(57)【要約】【課題】金属触媒のパターニングを必要としないナノ構造を形成する方法を提供する。【解決手段】基板の表面の上にパターンを形成することにより、亜鉛酸化物のナノ構造を形成する。基板の表面の上にニッケルなどの触媒金属を形成する。気相−液相−固相法に基づいて、実質的に、基板の表面上のパターンの上において、触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされる。一例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことは、実質的に、パターニングされたポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす。別の例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされるときにおいて、各亜鉛酸化物のナノ構造は、実質的に、エッチングされたシリコン基板層の上において、成長する。【選択図】図１
2006102936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
亜鉛酸化物のナノ構造を形成する方法であって、
基板の表面の上にパターンを形成することと、
該基板の該表面の上に触媒金属を形成することと、
実質的に該基板の該表面上のの該パターンの上において、該触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記触媒金属がニッケルである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記触媒金属が、白金と、銀と、パラジウムと、銅とを含む群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板の前記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にポリシリコン層を形成することと、
該ポリシリコン層をエッチングすることによって、該パターンを形成することとを包含し、
前記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、パターニングされた該ポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の前記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にシリコン酸化物層を形成することと、
該シリコン酸化物層と該シリコン基板層とをエッチングすることにより、該パターンを形成することとを包含し、前記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、エッチングされた該シリコン基板層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコン酸化物層と前記シリコン基板層とをエッチングすることが、約５ｎｍの深さに該シリコン基板層をエッチングする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、気相−液相−固相法に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板の表面の上にパターンを形成することと、
該基板の該表面の上に触媒金属を形成することと、
実質的に該基板の該表面の上の該パターンの上において、該触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされることとにより形成される、亜鉛酸化物のナノ構造。
【請求項９】
前記触媒金属がニッケルである、請求項８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【請求項１０】
前記触媒金属が、白金と、銀と、パラジウムと、銅とを含む群から選択される、請求項８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【請求項１１】
前記基板の前記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にポリシリコン層を形成することと、
該ポリシリコン層をエッチングすることによって、該パターンを形成することとを包含し、
前記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、パターニングされた該ポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、請求項８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【請求項１２】
前記基板の前記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にシリコン酸化物層を形成することと、
該シリコン酸化物層と該シリコン基板層とをエッチングすることによって、該パターンを形成することとを包含し、
前記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、エッチングされた該シリコン基板層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、請求項８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【請求項１３】
前記シリコン酸化物層と前記シリコン基板層とをエッチングすることが、約５ｎｍの深さに該シリコン基板層をエッチングする、請求項１２に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【請求項１４】
