(57)【要約】【課題】  電子装置、薄膜トランジスタ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】  層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、導電層のうち、少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備えるが、幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体。また、基板の一面上に形成される薄膜トランジスタ層と、薄膜トランジスタ層と電気的疎通をなす一つ以上の画素を備える画素層と、を含み、薄膜トランジスタは、層を別にして交互される二層以上の導電層を含み、導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備えるが、幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする平板ディスプレイ装置。【選択図】  図２Ｃ
2006019704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、
前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備え、前記幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記幅変動部を備える層は、ゲート電極と同一層であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記幅変動部を備える層は、ソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
層を別にして交互される二層以上の導電層を含む薄膜トランジスタ構造体において、
前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備え、前記幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体。
【請求項５】
前記幅変動部を備える層は、ゲート電極と同一層であることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ構造体。
【請求項６】
前記幅変動部を備える層は、ソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ構造体。
【請求項７】
基板の一面上に形成される薄膜トランジスタ層と、
前記薄膜トランジスタ層と電気的な疎通をなす一つ以上の画素を備える画素層と、を含み、
前記薄膜トランジスタ層は、層を別にして交互される二層以上の導電層を含み、前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備え、
前記幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする平板ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記幅変動部を備える層は、ゲート電極と同一層であることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記幅変動部を備える層は、ソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記画素層は、第１電極層、第２電極層及びそれら間に介在される少なくとも発光層を含む中間層により構成されることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記平板ディスプレイ装置は前記薄膜トランジスタ層の上部に形成される一層以上の絶縁層をさらに備え、前記画素層の画素は、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを通じて、前記薄膜トランジスタ層と電気的に連結されることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１２】
層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、
前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って断面積が変わる部分を備え、前記断面積が変わる部分は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする電子装置。
【請求項１３】
前記端面積が変わる部分を備える層は、ゲート電極と同一層であることを特徴とする請求項１２に記載の電子装置。
【請求項１４】
前記断面積が変わる部分を備える層は、ソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする請求項１２に記載の電子装置。
【請求項１５】
層を別にして交互される二層以上の導電層を含む薄膜トランジスタ構造体において、
