(57)【要約】【課題】  ＭＲヘッドのシールド間距離に関係なく適正かつ高精度なデプス調整が可能な磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  ＭＲ素子でなる磁気ヘッド素子２５に隣接して配置され、当該磁気ヘッド素子２５のデプス長を検出するデプス検出素子として、磁気シールド層４０，４１で挟まれた構造の第１のデプス検出素子３１と、これら磁気シールド層で挟まれていない第２のデプス検出素子３２とで構成する。そして、デプス長の粗調整では、第２のデプス検出素子３２を用い、磁気シールド層の影響を排除した適正なデプス検出を可能とし、デプス長の微細調整では、第１のデプス検出素子３１を用いて高精度なデプス検出を可能とする。【選択図】        図２
2006155789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体摺動面に一対の磁気シールド層で挟まれた磁気抵抗効果型の磁気ヘッド素子の一端面が配置形成され、この磁気ヘッド素子に隣接して、当該磁気ヘッド素子のデプスを検出する検出素子を備えた磁気ヘッドであって、
前記検出素子は、
前記一対の磁気シールド層で挟まれた第１のデプス検出素子と、
これら磁気シールド層に挟まれていない第２のデプス検出素子とでなる
ことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁気ヘッド素子は同一レイヤ上に複数隣接して形成されており、前記第１，第２のデプス検出素子は、当該複数の磁気ヘッド素子でなる磁気ヘッド素子群の両隣りにそれぞれ一対ずつ形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１のデプス検出素子は、前記磁気ヘッド素子群と同一のレイヤ上に形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第２のデプス検出素子は、前記第１のデプス検出素子よりもトラック幅方向外側に配置されている
ことを特徴とする請求項２に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第１のデプス検出素子は、ＭＲ素子膜と、このＭＲ素子膜に対して並列に接続した少なくとも３本のリード部とを有し、異なる２つの組合せの２本のリード部の間のＭＲ素子膜の体積抵抗率が互いに異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
媒体摺動面に、一対の磁気シールド層で挟まれた磁気抵抗効果型の磁気ヘッド素子の一端面が配置形成された磁気ヘッドであって、この磁気ヘッド素子に隣接配置された検出素子を用いて当該磁気ヘッド素子のデプス調整を行う磁気ヘッドの製造方法において、
前記検出素子を、前記一対の磁気シールド層で挟まれた第１のデプス検出素子と、これら磁気シールド層に挟まれていない第２のデプス検出素子とで構成するとともに、
前記磁気ヘッド素子のデプス調整を前記媒体摺動面の研磨加工で行うに際して、当該加工工程が、前記第２のデプス検出素子を用いた粗研磨工程と、前記第１のデプス検出素子を用いた精密研磨工程とを有する
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果型の磁気ヘッド及びその製造方法に関し、更に詳しくは、磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子のデプス調整を高精度に行うことができる磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、データ量の爆発的な増大により、テープ系ストレージシステムにおいても容量の増大が急務となっており、その実現のために、記録密度の向上が求められている。その中で、高線記録密度化や狭トラック化に有利な磁気ヘッドとして、磁界の強さによって抵抗値が変化する磁気抵抗効果型素子（以下「ＭＲ素子」ともいう）を用い、記録媒体からの信号磁界による抵抗変化を再生出力として検出する磁気抵抗効果型ヘッド（以下「ＭＲヘッド」ともいう）がある。
