(57)【要約】【課題】  高分解能位置検出が可能な薄型・小型の表示装置一体型のタッチパネルを提供すること。【解決手段】  ガラス基板１の一方主面（表面）は、その面上にＸ軸方向に延在する送信用トランスデューサ２ａ、２ｂとＹ軸方向に延在する受信用トランスデューサ３ａ、３ｂとが設けられたＳＡＷタッチパネルとされ、ガラス基板１の他方主面（裏面）には有機ＥＬ表示部（ＯＥＬＤ）４が一体的に形成されて表示装置一体型タッチパネルとされている。送信用トランスディーサ２ａ、２ｂおよび受信用トランスディーサ３ａ、３ｂは、例えばＡｌＮやＺｎＯなどからなる薄膜状の圧電体の一方主面に櫛形電極を形成し、他方主面に平板のベタ電極を形成して構成されている。【選択図】    図２
2006048453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一の非圧電基板の一方主面に設けられたＳＡＷタッチパネルと、前記非圧電基板の他方主面に設けられた有機ＥＬ表示部とを備え、
前記ＳＡＷタッチパネルは、表面弾性波を励振する発信用トランスデューサと、表面弾性波を受信する受信用トランスデューサとを、前記非圧電基板の周縁部に備え、前記励振素子から前記受信素子へ伝播する表面弾性波の、前記受信素子での受信結果に基づいて、前記非圧電基板の一方主面上の接触位置を検出するものであり、
前記発信用および受信用トランスデューサは何れも、薄膜状の圧電体の一方主面に設けられた「く」の字型の櫛形電極と他方主面に設けられた平板ベタ電極とを備え、前記櫛型電極が前記非圧電基板の周縁部に沿って連続配置されているものであることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記薄膜状の圧電体は、ＡｌＮまたはＺｎＯであることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記有機ＥＬ表示部は、透明電極上に設けられ且つ薄膜トランジスタで駆動される、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、および青（Ｂ）の各色の光を発光する３つの領域で１つの画素が構成されているフルカラー表示部であることを特徴とする請求項１または２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記発光領域の構成部材は、発光ポリマであることを特徴とする請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記非圧電基板の周縁部の一部領域に、前記ＳＡＷタッチパネルと前記有機ＥＬ表示部とを接続するための端子部が集約して設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記非圧電基板の周縁部の他の一部領域に、外部機器との接続用端子が端子部が集約して設けられていることを特徴とする請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記非圧電基板は、ガラス板、石英板、もしくは硬質プラスチック板であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記透明電極の構成材料は、ＩＴＯまたは透明導電ポリマ材であることを特徴とする請求項３乃至７の何れかに記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記薄膜トランジスタの構成材料は、ポリマ材であることを特徴とする請求項３乃至８の何れかに記載のタッチパネル。
【請求項１０】
単一の非圧電基板の一方主面にＳＡＷタッチパネルを形成する第１のステップと、前記非圧電基板の他方主面に有機ＥＬ表示部を形成する第２のステップとを備え、
前記第１のステップは、表面弾性波を励振する発信用トランスデューサと、表面弾性波を受信する受信用トランスデューサとを、前記非圧電基板の周縁部に形成するサブステップを備え、
該サブステップは、
前記非圧電基板の表面所定領域に短絡電極パターンを形成するステップと、
前記短絡電極パターン上に圧電体を形成してパターニングするステップと、
前記パターニングされた圧電体上に櫛型電極を形成するするステップと、
