(57)【要約】【課題】  バンク上に着弾した機能液の残渣を残さず、該機能液をパターン形成領域に確実に流し込ませ、信頼性の高い膜パターンを得る、膜パターンの形成方法、この形成方法により得られた膜パターン、この膜パターンを備えたデバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】  機能液Ｘ１を基板Ｐ上に配置して膜パターンを形成する方法である。まず、基板Ｐ上に膜パターンの形成領域３４に対応したバンクＢを形成する。そして、バンクＢによって区画されたパターン形成領域３４に機能液Ｘ１を配置する。そして、機能液Ｘ１を硬化処理して膜パターンとする。このとき、機能液Ｘ１の配置を、バンクＢ上面に対する機能液Ｘ１の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ後退接触角が１３°以上となる条件の下で行う。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画されたパターン形成領域に前記機能液を配置する工程と、
前記機能液を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有し、
前記機能液の配置を、前記バンク上面に対する該機能液の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で、行うことを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記機能液の配置を、前記バンク上面に対する該機能液の静的接触角が２０°以上の条件の下で、行うことを特徴とする請求項１に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記バンクを形成する工程は、光酸発生剤を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液、又は感光性ポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記機能液に含有される機能材料が、導電性材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、該主材料と前記基板との密着性を向上させるための材料と、を含有してなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、該主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料と、を含有してなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項７】
前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、絶縁特性を有する材料と、を含有してなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項８】
前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、該主材料のプラズマダメージを抑制するための材料と、を含有してなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項９】
前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料は、前記プラズマダメージによる拡散を抑制するためのバリア材料であることを特徴とする請求項８に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の膜パターン形成方法によって形成された膜パターン。
【請求項１１】
請求項１０に記載の膜パターンを備えることを特徴とするデバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンの形成方法、膜パターン、デバイス、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【０００２】
従来、半導体装置（デバイス）は、基板上に、導体からなる薄膜パターン（膜パターン）が配置された回路配線と、この回路配線を覆う絶縁膜等と、半導体層とが積層して形成されている。このような薄膜パターンの形成方法としては、膜を構成する材料を溶質として含む機能液の液滴を液滴吐出ヘッドから吐出し、着弾した機能液を乾燥させて溶媒を除き薄膜パターンを形成する、所謂インクジェット法が知られている。インクジェット法では、基板上に薄膜形成領域を囲むようにバンクを形成することによって、薄膜パターンと同じ平面形状の凹部を形成する。そして、この凹部に向けて機能液を吐出し、凹部に着弾した機能液を乾燥させることによって、所望のパターンの薄膜パターンが形成できる。
【０００３】
ところで、近年、半導体装置を構成する回路の高密度化が進み、例えば配線についてもさらなる微細化、細線化が要求されている。そこで、微細な幅のバンクによって区画された配線形成領域に上記のインクジェット法によって、機能液を吐出して微細配線を形成することが考えられる。
このとき、配線を形成する領域にのみ機能液を選択的に吐出（配置）できることが望ましい。そこで、前記配線形成領域を区画するバンクの表面を撥液化処理し、その他の部分、例えば配線形成領域となる基板上を親液化処理することで、前記配線形成領域に機能液を吐出した際に、機能液の一部がバンクの上面に吐出されても、配線形成領域に全ての機能液を流れ込ませて微細化された配線（膜パターン）を形成する技術がある。
【０００４】
ここで、撥液処理された撥液部分と親液処理された親液部分との間で、前記機能液に対する濡れ性（親和性）の差が小さいと、バンク上にのった液滴がバンクの外へと弾かれ、前記配線形成領域内に濡れ拡がらないおそれがある。そこで、バンク（撥液部分）と基板（親液部分）との前記機能液に対する接触角の差を４０°以上とすることで、バンク上に着弾した液滴を確実に前記配線形成領域内に濡れ拡がらせる技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３６３５６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、バンク上に液滴を吐出して、このバンクで区画された配線形成領域（パターン形成領域）に液滴を流し込むと、上記の接触角の規定のみでは依然として、バンク上に液滴の着弾跡が残ってしまう。このとき、機能液が導電性を有していると、バンク上の液滴の着弾跡も導電性を有すため、配線形成領域の配線と着弾跡とが導通状態となってしまう。すると、バンク上の着弾跡が接触することで、隣接して形成された配線間でショートを生じさせるおそれがある。そのため、形成される配線の信頼性が低下してしまう。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、バンク上に着弾した機能液の残渣を残さず、該機能液をパターン形成領域に確実に流し込ませ、信頼性の高い膜パターンを得る、膜パターンの形成方法、この形成方法により得られた膜パターン、この膜パターンを備えたデバイス、電気光学装置、及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記課題を解決するために鋭意研究した結果、バンク上に機能液の着弾跡が残るか否かは、バンクに対する機能液の後退接触角が関係するとの知見を得た。
そして、このような知見に基づき、本発明者は本発明を完成させた。
【０００８】
本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、前記バンクによって区画されたパターン形成領域に前記機能液を配置する工程と、前記機能液を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有し、前記機能液の配置を、前記バンク上面に対する該機能液の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で、行うことを特徴とする。
【０００９】
本発明の膜パターンの形成方法によれば、前記バンク上面に対する該機能液の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で機能液を配置することで、後述する実験結果より、例えば機能液がバンク上に着弾した場合でも、バンク上に機能液の着弾跡を残すことなく、パターン形成領域内に機能液を落と込むことができる。よって、バンク上に機能液の残渣を防止しているので、前記パターン形成領域に形成された膜パターンを配線として採用した場合、隣接する配線間の接触によるショートを防止することができる。このように、本発明では、パターン形成領域内に確実に機能液を流し込むことで、信頼性の高い膜パターンを形成することができる。
【００１０】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液の配置を、前記バンク上面に対する該機能液の静的接触角が２０°以上の条件の下で、行うことが好ましい。
バンク上に配置された機能液が、バンク上面に対する静的接触角が小さ過ぎると、機能液がバンク上に着弾するとともに、バンク上に濡れ拡がり、前記パターン形成領域に機能液を良好に落とし込むことができなくなる場合がある。そこで、本発明を採用すれば、前記バンク上面に対する機能液の静的接触角が２０°以上の撥液性を付与することで、バンク上に着弾した機能液を前記パターン形成領域に良好に落とし込むことができる。
