(57)【要約】【課題】潜在的に高い垂直磁性特性を有するとともに処理パラメータにより特性を制御が可能な磁性材料を電気めっきで製造する。【解決手段】５０〜８０重量％のコバルト、９〜１５重量％のニッケル、１０〜２５の重量％のレニウム、０．１〜２．０重量％のリン、５〜１０重量％のタングステン又は白金とからなる磁性材料層であり、この磁性材料層は、好ましい垂直磁性（例えば、磁性材料が磁化されると、磁性材料は、層の平面方向に垂直方向の高い磁場力を与える）をもつ層として形成される。磁性材料層は、好ましくは約１μｍの厚さを有し、電気めっきによって形成される。この磁性材料層は、ＭＥＭＳ装置に適用するのに有利である。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０〜８０重量％のコバルト、９〜１５重量％のニッケル、１０〜２５重量％のレニウム、０．１〜２．０重量％のリン、及び５〜１０重量％のタングステン又は白金が含まれる磁性材料層。
【請求項２】
基板と、請求項１記載の磁性材料層とを有し、上記基板上に上記層が少なくとも１μｍの厚さで形成されている構造体。
【請求項３】
電気めっき槽内で磁性材料を基板上に電気めっきする工程を有し、請求項１記載の磁性材料層を形成する磁性材料層形成方法。
【請求項４】
上記電気めっき槽の浴温が摂氏３０℃以下であることを特徴とする請求項３記載の磁性材料層形成方法。
【請求項５】
上記電気めっき槽の組成物が濃度０．０２５〜０．１００ｍｏｌ／ｌの範囲のＣｏ２＋イオン、濃度０．０２５〜０．１００ｍｏｌ／ｌの範囲のＮｉ２＋イオン、濃度０．００４〜０．０１２ｍｏｌ／ｌの範囲のＲｅＯ４−イオン、濃度０．００１〜０．００３ｍｏｌ／ｌの範囲のＷＯ４２−イオン及び濃度０．００７〜０．０２０ｍｏｌ／ｌの範囲のＨＰＨＯ３−イオンを有することを特徴とする請求項３又は４の何れか１項に記載の磁性材料層形成方法。
【請求項６】
上記電気めっき槽のｐＨが５以下であることを特徴とする請求項３乃至５の何れか１項に記載の磁性材料層形成方法。
【請求項７】
上記電気めっき槽のｐＨが２．５から４．５の範囲であることを特徴とする請求項６記載の磁性材料層形成方法。
【請求項８】
上記電気めっきされる領域において、上記電気めっきの電流濃度が１０〜３０ｍＡ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項３乃至７の何れか１項に記載の磁性材料層形成方法。
【請求項９】
上記電気めっき槽におけるリットルあたりのＣｏ２＋イオンに対するＮｉ２＋イオンの数のＮｉ／Ｃｏ比が０．５＜Ｎｉ／Ｃｏ＜２．０の範囲であることを特徴とする請求項３乃至８の何れか１項に記載の磁性材料層形成方法。
【請求項１０】
上記基板は、（１１１）結晶配向を有する金又は銅の何れかのシード層をキャリーする請求項３乃至９の何れか１項に記載の磁性材料層形成方法。
【請求項１１】
請求項１記載の磁性材料層を含む微小電子機械システム装置。
【請求項１２】
上記磁性材料は、連結構造によって支持された可動部材上に供給され、
上記可動部材は、上記連結構造に対して可動されるように調整されていることを特徴とする請求項１１記載の微小電子機械システム装置。
【請求項１３】
上記磁性材料は、回転素子に用いられていることを特徴とする請求項１１記載の微小電子機械システム装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性材料及び磁性材料を用いたＭＥＭＳ（微小電気機械システム）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
科学技術の進歩につれて、多くの電子部品及び電子機器が、更なる高速化及び携帯性の向上を目指して微小化されてきている。これにより、マイクロデバイス及びナノデバイスを製造するための半導体生産技術を利用した微小電子機械システム（以下、ＭＥＭＳという）技術が実現されてきている。また、発展の動向に同調して、バッチ処理で簡単に集積できて費用効果がよい処理を開発する必要がある。多くの現代の磁気ＭＥＭＳデバイス（マイクロアクチュエータ、センサ、及び低摩擦のマイクロギアを含む）には、高垂直磁場を生じることができる磁気薄膜が必要である。
【０００３】
電気めっきを用いて、磁気記録を目的とした種々の磁性薄膜を堆積させることは知られている。スパッタリング及び蒸着のような他の多くの薄膜堆積法とは対照的に、電気めっきは、特定のフィルム特性を実現するための処理パラメータの制御が簡単で、より高速且つ費用効果がよく、厚さ１００μｍ程度までの厚膜を作製するのに適している。
【０００４】
マイクロデバイスの高まりつつある需要に同調して、電気めっきは、他の微小成形加工処理と互換性があるため、ＭＥＭＳ装置（１−３）の製造において、高いアスペクト比率の微構造を堆積するために有利な方法として、近年、活発に研究されてきた。
【０００５】
【特許文献１】K.Nobe, M.Schwartz, L.Chen, N.S.Myung, U.S.Patent, US006306276B1, 2001.
