(57)【要約】【課題】単結晶棒の引上げに伴う固液界面近傍における磁場強度の変化を抑制して固液界面近傍のシリコン融液の対流を十分に制御する。【解決手段】シリコン単結晶の引上方法は、チャンバ１１内に設けられた石英るつぼ１３にシリコン融液１２を貯留し、チャンバを挟むように設けられた一対の励磁コイル４１により形成される水平磁場がシリコン融液に印加され、ワイヤケーブル２３の下端に設けられた種結晶２４をシリコン融液に浸し、ワイヤケーブルを回転させつつ引上げることにより上昇する種結晶の下部にシリコン単結晶棒２５を形成する。励磁コイルの鉛直方向の中心がシリコン融液の表面よりも上方になるように励磁コイルがチャンバの外部に配置され、シリコン単結晶棒の引上げ開始時のシリコン融液の深さをＬとし励磁コイルの鉛直方向の中心Ａとシリコン融液の表面との差をＤとするとき差Ｄが次の式（１）で表される。                  ０≦Ｄ≦１０Ｌ              ………（１）【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ(11)内に設けられた石英るつぼ(13)にシリコン融液(12)を貯留し、チャンバ(11)を挟むように設けられた一対の励磁コイル(41,41)により形成される水平磁場が前記シリコン融液(12)に印加され、ワイヤケーブル(23)の下端に設けられた種結晶(24)を前記シリコン融液(12)に浸し、前記ワイヤケーブル(23)を回転させつつ引上げることにより上昇する前記種結晶(24)の下部にシリコン単結晶棒(25)を形成するシリコン単結晶の引上方法において、
前記励磁コイル(41,41)の鉛直方向の中心が前記シリコン融液(12)の表面よりも上方になるように前記励磁コイル(41,41)が前記チャンバ(11)の外部に配置され、
前記シリコン単結晶棒(25)の引上げ開始時の前記シリコン融液(12)の深さをＬとし前記励磁コイル(41,41)の鉛直方向の中心(A)と前記シリコン融液(12)の表面との差をＤとするとき差Ｄが次の式（１）で表される
ことを特徴とする磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法。
０≦Ｄ≦１０Ｌ              ………（１）
【請求項２】
シリコン融液(12)から引上げられるシリコン単結晶棒(25)の固液界面近傍の前記シリコン融液(12)に印加される磁場の強度が１０〜１０００ミリテスラである請求項１記載の磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法。
【請求項３】
励磁コイル(41)は、チャンバ(11)の外面に沿って水平方向に延びる半円状の上半円環状部(41a)と、前記上環状部(41a)と所定の間隔を開けて下方に位置し前記チャンバ(11)の外面に沿って水平方向に延びる半円状の下半円環状部(41b)と、鉛直方向に延びて前記上半円環状部(41a)と前記下半円環状部(41b)の各端部を相互に連結する一対の直線状部(41c,41d)とを備えた請求項１又は２記載の磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水平磁場を印加したシリコン融液からシリコン単結晶棒を引上げて育成する磁場印加式単結晶引上げ方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン単結晶棒を育成する方法としてるつぼ内のシリコン融液から半導体用の高純度シリコン単結晶棒を成長させるチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法という）が知られている。このＣＺ法は、石英るつぼの周囲に設けられたカーボンヒータにより石英るつぼ内のシリコン融液を加熱して所定温度に維持し、ミラーエッチングされた種結晶をシリコン融液に接触させ、その後その種結晶を回転させつつ引上げてシリコン単結晶棒を育成するものである。このシリコン単結晶棒の育成方法では、種結晶を引上げてシリコン融液から種絞り部を形成した後、目的とするシリコン単結晶棒の直径まで結晶を徐々に太らせて肩部を形成し、その後更に引上げてシリコン単結晶棒の直胴部を形成するようになっている。
【０００３】
シリコン結晶中には不純物が含まれている。シリコン結晶中の不純物は電気抵抗率を調整するため意図的にシリコン融液に添加されるボロン、リンなどのドーパントや、引上げ中に石英るつぼ壁より融液中に溶出、混入する酸素に起因する。これらの不純物はシリコン単結晶棒より切出されるシリコンウェーハの品質を左右するため適切に制御されなければならない。特にウェーハ中の面内不純物分布を均一にするために、シリコン単結晶棒中の半径方向の不純物濃度分布を均一にすることが重要である。
