(57)【要約】【課題】  Ｚ干渉計によってステージのＺ方向における位置を計測するときに、光路温度により位置計測誤差が生じてしまう。さらにＺ方向における位置を計測するためにＸ干渉計の値を用いると、誤差が二重に加わることとなる。【解決手段】  粗動ステージと微動ステージを有する位置決め装置であって、前記粗動ステージに設けられ、反射面と鉛直方向のなす角が鋭角である第１ミラーと、前記微動ステージに設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第２ミラーと、前記微動ステージの鉛直方向位置を計測する際の基準である基準構造体と、該基準構造体に設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第３ミラーと、前記第１〜第３ミラーを用いて前記微動ステージの鉛直方向位置を計測するための干渉計とを有することを特徴としている。【選択図】  図１
2006019549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗動ステージと微動ステージを有する位置決め装置であって、
前記粗動ステージに設けられ、反射面と鉛直方向のなす角が鋭角である第１ミラーと、
前記微動ステージに設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第２ミラーと、
前記微動ステージの鉛直方向位置を計測する際の基準である基準構造体と、
該基準構造体に設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第３ミラーと、
前記第１〜第３ミラーを用いて前記微動ステージの鉛直方向位置を計測するための干渉計とを有することを特徴とする位置決め装置。
【請求項２】
前記第１および第２ミラーは前記干渉計から前記第１ミラーに計測光が照射される方向に対して垂直な第１方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】
前記第３ミラーは、前記第１方向と垂直な第２方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項２に記載の位置決め装置。
【請求項４】
前記第１ミラーは前記粗動ステージの対辺に設けられ、前記第２ミラーは前記微動ステージの対辺に設けられることを特徴とする請求項３に記載の位置決め装置。
【請求項５】
基板にパターンを転写する露光装置であって、請求項１〜４のいずれかに記載の位置決め装置によって前記基板の位置決めをすることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の位置決め装置を２つ有する露光装置であって、
一方の微動ステージ上の基板に露光するための投影光学系と、
一方の微動ステージ上の基板に露光している間に他方の微動ステージ上の基板の位置合わせができるように配置されたアライメント光学系とを有し、
前記第３ミラーは前記投影光学系とアライメント光学系とを結ぶ線分と垂直な方向に沿って設けられることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記２つの位置決め装置は、前記投影光学系の下方と前記アライメント光学系の下方との間で入れ換え可能となっており、
前記基準構造体には、入れ換えの際に２つの位置決め装置がすれ違う位置に、反射面が鉛直方向に対して垂直である第４ミラーが設けられていることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記粗動ステージを案内する定盤が、前記投影光学系の下方の領域と、前記アライメント光学系の下方の領域に分割して設けられていることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
投影光学系を介して基板にパターンを照射する露光装置であって、
前記投影光学系を支持する支持部材と、
前記基板を搭載した微動ステージと、
該微動ステージを搭載した粗動ステージと、
前記微動ステージの位置を計測するために第１計測光と第２計測光を照射する干渉計と、
前記粗動ステージに設けられ、前記第１および第２計測光を鉛直方向に反射する第１反射手段と、
前記微動ステージに設けられ、前記第１反射手段により反射された第１計測光を反射する第２反射手段と、
