(57)【要約】  【課題】膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。  【解決手段】調整用基板３７を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態でプロダクト用基板３６を回転させて成膜する。基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるようにするには、反応炉の温度分布を調整することにより行う。【選択図】          図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態で基板を回転させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
反応炉内で基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるように反応炉内の温度分布を調整する第１ステップと、
第１ステップで調整した炉内温度分布を保持した反応炉内で基板を回転させて成膜を行う第２ステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板を処理する反応炉と、
反応炉内で基板を支持する支持具と、
反応炉に成膜ガスを供給する供給口と、
反応炉内を排気する排気口と、
反応炉内で基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体の膜厚分布の勾配と方向が一定となるように炉内温度分布を調整し、調整した炉内温度分布を保持した反応炉内で前記基板を回転させて成膜を行うよう制御する制御手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体等の基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置においては、基板は支持具に支持され、反応炉に支持具と共に搬入され、ＣＶＤ等により基板に膜が形成される。基板に形成される膜に対しては膜厚の均一性が求められる。従来、支持具を回転させることで、基板面内の温度偏差及び炉内断面のガス濃度偏差の均一化を図るものが知られている（例えば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２５８０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板内温度分布と基板内膜厚分布とは相関があるため、良好な膜厚分布を確保するために基板内温度分布を均一に保持することは当然のことと考えられてきた。
しかしながら、膜厚均一性の精度向上が要求される中で従来の方法では膜厚均一性が満足できないケースが発生している。成膜条件によるが、ほとんどの場合、膜厚分布は同心円状になり、図１（ａ）に示すように、凸状分布（中心が厚く周辺が薄い分布）となるか、又は、図１（ｂ）に示すように、凹状分布（中心が薄く周辺が厚い分布）になるかの２通りに分けられる。
【０００５】
本発明は、膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態で基板を回転させて成膜する半導体装置の製造方法にある。これによって成膜時の膜厚分布が均一になるように促進させることができる。基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態にするには、例えば、基板周囲にヒータを設け、ヒータを基板の周方向において複数のゾーンに分割し、分割した複数の分割ヒータの温度をそれぞれ別々に調整することにより、反応炉内の温度分布を調節したり、あるいは反応管外部の周方向における複数箇所に温度調整用媒体を流通させ、それぞれの箇所における温度調整用媒体の流量を調節することにより、反応炉内の温度分布を調整したりすることにより行うことができる。
【０００７】
本発明の第２の特徴とするところは、反応炉内で基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるように反応炉内の温度分布を調整する第１ステップと、第１ステップで調整した炉内温度分布を保持した反応炉内で基板を回転させて成膜を行う第２ステップとを有する半導体装置の製造方法にある。第１ステップにおいては、反応炉内で基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布と方向が一定となるように反応炉内の温度分布を調整するために、例えば、基板周囲にヒータを設け、ヒータを基板の周方向において複数のゾーンに分割し、分割した複数の分割ヒータの温度をそれぞれ別々に調整したり、あるいは反応管外部の周方向における複数箇所に温度調整用媒体を流通させ、それぞれの箇所における温度調整用媒体の流量を調節する。
【０００８】
本発明の第３の特徴とするところは、  基板を処理する反応炉と、反応炉内で基板を支持する支持具と、反応炉に成膜ガスを供給する供給口と、反応炉内を排気する排気口と、反応炉内で基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体の膜厚分布の勾配と方向が一定となるように炉内温度分布を調整し、調整した炉内温度分布を保持した反応炉内で前記基板を回転させて成膜を行うよう制御する制御手段と、を有する基板処理装置にある。
【発明の効果】
【０００９】