るつぼ内の融液は、るつぼの外周からヒータで加熱されるので、るつぼの側壁近傍では上昇し、その中心部では下降する自然対流が生じる。このため、るつぼに回転を与えてシリコン融液が加熱されることに起因する自然対流を抑制するとともに、引上げられるシリコン単結晶棒も回転させ、シリコン融液にそのシリコン単結晶棒の回転に起因する強制対流、いわゆるコックラン流を生じさせている。不純物濃度分布を均一にするためにはこれらの対流を有効に制御することが必要になる。
【０００４】
このシリコン融液の対流を制御するために従来より、チャンバを挟むように一対の励磁コイルをチャンバの外側に設け、チョクラルスキー法によって単結晶を引上げる際に、るつぼ内の融液に一対の励磁コイルから発せられる横方向の静磁場を印加する技術（ＭＣＺ法；Magnetic Field Applied Czochralski）が採用されている（例えば、特許文献１参照。）。このシリコン融液に横磁場を印加する技術では、石英ルツボ内面付近の融液流速を有効に抑制するために、磁場強度が最も強い励磁コイルの鉛直方向の中心が融液表面より下方になるように励磁コイルを設けており、このように強度が最も強い横磁場を印加することによりシリコン融液の対流を制御して、シリコン単結晶棒とシリコン融液の境である固液界面の形状を安定化させて、その引上げ速度を増加させることができるものとしている。
【特許文献１】特許第３５２０８８３号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、励磁コイルにより印加される横磁場は、磁場強度が最も強い水平断面から上下に離れた所では、磁場強度が低下する傾向にある。このため、磁場強度が最も強い励磁コイルの鉛直方向の中心を融液表面より下方にすると、単結晶棒の引上げに伴う液面の僅かな上下動に伴ってシリコン単結晶棒とシリコン融液との境である固液界面近傍における磁場強度も変化する不具合があった。この固液界面近傍における磁場強度が変化すると、固液界面近傍におけるシリコン融液の対流を十分に制御できなくなり、その固液界面の形状が不安定となって、シリコン単結晶棒の引上げ速度或いはその結晶棒における直径の制御が困難になる不具合がある。
本発明の目的は、単結晶棒の引上げに伴う固液界面近傍における磁場強度の変化を抑制して固液界面近傍のシリコン融液の対流を十分に制御し得る磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、図１に示すように、チャンバ１１内に設けられた石英るつぼ１３にシリコン融液１２を貯留し、チャンバ１１を挟むように設けられた一対の励磁コイル４１，４１により形成される水平磁場がシリコン融液１２に印加され、ワイヤケーブル２３の下端に設けられた種結晶２４をシリコン融液１２に浸し、ワイヤケーブル２３を回転させつつ引上げることにより上昇する種結晶２４の下部にシリコン単結晶棒２５を形成するシリコン単結晶の引上方法の改良である。
その特徴ある点は、励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心がシリコン融液１２の表面よりも上方になるように励磁コイル４１，４１がチャンバ１１の外部に配置され、シリコン単結晶棒２５の引上げ開始時のシリコン融液１２の深さをＬとし励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａとシリコン融液１２の表面との差をＤとするとき差Ｄが次の式（１）で表されるところにある。
【０００７】
０≦Ｄ≦１０Ｌ              ………（１）
この請求項１に記載された磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法では、磁場強度が最も強い励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面より上方にあるので、シリコン融液１２に印加される磁場強度はシリコン融液１２の表面において最も強く、その表面から下方に向かうに従って、その磁場強度は徐々に低下する。このため、単結晶棒２５の引上げに伴ってシリコン融液１２の液面の僅かな上下動に伴ってシリコン単結晶棒とシリコン融液との境である固液界面近傍における磁場強度が僅かに変化することになるけれども、磁場強度はシリコン融液１２の表面において最も強いので、最も強い磁場強度がその表面より下方にある従来に比較して、固液界面近傍におけるシリコン融液の対流を十分に制御できるようになる。