前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って断面積が変わる部分を備え、前記断面積が変わる部分は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体。
【請求項１６】
前記断面積が変わる部分を備える層は、ゲート電極と同一層であることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ構造体。
【請求項１７】
前記断面積が変わる部分を備える層は、ソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ構造体。
【請求項１８】
基板の一面上に形成される薄膜トランジスタ層と、
前記薄膜トランジスタ層と電気的な疎通をなす一つ以上の画素を備える画素層と、を含み、
前記薄膜トランジスタ層は、層を別にして交互される二層以上の導電層を含み、前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って断面積が変わる部分を備え、
前記断面積が変わる部分は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする平板ディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記断面積が変わる部分を備える層は、ゲート電極と同一層であることを特徴とする請求項１８に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記断面積が変わる部分を備える層は、ソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする請求項１８に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記画素層は、第１電極層、第２電極層及びそれら間に介在される少なくとも発光層を含む中間層により構成されることを特徴とする請求項１８に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記平板ディスプレイ装置は前記薄膜トランジスタ層の上部に形成される一層以上の絶縁層をさらに備え、前記画素層の画素は、前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを通じて、前記薄膜トランジスタ層と電気的に連結されることを特徴とする請求項１８に記載の平板ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置に係り、静電気による静電破壊を防止ないし低減させうる構造の電子装置、ＴＦＴ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像の表示において、多様な種類のディスプレイ装置が使われるが、近来には、従来のブラウン管、すなわちＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ、陰極線管）に取って代わる多様な平板ディスプレイ装置が使われる。このような平板ディスプレイ装置は、発光形態によって自発光型と非自発光型とに分類できる。自発光型ディスプレイ装置には、平面ブラウン管、プラズマディスプレイ装置、真空蛍光表示装置、電界放出ディスプレイ装置、無機／有機電界発光ディスプレイ素子があり、非自発光型ディスプレイ装置には、液晶ディスプレイ装置がある。そのうちでも、有機電界発光素子は、バックライトのような別途の発光装置が不要な自発光型素子であって、低電力及び高効率の作動が可能であり、青色発光が可能で、近来に注目を浴びている平面ディスプレイ素子である。
【０００３】
有機電界発光ディスプレイ素子は、有機物薄膜に陰極及び陽極を通じて注入された電子と正孔とが再結合して励起子を形成し、形成された励起子からのエネルギーによって特定の波長の光が発生する現象を利用する自発光型ディスプレイ装置である。有機電界発光ディスプレイ装置は、低電圧で駆動が可能であり、軽量の薄型で、視野角が大きいだけでなく、応答速度も速いという長所を備える。
【０００４】
このような有機電界発光ディスプレイ素子の有機電界発光部は、基板上に積層式に形成される陽極としての第１電極、有機発光部、及び陰極としての第２電極より構成される。有機発光部は、有機発光層（ＥＭＬ：ＥＭｉｔｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）を備えるが、このＥＭＬで正孔と電子とが再結合して、励起子を形成し、光が発生する。発光効率をさらに高めるためには、正孔と電子とをＥＭＬにさらに円滑に輸送しなければならず、このために陰極とＥＭＬとの間には、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）が配置され、陽極とＥＭＬとの間には、正孔輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）が配置され、また、陽極とＨＴＬとの間に、正孔注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が配置されることもあり、陰極とＥＴＬとの間に、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が配置されることもある。
