(57)【要約】      （修正有）【課題】フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置において、実装の信頼性を向上することができる半導体装置を提供する。【解決手段】有機材料系基板１１と、この一方の面のほぼ中央にフリップチップ接続された半導体チップ１２と、半導体チップ１２と有機材料系基板との隙間を充填して設けられた樹脂１５と、有機材料系基板１１を挟んで半導体チップ１２に対向する有機材料系基板１１の他方の面に設けられ、半導体チップ１２とほぼ同じ主面面積を有するチップ部材２０とを具備する。または、半導体チップ１２のフリップチップ接続の面とは反対側の面に固定されたリッド部材と、リッド部材の有機材料系基板１１に固定される部位の付近から延設され、有機材料系基板１１の厚み方向にその厚みを超えるように突起して設けられた基板支持部材１１ｄとを具備する。基板支持部材１１ｄは、有機材料系基板に直接設けられてもよい。【選択図】図１
2006319266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料系基板と、
前記有機材料系基板の一方の面のほぼ中央にフリップチップ接続された半導体チップと、
前記フリップチップ接続された半導体チップと前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた樹脂と、
前記有機材料系基板を挟んで前記フリップチップされた半導体チップに対向する前記有機材料系基板の他方の面に設けられ、該半導体チップとほぼ同じ主面面積を有するチップ部材と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
有機材料系基板と、
前記有機材料系基板の一方の面のほぼ中央にフリップチップ接続された半導体チップと、
前記フリップチップ接続された半導体チップと前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた樹脂と、
前記有機材料系基板の前記半導体チップがフリップチップ接続された面の、該半導体チップが位置する領域の外側周縁領域に固定され、かつ、前記フリップチップ接続された半導体チップの該フリップチップ接続の面とは反対側の面にも固定されたリッド部材と、
前記リッド部材の前記有機材料系基板に固定される部位の付近から延設され、前記有機材料系基板の厚み方向にその厚みを超えるように突起して設けられた基板支持部材と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
有機材料系基板と、
前記有機材料系基板の一方の面のほぼ中央にフリップチップ接続された半導体チップと、
前記フリップチップ接続された半導体チップと前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた樹脂と、
前記有機材料系基板の前記半導体チップがフリップチップ接続された面の、該半導体チップが位置する領域の外側周縁領域に固定され、かつ、前記フリップチップ接続された半導体チップの該フリップチップ接続の面とは反対側の面にも固定されたリッド部材と、
前記有機材料系基板の前記半導体チップがフリップチップ接続された面とは反対の側の面に突起して設けられた基板支持部材と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記有機材料系基板を挟んで前記フリップチップされた半導体チップに対向する前記有機材料系基板の他方の面に設けられ、該半導体チップとほぼ同じ主面面積を有するチップ部材さらに具備することを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置
【請求項５】
前記チップ部材と前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた第２の樹脂をさらに具備することを特徴とする請求項１または４記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを有する半導体装置に係り、特に、フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（半導体パッケージ）における構造の複雑化および高性能化が進むにつれ、パッケージの反りや、パッケージの重みによる半田ボール接続部の接続時の変形などによって接続部の信頼性が低下する現象が見逃せなくなっている。フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置には、半導体チップが接続された樹脂基板面と反対側の面に、別の配線基板に接続するための外部接続端子が設けられているタイプのものがある。外部接続端子には半田ボールが伴われ、この半田ボールを介して別の配線基板に半導体装置が実装・接続される。
【０００３】
