(57)【要約】【課題】  光半導体素子及び光半導体装置並びに光半導体素子の製造方法において、ワイヤーやバンプを用いずに電極の電気的接続ができ、効率的に発光又は受光が可能で低コスト化を実現すること。【解決手段】  ｐ型半導体層１５とｎ型半導体層１６とを積層してなる略長方形状の素子本体２０と、素子本体２０の角部の少なくとも一つを面取りした領域に形成されｎ型半導体層１６に他の層とは絶縁状態で電気的に導通するｎ型角部電極１８と、を備えている。したがって、基板１４上のｎ側配線パターン１３Ｂとｎ型角部電極１８とをハンダペーストやＡｇペースト等の導電性接着剤で接着及び導通を図ることで、パッケージ化の際に封止樹脂部６の高さを低く抑えることができると共に、ワイヤーによる光の遮断を無くすことができる。【選択図】図１
2006173197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを積層してなる略長方形状の素子本体と、
前記素子本体の角部の少なくとも一つを面取りした又は切り欠いた領域に形成され前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する角部電極と、を備えていることを特徴とする光半導体素子。
【請求項２】
前記角部電極が、前記ｐ型半導体層及び前記ｎ型半導体層のうち一方に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する第１の角部電極と、
前記ｐ型半導体層及び前記ｎ型半導体層のうち他方に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する第２の角部電極と、からなることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子。
【請求項３】
前記角部電極が、前記素子本体の対角位置に配された一対の角部に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子。
【請求項４】
前記角部電極が、前記素子本体の一側面の両側に配された一対の角部に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子。
【請求項５】
一対の配線パターンが形成された基板と、
前記一対の配線パターン上に接着された請求項１から４のいずれか一項の光半導体素子と、
前記光半導体素子の周囲を覆う封止樹脂部と、を備え、
前記角部電極と該角部電極に対応する前記配線パターンとが導電性接着材料で接着されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを積層してなる半導体ウエハーにスルーホール又は凹部を複数形成する工程と、
前記スルーホール又は前記凹部の内面に前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する角部電極を形成する工程と、
前記スルーホール又は前記凹部をダイシングラインの交差位置に配して格子状に前記半導体ウエハーをダイシングして略長方形のチップ状に分割する工程と、を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージの薄型化及び小型化に好適な光半導体素子及び光半導体装置並びに光半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表面実装型の発光ダイオードは、特許文献１に記載されているように、通常、発光素子を基板上に接着し、ワイヤーボンディングやバンプによって基板との導通を確保した後に樹脂封止してパッケージ化されている。
例えば、１本のワイヤーボンディングで電気的接続を行う場合、図１１の（ａ）（ｂ）に示すように、ｐｎ接合面Ｊを上部に配すると共に上面に電極パターン１が一つ形成された発光素子２を、一対の配線パターン３Ａ、３Ｂが形成された基板４の一方の配線パターン３Ａ上に半田等（図示略）で接着固定し、発光素子２の下面側と電気的に接続する。
【０００３】
さらに、Ａｕ細線等のワイヤー５で発光素子２の電極パターン１と基板４の他方の配線パターン３Ｂとをワイヤーボンディングで接続する。この状態で、透明な封止樹脂部６で発光素子２を封止することでパッケージ化している。
【０００４】
また、２本のワイヤーボンディングで電気的接続を行う場合、図１２の（ａ）（ｂ）に示すように、ｐｎ接合面Ｊを上面側に配すると共に一対の電極パターン１Ａ、１Ｂが上面に形成された発光素子１２を、一対の配線パターン３Ａ、３Ｂが形成された基板４の一方の配線パターン３Ａ上に半田等（図示略）で接着固定し、発光素子１２の下面側と電気的に接続する。なお、一対の電極パターン１Ａ、１Ｂは、一方が発光素子１２のｐ側電極とされ、他方が発光素子１２のｎ側電極とされている。さらに、一方のワイヤー５Ａで発光素子１２上の一方の電極パターン１Ａと基板４の一方の配線パターン３Ａとをワイヤーボンディングで接続すると共に、他方のワイヤー５Ｂで発光素子１２上の他方の電極パターン１Ｂと基板４の他方の配線パターン３Ｂとをワイヤーボンディングで接続している。