前記櫛型電極に接続されるバス電極を形成するステップと、を備えていることを特徴とするタッチパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記第２のステップは、前記非圧電基板の裏面所定領域に透明電極パターンを形成するステップを備えていることを特徴とする請求項１０に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第２のステップは、前記非圧電基板の裏面所定領域に前記有機ＥＬ表示部駆動用の薄膜トランジスタを形成するステップを備えていることを特徴とする請求項１０または１１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第２のステップは、インクジェット法、スタンピング法、またはスクリーン印刷法の何れかの方法により実行されるものであることを特徴とする請求項１０乃至１２の何れかに記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記透明電極パターンの形成温度は、２５０℃以下であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記透明電極パターンは透明導電ポリマ材で形成され、該透明導電ポリマ材の乾燥は１３０〜１４０℃で実行されることを特徴とする請求項１４に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記薄膜トランジスタの形成温度は、２５０℃以下であることを特徴とする請求項１２乃至１５の何れかに記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１７】
前記第２のステップに先立ち、前記ＳＡＷタッチパネルの面を保護するための保護フィルムを張る第３のステップを備えていることを特徴とする請求項１０乃至１６の何れかに記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項１８】
前記保護フィルムは、ストリップマスクであることを特徴とする請求項１７に記載のタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はタッチパネルに関し、より詳細には、高分解能位置検出が可能な薄型・小型の表示装置一体型のタッチパネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは情報機器への入力デバイスのひとつであり、銀行のＡＴＭ（現金自動預払機）のディスプレイなどの表示装置などに広く用いられてきており、画像表示部分と入力部分とをコンパクトに纏めることができるため、省スペース化が求められるＰＤＡなどの携帯装置でも使用されるようになってきている。
【０００３】
このようなタッチパネルは、通常、ＬＣＤやＥＬ等の表示装置に重ねて配置され、タッチパネルを指やペンで触れるとその接触が電気信号に変換されて当該接触位置（座標位置）が検出される。このような接触位置検出の方式には、抵抗膜方式、静電容量方式、電磁誘導方式、超音波表面弾性波（SAW：Surface Acoustic Wave）方式などがある。
【０００４】
このうち、抵抗膜方式のタッチパネルは、ガラス基板と透明フィルムとの間にスペーサを介在させて隙間を設け、この隙間のＸ、Ｙ両方向に配線された電気回路を有する構造とされる。そして、透明フィルムを指やペンで触れるとその圧力によってフィルムと基板面上の電極とが接触して電流が流れ、基板面とフィルム面それぞれに設けられた透明電極の抵抗による分圧比を測定することで接触位置が検出される。特許文献１や特許文献２には、このような抵抗膜方式の表示装置一体型タッチパネルが開示されている。
【０００５】
ところで、携帯情報通信端末の表示手段のカラー化・高性能化に伴って、タッチパネルの光の透過率を高め、反射率を低くすることが求められているが、上述の抵抗膜方式のタッチパネルは透明フィルム／空気層／ガラス基板といった複数の層で構成されるため、これらの各層を光が通過する間に散乱してしまい、その透過率は８２％程度となってしまう。このような透過率の低下を防止するために各層の表面をコーティング処理したとしても、透過率は高々８６％程度までしか改善されない。
【特許文献１】特開２００３−２４３１７０号公報
【特許文献２】特開２００３−２９６０３２号公報
【特許文献３】特開２００２−３６６３０３号公報
【特許文献４】特開２００２−３４２０２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これに対して、ＳＡＷ方式では、表面弾性波を発生させる圧電薄膜トランスデューサを用いて、タッチパネルが押されたときの歪（超音波）をセンサで検出することで接触位置の検出が行われる。すなわち、送信用トランスジューサから発せられた振動によりガラス表面を進行する表面弾性波は最終的に受信用のトランスジューサに伝達されるが、表面弾性波の伝達面であるガラス表面を指などで触れるとその圧力によって当該部分の振動が指などに吸収され、送信から時間比率でエネルギが伝わられなかった位置（すなわち接触位置）が検出される。
【０００７】
一般に、表示装置にタッチパネルを重ねて配置する構成では、表示装置用の基板とタッチパネル用の基板の双方が必要となるが、複数の基板を用いることとすると、薄膜化・小型化に対する障害となることに加え、各基板の界面反射が表示装置からの光透過率を低下させるためにタッチパネルを通して見る際の表示画面が暗くなるという問題があるが、ＳＡＷ方式では、タッチパネル基板を１枚板とすることも可能なため、光を通しやすい明るいパネルが得られるという利点があり、透過率９８％のタッチパネルも開発されている。特許文献３や特許文献４には、このようなＳＡＷ方式の表示装置一体型タッチパネルが開示されている。
