(57)【要約】【課題】  不具合の発生を抑制するため、導体回路の加工を行わず、電気特性良好で配線のばらつきや不良発生のリスクを抑えた多層配線板を提供する。【解決手段】  内層基板とその一方の面に形成した層間絶縁樹脂層と前記層間絶縁樹脂層の表面に形成した配線を含む多層配線板であって、前記層間絶縁樹脂層は前記内層基板側に配した接着層と絶縁樹脂層とを含み、前記接着層は樹脂ワニスの状態では前記内層基板上の導体パターン表面に対する接触角が40度以下であることを特徴とした多層配線板である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層基板とその一方の面に形成した層間絶縁樹脂層と前記層間絶縁樹脂層の表面に形成した配線を含む多層配線板であって、
前記層間絶縁樹脂層は前記内層基板側に配した接着層と絶縁樹脂層とを含み、前記接着層は樹脂ワニスの状態では前記内層基板上の導体パターン表面に対する接触角が40度以下であることを特徴とした多層配線板。
【請求項２】
前記内層基板は層間接続部を備え、前記層間接続部が、めっき金属により形成された、スルーホールおよびインタースティシャルビアホールから選択される層間接続部であることを特徴とした請求項1に記載の多層配線板。
【請求項３】
前記スルーホールおよびインタースティシャルビアホールの内径が30μm以上であることを特徴とした請求項1または2に記載の多層配線板。
【請求項４】
前記スルーホールおよびインタースティシャルビアホール内壁が前記接着層によりコートされていることを特徴とした請求項1〜3のいずれかに記載の多層配線板。
【請求項５】
前記導体パターン表面が実質粗面化処理を行っていないことを特徴とした請求項1〜4のいずれかに記載の多層配線板。
【請求項６】
前記導体パターンの表面粗さがRz＝2.0μm以下であることを特徴とした請求項1〜5のいずれかに記載の多層配線板。
【請求項７】
前記導体パターン表面が、前記樹脂ワニスとの接触角を40度以下にする表面処理を施したことを特徴とした請求項1〜6のいずれかに記載の多層配線板。
【請求項８】
前記接着層の前記導体パターン表面の厚みが0.1〜5.0μmであることを特徴とした請求項1〜7のいずれかに記載の多層配線板。
【請求項９】
前記樹脂ワニスがポリアミドイミドを主成分とすることを特徴とした請求項1〜8のいずれかに記載の多層配線板。
【請求項１０】
前記樹脂ワニスが無機フィラーを含むことを特徴とした請求項1〜9のいずれかに記載の多層配線板。
【請求項１１】
前記内層基板を前記樹脂ワニスに浸漬、乾燥して前記接着層を形成する工程を含むことを特徴とした請求項1〜10のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記導体パターン表面を前記樹脂ワニスとの接触角を40度以下にする表面処理を行う工程を含むことを特徴とした請求項1〜11のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記乾燥により前記接着層をBステージにする工程、前記絶縁樹脂層を積層一体化して前記層間絶縁樹脂層を形成する工程を含むことを特徴とした請求項1〜12のいずれかに記載の多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パソコン、携帯電話等の情報通信機器の傾向として小型化、高性能化、軽量化が挙げられる。これらに搭載される多層配線板、半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージ基板においても高密度化と信号の高速化が進む傾向がある。これらの基板は高密度化と信号の高速化に対応するため、ビルドアップ方式の多層配線基板が使用されるようになってきた。ビルドアップ方式の多層配線基板製造方法の一例として、特許文献１に記載のような方法が挙げられる。即ちコア基板の導体回路を銅−ニッケル−リン合金により粗面化し、その後絶縁層を形成し、絶縁層上に導体回路を形成する手法である。その他粗面化の方法として、例えば特許文献２に例示されるように無機酸及び銅の酸化剤からなる主剤と、少なくとも一種のアゾール類およびエッチング抑制剤からなる助剤とを含む水溶液を用いて銅表面にミクロンオーダーの粗化形状を付与する方法や、例えば特許文献３に例示されるようにマイクロエッチングによって高さが1.5〜5.0μｍの範囲の連続的な凹凸を形成した後、クロメート処理とカップリング剤処理を施す方法等が挙げられる。この他にも色々な処理が挙げられるが、基本的には銅以外の防錆処理金属を銅に被覆する方法とエッチングやめっきにより導体表面を粗し、ミクロンオーダーの粗化形状を形成する方法、或いはそれらの組み合わせに大別できる。
