(57)【要約】【課題】  半導体センサチップの特性不良の発生を防止することができる半導体センサ及び半導体センサの製造方法を提供すること。【解決手段】    半導体センサ１００は、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、蓋７０などを備える。ＩＣチップ３０は、パッケージ部材１０内の底面におけるチップ搭載部に、シリコン系樹脂等などからなる接着剤２０を介して搭載される。そして、ＩＣチップ３０の上に、接着フィルム４０を介して半導体センサチップ５０が搭載される。また、ワイヤ６０ａ、ワイヤ６０ｂによってパッケージ部材１０とＩＣチップ３０、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０とが電気的に接続される。そして、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、ワイヤ６０ａ、６０ｂにおける表面、及び蓋７０におけるパッケージ部材１０内と対向する面に絶縁膜９０が形成される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センシング部を備える半導体センサチップと、
前記半導体センサチップを内蔵するものであり、開口を有するパッケージ部材と、
前記パッケージ部材の開口を塞ぐ蓋部材と、
前記半導体センサチップの表面、前記パッケージ部材及び前記蓋部材の内側表面に形成される絶縁膜と、
を備えることを特徴とする半導体センサ。
【請求項２】
前記センシング部は、可動電極と固定電極とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体センサ。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記センシング部を除く領域に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体センサ。
【請求項４】
前記半導体センサチップから出力される検出信号を処理するものであり、前記パッケージ部材に内蔵される処理回路を備え、前記絶縁膜は、当該処理回路の表面に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体センサ。
【請求項５】
前記半導体センサチップと前記処理回路とを電気的に接続する第１のワイヤを備え、前記絶縁膜は、当該半導体センサチップにおける当該第１のワイヤとの接続部を除く表面、当該処理回路における当該第１のワイヤとの接続部を除く表面、及び当該第１のワイヤの表面に形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体センサ。
【請求項６】
前記半導体センサチップあるいは前記処理回路と電気的に接続される第２のワイヤを備え、前記パッケージ部材は、当該パッケージ部材の外部との電気的接続を行うものであり、当該第２のワイヤと電気的に接続されるパッドを内側表面に備え、前記絶縁膜は、当該半導体センサチップにおける当該第２のワイヤとの接続部を除く表面、当該処理回路における当該第２のワイヤとの接続部を除く表面、当該パッケージ部材における当該第２のワイヤとの接続部を除く内側表面、及び当該第２のワイヤの表面に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体センサ。
【請求項７】
半導体センサチップをパッケージ部材と蓋部材とで封止する半導体センサの製造方法であって、
前記パッケージ部材の開口から前記半導体センサチップを挿入し、当該パッケージ部材に当該半導体センサチップを搭載する搭載工程と、
前記半導体センサチップの表面、前記パッケージ部材及び前記蓋部材の内側表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記蓋部材にて、前記パッケージ部材の開口を塞ぐ封止工程と、
を備えることを特徴とする半導体センサの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜形成工程は、前記搭載工程後に行われることを特徴とする請求項７に記載に半導体センサの製造方法。
【請求項９】
前記搭載工程は、前記絶縁膜形成工程後に行われることを特徴とする請求項７に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体センサチップのセンシング部への前記絶縁膜の形成を防止するための保護キャップを形成する保護キャップ形成工程と、前記絶縁膜形成工程後に当該保護キャップを取り外す保護キャップ取り外し工程とを備えることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の半導体センサの製造方法。
