(57)【要約】【課題】表示領域の配向膜に不純物イオンが吸着することにより発生する表示ムラを低コストかつ簡単な構造で防止する液晶装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向する対向基板２０とをシール材５２を介して対向配置させ、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶を介在させた液晶装置１において、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の前記液晶に面する側に前記液晶を配向させる配向膜１６が形成されており、配向膜１６のうち、ＴＦＴ基板１０における表示領域１０ｈとシール材５２の形成領域とで囲まれた領域１０ｋに形成された配向膜１６ｋと、対向基板２０の表示領域１０ｈに対向する領域２０ｈとシール材５２の形成領域とで囲まれた領域２０ｋに形成された配向膜１６ｈとを有し、配向膜１６ｋと配向膜１６ｈとは特性が異なっていることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に複数の第１電極が形成された第１基板と、該第１基板に対向し、第２電極が形成された第２基板とを前記表示領域の外側に形成されたシール材を介して対向配置させ、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、
前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶に面する側に前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、
前記配向膜のうち、前記第１基板における前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第１の配向膜と、前記第２基板の前記表示領域に対向する領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第２の配向膜とを有し、
前記第１の配向膜と第２の配向膜とは特性が異なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
表示領域に複数の第１電極が形成された第１基板と、該第１基板に対向し、第２電極が形成された第２基板とを前記表示領域の外側に形成されたシール材を介して対向配置させ、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、
前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶に面する側に前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、
前記配向膜のうち、前記第１基板における前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第１の配向膜と、前記第２基板の前記表示領域に対向する領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第２の配向膜とを形成することで、
前記表示領域と前記シール材の形成領域との間の領域と前記表示領域とで電位差が生じ、前記表示領域と前記シール材の形成領域との間の領域に不純物イオンが吸着されることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とは帯電性が異なることにより特性が異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とは、分子構造、材質または基板との密着性を高める添加物の有無が異なることにより、特性が異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１基板の前記表示領域上、及び前記第２基板の前記表示領域に対向する領域上には前記第１の配向膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１基板は素子基板であって、前記表示領域に複数のスイッチング素子を有し、前記第１の電極は前記スイッチング素子に対応して設けられた画素電極であり、
前記第２基板は対向基板で、前記第２の電極は対向電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記囲まれた領域に形成される前記配向膜は、表示領域の外側に設けられたダミーの画素電極上に形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記ダミーの画素電極は、前記表示領域の外周を規定する遮光膜により被覆されたことを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかの液晶装置を用いて構成したことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
表示領域に複数の電極を有する第１基板と該第１基板に対向する第２基板とを前記表示領域の外に設けるシール材を介して対向配置させ、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、
前記第１基板の表示領域上の前記液晶に面する側に、第１の配向膜を形成する工程と、
前記第１基板の、少なくとも前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、前記表示領域の前記第１の配向膜とは異なる特性の第２の配向膜を形成する工程と、
前記第２基板に、前記第１の配向膜と同一の配向膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
