(57)【要約】【課題】光を用いたＣＶＤ法による半導体製造装置におけるウエハに生成される被膜の固体間の膜厚品質を安定させ、かつ面内膜厚均一性を改善することによって生産効率の優れた半導体製造装置を実現する。【解決手段】光を用いたＣＶＤ法による半導体製造装置のウエハを格納するチャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを設け、この透明板に光の透過量を制御するマスク部材を設ける。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を格納するチャンバと、該チャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、前記チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを有する光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置において、
前記透明板に、光の透過量を制御するマスク部材を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
被処理物を格納するチャンバと、該チャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、前記チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを有する光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置において、
前記透明板を、前記チャンバの内側面と略同一面となるよう設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記ガス供給管先部が、略三角形状であり、その端部に前記被処理物の直径より広いスリット状のガス供給口を有し、該スリット状のガス供給口のスリット幅より僅かに大きい距離で前記透明板と前記被処理物とを対向して設置し、前記ガス供給口と対向する位置に、前記スリット状のガス供給口と略等しい大きさのスリット状の吸引口を有する排気管を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
被処理物を格納するチャンバと、該チャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、前記チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを有する光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置において、
前記ガス供給管が、その入口部から前記被処理物に向う方向の両側に伸長するパイプ部材を有し、該パイプ部材の被処理物側に被処理物の蒸着面の略全面に渡って原料ガスを供給するよう複数個のガス供給口を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
被処理物を格納するチャンバと、該チャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、前記チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを有する光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置において、
前記ガス供給管先部が、略三角形状であり、その端部に前記被処理物の直径より広いスリット状のガス供給口を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
被処理物を格納するチャンバと、該チャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、前記チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを有する光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置において、
前記チャンバ内に攪拌用のファンを設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
被処理物を格納するチャンバと、該チャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、前記チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを有する光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置において、
