(57)【要約】【課題】  本発明は粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とし、より詳細には、複数の熱経路が形成された粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とする。【解決手段】  本発明は、熱経路を設けた粘着層を有する発光ダイオードに関する。本発明では、粘着層は基板とＬＥＤスタックに結合するように形成される。ＬＥＤの安定性及び発光効率を高めるように、ＬＥＤの熱損失効果を改善する熱損失パスを形成するため、粘着層を通過する複数の金属製の突出又は半導体の突出がある。【選択図】  図１
2006024928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱損失の高い基板と、
電気的な絶縁層と、
前記電気的な絶縁層上に形成されたＬＥＤスタックと、
前記熱損失の高い基板と前記電気的な絶縁層との間の粘着層と、
を含み、少なくとも一つの熱経路を設けて形成された粘着層を有する発光ダイオードであって、
前記粘着層は、前記粘着層を通過又は貫通する少なくとも一つの熱経路の突出を設けて形成されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記熱損失の高い基板と前記粘着層との間に形成された電気的な絶縁層、又は前記熱損失の高い基板と前記粘着層との間に形成され、かつ前記粘着層と前記ＬＥＤスタックとの間でも同時に形成された電気的な絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記電気的な絶縁層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記電気的な絶縁層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記電気的な絶縁層と前記ＬＥＤスタックとの間に形成された透明性導電層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記ＬＥＤスタック上に形成された透明性導電層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記粘着層と前記電気的な絶縁層との間に形成された反射層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ，Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ，Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ及びＡｕＺｎで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記突出した熱経路は金属製の突出したパス又は半導体の熱経路とすることが可能であり、前記熱経路はＩｎ、Ｓｎ，Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ，Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記熱損失の高い基板は、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び同様のもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記ＬＥＤスタックは、
第一接触層と、
前記第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、
前記第一クラッディング層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第二クラッディング層と、
前記第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
前記第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
熱損失の高い基板と、
電気的な絶縁層と、
前記電気的な絶縁層上に形成された複数のＬＥＤスタックと、
前記熱損失の高い基板と前記電気的な絶縁層との間の粘着層と、
を含む熱経路を有する粘着層を設けたＬＥＤアレイであって、
前記電気的な絶縁層上の前記ＬＥＤストックは、ＬＥＤアレイを形成するように電気的に接触されて、
前記粘着層を通過又は部分的に通過する突出を使用するように、前記粘着層が熱経路の突出を有することを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項２１】
前記熱損失の高い基板と前記粘着層との間に形成された電気的な絶縁層、又は前記熱損失の高い基板と前記粘着層との間に形成され、かつ前記粘着層と前記ＬＥＤスタックとの間でも同時に形成された電気的な絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２２】
前記電気的な絶縁層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項２１に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２３】
前記電気的な絶縁層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２４】
前記電気的な絶縁層と前記ＬＥＤスタックとの間に形成された透明性導電層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２５】
前記ＬＥＤスタック上に形成された透明性導電層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２６】
前記粘着層と前記電気的な絶縁層との間に形成された反射層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２７】
前記突出した熱経路は金属製の突出したパス又は半導体の熱経路とすることが可能であり、前記熱経路はＩｎ、Ｓｎ，Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ，Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２８】
前記粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項２９】
前記熱損失の高い基板は、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び同様のもので構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３０】
前記ＬＥＤスタックは、
第一接触層と、
前記第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、
前記第一クラッディング層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第二クラッディング層と、
