(57)【要約】      （修正有）【課題】水晶振動子の密閉構造での劣化要因を除去し、長期エージング特性が、１０−６／年レベルの周波数安定度の製造限界を突破する。【解決手段】高安定水晶振動子の製造プロセスとして、プロセスＳ１１で、容器本体内所定位置に、電極が形成された水晶素子を導電性接着剤で固定後乾燥、又は金バンプでダイボンディングし、プロセスＳ１２で、容器本体内に遠紫外線照射や低イオン照射により、汚染物を分解処理して、容器本体内を清浄化し、プロセスＳ１３で、電解研磨されたステンレス製保持器やキャップを使用し、ステンレス製キャップからのガス発生を極力抑え、プロセスＳ１４では、電解研磨されたステンレス製キャップで真空又は不活性ガスで保持器を封止し、プロセスＳ１５で各工程での歪の除去を熱エージングで、あわせてプロセスＳ１１からプロセスＳ１４で除けなかった不要ガスの排出を行ない、高安定水晶振動子製造を可能とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面処理された容器本体内に水晶素子を収納する工程と、前記容器本体内の汚染物を遠紫外線照射またはイオン照射で清浄化する工程と前記容器本体上に載置される表面処理された蓋部を真空または不活性ガスで封止する工程と前記容器本体を熱エージングする工程からなる高安定水晶振動子の製造方法。
【請求項２】
電解研磨加工された容器本体を電解研磨加工された金属製蓋で封止してなる請求項１の高安定水晶振動子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明は高安定性・高品質が要求される移動体通信分野での携帯電話機用や光通信分野における各種基準信号発信源として使用されるエレクトロメカニカル機能部品の心臓部となる水晶発振器用に使用される優れた長期エージング特性を有する高安定水晶振動子とその製造方法に関する。本発明を適用して製造される高安定水晶振動子は、一連の水晶振動子製造プロセスにより水晶片に発生した歪や水晶片に与えられた汚染を取り除くことで、１０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの基本波での周波数帯と高調波成分である３倍波、５倍波、７倍波で約２００ＭＨｚまでの水晶振動子を１０−７／年レベル以下の周波数安定度を有する高安定・高性能な水晶振動子を再現性よくかつ多量に生産できることを最大の特長としている。
【背景技術】
【０００２】超小型・高安定性が要求される移動体通信機器や光通信機器等の分野において、水晶発振器は必須のデバイスとしてその地位を確立している。これまでの水晶発振器には、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）、ディジタル温度補償型水晶発振器（Ｄ−ＴＣＸＯ）、電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）等があり、切断角度のバラツキの少ない水晶板を選別して、水晶振動子を製作し、この水晶振動子とＬＳＩと抵抗・コンデンサ等の受動部品と組み合わせて、各種高機能水晶発振器を実現している。水晶板としては、製造の容易さから、平板加工が主流であり、平板水晶振動子の長期エージング特性は、１０−６／年レベルの周波数安定度が製造限界となっている。低周波での高安定水晶振動子としては、５倍波を使用する２．５ＭＨｚ〜５ＭＨｚコンベックス状水晶振動子が実現されている。周波数安定度は１０−８／年〜１０−９／年レベルの周波数安定度である。しかしながら、近年のデジタル化で基準信号発生源としては、さらなる周波数安定度の改善が望まれている。ところで、水晶振動子の経時変化特性の決定要素として考えられる事項を大別すれば、
（Ａ）水晶片に発生した歪が原因となるもの
（Ｂ）水晶片に与えられた汚染が原因となるもの
の二つに分類できる。（Ａ）は振動体のコンプライアンスｃｏｍｐｌｉａｎｃｅの変化にもとづくもので、加工時に与えられた歪や、温度変化によって発生した歪により周波数偏移が起こり、時間経過とともに歪が解消して、安定状態にもどる過程において周波数ドリフトが発生する。この具体的な要因と考えられることは、
（１）水晶片表面の残留加工層による歪
（２）水晶片表面と電極間の界面歪
（３）水晶片マウントのテコ動作による歪
（４）マウント接着剤水晶片表面の固定による歪
などが考えられる。
（Ｂ）は“ｍａｓｓ”変化にもとづくもので経過時間とともに“ｍａｓｓ”変化が発生する過程において、周波数ドリフトが発生するものとみられる。この種の要因と考えられる事項は、
（１）ガス分子の水晶片への吸脱着