前記被処理物を、被膜生成中に運動させることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本発明は、光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体製造装置の従来例としては、例えば、図１３の説明図に示すものがある。
図において、１は半導体製造装置のチャンバである。２は透明板であり、石英ガラスまたは合成石英ガラス等の透明な材質で製作されており、光を透過する。
３は光源であり、ランプハウス４内に格納され、光を用いた化学蒸着（以下、ＣＶＤという。）に必要な真空紫外光や紫外光等の光を放射する。
【０００３】
５は天板であり、チャンバ１の上部に設けられ透明板２が取付けられる。６はガス供給管であり、テトラエトキシオルソシリケート（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）（以下、ＴＥＯＳという。）やテトラメチルオルソシリケート（Ｓｉ（ＯＣＨ３）４）等の被膜生成の原料となるガスや酸素等の添加ガスからなる原料ガスをチャンバ１内に供給する。
なお、この原料ガスは生成する被膜の種類によって異なり、添加ガスを含まない場合もある。
【０００４】
７は被処理物としてのウエハであり、シリコン、ゲルマニウム等の材料を用いて成形される。ウエハ７の材料としては、他に炭化珪素、ガリウム砒素等があるが、半導体材料として用いることができるものであれば前記の例に限るものではない。
８はステージであり、支柱９に取付けられチャンバ１内に格納される。また、ウエハ７を載置固定してその位置決めを行う。
【０００５】
１０は冷却装置であり、ステージ８を冷却するための冷却パイプ１１と接続しており、冷却パイプ１１に導かれた水またはエチレングリコール等の冷却材がステージ８内を循環する。
１２は排気室であり、図示しない真空ポンプと接続しており、排気室１２内に設けられたバルブ１３の開度を制御することによって、チャンバ１内の真空度を調節する。
【０００６】
以上の構成において、ウエハ７としてシリコン（Ｓｉ）を用い、真空紫外光を用いたＣＶＤ法により酸化被膜を生成する場合は、光源３をキセノン（Ｘｅ２）エキシマランプとし真空紫外光を照射する。チャンバ１内にはガス供給管６からＴＥＯＳと添加ガスである酸素（Ｏ２）からなる原料ガスが一定の流量で供給され、排気室１２を介して図示しない真空ポンプで吸引しバルブ１３を調節して一定の真空度にチャンバ１内の圧力を保つ。
【０００７】
この時、ウエハ７の温度は光源３の輻射熱、原料ガスの反応熱等によって上昇するため、冷却装置１０から冷却パイプ１１によって導かれる冷却材によって冷却し常に適正な温度、例えば２５℃に保たれる。上記の状態を一定の生成時間保つことにより、ＴＥＯＳが常温で分解され、二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜等の酸化被膜がウエハ７上に成膜される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来の技術においては、ウエハ７上のみならず透明板２にも被膜が生成され、これによって透明板２に曇りが発生し真空紫外光の透過が阻害される。
このため、ウエハ７上への被膜の生成速度が劣化し、各成膜作業間で膜厚が変化し個体間での膜厚品質が安定しないという問題があった。
また、膜厚品質安定のためには、透明板２の交換頻度を増大させる必要があり、交換のために頻繁に製造ライン停止しなければならず、生産効率が低下するという問題もあった。
【０００９】
更に、真空紫外光を透過させる透明板２とチャンバ１の天板５との間に段差があり下に凹の形状となっているため、透明板２とウエハ７との間の原料ガスの濃度分布が不均一となる。
この結果、ウエハ７上に生成される被膜は、中央が厚く周辺部が薄い分布状態となり面内膜厚均一性が損なわれるという問題があり、この１枚のウエハ７から生産される半導体の製品歩留まりが悪化し、生産効率が低下するという問題があった。この現象は透明板２とウエハ７との間の距離が近いほど顕著に現れる。
【００１０】
従って、本発明は、固体間の膜厚品質を安定させ、かつ面内膜厚均一性を改善することによって生産効率の優れた光を用いたＣＶＤ法による半導体製造装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するために、被処理物を格納するチャンバと、該チャンバに原料ガスを供給するガス供給管と、前記チャンバに設けられ光を透過させる透明板とを有する光を用いた化学蒸着法による半導体製造装置において、前記透明板に、光の透過量を制御するマスク部材を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