【０００３】
ＭＲヘッドは、ＭＲ素子の形成幅によってトラック幅が決定されるので、狭トラック化が容易であるとともに、ＭＲ素子の一端面が媒体摺動面に露出しているため再生感度が高く、高記録密度化を実現するための必須のデバイスとなっている。そして、線記録密度及びトラック密度を上げるため、トラック幅の縮小化やシールド間距離（ギャップ長）の薄厚化などのアレンジが進められている。
【０００４】
ところで、ＭＲ素子のデプス（depth:ＭＲハイトとも呼ばれ、ギャップ深さ方向のＭＲ素子寸法のこと）は、電磁変換特性に大きく影響する要素であるため、ＭＲヘッドの製造に際しては高度の加工精度が要求されている。このＭＲ素子のデプス長は、ＭＲヘッドの媒体摺動面の研磨加工によって、規定値へ調整されるのが一般的である。
【０００５】
そこで従来、ＭＲ素子のデプス調整を行うにあたり、ＭＲ素子に隣接して、同じくＭＲ素子でなるデプスセンサを配備し、このデプスセンサの抵抗値を測定しながら媒体摺動面の研磨を行っている（例えば下記特許文献１参照）。ＭＲ素子の抵抗値とそのデプス長とは相関関係があり、デプス長が小さくなるにつれてＭＲ素子の抵抗値が大きくなる。このため、所定のデプス長のときのデプスセンサの抵抗値を予め測定しておき、この抵抗値になるまで媒体摺動面を研磨することで、ＭＲ素子のデプス調整を行うことができる。
【０００６】
図７は、デプスセンサを備えた従来の磁気ヘッドの要部の構成を示す斜視図である。
【０００７】
磁気ヘッドを構成する基板１の上面には、複数の磁気ヘッド素子２でなる磁気ヘッド素子群２Ａと、この磁気ヘッド素子群２Ａの両側に配置された一対のデプスセンサ３，３とがそれぞれ形成されている。各磁気ヘッド素子２は、一端面が媒体摺動面１ａに臨むＭＲ素子部４と、このＭＲ素子部４に接続された２本のリード部５，５で構成されている。
【０００８】
磁気ヘッド素子２は、ＭＲ素子部４の磁化の向きとその内部を流れる電流の向きとのなす角によって電気抵抗値が変化する磁気抵抗効果現象を利用している。つまり、磁気記録媒体からの漏洩磁束（信号磁界）を受けると、ＭＲ素子部４は、その磁化方向が変化し、その内部を流れる電流の向きに対して磁束量に応じた角度を持つ。このため、ＭＲ素子部４の電気抵抗値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が２本のリード部５，５を介して検出され、それが磁気記録信号として読み出されるようになっている。
【０００９】
磁気ヘッド素子２は、基板１の上面に薄膜を形成し、これをフォトリソグラフィ技術によって所定形状にエッチングする工程を繰り返し行うことによって形成される。そして、再生時のギャップ長を規定しＭＲ素子部４への不要な磁束の侵入を防止するため、磁性金属材料でなる下部磁気シールド層６及び上部磁気シールド層７がＭＲ素子部４を挟むように対向配置されたシールド構造が採用されている。
【００１０】
一方、各デプスセンサ３は、磁気ヘッド素子２と同様に構成されており、一端面が媒体摺動面１ａに臨むＭＲ素子部８と、このＭＲ素子部８に接続された２本のリード部９，９とで構成されている。デプスセンサ３による磁気ヘッド素子２のデプス調整を高精度に行うために、デプスセンサ３は、磁気ヘッド素子２と同一プロセスで同時に形成される。つまり、デプスセンサ３の下部磁気シールド層１０、ＭＲ素子部８、リード部９、上部磁気シールド層１１は、それぞれ、磁気ヘッド素子２の下部磁気シールド層６、ＭＲ素子部４、リード部５、上部磁気シールド層７と同一プロセスで形成されている。
【００１１】
そして、磁気ヘッド素子２のデプス調整は、媒体摺動面１ａの平滑化を目的とした研磨あるいは研削工程において同時に行われる。円筒研削装置やラッピング装置等を用いた媒体摺動面１ａ全体の研削加工が行われると、媒体摺動面１ａに一端が露出している磁気ヘッド素子２及びデプスセンサ３も同様に研磨されてＭＲ素子部４，８のデプス長が短くなる。このときのデプス長の変化は、デプスセンサ３の抵抗値変化としてリード部９，９を介して測定される。そして、デプス長が目標値となった時点で、研磨を終了する。
