(57)【要約】【課題】  狭パッドピッチでの突起電極形成の実現化を図る。【解決手段】  半導体ウエハ１を準備し、半導体ウエハ１の主面１ａ上の複数のランド１ｔにおいてそれぞれ隣接するランド１ｔ間に、複数のランド１ｔそれぞれを覆わないポリイミド膜１ｉを形成し、ポリイミド膜１ｉ形成後、複数のランド１ｔそれぞれの上に半田ペースト材４を印刷用マスク３を介して印刷方法により塗布し、印刷用マスク３を取り外した後、半田ペースト材４を熱硬化させて半田バンプ２を形成することにより、狭パッドピッチにおいてもバンプ間での電気的ショートを発生させることなく半田バンプ２を形成することができる。【選択図】  図５
2006173460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面に形成された集積回路とを有する半導体ウエハを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの前記主面上に複数の電極を配置する工程と、
（ｃ）前記複数の電極それぞれを覆わず、かつ前記複数の電極においてそれぞれ隣接する電極間に絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数の電極それぞれの上に半田ペースト材を印刷方法により塗布する工程と、
（ｅ）前記半田ペースト材を加熱して溶融し、その後、再結晶化させて突起電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面に形成された集積回路とを有する半導体ウエハを準備する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハの前記主面上に第１の間隔で複数の電極を配置する工程と、
（ｃ）前記電極を覆い、かつ前記電極の一部を露出させる開口部を含む第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）それぞれの一端が前記複数の電極に電気的に接続される複数の配線であって、前記複数の配線におけるそれぞれの他端部が前記第１の間隔よりも大きい第２の間隔で配置されるように、前記第１絶縁膜上に前記複数の配線を形成する工程と、
（ｅ）前記複数の配線を覆い、かつ前記複数の配線におけるそれぞれの他端部を露出させる開口部を含む第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｆ）前記複数の配線において、それぞれ隣接する前記他端部の間に第３絶縁膜を形成する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記複数の配線におけるそれぞれの前記他端部上に半田ペースト材を印刷方法により塗布する工程と、
（ｈ）前記半田ペースト材を加熱して溶融し、その後、硬化させて突起電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程で前記半田ペースト材を前記印刷方法により塗布する際に、隣接する前記絶縁膜間の距離より開口距離が小さく形成された複数の開口部を有する印刷用マスクを準備し、前記印刷用マスクの前記開口部が前記絶縁膜間に配置されるように前記絶縁膜上に前記印刷用マスクを配置した後、前記印刷用マスクの前記開口部を介して前記絶縁膜間の前記電極上に前記半田ペースト材を塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記電極上に前記半田ペースト材を塗布した後、前記印刷用マスクを前記絶縁膜から離脱して前記半田ペースト材を前記絶縁膜間に埋め込み、その後、前記半田ペースト材を加熱溶融して前記電極上に前記突起電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜の高さは前記電極の高さより高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程で、前記絶縁膜を印刷方法でポリイミド樹脂によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程で前記絶縁膜を形成する際に、隣接する前記電極間に成形金型のキャビティが対向して配置されるように前記成形金型を配置し、前記キャビティ内に絶縁性樹脂を充填した後、前記成形金型を前記半導体ウエハから離脱させて前記電極間に前記絶縁性樹脂からなる前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記絶縁性樹脂は熱硬化性樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程で前記絶縁膜を形成する際に、前記半導体ウエハの前記主面上に絶縁性樹脂を塗布し、前記絶縁性樹脂を塗布した後に硬化し、更に前記絶縁性樹脂を硬化した後、隣接する前記電極間に打ち抜き金型の凹部が対向して配置され、かつ前記凹部内に前記絶縁性樹脂が充填されるように前記打ち抜き金型を前記絶縁性樹脂内に打ち込んで前記凹部内に前記絶縁性樹脂を充填させ、その後、前記打ち抜き金型を前記半導体ウエハから離脱させて前記電極間に前記絶縁性樹脂からなる前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記打ち抜き金型を前記半導体ウエハから離脱させた後、前記電極上に付着した前記絶縁性樹脂を除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の電極における電極間ピッチは、0.２ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、狭パッドピッチでのバンプ形成に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡパッケージの実装方法では、ＢＧＡパッケージに形成されているソルダーバンプとプリント回路基板に配線されたランドとを半田接合させる実装プロセスとしては、マスクをプリント回路基板上に装着し、該マスクの上から半田ペーストを塗り込ませることにより、前記マスク板に開けた穴の開口部よりプリント回路基板に配線されたランド上に半田ペーストが印刷される。半田ペーストが印刷された該ランドの位置と、構造体の貫通孔の位置とが合わさった状態にてプリント配線基板に貼り合わせる。貫通孔の位置と、ＢＧＡパッケージに形成されている各ソルダーバンプの位置とが合わさった状態にて、ＢＧＡパッケージを搭載する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−４６２３０号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
