(57)【要約】【課題】光ディスクのチルトを精度良く検出し、その検出結果に従ってチルト補正を行う。【解決手段】光ディスク装置の光ピックアップに、光ディスクのチルトを検出するチルトセンサ４を設ける。チルトセンサ４は、チルトセンス光Ｌｓを発光する発光素子４１と、その反射光であるチルトセンス反射光Ｌｒを受光し、その受光部が二つに分割された受光素子４２とを備える。Ｉ／Ｖ変換作動増幅器７では、受光素子４２の受光部４２ａ，４２ｂの光量の差分を示す作動信号を得る。信号レベル検出／ゲイン切替器８は、得られた作動信号の電圧レベルを検出し、Ｉ／Ｖ変換作動増幅器７の飽和を起こした場合、またはＩ／Ｖ変換作動増幅器７の適正検出レベルより低すぎる場合、Ｉ／Ｖ変換作動増幅器７のゲインを切り替える。制御部９では、作動信号に従って、駆動回路１０によりチルト補正機構１１を制御して、光ディスクのチルト補正を行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクの記録再生層に光スポットを形成する光ピックアップを有し、該光ピックアップは、光ディスクのチルトを検出するためのチルトセンス用光を発光する発光素子と、該発光素子からの光が前記光ディスクで反射して帰ってきたチルトセンス用反射光を受光する受光素子とを備えたチルトセンサと、該チルトセンサの出力に基づいて光ディスクの半径方向のチルトを補正するチルト補正機構を有する光ディスク装置において、該受光素子は、該受光素子の受光部が二つに分割され、該光ディスク装置は、前記受光素子の二つに分割された受光部の光量の差分を示す作動信号を得るためのＩ／Ｖ変換差動増幅器と、該Ｉ／Ｖ変換差動増幅器で得られた作動信号の電圧レベルを検出する検出モニタ回路と、該検出モニタ回路で検出された作動信号の電圧レベルが前記Ｉ／Ｖ変換差動増幅器の飽和を起こした場合、または該作動信号の電圧レベルが該Ｉ／Ｖ変換差動増幅回路の適正検出レベルより低すぎる場合、該Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲインを切り替えるゲイン切替器と、前記モニタ回路の検出結果に従って前記チルト補正機構を制御して光ディスクのチルト補正を行う制御部とを有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスク装置において、該二つに分割された受光部が前記光ディスクの半径方向に並ぶように配設され、前記制御部は、前記受光部の光量の差分を示す作動信号から、前記光ディスクの半径方向のチルトの状態を判断してチルト補正を行うことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光ディスク装置において、前記Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲイン設定値を２段階設け、第１段階の設定値を光ディスクの表面反射率が３.３％〜５０％未満の範囲とし、第２段階の設定値を光ディスクの表面反射率が５０％以上〜１００％の範囲とし、前記ゲイン切替器は、前記光ディスクの反射率に応じて前記ゲイン設定値を切り替えて使用することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１に記載の光ディスク装置において、前記発光素子は、集光性をもった素子を用い、光ディスクのチルトがない理想の状態で、該発光素子から発光した光が光ディスクの表面に焦点を結び、かつ該光のビームウェストが焦点±０.５ｍｍとなるように該発光素子の焦点距離が設定されていることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１に記載の光ディスク装置において、前記チルトセンサの発光素子が発光するチルトセンス用光は、赤外光であることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１に記載の光ディスク装置において、前記光ピックアップから出射させるレーザ光の波長と、前記チルトセンサの発光素子から出射させる光の波長とを大きく異ならせ、前記光ピックアップのレーザ光が前記チルトセンサによるチルト検出に影響しないようにしたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１に記載の光ディスク装置において、光ディスクに対する情報の記録／再生時にリアルタイムに前記チルト補正を行うことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１に記載の光ディスク装置において、光ディスクを交換した時にのみ、前記チルト補正を行うことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか１に記載の光ディスク装置において、時間的に間欠的に前記チルト補正を行うことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか１に記載の光ディスク装置において、光ディスクの半径方向の領域を、内周部、中周部、及び外周部に分割して設定し、光ディスクに対する記録／再生用のレーザ光で該光ディスクのアドレスを読み出し、前記分割した一つの領域から他の領域へ前記レーザ光が移った時にのみ、前記チルト補正を行なうことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１１】
