(57)【要約】【課題】ガスを分子レベルまで均一かつ高効率で加熱することができる小型のガス加熱装置を安価を提供する。【解決手段】ガスを通すガス管２３と、このガス管内に配設された通気自在のメタル製繊維不織布２５と、ガス管を加熱するハロゲンランプ２４と、を具備している。【選択図】  図１
2006019509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスを通すガス管と、
このガス管内に配設された通気自在の金属製熱伝導性部材と、
上記ガス管を加熱する加熱装置と、
を具備していることを特徴とするガス加熱装置。
【請求項２】
上記ガス管は、コイル状に形成され、
上記加熱装置は、上記ガス管のコイル状巻回部内に同心状に配設され、
上記熱伝導性部材は、アルミニウムや銅、ステンレス等の金属製高熱導性物質により繊維状、布状、線状、板状、管状のいずれかに形成され、または、これら２種以上の形状の熱伝導性部材の組合せよりなることを特徴とする請求項１記載のガス加熱装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のガス加熱装置と、
このガス加熱装置のガス管の入口側に不活性ガスを供給するガス供給装置と、
上記ガス加熱装置の加熱温度を制御する温度制御装置と、
上記ガス加熱装置のガス管の出口側を、プロセスガスを排気する排気流路に連結して不活性ホットガスを注入する注入管と、
を具備していることを特徴とする反応副生成物防止装置。
【請求項４】
上記注入管は、半導体ウエハや液晶等のワークを加工するためにプロセスガスが供給されるチャンバから排気されるプロセスガス排気流路、上記チャンバからプロセスガスを排気する排気ポンプ内のプロセスガス流路、この排気ポンプよりも下流側のプロセスガス排気流路の少なくともいずれかに連結されていることを特徴とする請求項３記載の反応副生成物防止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを主に加熱する場合に好適なガス加熱装置およびこれを半導体や液晶等の製造プロセスに適用した反応副生成物防止装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な半導体や液晶等を製造する半導体等製造装置は図４に示すように構成され、半導体ウエハやガラス基板の表面に、チッ化膜や酸化膜等を形成するためのチャンバ１を備えている。このチャンバ１内には、プロセスガスとしてＳｉＨ４（モノシラン）、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン）、ＮＨ３（アンモニア）、ＴＥＯＳ（テオス）、Ｏ２（酸素）等が、プロセスに応じて単一または適宜組み合わされて供給される。
【０００３】
これらのプロセスガスは、チャンバ１内で高温の雰囲気で分解された後、チャンバ１から排気管２を通じて弁３、排気ポンプ４、ポンプ騒音低減用サイレンサ５、反応副生成物捕捉用トラップ６および除害装置７、排気管８、図示しないスクラバーへと排出される。これらチャンバ１よりも下流の排気管２、排気ポンプ３等のプロセスガス流路には、プロセスガスが、ＮＨ４Ｃｌ（塩化アンモニウム）、ＳｉＯ２（酸化ケイ素）等の反応副生成物を大量に発生させる。
【０００４】
これらの反応副生成物の蓄積は、排気管２等チャンバ１よりも下流側のプロセスガス流路を閉塞するため定期的に取り除かねばならず、その除去費用が例えば１回１００万円程かかり、月１回必要であり、メンテナンス費用の増大を招いている。さらに、そのメンテナンスの都度、製造装置の運転を中止しなければならず、安全性および生産性に大きな支障をもたらしている。
【０００５】
これらの反応副生成物は、排気管２の外壁の温度が高過ぎると、気相反応により排気管の内壁面に形成され、また排気管２等の温度が低いと、排気管２の内壁の吸着層における化学反応により形成される。すなわち、反応副生成物を発生させないためには、排気管中のガスをある温度範囲で均一に保つ必要がある。
【０００６】