【非特許文献１】M.Becker, D.L.Notarp, J.Vogel, E.Kieselstein, J.P.Sommer, K.Bramer, V.GroBer, W.Benecke, B.Michel, Microsystem Technologies, 7, 196-202, 2001.
【非特許文献２】H.J.Cho, C.H.Ahn, Journal of Microelectromechanical Systems, 11, 1, 78-84, 2002.
【非特許文献３】J.P.Park, M.G.Allen, J.Micromech. Microeng, 8, 307-316, 1998.
【非特許文献４】F.E.Luborsky, IEEE Transactions on Magnetics, 6, 3, 502-506, 1970.
【非特許文献５】N.V.Myung, D.Y.Park, M.Schwartz, K.Nobe, H.Yang, C.K.Yang, J.W.Judy, 6th International Symposium on Magnetic Materials, Processes and Devices, Proc. Electrochem. Soc., PV2000-29, 2000.
【非特許文献６】T.S.Chin, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, Vol.209, p.75-79, 2000.
【非特許文献７】T.Osaka, Electrochimica Acta, 45, 3311-3321, 2000.
【非特許文献８】D.Y.Park, N.Y.Myung, M.Schwartz, K.Nobe, Electrochimica Acta, 47, 2893-2900,2002.
【非特許文献９】J.Horkans, D.J.Seagle, l.C.H.Chang, J.Electrochem, Soc., 137, 7, 2056-2061, 1990.
【非特許文献１０】S. Franz, M.Bestetti, M.Consonni, P.L.Cavallotti, Microelectronic Engineering, 64,487-494,2002.
【非特許文献１１】P.L.Cavaflotti, N.Fauser, A.Zielonka, J.P.C鑞is, G.Wouters, J.M.Da Silva, J.M.B.Oliveira, M.A.Sa, Surface and Coatings Technology, 105, 232-239, 1998.
【非特許文献１２】l.Zana, G.Zangari, IEEE Transactions on Magnetics, 38, 5, 2544-2546, 2002.
