(57)【要約】【課題】微小なＩＣチップを効率よく配線基板に搭載することができるようにする。【解決手段】伸張性を有するＩＣチップ配列用支持材３の一方の面に複数のＩＣチップ２を配列し、ＩＣチップ２の間隔が配線基板６の間隔とほぼ等しくなるようにＩＣチップ配列用支持材３を伸張し、少なくとも１個以上のＩＣチップ２もしくは１箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個のＩＣチップ２と配線基板６との位置合わせを同時に行い、その後にＩＣチップ２を配線基板６に搭載する。【選択図】図３
2006173190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ＩＣチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体の製造方法において、
伸張性を有するＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程と、
前記ＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるように前記ＩＣチップ配列用支持材を伸張する工程と、
少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行う工程と、
前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
伸張性を有する前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ＩＣチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体装置の製造方法において、
伸張性を有する第１のＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材を伸張する工程と、伸張性を有する第２のＩＣチップ配列用支持材に転写する工程と、前記第２のＩＣチップ配列用支持材を伸張するという工程と、を前記ＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、
少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行う工程と、
前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
伸張性を有する前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
伸張性を有する前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程が、個片化され、かつ表面に粘着層を形成された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、
複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、
複数個の前記ＩＣチップの表面に粘着剤層を形成する工程と、
分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有するＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写し、前記ＩＣチップの表面に形成された前記粘着剤層を介して仮固定する工程と、
前記ＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ＩＣチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、
複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、
前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、複数個の前記ＩＣチップの表面に第１の粘着剤層を形成する工程と、分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有する第１のＩＣチップ配列用支持材の粘着面に転写し、前記ＩＣチップの表面に形成された前記第１の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記ＩＣチップの表面に第２の粘着剤層を形成する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、第１のＩＣチップ配列用支持材上に仮固定された前記ＩＣチップを伸張性を有する前記第２のＩＣチップ配列用支持材に転写し、前記第２の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記第２のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、を前記ＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、
複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、
前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の有機樹脂フィルムであることを特徴とするＩＣチップ配列用支持材。
【請求項９】
請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の天然ゴム又は合成ゴムシートであることを特徴とするＩＣチップ配列用支持材。
【請求項１０】
請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上であることを特徴とするＩＣチップ配列用支持材。
【請求項１１】
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＩＣチップ配列用支持材が伸張性と少なくとも一方の表面に粘着性を有するＩＣチップ配列用支持材であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、