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−６１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
近年、記録信号の高周波化等により線記録密度の向上を実現するために、磁気ヘッド素子２のシールド間距離、すなわち下部磁気シールド層６と上部磁気シールド層７との間の距離の更なる薄厚化（狭ギャップ化）が求められている。その結果、磁気ヘッド素子２と同一プロセスで形成されるデプスセンサ３の下部磁気シールド層１０と上部磁気シールド層１１との間の距離も、今後狭くなる傾向にある。
【００１４】
しかしながら、デプスセンサ３の両シールド層１０，１１間の距離が狭くなると、シールド層１０，１１とこれらの間に位置するＭＲ素子部８との距離も同様に狭くなる。このため、磁気ヘッド素子２のデプス調整の際、図８に示すように研磨加工においてシールド層１０，１１の端面で生じる加工バリ１２がＭＲ素子部８に付着する場合がある。この場合、シールド層１０，１１とＭＲ素子部８との間で電気的短絡が発生することになり、デプスセンサ３による抵抗値検出が適正に行えなくなるという問題が生じる。
【００１５】
この問題を解消するため、研磨レートを低くしバリ１２の発生を抑制することも考えられるが、これではデプス調整に多大な時間を要することになり、効率が悪く、生産性が損なわれることになる。
【００１６】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、ＭＲヘッドのシールド間距離の影響を受けずに適正かつ高精度なデプス調整を行うことができる磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
以上の課題を解決するにあたり、本発明の磁気ヘッドは、ＭＲ素子でなる磁気ヘッド素子に隣接して、デプス検出素子が配置され、このデプス検出素子は、磁気シールド層で挟まれた構造の第１のデプス検出素子と、磁気シールド層に挟まれていない第２のデプス検出素子とで構成されている。
【００１８】
磁気ヘッド素子は同一レイヤ上に複数隣接して形成されており、第１，第２のデプス検出素子は、当該複数の磁気ヘッド素子でなる磁気ヘッド素子群の両隣りにそれぞれ一対ずつ形成されている。
このような構成の磁気ヘッドは、複数個の磁気ヘッド素子のデプス調整をバラツキ少なく同時に行うことができるので、磁気ヘッドの生産性向上を図れる。また、テープ幅方向に複数個の磁気ヘッド素子が配列されているマルチトラック構造のリニアテープ用磁気ヘッドに好適である。
【００１９】
また、第１のデプス検出素子を上記磁気ヘッド素子群と同一プロセスで製造することにより、当該磁気ヘッド素子群と同一のレイヤ上に形成することができる。これにより、第１のデプス検出素子を用いた磁気ヘッド素子群のデプス調整を高精度に行うことが可能となる。
【００２０】
この場合、第１のデプス検出素子は、ＭＲ素子膜と、このＭＲ素子膜に対して並列に接続した少なくとも３本のリード部とを有し、異なる２つの組合せの２本のリード部の間のＭＲ素子膜の体積抵抗率が互いに異なる構造とする。これにより、当該ＭＲ素子膜の体積抵抗率差を測定するだけで、容易かつ高精度なデプス制御が可能となる。
【００２１】
そして、上記構成の本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのデプス調整は、媒体摺動面の研磨加工で行われ、当該加工工程が、第２のデプス検出素子を用いた粗研磨工程と、第１のデプス検出素子を用いた精密研磨工程とを有している。
【００２２】
第２のデプス検出素子は磁気シールド層に挟まれていないので、円筒研削加工等の研磨レートの比較的高い粗研磨工程において、磁気シールド層による影響を受けることなく、デプス長の減少に伴う抵抗値測定を適正に行うことができる。