本発明においては、基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態で基板を回転させて成膜するようにしたので、従来と比較してより膜厚均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図２には、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０が示されている。この基板処理装置１０は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体１２を有する。この筐体１２内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１４の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１６が設けられ、該カセットステージ１６の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１８が設けられ、該カセットエレベータ１８には搬送手段としてのカセット移載機２０が取り付けられている。カセットエレベータ１８の後側には、カセット１４の載置手段としてのカセット棚２２が設けられ、このカセット棚２２はスライドステージ２３上に横行可能に設けられている。また、カセット棚２２の上方にはカセット１４の載置手段としてのバッファカセット棚２４が設けられている。このバッファカセット棚２４の後側にはクリーンユニット２６が設けられ、クリーンエアを前記筺体１２の内部を流通させるように構成されている。
【００１１】
筐体１２の後部上方には、反応炉２８が設けられ、この反応炉２８内には、基板３６に所定の処理を行う反応室８８が形成されている。前記反応炉２８の下側には、半円筒形状の気密室としてのロードロック室３０が仕切弁としてのゲートバルブ３２により連接され、このロードロック室３０の前面にはカセット棚２２と対向する位置に仕切手段としてのロードロックドア３４が設けられている。ロードロック室３０内には、基板３６を水平姿勢で多段に保持する支持具としてのボート３８を、反応室８８に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ４０が内設され、このボートエレベータ４０には蓋体としてのシールキャップ４２が取り付けられ、支持具３８を垂直に支持している。ロードロック室３０とカセット棚２２との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、この移載エレベータには搬送手段としての基板移載機４４が取り付けられている。また、ロードロック室３０には、パージガスを導入するためのパージノズル４６が接続されている。
【００１２】
なお、前記カセット移載機２０等の搬送動作を制御する搬送制御手段４８がカセットステージ１６の下方に設けられている。
【００１３】
以下、基板処理装置における一連の動作を説明する。
図示しない外部搬送装置から搬送されたカセット１４は、カセットステージ１６に載置され、このカセットステージ１６でカセット１４はその姿勢を９０度変換され、更に、カセットエレベータ１８の昇降動作、横行動作及びカセット移載機２０の進退動作の協働によりカセット棚２２又はバッファカセット棚２４に搬送される。
【００１４】
基板移載機４４によりカセット棚２２から支持具３８へ基板３６が移載される。この基板３６を移載する準備として、支持具３８が前記ボートエレベータ４０により降下され、ゲートバルブ３２により反応室８８が閉塞され、更にロードロック室３０の内部にパージノズル４６から窒素ガス等のパージガスが導入される。ロードロック室３０が大気圧に復圧された後、ロードロックドア３４が開かれる。
【００１５】
スライドステージ２３はカセット棚２２を水平移動させ、移載の対象となるカセット１４を基板移載機４４に対峙するように位置決めする。基板移載機４４は昇降動作、回転動作の協働により基板３６をカセット１４から支持具３８へと移載する。基板３６の移載はいくつかのカセット１４に対して行われ、支持具３８に所定枚数の基板３６の移載が完了した後、ロードロックドア３４が閉じられ、ロードロック室３０が真空引きされる。
【００１６】
真空引きが完了した後に再びパージノズル４６よりパージガスが導入され、ロードロック室３０内部が大気圧に復圧されるとゲートバルブ３２が開かれ、ボートエレベータ４０により支持具３８が反応室８８内に挿入され、ゲートバルブ３２が閉じられる。尚、真空引き完了後に前記ロードロック室３０内部を大気圧に復圧させず大気圧未満の状態で支持具３８を反応室８８内に挿入しても良い。反応室８８内で基板３６に所定の処理が為された後、ゲートバルブ３２が開かれ、ボートエレベータ４０により支持具３８が引き出され、さらにロードロック室３０内部を大気圧に復圧させた後にロードロックドア３４が開かれる。
【００１７】
処理後の基板３６は上記した作動と逆の手順により支持具３８からカセット棚２２を経てカセットステージ１６に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
カセット移載機２０等の搬送動作は、搬送制御手段４８により制御される。
【００１８】
図３において、上記反応炉２８の詳細が示されている。反応炉２８は、縦型減圧ＣＶＤ炉で、例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなる外部反応管としてのアウターチューブ５２を有する。このアウターチューブ５２は、上端が閉鎖され、下端に開口を有する円筒状の形態である。このアウターチューブ５２内には同心円状に内部反応管としてのインナーチューブ５４が配置されている。アウターチューブ５２とインナーチューブ５４との間には筒状空間５６が設けられている。インナーチューブ５４の上部開口から上昇したガスは、筒状空間５６を通過して排気管５８から排気されるようになっている。