【請求項１１】
前記センシング部は、可動電極と固定電極とを備えることを特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の半導体センサの製造方法。
【請求項１２】
前記搭載工程は、前記半導体センサチップから出力される検出信号を処理する処理回路を前記パッケージ部材の開口から挿入し、当該パッケージ部材に搭載する工程を備え、前記絶縁膜形成工程は、前記絶縁膜を当該処理回路の表面に形成することを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれかに記載の半導体センサの製造方法。
【請求項１３】
前記半導体センサチップと前記処理回路とは第１のワイヤによって電気的に接続されるものであり、前記絶縁膜形成工程は、当該半導体センサチップにおける当該第１のワイヤとの接続部を除く表面、当該処理回路における当該第１のワイヤとの接続部を除く表面、及び当該第１のワイヤの表面に前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体センサの製造方法。
【請求項１４】
前記半導体センサは、前記半導体センサチップあるいは前記処理回路と電気的に接続される第２のワイヤを備え、前記パッケージ部材は、当該パッケージ部材の外部との電気的接続を行うものであり、当該第２のワイヤと接続されるパッドを内側表面に備え、前記絶縁膜形成工程は、当該半導体センサチップにおける当該第２のワイヤとの接続部を除く表面、当該処理回路における当該第２のワイヤとの接続部を除く表面、当該パッケージ部材における当該第２のワイヤを除く内側表面、及び当該第２のワイヤの表面に前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項７乃至請求項１３のいずれかに記載の半導体センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体センサ及び半導体センサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、パッケージと蓋とによって封止される半導体センサとして特許文献１に示すものがあった。図５は、特許文献１に示す半導体センサの概略構成を示すブロック図である。
【０００３】
図５に示すように、特許文献１に示す半導体センサは、パッケージ部材１、接着剤２、ＩＣチップ３、接着フィルム４、半導体センサチップ５、ワイヤ６ａ、６ｂ、蓋７、金属部材８、パッド１ａ、３ａ、５ａなどを備える。
【０００４】
パッケージ部材１は、各部材を収納する凹部が形成されており、この凹部の底面上には、接着剤２を介してＩＣチップ３が搭載される。そして、ＩＣチップ３の上には、接着フィルム４を介して梁構造体からなるセンシング部５６を備える半導体センサチップ５が搭載される。
【０００５】
また、パッケージ部材１、ＩＣチップ３及び半導体センサチップ５にはそれぞれ、アルミ等よりなるワイヤボンディング用のパッド１ａ、３ａ、５ａが形成される。そして、パッケージ部材１とＩＣチップ３は、パッド１ａと３ａをつなぐワイヤ６ａによって電気的に接続され、ＩＣチップ３と半導体センサチップ５は、パッド３ａと５ａをつなぐワイヤ６ｂによって電気的に接続される。そして、パッケージ部材１は、パッケージ部材１にろう付けされた金属部材８に対して蓋７を溶接することによって、凹部の開口部を覆うように蓋７が取付固定される。
【特許文献１】特開２００２−５９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に示す半導体センサにおいては、半導体センサチップ５をパッケージ部材１と蓋７とによって封止することで外部からの異物の進入を遮断することは可能である。
【０００７】
また、パッケージ部材１の開口部に蓋７を取付固定する前には、画像認識などによって、センシング部５６などへ異物が付着していないかどうかを検査することがある。しかしながら、異物の位置や大きさによっては、画像認識において異物を発見できないこともありうる。このようにパッケージ部材１内に異物が存在している状態でパッケージ部材１の開口部に蓋７を固定すると、パッケージ部材１内に異物を閉じ込めてしまうこととなる。そのため、閉じ込められた異物が移動し、半導体センサチップ５のセンシング部５６に付着することによって、半導体センサチップ５の特性不良が発生する可能性があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、半導体センサチップの特性不良の発生を防止することができる半導体センサ及び半導体センサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために請求項１に記載の半導体センサは、センシング部を備える半導体センサチップと、半導体センサチップを内蔵するものであり開口を有するパッケージ部材と、パッケージ部材の開口を塞ぐ蓋部材と、半導体センサチップの表面、パッケージ部材及び蓋部材の内側表面に形成される絶縁膜とを備えることを特徴とするものである。
