(57)【要約】【課題】  フラックス特性とリペア性とをともに有し、かつ接合信頼性の高い接着性樹脂組成物を提供し、それを用いて電子部品と基板とを接着することにより、接合信頼性とリペア性とを備えた電子装置を提供する。【解決手段】  熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂１１と、フラックスである有機酸１３と、熱可塑性樹脂１２と、硬化剤である酸無水物１４と、カップリング剤１５とを含む接着性樹脂組成物とし、前記接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着する。前記接着性樹脂組成物は、硬化触媒としてイミダゾールをさらに含むことが好ましい。【選択図】  図４
2006265484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂と、フラックスと、熱可塑性樹脂とを含む接着性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂は、ＯＨ基を含み、
前記フラックスは、有機酸を含むことを特徴とする接着性樹脂組成物。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂は、主剤としてエポキシ樹脂を含む請求項１に記載の接着性樹脂組成物。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂は、硬化剤として酸無水物を含む請求項１に記載の接着性樹脂組成物。
【請求項４】
前記接着性樹脂組成物は、硬化触媒としてイミダゾールをさらに含む請求項１に記載の接着性樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着したことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品と基板との接着に用いられる接着性樹脂組成物及びそれを用いて電子部品と基板とを接着した電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージは小型化、高集積化が進み、１０００ピンを越えるような多端子を有する半導体チップと基板との接合が行われている。この種の接合には、Ｃ４と呼ばれるはんだバンプを用いたフリップチップ実装が用いられている。このはんだ接合には、はんだ接合部の洗浄、金属の酸化防止、溶融したはんだの濡れ広がり性の向上などを目的としてフラックスが使用されている。しかし、はんだ接合後にフラックスが残存していると、電気絶縁性の低下や配線部の腐食などの問題が発生する。そのため、現在でははんだ接合後に残存したフラックスを洗浄して除去しているが、洗浄剤の環境問題や、洗浄工程によるコストアップなどの欠点がある。
【０００３】
また、半導体パッケージの小型化、高集積化は、バンプの微細化を促進し、接合強度、信頼性の低下が懸念される。そこで、バンプ接合部の信頼性を高めるために、半導体チップと基板との間にアンダーフィルと呼ばれる絶縁性封止樹脂を流し込んで封止している。しかし、半導体チップと基板との間のスペースは極めて小さくなりつつあり、そこにアンダーフィルを充填することは技術的に益々困難となってきている。
【０００４】
そこで、上記フラックスやアンダーフィルの問題を解決するために、はんだ接合後のフラックスの除去が不要で、アンダーフィルの充填も不要な、フラックス入り接着剤が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。このフラックス入り接着剤は、樹脂中に除去不要なフラックス成分が含まれており、硬化することで、従来のアンダーフィルの役割を果たす接着剤である。
【０００５】
一方、接着剤により接合した半導体チップに接合不良が発生した場合、その接着剤のガラス転移温度以上の温度に接着部を加熱して、基板から半導体チップを引き剥がし、新たに半導体チップを接合する必要性が生じる。この場合、接着剤のガラス転移温度が高すぎると、半導体チップを引き剥がす際に、半導体チップや基板の耐熱温度以上に加熱する必要や、半導体チップや基板の耐えうる強度以上の応力を加える必要があり、半導体チップや基板に損傷を与えたり、新たに接合した半導体チップと基板との接合信頼性が低下するという問題がある。
【０００６】
そこで、上記問題を解決するために、電子部品と基板との接合後に容易に基板から電子部品を取り外すことができる接着剤（以下、リペア性を有する接着剤ということがある。）が提案されている（例えば、特許文献２、特許文献３参照。）。このリペア性を有する接着剤は、熱硬化性樹脂にリペア性樹脂である熱可塑性樹脂を混合させたものである。
