(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトマスクの作成に際しレジストや描画装置の状態の変化に対応して発生している欠陥を検知し、描画装置の露光量などを調整する。【解決手段】フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）を算出してマスク検査用データ（１３）を生成する演算処理部（２５）と、前記フォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するマスクパターン撮像部（８）とを具備するフォトマスク検査装置（３）を構成する。そして、前記演算処理部（２５）は、前記マスク検査用データ（１３）と前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）とし、前記欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）の位置情報を生成し、前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定する。【選択図】        図１
2006323030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出してマスク検査用データを生成する演算処理部と、
前記フォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するマスクパターン撮像部と
を具備し、
前記演算処理部は、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとの比較に基づいて前記検査用データと異なる形状のパターン部分を前記マスクパターンの欠陥部分とし、
前記欠陥部分の位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定する
フォトマスク検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、
その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出する
フォトマスク検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される前記欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記検査用データを生成する
フォトマスク検査装置。
【請求項４】
請求項３に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域ごとに密度情報を算出し、算出した密度情報の度合いに対応して各々の領域を複数のグループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と前記複数のグループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク検査装置。
【請求項５】
請求項４に記載のフォトマスク検査装置において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記演算処理部は、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域とし、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域とし、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域とし、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の各々の露光面積との比によって前記パターン密度を算出する
フォトマスク検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成する
フォトマスク検査装置。
【請求項８】
半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの欠陥検査方法であって、
（ａ）製造される半導体装置の設計データを読み出すステップと、
（ｂ）前記設計データに基づいて前記フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出してマスク検査用データを生成するステップと、
（ｃ）前記複数の小領域ごとの密度情報を算出するステップと、
（ｄ）前記検査用データと異なる形状のパターン部分を前記マスクパターンの欠陥部分とし、前記密度情報と前記欠陥部分とに基づいて前記マスクパターンの欠陥の発生傾向を特定するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項９】
請求項８に記載の欠陥検査方法において、さらに、
（ｅ）前記複数の小領域ごとの密度情報を算出してマスク検査用データを生成するステップと、
（ｆ）前記設計データに基づいて形成されるフォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するステップと
を具備し、
前記（ｄ）ステップは、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分を特定して前記欠陥部分の位置情報を生成し、
前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の欠陥検査方法において、
前記（ｅ）ステップは、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出するステップと、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記検査用データを生成するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の欠陥検査方法において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記（ｃ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の露光面積との商によって前記パターン密度を算出するステップを含み、
