(57)【要約】      （修正有）【課題】コンタクトホール形成時に発生するコンタクトホールの不良を著しく低減する。【解決手段】第１絶縁層（５１５）と、第１絶縁層上に形成される第１導電層（５１０）と、第１導電層上に形成される第２絶縁層（５２５）と、第２絶縁層上に形成され、第１導電層と重畳するように形成される第１重畳部（５２０ａ）を備える第２導電層（５２０）と、第２導電層上に形成される第３絶縁層（５３５）と、第３絶縁層上に形成されて第１重畳部（５２０ａ）の形成された位置と異なる位置に第２導電層（５２０）と重畳するように形成される第２重畳部（５３０ａ）を備える第３導電層（５３０）と、第１重畳部（５２０ａ）及び第２重畳部（５３０ａ）の少なくとも一つに形成され、第１導電層と第２導電層、または、第２導電層と第３導電層とを電気的に連結するコンタクトホール（５５０）と、を備える。【選択図】図５
2006319307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成される第１導電層と、
前記第１導電層上に形成される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成され、前記第１導電層と重畳するように形成された第１重畳部を備える第２導電層と、
前記第２導電層上に形成される第３絶縁層と、
前記第３絶縁層上に形成され、前記第１重畳部が形成された位置とは異なる位置に前記第２導電層と重畳するように形成される第２重畳部を備える第３導電層と、
前記第１重畳部及び前記第２重畳部の少なくとも一つに形成され、前記第１導電層と前記第２導電層、または、前記第２導電層と前記第３導電層を電気的に連結するコンタクトホールと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層は、
所定の角度で、所定の長さに延長された少なくとも一つの延長部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層の少なくとも一つは、所定の角度で所定の長さに延長された少なくとも一つの延長部を備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置
【請求項４】
前記コンタクトホールの直径は、
前記前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層の幅を超過しないことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板上に第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階と、
前記第１導電層上に第２絶縁層を形成する段階と、
前記第２絶縁層上に前記第１導電層と重畳する第１重畳部が形成された第２導電層を形成する段階と、
前記第２導電層上に第３絶縁層を形成する段階と、
前記第１重畳部の形成される位置と異なる位置に前記第２導電層と重畳する第２重畳部を備える第３導電層を形成する段階と、
前記第１重畳部及び前記第２重畳部の少なくとも一つに形成され、前記第１導電層と前記第２導電層、または、前記第２導電層と前記第３導電層を電気的に連結する第１コンタクトホールを形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３導電層を形成する段階では、
前記第１重畳部及び前記第２重畳部が形成される位置とは異なる位置に、前記第１導電層と重畳する第３重畳部を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記コンタクトホールを形成する段階は、
前記第３重畳部に形成され、前記第１導電層と前記第３導電層とを電気的に連結する第２コンタクトホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１導電層、前記第２導電層、及び第３導電層は、
所定の角度で所定の長さに延長された少なくとも一つの延長部を持つことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１及び第２コンタクトホールを形成する段階は、
前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層それぞれの導電層の幅を超えないように形成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記コンタクトホールは、
エッチング工程を通じて形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、より詳細には、コンタクトホール形成時に発生するコンタクトホールの不良を著しく低減させることができる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置が内蔵されたコンピューター、携帯電話、ＰＤＡなどのような、多様な情報伝達媒体が急速に普及されている。これらの情報伝達媒体に内蔵された半導体装置は、優れた処理能力を有するとともに、大容量の保存能力を有することが要求される。このような要求に応じて半導体装置は集積度、信頼度、及び応答速度などを高める方向に製造技術が発展している。