光ディスクの記録再生層に光スポットを形成する光ピックアップに対して、光ディスクのチルトを検出するためのチルトセンス用光を発光する発光素子と、該発光素子からの光が前記光ディスクで反射して帰ってきたチルトセンス用反射光を受光し、その受光部が二つに分割されてなる受光素子とを備えたチルトセンサを設け、該チルトセンサの出力に基づいて光ディスクのチルトを補正する光ディスクのチルト補正方法において、前記受光素子の二つに分割された受光部の光量の差分を示す作動信号を得るＩ／Ｖ変換差動増幅ステップと、該Ｉ／Ｖ変換差動増幅ステップで得られた前記作動信号の電圧レベルを検出する検出モニタステップと、該検出モニタステップで検出された作動信号の電圧レベルが前記Ｉ／Ｖ変換差動増幅器の飽和を起こした場合、または該作動信号の電圧レベルが該Ｉ／Ｖ変換差動増幅回路の適正検出レベルより低すぎる場合、該Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲインを切り替えるゲイン切替ステップと、前記検出モニタステップの検出結果に従って光ディスクのチルト補正機構を制御して光ディスクのチルト補正を行うチルト補正ステップとを有することを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、該二つに分割された受光部を前記光ディスクの半径方向に並ぶように配設し、前記チルト補正ステップは、前記受光部の光量の差分を示す作動信号から、前記光ディスクの半径方向のチルトの状態を判断してチルト補正を行うことを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の光ディスクのチルト補正方法において、前記作動信号を得るためのＩ／Ｖ変換差動増幅器のゲイン設定値を２段階設け、第１段階の設定値を光ディスクの表面反射率が３.３％〜５０％未満の範囲とし、第２段階の設定値を光ディスクの表面反射率が５０％以上〜１００％の範囲とし、前記ゲイン切替ステップは、前記光ディスクの反射率に応じて前記ゲイン設定値を切り替えて使用することを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、前記発光素子として、集光性をもった素子を用い、光ディスクのチルトがない理想の状態で、該発光素子から発光した光が光ディスクの表面に焦点を結び、かつ該光のビームウェストが焦点±０.５ｍｍとなるように該発光素子の焦点距離を設定することを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１５】
請求項１１ないし１４のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、前記チルトセンサの発光素子が発光するチルトセンス用光を、赤外光とすることを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１６】
請求項１１ないし１５のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、前記光ピックアップから出射させるレーザ光の波長と、前記チルトセンサの発光素子から出射させる光の波長とを大きく異ならせ、前記光ピックアップのレーザ光が前記チルトセンサによるチルト検出に影響しないようにすることを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１７】
請求項１１ないし１６のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、光ディスクに対する情報の記録／再生時にリアルタイムに前記チルト補正を行うことを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１８】
請求項１１ないし１６のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、光ディスクを交換した時にのみ、前記チルト補正を行うことを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項１９】