そこで従来から、反応副生成物を発生させないために、配管やガス流路等を外部より加熱することが行なわれている。一般的には排気管２、弁３、排気ポンプ４等の配管・機器の外壁にテープヒータ９を巻き付けて加熱している。しかし、排気管２等をテープヒータ９により加熱する方法は排気管２や排気ポンプ４等の低い箇所ができ、ここに集中的に反応副生成物が発生し、課題の解決に結びついていない。
【０００７】
また、生成した反応副生成物をトラップ６で捕獲する方法もとられているが、このトラップ６で捕捉した反応副生成物を頻繁に取り除かねばならず、同様な課題を残している。
【０００８】
図５は排気管２内に、可燃性プロセスガスの希釈ガスとして注入する窒素を加熱してＨＯＴガス化するガス加熱装置１０を示している。このガス加熱装置１０は密閉容器１１内に、窒素（Ｎ２）ガスを通すコイル状のガス管１２を内蔵する一方、この密閉容器１１内に、ホットガス等の加熱媒体を通す媒体流路１３を形成し、この加熱媒体によりガス管１２内のＮ２ガスを加熱するようになっている。
【０００９】
また、図６で示すガス加熱装置１４は密閉容器１５内に、電気ヒータ１６を内蔵する一方、Ｎ２ガスを流すガス流路１７を形成し、電気ヒータ１６によりＮ２ガスを加熱するようになっている。しかしながら、このような従来のガス加熱装置１０，１４では、ＨＯＴ化された窒素ガスをプロセスガス流路内に注入しても、このＮ２ガスによりプロセスガスを分子レベルまで均一な温度に加熱できないので、排気管２内のプロセスガスを均一に加熱することは困難である。すなわち、数メータ以上の長尺の排気管２では反応副生成物発生の抑止策とはなりにくい。また、これらのガス加熱器１０，１４は一般に伝熱係数が低いため、熱損失が大きく、そのために、装置が大型になり排気管２や排気ポンプ４等の機器に取り付けるのが困難である。
【００１０】
また、他のガス加熱装置としては、下記の特許文献１に記載された熱交換器がある。この熱交換器は、伝熱媒体が供給、排出される熱交換容器と、この熱交換容器内に軸方向に多段で配置された複数の環状管と、これらの環状管管の複数箇所を各周方向流路における流入口と流出口の位置が周方向にずれるように連通した連通管とを有し、これら環状管内を通るガスを、熱交換容器内の伝熱媒体により熱交換、すなわち加熱するようになっている。
【特許文献１】特開平７−２９４１６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、このような従来の熱交換器も伝熱係数が低いので、伝熱媒体が供給される熱交換容器と、この熱交換容器内に、その伝熱媒体により浸漬された状態で収容される多段の環状管が共に大きく、高価であるうえに熱交換効率が悪いという課題がある。
【００１２】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、ガスを分子レベルで均一かつ高効率で加熱することができる小型のガス加熱装置を安価を提供することにある。
【００１３】
また、他の目的は分子レベルで均一に加熱したガスをプロセスガスの流路に注入することにより、このプロセスガス流路に生成される反応副生成物の生成付着を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１に係る発明は、ガスを通すガス管と、このガス管内に配設された通気自在の金属製熱伝導性部材と、上記ガス管を加熱する加熱装置と、を具備していることを特徴とするガス加熱装置である。
【００１５】
請求項２に係る発明は、上記ガス管は、コイル状に形成され、上記加熱装置は、上記ガス管のコイル状巻回部内に同心状に配設され、上記熱伝導性部材は、アルミニウムや銅、ステンレス等の金属製高熱導性物質よりなる繊維状、布状物質、線状、板状、管状のいずれかに形成され、または、これら２種以上の形状の熱伝導性部材の組合せよりなることを特徴とする請求項１記載のガス加熱装置である。
【００１６】
請求項３に係る発明は、請求項１または２記載のガス加熱装置と、このガス加熱装置のガス管の入口側に不活性ガスを供給するガス供給装置と、上記ガス加熱装置の加熱温度を制御する温度制御装置と、上記ガス加熱装置のガス管の出口側を、プロセスガスを排気する排気流路に連結して不活性ホットガスを注入する注入管と、を具備していることを特徴とする反応副生成物防止装置である。
【００１７】