【０００５】
さらに、図１３の（ａ）（ｂ）に示すように、ワイヤーボンディングを用いずにバンプ８で電気的接続を行う場合、上記図１２に示した発光素子１２を下向き、すなわちｐｎ接合面Ｊを下側にし、基板４の一方の配線パターン３Ａ上に一方の電極パターン１Ａを配すると共に他方の配線パターン３Ｂ上に他方の電極パターン１Ｂを配するようにして、それぞれバンプ８で接着固定することにより、発光素子１２と配線パターン３Ａ、３Ｂとを電気的に接続している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１９３４５１号公報（第２頁、図１、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来の電気的接続では、ワイヤーボンディングを用いる場合、ワイヤー５、５Ａ、５Ｂが露出しない程度しか、封止樹脂部６の高さを低くすることができず、パッケージ全体を薄くすることが困難であった。また、ワイヤーボンディングのためのスペースを上面の電極に設ける必要があるため、大きな電極により光が遮られてしまう不都合があった。さらに、ワイヤー５、５Ａ、５Ｂが上面側に配されるため、ワイヤー５、５Ａ、５Ｂが光を遮ってしまうという不都合もあった。
また、バンプ８を用いる場合、封止樹脂部６の高さを低くすることは可能であるが、バンプ８の形成にコストがかかり、実装についてもフェイスダウンボンディングのために時間がかかり、検査もしにくいという不都合があった。
【０００８】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ワイヤーやバンプを用いずに電極の電気的接続ができ、効率的に発光又は受光が可能で低コストな光半導体素子及び光半導体装置並びに光半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の光半導体素子は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを積層してなる略長方形状の素子本体と、素子本体の角部の少なくとも一つを面取りした又は切り欠いた領域に形成されｐ型半導体層又はｎ型半導体層に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する角部電極と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】
すなわち、この光半導体素子では、素子本体の角部の面取り領域又は切り欠き領域に角部電極が形成されているので、基板上に実装する際に、基板上の電極と角部電極とをハンダペーストやＡｇペースト等の導電性接着剤で接着及び導通を図ることで、ワイヤーボンディングを不要とすることができる。したがって、パッケージ化の際に封止樹脂部の高さを低く抑えることができると共に、ワイヤーによる光の遮断を無くすことができる。そして、上面ではなく角部に電極が配されているので、発光又は受光の際に電極が光を遮ることを極力避けることができ、発光面積又は受光面積を最大限確保することができる。さらに、角部に電極が配されることで、実装後の外観検査等が容易になる。また、バンプが不要となり、ハンダペーストやＡｇペースト等の導電性接着剤で基板との接着及び導通を図ることで、少ない工程及び低コストで容易に実装することができると共に、小型化を図ることができる。このように、本発明では、パッケージ化した際に全体として薄型化及び小型化を低コストで図ることができると共に、効率的な発光又は受光を得ることができる。
【００１１】
また、本発明の光半導体素子は、角部電極が、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のうち一方に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する第１の角部電極と、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層のうち他方に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する第２の角部電極と、からなることを特徴とする。すなわち、この光半導体素子では、第１の角部電極と第２の角部電極とで、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層の電気的接続を行うことにより、サファイヤ基板等の絶縁性基板を光半導体素子の成長用基板に用いた場合でも、ワイヤーを用いずにｐ型半導体層及びｎ型半導体層のそれぞれの導通を得ることができる。