【０００５】
一方、有機電界発光ディスプレイ素子は、駆動方式によって、受動駆動方式のＰＭ（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型と、能動駆動方式のＡＭ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）型とに区分される。前記ＰＭ型は、単純に陽極及び陰極がそれぞれカラムとローとに配列されて、陰極には、ロー駆動回路からスキャニング信号が供給され、この時、複数のローのうち、一つのローのみが選択される。また、カラム駆動回路には、各画素にデータ信号が入力される。一方、前記ＡＭ型は、ＴＦＴを利用して、各画素当り入力される信号を制御するものであって、膨大な量の信号を処理するのに適して、動画を具現するためのディスプレイ装置として多く使われている。
【０００６】
このような従来の技術によるＡＭ型有機電界発光ディスプレイ装置は、製造時に発生する静電気によって、ディスプレイ領域内の不良画素を含みうる。
【０００７】
図１Ａは、明点として表示された不良画素を備える有機電界発光ディスプレイ装置を示し、図１Ｂは、図１Ａのディスプレイ領域中で図面符号“Ａ”と表示される正常画素についての部分拡大図であり、図１Ｃは、図１Ａのディスプレイ領域中で図面符号“Ｂ”と表示される不良画素についての部分拡大図であるが、図１Ａ及び図１Ｂは、基板側から透視された図面である。
【０００８】
それぞれの画素１ａ，１ｂには、電界発光部が含まれるが、駆動ＴＦＴ（図示せず）からの電気的信号を伝達する発光ＴＦＴ Ｍａ，Ｍｂを備える。発光ＴＦＴ Ｍａ，Ｍｂのソース電極は、導電層５を通じて駆動ＴＦＴ（図示せず）と電気的に疎通される。
【０００９】
図１Ｄには、図１Ｃの図面符号“Ｂ′”についての部分拡大図が示されている。導電層５は、その他の導電層と交差されうる。導電層５は、例えば、他のＴＦＴに電気的信号を印加するための、スキャンライン及び／またはスキャンライン延長部としてゲートライン３ａ，３ｂと少なくとも一部で交差する。このようなゲートライン３ａ，３ｂは、設計仕様に合うように長手方向に沿って幅が変動する幅変動部Ａｗを備えるが、ゲートライン３ａ，３ｂは、導電層５と交差部Ａｃとを形成するように配置される。
【００１０】
しかし、導電層を形成する過程時、幅変動部Ａｗのような角形部分では、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃａｒｇｅ：ＥＳＤ）が容易に誘発される。すなわち、図１Ｄ及び図１Ｅに示されたように、幅変動部Ａｗを備える導電層としてのゲートライン３ａ，３ｂが隣りの導電層との交差部Ａｃに配置される場合、静電気が集中して放電が容易に誘発されることによって、これら導電層間に介在される絶縁層を破損させて、導電層間ショートが発生する可能性が高まる。したがって、図１Ａ及び図１Ｃに示されたように、図１Ｂに示された画素と図１Ｃに示された画素とには、同じ電気的信号が入力されたにも拘わらず、図１Ｃの場合、他の導電層５，３ｂとのショートによって入力された電気的信号に対する所望の電気的信号とは異なる電気的信号がＴＦＴ Ｍｂに印加されることによって、画素１ｂは、正常的な画素１ａよりも大きいな発光輝度を有する明点として作動する。
【００１１】
このように、ＴＦＴに備えられる導電層間の静電気による絶縁破壊による導電層間のショートは、構成要素の誤作動を誘発するが、これは、特にディスプレイ領域全体において、高度の均一性を要求する平板ディスプレイ装置に致命的な画面品質低下の問題をもたらす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、導電層間の静電破壊による不良発生を低減ないし防止できる構造の電子装置、ＴＦＴ構造体及びそれを備える平板ディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明の一面によれば、層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備え、前記幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする電子装置を提供する。
【００１４】
本発明の他の一面によれば、層を別にして交互される二層以上の導電層を含むＴＦＴ構造体において、前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備え、前記幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とするＴＦＴ構造体を提供する。
【００１５】
本発明のさらに他の一面によれば、基板の一面上に形成される薄膜トランジスタ層と、前記薄膜トランジスタ層と電気的な疎通をなす一つ以上の画素を備える画素層と、を含み、前記薄膜トランジスタ層は、層を別にして交互される二層以上の導電層を含み、前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って幅を別にする幅変動部を備え、前記幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする平板ディスプレイ装置を提供する。