前記第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、
を含むことを特徴とする請求項２０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３１】
前記第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３２】
前記第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３３】
前記発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３４】
前記第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３５】
前記第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成ることを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粘着層を有するＬＥＤに関し、より詳細には、複数の熱経路（ｈｅａｔ  ｐａｔｈ）が形成された粘着層を有するＬＥＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日では、ＬＥＤは広範囲に活用されており、例えば、光ディスプレイ、信号機、データ記憶、通信装置、発光装置及び医療装置などがある。したがって、ＬＥＤの輝度を高めることは、ＬＥＤの作製において重要である。
【０００３】
ＬＥＤとその作製方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。作製方法は、第一の吸光基板にＬＥＤエピタキシャル構造を形成することであり、ポリマーの誘電性粘着層を活用してＬＥＤエピタキシャル構造の表面を熱伝導度の高い第二基板に結合する。これは、チップの熱損失効率を高め、ＬＥＤの発光効率を高める。開示されている特許文献１において、エピタキシャル層は第一の吸光基板に形成され、粘着層はエピタキシャル層を第二基板に結合するように活用される。次いで、第一基板は熱抵抗を減じるように取り除かれ、熱損失効率が高まり、発光効率が高まる。しかしながら、ＬＥＤの熱抵抗がエピタキシャル層と、誘電性粘着層と、第二基板の熱抵抗の合計にほとんど等しいので、誘電性粘着層の熱伝導度は０．１Ｗ／ｍｋ乃至０．３Ｗ／ｍｋ間であり、ＬＥＤは熱伝導度の高い第二基板の熱損失特性を良好に活用できない。したがって、ＬＥＤは熱損失が低い問題を有する。
【特許文献１】台湾特許第５５０８３４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明の目的は、粘着層を有するＬＥＤの熱損失問題を解決する方法を提供することであり、さらに、高出力ＬＥＤの熱損失問題を解決する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した問題を解決するために、本発明者は、ＬＥＤスタックによって発生した熱が熱経路により基板に損失できるように、ＬＥＤスタックと基板を結合するための粘着層を通過するか、又は貫通する複数の金属の突出若しくは半導体の突出の形状の複数の熱経路を提供する創造的な概念を得た。これは、粘着層を有するＬＥＤ又は高出力ＬＥＤの熱損失問題を効率的に解決できる。
【０００６】
上述の本発明の課題を達成するために、本発明は熱経路を設けて形成されたＬＥＤを開示する。該ＬＥＤは、熱損失の高い基板と、熱損失の高い基板上に複数の熱経路の突出を設けて形成された粘着層と、粘着層上に形成された反射層と、反射層上に形成された電気的な絶縁層と、電気的な絶縁層上に形成された透明性導電層とを含み、熱経路を形成するために、突出は粘着層を通過するか、又は貫通する。さらに、透明性導電層の上面は、第一表面領域と第二表面領域を含む。ＬＥＤは、第一表面領域上に形成された第一接触層と、第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、第一クラッディング層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第二クラッディング層と、第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、第二接触層上に形成された第一のワイヤーボンド電極と、第二表面領域上に形成された第二のワイヤーボンド電極とを含む。加えて、別の電気的な絶縁層は、熱損失の高い基板と粘着層との間に形成できる。これもまた、本発明の趣旨の範囲内である。
【０００７】
上述の熱損失の高い基板は、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び金属で構成する群から選択される物質で成る。
【０００８】
上述の熱経路の突出は、金属製の熱経路の突出か、又は半導体の熱経路の突出の形状と成ることができ、熱経路の突出は、Ｉｎ、Ｓｎ，Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ，Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成る。
【０００９】
上述の粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成る。
【００１０】
上述の反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ，Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ，Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ及びＡｕＺｎで構成する群から選択される物質で成る。
【００１１】
上述の電気的な絶縁層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及び同様なもので構成する群から選択される物質で成る。
【００１２】
上述の透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される物質で成る。
【００１３】
上述の第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００１４】
上述の第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００１５】
上述の発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００１６】
上述の第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００１７】
上述の第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００１８】
本発明の上記及び他の目的は、添付図で例示される好ましい実施態様の下記の詳細な記載を通読した後、当業者にとって明白となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
