(57)【要約】  【課題】  横方向の共振振動を抑制して電気的特性の向上と高品質、高生産性を図る。  【解決手段】  絶縁基板２と、その主面２ａ上に空洞部３を構成して積層形成された第１電極層４と、圧電層５、第２電極層６とから構成され、第２電極層６内に中心Ｏ１から外方に偏倚した中心Ｏ２を有し、圧電層５を外方に臨ませて開口され、第２電極層２の外周縁部と非平行対向辺を構成する開口形状の疑似共振制御開口１１を形成してなる。  【選択図】  図３
2006025367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
上記絶縁基板の主面上に空洞部を構成して形成された第１電極層と、
上記第１電極層を被覆して上記絶縁基板の主面上に形成された圧電層と、
上記空洞部の対応位置において上記第１電極層と対向して上記圧電層上に形成された第２電極層とから構成され、
上記第２電極層に、その中心位置から偏倚した位置に上記圧電層を外方に臨ませるようにして開口され、その開口形状が内周縁部を上記第２電極層の外周縁部に対して非平行対向辺とされた疑似共振制御開口部を形成したことを特徴とする薄膜バルク音響共振器。
【請求項２】
絶縁基板の主面上に、所定の厚みで犠牲層材を塗布するとともに、この犠牲層材に対してフォトリソグラフ処理を施して所定形状の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
上記絶縁基板上に上記犠牲層を被覆する導電金属層を全面に亘って成膜するとともに、この導電金属層に対してフォトリソグラフ処理を施して第１電極層を形成する第１電極層形成工程と、
圧電材により上記第１電極層を被覆する圧電層を上記絶縁基板上に形成する圧電層形成工程と、
上記絶縁基板上に上記圧電層を被覆する導電金属層を全面に亘って成膜するとともに、この導電金属層に対してフォトリソグラフ処理を施して上記犠牲層の対応位置において上記第１電極層と対向する所定形状の第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
上記第２電極層に上記圧電層及び上記第１電極層を貫通して上記犠牲層に達するエッチング用のエッチングホールを形成するエッチングホール形成工程と、
上記エッチングホールを介してエッチング処理を施して上記犠牲層を除去することによって上記絶縁基板と上記第１電極層との間に空洞部を形成する空洞部形成工程とを有し、
上記第２電極層に、その中心位置から偏倚した位置に上記圧電層を外方に臨ませるようにして開口され、その開口形状が内周縁部を上記第２電極層の外周縁部に対して非平行対向辺とされた疑似共振制御開口部を形成することを特徴とする薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項３】
上記犠牲層形成工程が、上記犠牲層材上に所定形状のフォトレジストをパターン形成する工程と、加熱処理を施して上記フォトレジストをラウンディングする工程と、上記犠牲層材のエッチングレートに対する上記フォトレジストのエッチングレートの選択比が１又は１以下の条件でエッチング処理を施す工程とからなり、
外周壁部を所定の立ち上がり傾斜角度とした略円錐台の上記犠牲層を形成することを特徴とする請求項２に記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に薄膜形成技術（半導体技術）によって圧電層を挟んだ一対の電極層を形成してなり、電極層に電圧を印加することによって生じる共振動作を電気信号に変換する薄膜バルク音響共振器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
バルク音響共振器は、例えば特許文献１や特許文献２に開示されているが、ガリウム砒素基板上にスパッタリングによって窒化アルミニウムや酸化亜鉛等の圧電性材料層を形成し、この圧電性材料層の両面に金属基相成長法等によって薄膜金属電極を形成してなる。バルク音響共振器は、例えば所定形状等に形成された電極間に印加する所定周波数の入力信号に対して圧電性材料層に厚み方向（縦方向）の伸縮を生じさせ、この圧電性材料層の機械的振動を電気的信号に変換することで周波数フィルタとして機能させる。
【０００３】
