(57)【要約】【課題】  光通信用面発光レーザ及び光感知器を同時に集積することによって、面発光レーザの光出力性能に影響を与えることなく、広い波長帯域の応答が可能な良好な品質の光感知器を独立して駆動することができる光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子を提供する。【解決手段】  本発明は、光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子を開示する。本発明に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子は、基板上にレーザ光を発生し外部に出力する面発光レーザと、前記基板上に面発光レーザに隣接するように形成され、外光を受信する光感知器と、を備えている。【選択図】  図１
2006173567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレーザ光を発生し外部に出力する面発光レーザと、
前記基板上に前記面発光レーザに隣接するように形成され、外光を受信する光感知器と、
を備えていることを特徴とする光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項２】
前記面発光レーザは、基板上に、順次に半導体層、第１反射ミラー、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層及び第２反射ミラーが積層されて所定の構造で形成され、
前記光感知器は、前記基板上に、前記面発光レーザに隣接し、且つ、前記半導体層の一部及び前記第１反射ミラーが露出するように所定の構造で形成されることを特徴とする請求項１に記載の光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項３】
前記面発光レーザは、前記第１クラッド層の露出した一方の領域に形成される第１下部電極と、前記第２クラッド層の露出した外縁に形成される第２上部電極と、前記光感知器に隣接する一方の側面に形成される吸収膜と、をさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項４】
前記光感知器は、前記基板上の露出した領域に形成される第１下部電極と、前記半導体層の露出した領域に形成される第１上部電極と、をさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項５】
前記光感知器の第１反射ミラーは、前記面発光レーザから放出される光を反射させることを特徴とする請求項２に記載の光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項６】
前記面発光レーザの下部に光監視用感知器をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項７】
前記光監視用感知器は、前記基板上に補助半導体層及び補助感知電極をさらに形成することにより構成されることを特徴とする請求項６に記載の光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項８】
前記面発光レーザ及び前記光感知器は、アレイ形態で形成されることを特徴とする請求項１に記載の光感知器を備えた面発光レーザ素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の前記面発光レーザ素子と、
前記面発光レーザ素子で送受信される光を伝達する光導波路と、
を備えていることを特徴とする光導波路素子。
【請求項１０】
前記光感知器は、多数個形成されることを特徴とする請求項９に記載の光導波路素子。
【請求項１１】
前記光導波路は、多重モード光導波路又は平面導波路を使用することを特徴とする請求項９に記載の光導波路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子に関し、特に、光通信用面発光レーザ及び光感知器を同時に集積することによって、面発光レーザの光出力性能に影響を与えることなく、広い波長帯域の応答が可能な光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、光通信に適用可能な面発光レーザは、高密度の集積が容易であり、低電力、低コストであることから注目されている。また、一つの地点から遠距離の他の地点まで信号を送ったり、さらに遠距離の他の地点から信号を受けたりする必要があるため、光通信のための光源及び光感知器の集積型モジュールの必要性が大きくなっている。
【０００３】
特に、面発光レーザの構造的な特性を用いて面発光レーザ及び光感知器を集積するための多様な提案が出されている（特許文献１、特許文献２、特許文献３）。
