(57)【要約】【課題】  半導体デバイスの回路を変更することなく同一の回路で、半導体デバイス内部の耐タンパ対策回路の機能を有効にした場合と、有効にしていない場合の情報漏洩の有無とを検査し、対タンパ対策回路の効果を評価する方法を提供すること、及び、耐タンパ性評価のための消費電力の測定を半導体デバイスの特定の回路部分に限定して行うことにより、秘密情報が漏洩する回路部分の特定を容易にする方法を提供することを目的とする。【解決手段】  回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを、選択回路によって選択することとした。回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を信号生成回路により生成することとした。【選択図】        図１
2006025288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択することを特徴とする選択回路。
【請求項２】
前記選択回路は論理和回路または論理積回路であることを特徴とする請求項１に記載の選択回路。
【請求項３】
前記耐タンパ対策回路は乱数生成回路であることを特徴とする請求項１に記載の選択回路。
【請求項４】
前記耐タンパ対策回路は論理和回路または論理積回路であることを特徴とする請求項１に記載の選択回路。
【請求項５】
前記選択回路へ選択信号を入力することにより選択を行うことを特徴とする請求項１に記載の選択回路。
【請求項６】
回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択回路により選択することを特徴とする選択方法。
【請求項７】
回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択する選択部と、
回路からの情報の漏洩を検査する情報漏洩検査部と、
耐タンパ対策回路の機能を有効にした場合の検査結果と有効にしない場合の検査結果とを比較して前記耐タンパ対策回路を評価する評価部と
を備えることを特徴とする耐タンパ対策回路の評価装置。
【請求項８】
選択部が、回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする第１の選択工程と、
情報漏洩検査部が、前記回路からの情報の漏洩を検査する第１の情報漏洩検査工程と、
前記選択部が、前記耐タンパ対策回路の機能を有効にしない第２の選択工程と、
前記情報漏洩検査部が、前記回路からの情報の漏洩を検査する第２の情報漏洩検査工程と、
評価部が、第１の情報漏洩検査工程の結果と第２の情報漏洩検査工程の結果とを比較して、前記耐タンパ対策回路を評価する評価工程と
を実行することを特徴とする耐タンパ対策回路の評価方法。
【請求項９】
回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に前記回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成することを特徴とする信号生成回路。
【請求項１０】
前記第２の基準信号は第１の基準信号と位相または／および周波数が異なることを特徴とする請求項９に記載の信号生成回路。
【請求項１１】
前記信号生成回路は、第１の基準信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジで動作するフリップフロップと、第１の基準信号のレベルに応じて動作するレベルセンスラッチとの少なくともいずれかを有することを特徴とする請求項９に記載の信号生成回路。
【請求項１２】
回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に前記回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を信号生成回路により生成することを特徴とする信号生成方法。
【請求項１３】
回路からの情報の漏洩を検査し回路の耐タンパ性を評価する耐タンパ性評価装置において、
前記回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に前記回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成する信号生成部と、
前記回路からの情報の漏洩を検査する情報漏洩検査部と
を備えることを特徴とする耐タンパ性評価装置。
【請求項１４】
回路からの情報の漏洩を検査し回路の耐タンパ性を評価する耐タンパ性評価方法において、
信号生成部が、前記回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に前記回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成する信号生成工程と、
情報漏洩検査部が、前記回路からの情報の漏洩を検査する情報漏洩検査工程と
を実行することを特徴とする耐タンパ性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択する選択回路および選択方法と、それぞれの場合で耐タンパ対策回路を評価する評価装置および評価方法に関する。
【０００２】
また、回路の耐タンパ性を評価するための信号を生成する信号生成回路および信号生成方法と、その信号を用いた耐タンパ性評価装置および耐タンパ性評価方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
情報の暗号化などのセキュリティ機能を実行する半導体デバイスの回路の消費電力を測定することにより、例えば、暗号鍵などの秘密の情報を不正に読み出す（タンパ）ことができる。これを防止するために、消費電力の測定結果を意味のないものとし、半導体デバイスからの情報の漏洩を防止する回路（耐タンパ対策回路）を半導体デバイスの内部に設置する。
【０００４】
例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４には、半導体デバイスの秘密情報保護のための対策技術が記載されている。
【０００５】
また、暗号等のセキュリティ機能を実現する半導体デバイスでは、回路の消費電力を測定することによる半導体デバイスからの秘密情報の読み出しが可能か否かを評価する耐タンパ性評価が行われる。この耐タンパ性評価のための消費電力の測定は、通常、条件を設定した上で回路を普通に動作させて行われる。
【特許文献１】特開２０００−０６６５８５号公報
【特許文献２】特表２００２−５４０６５４号公報
【特許文献３】特表２００３−５２６１３４号公報
【特許文献４】特開２００２−３１１８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記した特許文献には、耐タンパ対策回路自体は示されているものの、耐タンパ対策回路の効果を評価する方法を示したものはない。そのため、耐タンパ対策回路により秘密情報の漏洩が防止されているのか、または、半導体デバイス内の配置配線や信号の伝播遅延の違い等により、たまたま秘密情報の漏洩が防止されているのかの切り分けができなかった。
【０００７】
一方、耐タンパ性評価のための消費電力の測定は、半導体デバイスを普通に動作させて行われることから、測定の対象を半導体デバイスの特定の部分に限定することはできない。そのため、秘密情報の漏洩が発覚しても、具体的に半導体デバイスのどの部分から漏洩しているかを特定するのは困難であった。
