(57)【要約】【課題】  １チップで複数の印加電圧に対応できる保護素子を安価に提供すること。【解決手段】  ｐ型の半導体基板１０上に、同一の工程で形成された複数のｎ導電型不純物拡散領域１１と、同一の工程で形成された複数のｐ導電型不純物拡散領域１２を、ＰＮ間距離が２種類の異なる値ＬＡ，ＬＢを示すように配置することで、ＰＮ間距離が異なる２種類のダイオード１３ａ，１３ｂを１つの半導体基板１０に構成した。【選択図】        図１
2006319073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板上に、前記第１導電型の第１不純物拡散領域と、第２導電型の第２不純物拡散領域とを隣接配置してなるダイオードが設けられた保護素子であって、
前記半導体基板には複数の前記ダイオードが設けられ、
前記ダイオードを構成する前記第１不純物拡散領域と前記第２不純物拡散領域との対向部分間の距離が複数設定されていることを特徴とする保護素子。
【請求項２】
前記距離の等しい複数の前記第２不純物拡散領域同士がそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の保護素子。
【請求項３】
前記半導体基板の別領域には半導体装置が設けられ、
前記第２不純物拡散領域が、前記距離の等しい毎に、異なる電圧が印加される前記半導体装置の外部端子にそれぞれ接続され、前記第１不純物拡散領域が、接地端子に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の保護素子。
【請求項４】
前記第１不純物拡散領域と前記第２不純物拡散領域は、前記半導体基板の表層部に配置されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の保護素子。
【請求項５】
前記半導体基板の平面方向において、前記第１不純物拡散領域と前記第２不純物拡散領域の形状は短冊形状であり、
前記短冊形状の長手方向を平行にして交互に配置され、前記第２不純物拡散領に隣接する両側の前記第１不純物拡散領域との前記距離が等しいことを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の保護素子。
【請求項６】
前記第１不純物拡散領域は、複数の前記第２不純物拡散領域をそれぞれ取り囲むように一体的に配置されていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の保護素子。
【請求項７】
前記半導体基板の平面方向において、前記第１不純物拡散領域は梯子状に配置され、前記第２不純物拡散領域は梯子状の前記第１不純物拡散領域の各開口部位に、前記開口部位に対応した形状をもって配置されていることを特徴とする請求項６に記載の保護素子。
【請求項８】
前記半導体基板の平面方向において、前記第１の不純物拡散領域は格子状に配置され、前記第２不純物拡散領域は格子状の前記第１不純物拡散領域の各開口部位に、前記開口部位に対応した形状をもって配置されていることを特徴とする請求項６に記載の保護素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の入出力保護に用いられる保護素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、静電気放電（Electro Static Discharge、ＥＳＤ）やサージ電圧・電流による半導体装置の破壊を防止するため、半導体装置の外部端子（入力端子又は出力端子）と接地端子（又は電源端子）との間に、保護素子としてダイオードを配置する構成が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に示されるダイオードは、一導電型の半導体基板に、半導体基板とは異なる導電型の拡散領域を形成するとともに、この拡散領域を取り囲むように半導体基板と同一の導電型の拡散領域を形成してなるものである。
