(57)【要約】【課題】  筒状の被処理体を真空チャンバ内に縦置きした状態で、その外側面に対し均一な炭素繊維の成膜を行うことができる炭素繊維の成膜方法を得る。【解決手段】  筒状の被処理体１の外側面に熱ＣＶＤ法により炭素繊維を成膜するにあたり、成膜装置の真空チャンバ３内に軸線を立てた状態で配置される被処理体１の内部に、被処理体１の内側面から被処理体１に対してステージ５からの熱を伝える高熱伝導率材料製の円柱状の治具２を挿入して成膜処理を行う。【選択図】  図１
2006052422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の被処理体の外側面に熱ＣＶＤ法により炭素繊維を成膜するにあたり、成膜装置の真空チャンバ内に軸線を立てた状態で配置される前記筒状の被処理体の内部に、該被処理体の内側面から被処理体に対して熱を伝える加熱体を挿入した状態で成膜処理を行うことを特徴とする炭素繊維の成膜方法。
【請求項２】
前記加熱体として、前記被処理体より熱伝導率の高い材料で構成され且つ下面が成膜装置のステージの上面に密着すると共に外周面が前記筒状の被処理体の内側面に密着する治具を被処理体の内部に挿入し、ステージからの熱で前記被処理体を加熱しながら成膜処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の炭素繊維の成膜方法。
【請求項３】
前記治具が、下端面を前記ステージの上面に密着させる柱体として形成されていることを特徴とする請求項２に記載の炭素繊維の成膜方法。
【請求項４】
前記治具が、鍔部の底面を前記ステージの上面に密着させ、鍔部の上面に被処理体の下端を載せるシルクハット型断面の柱状体として形成されていることを特徴とする請求項２に記載の炭素繊維の成膜方法。
【請求項５】
前記治具が、前記被処理体よりも熱膨張率の大きい材料で構成されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の炭素繊維の成膜方法。
【請求項６】
前記筒状の被処理体としての中空筒状の陰極体を有し、且つ、その内部に前記加熱体としてのヒータコイルを配したマグネトロンカソードを成膜装置の真空チャンバ内に配置し、前記ヒータコイルに電流を流してヒータコイルを自己発熱させることで、前記陰極体をその内側面から加熱して、被処理体である陰極体の外側面に成膜処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の炭素繊維の成膜方法。
【請求項７】
請求項２〜５のいずれかに記載の成膜方法を実施するための成膜装置であって、
真空排気が可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内の底部に配置され上面に被処理体が載置されるステージと、該ステージを加熱するヒータと、前記真空チャンバ内に炭素繊維の成膜に必要な処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記ステージの上面に自身の下面を密着させて立設され且つ自身の外周面を筒状の被処理体の内側面に密着させた状態で被処理体の内部に挿入される高熱伝導材料製の円柱状の治具と、を具備することを特徴とする炭素繊維の成膜装置。
【請求項８】
請求項６に記載の成膜方法の実施により、陰極体の外面に炭素繊維膜が生成されたことを特徴とする冷陰極型のマグネトロンカソード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、筒状の被処理体の外側面に熱ＣＶＤ法を用いて炭素繊維を成膜する成膜方法、成膜装置、及び該成膜方法により作られたマグネトロンカソードに係り、主に、電子レンジなどの高周波加熱装置やレーダなどのパルス発生装置に用いられるマグネトロンカソードの成膜技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