【００１２】
さらに、本発明の光半導体素子は、角部電極が、素子本体の対角位置に配された一対の角部に形成されていることを特徴とする。すなわち、この光半導体素子では、角部電極が対角位置の角部に形成されているので、発光又は受光の指向性に偏りが少なくなり、実装基板への接着も対角位置である両端で行われるため、バランスの良い高い接着強度を得ることができる。
【００１３】
また、本発明の光半導体素子は、角部電極が、素子本体の一側面の両側に配された一対の角部に形成されていることを特徴とする。すなわち、この光半導体素子では、一側面の両側に角部電極が配されているので、上記一側面を実装基板への接着面とする側面実装を行う場合、一対の角部電極全体にわたってハンダペーストやＡｇペースト等の導電性接着剤で接着を行うことができ、高い接着強度を得ることができる。
【００１４】
本発明の光半導体装置は、一対の配線パターンが形成された基板と、一対の配線パターン上に接着された上記本発明の光半導体素子と、光半導体素子の周囲を覆う封止樹脂部と、を備え、角部電極と該角部電極に対応する配線パターンとが導電性接着材料で接着されていることを特徴とする。
この光半導体装置では、角部電極と配線パターンとが導電性接着材料で接着されて上記本発明の光半導体素子が基板上に実装されているので、薄い封止樹脂部とすることができ、薄型かつ小型にパッケージ化された発光ダイオードやフォトダイオード等を低コストで得ることができる。
【００１５】
本発明の光半導体素子の製造方法は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを積層してなる半導体ウエハーにスルーホール又は凹部を複数形成する工程と、スルーホール又は凹部の内面にｐ型半導体層又はｎ型半導体層に他の層とは絶縁状態で電気的に導通する角部電極を形成する工程と、スルーホール又は凹部をダイシングラインの交差位置に配して格子状に半導体ウエハーをダイシングして略長方形のチップ状に分割する工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
この光半導体素子の製造方法では、半導体ウエハーの状態で予め形成したスルーホール又は凹部をダイシングラインの交差位置に配してダイシングすることにより、一つのスルーホール又は凹部で４つの光半導体素子の角部電極を同時に形成することができる。したがって、加工数が少なくなり、上記本発明の光半導体素子を低コストで容易に作製することが可能になる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る光半導体素子によれば、素子本体の角部の切り欠き領域又は面取り領域に角部電極が形成されているので、ワイヤーボンディングやバンプが不要となり、パッケージ化した際に全体として薄型化及び小型化を低コストで図ることができると共に、角部電極が光を遮らないことから効率的な発光又は受光を得ることができる。したがって、この光半導体素子を実装した本発明の光半導体装置によれば、薄型かつ小型で高輝度の発光ダイオードや高受光感度のフォトダイオード等を低コストで得られ、これらを実装スペースが小さい又は薄型の筐体を有する機器に搭載することが可能になる。
また、本発明に係る光半導体素子の製造方法によれば、半導体ウエハーの状態で予め形成したスルーホール又は凹部をダイシングラインの交差位置に配してダイシングすることにより、効率的に角部電極を形成して低コストで上記本発明の光半導体素子を作製することができ、生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る光半導体素子及び光半導体装置並びに光半導体素子の製造方法の第１実施形態を、図１を参照しながら説明する。
【００１９】
本実施形態の光半導体装置は、図１の（ａ）に示すように、例えば赤外線発光ダイオードであって、ｐ側配線パターン１３Ａ及びｎ側配線パターン１３Ｂが形成された基板１４と、該基板１４上にハンダやＡｇペースト等の導電性接着材料（図示略）で接着される発光素子（光半導体素子）２２と、該発光素子２２の周囲を覆う封止樹脂部６と、を備えている。
上記基板１４は、例えば略直方体形状のガラスエポキシ基板、ＢＴレジン基板、セラミックス基板やメタルコア基板等の絶縁性基板である。また、ｐ側配線パターン１３Ａ及びｎ側配線パターン１３Ｂは、発光素子２２との導通及びマザーボード等の外部基板に実装するための電極として、側面を介して表裏面にわたって形成されている。
【００２０】
