(57)【要約】【課題】  エポキシ樹脂に有用な硬化促進剤、硬化性、流動性および保存性が良好なエポキシ樹脂組成物ならびに耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】  一般式（１）で表される構造を有することを特徴とするエポキシ樹脂用硬化促進剤。【化１】2006265414.tif 000022［式中、Ａ１は窒素原子又は燐原子を示し、Ｒ１〜Ｒ４は置換もしくは無置換の、芳香環又は複素環を有する有機基あるいは脂肪族基を示し、Ｘ１およびＸ２は有機基を示す。Ｙ１及びＹ２と、Ｙ３及びＹ４は前記チタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ１〜Ｙ４うち少なくとも一つはエステル結合を有し、該エステル結合にて前記チタン原子と結合するものである。Ｚ１は置換もしくは無置換の、芳香環又は複素環を有する有機基あるいは脂肪族基を示す。］【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される構造を有することを特徴とするエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【化１】
2006265414.tif 000021
［式中、Ａ１は窒素原子または燐原子を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ｔｉはチタン原子を示し、Ｘ１は、置換基Ｙ１およびＹ２と結合する有機基を示し、Ｘ２は、置換基Ｙ３およびＹ４と結合する有機基を示し、Ｘ１、およびＸ２は互いに同一でも異なっていても良い。また、Ｙ１、およびＹ２は、前記チタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ３およびＹ４は、前記チタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４うち少なくとも一つは、エステル結合を有し、該エステル結合にて前記チタン原子と結合するものである。Ｚ１は置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示す。］
【請求項２】
前記硬化促進剤は、一般式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４として、それらの少なくとも１つに、置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基を有するものである請求項１に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【請求項３】
１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、請求項１または２に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
無機充填材を含む請求項３に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記無機充填材の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部である請求項４に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項５に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を封止して半導体装置を得る方法としては、エポキシ樹脂組成物のトランスファー成形による封止が、低コストで、大量生産に適しているという点で広く用いられている。また、エポキシ樹脂や、硬化剤であるフェノール樹脂の改良により、半導体装置の特性、信頼性の向上が図られている。
しかしながら、昨今の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化も、年々進んでおり、また、半導体装置の表面実装化も促進されている。これに伴い、半導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂組成物への要求は、益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では、解決できない（対応できない）問題も生じている。
【０００３】
近年、半導体素子の封止に用いられる材料には、生産効率の向上を目的とした速硬化性の向上と、半導体を封止した際の、耐熱性や信頼性の向上のため、無機質の充填材を高充填しても損なわれることのない高流動性が求められるようになってきている。
また、電気・電子材料分野向けのエポキシ樹脂組成物には、硬化時における樹脂の硬化反応を促進する目的で、速硬化性に優れる第三ホスフィンとキノン類との付加反応物が硬化促進剤として添加される方法が知られている(例えば、特許文献１参照。)。
かかる硬化促進剤は、硬化促進効果を示す温度領域が比較的低温にまで及ぶため、硬化反応の初期において、その反応がわずかずつであるが促進してしまい、この反応が原因となって、樹脂組成物が高分子量化する。かかる高分子量化は、樹脂粘度の向上を引き起こし、結果として、信頼性向上のために充填材を高充填した樹脂組成物においては、流動性の不足により成型不良などの問題を引き起こす。
【０００４】
また、流動性を向上させるべく、硬化性を抑制する成分を用いて、反応性の基質を保護する試みも、さまざまなものが取り組まれてきた。例えば、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護することで、潜伏性を発現する研究がなされており、種々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造を有する潜伏性触媒が知られている（例えば、特許文献２〜３参照。）。しかし、このような通常の塩類では、硬化反応の初期から終期まで、常に抑制成分が存在するために、流動性を得ることができる反面、硬化性は十分に得られない、両立ができないものであった。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２５３３５号公報（第２頁）
【特許文献２】特開２００１−９８０５３号公報（第５頁）
【特許文献３】米国特許第４１７１４２０号明細書（第２−４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、エポキシ樹脂に有用な硬化促進剤、硬化性、流動性および保存性が良好なエポキシ樹脂組成物ならびに耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記（１）〜（６）の本発明により達成される。
（１）  一般式（１）で表される構造を有することを特徴とするエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【０００８】
【化１】
2006265414.tif 000002
［式中、Ａ１は窒素原子または燐原子を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ｔｉはチタン原子を示し、Ｘ１は、置換基Ｙ１およびＹ２と結合する有機基を示し、Ｘ２は、置換基Ｙ３およびＹ４と結合する有機基を示し、Ｘ１、およびＸ２は互いに同一でも異なっていても良い。また、Ｙ１、およびＹ２は、前記チタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ３およびＹ４は、前記チタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４うち少なくとも一つは、エステル結合を有し、該エステル結合にて前記チタン原子と結合するものである。Ｚ１は置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示す。］
【０００９】
（２）  前記硬化促進剤は、一般式（１）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４として、それらの少なくとも１つに、置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基を有するものである第（１）項に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