【００１１】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記バンクを形成する工程は、光酸発生剤を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液、又は感光性ポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成することが好ましい。
このようにすれば、形成されたバンクが無機質であることにより、熱処理に対し高い耐性を有するものとなる。したがって、例えば機能液を硬化処理する際に比較的高温で熱処理を行う必要がある場合に、バンクが溶融してしまうなどの不都合が生じることなく、熱処理に対し十分対応可能となる。また、ポリシラザン液、又は感光性ポリシロキサン液をポジ型レジストとして機能させることで、これから得られるバンクのパターン精度をより良好にすることができ、したがって、このバンクから得られる膜パターンについても、そのパターン精度をより高くすることが可能となり、微細配線を形成する場合に好適に採用することができる。
【００１２】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液に含有される機能材料が、導電性材料であることが好ましい。
ここで、例えば機能液が導電性微粒子を含んだ導電性材料である場合、形成される膜パターンに導電性付与することができ、この膜パターンを配線として形成することができる。
【００１３】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、該主材料と前記基板との密着性を向上させるための材料と、を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、膜パターンの主なる機能を担う第２の機能材料が第１の機能材料によって基板から剥離することを防止するようになる。
なお、本発明において第２の機能材料は、膜パターンの主なる機能を有する材料であり、例えば膜パターンを配線として形成する場合には、主として電流を流す機能を担う銀や銅である。また、前記第１の機能材料としては、クロム、マンガン、鉄、ニッケル、モリブデン、チタン及びタングステン等が挙げられる。
【００１４】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、該主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料と、を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、例えば膜パターンを配線として用いた場合のエレクトロマイグレーションを抑制することが可能となる。
ここで、エレクトロマイグレーションとは、長時間にわたり配線に電流を流すことによって原子が電子の流れに沿って移動する現象であり、配線の抵抗値の増加や断線の原因となる。なお、このエレクトロマイグレーションを抑制する材料としては、チタン等が挙げられる。
【００１５】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、絶縁特性を有する材料と、を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、絶縁特性を有する材料を、例えば膜パターンを配線として採用する場合における絶縁層として機能させることができる。
【００１６】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料と、該主材料のプラズマダメージを抑制するための材料と、を含有してなることが好ましい。
このようにすれば、ＣＶＤによるプラズマダメージ、及び四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）によって、バンクに対して撥液処理を行った際に、膜パターンの主材料へのプラズマダメージを抑制できる。よって、本膜パターンの形成方法において、好適にプラズマ処理を採用することができる。
このとき、前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料は、前記プラズマダメージによる拡散を抑制するためのバリア材料であることが好ましい。
このようにすれば、膜パターンを金属配線として用いた場合に、層間絶縁膜への金属イオンの拡散によるリーク電流の発生を防止することができる。
【００１７】
本発明の膜パターンは、前記膜パターン形成方法によって形成されたことを特徴とする。
本発明の膜パターンは、前述したようにバンクの端部まで、機能液が確実に流し込まれることで所望の形状に形成されており、信頼性が高いものとなる。
【００１８】
本発明のデバイスは、前記膜パターンを備えることを特徴とする。
本発明のデバイスによれば、前述したように、信頼性の高い膜パターンを、例えばスイッチング素子に接続される配線として有することで確実な動作を可能とし、信頼性の高いデバイスとなる。
【００１９】
本発明の電気光学装置は、前記デバイスを備えることを特徴とする。
本発明の電気光学装置によれば、信頼性の高いデバイスを搭載したことで、このデバイスを備えた電気光学装置を確実に駆動させることができる。
【００２０】
本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えることを特徴とする。
本発明の電気光学装置によれば、信頼性の高い電気光学装置を電子機器の表示部として用いることで、その表示を良好に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
（第１実施形態）
まず、本発明の膜パターンの形成方法を、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含有する配線パターン（膜パターン）用インク（機能液）を液滴状に吐出し、配線パターンに対応して基板上に形成されたバンクの間、すなわちバンクに区画された領域に、配線パターン（膜パターン）を形成するようにした場合の実施形態について説明する。なお、この実施形態では、特に、異なる二種類の機能液を吐出することにより、複数の材料が積層されてなる配線パターン（膜パターン）を形成するものとする。
【００２２】
この配線パターン用インク（機能液）としては、後述するようにバンクとして、ポリメチルシロキサン等の撥水性を有するポリシロキサン骨格の材質からなるものを用いる場合には、特に水系の分散媒または溶媒を含有した液状体が用いられる。具体的には、導電性微粒子を水やアルコール等の水系分散媒に分散させた分散液や、有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を水系分散媒に分散させた分散液からなるものである。ここで、前記バンク及び前記配線パターン用インクの組み合わせとしては、後述するバンク上面に対する配線パターン用インクの前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下での配線パターン用インクの配置が可能となれば、種々の組み合わせを選択することができる。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００２３】
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
本実施形態では、分散媒としては、水系のものを用いて説明するが、前記の導電性微粒子を分散できるものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２４】
前記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２５】
前記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２６】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、シリコンウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００２７】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００２８】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２９】
本実施形態では、このような液滴吐出をなす装置として、ピエゾ素子（圧電素子）を用いた電気機械変換方式の、液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料（配線パターン用インク）を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００３０】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、前記の導電性微粒子を含む配線パターン用インクが吐出されるようになっている。
