(57)【要約】【課題】半導体基板の表面付近に存在する汚染物質（不要物質）を選択的に除去することができる半導体基板の処理方法を提供すること、このような方法を用いて製造される信頼性の高い半導体部品を提供すること、また、前記半導体部品を備えた信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の半導体基板の処理方法は、ＮＨ４ＯＨとＨＦとを含む処理液を用いて半導体基板を処理する方法であって、処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足することを特徴とする。処理液は、Ｈ２Ｏ２を実質的に含まないものであるのが好ましい。また、本発明の処理方法に供される半導体基板は、表面付近の少なくとも一部が高融点金属で構成されたものであるのが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＨ４ＯＨとＨＦとを含む処理液を用いて半導体基板を処理する方法であって、
前記処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、前記処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足することを特徴とする半導体基板の処理方法。
【請求項２】
前記処理液を用いて、前記半導体基板の表面付近に存在する、気相成膜法により形成された酸化膜を除去する請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項３】
前記処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、前記処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．４３の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足する請求項２に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項４】
前記処理液を用いて、前記半導体基板の表面付近に存在する、エッチング反応生成物またはその変性物質を除去する請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項５】
前記処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、前記処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．４３≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足する請求項４に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項６】
前記半導体基板に対する処理を行う装置内で、少なくとも、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体とを混合することにより、前記処理液を調製する請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体基板の処理方法。
【請求項７】
前記半導体基板に対する処理を行う装置内で、少なくとも、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体と、純水とを混合することにより、前記処理液を調製する請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体基板の処理方法。
【請求項８】
前記処理液は、Ｈ２Ｏ２を実質的に含まないものである請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体基板の処理方法。
【請求項９】
前記半導体基板は、表面付近の少なくとも一部が高融点金属などの金属材料で構成されたものである請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする半導体部品。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体部品を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の処理方法、半導体部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デバイスの高集積化に伴って、半導体基板（半導体ウェハ）の表面をより一層清浄化することが強く望まれている。
半導体基板の表面に、シリコン粒子や塵等の微粒子汚染物質（パーティクルとも言われる。）が存在すると、デバイスの配線の断線やショートの原因となり、また、遷移金属等の金属系汚染物質があると、酸化誘起積層欠陥の発生やライフタイムの低下といった問題が生じる。このため、これら汚染物質を除去するための洗浄が行われるが、洗浄の際に汚染されることも避けなければならない。
【０００３】
従来の半導体基板の洗浄方法としては、（１）希フッ酸水溶液で洗浄する方法、（２）塩酸または硫酸と過酸化水素との混合水溶液で洗浄する方法、および（３）アンモニアと過酸化水素の混合水溶液で洗浄する方法が行われている。これら各洗浄法で使用される洗浄液には、微粒子汚染物質や金属系汚染物質を極力低減した高純度の薬品類や水が使用されている。
【０００４】
従来の洗浄方法のうち、（１）は酸化物等の汚染物質の除去能力（溶解能力）には優れているが、微粒子汚染物質の低減は難しいという問題がある。また、（１）を、酸化膜を有する半導体基板に対して用いた場合、除去すべき酸化物と残存させるべき酸化膜との選択性が低く、除去すべき酸化物とともに残存させるべき酸化膜まで溶解（エッチング）してしまうという問題点がある。
【０００５】
（２）は金属系汚染物質に対する高溶解能力を利用したものであるが、酸化物を溶解する能力がない。
（３）はシリコン自身を溶解する働きがあるため、その上に存在する微粒子汚染物質やレジスト残渣やエッチング反応生成物を除去する効果は高いが、洗浄液中に金属系汚染物質等を取り込み易いという性質があり、半導体基板が再汚染される可能性が高い。また、（３）を用いた場合、Ｗ（タングステン）等の高融点金属を溶解することや、Ｓｉ基板表面を荒らしてラフネスを増大させ、半導体素子の性能を劣化させることが知られている。
【０００６】