請求項１１ないし１６のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、時間的に間欠的に前記チルト補正を行うことを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項２０】
請求項１１ないし１６のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、光ディスクの半径方向の領域を、内周部、中周部、及び外周部に分割して設定し、光ディスクに対する記録／再生用のレーザ光で該光ディスクのアドレスを読み出し、前記分割した一つの領域から他の領域へ前記レーザ光が移った時にのみ、前記チルトチルト補正を行なうことを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【請求項２１】
請求項１１ないし２０のいずれか１に記載の光ディスクのチルト補正方法において、前記光ディスクの盤面を、ポリカーボネートまたは屈折率が１.５５±０.１０の透過性材料とし、該光ディスクの表面の反射率は、前記チルトセンス用光の波長に依存して変化せず、かつ前記屈折率が１.４５のとき３.３％とすることを特徴とする光ディスクのチルト補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置及び光ディスクのチルト補正方法に関し、より詳細には、光ディスク装置における光ディスクのラジアルチルトを検出し、そのチルト補正を行って情報の記録／再生の信頼性を確保するようにした光ディスク装置、及び光ディスクのチルト補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクによる記録媒体に光を照射して、その光ディスクに対するデータ記録や光ディスクからのデータ再生を行う光ディスク装置が知られている。光ディスク装置は、光ディスクを支持するターンテーブルの回転を制御するスピンドルモータと、光学ユニットにより光ディスクの記録再生層に光を集光して光スポットを形成し、かつ、光ディスクの任意のトラック（アドレス）へその光スポットを水平移動させる光ピックアップとを有している。
【０００３】
上記の光ピックアップは、さらに対物レンズを上下左右に動かして、光スポットを常に光ディスクの所望の位置に制御するアクチュエータを有している。光スポットを作り出す上記の光学ユニットとアクチュエータは、ひとつのハウジングに入れられ、これが光ピックアップと呼ばれている。
【０００４】
光ディスク装置は、光ディスクの記録再生層のトラックと呼ばれるデータ配列に光を合焦させ、かつ、トラックセンターにその光スポットを常に追従させることにより、高密度でも信頼性の高いデータ再生あるいはデータ記録を行うものである。
光ディスク装置が光ディスクのデータ記録／再生を実行する場合、常に上記のようにトラックに光を合焦させ、その光スポットをトラックセンターに常に追従させる必要があるが、例えば、ディフォーカス、オフトラック、タンジェンシャルチルト、あるいはラジアルチルトなど、光ディスク装置の動作の安定性を損なう要因は多く存在する。
【０００５】
ラジアルチルトは、光ピックアップの対物レンズからの光ビームの光軸と、光ディスク表面の法線とがディスク半径方向に傾く角度であり、このようなラジアルチルトを検出する簡易な方法として、チルトセンサを使用することができる。チルトセンサは、発光素子からの光をディスクに照射し、その反射光を２分割の光検出器で受け、その差分光量から光ディスクのラジアルチルトを判断する。そして、ラジアルチルトを修正するために、上記の差分光量が概ね零となるように、アクチュエータ部の対物レンズの傾きを換えたり、ガイドレールを介して光ピックアップを保持するベースシャーシを傾けたり、あるいは光ディスクを回転保持するスピンドルモータのベースシャーシへの取りつけ角を補正したり、等の様々な方法が提案されている。
【０００６】
例えば、特許文献１の発明では、同様のチルトセンサをアクチュエータ側面に設け、ディスクの反射光を２分割光検出器で受け、その差分に応じてアクチュエータを動作させて対物レンズを傾けることによりチルト補正を行っている。
【特許文献１】特開２００４−１９２７５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のようなチルトセンサでは、発光素子からの光が光ディスクで反射するときの反射光は、光ディスク表面の反射のみならず、光ディスク内部の記録再生層からの反射光や回折光の影響を受けてしまい、チルトセンサの受光結果に従ってチルト補正を行うと、近年の高速高密度記録再生で許容されるチルト誤差内におさまらないという問題が生じる。
【０００８】
また特許文献１や、その他一般的なチルトセンサの使い方では、使用する波長によっては、チルト変化による反射信号以外の不要な光が生じ、正確にチルト量を検出し、それに見合った正確なチルト補正をすることが事実上困難であるという課題があった。
【０００９】
