(57)【要約】      （修正有）【課題】耐熱性に優れるとともに吸水性が低く、また材料コストが低く抑えられる光導波路および光導波路構造体を提供すること。【解決手段】光導波路構造体９は、コア部９４と、該コア部９４より屈折率が低いクラッド部９５とを備えるコア層９３と、該コア層９３の両面に接触して設けられ、コア部９３より屈折率の低いクラッド層９１、９２とを有する光導波路９０と、光導波路９０の両面に設けられた導体層９０１、９０２とを有し、クラッド層９１、９２は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている。【選択図】図１
2006323241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、
該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路であって、
前記クラッド層は、下記化１で表されるノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されていることを特徴とする光導波路。
【化１】
2006323241.tif 000026
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
【請求項２】
前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している請求項１に記載の光導波路。
【請求項３】
前記クラッド層の平均厚さは、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である請求項１または２に記載の光導波路。
【請求項４】
前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
【請求項５】
前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである請求項４に記載の光導波路。
【請求項６】
前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである請求項４または５に記載の光導波路。
【請求項７】
前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである請求項４ないし６のいずれかに記載の光導波路。
【請求項８】
前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む請求項７に記載の光導波路。
（Ｅ（Ｒ）３）２Ｐｄ（Ｑ）２  ・・・  （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
【請求項９】
前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む請求項７または８に記載の光導波路。
［（Ｅ（Ｒ）３）ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）ｂ］ｐ［ＷＣＡ］ｒ  ・・・  （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
【請求項１０】
ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される請求項９に記載の光導波路。
【請求項１１】
前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項４ないし１０のいずれかに記載の光導波路。
【請求項１２】
前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項１１に記載の光導波路。
【請求項１３】
前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い請求項１２に記載の光導波路。
【請求項１４】
前記モノマーは、架橋性モノマーを含む請求項４ないし１３のいずれかに記載の光導波路。
【請求項１５】
前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである請求項４ないし１４のいずれかに記載の光導波路。
【請求項１６】
前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである請求項１４に記載の光導波路。
【請求項１７】
前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する請求項４ないし１６のいずれかに記載の光導波路。
【請求項１８】
前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項１７に記載の光導波路。
【請求項１９】
前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
【請求項２０】
前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである請求項１９に記載の光導波路。
【請求項２１】
前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項１９または２０に記載の光導波路。
【請求項２２】
前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである請求項１８または２１に記載の光導波路。
【請求項２３】
前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである請求項１７ないし２２のいずれかに記載の光導波路。
【請求項２４】
前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である請求項２３に記載の光導波路。
【請求項２５】
前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである請求項４ないし２４のいずれかに記載の光導波路。
【請求項２６】
前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２である請求項４ないし２５のいずれかに記載の光導波路。
【請求項２７】
前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される請求項４ないし２６のいずれかに記載の光導波路。
【請求項２８】
前記層は、さらに、酸化防止剤を含む請求項４ないし２７のいずれかに記載の光導波路。
【請求項２９】
前記層は、さらに、増感剤を含む請求項４ないし２８のいずれかに記載の光導波路。
【請求項３０】
前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項４ないし２９のいずれかに記載の光導波路。
【請求項３１】
前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項３０に記載の光導波路。
【請求項３２】
前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
【請求項３３】
前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３２に記載の光導波路。
【請求項３４】
前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである請求項３３に記載の光導波路。
【請求項３５】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３または３４に記載の光導波路。
【請求項３６】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３または３４に記載の光導波路。
【請求項３７】
前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３または３４に記載の光導波路。
【請求項３８】
前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３３ないし３７のいずれかに記載の光導波路。
【請求項３９】
前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項３２に記載の光導波路。
【請求項４０】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである請求項３８または３９に記載の光導波路。
【請求項４１】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３ないし４０のいずれかに記載の光導波路。
【請求項４２】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項３３ないし４０のいずれかに記載の光導波路。
【請求項４３】
前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項３３ないし４２のいずれかに記載の光導波路。
【請求項４４】
請求項１ないし４３のいずれかに記載の光導波路と、該光導波路の少なくとも一方の面側に設けられた導体層とを有することを特徴とする光導波路構造体。
【請求項４５】
前記導体層の平均厚さは、前記光導波路の平均厚さの１０〜９０％である請求項４４に記載の光導波路構造体。
【請求項４６】
前記導体層は、乾式メッキ法、湿式メッキ法および導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つの方法により形成されたものである請求項４４または４５に記載の光導波路構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路および光導波路構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光周波搬送波を使用してデータを移送する光通信がますます重要になっている。このような光通信において、光周波搬送波を、一地点から他地点に導くための手段として、光導波路がある。
【０００３】
この光導波路は、例えば、一対のクラッド層と、一対のクラッド層の間に設けられたコア層を有して構成される。コア層は、線状のコア部とクラッド部とを有し、これらが交互に配列されている。コア部は、光周波搬送波の光に対して実質的に透明な材料によって構成され、クラッド層およびクラッド部は、コア部より屈折率が低い材料によって構成されている。
【０００４】
このような光導波路では、コア部が、コア部よりも屈折率が低いクラッド層およびクラッド部によって囲まれた構成となっている。したがって、コア部の端部から導入された光は、クラッド層およびクラッド部との境界で反射しながら、コア部の軸に沿って搬送される。
【０００５】
この光導波路の材料としては、従来から汎用されているガラスの他、ポリマー等が挙げられる。このうちポリマーは、微細加工が容易であり、光導波路が組み込まれた回路基板の高密度化に有利であることから有望視されている。
【０００６】
このような光導波路の材料となるポリマーとしては、ポリメチルメタクリレート（例えば、特許文献１参照。）、エポキシ樹脂（例えば、特許文献２参照。）、フッ素化ポリイミド（例えば、特許文献３参照。）、ポリベンゾオキサゾール（例えば、特許文献４参照。）、セルロース・アセテート・ブチレート／アクリレートモノマー（例えば、特許文献５参照。）等が使用されている。
【０００７】
しかし、これらポリマーには、次のような問題がある。
まず、ポリメチルメタクリレートおよびエポキシ樹脂は、耐熱温度が２００℃以下である。このため、これらポリマーによって構成された光導波路を、回路基板に実装しようとすると、はんだ処理等の熱処理によって軟化してしまうおそれがある。
【０００８】
また、フッ素化ポリイミドは、フッ素化によって高耐熱性、高透明性、低吸水性が付与されたポリマーである。しかし、フッ素化を合成過程に有するため、コストがかかり、実用性に欠ける。
【０００９】
しかも、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール等の重縮合によって合成されるポリマーは、重縮合の工程で、イミド環もしくはベンゾオキサゾール環を閉環させるための高温（２５０℃以上）による硬化処理が必要となる。このため、作業性が悪いという問題がある。
【００１０】
また、セルロース・アセテート・ブチレート／アクリレートモノマーは、耐熱温度が１００℃以下と非常に低く、はんだ処理等の熱処理によって軟化してしまう。また、セルロース・アセテート・ブチレートが水酸基を多く有するため吸水性が高い。このため、このようなポリマーによって構成された光導波路は、高湿度環境に放置されると、吸水による寸法変化が生じてしまう。
【００１１】
【特許文献１】特開平０９−２５８０５１号公報
【特許文献２】特開２００５−０７０５５６号公報
【特許文献３】特開平４−９８０７号公報
【特許文献４】特開２００２−１７３５３２号公報
【特許文献５】米国特許第５２９２６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、耐熱性に優れるとともに吸水性が低く、また材料コストが低く抑えられる光導波路および光導波路構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的は、下記（１）〜（４６）の本発明により達成される。
（１）  コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、
該コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層とを有する光導波路であって、
前記クラッド層は、下記化１で表されるノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されていることを特徴とする光導波路。
【化１】
2006323241.tif 000003
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
【００１４】
（２）  前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している上記（１）に記載の光導波路。
【００１５】
（３）  前記クラッド層の平均厚さは、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である上記（１）または（２）に記載の光導波路。
【００１６】
（４）  前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路。
【００１７】
（５）  前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである上記（４）に記載の光導波路。
【００１８】
（６）  前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである上記（４）または（５）に記載の光導波路。
【００１９】
（７）  前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである上記（４）ないし（６）のいずれかに記載の光導波路。
【００２０】
（８）  前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む上記（７）に記載の光導波路。
（Ｅ（Ｒ）３）２Ｐｄ（Ｑ）２  ・・・  （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
【００２１】
（９）  前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む上記（７）または（８）に記載の光導波路。
［（Ｅ（Ｒ）３）ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）ｂ］ｐ［ＷＣＡ］ｒ  ・・・  （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
【００２２】
（１０）  ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される上記（９）に記載の光導波路。
【００２３】
（１１）  前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（４）ないし（１０）のいずれかに記載の光導波路。
【００２４】
（１２）  前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（１１）に記載の光導波路。
【００２５】
（１３）  前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い上記（１２）に記載の光導波路。
【００２６】
（１４）  前記モノマーは、架橋性モノマーを含む上記（４）ないし（１３）のいずれかに記載の光導波路。
【００２７】
（１５）  前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである上記（４）ないし（１４）のいずれかに記載の光導波路。
【００２８】
（１６）  前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである上記（１４）に記載の光導波路。
【００２９】
（１７）  前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する上記（４）ないし（１６）のいずれかに記載の光導波路。
【００３０】
（１８）  前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（１７）に記載の光導波路。
【００３１】
（１９）  前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路。
【００３２】
（２０）  前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである上記（１９）に記載の光導波路。
【００３３】
（２１）  前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（１９）または（２０）に記載の光導波路。
【００３４】
（２２）  前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである上記（１８）または（２１）に記載の光導波路。
【００３５】
（２３）  前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである上記（１７）ないし（２２）のいずれかに記載の光導波路。
【００３６】
（２４）  前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である上記（２３）に記載の光導波路。
【００３７】
（２５）  前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである上記（４）ないし（２４）のいずれかに記載の光導波路。
【００３８】
（２６）  前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２である上記（４）ないし（２５）のいずれかに記載の光導波路。
【００３９】
（２７）  前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される上記（４）ないし（２６）のいずれかに記載の光導波路。
【００４０】
（２８）  前記層は、さらに、酸化防止剤を含む上記（４）ないし（２７）のいずれかに記載の光導波路。
【００４１】
（２９）  前記層は、さらに、増感剤を含む上記（４）ないし（２８）のいずれかに記載の光導波路。
【００４２】
（３０）  前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである上記（４）ないし（２９）のいずれかに記載の光導波路。
【００４３】
（３１）  前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（３０）に記載の光導波路。
【００４４】
（３２）  前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路。
【００４５】
（３３）  前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（３２）に記載の光導波路。
【００４６】
（３４）  前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである上記（３３）に記載の光導波路。
【００４７】
（３５）  前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）または（３４）に記載の光導波路。
【００４８】
（３６）  前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）または（３４）に記載の光導波路。
【００４９】
（３７）  前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）または（３４）に記載の光導波路。
【００５０】
（３８）  前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（３３）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路。
【００５１】
（３９）  前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（３２）に記載の光導波路。