励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａとシリコン融液１２の表面との差Ｄがマイナスになって励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面より下方になると、固液界面近傍におけるシリコン融液の対流の制御が困難になり、その差Ｄが１０Ｌを越えると引上げ装置の複雑化を招くことになる。ここで、その差Ｄは０以上２Ｌ以下が好ましい範囲であり、０．１Ｌ以上０．８Ｌ以下が更に好ましい範囲である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、シリコン融液１２から引上げられるシリコン単結晶棒２５の固液界面近傍のシリコン融液１２に印加される磁場の強度が１０〜１０００ミリテスラである磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法である。
この請求項２に記載された磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法では、固液界面近傍におけるシリコン融液の対流を十分に制御できるようになる。固液界面近傍のシリコン融液１２に印加される磁場の強度が１０ミリテスラ未満であると、固液界面近傍におけるシリコン融液の対流を制御することが困難になり、その磁場強度が１０００ミリテスラを越えると一対の励磁コイル４１，４１及びそれに通電する電源が大型化する不具合がある。固液界面近傍のシリコン融液１２に印加される磁場の強度は５０〜８００ミリテスラであることが好ましく、８０〜５００ミリテスラであることが更に好ましい。
【０００９】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る発明であって、励磁コイル４１は、チャンバ１１の外面に沿って水平方向に延びる半円状の上半円環状部４１ａと、上環状部４１ａと所定の間隔を開けて下方に位置しチャンバ１１の外面に沿って水平方向に延びる半円状の下半円環状部４１ｂと、鉛直方向に延びて上半円環状部４１ａと下半円環状部４１ｂの各端部を相互に連結する一対の直線状部４１ｃ，４１ｄとを備えた磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法である。
この請求項３に記載された磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法では、励磁コイル４１を上述したようなものにすることにより、磁場強度が最も強い励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａから上下方向に離れる距離に比例する磁場強度の低下率を減少させることができ、その中心Ａがシリコン融液１２の表面より上方であっても固液界面近傍におけるシリコン融液の対流を十分に制御することが可能になる。このため、固液界面及び引上げられる単結晶棒の軸方向の温度勾配が磁場位置及びその強度による影響を受け難くなり、固液界面形状及び単結晶棒の軸方向の温度勾配を均一化させて酸素濃度等が安定したシリコン単結晶棒２５を得ることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法では、磁場強度が最も強い励磁コイルの鉛直方向の中心をシリコン融液の表面より上方にするので、シリコン融液に印加される磁場強度はシリコン融液の表面において最も強く、その表面から下方に向かうに従ってその磁場強度は徐々に低下する。このため、単結晶棒の引上げに伴ってシリコン融液の液面が僅かに上下動しても、最も強い磁場強度がその表面より下方にある従来に比較して、固液界面形状に与える影響を軽減することができる。そして、シリコン融液から引上げられるシリコン単結晶棒の固液界面近傍のシリコン融液に印加される磁場の強度が１０〜１０００ミリテスラであれば、固液界面近傍におけるシリコン融液の対流を十分に制御できるようになる。
【００１１】
