(57)【要約】【課題】  幅が狭く膜厚が厚い配線を任意の平面形状で形成した絶縁基板と、この絶縁基板を用いた低消費電力および高開口率の液晶表示装置を提供する。【解決手段】  絶縁基板１の表面に、薄膜配線のパターンに沿った凹溝５を設け、この凹溝５の両縁に沿って薄膜配線の両側に対向する側壁を有して延びるバンク２を備える。凹溝５の表面に配線材料インクに対して親液性を持つと共に、バンク２の表面には配線材料インクに対して撥液性を持たせる。薄膜配線を液晶パネルのゲート配線とデータ配線の少なくとも一方とすることで、幅が狭く膜厚が厚い配線をもち、開口率が大きく、低消費電力の液晶表示装置を提供できる。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、配線材料インクの塗布で形成した薄膜配線を有する表示装置用基板であって、
前記絶縁基板の前記薄膜配線の形成部に、当該形成される薄膜配線のパターンに沿った凹溝を有し、
前記絶縁基板の前記凹溝の両縁に前記薄膜配線の両側に対向する側壁を有して延びるバンクを備えたことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項２】
前記絶縁基板の凹溝は、該凹溝の深さと同程度に前記バンクの下の横方向に加工されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用基板。
【請求項３】
前記絶縁基板の凹溝の幅は、前記バンクの幅と同程度に加工されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用基板。
【請求項４】
前記側壁を持つバンクの表面が前記配線材料インクに対して撥液性を有し、前記基板の表面が配線材料インクに対して親液性を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の表示装置用基板。
【請求項５】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数のゲート配線と該複数のゲート配線に交差して前記他方向に延在し前記一方向に並設された複数のデータ配線と前記複数のゲート配線と前記複数のデータ配線の各交差部に形成された薄膜トランジスタと画素電極を有する多数の画素をマトリクス状に配置した第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板に間隙を持って貼り合せた第２の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の前記貼り合せ間隙に封入した液晶層を有する液晶パネルを備えた表示装置であって、
前記第１の絶縁基板の表面に、前記ゲート配線と前記データ配線の少なくとも一方の薄膜配線を形成するための配線材料インクを収容する凹溝を有すると共に、当該凹溝の両縁に沿って前記薄膜配線の両側に対向する側壁を有して延びるバンクを備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記絶縁基板の凹溝は、該凹溝の深さと同程度で前記バンクの下の横方向に加工されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記絶縁基板の凹溝の幅は、前記バンクの幅と同程度に加工されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ゲート配線を覆う少なくとも一層の絶縁膜を有し、前記データ配線は前記絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２の絶縁基板の内面に対向電極と複数色のカラーフィルタを有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の前記貼り合せ内面の前記液晶層との界面に配向膜を有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の各外面に偏光板を有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用の基板およびこの基板を用いた表示装置に係り、特にインクジェット法を用いて形成した薄膜配線を有する液晶パネル等の表示装置用の基板に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