【００５２】
（４０）  前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである上記（３８）または（３９）に記載の光導波路。
【００５３】
（４１）  前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路。
【００５４】
（４２）  前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（３３）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路。
【００５５】
（４３）  前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（３３）ないし（４２）のいずれかに記載の光導波路。
【００５６】
（４４）  上記（１）ないし（４３）のいずれかに記載の光導波路と、該光導波路の少なくとも一方の面側に設けられた導体層とを有することを特徴とする光導波路構造体。
【００５７】
（４５）  前記導体層の平均厚さは、前記光導波路の平均厚さの１０〜９０％である上記（４４）に記載の光導波路構造体。
【００５８】
（４６）  前記導体層は、乾式メッキ法、湿式メッキ法および導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つの方法により形成されたものである上記（４４）または（４５）に記載の光導波路構造体。
【発明の効果】
【００５９】
本発明によれば、クラッド層が、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されているため、光導波路を回路基板に実装するに際して、はんだ処理等の熱処理が施された場合でも、クラッド層が軟化してしまうのが防止される。また、光導波路が高湿度環境に放置された場合でも、クラッド層の吸水による寸法変化が生じ難く、使用環境によらず、光の伝播を安定に行うことができる。さらに、クラッド層にかかる材料コストを低く抑えることができる。
【００６０】
また、ノルボルネン系ポリマーが、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものであるため、クラッド層において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のものの（メタ）アクリル基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、架橋剤の種類、コア層に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層に用いるポリマーとを架橋させることもできる。その結果、クラッド層自体の強度を向上させることや、クラッド層とコア層との密着性を向上させることができる。
【００６１】
また、光導波路の少なくとも一方の面側に、導体層を形成した場合には、この導体層を使用して、電子部品を電気的に接続することができ、電子部品と光導波路とが混在する回路基板を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６２】
以下、本発明の光導波路および光導波路構造体について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。
【００６３】
図１は、本発明の光導波路構造体の実施形態を示す斜視図（一部切り欠いて示す）である。
【００６４】
なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」とし、下側を「下」または「下方」とする（以下の図において同様である。）。
また、各図は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。
【００６５】
図１に示す光導波路構造体９は、光導波路９０と、その上面および下面に、それぞれ設けられた導体層９０１、９０２とを有し、これら各層が接合されたものである。
【００６６】
導体層９０１、９０２の構成材料としては、それぞれ、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金のような各種金属材料、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムスズ酸化物（ＦＴＯ）のような各種酸化物材料等が挙げられる。
【００６７】
導体層９０１、９０２の平均厚さは、それぞれ、光導波路９０の平均厚さの１０〜９０％程度であるのが好ましく、２０〜８０％程度であるのがより好ましい。具体的には、導体層９０１、９０２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、３〜１００μｍ程度が好ましく、５〜７０μｍ程度がより好ましい。これにより、光導波路構造体９の可撓性が低下するのを防止しつつ、導体層９０１、９０２を導電性に優れたものとすることができる。
【００６８】
また、図１に示す構成では、導体層９０１、９０２は、いずれも、平板状（シート状）をなしている。この場合、導体層９０１、９０２の所定のパターンに加工した後、所望の箇所に、光学素子（発光素子、受光素子等）を実装することにより、光学回路と電気回路とを備える複合装置を製造することができる。
【００６９】
なお、導体層９０１、９０２は、それぞれ、予めパターニングされたもの（配線）であってもよい。また、必要に応じて、導体層９０１および９０２のいずれか一方を省略してもよい。
【００７０】
また、導体層９０１、９０２と光導波路９０との間には、任意の目的（例えば、密着性を向上させる目的等）の層が１層または２層以上設けられていてもよい。
【００７１】
光導波路９０は、図１中下側からクラッド層（下部クラッド層）９１、コア層９３およびクラッド層（上部クラッド層）９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４と、このコア部（導波路チャンネル）９４に隣接するクラッド部９５とが形成されている。
【００７２】
コア部９４とクラッド部９５との屈折率の差は、特に限定されないが、０．３〜５．５％程度が好ましく、特に０．８〜２．２％程度が好ましい。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。
【００７３】
なお、前記屈折率差とは、コア部９４の屈折率をＡ、クラッド部９５の屈折率をＢとしたとき、次式で表される。
屈折率差（％）＝｜Ａ／Ｂ−１｜×１００
【００７４】
また、図１に示す構成では、コア部９４は、平面視で直線状に形成されているが、途中で湾曲、分岐等してもよく、その形状は任意である。なお、後述するような光導波路構造体９の製造方法を用いれば、複雑かつ任意の形状のコア部９４を容易にかつ寸法精度よく形成することができる。
【００７５】
また、コア部９４は、その横断面形状が正方形または矩形（長方形）のような四角形をなしている。
【００７６】
コア部９４の幅および高さは、特に限定されないが、それぞれ、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００７７】
このコア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高い材料で構成され、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い材料で構成されている。
【００７８】
クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部９４は、その外周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。
【００７９】
クラッド層９１、９２の平均厚さは、コア層９３の平均厚さの０．１〜１．５倍程度であるのが好ましく、０．３〜１．２５倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層９１、９２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路９０が不要に大型化（圧膜化）するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。
【００８０】
なお、クラッド層９１、クラッド部９５およびクラッド層９２の構成材料は、それぞれ、同一（同種）のものでも異なるものでもよいが、これらは、屈折率が同じかまたは近似しているものであるのが好ましい。クラッド層９１、９２およびコア層９３の構成材料の詳細については、後に説明する。
【００８１】
本発明の光導波路構造体９は、コア部９４の材料の光学特性等によっても若干異なり、特に限定されないが、例えば、６００〜１５５０ｎｍ程度の波長領域の光を使用したデータ通信において好適に使用される。
【００８２】
次に、光導波路構造体９の製造方法の一例について説明する。
＜第１の製造方法＞
まず、光導波路構造体９の第１の製造方法について説明する。
【００８３】
図２〜図７は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【００８４】
［１Ａ］  まず、支持基板９５１上に、層９１０を形成する（図２参照）。
層９１０は、コア層形成用材料（ワニス）９００を塗布し硬化（固化）させる方法により形成される。
【００８５】
具体的には、層９１０は、支持基板９５１上にコア層形成用材料９００を塗布して液状被膜を形成した後、この支持基板９５１を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化するとともに、溶媒を蒸発（脱溶媒）することにより形成する。
【００８６】
層９１０を塗布法で形成する場合、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【００８７】
支持基板９５１には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が用いられる。
【００８８】
コア層形成用材料９００は、ポリマー９１５と、添加剤９２０（本実施形態では、少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む）とで構成される光誘発熱現像性材料（ＰＩＴＤＭ）を含有し、活性放射線の照射および加熱により、ポリマー９１５中において、モノマーの反応が生じる材料である。
【００８９】
そして、得られた層９１０中では、ポリマー（マトリックス）９１５は、いずれも、実質的に一様かつランダムに分配され、添加剤９２０は、ポリマー９１５内に実質的に一様かつランダムに分散されている。これにより、層９１０中には、添加剤９２０が実質的に一様かつ任意に分散されている。
【００９０】
このような層９１０の平均厚さは、形成すべきコア層９３の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００９１】
ポリマー９１５には、透明性が十分に高く（無色透明であり）、かつ、後述するモノマーと相溶性を有するもの、さらに、その中で後述するようにモノマーが反応（重合反応や架橋反応）可能であり、モノマーが重合した後においても、十分な透明性を有するものが好適に用いられる。
【００９２】
ここで、「相溶性を有する」とは、モノマーが少なくとも混和して、コア層形成用材料９００中や層９１０中においてポリマー９１５と相分離を起こさないことを言う。
【００９３】
このようなポリマー９１５としては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体など）用いることができる。
【００９４】
これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。ポリマー９１５としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア層９３を得ることができる。
【００９５】
また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア層９３を得ることができる。
【００９６】
ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するもの（ホモポリマー）、２つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するもの（コポリマー）のいずれであってもよい。
【００９７】
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
【００９８】
これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
【００９９】
これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、下記化２（構造式Ｂ）で表される少なくとも１個の繰り返し単位を有するもの、すなわち、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。
【０１００】
【化２】
2006323241.tif 000004
【０１０１】
かかるノルボルネン系ポリマーは、例えば、後述するノルボルネン系モノマー（後述する化４で表されるノルボルネン系モノマーや、架橋性ノルボルネン系モノマー）を用いることにより好適に合成される。
【０１０２】
なお、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、芳香族環（芳香族基）、窒素原子、臭素原子や塩素原子を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。一方、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、アルキル基、フッ素原子やエーテル構造（エーテル基）を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。
【０１０３】
比較的高い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に高い屈折率を有する。
【０１０４】
アラルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアラルキル基（アリールアルキル基）としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、フルオレニルエチル基、フルオレニルプロピル基等が挙げられるが、ベンジル基やフェニルエチル基が特に好ましい。
【０１０５】
かかる繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、極めて高い屈折率を有するものであることから好ましい。
【０１０６】
また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路９０に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
【０１０７】
アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
【０１０８】
ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が低下するのを防止し、かつ、高い柔軟性を保持することができる。また、かかるノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることから好ましい。
【０１０９】
このようなノルボルネン系ポリマーの好ましい具体例としては、ヘキシルノルボルネンのホモポリマー、フェニルエチルノルボルネンのホモポリマー、ベンジルノルボルネンのホモポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとベンジルノルボルネンとのコポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１０】
本実施形態のコア層形成用材料９００は、添加剤９２０として、モノマー、助触媒（第１の物質）および触媒前駆体（第２の物質）を含んでいる。
【０１１１】
モノマーは、後述する活性放射線に照射により、活性放射線の照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、層９１０において照射領域と、活性放射線の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。
【０１１２】
ここで、この反応物としては、モノマーがポリマー（マトリックス）９１５中で重合して形成されたポリマー（重合体）、ポリマー９１５同士を架橋する架橋構造、および、ポリマー９１５に重合してポリマー９１５から分岐した分岐構造（ブランチポリマーや側鎖（ペンダントグループ））のうちの少なくとも１つが挙げられる。
【０１１３】
ここで、層９１０において、照射領域の屈折率が高くなることが望まれる場合には、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して高い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用され、照射領域の屈折率が低くなることが望まれる場合には、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して低い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用される。
【０１１４】
なお、屈折率が「高い」または「低い」とは、屈折率の絶対値を意味するものではなく、ある材料同士の相対的な関係を意味する。
【０１１５】
そして、モノマーの反応（反応物の生成）により、層９１０において照射領域の屈折率が低下する場合、当該部分がクラッド部９５となり、照射領域の屈折率が上昇する場合、当該部分がコア部９４となる。
【０１１６】
このようなモノマーとしては、重合可能な部位を有する化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１７】
これらの中でも、モノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れるコア層９３（光導波路９０）が得られる。
【０１１８】
ここで、ノルボルネン系モノマーとは、下記化３（構造式Ａ）で示されるノルボルネン骨格を少なくとも１つ含むモノマーを総称し、例えば、下記化４（構造式Ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【０１１９】
【化３】
2006323241.tif 000005
【０１２０】
【化４】
2006323241.tif 000006
［式中、ａは、単結合または二重結合を表し、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭化水素基、または官能置換基を表し、ｍは、０〜５の整数を表す。ただし、ａが二重結合の場合、Ｒ１およびＲ２のいずれか一方、Ｒ３およびＲ４のいずれか一方は存在しない。］
【０１２１】
無置換の炭化水素基（ハイドロカルビル基）としては、例えば、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルキニル基、炭素数４〜１２（Ｃ４〜Ｃ１２）のシクロアルキル基、炭素数４〜１２（Ｃ４〜Ｃ１２）のシクロアルケニル基、炭素数６〜１２（Ｃ６〜Ｃ１２）のアリール基、炭素数７〜２４（Ｃ７〜Ｃ２４）のアラルキル基（アリールアルキル基）等が挙げられ、その他、Ｒ１およびＲ２、Ｒ３およびＲ４が、それぞれ炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキリデニル基であってもよい。
【０１２２】
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基およびデシル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１２３】
アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基およびシクロヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１２４】
アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基および２−ブチニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１２５】
シクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１２６】
アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル（ａｎｔｈｒａｃｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１２７】
アラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基の具体例としては、ベンジル基およびフェニルエチル（フェネチル：ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１２８】
また、アルキリデニル（ａｌｋｙｌｉｄｅｎｙｌ）基の具体例としては、メチリデニル（ｍｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基およびエチリデニル（ｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１２９】
