(57)【要約】【課題】更なる高記録密度の磁気記録媒体を提供し、その磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる組成の異なる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さい磁気記録媒体とする。【選択図】図１
2006155861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が６００(ｅｍｕ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が１５０(ｅｍｕ／ｃｍ３）以上５００(ｅｍｕ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が５００(ｅｍｕ／ｃｍ３）以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記垂直磁気記録膜に含まれる酸化物が、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯのいずれか一つであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記下部記録膜のＣｏとＰｔと酸化物以外の非磁性元素が１２（ａｔ％）以上２０（ａｔ％）以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記上部記録膜のＣｏとＰｔと酸化物以外の非磁性元素が１２（ａｔ％）未満であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記非磁性元素が、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕのうちから選ばれるいずれか１つの元素であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
垂直磁気記録膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が１５００（Ｏｅ）（１２０ｋ／Ａ）以上であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記中間膜がＲｕであることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とを順次形成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記垂直磁気記録膜をＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる２層で形成し、下部の基板側には飽和磁化（Ｍｓ）のより高い垂直磁気記録膜を形成し、次いで上部の保護膜側に飽和磁化（Ｍｓ）のより低い垂直磁気記録膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体として請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の磁気記録媒体を使用してなることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法並びにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録方式は、従来、媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビット間の境界である磁化遷移領域付近での反磁界が小さくなるため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定となって熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式である。
また、基板と垂直磁気記録膜との間に軟磁性材料からなる裏打ち層を設けた場合には、いわゆる垂直２層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性裏打ち層は磁気ヘッドからの記録磁界を還流させる役割を果たしており、記録再生効率を向上させることができる。
【０００３】
近年垂直磁気記録膜として、酸化物を添加したグラニュラー磁気記録膜が盛んに研究されている。この膜はＣｏＣｒ合金では、基板温度を２００℃以上の高温に加熱することで結晶粒界にＣｒを偏析させていたのに対して、グラニュラー膜は加熱なしで、ＣｏＣｒ以上に偏析構造をとることが可能であるという特徴を持っている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００３−１７８４１２号公報
【特許文献２】特開２００４-２２１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように様々な下地を用いた垂直磁気記録媒体が提案されているが、更なる高記録密度の磁気記録媒体を得るには不十分であり、この問題を解決しかつ安易に製造が可能な磁気記録媒体が要望されていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、垂直磁気記録膜を組成の異なる積層構造とすることで、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち本発明は以下に示す
（１）  非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さいことを特徴とする磁気記録媒体、
（２）  前記下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が６００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以下である(１)に記載の磁気記録媒体、
（３）  前記下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が１５０（ｅｍｕ／ｃｍ３）以上５００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体、
（４）  前記上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が５００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以上である（１）から（３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体、
（５）  前記垂直磁気記録膜に含まれる酸化物が、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯのいずれか一つである（１）から（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体、
