(57)【要約】【課題】  安定的な薄膜形成を可能として、かつ装置コストを抑えることができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】  薄膜形成装置は、複数の成膜室２１〜２４を例えばＺｎＯ膜上のＡＬ膜、Ａｇ膜の積層、あるいはＡｇ膜のみの複数回に分けての成膜に利用することができる。仕切り扉３３ａ，３３ｂをともに開いておくとき、フィルム基板１０を一回だけ搬送すれば、第１成膜室２１と第２成膜室２２ではフィルム基板１０の表面側に成膜でき、同時に第３成膜室２３と第４成膜室２４では裏面側に成膜を施すことができる。仕切り扉３３ａ，３３ｂの一方だけを開いておけば、送りロール４から中間ロール１８に至る搬送経路と、中間ロール１８から巻き取りロール５に至る搬送経路とに切り換えて使用することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電電極が配置された真空容器内で回転駆動する送りロールから巻き取りロールに向けて搬送される可撓性基板に対して、その表面に複数の電極層を順次に成膜する薄膜形成装置において、
前記可撓性基板の厚さ方向の両側にそれぞれ保持された前記放電電極を含む複数の成膜手段と、
前記可撓性基板が前記真空容器内で搬送される搬送路を複数に区分するための開閉自在の仕切り手段と、
前記可撓性基板を前記仕切り手段により区分された前記真空容器内の各領域において前記可撓性基板の幅方向が鉛直面内に保持された状態で搬送する搬送手段と、
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記搬送手段は、前記送りロールから送り出される前記可撓性基板を巻き取り、かつ前記巻き取りロールに送り出す中間ロールを備え、
前記送りロールから前記中間ロールまでの間の搬送路を区分する第１の仕切り扉と、前記中間ロールから前記巻き取りロールまでの間の搬送路を区分する第２の仕切り扉とによって前記仕切り手段が構成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記搬送手段は、前記送りロールから第１の搬送路に送り出された前記可撓性基板を巻き取る中間巻き取りロールと、前記巻き取りロールに巻き取られる前記可撓性基板を第２の搬送路に送り出す中間送りロールを備え、
前記第１の搬送路と前記第２の搬送路とを連結する第３の搬送路を区分する第３の仕切り扉によって前記仕切り手段が構成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記搬送手段は、前記可撓性基板の張力を制御する張力制御手段を備えていることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
前記成膜手段は、前記仕切り手段によって区分された各搬送路に沿って、それぞれ前記可撓性基板の互いに異なる面に成膜を施すように設けていることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項６】
前記成膜手段は、前記各搬送路に面して前記真空容器に設けられた開閉扉に固定していることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電電極が配置された真空容器内で回転駆動する送りロールから巻き取りロールに向けて搬送される可撓性基板に対して、その表面に複数の電極層を順次に成膜する薄膜形成装置に関し、とくに薄膜太陽電池の製造などのために可撓性基板上に電極層等を形成する場合に用いて好適な薄膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池は、一般に非結晶シリコン薄膜などから形成された光電変換層が、厚さ１０μｍから１００μｍの高分子材料フィルムを可撓性基板にして構成されるものである。この光電変換層を用いた薄膜太陽電池では、可撓性基板の上に反射率の高いＡｇやＡｌ層が電極層として容易に形成できて、高いエネルギー変換効率が得られることや、非結晶シリコン薄膜が高い量産性が得られることなどから、今日では薄膜太陽電池は低コストの太陽電池として期待されている。
【０００３】