【００３１】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。このＸ軸方向駆動モータ２は、ステッピングモータ等からなるもので、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００３２】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３３】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ、基板Ｐに対して、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出するようになっている。
【００３４】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３５】
また、本実施形態では、前述したように、配線パターンに対応するバンクを基板上に形成するが、これに先立ち、基板に対して親液化処理を施す。この親液化処理は、後述するインク（機能液）の吐出による配置において、吐出されたインクに対する基板Ｐの濡れ性を良好にしておくためのもので、例えば図３（ａ）に示すように、基板Ｐの表面にＴｉＯ２等の親液性（親水性）の高い膜Ｐ０を形成する。または、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を蒸気状にして基板Ｐの被処理面に付着させ（ＨＭＤＳ処理）、親液性の高い膜Ｐ０を形成するようにしてもよい。また、基板Ｐの表面を粗面化することにより、この基板Ｐの表面を親液化してもよい。
【００３６】
（バンク形成工程）
このようにして親液化処理を行ったら、この基板Ｐ上にバンクを形成する。なお、本実施形態で形成するバンクは、後述する実験例で用いたバンクと同一のものである。
このバンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、まず、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図３（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に所望のバンク高さに合わせてバンクの形成材料、本実施形態では、例えばポリシラザン液を塗布し、ポリシラザン薄膜３１を形成する。
【００３７】
ここで、本実施形態におけるバンクの形成材料となるポリシラザン液としては、ポリシラザンを主成分とするもので、特にポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン液が好適に用いられる。この感光性ポリシラザン液は、ポジ型レジストとして機能するようになるもので、露光処理と現像処理とによって直接パターニングすることができるものである。なお、このような感光性ポリシラザンとしては、例えば特開２００２−７２５０４号公報に記載された感光性ポリシラザンを例示することができる。また、この感光性ポリシラザン中に含有される光酸発生剤についても、特開２００２−７２５０４号公報に記載されたものが用いられる。なお、バンクの形成材料として、感光性ポリシロキサン液を用いるようにしてもよい。
【００３８】
このようなポリシラザンは、例えばポリシラザンが以下の化学式（１）に示すポリメチルシラザンである場合、後述するように加湿処理を行うことで化学式（２）または化学式（３）に示すように一部加水分解し、さらに４００℃未満の加熱処理を行うことにより、化学式（４）〜化学式（６）に示すように縮合してポリメチルシロキサン［−（ＳｉＣＨ３Ｏ１．５）ｎ−］となる。なお、化学式（２）〜化学式（６）においては、反応機構を説明するため、化学式を簡略化して化合物中の基本構成単位（繰り返し単位）のみを示している。
【００３９】
このようにして形成されるポリメチルシロキサンは、ポリシロキサンを骨格とし、側鎖に疎水基であるメチル基を有したものとなる。したがって、その主成分となる骨格が無機質であることにより、熱処理に対し高い耐性を有するものとなる。また、側鎖に疎水基であるメチル基を有しているので、そのままで良好な撥水性を有するものとなる。ただし、化学式では示さないものの、前記の加熱処理を４００℃以上で行うと、側鎖のメチル基も脱離してポリシロキサンとなり、撥水性が著しく低下する。したがって、本発明においては、特にポリシラザン液からバンクを形成するに際しては、その加熱処理温度を４００℃未満とするのが望ましい。
・化学式（１）；−（ＳｉＣＨ３（ＮＨ）１．５）ｎ−
・化学式（２）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）１．５＋Ｈ２Ｏ  
→ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋０．５ＮＨ３
・化学式（３）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）１．５＋２Ｈ２Ｏ
→ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２＋ＮＨ３
・化学式（４）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋Ｈ２Ｏ
→２ＳｉＣＨ３Ｏ１．５＋２ＮＨ３ 
・化学式（５）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２
→２ＳｉＣＨ３Ｏ１．５＋１．５ＮＨ３
・化学式（６）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２＋ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２
→２ＳｉＣＨ３Ｏ１．５＋ＮＨ３＋Ｈ２Ｏ
【００４０】
続いて、得られたポリシラザン薄膜３１を、例えばホットプレート上にて１１０℃で１分程度プレベークする。
次いで、図３（ｃ）に示すようにマスクを用いてポリシラザン薄膜３１を露光する。このとき、このポリシラザン薄膜３１は前述したようにポジ型レジストとして機能するので、後の現像処理によって除去する箇所を、選択的に露光する。露光光源としては、前記感光性ポリシラザン液の組成や感光特性に応じ、従来のフォトレジストの露光で用いられている高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザー、Ｘ線、電子線等から適宜選択され用いられる。照射光のエネルギー量については、光源や膜厚にもよるものの、通常は０．０５ｍＪ／ｃｍ２以上、望ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ２以上とされる。上限は特にないものの、あまりに照射量を多く設定すると処理時間の関係から実用的でなく、通常は１００００ｍＪ／ｃｍ２以下とされる。露光は、一般に周囲雰囲気（大気中）あるいは窒素雰囲気とすればよいが、ポリシラザンの分解を促進するため、酸素含有量を富化した雰囲気を採用してもよい。
【００４１】
このような露光処理により、光酸発生剤を含有する感光性ポリシラザン薄膜３１は、特に露光部分において膜内で選択的に酸が発生し、これによりポリシラザンのＳｉ−Ｎ結合が解裂する。そして、雰囲気中の水分と反応し、前記の化学式（２）または化学式（３）に示したようにポリシラザン薄膜３１は一部加水分解し、最終的にシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合が生成し、ポリシラザンが分解する。
【００４２】
次いで、このようなシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合の生成、ポリシラザンの分解をより進めるため、図３（ｄ）に示すように露光後のポリシラザン薄膜３１を、例えば２５℃、相対湿度８０％の環境下にて４分程度加湿処理する。このようにしてポリシラザン薄膜３１内に水分を継続的に供給すると、一旦ポリシラザンのＳｉ−Ｎ結合の解裂に寄与した酸が繰り返し解裂触媒として働く。このＳｉ−ＯＨ結合は露光中においても起こるが、露光後、露光された膜を加湿処理することにより、ポリシラザンのＳｉ−ＯＨ化がより一層促進される。
【００４３】
なお、このような加湿処理における処理雰囲気の湿度については、高ければ高いほどＳｉＯＨ化速度を速くすることができる。ただし、あまり高くなると膜表面に結露してしまうおそれがあり、したがってこの観点から相対湿度９０％以下とするのが実用的である。また、このような加湿処理については、水分を含有した気体を、ポリシラザン薄膜３１に接触させるようにしてやればよく、したがって、加湿処理装置内に露光された基板Ｐを置き、水分含有気体をこの加湿処理装置に連続的に導入するようにすればよい。または、予め水分含有気体が導入されて調湿された状態の加湿処理装置内に、露光された基板Ｐを入れ、所望時間放置するようにしてもよい。
【００４４】
次いで、例えば濃度２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）液によって加湿処理後のポリシラザン薄膜３１を２５℃で現像処理し、被露光部を選択的に除去することにより、図４（ａ）に示すようにポリシラザン薄膜３１を所望のバンク形状とする。これにより、目的とする膜パターンの形成領域に対応したバンクＢ、Ｂを形成するとともに、例えば溝状の膜パターン形成領域３４を形成する。なお、現像液としては、ＴＭＡＨ以外の他のアルカリ現像液、例えばコリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることもできる。
【００４５】
