(57)【要約】【課題】  低速記録から高速記録までＣＡＶ記録が可能で、多数回書換性能及び保存寿命に優れた情報記録媒体を提供すること。【解決手段】  基板１上、第１誘電体層２、第１界面層３、記録層４、第２界面層５、第２誘電体層６、光吸収層７、反射層８、保護層９及びダミー基板１０を順に積層し、記録層４は、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の座標により示される下記４点（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２）に囲まれた範囲内の組成比を有する相変化材料からなり、第１界面層３と第２界面層５の少なくとも１層は、Ｃｒ、Ｔａ及びＯを含有する情報記録媒体。  Ａ１（Ｂｉ３、Ｇｅ４６．２、Ｔｅ５０．８）  Ａ２（Ｂｉ５、Ｇｅ４６、Ｔｅ４９）  Ｂ１（Ｂｉ１３、Ｇｅ３８、Ｔｅ４９）  Ｂ２（Ｂｉ１０、Ｇｅ３８、Ｔｅ５２）（但し、三角組成図上の座標は原子％である。）【選択図】  図２
2006182005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射により情報が記録・再生される情報記録媒体であって、
基板上に設けられる相変化材料からなる記録層と、
前記記録層の、前記光が入射する側の面に接して設けられる第１界面層と、
前記記録層の、前記光が入射する側と反対側の面に接して設けられる第２界面層と、を備え、
前記記録層は、
ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及びテルル（Ｔｅ）を含有し、
前記第１界面層と前記第２界面層の少なくとも１層は、
クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及び酸素（Ｏ）を含有し、且つ、当該第１界面層と当該第２界面層の少なくとも１層の膜厚が０．８ｎｍ〜８ｎｍであることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記記録層は、
前記ビスマス（Ｂｉ）の含有量の範囲が、３原子％〜１３原子％であり、
前記ゲルマニウム（Ｇｅ）の含有量の範囲が、３８原子％〜４６原子％であり、
前記テルル（Ｔｅ）の含有量の範囲が、４９原子％〜５２原子％である（但し、ビスマス（Ｂｉ）の含有量とゲルマニウム（Ｇｅ）の含有量とテルル（Ｔｅ）の含有量との合計は１００原子％である。）ことを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記記録層は、
前記ビスマス（Ｂｉ）、前記ゲルマニウム（Ｇｅ）及び前記テルル（Ｔｅ）を頂点とする三角組成図上の座標により示される下記４点（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２）に囲まれた範囲内の組成比を有する前記相変化材料からなることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
Ａ１（Ｂｉ３、Ｇｅ４６．２、Ｔｅ５０．８）
Ａ２（Ｂｉ５、Ｇｅ４６、Ｔｅ４９）
Ｂ１（Ｂｉ１３、Ｇｅ３８、Ｔｅ４９）
Ｂ２（Ｂｉ１０、Ｇｅ３８、Ｔｅ５２）
（但し、三角組成図上の座標は原子％である。）
【請求項４】
前記記録層は、
前記ビスマス（Ｂｉ）、前記ゲルマニウム（Ｇｅ）及び前記テルル（Ｔｅ）を頂点とする三角組成図上の座標により示される下記４点（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２）に囲まれた範囲内の組成比を有する前記相変化材料からなることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
Ａ１（Ｂｉ５．５、Ｇｅ４４、Ｔｅ５０．５）
Ａ２（Ｂｉ６、Ｇｅ４４、Ｔｅ５０）
Ｂ１（Ｂｉ８、Ｇｅ４１、Ｔｅ５１）
Ｂ２（Ｂｉ９、Ｇｅ４１、Ｔｅ５０）
（但し、三角組成図上の座標は原子％である。）
【請求項５】
前記第１界面層と前記第２界面層の少なくとも１層は、
前記タンタル（Ｔａ）の含有量が、２原子％〜１４原子％の範囲で当該タンタル（Ｔａ）を含有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記第１界面層と前記第２界面層の少なくとも１層は、
前記クロム（Ｃｒ）の含有量（ｘ）と前記タンタル（Ｔａ）の含有量（ｙ）との組成比（ｙ／ｘ）が、０．０５〜０．７（０．０５≦（ｙ／ｘ）≦０．７）の範囲で、当該クロム（Ｃｒ）及び当該タンタル（Ｔａ）を含有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記第１界面層に含有されるタンタル（Ｔａ）の含有比率が、前記第２界面層に含有されるタンタル（Ｔａ）の含有比率より高いことを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記第１界面層と前記第２界面層の少なくとも１層は、
外周側に含有されるタンタル（Ｔａ）の組成比が、内周側に含有されるタンタル（Ｔａ）の組成比より高くなるように、含有される前記タンタル（Ｔａ）の含有量の組成勾配を有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記第１界面層及び前記第２界面層が、前記クロム（Ｃｒ）、前記タンタル（Ｔａ）及び前記酸素（Ｏ）を含有することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記第２界面層上に設けられ、クロム（Ｃｒ）及びクロム酸化物を含有する光吸収層を有し、
前記クロム（Ｃｒ）の含有量の範囲が８５原子％〜９０原子％であることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
前記光吸収層の膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１０記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記光吸収層上に設けられた反射層を有することを特徴とする請求項１０記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
情報記録媒体に備わる記録層に含有される相変化記録材料であって、
ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及びテルル（Ｔｅ）からなる合金を含有し、
前記合金は、