また、上記従来法の問題点を解消する方法として、６０ｗｔ％の硝酸と０．１ｗｔ％以下のフッ化水素の混合水溶液中に半導体基板（シリコンウェハ）を浸漬して洗浄するスライトエッチ法と呼ばれる方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。しかし、半導体用グレードと呼ばれる最高純度の硝酸でも、ｐｐｂオーダーまたはサブｐｐｂオーダーの金属系汚染物質（例えば、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｋ、Ｎａ、Ｚａ等）が含まれているので、６０ｗｔ％もの高濃度の硝酸を含む洗浄液中の金属系汚染物質の濃度は高く、また石英ガラス製の洗浄槽を使用すると石英ガラス中の金属不純物が溶出して、その濃度はますます高まる。そして、高濃度硝酸の強い酸化力で半導体基板の表面に酸化膜が形成され、洗浄液中の金属系汚染物質が酸化膜中に取り込まれ易くなる。したがって、スライトエッチ法でもシリコンウェハの高清浄化には限界があると言わざるを得ない。
【０００７】
また、０．１０ｗｔ％以上の塩酸と、０．０５〜１０ｗｔ％のフッ化水素と、０．０５〜１０ｗｔ％の過酸化水素を含有する水溶液を洗浄液として用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このような洗浄液を用いた場合、希フッ酸水溶液と同様、残存させるべき酸化膜まで溶解してしまうという問題点があった。また、このような水溶液は、Ｗ（タングステン）等の高融点金属を溶解してしまうので、このような金属材料を構成要素として含む半導体基板（例えば、Ｗを含む材料で構成されたゲート電極を有する半導体基板等）に対しては、適用することができなかった。
【０００８】
【非特許文献１】Rituo Takizawaら、“Extended Abstracts of Solid State Devices and Materials”、1988年、P.475
【特許文献１】特公平８−１８９２０号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、半導体基板の表面付近に存在する汚染物質（微粒子汚染物質やレジスト残渣やエッチング反応生成物）を選択的に除去することができる半導体基板の処理方法（特に、酸化膜（特に、熱酸化膜）や、Ｓｉ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、高融点金属等で構成された残存されるべき領域が除去されるのを効果的に防止しつつ、汚染物質（不要物質）を除去することができる半導体基板の処理方法）を提供すること、このような方法を用いて製造される信頼性の高い半導体部品を提供すること、また、前記半導体部品を備えた信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体基板の処理方法は、ＮＨ４ＯＨとＨＦとを含む処理液を用いて半導体基板を処理する方法であって、
前記処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、前記処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足することを特徴とする。
【００１１】
これにより、半導体基板の表面付近に存在する汚染物質（不要物質）を選択的に除去することができる半導体基板の処理方法を提供することができる。特に、酸化膜（特に、熱酸化膜）や、Ｓｉ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、高融点金属等で構成された残存されるべき領域が除去されるのを効果的に防止しつつ、汚染物質（不要物質）を除去することができる半導体基板の処理方法を提供することができる。
【００１２】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記処理液を用いて、前記半導体基板の表面付近に存在する、気相成膜法により形成された酸化膜を除去することが好ましい。
例えば、処理すべき半導体基板が、気相成膜法により形成された酸化膜と、熱酸化膜とを有する場合、従来では、気相成膜法により形成された酸化膜のエッチング選択比は低く、選択的な除去は困難であったが、本発明によれば、熱酸化膜等に悪影響を及ぼすのを十分に防止しつつ、気相成膜法により形成された酸化膜を除去することができる。
【００１３】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、前記処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．４３の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足することが好ましい。
これにより、残存させるべき領域にダメージを与えるのをより効果的に防止しつつ、半導体基板の表面付近に存在する、気相成膜法により形成された酸化膜を効率良く除去することができる。特に、半導体基板の表面付近に存在する熱酸化膜等にダメージを与えるのをより効果的に防止しつつ、気相成膜法により形成された酸化膜を効率良く除去することができる。すなわち、同じ酸化膜であっても、その形成方法の違いによる選択的な除去を好適に行うことができる。
【００１４】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記処理液を用いて、前記半導体基板の表面付近に存在する、エッチング反応生成物またはその変性物質を除去することが好ましい。
半導体基板の表面付近に、除去すべきエッチング反応性生物またはその変性物質が残存していると、得られる半導体部品の信頼性の低下が著しくなるが、本発明によれば、半導体基板の他の部位に悪影響を及ぼすのを十分に防止しつつ、エッチング反応性生物またはその変性物質を除去することができる。
【００１５】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、前記処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．４３≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足することが好ましい。
これにより、残存させるべき領域にダメージを与えるのをより効果的に防止しつつ、半導体基板の表面付近に存在する、エッチング反応性生物またはその変性物質を効率良く除去することができる。
【００１６】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記半導体基板に対する処理を行う装置内で、少なくとも、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体とを混合することにより、前記処理液を調製することが好ましい。
