(57)【要約】【課題】ウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率良くストリートを分離できるようにする。【解決手段】ウェーハの加工装置１は、ウェーハの裏面を研削する研削手段２と、ウェーハの裏面側から表面側を透過させてストリートを認識してストリート相当領域以外の領域にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段３と、ストリート相当領域を裏面から表面にかけてエッチング除去してウェーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング手段と４から構成され、ウェーハ裏面の研削からデバイスへの分割までを行うことができる。レジスト膜被覆手段３においては、赤外線撮像部３２によってウェーハを裏面側から撮像して表面側に形成されたストリートを認識し、レジスト膜噴射部３４からストリート相当領域以外の領域に向けて液状レジストを噴射することにより、ストリート相当領域のみを露出させることができる。【選択図】図１
2006173462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスがストリートによって区画されて表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工装置であって、
表面に保護部材が貼着されたウェーハの裏面を研削して該ウェーハを所定の厚みに形成する研削手段と、
該ウェーハの裏面側から表面側を透過させてストリートを認識し、該裏面のうち該ストリートに相当するストリート相当領域以外の領域にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、
フッ素系安定ガスをプラズマ化して該ウェーハの裏面側に供給し、該ストリート相当領域を裏面から表面にかけてエッチング除去して該ウェーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング手段とから構成され、
該研削手段は、ウェーハを吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハの裏面を研削する研削部と、研削されたウェーハを洗浄する洗浄部とを少なくとも備え、
該レジスト膜被覆手段は、ウェーハを保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持されたウェーハを裏面側から撮像して表面側に形成されたストリートを認識する赤外線撮像部と、該ウェーハの裏面のうち該ストリート相当領域以外の領域に向けて液状レジストを噴射するレジスト噴射部と、噴射された液状レジストを加熱して固化させる加熱部とを少なくとも備えたウェーハの加工装置。
【請求項２】
前記洗浄部には、前記ウェーハの裏面への液状レジストの付着状態を良好とするための下地処理液を噴射する下地処理液噴射ノズルを備えた請求項１に記載のウェーハの加工装置。
【請求項３】
前記フッ素系安定ガスは、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３のいずれかである請求項１または２に記載のウェーハの加工装置。
【請求項４】
前記プラズマエッチング手段は、酸素をプラズマ化して前記デバイスに分割されたウェーハの裏面側に供給し、該デバイスの裏面に被覆されたレジスト膜を灰化させて除去する機能を有する請求項１、２または３に記載のウェーハの加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハに形成されたストリートをエッチングして個々のデバイスに分割する機能を有するウェーハの加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等により構成されるデバイスが縦横に形成されたストリートによって区画されて表面に複数形成されたウェーハは、ストリートを分離させることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器に利用されている。
【０００３】