【０００３】
また基板の高密度化に伴い、配線の微細化も進んでいる。現在はセミアディティブ法に代表される微細配線形成技術により、Ｌ/Ｓ＝50/50μｍ以下の配線形成のニーズが強い。
【特許文献１】特開平10−242638
【特許文献２】特開2000-282265
【特許文献３】特開平9-246720
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の方法である銅以外の防錆処理金属を銅に被覆する方法やエッチングやめっきにより導体表面を粗し、ミクロンオーダーの粗化形状を形成する方法は電気特性が低下し、特性上好ましくない。また、めっき等により防錆処理や粗面化処理を行う手法は配線の微細化に伴い、導体回路以外へのめっき異常析出や微細回路間のめっきが不十分になる等の不具合が発生しやすい。さらにエッチングによりミクロンオーダーの粗化形状を形成する方法も導体回路をエッチングするために導体の抵抗が高くなる不具合や配線のばらつきが大きくなる不具合が発生する。
【０００５】
本発明では以上に述べた不具合の発生を抑制するため、導体回路の加工を行わず、電気特性良好で配線のばらつきや不良発生のリスクを抑えた多層配線板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討の結果、内層基板と絶縁樹脂層の間に接着層を設けることで内層基板上の導体パターンを加工しないで内層基板と絶縁樹脂層との間の接着性を確保可能であり、導体パターンと接着層となる樹脂ワニスの接触角が40度以下であれば、導体パターン表面および内層基板の有機絶縁性支持体表面全体に接着層を一様に形成可能であり、さらに、25度以下であれば、めっきスルーホール（TH）およびインタースティシャルビアホール（IVH）内壁にも接着層を形成できることを見出し、本発明をなすにいたった。
【０００７】
すなわち、本発明は、内層基板と層間絶縁樹脂層とその表面に形成した配線からなる多層配線板であって、層間絶縁樹脂層は少なくとも内層基板側に配した接着層と絶縁樹脂層からの2層からなっており、接着層に用いる樹脂ワニスの導体パターン表面に対する接触角が40度以下の樹脂ワニスを用いることを特徴とした多層配線板およびその製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、電気特性良好で配線のばらつきや不良発生のリスクを抑えた多層配線板を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
層間絶縁樹脂層として、少なくとも導体パターン表面に粗化処理やめっき処理による接着処理を行わず接着力確保が可能な接着層と、高剛性、低熱膨張係数および低誘電率等の特性を有する絶縁樹脂層との2層構造とする。必要に応じて、絶縁樹脂層の外層パターン側にも接着層を設けることができる。2層構造の形成方法としては、内層基板側に接着層を形成した後、絶縁樹脂層および外層パターンとなる金属箔を重ね合わせ積層一体化することで形成できる。
【００１０】
絶縁樹脂層として、半硬化状の絶縁樹脂を用いる場合、一般的な配線板に用いられる公知の熱硬化性樹脂材料を用いることが出来る。このような熱硬化性樹脂材料としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、マレイミド樹脂、イソシアネート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビニル樹脂などが挙げられ、特にエポキシ樹脂は信頼性の観点から好ましく、シアネート樹脂は低誘電率の観点から好ましい。
【００１１】
さらに、絶縁樹脂層には、誘電特性、耐衝撃性、フィルム加工性などを考慮して、熱可塑性樹脂がブレンドされてあっても良く、熱可塑性樹脂としては、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリブタジエンなどが例示される。これらの樹脂材料は、１種類のものを単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。
【００１２】
さらに、半硬化状の絶縁樹脂には、剛性を高くするために無機フィラーを混合しても良い。無機フィラーとしては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、クレー、タルク、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化亜鉛、溶融シリカ、ガラス粉、石英粉、シラスバルーンなどが挙げられる。これら無機フィラーは単独で使用しても良いし、２種類以上を混合して使用しても良い。