【０００８】
この発明は、これらの問題を鑑みてなされたものであり、半導体デバイスの回路を変更することなく同一の回路で、半導体デバイス内部の耐タンパ対策回路の機能を有効にした場合の情報漏洩の有無と、有効にしていない場合の情報漏洩の有無とを検査し、対タンパ対策回路の効果を評価する方法を提供することを目的とする。
【０００９】
また、耐タンパ性評価のための消費電力の測定を半導体デバイスの特定の回路部分に限定して行うことにより、秘密情報が漏洩する回路部分の特定を容易にする方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記した課題を解決するため、回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを、選択回路によって選択することとした。
【００１１】
また、回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を信号生成回路により生成することとした。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択することが可能となる。その結果、回路に変更を加えることなく同一の回路で、耐タンパ対策回路の有効性を評価することができる。
【００１３】
また、この発明によれば、回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成することすることが可能となる。その結果、回路の第２の部分を第１の部分とは分けて耐タンパ性を評価することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
実施の形態１では、消費電力を測定することにより回路から情報を読み出すなどのサイドチャネル攻撃に対して、耐タンパ対策回路を付加することにより耐性を備えた暗号デバイスの耐性効果を評価する実施の形態について説明する。
【００１５】
本実施の形態のポイントを、以下に示す。
回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択回路により選択する。
【００１６】
選択回路は論理和回路または論理積回路である。また、耐タンパ対策回路は乱数生成回路であるか、論理和回路または論理積回路である。そして、選択回路へ選択信号を入力することにより選択を行う。
【００１７】
図１は、実施の形態１における耐タンパ対策回路を付加した暗号デバイスの構成を示す図である。
暗号デバイスは、鍵生成部１００と、データ処理部２００から構成される。
【００１８】
鍵生成部１００は、鍵生成回路１１０と、生成した拡大鍵情報を保持するレジスタＡ１２０とから構成される。鍵生成部１００は、外部から入力した鍵情報にもとづいて、拡大鍵情報を生成する。
【００１９】
鍵生成回路１１０は、鍵生成用全組み合わせ回路、またはそのパイプライン化された回路、またはそれら一部の回路であり、その中に図２に示すような耐タンパ対策回路１１１と、その耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にするか有効にしないかを選択信号により選択する選択回路１１２とを含んでいる。
【００２０】
選択回路１１２で耐タンパ対策回路１１１の機能を「有効にする」を選択することにより、鍵生成回路１１０を耐タンパ対策済みの回路とすることができ、また、選択回路１１２で耐タンパ対策回路１１１の機能を「有効にしない」を選択することにより、鍵生成回路１１０を耐タンパ対策が行われていない回路とすることができる。
【００２１】
データ処理部２００は、データ処理回路２１０と、出力データを保持するレジスタＢ２２０とから構成される。データ処理回路２１０は、鍵生成部１００が生成した拡大鍵情報を用いて、平文を暗号文に暗号化し、また、暗号文を平文に復号する。その際、初期値やカウンタ値を入力することもある。
【００２２】
データ処理回路２１０は、暗号化／復号用全組み合わせ回路、またはそのパイプライン化された回路、またはそれら一部の回路であり、その中に図２に示すような耐タンパ対策回路１１１と、その耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にするか有効しないかを選択する選択回路１１２とを含んでいる。
【００２３】
選択回路１１２で耐タンパ対策回路１１１の機能を「有効にする」を選択することにより、データ処理回路２１０を耐タンパ対策済みの回路とすることができ、また、選択回路１１２で耐タンパ対策回路１１１の機能を「有効にしない」を選択することにより、データ処理回路２１０を耐タンパ対策が行われていない回路とすることができる。
【００２４】
なお、前記した鍵生成回路１１０とデータ処理回路２１０の構成の説明では、それぞれが耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２とを含んでいるものとした。しかし、本実施の形態は、それに限定されるものではなく、鍵生成回路１１０とデータ処理回路２１０のいずれか一方が、耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２とを含んでおり、他方は含んでいない形態であってもよい。もちろん、鍵生成回路１１０とデータ処理回路２１０の両方が、耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２とを含んでいる形態であってもよい。
【００２５】
また、図１で示したレジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は、組み合わせ回路である鍵生成部１００内とデータ処理部２００内に存在するフリップフロップやラッチ等により実現される多数のレジスタを象徴的に表示したものであり、図１に示すように１つの限定されるものではない。
【００２６】
鍵生成部１００で生成された拡大鍵情報を用いて、データ処理部２００において暗号化または復号の処理を行う。このとき、データ処理部２００で必要な拡大鍵情報は、あらかじめ鍵生成部１００で全て生成されていてもよく、また、データ処理部２００が必要とする拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけタイミングを見計らって、鍵生成部１００が、その都度生成しながらデータ処理部２００に与える方式でもよい。
【００２７】
図２は、データ処理回路２１０の他の部分と耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２との接続の一例を示す図である。
図２では、選択信号を選択回路１１２へ入力することにより、耐タンパ対策回路１１１をデータ処理回路２１０の他の部分へ接続し、耐タンパ対策回路１１１から出力される信号をそのままデータ処理回路２１０の他の部分へ入力するか（対策ＯＮモード）、または、耐タンパ対策回路１１１をデータ処理回路２１０の他の部分へ接続しないか（対策ＯＦＦモード）を選択する。
【００２８】
図３は、図２で示したデータ処理回路２１０の他の部分と耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２との接続の具体例を示す図である。ここでは、耐タンパ対策回路１１１は乱数生成回路で実現され、また、選択回路１１２は論理積回路で実現される。