図６は、チルト検出用の光の波長と反射率との関係の一例を示す図である。図６に示すように、赤外光を発光する発光素子からの光をディスクに照射した場合、赤外光の波長に近づくほど、光ディスクにおける回折の影響を受け、反射光量が増加する。また同様な現象が他の波長でも生じている。この原因として、光ディスクの記録再生膜面からの反射や、サーボ用グルーブ／ランド凹凸溝での回折などの影響が考えられる。これら記録再生面からの反射光や回折光は、上述のように補正精度を悪化させる要因となる。
【００１０】
一方、図６でわかることは、光ディスクの表面のみからの反射光は、波長が変わっても一定となることである。その理由として、ディスク表面反射率（Ｒ）は、（ｎ１−ｎ２）の２乗／（ｎ１＋ｎ２）の２乗に１００を掛けた値になる。ここで、ｎ１は空気、ｎ２はディスク基盤、一般的にはポリカーボネートの屈折率である。また、光ディスクには、ｎ２が１.５５±０.１０程度の基盤材料が使用される。
従って、光ディスク表面からの反射成分のみを利用すれば、波長依存性のない反射率によって、どのような発光素子を用いても一定の反射率を得ることができ、安定した検出を行うことができる。
【００１１】
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、光ディスクのチルトを精度良く検出し、その検出結果に従ってチルト補正を行うことで、常に安定した光ディスクへのアクセス動作によってデータの信頼性を確保することができる光ディスク装置及び光ディスクのチルト補正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、第１の技術手段は、光ディスクの記録再生層に光スポットを形成する光ピックアップを有し、光ピックアップは、光ディスクのチルトを検出するためのチルトセンス用光を発光する発光素子と、発光素子からの光が光ディスクで反射して帰ってきたチルトセンス用反射光を受光する受光素子とを備えたチルトセンサと、チルトセンサの出力に基づいて光ディスクの半径方向のチルトを補正するチルト補正機構を有する光ディスク装置において、受光素子は、受光素子の受光部が二つに分割され、光ディスク装置は、受光素子の二つに分割された受光部の光量の差分を示す作動信号を得るためのＩ／Ｖ変換差動増幅器と、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器で得られた作動信号の電圧レベルを検出する検出モニタ回路と、検出モニタ回路で検出された作動信号の電圧レベルがＩ／Ｖ変換差動増幅器の飽和を起こした場合、または作動信号の電圧レベルがＩ／Ｖ変換差動増幅回路の適正検出レベルより低すぎる場合、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲインを切り替えるゲイン切替器と、モニタ回路の検出結果に従ってチルト補正機構を制御して光ディスクのチルト補正を行う制御部とを有することを特徴としたものである。
【００１３】
第２の技術手段は、第１の技術手段において、二つに分割された受光部が光ディスクの半径方向に並ぶように配設され、制御部は、受光部の光量の差分を示す作動信号から、光ディスクの半径方向のチルトの状態を判断してチルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００１４】
第３の技術手段は、第１または第２の技術手段において、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲイン設定値を２段階設け、第１段階の設定値を光ディスクの表面反射率が３.３％〜５０％未満の範囲とし、第２段階の設定値を光ディスクの表面反射率が５０％以上〜１００％の範囲とし、ゲイン切替器は、光ディスクの反射率に応じてゲイン設定値を切り替えて使用することを特徴としたものである。
【００１５】
第４の技術手段は、第１ないし第３のいずれか１の技術手段において、発光素子は、集光性をもった素子を用い、光ディスクのチルトがない理想の状態で、発光素子から発光した光が光ディスクの表面に焦点を結び、かつ光のビームウェストが焦点±０.５ｍｍとなるように発光素子の焦点距離が設定されていることを特徴としたものである。
【００１６】
第５の技術手段は、第１ないし第４のいずれか１の技術手段において、チルトセンサの発光素子が発光するチルトセンス用光は、赤外光であることを特徴としたものである。
【００１７】
第６の技術手段は、第１ないし第５のいずれか１の技術手段において、光ピックアップから出射させるレーザ光の波長と、チルトセンサの発光素子から出射させる光の波長とを大きく異ならせ、光ピックアップのレーザ光がチルトセンサによるチルト検出に影響しないようにしたことを特徴としたものである。
【００１８】