【０００３】
さらに、半導体装置の集積度が高くなるに共に、単位素子の大きさが減少し、半導体装置を構成する導電層間の間隔もますます狭くなっている。
【０００４】
具体的には、通常、半導体装置は基板上に形成される複数の導電層と、これら導電層間に形成される複数の絶縁層とを備えるが、このような半導体装置をさらに精密、高密度に製造するためには、導電層の厚さを薄く形成するか、導電層間の間隔、例えば、絶縁層の厚さなどを薄く形成することが提案されている。しかし、前述したように絶縁層の厚さを薄く形成する場合や導電層の厚さを薄くする場合、導電層を電気的に連結するコンタクトホールの形成が難しくなる。
【０００５】
ここで、従来のコンタクトホールの構造を具体的に説明する。
【０００６】
図１は、従来のコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。
【０００７】
図１を参照すれば、半導体装置１００は基板（図示せず）上に形成された複数の導電層１１０、１２０、１３０と、相互に隣接する導電層１１０及び導電層１２０、または、相互に隣接する導電層１２０及び導電層１３０の間に形成される複数の絶縁層１１５、１２５と、導電層１１０、１２０、１３０のうち二つの導電層を電気的に連結するためのコンタクトホール１４０を含む。
【０００８】
図１を参照すれば、基板（図示せず）上には矩形状（一字形状）の第１導電層１１０が形成される。図示はしていないが、一般的には、基板と第１導電層１１０との間にはバッファー層が形成されるが、このバッファー層は電気的な絶縁機能を有することができる。第１導電層１１０上には、少なくとも第１導電層１１０の一部を覆うように第１絶縁層１１５が形成される。第１絶縁層１１５上には、少なくとも一部の領域が第１導電層１１０と重畳されるように矩形状の第２導電層１２０が形成される。
【０００９】
第２導電層１２０上には、少なくとも第２導電層１２０の一部を覆うように第２絶縁層１２５が形成され、第２絶縁層１２５上には第１導電層１１０及び第２導電層１２０にそれぞれ部分的に重畳されるように形成された矩形状の第３導電層１３０が積層される。
【００１０】
次に、第２絶縁層１２５上には、第３導電層１３０及び第２導電層１２０を電気的に連結するためのコンタクトホール１４０が形成される。このように形成されたコンタクトホール１４０は隣接した二つの導電層を電気的に連結するものである。
【００１１】
しかしながら、相互に隣接する導電層の間に絶縁層を介在させた構造において、導電層の厚さを薄くしたり、絶縁層の厚さを薄くしたりする場合には、図２ａ及び図２ｂに図示されたような問題点が発生する。
【００１２】
図２ａは、従来のコンタクトホールの電子顕微鏡で撮影した写真を示す図、図２ｂは図２ａのＩＩ−ＩＩ’線に沿って撮影した電子顕微鏡写真を部分的に拡大した写真を示す図である。コンタクトホール１４０を導電層１２０、１３０に形成する場合には、コンタクトホール１４０が導電層１２０と導電層１３０とを電気的に連結されるように形成する必要があるが、図２ｂに示すように、導電層１２０、１３０から外れた位置に形成されたり、連結されてはならない導電層１１０に形成されたりするという問題点がある。
【００１３】
また、図２ａ及び図２ｂに図示されたように、コンタクトホール１４０が本来形成されなければならない位置から外れた位置に形成されたり、電気的に連結されてはならない導電層１１０に連結されたりする場合、電気的な接触不良や漏洩などを引き起こすという問題点がある。
【００１４】
従来の半導体装置及びその製造方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献１がある。
【特許文献１】大韓民国公開特許第０１４１７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、前記の問題点を解決するためになされたものであり、コンタクトホールの形成される位置が、相互に隣接した導電層から外れないように形成することで、コンタクトホールの形成される位置がずれてしまうことによって発生する電気的な接触不良、電流の漏洩などを防止することができる半導体装置及びその装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するための本発明に係る半導体装置は、基板上に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成される第１導電層と、前記第１導電層上に形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に形成され、前記第１導電層と重畳するように形成された第１重畳部を備える第２導電層と、前記第２導電層上に形成される第３絶縁層と、前記第３絶縁層上に形成され、前記第１重畳部が形成された位置とは異なる位置に前記第２導電層と重畳するように形成された第２重畳部を備える第３導電層と、前記第１重畳部と前記第２重畳部の少なくともいずれか一方に形成され、前記第１導電層と前記第２導電層、または、前記第２導電層と前記第３導電層を電気的に連結するコンタクトホールと、を備えることを特徴とする。
【００１７】