【００２９】
この具体例での、選択回路１１２の論理動作を表１に示す。
この具体例では、選択信号としてイチ（“１”）を入力した場合、乱数生成回路の出力（乱数）がそのまま選択回路１１２である論理積回路から出力されるが、選択信号としてゼロ（“０”）を入力した場合、選択回路１１２である論理積回路からは、常に固定値であるゼロ（“０”）が出力される。
【００３０】
【表１】
2006025288.tif 000003
【００３１】
図４は、図２で示した耐タンパ対策回路１１１を乱数生成回路で実現し、選択回路１１２を論理和回路で実現した場合の接続の具体例を示す図である。
【００３２】
この具体例での、選択回路１１２の論理動作を表２に示す。
この具体例では、選択信号としてゼロ（“０”）を入力した場合、乱数生成回路の出力（乱数）がそのまま選択回路１１２である論理和回路から出力されるが、選択信号としてイチ（“１”）を入力した場合、選択回路１１２である論理和回路からは、常に固定値であるイチ（“１”）が出力される。
【００３３】
【表２】
2006025288.tif 000004
【００３４】
なお、耐タンパ対策回路として乱数生成回路を用いるのは、暗号アルゴリズムを実行する際に処理の中間で生成されるデータ（中間データと言う）と乱数との排他的論理和を行うことにより、中間データを攻撃者に対し推測されないようにする耐タンパ対策を施すためである。
【００３５】
耐タンパ対策回路１１１をデータ処理回路２１０へ接続しなかった場合について説明する。
例えば、選択回路の出力から固定値（ゼロ（“０”））をデータ処理回路２１０へ入力すると、固定値（ゼロ（“０”））と中間データとで排他的論理和を行った結果は、常に、中間データと同じになることから、攻撃者は暗号アルゴリズム内部の中間データ値を推測可能となり、正しく推測したときのサイドチャネル情報（例えば、電力）と、間違って推測したときのサイドチャネル情報（例えば、電力）とを、推測が正しい状態で入手可能となり、秘密情報を入手できることになる。
【００３６】
また、例えば、選択回路の出力から固定値（イチ（“１”））をデータ処理回路２１０へ入力すると、固定値（イチ（“１”））と中間データとで排他的論理和を行った結果は、常に、中間データを反転させた値となることから、攻撃者は暗号アルゴリズム内部の中間データ値を１００％間違えることになる。これは、推測したデータと相反するデータが正解していることに他ならず、やはり、攻撃者は秘密情報を入手できることになる。すなわち、耐タンパ対策がされていない回路の状態にすることができる。
【００３７】
図５は、データ処理回路２１０の他の部分と耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２の接続の他の例を示す図である。
図５では、選択信号を選択回路１１２へ入力することにより、選択回路１１２が、耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にするか（対策ＯＮモード）、または、有効にしないか（対策ＯＦＦモード）を選択する。
【００３８】
図６は、図５で示したデータ処理回路２１０の中の論理積回路と耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２との接続の具体例を示す図である。ここでは、耐タンパ対策回路１１１は論理和回路で実現され、また、選択回路１１２も論理和回路で実現される。
【００３９】
この具体例での、選択回路１１２の論理動作を表３に示す。
この具体例では、一方の入力に固定値としてゼロ（“０”）が入力されている場合、他方の入力である選択信号が選択回路１１２である論理和回路から出力されるが、一方の入力に固定値としてイチ（“１”）が入力されている場合、選択回路１１２である論理和回路からは、常にイチ（“１”）が出力される。
【００４０】
【表３】
2006025288.tif 000005
【００４１】
その結果、耐タンパ対策回路１１１である論理和回路の論理動作は、表４のようになる。この例では、選択回路１１２である論理和回路の出力がゼロ（“０”）のとき、耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にするものとし、出力がイチ（“１”）のとき、耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にしないものとする。
【００４２】
【表４】
2006025288.tif 000006
【００４３】
ところで、データ処理回路が論理積回路の場合、耐タンパ対策回路として論理和回路を用い、データ処理回路が論理和回路の場合、耐タンパ対策回路として論理積回路を用いるのは、信号変化やそれに伴う電力変化の観点から、論理和回路および論理積回路が、それぞれ論理積回路および論理和回路と双対性を有するためである（特許文献３を参照）。この双対性を利用して、論理回路の消費電力を相殺している。
【００４４】
耐タンパ対策回路１１１である論理和回路を有効にした場合の出力と、データ処理回路２１０の中の論理積回路の出力の比較を表５に示す。これより、論理和回路の出力と論理積回路の出力は双対性を有する関係にあることから、耐タンパ対策回路１１１である論理和回路の消費電力は、データ処理回路２１０の中の論理積回路の消費電力を相殺している。
【００４５】
【表５】
2006025288.tif 000007
【００４６】
図７は、データ処理回路２１０の中の論理和回路と、耐タンパ対策回路１１１である論理積回路と、選択回路１１２である論理積回路の接続の具体例を示す図である。
【００４７】
この具体例での、選択回路１１２の論理動作を表６に示す。
この具体例では、一方の入力に固定値としてイチ（“１”）が入力されている場合、他方の入力である選択信号が選択回路１１２である論理積回路から出力されるが、一方の入力に固定値としてゼロ（“０”）が入力されている場合、選択回路１１２である論理積回路からは、常にゼロ（“０”）が出力される。
【００４８】
【表６】
2006025288.tif 000008
【００４９】
その結果、論理積回路である耐タンパ対策回路１１１の論理動作と出力は、表７のようになる。この例では、選択回路１１２の出力がイチ（“１”）のとき、耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にするものとし、選択回路１１２の出力がゼロ（“０”）のとき、耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にしないものとする。
【００５０】
【表７】
2006025288.tif 000009
【００５１】
耐タンパ対策回路１１１である論理積回路を有効にした場合の出力と、データ処理回路２１０の中の論理和回路の出力の比較を表８に示す。これより、論理積回路の出力と論理和回路の出力は双対性を有する関係にあることから、耐タンパ対策回路１１１である論理積回路の消費電力は、データ処理回路２１０の中の論理和回路の消費電力を相殺している。
【００５２】
【表８】
2006025288.tif 000010
【００５３】
図５に示した耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２の接続の構成は、図８に示すような耐タンパ対策回路１１１が選択回路１１２を含む構成としてもよい。その場合、選択信号を耐タンパ対策回路１１１へ直接入力することにより、耐タンパ対策回路１１１は、耐タンパ対策回路１１１の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択することができる。この場合、図６に示す構成は図９の構成となり、図７に示す構成は図１０の構成となる。