そして、目標とするデプス長の手前でラッピング加工等の精密研磨工程に移行し、第２のデプス検出素子に代わって第１のデプス検出素子による抵抗値測定でもってデプス長を目標値へ追い込む。精密研磨工程では研磨レートが比較的低いため、第１のデプス検出素子において磁気シールド層の引きずりに起因するバリの発生を効果的に抑制でき、高精度なデプス制御が可能となる。
【発明の効果】
【００２３】
以上述べたように、本発明によれば、磁気ヘッドの狭ギャップ化に関係なく常に適正かつ精度の高いＭＲヘッドのデプス調整が行えるようになり、高記録密度化の要求に十分に応えることができる磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態による磁気ヘッド２０の構成を示す斜視図である。本実施の形態の磁気ヘッド２０は、リニアテープシステムにおける信号の記録再生用の磁気ヘッドに適用され、互いに同一の構成を有する一対のヘッドチップ２１，２１の組立体で構成されている。以下、ヘッドチップ２１の構成について説明する。
【００２６】
ヘッドチップ２１は、磁気ヘッド素子やサーボ再生素子、そして本発明に係るデプス検出素子等が形成された略長方形状の基板２２と、この基板２２の素子形成面を覆うカバー２３と、基板２２の長手方向の両端部に接合された一対のサイドバー２４，２４とを備えている。これら基板２２、カバー２３及びサイドバー２４のそれぞれの一端面側は、磁気テープ（図示略）の走行をガイドする媒体摺動面２１ａを構成している。
【００２７】
基板２２は、後述するように、一枚のウェーハを複数に個片化した任意のチップ状基板で形成されており、その表面の一端側（媒体摺動面２１ａ側）には、ウェーハレベルにおいて薄膜プロセスで共通に成膜、加工された複数の磁気ヘッド素子、サーボ再生素子、デプス検出用の検出素子がそれぞれ配置された素子形成部Ｐが形成されている。
【００２８】
図２は、基板２２における素子形成部Ｐの概略構成図である。図２において、基板２２には、複数の磁気ヘッド素子２５でなる磁気ヘッド素子群２５Ａと、デプス調整用の検出素子である各々一対の第１のデプス検出素子３１及び第２のデプス検出素子３２とが形成されている。
なお、図では簡単のため、磁気ヘッド素子２５の形成数を３としているが、形成数に特に制限はない。また、図では省略しているが、磁気ヘッド素子群２５Ａと第１のデプス検出素子３１，３１との間には、サーボ信号再生用のサーボ再生素子が形成される。
【００２９】
各磁気ヘッド素子２５は、図２に示すように、一端面が媒体摺動面２１ａに臨むＭＲ素子部２６と、このＭＲ素子部２６に接続された信号検出用の２本のリード部２７，２７と、ＭＲ素子部２６を挟んで対向する下部磁気シールド層２８及び上部磁気シールド層２９とを備えた再生ヘッド部Ｒと、図３に示すように、再生ヘッド部Ｒの上層側に形成された記録ヘッド部Ｗとでなる複合型ヘッドで構成されている。
【００３０】
図３は、磁気ヘッド素子２５の素子構造例を示す断面図である。この複合型ヘッド２５は、媒体摺動面２１ａ側において、共通コアとなる中間コア２９を境として、下方（基板２２側）が再生ヘッド部Ｒ、上方が記録ヘッド部Ｗをなしている。この中間コア２９は、再生ヘッド部Ｒの上部磁気シールド層２９（図２）に対応している。
【００３１】
記録ヘッド部Ｗは、インダクティブ（誘導）型ヘッドでなり、主として、共通コア（下部コア）２９と、上部コア３４と、これら各コア２９，３４の結合部（バックギャップ）３５の回りに平面的に巻回された薄膜コイル３６とで構成されている。これらの各記録ヘッド部Ｗは、各再生ヘッド部Ｒの上層部に各々独立して形成されている。
【００３２】
一方、第１のデプス検出素子３１及び第２のデプス検出素子３２は、磁気ヘッド素子群２５Ａの両隣りに、トラック幅方向において当該磁気ヘッド素子群２５Ａを挟むように配置されており、特に本実施の形態では、第２のデプス検出素子３２が第１のデプス検出素子３１よりもトラック幅方向外方側に配置されている。
これら第１，第２のデプス検出素子３１，３２は、後述するように、各磁気ヘッド素子２５の再生ヘッド部Ｒを構成するＭＲ素子部２６のデプス調整の際に用いられる。
【００３３】
