(57)【要約】【課題】接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線を提供する。【解決手段】Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、必要に応じてＢｅ：１〜１０ｐｐｍを含有し、必要に応じてＢａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕの内の１種または２種以上を合計で５〜１９ｐｐｍを含有し、さらに必要に応じてＡｇ：１〜１０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するバンディングワイヤ用金合金線であって、そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、Ｅ≧７５ＧＰａ、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、３％＜ＥＬ≦１０％の条件を満たす。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、
そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、
Ｅ≧７５ＧＰａ、
（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、
３％＜ＥＬ≦１０％、
の条件を満たすことを特徴とする接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線。
【請求項２】
Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、さらにＢａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕの内の１種または２種以上を合計で５〜１９ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、
そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、
Ｅ≧７５ＧＰａ、
（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、
３％＜ＥＬ≦１０％、
の条件を満たすことを特徴とする接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線。
【請求項３】
Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｂｅ：１〜１０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、
そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、
Ｅ≧７５ＧＰａ、
（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、
３％＜ＥＬ≦１０％、
の条件を満たすことを特徴とする接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線。
【請求項４】
Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｂｅ：１〜１０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、さらにＢａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕの内の１種または２種以上を合計で５〜１９ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、
そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、
Ｅ≧７５ＧＰａ、
（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、
３％＜ＥＬ≦１０％、
の条件を満たすことを特徴とする接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線。
【請求項５】
前記ボンディングワイヤ用金合金線は、さらにＡｇ：０．５〜１０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする請求項１、２、３または４記載の接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線。
【発明の詳細な説明】
【利用分野】
【０００１】
この発明は、トランジスタ、ＬＳＩ、ＩＣなど半導体素子のチップ電極と外部リード部とを接続するために用いる接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、トランジスタ、ＬＳＩ、ＩＣなど半導体素子のチップ電極と外部リード部とを接続するためのボンディングワイヤとして、高純度金にＣａ、Ｂｅ、Ｅｕ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔなどを含有した組成のボンディングワイヤ用金合金線が用いられていることは知られている。例えば、特許文献１には、０．００１質量％未満の不可避不純物を含む純度：９９．９９９質量％以上の高純度金にＣａ：０．０００１〜０．００３質量％、Ｂｅ：０．０００１〜０．００１質量％、Ｅｕ：０．０００１〜０．００４質量％、Ｎｂ：０．０００１〜０．００３質量％を含有せしめ、かつこれらの合計添加量が０．００１３〜０．０１質量％である金合金線からなるボンディングワイヤが記載されており、さらに特許文献２には、金純度が９９．９質量％以上であり、Ｃａを１〜１００質量ｐｐｍ、さらに必要に応じてＭｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｅｕ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔの内の少なくとも１種を１〜１００質量ｐｐｍ含有し、さらに必要に応じてＢｅを１〜２０質量ｐｐｍ含有し、引張強さ：３３．０ｋｇ／ｍｍ２以上、伸び率：１〜３％を有するウェッジボンディング用金合金線が記載されている。
