(57)【要約】  【課題】  妨害波によりＡＧＣ回路が動作する場合の感度抑圧を軽減し、これによる受信装置の歪特性の劣化を低減することのできるＡＧＣ回路を提供する。  【解決手段】  前段に可変減衰部２と後段に可変利得増幅部４を設け、ＡＧＣ制御部１０が、ＲＦ信号入力レベルが上昇したときは、まず可変利得増幅部４の増幅利得を減少させて可変減衰部２の減衰量が一定となるように制御し、さらにＲＦ信号入力レベルが上昇し、特定のＲＦ信号入力レベルを超えた場合には、可変減衰部２の減衰量を増加させて可変利得増幅部４の増幅利得が一定となるように順次制御する。このとき、ＡＧＣ制御部１０により可変利得増幅部４の増幅利得を一旦増加させることで、可変減衰部２内のＰＩＮダイオードに一定以上の電流を流して相互変調歪のレベルを低減する。【選択図】  図１
2006025001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信したＲＦ入力信号レベルを減衰量可変に減衰する可変減衰部と、前記可変減衰部の後段に設けられ、入力された信号レベルを増幅利得可変に増幅する可変利得増幅部と、前記可変減衰部の減衰量と前記可変利得増幅部の増幅利得を所定のポイントでの信号レベルが一定のレベル以下となるように制御するＡＧＣ制御部とを備え、前記可変減衰部と前記可変利得増幅部とは、前記可変利得増幅部の増幅利得を変化させて前記可変減衰部の減衰量を一定にする第一の動作領域と、前記可変減衰部の減衰量を変化させて前記可変利得増幅部の増幅利得を一定にする第二の動作領域とを含む動作領域で動作し、前記第二の動作領域におけるＲＦ入力信号レベルは前記第一の動作領域におけるＲＦ信号レベルより大きく、前記ＡＧＣ制御部は、前記第一の動作領域から前記第二の動作領域へ移行する際に前記可変利得増幅部の増幅利得を増加させる受信装置。
【請求項２】
受信したＲＦ入力信号レベルを減衰量可変に減衰する前段可変減衰部と、前記前段可変減衰部の後段に設けられ、入力された信号レベルを減衰量可変に減衰する後段可変減衰部と、前記前段可変減衰部の減衰量と前記後段可変減衰部の減衰量を所定のポイントでの信号レベルが一定のレベル以下となるように制御するＡＧＣ制御部とを備え、前記前段可変減衰部と前記後段可変減衰部とは、前記後段可変減衰部の減衰量を変化させて前記前段可変減衰部の減衰量を一定にする第一の動作領域と、前記前段可変減衰部の減衰量を変化させて前記後段可変減衰部の減衰量を一定にする第二の動作領域とを含む動作領域で動作し、前記第二の動作領域におけるＲＦ入力信号レベルは前記第一の動作領域におけるＲＦ信号レベルより大きく、前記ＡＧＣ制御部は、前記第一の動作領域から前記第二の動作領域へ移行する際に前記後段可変減衰部の減衰量を減少させる受信装置。
【請求項３】
前記第二の動作領域から前記第一の動作領域へ移行する際のＲＦ入力信号レベルが、前記第一の動作領域から前記第二の動作領域へ移行する際のＲＦ入力信号レベルよりも小さいことを特徴とする請求項１または請求項２記載の受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強入力による相互変調歪の発生を抑えるためにＡＧＣ回路を設けた受信装置において、妨害波による感度抑圧を軽減することのできる受信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の基本的な受信装置のＡＧＣ（Auto Gain Control：自動利得制御）回路は、入力段に可変減衰部を設けて受信装置内の所定のポイントでの信号レベルが一定のレベル以下となるように可変減衰部の減衰量を制御している。しかしながら、このＡＧＣ回路は入力段に可変減衰部が設けられているため、ＡＧＣ回路が動作するような大きいレベルの妨害波が入力されたときには、ＡＧＣ回路が動作して妨害波とともに希望信号も減衰し、感度抑圧が生じる。
【０００３】
