(57)【要約】【課題】小型薄型化、高性能化、製造工程の簡略化及び高効率の放熱特性を目的とした、発光モジュール、光学ヘッド、光ディスク記録再生装置等を実現する。【解決手段】光源としてのＬＤと、単数又は複数の受光素子とを有し、情報記録媒体に対する情報の記録又は再生に用いられる光学ヘッドに用いられる受発光素子モジュール６２であって、平板状の導電性多層セラミック基板５０と、前記導電性多層セラミック基板５０上に実装される少なくとも一つの実装部品とを備え、前記実装部品として少なくとも前記ＬＤを有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、単数又は複数の受光素子とを有し、情報記録媒体に対する情報の記録又は再生に用いられる光学ヘッドに用いられる発光モジュールであって、
平板状の導電性多層基板と、
前記導電性多層基板上に実装される少なくとも一つの実装部品とを備え、
前記実装部品として少なくとも前記光源を有する、発光モジュール。
【請求項２】
前記導電性多層基板は、
各層内、層間又は表面に設けられた、前記実装部品を実装した側の熱を前記実装部品以外の部分へ伝導させる伝熱経路を有する、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記伝熱経路は金属製又は導電性ペースト製によるビアホールである、請求項２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記導電性多層基板は、セラミック基板及び／又はガラスエポキシ基板を積層してなるものである、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項５】
前記実装部品として少なくとも一つの前記受光素子を有する、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項６】
前記導電性多層基板の前記実装部品を実装した面と対向する面に設けられた、金属又はセラミック製の第１の放熱体を備えた、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項７】
前記実装部品として、前記光源に変調信号を付加する変調信号付加装置を有する、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項８】
前記変調信号付加装置は、前記導電性多層基板の、前記光源が実装されている面と反対側の面に実装されている、請求項７に記載の発光モジュール。
【請求項９】
前記変調信号付加装置は前記光源に高周波重畳作用を付加する高周波重畳付加装置を含む、請求項７に記載の発光モジュール。
【請求項１０】
前記変調信号付加装置は前記光源の発光パワーを多値制御するレーザ駆動装置を含む、請求項７に記載の発光モジュール。
【請求項１１】
前記実装部品として、前記光源の２つの電極間を前記導電性多層基板上で半田、配線又は導電部品により電気的に導電状態とする事が可能であるとともに、前記２つの電極間を前記導電性多層基板上で前記配線の切断、前記半田又は前記導電部品の除去により非導電状態にすることが可能となる静電気保護機構を備えた、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項１２】
前記実装部品として、前記光源の２つの電極に発生する電位差を緩和する静電気緩和機能を有する第１の受動素子を備えた、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項１３】
前記実装部品として、前記受光素子の電源ライン又は信号ラインに挿入され、前記電源ライン又は信号ライン発生するノイズを除去するノイズ除去機能を有する第２の受動素子を備えた、請求項５に記載の発光モジュール。
【請求項１４】
前記実装部品として、前記変調信号付加装置から漏れ込む特定の周波数帯の信号を遮断又は通過させるフィルター機能を有する第３の受動素子を備えた、請求項７に記載の発光モジュール。
【請求項１５】
前記実装部品として、
前記光源の発光量を検出する発光量検出手段と、
前記発光量検出手段の検出感度の調整を前記導電性多層基板上から受け付ける調整手段とを有する、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項１６】
前記導電性多層基板の表面又は側面に設けられた第２の放熱体を備えた、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項１７】
前記第２の放熱体は、前記情報記録媒体の主面と実質上対向するような位置に配置されている、請求項１６に記載の発光モジュール。
【請求項１８】
前記光源は、異なる波長を有した２つ以上の光源である、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項１９】
前記実装部品として、前記光源及び／又は前記受光素子と、少なくとも前記対物レンズとを結ぶ光路を形成する単数又は複数の光学素子を有する、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項２０】
前記実装部品は、前記導電性多層基板と銀ペースト又は半田により伝熱且つ導電した構成で固定されている、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項２１】
前記導電性多層基板と前記実装部品とは、金属ワイヤ又はバンプにより配線されている、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項２２】
前記金属ワイヤ及び前記金属ワイヤの接続部分、又は前記バンプの接続部分は樹脂、シリコンゴム又は接着剤からなる封止材により封止されている、請求項２１に記載の発光モジュール。
【請求項２３】
前記導電性多層基板の一部は段差を有し、
前記段差に、前記金属ワイヤ及び前記金属ワイヤ接続部分又は前記バンプの接続部分に前記封止材の溜まりを設けた、請求項２２に記載の発光モジュール。
【請求項２４】
前記導電性多層基板の表面に設けられた、前記実装部品又は前記導電性多層基板の位置決め又は保持用の凹凸を備えた、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項２５】
前記導電性多層基板の側面に設けられた電極を有する、請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項２６】
光源と、
前記光源からの光束を入射して情報記録媒体上に集光する対物レンズと、前記対物レンズを前記情報記録媒体のフォーカス方向およびトラッキング方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、
前記情報記録媒体で反射し前記対物レンズを透過した光束を受光し、前記受光した光量をもとに電流を発生する単数又は複数の受光素子とを備え、
少なくとも前記光源を、請求項１に記載の発光モジュールとして有する、光学ヘッド。
【請求項２７】
前記受光素子が発生した電流を電圧に変換する電流電圧変換装置と、前記電流又は前記電圧を増幅する増幅装置を備えた、請求項２６に記載の光学ヘッド。
【請求項２８】
前記電流又は前記電圧の値を検出し前記対物レンズ駆動装置のサーボ信号の一部又はサーボ信号を発生する演算回路とを備えた、請求項２６に記載の光学ヘッド。
【請求項２９】
前記電流又は前記電圧の値を検出し前記情報記録媒体に記録された信号を読みとる演算回路を備えた、請求項２６に記載の光学ヘッド。
【請求項３０】
請求項１に記載の発光モジュールの製造方法であって、
各層内、層間又は表面に配線を有する導電性多層基板体の主面上に、実装部品を金属ワイヤで配線又はバンプで配線する工程と、前記導電性基板体の所定部分を分割する工程とを備えた、発光モジュールの製造方法。
【請求項３１】
請求項２６に記載の光学ヘッドと、
前記光学ヘッドにより情報記録媒体から情報の記録又は再生を行う情報記録／再生手段を備えた、光ディスク記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク状記録媒体に光スポットを投影して光学的に情報を記録再生する方式であるディスク記録再生装置の光学ヘッドに用いられる発光モジュール等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスク記録再生装置は、ＤＶＤレコーダ・ＭＤ・ＣＤ用などその用途は年々多様化すると共に益々高密度・小型・高性能・高品質・高付加価値化している。特に記録可能なメディアを利用したディスク記録再生装置においては、データ用・映像記録用の需要は大きく増加傾向にあり、より一層の小型・薄型・高性能・高記録密度化が求められている。
【０００３】
従来、ディスク記録再生装置の光学ヘッドに関する技術としては、数多くの報告がなされている。（たとえば、特許文献１、特許文献２を参照）。
【０００４】
以下、図面を参照しながら、従来のディスク記録再生装置の一例として、光磁気ディスク用の光学ヘッドを説明する。
【０００５】
図２２（ａ）（ｂ）、図２３（ａ）（ｂ）、図２４、図２５、図２６（ａ）（ｂ）及び図２７において、１はシリコン基板、２はシリコン基板１上に固定された光源である半導体レーザ、３はシリコン基板１上にＩＣプロセスにて形成された多分割光検出器、４はシリコン基板１を伝熱状態で保持する放熱プレート、５は多分割光検出器３の出力部からワイヤーボンディング等で配線された端子、６はシリコン基板１、放熱プレート４及び端子５を保持する樹脂パッケージ、７は樹脂で成形されたホログラム素子（回折格子）、８はビームスプリッタ８ａ、折り返しミラー８ｂ、偏光分離素子８ｃより構成された複合素子である。
【０００６】
又、シリコン基板１、半導体レーザ２、多分割光検出器３、放熱プレート４、端子５、樹脂パッケージ６、ホログラム素子７、複合素子８を一体構成として集積ユニット９と定義する。１０は反射ミラー、１１は対物レンズホルダー１２に固定された対物レンズ、１３は磁気光学効果を有する情報記録媒体である光磁気記録媒体、１４は対物レンズ１１を光磁気記録媒体１３のフォーカス方向（光磁気記録媒体１３の情報記録面に対し実質的に垂直な方向）及びラジアル方向（光磁気記録媒体１３の情報記録面に対し実質的に平行な方向）に駆動する対物レンズ駆動装置である。
