(57)【要約】【課題】            集積回路を有する半導体装置の製造時に金属膜を高速で研磨することができ、しかも、金属膜のエッチング速度を抑制することができる化学機械研磨（ＣＭＰ）用水系分散体及びその製造方法を提供する。【解決手段】        金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を有効成分とする化学機械研磨用水系分散体において、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物の合計含有量が、該水系分散体１００重量部に対し０．２重量部以下であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体、並びに、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を含む水系分散体から、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物を、膜分離によって除去することを特徴とする化学機械研磨用水系分散体の製造方法。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を有効成分とする化学機械研磨用水系分散体において、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物の合計含有量が、該水系分散体１００重量部に対し０．２重量部以下であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】
金属と錯体を形成しうる官能基が、アミノカルボン酸基、アミノリン酸基、イミノ二酢酸基、イミノニリン酸基及びそれらのエステルからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体が、下記式（１０）〜（１３）で表される単量体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の化学機械研磨用水系分散体。
2006019358.tif 000007
（式中、Ｒ５１〜Ｒ５４はそれぞれ独立に、炭素数１〜５の炭化水素基又は水素原子を表す。Ｘ１はそれぞれ独立に、下記式（１）〜（８）で表される基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を表す。
2006019358.tif 000008
［式（１）〜（８）中、Ｒ１〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の炭化水素基を表す。ｎ１〜ｎ４は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。Ｒ３１〜Ｒ３９は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の炭化水素基を表す。式（１）〜（４）のアニオンの対イオンは、プロトン、１価のアルカリ金属カチオン、２価のアルカリ土類金属カチオン、及び式（９）で示されるアンモニウムイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種
のカチオンである。
2006019358.tif 000009
式（９）中、Ｒ４０、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜５の炭化水素基、またはベンジル基を表す。］）
【請求項４】
化学機械研磨用水系分散体が、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体を乳化重合して得られた重合体粒子を有効成分とする化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】
化学機械研磨用水系分散体が、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体を乳化重合して得られた重合体粒子を有効成分とする水系分散体を、さらに加水分解して得られる化学機械研磨用水系分散体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体、及び酸化剤を含有してなることを特徴とする化学機械研磨材。
【請求項７】
さらに、無機粒子を含有することを特徴とする請求項６記載の化学機械研磨材。
【請求項８】
さらに、腐食防止剤として、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項６または７に記載の化学機械研磨材。
【請求項９】
金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を含む水系分散体から、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物を、膜分離によって除去することを特徴とする化学機械研磨用水系分散体の製造方法。
【請求項１０】
膜分離が限外濾過法であることを特徴とする請求項９に記載の化学機械研磨用水系分散体の製造方法。
【請求項１１】
分画分子量が1,000〜1,000,000である膜を使用することを特徴とする請求項９又は１０に記載の化学機械研磨用水系分散体の製造方法。
【請求項１２】
請求項６〜８のいずれかに記載の化学機械研磨材を用いて金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨することを特徴とする半導体基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩなどの半導体装置微細加工に用いられる化学機械研磨用の水系分散体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高集積化、高性能化に伴い、化学機械研磨（以下ＣＭＰと略記することがある）と呼ばれる平坦化技術が広く用いられている。ＣＭＰを以下に具体的に説明すると、まず、半導体基板上に絶縁膜を形成したのち、該絶縁膜にフォトリソグラフィー法及びエッチング法などにより配線用の溝や孔等を形成し、次に該絶縁膜上に金属を電解メッキなどにより成膜し、配線用以外の余分な金属膜を研磨粒子により除去することにより、絶縁膜の表面と配線用金属の表面を平坦化する技術である。