表示領域に複数の画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と該素子基板に対向する対向基板とを前記表示領域の外に設けるシール材を介して対向配置させ、前記素子基板と前記対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、
前記素子基板の表示領域上の前記液晶に面する側に、第１の配向膜を形成する工程と、
前記素子基板の前記内面上の、少なくとも前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、前記表示領域の前記第１の配向膜とは異なる特性の第２の配向膜を形成する工程と、
前記対向基板に、前記第１の配向膜と同一の配向膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
表示領域に複数の画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と、該素子基板に対向する対向基板とを前記表示領域の外に設けるシール材を介して対向配置させ、前記素子基板と前記対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、
前記対向基板の前記表示領域に対向する領域に、第１の配向膜を形成する工程と、
前記対向基板の、少なくとも前記表示領域に対向する領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、前記表示領域の配向膜とは異なる特性の第２の配向膜を形成する工程と、
前記素子基板上に、前記第１の配向膜と同一の前記配向膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜は帯電性が異なることにより特性が異なることを特徴とする請求項１１または１２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
前記表示領域の配向膜と前記囲まれた領域の配向膜とは、分子構造、材質または基板との密着性を高める添加物の有無が異なることにより、特性が異なることを特徴とする請求項１１または１２に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶を配向させる配向膜が形成された、素子基板と該素子基板に対向する基板とを有する液晶装置、及び電子機器、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶を封入して構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に共通電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えばガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされる。このパネル組立工程は、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との液晶層と接する面上に、液晶の分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成し、該配向膜に、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施す。
【０００５】
次いで、一方の基板上の周縁に接着剤となるシール材を設け、このシール材を用いてＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させ、その後シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶が封入され、最後に切り欠きが封止材で封止されることにより液晶装置は製造される。
【０００６】
ところで、このように製造された液晶装置において、シール材及び封止材からは、未硬化の成分または硬化した生成物等の不純物イオンが発生する。該不純物イオンが発生すると、液晶を駆動した際、不純物イオンがＴＦＴ基板または対向基板の表示領域上に形成された配向膜に吸着されてしまう場合があり、表示領域にコントラストムラ等の表示ムラが発生してしまうといった問題があった。
【０００７】
このような問題に鑑み、例えば特許文献１では、シール材をアクリル樹脂からなる線状のスペーサ壁で囲むことにより、シール材からの不純物イオンが、表示領域に侵入し、該表示領域上の配向膜に吸着して表示ムラとなるのを防止する技術の提案がなされている。
【特許文献１】特開２００２−４０４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に開示された技術においては、液晶装置を製造する際、スペーサ壁を新たに形成する必要があるため、液晶装置の構造が複雑化し、また製造コストが増大してしまうといった問題がある。
【０００９】
さらに、スペーサ壁自体からアクリル樹脂を成分とする不純物イオンが発生してしまい、該不純物が表示領域に侵入し、該表示領域上の配向膜に吸着して表示ムラを発生させてしまう可能性がある。
【００１０】
本発明は上記問題点及び事情に着目してなされたものであり、その目的は、表示領域の配向膜に不純物イオンが吸着することにより発生する表示ムラを低コストかつ簡単な構造で防止する液晶装置、及び電子機器、液晶装置の製造方法を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明に係る液晶装置は、表示領域に複数の第１電極が形成された第１基板と、該第１基板に対向し、第２電極が形成された第２基板とを前記表示領域の外側に形成されたシール材を介して対向配置させ、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶に面する側に前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、前記配向膜のうち、前記第１基板における前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第１の配向膜と、前記第２基板の前記表示領域に対向する領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第２の配向膜とを有し、前記第１の配向膜と第２の配向膜とは特性が異なっていることを特徴とする。