このようなタイプの半導体装置では、一般に、パッケージとしてのコーナー部、または半導体チップの接続位置の真裏において、外部接続端子の半田ボールでの応力が大きくなる。パッケージとしてのコーナー部で大きくなるのは、中心からの距離が大きくその分ひずみ（一般に縦方向および横方向のひずみ）が大きくなるからである。半導体チップの真裏で大きくなるのは、樹脂基板と半導体チップとでは熱膨張係数の違いが大きく、パッケージ側の樹脂基板のみ半導体チップの小さな変形に規制され、別の配線基板は規制されないところ、これらの基板に挟まれて位置するためと考えられる。
【０００４】
パッケージの重みによる半田ボール接続部の接続時の変形は、例えばパッケージと一体に大型のヒートシンクが設けられた場合などに生じやすい。このような重みによる半田ボールの変形は、その縦方向の寸法が小さくなるように生じるので、せん断方向の応力が発生するとその分単位長さ当たりのひずみが大きくなり信頼性に影響する。なお、本願の内容と直接関係するものではないが、類似する半導体装置の構造として、下記特許文献１、２に開示のものがある。
【特許文献１】特開２００１−３５９６０号公報（図４）
【特許文献２】特開２００１−１５６２４６号公報（図１６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の事情を考慮してなされたもので、フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置において、実装の信頼性を向上することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体装置は、有機材料系基板と、前記有機材料系基板の一方の面のほぼ中央にフリップチップ接続された半導体チップと、前記フリップチップ接続された半導体チップと前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた樹脂と、前記有機材料系基板を挟んで前記フリップチップされた半導体チップに対向する前記有機材料系基板の他方の面に設けられ、該半導体チップとほぼ同じ主面面積を有するチップ部材とを具備することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置は、有機材料系基板と、前記有機材料系基板の一方の面のほぼ中央にフリップチップ接続された半導体チップと、前記フリップチップ接続された半導体チップと前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた樹脂と、前記有機材料系基板の前記半導体チップがフリップチップ接続された面の、該半導体チップが位置する領域の外側周縁領域に固定され、かつ、前記フリップチップ接続された半導体チップの該フリップチップ接続の面とは反対側の面にも固定されたリッド部材と、前記リッド部材の前記有機材料系基板に固定される部位の付近から延設され、前記有機材料系基板の厚み方向にその厚みを超えるように突起して設けられた基板支持部材とを具備することを特徴とする。
【０００８】
また、本発明のさらに別の態様に係る半導体装置は、有機材料系基板と、前記有機材料系基板の一方の面のほぼ中央にフリップチップ接続された半導体チップと、前記フリップチップ接続された半導体チップと前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた樹脂と、前記有機材料系基板の前記半導体チップがフリップチップ接続された面の、該半導体チップが位置する領域の外側周縁領域に固定され、かつ、前記フリップチップ接続された半導体チップの該フリップチップ接続の面とは反対側の面にも固定されたリッド部材と、前記有機材料系基板の前記半導体チップがフリップチップ接続された面とは反対の側の面に突起して設けられた基板支持部材とを具備することを特徴とする
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、フリップチップ接続された半導体チップを有する半導体装置において、実装の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の一態様に係る半導体装置によれば、有機材料系基板の対向する両面それぞれにほぼ同面積の半導体チップとチップ部材とが設けられている。このような構造によれば、半導体チップと有機材料系基板の熱膨張係数が大きく異なることによる有機材料系基板の反りを、反対側に設けられたチップ部材が相殺する。よって、有機材料系基板の反りが低減され、有機材料系基板が実装される基板との接続部における応力発生を効果的に減ずることができる。よって、実装の信頼性を向上することができる。
【００１１】
ここで実施態様として、前記有機材料系基板の前記半導体チップがフリップチップ接続された面の、該半導体チップが位置する領域の外側周縁領域に固定され、かつ、前記フリップチップ接続された半導体チップの該フリップチップ接続の面とは反対側の面にも固定されたリッド部材をさらに具備する、としてもよい。リッド部材により有機材料系基板の反りを低減できる。
【００１２】