複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、
分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有するＩＣチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、
前記ＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ＩＣチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、
複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、
前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有する第１のＩＣチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材上に仮固定された前記ＩＣチップを伸張性及び粘着性を有する第２のＩＣチップ配列用支持材に転写し仮固定する工程と、前記第２のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、をＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、
複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、
前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の有機樹脂フィルムからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された２層フィルムであることを特徴とするＩＣチップ配列用支持材。
【請求項１５】
請求項１１から１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の天然ゴム又は合成ゴムシートからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された２層フィルムであることを特徴とするＩＣチップ配列用支持材。
【請求項１６】
請求項１１から１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において用いられる、
弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上であるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の表面に粘着剤層が形成されたシート状材料であることを特徴とするＩＣチップ配列用支持材。
【請求項１７】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置において、
複数の前記ＩＣチップを複数の前記配線基板に、請求項１から１６のいずれか１項に記載の方法で搭載する際に、前記ＩＣチップのベース基材面と前記配線基板の前記ＩＣチップを固定する所定の面とを接着剤を介して固定し、前記ＩＣチップの回路面上に形成された外部端子と、前記配線基板上の所定の端子とを、金属ワイヤで電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置において、
複数の前記ＩＣチップを複数の前記配線基板に、請求項１から１６のいずれか１項に記載の方法で搭載する際に、前記ＩＣチップの回路面上に形成された外部端子と前記配線基板の前記ＩＣチップを接続固定する端子とを対向させ、導電性材料又は異方導電性材料又は非導電性材料を介して電気的接続かつ固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１から７、請求項１１から１３、請求項１７又は１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＩＣチップが無線通信用のＩＣチップであり、前記配線基板が送受信アンテナであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＩＣチップが、固体識別のための識別情報を記憶し、外部電極が向かい合った１組の各々の面に形成されており、前記配線基板が送受信アンテナであり、前記ＩＣチップの一方の面に形成された外部電極が送受信アンテナの一つの端子に接続され、前記ＩＣチップの他方の面に形成された外部電極が金属ワイヤ又は金属箔または導電性接着剤を介して、前記送受信アンテナの別の端子に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９又は２０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ＩＣチップの１辺の大きさが、０．５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップを配線基板に実装した半導体装置に関して、生産性に優れた製造方法及びそれに用いる部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＩＣチップを配線基板に搭載する主な方式として、素子を１個ずつ搭載するワン・バイ・ワン方式が用いられている。このワン・バイ・ワン方式を用いた実際の搭載機はロータリータイプと、ロボットタイプに大別される。
【０００３】
ロータリータイプは図１に示すように、素子５３を搭載するヘッド５０の位置は動かさずに、基板５４を動かして素子５３を実装する所定の位置をヘッド５１の下に持ってくる方式で、ヘッド５１は素子５３をピックアップ〜搭載という一連の動作を単純化している。そのため素子５３の１個当たりの搭載に要する時間は０．１秒以下という高速動作が可能となるが、素子５３の供給をエンボス加工されたテープ５２のエンボス部に素子を１列に挿入したテーピングの状態で行う必要がある。図中、Ａ部は部品をピックアップする位置を示し、Ｂ部は部品をマウントする位置を示している。図２でも同様である。
【０００４】