【００１２】
また、表示領域に複数の第１電極が形成された第１基板と、該第１基板に対向し、第２電極が形成された第２基板とを前記表示領域の外側に形成されたシール材を介して対向配置させ、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を介在させた液晶装置において、前記第１基板及び前記第２基板の前記液晶に面する側に前記液晶を配向させる配向膜が形成されており、前記配向膜のうち、前記第１基板における前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第１の配向膜と、前記第２基板の前記表示領域に対向する領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に形成された第２の配向膜とを形成することで、前記表示領域と前記シール材の形成領域との間の領域と前記表示領域とで電位差が生じ、前記表示領域と前記シール材の形成領域との間の領域に不純物イオンが吸着されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の液晶装置によれば、囲まれた領域のみが、第１基板と該第１基板に対向する第２基板とで、配向膜の特性が異なることから、液晶を駆動すると、囲まれた領域において、第１基板上の配向膜と、第２基板上の配向膜とで、電荷の吸着の偏りが生じ、囲まれた領域に内部オフセット電圧が生じる。
【００１４】
このことから、シール材または該シール材を封止する封止材から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは囲まれた領域上の配向膜に吸着するため、不純物イオンが表示領域の配向膜に吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができるという効果を有する。
【００１５】
また、配向膜の特性を変えるだけで、不純物イオンが表示領域上の配向膜に吸着してしまうことを防ぐことができるため、低コストかつ簡単な構造で、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができるという効果を有する。
【００１６】
また、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とは帯電性が異なることにより特性が異なることを特徴とする。さらに、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とは、分子構造、材質または基板との密着性を高める添加物の有無が異なることにより、特性が異なることを特徴とする。
【００１７】
本発明の液晶装置によれば、囲まれた領域のみが、第１基板と該第１基板に対向する第２基板とで、帯電性、または、分子構造、材質もしくは基板との密着性を高める添加物の有無が異なることによる配向膜の特性が異なることから、液晶を駆動すると、囲まれた領域において、第１基板上の配向膜と、第２基板上の配向膜とで、電荷の吸着の偏りが生じ、囲まれた領域に内部オフセット電圧が生じる。
【００１８】
このことから、シール材または該シール材を封止する封止材から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは囲まれた領域上の配向膜に吸着するため、不純物イオンが表示領域の配向膜に吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができるという効果を有する。
【００１９】
さらに、前記第１基板の前記表示領域上、及び前記第２基板の前記表示領域に対向する領域上には前記第１の配向膜が形成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、前記第１基板は素子基板であって、前記表示領域に複数のスイッチング素子を有し、前記第１の電極は前記スイッチング素子に対応して設けられた画素電極であり、前記第２基板は対向基板で、前記第２の電極は対向電極であることを特徴とする。
【００２１】
本発明の液晶装置によれば、素子基板と該素子基板に対向する対向基板とのいずれかの表示領域上と囲まれた領域とにおいて、電荷の吸着の偏りが確実に生じ、また確実に囲まれた領域に内部オフセット電圧が生じることから、シール材または該シール材を封止する封止材から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは、確実に囲まれた領域の配向膜に吸着する。よって、不純物イオンが表示領域上の配向膜に吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができるという効果を有する。
【００２２】
さらに、前記囲まれた領域に形成される前記配向膜は、表示領域の外側に設けられたダミーの画素電極上に形成されることを特徴とし、また前記ダミーの画素電極は、前記表示領域の外周を規定する遮光膜により被覆されたことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明に係る電子機器は、請求項１〜８のいずれかの液晶装置を用いて構成したことを特徴とする。
【００２４】
本発明の電子機器によれば、不純物イオンが表示領域上の配向膜に吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを低コストかつ簡単な構造で防ぐことができる液晶装置を備えた電子機器を提供することができるという効果を有する。
【００２５】