【００１９】
アウターチューブ５２及びインナーチューブ５４の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド５９が係合され、このマニホールド５９にアウターチューブ５２及びインナーチューブ５４が保持されている。このマニホールド５９は、保持手段としてのヒータベース６０に固定されている。
【００２０】
マニホールド５９の下端は、炉口６２となっており、基板処理時においては、前述したシールキャップ４２により気密的に閉鎖されている。このシールキャップ４２は、例えばステンレス等により円板状に形成されている。このシールキャップ４２には、アウターチューブ５２の下方側に設けられたガス供給管６４により処理用のガスがアウターチューブ５２内に供給される。ガス供給管６４は、ガスの流量制御を行うマスフローコントローラ６６に連結され、このマスフローコントローラ６６がガス流量制御部に接続されており、このガス流量制御部からの指示に基づいてマスフローコントローラ６６が制御され、供給するガスの流量を所定の量に制御し得るようになっている。
【００２１】
マニホールド５９の上部には、圧力調節器（ＡＰＣ、Ｎ２バラスト制御器等がある）６８及び排気装置（真空ポンプ）７０に連結された排気管５８が接続されており、この排気管５８からアウターチューブ５２とインナーチューブ５４との間の筒状空間５６を流れるガスを排出し、アウターチューブ５２内を圧力調節器６８により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段としての圧力センサ７２により検出し、圧力制御部により制御する。
【００２２】
シールキャップ４２には、回転手段としての回転軸７４が連結されており、この回転軸７４により、支持具３８及びこの支持具３８に支持された基板３６を回転させる。また、シールキャップ４２は、前述したように、ボートエレベータ４０に連結され、支持具３８を昇降させる。回転軸７４及びボートエレベータ４０を所定のスピードで回転又は昇降させるように、駆動制御部により制御する。また、前述した炉口シャッタ４６の開閉動作も駆動制御部により制御する。
【００２３】
アウターチューブ５２の外周には、加熱手段としてのヒータユニット７６が同心円状に配置されている。このヒータユニット７６は、主にヒータ素線１０２と、該ヒータ素線１０２の外側に設けられた断熱材１０４とからなり、ヒータベース６０に保持され、アウターチューブ５２内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段としての熱電対７８により温度を検出し、温度制御部により制御する。
【００２４】
図３に示した反応炉２８による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ４０により支持具３８を下降させる。支持具３８に多数の基板３６を保持する。次いで、ヒータユニット７６により加熱しながら、アウターチューブ５２内の温度を所定の処理温度にする。アウターチューブ５２内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ４０により、支持具３８をアウターチューブ５２内（すなわち、インナーチューブ５４内）に移し、アウターチューブ５２内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸７４により、支持具３８及び基板３６を回転させる。同時にガス供給管６４から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ５２内を上昇し、基板３６に対して均等に供給される。
【００２５】
減圧ＣＶＤ処理中のアウターチューブ５２内は、排気管５８を介して排気され、所定の真空となるよう圧力調節器６８により圧力が制御され、所定時間減圧ＣＶＤ処理を行う。
【００２６】
このようにして減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次の基板３６の減圧ＣＶＤ処理に移るべく、アウターチューブ５２内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ４０により支持具３８を下降させて、支持具３８及び処理済の基板３６をアウターチューブ５２から取り出す。アウターチューブ５２から取り出された支持具３８上の処理済の基板３６は、未処理の基板３６と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ５２内に上昇され、減圧ＣＶＤ処理がなされる。
【００２７】
図４において、本発明に係る反応炉２８の第１例が示されている。反応炉２８のヒータユニット７６は、アウターチューブ５２の外側に設けられ、断面で見て周方向に複数、ここでは６つに分割された分割ヒータ７６ａ〜７６ｆから構成されている。これら分割ヒータ７６ａ〜７６ｆは、それぞれ別々に温度を調節することができ、制御装置８５からの制御信号により温度制御される。
【００２８】