一方、ロボットタイプは図２に示すように、基板５４を動かさずに素子５３を搭載するヘッド５５を動かす方式なので各種形態の部品を高精度に装着することができ、素子５３等の部品の供給方法もテーピングだけでなく、ウエハやトレイ５６にも対応できるが、素子５３の１個当たりの搭載に要する時間はロータリータイプに比べて長くなる。
【０００５】
ＩＣチップにはマイクロプロセッサに代表されるロジックＬＳＩやメモリＬＳＩ、プロセッサとメモリ及び周辺回路が１つの素子内に組み込まれたシステムＬＳＩ等があり、高集積化、高機能化が図られている。また、各種ダイオードに代表される、単体では回路を形成しない個別半導体（ディスクリート・デバイス）があり、１ｍｍ程度への小型化や高機能化が図られている。
【０００６】
大型で外部端子数が多いＬＳＩ素子はロボットタイプで精度よく基板に搭載する必要があり、一方、端子数が少なく高い位置精度が要求されないディスクリート部品はロータリータイプで高速実装される場合も多い。
【０００７】
小型ＩＣチップの特殊な例として、近年ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）タグ用に、無線通信用の回路や固体識別のための情報を書き込むためのメモリから構成される、大きさが１ｍｍ程度かそれ以下のＩＣチップが開発されている。ＲＦＩＤタグを用いる非接触式固体識別システムは、物のライフサイクル全体を管理するシステムとして、製造、物流、販売等すべての業態で注目されており、システムの構築が進められているが、その実現のためには安価かつ大量にＩＣチップをアンテナに実装する必要があり、その手法の開発にも注目が集まっている。
【０００８】
【非特許文献１】エレクトロニクス実装大事典  ６１４頁、社団法人  エレクトロニクス実装学会編、２０００年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＩＣチップの搭載技術の課題に、小型化、高速化への対応が挙げられる。特に、前述したＲＦＩＤタグは近い将来に年間数十億から数百億個の需要が予想される。そのためには非常に生産性の高い実装方式の実現が不可欠である。試しに年間１００億個のＲＦＩＤタグを生産する場合の１個あたりのタクトタイムを計算すると、休み無く稼動した場合でも１個当たり０．００３秒となる。実装ラインを増やすことで対応することは可能であるが、生産コストの増大につながり、本質的な解決にはならない。
【００１０】
また、ＲＦＩＤタグはＩＣチップとアンテナとから構成される単純な構造であるがゆえに、その安価な生産にはＩＣチップの低価格化すなわち小型化が不可欠である。現在、株式会社日立製作所から販売されている「ミューチップ」は０．５ｍｍ以下のＩＣチップをアンテナに実装したものである。今後、半導体回路の設計技術及び細線化技術の進歩に伴いさらなるＩＣチップの微小化が予想され、ＩＣチップのハンドリングは従来の搭載ヘッドによる真空吸着方式では困難となる。
【００１１】
本発明は、前記に鑑みてなされたものであり、微小なＩＣチップを効率よく配線基板に搭載することができる半導体装置の製造方法及びＩＣチップ配列用フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法及びＩＣチップ配列用フィルムは、以下の通りである。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ＩＣチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体装置の製造方法において、伸張性を有するＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程と、前記ＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるように前記ＩＣチップ配列用支持材を伸張する工程と、少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識マークを用いて位置決めをすることで、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行う工程と、前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
伸張性を有する前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることが好ましい。
【００１５】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法であって、複数の前記ＩＣチップと、ほぼ一定の間隔で配列された複数の前記配線基板とを電気的に接続するための位置合わせを行う半導体装置の製造方法において、伸張性を有する第１のＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材を伸張する工程と、伸張性を有する第２のＩＣチップ配列用支持材に転写する工程と、前記第２のＩＣチップ配列用支持材を伸張するという工程と、を前記ＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識マークを用いて位置決めをする工程と、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板との位置合わせを同時に行い、前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
【００１６】
伸張性を有する前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程が、個片化された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることが好ましい。
【００１７】
伸張性を有する前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に複数の前記ＩＣチップを配列する工程が、個片化され、かつ表面に粘着層を形成された半導体ウエハの一部もしくは全体を、前記ＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写することによって行われることが好ましい。