これにより、処理液中におけるＮＨ４ＯＨとＨＦとの濃度比を容易かつ確実に調節することができる。また、処理すべき半導体基板の種類等に応じて、ＮＨ４ＯＨとＨＦとの濃度比等を容易かつ確実に変更することができる。
【００１７】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記半導体基板に対する処理を行う装置内で、少なくとも、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体と、純水とを混合することにより、前記処理液を調製することが好ましい。
これにより、処理液中におけるＮＨ４ＯＨとＨＦとの濃度比を容易かつ確実に調節することができる。また、処理すべき半導体基板の種類等に応じて、ＮＨ４ＯＨやＨＦの濃度、ＮＨ４ＯＨとＨＦとの濃度比等を容易かつ確実に変更することができる。
【００１８】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記処理液は、Ｈ２Ｏ２を実質的に含まないものであることが好ましい。
これにより、半導体基板（製造すべき半導体部品）がＷ（タングステン）等の高融点金属を含む材料で構成された領域を有するものであっても、このような領域が処理液によりダメージを受けるのをより効果的に防止しつつ、半導体基板の表面付近に存在する汚染物質（不要物質）を選択的に除去することができる。
【００１９】
本発明の半導体基板の処理方法では、前記半導体基板は、表面付近の少なくとも一部が高融点金属などの金属材料で構成されたものであることが好ましい。
処理すべき半導体基板が、表面付近の少なくとも一部が高融点金属で構成されたものである場合、従来の方法では、汚染物質（不要物質）の選択的な除去は特に困難であったが、本発明によれば、半導体基板の他の部位（特に、高融点金属で構成された部位）に悪影響を及ぼすのを十分に防止しつつ、汚染物質を容易かつ確実に除去することができる。
本発明の半導体部品は、本発明の方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い半導体部品を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の半導体部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の半導体基板の処理方法、半導体部品および電子機器の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
まず、本発明の半導体基板の処理方法および半導体部品の好適な実施形態について説明し、その後、前記半導体部品を備えた電子機器について説明する。
図１は、本発明の半導体基板の処理方法の好適な実施形態を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態では、その表面付近に、除去すべき要除去部５１を有する半導体基板５（１ａ）に、処理液を付与することにより、半導体基板５の要除去部５１を選択的に除去する処理液付与工程（１ｂ）を有する。
【００２１】
［半導体基板］
被処理物としての半導体基板５は、主としてシリコン等の半導体材料で構成されたものであり、必要に応じて、金属材料等で構成された各種配線、電極、パッド等の導電部、酸化膜（例えば、熱酸化膜や、ＣＶＤ等の気相成膜法等により形成された酸化膜（例えば、ＳｉＯ２等の酸化ケイ素）等）、窒化膜（例えば、窒化珪素）等で構成された絶縁部（絶縁層）、マスク等が設けられたものである。
また、半導体基板は、後述するような本発明の半導体部品の製造に用いられるものである。言い換えると、半導体基板は、本発明の方法を用いて処理されることにより（必要に応じて、さらに、成膜、エッチング等の処理が施されることにより）、後述する本発明の半導体部品となる。
【００２２】
上述したように、半導体基板５は、その表面付近に、除去すべき要除去部５１を有している。そして、要除去部５１が存在する面側の他の領域は、残存させるべき要残存部５２となっている。要除去部５１は、例えば、各種エッチング処理（特に、ＣＦ系ガスを用いたドライエッチング）により生成したエッチング生成物（例えば、フルオロカーボン系物質や、フルオロカーボン系分物質の酸化物、Ｓｉ−Ｃ−Ｆ−Ｏのような部分構造を有する化合物等）やアッシング処理における残渣、ＣＶＤ等の気相成膜法等により形成された酸化膜等で構成されたものである。
【００２３】
［処理液付与工程］
上記のような半導体基板５に、後に詳述するような処理液を付与する。これにより、半導体基板５の要除去部５１を選択的に除去することができる。言い換えると、半導体基板５の要除去部５１以外の領域が処理液によりダメージを受けるのを効果的に防止しつつ、要除去部５１を除去することができる。
【００２４】
半導体基板５に処理液を付与する方法は、特に限定されないが、例えば、ドクターブレード、刷毛塗り、ロールコーター、インクジェット法等の塗布法、スプレー等による噴霧法、浸漬法（ディッピング洗浄）、枚葉スピン洗浄等が挙げられる。
また、本工程においては、例えば、処理液、半導体基板５を加熱（加温）してもよい。これにより、要除去部５１の除去をより効率良く行うことができる。このような場合、加熱温度としては、例えば、２０〜８０℃であるのが好ましく、２０〜３０℃であるのがより好ましい。
【００２５】
また、本工程においては、例えば、処理液、半導体基板５を、冷却してもよい。これにより、要除去部５１の除去をより高い選択性で確実に行うことができる。このような場合、冷却温度としては、例えば、０〜２０℃であるのが好ましく、４〜１５℃であるのがより好ましい。
なお、本工程において、処理液は、半導体基板５の少なくとも要除去部５１を有する面側に付与されるものであればよい。
また、本工程は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気等、いかなる雰囲気下で行うものであってもよい。
【００２６】
［洗浄工程］
上記のような処理液付与工程を行った後には、通常、要除去部５１が除去された半導体基板５（半導体部品）を洗浄する工程を行う。これにより、半導体基板５（半導体部品）の表面付近に、ＮＨ４ＯＨ（ＮＨ３）、ＨＦ等の処理液の構成物質が残存するのを効果的に防止することができ、最終的に得られる半導体部品の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００２７】
［処理液］