請求項４に係る発明は、上記注入管は、半導体ウエハや液晶等のワークを加工するためにプロセスガスが供給されるチャンバから排気されるプロセスガス排気流路、上記チャンバからプロセスガスを排気する排気ポンプ内のプロセスガス流路、この排気ポンプよりも下流側のプロセスガス排気流路の少なくともいずれかに連結されていることを特徴とする請求項３記載の反応副生成物防止装置である。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に係る発明によれば、ガスがガス管内の金属製熱伝導性部材を通気する際に乱流を生じ、その乱流状態でこの金属製熱伝導性部材と加熱装置により加熱されるので、ガスを分子レベルまで均一に加熱することができる。
【００１９】
請求項３に係る発明によれば、ガス加熱装置により分子レベルまで均一に加熱した高温ガスをプロセスガス排気流路に注入するので、このプロセスガスを均一に加熱することができる。このために、プロセスガス排気流路に反応副生成物が生成付着するのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。なお、添付図面中、同一または相当部分には同一符号を付している。
【００２１】
図１は本発明の第１の実施形態係るガス加熱装置２１の構成図である。このガス加熱装置２１は所要形状のケーシング２２内に、ガス管２３と、加熱装置の一例であるハロゲンランプ２４とを配設している。
【００２２】
ケーシング２２は、円筒または角筒等所要形状の密閉容器に構成され、そのほぼ全内面を、研磨加工による鏡面や反射材塗布等により反射面２２ａに形成し、ハロゲンランプ２４からの輻射熱を反射面２２ａによりガス管２３側へ集中的に反射させるようになっている。
【００２３】
また、ケーシング２２は、その内外に、ハロゲンランプ２４を出入し得るようにハロゲンランプ２４の設置箇所近傍の底部や側面を着脱自在に構成し、または、その底部や側面の一部に、ハロゲンランプ２４を出入し得る出入窓（図示省略）を形成している。
【００２４】
ガス管２３は、例えば直状円管に形成され、その軸方向両端部に入口管部２３ａと出口管部２３ｄを形成する一方、ケーシング２２内に延在する軸方向中間部に、入口管部２３ａと出口管部２３ｂよりも所要径大径の大径管部２３ｃを所要長一体に連成している。
【００２５】
ガス管２３は、その大径管部２３ｃ内に、通気自在のメタル製繊維不織布２５を収容している。このメタル製繊維不織布２５は通気自在の金属製熱伝導性部材の一例であり、例えば熱伝導率の高いアルミニウムや銅、ステンレス等の金属を繊維状に形成し、さらにこの金属製繊維を通気自在の不織布やフェルトに形成したものであり、大径管部２３内にガスを通すことが可能な量が充填される。また、メタル製繊維不織布２５は、その入口管部２３側端部やその他の適宜箇所を大径管部２３ｃの内面に固定している。
【００２６】
ガス管２３は、その入，出口管部２３ａ，２３ｂをケーシング２２の軸方向両端板に貫通させた状態でこれら両端板に固定し、入口管部２３ａの入口外端部には図示しないガス供給装置が接続され、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスやその他所要のガスが所定圧で所定量供給されるようになっている。
【００２７】
出口管部２３ａは、そのケーシング２２から外部へ延出する外端部にて、温度センサ２６を配設している。温度センサ２６には図示しない信号線により温度制御装置を電気的に接続している。
【００２８】
温度制御装置は、例えばマイクロプロセッサ等からなり、出口管部２３ｂへ排出されるガスの温度が図示しない温度設定器により設定された温度で一定になるように単一または複数本のハロゲンランプ２４の点消灯ないし調光を制御して発熱量を制御するものである。
【００２９】
単一または複数本のハロゲンランプ２４は、大径管部２３ｃの近傍に配設され、または、大径管部２３ｃの外側を周方向に囲むように配設してもよい。
【００３０】