ＣＭＰに用いられる研磨粒子としては、従来、セリア、アルミナ等の金属酸化物あるいはシリカなどの無機粒子を含む水系分散体が用いられてきたが、Ｃｕ等の硬度が低い金属膜を研磨する場合、これらの粒子は硬度が高く、Ｃｕ金属膜表面にスクラッチと呼ばれる研磨傷が発生したり、金属膜の中心部の厚さが薄くなるディッシングという現象が発生するという問題があった。また、ディッシングが生じた部位やスクラッチに研磨粒子が残存するという問題もあった。
上記問題に対して、特許文献１及び２には、アミノカルボン酸基を有するキレート樹脂などのように、金属をイオンとして捕捉し得る官能基を有する有機粒子を研磨粒子として含有するＣＭＰ用水系分散体が提案され、研磨粒子が軟質な有機高分子化合物であることから、スクラッチやディッシングを生じることもなく、しかも、金属膜が研磨される速度（研磨速度）が十分であることが開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−５５５５９号公報（請求項１、［表１］）
【特許文献２】特開２００１−２６７２７３号公報（請求項１、［実施例］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、本発明者らが検討したところ、特許文献１及び２の方法では、金属膜が溶解される速度、すなわち、エッチング速度が高いという問題点があった。
本発明の目的は、半導体装置の製造時に金属膜を高速で研磨することができ、しかも、金属膜のエッチング速度を抑制することができる化学機械研磨（ＣＭＰ）用水系分散体及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を有効成分とする化学機械研磨用水系分散体において、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物の合計含有量が、該水系分散体１００重量部に対し０．２重量部以下であることを特徴とする化学機械研磨用水系分散体、並びに、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体に由来する構造単位を含有する重合体粒子を含む水系分散体から、該単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物を、膜分離によって除去することを特徴とする化学機械研磨用水系分散体の製造方法である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のＣＭＰ用水系分散体は、半導体装置の製造時に金属膜を高速で研磨することができ、しかも、金属膜のエッチング速度を抑制することができる。得られた金属膜には、スクラッチやディッシングをほとんど生じない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の金属と錯体を形成しうる官能基とは、研磨しようとする金属膜に用いられる金属と錯体を形成しうる官能基である。
具体例としては、カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、アミノ基、アミノカルボン酸基、アミノリン酸基、イミノ二酢酸基、イミノ二リン酸基等及びそれらのエステル基などが挙げられる。
【０００８】
ここで、アミノカルボン酸基は式（１）、アミノカルボン酸基のエステル基は式（５）で表され、アミノリン酸基は式（２）、アミノリン酸基のエステル基は式（６）で表され、イミノ二酢酸基は式（３）、イミノ二酢酸基のエステル基は式（７）で表され、イミノ二リン酸基は式（４）、イミノ二リン酸基のエステル基は式（８）で表される。
2006019358.tif 000002
【０００９】
式中、Ｒ１〜Ｒ１２は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基などの炭素数１〜５の炭化水素基等を表す。中でも、いずれのＲ１〜Ｒ１２も水素原子であることが好ましい。
ｎ１〜ｎ４は、それぞれ独立に、０〜５程度の整数を表し、好ましくは１〜３、より好ましくは１を表す。
【００１０】
Ｒ３１〜Ｒ３９は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基などの炭素数１〜５の炭化水素基を表す。
【００１１】
式（１）〜（４）のアニオンの対イオンとしては、例えば、プロトン；ナトリウム、カリウム等の１価のアルカリ金属カチオン；マグネシウム、カルシウム等の２価のアルカリ土類金属カチオン；式（９）で示されるアンモニウムイオンなどが挙げられる。対イオンとして異なる２種以上のカチオンであってもよい。これらのカチオンは、通常、ｐＨ調整の酸及び塩基として与えられるたり、式（５）〜（８）のエステルを塩基で加水分解する際に塩基から与えられる。
2006019358.tif 000003
式（９）中、Ｒ４０、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３は、それぞれ独立に、水素原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基などの炭素数１〜５の炭化水素基；またはベンジル基等を表す。
【００１２】
本発明の金属と錯体を形成しうる官能基として、金属と強く錯体を形成し得る観点から、アミノカルボン酸基（１）、アミノリン酸基（２）、イミノ二酢酸基（３）、イミノ二リン酸基（４）等が好ましく、とりわけ、イミノ二酢酸基（３）が好適である。
【００１３】
本発明のＣＭＰ用水系分散体に含まれる重合体粒子とは、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体（以下、「官能基含有単量体」という場合がある）を重合して得られるものである。