置換された炭化水素基としては、前記の炭化水素基が有する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたもの、すなわち、ハロハイドロカルビル（ｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基、パーハロハイドロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基であるか、パーハロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｃａｒｂｙｌ）基のようなハロゲン化炭化水素基が挙げられる。
【０１３０】
これらのハロゲン化炭化水素基において、水素原子に置換するハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素および臭素から選択される少なくとも１種が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
【０１３１】
このうち、パーハロゲン化された炭化水素基（パーハロハイドロカルビル基、パーハロカルビル基）の具体例としては、例えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロメチル基（トリフルオロメチル基）、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。
【０１３２】
なお、ハロゲン化アルキル基には、炭素数１〜１０のもの以外に、炭素数１１〜２０のものも好適に用いることができる。すなわち、ハロゲン化アルキル基には、部分的または完全にハロゲン化され、直鎖状または分岐状をなし、一般式：−ＣＺＸ’’２Ｚ＋１で表される基を選択することができる。ここで、Ｘ’’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｚは、１〜２０の整数を表す。
【０１３３】
また、置換された炭化水素基としては、ハロゲン原子の他、直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ１〜Ｃ５）のアルキル基またはハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基で更に置換された、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基（アラアルキル基）等が挙げられる。
【０１３４】
また、官能置換基としては、例えば、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ２）２−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）３、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ３）２−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ３）２−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ２、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｃｌ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ（Ｒ５）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ（ＯＲ５）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ５）３および−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ６等が挙げられる。
【０１３５】
ここで、前記各式において、それぞれ、ｎは、０〜１０の整数を示し、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルキニル基、炭素数５〜１２（Ｃ５〜Ｃ１２）のシクロアルキル基、炭素数６〜１４（Ｃ６〜Ｃ１４）のアリール基、炭素数６〜１４（Ｃ６〜Ｃ１４）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アリール基または炭素数７〜２４（Ｃ７〜Ｃ２４）のアラルキル基を表す。
【０１３６】
なお、Ｒ５で示される炭化水素基は、Ｒ１〜Ｒ４で示されるものと同一の炭化水素基を示す。Ｒ１〜Ｒ４で示すように、Ｒ５で示される炭化水素基は、ハロゲン化またはパーハロゲン化されていてもよい。
【０１３７】
例えば、Ｒ５が炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）のハロゲン化またはパーハロゲン化アルキル基である場合、Ｒ５は、一般式：−ＣＺＸ’’２Ｚ＋１で表される。ここで、ｚおよびＸ’’は、それぞれ、上記の定義と同じであり、Ｘ’’の少なくとも１つは、ハロゲン原子（例えば、臭素原子、塩素原子またはフッ素原子）である。
【０１３８】
ここで、パーハロゲン化アルキル基とは、前記一般式において、すべてのＸ’’がハロゲン原子である基であり、その具体例としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、−Ｃ７Ｆ１５、−Ｃ１１Ｆ２３が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１３９】
パーハロゲン化アリール基の具体例としては、ペンタクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１４０】
また、Ｒ６としては、例えば、−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｓｉ（ＣＨ３）３、−ＣＨ（Ｒ７）−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ（Ｒ７）ＯＣ（ＣＨ３）３および下記化５の環状基等が挙げられる。
【０１４１】
【化５】
2006323241.tif 000007
【０１４２】
ここで、Ｒ７は、水素原子、あるいは直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ１〜Ｃ５）のアルキル基を表す。
【０１４３】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル、ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基が挙げられる。
【０１４４】
なお、上記化５で表される環状基では、環構造から延びる単結合と酸置換基との間でエステル結合が形成される。
【０１４５】
Ｒ６の具体例としては、例えば、１−メチル−１−シクロヘキシル基、イソボルニル（ｉｓｏｂｏｒｎｙｌ）基、２−メチル−２−イソボルニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、テトラヒドロフラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｙｌ）基、テトラヒドロピラノイル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｏｙｌ）基、３−オクソシクロヘキサノイル（３−ｏｘｏｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｙｌ）基、メバロンラクトニル（ｍｅｖａｌｏｎｉｃ  ｌａｃｔｏｎｙｌ）基、１−エトキシエチル基、１−ｔ−ブトキシエチル基等が挙げられる。
【０１４６】
また、他のＲ６としては、例えば、下記化６で表されるジシクロプロピルメチル基（Ｄｃｐｍ）、ジメチルシクロプロピルメチル基（Ｄｍｃｐ）等が挙げられる。
【０１４７】
【化６】
2006323241.tif 000008
【０１４８】
また、モノマーには、上記のモノマーに代えて、または、上記のモノマーとともに架橋性モノマー（架橋剤）を用いることもできる。この架橋性モノマーは、後述する触媒前駆体の存在下で、架橋反応を生じ得る化合物である。
【０１４９】
架橋性モノマーを用いることにより、次のような利点がある。すなわち、架橋性モノマーは、より速く重合するので、コア層９３（光導波路９０）の形成（プロセス）に要する時間を短縮することができる。また、架橋性モノマーは、加熱しても蒸発し難くいので、蒸気圧の上昇を抑えることができる。さらに、架橋性モノマーは、耐熱性に優れるため、コア層９３の耐熱性を向上させることができる。
【０１５０】
このうち、架橋性ノルボルネン系モノマーは、前記化３（構造式Ａ）で表されるノルボルネン系部位（ノルボルネン系二重結合）を含む化合物である。
【０１５１】
架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、連続多環環系（ｆｕｓｅｄ  ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ  ｒｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物と、連結多環環系（ｌｉｎｋｅｄ  ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ  ｒｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物とがある。
【０１５２】
連続多環環系の化合物（連続多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化７で表される化合物が挙げられる。
【０１５３】
【化７】
2006323241.tif 000009
［式中、Ｙは、メチレン（−ＣＨ２−）基を表し、ｍは、０〜５の整数を表わす。ただし、ｍが０である場合、Ｙは、単結合である。］
【０１５４】
なお、簡略化のため、ノルボルナジエン（ｎｏｒｂｏｒｎａｄｉｅｎｅ）は、連続多環環系に含まれ、重合性ノルボルネン系二重結合を含むものと考えることとする。
【０１５５】
この連続多環環系の化合物の具体例としては、下記化８で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１５６】
【化８】
2006323241.tif 000010
【０１５７】
一方、連結多環環系の化合物（連結多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化９で表される化合物が挙げられる。
【０１５８】
【化９】
2006323241.tif 000011
［式中、ａは、それぞれ独立して、単結合または二重結合を表し、ｍは、それぞれ独立して、０〜５の整数を表し、Ｒ９は、それぞれ独立して二価の炭化水素基、二価のエーテル基または二価のシリル基を表す。また、ｎは、０または１である。］
【０１５９】
ここで、二価の置換基とは、端部にノルボルネン構造に結合し得る結合手を２つ有する基のことを言う。
【０１６０】
二価の炭化水素基（ハイドロカルビル基）の具体例としては、一般式：−（ＣｄＨ２ｄ）−で表されるアルキレン基（ｄは、好ましくは１〜１０の整数を表す。）と、二価の芳香族基（アリール基）とが挙げられる。
【０１６１】
二価のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が挙げられる。
【０１６２】
なお、分岐アルキレン基は、主鎖の水素原子が、直鎖状または分岐状のアルキル基で置換されたものである。
【０１６３】
一方、二価の芳香族基としては、二価のフェニル基、二価のナフチル基が好ましい。
また、二価のエーテル基は、−Ｒ１０−Ｏ−Ｒ１０−で表される基である。
ここで、Ｒ１０は、それぞれ独立して、Ｒ９と同じものを表す。
【０１６４】
この連結多環環系の化合物の具体例としては、下記化１０、化１１、化１２、化１３、化１４で表される化合物の他、化１５、化１６で表されるフッ素含有化合物（フッ素含有架橋性ノルボルネン系モノマー）が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０１６５】
【化１０】
2006323241.tif 000012
【０１６６】
【化１１】
2006323241.tif 000013
【０１６７】
この化１１で表される化合物は、ジメチルビス［ビシクロ［２．２．１］へプト−２−エン−５−メトキシ］シランであり、またの命名では、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（「ＳｉＸ」と略される。）と呼ばれる。
【０１６８】
【化１２】
2006323241.tif 000014
［式中、ｎは、０〜４の整数を表す。］
【０１６９】
【化１３】
2006323241.tif 000015
【０１７０】
【化１４】
2006323241.tif 000016
［式中、ｍおよびｎは、それぞれ、１〜４の整数を表す。］
【０１７１】
【化１５】
2006323241.tif 000017
【０１７２】
【化１６】
2006323241.tif 000018
【０１７３】
各種の架橋性ノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）が好ましい。ＳｉＸは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位および／またはアラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーに対して十分に低い屈折率を有する。このため、後述する活性放射線を照射する照射領域の屈折率を確実に低くして、クラッド部９５とすることができる。また、コア部９４とクラッド部９５との間における屈折率差を大きくすることができ、コア層９３（光導波路９０）の特性（光伝送性能）の向上を図ることができる。
【０１７４】
なお、以上のようなモノマーは、単独または任意に組み合わせて用いるようにしてもよい。
【０１７５】
触媒前駆体（第２の物質）は、前記のモノマーの反応（重合反応、架橋反応等）を開始させ得る物質であり、後述する活性放射線の照射により活性化した助触媒（第１の物質）の作用により、活性化温度が変化する物質である。
【０１７６】
この触媒前駆体（プロカタリスト：ｐｒｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射に伴って活性化温度が変化（上昇または低下）するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、活性放射線の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層９３（光導波路９０）を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路９０の特性（光伝送性能）が低下するのを防止することができる。
【０１７７】
このような触媒前駆体としては、下記式（Ｉａ）および（Ｉｂ）で表わされる化合物の少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適に用いられる。
【０１７８】
【化１７】
2006323241.tif 000019
［式Ｉａ、Ｉｂ中、それぞれ、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。また、式Ｉｂ中、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
【０１７９】
式Ｉａに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣＭｅ３）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｐ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣＦ３）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣ６Ｈ５）３（Ｐ（Ｃｙ）３）２が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。ここで、Ｃｐは、シクロペンチル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）基を表し、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表す。
【０１８０】
また、式Ｉｂで表される触媒前駆体としては、ｐおよびｒが、それぞれ１および２の整数から選択される化合物が好ましい。
【０１８１】
このような式Ｉｂに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２が挙げられる。ここで、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表し、Ａｃは、アセチル基を表す。
【０１８２】
これらの触媒前駆体は、モノマーを効率よく反応（ノルボルネン系モノマーの場合、付加重合反応によって効率よく重合反応や架橋反応等）することができる。
【０１８３】
また、活性化温度が低下した状態（活性潜在状態）において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも１０〜８０℃程度（好ましくは、１０〜５０℃程度）低くなるものが好ましい。これにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。
【０１８４】
かかる触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２およびＰｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２のうちの少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適である。
【０１８５】
なお、以下では、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２を「Ｐｄ５４５」と、また、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２を「Ｐｄ７８５」と略すことがある。
【０１８６】
助触媒（第１の物質）は、活性放射線の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体（プロカタリスト）の活性化温度（モノマーに反応を生じさせる温度）を変化させ得る物質である。
【０１８７】
この助触媒（コカタリスト：ｃｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射により、その分子構造が変化（反応または分解）して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の活性放射線の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオン等のカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを発生する化合物（光開始剤）を含む（主とする）ものが好適に用いられる。
【０１８８】
弱配位アニオンとしては、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（ＦＡＢＡ−）、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン（ＳｂＦ６−）等が挙げられる。
【０１８９】
この助触媒（光酸発生剤または光塩基発生剤）としては、例えば、下記化１８で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類等が挙げられる。
【０１９０】
【化１８】
2006323241.tif 000020
【０１９１】
このような助触媒の市販品としては、例えば、ニュージャージ州クランベリーのＲｈｏｄｉａ  ＵＳＡ社から入手可能な「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標、以下同様である。）  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４（ＣＡＳ番号第１７８２３３−７２−２番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７２Ｒ（（ジメチル（２−（２−ナフチル）−２−オキソエチル）スルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート：ＣＡＳ番号第１９３９５７−５４−９番））、日本国東京のみどり化学株式会社から入手可能な「ＭＰＩ−１０３（ＣＡＳ番号第８７７０９−４１−９番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７１（ＣＡＳ番号第１９３９５７−５３−８番）」、日本国東京の東洋合成工業株式会社から入手可能な「ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ（トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムテトラキス（ペンタペンタフルオロフェニル）ボレート）」、日本国東京のみどり化学工業株式会社より入手可能な「ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ番号第８５３４２−６２−７番）」等が挙げられる。
【０１９２】