前記（ｄ）ステップは、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域とするステップと、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域とするステップと、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域とするステップと、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の欠陥検査方法において、
前記（ｃ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１３】
フォトマスクの欠陥を検査する検査装置と、
露光量調整テーブルに基づいてフォトマスク製造時の露光量を調整する描画装置と
を具備し、
前記検査装置は、
前記フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出してマスク検査用データを生成する演算処理部と、
前記フォトマスクの検査結果に対応して、露光量調整用データを生成する欠陥解析部と、
前記フォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するマスクパターン撮像部と
を備え、
前記演算処理部は、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分を特定し、前記欠陥部分の位置情報を生成し、
前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定し、
前記欠陥解析部は、
前記発生傾向に基づいて露光量調整用データを生成し、
前記描画装置は、前記検査装置から出力される前記露光量調整用データに基づいて、露光量調整テーブルを修正する
フォトマスク製造装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、
その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出する
フォトマスク製造装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記検査用データを生成する
フォトマスク製造装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域ごとに密度情報を算出し、算出した密度情報の度合いに対応して各々の領域を複数のグループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と前記複数のグループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク製造装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載のフォトマスク製造装置において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記演算処理部は、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域として特定し、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域として特定し、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域として特定し、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク製造装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の露光面積との商によって前記パターン密度を算出する
フォトマスク製造装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成する
フォトマスク製造装置。
【請求項２０】
請求項１３から１９の何れか１項に記載のフォトマスク製造装置で製造される
フォトマスク。
【請求項２１】
半導体装置の製造に使用されるフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法であって、
（ａ）製造される半導体装置の設計データを読み出すステップと、
（ｂ）前記設計データに基づいて前記フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出してマスク検査用データを生成するステップと、
（ｃ）前記複数の小領域ごとの密度情報を示す密度情報を算出するステップと、
（ｄ）前記密度情報と前記欠陥部分とに基づいて前記マスクパターンの欠陥の発生傾向を特定するステップと、
（ｅ）フォトマスクの検査結果に対応して、露光量調整用データを生成するステップと、
（ｆ）前記露光量調整用データに基づいてフォトマスク製造時の露光量を調整するための露光量調整テーブルを修正するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載のフォトマスク製造方法において、さらに、
（ｇ）前記複数の小領域ごとの密度情報を算出してマスク検査用データを生成するステップと、
（ｈ）前記設計データに基づいて形成されるフォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するステップと
を具備し、
前記（ｄ）ステップは、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分を特定して前記欠陥部分の位置情報を生成し、
前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載のフォトマスク製造方法において、
前記（ｇ）ステップは、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出するステップと、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記検査用データを生成するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載のフォトマスク製造方法において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記（ｃ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の露光面積との商によって前記パターン密度を算出するステップを含み、