【特許文献１】特開平６―３３１６８号公報
【特許文献２】特開平１０―９８０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、半導体素子の集積化が進むことにより、半導体素子のＡｌパッド面積が小さくなり、耐熱性の低い基板をするようになったため、従来よりも低温かつ小さい接合面積で良好な接合を得ることが求められている。
さらに半導体素子の集積化が進むことにより、半導体素子のチップ電極の間隔が狭まり、そのためにワイヤ間隔が狭くなることから、半導体ボンディングワイヤとして使用される金合金線の線径を益々細くすることが求められている。
また、その一方で、半導体素子のチップ電極と外部リード部とを接合したワイヤのループ部の長さ（以下、ループ長さという）が長くなるとともに平行してボンディングされた隣のループとの間隔が狭くなっている。
かかる現状に対応すべく、ボンディングワイヤとして使用する金合金線の線径を益々細くすると、巻き取られた金合金線をスプールから取り出したときに金合金線にカールや蛇行（屈曲や曲がり）が発生し易くなり、このカールや蛇行（屈曲や曲がり）が存在する金合金線を使用してボンディングを行うと、隣のボンディングワイヤが接触してショートするために半導体チップの不良品が発生し、歩留が低下する。特に金合金からなるボンディングワイヤの線径が２０μｍ未満になると、スプールから繰り出された直後のワイヤにカールや蛇行（屈曲や曲がり）が発生し易くなる。スプールから繰り出された直後のワイヤにカールや蛇行（屈曲や曲がり）が発生せずかつボンディングして形成されたループが隣のループと接触しない性質をボンディングワイヤの直進性というが、この直進性が不足すると、隣のループと接触し、ショートするために半導体装置の不良品が発生し歩留が低下する。
【０００４】
さらに、ワイヤをボンディングしてループを形成した後、樹脂でモールディングするが、その際にボンディングワイヤが樹脂により流されると、隣のループと接触し、ショートするために半導体装置の不良品が発生し歩留が低下する。この樹脂流れについても従来のボンディングワイヤ用金合金線の線径が２５μｍや３０μｍの場合は問題となることが少なかった。しかしながら、半導体素子の高集積化が進むにつれて、半導体素子のチップ電極の間隔が狭まくなり、それらに対応するためにワイヤの線径を細くしてボンディングを行うが、線径が２０μｍ未満になると樹脂のモールディング時にループが流されやすくなる。したがって、線径の細いワイヤであっても樹脂流れが発生し難い特性（以下、この特性を耐樹脂流れ性という）を有することが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明者らは、接合性、直進性に優れかつボンディングワイヤが樹脂により流されない性質（以下、この性質を耐樹脂流れ性という）に優れたボンディングワイヤ用金合金線を開発すべく研究を行った結果、
（イ）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する金合金線、
（ロ）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、さらにＢａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕの内の１種または２種以上を合計で５〜１９ｐｐｍ含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する金合金線、
（ハ）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｂｅ：１〜１０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する金合金線、
（ニ）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｂｅ：１〜１０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、さらにＢａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕの内の１種または２種以上を合計で５〜１９ｐｐｍ含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する金合金線、
（ホ）前記（イ）〜（ニ）記載の金合金線に、さらにＡｇ：１〜１０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する金合金線において、
