(57)【要約】  【課題】  初期化後に光記録媒体が経時変化した場合にあっても、書き換え時におけるジッター値の上昇を抑えることができるようにする。  【解決手段】  光記録媒体１０は、基板１１上に、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、反射層１５、保護層１６、反射層１７、基板１８を順次積層した構成を有する。光記録媒体１０に対してレーザ光を連続的に照射した後、情報信号を記録する。これにより、初期化後に光記録媒体１０が経時変化した場合にあっても、書き換え時におけるジッター値の上昇を抑制することができる。特に、初期の書き換え時におけるジッター値の上昇を抑制することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体の記録方法において、
光記録媒体に対してレーザ光を連続的に照射した後、情報信号を記録することを特徴とする光記録媒体の記録方法。
【請求項２】
上記レーザ光の連続照射が、上記情報信号の記録直前に行われることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項３】
上記レーザ光の連続照射が、初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすように行われることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項４】
上記記録層の相変化型記録材料が、ＳｂとＴｅの共晶系材料と添加元素とからなることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項５】
上記記録層に含有される添加元素の量が、１０ａｔ％以下であることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項６】
上記添加元素が、少なくともＧｅを含有することを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体の記録方法。
【請求項７】
非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体に対して、レーザ光を照射して情報信号の記録および読み取りを行う光学系と、
上記光学系を制御する光学系制御手段と
を備え、
上記光学系が、光記録媒体に対してレーザ光を連続的に照射した後、情報信号を記録することを特徴とする光記録媒体の記録再生装置。
【請求項８】
上記レーザ光の連続照射が、上記情報信号の記録直前に行われることを特徴とする請求項７記載の光記録媒体の記録再生装置。
【請求項９】
上記レーザ光の照射が、初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすように行われることを特徴とする請求項７記載の光記録媒体の記録再生装置。
【請求項１０】
上記光学系が、第１の光学系と、第２の光学系とからなり、
上記第１の光学系が、上記光記録媒体に対してレーザ光を連続的に照射した後、上記第２の光学系が、上記光記録媒体に対してレーザ光を照射して情報信号を記録することを特徴とする請求項７記載の光記録媒体の記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、非晶相と結晶相間の可逆的な相変化を利用して情報信号を記録できる光記録媒体の記録方法および光記録媒体の記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報記録の高密度化および大容量化が進む中で、光記録媒体は有望視されている。光記録媒体はその用途に応じて再生専用型、追記型、書換型の３種類に大別できるが、書換型の光記録媒体は記録済の情報を消去して書き換えることができるので、最も期待されている。
【０００３】
この書換型の光記録媒体としては、相変化型の光記録媒体が広く知られている。この相変化型の光記録媒体は、例えば、ポリカーボネート基板上に、誘電体層、相変化記録層、誘電体層、反射冷却層、紫外線硬化樹脂からなる保護層が順次形成された構造を有する。このような構成を有する相変化型の光記録媒体では、ポリカーボネート基板の側から相変化記録層にレーザ光を照射し、そのレーザ光のパルス出力とパルス幅に対応して照射部の相状態を、たとえば結晶状態と非結晶状態との間で可逆的に移行または相転移させて情報の記録または消去を行う。
【０００４】
上述の相変化型の光記録媒体の製造工程では、スパッタリング法により各層を基板上に積層し、その上に保護層を形成した後に、相変化記録層を全面的に結晶化状態にするための初期化処理を行う（例えば、特許文献１）。これは、スパッタリング法により各層を積層した後の記録層は非結晶状態にあり、この状態のままでは、反射率が低く十分なサーボ信号が得られなく、また消去レベルのレーザ光を照射しても、結晶状態への移行が充分ではないなどの問題があるためである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２０３６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように初期化工程を経て製造される光記録媒体では、オーバーライト時にジッター値が上昇して、記録ジッター特性が悪化する現象が起きる。特に、この特性の悪化は高速での１回目のオーバーライト時（以下、ＤＯＷ１と称する）において顕著である。このＤＯＷ１のジッター値の上昇は初期化工程における条件を最適化することによりある程度低減することができるが、高温環境下に相変化型の光記録媒体を長時間放置すると、初期化後の結晶状態の経時変化により再びこのＤＯＷ１のジッターが上昇してしまう。
【０００７】
