(57)【要約】【課題】二つの記録層(従来技術では情報層)間のクロストーク、クロスイレース、クロスライトが生じない光記録媒体の記録再生方法を提供する。【解決手段】記録再生の対象とする光記録媒体１については、記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッド５１を、光記録媒体１の円周方向を延長方向として設け、かつ反射膜５２を、前記金属グリッド５１に照射される光源と反対側に有するものとし、前記金属グリッド５１の延長方向に平行な偏光を持つ光(第一の光)により、前記金属グリッド５１により構成される第一層１１への記録再生を行うとともに、前記金属グリッド５１の延長方向に直交する偏光を持つ光(第二の光)により、前記反射膜５２により構成される第二層１２への記録再生を行う。【選択図】図３
2006155804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録再生の対象とする光記録媒体については、
記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の円周方向を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、
前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持つ光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、
前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持つ光(第二の光)により、前記反射膜により構成される第二層への記録再生を行うこと特徴とする記録再生方法。
【請求項２】
記録再生の対象とする光記録媒体については、
記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の動径方向(放射方向)を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、
前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持つ光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、
前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持つ光(第二の光)により、前記反射膜に  より構成される第二層への記録再生を行うこと特徴とする記録再生方法。
【請求項３】
記録再生の対象とする光記録媒体については、
記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の円周方向を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、
前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持ち、かつ、前記偏光方向における前記金属グリッドの共鳴周波数の光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、
前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持ち、かつ、前記偏光における前記金属グリッドの非共鳴周波数の光(第二の光)により、前記反射膜により構成される第二層への記録再生を行うこと特徴とする記録再生方法。
【請求項４】
記録再生の対象とする光記録媒体については、
記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の動径方向(放射方向)を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、
前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持ち、かつ、前記偏光方向における前記金属グリッドの共鳴周波数の光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、
前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持ち、かつ、前記偏光における前記金属グリッドの非共鳴周波数の光(第二の光)により、前記反射膜により構成される第二層への記録再生を行うこと特徴とする記録再生方法。
【請求項５】
前記金属グリッドからの第一の光の反射光、及び前記反射膜からの第二の光の反射光が、記録したい情報に対応するように、前記光記録媒体中の一部の透過率を製造時に変調して作製した光記録媒体に対し、
前記請求項１乃至４記載の何れか一項に記載の記録再生方法のうち、再生のみを行うことを特徴とする再生方法。
【請求項６】
前記金属グリッドからの第一の光の反射光、及び前記反射膜からの第二の光の反射光が、記録したい情報に対応するように、前記光記録媒体中の凹凸を製造時に変調して作製した光記録媒体に対し、
前記請求項１乃至４記載の何れか一項に記載の記録再生方法のうち、再生のみを行うことを特徴とする再生方法。
【請求項７】
前記金属グリッドからの第一の光の反射光、及び前記反射膜からの第二の光の反射光が、記録したい情報に対応するように、前記光記録媒体中の凹凸を製造時に変調して作製した光記録媒体に対し、
前記請求項１乃至４記載の何れか一項に記載の記録再生方法のうち、再生のみを行うことを特徴とする再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度大容量光記録媒体に対する記録再生方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来においては、高密度・高線速度なオーバーライトにおいて、高いＣ／Ｎ比、消去率を実現するべく、情報記録層を複数備えた構造の、各種光記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
これは、図３８に示すように、第１基板１０１上に、第１情報層１０２、分離層１０３、第２情報層１０４、第２基板１０５をこの順に積層し、第１情報層１０２については、第１基板１０１に近い側から順に、下側保護層１０６、記録層１０７、上側保護層１０８、反射層１０９、透過率向上層１１０を、順次備えた多層薄膜としたものとする。
これにおいては、第１基板１０１側より第１情報層１０４にレーザ光Ｌを集光・照射した時に形成されるマーク部分の反射率が、マークが形成されていないスペース部分の反射率より高く、光ビームの４０％以上が、第１情報層１０２を透過して第２情報層１０４に到達するようになされている。
【０００３】
また、従来においては、クロスイレースを抑制し、高密度の情報の記録再生に好適で、高密度・高線速度なオーバーライトにおいても消去率が高く、かつジッタの小さい情報の記録再生が可能な光記録媒体の検討がなされている（例えば、特許文献２参照。）。
これにおいては、図３９の光記録媒体に示すように、透明基板１１１上に、下側保護層１１２、記録層１１３、上側保護層１１４、中間層１１５、反射層１１６を順次積層し、熱伝導率を反射層、中間層、上側保護層の順に大きくなるようにし、記録層膜厚を４〜１６ｎｍとする。