【００１６】
本発明のさらに他の一面によれば、層を別にして交互される二層以上の導電層を含む電子装置において、前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って断面積が変わる部分を備え、前記断面積が変わる部分は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする電子装置を提供する。
【００１７】
本発明のさらに他の一面によれば、層を別にして交互される二層以上の導電層を含む薄膜トランジスタ構造体において、前記導電層のうち少なくとも何れか一層は、長手方向に沿って断面積が変わる部分を備え、前記断面積が変わる部分は、隣りの導電層との非交差部に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体を提供する。
【００１８】
本発明のさらに他の一面によれば、前記断面積が変わる部分を備える層は、ソース／ドレイン電極と同一層であることを特徴とする薄膜トランジスタ構造体を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
前記のような本発明は、次のような効果がある。
【００２０】
第一に、一層以上のＴＦＴに備えられる何れかの導電層の幅変動部を隣りの導電層との非交差部に配置することによって、製造及び／または作動過程で発生可能な静電気による導電層間の絶縁層の損傷を防止及び／または低減させることによって、静電破壊による製品不良を防止できる。
【００２１】
第二に、ＴＦＴ層を備える有機電界発光ディスプレイ装置のような平板ディスプレイ装置において、ＴＦＴ層は、二層以上の導電層を備え、何れかの導電層に備えられる幅変動部は、隣りの導電層との非交差部に配置されることによって、静電破壊による不良画素の発生を防止することによって、画面品質を向上させうる。
【００２２】
第三に、一層以上のＴＦＴに備えられ、幅変動部を備える何れかの導電層と隣りの導電層との非交差部であって、前記導電層のうち、少なくとも何れか一層にダミー部を備えることによって、製造及び／または作動過程で発生可能な静電気による導電層間の絶縁層の損傷を防止及び／または低減させることによって、静電気破壊による製品不良を防止できる。
【００２３】
第四に、ＴＦＴ層を備える有機電界発光ディスプレイ装置のような平板ディスプレイ装置において、ＴＦＴ層は、二層以上の導電層を備え、幅変動部を備える何れかの導電層と隣りの導電層のうち、少なくとも何れか一層に備えられるダミー部は、幅変動部を備える導電層と隣りの導電層との非交差部に配置されることによって、静電気破壊による不良画素の発生を防止することによって、画面品質を向上させうる。
【００２４】
第五に、一層以上のＴＦＴに備えられ、隣りの導電層と交差部を備える何れか一層の導電層は、幅変動部を備えるが、幅変動部での幅変動は、連続的に及び／またはラウンド方式でなされて、幅変動部での静電気集中を防止することによって、製造及び／または作動過程で発生可能な静電気による導電層間の絶縁層の損傷を防止及び／または低減させて、静電気破壊による製品不良を防止できる。
【００２５】
第六に、ＴＦＴ層を備える有機電界発光ディスプレイ装置のような平板ディスプレイ装置において、ＴＦＴ層は、隣りの導電層と交差部を備える何れか一層の導電層は、幅変動部を備えるが、幅変動部での幅変動は、連続的及び／またはラウンド方式でなされることによって、幅変動部での静電気集中を防止し、製造及び／または作動過程で発生可能な静電気による不良画素の発生を防止することによって、画面品質を向上させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付された図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【００２７】
図２Ａには、本発明の一実施例による平板ディスプレイ装置の一例である有機電界発光ディスプレイ装置の平面図が概略的に示されている。
【００２８】
基板１１０の一面上には、有機電界発光ディスプレイ素子のような発光素子が配置されたディスプレイ領域２００、ディスプレイ領域２００の外側に沿って塗布されて基板１１０と密封部材としての密封基板（図示せず）とを密封させる密封部８００、各種端子が配置された端子領域７００を備えるが、これは、本発明を説明するための一例であって、本発明がこれに限定されず、密封部材としての密封層が備えられるなど多様な変形が可能である。
【００２９】
ディスプレイ領域２００と密封部８００との間には、ディスプレイ領域２００に駆動電源を供給するための駆動電源供給ライン３００が配置される。図２Ａは、本発明の一例であって、駆動電源供給ラインの配置は、これに限定されないが、ディスプレイ領域全体にわたって均一な駆動電源を供給することによって、輝度不均一を改善させうるという点で、駆動電源供給ライン３００は、ディスプレイ領域を取り囲むように形成されることが望ましい。