パッケージサイズの小型化に伴い、突起電極（半田バンプ）間のピッチは、例えば、0.２ｍｍと非常に狭くなってきている。突起電極の形成方法としては、例えば、スクリーン印刷法やボール転写法などが知られている。
【０００４】
前記スクリーン印刷法は、ペースト状態の半田を、印刷用マスクを介して半導体ウエハの電極（配線）に転写し、溶融・再結晶化（リフロー）して形成するものである。また、前記ボール転写法は、フラックス材を半導体ウエハに塗布後、予め突起電極をボール状に形成しておき、これを転写し、溶融・再結晶化（リフロー）して形成するものである。
【０００５】
前記スクリーン印刷法では、印刷用マスクを介して半田バンプを形成するため、ボール径は例えばφ0.15ｍｍ程度の形成が可能である。しかしながら、突起電極間のピッチが非常に狭いと次のような問題が生じることを本発明者は見出した。印刷用マスクの開口部に充填された半田ペーストは、後のリフロー工程（熱処理）において、溶融・再結晶化することで形成するが、印刷用マスクを介したままリフロー処理を施すと印刷用マスクが熱により変形する問題や、加熱されたままの印刷用マスクでは、次にリフロー処理する半導体ウエハにダメージを与えてしまう恐れがあるため、複数の印刷用マスクを準備する必要がある。このため、製造コストが増加してしまう。この問題を防ぐために、半田ペースト材を塗布した後は、印刷用マスクを剥がした後に、リフロー処理を施す。しかしながら、印刷用マスクを剥がすと、印刷用マスクの開口部に充填されていた半田ペースト材が印刷用マスクの厚さの分だけ、塗布されるパッドの周辺に広がってしまう。これは、半田ペースト材が流動性を有するためである。パッケージの小型化に伴い、突起電極間のピッチが例えば0.2ｍｍと非常に狭ピッチの場合、半田ペースト材が流出すると隣接する半田ペースト材と接触してしまう。この状態でリフローするとバンプ間で電気的ショートが発生することが問題となる。
【０００６】
また、前記ボール転写法では、ボールの数が多く、かつ小さいため、実装が困難であることが問題となる。更には、ボール転写法の場合、予め半田バンプを形成してから半導体ウエハの電極に転写するため、そのボール径は例えばφ0.3ｍｍとスクリーン印刷法に比べ大きいため、パッケージの小型化には不利である。また、仮により小さなボール径で形成できたとしても、次のような問題がある。ボール転写法は、印刷用マスクのように各電極部に対して開口部が形成されたものに、半田バンプを転がしてそれぞれの開口部内に収める。しかしながら、半田バンプのボール径が小さすぎると、前記開口部に複数の半田バンプ、すなわち一箇所の電極に対し一つの半田バンプを正確に塗布することがスクリーン印刷法に比べ困難である。
【０００７】
なお、前記特許文献１には、スキージを用いて印刷法でランド上に半田ペーストを印刷する方法が記載されているが、この方法では、狭パッドピッチにおいてはバンプ間ショートが発生するものと思われる。
【０００８】
本発明の目的は、狭パッドピッチにおいて突起電極を容易に形成することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、半導体装置の小型化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１２】
すなわち、本発明は、主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面に形成された集積回路とを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハの前記主面上に複数の電極を配置する工程と、前記複数の電極それぞれを覆わず、かつ前記複数の電極においてそれぞれ隣接する電極間に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後、前記複数の電極それぞれの上に半田ペースト材を印刷方法により塗布する工程と、前記半田ペースト材を加熱して溶融し、その後、再結晶化させて突起電極を形成する工程とを有するものである。
【００１３】
また、本発明は、主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面に形成された集積回路とを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハの前記主面上に第１の間隔で複数の電極を配置する工程と、前記電極を覆い、かつ前記電極の一部を露出させる開口部を含む第１絶縁膜を形成する工程と、それぞれの一端が前記複数の電極に電気的に接続される複数の配線であって、前記複数の配線におけるそれぞれの他端部が前記第１の間隔よりも大きい第２の間隔で配置されるように、前記第１絶縁膜上に前記複数の配線を形成する工程と、前記複数の配線を覆い、かつ前記複数の配線におけるそれぞれの他端部を露出させる開口部を含む第２絶縁膜を形成する工程と、前記複数の配線において、それぞれ隣接する前記他端部の間に第３絶縁膜を形成する工程と、前記第３絶縁膜を形成する工程の後、前記複数の配線におけるそれぞれの前記他端部上に半田ペースト材を印刷方法により塗布する工程と、前記半田ペースト材を加熱して溶融し、その後、硬化させて突起電極を形成する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１５】
