(57)【要約】【課題】  半導体レーザから出射された輝度中心位置を目標位置に容易に、かつ、高い精度で一致させることができる光ヘッド装置の製造方法、および光ヘッド装置製造装置を提供すること。【解決手段】  光ヘッド装置の製造工程において、コリメータレンズ１２から出射されるコリメート光束を結像レンズに入射させてスポットを形成する。また、半導体レーザ１１を光軸に沿って相対移動させてコリメータレンズ１２の焦点位置を通過させるとともに、その間に変化したスポットの特徴値の最大値を記憶しておく。次に、特徴値を計測しながら半導体レーザ１１を光軸に沿って移動させた際、特徴値が最大値に対して所定の範囲内に入ったときに半導体レーザ１１がコリメータレンズ１２の焦点位置にあるとみなして半導体レーザ１１のコリメータレンズ１２に対する相対位置を決定する。【選択図】  図１
2006155773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置の製造方法において、
前記半導体レーザと前記コリメータレンズの光軸方向における相対位置の調整を行う合焦調整工程では、前記コリメータレンズから出射される光束を結像レンズに入射させてスポットを形成するとともに、
前記合焦調整工程では、前記相対位置によって変化する前記スポットの特徴値を計測しながら前記半導体レーザを光軸に沿って相対移動させて前記コリメータレンズの焦点位置を通過させ、その間に変化した前記特徴値の最大値あるいは最小値を求める第１工程と、前記特徴値を計測しながら前記半導体レーザを光軸に沿って再度、相対移動させた際、前記特徴値が最大値あるいは最小値に対して所定の範囲内に入ったときに前記半導体レーザが前記コリメータレンズの焦点位置にあるとみなして前記半導体レーザの前記コリメータレンズに対する相対位置を決定する第２工程とを行うことを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記特徴値は、以下の値（１）〜（１１）
（１）スポット全体の最大輝度
（２）０次スポットの輝度和
（３）１次リングの輝度和
（４）前記の値（２）と（３）の比
（５）０次スポットと１次リング間の暗部の輝度和
（６）前記の値（１）、（２）、（３）、（４）の各々に所定の係数を乗じたもの
の総和
（７）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の径
（８）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の面積
（９）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の周囲長
（１０）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の互いに直交する
径の比
（１１）前記の値（７）と（８）の所定の閾値で０次スポットを切断したときに得
られる面の直径と周囲長の比
のうちのいずれかであることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項３】
半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置を製造する際、前記半導体レーザと前記コリメータレンズの光軸方向における相対位置の調整を行うための光ヘッド装置製造装置であって、
前記コリメータレンズから出射されるコリメート光束からスポットを形成するための結像レンズを備え、前記相対位置によって変化する前記スポットの特徴値を計測するための特徴値計測手段と、
前記半導体レーザを光軸に沿って相対移動させて前記コリメータレンズの焦点位置を通過させた際に変化した前記特徴値の最大値あるいは最小値を記憶しておく記憶手段と、
前記半導体レーザを光軸に沿って再度、相対移動させた際に前記特徴値が最大値あるいは最小値に対して所定の範囲内に入ったか否かを検出するための演算を行う演算手段と
を有することを特徴とする光ヘッド装置製造装置。
【請求項４】
請求項３において、前記特徴値の最大値あるいは最小値をグラフ表示する第１のグラフ表示部と、各時点での前記特徴値をグラフ表示する第２のグラフ表示部とを有することを特徴とする光ヘッド装置製造装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記特徴値は、以下の値（１）〜（１１）
（１）スポット全体の最大輝度
（２）０次スポットの輝度和
（３）１次リングの輝度和
（４）前記の値（２）と（３）の比
（５）０次スポットと１次リング間の暗部の輝度和
（６）前記の値（１）、（２）、（３）、（４）の各々に所定の係数を乗じたもの
の総和