その金合金線の０．２％耐力、ヤング率、伸び率が接合性、直進性および耐樹脂流れ性に影響を及ぼし、これらを規定することにより接合性、直進性および耐樹脂流れ性が一層向上し、これら特定の成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、Ｅ≧７５ＧＰａ、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、３％＜ＥＬ≦１０％の条件を満たすことによりボンディングワイヤ用金合金線は接合性、直進性および耐樹脂流れ性が一層向上する、という研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、Ｅ≧７５ＧＰａ、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、３％＜ＥＬ≦１０％の条件を満たす接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線、
（２）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、さらにＢａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕの内の１種または２種以上を合計で５〜１９ｐｐｍ含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、Ｅ≧７５ＧＰａ、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、３％＜ＥＬ≦１０％の条件を満たす接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線、
（３）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｂｅ：１〜１０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、Ｅ≧７５ＧＰａ、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、３％＜ＥＬ≦１０％の条件を満たす接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線、
（４）Ｃａ：４０〜８０ｐｐｍ、Ｂｅ：１〜１０ｐｐｍ、Ｅｕ：５〜４０ｐｐｍを含有し、さらにＢａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕの内の１種または２種以上を合計で５〜１９ｐｐｍ含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線であって、そのボンディングワイヤ用金合金線の０．２％耐力をσ０．２、ヤング率をＥ、伸び率をＥＬとすると、Ｅ≧７５ＧＰａ、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３、３％＜ＥＬ≦１０％の条件を満たす接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線、
（５）前記ボンディングワイヤ用金合金線は、さらにＡｇ：１〜１０ｐｐｍを含有し、残りがＡｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する前記（１）、（２）、（３）または（４）記載の接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明の接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線は、前記（１）〜（５）記載の成分組成を有する金合金線素材を所定の径になるまで伸線加工してボンディングワイヤ用金合金線を製造し、得られた金合金線素材を焼鈍するボンディングワイヤ用金合金線の製造工程において、焼鈍温度を従来の焼鈍温度よりも低い温度の５５０℃以下で行うことにより製造することができる。前記金線素材の伸線加工時の１ダイスによる減面率は従来の減面率よりも低い５％以下とすることが一層好ましい。
【０００８】
次に、この発明の接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線において、成分組成、０．２％耐力σ０．２、ヤング率Ｅ、伸び率ＥＬを前述のように限定した理由を説明する。
【０００９】
［Ｉ］成分組成
（ａ）Ｃａ：
Ｃａ成分は、Ａｕの原子半径より大きく、Ａｕの結晶格子に歪を与えてボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度およびフリーエアーボールの加工硬化性を高めると共に、再結晶温度を上げ、ボンディングワイヤ用金合金線のループ高さを低くする効果があるが、Ｃａを４０ｐｐｍ未満添加してもフリーエアーボールの加工硬化性が低いため接合性が低く、また強度が低いのでヤング率Ｅ≧７５ＧＰａ、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３の条件を満たすことができなくなるで好ましくない。一方、Ｃａが８０ｐｐｍを越えて含有すると、ボールボンディングの際に形成するフリーエアーボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアーボールの底部中央に接合に寄与しない大きな引け巣が形成され、ファーストボンディングの接合性が低下するので好ましくない。したがって、この発明のボンディングワイヤ用金合金線に含まれるＣａは４０〜８０ｐｐｍに定めた。
【００１０】
（ｂ）Ｅｕ：