【００１８】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、複数個の前記ＩＣチップの表面に粘着剤層を形成する工程と、分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有するＩＣチップ配列用支持材の一方の面に転写し、前記ＩＣチップの表面に形成された前記粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記ＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ＩＣチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
【００１９】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、複数個の前記ＩＣチップの表面に第１の粘着剤層を形成する工程と、分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性を有する第１のＩＣチップ配列用支持材の粘着面に転写し、前記ＩＣチップの表面に形成された前記第１の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記ＩＣチップの表面に第２の粘着剤層を形成する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、第１のＩＣチップ配列用支持材上に仮固定された前記ＩＣチップを伸張性を有する前記第２のＩＣチップ配列用支持材に転写し、前記第２の粘着剤層を介して仮固定する工程と、前記第２のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、を前記ＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
【００２０】
本発明に係るＩＣチップ配列用支持材は、前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の有機樹脂フィルムであることを特徴とする。
【００２１】
前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の天然ゴム又は合成ゴムシートであることが好ましい。
【００２２】
前記半導体装置の製造方法において用いられる、弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上であることが好ましい。
【００２３】
前記半導体装置の製造方法において、前記ＩＣチップ配列用支持材が伸張性と少なくとも一方の表面に粘着性を有するＩＣチップ配列用支持材であることが好ましい。
【００２４】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有するＩＣチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、前記ＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張し複数個の前記ＩＣチップを整列した前記配線基板の間隔にほぼ等しくする工程と、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合せする工程と、前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
【００２５】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置の製造方法において、前記配線基板を所定の間隔に整列する工程と、複数個の前記ＩＣチップが形成されたウエハの前記ＩＣチップを個片に分割する工程と、分割された複数個の前記ＩＣチップのうちの任意の複数個を、伸張性及び粘着性を有する第１のＩＣチップ配列用支持材の粘着面に転写し仮固定する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、前記第１のＩＣチップ配列用支持材上に仮固定された前記ＩＣチップを伸張性及び粘着性を有する第２のＩＣチップ配列用支持材に転写し仮固定する工程と、前記第２のＩＣチップ配列用支持材を所定の大きさに伸張する工程と、をＩＣチップの間隔が前記配線基板の間隔とほぼ等しくなるまで繰り返す工程と、複数個の前記ＩＣチップと前記配線基板の相対する電極を少なくとも１個以上の前記ＩＣチップもしくは１箇所以上の認識用マークを用いて位置合わせする工程と、前記ＩＣチップを前記配線基板に搭載する工程と、を有することが好ましい。
【００２６】
前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の有機樹脂フィルムからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された２層フィルムであることが好ましい。
【００２７】
前記半導体装置の製造方法において用いられる、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上の天然ゴム又は合成ゴムシートからなるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の面に粘着剤層が形成された２層フィルムであることが好ましい。
【００２８】
前記半導体装置の製造方法において用いられる、弾性繊維又は非弾性繊維又は糸又は糸ゴム又はそれらの組み合わせを編んだもので、厚みが０．０１〜０．２ｍｍで、かつ引張破壊伸びが２００％以上であるベース基材と、前記ベース基材の少なくとも一方の表面に粘着剤層が形成されたシート状材料であることが好ましい。
【００２９】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置において、複数の前記ＩＣチップを複数の前記配線基板に、前記方法で搭載する際に、前記ＩＣチップのベース基材面と前記配線基板の前記ＩＣチップを固定する所定の面とを接着剤を介して固定し、前記ＩＣチップの回路面上に形成された外部端子と、前記配線基板上の所定の端子とを、金属ワイヤで電気的に接続することが好ましい。