またここで、前記リッド部材の前記有機材料系基板に固定される部位の付近から延設され、前記有機材料系基板の厚み方向にその厚みを超えるように突起して設けられた基板支持部材をさらに具備する、とすることもできる。
【００１３】
また、本発明の別の態様に係る半導体装置によれば、リッド部材の有機材料系基板に固定される部位の付近から延設されて、有機材料系基板の厚み方向にその厚みを超えるように突起して基板支持部材が設けられる。また、本発明のさらに別の態様に係る半導体装置によれば、有機材料系基板の半導体チップがフリップチップ接続された面とは反対の側の面に突起して基板支持部材が設けられる。これらの支持部材により、有機材料系基板を別の基板に接続するときにスタンドオフを確保することができる。よって、実装時に、接続部材である例えば半田ボールの縦方向の変形が低減され、実装の信頼性を向上することができる。
【００１４】
ここで実施態様として、前記有機材料系基板を挟んで前記フリップチップされた半導体チップに対向する前記有機材料系基板の他方の面に設けられ、該半導体チップとほぼ同じ主面面積を有するチップ部材さらに具備する、としてもよい。上記一態様の場合の信頼性向上をも得ることができる。
【００１５】
また、実施態様として、前記有機材料系基板の前記チップ部材が設けられた側の面の、該チップ部材が位置する領域の外側周縁領域に設けられた外部接続端子をさらに具備し、該外部接続端子が半田ボールを伴っている、とすることができる。外部接続端子がＢＧＡ（ball grid array）パッケージとしての端子の場合である。
【００１６】
また、実施態様として、前記チップ部材が、半導体基板と、該半導体基板上に作り込まれた複数のキャパシタ素子とを有し、該複数のキャパシタ素子がそれぞれ前記有機材料系基板に電気的接続されている、とすることができる。チップ部材が、特に半導体基板を有するキャパシタ素子になっている態様である。半導体基板であることは、有機材料系基板を挟んで反対側にフリップチップ接続された半導体チップと材料が同じであることが利点になる。これらの熱膨張係数が同じであり、よって有機材料系基板の反りなどの変形を効果的に低減できる。また、キャパシタ素子を有することによって、半導体パッケージとしてもともと必要なバイパスコンデンサなどとしてのキャパシタ素子を提供することができる。
【００１７】
また、実施態様として、前記チップ部材と前記有機材料系基板との隙間を充填して設けられた第２の樹脂をさらに具備する、としてもよい。有機材料系基板を挟んで反対側にフリップチップ接続された半導体チップと有機材料系基板の間には樹脂が設けられていることから、これと同様な構造を反対の面の側にも用意するものである。これにより有機材料系基板両面からの変形規制がより平衡し、さらに有機材料系基板の変形が低減する。
【００１８】
また、実施態様として、前記有機材料系基板が、前記基板支持部材からの逃げに切り欠きまたは貫通孔を有する形状である、とすることができる。このような逃げを有機材料系基板に設けることで半導体装置全体としての大きさが増大しない。実装の面積効率が問題となるアプリケーションでは有用である。
【００１９】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図（図１（ａ））および下平面図（図１（ｂ））である。図１に示すように、この半導体装置は、有機材料系基板としての樹脂基板１１、半導体チップ１２、接続バンプ１３、アンダーフィル樹脂１４、樹脂１５、スティフナー１６、樹脂１７、カバープレート１８、樹脂１９、チップ部材２０、接続バンプ２１、半田ボール２２を有する。図１（ａ）は、半導体装置として実装配線基板３０に半田ボール２２を介して実装・接続された状態を示す。なお、図１は、模式的な図示であり、半田ボール２２の数や接続バンプ１３の数などは現実には図示より大幅に多い。これは、順次述べる別の各実施形態でも同様である。
【００２０】
樹脂基板１１は、例えばガラスエポキシ樹脂のような有機系の材料からなる絶縁板を有する配線基板である。例えば６層（それ以上でもよい）の配線層（不図示）を有し、その最上層のものは接続バンプ１３と接続されるランド（不図示）をパターンとして含み、その最下層のものは接続バンプ２１および半田ボール２２と接続されるランド（不図示）をパターンとして含んでいる。各配線層のパターンは、必要な部位で縦方向の導電体（不図示）により縦方向に電気的導通している。樹脂基板１１として厚さは例えば１ｍｍ程度以上、一辺の長さは例えば２８ｍｍ程度以上、５０ｍｍ程度以下である。
【００２１】
半導体チップ１２は、樹脂基板１１の片面ほぼ中央に接続バンプ１３を介してフリップチップ接続されている。また、半導体チップ１２と樹脂基板１１との隙間には、信頼性向上のため例えば熱硬化性のアンダーフィル樹脂１４が充填されている。
【００２２】
また、樹脂基板１１の、半導体チップ１２の位置する領域の外側周縁領域には、例えば熱硬化性の樹脂１５を介してスティフナー１６が半導体チップ１２を取り囲むように設けられている。この取り囲みの態様は、全周とする場合、周の一部が欠ける場合の両者あり得る。スティフナー１６は、半導体装置として全体を補強する部材である。例えばアルミニウムや銅などの金属からなり、その厚さは例えば０．５ｍｍ程度である。