通常、ストリートは高速回転する切削ブレードによって切削されるが、ウェーハの厚みが１００μｍ以下、５０μｍ以下というように極めて薄くなると、切削ブレードの破砕力によってデバイスに欠けが生じ、抗折強度が低下して品質が低下するという問題がある。
【０００４】
そこで、ウェーハの表面にマスク部材を被覆し、マスク部材のうちストリートの上方に位置する部分のみに高速回転する切削ブレードを切り込ませることによりその部分のマスク部材を除去してストリートを露出させ、その後ウェーハの表面側にエッチング剤を供給してストリート部分のみを化学的にエッチングすることによりストリートを分離させて個々のデバイスに分割する技術も提案されている（例えば特許文献１、特許文献２参照）。かかる技術によれば、ウェーハについては切削を行わずに済むため、デバイスの品質が低下するのを防止することができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１２７０１１号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、切削ブレードを用いてストリートに対応する領域のマスク部材を除去するためには、切削ブレードを精密に位置合わせして個々のストリートに対応する領域を個別に切削する必要があるため、すべての領域を切削するには相当の時間を要し、生産性が低いという問題がある。特に、デバイスのサイズが小さい場合には、ストリートの数が多くなるため、より生産性が低下する。
【０００７】
また、切削装置、エッチング装置等の複数の装置が必要であり、しかも、各装置間でウェーハを搬送する必要もあるため、これも生産性を低下させる一つの要因となっている。
【０００８】
そこで本発明は、ウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率良くストリートを分離できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、複数のデバイスがストリートによって区画されて表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工装置に関するもので、表面に保護部材が貼着されたウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚みに形成する研削手段と、ウェーハの裏面側から表面側を透過させてストリートを認識し、裏面のうちストリートに相当するストリート相当領域以外の領域にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段と、フッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハの裏面側に供給し、ストリート相当領域を裏面から表面にかけてエッチング除去してウェーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング手段とから構成される。研削手段は、ウェーハを吸引保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウェーハの裏面を研削する研削部と、研削されたウェーハを洗浄する洗浄部とを少なくとも備え、レジスト膜被覆手段は、ウェーハを保持する保持テーブルと、保持テーブルに保持されたウェーハを裏面側から撮像して表面側に形成されたストリートを認識する赤外線撮像部と、ウェーハの裏面のうちストリート相当領域以外の領域に向けて液状レジストを噴射するレジスト噴射部と、噴射された液状レジストを加熱して固化させる加熱部とを少なくとも備える。
【００１０】
洗浄部には、ウェーハの裏面への液状レジストの付着状態を良好とするための下地処理液を噴射する下地処理液噴射ノズルを備えることが好ましい。フッ素系安定ガスとしては、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３等がある。