前記ビスマス（Ｂｉ）、前記ゲルマニウム（Ｇｅ）及び前記テルル（Ｔｅ）を頂点とする三角組成図上の座標により示される下記４点（Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２）に囲まれた範囲内の組成比を有することを特徴とする相変化記録材料。
Ａ１（Ｂｉ３、Ｇｅ４６．２、Ｔｅ５０．８）
Ａ２（Ｂｉ５、Ｇｅ４６、Ｔｅ４９）
Ｂ１（Ｂｉ１３、Ｇｅ３８、Ｔｅ４９）
Ｂ２（Ｂｉ１０、Ｇｅ３８、Ｔｅ５２）
（但し、三角組成図上の座標は原子％である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体に関し、より詳しくは、レーザ照射による記録層の相変化によって、高速、高密度で記録、再生、書換が可能な情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
書換え可能な情報記録媒体の一つに相変化光記録媒体がある。相変化光記録媒体は、光ビームの照射により原子配列が２つの異なる状態間（アモルファス−結晶間）で可逆的に変化する記録層を備え、その記録層の２つの異なる原子配列の状態により情報が記録される。相変化光記録媒体は、書換え可能な媒体の中でも特に安価であるので民生用への普及が著しく、とりわけ、家庭用ビデオ録画媒体としての普及が急速に伸びつつある。これまでテープであったビデオ録画媒体が、相変化光記録媒体のディスクに代わることにより、後追い再生のような新たな機能も可能となるので、コンピュータ用バックアップ媒体として必要であったこれまでの相変化光記録媒体の特性以上の高度な特性が必要になる。例えば、後追い再生の場合、録画中に、録画したばかりの画像を後から追って再生していく必要があるので、記録と再生とを一定時間毎に高速に切り替えなければならない。そのためには、情報の記録及び再生のアクセススピードをこれまで以上に高速にする必要がある。
【０００３】
従来の相変化光記録媒体は、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式により媒体の回転数を制御して情報を記録再生していた。ＣＬＶ方式は、光ビームと媒体との相対速度（線速）が常に一定となる制御方法であるため、記録再生時のデータ転送レートが常に一定になるので、情報の記録再生に用いる信号処理回路を極めて簡素化することができる。
【０００４】
ただし、ＣＬＶ方式では、光ビームが媒体上で半径方向に移動した際、線速が一定になるように、光ビームの媒体上の半径位置に応じてモーターの回転数を調整する必要がある。そのため、ＣＬＶ方式では情報の記録再生のアクセススピードが遅くなってしまう。
【０００５】
一方、媒体の回転数を一定にしたまま情報の記録再生が可能であるＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式は、半径位置に応じてモーターの回転数を制御し直す必要が無いので、高速アクセスが可能である。
【０００６】
しかしながら、ＣＡＶ方式では記録再生時のデータ転送レートが半径位置により異なるので、情報の記録再生に用いる信号処理回路が複雑になる。さらに、ＣＡＶ方式ではディスクの外周に向かって線速が高速になるので、ディスクの内周側より外周側における記録層の結晶化速度を速くしなければならない。そのため、ＣＡＶ方式では、記録層の結晶化速度が、ディスクの外周側の高線速領域にも内周側の低線速領域にも対応可能である、特別な記録層が必要になる。相変化光記録媒体では、記録層の相変化材料として、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金が一般に用いられている。具体的なものとしては、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５、Ｇｅ６Ｓｂ２Ｔｅ９やＧｅ８Ｓｂ２Ｔｅ１１等があり、これらの融点は、凡そ、約６５０℃程度となる。このような相変化材料を記録の際に、レーザービームにより、融点以上に加熱、冷却することによる基板への熱ダメージを低減するために、記録層の両側に誘電体材料からなる保護層が形成されることが多い。さらに、記録層と保護層間に界面層を設け、この界面層にＣｒ２Ｏ３、あるいは、Ｇｅ−Ｎ、ＧｅＣｒＮ等を設け、保護層と記録層との化学反応や原子拡散を防止することによって、繰り返し書換耐久性を向上させる構造の情報記録媒体に関する技術が提案されている。
【０００７】
例えば、記録層のエネルギービーム入射側にＴａ２Ｏ５とＣｒ２Ｏ３の混合物を、２６ｎｍ製膜することによって、多数回書換による反射率低下を抑制できるとしている（特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１７８４８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来技術から、高速記録が可能な相変化記録層材料としては、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅのそれぞれを頂点とする三角形の中で、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料が、結晶化速度が速いためによく使われており、更に、上記Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化材料中のＧｅＴｅをＳｎＴｅに置換することで、結晶化速度が更に上がることが知られている。
これらの相変化材料は、ＧｅＴｅの融点が７２５℃であるのに対して、ＳｎＴｅの融点は約８００℃と高温である。このため、ＧｅＴｅをＳｎＴｅで置換したＧｅ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｔｅ系材料の融点はさらに高くなる。
また、上記高速記録が可能な書換え型ＤＶＤ媒体には、高速記録が可能であることと同時に、従来の低速記録でも、良好に記録される性能が要求される。例えば、４．７ＧＢ−ＤＶＤ−ＲＡＭの場合、低速記録の規格書において定義されている記録線速度（２倍速）は８．２ｍ／ｓであるが、５倍速記録対応のＤＶＤ−ＲＡＭでは、８．２ｍ／ｓ〜２０．５ｍ／ｓと、極めて広い線速度範囲において良好な記録性能が得られることが要求される。
この条件を満足するべく、本発明者らは、上記Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系相変化材料中のＧｅＴｅをＳｎＴｅに置換したＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ材料について、更に、ＳｎＴｅを増加することで結晶化速度を高め、検討を進めた。