複数の電極においてそれぞれ隣接する電極間に、複数の電極それぞれを覆わない絶縁膜を形成した後、複数の電極それぞれの上に半田ペースト材を印刷方法により塗布して突起電極を形成することにより、狭パッドピッチにおいても突起電極間での電気的ショート（バンプ間ショート）を発生させることなく突起電極を容易に形成することができる。
【００１６】
また、狭パッドピッチにおいても突起電極の形成が可能なため、半導体装置の小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の半田バンプの構造の一例を示す拡大部分断面図、図３は図１に示す半導体装置の組み立てに用いられる半導体ウエハの構造の一例を示す平面図、図４は図１に示す半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図５は図１に示す半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図６は図１に示す半導体装置の製造における半田バンプ形成後の半導体ウエハの構造の一例を示す平面図、図７は図６に示すＡ部の構造を示す拡大部分平面図、図８は本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置の構造を示す平面図、図９は図８に示す半導体装置の半田バンプの構造の一例を示す拡大部分断面図、図１０は図８に示す変形例の半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順を示す製造プロセスフロー図、図１１は図８に示す変形例の半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順を示す製造プロセスフロー図、図１２は図８に示す変形例の半導体装置の製造における半田バンプ形成後の半導体ウエハの一部の構造を示す拡大部分平面図である。
【００２２】
図１に示す本実施の形態１の半導体装置５は、図２に示すように半導体チップ１ｓの主面１ａに形成された複数の表面電極であるパッド１ｃそれぞれに、突起電極である半田バンプ２が接続されているものであり、複数の半田バンプ２は、図１に示すように所定の間隔で格子状に配列されている。
【００２３】
さらに、本実施の形態１の半導体装置５では、半導体チップ１ｓの主面１ａ上において、それぞれ隣接する複数の半田バンプ２間に、絶縁膜であるポリイミド膜１ｉが形成されている。
【００２４】
半導体装置５は、例えば、パッド１ｃの設置ピッチが、0.２ｍｍ以下の狭ピッチのものであり、主に半導体パッケージなどに組み込まれる。
【００２５】
次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法について説明する。
【００２６】
まず、主面１ａと、主面１ａに対向する裏面１ｂと、主面１ａに形成された集積回路とを有する図３に示すような半導体ウエハ１を準備する。半導体ウエハ１の主面１ａには、複数の素子形成領域１ｈが区画形成されており、それぞれの素子形成領域１ｈには、複数の表面電極であるパッド１ｃと前記集積回路とが形成されている。パッド１ｃは、例えば、アルミニウム合金によって形成されており、図２に示すように、その外周部を除いた中央部が保護膜１ｊから露出している。すなわち、半導体ウエハ１の主面１ａ上には、薄い保護膜１ｊが形成され、この保護膜１ｊはパッド１ｃの外周部のみを覆っているが、パッド１ｃの中央部は覆っていない。
【００２７】
また、本実施の形態１のパッド１ｃは、図４に示すように、隣接するパッド間のピッチ、つまりパッド間ピッチ（Ｐ）が、例えば、Ｐ＝0.２ｍｍ以下の狭パッドピッチのものである。
【００２８】
その後、図４のステップＳ１に示すＣｕ／Ｎｉ配線形成を行う。ここでは、Ｃｕ／Ｎｉ配線１ｄを各パッド１ｃに接続させて形成し、各パッド１ｃ上にＣｕ／Ｎｉ配線１ｄからなるランド（電極）１ｔを形成する。ランド１ｔは、Ｃｕ層１ｅとＮｉ層１ｆとからなる。
【００２９】
ランド形成後、ステップＳ２に示すポリイミド膜形成を行う。ここでは、複数のパッド１ｃにおいてそれぞれ隣接するパッド１ｃ間に、複数のパッド１ｃそれぞれを覆わない絶縁膜を形成する。本実施の形態における絶縁膜は、例えばポリイミド樹脂からなるポリイミド膜１ｉである。前記ポリイミド膜１ｉを形成する際、隣接するパッド１ｃ間（ランド１ｔ間）に、例えば、印刷方法によりポリイミド膜１ｉを形成する。
【００３０】
なお、図４のステップＳ２に示すように、ポリイミド膜１ｉは、その高さ（厚さ）がランド１ｔの高さ（厚さ）より十分に高くなるようにランド１ｔ間に形成する。言い換えると、ポリイミド膜１iの上面がランド１ｔの上面よりも高い位置（上方）になるように形成する。また、あまり高く形成すると、狭ピッチ間に形成することから細長い形状のポリイミド膜１ｉとなり、前記ポリイミド膜１ｉが倒れる可能性もあるため、ポリイミド膜１ｉの高さは、パッド間ピッチ（Ｐ）の１／２程度もしくはそれ以下であることが好ましい。
【００３１】
その後、図４のステップＳ３に示すように、Ａｕめっき形成を行う。ここでは、各ランド１ｔの表面にＡｕめっき１ｇを形成してランド１ｔと半田の反応を良好にする。
【００３２】
Ａｕめっき形成後、複数のランド１ｔそれぞれの上に図５に示す半田ペースト材４を印刷方法により塗布する。まず、図５のステップＳ４に示す印刷用マスク３を準備する。
【００３３】
なお、本実施の形態１の印刷用マスク３は、図５のステップＳ４に示すように、隣接するポリイミド膜１ｉの端部間の距離（Ｂ）より開口距離（Ａ）が小さく形成された複数の開口部３ａを有しているものである。すなわち、隣接するポリイミド膜１ｉの端部間の距離（Ｂ）＞印刷用マスク３の開口距離（Ａ）の関係となるような印刷用マスク３を用いる。
【００３４】
図５のステップＳ４に示すように、印刷用マスク３の開口部３ａが、隣接するポリイミド膜１ｉ間に配置されるようにポリイミド膜１ｉ上に印刷用マスク３を配置する。