プラズマエッチング手段には、酸素をプラズマ化してデバイスに分割されたウェーハの裏面側に供給し、デバイスの裏面に被覆されたレジスト膜を灰化させて除去する機能を備えることもできる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るウェーハの加工装置においては、研削手段とレジスト膜被覆手段とプラズマエッチング手段とを備え、研削手段においてはウェーハの裏面を研削して所定の厚みに形成すると共に研削面を洗浄し、レジスト膜被覆手段においてはウェーハ裏面のストリート相当領域を避けてレジスト膜を被覆し、プラズマエッチング手段においては露出したストリート相当領域をエッチングして個々のデバイスに分割することができる。したがって、１つの装置でウェーハ裏面の研削からデバイスへの分割までの一連の作業を行うことができ、生産性が高い。また、ウェーハを切削することがないため、ウェーハの品質が低下することもない。また、プラズマエッチング手段では、ストリート相当領域を避けてレジスト噴射部から液状レジストを噴射することによりレジスト膜を被覆するため、裏面一面にレジスト膜を被覆してからストリート相当領域の上方のレジスト膜を切削して除去する、若しくは露光して除去するといった作業は不要であり、露光装置等も不要である。
【００１２】
洗浄部に、ウェーハの裏面への液状レジストの付着状態を良好とするための下地処理液を噴射する下地処理液噴射ノズルを備えた場合には、ウェーハの裏面に予め下地処理液を塗布しておくと、レジスト膜被覆手段においてレジスト膜を被覆する際にウェーハの裏面に対するレジスト膜の付着状態が良好となる。
【００１３】
プラズマエッチング手段が、酸素をプラズマ化してデバイスに分割されたウェーハの裏面側に供給し、デバイスの裏面に被覆されたレジスト膜を灰化させて除去する機能を有する場合には、レジスト膜の除去までを１つの装置で行うことができるため、効率的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１に示すウェーハの加工装置１は、本発明の一例を示したもので、ウェーハの裏面を研削してウェーハを所定の厚みに形成する研削手段２と、ウェーハの裏面側にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆手段３と、化学的エッチングによりウェーハを個々のデバイスに分割するプラズマエッチング手段５とを備えている。
【００１５】
研削手段２においては、ウェーハを複数段に重ねて収容する第一のウェーハカセット２０ａ、第二のウェーハカセット２０ｂを備えており、研削前のウェーハが第一のウェーハカセット２０ａ及び第二のウェーハカセット２０ｂに収容される。
【００１６】
第一のウェーハカセット２０ａ、第二のウェーハカセット２０ｂの間には、ウェーハを搬出入する機能を有する搬出入手段２１が配設されている。搬出入手段２１は、屈曲及び旋回動可能なアーム部２１０の先端に保持板２１１が設けられた構成となっており、保持板２１１は、アーム部２１０によって第一のウェーハカセット２０ａ、第二のウェーハカセット２０ｂの内部に進入可能となっている。
【００１７】
搬出入手段２１を構成する保持板２１１が移動可能な位置には、ウェーハを一定の位置に位置合わせする機能を有する仮置きテーブル２２が配設され、仮置きテーブル２２には、互いが近づく方向または離れる方向に移動可能な複数の位置合わせ部材２２０が配設されている。
【００１８】
仮置きテーブル２２に近接する位置にはターンテーブル２３が配設されている。ターンテーブル２３は、４つのチャックテーブル２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄを自転及び公転可能に支持している。ターンテーブル２３及び仮置きテーブル２２の近傍には、昇降及び旋回動可能なアーム部２５０の先端に吸着板２５１を備えた構成の第一の搬送手段２５が配設されており、第一の搬送手段２５は、仮置きテーブル２２に載置されているウェーハを仮置きテーブル２２に近い位置にあるチャックテーブルに搬送することができる。
【００１９】
チャックテーブル２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄの移動経路の上方には、ウェーハの面を研削する機能を有する第一の研削部２６及び第二の研削部２７が配設されている。
【００２０】