（６）  前記下部記録膜のＣｏとＰｔと酸化物以外の非磁性元素が１２（ａｔ％）以上２０（ａｔ％）以下である（１）から（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体、
【０００６】
（７）  前記上部記録膜のＣｏとＰｔと酸化物以外の非磁性元素が１２（ａｔ％）未満である（１）から（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体、
（８）  前記非磁性元素が、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕから選ばれるいずれか１つの元素である（１）から（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体、
（９）  垂直磁気記録膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が１５００（Ｏｅ）（１２０ｋ／Ａ）以上である（１）から（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体、
（１０） 前記中間膜がＲｕであることを特徴とする（１）から（９）の何れか１つに記載の磁気記録媒体、
（１１）  非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とを順次形成する垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記垂直磁気記録膜をＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる２層で形成し、下部の基板側には飽和磁化（Ｍｓ）のより高い垂直磁気記録膜を形成し、次いで上部の保護膜側に飽和磁化（Ｍｓ）のより低い垂直磁気記録膜を形成する磁気記録媒体の製造方法、
（１２）  磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、磁気記録媒体として（１）から（１０）の何れか１つに記載の磁気記録媒体を使用してなる磁気記録再生装置、の各発明を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、非磁性基板上に少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さいことを特徴とする磁気記録媒体であることにより、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を示すものである。ここに示されている磁気記録媒体１０は、非磁性基板１上に、裏打ち層として第１軟磁性２と、Ｒｕ膜３と、第２軟磁性膜４からなる３層を具備し、さらに配向制御膜５と中間膜６とを具備し、さらにその上に下部記録膜７と上部記録膜８の２層からなる垂直磁気記録膜９と、保護膜１７と潤滑膜１８とが順次形成された構成となっている。
非磁性基板１としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。
ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。
【０００９】
非磁性基板１は、平均表面粗さＲａが０．４ｎｍ以下、好ましくは０．３ｎｍ以下とするのが良い。平均表面粗さが上記範囲である場合、垂直磁気記録膜９の成膜をおこなったとき、より特性の改善を得ることができるためである。また、平均表面粗さＲａは０．４ｎｍ以下とするのがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から望ましい。
また、表面の微小うねり（Ｗａ）を０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．２５ｎｍ以下とするのがヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。
【００１０】
裏打ち層を構成するもののうち第１軟磁性膜２及び第２軟磁性膜４は軟磁性材料からなるもので、この材料としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む材料を挙げることができる。この材料としては、ＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）を挙げることができる。
軟磁性膜は、アモルファス構造であることが特に好ましい。アモルファス構造とすることで、その上に設けられた下地膜の粒径の肥大化、配向の悪化などの悪影響を及ぼすことが無いためである。さらに、アモルファス構造とすることで、表面粗さＲａが大きくなることを防ぎ、ヘッドの浮上量を低減することが可能となり、その結果さらに高記録密度化が可能となるためである。
軟磁性膜の保磁力Ｈｃは３０（Ｏｅ）以下、好ましくは１０（Ｏｅ）以下とするのが良い。なお、１（Ｏｅ）は、約７９Ａ／ｍである。
【００１１】
軟磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓは、１．０Ｔ以上、好ましくは１．３Ｔ以上、とするのが良い。
裏打ち層を構成する軟磁性膜の総膜厚は２０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とするのが良い。軟磁性膜の総膜厚が２０ｎｍ未満であるＯＷ特性が低下するために好ましくない。また、１２０ｎｍを超えると生産性を大きく悪化させるために好ましくない。
軟磁性膜の形成方法としては、スパッタリング法を用いることができる。
裏打ち層を形成する際に、半径方向に磁界を与えた状態で成膜することもできる。
【００１２】
裏打ち層は少なくとも２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜またはＲｅ膜（図１の符号３参照）を設けて構成することが好ましい。軟磁性膜の間にＲｕ膜、Ｒｅ膜を設け、所定の厚さに設定することで、上下に設けられた軟磁性膜を反強磁性結合させることができるためである。このような構成とすることで、垂直媒体特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）の現象をより改善することが可能となる。
【００１３】
配向制御膜５は、上に設けられた垂直磁気記録膜９の配向や結晶サイズを制御するためのものである。配向制御膜５に用いられる材料は、ｈｃｐまたはｆｃｃ構造を有する結晶構造であることが好ましい。ｆｃｃ構造以外の構造（例えば、ｂｃｃ構造やアモルファス構造）であると、垂直磁気記録膜９の配向が不十分となり、その結果、ＳＮＲの低下や保磁力の低下を生じるので好ましくない。