前記支持部材に設けられ、前記第１反射手段により反射された第２計測光を反射する第３反射手段と、
を有することを特徴を特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項５〜９のうちいずれかに記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置決め装置、特には半導体や液晶等のデバイスを製造する工程で用いられる露光装置に好適に用いられる位置決め装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶等のデバイスを製造する工程で用いられる露光装置において、基板を高精度に位置決めする必要がある。このような露光装置の位置決め機構として、大きな範囲で移動する粗動ステージと、粗動ステージに対して小さな範囲で移動する微動ステージとから構成されるものがある。
【０００３】
特許文献１には、露光装置において、ウエハを搭載した微動ステージのＺ方向（鉛直方向）の変位を計測する方法が開示されている。以下、図６を用いて簡単に説明する。
【０００４】
図５において、位置決め装置は粗動ステージＳｃと微動ステージＳｆを有する。粗動ステージＳｃのＸ方向可動子Ｍｘはステージ定盤Ｂｓに対してＸＹ方向に大きな範囲で移動可能となっている。微動ステージＳｆはＸ方向可動子Ｍｘ上に設けられ、Ｘ方向可動子Ｍｘに対して小さな範囲で移動可能となっている。
【０００５】
Ｂｉは計測基準側に設置すべき部品を搭載するための計測定盤であり、微動ステージのＸ方向位置を計測するためのＸ干渉計１１と微動ステージのＺ方向位置を計測するためのＺ干渉計１２が設けられている。
【０００６】
微動ステージＳｆはＸ方向位置を計測するためのミラー面ｐ１と、Ｚ方向位置を計測するためのバーミラー５４およびそのミラー面ｐ２を有しており、さらに計測定盤ＢｉにはＺ方向位置を計測するためのミラー面ｐ７を有している。
【０００７】
Ｚ干渉計１２から照射される計測光をミラー面ｐ２、ｐ７に反射させて、戻ってきた計測光と不図示の参照光を干渉させることによって変位ｄｘ＋ｄｚを計測する。また、Ｘ干渉計から照射される計測光をミラー面ｐ１に反射させて、戻ってきた計測光と不図示の参照光を干渉させることによって変位ｄｘを計測する。そして、変位ｄｘ＋ｄｚと変位ｄｘとの差分をとることで、Ｚ方向の変位を計測している。
【特許文献１】特開２００１−１４３９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述の構成で、参照光は所定の距離を導光させているが、計測光と参照光の光路間で温度差があると計測誤差が生じてしまう。特に、Ｚ干渉計とＸ干渉計を用いてＺ方向の変位を求める場合には、干渉計が周囲の温度ゆらぎのために受ける誤差がＸ干渉計とＺ干渉計の両干渉計で二重に入るため、計測精度を低下させる要因となる。ここで、光路の温度差による誤差だけでなく、その他の干渉計のもつ誤差要因についても二重に入ることなる。さらに、ステージの位置によって、Ｘ干渉計およびＺ干渉計と微動ステージのミラー面ｐ１およびｐ２までの距離が大きく変動してしまい、上述の計測精度の劣化が顕著となる。
【０００９】
また、図５におけるバーミラー５４のように反射面が鉛直方向に対して鋭角を有するミラーを微動ステージに設けることは、重量や剛性の面でも好ましくなく、微動ステージの制御特性を悪化させる要因となりうる。
【００１０】
本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、その目的は位置決め装置の鉛直方向における位置計測誤差を低減させることによって微動ステージを高精度に位置決めすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するために、本発明では粗動ステージと微動ステージを有する位置決め装置であって、前記粗動ステージに設けられ、反射面と鉛直方向のなす角が鋭角である第１ミラーと、前記微動ステージに設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第２ミラーと、前記微動ステージの鉛直方向位置を計測する際の基準である基準構造体と、該基準構造体に設けられ、反射面が鉛直方向に対して垂直である第３ミラーと、前記第１〜第３ミラーを用いて前記微動ステージの鉛直方向位置を計測するための干渉計とを有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、位置決め装置の鉛直方向における位置計測誤差を低減させることができるため、結果として微動ステージの高精度な位置決めが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施例１）