しかしながら、ＧｅＴｅをＳｎＴｅに置換すると、Ｓｎの増加にともない結晶状態と非結晶状態（アモルファス状態）における記録層の屈折率の差が小さくなることや、低線速側で記録層の結晶化速度が速すぎるため、レーザービームにより記録層を融点以上に加熱した直後の冷却過程で、溶融領域外縁から結晶成長することにより、記録マークサイズを小さくしてしまう再結晶化がおこり、再生信号を小さくしてしまう問題が発生し、上記特性を満足させることができないことが判明した。
【００１０】
これらを解決するため、本発明者らは、高速化に適したＢｉＧｅＴｅの相変化記録層材料について検討を進めた。発明者らの実験検証によれば、例えば、高速化に適したＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０の組成は、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅのそれぞれを頂点とする三角組成図の中で、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３を結ぶ線上のよりもＧｅが過剰に添加された組成である。これらは、上記三角組成図のＧｅ５０−Ｔｅ５０付近では結晶化の活性化エネルギーが大きく、低速記録時においては、アモルファスマークの安定性が増大し、適度のＢｉＴｅ量を添加されていることで、高速結晶化が可能なため低速記録から高速記録まで広い範囲で上記特性を満足できることが明らかになった。
しかしながら、この組成の融点は、少なくとも７００℃以上と従来のＧｅ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｔｅ系相変化材料の約６５０℃と比較して約５０℃程度高めになってしまう。このため、この組成領域の相変化材料を用いた相変化光記録媒体では、従来から低融点の相変化記録媒体で用いられているＣｒ２Ｏ３あるいはＧｅＣｒ−Ｎを用いては、優れた書換耐久性と保存寿命及び再生信号出力特性を得ることは非常に困難であると考えている。
【００１１】
そこで本発明者らは、高融点の相変化記録膜材料に、上述したＣｒ２Ｏ３Ｎ等を設けた界面層を使った情報記録媒体を作製し、多数回書換性能と加湿環境下での保存寿命及び再生信号出力特性について調べてみた。
再生信号出力特性については、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅのそれぞれを頂点とする三角組成図の中で、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３を結ぶ線上のよりもＧｅが過剰に添加された組成でＢｉ添加量を最適化することにより良好な特性が得られた。
しかしながら、多数回書換性能では、Ｃｒ２Ｏ３以外の材料では良好なことが分かった。特開平１０−１５４３５２号公報では、界面層にＣｒ２Ｏ３を使用することで多数回書換性能が向上すると記載されているが、発明者らの実験で記録膜材料に高融点材料を使用した場合は、多数回書換性能が劣ることが分かった。
一方、加湿環境下での保存寿命については、多数回書換性能では他よりも劣っていたＣｒ２Ｏ３のみが良好な特性を示すことが分かった。
【００１２】
従って、本発明の目的は、低速記録から高速記録まで広い範囲でのＣＡＶ記録が可能な相変化記録層材料と、多数回書換性能に優れ尚且つ加湿環境下での保存寿命に優れた界面層と、を備える情報記録媒体を提供することに有る。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
まず初めに、本発明者らは、上述した高速記録を実現するために、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金のＳｂをＢｉで置換したＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系の相変化材料を用いることで、低線速度から高線速度までの広い範囲で優れた特性が得られることを見出した。その組成範囲は、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅのそれぞれを頂点とする三角組成図の中で、ＧｅＴｅとＢｉ２Ｔｅ３を結ぶ線上よりもＧｅが過剰に添加された領域である。この領域では結晶／非結晶間の屈折率差が大きいこと、また、結晶化温度が高く、活性化エネルギーが大きいというＧｅＴｅの長所を維持しているだけでなく、結晶化速度も高速となり、高線速度記録においても良好な消去特性が得られ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系よりも優れた特性を持っていることが分かった。
【００１４】
しかしながら、Ｇｅを過剰に入れすぎても結晶化速度が低下してしまうため、適度なＧｅを過剰に添加した領域がよい。
【００１５】
このような優れた特性を有するＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系合金を相変化光記録媒体の記録層に用いる場合、その実用的な組成範囲としては、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の（Ｂｉ３、Ｇｅ４６．２、Ｔｅ５０．８）、（Ｂｉ５，Ｇｅ４６、Ｔｅ４９）、（Ｂｉ１３，Ｇｅ３８，Ｔｅ４９）、（Ｂｉ１０、Ｇｅ３８、Ｔｅ５２）（単位：原子％（ｉ以下、ａｔ％と記す。））各点に囲まれた範囲である。
しかしながら、このような組成範囲のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系合金を記録層として用いた場合には、上述したように、従来の相変化材料に用いられるＧｅＳｎＳｂＴｅ等よりもさらに融点が高くなる（融点：約６５０℃）ため、従来から低融点の相変化記録媒体として用いられているＣｒ２Ｏ３あるいはＧｅＣｒ−Ｎを用いて、優れた書換耐久性と保存寿命の両立は困難である。
【００１６】
そこで、まず初めに、界面層にＣｒ２Ｏ３を使用することで、保存寿命は良好なことから、なぜ多数回書換性能が劣るのか、このＣｒ２Ｏ３について物質特性を調べてみた。すると、Ｃｒ２Ｏ３は、Ｃｒ２−ｘＯ３（ｘ＜０．０７７）とＣｒ欠損の不定性化合物になりうることが分かった。高融点記録膜材料を使用した場合に、Ｃｒ２Ｏ３の多数回書換性能が他の界面層材料に比べて劣っているのは、このＣｒ欠損による結合していない酸素が存在するため、記録膜材料を酸化させているためだと分かった。
【００１７】
この物性を考え、本発明者らは、Ｃｒ欠損を打ち消す材料の添加、つまり、酸素欠損または窒素欠損がある酸化物、窒化物または酸化窒化物、特に遷移金属で酸素欠損または窒素欠損がある酸化物、窒化物または酸化窒化物の材料を、Ｃｒ２Ｏ３に添加する方法が有効であると考えた。さらに、遷移金属の中でも、融点が高く、酸化物、窒化物が安定に存在しうる材料としてＴａ２Ｏ５を選定するに至った。