薄膜太陽電池のさらなる高効率化の技術として、電極層のテクスチャー化、すなわち電極層の表面に高さ０．０５〜０．５μｍ程度の凸凹を形成し、光を太陽電池内部で散乱させることが考案されている。このテクスチャー化の方法については、後述する特許文献１においてＡｇを約３００〜４００℃の基板上に凝集させる方法が記載されている。また、特許文献２によれば、Ａｌを約２５０〜３５０℃で基板凝集させた凸凹層上に、さらに２００℃程度でＡｇ反射膜を形成する方法が記載されていれる。これらの方法は、いずれのものでもテクスチャー化には３００℃程度に最適値があり、温度が低すぎても高すぎても太陽電池の特性を低下させることにつながる。
【０００４】
とくに、可撓性基板としてポリイミドのような耐熱性プラスチックフィルムを用いた場合、約３００℃の臨界温度以上で急激な熱収縮が発生することから、テクスチャー化電極形成時には臨界温度付近でこれを超えない温度領域に対して、±１０℃程度に保持する必要があって、非常に精密な基板温度制御が要求される。可撓性基板上に電極を形成する装置には、つぎに説明するような可撓性基板を複数の成膜室を一直線的に通すものや、キャンロール上で成膜するものなどが知られている。
【０００５】
図５は従来の水平搬送の薄膜形成装置であって、フィルム基板１０（可撓性基板）の搬送方向に沿う縦断面を示している。
ここでは、送り室１、第１成膜室２１、第２成膜室２２、第３成膜室２３、および巻き取り室３から真空槽が構成されている。送り室１にはフィルム巻き出しのための送りロール４が、巻き取り室３には巻き取りロール５が、それぞれ水平に設置されていて、さらにガイドロール６が双方の部屋１，３内に水平に設置されている。各成膜室２１，２２，２３には、マグネトロンスパッタリングのために、それぞれフィルム加熱用のヒータ９、カソード７および環状のアノード８が設置されている。また、送りロール４と巻き取りロール５は、それぞれ送りモータ１２、巻き取りモータ１３で駆動される。なお、この真空槽には真空バルブ４５を介してポンプ４４が接続され、真空槽内部の圧力を圧力コントローラにより制御している。
【０００６】
カソード７はターゲット材７１、バッキングプレート７２および電気的には接触していないマグネット７３により構成され、直流あるいは高周波の電圧を印加することによりマグネトロンスパッタによる薄膜形成が行われる。フィルム基板１０は、その基板面を水平状態に保持して送りロール４から巻き取りロール５へと搬送され、その途中の真空槽の各成膜室２１〜２３でそれぞれフィルム基板１０上に成膜が施される。
【特許文献１】特開平０８−２８８５２９号公報
【特許文献２】特開平０９−３６４０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
フィルム基板１０などの可撓性基板上にＡｇやＡｌの電極膜を形成するには、上述した薄膜形成装置によってスパッタリングによる成膜が行われるが、このスパッタリングによる成膜では原理上、ある時間ごとにターゲット材の交換が必要である。また、成膜室では成膜を進めていくと表面に生成物が堆積していく。この膜が成膜中に剥がれて、カソード７などの電極上に落ちると異常放電が起こり、膜質を低下させる原因となる。そのため、この種の薄膜形成装置では、定期的な洗浄あるいは部品交換等のメンテナンス作業が不可欠である。
【０００８】
ところが、このようなメンテナンス作業のためにはカソード７部分を装置外へ引き出す機構と、ヒータ９とともに装置上部を開放する機構が必要となり、そのため薄膜形成装置の価格が上昇するという問題があった。
【０００９】
また、メンテナンスの際は装置の運転を一時的に停止させなければならない。したがって、この薄膜形成装置を停止する時間が長引けば生産性は低下する。同様に、装置の構成機器が故障した場合にも、装置を全停止させなければならない。こうした課題は、同様な薄膜形成装置を複数台設置して、冗長性が確保されれば解決できるものであるが、装置コストが増大するという問題は残る。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、安定的な薄膜形成を可能として、かつ装置コストを抑えることができる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明では、上記問題を解決するために、放電電極が配置された真空容器内で回転駆動する送りロールから巻き取りロールに向けて搬送される可撓性基板に対して、その表面に複数の電極層を順次に成膜する薄膜形成装置が提供される。