(57)【要約】【課題】  動画撮影や連写撮影中に温度検出や垂直ＣＣＤの傷レベルを検出を行わずに、Ｖライン傷の十分に補正された画像が得られる安価な撮像装置を実現する。【解決手段】  撮影の支障にならないタイミングで垂直ＣＣＤで発生する傷レベルを検出し、各コマの画像の補正値を算出することによりＶライン傷の補正を行う。【選択図】        図８
2006319403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子で光電変換された電荷を垂直ＣＣＤに読み出し、該垂直ＣＣＤで読み出された電荷を水平ＣＣＤに読み出すことで、被写体を撮像して画像データを出力する撮像素子を有する撮像装置において、
前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置及び該欠陥箇所の欠陥レベルを検出する欠陥検出を行う欠陥検出手段と、
前記撮像素子から出力された画像データを一時記憶する第１の記憶手段と、
前記欠陥検出手段により少なくとも２回検出された欠陥検出結果の結果に基づいて、前記第１の記憶手段に記憶された画像データを補正する画像補正手段と、
前記画像補正手段で補正された画像データを記憶する第２の記憶手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像素子に被写体を連続して撮像させる撮像制御手段を有し、
前記欠陥検出手段は被写体像を連続して撮像する前と連続撮像終了後に、前記欠陥検出を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像素子に被写体を連続して撮像させる撮像制御手段を有し、
前記欠陥検出手段は被写体像の連続撮像を開始してから所定時間経過後に、前記欠陥検出を行い、検出した位置と欠陥レベルに基づいて、前記画像データに所定の補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像素子に被写体を連続して撮像させる撮像制御手段を有し、
前記欠陥検出手段は被写体像の連続撮像を開始してから所定時間経過後は、撮像終了まで前記欠陥検出を行わないことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記欠陥検出手段は被写体像の撮像を所定の回数行う毎に、前記欠陥検出を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記所定の回数は、あらかじめ設定された撮像回数に基づいて決定されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記欠陥検出手段は、被写体像の連続撮像を開始直後は第１の時間間隔で検出を行い、撮像開始から所定の時間経過後は前記第１の時間間隔より長い第２の時間間隔で欠陥検出を行うことを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記欠陥検出手段は、被写体像を撮像するときに、設定された撮影コマ間隔時間に応じて、撮影コマ間における前記欠陥検出の制御を切り替えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
光電変換素子で光電変換された電荷を垂直ＣＣＤに読み出し、該垂直ＣＣＤで読み出された電荷を水平ＣＣＤに読み出すことで、被写体を撮像して画像データを出力する撮像素子を有する撮像装置の制御方法において、
前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルを所定の検出基準に基づいて検出し、検出結果を記憶する第１の検出工程と、
被写体を撮像して画像データを獲得する撮像工程と、
前記撮像工程で獲得された画像データを一時記憶する第１の記憶工程と、
前記第１の検出工程を実行した後、所定時間経過後に、前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所の位置と傷レベルとを前記検出基準に基づいて検出し、検出結果を記憶する第２の検出工程と、
前記第１の記憶工程において一時記憶され画像データに、前記第１の検出工程と第２の検出工程で記憶された垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルに基づいて、画像データ補正を行う画像補正工程と、
前記画像補正工程で補正された画像データを記憶する第２の記憶工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
光電変換素子で光電変換された電荷を垂直ＣＣＤに読み出し、該垂直ＣＣＤで読み出された電荷を水平ＣＣＤに読み出すことで、被写体を撮像して画像データを出力する撮像素子を有する撮像装置が獲得した画像データの画像処理を行うプログラムであって、
コンピュータに、前記撮像装置が獲得した画像データを入力する工程と、
前記画像データと予め対応付けられた、前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルとを含む第１の欠陥情報を入力する工程と、
前記画像データと予め対応付けられた、前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルとを含む第２の欠陥情報を入力する工程と、
前記第１の欠陥情報及び前記第２の欠陥情報に基づいて、前記画像データに対して補正を行う画像補正工程とを実行させることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置、撮像装置の制御方法、および、プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像装置に用いられるＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅｓ）は、撮像装置の小型化、高性能化に伴って小サイズ化、高画素化している。このＣＣＤの小サイズ化、高画素化に伴い、ＣＣＤに画素欠陥が増え、撮影画像に与える影響があった。このような状況にあって、従来より画素欠陥を補正する技術が種々提案されている。
【０００３】
例えば、温度に依存して発生する画素の白キズを撮像素子の環境温度とシャッタ速度から特定し、記憶手段に記憶されている該画素に対する補正画素信号を読み出して、欠陥補正を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、撮像素子の温度を検出し、検出温度に応じて画素欠陥補正データテーブルから補正データを選択し、選択した補正データに基づいて黒レベルの温度変化を補正することにより画素欠陥の補正を行う方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
ところが、撮影記録後の静止画像を欠陥画素補正する場合は、補正処理に処理時間がかかっても問題にならなかったが、動画像撮影や静止画を速写する場合はほぼリアルタイムで欠陥画素を補正する必要がある。デジタルカメラ等に搭載する演算処理手段では消費電力やコスト面での制約があり、静止画像と同じ処理を撮影中にリアルタイムで行うことはできないため、静止画モードと動画モードで欠陥画素補正の方法を切り替えて対応する方法が提案されている。
【０００６】
例えば、特許文献３では、静止画モードでは、欠陥画素の周辺画素値から演算した値を欠陥画素の画素値に置き換え、動画モードでは欠陥画素を前値補完するだけにして画素欠陥補正を所定時間内で行う方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平１１−１１２８７９号公報
【特許文献２】特開平１２−１０１９２５号公報