【００１０】
半導体センサチップの表面、パッケージ部材及び蓋部の内側表面に異物が存在している場合、半導体センサチップの表面、パッケージ部材及び蓋部材の内側表面に絶縁膜を形成することによって、異物を絶縁膜で固定することができる。したがって、異物が内部に残った状態で蓋部材にてパッケージ部材の開口を塞いだとしても、パッケージ部材内における異物の移動を抑制することができ、センシング部に異物が付着することによって生じる半導体センサチップの特性不良を防止することができる。
【００１１】
また、センシング部は、請求項２に示すように可動電極と固定電極とすることができる。
【００１２】
また、請求項３に記載の半導体センサでは、絶縁膜は、センシング部を除く領域に形成されることを特徴とするものである。このように、センシング部を除く領域に絶縁膜を形成することによって、絶縁膜による半導体センサチップの特性への影響を防止することができる。
【００１３】
また、請求項４に記載の半導体センサでは、半導体センサチップから出力される検出信号を処理するものであり、パッケージ部材に内蔵される処理回路を備え、絶縁膜は、処理回路の表面に形成されることを特徴とするものである。
【００１４】
このように、半導体センサチップの処理回路をパッケージ部材に内蔵する場合、処理回路に絶縁膜を形成することによって、処理回路に異物が付着している場合であっても異物を処理回路に固定することができる。
【００１５】
また、請求項５に記載の半導体センサでは、半導体センサチップと処理回路とを電気的に接続する第１のワイヤを備え、絶縁膜は、半導体センサチップにおける第１のワイヤとの接続部を除く表面、処理回路における第１のワイヤとの接続部を除く表面、及び第１のワイヤの表面に形成されることを特徴とするものである。
【００１６】
このように、半導体センサチップと処理回路とを第１のワイヤにて電気的に接続する場合、絶縁膜を第１のワイヤの表面に形成することによって、第１のワイヤに異物が付着していた場合であっても異物を第１のワイヤに固定することができる。また、絶縁膜を半導体センサチップ及び処理回路における第１のワイヤとの接続部を除く表面に設けることによって、半導体センサチップ及び処理回路と第１のワイヤとを良好に電気的に接続することができる。
【００１７】
また、請求項６に記載の半導体センサでは、半導体センサチップあるいは処理回路と電気的に接続される第２のワイヤを備え、パッケージ部材は、パッケージ部材の外部との電気的接続を行うものであり、第２のワイヤと電気的に接続されるパッドを内側表面に備え、絶縁膜は、半導体センサチップにおける第２のワイヤとの接続部を除く表面、処理回路における第２のワイヤとの接続部を除く表面、パッケージ部材におけるパッドを除く内側表面、及び第２のワイヤの表面に形成されることを特徴とするものである。
【００１８】
このように、半導体センサチップあるいは処理回路とパッケージ部材に形成されるパッドとを第２のワイヤにて電気的に接続する場合、絶縁膜を第２のワイヤの表面に形成することによって、第２のワイヤに異物が付着していた場合であっても異物を第２のワイヤに固定することができる。また、絶縁膜を半導体センサチップ及び処理回路における第２のワイヤとの接続部を除く表面、パッケージ部材におけるパッドを除く内側表面に設けることによって、半導体センサチップ、処理回路、パッケージ部材のパッドと第２のワイヤとを良好に電気的に接続することができる。
【００１９】
また、請求項７に記載の半導体センサの製造方法での作用・効果に関しては、上述の請求項１と同様であるため説明を省略する。
【００２０】
また、請求項８に示すように、絶縁膜形成工程を搭載工程後に行うようにしてもよいし、請求項９に示すように、絶縁膜形成工程を行った後に搭載工程を行うようにしてもよい。
【００２１】
また、請求項１０に記載の半導体センサの製造方法では、半導体センサチップのセンシング部への絶縁膜の形成を防止するための保護キャップを形成する保護キャップ形成工程と、絶縁膜形成工程後に保護キャップを取り外す保護キャップ取り外し工程とを備えることを特徴とするものである。
【００２２】
このように、センシング部への絶縁膜の形成を防止するための保護キャップを形成し、絶縁膜形成工程後にその保護キャップを取り外すことによって、センシング部に絶縁膜を形成することなく、半導体センサチップの表面、パッケージ部材及び蓋部材の内側表面に絶縁膜を形成することができる。