実施例１に係る位置決め装置について説明する。本実施例では位置決め装置を露光装置に適用した例を示す。露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用され、原版であるレチクル４０を介して基板であるウエハ上に照明系５０からの露光エネルギーとしての露光光（この用語は、可視光、紫外光、ＥＵＶ光、Ｘ線、電子線、荷電粒子線等の総称である）を投影光学系としての投影レンズ２０（この用語は、屈折レンズ、反射レンズ、反射屈折レンズシステム、荷電粒子レンズ等の総称である）を介して照射することによって、位置決め装置に搭載されたウエハ上に所望のパターンを形成している。ここで、パターンを転写する方法としてはステップアンドリピート方式であってもステップアンドスキャン方式であってもよい。
【００１４】
図１（ａ）において、位置決め装置は定盤５に対して大きな範囲で移動する粗動ステージ２と、粗動ステージ２上に設けられ粗動ステージ２に対して小さな範囲で移動する微動ステージ１とを有する。微動ステージ１上にはウエハが搭載されており、パターンに対して高精度に位置決めがされる。
【００１５】
粗動ステージ２は定盤５に対して、ＸＹ方向で移動可能に支持されている。支持機構としては、エアベアリングを用いて浮上させてもよく、磁気吸引力やローレンツ力といった磁力を利用して浮上させてもよく、非接触であることが精度の面からも好ましい。また、駆動機構としては本実施例では平面モータを用いている。平面モータは一般に可動子（粗動ステージ２）または固定子（定盤５）にコイルを設けて、コイルに電流を流すことによって駆動力を発生するが、その方式は可変磁気抵抗方式（平面パルスモータ）であっても、ローレンツ力方式であってもよい。これらの機構は、特開平１１−１９０７８６号公報や特願２００３−１２３８３２号公報において開示されているため、詳細な説明は省略する。
【００１６】
微動ステージ１は、たとえば電磁継手によって上述の粗動ステージ２とともにＸＹ方向に大ストロークで移動する。また、粗動ステージ２と微動ステージ１の間には、アクチュエータ３が設けられており、微動ステージ１は粗動ステージ２の移動に対して小さな範囲で移動することができる。アクチュエータとして、リニアモータや、電磁石、エアアクチュエータ、ピエゾ素子等を用いることができ、非接触であることが精度の面から好ましい。
【００１７】
微動ステージの駆動軸については、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ（鉛直）方向、ωｘ方向（Ｘ軸まわりの回転方向）、ωｙ方向（Ｙ軸まわりの回転方向）、ωｚ方向（Ｚ軸まわりの回転方向）の６軸駆動であることが好ましいが、このかぎりではない。
【００１８】
４は微動ステージ１の位置を計測する上で基準となる基準構造体であり、本実施例では投影光学系を支持する支持部材である。したがって、微動ステージ１の位置を計測する上での基準を支持部材以外の構造体としたときにはその構造体がこれに該当する。
【００１９】
次に、本実施例に係る位置決め装置の位置計測について図１（ｂ）を用いて説明する。図１（ｂ）は図１（ａ）の拡大図である。支持部材４には、微動ステージ１のＸ方向位置を計測するためのＸ干渉計１０、Ｙ方向位置を計測するためのＹ干渉計（不図示）、Ｚ方向位置を計測するためのＺ干渉計９ａ，９ｂが設けられている。
【００２０】
粗動ステージ２には、反射面とＺ方向のなす角が鋭角（ここでは４５°）であるミラー６ａ，６ｂが設けられている。ここで、ミラー６ａ，６ｂはＺ干渉計９ａ，９ｂから照射される計測光および参照光をＺ方向に反射させる機能を有するものであればよい。また、ミラーは粗動ステージに別途設けられていてもよく、粗動ステージと一体的に設けられていてもよい。
【００２１】