（７）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の径
（８）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の面積
（９）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の周囲長
（１０）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の互いに直交する
径の比
（１１）前記の値（７）と（８）の所定の閾値で０次スポットを切断したときに得
られる面の直径と周囲長の比
のうちのいずれかであることを特徴とする光ヘッド装置製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ヘッド装置の製造方法およびその製造装置に関するものである。さらに詳しくは、光ヘッド装置で用いる半導体レーザの位置調整技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ヘッド装置では、ＬＤ（レーザダイオード）などの半導体レーザと、コリメータレンズとを用いてコリメート光を生成し、このコリメート光を対物レンズによって収束させて光記録ディスクの記録面にスポットを形成する。このため、光ヘッド装置では、品位の高いコリメート光を生成する必要がある。ここで、レーザ光の光軸方向をＺ方向とし、このＺ方向に対して垂直な２方向をＸＹ方向としたとき、半導体レーザの出射点のＸＹ方向ずれはコリメート光の傾きの原因になり、このような傾きが発生した場合には、光軸に点対称に結像がＸＹ方向にずれてしまう。また、半導体レーザの出射光軸の傾き（出射方向のずれ／θ方向ずれ）は、コリメート光の輝度分布の偏りの原因となり、この場合には、スポット上に輝度分布の偏りが発生する。さらに、半導体レーザの出射点のＺ方向ずれは、コリメート光の平行度が悪化する原因になり、この場合には結像の合焦位置がずれてしまう。
【０００３】
そこで、観察光学系に結像したスポットの合焦状態を観察して、半導体レーザのＺ方向の位置を調整することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−００４４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、スポットの合焦状態を観察する方法では、輝度を計測しても合焦位置近傍では輝度変化が著しく小さいため、合焦位置を見つけるのに多大な手間がかかるとともに、正確な合焦位置を見つけることができないという問題点がある。また、このような作業では、作業者毎にばらつきが発生しやすいという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、半導体レーザとコリメータレンズの光軸方向における相対位置の調整作業を効率よく、かつ、ばらつきを発生させることなく行うことのできる光ヘッド装置の製造方法、および光ヘッド装置製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置の製造方法において、前記半導体レーザと前記コリメータレンズの光軸方向における相対位置の調整を行う合焦調整工程では、前記コリメータレンズから出射される光束を結像レンズに入射させてスポットを形成するとともに、前記合焦調整工程では、前記相対位置によって変化する前記スポットの特徴値を計測しながら前記半導体レーザを光軸に沿って相対移動させて前記コリメータレンズの焦点位置を通過させ、その間に変化した前記特徴値の最大値あるいは最小値を求める第１工程と、前記特徴値を計測しながら前記半導体レーザを光軸に沿って再度、相対移動させた際、前記特徴値が最大値あるいは最小値に対して所定の範囲内に入ったときに前記半導体レーザが前記コリメータレンズの焦点位置にあるとみなして前記半導体レーザの前記コリメータレンズに対する相対位置を決定する第２工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明では、コリメータレンズから出射される光束を結像レンズに入射させてスポットを形成し、半導体レーザを光軸に沿って相対移動させてコリメータレンズの焦点位置を通過させるとともに、その間に変化した特徴値の最大値あるいは最小値を記憶しておき、特徴値を計測しながら半導体レーザを光軸に沿って再度、相対移動させた際、特徴値が最大値あるいは最小値に対して所定の範囲内に入ったときに半導体レーザが前記コリメータレンズの焦点位置にあるとみなして半導体レーザのコリメータレンズに対する相対位置を決定する。このため、合焦位置近傍で特徴値の変化が著しく小さい場合でも、半導体レーザの位置を容易に見つけることができ、かつ、ばらつきが発生しない。
【０００８】