画素ごとに点灯を制御するアクティブ方式のフラットパネル型表示装置では、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子とこの薄膜トランジスタで駆動される画素電極を有する多数の画素を絶縁基板上に行および列にマトリクス状に配置して構成される。マトリクス配置された多数の薄膜トランジスタを行毎に選択する走査信号を供給する複数のゲート配線と、選択されたゲート配線に接続した薄膜トランジスタに表示データを供給する複数のデータ配線とは、上記行および列に対応してマトリクス状に交差配置される。これらの配線は、所謂薄膜配線と称される。そして、この各薄膜配線（ゲート配線とデータ配線）の交差部のそれぞれに画素が配置されている。
【０００３】
上記のゲート配線やデータ配線は、ホトリソグラフィー（以下ホトリソと略記する）手法で形成するのが一般的であるが、近年、インクジェットを用いた配線形成方法が提案された。このインクジェットを用いた配線技術は、例えば「非特許文献１」に記載されている。また、「特許文献１」には、基板面にバンクで溝を形成し、この溝にインクジェット法で薄膜材料液を充填して薄膜を形成する成膜技術が開示されている。
【非特許文献１】「日経エレクトロニクス」（２００２．６．１７発行、６７頁から７８頁）
【特許文献１】特開２０００−３５３５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表示装置を構成する絶縁基板上に、特に幅の狭い薄膜配線を形成する場合には、上記の非特許文献１の７８頁に記載されるように、配線形成部を親液化したり、あるいは配線形成部に溝を設けるといった絶縁基板側を事前処理している。
【０００５】
上記従来技術において、絶縁基板の配線形成部を親液化するものでは、配線材料インクを多く盛り込むことが難しいため、十分な膜厚の薄膜配線を形成することが困難である。そのため、配線の低抵抗化は難しく、画面サイズの拡大化を制限する要因の一つとなっている。また、絶縁基板の配線形成部に溝を設けるものでは、配線材料インクを流し込むために別途配線幅より大きい穴を必要とするため、配線のレイアウトが制約されて基板面での配線占有率が高くなる。その結果、高精細な回路配線を実現し、高開口率による低消費電力の液晶パネルで構成した表示装置を得ることが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、幅が狭くかつ膜厚が厚い薄膜配線を任意のレイアウトで形成した表示装置用の絶縁基板を提供することにある。また、本発明の他の目的は線幅が狭くかつ膜厚が厚い薄膜配線を形成して低抵抗、低容量および高開口率による低消費電力の液晶パネルで構成した表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記本発明の目的を達成するために、本発明は、絶縁基板の薄膜配線の形成部に、当該形成される薄膜配線のパターンに沿った凹溝を設け、この凹溝の両縁に薄膜配線の両側に対向する側壁を有して延びるバンクを備えた点を特徴とする。そして、好ましくは、上記凹溝の表面に配線材料インクに対して親液性を持つと共に、上記バンクの表面には配線材料インクに対して撥液性を持たせる。
【０００８】
また、上記本発明の他の目的を達成するために、上記の絶縁基板を液晶パネルの一方の基板として用い、そのゲート配線またはデータ配線の少なくとも一方を上記のバンクを用いた薄膜配線とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、線幅が狭くかつ膜厚が厚い薄膜配線を形成した表示装置用の絶縁基板が得られ、高開口率で、低消費電力の液晶パネルで構成した表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の表示装置用の基板およびこの基板を用いた液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明による表示装置用基板を説明する液晶パネルの一方の基板（第1の絶縁基板、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板とも言う。一般的にはガラス基板））の1画素付近の平面図である。図1には、画素の構成要素の中のゲート配線８、データ配線１０、透明画素電極４０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２を示してある。また、図２は、図１のＤ−Ｄ’に沿って切断した断面を他方の基板であるカラーフィルタ基板（第２の絶縁基板、ＣＦ基板とも言う。一般的にはガラス基板）と共に示す断面図である。
【００１２】