Ｅｕ成分は、Ａｕの原子半径より大きく、Ａｕの結晶格子に歪を与えてボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度およびフリーエアーボールの加工硬化性を高めると共に、再結晶温度を上げ、ボンディングワイヤ用金合金線のループ高さを低くする効果があるが、Ｅｕを５ｐｐｍ未満添加しても強度および接合性の向上が認められず、一方、Ｅｕが４０ｐｐｍを越えて含有すると、Ｃａと同様にボールボンディングの際に形成するフリーエアーボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアーボールの底部中央に接合に寄与しない大きな引け巣が形成され、ファーストボンディングの接合性が低下するので好ましくない。したがって、この発明のボンディングワイヤ用金合金線に含まれるＥｕは５〜４０ｐｐｍに定めた。
【００１１】
（ｃ）Ｂｅ：
ＢｅはＡｕの原子半径より小さく、やはりＡｕの結晶格子に歪を与えてボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度を高め、またＣａおよびＥｕとともに含有することにより再結晶温度を下げる効果を有することからループ高さをあげることができる、適切なループ高さを実現できる効果があるので必要に応じて添加するが、その添加量が１ｐｐｍ未満では所定の効果が得られず、一方、１０ｐｐｍを越えて含有すると、フリーエアーボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらに引け巣が増大し、ボール直上部およびボール部の結晶粒径の増大が生じて圧着ボール部の真円性が低くなるので好ましくない。したがって、この発明のボンディングワイヤ用金合金線に含まれるＢｅは１〜１０ｐｐｍに定めた。
【００１２】
（ｄ）Ｂａ，Ｓｒ，Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕ：
アルカリ土類金属であるＢａおよびＳｒ、周期率表５ｂ族であるＢｉ、並びに希土類元素であるＹ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕもボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度を高め、またフリーエアーボールの加工硬化を高める効果を有するので必要に応じて添加するが、その添加量が５ｐｐｍ未満では所定の効果が得られず、一方、１９ｐｐｍを越えて含有すると、フリーエアーボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアーボールの底部中央に接合に寄与しない大きな引け巣が形成されるため、ファーストボンディングの接合性が低下するので好ましくない。したがって、この発明のボンディングワイヤ用金合金線に含まれるこれら成分は５〜１９ｐｐｍに定めた。
【００１３】
（ｅ）Ａｇ：
Ａｇは必要に応じて０．５〜１０ｐｐｍ含有していてもよい。Ａｇは０．５〜１０ｐｐｍ含有していても特性にほとんど影響を与えないからである。しかし、１０ｐｐｍを越えて添加すると、ファーストボンディングの接合性が低下するので好ましくない。したがって、この発明のボンディングワイヤ用金合金線に含まれるＡｇ成分は０．５〜１０ｐｐｍに定めた。
【００１４】
［II］機械的特性
ヤング率Ｅ
ヤング率Ｅが７５ＧＰａよりも小さいと、ワイヤボンディング後のモールディングの際に、ボンディングワイヤが樹脂により大きく流され、その結果、隣のループと接触し、ショートの頻度が大きくなって、半導体チップの歩留まりが低下するので好ましくない。したがって、この発明のボンディングワイヤ用金合金線のＥは７５ＧＰａ以上に定めた。
【００１５】
σ０．２／Ｅ
σ０．２／Ｅの値が大きいほどボンディングワイヤ用金合金線の直進性が向上し、σ０．２／Ｅが２．２×１０−３以上になると急激に直進性が向上することから、（σ０．２／Ｅ）≧２．２×１０−３に定めた。
【００１６】
伸びＥＬ
のびＥＬは３％以下の場合は直進性が低く、伸びが１０％よりも大きいと、Ｅ＜７５ＧＰａ、あるいは（σ０．２／Ｅ）＜２．２×１０−３となる場合が多く、直進性が低下するので好ましくない。したがって、ボンディングワイヤ用金合金線のＥＬを３％＜ＥＬ≦１０％に定めた。
【００１７】
この発明において、ボンディングワイヤ用金合金線の破断伸び率ＥＬ（％）、０．２％耐力σ０．２（Ｐａ）およびヤング率Ｅ（Ｐａ）の測定は、室温において、ボンディングワイヤ用金合金線を標点間距離：１００ｍｍ、引張り速度：１０ｍｍ／分の条件で引張り試験機により破断するまで引っ張ることにより行われる。
ここでひずみと引張り応力を以下のように定義する。
ひずみ＝ボンディングワイヤ用金合金線の伸び（ｍｍ）／１００ｍｍ、
引張り応力（Ｐａ）＝引張り荷重（Ｎ）／ボンディングワイヤ用金合金線の初期断面積（ｍ２）
破断伸び率をＥＬ（％）、０．２％耐力σ０．２（Ｐａ）およびヤング率Ｅ（Ｐａ）を以下のように定義する。
破断伸び率ＥＬ（％）＝破断したときのひずみ×１００＝［破断したときの伸び（ｍｍ）／１００（ｍｍ）］×１００
０．２％耐力σ０．２（Ｐａ）：ボンディングワイヤ用金合金線に０．２％の永久ひずみを与えた際の引張り応力（Ｐａ）
ヤング率Ｅ（Ｐａ）：引張り応力とひずみが正比例する範囲における、引張り応力とひずみの比、すなわち引張り応力（Ｐａ）／ひずみ
【発明の効果】
【００１８】
上述のように、この発明のボンディングワイヤ用金合金線を使用してボンディングを行うと、隣のループが接触することが少なく、半導体装置の歩留を向上させることができるなど産業上すぐれた効果をもたらすものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