【特許文献３】特開２０００−２２４４９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＣＣＤの小サイズ化、高画素化がさらに進むことによって、画素間のピッチはさらに狭まり画素だけに限らず各垂直転送ライン毎に設けられた垂直ＣＣＤ上にも欠陥が発生しやすくなってきている。この垂直ＣＣＤ上の欠陥は、欠陥箇所に起因して不要電荷を発生する。この欠陥箇所で発生する単位時間あたりの電荷量を電圧に換算した値を欠陥レベルと呼ぶ。前記不要電荷はＣＣＤから出力された画像上では、白い線状（「Ｖライン傷」と称する）となるため、撮影画像に与える影響は画素欠陥の場合より大きくなる。さらに、このＶライン傷は、ＣＣＤの温度によって欠陥のレベル変化する温度依存性もある。
【０００８】
画素欠陥の温度依存成分の補正方法は、特許文献１、特許文献２のように、補正データに基づいて欠陥画素の温度変化を補正する方法が提案されている。しかしながら、動画撮影や連写撮影では、撮影中ずっと撮像素子から画像を高速のクロックで読み出しているので、撮影時間とともに撮像素子の温度が急速に上昇する。そのため、動画撮影中や連写撮影中の画素欠陥補正の精度を上げようとすると補正値の演算時間を各コマを撮影する間のきわめて短時間で行う必要がある。前述のように、デジタルカメラに搭載する演算処理手段では消費電力やコスト面での制約があるので、静止画像と同じ処理を各コマの撮影毎に行うことはできない、という問題があった。また、温度を検出する温度センサと処理回路が必要になるためカメラが大型化したり、コストアップになる問題があった。
【０００９】
一方、特許文献３の方式では動画モード時は画素欠陥の補正を簡単な処理にして、リアルタイムでの処理を可能にしているが、欠陥画素を前値補完するだけでは画素欠陥の補正が不十分、という問題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、動画撮影や連写撮影において、Ｖライン傷の十分な補正が可能な、消費電力が少ない安価なカメラを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の目的は、下記構成により達成することができる。
【００１２】
（請求項１）
光電変換素子で光電変換された電荷を垂直ＣＣＤに読み出し、該垂直ＣＣＤで読み出された電荷を水平ＣＣＤに読み出すことで、被写体を撮像して画像データを出力する撮像素子を有する撮像装置において、
前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置及び該欠陥箇所の欠陥レベルを検出する欠陥検出を行う欠陥検出手段と、
前記撮像素子から出力された画像データを一時記憶する第１の記憶手段と、
前記欠陥検出手段により少なくとも２回検出された欠陥検出結果の結果に基づいて、前記第１の記憶手段に記憶された画像データを補正する画像補正手段と、
前記画像補正手段で補正された画像データを記憶する第２の記憶手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【００１３】
（請求項２）
前記撮像素子に被写体を連続して撮像させる撮像制御手段を有し、
前記欠陥検出手段は被写体像を連続して撮像する前と連続撮像終了後に、前記欠陥検出を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【００１４】
（請求項３）
前記撮像素子に被写体を連続して撮像させる撮像制御手段を有し、
前記欠陥検出手段は被写体像の連続撮像を開始してから所定時間経過後に、前記欠陥検出を行い、検出した位置と欠陥レベルに基づいて、前記画像データに所定の補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【００１５】
（請求項４）
前記撮像素子に被写体を連続して撮像させる撮像制御手段を有し、
前記欠陥検出手段は被写体像の連続撮像を開始してから所定時間経過後は、撮像終了まで前記欠陥検出を行わないことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【００１６】
（請求項５）
前記欠陥検出手段は被写体像の撮像を所定の回数行う毎に、前記欠陥検出を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【００１７】
（請求項６）
前記所定の回数は、あらかじめ設定された撮像回数に基づいて決定されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【００１８】
（請求項７）
前記欠陥検出手段は、被写体像の連続撮像を開始直後は第１の時間間隔で検出を行い、撮像開始から所定の時間経過後は前記第１の時間間隔より長い第２の時間間隔で欠陥検出を行うことを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の撮像装置。
【００１９】
（請求項８）
前記欠陥検出手段は、被写体像を撮像するときに、設定された撮影コマ間隔時間に応じて、撮影コマ間における前記欠陥検出の制御を切り替えることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の撮像装置。
【００２０】
（請求項９）
光電変換素子で光電変換された電荷を垂直ＣＣＤに読み出し、該垂直ＣＣＤで読み出された電荷を水平ＣＣＤに読み出すことで、被写体を撮像して画像データを出力する撮像素子を有する撮像装置の制御方法において、
前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルを所定の検出基準に基づいて検出し、検出結果を記憶する第１の検出工程と、
被写体を撮像して画像データを獲得する撮像工程と、
前記撮像工程で獲得された画像データを一時記憶する第１の記憶工程と、
前記第１の検出工程を実行した後、所定時間経過後に、前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所の位置と傷レベルとを前記検出基準に基づいて検出し、検出結果を記憶する第２の検出工程と、
前記第１の記憶工程において一時記憶され画像データに、前記第１の検出工程と第２の検出工程で記憶された垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルに基づいて、画像データ補正を行う画像補正工程と、
前記画像補正工程で補正された画像データを記憶する第２の記憶工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【００２１】
（請求項１０）
光電変換素子で光電変換された電荷を垂直ＣＣＤに読み出し、該垂直ＣＣＤで読み出された電荷を水平ＣＣＤに読み出すことで、被写体を撮像して画像データを出力する撮像素子を有する撮像装置が獲得した画像データの画像処理を行うプログラムであって、
コンピュータに、前記撮像装置が獲得した画像データを入力する工程と、
前記画像データと予め対応付けられた、前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルとを含む第１の欠陥情報を入力する工程と、
前記画像データと予め対応付けられた、前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルとを含む第２の欠陥情報を入力する工程と、
前記第１の欠陥情報及び前記第２の欠陥情報に基づいて、前記画像データに対して補正を行う画像補正工程とを実行させることを特徴とするプログラム。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１または９に記載の発明によれば、少なくとも２回以上検出した垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所と欠陥レベルに基づいて、画像データを補正する補正値を算出し、撮影後に撮影画像データのＶライン傷補正を行うので、動画撮影や連写撮影においても、Ｖライン傷の十分な補正が可能な、消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００２３】