上記発光素子２２は、例えばＧａＡｓ系半導体素子の赤外線発光ダイオード素子であって、図１の（ｂ）に示すように、シリコン基板等のｐ型半導体基板１７上にｐ型半導体層１５及びｎ型半導体層１６がこの順に成長されてｐｎ接合面Ｊを上面側に有した略直方体形の素子本体２０と、素子本体２０の一つの角部を面取りした領域に形成されｎ型半導体層１６に他の層とは絶縁状態で電気的に導通するｎ側角部電極１８（第２の角部電極）と、を有したものである。
【００２１】
上記発光素子２２は、ｐ側配線パターン１３Ａ及びｎ側配線パターン１３Ｂに対応して下面にｐ側電極パターン１１Ａ及びｎ側電極パターン１１Ｂが形成されている。
この発光素子２２は、ｐ側電極パターン１１Ａ及びｎ側電極パターン１１Ｂをｐ側配線パターン１３Ａ及びｎ側配線パターン１３Ｂ上に配してハンダやＡｇペースト（図示略）で接着することにより、基板１４上に実装される。
【００２２】
上記ｎ側角部電極１８は、発光素子２２の上下にわたって延在してｎ型半導体層１６とｎ側電極パターン１１Ｂとを電気的に導通させている。このｎ側角部電極１８は、角部を面取りした領域にＳｉＯ2等の絶縁膜１９を介して金属膜を施して形成されている。すなわち、ｎ側角部電極１８は、ｐ型半導体層１５及びｐ型半導体基板１７に対し、絶縁膜１９により電気的に絶縁されている。また、ｎ側角部電極１８は、一端が上面に形成された上面電極１０まで達していると共に、他端が下面のｎ側電極パターン１１Ｂに達している。ｐ側電極パターン１１Ａは、ｐ型半導体基板１７の下面に直接形成されている。
【００２３】
上記封止樹脂部６は、略直方体形状とされ、発光素子２２の発光波長に対して透明なエポキシ系やシリコーン系等の樹脂材料で形成されている。
上記ｐ型半導体層１５及びｎ型半導体層１６は、単層ではなく組成や不純物濃度が異なる複数の半導体層からなる層である。
【００２４】
このように本実施形態では、素子本体２０の角部の面取り領域にｎ側角部電極１８が形成されているので、基板１４上に実装する際に、基板１４上のｎ側電極パターン１１Ｂとｎ側角部電極１８とをハンダペーストやＡｇペースト等で接着及び導通を図ることで、ワイヤーボンディングを不要とすることが可能になる。したがって、パッケージ化の際に封止樹脂部６の高さを低く抑えることができると共に、ワイヤーによる光の遮断を無くすことができる。そして、上面ではなく角部に電極が配されているので、発光の際に電極が光を遮ることを極力避けることができ、発光面積を最大限確保することができる。
【００２５】
さらに、角部に電極が配されることで、実装後の外観検査等が容易になる。また、バンプが不要となり、ハンダペーストやＡｇペースト等で基板１４との接着及び導通を図ることで、少ない工程及び低コストで容易に実装することができると共に、小型化を図ることができる。このように、本発明では、パッケージ化した際に全体として薄型化及び小型化を低コストで図ることができると共に、効率的な発光を得ることができる。
【００２６】
次に、本発明に係る第２実施形態を、図２を参照しながら説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００２７】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では一つのｎ側角部電極１８だけでｎ型半導体層１６とｎ側配線パターン１３Ｂとの電気的接続を行っているのに対し、第２実施形態の発光素子（光半導体素子）３２では、図２の（ａ）（ｂ）に示すように、２つのｎ側角部電極１８でｎ型半導体層１６とｎ側配線パターン１３Ｂとの電気的接続を行っている点である。すなわち、第２実施形態の発光素子３２は、素子本体３０の一側面の両側に配された一対の角部にｎ側角部電極１８がそれぞれ形成されている。なお、図２の（ａ）において、ｐ側電極パターン１１Ａ及びｐ側配線パターン１３Ａは図示されていないが、これらはｎ側角部電極１８が両側に形成されている一側面の反対に位置する側面側の下面に配されている。
【００２８】
本実施形態では、２つのｎ側角部電極１８が設けられているので、一つのｎ側角部電極１８の場合よりも高い接着強度を得ることができる。
なお、図２の（ｃ）に示す発光素子（光半導体素子）４２は、第２実施形態における他の例を示したものである。すなわち、この発光素子４２では、ｎ側角部電極１８が素子本体４０の対角位置の角部に形成されている。この発光素子４２では、ｎ側角部電極１８が対角位置の角部に形成されているので、発光の指向性に偏りが少なくなり、基板１４への接着も対角位置である両端で行われるため、バランスの良い高い接着強度を得ることができる。
【００２９】
次に、本発明に係る第３実施形態を、図３を参照しながら説明する。
【００３０】