次いで、必要に応じて純水でリンスした後、図４（ｂ）に示すように得られたバンクＢ、Ｂ間の残渣処理を行う。残渣処理としては、紫外線を照射することによる紫外線（ＵＶ）照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理、フッ酸溶液で残渣部をエッチングするフッ酸処理などが用いられる。本実施形態では、例えば濃度０．２％のフッ酸水溶液によって２０秒程度接触処理を行う、フッ酸処理を採用する。このような残渣処理を行うと、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能することにより、バンクＢ、Ｂ間に形成された膜パターン形成領域３４の底部３５が選択的にエッチングされ、ここに残ったバンク材料等が除去される。
【００４６】
次いで、図４（ｃ）に示すように、基板ＰのバンクＢを形成した側の面に対し、全面露光を行う。露光条件については、図３（ｃ）に示した工程での露光処理条件と同様とする。このようにして全面露光を行うことにより、先の露光処理では露光されなかったバンクＢが露光される。これにより、バンクＢを形成するポリシラザンは一部加水分解し、最終的にシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合が生成してポリシラザンが分解する。
次いで、図４（ｄ）に示すように再度加湿処理を行う。加湿条件については、図３（ｄ）に示した工程での加湿処理条件と同様とする。このようにして加湿処理を行うと、バンクＢを形成するポリシラザンはＳｉ−ＯＨ化がより一層促進される。
【００４７】
次いで、例えば３５０℃で６０分程度加熱することにより、図４（ｄ）に示すように焼成処理を行う。このようにして焼成処理を行うと、先に加湿処理されてＳｉＯＨ化されたポリシラザンからなるバンクＢは、焼成により前記の化学式（４）〜化学式（６）に示したように容易に（ＳｉＯＳｉ）化し、ＳｉＮＨ結合がほとんど（又は全く）存在しないシリカ系セラミックス膜、例えばポリメチルシロキサンに転化される。
すると、このポリメチルシロキサン（シリカ系セラミックス膜）からなるバンクＢは、前述したようにポリシロキサンを骨格とし、側鎖に疎水基であるメチル基を有したものとなることから、熱処理に対し高い耐性を有し、また、撥液化処理を行うことなく、そのままで良好な撥水性を有したものとなる。なお、ここでの焼成温度を例えば４００℃以上で行うと、側鎖のメチル基が脱離して撥水性が著しく低下するおそれがある。したがって、焼成温度については、４００℃未満で行うのが好ましく、３５０℃以下程度で行うのが望ましい。また、ポリシラザン液の種類によっては、図３（ｄ）、図４（ｄ）に示した加湿処理を省略することもできる。
【００４８】
なお、前記実施形態では、特にポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液によってバンクＢを形成したが、バンク上面に対する機能液の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件を満たしていれば、本発明はこれに限定されることなく、他のポリシラザン液や、その他の材料を適宜用いてバンクＢを形成するようにしてもよい。
【００４９】
このようにして、基板Ｐ上にバンクＢを形成し、このバンクＢによって区画された膜パターン形成領域３４を形成することができる。
本実施形態においては、形成されたバンクＢはその主成分となる骨格が無機質であり、熱処理に対し高い耐性を有しているので、配線パターン用インクＸ１、Ｘ２からなる膜パターンを焼成処理しても、その際に溶融してしまうなどの不都合を生じることなく十分な耐性を発揮するものとなる。
また、ポリシラザン液をポジ型レジストとして機能させることで、これから得られるバンクのパターン精度をより良好にすることができ、したがって、このバンクから得られる膜パターンについても、そのパターン精度をより高くすることが可能となり、微細配線を形成する場合に好適に採用することができる。
【００５０】
なお、このようにして形成されたバンクＢ，Ｂの上面は、後述する実験例に示すように、吐出されるインクに対してインクの前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる撥液性を有している。したがって、後述する機能液配置工程は、バンクの上面に対するインクの前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で行われるようになっている。なお、前記膜パターン形成領域３４の底面には、ガラスから構成される基板Ｐが露出した状態となっており、したがって、バンクの上面に比べて膜パターン形成領域３４の底面は、その濡れ性が高いものとなっている。
ここで、バンク上面に対するインクの静的接触角が所望の値より低いと、濡れ性が良すぎるため、インクがバンク上に着弾した後これがバンク上に濡れ拡がり、前記膜パターン形成領域３４にインクが良好に流れ落ちなくなる場合が考えられる。そこで、前記バンクの上面に対するインクの静的接触角が２０°以上となっていることが好ましい。このようにすれば、バンク上に着弾したインクを前記膜パターン形成領域３４に良好に落とし込むことができる。
【００５１】
（機能液配置工程）
次に、図５を用いて、機能液（インク）の配置工程について説明する。図５（ａ），（ｂ）は、膜パターン形成領域にインクを吐出する際の側断面図を示し、図５（ｃ），（ｄ）は、前記膜パターン形成領域にインクを吐出する際の平面図を示したものである。
【００５２】
はじめに、図５（ａ）に示すように、前記の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用インク（機能液）Ｘ１をバンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に露出した基板Ｐ上に吐出し、配置する。本発明では、配線パターン用インクＸ１として、水等の分散媒に導電性微粒子を分散させてなる、前記の液状体を用いる。なお、本実施形態では、導電性微粒子として、例えばクロムを用いた配線パターン用インクＸ１を吐出するものとする。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４〜７ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００５３】
機能液配置工程では、図５（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴をバンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に露出した基板Ｐ上に配置させる。本実施形態では、バンクの上面に対するインクの前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下でインクの吐出を行っている。また、前記バンクの上面に対するインクの静的接触角は２０°以上となっている。
【００５４】
前記膜パターン形成領域３４は、バンクＢに囲まれているので、配線パターン用インクＸ１が所定位置以外に拡がることを阻止される。しかし、吐出される液滴の直径が前記膜パターン形成領域３４の幅よりも大きいような場合、すなわち、微細配線を形成するための膜パターン形成領域３４に直接インク（液滴）を着弾させると、図５（ｃ）に示すように、バンクＢ，Ｂ上にインクの一部が乗った状態となる。
【００５５】
ここで、本実施形態では、ポリメチルシロキサンからなる撥水性を有したバンクＢを備えているので、吐出される水系の配線パターン用インクＸ１の一部がバンクＢ上に乗っても、その撥水性によってバンクＢ上からはじかれる。そして、弾かれたインクは、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に流れ落ちる。また、インクとバンク上面とは、上述した接触角の条件を満たしているので、バンクＢ上にインクの着弾跡（残渣）が残ることなく、配線パターン用インクＸ１は、図５（ｄ）に示すように膜パターン形成領域３４内に落とし込まれるようになる。さらに、膜パターン形成領域３４に露出した基板Ｐは前述したようにバンクＢ上面よりも接触角が低い（親液性が付与されている）ため、吐出された配線パターン用インクＸ１が膜パターン形成領域３４にて露出した基板Ｐ上に拡がり易くなっている。これにより、図５（ｄ）に示すように配線パターン用インクＸ１を、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４の延在方向に均一に配置することができる。
【００５６】
（中間乾燥工程）
基板Ｐに所定量の配線パターン用インクＸ１を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして、この乾燥処理によって配線パターン用インクＸ１は、自らの上に配置される他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない程度に固化される。この乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００５７】
そして、この中間乾燥工程によって、図６（ａ）に示すように膜パターン形成領域３４の基板Ｐ上には、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１の層が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ１の分散媒を除去しなくとも、配線パターン用インクＸ１と次に吐出する他の配線パターン用インクとが混じり合わない場合には、中間乾燥工程を省略しても良い。