請求項２に記載の発明によれば、撮影する前後に検出した垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所と欠陥レベルに基づいて、画像データを補正する補正値を算出し、撮影後に撮影画像データの補正を行うので、動画撮影や連写撮影の単位時間あたりの撮影コマ数を損なうことなく、Ｖライン傷の十分な補正が可能な、消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００２４】
請求項３に記載の発明によれば、連続撮像を開始してから所定時間経過後、垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所と欠陥レベル検出し、欠陥レベルが大きく変動するタイミングで欠陥レベルを検出するので、Ｖライン傷の十分な補正が可能な、消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００２５】
請求項４に記載の発明によれば、欠陥レベルの増加が飽和した所定時間経過後は、撮像終了まで前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルの検出を行わないので、短時間で十分なＶライン傷の補正処理が可能な、消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００２６】
請求項５に記載の発明によれば、被写体像の撮像を所定の回数行う毎に、前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルを検出するので、欠陥レベルの変動を適宜検出し、Ｖライン傷の十分な補正ができる、消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００２７】
請求項６に記載の発明によれば、設定された撮像回数に基づいて前記垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルの検出を行うので、最適なタイミングで欠陥レベルの変動を検出し、Ｖライン傷の十分な補正ができる消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００２８】
請求項７に記載の発明によれば、欠陥レベルの検出の時間間隔を被写体像の連続撮像を開始直後と所定の時間経過後で変えるので、最適なタイミングで欠陥レベルの変動を検出し、Ｖライン傷の十分な補正ができる、消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００２９】
請求項８に記載の発明によれば、連写撮影時に設定された撮影コマ間隔に応じて、撮影中に欠陥レベルの検出を行うか、行わないか、を設定するので、撮影に影響を与えることなく最適なタイミングで欠陥レベルの変動を検出し、Ｖライン傷の十分な補正ができる、消費電力が少ない安価なカメラを提供できる。
【００３０】
請求項１０に記載の発明によれば、少なくとも２回以上検出した垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所と欠陥レベルに基づいて、画像データを補正する補正値を算出し、撮影後に撮影画像データのＶライン傷補正を行うので、動画撮影や連写撮影においても、Ｖライン傷の十分な補正が可能な、プログラムを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面に基づき本発明の実施の形態を説明する。
【００３２】
図１は、本発明に係る撮像装置の一例であるデジタルカメラ１の外観図である。図１（ａ）はデジタルカメラ前面の斜視図、図１（ｂ）はデジタルカメラ背面の斜視図である。
【００３３】
図１（ａ）において、３は撮影レンズ、８２はファインダ窓、８３はレリーズ釦、８４はフラッシュ発光部、８６は調光用センサ窓、８７はストラップ取り付け部である。８９はレンズカバーであり、開状態で図示のように撮影レンズ３は撮影可能状態となり、閉方向へ少し移動させることで撮影レンズ３は沈胴する。すなわち、レンズカバー８９の開閉とカメラの電源ＳＷ９４が連動している。
【００３４】
レリーズ釦８３は半押し（以後スイッチＳＷ１のＯＮという）によりカメラの撮影準備動作、すなわち焦点合わせ動作（ＡＦ機能）や露光条件の決定動作（ＡＥ機能）が行われ、全押し（以後スイッチＳＷ２のＯＮという）により撮影露光動作が行われる。
【００３５】
図１（ｂ）において、９１はファインダ接眼部、９２は赤と緑の表示ランプであり、ＡＦやＡＥの情報をスイッチＳＷ１がＯＮされたとき、点灯もしくは点滅により撮影者に表示するものである。９３はズーム釦であり、ズームアップ、ズームダウンを行う釦である。
【００３６】
９５はメニュー／セット釦、選択釦９６は４方向スイッチで構成される選択釦である。ＬＣＤ８１は液晶モニタであり画像やその他文字情報等を表示する。メニュー／セット釦９５で、ＬＣＤ８１上に各種のメニューを表示させ、選択釦９６で選択し、メニュー／セット釦９５で確定させる機能を有している。前記メニューには静止画撮影モードと動画撮影モードとセットアップモードを切り替える選択メニューがあり、撮影者はメニュー／セット釦９５、選択釦９６により、各モードを選択する。静止画撮影モードには一齣撮影モード、連続して撮影を行う連写モードがあり、いずれか１つを選択できる。連写モードにおいて連続して撮影する枚数の設定と１秒間に撮影するコマ数は、液晶モニタ８１に表示される設定画面を見ながら、選択釦９６、メニュー／セット釦９５で設定する。セットアップモードでは、メモリカード２５に記録する撮影画像を画像処理後圧縮して記録するモードと、撮影画像を画像処理を行わない生データ（以下ＲＡＷデータ）のまま記録するモード、画像処理後圧縮した画像と画像処理を行わず非圧縮のままの画像の両方を記録するモード、のいずれかを設定できる。
【００３７】
再生釦９７は、撮影した画像の再生を行う釦である。９８はディスプレイ釦で、ＬＣＤ８１に表示された画像やその他文字情報の表示や消去を選択する釦である。９９は消去釦で、撮影記録した画像の消去を行う釦である。１０１は三脚穴、１０２は電池／カード蓋である。電池／カード蓋１０２の内部には、本カメラの電源を供給する電池と、撮影した画像を記録するカード型のメモリカード２５が挿脱可能になっている。メモリカード２５は本発明の第２の記憶手段である。
【００３８】
本発明に係る撮像装置の制御系について図２を用いて説明する。図２は図１に示したデジタルカメラ１の内部構成を示す概略ブロック図である。なお、図１に示したものと同じ構成要素には同符号を付してその説明を省略する。
【００３９】
デジタルカメラ１は、Ａ／Ｄ変換部２１、画像処理部２２、操作部６０、メインマイコン部７、本発明の第１の記憶手段である画像メモリ２３等を有する。
【００４０】
メインマイコン部７は、各種制御を行うマイクロコンピュータを備えて構成される。すなわち、メインマイコン部７は、各種演算処理を行うＣＰＵ７０と、演算を行うための作業領域となるＲＡＭ７５と、制御プログラム等が記憶されるＲＯＭ７６、ＣＣＤ５の垂直ＣＣＤ部の欠陥アドレスを記憶する傷アドレスメモリ５４とを備え、デジタルカメラ１の各処理部の動作を統括的に制御する。不揮発性メモリであるＲＯＭ７６としては、例えば、データの電気的な書き換えが可能なＥＥＰＲＯＭが採用される。これにより、ＲＯＭ７６は、データの書き換えが可能で、かつ、電源を落とした場合でもそのデータの内容を保持する。
【００４１】