【００３５】
その後、ステップＳ５に示す半田ペースト材印刷を行う。半田ペースト材４は、例えば、半田とフラックスから成る。ここでは、印刷用マスク３の開口部３ａを介してスキージ６でポリイミド膜１ｉ間のランド１ｔ上に半田ペースト材４を塗布する。さらに、前記塗布を続けることにより、ステップＳ６に示す半田ペースト材充填を行う。すなわち、ポリイミド膜１ｉ間のランド１ｔ上に半田ペースト材４を充填する。
【００３６】
印刷用マスク３は、隣接するポリイミド膜１ｉの端部間の距離（Ｂ）＞印刷用マスク３の開口距離（Ａ）の関係となるようなものを用いているが、印刷用マスク３の開口部３ａにおいて表面張力が働き、半田ペースト材４が立った状態に保持されるため、半田ペースト材４とポリイミド膜１ｉとの間に隙間１０が形成される。
【００３７】
その後、図５のステップＳ７に示す印刷用マスク剥がしを行う。ここでは、印刷用マスク３をポリイミド膜１ｉから離脱させ、これにより、半田ペースト材４をポリイミド膜１ｉ間に隙間なく充填する。すなわち、印刷用マスク３を剥がすと開口部３ａにおける表面張力が解かれ、流動性のある半田ペースト材４は隙間１０に流れ込む。従って、印刷用マスク３の厚さ分に相当する半田ペースト材４は隙間１０に流れ込み、またランド１ｔ間に配置されたポリイミド膜１ｉがダム代わりとなるため、隣接する半田ペースト材４が互いに接触することを抑制できる。
【００３８】
その後、図５のステップＳ８に示すリフロー半田バンプ形成を行う。ここでは、リフロー処理により、半田ペースト材４を加熱溶融し、その後、再結晶化させて各ランド１ｔ上に半田バンプ２を形成する。すなわち、半田ペースト材４を溶融・再結晶化させて半田バンプ２を形成する。
【００３９】
なお、リフロー処理の前後において半田バンプ２の形状に変化は見られない。しかしながら、リフロー処理により、半田バンプ２は応力が少ない球体形状に変化しようとするため、図５のステップＳ８に示すように、若干ではあるが直径（高さ）Ａはリフロー処理の前よりも大きくなる。
【００４０】
また、印刷用マスク３を取り外さずにリフロー処理を行うと、印刷用マスク３に半田ペースト材４のフラックスが付着し、マスク洗浄が必要になる。さらに、印刷用マスク３が加熱された状態では次の半導体ウエハ１の印刷ができず、場合によっては印刷用マスク３が加熱により変形してしまうため、ウエハを１枚印刷するごとに印刷用マスク３を交換しなければならない。これでは量産性が悪く、製造コストも高くなる。
【００４１】
したがって、本実施の形態１の半導体装置の製造方法では、印刷用マスク３を取り外した後に、半田ペースト材４に対するリフロー処理を行う。
【００４２】
半田バンプ形成後、図６に示す半導体ウエハ１の主面１ａ上の各素子形成領域１ｈには、図７の拡大図に示すように、格子状に配列された複数の半田バンプ２が設けられている。
【００４３】
その後、ダイシングラインに沿ってダイシングを行って個片化することにより、図１に示す半導体装置５の組み立て完了となる。
【００４４】
本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、複数のランド１ｔにおいてそれぞれの隣接するランド１ｔ間に、複数のランド１ｔそれぞれを覆わないポリイミド膜１ｉを形成した後、複数のランド１ｔそれぞれの上に半田ペースト材４を印刷方法により塗布して半田バンプ２を形成することにより、隣接するランド１ｔ間に形成されたポリイミド膜１ｉがダムとなるため、狭パッドピッチにおいても半田バンプ２間での電気的ショート（バンプ間ショート）を発生させることなく半田バンプ２を形成することができる。
【００４５】
すなわち、ポリイミド膜１ｉがダムとなって実効的なバンプ間の距離が長くなるため、バンプ間での電気的ショートを防止することができる。例えば、パッドピッチが、0.２ｍｍ以下の狭パッドピッチにおいて印刷方法での半田バンプ形成の実現化を図ることができる。
【００４６】
また、狭パッドピッチに対応して半田バンプ２を形成することができるため、半導体チップ１ｓの小型化を図ることができ、その結果、半導体チップ１ｓを有する半導体装置５の小型化を図ることができる。
【００４７】
さらに、印刷方法で狭パッドピッチに対応した半田バンプ２の形成を行うことができるため、ボール転写法に比べ組み立てにおける製造コストを抑えることができ、狭パッドピッチにおける半田バンプ２の形成を低コストで実現することができる。
【００４８】
さらに、印刷方法で半田バンプを形成することで、ボール転写法に比べ小さい径の半田バンプ２を形成できるため、半導体装置５の小型化を図ることができる。
【００４９】
次に、本実施の形態１の変形例について説明する。
【００５０】
図８に示す変形例の半導体装置１１は、半導体チップ１ｓにおけるパッド１ｃの配列を、図９に示すように、再配線であるＣｕ／Ｎｉ配線１ｄによってピッチを拡大して再配列したものであり、パッド１ｃ間ピッチより、半田バンプ２間ピッチの方が大きくなっている。すなわち、狭パッドピッチに対応させるために、再配線によってパッドピッチよりランドピッチを大きくして半田バンプ２を搭載し易くしたものである。
【００５１】
なお、半導体装置１１においても複数の半田バンプ２は、図８に示すように所定の間隔で格子状に配列されている。さらに、半導体装置１１においても、図９に示すようにそれぞれ隣接する複数の半田バンプ２間に、第３絶縁膜であるポリイミド膜１ｑが形成されている。
【００５２】
また、半導体装置１１も、半導体装置５と同様に、例えば、パッド１ｃの設置ピッチが、0.２ｍｍ以下の狭ピッチのものである。また、再配列により半田バンプ２が形成されるバンプランド１ｕのランドピッチを大きくしているが、半導体装置１１における半田バンプ２間ピッチも0.2ｍｍ以下の狭ピッチのものである。
【００５３】
次に、変形例の半導体装置１１の製造方法について説明する。
【００５４】