【００５８】
また、この中間乾燥工程において、乾燥条件によっては、基板Ｐ上に配置された配線パターン用インクＸ１が多孔体になる場合がある。例えば、１２０℃加熱を５分間程度、あるいは１８０℃加熱を６０分間程度行った場合には、配線パターン用インクＸ１が多孔体となる。このように、配線パターン用インクＸ１が多孔体になった場合には、配線パターン用インクＸ１上に配置される他の機能液（異なる金属）が配線パターン用インクＸ１の中に入り込んでしまい、配線パターン用インクＸ１の層が所望の機能を得られないことが懸念される。このため、本中間乾燥工程においては、配線パターン用インクＸ１が多孔体とならないような乾燥条件で乾燥することが好ましい。例えば、６０℃加熱を５分間程度、２００℃加熱を６０分間程度あるいは２５０℃加熱を６０分間程度行うことにより、配線パターン用インクＸ１が多孔体になることを抑止することができる。
【００５９】
ここで、バンクＢは、疎水基を有する材質からなっており、表面処理を行うことなくそのままで撥水性を発揮するようになっている。したがって、このような加熱による乾燥を行っても、その撥水性が消失したり著しく低下するといったことがない。よって、配線パターン用インクＸ１上にさらに別の機能液（配線パターン用インク）を配置する場合にも、バンクＢに関して表面処理（撥水処理）を行う必要はない。
【００６０】
このようにして、配線パターン用インクＸ１からなる層を形成したら、この配線パターン用インクＸ１上に、異なる導電性微粒子を含む配線パターン用インクを配置することにより、膜パターン形成領域３４に異なる種類の配線パターン用インクが積層されてなる配線パターン（膜パターン）を形成する。なお、本実施形態では、銀を導電性微粒子として用いた水系の配線パターン用インクＸ２を第１の機能液とし、配線パターン用インクＸ１上に配置する。なお、前記配線パターン用インクＸ２の配置工程は、バンクの上面に対するインクの前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で行っている。また、前記バンクの上面に対するインクの静的接触角は２０°以上となっていることが好ましい。
【００６１】
具体的には、配線パターン用インクＸ２を用いて前述の材料配置工程を再度行うことにより、図６（ｂ）に示すように、配線パターン用インクＸ１上に配線パターン用インクＸ２を配置する。
そして、前述の中間乾燥工程を再度行うことにより、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去し、図６（ｃ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とが積層されてなる配線３３を形成する。
なお、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去するための中間乾燥工程を省略して、後述する熱処理／光処理工程を行っても良い。
【００６２】
（熱処理／光処理工程）
吐出工程後の乾燥膜については、微粒子間の電気的接触をよくするため、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理を施すようにする。
【００６３】
熱処理及び／又は光処理は、通常大気中で行うが、必要に応じて窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度としては、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
【００６４】
本実施形態では、特に、３５０℃で６０分程度加熱処理することにより、配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とからなる配線３３中の分散媒等を十分に除去する。このとき、バンクＢは、その主成分となる骨格が無機質であるので、熱処理に対し高い耐性を有し、前記条件での熱処理に対しても溶融してしまうなどの不都合を生じることなく、十分な耐性を発揮するものとなる。
【００６５】
以上の工程により、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４にクロムと銀とが積層されてなる微細な配線３３を形成することができる。
なお、機能液に、導電性微粒子でなく、熱処理または光処理により導電性を発現する材料を含有させておき、本熱処理／光処置工程において配線３３に導電性を発現させるようにしてもよい。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態の配線３３（膜パターン）の形成方法では、前記バンク上面に対する該機能液の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で機能液を配置することで、後述する実験結果より、例えば機能液がバンク上に着弾した場合でも、バンク上に機能液の着弾跡を残すことなく、パターン形成領域内に機能液を落と込むことができる。よって、バンク上に機能液の残渣を防止しているので、前記パターン形成領域に形成された膜パターンを配線として採用した場合、隣接する配線間の接触によるショートを防止することができる。このように、本発明では、パターン形成領域内に確実に機能液を流し込むことで、信頼性の高い膜パターンを形成することができる。
また、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４にクロムと銀とが積層されてなる配線が形成されるので、配線としての主な機能を担う銀を、クロムにより基板Ｐに対して確実に密着させることができる。
【００６７】
（第２実施形態）
第２実施形態として、前記第１実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図７を参照して説明する。なお、本第２実施形態においては、前記第１実施形態と異なる部分について説明する。
本第２実施形態では、前記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことにより、図７に示すように、膜パターン形成領域３４にチタンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ３と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２（主材料）とを積層する。このとき、配線パターン用インクＸ２，Ｘ３の配置工程は、バンクＢの上面に対する、前記配線パターン用インクＸ２，Ｘ３の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で行うようにしている。
【００６８】
なお、図示したように、膜パターン形成領域３４には、基板Ｐ側から配線パターン用インクＸ３、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ３の順で積層する。すなわち、配線パターン用インクＸ２については、配線パターン用インクＸ３に挟まれた状態となるように膜パターン形成領域３４に配置する。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ３に前記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことにより、膜パターン形成領域３４に、チタン、銀、チタンの順に積層されてなる配線３３を形成する。
【００６９】
チタンと銀の積層からなる配線は、銀単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生が遅いという性質を有しているため、本実施形態のように、銀がチタンによって挟まれてなる配線３３は、導電率が確保されると共にエレクトロマイグレーションの発生が遅くなる。従って、本実施形態によれば、エレクトロマイグレーションの発生を抑制した配線３３を得ることが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションの発生を遅らせる材料としては、前述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。
【００７０】
（第３実施形態）
第３実施形態として、前記第１実施形態、又は第２実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図９を参照して説明する。なお、本第３実施形態においては、前記第１実施形態と異なる部分について説明する。
本第３実施形態では、前記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図９に示すように、膜パターン形成領域３４に、基板Ｐ側からマンガンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ４、銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２、ニッケルを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ５を順に積層する。このとき、配線パターン用インクＸ２，Ｘ４の配置工程は、バンクＢの上面に対する、前記配線パターン用インクＸ２，Ｘ４の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で行うようにしている。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２、Ｘ４、Ｘ５に前記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことにより、膜パターン形成領域３４に、マンガン、銀、ニッケルの順に積層してなる配線３３を形成する。