また、中間層に代えて光吸収層を用い、光吸収層の屈折率が反射層の屈折率よりも２〜６大きく、反射層を光吸収層よりも厚く形成する。あるいは光吸収層の膜厚ｄ1が、この層の屈折率をｎ1、消衰係数をｋ1として、０．１λ／(ｎ1・ｋ1)≦ｄ1≦１．０λ／(ｎ1・ｋ1 )の範囲とする。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２４３６５５号公報
【特許文献２】特開２０００−２１５５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来技術１、２においては、光記録媒体に、２層の記録層(情報層)を設け、記録容量を２倍にしているが、光は２つの記録層（情報層）両方を通ることになるので、一方の記録層（情報層）の記録・再生時においては、他方の層の情報を消去してしまったり、書き換えてしまったりすることを回避しなければならない(クロスイレース、クロスライトの防止)。また、再生時には他方の層に記録された情報を再生してしまってはいけない(クロストークの防止)。
このため、記録されたマークの反射率や屈折率ｎ、消衰係数ｋの範囲を制御することが必要とされていたが、設計の自由度が狭くなるとともに、各層の材料定数や膜厚等についても厳しい制度が要求されるようになる。
また、記録層（情報層）が積層された構成であれば、他の記録層（情報層）を通った光が一の記録層(情報層)に照射されることになるので、再生信号のＣ／Ｎ（一般的なＳ／Ｎ）が、単層の記録層(情報層)を有する構成の光記録媒体に対して低くなってしまう。
【０００６】
そこで本発明においては、上記のような従来技術の欠点を解決し、光記録媒体の材料の特性及び膜厚等の精度が従来技術のように厳しくなくとも、二つの記録層(従来技術では情報層)間のクロストーク、クロスイレース、クロスライトが生ぜず、かつ、再生信号のＣ／Ｎが単層の光記録媒体と同等とすることが可能な光記録媒体の記録再生方法を提供することとした。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明においては、上述したような従来における問題点の解決を図るべく、鋭意検討した結果、下記の提案を行った。
請求項１に係る発明においては、記録再生の対象とする光記録媒体を、記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の円周方向を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持つ光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持つ光(第二の光)により、前記反射膜により構成される第二層への記録再生を行うものとする。
【０００８】
請求項２に係る発明においては、記録再生の対象とする光記録媒体を、記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の動径方向(放射方向)を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持つ光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持つ光(第二の光)により、前記反射膜に  より構成される第二層への記録再生を行うものとする。
【０００９】
請求項３に係る発明においては、記録再生の対象とする光記録媒体を、記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の円周方向を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持ち、かつ、前記偏光方向における前記金属グリッドの共鳴周波数の光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持ち、かつ、前記偏光における前記金属グリッドの非共鳴周波数の光(第二の光)により、前記反射膜により構成される第二層への記録再生を行うものとする。
【００１０】
請求項４に係る発明においては、記録再生の対象とする光記録媒体を、記録再生を行う光の波長以下の線幅、及び間隔の金属グリッドを、光記録媒体の動径方向(放射方向)を延長方向として設け、かつ反射膜を、前記金属グリッドに照射される光源と反対側に有するものとし、前記金属グリッドの延長方向に平行な偏光を持ち、かつ、前記偏光方向における前記金属グリッドの共鳴周波数の光(第一の光)により、前記金属グリッドにより構成される第一層への記録再生を行うとともに、前記金属グリッドの延長方向に直交する偏光を持ち、かつ、前記偏光における前記金属グリッドの非共鳴周波数の光(第二の光)により、前記反射膜により構成される第二層への記録再生を行うものとする。
【００１１】
請求項５に係る発明においては、前記金属グリッドからの第一の光の反射光、及び前記反射膜からの第二の光の反射光が、記録したい情報に対応するように、前記光記録媒体中の一部の透過率を製造時に変調して作製した光記録媒体に対し、前記請求項１乃至４記載の何れか一項に記載の記録再生方法のうち、再生のみを行うものとする。
【００１２】
請求項６に係る発明においては、前記金属グリッドからの第一の光の反射光、及び前記反射膜からの第二の光の反射光が、記録したい情報に対応するように、前記光記録媒体中の凹凸を製造時に変調して作製した光記録媒体に対し、前記請求項１乃至４記載の何れか一項に記載の記録再生方法のうち、再生のみを行うものとする。
【００１３】
請求項７に係る発明においては、前記金属グリッドからの第一の光の反射光、及び前記反射膜からの第二の光の反射光が、記録したい情報に対応するように、前記光記録媒体中の凹凸を製造時に変調して作製した光記録媒体に対し、前記請求項１乃至４記載の何れか一項に記載の記録再生方法のうち、再生のみを行うものとする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、光記録媒体の材料の特性及び膜厚等の精度が従来技術のように厳しくなくとも、二つの記録層(従来技術では情報層)間のクロストーク、クロスイレース、クロスライトが生ぜず、かつ、再生信号のＣ／Ｎが、単層の光記録媒体と同等程度に良好なものとすることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明するが、本発明は、以下の例に限定されるものではない。
【００１６】
図１に、本発明の記録再生方法を説明するための概略図を示す。
光記録媒体１は、回転モーター２の軸に接合され、簡単に取り外しができる可搬性のある、いわゆるリムーバブルメディアである。
光記録媒体１は、回転モーター２により、高速(線速にして数ｍ／秒)に回転しており、  光記録媒体１の表面に対向して光ピックアップ３が配置され、記録再生を行うためにレーザ光Ｌが照射されている。
光ピックアップ３は、直線運動をするアクチュエータ（図示せず）により光記録媒体１の動径方向(放射方向)に移動するようになされ、光ピックアップ３内にある微動のアクチュエータとともに、いわゆるトラッキング動作をする。
【００１７】
図２〜図４に、本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略図を示す。
なお、図２は、概略断面図であり、図３は、図２中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図４は、概略上面図である。
但し、図２の断面図は、図４の概略上面図において、図中に示す上下方向に切断した状態を示すものとする。
【００１８】
図２に示すように、光記録媒体１の基板２０上には、いわゆるランドとグルーブ溝が形成されている。