【００２３】
また、また、請求項１１に記載の半導体センサの製造方法での作用・効果に関しては、上述の請求項２と同様であるため説明を省略する。また、また、請求項１２乃至請求項１４に記載の半導体センサの製造方法での作用・効果に関しては、上述の請求項４乃至請求項６と同様であるため説明を省略する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。なお、本実施の形態に示す半導体センサ１００は、加速度センサに適用した例を用いて説明する。
【００２５】
図１に示すように、半導体センサ１００は、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０（本発明でいう処理回路）、半導体センサチップ５０、蓋７０などを備える。
【００２６】
パッケージ部材１０は、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０などを収納するものであり、セラミックなどからなる。パッケージ部材１０は、アルミなどからなるワイヤボンディング用のパッド１０ａ、開口部周辺に鉄系金属等よりなる蓋７０を溶接するための金属からなる接続部材８０などを備える。この接続部材８０と蓋７０とを溶接することによって、パッケージ部材１０は封止され、外部からパッケージ部材１０内に異物が進入することを防止している。なお、パッド１０ａは、図示しない配線などによってパッケージ部材１０の外部と電気的に接続可能となっている。
【００２７】
ＩＣチップ３０は、半導体センサチップ５０から出力される検出信号（容量信号）を電圧等の信号に変換するなどの処理を行うための処理回路である。また、ＩＣチップ３０は、アルミなどからなるワイヤボンディング用のパッド３０ａ、３０ｂを備える。
【００２８】
半導体センサチップ５０は、容量変化に基づいて加速度を検出する静電容量式加速度センサチップである。この半導体センサチップ５０は、第１シリコン基板と第２シリコン基板とを酸化膜を介して貼り合わせてなるＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板により構成される。そして、半導体センサチップ５０は、一方のシリコン基板に形成される可動電極と固定電極とからなる梁構造体５１（本発明でいうセンシング部）を備える。
【００２９】
この半導体センサチップ５０は、半導体センサチップ５０に印加される加速度によって可動電極が変位し、この可動電極の変位量に基づいて可動電極と固定電極との間の静電容量が変化する。そして、半導体センサチップ５０は、静電容量の変化を検出信号（容量信号）として出力する。
【００３０】
ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０をパッケージ部材１０内に収納する場合、ＩＣチップ３０は、パッケージ部材１０内の底面におけるチップ搭載部に、シリコン系樹脂等などからなる接着剤２０を介して搭載（接合）される。そして、ＩＣチップ３０の上に、フィルム状接着材（以下、接着フィルムとも称する）４０を介して半導体センサチップ５０が搭載（接合）される。なお、接着フィルム４０は、熱硬化性樹脂もしくは熱可塑性樹脂よりなるフィルムを採用することができる。例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂が採用できる。
【００３１】
また、パッケージ部材１０とＩＣチップ３０は、パッド１０ａと３０ａをつなぐワイヤ６０ａによって電気的に接続され、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０は、パッド３０ｂと５０ａをつなぐワイヤ６０ｂによって電気的に接続されている。なお、これらワイヤ６０ａ、６０ｂは金やアルミ等により形成される。
【００３２】
さらに、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、ワイヤ６０ａ、６０ｂにおける表面、及び蓋７０におけるパッケージ部材１０内と対向する面には、絶縁膜９０が形成される。この絶縁膜９０は、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、ワイヤ６０ａ、６０ｂにおける表面、及び蓋７０におけるパッケージ部材１０内と対向する面に存在する異物を固定するためのものであり、窒化膜、酸化膜、ＴＥＯＳ、ＢＰＳＧなどの絶縁膜などからなる。
【００３３】
また、パッケージ部材１０における表面とは、パッケージ部材１０におけるワイヤ６０ａとの接続部を除く内側表面である。なお、ＩＣチップ３０を搭載する位置に関しては、絶縁膜９０を設けてなくてもよい。