まず、主面１ａと、主面１ａに対向する裏面１ｂと、主面１ａに形成された集積回路とを有する図３に示すような半導体ウエハ１を準備する。半導体ウエハ１の主面１ａには、複数の素子形成領域１ｈが区画形成されており、それぞれの素子形成領域１ｈには、複数の表面電極であるパッド１ｃと前記集積回路とが形成されている。パッド１ｃは、例えば、アルミニウム合金によって形成されており、その隣接するパッド１ｃ同士が、図８に示すように、第１の間隔（Ｑ）で配置されている。例えば、パッド１ｃ間ピッチ（Ｑ）が、Ｑ＝0.２ｍｍ以下の狭パッドピッチで配置されている。
【００５５】
その後、半導体ウエハ１の主面１ａ上において、図９に示すようにそれぞれのパッド１ｃを覆い、かつパッド１ｃの中央部（一部）を露出させる開口部１ｍを含む第１絶縁膜１ｋを形成する。これにより、各パッド１ｃは、その外周部を除いた中央部が露出している。すなわち、半導体ウエハ１の主面１ａ上には、薄い第１絶縁膜１ｋが形成され、この第１絶縁膜１ｋはパッド１ｃの外周部のみを覆っているが、パッド１ｃの中央部は覆っていない。
【００５６】
その後、図１０のステップＳ１１に示すＣｕ／Ｎｉ配線形成を行う。ここでは、図９に示すように、複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄそれぞれの一端が電気的にパッド１ｃに接続するように形成し、さらに、複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄにおけるそれぞれの他端部であるバンプランド１ｕが、図８に示すように、第１の間隔（Ｑ）よりも大きい第２の間隔（Ｒ）で配置されるように、第１絶縁膜１ｋ上に複数の再配線であるＣｕ／Ｎｉ配線１ｄを形成する。例えば、半田バンプ２間ピッチ（Ｒ）もパッド１ｃ間ピッチと同様、Ｒ＝0.2ｍｍ以下の狭ピッチで配置されている。なお、Ｃｕ／Ｎｉ配線１ｄは、Ｃｕ層１ｅとＮｉ層１ｆとからなる。
【００５７】
その後、図９に示すように、複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄを覆い、かつ複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄにおけるそれぞれのバンプランド１ｕを露出させる開口部１ｐを含むポリイミド膜（第２絶縁膜）１ｎを形成する。
【００５８】
その後、図１０に示すステップＳ１２に示すポリイミド膜形成を行う。ここでは、複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄにおいてそれぞれ隣接するバンプランド１ｕの間に、第３絶縁膜であるポリイミド膜１ｑを形成する。その際、例えば、印刷方法によりポリイミド樹脂を用いて、隣接するバンプランド１ｕ間にポリイミド膜１ｑを形成する。
【００５９】
なお、図９に示すように、ポリイミド膜１ｑは、その高さ(厚さ)が、Ｃｕ／Ｎｉ配線１ｄのバンプランド１ｕの高さ（厚さ）より十分に高くなるように形成する。言い換えると、第３絶縁膜１ｑの上面がバンプランド１uの上面、更には第２絶縁膜１ｎの上面よりも高い位置（上方）になるように形成する。また、半導体装置５と同様に、あまり高く形成すると、狭ピッチ間に形成することから細長い形状のポリイミド膜１ｉとなり、前記ポリイミド膜１ｉが倒れる可能性もあるため、ポリイミド膜１ｉの高さは、パッド間ピッチ（Ｐ）の１／２程度もしくはそれ以下であることが好ましい。
【００６０】
その後、図１０のステップＳ１３に示すように、Ａｕめっき形成を行う。ここでは、Ｃｕ／Ｎｉ配線１ｄにおける各バンプランド１ｕの表面にＡｕめっき１ｇを形成してバンプランド１ｕと半田の反応を良好にする。
【００６１】
Ａｕめっき形成後、複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄにおけるそれぞれのバンプランド１ｕ上に図１１に示す半田ペースト材４を印刷方法により塗布する。まず、図１１のステップＳ１４に示す印刷用マスク３を準備する。
【００６２】
なお、印刷用マスク３は、図５に示すものと同様に、隣接するポリイミド膜１ｑの端部間の距離（Ｂ）より開口距離（Ａ）が小さく形成された複数の開口部３ａを有しているものである。すなわち、隣接するポリイミド膜１ｑの端部間の距離（Ｂ）＞印刷用マスク３の開口距離（Ａ）の関係となるような印刷用マスク３を用いる。
【００６３】
図１１のステップＳ１４に示すように、印刷用マスク３の開口部３ａが、隣接するポリイミド膜１ｑ間に配置されるようにポリイミド膜１ｑ上に印刷用マスク３を配置する。
【００６４】
その後、ステップＳ１５に示す半田ペースト材印刷を行う。ここでは、印刷用マスク３の開口部３ａを介してスキージ６でポリイミド膜１ｑ間のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄのバンプランド１ｕ上に半田ペースト材４を塗布する。さらに、前記塗布を続けることにより、ステップＳ１６に示す半田ペースト材充填を行う。すなわち、ポリイミド膜１ｑ間のバンプランド１ｕ上に半田ペースト材４を充填する。
【００６５】
印刷用マスク３は、隣接するポリイミド膜１ｉの端部間の距離（Ｂ）＞印刷用マスク３の開口距離（Ａ）の関係となるようなものを用いているが、印刷用マスク３の開口部３ａにおいて表面張力が働き、半田ペースト材４が立った状態に保持されるため、半田ペースト材４とポリイミド膜１ｑとの間に隙間１０が形成される。
【００６６】
その後、ステップＳ１７に示す印刷用マスク剥がしを行う。ここでは、印刷用マスク３をポリイミド膜１ｑから離脱させ、これにより、半田ペースト材４をポリイミド膜１ｑ間に隙間なく充填する。すなわち、印刷用マスク３を剥がすと開口部３ａの表面張力が解かれ、流動性のある半田ペースト材４は隙間１０に流れ込む。従って、印刷用マスク３の厚さ分に相当する半田ペースト材４は隙間１０に流れ込み、またバンプランド１ｕ間に配置されたポリイミド膜１ｑがダム代わりとなるため、隣接する半田ペースト材４が互いに接触することを抑制できる。
