(57)【要約】【課題】  光検出部に到達する外光を最大とし、かつ画像表示部の割合が大きい光センサー一体型液晶表示装置を得る。【解決手段】  光検出素子の光検出層と前記カラーフィルター基板に設けられた光検出部開口部との間の各層のそれぞれの厚みをｄ1、ｄ2、ｄ3、・・・ｄＮ、有効屈折率をｎ1、ｎ2、ｎ3、・・・ｎＮ、観察者と液晶表示装置との間の屈折率をｎＡとし、光検出層と前記光検出部開口部の位置あわせ精度を±Ｓとしたときに、光検出部開口部の一方が、前記光検出層の端部から水平方向に前記光検出層より外側に2006323199.tif 000022より大きくし2006323199.tif 000023より小さいことを特徴とする。【選択図】    図４
2006323199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板と前記基板にはさまれた液晶層とからなり、ＴＦＴアレイ基板上に光検出素子を配置した液晶表示装置において、
前記光検出素子の光検出層と前記カラーフィルター基板に設けられた光検出部開口部との間の各層のそれぞれの厚みをｄ1、ｄ2、ｄ3、・・・ｄＮ、有効屈折率をｎ1、ｎ2、ｎ3、・・・ｎＮ、観察者と前記液晶表示装置との間の屈折率をｎＡとし、
前記光検出層と前記光検出部開口部の位置あわせ精度を±Ｓとしたときに、
前記光検出部開口部の一方が、前記光検出層の端部から水平方向に前記光検出層より外側に
2006323199.tif 000016
より大きくし
2006323199.tif 000017
より小さいことを特徴とするセンサー一体型液晶表示装置。
【請求項２】
光検出部開口部がカラーフィルター基板上に形成されたブラックマトリックス内に設置されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサー一体型液晶表示装置。
【請求項３】
液晶表示装置が反射型ないしは半透過型であり、光検出部開口部がTFTアレイ基板上に形成された反射電極中に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のセンサー一体型液晶表示装置。
【請求項４】
光検出部開口部がカラーフィルター基板上のブラックマトリックス内に形成され、ＴＦＴアレイ基板上に第１の電極であるゲート電極層、第１絶縁膜、Ｓｉ層、第２の電極であるソースドレイン電極層が形成され、前記ソースドレイン電極層の間隙部の前記Ｓｉ層で光検出層が形成された光センサー一体型液晶表示装置において、
前記ゲート電極層を前記光検出層より大きく形成し、前記ソースドレイン電極層の大きさが光検出層端から水平方向に光検出層より外側に、
2006323199.tif 000018
より大きくし
2006323199.tif 000019
より小さくしたことを特徴とする請求項２に記載のセンサー一体型液晶表示装置。
【請求項５】
光検出部開口部がＴＦＴアレイ基板上の反射電極内に形成され、前記ＴＦＴアレイ基板上に第１の電極であるゲート電極層、第１絶縁膜、Ｓｉ層、第２の電極であるソースドレイン電極層が形成され、前記ソースドレイン電極層の間隙部の前記Ｓｉ層で光検出層が形成された光センサー一体型液晶表示装置において、
前記ゲート電極層を前記光検出層より大きく形成すると共に、前記ソースドレイン電極層の大きさが光検出層端から水平方向に光検出層より外側に、
2006323199.tif 000020
より大きくし
2006323199.tif 000021
より小さくしたことを特徴とする請求項３に記載のセンサー一体型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は光を用いて位置を検出する、ないしは光量を検出する光センサーに関し、特に光センサー一体型液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、マトリクス状に光量を検知する光センサーを備え、指などで光を遮蔽した際に位置検出を行う光検知方式のタッチパネル内臓の液晶表示装置として特許文献１〜３に記載の液晶表示装置がある。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−０７５７３２号公報
【非特許文献１】W. den Boer et al., SID'03 (Baltimore) p.1494-1497.