【０００７】
対物レンズ駆動装置１４は半導体レーザ１からの光束を用いて光磁気記録媒体１３の情報記録面上に光スポットを形成する対物レンズ１１、対物レンズホルダー１２、ベース１５、サスペンション１６、マグネット１７ａ、カバー１７ｂ、フォーカスコイル１８ａ、トラッキングコイル１８ｂの部品より構成される。マグネット１７ａと磁性体であるベース１５及びカバー１７ｂで磁気回路が構成され、フォーカスコイル１８ａに通電することで、対物レンズ１１をフォーカス方向に、またトラッキングコイル１８ｂに通電することで対物レンズ１１をラジアル方向に駆動することが可能となる。１９は光学台であり、光学台１９は反射ミラー１０を接着等により保持する。
【０００８】
一方、図２４において、２０は多分割光検出器３上に形成されたフォーカス誤差信号検出用の光スポット、２１は多分割光検出器３上に形成されたトラッキング誤差信号検出用の光スポット、２２は多分割光検出器３上に形成されるメインビーム（Ｐ偏光）、２３は多分割光検出器３上に形成されるメインビーム（Ｓ偏光）、２４はフォーカス誤差信号受光領域、２５及び２６はトラッキング誤差信号受光領域、２７は情報信号受光領域、２８は減算器、２９は加算器である。
【０００９】
又、図２３（ａ）（ｂ）において３０及び３１はフォーカス誤差信号検出用の光スポットの焦点、３２は光磁気記録媒体１３上に形成される光スポットである。
【００１０】
図２２（ａ）（ｂ）、図２５及び図２６（ａ）（ｂ）において３３はカバー、３４は接着剤、３５はフレキシブル回路である。さらに３６は高周波重畳素子であり、フレキシブル回路３５上に搭載され再生時に半導体レーザ２の駆動電流に３００ＭＨｚ〜４００ＭＨｚの変調信号を加え、半導体レーザ２からの出射光と光磁気記録媒体１３からの戻り光との干渉によるレーザノイズの発生を軽減する。
【００１１】
図２５を参照して、集積ユニット９は光学台１９と樹脂パッケージ６を接着することにより固定される。このとき、光学台１９内における、集積ユニット９と樹脂パッケージ６により保持された多分割光検出器３との光学的配置は、光学台１９と集積ユニット９の樹脂パッケージ６との寸法により規定され、それら各寸法は、図２１に示すように、多分割光検出器３のＺ軸方向（光軸方向）において、フォーカス誤差信号受光領域２４が光スポットの焦点３０及び３１の略中間に位置するように設計されている。
【００１２】
これにより、多分割光検出器３は、光磁気記録媒体１３からの反射光により所望の検出信号を得ることができる。
【００１３】
図２７はフレキシブル回路３５に搭載された高周波重畳素子３６と集積ユニット９の端子５との回路構成を示した図である。なお、高周波重畳素子３６と半導体レーザ２の端子（ＬＤ＆ＬＤ−ＧＮＤ）との距離は短い方が望ましい。距離が遠くなると高周波重畳素子３６と半導体レーザ２間のインピーダンスが増加し、半導体レーザ２のノイズの原因となるからである。
【００１４】
以上のように構成された従来例について図２２〜図２７において以下その動作説明を行う。
【００１５】
半導体レーザ２より発せられた光は、ホログラム素子７により異なる複数の光束に分離される。異なる複数の光束は複合素子８のビームスプリッタ８ａを透過し、反射ミラー１０で反射され対物レンズホルダー１２に固定された対物レンズ１１により、光磁気記録媒体１３上に直径１ミクロン程度の光スポット３２として集光される。また複合素子８のビームスプリッタ８ａにより反射された光束はレーザモニタ用受光素子（図示せず）に入射し半導体レーザ２の駆動電流を制御する。
【００１６】
光磁気記録媒体１３からの反射光は、逆の経路をたどり、複合素子８のビームスプリッタ８ａにより反射分離されて、折り返しミラー８ｂ、偏光分離素子８ｃに入射する。
【００１７】
半導体レーザ２は、図２３（ａ）で紙面に平行な偏光方向となるよう設置されており、入射光は偏光分離素子８ｃにより、互いに直交する２つの偏光成分の光束に分離され、情報信号受光領域２７に入射する。
【００１８】
また光磁気記録媒体１３からの反射光のうちビームスプリッタ８ａを透過した光束はホログラム素子７により複数の光束に分離され、フォーカス誤差信号受光領域２４とトラッキング誤差信号受光領域２５及び２６へそれぞれ集光する。フォーカスサーボはいわゆるＳＳＤ法で行い、トラッキングサーボはいわゆるプッシュプル法で行う。
【００１９】
又、Ｐ偏光からなるメインビーム２２とＳ偏光からなるメインビーム２３の差を演算することにより、差動検出法による光磁気ディスク情報信号の検出が可能となる。さらに、それらの和をとることにより、プレピット信号の検出が可能となる。
【００２０】
前述したように、光磁気記録媒体１３からの反射光により所望の検出信号を得るために、半導体レーザ２と対物レンズ１１と多分割光検出器３の相対位置調整は、光学ヘッドの設計時に光学台１９他各部の寸法の規定により行われている。
【００２１】
さらに、光磁気記録媒体１３と対物レンズ１１との相対傾き調整は、外部治具（図示せず）によりベース１５を保持し、対物レンズ１１と光磁気記録媒体１３のスキュー調整を行い調整する。このとき図２５、図２６（ａ）に示すように、θＴはタンジェンシャル方向の調整、θＲはラジアル方向の調整となる。
【００２２】
又、集積ユニット９は、プレス等で形成された放熱プレート４及び端子５を樹脂パッケージ６と一体成形し、半田又は銀ペースト等の伝熱且つ導電体を介してシリコン基板１を放熱プレート４上に精度良く固定する。又、樹脂パッケージ６上でホログラム素子７を調整し接着剤等で固定し、ホログラム素子７上に複合素子８を接着等により固定することで構成される。
【００２３】
一方、半導体レーザ２はシリコン基板１上に半田又は銀ペースト等の伝熱且つ導電体にて固定され、ＬＤ−ＧＮＤ端子がシリコン基板１上で配線され、またＬＤ端子はワイヤーボンディング等によりシリコン基板１上に配線される。したがってＬＤ端子及びＬＤ−ＧＮＤ端子はシリコン基板１上で配線されていることとなる。
【００２４】
また端子５はワイヤボンディングにより多分割光検出器３の出力部と配線される。さらに端子５はフレキシブル回路３５と半田により接続され、フレキシブル回路３５上に搭載された高周波重畳素子３６により半導体レーザ２の駆動電流に変調信号を付加することとなる。
【特許文献１】特開平１１−３２８６８３号公報
【特許文献２】特開２００３−２０８７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
上記の従来の構成の光学ヘッドの集積ユニット９において、板金プレス等で形成された放熱プレート４及び端子５を樹脂パッケージ６で保持した状態で、放熱プレート４上にシリコン基板１を搭載し、かつ高周波重畳素子３６を搭載したフレキシブル回路３５を端子５に配線する構成となる。
【００２６】
しかしながらこの構成においては以下のような問題点があった。すなわち、樹脂パッケージ６は、図２３（ａ）（ｂ）に示すようにシリコン基板１及び半導体レーザ２等の周囲を覆う構成を有し、その強度を確保するために、厚み及び高さを大きく取る必要があり、外周部はシリコン基板１を底面に配置する略枡形の形状を有している。この樹脂パッケージの大型化、及び放熱プレート４及び端子５等を構成する板金プレスの加工精度の制限より集積ユニット９の小型及び薄型化が困難となる。
【００２７】
又、上記のように、放熱プレート４の周囲は樹脂パッケージ６により覆われているため、放熱プレート４からの空気中への放熱が少なくなる。また樹脂の熱伝導率も小さいため、放熱プレート４から樹脂パッケージ６を介した伝導による放熱も行われにくい。また樹脂パッケージ６に囲まれた空間内にシリコン基板１は置かれることなっている。樹脂パッケージ６により形成された空間の温度雰囲気は高くなり、そこに配置されたシリコン基板１の半導体レーザ２の温度が下がらないという問題を有していた。半導体レーザ２は発光することにより発熱し、放熱が十分でないと定常状態にて温度が上昇しレーザ発光の寿命が短くなる。又、レーザ光の波長変動の原因ともなりうる。
【００２８】
さらに、図２３（ａ）（ｂ），図２４に示すように、高周波重畳素子３６は、シリコン基板１上に設けられた多分割光検出器３との間の電気的接続に、多分割光検出器３の両端に設けられ、フレキシブル回路３５の電極部分と接触する端子５、及び端子５と検出器本体とを接続するワイヤーボンディング４１０及び４２０を用いているが、図２８の模式透視図に示すように、端子５は、金属板部材の板金プレスにより、多分割光検出器３の周囲を囲う金属フレーム４００を跨いで配列されている。
【００２９】
樹脂パッケージ６は、この金属フレーム４００の縁部も覆う必要があり、結果として多分割光検出器３を含む面の面積（高さ及び幅）の大型化を招いていた。
【００３０】
本発明は上記従来の問題点に鑑み、小型薄型化、高性能化、製造工程の簡略化及び高効率の放熱特性を目的とした発光モジュール、それを内蔵した光学ヘッド、及びそれを利用したディスク記録再生装置等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
第１の本発明は、光源と、単数又は複数の受光素子とを有し、情報記録媒体に対する情報の記録又は再生に用いられる光学ヘッドに用いられる発光モジュールであって、
平板状の導電性多層基板と、
前記導電性多層基板上に実装される少なくとも一つの実装部品とを備え、
前記実装部品として少なくとも前記光源を有する、発光モジュールである。
【００３２】
第２の本発明は、前記導電性多層基板は、
各層内、層間又は表面に設けられた、前記実装部品を実装した側の熱を前記実装部品以外の部分へ伝導させる伝熱経路を有する、第１の本発明の発光モジュールである。
【００３３】
第３の本発明は、前記伝熱経路は金属製又は導電性ペースト製によるビアホールである、第２の本発明の発光モジュールである。
【００３４】
第４の本発明は、前記導電性多層基板は、セラミック基板及び／又はガラスエポキシ基板を積層してなるものである、第１の本発明の発光モジュールである。
【００３５】
第５の本発明は、前記実装部品として少なくとも一つの前記受光素子を有する、第１の本発明の発光モジュールである。
【００３６】
第６の本発明は、前記導電性多層基板の前記実装部品を実装した面と対向する面に設けられた、金属又はセラミック製の第１の放熱体を備えた、第１の本発明の発光モジュールである。
【００３７】
第７の本発明は、前記実装部品として、前記光源に変調信号を付加する変調信号付加装置を有する、第１の本発明の発光モジュールである。