操作部６０の独立して設けられた複数の操作部材であるレリーズ釦８３、ズーム釦９３、メニュー／セット釦９５、選択釦９６、再生釦９７、ディスプレイ釦９８、消去釦９９、および電源ＳＷ９４の出力はメインマイコン部７０に入力されている。
【００４２】
操作者（ユーザ）は、この操作部６０にて所定の操作を行うことにより、各種の設定操作を行うことができる。
【００４３】
図１の撮影レンズ３は、複数のレンズを有するレンズ系レンズ部３２を備えている。これら複数のレンズの光軸上の位置をズーム・フォーカス駆動部３３２が駆動することにより移動させ、変倍が行われる。変倍の制御は変倍制御部７７の指令により、ズーム・フォーカス駆動部３３２が変倍を行う。
【００４４】
また、これら複数のレンズの内、フォーカシングに用られるレンズは、ＡＦ制御部７１からの制御信号により、ズーム・フォーカス駆動部３３２が駆動して焦点調節を行う。さらに、ＣＰＵ７０のＡＥ制御部７２は絞り・シャッタ駆動部３３１を駆動し、絞り３３を所定の絞り値まで所定の時間開閉し、絞り値と露光時間で決定される露光量を調定する。
【００４５】
ＣＣＤ５は、カラーフィルタがそれぞれ付された微細な光電変換素子群で構成される撮像素子であり、前記光電変換素子に蓄積された電荷は、露光完了後各光電変換素子に対応して垂直方向に配置されている垂直ＣＣＤに読み出される。ＣＣＤ駆動部６の発生するタイミング信号により、垂直ＣＣＤに読み出された電荷は１ライン毎に水平ＣＣＤに転送され、ＣＣＤ５の内部回路で電圧に変換して読み出すように構成されている。ＣＣＤ５の構造については後に詳しく説明する。
【００４６】
ＣＣＤ５は、撮影レンズ３によって結像される被写体の光像（被写体像）を、例えばＲＧＢの色成分を有する画像信号に光電変換する。ＣＣＤ５の受光面は結像平面と一致するように配置され、イメージサークルを含む結像平面の一部の領域が画像データ（本明細書中では、適宜単に「画像」ともいう。）として取得されることとなる。
【００４７】
撮影前において、ＣＰＵ７０の指令により、ＣＣＤ駆動部６はタイミング信号を発生し、ＣＣＤ５からライブビュー画像の読み出し駆動を行っている。
【００４８】
ＣＰＵ７０は、撮影に関するシーケンスを司っている。撮影時は、ＣＰＵ７０の指令によりＡＥ制御部７２が絞り３３を一旦閉じ、その間にＣＣＤ駆動部６がＣＣＤ５の電荷を掃き出す。その後、ＡＥ制御部７２は絞り３３を開き、所定の露光時間の間、ＣＣＤ５を露光する。露光後、ＣＰＵ７０の指令によりＣＣＤ駆動部６はタイミング信号を発生し、ＣＣＤ５から撮影画像の読み出しが始まる。連続撮影時はＣＰＵ７０が所定撮影枚数分このシーケンスを繰り返すように指令する。
【００４９】
Ａ／Ｄ変換部２１、画像処理部２２および画像メモリ２３は、ＣＣＤ５にて取得された画像を扱う処理部を示している。すなわち、ＣＣＤ５にて取得されたアナログ信号の画像は、Ａ／Ｄ変換部２１にてデジタル信号に変換される。
【００５０】
画像処理部２２はガンマ補正部２２１，輪郭補正部２２２、画像圧縮部２２３、本発明の画像補整手段である画像補正部２２４などの画像処理機能を有する。これらの画像処理もＣＰＵ７０の指令により行われる。また、ガンマ補正部２２１、輪郭補正部２２２の補正量の設定値はＣＰＵ７０からの指令により設定される。
【００５１】
ガンマ補正部２２１は、入出力特性である階調特性を表すルックアップテーブルを持ち、入力されたデジタル値に対応するデジタル値に変換して出力する機能を持っている。すなわち、Ａ／Ｄ変換部２１で変換されたデジタル信号を、ＣＰＵ７０が前記ルックアップテーブルに設定する階調特性で階調変換する。
【００５２】
輪郭補正部２２２は、ＣＰＵ７０の設定する入出力特性である周波数応答特性で画像の輪郭などを補正し、撮影制御部７９の指令により画像メモリ２３に一時的に格納する。
【００５３】
画像圧縮部２２３は、撮影制御部７９の指令により画像処理後のデジタル信号をＪＰＥＧ形式などに圧縮する。
【００５４】
メインマイコン部７は、自動合焦制御部（ＡＦ制御部）７１、自動露出制御部（ＡＥ制御部）７２、本発明の垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所に関する位置と欠陥レベルを検出する欠陥検出手段である欠陥検出部７７、本発明の補正値算出手段である補正値算出部７８などの各種の制御機能を有する。メインマイコン部７の各種の機能は、予めＲＯＭ７６内に記憶される制御プログラムに従ってＣＰＵ７０が演算処理を行うことにより実現される。
【００５５】
メインマイコン部７は設定された記録モードに応じて、画像データを画像処理後圧縮して記録したり、画像処理を行わずＲＡＷデータのまま記録するように制御する制御機能も持っている。また、ＬＣＤ８１などに表示出力する制御機能も持っている。
【００５６】
ＡＦ制御部７１は、ズーム・フォーカス駆動部３３２を制御して、フォーカシングレンズを小刻みに移動させ、それぞれで得られた画像データに基づいて画像の評価を行い最適なフォーカシングレンズの位置を決定する（ＡＦ機能）。
【００５７】
ＡＥ制御部７２は、撮影前に画像メモリ２３より得られる画像データに基づいて、撮影時の絞り値とシャッタ速度の露光条件を設定する（ＡＥ機能）。本実施の形態では、シャッタ速度の設定は絞り・シャッタ駆動部３３１を制御して絞り３３で行う。
【００５８】
欠陥検出部７７は、ＣＣＤ駆動部６に指令してＣＣＤ５の電荷を掃き出した後、ＡＥ制御部７２に指令して絞り３３を一旦閉じ、その間にＣＣＤ駆動部６がＣＣＤ５の電荷を掃き出す。絞り３３を閉じたまま、垂直転送ＣＣＤの駆動を所定期間停止して、垂直転送ＣＣＤに発生する電荷を蓄積する。所定時間経過後、欠陥検出部７７はＣＣＤ駆動部６に指令し、ＣＣＤ５から垂直転送ＣＣＤに蓄積した電荷を電圧として読み出す。出力電圧を基準レベルと比較して高い電圧を発生する画素を欠陥画素として検出し、前記欠陥画素のＣＣＤ５上の位置と前記欠陥画素の電圧レベルとＲＡＭ７５に記憶する。詳細なシーケンスは後で詳しく説明する。
【００５９】
本発明の補正値算出手段である補正値算出部７８は、欠陥検出部７７が検出した時点の欠陥画素の電圧レベルから撮影時点の欠陥画素の電圧レベルを算出する。詳細なシーケンスは後で詳しく説明する。
【００６０】
上述のデジタルカメラ１は、静止画像を撮影する静止画撮影モード、動画を撮影する動画撮影モード、記録した画像を画像表示部に再生表示する再生モード、各モードや機能の設定を行うセットアップモード等を有するものである。
【００６１】
＜Ｖライン傷の検出について＞
図３は、ＣＣＤ５の内部構成を示す図である。図４は撮影画像Ｇ１おいて発生したＶライン傷の説明図である。
【００６２】
ＣＣＤ５においては、光電変換素子である各フォトダイオード１６１で光電変換され蓄積された電荷が各垂直転送ライン毎に設けられた垂直ＣＣＤ（以下では「ＶＣＣＤ」ともいう）１６２に読み出され、１水平期間の周期で最下段の水平ＣＣＤ１６３に転送される。そして、水平ＣＣＤ１６３に転送された電荷は、画素クロックに基づき読み出されることで水平画素方向の読み出しが行われる。
【００６３】
このようなＣＣＤ５の動作により、２次元的に配列されたフォトダイオード１６１で取得した２次元画像に対して水平ライン毎にスキャン読み出しが行われることとなる。
【００６４】
ここで、フォトダイオード１６１に欠陥がある場合には、この欠陥によって発生する電荷が信号電荷に加算されるため、撮影画像において点欠陥として再現されることとなる。この点欠陥については、図示せぬ点欠陥補正部において、欠陥に起因して発生する電荷に相当する画素レベルが減算される補正が行われる。
【００６５】
一方、垂直転送ラインの一部に同様の欠陥箇所（傷）Ｆｐが存在する場合には、欠陥箇所Ｆｐに電荷が読み出されるフォトダイオードとＸ方向のアドレスが等しいフォトダイオード１６１ｆからの電荷は、欠陥箇所Ｆｐが存在する垂直ＣＣＤ１６ｆを通ってＣＣＤ５から出力されることとなる。このため、欠陥箇所Ｆｐに対して電荷転送方向Ｈａの上流から転送される信号電荷群Ｆａに電荷が加算されることとなり、図４に示すように撮影画像Ｇ１おいて明度の高いライン性の傷（Ｖライン傷）Ｇａとして再現される。