本発明では、半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置を製造する際、前記半導体レーザと前記コリメータレンズの光軸方向における相対位置の調整を行うための光ヘッド装置製造装置であって、前記コリメータレンズから出射されるコリメート光束からスポットを形成するための結像レンズを備え、前記相対位置によって変化する前記スポットの特徴値を計測するための特徴値計測手段と、前記半導体レーザを光軸に沿って相対移動させて前記コリメータレンズの焦点位置を通過させた際に変化した前記特徴値の最大値あるいは最小値を記憶しておく記憶手段と、前記半導体レーザを光軸に沿って再度、相対移動させた際に前記特徴値が最大値あるいは最小値に対して所定の範囲内に入ったか否かを検出するための演算を行う演算手段とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、前記特徴値の最大値あるいは最小値をグラフ表示する第１のグラフ表示部と、各時点での前記特徴値をグラフ表示する第２のグラフ表示部とを有することが好ましい。このように構成すると、各時点での状況を視認できるので、作業しやすいという利点がある。
【００１０】
本発明において、前記特徴値は、例えば、以下の値（１）〜（１１）
（１）スポット全体の最大輝度
（２）０次スポットの輝度和
（３）１次リングの輝度和
（４）前記の値（２）と（３）の比
（５）０次スポットと１次リング間の暗部の輝度和
（６）前記の値（１）、（２）、（３）、（４）の各々に所定の係数を乗じたもの
の総和
（７）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の径
（８）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の面積
（９）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の周囲長
（１０）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の互いに直交する
径の比
（１１）前記の値（７）と（８）の所定の閾値で０次スポットを切断したときに得
られる面の直径と周囲長の比
のうちのいずれかである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、コリメータレンズから出射される光束を結像レンズに入射させてスポットを形成し、半導体レーザを光軸に沿って相対移動させてコリメータレンズの焦点位置を通過させるとともに、その間に変化した特徴値の最大値あるいは最小値を記憶しておき、特徴値を計測しながら半導体レーザを光軸に沿って再度、相対移動させた際、特徴値が最大値あるいは最小値に対して所定の範囲内に入ったときに半導体レーザが前記コリメータレンズの焦点位置にあるとみなして半導体レーザのコリメータレンズに対する相対位置を決定する。このため、合焦位置近傍で特徴値の変化が著しく小さい場合でも、半導体レーザの位置を容易に見つけることができ、かつ、ばらつきが発生しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
【００１３】
［実施の形態１］
図１は、光ヘッド装置の光学系の要部を示す説明図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る光ヘッド装置製造装置の構成を示す説明図である。図３は、図２に示す光ヘッド装置製造装置の画像処理装置の主な機能を示す機能ブロック図である。なお、以下の説明においては、レーザ光の光軸方向をＺ方向とし、このＺ方向に対して垂直な２方向をＸＹ方向としてある。
【００１４】
図１において、光ヘッド装置１では、ＬＤ（レーザダイオード）などの半導体レーザ１１と、コリメータレンズ１２とを用いてコリメート光を生成し、このコリメート光を対物レンズ１３によって収束させて光記録ディスク３の記録面にスポットを形成する。対物レンズ１３の前段には、対物レンズ１３に向かう光束を規定する光ヘッド装置用アパーチャ１８が配置されている。また、光路の途中位置にはビームスプリッタなどの光路分離素子１４が配置され、光記録ディスク３の戻り光をフォトダイオードなどの受光素子１５に導くようになっている。ここで、３ビーム法などを利用する場合には、半導体レーザ１１と光路分離素子１４との間にグレーティング素子１６が配置される。また、非点収差法を利用する場合には、光路分離素子１４と受光素子１５との間に焦点検出レンズ１７が配置される。なお、これらの光学部品はフレーム（図示せず）上に搭載されることになる。
【００１５】