微動ステージ１には、ＸＹ平面（鉛直方向に垂直な反射面）を有するミラー７ａ，７ｂが設けられている。ここで、ミラー７ａ，７ｂはミラー６ａ，６ｂにより反射された計測光または参照光をさらに反射する機能を有していればよい。
【００２２】
支持部材４にも同様に、ＸＹ平面（鉛直方向に垂直な反射面）を有するミラー８ａ，８ｂが設けられている。ここで、ミラー８ａ，８ｂはミラー７ａ，７ｂにより反射された計測光または参照光をさらに反射する機能を有していればよい。
【００２３】
Ｚ干渉計９ａ（９ｂ）は、参照光と計測光を照射して戻ってきた光を干渉させることによって変位を計測することができるものである。ここで、図１（ｂ）における点線は計測光および参照光の光路を表す。Ｚ干渉計９ａ（９ｂ）から照射した参照光Ｌａと計測光Ｌｂは、ミラー６ａ（６ｂ）によってＺ方向に折り曲げられる。ここで、参照光Ｌａと計測光Ｌｂがミラー６ａ（６ｂ）の反射面にあたる位置をそれぞれ異ならせることで、参照光Ｌａはミラー７ａ（７ｂ）に、計測光Ｌｂはミラー８ａ（ｂ）に照射するようにする。ミラー７ａ（７ｂ）、ミラー８ａ（ｂ）に＋Ｚ方向で照射した参照光および計測光はそれぞれ−Ｚ方向で反射されて再びミラー６ａ（６ｂ）で折り曲げられてＺ干渉計９ａ（９ｂ）に入射する。そして、参照光と計測光を干渉させることで、微動ステージ１と支持部材４との間のＺ方向変位ｄｘを計測することができる。
【００２４】
ここで、計測光と参照光が導光される光路のうち、水平方向（図ではＸ方向）の光路ｄｘは、２つとも略同一の空間を通っており、空気揺らぎの影響がキャンセルされるため、計測誤差の低減を図ることができる。
【００２５】
なお、計測光Ｌｂを参照光として、参照光Ｌａを計測光としてもよく、お互いを干渉させることによって差分を求めることができればよい。
【００２６】
Ｘ干渉計１０からの計測光はミラー６ａの側面（ＹＺ平面）によって反射されてＸ干渉計１０に入射する。Ｘ干渉計１０は計測光と不図示の参照光との差分から微動ステージ１のＸ方向位置を計測することができる。なお、本実施例ではＸ方向位置を計測するミラーをＺ方向位置を計測するためのミラー６ａと兼用させる構成としたが、それぞれ別のミラーを設ける構成としてもよい。
【００２７】
Ｙ方向位置の計測についても、ＸＺ平面を有するミラーを微動ステージ１に設け、Ｙ干渉計（不図示）からの計測光を反射させることで、Ｘ方向位置と同様に計測することができる。
【００２８】
また、Ｘ干渉計かＹ干渉計を複数本設けることにより、微動ステージの回転方向（ωｘ、ωｙ、ωｚ方向）の位置を計測することができる。
【００２９】
図１（ｃ）は本実施例に係る位置決め装置を＋Ｚ方向から見た図である。図のように、ミラー６ａ，６ｂおよびミラー７ａ，７ｂはＹ方向に沿って配置されている。これにより、粗動ステージの移動に対してＺ干渉計を移動させることなく、干渉計を切らさない構成が可能となる。
【００３０】
また、ミラー６ａ，６ｂを粗動ステージ２の対辺となる位置に設けられ、ミラー７ａ，７ｂを微動ステージ１の対辺となる位置に設けられている。これにより、片側のミラー（たとえば、６ａ，７ａ）の上方に投影光学系があるときでも、もう片側のミラー（６ｂ，７ｂ）を用いて微動ステージ１のＺ方向の位置計測をすることができる。つまり、粗動ステージ２が大きな範囲で移動した場合でも、Ｚ干渉計９ａまたは９ｂの少なくともどちらか一方が微動ステージ１のＺ方向の位置計測をすることができ、結果として常にＺ方向の位置計測ができる。
【００３１】
上述の構成では、ミラー８の反射面を支持部材４の下面全域に設ける必要がなく、ミラー８ａ，８ｂはミラー６ａ，６ｂおよびミラー７ａ，７ｂに対して垂直な方向（Ｘ方向）に沿って、投影光学系２０を通る直線上に分割して配置されている。この場合、精度の必要なミラー面積が小さくてすむため、精度の向上またはコストの低減を図ることができる。
【００３２】
ここで、Ｚ干渉計の計測光９ａ，９ｂはミラー８ａ，８ｂの下方でミラー６ａ，６ｂにＸ方向から照射されるように導光されていればよい。
【００３３】
なお、ミラー６ａ，６ｂおよびミラー７ａ，７ｂをＸ方向に沿って配置し、ミラー８ａ，８ｂをＹ方向に沿って配置し、Ｚ干渉計がミラー６ａ，６ｂに対してＹ方向から照射するように配置することも可能である。
【００３４】
（変形例）
上述の説明では、粗動ステージ２は平面モータによって駆動していたが、これに限られるものではなく、さまざまな駆動機構が考えられる。
【００３５】