これにより、本発明は、ウエハ上に生成される被膜の生成速度を制御することができ、膜厚の厚い部位の被膜生成を抑制することができるため、ウエハの蒸着面内の膜厚均一性を向上させることができ、半導体の生産性を向上させることができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、図面を参照して本発明による半導体製造装置の実施の形態について説明する。
第１実施の形態例
図１は本発明の第１実施の形態を示す説明図、図２はヒータ設置状態を示す説明図である。
なお、上記従来例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１４】
２０はヒータであり、透明板２に隣接しチャンバ１の外側に設けられている。図２に示すようにヒータ２０は、リング状に成形され、透明板２の上部でその周辺部付近に設置される。
なお、上記チャンバ１と天板５とは、プレス成形や熔接等の手段によって一体に形成してもよい。
【００１５】
また、ヒータの形状は楕円形、四角形等どのような形状であってもよく、図２に示すように中央部付近の空間を取り巻く環状の配置であれば前記のリング状の例に限るものではない。
次に、上述した構成の作用について説明する。真空紫外光を用いてＣＶＤ法によりウエハ７上に酸化被膜を生成する場合は、透明板２の周辺部をヒータ２０によって加熱し、透明板２の周辺部の温度を上昇させる。これによって透明板２は中央が低く周辺部が高い温度分布となる。
【００１６】
この時、ウエハ７には透明板２からの輻射熱が加わるため、上記従来例よりは温度が高くなるが、冷却装置１０の能力を増強する等して適正な温度に保つようにする。
上記の状態で、ガス供給管６から原料ガスを供給し、チャンバ１内の真空度を適正に保ち、光源３から真空紫外光を一定の生成時間照射することによってウエハ７上に被膜が生成される。
【００１７】
この時、真空紫外光を透過させる透明板２とチャンバ１の天板５との間の凹形状の部位に対流が発生する。
従来例では、光源３の輻射熱および原料ガスの反応熱等によって透明板２の温度が上昇する一方、透明板２から周辺の天板５への熱伝導によって透明板２の熱が奪われ周辺部の温度が下がり中央部付近の温度が高くなり、原料ガスが対流によって透明板２の中央付近に集まりやすく、中央付近の原料ガス濃度が上昇していた。
【００１８】
これに対して本発明は、透明板２の周辺部をヒータ２０で加熱することによって、天板５への熱伝導による熱の流出を防止し、透明板２の温度を比較的高く保ちながら中央部付近の温度を周辺部に比して低く保つことができる。
これによって、透明板２と天板５との間の凹形状の部位に発生する対流を抑制し、ウエハ７の蒸着面上の原料ガス濃度分布の一様性を保つことができる。
【００１９】
また、被膜生成過程において真空紫外光を用いたＣＶＤ法による成膜作用は、温度が低い蒸着面には成膜しやすく、温度が高い蒸着面には成膜されにくい性質を有するので、ヒータ２０によって比較的高い温度に保たれた透明板２への成膜作用が抑制される。
なお、上記透明板の温度と凹形状部位の対流を抑制するために更に精密な温度管理が必要な場合は、２重、３重等の多重のヒータを設けこれらを独立に制御することによって達成できる。
【００２０】
また、このためにヒータ２０を、透明板２の側面部に隣接して設ける配置としてもよく、リボンヒータのような薄い膜状のヒータをチャンバ１の内側に設置してもよい。
この場合、多重のヒータ、側面部のヒータまたはチャンバ内側のヒータを同心円状に配置する必要はなく、形状や組合せを変更する等して目標とする温度分布が得られるよう各々のヒータの配置と温度を制御することが必要である。
【００２１】
このようにすることによって、更に面内被膜均一性が向上し半導体の生産性を向上させることができることになる。
第２実施の形態例
図３は本発明の第２実施の形態を示す説明図、図４はマスク部材設置状態を示す説明図、図５はマスク部材の他の態様を示す説明図である。
【００２２】
なお、従来例および第１実施の形態例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
３０は光源２からの光を妨げるためのマスク部材であり、アルミニウム等の金属板、または石英ガラス、合成石英ガラス等の透明または半透明の材料等で製作される。
上述した構成の作用について説明する。
【００２３】
なお、透明板２の曇りを防止する作用、およびウエハ７上に被膜を生成する作用については上記と同様であるので説明を省略する。