ランド上とグルーブ上には、図３に示すように、第一層１１と第二層１２とが中間分離層１３を介して積層されている。
第一層１１は、第一下側保護層２１、第一記録層３１、第一上側保護層４１とにより構成されている。
第一下側保護層２１は、スパッタ等により形成したＺｎＳ−ＳｉＯ2(以下ＺＮＳ)等の誘電体膜により形成されている。これは記録層を酸化から守ったり、レーザー光により加熱された記録層の放熱の速度を制御したりする機能を有している。
第一記録層３１は、スパッタ法等で形成したＡｇＩｎＳｂＴｅ（以下ＡＩＳＴ）等の相変化材料により形成されている。
この第一記録層３１は、膜形成直後はアモルファス状態であるが、製造時の初期化工程により多結晶状態になる。
使用時のレーザー光による加熱により温度が上昇し、レーザー光が照射されなくなったときからの冷却速度により再度アモルファス状態になったり、多結晶のままであったりする。この状態の違いにより情報を記録する。
第一上側保護層４１の製法、機能は第一下側保護層２１と同様である。
第一上側保護層４１上には、誘電体層５０が形成されており、この誘電体層５０の中に、金属グリッド５１が設けられている。
これは、図４の上面図に示すように、金属細線であり、その延長方向は光記録媒体１の円周方向と平行とされている。
また、その線幅及び間隔は、使用するレーザー光の波長より小さく、好ましくは波長の１／１０以下とする。
また、金属グリッド５１の厚さは、線幅の数分の一から数倍であるものとする。金属グリッドの構成材料としては、例えば、金、白金、アルミ、銅等が挙げられる。金属グリッド５１の動作については後述する。
【００１９】
中間分離層１３は、第一層１１と第二層１２間の熱遮断と、製造時に両者の成分が混じり合わないようにする等の目的のために設けられる。よって、必ずしも必須の構成要素ではない。
【００２０】
中間分離層１３の上には、第二層１２が形成されている。
第二層１２は、第二下側保護層２２、第二記録層３２、第二上側保護層４２により構成されている。
これらの層の役割、機能に関しては、上述した第一下側保護層２１、第一記録層３１、第一上側保護層４１と同様である。
【００２１】
第二上側保護層４２上には金属反射膜５１が形成されている。
この金属反射膜５１の機能、及び役割は、従来公知の光記録媒体の金属反射膜と同様であり、主に記録再生時のレーザー光からフォーカスやトラッキングのサーボ信号光や再生信号光を光ピックアップに反射すること、及び、第二記録層３２の冷却速度を速くするためにある。
【００２２】
また、第二層１２の上には、封止材料５３が形成されており、上述した各層を化学的、機械的に保護している。
【００２３】
次に、本発明における重要な役割を担う金属グリッド５１の動作について説明する。
図５に示すように、透明基板５５上に金属のストライプ形状のグリッドが形成されている。この金属グリッド５１のストライプの幅ａとピッチｄ (間隔＋幅)は、これに照射される光の波長よりも小さく、好ましくは１／１０以下となっている。
この金属グリッド５１は、金属ナノワイヤグリッド、あるいは単にナノワイヤグリッドと呼ばれることもある。
「ナノ」という言葉が使われている由来は、光記録媒体に使われている光(可視光)の波長は４００〜９００ｎｍ程度であることから、これの１／１０以下の線幅と間隔というと４０〜９０ｎｍとなり、金属グリッドの寸法がナノメータオーダになるためである。
上記のような状態で、入射光Ｌ1が、図中の右側から金属グリッド５１に照射される。ここで、金属グリッド５１の延長方向と平行に電界が偏光されている光の成分をＴEi、金属グリッドの延長方向と直交して電界が偏光されている光の成分をＴMiとする。また、金属グリッドから反射する光の内、金属グリッドの延長方向と平行に電界が偏光されている光の成分をＴEr、金属グリッドの延長方向と直交して電界が偏光されている光の成分をＴMr とする。
さらに、金属グリッドを透過する光の内、金属グリッドの延長方向と平行に電界が偏光されている光の成分をＴEt、金属グリッドの延長方向と直交して電界が偏光されている光の成分をＴMtとする。
【００２４】
金属グリッド５１に光が照射されると、金属グリッド５１を構成する各導線は導体であるから、金属グリッド５１中の自由電子は、光すなわち電磁波の作用を受け、それと同期して振動し、エネルギーの一部は熱となって失われ、残りは電気双極子放射による２次の散乱波として放出される。
金属グリッド５１の導線を、電磁波の波長に比べて充分に細い完全導体の直線導線と考えると、導線の延長方向が、入射する電磁波の電界方向と平行の場合は、導線中の自由電子は、導線の延長方向に、入射した光の電界に比例した振幅を持ち、同じ振動数で振動して全空間に２次散乱波を放出する電気双極子として振る舞う（図６）。
【００２５】
このような導線が電磁波の波長λよりも充分に短い幅ａとピッチｄ(ａ≪λ、ｄ≪λ)で等間隔に平行に配列している場合には、各導線による散乱波の干渉効果によって整反射の方向に強いピークを持つ反射が得られる。
【００２６】
つまり図５において、高い効率でＴEiは反射されてＴErとなる。
一方、整透過の方向には適当な条件下で散乱波と透過波が干渉して打ち消し合い、電磁波のエネルギーはほとんど流れない、つまり金属グリッドを透過しない。
従って、図５においてＴEiはほとんど透過せず、ＴEtは非常に小さくなる。
入射する光の周波数が、導線延長方向と平行な電界の偏光状態における自由電子の共鳴周波数よりも低いときは、この光に関しては完全導体に近い特性を示すと言っていいので、先に述べた、エネルギーの一部が熱となって失われることはほとんど無い。
しかし、自由電子が共鳴する周波数の光が照射された場合は、導線は不完全導体となり、その内部を流れる電流によって入射した光(電磁波)の相当部分が熱に変わってしまう(つまり吸収される)ことにより反射波の強度は低下する。
【００２７】
一方、導線の延長方向が、入射する電磁波の電界方向と直交する場合は、自由電子は空気や基板の誘電体(絶縁体)との境界で阻止されてほとんど動けないので、その電気双極子能率は、前記平行の場合と比べて無視できるほど小さい。
この場合自由電子は導電の表面から飛び出すことができないから、電場によってその表面に止まることになる。
これは誘電体の電子が原子核に拘束されて復元力を受け、原子内部に留まる振る舞いと等しいことになる。
従って、導線は金属で導体であるにもかかわらず、これに直交する電界の偏光に対しては、電磁波(光)はこれを素通りすることになる。
つまり図５において、ＴMiはほとんど反射されずＴMrは小さく、高い効率で透過してＴMtとなる。
導線を円筒形と仮定し、その直径をａ、ピッチをｄとすると、下記理論式（１）、（２）より、ａ＝ｄ／２πにおいて、ＴE透過率＝０となる。
【００２８】
【数１】
2006155804.tif 000003
【００２９】
【数２】
2006155804.tif 000004
【００３０】
ここで、ａ≪λ、ｄ≪λであれば、ＴEの透過率は、ほぼ０、ＴMの透過率はほぼ１となる。
但しここでは、入射する光の周波数を導体中の電子が共鳴する周波数より低くしている場合を述べた。
【００３１】
図７には入射する光の周波数に対する各偏光の反射率、図８には吸収率、図９には透過率を示した。
上記周波数の条件とは、それぞれの偏光に対して導線の金属内電子が共鳴を起こす周波数ωE、ωRよりも低い周波数、例えばω1に、照射光の周波数を設定した場合をいう。
従って、反射率に関してはＴEr／ＴEiが大きく、ＴMr／ＴMiは小さい。また、ＴMt／ＴEiは大きく、ＴEt／ＴMiは小さい。
また共鳴は起こさないので、吸収率はＴEa、ＴMaとも小さい。
【００３２】