【特許文献１】特開２００３−１０３３９８号公報
【特許文献２】特開平７−１０２２２５号公報
【特許文献３】特開２０００−３１９６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来は、上記フラックス入り接着剤には、リペア性を有するものが存在しなかった。このため、フラックス入り接着剤を用いて電子部品を基板に接合した場合には、接合信頼性は向上するものの、電子部品を引き剥がす際に基板に損傷を与えたり、新たに接合した電子部品と基板との接合信頼性が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記問題を解決したもので、フラックス特性とリペア性とをともに有する接着性樹脂組成物及びそれを用いて電子部品と基板とを接着した電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の接着性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と、フラックスと、熱可塑性樹脂とを含む接着性樹脂組成物であって、前記熱硬化性樹脂は、ＯＨ基を含み、前記フラックスは、有機酸を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の電子装置は、上記接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、フラックス特性とリペア性とをともに有し、かつ接合信頼性の高い接着性樹脂組成物を提供でき、またその接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着することにより、接合信頼性とリペア性とを備えた電子装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
＜接着性樹脂組成物の実施の形態＞
本発明の接着性樹脂組成物の一例は、熱硬化性樹脂と、フラックスと、熱可塑性樹脂とを含み、上記熱硬化性樹脂は、ＯＨ基を含み、上記フラックスは、有機酸を含む接着性樹脂組成物である。
【００１３】
熱硬化性樹脂と、フラックスとして有機酸を含むことにより、接合後のフラックスの除去が不要で、アンダーフィルの充填も不要な接合信頼性の高い接着性樹脂組成物を提供できる。また、熱可塑性樹脂を含むことにより、接着性樹脂組成物にリペア性を付与できる。これは、熱硬化性樹脂が硬化した後でも、熱可塑性樹脂は相分離して存在し、この相分離した部分が熱変形部分となり、リペア性が向上するものと考えられる。さらに、上記熱硬化性樹脂がＯＨ基を含むことにより、リペア性がさらに向上する。これは、接合後に残存した有機酸と熱硬化性樹脂とが反応して、熱硬化性樹脂の熱膨張係数が若干増加するためと考えられる。また、この際に熱硬化性樹脂のガラス転移温度には変化がなく、接合信頼性は維持できる。
【００１４】
上記ＯＨ基を有する熱硬化性樹脂の主剤としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを用いることができるが、接合信頼性の点でエポキシ樹脂が好ましい。
【００１５】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、固形タイプ又は液状タイプの、ビスフェノールＡ型エポキシ、ビスフェノールＦ型エポキシ、ナフタレン型エポキシ、臭素化エポキシ、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシ、ビフェニル型エポキシなどを用いることができる。これらの中でも、特にビスフェノール型エポキシ及びナフタレン型エポキシから選ばれる少なくとも１種のエポキシ樹脂が好ましい。これらは、接合信頼性が特に高いからである。
【００１６】
上記熱硬化性樹脂の硬化剤としては、例えば、酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤などを用いることができる。酸無水物硬化剤としては、例えば、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸、無水ナジック酸などを用いることができる。アミン系硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メンセンジアミン、イソホロンジアミン、メタキシレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォンなどを用いることができる。フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック系、パラキシリレン変性フェノール系、ジシクロペンタジエン変性フェノール系などを用いることができる。