前記触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、気相−液相−固相法に基づく、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノテクノロジーおよび／またはマイクロエレクトロニクスに関する。特に、本発明は、シリコン（Ｓｉ）基板の上に亜鉛酸化物（ＺｎＯ）のナノ構造を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノ構造の材料（例えば、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノファイバ、ウィスカ）は、興味深い光学特性および電気特性を示し、種々の用途（例えば、化学およびバイオのセンサーおよび検出器、ＬＥＤ、トランジスタ、レーザー、フィールドエミッタ）に対してそのことが実証されてきた。例えば、Ｐ．Ｙａｎｇらの「Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  ＺｎＯ  ｎａｎｏｗｉｒｅｓ  ａｎｄ  ｔｈｅｉｒ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ」、Ａｄｖ．Ｆｕｎｃ．Ｍａｔ．１２（５）、３２３（２００２年）、および、Ｃ．Ｍ．Ｌｉｅｂｅｒの「Ｎａｎｏｓｃａｌｅ  ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：Ｂｕｉｌｄｉｎｇ  ａ  ｂｉｇ  ｆｕｔｕｒｅ  ｆｒｏｍ  ｓｍａｌｌ  ｔｈｉｎｇｓ」、ＭＲＳ  Ｂｕｌｌｅｔｉｎ、ｐｐ．４８６〜４９１（２００３年７月）を参照のこと。特に、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）のナノ構造は、固体光電子発光体と、化学センサーと、ガス検出器とに有用であり得る種々の興味深い特性を示す。
【０００３】
多くの材料（例えば、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、および別の元素半導体および二種類の元素からなる化合物半導体、および亜鉛酸化物（ＺｎＯ））が、ナノ構造化されてきた。ナノ構造を形成するために用いられる主要な方法の１つに、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長がある。レーザーアブレーションおよびアーク放電などの別の方法も、ナノ構造を形成するために用いられてきた。ＶＬＳ成長機構には、通常、金属触媒が必要である。適切な温度範囲において、触媒は、所望の成長材料とともに溶液を形成する。液滴において所望の成長材料が過飽和状態になると、所望の材料は凝集し、その結果、ナノ構造が成長する。例えば、触媒（例えば、金（Ａｕ））の薄膜（〜３ｎｍ）がよく用いられる。Ａｕが存在する全ての場所において、ナノ構造の成長が見られる。従来では、基板にＡｕのナノ粒子を散布することによるか、またはパターニングされたシャドウマスクを介してＡｕを蒸着することにより、Ａｕ触媒をパターニングすることによって、ナノ構造の選択的成長を実現してきた。
【０００４】
しかし、マイクロエレクトロニック製造に用いられるウルトラクリーンな環境において基板に粒子を散布することは望ましくない。さらに、ナノ構造の成長に触媒として用いられる金属は、通常、エッチングすることが困難であり、その結果、減算的にパターニングすることは困難である。さらに、通常、触媒として用いられる金属を化学機械研磨（ＣＭＰ）することは困難である。従って、通常、従来のマイクロエレクトロニックプロセスを介してナノ構造用触媒材料をパターニングすることは困難である。
【０００５】
金属触媒のパターニングを必要としないナノ構造を形成する方法が必要とされている。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって、金属触媒のパターニングを必要としないナノ構造を形成する方法を提供する。
【０００７】
本発明の有利な点は、亜鉛酸化物のナノ構造を形成する方法により提供される。基板の表面の上にパターンを形成する。基板の表面の上に触媒金属を形成する。気相−液相−固相法に基づいて、実質的に、基板の表面の上のパターンの上において、触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされる。本発明の一例示的な実施形態において、触媒金属はニッケルである。本発明の別の例示的な実施形態において、触媒金属は、白金と、銀と、パラジウムと、銅と、金とを含む群から選択され得る。
【０００８】
本発明の一例示的な実施形態において、基板の表面の上にパターンを形成することは、シリコン基板層を形成することを含む。次いで、シリコン基板層の上にポリシリコン層を形成する。ポリシリコン層をエッチングすることにより、パターンを形成する。この例示的な実施形態において、各亜鉛酸化物のナノ構造は、実質的に、パターニングされたポリシリコン層の上において、成長する。
【０００９】
本発明の別の例示的な実施形態において、基板の表面の上にパターンを形成することは、シリコン基板層を形成することを含む。シリコン基板層の上にシリコン酸化物層を形成する。シリコン酸化物層とシリコン基板層とをエッチングすることにより、パターンを形成する。そのエッチングプロセスでは、約５ｎｍの深さまでシリコン基板層をオーバーエッチングする。この例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされるときにおいて、各亜鉛酸化物のナノ構造は、実質的に、エッチングされたシリコン基板層の上において、成長する。