次に、本発明に基づき記録再生を行う具体的な光ピックアップの構成を図１０を参照して説明する。
なお、光の進行方向についての説明を、図１０中の破線で囲まれた欄に示した。
【００３３】
半導体レーザーＬＤTEは、金属グリッドの導線の延長方向に平行な偏光の光ＴEiを放つ。
この光は、コリメータレンズ７１と無偏光ビームスプリッタＢＳを通って、偏光ビームスプリッタＰＢＳにより反射され光記録媒体１へ向かい、対物レンズ７２により基板側から光記録媒体１上に集光される。
【００３４】
一方、ＬＤTMは、金属グリッドの導線の延長方向と直交する偏光の光ＴMiを放つ。
この光はコリメータレンズ７３と無偏光ビームスプリッタＢＳを通って、偏光ビームスプリッタＰＢＳを透過して光記録媒体１へ向かい、対物レンズ７２により基板側から光記録媒体１上に集光される。
【００３５】
ＴEiは、先に述べたように金属グリッド５１に反射され、ＴErとなる。
また、金属グリッド５１は透過しないので、第二層１２にはなんの作用も施さない。
つまりＴEiに関しては、金属グリッド５１は一般的な金属反射膜と同じ役割を果たす。
金属グリッド５１の下(基板側)には、第一上側保護層４１、第一記録層３１、第一下側保護層２１があるので、これらによりＴErは多重反射する。これにより記録時は記録層にエネルギーが集中し、記録感度が高くなるようになる。
また、再生時には記録層内のアモルファス状態のマーク(一般に相変化マークといわれている)と、その周りの多結晶状態の部分(一般的には結晶フィールドといわれている)とのコントラストが高くなるようになる。
この部分に限って言えば、要するに、どちらも従来の単層の相変化型光ディスクと同じ動作となる。
よって、ＴErは再生信号光(同時にフォーカスやトラッキングの信号光として)対物レンズ側に反射される。これはＰＢＳで反射され、ＢＳでさらに反射され集光レンズを通って、フォトダイオードＰＤTEに入射され電気信号に変換される。
この信号から、第一記録層３１の再生信号やフォーカス・トラッキングエラー信号が生成される。
【００３６】
一方、ＴMiは、上述したように金属グリッド５１を透過し、ＴMtとなる。
つまりＴMiに関しては、金属グリッド５１は透明膜とほぼ同じであり、この偏光の反射光ＴMrは非常に小さい。
従って、ＴMrは第一層構成ではほとんど多重反射を生じない。つまり金属グリッド５１はＴMiに関しては、第一層１１にはなんの作用も及ぼさない。
【００３７】
透過したＴMtは、透明な中間分離層１３を通り、さらに、第二下側保護層２２、第二記録層３２、第二上側保護層４２を通って、金属反射膜５２に達する。金属反射膜５２は第二下側保護層２２、第二記録層３２、第二上側保護層４２とともに、ＴMtを多重反射し、記録感度と再生コントラストが向上する。この部分に限って言えば、従来の単層の相変化型光ディスクと同じ動作となる。
ＴMr(ここでのＴMrは、図５のそれとは異なり、ＴMtが第二層において上記のような多重反射をした後に光記録媒体１から光ピックアップ側に反射される光をいう)は、再生信号光(同時にフォーカスやトラッキングの信号光として)対物レンズ側に反射される。これはＰＢＳを透過し、ＢＳで反射され集光レンズを通って、フォトダイオードＰＤTMに入射され電気信号に変換される。この信号から、第二記録層３２の再生信号やフォーカス・トラッキングエラー信号が生成される。
【００３８】
上記のように、ＴEiにより第一記録層３１のみに記録再生を、ＴMiにより第二記録層３２のみに記録再生を、同時かつ独立に行うことができる。
従って、記録・再生のビットレートが従来の２倍になる。
金属グリッド５１は、偏光方向に関しての透過と反射の比（消光比）が高いので、第一層と第二層の選択比が高いと言える。
一方、従来技術においては、上述したようなことができないため、反射と透過の中間の状態を、厳しい材料特性・膜厚の条件を満たすことにより第一層と第二層への記録再生選択を行っていたのであるが、本発明方法のように高い選択性を実現することは極めて困難であった。
すなわち、本発明によれば、光記録媒体の材料の特性及び膜厚等の精度について従来技術のように厳しく制御しなくても、二つの記録層間のクロストーク、クロスイレース、クロスライトが生ぜず、かつ、再生信号のＣ／Ｎが、単層の光記録媒体を適用した場合と同等程度にすることができた。
【００３９】
図１１〜図１３に、請求項１に係る記録再生方法に適用する光記録媒体構造の他の一例の概略図を示す。
図１１は、概略断面図であり、図１２は、図１１中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図１３は、概略上面図である。
但し、以下の説明においては、前記図２〜図４の光記録媒体１と共通の箇所については、同一記号を適用する。
【００４０】
この例における光記録媒体の基板には、ランドとグルーブは形成されていない。
金属グリッド(導線の集合)５１の間隔が離れており（図１３では判りやすくするために上面図に破線で金微粒子列の並びを示してある）、これが実質上のトラックとなり、トラッキングエラー信号を得ることができる。
これは既に実用化されているCD-ROMやDVD-ROMのトラッキング動作と同様である。
これらの光ディスクでは情報を記録しているピット列がトラッキングエラー信号を与えることになる。
他の構成・動作については第一実施例と同様であり、それぞれの箇所の説明を省略する。
【００４１】
図２〜図４、及び図１１〜図１３に示した光記録媒体１においては、基板側から記録再生用のレーザー光を照射しているが、材料や構成に従い、記録材料側からレーザー光を照射するようにしても良い。
基板の材料、及び光記録材料は、従来公知の材料をいずれも適用でき、基板材料としては例えばポリカーボネートが好適である。
また、記録層構成材料としては、上述した例におけるＡＩＳＴに限定されず、その他の相変化材料、例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＡｕＧｅＳｎＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ等でも良い。
また、記録材料は、相変化材料に限定されず、熱により記録可能な材料、例えばフタロシアニンやアニリン等の有機色素等も適用できる。
また、保護層は必要に応じて形成する。
【００４２】
次に、請求項２に係る発明に対応する実施の形態について説明する。
図１４〜図１６に、本例において適用する光記録媒体構造の他の一例の概略図を示す。
図１４は、概略断面図であり、図１５は、図１４中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図１６は、概略上面図である。
なお、図１４は、図１６を図中に示す方向で左右方向に切断した場合の状態を示しているものとする。
但し、以下の説明においては、前記図２〜図４の光記録媒体１と共通の箇所については、同一記号を適用する。
【００４３】
この例においては、金属グリッド５１の導線の延長方向を、光記録媒体１の動径方向(放射方向)に平行に配置している。
従って、これに用いる光ピックアップの構成では、図１０を光記録媒体１に対して９０度回転した方向に配置したものとなる。
すなわち、図１０では、ＴMi、ＴMrは、光記録媒体１の動径方向に平行であり、ＴEi、ＴErは、光記録媒体１の円周方向に平行であったが、本例における光記録媒体に対応した場合は、ＴMi、ＴMrは、光記録媒体１の円周方向に平行であり、ＴEi、ＴErは光記録媒体１の動径方向に平行とする。それ以外の動作、構成については上述した例と同様であるため、説明を省略する。
【００４４】