冷陰極用デバイスの一つとして炭素繊維がある。ここで炭素繊維とは、炭素原子が蜂の巣状の六角形の頂点に配置された炭素のシートを筒状に閉じたカーボンナノチューブや、グラフェンシートを積層したグラファイトナノファイバなどのことである。これら炭素繊維は通常、アーク放電法、レーザ蒸発法、プラズマＣＶＤ法、そして熱ＣＶＤ法などにより形成できることがよく知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、熱ＣＶＤ法で炭素繊維の成膜を行う場合は、まず、成膜装置の真空チャンバ内のステージ上に被処理体を配置し、真空チャンバ内を真空引きした上で、ステージ上の被処理体を、ステージ下の抵抗加熱ヒータあるいは天面の赤外線ランプ（図示略）にて外部より加熱し、真空熱処理（還元処理）する。その後、炭素含有ガス及び水素ガスを真空チャンバ内に導入し、被処理体を条件温度まで加熱しながら、炭素含有ガスの炭素原子を被処理体の表面にある鉄原子あるいはコバルト原子と結びつけることにより、被処理体上に炭素繊維を成長させる。
【０００４】
ここで、鉄あるいはコバルトを含まない金属の場合は、炭素繊維が成長しないか、あるいは著しく成長速度が遅いことが知られている。また、成膜時、被処理体の温度が低いと炭素含有ガスの反応が遅く、高いと実質的な生成膜の製造管理が困難となることから、一般的に被処理体の温度は５００〜６００℃が良いとされている。
【特許文献１】特開２００１−２７９４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来の熱ＣＶＤ法による炭素繊維の成膜方法及び装置は、真空チャンバ内の上部の赤外線ランプや底部の抵抗加熱ヒータにより、被処理体の外部から熱を加える方式であったため、ステージ上に軸線を立てた状態で載せた筒状の被処理体の外側面に炭素繊維の成膜を行おうとすると、被処理体の縦方向の温度分布が不均一になることにより、均一な炭素繊維の成膜ができないという問題があった。炭素繊維の成膜は吸熱反応であるため、熱伝導が良好に行われないと、顕著な温度ムラを生じ、成膜速度や炭素繊維の形状等に大きな影響を与える。その結果、炭素繊維の膜厚分布が不均一になる。
【０００６】
また、均一な膜厚を確保するために、筒状の被処理体を真空チャンバ内において横向きに配置し、被処理体を回転させながら下や上から加熱することが考えられるが、そうすると、被処理体を回転させる機構が新たに必要となるため、成膜装置を大幅に改造する必要があり、実現は難しい。
【０００７】
さらに、成膜された被処理体を後工程で他の部品と組み立てる場合、炭素繊維は非常に脆くて、被処理体の成膜面に触れることができないために、後の工程を著しく困難なものにした。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮し、筒状の被処理体を真空チャンバ内に縦置きした状態で、その外側面に対し均一な炭素繊維の成膜を行うことができるようにすると共に、組立済の部品に対しても炭素繊維の膜を生成することができる炭素繊維の成膜方法及び成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的は下記構成により達成される。
（１）  筒状の被処理体の外側面に熱ＣＶＤ法により炭素繊維を成膜するにあたり、成膜装置の真空チャンバ内に軸線を立てた状態で配置される前記筒状の被処理体の内部に、該被処理体の内側面から被処理体に対して熱を伝える加熱体を挿入した状態で成膜処理を行うことを特徴とする炭素繊維の成膜方法。
【００１０】
（２）  上記（１）において、前記加熱体として、前記被処理体より熱伝導率の高い材料で構成され且つ下面が成膜装置のステージの上面に密着すると共に外周面が前記筒状の被処理体の内側面に密着する治具を被処理体の内部に挿入し、ステージからの熱で前記被処理体を加熱しながら成膜処理を行うことを特徴とする炭素繊維の成膜方法。
【００１１】
（３）  上記（２）において、前記治具が、下端面を前記ステージの上面に密着させる柱体として形成されていることを特徴とする炭素繊維の成膜方法。
【００１２】
（４）  上記（２）において、前記治具が、鍔部の底面を前記ステージの上面に密着させ、鍔部の上面に被処理体の下端を載せるシルクハット型断面の柱状体として形成されていることを特徴とする炭素繊維の成膜方法。
【００１３】
（５）  上記（２）〜（４）のいずれかにおいて、前記治具が、前記被処理体よりも熱膨張率の大きい材料で構成されていることを特徴とする炭素繊維の成膜方法。
【００１４】
（６）  上記（１）において、前記筒状の被処理体としての中空筒状の陰極体を有し、且つ、その内部に前記加熱体としてのヒータコイルを配したマグネトロンカソードを成膜装置の真空チャンバ内に配置し、前記ヒータコイルに電流を流してヒータコイルを自己発熱させることで、前記陰極体をその内側面から加熱して、被処理体である陰極体の外側面に成膜処理を施すことを特徴とする炭素繊維の成膜方法。