【００１０】
本発明は、さらに以下の手段を提供する。
【００１１】
（項目１）
亜鉛酸化物のナノ構造を形成する方法であって、
基板の表面の上にパターンを形成することと、
該基板の該表面の上に触媒金属を形成することと、
実質的に該基板の該表面上のの該パターンの上において、該触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことと
を包含する、方法。
【００１２】
（項目２）
上記触媒金属がニッケルである、項目１に記載の方法。
【００１３】
（項目３）
上記触媒金属が、白金と、銀と、パラジウムと、銅とを含む群から選択される、項目１に記載の方法。
【００１４】
（項目４）
上記基板の上記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にポリシリコン層を形成することと、
該ポリシリコン層をエッチングすることによって、該パターンを形成することとを包含し、
上記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、パターニングされた該ポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、項目１に記載の方法。
【００１５】
（項目５）
上記基板の上記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にシリコン酸化物層を形成することと、
該シリコン酸化物層と該シリコン基板層とをエッチングすることにより、該パターンを形成することとを包含し、上記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、エッチングされた該シリコン基板層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、項目１に記載の方法。
【００１６】
（項目６）
上記シリコン酸化物層と上記シリコン基板層とをエッチングすることが、約５ｎｍの深さに該シリコン基板層をエッチングする、項目５に記載の方法。
【００１７】
（項目７）
上記触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、気相−液相−固相法に基づく、項目１に記載の方法。
【００１８】
（項目８）
基板の表面の上にパターンを形成することと、
該基板の該表面の上に触媒金属を形成することと、
実質的に該基板の該表面の上の該パターンの上において、該触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされることとにより形成される、亜鉛酸化物のナノ構造。
【００１９】
（項目９）
上記触媒金属がニッケルである、項目８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【００２０】
（項目１０）
上記触媒金属が、白金と、銀と、パラジウムと、銅とを含む群から選択される、項目８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【００２１】
（項目１１）
上記基板の上記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にポリシリコン層を形成することと、
該ポリシリコン層をエッチングすることによって、該パターンを形成することとを包含し、
上記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、パターニングされた該ポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、項目８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【００２２】
（項目１２）
上記基板の上記表面の上にパターンを形成することが、
シリコン基板層を形成することと、
該シリコン基板層の上にシリコン酸化物層を形成することと、
該シリコン酸化物層と該シリコン基板層とをエッチングすることによって、該パターンを形成することとを包含し、
上記少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、実質的に、エッチングされた該シリコン基板層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす、項目８に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【００２３】
（項目１３）
上記シリコン酸化物層と上記シリコン基板層とをエッチングすることが、約５ｎｍの深さに該シリコン基板層をエッチングする、項目１２に記載の亜鉛酸化物のナノ構造。
【００２４】
（項目１４）
上記触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことが、気相−液相−固相法に基づく、項目８に記載の方法。
【００２５】
（摘要）
基板の表面の上にパターンを形成することにより、亜鉛酸化物のナノ構造を形成する。基板の表面の上にニッケルなどの触媒金属を形成する。気相−液相−固相法に基づいて、実質的に、基板の表面の上のパターンの上において、触媒金属上に少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされる。一例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こすことは、実質的に、パターニングされたポリシリコン層の上において、各亜鉛酸化物のナノ構造の成長を引き起こす。別の例示的な実施形態において、少なくとも１つの亜鉛酸化物のナノ構造の成長が引き起こされるときにおいて、各亜鉛酸化物のナノ構造は、実質的に、エッチングされたシリコン基板層の上において、成長する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