本実施の形態において、第１のデプス検出素子３１は、下部磁気シールド層４０と上部磁気シールド層４１との間に配置形成され、図４に明示するように、ＭＲ素子膜３８と、このＭＲ素子膜３８に対して並列に接続した３本のリード部３９とを有している。これら３本のリード部３９のうち、リード部３９Ａとリード部３９Ｂとの間に接続されたＭＲ素子部３８Ａと、リード部３９Ａとリード部３９Ｃとの間に接続されたＭＲ素子部３８Ｂとは、体積抵抗率が互いに異なる構成となっている。
【００３４】
図４の例では、ＭＲ素子部３８ＡとＭＲ素子部３８Ｂとは、トラック幅方向における素子形成幅は同一であるが、デプス方向（ギャップ深さ方向）の素子寸法がＭＲ素子部３８ＡよりもＭＲ素子部３８Ｂの方が大となるように形成されている。
なお、両ＭＲ素子部３８Ａ，３８Ｂの間でトラック幅方向における素子形成幅を異ならせて両者の体積抵抗率を異ならせてもよい。
また勿論、この第１のデプス検出素子３１のリード部３９を４本以上としたり、再生ヘッド部Ｒにおけるのと同様に２本で形成してもよい。
【００３５】
上記構成の第１のデプス検出素子３１は、再生ヘッド部ＲのＭＲ素子部２６のデプス長の微細調整に用いられる。このため、そのＭＲ素子膜３８を再生ヘッド部ＲのＭＲ素子膜２６と同一のレイヤ上に配置するため、第１のデプス検出素子３１を再生ヘッド部Ｒの形成工程と同時に形成している。その結果、第１のデプス検出素子３１の下部磁気シールド層４０、ＭＲ素子膜３８、リード部３９、上部磁気シールド層４１及び各種層間絶縁膜はそれぞれ、再生ヘッド部Ｒの下部磁気シールド層２８、ＭＲ素子部２６、リード部２７、上部磁気シールド層２９及び各種層間絶縁膜と同一のレイヤ（層）上に形成されている。
【００３６】
これに対して、第２のデプス検出素子３２は、再生ヘッド部ＲのＭＲ素子部２６のデプス長の粗調整用として構成されている。この第２のデプス検出素子３２は、ＭＲ素子部４３と、このＭＲ素子部４３に接続された２本のリード部４４とを備えている。そして、第１のデプス検出素子３１と異なり、当該第２のデプス検出素子３２は、ギャップ長方向において一対の磁気シールド層に挟まれていない構造となっている。
【００３７】
第２のデプス検出素子３２は、再生ヘッド部Ｒ、第１のデプス検出素子３１等の他の素子の形成工程と同時に形成される。この場合、第２デプス検出素子磁気シールド層が形成されない分、ＭＲ素子部４３は、下地膜の構成の違いにより、他の素子のＭＲ素子部２６，３８に対し層厚方向に一定のズレが生じるが、このズレ量が問題とされることはない。
【００３８】
なお、第２のデプス検出素子３２は、再生ヘッド部Ｒ、第１のデプス検出素子３１等の他の素子と異なる素子（抵抗体）であってもよい。この場合にも、第２のデプス検出素子は、磁気シールド層が形成されておらず、かつ、再生ヘッド部Ｒ、第１のデプス検出素子３１等の他の素子の形成工程と異なる工程にて形成されるため、他の素子２６，３８に対して層厚方向及びデプス長さ方向に一定のズレ（ステッパーのアライメント精度によるズレ）が生じるが、当該第２のデプス検出素子が粗調整用として構成されているため、上記ズレ量が問題とされることはない。
この第２のデプス検出素子としてＭＲ素子と異なる抵抗体を使用する場合においても、抵抗値とそのデプス長とは相関関係があり、デプス長が小さくなるにつれて素子の抵抗値が大きくなる。このため、所定のデプス長のときの抵抗体の抵抗値を予め測定しておき、この抵抗値になるまで媒体摺動面を研磨することで、ＭＲヘッドのデプス調整を行うことができる。
【００３９】
次に、以上のように構成される基板２２を用いて作製されるヘッドチップ２１の製作工程について図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６はヘッドチップ２１の製作工程を説明する工程図である。
【００４０】
先ず、図５Ａに示すように、薄膜形成工程によってウェーハ２２ｗの表面側に磁気ヘッド素子群２５Ａ及びデプス検出素子Ｓ（第１デプス検出素子３１及び第２のデプス検出素子３２）を形成する。このとき、ウェーハ２２ｗの表面には、磁気ヘッド素子群２５Ａ及びデプス検出素子Ｓから引き出された接続端子部３０が露出した状態とされている。