【００６７】
その後、図１１のステップＳ１８に示すリフロー半田バンプ形成を行う。ここでは、リフロー処理により、半田ペースト材４を加熱溶融し、その後、再結晶化させてＣｕ／Ｎｉ配線１ｄの各バンプランド１ｕ上に半田バンプ２を形成する。すなわち、半田ペースト材４を溶融・再結晶化させて半田バンプ２を形成する。
【００６８】
半田バンプ形成後、図６に示す半導体ウエハ１の主面１ａ上の各素子形成領域１ｈには、図１２の拡大図に示すように、格子状に配列された複数の半田バンプ２が設けられている。
【００６９】
その後、ダイシングラインに沿ってダイシングを行って個片化することにより、図８に示す変形例の半導体装置１１の組み立て完了となる。
【００７０】
本実施の形態１の変形例の半導体装置１１の製造方法においても、再配線である複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄにおいてそれぞれの隣接するバンプランド１ｕ間にポリイミド膜１ｑを形成し、その後、複数のバンプランド１ｕそれぞれの上に半田ペースト材４を印刷方法により塗布して半田バンプ２を形成することにより、狭パッドピッチにおいても半田バンプ２間での電気的ショート（バンプ間ショート）を発生させることなく半田バンプ２を形成することができる。例えば、パッドピッチおよびランドピッチが、0.２ｍｍ以下の狭パッドピッチにおいて印刷方法での半田バンプ形成の実現化を図ることができる。
【００７１】
なお、変形例の半導体装置１１の製造方法によって得られるその他の効果については、半導体装置５の製造方法によって得られる効果で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【００７２】
（実施の形態２）
図１３は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図１４は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【００７３】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法は、バンプ形成方法の一例として、半導体ウエハ１の主面１ａ上で、パッド１ｃと接続する隣接したバンプランド１ｕ間に配置する絶縁膜の形成方法と半田ペースト材４の塗布について説明するものである。
【００７４】
まず、主面１ａと、主面１ａに対向する裏面１ｂと、主面１ａに形成された集積回路とを有する図３に示すような半導体ウエハ１を準備し、その後、実施の形態１の変形例と同様にして半導体ウエハ１の主面１ａ上に、パッド１ｃの外周部を覆う第１絶縁膜１ｋを形成する。
【００７５】
その後、図１３のステップＳ２１に示すＣｕ／Ｎｉ配線形成を行う。ここでは、パッド１ｃに電気的に接続させてＣｕ／Ｎｉ配線１ｄを形成し、また、Ｃｕ／Ｎｉ配線１ｄのバンプランド１ｕが露出するように第２絶縁膜であるポリイミド膜１ｎを第１絶縁膜１ｋ上に形成する。なお、パッド１ｃのピッチ（Ｐ）は、例えば、Ｐ＝0.２ｍｍ以下の狭パッドピッチで配置されている。
【００７６】
その後、ステップＳ２２に示す成形金型セットを行う。まず、Ｃｕ／Ｎｉ配線１ｄの隣接するバンプランド１ｕ間に成形金型８のキャビティ８ａが対向して配置されるようにガイドポストである成形金型８を配置する。すなわち、成形金型８のキャビティ８ａがバンプランド１ｕ間に対応し、かつキャビティ８ａに隣接して形成された逃げ部８ｂがバンプランド１ｕ上に対応するように成形金型８を配置する。その際、キャビティ８ａおよび逃げ部８ｂのそれぞれの開口側を半導体ウエハ１の主面１ａに対向させて配置する。
【００７７】
その後、ステップＳ２３に示すアンダーフィル注入を行う。すなわち、成形金型８のキャビティ８ａに絶縁性樹脂であるアンダーフィル７を注入し、さらに、ステップＳ２４に示すアンダーフィル充填を行って、それぞれのキャビティ８ａ内にアンダーフィル７を充填させる。
【００７８】
なお、アンダーフィル７は、例えば、熱硬化性樹脂である。
【００７９】
その後、図１３のステップＳ２５に示す成形金型エジェクトを行う。すなわち、ガイドポストである成形金型８を半導体ウエハ１から離脱させる。ここでは、成形金型８を上昇させて半導体ウエハ１から成形金型８を離脱させる。
【００８０】
その後、ステップＳ２６に示すアンダーフィル硬化ベークを行ってアンダーフィル７を熱硬化させる。これにより、半導体ウエハ１の主面１ａ上の電極間、すなわちバンプランド１ｕ間に絶縁性樹脂からなる絶縁膜１ｒを形成できる。
【００８１】
その後、実施の形態１と同様に、それぞれのバンプランド１ｕ上に図１４に示す半田ペースト材４を印刷方法により塗布する。まず、図１４のステップＳ２７に示す印刷用マスク３を準備する。
【００８２】
なお、印刷用マスク３は、図５に示すものと同様に、隣接する絶縁膜１ｒの端部間の距離（Ｂ）より開口距離（Ａ）が小さく形成された複数の開口部３ａを有しているものである。すなわち、隣接する絶縁膜１ｒの端部間の距離（Ｂ）＞印刷用マスク３の開口距離（Ａ）の関係となるような印刷用マスク３を用いる。
【００８３】
図１４のステップＳ２７に示すように、印刷用マスク３の開口部３ａが、隣接する絶縁膜１ｒ間に配置されるように絶縁膜１ｒ上に印刷用マスク３を配置する。
【００８４】
その後、ステップＳ２８に示す半田ペースト材印刷を行う。ここでは、印刷用マスク３の開口部３ａを介してスキージ６で絶縁膜１ｒ間のバンプランド１ｕ上に半田ペースト材４を塗布する。さらに、前記塗布を続けることにより、ステップＳ２９に示す半田ペースト材充填を行う。すなわち、絶縁膜１ｒ間のバンプランド１ｕ上に半田ペースト材４を充填する。
【００８５】
印刷用マスク３は、隣接するポリイミド膜１ｉの端部間の距離（Ｂ）＞印刷用マスク３の開口距離（Ａ）の関係となるようなものを用いているが、印刷用マスク３の開口部３ａにおいて表面張力が働き、半田ペースト材４が立った状態に保持されるため、半田ペースト材４と絶縁膜１ｒとの間に隙間１０が形成される。