第一の研削部２６は、垂直方向の軸心を有するスピンドル２６０がハウジング２６１によって回転可能に支持され、スピンドル２６０の下端に形成されたホイールマウント２６２に研削ホイール２６３が固定され、例えば粗研削用の研削砥石２６４が研削ホイール２６３の下面に固着され、スピンドル２６０の上端にモータ２６５が連結された構成となっている。ハウジング２６１は固定板２６６を介して昇降板２６７に固定されている。昇降板２６７は、垂直方向に配設された一対のガイドレール２６８に摺動可能に係合しており、モータ２６９の駆動により昇降板２６７が昇降し、これに伴い第一の研削部２６が昇降する構成となっている。
【００２１】
第二の研削部２７は、垂直方向の軸心を有するスピンドル２７０がハウジング２７１によって回転可能に支持され、スピンドル２７０の下端に形成されたホイールマウント２７２に研削ホイール２７３が固定され、例えば粗研削用の研削砥石２７４が研削ホイール２７３の下面に固着され、スピンドル２７０の上端にモータ２７５が連結された構成となっている。ハウジング２７１は固定板２７６を介して昇降板２７７に固定されている。昇降板２７７は、垂直方向に配設された一対のガイドレール２７８に摺動可能に係合しており、モータ２７９の駆動により昇降板２７７が昇降し、これに伴い第二の研削部２７が昇降する構成となっている。
【００２２】
第二のウェーハカセット２０ｂの近傍には、スピンナーテーブル２８０において研削後のウェーハを保持して洗浄する洗浄手段２８が配設されている。洗浄手段２８に最も近い位置にあるチャックテーブルの近くには、昇降及び旋回動可能なアーム部２９０の先端に吸着板２９１を備えた構成の第二の搬送手段２９が配設されており、第二の搬送手段２９は、研削済みのウェーハを最も近い位置にあるチャックテーブルからスピンナーテーブル２８０に搬送することができる。
【００２３】
レジスト膜被覆手段３においては、ターンテーブル３０を備えており、ターンテーブル３０は、図示の例では４つの保持テーブル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄを自転及び公転可能に支持している。
【００２４】
ターンテーブル３０の回転による保持テーブル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄの移動経路の上方には、赤外線撮像部３２が配設されている。赤外線撮像部３２には、ガイド部３３にガイドされてY軸方向に移動可能な移動部３２０と、移動部３２０に対してＸ軸方向に移動可能な赤外線カメラ３２１とを備えており、撮像により取得した画像は、赤外線撮像部３２の内部に備えるメモリ（図示せず）に記憶される。
【００２５】
また、保持テーブル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄの移動経路の上方には、赤外線撮像部３２と並列にレジスト噴射部３４が配設されている。レジスト噴射部３４は、インクジェットのようにして液状レジストを噴射する機能を有し、ガイド部３３にガイドされてＹ軸方向に移動可能な移動部３４０と、移動部３４０に対してＸ軸方向に移動可能でありいずれかの保持テーブルによって保持されたウェーハに液状レジストを噴出するレジストノズル３４１とを備えており、レジストノズル３４１は、液状レジストを蓄える液状レジストタンク３５に連結されている。
【００２６】
更に、保持テーブル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄの移動経路の上方には、加熱部３６を備えており、レジスト噴射部３４によってウェーハに噴射された液状レジストを加熱する機能を有する。
【００２７】
レジスト膜被覆手段３の近傍には、ウェーハを搬送する搬送装置４が配設されている。搬送装置４は、Ｘ軸方向に延びるガイドレール４０と、ガイドレール４０に沿ってＸ軸方向に移動可能な移動部４１と、移動部４１に対して昇降可能でかつ屈曲可能なアーム部４２と、アーム部４２の先端部に設けられた保持板４３とから構成される。
【００２８】
プラズマエッチング手段５は、ガス供給部５１とエッチング処理部５２とを備えている。ガス供給部５１には、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ４、ＣＨＦ３等のフッ素を含む安定ガスであるフッ素系安定ガスが蓄えられる。一方、エッチング処理部５２においてはウェーハＷを収容し、ガス供給部５１から供給されるフッ素系安定ガスをプラズマ化してウェーハＷをエッチングする。