第３実施形態と第２実施形態との異なる点は、第２実施形態では２つのｎ側角部電極１８がどちらもｎ型半導体層１６とｎ側配線パターン１３Ｂとの電気的接続を行っているのに対し、第３実施形態では、図３の（ａ）（ｂ）に示すように、発光素子（光半導体素子）５２に形成されたｐ側角部電極（第１の角部電極）２８及びｎ側角部電極（第２の角部電極）１８の一対の角部電極でｐ側配線パターン１３Ａ及びｎ側配線パターン１３Ｂとの電気的接続が行われている点である。また、第２実施形態の発光素子３２は、ｐ型半導体基板１７上に各層が成長されているのに対し、第３実施形態の発光素子５２では、サファイヤ基板等の絶縁性基板３７上にｐ型半導体層１５及びｎ型半導体層１６がこの順で成長された素子本体５０を採用している点でも異なっている。
【００３１】
すなわち、第３実施形態では、発光素子５２に、ｐ型半導体層１５及びｐ側電極パターン１１Ａとを他の層とは絶縁状態で電気的に導通させるｐ側角部電極２８と、ｎ型半導体層１６とｎ側電極パターン１１Ｂとを他の層とは絶縁状態で電気的に導通させるｎ側角部電極１８と、が形成されている。上記ｐ側角部電極２８は、ｎ側角部電極１８と同様に、発光素子５２の上下にわたって延在してｐ型半導体層１５とｐ側電極パターン１１Ａとを電気的に導通させている。すなわち、ｐ側角部電極２８は、ｎ型半導体層１６に対し、絶縁膜１９により電気的に絶縁されている。また、ｐ側角部電極２８は、角部を面取りした領域にＳｉＯ2等の絶縁膜１９を介して金属膜を施して形成されている。このｐ側角部電極２８は、一端が上面に形成されたｐ側上面電極１０Ａまで達していると共に、他端が下面のｐ側電極パターン１１Ａに達している。
【００３２】
また、ｐ側電極パターン１１Ａ及びｎ側電極パターン１１Ｂとｐ側配線パターン１３Ａ及びｎ側配線パターン１３Ｂとは、ハンダやＡｇペースト（図示略）によって接着され、電気的に接続されている。
【００３３】
上面に配されるｎ型半導体層１６は、表面にｎ側上面電極１０Ｂが形成されていると共に、図３の（ｂ）に示すように、ｐ型半導体層１５の一部が露出するようにパターニングされてエッチングにより除去されている。この露出したｐ型半導体層１５の表面にｐ側上面電極１０Ａが形成されている。なお、ｐ側上面電極１０Ａ及びｎ側上面電極１０Ｂは、充分な電気的導通が得られる最小面積で形成され、それぞれ素子本体５０の上面角部に配されている。
【００３４】
この本実施形態では、ｐ側角部電極２８とｎ側角部電極１８とで、ｐ型半導体層１５及びｎ型半導体層１６とｐ側電極パターン１１Ａ及びｎ側電極パターン１１Ｂとのそれぞれの電気的接続を行うことにより、サファイヤ基板等の絶縁性基板３７を発光素子５２の成長用基板に用いた場合でも、ワイヤーボンディングを用いずに上面側のｐ型半導体層１５及びｎ型半導体層１６との導通を得ることができる。
【００３５】
なお、図３の（ｃ）に示す発光素子（光半導体素子）６２は、第３実施形態における他の例を示したものである。すなわち、この発光素子６２では、ｎ側角部電極１８とｐ側角部電極２８とが互いに素子本体６０の対角位置の角部に形成されている。この発光素子６０では、ｎ側角部電極１８とｐ側角部電極２８とが互いに対角位置の角部に形成されているので、第２実施形態の他の例と同様に、発光の指向性に偏りが少なくなり、基板１４への接着も対角位置である両端で行われるため、バランスの良い高い接着強度を得ることができる。
【００３６】
次に、本発明に係る第４実施形態を、図４を参照しながら説明する。
【００３７】
第４実施形態と第３実施形態との異なる点は、第３実施形態では、発光素子５２の角部を面取りした領域にｐ側角部電極２８及びｎ側角部電極１８を形成しているのに対し、第４実施形態では、図４（ａ）（ｂ）に示すように、発光素子（光半導体素子）７２が、素子本体７０の角部を切り欠いた領域にｐ型半導体層１５に他の層とは絶縁状態で電気的に導通するｐ側角部電極３８と、ｎ型半導体層１６に他の層とは絶縁状態で電気的に導通するｎ側角部電極４８と、を備えている点である。
また、第３実施形態では絶縁性基板３７が基板１４側とされて接着されているのに対し、第４実施形態では、発光波長に対し透明なｐ型半導体基板１７を用い、基板１４と反対側、すなわち上面側にｐ型半導体基板１７を配してｐｎ接合面Ｊを基板１４側に配している点でも異なっている。
【００３８】
すなわち、本実施形態では、素子本体７０の角部を切り欠いた領域にｐ側角部電極３８及びｎ側角部電極４８を設けて、ｐｎ接合面Ｊ側を下面にして接着しているため、ｐ側角部電極３８及びｎ側角部電極４８がｐ型半導体基板１７を介して放射される光の妨げに全くならず、より効率的な光の取り出しが可能である。
なお、図４の（ｃ）に示す発光素子（光半導体素子）８２は、第４実施形態における他の例を示したものである。すなわち、この発光素子８２では、ｎ側角部電極４８とｐ側角部電極３８とが互いに素子本体８０の対角位置の角部に形成されており、第３実施形態の他の例と同様に、バランスの良い高い接着強度を得ることができる。