【特許文献１】特開平２−１１０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、印加電圧の異なる複数の電源に外部端子を介して半導体装置が接続される場合、それぞれの印加電圧に適した（必要とされるＤＣ耐圧及びＥＳＤ耐量を確保した）ダイオードを各外部端子に配置する必要がある。しかしながら、特許文献１に示す構成において、同一の半導体基板に、拡散領域形成条件（不純物濃度や拡散深さ）の異なるダイオードを複数形成した場合、製造工程が増加し、コストアップとなる。
【０００５】
本発明は上記問題点に鑑み、１チップで複数の印加電圧に対応できる保護素子を安価に提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１〜８に記載の発明は、第１導電型の半導体基板上に、第１導電型の第１不純物拡散領域と、第２導電型の第２不純物拡散領域とを隣接配置してなるダイオードが設けられた保護素子に関するものである。
【０００７】
先ず請求項１に記載のように、半導体基板に複数のダイオードが設けられ、ダイオードを構成する第１不純物拡散領域と第２不純物拡散領域との対向部分間の距離が複数設定されていることを特徴とする。
【０００８】
このように本発明によると、第１不純物拡散領域と第２不純物拡散領域との対向部分間の距離が複数設定されている。すなわち、同一の半導体基板に、ＤＣ耐圧の異なる少なくとも２種類のダイオードが存在する。従って、１チップで複数の印加電圧に対応することができる。印加電圧に対応したＤＣ耐圧を有するダイオードを設定することで、極力半導体基板におけるダイオードの占有領域を小さくすることができる。尚、対向部分間の距離が長くなるとＤＣ耐圧が大きくなり、短くなるとＤＣ耐圧が小さくなる。従って、印加電圧に対応したＤＣ耐圧を有するダイオードを設定することで、極力半導体基板におけるダイオードの占有領域を小さくすることができる。
【０００９】
また、対向部分間の距離の設定のみによって（不純物濃度や拡散深さを変えることなく）、ＤＣ耐圧が異なるダイオードを構成することができるので、製造工程の増加を抑制でき、上記保護素子を安価に提供することができる。
【００１０】
尚、印加電圧の異なる複数の電源に対向部分間の距離の設定によって、ＤＣ耐圧とともにＥＳＤ耐量も変化する。従って、対向部分間の距離を適宜設定することで、異なるＥＳＤ耐量を確保した複数のダイオードを構成することができる。
【００１１】
請求項２に記載のように、１つの第２不純物拡散領域に対向する第１不純物拡散領域距離の等しい第２不純物拡散領域同士がそれぞれ電気的に接続されていることが好ましい。この場合、サージ電流を均一に流すことができるので、ＥＳＤ耐量を向上することができる。
【００１２】
具体的には、請求項３に記載のように、半導体基板の別領域には半導体装置が設けられ、第２不純物拡散領域が、前記距離の等しい毎に、異なる電圧が印加される半導体装置の外部端子にそれぞれ接続され、第１不純物拡散領域が、接地端子に接続されると良い。このような構成とすることで、半導体装置の破壊を防ぐことができる。
【００１３】
請求項４に記載のように、第１不純物拡散領域と第２不純物拡散領域は、半導体基板の表層部に配置された構成とすると良い。
【００１４】
半導体基板の内部に構成しても良いが、上記構成とすると、例えば第１不純物拡散領域のマスク開口部と第２不純物拡散領域のマスク開口部の間隔を複数設定することで、製造工程を増やすことなく、異なる印加電圧に対応する複数のダイオードを１チップに形成することができる。また、第１不純物拡散領域と第２不純物拡散領域の拡散深さや表面不純物濃度を適宜設定することで、大きなＥＳＤ耐量を持つように設計することができる。
【００１５】
請求項５に記載のように、半導体基板の平面方向において、第１不純物拡散領域と第２不純物拡散領域の形状は短冊形状であり、短冊形状の長手方向を平行にして交互に配置され、第２不純物拡散領域に隣接する両側の第１の不純物拡散領域との距離が等しい構成としても良い。
【００１６】
この場合、単純な平面形状であるため、第１不純物拡散領域のマスク開口部と第２不純物拡散領域のマスク開口部の間隔や、それぞれのマスク開口部の周囲長さを容易に設定できる。また、単純な平面形状であるため、占有面積も小さくすることができる。
【００１７】