【００２９】
図２に示すように、エッチング処理部５２は、プラズマエッチングが行われるチャンバ５３の上部側からエッチングガス噴出手段５４を収容すると共に、エッチングしようとする板状物を保持するチャックテーブル５５を下部側から収容した構成となっている。
【００３０】
エッチングガス噴出手段５４は、チャックテーブル５５に保持されたウェーハＷの露出面にエッチングガスを供給する機能を有し、軸部５４ａがチャンバ５３に対して軸受け５６を介して昇降自在に挿通しており、内部にはガス供給部５１に連通すると共にポーラス部材で形成された噴出部５７ａに連通するガス流通孔５７が形成されている。エッチングガス噴出手段５４は、モータ５８に駆動されてボールネジ５９が回動し、ボールネジ５９に螺合したナットを有する昇降部６０が昇降するのに伴い昇降する構成となっている。
【００３１】
一方、チャックテーブル５５は、軸部５５ａが軸受け６１を介して回動可能に挿通しており、内部には吸引源６２に連通する吸引路６３及び冷却部６４に連通する冷却路６５が形成されており、吸引路６３は上面の吸引部６３ａに連通している。
【００３２】
チャンバ５３の側部にはエッチングする板状物の搬出入口となる開口部６６が形成されており、開口部６６の外側には昇降により開口部６６を開閉するシャッター６７が配設されている。このシャッター６７は、シリンダ６８に駆動されて昇降するピストン６９によって昇降する。
【００３３】
チャンバ５３の下部にはガス排出部７０に連通する排気口７１が形成されており、排気口７１から使用済みのガスを排出することができる。また、エッチングガス噴出手段５４及びチャックテーブル５５には高周波電源７２が接続され、高周波電圧を供給し、エッチングガスをプラズマ化することができる。
【００３４】
図３に示すように、ウェーハＷの表面Ｗ１には、複数のデバイスＤがストリートＳによって区画されて形成されている。そして、この研削前のウェーハＷの表面Ｗ１に保護部材Ｐが貼着されて図４に示す状態となり、その状態で図１に示した第一のウェーハカセット２０ａ及び第二のウェーハカセット２０ｂに収容される。
【００３５】
図１を参照して説明すると、表面Ｗ１に保護部材Ｐが貼着されたウェーハＷは、搬出入手段２１を構成する保持板２１１によってウェーハＷの裏面Ｗ２側が保持されて第一のウェーハカセット２０ａから搬出されるか、または第一のウェーハカセット２０ａが空になった場合は第二のウェーハカセット２０ｂから搬出され、保護部材Ｐ側が仮置きテーブル２２に載置され、ウェーハＷの裏面Ｗ２が上を向いて露出した状態となる。そして位置合わせ部材２２０によってウェーハＷが一定に位置に位置合わせされる。
【００３６】
ウェーハＷの位置合わせが行われた後は、第一の搬送手段２５を構成するアーム部２５０の旋回動により吸着板２５１が仮置きテーブル２２の直上に移動し、アーム部２５０と共に吸着板２５１が下降してウェーハＷの裏面Ｗ２を吸着する。そして、吸着板２５１が上昇して保護部材Ｐと共にウェーハＷを持ち上げ、アーム部２５０の旋回動によりチャックテーブル２４ａの直上にウェーハＷを位置付けた後に、吸着板２５１を下降させてウェーハＷをチャックテーブル２４ａに載置する。そして、吸着板２５１による吸着を解除すると、ウェーハＷがチャックテーブル２４ａに保持される。
【００３７】
ウェーハＷがチャックテーブル２４ａに吸引保持されると、ターンテーブル２３が反時計回りに所定角度（図示の例では９０度）回転することで、ウェーハＷが第一の研削部２６の直下に位置付けられる。そして、図５に示すように、スピンドル２６０の回転により研削ホイール２６３が回転すると共に、第一の研削部２６が下降して回転する研削砥石２６４がウェーハＷの裏面Ｗ２に接触し、裏面Ｗ２が粗研削される。
【００３８】
粗研削終了後は、ターンテーブル２３が９０度回転することで、ウェーハＷが第二の研削部２７の直下に位置付けられる。そして、図５に示すように、スピンドル２７０の回転により研削ホイール２７３が回転すると共に、第二の研削部２７が下降して回転する研削砥石２７４がウェーハＷの裏面Ｗ２に接触し、裏面Ｗ２が仕上げ研削され、ウェーハＷが所定の厚みに形成される。なお、第一の研削部２６と第二の研削部２７とは同様の構造となっているため、図５においては第一の研削部２６による粗研削と第二の研削部２７による仕上げ研削の双方を示している。