ガス加熱装置２１はこのように構成されているので、大径管部２３ｃを含むガス管２３とその内部のメタル製繊維不織布２５はハロゲンランプ２４により加熱される。したがって、ガス管２３の入口管部２３ａに不活性ガス等のガスが供給されると、このガスが大径管部２３ｃ内のメタル製繊維不織布２５を通気する際に、その多数の繊維または繊維同士間の多数の微小間隙により乱流を発生させ、その乱流状態で熱伝導率の高いメタル製繊維不織布２５により加熱される。このために、ガスが分子レベルで均一に加熱される。
【００３１】
また、メタル製繊維不織布２５は熱伝導率が高いので、高効率でガスに伝熱して加熱することができるうえに、不織布により構成されているので、ガスのパス路が長大化するので、その分、加熱面積の拡大を図ることができる。このために、加熱効率をさらに向上させることができる。また、ガス加熱装置２１の熱交換（加熱）効率が高い分、このガス加熱装置２１の小型軽量化を図ることができる。
【００３２】
この出口管部２３ｂでは、温度センサ２６によりガスの温度が検出され、その検出信号が図示しない温度制御器に与えられる。
【００３３】
温度制御器はこの温度検出信号が示す温度を設定温度と比較し、その偏差を解消させるための制御信号を求め、この制御信号に基づいてハロゲンランプ２４の点灯を制御する。これにより、出口管部２３ｂから排気されるガスの温度を設定値で一定に制御することができる。
【００３４】
なお、この実施形態では金属製高熱伝導性部材の一例としてメタル製繊維不織布２５を使用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば金属製熱伝導性部材としては、アルミニウムや銅ステンレス等の金属製高熱伝導性物質により線状、板状、管状のいずれかに形成され、または、これら２種以上の形状の熱伝導性部材の組合せよりなる。ここで線状とは棒状を含み、板状とは平板や波板等所要形状の板形状を含み、管状とは、円管、矩形管や２重管等の多重管を含む。しかし、いずれの場合にもガスが通気し得るように熱伝導性部材自体を形成し、または複数の熱伝導性部材をガス管２３内に充填する際に、複数の熱伝導性部材間にガスを通気させるための間隙を形成することが必要である。
【００３５】
図２は本発明の第２の実施形態に係るガス加熱装置２１Ａの全体構成を示す模式図である。
【００３６】
このガス加熱装置２１Ａは、上記図１で示す第１の実施形態に係るガス加熱装置２１におけるガス管２３の大径管部２３ｃを、コイル管部２３ｄに置換すると共に、ハロゲンランプ２４を、コイル管部２３ｄのコイル状巻回部内にて同心状に配設し、ケーシング２２の軸方向一端側に入口管部２３ａと出口管部２３ｂを並設した点に主な特徴を有する。これ以外の構成は上記第１の実施形態と同様である。
【００３７】
すなわち、ガス加熱装置２１Ａは、ガス管２３の軸方向中間部に、このガス管２３をコイル状に巻回してなるコイル管部２３ｄを形成している。
【００３８】
このコイル管部２３ｄは入口管部２３ａの一端に接続されてケーシング２２内に延在する直管状の往管部２３ｅがケーシング２２の他端側で再び入口管部２３ａおよび出口管部２３ｂ側へ折り返す復管部で形成され、これら往管部２３ｅおよび復管のコイル管部２３ｄ内には、上記メタル製繊維不織布２５を所定量充填している。メタル製繊維不織布２５はコイル管部２３ｄがコイル状に構成される前の直管状態のときに、その内部に充填され、その充填後コイル状に形成される。
【００３９】
そして、このコイル管部２３ｄのコイル巻回部内の中心軸部にて、ハロゲンランプ２４を同心状に配設し、ハロゲンランプ２４の外周面とコイル管部２３ｄの内周面との間には径方向に所定の間隙を設けている。
【００４０】
したがって、このガス加熱装置２１Ａによれば、コイル管部２３ｄによりハロゲンランプ２４により加熱されるケーシング２２内に延在するガス管２３の全長とその内部に充填されるメタル製繊維不織布２５の長さを延伸することができるので、ハロゲンランプ２４とメタル製繊維不織布２５による加熱（伝熱）面積の拡大を図ることができる。このために、ガスの加熱効率をさらに向上させることができる。
【００４１】
なお、コイル管部２３ｄのコイル巻回ピッチを最小にして窓に巻回することによりハロゲンランプ２４からの輻射熱がコイル巻回部の外部へリークするリーク量を低減し、または、コイル巻回径も可及的に小さくしてコイル管部２３ｄのコイル巻回内周面をハロゲンランプ２４に可及的に接近させてもよく、これによれば、さらに加熱効率を向上させることができる。また、上記ハロゲンランプ２４は電熱ヒータ等他の加熱手段に置換ないし併設してもよい。