【００６６】
上述した点欠陥の場合には撮影画像に与える劣化要因は少ないものの、図４に示すようなＶライン傷Ｇａの場合には画質に対する影響が非常に大きくなるため、その検出が重要となるが、以下では、この検出方法を説明する。
【００６７】
図５及び図６は、Ｖライン傷の検出原理を説明するための図である。
【００６８】
Ｖライン傷Ｇａ（図４）については、上述したように図３に示す垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所Ｆｐを通って読み出される信号画素群Ｆａに起因して画像上で生じるライン性の明度傷として発生する。
【００６９】
そこで、図５に示すように垂直ＣＣＤ１６２の転送を一定期間（例えば２００水平期間）停止することにより欠陥箇所Ｆｐで発生する電荷量を増大させた後に、フォトダイオード１６１からの電荷を垂直ＣＣＤ１６２に転送することなく画像読み出しを行うこととする。これにより、垂直ＣＣＤ１６２上の欠陥箇所Ｆｐに信号電荷が読み出されるフォトダイオードＤｐの画素データを強調してＣＣＤ５から出力できることとなる。
【００７０】
このように欠陥箇所Ｆｐが強調されＣＣＤ５から出力された画像Ｇ２では、図６に示すように、Ｖライン傷Ｇａのうち欠陥箇所Ｆｐに電荷が読み出されるフォトダイオードＤｐ（図５）の位置に対応したＢ画素Ｇｐの画素レベルが垂直ＣＣＤ１６２の転送停止期間に正比例して強調されることとなる。
【００７１】
以上のような画像Ｇ２が読み出された後に、画像Ｇ２から明度の高い輝点となる画素Ｇｐのアドレスを検出することで、Ｖライン傷の下端に対応する欠陥箇所の位置（アドレス）を検出できることとなる。
【００７２】
以下では、デジタルカメラ１によるＶライン傷の検出について具体的に説明する。
【００７３】
図７は、デジタルカメラ１におけるＶライン傷の検出動作を示すフローチャートである。
【００７４】
まず、シャッターに相当する絞り３３を閉じた（ステップＳＴ１）後に、垂直ＣＣＤ１６２において電荷の高速はき出しが設定される（ステップＳＴ２）。
【００７５】
ステップＳＴ３では、上述したように、ＶＣＤＤ１６２での転送を２００水平転送期間停止する。これにより、垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所で電荷が増幅されることとなる。
【００７６】
ステップＳＴ４では、ＣＣＤ５からフォトダイオードからの電荷をＶＣＣＤに転送することなく画素データを順次に読み出す。
【００７７】
ステップＳＴ５では、ステップＳＴ４で読み出されたレベルを１／２００倍で正規化した画素レベルが、予め定められた傷レベルリファレンス（閾値）Ｖｒｅｆより大きいかを判定する。ここで、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい場合には、ステップＳＴ６に進み、傷レベルリファレンスＶｒｅｆ以下の場合には、ステップＳＴ７に進む。
【００７８】
ステップＳＴ６では、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい欠陥画素（傷）に関して画像上のアドレス（Ｈ，Ｖ）と傷番号Ｌを、傷アドレスメモリ５４に登録する。この際には、欠陥画素の画素値を傷レベルとして登録する。
【００７９】
ステップＳＴ７では、ＣＣＤ５からの画像読み出しが完了したかを判定する。ここで、画像読み出しが完了した場合には、ステップＳＴ８に進み、未完の場合には、ステップＳＴ４に戻る。
【００８０】
ステップＳＴ８では、傷アドレスメモリ５４に格納されている傷アドレスを並び替える。この場合には、例えば傷レベルの大きい順に、つまり昇順に傷アドレスの順番が変更される。
【００８１】
ステップＳＴ９では、ステップＳＴ８で並び替えられた傷アドレスに基づき、傷レベルが上位４０位以内に入る傷アドレスと傷レベルとを、傷アドレスメモリ５４に再登録する。この傷レベルについては、２００水平転送期間停止して得られた画素データに関して１／２００倍で正規化したレベルが登録されることとなる。
【００８２】
以上のようなデジタルカメラ１の動作により、Ｖライン傷の検出を適切に行えることとなる。
【００８３】
デジタルカメラ１では例えば工場出荷前に管理された所定の温度において前記の検出動作を行い、工場出荷時には、傷アドレスメモリ５４検出に必要な情報がデフォルトのデータとして格納されている。ただし、ＣＣＤ５のＶライン傷の傷レベルは、ＣＣＤ５の温度に依存して変化するので、撮影する時点での傷レベルは工場出荷時のデフォルトのデータと同じとは限らない。
【００８４】
本発明に係る撮像装置の傷レベル検出動作について説明する。
【００８５】
図８は、図１及び図２に示したデジタルカメラ１で行われるＶライン傷補正の第１の実施の形態の流れを示すフローチャートである。なお、図８においては、デジタルカメラ１の電源が投入され、撮影モードが選択されて撮影待機状態になってからの処理について説明する。
【００８６】
シャッタボタンが半押し（ＳＷ１  ＯＮ）になると（ステップＳ１０１）、ＡＥ制御部７２は自動露出制御を行い露光時間Ｔを設定する。また、ＡＦ制御部７１は焦点を検出し、ズーム・フォーカス駆動部３３２に焦点位置Ｄまで移動するように指令し、レンズ部３２を合焦させる（ステップＳ１０２）。
【００８７】
シャッタボタンが全押し（ＳＷ２  ＯＮ）になると（ステップＳ１０３）、ＣＰＵ７０は初期化動作を行い、Ｖライン傷の検出回数Ｎと、撮影コマ数Ｋを１に設定し、内部タイマＴを０にリセットし、この時点より新たに経過時間のカウントを開始する（ステップＳ１５１）。次に、Ｖライン傷検出ルーチンをコールし、あらかじめ傷アドレスメモリ５４に登録されている傷番号Ｌかつ傷アドレス（Ｈ，Ｖ）の傷レベルＯＬを検出する（ステップＳ９００）。
【００８８】
ステップＳ１５２において、ＣＰＵ７０は内部タイマの値を撮影時の撮影開始からの経過時間としてＲＡＭ７５に経過時間ＴＳ（Ｋ）として一次記憶する。ここでＫは撮影コマ数であり、撮影終了後には撮影コマ毎の撮影開始からの経過時間が経過時間ＴＳ（Ｋ）に記憶される。
【００８９】
ステップＳ１０４ではＣＰＵ７０の指令により撮影を開始し、ＣＣＤ５に露光時間の間露光し、ＣＣＤ５から読み出した画像データを画像メモリ２３に一時記憶する。
【００９０】
次に、ステップＳ１５３ではシャッタ釦が全押し（ＳＷ２  ＯＮ）かどうか、判定する。シャッタ釦が全押し（ＳＷ２  ＯＮ）の場合（ステップＳ１５３；Ｙｅｓ）、設定された撮影モードが動画モード、連写モードなどの場合は撮影を継続するので、撮影コマ数Ｋに１を加算する。（ステップＳ１５４）。
欠陥検出部７７は、内部タイマＴの経過時間が傷レベル飽和時間Ｔｍａｘ以上かどうかを判定する（ステップＳ１５５）。傷レベル飽和時間Ｔｍａｘは連続撮影によりＣＣＤ５の温度上昇が飽和し、垂直ＣＣＤ部の欠陥により発生する欠陥レベルが飽和するのに十分な時間である。傷レベル飽和時間Ｔｍａｘはあらかじめデジタルカメラ１に固有の値がＲＯＭ７６に記憶されている。
【００９１】
Ｔｍａｘ経過した場合と動画モードの場合は（ステップＳ１５５；Ｙｅｓ）、何も行わずステップＳ１５２に戻る。
【００９２】
Ｔｍａｘ経過していない場合（ステップＳ１５５；Ｎｏ）、内部タイマＴの経過時間があらかじめ設定されているデジタルカメラ１に固有のＮ＋１回目の傷レベル検出タイミングＴＡ（Ｎ＋１）以上かどうかを判定する（ステップＳ１５６）。
【００９３】
所定時間未満の場合（ステップＳ１５６；Ｎｏ）、何も行わずステップＳ１５２に戻る。
【００９４】