したがって、この発明の目的は、初期化後に結晶状態が経時変化した場合であっても、オーバーライト時におけるジッター値の上昇を抑えることができる光記録媒体の記録方法および光記録媒体の記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、従来技術が有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以下にその概要を説明する。
【０００９】
光記録媒体の初期化工程では、初期化時間をできる限り短くするために、記録時または再生時に比して大きなスポット径を有するレーザ光を記録媒体に対して照射している。そのため、初期化後における記録層の結晶状態と記録消去後における記録層の結晶状態とは必ずしも同じではなく、オーバーライト時には複数の結晶状態が混在していると考えられる。そして、この複数の結晶状態の混在によって、オーバーライト時にはジッター値が上昇して、記録ジッター特性が悪化する現象が起きてしまうと考えられる。
【００１０】
そこで、本発明者は、オーバーライト時における複数の結晶状態の混在を低減するため、鋭意検討を行った。その結果、本発明者は以下のことを想起するに至った。すなわち、レーザ光を記録層に照射した後、情報信号の書き込みを行うことにより、ジッター値の上昇の原因と考えられる複数の結晶状態の混在を低減できることを想起するに至った。
この発明は以上の検討に基づいて案出されたものである。
【００１１】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体の記録方法において、
光記録媒体に対してレーザ光を連続的に照射した後、情報信号を記録することを特徴とする光記録媒体の記録方法である。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１記載の光記録媒体の記録方法において、レーザ光の連続照射が、情報信号の記録直前に行われることを特徴とする。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１記載の光記録媒体の記録方法において、レーザ光の連続照射が、初期化後反射率Ｉｂとレーザ照射直後反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすように行われることを特徴とする。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１記載の光記録媒体の記録方法において、記録層の相変化型記録材料が、ＳｂとＴｅの共晶系材料と添加元素とからなることを特徴とする。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項４記載の光記録媒体の記録方法において、記録層に含有される添加元素の量が、１０ａｔ％以下であることを特徴とする。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項４記載の光記録媒体の記録方法において、添加元素が、少なくともＧｅを含有することを特徴とする。
【００１７】
請求項７の発明は、非晶相と結晶相間の可逆的な相変化により情報信号の記録および消去が行われる記録層を有する光記録媒体に対して、レーザ光を照射して情報信号の記録および読み取りを行う光学系と、
光学系を制御する光学系制御手段と
を備え、
光学系が、光記録媒体に対してレーザ光を連続的に照射した後、情報信号を記録することを特徴とする光記録媒体の記録再生装置である。
【００１８】
請求項８の発明は、請求項７記載の光記録媒体の記録再生装置において、レーザ光の連続照射が、情報信号の記録直前に行われることを特徴とする。
【００１９】
請求項９の発明は、請求項７記載の光記録媒体の記録再生装置において、レーザ光の照射が、初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすように行われることを特徴とする。
【００２０】
請求項１０の発明は、請求項７記載の光記録媒体の記録再生装置において、光学系が、第１の光学系と、第２の光学系とからなり、
第１の光学系が、光記録媒体に対してレーザ光を連続的に照射した後、第２の光学系が、光記録媒体に対してレーザ光を照射して情報信号を記録することを特徴とする。
【００２１】
初期化後反射率とは、１回目の記録前においてレーザ光を連続照射する直前の反射率であり、レーザ光照射後反射率とは、１回目または２回目以降の記録前においてレーザ光を連続照射した直後の反射率である。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、この発明によれば、レーザ光を光記録媒体に対して連続照射した後、情報信号を光記録媒体に記録するので、初期化後に光記録媒体が経時変化した場合にあっても、ジッター値の上昇を抑制することができる。特に、初期の書き換え時におけるジッター値の上昇を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分に同一の符号を付す。
【００２４】
この発明の実施形態について以下の順序で説明する。
（１）光記録媒体の構成
（２）光記録媒体の記録方法
（３）記録再生装置の構成
（４）記録再生装置の動作
【００２５】
（１）光記録媒体の構成
図１は、この発明の一実施形態による光記録媒体の記録方法に用いられる光記録媒体１０の一構成例を示す断面図である。図１に示すように、この光記録媒体１０は、基板１１上に、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、反射層１５、保護層１６、反射層１７、基板１８を順次積層した構成を有する。
【００２６】
この光記録媒体１０では、基板１１の側から記録層１３にレーザ光を照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、６５０ｎｍ〜６６５ｎｍの波長を有するレーザ光を、０．６４〜０．６６の開口数を有する対物レンズ１により集光し、基板１１の側から記録層１３に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００２７】