この薄膜形成装置は、前記可撓性基板の厚さ方向の両側にそれぞれ保持された前記放電電極を含む複数の成膜手段と、前記可撓性基板が前記真空容器内で搬送される搬送路を複数に区分するための開閉自在の仕切り手段と、前記可撓性基板を前記仕切り手段により区分された前記真空容器内の各領域において前記可撓性基板の幅方向が鉛直面内に保持された状態で搬送する搬送手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、フィルム基板のような可撓性基板に複数の成膜室によりスパッタあるいはＣＶＤ等で薄膜を形成する薄膜形成装置において、メンテナンス性および装置安定性を向上できる。この薄膜形成装置を太陽電池用の電極形成に用いることで、異なる成膜条件で多層状に安定した薄膜を形成することができる。これによって生産性良く、かつ変換効率の高いアモルファスシリコン太陽電池を安定して生産することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明を太陽電池用の電極形成に用いた実施の形態について、図面を参照して説明する。
ここでは、太陽電池の可撓性基板としては、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリサルボン、ポリエーテルサルボン、ポリフェキレンサルファド、バラ系アラミド、ポリエーテルケント、あるいはふっ素樹脂などの高分子プラスチックフィルムのフィルム基板１０が用いられる。
【００１４】
電極形成のための成膜法としては、スパッタリング、真空蒸着、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤなどを実施することができる。この発明装置では、後述するように送りロール４から巻き取りロール５までの距離を長くとれるので、複数の成膜室を連結することも容易であり、異なる種類の成膜法により多層膜を形成することも可能である。
【００１５】
成膜室内を真空にするには、クライオポンプあるいはターボ分子ポンプなどの真空ポンプ４４を用いている。また、可撓性基板の加熱手段としては、抵抗加熱あるいはランプ加熱を用いる。抵抗加熱の場合には、シース型ヒータをアルミニウム中に鋳込んだアルミニウム鋳込ヒータなどを用いることができる。
【００１６】
図１は、実施の形態に係る薄膜形成装置を示す平面断面図である。図１の装置は、真空容器内に送り室１、第１，第２成膜室２１，２２、中間ロール室１７、第３，第４成膜室２３，２４、および巻き取り室３が構成されている。送り室１にはフィルム基板１０の巻き出しのための送りロール４、巻き取り室３にはフィルム基板１０の巻き取りのための巻き取りロール５がそれぞれ設置され、送りロール４は送りモータ１２により、また巻き取りロール５は巻き取りモータ１３によって回転駆動される。
【００１７】
送り室１には、さらに駆動モータ１５で駆動する駆動ロール１４と、この駆動ロール１４に接触するバイトンゴム製の保持ロール１６が設置されている。中間ロール室１７には、中間モータ１９で駆動する巻き出し機構、および巻き取り機構を備えた中間ロール１８と、中間駆動モータ３１で駆動する中間駆動ロール３０と、この中間駆動ロール３０に接触するバイトンゴム製の中間保持ロール３２とが設置されている。また、中間ロール室１７と第２成膜室２２、および第３成膜室２３の間には、それぞれフィルム基板１０が搬送される搬送路を真空容器内で複数に区分するために、ヒンジ開閉式の仕切り扉３３ａ，３３ｂからなる仕切り機構が設置されている。
【００１８】
この仕切り機構は、第２成膜室２２と中間ロール室１７を仕切る第１の仕切り扉３３ａと、中間ロール室１７と第３成膜室２３を仕切る第２の仕切り扉３３ｂとから構成されていて、後述するように薄膜形成装置に設定される所定の経路パターンに従って自在に開閉するものである。なお、これらは図１に示すようなヒンジ開閉式のものでなくても、たとえばゲートバルブ式としてもよい。
【００１９】
ガイドロール６は、その軸方向が鉛直となるように中間ロール室１７の外側と、巻き取り室３の巻き取りロール５の近傍にそれぞれ配置されており、駆動ロール１４、保持ロール１６などとともに、幅方向が鉛直面内に保持された状態でフィルム基板１０を搬送するための搬送手段を構成している。また、カソード７およびヒータ９は、各成膜室２１〜２４の真空容器とＯリングにより真空封じをした各開閉扉４１の内側に設置されている。そして、これらの開閉扉４１は回転ヒンジ４２を介して各成膜室２１〜２４を構成する真空容器の壁面所定位置に、フィルム基板１０の搬送路を挟んでそれぞれ固定されている。したがって、バッキングプレート７２上のターゲット材７１や、防着板交換等のメンテナンスをする際には、図１の鎖線に示すように開閉扉４１を回転ヒンジ４２の軸回りに開扉するだけで、重量物であるカソード７、ヒータ９全体が比較的容易な操作力で引き出せるように構成されている。