第１実施の形態例によって、透明板２と天板５との間の凹形状の部位に発生する対流を抑制し、原料ガスの濃度分布の一様性を保つことができるようにした結果においても面内膜厚均一性が不足する場合、特に局所的に膜厚の厚い部位が生成される場合は、その部位に到達する光の経路上に金属板を用いたマスク部材３０を設置し、光の透過量を減少させウエハ７上の被膜生成速度を下げることによって、一定の生成時間内に生成される被膜の量を調整する。
【００２４】
また、金属板を用いたマスク部材３０によっては、光の透過量の減少量が多すぎる場合は、合成石英ガラス等の透明または半透明の材料を用いたマスク部材３０を光の当該経路上に設置し、光の透過経路を長くすることでその透過量を制御する。この場合には光の屈折現象を考慮し、または積極的に利用してマスク部材３０の配置を決定する必要がある。
更に、膜厚分布がガス供給管６側が厚く、反対側が薄くなるような分布形態の場合は、図５に示す板状のマスク部材３０を用いて、供給される原料ガスの上流側の光の透過量を制御する。この場合、必要に応じて図に示す切欠き部３１を設け膜厚分布が均一となるように光の透過量を制御する。
【００２５】
上記によれば、ヒータ２０を用いて透明板２を昇温することによる効果に加えて、マスク部材３０を用いて光の透過量を制御することによって、ウエハ７上に生成される被膜の生成速度を制御することができ、膜厚の厚い部位の被膜生成を抑制することができるため、ウエハ７の蒸着面内の膜厚均一性を一層向上させることができ、半導体の生産性を更に向上させることができることになる。
【００２６】
なお、マスク部材３０は円板、または半円の切欠き部３１を持つ板として図示したが、マスク部材３０の形状は膜厚の生成を抑制する必要がある部位の形状に合わせて製作する必要があり前記に限ることはない。また、透明または半透明の材料を用いる場合は、厚みや大きさを変化させることによって最適な透過量に制御することができる。
第３実施の形態例
図６は本発明の第３実施の形態を示す説明図である。なお、従来例および第１実施の形態例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。４０は透明板であり、図６に示すように凸形状に成形されている。
【００２７】
上述した構成の作用について説明する。
なお、透明板４０の曇りを防止する作用、およびウエハ７上に被膜を生成する作用については上記と同様であるので説明を省略する。
凸形状となっている透明板４０のチャンバ１の内側に向う面を凸部として、天板５と略同一面、すなわち、チャンバ１の内側面と略同一面となるように組付ける。
【００２８】
これによって、ヒータ２０を用いて透明板２を昇温することによる効果に加えて、第１実施の形態例の凹形状部位が解消され、対流発生部位をなくすことができ、ウエハ７と透明板４０との間の原料ガスの一様性が更に向上するため、面内膜厚均一性が更に向上し、半導体の生産性を更に向上させることができることになる。
なお、本実施の形態例では、透明板４０を凸形状として説明したが、透明板４０の形状を円錐台とし、その面積の小さい方の面をチャンバ１の内側に向う面として組付け、天板５と略同一面となるようにしてもよい。
【００２９】
第４実施の形態例
図７は本発明の第４実施の形態を示す説明図、図８はガス供給管設置状態を示す説明図である。
なお、従来例および第１実施の形態例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３０】
５０はガス供給管である。
ガス供給管５０は、図８に示すようにその入口部からウエハ７に向う方向の両側に伸長する略円弧状に成形されたパイプ部材が設けられ、ウエハ７の蒸着面の略全面に渡って原料ガスを供給するよう、そのウエハ７側に複数個のガス供給口５１が設けられている。
なお、このガス供給管５０は、その形状が、略Ｙ字状またはＴ字状となるようパイプ部材を設け、同様の機能を持たせるようにしてもよい。
【００３１】
上述した構成の作用について説明する。
なお、透明板２の曇りを防止する作用、およびウエハ７上に被膜を生成する作用については上記と同様であるので説明を省略する。
ガス供給管５０に、原料ガスが供給されると、供給されたガスは複数個設けられたガス供給口５１からチャンバ１内に排出される。
【００３２】
この時、ガス供給口５１はウエハ７をほぼ半周に渡って囲むよう配置されているので、ガス供給口５１から供給された原料ガスはウエハ７の蒸着面上にほぼ一様に供給され、ウエハ７の蒸着面近傍の原料ガス濃度の一様性が一層向上する。
これによって、ヒータ２０を用いて透明板２を昇温することによる効果に加えて、原料ガスの濃度分布が改善される結果、優れた面内膜厚均一性が得られる他に反応効率が向上するという効果が得られる。
【００３３】