本発明で用いる処理液は、ＮＨ４ＯＨとＨＦとを含むものであり、処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度をＸ［ｍｏｌ／Ｌ］、処理液中におけるＨＦの濃度をＹ［ｍｏｌ／Ｌ］としたとき、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足するものである。このように、本発明は、所定の濃度比でＮＨ４ＯＨとＨＦとを含む処理液を用いることにより、半導体基板の要除去部を選択的に除去することができることを見出した点に特徴を有する。特に、要残存部が、酸化膜（特に、熱酸化膜）や、Ｗ（タングステン）等の高融点金属材料、Ｓｉ、ポリシリコン等のように、従来の処理液ではダメージを受け易い材料で構成されたものであっても、要残存部がダメージを受けるのを効果的に防止しつつ、要除去部を確実に除去することができることを見出した点に特徴を有する。また、上記のような関係を満足する処理液は、ＨＦよりもｐＨが高い。このため、上記のような関係を満足する処理液を用いて半導体基板を処理することにより、ゼータ電位の関係から、半導体基板の表面に、処理液により除去されたポリマー等の残渣、変性物、パーティクル等の半導体基板表面への再付着防止効果をＨＦよりも高めることができる。その結果、得られる半導体部品は特に信頼性の高いものとなる。
また、本発明の処理方法によれば、大がかりな装置も必要なく、より簡便な操作で、効率よく半導体基板に対する処理を行うことができる。また、大がかりな装置を必要としないため、例えば、半導体部品の製造の一連の操作を効率よく行うことができる。
【００２８】
これに対し、Ｘ／Ｙの値が前記下限値未満の場合、または、Ｘ／Ｙの値が前記上限値を超える場合には、要除去部の選択的な除去が困難となる。すなわち、Ｘ／Ｙの値が前記下限値未満の場合、または、Ｘ／Ｙの値が前記上限値を超える場合には、要除去部を確実に除去するのが困難になるか、要除去部とともに要残存部が除去される等の要残存部への悪影響が発生する。
【００２９】
上記のように、本発明においては、処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度Ｘ［ｍｏｌ／Ｌ］と、処理液中におけるＨＦの濃度Ｙ［ｍｏｌ／Ｌ］が、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足するものであればよく、Ｘ／Ｙの値は、処理すべき半導体基板５が有する要除去部５１、要残存部の組み合わせ等の応じて適宜調節することができる。
【００３０】
例えば、要除去部５１が気相成膜法により形成された酸化膜（例えば、酸化ケイ素膜）である場合、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．４３の関係を満足するのが好ましく、０．３７≦Ｘ／Ｙ≦０．４１の関係を満足するのがより好ましい。これにより、要残存部５２が除去液によりダメージを受けるのをより効果的に防止しつつ、要除去部５１を効率良く（短時間で容易に）除去することができる。特に、半導体基板５が熱酸化膜を有する場合であっても、当該熱酸化膜にダメージを与えるのをより効果的に防止しつつ、要除去部５１を効率良く除去することができる。すなわち、同じ酸化膜であっても、その形成方法の違いによる選択的な除去を好適に行うことができる。これに対し、Ｘ／Ｙの値が前記下限値未満の場合や、前記上限値を超える場合には、熱酸化膜と気相成膜法により形成された酸化膜とのエッチング選択性が劣化し、熱酸化膜へのダメージが大きくなるという問題点がある。
【００３１】
また、要除去部５１が、エッチング反応性生物またはその変性物質（例えば、ＣＦ系ガスを用いたドライエッチングを行った際の残渣、または、当該ドライエッチングにより生成した、フルオロカーボン系物質や、フルオロカーボン系分物質の酸化物、Ｓｉ−Ｃ−Ｆ−Ｏのような部分構造を有するエッチング生成物）で構成されるものである場合、０．４３≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係を満足するのが好ましく、０．４３≦Ｘ／Ｙ≦０．５の関係を満足するのがより好ましい。これにより、要残存部５２が除去液によりダメージを受けるのをより効果的に防止しつつ、要除去部５１を効率良く（短時間で容易に）除去することができる。特に、半導体基板５が、要残存部５２として酸化膜（例えば、酸化ケイ素膜）を有するものであっても、当該酸化膜のエッチングレートを最小限に抑えつつ、要除去部５１を効率良く除去することができる。これに対し、Ｘ／Ｙの値が前記下限値未満であると、要残存部に酸化膜がある場合、酸化膜をエッチングしてしまい、要残存部へのダメージが大きくなる可能性がある。また、Ｘ／Ｙの値が前記上限値を超えると、要残存部にＳｉやＰｏｌｙ−Ｓｉがある場合、ＳｉやＰｏｌｙ−Ｓｉをエッチングしてしまい、要残存部へのダメージが大きくなる可能性がある。
また、処理液付与工程で付与される処理液中の各構成成分の濃度は、当該工程中において実質的に一定であってもよいし、経時的に変化するものであってもよい。例えば、後述するような第１の液体、第２の液体（さらには、純水）の混合比率を、経時的に変化させることにより、各構成成分の比率を段階的に、または、連続的に変化させてもよい。
【００３２】
本発明で用いられる処理液は、Ｈ２Ｏ２を実質的に含まないものであるのが好ましい。これにより、要残存部５２がＷ（タングステン）等の高融点金属を含む材料で構成されたものであっても、要残存部５２が処理液によりダメージを受けるのをより確実に防止しつつ、要除去部５１を選択的に除去することができる。
半導体基板５に付与される処理液は、予め、調製されたものであってもよいし、例えば、処理液付与工程を行う装置内（洗浄装置内）で調製されるものであってもよい。このように、処理液付与工程を行う装置内（洗浄装置内）で処理液を調製することにより、処理液中におけるＮＨ４ＯＨとＨＦとの濃度比を容易かつ確実に調節することができる。また、処理すべき半導体基板５の種類等に応じて、ＮＨ４ＯＨとＨＦとの濃度比等を容易かつ確実に変更することができる。また、ＮＨ４ＦとＨＦとを所定の割合で配合することにより調製された処理液を用いる場合に比べて、半導体部品の製造コストを低くすることができる。処理液付与工程を行う装置内（洗浄装置内）で処理液を調製する方法としては、例えば、少なくとも、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体とを混合する方法等が挙げられる。このような方法を採用することにより、上述したような効果がより顕著のものとなる。また、処理液の調製に、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体、ＨＦを含む第２の液体に加え、純水を用いることにより、純水を用いない時と同様な効果が得られるとともに、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体の濃度は低く抑えることができる。そのため、処理液付与工程を行った後に通常行われる、要除去部５１が除去された半導体基板５（半導体部品）を洗浄する工程が容易にできる。これにより、半導体基板５（半導体部品）の表面付近に存在する、ＮＨ４ＯＨ（ＮＨ３）、ＨＦ等の処理液の構成物質を早く除去することができる。また、処理液付与工程を行う装置内（洗浄装置内）として、第１の液体、第２の液体（さらには、純水）を、それぞれ収納する収納部を有し、これらを混合する混合部（混合槽）を有するものを用いてもよい。これにより、上記のような効果を十分に発揮しつつ、十分に均一に混合された処理液を半導体基板に付与することができる。なお、第１の液体としては、例えば、アンモニア水等が挙げられる。また、第２の液体としては、例えば、フッ酸等が挙げられる。