【非特許文献２】A. Abileah et al., SID'04 P.1544-1547.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の光を用いた光センサー一体型液晶表示装置においては、光検出部の開口部のサイズについて明確な定義がなされていなかった。開口部のサイズを大きくすれば外光が十分に光検出素子に到達するが、開口部が大きくなりすぎると画像表示部の割合が小さくなってしまい、画質低下につながってしまうという問題があった。
【０００５】
本発明では、光検出部に到達する外光を最大とし、かつ画像表示部の割合が大きい光センサー一体型液晶表示装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかる光センサー一体型液晶表示装置は、
カラーフィルター基板とＴＦＴアレイ基板と基板にはさまれた液晶層とからなり、ＴＦＴアレイ基板上に光検出素子を配置した液晶表示装置において、光検出素子の光検出層と前記カラーフィルター基板に設けられた光検出部開口部との間の各層のそれぞれの厚みをｄ1、ｄ2、ｄ3、・・・ｄＮ、有効屈折率をｎ1、ｎ2、ｎ3、・・・ｎＮ、観察者と液晶表示装置との間の屈折率をｎＡとし、光検出層と前記光検出部開口部の位置あわせ精度を±Ｓとしたときに、光検出部開口部の一方が、前記光検出層の端部から水平方向に前記光検出層より外側に
2006323199.tif 000003
より大きくし
2006323199.tif 000004
より小さいことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、光検出部開口部の一方が、前記光検出層の端部から水平方向に前記光検出層より外側に
2006323199.tif 000005
より大きくし
2006323199.tif 000006
より小さくしたことにより、光検出層に対する外光の入射効率を最大値にすることができる。また、表示開口部のエリア減少を最低限に抑えることが可能となる。
また光検出層は金属材料からなることが多いため、光検出部開口部を外側から見た際に視認性低下があるが、光検出部開口部のサイズを必要最小限とすることでその影響を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施の形態１．
図１に一般的な液晶パネルの表側から見た時の表示エリアの平面図の例を示す。点線は１画素を示している。１画素のサイズは例えば３００μm×３００μmである。１０１、１０２、１０３はそれぞれ赤、緑、青画素であり、この部分が明るくなったり暗くなったりすることで表示画像を得ることができる。１０４は非表示部であり、一般的には黒く見えるようにすることが多く、その場合はブラックマトリックスと呼ばれる。その材質としては表側から見て黒く見えるようにＣｒＯ／Ｃｒの多層膜が用いられることが多いが、黒色の樹脂等が用いられることもある。光は殆ど透過しない材料が用いられる。全体に占める表示部１０１、１０２、１０３の割合を表示開口率と呼ぶ。
【０００９】
図２には１画素毎に光検出素子を配置した液晶パネルを表側から見た時の表示エリアの平面図の例を示す。赤、緑、青画素の配置面積を減らして一点鎖線で囲った光検出部１０５を配置しており、その一部のブラックマトリックスに穴を開けて光検出部開口部１０６を形成している。光検出部を画素と同一平面内に配置するために表示開口率を減らす必要があるが、それにより輝度低下を生じるため表示性能低下につながる。よって光検出部全体ないしは光検出部開口部の大きさをなるべく小さくすれば画質低下は最小限に抑えることができる。なお光検出部は例のように１画素に１個としてもよいし、複数画素に１個としてもよい。逆に１画素に複数個配置してもよい。表示画面全体で１個として光量センサーとして用いることも可能である。なお光検出部内には光検出素子の他に読取用素子なども含まれることがある。
【００１０】