変形例として、図２ではガイドを用いたリニアモータによって粗動ステージ２を駆動させている。リニアモータ固定子１７Ｘ、１７Ｙが定盤５に設けられており、リニアモータ可動子１８Ｘはリニアモータ固定子１７Ｘに対してＸ方向に移動し、リニアモータ可動子１８Ｙはリニアモータ固定子１７Ｙに対してＹ方向に移動する。リニアモータ可動子１８Ｘ、１８Ｙは粗動ステージ２を貫通するように設けられており、リニアモータ可動子１８Ｘ、１８Ｙが移動することで粗動ステージ２はＸＹ方向に大きな範囲で移動することができる。
【００３６】
なお、本実施例において、位置決め装置は露光装置に適用されているが、そのほかの工作機器においても適用が可能である。
【００３７】
（実施例２）
図３を用いて実施例２に係る位置決め装置について説明する。実施例２についても位置決め装置を露光装置に適用した例を示す。図中で実施例１と同様の機能を有する構成要素については同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
【００３８】
実施例２は粗動ステージと微動ステージ（以下、まとめて粗微動ステージと称する）が２つずつ設けられている点が大きく異なる。このような位置決め装置は、近年、露光装置において特に注目されており、片方の粗微動ステージ上のウエハに露光している間に、他方の粗微動ステージ上のウエハのアライメントをすることが可能となるため、スループットの向上が期待できる。ここで、アライメントとは、ウエハ内の各チップのＸＹ方向の位置合わせや、各チップのＺ方向の位置合わせを含むものである。
【００３９】
図３において、２０は投影光学系、３０はアライメント光学系であり、これらを支持部材４が支持する。粗動ステージを案内する定盤は露光領域１３と計測領域１２に分割されている。ここで、露光領域は、投影光学系２０の下方に位置し、微動ステージ上のウエハに露光する際に粗微動ステージが定盤上を移動する領域として定義される。また、計測領域はアライメント光学系の下方に位置し、微動ステージ上のウエハのアライメントを行う際に粗微動ステージが定盤上を移動する領域として定義される。
【００４０】
粗動ステージ２１にはミラー６ａ，６ｂが、粗動ステージ２２にはミラー６ｃ，６ｄが設けられている。また、微動ステージ１１にはミラー７ａ，７ｂが、微動ステージ１２にはミラー７ｃ，７ｄが設けられている。ミラー８は投影光学系２０とアライメント光学系３０を結ぶ直線に対して垂直な方向（図においてＸ方向）に沿って配置されており、ミラー８ａ，８ｂは投影光学系を通る直線上、ミラー８ｃ，８ｄはアライメント光学系を通る直線上に配置されている。
【００４１】
このように、ミラー８を投影光学系とアライメント光学系を結ぶ直線に対して垂直な方向に沿って配置させることで、露光または計測の動作中にＺ位置計測に用いる計測光および参照光が他方の粗微動ステージにさえぎられないようにしている。
【００４２】
なお、ミラー６ａ〜６ｄ、７ａ〜７ｄ，８ａ〜８ｄの機能については、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００４３】
次に、図３（ｃ）を用いて露光領域１３と計測領域１２間での２つの粗微動ステージ入れ換え（スワップ）について説明する。露光領域でウエハの露光を終えた粗微動ステージ（１１，２１）は、不図示の搬入出位置へ移動して露光済のウエハを搬出し、新たなウエハを搬入して、アライメントをするために計測領域１２へと移動する。また、他方の粗微動ステージ（２２，２２）はアライメントを終えたウエハの露光をするために露光領域１３へと移動する。このような動作を繰り返して複数枚のウエハに対してアライメント処理と露光処理を行う。
【００４４】
支持部材４にはＸＹ平面（鉛直方向に垂直な反射面）を有するミラー１６ａ，１６ｂが設けられており、露光領域と計測領域との間に配置されている。また、Ｚ干渉計１５ａ，１５ｂが、ミラー１６ａ，１６ｂの下方でＸ方向両側から計測光および参照光を照射するように配置されている。
【００４５】