【００３３】
［半導体部品］
本発明の半導体部品は、上記のような本発明の方法による処理を施されることにより得られるものである。
このようにして得られる半導体部品は、半導体部品にとって好ましくない汚染物質（不要物質）が確実に除去されたものであり、信頼性の高いものである。
【００３４】
なお、上記の説明では、処理液付与工程を１回のみ行うものとして説明したが、処理液付与工程は、半導体部品の製造において、複数回行うものであってもよい。例えば、処理液付与工程（第１の処理液付与工程）を行った後に、成膜、酸化等の処理を施し、さらに、処理液付与工程（第１の処理液付与工程）を行うものであってもよい。これにより、より信頼性の高い半導体部品を得ることができる。また、製造すべき半導体部品がより複雑な構成のものであっても、その信頼性を十分に高いものとすることができる。
【００３５】
また、上記のように、処理液付与工程を複数回行う場合、これらの工程を、実質的に同一の条件で行ってもよいし、異なる条件で行ってもよい（例えば、処理液の各構成成分の濃度が異なるものであってもよい）。
次に、本発明の方法のより具体的な実施形態について説明する。
図２は、本発明の方法を適用して、ポリメタルゲート電極を有する半導体部品を製造する方法の一例を示す断面図である。
【００３６】
まず、図２の（２ａ）に示すように、シリコン基板６１の上にゲート酸化膜６２を熱酸化法により形成した後、ゲート酸化膜６２の上に、ポリメタルゲート電極の材料となるポリシリコン膜６３１、タングステンナイトライド膜６３２、およびタングステン膜６３３を順次堆積し、その後、タングステン膜６３３の上にシリコン窒化膜６４を堆積する。続いて、シリコン窒化膜６４上に、ゲート電極形成領域を覆うレジストパターン６５を形成する。
【００３７】
次に、図２の（２ｂ）に示すように、レジストパターン６５をマスクとして、シリコン窒化膜６４、タングステン膜６３３、タングステンナイトライド膜６３２、およびポリシリコン膜６３１に対して順次ドライエッチングを行って、シリコン基板６１の上にゲート酸化膜６２を介してポリシリコン膜６３１、タングステンナイトライド膜６３２、およびタングステン膜６３３からなるポリメタルゲート電極６３を形成する。
【００３８】
次に、図２の（２ｃ）に示すように、レジストパターン６５をアッシングにより除去する。
次に、前述したような処理液を用いて、シリコン基板６１を洗浄する。これにより、レジスト残渣、パーティクルおよびポリマー（ドライエッチポリマー）等の不要物質６９が除去される（（２ｃ）、（２ｄ）参照）。特に、除去すべきではない部位（例えば、ポリメタルゲート電極６３を構成するタングステンナイトライド膜６３２およびタングステン膜６３３等）に悪影響を与えるのを十分に防止しつつ、上記のような不要物質（要除去部）６９を確実に除去することができる。
【００３９】
なお、上記の説明では、高融点金属としてはタングステン（Ｗ）を用いたが、例えば、高融点金属としてＭｏ、Ｔａ等を用いてもよいし、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等のシリサイド膜（ＷＳｉＸ、ＭｏＳｉＸ、ＴａＳｉＸ、ＴｉＳｉＸ）等を用いてもよいし、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ等の窒化物やＡｌ、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉＣｕ、Ｃｕ等の金属材料等を用いてもよい。
【００４０】
次に、本発明を適用して、相補型半導体装置（ＣＭＯＳ）を製造する方法について説明する。
図３、図４は、本発明の方法を適用して、相補型半導体装置（ＣＭＯＳ）を製造する方法の一例を示す断面図である。
まず、シリコン基板７１にＳＴＩからなる素子分離７２を形成して、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓとｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓとを規定する（（３ａ）参照）。次に、シリコン基板７１の上にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜７３、ポリシリコン膜７４、バリヤメタル膜７５、例えばタングステン膜等の高融点金属膜７６、およびシリコン窒化膜７７を順次堆積する。次に、ゲート電極形成領域を覆うレジストパターン（図示省略）を用いてシリコン窒化膜７７に対してエッチングを行った後、該レジストパターンをアッシングにより除去し、その後、パターン化されたシリコン窒化膜７７（ハードマスク）を用いて、高融点金属膜７６、バリヤメタル膜７５、ポリシリコン膜７４およびゲート絶縁膜７３に対してエッチングを行う。これにより、図３の（３ａ）に示すように、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓの上、およびｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓの上にそれぞれポリシリコン膜７４、バリヤメタル膜７５および高融点金属膜７６で構成される第１のゲート電極７８および第２のゲート電極７９が形成される。
【００４１】
次に、図３の（３ｂ）に示すように、第２のゲート電極７９の上を含むｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓを覆う第１のレジストパターン８０を形成した後、第１のレジストパターン８０および第１のゲート電極７８をマスクとしてシリコン基板７１に対してｎ型の不純物（例えば、ヒ素）を注入する。これにより、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓに第１のソース領域８１および第１のドレイン領域８２が形成される。