ここで、官能基含有単量体としては、例えば、カルボキシル基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体、リン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体、スルホン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体、ヒドロキシル基とオレフィン性二重結合とを含む単量体、アミノ基とオレフィン性二重結合とを含む単量体、アミノカルボン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体、アミノリン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体、イミノ二酢酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体、イミノ二リン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体などが挙げられる。
【００１４】
カルボキシル基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸等のα，β−不飽和カルボン酸又はそのエステル類；フタル酸、こはく酸、アジピン酸等の多価カルボン酸または多価カルボン酸無水物に（メタ）アリルアルコール、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有不飽和化合物を反応させて得られるモノエステル類などの遊離カルボキシル基含有エステル類などが挙げられる。
【００１５】
リン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、リン酸エチレン（メタ）アクリレート、リン酸トリメチレン（メタ）アクリレート、リン酸テトラメチレン（メタ）アクリレート、リン酸プロピレン（メタ）アクリレート、リン酸ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、リン酸トリエチレングリコール（メタ）アクリレート又はそのリン酸エステル類などが挙げられる。
【００１６】
スルホン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、２−（メタ）アクリルアミドエタンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、３−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸等の（メタ）アクリルアミド系スルホン酸；２−スルホン酸エチル（メタ）アクリレート、２−スルホン酸プロピル（メタ）アクリレート、３−スルホン酸プロピル（メタ）アクリレート、１，１−ジメチル−２−スルホン酸エチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート系スルホン酸；ｐ−ビニルベンセンスルホン酸、ｐ−イソプロペニルベンセンスルホン酸等のビニル芳香族化合物スルホン酸又はビニル芳香族化合物スルホン酸エステル類などが挙げられる。
【００１７】
ヒドロキシル基とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル〈メタ〉アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類；Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシル基含有不飽和アミド類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｏ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、ｍ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、ｐ−ビニルベンジルアルコール等のヒドロキシル基含有ビニル芳香族化合物；アリルアルコール、β―メタリルアルコール等などが挙げられる。
【００１８】
アミノ基とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、ジメチルアミノメチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノメチル（メタ）アクリレート、２−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、２−ジエチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、３−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、３−ジエチルアミノプロピル（メタ）アクリレート等のジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレート類；Ｎ−ジメチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジエチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（２−ジメチルアミノエチル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（２−ジメチルアミノプロピル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（２−ジエチルアミノプロピル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（３−ジメチルアミノプロピル）（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（３−ジエチルアミノプロピル）（メタ）アクリルアミド等のＮ−ジアルキルアミノアルキル基含有不飽和アミド類；Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノスチレン、ジメチル（ｐ−ビニルベンジル）アミン、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン等のアミノ基含有ビニル芳香族化合物等などが挙げられる。
【００１９】
アミノカルボン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、次の式（１０）〜（１３）で表される単量体などが挙げられる。