【０００４】
一般的に、面発光レーザ及び光感知器を集積した色々な形態としては、面発光レーザの光出力経路上にＰＩＮ光感知器を設け、これらを集積した構造、面発光レーザの共振器内部に吸収層を設け、これらを集積した構造、面発光レーザ上に吸収層を設け、その隣接位置に光感知器を設けた構造、面発光レーザの隣接位置にＭＳＭ光感知器を設けた構造、及び、面発光レーザと面発光レーザ構造の光感知器とを隣接位置に設けた構造等が挙げられる。このような集積は、面発光レーザの光連結及び双方向通信のための応用と、面発光レーザの光出力の監視及び調節のための応用であると考えられる（特許文献４、特許文献５、特許文献６）。
【０００５】
より詳細には、上記面発光レーザ及び光感知器の集積並びにその方法は、次のような特徴を有する。
【０００６】
先ず、面発光レーザの光出力経路上にＰＩＮ光感知器を設け、これらを集積した構造は、光源に使われる出力光の一部を吸収するようにして、光を感知するものであって、出力光を直接的に感知するという長所があるが、出力光の一部を損失させ、出力光の反射率を変化させて、レーザ動作条件に影響を与えるという短所を有している（非特許文献１、特許文献７）。
【０００７】
また、面発光レーザの共振器内部に吸収層を設け、これらを集積した構造は、非常に良好な特性を示すが、吸収層の吸収帯域と共振器内の位置の変化による特性変化に敏感である。特に温度変化のような環境変化に弱い（非特許文献２）。
【０００８】
また、面発光レーザ上に吸収層を設け、その隣接位置に光感知器を設けた構造、及び、面発光レーザの隣接位置にＭＳＭ光感知器を設けた構造は、厚く成長させられた面発光レーザ構造上に成長させられた光感知器又はＭＳＭ光感知器の場合、高速動作及び高品位の感度のための光感知器を具現し難いという短所を有する（特許文献８、特許文献９）。
【０００９】
また、面発光レーザと面発光レーザ構造の光感知器とを隣接位置に設けた構造は、光感知器の応答が大きいという長所があるのに対し、応答波長の線幅が狭くて、双方向通信の場合のように、各方向の信号転送用波長帯域を顕著に異ならせる応用では使用できないという短所を有している（特許文献１０、特許文献１１）。
【００１０】
従って、従来の面発光レーザ及び光感知器の集積においての短所を補完することができ、面発光レーザの性能に影響を与えることなく、広い波長帯域の応答が可能な良好な品質の光感知器を独立して駆動することができる面発光レーザ及び光感知器の集積並びにその方法が要求される。
【特許文献１】米国特許公報第６，３８９，０５０Ｂ２号
【特許文献２】米国特許公報第５，５７４，７３８号
【特許文献３】韓国特許公開公報第１９９７−００５４９７９号
【特許文献４】米国特許公報第６，４７０，１１６Ｂ２号
【特許文献５】米国特許公報第５，２６６，７９４号
【特許文献６】米国特許公報第６，４７０，１１８−１号
【特許文献７】米国特許公報第５，７４２，６３０号
【特許文献８】米国特許公報第６，００１，６６４号
【特許文献９】米国特許公報第６，３９２，２５６Ｂ１号
【特許文献１０】米国特許公報第５，９７８，４０１号
【特許文献１１】米国特許公報第５，６４８，９７９号
【非特許文献１】Ｉ．Ｙ．ハン他、「ＶＣＳＥＬにおける酸化物開口光感知器の集積」、レーザ及び電気工学会議１９９９、ＣＴｕＰ５  第１７６頁、１９９９年５月２３−２８日（I.Y.Han, et al., “Oxide-apertured photo-detector integration on VCSEL”, Conference on Lasers and Electro-Optics 1999, CTuP5 p.176, May 23-28, 1999）
【非特許文献２】スイ  Ｆ．リム他、「集積共振光感知器を備えたＶＣＳＥＬの最適化」、国際半導体レーザ会議１９９８、ＴｕＥ４  第１０１−１０２頁、１９９８年１０月（Sui F. Lim, et al., “Optimization of VCSEL with an integrated resonant photodetector”, International Semiconductor Lasers Conference 1998, TuE4 pp.101-102, Oct. 4-8, 1998）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、光通信用面発光レーザ及び光感知器を同時に集積することによって、面発光レーザの光出力性能に影響を与えることなく、広い波長帯域の応答が可能な良好な品質の光感知器を独立して駆動することができる光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するために、本発明の一態様に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子は、基板上にレーザ光を発生し外部に出力する面発光レーザと、前記基板上に前記面発光レーザに隣接するように形成され、外光を受信する光感知器と、を備えていることを特徴とする。