液晶パネルは、ＴＦＴ基板４２とＣＦ基板４３を有する。ＴＦＴ基板４２は、ガラス基板１の内面に絶縁材で形成したバンク２、ゲート配線８、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜２０、真性半導体２１ｂとＮ型半導体２１aからなる半導体層２１、データ配線１０、保護膜２３、ＩＴＯを好適とする透明画素電極４０、ＴＦＴ基板配向膜２４を有する。薄膜トランジスタ１２はゲート配線８から延びるゲート電極８a、半導体層２１、データ配線１０から延びるドレイン電極１０aおよびソース電極１０bで構成される。なお、ドレイン電極１０aとソース電極１０bとは表示動作中に入れ替わるが、ここでは混乱をさけるため、上記のように固定した表記で説明する。
【００１３】
ＣＦ基板４３は、ガラス基板２５の内面にブラックマトリクス２７で区画したカラーフィルタ２６を有し、その上層に保護膜２８、透明画素電極４１、ＣＦ基板配向膜２９を有する。そして、このＣＦ基板４３をＴＦＴ基板４２に貼り合せ、その貼り合せ間隙に液晶層３０を挟持し、ＴＦＴ基板４２の外面に偏光板３１を積層し、ＣＦ基板４３の外面に偏光板３２を積層して構成される。
【００１４】
ＴＦＴ基板４２のガラス基板１には、図１に示したように、互いに平行な複数のゲート配線８（走査信号線または水平信号線とも称する）とゲート配線８と交差して形成された互いに平行なデータ配線１０（映像信号線または垂直信号線とも称する）が形成されている。隣接する２本のゲート配線８、８と隣接する２本のデータ配線１０、１０で囲まれた領域が一画素領域である。
【実施例１】
【００１５】
本発明の実施例１の表示装置用の基板（表示パネルの基板）は、液晶パネル用の基板におけるゲート配線８に適用したものである。ゲート配線８は次の工程により作製できる。先ず、ＴＦＴ基板４２を構成するガラス基板１の表面を感光性樹脂との密着性を向上するためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理する。これに、スピンコート法を用いてバンク２となる感光性樹脂（ここでは、アクリル系ポジ型感光性樹脂）を厚さ２００ｎｍで塗布する。なおここで、感光性樹脂はネガ型を用いても良い。
【００１６】
次に、ホトマスクを用いた選択パターン露光により配線パターンを露光し、現像して露光部分の感光性樹脂を溶解して除去する。その後、焼成することでバンク２の形成が完了する。次いで、バンク２の両側壁の間に露出したガラス基板１の表面にフッ酸によりエッチング処理して凹溝５を形成する。その後、フッ素系ガス（ＳＦ６）を用いたプラズマ処理により、該ガラス基板１の親液性を保ったままバンク２の内壁の表面に撥液性を付与する。ここで用いるフッ素系ガスはＣＦ４等でも良い。この工程により薄膜配線形成のためのバンクが得られる。
【００１７】
図３は、本発明の実施例１の表示パネル用基板に形成したバンクの説明図であり、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は平面図である。ガラス基板１は配線材料インクを用いて配線を形成するための下地であり、バンク２はガラス基板１上に形成された配線材料インクの濡れ広がりを制限するための土手である。また、バンク２の側壁（配線材料インクと対向する内壁面）のテーパ部（端縁）と凹溝５とで囲まれる範囲を以下では配線形成部４と表記する。
【００１８】
ガラス基板１に形成した凹溝５は、ガラス基板１のエッチング処理時のエッチングレートがバンク２のエッチングレートよりも大きくすることで加工が可能となる。そのため、ガラス基板１に代えて無機材料あるいは有機材料からなる基板を用いることもできる。また、基板のエッチング加工もウエットエッチングだけではなく、プラズマ等を利用したドライエッチング加工でも良い。図３では、凹溝５の側縁にバンク２の側壁がはみ出すようにエッチングされている様子を示す。
【００１９】
エッチングが等方的になされれば、図３（ａ）に示したように、例えばガラス基板１の凹溝形状の深さと同程度でバンク２の下も横方向にエッチングされる。この横方向のエッチングは凹溝形状の深さより少なくても、あるいは若干多くても構わない。これは等方的エッチングにより凹溝形状を加工する場合についてであるが、異方性エッチングによって形成された横方向にエッチングがない凹溝形状、すなわち、図３（ａ）に示したように凹溝５の側縁にバンク２の側壁がはみ出さない形状（バンクの幅と凹溝の幅が同じ、図示せず）とした基板を用いても良い。バンクの幅と凹溝の幅とは、上記以外の種々の組み合わせが可能である。
【００２０】
