(57)【要約】【課題】磁気ディスク記録装置の記録密度向上に伴い、これに搭載される磁気ヘッドの磁気ディスクからの浮上量及び加工損傷深さの低減が求められている。しかしながら、従来から用いられている研磨加工やモノマーイオンビームの斜め照射等では、加工損傷深さを１ｎｍ程度まで低減するのは困難である。【解決手段】磁気ヘッド浮上面の法線方向を回転軸として磁気ヘッドを回転させながら、イオンの運動エネルギーが所望の値に調整されたガスクラスターイオンビームを、磁気ヘッド浮上面の法線に対する角度（照射角）が５０°以上９０°以下となる方向から照射して、磁気ディスク装置の磁気ヘッド浮上面を平坦化加工する方法を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスクラスターイオンビームを用いて磁気ヘッドの浮上面を平坦化する工程を含む磁気ディスク装置の製造方法であって、前記平坦化工程にて、前記磁気ヘッド浮上面の法線と前記ガスクラスターイオンビームのなす角（照射角：θ）の値が、５０°以上９０°以下となるように照射角を調整し、且つ該磁気ヘッド浮上面を、該法線を軸として回転させながら該ガスクラスターイオンビームで照射して加工する磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項２】
ガスクラスターイオンビームを用いて磁気ヘッドの浮上面を平坦化する工程を含む磁気ディスク装置の製造方法であって、前記平坦化工程にて、前記磁気ヘッドの浮上面に照射される前記ガスクラスターイオンのサイズ（Ｎ）並びに照射エネルギー（Ｅａ）、及び該磁気ヘッド浮上面の法線と前記ガスクラスターイオンビームのなす角（照射角：θ°）とが、０．０２ｅＶ≦（Ｅａ／Ｎ）×ｃｏｓ２θ≦０．５ｅＶなる関係を満たすように設定される磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項３】
真空内にて磁気ヘッドの浮上面をガスクラスターイオンビームで照射して平坦化する工程を含む磁気ディスク装置の製造方法であって、前記平坦化工程にて、少なくとも前記ガスクラスターのサイズ（Ｎ）並びにその照射エネルギー（Ｅａ）、及び前記磁気ヘッド浮上面の法線と前記ガスクラスターイオンビームのなす角（照射角：θ°）の夫々の因子を、前記真空を破ることなく該真空の外部から制御して、該因子（Ｎ、Ｅａ、θ）の２つ以上を組み合わせて調整しながら複数回の加工ステップを順次行い、且つ該複数の加工ステップの最後の一つを、前記照射角（θ）を５０°以上且つ９０°以下の範囲に調整して行なう磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項４】
真空内にて磁気ヘッドの浮上面をガスクラスターイオンビームで照射して平坦化する工程を含む磁気ディスク装置の製造方法であって、前記平坦化工程にて、少なくとも前記ガスクラスターのサイズ（Ｎ）並びにその照射エネルギー（Ｅａ）、及び前記磁気ヘッド浮上面の法線と前記ガスクラスターイオンビームのなす角（照射角：θ°）の夫々の因子を、前記真空を破ることなく該真空の外部から制御して、該因子（Ｎ、Ｅａ、θ）の２つ以上を組み合わせて調整しながら複数回の加工ステップを順次行い、且つ該複数の加工ステップの少なくとも最後の一つにおいて、該因子（Ｎ、Ｅａ、θ）が０．０２ｅＶ≦（Ｅａ／Ｎ）×ｃｏｓ２θ≦０．５ｅＶなる関係を満たすように調整される磁気ディスク装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスクラスターイオンビームを用いて磁気ディスク装置の部品、特に磁気ヘッドの表面を平坦化する工程を含む磁気ディスク装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線微細化や磁気記録装置の記録密度向上に伴い、半導体装置や磁気ディスク装置の製造方法としてガスクラスターイオンビームが注目されるようになってきた。ガスクラスターは、気体原子または分子（以後、モノマーという）が数百〜数千個の塊になったものである。換言すれば、ガスクラスターを構成する多数の気体原子又は分子は、互いに化学結合を形成せず、単に凝集して一つの塊をなすにすぎない。その発生方法は、特許文献１に述べられている。イオン化されたガスクラスターイオンは加速電圧により加速され、ワークに照射される。ガスクラスターイオンがワークに衝突すると、入射エネルギーはガスクラスターイオンを構成する個々の原子に分配されるので、モノマーイオンビームに比べて高密度、低エネルギーでの照射が可能となる。