第７の技術手段は、第１ないし第６のいずれか１の技術手段において、光ディスクに対する情報の記録／再生時にリアルタイムにチルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００１９】
第８の技術手段は、第１ないし第６のいずれか１の技術手段において、光ディスクを交換した時にのみ、チルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００２０】
第９の技術手段は、第１ないし第６のいずれか１の技術手段において、時間的に間欠的にチルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００２１】
第１０の技術手段は、第１ないし第６のいずれか１の技術手段において、光ディスクの半径方向の領域を、内周部、中周部、及び外周部に分割して設定し、光ディスクに対する記録／再生用のレーザ光で光ディスクのアドレスを読み出し、分割した一つの領域から他の領域へレーザ光が移った時にのみ、チルト補正を行なうことを特徴としたものである。
【００２２】
第１１の技術手段は、光ディスクの記録再生層に光スポットを形成する光ピックアップに対して、光ディスクのチルトを検出するためのチルトセンス用光を発光する発光素子と、発光素子からの光が前記光ディスクで反射して帰ってきたチルトセンス用反射光を受光し、その受光部が二つに分割されてなる受光素子とを備えたチルトセンサを設け、チルトセンサの出力に基づいて光ディスクのチルトを補正する光ディスクのチルト補正方法において、受光素子の二つに分割された受光部の光量の差分を示す作動信号を得るＩ／Ｖ変換差動増幅ステップと、Ｉ／Ｖ変換差動増幅ステップで得られた作動信号の電圧レベルを検出する検出モニタステップと、検出モニタステップで検出された作動信号の電圧レベルがＩ／Ｖ変換差動増幅器の飽和を起こした場合、または作動信号の電圧レベルがＩ／Ｖ変換差動増幅回路の適正検出レベルより低すぎる場合、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲインを切り替えるゲイン切替ステップと、検出モニタステップの検出結果に従って光ディスクのチルト補正機構を制御して光ディスクのチルト補正を行うチルト補正ステップとを有することを特徴としたものである。
【００２３】
第１２の技術手段は、第１１の技術手段において、二つに分割された受光部を光ディスクの半径方向に並ぶように配設し、チルト補正ステップは、受光部の光量の差分を示す作動信号から、光ディスクの半径方向のチルトの状態を判断してチルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００２４】
第１３の技術手段は、第１１または第１２の技術手段において、作動信号を得るためのＩ／Ｖ変換差動増幅器のゲイン設定値を２段階設け、第１段階の設定値を光ディスクの表面反射率が３.３％〜５０％未満の範囲とし、第２段階の設定値を光ディスクの表面反射率が５０％以上〜１００％の範囲とし、ゲイン切替ステップは、光ディスクの反射率に応じて前記ゲイン設定値を切り替えて使用することを特徴としたものである。
【００２５】
第１４の技術手段は、第１１ないし第１３のいずれか１の技術手段において、発光素子として、集光性をもった素子を用い、光ディスクのチルトがない理想の状態で、発光素子から発光した光が光ディスクの表面に焦点を結び、かつ光のビームウェストが焦点±０.５ｍｍとなるように発光素子の焦点距離を設定することを特徴としたものである。
【００２６】
第１５の技術手段は、第１１ないし第１４のいずれか１の技術手段において、チルトセンサの発光素子が発光するチルトセンス用光を、赤外光とすることを特徴としたものである。
【００２７】
第１６の技術手段は、第１１ないし第１５のいずれか１の技術手段において、光ピックアップから出射させるレーザ光の波長と、チルトセンサの発光素子から出射させる光の波長とを大きく異ならせ、光ピックアップのレーザ光がチルトセンサによるチルト検出に影響しないようにすることを特徴としたものである。
【００２８】
第１７の技術手段は、第１１ないし第１６のいずれか１の技術手段において、光ディスクに対する情報の記録／再生時にリアルタイムにチルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００２９】
第１８の技術手段は、第１１ないし第１６のいずれか１の技術手段において、光ディスクを交換した時にのみ、チルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００３０】
第１９の技術手段は、第１１ないし第１６のいずれか１の技術手段において、時間的に間欠的にチルト補正を行うことを特徴としたものである。
【００３１】
第２０の技術手段は、第１１ないし第１６のいずれか１の技術手段において、光ディスクの半径方向の領域を、内周部、中周部、及び外周部に分割して設定し、光ディスクに対する記録／再生用のレーザ光で光ディスクのアドレスを読み出し、分割した一つの領域から他の領域へレーザ光が移った時にのみ、チルト補正を行なうことを特徴としたものである。