配向制御膜５としては、Ｐｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどを挙げることができる。配向制御膜５の膜厚は１（ｎｍ）以上１２（ｎｍ）以下であることが好ましい。配向制御膜５が１ｎｍ未満であると、配向制御膜としての効果が不十分となり、粒径の微細化の効果を得ることができず、また配向の改善を得ることができないので好ましくない。また、配向制御膜５の厚さが１２（ｎｍ）を超えると、記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層の距離が大きくなるため、ＯＷ特性や再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
中間膜６としてはＲｕを用いることが好ましい。中間膜として、粒径微細化、配向性向上の目的で添加元素を加えてもよい。
中間膜６の膜厚は３（ｎｍ）以上２５（ｎｍ）以下であることが好ましい。中間膜６が３（ｎｍ）未満であると、結晶成長が不十分になり下地膜としての効果が不十分となるため好ましくない。また、中間膜６の厚さが２５（ｎｍ）を超えると、記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層の距離が大きくなるため、ＯＷ特性や再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
【００１４】
垂直磁気記録膜９は磁化容易軸が基板面に対し垂直方向に有している。構成元素としては、少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含んでおり、さらにＳＮＲ特性改善などの目的でＣｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｎなどの元素を添加することもできる。
垂直磁気記録膜９を構成する酸化物としては、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ等を挙げることができる。酸化物の体積率は１５〜４０体積％であることが好ましい。酸化物の体積率が１５体積％未満であると、ＳＮＲ特性が不十分となるため好ましくない。酸化物の体積率が４０体積％を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。
垂直磁気記録膜９の厚さは８〜１８ｎｍであることが好ましい。酸化物グラニュラー層の厚さがこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、ＯＷ特性の悪化が生じないために好ましい。
【００１５】
本発明で使用する垂直磁気記録膜は磁性結晶粒の周囲を非磁性非金属物質である酸化物で囲んだ構造をもつ、いわゆるグラニュラー構造をなしている。グラニュラー磁性膜は、非磁性非金属の粒界相が磁性粒子を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られる。また、このようなグラニュラー磁気記録層においては、粒界相として用いられる非磁性非金属の物質は、磁性粒子間の相互作用を低減することが可能である。
【００１６】
本発明の垂直磁気記録膜は、積層構造をなす下部記録膜７と上部記録膜８からなり、下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より小さいことが好ましい。この順序の構成とすることで、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）とＳＮＲの両立が達成することが可能となる。
【００１７】
下部記録膜７の飽和磁化（Ｍｓ）は６００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以下であることが好ましい。特に、１５０（ｅｍｕ／ｃｍ３）以上５００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以下の範囲であることが好ましい。この範囲である磁気記録媒体は特に優れたＳＮＲを示す。上部記録膜８の飽和磁化（Ｍｓ）は５００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以上であることが好ましい。これ以下であると、逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が低下するために好ましくない。
下部記録膜７の構成元素はＣｏとＰｔと酸化物以外の非磁性元素が１２（ａｔ％）以上２０（ａｔ％）以下であることが好ましい。この範囲にすることで、最適な飽和磁化（Ｍｓ）と高記録密度に対応したＳＮＲを得ることが可能となる。
【００１８】
上部記録膜８の構成元素は、ＣｏとＰｔと酸化物以外の非磁性元素が１２（ａｔ％）未満であることが好ましい。この範囲とすることで、最適な飽和磁化（Ｍｓ）と高記録密度に対応したＳＮＲと逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）を得ることが可能となる。
下部記録膜７および上部記録膜８を構成する非磁性元素はＣｒ、Ｒｕ、Ｃｕのいずれかからなることが好ましい。酸化物の偏析構造を十分に促進して、良好なグラニュラー構造を形成することが可能となる。
【００１９】
垂直磁気記録膜９の逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）は１５００（Ｏｅ）以上であることが好ましい。逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）が１５００（Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が著しく低下するので好ましくない。
【００２０】
保護膜１７は垂直磁気記録膜９の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが使用可能である。保護膜１７の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下とするのがヘッドと媒体の距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。
保護膜１７には従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。
本形態の磁気記録媒体にあっては、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と中間層と垂直磁気記録膜と保護膜とが順次形成された垂直磁気記録媒体において、前記垂直磁気記録膜が少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含むグラニュラー構造からなる２層で構成されており、基板側に設けられた下部記録膜１の飽和磁化（Ｍｓ）が保護膜側に設けられた上部記録膜２の飽和磁化（Ｍｓ）より小さいことを特徴とする磁気記録媒体であるので、高密度の情報の記録再生が可能となる。
【００２１】