この結果、生成時間も短縮することができ、半導体の生産効率を一層向上させることができることになる。
第５実施の形態例
図９は本発明の第５実施の形態を示す説明図、図１０はガス供給管設置状態を示す説明図である。
【００３４】
なお、従来例および第１実施の形態例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
６０はガス供給管であり、図１０に示すようにその先部が略三角形状であり、その端部にウエハ７の直径より広いスリット状のガス供給口６１が設けられ、チャンバ１内に開口している。
【００３５】
ガス供給管６０内には、案内板６２が設けられており、ガス供給口６１から排出される原料ガス分布の一様化を図っている。
チャンバ１には、第３実施の形態例と同様の凸形状の透明板４０が設置されており、ガス供給口６１のスリット幅（図１０における紙面直角方向のスリットの幅）より僅かに大きい距離で透明板４０とウエハ７とを対向させて設置される。また、チャンバ１の内容積は、上記の各実施例におけるチャンバに比して減少するよう、特に高さ方向を減じて設けられている。
【００３６】
また、排気室１２は、チャンバ１のガス供給管６０の取付け面と対向する面に設けられた排気管６３に連通するよう設けられ、排気管６３の排気吸入口６４はガス供給管６０のガス供給口６１とほぼ同様の形状および大きさを持つスリット状となっている。
次に、上述した構成の作用について説明する。
なお、透明板２の曇りを防止する作用、およびウエハ７上に被膜を生成する作用については上記と同様であるので説明を省略する。
【００３７】
また、第４実施の形態例の円弧状のガス供給管５０に替えて、本実施例のガス供給管６０を適用すれば、第４実施の形態例と同様の作用により同様の効果が得られる。
本実施例によれば、ガス供給口６１に対向する位置に排気吸入口６４を配置し、透明板４０とウエハ７との間の距離を縮めたことによって、ウエハ７の蒸着面上の流れの一様性をよくし、原料ガスを層状に流すことによりウエハ７の蒸着面上の原料ガス濃度の一様性を一層改善することができる。
【００３８】
これによって、上記の効果に加え、面内膜厚均一性および被膜の生成速度の一層の向上が図られ、半導体の生産効率が大いに向上することになる。
第６実施の形態例
図１１は本発明の第６実施の形態を示す説明図である。
なお、従来例および第１実施の形態例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３９】
７０は攪拌用のファンであり、チャンバ１内に設置されている。
上述した構成の作用について説明する。
なお、透明板２の曇りを防止する作用、およびウエハ７上に被膜を生成する作用については上記と同様であるので説明を省略する。
ウエハ７は冷却装置１０で冷却され、チャンバ１内はガス供給管６から原料ガスを供給しながら排気室１２を介して図示しない真空ポンプで吸引し一定の真空度に保たれる。この時、ファン７０を駆動し、チャンバ内の原料ガスを攪拌し、光源２から真空紫外光を照射する。
【００４０】
これによって、ヒータ２０を用いて透明板２を昇温することによる効果に加えて、チャンバ１内を攪拌することで、チャンバ１内の原料ガスの濃度が均一となり、ウエハ７近傍の原料ガス濃度の一様性が増すため、面内膜厚均一性の向上が図られ、半導体の生産効率が向上することになる。
第７実施の形態例
図１２は本発明の第７実施の形態を示す説明図である。
【００４１】
なお、従来例および第１実施の形態例と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
８０はステージであり、支柱８１に取付けられている。
ステージ８０は、支柱８１を図示しない駆動源によって駆動することにより回転運動または前後左右の往復運動が行えるよう設置されている。
【００４２】
なお、支柱８１には運動中であってもチャンバ１内の真空度の保持が可能なようにメカニカルシール、リップシール等のシール部材８２が、チャンバ１の支柱取付け面に設置されている。
冷却パイプ１１の通路には、回転運動中に冷却材が漏れないようにメカニカルシール等のシール装置８３が設けられている。また、往復運動中に冷却パイプに発生する曲げ応力を緩和するため、ゴムまたはシリコンチューブ等の弾性体を用いたパイプ８４で係合されている。
【００４３】
上述した構成の作用について説明する。
なお、透明板２の曇りを防止する作用、およびウエハ７上に被膜を生成する作用については上記と同様であるので説明を省略する。
ウエハ７を冷却装置１０で冷却し、チャンバ１内をガス供給管６から原料ガスを供給しながら排気室１２を介して図示しない真空ポンプで吸引し一定の真空度に保ち、光源２から真空紫外光を照射する。この時、ステージ８０を回転運動、または往復運動等の運動をさせる。