なお、図１６の上面図の実線に示すように、基板上にランドグルーブが形成されていてもよく、金属グリッド列の間隔を離して形成することによって、基板にはランドグルーブを設けない構成であってもよい（図１７〜図１９）。
但し、この場合、図１７は、図１９を図中に示す方向で上下方向に切断した場合の状態を示しているものとし、図１９の破線が金属グリッドを示している。
【００４５】
次に、請求項３に係る発明に対応する実施の形態について説明する。
図２０〜図２２に、本例において適用する光記録媒体構造の他の一例の概略図を示す。
図２０は概略断面図であり、図２１は、図２０中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図２２は、概略上面図である。
なお、図２０は、図２２を図中に示す方向で上下方向に切断した場合の状態を示しているものとする。
以下の説明においては、前記図２〜図４の光記録媒体１と共通の箇所については、同一記号を適用する。
【００４６】
この例においては、第一記録層３１と第二記録層３２に、光記録媒体１の製造時に、記録したい情報に対応して透過率を変化させたマークを予め記録しておく。
従って、ユーザが使用するときには再生専用の光記録媒体となる。
これ以外の光記録媒体の構成や再生に必要な光ピックアップの構成・動作は、上述した請求項１に係る発明の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
また、本例では、上述した請求項１に係る発明の実施形態に対応した構成の光記録媒体１を例に挙げて示したが、これに限定されることはなく、金属グリッド５１の延長方向が光記録媒体１の動径方向である場合(上述した請求項２に係る発明の例)も適用可能である。また、基板２０上にランドグルーブを形成しない構成の光記録媒体であっても良い。
【００４７】
次に、請求項４に係る発明に対応する実施の形態について説明する。
図２３〜図２５に、本例において適用する光記録媒体構造の他の一例の概略図を示す。
図２３は概略断面図であり、図２４は、図２３中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図２５は、概略上面図である。
なお、図２３は、図２５を図中に示す方向で上下方向に切断した場合の状態を示しているものとする。
以下の説明においては、前記図２〜図４の光記録媒体１と共通の箇所については、同一記号を適用する。
【００４８】
光記録媒体１の基板２０は、スタンパにより記録したい情報に対応した凹凸が形成されている。凹凸の高さは、使用する光の、光記録媒体中の波長の１／４にする。
基板２０上形成された誘電体層５０中には金属グリッド５１が埋め込まれている。このグリッド５１の高さは、ピットを有する基板２０の工程に倣っている。既に述べたように、金属グリッド５１は、ＴEiの偏光の光に対しては反射膜と同じ働きをするから、ピットにある金属グリッド５１で反射されたＴErの光と、その周りの平面で反射されたＴErの光が干渉して、ＴEiの光がピットに照射されたときには全体の反射光ＴErが減少する。これにより第一層１１に記録されている情報(ここでは基板にピットにより製造時に記録されている)を読み出すことができる。
金属グリッド５１の働き以外は、いわゆるＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭと同様の原理である。
【００４９】
また、先に述べたと同様に、ＴEiは金属グリッド５１を透過できないから、第二層１２に記録されている情報は、光記録媒体１からのＴErには含まれていない。
【００５０】
方、ＴMiは先に述べたように、金属グリッド５１を透過し、ＴMtとなり、金属反射膜５２に到達する。
しかし、金属反射膜５２の基板２０側には誘電体である中間分離層１３があり、ここにも第一層１１に記録されていた情報とは別の独立した情報に対対応したピットが形成されている。従って、第一層１１と同様に、この情報を再生することができる。
【００５１】
金属反射膜５２で反射された光は、金属グリッド５１を通って光記録媒体の基板２０側に向かうが、金属グリッド５１は、ＴMと偏光に対しては透過するだけであるから、第一層１１による干渉は生じないため、ＴM偏光の光記録媒体からの反射光ＴMr(ここでのＴMrは、図５のそれとは異なり、ＴMtが第二層１２において上記のような干渉・反射した後に光記録媒体１から光ピックアップ側に反射される光をいう)から、第二層１２に記録されている情報のみを再生することができる。
【００５２】
上述したように、ＴEiにより第一層１１に記録されている情報のみを再生し、ＴMiにより第二層１２に記録されている情報のみを再生することを、同時かつ独立に行うことができる。
【００５３】
金属グリッド５１は、偏光方向に関しての透過と反射の比(消光比)が高いので、第一層１１と第二層１２の選択比が高いということができる。
一方、従来公知の技術の場合は、このようなことができないために、反射と透過の中間の状態を、厳しい材料特性・膜厚の条件を満たすことにより第一層１１と第二層１２への記録再生選択を行うのであるが、本発明のように高い選択性を実現することは困難である。
よって、本発明は、光記録媒体の材料の特性及び膜厚等の精度が従来技術のように厳しく制御しなくても、二つの記録層間のクロストークが生ぜず、かつ、再生信号のＣ／Ｎが、通常の光記録媒体と同等とすることができる。
【００５４】
本例において、記録再生を行う具体的な光ピックアップの構成を、図２６に示す。
なお、図中に示した記号については、図１０の下欄に記載した説明を適用する。
また、図２６においては、適用する光記録媒体１は、図２３〜図２５に示したものとするが、図２０〜図２２に示した光記録媒体を適用してもよい。
【００５５】
半導体レーザーＬＤTMは、金属グリッド５１の導線の延長方向と直交する偏光の光ＴMiを放つ。この光はコリメータレンズ７１を通った後に、λ／４板により円偏光になる。
さらに無偏光ビームスプリッタＢＳを通って、光記録媒体１へ向かい、対物レンズ７２により基板側から光記録媒体１上に集光される。
円偏光の光にはＴEiとＴMiの両方の偏光成分が含まれている。そのうち、ＴEiの偏光光に関しては、先に述べた理由により金属グリッド５１により反射されるが、ＴMiの偏光光に関しては透過する(透過光はＴMt)。
【００５６】
先に述べたように、光記録媒体１からの反射光の内、金属グリッド５１の導線延長方向に平行な偏光の反射光ＴErから第一層１１に記録されている情報を再生できる。
同様に、金属グリッド５１の導線延長方向と直交する偏光の反射光ＴMrから第二層１２に記録されている情報を再生できる。具体的方法を図２６で説明する。
ＴErとＴMrは対物レンズ７２で拾われた後にＢＳにより反射され、ＰＢＳに入る。ＰＢＳは、ＴErだけを反射し、集光レンズを通って、フォトダイオードのＰＤTEに入射する。ＰＤTEの出力から第一層１１に記録された情報のみを再生することができる。
また、ＰＢＳは、ＴMrだけを透過し、集光レンズを通って、フォトダイオードのＰＤTMに入射する。
ＰＤTMの出力から第二層１２に記録された情報のみを再生することができる。
同時にフォーカシング制御とトラッキング制御も、どちらかのフォトダイオードの出力から行うことができる。
【００５７】
本例の光ピックアップは、先の記録型のそれとは異なり、一つの半導体レーザーで再生することができる。
また、第一層１１と第二層１２にそれぞれ記録された情報は同時に再生することができるので、再生のビットレートが従来の２倍になる。
