(57)【要約】【課題】  一部のモジュールに障害が発生した場合においても、基板の搬送、処理を円滑に実行し、かつ、サイクルタイムコントロールを維持し、製品歩留まりの向上を図れるようにすること。【解決手段】  ウエハに処理を施す複数のプロセスモジュール２０〜２３，４０と、ウエハを搬送する搬送モジュール３１〜３４と、搬送モジュールとの間でウエハを受け渡しする退避ジュール３０と、プロセスモジュールで発生した障害を検知し、その検知信号に基づいて各モジュールを統括して制御するＣＰＵ６０とを具備し、制御手段によりいずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、障害が発生したプロセスモジュールに搬送するウエハを退避モジュールに搬送すると共に、障害が発生したプロセスモジュール以前のウエハの搬送を一旦停止し、それ以外のウエハの搬送、処理を続行させ、その後、障害が発生したプロセスモジュール以前のウエハの搬送、処理を行う。【選択図】    図１
2006203003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの被処理基板を収容する搬出用カセットモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理する、基板搬送処理装置であって、
上記搬送モジュールとの間で被処理基板を受け渡しする退避ジュールと、
上記プロセスモジュールで発生した障害を検知し、その検知信号に基づいて各モジュールを統括して制御する制御手段とを具備し、
上記制御手段によりいずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を上記退避モジュールに搬送すると共に、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止し、それ以外の被処理基板の搬送、処理を続行させ、その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行うるように形成してなる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板搬送処理装置において、
上記退避モジュールが、複数のモジュールを具備するブロック間に配置され、隣接するブロック内の被処理基板を受け渡しする受け渡しモジュールである、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の基板搬送処理装置において、
上記退避モジュールが、複数のモジュールを具備するブロック内に配置され、ブロック内の被処理基板を受け渡し可能なバッファモジュールである、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項４】
請求項１記載の基板搬送処理装置において、
上記退避モジュールが、使用されていない空きのモジュールである、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項５】
未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの被処理基板を収容する搬出用カセットモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理する、基板搬送処理装置における障害対策方法であって、
上記各モジュールを統括して制御する制御手段によって、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知し、
上記制御手段が検知した信号に基づいて障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を上記搬送モジュールとの間で被処理基板を受け渡しする退避モジュールに搬送し、
障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止し、
障害が発生したプロセスモジュール以降の被処理基板の搬送、処理を続行させ、
その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行う、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項６】
請求項５記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記退避モジュールが、複数のモジュールを具備するブロック間に配置され、隣接するブロック内の被処理基板を受け渡しする受け渡しモジュールである、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項７】
請求項５記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記退避モジュールが、複数のモジュールを具備するブロック内に配置され、ブロック内の被処理基板を受け渡し可能なバッファモジュールである、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項８】
