を示し、（ａ）は加工後の水晶ウエハの表面凹凸形状を示すグラフ、（ｂ）は真空チャックの表面凹凸形状を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３５】
１  チャンバー
２  回転電極
３  パターン電極
３Ａ  平面パターン電極
３Ｂ  円筒パターン電極
４  駆動用モータ
５  半同軸型空洞共振器
６  移動ステージ
７  加工基板
８  凹凸パターン
８Ａ  凸部
８Ｂ  凹部
９  保持台
１０  回転軸
１１  絶縁軸部
１２  駆動軸
１３  マグネットカップリング
１４  Ｚ軸テーブル
１５  Ｘ軸テーブル
１６  Ｙ軸テーブル
１７  シールド板
１８  供給ロール
１９  巻取りロール
ｇ  加工ギャップ
Ｇ  実効ギャップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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