本発明に係わる液晶装置の製造方法は、表示領域に複数の電極を有する第１基板と該第１基板に対向する第２基板とを前記表示領域の外に設けるシール材を介して対向配置させ、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、前記第１基板の表示領域上の前記液晶に面する側に、第１の配向膜を形成する工程と、前記第１基板の、少なくとも前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、前記表示領域の前記第１の配向膜とは異なる特性の第２の配向膜を形成する工程と、前記第２基板に、前記第１の配向膜と同一の配向膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２６】
また、表示領域に複数の画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と該素子基板に対向する対向基板とを前記表示領域の外に設けるシール材を介して対向配置させ、前記素子基板と前記対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、前記素子基板の表示領域上の前記液晶に面する側に、第１の配向膜を形成する工程と、前記素子基板の前記内面上の、少なくとも前記表示領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、前記表示領域の前記第１の配向膜とは異なる特性の第２の配向膜を形成する工程と、前記対向基板に、前記第１の配向膜と同一の配向膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００２７】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、素子基板の表示領域に配向膜を形成し、素子基板の少なくとも表示領域と該表示領域の外側に形成された前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、表示領域の配向膜とは、特性の異なる配向膜を形成することにより、囲まれた領域のみが、素子基板と該素子基板に対向する基板とで、配向膜の特性が異なる。
【００２８】
よって、液晶を駆動すると、素子基板上の表示領域上と囲まれた領域とにおいて、配向膜間に電荷の吸着の偏りが生じ、囲まれた領域上に内部オフセット電圧が生じることから、シール材または該シール材を封止する封止材から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは囲まれた領域上の配向膜に吸着する。
【００２９】
このことから、不純物イオンが表示領域の配向膜に吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができる液晶装置の製造方法を提供することができるという効果を有する。
【００３０】
また、配向膜の特性を変えるだけで、不純物イオンが表示領域上の配向膜に吸着してしまうことを防ぐことができるため、低コストかつ簡単な構造で、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができる液晶装置の製造方法を提供することができるという効果を有する。
【００３１】
本発明に係わる液晶装置の製造方法は、表示領域に複数の画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と、該素子基板に対向する対向基板とを前記表示領域の外に設けるシール材を介して対向配置させ、前記素子基板と前記対向基板との間に液晶を介在させた液晶装置の製造方法において、前記対向基板の前記表示領域に対向する領域に、第１の配向膜を形成する工程と、前記対向基板の、少なくとも前記表示領域に対向する領域と前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、前記表示領域の配向膜とは異なる特性の第２の配向膜を形成する工程と、前記素子基板上に、前記第１の配向膜と同一の前記配向膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００３２】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、素子基板に対向する対向基板の表示領域に配向膜を形成し、対向基板の少なくとも表示領域と該表示領域の外側に形成された前記シール材の形成領域とで囲まれた領域に、素子基板の表示領域の配向膜とは、分子構造、材質または基板との密着性を高める添加物の有無が異なる特性の異なる配向膜を形成することにより、囲まれた領域のみが、素子基板と対向基板とで、配向膜の特性が異なる。
【００３３】
よって、液晶を駆動すると、囲まれた領域において、素子基板の配向膜と対向基板の配向膜との間に電荷の吸着の偏りが生じ、囲まれた領域に内部オフセット電圧が生じることから、シール材または該シール材を封止する封止材から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは囲まれた領域上の配向膜に吸着する。
【００３４】
このことから、不純物イオンが表示領域の配向膜に吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができる液晶装置の製造方法を提供することができるという効果を有する。
【００３５】
また、配向膜の特性を変えるだけで、不純物イオンが表示領域の配向膜に吸着してしまうことを防ぐことができるため、低コストかつ簡単な構造で、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができる液晶装置の製造方法を提供することができるという効果を有する。
【００３６】
さらに、前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜は帯電性が異なることにより特性が異なることを特徴とする。また、前記表示領域の配向膜と前記囲まれた領域の配向膜とは、分子構造、材質または基板との密着性を高める添加物の有無が異なることにより、特性が異なることを特徴とする。