請求項５記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記退避モジュールが、使用されていない空きのモジュールである、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項９】
未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの被処理基板を収容する搬出用カセットモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理する、基板搬送処理装置における障害対策用プログラムであって、
コンピュータに、
いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知する手順と、
上記検知信号に基づいて障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を上記搬送モジュールとの間で被処理基板を受け渡しする退避モジュールに搬送する手順と、
障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止する手順と、
障害が発生したプロセスモジュール以降の被処理基板の搬送、処理を続行させる手順と、
その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行う手順と、
を実行させることを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策用プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板を複数のプロセスモジュールで分散処理する基板搬送処理装置に関するもので、更に詳細には、いずれかのプロセスモジュールで障害が発生した場合の対策を具備した基板搬送処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウエハやＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の基板の製造においては、基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術では、基板を複数のプロセスモジュールに搬送して、フォトレジストを基板に塗布し、これを露光し、更に現像処理する基板搬送処理装置が採用されている。
【０００３】
この種の基板搬送処理装置は、未処理の基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの基板を収容する搬出用カセットモジュールと、基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、搬送モジュールによって搬入用カセットモジュールからの基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで基板を分散処理するように構成されている。
【０００４】
従来のこの種の基板搬送処理装置において、基板を複数のプロセスモジュールで分散して処理する工程において、各モジュールへ基板を搬送中にあるモジュールで障害が発生すると、搬送中の基板の搬送先を他方の正常のモジュールに変更して、障害が発生したモジュールの障害発生による装置内全基板の搬送が停止することを防いでいる（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−５０９４８号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平１１−１６９８３号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板を複数のモジュールで分散して処理する工程では、プロセス時間が非常に長い可能性があるため、あるモジュールの障害発生により、搬送中の基板の搬送先を他方の正常なモジュールに変更すると、当該モジュールのプロセスが終了するまで、基板搬送が遅延するという問題がある。
【０００６】
また、基板の搬送に遅延が発生した場合、サイクルタイムコントロールのバラツキが発生し、製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、一部のモジュールに障害が発生した場合においても、基板の搬送及び処理を円滑に実行し、かつ、サイクルタイムコントロールを維持し、製品歩留まりの向上を図れるようにした基板搬送処理装置及びその障害対策方法並びに障害対策用プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、この発明の基板搬送処理装置は、未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの被処理基板を収容する搬出用カセットモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理する、基板搬送処理装置であって、  上記搬送モジュールとの間で被処理基板を受け渡しする退避ジュールと、  上記プロセスモジュールで発生した障害を検知し、その検知信号に基づいて各モジュールを統括して制御する制御手段とを具備し、  上記制御手段によりいずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を上記退避モジュールに搬送すると共に、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止し、それ以外の被処理基板の搬送、処理を続行させ、その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行うるように形成してなる、ことを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