本発明者らが検討した結果、Ｔａ２Ｏ５のみでも多数回書換時の信号劣化の目標を満足するが、加湿環境下における保存寿命の目標を満足することはできないことが判明した。
本発明のポイントの一つは、Ｃｒ２Ｏ３に対してＴａ２Ｏ５を添加することにより、多数回書換時の信号劣化、加湿環境下における保存寿命ともに、良好となることを明らかにした点である。
【００１８】
さらに、発明者らは、記録層の結晶化速度が前述した記録膜組成以外に、第１、第２界面層の組成にも大きく依存することを明らかにした。特に、第２界面層にＣｒ２Ｏ３とＣｒ−Ｔａ−Ｏを使用した場合について比較を行った結果、Ｃｒ２Ｏ３に比べＣｒ−Ｔａ−Ｏを使用した場合に上記記録層の結晶化速度が遅くなることが判明した。その理由としてＣｒ２Ｏ３は、前述したように、Ｃｒ欠損で酸素が過剰になりやすい材料であるが、酸素過剰を打ち消す目的で添加したＴａ２Ｏ５により、記録層の結晶化速度を遅くしているものと考えられる。
【００１９】
一方、発明者らは、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅを記録膜層として円板状の高速記録可能な情報記録媒体おいて、記録膜層の結晶化速度を内周側と外周側について比較を行った結果、外周側の記録膜層の結晶化速度が速いことが判明した。
この理由として、次のようなことが考えられる。一般的に、情報記録媒体の基板は吸水性の高いポリカーボネートが使用されているが、このポリカーボネートに取り込まれている水分は、情報記録媒体の記録層成膜が行われる真空中では蒸発しやすく、この蒸発した水分は、成膜側の回り込みが生じやすくなっていることが考えられる。この水分の回り込みは、情報記録媒体の内周側よりも外周側での影響が強く、特に、第２界面層の外周側では水分の回り込みにより内周側に対して酸素過剰となり、その結果記録層の結晶化速度が内周側に対して外周側で速くなっていると考えられる。
そこで発明者らは、第２界面層Ｃｒ−Ｔａ−Ｏについて、情報記録媒体の内周側のＴａ量比率よりも外周側のＴａ量比率を高くし、外周側での記録層の結晶化速度について検討を行った。その結果、第２界面層Ｃｒ−Ｔａ−Ｏについて、内周側のＴａ量比率よりも外周側のＴａ量比率を高くすることで、記録層の結晶化速度が遅くなり、記録層の結晶化速度が内外周で揃った良好な情報記録媒体を得ることができた。
【００２０】
さらに、本発明者らの検討によると、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料を界面層として使用する場合、その膜厚が厚すぎても、薄すぎても、多数回書換時に再生信号のジッターが劣化することを明らかにした。薄すぎる場合、多数回書換に伴って、記録膜中に保護層材料が拡散するのである。厚すぎる場合に、多数回書換時の再生信号ジッターが劣化する原因は明らかになっていないが、おそらく、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料の熱膨張係数が大きいため、膜厚が厚すぎる場合、熱膨張によりレーザービームが照射された部分と、それ以外の部分の間に亀裂が生じ、結果として記録膜中に保護層材料が拡散してしまうためと考えられる。詳細に検討した結果、最適膜厚は０．８ｎｍ以上８ｎｍ以下、望ましくは１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下であった。
従って、本発明の目的を達成するためには、以下に示した情報記録媒体を用いればよい。
【００２１】
（１）基板上に少なくとも第１界面層、記録層、第２界面層、光吸収層、反射層が積層され、前記記録層が光レーザービームの照射により情報が記録、再生される情報記録媒体において、前記記録層がＢｉ，Ｇｅ及びＴｅを含む相変化材料であり、かつ前記記録層に接した第１，第２界面層の少なくとも何れか一層にＣｒ、Ｔａ及びＯが含有され、その膜厚が０．８ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【００２２】
（２）：（１）記載の記録層の組成比（ａｔ％）が、図１に示す、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の以下の各点に囲まれた範囲であることを特徴とする情報記録媒体。
Ａ１（Ｂｉ３、Ｇｅ４６．２、Ｔｅ５０．８）
Ａ２（Ｂｉ５，Ｇｅ４６、Ｔｅ４９）
Ｂ１（Ｂｉ１３，Ｇｅ３８，Ｔｅ４９）
Ｂ２（Ｂｉ１０、Ｇｅ３８、Ｔｅ５２）
【００２３】
また、本発明者らが、多数回書換時の信号劣化、加湿環境下における保存寿命ともに目標を満足するＣｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層の最適組成範囲を調べた結果は以下のとおりである。
【００２４】
（３）：（１）記載の情報記録媒体であって、少なくとも上記界面層中のＣｒとＴａの組成比がＣｒｘＴａｙ（０．０５≦ｙ／ｘ≦０．７）から選択されることを特徴とする情報記録媒体。
【００２５】
さらに、発明者らは、記録層に接して、レーザービーム入射側に第１界面層、記録層のレーザービーム入射側とは反対側に第２界面層を備える場合、第１界面層に、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層材料を使用した場合に大きな効果があることを明らかにした。
第２界面層に、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層を使用した場合には、記録膜組成との組合せによっては、記録膜の結晶化速度が低下するおそれがある。しかし、多数回書換時の信号劣化を抑制する効果は大きいため、第２界面層にもＣｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層を使用することができる。この場合、最適Ｔａ含有比率は、記録膜の結晶化速度低下のおそれを考慮し第１界面層に含有されるＴａ含有比率と比較して小さい方が良い。
【００２６】
（４）：（１）に記載の情報記録媒体であって、上記記録層に接して、レーザービーム入射側に第１界面層、記録層のレーザービーム入射側とは反対側に第２界面層を備え、第１界面層に含有されるＴａ含有比率と比較して、第２界面層のＴａ含有比率の方が小さいことを特徴とする情報記録媒体。
【００２７】
（５）：（１）に記載の情報記録媒体であって、前記情報記録媒体の形状が円盤状であり、上記第１、第２界面層の少なくともいずれか一層のＴａ含有量が内外方向に組成勾配しており、かつ、内周側に含有されるＴａ含有比率と比較して、外周側のＴａ含有比率が高いことを特徴とする情報記録媒体。