【００３９】
仕上げ研削が終了すると、ターンテーブル２３が９０度回転し、ウェーハＷが洗浄手段２８の近傍に位置付けられる。そして、第二の搬送手段２９を構成するアーム部２９０の旋回動により吸着板２９１が仕上げ研削済みのウェーハＷの直上に移動し、アーム部２９０と共に吸着板２９１が下降してウェーハＷの裏面Ｗ２を吸着する。そして、吸着板２９１が上昇して保護部材Ｐと共にウェーハＷを持ち上げ、アーム２９０の旋回動により洗浄手段２８を構成するスピンナーテーブル２８０の直上にウェーハＷを位置付けた後に、吸着板２９１を下降させてウェーハＷをスピンナーテーブル２８０に載置する。そして、吸着板２９１による吸着を解除すると、ウェーハＷがスピンナーテーブル２８０に保持される。
【００４０】
図６に示すように、洗浄手段２８においては、モータ２８１によって駆動されてスピンナーテーブル２８０が回転可能となっている。また、モータ２８１はエアーピストン２８２によって昇降可能となっており、これに対応してスピンナーテーブル２８０も昇降可能となっている。スピンナーテーブル２８０の周囲には、洗浄水を噴出する洗浄水ノズル２８３、エアーを噴出するエアーノズル２８４が配設されている。また、後述する下地処理液を噴出する下地処理液噴射ノズル２８５も備えている。
【００４１】
第二の搬送手段２９によってウェーハＷをスピンナーテーブル２８０に載置する際は、エアーピストン２８２によってスピンナーテーブル２８０が上昇する。そして、ウェーハＷがスピンナーテーブル２８０に保持されると、スピンナーテーブル２８０が下降した後に、モータ２８１に駆動されてスピンナーテーブル２８０が高速回転すると共に、洗浄水ノズル２８３から洗浄水が噴出されてウェーハＷの裏面Ｗ２側が洗浄される。また、洗浄後は、スピンナーテーブル２８０が高速回転した状態でエアーノズル２８４からエアーが噴出されて洗浄水が除去される。更に、レジスト膜被覆手段３における液状レジストの裏面Ｗ２への付着を促進し、付着状態を向上させるために、下地処理液噴射ノズル２８５から下地処理液を噴出させ、裏面Ｗ２の一面に塗布しておいてもよい。
【００４２】
以上のようにしてウェーハＷの裏面Ｗ２が研削され、洗浄が行われ、更に必要に応じて裏面Ｗ２に下地処理液が塗布されると、ウェーハＷは、スピンナーテーブル２８０から搬送装置４によって搬出され、レジスト膜被覆手段３に搬送される。搬送装置４を構成する保持板４３は、洗浄手段２８に進入し、洗浄済みのウェーハＷを保護部材Ｐと共に保持する。そしてその状態でウェーハＷを搬出し、保持テーブル３１ａに載置する。そして、吸着を解除すると、裏面Ｗ２が上を向いた状態でウェーハＷが保持テーブル３１ａに保持される。
【００４３】
次に、ターンテーブル３０が時計回りに回転することにより、ウェーハＷを保持した保持テーブル３１ａが赤外線撮像部３２の直下に位置付けられる。そして、赤外線カメラ３２１によってウェーハＷを透過させて表面Ｗ１を撮像し、その画像をメモリに記憶させる。記憶させた画像においては、Ｘ−Ｙ座標によって表面Ｗ１に形成されたストリートＳ（図３参照）を認識することができる。
【００４４】
次に、ターンテーブル３０を時計回りに９０度回転させ、ウェーハＷをレジスト膜被覆手段３４の直下に位置付ける。そして、移動部３４０をＹ軸方向に移動させると共にレジスト噴射部３４１をＸ軸方向に移動させながら、記憶させたウェーハＷの表面Ｗ１の画像に基づき、レジストノズル３４１から液状レジストを噴出することにより、図７（Ａ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗ２のうちストリート相当領域Ｓ１以外の領域にレジスト層Ｒを形成する。液状レジストを噴出させる際には、赤外線撮像部３２によって記憶された画像と同様の座標系を用い、レジストノズル３４１がストリート相当領域Ｓ１を避けて移動するように制御することにより、ストリート相当領域Ｓ１以外の領域のみに対して液状レジストを噴出し、ストリート相当領域Ｓ１には液状レジストを供給しないようにする。ここで、ストリート相当領域Ｓ１の幅は、図３に示したストリートＳの幅と略同一であってもよいし、ストリートＳの幅より狭くてもよい。このように、レジストノズル３４１からストリート相当領域Ｓ１を避けてレジストを噴出させ、ストリート相当領域Ｓ１のみを露出させることができるため、裏面一面にレジスト膜を被覆してからストリート相当領域の上方のレジスト膜を切削したり露光してエッチングしたりするといった作業が不要となる。したがって、効率的であり、また、そのための露光装置等も不要となる。