なお、金属グリッド５１の延長方向が、光記録媒体１の動径方向である場合(請求項２に係る発明)も同様に適用可能である。また、上述した請求項１に係る発明の例のように、基板上にランドグルーブを形成しない構造の光記録媒体も同様に適用できる。
【００５８】
次に、請求項５に係る発明に対応する実施の形態について説明する。
図２７〜図２９に、本例において適用する光記録媒体構造の他の一例の概略図を示す。
図２７は概略断面図であり、図２８は、図２７中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図２９は、概略上面図である。
なお、図２７は、図２９を図中に示す方向で上下方向に切断した場合の状態を示しているものとする。
以下の説明においては、前記図２〜図４の光記録媒体１と共通の箇所については、同一記号を適用する。
【００５９】
光記録媒体１の基板２０には、いわゆるランドグルーブ溝が形成されている。
ランド上とグルーブ上には、第一層１１、中間分離層１３、第二層１２が形成されている。
第一層１１は、記録材料からなる記録層中に金属グリッド５１が埋設された構成となっている。
記録材料としては、それ自身が使用される光の波長で吸収を示し、熱を発生し、その熱により記録される材料、例えばフタロシアニンやアニリン等の有機色素等が好適である。
あるいはポリカーボネートのような可視光をほとんど吸収しない材料でも良い。
【００６０】
金属グリッド５１は、図２９の上面図に示すように、金属細線であり、その延長方向は光記録媒体の円周方向と平行である。
また、その線幅及び間隔は、使用するレーザー光の波長より小さいものとし、好ましくは波長の１／１０以下とする。
また、その厚さは線幅の数分の一から数倍である。
金属の種類としては金、白金、アルミ、銅等が挙げられる。金属グリッド５１の動作については後述する。
【００６１】
中間分離層１３は、第一層１１と第二層１２間の熱遮断と、製造時に両者の成分が混じり合わないようにする等の機能を有している。しかし、必要に応じて省略してもよい。
【００６２】
中間分離層１３上には、第二層１２が形成されている。第二層１２は記録材料のみにより構成されている。材料の種類としては、それ自身が使用される光の波長で吸収を示し、熱を発生し、その熱により記録される材料、例えばフタロシアニンやアニリン等の有機色素等が適用できる。
【００６３】
第二層（第二記録層）１２上には、金属反射膜５２が設けられている。
この機能は、従来公知の光記録媒体を構成する金属反射膜と同様で、主に記録再生時のレーザー光からフォーカスやトラッキングのサーボ信号光や再生信号光を光ピックアップに反射すること、及び、第二記録層の冷却速度を制御することである。
金属反射膜５２上には、封止材料５３があり、上記各層を化学的、機械的に保護している。
【００６４】
上述したような構成の光記録媒体１への記録・再生を行う光ピックアップの構成としては、図１０に示すものが挙げられる・
但し、この場合の半導体レーザーの周波数は、図７〜図９に示すωEとする。
このωEは、図８の曲線ａに示すように、金属グリッドにＴEi(導線延長方向に偏向した光)が入射した場合に、金属グリッドが共鳴を起こし、ＴEiを吸収し、熱(ジュール熱)を発生する周波数である。これを共鳴周波数という。共鳴周波数では、図７の曲線ａに示すように、反射率は低い。この共鳴周波数は金属グリッド５１の形状、寸法及び周囲の材料の誘電率により決定される。特に周囲材料の誘電率には敏感で、これが変化すると共鳴周波数が変わり、誘電率が変化する前の共鳴周波数の光を金属グリッド５１に照射しても共鳴が生じなくなる。つまり反射するようになる。なお、ＴMiを入射した場合は、この偏光で金属グリッド５１が共鳴を生じる周波数ωMがある。
【００６５】
ωEでの反射率と透過率は下がる(図７、図９)。しかし吸収率は上がる（図８）。
この周波数のＴEiとＴMiの光が、図２７〜図２９の光記録媒体に照射された場合を考える。
まず、ＴEiに関して、情報が記録されない程度にＬＤTEのパワーを絞った場合、金属グリッド５１は共鳴を起こし、熱を発生するが、第一記録層１１の材料を変性させるほどの熱は発生しない。従って、未記録の第一記録層１１からの反射光ＴErは非常に小さい。
第一層１１への記録を行うためには、ＬＤTEのパワーを記録できる程度に大きくする。
金属グリッド５１に照射されるＴEiのパワーが増えると、金属グリッド５１が吸収する光エネルギーも増えるので、熱が多く発生する。この熱により第一記録層１１が変成する。変成すると、変成した部分の誘電率(したがって屈折率)が変化し、これにより、図８の曲線ｂに示すように、共鳴周波数がずれる。そして、図７の曲線ｂに示すように反射率も変化する。
【００６６】
この後も、金属グリッド５１に周波数ωEの光ＴEiを照射すると(この場合は、記録時よりも小さい、再生のみに必要なパワー)グリッドは光を吸収せず、反射するようになる。
その反射率の変動分が、図８のΔＴEａである。つまり、記録を行った部分は、記録前によりも反射光ＴEａが増える。以上のように第一記録層への記録及び再生が行われる。
ＴMiに関して、金属グリッドは、図９に示すように、記録前（ａ）後（ｂ）において高い透過率を示すので、第一記録層１１には何ら変化を及ぼさない。また、光記録媒体１からの、ＴM偏光の反射光ＴMrには第一記録層１１に記録した情報は混信しない。
【００６７】
ＴMiに関しては、図８に示すように、ωEにおいて高い透過率を示すので、第二記録層１２、反射層５２に到達する。第二記録層１２はωEの周波数の光を吸収するので、通常の記録型光ディスクと同様に記録材料が変性し、情報が記録される。
また再生も、反射層５２からの反射光ＴMrは金属グリッド５１を透過するので、通常の記録型光ディスクと同様に再生が行われる。
【００６８】
記録再生を行う光ピックアップの構成・動作に関しては、上述した請求項１に係る発明の実施形態（図１０で説明したもの）と同様の動作であるため、説明を省略する。
【００６９】
上述したように、ＴEiにより、第一記録層１１のみに記録再生を、ＴMiにより第二記録層１２のみに記録再生を、同時かつ独立に行うことができる。
従って、記録・再生のビットレートが従来の２倍になる。
金属グリッド５１は、偏光方向に関しての透過と反射の比(消光比)が高いので、第一層と第二層の選択比が高いということができる。
一方、従来技術の場合は、このようなことができないために、反射と透過の中間の状態を、厳しい材料特性・膜厚の条件を満たすことにより第一層と第二層への記録再生選択を行うのであるが、本発明のように高い選択性を実現することは困難であった。
よって、本発明は、光記録媒体の材料の特性及び膜厚等の精度を、従来技術のように厳しく制御しなくても、二つの記録層間のクロストーク、クロスライトが生ぜず、かつ、再生信号のＣ／Ｎについて、通常の光記録媒体と同等とすることができる。
【００７０】
なお、上記においては、請求項１に係る発明の例のように、ランドグルーブを形成した構成の光記録媒体を適用して説明したが、本発明は、特に限定されることはなく、ランドグルーブを形成しない構成の光記録媒体を適用してもよい。
【００７１】
また、記録層の材料としては相変化材料のような書き換えが可能なものを使っても良い。
なお、上記例では、第二記録層に記録再生する光の波長を第一記録層のそれと同じとしたが、特にこれに限定されるものではなく、金属グリッド５１の導線延長方向に直交する方向の偏光に対して、金属グリッド５１が共鳴を起こさない波長であればよい。
【００７２】
次に、請求項６に係る発明に対応する実施の形態について説明する。