なお、助触媒（第１の物質）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４を用いる場合、後述する活性放射線（化学線）としては、紫外線（ＵＶ光）が好適に用いられ、紫外線の照射手段としては、水銀灯（高圧水銀ランプ）が好適に用いられる。これにより、層９１０に対して、３００ｎｍ未満の十分なエネルギーの紫外線（活性放射線）を供給することができ、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４を効率よく分解して、上記のカチオンおよびＷＣＡを発生させることができる。
【０１９３】
また、コア層形成用材料（ワニス）９００中には、必要に応じて、増感剤を添加するようにしてもよい。
【０１９４】
増感剤は、活性放射線に対する助触媒の感度を増大して、助触媒の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、助触媒の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。
【０１９５】
このような増感剤としては、助触媒の感度や増感剤の吸収のピーク波長等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅｓ）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｅｎ−９−ｏｎｅｓ）等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。
【０１９６】
増感剤の具体例としては、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）またはこれらの混合物が挙げられる。
【０１９７】
なお、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＤＢＡ）は、日本国神奈川県の川崎化成工業株式会社から入手が可能である。
【０１９８】
コア層形成用材料９００中の増感剤の含有量は、特に限定されないが、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。
【０１９９】
さらに、コア層形成用材料９００中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー９１５の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層９３（光導波路９０）の特性の向上を図ることができる。
【０２００】
この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ（登録商標、以下同様である。）  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標、以下同様である。）  １０７６およびＣｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標、以下同様である。）  １６８が好適に用いられる。
【０２０１】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。）  １２９、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０、Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。）  １７９０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５等を用いることもできる。
【０２０２】
なお、このような酸化防止剤は、例えば、層９１０が酸化条件に曝されない場合や、曝される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。
【０２０３】
コア層形成用材料（ワニス）９００の調製に用いる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒等の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０２０４】
さて、支持基板９５１上に形成された液状被膜中から溶媒を除去（脱溶媒）する方法としては、例えば、自然乾燥、加熱、減圧下での放置、不活性ガスの吹付け（ブロー）などによる強制乾燥等の方法が挙げられる。
【０２０５】
以上のようにして、支持基板９５１上には、コア層形成用材料９００のフィルム状の固化物（または硬化物）である層９１０が形成される。
【０２０６】
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。
【０２０７】
［２Ａ］  次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、層９１０に対して活性放射線（活性エネルギー光線）９３０を照射する（図３参照）。
【０２０８】
以下では、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
【０２０９】
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
【０２１０】
したがって、ここで示す例では、マスク９３５には、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１が形成される。この開口９３５１は、照射する活性放射線９３０が透過する透過部を形成するものである。
【０２１１】
マスク９３５は、予め形成（別途形成）されたもの（例えばプレート状のもの）でも、層９１０上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。
【０２１２】
マスク９３５として好ましいものの例としては、石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法（蒸着、スパッタリング等）により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。
【０２１３】
また、図３においては、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１は、活性放射線９３０の未照射領域９４０のパターンに沿ってマスクを部分的に除去したものを示したが、前記石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスクを用いる場合、該フォトマスク上に例えばクロム等の金属による遮蔽材で構成された活性放射線９３０の遮蔽部を設けたものを用いることもできる。このマスクでは、遮蔽部以外の部分が前記窓（透過部）となる。
【０２１４】
用いる活性放射線９３０は、助触媒に対して、光化学的な反応（変化）を生じさせ得るものであればよく、例えば、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光の他、電子線やＸ線等を用いることもできる。
【０２１５】
これらの中でも、活性放射線９３０は、助触媒の種類、増感剤を含有する場合には、増感剤の種類等によって適宜選択され、特に限定されないが、波長２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものであるのが好ましい。これにより、助触媒を比較的容易に活性化させることができる。
【０２１６】
また、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２〜３Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
【０２１７】
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０２１８】
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
【０２１９】
ここで、活性潜在状態（または潜在的活性状態）の触媒前駆体とは、本来の活性化温度より活性化温度が低下しているが、温度上昇がないと、すなわち、室温程度では、照射領域９２５内においてモノマーの反応を生じさせることができない状態にある触媒前駆体のことを言う。
【０２２０】
したがって、活性放射線９３０照射後においても、例えば−４０℃程度で、層９１０を保管すれば、モノマーの反応を生じさせることなく、その状態を維持することができる。このため、活性放射線９３０照射後の層９１０を複数用意しておき、これらに一括して加熱処理を施すことにより、コア層９３を得ることができ、利便性が高い。
【０２２１】
なお、活性放射線９３０として、レーザ光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスク９３５の使用を省略してもよい。
【０２２２】
［３Ａ］  次に、層９１０に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
【０２２３】
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散（モノマーディフュージョン）して照射領域９２５に集まってくる。
【０２２４】
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、モノマーの重合体としては、主に付加（共）重合体が生成する。
【０２２５】
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
【０２２６】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図４参照）。
【０２２７】
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、３０〜８０℃程度であるのが好ましく、４０〜６０℃程度であるのがより好ましい。
【０２２８】
また、加熱時間は、照射領域９２５内におけるモノマーの反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、０．１〜２時間程度であるのが好ましく、０．１〜１時間程度であるのがより好ましい。
【０２２９】
［４Ａ］  次に、層９１０に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。
【０２３０】
このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。
【０２３１】
この第２の加熱処理における加熱温度は、触媒前駆体または助触媒を活性化し得る温度であればよく、特に限定されないが、７０〜１００℃程度であるのが好ましく、８０〜９０℃程度であるのがより好ましい。
【０２３２】
また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
【０２３３】
［５Ａ］  次に、層９１０に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
【０２３４】
この第３の加熱処理における加熱温度は、第２の加熱処理における加熱温度より２０℃以上高く設定するのが好ましく、具体的には、９０〜１８０℃程度であるのが好ましく、１２０〜１６０℃程度であるのがより好ましい。
【０２３５】
また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
【０２３６】
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。
【０２３７】
なお、例えば、第２の加熱処理や第３の加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［５Ａ］や前記工程［４Ａ］を省略してもよい。
【０２３８】
［６Ａ］  次に、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）を形成する（図５参照）。
【０２３９】
クラッド層９１（９２）の形成方法としては、クラッド材を含むワニス（クラッド層形成用材料）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法等、いかなる方法でもよい。
【０２４０】
クラッド層９１（９２）を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。
【０２４１】
支持基板９５２には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
クラッド層９１（９２）の構成材料としては、下記化１９で表されるノルボルネン系ポリマーを主とするものが用いられる。
【０２４２】
【化１９】
2006323241.tif 000021
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
【０２４３】
ノルボルネン系ポリマーは、耐熱性に優れるが、付加共重合体である化１９で表されるノルボルネン系ポリマーは、特に耐熱性に優れる。このため、これをクラッド層９１（９２）の構成材料として使用する光導波路９０では、光導波路９０に導体層９０１、９０２を形成する際、導体層９０１、９０２を加工して配線を形成する際、光学素子を実装する等に加熱されたとしても、クラッド層９１（９２）が軟化して、変形するのを防止することができる。
【０２４４】
また、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いクラッド層９１（９２）を得ることができる。
【０２４５】
また、このノルボルネン系ポリマーは、比較的低い屈折率のものであり、かかるノルボルネン系ポリマーを主材料としてクラッド層９１（９２）を構成することにより、光導波路９０の光伝送性能をより向上させることができる。
【０２４６】
また、このノルボルネン系ポリマーまたはその原料であるノルボルネン系モノマーは、比較的安価であり、入手が容易であることからも好ましい。
【０２４７】
さらに、クラッド層９１（９２）の材料として、ノルボルネン系ポリマーを主とするものを用いると、コア層９３の構成材料として好適に用いられる材料と同種となるため、コア層９３との密着性がさらに高いものとなり、クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離を防止することができる。このようなことから、耐久性に優れた光導波路９０が得られる。
【０２４８】
特に、化１９で表されるノルボルネン系ポリマーは、重合性基として、アルコキシシリル基を有することから、クラッド層９１（９２）において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のもののアルコキシシリル基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、架橋剤の種類、コア層９３に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層９３に用いるポリマーとを架橋させることもできる。換言すれば、かかるノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋しているのが好ましい。
【０２４９】
その結果、クラッド層９１（９２）自体の強度を向上させることや、クラッド層９１（９２）とコア層９３との密着性を向上させることができる。
【０２５０】
また、化１９で表されるノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことから、柔軟性が高く、光導波路９０に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。なお、アルキルノルボルネンが有するアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
【０２５１】
また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。
【０２５２】
このような化１９で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａが１または２、Ｘがメチル基またはエチル基である化合物、例えば、ブチルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ブチルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ブチルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
【０２５３】
また、ｐ／ｑは、２０以下であればよいが、１５以下であるのが好ましく、０．１〜１０程度がより好ましい。これにより、２種のノルボルネンの繰り返し単位を含む効果が如何なく発揮される。
【０２５４】
なお、化１９で表されるノルボルネン系ポリマーにおいて、アルコキシシリル基同士を直接架橋させるためには、クラッド層形成用材料中に、前述した助触媒と同種の物質（光酸発生剤または光塩基発生剤）を混合しておき、この物質の作用により、アルコキシシリル基を架橋させればよい。
【０２５５】
また、アルコキシシリル基同士を架橋剤を介して架橋させるためには、さらに、クラッド層形成用材料中に、架橋剤として少なくとも１つのアルコキシシリル基を有する化合物を混合するようにすればよい。
【０２５６】
このような架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランのようなシランカップリング剤等が好適に用いられる。
【０２５７】
このアルコキシシリル基同士の架橋反応は、本工程［６Ａ］の最終段階で行うようにしてもよいし、次工程［７Ａ］において光導波路９０を得た後に行うようにしてもよい。
【０２５８】
また、クラッド層形成用材料中には、各種の添加剤を添加（混合）するようにしてもよい。
【０２５９】
例えば、クラッド層形成用材料中には、添加剤として、前記コア層形成用材料で挙げたモノマー、触媒前駆体および助触媒を混合してもよい。これにより、クラッド層９１（９２）中において、前述したのと同様にして、モノマーを反応させて、クラッド層９１（９２）の屈折率を変化させることができる。
【０２６０】
また、この場合、クラッド層９１（９２）中において、屈折率の差を設けることが要求されないので、助触媒を省略して、加熱により容易に活性化する触媒前駆体を用いることもできる。
【０２６１】
かかる触媒前駆体としては、例えば、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（Ｏ２ＣＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［２−ｍｅｔｈａｌｌｙｌ  Ｐｄ（ＰＣｙ３）２］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２Ｈ（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【０２６２】
その他の添加剤としては、前述したような酸化防止剤が挙げられる。酸化防止剤を混合することにより、クラッド材（ノルボルネン系ポリマー）の酸化による劣化を防止することができる。
以上のようにして、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）が形成される。
【０２６３】
［７Ａ］  次に、支持基板９５１からコア層９３を剥離し、このコア層９３を、クラッド層９１が形成された支持基板９５２と、クラッド層９２が形成された支持基板９５２とで挟持する（図６参照）。
【０２６４】
そして、図６中の矢印で示すように、クラッド層９２が形成された支持基板９５２の上面側から加圧し、クラッド層９１、９２とコア層９３とを圧着する。
これにより、クラッド層９１、９２とコア層９３とが接合、一体化される。
【０２６５】
また、この圧着作業は、加熱下で行われるのが好ましい。加熱温度は、クラッド層９１、９２やコア層９３の構成材料等により適宜決定されるが、通常は、８０〜２００℃程度が好ましく、１２０〜１８０℃程度がより好ましい。
【０２６６】
次いで、クラッド層９１、９２から、それぞれ、支持基板９５２を剥離、除去する。これにより、本発明の光導波路９０が得られる。
【０２６７】
［８Ａ］  次に、光導波路９０の上面および下面に、それぞれ導体層９０１、９０２を形成する（図７参照）。
【０２６８】
各導体層９０１、９０２の形成方法としては、それぞれ、例えば、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法のような化学的気相成膜法（ＣＶＤ法）、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法のような物理的気相成膜法（ＰＶＤ法）等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法や、ラミネート法による導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つを用いることができる。これにより、各導体層９０１、９０２と光導波路９０との高い密着性が得られる。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。
【０２６９】
このような光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３において、コア部９４が第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド部９５が第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、第１のノルボルネン系材料（コア層９３のコア部９４）より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