【００１３】
ここで、前記面発光レーザは、基板上に順次に半導体層、第１反射ミラー、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層及び第２反射ミラーが積層されて所定の構造で形成され、前記光感知器は、前記基板上に前記面発光レーザに隣接し、前記半導体層の一部及び前記第１反射ミラーが露出するように所定の構造で形成されることを特徴とする。
【００１４】
ここで、特に、前記面発光レーザは、前記第１クラッド層の露出した一方の領域に形成される第１下部電極と、前記第２クラッド層の露出した外縁に形成される第１上部電極と、前記光感知器に隣接する一方の側面に形成される吸収膜とをさらに備えていることを特徴とする。
【００１５】
ここで、特に、前記光感知器は、前記基板上の露出した領域に形成される第１下部電極と、前記半導体層の露出した領域に形成される第１上部電極とをさらに備えている。
【００１６】
また、本発明の他の態様に係る光導波路素子は、基板上にレーザ光を発生し外部に出力する面発光レーザと、前記基板上に前記面発光レーザに隣接するように形成され、外光を受信する光感知器と、前記面発光レーザ及び光感知器で送受信される光を伝達する光導波路と、を備えていることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、光通信用面発光レーザ及び光感知器を同時に集積することによって、面発光レーザの光出力性能に影響を与えることなく、広い波長帯域の応答が可能な良好な品質の光感知器を独立して駆動することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子及びこれを用いた光導波路素子は、光通信用面発光レーザ及び光感知器を同時に集積することによって、面発光レーザの光出力性能に影響を与えることなく、広い波長帯域の応答が可能な良好な品質の光感知器を独立して駆動することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照して本発明に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子及びその製造方法について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の構造を概略的に示す図である。同図に示すように、本実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子は、基板１００上に、順次に半導体層１０１、第１反射ミラー１０２、第１クラッド層１０３、活性層１０４、第２クラッド層１０５及び第２反射ミラー１０６が積層されて所定の構造で形成される面発光レーザ１１０と、前記基板１００上に、面発光レーザ１１０に隣接し、且つ、前記半導体層１０１の一部及び前記第１反射ミラー１０２が露出するように所定の構造で形成される光感知器１２０と、を備えて構成される。
【００２１】
前記面発光レーザ１１０は、前記第１クラッド層１０３の露出した一方の領域に形成される第１下部電極１０７と、前記第２クラッド層１０５の露出した外縁に形成される第１上部電極１０８と、前記光感知器１２０に隣接する一方の側面に形成される吸収膜１０９と、をさらに備えて構成される。
【００２２】
前記光感知器１２０は、前記基板１００上の露出した領域に形成される第２下部電極１１１と、前記半導体層１０１の露出した領域に形成される第２上部電極１１２と、をさらに備えて構成される。
【００２３】
前記光感知器１２０の第１反射ミラー１０２は、前記面発光レーザ１１０から放出される光を反射させる。
【００２４】
図２は、前記図１の光感知器を備えた面発光レーザ素子に光導波路を連結して、光の送信及び受信を行うことを概略的に示す図であり、図３は、前記図１の光感知器を備えた面発光レーザ素子に光導波路を連結して、光の送信及び遮断を行うことを概略的に示す図である。図２及び図３に示すように、光導波路２０１を連結して、面発光レーザ１１０の光源から光信号を光導波路２０１を介して波長λ１で送信し、波長λ２で入る信号は、前記光感知器１２０により受信することによって、双方向モジュールを形成するようになる。
【００２５】
この際、受信すべき信号を搬送する波長λ２は透過させ、前記面発光レーザ１１０の光源の出力波長λ１は反射することにより、光導波路２０１上で送信信号のフィードバック及び光信号雑音を遮断するフィルタが備えられている。即ち、前記光感知器１２０の第１反射ミラー１０２がフィルタの役目を担うことになる。
【００２６】