（３）  １分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、第（１）項または第（２）項に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
（４）  無機充填材を含む第（３）項に記載のエポキシ樹脂組成物。
（５）  前記無機充填材の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部である第（４）項に記載のエポキシ樹脂組成物。
（６）  第（５）項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の硬化促進剤によれば、エポキシ樹脂の硬化促進に極めて有用であり、エポキシ樹脂組成物に混合した場合、優れた流動性、保存性と硬化性の両立したエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
また、本発明の半導体装置は、高温に曝された場合であっても、クラックや剥離等の欠陥が生じ難く、また、吸湿に伴う経時劣化も発生し難い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明する。
［本発明の硬化促進剤］
本発明の硬化促進剤は、前記一般式（１）で表される構造を有するものであり、アンモニウムカチオンまたはホスホニウムカチオンと、チタネートアニオンとで構成されるオニウムチタネートの構造を有するものである。
【００１２】
ここで、前記一般式（１）で表される構造を構成するカチオン部において、Ａ１は燐原子または窒素原子であり、Ａ１に結合する置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基あるいは脂肪族基を示し、これらは、互いに同一でも異なっていてもよい。
これらの置換基Ｒ１〜Ｒ４としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基およびベンジル基などの置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基、フリル基、チエニル基、テニル基、テノイル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ基、モルフォリノ基、キノリル基などの置換もしくは無置換の複素環を有する有機基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基およびシクロヘキシル基などの置換もしくは無置換の脂肪族基が挙げられ、反応活性や安定性の点から、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基などの置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基がより好ましい。なお、前記芳香環を有する有機基、複素環を有する有機基および脂肪族基における置換基としては、メチル基、エチル基、水酸基などが挙げられる。
【００１３】
また、前記一般式（１）で表される構造を構成するチタネートアニオンにおいて、置換基Ｘ１は、置換基Ｙ１およびＹ２と結合する有機基である。同様に、置換基Ｘ２は、置換基Ｙ３およびＹ４と結合する有機基である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４うち少なくとも一つは、エステル結合を有するものであり該エステル結合にてチタン原子と結合している。また、同一分子内の置換基Ｙ１、およびＹ２がチタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ３およびＹ４は同一分子内の置換基Ｙ３およびＹ４がチタン原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ１、およびＸ２は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。
【００１４】
このような一般式（１）で表される構造を構成するチタネートアニオンにおけるＹ１Ｘ１Ｙ２、およびＹ３Ｘ２Ｙ４で示される基は、２価以上のプロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものである。また、２価以上のプロトン供与体のうち、少なくとも一つはカルボキシル基を持つものであり、カルボキシル基のプロトンを１個放出してチタン原子とエステル結合するものである。２価以上のプロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、２，２’−ビナフトール、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロキサンジオールおよび１，２−プロパンジオールおよびグリセリン等などのフェノール化合物や、１−サリチル酸メチル、３−アミノサリチル酸、５−アミノサリチル酸、サリチル酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、２−ヒドロキシ−３，６−ジメチル安息香酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸および３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸などの芳香族カルボン酸が挙げられる。これらの中でも、サリチル酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸が、流動性や硬化性の面から、より好ましい。
【００１５】
また、一般式（１）で表される構造を構成するチタネートアニオンにおけるＺ１は、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を表し、分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個有するプロトン供与体がプロトンを１個放出してなる基も含まれる。これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基およびオクチル基等の置換もしくは無置換の脂肪族基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基およびビフェニル基等の置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基およびビニル基等の置換もしくは無置換の有機基などが挙げられるが、これらの中でも、メチル基、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基が、熱安定性の面から、より好ましい。なお、前記芳香環を有する有機基、複素環を有する有機基および脂肪族基における置換基としては、メチル基、エチル基、水酸基などが挙げられる。また、Ｚ１で表されるプロトン供与体は、プロトンを供与できる化合物であれば何ら限定されるものではないが、プロトン供与体として好ましいのは、１分子内にカルボキシル基を少なくとも１個とフェノール水酸基を少なくとも１個有する芳香族カルボン酸が好ましい。例として、酢酸、３−フェニルプロパン酸、安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸、トリメリト酸、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、サリチル酸およびシトラジン酸などの単核芳香族カルボン酸、１−ナフトエ酸、１，６−ナフタレンジカルボン酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸および３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸などのナフタレン核芳香族カルボン酸などが挙げられる。これらの中でも、サリチル酸が流動性、硬化性の面からより好ましい。
【００１６】
このようなオニウムチタネート、すなわち、本発明の硬化促進剤は、従来の硬化促進剤と比較し、硬化促進剤としての特性、特に硬化性、流動性および保存性が極めて優れるものである。