このように構成した光ヘッド装置１では、品位の高いコリメート光を生成する必要があるため、光ヘッド装置１の製造工程では、レーザ光軸調整工程において、コリメータレンズ１２と半導体レーザ１１の出射点とのＸ、Ｙ、Ｚ方向の相対位置や、半導体レーザ１１の角度位置を調整する必要がある。
【００１６】
本形態では、このような調整を行う際、図２に示す光ヘッド装置製造装置５０を用いる。この光ヘッド装置製造装置５０では、製造途中品を設置するための試料台５２と、この製造途中品２に向けて配置された低倍率撮像装置６０と、輝度分布を計測するための輝度分布計測用撮像装置７０と、結像レンズ８１を備えた高倍率撮像装置８０（特徴値計測手段）とを有している。輝度分布計測用撮像装置７０は、カメラレンズ６１と撮像素子６２との間にエクステンションチューブ６３を備えており、このエクステンションチューブ６３によって、倍率と作動距離を適正に設定してあるので、所定の位置に焦点を正確に合わせることができる。高倍率撮像装置８０は、低倍率撮像装置６０や輝度分布計測用撮像装置７０と比較して高倍率であり、鏡筒８５には、結像レンズ８１、ミラー８２、およびリレーレンズ８３が保持されている。ここで、焦点距離ｆが２００ｍｍの結像レンズ８１を用い、５倍のリレーレンズ８３を用いれば、１０００ｍｍの結像光学系として作用する。低倍率撮像装置６０は、大きく傾いた光線を見つけ出して高倍率撮像装置８０で観察できる位置まで半導体レーザ１１の位置を調整するためのものであり、光線傾きで±２°程度の視野に設定してある。なお、低倍率撮像装置６０で得られた低倍率画像のいずれの位置に高倍率画像が位置するかは、予め、コーナーキューブを利用して調べておく。なお、低倍率撮像装置６０は、スクリーン投影タイプの目視型として構成してもよい。
【００１７】
本形態の光ヘッド装置製造装置５０では、各撮像装置６０、７０、８０での撮像結果は、画像処理装置１００に出力されるようになっており、画像処理装置１００は、ＲＯＭなどに格納された所定のプログラムに基づいてデータ処理などの動作を行うデータ処理装置２００と、このデータ処理装置２００での処理結果などを表示する表示装置３００とを備えている。
【００１８】
図３に示すように、データ処理装置２００には、各撮像装置６０、７０、８１での撮像データがインターフェース１１０を介して入力されるようになっている。また、データ処理装置２００は、半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での位置調整を行うための輝度中心位置演算部２１０を有している。さらに、データ処理装置２００は、半導体レーザ１１のＺ方向での相対位置調整を行うために、最大輝度などの特徴値のピークホールド値と現在値とを比較して一時記憶部２４０（記憶手段）に記憶されているピークホールド値を更新するためのピークホールド値・現在値比較部２３０、および最大輝度などの特徴値のピークホールド値に対する現在値の比率を求めるためのピークホールド値・現在値比率演算部２５０（演算手段）などが構成されている。また、データ処理装置２００には、表示装置３００での表示動作を制御する表示制御部２８０なども構成されている。
【００１９】
再び図２において、表示装置３００は、４つの表示領域３１０、３２０、３３０、３４０を備えており、第１の表示領域３１０では、高倍率撮像装置８０で得られた高倍率画像などが表示され、第２の表示領域３２０では、輝度分布計測用撮像装置７０で得られた輝度分布などが表示される。また、第３の表示領域３３０では、輝度分布計測用撮像装置７０で得られた輝度分布に基づいて行われた合焦判定結果などが表示され、第４の表示領域３４０では、輝度分布計測用撮像装置７０で得られた輝度分布に基づいて求められたプロファイルなどが表示される。
【００２０】
また、本形態の光ヘッド装置製造装置５０は、コリメート光源８０と、このコリメート光源８０から出射された光の一部のみを透過させる調整用アパーチャ８１とを備えており、高倍率撮像装置８０と低倍率撮像装置６０との光軸合わせや、試料台５２の角度調整などは、コリメート光源８０からの出射光を基準に行われる。なお、試料台５２から各撮像装置６０、７０、８０に向けては、光路を規定する複数枚のハーフミラー５５が配置され、コリメート光源８０から試料台５２に到る光路上にもハーフミラー５５が配置されている。
【００２１】
（半導体レーザ１１のＺ方向での相対位置調整）
図４は、図２に示す光ヘッド装置製造装置の表示装置での表示内容を示す説明図である。
【００２２】
本形態の光ヘッド装置製造装置５０を用いて、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２のＺ方向（光軸方向）における相対位置の調整を行う合焦調整工程を説明する。この合焦調整工程では、結像レンズ８１を備えた高倍率撮像装置８０を用いる。ここで、高倍率撮像装置８０の計測結果に基づいて、第３の表示領域３３０には、Ｘ方向における輝度プロファイル３３１が表示される。