【００２８】
なお、本発明においては、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系界面層の膜厚制御がきわめて重要である。以上の膜厚を実現する手段としては、予め、精度良く測定が可能な膜厚（例えば、５０ｎｍ程度）のＣｒ−Ｔａ−Ｏ系材料をスパッタリング等で製膜し、単位時間当たりの製膜レートを求め、その製膜レートを用い、以上の膜厚に対応した時間だけ製膜すればよい。
【００２９】
また、所望の特性が得られない場合は、断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）等により、正確な膜厚を測定すればよい。断面ＴＥＭ等で膜厚を測定した場合、必ずしも膜厚が均一でない場合があるが、この場合には、平均的な膜厚を、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ界面層の膜厚と定義しても差し支えなく、上記平均膜厚が上記範囲であれば、本発明の効果は失われない。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の情報記録媒体によれば、低速記録から高速記録までの優れた記録再生特性、多数回書換性能、優れた保存寿命が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を実施するための最良の形態（実施の形態）について、図面に基づき説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するために使用するものであり、実際の大きさを表すものではない。
図２は、本実施の形態が適用される情報記録媒体を説明するための図である。図２には、情報記録媒体として作製した光記録媒体の概略断面図を示す。ポリカーボネート製の基板１を、複数のスパッタ室をもち、膜厚分布の少ない再現性の高いスパッタ装置にセットし、基板１上に第１誘電体層２として（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％、第１界面層３としてＣｒ−Ｔａ−Ｏからなる材料、記録層４としてＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅからなる材料、第２界面層５としてＣｒ−Ｔａ−Ｏからなる材料、第２誘電体層６として（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％からなる材料、光吸収層７として（Ｃｒ）８５（Ｃｒ２Ｏ３）１５（ａｔ％）からなる材料を、更に、その上に反射層８としてＡｇＣｕ（１ｗｔ％）Ｃａ（５００ｐｐｍ）からなる材料を順次形成した。その反射層８の上に紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成した後、０．６ｍｍ厚のダミー基板１０を貼り合せた構造のディスクを作製した。
【００３２】
ここで用いたポリカーボネート製の基板１は、基板１の表面にトラッキング用のプリグルーブをらせん状に有し、グルーブのトラックとランドのトラックが交互につながるような構成となっている。
【００３３】
第１誘電体層２、第２誘電体層６の材料としては、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０の混合物のほか、混合比を変えたもの、あるいは、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物、Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ等の窒化物が用いることができる。
【００３４】
光吸収層７として用いた材料は、Ｃｒ８５−ＣｒＯ１５のほか、Ｃｒ−ＣｒＯの組成比を変えた材料を用いても良いが、光学的に最適な屈折率を得るためにはＣｒ含有量が７０（ａｔ％）以上であることが好ましい。さらに、Ｃｒ含有量が過度に多くなると、結晶構造が稠密六方晶となり、それぞれの結晶が柱状に発達するため、結晶粒界に応力がかかり、１０年間程度の長期保存により、積層膜に亀裂が生じるおそれがある。このため、Ｃｒ含有量が８５ａｔ％〜９０ａｔ％の範囲であることがより好ましい。
【００３５】
これによって、長期保存によって積層膜に亀裂が生じる問題を抑制することが可能となる。更に、結晶とアモルファス間での反射率差を大きく、かつ、（アモルファス光吸収率）＜（結晶の光吸収率）になるように補正することが可能となる。
【００３６】
また、上記光吸収層７の膜厚としては、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下がより好ましい。光吸収層７の膜厚をこの範囲にすることによって、低速記録から高速記録までの広い範囲で良好なオーバーライト特性を得ることが可能となる。
光吸収層７は、書換後の波形歪みを抑制して、オーバーライト特性を向上させる効果がある。これは、前述した記録層４がアモルファス状態または結晶状態によって、記録層４自体の光吸収率が異なるためである。通常、アモルファスの光吸収率は結晶の光吸収率より大きいために、アモルファス部分の温度上昇が大きく、所定の記録マーク幅より大きくなる。これを抑制するため、光吸収層７を形成することにより、それ自体に光を吸収させ、（記録層４のアモルファス光吸収率）＜（結晶の光吸収率）になるように補正することによって波形歪みを抑制する役割がある。光吸収層７の膜厚が１０ｎｍ以下になると、その効果が半減する傾向がある。また、光吸収層７の膜厚が５０ｎｍ以上になると、記録層４へ記録した際に発生する熱を反射層８へ伝熱させる効果が抑制されることになり、良好なオーバーライト特性が得られない傾向がある。また、結晶が柱状に発達するため、積層膜に亀裂が発生しやすくなるおそれがある。
【００３７】
反射層８として用いた材料は、ＡｇＣｕ（１ｗｔ％）Ｃａ（５００ｐｐｍ）のほか、ＡｇＣａＣｕの組成比を換えたもの、Ａｇを主成分とした合金等を用いることが可能である。
【００３８】
以上のような構成にすれば、低速記録から高速記録まで広い範囲でのＣＡＶ記録が可能な相変化記録層材料と、多数回書換性能に優れ、尚且つ加湿環境下での保存寿命に優れた界面層と、を備える情報記録媒体を提供することが可能となる。
以下に本発明の効果を確認するための実施例について詳細に説明する。
【実施例】
【００３９】
以下に、実施例に基づき、本実施の形態をさらに具体的に説明する。尚、本発明は実施例に限定されない。
（実施例１）
（情報記録媒体の調製）