前記した工程では、バンク２の形成後に撥液性を付与したが、予め撥液性を有する感光性樹脂をバンク２として用いた場合には、フッ素系ガスによるプラズマ処理で撥液性を付与する工程は必要がない。また、ガラス基板１は、配線材料インクに対して親液性を示す他の無機材料や有機材料で形成されたもの、または、撥液性の高い材料の表層のみをＵＶ露光処理や酸素プラズマ処理あるいはフッ酸（ＨＦ）処理で親液性を付与したものでも良い。
【００２１】
続いて、インクジェット法を用いた薄膜配線の作製方法を説明する。図４は、本発明の実施例１におけるガラス基板１に配線材料インク３をインクジェット装置のノズルから吐出し、滴下した際の濡れ広がりの説明図であり、図４（a）は配線材料インクの滴下直後の様子を示す平面図（図４（a−１））および図４（a−１）のＡ−Ａ’線に沿った断面図（図４（a−２））である。また、図４（b）は配線材料インクの滴下後に濡れ広がったときの様子を示す平面図（図４（b−１））および図４（b−１）の線B-B'に沿った断面図（図４（b−２））、図４（b−１）の線C-C'に沿った断面図（図４（b−３））である。
【００２２】
図４において、ガラス基板１の凹溝５とバンク２により構成された配線形成部４に、Ａｇ微粒子５０ｗｔ％含有した配線材料インク３を体積４ｐｌで吐出し、幅２０μｍのゲート配線８を形成する。４ｐｌで吐出された配線材料インク３の液滴直径は約２０μｍであるが、ガラス基板１に着弾した時に直径が約３０μｍとなり、図４（ａ）に示すように、液滴は幅２０μｍの配線形成部からはみ出す。しかし、バンク２は配線材料インク３に対して撥液性を有し、ガラス基板１は配線材料インク３に対し親液性を有するため、図４（ｂ）に示すように、その濡れ性の違いによって配線材料インク３は配線形成部４（図３）に保持、収納される。
【００２３】
着弾した配線材料インク３が配線形成部４を濡れ広がるが、この時、図４（ｂ）の（ｂ−１）の平面図およびその線C-C'に沿った断面図（b−３）に示したように、ガラス基板１とバンク２との境界縁に沿ってさらに濡れ広がる効果がある。この効果は、バンク２の上記境界縁に配線材料インク３が寄ることで配線材料インク３の表面積、言い換えれば表面エネルギーが低下し、より安定な状態となるために発現する。実施例１のガラス基板では、ガラス基板１の凹溝５の端縁も親液性であるため、配線材料インク３が濡れ広がる効果は大きい。
【００２４】
同様に、配線形成部４上で当該バンクの延長方向に沿って位置をずらしながら配線材料インク３の吐出を繰り返すことで（図示せず）、ずれて着弾した配線材料インク同士が配線形成部でつながり、着弾径より幅の狭い配線形成部に配線材料インクが充填される。
【００２５】
配線材料インクとしては、Ａｇの他にＣｕ、Ａｕやこれらの合金等を含有するものでも良く、インクの形態も金属微粒子を溶媒に分散させたものや金属錯体としたもの、またそれらを組み合わせたものでも良い。また、プラズマ耐性の向上やマイグレーションの抑制のためにＮｉやＣｏ等の配線材料インクを前述のＡｇやＣｕ配線のキャップメタルとして積層してゲート配線８を形成しても良い。
【００２６】
インクジェット法では、配線材料インク３中の金属含有量や配線形成部に盛り込み可能なインク体積に応じて吐出ピッチや吐出回数を最適化することで、任意の膜厚の配線を形成可能である。盛り込み可能な配線材料インクの体積とは、配線材料インク３がバンク２となす接触角によって保持できる体積と、バンク２の厚さで保持できる体積とを加えたものである。
【００２７】
実施例１のガラス基板１ではバンク２の厚さ分だけ保持できるインクの量が増加するため、膜厚の厚い配線を形成可能である。また、実施例１のガラス基板１では配線材料インク３を流し込むための大面積の親液部を必要とせず、薄膜配線を自由にレイアウトすることができる。また、実施例１の配線形成用基板にインクジェット法を用いて配線を形成する際に、配線材料インクの着弾径よりも幅の広い配線を形成可能であることは言うまでもない。
【００２８】
配線材料インク３をノズルから吐出して滴下し、配線形成部４に濡れ広がらせた後、該ガラス基板を焼成し、配線材料インク３に含まれる溶媒、樹脂成分を蒸発させ、Ａｇ粒子同士を融着させる。さらに、このようなインクジェット装置のノズルからのインクの吐出と焼成工程を繰り返すことで、例えば膜厚５００ｎｍを持つゲート配線８の形成が完了する。なお、1回のインクジェットの吐出、焼成工程で必要膜厚が得られる場合にはこれらの工程を繰り返す必要はない。
【００２９】
次に、プラズマＣＶＤ装置にてゲート絶縁層２０となるＳｉＮ膜、真性半導体（非晶質Ｓｉ）２１bとＮ型半導体(非晶質Ｓｉ)２１aからなる半導体層２１を成膜する。例えば、ゲート絶縁層２０の膜厚は３５０ｎｍ、真性半導体とＮ型半導体の膜厚はそれぞれ１４０ｎｍ、４０ｎｍとする。ここで、ホトリソ工程を用いて、半導体層２１（真性半導体２１bとＮ型半導体21aの積層）をエッチング（ＳＦ６ガス使用）でパターン加工する。