このため、妨害波による感度抑圧を生じさせないために、図８に示すようなＡＧＣ回路を設けた受信装置のフロントエンド部が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このフロントエンド部３３においては、まずアンテナにて受信されたＲＦ（Radio Frequency：高周波）入力信号がＲＦ入力端子２１に入力され、ＬＰＦ（Low Pass Filter：低帯域通過フィルタ）２２によって受信バンド周波数以上の不要帯域の信号が除去され、可変減衰部２３を通ってＲＦ増幅部２４にて増幅される。そして前段ＢＰＦ（Band Pass Filter：帯域通過フィルタ）２５、可変利得増幅部２６、後段ＢＰＦ２７を通り、ミキサ２８にてオシレータ２９の発振出力と混合されて周波数変換され、ＩＦ（Intermediate Frequency：中間周波数）信号としてＩＦ出力端子３０から出力される。
【０００４】
ＡＧＣ検出部３１は、ミキサ２８から取出されるＩＦ出力レベルに応じて決定されるＡＧＣ制御信号を出力し、ＡＧＣ制御部３２は、ＡＧＣ制御信号を受けて可変減衰部２３と可変利得増幅部２６とを制御する。ＡＧＣ制御部３２は、ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えると、先ず可変利得増幅部２６を制御して利得を減衰させる。さらにＲＦ入力信号のレベルが上昇してＲＦ増幅部２４の歪特性や前段ＢＰＦ２５の歪特性や可変利得増幅部２６の歪特性等から決定される最大許容入力レベルを超えると、可変減衰部２３の減衰量を増加させ、さらにＲＦ信号入力のレベルが上昇して可変減衰器部２３の最大減衰量を超えるような場合には、可変利得増幅部２６の利得をさらに減衰させてＩＦ出力レベルを所定のレベルに制限する。ＲＦ入力信号レベルがＡＧＣ動作レベルを超えても、最大許容入力レベルを超えるまでは可変減衰部２６の減衰量が増加せず、妨害波による感度抑圧を生じさせないため、感度抑圧を軽減できる。
【０００５】
図９はＡＧＣ制御部３２による可変利得増幅部２６と可変減衰部２３の制御を示し、ＡＧＣ回路は、図９（ａ）に示すように、ＩＦ出力レベルが所定のレベル以下となるように動作しており、ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えると、まず図９（ｂ）に示すように、ＡＧＣ制御部３２は可変利得増幅部２６の利得を減衰させるように制御を行う。そしてさらにＲＦ入力信号のレベルが上昇して、ＲＦ増幅部２４の歪特性や前段ＢＰＦ２５の歪特性や可変利得増幅部２６の歪特性等から決定される最大許容入力レベルを超えると、図９（ｃ）に示すように可変減衰部２３の減衰量を増加させる。そしてさらにＲＦ入力信号のレベルが上昇して可変減衰部２３の減衰量が飽和した場合は、可変利得増幅部２６の利得をさらに減衰させる。
【特許文献１】特開２００１−１６８７４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の妨害波による感度抑圧を軽減するＡＧＣ回路においては、可変減衰部の減衰量が小さい状態で大きいレベルのＲＦ入力信号が可変減衰部に入力されることになる。一般に採用されている可変減衰部、すなわち信号ラインとＧＮＤ間にＰＩＮダイオードを設け、ＰＩＮダイオードに流す電流を制御して減衰量を調整する構成の可変減衰部を用いた場合には、ＰＩＮダイオードに流れる電流が小さいときに大きいレベルのＲＦ入力信号がＰＩＮダイオードに印加されることになり、ＰＩＮダイオードで発生する相互変調歪のレベルが大きいという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の問題を解決するためになされたもので、妨害波による感度抑圧を軽減し、これに伴い可変減衰部で発生する相互変調歪のレベルの増加を低減することのできるＡＧＣ回路を備えた受信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の受信装置は、受信したＲＦ入力信号レベルを減衰量可変に減衰する可変減衰部と、前記可変減衰部の後段に設けられ、入力された信号レベルを増幅利得可変に増幅する可変利得増幅部と、前記可変減衰部の