【００２３】
また、スティフナー１６および半導体チップ１２に、例えば熱硬化性の樹脂１７または同性質の樹脂１９を介して固定されるように、１枚構造のカバープレート１８が設けられている。カバープレート１８は、半導体装置としての機械的補強および放熱の目的で設けられるものである。その材質は例えばアルミニウムや銅などとすることができ、厚さは例えば１ｍｍ程度以上である。スティフナー１６、カバープレート１８、（および樹脂１７）は、半導体チップ１２を内部に封入するためのリッド部材としても機能する。
【００２４】
また、フリップチップ接続された半導体チップ１２の、樹脂基板１１を介した反対側の面には、半導体チップ１２とほぼ同じ主面面積を有するチップ部材２０がやはりフリップチップ接続されている。このフリップチップ接続は、接続バンプ２１を介してなされている。チップ部材２０は、その電気的特性として特に限定されるものではないが、ここでは、半導体基板を有しその基板上にキャパシタ素子が数多く作り込まれたものを用いる。このキャパシタ素子は、接続バンプ２１を介して樹脂基板１１側の配線パターンと導通することにより例えばバイパスコンデンサとして機能させることができる。
【００２５】
さらに、樹脂基板１１の、チップ部材１２の位置する領域の外側周縁領域には、半田ボール２２が取り付けられている（すなわちＢＧＡパッケージ）。この取り付けは、樹脂基板１１の最下の配線層（不図示）によるランド（＝外部接続端子）に対してなされている。半田ボール２２を介して実装配線基板３０に実装することで接続信頼性向上が意図されている。
【００２６】
以上のような構成の半導体装置では、樹脂基板１１と半導体チップ１２との接続は信頼性を確保するため一般的に強固である。ここで樹脂基板１１の材料と半導体チップ１２の材料とは熱膨張係数が大きく異なる（例えば１桁程度異なる）。このため、チップ部材２０が配設されない場合は、樹脂基板１１はその中央付近では片面からのみ変形が規制され外側周縁領域では規制されないなどの影響で樹脂基板１１に生じる変形が複雑である。この実施形態では、樹脂基板１１を挟んで半導体チップ１２と反対の面にチップ部材２０を有するので、樹脂基板１１は、その両側の面から変形が規制されることになりそれらの規制力はほぼ平衡する。このため、樹脂基板１１に発生する変形はより小さい。したがって、実装配線基板３０との接続の半田ボール２２に発生する応力もより小さく、接続の信頼性が向上している。
【００２７】
図２は、図１に示した実施形態の半導体装置に用いた樹脂基板１１の反り量を改善前のものと比較して示すグラフである。この結果は、中心からの距離を変数にシミュレーションを行って樹脂基板１１に発生する反りの量を求めたものである。図２に示すように、チップ部材２０のない場合に比較して、チップ部材２０を設けると中心に近い部分で反り量が大きく減少することがわかった。また、図２に示す各条件における半田ボール２２に発生する最大ひずみは、チップ部材２０なしのとき２．６５×１０−２であり、チップ部材２０ありのとき１．４５×１０−２（０．５５倍）となることも同様の解析からわかった。したがって、図１に示した半導体装置と実装配線基板３０との接続信頼性は従来に比較して向上している。
【００２８】
なお、上記の説明では、チップ部材２０として、半導体基板上にキャパシタ素子が作り込まれたものとしたが、理想性では劣るものの別のものに代えることが可能である。例えば、セラミックス基板上にキャパシタ素子が作り込まれたものとするなどである。セラミックス基板でも一般的に有機材料系の基板より熱膨張係数は非常に小さく同様な効果が期待できる。また、キャパシタ素子が作り込まれたものではなく、単なるダミーの電極を有するものでも、樹脂基板１１の反り量を低減させる効果は変わらない。キャパシタ素子が作り込まれていると、半導体装置としてもともと必要な場合が多いバイパスコンデンサとして機能させられる利点がある。これらは以下の実施形態でも同様である。
【００２９】
次に、本発明の別の実施形態に係る半導体装置について図３を参照して説明する。図３は、本発明の別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。図３において、図１中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３０】
この実施形態では、図１におけるスティフナー１６、樹脂１７、およびカバープレート１８に代えてリッド部材として、トレイ形状のリッド２３を設ける。リッド２３は、樹脂１５Ａを介して樹脂基板１１の、半導体チップ１２の位置する領域の外側周縁領域に固定される。リッド２３の機能は、図１におけるスティフナー１６、樹脂１７、およびカバープレート１８からなる部分と同様である。リッド２３の材質は例えばアルミニウムや銅などとすることができる。
【００３１】