【００４５】
レジスト膜が被覆されたウェーハＷは、ターンテーブル３０が時計回りに９０度回転することにより加熱部３６の直下に位置付けられる。そして、レジスト層Ｒが加熱部３６によって加熱されて固化し、レジスト膜Ｒが被覆された状態となる。こうしてレジスト膜Ｒが被覆されたウェーハＷは、ターンテーブル３０が時計回りに９０度回転することにより元の位置（ウェーハＷが載置された時の位置）に戻る。そして、搬送装置４を構成する保持板４３によってウェーハＷが保持され、移動部４１が＋Ｘ方向に移動することにより、ウェーハＷがプラズマエッチング手段５に搬送される。このようにしてウェーハを次々と保持テーブル３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄに搬出し、すべてのウェーハの裏面に、ストリート相当領域を避けてレジスト膜を被覆し、プラズマエッチング手段５に搬送していく。
【００４６】
プラズマエッチング手段５においては、搬送装置４によってレジスト膜Ｒが被覆されたウェーハＷが搬送されてくると、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させ、搬送装置４を構成する保持板４３がウェーハＷを保持した状態でチャンバ５３の内部に進入し、レジスト膜Ｒが被覆された裏面Ｗ２側が上に向いて露出した状態で吸引部６３ａに保持される。そして、保持板４３をチャンバ５３の外部に退避させてからシャッター６７を元の位置に戻して開口部６６を閉め、内部を減圧排気する。
【００４７】
次に、エッチングガス噴出手段５４を下降させ、その状態でガス供給部５１からガス流通孔５７にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス噴出手段５４の下面の噴出部５７ａからエッチングガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス噴出手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。そうすると、プラズマのエッチング効果によりウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分、すなわち、ストリート対応部Ｓ１のみがエッチングされる。そして、ウェーハＷの厚み分だけエッチングすると、図７（Ｂ）に示すように、個々のデバイスに分離される。
【００４８】
ウェーハＷが個々のデバイスに分離された後は、図７（Ｃ）に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗ２に被覆されたレジスト膜Ｒを除去する。レジスト膜Ｒの除去には、プラズマエッチング手段５を用いることができる。プラズマエッチング手段５を用いてレジスト膜Ｒを除去する場合は、ストリート対応部Ｓ１のエッチングにおいて用いたフッ素系安定ガスを排気口７１からガス排出部７０に排気し、チャンバ５３の内部にフッ素系安定ガスが存在しない状態とする。そして次に、ガス供給部５１からＯ２ガスをガス流通孔５７に供給し、エッチングガス噴出手段５４の下面の噴出部５７ａからＯ２ガスを噴出させると共に、高周波電源７２からエッチングガス噴出手段５４とチャックテーブル５５との間に高周波電圧を印加してＯ２ガスをプラズマ化させる。そうすると、レジスト膜Ｒが酸化し、灰化して除去され、図７（Ｃ）に示すように、個々のデバイスＤのみが保護部材Ｐに貼着された状態で残る。
【００４９】
このようにしてウェーハＷが個々のデバイスＤに分割され、レジスト膜Ｒが除去されると、シャッター６７を下降させて開口部６６を開口させ、搬送装置４の保持板４３をチャンバ５３に進入させて、保護部材Ｐに貼着されデバイスＤに分離されたウェーハＷを保持する。そして、その状態で保持板４３をチャンバ５３の外に退避させてウェーハＷを搬出し、プラズマエッチング手段５の外部に載置された分割済みウェーハカセット７３に収容する。