（基板）
基板１１，１８は、中央にセンターホール（図示せず）が形成された円環形状を有し、基板１１，１８の厚さは、例えば０．６ｍｍに選ばれる。基板１１の一主面には、情報信号の記録および／または再生を行う際に光学スポットを導くための凹凸部が形成されている。この凹凸部の形状としては、スパイラル状、同心円状、ピット列等、各種の形状が挙げられる。この凹凸部を案内として光学スポットを光記録媒体１０上の任意の位置へと移動できる。
【００２８】
基板１１，１８の材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂もしくはアクリル系樹脂等のプラスチック材料またはガラスを使用できるが、コスト等の点を考慮すると、プラスチック材料を使用することが好ましい。また、基板１１，１８の成形方法は、所望の形状と光学的に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であればよく、特に限定されるものではなく、例えば、例えば射出成形法（インジェクション法）、紫外線硬化樹脂を使うフォトポリマー（２Ｐ法）法を用いることができる。
【００２９】
（誘電体層）
誘電体層１２の厚さは、好ましくは５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲であり、例えば、８０ｎｍ程度である。誘電体層１４の厚さは、好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲であり、例えば２０ｎｍ程度である。
【００３０】
誘電体層１２，１４の材料としては、記録再生用レーザの波長に対して吸収能の低い材料が好ましく、具体的には消衰係数Ｋの値が０．３以下である材料が好ましい。かかる材料としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体（好ましくは、モル比４：１）を挙げることができる。ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体以外にも、従来から光記録媒体の誘電体層の材料として用いられている公知のものを用いることも可能である。
【００３１】
例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅ等の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物等およびこれらを主成分と材料を用いることができる。好ましくは、ＡｌＮX（０．５≦Ｘ≦１）、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3-x(０≦Ｘ≦１)、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4-x(０≦Ｘ≦１)、Ｓｉ3Ｎ4-x、ＳｉＯX（１≦Ｘ≦２）、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＴｉＯｘ（１≦Ｘ≦２）、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｔＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5-x（０≦Ｘ≦１）、Ｔａ2Ｏ5、ＧｅＯｘ(１≦Ｘ≦２)、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ2、ＬａＦ、ＭｇＦ2、ＮａＦ、ＴｈＦ4等を用いることができる。
【００３２】
（記録層）
記録層１３の膜厚は、好ましくは５ｎｍ〜3０ｎｍの範囲であり、例えば１５ｎｍ程度である。この記録層１３の材料としては、レーザ光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料、具体的には、アモルファス状態と結晶状態の可逆的相変化を生じる相変化材料を使用できる。このような材料としては、例えば、カルコゲン化合物または単体のカルコゲン等を使用できる。カルコゲン化合物としては、例えば、Ｓｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用でき、好ましくは、Ｇｅなどの添加元素が添加されたＳｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用できる。
【００３３】
例示するならば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、またはこれらの系に窒素、酸素などのガス添加物を導入した系等を挙げることができる。
【００３４】
添加元素を記録層１３に添加すると、信頼性などの特性を向上できる一方、信号特性の低下を招いてしまう。この点を考慮すると、記録層１３における添加元素の量は１０ａｔｍ％以下にすることが好ましい。なお、記録層１３を連続する２層以上の異なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で構成してもよい。
【００３５】
（反射層）
反射層１５の厚さは、好ましくは５０ｎｍ以上であり、より好ましくは５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲であり、例えば１４０ｎｍ程度である。反射層１７の厚さは、好ましくは１０ｎｍ以上であり、より好ましくは２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲であり、例えば３０ｎｍ程度である。
【００３６】