【００１７】
ここで、本発明の前記一般式（１）で表される構造を有する硬化促進剤の合成方法について説明する。
本発明の硬化促進剤の合成方法としては、例えば、オニウムハライド化合物と、アルコキシチタン類およびチタン原子とキレート結合を形成可能な前記プロトン供与体を、水酸化ナトリウム等のアルカリ水酸化物で中和して得られるチタネート錯体のアルカリ金属塩とを接触させる合成ルートによる方法を挙げることができ、その合成工程は、下記反応式のように表される。かかる合成法により、容易かつ高収率で合成することが可能である。
【００１８】
【化２】
2006265414.tif 000003
【００１９】
【化３】
2006265414.tif 000004
【００２０】
［式中、Ａ１は窒素原子または燐原子を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ｔｉはチタン原子を示し、Ｘ１は、置換基Ｙ１およびＹ２と結合する有機基を示し、Ｘ２は、置換基Ｙ３およびＹ４と結合する有機基を示し、Ｘ１、およびＸ２は互いに同一でも異なっていても良い。また、Ｙ１、およびＹ２は、前記チタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ３およびＹ４は、前記チタン原子と結合してキレート構造を形成するものであり、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４うち少なくとも一つは、エステル結合を有し、該エステル結合にて前記チタン原子と結合するものである。Ｚ１は置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示す。また、Ｒは、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基または脂肪族基を示し、Ｒ’は、脂肪族基を示し、Ｙはプロトン供与性置換基がプロトンを一個放出してなる基を示し、Ｘはプロトン供与性置換基であるＹＨと結合する有機基を示し、Ｗは１価の陰イオンを示す。］
【００２１】
前記オニウムハライド化合物としては、置換を有していても良い芳香環または複素環を有する有機基あるいは脂肪族基を有するオニウムハライド化合物が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、水酸基などの置換基を有していても良い、フェニルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラフェニルアンモニウムブロミド、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、トリフェニル（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド、トリフェニル（３−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド、トリフェニル（６−ヒドロキシ−２−ナフタレン）ホスホニウムブロミド、トリス（４−メチルフェニル）（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミドおよびトリス（４−メトキシフェニル）（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミドなどが挙げられる。
【００２２】
前記アルコキシチタン類としては、例えば、テトラメトキシチタン、テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン、テトラフェノキシチタン、およびチタニウムメタクリレートトリ−ｉ−プロポキシド等が挙げられる。
【００２３】
上記合成反応の具体例としては、まず、前記アルコキシチタン類を溶媒に溶解した溶液と、前記プロトン供与体を溶媒に溶解した溶液とを、水酸化ナトリウム等のアルカリで中和して、チタネート錯体を生成させ、次いで、このチタネート錯体の溶液中に、前記オニウムハライド化合物を溶媒に溶解した溶液を、室温で滴下することにより、オニウムチタネートの構造を有する本発明の硬化促進剤を容易に得ることができる。
【００２４】
ここで用いる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールおよびプロパノール等のアルコール系溶媒が好ましく、収率を向上させる目的で、適宜、水等の再沈殿溶媒と混合させることもできる。
なお、前記一般式（１）で表される硬化促進剤の合成方法は、上記の合成反応ルートが一般的であるが、これらに何ら限定されるものではない。
【００２５】
［本発明のエポキシ樹脂組成物］
本発明のエポキシ樹脂組成物は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、本発明の硬化促進剤（Ｃ）と、任意に、無機充填材（Ｄ）とを含むものである。かかるエポキシ樹脂組成物は、硬化性、流動性および保存性に優れたものである。
以下、本発明のエポキシ樹脂組成物に用いる各成分について、順次説明する。
【００２６】
［１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）］
本発明に用いる１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するものであれば、何ら制限はない。
前記化合物（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂など、フェノール類やフェノール樹脂やナフトール類などの水酸基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ化合物、オレフィンを過酸により酸化させエポキシ化したエポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂およびグリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
［１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）］
本発明に用いる１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するものであり、前記化合物（Ａ）の硬化剤として作用（機能）するものである。
前記化合物（Ｂ）としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、トリスフェノール樹脂、キシリレン変性ノボラック樹脂、テルペン変性ノボラック樹脂およびジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２８】
［硬化促進剤（Ｃ）］
本発明のエポキシ樹脂組成物に用いる硬化促進剤（Ｃ）としては、上記で得られる硬化促進剤が挙げられる。
【００２９】
［無機充填材（Ｄ）］
無機充填材（Ｄ）としては、得られる半導体装置の耐半田性向上を目的として、エポキシ樹脂組成物中に配合（混合）されるものであり、その種類については、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。
この無機充填材（Ｄ）としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレーおよびガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３０】
本発明のエポキシ樹脂組成物において、硬化促進剤（Ｃ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、樹脂成分に対して０．０１〜１０重量％程度であるのが好ましく、０．１〜５重量％程度であるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の硬化性、流動性、保存性、および硬化物特性がバランスよく発現する。
【００３１】