【００４２】
図３は本発明の第３の実施形態に係る３台の反応副生成物防止装置３１を、半導体や液晶等の製造装置である半導体等製造装置３２に配設した場合の一例の構成を示す構成図である。
【００４３】
この半導体等製造装置３２は、図４で示す半導体や液晶等の半導体等製造装置に、テープヒータ８に代えて反応副生成物装置３１を設けた点に主な特徴を有する。したがって、図３では図４で示す半導体等製造装置と同一または相当部分には同一符号を付して、その重複した説明を省略または簡単化している。
【００４４】
図３に示すように、反応副生成物装置３１はガス加熱装置２１Ａ、ガス供給装置３３、温度制御装置３４および注入管３５を具備している。ガス加熱装置は図１、図２で示すガス加熱装置２１，２１Ａのいずれか一方、例えば２１Ａであり、窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスを１２０〜１５０℃に加熱するものである。ガス供給装置３３は、ガス加熱装置２１Ａに、ＳｉＨ４やＳｉＨ２Ｃｌ２等の可燃性プロセスガスの濃度を希釈して不燃性を向上させる窒素ガス（Ｎ2）やアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを所定量供給するものである。
【００４５】
温度制御装置３４は、ガス加熱装置２１Ａによる窒素ガス（Ｎ2）などの不活性ガスの加熱温度を、ガス加熱装置２１Ａの温度センサ２６により検出された検出信号に基づいて検出する手段と、ガス加熱装置２１Ａにより加熱すべき温度を所定値に設定する設定手段と、その所定値一定で制御する手段とを有する。注入管３５は、ガス加熱装置２１Ａにより加熱した所定温度のＮ2等の不活性ガスを希釈用ホットガスとして所定量、半導体等製造装置３２の所要箇所に注入するものである。
【００４６】
すなわち、注入管３５は、その入口端部をガス加熱装置２１Ａのホットガス出口部に接続する一方、注入口端部を、チャンバ１のプロセスガス排気側の排気管２ａにおける弁７よりも上流側の途中と、排気ポンプ３内のプロセスガス流路、例えばその導入路の途中またはその下流側と、この排気ポンプ３よりも下流側の排気管２ｂの途中と、にそれぞれ接続している。
【００４７】
これら反応副生成物装置３１は、そのホットガスを、チャンバ１の直ぐ下流側には、１〜２Ｌ／ｍｉｎで注入し、排気ポンプ３内には、例えば３０〜５０Ｌ／ｍｉｎで注入し、さらに排気ポンプ３の下流側排気管２ｂには例えば５０〜１５０Ｌ／ｍｉｎで注入するように構成されている。
【００４８】
次に、この半導体等製造装置３２の作用を説明する。
【００４９】
まず、チャンバ１内には、図示しないプロセスガス供給源からＳｉＨ４（モノシラン）、ＳｉＨ２Ｃｌ２（ジクロロシラン）、ＮＨ３（アンモニア）、ＴＥＯＳ（テオス）、Ｏ２（酸素）等がプロセスに応じて適宜単独または組み合せてプロセスガスとして適量供給され、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により半導体ウエハまたはガラス基板の表面に、窒化膜や酸化膜等の膜が形成される。
【００５０】
これらチャンバ１内で反応せずに残った余剰のプロセスガスは排気管２ａを通って排気ポンプ４に吸引されて排気される。この排気管２ａの途中には、反応副生成物装置３１から所定温度に加熱された窒素（Ｎ２）等の不活性ガスがホットガスとして所定量注入される。
【００５１】
すなわち、反応副生成物装置３１は、ガス供給装置３３から所定量のＮ２等の不活性ガスがガス加熱装置２１Ａに供給され、ここで分子レベルまで均一な所定温度に加熱されてホットガスとして注入管３５から排気管２ａ内に注入される。このホットガスの温度は温度制御装置により所定値に設定され、かつその設定値一定に制御される。
【００５２】
このために、排気管２ａ内を通るプロセスガスは、ガス加熱装置２１Ａにより分子レベルまで均一に加熱されたＮ２等のホットガスに混合されて加熱されるので、このプロセスガスの温度を均一にすることができる。しかも、可燃性のプロセスガス濃度が希釈されるので、その可燃性も低減させることができる。