【００３８】
第８の本発明は、前記変調信号付加装置は、前記導電性多層基板の、前記光源が実装されている面と反対側の面に実装されている、第７の本発明の発光モジュールである。
【００３９】
第９の本発明は、前記変調信号付加装置は前記光源に高周波重畳作用を付加する高周波重畳付加装置を含む、第７の本発明の発光モジュールである。
【００４０】
第１０の本発明は、前記変調信号付加装置は前記光源の発光パワーを多値制御するレーザ駆動装置を含む、第７の本発明の発光モジュールである。
【００４１】
第１１の本発明は、前記実装部品として、前記光源の２つの電極間を前記導電性多層基板上で半田、配線又は導電部品により電気的に導電状態とする事が可能であるとともに、前記２つの電極間を前記導電性多層基板上で前記配線の切断、前記半田又は前記導電部品の除去により非導電状態にすることが可能となる静電気保護機構を備えた、第１の本発明の発光モジュールである。
【００４２】
第１２の本発明は、前記実装部品として、前記光源の２つの電極に発生する電位差を緩和する静電気緩和機能を有する第１の受動素子を備えた、第１の本発明の発光モジュールである。
【００４３】
第１３の本発明は、前記実装部品として、前記受光素子の電源ライン又は信号ラインに挿入され、前記電源ライン又は信号ライン発生するノイズを除去するノイズ除去機能を有する第２の受動素子を備えた、第５の本発明の発光モジュールである。
【００４４】
第１４の本発明は、前記実装部品として、前記変調信号付加装置から漏れ込む特定の周波数帯の信号を遮断又は通過させるフィルター機能を有する第３の受動素子を備えた、第７の本発明の発光モジュールである。
【００４５】
第１５の本発明は、前記実装部品として、
前記光源の発光量を検出する発光量検出手段と、
前記発光量検出手段の検出感度の調整を前記導電性多層基板上から受け付ける調整手段とを有する、第１の本発明の発光モジュールである。
【００４６】
第１６の本発明は、前記導電性多層基板の表面又は側面に設けられた第２の放熱体を備えた、第１の本発明の発光モジュールである。
【００４７】
第１７の本発明は、前記第２の放熱体は、前記情報記録媒体の主面と実質上対向するような位置に配置されている、第１６の本発明の発光モジュールである。
【００４８】
第１８の本発明は、前記光源は、異なる波長を有した２つ以上の光源である、第１の本発明の発光モジュールである。
【００４９】
第１９の本発明は、前記実装部品として、前記光源及び／又は前記受光素子と、少なくとも前記対物レンズとを結ぶ光路を形成する単数又は複数の光学素子を有する、第１の本発明の発光モジュールである。
【００５０】
第２０の本発明は、前記実装部品は、前記導電性多層基板と銀ペースト又は半田により伝熱且つ導電した構成で固定されている、第１の本発明の発光モジュールである。
【００５１】
第２１の本発明は、前記導電性多層基板と前記実装部品とは、金属ワイヤ又はバンプにより配線されている、第１の本発明の発光モジュール。
【００５２】
第２２の本発明は、前記金属ワイヤ及び前記金属ワイヤの接続部分、又は前記バンプの接続部分は樹脂、シリコンゴム又は接着剤からなる封止材により封止されている、第２１の本発明の発光モジュールである。
【００５３】
第２３の本発明は、前記導電性多層基板の一部は段差を有し、
前記段差に、前記金属ワイヤ及び前記金属ワイヤ接続部分又は前記バンプの接続部分に前記封止材の溜まりを設けた、第２２の本発明の発光モジュールである。
【００５４】
第２４の本発明は、前記導電性多層基板の表面に設けられた、前記実装部品又は前記導電性多層基板の位置決め又は保持用の凹凸を備えた、第１の本発明の発光モジュールである。
【００５５】
第２５の本発明は、前記導電性多層基板の側面に設けられた電極を有する、第１の本発明の発光モジュールである。
【００５６】
第２６の本発明は、光源と、
前記光源からの光束を入射して情報記録媒体上に集光する対物レンズと、前記対物レンズを前記情報記録媒体のフォーカス方向およびトラッキング方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、
前記情報記録媒体で反射し前記対物レンズを透過した光束を受光し、前記受光した光量をもとに電流を発生する単数又は複数の受光素子とを備え、
少なくとも前記光源を、第１の本発明の発光モジュールとして有する、光学ヘッドである。
【００５７】
第２７の本発明は、前記受光素子が発生した電流を電圧に変換する電流電圧変換装置と、前記電流又は前記電圧を増幅する増幅装置を備えた、第２６の本発明の光学ヘッドである。
【００５８】
第２８の本発明は、前記電流又は前記電圧の値を検出し前記対物レンズ駆動装置のサーボ信号の一部又はサーボ信号を発生する演算回路とを備えた、第２６の本発明の光学ヘッドである。
【００５９】
第２９の本発明は、前記電流又は前記電圧の値を検出し前記情報記録媒体に記録された信号を読みとる演算回路を備えた、第２６の本発明の光学ヘッドである。
【００６０】
第３０の本発明は、第１の本発明の発光モジュールの製造方法であって、
各層内、層間又は表面に配線を有する導電性多層基板体の主面上に、実装部品を金属ワイヤで配線又はバンプで配線する工程と、前記導電性基板体の所定部分を分割する工程とを備えた、発光モジュールの製造方法である。
【００６１】
第３１の本発明は、第２６の本発明の光学ヘッドと、
前記光学ヘッドにより情報記録媒体から情報の記録又は再生を行う情報記録／再生手段を備えた、光ディスク記録再生装置である。
【００６２】
以上のような本発明によれば、光源と変調信号付加装置との距離を短くかつ効率的に結合することが可能なため抵抗（インピーダンス）を小さくすることが可能となり、変調信号付加装置の出力を大幅に低減することが可能となり、不要輻射及び発熱の低減、消費電力の低減を実現でき、記録再生性能の向上及び電池寿命の大幅な向上及び放熱特性に優れた受発光素子及びディスク記録再生装置を実現できる。
【００６３】
又、半導体レーザからの発熱を効率的に伝熱及び放熱することが可能となるため、光源となる半導体レーザの温度上昇を防ぐことができ、半導体レーザの寿命劣化を防ぐことが可能となり信頼性に優れた受発光素子及びディスク記録再生装置を実現できる。
【００６４】
又、多層基板の熱伝導率を大幅に向上させることが可能となり、光源となる半導体レーザから発生する熱を効率的に伝熱及び放熱することができ、半導体レーザの温度を下げることにより半導体レーザの寿命を大幅に伸ばすことができ、信頼性に優れたディスク記録再生装置を実現できる。
【００６５】
又、光源となる半導体レーザから発生した熱を効率的に他の場所に伝熱することが可能となりより一層放熱性を向上させることができ、信頼性に優れたディスク記録再生装置を実現できる。
【００６６】
又、より一層放熱特性の優れたディスク記録再生装置を実現することが可能となる。
【００６７】
又、いっそうの高集積化が可能となり、小型のディスク記録再生装置を実現することが可能となる。
【００６８】
又、半導体レーザ等の光源を静電気から保護することが可能となるため信頼性に優れたディスク記録再生装置を実現することが可能となる。
【００６９】
又、静電気の影響で光源の２つの電極に発生する急激な電位差を緩和する静電気緩和機能を有することを構成とすることにより光源の２つの電極が電気的に非導通の場合でも静電気の影響を低減することが可能となり、小型の受発光素子でありかつ一層静電気に対して信頼性が向上したディスク記録再生装置を実現することができる。
【００７０】
又、電源ノイズが少さく、不要輻射の少ないかつ小型のディスク記録再生装置を実現することができる。
【００７１】
又、光学素子をより小さくかつ高精度に保持することが可能となり、小型高性能のディスク記録再生装置を実現することができる。
【００７２】
又、導電性多層基板の放熱特性をより向上させることが可能となり、光源となる半導体レーザの寿命を大幅にのばすことが可能となる。
【００７３】
又、光学ヘッドをより一層小型にすることとが可能であり、小型のディスク記録再生装置を実現できる。
【００７４】
以上のようなセラミック等による導電性多層基板を核とし、半導体レーザ２と高周波重畳素子３６をフレキシブル回路３５を介すことなく短い距離で接続するとともに、セラミック等による導電性多層基板を用いることにより小型、薄型かつ高精度にシリコン基板１を保持することが可能となり、受発光素子の大幅な小型化と高周波重畳素子３６の大幅な高効率化が可能となる。
【００７５】
又、セラミック等の導電性多層基板は樹脂に対して熱伝導率に優れているという点より伝熱性及び放熱特性に優れている。さらに、高周波重畳素子３６の出力を低くすることができるという点より高周波重畳素子３６を動作させるための消費電力が少なくなり放熱特性の優れた内蔵モジュールを実現することができる。
【００７６】
さらにセラミック基板は樹脂に比べ強度に優れているために、小型、薄型化が可能となる。
【００７７】
各層間に導電性を有した多層セラミック基板を核とし、光源、受光素子、電子部品、高周波重畳発生回路、レーザ駆動回路、光学部品等をモジュール化することにより、受発光素子モジュールの大幅な小型化と高周波重畳発生回路の大幅な高効率化が可能となる。
【００７８】
又、セラミック等の導電性多層基板は樹脂に対して熱伝導率に優れているという点より伝熱性及び放熱特性に優れている。さらに、高周波重畳素子３６の出力を低くすることができるという点より高周波重畳素子３６を動作させるための消費電力が少なくなり放熱特性の優れた受発光素子モジュールを実現することができ、光学ヘッドの小型薄型、高信頼性を実現できるとともにディスク記録再生装置の小型薄型化と高信頼性化を実現できる。
【発明の効果】
【００７９】
以上のように本発明によれば、放熱特性、小型薄型化、信頼性に優れた光学ヘッドを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８０】
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
【００８１】
（実施の形態１）
以下本発明の実施の形態１について、図面を参照しながら説明する。
【００８２】
図１、図２、図３、図４、図５、図６、図７及び図８は、本発明の実施の形態１の光学ヘッド及びそれを構成する各部の構成図である。
【００８３】