【００８６】
その後、ステップＳ３０に示す印刷用マスク剥がしを行う。ここでは、印刷用マスク３を絶縁膜１ｒから離脱させ、これにより、半田ペースト材４を絶縁膜１ｒ間に隙間なく充填する。すなわち、印刷用マスク３を剥がすと開口部３ａの表面張力が解かれ、流動性のある半田ペースト材４は隙間１０に流れ込む。従って、印刷用マスク３の厚さ分に相当する半田ペースト材４は隙間１０に流れ込み、またバンプランド１ｕ間に配置された絶縁膜１ｒがダム代わりとなるため、隣接する半田ペースト材４が互いに接触することを抑制できる。
【００８７】
その後、図１４のステップＳ３１に示すリフロー半田バンプ形成を行う。ここでは、リフロー処理により、半田ペースト材４を加熱溶融し、その後、硬化させてＣｕ／Ｎｉ配線１ｄの各バンプランド１ｕ上に半田バンプ２を形成する。すなわち、半田ペースト材４を熱硬化させて半田バンプ２を形成する。
【００８８】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法においても、再配線である複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄにおいてそれぞれの隣接するバンプランド１ｕ間に絶縁膜１ｒを形成し、その後、複数のバンプランド１ｕそれぞれの上に半田ペースト材４を印刷方法により塗布して半田バンプ２を形成することにより、狭パッドピッチにおいても半田バンプ２間での電気的ショート（バンプ間ショート）を発生させることなく半田バンプ２を形成することができる。
【００８９】
なお、本実施の形態２の半導体装置の製造方法によって得られるその他の効果については、実施の形態１の半導体装置５の製造方法によって得られる効果で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【００９０】
（実施の形態３）
図１５は本発明の実施の形態３の半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図１６は本発明の実施の形態３の半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【００９１】
本実施の形態３の半導体装置の製造方法は、バンプ形成方法の一例として、半導体ウエハ１の主面１ａ上で、パッド１ｃと接続する隣接したバンプランド１ｕ間に配置する絶縁膜の形成方法と半田ペースト材４の塗布について説明するものである。
【００９２】
まず、主面１ａと、主面１ａに対向する裏面１ｂと、主面１ａに形成された集積回路とを有する図３に示すような半導体ウエハ１を準備し、その後、実施の形態１の変形例と同様にして半導体ウエハ１の主面１ａ上に、パッド１ｃの外周部を覆う第１絶縁膜１ｋを形成する。
【００９３】
その後、図１５のステップＳ４１に示すＣｕ／Ｎｉ配線形成を行う。ここでは、パッド１ｃに電気的に接続させてＣｕ／Ｎｉ配線１ｄを形成し、また、Ｃｕ／Ｎｉ配線１ｄのバンプランド１ｕが露出するように第２絶縁膜であるポリイミド膜１ｎを第１絶縁膜１ｋ上に形成する。なお、パッド１ｃのピッチ（Ｐ）は、例えば、Ｐ＝0.２ｍｍ以下の狭パッドピッチで配置されている。
【００９４】
その後、図１５のステップＳ４２に示すアンダーフィル印刷を行う。ここでは、半導体ウエハ１の主面１ａ上にスキージ６を用いて絶縁性樹脂であるアンダーフィル７を塗布する。なお、アンダーフィル７は、例えば、熱硬化性樹脂である。
【００９５】
その後、ステップＳ４３に示すアンダーフィル硬化ベークを行ってアンダーフィル７を熱硬化させる。
【００９６】
その後、ステップＳ４４に示す打ち抜き金型押し込みを行う。ここでは、凹部９ａとこれに隣接する逃げ部９ｂとを有するくし型金型である打ち抜き金型９を準備し、凹部９ａおよび逃げ部９ｂの開口側がアンダーフィル７と対向するように打ち抜き金型９を配置する。
【００９７】
その後、ステップＳ４５に示す打ち抜き金型セットを行う。ここでは、隣接するバンプランド１ｕ間に打ち抜き金型９の凹部９ａが対向して配置され、かつバンプランド１ｕ上に逃げ部９ｂが対向して配置されるようにアンダーフィル７上に打ち抜き金型９を配置した後、打ち抜き金型９の凹部９ａ内にアンダーフィル７が充填されるように打ち抜き金型９をアンダーフィル７内に打ち込む。これにより、凹部９ａ内にアンダーフィル７が充填される。
【００９８】
その後、ステップＳ４６に示す打ち抜き金型取出しを行う。すなわち、打ち抜き金型９を半導体ウエハ１から離脱させる。ここでは、打ち抜き金型９を上昇させて半導体ウエハ１から打ち抜き金型９を離脱させる。これにより、半導体ウエハ１の主面１ａ上の電極間、すなわちバンプランド１ｕ間に絶縁性樹脂からなる絶縁膜１ｒを配置できる。
【００９９】
その後、図１６のステップＳ４７に示す電極部アンダーフィル除去を行う。ここでは、電極上、すなわちバンプランド１ｕ上に付着したアンダーフィル７を、例えば、アッシング方法などで除去する。
【０１００】
その後、ステップＳ４８に示す半田ペースト材印刷を行う。ここでは、直接スキージ６で絶縁膜１ｒ間のバンプランド１ｕ上に半田ペースト材４を塗布する。本実施の形態３では、絶縁膜１ｒが熱硬化性樹脂からなるアンダーフィル７を用いるため、形成された絶縁膜１ｒは実施の形態１で用いるポリイミド樹脂よりも硬度が高いため、印刷用マスク３を使用しなくても、この絶縁膜１ｒ自体をマスク代わりとして用いることが可能である。これにより、印刷用マスク３を使用しない分、実施の形態１に比べ製造コストを低減することが可能である。さらに、前記塗布を続けてステップＳ４９に示す半田ペースト材充填を行う。すなわち、絶縁膜１ｒ間のバンプランド１ｕ上に半田ペースト材４を充填する。
【０１０１】
その後、ステップＳ５０に示すリフロー半田バンプ形成を行う。ここでは、リフロー処理により、半田ペースト材４を加熱溶融し、その後、硬化させて各バンプランド１ｕ上に半田バンプ２を形成する。すなわち、半田ペースト材４を熱硬化させて半田バンプ２を形成する。
【０１０２】