減衰量と前記可変利得増幅部の増幅利得を所定のポイントでの信号レベルが一定のレベル以下となるように制御するＡＧＣ制御部とを備え、前記可変減衰部と前記可変利得増幅部とは、前記可変利得増幅部の増幅利得を変化させて前記可変減衰部の減衰量を一定にする第一の動作領域と、前記可変減衰部の減衰量を変化させて前記可変利得増幅部の増幅利得を一定にする第二の動作領域とを含む動作領域で動作し、前記第二の動作領域におけるＲＦ入力信号レベルは前記第一の動作領域におけるＲＦ信号レベルより大きく、前記ＡＧＣ制御部は、前記第一の動作領域から前記第二の動作領域へ移行する際に前記可変利得増幅部の増幅利得を増加させる構成を有している。
【０００９】
この構成により、ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えても、ＲＦ入力信号のレベルが可変利得増幅部の歪特性やＮＦ特性をもとに設定されたレベルを超えるまでは可変減衰部の減衰量が増加せず、妨害波による感度抑圧を軽減できる。さらにＲＦ入力信号のレベルが大きくなると、ＡＧＣ制御部は、可変利得増幅部の利得を特定のレベルだけ一旦上昇させ、可変減衰部の減衰量が特定の減衰量以上となるように制御するため、可変減衰部内のＰＩＮダイオードに一定以上の電流が流れるので、ＰＩＮダイオードで発生する相互変調歪を減少させ、可変減衰部で発生する相互変調歪のレベルを低減することができる。
【００１０】
また、本発明の受信装置は、受信したＲＦ入力信号レベルを減衰量可変に減衰する前段可変減衰部と、前記前段可変減衰部の後段に設けられ、入力された信号レベルを減衰量可変に減衰する後段可変減衰部と、前記前段可変減衰部の減衰量と前記後段可変減衰部の減衰量を所定のポイントでの信号レベルが一定のレベル以下となるように制御するＡＧＣ制御部とを備え、前記前段可変減衰部と前記後段可変減衰部とは、前記後段可変減衰部の減衰量を変化させて前記前段可変減衰部の減衰量を一定にする第一の動作領域と、前記前段可変減衰部の減衰量を変化させて前記後段可変減衰部の減衰量を一定にする第二の動作領域とを含む動作領域で動作し、前記第二の動作領域におけるＲＦ入力信号レベルは前記第一の動作領域におけるＲＦ信号レベルより大きく、前記ＡＧＣ制御部は、前記第一の動作領域から前記第二の動作領域へ移行する際に前記後段可変減衰部の減衰量を減少させる構成を有している。
【００１１】
この構成により、ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えても、ＲＦ入力信号のレベルがＲＦ増幅部の歪特性や後段可変減衰部のひずみ特性をもとに設定されたレベルを超えるまでは前段可変減衰部の減衰量が増加せず、妨害波による感度抑圧を軽減できる。さらにＲＦ入力信号のレベルが大きくなると、ＡＧＣ制御部は、後段可変減衰部の減衰量を特定のレベルだけ一旦減少させ、前段可変減衰部の減衰量が特定の減衰量以上となるように制御するため、前段可変減衰部内のＰＩＮダイオードに一定以上の電流が流れ、ＰＩＮダイオードで発生する相互変調歪を減少させ、前段可変減衰部で発生する相互変調歪のレベルを低減することができる。
【００１２】
また、本発明の受信装置は、前記第二の動作領域から前記第一の動作領域へ移行する際のＲＦ入力信号レベルが、前記第一の動作領域から前記第二の動作領域へ移行する際のＲＦ入力信号レベルよりも小さく設定した構成を有している。
【００１３】
この構成により、可変減衰部または前段可変減衰部の減衰量が増加し始めるＲＦ入力信号レベル付近で、ＲＦ入力信号レベルが上昇から低下に転じた場合に、可変減衰部の減衰量や可変利得増幅部の増幅利得、または前段可変減衰部や後段可変減衰部の減衰量が急激に変化する頻度を下げることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えて、さらに大きくなると、ＡＧＣ制御部は、可変利得増幅部の増幅利得をある特定のレベルだけ一旦上昇させ、可変減衰部の減衰量が特定の減衰量以上となるように制御することにより、可変減衰部内のＰＩＮダイオードに一定以上の電流が流れ、ＰＩＮダイオードで発生する相互変調歪を減少させることができ、妨害波による感度抑圧を軽減し、これによる可変減衰部における歪特性の劣化を低減することができるという効果を有する受信装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態の受信装置について、図面を用いて説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