【００４２】
次に、図３の（３ｃ）に示すように、第１のレジストパターン８０を、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去する。このとき、シリコン基板７１の表面、または第２のゲート電極７９を構成するポリシリコン膜７４および高融点金属膜７６等の表面に薄い酸化膜８３が形成されると共に、素子分離７２の上または第２のゲート電極７９の側面にパーティクル８４が残存する。前述の不純物（例えば、ヒ素）の注入時に素子分離７２上における第１のレジストパターン８０の端部は特にダメージを受け易いため、素子分離７２上にはパーティクル８４が特に多く残存する傾向がある。
【００４３】
そこで、本実施形態においては、第１のレジストパターン８０をアッシングにより除去した後、図４の（４ａ）に示すように、前述したような処理液を用いた処理を行うことにより、酸化膜８３と共にパーティクル８４を除去する効率良く除去することができる。これにより、シリコン基板７１の表面を確実に清浄化することができる。
次に、図４の（４ｂ）に示すように、第１のゲート電極７８の上を含むｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｎｍｏｓを覆う第２のレジストパターン８５を形成した後、第２のレジストパターン８５および第２のゲート電極７９をマスクとしてシリコン基板７１に対してｐ型の不純物、例えばボロンを注入する。これにより、ｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｒｐｍｏｓに第２のソース領域８６および第２のドレイン領域８７が形成される。
【００４４】
次に、図４の（４ｃ）に示すように、第２のレジストパターン８５を、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去した後、前述のような処理液を用いた処理によりシリコン基板７１の表面を清浄化する。
以上に説明した工程により、ｎ型ＭＯＳＦＥＴおよびｐ型ＭＯＳＦＥＴを有するＣＭＯＳが得られる。
【００４５】
本実施形態によると、前述したような処理液を用いて、ゲート電極が形成されている基板を洗浄するため、例えば、過酸化水素水を含む洗浄液を用いた場合に比べて、高融点金属に対するエッチングレートを大きく低減できると共に、パーティクル、レジスト残渣、ポリマー等を確実に除去できる。したがって、ゲート電極に含まれる高融点金属の溶解を防止しつつ、基板を確実に洗浄することができるので、信頼性の高い半導体部品をより確実に得ることができる。
次に、上述したような本発明の方法を適用して得られる半導体を備えた電子機器（電子デバイス）について説明する。
【００４６】
本発明の電子機器は、上述したような本発明の方法を適用して得られた半導体部品を備えたものである。このような電子機器としては、例えば、液晶パネル、および、当該液晶パネルを備えた投射型表示装置（液晶プロジェクター）、パーソナルコンピュータ、携帯電話、ディジタルスチルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、テレビ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等が挙げられる。
【００４７】
以上、本発明の半導体基板の処理方法、半導体部品および電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の処理方法では、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。例えば、上述したような処理液以外の液体を用いた洗浄工程を有していてもよい。
また、上記の説明では、本発明で用いる処理液は、ＮＨ４ＯＨとＨＦとを含むものとして説明したが、これ以外の成分（例えば、Ｏ３等）が含まれていてもよい。
【実施例】
【００４８】
（実施例１）
［半導体基板の作製］
まず、シリコン基板を用意した。
このシリコン基板に対して、Ｏ２／Ｎ２混合ガス雰囲気中で、７５０℃×４７分間の熱酸化処理を施すことにより、シリコン基板の表面に酸化膜を形成した。形成された酸化膜の厚さは、５．５ｎｍであった。
【００４９】
その後、上記の熱酸化膜上に、０．１０ｋＰａのＳｉ(ＯＣ２Ｈ５)４ガス雰囲気中、６６０℃×４．９分間という条件でＴＥＯＳ膜（ＣＶＤ膜）を２０ｎｍ成膜し、更にＴＥＯＳ膜上に、０．０３ＰａのＳｉＨ２Ｃｌ２／ＮＨ３／Ｎ２混合ガス雰囲気中、７６０℃×５９分間という条件でＳｉ３Ｎ４膜を１５０ｎｍ成膜した。
次に、酸化膜の表面に、レジストマスクを被覆した。
【００５０】
次に、ＣＦ系ガス（ＣＦ４／Ｏ２／ＨＢｒ／Ｃｌ２の混合ガス）を用いたドライエッチングにより、レジストマスクで被覆されていない部分のＳｉ３Ｎ４膜を完全に除去した。ドライエッチング後の酸化膜（レジストマスクが被覆されていなかった部位）の厚さは、１５ｎｍであり、熱酸化膜とＴＥＯＳ膜がエッチングされずに残っていた。
次に、Ｏ２ガスのアッシングにより、レジストマスクを除去し、以下のような処理（処理液を用いて処理）に適用される半導体基板を得た。アッシングを行った後の半導体基板（酸化膜を有するシリコン基板）の表面には、レジストマスクの変性物、残渣等（不要物質）が残存していた。
【００５１】
［処理液による処理］
上記のようにして得られた半導体基板に対して、ＨＦとＮＨ４ＯＨとを所定の比率で含む処理液を用いた処理を行った。
処理液による処理は、以下のようにして行った。
まず、上記のようにして得られた半導体基板を枚葉スピン洗浄装置内にて処理ステージ上に固定し、ステージといっしょに回転させ、半導体基板に向けて、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体と、純水とが混合されてなる処理液を吐出ノズルから半導体基板に付与した。なお、この処理液の調製は、配管途中の混合部にて、第１の液体と、第２の液体と、純水とを混合することにより行った。処理液による処理時間は１分間とした。このとき、第１の液体としては、ＮＨ４ＯＨの濃度が７．４５［ｍｏｌ／Ｌ］のアンモニア水（アンモニアと純水との混合物）を用い、第２の液体としては、ＨＦの濃度が２８．６５［ｍｏｌ／Ｌ］のフッ酸（フッ化水素と純水との混合物）を用いた。また、混合部で混合される各液体の流量は、第１の液体の流量が３５ｍｌ／分、第２の液体の流量が２０ｍｌ／分、純水の流量が２０００ｍｌ／分となるように調節した。すなわち、処理液中における処理液中におけるＮＨ４ＯＨの濃度Ｘ［ｍｏｌ／Ｌ］と、ＨＦの濃度Ｙ［ｍｏｌ／Ｌ］の比（Ｘ／Ｙ）が０．４６であり、かつ、Ｘ＝０．１２９、Ｙ＝０．２８となるように調節した。