所定時間以上の場合（ステップＳ１５６；Ｙｅｓ）Ｖライン傷の検出回数Ｎに１を加算し（ステップＳ１５７）、前出のＶライン傷検出ルーチンをコールし（ステップＳ９００）、終了後ステップＳ１５２に戻る。Ｖライン傷検出ルーチンが終了すると、この時点の傷レベルＯＬがＶライン傷検出Ｎ回目、また撮影コマ数Ｋの測定結果として傷アドレスメモリ５４に登録されている。
【００９５】
シャッタ釦が全押し（ＳＷ２  ＯＮ）ではない場合（ステップＳ１５３；Ｎｏ）、撮影は終了なので、Ｖライン傷の検出回数Ｎに１を加算し、全撮影コマ数Ｋｓ＝現在の撮影コマ数Ｋとし（ステップＳ１５２）、前記Ｖライン傷検出ルーチンをコールする（ステップＳ９００）。Ｖライン傷検出ルーチンが終了すると、撮影終了時点の傷レベルＯＬがＮ回目の測定結果として傷アドレスメモリ５４に登録されている。
【００９６】
次にステップＳ９０１ではＶライン傷補正値算出ルーチンをコールして、ステップＳ９００で検出された傷アドレス及び傷レベルに基づき、画像処理時の補正値を算出する（ステップＳ９０１）。
【００９７】
ステップＳ９０２では画像補正部２２４が傷アドレスメモリ５４に記憶されている各コマの補正値に基づいて、画像メモリ２３に一時記憶されている画像データのＶライン傷を補正する（ステップＳ９０２）。次に、ステップＳ２００の画像処理ルーチンに進み、画像処理部２２は画像メモリ２３に一時記憶している画像データに画素補間、マトリクス処理、ＷＢ補正、ガンマ補正、輪郭補正などの画像処理を行う（ステップＳ２００）。
【００９８】
次に、画像圧縮部２２３は画像データを圧縮し、圧縮された画像データは画像メモリ２３に保存された後、順次メモリカード２５に記録され（ステップＳ３００）、処理を終了する。
【００９９】
図９は、図８のステップＳ９００で実行するＶライン傷検出ルーチンの詳細なフローチャートである。図７で説明したＶライン傷検出とステップＳＴ１からステップＳＴ４までは同じであるので、同符号を付し説明を省略し、ステップＳ７０５より説明する。
【０１００】
欠陥検出部７７は読み出した画像データがＶライン傷の登録アドレスの画像データかどうか、判定する（ステップＳ７０５）。登録アドレスではない場合（ステップＳ７０５；Ｎｏ）、ステップＳ７０８に進む。登録アドレスの場合（ステップＳ７０５；Ｙｅｓ）、欠陥検出部７７は傷レベルＯＬを検出し（ステップＳ７０６）、傷レベルＯＬと傷レベルの検出回数Ｎと現在の撮影コマ数Ｋを傷アドレスメモリ５４に登録する。
【０１０１】
欠陥検出部７７はすべての画像データの読み出しが完了したかどうか、判定する（ステップＳ７０８）。読み出しが完了していない場合（ステップＳ７０８；Ｎｏ）、ステップＳＴ４に戻り画像読み出し以降のステップを繰り返す。読み出しが完了した場合（ステップＳ７０８；Ｙｅｓ）検出ルーチンを終了する。
【０１０２】
図１０は、図８のステップＳ９０１で実行されるＶライン傷補正値算出ルーチンの概要を説明するフローチャートである。
【０１０３】
補正値算出部７８は、まず傷番号Ｌを１に初期化し（ステップＳ８０１）、傷番号ＬのＶライン傷データを傷アドレスメモリ５４から読み出す（ステップＳ８０２）。すなわち、傷番号Ｌ毎の傷アドレス（Ｈ，Ｖ）の欠陥で発生したＮ回目に測定された傷レベルＯＬ（Ｌ，Ｎ）のデータが読み出される。
【０１０４】
次に、補正値算出部７８は、撮影コマ毎の補正値ＯＶ（Ｌ，Ｋ）の算出を行う（ステップＳ８０３）。
【０１０５】
ステップＳ８０３で実行される撮影コマ毎の補正値ＯＶ（Ｌ，Ｋ）の算出の手順について、図１１を用いて説明する。図１１は横軸は撮影開始からの経過時間Ｔ（秒）、縦軸は傷レベルの電圧（Ｖ）のグラフであり、黒丸の点はＮ回目に検出した傷レベルＯＬの電圧（Ｖ）、三角の点は補正値算出部７８が算出したＫコマ目の補正値ＯＶである。
【０１０６】
図１１では一例として１秒間に２コマの連写モードで８コマ撮影した場合について説明する。
【０１０７】
傷レベルは温度依存性があるため、撮影直後はＣＣＤ５の温度上昇に伴って傷レベルの電圧が大きく増加し、撮影が進むにつれてＣＣＤ５の温度上昇が飽和するため、傷レベルの電圧も増加率が減少する。
【０１０８】
そのため、本実施の形態では、撮影開始時、０．５秒後、１秒後、２秒後に傷レベルを検知するものとする。すなわち、傷レベル検出タイミングＴＡ（１）＝０、ＴＡ（２）＝０．５秒、ＴＡ（３）＝１秒、ＴＡ（４）＝２秒である。２秒後以降は傷レベルの増加が緩やかになるので撮影終了まで検出を行わない設定である。本実施の形態では８コマ目の撮影終了後に５回目の傷レベル検出を行っている。
【０１０９】
次に、各コマの撮影時点における補正値の算出方法について説明する。
【０１１０】
補正値算出部７８は、傷レベルを検出していないタイミングの補正値を、Ｎ＋１回目に検出した傷レベルとＮ回目に検出した傷レベルの差分から、比例配分でその間の１コマあたりの差分Δを求める。
【０１１１】
補正値算出部７８は１コマ目、２コマ目、３コマ目の傷番号Ｌの補正値ＯＶ（Ｌ，１）、ＯＶ（Ｌ，２）、ＯＶ（Ｌ，３）の傷レベル検出タイミングと露光タイミングが所定の時間範囲内と判定し、式（１）、式（２）、式（３）のようにそれぞれ検出した傷レベルＯＬを補正値ＯＶとする。
【０１１２】
ＯＶ（Ｌ，１）＝ＯＬ（Ｌ，１）                式（１）
ＯＶ（Ｌ，２）＝ＯＬ（Ｌ，２）                式（２）
ＯＶ（Ｌ，３）＝ＯＬ（Ｌ，３）                式（３）
本実施の形態では４コマ目のタイミングで傷レベルが検出されていないので、補正値算出部７８は、３回目と４回目の検出の間における傷レベルの時間あたりの増加分Ｚを式（１）で求める。
【０１１３】
Ｚ＝（ＯＬ（Ｌ，４）−ＯＬ（Ｌ，３））／（ＴＡ（４）−ＴＡ（３））  式（１）
４コマ目露光時の経過時間ＴＳ（４）と３回目の傷レベル検出タイミングＴＡ（３）から、４コマ目のタイミングにおけるＯＬ（Ｌ，３）からの増加分δ１を求める。
【０１１４】
δ１＝（ＴＳ（４）−ＴＡ（３））×Ｚ
補正値算出部７８は、式（４）に示すように傷レベルを検出していない４コマ目の補正値を算出する。５コマ目は式（５）のように４回目に検出した傷レベルである。
【０１１５】
４コマ目の補正値ＯＶ（２）＝ＯＬ（Ｌ，３）＋δ１                  式（４）
５コマ目の補正値ＯＶ（５）＝ＯＬ（Ｌ，４）                        式（５）
以下、同様に補正値算出部７８は、撮影したすべてのコマの補正値を求め、傷アドレスメモリ５４に記憶する（ステップＳ８０４）。
【０１１６】
次に、補正値算出部７８は傷アドレスメモリ５４から傷データ読み出しが完了したかどうか、判定する（ステップＳ８０５）。読み出しが完了していない場合（ステップＳ８０５；Ｎｏ）、傷番号Ｌ＝Ｌ＋１とし（ステップＳ８０６）、ステップＳ８０２に戻る。読み出しが完了している場合（ステップＳ８０５；Ｙｅｓ）は終了し、図８の元のステップに戻る。
【０１１７】
図８のステップＳ９０２で実行されるＶライン傷補正について図１２を用いて説明する。図１２はＣＣＤ５から出力され画像メモリ２３に一時記憶されている画像データＧ３とＶライン傷補正後の画像データＧ４を概念的に示した模式図である。Ｇａは垂直ＣＣＤの欠陥により発生したＶライン傷を表している。Ｇｐは欠陥画素であり、ＧｐよりＹ方向上方の画素に同じ傷レベルＯＬのオフセットが発生している。この場合、傷レベルＯＬが補正すべきオフセットすなわち補正値ＯＶである。
【０１１８】
前記画像データの傷アドレス（Ｈ，Ｖ）と補正値ＯＶはステップＳ９０１で算出され、傷アドレスメモリ５４に記憶されているので、該当する傷アドレス（Ｈ，Ｖ）と補正値ＯＶを読み出し、画像データＧ３の該当画素データから補正値ＯＶを引き算する。このようにして、Ｖライン傷の補正されたＧ４に示すような画像が得られる。
【０１１９】
図１３は、図１及び図２に示したデジタルカメラ１で行われるＶライン傷補正の第２の実施の形態の流れを示すフローチャートである。
【０１２０】