【００２３】
本形態では、コリメータレンズ１２から出射される光束を結像レンズ８１に入射させてスポットを形成するとともに、このスポットを高倍率撮像装置８０で撮像する。その際、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２の相対位置によって変化するスポットの特徴値によって、半導体レーザ１１の相対位置を決定する。この特徴値としては、以下の値（１）〜（１１）
（１）スポット全体の最大輝度
（２）０次スポットの輝度和
（３）１次リングの輝度和
（４）前記の値（２）と（３）の比
（５）０次スポットと１次リング間の暗部の輝度和
（６）前記の値（１）、（２）、（３）、（４）の各々に所定の係数を乗じたもの
の総和
（７）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の径
（８）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の面積
（９）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の周囲長
（１０）所定の閾値で０次スポットを切断したときに得られる面の互いに直交する
径の比
（１１）前記の値（７）と（８）の所定の閾値で０次スポットを切断したときに得
られる面の直径と周囲長の比
のいずれを用いてもよい。なお、上記の特徴値（７）、（８）、（９）、（１０）における閾値としては、例えば、最大輝度に対して一定の閾値（例えば、１／ｅ2＝１３．５％）を用いることができる。なお、以下の説明では、（１）スポット全体の最大輝度をパラメータにするので、合焦位置では、特徴値（パラメータ）が最大値を示すが、（５）０次スポットと１次リング間の暗部の輝度和をパラメータとして用いた場合には、合焦位置では、特徴値が最小値を示す。なお、他の特徴値はいずれも、合焦位置では最大値を示す。
【００２４】
本形態では、図３を参照して説明したように、データ処理装置２００には、特徴値のピークホールド値を記憶しておく記憶手段としての一時記憶部２４０と、ピークホールド値を更新するためのピークホールド値・現在値比較部２３０と、半導体レーザ１１を光軸に沿って相対移動させた際に特徴値がピークホールド値に対して所定の範囲内に入ったか否かを検出するための演算を行う演算手段としてのピークホールド値・現在値比率演算部２５０とが構成されている。
【００２５】
このため、半導体レーザ１１をＺ方向に相対移動させて合焦位置を通過させた際、その間に計測された最大輝度（特徴値）のピーク値（最大値）が一時記憶部２４０にピークホールドされる。また、その途中で、これまでのピーク値を上回る値が出現したとピークホールド値・現在値比較部２３０が判断したときには、一時記憶部２４０に記憶されているピーク値が更新される。そして、一時記憶部２４０に現在、記憶されているピークホールド値は、第３の表示領域３３０の上段のピークホールドグラフ３３４（第１のグラフ表示部）で表示され、現在の計測値は、第３の表示領域３３０の下段に現在値グラフ３３６（第２のグラフ表示部）で表示されるようになっている。さらに、一時記憶部２４０に現在、記憶されているピークホールド値と現在値との比がピークホールド値・現在値比率演算部２５０によって求められ、第３の表示領域３３０の最上段に比率３３８で表示されるようになっている。また、第３の表示領域３３０の最上段には、所定の手順を経た後、比率３３８が所定の値以上になったとき、判定結果３３９が「ＯＫ」と表示されるようになっている。
【００２６】
このように構成した光ヘッド装置製造装置５０において、半導体レーザ１１のＺ方向での位置調整を行うにあたっては、まず、コリメート光源８０から調整用アパーチャ８１を介して出射された光に基づいて試料台５２の傾き調整が行われる。また、試料台５２上にミラー（図示せず）を配置して、コリメート光源８０から調整用アパーチャ８１を介して出射された光を各撮像装置６０、７０、８０に向けて導けば高倍率撮像装置８０と低倍率撮像装置６０との光軸合わせなどを行うことができる。
【００２７】
次に、コリメータレンズ１２を治具で保持し、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２の相対位置を変更可能な状態の製造途中品２を試料台５２に設置する。
【００２８】
次に、スポット画像を大幅にぼかして現在値グラフ３３６がその中ほどよりも左（値が小さい方）になるように半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２のＺ方向における相対位置を設定すると、ピークホールド値がリセットされる。