【００３０】
続いて、ＤＣスパッタ法にて例えばクロム（Ｃｒ）を３００ｎｍの膜厚に成膜する。成膜したＣｒ膜にホトリソ工程、エッチング工程によりデータ配線１０（図１、図２）を形成する。次に、形成したデータ配線パターンをマスクとして、Ｎ型半導体２１aをドライエッチング（ＳＦ６ ガス使用）でパターン加工する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用いてＳｉＮの保護膜２３を３５０ｎｍの厚さで成膜する。ホトリソ工程により保護膜２３をドライエッチング（ＳＦ６ガス使用）し、スポット上にデータ配線１０を露出させるスルーホールを形成する。
【００３１】
ここで、スパッタターゲットにＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２を用いたＤＣスパッタ装置で、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）透明画素電極４０を厚さ１５０ｎｍにスパッタ成膜する。ホトリソ工程を施し、透明画素電極４０をエッチングして所定パターンを作製する。こうして、液晶表示装置のＴＦＴ基板が作製される。
【００３２】
一方、対向基板であるＣＦ基板４３は、ガラス基板２５上にスパッタ法によりＣｒ膜を形成後、ホトリソ工程、エッチング工程を経てブラックマトリクス２７を形成する。続いて赤の色料を分散したレジストをスピンコートで１．５μｍの厚さで塗布し、ホトリソ工程によりカラーフィルタ２６の赤を形成する。緑、青も同様の工程を繰り返すことで赤、緑、青３色のカラーフィルタ２６を形成する。
【００３３】
さらに、アクリル樹脂による保護膜２８を厚さ２μｍで形成後、ＩＴＯ膜を厚さ１５０ｎｍにスパッタ成膜することで共通透明電極４１が形成される。こうして、対向基板が作製される。カラーフィルタの赤、緑、青はホト工程によらず、インクジェット法や各種印刷法で形成しても良い。
【００３４】
以上の工程で作製したＴＦＴ基板４２およびＣＦ基板４３にはさらに、配向膜２４、配向膜２９を塗布し、ラビング等による配向制御能付与、スペーサビーズの分散後、ＴＦＴ基板４２とＣＦ基板４３を貼り合わせ、液晶層３０を封入する。そして、偏光板３１、３２の貼り付けといった工程を経て液晶パネルが完成する。この液晶パネルに周辺回路等を接続し、バックライトの設置、ケースによる一体化を行って液晶表示装置が組み立てられる。
【００３５】
実施例１の液晶パネルのゲート配線８はガラス基板１に形成したバンク２を利用したインクジェット法を用いて形成されたものであり、幅が狭く膜厚が厚い配線が形成されている。そのため、画素領域の高開口率化、ゲート配線８の低抵抗化、低容量化（ゲート配線とデータ配線の交差容量の低減化）が実現でき、高開口率で低消費電力の液晶表示装置を提供できる。また同じく、ガラス基板に形成した保護膜２０上にバンクを設けて、データ配線１０を形成しても前述のゲート配線８の場合と同様の効果が得られる。
【実施例２】
【００３６】
図５は、本発明の実施例２におけるガラス基板に備えたバンクの他例に配線材料インクを滴下した際の濡れ広がりを示す平面図である。図５に示すように、幅広部と絞り部で構成されるような配線を形成する場合に、バンク２の幅広部にのみ適量の配線材料インク３を吐出すれば（図５（ａ））、その良好な濡れ広がりによって絞り部にも配線材料インク３を濡れ広げることができ（図５（ｂ））、連続した薄膜配線を得ることができる。
【００３７】
図６Ａと図６Ｂは、本発明の実施例２におけるガラス基板に備えたバンクのさらに他例に配線材料インクを滴下した際の濡れ広がりを示す平面図である。図６Ａ（ａ）または図６Ａ（ｂ）に示すように、ゲート配線にゲート電極用の突起やデータ配線にドレイン電極となる突起部を設ける配線形成においても、当該突起部に配線材料インクを直接吐出しなくても良好な濡れ広がりによって図６Ｂ（ａ）または図６Ｂ（ｂ）に示すように配線材料インクを充填することができる。
【００３８】
図７Ａと図７Ｂは、本発明の実施例２におけるガラス基板に備えたバンクのさらにまた他例に配線材料インクを滴下した際の濡れ広がりを示す平面図である。図７Ａ（ａ）、図７Ａ（ｂ）に示すように、配線形成部の片端や配線中に配線材料インクの着弾径よりも大きなインク吐出領域を設けたバンクの場合、同一箇所に複数回吐出することで、その良好な濡れ広がりにより図７Ｂ（ａ）、図７Ｂ（ｂ）に示すように幅の狭い配線を形成することができる。いずれの場合においても、インクジェット装置のヘッドとステージの位置精度や吐出の安定性が低くても、細線部のある配線を形成可能である。