【０２７０】
そして、第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有するが、このノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、互いに屈折率が異なっている。
【０２７１】
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体９では、光導波路９０の高い光伝送性能が得られる。
【０２７２】
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９０の光伝送性能が維持される。
【０２７３】
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。
【０２７４】
また、光導波路９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
【０２７５】
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路構造体９を得ることができる。
【０２７６】
＜第２の製造方法＞
次に、光導波路構造体９の第２の製造方法について説明する。
【０２７７】
以下、第２の製造方法について説明するが、前記第１の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０２７８】
第２の製造方法では、コア層形成用材料９００の組成が異なり、それ以外は、前記第１の製造方法と同様である。
【０２７９】
すなわち、第２の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、活性放射線の照射により活性化する離脱剤（物質）と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した離脱剤の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基（離脱性ぺンダントグループ）とを有するポリマー９１５とを含有している。
離脱剤には、前記第１の製造方法で挙げた助触媒と同様のものを用いることができる。
【０２８０】
第２の製造方法において用いられるポリマー９１５としては、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５が有する置換基を離脱性基で置換したものや、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５に離脱性基を導入したもの等が挙げられる。
【０２８１】
かかるポリマー９１５は、離脱性基の離脱（切断）により、その屈折率が変化（上昇または低下）する。
【０２８２】
離脱性基は、カチオン、アニオンまたはフリーラジカルの作用により離脱するもの、すなわち、酸（カチオン）脱離性基、塩基（アニオン）脱離性基、フリーラジカル脱離性基のいずれであってもよいが、好ましくはカチオン（プロトン）の作用により離脱するもの（酸基離脱性基）である。
【０２８３】
酸離脱性基としては、その分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。
【０２８４】
このうち、離脱によりポリマー９１５の屈折率に低下を生じさせる酸離脱性基としては、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
【０２８５】
なお、フリーラジカルの作用により離脱するフリーラジカル脱離性基としては、例えば、末端にアセトフェノン構造を有する置換基等が挙げられる。
【０２８６】
また、ポリマー９１５は、前記第１の製造方法で説明したのと同様の理由から、ノルボルネン系ポリマーを用いるのが好ましく、アルキル（特にヘキシル）ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを用いるのがより好ましい。
【０２８７】
以上のことを考慮した場合、離脱性基の離脱により屈折率が低下するポリマー９１５としては、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランのホモポリマーや、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマーが好適に用いられる。
【０２８８】
以下では、ポリマー９１５として、離脱性基（特に酸離脱性基）の離脱により屈折率が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
【０２８９】
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
【０２９０】
［１Ｂ］  前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５の作用による。
【０２９１】
［２Ｂ］  前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する離脱剤は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０２９２】
そして、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する（フォトブリーチ）。
【０２９３】
これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。
【０２９４】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第１の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。
【０２９５】
なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．３〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．６〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、離脱剤を確実に活性化させることができる。
【０２９６】
［３Ｂ］  次に、層９１０に対して加熱処理を施す。
これにより、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。
【０２９７】
さらに、このとき、クラッド部９５（照射領域９２５）に残存する離脱性基の一部がさらに離脱（切断）すると考えられる。
【０２９８】
したがって、このような加熱処理を施すことにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより大きくすることができる。
【０２９９】
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、７０〜１９５℃程度であるのが好ましく、８５〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
【０３００】
また、加熱時間は、照射領域９２５から離脱（切断）された離脱性基を十分に除去し得るに設定され、特に限定されないが、０．５〜３時間程度であるのが好ましく、０．５〜２時間程度であるのがより好ましい。
【０３０１】
なお、例えば、加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［３Ｂ］を省略してもよい。
【０３０２】
また、必要に応じて、１回または複数回の加熱処理（例えば、１５０〜２００℃×１〜８時間程度）の工程を追加することもできる。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。
【０３０３】
［４Ｂ］  前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｂ］  前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
【０３０４】
［６Ｂ］  前記工程［８Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。
【０３０５】
このような光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３がノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
【０３０６】
そして、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖と主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている。
【０３０７】
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体９では、光導波路９０の高い光伝送性能が得られる。
【０３０８】
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９０の光伝送性能が維持される。
【０３０９】
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。
【０３１０】
また、光導波路９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
【０３１１】
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路構造体９を得ることができる。
【０３１２】
特に、第２の製造方法によれば、少なくとも活性放射線をすればよく、極めて簡単な処理で、コア層９３を形成することができる。
【０３１３】
＜第３の製造方法＞
次に、光導波路構造体９の第３の製造方法について説明する。
【０３１４】
以下、第３の製造方法について説明するが、前記第１および第２の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３１５】
第３の製造方法では、コア層形成用材料９００として、第１および第２の製造方法で用いたコア層形成用材料を組み合わせたものを用い、それ以外は、前記第１または第２の製造方法と同様である。
【０３１６】
すなわち、第３の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、前述したような離脱性基を有するポリマー９１５と、モノマーと、助触媒（第１の物質）と、触媒前駆体（第２の物質）とを含有している。また、助触媒は、前記第２の製造方法における離脱剤と同じものであり、離脱剤を離脱させる機能も有する。
【０３１７】
このようなコア層形成用材料９００では、選択する離脱性基と、選択するモノマーとの組み合わせにより、得られるコア層９３において、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより多段階に調整することが可能となる。
【０３１８】
なお、前述したように、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用い、ポリマー９１５として、離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いると、照射領域９２５をクラッド部９５とし、コア部９４との屈折率差が極めて大きいコア層９３を得ることができる。
【０３１９】
以下では、このような組み合わせのポリマー９１５、モノマーおよび触媒前駆体を用いる場合を一例に説明する。
【０３２０】
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
【０３２１】
［１Ｃ］  前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。
【０３２２】
［２Ｃ］  前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０３２３】
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
【０３２４】
また、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する。
【０３２５】
これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、屈折率が低下して第１の屈折率より低くなる。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。
【０３２６】
なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２〜５Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２〜４Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
【０３２７】
［３Ｃ］  前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
【０３２８】
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。
【０３２９】
また、この加熱処理により、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。
【０３３０】
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになること、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が減少すること等により、さらに屈折率が低下して第２の屈折率となる。
【０３３１】
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
【０３３２】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。
【０３３３】
［４Ｃ］  前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｃ］  前記工程［５Ａ］と同様の工程を行う。
【０３３４】
［６Ｃ］  前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［７Ｃ］  前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
【０３３５】
［８Ｃ］  前記工程［８Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。
【０３３６】
このような光導波路構造体９の好ましい例では、コア層９３は、主鎖とこの主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを含有しており、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なること、および、ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっており、また、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
【０３３７】
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路構造体９では、光導波路９０の高い光伝送性能が得られる。
【０３３８】
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路構造体９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９０の光伝送性能が維持される。
【０３３９】
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９０（光導波路構造体９）では、耐久性に優れたものとなる。
【０３４０】
また、光導波路９０に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層９０１、９０２を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層９０１、９０２を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
【０３４１】
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路構造体９を得ることができる。
【０３４２】
特に、第３の製造方法によれば、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を多段階に設定することが可能となる。
【０３４３】
＜第４の製造方法＞
次に、光導波路構造体９の第４の製造方法について説明する。
【０３４４】
図８〜図１３は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【０３４５】
以下、第４の製造方法について説明するが、前記第１〜第３の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３４６】
第４の製造方法では、光導波路９０の形成工程が異なり、それ以外は、前記第１〜第３の製造方法と同様である。
【０３４７】
すなわち、コア層形成用材料９００やクラッド層形成用材料には、前記第１〜第３の製造方法で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０３４８】
なお、以下では、コア層形成用材料として、前記第１の製造方法で挙げたものを用いる場合を代表に説明する。
【０３４９】
［１Ｄ］  まず、支持基板１０００上に、クラッド層形成用材料（第１のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第１の層１１１０を形成する（図８参照）。
支持基板１０００には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
【０３５０】
第１の層１１１０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【０３５１】
［２Ｄ］  次に、第１の層１１１０上に、コア層形成用材料（第２のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第２の層１１２０を形成する（図９参照）。
【０３５２】
コア層形成用材料は、第１の層１１１０をほぼ完全に乾燥させた後に塗布するようにしてもよいし、第１の層１１１０が乾燥する前に塗布するようにしてもよい。
【０３５３】
後者の場合、第１の層１１１０と第２の層１１２０とは、それらの界面において相互に混ざり合った状態となる。この場合、得られた光導波路９０において、クラッド層９１とコア層９３との密着性の向上を図ることができる。
【０３５４】
また、この場合、第１のワニスおよび第２のワニスは、それぞれ、粘度（常温）が好ましくは１００〜１００００ｃＰ程度、より好ましくは１５０〜５０００ｃＰ程度、さらに好ましくは２００〜３５００ｃＰ程度に調製される。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを防止することができるとともに、第１の層１１１０および第２の層１１２０の厚さが不均一となるのを防止することができる。
【０３５５】
なお、第２のワニスの粘度は、第１のワニスの粘度より高くするのが好ましい。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０３５６】
第２の層１１２０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１５〜１２５μｍ程度であるのがより好ましく、２５〜１００μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【０３５７】
［３Ｄ］  次に、第２の層１１２０上に、クラッド層形成用材料（第３のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第３の層１１３０を形成する（図１０参照）。
【０３５８】
第３の層１１３０は、前記第２の層１１２０と同様にして形成することができる。
第３の層１１３０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
これにより、積層体２０００が得られる。
【０３５９】
［４Ｄ］  次に、積層体２０００中の溶媒を除去（脱溶媒）する。
脱溶媒の方法としては、例えば、加熱、大気圧または減圧下での放置、不活性ガス等の噴き付け（ブロー）等の方法が挙げられるが、加熱による方法が好ましい。これにより、比較的容易かつ短時間での脱溶媒が可能である。
【０３６０】
この加熱の温度は、２５〜６０℃程度であるのが好ましく、３０〜４５℃程度であるのがより好ましい。
【０３６１】
また、加熱の時間は、１５〜６０分程度であるのが好ましく、１５〜３０分程度であるのがより好ましい。
【０３６２】
［５Ｄ］  次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、積層体２０００に対して活性放射線（活性エネルギー光線）９３０を照射する（図１１参照）。
【０３６３】
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を積層体２０００に照射すると、第２の層１１２０の活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０３６４】
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