図３に光検出素子内蔵の透過型液晶パネルが、外光を用いて位置検出している例の断面模式図を示す。１０は偏光板、１１は表側ガラス基板、１２は表側遮光体、３０はバックライト、４０は偏光板、４１は裏側ガラス基板、４２は液晶、４３は裏側遮光体、４４は光検出層、４０１は液晶駆動素子である。表側遮光体１２は表側ガラス基板１１上に形成され、裏側遮光体４３、光検出層４４、液晶駆動素子４０１は裏側ガラス基板４１上に形成される。液晶４２は表側ガラス基板１１と裏側ガラス基板４１間に挟まれた状態で配置されている。なお配向膜や信号配線などは省略している。表示画像は図３に示すようにバックライト３０からでた光が液晶４２を通って表側に出ることで得られる。液晶４２と２枚の偏光板とで光スイッチの役割を果たす。光検出層４４ａ、４４ｃには外光が到達しているが、光検出層４４ｂの上方には遮光体があり外光が入らなくなっている。この２つの状態間の差を検出することで位置検出が可能となる。なおここでは外光を遮光する場合について説明したが、ライトペンを用いてライトペンによる強い光があたった場所とあたっていない場所の差を検出して位置検出してもよい。また位置検出を例に説明したが光量の絶対値を検出できるようにしてもよい。なお表側ガラス基板１１、裏側ガラス基板４１の材質はガラスではなくプラスチックなどでもよい。
【００１１】
図４に光検出層４４と表側遮光体１２に設けられた光検出部開口部５１との関係図を示す。なお説明を容易にするために光検出層４４と光検出部開口部５１との間は液晶層のみが存在するとし、その有効屈折率（以下屈折率と呼ぶ）は１．６とする。表側ガラス基板１１と偏光板の屈折率は１．６とし、大気の屈折率は１．０とする。光検出層４４と光検出部開口部４５との間隔ｄは５．０μmとする。表側遮光体１２の存在しないところが光検出部開口部４５となっている。
【００１２】
ここで表面から光検出層に光が入射する場合を考える。光は大気と液晶間をスネルの法則に従って屈折して進入する。つまり、入射側の屈折率ｎｉと入射角θｉ、出射側の屈折率ｎｊと出射角θｊとの間には次式の関係が成立する。
ｎｉｓｉｎθｉ＝ｎｊｓｉｎθｊ
【００１３】
最も有効に光検出層４４に光を入射させるためには、入射角が９０度の光が光検出層４４に入射するよう光検出部開口部５１を設定すればよい。
この場合、内部の部材の屈折率は全て１．６としているので、ｎ＝１の媒質中から角度９０度でｎ＝１．６の媒質中に入射する場合は、ｎｉ＝1、θｉ＝９０度、ｎｊ＝１．６としてθｊを求めると３９度となる。光検出層４４の上端に９０度方向からの光が入り込むためには、表側遮光体１２の端部と光検出層４４の端部との水平方向の距離ｘ＝ｄ×ｔａｎθｊより大きい時ことが必要となる。上記のとおり、計算上θｊ＝３９度となるので、ｘ＝４μmとなる。光検出層４４に表側からの外光が全て入り込むためには全ての方向でｘ≧４μmを満たせばよい。
【００１４】
更に、表側ガラス基板１１と裏側ガラス基板４１の位置あわせ精度Ｓについて考えてみる。位置あわせ精度が±Ｓμmとすると、上記ｘの値が常に４μmより大きくなるようにするためには、ｘの設計値を４＋Ｓμmとすれば、完成後のｘの範囲は４≦ｘ≦４＋２×Ｓに収まることとなり、光検出層４４に入り込む光量が常に最大値を満たすことができ、かつその大きさの最大値を規定できるので表示エリアの減少を最小限に抑えることができる。
【００１５】
ここで上述のｘの定義は上下左右４方向全てとしてもよいし、特定の方向だけとしてもよい。特に通常外光は上側から入射しその他の方向からの成分は小さいため、液晶パネル設置時に上側となる部分のみｘを上述の関係を満たすようにして、下側は光検出層４４と水平方向に同一となるように設計しても同様の効果が得られる。具体的には上側の設計値を４＋Ｓとし、下側の設計値を０＋Ｓとすれば、その仕上がり値は上側が４〜４＋２×Ｓの範囲となり、下側は０〜２×Ｓの範囲となって、上側に光源がある場合は外光の入射効率はほぼ１００％に近くすることができる。
なおここでＳの値は表側ガラス基板と裏側ガラス基板の重ね合わせ精度で決まる。その誤差は標準偏差をσとすると３σ＝４μmが一般的な数値である。よって上記の場合のｘの範囲は４〜１２μmとなる。
【００１６】
最後に、ｘの値について一般化を行う。ｘは光検出層４４と光検出部開口部５１との間に存在する物質により決まる数値である。光検出層４４と光検出部開口部５１との間には、実際には液晶層だけではなく、種々の層が介在している。その間に存在する物質について、その有効屈折率と厚みをそれぞれ、ｎ１、ｎ２、ｎ３、・・・ｎＮｄ１、ｄ２、ｄ３、・・・ｄＮとした場合、大気の有効屈折率をｎＡとすると、
ｎ１ｓｉｎθ１＝ｎ２ｓｉｎθ２＝ｎ３ｓｉｎθ３＝・・・＝ｎＮｓｉｎθＮ
となり、表側遮光体１２と光検出層４４の端部より水平方向の距離ｘは、
2006323199.tif 000007
より大きいことが必要となる。また、位置合わせ精度Ｓを考慮し、一般式で書き表すと、下記のとおりとなる。