【０００３】
上記のようにして発生させたガスクラスターイオンビームは、従来のモノマーイオンビームとは異なった特徴を持つことが非特許文献１に示されている。例えば、従来のモノマーイオンビームをワーク表面に垂直に照射すると表面荒れが発生するのに対し、ガスクラスターイオンビームをワーク表面に垂直に照射するとラテラルスパッタ効果により、凹凸面の平坦化が可能である。ガスクラスターイオンビームを用いると、平均表面粗さを１ｎｍ以下まで低減することが容易である。また、ガスクラスターイオンは大きな質量を持つため、同じ加速電圧を与えてもモノマーイオンに比べ、低速での照射が可能である。そのため、モノマーイオンを用いるプロセスに比べて、加工損傷深さを小さくすることができる。さらに、ガスクラスターイオンを構成する原子が多重衝突することに起因する非線形効果により、モノマーイオンビームプロセスに比べて約１桁高いスパッタ率が得られる。
【０００４】
平坦化技術としては、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）等の研磨技術の他、イオンビームを用いる方法として特許文献２で述べられているように、従来のモノマーイオンビームを斜めから照射する方法が知られている。特許文献２の方法によれば、モノマーイオンを斜めから照射することにより、突起を選択的にエッチングできるとされている。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−３５４８６５号公報
【特許文献２】特開平１０−２００１６９号公報
【非特許文献１】Ｉ．Ｙａｍａｄａ，ｅｔ ａｌ，Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．，Ｒ．３４，（２００１）ｐｐ．２３１−２９５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ディスク記録装置（ＨＤＤ）の記録密度は、年率６０〜１００％で増加しており、今後もその傾向は続くとされている。それに伴い、磁気ヘッド浮上面（磁気ヘッドの磁気ディスクと対向する部分の表面）と磁気ディスク間の距離（ヘッド浮上量）は小さくなってきており、磁気ヘッド浮上面の表面粗さと加工損傷深さの低減が必須である。将来的には、表面粗さや加工損傷深さは１ｎｍ程度までに抑制する必要がある。
【０００７】
現在、磁気ヘッド浮上面の平坦化加工プロセスで用いられている研磨では、加工損傷が発生する。スラリーや砥粒径、研磨方法等の改善により、加工損傷深さは低減されてきたものの、その値は一般に５〜１０ｎｍ程度と推定されている。
【０００８】
モノマーイオンビームを用いて加工を行った場合も、加工損傷は発生する。モノマーイオンビームを用いて高いスパッタレートで加工するには、高エネルギーのイオンを照射する必要がある。これにより、被加工物にモノマーイオンが１次イオンとして打ち込まれる（侵入する）という問題が生じる。モノマーイオンビームを被加工物の表面に対して斜め方向から照射することによって、被加工物への１次イオン（モノマーイオン）の侵入深さは多少低減できるが、衝突カスケード現象（ｃｏｌｌｉｓｉｏｎ  ｃａｓｃａｄｅ  ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）によってスパッタリングが進行するため、１次イオンの侵入を防止することは不可能である。例えば、材料表面に照射されたイオンの挙動を求めるシミュレーション（ＴＲＩＭ，ｃｏｐｙｒｉｇｈｔｅｄ  ｂｙ  ＩＢＭ）によれば、Ａｒイオンビームを４００ｅＶでＮｉＦｅに照射する場合、表面に対して垂直に照射すると、最大で深さ約３０ｎｍまで打ち込まれる。同じイオンビームをＮｉＦｅ表面の法線方向に対して８５°の方向から照射した場合でも、約２１ｎｍまで打ち込まれるものもあり、照射角の効果は限定的である。