この実施形態においても、樹脂基板１１を挟んで半導体チップ１２と反対の面にチップ部材２０を有するので、樹脂基板１１は、その両側の面から変形が規制されることになりそれらの規制力はほぼ平衡する。このため、樹脂基板１１に発生する変形はより小さい。したがって、実装配線基板３０との接続の半田ボール２２に発生する応力もより小さく接続の信頼性が向上している。また、半導体装置として組み上げるための工程数が図１に示したものより少ないという利点がある。
【００３２】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置について図４を参照して説明する。図４は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図である。図４において、すでに示した図中の構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３３】
この実施形態の半導体装置は、上記の各実施形態とは別の観点から実装配線基板３０への実装の信頼性を向上するものである。図４に示すように、この実施形態ではチップ部材２０がなく、その代わりに例えばチップコンデンサ４０が表面実装されている。リッド２３Ａは、樹脂基板１１Ａの四隅が切り欠けている部位（切り欠き１１ａ）で樹脂基板１１Ａの厚み方向にその厚みを超えて実装配線基板３０に達するまでの突起（基板支持部材２３ａ）を有している。リッド２３Ａの樹脂基板１１Ａへの固定には図３に示した実施形態と同様に樹脂１５Ａが用いられる。
【００３４】
このような基板支持部材２３ａを有するリッド２３Ａによれば、この半導体装置が実装配線基板３０に実装されるときに、この半導体装置の重みによって半田ボール２２が縦方向につぶれる変形を防止することができる。縦方向につぶれるとせん断方向の応力の発生が単位長さ当たりで増加し、接続信頼性を劣化させる。この実施態様では、基板支持部材２３ａにより、この半導体装置を実装配線基板３０に接続するときスタンドオフを確保することができる。これにより、半田ボール２２の縦方向の変形が低減され、信頼性が向上する。なお、この実施形態で、チップコンデンサ４０は接続信頼性向上に特に関係はなく、その実装領域は半田ボール２２による接続部に代えることも可能である。
【００３５】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置について図５を参照して説明する。図５は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の樹脂基板部分の構成を模式的に示す下平面図である。図５において、すでに示した図中の構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３６】
この実施形態の半導体装置は、断面図として図４に示したものと同じである。図４に示した実施形態との違いは、樹脂基板１１Ｂの四隅の切り欠き１１ｂが１辺ではなく２辺からなる切り欠きとなっていることである。樹脂基板１１Ｂのこのような形状でも図４に示した実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３７】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置について図６を参照して説明する。図６は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図である。図６において、すでに示した図中の構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３８】
この実施形態の半導体装置は、樹脂基板１１Ｃの四隅に切り欠きではなく貫通孔１１ｃを有する。これに伴い、貫通孔１１ｃを貫通できる基板支持部材２３ｂを有するリッド２３Ｂがリッド部材として設けられる。樹脂基板１１Ｃのこのような形状でも図４、図５に示した実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３９】
以上の図４ないし図６に示した実施形態では、樹脂基板１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃが切り欠き１１ａ、１１ｂ、または貫通孔１１ｃを有することで、基板支持部材２３ａ、２３ｂが、平面図形として樹脂基板１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃのもともとの４辺の外側にはみ出さない。したがって、実装の面積効率が問題となるアプリケーションでは特に有用である。面積効率が問題とならなければ、切り欠き１１ａ、１１ｂや貫通孔１１ｃのない樹脂基板１１の外側にはみ出すように、リッド部材に基板支持部材を設けてもよい。
【００４０】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置について図７を参照して説明する。図７は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図である。図７において、すでに示した図中の構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４１】