【０００８】
しかしながら、特許文献３に記載されているＳＡＷ方式の表示装置一体型タッチパネルは、その基板の一方主面の周辺領域（額縁領域）に連続して設けられるリフレクタをエッチングにより形成し、このリフレクタの外側の基板の４隅にトランスデューサを配置する構成とされている。このため、トランスデューサ部の薄膜化が難しく、基板サイズの小型化にも限界があるというという問題があった。
【０００９】
また、特許文献４に記載されているＳＡＷ方式の表示装置一体型タッチパネルは、矩形の基板の一方主面の一本の長辺および一本の短辺に沿ってアレイ状に配置されたトランスデューサから表面弾性波を発信させ、これらの辺に対向する長辺および短辺に沿ってアレイ状に配置されたトランスデューサで表面弾性波を受信する構成とされている。トランスデューサをこのように配置する場合には、接触位置検出の分解能は各辺に配置されるトランスデューサの幅で決まってしまい、接触位置検出の高分解能化は困難であるという問題がある。
【００１０】
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高分解能位置検出が可能な薄型・小型の表示装置一体型のタッチパネルおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、かかる課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、タッチパネルであって、単一の非圧電基板の一方主面に設けられたＳＡＷタッチパネルと、前記非圧電基板の他方主面に設けられた有機ＥＬ表示部とを備え、前記ＳＡＷタッチパネルは、表面弾性波を励振する発信用トランスデューサと、表面弾性波を受信する受信用トランスデューサとを、前記非圧電基板の周縁部に備え、前記励振素子から前記受信素子へ伝播する表面弾性波の、前記受信素子での受信結果に基づいて、前記非圧電基板の一方主面上の接触位置を検出するものであり、前記発信用および受信用トランスデューサは何れも、薄膜状の圧電体の一方主面に設けられた「く」の字型の櫛形電極と他方主面に設けられた平板ベタ電極とを備え、前記櫛型電極が前記非圧電基板の周縁部に沿って連続配置されているものであることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のタッチパネルにおいて、前記薄膜状の圧電体は、ＡｌＮまたはＺｎＯであることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のタッチパネルにおいて、前記有機ＥＬ表示部は、透明電極上に設けられ且つ薄膜トランジスタで駆動される、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、および青（Ｂ）の各色の光を発光する３つの領域で１つの画素が構成されているフルカラー表示部であることを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載のタッチパネルにおいて、前記発光領域の構成部材は、発光ポリマであることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４の何れかに記載のタッチパネルにおいて、前記非圧電基板の周縁部の一部領域に、前記ＳＡＷタッチパネルと前記有機ＥＬ表示部とを接続するための端子部が集約して設けられていることを特徴とする。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載のタッチパネルにおいて、前記非圧電基板の周縁部の他の一部領域に、外部機器との接続用端子が端子部が集約して設けられていることを特徴とする。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の何れかに記載のタッチパネルにおいて、前記非圧電基板は、ガラス板、石英板、もしくは硬質プラスチック板であることを特徴とする。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、請求項３乃至７の何れかに記載のタッチパネルにおいて、前記透明電極の構成材料は、ＩＴＯまたは透明導電ポリマ材であることを特徴とする。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、請求項３乃至８の何れかに記載のタッチパネルにおいて、前記薄膜トランジスタの構成材料は、ポリマ材であることを特徴とする。
【００２０】