また、この発明の障害対策方法は、未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの被処理基板を収容する搬出用カセットモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理する、基板搬送処理装置における障害対策方法であって、  上記各モジュールを統括して制御する制御手段によって、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知し、  上記制御手段が検知した信号に基づいて障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を上記搬送モジュールとの間で被処理基板を受け渡しする退避モジュールに搬送し、  障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止し、  障害が発生したプロセスモジュール以降の被処理基板の搬送、処理を続行させ、  その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行う、ことを特徴とする（請求項５）。
【００１０】
この発明において、上記退避モジュールは、障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板が搬送可能なモジュールであれば任意のモジュールでよく、例えば新設のモジュールの他、複数のモジュールを具備するブロック間に配置され、隣接するブロック内の被処理基板を受け渡しする受け渡しモジュール（請求項２，６）、又は、複数のモジュールを具備するブロック内に配置され、ブロック内の被処理基板を受け渡し可能なバッファモジュール（請求項３，７）、あるいは、使用されていない空きのモジュール（請求項４，８）のいずれであってもよい。
【００１１】
また、この発明の障害対策用プログラムは、上記障害対策方法を実行するもので、  未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの被処理基板を収容する搬出用カセットモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理する、基板搬送処理装置における障害対策用プログラムであって、  コンピュータに、  いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知する手順と、  上記検知信号に基づいて障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を上記搬送モジュールとの間で被処理基板を受け渡しする退避モジュールに搬送する手順と、  障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止する手順と、  障害が発生したプロセスモジュール以降の被処理基板の搬送、処理を続行させる手順と、  その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行う手順と、を実行させることを特徴とする（請求項９）。
【００１２】
上記のように構成することにより、搬送モジュールによって搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理している状態において、いずれかのプロセスモジュールで障害が発生すると、制御手段が障害を検知する。そして、制御手段が検知した信号に基づいて障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を搬送モジュールとの間で被処理基板を受け渡しする退避モジュールに搬送する一方、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止し、障害が発生したプロセスモジュール以降の被処理基板の搬送、処理を続行させる。その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００１４】
（１）請求項１，５，９記載の発明によれば、障害が発生したプロセスモジュールに搬送する被処理基板を退避モジュールに搬送し、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送を一旦停止し、障害が発生したプロセスモジュール以降の被処理基板の搬送、処理を続行させ、その後、障害が発生したプロセスモジュール以前の被処理基板の搬送、処理を行うことができるので、一部のモジュールに障害が発生した場合においても、被処理基板の搬送及び処理を円滑に実行することができ、かつ、サイクルタイムコントロールを維持し、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００１５】