【００２０】
なお、カソード７は各成膜室２１〜２４毎にあって、そのうち第１成膜室２１、第２成膜室２２ではフィルム基板１０の表面に対向する側に設けられ、第３成膜室２３、第４成膜室２４では裏面に対向する側に設けられている。また、第１成膜室２１、第２成膜室２２と第３成膜室２３、第４成膜室２４には、フィルム基板１０の搬送路を挟む位置にヒータ９がそれぞれ１つ設けられている。
【００２１】
フィルム基板１０は、送りロール４から駆動ロール１４を介して第１成膜室２１、第２成膜室２２に搬送され、第２成膜室２２および中間ロール室１７との間に設置された複数のガイドロール６を介して第３成膜室２３、第４成膜室２４に搬送され、巻き取りロール５に搬送される。搬送時のフィルム基板１０の張力制御は、巻き取りロール５から駆動ロール１４までの張力は巻き取りモータ１３のトルク制御によって行われる。また、搬送速度の制御は駆動ロール１４を駆動する駆動モータ１５の回転速度で制御される。そのとき、フィルム基板１０は駆動ロール１４と弾力性および耐熱性のある保持ロール１６とによって挟んで保持され、巻き取りロール５へと送り出される。
【００２２】
一方、フィルム基板１０の加熱のために、各成膜室２１，２２，２３，２４にはフィルム基板１０を挟んでカソード７と対向する位置にヒータ９が設置されている。このヒータ９にはアルミ鋳込みヒータが用いられており、そこに埋め込まれた熱電対により検知した温度信号が図示しないヒータ制御部にフィードバックされて、その温度コントロールが実施される。
【００２３】
各成膜室２１，２２，２３，２４にはカソード７、ヒータ９の他にも、マグネトロンスパッタリングを行うためにカソード７の直流電源４３や、図示しないリング状のアノードなどが必要である。また、カソード７はターゲット材７１、バッキングプレート７２、およびバッキングプレート７２と電気的には接触していないマグネット７３により構成されている。こうして第１成膜室２１、第２成膜室２２には、フィルム基板１０の表面側に成膜されるようにカソード７がフィルム基板１０の搬送路に配置されており、第３成膜室２３、第４成膜室２４には、フィルム基板１０の裏面に成膜されるようにカソード７が配置されている。なお、中間ロール室１７には真空バルブ４５を介して真空ポンプ４４が接続される。
【００２４】
つぎに、このように構成された薄膜形成装置で実施可能な３種類の成膜動作について説明する。
この薄膜形成装置では、送りロール４にフィルム基板１０をセットし、ポンプ４４により装置内部圧力を１０-2Ｐａ以下まで排気し、アルミニウム鋳込みヒータ９をあらかじめ２５０〜３５０℃に加熱する。この際、２つの仕切り扉３３ａ，３３ｂはともに開いた状態にしておく。つぎに、不活性ガスとしてＡｒガスを導入し、装置内部の圧力を圧力コントローラにより０．１〜１０Ｐａに制御する。そしてフィルム基板１０を０．１〜２ｍ／ｓの速度で搬送し、各ヒータ９で基板温度を制御しながらカソード７に直流電圧を印加してＡｇ電極層を成膜する。
【００２５】
この装置では、複数の成膜室２１〜２４を例えばＡｇ膜上のＡＬ膜、ＺｎＯ膜の積層、あるいはＡｇ膜のみを複数回に分けての成膜に利用することができる。しかも、図１に示す状態でフィルム基板１０を一回だけ搬送すれば、第１成膜室２１と第２成膜室２２ではフィルム基板１０の表面側に成膜でき、同時に第３成膜室２３と第４成膜室２４では裏面側に成膜を施すことができる。
【００２６】
つぎに、上述した仕切り機構３３の開閉によって選択される経路パターンについて説明する。
図２、図３は、それぞれ図１の薄膜形成装置の一部分を示す平面断面図である。
【００２７】
図２では、第１の仕切り扉３３ａが開き、第２の仕切り扉３３ｂが閉じられている。フィルム基板１０は送りロール４から第１成膜室２１と第２成膜室２２を通り、中間ロール室１７に配置された中間ロール１８に向かって搬送される。中間ロール１８は中間モータ１９によって駆動されているが、このときの張力制御では、中間ロール１８から駆動ロール１４までの張力が中間モータ１９のトルク制御によって制御される。これにより、第１，第２成膜室２１，２２では表面側の成膜を行いながら、第３，第４成膜室２３，２４では真空容器内を大気に開放することができる。したがって、装置の運転を一時的に停止させなくても、定期的な洗浄あるいはターゲット交換など、成膜室内のメンテナンスが可能となる。
【００２８】
同様に、図３では第１の仕切り扉３３ａを閉じて、第２の仕切り扉３３ｂが開いている状態を示している。