本発明の第１の実施の形態のＡＧＣ回路を備えた受信装置のフロントエンド部１１の構成を図１に示す。図１において、ＲＦ入力端子１にはアンテナにて受信されたＲＦ入力信号が入力される。ＲＦ入力端子１に入力されたＲＦ入力信号は、可変減衰部２、前段同調部３を通って可変利得増幅部４で増幅される。そして後段同調部５を通り、ミキサ６にてオシレータ７の発振出力と混合されて周波数変換され、ＩＦ信号としてＩＦ出力端子８から出力される。ＡＧＣ検出部９は、ミキサ６から取り出されるＩＦ出力レベルに応じて決定されるＡＧＣ制御信号を出力し、ＡＧＣ制御部１０は、ＡＧＣ制御信号を受けて可変減衰部２と可変利得増幅部４を制御する構成である。
【００１７】
以上のように構成された受信装置のＡＧＣ回路について、図２を用いてその動作を説明する。図２（ａ）に示すように、ＩＦ出力レベルはＡＧＣ回路により所定のレベル以下となるように制御されている。ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えると、まず図２（ｂ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は、第一の動作領域において可変利得増幅部４の増幅利得を減衰させ、可変減衰部２の減衰量が一定のレベルとなるように制御を行う。そして、ＲＦ入力信号のレベルが上昇して、前段同調部３の歪特性や可変利得増幅部４の歪特性やＮＦ特性や後段同調部５の歪特性により設定されたレベルを超える場合には、ＡＧＣ制御部１０は、第二の動作領域Ｂにおいて可変利得増幅部４の増幅利得をある特定のレベルだけ一旦上昇させる。また、この第二の動作領域Ｂでは、図２（ｃ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は可変減衰部２の減衰量がある特定の減衰量以上となるように制御を行い、さらにＲＦ入力信号のレベルが上昇しても、ＩＦ出力レベルが所定のレベルとなるように可変減衰部２の減衰量を増加させるように制御を行う。そしてさらにＲＦ入力信号のレベルが上昇し、可変減衰部２の減衰量が飽和する第三の動作領域Ｃでは、図２（ｂ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は、ＩＦ出力レベルが所定のレベルとなるように、可変利得増幅部４の利得を減少させる制御を行う。
【００１８】
次に、可変減衰部２の基本的な回路構成を図３に可変減衰部１７として示す。図３において、ＲＦ入力端子１２に入力されたＲＦ信号はＲＦ出力端子１６から出力される。抵抗１４は可変減衰部１７の入出力インピーダンスに対して十分大きなインピーダンスを有している。電圧入力端子１５に印加する制御電圧と抵抗１４のインピーダンスによりＰＩＮダイオード１３に流れる電流を制御し、可変減衰部１７の減衰量を制御する構成である。
【００１９】
以上のように構成された可変減衰部１７について図４を用いて動作を説明する。図４（ａ）に示すように電圧入力端子１５に印加する電圧が増大するとＰＩＮダイオード１３に流れる電流が増加する。電圧と電流の関係は抵抗１４により調整できる。ＰＩＮダイオード１３に流れる電流が増大すると、ＰＩＮダイオード１３のインピーダンスが低下し、図４（ｂ）に示すように可変減衰部１７の減衰量が増加する。ＰＩＮダイオード１３に流れる電流が増加してくると、ＰＩＮダイオード１３のインピーダンスの低下が可変減衰部１７の減衰量に与える影響が低下していき、可変増幅部１７の減衰量が飽和する。このとき可変減衰部１７で発生する相互変調歪のレベルを図４（ｃ）に示す。電圧入力端子１５に電圧を印加すると、ＰＩＮダイオード１３で発生する相互変調歪のレベルが増加し、さらに電圧入力端子１５に印加する電圧が増大するとＰＩＮダイオード１３で発生する相互変調歪のレベルは低下していく。したがって、電圧入力端子１５に一定以上の電圧を加えることにより、ＰＩＮダイオード１３で発生する相互変調歪のレベルを低下させることができる。これが、可変利得増幅部４の増幅利得を第一の動作領域Ａから第二の動作領域Ｂへ移行する際に一旦増加させる理由である。