【００１７】
上記硬化剤の中では、酸無水物硬化剤が特に好ましい。酸無水物硬化剤は、フラックス成分としても機能するからである。これにより、本来のフラックス成分である有機酸の添加量を減少させることができる。
【００１８】
上記有機酸としては、例えば、無水こはく酸、無水酢酸、無水マレイン酸、無水安息香酸、無水トリメリット酸、無水フタル酸、無水シトラコン酸、無水ヘキサン酸、無水ジグリコール酸、無水グルタル酸、こはく酸、セバシン酸、アジピン酸、クエン酸、Ｌ−グルタミン酸、グルタル酸、ステアリン酸、パルミチン酸、アビエチン酸などを用いることができる。有機酸の添加量は、熱硬化性樹脂の主剤１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下が好ましい。この範囲内であれば、フラックス特性を十分に発揮できるからである。
【００１９】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエステル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンアクリレート共重合体、ポリアミド樹脂、ブタジエンゴム／スチレン共重合体、フェノキシ樹脂、又はこれらの混合物などを用いることができる。熱可塑性樹脂の添加量は、熱硬化性樹脂の主剤１００重量部に対して、１０重量部以上５０重量部以下が好ましい。この範囲内であれば、リペア性を十分に発揮できるからである。
【００２０】
また、上記接着性樹脂組成物は、硬化触媒をさらに含むことが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂の主剤の硬化をより促進することができるからである。硬化触媒としては、例えば、イミダゾール類、有機ホスフィン類、ジアザビシクロウンデンセン、ジアザビシクロウンデンセントルエンスルホン酸塩、ジアザビシクロウンデンセントルエンオクチル酸塩などを用いることができる。この中では、特にイミダゾールが好ましい。イミダゾールは、上記酸無水物硬化剤を活性化させやすいからである。イミダゾールとしては、例えば、２−ヘプタデシルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−（２’−メチル−イミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジン、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−（２’−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどを用いることができる。硬化触媒の添加量は、熱硬化性樹脂の主剤１００重量部に対して、０．５重量部以上３０重量部以下が好ましい。この範囲内であれば、熱硬化性樹脂の主剤の硬化を十分に促進できるからである。
【００２１】
また、上記接着性樹脂組成物は、無機フィラーをさらに含んでもよい。これにより、熱伝導性が向上するからである。無機フィラーとしては、例えば、シリカ粉末、アルミナ粉末などを用いることができる。無機フィラーの添加量は、熱硬化性樹脂の主剤１００重量部に対して、４００重量部以下が好ましい。この範囲内であれば、接着性の低下がないからである。
【００２２】
また、上記接着性樹脂組成物は、カップリング剤をさらに含むことが好ましい。これにより、接着性樹脂組成物に含まれる各成分の結合がより向上するからである。カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤などを用いることができる。カップリング剤の添加量は、熱硬化性樹脂の主剤１００重量部に対して、０．１重量部以上７重量部以下とすることができる。
【００２３】
図４は、本実施形態の接着性樹脂組成物のイメージ図である。本実施形態の接着性樹脂組成物は、通常液状に形成され、例えば、熱硬化性樹脂の主剤としてエポキシ樹脂１１と、リペア成分として熱可塑性樹脂１２と、フラックス成分である有機酸１３と、硬化剤である酸無水物１４と、カップリング剤１５とを含んでいる。
【００２４】
＜電子装置の実施の形態＞
本発明の電子装置の一例は、上記実施形態で説明した接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着した電子装置である。本実施形態の電子装置は、上記接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着しているので、接合信頼性とリペア性とを備えている。