2006019358.tif 000004
【００２０】
式（１０）〜（１３）におけるＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基など炭素数１〜５程度の炭化水素基、水素原子等を表し、好ましくは、メチル基、水素原子を表す。Ｘ１は、それぞれ独立に、前記式（１）で表されるアミノカルボン酸基又は前記式（５）で表されるアミノカルボン酸基のエステル基を表す。
【００２１】
アミノリン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、前記式（１０）〜（１３）のＸ１が前記式（２）で表されるアミノリン酸基又は前記式（６）で表されるアミノリン酸基のエステル基である単量体などが挙げられる。
【００２２】
イミノ二酢酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、前記式（１０）〜（１３）のＸ１が前記式（３）で表されるイミノ二酢酸基又は前記式（７）で表されるイミノ二酢酸基のエステル基である単量体などが挙げられる。
【００２３】
イミノ二リン酸基又はそのエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体としては、例えば、前記式（１０）〜（１３）のＸ１が前記式（４）で表されるイミノ二リン酸基又は前記式（８）で表されるイミノ二リン酸基のエステル基である単量体などが挙げられる。
【００２４】
官能基含有単量体として、異なる官能基含有単量体を用いてもよい。
本発明に用いられる重合体粒子における官能基含有単量体に由来する構造単位の含有量としては、通常、重合体粒子１００重量部に対し、通常、２０重量部以上であり、好ましくは５５〜７５重量部程度である。２０重量部以上であると、研磨速度が向上する傾向があることから好ましい。官能基含有単量体に由来する構造単位の含有量が１００重量部とは、重合体を構成する単量体が全て、官能基含有単量体であることを意味する。
官能基含有単量体の中でも、金属を高速に研磨でき、入手がし易いことから前記式（１０）、前記式（１１）で表される単量体が好ましく、前記式（１０）で表される単量体がより好ましい。
【００２５】
官能基含有単量体の製造例として、イミノ二酢酸基のエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体の製造方法を例示すると、グリシジル（メタ）アクリレートなどのグリシジルエーテル基とオレフィン性二重結合とを含む単量体のグリシジルエーテル基にイミノ二酢酸のエステル類を付加反応させる方法などが挙げられる。また、イミノ二酢酸基を有する重合体粒子を得るためには、前記付加反応生成物を単量体として、後述する方法によって重合体粒子を得たのち、イミノ二酢酸エステル基を塩基によって加水分解してやれば、重合体粒子の末端にあるイミノ二酢酸エステル基は加水分解されるものの、（メタ）アクリレート基は重合体粒子から加水分解されにくい傾向がある。
【００２６】
本発明に用いられる重合体粒子は、さらに、金属と錯体を形成しうる官能基を含むことなく、オレフィン性二重結合を含む単量体（以下、共重合可能な単量体という場合がある）に由来する構造単位を含有していてもよい。
共重合可能な単量体としては、エチレン；プロピレン、１−ブテンなどのα−オレフィン；スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物；（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル等の（メタ）アクリル酸エステル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のシアン化ビニル化合物；塩化ビニル、塩化ビニリデン等のハロゲン化ビニル化合物；ジビニルベンゼン、トリビニルベンゼン、ジビニルトルエン、ジビニルキシレン、ジビニルナフタレン等の多官能性ビニル芳香族化合物；エチレングリコールジビニルエーテル、エチレングリコールジアリルエーテル等のポリビニルエーテルまたはポリアリルエーテル；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレート化合物などが挙げられる。
【００２７】
重合体粒子の硬度を向上させるために、ジビニルベンゼンなどの多官能性ビニル芳香族化合物、エチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどの多価（メタ）アクリレート化合物などのオレフィン性二重結合を分子内に複数含有する共重合可能な単量体に由来する構造単位を、重合体粒子に含有させてもよい。
重合体粒子におけるオレフィン性二重結合を分子内に複数含有する共重合可能な単量体に由来する構造単位の含有量としては、通常、５０重量部以下、好ましくは、１０重量部〜２０重量部程度である。
【００２８】
金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体等を重合する方法としては、例えば、該単量体を溶液重合、乳化重合、懸濁重合などで重合する方法などが挙げられる。
中でも、粒子形状及び粒径の観点から、乳化重合が好適である。
【００２９】
乳化重合の方法としては、例えば、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体、並びに必要に応じて共重合可能な単量体などの原料を最初に全て添加して乳化重合する方法、原料を分割添加して乳化重合する方法、原料を連続添加して乳化重合する方法などが挙げられる。また、エチレンなどの気体を共重合可能な単量体を用いる場合には、エチレンガスの高圧雰囲気下で乳化重合する方法が挙げられる。さらに、エチレン・酢酸ビニル共重合体を有効成分とする水系分散剤や、（メタ）アクリル酸・（メタ）アクリル酸エステル共重合体を有効成分とする水系分散剤などをシードとし、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体などをさらに乳化重合させるシード重合法なども例示される。
中でも、原料を分割または連続して添加する方法が、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体の単量体を低減する傾向にあることから好ましい。