【００３０】
ＩＣチップと配線基板とを含む半導体装置において、複数の前記ＩＣチップを複数の前記配線基板に、前記方法で搭載する際に、前記ＩＣチップの回路面上に形成された外部端子と前記配線基板の前記ＩＣチップを接続固定する端子とを対向させ、導電性材料又は異方導電性材料又は非導電性材料を介して電気的接続かつ固定することが好ましい。
【００３１】
前記半導体装置の製造方法において、前記ＩＣチップが無線通信用のＩＣチップであり、前記配線基板が送受信アンテナであることが好ましい。
【００３２】
前記半導体装置の製造方法において、前記ＩＣチップが、固体識別のための識別情報を記憶し、外部電極が向かい合った１組の各々の面に形成されており、前記配線基板が送受信アンテナであり、前記ＩＣチップの一方の面に形成された外部電極が送受信アンテナの一つの端子に接続され、前記ＩＣチップの他方の面に形成された外部電極が金属ワイヤ又は金属箔または導電性接着剤を介して、前記送受信アンテナの別の端子に接続されることが好ましい。
【００３３】
前記半導体装置の製造方法において、前記ＩＣチップの１辺の大きさが、０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の半導体装置の製造方法及びＩＣチップ配列用支持材によれば、次のような効果を得ることができる。すなわち、複数個のＩＣチップを配列用支持材に配列し、その支持材を伸張してＩＣチップを配線基板の配列された間隔とほぼ等しくした後に一括して位置合わせをすればＩＣチップを効率よく配線基板に搭載することができる。特に一辺の長さが０．５ｍｍ以下のＩＣチップを搭載する場合には、微小な素子を１個ずつハンドリングする必要がなく有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３６】
なお、以下に記載の実施の形態は、最良の形態の一例であり、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。
【００３７】
図３に本発明の半導体装置の製造方法の概略図を示す。図３（ａ）は半導体ウエハ１がダイシング加工等の手法を用いて個片化された状態を示す。各ＩＣチップ２は個片化されても分離しないようにダイシングテープに仮固定されている。
【００３８】
図３（ｂ）はダイシングテープ４上に整列したＩＣチップ２の上から支持材固定治具２１に固定されたＩＣチップ配列用支持材３（以下、配列用支持材という。）を重ね、粘着剤層を介してＩＣチップ２を配列用支持材３に転写する際の断面図である。所定の範囲のＩＣチップ２を確率よく転写するために転写用治具２２を使用するとよい。
【００３９】
ここで、ＩＣチップ２を配列用支持材３に転写するための粘着剤層は、図４（ａ）に示すように、配列用支持材３のベース基材３Ａの表面に形成された粘着剤層３Ｃであってもよく、もしくは図４（ｂ）に示すように、個片化されたＩＣチップ２の上に塗布等の手法で形成した粘着剤層３Ｃであってもよい。粘着材層の粘着力は良好な転写性を得るためにダイシングテープの粘着力より強くしておくほうがよい。
【００４０】
図３（ｃ）は配列用支持材上にＩＣチップ２が仮固定された状態を上面からみた図であり、図３（ｄ）はＩＣチップ２が下面になるように配置した場合の断面構造を示す。
【００４１】
図３（ｅ）は支持材固定治具に対し、先端がほぼ平坦な伸張用治具２３を配列用支持材３の上から押し下げながらＩＣチップ２の間隔が所定の長さになるように配列用支持材３を伸ばす方法の断面図である。この方法はＩＣチップ２の間隔をほぼ等方的に広げることに好適である。
【００４２】
配列用支持材３を１回伸張しただけではＩＣチップ２の間隔が所定の長さにならない場合、続いてＩＣチップ２を第２の配列用支持材３に転写し、上記と同様の方法で伸張することを繰り返し、ＩＣチップ２の間隔を所定の長さにする。
【００４３】
次に図３（ｆ）に示すように、所定の間隔に広げられたＩＣチップ２が配線基板支持材５上に配列された配線基板６に対向するように配列用支持材３を重ね、配線基板６に搭載する。この際、複数個が配列されたＩＣチップ２と配線基板６の位置決めは、各々所定の１箇所ずつを選んで行ってもよく、または、複数箇所を選んで全体のバランスを見ながら行ってもよい。配線基板６の搭載部にはあらかじめＩＣチップ２の接続材料８を形成しておくとよい。また、ＩＣチップ２を確率よく配線基板６に搭載するために転写用治具２６を用い、ＩＣチップ２を配線基板６に押し付けるように搭載することが好ましい。
【００４４】
図３（ｇ）は平面上に配列された配線基板６にＩＣチップ２が搭載された状態を示す。
【００４５】
次にＩＣチップ２と配線基板６の電気的な接続を行うが、接続構造が図５（ｂ）に示すように配線基板６にＩＣチップ２の裏面を固定し、ＩＣチップ２の回路面上の外部端子２Ａと配線基板６上の接続端子６Ａとを例えばワイヤボンディングで接続する場合には、ＩＣチップ２を配線基板６に搭載する際に、図５（ａ）に示すようにＩＣチップ２の外部端子２Ａ面が配列用支持材３に仮固定されていなければならない。
【００４６】
同様に、接続構造が図６（ｂ）に示すようにＩＣチップ２の外部端子２Ａを配線基板６の接続端子に直接接続するフリップチップ方式の場合には、ＩＣチップ２を配線基板６に搭載する際に、図６（ａ）に示すようにＩＣチップ２の裏面が配列用支持材３に仮固定されていなければならない。
【００４７】
配列用支持材３を伸ばす方法としては、図3（ｅ）に示した方法に限らず、例えば図７に示すように配列用支持材３の周囲をチャッキングした状態で伸張用治具２４を外側に引っ張る方式でもよい。この方式はチャッキングした伸張用治具２４の引っ張り量を調整することでＩＣチップ２の間隔を任意の方向に任意の量だけ広げることが可能である。
【００４８】
また、図８に示すように、スライドする平板を重ねた状態の伸張用治具２５を包むように袋状の配列用支持材３を被せ、平板の重なりが小さくなる方向にスライドすることで袋状の配列用支持材３を伸ばすことができる。この方式はＩＣチップ２の間隔を特定の方向にのみ広げることが可能である。
【００４９】