【０３６５】
［６Ｄ］  次に、積層体２０００に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
【０３６６】
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。
【０３６７】
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。
【０３６８】
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
【０３６９】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図１２参照）。
【０３７０】
［７Ｄ］  次に、積層体２０００に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。
【０３７１】
このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。
【０３７２】
［８Ｄ］  次に、積層体２０００に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
以上の工程を経て、本発明の光導波路９０が得られる。
【０３７３】
［９Ｄ］  次に、光導波路９０の上面および下面に、それぞれ導体層９０１、９０２を形成する（図１３参照）。
これは、前記工程［８Ａ］と同様にして行うことができる。
以上のようにして、本発明の光導波路構造体９が完成する。
【０３７４】
かかる方法では、第１の加熱処理の後、積層体２０００内にコア部９４が目視で確認することができるようになる。
【０３７５】
また、第１のワニスおよび第３のワニスとして、第２のワニスと同様の組成、すなわち、ポリマー９１５、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含有するものを用いるようにしてもよい。これにより、モノマーの反応が、第１の層１１１０および第３の層１１３０と、第２の層１１２０の界面、および／または、かかる界面を越えて第１の層１１１０および第３の層１１３０内で生じて、クラッド層９１、９２とコア層９３との剥離をより確実に防止することができる。
【０３７６】
また、この場合、例えば、Ｉ：第１の層１１１０および第３の層１１３０のポリマー９１５として、第２の層１１２０のポリマー９１５の屈折率より相対的に低い屈折率（ＲＩ）のものを選択したり、II：第１の層１１１０および第３の層１１３０のモノマーとして、第２の層１１２０のモノマーと同じものを用いるが、第１の層１１１０および第３の層１１３０における触媒前駆体およびモノマーの比率を、第２の層１１２０のそれより低くなるように調節するようにしたりすればよい。
【０３７７】
これにより、活性放射線９３０を照射しても、クラッド層９１、９２内に、コア層９３のコア部９４より高い屈折率を有する領域が形成されるのを防止することができる。
【０３７８】
なお、コア層形成用材料（第２のワニス）として、離脱性基を有するポリマー９１５を含有するものを用いる場合、クラッド層形成用材料（第１のワニス、第３のワニス）としては、脱離性基を有しないポリマー９１５を用いて調製したものを用いるか、離脱性基を有するポリマー９１５を用いるが、離脱剤を含有しないものを用いるようにすればよい。
【０３７９】
これにより、第１の層１１１０および第３の層１１３０において、ポリマー９１５から離脱性基が離脱（分解）することを防止することができる。
また、第４の製造方法では、第１のワニスおよび第３のワニスには、末端にエポキシ構造を含む置換基を有するノルボルネン系ポリマーと、助触媒とを含むものを用いるのが好ましい。これにより、コア部９４およびクラッド部９５を形成する際に、エポキシ構造が開裂し、コア層９３のポリマー９１５との反応（重合）を生じるようになる。その結果、クラッド層９１、９２のコア層９３に対する密着性の向上を図ることができる。
【０３８０】
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）とノルボルネンメチルグリシジルエーテル（ＡＧＥＮＢ）との共重合体等が挙げられる。
【０３８１】
また、この場合、助触媒には、コア層９３を形成する際には、活性化しないものを選択するようにしてもよい。例えば、第２のワニスが含有する助触媒の活性化に適した活性放射線を吸収しないか、または、活性放射線に代わって熱の作用により活性化される助触媒を選択するようにすればよい。
【０３８２】
このような助触媒としては、例えば、非吸収性光塩基発生剤（ＰＢＧ）や熱塩基発生剤（ＴＢＧ）等が挙げられる。
【０３８３】
以上の説明したような光導波路構造体９は、活性放射線の照射という簡単な方法でコア部９４のパターニングをすることができ、コア部（光回路）９４のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部９４が得られる。
【０３８４】
また、予め導体層９０１、９０２が形成されているため、素子への配線（電気回路の形成）が容易であるとともに、素子の種類（端子の設置箇所）等に係わらずそれに適した配線が可能であり、配線回路の構成の自由度（例えば、端子の設置箇所の選択の自由度）が広く、汎用性に富む。
【０３８５】
そして、光導波路構造体９は、配線（電気回路）およびコア部（光回路）９４の双方を高い配設密度で形成することができるため、光および電気の混成回路において、効率の良い回路設計が可能となるとともに、さらなる回路の集積化が可能となる。
【０３８６】
このような光導波路構造体９は、光回路（光導波路のパターン）や電気回路の設計の幅が広く、歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富むため、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。
【０３８７】
なお、前記第１〜第４の製造方法では、いずれも、支持基板９５１、９５２、１０００を除去するものとして説明したが、これらを導電性材料で構成し、除去することなく、そのまま導体層９０１、９０２として用いるようにしてもよい。
【０３８８】
また、必要に応じて、クラッド層９１、９２のうちのいずれか一方または双方を省略してもよい。
【０３８９】
また、コア層９３の形成方法も、前述した方法に限定されるものでないことは、言うまでもない。
【０３９０】
また、光導波路９０は、図示の構成に限定されず、例えば、２つのクラッド層の間に、複数層のコア層が積層して設けられるような構成であってもよく、クラッド層とコア層とを順に積層して構成したものであってもよく、２つのクラッド層の間に１つのコア層が設けられた積層体を、複数層積層して構成したもの等であってもよい。
【０３９１】
また、コア部９４の途中には、その光路、すなわち、コア部９４の長手方向に対しほぼ４５°傾斜する傾斜面（反射面）を形成してもよい。これにより、コア部９４を伝播する光（伝送光）を、この傾斜面において、ほぼ９０°屈曲させることができる。
【０３９２】
そして、この傾斜面の方向を適宜設定することにより、伝送光の光路を、コア層９０内（２次元方向）のみならず、光導波路９０の厚さ方向も含めた３次元方向に変更することが可能となる。
【０３９３】
この傾斜面は、コア部９４を、例えば切断、除去（欠損）等することにより形成することができる。なお、傾斜面には、例えば多層光学薄膜や金属薄膜（例えばアルミ蒸着膜）のような反射膜あるいは反射増加膜を形成するようにしてもよい。
【０３９４】
以上、本発明の光導波路および光導波路構造体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができ、また、任意の構成が付加されていてもよい。
【実施例】
【０３９５】
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、以下では、ヘキシルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８３−３番）を「ＨｘＮＢ」と、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ＣＡＳ番号第３７６６３４−３４−３番）を「ｄｉＰｈＮＢ」と、フェニルエチルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２９４１５−０９−６番）を「ＰＥＮＢ」と、ブチルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８１−１番）を「ＢｕＮＢ」と、デシルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２２０９４−８５−５番）を「ＤｅＮＢ」と、ベンジルノルボルネン（ＣＡＳ番号第２６５９８９−７３−９番）を「ＢｚＮＢ」と、メチルグリシジルエーテルノルボルネン（ＣＡＳ番号第３１８８−７５−８番）を「ＡＧＥＮＢ」と、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン（ＣＡＳ番号第６８２４５−１９−２番）を「ＴＭＳＥＮＢ」と、トリエトキシシリルノルボルネン（ＣＡＳ番号第１８４０１−４３−９番）を「ＴＥＳＮＢ」と、トリメトキシシリルノルボルネン（ＣＡＳ番号第７５３８−４６−７番）を「ＴＭＳＮＢ」と、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＣＡＳ番号第３７６６０９−８７−９番）を「ＳｉＸ」と、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス［２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル］ジシロキサン（ＣＡＳ番号第１９８５７０−３９−７番）を「Ｓｉ２Ｘ」と、それぞれ略すことがある。
【０３９６】
１．ポリマーの合成およびポリマー溶液の調製
以下に示すようにして、各ポリマーＰ１〜７を合成し、その溶液を調整した。
【０３９７】
＜＜ポリマーＰ１：ブチルノルボルネン（ＢｕＮＢ）／トリエトキシシリルノルボルネン（ＴＥＳＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ１溶液の調製＞＞
ＢｕＮＢ（２５．２２ｇ，０．１６８ｍｏｌ）、ＴＥＳＮＢ（４．７８ｇ，０．０１９ｍｏｌ）、トリエチルシラン（０．０１１ｇ，９．３２×１０−５ｍｏｌ）、エタノール（０．１０ｇ，２．２４×１０−３ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を、５００ｍＬのシーラムボトル内で混合し、オイルバス中８０℃で加熱し混合溶液を得た。
【０３９８】
次いで、この溶液に、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「Ｐｄ１２０６」と略す。）（０．０１８ｇ，１．４９×１０−５ｍｏｌ）を、濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。
【０３９９】
添加後、得られた混合物を８０℃で９時間維持した。次いで、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
【０４００】
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は２０．５８ｇであった（収率：６９％）。
【０４０１】
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法（ゲル浸透クロマトグラフィー法）により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝２３８，０００およびＭｎ＝９６，０００であった。
【０４０２】
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、８５／１５＝ＢｕＮＢ／ＴＥＳＮＢコポリマーであった。
【０４０３】
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法により測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５０６１であり、ＴＭモードで１．５０４１であった。
【０４０４】
共重合体の熱機械分析（ＴＭＡ）に基づくＴｇは２７６℃であった。
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ１溶液とした。
【０４０５】
＜＜ポリマーＰ２：ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／トリエトキシシリルノルボルネン（ＴＥＳＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ２溶液の調製＞＞
ＨｘＮＢ（２０．３３ｇ，０．１１４ｍｏｌ）、ＴＥＳＮＢ（３．２６ｇ，０．０１３ｍｏｌ）、トリエチルシラン（０．０３０ｇ，２．５４×１０−３ｍｏｌ）、エタノール（０．０７ｇ，１．５２×１０−３ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を、５００ｍＬのシーラムボトル内で混合し、オイルバス中８０℃で加熱し混合溶液を得た。
【０４０６】
次いで、この溶液に、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（Ｏ２ＣＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「Ｐｄ１４４６」と略す。）（０．０１５ｇ，１．０１×１０−５ｍｏｌ）を、濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。
【０４０７】
添加後、得られた混合物を８０℃で９時間維持した。次いで、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
【０４０８】
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は７．３１ｇであった（収率：３１％）。
【０４０９】
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝２３４，０００およびＭｎ＝１１０，０００であった。
【０４１０】
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、８３／１７＝ＨｘＮＢ／ＴＥＳＮＢコポリマーであった。
【０４１１】
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５０５３であり、ＴＭモードで１．５０４２であった。
【０４１２】
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ２溶液とした。
【０４１３】
＜＜ポリマーＰ３：デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）／トリエトキシシリルノルボルネン（ＴＥＳＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ３溶液の調製＞＞
ＤｅＮＢ（２６．７７ｇ，０．１１４ｍｏｌ）、ＴＥＳＮＢ（３．２６ｇ，０．０１３ｍｏｌ）、トリエチルシラン（０．０３０ｇ，２．５４×１０−３ｍｏｌ）、エタノール（０．０７ｇ，１．５２×１０−３ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を、５００ｍＬのシーラムボトル内で混合し、オイルバス中８０℃で加熱し混合溶液を得た。
【０４１４】
次いで、この溶液に、Ｐｄ１４４６（０．０１５ｇ，１．０１×１０−５ｍｏｌ）を、濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。
【０４１５】
添加後、得られた混合物を、８０℃で９時間維持した。次いで、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
【０４１６】
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は１８．０１ｇであった（収率：６０％）。
【０４１７】
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝２８３，０００およびＭｎ＝１１８，０００であった。
【０４１８】
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、８４／１６＝ＤｅＮＢ／ＴＥＳＮＢコポリマーであった。
【０４１９】
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法により測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５０３４であり、ＴＭモードで１．５０１８であった。
【０４２０】
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ３溶液とした。
【０４２１】
＜＜ポリマーＰ４：ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／トリメトキシシリルノルボルネン（ＴＭＳＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ４溶液の調製＞＞
ＨｘＮＢ（１３．０２ｇ，０．０７３ｍｏｌ）、ＴＭＳＮＢ（１２．９５ｇ，０．０７３ｍｏｌ）、トリエチルシラン（０．３４ｇ，２．９１×１０−４ｍｏｌ）、エタノール（０．８０ｇ，１．７５×１０−３ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を、５００ｍＬのシーラムボトル内で混合し、オイルバス中８０℃で加熱し混合溶液を得た。
【０４２２】
次いで、この溶液に、Ｐｄ１４４６（０．０１７ｇ，１．１６×１０−５ｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「ＤＡＮＦＡＢＡ」と略す。）（０．０２８ｇ，３．４９×１０−５ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。
【０４２３】
添加後、得られた混合物を、８０℃で４時間維持した。次いで、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
【０４２４】
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は１７．７ｇであった（収率：６８％）。
【０４２５】
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝５５，０００およびＭｎ＝２７，０００であった。
【０４２６】
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、４６／５４＝ＨｘＮＢ／ＴＭＳＮＢコポリマーであった。
【０４２７】
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法により測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５０８１であり、ＴＭモードで１．５０７８であった。
【０４２８】
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ４溶液とした。
【０４２９】
＜＜ポリマーＰ５：デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）／ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン（ＴＭＳＥＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ５溶液の調製＞＞
ＤｅＮＢ（２２．３１ｇ，０．０９５ｍｏｌ）、ＴＭＳＥＮＢ（７．６９ｇ，０．０３２ｍｏｌ）、トリエチルシラン（０．４４ｇ，３．８１×１０−４ｍｏｌ）、エタノール（０．７０ｇ，１．５２×１０−３ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を、５００ｍＬのシーラムボトル内で混合し、オイルバス中８０℃で加熱し混合溶液を得た。
【０４３０】
次いで、この溶液に、Ｐｄ１４４６（０．０１５ｇ，１．０２×１０−５ｍｏｌ）、および、ＤＡＮＦＡＢＡ（０．０２４ｇ，３．０５×１０−５ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。
【０４３１】
添加後、得られた混合物を８０℃で４時間維持した。次いで、勢いよく攪拌した反応混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
【０４３２】
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブン中、真空雰囲気で乾燥させた。乾燥後の重量は１２．２ｇであった（収率：４０．７％）。
【０４３３】
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝３４，０００およびＭｎ＝２４，０００であった。
【０４３４】
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、７７／２３＝ＤｅＮＢ／ＴＭＳＥＮＢコポリマーであった。
【０４３５】
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法により測定したところ、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５０６３であり、ＴＭモードで１．５０６２であった。