請求項１０に記載の発明は、タッチパネルの製造方法において、単一の非圧電基板の一方主面にＳＡＷタッチパネルを形成する第１のステップと、前記非圧電基板の他方主面に有機ＥＬ表示部を形成する第２のステップとを備え、前記第１のステップは、表面弾性波を励振する発信用トランスデューサと、表面弾性波を受信する受信用トランスデューサとを、前記非圧電基板の周縁部に形成するサブステップを備え、該サブステップは、前記非圧電基板の表面所定領域に短絡電極パターンを形成するステップと、前記短絡電極パターン上に圧電体を形成してパターニングするステップと、前記パターニングされた圧電体上に櫛型電極を形成するするステップと、前記櫛型電極に接続されるバス電極を形成するステップと、を備えていることを特徴とする。
【００２１】
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載のタッチパネルの製造方法において、前記第２のステップは、前記非圧電基板の裏面所定領域に透明電極パターンを形成するステップを備えていることを特徴とする。
【００２２】
請求項１２に記載の発明は、請求項１０または１１に記載のタッチパネルの製造方法において、前記第２のステップは、前記非圧電基板の裏面所定領域に前記有機ＥＬ表示部駆動用の薄膜トランジスタを形成するステップを備えていることを特徴とする。
【００２３】
請求項１３に記載の発明は、請求項１０乃至１２の何れかに記載のタッチパネルの製造方法において、前記第２のステップは、インクジェット法、スタンピング法、またはスクリーン印刷法の何れかの方法により実行されるものであることを特徴とする。
【００２４】
請求項１４に記載の発明は、請求項１１乃至１３の何れかに記載のタッチパネルの製造方法において、前記透明電極パターンの形成温度は、２５０℃以下であることを特徴とする。
【００２５】
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載のタッチパネルの製造方法において、前記透明電極パターンは透明導電ポリマ材で形成され、該透明導電ポリマ材の乾燥は１３０〜１４０℃で実行されることを特徴とする。
【００２６】
請求項１６に記載の発明は、請求項１２乃至１５の何れかに記載のタッチパネルの製造方法において、前記薄膜トランジスタの形成温度は、２５０℃以下であることを特徴とする。
【００２７】
請求項１７に記載の発明は、請求項１０乃至１６の何れかに記載のタッチパネルの製造方法において、前記第２のステップに先立ち、前記ＳＡＷタッチパネルの面を保護するための保護フィルムを張る第３のステップを備えていることを特徴とする。
【００２８】
請求項１８に記載の発明は、請求項１７に記載のタッチパネルの製造方法において、前記保護フィルムは、ストリップマスクであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、表示装置とタッチパネルとを同一基板に作り込むこととしたので、高分解能位置検出が可能な薄型・小型の表示装置一体型のタッチパネルを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に、図面を参照して、本発明を実施するための形態について説明する。
【００３１】
図１および図２は、本発明の表示装置一体型タッチパネルの構成を説明するための平面概略図（図１）および図１のＡ−Ａに沿う断面概略図（図２）である。図１および図２を参照すると、ガラス基板１の一方主面（表面）は、その面上にＸ軸方向に延在する送信用トランスデューサ２ａ、２ｂとＹ軸方向に延在する受信用トランスデューサ３ａ、３ｂとが設けられたＳＡＷタッチパネルとされ、ガラス基板１の他方主面（裏面）には有機ＥＬ表示部（ＯＥＬＤ）４が一体的に形成されて表示装置一体型タッチパネルとされている。ガラス基板１の表面のトランスデューサが形成されている額縁領域で囲まれた領域が接触位置検出領域となる。なお、基板は表面弾性波の伝播が可能な矩形状の非圧電基板であればガラス基板である必要はなく、石英板や硬質プラスチック板などであってもよい。
【００３２】
送信用トランスデューサ２ａ、２ｂは電気信号をＳＡＷに変換し、受信用トランスデューサ３ａ、３ｂはＳＡＷを電気信号に変換するためのもので、これらの送信用トランスディーサ２ａ、２ｂおよび受信用トランスディーサ３ａ、３ｂは、例えばＡｌＮやＺｎＯなどからなる薄膜状の圧電体の一方主面に櫛形電極を形成し、他方主面に平板のベタ電極を形成して構成されている。すなわち、トランスデューサ２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂは、圧電薄膜を電極と単極性の櫛型電極で挟み込むＳＰＴ（Single Phase Transducer）電極構造を有しており、「く」の字型の櫛型電極を連続して配置したシェブロン形の電極構成とされている。このような電極構成とすることで、同一面内に１つの電気的配線のみを設ければよいこととなる。
【００３３】
送信用トランスデューサ２ａ、２ｂが備えている櫛形電極と平板電極との間に交流電圧の信号を印加すると、図１中に図示したように、励振された表面弾性波がガラス基板１の２つの対角方向に伝播されて受信トランスデューサ３ａ、３ｂが備えている圧電素子により受信される。
【００３４】