ここで、Ｚ干渉計１５ａ（１５ｂ）から照射された計測光および参照光は、図３（ｃ）のように２つの粗微動ステージの入れ替えが行われる際、ミラー６ａ（６ｄ）によってＺ方向に折り曲げられる。ここで、計測光と参照光がミラー６ａ（６ｄ）の反射面にあたる位置をそれぞれ異ならせることで、参照光はミラー７ａ（７ｄ）に、計測光はミラー１６ａ（１６ｂ）に照射するようにする。ミラー７ａ（７ｄ）、ミラー１６ａ（１６ｂ）に＋Ｚ方向で照射した計測光および参照光はそれぞれ−Ｚ方向で反射されて再びミラー６ａ（６ｄ）で折り曲げられてＺ干渉計１５ａ（１５ｄ）に入射する。そして、参照光と計測光を干渉させることで、微動ステージ１１（２１）と支持部材４との間のＺ方向変位を計測することができる。
【００４６】
ここで、計測光と参照光が導光される光路のうち、水平方向（図ではＸ方向）の光路ｄｘは、２つとも略同一の空間を通っており、空気揺らぎの影響がキャンセルされるため、計測誤差の低減を図ることができる。
【００４７】
さらに、ミラー６およびミラー７のＹ方向における長さよりも、Ｚ干渉計９からの計測光がミラー６に照射する位置とＺ干渉計１５からの計測光がミラー６に照射する位置との間のＹ方向における距離を短くすることで、ステージ入れ換え時における微動ステージ１のＺ方向位置を引き継いで計測することができる。
【００４８】
このように、２つの粗微動ステージがすれ違う位置（露光領域と計測領域との間）の鉛直上方にミラー１６を設けることで、２つの粗微動ステージの入れ換えの際にも常にＺ方向の位置計測を行うことができる。
【００４９】
なお、本実施例では定盤が露光領域１２と計測領域１３に分割されているため、各領域における熱の影響と振動の影響を遮断でき、相互の干渉を低減できる。このような定盤が分割された構成では、ステージ入れ換え時におけるＺ方向位置の補償が重要となるため、本実施例における効果はより顕著となる。
【００５０】
実施例１および実施例２において、位置決め装置が露光装置のウエハステージに用いられることによって、高精度または高スループットな露光装置を提供することができる。また、このような露光装置を用いて製造するデバイス製造方法を以下において説明する。
【００５１】
（露光装置を用いたデバイス製造方法）
次に、この露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図４は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
【００５２】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００５３】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する（図５）。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００５４】
このように、実施例１および実施例２に記載の位置決め装置をウエハステージとして用いた露光装置によってデバイスを製造することで、安価または微細なデバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施例１に係る位置決め装置を示す図である。
【図２】実施例１に係る位置決め装置の変形例を示す図である。
【図３】実施例２に係る位置決め装置を示す図である。
【図４】デバイス製造方法を示す図である。
【図５】ウエハプロセスを示す図である。
【図６】従来の位置決め装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１１，１２  微動ステージ
２，２１，２２  平面粗動ステージ
３  微動アクチュエータ
４  支持部材
５  定盤
６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ，１６ａ，１６ｂ  ミラー
９ａ，９ｂ，１５ａ，１５ｂ  Ｚ干渉計
１０  Ｘ干渉計
１４  遮断部材
１７  粗動アクチュエータ固定子
１８  可動子
２０  投影光学系
３０  アライメント光学系
４０  レチクル
５０  照明系
５１  露光領域（定盤）
５２  計測領域（定盤）
【図１】
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【図２】
2006019549.tif 000004
【図３】
2006019549.tif 000005
【図４】
2006019549.tif 000006
【図５】
2006019549.tif 000007
【図６】
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