【００５４】
なお、絶対に必要なものではないが、図６の点線矢印に示すように、データ処理回路２１０の中の論理積回路に固定値イチ（“１”）を別途入力し、図７の点線矢印に示すように、データ処理回路２１０の中の論理和回路に固定値イチ（“０”）を別途入力することにより、耐タンパ対策回路１１１である論理和回路や論理積回路の消費電力をデータ処理回路２１０の消費電力と釣り合いのとれたものとすることもできる。これは図９と図１０でも同様である。
【００５５】
以上、データ処理回路２１０と耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２を取り上げてそれらの接続の具体例を示したが、これは鍵生成回路１１０の中の耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２でも同様に実現することができる。
【００５６】
本実施の形態により、回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを、選択回路を用いて選択することができる。
【００５７】
本実施の形態により耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択する選択回路を論理和回路または論理積回路で構成することができる。
【００５８】
本実施の形態により耐タンパ対策回路には乱数生成回路を用いることができる。また、耐タンパ対策回路には論理和回路または論理積回路を用いることができる。
【００５９】
本実施の形態により選択回路での選択は、選択信号を入力することにより行うことができる。
【００６０】
本実施の形態により耐タンパ対策回路の機能を有効にするか有効にしないかを選択する選択回路を実装した暗号デバイスをＦＰＧＡやＡＳＩＣなどで実現した場合、本実施の形態により、回路を変更することなく同一の回路を用いて、耐タンパ対策回路の機能を有効にした場合と有効にしない場合の回路の耐タンパ性の評価を行うことができ、暗号デバイス内の配置配線や信号の伝播遅延の違い等の影響を排除した評価が可能となる。これにより、耐タンパ回路の純粋な効果を評価することが可能となる回路を提供することができる。
【００６１】
なお、本実施の形態は、図１１に示すように鍵生成部１００がなく、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけ入力するパスが付加される形態であってもよい。
【００６２】
前記した選択回路を用いた耐タンパ対策回路の評価装置５００を図１２に示す。
耐タンパ対策回路の評価装置５００は、回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする場合と有効にしない場合とを選択する選択部５１０と、回路からの情報の漏洩を検査する情報漏洩検査部５２０と、耐タンパ対策回路の機能を有効にした場合の検査結果と有効にしない場合の検査結果とを比較して耐タンパ対策回路を評価する評価部５３０とを備える。
【００６３】
また、前記した耐タンパ対策回路の評価装置５００では、以下のような耐タンパ対策回路の評価方法を実行する。
耐タンパ対策回路の評価方法は、選択部５１０が回路の消費電力を解析することにより生じる情報の漏洩を防止するための耐タンパ対策回路の機能を有効にする第１の選択工程と、情報漏洩検査部５２０が回路からの情報の漏洩を検査する第１の情報漏洩検査工程と、選択部５１０が耐タンパ対策回路の機能を有効にしない第２の選択工程と、情報漏洩検査部５２０が回路からの情報の漏洩を検査する第２の情報漏洩検査工程と、評価部５３０が第１の情報漏洩検査工程の結果と第２の情報漏洩検査工程の結果とを比較して耐タンパ対策回路を評価する評価工程とを実行する。
【００６４】
本実施の形態により耐タンパ対策回路の評価装置を用いて、暗号デバイスに実装される耐タンパ対策回路の有効性を、回路を変更することなく評価することが可能となる。
【００６５】
実施の形態２．
実施の形態２では、回路の所定の部分に他の部分とは異なる位相の基準信号を入力することにより、情報が漏洩している回路の部分を特定することを可能とする耐タンパ性評価の実施の形態について説明する。
【００６６】
本実施の形態のポイントを以下に示す。
信号生成回路は、回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成する。
【００６７】
信号生成回路の第２の基準信号は第１の基準信号と位相または／および周波数が異なる。
【００６８】
信号生成回路は、第１の基準信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジで動作するフリップフロップ、第１の基準信号のレベルに応じて動作するレベルセンスラッチ、第１の基準信号の遅延信号を生成する遅延回路（例えば、バッファやインバータ）のいずれかを用いることにより、または、フリップフロップ、レベルセンスラッチ、遅延回路を任意に組み合わせて構成した回路を用いることにより実現する。
【００６９】
図１３は、実施の形態２における耐タンパ性評価を行う暗号デバイスの構成を示す図である。
暗号デバイスは、鍵生成部１００と、データ処理部２００から構成される。
【００７０】
鍵生成部１００は、鍵生成回路１１０と、生成した拡大鍵情報を保持するレジスタＡ１２０とから構成される。鍵生成部１００は、外部から入力した鍵情報にもとづいて、拡大鍵情報を生成する。
【００７１】
鍵生成回路１１０は、耐タンパ対策済み、または未対策の鍵生成用全組み合わせ回路、またはそのパイプライン化された回路、またはそれら一部の回路である。
【００７２】
データ処理部２００は、データ処理回路２１０と、出力データを保持するレジスタＢ２２０とから構成される。データ処理部４１０は、鍵生成部１００が生成した拡大鍵情報を用いて、平文を暗号文に暗号化し、また、暗号文を平文に復号する。その際、初期値やカウンタ値を入力することもある。
【００７３】
データ処理回路２１０は、耐タンパ対策済みの暗号化、または復号用全組み合わせ回路、またはそのパイプライン化された回路、またはそれら一部の回路である。
【００７４】
なお、図１３で示したレジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は、組み合わせ回路である鍵生成部１００内とデータ処理部２００内に存在するフリップフロップやラッチ等により実現される多数のレジスタを象徴的に表示したものであり、図１３に示すように１つの限定されるものではない。
【００７５】
データ処理部２００のレジスタＢ２２０は、暗号デバイスの外部で生成された第１の基準信号で動作する。また、鍵生成部１００のレジスタＡ１２０は、暗号デバイスの外部にある図１４に示すような信号生成回路３００によって、第１の基準信号を元に生成された第２の基準信号により動作する。
【００７６】
鍵生成部１００で生成された拡大鍵情報を用い、データ処理部２００において暗号化または復号の処理を行う。このとき、データ処理部２００で必要な拡大鍵情報は、あらかじめ鍵生成部１００で全て生成されていても、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけタイミングを見計らってその都度生成しながらデータ処理部２００に与える方式でもよい。