【０４３６】
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ５溶液とした。
【０４３７】
＜＜ポリマーＰ６：ヘキシルノルボルネン（ＨｘＮＢ）／ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシラン（ｄｉＰｈＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ６溶液の調製＞＞
ＨｘＮＢ（８．９４ｇ，０．０５０ｍｏｌ）、ｄｉＰｈＮＢ（１６．１ｇ，０．０５０ｍｏｌ）、１−ヘキセン（２．９５ｇ，０．０３５ｍｏｌ）、および、トルエン（１４２ｇ）を秤量し、２５０ｍＬのシーラムボトルに入れて、オイルバス中８０℃に加熱し混合溶液を得た。
【０４３８】
次いで、この溶液に、Ｐｄ１４４６（５．８×１０−３ｇ，４．０×１０−６ｍｏｌ）、および、ＤＡＮＦＡＢＡ（３．２×１０−３ｇ，４．０×１０−６ｍｏｌ）を添加した。
【０４３９】
なお、このとき、上記ノルボルネンモノマー／Ｐｄ１４４６／ＤＡＮＦＡＢＡの比率は、モル比で２５０００／１／１であった。
【０４４０】
次いで、混合物を、８０℃で７時間維持し、その後、２０ｍＬのアセトニトリルを加えて、Ｐｄ触媒の活性を消失させた。その後、反応混合物にメタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
【０４４１】
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブンで、真空で乾燥させた。乾燥後の重量は１９．８ｇであった（収率：７９％）。
【０４４２】
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝８６，０００およびＭｎ＝２２，０００であった。
【０４４３】
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、４６／５４＝ＨｘＮＢ／ｄｉＰｈＮＢコポリマーであった。
【０４４４】
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定すると、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５５６９であり、ＴＭモードで１．５５５６であった。
【０４４５】
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ６溶液とした。
【０４４６】
＜＜ポリマーＰ７：ブチルノルボルネン（ＢｕＮＢ）/フェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）コポリマーの合成およびポリマーＰ７溶液の調製＞＞
ＢｕＮＢ（４．７８ｇ，０．０３２ｍｏｌ）、ＰＥＮＢ（２５．２２ｇ，０．１２７ｍｏｌ）、１−ヘキセン（１３．３６ｇ，０．１６ｍｏｌ）、および、トルエン（１７０．０ｇ）を５００ｍＬのシーラムボトルで混合し、オイルバス中８０℃に加熱し混合溶液を得た。
【０４４７】
次いで、この溶液に、Ｐｄ１４４６（０．００９２ｇ，６．３６×１０−６ｍｏｌ）、および、ＤＡＮＦＡＢＡ（０．０２０ｇ，２．５４×１０−５ｍｏｌ）を、それぞれ濃縮ジクロロメタン溶液の形態で、加えた。
【０４４８】
添加後、得られた溶液を８０℃で５０分間維持した。次いで、勢いよく攪拌された混合物に、メタノールを滴下すると共重合体が沈殿した。
【０４４９】
沈殿した共重合体をろ過して集め、６０℃のオーブンで、真空で乾燥させた。乾燥後の重量は２３．６０ｇであった（収率：７９％）。
【０４５０】
上記で得た共重合体の分子量を、ＴＨＦ溶媒でＧＰＣ法により測定すると（ポリスチレン換算）、Ｍｗ＝７３，０００およびＭｎ＝２８，０００であった。
【０４５１】
共重合体の組成を、１Ｈ−ＮＭＲにより測定すると、１５／８５＝ＢｕＮＢ／ＰＥＮＢコポリマーであった。
【０４５２】
共重合体の屈折率を、プリズムカップリング法で測定すると、波長６３３ｎｍで、ＴＥモードで１．５６８４であり、ＴＭモードで１．５６５７であった。
【０４５３】
そして、乾燥させた共重合体をトルエンに溶解して３０ｗｔ％のポリマーＰ７溶液とした。
以上合成した各ポリマーを、下記表１に要約する。
【０４５４】
【表１】
2006323241.tif 000022
【０４５５】
２．ノルボルネンモノマーの合成
＜＜ビス（ノルボルネンメチル）アセタール（ＮＭ２Ｘ）＞＞
ディーンスタークトラップに直接連結されたフラスコ中に、ノルボルネンメタノール（１００ｇ、０．８１ｍｏｌ）、ホルムアルデヒド（〜３７％）（３２．６ｇ、０．４０ｍｏｌ）、および、触媒適量のｐ−トルエンスルホン酸（０．２ｇ）を供給して混合物を得た。
【０４５６】
そして、この混合物を、１００℃で加熱した。反応が進行するにつれて、トラップ中の水の量が増加した。約３時間以内に、反応は完了し、真空蒸留によって純生成物を得た（７２．８％〜７０％収率）。
【０４５７】
３．ワニスの調製
以下に示すようにして、各ワニスＶ１〜４およびＶ５１〜６５を、それぞれ調製した。
【０４５８】
＜＜ワニスＶ１の調製＞＞
ＨｘＮＢ（４２．０３ｇ，０．２４ｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（７．９７ｇ，０．０２６ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４５９】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４６０】
上記のポリマーＰ４溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（３．０ｇ）、触媒前駆体として、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（ＰＣｙ３）２（４．９３×１０−４ｇ，６．２８×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、および、光酸発生剤（助触媒）として、Ｒｈｏｄｉａ社製、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４（２．５５×１０−３ｇ，２．５１×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ１を得た。
このワニスＶ１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
なお、以下では、「Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６」を「ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６」と、「Ｃｉｂａ社製、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８」を「ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８」と、「Ｒｈｏｄｉａ社製、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４」を「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ２０７４」と略す。
【０４６１】
＜＜ワニスＶ２の調製＞＞
ＨｘＮＢ（１６．６４ｇ，０．０９３ｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（３３．３６ｇ，０．１１０ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４６２】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．５ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（０．１２５ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４６３】
上記のポリマーＰ５溶液（３０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（２．１６ｇ）、触媒前駆体として、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（ＰＣｙ３）２（１．４７×１０−３ｇ，１．８８×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）、および、光酸発生剤として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ２０７４（７．６７×１０−３ｇ，７．５４×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えて、ワニスＶ２を得た。
このワニスＶ２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４６４】
＜＜ワニスＶ３の調製＞＞
上記のポリマーＰ４（５ｇ）に、メシチレン（２０ｇ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０５ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（０．０１２５ｇ）、および、光酸発生剤（離脱剤）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ２０７４（４．０×１０−３ｇ、０．１ｍＬのメチレンクロライド中）を加えて、ワニスＶ３を調製した。
このワニスＶ３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４６５】
＜＜ワニスＶ４の調製＞＞
２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’ジアミノビフェニル（６．４ｇ，０．０２ｍｏｌ）、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンニ無水物（４．４４ｇ，０．０１ｍｏｌ）、および、ピロメリット酸ニ無水物（２．１８ｇ，０．０１ｍｏｌ）を、ジメチルアセトアミド（８６．６ｇ）に溶解させ、窒素雰囲気下、室温で２日間攪拌し反応させ、ポリイミド樹脂前駆体のワニスＶ４を得た。
このワニスＶ４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４６６】
＜＜ワニスＶ５１の調製＞＞
上記のポリマーＰ１溶液（１０．０ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（７．５×１０−３ｇ）を加えて、ワニスＶ５１を得た。
このワニスＶ５１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４６７】
＜＜ワニスＶ５２の調製＞＞
上記のポリマーＰ５溶液（１０．０ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（７．５×１０−３ｇ）を加えて、ワニスＶ５２を得た。
このワニスＶ５２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４６８】
＜＜ワニスＶ５３の調製＞＞
上記のポリマーＰ２溶液（１０．０ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０３ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８）（７．５×１０−３ｇ）、および、光酸発生剤として、東洋インキ製造株式会社製、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．０３ｇ、０．５ｍＬのメチレンクロライド中）を加えて、ワニスＶ５３を得た。
このワニスＶ５３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４６９】
なお、以下では、「東洋インキ製造株式会社製、ＴＡＧ−３７２Ｒ」を「ＴＡＧ−３７２Ｒ」と略す。
【０４７０】
＜＜ワニスＶ５４の調製＞＞
上記のポリマーＰ５溶液（１０．０ｇ）に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０３ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８）（７．５×１０−３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（０．０３ｇ、０．５ｍＬのメチレンクロライド中）を加えて、ワニスＶ５４を得た。
このワニスＶ５４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４７１】
＜＜ワニスＶ５５の調製＞＞
上記のポリマーＰ１溶液（１０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社、ＫＢＭ−４０３）（０．０３ｇ，１．３×１０−４ｍｏｌ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（７．５×１０−３ｇ）を加えてワニスＶ５５を得た。
このワニスＶ５５を０．２μの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４７２】
＜＜ワニスＶ５６の調製＞＞
上記のポリマーＰ４溶液（１０．０ｇ）に、３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社、ＫＢＭ−９０３）（０．０３ｇ，１．７×１０−４ｍｏｌ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（７．５×１０−３ｇ）を加えてワニスＶ５６を得た。
このワニスＶ５６を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４７３】
＜＜ワニスＶ５７の調製＞＞
上記のポリマーＰ３溶液（１０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社、ＫＢＭ−４０３）（０．３ｇ，１．３×１０−３ｍｏｌ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．０３ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（７．５×１０−３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（３．３×１０−２ｇ，メチレンクロライド０．５ｍＬ中）を加えてワニスＶ５７を得た。
このワニスＶ５７を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４７４】
＜＜ワニスＶ５８の調製＞＞
上記のポリマーＰ４溶液（１０．０ｇ）に、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社、ＫＢＭ−４０３）（０．３ｇ，１．３×１０−３ｍｏｌ）、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  ）１０７６（０．０３ｇ）、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（７．５×１０−３ｇ）、および、光酸発生剤として、ＴＡＧ−３７２Ｒ（３．３×１０−２ｇ、メチレンクロライド０．５ｍＬ中）を加えてワニスＶ５８を得た。
このワニスＶ５８を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４７５】
＜＜ワニスＶ５９の調製＞＞
ＴＭＳＥＮＢ（０．３２ｇ，１．５０ｍｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（０．１６ｇ，０．５２５ｍｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４７６】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（５．０×１０−３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（１．２５×１０−３ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４７７】
上記のポリマーＰ５溶液（１０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、触媒前駆体として、［２−ｍｅｔｈａｌｌｙｌ  Ｐｄ（ＰＣｙ３）２］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（Ｐｄ１４０１）（９．３７×１０−４ｇ，６．６９×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ５９を得た。
このワニスＶ５９を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４７８】
＜＜ワニスＶ６０の調製＞＞
ＨｘＮＢ（０．１６ｇ，０．８９７ｍｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（０．３２ｇ，１．０５ｍｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４７９】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（５．０×１０−３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（１．２５×１０−３ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４８０】
上記のポリマーＰ１溶液（１０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、触媒前駆体として、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（Ｏ２ＣＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（以下、「Ｐｄ１４４６」と略す。）（６．００×１０−４ｇ，４．１５×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６０を得た。
このワニスＶ６０を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４８１】
＜＜ワニスＶ６１の調製＞＞
ＳｉＸ（１．６ｇ，  ５．３ｍｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４８２】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（１．６×１０−２ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（４．０×１０−３ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４８３】
上記のポリマーＰ２溶液（１０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、触媒前駆体として、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２Ｈ（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（Ｐｄ１１４７）（３．６２×１０−３ｇ，３．１５×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６１を得た。
このワニスＶ６１を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４８４】
＜＜ワニスＶ６２の調製＞＞
ＴＥＳＮＢ（０．３ｇ，０．０１３ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４８５】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（３．０×１０−３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（７．５×１０−４ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４８６】
上記のポリマーＰ３溶液（１０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、触媒前駆体として、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（Ｐｄ１２０６）（４．７０×１０−４ｇ，３．９０×１０−７ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６２を得た。
このワニスＶ６２を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４８７】
＜＜ワニスＶ６３の調製＞＞
Ｓｉ２Ｘ（０．７２ｇ，１．５６ｍｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４８８】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（７．２×１０−３ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（１．８×１０−３ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４８９】