前記（ｄ）ステップは、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域とするステップと、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域とするステップと、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域とするステップと、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載のフォトマスク製造方法において、
前記（ｃ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置、フォトマスク製造装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程において、回路のパターンをウェハに焼き付けるために、「フォトマスク」が用いられている。半導体製造工程におけるリソグラフィ工程では、このマスクを通して、所定のパターンがウェハ上に転写されている。一般的に、マスク（レチクル）は、透明な石英板で構成され、その表面に形成されるクロムのパターン（以下マスクパターンと呼ぶ）を有している。リソグラフィ工程において、露光時にマスクパターンが光を遮るためマスクパターンがウェハに転写される。このように光を使ってマスクパターンをウェハに転写するためには、マスク上のパターンは光で描くよりもっと精密に描かれている必要がある。したがって、このマスクパターンの形成には、電子ビーム（ＥＢ）露光を用いたリソグラフィ技術が用いられることが一般的である。
【０００３】
回路パターンの原版であるマスクに欠陥があると、リソグラフィ工程においてウェハに転写されるパターンの全てが欠陥を有することになってしまう。したがってフォトマスク工程における、マスクの欠陥検査の重要性が高まってきている。ここで、マスクの欠陥検査とは、検査装置が、設計データと作成されたマスクパターンとを比較する検査である。検査装置は、その比較に基づいて欠陥検査を実行し、設計データとマスクパターンとが不一致の部分を欠陥として検出する。
【０００４】
半導体製造において、マスクの欠陥が製造プロセス全体に係わる問題点を示している場合がある。その欠陥の情報を系統的に蓄積してデータを解析することによって、製造プロセスにおける異常の発生やその傾向を知る技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１（特開平１１−１８４０７１号公報）に記載の技術は、製造プロセスにおける異常の発生を解析可能なフォトマスクパターン欠陥解析装置および方法を提供することをその課題としている。
【０００５】
その課題を解決するために、特許文献１に記載のフォトマスク欠陥解析装置は、フォトマスク上に存在する欠陥部を検出し、該検出した欠陥部の画像データを出力する欠陥検出手段と、該欠陥部の画像データに基づいて、少なくとも前記欠陥部の面積、形状、大きさ、種類を判別・分類し、その結果を欠陥情報として出力する欠陥判別手段と、該欠陥情報、および、該欠陥情報に関連づけられた前記フォトマスクの製造プロセス情報に基づいて、前記欠陥部の特徴を解析する解析手段とを具備することを特徴としている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１８４０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、フォトマスクのマスクパターンの形成には、電子ビーム露光を用いたリソグラフィ技術が用いられている。電子ビーム露光では基板上の感光剤(レジスト)に電子を照射しパターン形成を行う。この電子ビーム露光では、近接効果と呼ばれる現象（入射した電子は基板やレジストにより散乱され照射部分の周囲も同時に露光されため、パターンが近接して存在する場合には、隣りのパターンの影響を受けて寸法が変動しまう現象）があり、基板上のパターン密度が異なるとパターン線幅の寸法が変化してしまう場合があった。そのため、高精度パターンを得るには、パターン密度に対応して描画装置の露光量を調節するなどの補正(近接効果補正)が行なわれている。
【０００８】
このように、パターン密度、レジストおよび描画装置の露光量には密接な関係があり、使用するレジストとパターン密度とに応じて適切な露光量を設定する必要がある。設定される露光量は、描画装置の状態に対応して予め定められた数式や露光量設定用のテーブルによって導き出される。しかしながら、レジストや描画装置の状態は経時変化やその他の要因で変化し、実際の状態と設定値との対応関係にずれが生じている場合がある。つまり、露光量を設定するための計算式や設定用のテーブルに基づいて設定したにもかかわらず、描画装置自体の状態が変化してしまっているために、適切なマスク描画を行なうことができず、結果として欠陥を発生させてしまうことがあった。
【０００９】
フォトマスクに発生している欠陥が、レジストや描画装置の状態の変化に対応して発生していることを検知し、その状態の変化に対応して描画装置の露光量などを調整する技術が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために付加されたものである。ただし、それらの番号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１１】
フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域（（１、１）〜（ｘ、ｙ））に分割し、前記複数の小領域（（１、１）〜（ｘ、ｙ））ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）を算出してマスク検査用データ（１３）を生成する演算処理部（２５）と、前記フォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するマスクパターン撮像部（８）とを具備するフォトマスク検査装置（３）を構成する。そして、前記演算処理部（２５）は、前記マスク検査用データ（１３）と前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）とし、前記欠陥部分（Ｅ１〜Ｅ４）の位置情報を生成し、前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報（［Ａ］〜［Ｃ］）とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定する。
【００１２】