ところで、バルク音響共振器においては、上述した特許文献１にも開示されるように、縦方向の振動とともに発生する層内方向（横方向）の振動が得るべき縦方向振動に干渉して不整動作が生じ、挿入損失や位相の不規則性といった問題があった。特許文献１に開示されたバルク音響共振器においては、一方の電極の周囲の一部に音響減衰材料を配置した構成と、各電極が２対の直線状対辺を有するとともに少なくとも一方の対の対辺を非平行に形成した構成とによって横振動の抑制を図っている。バルク音響共振器においては、非平行の各対向辺が横方向の共振モードの周波数を散開させることにより、安定した縦方向の共振振動が得られるようになる。
【０００４】
また、特許文献２に開示されたバルク音響共振器には、基板に凹部を形成するとともにこの凹部に充填した犠牲金属材をエッチング処理によって除去することによって空洞部を形成する。バルク音響共振器には、犠牲金属材上に各電極層や圧電性材料層を形成した後にこれらを貫通して形成した多数個のエッチングホールを介して犠牲金属材を除去することにより、空洞部を形成する。
【０００５】
【特許文献１】特許第３１３６１４１号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００２／１２１４０５明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来のバルク音響共振器は、小型で高いＱ値特性及び動作周波数特性を有し、例えば基板上にそれぞれ共振特性を異にする複数個数を実装して周波数フィルタを構成することが可能である。ところで、従来のバルク音響共振器は、各電極が上述したように非平行の対向辺を有して横方向の疑似共振動作の発生を抑制するようにしているが、矩形体を基本形状とすることから共振動作に際して各電極や圧電性材料層の立ち上がりコーナ部に応力が集中して剥離現象やクラックが生じることがあり、品質低下の問題があった。
【０００７】
また、従来の各バルク音響共振器においては、基板に空洞部を構成する凹部や開口部を形成するために所定の設備や工程が必要となる。従来のバルク音響共振器においては、薄膜形成工程中にこれらの設備や工程を設けて複雑な形状を有する精密な凹部や開口部を形成することにから、素材の取り扱い工程や精密加工を施すことによる製造効率が低下するといった問題があった。
【０００８】
したがって、本発明は、横方向の共振振動を抑制して電気的特性の向上と高品質、高生産性を図った高精度の薄膜バルク音響共振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成する本発明にかかる薄膜バルク音響共振器は、絶縁基板と、この絶縁基板の主面上に空洞部を構成して形成された第１電極層と、この第１電極層を被覆して絶縁基板の主面上に形成された圧電層と、空洞部の対応位置において第１電極層と対向して圧電層上に形成された第２電極層とから構成される。薄膜バルク音響共振器は、第２電極層に、その中心位置から偏倚した位置に圧電層を外方に臨ませるようにして開口され、その開口形状が内周縁部を第２電極層の外周縁部に対して非平行対向辺とされた疑似共振制御開口部を形成してなる。
【００１０】
薄膜バルク音響共振器においては、所定の形状を有する疑似共振制御開口部が、圧電層上に形成された第２電極層をパターニングする際にその層内に高精度に形成される。薄膜バルク音響共振器においては、第２電極層に対してその中心位置から偏倚した位置でかつ各対向辺を非平行にして疑似共振制御開口部が形成されることにより、第２電極層の外周縁部と疑似共振制御開口部の内周縁部とにおいて横方向の共振モードの周波数を散開させる。薄膜バルク音響共振器においては、横方向の共振振動が低減されて安定した縦方向の共振振動が得られることで、所定の周波数に対する高精度の電気的特性が得られるようになる。薄膜バルク音響共振器においては、例えば各電極や圧電層を略円錐台形状に形成するとともに第２電極層内に疑似共振制御開口部を形成してコーナ部を有しない構造とすることで、立ち上がり部位の応力集中が緩和される。
【００１１】