2006323199.tif 000008
より大きく、かつ
2006323199.tif 000009
より小さければよいことになる。
【００１７】
透過型の液晶パネルでは光検出素子と光検出部開口部の間に各種絶縁膜、電圧無印加時に特定の方向に液晶を並べるための配向膜、液晶、透明電極、カラーフィルター層などが存在しており、それら全ての層の有効屈折率、膜厚によってｘの範囲が決定される。
【００１８】
本実施の形態によれば、光検出部開口部の一方が、前記光検出層の端部から水平方向に前記光検出層より外側に
2006323199.tif 000010
より大きくし
2006323199.tif 000011
より小さくしたことにより、光検出層に対する外光の入射効率を最大値にすることができる。また、表示開口部のエリア減少を最低限に抑えることが可能となる。
また光検出層は金属材料からなることが多いため、光検出部開口部を外側から見た際に視認性低下があるが、光検出部開口部のサイズを必要最小限とすることでその影響を小さくすることができる。
【００１９】
また、光検出部開口部をブラックマトリックス内に形成することにより、低コストで開口部を形成することができる。
【００２０】
実施の形態２．
図５および図６に本実施の形態に係る透過型液晶パネルの例を示す。図５に示す液晶パネルの断面が図６に対応している。なお信号線などは省略している。裏側ガラス基板４１上にはアモルファスＳｉ２２を用いてＴｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（以下ＴＦＴ）が形成されている。ＴＦＴはゲート電極層２０、第１絶縁層２１、コンタクト層２３、ソースドレイン電極層２４にて形成されており、画素部駆動用ＴＦＴ６５が液晶層を駆動できるように画素電極２６に接続されている。光検出量読み取り用ＴＦＴ６６は光検出量を読み取るためのＴＦＴである。なおＴＦＴの数は図では１つとしているが、複数個用いる場合もある。液晶層を駆動するＴＦＴと同じ構造で光検出素子６７を形成すれば、通常のＴＦＴアレイ基板を作製する場合と比べて工程数を増やすことなく形成することができる。ゲート電極層２０、ソースドレイン電極２４は通常遮光性の高いＭｏやＡｌなどの金属材料が用いられる。
【００２１】
図４の光検出層４４に対応する領域はアモルファスＳｉ２２のうちソースドレイン電極２４が上側に存在しない部分になる。その平面上のサイズは例えば１０×５．０μmとすればよい。表側ガラス基板１１上にはまずブラックマトリックス１３が配置されている。ブラックマトリックス１３は遮光性の材料が用いられる。これは表示開口部を規定するだけでなく光検出部開口部５１の形成にも用いられる。この上に色材１４、共通電極１５、配向膜１６が形成される。これにより通常のカラーフィルター基板を作製する場合と比べて工程数を増やすことなく低コストで光検出部開口部を形成することができる。
【００２２】
ここで、外光を最大限取り込むことができる光検出層４４と光検出部開口部５１の水平方向の距離ｘの範囲の具体的な数値例について説明する。第２絶縁層はＳｉＮで形成され屈折率１．９、膜厚０．４μmであり、配向膜はポリイミドで形成され屈折率１．５、膜厚０．１μmであり、液晶は屈折率１．６、膜厚５．０μmであり、配向膜は屈折率１．５、膜厚０．１μmであり、共通電極はＩＴＯで形成され屈折率２．０、膜厚０．１μmであり、色材は屈折率１．５、膜厚１．０μmであり、大気の屈折率は１．０である。位置あわせ精度Ｓを４．０μmとすると、ｘの適正範囲は実施の形態１において説明した式から５．４〜１３．４μmとなる。光検出層のサイズが５．０×１０μmの場合、光検出部開口部全体の最適サイズは４方全てにこの値を適用するときは、短辺側は１５．４〜３１．４μmで長辺側は２０．４〜３６．４μmの範囲となる。
【００２３】
なお上記の例では駆動素子としてアモルファスＳｉを示したが、ポリＳｉを用いてもよい。
【００２４】
実施の形態３．
図７および図８に本実施の形態に係る反射型液晶パネルの例を示す。図７に示す液晶パネルの断面が図８に対応している。なお信号線などは省略している。反射型液晶パネルの場合、透過型液晶パネルと比べると、反射電極２８の下部に液晶駆動素子や位置検出素子などを配置することができるので表示開口率の低下を防ぐことが容易であるという特徴を持っている。実施の形態２との大きな違いは画素電極が反射電極２８に変わっていること、第２絶縁層２５が厚くなっていること、光検出部開口部がＴＦＴアレイ基板上の反射電極２８で形成されている点である。