また、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との配合比率も、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、前記化合物（Ｂ）のフェノール性水酸基が０．５〜２モル程度となるように用いるのが好ましく、０．７〜１．５モル程度となるように用いるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の諸特性のバランスを好適なものに維持しつつ、諸特性が、より向上する。
【００３２】
また、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部程度であるのが好ましく、４００〜１４００重量部程度であるのが、より好ましい。無機充填材（Ｄ）の含有量が前記下限値未満の場合、無機充填材（Ｄ）による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、一方、無機充填材（Ｄ）の含有量が前記上限値を超えた場合、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）に、充填不良等が生じるおそれがある。
なお、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）が、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、４００〜１４００重量部であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が低くなり、半田クラックの発生を防止することができる。かかるエポキシ樹脂組成物は、加熱溶融時の流動性も良好であるため、半導体装置内部の金線変形を引き起こすことが好適に防止される。
また、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、前記化合物（Ａ）、前記化合物（Ｂ）や無機充填材（Ｄ）自体の比重を、それぞれ考慮し、重量部を体積％に換算して取り扱うようにしてもよい。
【００３３】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物中には、前記（Ａ）〜（Ｃ）の化合物（成分）、任意に（Ｄ）成分と、その他に、必要に応じて、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、パラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合（混合）するようにしてもよい。
また、本発明において硬化促進剤（Ｃ）の特性を損なわない範囲で、エポキシ樹脂組成物中には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾール等の他の公知の硬化促進剤を配合（混合）するようにしても、何ら問題はない。
【００３４】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）〜（Ｃ）の化合物（成分）、任意に（Ｄ）成分と、必要に応じて、その他の添加剤等を、ミキサーを用いて、常温混合し、熱ロール、加熱ニーダー等を用いて加熱混練し、冷却、粉砕することにより得られる。
得られたエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形することにより、半導体素子等の電子部品を封止する。これにより、本発明の半導体装置が得られる。
【００３５】
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、ＳＩＰ（Single Inline Package）、ＨＳＩＰ（SIP with Heatsink）、ＺＩＰ（Zig-zag Inline Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＳＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＳＯＰ（Shrink Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＰ(ＦＰ）（QFP Fine Pitch）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、ＱＦＪ（ＰＬＣＣ）（Quad Flat J-leaded Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等が挙げられる。
このようにして得られた本発明の半導体装置は、耐半田クラック性および耐湿信頼性に優れる。
【００３６】
本発明の硬化促進剤（Ｃ）である一般式（１）で表される構造を有する化合物は、熱的に安定であり、また、アニオン部が嵩高いため、硬化反応時に解離した潜伏性触媒由来の遊離イオンのイオン移動度が低くなることより、これを用いたエポキシ樹脂組成物より得られる硬化物は、耐半田クラック性および耐湿信頼性に優れたものとなる。
【００３７】
以上、本発明の硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置の好適実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
まず、硬化促進剤として使用する化合物Ｃ１〜Ｃ１０を用意した。
【００３９】
（化合物Ｃ１の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン１１．３６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、サリチル酸１６．５６ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、テトラフェニルホスホニウムブロミド１６．７６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液を、フラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶２８．７ｇを得た。
この化合物をＣ１とした。化合物Ｃ１を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（４）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１の収率は、９０％であった。
【００４０】
【化４】
2006265414.tif 000005
【００４１】
（化合物Ｃ２の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、２−ブロモフェノール１０．４ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１７．３ｇ（０．０６６ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．６５ｇ（５ｍｍｏｌ）、およびエチレングリコール４０ｍＬ仕込み、攪拌下１６０℃で加熱反応した。反応液を冷却後、純水４０ｍＬを滴下し、析出した結晶をトルエンで洗浄後、濾過・乾燥し、トリフェニル（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミドを得た。
次に、冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン１１．３６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸２２．５６ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、上記で得たトリフェニル（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド１７．４ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶４０．４ｇを得た。
この化合物をＣ２とした。化合物Ｃ２を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（５）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ２の収率は、７０％であった。
【００４２】
【化５】
2006265414.tif 000006
【００４３】