【００５０】
以上説明したように、図１に示したウェーハの加工装置１においては、研削手段２においてウェーハの裏面を研削して所定の厚みとし、レジスト膜被覆手段３においてウェーハの裏面のうちストリート対応部以外の領域にレジスト膜を被覆し、プラズマエッチング手段においてストリート対応部をエッチングして個々のデバイスに分割することができる。したがって、一連の作業を１つの装置で行うことができるため、生産性が高く、かつ、ウェーハを切削することがないため、ウェーハの品質が低下することもない。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】ウェーハの加工装置の一例を示す斜視図である。
【図２】プラズマエッチング手段を構成するエッチング処理部の構成の一例を示す略示的断面図である。
【図３】ウェーハ及び保護部材を示す斜視図である。
【図４】保護部材がウェーハの表面に貼着された状態を示す斜視図である。
【図５】ウェーハの裏面を研削する様子を示す略示的断面図である。
【図６】洗浄手段の構成の一例を示す斜視図である。
【図７】ウェーハを分割する手順を示す略示的断面図であり、（Ａ）はストリート相当領域以外の領域にレジスト層（レジスト膜）が被覆された状態を示し、（Ｂ）はストリート相当領域をエッチングした状態を示し、（Ｃ）はレジスト膜を除去した状態を示す。
【符号の説明】
【００５２】
１：ウェーハの加工装置
２：研削手段
２０ａ：第一のウェーハカセット  ２０ｂ：第二のウェーハカセット
２１：搬出入手段
２１０：アーム部  ２１１：保持板
２２：仮置きテーブル
２２０：位置合わせ部材
２３：ターンテーブル
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ：チャックテーブル
２５：第一の搬送手段
２５０：アーム部  ２５１：吸着板
２６：第一の研削部
２６０：スピンドル  ２６１：ハウジング  ２６２：ホイールマウント
２６３：研削ホイール  ２６４：研削砥石  ２６５：モータ
２６６：固定板  ２６７：昇降板  ２６８：ガイドレール  ２６９：モータ
２７：第二の研削部
２７０：スピンドル  ２７１：ハウジング  ２７２：ホイールマウント
２７３：研削ホイール  ２７４：研削砥石  ２７５：モータ
２７６：固定板  ２７７：昇降板  ２７８：ガイドレール  ２７９：モータ
２８：洗浄手段
２８０：スピンナーテーブル  ２８１：モータ  ２８２：エアーピストン
２８３：洗浄水ノズル  ２８４：エアーノズル
２８５：下地処理液噴射ノズル
２９：第二の搬送手段
２９０：アーム部  ２９１：吸着板
３：レジスト膜被覆手段
３０：ターンテーブル
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ：保持テーブル
３２：赤外線撮像部
３２０：移動部  ３２１：赤外線カメラ
３３：ガイド部
３４：レジスト噴射部
３４０：移動部  ３４１：レジストノズル
３５：レジストタンク
３６：加熱部
４：搬送装置
４０：ガイドレール  ４１：移動部  ４２：アーム部  ４３：保持板
５：プラズマエッチング手段
５１：ガス供給部  ５２：エッチング処理部  ５３…チャンバ
５４：エッチングガス噴出手段  ５５：チャックテーブル  ５６：軸受け
５７：ガス流通孔  ５７ａ：噴出部  ５８：モータ  ５９：ボールネジ
６０：昇降部  ６１：軸受け  ６２：吸引源  ６３：吸引路  ６４：冷却部
６５：冷却路  ６６：開口部  ６７：シャッター  ６８：シリンダ  ６９：ピストン
７０：ガス排出部  ７１：排気口  ７２：高周波電源
７３：分割済みウェーハカセット
Ｗ：ウェーハ
Ｗ１：表面  Ｗ２：裏面  Ｓ：ストリート  Ｓ１：ストリート相当領域
Ｄ：デバイス  Ｒ：レジスト層（レジスト膜）
Ｐ：保護部材
【図１】
2006173462.tif 000003
【図２】
2006173462.tif 000004
【図３】
2006173462.tif 000005
【図４】
2006173462.tif 000006
【図５】
2006173462.tif 000007
【図６】
2006173462.tif 000008
【図７】
2006173462.tif 000009