【００７１】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるマンガンの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上される。また、ニッケルは、基板Ｐと銀の密着性を向上する機能の他に、プラズマ照射による銀の劣化を抑止する機能を有している。このため、銀の上にニッケルを配置することにより、配線３３が形成された基板Ｐに対してプラズマ照射を行う際に、銀の劣化を抑止することができる配線３３を得ることが可能となる。
このとき、前記のニッケルは、前記プラズマダメージによって銀の拡散を抑制するためのバリア材料として機能させてもよい。
このようにすれば、配線３３上に層間絶縁膜を形成した場合に、この層間絶縁膜に金属イオン（銀）が拡散することによるリーク電流の発生を防止できる。
【００７２】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば配線３３として、特に導電性微粒子を含有してなる配線パターン用インクを第１の機能液として基板Ｐ上に塗布し、乾燥等を行った後、これの上に絶縁特性を有する材料を含有する水系のインクを塗布し、乾燥することで、導電膜と絶縁膜とからなる膜パターン（配線パターン）を形成するようにしてもよい。
また、本発明で形成する膜パターンとしては、複数の機能液で形成する場合に、これら機能液を同じ材料としてもよく、その場合には、一回の塗布処理では所望の膜厚が得られないような場合に、処理を繰り返すことで、所望の膜厚が得られるようにすることができる。
さらに、複数の機能液を積層することなく、一回の機能液塗布で、本発明に係る膜パターンを形成するようにしてもよく、また、膜パターンの種類についても、配線パターン以外の絶縁パターンなどとしてもよい。
【００７３】
（実験例）
前述した実施形態における、ポリメチルシロキサンからなるバンクの上面の、各種インク（機能液）やこれに用いられる分散液に対する濡れ性を測定する方法として、その接触角（動的接触角、及び静的接触角）を調べた。なお、ポリメチルシロキサンは前述したように、側鎖にメチル基を備えているので、水系のインクに対しては十分な撥水性を有している。しかしながら、アルコール系分散液（１―オクタノール）に対しては親液性が高過ぎてしまう。そこで、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理による撥液化処理を行ったポリメチルシロキサンからなるバンクにおけるインクの接触角についても実験を行った。
【００７４】
上記動的接触角には、前進接触角と後退接触角とが含まれている。
前記バンク上面（固体試料）の、吐出されるインク（液体試料）に対する動的接触角（前進接触角及び後退接触角）を測定する方法としては、例えば（１）ウィルヘルミー法、（２）拡張収縮法、（３）転落法などが知られている。
【００７５】
（１）ウィルヘルミー法は、試料槽内の液体試料（インク）中に固体試料（バンクの形成材料）を沈める過程で、また沈めたものを引き上げる過程での荷重を測定し、その測定値と固体試料の表面積の値とから動的接触角を求める方法である。固体試料を沈める過程で得られる接触角が前進接触角、引き上げる過程で得られる接触角が後退接触角である。
（２）拡張収縮法は、注射針やガラス毛細管等の先端から、固体試料（バンクの形成材料）表面上に液体試料を一定流量で押し出すことによって液滴を形成しながら、固体試料表面と液滴の間の接触角を測定することによって前進接触角を得、逆に注射針やガラス毛細管等の先端から液滴を形成している液体試料（インク）を引き込みながら、固体試料表面と液滴の間の接触角を測定することによって後退接触角を得る方法である。
（３）転落法は、固体試料（バンクの形成材料）上に液滴を形成し、この固体試料を傾ける、あるいは垂直にして固体試料上の液体（インク）を転落移動させながら、固体試料と液滴の間の接触角を測定するものである。液体が移動する方向の前方における接触角が前進接触角であり、後方における接触角が後退接触角である。
【００７６】
しかしながら、前記の測定法では、いずれも測定できる試料が限られているなどの難点があることから、本実施形態では、特に前記の（２）拡張収縮法の変形である、以下の測定法を用いた。
図９（ａ）に示すように、固体試料（バンク）１２の表面上に吐出した液滴（インク）１３内に針状管体１４の先端が挿入されている状態で、固体試料１２を水平方向に移動させる。すると、液滴１３内に針状管体１４が挿入されているので、液滴１３と針状管体１４との界面張力により、図９（ｂ）に示すように、固体試料１２の移動に伴い液滴１３が針状管体１４に引きずられるように変形する。
【００７７】
このように液滴１３が変形した状態での固体試料１２と液滴１３の間の接触角の大きさは、液滴１３を成す液体の表面張力、固体試料１２を成す固体の表面張力、液体−固体間の界面張力、摩擦力、吸着力、固体表面粗さ等によるため、この状態での接触角を測定することにより、動的接触角を得ることができる。すなわち、固体試料１２の移動方向の前方の接触角θ１より後退接触角が得られ、後方の接触角θ２より前進接触角が得られる。
そして、このような動的接触角において特に後退接触角θ１は、液滴１３の移動し易さの指標となり、この後退接触角θ１が大きければ液滴１３が移動し易いことを示し、小さければ液滴１３が移動しにくいことを示すものとなる。
【００７８】
このような測定方法は、固体試料１２上の液滴内に針状管体の先端を挿入した状態で前記固体試料１２を水平方向に移動させることにより、表面エネルギーや摩擦等の上記因子を調べることなく、その結果として引き起こされる動的接触角のみを測定することができるものであり、あらゆる固体試料および液体試料について動的接触角の測定を適切に行うことができる。本実施形態では、前進接触角、後退接触角の測定法として、図９（ａ），（ｂ）に示した測定法を採用するものとする。なお、本発明は図９に示した測定法以外の測定法、例えば前記の（１）〜（３）に示した測定法を採用してもよいのはもちろんであるが、その場合、測定装置などの違い（器差）などによって測定法の間で得られる動的接触角（前進接触角、後退接触角）に差が生じることがある。そこで、図９（ａ），（ｂ）に示した測定法以外の測定法を用いた場合には、その測定法と図９（ａ），（ｂ）に示した測定法との間で相関をとっておき、実際に測定した数値（動的接触角）を図９（ａ），（ｂ）に示した測定法で得られる数値（動的接触角）に換算して用いるのが好ましい。
【００７９】
図１０は、本実験結果を示す図である。実験に用いたバンクを構成する材料としては、前述したようにポリメチルシロキサンと、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理によって撥液性が付与されたポリメチルシロキサンとを用いた。
また、インク材料として、Ａｇインク（水系分散液）、Ａｇインク（炭化水素系分散液）、そして、テトラデカン（Ｃ１４Ｈ３０）、１−オクタノール等の分散媒のみを用いた。図１０中に示す、θは、上記各インクに対する静的接触角を示し、θａは、上記各インクに対する前進接触角を示し、θｒは、上記各インクに対する後退接触角を示している。
【００８０】
次に、実験方法について説明する。図１１（ａ）は、本実験に用いた実験用基板Ｘであり、この実験用基板Ｘにはバンクにより区画された、幅３０μｍの溝状の膜パターン形成領域Ｘ０が形成されている。まず、図１１（ｂ）に示すように、平面視した状態で、前記溝状の膜パターン形成領域Ｘ０縁に沿わせるようにして、バンク上に２点鎖線で示すようにして各インクを配置する。
すると、バンク上に着弾したインクは、溝状の膜パターン形成領域Ｘ０内に落とし込まれる。このとき、バンク上にインクの着弾跡（残渣）が残っているか否かを目視により確認した。そして、バンク上にインクの着弾跡が残らなかった場合の判定結果を可、残った場合の判定結果を不可とした。このような実験により、図１０に示した結果を得た。なお、図１１に示した、バンクがポリメチルシロキサンに対して、１−オクタノールを用いた場合、バンクに着弾するとバンク上に濡れ拡がってしまい測定することができず、判定結果として測定不能とした。この原因としては、バンクに対する１−オクタノールの静的接触角θが８．０°と非常に親液性が高いためと考えられる。
【００８１】
このような実験により、バンク表面のインクに対する前進接触角と後退接触角との差が１０°以上で、かつ後退接触角が１３°以上となる条件の下でインクの配置を行うと、バンク上に吐出されたインクは、バンクに着弾跡を残すことなく、確実に溝状の膜パターン形成領域内に落とし込むことができることが確認された。
【００８２】
（電気光学装置）