（化合物Ｃ３の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン１１．３６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸２２．５６ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、テトラフェニルホスホニウムブロミド１６．７６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶２５．７ｇを得た。
この化合物をＣ３とした。化合物Ｃ３を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（６）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ３の収率は、６８％であった。
【００４４】
【化６】
2006265414.tif 000007
【００４５】
（化合物Ｃ４の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、チタニウムメタクリレートトリ−ｉ−プロポキシド１２．４ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、サリチル酸１６．５６ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、テトラフェニルホスホニウムブロミド１６．７６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶２５．３ｇを得た。
この化合物をＣ４とした。化合物Ｃ４を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（７）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ４の収率は、８５％であった。
【００４６】
【化７】
2006265414.tif 000008
【００４７】
（化合物Ｃ５の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン１１．３６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、サリチル酸１６．５６ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド２２．５６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶２１．１ｇを得た。
この化合物をＣ５とした。化合物Ｃ５を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（８）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ５の収率は、５６％であった。
【００４８】
【化８】
2006265414.tif 000009
【００４９】
（化合物Ｃ６の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン１１．３６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸２２．５６ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、フェニルトリメチルアンモニウムブロミド８．６４ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶１３．４ｇを得た。
この化合物をＣ６とした。化合物Ｃ６を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（９）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ６の収率は、４５％であった。
【００５０】
【化９】
2006265414.tif 000010
【００５１】
（化合物Ｃ７の合成）
トリフェニルホスフィン２６．２ｇ（０．１００ｍｏｌ）を５００ｍｌのビーカー中で、７５ｇのアセトンに室温で溶解させた。
次に、この溶液中に、ｐ−ベンゾキノン１０．８ｇ（０．１００ｍｏｌ）をアセトン４５ｇに溶解した溶液を、撹拌下ゆっくり滴下した。このとき、滴下を続けると、しだいに析出物が現われた。
滴下終了後、約１時間撹拌を継続した後、約３０分静置した。
その後、析出した結晶を濾過、乾燥し、緑褐色粉末２７．７５ｇを得た。
この化合物をＣ７とした。化合物Ｃ７を1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１０）で表される目的のホスホニウム化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ７の収率は、７７％であった。
【００５２】
【化１０】
2006265414.tif 000011
【００５３】
（化合物Ｃ８の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン１１．３６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、カテコール８．８ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、テトラフェニルホスホニウムブロミド１６．７６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶１８．８ｇを得た。
この化合物をＣ８とした。化合物Ｃ８を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１１）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ８の収率は、７８％であった。
【００５４】
【化１１】
2006265414.tif 000012
【００５５】
（化合物Ｃ９の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラフェニルボレートのナトリウム塩１３．６９ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予めテトラフェニルホスホニウムブロミド１６．７６ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１００ｍＬのメタノールに溶解した溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、茶色結晶４９．３５ｇを得た。
この化合物をＣ９とした。化合物Ｃ９を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１２）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ９の収率は、７５％であった。
【００５６】
【化１２】
2006265414.tif 000013
【００５７】
（化合物Ｃ１０の合成）
冷却管および撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：３００ｍＬ）に、テトラ−ｉ−プロポキシチタン１１．３６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、サリチル酸１６．５６ｇ（０．１２０ｍｏｌ）、トリフェニルスルホニウムブロミド１３．７ｇ（０．０４０ｍｏｌ）およびメタノール１００ｍLを仕込み攪拌し均一に溶解させた。予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液をフラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、真空乾燥し、黄色結晶１１．５２ｇを得た。
この化合物をＣ１０とした。化合物Ｃ１０を、１Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１３）で表される目的の化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ１０の収率は、４０％であった。
【化１３】
2006265414.tif 000014