また、上述した目的を達成する本発明にかかる薄膜バルク音響共振器の製造方法は、犠牲層形成工程と、第１電極層形成工程と、圧電層形成工程と、第２電極層形成工程と、エッチングホール形成工程と、空洞部形成工程とを有する。犠牲層形成工程は、例えばシリコンウェーハ等の絶縁基板の主面上にエッチングレートが大きい燐を多く含んだ二酸化珪素等の犠牲層材を所定の厚みで塗布し、この犠牲層材に対してフォトリソグラフ処理を施して所定形状の犠牲層を形成する。犠牲層形成工程は、詳細には犠牲層材に対してフォトレジストによるパターニングした後に高温でベーキング処理を行ってフォトレジストのラウンディングを行う。犠牲層形成工程は、犠牲層材のエッチングレートに対するフォトレジストのエッチングレートの選択比が１又は１以下の条件でエッチング処理を施すことにより、略円錐台の犠牲層を形成する。犠牲層形成工程は、外周壁部が立ち上がり傾斜角度を４５°以下の所定角度とした略円錐台の犠牲層を形成する。第１電極層形成工程は、絶縁基板上に犠牲層を被覆する導電金属層を全面に亘って成膜するとともに、この導電金属層に対してフォトリソグラフ処理を施して第１電極層を形成する。圧電層形成工程は、圧電材により第１電極層を被覆する圧電層を絶縁基板上に形成する。第２電極層形成工程は、絶縁基板上に圧電層を被覆する導電金属層を全面に亘って成膜するとともに、この導電金属層に対してフォトリソグラフ処理を施して犠牲層の対応位置において第１電極層と対向する所定形状の第２電極層を形成する。エッチングホール形成工程は、第２電極層に圧電層及び第１電極層を貫通して犠牲層に達するエッチング用のエッチングホールを形成する。空洞部形成工程は、エッチングホールを介してエッチング処理を施して犠牲層を除去することにより、絶縁基板と第１電極層との間に空洞部を形成する。薄膜バルク音響共振器の製造方法は、第２電極層に、その中心位置から偏倚した位置に圧電層を外方に臨ませるようにして開口され、その開口形状が内周縁部を第２電極層の外周縁部に対して非平行対向辺とされた疑似共振制御開口部を形成する。
【００１２】
薄膜バルク音響共振器の製造方法においては、上述した形状の疑似共振制御開口部を薄膜技術によって第２電極層とともにその層内に高精度に形成する。薄膜バルク音響共振器の製造方法においては、各対向辺を非平行とされた第２電極層の外周縁部と疑似共振制御開口部の内周縁部とにおいて横方向の共振モードの周波数が散開されるようにして横方向の共振振動を低減し、安定した縦方向の共振振動が得られることで所定の周波数に対する高精度の電気的特性を得る薄膜バルク音響共振器を製造する。薄膜バルク音響共振器の製造方法においては、例えば各電極や圧電層を略円錐台形状に形成するとともに第２電極層内に疑似共振制御開口部を形成してコーナ部を有しない構造とすることで、立ち上がり部位の応力集中を緩和した薄膜バルク音響共振器を製造する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、第２電極層に対してその中心位置から外側に偏倚した位置でかつ各対向辺を非平行にして疑似共振制御開口部を形成したことから、第２電極層の外周縁部と疑似共振制御開口部の内周縁部との間を反復する横方向の共振モードの周波数が散開されるようになる。したがって、本発明によれば、横方向の共振振動を低減して安定した縦方向の共振振動が得られるようになり、所定の周波数に対する高精度の電気的特性が得られるようになる。また、本発明によれば、各電極層や圧電層において立ち上がり部位の応力集中の緩和が図られることで剥離等の発生が防止され、信頼性の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態として示す薄膜バルク音響共振器（以下、単に音響共振器と略称する。）１について、図面を参照して詳細に説明する。音響共振器１は、例えば高周波回路モジュール体等に複数個が実装され、それぞれが所定の周波数帯域の入力信号に対して共振動作を行うことにより、周波数フィルタを構成する。音響共振器１は、図１及び図２に示すように、絶縁基板２と、この絶縁基板２の主面２ａ上に空洞部３を構成して形成された第１電極層４と、この第１電極層４を被覆して絶縁基板２の主面２ａ上に形成された圧電層５と、空洞部３の対応位置において第１電極層４と対向して圧電層５上に形成された第２電極層６とから構成される。
【００１５】
絶縁基板２には、主面２ａが高精度の平坦面として形成することが可能であり各種の半導体用基板として一般に用いられている例えばシリコン、セラミック、ガラス基板が用いられる。絶縁基板２は、主面２ａ上に詳細を後述する音響共振器１の各構成部位を薄膜技術によって形成するばかりでなく、複数個の音響共振器１の各構成部位を形成したり他の集積回路素子や入出力回路等を形成するようにしてもよい。