【００１３】
無機フィラーを加える場合は、絶縁樹脂層の５〜３５容量％となるように加えてもよい。
【００１４】
また、半硬化状の絶縁樹脂は、剛性や信頼性の確保のために、耐熱性合成繊維及びガラス繊維から選ばれる少なくとも一つを用いた繊維シートに樹脂材料を含浸したものであることが好ましい。耐熱性合成繊維としては、芳香族ポリアミド繊維及びポリイミド繊維から選ばれる少なくとも一つを用いたものであることが好ましい。さらに、繊維シートとしては、織布、不織布いずれを用いても良いが、穴加工性確保のために不織布あるいは高開繊の織布を用いることが好ましい。
【００１５】
接着層としては、一般的に配線板で用いる公知の樹脂材料を用いることができ、半硬化状の絶縁樹脂と同じ樹脂系であれば、接着層と絶縁樹脂層の間の接着強度を確保しやすく好ましい。
【００１６】
接着層として、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂などの熱可塑性樹脂は耐熱性が高く、好ましい。熱可塑性樹脂の中でも、ポリアミドイミド樹脂は、耐熱性、耐湿性に優れることに加え、金属に対する接着性が良好であるので有用である。ポリアミドイミドの原料のうち、酸成分としては、無水トリメリット酸、無水トリメリット酸モノクロライド、アミン成分としては、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、４，４’-ジアミノジフェニルエーテル、４，４’-ジアミノジフェニルメタン、ビス［４-（アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２’-ビス［４-（４-アミノフェノキシ）フェニル］プロパンなどが例示されるが、これに限定されるわけではない。
【００１７】
乾燥性を向上させるためにシロキサン変性としても良く、この場合、アミノ成分にシロキサンジアミンが用いられる。フィルム加工性を考慮すると、接着層に用いる樹脂としては分子量が５万以上のものを用いるのが好ましい。
【００１８】
さらに、このような接着層には耐熱性、剛性、低熱膨張化、さらに塗布後の接着層の厚みを確保するために無機フィラーが含まれていることが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、クレー、タルク、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化亜鉛、溶融シリカ、ガラス粉、石英粉、シラスバルーンなどが挙げられる。これら無機フィラーは単独で使用しても良いし、２種類以上を混合して使用しても良い。無機フィラーを加える場合は、接着層の５〜３５容量％となるように加えてもよい。
【００１９】
また、樹脂ワニスの状態では有機溶媒を含有していてもよく、内層基板への塗布性を確保するため有機溶媒の含有量により粘度を調整することが好ましく、例えば、500cP以下が好ましく、200ｃP以下がより好ましい。有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼンのような芳香族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン系溶媒；テトラヒドロフランのようなエーテル系溶媒；イソプロパノール、ブタノールのようなアルコール系溶媒；２−メトキシエタノール、２−ブトキシエタノールのようなエーテルアルコール系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドのようなアミド系溶媒などを、適宜、併用しても良い。
【００２０】
以上のような樹脂ワニスを内層基板に塗布、乾燥して接着層を形成する。樹脂ワニスの塗布方法としては、内層基板の浸漬、ワニスの滴下または噴霧、及び、カーテンコート、ロールコータ、スクリーン印刷など公知の塗布方法を用いることができる。樹脂ワニスと導体パターンの接触角を40度以下とすることで、導体パターンと有機絶縁性支持体表面に一様に接着層を形成することができ、さらに、25度以下であるとTH、IVH内壁に一様に絶縁層を良好に形成することができ好ましく、10度以下がより好ましい。特に、接触角が25度以下ならば、THやIVHの内径が30μm以上の場合に穴内に気泡が入り込むことも無く接着層を形成することができる。接着層としては、乾燥によりBステージにして用いることが、ハンドリング性確保のために好ましい。接着層の厚みとしては乾燥後に0.1〜5.0μmであれば、接着性を確保し、絶縁樹脂層の特性を損なわないため好ましい。
【００２１】