まず初めに、低速記録から高速記録まで広い範囲でのＣＡＶ記録が可能な相変化記録層材料の検討として、図２に示した構造を有する光記録媒体を、以下のように作製した。
【００４０】
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製の基板１を、複数のスパッタ室をもち、膜厚分布の少ない再現性の高いスパッタ装置内にセットした。次に、基板１上に第１誘電体層２として（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％からなる材料を、膜厚１５０ｎｍで形成した。続いて第１界面層３としてＣｒ２Ｏ３からなる材料を、膜厚２ｎｍで形成した。
さらに、その上に記録層４として表１に示す組成のＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅからなる材料を、膜厚９ｎｍで形成した。Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅの形成方法としては、１つのスパッタ室内に２つのターゲットを装着し、一方をＧｅＴｅ、もう一方にＢｉＧｅＴｅターゲットを装着して、同時スパッタにより双方のスパッタリングパワーを変化させて記録層４の材料組成を調整した。
次に、第２界面層５としてＣｒ２Ｏ３からなる材料を膜厚２ｎｍで形成し、その上に第２誘電体層６として（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％からなる材料を膜厚３０ｎｍで形成した。更に、その上に光吸収層７としてＣｒ８５−ＣｒＯ１５（ａｔ％）からなる材料を膜厚２５ｎｍで形成し、その後、反射層８としてＡｇＣｕ（１ｗｔ％）Ｃａ（５００ｐｐｍ）からなる材料を厚さ１００ｎｍで形成した。その反射層８の上に、紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成した後、０．６ｍｍ厚のダミー基板１０を貼り合せた構造のディスクを作製した。
【００４１】
このディスクを初期結晶化するために、半導体レーザ（波長８１０ｎｍ）、レーザスポットサイズ１×５０μｍの楕円ビームを持つレーザ光を照射することによって、ディスク全面を初期結晶化した。
【００４２】
次に、記録再生特性評価を行なうための情報記録装置について説明する。ここでは、情報の記録再生時に情報記録媒体に光照射するための半導体レーザ（波長６５５ｎｍ、開口数０．６）と、その半導体レーザの出力を制御するためのレーザードライバと、記録情報に従って生成された記録パルスを発生させるための波形発生装置と、波形等化回路と、２値化回路とを備える情報記録装置を用いた。
【００４３】
ここで使用した情報記録装置では、８−１６変調を用い、マークエッジ記録方式の記録マークを情報記録媒体に形成して情報を記録した。最短マーク長は０．４２μｍとした。
ここでは、情報として３Ｔ〜１４Ｔのランダムパターンを情報記録媒体に１０回オーバーライト記録し、そのランダムパターンを再生して情報記録媒体のジッタ−を評価した。
また、保存寿命の評価を行なうため、加速試験を行った。具体的には、情報として３Ｔ〜１４Ｔのランダムパターンを情報記録媒体に１０回オーバーライト記録し、そのジッターを評価して、このディスクを９０℃８０％ＲＨ雰囲気の環境に１６時間保存後にジッターを評価（アーカイバル再生ジッター）した。
また、保存前に１０回オーバーライト記録したその上に１回オーバーライト記録を行いジッタ−を評価（アーカイバルＯＷ）した。
【００４４】
ここでは、低線速８．２ｍ／ｓ及び高線速２０．５ｍ／ｓで情報の記録再生を行いそれぞれのジッターを評価した。なお、１Ｔの長さは、低線速８．２ｍ／ｓの場合は１７．１３ｎｓ、高線速２０．５ｍ／ｓの場合は６．８５２ｎｓである。
これらのディスクを記録線速度８．２ｍ／ｓ、及び２０．５ｍ／ｓで回転させ、波長６５０ｎｍの半導体レーザ光を、開口数（ＮＡ）０．６の対物レンズで集光して、基板１を通して記録層４上に照射し、記録及び再生を行なった。ここで、ジッタ−の評価基準は、以下の通りである。
◎：ジッター９％以下
○：ジッター１０％以下
×：ジッター１０％以上
【００４５】
本来、ＤＶＤ−ＲＡＭの規格はジッター９％以下であるが、評価の目標値としては１０％にした。なぜならば、ここでは記録層４の組成以外は全て同じ構成で比較しているが、記録層４の各々の組成によって、膜構成を最適化することや、記録層４に接した第１界面層３、第２界面層５の組成によっても、ジッターを１％程度は低下させることが可能なため、評価も目標値を１０％に引き上げた。
【００４６】
尚、記録再生特性の評価はグルーブ、ランド双方のトラックにて行い、その平均値とした。表１に評価結果を示す。
【００４７】
【表１】
2006182005.tif 000003
【００４８】
表１から明らかなように、２倍速である線速度８．２ｍ／ｓｅｃから５倍速である線速度２０．５ｍ／ｓｅｃまでの広い範囲で良好な特性を示しているのはサンプルＮｏ．３、４、６、７、９、１１、１２、１３、１５、１６〜２０、２２、２７である。よって、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系合金を光記録媒体の記録層４に用いる場合、その実用的な組成範囲としては、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の（Ｂｉ３、Ｇｅ４６．２、Ｔｅ５０．８）、（Ｂｉ５、Ｇｅ４６、Ｔｅ４９）、（Ｂｉ１３、Ｇｅ３８、Ｔｅ４９）、（Ｂｉ１０、Ｇｅ３８、Ｔｅ５２）（ａｔ％）の各点で囲まれた範囲である。更に、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図上の（Ｂｉ５．５、Ｇｅ４４、Ｔｅ５０．５）、（Ｂｉ６、Ｇｅ４４、Ｔｅ５０）、（Ｂｉ８、Ｇｅ４１、Ｔｅ５１）、（Ｂｉ９、Ｇｅ４１、Ｔｅ５０）（ａｔ％）の各点で囲まれた範囲の組成が、より優れた特性を得られることが明らかになった。
【００４９】
この結果は、Ｇｅ５０Ｔｅ５０（ａｔ％）とＢｉ２Ｔｅ３（ａｔ％）を結ぶ線（Ｇｅ５０Ｔｅ５０−Ｂｉ２Ｔｅ３ライン）上のよりもＧｅが過剰に添加された領域では、結晶／非結晶間の屈折率差が大きく、結晶化温度も高く活性化エネルギーが大きいというＧｅ５０Ｔｅ５０（ａｔ％）の長所を維持しているだけでなく、結晶化速度も高速となり、高速記録においても良好な消去特性が得られていることが分かる。
しかしながら、Ｇｅを過剰に入れすぎても結晶化速度が低下してしまうため、適度なＧｅを過剰に添加した領域がよいことが分かる。