【００７７】
次に、第２の基準信号の生成手段について説明する。
図１４に示す信号生成回路３００は、例えば、図１５に示すような立ち上がりエッジにより制御を行う第１の基準信号α（アルファ）を入力すると、何らかの位相選択手段により、第１の基準信号α、第１の基準信号α＋位相９０°、第１の基準信号α＋位相１８０°（第１の基準信号αの反転信号）または第１の基準信号α＋位相２７０°のいずれかの位相の信号を選択し、第２の基準信号として出力するものである。
【００７８】
また、信号生成回路３００は、例えば、図１６のような立ち下がりエッジにより制御を行う第１の基準信号β（ベータ）を入力すると、何らかの位相選択手段により、第１の基準信号β、第１の基準信号β＋位相９０°、第１の基準信号β＋位相１８０°（第１の基準信号βの反転信号）または第１の基準信号β＋位相２７０°のいずれかの位相の信号を選択し、第２の基準信号として出力するものである。
【００７９】
また、信号生成回路３００は、例えば、図１７のような信号がＨｉｇｈ（“１”）の区間により制御を行う基準信号γ（ガンマ）を入力すると、何らかの位相選択手段により、基準信号γ、基準信号γ＋位相１８０°（基準信号γの反転信号）のいずれかの位相の信号を選択し、第２の基準信号として出力するものである。
【００８０】
また、信号生成回路３００は、例えば、図１８のような信号がＬｏｗ（“０”）の区間により制御を行う基準信号θ（シータ）を入力すると、何らかの位相選択手段により、基準信号θ、基準信号θ＋位相１８０°（基準信号θの反転信号）のいずれかの位相の信号を選択し、第２の基準信号として出力するものである。
【００８１】
本実施の形態により信号生成回路は、回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成することができる。
【００８２】
本実施の形態により信号生成回路が生成する第２の基準信号を第１の基準信号とは位相または／および周波数が異なる信号とすることができる。
【００８３】
本実施の形態により第１の基準信号の立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジで動作するフリップフロップと、第１の基準信号のレベルに応じて動作するレベルセンスラッチとの少なくともいずれかを用いて信号生成回路を構成することができる。
【００８４】
本実施の形態により耐タンパ性を評価したい回路の部分を指定して、そこに他の部分とは異なる位相の基準信号を入力して消費電力を測定することにより、そこから情報が漏洩するか否かの耐タンパ性の評価を行うことができる。その結果、情報が漏洩する回路部分の特定を容易にすることが可能となる。
【００８５】
なお、本実施の形態は、図１９に示すように鍵生成部１００のレジスタＡ１２０が第１の基準信号で動作し、データ処理４００部のレジスタＢ２２０が第２の基準信号で動作する形態であってもよい。
【００８６】
さらに、本実施の形態は、図２０に示すように信号生成回路３００が暗号デバイスに含まれ、データ処理部２００のレジスタＢ２２０は、外部で生成された第１の基準信号で動作し、鍵生成部１００のレジスタＡ１２０は、暗号デバイス内の信号生成回路３００によって、第１の基準信号を元に生成された第２の基準信号により動作する形態であってもよい。
【００８７】
さらに、本実施の形態は、図２１に示すように信号生成回路３００が暗号デバイスに含まれ、鍵生成部１００のレジスタＡ１２０は、外部で生成された第１の基準信号で動作し、データ処理部２００のレジスタＢ２２０は、暗号デバイス内の信号生成回路３００によって、第１の基準信号を元に生成された第２の基準信号により動作する形態であってもよい。
【００８８】
さらに、本実施の形態は、図２２に示すようにレジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０の他に、鍵生成部１００で生成された拡大鍵情報を保持するレジスタＣ４００を備えており、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は第１の基準信号で動作し、レジスタＣは第２の基準信号で動作する形態であってもよい。なお、第１の基準信号と第２の基準信号は、暗号デバイスの外部で生成される。
【００８９】
逆に、本実施の形態は、図２３に示すようにレジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は第２の基準信号で動作し、レジスタＣ４００は第１の基準信号で動作する形態であってもよい。
【００９０】
さらに、本実施の形態は、図２４に示すようにレジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０の他に、鍵生成部１００で生成された拡大鍵情報を保持するレジスタＣ４００を備えており、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は第１の基準信号で動作し、レジスタＣは、暗号デバイス内の信号生成回路３００で第１の基準信号から生成された第２の基準信号で動作する形態であってもよい。
【００９１】
逆に、本実施の形態は、図２５に示すようにレジスタＣ４００は第１の基準信号で動作し、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は、暗号デバイス内の信号生成回路３００で第１の基準信号から生成された第２の基準信号で動作する形態であってもよい。
【００９２】
本実施の形態は、図２６に示すような鍵生成部１００がなく、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけ入力するパスが付加される形態であってもよい。この場合、レジスタＢ２２０は、第１の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、第２の基準信号により制御される。
【００９３】
本実施の形態は、図２７に示すような鍵生成部１００がなく、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけ入力するパスが付加される形態であってもよい。この場合、レジスタＢ２２０は、第２の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、第１の基準信号により制御される。
【００９４】
本実施の形態は、図２８に示すような鍵生成部１００がなく、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけレジスタＣ４００から入力するパスが付加される形態であってもよい。この場合、レジスタＢ２２０は、第１の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、レジスタＣ４００で第２の基準信号により制御される。
【００９５】
本実施の形態は、図２９に示すような鍵生成部１００がなく、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけレジスタＣ４００から入力するパスが付加される形態であってもよい。この場合、レジスタＢ２２０は、第２の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、レジスタＣ４００で第１の基準信号により制御される。