（２）蒸着電極の酸化
（３）蒸着電極の再結晶化
（４）電極金属などの水晶片内部への拡散
などが考えられる。普通の水晶振動子では“ｍａｓｓ”増の負の傾向が現れてくるのが一般的である。【０００３】ガス分子の水晶片への吸脱着について、図７、図８、図９、図１０により説明する。図７は、広く普及している高周波水晶振動子ＵＭ−１の金属製保持器を構成するステンレス製キャップ７０１のステンレス製キャップ壁７０２は細かいバフ研磨などの機械加工を施した金属の表面は、表面から順にベイルビー層、破砕結晶層、塑性変形層等の加工変質層が残存し、残留応力層が形成されている。ステンレス製外壁のこのキズに取り込まれたガス分子７０２は洗浄によってもなかなか除去されず、徐々にＵＭ−１保持器内に吸離脱され内部に実装される水晶素子を汚染させる。さらにステンレス内部からもガス７０３が放出される。ＵＭ−１保持器のベース部７０８の保持部７０４，７０５は外部リード端子７０６，７０７と電気的に接続されている。長期的劣化要因であるステンレス製キャップの内部外壁からのガスの発生は極めて深刻である。図８は、マスター用超高安定水晶振動子用の三端子保持の金属製保持器である。この保持器はプラノーコンベックス水晶板を三箇所で保持する構造である。ステンレス製キャップ８０１の内壁８０２は細かいバフ研磨などの機械加工を施した金属の表面には、表面から順にベイルビー層、破砕結晶層、塑性変形層等の加工変質層が残存し、残留応力層が形成されている。三端子保持用金属製保持器のベース部８１０からの保持部８０４，８０５，８０６は外部リード端子８０７，８０８，８０９と電気的に接続されている。図７のＵＭ−１保持器と同様に長期的劣化要因であるステンレス製キャップの内部外壁からのガスの発生が極めて深刻である。図９は、図１０のシート状１００１に形成された表面実装用セラミックパッケージを個々に分割したセラミックパッケージ９０１（１００２）の断面図である。図１０の１００３は、水晶素子である。ステンレス製平板キャップ９０２，９０３の表面には、表面から順にベイルビー層、破砕結晶層、塑性変形層等の加工変質層が残存し、残留応力層が形成されている。表面実装用セラミックパッケージでも同様にステンレス製キャップ壁からの放出ガス９０４やステンレス内部からの放出ガス９０５の影響は、水晶素子である水晶片に形成された電極とステンレス製キャップとの物理的間隔が０．１ｍｍ〜０．２ｍｍと極めて狭いため、図７、図８、図９の保持器の中でも図９の保持構造ではエージング特性に与えるアウトガスの影響が一番深刻である。【０００４】通常、電極膜形成工程では、形成された電極膜は、真空雰囲気中での排気系から排出される油性ガスとの反応がさけられない。特に、オイルフリーの排気系を利用しても、電極膜の表面にはＨ２、Ｎ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２，ＣＯ２との反応生成物ができ、長期エージング特性に与える影響は無視できない。水晶振動子の成膜製造プロセスの排気系をドライ化することにより、真空中での成膜された膜の質の向上を達成できる。図１１、図１２に油回転ポンプとドライポンプの吸引側における残留ガスの質量分析結果１１０１，１２０１に示す。油回転ポンプはメカニカルブースタポンプと組合わせた時（鉱物油使用）、ドライポンプはＥＲＤ形多段ドライポンプ（フッ素系潤滑油使用）である。油回転ポンプについては、鉱物油の成分であるＣ３〜Ｃ５系炭化水素が見られる。この分析結果からわかるように、ドライ化によって油蒸気の反応室への逆拡散がなくなり、水晶の汚染および真空容器の汚染が防止される。さらに油の中に取込まれる水分が運転中に逆拡散することもないため、反応室内に残存する水分も減少することになる。したがって、水晶振動子で使用される電極は、金電極または銀電極が主であり、酸化が懸念されるアルミニウム電極は活性が強いため、使用されることは、極めてまれである。蒸着電極の酸化、蒸着電極の再結晶化、電極金属などの水晶片内部への拡散問題については、長期エージングに与える問題を、懸念するにおよばない。