図１（ａ）は、光学ヘッドの分解斜視図、図１（ｂ）はその部分図である。
【００８４】
図１（ａ）において、１４は対物レンズ１１を光磁気記録媒体１３のフォーカス及びラジアル方向に駆動する対物レンズ駆動装置である。
【００８５】
また図３（ａ）は対物レンズ駆動装置１４の分解斜視図、（ｂ）は光学ヘッド内への実装状態を示す斜視図であって、図３（ａ）に示すように、対物レンズ駆動装置１４は半導体レーザ２からの光束を用いて光磁気記録媒体１３上に光スポットを形成する対物レンズ１１、対物レンズホルダー１２、ベース１５、サスペンション１６、マグネット１７ａ、カバー１７ｂ、フォーカスコイル１８ａ、トラッキングコイル１８ｂの部品より構成される。マグネット１７ａと磁性体であるベース１５及びカバー１７ｂとで磁気回路が構成され、フォーカスコイル１８ａに通電することで、対物レンズ１１をフォーカス方向に、またトラッキングコイル１８ｂに通電することで対物レンズ１１をラジアル方向に駆動することが可能となる。１９は光学台であり、図１（ｂ）に示すように、光学台１９は反射ミラー１０を接着等により保持する。
【００８６】
又、図２（ａ）（ｂ）は、光学ヘッドを構成する各部を光学的配置にそって示した２面図であって、図２（ａ）（ｂ）において、１はシリコン基板、２はシリコン基板１上に固定された半導体レーザ、３はシリコン基板１上に形成された多分割光検出器、５０は、その主面上にシリコン基板１を配置する多層セラミック基板、１５１は折り返しミラー、７はガラス又は樹脂で成形されたホログラム素子（回折格子）、８はビームスプリッタ８ａ、折り返しミラー８ｂ、偏光分離素子８ｃより構成された複合素子、１０は反射ミラー、１１は対物レンズホルダー１２に固定された対物レンズ、１３は磁気光学効果を有する光磁気記録媒体である。
【００８７】
上記の構成において、シリコン基板１、半導体レーザ２、多分割光検出器３、多層セラミック基板５０、折り返しミラー１５１で構成されたモジュールを受発光素子モジュール６２と定義する。
【００８８】
一方、図４は、多分割光検出器３とそこから信号を検出する信号検出回路の構成を示す平面図であり、図４において２０は多分割光検出器３上に形成されるフォーカス誤差信号検出用の光スポット、２１は多分割光検出器３上に形成されるトラッキング誤差信号検出用の光スポット、２２は多分割光検出器３上に形成されるメインビーム（Ｐ偏光）、２３は多分割光検出器３上に形成されるメインビーム（Ｓ偏光）、２４は、フォーカス誤差信号検出用の光スポット２０が形成されるフォーカス誤差信号受光領域、２５及び２６はトラッキング誤差信号検出用の光スポット２１が形成されるトラッキング誤差信号受光領域、２７はメインビームの光スポット２２，２３が形成される情報信号受光領域、２８は減算器、２９は加算器である。
【００８９】
なお、減算器２８、加算器２９は多分割光検出器３の内部に構成されてもよいし、光学ヘッドから接続されているサーボ回路部（外部回路であり図示せず）に搭載する構成としてもよい。
【００９０】
さらに減算器２８及び加算器２９に入力される信号は、各受光部で、入射光量に応じて発生する電流信号であってもよいし、電流電圧変換装置（いわゆるＩ／Ｖ変換回路）を設けて電圧信号に変換した後の信号であっても良い。
【００９１】
さらに減算器２８及び加算器２９に入力される信号は、各受光領域検出時の大きさの電流信号及び電圧信号にかかわらず、増幅器（信号の増幅又は減衰）により信号量を変化させてもよい。又、上記電流電圧変換回路及び増幅器は、多分割光検出器３の内部や多層セラミック基板５０上の他の箇所に構成されてもよいし、光学ヘッドから接続されているサーボ回路部（外部回路であり図示せず）に搭載する構成としてもよい。このとき、電流電圧変換回路及び増幅器から出力される信号はフォーカス誤差信号及びトラッキング誤差信号としてサーボ回路部にて処理される。又、減算器２８及び加算器２９から出力される信号は、光磁気ディスク信号及びプレピット信号として、演算回路により処理されるようにしてもよい。このとき、演算回路は多分割光検出器３の内部や多層セラミック基板５０上の他の箇所に配置されるようにしてもよい。
【００９２】
また図１（ｂ）及び図２（ａ）に示すように、受発光素子モジュール６２は、光学台１９と多層セラミック基板５０をＵＶ接着剤又はエポキシ接着剤等の接着剤にて接着することにより固定される。このとき光学台１９の寸法は、多分割光検出器３のＺ軸方向（光軸方向）の位置は、フォーカス誤差信号受光領域２４が光スポットの焦点３０及び３１の略中間に位置するように予め規定されている。
【００９３】
なお、図１（ａ）及び図３（ｂ）において３３は光学台１９内に固定された受発光素子モジュール６２、複合素子８及び回折格子７を覆うカバー、３４は対物レンズ駆動装置１４を光学台１９に固定するための接着剤、３５は受発光素子モジュール６２と図示しない外部回路とを電気的に接続等するためのフレキシブル回路である。
【００９４】
又、図２（ａ）において、半導体レーザ２の発光光軸は紙面と平行な方向であり、折り返しミラー４６により反射され光軸を９０度（図２（ａ）においては紙面に対して手前側へ）変更することになる。折り返しミラー４６はシリコン基板１をエッチングして反射コートする構成でも良いし、硝子又は樹脂の表面に反射コートしたものを接着等でシリコン基板１に貼り付ける構成でもよい。
【００９５】
又、図１及び図２において６３は半導体レーザ２の発光量を検出するレーザモニタ用受光素子であり、ゲイン調整ボリュームを有した構成で、レーザモニタ用受光素子６３で検出した光量をもとに半導体レーザ２の光量制御を行う。
【００９６】
図３において、対物レンズ駆動装置１４は半導体レーザ２からの光束を用いて光磁気記録媒体１３上に光スポットを形成する対物レンズ１１、対物レンズホルダー１２、ベース１５、サスペンション１６、マグネット１７ａ、カバー１７ｂ、フォーカスコイル１８ａ、トラッキングコイル１８ｂの部品より構成される。マグネット１７ａと磁性体であるベース１５及びカバー１７ｂで磁気回路が構成され、フォーカスコイル１８ａに通電することで、対物レンズ１１をフォーカス方向に、またトラッキングコイル１８ｂに通電することで対物レンズ１１をラジアル方向に駆動することが可能となる。
【００９７】
又、図５（ａ）〜（ｃ）は、受発光素子モジュール６２における多層セラミック基板５０及びそれに実装された回路構造の３面図、図６（ａ）（ｂ）は、両面を示す斜視図である。
【００９８】
多層セラミック基板５０は２層以上のセラミック基板５０ａ（図中では３層）と各セラミック基板５０ａの層間に設けられた銅又は金などの金属箔より構成される導電層５１を有している。
【００９９】
また多層セラミック基板５０の一主面にはシリコン基板１を伝熱かつ導電状態で固定するための伝熱パッド５２が形成されており、その反対の面には放熱パッド５３が形成されている。伝熱パッド５２と放熱パッド５３は銅又は金などの金属より構成されるビアホール５４で伝熱かつ導電状態でつながっている。
【０１００】
又、シリコン基板１を搭載する面には複数のパッド５５ａが構成されており、その反対の面には複数のパッド５５ｂが形成されている。パッド５５ａと５５ｂとは、多層セラミック基板５０における内部の各層の導電層５１を介してそれぞれ伝熱かつ導電状態で接続される。
【０１０１】
以上のように、多層セラミック基板５０は各層間、及び表面裏面を含む各層面内に熱伝達路兼信号配線を有し、シリコン基板１上の多分割光検出器３その他の部品と、電気的に接続されている。
【０１０２】
又、図５（ｂ）及び６（ａ）に示すように、多層セラミック基板５０の、シリコン基板１が実装されていない側の面には、半導体レーザ２の駆動電流に数百ＭＨｚ（２００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚ程度）の変調信号を付加し、半導体レーザ２からの出射光と光磁気記録媒体１３からの反射光との干渉で発生するノイズを低減するためにコンデンサ、抵抗、コイル、ビーズ等のフィルター、インダクタ−、トランジスタ、集積回路、発振器等より構成された高周波重畳発生回路５６を実装している（半導体レーザ２に変調を付加する詳細回路は図示せず）。
【０１０３】
ここで図７（ａ）〜（ｃ）は受発光素子モジュール６２における多分割光検出器３の半導体レーザ２のシリコン基板１上における実装状態その他の実装状態を示す３面図である。
【０１０４】
図７（ｂ）に示すように、半導体レーザ２は、シリコン基板１上に半田５７により固定される。又、シリコン基板１は多層セラミック基板５０上に銀ペースト５８（エポキシ樹脂に銀を一定量含有させ熱を加えて固着する導電性接着剤の一種）により導電かつ伝熱状態で固定されている。図７（ｃ）に示すように、シリコン基板１上に設けられた出力端子５９とパッド５５ａを金属ワイヤであるワイヤーボンディング６０により結線することで多層セラミック基板５０内の配線と電気的に接続する。このときワイヤーボンディング６０は一般的には金線を用いる。なお、出力端子５９とパッド５５を電気的に接続する手段はこれに限られず、ワイヤーボンディング６０に代えて、バンプ等の方法で結線する方法であってもよい。
【０１０５】
又、図７（ａ）は、フレキシブル回路３５の結合部と、図５（ａ）、図６（ａ）に示す多層セラミック基板５０上に設けられたパッド５５ｂとの接続状態を示している。結合部３５ａと、パッド５５ｂとが一対応することにより電気的接続が得られる。本実施の形態では半田により接続したが、バンプ、超音波融着、導電性接着剤、熱融着などの方法でもよい。
【０１０６】
又、図８は、図７（ａ）〜（ｃ）に示す構成を模式化して、受発光素子モジュール６２の半導体レーザ２の入出力及び多分割光検出器３の出力端子５９と、パッド５５ａから多層セラミック基板５０の内部配線を介してパッド５５ｂからフレキシブル回路３５へ接続した配線の状態を示した回路図である。なお、高周波重畳発生回路５６の詳細構成は図示していないがコンデンサ、抵抗、コイル、ビーズ等のフィルター、インダクタ−、トランジスタ、集積回路、発振器等で構成されていればどのような構成でも構わないし、図８では一部コンデンサを示しているが、性能を満足する構成であればどのような電子部品でも構わない。
【０１０７】
なお、以上の構成において、半導体レーザ２は本発明の光源に相当し、フォーカス誤差信号受光領域２４、トラッキング誤差信号受光領域２５、２６及び情報信号受光領域２７は本発明の受光素子に相当する。多層セラミック基板５０は本発明の導電性多層基板に相当し、受発光素子モジュール６２は本発明の発光モジュールに相当する。