【００３０】
乳化重合による重合体粒子の水系分散体の製造例を具体的に説明する。まず、反応容器にて水、金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体、共重合可能な単量体、乳化剤、並びに重合開始剤などの全部、又は一部を混合し、常圧又は加圧下にて、混合液を３０〜９０℃程度に昇温したのち、さらに、保温しながら、残りの単量体、重合開始剤などを添加し、単量体の含有量が低減しなくなるまで保温しながら攪拌する方法などが挙げられる。
【００３１】
乳化剤として、例えば、部分ケン化ポリビニルアルコール、準完全ケン化ポリビニルアルコール、完全ケン化ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどの保護コロイド、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどのノニオン系界面活性剤、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルフォン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステルなどのアニオン系界面活性剤を用いることができる。
乳化剤として、異なる２種以上の乳化剤を併用してもよい。
【００３２】
乳化剤の使用量は、好ましくは、用いる単量体合計１００重量部に対して３０重量部以下であり、より好ましくは、１〜１０重量部である。乳化剤の使用量が１重量部以上であると重合体粒子が水に安定に分散する傾向があることから好ましく、３０重量部以下であると得られた分散体の起泡性が抑制される傾向があることから好ましい。
【００３３】
乳化重合の重合開始剤としては、例えば、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩類、過酸化水素などの酸化剤と、Ｌ−アスコルビン酸塩、Ｄ−アスコルビン酸塩、亜硫酸塩、亜リン酸塩、ロンガリット、第一硫酸鉄、酒石酸等の還元剤と組み合わせたレドックス系重合開始剤、２，２−アゾビス（２−アミジノプロパン）塩酸塩等のアゾ系重合開始剤等が挙げられる。
【００３４】
重合開始剤の使用量は、乳化重合の温度、重合開始剤の種類により異なるが、好ましくは、使用する単量体の合計１００重量部に対して０．０５重量部以上であり、より好ましくは０．０５〜１０重量部である。重合開始剤の使用量が０．０５重量部以上であると、重合反応速度が向上し、重合反応終了時に、後述する対象化合物が低減される傾向にあることから好ましい。他方、１０重量部以下であると、反応温度を制御することが容易になる傾向があることから好ましい。
【００３５】
乳化重合の反応温度としては、使用する重合開始剤の種類により異なるが、通常、３０〜１００℃程度であり、好ましくは、４０〜９０℃である。反応温度が３０℃以上であると、反応速度が向上する傾向にあることから好ましい。他方、反応温度が１００℃以下であると、重合反応の制御が容易になる傾向があることから好ましい。
【００３６】
官能基含有単量体として、エステル基等とオレフィン性二重結合とを含む単量体を用いた場合、金属と強く錯体を形成させるために、得られた重合体粒子を含有する水系分散体を、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水素炭酸塩、アンモニアなどの塩基によって加水分解することによって、カルボキシル基、リン酸基、スルホン酸基、ヒドロキシル基、アミノ基、アミノカルボン酸基、アミノリン酸基、イミノ二酢酸基、イミノ二リン酸基等を有する重合体粒子に誘導する方法が推奨される。
【００３７】
本発明の重合体粒子の平均粒径は、通常、０．００１μｍ〜１μｍ程度であり、好ましくは、０．００５μｍ〜０．５μｍ程度である。平均粒径が０．００１μm以上であると、分散体における重合体粒子の安定性が向上する傾向があり、平均粒径が１．０μｍ以下であると、スクラッチやディッシングが低減する傾向があることから好ましい。
【００３８】
本発明はかくして得られた重合体粒子を有効成分とするＣＭＰ用水系分散体において、官能基含有単量体及び該単量体に由来する加水分解生成物（以下、対象化合物という場合がある）の合計含有量が、該水系分散体１００重量部に対し０．２重量部以下、好ましくは０．１重量部以下であるＣＭＰ用水系分散体である。
ＣＭＰ用水系分散体１００重量部に、対象化合物の合計含有量が０．２重量部以下であると、半導体装置の製造時に金属膜のエッチング速度が著しく抑制され、得られた金属膜には、スクラッチやディッシングを生じることはなく、しかも金属膜を高速に研磨することができる。
【００３９】
対象化合物としては、官能基含有単量体、官能基含有単量体の加水分解生成物、官能基含有単量体の原料化合物の加水分解生成物、重合体粒子に含まれる官能基含有単量体に由来する構造単位の加水分解生成物などが挙げられる。本発明は、官能基含有単量体及び官能基含有単量体に由来する加水分解生成物の含有量を抑制することにより、金属膜のエッチング速度を抑制することを見出したのである。
具体的にイミノ二酢酸基のエステル類とオレフィン性二重結合とを含む単量体に由来する構造単位を含む重合体粒子の水系分散体の場合、前記に述べたように、イミノ二酢酸ジエステルを原料化合物とし、グリシジル（メタ）アクリレートを反応させたものが単量体であることから、原料化合物、単量体及び重合体粒子から加水分解されて得られるイミノ二酢酸及びアクリル酸部位が該単量体とともに対象化合物である。
【００４０】
対象化合物の含有量が０．２重量部以下のＣＭＰ用水系分散体の製造方法としては、例えば、（ア）重合体粒子を重合の終了直前以降に、重合開始剤などを再び添加するなどして単量体である対象化合物をさらに、重合させる方法、（イ）重合して得られた水系分散体を蒸留して対象化合物を留去する方法、（ウ）重合して得られた水系分散体を膜分離して対象化合物を除去する方法、などが挙げられる。
中でも、（ウ）の方法が加水分解生成物も容易に除去できることから好ましい。
【００４１】
以下、（ウ）の製造方法について詳細に説明する。