本発明のフォトマスク検査装置は、どのような場合に欠陥が発生しやすいかを予め予測し、マスク検査にかかる工数を減少させるために、小領域ごとの密度情報（データ率および配線長）を欠陥の検査用データに含ませている。その検査用データを用いてマスク検査を実行することで、実際に発生しているマスク欠陥と密度情報との関連付けを行なうことが可能となり、密度情報を考慮した欠陥の発生傾向を特定することが可能になる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、フォトマスクに発生している欠陥が、レジストや描画装置の状態の変化に対応して発生していることを検知し、その状態の変化に対応して描画装置の露光量などを調整することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明のフォトマスク検査装置について説明を行なう。なお、一般的なフォトマスク製造工程では、まずガラス基板上に形成されている金属の薄膜に塗布されたレジストに電子ビームを照射し、回路パターンを焼き付ける「描画」が行なわれる。次に、回路パターン以外の金属薄膜をエッチングによって取り去る「エッチング」が行なわれる。その後、エッチングされた金属薄膜上に残っているレジストの剥離を行なう「レジスト剥離」を行なった後、回路パターンを刻まれた金属薄膜の洗浄が行なわれ、フォトマスクが完成する。完成したフォトマスクは、マスク検査が実行され、欠陥が発生していないことを確認した後に出荷される。欠陥が発生している場合、その欠陥が修正可能であるならば、修正してから出荷され、修正不可能な欠陥が発生している場合には、製造プロセスを見直した後、改めてフォトマスクの製造が行なわれる。以下に述べる実施の形態において、検査対象のフォトマスクは、上述したような工程を経て製造されるフォトマスクである場合を例示して説明を行なう。
【００１５】
図１は、本発明のフォトマスク検査装置を備えるフォトマスク製造システムの構成を例示するブロック図である。図１を参照すると、本実施の形態のフォトマスク製造システムは、設計支援装置１と、描画装置２と、検査ユニット３と、エッチング装置４と、レジスト剥離装置５と、洗浄装置６とを含んで構成されている。設計支援装置１は、半導体の設計を支援するための情報処理装置である。図１に示されているように、設計支援装置１は設計データ１０を含んで構成されている。設計データ１０は、製造される半導体デバイスの設計データである。本実施の形態で述べるフォトマスクは、その設計データに基づいて製造される。設計データ１０は、半導体製造における複数の製造工程の各々に対応するようなデータ構造を有する。各工程における製造装置は、その設計データ１０を読み込み、データフォーマットを変換するなどの処理を行うことで、設計データ１０に基づいた半導体デバイスの製造をおこなう。本実施の形態において、後述する描画用データ１２と検査用データ１３とは、設計データ１０に基づいて生成される。
【００１６】
描画装置２は、本実施の形態における検査対象であるフォトマスク基板にマスクパターンを描画する装置である。図１に示されているように、描画装置２は、露光量調整テーブル１１と描画用データ１２とを含んで構成されている。また、描画装置２は電子ビームを照射する電子ビーム照射装置（図示されず）を備えている。描画装置２は、設計データ１０に基づいて描画用データ１２を生成する。描画装置２は、その描画用データ１２と露光量調整テーブル１１とに基づいてフォトマスク基板に対する露光・現像作業を実行する。
【００１７】
エッチング装置４は、描画装置２から供給されるフォトマスク基板に対して、エッチングを実行する装置である。描画装置２から供給されるフォトマスク基板には、表面のレジストに回路パターンが描画されている。エッチング装置４は、描画されている回路パターン以外の金属薄膜をエッチングによって取り去り、金属薄膜に回路パターンを形成する。エッチングが終了したフォトマスク基板は、レジスト剥離装置５に送られる。
【００１８】
レジスト剥離装置５は、フォトマスク基板表面のレジストを取り去る装置である。エッチング装置４から供給されるフォトマスク基板には、未露光のレジストが残されている。レジスト剥離装置５は、その未露光のレジストの剥離を行ない、回路パターンが形成されている金属薄膜を表面に出す。レジストの剥離が行なわれたフォトマスク基板は、レジスト剥離装置５から洗浄装置６に送られる。洗浄装置６は、フォトマスクの表面洗浄を行なう装置であり、レジスト剥離装置５から供給されるフォトマスクの表面洗浄を行なった後、洗浄が完了したフォトマスクを検査ユニット３に提供する。
【００１９】
検査ユニット３は、本実施の形態におけるフォトマスクの欠陥検査を実行する検査ユニットである。図１に示されているように、検査ユニット３は、検査装置７と、撮像装置８と、解析装置９とを含んで構成されている。検査装置７は、検査用データ１３に基づいて欠陥検査を実行する情報処理装置である。撮像装置８は、実際に製造されるフォトマスクのマスクパターン画像を撮像する撮像装置である。また、解析装置９は、検査装置７が実行する検査結果を解析し、描画装置２の露光量調整テーブル１１を修正するためのデータを生成する情報処理装置である。検査装置７の検査用データ１３は、設計データ１０に基づいて生成され、欠陥検査に使用されるデータである。検査用データ１３の構成の詳細は後述する。
【００２０】
図２は、露光量の調整に使用される露光量調整テーブル１１の構成を例示するテーブルである。露光量調整テーブル１１は、パターン密度と後方散乱率とにより特定される露光量を示す値のテーブルである。本実施の形態において、描画装置２は、露光量調整テーブル１１に基づいて露光量を調整してからマスク描画を行なっている。描画装置２に、時間経過などによる変化が存在していない場合には、図２に示されている露光量調整テーブル１１を更新しなくとも適切なマスク描画を実行することができる。描画装置２に、何らかの要因による変化が生じている場合、露光量調整テーブル１１に基づいて露光量を調整しても最適なマスク描画が行なえない可能性がある。このような場合に、描画装置２に生じている変化に適合するように露光量調整テーブル１１を修正することで、最適なマスク描画を行なうことが可能になる。
【００２１】
図３は、その露光量調整テーブル１１の生成に使用される数式を視覚的に表示するグラフである。図３を参照すると、露光量を決定する場合、異なる複数の後方散乱率のそれぞれに対応して露光量が設定される。また、図３に示されているグラフは、パターン密度が５０％のときを基準として表示されている。
【００２２】
図４は、検査ユニット３の詳細な構成を例示するブロック図である。図４を参照すると、検査装置７と、撮像装置８と、解析装置９とは互いに接続されている。図４に示されているように、撮像装置８はＣＣＤカメラ２１とデータ送信部２２とを含んで構成されている。ＣＣＤカメラ２１は、製造されるフォトマスクのマスクパターンを撮影するカメラである。
【００２３】