線径：５０μｍを有し、表１〜１２に示される成分組成を有する金合金線素材を１ダイスによる減面率が４．８％で伸線加工することにより線径：１８μｍを有する金合金線を作製し、この金合金線を表１３〜２４に示される温度で焼鈍することにより本発明ボンディングワイヤ用金合金線（以下、本発明ワイヤという）１〜１８４、比較ボンディングワイヤ用金合金線（以下、比較ワイヤという）１〜４２および従来ボンディングワイヤ用金合金線（以下、従来ワイヤという）１〜５を製造し、半径：５０ｍｍの中間スプールに巻き取った。ここで、焼鈍および巻取り工程において、ワイヤの進路を変更させるために用いるシーブ（滑車）は全て半径：９ｍｍとした。中間スプールに巻き取られたワイヤに純滑剤を塗布し、半径：２５ｍｍのスプールに２０００ｍ巻取り、ワイヤの先端１５ｍを捨て、ワイヤの伸び率ＥＬ、ヤング率Ｅ、０．２％耐力σ０．２を測定し、さらにσ０．２／Ｅを算出し、その結果を表１３〜２４に示した。これら測定に際して用いたサンプルは、長さがいずれも１０ｃｍ、サンプル数を５本とし、その平均値を表１３〜２４に示した。
これら表１３〜２４に示される機械的特性を有する本発明ワイヤ１〜１８４、比較ワイヤ１〜４２および従来ワイヤ１〜５をＫｕｌｉｃｋｅ＆Ｓｏｆｆａ製のワイヤボンダー（マクサムプラス）にセットし、
加熱温度：１３０℃、
パッドピッチ：４５μｍ間隔、
ループ長さ：５ｍｍ、
ループ高さ：２２０μｍ、
ボール径：３４μｍ、
ボール高さ：８μｍ、
の条件でボンディングを行って１００００ループを作製し、直進性、接合性およびボールの真円性についての評価を行った。
【００２０】
直進性：
隣のループ同士の接触する個所の数を測定し、その結果を表１３〜２４に示すことにより直進性を評価した。
【００２１】
接合性：
ファーストボンド部で接合していない数（ボールリフト数）を測定し、その結果を表１３〜２４に示すことにより接合性を評価した。
【００２２】
ボールの真円性：
各サンプルにつき１００個の圧着ボールを観察し、すべて良好な場合は〇、１個でも不良が有る場合は×とし、その結果を表１３〜２４に示すことによりボールの真円性を評価した。
【００２３】
さらに、表１３〜２４に示される機械的特性を有する本発明ワイヤ１〜１８４、比較ワイヤ１〜４２および従来ワイヤ１〜５について、下記の評価を行った。
【００２４】
ループ高さ：
表１３〜２４に示される機械的特性を有する本発明ワイヤ１〜１８４、比較ワイヤ１〜４２および従来ワイヤ１〜５をＫｕｌｉｃｋｅ＆Ｓｏｆｆａ製のワイヤボンダー（マクサムプラス）にセットし、リバースを行わずに、ボール径：３４μｍ、ボール高さ：８μｍ、ループ長さ：１ｍｍの条件でルーピングを行い、光学顕微鏡を用い、ループ最高部とリードフレームの高さを測定し、その差をループ高さとして求め、その結果を表１３〜２４に示すことによりループ高さを評価した。
【００２５】
耐樹脂流れ性：
ループ長さ：３．５ｍｍの条件でボンディングした半導体チップが搭載されたリードフレームを、モールディング装置を用いてエポキシ樹脂で封止した後、軟Ｘ線非破壊検査装置を用いて樹脂封止した半導体チップ内部をＸ線投影し、ワイヤ流れが最大の部分の流れ量を２０本測定し、その平均値をループ長さで除算した値（％）を樹脂流れと定義し、この樹脂流れを測定し、その結果を表１３〜２４に示すことにより耐樹脂流れ性を評価した。
【００２６】
【表１】
2006203164.tif 000002
【００２７】
【表２】
2006203164.tif 000003
【００２８】
【表３】
2006203164.tif 000004
【００２９】
【表４】
2006203164.tif 000005
【００３０】
【表５】
2006203164.tif 000006
【００３１】
【表６】
2006203164.tif 000007
【００３２】
【表７】
2006203164.tif 000008
【００３３】
【表８】
2006203164.tif 000009
【００３４】
【表９】
2006203164.tif 000010
【００３５】
【表１０】
2006203164.tif 000011
【００３６】
【表１１】
2006203164.tif 000012
【００３７】
【表１２】
2006203164.tif 000013
【００３８】
【表１３】
2006203164.tif 000014
【００３９】
【表１４】
2006203164.tif 000015
【００４０】
【表１５】
2006203164.tif 000016
【００４１】
【表１６】
2006203164.tif 000017
【００４２】
【表１７】
2006203164.tif 000018
【００４３】
【表１８】
2006203164.tif 000019
【００４４】
【表１９】
2006203164.tif 000020
【００４５】
【表２０】
2006203164.tif 000021
【００４６】
【表２１】
2006203164.tif 000022
【００４７】
【表２２】
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【００４８】
【表２３】
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【００４９】
【表２４】
2006203164.tif 000025
【００５０】
表１〜２４に示される結果から、本発明ワイヤ１〜１８４は、直進性、接合性、ボールの真円性および耐樹脂流れ性が良好であり、特に接合性、直進性および耐樹脂流れ性が良好であるに対し、比較ワイヤ１〜４２および従来ワイヤ１〜５はこれら特性の少なくともいずれか一つは不良となることが分かる。
また、ループ高さは、デバイスにより要求される値が異なるので優劣はないが、Ｂｅ＞１ｐｐｍの添加により調整可能であることが実施例からわかる。