また、励磁コイルは、チャンバの外面に沿って水平方向に延びる半円状の上半円環状部と、上環状部と所定の間隔を開けて下方に位置しチャンバの外面に沿って水平方向に延びる半円状の下半円環状部と、鉛直方向に延びて上半円環状部と下半円環状部の各端部を相互に連結する一対の直線状部とを備えたものであれば、磁場強度が最も強い励磁コイルの鉛直方向の中心から上下方向に離れる距離に比例する磁場強度の低下率を減少させることができ、その中心がシリコン融液の表面より上方であっても固液界面近傍におけるシリコン融液の対流を十分に制御することが可能になる。このため、固液界面及び引上げられる単結晶棒の軸方向の温度勾配が磁場位置及びその強度による影響を受け難くなり、固液界面形状及び単結晶棒の軸方向の温度勾配を均一化させて酸素濃度等が安定したシリコン単結晶棒を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１に本発明の方法を実施する磁場印加式シリコン単結晶の引上げ装置１０を示す。この装置１０のチャンバ１１内には、シリコン融液１２を貯留する石英るつぼ１３が設けられ、この石英るつぼ１３の外周面は黒鉛サセプタ１４により被覆される。石英るつぼ１３の下面は上記黒鉛サセプタ１４を介して支軸１６の上端に固定され、この支軸１６の下部はるつぼ駆動手段１７に接続される。るつぼ駆動手段１７は図示しないが石英るつぼ１３を回転させる第１回転用モータと、石英るつぼ１３を昇降させる昇降用モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ１３が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可能となっている。石英るつぼ１３の外周面は石英るつぼ１３から所定の間隔をあけてヒータ１８により包囲され、このヒータ１８は保温筒１９により包囲される。ヒータ１８は石英るつぼ１３に投入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・融解してシリコン融液１２にする。
【００１３】
またチャンバ１１の上端には円筒状のケーシング２１が接続される。このケーシング２１には引上げ手段２２が設けられる。引上げ手段２２はケーシング２１の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げヘッド（図示せず）と、このヘッドを回転させる第２回転用モータ（図示せず）と、ヘッドから石英るつぼ１３の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル２３と、上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル２３を巻取り又は繰出す引上げ用モータ（図示せず）とを有する。ワイヤケーブル２３の下端にはシリコン融液１２に浸してシリコン単結晶棒２５を引上げるための種結晶２４が取付けられる。
更にチャンバ１１にはこのチャンバ１１のシリコン単結晶棒側に不活性ガスを供給しかつ上記不活性ガスをチャンバ１１のるつぼ内周面側から排出するガス給排手段２８が接続される。ガス給排手段２８は一端がケーシング２１の周壁に接続され他端が上記不活性ガスを貯留するタンク（図示せず）に接続された供給パイプ２９と、一端がチャンバ１１の下壁に接続され他端が真空ポンプ（図示せず）に接続された排出パイプ３０とを有する。供給パイプ２９及び排出パイプ３０にはこれらのパイプ２９，３０を流れる不活性ガスの流量を調整する第１及び第２流量調整弁３１，３２がそれぞれ設けられる。
【００１４】
一方、引上げ用モータの出力軸（図示せず）にはエンコーダ（図示せず）が設けられ、るつぼ駆動手段１７には支軸１６の昇降位置を検出するエンコーダ（図示せず）が設けられる。２つのエンコーダの各検出出力はコントローラ（図示せず）の制御入力に接続され、コントローラの制御出力は引上げ手段２２の引上げ用モータ及びるつぼ駆動手段の昇降用モータにそれぞれ接続される。またコントローラにはメモリ（図示せず）が設けられ、このメモリにはエンコーダの検出出力に対するワイヤケーブル２３の巻取り長さ、即ちシリコン単結晶棒２５の引上げ長さが第１マップとして記憶される。また、メモリには、シリコン単結晶棒２５の引上げ長さに対する石英るつぼ１３内のシリコン融液１２の液面レベルが第２マップとして記憶される。コントローラは、引上げ用モータにおけるエンコーダの検出出力に基づいて石英るつぼ１３内のシリコン融液１２の液面を常に一定のレベルに保つように、るつぼ駆動手段１７の昇降用モータを制御するように構成される。
【００１５】
シリコン単結晶棒２５の外周面と石英るつぼ１３の内周面との間にはシリコン単結晶棒２５の外周面を包囲する熱遮蔽部材３６が設けられる。この熱遮蔽部材３６は円筒状に形成されヒータ１８からの輻射熱を遮る筒部３７と、この筒部３７の上縁に連設され外方に略水平方向に張り出すフランジ部３８とを有する。上記フランジ部３８を保温筒１９上に載置することにより、筒部３７の下縁がシリコン融液１２表面から所定の距離だけ上方に位置するように熱遮蔽部材３６はチャンバ１１内に固定される。そしてこの筒部３７の下部には筒内の方向に膨出する膨出部３９が設けられる。