【非特許文献１３】14. T.M.Liakopoulos, W.Zhang, C.H.Ahn, IEEE Transactions on MagnetIcs, 32, 5, 1996.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
コバルトを基礎とする合金は、Ｎｉ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐ又はＣｕを加えて、２成分又は３成分の何れかの材料系（４−８）として電気めっきに使用されているが、電気めっきによって製造された材料系の垂直異方性に関する研究は、あまり行われていなかった。従来、ＣｏＮｉＰ（９）、ＣｏＭｎＰ（１０）、ＣｏＮｉＭｎＰ（１０）、ＣｏＰｔＷＰ（１１）及びＣｏＰｔ（１２，１３）などの材料系は、高い垂直磁気異方性をもつ開発中の硬磁性材料として興味深い候補であった。しかし、厚さ２、３μｍ（＜１０μｍ）程度の磁性膜に限定され、これでは多くの磁性ＭＥＭＳデバイスに求められる条件を満たすことができない。微小駆動に十分な動力を発生させるためには、相応の材料容量が必要であり、それゆえ厚膜であることが必要条件となってくる。体積型アレイ（４０μｍ）（１４）の形体で電気めっきされたＣｏＮｉＭｎＰは、その磁性幾何学配列のために高い垂直異方性を示すと報告されてきたが、マイクロデバイスの特性を最大限にするためには、より高い固有特性をもつ材料系を用いる必要がある。
【０００７】
上述した内容を考慮すると、厚膜の成膜が可能な適切な処理によって、十分な垂直磁性特性を有する新規材料を開発する必要がある。
【０００８】
そこで本発明は、電気めっきにより製造される新規且つ有用な磁性材料を提供することを目的とする。
【０００９】
更に、本発明は、磁性材料を用いたマイクロデバイスを提供することを目的とする。マイクロデバイスの例としては、マイクロアクチュエータ、センサ、低摩擦のマイクロギアなどを含む。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、５０〜８０重量％のコバルト、９〜１５重量％のニッケル、１０〜２５の重量％のレニウム、０．１〜２．０重量％のリン及び５〜１０重量％のタングステン又は白金とからなる磁性材料を提案する。磁性材料は、層として形成することもでき、そのような組成物は、良好な垂直磁性を有することがわかった（例えば、磁性材料が磁化されると、磁性材料は、層の平面方向とは垂直に高い磁界強度を与える）。磁性材料層の厚さは、好ましくは、１μｍ以上である（通常は、約５０μｍ以上であり、一般には２００μｍ以下である）。
【００１１】
本発明に係る方法において、磁性材料層は、電気めっきで形成される。例えば、アクチュエータのような磁性マイクロデバイスを成形加工する際、この磁性材料層が微構造上に電気めっきで形成される。
【００１２】
本開示におけるＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ−Ｗ及びＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ−Ｐｔを基礎とする磁性材料は、潜在的に高い垂直磁性特性を有するとともに処理パラメータにより特性を制御することが容易であるため、多くの集積マイクロデバイスに対して有力な候補となりうる。そのようなデバイスは、本発明の他の実施の形態において提案されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の発明者らは、電気めっきによって磁性材料層を作製し（そのうち幾つかを本発明の実施の形態で示す）、実験を行った。
まず最初に、回転ディスク電気めっき装置を用いて電着する前に、円形のガラス板（直径１２ｍｍ）をＣｒ（２０ｎｍ）／Ａｕ（２００ｎｍ）又はＣｒ（２０ｎｍ）／Ｃｕ（２００ｎｍ）の何れかのシード層を用いてスパッタする。スパッタされたＡｕ又はＣｕ層は、その後に続いて堆積される膜の垂直磁気特性を強化するために有益な（１１１）結晶配向を有することがわかった。スパッタ処理した基板をトリクロロエチレン及びエタノールを用いて超音波洗浄した。
【００１４】
電気めっき装置の電極が２つの対点で基板上の銅シード層に電気的に接続されるように、伝導性銀ペーストをガラス基板の裏面及び側壁面に塗布した。電気めっきをする前に、銅シード層の表面を硫酸を用いて活性化した。基板のリムを覆うホルダを介して、基板を既知の電気めっき装置のカソードに固定した。電気めっき装置のアノードとして、白金ワイヤを用いた。塩橋を介して鍍金液に接続する基準電極としてＡｇ／ＡｇＣｌ基準電極を用いた。直径１０ｍｍの中心円領域をめっき処理のために露出させた。電気化学的成膜は、アノードとカソードとの間のガルバノスタット（一定電流を供給する回路）を介して安定な電流密度（１０〜３０ｍＡ／ｃｍ２の範囲）を供給できる電気回路によって、室温（約２０℃）で実行された。