【００３９】
以上の実施例では、バンクに撥液性、基板に親液性を持たせたものであったが、その配線形成部の幅が配線材料インクの着弾直径に比べて広い場合や、配線材料インクの着弾時に配線形成部から配線材料インクのはみ出しを許容できる用途においては、バンクが撥液性、基板が親液性、基板が親液性という特性を持たなくても、バンクと基板の形状によって配線形成部を濡れ広がり配線形成可能であることは言うまでもない。
【００４０】
図８は、本発明を適用した液晶パネル用のＴＦＴ基板の配線と周辺回路を接続した液晶表示装置の構成例を説明するブロック図である。なお、図８にはバックライトの図示は省略してある。ＴＦＴ基板４２には、ゲート配線１０、データ配線８がマトリクス状に設けられ、表示領域ARを構成している。なお、図１５には、カラーフィルタ基板（CF基板）側に形成する共通透明電極（対向電極）７も示してある。ゲート配線１０はゲート配線駆動回路（走査信号線駆動回路）５０で駆動される。また、データ配線８はデータ配線駆動回路（映像信号線駆動回路）６０で駆動される。
【００４１】
ゲート配線駆動回路５０とデータ配線駆動回路６０には、表示制御回路８０からのタイミング信号、表示データ信号が供給されるとともに、電源回路７０から所要の電圧が印加される。表示制御回路８０は外部信号源９０から表示信号を受けて上記のタイミング信号、表示データ信号を生成する。CF基板に有する共通透明電極７には、ＴＦＴ基板４２に設けた接続端子Vcomを介して共通電極電圧が供給される。
【００４２】
以上説明したガラス基板は液晶パネル用のＴＦＴ基板の配線形成のみに適用されるものではなく、有機ＥＬ、その他の同様な表示装置のパネルや他の電子装置の配線形成にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明による表示装置用基板の実施例１を説明する液晶パネルの一方の基板の1画素付近の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’に沿って切断した断面を他方の基板であるカラーフィルタ基板と共に示す断面図である。
【図３】本発明の実施例１の表示パネル用基板に形成したバンクの説明図である。
【図４】ガラス基板に配線材料インクをインクジェット装置のノズルから吐出し、滴下した際の濡れ広がりの説明図である。
【図５】本発明の実施例２の表示パネル用基板に形成したバンクを説明する断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施例２のガラス基板に配線材料インクを滴下した際の濡れ広がりを説明する図である。
【図６Ｂ】本発明の実施例２のガラス基板に配線材料インクを滴下した際の濡れ広がりを説明する図である。
【図７Ａ】本発明の実施例２の配線形成用基板に撥液処理した際のプラズマ密度を示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施例２の配線形成用基板に撥液処理した際のプラズマ密度を示す断面図である。
【図８】本発明を適用した液晶パネル用のＴＦＴ基板の配線と周辺回路を接続した液晶表示装置の構成例を説明するブロック図である。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・・ガラス基板（薄膜トランジスタ基板側）、２・・・・バンク、３・・・・配線材料インク、４・・・・配線形成部、５・・・・凹溝、６・・・・フッ素系プラズマ、８・・・・ゲート配線、１０・・・・データ配線、１２・・・・薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２０・・・・ＳｉＮ膜、２１・・・・半導体層、２１ａ・・・・ｎ型半導体、２１ｂ・・・・真性半導体、２３・・・・保護膜、２４・・・・配向膜、２５・・・・ガラス基板（カラーフィルタ基板側）、２６・・・・カラーフィルタ、２７・・・・ブラックマトリクス、２８・・・・保護膜、２９・・・・配向膜、３０・・・・液晶層、３１…偏光板（薄膜トランジスタ基板側）、３２・・・・偏光板（カラーフィルタ基板側）、４０・・・・透明画素電極、４１・・・・共通透明電極（対向電極）、４２・・・・ＴＦＴ基板、４３・・・・ＣＦ基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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