【００１５】
（７）  上記（２）〜（５）のいずれかに記載の成膜方法を実施するための成膜装置であって、真空排気が可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内の底部に配置され上面に被処理体が載置されるステージと、該ステージを加熱するヒータと、前記真空チャンバ内に炭素繊維の成膜に必要な処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記ステージの上面に自身の下面を密着させて立設され且つ自身の外周面を筒状の被処理体の内側面に密着させた状態で被処理体の内部に挿入される高熱伝導材料製の円柱状の治具と、を具備することを特徴とする炭素繊維の成膜装置。
【００１６】
（８）  上記（６）に記載の成膜方法の実施により、陰極体の外面に炭素繊維膜が生成されたことを特徴とする冷陰極型のマグネトロンカソード。
【発明の効果】
【００１７】
上記（１）に記載の炭素繊維の成膜方法によれば、筒状の被処理体の内部に加熱体を挿入し、加熱体によって内側面から被処理体に熱を加えながら被処理体の外側面に成膜するので、成膜時の被処理体の温度勾配を小さくすることができて、均一な膜厚を有する炭素繊維の成膜を行うことができる。しかも、被処理体の内部に加熱体を挿入するだけであるから、成膜装置の大幅な改造の必要がなく、容易に実現可能である。
【００１８】
上記（２）に記載の炭素繊維の成膜方法によれば、加熱体として高熱伝導材料製の治具を被処理体の内部に挿入し、ステージからの熱を治具を介して被処理体の内側面に伝えながら成膜するので、簡単な治具を付加するだけで、筒状の被処理体の外側面に均一な炭素繊維の膜を形成することができる。
【００１９】
上記（３）に記載の炭素繊維の成膜方法によれば、被処理体の内部に挿入する治具を、下端面がステージの上面に密着する柱体としたので、簡単な形状で効率良く、ステージの熱を被処理体に均等に伝えることができる。
【００２０】
上記（４）に記載の炭素繊維の成膜方法によれば、被処理体の内部に挿入する治具を、シルクハット型断面の柱状体として形成したので、ステージ上に治具及び被処理体を安定姿勢で載置することができると共に、ステージの熱を有効に被処理体に伝えることができる。
【００２１】
上記（５）に記載の炭素繊維の成膜方法によれば、被処理体の内部に挿入する治具を、被処理体よりも熱膨張率の大きい材料で構成したので、加熱時に被処理体と治具の密着性を良好に保つことができ、治具から被処理体への伝熱効率を高めることができる。
【００２２】
上記（６）に記載の炭素繊維の成膜方法によれば、真空チャンバ内に組立済のマグネトロンカソードを配置し、陰極体の内部に配したヒータコイルに電流を流して、ヒータコイルの自己発熱により陰極体を加熱しながら、陰極体の外側面に炭素繊維を成膜するので、成膜面の膜厚を均一化することができ、個体のばらつきを小さくすることができる。また、組立済のカソードを成膜処理できるので、成膜後のカソードの取り扱いが容易である。
【００２３】
上記（７）に記載の炭素繊維の成膜装置によれば、通常の成膜装置の要素の他に、筒状の被処理体の内部に挿入する治具を備えるので、上記（２）〜（５）のいずれかに記載の成膜方法を実施することができる。
【００２４】
上記（８）に記載の冷陰極型のマグネトロンカソードは、組立済の段階で陰極体の外面に炭素繊維の膜が生成されているので、炭素繊維の成膜面に触れずに後の組立工程を進めることができ、後の取り扱いが簡単である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
まず、本発明に係る第１の実施の形態について述べる。
図１は円筒状の被処理体に成膜処理を行う熱ＣＶＤ成膜装置の断面図である。
この成膜装置は、真空排気が可能な真空チャンバ３と、真空チャンバ３内の底部に配置され上面に被処理体１が載置されるステージ５と、ステージ５を下から加熱するヒータ４と、真空チャンバ３内に炭素繊維の成膜に必要な処理ガスを供給する処理ガス供給系（制御バルブ６、７付きの炭化水素系ガス及び水素ガスのボンベ８、９）と、排気系としてのロータリポンプ１１及びバルブ１０と、ステージ５の上面に自身の下面を密着させて立設され且つ自身の外周面を円筒状の被処理体１の内側面に密着させた状態で被処理体１の内部に挿入される高熱伝導材料製の円柱状の治具２（加熱体）と、を具備している。