図３は、このようなＳＡＷタッチパネルにおける接触位置検出の原理を説明するための図で、例えば、時刻ｔ＝ｔ０で駆動信号が出力されて送信用トランスジューサ２ａ、２ｂからＳＡＷが発せられると、そのＳＡＷはガラス基板１の表面を表面弾性波が進行して最終的に受信用トランスジューサ３ａ、３ｂに伝達されて電気信号に変換される。このとき、ガラス基板１の表面の特定の位置を指やペンなどで触れていると、当該接触部分の振動（エネルギ）は指やペンなどに吸収されるため接触による信号の欠落として認識される。この信号欠落が生じる時刻（ｔ＝ｔ１）駆動信号の出力時刻（ｔ＝ｔ０）との時間差（Δｔ＝ｔ１−ｔ０）から、ＳＡＷエネルギが伝達されなかったガラス基板１の表面上の座標位置（すなわち接触位置）が検出される。
【００３５】
図４は、本発明の表示装置一体型タッチパネルが備えている有機ＥＬ表示部４の画素の構成を説明するための断面模式図である。この図では、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ）の３つ発光領域で構成される単一画素の領域が図示されている。
【００３６】
有機ＥＬ表示部４の画素は、ガラス基板１の表面の接触位置検出領域に対応する裏面領域に周期的に配列されて設けられている。単一画素の形成領域には、アンダーコート層として、例えば、ガラス層５が設けられており、このガラス層５の上には、例えば、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層などの半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極が順次積層されて構成されたトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）６が設けられている。
【００３７】
ＩＴＯなどの透明電極層７ａおよび層間絶縁層７ｂにはコンタクトホール８が形成されており、このコンタクトホール８を介して、アノード９がＴＦＴ６のソース・ドレインに電気的に接続されている。層間絶縁層７ｂ相互間において露出されているアノード９の上には、青、緑、および赤のそれぞれの画素に対応する有機発光層（発光ポリマ層）１０が設けられている。なお、有機発光層１０には、アノード９から有機発光層１０へ正孔注入を行わせるための導電性有機物層を含ませるようにしてもよい。これら各画素は画素間絶縁壁１１によって互いに離隔され、その上面には反射電極１２が形成されて１つの画素が構成されている。
【００３８】
トランスデューサが備える櫛形電極及び平板電極は、発振回路や受信レベル検出回路などの外部回路に接続されるが、その接続にはフレキシブル基板（ＦＰＣ）やフレキシブルケーブルが好適に用いられる。本発明の表示装置一体型タッチパネルは、一枚のガラス基板表面に所定の材料を積層してタッチパネルを構成した構造のため、接続端子も任意の位置に配置することが容易であり、額縁領域の一部に集めることができる。
【００３９】
図５（ａ）は本発明の表示装置一体型タッチパネルにフレキシブル基板などを接続した状態を説明するための断面概略図であり、図５（ｂ）および図５（ｃ）はそれぞれ、ガラス基板１のタッチパネル側の面に設けられた配線パターン用の接続用パッド１８の様子およびガラス基板１の有機ＥＬ表示部側の面に設けられた配線パターン用の接続用パッド１９とＦＰＣ接続用パッド２０の様子を示している。
【００４０】
図５（ａ）を参照すると、ＦＰＣ２１はガラス基板１の有機ＥＬ表示部側の面の一方端部領域に設けられたＦＰＣ接続用パッド２０に接続され、これに対向する他方端部に設けられた接続用パッド１８および１９は、異方性導電部材２３を介して電気的に接続された状態でガラス基板保持部材２２に固定されている。
【００４１】
すなわち、ガラス基板１の有機ＥＬ表示部側の面に設けられたＦＰＣ接続用パッド２０は額縁領域の一辺に集約して設けられ、これにより外部機器との電気的接続を狭いスペースで可能としている。同様に、タッチパネル側の面に設けられた接続用パッド１８と有機ＥＬ表示部側の面に設けられた接続用パッド１９とは何れも、ガラス基板１の一方の額縁領域の表面と裏面の対応する箇所に集約して設けられ、これにより電気的接続に要するスペースが極めて狭いもので充分な配置とされている。
【００４２】
通常はタッチパネル用接続端子は８個であるので、ガラス基板１のタッチパネル側表面の端部近くに配置した８箇所の接続用パッド１８と、裏面に形成した８箇所の用接続用パッドとを異方性導電部材２３を用いて導通させ、ガラス基板１の裏面にまとめて配置したＦＰＣ接続パッド２０とＦＰＣ２１とを接続すれば、ＦＰＣ２１との接続回数は１回で済ませることが可能となる。
【００４３】
本発明の表示装置一体型タッチパネルは、以下のようにして作製することができる。
【００４４】