【００３７】
本発明の液晶装置の製造方法によれば、囲まれた領域のみが、第１基板と該第１基板に対向する第２基板とで、帯電性、または、分子構造、材質もしくは基板との密着性を高める添加物の有無が異なることによる配向膜の特性が異なることから、液晶を駆動すると、囲まれた領域において、第１基板上の配向膜と、第２基板上の配向膜とで、電荷の吸着の偏りが生じ、囲まれた領域に内部オフセット電圧が生じる。
【００３８】
このことから、シール材または該シール材を封止する封止材から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは囲まれた領域上の配向膜に吸着するため、不純物イオンが表示領域の配向膜に吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができる液晶装置の製造方法を提供することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態では、液晶装置は、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子が形成された素子基板及び該素子基板に対向配置される基板を用いた液晶装置を例に挙げて説明する。
【００４０】
図１は、本発明の一実施の形態を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【００４１】
同図に示すように、液晶装置１は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた第１基板である素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた第２基板である対向基板２０との間の内部空間に液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００４２】
ＴＦＴ基板１０の内面である表面１０ａに、画素を構成する第１の電極である画素電極（ＩＴＯ）９（図２参照）等がマトリクス状に配置されて液晶装置１の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板の表示領域１０ｈが構成される。また、対向基板２０の内面である表面２０ａの全面に、第２の電極である共通電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。
【００４３】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上及び対向基板２０上の全面に渡って形成された共通電極２１上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。配向膜１６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。尚、配向膜１６の詳細な構成は、後述する。
【００４４】
対向基板２０に、表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を規定し区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４５】
また、対向基板２０の遮光膜５３の外側の後述するシール材形成領域２０ｓ（図４参照）において、液晶を封入するシール材５２が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０間に形成されている。尚、シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の後述するシール材形成領域１０ｓ（図３参照）において形成されていてもよい。
【００４６】
シール材５２は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、該欠落した箇所に、貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８が形成されている。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００４７】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００４８】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極を駆動する走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。
【００４９】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００５０】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が共通電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００５１】
ここで、配向膜１６が形成されたＴＦＴ基板１０の表面１０ａ及び対向基板２０の表面２０ａの構成について説明する。図３は、表面に配向膜が形成された図１のＴＦＴ基板の概略平面図、図４は、表面に配向膜が形成された図１の対向基板の概略平面図、図５は、図３のＴＦＴ基板と図４の対向基板とを対向配置させたときのＴＦＴ基板及び対向基板の配向膜の位置を示す断面図である。
【００５２】
図３に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａに形成される配向膜１６は、第１の配向膜１６ｈと、第２の配向膜１６ｋとにより構成されている。  
第１の配向膜１６ｈは、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａであって表示領域１０ｈに形成されている。また、第２の配向膜１６ｋは、少なくとも表示領域１０ｈと該表示領域１０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域１０ｓとで囲まれた領域１０ｋに形成されている。