治具２は、被処理体１より熱伝導率の高い材料で構成されている。
【００２６】
次に、鉄（またはコバルト）を含有する被処理体１の外側面に炭素繊維の成膜を行う場合は、成膜装置の真空チャンバ３内に軸線を立てた状態で被処理体１を配置する。その際、筒状の被処理体１の内部に円柱状の治具２を挿入し、治具２の下面をステージ５の上面に密着させる。そして、この状態で真空チャンバ３内に混合還元ガスを導入しながら排気し、ステージ５の下からヒータ４で加熱して、成膜処理の前の還元処理を行う。
【００２７】
その後は、いったん真空チャンバ３内を真空に排気した後、炭化水素系ガスと水素ガスの混合ガスを真空チャンバ３内に送りつつ排気し、真空チャンバ３内の圧力を所定圧にした後、ヒータ４を制御してステージ５の温度を所定温度に保ち、成膜処理を行う。そして、処理後は、ヒータ４とステージ５を冷却して被処理体１を真空チャンバ３内より取り出す。
【００２８】
以上のように、筒状の被処理体１の内部に治具２を挿入し、ステージ５からの熱を治具２を介して被処理体１の内側面に伝えながら被処理体１の外側面に成膜することにより、成膜時の被処理体１の温度勾配を小さくすることができて、均一な膜厚を有する炭素繊維の成膜を行うことができる。また、被処理体１の内部に簡単な構造の治具２を挿入するだけであるから、成膜装置の大幅な改造の必要がなく、容易に実現可能である。
【００２９】
なお、被処理体１の内部に挿入する治具２を、被処理体１よりも熱膨張率の大きい材料で構成すれば、加熱時に熱膨脹差により被処理体１と治具２の密着度を高めることができるので、治具２から被処理体１への伝熱効率をいっそう高めることができる。
【００３０】
また、図２に示すように、治具１２の形状はシルクハット型断面の柱状体としてもよい。そうすれば、治具１２の鍔部の底面をステージ５の上面に安定して密着させることができるので、ステージ５上に治具１２及び被処理体１を安定姿勢で載置することができ、ステージ５の熱をより有効に被処理体１に伝えることができる。
【００３１】
また、図１、図２では、１個の真空チャンバ３で１個の被処理体１を処理する場合を例示したが、１個の真空チャンバ３で複数の被処理体１を同時に成膜処理するようにしてもよい。その場合は、治具１２の形状は、図３に示すように、隣り合うもの同士をつなげた形にすれば、取り扱いが楽になるし、被処理体１間の間隔も適正にとれるようになる。
【実施例１】
【００３２】
次に成膜処理の実施例１を説明する。
被処理体１は、外径４．２ｍｍ、内径３．７ｍｍ、高さ３．６ｍｍのＳＵＳ３０４製の筒体であり、鉄を含んでいる。この筒体（被処理体）１の内部に、良熱伝導体である円柱無酸素銅の治具２を圧入気味に挿入する。治具２は、外径３．７ｍｍ、高さ４ｍｍのものである。これを成膜装置にセットする。
【００３３】
ＳＵＳ３０４の熱伝導率は、０．０１６Ｗ／ｍｍ・Ｋ、銅は０．４１６Ｗ／ｍｍ・Ｋである。筒体１の底部から上部までの縦方向の熱伝導度α（Ｗ／Ｋ）は、筒体１の外半径をＲ、内半径をｒ、高さをｈとした場合、以下の式と値となる。
α＝０．０１６π（Ｒ2−ｒ2）／ｈ＝０．０１４
【００３４】
また、筒体１の内部に銅を詰めた場合の熱伝導度β（Ｗ／Ｋ）は、以下の式と値となる。
β＝０．０１６π（Ｒ2−ｒ2）／ｈ＋０．４１６πｒ2／ｈ＝１．２６
【００３５】
この実施例では、縦方向の熱伝導度が０．０１４から１．２６と約９０倍になることが分かる。また、筒体１に挿入する治具２は、筒体１よりも熱膨張率の大きい材質を利用すると、成膜中に熱膨張の差により筒体１と治具２が密着するので、治具２から筒体１へ熱が伝わる際の抵抗が少なくなり、より効果的である。
【００３６】
成膜装置にセットしたら、真空チャンバ３内に水素と窒素の混合還元ガスを導入口より導入しつつ、排気口より排気し、真空チャンバ３内の圧力を約１気圧にした。その後、ステージ５を加熱するためのヒータ電流をヒータ４に流し、ステージ５の温度を約６００℃にして、成膜処理の前に被処理体１の表面を還元処理した。その後は、ロータリポンプ１１にて真空チャンバ３内を真空にした。
【００３７】
その後、導入口から炭化水素系ガスと水素の混合ガスを送りつつ、排気口より排気し、真空チャンバ３内の圧力を１気圧にした後、ステージ５の温度を約５５０℃に保ち、４５分間成膜処理を行った。
【００３８】