【０００９】
さらに、モノマーイオンビームを用いたスパッタの問題点として、被スパッタ材料原子のミキシングがある。照射するイオンのエネルギーを低減したり、斜め照射を行うことで、ミキシング層深さを低減することができる。照射表面の法線に対して６０°の方向から、１次イオンを５００ｅＶで照射した場合のミキシング層深さは２〜５ｎｍ程度と推定される。
【００１０】
ミキシングは、ガスクラスターイオンビームを用いても防止することはできない。クラスターサイズ２，０００程度のＡｒガスクラスターイオンビームを１０ｋｅＶで照射した場合、ミキシング層の厚さは約１０ｎｍとなることが実験的に確認された。
【００１１】
さらに、磁気ヘッド浮上面をモノマーイオンビームの斜め照射で加工する場合に特有の水平方向のミキシングがある。磁気ヘッド浮上面には金属や金属酸化物等の極薄膜で構成された多層積層膜の断面が露出している。モノマーイオンビームを斜めから照射した場合は、衝突カスケードによってノックオン原子（ｋｎｏｃｋ  ｏｎ  ａｔｏｍ，反跳原子）が隣り合った層に移動して、水平方向のミキシングが起こる。これによって、最表面層では、所望の磁気特性を失うことになり、磁気ヘッド製造上の課題である。
【００１２】
上述のいかなる方法を用いても、加工損傷層深さを１ｎｍ程度に抑制するのは困難である。モノマーイオンビームであっても、ガスクラスターイオンビームであっても、照射するイオンビームのエネルギーを低下させることによって、加工損傷深さをある程度まで小さくすることは可能である。しかし、モノマーイオンビームの場合には、数１０ｅＶ程度の低エネルギー且つ大電流のモノマーイオンビームを得ることは、空間電荷効果により技術的に困難である。一方、数千個の原子の集合体をイオン化したガスクラスターイオンビームでは、原子１個あたりのエネルギーを数１０ｅＶ程度にすることは容易であるが、２〜１０ｎｍ程度の加工損傷が形成される。すなわち、従来の研磨技術やイオンビーム技術では、加工損傷深さが１ｎｍレベルに抑制された磁気ヘッド浮上面を得るのは困難である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明による磁気ディスク装置の製造方法では、磁気ディスク装置を構成する部材で且つその表面の平坦性が要請される、例えば磁気ヘッドの浮上面（所定の間隙を以って磁気ディスクと対向させられる部分の表面）を、この浮上面の法線方向を回転軸として磁気ヘッドを回転させながら、イオンの運動エネルギーが所望の値に調整されたガスクラスターイオンビームを、磁気ヘッド浮上面の法線に対する角度（照射角）が５０°以上９０°以下となる方向から磁気ヘッド浮上面に照射して、その平坦化加工を行う。
【００１４】
また、磁気ヘッド浮上面の法線方向を回転軸として磁気ヘッドを回転させながら、照射するガスクラスターイオンのサイズ（Ｎ）と照射エネルギー（Ｅａ）と照射角（θ°）の関係を、０．０２ｅＶ≦（Ｅａ／Ｎ）×ｃｏｓ２θ≦０．５ｅＶとすることによっても同等の効果を実現できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、従来のモノマーイオンビームと比べて１桁高いスパッタ率が得られるというガスクラスターイオンビームの特長を生かしつつ、ヘッド浮上面に対して垂直方向へのエネルギー成分を低減することで、モノマーイオンビームでは実現し得ない低損傷での平坦化加工が可能となる。具体的には、従来のモノマーイオンビームでは斜めから照射しても、１次イオンの侵入が避けられなかったが、ガスクラスターイオンビームでは本質的に１次イオンの侵入を抑制することができる。さらに、ガスクラスターイオンビームのスパッタリングは、衝突カスケードやノックオン現象（イオン照射された物質における反跳ミキシング）によらず、ガスクラスターイオンの衝突地点が局所的に高温高圧になることに起因しているため、斜めからガスクラスターイオンを入射させることにより、高温領域が浅くなるため、ミキシング深さを低減することができる。