接触角とは固体表面と液滴とが接したときに固体表面と液滴のなす角度のことであり、例えば、固液界面解析装置DropMaster500（協和界面科学製、商品名）を用いて測定面に1.5μLの樹脂ワニスを滴下し、樹脂ワニスと測定面のなす角度を測定することができる。
【００２２】
導体パターンを実質粗面化処理せずにそのまま樹脂ワニスを塗布することができる。また、Rz＝2.0μｍ以下の表面粗さの導体パターンに樹脂ワニスを塗布してもよい。
【００２３】
さらに、接触角は表面粗さが大きいほど低くなる傾向があるため、表面粗さにより適切な接触角に制御することができる。例えば、一般的な、ジェットスクラブ処理などにより導体パターンと有機絶縁性支持体表面を同時に粗化する処理、エッチングや黒化処理により導体パターン表面のみ粗化する処理、過マンガン酸や重クロム酸を用いて有機絶縁性支持体のみを粗化する処理を用いることができ、処理前の導体パターンおよび有機絶縁性支持体の接触角から適切な処理を選択して行うことが好ましい。また、プラズマ処理や紫外線照射などのドライプロセスにより表面を活性化して接触角を調整することもできる。
【００２４】
また、導体パターン表面にカップリング剤処理を行うことで接触角を低くすることもでき、さらに、適切なカップリング剤を選択することで接着層との接着性を向上することができ好ましい。このようなカップリング剤としては、例えば、３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２-（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性シラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等のアミノ官能性シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン等のオレフィン官能性シラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル官能性シラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のメタクリル官能性シラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性シランなどが用いられる。これらは単独で用いても良いし、複数を混合して用いても良い。これらのカップリング剤は、水などの溶媒に０．１〜１５ｇ／Ｌの濃度で溶解させて室温〜５０℃の温度で導体パターン表面に吸着させる。シランカップリング処理後は加熱、紫外線照射等によって安定的結合を形成する。加熱であれば１００〜２００℃の温度で２〜６０秒乾燥させる。紫外線照射であれば２００〜４００ｎｍ、２００〜２５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲で行う。
【００２５】
さらに、基板全体を溶媒に浸漬し、基板表面及びビア内部が溶媒で濡れている状態で樹脂ワニスを塗布することで、実質的な接触角を低減することができる。例えば、内層基板を溶媒に浸漬し、その直後に樹脂ワニスに浸漬する。さらに、乾燥を行うことで接着層を形成することができる。このような溶媒としては、樹脂ワニスの特性に不具合が生じなければ、揮発性の比較的低いものが作業性の観点から好ましく、樹脂ワニスの溶媒と同一のものでもよい。
【００２６】
内層基板は、一般的な配線板製造方法により製造できる。例えば、銅張り積層板にドリル穴明けにより貫通穴を形成し、デスミア処理を行った後、無電解銅めっきにより層間接続導体を形成する。内層基板の層間接続部がめっき金属により形成されたTHおよびIVHであってもよい。さらに、ドライフィルムレジストをラミネート、露光、現像してレジストパターンを形成し、エッチング液により不要な箇所の銅箔を除去して導体パターンを形成した後、レジストパターンを剥離して、TH付きの内層基板を製造することができる。
【００２７】
また、導電性ペーストやフィルドめっきによる方法やTHを穴埋め樹脂で穴埋めした後、ふためっきを行う方法により製造した内層基板や外層を積層後にTHにより層間接続する場合は、内層基板表面は導体パターンのみであるため接触角が40度以下の樹脂ワニスを接着層に用いることができる。
【００２８】
以上のような半硬化状の絶縁樹脂と接着層を形成した内層基板および外層配線を形成するための金属箔を用いて多層基板を製造する。多層化には、加熱・加圧による手法を用いることができ、一般的な真空プレス機を用いることが好ましい。加熱・加圧の条件としては、絶縁樹脂層及び接着層の材料特性にあった条件が好ましく、例えば、温度150℃〜250℃、圧力1MPa〜5MPaが好ましい。このようにして積層した基板にドリル加工やレーザ加工により層間接続部となる開口を設ける。