【００２５】
次に、図面に基づき本実施形態の電子装置の製造方法を説明する。図１から図３は、本実施形態の電子装置の製造工程を示す工程断面図である。先ず、図１に示すように、表面に複数の電極２が形成されている基板１上に、上記接着性樹脂組成物３を塗布する。電極２は、金、銀、銅などの導電性金属で形成されている。また、基板２は、セラミック基板、ガラスエポキシ基板などを用いることができる。さらに、接着性樹脂組成物３は、前述のとおり、ＯＨ基を有する熱硬化性樹脂の主剤と、硬化剤と、有機酸と、熱可塑性樹脂と、硬化触媒と、カップリング剤などを含んでいる。
【００２６】
次に、図２に示すように、基板１の上に、複数のバンプ５を備えた電子部品４を配置して、バンプ５と電極２とを位置合わせする。バンプ５としては、はんだバンプを用いることができる。電子部品４としては、例えば、半導体チップ、ウエハなどが該当する。
【００２７】
次に、図３に示すように、基板１の電極２と電子部品４のバンプ５とを加圧しながら接合した後、加熱する。この際、バンプ５が溶融し、接着性樹脂組成物３に含まれる有機酸がフラックスとして作用し、基板１と電子部品４とがはんだ接合されるとともに、接着性樹脂組成物３が硬化する。これにより、アンダーフィルの充填を行わなくても、基板１と電子部品４とを高い接合信頼性をもって接合できる。また、残存する有機酸は熱硬化性樹脂と反応するため、除去が不要である。さらに、接着性樹脂組成物３には、熱可塑性樹脂が含まれているので、バンプ５の溶融温度以上に再度加熱することにより、確実に基板１から電子部品４を取り外すことができる。即ち、本実施形態の電子装置は、高いリペア性を有する。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例に基づき本発明を具体的に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
＜接着性樹脂組成物の作製＞
熱硬化性樹脂の主剤として室温で液状タイプの大日本インキ化学工業製のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂“ＥＸＡ８３０ＬＶＰ”（商品名）１００重量部と、硬化剤である酸無水物として旭電化製のメチルテトラヒドロ無水フタル酸“ＫＲＭ−２９１−５”（商品名）１００重量部と、フラックス成分である有機酸として関東化学製のアビエチン酸２０重量部と、リペア成分である熱可塑性樹脂としてアルドリッチ製の固体アクリル樹脂“ＰＭＭＡ”（商品名）２０重量部と、硬化触媒として四国化成製のイミダゾール“１Ｍ２ＥＺ”（商品名）０．５重量部と、カップリング剤として信越化学製のγ−グリシドキプロピルトリエトキシシラン“ＫＢＭ４０３”（商品名）１重量部とを均一に撹拌・混合して本実施例の接着性樹脂組成物（接着剤）を作製した。
【００３０】
＜電子部品と基板の準備＞
電子部品として、パッドサイズ（直径）１００μｍ、電極ピッチ２００μｍ、電極数１９３６の金製の電極に、はんだバンプを形成した縦１０ｍｍ、横１０ｍｍの半導体チップ（ＬＳＩチップ）を準備した。はんだバンプは、融点が２１７℃のＳｎ−３．５ｗｔ％Ａｇ−０．５ｗｔ％Ｃｕのはんだから形成した。また、このＬＳＩチップの電極に対応して１９３６個の電極を有するガラスエポキシ基板を準備した。
【００３１】
＜電子装置の作製＞
図１に示すように、本実施例の接着剤１０ｍｇを、上記ガラスエポキシ基板の中央部に塗布した。次に、図２に示すように、上記ＬＳＩチップのバンプとガラスエポキシ基板の電極とが接するようにフェイスダウンの状態で位置合わせを行い、図３に示すように、室温（２５℃）で荷重０．３ｋｇ、接合時間１０秒の条件で加圧し、その後、リフロー炉に入れてはんだ接合と接着剤の硬化を行った。リフロー条件は、１．０℃／秒で１６０〜２００℃まで昇温し、１６０〜２００℃で２分間保持し、さらに１．０℃／秒で最大２５０℃まで昇温した。このようにして本実施例の電子装置（半導体装置）を作製した。
【００３２】
＜はんだ接合性の評価＞
本実施例の半導体装置を用いて、各接続点の間の導通電流を測定することにより、はんだ接合性を評価した。図５に導通電流を測定する際のイメージ図を示す。図５において、基板２１の配線部２４と、半導体チップ２３の配線部２５とは、はんだバンプ２２を介して電気的に接続されている。そして、接続点ＡとＢとの間に電圧をかけることにより、完全に導通が形成されていれば電流が流れ、一部でも導通が遮断されていれば電流が流れないことになる。そこで、導通電流の有無ではんだ接合性を評価した。即ち、導通電流が確認された場合には、はんだ接合性は良と判断し、導通電流が確認されなかった場合には、はんだ接合性は不良と判断した。その結果、本実施例では、導通電流が確認され、はんだ接合性は良と判断された。