また、第２不純物拡散領域に隣接する両側の第１の不純物拡散領域との距離が等しいので、サージ電流を均一に流すことができ、ＥＳＤ耐量を向上できる。さらに、第１不純物拡散領域の一部が隣接する両側の第２不純物拡散領域に対して共有された構成とすることができるので、第１不純物拡散領域の形成領域を小さくすることができる。
【００１８】
請求項６に記載のように、第１不純物拡散領域は、複数の第２不純物拡散領域をそれぞれ取り囲むように一体的に配置されていることが好ましい。
【００１９】
このような構成とすると、第１不純物拡散領域の形成領域を小さくすることができる。また、第１不純物拡散領域と第２不純物拡散領域の対向面積（周囲長）が大きくなる。従って、従来よりも小さな面積で大きなＥＳＤ耐量を実現することができる。
【００２０】
具体的には、請求項７に記載のように、半導体基板の平面方向において、第１不純物拡散領域は梯子状に配置され、第２不純物拡散領域は梯子状の第１不純物拡散領域の各開口部位に、開口部位に対応した形状をもって配置された構成とすると良い。
【００２１】
また、請求項８に記載のように、半導体基板の平面方向において、第１の不純物拡散領域は格子状に配置され、第２不純物拡散領域は格子状の第１不純物拡散領域の各開口部位に、開口部位に対応した形状をもって配置された構成としても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図１は、本実施形態における保護素子の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。尚、保護素子の基本的な構成は、本出願人が先に出願した特願２００２−２０１３５号、特願２００４−３１９６６３号等に記載されており、以下の説明においては、本実施形態に特徴的な部分を中心に説明する。
【００２４】
図１に示す保護素子１００は、ｐ型の半導体基板１０の表層部において、隣接して配置される複数のｎ導電型不純物拡散領域１１と複数のｐ導電型不純物拡散１２とを有している。
【００２５】
ｎ導電型不純物拡散領域１１とｐ導電型不純物拡散領域１２は、マスクを用いたイオン注入により形成される。複数のｎ導電型不純物拡散領域１１（図１（ａ）においては５つ）は、同一の工程（不純物濃度や拡散深さが同一）で形成されている。また、複数のｐ導電型不純物拡散領域１２（図１（ａ）においては６つ）は、同一の工程（不純物濃度や拡散深さが同一）で形成されている。図１（ａ），（ｂ）に示す符号ＬＡ，ＬＢはＰＮ間距離で、隣接する領域にあるｎ導電型不純物拡散領域１１のマスク開口部とｐ導電型不純物拡散領域１２のマスク開口部の間隔である。このように、本実施形態における保護素子１００は、ＰＮ間距離がＬＡのダイオード１３ａとＰＮ間距離がＬＢのダイオード１３ｂの、２種類のダイオード１３ａ，１３ｂを同一工程により１つの半導体基板１０に形成してなるものである。
【００２６】
尚、図１（ａ）に示した符号Ｗは接合幅で、ＰＮ間距離Ｌ（ＬＡ，ＬＢ）にあるｎ導電型不純物拡散領域１１もしくはｐ導電型不純物拡散領域１２の対向した平行部位（接合部位）にあたるマスク開口部の長さである。本実施形態においては、各接合部位の接合幅Ｗが一定となっている。また、本実施形態においては、後述するがＰＮ間距離の等しいｎ導電型不純物拡散領域１１を電気的に接続する構成としている。従って、接合幅Ｗは、ＰＮ間距離ＬＡにあるｎ導電型不純物拡散領域１１もしくはＰＮ間距離ＬＢにあるｎ導電型不純物拡散領域１１のマスク開口部の長さの総和になる。このように構成すると、サージ電流が分散されるので、ＥＳＤ耐量を向上することができる。
【００２７】
図１（ａ）に示すように、ｎ導電型不純物拡散領域１１とｐ導電型不純物拡散領域１２の平面形状は短冊形状であり、短冊形状の長手方向を平行にしてｎ導電型不純物拡散領域１１とｐ導電型不純物拡散領域１２が交互に配置されている。このように、単純な平面形状であるため、ＰＮ間距離ＬＡ，ＬＢや接合幅Ｗを容易に設定できる。従って、ダイオード１３ａ，１３ｂの設計が容易であり、単純な平面形状であるため、占有面積も小さくすることができる。
【００２８】