【００２０】
このように、本発明の第１の実施の形態によれば、可変減衰部２と可変利得増幅部４に対して制御を行うＡＧＣ制御部１０が、ＲＦ入力信号のレベルが可変利得増幅部４の歪特性やＮＦ特性をもとに設定されたレベル以下の第一の動作領域Ａでは、ＩＦ出力レベルが所定のレベル以下となるように可変利得増幅部４の利得を制御し、ＲＦ入力信号のレベルが設定されたレベルを超える第二の動作領域Ｂでは、可変利得増幅部４の増幅利得を一旦特定のレベルだけ上昇させて、可変減衰部２の減衰量を特定の減衰量以上で、かつＩＦ出力レベルが所定のレベルとなるように制御するので、前段可変減衰部２に使用するＰＩＮダイオードで発生する相互変調歪のレベルを低減することができ、妨害波による感度抑圧を軽減し、これによる前段可変減衰部２における歪特性の劣化を低減することができる。
【００２１】
（実施の形態２）
次に、本発明の第２の実施の形態のＡＧＣ回路を設けた受信装置のフロントエンド部２０の構成を図５に示す。図５において、本実施の形態２が上記した実施の形態１と異なるのは、ＲＦ入力段に設けられる可変減衰部（前段可変減衰部）２の後段にＲＦ信号を増幅するＲＦ増幅部１８を設けるとともに、ＲＦ増幅部１８の後段に減衰量を可変できる可変減衰部（後段可変減衰部）１９を可変利得増幅部４の代わりに設けたことである。他の構成は図１に示した構成と同じなので、同じ構成要素には同じ符号を付して説明する。アンテナにて受信されたＲＦ入力信号はＲＦ入力端子１に入力され、前段可変減衰部２、前段同調部３を通ってＲＦ増幅部１８で増幅される。そして後段同調部５、後段可変減衰部１９を通り、ミキサ６にてオシレータ７の発振出力と混合されて周波数変換され、ＩＦ信号としてＩＦ出力端子８から出力される。ＡＧＣ検出部９は、ミキサ６から取出されるＩＦ出力レベルに応じて決定されるＡＧＣ制御信号を出力し、ＡＧＣ制御部１０は、ＡＧＣ制御信号を受けて前段可変減衰部２と後段可変減衰部１９を制御する構成である。
【００２２】
以上のように構成された受信装置のＡＧＣ回路について、図６を用いてその動作を説明する。図６（ａ）に示すように、ＩＦ出力レベルはＡＧＣ回路により所定のレベル以下となるように制御されている。ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えると、まず図６（ｂ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は、第一の動作領域Ａにおいて後段可変減衰部１９の減衰量を増加させ、前段可変減衰部２の減衰量が一定のレベルとなるように制御を行う。そしてＲＦ入力信号のレベルが上昇して、前段同調部３の歪特性やＲＦ増幅部１８の歪特性や後段同調部５の歪特性や後段可変減衰部１９の歪特性により設定されたレベルを超える場合には、ＡＧＣ制御部１０は、第二の動作領域Ｂにおいて後段可変減衰部１９の減衰量をある特定のレベルだけ一旦減少させる。後段可変減衰部１９の減衰量を特定のレベルだけ減少させても、後段可変減衰部１９は適当なレベルの減衰量を持つように設定されている。また、この第二の動作領域Ｂでは、図６（ｃ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は前段可変減衰部２の減衰量がある特定の減衰量以上となるように制御を行い、さらにＲＦ入力信号のレベルが上昇しても、ＩＦ出力レベルが所定のレベルとなるように前段可変減衰部２の減衰量を増加させるように制御を行う。そしてＲＦ入力信号のレベルがさらに上昇して、前段可変減衰部２の減衰量が飽和する第三の動作領域Ｃでは、図６（ｂ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は、ＩＦ出力レベルが所定のレベルとなるように、後段可変減衰部１９の減衰量を増加させる制御を行う。