（２）請求項２，６記載の発明によれば、退避モジュールを、複数のモジュールを具備するブロック間に配置され、隣接するブロック内の被処理基板を受け渡しする受け渡しモジュールにて形成することにより、装置内に備えられた既存の受け渡しモジュールを兼用することができるので、上記（１）に加えて更に装置の小型化が図れる。
【００１６】
（３）請求項３，７記載の発明によれば、退避モジュールを、複数のモジュールを具備するブロック内に配置され、ブロック内の被処理基板を受け渡し可能なバッファモジュールにて形成することにより、装置内に備えられた既存のバッファモジュールを兼用することができるので、上記（１）に加えて更に装置の小型化が図れる。
【００１７】
（４）請求項４，８記載の発明によれば、退避モジュールを、使用されていない空きのモジュールにて形成することにより、装置内に備えられた既存のモジュールを兼用することができるので、上記（１）に加えて更に装置の小型化が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・露光・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００１９】
図１は、この発明に係る基板搬送処理装置を適用した半導体ウエハのレジスト塗布・露光・現像処理システムを示す概略平面図である。
【００２０】
上記レジスト塗布・露光・現像処理システム（以下に処理システムという）は、図１に示すように、複数の未処理の被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を収容する搬入用カセットモジュール１と、処理済みのウエハＷを収容する搬出用カセットモジュール２を並設した搬入・搬出部３と、ウエハＷに所定の処理を施す後述する複数のプロセスモジュールを具備する処理部４と、露光部５と、搬入・搬出部３と処理部４との間に配置されるブロックである第１のインターフェース部６と、処理部４と露光部５との間に配置されるブロックである第２のインターフェース部７とを具備している。
【００２１】
また、上記処理部４は、第１のインターフェース部６との間に第１の受け渡しモジュール（ＴＲＳ）１１を介して連設配置される第１の処理ブロック４Ａと、第２のインターフェース部７との間に第３の受け渡しモジュール（ＴＲＳ）１３を介して連設配置される第２の処理ブロック４Ｂとで構成されており、これら第１の処理ブロック４Ａと第２の処理ブロック４Ｂは、第２の受け渡しモジュール（ＴＲＳ）１２を介して連設配置されている。なお、第１，第２，第３の受け渡しモジュール１１，１２，１３は、搬入用カセットモジュール１から搬出されて露光部５へ搬送されるウエハＷの受け渡し部と、露光部５から搬出用カセットモジュール２へ搬送されるウエハＷの受け渡し部とが並設されている。
【００２２】
上記第１の処理ブロック４Ａは、ウエハＷにレジストを塗布するプロセスモジュールである複数（例えば２台）の塗布モジュール（ＣＯＴ）２０と、レジスト塗布後のウエハＷをプリベーク処理するプロセスモジュールである複数（例えば３台）の第１のオーブンモジュール（ＯＶＮ）２１と、これら塗布モジュール２０と第１のオーブンモジュール２１との間でウエハＷを搬送する水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動可能な第２の搬送モジュール３２及びこの第２の搬送モジュール３２との間でウエハＷを受け渡し可能な退避モジュール３０を具備している。
【００２３】
一方、上記第２の処理ブロック４Ｂは、露光処理後のウエハＷのフリンジの発生を防止、あるいは、化学増幅型レジストにおける酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージャーベーク処理と、現像処理後のウエハＷをポストベーク処理するプロセスモジュールである複数の第２のオーブンモジュール（ＯＶＮ）２２と、ウエハＷを現像処理するプロセスモジュールである現像モジュール（ＤＥＶ）２３と、これら現像モジュール２３と第２のオーブンモジュール２２との間でウエハＷを搬送する水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動可能な第３の搬送モジュール３３とを具備している。
【００２４】
また、上記第１のインターフェース部６には、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動可能な第１の搬送モジュール３１が配設されている。この第１の搬送モジュール３１によって、搬入用カセットモジュール１内に収容された未処理のウエハＷが取り出されて、第１の受け渡しモジュール１１の一方の受け渡し部に搬送され、また、第１の受け渡しモジュール１１の他方の受け渡し部にある処理済みのウエハＷが受け取られて、搬出用カセットモジュール２に搬送（収容）される。
【００２５】
また、上記第２のインターフェース部７には、レジストが塗布されたウエハＷの周縁のレジストを除去するための周辺露光モジュール４０と、露光部５との間で受け渡されるウエハＷを一時待機するバッファモジュール５０と、これら周辺露光モジュール４０とバッファモジュール５０及び露光部５との間でウエハＷを受け渡しする水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動可能な第４の搬送モジュール３４が配設されている。