【００５３】
尚、囲まれた領域１０ｋの画素電極９は、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを対向配置させた際、対向基板２０に形成された遮光膜５３により覆われるため、駆動はするが表示に寄与しない電極、即ちダミー電極９ｄとなっている。
【００５４】
第２の配向膜１６ｋは、第１の配向膜１６ｈと異なる特性（特に帯電性）を有している。具体的には、第２の配向膜１６ｋは、第１の配向膜１６ｈと、分子構造、材質、またはＴＦＴ基板との密着性を高める添加物の有無が相違している。
【００５５】
配向膜には通常ポリイミドを用いるが、上述のような材質あるいは分子構造が異なるポリイミドの例としては、芳香族ポリイミド、脂環式ポリイミド、フッ素変性ポリイミド、カルコン系ポリイミド、シクロブタン系ポリイミド、ビフェニル系ポリイミド、アクリレート基を有するポリイミド、アゾベンゼン基を有するポリイミド、などが挙げられる。
【００５６】
また、図４に示すように、対向基板２０の表面２０ａに形成される配向膜１６は、第１の配向膜１６ｈにより構成されている。  
第１の配向膜１６ｈは、対向基板２０の表面２０ａであって表示領域２０ｈ及び少なくとも表示領域２０ｈと該表示領域２０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域２０ｓとで囲まれた領域２０ｋに形成されている。即ち、表面２０ａの全面に形成されている。
【００５７】
よって、図５に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とをシール材５２を介して対向配置させたときは、ＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋと、該領域１０ｋに対向する対向基板２０の囲まれた領域２０ｋとで、異なる特性を有する２種類の配向膜１６ｈ、１６ｋが形成されている。
【００５８】
次に、このように構成された液晶装置１の製造方法について、図６を用いて説明する。図６は、本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。尚、配向膜１６の形成工程以外の製造工程は、従来と同じであるため、説明を省略する。
【００５９】
同図に示すように、先ずステップＳ１において、画素電極９等が形成されたＴＦＴ基板１０を配向膜形成装置にセットする。次いで、ステップＳ２において、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａ上であって、表示領域１０ｈに、第１の配向膜１６ｈが、例えば印刷またはインクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段等により形成される。その後、ステップＳ３に移行する。
【００６０】
ステップＳ３では、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａ上であって、少なくとも表示領域１０ｈと該表示領域１０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域１０ｓとで囲まれた領域１０ｋに、第１の配向膜１６ｈと、分子構造、材質、またはＴＦＴ基板との密着性を高める添加物の有無等が異なる第２の配向膜１６ｋが、例えば印刷またはインクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段等により形成される。その後、ステップＳ４に移行する。
【００６１】
ステップＳ４では、共通電極２１等が形成された対向基板２０を配向膜形成装置にセットする。次いで、ステップＳ５では、対向基板２０の表面２０ａ上であって、表示領域２０ｈ及び少なくとも表示領域２０ｈと該表示領域２０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域２０ｓとで囲まれた領域２０ｋ、即ち、表面２０ａの全面に、第１の配向膜１６ｈが形成される。
【００６２】
最後に、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に形成された配向膜１６に、液晶５０の分子をＴＦＴ基板及び対向基板面に沿って配向させるためのラビング処理が施され、本工程は終了する。このようにして、液晶装置１に用いるＴＦＴ基板１０の表面１０ａ及び対向基板２０の表面２０ａに、配向膜１６は形成される。
【００６３】
このように、本実施の形態を示す液晶装置においては、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａ上の表示領域１０ｈに形成される第１の配向膜１６ｈと、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａ上の囲まれた領域１０ｋに形成される第２の配向膜１６ｋとは、特性が異なる、具体的には、分子構造、材質、またはＴＦＴ基板との密着性を高める添加物の有無等が異なると示した。
【００６４】
よって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とをシール材５２を介して対向配置させたときは、ＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋに、第２の配向膜１６ｋが形成され、囲まれた領域１０ｋに対向する対向基板２０の囲まれた領域２０ｋに、第１の配向膜１６ｈが形成される。
【００６５】