【００１６】
この引上げ装置１０には、チャンバ１１を挟むように一対の励磁コイル４１，４１が設けられる。図２及び図３に示すように、一対の励磁コイル４１，４１は互いに同形同大であり、一方の励磁コイル４１を代表してその形状を説明すると、励磁コイル４１は、チャンバ１１の外面に沿って水平方向に延びる半円状の上半円環状部４１ａと、その上環状部と所定の間隔Ｈ、この実施の形態では５〜５００ｃｍの間隔Ｈを開けて下方に位置しチャンバ１１の外面に沿って水平方向に延びる半円状の下半円環状部４１ｂと、鉛直方向に延びて上半円環状部４１ａと下半円環状部４１ｂの各端部を相互に連結する一対の直線状部４１ｃ，４１ｄとを備える。一対の励磁コイル４１，４１はパワーリード線４２により直列に接続され、図示しない電源より各励磁コイル４１，４１に通電されると、図２に示すように両コイル４１，４１の中心Ａを結ぶ水平方向に磁束を発生するように構成される。図１に戻って、この一対の励磁コイル４１，４１は、それぞれの励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面よりも上方になるように上下動可能にチャンバ１１の外部に配置される。
【００１７】
次にこのシリコン単結晶の引上げ装置を用いた本発明の引上げ方法を説明する。
図１に示すように、石英るつぼ１３に高純度のシリコン多結晶体及びドーパント不純物を投入し、カーボンヒータ１８によりこの高純度のシリコン多結晶体を加熱、融解してシリコン融液１２にする。そして、シリコン単結晶棒２５の引上げ開始時のシリコン融液１２の深さをＬとし励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａとシリコン融液１２の表面との差をＤとするとき、その差Ｄがゼロ以上１０Ｌ以下になるように一対の励磁コイル４１，４１の鉛直方向の位置が定められる。即ち、その差Ｄは次の式（１）で表される。
【００１８】
０≦Ｄ≦１０Ｌ              ………（１）
このようにシリコン多結晶体を融解させて石英るつぼ１３にシリコン融液１２を貯留させて一対の励磁コイル４１，４１の鉛直方向の位置を定めた後、図示しない電源より各励磁コイル４１，４１に通電して、図２に示すように両コイル４１，４１を結ぶ水平方向に磁束を発生させる。一方、励磁コイル４１，４１により生じる磁場は、励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａに生じる実線で示す横磁場が磁場強度の点で最も強く、その実線で示す横磁場から上下に離れた所に生じる一点鎖線で示す横磁場では、その離れる距離に比例して磁場強度が低下する。このため、シリコン融液１２に印加される磁場強度はシリコン融液１２の表面において最も強く、その表面から下方に向かうに従って、その磁場強度は徐々に低下することになる。この実施の形態ではシリコン融液１２から引上げられるシリコン単結晶棒２５の固液界面近傍のシリコン融液１２に印加される磁場の強度が１０〜１０００ミリテスラである。
【００１９】
その後、るつぼ駆動手段１７により支軸１４を介して石英るつぼ１３を所定の速度で回転させる。そして回転引上げ手段の図示しない引上げ用モータによりワイヤケーブル２３を繰出して種結晶２４を降下させ、種結晶２４の先端部をシリコン融液１２に接触させる。その後種結晶２４を徐々に引上げることにより種絞り部２５ａを形成し、その種結晶２４の下方にシリコン単結晶棒２５を育成させる。シリコン単結晶棒２５を引上げる際に、種結晶２４が所定の速度で時計方向に回転するようワイヤケーブル２３を回転させる。
【００２０】
この横磁場が印加されたシリコン融液１２では、磁場強度が最も強い励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面より上方にあるので、シリコン融液１２に印加される磁場強度はシリコン融液１２の表面において最も強く、その表面から下方に向かうに従って、その磁場強度は徐々に低下することになる。このため、単結晶棒２５の引上げに伴ってシリコン融液１２の液面の僅かな上下動に伴ってシリコン単結晶棒とシリコン融液との境である固液界面近傍における磁場強度が僅かに変化することになるけれども、磁場強度はシリコン融液１２の表面において最も強いので、最も強い磁場強度がその表面より下方にある従来に比較して、固液界面近傍におけるシリコン融液１２の対流を十分に制御できるようになる。