【０１０８】
又、導電層５１，ビアホール５４、パッド５５ａ、５５ｂは本発明の伝熱経路に、又放熱パッド５３は本発明の第１の放熱体に相当する。
【０１０９】
又、減算器２８及び加算器２９は本発明の演算回路に相当し、上記減算器２８及び加算器２９に入力される信号を電圧信号に変換する電流電圧変換装置は本発明の電流電圧変換装置に相当し、減算器２８及び加算器２９に入力される信号を増幅させる増幅器は本発明の増幅装置に相当する。
【０１１０】
以上のように構成された本発明の実施の形態１について、以下その動作を説明する。
【０１１１】
記録又は再生動作を行うために、半導体レーザ２が発光すると、そこで消費される電力と、実際の発光量との差分エネルギーが熱となり、発熱することとなる。半導体レーザ２は一般的に動作温度が高いほど寿命が短くなり、一般的には赤外光を発光するレーザは動作温度が８０℃あるいは９０℃を超えると急激に寿命が短くなり、波長がさらに短くなるに従い限界温度が低くなる傾向にある。
【０１１２】
このとき、実施の形態１において、半導体レーザ２の発熱は半田５７、シリコン基板１、銀ペースト５８、多層セラミック基板５０上の伝熱パッド５２、ビアホール５４、放熱パッド５３及び多層セラミック基板５０に伝熱され、放熱パッド５３及び多層セラミック基板５０から空気中に放熱、あるいは、多層セラミック基板５０に取り付けられたフレキシブル回路３５及び光学台１９に伝熱後、空気中に放熱する。
【０１１３】
多層セラミック基板５０の熱伝導率は、材料に硝子、アルミナ、鉱物、金属等の配合量を変化させることで１Ｗ／ｍ・ｋ〜１００Ｗ／ｍ・ｋの調整が可能であり材料費及び用途に応じた伝熱及び放熱特性を確保することが可能となる。
【０１１４】
図２３他に示す従来例においては、半導体レーザ２の発熱は実装されていたシリコン基板１を介して放熱プレート４に達するが、放熱プレート４及びシリコン基板１その他部品は、伝熱性に乏しく樹脂製の樹脂パッケージ６に周囲を覆われているため、大気中への放熱、他部品への伝熱のいずれも十分に行うことができなかった。
【０１１５】
これに対し、本実施の形態においては、半導体レーザ２及びシリコン基板１は、受発光素子モジュール６２として、伝熱性に優れた平板状の多層セラミック基板５０上に実装、一体化されて、さらに伝熱性に優れた金属等の部材からなるパッド５５ａ、５５ｂ、ビアホール５４，導電層５１、放熱パッド５３等を介して直接外部又は光学台１９側へ露出、接触している。これにより、層間、層内のいずれにおいても伝熱特性を確保できているので、速やかな放熱及び伝熱を実現する。
【０１１６】
又、本実施の形態は、受発光素子モジュール６２は、その内部に電気配線を有する多層セラミック基板５０を用い、多層セラミック基板５０上に高周波重畳発生回路５６を実装している点を特徴とする。
【０１１７】
従来例において、図２７に示す高周波重畳素子３６と半導体レーザ２との接続は、実際は図２５に示すように、フレキシブル回路３５を介しているため、このフレキシブル回路３５の配線長に起因する抵抗（インピーダンス）が大きくなり、前述のように半導体レーザ２のノイズの原因となる。半導体レーザ２のノイズを取り除くには高周波重畳素子３６の出力を上げる必要が生じ、これが不要輻射（高周波ノイズ）の増大及び動作電流の増大となり、ディスク記録再生装置の性能の悪化及び電池寿命の低下となってしまうという問題点を有していた。
【０１１８】
これに対し本実施の形態によれば、半導体レーザ２と高周波重畳発生回路５６との間の線路長さは、実質的に多層セラミック基板５０の厚み分となり、図２６（ａ）に示すようなフレキシブル回路３５の配線を引き回す必要がないため、半導体レーザ２との距離を著しく短くすることができ、配線長に起因するインピーダンス（より具体的にはいわゆるＬ成分となるインダクタンス成分）を小さくすることが可能となり、半導体レーザ２に対して効率のよい高周波重畳の付加を実現することができ、高周波重畳の出力を大幅に低減することが可能となり、性能の優れた高周波重畳機能を実現できる。
【０１１９】
又、本実施の形態においては、受発光素子モジュール６２がその内部に電気配線を有し、その主面上にフレキシブル回路３５と接続するためのパッド５５ｂを備えた構成を有しているため、図２２に示す従来例のように、シリコン基板１の外縁を囲み、多分割光検出器３の周囲を囲うとともに、フレキシブル回路３５と接続するための端子５及び金属フレーム４００を設ける必要がない。したがって、また金属フレーム４００等の作成工程等を含めた集積ユニット９の製造工程数の増加、高コスト化も防ぐことが可能となる。
【０１２０】
さらに、従来例は、高周波重畳素子３６はフレキシブル回路３５を介して集積ユニット９の外側に設けられているため、光学ヘッドの大型化を招いていたのに対し、本実施の形態は、高周波重畳発生回路５６を多層セラミック基板５０の、多分割光検出器３が設けられていない方の主面に設けているため、小型化にさらに寄与することが可能となる。
【０１２１】
端子５、金属フレーム４００は上述の樹脂パッケージ６とともに、多分割光検出器３周辺部の大きさ、特に幅方向（Ｗ方向）及び高さ方向（Ｈ方向）の増加の原因となっていたが、本実施の形態においては、Ｗ方向において従来比で約１／３、Ｈ方向において約１／（３＋α）の小型化を実現することができる。なお、ここでαとは、従来例においてフレキシブル回路３５上に実装されていた高周波重畳発生回路５６の高さ分である。
【０１２２】
なお、本実施の形態の光学ヘッドとしての動作は、従来例と同様に行われる。すなわち、半導体レーザ２より発せられた光は、折り返しミラー１５１で約９０度光路を変えて反射され、ホログラム素子７により異なる複数の光束に分離される。異なる複数の光束は複合素子８のビームスプリッタ８ａを透過し、反射ミラー１０で反射され対物レンズホルダー１２に固定された対物レンズ１１により、光磁気記録媒体１３上に直径１ミクロン程度の光スポット３２として集光される。
【０１２３】
また複合素子８のビームスプリッタ８ａにより反射された光束はレーザモニタ用受光素子６３に入射し検出した光量をもとにレーザパワー制御回路（図示せず）により半導体レーザ２の駆動電流を制御する。
【０１２４】
光磁気記録媒体１３からの反射光は、逆の経路をたどり、複合素子８のビームスプリッタ８ａにより反射分離されて、折り返しミラー８ｂ、偏光分離素子８ｃに入射する。
【０１２５】
半導体レーザ２は、図２（ａ）で紙面に平行な偏光方向となるよう設置されており、入射光は偏光分離素子８ｃにより、偏光方向を４５度回転させるとともに互いに直交する２つの偏光成分の光束に分離され、情報信号受光領域２７に入射する。
【０１２６】
また光磁気記録媒体１３からの反射光のうちビームスプリッタ８ａを透過した光束は回折格子７により複数の光束に分離されフォーカス誤差信号受光領域２４とトラッキング誤差信号受光領域２５及び２６へ集光する。
【０１２７】
フォーカスサーボはいわゆるＳＳＤ法で行い、トラッキングサーボはいわゆるプッシュプル法で行う。
【０１２８】
さらに、Ｐ偏光からなるメインビームとＳ偏光からなるメインビームの差を演算することにより、差動検出法による光磁気ディスク情報信号の検出が可能となる。さらに、それらの和をとることにより、プレピット信号の検出が可能となる。
【０１２９】
なお、受発光素子モジュール６２の多層セラミック基板５０は光学台１９に接着等により固定される。この結果、多分割光検出器３のＺ’軸方向（光軸方向）の位置は、受光面が図２ａ）の光スポットの焦点３０及び３１の略中間に位置するように、光学台１９における多層セラミック基板５０の取り付け部の寸法が規定される。
【０１３０】
又、本実施の形態において、光磁気記録媒体１３からの反射光により所望の検出信号を得るための半導体レーザ２と対物レンズ１１と多分割光検出器３の相対位置調整は以下のようにして行われる。外部治具のチャッキングピン（図示せず）によりベース１５の位置決め孔４５を保持し、対物レンズに入射する光軸と略直行する平面内で、対物レンズ駆動装置１４をＸ方向（ラジアル方向）及びＹ方向（タンジェンシャル方向）に移動して、トラッキング誤差信号受光領域２５及び２６の出力が略均一となるように調整する。調整後、その状態のままベース１５を光学台１９に接着剤３４を用いて接着固定する。以上により、フォーカス誤差信号及びトラッキング誤差信号の調整が完了する。
【０１３１】
この時、ベース１５を光学台１９に予め接着固定しておいて、対物レンズ駆動装置１４をベース１５に対してＸ方向及びＹ方向に調整後、ベース１５に固定しても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【０１３２】
また対物レンズ１１、対物レンズ駆動装置１４（ベース１５含む）を光学台１９の規定位置に予め固定後受発光素子モジュール６２をＷ及びＨの方向に調整後、光学台１９と多層セラミック基板５０を接着する構成としても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【０１３３】
以上の、対物レンズ駆動装置を対物レンズ１１に入射する光軸と略直行する平面内での調整する際に、同時に光磁気記録媒体１３と対物レンズ１１との相対角度を調整するために、対物レンズ駆動装置１４のスキュー調整を行うことができる。即ち、上記と同一治具を用いて、外部治具を回転させることにより、対物レンズ駆動装置１４を、ラジアル方向θＲ及びタンジェンシャル方向θＴにそれぞれ回転調整する。
【０１３４】
以上のように、本発明の実施の形態１によれば、従来の集積ユニット９に代えて、半導体レーザ２、多分割光検出器３、高周波重畳発生回路５６及び折り返しミラー１５１をセラミックに配線を施した多層セラミック基板５０上に実装し一体化した受発光素子モジュール６２を備えた構成を特徴とする。
【０１３５】
この構成により、半導体レーザ２と高周波重畳発生回路５６との配線距離を短くかつ効率的に結合することが可能なため抵抗（インピーダンス）を小さくすることが可能となり、高周波重畳発生回路５６の出力を大幅に低減することが可能となり、不要輻射を低減できる。
【０１３６】
又、樹脂パッケージや強度確保のための金属フレームを必要とせず、また高周波重畳発生回路５６を光学ヘッドの外側に設ける必要がないため、光学ヘッドの放熱効率化、及び小型薄型化を実現できる。
【０１３７】