そして、このウェーハ２２ｗを、磁気ヘッド素子群２５Ａ及びデプス検出素子３０が複数並ぶようにＡ−Ａ線で切り分け、図５Ｂに示すような複合ウェーハブロック２２ｃを作製する。
【００４１】
次に、複合ウェーハブロック２２ｃをＢ−Ｂ線で切り分けた後、この複合ウェーハブロック２２ｃに対して、図５Ｃに示すように、一対の複合サイドバー２４ｃ，２４ｃと複合ウェーハカバー２３ｃとを例えばエポキシ系樹脂材料等でなる接着剤を使用して接着する。一対の複合サイドバー２４ｃは、複合ウェーハブロック２２ｃを挟み込むように接着される。また、複合ウェーハカバー２３ｃは、複合ウェーハブロック２３ｃ及び一対のサイドバー２４ｃと対向するように接着され、図６Ｄに示すような複合ヘッドチップ２１ｃが形成される。
【００４２】
そして、この複合ヘッドチップ２１ｃを図６ＤにおいてＤ−Ｄ線まで研削した後、Ｃ−Ｃ線で切断する。これにより、図６Ｅに示すように、基板２２にウェーハカバー２３及びサイドバー２４が一体化されたヘッドチップ２１が形成される。
【００４３】
続いて、作製したヘッドチップ２１の被加工面２１ｗを研削あるいは研磨して、平坦かつ平滑な媒体摺動面２１ａを形成する工程が行われる。本実施の形態では、図６Ｅにおいて二点鎖線で示すように、所定のラップアングルαを有する媒体摺動面２１ａが形成される。そして、この媒体摺動面２１ａの形成工程と同時に、基板２２に形成した磁気ヘッド素子群２５Ａのデプス調整工程が行われる。
【００４４】
デプス制御工程は、各磁気ヘッド素子２５を構成する再生ヘッド部Ｒ及び記録ヘッド部Ｗの媒体摺動面からの深さ寸法を加工により規定値へ調整する工程である。磁気ヘッド素子２５のデプス長は、電磁変換特性に大きく影響し高精度な加工制御が要求されている。本実施の形態では、再生ヘッド部Ｒのデプス長が規定値へ調整された際、同時に記録ヘッド部Ｗのデプス長も規定値に調整されるようにしている。
【００４５】
再生ヘッド部Ｒのデプス調整は、基板２２上に形成した第１，第２のデプス検出素子３１，３２の電気抵抗を検出しながら行われる。これらデプス検出素子３１，３２の抵抗値は、リード部３９，４４に連絡する基板２２上の接続端子部３０に対し、フレキシブル配線基板等の配線材料を介して接続された外部の検出器によってモニタリングされる。
【００４６】
本実施の形態において、媒体摺動面２１ａは、粗研磨工程と精密研磨工程とを経て形成される。粗研磨工程は、例えば円筒研削装置を用いて行われ、精密研磨工程は、例えばラッピング装置を用いて行われる。
【００４７】
媒体摺動面２１ａの粗研磨工程における再生ヘッド部Ｒのデプス調整は、第２のデプス検出素子３２を用いて行われる。第２のデプス検出素子３２は、上下一対の磁気シールド層に挟まれていない構造であるので、そのＭＲ素子部４３の抵抗値測定を加工レート（速度）に関係なく常に適正に行うことができる。従って、この粗研磨工程の研磨レートを高くして作業時間の短縮、生産性の向上を図ることができる。
【００４８】
また、本実施の形態によれば、第２のデプス検出素子３２を第１のデプス検出素子３１よりもトラック幅方向外側に各々配置しているので、これら一対の第２のデプス検出素子３２の抵抗値測定により、媒体摺動面２１ａを長手方向に均等に加工を施すことができ、素子形成部Ｐの加工バラツキを抑えて磁気ヘッド素子群２５Ａの一様なデプス調整を行うことが可能となる。
【００４９】
次に、媒体摺動面２１ａの精密研磨工程における再生ヘッド部Ｒのデプス調整は、第１のデプス検出素子３１を用いて行われる。この第１のデプス検出素子３１は、再生ヘッド部ＲのＭＲ素子部２６と同一のレイヤ上に形成されているので、再生ヘッド部Ｒのデプス長を第２のデプス検出素子３２よりも高精度に検出することができる。
【００５０】
ここで、本実施の形態の第１のデプス検出素子３１においては、ＭＲ素子部３８Ａの体積抵抗率とＭＲ素子部３８Ｂの体積抵抗率との間の差を測定することにより、対応する再生ヘッド部Ｒのデプス長を検出するようにしているので、リード部及びリード部とＭＲ素子部との間の接合抵抗を含むデプス検出素子全体の体積抵抗率から検出する場合に比べて、高精度なデプス制御を行うことが可能となる。