本実施の形態においては、図４に示されるＣＣＤカメラ２１が、ＣＣＤ（Charge Coupled Devices）で構成されている場合を例示している。なおこの構成は、本発明におけるＣＣＤカメラ２１の構成を限定するものではない。データ送信部２２は、ＣＣＤカメラ２１で撮像されたマスクパターンの画像データを検査装置７に送信するための通信インターフェースである。
【００２４】
図４を参照すると、検査装置７は、通信部２３と、画像処理部２４と、演算処理部２５と、記憶部２６とを含んで構成され、それらはバス２７を介して接続されている。その記憶部２６は、検査用データ１３と検査結果データ２８とを保持している。
【００２５】
通信部２３は、撮像装置８または解析装置９とのデータの送受信を制御するデータ通信インターフェースである。また、通信部２３は、図１に示されている各装置（設計支援装置１、描画装置２、エッチング装置４、レジスト剥離装置５および洗浄装置６）とのデータ通信を実行する機能を備えていることが好ましい。
【００２６】
画像処理部２４は、撮像装置８から送信される画像データに基づいて、画像処理を実行するデータ処理機能ブロックである。演算処理部２５は、撮像装置８などから受け取ったデータを解釈して演算し、その演算結果をバス２７を介して所定の装置に出力する装置である。記憶部２６は、本実施の形態の検査用データ１３および欠陥検査を実行した場合の検査結果データ２８を保持する記憶装置である。本実施の形態において、記憶部２６は、ＨＤＤに代表されるような大容量記憶装置で構成されることが好ましい。
【００２７】
また、図４を参照すると、解析装置９は、解析装置通信部２９と、解析装置演算処理部３０と、解析装置記憶部３１とを含んで構成され、それらはバス３２を介して接続されている。解析装置通信部２９は、上述の通信部２３と同様の構成を有する通信インターフェースである。解析装置演算処理部３０は、検査結果データ２８に基づいて、欠陥の発生状況を解析し、フォトマスク製造に関連するパラメータ（例えば、描画装置の露光量）を調整するための調整データを生成する演算処理装置である。解析装置記憶部３１は、上述の調整データの生成に掛かるコンピュータプログラムや、そのプログラムを動作させることによって得られた解析結果を保持する記憶装置である。解析装置記憶部３１は、記憶部２６と同様に、ＨＤＤに代表されるような大容量記憶装置で構成されることが好ましい。
【００２８】
以下に、検査用データ１３の構成を図面を参照して説明する。図５は、検査用データ１３の構成を例示するブロック図である。検査装置７は、フォトマスクのマスクパターン面を複数の小領域の集合として特定し、各領域の位置を示す位置情報を生成する。検査装置７は、その位置情報に対応して、各領域ごとのパターン密度を算出する。検査装置７は、その位置情報と算出したパターン密度とを関連付けて検査用データ１３を生成する。
【００２９】
図５に示されているように、本実施の形態の検査用データ１３は、Ｘ軸方向とＹ軸方向に延伸する直線でマスクパターン面を分割するかたちで複数の小領域を構成している。各領域の位置情報は、Ｘ軸方向の位置情報（（ｘ，０）：ｘは任意の自然数）とＹ軸方向の位置情報（（０，ｙ）：ｙは任意の自然数）とで表されている。各領域のパターン密度は、その領域の位置情報に一対一に対応付けられている。本実施の形態において、検査用データ１３が、パターン密度高、パターン密度中およびパターン密度低の３段階の密度情報に対応して構成される場合を例示して説明を行なう。また、図５に示されている検査用データ１３は、
パターン密度高＝パターン密度：６７％〜１００％
パターン密度中＝パターン密度：３４％〜６６％
パターン密度低＝パターン密度：０％〜３３％
と設定されている場合の構成を例示している。
【００３０】
上述したように、パターン密度は、  露光面積／単位面積  によって算出される。パターン密度高とパターン密度中とを分けるための閾値およびパターン密度中とパターン密度低とを分けるための閾値は、検査対象のフォトマスクに対応して任意に設定することが可能である。また、段階的に構成される密度情報は、３段階に限定されるものではない。
【００３１】
以下に、本実施の形態における検査用データ１３を生成する動作を図面を参照して説明する。図６は、上述の検査用データ１３の作成動作を例示するフローチャートである。本実施の形態において、検査装置７が検査用データ作成プログラムを起動すると開始する。
【００３２】
ステップＳ１０１において、検査装置７は、設計支援装置１の設計データ１０の読み込みを実行する。ステップＳ１０２において、検査装置７は、設計データ１０の読み込み完了に応答して、検出感度の情報を要求する。検査装置７はその要求に応答して入力された感度情報を一時的に記憶部２６に格納する。
【００３３】
ステップＳ１０３において、検査装置７は記憶部２６に保持されている感度情報とステップＳ１０１で読み込んだ設計データ１０とに基づいて、欠陥検査を実行するためにフォトマスクのマスクパターン面を複数の小領域の集合として特定する。
【００３４】
ステップＳ１０４において、検査装置７は、特定した複数の小領域ごとにパターン密度を算出する。検査装置７は、ステップ１０３で特定した複数の小領域の各々の面積（単位面積）を算出する。検査装置７は、設計データ１０に基づいて、その単位面積ごとの露光面積を算出して、
パターン密度＝露光面積／単位面積
を計算する。
【００３５】
ステップＳ１０５において、検査装置７は、設計データ１０に基づいて、単位領域ごとの配線長を算出する。フォトマスクのパターン面を複数の小領域の集合であるとした場合、ステップＳ１０４において算出されるパターン密度が同一である場合でも、各々の領域に配置されるマスクパターンのパターン形状が異なることがある。パターン形状が複雑である場合と、単純な形状である場合とでは欠陥が発生する傾向が異なる場合がある。本実施の形態のように、予め配線長（周囲長）を考慮することで、欠陥の発生傾向をより適切に把握することが可能となる。
【００３６】
ステップＳ１０６において、検査装置７は、パターン密度情報と配線長情報とを複数の単位面積の各々の位置情報に関連付けて検査用データ１３を生成する。
【００３７】
図７は、検査用データ１３に対応してマスク検査を実行する場合の動作を例示するフローチャートである。図７に例示される動作は、製造されたフォトマスクが、フォトマスク製造装置から検査ユニット３に供給された後に開始する。ステップＳ２０１において、撮像装置８のＣＣＤカメラ２１は、供給されたフォトマスクのマスクパターン画像を撮像する。ＣＣＤカメラ２１は、撮像した画像に基づいてマスクパターン画像データを生成し、データ送信部２２を介して検査装置７に送信する（ステップＳ２０２）。
【００３８】