【００３２】
第２１の技術手段は、第１１ないし第２０のいずれか１の技術手段において、光ディスクの盤面を、ポリカーボネートまたは屈折率が１.５５±０.１０の透過性材料とし、光ディスクの表面の反射率は、チルトセンス用光の波長に依存して変化せず、かつ屈折率が１.４５のとき３.３％とすることを特徴としたものである。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、光ディスクのチルトを精度良く検出し、その検出結果に従ってチルト補正を行うことで、常に安定した光ディスクへのアクセス動作によってデータの信頼性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
図１は、本発明を実施可能な光ディスク装置の構成例を説明するための側面概略図で、図中、１は光ピックアップ、２はスピンドルモータ、３はアクチュエータ、４はチルトセンサ、５はガイドレール、６は水平駆動モータ、Ｄはディスク、Ｌは光ビーム、Ｌｓはチルトセンス光、Ｌｒはチルトセンス反射光、Ｒは光ディスクの半径方向、ｍは光ピックアップの移動方向である。
図１の構成は、一般の光ディスク装置に対して、光ディスクのラジアルチルトを検出するため、光ピックアップ１にチルトセンサ４を設けたものである。
【００３５】
スピンドルモータ２に回転支持されるディスク装着用ターンテーブル（図示せず）と、ピックアップガイドレール５は、互いに平行となるように予め調整され組み立てられている。また、ガイドレール５と、光ピックアップ１のチルトセンサ４の装着面も、互いに平行となるよう、予め調整され組み立てられている。
また光ピックアップ１の光学ユニットから出射した光ビームＬの光軸は、光ディスクＤの被照射面と垂直となるように光軸調整されている。
【００３６】
図２は、図１のチルトセンサ４の周囲を拡大した概略図である。
チルトセンサ４は、チルトセンス光Ｌｓを発光する発光素子と、チルトセンス光Ｌｓが光ディスクＤで反射して帰ってきたチルトセンス反射光Ｌｒを受光する受光素子とを有している。発光素子と受光素子は、例えば、図３に示すような構成で配置される。
【００３７】
図３は、チルトセンサにおける発光素子と受光素子の配置例を示す平面概略図で、チルトセンス反射光Ｌｒが受光素子４２に入射したときの受光素子４２とチルトセンス反射光Ｌｒとの位置の異なる例をそれぞれ図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すものである。図３において、４１は発光素子、４２は受光素子、４２ａ，４２ｂは受光素子の２分割された受光部である。
本実施形態では、２分割された受光素子４２（光検出器）を用いることで、光ディスクＤのチルトを精度よく検出することができる。ここでは、受光素子４２は、２つの受光部４２ａ，４２ｂより構成されているものとする。
【００３８】
光ディスクＤの半径方向Ｒにおいて、光ディスクＤの反射面と、光ディスクＤに照射する光ビームＬの光軸とが垂直になっている場合、図３（Ｂ）に示すように、チルトセンス反射光Ｌｒは、受光部４２の中心に入射し、２分割されたそれぞれの受光部４２ａ，４２ｂの光強度が同じになる。
また、光ディスクＤの半径方向Ｒにおいて、光ディスクＤの反射面と、光ディスクＤに照射する光ビームＬの光軸とがいずれかの方向に傾いている場合、チルトセンス反射光Ｌｒと２分割の受光素子４２ａ，４２ｂとの関係は、図３（Ａ）または図３（Ｃ）のようになり、２分割された受光部４２ａ，４２ｂのいずれかに相対的に多くの反射光が入射する。
【００３９】
図４は、２分割の受光素子の強度分布からチルト補正を行うための回路の構成例を示すブロック図である。
Ｉ／Ｖ変換差動増幅器７では、受光素子４２の各受光部４２ａ，４２ｂに入射したチルトセンス反射光Ｌｒの光量に従って、受光部４２ａと受光部４２ｂとの光量の差分を示す電圧の差動信号が得られる。得られた作動信号は、信号レベル検出／ゲイン切替器８に送られる。信号レベル検出／ゲイン切替器８は、作動信号のレベルが電気的に飽和レベルであったり、あるいは所望の値より低すぎる場合、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器（Ｉ／Ｖアンプや作動回路）のゲイン切替を行う。
【００４０】
このゲインの切替は、チルト検出精度を上げるため、２段階にしてもよいし、それ以上の数段のゲイン切替を行うようにしてもよい。
好適には、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器７のゲイン設定値を２段階設け、第１段階の設定値を光ディスクの表面反射率３.３％〜５０％未満の範囲とし、第２段階の設定値を光ディスクの表面反射率５０％以上〜１００％の範囲とする。そして、信号レベル検出／ゲイン切替器８は、光ディスクの反射率（受光光量）に応じてゲイン設定値を切り替えて使用する。