さらに多層セラミック基板５０が、樹脂に比べ伝熱性に優れたセラミック又はガラスエポキシ等の熱伝導材から構成され、また伝熱パッド５２及び放熱パッド５３、内部にビアホール５４を有した放熱性に優れた構成を有することにより、半導体レーザ２からの発熱を効率的に伝熱及び放熱することが可能となるため、光源となる半導体レーザ２の温度上昇を防ぐことができ、半導体レーザ２の寿命劣化を防ぐことが可能となる。
【０１３８】
なお、このとき多層セラミック基板５０はセラミックを材料としたが、単層又は多層（各層及び層内には多層セラミック基板５０と同様に銅箔又は金などの金属からなる導電材料を、信号配線及び放熱回路として有する）のガラスエポキシ等の材料で構成してもよい。
【０１３９】
また、ビアホール５４は、全て回路配線と伝熱経路とを兼ねた内容としたが、一部のビアホールは電気的接続に用いず、単なる伝熱用のサーマルビアホールとして用いてもよい。このとき、金、銅などの金属に代えて、導電性ペーストを用いて成形するようにしてもよい。
【０１４０】
又、多層セラミック基板５０は、半導体レーザ２及びシリコン基板１を半田５７及び銀ペースト５８を介して伝熱状態で保持し、半導体レーザ２及びシリコン基板１を実装した面の熱を対向する面又は側面に伝える伝熱経路を有し、伝えられた熱を放熱パッド５３又は他の構成部品となる光学台１９及びフレキシブル回路３５に伝え、伝熱かつ放熱する構成としている。この構成により光源となる半導体レーザ２から発生した熱を効率的に他の場所に伝熱することが可能となりより一層放熱性を向上させることができ、信頼性に優れた光学ヘッドを実現できる。
【０１４１】
なお、本実施の形態においては、半導体レーザ２の２つの電極となるＬＤ端子及びＬＤ−ＧＮＤ端子は直接又はシリコン基板１を介して多層セラミック基板５０に配線されており、多層セラミック５０上に構成された２つの端子（ＬＤ端子２ａ及びＬＤ−ＧＮＤ端子２ｂ）を半田、配線又は導電部品により電気的に導電状態とする事が可能であるとともに、２つの電極間を前記多層セラミック基板上で前記配線の切断、半田又は前記導電部品の除去により非導電状態にすることが可能な静電気保護機構を有している。
【０１４２】
この構成により半導体レーザ２を静電気から保護することが可能となるため信頼性に優れたディスク記録再生装置を実現することが可能となるとともに、受発光素子モジュール６２の状態で放置又は輸送する際でも静電気に対して半導体レーザ２を保護することが可能となるためハンドリング性に優れた受発光素子モジュール６２を実現することが可能となる。
【０１４３】
尚、実施の形態１において高周波重畳発生回路５６は本発明の高周波重畳付加装置の一例であり、コンデンサ及び発振器等で現しているが、高周波重畳発生回路５６の機能を満足させる電子部品ならなんでもよいことは言うまでもない。
【０１４４】
また記録再生性能の向上及び電池寿命の大幅な向上及び放熱特性に優れた受発光素子及びディスク記録再生装置を実現できるとともに、受発光素子（半導体レーザ２及び多分割光検出器３）及び高周波重畳発生回路５６を多層セラミック基板５０上に集積してモジュール化することにより大幅に小型化することが可能となり、小型薄型の光学ヘッド及びディスク記録再生装置を実現することができる。
【０１４５】
又、上記の説明では、半導体レーザ２から発光される光と、光磁気記録媒体１３からの戻り光との干渉によりレーザノイズが発生するのを低減するために高周波重畳発生回路５６により半導体レーザ２の駆動電流に数百ＭＨｚの変調を付加する構成としたが、図９（ｃ）及び図１０に示すように、記録時に半導体レーザ２に記録パワーを変化させる、いわゆるライトパルス（ストラテジー）を発生する半導体レーザ駆動回路４４をさらに実装する構成としてもよい。このとき、再生時は高周波重畳発生回路５６を動作させ、記録時は半導体レーザ駆動回路４４を動作させる構成としてもよいし、情報記録媒体の種類によりどちらを動作させるか任意に選択する方式としてもよいし、高周波重畳発生回路５６及び半導体レーザ駆動回路４４を両方動作させる構成としてもよい。なお、半導体レーザ駆動回路４４は本発明の変調信号付加装置及びレーザ駆動装置の一例である。
【０１４６】
図１０に示すライトパルスはいわゆるライトストラテジであり、記録パワー、バイアスパワー、消去パワー、再生パワー、クーリングパワーの時間ｔ及びパワーｈの値を任意に設定できるものである（この設定はソフト的に行っても良いし、ハード的に行っても良い）。
【０１４７】
半導体レーザ駆動回路４４を多層セラミック基板５０に実装することにより、高周波重畳発生回路５６の場合と同様に、半導体レーザ２との距離を短くすることができ、いわゆるＬ成分となるインダクタンス及び各線間のＣ成分となる浮遊容量を小さくすることが可能となる。ライトストラテジの波形のなまりを少なくすることが可能となり理想状態に近いライトパルスを半導体レーザ２に印加することが可能となり、記録＆再生性能に優れた光学ヘッド及びディスク記録再生装置を実現することができる。なお、半導体レーザ駆動回路４４は、高周波発生重畳回路５６が設けられているのと同じ面に設けるとして説明したが、シリコン基板１が設けられている側に設けてもよい。
【０１４８】
尚、実施の形態１では受発光素子モジュール６２には光源となる半導体レーザ２と受光素子となる多分割光検出器３を実装しているが、受光素子となる多分割光検出器３を実装しない構成で、半導体レーザ２と光源の電流又はパワーの変調装置のみを直接多層セラミック基板５０上で構成する方式でも問題ない。
【０１４９】
また、多分割光検出器３は、図４に示したように、シリコン基板１上に、フォーカス誤差信号受光領域２４，トラッキング誤差信号受光領域２５及び２６、メインビームの光スポット２２，２３が形成される情報信号受光領域２７が一括して形成されるものとして説明を行ったが、受光領域はその全部又は一部が受発光素子モジュール６２の外部に配置される構成としてもよい。例えば、図２（ｃ）に示すように、ホログラム素子７のグレーティングを可変させ、フォーカス誤差信号検出用の光スポットの焦点３０，３１をシリコン基板１上からずらす。このとき、各光スポットと一致する受光領域は、受発光素子モジュール６２が実装される光学台１９内に設ける。
【０１５０】
又、多分割光検出器３のそれぞれの受光面は入射光を電流に変換する方式でもよいし、内蔵アンプを実装し電流をさらに電圧に変換しゲインを持たせるいわゆるＯＥＩＣ構成のどちらでもよいことはいうまでもない。このときは内蔵アンプが本発明の増幅器に対応することになる。
【０１５１】
さらに、実施の形態１では、高周波重畳発生回路５６又は半導体レーザ駆動回路４４を多層セラミック基板５０上に実装する構成としたが、高周波重畳発生回路５６及び半導体レーザ駆動回路４４のどちらか一方のみ実装する構成、又はどちらも実装されていない構成としてもよい。
【０１５２】
又、実施の形態１では半導体レーザ２及び多分割光検出器３のどちらか一方が多層セラミック基板５０上に実装されている構成でもよい。
【０１５３】
又、実施の形態１では、多層セラミック基板５０の両面に設けられたパッド５５ａ、５５ｂを介して実装され多分割光検出器３、高周波重畳発生回路５６といった実装部品を接続したが、本発明の電極は、図７（ｂ）に示すパッド５５ｃのように、多層セラミック基板５０の側面に設けてもよい。これは多分割光検出器３や高周波重畳発生回路５６の両脇にパッド５５ａ等を設けるスペースがない場合に有効である。
【０１５４】
この場合、多分割光検出器３，高周波重畳発生回路５６は物理的配置、熱的接続は多層セラミック基板５０上で行い、フレキシブル回路３５への電気的接続は、ワイヤーボンディング等により多層セラミック基板５０の側面電極及び層内の信号配線を介して行われることとなる。
【０１５５】
又、実施の形態１では、多分割光検出器３、高周波重畳発生回路５６といった実装部品は、多層セラミック基板５０の両面に設けられたパッド５５ａ、５５ｂを介して実装し、図６（ｂ）に示すようにパッド５５ａとワイヤーボンディング６０の周囲は外気に対して露出しているものとしたが、パッド５５ａとワイヤーボンディング６０の酸化等を防ぐため、接続部分は樹脂、シリコンゴム又は接着剤からなる封止材によって封止してもよい。さらに、封止材を効率よくパッド５５ａの周囲に滞留させるため、多層セラミック基板５０の表面には、パッド５５ａの配置される部分に段差を設けた構成としてもよい。これにより、パッド５５ａは段差内に配置されることとなり、ワイヤーボンディング６０による接続後、封止材によって封止されやすくなる。
【０１５６】
又、実施の形態１では、受発光素子モジュール６２において、多分割光検出器３、高周波重畳発生回路５６といった実装部品は図６（ａ）（ｂ）に示すように、多層セラミック基板５０の両面上に配置され、受発光素子モジュール６２は図１（ａ）に示すように、光学台１９内に載置されるものとしたが、このとき、各実装部品の配置の位置決めや、光学台１９との仮止め、安定保持を目的として、多層セラミック基板５０の表面や側面に切り欠き、エッチング等によって、所望の箇所に凹凸を形成するようにしてもよい。
【０１５７】
（実施の形態２）
つぎに実施の形態２について、図１１、図１２及び図１３を参照しながら説明する。ただし図１１は受発光素子モジュール６２とフレキシブル回路３５との配線の状態を示す回路図、図１２（ａ）〜（ｃ）は受発光素子モジュール６２における各部品の実装状態を示す３面図、図１３（ａ）（ｂ）は受発光素子モジュール６２における各部品の実装状態を示す斜視図である。
【０１５８】
本実施の形態が実施の形態１と相違する点は、受発光素子モジュール６２は、多層セラミック基板５０上に、静電気対策フィルター６１、高周波フィルター６４、ノイズ低減コンデンサ６５をさらに実装している点である。
【０１５９】
多層セラミック基板５０の表面にコンデンサ及びコイル（抵抗）又はフィルター等の電子部品から構成される静電気対策フィルター６１を実装することにより、静電気の影響で前記半導体レーザ２の２つの電極となるＬＤ２ａ及びＬＤ−ＧＮＤ２ｂに発生する急激な電位差を緩和する静電気緩和機能を有する構成とすることができ、半導体レーザ２の２つの電極が電気的に非導通の場合でも静電気の影響を低減することが可能となり、小型の受発光素子であり、かついっそう静電気に対して信頼性が向上した受発光素子モジュール、光学ヘッドを実現することができる。
【０１６０】