【００３９】
次に、本発明に係る第５実施形態を、図５を参照しながら説明する。
【００４０】
第５実施形態と第３実施形態との異なる点は、第３実施形態では、基板１４の上面に垂直な方向に発光するようにｐｎ接合面Ｊと基板１４の上面とを平行にして発光素子５２を接着しているのに対し、第５実施形態では、図５に示すように、基板１４の側方に向けて発光するように、ｐｎ接合面Ｊを基板１４の上面に対して垂直にし、ｐ側角部電極２８及びｎ側角部電極１８が両側に配された側面を接着面として発光素子５２を基板１４上に接着している点である。また、発光素子５２は、ｐ側角部電極２８及びｎ側角部電極１８の全長にわたってハンダペーストＨで基板１４上に接着されている。なお、発光素子５２は、発光波長に対して透明なエポキシ系やシリコーン系等の樹脂（図示略）で周囲を封止される。
【００４１】
この本実施形態では、ｐ側角部電極２８及びｎ側角部電極１８が両側に配された側面を接着面として、発光素子５２が側面実装されるので、一対の角部電極の全長にわたってハンダペーストＨで接着を行うことで、配線パターンへの導通を図ると同時に高い接着強度を得ることができる。したがって、側面発光の薄型発光ダイオードが得られ、例えば携帯電話の液晶バックライト用等、狭い領域への実装に好適である。なお、ハンダペーストＨの代わりに、Ａｇペーストを用いても構わない。
【００４２】
次に、本発明に係る光半導体素子の製造方法について、図６から図１０を参照して説明する。
【００４３】
まず、図１の（ｂ）に示す第１実施形態の発光素子２２を作製する場合、図６の（ａ）に示すように、ｐ型半導体層１５やｎ型半導体層１６を成長させた半導体ウエハーＷに予めスルーホールＳを複数形成しておく。このスルーホールＳは、エッチング加工、レーザ加工、ドリル等による機械加工等で形成する。このスルーホールＳは、後で行うダイシングの際のダイシングラインＬの交差位置に配して形成しておく。ただし、スルーホールＳは、ダイシングラインＬの交差位置のうち、発光素子２２の一つの角部のみに対応するように形成される。次に、この半導体ウエハーＷの状態で、スルーホールＳの内面にｐ型半導体層１５又はｎ型半導体層１６に他の層とは絶縁状態で電気的に導通するｎ側角部電極１８を形成する。この際、先にスルーホールＳの内面にＳｉＯ2等の絶縁膜１９を形成し、その上に無電解メッキ等により金属膜を形成してｎ側角部電極１８を形成する。
【００４４】
さらに、この半導体ウエハーＷの上面に上面電極１０をパターニングにより所定位置に形成する。また、この半導体ウエハーＷの下面にｐ側電極パターン１１Ａ及びｎ側電極パターン１１Ｂをパターニングにより所定位置に形成する。
次に、半導体ウエハーＷを、図６の（ｂ）に示すように、ダイシングラインＬの交差位置にスルーホールＳが位置するようにして格子状にダイシングし、図６の（ｃ）に示すように、略長方形のチップ状に分割して発光素子２２を作製する。
【００４５】
このように半導体ウエハーＷの状態で予めスルーホールＳを複数形成しておき、これらスルーホールＳをダイシングラインＬの交差位置に配してダイシングすることにより、一つのスルーホールＳで４つの発光素子２２のｎ側角部電極１８を同時に形成することができる。したがって、加工数が少なくなり、発光素子２２を低コストで容易に作製することが可能になる。
【００４６】
次に、図２の（ｂ）（ｃ）に示す第２実施形態の発光素子３２及び発光素子４２を作製する場合、前述した発光素子２２の製造工程とほぼ同様であるが、図７の（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図８の（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、形成するスルーホールＳの配置が異なっている。すなわち、発光素子３２を作製する場合は、図７の（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、スルーホールＳが、ダイシングラインＬの交差位置のうち、発光素子３２の一側面の両側に位置する一対の角部に対応するように形成される。また、発光素子４２を作製する場合は、図８の（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、スルーホールＳが、ダイシングラインＬの交差位置のうち、発光素子４２の対角位置の一対の角部に対応するように形成される。
【００４７】