【００３３】
＜接合信頼性の評価＞
次に、本実施例の半導体装置を用いて、温度サイクル試験を行って各接続点の間の導通抵抗の変化を測定することにより、接合信頼性を評価した。温度サイクル試験は、−６５℃で３０分間冷却、室温（２５℃）で１０分間放置、及び１２５℃で３０分間加熱を１サイクルとして、１５０回繰り返した。導通抵抗は、前述の図５に示したように、接続点ＡとＢとの間に電圧をかけて流れた電流を測定することにより、導通抵抗を測定した。測定は、温度サイクル試験の前後で行い、温度サイクル試験後の導通抵抗の上昇が、温度サイクル試験前の導通抵抗に対して１０％以下の場合には、接合信頼性は良と判断し、１０％を超えた場合には、接合信頼性は不良と判断した。その結果、本実施例では、導通抵抗の上昇が１０％以下と確認され、接合信頼性は良と判断された。
【００３４】
＜リペア性の評価＞
さらに、本実施例の半導体装置を用いて、ＬＳＩチップの取り外しと、再搭載を行ってリペア性を評価した。
【００３５】
先ず、上記温度サイクル試験を行った半導体装置とは別の半導体装置について、硬化した接着剤を２３０℃に加熱した状態でガラスエポキシ基板からＬＳＩチップの取り外しを行った。この取り外しの後に、基板に外観上の損傷が認められた場合には、この時点においてリペア性は不良と判断した。その結果、本実施例では基板に外観上の損傷は認められなかった。
【００３６】
次に、ＬＳＩチップを損傷なく取り外せたガラスエポキシ基板について、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を用いて残存している接着剤を溶解して除去した。なお、接着剤の除去作業時間は、５分以内とした。続いて、取り外したＬＩＳチップと同種のＬＳＩチップを前述と同様にして再搭載して、新たな半導体装置を作製した。この半導体装置を用いて前述と同様にして導通電流の有無を確認し、導通電流が確認されなかった場合には、この時点においてリペア性は不良と判断した。その結果、本実施例では導通電流が確認された。
【００３７】
さらに、導通電流が確認された半導体装置について、前述と同様にして温度サイクル試験を行い、温度サイクル試験後の導通抵抗の上昇が、温度サイクル試験前の導通抵抗に対して１０％以下の場合には、最終的にリペア性は良と判断し、１０％を超えた場合には、この時点においてリペア性は不良と判断した。その結果、本実施例では、導通抵抗の上昇が１０％以下と確認され、最終的にリペア性は良と判断された。
【００３８】
（比較例１）
有機酸であるアビエチン酸を含まない以外は、実施例１と同様にして本比較例の接着剤を作製した。この接着剤を用いて、実施例１と同様にしてはんだ接合性を評価した。その結果、本比較例では、導通電流が確認されず、はんだ接合性は不良と判断された。従って、本比較例では接合信頼性の評価はできなかった。
【００３９】
次に、本比較例の接着剤と、従来のフラックスとを用いて、実施例１と同種のＬＳＩチップとガラスエポキシ基板とを、温度２５℃、荷重０．３ｋｇ、接合時間１０秒の条件で仮接合し、最大２５０℃のリフローに入れ、リフロー接合し、その後、残存するフラックスを洗浄し、ＬＳＩチップとガラスエポキシ基板との間に、本比較例の接着剤を充填し、１５０℃で加熱した。従来のフラックスとしては、ロジン系フラックスを用いた。このようにして作製した本比較例の半導体装置を用いて実施例１と同様にしてリペア性を評価した。その結果、最終的にリペア性は良と判断された。
【００４０】
（比較例２）
熱可塑性樹脂であるアクリル樹脂を含まない以外は、実施例１と同様にして本比較例の接着剤を作製した。この接着剤を用いて、実施例１と同様にしてはんだ接合性、接合信頼性、リペア性を評価した。その結果、はんだ接合性及び接続信頼性は良と判断されたが、ＬＳＩチップの取り外した後の基板に損傷が認められたため、リペア性は不良と判断された。
【００４１】
以上の結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】
2006265484.tif 000003
【００４３】
表１から、はんだ接合性を良好に得るにはフラックス成分として有機酸が必要であり、リペア性を良好に得るには熱可塑性樹脂が必要であることが分かる。
【００４４】
＜有機酸の添加量の最適化＞
実施例１の接着剤に添加した有機酸であるアビエチン酸の添加量を変化させた以外は、実施例１と同様にしてそれぞれ接着剤（サンプル１〜５）を作製した。この各接着剤を用いて、実施例１と同様にしてはんだ接合性、接合信頼性、リペア性を評価した。その結果を表２に示す。なお、表２において、サンプル３は、実施例１と同様の組成の接着剤である。