図２は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、前述した本発明の磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【実施例】
【００２２】
以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
ガラス基板（ＭＹＧ社製アモルファス基板ＭＥＬ、直径２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。基板加熱をおこなった後、この基板上に第１の軟磁性膜として８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ（Ｃｏ含有量８９ａｔ％、Ｚｒ含有量４ａｔ％、Ｎｂ含有量７ａｔ％）を５０ｎｍ、あいだに挟むＲｕ膜を０．８ｎｍ、第２の軟磁性膜として８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂを５０ｎｍ成膜して裏打ち層を形成した。裏打ち層の結晶構造がアモルファス構造であることをＸＲＤで確認した。
次いで、配向制御膜として６０Ｎｉ−３５Ｃｒ−５Ｂを５ｎｍ、下地膜としてＲｕを１５ｎｍ、垂直磁気記録膜として６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２を４ｎｍ及び７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２を８ｎｍ成膜した。６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２の飽和磁化（Ｍｓ）が２５０（ｅｍｕ／ｃｍ３）で、７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２の飽和磁化（Ｍｓ）が６８０（ｅｍｕ／ｃｍ３）であることを、振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で別途確認した。次いで、ＣＶＤ法により４ｎｍの保護膜を形成した。
次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成し、垂直磁気記録媒体を得た。
【００２３】
（比較例１〜４）
垂直磁気記録膜の構成を変えた以外は実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。
これら実施例および比較例の磁気記録媒体について、記録再生特性を評価した。記録再生特性の評価は、米国ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。
記録再生特性の評価には、書き込みをシングルポール磁極、再生部にＧＭＲ素子を用いたヘッドを使用して、記録周波数条件を線記録密度９００ｋＦＣＩとして測定した。評価結果を表１に示す。静磁気特性はＫｅｒｒ効果測定装置（ネオアーク社製）を用いて測定した。
【００２４】
【表１】
2006155861.tif 000003
【００２５】
実施例１は、比較例１〜４に比較してＳＮＲが上回ることが確認できた。また逆磁区形成磁界（−Ｈｎ）の低下もなく熱揺らぎ耐性も問題ないことがわかる。
【００２６】
（実施例２〜６）
下部記録膜の組成を表２のように変えた以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。評価結果を表２に示す。
【００２７】
【表２】
2006155861.tif 000004
【００２８】
下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より低い実施例は優れたＳＮＲと逆磁区形成磁界を得ることができた。特に下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が１５０（ｅｍｕ／ｃｍ３）以上５００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以下である実施例は優れた特性を得ることができた。
【００２９】
（実施例７、８）
上部記録膜の組成を表３に示すように変えた以外は実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。評価結果を表３に示す。
【００３０】
【表３】
2006155861.tif 000005
【００３１】
下部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）より低い実施例は優れたＳＮＲと逆磁区形成磁界を得ることができた。特に上部記録膜の飽和磁化（Ｍｓ）が５００（ｅｍｕ／ｃｍ３）以上である実施例は優れた特性を得ることができた。
【００３２】
（実施例９〜１２）
上部記録膜、下部記録膜の厚さを表４に示すように変えた以外は実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。評価結果を表４に示す。
いずれの磁気記録媒体も優れた特性を得ることができた。
【００３３】
【表４】
2006155861.tif 000006
【００３４】
（実施例１３〜２１）
垂直磁気記録膜の構成元素を表５に示すように変えた以外は実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。評価結果を表５に示す。
いずれの磁気記録媒体も優れた特性を得ることができた。
【００３５】
【表５】
2006155861.tif 000007
【００３６】
図２は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、前述した本発明の磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【００３７】
上記のようにして得られた磁気記録媒体を使用して、図２に示す構造の磁気記録再生装置を組み立てた。
本発明の磁気記録再生装置は、ＳＮＲ特性やＯＷ特性に優れていて、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録再生装置となった。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録再生装置の構造を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１・・・・・非磁性基板、２・・・・・第１軟磁性膜、３・・・・・Ｒｕ膜、４・・・・・第２軟磁性膜、５・・・・・配向制御膜、６・・・・・中間膜、７・・・・・下部磁気記録膜、８・・・・・上部磁気記録膜、９・・・・・垂直磁気記録膜、１０・・・・・磁気記録媒体、１１・・・・・媒体駆動部、１２・・・・・磁気ヘッド、１３・・・・・ヘッド駆動部、１４・・・・・記録再生信号系、１７・・・・・保護膜、１８・・・・・潤滑膜
【図１】
2006155861.tif 000008
【図２】
2006155861.tif 000009