【００２９】
外層回路を形成する方法としては、パネルめっきを行い、エッチングで回路形成する方法や、パターンめっきにより回路形成する方法がある。例えば、パターンめっきにより回路形成する方法としては、無電解めっきによりビア内に導体層（シード層）を形成し、電気めっきレジストを形成した後、電気めっきにより導体パターンを形成し、最後に不要な個所の金属箔をエッチング除去して外層回路を形成することで多層配線板を製造する。このように製造した多層配線板を内層基板として、さらに多層化することもできる。
【００３０】
無電解めっきは、無電解めっきの核となる触媒を付与し、これに無電解銅めっきを薄付けすることで形成する。触媒としては、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができ、特にパラジウムは樹脂への密着性が高く好ましい。無電解銅めっきとしては、硫酸銅、錯化剤、ホルマリン、水酸化ナトリウムを主成分とする、一般的な配線板で用いる無電解銅めっき液を用いることができる。めっき厚みとしては、シード層として給電可能な厚みがあれば良く、0.1〜1μmの範囲が好ましい。0.1μmより薄いと無電解めっき層にピンホールが発生する恐れがあり、1μmより厚いと微細配線形成が困難になる。
【００３１】
金属箔の外層回路となる以外の個所に電気めっきレジストを形成する。電気めっきレジストの厚さは、その後めっきする導体の厚さと同程度か、より厚い膜厚にするのが好ましい。電気めっきレジストに使用できる樹脂には、液状レジストやドライフィルムレジストがある。
【００３２】
外層回路となる電気銅めっきには、通常配線板で使用される硫酸銅電気めっきやピロリン酸電気めっきが使用できる。電気銅めっきの厚さは、外層回路として使用できればよく、1〜100μmの範囲であることが好ましく、微細回路形成には5〜50μmの範囲であることがより好ましい。また、金属箔を銅箔とした場合、電気銅めっき層形成時の電流密度は銅箔作製時の電流密度よりも小さければよいが、好ましくは0.5〜5A/dm2である。電気銅めっき層形成時の電流密度が銅箔作製時の電流密度よりも高いと後のエッチング工程で過剰に溶解されやすくなり良好な外層回路形成を為すのに支障をきたす。
【００３３】
次にアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いて電気めっきレジストの剥離を行い、パターン部以外の金属箔をエッチング除去して外層回路が形成できる。例えば、金属箔として銅箔を用いた場合、エッチング液は、ハロゲン以外の酸及び過酸化水素を主成分とし、主成分に加えて溶媒、添加剤からなる溶液であり、溶媒としては、コスト、取り扱い性、安全性の面から水が好ましく用いられ、水にはアルコール等が添加されていても構わない。また、添加剤としては過酸化水素の安定剤等が添加されうる。さらに、ハロゲン以外の酸としては、硫酸、硝酸等が挙げられ、好ましくは、硫酸が用いられる。このようなエッチング液を用いて外層回路部以外の銅箔をエッチング除去し、設計通りの外層回路のトップ幅、ボトム幅を得るためには電気銅めっきのエッチング速度が銅箔のエッチング速度の80％以下であることが好ましい。
【００３４】
また、ハロゲン以外の酸として硫酸を用いる場合、エッチング液の主成分の濃度として、10〜300g/Lの硫酸および10〜200g/Lの過酸化水素水を用いることが好ましい。上記濃度域以下の濃度ではエッチング速度が遅いために作業性が悪く、上記濃度域以上の濃度ではエッチング速度が速いためにエッチング量のコントロールが難しい。また、銅箔のエッチング速度としては1〜15μm/分となるようにコントロールすることが作業性の面から好ましい。また、結晶構造の差異によるエッチング速度の差はエッチング液の温度に依存するため、エッチング除去の際にエッチング液の温度は20〜50℃とすることが好ましく、20〜40℃とすることがより好ましい。さらにエッチング時間としては、所望の回路幅が形成されるような時間を実験により適宜求めればよいが、作業性、エッチングの均一性等のために10秒〜10分の範囲であることが好ましい。
【００３５】
必要な箇所にソルダレジストの形成、外層回路へのめっき処理を行うことができる。このようなソルダレジストとしては、一般的な配線板で用いる液状レジストやフィルム状レジストを用いることができる。また、ワイヤボンド端子やフリップチップ端子に金めっきや錫めっきを施すことが好ましい。金めっきとしては、金の銅配線への拡散を抑えるために、電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきを用いることができる。