また、前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層は、所定の角度で、所定の長さに延長された少なくとも一つの延長部を備えることを特徴とする。
【００１８】
また、前記コンタクトホールの直径は、第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層の厚さを超過しないことを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層上に第１導電層を形成する段階と、前記第１導電層上に第２絶縁層を形成する段階と、前記第２絶縁層上に前記第１導電層と重畳する第１重畳部が形成された第２導電層を形成する段階と、前記第２導電層上に第３絶縁層を形成する段階と、前記第１重畳部の形成される位置と異なる位置に前記第２導電層と重畳する第２重畳部を備える第３導電層を形成する段階と、前記第１重畳部及び前記第２重畳部の少なくとも一つに形成され、前記第１導電層と前記第２導電層、または、前記第１導電層と前記第３導電層とを電気的に連結する第１コンタクトホールを形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
前記第３導電層を形成する段階は、前記第１重畳部及び前記第２重畳部が形成される位置と異なる位置に形成され、前記第１導電層と重畳する第３重畳部をさらに備えるように形成することを特徴とする。
【００２１】
また、前記コンタクトホールを形成する段階は、前記第３重畳部に形成され、前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層の少なくとも、二つの導電層を電気的に連結する第２コンタクトホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明に係る半導体装置及びその装置の製造方法によれば、複数の導電層が相互に重畳した領域にコンタクトホールを形成することで、相互に電気的に連結すべき導電層から離れることや、連結されてはならない導電層を電気的に連結することを効果的に防止することができるため、電気的な接触不良や電流の漏洩が無くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、図面を参照して本発明に係る半導体装置及びその装置の製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
図３は、本発明の第１実施形態に係るコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。
【００２５】
図３を参照すれば、半導体装置３００は基板（図示せず）上に形成されるバッファー層（図示せず）、バッファー層上に形成される第１導電層３１０、第１導電層３１０上に形成される第１絶縁層３１５、第１絶縁層３１５上に形成される第２導電層３２０、第２導電層３２０上に形成される第２絶縁層３２５、及び第２絶縁層３２５上に形成される第３導電層３３０を含む。
【００２６】
具体的には、本実施形態では、バッファー層上に形成される第１導電層３１０は矩形状に形成され、第１導電層３１０上には第１絶縁層３１５が形成される。第１絶縁層３１５は、第１導電層３１０が第２導電層３２０及び第３導電層３３０と直接接触しないようにするために第１導電層３１０の少なくとも一部の領域を覆うように形成される。本実施の形態では、第１絶縁層３１５の形状と第１導電層３１０とは同じ形状で形成されているが、それぞれ異なる形状で形成されていても良い。
【００２７】
第２導電層３２０は第１絶縁層３１５上に矩形状に形成され、第１導電層３１０と少なくとも部分的に重なる領域（重畳領域）である第１重畳部３２０ａを備える。第２導電層３２０上に形成される第２絶縁層３２５は第２導電層３２０の少なくとも一部の領域を覆うように形成される。本実施の形態では、第２絶縁層３２５と第２導電層３２０とは同じ形状で形成されているが、それぞれ異なる形状で形成されていても良い。
【００２８】
第３導電層３３０は第１絶縁層３１５及び第２絶縁層３２５のうち少なくともいずれか一方の層上に所定の長さで所定の角度を有し、幅方向に延長された少なくとも一つの延長部である第２重畳部３３０ａを有する。したがって、第３導電層３３０は、例えば、Ｌ字型形状、屈曲型形状、凸型形状などに形成されることができる。
【００２９】
図３に示すように、本実施の形態では第３導電層３３０は、‘Ｌ’字型形状で形成されている。第３導電層３３０は、第２導電層３２０と重畳されるように形成される。第２重畳部３３０ａは、第１重畳部３２０ａに重畳されない位置に形成される。また、第３重畳部３３０ｂは、第１導電層３１０と重畳するように形成されるが、第１重畳部３２０ａ及び第２重畳部３３０ａと重畳されない位置に形成される。
【００３０】
各導電層３１０、３２０、３３０には、これらの中で二つの導電層、例えば、第２導電層３２０及び第３導電層３３０を電気的に連結するコンタクトホール３４０が形成される。図３には、第２導電層３２０及び第３導電層３３０の重畳領域である第２重畳部３３０ａにこれら二つの層を連結するコンタクトホール３４０が形成されていることが示されているが、これに限定されず、第１導電層３１０と第３導電層３３０、または、第１導電層３１０と第２導電層３２０との重畳領域である第１重畳部３２０ａ及び第３重畳部３３０ｂに形成されることができる。