本例においては、金属グリッド５１の方向が、図１４〜図１６に示した例と同様に、導線の延長方向を、光記録媒体１の動径方向(放射方向)に平行に配置している。
層構成は、上述した請求項５に係る発明の例と同様であるので、説明を省略する。
また、これに用いる光ピックアップの構成は、図１０に示した構成のものを、光記録媒体１に対して９０度回転した方向に配置したものとなる。
つまり、図１０では、ＴMi、ＴMrは光記録媒体１の動径方向に平行であり、ＴEi、ＴErは光記録媒体１の円周方向に平行であったが、本請求項の光記録媒体に対応した場合は、ＴMi、ＴMrは光記録媒体１の円周方向に平行であり、ＴEi、ＴErは光記録媒体１の動径方向に平行とする。
それ以外の動作、構成については、上述した請求項５に係る発明の例と同様であるので、説明を省略する。
なお、本例では、ランドグルーブが形成されている構成の光記録媒体を適用する場合について示したが、図１７〜図１９に示した光記録媒体のように、金属グリッド５１列の間隔が離れているものとして基板２０は平面とした構成でも良い。
【００７３】
なお、上記実施例では、第二記録層に記録再生する光の波長を第一記録層のそれと同じとしたが、特にこれに限定されるものではなく、金属グリッド５１の導線延長方向に直交する方向の偏光に対して、金属グリッド５１が共鳴を起こさない波長であればよい。
【００７４】
次に、請求項７に係る発明に対応する実施の形態について説明する。
図３０〜図３２に、本例において適用する光記録媒体構造の他の一例の概略図を示す。
図３０は概略断面図であり、図３１は、図３０中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図３２は、概略上面図である。
なお、図３０は、図３２を図中に示す方向で上下方向に切断した場合の状態を示しているものとする。
以下の説明においては、前記図２〜図４の光記録媒体１と共通の箇所については、同一記号を適用する。
【００７５】
この例においては、基板２０に、いわゆるランドグルーブ溝が形成されている。
ランド上とグルーブ上には、第一層１１、中間分離層１３、第二層１２が形成されている。
第一層１１は、ポリカーボネートのような可視光をほとんど吸収しない材料からなる記録層の中に、金属グリッド５１が埋設された構成を有している。
但し、第一層１１には製造時に予め記録されたマーク８１があり、このマーク部分は他の第一層１１の部分とその誘電率(屈折率)が異なる。
【００７６】
金属グリッド５１の構成については、上述した例と同様のものとし、説明を省略する。
中間分離層１３は、第一層１１と第二層１２間の熱遮断と、製造時に両者の成分が混じり合わないようにする等の機能を有している。しかし、必要に応じて省略してもよい。
【００７７】
中間分離層１３上には、第二層１２が形成されている。
第二層１２は、第二下側保護層２２、第二記録層３２、第二上側保護層４２、金属反射膜５２で構成されている。
第二下側保護層２２と第二上側保護層４２は、スパッタ等で形成したＺｎＳ−ＳｉＯ2(以下ＺＮＳ)等の誘電体膜により構成されている。これは記録層を酸化から保護する機能を有している。
【００７８】
ここでは第一記録層１１と第二記録層３２に光記録媒体の製造時に、記録したい情報に対応して透過率を変化させたマーク８１、８２を予め記録しておく。
従って、ユーザが使用するときには再生専用の光記録媒体となる。
【００７９】
上述したような構成の光記録媒体に、図２６に示した光ピックアップを使用した場合を以下に説明する。
まず、第一記録層のマーク８１部分の誘電率が、光ピックアップからの入射光のうち、ＴEiに関して共鳴するように設定されている。
また、第一記録層のマーク８１部分以外の誘電率は共鳴しないように設定されている。
これら設定は製造時に行われる。つまり、光ピックアップの入射光の周波数は、図７におけるωEに設定されていて、さらに、マーク部分はａの反射特性を持つので、ＴEiを吸収する。
従って、光ピックアップ側への反射光ＴErは少ない。
【００８０】
一方、マーク以外の部分については、ｂの反射特性に設定されているので、反射率は大きく、反射光ＴErは多い。
従って、反射光ＴErから、第一層に予め製造時に記録されている情報を再生することができる。
【００８１】
また、上述したと同様に、ＴEiは金属グリッド５１を透過できないから、第二層１２に記録されている情報は、光記録媒体からのＴErには含まれていない。
【００８２】
一方、ＴMiは、上述したように、金属グリッド５１を透過し、ＴMtとなり、金属反射膜５２に到達する。
第二記録層３２のマーク部分は、他の部分よりもその透過率が低くなっている。
また、第二層１２の構成により、多重反射し、光ピックアップ側に反射していくので、マークと非マーク部分間のコントラスト(再生コントラスト)が向上する。
【００８３】
金属反射膜５２で反射された光は、金属グリッド５１を通って光記録媒体の基板２０側に向かうが、金属グリッド５１は、ＴMと偏光に対しては透過するだけであるから、第一層１１による干渉は生じないため、ＴM偏光の光記録媒体１からの反射光ＴMr(ここでのＴMrは、
図５の場合とは異なり、ＴMtが第二層１２において上記のような干渉・反射した後に光記録媒体１から光ピックアップ側に反射される光をいう）から、第二層１２に記録されている情報のみを再生することができる。
【００８４】
フォーカスやトラッキングのサーボ信号光に関しては、上述した実施例と同様である。
なお、本実施例では、マーク部分は共鳴、非マーク部分は非共鳴というように光記録媒体製造時に設定した場合を述べたが、この逆の場合、つまり、マーク部分は非共鳴、非マーク部分は共鳴というように光記録媒体製造時に設定しても良い。
【００８５】
図３３〜図３５に、本発明において適用する光記録媒体の、他の一例の概略構造図を示す。
図３３は概略断面図であり、図３４は、図３３中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図であり、図３５は、概略上面図である。
なお、図３３は、図３５を図中に示す方向で上下方向に切断した場合の状態を示しているものとする。
以下の説明においては、前記図２〜図４の光記録媒体１と共通の箇所については、同一記号を適用する。
【００８６】
一方、ＴMiは、上述したように、金属グリッド５１を透過し、ＴMtとなり、金属反射膜５２に到達する。しかし、金属反射膜５２の基板２０側には誘電体である中間分離層１３があり、ここにも第一層１１に記録されていた情報とは別の独立した情報に対対応したピットが形成されている。その高さは、使用する光の、光記録媒体中の波長の１／４にする。
【００８７】
ピットにある金属反射膜５２で反射されたＴMrの光と、その周りの平面で反射されたＴMrの光が干渉して、ＴMiの光が第二記録層のピットに照射されたときには、全体の反射光ＴMrが減少する。これにより第二層１２に記録されている情報(ここでは基板にピットにより製造時に記録されている)を読み出すことができる。
従って、第一層１１と同様に、この情報を再生することができる。
【００８８】
金属反射膜５２で反射された光は金属グリッド５１を通って光記録媒体の基板２０側に向かうが、金属グリッド５１は、ＴMと偏光に対しては透過するだけであるから、第一層１１による干渉は生じないため、ＴM偏光の光記録媒体１からの反射光ＴMr(ここでのＴMrは、図５の場合とは異なり、ＴMtが第二層１２において上記のような干渉・反射した後に光記録媒体１から光ピックアップ側に反射される光をいう)から、第二層１２に記録されている情報のみを再生することができる。
【００８９】
光ピックアップが、ＴErとＴMrを分離して再生する動作については既に述べたとおりである。