（非特許文献１）菊田律雄“多段ドライ真空ポンプ“真空、第３３巻、第７号、１９９０  ｐ．６３４  図７−２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】本発明が解決しようとする課題は、現状の水晶振動子の長期エージング特性は、１０−６／年レベルの周波数安定度の製造限界を突破することである。水晶振動子は、水晶発振器として使われるため、その発振周波数安定度は、常に水晶振動子の安定性に依存している。水晶発振器には常時、水晶振動子に発振電流が流れているため、加速エージング状態で動作していることになる。水晶振動子を構成している密閉構造をシステム的に捉えると多くの劣化要因に囲まれていることがわかる。これまで、この劣化要因を取り除くことは、容易ではなかった。特に、長期的劣化要因であるステンレス外壁に吸着したガスの吸脱離やステンレス内部からのガスの放出は、容器内部に収納されている水晶振動子を汚染し、結果として発振周波数を変化させることになっていた。水晶振動子の長期エージング特性は、１０−６／年レベルの周波数安定度が製造限界となっている。水晶業界においては、これまで電解研磨された素材を使用することは、なかった。もちろん、コンベックス加工されたマスター用水晶振動子に対しても、電解研磨されたステンレス製保持器やキャップを使用することもなかった。その理由は、５ＭＨｚ以下の水晶振動子の場合、電極膜に吸着するガスの分子層の厚みに対して水晶振動子の厚みが相対的に厚いため、周波数変動量が極めて少ないことによる。しかしながら、１０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの基本波での周波数帯と高調波成分である３倍波、５倍波、７倍波を使用する水晶振動子である約２００ＭＨｚまでの水晶振動子では、水晶振動子の厚みが薄いため、周波数変動量が大きくなる。
本発明で金属性素材に適用する電解研磨法の特徴は以下の通りである。
１．加工変質層がない。
バフ研磨などの機械加工を施した金属の表面には、表面から順にベイルビー層、        破砕結晶層、塑性変形層等の加工変質層が残存し、残留応力層が形成される、ス        テンレス本来の金属組織が失われる。などによって、経年後の変形や腐食の原因        となる。
２．低温の処理液中のため、熱の影響を受けない。
バフ研磨においては研磨面は高温になるため、特に肉厚の薄い加工品の場合には        熱膨張による変形を受けることがしばしばでありまあす。また、この熱は表面近        傍のステンレス本来の金属組織を変形させ、耐食性の低下の原因となる。
３．平滑性に優れ、汚れを保持しにくい滑らかな曲線で構成されている。
バフ研磨面は、一見鏡面状態でキズがないように見えるが、全面が細かいキズの        集合体である。このキズに埋め込まれた汚染物質は洗浄によってもなかなか除去        されない。
４．耐食性に優れている。
ステンレスの通常の表面よりもクロムが濃縮されて、強固な不動態皮膜が形成さ        れているため、耐腐食性に優れる。【０００６】図５、図６を用いて、電解研磨法を説明する。図５は、ＵＭ−１保持器のステンレス製キャップやマスター用超高安定水晶振動子用の三端子保持の金属製保持器用ステンレス製キャップ５０１を電解研磨する方法である。電解研磨処理液槽５０２に浸漬し、電源端子を各々アノード電極とカソード電極に接続する。ステンレス製キャップ５０１を電解研磨するには、カソード電極５０４，５０５を対抗電極とし、電源５０５から直流電流を通じて、ステンレス製キャップ５０１の表面をミクロン単位で電気化学的に溶解する。深絞り構造の内壁にも電解研磨処理するために、カソード電極５０３をステンレス製キャップ５０１の内部に設けている。図６は、表面実装タイプ用ステンレス製平板キャップ６０１を電解研磨する方法である。電解研磨処理液槽６０２に浸漬し、電源端子を各々アノード電極とカソード電極に接続する。ステンレス製キャップ６０１を電解研磨するには、カソード電極６０３，６０４を対抗電極とし、電源６０５から直流電流を通じて、ステンレス製キャップ６０１の表面をミクロン単位で電気化学的に溶解される。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本発明の高安定水晶振動子は、電解研磨加工された金属容器やセラミック容器の本体内に水晶素子を収納する工程と、前記容器本体内に内在する有機溶材や付着ガス等の汚染物を遠紫外線（ＵＶ）照射またはイオン照射で清浄化する工程と前記容器本体上に載置される電解研磨加工された蓋部を真空または不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）で封止する工程と前記容器本体の歪の開放と不要ガスの排出を熱エージングで行なう工程からなる高安定水晶振動子およびその製造方法である。【０００８】  本発明の高安定水晶振動子は、シート状の表面実装（ＳＭＤ）セラミック容器の保持器本体内に水晶素子を収納する工程と、前記容器本体内に内在する有機溶材や付着ガス等の汚染物を遠紫外線（ＵＶ）照射またはイオン照射で清浄化する工程と前記容器本体上に載置される電解研磨加工された蓋部を真空または不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）で封止する工程と前記容器本体の歪の開放と不用ガスの排出を熱エージングで行なう工程からなる高安定水晶振動子およびその製造方法である。最も重要なことは、１０−７／年レベル以下の周波数安定度を有する高安定・高性能なＳＭＤ水晶振動子が、ハイブリッドＩＣ製造工程を適用することにより低コストで量産移行できることである。