【００５８】
［エポキシ樹脂組成物の調製および半導体装置の製造］
以下のようにして、前記化合物Ｃ１〜Ｃ１０を、それぞれ含むエポキシ樹脂組成物を調製し、半導体装置を製造した。
【００５９】
（実施例１）
まず、化合物（Ａ）として下記式（１４）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＸ−４０００ＨＫ）、化合物（Ｂ）として下記式（１５）で表されるフェノールアラルキル樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。三井化学（株）製ＸＬＣ−ＬＬ）、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、無機充填材（Ｄ）として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびカルナバワックスを、それぞれ用意した。
【００６０】
【化１４】
2006265414.tif 000015
＜式（１４）で表される化合物の物性＞
融点                    ：１０５℃
エポキシ当量            ：１９３
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．１５ｐｏｉｓｅ
【００６１】
【化１５】
2006265414.tif 000016
＜式（１５）で表される化合物の物性＞
軟化点                  ：７７℃
水酸基当量              ：１７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：３．６ｐｏｉｓｅ
【００６２】
次に、前記ビフェニル型エポキシ樹脂：５２重量部、前記フェノールアラルキル樹脂：４８重量部、化合物Ｃ１：３．９８重量部、溶融球状シリカ：７３０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて９５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、１００ピンＴＱＦＰのパッケージ（半導体装置）を８個、および、１６ピンＤＩＰのパッケージ（半導体装置）を１５個、それぞれ製造した。
１００ピンＴＱＦＰは、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１００ピンＴＱＦＰのパッケージサイズは、１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
また、１６ピンＤＩＰは、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１６ピンＤＩＰのパッケージサイズは、６．４×１９．８ｍｍ、厚み３．５ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、３．５×３．５ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
【００６３】
（実施例２）
まず、化合物（Ａ）として下記式（１６）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。日本化薬（株）製ＮＣ−３０００Ｐ）、化合物（Ｂ）として下記式（１７）で表されるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。明和化成（株）製ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、無機充填材（D）として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂およびカルナバワックスを、それぞれ用意した。
【００６４】
【化１６】
2006265414.tif 000017
＜式（１６）で表される化合物の物性＞
軟化点                  ：６０℃
エポキシ当量            ：２７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：１．３ｐｏｉｓｅ
【００６５】
【化１７】
2006265414.tif 000018
＜式（１７）で表される化合物の物性＞
軟化点                  ：６８℃
水酸基当量              ：１９９
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．９ｐｏｉｓｅ
【００６６】
次に、前記ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：５７重量部、前記ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：４３重量部、化合物Ｃ１：３．９８重量部、溶融球状シリカ：６５０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて１０５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００６７】
（実施例３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：４．８１重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００６８】
（実施例４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：４．８１重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００６９】
（実施例５）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：４．７３重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７０】
（実施例６）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：４．７３重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７１】
（実施例７）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：３．７３重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７２】
（実施例８）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：３．７３重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７３】
（実施例９）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：４．７１重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７４】
（実施例１０）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：４．７１重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７５】
（実施例１１）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：３．７２重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７６】
（実施例１２）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：３．７２重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７７】
（比較例１）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ７：１．８０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７８】