また、ｎ導電型不純物拡散領域１１と、隣接する両側のｐ導電型不純物拡散領域１２との間のそれぞれのＰＮ間距離が等しくなるように配置されており、ＰＮ間距離の等しい複数のｎ導電型不純物拡散領域１１同士が電気的に接続されている。本実施形態においては、ＰＮ間距離ＬＡのｎ導電型不純物拡散領域１１（図１（ａ）において３つ）が電気的に接続されて第１の入力端子１４ａに接続され、ＰＮ間距離ＬＢのｎ導電型不純物拡散領域１１（図１（ａ）において２つ）が電気的に接続されて第２の入力端子１４ｂに接続されている。また、ｐ導電型不純物拡散領域１２は、ｐ型の半導体基板１０を介してグランドに接続されている。従って、６つのダイオード１３ａが第１の入力端子１４ａとグランドとの間に並列に接続されており、４つのダイオード１３ｂが第２の入力端子１４ｂとグランドとの間に並列に接続されている。このように、ＥＳＤやサージ電圧・電流が発生すると、ダイオード１３ａ，１３ｂを通ってグランドに電流が流れ、半導体装置が保護されるように構成されている。尚、本実施形態における保護素子１００は、車両に搭載されており、第１の入力端子１４ａは１６．５Ｖバッテリ電源に接続され、第２の入力端子１４ｂは５Ｖ電源に接続されている。
【００２９】
また、ｎ導電型不純物拡散領域１１に隣接する両側のｐ導電型不純物拡散領域１２との間のそれぞれのＰＮ間距離が等しく設定されているので、ｎ導電型不純物拡散領域１１から両側のｐ導電型不純物拡散領域１２にサージ電流を均一に流すことができる。すなわち、ＥＳＤ耐量を向上できる。さらには、ｐ導電型不純物拡散領域１２が２種類のダイオード１３ａ，１３ｂに共用されているので、占有面積をより小さくすることができる。
【００３０】
尚、ｎ導電型不純物拡散領域１１とｐ導電型不純物拡散領域１２内の表面には、それぞれ、入力端子１４ａ，１４ｂに接続される金属電極（図示略）とオーミックコンタクトをとるために形成されたｎ導電型高濃度不純物拡散領域とｐ導電型高濃度不純物拡散領域が形成されている。また、半導体基板１０上にはＬＯＣＯＳ（図示略）が配置され、半導体基板１０の表面におけるＰＮ接合部は、ＬＯＣＯＳの下に配置されている。これによって、ダイオード１３ａ，１３ｂのＰＮ接合部を、ＬＯＣＯＳにより保護することができる。また、ＰＮ接合部の不純物濃度が初期設定値からずれにくく、所望のＤＣ耐圧およびＥＳＤ耐量が確保される構成となっている。
【００３１】
ここで、ダイオードについて、接合幅Ｗをパラメータとして、ＰＮ間距離Ｌに対してＤＣ耐圧とＥＳＤ耐量を評価した結果を図２に示す。図２に示すように、ＰＮ間距離Ｌを異なる値とすることで、ＤＣ耐圧とＥＳＤ耐量が変化することが分かる。尚、図２は、本出願人が先に出願した特願２００４−３１９６６３号に示されている。尚、図２において、ＤＣ耐圧は接合幅Ｗに依存しないため、１つのグラフで示されている。
【００３２】
このように、本実施形態における保護素子１００は、半導体基板１０にＰＮ間距離の異なる２種類のダイオード１３ａ，１３ｂを有している。従って、１チップで複数の印加電圧に対応することができる。この場合、印加電圧に対応したＤＣ耐圧を有するダイオード１３，ａ，１３ｂを設定することで、印加される電圧の最大値に合わせて複数のダイオードを構成する場合よりも、半導体基板１０におけるダイオード１３ａ，１３ｂの占有領域を小さくすることができる。
【００３３】
また、ＰＮ間距離の設定のみによって（不純物濃度や拡散深さを変えることなく）、ＤＣ耐圧が異なるダイオード１３ａ，１３ｂを構成することができるので、製造工程の増加を抑制でき、上記保護素子１００を安価に提供することができる。
【００３４】
尚、図２に示すように、ＰＮ間距離Ｌによって、ＤＣ耐圧及びＥＳＤ耐量がを調整することができる。従って、必要とされるＤＣ耐圧及びＥＳＤ耐量となるように、ＰＮ間距離Ｌを設定すれば良い。尚、ＥＳＤ耐量については、図２に示すように、接合幅Ｗを大きくすることで、同一工程であっても、ＥＳＤ耐量を向上させることができる。
【００３５】
また、本実施形態においては、ダイオード１３ａが３つのｎ導電型不純物拡散領域１１から構成され、ダイオード１３ｂが２つのｎ導電型不純物拡散領域１１から構成され、６つのｐ導電型不純物拡散領域１２が、ダイオード１３ａ，１３ｂに共用される例を示した。しかしながら、各ダイオード１３ａ，１３ｂの構成は上記例に限定されるものではない。少なくとも、ＰＮ間距離ＬＡである一対のｎ導電型不純物拡散領域１１及びｐ導電型不純物拡散領域１２によりダイオード１３ａが構成され、ＰＮ間距離ＬＢである一対のｎ導電型不純物拡散領域１１及びｐ導電型不純物拡散領域１２によりダイオード１３ｂが構成されれば良い。