第２の実施の形態では所定のコマ毎にＶライン傷検出を行うが、基本的には図８と同様なので、図８と同一の処理については同番号を付し、説明を省略する。図１３ではステップＳ１０４から説明する。
【０１２１】
ステップＳ１０４ではＣＰＵ７０の指令により撮影を開始し、ＣＣＤ５に露光時間の間露光し、ＣＣＤ５から読み出した画像データを画像メモリ２３に一時記憶する。
【０１２２】
次に、ステップＳ１６１ではシャッタ釦が全押し（ＳＷ２  ＯＮ）かどうか、判定する。ただし、１コマ撮影モードの場合は判定結果にかかわらずステップ１６２に進む。
【０１２３】
シャッタ釦が全押し（ＳＷ２  ＯＮ）の場合（ステップＳ１６１；Ｙｅｓ）、撮影コマ数Ｋに１を加算する（ステップＳ１６３）。次に、設定されている撮影モードが撮影コマ間の時間間隔の長い連写モードか、どうかを判定する。（ステップＳ１６４）
撮影コマ間の時間間隔が長い連写モード以外の場合（ステップＳ１６４；Ｎｏ）、ステップＳ１０４に進み、撮影中の傷検出は行わない。撮影コマ間の時間間隔が長い連写モード以外とは、例えば動画モードや秒１０コマの連写モードのように撮影シーケンスに時間的余裕が無いため、撮影コマ間に欠陥検出できない場合である。
【０１２４】
撮影コマ間の時間間隔が長い連写モードの場合（ステップＳ１６３；Ｙｅｓ）、ステップＳ１６４に進む。
【０１２５】
欠陥検出部７７は、あらかじめ設定されたＶライン傷を検出するコマの情報と連写する全コマ数の情報から、Ｖライン傷を検出するかどうか、を判定する（ステップＳ１６５）。Ｖライン傷を検出するコマは、１秒間に連写するコマ数の設定に応じてあらかじめ設定されている。例えば、秒２コマの連写モードでは、２コマ目、４コマ目、６コマ目・・・・、秒３コマの連写モードでは、３コマ目、７コマ目、９コマ目・・・・のようにあらかじめ設定されＲＯＭ７６に記憶されている。連写する全コマ数をユーザーがあらかじめ設定した場合は、最終コマではＶライン傷を検出を省略する。例えば、秒２コマの連写モードで全コマ数が２コマの場合は、２コマ目の撮影後にＶライン傷の検出を行うので、欠陥検出部７７は所定コマではない、と判定する。
【０１２６】
所定コマではない場合（ステップＳ１６５；Ｎｏ）、何も行わずステップＳ１０４に戻る。
【０１２７】
所定コマの場合（ステップＳ１６５；Ｙｅｓ）Ｖライン傷の検出回数Ｎに１を加算し（ステップＳ１６６）、前出のＶライン傷検出ルーチンをコールし（ステップＳ９００）、終了後ステップＳ１０４に戻る。Ｖライン傷検出ルーチンが終了すると、この時点の傷レベルＯＬがＶライン傷検出Ｎ回目、また撮影コマ数Ｋの測定結果として傷アドレスメモリ５４に登録されている。
【０１２８】
シャッタ釦が全押し（ＳＷ２  ＯＮ）ではない場合（ステップＳ１６１；Ｎｏ）、撮影は終了なので、Ｖライン傷の検出回数Ｎに１を加算し、全撮影コマ数Ｋｓ＝現在の撮影コマ数Ｋとし（ステップＳ１６２）、前記Ｖライン傷検出ルーチンをコールする（ステップＳ９００）。Ｖライン傷検出ルーチンが終了すると、撮影終了時点の傷レベルＯＬがＮ回目の測定結果として傷アドレスメモリ５４に登録されている。
【０１２９】
次にステップＳ９５０ではＶライン傷補正値算出ルーチンをコールする（ステップＳ９５０）。
【０１３０】
ステップＳ９０２では画像補正部２２４が傷アドレスメモリ５４に記憶されている各コマの補正値に基づいて、画像メモリ２３に一時記憶されている画像データのＶライン傷を補正する（ステップＳ９０２）。画像処理ルーチンで画像処理を行った後（ステップＳ２００）、順次メモリカード２５に記録され処理を終了する（ステップＳ３００）。
【０１３１】
図１４は図１３のＶライン傷補正値算出ルーチン（ステップＳ９５０）の概要を説明するフローチャートである。基本的には図８と図１０で説明した（ステップＳ９０１）と同様なので、図１０で説明した処理と同一処理については同番号を付し、説明を省略する。
【０１３２】
補正値算出部７８は、まず傷番号Ｌを１に初期化し（ステップＳ８０１）、傷番号ＬのＶライン傷データを傷アドレスメモリ５４から読み出す（ステップＳ８０２）。すなわち、傷番号Ｌ毎の傷アドレス（Ｈ，Ｖ）の欠陥で発生したＮ回目に測定された傷レベルＯＬ（Ｌ，Ｎ）のデータが読み出される。
【０１３３】
次に、補正値算出部７８は、後に図１５を用いて詳しく説明する手順で撮影コマ毎の補正値ＯＶ（Ｋ）の算出を行う（ステップＳ８５０）。
【０１３４】
補正値算出部７８は求めた、撮影したすべてのコマの補正値ＯＶ（Ｋ）を、傷アドレスメモリ５４に記憶する（ステップＳ８０４）。
【０１３５】
次に、補正値算出部７８は傷アドレスメモリ５４からすべての傷データの読み出しが完了したかどうか、判定する（ステップＳ８０５）。読み出しが完了していない場合（ステップＳ８０５；Ｎｏ）、傷番号Ｌ＝Ｌ＋１とし（ステップＳ８０６）、ステップＳ８０２に戻る。
【０１３６】
読み出しが完了している場合（ステップＳ１０８；Ｙｅｓ）は処理は終了であり、元のステップに戻る。
【０１３７】
図１５はＫコマ目の傷レベルＯＬの電圧（Ｖ）を表すグラフである。前述のように本実施の形態では撮影開始前と撮影終了時に補正値算出部７８は、傷レベルを検出する。また、あらかじめ定められた所定のコマで傷レベルを検出する。
【０１３８】
図１５では一例として１４コマを連写し、１コマ目の撮影前に１回目、５コマ目と１１コマ目の撮影前に２回目と３回目の傷レベルを検出し、１４コマ目の撮影後に４回目の傷レベルを検出する場合を示している。グラフ上の黒丸の点が欠陥検出部７７が検出した傷レベルである。傷レベルは温度依存性があるため、撮影直後はＣＣＤ５の温度上昇に伴って傷レベルの電圧が大きく増加し、撮影が進むにつれてＣＣＤ５の温度上昇が飽和するため、傷レベルの電圧も増加率が減少している。
【０１３９】
傷レベルを検出するタイミングはＣＣＤ５の温度特性を考慮して決める必要があるので、図１５の例に限定されるものではない。例えば、撮影直後は傷レベルの電圧変化が大きいので１コマ毎に検出し、所定コマ撮影した後は１０コマ毎に撮影しても良い。
【０１４０】
図１５のグラフ上の三角の点は各コマＫの補正値ＯＶを表している。傷レベルを検出していないコマの補正値は、Ｎ＋１回目に検出した傷レベルとＮ回目に検出した傷レベルの差分からその間の１コマあたりの差分Δを比例配分で求める。
【０１４１】
１コマ目の補正値ＯＶ（Ｌ，１）は式（１）のように１回目に検出した傷レベルＯＬ（Ｌ，１）である。
【０１４２】
ＯＶ（Ｌ，１）＝ＯＬ（Ｌ，１）                式（１）
本実施の形態では５コマ目に２回目傷レベルを検出しているので、補正値算出部７８は、その間の１コマあたりの差分Δを式（１）で求める。
【０１４３】
Δ＝（ＯＬ（Ｌ，２）−ＯＬ（Ｌ，１））／４                        式（１）
補正値算出部７８は、式（２）から式（４）に示すように傷レベルを検出していないコマの補正値を算出する。５コマ目は式（５）のように１回目に検出した傷レベルである。
【０１４４】
２コマ目の補正値ＯＶ（Ｌ，２）＝ＯＬ（Ｌ，１）＋Δ                  式（２）
３コマ目の補正値ＯＶ（Ｌ，３）＝ＯＬ（Ｌ，１）＋２Δ                式（３）
４コマ目の補正値ＯＶ（Ｌ，４）＝ＯＬ（Ｌ，１）＋３Δ                式（４）
５コマ目の補正値ＯＶ（Ｌ，５）＝ＯＬ（Ｌ，２）                      式（５）
以下、同様に補正値算出部７８は、撮影したすべてのコマの補正値ＯＶ（Ｋ）を求め処理を終了する。
【０１４５】
次に、本発明の第３の実施の形態として、デジタルカメラ１で撮影した画像データの画像処理をコンピュータで行う場合について説明する。
【０１４６】
図１６は本発明に係わるデジタルカメラ１と撮影した画像データを記録するメモリカード２５と画像処理を行うコンピュータ５００のブロック図である。図１７は本発明の第３の実施の形態において、撮像装置が行う撮影時の概略の手順を説明するフローチャート、図１８は本発明の第３の実施の形態において、コンピュータ５００が実行するデジタルカメラ用画像処理プログラムの概略の手順を説明するフローチャートである。