さらに、本発明によれば、ガスクラスターイオンビームの照射角を適正値にすることにより、水平方向のミキシングも防止することができる。また、ヘッド浮上面に存在する突起に対しては、ヘッド浮上面に対する場合よりは小さな照射角となり、スパッタ率が大きくなるため、従来のモノマーイオンビームに比べて高いスパッタ率で、突起部を選択的に平坦化することができる。すなわち、本方法によれば、磁気ヘッド浮上面のように、硬さやスパッタレートの異なる材料が露出する面であっても、突起部を選択的に平坦化することができるため、従来方法では得られない平坦な表面を得ることができる。また、ガスクラスターイオンビームを磁気ヘッド浮上面の法線方向に対して斜め方向から照射しながら、磁気ヘッドを磁気ヘッド浮上面の法線方向を回転軸として回転させることによって、ある突起が別な突起の陰になることにより加工が進まない現象を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を用いて実施例を示す。
【実施例１】
【００１７】
図１を用いて、本発明の第１の実施例を説明する。図示されていないクラスター発生機構において、アルゴン（Ar）ガスを供給して発生させた中性クラスターを、図示されていないイオン化機構により電離させてガスクラスターイオンとし、さらに図示されていないイオン加速機構によって所望の運動エネルギーまで加速したガスクラスターイオンビーム４を、ステージ１に固定した磁気ヘッド２の浮上面に照射する。ステージ１は図示されていない照射角調整機構及びステージ回転機構を有し、磁気ヘッド２の浮上面の法線３とガスクラスターイオンビーム４とがなす角（照射角：θ）の値が、５０°以上９０°以下となるように照射角を調整し、磁気ヘッド浮上面の法線３を軸として回転させながら加工を行う。
【００１８】
照射角が５０°より小さい場合、照射角を０°から増加させるに従って、加工面の表面粗さが増加し、図４（ａ）を参照して後述する加工条件と同様に、被加工物（磁気ヘッド２）における加工損傷深さが増加する。
【００１９】
図２は、ガスクラスターイオンビームを照射している磁気ヘッド２の浮上面付近の拡大図である。磁気ヘッド２の浮上面５上は、本発明によるガスクラスターイオンビーム４を照射する前の工程において、研磨加工等によってある程度の平坦化がなされている。本方法で磁気ヘッド２の浮上面５を加工することによって、当該浮上面５（表面）に生じた突起５０の表面へのガスクラスターイオンビーム４の照射角θ'（突起５０の表面の法線３０に対する角度）が磁気ヘッド２の浮上面５に対する当該ガスクラスターイオンビーム４の照射角θより小さくなるため、この突起５０をなす材料にはクラスターイオンのエネルギーが効率よく伝わる。そのため、ガスクラスターイオンビーム４は、突起５０を磁気ヘッド２の浮上面５より高いスパッタレートで削ることができ、突起部分５０を選択的に加工することができる。特に、磁気ヘッド浮上面のように硬さやスパッタレートの異なる材料が露出した面を加工する場合、従来の方法では、硬い材料やスパってレートの低い材料が突起として残りやすいが、本方法を用いることで、突起部を選択的に削ることができるため、従来方法では得られない平坦面を得ることができる。また、ワークホルダー（ステージ１）を、磁気ヘッド２の浮上面５の法線３を回転軸として回転させることによって、磁気ヘッド２の浮上面５に対するガスクラスターイオンビーム４の入射方向が一方向に固定されたときは、当該一方向から見て突起５０の一つの陰に入るような突起（図示されず）もガスクラスターイオンビーム４で加工することができる。
【００２０】