そして、被処理体１とステージ５を冷却した後、被処理体１を真空チャンバ３内より取り出した。
この処理後の筒体１の上部、中央部、そして底部の膜厚分布を測定した結果が図６（ａ）である。また、治具無しの膜厚分布が図６（ｂ）である。治具無しの場合の装置構成は、図４に示すようになる。治具無しの場合の被処理体１は、底部の炭素繊維１３の膜厚が厚いのに対して上部が薄く、図５の模式図の形状であった。これに対して、治具２を用いた場合は、膜厚分布が均一であった。
【００３９】
また、電子顕微鏡にて筒体（被処理体）１の表面を観察したところ、直径０．０５〜０．３μｍの炭素繊維を確認できた。このような結果は、図２に示すシルクハット型断面の治具１２を用いた場合も、同様に得られた。
【００４０】
次に本発明の第２の実施の形態について述べる。
図７は第２の実施の形態の成膜方法の説明図である。
この成膜方法で用いる成膜装置は、先の実施の形態と違って、ヒータ、ステージを備えず、導入口３Ａ及び排気口３Ｂを有する真空チャンバ３の底部に、電流導入端子１４、１５を備え、それに接続するヒータ用電源３２を備えている。
この成膜装置は、２つの被処理物を同時に処理することができるように、電流導入端子１４、１５及びヒータ用電源３２の組を２組備えている。その他の設備については図１と同様であり、特に図示はしない。
【００４１】
本実施の形態の成膜処理は、冷陰極型のマグネトロンカソード２０の組立体における陰極体２１に対して行うものであり、処理に当たっては、その組立体を２つ用意する。このマグネトロンカソード２０は、筒状の被処理体としての中空筒状の陰極体２１を有し、その内部に加熱体としてのヒータコイル２４を配した構造をなしている。
【００４２】
図８はマグネトロンカソード２０の詳細図である。
マグネトロンカソード２０の電子放出部は、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製の円筒状の陰極体２１であり、鉄を含んでいる。このカソード２０は、陰極体２１、その内部に挿入されたヒータコイル２４、上側エンドハット２２、下側エンドハット２３、センターリード２５、サイドリード２６、側管２９、接続端子２７、２８、ステム３０を有するものである。
【００４３】
陰極体２１の外側面に炭素繊維を成膜する場合、まず、このマグネトロンカソード２０を真空チャンバ３内に収容し、接続端子２７、２８を真空チャンバ３の底部に固定してある電流導入端子１４、１５に接続する。
【００４４】
次に、真空チャンバ３内に混合還元ガスを導入口３Ａから導入しつつ、排気口３Ｂより排気し、チャンバ３内の圧力を所定圧にする。その後、２つの電流導入端子１４，１５間に交流電圧を印加し、電流導入端子１４、接続端子２７、センターリード２５、ヒータコイル２４、上側エンドハット２２、陰極体２１、下側エンドハット２３、サイドリード２６、接続端子２８、電流導入端子１５へ自己発熱のための電流を流し、ヒータコイル２４の自己発熱により、被処理体である陰極体２１を内側から約６００℃に昇温させて、成膜処理前の還元処理をする。
【００４５】
その後、導入口３Ａから炭化水素系ガスと水素の混合ガスを送りつつ、排気口３Ｂより排気し、真空チャンバ３内の圧力を所定圧にした後、陰極体２１を５５０℃に保ち、所定時間の成膜処理を行う。そして、放置後、マグネトロンカソード２０を真空チャンバ３内より取り出す。こうすることにより、陰極体２１の外側面に炭素繊維の膜が形成されたマグネトロンカソード２０を得る。
【００４６】
このように、真空チャンバ３内に組立済のマグネトロンカソード２０を配置し、陰極体２１の内部に配したヒータコイル２４に電流を流して、ヒータコイル２４の自己発熱により陰極体２１を加熱しながら、陰極体２１の外側面に炭素繊維を成膜することにより、成膜面の膜厚を均一化することができ、個体のばらつきを小さくすることができる。また、組立済のカソード２０に対し成膜処理できるので、成膜後のカソード２０の取り扱いが容易となる。
【実施例２】
【００４７】
次に成膜処理の実施例２を説明する。
成膜対象はマグネトロンカソード２０の陰極体２１である。被処理体である陰極体２１は、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のもので、直径４．２ｍｍ、高さ１０．８ｍｍの筒体であり、鉄を含んでいる。上側エンドハット２２、下側エンドハット２３、センターリード２５、サイドリード２６はモリブデン製であり、側管２９、接続端子２７、２８はニッケル製、ステム３０はアルミナ製、ヒータコイル２４はタングステン製である。