第一実施態様
図１を参照するに、ＬＥＤは、熱損失の高い基板１１と、熱損失の高い基板１１上に形成された複数の熱経路の突出１２を有する粘着層１３と、粘着層１３上に形成された反射層１４と、反射層１４上に形成された電気的な絶縁層１５と、電気的な絶縁層１５上に形成された透明性導電層１６とを含み、熱経路を形成するために、突出１２は粘着層１３を通過するか、又は貫通し、さらに、透明性導電層１６の上面は、第一表面領域と第二表面領域とを含む。さらに、ＬＥＤは、第一表面領域上に形成された第一接触層１７と、第一接触層１７上に形成された第一クラッディング層１８と、第一クラッディング層１８上に形成された発光層１９と、発光層１９上に形成された第二クラッディング層２０と、第二クラッディング層２０上に形成された第二接触層２１と、第二接触層２１上に形成された第一のワイヤーボンド電極９と、透明な層１６の第二表面領域上に形成された第二のワイヤーボンド電極８とを含む。さらに、別の電気的な絶縁層は、熱損失の高い基板と粘着層との間に形成できる。これもまた、本発明の趣旨の範囲内である。
【００２０】
第二実施態様
図２を参照するに、ＬＥＤは、複数の熱経路の突出を有する熱損失の高い基板１０と、熱損失の高い基板１０上に形成された電気的な絶縁層１１１と、電気的な絶縁層１１１上に形成された粘着層１３と、電気的な絶縁層１１１及び粘着層１３上に形成された透明性導電層１６とを含み、突出は粘着層１３を通過するか、又は貫通し、透明性導電層１６は第一表面領域と第二表面領域を含む。さらに、ＬＥＤは、第一表面領域上に形成された第一接触層１７と、第一接触層１７上に形成された第一クラッディング層１８と、第一クラッディング層１８上に形成された発光層１９と、発光層１９上に形成された第二クラッディング層２０と、第二クラッディング層２０上に形成された第二接触層２１と、第二接触層２１上に形成された第一のワイヤーボンド電極９と、透明性導電層１６の第二表面領域上に形成された第二のワイヤーボンド電極８とを含む。
【００２１】
第三実施態様
本発明と一致する複数の熱経路を備えて形成された粘着層を設けたＬＥＤの別の好ましい実施態様である図３を参照する。この実施態様は、第一実施態様とほとんど同様である。それらの差異は、電気的な絶縁層１５の上面が、複数の第一表面領域と複数の第二表面領域を含み、複数の透明性導電層１６が電気的な絶縁層１５の第一表面領域上にそれぞれ形成されることである。さらに、透明性導電層１６の上面は、複数の第一表面領域と複数の第二表面領域とを含み、複数のＬＥＤのスタック層は、透明性導電層の第一表面領域上にそれぞれ形成される。加えて、ＬＥＤスタックは、第一接触層１７と、第一クラッディング層１８と、発光層１９と、第二クラッディング層２０と、第二接触層２１と、電気的な絶縁層１５の第二表面領域及びＬＥＤスタック上に形成された電気的な絶縁層１１２と、透明性導電層１６の第二表面領域上に形成され、隣接するＬＥＤスタックの第二接触層２１に接続された電極７と、特定の第二接触層２１上に形成された第一のワイヤーボンド電極９と、特定の透明性導電層１６の第二表面領域上に形成された第二のワイヤーボンド電極８とを含む。上述のＬＥＤスタックは、ＬＥＤアレイを形成する要求によって、互いに電気的な結合とされる。
【００２２】
上述の熱損失の高い基板は、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び金属で構成する群から選択される物質で成る。
【００２３】
上述の熱経路の突出は、金属製の熱経路の突出か、又は半導体の熱経路の突出であり、熱経路の突出は、Ｉｎ、Ｓｎ，Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ，Ｇｅ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ、ＡｕＺｎ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成る。
【００２４】
上述の粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び同様なもので構成する群から選択される物質で成る。
【００２５】
上述の反射層は、Ｉｎ、Ｓｎ，Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ，Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｃｕ、ＡｕＢｅ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＰｂＳｎ及びＡｕＺｎで構成する群から選択される物質で成る。
【００２６】
上述の電気的な絶縁層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２及び同様なもので構成する群から選択される物質で成る。
【００２７】
上述の透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される物質で成る。
【００２８】
上述の第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００２９】
上述の第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００３０】
上述の発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００３１】
上述の第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００３２】
上述の第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される物質で成る。
【００３３】
本装置及び方法の多数の修正や変更が、本発明の趣旨及び請求の範囲内でなされることを当業者は容易に理解できる。したがって、上述の開示は、単に請求項の範囲によって限定されるものとみなされる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明と一致するＬＥＤ構造の好ましい実施態様の図である。
【図２】本発明と一致するＬＥＤ構造の別の好ましい実施態様の図である。
【図３】本発明と一致するＬＥＤ構造のさらに別の好ましい実施態様の図である。
【符号の説明】
【００３５】
８      第二のワイヤーボンド電極
９      第一のワイヤーボンド電極
１１    熱損失の高い基板
１２    熱経路の突出
１３    粘着層
１４    反射層
１５    電気的な絶縁層
１６    透明性導電層
１７    第一接触層
１８    第一クラッディング層
１９    発光層
２０    第二クラッディング層
２１    第二接触層
１１１  電気的な絶縁層
１１２  電気的な絶縁層
【図１】
2006024928.tif 000003
【図２】
2006024928.tif 000004
【図３】
2006024928.tif 000005