高周波フィルター６４は特定の高周波成分のみを遮断するいわゆるバンドパスフィルター（ビーズ）であり、半導体レーザ２のＬＤライン、ＬＤ−ＧＮＤライン、高周波重畳発生回路５６の電源ラインに漏れ込む高周波重畳発生回路５６からの高周波漏れ込みを低減するもので、バンドパスフィルターの特性を調整することにより数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの不要輻射を大幅に低減することが可能となる。
【０１６１】
またノイズ低減コンデンサ６５は多分割光検出器３の電源ラインに実装するもので、多分割光検出器３の電源に漏れ込むノイズを大幅に低減する事が可能となる。高周波フィルター６４及びノイズ低減コンデンサ６５の実装により、ノイズ及び不要輻射の少ない高性能の光学ヘッド及びディスク記録再生特性を実現することができる。
【０１６２】
実施の形態１及び２では、多層セラミック基板５０は、表面にコンデンサ、抵抗又はフィルター等の機能を有した電子部品を備えた構成としている。この構成により、よりいっそうの高集積化が可能となり、小型の光学ヘッド及びディスク記録再生装置を実現することが可能となる。
【０１６３】
なお、上記の構成において、静電気対策フィルター６１は本発明の第１の受動素子、高周波フィルター６４は本発明の第２の受動素子、ノイズ低減コンデンサ６５は本発明の第３の受動素子に相当する。
【０１６４】
又、静電気対策フィルター６１、高周波フィルター６４，ノイズ低減コンデンサ６５の実装位置は、図１２（ａ）〜（ｃ）、図１３（ｃ）に示す例に限定されるものではない。図１１に示す接続を満たす限り、多層セラミック基板５０の両面の任意の箇所に設けてもよい。又、静電気対策フィルター６１、高周波フィルター６４，ノイズ低減コンデンサ６５の全てを実装しなくともよい。少なくとも一つを設けた構成としてもよい。
【０１６５】
（実施の形態３）
つぎに実施の形態３について、図１４、図１５を参照しながら説明する。ただし図１４（ａ）（ｂ）は受発光素子モジュール６２とフレキシブル回路３５との配線の状態を示す回路図、図１５（ａ）（ｂ）は受発光素子モジュール６２における各部品の実装状態を示す斜視図である。
【０１６６】
本実施の形態が実施の形態１と相違する点は、レーザモニタ用受光素子６３及びゲイン調整機構６６を受発光素子モジュール６２にさらに実装した点である。レーザモニタ用受光素子６３は、多分割光検出器３の一部としてシリコン基板１上に実装され、半導体レーザ２の出射面とは反対の端面から出射する光量を検出する手段である。又、ゲイン調整機構６６は、多層セラミック基板５０上に直接実装され、外部からの操作により電流量又は電圧量のゲインを調整する。この構成により、光学ヘッドをより一層小型にすることが可能となり、ディスク記録再生装置のより一層の小型薄型化が可能となる。
【０１６７】
尚、実施の形態３ではレーザモニタ用受光素子６３とゲイン調整機構６６（調整ボリューム等）の両方を受発光素子モジュール６２に実装したが、受発光素子モジュール６２のサイズによりどちらか一方としてもかまわない。又、ゲイン調整機構６６は、多分割光検出器３の一部として、シリコン基板１上に実装する構成としてもよい。
【０１６８】
なお、レーザモニタ受光素子６３は本発明の発光量検出手段に相当し、ゲイン調整機構６６は本発明の調整手段に相当する。
【０１６９】
（実施の形態４）
つぎに実施の形態４について、図１６を参照しながら説明する。ただし図１６（ａ）（ｂ）は受発光素子モジュール６２における各部品の実装状態を示す斜視図である。
【０１７０】
本実施の形態が実施の形態１と相違する点は、図１６（ａ）に示すように、多層セラミック基板５０の半導体レーザ２及びシリコン基板１を実装した面と対向する面となる（放熱パッド５３あるいは多層セラミック基板５０の表面）に銀ペースト、半田又は伝熱性接着剤、超音波溶接又は溶接等により、放熱用であり、かつ一定の熱容量を確保するための金属又はセラミック性の放熱フィン６７をさらに備えている構成とすることである。この構成により一層放熱特性の優れた受発光素子モジュール、光学ヘッドを実現することが可能となる。
【０１７１】
尚、図１６（ａ）に示す構成例では、放熱フィン６７は多層セラミック基板５０の主面上に構成したが、図１６（ｂ）に示すように、半導体レーザ２の任意の面に実装してもよい。又、シリコン基板１上の任意の位置に実装してもよい。又、放熱フィン６７は本発明の第２の放熱体の例であるが、その具体的な形状によって限定されるものではなく、代わりに放熱板の様な金属製の板状部材でもかまわない。また配置によって限定されるものでもなく、多層セラミック基板５０の側面に放熱フィン又は放熱板を構成する方式でもかまわない。
【０１７２】
（実施の形態５）
つぎに実施の形態５について、図１７を参照しながら説明する。ただし図１６（ａ）（ｂ）は受発光素子モジュール６２を搭載した光学ヘッド、及びその近傍の光学的配置を示す図である。
【０１７３】
本実施の形態が、図２（ｂ）に示す実施の形態１と相違する点は、受発光素子モジュール６２とホログラム素子７との間の光路に設けた反射ミラー１６８を備えたことにより、折り返しミラー１５１で反射された光束の光路をさらに反射ミラー１６８により９０度折り曲げた光路構成とし、受発光素子モジュール６２の放熱パッド５３及び放熱フィン６７を光磁気記録媒体１３と対向する面に配置した構成とした点である。この構成により、光磁気記録媒体１３の回転により発生する対流に放熱フィン６７が曝されることとなり、放熱特性が向上し、半導体レーザ２の信頼性を向上させることができる。
【０１７４】
尚、実施の形態５では放熱フィン６７を放熱パッド５３あるいは多層セラミック基板５０上に設けた構成としたが、放熱フィン６７がなく、放熱パッド５３と多層セラミック基板５０により光磁気記録媒体１３からの対流により放熱する構成としてもよい。要するに、光学ヘッド内における、受発光素子モジュール６２の配置が、その基板の裏面（レーザ光の射出する側の反対側）と、光ディスクの情報記録面とが実質的に対向するような配置であればよい。
【０１７５】
（実施の形態６）
つぎに実施の形態６について、図１８を参照しながら説明する。ただし図１８（ａ）（ｂ）は受発光素子モジュール６２における各部品の実装状態を示す斜視図である。
【０１７６】
本実施の形態が実施の形態１と相違する点は、多層セラミック基板５０上に形成した多分割光検出器３において半導体レーザが複数設けられているという点である。図１８（ｂ）において６８は半導体レーザａ（中心波長  ７００〜８００ｎｍ）、６９は半導体レーザｂ（中心波長  約６００ｎｍ〜７００ｎｍ）の２波長の半導体レーザであり、外部からの制御信号に基づき、情報記録媒体の種類に応じて光源を切り換え可能としている。この構成により、ＣＤ及びＤＶＤのように、記録再生に用いるレーザ光の波長が異なる情報記録媒体に対しても、一つの光学ヘッドで記録又は再生可能となるため、小型、薄型かつ低コストのディスク記録再生装置を実現できる。
【０１７７】
なお、実施の形態６では、多層セラミック基板５０の表面に実装する光源は、半導体レーザａ及び半導体レーザｂとしたが、異なる波長（例えば、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ）の光源をさらに実装し３つ以上の光源を実装する構成としても良いし、同じ波長であっても高出力レーザ（記録用）と低出力レーザ（再生用）を実装する構成としてもよい。さらに、半導体レーザａ６８から発光する光源の波長は一つではなく、異なる複数の波長が発光するいわゆるハイブリッド型の半導体レーザの構成であってもよい。
【０１７８】
さらに、光源の種類あるいは記録、再生の状態、情報記録媒体の種類に応じて、光源と、高周波重畳発生回路５６と半導体レーザ駆動回路４４を任意に組み合わす（ソフト的、ハード的、専用ＩＣによりプログラミングで切り替え）構成とすれば、より一層光学ヘッド及びディスク記録再生装置の小型、薄型化が可能となる。
【０１７９】
（実施の形態７）
つぎに実施の形態７について、図１９を参照しながら説明する。ただし図１９は、ただし図１９（ａ）（ｂ）は受発光素子モジュール６２における各部品の実装状態を説明するための斜視図である。
【０１８０】
本実施の形態が実施の形態１と相違する点は、受発光素子モジュール６２上に精度良く集積化した光学素子７０を備えた点である。
【０１８１】
光学素子７０は樹脂、硝子又は透明なセラミックより構成され、反射ミラー７１、ホログラム７２を有している。また複合素子８（ビームスプリッタ８ａ、折り返しミラー８ｂ、偏光分離素子８ｃ）も接着固定されている。さらに光学素子７０は多層セラミック基板５０に精度よく接着固定されている。光学素子７０と受発光素子モジュール６２とを集積化することにより光学ヘッドのより一層の小型、薄型化が可能となり、小型のディスク記録再生装置を実現することができる。
【０１８２】
尚、実施の形態７では反射ミラー７１は光学素子７０にアルミ又は金等の金属膜を蒸着するか誘電体多層膜を蒸着する構成としているが、硝子又は樹脂等で構成された別部材の反射ミラーを接着等で光学素子７０に貼り付ける構成でもよい。
【０１８３】
さらに実施の形態７では、光学素子７０にホログラム７２が構成され、複合素子８が接着された構成としているが、レンズ、波長板、光遮光膜、光吸収膜などの光学機能部品であれば何を実装しても問題ない。ここで、光学素子７０，及び複合素子８他の光学機能部品は、本発明の光学素子に相当する。
【０１８４】
又、多層セラミック基板５０に対物レンズ１１を実装する孔部を設け、対物レンズ１１を多層セラミック基板５０上に接着固定する構成としてもよい。
【０１８５】
尚、受発光素子モジュール６２の製造方法としては、図２０（ａ）に示すように、予め各層内、層間又は表面に、周期的に同一パターンの内部配線を設けてなる多層セラミック体２００を作成し、図２１（ｂ）に示すように、各周期パターンに対応するように、多分割光検出器３等の実装部品及びパッド５５ａ等の電極を設け、ワイヤーボンディング、バンプ等で各部の配線を行う。なお、このときパッド５５ａ等の電気的接続部が実施の形態１にて述べたように、外気に曝されないよう封止する工程を加えてもよい。
【０１８６】
最後に、図２２（ｃ）に示すように、周期パターン毎に多層セラミック体２００を分割して、個別に受発光素子モジュール６２を得ることができる。
【０１８７】