フィルム基板１０は中間ロール１８から、中間駆動ロール３０を介して第３成膜室２３と第４成膜室２４に搬送され、さらに巻き取りロール５に巻き取られる。この場合には、搬送時のフィルム基板１０の張力制御が、巻き取りロール５から中間駆動ロール３０までの張力が巻き取りモータ５のトルク制御によって制御されることになる。また、搬送速度の制御は、中間駆動ロール３０を駆動する中間駆動モータ３１の回転速度を制御すればよい。こうしてフィルム基板１０は中間駆動ロール３０と弾力性および耐熱性のある中間保持ロール３２とによって挟んで保持され、巻き取りロール５へと送り出される。これにより、第３，第４成膜室２３，２４ではフィルム基板１０の裏面側の成膜を行いながら、第１，第２成膜室２１，２２では真空容器内を大気に開放することができ、ターゲット交換や成膜室内のメンテナンスが可能となる。
【００２９】
なお、図１に示す薄膜形成装置では、駆動ロール１４と、その駆動モータ１５および保持ロール１６を送り室１に設置しているが、これらを巻き取り室３に設ける構成であってもよい。そのような構成であれば、中間ロール室１７に配置された中間駆動ロール３０と、その中間駆動モータ３１および中間保持ロール３２の動作についても、図２、図３に示す状態とは異なってくる。このとき、中間駆動ロール３０を駆動する中間駆動モータ３１の回転速度によって、送りロール４から中間ロール１８へ搬送されるフィルム基板１０の搬送速度を制御しなければならないためである。
【００３０】
また、送り室１と巻き取り室３の双方に駆動ロール１４と、その駆動モータ１５および保持ロール１６を設けることもできる。この場合は、中間ロール室１７に中間駆動ロール３０などを設けなくてもよい。
【００３１】
このように、真空容器内でフィルム基板１０の搬送路に沿って配置された複数の成膜手段に対して、送り機構と巻き取り機構とを兼ね備えた中間ロール１８を設置するとともに、２つの仕切り扉３３ａ，３３ｂによって、中間ロール１８と送りロール４の間、および中間ロール１８と巻き取りロール５との間をそれぞれ仕切って、搬送路を複数に区分するように構成したので、１台の装置内でフィルム基板１０の搬送経路を３つの経路パターンに変更して使用することができる。すなわち、仕切り扉３３ａ，３３ｂをともに開いておけば、送りロール４から巻き取りロール５に至る搬送経路となり、仕切り扉３３ａ，３３ｂの一方だけを開いておくことで、送りロール４から中間ロール１８に至る搬送経路と、中間ロール１８から巻き取りロール５に至る搬送経路とに切り換えて１つの薄膜形成装置を効率よく使用することができる。
【００３２】
すなわち、フィルム基板１０がその両面に配置された放電電極部を通る経路パターンを選択したときは、その両面に同時成膜ができる。また、第１の仕切り扉３３ａ、または第２の仕切り扉３３ｂのいずれか一方のみを開いて、送りロール４から中間ロール１８まで、あるいは中間ロール１８から巻き取りロール５までの経路パターンを選択することもでき、その場合にはフィルム基板１０のそれぞれ片面のみでの成膜が可能となる。したがって、メンテナンスや故障箇所に応じて、前述の経路パターンのいずれかを選択することによって、装置の停止時間を最小限に抑えることが可能となる。
【００３３】
つぎに、この発明の薄膜形成装置の変形例について説明する。
図４に示す薄膜形成装置は、中間ロール室１７の機能を中間送り室３４と中間巻き取り室３７とに分割したものである。図１の装置と対応する部分には同一の符号を付けて、それらの説明を省略する。
【００３４】
このうち中間送り室３４には送り室１と同様に、フィルム基板１０の送り出しのための中間送りロール３５と、この中間送りロール３５を駆動する中間送りモータ３６と、中間駆動モータ３１で駆動する中間駆動ロール３０と、この中間駆動ロール３０に接触して中間保持ロール３２が設置されている。また、中間巻き取り室３７には巻き取り室３と同様に、フィルム基板１０の巻き取りのための中間巻き取りロール３８と、この中間巻き取りロール３８を駆動する中間巻き取りモータ３９とが設置されている。
【００３５】
中間送り室３４と中間巻き取り室３７の間には第３の仕切り扉３３ｃが設置されていて、この第３の仕切り扉３３ｃを閉じることにより、あたかも薄膜形成装置が２台独立して運転可能な状態になる。このとき、ポンプ４４と複数の真空バルブ４５からなる真空排気系は共通に設けられているが、真空バルブ４５のそれぞれを開閉制御することによって、真空容器内の成膜室２１，２２の圧力と成膜室２３，２４の圧力とを独自にコントロールできる。
【００３６】