【００２６】
上記のように構成される処理システムにおいて、上記塗布モジュール２０，現像モジュール２３，第１及び第２のオーブンモジュール２１，２２等のプロセスモジュール、第１〜第４の搬送モジュール３１〜３４、退避モジュール３０及びその他の全てのモジュールは、制御手段であるコンピュータの中央演算処理装置（ＣＰＵ）６０（以下にＣＰＵ６０という）に電気的に接続されており、ＣＰＵ６０によって各モジュールは統括して制御されている。すなわち、ＣＰＵ６０に記憶された搬送スケジュール，処理スケジュール及びこれらスケジュールの選択や切換（変更）等を実行するプログラムによって、後述するように、各モジュールで発生した障害を検知し、その検知信号に基づいてウエハＷの搬送工程及び処理工程が最適な手順に制御されるように障害対策が施されている。
【００２７】
上記のように構成される処理システムによれば、上記ＣＰＵ６０にプログラミングされた搬送スケジュール，処理スケジュール及びこれらスケジュールの選択や切換（変更）等を実行する制御信号に基づいて以下のような工程（手順）でウエハＷの処理が行われる。
【００２８】
まず、第１のインターフェース部６に配設された第１の搬送モジュール３１が搬入用カセットモジュール１内に収容された未処理のウエハＷを取り出し、取り出されたウエハＷを第１の受け渡しモジュール１１に搬送する。すると、第１の処理ブロック４Ａ内に配設された第２の搬送モジュール３２が第１の受け渡しモジュール１１からウエハＷを取り出し、２台の塗布モジュール２０へ順次搬入する。この塗布モジュール２０内でウエハＷ表面に一様な膜厚でレジストが塗布される。
【００２９】
レジストが塗布されると、第２の搬送モジュール３２はウエハＷを塗布モジュール２０から搬出し、次に３台の第１のオーブンモジュール２１内に順次搬入する。第１のオーブンモジュール２１内でウエハＷは所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上のレジスト膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００３０】
プリベークが終了すると、第２の搬送モジュール３２は、ウエハＷを第１のオーブンモジュール２１から搬出し、次に、第２の受け渡しモジュール１２へ搬送する。すると、第２の処理ブロック４Ｂ内に配設された第３の搬送モジュール３３が第２の受け渡しモジュール１２からウエハＷを取り出して、第３の受け渡しモジュール１３に搬送する。第３の受け渡しモジュール１３に搬送されたウエハＷは、第２のインターフェース部７内に配設された第４の搬送モジュール３４によって取り出されて、周辺露光モジュール４０に搬入される。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光処理を受ける。
【００３１】
周辺露光処理が終了すると、ウエハＷは、第４の搬送モジュール３４はウエハＷを周辺露光モジュール４０から取り出し、次に露光部５内に搬入する。
【００３２】
露光部５で露光処理が終了すると、第４の搬送モジュール３４は、露光部５内からウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを第３の受け渡しモジュール１３に搬送する。すると、第３の搬送モジュール３３が第３の受け渡しモジュール１３からウエハＷを受け取って、第２のオーブンモジュール２２におけるポストエクスポージャーオーブン（図示せず）に搬送する。このポストエクスポージャーオーブン内でウエハＷは所定温度例えば１２０℃これによって、フリンジの発生が防止され、あるいは、化学増幅型レジストにおける酸触媒反応が誘起される。したがって、露光処理からポストエクスポージャーベークまでの時間にバラツキが生じないように正確にコンロトールする必要がある。なお、ここでは、ポストエクスポージャーオーブンを第２の処理ブロック４Ｂ内の第２のオーブンモジュール２２に組み込む場合について説明したが、ポストエクスポージャーオーブンを第２のインターフェース部７内に配設してもよい。
【００３３】
その後、ウエハＷは、第２の搬送モジュール３２によって２台の現像モジュール２３に順次搬入される。この現像モジュール２３内で、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なくかけられて、現像処理が施される。現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００３４】
現像工程が終了すると、第３の搬送モジュール３３は、ウエハＷを現像モジュール２３内から搬出して、次に複数の第２のオーブンモジュール２２へ順次搬入する。この第２のオーブンモジュール２２内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００３５】
ポストベークが終了すると、第３の搬送モジュール３３は、処理済みのウエハＷを第２のオーブンモジュール２２から搬出し、第２の受け渡しモジュール１２に搬送する。第２の受け渡しモジュール１２にウエハＷが搬送されると、第２の搬送モジュール３２が第２の受け渡しモジュール１２からウエハＷを受け取って、第１の受け渡しモジュール１１にウエハＷを搬送する。すると、第１の搬送モジュール３１が第１の受け渡しモジュール１１からウエハＷを受け取って、搬出用カセットモジュール２に順次搬入して、処理が完了する。