図４ａ乃至図４ｃは、本発明の第１の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。
【００２７】
先ず、図４ａに示すように、基板１００上に、半導体層１０１、第１反射ミラー１０２、第１クラッド層１０３、活性層１０４、第２クラッド層１０５及び第２反射ミラー１０６を順次に成長させて積層する。
【００２８】
より詳細には、ＩｎＰ化合物からなる基板１００上に、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ等から構成される半導体層１０１、ドーピングしない半導体及び誘電体ＤＢＲから構成される第１反射ミラー１０２、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｌＡｓから構成される第１クラッド層１０３、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓから構成される活性層１０４、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｌＡｓから構成される第２クラッド層１０５、及び、ドーピングしない半導体又は誘電体ＤＢＲから構成される第２反射ミラー１０６を順次に成長させる。
【００２９】
前記第１反射ミラー１０２や第２反射ミラー１０６は、半導体結晶成長若しくは誘電体蒸着により、又は、これらの混合により具現化することができ、誘電体蒸着を適用する工程の場合、工程手順が、電極の形成後、又は、半導体エッチング後とすることができる。
【００３０】
この際、前記基板１００上に形成される半導体層１０１は、光感知器１２０を形成するためのものであって、基板１００上に先ず成長させることによって、感度が良い光感知を具現化できる。
【００３１】
次いで、図４ｂに示すように、前記結果物を選択的にエッチングして、第１領域及び第２領域が隣接するように形成し、前記第１領域の第１クラッド層１０３の一部及び第２クラッド層１０５の一部が露出するように形成し、前記第２領域の半導体層１０１の一部及び第１反射ミラー１０２が露出するように形成する。
【００３２】
より詳細には、先ず、前記順次に積層された結果物を第１領域及び第２領域が独立して構成されるようにエッチングする。ここで、前記第１領域には、面発光レーザ１１０が形成され、第２領域には、光感知器１２０が形成される。この際、前記面発光レーザ１１０を形成すると同時に光感知器１２０を形成することによって、光感知器１２０を独立して駆動することができるようになる。
【００３３】
次に、前記第１領域の前記第２反射ミラー１０６及び第２領域の第２反射ミラー１０６上に、フォトレジストの塗布、露光及び現像によりエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、第１領域の第２反射ミラー１０６は、前記第２クラッド層１０５の一部が露出するようにパターニングし、第２領域の第２反射ミラー１０６は、除去する。
【００３４】
そして、前記第１領域の前記第１クラッド層１０３上に形成される前記活性層１０４及び前記第２クラッド層１０５は、前記第１クラッド層１０３の一部が露出するようにエッチングする。この際、前記第２領域に形成される第２クラッド層１０５、活性層１０４及び第１クラッド層１０３を除去し、前記半導体層１０１の一部が露出するように前記第２反射ミラー１０２の一部をエッチングする。
【００３５】
そして、図４ｃに示すように、前記第１領域の第１クラッド層１０３上に第１下部電極１０７、第２クラッド層１０５上に第１上部電極１０８を各々形成し、前記第２領域の基板上に第２下部電極１１１、前記半導体層１０１上に第２上部電極１１２を各々形成する。
【００３６】
より詳細には、所定の形状にエッチングされた前記第１領域及び前記第２領域に電極を形成する。即ち、前記第１領域では、前記第２クラッド層１０５の露出した部分に金属を蒸着して第１上部電極１０８を形成し、前記第１クラッド層１０３の露出した部分に金属を蒸着して第１下部電極１０７を形成する。
【００３７】
前記第２領域では、前記半導体層１０１の露出した部分に金属を蒸着して第２上部電極１１２を形成し、前記半導体層１０１が除去された基板１００上に金属を蒸着して第２下部電極１１１を形成する。
【００３８】
そして、前記各電極が形成された後、前記第２領域に隣接する前記第１領域の側面には、吸収膜１０９を形成することによって、前記第１領域から放出される光が第２領域に影響しないようになる。この際、前記吸収膜１０９は、前記第１領域に隣接する第２領域の側面に形成してもよい。
【００３９】
また、図５は、本発明の第２の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の構造を概略的に示す図である。ここで、第２の実施の形態についての詳細な説明は、前記第１の実施の形態を参照して省略する。