【発明の効果】
【０００９】以上のとおり、本発明の高安定水晶振動子は、これまで水晶業界が達成しえなかった１０ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの基本波での周波数帯と高調波成分である３倍波、５倍波、７倍波で約２００ＭＨｚまでの水晶振動子を１０−７レベル／年以下の周波数安定度を有する高安定・高性能な水晶振動子を再現性よくかつ多量に生産できることを最大の特長としている。本発明の高安定水晶振動子はガスの発生量を極めて小さく抑えることができることから、１０−９／年〜１０−１０／年レベル以下の周波数安定度を有するマスター用超高安定水晶振動子が実現可能である。本発明の高安定水晶振動子は汚染物や水晶素子に内在する歪を抑えることで更なる高安定水晶振動子が得られることから、その工業的価値は極めて高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】長期的劣化要因であるステンレス外壁に吸着したガスの吸脱離やステンレス内部からのガスの放出は、容器内部に収納されている水晶振動子を汚染し、結果として発振周波数を変化させることになっていた。この劣化要因を取り除く方法として、電解研磨加工された金属容器やセラミック容器に水晶素子を収納後、この容器本体内に内在する有機溶材や付着ガス等の汚染物を遠紫外線（ＵＶ）照射またはイオン照射で清浄化後、この容器本体上に載置される電解研磨加工されたステンレス製キャップを真空または不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）で封止する工程とこの水晶振動子の歪の開放と不要ガスの排出を熱エージングで行なうシステム的なアプローチで高安定水晶振動子を実現している。
【実施例１】
【００１１】図１は、本発明の基本となる高安定水晶振動子の製造プロセス・フローチャートである。プロセスＳ１１は、容器本体内の所定の位置に、水晶片にＡｇ電極やＡｕ電極が形成された水晶素子を導電性接着剤で固定後乾燥させるか、金バンプでダイボンディングする。プロセスＳ１２は、容器本体内には水晶素子を導電性接着剤で固定する際の乾燥工程で発生する有機溶剤成分や排気系からのアウトガスや大気中の不要ガスが水晶素子や容器本体内を汚染しているため、低温度のクリーン化方法である遠紫外線照射やＡｒガス等の低イオン照射により、汚染物を分解処理し、容器本体内を清浄化する。プロセスＳ１３はプロセスＳ１４のための補助的処置である。キャップからの長期的劣化要因であるステンレス外壁に吸着したガスの吸脱離やステンレス内部からのガスの放出は、容器内部に収納されている水晶振動子を汚染し、結果として発振周波数を変化させることになる。電解研磨されたステンレス製保持器やキャップを使用することで、長期的劣化要因であるステンレス製キャップからのガスの発生を極力抑えることができる。電解研磨されたステンレス製キャップにシリコン膜を形成することで、ステンレス壁からのガスの放出量を電解研磨されたステンレス製キャップより、さらに一桁程度下げることができる。プロセスＳ１４は、電解研磨されたステンレス製キャップで真空または不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）で保持器を封止する工程である。封止方法としては、真空封止では冷間圧接法や電子ビーム溶接法がある。不活性ガス（Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ）で封止する方法としては金属保持器に対しては抵抗溶接法やＳＭＤセラミックパッケージに対して適用するシーム溶接法がある。プロセスＳ１５は、水晶片表面の残留加工層による歪の除去、水晶片表面と電極間の界面歪の除去、水晶片マウントのテコ動作による歪の除去、マウント接着剤水晶片表面の固定による歪の除去を熱エージングで、あわせてプロセスＳ１１からプロセスＳ１４で除けなかった不要ガスの排出を行なうことで、プロセスＳ１１〜プロセスＳ１５により高安定水晶振動子を製造することが可能になる。
【実施例２】