その後、第１の液体、第２の液体の供給を停止し、純水による半導体基板の洗浄（水洗）を行った。上記のような処理が施された半導体基板では、酸化膜（レジストマスクが被覆されていなかった部位）の厚さは、５．４ｎｍであり、ＴＥＯＳ膜は除去されて、熱酸化膜が確実に残存しており、実質的にダメージを受けていなかった。
【００５２】
［ウェットエッチングによる酸化膜の除去］
上記のような処理を施した半導体基板（半導体部品）に対して、希フッ酸を用いたウェットエッチングを施し、ウェットエッチング時間と酸化膜のエッチング量との相関を調べた。その結果、図５中の実線で示すように、ウェットエッチング時間と酸化膜のエッチング量との相関を示す直線は、ゼロ点を通るものであった。このことから、上記のような処理液を用いた処理により、レジストマスクの変性物、残渣等の不要物質（汚染物質）が確実に除去されていることが分かる。
【００５３】
そして、ＮＨ４ＯＨ、ＨＦの濃度を表１に示すように変更した処理液を用いた以外は、上記と同様にして作製した半導体基板に対して、上記と同様にして処理液による処理、水洗を行った。その結果、処理液として、ＮＨ４ＯＨの濃度Ｘ［ｍｏｌ／Ｌ］とＨＦの濃度Ｙ［ｍｏｌ／Ｌ］との間で、Ｘ／Ｙ＜０．３０、または、Ｘ／Ｙ＞０．７８の関係が成立するものを用いた場合には、ＣＦ系ガスによるドライエッチングが施された部位の酸化膜が除去され、下地のシリコンが露出することがあった。すなわち、処理液として、Ｘ／Ｙ＜０．３０、または、Ｘ／Ｙ＞０．７８の関係が成立するものを用いた場合には、要残存部である酸化膜を除去してしまい、半導体基板にダメージを与えてしまうことがあった。
【００５４】
その後、これらの半導体基板（半導体部品）について、上記と同様にして、希フッ酸によるウェットエッチングを施し、ウェットエッチング時間と酸化膜のエッチング量との相関を調べた。ここで、図５中の実線で示すようにウェットエッチング時間と酸化膜のエッチング量との相関を示す直線がゼロ点を通るものを○、図５中の破線で示すようにウェットエッチング時間と酸化膜のエッチング量との相関を示す直線がゼロ点を通らないものを×として評価し、その結果を表１に示した。なお、ＮＨ４ＯＨ、ＨＦの濃度の変更は、各ノズルからの各液体（第１の液体、第２の液体および純水）の供給量を変更することにより行った。
【００５５】
【表１】
2006203161.tif 000002
【００５６】
表１から明らかなように、処理液として、ＮＨ４ＯＨの濃度Ｘ［ｍｏｌ／Ｌ］とＨＦの濃度Ｙ［ｍｏｌ／Ｌ］とが、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足するものを用いた場合には、ウェットエッチング時間と酸化膜のエッチング量との相関を示す直線は、ゼロ点を通るものであった。これに対し、処理液として、ＮＨ４ＯＨの濃度Ｘ［ｍｏｌ／Ｌ］とＨＦの濃度Ｙ［ｍｏｌ／Ｌ］との間で、Ｘ／Ｙ＜０．３０、または、Ｘ／Ｙ＞０．７８の関係が成立するものを用いた場合には、ウェットエッチング時間と酸化膜のエッチング量との相関を示す直線は、ゼロ点を通らないものがあった。このことから、このような処理液を用いた場合には、レジストマスクの変性物、残渣等の不要物質（汚染物質）が確実に除去されていないことが分かる。
【００５７】
（実施例２）
［半導体基板の作製］
まず、シリコン基板を用意した。
このシリコン基板に対して、Ｏ２／Ｎ２混合ガス雰囲気中で、７５０℃×４７分間の熱酸化処理を施すことにより、シリコン基板の表面に熱酸化膜を形成した。形成された熱酸化膜の厚さは、５．５ｎｍであった。
【００５８】
その後、上記の熱酸化膜上に、０．１０ｋＰａのＳｉ(ＯＣ２Ｈ５)４ガス雰囲気中、６６０℃×２．５分間という条件でＴＥＯＳ膜（ＣＶＤ膜）を１０ｎｍ成膜し、更にＴＥＯＳ膜上に、０．０４ｋＰａのＳｉＨ４混合ガス雰囲気中、６１０℃×２２．５分間という条件でＰｏｌｙ−Ｓｉ膜を２００ｎｍ成膜した。
次に、熱酸化膜の表面に、レジストマスクを被覆した。
【００５９】
次に、ＣＦ系ガス（ＣＦ４／Ｏ２／ＨＢｒ／Ｃｌ２の混合ガス）を用いたドライエッチングにより、レジストマスクで被覆されていない部分のＰｏｌｙ−Ｓｉを完全に除去した。すなわち、ドライエッチングを施すことにより、レジストマスクが被覆されていなかった部位のＰｏｌｙ−Ｓｉを残し、それ以外の部位のＰｏｌｙ−Ｓｉを除去した。ドライエッチング後の酸化膜（レジストマスクが被覆されていなかった部位）の厚さは、１５ｎｍであり、熱酸化膜とＴＥＯＳ膜がエッチングされずに残っていた。
次に、Ｏ２ガスのアッシングにより、レジストマスクを除去し、以下のような処理（処理液を用いて処理）に適用される半導体基板を得た。アッシングを行った後の半導体基板（熱酸化膜、ＣＶＤ酸化膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を有するシリコン基板）の表面には、レジストマスクの変性物、残渣等（不要物質）が残存していた。
【００６０】
［処理液による処理］
上記のようにして得られた半導体基板に対して、ＨＦとＮＨ４ＯＨとを所定の比率で含む処理液を用いた処理を行った。
処理液による処理は、以下のようにして行った。
まず、上記のようにして得られた半導体基板を枚葉スピン洗浄装置内にて処理ステージ上に固定し、ステージといっしょに回転させ、半導体基板に向けて、ＮＨ４ＯＨを含む第１の液体と、ＨＦを含む第２の液体とが混合されてなる処理液を吐出ノズルから半導体基板に付与し、このときの熱酸化膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＣＶＤ酸化膜の様子を観察した。なお、この処理液の調製は、配管途中の混合部にて、第１の液体と、第２の液体とを混合することにより行った。このとき、第１の液体としては、ＮＨ４ＯＨの濃度が７．４５［ｍｏｌ／Ｌ］のアンモニア水（アンモニアと純水との混合物）を用い、第２の液体としては、ＨＦの濃度が２８．６５［ｍｏｌ／Ｌ］のフッ酸（フッ化水素と純水との混合物）を用いた。
また、上記と同様にして作製した半導体基板に対して、第１の液体、第２の液体の流量（供給量）を、それぞれ、変化させた以外は、前記と同様にして処理液による処理を行い、このときの熱酸化膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＣＶＤ酸化膜の様子を観察した。
【００６１】