ステップＳ２０３において、検査装置７は、撮像装置８から供給されるマスクパターン画像データを、通信部２３を介して受信する。検査装置７は、受信したマスクパターン画像データを、画像処理部２４に供給する。画像処理部２４は、マスクパターン画像データに受信に応答して、記憶部２６から検査用データ１３を読み込む。
【００３９】
ステップＳ２０４において、画像処理部２４は、読み込んだ検査用データ１３と撮像装置８から供給されたマスクパターン画像データとを比較し、不一致の箇所をフォトマスクに発生している欠陥部分として特定する。
【００４０】
ステップＳ２０５において、演算処理部２５は、画像処理部２４によって特定された欠陥部分の位置を示す欠陥座標情報と、その欠陥部分に発生している欠陥の形状、サイズを示す欠陥形状情報とを生成する。演算処理部２５は、欠陥座標情報と欠陥形状情報とを、検査用データ１３を構成する密度情報および配線長情報とに関連付けて検査結果データ２８を生成し、一時的に記憶部２６に格納する。ここで、演算処理部２５は、検査結果データ２８の生成完了を解析装置９に通知する。解析装置９は、その通知に応答して記憶部２６から検査結果データ２８を読み込み、検査を実行したフォトマスクの欠陥発生傾向から露光量調整テーブルを修正するためのデータを生成する。
【００４１】
図８は、検査結果データ２８の構成を例示するブロック図である。図８は、複数の欠陥部分が特定された場合に生成される検査結果データ２８の構成を例示している。図８を参照すると、検査結果データ２８は、欠陥部分の位置情報と、マスクパターン面を構成する複数の小領域（（１、１）〜（ｘ、ｙ））のパターン密度情報とを関連付けて構成されている。製造されたフォトマスクに欠陥が生じる場合、特定の密度で形成されるパターンの近傍に集中して欠陥が発生することがある。例えば、図８に例示されている検査結果データ２８は、［Ｂ］（パターン密度中）に対応する領域（領域（３、２）、（２、３）、（３、３））と欠陥部分の位置情報（Ｅ１〜Ｅ４）とが関連付けられている。
【００４２】
解析装置９は、その検査結果データ２８を参照して、欠陥部分の位置情報に対応する欠陥形状情報を抽出し、より詳細な欠陥の発生傾向を特定する。
【００４３】
従来のマスク検査では、検査によって得られた欠陥の位置、形状およびサイズに基づいてマスクパターンを描画する場合の露光量を調整してきた。本実施の形態の検査装置を構成し、上述の検査用データを用いてマスク検査を実行することで、パターン密度に関連する欠陥の発生傾向を特定することが可能になる。そのため、例えば、フォトマスクのマスクパターンを描画する前に、描画するステージごとのパターン密度を算出し、前回のマスク描画によって得られた欠陥の発生傾向を利用して、予め露光量の調整を行ってからマスク描画を開始することで、欠陥の発生を抑制することが可能になる。
【００４４】
図９は、本実施の形態のマスク検査によって得られた欠陥の発生傾向を、フォトマスク製造（マスク描画）に反映させる場合の動作を例示するフローチャートである。図９に示されているステップＳ２０１〜ステップＳ２０５までの動作は、図７に示すフローチャートを参照して説明した動作と同様の動作である。したがって、以下の動作の説明においては、重複する部分の説明は省略する。
【００４５】
ステップＳ３０１において、解析装置９は、検査結果データ２８に基づいて露光量調整用データを生成し、描画装置２に送信する。描画装置２は、検査ユニット３の解析装置９から供給される露光量調整用データに基づいてフォトマスク描画における露光量の調整を行なう。具体的には、描画装置２は、上述した露光量調整テーブル１１（図２）に示されているテーブルに記載されているパラメータを、露光量調整用データに対応して更新する。描画装置２の記憶装置（図示されず）は、それまで保持していた露光量調整テーブル１１を廃棄（または退避）し、更新された露光量調整テーブル１１を保持する。
【００４６】
ステップＳ３０２において、描画装置２は、フォトマスク描画を行なうときに、更新された露光量調整テーブル１１を読み出し、その露光量調整テーブル１１と設計データ１０とに基づいてマスク描画を実行する。
【００４７】
これによって、欠陥の発生傾向を考慮したフォトマスクの製造を行なうことが可能になり、特にパターン密度および配線長に関連して欠陥が発生するような場合に、その関連性に基づいて露光量を調整してからマスク描画を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】図１は、本実施の形態の構成を例示するブロック図である。
【図２】図２は、露光量調整テーブル１１の構成を例示するテーブルである。
【図３】図３は、露光量調整テーブル１１の作成に使用される数式を視覚的に例示するグラフである。
【図４】図４は、検査ユニット３の詳細な構成を例示するブロック図である。
【図５】図５は、検査用データ１３の構成を例示するブロック図である。
【図６】図６は、検査用データ１３の作成動作を例示するフローチャートである。
【図７】図７は、フォトマスク検査を実行する場合の動作を例示するフローチャートである。
【図８】図８は、検査結果データ２８の構成を例示するブロック図である。
【図９】図９は、フォトマスク製造の動作を例示するフローチャートである。
【符号の説明】
【００４９】
１…設計支援装置
２…描画装置
３…検査ユニット
４…エッチング装置
５…レジスト剥離装置
６…洗浄装置
７…検査装置
８…撮像装置
９…解析装置
１０…設計データ
１１…露光量調整テーブル
１２…描画用データ
１３…検査用データ
２１…ＣＣＤカメラ
２２…データ送信部
２３…通信部
２４…画像処理部
２５…演算処理部
２６…記憶部
２７…バス
２８…検査結果データ
２９…解析装置通信部
３０…解析装置演算処理部
３１…解析装置記憶部
３２…バス
【図１】
2006323030.tif 000003
【図２】
2006323030.tif 000004
【図３】
2006323030.tif 000005
【図４】
2006323030.tif 000006
【図５】
2006323030.tif 000007
【図６】
2006323030.tif 000008
【図７】
2006323030.tif 000009
【図８】
2006323030.tif 000010
【図９】
2006323030.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成18年4月17日(2006.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出して前記密度情報を含むマスク検査用データを生成する演算処理部と、
前記フォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するマスクパターン撮像部と