【００３４】
また、ＩＣチップ３０における表面とは、ＩＣチップ３０におけるワイヤ６０ａ、６０ｂとの接続部を除く表面である。なお、ＩＣチップ３０におけるパッケージ部材１０と接合する位置、半導体センサチップ５０を搭載する位置に関しては、絶縁膜９０を設けなくてもよい。
【００３５】
また、半導体センサチップ５０における表面とは、半導体センサチップ５０におけるワイヤ６０ｂとの接続部を除く表面である。なお、半導体センサチップ５０におけるＩＣチップ３０と接合する位置に関しては、絶縁膜９０を設けなくてもよい。また、梁構造体５１に関しても、絶縁膜９０を設けなくてもよい。また、ワイヤ６０ａ、６０ｂにおける表面とは、パッド１０ａ、３０ａ、３０ｂ、５０ｂとの接続部を除く表面である。
【００３６】
なお、絶縁膜９０の厚みは、絶縁膜９０によって可動電極と固定電極とが繋がるなどセンシング部における悪影響がない程度の厚み（０．数μｍ程度）とすることが好ましい。
【００３７】
このように絶縁膜９０を形成することによって、パッケージ部材１０の表面などに異物Ｄが存在していた場合でも、異物Ｄを絶縁膜９０で固定することができる。したがって、異物Ｄが内部に残った状態で蓋７０にてパッケージ部材１０の開口を塞いだとしても、パッケージ部材１０内における異物Ｄの移動を抑制することができ、梁構造体５１に異物が付着することによって生じる半導体センサチップ１０の特性不良を防止することができる。
【００３８】
ここで、半導体センサ１００の製造方法について説明する。
【００３９】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法を示す工程別断面図である。
【００４０】
まず、図２（ａ）に示すように、ディスペンサ等を用いて、接着剤２０をパッケージ部材１０におけるチップ搭載部に塗布する。続いて、その接着剤２０上にワイヤボンディング用のパッド３０ａ、３０ｂが形成されたＩＣチップ３０を搭載する。このようにして、ＩＣチップ３０が接着剤２０を介してパッケージ部材１０と接合される。なお、パッケージ部材１０には、予めワイヤボンディング用のパッド１０ａ、接続部材８０が形成されている。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示すように、ワイヤボンディング用のパッド５０ａが形成され、裏面（梁構造体５１の反対面）に接着フィルム４０が貼り付いた状態の半導体センサチップ５０を、ＩＣチップ３０の上に搭載する。この半導体センサチップ５０をＩＣチップ３０の上に搭載する場合、ＩＣチップ３０が実装されたパッケージ部材１０を所定の温度（約２３０℃）に加熱されたステージ（図示せず）上に置く。次に、接着フィルム４０が貼り付いた状態の半導体センサチップ５０を、ＩＣチップ３０上に加熱圧着する。その後、オーブン等を用いてフィルム状接着材４を本硬化する（約１９０℃、１時間）。このようにして、半導体センサチップ５０が接着フィルム４０を介してＩＣチップ３０と接合される。
【００４２】
続いて、ワイヤボンダ（図示せず）によってワイヤ６０ａをパッド１０ａと３０ａ、ワイヤ６０ｂをパッド３０ｂと５０ａとにワイヤボンディングする。このようにして、パッド１０ａとパッド３０ａ、パッド３０ｂとパッド５０ａとが電気的に接続され、パッケージ部材１０とＩＣチップ３０、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０とが電気的に接続される。
【００４３】
次に、図２（ｃ）に示すように、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、ワイヤ６０ａ、６０ｂにおける表面、及び蓋７０におけるパッケージ部材１０内と対向する面に窒化膜、酸化膜、ＴＥＯＳ、ＢＰＳＧなどの絶縁膜などからなる絶縁膜９０を形成する。この絶縁膜９０は、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０などが搭載されたパッケージ部材１０及び蓋７０をクリーンな成膜室にてＣＶＤなどによって形成する。
【００４４】
次に、図２（ｄ）に示すように、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０などが搭載されたパッケージ部材１０及び蓋７０のクリーンな状態を維持しつつ、接続部材８０と蓋７０とを溶接することによって、パッケージ部材１０を封止する。
【００４５】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法を示す工程別断面図である。
【００４６】
第２の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は、絶縁膜９０を形成する際に梁構造体５１に保護キャップＣを設ける点である。