この実施形態の半導体装置は、基板支持部材１１ｄがリッド部材２３に設けられるのではなく、樹脂基板１１Ｄの半田ボール２２が存在する面の四隅近辺に直接突起して設けられている。このような基板支持部材１１ｄを有する樹脂基板１１Ｄによっても、この半導体装置が実装配線基板３０に実装されるときに、この半導体装置の重みによって半田ボール２２が縦方向につぶれる変形を防止することができる。すなわち、基板支持部材１１ｄにより、この半導体装置を実装配線基板３０に接続するときスタンドオフを確保することができる。これにより、半田ボール２２の縦方向の変形が低減され、信頼性が向上する。
【００４２】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置について図８を参照して説明する。図８は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図である。図８において、すでに示した図中の構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４３】
この実施形態は、図３に示したようなチップ部材２０を設けることによる信頼性の向上と、図６に示したような基板支持部材２３ｂを設けることによる信頼性の向上とを両者とも採用した形態である。この場合、図６に示した形態に代えて図４、図５、図７に示した形態を採用することも可能である。また、実装の面積効率が問題とならなければ、切り欠き１１ａ、１１ｂや貫通孔１１ｃのない樹脂基板１１の外側にはみ出すように、リッド部材に基板支持部材を設けてもよい。
【００４４】
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置について図９を参照して説明する。図９は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。図９において、すでに示した図中の構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４５】
この実施形態は、チップ部材２０と樹脂基板１１Ａとの隙間を充填するように例えば熱硬化性のアンダーフィル樹脂７０を設けたものである。このようなアンダーフィル樹脂７０を設けることで、樹脂基板１１Ａを挟んだ反対側の半導体チップ１２の実装の態様とチップ部材２０の実装態様とが構造的に同じになる。これにより、樹脂基板１１Ａの変形を規制する作用などがより揃うことになるので、樹脂基板１１Ａに発生する変形をさらに小さくできる。よって、実装配線基板３０への接続信頼性がなお向上する。このようなアンダーフィル樹脂７０の付加による信頼性向上は、図１、図３、図８に示した実施形態でも同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図および下平面図。
【図２】図１に示した実施形態の半導体装置に用いた樹脂基板の反り量を改善前のものと比較して示すグラフ。
【図３】本発明の別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【図４】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図。
【図５】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の樹脂基板部分の構成を模式的に示す下平面図。
【図６】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図。
【図７】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図。
【図８】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図およびその樹脂基板部分の下平面図。
【図９】本発明のさらに別の実施形態に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００４７】
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ…樹脂基板（有機材料系基板）、１１ａ，１１ｂ…切り欠き、１１ｃ…貫通孔、１１ｄ…基板支持部材、１２…半導体チップ、１３…接続バンプ、１４…アンダーフィル樹脂、１５，１５Ａ…樹脂、１６…スティフナー、１７…樹脂、１８…カバープレート、１９…樹脂、２０…チップ部材（半導体基板）、２１…接続バンプ、２２…半田ボール、２３，２３Ａ，２３Ｂ…リッド、２３ａ，２３ｂ…基板支持部材、３０…実装配線基板、４０…チップコンデンサ、７０…アンダーフィル樹脂。
【図１】
2006319266.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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