その結果、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足する処理液を用いた場合には、熱酸化膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等に悪影響を与えるのを十分に防止しつつ、ＣＶＤ酸化膜を速やかに除去することができた。特に、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．４３の関係を満足する処理液を用いた場合には、熱酸化膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等に悪影響を与えるのを十分に防止しつつ、より短時間でＣＶＤ酸化膜を確実に除去することができた。これに対し、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係を満足しない処理液を用いた場合、すなわち、処理液として、Ｘ／Ｙ＜０．３０、または、Ｘ／Ｙ＞０．７８の関係が成立するものを用いた場合には、要除去部であるＣＶＤ酸化膜とともに、要残存部である熱酸化膜を除去してしまったり、要残存部であるＰｏｌｙ−Ｓｉにダメージを与えてしまったり、要除去部であるＣＶＤ酸化膜を十分に除去できない等の問題があった。
また、上記のように、第１の液体、第２の液体の流量を種々変化させたときの、熱酸化膜（要残存部）のエッチングレートを図６に示す。
図６から明らかなように、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係を満足する処理液を用いた場合には、熱酸化膜のエッチングレートを十分に小さくできることが分かる。
【００６２】
（実施例３）
前述した実施形態で説明したような方法により、図２に示すようなポリメタルゲート電極を有する半導体部品を製造した。
この際、前記実施例と同様にして、処理液中のＮＨ４ＯＨの濃度Ｘ［ｍｏｌ／Ｌ］、および、ＨＦの濃度Ｙ［ｍｏｌ／Ｌ］を変化させた。
【００６３】
その結果、前記実施例と同様の結果が得られた。すなわち、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足する処理液を用いた場合には、要残存部（ポリメタルゲート電極６３を構成するタングステンナイトライド膜６３２およびタングステン膜６３３等）に悪影響を与えることなく、レジスト残渣、パーティクルおよびポリマー（ドライエッチポリマー）等の不要物質を確実に除去することができた。これに対し、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係を満足しない処理液を用いた場合、すなわち、処理液として、Ｘ／Ｙ＜０．３０、または、Ｘ／Ｙ＞０．７８の関係が成立するものを用いた場合には、不要物質とともに要残存部を除去してしまったり、不要物質（要除去部）を十分に除去できない等の問題があった。
【００６４】
（実施例４）
前述した実施形態で説明したような、図３〜４に示す方法により、相補型半導体装置（ＣＭＯＳ）を製造した。
この際、前記実施例と同様にして、処理液中のＮＨ４ＯＨの濃度Ｘ［ｍｏｌ／Ｌ］、および、ＨＦの濃度Ｙ［ｍｏｌ／Ｌ］を変化させた。
【００６５】
その結果、前記実施例と同様の結果が得られた。すなわち、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足する処理液を用いた場合には、要残存部（高融点金属で構成された部位等）に悪影響を与えることなく、レジスト残渣、パーティクルおよびポリマー（ドライエッチポリマー）等の不要物質を確実に除去することができた。これに対し、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係を満足しない処理液を用いた場合、すなわち、処理液として、Ｘ／Ｙ＜０．３０、または、Ｘ／Ｙ＞０．７８の関係が成立するものを用いた場合には、不要物質とともに要残存部を除去してしまったり、不要物質（要除去部）を十分に除去できない等の問題があった。
【００６６】
（実施例５）
前記実施例と同様にして、０．３０≦Ｘ／Ｙ≦０．７８の関係、および、０．０３≦Ｙ≦６．０の関係を満足する処理液を用いて、液晶パネルを製造し、さらに、当該液晶パネルを備えた、投射型表示装置を製造した。その結果、得られたの投射型表示装置では、鮮明でコントラストに優れた画像を極めて長期間にわたって表示することができた。すなわち、本発明の半導体部品を備えた電子機器は、信頼性の高いものであった。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の半導体基板の処理方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の方法を適用して、ポリメタルゲート電極を有する半導体部品を製造する方法の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の方法を適用して、相補型半導体装置（ＣＭＯＳ）を製造する方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の方法を適用して、相補型半導体装置（ＣＭＯＳ）を製造する方法の一例を示す断面図である。
【図５】レジストマスクを除去した半導体基板に処理液を用いた処理を行った際の酸化膜のエッチング量の経時的な変化を示す図である。
【図６】第１の液体、第２の液体の流量を種々変化させたときの、熱酸化膜（要残存部）のエッチングレートを示す図である。
【符号の説明】
【００６８】
５…半導体基板  ５１…要除去部  ５２…要残存部  ６１…シリコン基板  ６２…ゲート酸化膜  ６３…ポリメタルゲート電極  ６３１…ポリシリコン膜  ６３２…タングステンナイトライド膜  ６３３…タングステン膜  ６４…シリコン窒化膜  ６５…レジストパターン  ６９…不要物質（要除去部）  ７１…シリコン基板  ７２…素子分離  ７３…ゲート絶縁膜  ７４…ポリシリコン膜  ７５…バリヤメタル膜  ７６…高融点金属膜  ７７…シリコン窒化膜  ７８…第１のゲート電極  ７９…第２のゲート電極  ８０…第１のレジストパターン  ８１…第１のソース領域  ８２…第１のドレイン領域  ８３…酸化膜  ８４…パーティクル  ８５…第２のレジストパターン  ８６…第２のソース領域  ８７…第２のドレイン領域  Ｒｎｍｏｓ…ｎ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域  Ｒｐｍｏｓ…ｐ型ＭＯＳＦＥＴ形成領域
【図１】
2006203161.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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