【００３６】
また、ダイオード１３ａ，１３ｂで、ｐ導電型不純物拡散領域１２を共用しない構成としても良い。しかしながら、半導体基板１０におけるｐ導電型不純物拡散領域１２の配置領域が大きくなるので、共用する構成の方が好ましい。
【００３７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を、図３に基づいて説明する。図３は、本実施形態における保護素子１００の概略構成を示す平面図である。
【００３８】
第２の実施形態における保護素子１００は、第１の実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００３９】
第１の実施形態において、ｐ導電型不純物拡散領域１２は複数に分割された構成であった。それに対し、本実施形態におけるｐ導電型不純物拡散領域１２は、図３に示すように複数（図３においては５つ）のｎ導電型不純物拡散領域１１（１１ａ，１１ｂ）をそれぞれ取り囲むように一体的に配置されている。
【００４０】
具体的には、半導体基板１０の平面方向において梯子状に配置されている。そして梯子状の開口領域１２ａ，１２ｂに、それぞれｎ導電型不純物拡散領域１１が１つづつ配置されている。半導体基板１０の平面方向において、開口領域１２ａとダイオード１３ａを構成するｎ導電型不純物拡散領域１１ａは同一形状であり、ｎ導電型不純物拡散領域１１ａが全周にわたってｐ導電型不純物拡散領域１２とのＰＮ間距離がＬＡとなるように、開口領域１２ａの中心位置にｎ導電型不純物拡散領域１１ａが配置されている。尚、本実施形態においては、開口領域１２ａとｎ導電型不純物拡散領域１１ａの形状は矩形状である。また、半導体基板１０の平面方向において、開口領域１２ｂとダイオード１３ｂを構成するｎ導電型不純物拡散領域１１ｂは同一形状であり、ｎ導電型不純物拡散領域１１ｂが全周にわたってｐ導電型不純物拡散領域１２とのＰＮ間距離がＬＢとなるように、開口領域１２ｂの中心位置にｎ導電型不純物拡散領域１１ｂが配置されている。尚、本実施形態においては、開口領域１２ｂとｎ導電型不純物拡散領域１１ｂの形状は矩形状である。
【００４１】
このように、本実施形態における保護素子１００は、第１の実施形態に示した効果に加え、さらにｐ導電型不純物拡散領域１２の形成領域を小さくすることができる。また、ｎ導電型不純物拡散領域１１ａ，１１ｂとｐ導電型不純物拡散領域１２の接合幅Ｗが大きくなる。従って、第１の実施形態に示す構成よりも小さな面積で大きなＥＳＤ耐量を実現することができる。
【００４２】
尚、本実施形態においては、開口領域１２ａ，１２ｂ及びｎ導電型不純物拡散領域１１ａ，１１ｂの形状を矩形状としたが、その形状は特に限定されるものではない。例えば、その他の多角形状（三角、六角等）や円形状としても良い。円形より多角形状としたほうが同一面積で接合幅Ｗを大きくとることができる。また、ダイオード１３ａ，１３ｂとで異なる形状としても良い。
【００４３】
また、本実施形態においては、開口領域１２ａ，１２ｂが交互に設けられた例を示した。しかしながら、それぞれの開口領域１２ａ，１２ｂを連続して設けた構成としても良い。
【００４４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態を、図４に基づいて説明する。図４は、本実施形態における保護素子１００の概略構成を示す平面図である。
【００４５】
第３の実施形態における保護素子１００は、第２の実施形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００４６】
ｐ導電型不純物拡散領域１２が、複数のｎ導電型不純物拡散領域１１（１１ａ，１１ｂ）をそれぞれ取り囲むように一体的に配置された例として、第２の実施形態において、ｐ導電型不純物拡散領域１２が、半導体基板１０の平面方向において梯子状に構成された例を示した。それに対し、本実施形態におけるｐ導電型不純物拡散領域１２は、図４に示すように、半導体基板１０の平面方向において格子状に配置され、格子状の各開口領域１２ｃに、それぞれｎ導電型不純物拡散領域１１（１１ａ，１１ｂ）が１つづつ配置されている。