【００９６】
前記した信号生成回路３００を用いた耐タンパ性評価装置６００を構成を図３０に示す。
回路からの情報の漏洩を検査し回路の耐タンパ性を評価する耐タンパ性評価装置６００は、回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成する信号生成部６１０と、回路からの情報の漏洩を検査する情報漏洩検査部６２０とを備える。また、耐タンパ性評価装置６００は、第１の基準信号を生成する信号発信部６３０を備える。
【００９７】
また、前記した耐タンパ性評価装置６００では、以下のような耐タンパ性評価方法を実行する。
回路からの情報の漏洩を検査し回路の耐タンパ性を評価する耐タンパ性評価方法は、信号生成部６１０が回路の第１の部分を動作させる第１の基準信号を元に回路の第２の部分を回路の第１の部分とは異なるタイミングで動作させる第２の基準信号を生成する信号生成工程と、情報漏洩検査部６２０が回路からの情報の漏洩を検査する情報漏洩検査工程とを実行する。
【００９８】
本実施の形態により耐タンパ性評価装置を用いて、暗号デバイスの回路の部分を他の部分とは分けて情報漏洩の検査を行うことにより、情報が漏洩している回路の部分を特定することが可能となる。
【００９９】
実施の形態３．
実施の形態３では、耐タンパ対策回路とその機能を有効にするか有効にしないかを選択する選択回路を備えた暗号デバイスにおいて、回路部分を指定し、その回路部分に他の部分とは異なる位相の基準信号を入力して、回路の耐タンパ性を評価する実施の形態について説明する。
【０１００】
図３１は、実施の形態３における耐タンパ対策回路を付加し、そこで耐タンパ性評価を行う暗号デバイスの構成を示す図である。本実施の形態では、暗号デバイスの中の鍵生成回路１１０とデータ処理回路２１０には実施の形態１で用いた耐タンパ対策回路が付加されており、また、そこで実施の形態２で行った暗号デバイスの耐タンパ性評価を行う。
【０１０１】
暗号デバイスは実施の形態１と同じように、鍵生成部１００の鍵生成回路１１０が耐タンパ対策回路１１１と選択回路１１２を含んでおり、データ処理部２００のデータ処理回路２１０が耐タンパ対策回路１１１と選択回路を２１２を含んでいる。そして、選択回路１１２には外部から選択信号が入力される。
【０１０２】
データ処理部２００のレジスタＢ２２０は、外部で生成された第１の基準信号で動作する。また、鍵生成部１００のレジスタＡ１２０は、外部で生成された第２の基準信号により動作する。
【０１０３】
鍵生成部１００で生成された拡大鍵情報を用い、データ処理部２００において暗号化または復号処理を行う。このとき、データ処理部２００で必要な拡大鍵情報は、あらかじめ鍵生成部１００で全て生成されていても、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけタイミングを見計らってその都度生成しながらデータ処理部２００に与える方式でもよい。
【０１０４】
本実施の形態により鍵生成部１００とデータ処理部２００とを切り離した上で、鍵生成部１００とデータ処理部２００のいずれかの中に配置した耐タンパ対策回路の機能を有効にするか有効にしないかを選択しながら、回路の変更を行うことなく同一の回路を用いて、そこでの耐タンパ対策回路の有効性の評価を行うことが可能となる。
【０１０５】
なお、本実施の形態は、図３２に示すように、鍵生成部１００とデータ処理部２００に選択信号を入力し、鍵生成部１００のレジスタＡ１２０が外部で生成された第１の基準信号で動作し、データ処理部２００のレジスタＢ２２０が外部で生成された第２の基準信号で動作する形態であってもよい。
【０１０６】
さらに、本実施の形態は、図３３に示すように、鍵生成部１００とデータ処理部２００に選択信号を入力し、信号生成回路３００が暗号デバイスに含まれ、データ処理部２００のレジスタＢ２２０は、外部で生成された第１の基準信号で動作し、鍵生成部１００のレジスタＡ１２０は、暗号デバイス内の信号生成回路３００によって、第１の基準信号を元に生成された第２の基準信号により動作する形態であってもよい。
【０１０７】
さらに、本実施の形態は、図３４に示すように、鍵生成部１００とデータ処理部２００に選択信号を入力し、信号生成回路３００が暗号デバイスに含まれ、鍵生成部１００のレジスタＡ１２０は、外部で生成された第１の基準信号で動作し、データ処理部２００のレジスタＢ２２０は、暗号デバイス内の信号生成回路３００によって、第１の基準信号を元に生成された第２の基準信号により動作する形態であってもよい。
【０１０８】
さらに、本実施の形態は、図３５に示すように、鍵生成部１００とデータ処理部２００に選択信号を入力し、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０の他に、鍵生成回路１１０で生成された拡大鍵情報を保持するレジスタＣ４００を備えており、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は、暗号デバイスの外部で生成された第１の基準信号で動作し、レジスタＣ４００は、外部で生成された第２の基準信号で動作する形態であってもよい。
【０１０９】
逆に、本実施の形態は、図３６に示すように、鍵生成部１００とデータ処理部２００に選択信号を入力し、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は、暗号デバイスの外部で生成された第２の基準信号で動作し、レジスタＣ４００は、外部で生成された第１の基準信号で動作する形態であってもよい。
【０１１０】
さらに、本実施の形態は、図３７に示すように、鍵生成部１００とデータ処理部２００に選択信号を入力し、信号生成回路３００が暗号デバイスに含まれ、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０の他に、鍵生成回路１１０で生成された拡大鍵情報を保持するレジスタＣ４００を備えており、レジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は外部で生成された第１の基準信号で動作し、レジスタＣ４００は、信号生成回路３００によって第１の基準信号を元に生成された第２の基準信号で動作する形態であってもよい。
【０１１１】
逆に、本実施の形態は、図３８に示すようにレジスタＡ１２０とレジスタＢ２２０は、信号生成回路３００によって第１の基準信号を元に生成された第２の基準信号で動作し、レジスタＣ４００は外部で生成された第１の基準信号で動作する形態であってもよい。
【０１１２】
本実施の形態は、図３９に示すように鍵生成部１００がなく、データ処理部２００に選択信号が入力され、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけ入力するパスが付加される形態であってもよい。この場合、レジスタＢ２２０は第１の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、第２の基準信号により制御される。
【０１１３】
逆に、本実施の形態は、図４０に示すようにレジスタＢ２２０は第２の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、第１の基準信号により制御される形態であってもよい。
【０１１４】