【００３６】
次に、上記処理システムにおける障害対策の一例について、図２ないし図６及び図９のフローチャートを参照して説明する。ここでは、１ロットが２５枚のＡロット（Ａ1〜Ａ25）とＢロット（Ｂ1〜Ｂ25）におけるウエハＷを搬送・処理する場合で、第１の処理ブロック４Ａにおける塗布モジュール２０に障害が発生した場合について説明する。
【００３７】
まず、例えば、上記２台の塗布モジュール２０の一方で処理中のＡロットの最後のウエハＷ（Ａ25）に障害が発生した場合、ＣＰＵ６０の監視信号すなわち搬送除外の確認信号（図９，ステップ９−１）により障害発生を検知する｛図２、（図９，ステップ９−２）｝。次に、搬送先の塗布モジュール２０へ搬送中か否か判断される（図９，ステップ９−３）。この場合、Ｂロットの２枚目のウエハＷ（Ｂ2）が第２の搬送モジュール３２によって塗布モジュール２０へ搬送される前であるので、ウエハＷ（Ｂ2）の搬送先が退避モジュール３０に決定される（図９，ステップ９−４）。そして、退避モジュール３０が使用可能か否か判断され（図９，ステップ９−６）、退避モジュール３０が使用可能であれば、搬送スケジュールを変更して、搬送先を退避モジュール３０に変更し（図９，ステップ９−７）、第２の搬送モジュール３２によってウエハＷ（Ｂ2）を退避モジュール３０に搬送する（図３参照）。このウエハＷ（Ｂ2）の退避モジュール３０への搬送と共に、障害が発生した塗布モジュール２０以前のＢロットの３枚目のウエハＷ（Ｂ3）の搬送は一旦停止される。それ以外のウエハＷの搬送、処理は続行される（図９，ステップ９−１０）。
【００３８】
その後、搬送スケジュールが切り換えられ、正常な塗布モジュール２０内のＢロットの１枚目のウエハＷ（Ｂ1）が塗布処理されて、第２の搬送モジュール３２によって第１のオーブンモジュール２１に搬入される。すると、第２の搬送モジュール３２は、退避モジュール３０からウエハＷ（Ｂ2）を受け取って、正常な塗布モジュール２０内に搬入する（図４参照）。その後、第１のオーブンモジュール２１内で処理されたＡロットの２４枚目のウエハＷ（Ａ24）が、第１のオーブンモジュール２１から取り出されると（図５参照）、正常な塗布モジュール２０によって塗布処理されたウエハＷ（Ｂ2）を、第２の搬送モジュール３２によって第１のオーブンモジュール２１に搬入した後、一旦搬送が停止されていたウエハＷ（Ｂ3）を、第２の搬送モジュール３２によって正常な塗布モジュール２０内に搬入する（図６参照）。
【００３９】
なお、搬送先モジュール（塗布モジュール２０）へ搬送中のときは、搬送を停止した後（図９，ステップ９−５）、退避モジュール３０を決定する。また、退避モジュール３０が使用不可能の場合は、搬送先モジュール（塗布モジュール２０）のトラブル復帰まで搬送を停止する（図９，ステップ９−９）。
【００４０】
上記説明では、複数のプロセスモジュールである塗布モジュール２０の１つに障害が生じた場合について説明したが、単一のモジュールに障害が発生した場合においても、上記と同様の障害対策をとることができる。例えば、図７に示すように、第２の搬送モジュール３２の前工程のモジュールに障害が発生した場合、ＣＰＵ６０の監視信号すなわち搬送除外の確認信号（図９，ステップ９−１）により障害発生を検知する（図９，ステップ９−２）。次に、搬送先の塗布モジュール２０へ搬送中か否か判断される（図９，ステップ９−３）。この場合、ＢロットのウエハＷ（Ｂ3）が第２の搬送モジュール３２によって塗布モジュール２０へ搬送される前であるので、ウエハＷ（Ｂ3）の搬送先が退避モジュール３０に決定される（図９，ステップ９−４）。そして、退避モジュール３０が使用可能か否か判断され（図９，ステップ９−６）、退避モジュール３０が使用可能であれば、搬送スケジュールを変更して、搬送先を退避モジュール３０に変更し（図９，ステップ９−７）、第２の搬送モジュール３２によってウエハＷ（Ｂ3）を退避モジュール３０に搬送する（図８参照）。このウエハＷ（Ｂ3）の退避モジュール３０への搬送と共に、障害が発生した塗布モジュール２０以前のウエハＷ（Ｂ4，Ｂ5）の搬送は一旦停止され、それ以外のウエハＷの搬送、処理は続行される（図９，ステップ９−１０）。
【００４１】
なお、上記実施形態では、退避モジュール３０を新規に設ける場合について説明したが、図１０に示すように、退避モジュール３０を新規に設けずに処理システムに配設されている受け渡しモジュール１１，１２，１３やバッファモジュール５０、あるいは、使用されていない空きのモジュールを退避モジュールとして使用することも可能である。なお、図１０において、退避モジュールを新規に設けない以外は、図１に示した第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００４２】