【００３０】
駆動電源供給ライン３００は、駆動電源ライン３１０と連結されるが、駆動電源ライン３１０は、ディスプレイ領域２００を横切って配置され、保護層１８０（図２Ｃを参照）の下部に配置されたソース電極１７０ａ（図２Ｃを参照）と電気的に疎通される。
【００３１】
また、ディスプレイ領域２００の外側には、垂直／水平駆動回路部５００，６００が配置される。垂直駆動回路部５００は、ディスプレイ領域２００にスキャン信号を印加するスキャン駆動回路部となることもあり、水平駆動回路部６００は、ディスプレイ領域２００にデータ信号を印加するデータ駆動回路部となることもあり、これらは、場合によって、外装ＩＣ又はＣＯＧ状に密封領域の外部に配置されることもある。
【００３２】
一方、ディスプレイ領域２００の外側には、ディスプレイ領域２００に電極電源を供給する電極電源供給ライン４１０が配置されるが、これは、ディスプレイ領域２００の上部に形成された、例えば、第２電極層とこれらとの間に形成された絶縁層のビアホール４３０を通じて電気的疎通をなす。
【００３３】
駆動電源供給ライン３００、電極電源供給ライン４１０、水平／垂直駆動回路部５００，６００は、配線を通じて、これらそれぞれの構成要素についての端子３２０，４２０，５２０，６２０から構成され、密封領域の外側に配置される端子部７００と電気的疎通をなす。
【００３４】
ディスプレイ領域２００を構成する一画素は、図２Ｂ及び図２Ｃを参照して説明する。図２Ｂには、図２Ａの“Ｃ”と表示された、ＴＦＴ層（ＴＦＴ構造体）と画素層とを備え、ディスプレイ領域の一画素（ｎ行ｍ列）についての回路図が概略的に示されている。本発明の一実施例による有機電界発光素子は、ＴＦＴ層に５個のトランジスタと２個のキャパシタとを備え、それぞれのＴＦＴは、ＰＭＯＳ型ＴＦＴと示されているが、これは、本発明を説明するための一例であって、本発明は、これに限定されない。
【００３５】
ディスプレイ領域２００（図２Ａを参照）には、垂直駆動回路部５００から複数の第１スキャンラインを通じて第１スキャン信号が入力され、複数の第２スキャンラインを通じて第２スキャン信号が入力される。“Ｃ”と表示されたｎ行ｍ列の画素には、第１スキャンライン及び第２スキャンラインを通じて第１スキャン信号Ｓ［ｎ］，Ｓ［ｎ−１］及び第２スキャン信号Ｅ［ｎ］が入力され、データラインを通じてデータ信号としてのデータ電圧Ｖｄａｔａ［ｍ］が入力される。
【００３６】
第１ＴＦＴ Ｍ１は、第２ＴＦＴ Ｍ２を通じて印加されるデータ電圧に対応して有機電界発光素子に電気的信号として電流を印加する。
【００３７】
第２ＴＦＴ Ｍ２は、第１スキャンラインに印加される第ｎ選択信号Ｓ［ｎ］に応答してデータラインに印加されるデータ電圧Ｖｄａｔａをスイッチングする。
【００３８】
第３ＴＦＴ Ｍ３は、第１スキャンラインに印加される第ｎ−１選択信号Ｓ［ｎ−１］に応答して第１ＴＦＴ Ｍ１をダイオードコネクションさせる。
【００３９】
第４ＴＦＴ Ｍ４は、第１スキャンラインに印加される第ｎ−１選択信号Ｓ［ｎ−１］に応答して、第１キャパシタＣ１の一側端子に一定の電圧を印加する。
【００４０】
第５ＴＦＴ Ｍ５は、第２スキャンラインに印加される発光信号Ｅ［ｎ］に応答して、第１ＴＦＴ Ｍ１から供給される電流を有機電界発光素子の電界発光部に伝達する。
【００４１】
第１キャパシタＣ１は、第１ＴＦＴのゲートとソースとの間の電圧の少なくとも一部を、設定されたフレーム時間の間に維持し、第２キャパシタＣ２は、しきい電圧が補償された形態のデータ電圧を第１ＴＦＴ Ｍ１のゲートに印加する。
【００４２】
このようなＴＦＴ層と画素層とを備える有機電界発光素子は、次のように作動する。第ｎ−１選択信号Ｓ［ｎ−１］によって第３ＴＦＴ Ｍ３が‘オン’状態になって、駆動ＴＦＴとしての第１ＴＦＴ Ｍ１は、ダイオードコネクション状態になり、第５ＴＦＴ Ｍ５が‘オフ’状態になって、第１ＴＦＴ Ｍ１のしきい電圧がキャパシタＣ２に保存される。
【００４３】
第ｎ−１選択信号Ｓ［ｎ−１］を通じて、第３ＴＦＴ Ｍ３が‘オフ’になり、第ｎ選択信号Ｓ［ｎ］を通じて第１ＴＦＴ Ｍ１が‘オン’状態になった後、データ電圧を印加すれば、しきい電圧が補償された形態のデータ電圧が第１ＴＦＴ Ｍ１のゲートに印加される。
【００４４】
このとき、第ｎ発光信号Ｅ［ｎ］を通じて第５ＴＦＴ Ｍ５が‘オン’状態になれば、第１ＴＦＴ Ｍ１のゲートに印加される電圧によって調整された電流信号が第５ＴＦＴ Ｍ５を通じて有機電界発光素子に伝えられることによって、発光がなされる。
【００４５】
一方、本発明による画素層ＲｐとＴＦＴ層ＲＴ、すなわち、駆動ＴＦＴとしての第１ＴＦＴ Ｍ１と、有機電界発光部を含む画素層と、これに電気的信号を印加するためのスイッチングＴＦＴとしての第５ＴＦＴ Ｍ５と、を含む有機電界発光ディスプレイ装置の部分断面図が、図２Ｃに示されている。
【００４６】