反射層１５，１７の材料としては、例えば金属または半金属を使用できる。反射層１５，１７の材料は、反射能および熱伝導率を考慮して選ぶことが好ましく、例えば、記録再生用レーザ光の波長に対して反射能を有し、熱伝導率が０．０００４［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］〜４．５［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］の範囲にある金属元素、半金属元素およびそれらの化合物あるいは混合物である。
【００３７】
具体的に例示するならば、反射層１５，１７の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅ等の単体、またはこれらを主成分とする合金を挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−ＰｄＴｉ、Ｓｉ−Ｂ等が好適に用いられる。これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。一般には反射層１５の膜厚を光が透過しない程度の厚さ、例えば５０ｎｍ以上に設定すると、反射率を高くすることができ、且つ、熱を逃げやすくできる。
【００３８】
また、反射層１５，１７は単層の構造に限られず、例えば金属または半金属よりなる層（反射層）を２層積層した積層構造とすることも可能であり、さらに、２層以上の多層構造とすることも可能である。これにより光学設計がし易くなり、且つ、熱特性とのバランスも取り易くなる。なお、誘電体層１４と反射層１５との間に、ＳｉＮ膜などからなるバリア層を設けてもよい。
【００３９】
（保護層）
保護層１６は、誘電体層１２、記録層１３、誘電体層１４、反射層１５が順次積層された基板１１と、反射層１７が積層された基板１８とを貼り合わせるための接着層であり、例えば、例えば紫外線硬化樹脂ならなる。この紫外線硬化樹脂の塗布方法としては、例えばスピンコート法を用いることができる。
【００４０】
（初期化処理）
次に、上述の構成を有する光記録媒体１０の初期化処理ついて説明する。図２は、初期化処理に用いられる初期化処理装置の一構成例を示す模式図である。図２に示すように、この初期化装置は、高出力、大口径のレーザヘッド２と、光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５と、レーザヘッド２を光記録媒体１０の径方向に移動させるためのキャリッジ（図示せず）とを備える。レーザヘッド２は、半導体レーザ３と、この半導体レーザ３から出射されるレーザ光を調整して光記録媒体１０上に適切なスポットを形成するための光学レンズ４ａ，４ｂとを備える。半導体レーザとしては、例えばＡｒレーザを使用できる。
【００４１】
上述の構成を有する初期化処理装置を用いて、光記録媒体１０の全面にレーザ光を照射して記録層１３を結晶化させる。例えば、光記録媒体１０を一定の線速度で回転させながら、基板１１側の面に対して出力パワー約４Ｗの大口径レーザからレーザ光を出射して約２４０×１μｍのレーザスポット光束を形成するとともに、このレーザスポット光束を半径方向に送り速度２００μｍ／ｆｅｅｄの条件で移動させる
【００４２】
これにより、レーザ光は、光記録媒体１０の円周方向および半径方向のいずれの領域にも照射される。また、線速度および出力パワーＰｗは、初期化装置の能力ならびに光記録媒体１０の膜構造および信号特性から最適値が選ばれる。また、送り速度は、レーザスポット径と処理時間との関係から最適な速度が選ばれる。
【００４３】
（２）光記録媒体の記録方法
次に、この発明の一実施形態による光記録媒体の記録方法について説明する。上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して、初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜Ｉｂの関係を満たすように、好ましくは初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすように連続的にレーザ光を照射する。
【００４４】
Ｉａ＜Ｉｂの関係を満たすように連続的にレーザ光を照射することにより、オーバーライト時のジッター値の上昇を抑制することができ、特に、高速のオーバーライト１０回未満におけるジッター値を抑制することができる。
【００４５】
Ｉａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすように連続的にレーザ光を照射することにより、オーバーライト時のジッター値の上昇を大幅に抑制することができ、特に、高速のオーバーライト１０回未満におけるジッター値を大幅に抑制することができる。
【００４６】
具体的には、レーザパワーは、好ましくは７ｍＷ以上に選ばれ、例えば８ｍＷに選ばれる。レーザパワーを７ｍＷ以上にすることにより、オーバーライト時のジッター値の上昇を大幅に抑制することができ、特に、高速のオーバーライト１０回未満におけるジッター値を大幅に抑制することができる。レーザ照射時の線速度は、例えば情報信号記録時の線速度以上、すなわち、情報信号記録時の線速度と同一またはそれより大きく選ばれ、例えば１４ｍ／ｓに選ばれる。
【００４７】
レーザ光としては、例えば赤色レーザ光が用いられる。この赤色レーザ光の波長は、例えば６５０ｎｍ〜６６５ｎｍの範囲、具体的には例えば６５０ｎｍに選ばれる。また、レーザ光を集光するレンズの開口は、例えば０．６４〜０．６６の範囲から選ばれ、具体的には例えば０．６５に選ばれる。
【００４８】
情報信号の記録に先行する連続的なレーザ光の照射と、情報信号を記録するためのレーザ光の照射とは同一の光学系または異なる光学系により行われる。従来の記録再生装置に大きな変更を加えることなく、この一実施形態による光記録媒体の記録方法を容易に実現するためには、同一の光学系を用いることが好ましい。
【００４９】
次に、光記録媒体１０に対してレーザ光を照射して情報信号を光記録媒体１０に記録する。図３は、記録時におけるレーザパワー制御（記録ストラテジ）の一例を示す略線図である。図３において、Ｐｐは記録パワーを示し、Ｐｃは消去パワーを示し、Ｐｂは冷却パワーを示す。