【００２９】
次に、第１工程において、対物レンズ１３をＺ方向に相対移動させて徐々にピントを合わせていくと、上段のピークホールドグラフ３３４、および下段の現在値グラフ３３６が伸びていく。そして、合焦位置を過ぎると、ピークホールドグラフ３３４は最大値を保持したまま、現在値グラフ３３６が低下していく（第１工程）。
【００３０】
従って、ピーク値から一定割合だけ下がった後、第２工程において、半導体レーザ１１を逆方向に相対移動させれば、現在値グラフ３３６がピークホールドグラフ３３４に近づいていくので、合焦位置を見出すことができる。このとき、現在値をピークホールド値に完全に一致させようとすると、合焦位置を高い精度で見出すことができるが、作業時間が増大する。従って、本形態では、現在値がピークホールド値に対して所定の比率となった時点を合焦位置とする。なお、一連の動作を満たさない状態で上段のピークホールドグラフと、下段の現在値グラフとが一致した場合には、判定結果３３９として「ＮＧ」が表示される。
【００３１】
このように、本形態では、半導体レーザ１１を光軸に沿って相対移動させてコリメータレンズ１２の焦点位置を通過させるとともに、その間に変化した特徴値の最大値を記憶しておき、特徴値を計測しながら半導体レーザ１１を光軸に沿って移動させた際、特徴値が最大値に対して所定の範囲内に入ったときに半導体レーザ１１がコリメータレンズ１２の焦点位置にあるとみなして半導体レーザ１１のコリメータレンズ１２に対する相対位置を決定する。このため、合焦位置近傍で特徴値の変化が著しく小さい場合でも、半導体レーザ１１の相対位置を容易に見つけることができ、かつ、ばらつきが発生しない。
【００３２】
（半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での位置調整方法）
図５は、図２に示す光ヘッド装置製造装置に設置される製造途中品の説明図である。
【００３３】
本形態の光ヘッド装置製造装置５０を用いて、半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での相対位置を調整するレーザ光軸調整工程では、図５に示すように、コリメータレンズ１２の後段にアパーチャ５７が配置される。アパーチャ５７は、コリメータレンズ１２から出射されるコリメート光束の中心を含む一部の光のみを通過させる円形の光透過部５７０を備えている。なお、半導体レーザ１１は、光透過孔を備えたレーザホルダ１８に保持されている。レーザホルダ１８は、前端面が球状凸面１８０になっており、この球状凸面１８０が保持プレート１９の球状凹面１９０に嵌っている。従って、半導体レーザ１１は、レーザホルダ１８の球状凸面１８０と保持プレート１９の球状凹面１９０とにガイドされながら、Ｘ方向における傾き角θxやＹ方向の傾き角θyを変えることができる。
【００３４】
レーザ光軸調整工程においては、製造途中品２を試料台５２上に配置し、半導体レーザ１１を点灯させる。ここでの製造途中品２は、例えば、図５に示すように構成した半導体レーザ１１のアセンブリに対して、コリメータレンズ１２を治具で保持した状態のものであり、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２の相対位置を変更可能な状態にある。なお、本形態では、アパーチャ５７もコリメータレンズ１２とともに治具で保持されている。
【００３５】
この状態で半導体レーザ１１を点灯させ、アパーチャ５７を透過してきた光を輝度分布計測用撮像装置７０で撮像するとともに、その撮像結果（輝度分布）を表示装置３００の第２の表示領域３２０に表示する。その際、輝度分布計測用撮像装置７０の焦点位置はアパーチャ５７に合わせる。
【００３６】
ここで、撮像されるのは、アパーチャ５７を透過してきた光であり、コリメート光束の中心を含む一部の光であるため、その像は、図４の第２の表示領域３２０に示す通りである。すなわち、半導体レーザ１１から出射された光のファーフィールドパターンは、本来、図４に一点鎖線Ｌ１で示す通りであるが、その一部のみが撮像され、表示されることになる。このような輝度分布は、図４に示すように、第４の表示領域にＸ方向での輝度プロファイル３４１とＹ方向での輝度プロファイル３４３として表示される。さらに、第４の表示領域３４０には、輝度中心位置の座標３４２が表示される。なお、本形態では、半導体レーザ１１の後段にグレーティング素子１６が配置されているため、グレーティング素子１６による干渉縞の影響は、第２の表示領域３２０に表示された輝度分布やＹ方向でのプロファイル３４３に縞模様として出現する。
【００３７】