第１ＴＦＴ Ｍ１のようなＴＦＴ層は、基板１１０の一面上に形成されている。基板１１０の一面上に形成されたバッファ層１２０の上部に第１ＴＦＴ Ｍ１の半導体活性層１３０が形成される。半導体活性層１３０は、非晶質シリコン層から構成されるか、または多結晶シリコン層から構成されることもある。図面に詳細に示されていないが、半導体活性層１３０は、Ｎ＋型またはＰ＋型のドーパントでドーピングされるソース及びドレイン領域と、チャンネル領域とから構成されるが、半導体活性層１３０を含むＴＦＴは、有機半導体よりなるなど、多様な構成が可能である。
【００４７】
半導体活性層１３０の上部には、第１ＴＦＴのゲート電極１５０が配置されるが、ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、および加工性を考慮して、例えば、ＭｏＷ、Ａｌ系のような物質より形成されることが望ましいが、これに限定されるものではない。
【００４８】
ゲート電極１５０と半導体活性層１３０との間には、これらを絶縁させるためのゲート絶縁層１４０が位置する。ゲート電極１５０及びゲート絶縁層１４０の上部には、絶縁層としての中間層１６０が単一層及び／または複数層として形成され、その上部には、第１ＴＦＴ Ｍ１のソース／ドレイン電極１７０ａ，１７０ｂが形成されるが、ソース／ドレイン電極１７０ａ，１７０ｂは、ＭｏＷのような金属より形成され、半導体活性層１３０とのさらに円滑なオーミックコンタクトをなすために、以後に熱処理されうる。
【００４９】
ソース／ドレイン電極１７０ａ，１７０ｂの上部には、下部層に対する保護及び／または平坦化させるためのパッシベーション層及び／または平坦化層より構成されうる絶縁層としての保護層１８０が形成される。本発明の一実施例による保護層１８０は、図２Ｃに示されたように、ＳｉＮｘのような無機物を使用した単一層より形成することもあり、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ）またはアクリルのような有機物層より構成することもあり、場合によっては、複数の層より形成することもあるなど、多様な構成が可能である。
【００５０】
第１ＴＦＴ Ｍ１は、ドレイン電極１７０ｂの延長部１７０ｃを通じてスイッチングＴＦＴとしての第５ＴＦＴ Ｍ５と電気的疎通をなす。第５ＴＦＴ Ｍ５の第５半導体活性層２３０は、バッファ層１２０が形成された基板１１０の一面上に形成される。第５半導体活性層２３０は、ゲート絶縁層１４０を通じて上部に形成される第２スキャンライン及び／または第５ゲート電極２５０と絶縁される。第５ゲート電極２５０の一面上には、絶縁層としての中間層１６０と、第５ソース／ドレイン電極２７０ａ，２７０ｂとが形成されるが、第５ソース／ドレイン電極２７０ａ，２７０ｂと第５半導体活性層２３０とは、中間層１６０及びゲート絶縁層１４０に形成されたコンタクトホールを通じて電気的疎通をなす。第５ソース／ドレイン電極２７０ａ，２７０ｂの上部には、絶縁層としての一層以上の保護層１８０が形成され、保護層１８０の上部には、第１電極層２９０、第２電極層４００及びこれら間に配置される電界発光部２９２を含む画素層が形成されるが、画素層の形成過程は、次の通りである。
【００５１】
まず、第１電極層２９０が形成された後、画素開口部２９４を除外した領域であって、保護層１８０の上部には、画素定義層２９１が形成される。画素開口部２９４であって、第１電極層２９０の一面上には、発光層を含む有機電界発光部２９２が配置され、その上部には、第２電極層４００が全面形成されうる。
【００５２】
有機電界発光部２９２は、低分子または高分子有機膜より構成されうるが、低分子有機膜を使用する場合、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ,Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ,Ｎ′−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）をはじめとして、多様な材料を適用できる。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。
【００５３】
高分子有機膜の場合には、大体、ＨＴＬ及びＥＭＬより備えられた構造を有し、このとき、前記ＨＴＬとしてポリエチレンジオキシドチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を使用し、ＥＭＬとしてポリフェニレンビニリデン（ＰＰＶ：Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系のような高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法で形成することもあるなど、多様な構成が可能である。
【００５４】
有機電界発光部２９２の一面の上部には、カソード電極としての第２電極層４００が全面蒸着されるが、第２電極層４００は、このような全面蒸着形態に限定されず、また、類型によってＡｌ／Ｃａ、ＩＴＯ、Ｍｇ−Ａｇのような材料から形成されることもあり、単一層ではない複数層から形成されることもあり、ＬｉＦのようなアルカリまたはアルカリ土金属フルオライド層がさらに備えられるなど、多様な類型に構成されうる。
【００５５】