本方法による平坦化加工の効果について、図３、４を用いて説明する。磁気ヘッド２の上記浮上面５に形成されるセンサー部分は微細構造であるため、当該センサー部分に生じるミキシングや組成ずれ等のダメージを実際の磁気ヘッド２のデバイス上で直接評価することは難しい。ここでは、実際の磁気ヘッド２に代えて、磁性材料の一つであるニッケル−鉄合金（ＮｉＦｅ）の膜をシリコン（Ｓｉ）ウェハ上に形成した擬似的なサンプル（以下、ＮｉＦｅ膜サンプル）を用いて評価した結果について示す。図３は、二次イオン質量分析計（以下、ＳＩＭＳと記す）を用いて、上記ＮｉＦｅ膜サンプルの表面からの深さ方向に沿って測定した結果が示される。ＳＩＭＳは、ＮｉＦｅ膜サンプルの表面に酸素（Ｏ）、ガリウム（Ｇａ）、セシウム（Ｃｓ）等の一次イオンを照射して、当該ＮｉＦｅ膜サンプルを掘りながら、掘削された深さに存在する元素をイオン化し、これを二次イオンとして同定する。図３（ａ）はＡｒのガスクラスターイオンビームで照射されたＮｉＦｅ膜の、図３（ｂ）はＡｒのモノマーイオンビームで照射されたＮｉＦｅ膜の深さプロファイルを夫々示す。各々のＮｉＦｅ膜の厚みは５０ｎｍであり、これに対するイオンビームの照射条件は、照射エネルギー（加速電圧）が２０ｋｅＶであり、そのドーズ量（イオンビームの進行方向に直交する単位断面積当たりのイオン量）は５×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２である。一方、図３（ｃ）は、斯様なイオンビームのいずれも照射されないＮｉＦｅ膜の深さプロファイルである。図３（ａ）乃至（ｃ）に示す夫々の深さプロファイルには、ＮｉＦｅ膜の厚み方向（深さ方向）に対するＮｉ、Ｆｅ、Ａｒの各元素の検出量（任意単位）の変化が示される。
【００２１】
Ａｒのガスクラスターイオンにもモノマーイオンにも照射されないＮｉＦｅ膜の深さプロファイル（図３（ｃ））にて、その深さ（厚さ：０〜５０ｎｍ）の全域に亘り、任意単位にして５０前後の強度で検出されたＡｒは、ニッケル（Ｎｉ）及び鉄（Ｆｅ）を含むスパッタリング・ターゲットをＡｒのイオンでスパッタしながらＳｉウェハ表面上にＮｉ原子やＦｅ原子を堆積する工程（ＮｉＦｅ膜の形成工程）で、このＮｉＦｅ膜に取り込まれたものである。
【００２２】
Ａｒのモノマーイオンビームで照射されたＮｉＦｅ膜では、図３（ｂ）に示すように、その厚さ（５０ｎｍ）全域に亘り、任意単位にして５，０００〜５０，０００のＡｒイオンが検出された。一方、Ａｒのガスクラスターイオンビームで照射されたＮｉＦｅ膜では、図３（ａ）に示すように、任意単位にして最大でも１００程度のＡｒイオンが検出されたに過ぎず、その値は図３（ｃ）に示されたＡｒイオンと略同程度と見なせる。従って、Ａｒのモノマーイオンビームで照射されたＮｉＦｅ膜では、図３（ｂ）に示されるように、その厚さ（５０ｎｍ）全体に亘りＡｒが打ち込まれているのに対し、Ａｒのガスクラスターイオンビームで照射されたＮｉＦｅ膜では、図３（ａ）に示されるように、Ａｒの侵入がほぼ抑制されている。
【００２３】
図４の（ａ）及び（ｂ）には、照射エネルギー２０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２でアルゴン原子のガスクラスターイオンビームが照射された膜厚５０ｎｍのＮｉＦｅ膜におけるＮｉ、Ｆｅ、Ｏの深さプロファイルが示される。図４（ａ）の深さプロファイルを示すＮｉＦｅ膜には照射角０°で、図４（ｂ）の深さプロファイルを示すＮｉＦｅ膜には照射角６０°で、ガスクラスターイオンビームが夫々照射されている。図４（ｃ）にはガスクラスターイオンビーム照射前のＮｉＦｅ膜のＮｉ、Ｆｅ、Ｏの深さプロファイルを示す。いずれの深さプロファイルも図３を参照して説明されたように、ＳＩＭＳにより得られている。図４（ｃ）に示すように、照射前の膜には自然酸化膜９が形成されている。このミキシング層は表面の自然酸化膜に含まれる酸素原子や表面に吸着している水分子等の酸素原子が、ガスクラスターイオンの衝突に伴って、ＮｉＦｅ膜中に侵入したものである。図４（ａ）に示すように照射角０°で照射した場合は、表面の自然酸化膜とＮｉＦｅ膜のミキシング層７が形成され、組成ずれも見られる。それに対し、図４（ｂ）に示すように照射角６０°で照射した場合は、図４（ｃ）と比較して、ミキシングによる酸化膜厚の増加もなく、組成ずれも抑制されており、加工損傷が１ｎｍ以下で加工することができた。図４（ｂ）の酸化膜６（膜厚は約１ｎｍ）は加工後に大気に曝したことによって形成された自然酸化膜である。