【００１６】
空洞部３は、詳細を後述するように、絶縁基板２上に犠牲層７を形成するとともに、この犠牲層７を被覆するようにして第１電極層４を形成し、犠牲層７に対してエッチング処理を施して除去することによって絶縁基板２と第１電極層４との間に形成される。空洞部３は、略円錐台形状を呈しており、その外周部、換言すれば第１電極層４の外周壁部４ｂの立ち上がり傾斜角度θを４５°以下とされる。なお、空洞部３は、この傾斜角度θが、犠牲層７の材料特性、音響共振器１の外形仕様等に応じて適宜設定される。
【００１７】
第１電極層４は、第１電極部４ａと、外周壁部４ｂと、フランジ部４ｃと、リード部４ｄとからなり、内部に空洞部３を有する略円錐台状を呈している。第１電極層４は、上述した空洞部３を形成した絶縁基板２の主面２ａ上に例えばモリブデン層をスパッタ法等により薄膜形成し、このモリブデン層に対してフォトリソグラフ処理を施して形成される。第１電極層４は、第１電極部４ａが所定の外径を有する円盤状に形成されており、その外周縁の全周に亘って上述した傾斜角度θを有する略テーパ付き円筒状の外周壁部４ｂが全周に亘って一体に形成される。第１電極層４は、絶縁基板２の主面２ａ上に、外周壁部４ｂの下端縁の全周に亘ってフランジ部４ｃが一体に形成される。第１電極層４には、フランジ部４ｃの一部からリード部４ｄが引き出されており、このリード部４ｄを絶縁基板２の主面２ａ上に形成した第１ランド部８と接続する。
【００１８】
圧電層５は、上述した第１電極層４を形成した絶縁基板２の主面２ａ上に、第１電極層４を被覆して形成される。圧電層５は、例えば窒化アルミニウム等の圧電材料をスパッタ法等によって所定の膜厚に成膜することによって形成される。圧電層５は、図２に示すように、第１電極層４の形成部位において、その天井部４ａを被覆する天井部５ａと、外周壁部４ｂを被覆する外周壁部５ｂとからなる略円錐台状の膨出部５ｃを構成する。なお、圧電層５は、絶縁基板２の外周部位において、第１ランド部８を露出させて形成される。
【００１９】
第２電極層６は、第２電極部６ａとリード部６ｂとからなり、圧電層５上に例えばモリブデン層をスパッタ法等により薄膜形成し、このモリブデン層に対してフォトリソグラフ処理を施して形成される。第２電極層６は、第２電極部６ａが、第１電極層４の第１電極部４ａよりもやや小径の円盤状を呈し、第１電極部４ａと圧電層５の天井部４ａを挟んで対向する。第２電極層６は、第２電極部６ａの外周縁からリード部６ｂが一体に引き出され、圧電層５の外周壁部５ｂから絶縁基板２の主面２ａ上に導かれて第２ランド部９と接続される。
【００２０】
音響共振器１には、犠牲層７を除去して上述した空洞部３を形成するエッチング処理を行った際の複数のエッチングホール１０が残存する。各エッチングホール１０は、第２電極層６の第２電極部６ａに、その外周部の近傍に位置して開口して形成されている。各エッチングホール１０は、図２に示すように、それぞれ第１電極部４ａを貫通する第１エッチングホール１０ａと圧電層５の天井部４ａを貫通する第２エッチングホール１０ｂ、或いは第２電極部６ａを貫通する第３エッチングホール１０ｃとから構成される。
【００２１】
音響共振器１は、上述したように複数のエッチングホール１０を形成することにより、空洞部３を形成する犠牲層７のエッチング処理が効率よく行われるようにして構成各部に対するエッチング液による影響が抑制されるようにする。なお、音響共振器１は、多数個のエッチングホール１０を形成した場合に、第１電極層４の第１電極部４ａと対向する第２電極部６ａの面積を小さくして共振特性を低下させる。したがって、音響共振器１においては、エッチングホール１０をエッチング効率と所望の共振周波数特性等を考慮して適宜の個数を形成する。
【００２２】
音響共振器１においては、第１ランド部８と第２ランド部９から、第１電極層４と第２電極層６とに入力信号を印加すると圧電層５において厚み方向の振動動作が生じる。音響共振器１においては、所定の周波数帯域の入力信号で圧電層５に大きな共振動作が生じ、この共振動作を電気的信号に変換することによって周波数フィルタとして機能する。音響共振器１においては、上述したように絶縁基板２上に略円錐台状の空洞部３を構成する第１電極層４と圧電層５と第２電極層６とを積層してコーナ部を有しない構造とされる。したがって、音響共振器１においては、上述した振動動作に際して第１電極層４や第２電極層６の外周縁や圧電層５の外周壁部５ｂにおいて特定部位に応力集中が発生することが抑制され、これら第１電極層４や第２電極層６或いは圧電層５に剥離やクラックの発生が防止される。