上記のポリマーＰ４溶液（１０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、触媒前駆体として、Ｐｄ１４４６（３．２２×１０−３ｇ，２．２３×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６３を得た。
このワニスＶ６３を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４９０】
＜＜ワニスＶ６４の調製＞＞
ビス（ノルボルネンメチル）アセタール（ＮＭ２Ｘ）（１．００ｇ，０．１０４ｍｏｌ）を秤量しガラス瓶にいれた。
【０４９１】
このモノマー溶液に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（１．０×１０−２ｇ）、および、有機リン系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（０．２５×１０−３ｇ）を加え、モノマー酸化防止剤溶液を得た。
【０４９２】
上記のポリマーＰ１溶液（１０．０ｇ）に、モノマー酸化防止剤溶液（全量）、触媒前駆体として、Ｐｄ１４４６（３．３３×１０−３ｇ，２．３０×１０−６ｍｏｌ、メチレンクロライド０．１ｍＬ中）を加えてワニスＶ６４を得た。
このワニスＶ６４を０．２μｍの細孔のフィルターでろ過して使用した。
【０４９３】
＜＜ワニスＶ６５の調製＞＞
以下の２成分Ａ、Ｂを調製した。なお、すべての単量体は、使用に先立って乾燥窒素ガスを使用して脱ガスした。
【０４９４】
・成分Ａ
ＨｘＮＢ（３３ｇ，０．１８５ｍｏｌ）、および、ＳｉＸ（７．５ｇ，０．０２４７ｍｏｌ）の混合物に、０．２ｍＬのジクロルメタン中に溶解したアリルＰｄ−ＰＣｙ３ＴＦＡ（０．０１０７ｇ，１．９８×１０−５ｍｏｌ）を加え、この混合物に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（０．５０ｇ）を加えて、成分Ａとした。
【０４９５】
・成分Ｂ
ＳｉＸ（７．５ｇ，０．０２４７ｍｏｌ）の混合物中に、リチウムテトラキス（ペンタフルオルフェニルボレート）・２．５エーテラート（０．０６８９ｇ，７．９１×１０−５ｍｏｌ）を溶解させ、固形物が一旦完全に溶解されてから、その混合物に、ＨｘＮＢ（３３ｇ，０．１８５ｍｏｌ）を加えた。
【０４９６】
そして、この混合物に、フェノール系酸化防止剤として、ＩＲＧＡＮＯＸ  １０７６（１．０ｇ）を加え溶解させ、さらに、有機リン系酸化防止剤（相乗剤）として、ＩＲＧＡＦＯＳ  １６８（０．２５ｇ）を加えて、成分Ｂとした。
以上調製した各ワニスの組成を、下記表２、表３に要約する。
【０４９７】
【表２】
2006323241.tif 000023
【０４９８】
【表３】
2006323241.tif 000024
【０４９９】
４．光導波路構造体の作製および評価
４−１．光導波路構造体の作製
以下に示すようにして、実施例１〜１４および比較例の光導波路構造体を、それぞれ１０個ずつ作製した。
【０５００】
（実施例１）
まず、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５１を、４インチ厚みのガラス基板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた（ぬれた状態の厚さ：６０μｍ）。
【０５０１】
次に、これをホットプレートに置いて５０℃で１０分間加熱し、乾燥させた。続いて、１１０℃で１５分間、その後１６０℃で１時間硬化させ、下部クラッド層を形成した。
【０５０２】
次に、コア層形成用材料としてワニスＶ１を硬化させた下部クラッド層の表面に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた（ぬれた状態の厚さ：１４０μｍ）。
【０５０３】
その後、４５℃のホットプレート上に１０分間置き、乾燥させ、固体フィルムを形成した。
【０５０４】
ワニスＶ１から形成したフィルムに、フォトマスクを通してＵＶ光（波長：３６５ｎｍ）を照射し（照射量＝３０００ｍＪ／ｃｍ２）、室温で３０分間熟成させ、次に、４５℃で３０分間加熱し、８５℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で６０分間加熱し、コア層を得た。
【０５０５】
なお、直線状のコア部のパターンは、４５℃で３０分間加熱した時点で目視で確認することができた。
【０５０６】
次に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５１を、コア層の表面に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
【０５０７】
この塗布したガラス基板をホットプレートに置いて５０℃で１０分間加熱し、乾燥させた。
【０５０８】
続いて、１１０℃で１５分間、その後１６０℃で１時間硬化させ、上部クラッド層を形成し、ガラス基板上に、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
【０５０９】
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
【０５１０】
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
【０５１１】
（実施例２）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６３を使用した以外は、前記実施例１と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５１２】
（実施例３）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５６を、コア層形成用材料として、ワニスＶ２を使用した以外は、前記実施例１と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５１３】
（実施例４）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６０を、コア層形成用材料として、ワニスＶ３を使用し、コア層を形成する際に、ＵＶ光照射後の４５℃×３０分の加熱を省略した以外は、前記実施例１と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５１４】
（実施例５）
まず、シリコンウエハ基板上に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５３を、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた。
【０５１５】
これをホットプレートに置いて５０℃で１０分間加熱し、乾燥させた。続いて、１１０℃で１５分間、その後１６０℃で１時間加熱し、下部クラッド層を作成した。
【０５１６】
次に、下部クラッド層の上に、コア層形成用材料としてポリイミド前駆体のワニスＶ４をスピンコーターで塗布し、オーブンを用い、窒素雰囲気下にて、３００℃で１時間加熱し、コア層とした。
【０５１７】
次に、前記コア層上に、膜厚０．３μｍのアルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。さらに、前記アルミニウム層上に、ポジ型フォトレジスト（ジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂系、東京応化製、商品名ＯＦＰＲ−８００）を、スピンコート法により塗布した後、約９５℃でプリベークを行った。
【０５１８】
次に、直線光導波路パターン形成用のフォトマスク（Ｔｉ）を配置し、超高圧水銀ランプを用いて、紫外線を照射した後、ポジ型レジスト用現像液（ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化製、商品名ＮＭＤ−３）を用いて現像した。
【０５１９】
その後、１３５℃でポストベークを行った。次に、アルミニウム層のウエットエッチングを行い、レジストパターンをアルミニウム層に転写した。
【０５２０】
更に、パターニングされたアルミニウム層をマスクとして、コア層をドライエッチングにより加工した。
【０５２１】
次に、アルミニウム層をエッチング液で除去することで、直線状のコア部を形成した。
なお、コア部は、幅：５０μｍ、高さ（平均厚さ）：５０μｍとした。
【０５２２】
次に、得られたコア部の上から、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５３を垂らし、ドクターブレードで塗布し、下部クラッド層と同様の方法で、上部クラッド層を作成し、シリコンウエハ基板上に幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
【０５２３】
なお、得られた光導波路において、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
【０５２４】
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
【０５２５】
（実施例６）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６４を使用した以外は、前記実施例５と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５２６】
（実施例７）
まず、離型処理したガラス基板上に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５５をドクターブレードで塗布し、これをホットプレートに置いて５０℃で１０分間加熱し、乾燥させた。
【０５２７】
続いて、１１０℃で１５分間、その後１６０℃で１時間加熱し、下部クラッド層を作成した。
【０５２８】
その上に、コア層形成用材料として、前記クラッド層形成用材料よりも屈折率の高いＵＶ硬化型エポキシ樹脂（ＮＴＴ−ＡＴ製Ｅ３１３５）をスピンコートした後、フォトリソグラフィーにより、直接、直線状のコア部をパターニングした。
なお、コア部は、幅：５０μｍ、高さ（平均厚さ）：５０μｍとした。
【０５２９】
その後、クラッド層形成用材料として下部クラッド層を形成したものと同じワニスＶ５５をドクターブレードにて塗布し、下部クラッド層と同様にして、上部クラッド層を形成し、ガラス基板上に幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
【０５３０】
なお、得られた光導波路において、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
【０５３１】
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
【０５３２】
（実施例８）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６１を使用した以外は、前記実施例７と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５３３】
（実施例９）
まず、平均厚さ４５μｍの銅箔の粗化面上に、クラッド層形成用材料としてワニスＶ５９を垂らし、ドクターブレードでウエット厚み６０μｍに塗布し、これをホットプレートに置いて５０℃で１０分間乾燥したものを２枚作製し、導体層付き下部クラッド層、導体層付き上部クラッド層とした。
【０５３４】
次に、コア層形成用材料としてワニスＶ１を、石英ガラス基板の上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定の厚さに広げた（ぬれた状態の厚さ：１４０μｍ）。
【０５３５】
その後、４５℃のホットプレート上に１０分置き、乾燥させ、固体フィルムを形成した。
【０５３６】
フィルムにフォトマスクを通してＵＶ光（波長：３６５ｎｍ）を照射し（照射量＝３０００ｍＪ／ｃｍ２）、次にオーブン中で、４５℃で３０分間加熱し、次に８５℃で３０分間加熱し、さらに１５０℃で６０分間加熱し、コア層を形成した。
なお、直線状のコア部のパターンは、第一の加熱後、目視で確認することができた。
【０５３７】
前記コア層を石英ガラス基板から剥離し、十分な水で洗浄し、４５℃で１時間、オーブンで乾燥させた。
【０５３８】
前記コア層の両面に１２ｋＶにてコロナ処理を施し、上記の２つのクラッド層の間に挟み、１０ＭＰａの圧力を掛けながら１５０℃で１時間加熱プレスして、両面に銅層（導体層）を有する幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路構造体を得た。
【０５３９】
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）であり、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
【０５４０】
（実施例１０）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５７を使用した以外は、前記実施例９と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５４１】
（実施例１１）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５４を、コア層形成用材料として、ワニスＶ２を使用した以外は、前記実施例９と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５４２】
（実施例１２）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ６２を、コア層形成用材料として、ワニスＶ２を使用した以外は、前記実施例９と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５４３】
（実施例１３）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５２を、コア層形成用材料として、ワニスＶ３を使用し、コア層を形成する際に、ＵＶ光照射後の４５℃×３０分の加熱を省略した以外は、前記実施例９と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５４４】
（実施例１４）
クラッド層形成用材料として、ワニスＶ５８を、コア層形成用材料として、ワニスＶ３を使用し、コア層を形成する際に、ＵＶ光照射後の４５℃×３０分の加熱を省略した以外は、前記実施例９と同様にして、光導波路構造体を得た。
【０５４５】
（比較例）
まず、ワニスＶ６５において調製した成分Ａおよび成分Ｂを等量混合したワニスを、４インチ厚みのガラス基板上に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた（ぬれた状態の厚さ：３０μｍ）。
【０５４６】
これをクリーンオーブン中で、６５℃で１０分間、さらに１６０℃で１時間加熱硬化して下部クラッド層を形成した。
【０５４７】
次に、コア層形成用材料としてワニスＶ１を、硬化させた下部クラッド層の表面に注ぎ、ドクターブレードで実質的に一定厚さに広げた（ぬれた状態の厚さ：７０μｍ）。
【０５４８】
次に、これをホットプレートに置いて４５℃で１０分間加熱し、溶剤を蒸発させ、実質的に乾燥した固体フィルムを形成した。
【０５４９】
このフィルムにフォトマスクを通してＵＶ光を照射（照射量：３０００ｍＪ／ｃｍ２、波長：３６５ｎｍ）した後、４５℃のホットプレートで３０分間加熱したところ、直線状のコア部のパターンが出現した。
【０５５０】
得られたサンプルをクリーンオーブン中で、８５℃で３０分間、さらに１５０℃で６０分間加熱してパターニングされたワニスＶ１の硬化層（コア層）を得た。
【０５５１】
次に、クラッド層形成用材料として、下部クラッド層の用いたものと同じワニスを用い、下部クラッド層と同様の方法にて、コア層上に上部クラッド層を形成し、ガラス基板上に、幅０．５ｃｍ、長さ１０ｃｍの直線状の光導波路を得た。
【０５５２】
なお、得られた光導波路において、コア層の平均厚さは、５０μｍ（コア部の幅：５０μｍ）、クラッド層（上部および下部）の平均厚さは、５０μｍであった。
【０５５３】
次に、この光導波路を基板から剥離し、その両面に、それぞれ、ロールラミネート法により、平均厚さ４５μｍの銅層（導体層）を接合して、光導波路構造体を作製した。
【０５５４】
４−２．評価
４−２−１．光伝播損失の測定
各実施例および比較例の光導波路構造体に対して、それぞれ、光伝播損失を「カットバック法」を使用して測定した。
【０５５５】
これは、レーザダイオードから発生させた光を、光ファイバーを通して、コア部の一端から入力し、他端からの出力を測定し、コア部の長さを数段階の長さにカットして、各長さについて光出力を測定することにより行った。
【０５５６】
各長さのコア部での総光損失は、下記式で表される。
総光損失（ｄＢ）  ＝  −１０ｌｏｇ（Ｐｎ／Ｐｏ）
式中、Ｐｎは、Ｐ１、Ｐ２、…Ｐｎの各長さのコア部の他端での測定された出力であり、Ｐｏは、光ファイバーをコア部の一端に結合する前の光ファイバーの端部における光源の測定出力である。
【０５５７】
次に、総光損失は、図１４（チャート１）のようにプロットされる。このデータの回帰直線は、下記式によって表わされる。
ｙ＝ｍｘ＋ｂ
式中、ｍは、光伝播損失を示し、ｂは、結合損失（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｌｏｓｓ）を示す。
【０５５８】
なお、実施例５および６では、波長１３００ｎｍの光を用い、その他では、波長８５０ｎｍの光を用いた。
【０５５９】
４−２−２．密着性試験
各実施例および比較例の光導波路構造体に対して、それぞれ、コア層とクラッド層との密着性試験を行った。
【０５６０】
これは、コア層からクラッド層を９０°上方に引き剥がすピール試験により行った。
光伝播損失の測定および密着性試験の結果を、それぞれ、下記表４に示す。
【０５６１】
【表４】
2006323241.tif 000025
【０５６２】
なお、表中の各数値は、それぞれ、５個の平均値を示す。
表４からも明らかなように、各実施例の光導波路構造体は、いずれも、光伝播損失が小さく、光伝送性能が高いものであり、また、コア層とクラッド層との密着力が高いものであった。
【０５６３】
これに対して、比較例の光導波路構造体は、光伝播損失が大きく、かつ、コア層とクラッド層との密着力が低く、特性に劣るものであった。これは、コア層とクラッド層との界面における密着が悪く、一部において剥離が生じていることが原因となり、光伝搬損失も大きくなったものと考えられる。
【０５６４】
また、各実施例および比較例の光導波路構造体を、高湿度環境（６０℃、９０％ＲＨ、２０００時間）に曝した後、前記と同様にして光伝播損失の測定を行った。その結果、各実施例の光導波路構造体は、いずれも、高湿度環境に曝す前とほぼ変化が認められなかった。これに対して、比較例の光導波路構造体では、顕著な光伝播損失の増大が認められた。
【０５６５】
さらに、各実施例および比較例で作製した光導波路構造体（高湿度環境に曝す前のもの）の導体層を、それぞれ、パターニングして配線を形成し、所定の箇所に、発光素子および受光素子を実装して、複合装置を作製した。
【０５６６】
そして、これらの複合装置を動作させたところ、各実施例の光導波路構造体を用いた複合装置は、いずれも、比較例の光導波路構造体を用いた複合装置に対して、より高速での動作が可能なことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０５６７】
【図１】本発明の光導波路構造体の実施形態を示す斜視図（一部切り欠いて示す）である。
【図２】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１０】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１４】コア部の長さの変化に伴う総光損失の変化を示すチャートである。
【符号の説明】
【０５６８】
９          光導波路構造体
９０        光導波路
９１、９２  クラッド層
９３        コア層
９４        コア部
９５        クラッド部
９０１、９０２  導体層
９００      コア層形成用材料
９１０      層
９１５      ポリマー
９２０      添加剤
９２５      照射領域
９３０      活性放射線
９３５      マスク
９３５１    開口
９４０      未照射領域
９５１、９５２  支持基板
１０００    支持基板
１１１０    第１の層
１１２０    第２の層
１１３０    第３の層
２０００    積層体
【図１】
2006323241.tif 000027
【図２】
2006323241.tif 000028
【図３】
2006323241.tif 000029
【図４】
2006323241.tif 000030
【図５】
2006323241.tif 000031
【図６】
2006323241.tif 000032
【図７】
2006323241.tif 000033
【図８】
2006323241.tif 000034
【図９】
2006323241.tif 000035
【図１０】
2006323241.tif 000036
【図１１】
2006323241.tif 000037
【図１２】
2006323241.tif 000038
【図１３】
2006323241.tif 000039
【図１４】
2006323241.tif 000040