を具備し、
前記演算処理部は、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとの比較に基づいて前記マスク検査用データと異なる形状のパターン部分を前記マスクパターンの欠陥部分とし、
前記欠陥部分の位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定する
フォトマスク検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、
その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出する
フォトマスク検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される前記欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記マスク検査用データを生成する
フォトマスク検査装置。
【請求項４】
請求項３に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域ごとに密度情報を算出し、算出した密度情報の度合いに対応して各々の領域を複数のグループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と前記複数のグループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク検査装置。
【請求項５】
請求項４に記載のフォトマスク検査装置において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記演算処理部は、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域とし、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域とし、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域とし、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の各々の露光面積との比によって前記パターン密度を算出する
フォトマスク検査装置。
【請求項７】
請求項６に記載のフォトマスク検査装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成する
フォトマスク検査装置。
【請求項８】
半導体装置の製造に使用されるフォトマスクの欠陥検査方法であって、
（ａ）製造される半導体装置の設計データを読み出すステップと、
（ｂ）前記設計データに基づいて前記フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出して前記密度情報を含むマスク検査用データを生成するステップと、
（ｃ）前記マスク検査用データと異なる形状のパターン部分を前記マスクパターンの欠陥部分とし、前記密度情報と前記欠陥部分とに基づいて前記マスクパターンの欠陥の発生傾向を特定するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項９】
請求項８に記載の欠陥検査方法において、さらに、
（ｄ）前記設計データに基づいて形成されるフォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するステップ
を具備し、
前記（ｃ）ステップは、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分を特定して前記欠陥部分の位置情報を生成し、
前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の欠陥検査方法において、
前記（ｂ）ステップは、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出するステップと、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記マスク検査用データを生成するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の欠陥検査方法において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記（ｂ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の露光面積との商によって前記パターン密度を算出するステップを含み、
前記（ｃ）ステップは、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域とするステップと、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域とするステップと、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域とするステップと、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の欠陥検査方法において、
前記（ｂ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成するステップ
を具備する
欠陥検査方法。
【請求項１３】
フォトマスクの欠陥を検査する検査装置と、
露光量調整テーブルに基づいてフォトマスク製造時の露光量を調整する描画装置と
を具備し、
前記検査装置は、
前記フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出して前記密度情報を含むマスク検査用データを生成する演算処理部と、
前記フォトマスクの検査結果に対応して、露光量調整用データを生成する欠陥解析部と、
前記フォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するマスクパターン撮像部と
を備え、
前記演算処理部は、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分を特定し、前記欠陥部分の位置情報を生成し、
前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定し、
前記欠陥解析部は、
前記発生傾向に基づいて露光量調整用データを生成し、
前記描画装置は、前記検査装置から出力される前記露光量調整用データに基づいて、露光量調整テーブルを修正する