【００１５】
異なる基板に対して、異なる電気めっき槽組成物を表１に示す組成物の範囲で選択して用いた。ＣｏＮｉＲｅＰ／Ｍｎ、ＣｏＮｉＲｅＰ／Ｍｏ、ＣｏＮｉＲｅＰ／Ｗ、及びＣｏＮｉＲｅＰ／Ｐｔは、それぞれＭｎ、Ｍｏ、Ｗ及びＰｔでドープ処理されたＣｏＮｉＲｅＰを表し、ＣｏＮｉＲｅＰは、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｅ、及びＰからなる材料系を表す。各電解槽溶液のｐＨは、めっき前に２．０から５．０範囲で硫酸及び水酸化ナトリウムを用いて調整された。良好な均質性及び再現性を付与するために、揺動下、回転速度５００ｒｐｍで攪拌した。
【００１６】
【表１】
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【００１７】
続いて、作成される膜の磁気特性を振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により検出する。膜の組成は、電気めっき槽の濃度、ｐＨ及び電流密度のようなめっき条件などの処理パラメータに大きく依存していることがわかった。その結果、膜の磁気特性は、膜の組成に大きく依存し、上記処理パラメータに対して非常に影響を受けやすかった。この研究において、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ材料系について、磁気特性と処理パラメータとの間の相互依存を調査する。
【００１８】
複数成分系のとき、めっき膜への電気めっき槽組成及び電気めっき槽濃度の影響を明らかにすることは重要である。膜の磁気特性における個々の成分の影響を個別に調べることによって、最適な電気めっき槽溶液を知ることができる。図１は、電気めっき槽におけるＮｉ／Ｃｏモル比が垂直残留磁化Ｍｒ（円及び左目盛によって示した）及び膜の垂直保磁性Ｈｃ（三角形及び右目盛によって示した）に与える影響を示すグラフである。グラフから明らかであるように、膜の最適な磁気特性は、電気めっき槽溶液がＮｉ／Ｃｏモル比約１．０で達成される。より高いＮｉ／Ｃｏモル比では、膜の垂直磁気特性を大きく低下させる。
【００１９】
図２に示すように、Ｎｉ／Ｃｏモル比の膜特性への影響を調べるために、Ｎｉ／Ｃｏモル比を１．０に維持した状態でＮｉイオン及びＣｏイオンの全濃度を変化させる。Ｃｏ及びＮｉの全濃度０．０５Ｍの希薄溶液からめっきされた膜の磁気特性は低い。Ｎｉ及びＣｏの全濃度が０．１Ｍのとき最良の垂直保磁性Ｈｃが達成されるのにも関わらず、Ｃｏ及びＮｉの全濃度が０．０８Ｍを超えると、膜の磁気特性は、著しく改善してから一定を維持する。
【００２０】
図３は、Ｃｏ及びＮｉの全濃度が０．１Ｍに調整され、またＮｉ／Ｃｏモル比が１．０に維持した状態でのＲｅ濃度と膜の磁気特性の傾向を示している。Ｒｅの適度な存在が膜の垂直磁気特性を最大限にし、その最適濃度は、約０．００８Ｍである。電気めっき槽溶液中にＲｅが過剰になると、垂直Ｍｒ及びＨｃの両方を減少させる。一方、Ｒｅ濃度が少ないと、剥離の要因となる高い残留応力をもつ膜が作成される。
【００２１】
Ｐ濃度の効果を図４に示す。図４は、電気めっき槽溶液中のＰ濃度が約１７ｍＭのとき、Ｍｒ及びＨｃが最適値になることを示している。これは、先の実験より、Ｃｏ、Ｎｉ及びＲｅを最適な濃度に保つことにより達成できることがわかる。これにより、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ系に対する最適な電気めっき槽の組成又は溶液を包括的に知ることができる。
【００２２】
図５及び図６は、上記の最適な電気めっき槽溶液を用いた電気めっき条件の最適化結果を示すグラフである。図５で示すように垂直Ｍｒ及びＨｃは、ｐＨが２．５から４．５の範囲内において一定である。電流濃度の影響は、基板への被着率に関連している。電流濃度が高ければ、より早く被着し、また、電流濃度が低ければ、被着が遅い。磁気特性は、膜厚の影響も受けることから、電流密度の影響を分離するために、電流密度を変化させて６．５μｍの同じ膜厚を達成するまでのめっき時間を調整した。結果を図６に示す。垂直Ｍｒ及びＨｃは、１０ｍＡ／ｃｍ２から２０ｍＡ／ｃｍ２へ電流濃度が増加するのに伴って増加する。その後は、電流濃度がさらに増加しても垂直Ｍｒ及びＨｃに大きな変化はみられない。実際、約３０ｍＡ／ｃｍ２の電流濃度は、膜を僅かに剥離する高い膜応力を引き起こす結果となった。最適な電気めっき槽溶液及び組成の全てを下記表２に示す。