【００４７】
まず、図３（ａ）に示すように、パッケージ部材１０上にＩＣチップ３０を介して半導体センサチップ５０が搭載され、パッケージ部材１０とＩＣチップ３０、ＩＣチップ３０と半導体センサチップ５０とが電気的に接続された状態において、梁構造体５１を覆うように半導体センサチップ５０上に保護キャップＣを被せる。
【００４８】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体センサチップ５０上に保護キャップＣを被せた状態において、絶縁膜９０を形成する。その後、図３（ｃ）に示すように、接続部材８０と蓋７０とを溶接することによって、パッケージ部材１０を封止する。なお、保護キャップＣは、絶縁膜９０を形成した後に取り外してもよい。
【００４９】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本発明の第３の実施の形態における半導体センサ１００の分解図である。
【００５０】
第３の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法は、上述の第１及び第２の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第３の実施の形態において、上述の第１及び第２の実施の形態と異なる点は、絶縁膜９０を形成した後に半導体センサチップ５０を搭載する点である。
【００５１】
図４に示すように、パッケージ部材１０、ＩＣチップ３０、半導体センサチップ５０、及び蓋７０のそれぞれに絶縁膜９０を形成した後に、パッケージ部材１０へのＩＣチップ３０の搭載（接合）、ＩＣチップ３０への半導体センサチップ５０の搭載（接合）を行う。この場合、絶縁膜９０の形成時にパッド１０ａ、３０ａ、３０ｂ、５０ａにおけるワイヤ６０ａ、６０ｂとの接続部にマスクを設け、この接続部に絶縁膜９０を形成しないようにする。
【００５２】
その後、ワイヤボンダ（図示せず）によってワイヤ６０ａをパッド１０ａと３０ａ、ワイヤ６０ｂをパッド３０ｂと５０ａとにワイヤボンディングする。そして、接続部材８０と蓋７０とを溶接することによって、パッケージ部材１０を封止する。なお、このワイヤボンディング後から接続部材８０と蓋７０とを溶接する間に、ワイヤ６０ａ、６０ｂに絶縁膜９０を形成するようにしてもよい。
【００５３】
なお、上述の第１乃至第３の実施の形態においては、半導体センサ１００を加速度センサに適用した例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体センサ１００は、圧力センサ、ヨーレイトセンサ、赤外線センサなどであってもよい。
【００５４】
また、上述の第１乃至第３実施の形態においては、半導体センサチップ５０をＩＣチップ３０上に搭載する例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。半導体センサチップ５０とＩＣチップ３０とを並列に搭載してもよい。さらに、パッケージ部材１０内には、半導体センサチップ５０のみを搭載するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態における半導体センサ１００の概略構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）本発明の第１の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法を示す工程別断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）本発明の第２の実施の形態における半導体センサ１００の製造方法を示す工程別断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態における半導体センサ１００の分解図である。
【図５】従来技術における半導体センサの概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  パッケージ部材、１０ａ  パッド、２０  接着剤、３０  ＩＣチップ、３０ａ、３０ｂ  パッド、４０  接着フィルム、５０  半導体センサチップ、５１  梁構造体、５０ａ  パッド、６０ａ、６０ｂ  ワイヤ、７０  蓋、８０  接続部材、９０  絶縁膜、Ｃ  保護キャップ、１００  半導体センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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