【００４８】
下側エンドハット２３とサイドリード２６、センターリード２５とヒータコイル２４、上側エンドハット２２とヒータコイル２４は、それぞれプラズマ溶接にて固定してある。  電子放出用の陰極体２１とエンドハット２２、２３、ステム３０と側管２９、ステム３０と接続端子２７、２８、リード２５、２６と接続端子２７、２８はそれぞれ銀ロウにて固定してある。
【００４９】
上記のように予め組み立てたマグネトロンカソード２０を成膜装置の真空チャンバ３内に配置し、マグネトロンカソード２０の接続端子２７、２８を、真空チャンバ３の電流導入端子１４、１５にそれぞれ接続する。
【００５０】
次に、真空チャンバ３内に水素と窒素の混合還元ガスを導入口３Ａから導入しつつ、排気口３Ｂより排気し、真空チャンバ１内の圧力を約１気圧にする。その後、２つの電流導入端子１４、１５間にヒータ用電源３２から交流電圧を印加し、電流導入端子１４、接続端子２７、センターリード２５、ヒータコイル２４、上側エンドハット２２、陰極体２１、下側エンドハット２３、サイドリード２６、接続端子２８、電流導入端子１５の経路で自己発熱のための電流を流し、内側面から被処理体である陰極体２１を約６００℃にして成膜処理前の還元処理を行う。
【００５１】
その後、導入口３Ａから炭化水素系ガスと水素の混合ガスを送りつつ、排気口３Ｂより排気し、真空チャンバ３内の圧力を１気圧にした後、陰極体２１を５５０℃に保ち、４５分間の成膜処理を行った。そして、放置し、カソード２０を冷却した後、取り出した。電子顕微鏡にて陰極体２１の表面を観察したところ、被処理面上に直径０．０５〜０．３μｍの炭素繊維を確認した。炭素繊維の膜厚は数μｍあり、カソード２０の軸方向にわたり均一であった。また、モリブデンであるエンドハット２２、２３、リード２５、２６などの部位に炭素繊維の付着は見られなかった。
【００５２】
なお、図７の実施の形態では、１つの真空チャンバ３に２つ（より複数でも可）のマグネトロンカソード２０を設置して成膜処理を行う場合を述べたが、単一のマグネトロンカソード２０を処理してもよい。その場合、図９に示すように、真空チャンバ３３の底面に開口３３ａを設け、その開口３３ａにシール部材３５を介してマグネトロンカソード２０の側管２９のフランジ部を被せて行ってもよい。つまり、マグネトロンカソード２０の全部を真空チャンバ３３内に入れるのではなく、必要最小限の部分だけを入れて処理を行うのである。そうした場合は、真空チャンバ３３の容積が小さくて済むため、処理コストの削減が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態の方法の実施に用いる熱ＣＶＤ成膜装置の断面図である。
【図２】同成膜装置の治具を変形させた例を示す断面図である。
【図３】複数の被処理体を同時に処理する場合の治具の例を示す断面図である。
【図４】治具無しの従来の成膜装置の断面図である。
【図５】治具無しで成膜した場合の膜厚分布を示す模式断面図である。
【図６】治具有りの場合（ａ）と治具無しの場合（ｂ）の膜厚分布を比較する特性図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の方法を実施している状態を示す断面図である。
【図８】図７におけるマグネトロンカソードの詳細図である。
【図９】マグネトロンカソードを１個だけ成膜処理する場合の装置簡素化の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  被処理体
２、１２  治具
３、３３  真空チャンバ
４  ヒータ
５  ステージ
２０  マグネトロンカソード
２１  陰極体（被処理体）
２４  ヒータコイル
【図１】
2006052422.tif 000003
【図２】
2006052422.tif 000004
【図３】
2006052422.tif 000005
【図４】
2006052422.tif 000006
【図５】
2006052422.tif 000007
【図６】
2006052422.tif 000008
【図７】
2006052422.tif 000009
【図８】
2006052422.tif 000010
【図９】
2006052422.tif 000011