【００２３】
このように、本発明の第２の実施の形態によれば、ＲＦ入力信号のレベルが前段同調部３の歪特性やＲＦ増幅部１８の歪特性や後段同調部５の歪特性や後段可変減衰部１９の歪特性により設定されたレベル以下の第一の動作領域Ａでは、ＩＦ出力レベルが所定のレベル以下となるように後段可変減衰部１９の減衰量を制御し、ＲＦ入力信号のレベルが設定されたレベルを超える第二の動作領域Ｂでは、後段可変減衰部１９の減衰量を特定のレベルだけ一旦減少させて、前段可変減衰部２の減衰量を特定の減衰量以上で、かつＩＦ出力レベルが所定のレベルとなるように制御するので、前段可変減衰部２に使用するＰＩＮダイオードで発生する相互変調歪のレベルを低減することができ、妨害波による感度抑圧を軽減し、これによる前段可変減衰部２における歪特性の劣化を低減することができる。
【００２４】
（実施の形態３）
次に、本発明の第３の実施の形態における受信装置のＡＧＣ回路について説明する。本実施の形態３におけるＡＧＣ回路の構成は図１または図５に示したものと同じであるので、構成についての説明は省略し、ここでは図１に示した構成に基づいてその動作についてのみ図７を用いて説明する。本実施の形態３では、上記実施の形態１または実施の形態２において、ＲＦ入力信号レベルが上昇から低下に転じる際の制御レベルの急激な変動を抑えるために、第二の動作領域Ｂから第一の動作領域Ａへ移行する際のＲＦ入力信号レベルを、第一の動作領域Ａから第二の動作領域Ｂへ移行する際のＲＦ入力信号レベルよりも小さく設定したことを特徴とする。
【００２５】
まず、図７（ａ）に示すように、ＩＦ出力レベルはＡＧＣ回路１０により所定のレベル以下となるように制御されている。ＲＦ入力信号のレベルがＡＧＣ動作レベルを超えると、図７（ｂ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は、第一の動作領域Ａにおいて可変利得増幅部４の増幅利得を減衰させ、可変減衰部２の減衰量が一定のレベルとなるように制御を行う。そしてＲＦ入力信号のレベルが上昇して、前段同調部３の歪特性や可変利得増幅部４の歪特性やＮＦ特性や後段同調部５の歪特性により設定されたレベルを超える場合には、ＡＧＣ制御部１０は、第二の動作領域Ｂにおいて可変利得増幅部４の増幅利得をある特定のレベルだけ一旦上昇させる。また、この第二の動作領域Ｂでは、図７（ｃ）に示すように、ＡＧＣ制御部１０は可変減衰部２の減衰量がある特定の減衰量以上となるように制御を行い、さらにＲＦ入力信号のレベルが上昇しても、ＩＦ出力レベルが所定のレベルとなるように可変減衰部２の減衰量を増加させるように制御を行う。
【００２６】
第二の動作領域Ｂにおいて、ＡＧＣ制御部１０が可変減衰部２の減衰量を制御しているときにＲＦ入力信号のレベルが低下してきた場合、ＡＧＣ制御部１０は、可変減衰部２の減衰量が最小となるように可変減衰部２の減衰量に対する制御を停止する。また、ＲＦ入力信号のレベルが低下してＡＧＣ制御部１０による制御が第二の動作領域Ｂから第一の動作領域Ａに戻った場合、可変利得増幅部４の増幅利得に対する制御を開始するＲＦ入力信号レベルは、前段同調部３の歪特性や可変利得増幅部４の歪特性やＮＦ特性や後段同調部５の歪特性により設定されたＲＦ入力信号レベルよりも低く設定してあるので、次にＲＦ入力信号レベルが上昇した場合には、ＡＧＣ制御部１０が可変減衰部２の減衰量に対する制御を停止することにより、可変減衰部２の減衰量は最小に戻るとともに、可変利得増幅部４の制御は低いＲＦ入力信号レベルから開始されることになり、可変減衰部２の減衰量や可変利得増幅部４の増幅利得が急激に変化する頻度を抑えることができる。
【００２７】