【００２３】
一方、音響共振器１においては、入力信号が印加されることにより、圧電層５において厚み方向の振動動作とともに直径方向の振動動作も生じる。音響共振器１においては、第１電極層４と圧電層５と第２電極層６とが円盤状に形成されることにより、直径方向の振動動作の共振点が中心位置Ｏ１となる。音響共振器１においては、第２電極層６に疑似共振制御開口部１１を形成することにより、直径方向の振動動作の共振点をずらして共振動作の発生を抑制した構造となっている。
【００２４】
すなわち、音響共振器１には、図１に示すように、第２電極層６の第２電極部６ａに、その中心位置Ｏ１から外周側に偏倚した位置を中心Ｏ２とした円形の疑似共振制御開口部１１が形成される。疑似共振制御開口部１１は、第２電極層６をパターニングする際に同時に形成され、圧電層５を外方へと臨ませる、疑似共振制御開口部１１は、その内周縁と第２電極部６ａの外周縁との間隔を異にさせて非平行対向辺とすることにより、共振点をずらして共振動作の発生を抑制する。
【００２５】
なお、音響共振器１においては、疑似共振制御開口部１１が第２電極部６ａの中心Ｏ１から共振点をずらす作用を奏することから複数個を形成するようにしてもよいが、この疑似共振制御開口部１１が第１電極層４の第１電極部４ａと対向する第２電極部６ａの面積を小さくして共振特性を低下させる。したがって、音響共振器１においては、疑似共振制御開口部１１が、圧電層５や電極層４、５の外形寸法やその材質と所望の共振周波数とに応じて開口径や個数を適宜設定される。
【００２６】
以上のように構成された音響共振器１の製造工程について、図３乃至図７を参照して説明する。音響共振器１の製造工程は、犠牲層形成工程と、第１電極層形成工程と、圧電層形成工程と、第２電極層形成工程と、エッチングホール形成工程と、空洞部形成工程とを有する。音響共振器１の製造工程は、絶縁基板２上に複数個の音響共振器１を同時に形成する場合に、各工程で複数の部位が同時に形成されるようにする。
【００２７】
音響共振器１の製造工程においては、犠牲層形成工程で、図３に示すように、絶縁基板２の主面２ａ上に犠牲層材１２を所定の厚みで塗布する工程と、この犠牲層材１２上にフォトレジスト１３を塗布してフォトリソグラフ処理を施して所定形状の犠牲層７を形成する工程とを有する。犠牲層形成工程においては、エッチングレートが大きい燐を多く含んだ二酸化珪素等の犠牲層材１２を絶縁基板２の主面２ａ上に塗布する。
【００２８】
犠牲層形成工程は、詳細には犠牲層材１２上にフォトレジスト１３をパターニングした後に、高温でベーキング処理を行ってフォトレジストのラウンディングを行う。犠牲層形成工程においては、犠牲層材１２を、犠牲層材１２のエッチングレートに対するフォトレジスト１３のエッチングレートの選択比が１又は１以下の条件でエッチング処理を施すことにより、外周部７ａが緩やかな傾斜角度を有する略円錐台の犠牲層７を形成する。
【００２９】
犠牲層形成工程においては、犠牲層７の外周部７ａの傾斜角度が上述した空洞部３の傾斜角度θと対応し、４５°以下で形成される。犠牲層７は、傾斜角度を４５°以上とした場合に、圧電層５が振動する際に立ち上がり部位に応力が集中してクラックを生じやすくさせる。犠牲層７は、傾斜角度が１０°以下の場合に、裾広がりとなり音響共振器１の外径を大きくさせてしまう。犠牲層７は、犠牲層材１２の特性や所望の共振周波数を得る各電極層の形状等に応じて適宜の傾斜角度を付して形成される。
【００３０】
音響共振器１の製造工程においては、第１電極層形成工程が、上述した犠牲層７を含む絶縁基板２の主面２ａの全体に、スパッタ法等の薄膜形成技術によってモリブデンの薄膜層を形成する工程と、このモリブデン薄膜層に対して所定のパターニングを施して第１電極層４を形成する工程とを有する。第１電極層形成工程においては、モリブデン薄膜層に対してフォトレジストを塗布し、このフォトレジストをパターニングした後にドライエッチング法により不要なモリブデン薄膜層を除去して図４に示すように犠牲層７を被覆してなる上述した形状を有する第１電極層４を形成する。