【０１４７】
最初に、図１６のブロック図について説明する。
【０１４８】
コンピュータ５００は各種演算処理を行うＣＰＵ５３０と、演算を行うための作業領域となるＲＡＭ５０１と、ＯＳとデジタルカメラ用画像処理プログラムとコンテンツ等の各種データが記憶されるＨＤＤ５０２とを備え、デジタルカメラの記録媒体であるメモリカード２５に記録された各種データを読み込み可能なカードインターフェイス５０４（以下カードＩＦ５０４と記す）を備えている。また、コンピュータ５００にはキーボード、マウスなどで構成される入力部５０５と、液晶モニタなどのモニタ５８０が接続されている。
【０１４９】
次に、ＣＰＵ５３０の機能について説明する。
【０１５０】
画像処理部５２１は、ガンマ補正部５２０、輪郭補正部５２１、画像圧縮部５２２、画像補正部５２３など画像処理部５２２と同等の機能を有し、すべての機能をＣＰＵ５３０のソフトッウェア処理で行っている。これらの機能はデジタルカメラ１におけるガンマ補正部２２１、輪郭補正部２２２、画像圧縮部２２３、画像補正部２２４と同等の機能である。
【０１５１】
次に、図１７のフローチャートを用いて、本発明の第３の実施の形態において、撮像装置が行う撮影時の概略の手順を説明する。
【０１５２】
図１７においては、デジタルカメラ１の電源が投入され、撮影モードが選択されて撮影待機状態になってからの処理について説明する。また、図１７では撮影画像を画像処理を行わず非圧縮のまま記録するモードが選択されているものとする。
【０１５３】
なお、図８で説明した処理と基本的な処理内容は同じであるので、図８と同じ処理には同符号を付け説明を省略する。すなわち、ステップＳ１０１からステップＳ９０１までは、図５と同じ処理なので説明は省略し、ステップＳ１００１から説明する。
【０１５４】
ステップＳ９０１が終了すると、傷番号ＬのアドレスとＫコマ目の補正値ＯＶ（Ｌ，Ｋ）が算出されＲＡＭ７５に記憶されている。また、撮影した枚数分のＲＡＷデータが画像メモリ２３に一時記憶されている。ＣＰＵ７０は各コマのＲＡＷデータファイルの先頭部分に、補正値情報と撮影情報を付加して（ステップＳ１００１）、メモリカード２５などの外部メモリに記録する（ステップＳ３００）。補正値情報として記録するのは傷番号Ｌのアドレスと各コマ毎の補正値ＯＶ（Ｌ，Ｋ）である。撮影情報としては例えばカメラの機種名、カメラのメーカー名、撮影日時、撮影モード、総コマ数、コマ番号などが記録される。
【０１５５】
次に、図１８はコンピュータ５００が行う画像処理プログラムの概略フローチャートである。
【０１５６】
なお、コンピュータ５００は起動状態であり、デジタルカメラ１で撮影された画像の記録されているメモリカード２５がコンピュータ５００のカードＩＦ５０４に挿入され、読み取り可能な状態になっているものとする。
【０１５７】
ＣＰＵ５３０はメモリカード２５からＲＡＷデータを読み出し、フォルダを作成してＲＡＭ５０１に記憶する（ステップＳ５０１）。次に、ＣＰＵ５３０はメモリカード２５に記録されているＲＡＷデータの先頭部分に付加されている補正値情報と撮影情報を読み出す（ステップＳ５０２）。
【０１５８】
次に、Ｖライン傷補正を行う（ステップＳ５０２）。Ｖライン傷補正についてはステップＳ９０２と同様なのでここでは説明を省略する。
【０１５９】
次に、画像処理を行う（ステップＳ２００）。画像処理についてはステップＳ２００と同様なのでここでは説明を省略する
ユーザーの操作により画像圧縮、記録などの処理を行う（ステップＳ５０４）。
【０１６０】
以上のように本実施の形態によれば、撮影の支障にならないタイミングで傷レベルを検出し、Ｖライン傷の無い画像が得られる撮像装置を提供することができるので、静止画の連続撮影および動画像の撮影において、Ｖライン傷の補正された安価なカメラを提供できる。
【０１６１】
なお、本実施の形態としてデジタルカメラを例示したが、携帯電話やビデオカメラなどにも適用可能である。
【０１６２】
また、本発明の目的は前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記録した記録媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（ＣＰＵ若しくはＭＰＵ）が記録媒体に格納されたプログラムを読み出し実行することによっても、達成されることは言うまでもない。
【０１６３】
この場合、記録媒体から読み出されたプログラム自体が前述した実施形態の機能を実現することになり、そのプログラム及び該プログラムを記憶した記録媒体は本発明を構成することになる。
【０１６４】
プログラムを供給するための記録媒体としては、例えばフロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭなどを用いることができる。
【０１６５】
また、コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより、前述した実施形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムの指示に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）などが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【０１６６】
さらに、記録媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も含まれることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】本発明に係る撮像装置の外観図である。
【図２】本発明に係る撮像装置の内部構成を示す概略ブロック図である。
【図３】ＣＣＤ５の内部構成を示す図である。
【図４】ＣＣＤ５の撮影画像Ｇ１において発生したＶライン傷の説明図である。
【図５】ＣＣＤ５の内部構成図である。
【図６】ＣＣＤ５の撮影画像Ｇ１の図である。
【図７】デジタルカメラ１におけるＶライン傷の検出動作を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第１の実施の形態におけるＶライン傷補正の手順を示すフローチャートである。
【図９】Ｖライン傷検出ルーチンの詳細なフローチャートである。
【図１０】Ｖライン傷補正値算出ルーチンの概要を説明するフローチャートである。
【図１１】撮影開始後の時間と傷レベルおよび補正値の関係を示すグラフである。
【図１２】Ｖライン傷補正前の画像データＧ３とＶライン傷補正後の画像データＧ４を概念的に示した模式図である。
【図１３】Ｖライン傷補正の第２の実施の形態の手順を示すフローチャートである。
【図１４】第２の実施形態におけるＶライン傷補正値算出ルーチンの手順を示すフローチャートである。
【図１５】撮影コマ毎の傷レベルと補正値の関係を示すグラフである。
【図１６】本発明に係る撮像システムの構成を示す概略ブロック図である。
【図１７】本発明に係る撮像装置が行う撮影時の概略フローチャートである。
【図１８】本発明に係る画像処理プログラムの概略フローチャートである。
【符号の説明】
【０１６８】
１  デジタルカメラ
５  ＣＣＤ
２３  画像メモリ
２５  メモリカード
６０  変倍率検出部
７０  ＣＰＵ
７７  欠陥検出部
７８  欠陥レベル算出部
３  撮影レンズ
２２４  画像補正部
Ｌ  光軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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