このことにより、ＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋのみが、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とで、配向膜の特性が異なることから、液晶５０を駆動すると、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間において、配向膜の電荷の吸着に偏りが生じ、囲まれた領域１０ｋに内部オフセット電圧が生じる。
【００６６】
よって、シール材５２または該シール材５２を封止する封止材１０９から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは囲まれた領域１０ｋ上の第２の配向膜１６ｋに吸着するため、不純物イオンが表示領域１０ｈ上の第１の配向膜１６ｈに吸着してしまい、表示ムラが発生してしまうことを防ぐことができる。
【００６７】
また、配向膜の特性を変えるだけで、不純物イオンが表示領域１０ｈの第１の配向膜１６ｈに吸着してしまうことを防ぐことができるため、低コストかつ簡単な構造で、表示ムラを防ぐことができる。
【００６８】
よって、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈの第１の配向膜１６ｈに不純物イオンが吸着することにより発生する表示ムラを、低コストかつ簡単な構造で防止する液晶装置１、及び液晶装置１の製造方法を提供することができる。
【００６９】
以下、変形例を示す。本実施の形態においては、第２の配向膜１６ｋは、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａの少なくとも表示領域１０ｈと該表示領域１０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域１０ｓとで囲まれた領域１０ｋに形成されると示した。
【００７０】
これに限らず、表示領域１０ｈの外側であれば、シール材形成領域１０ｓ及び該シール材形成領域１０ｓの外側に第２の配向膜１６ｋを形成しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
また、以下、別の変形例を示す。図７は、表面に配向膜が形成された図３のＴＦＴ基板の変形例を示す概略平面図、図８は、表面に配向膜が形成された図４の対向基板の変形例を示す概略平面図である。
【００７２】
本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａの表示領域１０ｈに第１の配向膜１６ｈが形成され、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａ上の囲まれた領域１０ｋに、第１の配向膜１６ｈとは、特性が異なる第２の配向膜１６ｋが形成されていると示した。
【００７３】
これに限らず、図７に示すように、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａ上の表示領域１０ｈ、及び少なくとも表示領域１０ｈと該表示領域１０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域１０ｓとで囲まれた領域１０ｋに、第１の配向膜１６ｈを形成し、図８に示すように、対向基板２０の表面２０ａ上の表示領域２０ｈに第１の配向膜１６ｈを形成し、また、ＴＦＴ基板２０の表面２０ａ上の囲まれた領域２０ｋに、第１の配向膜１６ｈとは、特性が異なる第２の配向膜１６ｋを形成しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
尚、この場合も、表示領域２０ｈの外側であれば、シール材形成領域２０ｓ及び該シール材形成領域２０ｓの外側にも第２の配向膜１６ｋを形成してもよい。
【００７５】
次に、この場合の液晶装置１の製造方法について、図９を用いて説明する。図９は、図６の液晶装置の製造方法の変形例を示すフローチャートである。尚、この場合も配向膜１６の形成工程以外の製造工程は、従来と同じであるため、説明を省略する。
【００７６】
同図に示すように、先ずステップＳ１１において、共通電極２１等が形成された対向基板２０を配向膜形成装置にセットする。次いで、ステップＳ１２において、対向基板２０の表面２０ａ上であって、表示領域２０ｈに、第１の配向膜１６ｈが、例えば印刷またはインクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段等により形成される。その後、ステップＳ１３に移行する。
【００７７】
ステップＳ１３では、対向基板２０の表面２０ａ上であって、少なくとも表示領域２０ｈと該表示領域２０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域２０ｓとで囲まれた領域２０ｋに、第１の配向膜１６ｈと、分子構造、材質、またはＴＦＴ基板との密着性を高める添加物の有無等が異なる第２の配向膜１６ｋが、例えば印刷またはインクジェットと同等の構成を有する液滴吐出手段等により形成される。その後、ステップＳ１４に移行する。
【００７８】
ステップＳ１４では、画素電極９等が形成されたＴＦＴ基板１０を配向膜形成装置にセットされる。次いで、ステップＳ１５では、ＴＦＴ基板１０の表面１０ａ上であって、表示領域１０ｈ及び少なくとも表示領域１０ｈと該表示領域１０ｈの外側に形成されたシール材５２の形成領域１０ｓとで囲まれた領域１０ｋに、第１の配向膜１６ｈが形成される。
【００７９】
最後に、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に形成された配向膜１６に、液晶５０の分子をＴＦＴ基板及び対向基板面に沿って配向させるためのラビング処理が施され、本工程は終了する。このようにして、液晶装置１に用いるＴＦＴ基板１０の表面１０ａ及び対向基板２０の表面２０ａに、配向膜１６が形成される。
【００８０】
よって、シール材５２または該シール材５２を封止する封止材１０９から不純物イオンが溶出したとしても、該不純物イオンは囲まれた領域２０ｋの第２の配向膜１６ｋに吸着するため、不純物イオンが表示領域２０ｈの第１の配向膜１６ｈに吸着してしまい、表示ムラが発生することを防ぐことができる。