また、Ｂｉ量に関しても、Ｂｉが過剰に添加された領域では、結晶化速度が早くなりすぎ、低線速度記録側で記録マークの再結晶化が起こり、初期特性を悪化させていることや、結晶化温度が低下することによって保存寿命を悪化させているものとの推測している。
【００５０】
（第１界面層及び第２界面層の調製）
前述したように、低速記録から高速記録まで広い範囲でのＣＡＶ記録が可能な相変化記録層材料の最適組成が明らかになった。
【００５１】
本実施例では、多数回書換性能に優れ、なおかつ加湿環境下での保存寿命に優れた界面層の検討として、表１に示した記録層４の組成の最適領域のうち、最も高速化に適していると考えているＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（ａｔ％）（サンプルＮｏ．１３）を用いた。
【００５２】
図２に示した構造を有する光記録媒体を以下のように作製した。
直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製の基板１を、複数のスパッタ室をもち、膜厚分布の少ない再現性の高いスパッタ装置内にセットした。先ず、基板１上に第１誘電体層２として（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％からなる材料を膜厚１５０ｎｍで形成した。
続いて、第１界面層３としてＣｒ−Ｔａ−Ｏからなる材料を膜厚２ｎｍで形成した。ここで、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏの形成方法としては、１つのスパッタ室内に２つのターゲットを装着し、一方をＣｒ２Ｏ３、もう一方にＣｒ２Ｏ３（４０）−Ｔａ２Ｏ５−Ｏ（６０）ターゲットを装着して、同時スパッタにより双方のスパッタリングパワーを変えてＣｒ−Ｔａ−Ｏ組成を調整した。
その上に、記録層４としてＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（ａｔ％）からなる材料を膜厚９ｎｍで形成した。Ｂｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（ａｔ％）の形成方法については、前述した操作方法と同様である。
【００５３】
次に、第２界面層５としてＣｒ−Ｔａ−Ｏからなる材料を膜厚２ｎｍで形成した。Ｃｒ−Ｔａ−Ｏの形成方法としては上記第１界面層３と同様である。
その上に、第２誘電体層６として（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０ｍｏｌ％からなる材料を膜厚３０ｍで形成した。更にその上に、光吸収層７としてＣｒ８５−ＣｒＯ１５（ａｔ％）からなる材料を膜厚２５ｎｍで形成し、その後、反射層８としてＡｇＣｕ（１ｗｔ％）Ｃａ（５００ｐｐｍ）からなる材料を厚さ１００ｎｍで形成した。その反射層８の上に、紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成した後、０．６ｍｍ厚のダミー基板１０を貼り合せた構造のディスクを作製した。
以降の工程については、前述した操作と同様である。
【００５４】
次に、情報記録装置での評価としては、高線速２０．５ｍ／ｓで情報の多数回書換（繰り返し記録）を行い、８０，０００回書換後のジッタ−を評価した。８０，０００回書換後のジッタ−目標値は１４％以下である。尚、多数回書換の評価はグルーブトラックにて行った。測定位置は中周で行った。測定位置が内周や外周であっても、同様の評価結果が得られる。
【００５５】
また、ＤＶＤ−ＲＡＭ２倍速ドライブ（線速８．２ｍ／ｓ）でエラーレート（保存寿命試験）を評価した。評価方法は、ランダムパターンを内周から外周の全てのゾーンで記録したものを評価した。サンプリングレートは１／１６０である。
【００５６】
さらに、このディスクを９０℃８０％ＲＨ雰囲気の環境に１６時間保存後にエラーレートを評価した。９０℃８０％ＲＨ雰囲気の環境に１６時間保存後のエラーレート（保存寿命試験）目標値は１×１０−３以下である。表２に評価結果を示す。
【００５７】
また、比較例として、第１界面層３及び第２界面層５にＣｒ２Ｏ３を用い、それ以外の層構造は同様であるディスクを作製し、ジッターとエラーレートを評価した。結果を表２に示す。ここで、総合判定の基準は以下の通りである。
◎：多数回書換８０，０００回ジッター１０％以下、保存寿命試験１×１０−４以下
○：多数回書換８０，０００回ジッター１４％以下、保存寿命試験１×１０−３以下
×：多数回書換８０，０００回ジッター１４％以上、保存寿命試験１×１０−３以上
【００５８】
【表２】
2006182005.tif 000004
【００５９】
表２から明らかなように、第１界面層３の多数回書換及び保存寿命が良好なＴａ含有量は２（ａｔ％）〜１４（ａｔ％）の範囲であることが好ましく、更に、Ｔａ含有量が１４（ａｔ％）にすることで優れた多数回書換特性と保存寿命が得られることが分かる。
また、多数回書換については、Ｔａ含有量を更に増加しても良好な特性が得られるが、保存寿命が低下した。これらの光記録媒体を光学顕微鏡で観察すると、膜剥がれが発生していることが分かった。
一方、第２界面層５についても、多数回書換及び保存寿命が良好なＴａ含有量は同程度の範囲であり、更に、７（ａｔ％）〜１４（ａｔ％）の範囲で良好である。
また、多数回書換特性については第１界面層３と傾向が異なり、Ｔａ含有量が過度に多いと低下する傾向があり、第１界面層３と同様に膜剥がれが発生する。多数回書換特性が低下する原因としては、Ｔａ含有量が多くなるにつれ、記録層４の結晶化速度が低下するためではないかと推測している。
【００６０】
また、表２におけるサンプルＮｏ．１３及びサンプルＮｏ．１４のように、第１界面層３のＴａ含有量を１４（ａｔ％）として、第２界面層５のＴａ含有量を７（ａｔ％）（Ｎｏ．１３）、１４（ａｔ％）（Ｎｏ．１４）とすることで、多数回書換性能、保存寿命がともに格段に向上していることが分かった。
【００６１】
以上のように、第１界面層３、第２界面層５に含有されるＴａ量が２ａｔ％以上１４ａｔ％以下の範囲で選択することで、多数回書換特性と保存寿命特性を満足する第１界面層３、第２界面層５を得ることができる。すなわち、以下の組成比範囲のＣｒとＴａが存在していることが重要である。
（２／３７）≦（Ｔａ／Ｃｒ）≦（１４／２０）
【００６２】
また、Ｃｒの組成比をｘ、Ｔａの組成比をｙとして表すと以下のようになる。
ＣｒｘＴａｙ（０．０５≦（ｙ／ｘ）≦０．７）
【００６３】
（実施例２）