【００２３】
【表２】
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【００２４】
ＶＳＭにより計測された最適なＣｏＮｉＲｅＰのＭ−Ｈヒステリシスループを図７に示す。このサンプルでは、軟軸（easy-axis）（横軸）の異方性に比べて、硬軸（hard-axis）（縦軸）は、強い異方性をもつことが明らかである。この所見は、図８に示す走査電子顕微鏡（以下、ＳＥＭという）による膜の横断面の画像から観察される円柱状粒子の微構造と一致する。誘導結合プラズマ（以下、ＩＣＰという）−原子発光分光分析法（以下、ＡＥＳという）による構成解析により、
以下に示す最適な膜の組成、すなわち、Ｃｏが〜７３．８重量％、Ｎｉが〜９．７重量％、Ｒｅが１５．４重量％、Ｐが〜１．１重量％であることがわかる。
【００２５】
最適な組成を有するＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ系を処理した後に、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｔ及びＷをドーピングし、その影響を調べる。
【００２６】
図９及び図１０は、表２で示す最適な電気めっき槽及びめっき条件下において、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｔ及びＷをＣｏＮｉＲｅＰにドープした影響を示す。ＣｏＮｉＲｅＰにおける垂直Ｍｒ及びＨｃの急激な低下は、Ｍｎ及びＭｏを極微量ドープした際に観察される。一方、特性は、Ｐｔ及びＷを極微量添加すると僅かに増加するか又は維持される。下記表３は、平均膜厚が〜６．５μｍ程度で、Ｐｔ及びＷをドープしたＣｏＮｉＲｅＰの異なるサンプルにおけるＶＳＭ測定による垂直Ｍｒ及びＨｃの検出結果を示している。
【００２７】
図１１は、ＣｏＮｉＲｅＰにＷをドープする場合及びしない場合のＭ−Ｈヒステリシスループの第２象限を示す。電気めっき槽溶液におけるＲｅ濃度及びＷ濃度を微調整することにより、Ｒｅ濃度０．００７Ｍ及びＷ濃度０．００１Ｍのとき垂直磁気特性が改善された。最適なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ膜は、以下の組成を有する。Ｃｏが〜７０．６重量％、Ｎｉが〜９．４重量％、Ｒｅが〜１２．２重量％、Ｗが〜６．７重量％、及びＰが〜１．１重量％である。
【００２８】
【表３】
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【００２９】
図１２に示すように、膜厚が５０μｍになるまで高い垂直異方性が維持される。膜は、厚膜に対する高い膜応力を軽減するためにサッカリン含有量を２５ｍＭに増加したこと以外は、同一の最適条件下でめっきされる。このように、膜は、電気磁気駆動のための磁性厚膜を使用する多くのＭＥＭＳ装置に適用することができる。
【００３０】
そのようなデバイスの第１の例を図１３及び図１４に示す。図１３及び図１４には、マイクロシャッタとして機能するマイクロアクチュエータ１００の平面図及び側面図をそれぞれ示している。マイクロアクチュエータ１００は、コイル２及び光信号が通過できるピンホール３を含む基板１を有する。基板１上の台座４は、細長い帯板部材５を支持しており、帯板部材５は、台座４から基板１の長手方向に沿って水平に延長されている。帯板部材５は、バネ類似の柔軟構造６を介して、台座４に接続されている。帯板部材５は、帯板部材５の端部近傍に光ビーム８を通過させることができる開口部７を有する。帯状部材５は、基板１に面する底面に本発明の実施の形態として示す構成の磁気素子９の配列を有する。
【００３１】
コイル２へ電流を流すと、コイル２に磁気素子９により生成される永久磁場との相互作用が生じるとともに、帯状部材５に面内運動を起こす。そして、本実施例では、帯状部材５は、矢印Ｘにより図示されているように、水平方向に動く。帯状部材５が矢印Ｘ方向に動いて帯状部材５上の開口部７が基板１上のピンホール３と合致するとき、光がマイクロアクチュエータ１００を通過する。また、帯状部材５が戻り方向に動作するときも同様である。マイクロシャッタは、光スイッチ又は光空間変調器として用いることができる。
【００３２】