【００３１】
一方、第１導電層３１０、第２導電層３２０、及び第３導電層３３０の幅すべて同じ幅を有するように形成することができる。また、それぞれの導電層のうち少なくとも一つが異なる幅を有するように形成することもできる。コンタクトホール３４０の直径は、それぞれの導電層に形成される重畳領域（第１重畳部３２０ａ、第２重畳部３３０ａ、第３重畳部３３０ｂ）よりも小さい直径、すなわち、重畳領域内に収まるように形成されることが望ましく、特に、前記重畳領域がそれぞれの導電層において相異なっている場合には、最も狭い重畳領域内に収まるような直径で形成されることが望ましい。
【００３２】
図４は、本発明の第２実施形態に係るコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。なお、詳細な説明の重複記載を避けるため、第１実施形態と同じ構成要素に対する詳細な説明は省略する。
【００３３】
図４を参照すれば、半導体装置４００は基板（図示せず）上に形成されるバッファー層（図示せず）、第１導電層４１０、第１絶縁層４１５、第２導電層４２０、第２絶縁層４２５、及び第３導電層４３０を含む。
【００３４】
具体的には、本実施形態で第１導電層４１０はバッファー層上にＬ字型形状に形成され、第１導電層４１０上には第１絶縁層４１５が形成される。第１絶縁層４１５は、第１導電層４１０が第２導電層４２０及び第３導電層４３０と直接接触しないように第１導電層４１０上部に形成されるが、第１導電層４１５の少なくとも一部の領域を覆うように形成される。
【００３５】
第２導電層４２０は第１絶縁層４１５上にＬ字型形状に形成され、第１導電層４１０と少なくとも部分的に重なる第１重畳部４２０ａを備える。第２導電層４２０上に形成される第２絶縁層４２５は第２導電層４２０を覆うように形成し、第２導電層４２０が第３導電層４３０と直接接触しないように形成する。
【００３６】
第３導電層４３０は第１絶縁層４１５及び第２絶縁層４２５のうち少なくとも一つの層上に形成され、本実施の形態では矩形状に形成される。第３導電層４３０は第１導電層４１０との重畳領域を有するが、第１重畳部４２０ａと重畳領域を有しないように形成される第２重畳部４３０ａと、第２導電層４２０との重畳領域を有するが第１重畳部４２０ａ及び第２重畳部４３０ａと重畳領域を有しないように形成される第３重畳部４３０ｂを含む。
【００３７】
各導電層４１０、４２０、４３０には、これらの中で二つの導電層を電気的に連結する複数のコンタクトホールを形成することができる。本実施の形態に開示されたコンタクトホール４４０は、第１導電層４１０及び第２導電層４２０の重畳領域である第１重畳部４２０ａに形成されて第１導電層４１０及び第２導電層４２０を電気的に連結し、コンタクトホール４５０は第２導電層４２０及び第３導電層４３０の重畳領域である第３重畳部４３０ｂに形成されて第２導電層４２０及び第３導電層４３０を電気的に連結する。
【００３８】
コンタクトホール４４０、４５０の直径は各導電層における重畳領域、すなわち、第１導電層４１０及び第２導電層４２０、または、第２導電層４２０及び第３導電層４３０の重畳領域内に形成される。また、コンタクトホール４４０、４５０は、エッチング工程を通じて形成される。さらに図面には示されていないが、第３導電層４３０及び第１導電層４１０の重畳領域である第２重畳部４３０ａにこれらを電気的に連結するコンタクトホールをさらに形成されることもできる。
【００３９】
図５は、本発明の第３実施形態に係るコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。
【００４０】
図５を参照すれば、半導体装置５００は基板（図示せず）上に形成されるバッファー層（図示せず）、第１導電層４１０、第１絶縁層５１５、第２導電層５２０、第２絶縁層５２５、第３導電層５３０、第３絶縁層５３５、及び第４導電層５４０を含む。
【００４１】
具体的には、本実施の形態でバッファー層上に形成される第１導電層５１０はＬ字型形状に形成され、第１導電層５１０上には第１絶縁層５１５が形成される。第１絶縁層５１５は第１導電層５１０が第１絶縁層５１０上部に形成される第２絶縁層から第４絶縁層５２０、５３０、５４０と直接接触しないように第１導電層５１０上部に第１導電層５１５を覆うように形成される。
【００４２】
第２導電層５２０は第１絶縁層５１５上にＬ字型形状に形成され、第１導電層５１０と少なくとも部分的に重畳する重畳領域である第１重畳部５２０ａを備える。第２導電層５２０上に形成される第２絶縁層５２５は、第２導電層５２０が第３導電層５３０及び第４導電層５４０と直接接触しないように第１導電層５２０上部に形成される。
【００４３】
第３導電層５３０は、第１絶縁層５１５及び第２絶縁層５２５の少なくとも一つの層上に形成され、本実施の形態ではＬ字型形状に形成される。第３導電層５３０は第２導電層５２０と重畳する第２重畳部５３０ａを備える。
【００４４】