本発明で用いられる膜分離方法としては、例えば、逆浸透、ナノ濾過、限外濾過、精密濾過、透析、電気透析等の方法が挙げられるが、好ましくは、逆浸透、ナノ濾過、限外濾過、精密濾過であり、とりわけ好ましくは限外濾過である。
【００４２】
逆浸透、ナノ濾過、限外濾過、精密濾過の際に、膜面を加圧しなくてもよいが、０.１〜５ＭＰａ程度加圧することが好ましい。膜面に対する加圧が、対象化合物を除去しようとする側に対して０．１ＭＰａ以上であると、除去速度が向上する傾向にあることから好ましく、５Ｍｐａ以下であると膜の耐久性が向上する傾向にあることから好ましい。
【００４３】
逆浸透、ナノ濾過、限外濾過、精密濾過の膜分離プロセスとしては、例えば、回分式操作、ダイアフィルトレーション等が挙げられ、中でも、ダイアフィルトレーションは、対象化合物の除去速度が向上する傾向にあることから好ましい。
【００４４】
膜分離に用いられる膜としては、通常、水分散系の重合体粒子の最小粒径よりも大きい粒子を透過することなく、５Å以上、好ましくは２０Å以上の粒子を透過させ得る膜である。さらに好ましくは、最小粒径の１０〜９０％の粒子を透過させ得る膜である。
膜の分画分子量としては、通常、1,000〜1,000,000であり、好ましくは3,000〜500,000である。膜の分画分子量が1,000,000よりも小さいと、重合体粒子が膜を透過して、水系分散体における重合体粒子の含有量が低下する傾向にあることから好ましく、1,000以上であると対象化合物の除去速度が向上する傾向にあることから好ましい。
【００４５】
膜の材質としては、例えば、セルロース、アセチル化セルロース、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリフッ化エチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアミド、ポリイミド等の有機高分子；ガラス、アルミナ、ステンレス、ジルコニア、炭化ケイ素等の無機材料が挙げられ、好ましくは、ポリアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられる。
【００４６】
膜として、例えば、東ソー製ＵＦ−ＰＳシリーズ、ミリポア製バイオマックス膜、ミリポア製ペリコン２、日本ポール社製オメガシリーズ、日本ポール社製アルファシリーズ等の市販の限外濾過膜、精密濾過膜、逆浸透膜等を用いればよい。
【００４７】
膜の形態としては、例えば、非対称形・多孔質相転換膜、非対称相転換膜、複合膜、延伸膜、焼結膜、飛跡浸食膜等が挙げられ、好ましくは、非対称形・多孔質相転換膜、非対称相転換膜、複合膜などが挙げられる。
【００４８】
膜モジュールの形状としては、例えば、中空糸型、平膜型、管型、スパイラル型等が挙げられる。
【００４９】
膜分離に用いられる水系分散体の固形分濃度としては、通常、所望のＣＭＰ用水系分散体と同程度の濃度であると、希釈や濃縮の操作が不要になることから好ましい。具体的な固形分濃度としては、通常、０．１〜７０重量％程度であり、好ましくは１０〜６０重量％程度、より好ましくは、２０〜５０重量％程度である。固形分濃度が７０重量％以下であると対象化合物の除去速度が向上する傾向にあることから好ましく、０．１重量％以上であると膜分離に要する時間が短縮される傾向にあることから好ましい。
対象化合物の除去速度を向上させるために、通常、膜分離によって透過する水と同量程度またはそれ以上の水を供給してもよい。
【００５０】
膜分離は、通常、膜分離に用いられる水系分散体の凝固点と沸点との間の温度で実施され、好ましくは、１０〜６０℃程度である。１０℃以上であると対象化合物の除去速度が向上する傾向にあることから好ましく、約６０℃以下であると、膜の耐久性が向上する傾向にあることから好ましい。
【００５１】
膜分離によって得られたＣＭＰ用水系分散体における重合体粒子の含有量は、該分散体１００重量部に対し、通常、０．１〜３０重量部程度であり、好ましくは１〜２０重量部程度、更に好ましくは５〜１５重量部程度である。重合体粒子の含有量が０．１重量部以上であると、研磨速度が向上する傾向にあることから好ましく、３０重量部以下であると％を超えると、水系分散体の粘度が低下し、目的とする研磨速度が得られる傾向があることから好ましい。
【００５２】
本発明の化学機械研磨材（ＣＭＰ）とは、ＣＭＰ用水系分散体と酸化剤とを含有する組成物である。酸化剤の含有量としては、ＣＭＰ用水系分散体１００重量部に対し、１〜２０重量部程度である。酸化剤の含有量が１重量部以上であると、研磨速度が向上する傾向にあることから好ましく、２０重量部以下であると粘度が低く、十分な研磨速度が与えられる傾向があることから好ましい。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、沃素酸、沃素酸塩などが挙げられ、二種以上が含有されていてもよい。
中でも、過酸化水素が好ましい。
【００５３】
化学機械研磨材（ＣＭＰ）には、無機粒子を含有させてもよい。無機粒子としては、例えば、フュームドシリカ、コロイダルシリカなどの二酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、炭化ケイ素、二酸化マンガン等の成分の粒子が挙げられる。中でも、二酸化ケイ素の粒子が好ましく、とりわけ、ＣＭＰにおいて沈殿が生じにくく、粒径が揃っており、被研磨面にスクラッチが発生しにくいことから、コロイダルシリカが好ましい。
無機粒子の含有量としては、ＣＭＰ用水系分散体１００重量部に対して通常、０．０１〜１５重量部であり、好ましくは０．１〜１０重量部、更に好ましくは０．５〜５重量部である。無機粒子の濃度が０．０１重量部以上であると、研磨速度が向上する傾向があることから好ましく、１５重量部以下であると被研磨面にスクラッチの発生が低減する傾向にあることから好ましい。
【００５４】
ＣＭＰには、さらに被研磨面の腐食を抑制するために、腐食防止剤を含有させてもよい。