さらに、図９（ａ）に示すように袋状の配列用支持材３に空気等を導入して風船状に膨らませることもできる。続いて図９（ｂ）に示すように平面状の配線基板６に押し付けることでＩＣチップ２を配線基板６に搭載する。この方式は袋状の内部に導入される空気等の圧力が配列用支持材３に均等に掛かるため、ＩＣチップ２の間隔を等方的に広げることが可能である。
【００５０】
本発明における配列用支持材３はポリエチレン、塩化ビニル等の有機材料からなるフィルム又は天然ゴムもしくは合成ゴムシートのような一様なフィルムでもよく、また、図１０に上面からみた概略図を示すような繊維又は糸又は糸ゴム等を編んだ繊維状基材３Ｂや、図１１に示すように繊維状基材３Ｂに粘着剤を含浸あるいは塗布する等の手法で少なくともその表面に粘着剤層３Ｃを形成したものでもよい。
【００５１】
配列用支持材３は可能な限り伸び率が大きいものがよく、引張破壊伸びが好ましくは２００％以上、さらに好ましくは６００％以上が好適である。
【００５２】
本発明にてＩＣチップ２を接続する場合に注意しなければならないのは、先に述べた従来のワン・バイ・ワン方式のようにＩＣチップ２を１個ずつピックアップし、配線基板６との位置決めを個々に行わないので、ＩＣチップ２と配線基板６の位置決め精度は配列用支持材３の伸張の精度に依存することである。
【００５３】
接続構造が図１２（ａ）に示すようなワイヤボンディング方式である場合、ＩＣチップ２の１辺の長さＣ１と配線基板６上の搭載パッドの長さＳ１との関係から、配列用支持材３の伸張の際に許容される最大のずれ量は±（Ｓ１−Ｃ１）／２である。例えば、Ｃ１＝１．０ｍｍ、Ｓ１＝２．０ｍｍの場合、許容ずれ量は±０．５ｍｍとなる。
【００５４】
同様に、接続構造が図１２（ｂ）に示すようなフリップチップ方式である場合、ＩＣチップ２の外部端子２Ａの内側の沿面間距離Ｃ２と配線基板６の搭載パッド間の沿面間距離Ｓ２との関係から、配列用支持材３の伸張の際に許容される最大のずれ量は±（Ｃ２−Ｓ２）／２であり、例えばＣ２＝０．７ｍｍ、Ｓ２＝０．１ｍｍの場合、許容ずれ量は±０．３ｍｍとなる。
【００５５】
いずれの場合も配列用支持材３への転写と伸張を複数回繰り返す場合の上記の許容ずれ量は、最終的に配線基板６に搭載する時点での累積ずれ量となるので、１回あたりの伸張時の精度はより小さく制御しなければならない点に注意が必要である。
【００５６】
図１３にはＲＦＩＤタグ用のインレットを上面から見た概略図を示す。インレットとはＲＦＩＤタグ用のＩＣチップと、無線にて送受信を行うためのアンテナとを接続したものである。図１３に示したアンテナ１０は通信周波数が９００ＭＨｚ〜数ＧＨｚのマイクロ波帯用に用いられる励振スリット１０Ａが形成されたダイポールアンテナの例であり、アンテナ１０の２個の接続端子に、ＩＣチップ９の２個の外部電極を図１２（ｂ）に示したフリップチップ方式で接続した例である。
【００５７】
図１４（ａ）には、株式会社日立製作所の宇佐美によって開発された、２個の外部電極が表裏面に形成された両面電極素子（以下、ＩＣチップという。）１２の一方の面の電極をアンテナの一方の端子に直接接続し、もう一方の面に形成された電極と、それに対応するアンテナの端子とをワイヤボンディングで接続した例である。図１４（ｂ）に素子接続部近傍の断面外略図を示す。両面電極素子１２の一方の面に形成された外部電極１２Ｂはベース基材１０Ａ上に形成されたアンテナ１０に接続材料８を介して接続され、もう一方の面に形成された外部電極１２Ａは金属ワイヤ７を介して励振スリット１１を挟んで反対側のアンテナ１０に接続されている。この場合、金属ワイヤ７を保護するためにＩＣチップ１２及び接続部を有機樹脂で封止することが好ましい。また、アンテナ１０はそれ自身に十分な剛性があればベース基材１０Ａは無くてもよい。
【００５８】
両面電極素子を使用したＲＦＩＤインレットの例として、図１５に示すように、金属箔１３を介してＩＣチップ１２の外部電極１２Ａとアンテナ１０の端子を接続する構造でもよい。各々の接続は接続材料８を介して行ってもよく、もしくは超音波を印可して外部電極１２Ａと金属箔１３とを直接接合してもよい。この構造で金属箔１３がＩＣチップ１２を覆うような大きさにすれば、ＩＣチップ１２の保護の効果が得られ好ましい。さらにこの空隙を有機樹脂で封止すれば保護の効果がより大きくなり好適である。
【００５９】
図１６には両面電極１２Ａ、１２Ｂとアンテナ１０とを金属箔１３を介して接続するＲＦＩＤインレットの例として各々の接続を異方導電接着剤１４によって行う例を示す。異方導電接着剤１４には導電粒子１４Ａが分散されており、この導電粒子１４Ａにより電気的接続が得られる。接着剤１４がアンテナ１０と金属箔１３との空隙を充填できるような接着剤１４の量を用いれば、接続と同時に封止による保護効果も得られ、好適である。
【００６０】
また、両面電極１２Ａ、１２Ｂとアンテナ１０とを金属箔１３を介して接続するＲＦＩＤインレットの構造においては、図１７に示すようにＩＣチップ１２のシリコンベース基板面１２Ｃに形成する外部電極をシリコンベース基板面１２Ｃ自身が兼ねることも可能である。また、金属箔１３はベース基材１５に支持されていてもよい。これは図１５及び図１６に示した構造においても同様である。
【００６１】
図１４〜図１７を用いて詳細に説明した両面電極素子１２を使用したＲＦＩＤインレットの構造には、ＩＣチップ１２とアンテナ１０とを接続するために高度な位置精度が不要である。さらに図１５〜図１７の構造では、適切な大きさの金属箔を用いることでＩＣチップ１２と金属箔１３及び金属箔１２とアンテナ１０の接続に関しても高度な位置精度が不要となり、本発明のＩＣチップの搭載方法の適用に非常に好適である。
【００６２】
以上に説明したように、ＩＣチップを配列用支持材上に配列し、ＩＣチップの間隔が配線基板の配列ピッチとほぼ同じ長さになるように配列用支持材を伸張すれば、効率よく配線基板に搭載することができる。
【実施例】
【００６３】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６４】
＜実施例１＞
以下、図１８を用いて、両面電極素子を使用したＲＦＩＤインレットを作製した実施例１を説明する。
【００６５】