第３導電層５３０上に形成される第３絶縁層５３５は、第３導電層５３０が第４導電層５４０と接触しないように第３導電層５３０全面を覆うように形成される。第５導電層５４０は第３絶縁層５３５上に形成され、Ｌ字型形状に形成される。第４導電層５４０は第３導電層５３０との重畳領域である第３重畳部５４０ａと、第１導電層５１０との重畳領域である第４重畳部５４０ｂを備える。
【００４５】
これら各導電層５１０、５２０、５３０、５４０には、これら導電層のうち二つの導電層を電気的に連結する複数のコンタクトホールが形成されることができる。本実施の形態に開示されたコンタクトホール５５０は、第１導電層５１０及び第２導電層５２０の重畳領域である第１重畳部５２０ａに形成されて第１導電層５１０及び第２導電層５２０を電気的に連結する。
【００４６】
また、図面には示されていないが、コンタクトホールは第２導電層５２０及び第３導電層５３０の重畳領域である第２重畳部５３０ａに形成されて第２導電層５２０及び第３導電層５３０を電気的に連結することができ、第３導電層５３０及び第４導電層５４０の重畳領域である第３重畳部５４０ａと、第４導電層５４０及び第１導電層５１０の重畳領域である第４重畳部５４０ｂをさらに形成することもできる。
【００４７】
一方、第１導電層から第４導電層５１０〜５４０の幅はいずれも同じ幅に形成することができ、第１導電層から第４導電層５１０〜５４０の少なくとも一つが異なる幅を有するように形成することもできる。コンタクトホール５４０、５５０の直径はそれぞれの導電層に形成される重畳領域（第１重畳部５２０ａ、第２重畳部５３０ａ、第３重畳部５４０ａ、第４重畳部５４０ｂ）よりも小さい直径、すなわち、重畳領域内に収まるように形成されることが望ましく、特に、前記重畳領域がそれぞれの導電層において相異なっている場合には、最も狭い重畳領域内に収まるような直径で形成されることが望ましい。
【００４８】
以上、第１実施形態から第３実施形態で述べたされたように、複数の導電層が積層された構造を持つ半導体装置において、コンタクトホールを形成する時、二つの導電層が重畳されている重畳部の下部に他の導電層が形成されていないため、コンタクトホールが相互に電気的に連結しなければならない導電層を離脱するような位置に形成されたり、連結されてはならない導電層には形成されない。
【００４９】
さらに、もし、コンタクトホールが二つの導電層の重畳部に形成されずに本来形成されるべき所定の位置を脱しても他の導電層と接触することはない。
【００５０】
前述した実施の形態では複数の導電層が同じ位置に積層されずに少しずつずれた位置に形成されているが、本発明はこれに限定されず、これは実施形態の説明の便宜のためである。また、前述した実施の形態では複数の層が重畳されている重畳部に対して具体的に言及しているが、これもまた説明の便宜のためである。
【００５１】
また、前述した実施の形態では三層または四層の導電層が積層されている構造が開示されているが、それ以上の導電層が積層されている構造であっても良い。積層された導電層の形状も同様に開示された構造に限定されることはない。
【００５２】
本発明は、添付図面に示された実施の形態に基づいて説明されたが、これは本発明を例示するものであり、当業者ならば、多様な変形及び均等な他の実施の形態が可能であるということを理解することができる。よって、本発明の真の技術的範囲は、特許請求の範囲によってのみ決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、半導体装置及びその装置の製造方法に関する分野に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】従来のコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。
【図２ａ】図２ａは、従来のコンタクトホールの電子顕微鏡で撮影した写真を示す図である
【図２ｂ】図２ｂは図２ａのＩＩ−ＩＩ’線に沿って撮影した電子顕微鏡写真を部分的に拡大した写真を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係るコンタクトホールが形成された半導体装置の部分的な概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
３１０、４１０、５１０    第１導電層、
３１５、４１５、５１５    第１絶縁層、
３２０、４２０、５２０    第２導電層、
３２０ａ、４２０ａ、５２０ａ    第１重畳部、
３２５、４２５、５２５    第２絶縁層、
３３０、４３０、５３０    第３導電層、
３３０ａ、４３０ａ、５３０ａ    第２重畳部、
３３０ｂ、４２０ｂ、５２０ｂ    第３重畳部、
５４０    第４導電層、
５４０ｂ    第４重畳部、
３４０、４４０、４５０、５５０    コンタクトホール、
５３５    第３絶縁層。
【図１】
2006319307.tif 000003
【図２ａ】
2006319307.tif 000004
【図２ｂ】
2006319307.tif 000005
【図３】
2006319307.tif 000006
【図４】
2006319307.tif 000007
【図５】
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