【００３１】
音響共振器１の製造工程においては、圧電層形成工程が、第１電極層４を含む絶縁基板２の主面２ａの全体に、スパッタ法等の薄膜形成技術によって窒化アルミニウムの薄膜層を形成する工程と、この窒化アルミニウム薄膜層に対して所定のパターニングを施して圧電層５を形成する工程とを有する。圧電層形成工程においては、窒化アルミニウム薄膜層に対してフォトレジストを塗布し、このフォトレジストをパターニングした後にドライエッチング法により不要な窒化アルミニウム薄膜層を除去して図５に示すように第１電極層４を被覆してなる上述した形状を有する圧電層５を形成する。
【００３２】
音響共振器１の製造工程においては、第２電極層形成工程が、圧電層５を被覆して絶縁基板２の主面２ａの全体に、スパッタ法等の薄膜形成技術によってモリブデンの薄膜層を形成する工程と、このモリブデン薄膜層に対して所定のパターニングを施して第２電極層６を形成する工程とを有する。第２電極層形成工程においては、モリブデン薄膜層に対してフォトレジストを塗布し、このフォトレジストをパターニングした後にドライエッチング法により不要なモリブデン薄膜層を除去して図６に示すように圧電層５を被覆してなる上述した形状を有する第２電極層６を形成する。
【００３３】
第２電極層形成工程においては、モリブデン薄膜層をパターニングする際に、第２電極部６ａに疑似共振制御開口部１１が形成される。第２電極層形成工程は、第２電極部６ａの中心Ｏ１から偏倚した位置を中心Ｏ２として所定の直径でモリブデン薄膜層を除去することにより、圧電層５を外方に臨ませる円形の疑似共振制御開口部１１を形成する。
【００３４】
音響共振器１の製造工程においては、エッチングホール形成工程で、犠牲層７の外周部近傍を外方に臨ませる複数のエッチングホール１０を形成する。エッチングホール形成工程は、例えばレーザ加工によって第２電極層６から圧電層５と第１電極層４とを貫通して犠牲層７に達するエッチングホール１０を形成する。エッチングホール形成工程は、第２電極層６が存在しない場所でも、圧電層５から第１電極層４を貫通して犠牲層７に達するエッチングホール１０を形成するようにしてもよい。
【００３５】
音響共振器１の製造工程においては、空洞部形成工程で、ウェットエッチング処理を施してエッチングホール１０を介して内部に形成した犠牲層７を除去することによって、空洞部３を形成する。空洞部形成工程は、例えばフッ化水素系のエッチング液を用い、このエッチング液をエッチングホール１０から犠牲層７に供給して犠牲層７を除去することにより、図７に示すように絶縁基板２と第１電極層４との間に空洞部３を形成する。
【００３６】
音響共振器１の製造工程においては、薄膜技術によって上述した工程を経て構成各部を形成することで、小型で高精度の音響共振器１を効率的に製造する。音響共振器１の製造工程においては、一般的な薄膜形成工程によって音響共振器１を製造することから、効率的な製造が行われるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態として示す薄膜バルク音響共振器の要部平面図である。
【図２】同薄膜バルク音響共振器の要部縦断面図である。
【図３】同薄膜バルク音響共振器の製造工程図であり、犠牲層の形成工程図である。
【図４】同第１配線層の形成工程を示す図である。
【図５】同圧電層の形成工程を示す図である。
【図６】同第２配線層の形成工程を示す図である。
【図７】同空洞部の形成工程を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  薄膜バルク音響共振器、２  絶縁基板、３  空洞部、４  第１電極層、５  圧電層、６  第２電極層、７  犠牲層、１０  エッチングホール、１１  疑似共振制御開口部
【図１】
2006025367.tif 000003
【図２】
2006025367.tif 000004
【図３】
2006025367.tif 000005
【図４】
2006025367.tif 000006
【図５】
2006025367.tif 000007
【図６】
2006025367.tif 000008
【図７】
2006025367.tif 000009