図６は、本発明の表示装置一体型タッチパネルの製造プロセスの一例を説明するための工程概念図である。先ず、ガラス基板１の裏面の各画素形成領域に予めＴＦＴ（不図示）を形成したガラス基板１（ＴＦＴ形成済ガラス基板）を準備してその裏面に透明電極層７ａとしてＩＴＯを形成する（ステップＳ１０１）。このガラス基板１の表面にアルミニウム層１３をスパッタ成膜し（ステップＳ１０２）、これをフォトリソグラフィーとエッチングにより短絡電極パターンを形成する（ステップＳ１０３）。これに続き、ガラス基板１の表面に圧電材料であるＺｎＯ膜１４をスパッタ成膜し（ステップＳ１０４）、これをフォトリソグラフィーとエッチングにより短絡電極パターン上のＺｎＯ膜１４のみが残るように加工して圧電パターンを形成する（ステップＳ１０５）。
【００４５】
この圧電パターンの上に櫛型電極１５をスクリーン印刷により形成し（ステップＳ１０６）、さらに櫛型電極１５の所定位置とこの櫛型電極１５に近接するガラス基板１上の所定位置にバス電極１６ａ、１６ｂをスクリーン印刷により形成する（ステップＳ１０７）。上記のステップＳ１０２〜Ｓ１０７の一連の工程により、ガラス基板１の表面にＳＡＷタッチパネルが作製される。
【００４６】
上記ＳＡＷタッチパネルの作製に続いて、ガラス基板１の裏面の透明電極層７ａ上に、スクリーン印刷にて各画素を離隔するための画素間絶縁壁１１を形成し（ステップＳ１０８）、当該画素間絶縁壁１１で区画された画素形成領域にインクジェット印刷により正孔注入層１７を設け（ステップＳ１０９）、さらに正孔注入層１７上に青、緑、および赤の光を発光する発光ポリマをインクジェット印刷（もしくはスタンピングなど）により塗布して有機発光層１０を形成する（ステップＳ１１０）。そして、最後にカソード層である反射電極１１をスクリーン印刷して有機ＥＬ表示部が完成する（ステップＳ１１１）。
【００４７】
なお、好ましくは、上記ステップＳ１０８以降の有機ＥＬ表示部作製工程に先立ち、ＳＡＷタッチパネルに傷や汚れなどがつくことを防止するために、ＳＡＷタッチパネル面を保護フィルムなどにより被覆しておく。この場合の保護フィルムとしては、比較的弱い粘着力の粘着フィルムや、あるいはストリップマスクを印刷・乾燥させたフィルムなどを用いることができる。
【００４８】
また、上記製造プロセス例では、圧電材料であるＺｎＯの成膜に先立ってＩＴＯの成膜を行っているが、これらの成膜の順序を逆にしてもよい。すなわち、ガラス基板１の表面にステップＳ１０２〜Ｓ１０７の手順でＳＡＷタッチパネルを作製した後に、ガラス基板１の裏面の画素形成領域に相当する箇所にＩＴＯなどの材料で透明電極パターンを形成するようにしてもよい。この場合には、既に形成されたトランスデューサが高温に曝されてＳＡＷの発信／受信特性が劣化することを避けるために、２５０℃以下の低温で透明電極パターンが形成される。また、ＩＴＯに換えて、低温処理が可能な透明導電ポリマを用いて透明電極パターンを形成するようにしてもよい。この場合、透明導電ポリマ材の乾燥は１３０〜１４０℃で実行され、極めて低温で透明電極パターンが形成できる。
【００４９】
さらに、上記製造プロセス例では、ガラス基板１としてＴＦＴ形成済ガラス基板を用いることとしたが、ベアのガラス基板１の裏面に２５０℃以下の低温でＴＦＴを形成するようにしてもよい。この場合のＴＦＴ形成用材料としてポリマ材を用いることとすれば、低温処理が可能となるというメリットがある。
【００５０】
以上説明したように、本発明によれば、表示装置とタッチパネルとを同一基板に作り込むこととしたので、高分解能位置検出が可能な薄型・小型の表示装置一体型のタッチパネルを提供することが可能となる。
【００５１】
以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の表示装置一体型タッチパネルの構成を説明するための平面概略図である。
【図２】本発明の表示装置一体型タッチパネルの構成を説明するための断面概略図である。
【図３】ＳＡＷタッチパネルにおける接触位置検出の原理を説明するための図である。
【図４】本発明の表示装置一体型タッチパネルが備えている有機ＥＬ表示部の構成を説明するための断面模式図である。
【図５】本発明の表示装置一体型タッチパネルにフレキシブル基板などを接続した状態を説明するための図である。
【図６】本発明の表示装置一体型タッチパネルの製造プロセスを説明するための工程概念図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  ガラス基板
２ａ、２ｂ  送信用トランスデューサ
３ａ、３ｂ  受信用トランスデューサ
４  有機ＥＬ表示部
５  ガラス層
６  薄膜トランジスタ
７ａ  透明電極層
７ｂ  層間絶縁層
８  コンタクトホール
９  アノード
１０  有機発光層
１１  画素間絶縁壁
１２  反射電極
【図１】
2006048453.tif 000003
【図２】
2006048453.tif 000004
【図３】
2006048453.tif 000005
【図４】
2006048453.tif 000006
【図５】
2006048453.tif 000007
【図６】
2006048453.tif 000008