【００４４】
これによってウエハ７に生成される膜厚が、周方向または前後左右方向に均一化される。この場合、ステージ８０を運動させない状態でウエハ７の周方向に膜厚の不均一がある場合は回転運動させ、半径方向に不均一がある場合はその不均一を矯正する方向に往復運動させることによって、更に面内膜厚均一性の改善が図れる。
上記によれば、ヒータ２０を用いて透明板２を昇温することによる効果に加えて、ステージ８０によりウエハ７を運動させることによって、原料ガスの濃度分布の一様性が不十分な場合においても面内膜厚均一性を改善することができ、半導体の生産効率が向上することになる。
【００４５】
なお、上述した各実施の形態は、そのいくつかを組合せて実施することによって更にその効果を高めることが可能となり、高い生産効率を有する光を用いたＣＶＤ法による半導体製造装置を実現できる。
また、小規模な製造設備においては、上述の実施の形態を単独で適用することによって、それぞれの設備の欠点を改善し、規模に応じた生産効率の向上を図ることができ、投資効率の高い製造装置または製造方法を実現できるという効果が得られる。
【００４６】
以上述べてきたように、本発明は、真空紫外光を用いたＣＶＤ法による酸化被膜をウエハ上に生成する半導体製造装置を例に説明したが、他の光、例えば紫外光を用いたＣＶＤ法による半導体製造装置への適用も容易であり、全ての光を用いたＣＶＤ法による半導体製造装置への適用が可能である。
また、酸化被膜の生成以外の例えば絶縁被膜一般、強誘電体膜、金属配線膜等の生成による半導体製造装置へも適用することができる。
【００４７】
この場合は、ヒータの加熱温度や位置や形状、マスク部材の材質や位置や形状およびガス供給管の種類等を、チャンバの大きさ、ＴＥＯＳの性質に合わせて適宜変更することによって、光を用いたＣＶＤ法による半導体製造装置の生産効率を向上させることができる。
以上説明したように、本発明は、ヒータによって透明板を比較的高い温度に保つことにより、透明板への成膜作用による曇りの発生が抑制されるため、光の透過が阻害されることがなくなり、各成膜作業間での被膜の生成速度の変化が少なくなる。
【００４８】
この結果、個体毎に生成される膜厚の品質が安定すると共に、透明板の交換作業等に要する時間が短縮され生産効率が向上するという効果が得られる。
また、透明板の周辺部をヒータで加熱することによって、透明板と天板との間の凹形状の部位に発生する対流を抑制し、ウエハ上の原料ガスの濃度分布の一様性を保つことができるようにしたため、面内膜厚均一性に優れた被膜を持つウエハを得ることができる。
【００４９】
この結果、１つのウエハから生産される半導体の製品歩留まりが上昇し、上記効果と相まって、光を用いたＣＶＤ法による半導体の生産効率向上を達成できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１実施の形態を示す説明図
【図２】本発明の第１実施の形態のヒータ設置状態を示す説明図
【図３】本発明の第２実施の形態を示す説明図
【図４】本発明の第２実施の形態のマスク部材設置状態を示す説明図
【図５】本発明の第２実施の形態のマスク部材の他の態様を示す説明図
【図６】本発明の第３実施の形態を示す説明図
【図７】本発明の第４実施の形態を示す説明図
【図８】本発明の第４実施の形態のガス供給管設置状態を示す説明図
【図９】本発明の第５実施の形態を示す説明図
【図１０】本発明の第５実施の形態のガス供給管設置状態を示す説明図
【図１１】本発明の第６実施の形態を示す説明図
【図１２】本発明の第７実施の形態を示す説明図
【図１３】従来例を示す説明図
【符号の説明】
【００５１】
１    チャンバ
２，４０  透明板
３    光源
４    ランプハウス
５    天板
６，５０，６０  ガス供給管
７    ウエハ
８、８０  ステージ
９    支柱
１０  冷却装置
１１  冷却パイプ
１２  排気室
１３  バルブ
２０  ヒータ
３０  マスク部材
６３  排気管
７０  ファン
【図１】
2006019766.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006019766.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006019766.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2006019766.tif 000013
【図１２】
2006019766.tif 000014
【図１３】
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