【００５０】
なお、連続的なレーザ光の照射は、第１回目の情報信号記録前に限られるものではなく、情報信号を記録する毎に行ってもよい。また、相変化材料からなる記録層１３を有する光記録媒体１０では、高速での１０回未満のオーバーライトにおいてジッター値が悪化することを考慮すると、連続的なレーザ光の照射は、１０回未満のオーバーライト前毎に行うことが好ましい。さらに、相変化材料からなる記録層１３を有する光記録媒体１０では、高速での第１回目のオーバーライト時においてジッター値が特に悪化することを考慮すると、連続的なレーザ光の照射は、少なくとも第１回目のオーバーライト前に行うことが好ましい。
【００５１】
（３）記録再生装置の構成
図４は、この発明の一実施形態による光記録媒体の記録再生装置の一構成例を示すブロック図である。図４に示すように、この記録再生装置は、スピンドルモータ１０１、ターンテーブル１０２、光学ピックアップ１０３、スレッド機構１０４、ＲＦアンプ１０５、二値化回路１０６、データ復調回路１０７、バッファメモリ１０８、インターフェース回路１０９、システムコントローラ１１０、サーボ制御回路１１１、データ変調回路１１２、スレッド制御回路１１３、レーザ駆動回路１１４、スピンドル制御回路１１５および二軸制御回路１１６を備える。
【００５２】
光学ピックアップ１０３は、光記録媒体１０に対してレーザ光を照射して情報信号の記録および読み取りなどを行う光学系である。また、システムコントローラ１１０、サーボ制御回路１１１およびレーザ駆動回路１１４は、光学系である光学ピックアップ１０３を制御する光学系制御手段である。
【００５３】
スピンドルモータ１０１は、ターンテーブル１０２に載置された光記録媒体１０をＣＬＶ(Constant Linear Velocity:線速度一定)またはＣＡＶ(Constant Angular Velocity: 角速度一定)で回転駆動する。
【００５４】
光学ピックアップ１０３は、光記録媒体１０の信号面にレーザ光を照射しつつ、この信号面に同心円状またはスパイラル状に形成されたトラックをトレースする。この光学ピックアップ１０３は、光記録媒体１０にレーザ光を照射するための半導体レーザ１２１、半導体レーザ１２１から照射されたレーザ光を集光するための対物レンズ１２２、光記録媒体１０により反射されたレーザ光を受光し、この受光したレーザ光に応じた電気信号をＲＦアンプ１０５に供給するフォトディテクタ１２３および、フォーカス方向およびトラッキング方向に対物レンズ１２２を移動するための二軸機構１２４などを備える。
【００５５】
スレッド機構１０４は、光学ピックアップ１０３全体を所定方向に移動するための機構である。ＲＦアンプ１０５は、電流−電圧変換回路、増幅回路、マトリックス回路（ＲＦマトリックスアンプ）などを備え、フォトディテクタ１２３からの信号に基づいて必要な信号を生成し、二値化回路１０６およびサーボ制御回路１１１に供給する。ＲＦアンプ１０５は、例えば、再生データであるＲＦ信号、サーボ制御のためのプッシュプル信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号などを生成する。
【００５６】
二値化回路１０６は、ＲＦアンプ１０５から供給されたＲＦ信号を、二値化し、デジタル信号列に変換した後、データ復調回路１０７に供給する。データ復調回路１０７は、二値化回路１０６から供給されたデジタル信号列を、復調および所定方式に従った誤り訂正を行った後、バッファメモリ１０８に供給する。
【００５７】
バッファメモリ１０８は、データ復調回路１０７から供給される信号を蓄積し、この蓄積した信号を、インターフェース回路１０９を介して図示を省略した外部機器（例えば、パーソナルコンピュータ）に適宜供給する。
【００５８】
システムコントローラ１１０は、インターフェース回路１０９、サーボ制御回路１１１およびデータ変調回路１１２などを制御する。また、システムコントローラ１１０は、図示を省略したトレーのローディング／アンローディングなどの動作を制御する。
【００５９】
サーボ制御回路１１１は、例えば、ＲＦアンプ１０５からのフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号と、システムコントローラ１１０からの動作指令とに基づき、フォーカス、トラッキング、スレッド、スピンドルの各種サーボドライブ信号を生成し、二軸制御回路１１６、スレッド制御回路１１３、スピンドル制御回路１１５に出力する。
【００６０】
データ変調回路１１２は、図示を省略した外部機器からインターフェース回路１０９を介して供給される信号に対して、所定方式に従った誤り訂正符号の付加とエンコード処理とを施し、レーザ駆動回路１１４に供給する。
【００６１】
レーザ駆動回路１１４は、データ変調回路１１２から供給される信号に基づき、半導体レーザ１２１を駆動する。スレッド制御回路１１３は、サーボ制御回路１１１から供給されるサーボドライブ信号に基づき、スレッド機構１０４を制御する。
【００６２】
スピンドル制御回路１１５は、サーボ制御回路１１１から供給されるサーボドライブ信号に基づき、スピンドルモータ１０１を制御する。二軸制御回路１１６は、サーボ制御回路１１１から供給されるサーボドライブ信号に基づき、光学ピックアップ１０３に備えられた二軸機構１２４を制御する。
【００６３】
（４）記録再生装置の動作
次に、この発明の一実施形態による記録再生装置の記録動作を説明する。なお、この記録動作は、例えば、システムコントローラ１１０が外部機器からインターフェース回路１０９を介してデータを記録する要求を受けた場合に開始される。
【００６４】