【００２５】
ゲート電極層２０、ソースドレイン電極２４、反射電極２８は通常遮光性の高いＭｏやＡｌなどの金属材料が用いられる。反射電極２８とアモルファスＳｉ層２２は同一のＴＦＴアレイ基板上にフォトリソグラフィー技術を用いて形成できるため、位置あわせ精度はプラスマイナス１．０μmないしはそれ以下を容易に実現できる。
【００２６】
ここで、外光を最大限取り込むことができる光検出層４４と光検出部開口部５１の水平方向の距離ｘの範囲の具体的な数値例について説明する。第２絶縁層が透明のアクリル樹脂として屈折率が１．５、膜厚が２．０μmであり、位置あわせ精度Ｓは１．０μmとするとｘの範囲は１．８〜３．８μmとなる。光検出層のサイズが５．０×１０μmの場合、光検出部開口部全体の最適サイズは４方全てにこの値を適用するときは、短辺側は８．６〜１２．６μmで長辺側は１３．６〜１７．６μmの範囲となり、実施の形態２に比べて大幅に小さくすることができる。このように反射型液晶パネルの場合、反射電極を光検出部開口部に用いることで工程数を増やすことなく形成することができ、かつ透過型液晶で用いたブラックマトリックスの場合と比べて光検出部開口部を小さくすることができるので表示エリアの減少を大幅に低減することができる。
【００２７】
なお、半透過型液晶の場合も同様に、反射電極部分に光検出部を配置すれば同様の効果が得られる。また反射型及び半透過型液晶ともにアモルファスＳｉ２２の代わりにポリＳｉを用いてもよい。
【００２８】
本実施の形態よれば、反射電極を形成する材料で光検出部開口部を形成することで、低コストで開口部を形成することができる。また光検出層と反射電極は同一基板上に位置あわせ精度よく形成することが可能であるため、ブラックマトリックス上に形成する場合と比べて理想どおりに光検出部開口部を形成することができ、表示開口率のエリア減少を大幅に防ぐことが可能となる。
【００２９】
実施の形態４．
図９に裏側遮光体４３の長さｙについて検討した図を示す。まずバックライト３０から直接入射する光が光検出層に直接入射しないようにするために下側遮光体４３が光検出層４４より大きくする必要がある。更にバックライト３０から出た光が表側遮光体１２で１回反射して光検出層４４に入射しない条件を考える。バックライトから入る光の最大入射角は９０度であるので、液晶パネル内部への入射角度は実施の形態１で考慮したθと同じになる。表側遮光体１２で光が反射するとき入射角θ＝反射角θとなるので、光検出層４４の端部と表側遮光体１２の端部との距離ｙの値は実施の形態１でしめしたｘの２倍の値ｙ＝２×ｄ×ｔａｎθとなる。ｙがこの値より大きければバックライト３０からの光は光検出素子４４には入射しない。
【００３０】
更に加えて光検出部開口部５１の光検出層４４端部からの大きさがｄ×ｔａｎθより大きい場合は光検出部開口部５１の実際の値にｄ×ｔａｎθの値を加えたものとする必要がある。さもなければバックライトからの光が表側に出てしまい、表示品位低下を引き起こすためである。位置あわせ精度を考慮して実施の形態１に示したｘの範囲を考慮すると、ｙの範囲は２×ｄ×ｔａｎθ≦ｙ≦２×ｄ×ｔａｎθ＋２×Ｓであらわされる。一般的に表側遮光体は表側から順にＣｒＯ／Ｃｒの多層膜で形成されることが多く、バックライトからの光の多くを内側に反射してしまうためこのような設計が必要となる。表側遮光体での内部反射を防ぐためには表側遮光体１２には黒色樹脂などを用いればよい。また光を吸収するために表側遮光体のパネル内部側にカラーフィルター等を重なるように配置していてもよい。
【００３１】
次に具体的な場合について透過型液晶パネルの例である図５の場合について考える。バックライト３０からでる光のうち光検出層に直接入る成分はゲート電極層２０によってさえぎれば、バックライトからの光は光検出層には直接入射しない。よってゲート電極層２０は光検出層より大きくすればよい。またバックライト３０からでた光がブラックマトリックス１３で反射して光検出層に入り込むのを防ぐためにはゲート電極層２０の代わりにソースドレイン電極層２４のサイズを大きくする方法でもよい。このとき光検出層端からソースドレイン電極層２４までの水平方向に必要な距離は、上述のｙの関係式および実施の形態１に示す式から
2006323199.tif 000012
より大きく