まず、アンテナ１０を、アルミニウム箔とポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムとを貼り合わせた幅２５０ｍｍのアンテナ基材３０のアルミニウム箔を所定のパターンにエッチングすることで、縦方向３．０ｍｍ、横方向６０ｍｍの間隔に形成した。（図１８（ａ））
次に、ＲＦＩＤインレット用の両面電極素子（以下、本実施例でＩＣチップという。）を縦方向０．５ｍｍ、横方向０．５ｍｍの間隔で形成した厚み０．１５ｍｍのウエハを作製した。
【００６６】
次にダイシング加工によってＩＣチップを分割した。厚み０．０３ｍｍのダイシングブレードを使用したため、個片化されたＩＣチップの大きさは縦方向０．４７ｍｍ、横方向０．４７ｍｍであった。
【００６７】
次に、第１の配列用支持材として厚み０．０４ｍｍ、標準粘着力０．２N／２５ｍｍ、大きさ８０ｍｍ×８０ｍｍの塩化ビニル基材とアクリル系粘着剤とからなる粘着フィルム（第１の粘着フィルム）を用意した。ここで、標準粘着力とは、ＳＵＳ−４３０−ＢＡ板に対する粘着力で、剥離角度９０°、剥離速度２００ｍｍ／分、２３℃にて測定したものである。以下でも同様とする。
【００６８】
次に、ダイシングされたウエハから縦８０個×横４個の計３２０個のＩＣチップ１２を第１の粘着フィルム３１に転写した。（図１８（ｂ））
次に第１の粘着フィルム３１の周囲４０箇所をクリップ３２で固定し、縦方向のＩＣチップ１２の間隔が伸張前の１．１６倍である０．５８ｍｍに、横方向の間隔が伸張前の１．５倍である０．７５ｍｍになるように調整しながらクリップ３２を引っ張り、第1の粘着フィルム３１を伸張させた。（図１８（ｃ））
次に第２の配列用支持材として厚み０．０４ｍｍ、標準粘着力０．３N／２５ｍｍ、大きさ８０ｍｍ×８０ｍｍの塩化ビニル基材とアクリル系粘着剤とからなる粘着フィルム（第２の粘着フィルム）３３を用意した。
【００６９】
次に、第１の粘着フィルム３１に配列されているＩＣチップ１２を第２の粘着フィルム３３に転写した。
【００７０】
次に第２の粘着フィルム３３の周囲４０箇所をクリップで固定し、縦方向のＩＣチップ１２の間隔が伸張前の１．１６倍である０．６７ｍｍに、横方向の間隔が伸張前の１．５倍である１．１３ｍｍになるように調整しながらクリップを引っ張り、第２の粘着フィルム３３を伸張させた。
【００７１】
この作業を繰り返し、かつ伸張にあわせて粘着フィルムの大きさを大きくしながら、第１２の粘着フィルム３１２を伸張することによって縦方向のＩＣチップ１２の間隔を６０ｍｍ、横方向の間隔を３．０ｍｍにした。（図１８（ｄ））。
【００７２】
この際に、粘着フィルム３１２の粘着力はＩＣチップ１２を確実に転写するために少しずつ大きくなるように調整した。１回目の伸張から１２回目の伸張までのＩＣチップ１２の間隔と１回の伸張の倍率及び各粘着フィルムの標準粘着力を表１にまとめて示す。
【００７３】
次に、アンテナ基板３０上の所定の位置に異方導電接着フィルム（ＡＣ−２０５２Ｐ−４５、日立化成工業（株）製）を仮固定した。
【００７４】
次に、第１２の粘着フィルム３１２上に仮固定された３２０個の素子１２が、アンテナ基板３０のアンテナ１０上に仮固定された異方導電接着フィルム１４に対向する向きで所定の位置になるように位置決めし、重ね合わせた後に粘着フィルム３１２の裏面から平坦な表面をもつ転写治具で押さえつけてＩＣチップ１２をアンテナ基板３０のアンテナ１０に搭載した。（図１８（ｅ））
次に、アルミニウム箔とＰＥＴフィルムとを貼り合わせたアンテナ基材３０を縦方向１．５ｍｍ、横方向４．０ｍｍの大きさに切断し、アルミニウム箔面に異方導電接着フィルム（ＡＣ−２０５２Ｐ−４５、日立化成工業（株）製）を仮固定した。
【００７５】
次に、アルミニウム箔面に仮固定された異方導電接着フィルム１６が、アンテナ基板上に搭載されたＩＣチップ１２と対向する向きに重ねた。（図１８（ｆ））
次に、その上からＩＣチップ１２の厚みに等しい突起を形成した圧着ヘッドを所定の位置に合わせ、圧着ヘッドを降下し、温度１８０℃、荷重４Ｎの条件で２０秒間圧着し、図１７に示す構造のＲＦＩＤインレットを得た。
【００７６】
こうして得た３２０個のＲＦＩＤインレットについて、リーダとの通信特性を測定したところ、すべてのインレットでＩＣチップ１２に記憶されたデータを正常に読み取ることができた。
【００７７】
【表１】
2006173190.tif 000003
【００７８】
＜実施例２＞
以下、両面電極素子（以下、本実施例でＩＣチップという。）を使用したＲＦＩＤインレットを作製した実施例２を説明する。
【００７９】
まず、アンテナの作製、ウエハの作製及びＩＣチップの個片化を実施例１と同様にして行った。
【００８０】
次に、第１の配列用支持材としてナイロン及びポリウレタン製のパンティストッキングを用意し、大きさ８０ｍｍ×８０ｍｍに切断した。
【００８１】
次に、パンティストッキングに原材料が多糖類である液状のりをなるべく一様に塗り、温風で１０秒程度乾燥させ、第１の配列用支持材（以下、のり付きストッキングという。）を作製した。
【００８２】
次に、ダイシングされたウエハから縦８０個×横４個の計３２０個のＩＣチップを第１ののり付きストッキングに転写した。
【００８３】
次に第１ののり付きストッキングの周囲４０箇所をクリップで固定し、縦方向のＩＣチップの間隔が伸張前の１．５５倍である０．７８ｍｍに、横方向の間隔が伸張前の３．３倍である１．６５ｍｍになるように調整しながらクリップを引っ張り、第1ののり付きストッキングを伸張させた。
【００８４】
次に第１ののり付きストッキングと同じ材料で、第２ののり付きストッキングを用意した。この際、粘着力が第１ののり付きストッキングより大きくなるように、乾燥条件を調整した。
【００８５】
次に、第１ののり付きストッキングに配列されているＩＣチップを第２ののり付きストッキングに転写した。
【００８６】
次に第２ののり付きストッキングの周囲４０箇所をクリップで固定し、縦方向のＩＣチップの間隔が伸張前の１．５５倍である１．２０ｍｍに、横方向の間隔が伸張前の３．３倍である５．４５ｍｍになるように調整しながらクリップを引っ張り、第２ののり付きストッキングを伸張させた。
【００８７】