まず、レーザ駆動回路１１４が、スピンドルモータ１０１により回転駆動された光記録媒体１０に対してレーザ光を連続照射する。具体的には、初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後前反射率ＩａとがＩａ＜Ｉｂの関係を満たすように、好ましくは初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後前反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすようにレーザ光を連続照射する。次に、レーザ駆動回路１１４がデータ変調回路１１２から供給されるデータに基づき半導体レーザ１２１を制御して、データを光記録媒体１０に記録する。
【００６５】
なお、上述の一実施形態では、光記録媒体が貼り合わせ型の光記録媒体である場合を例として、光記録媒体の記録方法および光記録媒体の記録再生装置について説明したが、光記録媒体は貼り合わせ型の光記録媒体に限られるものではない。例えば、光記録媒体は、基板上に保護層が設けられ、この基板側からレーザ光を照射して情報信号の記録および／または再生が行われる光記録媒体、または基板上に光透過層が設けられ、この光透過層側からレーザ光を照射して情報信号の記録および／または再生が行われる光記録媒体であってもよい。
【００６６】
図５は、基板側からレーザ光を照射して情報信号の記録および／または再生が行われる光記録媒体の一構成例を示す断面図である。図５に示すように、この光記録媒体１０は、基板２１上に、誘電体層２２、記録層２３、誘電体層２４、反射層２５、保護層２６が順次積層された構成を有する。
【００６７】
この光記録媒体では、基板２１の側からレーザ光を記録層２３に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、７７５ｎｍ〜７９５ｎｍの波長を有するレーザ光を、０．４４〜０．４６の開口数を有する対物レンズ１により集光し、基板２１の側から記録層２３に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００６８】
図６は、光透過層側からレーザ光を照射して情報信号の記録および／または再生が行われる光記録媒体の一構成例を示す断面図である。図６に示すように、この光記録媒体１０は、基板３１上に、反射層３２、誘電体層３３、記録層３４、誘電体層３５、光透過層３６が順次積層された構成を有する。
【００６９】
この光記録媒体１０では、光透過層３６の側からレーザ光を記録層３４に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズ１により集光し、光透過層３６の側から記録層３４に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００７０】
この発明の一実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
相変化型の光記録媒体１０に対して情報信号を高速で記録する直前に、初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂを満たすようにレーザ光を連続的に照射した後、情報信号の記録を行うため、初期化処理後に光記録媒体１０が経時変化した場合であっても、書き換え時のジッター値の上昇を抑えることができる。特に、高速での書き換え回数１０回未満におけるジッター値の上昇を抑えることができる。
【実施例】
【００７１】
以下に、実施例に基づいてこの発明をさらに具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。以下、ＤＶＤ＋ＲＷ（Digital Versatile Disc＋ReWritable）に対してこの発明を適用した実施例を説明する。
実施例１
まず、射出成形によりポリカーボネートからなる基板１１を成形した。その一主面にはスタンパによりランドおよびグルーブなどを転写した。また、この基板１１の直径を１２０ｍｍとし、厚さを０．６ｍｍとした。次に、スパッタリング法により、膜厚８０ｎｍを有するＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（誘電体層）１２を基板１１上に成膜した。
【００７２】
次に、スパッタリング法により、ＳｂとＴｅの共結系材料にＧｅを添加してなるＧｅ5Ｓｂ75Ｔｅ20膜（記録膜）１３をＺｎＳ−ＳｉＯ2膜１２上に成膜した。このＧｅ5Ｓｂ75Ｔｅ20膜１３の厚さは、１５ｎｍ成膜とした。次に、スパッタリング法により、膜厚１０ｎｍを有するＺｎＳ−ＳｉＯ2膜（誘電体層）１４をＧｅ5Ｓｂ75Ｔｅ20膜１３上に成膜した。次に、スパッタリング法により、膜厚８ｎｍを有するＳｉＮ膜（バリア層）をＺｎＳ−ＳｉＯ2膜１４上に成膜した。
【００７３】
次に、スパッタリング法により、膜厚１４０ｎｍを有するＡｇ合金膜（反射層）１５をＺｎＳ−ＳｉＯ2膜１４上に成膜した。次に、上述のようにして成膜されたＡｇ合金膜１５上に、スピンコータにより基板１１の半径１５ｍｍ〜６０ｍｍ（最外周）の範囲に紫外線硬化樹脂を均一に塗布した。そして、基板１１と、膜厚３０ｎｍを有するＡｌ合金膜（反射層）１７が一主面に形成された基板１８とを、基板１１上に塗布された紫外線硬化樹脂を介して合わせた。
【００７４】
その後、この状態で、紫外線ランプ（ＵＶランプ）により紫外線を基板１８側に約１秒間照射した。これにより、紫外線硬化樹脂が硬化して、保護層１６が形成され、基板１１と基板１８とが貼り合わされた。なお、基板１８は、基板１１と同様にして予め射出成形により成形された基板であり、その材料、厚さおよび直径は、基板１１と同様にした。
【００７５】
次に、上述のようにして得られた光記録媒体１０に対して、以下の条件で初期化処理を行った。なお、初期化処理には、初期化処理装置（パルステック社製、商品名：ODI-1000）を用いた。
線速度：５ｍ／ｓ
初期化レーザパワーＰｗ：１０００ｍＷ
送り量：２００μ／回転
【００７６】
次に、初期化処理後の結晶状態の経時変化の影響を調べるために、上述のようにして得られた光記録媒体１０を８０℃の環境下で２４時間放置した。そして、光記録媒体１０の初期化後反射率Ｉｇｂを測定した。この測定には、ＤＶＤＴ±Ｒ／ＲＷ１０６（Expert  Magnetics社製）を用いた。