2006323199.tif 000013
より小さければよい。
【００３２】
図８に示す裏側遮光体４３の役割はゲート電極層２０とソースドレイン電極層２４の２つによって達成される。これにより例えばゲート電極層２０のみで裏側遮光層を形成する場合と比べるとゲート電極のサイズが小さくなるためゲート電極起因の寄生容量を低減できる。寄生容量が大きいと消費電力の増大や信号遅延の増大など様々な悪影響が生じるため、寄生容量低減は液晶パネルとしての性能向上に非常に有効となる。
【００３３】
本実施の形態によれば、電極層のサイズを規定したことでバックライトからの光が光検出層に到達するのを防ぐことができ、かつゲート電極層で全ての遮光層を形成する場合と比べて寄生容量を低減することができるので、それによる消費電力の増大や信号遅延の増大などの表示品位低下につながる現象を低減することができる。
【００３４】
実施の形態５．
反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置の場合も実施の形態４と同じように光検出部開口部がブラックマトリックスから反射電極に代えて考えれば同様の効果が得られる。図７および図８に示す配置より、実施の形態４に示す場合と同様に、ゲート電極層２０を光検出層より大きくし、光検出層端からソースドレイン電極層２４までの水平方向に必要な距離は、
2006323199.tif 000014
より大きく
2006323199.tif 000015
より小さくすれば同様の効果が得られる。構造が異なる場合でも実施の形態４と同じ効果が得られる。
【００３５】
本実施の形態によれば、反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置においても、電極層のサイズを規定したことでバックライトからの光が光検出層に到達するのを防ぐことができ、かつゲート電極層で全ての遮光層を形成する場合と比べて寄生容量を低減することができるので、それによる消費電力の増大や信号遅延の増大などの表示品位低下につながる現象を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施の形態１による一般的な液晶表示パネルを表面から見た時の図である。
【図２】実施の形態１による光センサー内蔵型液晶表示パネルを表面から見た時の図である。
【図３】実施の形態１による光センサー内蔵型液晶表示パネルの断面図である。
【図４】実施の形態１による光検出素子について拡大した断面図である。
【図５】実施の形態２による透過型液晶表示パネルを表面から見た時の図である。
【図６】実施の形態２および４による透過型液晶表示パネルの断面図である。
【図７】実施の形態３による反射型液晶表示パネルを表面から見た時の図である。
【図８】実施の形態３および５による反射型液晶表示パネルの断面図である。
【図９】実施の形態４および５による光検出素子について拡大した断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０  偏光板  、１１  表側ガラス基板  、１２  表側遮光体  、１３  ブラックマトリックス  、１４  色材  、１５  共通電極  、１６  配向膜  、２０  ゲート電極層  、２１  第１絶縁層  、２２  アモルファスＳｉ層  、２３  コンタクト層  、２４  ソースドレイン電極層  、２５  第２絶縁層  、２６  画素電極  、２７  配向膜  、２８  反射電極  、３０  バックライト  、４０  偏光板  、４１  裏側ガラス基板  、４２  液晶層  、４３  裏側遮光体  、４４  光検出層  、１０１  赤画素  、１０２  緑画素  、１０３  青画素  、１０４  非表示部（ブラックマトリックス）  、１０５  光検出部（全体）  、１０６  光検出部開口部  、４０１  液晶駆動素子。
【図１】
2006323199.tif 000024
【図２】
2006323199.tif 000025
【図３】
2006323199.tif 000026
【図４】
2006323199.tif 000027
【図５】
2006323199.tif 000028
【図６】
2006323199.tif 000029
【図７】
2006323199.tif 000030
【図８】
2006323199.tif 000031
【図９】
2006323199.tif 000032