図５において、基板３６に膜を形成する方法が示されている。まず第１ステップでは、プロダクト用基板３６と同等である複数の調整用基板３７を前述した支持具３８（図２、図３に示す）に装填して反応炉２８内にロードし、支持具３８、すなわち調整用基板３７を回転させないで、成膜を行う。このとき分割ヒータ７６ａ〜７６ｆの温度をそれぞれ適切な温度に調整することによって、調整用基板３７面内の温度分布を調整し、調整用基板３７面内の膜厚分布を調整する。すなわち図５に示すように、調整用基板３７面内全体の膜厚分布が調整用基板３７の一定方向、すなわち直径方向に向かった一定の勾配を有するように膜厚分布を調整する。例えば１つの分割ヒータ７６ａの温度を６７９．０°Ｃとし、分割ヒータ７６ａと隣り合う２つの分割ヒータ７６ｂ，７６ｆの温度を６７９．５°Ｃとし、この２つの分割ヒータ７６ｂ，７６ｆと隣り合う２つの分割ヒータ７６ｃ，７６ｅの温度を６８０．０°Ｃとし、この２つの分割ヒータ７６ｃ，７６ｅと隣り合う１つの分割ヒータ７６ｄの温度を６８０．５°Ｃとする。成膜ガス種は例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、供給流量は４００ｓｃｃｍ、圧力は７０Ｐａ、調整時間は２０ｍｉｎとする。
次に調整用基板３７が支持された支持具３８を反応炉２８からアンロードし、このアンロードされた支持具３８に支持された調整用基板３７面内全体における膜厚分布を測定する。測定の結果、調整用基板３７面内全体の膜厚分布の勾配と方向が一定となれば処理を終了し、一定となっていない場合は、再度新たな調整用基板３７を支持具３８に装填し、調整用基板３７を支持した支持具３８を反応炉２８にロードし、分割ヒータ７６ａ〜７６ｆの温度を再度調整し、再度調整した調整用基板３７面内の膜厚分布を測定する。調整用基板３７面内の膜厚分布における勾配と方向とが所定の勾配と方向になるまでこれを繰り返す。すなわち、この第１ステップは、調整用基板３７面内全体における膜厚分布の勾配と方向とが一定となるように炉内温度分布を調整するものである。この第１ステップで調整された炉内温度分布はそのまま維持され、次の第２ステップに進む。
【００２９】
第２ステップでは、第１ステップで調整した炉内温度を保持した状態で、複数のプロダクト用基板３６を支持具３８に装填して反応炉２８内にロードし、支持具３８、すなわちプロダクト基板３６を回転させながらプロダクト基板３６上に膜を形成（堆積）する。この第２ステップでは、第１ステップで調整した炉内温度分布が保持されており、回転数は例えば２ｒｐｍ、成膜ガス種はＴＥＯＳ、供給流量は４００ｓｃｃｍ、圧力は７０Ｐａ、成膜時間は２０ｍｉｎとする。すなわち、ガス種、成膜条件等は第１ステップと同等とする。この第２ステップでは、第１ステップで調整した炉内温度を保持した状態で複数のプロダクト基板３６に対してバッチ処理を所定回数連続して行う。
【００３０】
このように、基板を回転させずに成膜したときの基板３６基板面内全体における膜厚分布が基板の直径方向に向かった勾配を有するような状態で基板を回転させて成膜することにより、膜厚分布を均一化させることができる。
図６において、比較例、実施例１、実施例２の結果が示されている。比較例１の成膜条件は、処理温度は６８０°Ｃ、成膜ガス種はＴＥＯＳ、供給流量は４００ｓｃｃｍ、圧力は７０Ｐａ、処理時間は２０ｍｉｎとした。回転ありの場合の回転数は２ｒｐｍとした。実施例１の成膜条件は、ステップ１（回転なし）では、１つの分割ヒータ９４ａの温度を６７９．０°Ｃとし、分割ヒータ７６ａと隣り合う２つの分割ヒータ７６ｂ，７６ｆの温度を６７９．５°Ｃとし、この２つの分割ヒータ７６ｂ，７６ｆと隣り合う２つの分割ヒータ７６ｃ，７６ｅの温度を６８０．０°Ｃとし、この２つの分割ヒータ７６ｃ，７６ｅと隣り合う１つの分割ヒータ７６ｄの温度を６８０．５°Ｃとし、成膜ガス種はＴＥＯＳ、供給流量は４００ｓｃｃｍ、圧力は７０Ｐａ、調整時間は２０ｍｉｎとし、ステップ２（回転あり）では、処理温度はステップ１と同様とし、回転数は２ｒｐｍ、成膜ガス種はＴＥＯＳ、供給流量は４００ｓｃｃｍ、圧力は７０Ｐａ、成膜時間は２０ｍｉｎとした。実施例２の成膜条件は、ステップ１（回転なし）では、１つの分割ヒータ７６ａの温度を６７８．０°Ｃとし、分割ヒータ７６ａと隣り合う２つの分割ヒータ７６ｂ，７６ｆの温度を６７９．０°Ｃとし、この２つの分割ヒータ７６ｂ，７６ｆと隣り合う２つの分割ヒータ７６ｃ，７６ｅの温度を６８０．０°Ｃとし、この２つの分割ヒータ７６ｃ，７６ｅと隣り合う１つの分割ヒータ７６ｄの温度を６８１．０°Ｃとし、成膜ガス種はＴＥＯＳ、供給流量は４００ｓｃｃｍ、圧力は７０Ｐａ、調整時間は２０ｍｉｎとし、ステップ２（回転あり）では、処理温度はステップ１と同様とし、回転数は２ｒｐｍ、成膜ガス種はＴＥＯＳ、供給流量は４００ｓｃｃｍ、圧力は７０Ｐａ、成膜時間は２０ｍｉｎとした。
【００３１】
回転なしとは、支持具を回転させないで処理した状態を示し、回転ありとは、支持具を回転させて処理した状態を示す。計算値とは、回転なしのデータから基板の半径が等しい点の平均値を求め、それを図示したものである。Ｍｅａｎ．は膜厚の平均値であり、比較例、実施例１及び実施例２の間には差がないことが分かる。Ｕｎｉｆ．は、膜厚均一性を示し、Ｕｎｉｆ．＝(最大値−最小値)／平均値×100／2であり、比較例に対し実施例１と実施例２とでは約１／２となることが分かる。また、Ｒａｎｇｅは膜厚の最大値から最小値を差し引いた値であり、同じく比較例に対し実施例１と実施例２とでは約１／２となることが分かる。
【００３２】