【００４０】
図５に示すように、本実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子は、基板５０１上に、順次に第１半導体層５０２、第２半導体層５０３、第１反射ミラー５０４、第１クラッド層５０５、活性層５０６、第２クラッド層５０７及び第２反射ミラー５０８が積層されて所定の構造で形成される面発光レーザ５１０と、前記基板５０１上に、面発光レーザ５１０に隣接し、且つ、前記第１及び第２半導体層５０２、５０３の一部及び前記第１反射ミラー５０４が露出するように所定の構造で形成される光感知器５２０と、を備えて構成される。
【００４１】
前記面発光レーザ５１０は、前記第１半導体層５０２の露出した領域に形成される感知電極５０９、前記第１クラッド層５０５の露出した領域に形成される第１下部電極５１１、前記第２クラッド層５０７の露出した領域に形成される第１上部電極５１２、及び、前記光感知器５２０に隣接する一方の側面に形成される吸収膜５１３をさらに備える。
【００４２】
また、前記第１半導体層５０２及び前記感知電極５０９は、前記面発光レーザ５１０の光源から出力される光を監視及び調整する光監視用感知器の役目を担う。
【００４３】
前記光感知器５２０は、前記第１半導体層５０２の露出した領域に形成される第２下部電極５１４と、前記第２半導体層５０３の露出した領域に形成される第２上部電極５１５と、をさらに備える。
【００４４】
また、前記光感知器５２０の第１反射ミラー５０４は、前記面発光レーザ５１０から放出される光を反射させ、外部から入力される光を透過させるフィルタの役目を担う。
【００４５】
図６は、前記図５の面発光レーザでの光の感知を示す図である。同図に示すように、前記面発光レーザ５１０の下段に形成される前記第１半導体層５０２及び前記感知電極５０９は、前記面発光レーザ５１０の光源から出力される光を監視及び調整する光監視用感知器の役目を担う。この際、前記光の監視は、微量の下向き光の出力を利用するので、前記第１反射ミラー５０４の反射率は相対的に高くて、面発光レーザの性能及び共振条件に影響を与えず、面発光レーザ光源の光出力にも損失を与えない。
【００４６】
即ち、前記感知された光を監視することによって、前記面発光レーザ５１０から放出される光量を調節することができる。
【００４７】
図７ａ乃至図７ｃは、本発明の第２の実施の形態による光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。ここでは、前記図４ａ乃至図４ｃの第１の実施の形態を参照して詳細な説明は省略する。
【００４８】
図７ａに示すように、基板５０１上に第１半導体層５０２、第２半導体層５０３、第１反射ミラー５０４、第１クラッド層５０５、活性層５０６、第２クラッド層５０７及び第２反射ミラー５０８を順次に成長させて積層する。
【００４９】
より詳細には、ＩｎＰ化合物からなる基板５０１上に、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ等から構成される第１半導体層５０２及び第２半導体層５０３、ドーピングしない半導体及び誘電体ＤＢＲから構成される第１反射ミラー５０４、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｌＡｓから構成される第１クラッド層５０５、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓから構成される活性層５０６、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｌＡｓから構成される第２クラッド層５０７、及び、ドーピングしない半導体又は誘電体ＤＢＲから構成される第２反射ミラー５０８を順次に成長させる。
【００５０】
前記第１反射ミラー５０４や第２反射ミラー５０８は、半導体結晶成長若しくは誘電体蒸着により、又は、これらの混合により具現化することができ、誘電体蒸着を適用する工程の場合、工程手順が、電極の形成後、又は、半導体エッチング後とすることができる。
【００５１】
この際、前記基板５０１上に形成される第１半導体層５０２は、前記第１領域の面発光レーザ５１０の光感知のためのものであり、前記第２半導体層５０３は、前記光感知器５２０を形成するためのものであり、基板５０１上に先ず成長させることによって、感度が良い光感知器５２０を具現化できる。
【００５２】
続いて、図７ｂに示すように、前記結果物を選択的にエッチングして、第１領域及び第２領域が隣接するように形成し、前記第１領域の第１半導体層５０２の一部、第１クラッド層５０５の一部及び第２クラッド層５０７の一部が露出するように形成し、前記第２領域の第１半導体層５０２の一部、第２半導体層５０３の一部及び第１反射ミラー５０４が露出するように形成する。