このように、図４に示す薄膜形成装置では搬送経路の中間に中間巻き取りロール３８と中間送りロール３５を設置して、中間送りロール３５と中間巻き取りロール３８との間で搬送経路を第１の搬送路と第２の搬送路とに分割し、第１の搬送路と第２の搬送路を区分するように第３の仕切り扉３３ｃを設けている。したがって、図１の装置と同様に、１台の装置内でフィルム基板１０の搬送経路を３つの経路パターンに変更して使用することができる。すなわち、第３の仕切り扉３３ｃを開いておけば、第１の搬送路と第２の搬送路を跨ぐように、送りロール４から巻き取りロール５に至る搬送経路となり、第３の仕切り扉３３ｃを閉じておくことで、送りロール４から中間巻き取りロール３８に至る第１の搬送路だけの経路と、中間送りロール３５から巻き取りロール５に至る第２の搬送路だけの経路とが独立して使用可能になる。
【００３７】
これにより、フィルム基板１０がその両面に配置された放電電極部を通る経路パターンでは、その両面に同時成膜ができる。また、第３の仕切り扉３３ｃによって第１の搬送路と第２の搬送路に区分した搬送パターンでは、フィルム基板１０のそれぞれ片面のみでの成膜が可能となる。したがって、２つのフィルム基板１０を各々搬送したときにはそれぞれで片面成膜が施され、この薄膜形成装置を真空排気系およびガス導入系以外について冗長化することが可能になる。
【００３８】
以上、この発明の薄膜形成装置では、真空容器内に設置された回転駆動する送りロール４から巻き取りロール５に向けて張力を加えながら搬送されるフィルム基板１０を所定の温度に保持し、複数の放電電極により基板両面に同時に成膜するようにしている。しかも、フィルム基板１０は幅方向が鉛直面内に保持された状態で搬送され、スパッタリングなどによりフィルム基板１０以外の場所に堆積した生成物（フレーク）などが剥がれた際でも、フィルム基板１０上やカソード７などの放電電極上に落ちることがなくなるから、膜質低下や異常放電等が起こりにくくなる。
【００３９】
また、複数の放電電極や加熱用のヒータ９を各搬送路に面した開閉扉４１に固定して備えるようにしたので、開閉扉４１を真空容器の各成膜室２１〜２４毎に固定された回転ヒンジ４２を介して手動で回転させるだけで、重量物であるカソード７部分を容易に外部へ取り出すことができる。したがって、自動によるメンテナンス機構のような大掛かりなものが不要になるから、さらなる装置コストの低減とともにメンテナンス作業の効率性も向上する。
【００４０】
さらに、複数の成膜室２１〜２４にそれぞれ設けられる放電電極が、搬送されるフィルム基板１０の厚さ方向に対して互いに異なる面に成膜を施す位置に配置されていることによって、一回の搬送でフィルム基板１０の両面に同時に成膜を施すことができ、薄膜形成の生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明の実施の形態に係る薄膜形成装置を示す平面断面図である。
【図２】図１の薄膜形成装置の一部分を示す平面断面図である。
【図３】図１の薄膜形成装置の一部分を示す平面断面図である。
【図４】この発明の薄膜形成装置の変形例を示す平面断面図である。
【図５】従来の薄膜形成装置の一例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  送り室
３  巻き取り室
４  送りロール
５  巻き取りロール
６  ガイドロール
７  カソード
８  アノード
９  ヒータ
１０  フィルム基板
１２  送りモータ
１３  巻き取りモータ
１４  駆動ロール
１５  駆動モータ
１６  保持ロール
１７  中間ロール室
１８  中間ロール
１９  中間モータ
２１  第１成膜室
２２  第２成膜室
２３  第３成膜室
２４  第４成膜室
３０  中間駆動ロール
３１  中間駆動モータ
３２  中間保持ロール
３３ａ  第１の仕切り扉
３３ｂ  第２の仕切り扉
３３ｃ  第３の仕切り扉
３４  中間送り室
３５  中間送りロール
３６  中間送りモータ
３７  中間巻き取り室
３８  中間巻き取りロール
３９  中間巻き取りモータ
４１  開閉扉
４２  回転ヒンジ
４３  直流電源
４４  ポンプ
４５  真空バルブ
７１  ターゲット材
７２  バッキングプレート
７３  マグネット
【図１】
2006183070.tif 000003
【図２】
2006183070.tif 000004
【図３】
2006183070.tif 000005
【図４】
2006183070.tif 000006
【図５】
2006183070.tif 000007