一例として本発明を説明するが、本発明は、添付の図面に限定されない。図中において、類似した番号は、類似した要素を示す。
【００２７】
本発明は、触媒金属の直接的なパターニングを避ける、Ｓｉ基板上へのＺｎＯのナノ構造の選択的な成長を達成する２つの方法を提供する。一例示的な実施形態において、本発明では、金属触媒のブランケット層の下方にあるポリシリコンをパターニングする。別の例示的な実施形態において、本発明では、金属触媒のブランケット層の下方のＳｉ基板を改質する。２つの実施形態において、触媒金属への直接的なパターニングに関連する困難は避けられる。
【００２８】
図１は、本発明によるＺｎＯのナノ構造を形成する方法の第１の例示的な実施形態１００のフローチャートを示す。図２Ａ〜２Ｆは、本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の各段階における断面図を示す。図１の工程１０１において、基板層２０１として、クリーンなＳｉ＜１００＞またはＳｉ＜１１１＞の出発ウェーハ（ｓｔａｒｔｉｎｇ  ｗａｆｅｒ）を用いる。もしくは、基板層２０１は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）から形成され得る。工程１０２において、周知の方法（例えば、ＬＰＣＶＤ法）を用いて、基板層２０１の上にポリシリコン層２０２を形成する。基本的には、ポリシリコン層２０２は、約５ｎｍ〜約１０００ｎｍの間の任意の厚みであり得る。例えば、本発明の一例示的な実施形態において、５７０℃においてＬＰＣＶＤ法を用いることにより、基板層２０１の上に、１００ｎｍの厚みのポリシリコン層２０２を形成する。工程１０３において、基板２０１とポリシリコン層２０２とにより形成されたウェーハ構造をフォトレジスト層２０３によりコーティングする。
【００２９】
工程１０４において、パターニングされたマスク層２０４を用いて、フォトレジスト層２０３を露光し、現像する。図２Ａは、フォトレジスト層２０３を露光し、現像する前における、基板層２０１と、ポリシリコン層２０２と、フォトレジスト層２０３と、パターニングされたマスク層２０４とにより形成されたウェーハ構造の断面図を示す。
【００３０】
工程１０５において、ウェーハ構造をドライエッチングする。図２Ｂは、ドライエッチング後におけるウェーハ構造の断面図を示す。例えば、塩素（Ｃｌ２）ガスと臭素（Ｂｒ２）ガスを用いた標準的なポリエッチング（ｐｏｌｙ  ｅｔｃｈ）が用いられ得て、その後に、工程１０５において、高選択性の低バイアスのＢｒ２ガスエッチングにより、損傷のないＳｉの表面が提供され得る。図２Ｃは、エッチング後におけるウェーハ構造の断面図を示す。エッチングプロセスの選択性をさらによくすること、および、Ｓｉ基板２０１への損傷の可能性を低減することを可能にすることを目的として、層２０１と層２０２との間に例えばＳｉＯ２の層を挿入することができる。
【００３１】
工程１０６において、周知の態様でフォトレジスト層２０３を剥離し、その後に、フッ化水素の酸（ＨＦ）に浸漬することにより、ウェーハ構造の表面からフォトレジストポリマーを除去する。図２Ｄは、フォトレジスト層２０３の剥離後におけるウェーハ構造の断面図を示す。
【００３２】
工程１０７において、電子ビーム蒸着装置を用いて、約３ｎｍのニッケル（Ｎｉ）層２０５を堆積する。図２Ｅは、層２０５の堆積後におけるウェーハ構造の断面図を示す。Ｎｉ層の厳密な厚みと、Ｎｉを堆積する方法とは、重要ではない。Ａｕは、拡散しやすく、Ｓｉ禁制帯に深い準位を形成するために、ＡｕではなくＮｉを触媒金属として用いる。
【００３３】
工程１０８において、ＺｎＯのナノ構造の成長を引き起こすために従来のＶＬＳ法を用いる。特に、約９００℃において、約３０分間、微量の酸素存在下におけるＺｎ気体に、図２Ｅに示されたウェーハ構造をさらす。亜鉛気体は、例えば、等割合のＺｎＯとグラファイトとを用いて、ＺｎＯの炭素熱還元により生成される。しかし、基本的には、ＺｎＯのナノ構造を成長させるための気相のＺｎを供給する方法は全て適切であり得る。
【００３４】
図２Ｆは、実質的にポリシリコンの上にＮｉが形成された領域のみにおける、ＺｎＯのナノ構造２０７の選択的成長を示す。下にあるポリシリコンにより、ナノ構造の成長の核形成が提供される。
【００３５】
図３は、本発明によるＺｎＯのナノ構造を形成する方法の第２の例示的な実施形態３００のフローチャートを示す。図４Ａ〜４Ｆは、本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の各段階における断面図を示す。
【００３６】
図３の工程３０１において、基板４０１として、クリーンなＳｉ＜１００＞またはＳｉ＜１１１＞の出発ウェーハを用いる。工程３０２において、基板層４０１を酸化することにより、ＳｉＯ２層４０２を形成する。もしくは、基板層４０１の上にＳｉＯ２層４０２を堆積し得る。ＳｉＯ２層４０２の厚みは、例えば、１００ｎｍであり得る。基本的には、ＳｉＯ２層４０２は、約５ｎｍ〜約１０００ｎｍの間の任意の厚みであり得る。工程３０３において、ＳｉＯ２層４０２の上にフォトレジスト層４０３を形成する。
【００３７】
工程３０４において、パターニングされたマスク層４０４を用いて、フォトレジスト層４０３を露光し、現像する。図４Ａは、フォトレジスト層４０３を露光し、現像する前における、基板層４０１と、ＳｉＯ２層４０２と、フォトレジスト層４０３と、パターニングされたマスク層４０４とにより形成されたウェーハ構造の断面図を示す。
【００３８】