フォトマスク製造装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、
その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出する
フォトマスク製造装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記マスク検査用データを生成する
フォトマスク製造装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域ごとに密度情報を算出し、算出した密度情報の度合いに対応して各々の領域を複数のグループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と前記複数のグループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク製造装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載のフォトマスク製造装置において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記演算処理部は、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域として特定し、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域として特定し、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域として特定し、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、
前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定する
フォトマスク製造装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の露光面積との商によって前記パターン密度を算出する
フォトマスク製造装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載のフォトマスク製造装置において、
前記演算処理部は、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成する
フォトマスク製造装置。
【請求項２０】
請求項１３から１９の何れか１項に記載のフォトマスク製造装置で製造される
フォトマスク。
【請求項２１】
半導体装置の製造に使用されるフォトマスクを製造するフォトマスク製造方法であって、
（ａ）製造される半導体装置の設計データを読み出すステップと、
（ｂ）前記設計データに基づいて前記フォトマスクのパターン面の領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域ごとの密度情報を算出して前記密度情報を含むマスク検査用データを生成するステップと、
（ｃ）前記密度情報と前記欠陥部分とに基づいて前記マスクパターンの欠陥の発生傾向を特定するステップと、
（ｄ）フォトマスクの検査結果に対応して、露光量調整用データを生成するステップと、
（ｅ）前記露光量調整用データに基づいてフォトマスク製造時の露光量を調整するための露光量調整テーブルを修正するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載のフォトマスク製造方法において、さらに、
（ｆ）前記設計データに基づいて形成されるフォトマスクのマスクパターンを撮像してマスクパターン画像データを生成するステップと
を具備し、
前記（ｃ）ステップは、
前記マスク検査用データと前記マスクパターン画像データとを比較して前記マスクパターンの欠陥部分を特定して前記欠陥部分の位置情報を生成し、
前記位置情報と前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて、前記フォトマスクに発生する欠陥の発生傾向を特定するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載のフォトマスク製造方法において、
前記（ｂ）ステップは、
前記フォトマスクの欠陥検査を行なうときの欠陥検出感度に対応して前記パターン面を構成する前記複数の小領域の各々の面積を決定し、その決定した面積に基づいて前記密度情報を算出するステップと、
製造対象の半導体装置の設計データと、前記設計データに対応して入力される欠陥検出感度と、前記複数の小領域ごとの密度情報とに基づいて前記マスク検査用データを生成するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載のフォトマスク製造方法において、
前記密度情報は、前記複数の小領域の各々のパターン密度を含み、
前記（ｂ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の単位面積と、前記複数の小領域の露光面積との商によって前記パターン密度を算出するステップを含み、
前記（ｃ）ステップは、
第１閾値密度以上のパターン密度の領域を高密度領域とするステップと、
第２閾値密度未満のパターン密度の領域を低密度領域とするステップと、
前記第１閾値密度未満、かつ、前記第２閾値密度以上のパターン密度の領域を中密度領域とするステップと、
前記複数の小領域の各々を、前記高密度領域を有する高密度グループと前記低密度領域を有する低密度グループと前記中密度領域を有する中密度グループに分類し、前記複数の小領域の各々に発生する欠陥部分と、前記高密度グループ、前記中密度グループおよび前記低密度グループとの関連性に基づいて前記発生傾向を特定するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載のフォトマスク製造方法において、
前記（ｂ）ステップは、
前記複数の小領域の各々の配線長に基づいて前記密度情報を生成するステップ
を具備する
フォトマスク製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
以下に、検査用データ１３に含まれる密度情報について図面を参照して説明する。図５は、検査用データ１３の構成を例示するブロック図である。検査装置７は、フォトマスクのマスクパターン面を複数の小領域の集合として特定し、各領域の位置を示す位置情報を生成する。検査装置７は、その位置情報に対応して、各領域ごとのパターン密度を算出する。検査装置７は、その位置情報と算出したパターン密度とを関連付けて検査用データ１３を生成する。