次に、図４の（ｂ）に示す第４実施形態の発光素子７２を作製する場合、図１の（ｂ）に示す発光素子２２の製造方法と異なる点は、図９の（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、スルーホールＳではなく、凹部ＵをダイシングラインＬの交差位置に配して形成する点である。この凹部Ｕは、スルーホールＳと同様に、エッチング加工、レーザ加工、ドリル等による機械加工等で形成するが、半導体ウエハーＷを貫通させずにｐ型半導体基板１７の途中までの加工で形成する。
また、図４の（ｃ）に示す第４実施形態の他の例である発光素子８２を作製する場合は、図１０の（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、形成する凹部Ｕが、ダイシングラインＬの交差位置のうち、発光素子８２の対角位置の一対の角部に対応するように形成される。
【００４８】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
上記各実施形態では、基板１４に実装する光半導体素子として、赤外線ＬＥＤ（発光ダイオード）を採用したが、他の波長のＬＥＤ、例えば青色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤや緑色ＬＥＤを採用しても構わない。なお、青色ＬＥＤを発光素子として採用して該発光素子をＹＡＧ蛍光体入り樹脂で封止し、青色光をＹＡＧ蛍光体入り樹脂により白色光に変換させる白色ＬＥＤとしても構わない。
また、光半導体素子として、ＬＥＤだけでなく、ＬＤ（半導体レーザ）やＰＤ（フォトダイオード）に適用しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係る第１実施形態の光半導体装置及び光半導体素子を示す断面図及び斜視図である。
【図２】本発明に係る第２実施形態の光半導体装置、光半導体素子及び他の例を示す断面図及び斜視図である。
【図３】本発明に係る第３実施形態の光半導体装置、光半導体素子及び他の例を示す断面図及び斜視図である。
【図４】本発明に係る第３実施形態の光半導体装置、光半導体素子及び他の例を示す断面図及び斜視図である。
【図５】本発明に係る第４実施形態の光半導体装置を示す斜視図である。
【図６】第１実施形態に係る発光素子について、その製造方法を工程順に示す要部斜視図である。
【図７】第２実施形態に係る発光素子について、その製造方法を工程順に示す要部斜視図である。
【図８】第２実施形態に係る発光素子の他の例について、その製造方法を工程順に示す要部斜視図である。
【図９】第３実施形態に係る発光素子について、その製造方法を工程順に示す要部斜視図である。
【図１０】第３実施形態に係る発光素子の他の例について、その製造方法を工程順に示す要部斜視図である。
【図１１】本発明に係る従来例において、１本のワイヤーを用いた発光ダイオードを示す断面図及び発光素子を示す斜視図である。
【図１２】本発明に係る従来例において、２本のワイヤーを用いた発光ダイオードを示す断面図及び発光素子を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る従来例において、バンプを用いた発光ダイオードを示す断面図及び発光素子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
６…封止樹脂部、１１Ａ…ｐ側電極パターン、１１Ｂ…ｎ側電極パターン、２、１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２…発光素子（光半導体素子）、１３Ａ…ｐ側配線パターン、１３Ｂ…ｎ側配線パターン、１４…基板、１５…ｐ型半導体層、１６…ｎ型半導体層、１８、４８…ｎ側角部電極（第２の角部電極）、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０…素子本体、２８、３８…ｐ側角部電極（第１の角部電極）、Ｊ…ｐｎ接合面、Ｌ…ダイシングライン、Ｓ…スルーホール、Ｕ…凹部、Ｗ…半導体ウエハー
【図１】
2006173197.tif 000003
【図２】
2006173197.tif 000004
【図３】
2006173197.tif 000005
【図４】
2006173197.tif 000006
【図５】
2006173197.tif 000007
【図６】
2006173197.tif 000008
【図７】
2006173197.tif 000009
【図８】
2006173197.tif 000010
【図９】
2006173197.tif 000011
【図１０】
2006173197.tif 000012
【図１１】
2006173197.tif 000013
【図１２】
2006173197.tif 000014
【図１３】
2006173197.tif 000015