【００４７】
開口領域１２ｃは、半導体基板１０の平面方向において、全て（４行×４列の１６箇所）同一の大きさの正方形に設けられ、そのうちの下半分の８箇所に、ｎ導電型不純物拡散領域１１ａが、全周にわたってｐ導電型不純物拡散領域１２とのＰＮ間距離がＬＡとなるように、開口領域１２ｃと同一形状をもって開口領域１２ｃの中心位置に配置されている。また、残りの上半分の８箇所に、ｎ導電型不純物拡散領域１１ｂが、全周にわたってｐ導電型不純物拡散領域１２とのＰＮ間距離がＬＢとなるように、開口領域１２ｃと同一形状をもって開口領域１２ｃの中心位置に配置されている。
【００４８】
このように、本実施形態に示す構成によっても、第１の実施形態に示した効果に加え、さらにｐ導電型不純物拡散領域１２の形成領域を小さくすることができる。また、ｎ導電型不純物拡散領域１１ａ，１１ｂとｐ導電型不純物拡散領域１２の接合幅Ｗが大きくなる。従って、第２の実施形態に示す構成同様、小さな面積で大きなＥＳＤ耐量を実現することができる。
【００４９】
また、２次元配置することにより、同じＰＮ間距離を有するｎ導電型不純物拡散領域１１ａ，１１ｂ間同士の電気的な接続がしやすくなる。
【００５０】
尚、本実施形態においては、開口領域１２ｃ及びｎ導電型不純物拡散領域１１ａ，１１ｂの形状を正方形としたが、その形状は特に限定されるものではない。例えば、その他の多角形状（三角、六角等）や円形状としても良い。円形より多角形状としたほうが同一面積で接合幅Ｗを大きくとることができる。また、ダイオード１３ａ，１３ｂによって異なる形状としても良い。
【００５１】
また、本実施形態においては、下半分にダイオード１３ａを構成するｎ導電型不純物拡散領域１１ａをかためて配置し、上半分にダイオード１３ｂを構成するｎ導電型不純物拡散領域１１ｂをかためて配置する例を示した。しかしながら、ランダムに配置しても良い。しかしながら、ＰＮ間距離の等しいｎ導電型不純物拡散領域１１ａ，１１ｂ同士をかためて配置した方が、電気的な接続がしやすくなる。
【００５２】
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施することができる。
【００５３】
尚、本実施形態においては、半導体基板１０がｐ型である場合について説明したが、ｎ型の半導体基板を適用することもできる。また、半導体基板１０上に、ｐウェル、ウェルを設け、その中にｎ導電型不純物拡散領域１１とｐ導電型不純物拡散領域１２を配置する構成としても良い。
【００５４】
また、本実施形態においては、半導体基板１０にＰＮ間距離の異なる２種類のダイオード１３ａ，１３ｂを設ける例を示した。しかしながら、３種類以上のダイオードを設けた構成としても良い。
【００５５】
また、本実施形態においては、半導体基板１０に半導体装置（図示略）が設けられる例を示した。しかしながら、半導体基板１０にＰＮ間距離の異なるダイオード１３ａ，１３ｂのみが設けられた構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施形態における保護素子の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】ＰＮ間距離Ｌに対するＤＣ耐圧とＥＳＤ耐量の変化を示す図である。
【図３】第２の実施形態における保護素子の概略構成を示す平面図である。
【図４】第３の実施形態における保護素子の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０・・・半導体基板
１１，１１ａ，１１ｂ・・・ｎ導電型不純物拡散領域（第２不純物拡散領域）
１２・・・ｐ導電型不純物拡散領域（第１不純物拡散領域）
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ・・・開口領域
１３ａ，１３ｂ・・・ダイオード
１４ａ・・・第１の入力端子
１４ｂ・・・第２の入力端子
１００・・・保護素子
【図１】
2006319073.tif 000003
【図２】
2006319073.tif 000004
【図３】
2006319073.tif 000005
【図４】
2006319073.tif 000006