本実施の形態３の半導体装置の製造方法においても、再配線である複数のＣｕ／Ｎｉ配線１ｄにおいてそれぞれの隣接するバンプランド１ｕ間に絶縁膜１ｒを形成し、その後、複数のバンプランド１ｕそれぞれの上に半田ペースト材４を印刷方法により塗布して半田バンプ２を形成することにより、狭パッドピッチにおいても半田バンプ２間での電気的ショート（バンプ間ショート）を発生させることなく半田バンプ２を形成することができる。
【０１０３】
なお、本実施の形態３の半導体装置の製造方法によって得られるその他の効果については、実施の形態１の半導体装置５の製造方法によって得られる効果で説明したものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１０４】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１０５】
例えば、前記実施の形態１および２では、半田ペースト材４を塗布する際に、印刷用マスク３を介して塗布する場合を説明したが、電極間に配置される絶縁膜が十分に硬質である場合には、印刷用マスク３は用いなくてもよい。
【０１０６】
また、前記実施の形態３では、印刷用マスク３を用いないで直接半田ペースト材４を塗布する場合を説明したが、前記実施の形態３においても、電極間に配置される絶縁膜の硬さが十分でない場合などには、印刷用マスク３を用いて半田ペースト材４を塗布してもよい。
【０１０７】
また、前記実施の形態１では、ポリイミド膜１iの形成方法として印刷方法について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばホトマスクを用いて形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明は、突起電極の形成技術および半導体製造技術に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の半田バンプの構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の組み立てに用いられる半導体ウエハの構造の一例を示す平面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図６】図１に示す半導体装置の製造における半田バンプ形成後の半導体ウエハの構造の一例を示す平面図である。
【図７】図６に示すＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１の変形例の半導体装置の構造を示す平面図である。
【図９】図８に示す半導体装置の半田バンプの構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図１０】図８に示す変形例の半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順を示す製造プロセスフロー図である。
【図１１】図８に示す変形例の半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順を示す製造プロセスフロー図である。
【図１２】図８に示す変形例の半導体装置の製造における半田バンプ形成後の半導体ウエハの一部の構造を示す拡大部分平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図１４】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図１５】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造における絶縁膜形成までの組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図１６】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造における半田ペースト材塗布の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１  半導体ウエハ
１ａ  主面
１ｂ  裏面
１ｃ  パッド（電極）
１ｄ  Ｃｕ／Ｎｉ配線
１ｅ  Ｃｕ層
１ｆ  Ｎｉ層
１ｇ  Ａｕめっき
１ｈ  素子形成領域
１ｉ  ポリイミド膜（絶縁膜）
１ｊ  保護膜
１ｋ  第１絶縁膜
１ｍ  開口部
１ｎ  ポリイミド膜（第２絶縁膜）
１ｐ  開口部
１ｑ  ポリイミド膜（第３絶縁膜）
１ｒ  絶縁膜
１ｓ  半導体チップ
１ｔ  ランド（電極）
１ｕ  バンプランド（他端部）
２  半田バンプ（突起電極）
３  印刷用マスク
３ａ  開口部
４  半田ペースト材
５  半導体装置
６  スキージ
７  アンダーフィル（絶縁性樹脂）
８  成形金型
８ａ  キャビティ
８ｂ  逃げ部
９  打ち抜き金型
９ａ  凹部
９ｂ  逃げ部
１０  隙間
１１  半導体装置
Ｑ  第１の間隔
Ｒ  第２の間隔
【図１】
2006173460.tif 000003
【図２】
2006173460.tif 000004
【図３】
2006173460.tif 000005
【図４】
2006173460.tif 000006
【図５】
2006173460.tif 000007
【図６】
2006173460.tif 000008
【図７】
2006173460.tif 000009
【図８】
2006173460.tif 000010
【図９】
2006173460.tif 000011
【図１０】
2006173460.tif 000012
【図１１】
2006173460.tif 000013
【図１２】
2006173460.tif 000014
【図１３】
2006173460.tif 000015
【図１４】
2006173460.tif 000016
【図１５】
2006173460.tif 000017
【図１６】
2006173460.tif 000018