例えば、上述したように、上記塗布モジュール２０の一方で処理中のウエハＷに障害が発生した場合、ＣＰＵ６０の監視信号すなわち搬送除外の確認信号（図９，ステップ９−１）により障害発生を検知する（図９，ステップ９−２）。次に、搬送先の塗布モジュール２０へ搬送中か否か判断される（図９，ステップ９−３）。この場合、ウエハＷが第２の搬送モジュール３２によって塗布モジュール２０へ搬送される前であれば、ウエハＷの搬送先が退避モジュールを兼用する第２の受け渡しモジュール１２に決定される（図９，ステップ９−４）。そして、第２の受け渡しモジュール１２が使用可能か否か判断され（図９，ステップ９−６）、第２の受け渡しモジュール１２が使用可能、すなわち第２の受け渡しモジュール１２が空き状態であれば、搬送スケジュールを変更して、搬送先を第２の受け渡しモジュール１２に変更し（図９，ステップ９−７）、第２の搬送モジュール３２によってウエハＷを第２の受け渡しモジュールに搬送する。このウエハＷの第２の受け渡しモジュール１２への搬送と共に、障害が発生した塗布モジュール２０以前のウエハＷの搬送は一旦停止される。それ以外のウエハＷの搬送、処理は続行される（図９，ステップ９−１０）。
【００４３】
また、障害が露光処理の前後のモジュール（例えば周辺露光モジュール４０）で発生した場合は、バッファモジュール５０を退避モジュールとして使用することができる。
【００４４】
また、複数のプロセスモジュールにウエハＷを搬送して、プロセスモジュールでマルチ処理する場合において、プロセスモジュールに空きがある場合は、空きのプロセスモジュールを退避モジュールとして使用することができる。なお、この場合、空きのプロセスモジュールとして、例えばオーブンモジュールやクーリングモジュールを使用することができるが、オーブンモジュールを使用する場合には、不使用であって温度が上がっていない（温度レシピが転送されていない）オーブンモジュールである必要がある。
【００４５】
上記のように構成される処理システムによれば、障害が発生したプロセスモジュールに搬送するウエハＷを退避モジュール３０（受け渡しモジュール１１，１２，１３，バッファモジュール５０，空きのモジュール）に搬送し、障害が発生したモジュール以前のウエハＷの搬送を一旦停止し、障害が発生したモジュール以降のウエハＷの搬送、処理を続行させ、その後、障害が発生したモジュール以前のウエハＷの搬送、処理を行うことができるので、一部のモジュールに障害が発生した場合においても、ウエハＷの搬送及び処理を円滑に実行することができ、かつ、サイクルタイムコントロールを維持することができる。特に、搬入用カセットモジュール１から露光部５間のモジュールに障害が発生した場合においても、露光からポストエクスポージャーベークまでの時間（ＰＥＤ時間）のバラツキの発生を防止することができる。また、オーブン系モジュールで処理したウエハＷのオーバーベークの発生を防止することができる。
【００４６】
また、退避モジュールに、既存の第１〜第３の受け渡しモジュール１１〜１３やバッファモジュール５０を使用することにより、装置の小型化が図れる。
【００４７】
なお、上記実施形態においては、この発明に係る基板搬送処理装置、障害対策方法及び障害対策用プログラムをウエハのレジスト塗布現像処理システムに適用した場合について説明したが、ＬＣＤガラス基板の塗布現像処理システムにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明に係る基板搬送処理装置を具備するレジスト塗布・露光・現像処理システムの第１実施形態を示す概略平面図である。
【図２】この発明におけるプロセスモジュールである塗布モジュールに障害が発生した状態を示す概略平面図である。
【図３】この発明における退避モジュールにウエハを搬送した状態を示す概略平面図である。
【図４】上記退避モジュールから正常な塗布モジュールにウエハを搬送した状態を示す概略平面図である。
【図５】障害が発生した塗布モジュール以前のウエハの搬送停止、以後のウエハの搬送、処理の続行状態を示す概略平面図である。
【図６】障害が発生した塗布モジュール以前のウエハの搬送、処理を続行した状態を示す概略平面図である。
【図７】この発明における単一のモジュールに障害が発生した状態を示す概略平面図である。
【図８】上記単一のモジュールに障害が発生した場合における退避モジュールにウエハを搬送した状態を示す概略平面図である。
【図９】この発明における障害対策方法の手順を示すフローチャートである。
【図１０】この発明に係る基板搬送処理装置を具備するレジスト塗布・露光・現像処理システムの第２実施形態を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  搬入用カセットモジュール
２  搬出用カセットモジュール
４  処理部
４Ａ  第１の処理ブロック
４Ｂ  第２の処理ブロック
５  露光部
６  第１のインターフェース部
７  第２のインターフェース部
１１  第１の受け渡しモジュール
１２  第２の受け渡しモジュール
１３  第３の受け渡しモジュール
２０  塗布モジュール（プロセスモジュール）
２１  第１のオーブンモジュール（プロセスモジュール）
２２  第２のオーブンモジュール（プロセスモジュール）
２３  現像モジュール（プロセスモジュール）
３０  退避モジュール
３１  第１の搬送モジュール
３２  第２の搬送モジュール
３３  第３の搬送モジュール
３４  第４の搬送モジュール
４０  周辺露光モジュール（プロセスモジュール）
５０  バッファモジュール
６０  ＣＰＵ（制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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