そして、画像処理装置１００では、データ処理装置２００の輝度中心位置演算部２１０がコリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求め、その結果を第２の表示領域３２０にマーク「＋」で表示する。このような輝度分布に基づいて輝度中心位置を求める際、グレーティング素子１６による干渉縞の影響を補正した上で行う。
【００３８】
本形態では、輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるための方法としては、例えば、輝度分布のうち、所定の輝度値を示す領域の中心を輝度中心位置とする。すなわち、輝度分布から等輝度曲線を求め、その重心位置を輝度中心位置とする。この場合の輝度値としては、例えば、最高輝度と最低輝度との間で割合による設定を行えばよい。より具体的には、最低輝度が１０で最高輝度が２００である場合、その８０％で等輝度曲線を求めるとすれば、等輝度曲線の輝度値は、以下の式
等輝度曲線の輝度値＝１０＋（２００−１０）×０．８
＝１６２
から、１６２とすればよい。
【００３９】
また、輝度分布に基づいて輝度中心位置を求める際には、輝度分布のうち、所定値以上の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置を輝度中心位置としてもよい。この場合の閾値についても、例えば、最高輝度と最低輝度との間で割合による設定を行えばよい。より具体的には、最低輝度が１０で最高輝度が２００である場合、その８０％で等輝度曲線を求めるとすれば、閾値は、以下の式
閾値＝１０＋（２００−１０）×０．８
＝１６２
から、１６２とすればよい。
【００４０】
さらに、輝度分布に基づいて輝度中心位置を求める際には、輝度分布に基づいて輝度の曲線近似を行い、そのピーク位置を輝度中心位置としてもよい。
【００４１】
このようにして求められた輝度中心位置は、第１の表示領域３１０および第２の表示領域３２０にマーク「＋」で表示され、かつ、第１の表示領域３１０および第２の表示領域３２０には、輝度中心位置を一致させるべき目標位置がマーク「○」で表示される。また、第４の表示領域３４０の下段には、目標位置の座標３４４と、目標位置の座標と輝度中心位置との距離３４６が表示される。
【００４２】
ここで、目標位置は、予め決定されている座標位置である。また、アパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置を目標位置とすることもある。アパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置を求めるにあたっては、例えば、輝度分布のうち、所定値以下の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置をアパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置（目標位置）とする。また、アパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置を求めるにあたっては、輝度分布からアパーチャ５７の光透過部５７０の円形の輪郭を求め、その輪郭の中心位置をアパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置（目標位置）としてもよい。
【００４３】
従って、第２の表示領域３２０に表示されている輝度中心位置（マーク「＋」）と目標位置（マーク「○」）とが一致するように、半導体レーザ１１のコリメータレンズ１２に対する相対位置を調整すれば、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせることができ、光軸があったとき、第４の表示領域３４０において、結果を示す領域３４８には「ＯＫ」と表示される。このようにして、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせる。
【００４４】
以上説明したように、本形態では、コリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるため、デフォーカス状態のスポット像に基づいて輝度分布の中心を求める方法と違って、輪郭な明瞭な像から輝度中心位置を求めることができる。従って、輝度中心位置を容易に求めることができ、かつ、その精度が高い。それ故、半導体レーザ１１のレーザ出射点をＸ、Ｙ方向に合わせることができるので、コリメート光の傾きを防止でき、光記録ディスク３に対して光軸に点対称なスポットを形成できる。また、半導体レーザ１１の出射光軸の傾き（出射方向のずれ／θ方向ずれ）を防止できるので、コリメート光の輝度分布の偏りを防止でき、光記録ディスク３に形成されるスポットに輝度分布の偏りが発生することを防止することができる。また、第２の表示領域３２０に表示される縞模様（干渉縞）によれば、グレーティング素子１６の傾きも確認できるので、グレーティング素子１６の傾きを調整することもできる。