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図１２は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１３は図１２のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１４は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１５は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【００８３】
図１２及び図１３において、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【００８４】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００８５】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape  Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００８６】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１４に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、図１４は、本発明に係るアクティブマトリクス基板の一例を示す図となっている。
データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００８７】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１７に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００８８】
図１５は、ボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、この図に示すボトムゲート型ＴＦＴ３０は、本発明におけるデバイスの一実施形態となるものである。ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、前記実施形態の膜パターン形成方法によって形成された複数の異なる材料が積層されてなるゲート配線６１が形成されている。ここで、本実施形態では、ゲート配線６１を形成する際に、前述したようにポリシロキサン骨格を有する無機質のバンク材を用いているので、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約３５０℃にまで加熱されても、バンクＢがその温度に十分耐え得るものとなっている。また、本実施形態においては、クロム６１ａと銀６１ｂとが積層されてなるゲート配線６１を一例として図示する。
【００８９】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。そして、前記のゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分が、チャネル領域となっている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るため、例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示したようにパターニングされている。
【００９０】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯ（Indium Tin Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）からなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施すことで、図示したようにパターニングする。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を形成し、これらバンク６６…間に前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、ソース線、ドレイン線を形成する。
【００９１】
なお、前記ゲート線６１、ソース線及びドレイン線を複数の異なる材料が積層されてなる配線として形成し、複数の機能性を有するゲート線６１、ソース線及びドレイン線を得るようにしてもよい。
ここで、この配線が前記第１実施形態において説明したクロムと銀との２層からなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、前記配線が第２実施形態において説明したチタン、銀、チタンの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線のエレクトロマイグレーションが抑制された液晶表示装置１００を得ることができる。また、前記配線が前記第３実施形態において説明したマンガン、銀、ニッケルの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に銀のプラズマ処理による劣化が抑止された液晶表示装置１００を得ることができる。
【００９２】
前記実施形態では、本発明におけるデバイスの一実施形態であるＴＦＴ３０を、液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに適用することができる。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
そして、前記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬ装置を製造することができる。
本発明における電気光学装置の範囲には、このような有機ＥＬ装置も含まれており、本発明によれば、例えば複数の機能性を有する配線を備えた有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００９３】
図１６は、前記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図１６を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１６において、有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ３０が基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ３０を構成するゲート配線６１が、前述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【００９４】
各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。なお、発光素子３５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置３０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。
【００９５】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【００９６】
発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための液状体材料を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための液状体材料を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層３５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【００９７】
前述した実施形態においては、本発明に係る膜パターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図１７を参照しながら説明する。
【００９８】
図１７（ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板５１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝５１１ａを設けるための第１層目のバンク５１１を、例えば前記のポリシラザン液を用いて形成する。このようにポリシラザンから形成される、ポリシロキサンを骨格とする無機材料からなるバンクは、前述したように撥水性を有し、さらに光透過性も有するものとなる。
【００９９】
前記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク５１１で区画された描画領域である前記溝５１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む水系機能液の液滴をインクジェットで吐出することで、ゲート走査電極５１２を形成する。このとき、バンク５１１の上面に対する機能液の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ前記後退接触角が１３°以上となる条件の下で機能液の吐出を行っている。すなわち、このゲート走査電極５１２を形成する際には、本発明に係る膜パターンの形成方法が適用される。