【００１２】図２は、本発明を広く普及している高周波水晶振動子ＵＭ−１等の金属製保持器に適用したものである。ＵＭ−１保持器には水晶板２０１の表面には厚み振動励振用電極２０２が形成され、電解研磨されたステンレス製キャップ２０３は、ステンレス製キャップ内壁２０４は鏡面研磨されている。ＵＭ−１保持器ベース部２０９からの保持部２０５，２０６は外部リード端子２０７，２０８と電気的に接続されている。水晶板２０１に形成された電極からの引出電極部を保持部２０５，２０６で保持固定し、高周波水晶振動子ＵＭ−１を構成している。ステンレス製キャップ２０３を多量に電解研磨で処理する方法としては、バレル槽による電解研磨法を適用いている。長期的劣化要因であるステンレス製キャップからのガスの発生量を極めて小さく抑えることができることから、高安定水晶振動子が実現される。
【実施例３】
【００１３】図３は、本発明をマスター用超高安定水晶振動子の三端子保持の金属製保持器に適用したものである。この保持器にはプラノーコンベックス水晶板３０１は三箇所で保持されている。電解研磨されたステンレス製キャップ３０２は、ステンレス製キャップ内壁３０３は鏡面研磨されている。三端子保持用金属製保持器のベース部３０６からの保持部３０４，３０５，３０６は外部リード端子３０７，３０８，３０９と電気的に接続されている。水晶板３０１に形成された電極からの引出電極部を保持部３０４，３０５，３０６で保持固定し、マスター用超高安定水晶振動子を構成している。ステンレス製キャップ３０２は、図９に示す結線方法により電解研磨処理している。長期的劣化要因であるステンレス製キャップからのガスの発生量を極めて小さく抑えることができることから、１０−９／年〜１０−１０／年レベル以下の周波数安定度を有するマスター用超高安定水晶振動子が実現される。
【実施例４】
【００１４】図４は、本発明を表面実装用セラミックパッケージに適用した。外形寸法７×５×１ｍｍのＳＭＤセラミックパッケージには、共振周波数１０ＭＨｚ（厚み１６０ミクロン）〜３０ＭＨｚ（厚み５３ミクロン）の水晶板４０１には上下に対向する厚み振動励振用電極４０２，４０３が形成されて水晶素子を形成し、この水晶素子は水晶板保持部４０９，４１０の２箇所で導電性接着剤または金バンプによるダイボンディングで保持固定されている。なお電解研磨されたステンレス製キャップの壁４０４，４０５は、図６による電解研磨結線方法でステンレス製平板キャップは鏡面研磨されている。この電解研磨されたステンレス製キャップは、溶接用リードフレーム枠を介して、真空または、Ｎ２ガス等の不活性ガスで気密封止されている。ステンレス製平板キャップは鏡面研磨され、不働態皮膜が形成されているため、長期的劣化要因であるステンレス製キャップからのガスの発生量を極めて小さく抑えることができ、かつ水晶片に加えられた歪を開放する工程である熱エージング（加熱温度１４５℃、エージング時間２０時間）で１０−７／年レベル以下の周波数安定度のＳＭＤ高安定水晶振動子が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】高安定水晶振動子の製造プロセス・フローチャートである。
【図２】ＵＭ−１の金属製保持器の高周波水晶振動子の断面図である。
【図３】三端子保持の金属製保持器のマスター用超高安定水晶振動子の断面図である。
【図４】表面実装用セラミックパッケージのＳＭＤ高安定水晶振動子の断面図である。
【図５】従来のＵＭ−１金属製保持器の断面図である。
【図６】従来のマスター用金属製保持器の断面図である。
【図７】従来の表面実装用セラミックパッケージの断面図である。
【図８】従来のシート状表面実装用セラミックパッケージの平面図である。
【図９】三端子保持の金属製保持器用ステンレス製キャップの電解研磨法である。
【図１０】シート状表面実装用セラミックパッケージ用ステンレス製キャップの電解研磨法である。
【図１１】油回転ポンプの吸引側における残留ガスの質量分析結果である。
【図１２】ドライポンプの吸引側における残留ガスの質量分析結果である。
【符号の説明】
【００１６】    ２０１        水晶板                  ２０２        電極
２０３        キャップ                ２０４        キャップ壁
２０５        支持支柱                ２０６        支持支柱
２０７        リード端子              ２０８        リード端子
２０９        保持器ベース
【００１７】    ３０１    プラノーコンベックス水晶板  ３０２        キャップ