また、本実施の形態は、図４１に示すように鍵生成部１００がなく、データ処理部２００に選択信号が入力され、レジスタＢ２２０の他に拡大鍵情報を保持するレジスタＣ４００を備えており、データ処理部２００に必要な拡大鍵情報を必要なときに必要な分だけレジスタＣ４００から入力するパスが付加される形態であってもよい。この場合、レジスタＢ２２０は第１の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、レジスタＣ４００に第２の基準信号により動作する。
【０１１５】
逆に、本実施の形態は、図４２に示すようにレジスタＢ２２０は第２の基準信号で動作し、拡大鍵情報は、レジスタＣ４００に第１の基準信号により動作する形態であってもよい。
【０１１６】
以上、説明した実施の形態では、情報を秘匿する手段、例えば暗号回路などで実現する手段を備え、種々サイドチャネル攻撃、例えば、単純電力攻撃、差分電力攻撃の耐性を向上するための手段、例えば論理回路による耐タンパ対策を備えた電子回路において、配置配線情報など、耐タンパ対策を施した手段以外の要因に依存せずに対策効果の評価を可能とする。
【０１１７】
また、説明した実施の形態では、情報を秘匿する手段、例えば、暗号回路などで実現する手段を備え、種々サイドチャネル攻撃、例えば、単純電力攻撃、差分電力攻撃の耐性を向上するための手段、例えば、論理回路による耐タンパ対策を備えた電子回路において、ある入力データ（例えば、鍵情報）などのまとまったデータのみを第１の基準信号で制御または駆動されている他のデータ（例えば、平文または暗号文データ）とは異なるタイミングまたは位相の第２の基準信号で制御または駆動し、種々サイドチャネル攻撃、例えば電力差分攻撃時の秘密情報の漏洩情報（リーク情報）の位相を調べることで、そのリーク情報が当該信号に起因するか否かを判定する。
【０１１８】
また、説明した実施の形態では、これらを兼ね備えた評価を行う。
【０１１９】
また、説明した実施の形態では、例えば、論理回路であり、耐タンパ対策、例えば、乱数を用いた対策を組み込んだ暗号回路等に、対策ＯＮモードと対策ＯＦＦモードを切り替える手段を備えており、暗号回路等に供給される乱数信号と前述のモード指定手段、例えば、入力信号を”１”とすることで対策をＯＮとし、”０”とすることで対策をＯＦＦ状態にするためにモード指定手段と乱数情報の論理積を施した結果を暗号回路内で使用可能な回路を実現する。
【０１２０】
また、説明した実施の形態では、例えば、論理回路であり、記憶素子、例えば、第１の基準信号の立ち上がりまたは立ち下りで動作するフリップフロップ（ＦＦ）、第１の基準信号のレベルにより動作する（例えば、ＨｉｇｈまたはＬｏｗ）レベルセンスラッチ（Ｌａｔｃｈ）、第１の基準信号の遅延信号を生成する遅延回路（例えば、バッファ（Ｂｕｆｆｅｒ）やインバータ（Ｉｎｖｅｒｔｅｒ））のいずれかを備えており、または、ＦＦ、Ｌａｔｃｈｅ、遅延回路を任意に組み合わせて構成した回路を備えており、第１の基準信号の位相をずらした第２の基準信号（例えば、図のような関係の信号）で制御あるいは動作するＦＦあるいはＬａｔｃｈをすくなくとも一つ備えている回路を実現する。
【０１２１】
また、説明した実施の形態では、それに加えて第１の基準信号より第２の基準信号を生成する手段を備えた回路を実現する。
【０１２２】
また、説明した実施の形態では、これらを兼ね備えた回路を実現する。
【実施例】
【０１２３】
実施例１．
本実施例では、実施の形態１を用いて耐タンパ対策回路を評価した。
その結果を図４３に示す。図４３の上の図は選択回路により耐タンパ対策回路の機能を「有効にしない」を選択して評価を行った場合の結果を示す図であり、図４３の下の図は選択回路により耐タンパ対策回路の機能を「有効にする」を選択して評価を行った場合の結果を示す図である。
【０１２４】
耐タンパ対策回路を実装した場合の暗号デバイスと実装しない場合の暗号デバイスをそれぞれ別に作成して評価を行った結果、図４３の上の図と下の図のような出力波形の傾向に差が見られたとしても、半導体デバイス内の配置配線情報、信号の伝播遅延の違い等の影響なのか、それとも耐タンパ対策の効果なのか、はっきりとは特定できない。
【０１２５】
しかし、耐タンパ対策回路を暗号デバイスに実装し、その機能を有効にするか有効にしないかを選択して評価を行えば、回路を変更することなく同一の回路で、半導体デバイス内の配置配線情報、信号の伝播遅延の違い等を排除して、評価を行うことが可能となる。図４３において点線の楕円で囲まれた部分の波形の差が耐タンパ対策の純粋な効果であることがわかる。
【０１２６】
実施例２．
本実施例では、実施の形態２を用いて暗号デバイスの耐タンパ性を評価した。この暗号デバイスの中の特定の回路部分のみをクロックの立ち下がりで駆動するようにし、他の回路部分はクロックの立ち上がりで駆動するようにしてある。評価は回路の消費電力を測定し、電力差分解析により情報の漏洩の有無を検査することにより行った。
【０１２７】
ここで、電力差分解析は、電力解析の一つの方法であり、例えば、ランダムな値のデータを暗号デバイスに入力して暗号化の処理を実行し、処理中の回路の消費電力を測定または算出して、得たデータを統計処理することにより暗号鍵を推定するものである。
【０１２８】
評価した結果を図４４に示す。図４４には目立ったリークが３箇所で現れているが、このうち（＊）のリークだけがクロックの立ち下りに同期しており、クロックの立ち下りで駆動する回路部分から情報が漏洩していることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】実施の形態１における耐タンパ対策回路を付加した暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２】実施の形態１における耐タンパ対策回路と選択回路の接続の例を示す図である。
【図３】実施の形態１における耐タンパ対策回路を乱数生成回路で実現し、選択回路を論理積回路で実現した場合の接続を示す図である。
【図４】実施の形態１における耐タンパ対策回路を乱数生成回路で実現し、選択回路を論理和回路で実現した場合の接続を示す図である。
【図５】実施の形態１における耐タンパ対策回路と選択回路の接続の他の例を示す図である。
【図６】実施の形態１における耐タンパ対策回路と選択回路を論理和回路で実現した場合の接続を示す図である。
【図７】実施の形態１における耐タンパ対策回路と選択回路を論理積回路で実現した場合の接続を示す図である。
【図８】実施の形態１における選択回路を耐タンパ対策回路の中に含めた場合の接続を示す図である。
【図９】実施の形態１における耐タンパ対策回路である論理和回路を選択回路である論理和回路の中に含めた場合の接続を示す図である。
【図１０】実施の形態１における耐タンパ対策回路である論理積回路を選択回路である論理積回路の中に含めた場合の接続を示す図である。
【図１１】実施の形態１における耐タンパ性評価を行う暗号デバイスの他の構成を示す図である。
【図１２】実施の形態１における耐タンパ対策回路の評価装置の構成を示す図である。
【図１３】実施の形態２における耐タンパ性評価を行う暗号デバイスの構成を示す図である。
【図１４】実施の形態２における第１の基準信号を元に第２の基準信号を生成する信号生成回路を示す図である。
【図１５】実施の形態２における立ち上がりエッジにより制御を行う第１の基準信号α（アルファ）と第１の基準信号α＋位相９０°、第１の基準信号α＋位相１８０°（第１の基準信号αの反転信号）または第１の基準信号α＋位相２７０°の位相の信号を示す図である。