【００５３】
これにより、排気管２ａ内でプロセスガスの反応副生成物が発生するのを抑制することができる。このために、反応副生成物が排気管２ａ内に付着し堆積し、その管壁が閉塞するのを防止ないし低減することができる。
【００５４】
また、このＮ２等のホットガスは、排気ポンプ４のプロセスガス導入路と、その下流側ないし排気管２ｂにも反応副生成物装置３１から注入されるので、この排気ポンプ４のプロセスガス導入路と、その下流側ないし排気管２ｂにも、反応副生成物が生成付着して、その流路が閉塞するのを防止ないし低減することができる。
【００５５】
これにより、排気管２ａ，２ｂや弁３の排気ポンプ４内の反応副生成物を除去するメンテナンスを削減することができるので、そのメンテナンスコストの低減と、半導体等製造装置の稼働率を向上させることができる。
【００５６】
このために、図４で示す従来の半導体等製造装置におけるトラップ６を削減することができる。また、サイレンサ５がポンプ騒音の低減の外に反応副生成物のトラップ機能も兼用している場合には、その反応副生成物のトラップとしてのサイレンサ５を削減することができる。その結果、半導体等製造装置全体の小形化とコスト低減とを共に図ることができる。
【００５７】
また、ホットガスを加熱効率の高い小形のガス加熱装置２１Ａにより加熱するので、ホットガスの加熱効率を向上させることができると共に、半導体等製造装置全体としての小形化も図ることができる。しかも、このホットガスの加熱温度を温度制御装置により所要の温度に一定に制御することができるので、プロセスガスの温度むらに起因する反応副生成物の生成を抑制することができる。
【００５８】
さらに、排気ポンプ４のプロセスガス導入路またはその下流側流路にもホットガスを注入するので、この排気ポンプ４のプロセスガス導入路やその下流側流路における反応副生成物の生成ないし付着、堆積を抑制ないし低減させることができる。
【００５９】
なお、この半導体等製造装置３２では、反応副生成物装置３１を３台設ける場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば排気ポンプ４のプロセスガス導入路およびその下流側流路、またはその下流側の排気管２ｂ内に注入する反応副生成物装置３１の１台でもよい。あるいは、反応副生成物装置３１を４台以上設け、ホットガス注入箇所を４箇所以上設けてもよい。
【００６０】
また、これら３台のガス供給装置３３，３３，３３と、ガス加熱装置２１Ａ，２１Ａ，２１Ａおよび温度制御装置３４，３４，３４を、それらの各１台、３３，２１Ａ，３４によりそれぞれ共用し、各注入管３３の注入箇所に応じてホットガスの注入量とホットガス温度を適宜制御し得るように構成してもよい。また、サイレンサ５を削除しない場合には、このサイレンサ５の下流側にて排気管２ｂ内へＮ２等のホットガスを所要量注入するように構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１実施形態に係るガス加熱装置の構成図。
【図２】本発明の第２実施形態に係るガス加熱装置の構成図。
【図３】本発明の第３実施形態に係る反応副生成物装置を設けた半導体等製造装置の構成図。
【図４】一般的な半導体等製造装置の構成図。
【図５】図４で示す半導体等製造装置に配設される従来のガス加熱装置の構成図。
【図６】他の従来のガス加熱装置の構成図。
【符号の説明】
【００６２】
２１，２１Ａ  ガス加熱装置
２２  ケーシング
２３  ガス管
２３ｃ  大径管部
２３ｄ  コイル管部
２４  ハロゲンランプ
２５  メタル製繊維不織布
２６  温度センサ
３１  反応副生成物装置
３２  半導体等製造装置
３３  ガス供給装置
３４  温度制御装置
３５  注入管
【図１】
2006019509.tif 000003
【図２】
2006019509.tif 000004
【図３】
2006019509.tif 000005
【図４】
2006019509.tif 000006
【図５】
2006019509.tif 000007
【図６】
2006019509.tif 000008