このように、本発明の第３の実施の形態のＡＧＣ回路によれば、第二の動作領域Ｂから第一の動作領域Ａへ移行する際のＲＦ入力信号レベルを、第一の動作領域Ａから第二の動作領域Ｂへ移行する際のＲＦ入力信号レベルよりも小さく設定してあるので、ＲＦ入力信号のレベルが、前段同調部３の歪特性や可変利得増幅部４の歪特性やＮＦ特性や後段同調部５の歪特性により設定されたレベル付近で変動した場合に、可変減衰部２の減衰量や可変利得増幅部４の増幅利得が急激に変化する頻度を抑えることができる。
【００２８】
上記の説明では、図１に示した構成に基づいて動作を説明したが、図５に示した構成についても同様な制御を行うことができる。
【００２９】
なお、以上の各実施の形態の説明では、ＡＧＣ検出部９をミキサ６の出力と接続し、ＩＦ出力レベルに対してＡＧＣ動作を行う構成を例として説明したが、その他にＲＦ入力レベルや後段同調部５の出力レベルや、またはＡＧＣ動作の選択度を高めるためにＩＦ出力信号を急峻なフィルタでフィルタリングし、受信チャネルの信号レベルなど受信装置内部の他のポイントの信号レベルに対してＡＧＣ動作を行う構成や、受信装置内部の複数のポイントの信号レベルを利用しＡＧＣ動作を行う構成に対しても同様に実施可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
以上のように、本発明にかかる受信装置は、妨害波による感度抑圧を軽減し、これによる可変減衰部における歪特性の劣化を低減することができるという効果を有し、強入力による相互変調歪の発生を抑えるためにＡＧＣ回路を設けた受信装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施の形態における受信装置のＡＧＣ回路を備えたフロントエンド部のブロック図
【図２】（ａ）本発明の第１の実施の形態におけるＡＧＣ回路の動作説明のための特性線図、（ｂ）可変利得増幅部の利得可変動作制御線図、（ｃ）可変減衰部の減衰動作制御線図
【図３】ＰＩＮダイオードを用いた一般的な可変減衰部の回路図
【図４】（ａ）ＰＩＮダイオードを用いた一般的な可変減衰部の電圧−電流特性図、（ｂ）ＰＩＮダイオードに流す電流を変化させたときの可変減衰部の減衰量特性図、（ｃ）ＰＩＮダイオードに流す電流を変化させたときの可変減衰部の歪特性図
【図５】本発明の第２の実施の形態における受信装置のＡＧＣ回路を備えたフロントエンド部のブロック図
【図６】（ａ）本発明の第２の実施の形態におけるＡＧＣ回路の動作説明のための特性線図、（ｂ）後段可変減衰部の減衰動作制御線図、（ｃ）前段可変減衰部の減衰動作制御線図
【図７】（ａ）本発明の第３の実施の形態におけるＡＧＣ回路の動作説明のための特性線図、（ｂ）可変利得増幅部の利得可変動作制御線図、（ｃ）可変減衰部の減衰動作制御線図
【図８】従来技術における受信装置のＡＧＣ回路を備えたフロントエンド部のブロック図
【図９】（ａ）従来技術におけるＡＧＣ回路の動作説明のための特性線図、（ｂ）可変利得増幅部の利得可変動作制御線図、（ｃ）可変減衰部の減衰動作制御線図
【符号の説明】
【００３２】
１  ＲＦ入力端子
２  可変減衰部（前段可変減衰部）
３  前段同調部
４  可変利得増幅部
５  後段同調部
６  ミキサ
７  オシレータ
８  ＩＦ出力端子
９  ＡＧＣ検出部
１０  ＡＧＣ制御部
１１  受信装置のフロントエンド部
１２  ＲＦ入力端子
１３  ＰＩＮダイオード
１４  抵抗
１５  電圧入力端子
１６  ＲＦ出力端子
１７  基本的な可変減衰部
１８  ＲＦ増幅部
１９  後段可変減衰部
２０  受信装置のフロントエンド部
２１  ＲＦ入力端子
２２  ＬＰＦ
２３  可変減衰部
２４  ＲＦ増幅部
２５  前段ＢＰＦ
２６  可変利得増幅部
２７  後段ＢＰＦ
２８  ミキサ
２９  オシレータ
３０  ＩＦ出力端子
３１  ＡＧＣ検出部
３２  ＡＧＣ制御部
３３  受信装置のフロントエンド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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