【００７７】
次に、記録直前に評価装置ＤＤＵ１０００（パルステック社製）を用いてレーザ光を連続的に照射した。具体的には、線速度１４ｍｍ／ｓで光記録媒体１０を回転させながら、照射レーザパワー５ｍＷ（固定パワー）のレーザ照射を各トラック毎に１回行った。ここで、連続的とは、書き込み時のパルス状のレーザ照射とは異なり、光記録媒体１０を回転させながら一定の固定レーザパワーでレーザ照射を行うことを意味する。そして、光記録媒体１０のレーザ光照射後反射率Ｉｇａを測定した。この反射率の測定には、ＤＶＤＴ±Ｒ／ＲＷ１０６（Expert  Magnetics社製）を用いた。
【００７８】
そして、レーザ光照射後反射率Ｉｇａの測定の直後に、ＤＤＵ１０００（パルステック社製）を用いて線速度１４ｍ／ｓにてＤＶＤ＋ＲＷ規格に準じたライトストラテジーで連続して２回書き込みをした後、線速度３．５ｍ／ｓにて再生して１回目のオーバーライト（ＤＯＷ１）時におけるジッター値を測定した。
【００７９】
実施例２
照射レーザパワーを６ｍＷとする以外は、実施例１と同様にしてＤＯＷ１でのジッター値及び反射率を測定した。
【００８０】
実施例３
照射レーザパワーを７ｍＷとする以外は、実施例１と同様にしてＤＯＷ１でのジッター値及び反射率を測定した。
【００８１】
実施例４
照射レーザパワーを８ｍＷとする以外は、実施例１と同様にしてＤＯＷ１でのジッター値及び反射率を測定した。
【００８２】
実施例５
照射レーザパワーを９ｍＷとする以外は、実施例１と同様にしてＤＯＷ１でのジッター値及び反射率を測定した。
【００８３】
比較例
照射レーザパワーを０ｍＷ（照射なし）とする以外は、実施例１と同様にしてＤＯＷ１でのジッター値及び反射率を測定した。
【００８４】
表１は、実施例および比較例のジッター値、レーザ光照射後反射率Ｉｇａ、反射率の比率Ｉｇａ／Ｉｇｂを示す。図７は、実施例および比較例のジッター値および反射率を示すグラフである。図７において、「□」はレーザ光照射後反射率Ｉｇａを示し、「◆」はＤＯＷ１でのジッター値を示す。
【００８５】
【表１】
2006024264.tif 000003
【００８６】
表１に示した測定結果より以下のこと分かる。
（１）初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜Ｉｂの関係を満たすようにレーザ光を連続照射することにより、メディア経時変化後のオーバーライト特性を改善できることが分かる。
【００８７】
（２）初期化後反射率Ｉｂとレーザ光照射後反射率ＩａとがＩａ＜０．９５Ｉｂの関係を満たすようにレーザ光を連続照射することにより、メディア経時変化後のオーバーライト特性を大幅に改善できることが分かる。
【００８８】
（３）レーザ光を連続照射することにより、メディア経時変化後のオーバーライト特性を改善できることが分かる。
【００８９】
（４）レーザパワー７ｍＷ以上のレーザ光を連続照射することにより、メディア経時変化後のオーバーライト特性を大幅に改善できることが分かる。
【００９０】
以下に参考のために、記録直前にレーザ光を連続照射する処理を行わなかった場合のジッター値と初期化レーザパワーとの関係について説明する。図８は、初期化直後およびアニール後におけるジッター値と初期化レーザパワーとの関係を示すグラフである。図８において、横軸は初期化レーザパワーを示し、縦軸はジッター値を示す。
【００９１】
図８において、「◇」、「□」、「△」はそれぞれ、初期化直後に書き込みを１回した場合のジッター値、初期化直後に書き換えを１回した場合のジッター値、初期化直後に書き変えを１０回した場合のジッター値である。また、「×」、「＊」、「○」はそれぞれ、アニール処理後に書き込みを１回した場合のジッター値、アニール処理後に書き換えを１回した場合のジッター値、アニール処理後に書き換えを１０回した場合のジッター値である。なお、アニール処理は、８０℃の環境下に２４時間保持して行った。
【００９２】
図８から以下のことが分かる。すなわち、初期化直後に書き込みを１回した場合のジッター値（◇印）と、アニール処理後に書き込みを１回した場合のジッター値（×印）とは、初期化レーザパワーに依存せず、５〜６％間の極めて低い値であることが分かる。
【００９３】
また、初期化直後に書き換えを１０回した場合のジッター値（△印）と、アニール処理後に書き換えを１０回した場合のジッター値（○印）とは、初期化レーザパワーに依存せず、８％程度の低い値であることが分かる。
【００９４】
これに対して、初期化直後に書き換えを１回した場合のジッター値（□印）は、レーザパワー７５０ｍＷから８５０ｍＷの間で１１％程度から８％程度まで急激に低下し、その後ほぼ一定であり、アニール処理後に書き換えを１回した場合のジッター値（＊印）は、初期化レーザパワーに依存せずに１０〜１１％間の極めて高い値であることが分かる。
【００９５】
次に、同様に参考のために、記録直前にレーザ光を連続照射する処理を行わなかった場合のジッター値と書き込み回数との関係のについて説明する。図９は、初期化直後およびアニール後におけるジッター値と書き込み回数との関係を示すグラフである。図９において、横軸は書き込み回数を示し、縦軸はジッター値を示す。
【００９６】
図９において、「◇」は、初期化直後に書き込みした場合のジッター値を示し、「□」は、アニール処理後に書き込みした場合のジッター値を示す。なお、アニール処理は、８０℃の環境下に２４時間保持して行った。
【００９７】
図９から以下のことが分かる。すなわち、初期化直後に書き込みを行った場合には、２回目の書き込み後にジッター値が５％程度から８％程度まで上昇した後は、ほぼ一定であるのに対して、アニール処理後に書き込みを行った場合には、２回目の書き込み後にジッター値が５％程度から１０％程度まで急激上昇し、そして書き込み１０回まではジッター値はなだらかに減少し、その後はほぼ一定であることが分かる。
【００９８】