（比較例２）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ７：１．８０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７９】
（比較例３）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ８：３．０２重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８０】
（比較例４）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ８：３．０２重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８１】
（比較例５）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ９：３．２９重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８２】
（比較例６）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ９：３．２９重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８３】
（比較例７）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ１０：３．６０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８４】
（比較例８）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ１０：３．６０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８５】
［特性評価］
各実施例および各比較例で得られたエポキシ樹脂組成物の特性評価（１）〜（３）、および、各実施例および各比較例で得られた半導体装置の特性評価（４）および（５）を、それぞれ、以下のようにして行った。
（１）：スパイラルフロー
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。
このスパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい程、流動性が良好であることを示す。
（２）：硬化トルク
キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶ  ＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。
この硬化トルクは、数値が大きい程、硬化性が良好であることを示す。
（３）：フロー残存率
得られたエポキシ樹脂組成物を、大気中３０℃で１週間保存した後、前記（１）と同様にしてスパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率（％）を求めた。
このフロー残存率は、数値が大きい程、保存性が良好であることを示す。
（４）：耐半田クラック性
１００ピンＴＱＦＰを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後、２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。
その後、顕微鏡下に、外部クラックの発生の有無を観察し、クラック発生率＝（クラックが発生したパッケージ数）／（全パッケージ数）×１００として、百分率（％）で表示した。
また、シリコンチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率＝（剥離面積）／（シリコンチップの面積）×１００として、８個のパッケージの平均値を求め、百分率（％）で表示した。
これらのクラック発生率および剥離率は、それぞれ、数値が小さい程、耐半田クラック性が良好であることを示す。
（５）：耐湿信頼性
１６ピンＤＩＰに、１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１５個のパッケージのうち８個以上に不良が出るまでの時間を不良時間とした。
なお、測定時間は、最長で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個未満であったものは、不良時間を５００時間超（＞５００）と示す。
この不良時間は、数値が大きい程、耐湿信頼性に優れることを示す。
各特性評価（１）〜（５）の結果を、表１および表２に示す。
【００８６】
【表１】
2006265414.tif 000019
【００８７】
【表２】
2006265414.tif 000020
【００８８】
表１および表２に示すように、実施例１２で得られたエポキシ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）は、いずれも、硬化性および流動性が良好であり、さらに、この硬化物で封止された各実施例のパッケージ（本発明の半導体装置）は、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性が良好なものであった。
これに対し、比較例１および比較例２で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、硬化性、流動性に劣り、これらの比較例で得られたパッケージは、いずれも、耐半田クラック性に劣るとともに、耐湿信頼性が極めて低いものであった。また、比較例３および比較例４で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、流動性に劣る。また、比較例５、比較例６、比較例７および比較例８で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、硬化性に劣り、また、耐クラック性や、信頼性も十分得られていない。
【００８９】
（実施例１３〜１８、比較例９〜１２）
化合物（Ａ）として、前記式（１４）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：２６重量部、前記式（１６）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：２８．５重量部、および、化合物（Ｂ）として、前記式（１５）で表されるフェノールアラルキル樹脂：４５．５重量部を配合した以外は、それぞれ、前記実施例１、３、５、７、９、１１、比較例１、３、５及び７と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、パッケージ（半導体装置）を製造した。
各実施例１３〜１８、比較例９〜１２で得られたエポキシ樹脂組成物およびパッケージの特性評価を、前記と同様にして行ったところ、前記表１のそれぞれに対応する結果とほぼ同様の結果が得られた。
【００９０】
（実施例１９〜２４、比較例１３〜１６）
化合物（Ａ）として、前記前記式（１４）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：５４．５重量部、化合物（Ｂ）として、前記式（１５）で表されるフェノールアラルキル樹脂：２４重量部、および、前記式（１７）で表されるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：２１．５重量部を配合した以外は、それぞれ、前記実施例１、３、５、７、９、１１、比較例１、３、５及び７と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、パッケージ（半導体装置）を製造した。
各実施例１９〜２４、比較例１３〜１６で得られたエポキシ樹脂組成物およびパッケージの特性評価を、前記と同様にして行ったところ、前記表１のそれぞれに対応する結果とほぼ同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明によれば、硬化性、流動性および保存性が良好なエポキシ樹脂組成物を得ることができることから、エポキシ樹脂と同様にホスフィンやホスホニウム塩などを硬化促進剤とする熱硬化性樹脂組成物にも好適である。また、これらの樹脂組成物は、電気・電子材料分野に好適に使用することができる。