一方、第１ＴＦＴ Ｍ１と第５ＴＦＴ Ｍ５との間に、第１スキャンライン及び／またはスキャンライン延長部２４０が形成されるが、第１スキャンライン２４０は、第１ＴＦＴ Ｍ１のドレイン電極１７０ｂの延長部１７０ｃと層を別にして交差されるように形成される。第１スキャンライン２４０は、第ｎ−１選択信号Ｓ［ｎ−１］が伝えられる導電層であって、図２Ｂに示されたように、第３及び第４ＴＦＴ Ｍ３，Ｍ４に第ｎ−１走査信号Ｓ［ｎ−１］を伝達するが、それぞれのＴＦＴの設計仕様が異なるので、第１スキャンライン２４０は、長手方向に沿って幅を別にする（幅が異なる）幅変動部Ａｗを備える。すなわち、図２Ｃに部分平面図として示されたように、ドレイン電極１７０ｂから延びた延長部１７０ｃの下部には、層を別にするが、少なくとも一部で延長部１７０ｃと交差する交差部Ａｃを備える導電層としての第１スキャンライン２４０が配線されるが、第１スキャンライン２４０は、第１幅Ｗｃから第２幅Ｗｗにまたは第２幅Ｗｗから第１幅Ｗｃに幅が変動する幅変動部Ａｗを備える。このような第１スキャンライン２４０の幅変動部はまた、第１スキャンライン２４０の長手方向において、その断面積が変わる部分として説明されることもある。
【００５６】
幅変動部Ａｗは、交差部Ａｃと交差されないように隣りの導電層であるドレイン電極１７０ｂの延長部１７０ｃとの非交差領域に形成される。このような有機電界発光部の部分レイアウトは、図２Ｄに示されているので、このように、何れか一層の導電層の幅変動部を隣りの導電層との非交差部に配置することによって、ＴＦＴ層の静電気による損傷を容易に受ける導電層の幅変動部のように、角形部分で急激なボトルネック現象によって発生可能な静電破壊を防止し、これによる隣りの導電層間のショートを防止して、不良画素の発生を低減ないし防止できる。
【００５７】
前記実施例は、本発明を説明するための一例であって、本発明は、これに限定されない。すなわち、前記実施例は、ドレイン電極の延長部とスキャンラインとの間について記述されたが、これに限定されず、その他の導電層間にも適用可能である。また、前記実施例は、トップゲート型の５トランジスタ２キャパシタを有するＴＦＴ及びそれを備える有機電界発光ディスプレイ装置について記述されたが、何れかの導電層の幅変動部は、導電層が隣りの導電層と非交差部に配置されるという範囲で、備えられるトランジスタ及びキャパシタの数、そしてトランジスタの類型に関係なく、無機電界発光ディスプレイ装置及び／または液晶ディスプレイ装置にも十分に適用されうるなど、本発明の構成を含む範囲内で多様な変形が可能である。または、本発明が相互交差するが、相互接触していない二つ以上の導電層を有する電子装置にも適用されうる。
【００５８】
本発明は、添付された図面に示された一実施例を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることが分かる。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によるＴＦＴ構造体は、平板ディスプレイ装置以外にも、電子ペーパー、スマートカード、ＲＦタグ、ロールアップディスプレイ、ＰＤＡのような多様な電子装置に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】従来の技術による有機電界発光ディスプレイ装置のディスプレイ領域を示す線図である。
【図１Ｂ】図１Ａの“Ａ”についての部分拡大図である。
【図１Ｃ】図１Ａの“Ｂ”についての部分拡大図である。
【図１Ｄ】図１Ｃの“Ｂ′”についての部分模式図である。
【図１Ｅ】図１Ｃの“Ｂ′”についての部分断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施例による有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの“Ｃ”についての概略的な回路図である。
【図２Ｃ】図２Ａの“Ｃ”の一部についての部分断面図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施例による有機電界発光ディスプレイ装置の一画素についての部分拡大図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１０  基板
１２０  バッファ層
１３０  半導体活性層
１４０  ゲート絶縁層
１５０  ゲート電極
１６０  中間層
１７０  ソース／ドレイン電極
１７０ａ  ソース電極
１７０ｂ  ドレイン電極
１７０ｃ  延長部
１８０  保護層
２３０  第５半導体活性層
２４０  第１スキャンライン
２５０  第５ゲート電極
２７０  第５ソース／ドレイン電極
２７０ａ  第５ソース電極
２７０ｂ  第５ドレイン電極
２９０  第１電極層
２９１  画素定義層
２９２  有機電界発光部
２９４  画素開口部
４００  第２電極層
ＲＰ  画素層
ＲＴ  ＴＦＴ層
Ｍ１，Ｍ５  第１及び第５薄膜トランジスタ
ＷＣ，ＷＷ  第１及び第２幅
ＡＣ  交差部
ＡＷ  変動部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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