また、導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極５１２は、機能液とバンク上面とは前述した接触角の関係を満たしているので、バンク５１１上に機能液の着弾跡が残ることがなく、溝５１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【０１００】
以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１１とゲート走査電極５１２からなる平坦な上面を備えた銀（Ａｇ）からなる第１の導電層Ａ１が形成される。
また、溝５１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図１７（ａ）に示すように、この溝５１１ａの形状として順テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【０１０１】
次に、図１７（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜５１３、活性層５１０、コンタクト層５０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜５１３として窒化シリコン膜、活性層５１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層５０９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、前記のポリシラザン液からなる無機系のバンクに用いることで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することができる。
【０１０２】
前記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１７（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記溝５１１ａと交差する溝５１４ａを設けるための２層目のバンク５１４を、やはり前記のポリシラザン液を用いて形成する。このようにポリシラザンから形成される無機質のバンクは、前述したように撥水性を有し、さらに光透過性も有するものとなる。
【０１０３】
前記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク５１４で区画された描画領域である前記溝５１４ａ内を満たすように、例えば導電性材料を含む水系機能液の液滴をインクジェットで吐出することで、図１７（ｄ）に示すように、前記ゲート走査電極５１２に対して交差するソース電極５１５及びソース電極５１６が形成される。そして、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を形成するときに、本発明に係る膜パターンの形成方法が適用される。
なお、前述したようにバンク５１４の上面に対する機能液の前進接触角と後退接触角との差が１０°以上、かつ後退接触角が１３°以上となる条件の下で、前記のソース線及びドレイン線を構成する機能液を配置している。
【０１０４】
このときの導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極５１５及びドレイン電極５１６は、機能液とバンク上面とは前述した接触角の関係を満たしているので、バンク５１１上に機能液の着弾跡が残ることがなく、溝５１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
また、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を配置した溝５１４ａを埋めるように絶縁材料５１７が配置される。以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１４と絶縁材料５１７からなる平坦な上面５２０が形成される。
【０１０５】
そして、絶縁材料５１７にコンタクトホール５１９を形成するとともに、上面５２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）５１８を形成し、コンタクトホール５１９を介してドレイン電極５１６と画素電極５１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【０１０６】
図１８は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図１８に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１０７】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図１３においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１０８】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１０９】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するフィルム状のベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【０１１０】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が本発明の膜パターンの形成方法によって形成されている。したがって、本実施形態の液晶表示装置によれば、前述したように信頼性の高い配線パターン９１２等の膜パターンを備えることにより、この液晶表示装置自体も良好なものとなる。
【０１１１】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を前記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１１２】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１９（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は前記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１９（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は前記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１９（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１９（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は前記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、この電子機器自体も良好なものとなる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図２】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図３】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図４】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図５】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図６】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態を説明するための図である。
【図８】本発明の第３実施形態を説明するための図である。
【図９】動的接触角の測定方法を説明するための図である。
【図１０】実験方法を説明するための図である。
【図１１】実験結果を示す図である。
【図１２】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１３】図１２のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１４】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１５】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１６】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図１７】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図１８】液晶表示装置の別形態を示す図である。
【図１９】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【０１１４】
３０…ＴＦＴ、３３…配線（膜パターン）、３４…膜パターン形成領域（パターン形成領域）、１００…液晶表示装置（電気光学装置）、６００…携帯電話（電子機器）、７００…情報処理装置（電子機器）、８００…時計本体（電子機器）、Ｂ…バンク、Ｐ…基板、Ｘ１〜Ｘ３…配線パターン用インク（機能液）
【図１】
2006319017.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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