３０３        キャップ壁              ３０４        保持部
３０５        保持部                  ３０６        保持部
３０７        リード端子              ３０８        リード端子
３０９        リード端子
【００１８】    ４０１        水晶板                  ４０２        電極
４０３        電極                    ４０４        平板キャップ
４０５        キャップ壁              ４０６        溶接用金属リードフレーム
４０７    溶接用金属リードフレーム    ４０８        セラミック基板
４０９        水晶板保持部            ４１０        水晶板保持部
【００１９】    ５０１        キャップ                ５０２        電解研磨処理液層
５０３        カソード電極            ５０４        カソード電極
５０５        カソード電極            ５０６        電源
【００２０】    ６０１        キャップ                ６０２        電解研磨処理液層
６０３        カソード電極            ６０４        カソード電極
６０５        電源
【００２１】    ７０１        キャップ                ７０２        キャップ壁からの放出ガス
７０３    キャップ内部からの放出ガス  ７０４        支持支柱
７０５        支持支柱                ７０５        リード端子
７０６        リード端子              ７０７        保持器ベース
【００２２】    ８０１        キャップ                ８０２        キャップ壁からの放出ガス
８０３    キャップ内部からの放出ガス  ８０４        支持支柱
８０５        支持支柱                ８０５        支持支柱
８０６        リード端子              ８０７        リード端子
８０８        リード端子              ８０９        保持器ベース
【００２３】    ９０１        セラミック基板          ９０２        キャップ壁
９０３        キャップ壁              ９０４        キャップ壁からの放出ガス
９０５    キャップ内部からの放出ガス  ９０６        水晶板保持部
９０７        水晶板保持部
【００２４】    １００１      シート状セラミック基板  １００２      セラミックパッケージ
１００３      水晶素子
【００２５】    １１０１      油回転ポンプの残留ガスの質量分析結果
【００２６】    １２０１      ドライポンプの残留ガスの質量分析結果
【図１】
2006025384.tif 000003
【図２】
2006025384.tif 000004
【図３】
2006025384.tif 000005
【図４】
2006025384.tif 000006
【図５】
2006025384.tif 000007
【図６】
2006025384.tif 000008
【図７】
2006025384.tif 000009
【図８】
2006025384.tif 000010
【図９】
2006025384.tif 000011
【図１０】
2006025384.tif 000012
【図１１】
2006025384.tif 000013
【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面処理された容器本体内に水晶素子を収納する工程と、前記容器本体内の汚染物を遠紫外線照射またはイオン照射で清浄化する工程と前記容器本体上に載置される表面処理された蓋部を真空または不活性ガスで封止する工程と前記容器本体を熱エージングする工程からなる高安定水晶振動子の製造方法。
【請求項２】
電解研磨加工された容器本体に水晶素子を収納し、電解研磨加工された金属性蓋部で真空または不活性ガスで封止してなる高安定水晶振動子。