腐食防止剤としては、例えば、ベンゾトリアゾールやベンゾトリアゾール誘導体が挙げられ、ベンゾトリアゾールの誘導体としては、例えばｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−メトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−ブトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−オクチルオキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ヘキシルベンゾトリアゾール等が挙げられる。中でもベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾールが好ましい。
ＣＭＰに腐食防止剤が含有される場合、二種以上含有されていてもよく、その含有量はＣＭＰ用水系分散体１００重量部に対して通常０．０１〜５重量部の範囲である。
【００５５】
ＣＭＰの分散媒は、通常、ＣＭＰ用水系分散体が与える水であり、さらに、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メトキシエタノール等の有機溶媒等が分散媒として用いられていてもよい。
有機溶媒が分散媒に含有される場合には、水の同量以下であることが好ましい。有機溶媒が水の同量以下であると、重合体粒子の安定性が向上する傾向にあることから好ましい。
【００５６】
ＣＭＰには、さらに、消泡剤が含有されていてもよい。消泡剤としては、例えば、ポリエーテル型、特殊エステル型、エマルジョン型、シリコンベースエマルジョン型、特殊ノニオン型、シリコーン型等の消泡剤が挙げられる。中でもシリコンベースエマルジョン型、シリコーン型の消泡剤が好ましい。ＣＭＰに消泡剤が含有される場合、二種以上が含有されていてもよい。
ＣＭＰにおける消泡剤の含有量としてはＣＭＰ用水系分散体１００重量部に対して通常０．０００１〜５重量部、好ましくは０．００５３重量部、更に好ましくは０．０５〜１重量部である。
【００５７】
ＣＭＰは、通常、ｐＨ３〜１０、好ましくはｐＨ４〜９に調整される。
ｐＨ調整には、金属イオンを含まない、硝酸、燐酸、硫酸、等の酸や、水酸化アンモニウム、アミン等のアルカリ等が挙げられる。
【００５８】
ＣＭＰの製造方法としては、例えば、（カ）本発明のＣＭＰ用水系分散体、酸化剤、必要に応じて、無機粒子、腐食防止剤、消泡剤等をホモジナイザー、超音波、湿式媒体ミル等によって分散させ、必要に応じて、ｐＨ調整及び水、有機溶媒などの固形分濃度を調整する方法、（キ）本発明のＣＭＰ用水系分散体、必要に応じて、無機粒子、腐食防止剤、消泡剤等を同様にして分散させながら混合し、必要に応じて、ｐＨ及び固形分濃度を調整したのち、ＣＭＰとして使用する直前に、酸化剤を混合させ、必要に応じて、ｐＨ及び固形分濃度を調整する方法、（ク）本発明のＣＭＰ用水系分散体、必要に応じて、無機粒子、腐食防止剤、消泡剤等を同様にして分散させながら混合し、必要に応じてｐＨ調整し高濃度の組成物を得たのち、ＣＭＰとして使用する直前に、酸化剤を混合させ、必要に応じて、ｐＨ及び固形分濃度を調整する方法などが挙げられる。
なお、前記の任意成分である無機粒子、腐食防止剤、消泡剤などの添加順序は特に限定されない。
【００５９】
本発明のＣＭＰは、半導体製造時の金属配線研磨用途に好適に使用される。被研磨対象金属配線の金属としては、純銅、銅合金、純アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−シリカ−銅（ＡｌＳｉＣｕ）合金、アルミニウム−銅（ＡｌＣｕ）合金などのアルミニウムを主成分とする合金、タングステン、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル等が挙げられ、好ましくは、純銅、銅合金が挙げられる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明のＣＭＰ用水系分散体は、ＬＳＩ、ダイオード、トランジスタ、半導体チップなどの集積回路を有する半導体装置、プリント配線板などに金属配線を形成する際の研磨材に用いられる。
【実施例】
【００６１】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例により限定されるものでない。尚、特に記載がない限り、部及び％は。それぞれ重量部及び重量％を表す。
重合体粒子の平均粒径は、マイクロトラックＵＰＡ粒度分析計（商品名：日機装株式会社製）により累積５０％径を測定して、これを平均粒径とした。また、ＣＭＰ用水系分散体における対象化合物の含有量は、絶対検量法による高速液体クロマトグラフィにより測定した。
【００６２】
実施例１
（金属と錯体を形成しうる官能基及びオレフィン性二重結合を含む単量体：イミノ二酢酸エチルエステルの製造例１）
攪拌機および冷却管を備えた反応容器に、イミノ二酢酸ジエチルエステル９４．５部（０．５モル比）、エタノール９．５部およびグリシジルメタクリレート７１部（０．５モル比）を仕込み、５０℃で３０時間反応させて、式（１５）で表される単量体のエタノール溶液１７５部を得た。
2006019358.tif 000005
【００６３】
（水系分散体の製造例１）
攪拌機および冷却管を備えた反応容器に、純水４５５．１部、２５％ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステルアンモニウム塩水溶液８６．０部を仕込み、反応容器内を７０℃に昇温した後、重合開始剤として４％過硫酸アンモニウム水溶液４１．９部を添加した。製造例１で得られたイミノ二酢酸基のエチルエステル体を有するビニル化合物のエタノール溶液３１５．０部、スチレン４７．８部およびジビニルベンゼン２０．０部を均一に混合した単量体溶液３８２．８部を３時間で滴下した。滴下終了後、４％過硫酸アンモニウム水溶液７．５部を添加し、反応系内を８０℃で２時間保持し、重合反応を完結させた。
反応終了後、反応系内を５０℃に下げ、１０％水酸化ナトリウム水溶液７２０部を添加した後、５０℃で５時間保持することにより、イミノ二酢酸エチルエステルのエステル部分をけん化し、重合体粒子の平均粒径が０．１１μｍの水系分散体を得た。得られた水系分散体１００部に対し、重合体粒子１２．７部、対象化合物であるイミノ二酢酸１．１６部を含有していた。
【００６４】
（ＣＭＰ用水系分散体の製造例１）