また、別の応用例を図１５に示す。この詳細は、ＳＧ２００３０４３８０−９の応用例において記載されており、この内容は、ここで参照することにより本開示に含まれるものとする。表面にエッチングされた孔（以下、エッチング孔という）１２及び２２を有する２つの基板１０及び２０は、各々のシャフト３０を対向位置にあるエッチング孔１２、２２で受けて、それぞれを挟持している。その後、基板の一方の面上にエッチングによってロータを形成する円形溝４０を作成する。これらの円形溝４０は、本発明に係る組成及び方法によって形成される磁性素子５０により埋められる。固定子７０及びコイル８０の配列を有する別の基板６０と、モータとして組み立てが完成した基板１０及び２０とを接合する。組み立てられた基板全体を円形に切断することによって、個々のマイクロモータ９０ａ、９０ｂ及び９０ｃが得られる。磁性素子５０は、永久磁石が環状に配置され、環状の永久磁石は、Ｎ極（Ｎ）とＳ極（Ｓ）とを交互に複数有する。外部電流がコイル８０を通過すると、磁性トルクが図面平面の内及び外方向に生じて回転運動を生じ、個々のマイクロモータ９０ａ、９０ｂ、９０ｃが回転する。
【００３３】
以上説明したように、本発明におけるＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ−Ｗ及びＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ−Ｐｔを基礎とする磁性材料は、潜在的に高い垂直磁性特性を有するとともに処理パラメータにより特性を制御することが容易であるため、多くの集積マイクロデバイスに対して有力な候補となりうる。更に、本発明における磁性材料は、パターン化された電気めっきに対して容易に応用可能であり、特に、垂直側壁を有する微構造及び高いアスペクト比が必要不可欠であるとき、成膜後のエッチング処理に対して非常に優位である。
【００３４】
本発明は、上述した実施例及び実験例に限定されるものではない。例えば、実験例では、約２０℃下において、電気化学的成膜を行ったとしたが、他の温度条件であってもよい。しかし、その他の温度としては、３０℃以下であることが好ましい。更に、記載した実施例では、Ｗ又はＰの適切な比率（重量％）をもつ磁性材料を記載したが、各磁性材料が適切な重量％で組み合わされた材料であればよい。
【００３５】
更に、本発明の実施例では、マイクロシャッタ及びマイクロモータを応用例として記載しているが、本発明は、センサや摩擦の少ないマイクロギアなど他のマイクロデバイスに適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】膜の垂直磁気特性へのＮｉ／Ｃｏモル比の影響を示すグラフ図である。
【図２】膜の垂直磁気特性へのＣｏ及びＮｉの全濃度の影響を示すグラフ図である。
【図３】膜の垂直磁気特性へのＲｅ濃度の影響を示すグラフ図である。
【図４】膜の垂直磁気特性へのＰ濃度の影響を示すグラフ図である。
【図５】膜の垂直磁気特性へのｐＨ溶液の影響を示すグラフ図である。
【図６】膜の垂直磁気特性への電流濃度の影響を示すグラフ図である。
【図７】最適なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ膜の印加磁場に対する磁化ヒステリシスループを示すグラフ図である。
【図８】図７の膜の微構造を示す断面図である。
【図９】膜の垂直方向の残留磁化へのドーピング濃度の影響を示すグラフ図である。
【図１０】膜の垂直保磁性へのドーピング濃度の影響を示すグラフ図である。
【図１１】最適なＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ及びＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ膜の印加磁場に対する磁化のヒステリシスループの第２象限を示すグラフ図である。
【図１２】厚さ約５０μｍの膜の印加磁場に対する磁化のヒステリシスループを示すグラフ図である。
【図１３】本発明の実施の形態として示すマイクロシャッタの平面概要図である。
【図１４】本発明の実施の形態として示すマイクロシャッタの側面概要図である。
【図１５】本発明の実施の形態として示すマイクロモータの概要図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  基板、２  コイル、３  ピンホール、４  台座、５  帯板部材、６  柔軟構造、７  開口部、８  光ビーム、９  磁気素子、１００  マイクロアクチュエータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【外国語明細書】
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