【００８１】
また、配向膜の特性を変えるだけで、不純物イオンが表示領域２０ｈ上の第１の配向膜１６ｈに吸着してしまうことを防ぐことができるため、低コストかつ簡単な構造で、表示ムラを防ぐことができる。
【００８２】
よって、対向基板２０の表示領域２０ｈの第１の配向膜１６ｈに不純物イオンが吸着することにより発生する表示ムラを低コストかつ簡単な構造で防止する液晶装置１、及び液晶装置１の製造方法を提供することができる。
【００８３】
また、さらに別の変形例を示す。図１０は、表面に配向膜が形成された図３のＴＦＴ基板のさらに別の変形例を示す概略平面図、図１１は、表面に配向膜が形成された図４の対向基板のさらに別の変形例を示す概略平面図である。
【００８４】
本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを対向配置させた際、ＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋと、該領域１０ｋに対向する対向基板２０の囲まれた領域２０ｋとで、形成される配向膜が異なると示した。
【００８５】
即ち、ＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋに、第２の配向膜１６ｋが形成されており、囲まれた領域１０ｋに対向する対向基板２０の囲まれた領域２０ｋに、第１の配向膜１６ｈが形成されている、または対向基板２０の囲まれた領域２０ｋに、第２の配向膜１６ｋが形成されており、囲まれた領域２０ｋに対向するＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋに、第１の配向膜１６ｈが形成されていると示した。
【００８６】
これに限らず、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを対向配置させた際、ＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋと、該領域１０ｋに対向する対向基板２０の囲まれた領域２０ｋとに形成された配向膜が対向面で特性が異なっていれば、どのように形成してもよい。
【００８７】
具体的には、図１０、図１１に示すように、ＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋの上半部に、第２の配向膜１６ｋを形成し、またＴＦＴ基板１０の囲まれた領域１０ｋの下半部に、第１の配向膜１６ｈを形成し、さらに、対向基板２０の囲まれた領域１０ｋの上半部に、第１の配向膜１６ｈを形成し、また対向基板２０の囲まれた領域１０ｋの下半部に、第１の配向膜１６ｋを形成しても、上述した本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
さらに、本発明の液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。
【００８９】
さらに、本発明に係る液晶装置が用いられる電子機器としては、プロジェクタ等の光投写型表示装置や、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器や携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末機等、電気光学装置である液晶表示モジュールを用いる機器が挙げられる。したがって、これらの電子機器においても、本発明が適用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の一実施の形態を示す液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図。
【図３】表面に配向膜が形成された図１のＴＦＴ基板の概略平面図。
【図４】表面に配向膜が形成された図１の対向基板の概略平面図。
【図５】図３のＴＦＴ基板と図４の対向基板とを対向配置させたときのＴＦＴ基板及び対向基板の配向膜の位置を示す断面図。
【図６】本実施の形態を示す液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図７】表面に配向膜が形成された図３のＴＦＴ基板の変形例を示す概略平面図。
【図８】表面に配向膜が形成された図４の対向基板の変形例を示す概略平面図。
【図９】図６の液晶装置の製造方法の変形例を示すフローチャート。
【図１０】表面に配向膜が形成された図３のＴＦＴ基板のさらに別の変形例を示す概略平面図。
【図１１】表面に配向膜が形成された図４の対向基板のさらに別の変形例を示す概略平面図。
【符号の説明】
【００９１】
１…液晶装置、９…画素電極、９ｄ…ダミー電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ａ…ＴＦＴ基板表面、１０ｈ…ＴＦＴ基板の表示領域、１０ｋ…ＴＦＴ基板の囲まれた領域、１０ｓ…ＴＦＴ基板のシール材の形成領域、１６…配向膜、１６ｈ…第１の配向膜、１６ｋ…第２の配向膜、２０…対向基板、２０ａ…対向基板表面、２０ｈ…対向基板の表示領域、２０ｋ…対向基板の囲まれた領域、２０ｓ…対向基板のシール材の形成領域、２１…共通電極、４０…液晶装置の表示領域、５０…液晶、５２…シール材、５３…遮光膜。
【図１】
2006078930.tif 000003
【図２】
2006078930.tif 000004
【図３】
2006078930.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006078930.tif 000009
【図８】
2006078930.tif 000010
【図９】
2006078930.tif 000011
【図１０】
2006078930.tif 000012
【図１１】
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