【実施例】
【００３６】
以下に、本発明の実施例を記す。
【００３７】
（実施例1）
厚み0.2μmの銅張り積層板MCL-E-679F（日立化成工業製、商品名）にドリル穴明けによりφ0.2mmの貫通穴を形成して過マンガン酸からなるデスミア液でデスミア処理を行った後、無電解銅めっきによりTH 2を形成した。さらに、厚さ15μmのドライフィルムレジストNIT215（ニチゴーモートン製、商品名）をラミネート、露光、現像してレジストパターンを形成し、塩化第二鉄のエッチング液により不要な箇所の銅箔を除去して導体パターン3を形成した後、レジストパターンを剥離して、図1(a)に示すような内径150μmのTH付き内層基板１を製造した。
【００３８】
次に、図1(b)に示すように、ポリアミドイミドからなる樹脂ワニスからなる接着層4を形成した。樹脂ワニスとしては、導体パターン3との接触角が１7度、固形分が10%、粘度150ｃPのポリアミドイミド樹脂を用いて、前述の内層基板１を浸漬した後、160℃で10分間の乾燥を行いBステージの接着層4とした。
【００３９】
さらに、図1(c)に示すように、半硬化状の絶縁樹脂層5としてガラスエポキシプリプレグGEA-679F（日立化成工業製、商品名）、金属箔6としてキャリア付きの3μm銅箔MT35S-3V（三井金属製、商品名）を重ね合わせ、真空加圧プレスにより、加熱加圧して積層した。加熱加圧条件としては、185℃で90分間、圧力3MPaで行った。
【００４０】
次に、キャリアを引き剥がした後、サブトラクティブ法で層間接続部となる箇所の銅箔にレーザ窓穴を形成し、CO2レーザ加工機LC-1C21（日立ビアメカニクス製、商品名）により、φ80μmのビア穴を形成した。これを過マンガン酸のデスミア液によりスミアの除去を行った後、パラジウムコロイドを付与し、無電解銅めっき液CUST201（日立化成工業製、商品名）によりシード層を形成した。さらに、厚さ25μmの電気めっきレジストNIT225（ニチゴーモートン製、商品名）をラミネートし、I線ステッパー露光による露光、炭酸ナトリウム溶液による現像を行い、レジストパターンを形成した後、硫酸銅めっき液により厚さ20μmのめっき導体７およびIVH 8を形成した後、アミン系レジスト剥離液でレジストを除去し、不要な部分の金属箔を硫酸と過酸化水素を主成分とするエッチング液で除去して配線を形成し、図1(d)に示すように、内径50μmのIVH付きの基板9を得た。
【００４１】
さらに、このIVH付き基板9を用いて前述の内層基板1と同様に接着層4の形成（図1（e））、絶縁樹脂層5の形成及び配線形成を行い、図1(f)に示すような、多層配線板10を得た。
【００４２】
（実施例2）
樹脂ワニスとして、接触角7度、固形分が10%、粘度が25cPのポリアミドイミド樹脂を用いた以外は実施例1と同様にして多層配線板を製造した。
【００４３】
（実施例3）
樹脂ワニスとして、接触角15度、固形分が20%、粘度が50cPのエポキシ樹脂を用いた以外は実施例1と同様にして多層配線板を製造した。
【００４４】
（実施例4）
THにエポキシ樹脂からなる穴埋め樹脂を用いて穴埋めし、ふためっきを行った内層基板を用い、樹脂ワニスとして接触角30度、固形分が10%、粘度が100cPのポリアミドイミド樹脂を用いた以外は実施例1と同様にして多層配線板を製造した。
【００４５】
（比較例1）
樹脂ワニスとして、接触角50度、固形分が10%、粘度が100cPのポリアミドイミド樹脂を用いた以外は実施例1と同様にして多層配線板を製造した。
【００４６】
（比較例2）
樹脂ワニスとして、接触角50度、固形分が10%、粘度が100cPのポリアミドイミド樹脂を用いた以外は実施例4と同様にして多層配線板を製造した。
【００４７】
このようにして製造した多層配線板の導体パターン上及びTH・IVH内壁の接着層の有無及びはんだ耐熱試験（121℃/100%RHで1時間の吸湿処理後、288℃のはんだ槽に1分間浸漬。サンプル数22個を試験）の結果を表1に示す。
【表１】
2006019654.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の、実施例を説明するための各工程における断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
1  ・・・TH付き内層基板
2  ・・・TH
3  ・・・導体パターン
4  ・・・接着層
5  ・・・絶縁樹脂層
6  ・・・金属箔
7  ・・・めっき導体
8  ・・・IVH
9  ・・・IVH付き基板
10・・・多層配線板
【図１】
2006019654.tif 000003