【図１６】実施の形態２における立ち下がりエッジにより制御を行う第１の基準信号β（ベータ）と第１の基準信号β、第１の基準信号β＋位相９０°、第１の基準信号β＋位相１８０°（第１の基準信号βの反転信号）または第１の基準信号β＋位相２７０°の位相の信号を示す図である。
【図１７】実施の形態２における信号がＨｉｇｈ（“１”）の区間により制御を行う第１の基準信号γ（ガンマ）と基準信号γ＋位相１８０°（基準信号γの反転信号）の位相の信号を示す図である。
【図１８】実施の形態２における信号がＬｏｗ（“０”）の区間により制御を行う基準信号θ（シータ）と基準信号θ＋位相１８０°（基準信号θの反転信号）の位相の信号を示す図である。
【図１９】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２０】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２１】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２２】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２３】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２４】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２５】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２６】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２７】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２８】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図２９】実施の形態２の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３０】実施の形態２における耐タンパ性評価装置の構成を示す図である。
【図３１】実施の形態３における耐タンパ対策回路を付加し、そこで耐タンパ性評価を行う暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３２】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３３】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３４】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３５】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３６】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３７】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３８】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図３９】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図４０】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図４１】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図４２】実施の形態３の他の形態における暗号デバイスの構成を示す図である。
【図４３】暗号デバイスの中の耐タンパ対策回路を評価した結果を示す図である。
【図４４】暗号デバイスの耐タンパ性を評価した結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１３０】
１００  鍵生成部、１１０  鍵生成回路、１１１  耐タンパ対策回路、１１２  選択回路、１２０  レジスタＡ、２００  データ処理部、２１０  データ処理回路、２２０  レジスタＢ、３００  信号生成回路、４００  レジスタＣ、５００  耐タンパ対策回路の評価装置、５１０  選択部、５２０  情報漏洩検査部、５３０  評価部、６００  耐タンパ性評価装置、６１０  信号生成部、６２０  情報漏洩検査部、６３０  信号発信部。
【図１】
2006025288.tif 000011
【図２】
2006025288.tif 000012
【図３】
2006025288.tif 000013
【図４】
2006025288.tif 000014
【図５】
2006025288.tif 000015
【図６】
2006025288.tif 000016
【図７】
2006025288.tif 000017
【図８】
2006025288.tif 000018
【図９】
2006025288.tif 000019
【図１０】
2006025288.tif 000020
【図１１】
2006025288.tif 000021
【図１２】
2006025288.tif 000022
【図１３】
2006025288.tif 000023
【図１４】
2006025288.tif 000024
【図１５】
2006025288.tif 000025
【図１６】
2006025288.tif 000026
【図１７】
2006025288.tif 000027
【図１８】
2006025288.tif 000028
【図１９】
2006025288.tif 000029
【図２０】
2006025288.tif 000030
【図２１】
2006025288.tif 000031
【図２２】
2006025288.tif 000032
【図２３】
2006025288.tif 000033
【図２４】
2006025288.tif 000034
【図２５】
2006025288.tif 000035
【図２６】
2006025288.tif 000036
【図２７】
2006025288.tif 000037
【図２８】
2006025288.tif 000038
【図２９】
2006025288.tif 000039
【図３０】
2006025288.tif 000040
【図３１】
2006025288.tif 000041
【図３２】
2006025288.tif 000042
【図３３】
2006025288.tif 000043
【図３４】
2006025288.tif 000044
【図３５】
2006025288.tif 000045
【図３６】
2006025288.tif 000046
【図３７】
2006025288.tif 000047
【図３８】
2006025288.tif 000048
【図３９】
2006025288.tif 000049
【図４０】
2006025288.tif 000050
【図４１】
2006025288.tif 000051
【図４２】
2006025288.tif 000052
【図４３】
2006025288.tif 000053
【図４４】
2006025288.tif 000054