本実施例では、情報記録媒体の内外周結晶化速度に対するＣｒ−Ｔａ−Ｏ組成の検討として、実施例１と同様に、記録層４の組成にＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（ａｔ％）を用い、更に、第１界面層３の組成にＣｒ（２０）Ｔａ（１４）Ｏ（６６）を用いた。第２界面層５については、内外周でＴａ量比率を制御する方法として、Ｃｒ２Ｏ３ターゲットに対して異なるターゲットサイズのＣｒ−Ｔａ−Ｏターゲットを使用し、外周部に選択的にＴａ量比率が多くなるようにした。ここで使用した第２界面層５のＣｒとＴａの組成比の範囲は、実施例１で得られた結果から、内周ではＣｒの組成比をｘ、Ｔａの組成比をｙとして表すとＣｒｘＴａｙ（ｙ／ｘ）＝０．０５とした。また、外周については以下のようにした。
ＣｒｘＴａｙ（０．０５≦（ｙ／ｘ）≦０．７）
【００６４】
評価方法として、ＤＶＤ−ＲＡＭ２倍速ドライブ（線速８．２ｍ／ｓ）を使用してランダムパターンを内周から外周の全てのゾーンで記録し、内周はゾーン０から２、外周はゾーン３２から３４の範囲でエラーレート平均とした。評価したサンプリングレートは１／１６０である。
評価機としてＤＶＤ−ＲＡＭ２倍速ドライブを使用した理由は以下のとおりである。前述した実施例１では、記録層にＢｉ量が過剰に添加されると記録層４の結晶化速度が速くなり、２倍速記録再生特性の評価結果が低下することを示した。
同様に、ＤＶＤ−ＲＡＭ２倍速ドライブにてエラーレートの測定を行った結果、Ｂｉ量を過剰に添加し記録層４の結晶化速度が速いディスクにおいては、２倍速ＤＶＤ−ＲＡＭドライブでのエラーレートが１×１０−３を超える値となった。つまり、記録層４の結晶化速度の評価については、ＤＶＤ−ＲＡＭ２倍速ドライブでのエラーレートの評価結果から判断できると考えた。表３に評価結果を示す。
【００６５】
また、比較例として第２界面層５にＣｒ２Ｏ３を用い、それ以外の層構造は同様であるディスクを作製し、ドライブエラーレートを評価した。結果を表３に示す。
ここで、判定基準は以下の通りである。
◎：エラーレート  内外周ともに１×１０−４以下
○：エラーレート  内外周ともに５×１０−４以下
×：エラーレート  内外周ともに１×１０−３以下
【００６６】
【表３】
2006182005.tif 000005
【００６７】
表３から、以下の結果が得られた。
サンプルＮｏ．１：第２界面層５の外周側Ｔａ量は内周側と同じ２％（（ｘ／ｙ）＝０．０５）。外周側でのエラーレートが４．８×１０−４であるため、判定は○。
サンプルＮｏ．２：第２界面層５の外周側Ｔａ量は４％（（ｘ／ｙ）＝０．１２）。内外周ともエラーレートが１×１０−４以下のため、判定は◎。
サンプルＮｏ．３：第２界面層５の外周側Ｔａ量は７％（（ｘ／ｙ）＝０．２３）。内外周ともエラーレートが１×１０−４以下のため、判定は◎。
サンプルＮｏ．４：第２界面層５の外周側Ｔａ量は１４％（（ｘ／ｙ）＝０．７０）。内外周ともエラーレートが１×１０−４以下のため、判定は◎。
比較例：第２界面層５にＣｒ２Ｏ３を使用。外周エラーレートが３．５×１０−３であるため、判定は×。
【００６８】
表３の結果から、第２界面層５にＣｒ−Ｔａ−Ｏを使用し、Ｔａ量比率を内周側に比べ外周側で高くすることで、ＤＶＤ−ＲＡＭ２倍速ドライブでのエラーレートが良好となっていることから、記録層４の結晶化速度が第２界面層５（Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ）におけるＴａ量添加で遅くなっていることが分かる。
【００６９】
以上のように、記録層４にＢｉ−Ｇｅ−Ｔｅを使用した光記録媒体において、第２界面層５にＣｒ−Ｔａ−Ｏを使用して、Ｔａ量比率を内周側に対して外周側で高く選択することで、光記録媒体の内外周で記録層４の結晶化速度が揃った光記録媒体を得ることができる。
【００７０】
（実施例３）
本実施例では、多数回書換性能に優れ、なおかつ加湿環境下での保存寿命に優れた界面層膜厚の検討として、実施例１と同様に、記録層４の組成にＢｉ７Ｇｅ４３Ｔｅ５０（ａｔ％）を用いて、更に第１界面層３の組成にＣｒ（２０）Ｔａ（１４）Ｏ（６６）、第２界面層５の組成にＣｒ（３７）Ｔａ（２）Ｏ（６１）を用いて光記録媒体を作製した。
【００７１】
光記録媒体の作製方法は実施例１と同様の操作を行った。第１界面層３の膜厚を０ｎｍから３０．０ｎｍまで変化させて、第２界面層５の膜厚は２ｎｍ一定とした。
【００７２】
次に、情報記録装置での評価としては、高線速２０．５ｍ／ｓで情報の多数回書換（繰り返し記録）を行い、８０，０００回書換後のジッタ−を評価した。８０，０００回書換後のジッタ−目標値は１４％以下である。尚、多数回書換の評価はグルーブトラックにて行った。表４に評価結果を示す。
【００７３】
【表４】
2006182005.tif 000006
【００７４】
表４から明らかなように、多数回書換特性は、第１界面層３及び第２界面層５の膜厚に大きく依存し、膜厚が薄すぎても厚すぎてもジッタ−が低下する。この原因としては、膜厚が薄すぎる場合、多数回書換に伴って、記録層４中に保護層としての第１誘電体層２または第２誘電体層６の材料が拡散することによりジッタ−が低下すると考えられる。また、膜厚が厚すぎる場合には、恐らく、Ｃｒ−Ｔａ−Ｏ系材料の熱膨張係数が大きいため、熱膨張によりレーザービームが照射された部分と、それ以外の部分の間に亀裂が生じ、その結果として、記録層４中に、保護層としての第１誘電体層２または第２誘電体層６の材料が拡散してしまうためと考えられる。
また、目標を満足する第１界面層３及び第２界面層５の膜厚は０．８ｎｍ以上８ｎｍ以下であり、１．０ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の場合、８０，０００回書換後においても１０％以下の良好なジッターになることが分かった。
【００７５】
以上説明したように、本発明によれば、記録層に高融点相変化材料である、Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料を用いることで、低速記録から高速記録まで、広い範囲で優れた記録再生特性が得られ、更に、前記記録層に接した第１界面層、第２界面層の少なくとも何れか一層にＣｒ−Ｔａ−Ｏ界面層を設けることで、多数回書換性能に優れ、なおかつ、加湿環境下での保存寿命に優れた情報記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅを頂点とする三角組成図である。
【図２】本実施の形態が適用される情報記録媒体を説明するための図である。
【符号の説明】
【００７７】
１…基板、２…第１誘電体層、３…第１界面層、４…記録層、５…第２界面層、６…第２誘電体層、７…光吸収層、８…反射層、９…保護層、１０…ダミー基板
【図１】
2006182005.tif 000007
【図２】
2006182005.tif 000008