この作業を繰り返し、かつ伸張にあわせてのり付きストッキングの大きさを大きくしながら、第４ののり付きストッキングを伸張することによって縦方向のＩＣチップの間隔を６０ｍｍ、横方向の間隔を３．０ｍｍにした。
【００８８】
この際に、のり付きストッキングの粘着力はＩＣチップを確実に転写するために少しずつ大きくなるように液状のりの乾燥条件で調整した。１回目の伸張から４回目の伸張までのＩＣチップの間隔と１回の伸張の倍率を表２にまとめて示す。
【００８９】
以下の工程は実施例１と同様にして図１７に示す構造のＲＦＩＤインレットを得た。
【００９０】
こうして得た３２０個のＲＦＩＤインレットについて、リーダとの通信特性を測定したところ、すべてのインレットでＩＣチップに記憶されたデータを正常に読み取ることができた。
【００９１】
【表２】
2006173190.tif 000004
【００９２】
＜実施例３＞
以下、両面電極素子（以下、本実施例でＩＣチップという。）を使用したＲＦＩＤインレットを作製した実施例３を説明する。
【００９３】
まず、アンテナの作製、ウエハの作製及びＩＣチップの個片化を実施例１と同様にして行った。
【００９４】
次に、第１の配列用支持材としてゴム風船を用意した。
【００９５】
次に、ゴム風船の表面に原材料が多糖類である液状のりをなるべく一様に塗り、温風で１０秒程度乾燥させ、第１の配列用支持材（以下、のり付きゴム風船という。）を作製した。
【００９６】
次に、ダイシングされたウエハから縦４個×横４個の計１６個のＩＣチップを第１のゴム風船に転写した。
【００９７】
次に第１のゴム風船に圧縮空気を導入し、縦方向、横方向ともにＩＣチップの間隔が伸張前の５倍である２．５ｍｍになるように調整しながら、第1のゴム風船を伸張させた。
【００９８】
次に第１のゴム風船と同じ材料で、第２のゴム風船を用意した。この際、粘着力が第１のゴム風船より大きくなるように、乾燥条件を調整した。
【００９９】
次に、第１のゴム風船に配列されているＩＣチップを第２のゴム風船に転写した。
【０１００】
次に第２のゴム風船に圧縮空気を導入し、縦方向、横方向ともにＩＣチップの間隔が伸張前の５倍である１２．５ｍｍになるように調整しながら、第２のゴム風船を伸張させた。
【０１０１】
第３のゴム風船についても同様の作業を繰り返し、伸張することによって縦方向、横方向のＩＣチップの間隔を６０ｍｍにした。
【０１０２】
この際に、ゴム風船の粘着力はＩＣチップを確実に転写するために少しずつ大きくなるように液状のりの乾燥条件で調整した。１回目の伸張から３回目の伸張までのＩＣチップの間隔と１回の伸張の倍率を表３にまとめて示す。
【０１０３】
以下の工程は実施例１と同様にして図１７に示す構造のＲＦＩＤインレットを得た。
【０１０４】
こうして得た１６個のＲＦＩＤインレットについて、リーダとの通信特性を測定したところ、すべてのインレットでＩＣチップに記憶されたデータを正常に読み取ることができた。
【０１０５】
【表３】
2006173190.tif 000005
以上のように、実施例１〜実施例３のいずれにおいても、本発明の実現性を確認することができた。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】従来工法のロータリータイプを説明するための図である。
【図２】従来工法のロボットタイプを説明するための図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法と実装構造を説明するための図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法と実装構造を説明するための図である。
【図７】本発明の半導体配列用支持材の伸張方法の一例を示す図である。
【図８】本発明の半導体配列用支持材の伸張方法の一例を示す図である。
【図９】本発明の半導体配列用支持材の伸張方法の一例を示す図である。
【図１０】本発明の半導体配列用支持材の構造の一例を示す平面図である。
【図１１】本発明の半導体配列用支持材の構造の一例を示す断面図である。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法と実装構造を説明するための図である。
【図１３】本発明に好適なＲＦＩＤインレットの構造の一例を示す図である。
【図１４】本発明に好適なＲＦＩＤインレットの構造の一例を示す図である。
【図１５】本発明に好適なＲＦＩＤインレットの構造の一例を示す図である。
【図１６】本発明に好適なＲＦＩＤインレットの構造の一例を示す図である。
【図１７】本発明に好適なＲＦＩＤインレットの構造の一例を示す図である。
【図１８】本発明の実施例１を説明する工程図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１：半導体ウエハ
２：ＩＣチップ
２Ａ：ＩＣチップ外部端子
３：配列用支持材
３Ａ：ベース基材
３Ｂ：繊維状基材
３Ｃ：粘着剤層
４：ダイシングテープ
５：配線基板支持材
６：配線基板
６Ａ：接続端子
７：金属ワイヤ
８：接続材料
【図１】
2006173190.tif 000006
【図２】
2006173190.tif 000007
【図３】
2006173190.tif 000008
【図４】
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【図５】
2006173190.tif 000010
【図６】
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【図７】
2006173190.tif 000012
【図８】
2006173190.tif 000013
【図９】
2006173190.tif 000014
【図１０】
2006173190.tif 000015
【図１１】
2006173190.tif 000016
【図１２】
2006173190.tif 000017
【図１３】
2006173190.tif 000018
【図１４】
2006173190.tif 000019
【図１５】
2006173190.tif 000020
【図１６】
2006173190.tif 000021
【図１７】
2006173190.tif 000022
【図１８】
2006173190.tif 000023