以上、参考として示したように、アニール処理後に書き換えを１回（書き込みを２回）した場合のジッター値は、初期化レーザパワーに依存せずに極めて高い値となるが、この発明の光記録媒体の記録方法を用いた場合には、上述の実施例に示したようにジッター値を８％程度以下に抑えることができる。
【００９９】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０１００】
例えば、上述の一実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【０１０１】
また、上述の一実施形態では、誘電体層が単層からなる場合を例として示したが、誘電体層が２層または３層の誘電体層を積層してなるようしてもよい。
【０１０２】
図１０は、第１の誘電体層、第２の誘電体層を積層してなる誘電体層を有する光記録媒体の一構成例を示す断面図である。誘電体層３３は、反射層３２上に、第２の誘電体層３３ｂ、第１の誘電体層３３ａを順次積層してなる。誘電体層３５は、記録層３４上に、第１の誘電体層３５ａ、第２の誘電体層３５ｂを順次積層してなる。第１の誘電体層３３ａ，３５ａは、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体、好ましくは、モル比率が約４：１のＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体からなる。第２の誘電体層３３ｂ，３５ｂは、例えばＳｉ3Ｎ4からなる。
【０１０３】
また、上述の一実施形態では、単層の記録層を有する光記録媒体に対してこの発明を適用した例について示したが、２層以上の記録層を有する光記録媒体に対してこの発明を適用するようにしてもよい。
【０１０４】
図１１は、２層の記録層を有する光記録媒体の一構成例を示す断面図である。図１１に示すように、この光記録媒体１０は、基板３１上に、反射層３２、第２の誘電体層３３ｂ、第１の誘電体層３３ａ、記録層３４、第１の誘電体層３５ａ、第２の誘電体層３５ｂ、光透過層３６を順次積層し、さらにその上に、反射層４２、第２の誘電体層４３ｂ、第１の誘電体層４３ａ、記録層４４、第１の誘電体層４５ａ、第２の誘電体層４５ｂ、光透過層４６を順次積層した構成を有する。
【０１０５】
また、上述の一実施形態では、情報信号を記録するときに、光記録媒体に対してレーザ光を連続照射する場合を例として示したが、例えばトレーなどに載置された光記録媒体がロードされたときに、光学ピックアップにより光記録媒体に対してレーザ光を連続照射するようにしてもよい。また、記録再生装置の電源が投入された場合に、光記録媒体がターンテーブル上にあるか否かを判別し、ターンテーブル上に光記録媒体があると判別した場合には、光記録媒体に対してレーザ光を連続照射するようにしてもよい。
【０１０６】
また、上述の一実施形態では、光記録媒体の記録再生装置が、１の光学ピックアップ（光学系）のみを備える場合を例として示したが、第１の光学ピックアップ（第１の光学系）と第２の光学ピックアップ（第２の光学系）とを備えるようにしてもよい。この場合、例えば、第１の光学ピックアップが光記録媒体に対してレーザ光を連続照射した後、第２の光学系が光記録媒体に対してレーザ光を照射して情報信号を記録する。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】この発明の一実施形態による光記録媒体の記録方法に用いられる光記録媒体の一構成例を示す断面図である。
【図２】初期化処理に用いられる初期化処理装置の構成を示す模式図である。
【図３】記録時におけるレーザパワー制御の一例を示す略線図である。
【図４】この発明の一実施形態による光記録媒体の記録再生装置の一構成例を示すブロック図である。
【図５】この発明の一実施形態による光記録媒体の記録方法を用いることができる光記録媒体の一構成例を示す断面図である。
【図６】この発明の一実施形態による光記録媒体の記録方法を用いることができる光記録媒体の一構成例を示す断面図である。
【図７】実施例および比較例のジッター値および反射率を示すグラフである。
【図８】初期化直後およびアニール後におけるジッター値と初期化レーザパワーとの関係を示すグラフである。
【図９】初期化直後およびアニール後におけるジッター値と書き込み回数との関係を示すグラフである。
【図１０】第１の誘電体層、第２の誘電体層を積層してなる誘電体層を有する光記録媒体の一構成例を示す断面図である。
【図１１】２層の記録層を有する光記録媒体の一構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０・・・光記録媒体、１１，１８・・・基板、１２，１４・・・誘電体層、１３・・・記録層、１５，１７・・・反射層、１６・・・保護層、１０１・・・スピンドルモータ、１０２・・・ターンテーブル、１０３・・・光学ピックアップ、１０４・・・スレッド機構、１０５・・・ＲＦアンプ、１０６・・・二値化回路、１０７・・・データ復調回路、１０８・・・バッファメモリ、１０９・・・インターフェース回路、１１０・・・システムコントローラ、１１１・・・サーボ制御回路、１１２・・・データ変調回路、１１３・・・スレッド制御回路、１１４・・・レーザ駆動回路、１１５・・・スピンドル制御回路、１１６・・・二軸制御回路
【図１】
2006024264.tif 000004
【図２】
2006024264.tif 000005
【図３】
2006024264.tif 000006
【図４】
2006024264.tif 000007
【図５】
2006024264.tif 000008
【図６】
2006024264.tif 000009
【図７】
2006024264.tif 000010
【図８】
2006024264.tif 000011
【図９】
2006024264.tif 000012
【図１０】
2006024264.tif 000013
【図１１】
2006024264.tif 000014