なお、上記の説明においては、多層セラミック体２００は、一列に沿って周期的パターンの内部配線を設けてなるものとして説明を行ったが、小面積で一枚の多層セラミック体２００から切り出せる多層セラミック基板５０の個数を多く取ることができるため、周期的パターンを格子状に沿って形成するようにしてもよい。
【０１８８】
又、上記の各実施の形態においては、受発光素子モジュール６２及びそれを搭載した光学ヘッドを中心に説明を行ったが、本発明は、図２１に示すように、受発光素子モジュール６２を搭載した光学ヘッド３１０を有し、光学ヘッド３１０により情報記録媒体としての光ディスク３２０から情報の記録又は再生を行う記録／再生手段３３０を備えたディスク記録再生装置３００として実現してもよい。なお、記録／再生手段３３０から読み出された信号は、情報処理手段３４０により処理され、インタフェース３５０を介して、外部で利用可能な情報として扱われる。
【産業上の利用可能性】
【０１８９】
本発明は、放熱特性、小型薄型、高信頼性に優れた発光モジュール、光学ヘッド、光ディスク記録再生装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１９０】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの分解斜視図  （ｂ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの構成の部分斜視図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの光路図の概略を示した図  （ｂ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの光路図の概略を示した図  （ｃ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの他の構成例を示した図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの対物レンズ駆動装置の分解斜視図  （ｂ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの斜視図
【図４】本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの多分割光検出器と信号検出回路を示す概略図
【図５】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの構成を示した概略図  （ｂ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの構成を示した概略図  （ｃ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの構成を示した概略図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図（ｂ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図
【図７】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュール及びフレキシブル回路の構成を示した概略図  （ｂ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュール及びフレキシブル回路の構成を示した概略図  （ｃ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュール及びフレキシブル回路の構成を示した概略図
【図８】本発明の実施の形態１に係る受発光素子モジュールとフレキシブル回路との配線状態を示す回路図
【図９】（ａ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュール及びフレキシブル回路の構成を示した概略図  （ｂ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュール及びフレキシブル回路の構成を示した概略図  （ｃ）本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの受発光素子モジュール及びフレキシブル回路の構成を示した概略図
【図１０】本発明の実施の形態１に係る光学ヘッドの記録パワー波形のサンプルを示し概略図
【図１１】本発明の実施の形態２に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールとフレキシブル回路との配線を示した概略図
【図１２】（ａ）本発明の実施の形態２に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの構成を示した概略図  （ｂ）本発明の実施の形態２に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの構成を示した概略図  （ｃ）本発明の実施の形態２に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの構成を示した概略図
【図１３】（ａ）本発明の実施の形態２に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図（ｂ）本発明の実施の形態２に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図
【図１４】（ａ）本発明の実施の形態３に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールとフレキシブル回路３５との配線を示した概略図（ｂ）本発明の実施の形態３に係るレーザモニタ用受光素子及びゲイン調整機構の回路図
【図１５】（ａ）本発明の実施の形態３に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図（ｂ）本発明の実施の形態３に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図
【図１６】（ａ）本発明の実施の形態４に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図（ｂ）本発明の実施の形態４に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図
【図１７】本発明の実施の形態５に係る光学ヘッドの光路図の概略を示した図
【図１８】（ａ）本発明の実施の形態６に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図  （ｂ）本発明の実施の形態６に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図
【図１９】（ａ）本発明の実施の形態７に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図  （ｂ）本発明の実施の形態７に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの斜視図
【図２０】（ａ）本発明の各実施の形態に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの製造工程を示す図  （ｂ）本発明の各実施の形態に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの製造工程を示す図  （ｃ）本発明の各実施の形態に係る光学ヘッドの受発光素子モジュールの製造工程を示す図
【図２１】本発明の実施の形態にかかる光ディスク記録再生装置の構成を示す図
【図２２】（ａ）従来の光学ヘッドの対物レンズ駆動装置の分解斜視図  （ｂ）従来の光学ヘッドの斜視図
【図２３】（ａ）従来の光学ヘッドの光路図の概略を示した図  （ｂ）従来の光学ヘッドの光路図の概略を示した図
【図２４】従来の光学ヘッドの多分割光検出器と信号検出回路を示す概略図
【図２５】従来の光学ヘッドの分解斜視図
【図２６】（ａ）従来の光学ヘッドの分解斜視図  （ｂ）その調整方法を示した図
【図２７】従来の光学ヘッドの配線を示した概略図
【図２８】従来の光学ヘッドの樹脂パッケージ６近傍の模式透視図
【符号の説明】
【０１９１】
１  シリコン基板
２  半導体レーザ
２ａ  ＬＤ端子
２ｂ  ＬＤ−ＧＮＤ端子
３  多分割光検出器
４  放熱プレート
５  端子
６  樹脂パッケージ
７  ホログラム素子（回折格子）
８  複合素子
８ａ  ビームスプリッタ
８ｂ  折り返しミラー
８ｃ  偏光分離素子
９  集積ユニット
１０  反射ミラー
１１  対物レンズ
１２  対物レンズホルダー
１３  光磁気記録媒体
１４  対物レンズ駆動装置
１５  ベース
１６  サスペンション
１７ａ  マグネット
１７ｂ  カバー
１８ａ  フォーカスコイル
１８ｂ  トラッキングコイル
１９  光学台
２０  フォーカス誤差信号検出用の光スポット
２１  トラッキング誤差信号検出用の光スポット
２２  メインビーム（Ｐ偏光）の光スポット
２３  メインビーム（Ｓ偏光）の光スポット
２４  フォーカス誤差信号受光領域
２５，２６  トラッキング誤差信号受光領域
２７  情報信号受光領域
２８  減算器
２９  加算器
３０，３１  光スポットの焦点
３２  光スポット
３３  カバー
３４  接着剤
３５  フレキシブル回路
３６  高周波重畳素子
４４  半導体レーザ駆動回路
４５  位置決め孔
４６  折り返しミラー
５０  多層セラミック基板
５０ａ  セラミック基板
５１  導電層
５２  伝熱パッド
５３  放熱パッド
５４  ビアホール
５５ａ  パッド
５５ｂ  パッド
５６  高周波重畳発生回路
５７  半田
５８  銀ペースト
５９  出力端子
６０  ワイヤーボンディング
６１  静電気対策フィルター
６２  受発光素子モジュール
６３  レーザモニタ用受光素子
６４  高周波フィルター
６５  ノイズ低減コンデンサ
６６  ゲイン調整機構
６７  放熱フィン
６８  半導体レーザａ
６９  半導体レーザｂ
７０  光学素子
７１  反射ミラー
７２  ホログラム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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