【００９０】
以上のように、本発明によれば、ＴEiにより第一記録層のみに再生を、ＴMiにより第二記録層のみに再生を、同時かつ独立に行うことができる。
従って、再生のビットレートが従来の２倍になる。
金属グリッド５１は偏光方向に関しての透過と反射の比(消光比)が高いので、第一層１１と第二層１２の選択比が高くなる。
一方、従来公知の技術の場合は、このようなことができないために、反射と透過の中間の状態を、厳しい材料特性・膜厚の条件を満たすことにより第一層１１と第二層１２への記録再生選択を行うのであるが、本発明のように高い選択性を実現することは困難である。
【００９１】
すなわち、本発明は、光記録媒体の材料の特性及び膜厚等の精度を従来技術のように厳しく制御しなくても、二つの記録層間のクロストークが生ぜず、かつ、再生信号のＣ／Ｎを、通常の光記録媒体と同等とすることができる。
【００９２】
なお、上記の例においては、ランドグルーブを形成した構成の光記録媒体を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、ランドグルーブを形成しない構成の光記録媒体においても同様に適用できる。
【００９３】
なお、本発明においては、金属グリッド５１の延長方向が光記録媒体１の動径方向である場合(請求項２の例)も同様に適用できる。
この場合においても、ランドグルーブを形成しない構造であってもよい。
【００９４】
また、上述した請求項１〜７に係る発明の実施例においては、金属グリッド５１が、それが置かれている層中に埋もれるように配置したが、図３６、図３７に示すように、上下の層のどちらかに接するように配置しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の記録再生方法を説明するための概略図を示す。
【図２】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図３】図２中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図４】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図５】金属グリッドの機能を説明するための概略図を示す。
【図６】(ａ)、（ｂ）金属グリッドの機能を説明するための概略図を示す。
【図７】入射する光の周波数に対する各偏光の反射率を示す。
【図８】入射する光の周波数に対する各偏光の吸収率を示す。
【図９】入射する光の周波数に対する各偏光の透過率を示す。
【図１０】光ピックアップの概略構成図を示す。
【図１１】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図１２】図１１中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図１３】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図１４】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図１５】図１４中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図１６】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図１７】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図１８】図１７中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図１９】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図２０】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図２１】図２０中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図２２】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図２３】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図２４】図２３中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図２５】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図２６】記録再生を行う光ピックアップの構成図を示す。
【図２７】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図２８】図２７中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図２９】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図３０】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図３１】図３０中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図３２】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図３３】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略断面図を示す。
【図３４】図３３中の破線で囲まれた円内の積層構造を拡大した概略断面図を示す。
【図３５】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の概略上面図を示す。
【図３６】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の拡大概略断面図を示す。
【図３７】本発明の記録再生方法に適用する光記録媒体構造の一例の拡大概略断面図を示す。
【図３８】従来の光記録媒体の概略構成図を示す。
【図３９】従来の光記録媒体の概略構成図を示す。
【符号の説明】
【００９６】
１  光記録媒体
２  回転モーター
３  光ピックアップ
１１  第一層
１２  第二層
１３  中間分離層
２０  基板
２１  第一下側保護層
２２  第二下側保護層
３１  第一記録層
３２  第二記録層
４１  第一上側保護層
４２  第二上側保護層
５０  誘電体層
５１  金属グリッド
５２  金属反射膜
５３  封止材料
５５  透明基板
６０  製造時に記録されたマーク
７０  製造時に記録された凹凸
７１  コリメータレンズ
７２  対物レンズ
７３  コリメータレンズ
７４  集光レンズ
８１  第一記録層に製造時に記録されたマーク
８２  第二記録層に製造時に記録されたマーク
１０１  第１基板
１０２  第１情報層
１０３  分離層
１０４  第２情報層
１０５  第２基板
１０６  下側保護層
１０７  記録層
１０８  上側保護層
１０９  反射層
１１０  透過率向上層
１１１  透明基板
１１２  下側保護層
１１３  記録層
１１４  上側保護層
１１５  中間層
１１６  反射層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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