また、磁気ヘッド浮上面には図２に示すように磁性膜を含む多層積層膜６の断面が露出している。磁気ヘッドとして、ＧＭＲヘッド（Giant  MagnetoResistive  Head，再生用磁気ヘッドの一種）を例に説明すると、６１及び６７が磁気シールド膜、６２及び６６が絶縁膜、６３が自由層、６４が固定層、６５が反強磁性層等から構成されている。膜によっては、その厚さは１ｎｍ程度のものもある。磁気ヘッド浮上面の平坦化加工を行う場合には、前述のように多層積層膜の断面にガスクラスターイオンビームを照射することになり、深さ方向のミキシングだけではなく、積層膜間のミキシングを防止する必要がある。本方法は、酸素のミキシングがないことから明らかなように、モノマーイオンビームによるスパッタと異なり、ノックオン現象に基づかないスパッタメカニズムである。そのため、ノックオンされた原子が隣り合った層に入り込むなどの現象、すなわち積層膜間のミキシングも起こらない。この現象は、ほかの構造の磁気ヘッドであっても同様の効果が得られる。
【００２４】
上記と同様の加工は、照射するガスクラスターイオンのサイズ（Ｎ）と照射エネルギー（Ｅａ）と照射角（θ°）の関係を、０．０２ｅＶ≦（Ｅａ／Ｎ）×ｃｏｓ２θ≦０．５ｅＶとすることによっても実現できる。ここで、ガスクラスターイオンの運動エネルギーＥａとは、加速電圧にガスクラスターイオンの電荷素量（質量電荷比：ｍ／ｚとも記される）を乗じたものである。運動エネルギーＥａが上述の関係を満たす下限値より小さいと、ガスクラスターイオンの照射エネルギーが小さすぎて、磁気ヘッド２（浮上面５）の加工が進まない。また、運動エネルギーＥａが上述の関係を満たす上限値より大きいと、磁気ヘッド２を高いエッチレートでエッチングできるものの、図４（ａ）に示したものと同様に、膜表面に２〜１０ｎｍ程度の加工損傷が残る。
【００２５】
ところで、実際のビームに含まれるガスクラスターイオンのサイズ（Ａｒの場合、ガスクラスターイオンに含まれるＡｒ原子数）は、単分散ではなく、分布を持っている。本発明による磁気ディスク装置の製造方法に用いるガスクラスターイオンのサイズＮは、平均値や最頻値等、その分布の特徴的な数値とする。
【００２６】
このような条件で本発明による磁気ディスク装置の製造方法を実施すると、１次イオン（即ち、磁気ヘッドの浮上面に照射されるイオン）の磁気ヘッド内部への侵入を防止でき、磁気ヘッドにおけるミキシングや組成ずれ等の加工損傷が生じる深さを１ｎｍ以下に抑えながら、平坦性に優れた磁気ヘッド浮上面を得ることができる。
【００２７】
以上の説明においては、本発明による磁気ディスク装置の製造方法により、その浮上面を平坦化する例を述べたが、本発明による磁気ディスク装置の製造方法（平坦化技術）は、磁気ヘッドのウェハ工程にも用いることができる。例えば、磁性膜の平坦化工程において、ＣＭＰ等の研磨工程の仕上げ加工または代替プロセスとして用いることで、研磨加工による加工損傷層を低減することができる。さらに、磁気ディスクの磁性膜の平坦化にも用いることができる。また、半導体プロセスにおいても、ＣＭＰ等の平坦化工程の仕上げ加工又は代替プロセスとして用いることができる。本実施例においてはＡｒガスクラスターイオンを用いた例を示したが、他の不活性ガスやＳＦ６等の反応性ガスを用いても同様の効果が得られる。
【実施例２】
【００２８】
図５は、本発明の第２の実施例の説明図である。本方法では、加工能率（スループット，throughput）の高い粗加工１０と加工能率は低いが加工損傷のきわめて少ない仕上げ加工１１の少なくとも２ステップ以上のプロセスから構成されるマルチステッププロセスとする。このとき、プロセスパラメータとして、少なくとも照射角、照射エネルギー、クラスターサイズの制御を行うことを特徴とする。さらに図５のプロセスの仕上げ加工１１のステップにおいては、少なくとも照射角（θ２）が５０°以上、９０°以下であることを特徴とする。
【００２９】