図７において、反応炉２８の第２例が示されている。この第２例は、温度調整用媒体により反応炉２８の温度分布を調整するために、断面で見て周方向に例えば６つに分かれた温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆを有する。この第２例においては、温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆは、ヒータユニット７６の内側でアウターチューブ５２の外側に設けられている。これら温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆは、例えばＵ字状であり、アウターチューブ５２の外壁面に沿うように上方へ立ち上がり、アウターチューブ５２の頂部よりも上方で折り返され、下方に向かうようになっている。これら温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆのガス流量を調整することによって、反応炉２８内の温度分布を調整し、基板３６面内全体の温度分布を調整し、図５に示すように、基板３６面内全体における膜厚分布の勾配と方向とが一定となるように炉内温度分布を調整する。それぞれの温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆは、開閉バルブ９８及び流量計１００を介して温度調整用媒体源に接続されている。温度調整用媒体としては、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、空気（Ａｉｒ）等のガスが用いられ、好ましくはＮ２、Ａｒ等の不活性ガスを用いるのがよい。この温度調整用媒体の流量は制御装置８５によりそれぞれ調節される。即ち、例えば１つの温度調整用媒体通路９６ａの流量を６ｌ／ｍｉｎとし、温度調整用媒体通路９６ａと隣り合う２つの温度調整用媒体通路９６ｂ，９６ｆの流量を５ｌ／ｍｉｎとし、この２つの温度調整用媒体通路９６ｂ，９６ｆと隣り合う２つの温度調整用媒体通路９６ｃ，９６ｅの流量を４ｌ／ｍｉｎとし、この２つの温度調整用媒体通路９６ｃ，９６ｅと隣り合う１つの温度調整用媒体通路９６ｄの流量を３ｌ／ｍｉｎとする。
【００３３】
図８において、反応炉２８の第３例が示されている。この第３例は、第２例と同様に、温度調整用媒体により反応炉２８の温度分布を調整するために、断面で見て周方向に例えば６つに分かれた温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆを有する。この第３例においては、温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆは、アウターチューブ５２の外側のヒータユニット７６内、すなわちヒータ素線１０２よりも外側であって断熱材１０４の内部を垂直方向に貫通するように設けられている。これら温度調整用媒体通路９６ａ〜９６ｆのガス流量を調整することによって、反応炉２８内の温度分布を調整し、基板３６面内全体の温度分布を調整し、図５に示すように、基板３６面内全体における膜厚分布の勾配と方向とが一定となるように炉内温度分布を調整する。この温度調整用媒体の流量は制御装置８５によりそれぞれ調節される。即ち、例えば１つの温度調整用媒体通路９６ａの流量を５．５ｌ／ｍｉｎとし、温度調整用媒体通路９６ａと隣り合う２つの温度調整用媒体通路９６ｂ，９６ｆの流量を５ｌ／ｍｉｎとし、この２つの温度調整用媒体通路９６ｂ，９６ｆと隣り合う２つの温度調整用媒体通路９６ｃ，９６ｅの流量を４．５ｌ／ｍｉｎとし、この２つの温度調整用媒体通路９６ｃ，９６ｅと隣り合う１つの温度調整用媒体通路９６ｄの流量を４ｌ／ｍｉｎとする。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、高度に膜厚分布を調整する必要がある半導体装置の製造方法及び基板処理装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の半導体装置の製造方法により成膜させた膜厚分布を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に用いた基板処理装置を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に用いた反応炉全体を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に用いた反応炉の第１例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態における半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】比較例、実施例１及び実施例２の結果を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に用いた反応炉の第２例を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に用いた反応炉の第３例を示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０    基板処理装置
２８    反応炉
３０    支持具
３６    プロダクト基板
３７    調整用基板
７６    ヒータユニット
７６ａ〜７６ｆ  分割ヒータ
８５    制御装置
９６ａ〜９６ｆ  温度調整用媒体通路
【図１】
2006173482.tif 000003
【図２】
2006173482.tif 000004
【図３】
2006173482.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006173482.tif 000007
【図６】
2006173482.tif 000008
【図７】
2006173482.tif 000009
【図８】
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