工程３０５において、１８００Ｗの電力および６００Ｗのバイアスにおいて、Ｃ３Ｆ８のフッ素ガスを用いて、ウェーハ構造をドライエッチングし、１０％オーバーエッチングする。そのオーバーエッチングにより、最小で約５ｎｍの深さである、エッチングによるＳｉ基板４０１の表面への損傷が生じる。図４Ｂは、ドライエッチング後におけるウェーハ構造の断面図を示す。図４Ｃは、オーバーエッチング後におけるウェーハ構造の断面図を示す。エッチングによる基板４０１の表面への損傷は、小さな黒四角４０５として示されている。
【００３９】
工程３０６において、周知の態様でフォトレジスト層４０３を剥離する。選択は任意であるが、工程３０７において、酸化物を除去する標準的な方法（例えば、ＨＦウェットエッチング）を用いて、ＳｉＯ２層４０２を除去する。図４Ｄは、フォトレジスト層４０３とＳｉＯ２層４０２との除去後におけるウェーハ構造の断面図を示す。
【００４０】
工程３０８において、周知の態様で電子ビーム蒸着装置を用いて、約３ｎｍの厚みのＮｉ層４０６を堆積する。図４Ｅは、Ｎｉ層４０６の形成後におけるウェーハ構造の断面図を示す。Ｎｉ層の厳密な厚みと、Ｎｉを堆積する方法とは、重要ではない。再記となるが、Ａｕは、拡散しやすく、Ｓｉ禁制帯に深い準位を形成するために、ＡｕではなくＮｉを触媒金属として用いる。
【００４１】
工程３０９において、ＺｎＯのナノ構造の成長を引き起こすために従来のＶＬＳ法を用いる。特に、約９００℃において、約３０分間、微量の酸素存在下におけるＺｎ気体に、図４Ｅに示されたウェーハ構造をさらす。亜鉛気体は、例えば、等割合のＺｎＯとグラファイトとを用いて、ＺｎＯの炭素熱還元により、生成される。しかし、基本的には、ＺｎＯのナノ構造を成長させるための気相のＺｎを供給する方法は全て適切であり得る。
【００４２】
図４Ｆは、実質的にオーバーエッチングされた領域の上にＮｉが形成された領域のみにおける、ＺｎＯのナノ構造４０７の選択的成長を示す。
【００４３】
白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）および金（Ａｕ）などの別の触媒金属も本発明に用い得られるということは理解されるべきである。
【００４４】
本明細書において引用した文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることは理解される。明瞭な理解を目的として本発明について一部詳細に記載してきたが、添付の特許請求の範囲の範囲内において、ある種の変更および修正がなされ得るということは明らかであろう。従って、本明細書に示した実施形態は、例示であり、限定するものではないと見なされるべきであり、本発明は、本明細書において記載した詳細に限定されることはなく、添付の特許請求の範囲の範囲および均等物内において修正され得る。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明によるＺｎＯのナノ構造を形成する方法の第１の例示的な実施形態のフローチャートを示す。
【図２Ａ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図２Ｂ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図２Ｃ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図２Ｄ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図２Ｅ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図２Ｆ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図３】本発明によるＺｎＯのナノ構造を形成する方法の第２の例示的な実施形態のフローチャートを示す。
【図４Ａ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図４Ｂ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図４Ｃ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図４Ｄ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図４Ｅ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【図４Ｆ】本発明により形成される基板およびＺｎＯのナノ構造の一段階における断面図を示す。
【符号の説明】
【００４６】
２０１、４０１  基板層
２０２  ポリシリコン層
２０３、４０３  フォトレジスト層
２０４、４０４  マスク層
２０５、４０６  Ｎｉ層
２０７、４０７  ＺｎＯのナノ構造
４０２  ＳｉＯ２層
４０５  損傷
【図１】
2006102936.tif 000003
【図２Ａ】
2006102936.tif 000004
【図２Ｂ】
2006102936.tif 000005
【図２Ｃ】
2006102936.tif 000006
【図２Ｄ】
2006102936.tif 000007
【図２Ｅ】
2006102936.tif 000008
【図２Ｆ】
2006102936.tif 000009
【図３】
2006102936.tif 000010
【図４Ａ】
2006102936.tif 000011
【図４Ｂ】
2006102936.tif 000012
【図４Ｃ】
2006102936.tif 000013
【図４Ｄ】
2006102936.tif 000014
【図４Ｅ】
2006102936.tif 000015
【図４Ｆ】
2006102936.tif 000016