粗加工１０における照射角（θ１）は、５０°以上、９０°以下にこだわらずに設定してもよい。スパッタレートは０°から４０°付近まで増加し、その後減少するという角度依存性を持つ。そこで、スパッタレートの高い角度にθ１を設定し、照射エネルギー（Ｅ１）、クラスターサイズ（Ｎ１）を適切な値に制御することによって、高能率で表面粗さ及び加工損傷深さを低減する。その後、仕上げ加工１１においては、照射角（θ２）を５０°以上、９０°以下に設定し、低損傷での加工を行う。
【００３０】
仕上げ加工は、図６に示すように、照射角（θ°）、照射エネルギー（Ｅ２）、クラスターサイズ（Ｎ２）の値が、０．０２ｅＶ≦（Ｅ２／Ｎ２）×ｃｏｓ２θ２≦０．５ｅＶになるように設定しても、同様の効果が得られる。
【００３１】
粗加工から仕上げ加工にいたるまでに、クラスターサイズや加速電圧、照射角等の調整をきめ細かく行い、ステップ数を３つ以上にしてもよい。その場合、少なくとも最後のステップは、照射角（θ２）を５０°以上、９０°以下か、または、照射角（θ°）、照射エネルギー（Ｅ２）、クラスターサイズ（Ｎ２）の値が、０．０２ｅＶ≦（Ｅ２／Ｎ２）×ｃｏｓ２θ２≦０．５ｅＶになるように設定する。即ち、磁気ヘッド（被加工物）の所望の部分を平坦化するいずれの工程においても、この工程をなす複数のステップの夫々において、ガスクラスターのサイズ（Ｎ）、このガスクラスターのイオンが被加工物（被加工部分）を照射するエネルギー（Ｅａ）、及び被加工物（被加工部分）の表面の法線とこれに入射するガスクラスターイオンのなす角（照射角：θ°）の夫々の因子の少なくとも２つが調整される。これらの因子は、真空内にて被加工物（被加工部分）にガスクラスターイオンを照射するときも、当該真空を破る（被加工物を大気圧の雰囲気に曝す）ことなく、その真空環境の外部から各ステップ毎に制御される。
【００３２】
本実施例においても、実際のビームに含まれるガスクラスターイオンのサイズは、単分散ではなく、分布を持っているため、被加工物の平坦化に用いるガスクラスターイオンのサイズＮは、その平均値や最頻値等、その分布の特徴的な数値とする。
【００３３】
上記は磁気ヘッド浮上面の平坦化方法として用途を述べたが、磁気ヘッドのウェハ工程にも用いることができる。例えば、磁性膜の平坦化工程において、ＣＭＰ等の研磨工程の仕上げ加工または代替プロセスとして用いることで、研磨加工による加工損傷層を低減することができる。さらに、磁気ディスクの磁性膜の平坦化にも用いることができる。また、半導体プロセスにおいても、ＣＭＰ等の平坦化工程の仕上げ加工又は代替プロセスとして用いることができる。本実施例においてはＡｒガスクラスターイオンを用いた例を示したが、他の不活性ガスやＳＦ６等の反応性ガスを用いても同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、加工損傷をナノメートルレベルに低減することを目的としている。半導体や磁気ヘッド、磁気ディスク等、また液晶ディスプレイをはじめとする表示デバイス等の高性能化に伴って、低加工損傷で加工する必要が増加する。これらのデバイスにおいて、加工損傷を抑制しつつ、平坦化を行う工程に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】照射角調整機構及び回転機構を有するワークホルダーの概略図。
【図２】ガスクラスターイオンビーム照射中のワーク表面の説明図。
【図３】ＳＩＭＳにより測定したＮｉ、Ｆｅ、Ａｒの深さプロファイル。
【図４】ＳＩＭＳにより測定したＮｉ、Ｆｅ、Ｏの深さプロファイル。
【図５】マルチステッププロセスのブロックダイヤグラム。
【図６】マルチステッププロセスのブロックダイヤグラム。
【符号の説明】
【００３６】
１…ステージ、２…磁気ヘッド、３…磁気ヘッド表面の法線、４…ガスクラスターイオンビーム、５…磁気ヘッド表面、６…多層積層膜、７…ミキシング層、８，９…自然酸化膜、１０，１２…粗加工、１１，１３…仕上げ加工、  ６１，６２，６３，６４，６５，６６，６７…機能性薄膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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