【００５１】
そして、精密研磨工程においては、例えばダイヤモンド定盤ラップ機など、粗研磨工程におけるよりも研磨レートの比較的低い研磨装置が用いられるので、第１のデプス検出素子３１を挟む上下一対の磁気シールド層４０，４１に、これより内方側のＭＲ素子膜３８にまで到達する程度の加工バリの発生を抑制でき、従って、当該第１のデプス検出素子３１によるデプス長制御を高精度に行うことができるようになる。
【００５２】
以上のように、本実施の形態によれば、第１，第２のデプス検出素子３１，３２を用いて磁気ヘッド素子群２５Ａのデプス調整を行うようにしているので、第１のデプス検出素子３１に形成した磁気シールド層４０，４１の引き摺り（加工バリ）に起因する抵抗値検出精度の劣化を効果的に防止しながら、短時間でのデプス調整作業が可能となる。
これにより、磁気ヘッドの狭ギャップ化に関係なく、ＭＲヘッドの適正かつ高精度なデプス調整が可能となり、高記録密度化の要求にも十分に対応することが可能となる。
【００５３】
その後、デプス調整が行われた一対のヘッドチップ２１を図１に示したように基板２２の裏面側どうし接着剤等を介して互いに貼り合わせることによって、本実施の形態の磁気ヘッド２０が製造される。
【００５４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５５】
例えば以上の実施の形態では、第１のデプス検出素子３１を挟む上下一対の磁気シールド層４０，４１と、これに隣接する再生ヘッド部Ｒの磁気シールド層２８，２９とを、互いに独立したパターンで形成したが、これら下部磁気シールド層どうし及び上部磁気シールド層どうしを各々連続したパターンで形成してもよい。
【００５６】
また、以上の実施の形態では、マルチトラック構造の記録／再生ヘッドを具備したリニアテープ用磁気ヘッド２０を例に挙げて説明したが、これに限らず、磁気抵抗効果型の再生用ヘッド全体について本発明は適用可能である。
【００５７】
更に、以上の実施の形態では、ＭＲ素子部の種類について特に言及しなかったが、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果型）、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果型）、スピンバルブ型等、何れの種類のＭＲヘッドについても本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態による磁気ヘッド２０の構成を示す斜視図である。
【図２】磁気ヘッド２０を構成する基板２２の素子形成部Ｐの概略構成図である。
【図３】磁気ヘッド素子２５の断面構造を示す概略図である。
【図４】第１のデプス検出素子３１の拡大図である。
【図５】ヘッドチップ２１の作製工程を示す工程図である。
【図６】ヘッドチップ２１の作製工程を示す工程図である。
【図７】従来の磁気ヘッドの要部の概略構成図である。
【図８】従来技術の問題点を説明する従来のデプス検出素子の概略図である。
【符号の説明】
【００５９】
２０…磁気ヘッド、２１…ヘッドチップ、２１ａ…媒体摺動面、２２…基板、２３、カバー、２４…サイドバー、２５…磁気ヘッド素子、２５Ａ…磁気ヘッド素子群、２６，３８Ａ，３８Ｂ，４３…ＭＲ素子部、２７，３９，４４…リード部、２８，４０…下部磁気シールド層、２９，４１…上部磁気シールド層、３１…第１のデプス検出素子、３２…第２のデプス検出素子、Ｐ…素子形成部、Ｒ…再生ヘッド部、Ｗ…記録ヘッド部。
【図１】
2006155789.tif 000003
【図２】
2006155789.tif 000004
【図３】
2006155789.tif 000005
【図４】
2006155789.tif 000006
【図５】
2006155789.tif 000007
【図６】
2006155789.tif 000008
【図７】
2006155789.tif 000009
【図８】
2006155789.tif 000010