【００４５】
【表２】
2006265484.tif 000004
【００４６】
表２から、有機酸であるアビエチン酸の添加量は、５重量部以上５０重量部以下が好ましいことが分かる。
【００４７】
＜熱可塑性樹脂の添加量の最適化＞
実施例１の接着剤に添加した熱可塑性樹脂であるアクリル樹脂の添加量を変化させた以外は、実施例１と同様にしてそれぞれ接着剤（サンプル６〜１０）を作製した。この各接着剤を用いて、実施例１と同様にしてはんだ接合性、接合信頼性、リペア性を評価した。その結果を表３に示す。なお、表３において、サンプル８は、実施例１と同様の組成の接着剤である。
【００４８】
【表３】
2006265484.tif 000005
【００４９】
表３から、熱可塑性樹脂であるアクリル樹脂の添加量は、１０重量部以上５０重量部以下が好ましいことが分かる。なお、サンプル６のリペア性不良は、ＬＳＩチップを取り外した後の基板に損傷が認められたためであり、サンプル１０のリペア性不良は、ＬＩＳチップを再搭載した後の温度サイクル試験において導通抵抗の上昇が１０％を超えたためである。
【００５０】
以上のように、本実施形態では、フラックス特性とリペア性とをともに有し、かつ接合信頼性の高い接着性樹脂組成物を提供できる。また、その接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着することにより、接合信頼性とリペア性とを備えた電子装置を提供できる。
【００５１】
以上の実施例１を含む本発明の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００５２】
（付記１）  熱硬化性樹脂と、フラックスと、熱可塑性樹脂とを含む接着性樹脂組成物であって、
前記熱硬化性樹脂は、ＯＨ基を含み、
前記フラックスは、有機酸を含むことを特徴とする接着性樹脂組成物。
【００５３】
（付記２）  前記熱硬化性樹脂は、主剤としてエポキシ樹脂を含む付記１に記載の接着性樹脂組成物。
【００５４】
（付記３）  前記エポキシ樹脂は、ビスフェノール型エポキシ及びナフタレン型エポキシから選ばれる少なくとも１種のエポキシ樹脂である付記２に記載の接着性樹脂組成物。
【００５５】
（付記４）  前記熱硬化性樹脂は、硬化剤として酸無水物を含む付記１に記載の接着性樹脂組成物。
【００５６】
（付記５）  前記有機酸の添加量は、前記熱硬化性樹脂の主剤１００重量部に対して、５重量部以上５０重量部以下である付記１に記載の接着性樹脂組成物。
【００５７】
（付記６）  前記熱可塑性樹脂の添加量は、前記熱硬化性樹脂の主剤１００重量部に対して、１０重量部以上５０重量部以下である付記１に記載の接着性樹脂組成物。
【００５８】
（付記７）  前記接着性樹脂組成物は、硬化触媒としてイミダゾールをさらに含む付記１に記載の接着性樹脂組成物。
【００５９】
（付記８）  前記接着性樹脂組成物は、無機フィラーをさらに含む付記１に記載の接着性樹脂組成物。
【００６０】
（付記９）  前記接着性樹脂組成物は、カップリング剤をさらに含む付記１に記載の接着性樹脂組成物。
【００６１】
（付記１０）  付記１〜９のいずれか１項に記載の接着性樹脂組成物を用いて電子部品と基板とを接着したことを特徴とする電子装置。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本実施形態の電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図２】本実施形態の電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図３】本実施形態の電子装置の製造工程を示す工程断面図である。
【図４】本実施形態の接着性樹脂組成物のイメージ図である。
【図５】実施例１で導通電流を測定する際のイメージ図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板
２  電極
３  接着性樹脂組成物
４  電子部品
５  バンプ
１１  エポキシ樹脂
１２  熱可塑性樹脂
１３  有機酸
１４  酸無水物
１５  カップリング剤
２１  基板
２２  はんだバンプ
２３  半導体チップ
２４  配線部
２５  配線部
【図１】
2006265484.tif 000006
【図２】
2006265484.tif 000007
【図３】
2006265484.tif 000008
【図４】
2006265484.tif 000009
【図５】
2006265484.tif 000010