【００４５】
（半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での別の位置調整方法）
図６は、光ヘッド装置製造装置において仮想アパーチャによって輝度中心位置を求める方法を示す説明図である。
【００４６】
上記実施の形態では、半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での位置調整を行うレーザ光軸調整工程において、コリメータレンズ１２の後段にアパーチャ５７を配置することにより、コリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めたが、アパーチャ５７を用いずに、コリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心を求めてもよい。すなわち、コリメータレンズ１２の後段にアパーチャ５７を配置しない場合には、図６（ａ）に示す像が得られるので、画像処理装置１００において、図６（ｂ）に円で示す仮想アパーチャ５８を設定し、この仮想アパーチャ５８内の輝度分布の計測結果に基づいて輝度中心位置を求めてもよい。この場合、輝度分布計測用撮像装置７０の焦点位置をコリメータレンズ１２に合わせる。
【００４７】
本形態でも、第２の表示領域３２０に表示されている輝度中心位置（マーク「＋」）と目標位置（マーク「○」）とが一致するように、半導体レーザ１１のコリメータレンズ１２に対する相対位置を調整すれば、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせることができ、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせた後、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との位置を固定することができる。
【００４８】
なお、仮想アパーチャ５８内の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるにあたっては、実施の形態１と同様、輝度分布のうち、所定の輝度値を示す領域の中心を輝度中心位置とする方法、輝度分布のうち、所定値以上の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置を輝度中心位置とする方法、または輝度分布に基づいて輝度の曲線近似を行い、そのピーク位置を輝度中心位置とする方法を採用すればよい。また、目標位置については、予め決定されている座標位置、あるいは仮想アパーチャ５８の中心位置により設定すればよい。
【００４９】
（半導体レーザ１１の傾き角θx、θyの調整）
なお、半導体レーザ１１の傾き角θx、θyを調整した際の輝度中心のずれ量は、第３の表示領域３３０の下段３３２に表示される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】光ヘッド装置の要部を示す説明図である。
【図２】本発明を適用した光ヘッド装置製造装置の構成を示す説明図である。
【図３】図２に示す光ヘッド装置製造装置の画像処理装置の主な機能を示す機能ブロック図である。
【図４】図２に示す光ヘッド装置製造装置の表示装置での表示内容を示す説明図である。
【図５】図２に示す光ヘッド装置製造装置に設置される製造途中品の説明図である。
【図６】本発明を適用した光ヘッド装置製造装置において仮想アパーチャによって輝度中心位置を求める方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  光ヘッド装置
２  製造途中品
３  光記録ディスク
１１  半導体レーザ
１２  コリメータレンズ
１３  対物レンズ
１５  受光素子
５０  光ヘッド装置製造装置
５２  試料台
５７  アパーチャ
５８  仮想アパーチャ
６０  低倍率撮像装置
７０  輝度分布計測用撮像装置
８０  高倍率撮像装置（特徴値計測手段）
８１  結像レンズ
１００  画像処理装置
２００  データ処理装置
２１０  輝度中心位置演算部
２４０  一時記憶部（記憶手段）
２３０  ピークホールド値・現在値比較部
２５０  ピークホールド値・現在値比率演算部（演算手段）
３００  表示装置
【図１】
2006155773.tif 000003
【図２】
2006155773.tif 000004
【図３】
2006155773.tif 000005
【図４】
2006155773.tif 000006
【図５】
2006155773.tif 000007
【図６】
2006155773.tif 000008