【００５３】
そして、図７ｃに示すように、前記第１領域の第１半導体層５０２の露出した部分に感知電極５０９、第１クラッド層５０５上に第１下部電極５１１、及び、第２クラッド層５０７上に第１上部電極５１２を各々形成し、前記第２領域の第１半導体層５０２上に第２下部電極５１４、及び、前記第２半導体層５０３上に第２上部電極５１５を各々形成する。
【００５４】
そして、前記各電極が形成された後、前記第２領域に隣接する前記第１領域の側面には、吸収膜５１３を形成することによって、前記第１領域から放出される光が第２領域に影響しないようにする。この際、前記吸収膜５１３は、前記第１領域に隣接する第２領域の側面に形成してもよい。
【００５５】
図８は、本発明に係る面発光レーザ素子に多重モード光導波路を適用して送受信することを示す図である。同図に示すように、多重モード光ファイバ（multi mode optical fiber）８０１、８０２は、導波路コア８０１の直径が大きくて、面発光レーザ５１０と、これに隣接して集積された光感知器５２０とを一つに連結できる。即ち、光送信導波路及び光受信導波路を別途に備えなくてもよい。
【００５６】
図９は、本発明に係る面発光レーザ素子に平面光導波路を適用して送受信することを示す図である。同図に示すように、所定の角を有する平面導波路９０４、９０５、９０６は、面発光レーザ９０１及び集積した光感知器９０２、９０３に各々連結されている。平面導波路９０４、９０５、９０６の終端が所定の角で形成された部分は、反射面が形成され、光が反射面に反射されて進行することになる。ここで、前記光感知器９０２、９０３は、所定の個数だけ形成され、所定の個数の光を受信することができる。
【００５７】
一方、図１０は、本発明に係る面発光レーザ素子を形成するアレイを概略的に示す図である。同図に示すように、前記面発光レーザ９０１及び前記光感知器９０２、９０３を集積するに際して、アレイ形態で形成することにより、多数の光素子を構成することができる。
【００５８】
以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施の形態及び添付された図面に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の構造を概略的に示す図である。
【図２】前記図１の光感知器を備えた面発光レーザ素子に光導波路を連結して光の送信及び受信を行うことを概略的に示す図である。
【図３】前記図１の光感知器を備えた面発光レーザ素子に光導波路を連結して光の送信及び遮断を行うことを概略的に示す図である。
【図４ａ】本発明の第１の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。
【図４ｂ】本発明の第１の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。
【図４ｃ】本発明の第１の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の構造を概略的に示す図である。
【図６】前記図５の面発光レーザにおける光の感知を示す図である。
【図７ａ】本発明の第２の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。
【図７ｂ】本発明の第２の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。
【図７ｃ】本発明の第２の実施の形態に係る光感知器を備えた面発光レーザ素子の製造方法の手順を概略的に示す図である。
【図８】本発明に係る面発光レーザ素子に多重モード光導波路を適用して送受信することを示す図である。
【図９】本発明に係る面発光レーザ素子に平面光導波路を適用して送受信することを示す図である。
【図１０】本発明に係る面発光レーザ素子を形成するアレイを概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００、５０１  基板
１０１  半導体層
１０２、５０４  第１反射ミラー
１０３、５０５  第１クラッド層
１０４、５０６  活性層
１０５、５０７  第２クラッド層
１０６、５０８  第２反射ミラー
１０７、５１１  第１下部電極
１０８、５１２  第１上部電極
１０９、５１３  吸収膜
１１０、５１０  面発光レーザ
１１１、５１４  第２下部電極
１１２、５１５  第２上部電極
１２０、５２０  光感知器
５０２  第１半導体層
５０３  第２半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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