水系分散体の製造例１で得られた水系分散体をタンクに２ｋｇ仕込み、ポンプにて、日本ポール社製膜（OS100C11 100K）を備えたクロスフロー型に連続的に供給した。透過液はそのまま廃棄し、未透過液はタンクへ戻すようにした。また、タンクに、透過液の排出量と同じ量の水を同じ速度で供給した。このようにして透過液量が２．５ｋｇになるまで単位膜面積、単位時間あたりの透過液量が１．５４ｋｇ/ｍ２Hrとなる条件で膜分離を実施した。
続いて、得られた水系分散体を含む膜分離液の１．４ｋｇをタンクにとり、ポンプにて、日本ポール社製膜（OS100C11 100K）を備えたクロスフロー型に連続的に供給した。透過液はそのまま廃棄し、未透過液はタンクへ戻すようにした。また、タンクに、透過液の排出量と同じ量の水を同じ速度で供給した。このようにして透過液量が１．７６ｋｇになるまで単位膜面積、単位時間あたりの透過液量が１．６５ｋｇ/ｍ２Hrとなる条件で膜分離を実施し、ＣＭＰ用水系分散体1  １．４ｋｇを得た。得られたＣＭＰ用水系分散体１  １００部に対し、重合体粒子１４．４部、対象化合物であるイミノ二酢酸０．１３部を含有していた。
【００６５】
（ＣＭＰの製造例１）
ＣＭＰ用水系分散体の製造例１で得られたＣＭＰ用水系分散体の重合体粒子を１０４．３部と、酸化剤として３０％過酸化水素水を１５部、水１８０．７部を仕込み、ｐＨ調整剤として硝酸を用いてｐＨを４とし、ＣＭＰを得た。
【００６６】
（１）研磨速度
スパッタリングで銅を成膜したウェハーを（ＣＭＰの製造例１）で得たＣＭＰを用いて下記条件で研磨することにより測定した。結果を表１にまとめた。
［研磨条件］
研磨機：ＭＥＣＡＰＯＬ  Ｅ−４６０（ＰＲＥＳＩ社）
パッド：ポリウレタンタイプ
回転定盤の回転数：６０ｒｐｍ
ウェハー保持台の回転数：６０ｒｐｍ
研磨圧力：２５０ｇ／ｃｍ2
研磨剤流量：１００ｍｌ／分
研磨時間：３０秒
【００６７】
（２）エッチング速度
試験方法１：攪拌した研磨材組成物中に（２５℃、攪拌６０ｒｐｍ）スパッタリングで成膜した銅膜が付いたウェハーを５分間浸漬し、浸漬前後のウェハーの重量変化から、厚さ方向のエッチング速度（Å／分）を換算して求めた。結果を表１にまとめた。
試験方法２：研磨材組成物中に（２５℃、攪拌なし）スパッタリングで成膜した銅膜が付いたウェハーを３０分間浸漬し、浸漬前後のウェハーの電気抵抗値変化から、厚さ方向のエッチング速度（Å／分）を換算して求めた。結果を表１にまとめた。
【００６８】
実施例２
（ＣＭＰ用水系分散体の製造例２）
ＣＭＰ用水系分散体の製造例１で得られたＣＭＰ用水系分散体をタンクに０．８ｋｇ仕込み、ポンプにて、日本ポール社製膜（OS100C11 100K）を備えたクロスフロー型に連続的に供給した。透過液はそのまま廃棄し、未透過液はタンクへ戻すようにした。また、タンクに、透過液の排出量と同じ量の水を同じ速度で供給した。このようにして透過液量が１．０ｋｇになるまで単位膜面積、単位時間あたりの透過液量が２．６２ｋｇ/ｍ２Hrとなる条件で膜分離を実施し、ＣＭＰ用水系分散体０．８ｋｇを得た。得られたＣＭＰ用水系分散体１００重量部に対し、重合体粒子１５部、対象化合物であるイミノ二酢酸０．０１部を含有していた。
【００６９】
（ＣＭＰの製造例２）
ＣＭＰ用水系分散体として（ＣＭＰ用水系分散体の製造例２）で得られたものを用いる以外は（ＣＭＰの製造例１）と同様にしてＣＭＰを得た。
評価結果を表１にまとめた。
【００７０】
実施例３
（水系分散体の製造例２）
イミノ二酢酸基のエチルエステル、スチレン及びジビニルベンゼンのモル比が８０／１０／１０である以外は（水系分散体の製造例１）に準じて重合反応及びけん化を実施し、重合体粒子の平均粒径が０．１３μｍの水系分散体を得た。得られた水系分散体１００部に対し、重合体粒子１２．７部、対象化合物であるイミノ二酢酸１．２８部、イミノ二酢酸とグリシジルメタクリレートとの付加生成物の加水分解生成物  １．５部を含有していた。スチレン及びグリシジルメタクリレートはそれぞれ、０．００１部以下であった。
【００７１】
（ＣＭＰ用水系分散体の製造例３）
水系分散体の製造例２で得られた水系分散体  １．０８ｋｇを水１．０ｋｇとともにタンクに仕込み、ポンプにて、日本ポール社製膜（OS100C11 100K）を備えたクロスフロー型に連続的に供給した。透過液はそのまま廃棄し、未透過液はタンクへ戻すようにした。また、タンクに、透過液の排出量と同じ量の水を同じ速度で供給した。このようにして透過液量が５．０６ｋｇになるまで単位膜面積、単位時間あたりの透過液量が１．９５ｋｇ/ｍ２Hrとなる条件で膜処理を実施し、ＣＭＰ用水系分散体１．９６ｋｇを得た。
得られたＣＭＰ用水系分散体１００部に対し、重合体粒子７．０部、未反応のイミノ二酢酸（対象化合物）０．１０部、イミノ二酢酸とグリシジルメタクリレートとの付加生成物の加水分解生成物（対象化合物）０．００２部を含有していた。
【００７２】
（ＣＭＰの製造例３）
ＣＭＰ用水系分散体として（ＣＭＰ用水系分散体の製造例３）で得られたものを用いる以外は（ＣＭＰの製造例１）と同様にしてＣＭＰを得た。
評価結果を表１にまとめた。
【００７３】
実施例４
（水系分散体の製造例３）
イミノ二酢酸基のエチルエステル、スチレン及びジビニルベンゼンのモル比が２０／７０／１０である以外は（水系分散体の製造例１）に準じて重合反応及びけん化を実施し、重合体粒子の平均粒径が０．１３μｍの水系分散体を得た。得られた水系分散体１００部に対し、重合体粒子２５．６部、未反応のイミノ二酢酸（対象化合物）２．４部を含有していた。
【００７４】
（ＣＭＰ用水系分散体の製造例４）
水系分散体として（水系分散体の製造例３）で得られたものを用いること以外は（ＣＭＰ用水系分散体の製造例１）に準じて実施した。
得られたＣＭＰ用水系分散体１００部に対し、重合体粒子９．０部、未反応のイミノ二酢酸（対象化合物）０．０９部を含有していた。
【００７５】
（ＣＭＰの製造例４）
ＣＭＰ用水系分散体として（ＣＭＰ用水系分散体の製造例４）で得られたものを用いる以外は（ＣＭＰの製造例１）と同様にしてＣＭＰを得た。
評価結果を表１にまとめた。
【００７６】
比較例１
（ＣＭＰの製造例５）
実施例１の（水系分散体の製造例１）で得られたものをそのまま、ＣＭＰ用水系分散体として用いる以外は（ＣＭＰの製造例１）と同様にしてＣＭＰを得た。
評価結果を表１にまとめた。
【００７７】
【表１】
2006019358.tif 000006
【００７８】
表１によれば、本発明のＣＭＰとして十分な研磨速度を示し、エッチング速度は著しく低い。