【００２１】
このため、その固液界面の形状を安定して制御することが可能になり、ボロンコフ（Voronkov）の理論に基づいた所定の引上げ速度プロファイルでシリコン融液１２からシリコン単結晶棒２５を引上げることにより、内部に格子間シリコン型点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶棒２５を製造することも可能になる。ここで、ボロンコフの理論は、欠陥の数が少ない高純度シリコン単結晶棒２５を成長させるために、シリコン単結晶棒の引上げ速度をＶ（ｍｍ／分）、シリコン単結晶棒とシリコン融液１２の界面近傍のシリコン単結晶棒中の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とするときに、Ｖ／Ｇ（ｍｍ2／分・℃）を制御することである。
【実施例】
【００２２】
シリコン単結晶棒２５の引上げ開始時のシリコン融液１２の深さをＬとし励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａとシリコン融液１２の表面との差をＤとするとき、その差Ｄが−２．１Ｌから＋３．２Ｌの範囲まで移動した場合における固液界面形状の高さの変化と、このように引上げた場合におけるシリコン単結晶棒２５の中心軸における温度勾配の変化を最小２乗法（Method of least squares）により求めた。ここで、「−」は励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面よりも下方になる場合を示し、「＋」は励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面よりも上方になる場合を示す。また、固液界面形状の高さの変化は、シリコン単結晶棒を引上げる際に生じる固液界面の高さの最大値と平均値との比により表した。シリコン単結晶棒２５の中心軸における温度勾配の変化は、シリコン単結晶棒を引上げる際に生じる固液界面近傍の単結晶棒の軸方向の温度勾配の最大値と平均値との比により表した。この結果を図４に示す。
【００２３】
この図４の結果から明らかなように、励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面よりも下方にある場合には、励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａとシリコン融液１２の表面との差Ｄの変化に対する固液界面形状の高さの変化と温度勾配の変化が比較的大きく変化するのに対して、励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａがシリコン融液１２の表面よりも上方にある場合には、励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａとシリコン融液１２の表面との差Ｄの変化に対する固液界面形状の高さの変化と温度勾配の変化は大きく変化していないことが判る。よって、励磁コイル４１，４１の鉛直方向の中心Ａをシリコン融液１２の表面よりも上方にする本発明では、単結晶棒の引上げに伴う固液界面近傍における磁場強度の変化を抑制して固液界面近傍のシリコン融液の対流を十分に制御し得ることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明実施形態のシリコン単結晶の引上げ装置の構成を示す概念図である。
【図２】その装置の励磁コイルとるつぼとの関係を示す拡大図である。
【図３】その装置の用いられた一対の励磁コイルを示す斜視図である。
【図４】本発明の実施例の結果を示す図である。
【符号の説明】
【００２５】
１１  チャンバ
１２  シリコン融液
１３  石英るつぼ
２３  ワイヤケーブル
２４  種結晶
２５  シリコン単結晶棒
４１  励磁コイル
４１ａ  上半円環状部
４１ｂ  下半円環状部
４１ｃ、４１ｄ直線状部
Ｌ  シリコン単結晶棒の引上げ開始時のシリコン融液の深さ
Ａ  励磁コイルの鉛直方向の中心
Ｄ  励磁コイルの鉛直方向の中心とシリコン融液の表面との差
【図１】
2006069841.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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