ここでは、光ディスクの盤面がポリカーボネートであることを想定し、ポリカーボネートを用いた光ディスクの屈折率が１.５５±０.１０で、光ディスクの表面の反射率は、チルトセンス光の波長に依存して変化せず、かつ上記屈折率が１.４５のとき反射率が３.３％であることを利用したものである。
【００４１】
すなわち、ポリカーボネートの光ディスクでは、少なくとも３.３％以上の反射率が得られ、光ディスク表面反射がゼロになることはなく、上記のゲイン設定により好適なゲイン切替を行うことができるようになる。
反射率５０〜１００％のときは、ゲインを１／２にすれば低電圧のＩ／Ｖ変換アンプを使用することができる。また、反射率３.３〜５０％未満のときは、信号レベルを２倍にすれば、一般的にはＳ／Ｎが改善された信号によって差分の演算を行うことができるようになる。
【００４２】
そして、制御部９では、得られた作動信号に基づいて、チルト補正機構１１を駆動する駆動回路１０に出力する駆動制御信号を自動的に演算し、駆動回路１０に出力する。駆動回路１０は、その駆動制御信号に従ってチルト補正機構１１を駆動し、光ディスクのチルト補正を行う。
チルト補正機構１１は、駆動回路１０による駆動信号に従って、光ピックアップと光ディスクとの位置関係を補正するものであり、ここでは、公知の構成を適宜採用することができるため、具体的な構成の言及は省略する。
なお、上記の信号レベル検出／ゲイン切替器８は、本発明の検出モニタ回路及びゲイン切替器が統合された回路として実施されている。
【００４３】
上記の一連の動作は、ラジアルチルトサーボを形成する。このチルト補正動作は、リアルタイムで連続的に行うように制御してもよいし、あるいは、光ディスクの挿入時だけ行ってもよいし、時間的に間欠的に行ってもよい。また、光ディスクのアドレスをみて、半径方向で内周、中周、外周の領域を決めておき、光ビームが、一つの領域から他の領域に移ったときにラジアルチルトサーボを動作させるようにしてもよい。
【００４４】
また、チルトセンス用の受光素子４２に、ディスクに記録再生するレーザ反射光や迷光が外乱として入り、チルトセンス用受光素子の強度分布が変化するのを防ぐため、チルトセンサ４の発光素子４１から発光する光と、記録再生するレーザ光による光ビームＬとは、互いにできるだけ離れた波長の光とすることが好ましい。本実施形態では、記録再生用の光ビームＬを４０５ｎｍの波長で発光させ、チルトセンサ４の発光素子４１からは赤外光を発光させることにより、上述の外乱を避けるようにしている。
【００４５】
また、好適には、上記の発光素子４１としては、フォトダイオードのように集光性をもった素子を用い、光ディスクのチルトがない理想の状態で、発光素子４１から発光した光が光ディスクの表面に焦点を結び、かつその光のビームウェスト（焦点深度）が焦点±０.５ｍｍとなるように発光素子４１の焦点距離を設定するとよい。これにより、光ディスク表面からの反射光を積極的に利用することができる。
ちなみに、記録再生層は、ＤＶＤでは光ディスク表面から０.６ｍｍの深さ位置に設けられ、ＣＤでは約１.２ｍｍの深さ位置に設けられるため、上記の構成によりＤＶＤ，ＣＤの場合は、チルトセンス反射光Ｌｒは、光ディスクの表面反射光がその大半を占めることになる。
ちなみに、ＢＤでは、ＢＤでは記録再生層はディスク表面から０.１ｍｍの深さ位置に設けられる。従って、上記の構成では、チルトセンス反射光Ｌｒは、表面反射光と記録再生光との両方が混在することになる。
【００４６】
図５は、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲイン切替処理の一例を説明するためのフローチャートである。まず、受光素子４２の受光部４２ａあるいは受光部４２ｂの値を測定する（ステップＳ１）。そしてＩ／Ｖ変換差動増幅器が飽和していないかどうかを判別し（ステップＳ２）、飽和していなければＩ／Ｖ変換差動増幅器ゲインの既定値でチルト電圧を検出する（ステップＳ３）。また、Ｉ／Ｖ変換差動増幅器が飽和していれば、そのゲインを下げる（ステップＳ５）。そして、ゲイン規定値の半分でチルト電圧を検出する（ステップＳ６）。
そして、上記ステップＳ３またはＳ４で検出したチルト電圧によりチルト補正機構を動作させチルト補正を実行する（ステップＳ４）。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明を実施可能な光ディスク装置の構成例を説明するための側面概略図である。
【図２】図１のチルトセンサ４の周囲を拡大した概略図である。
【図３】チルトセンサにおける発光素子と受光素子の配置例を示す平面概略図である。
【図４】２分割の受光素子の強度分布からチルト補正を行うための回路の構成例を示すブロック図である。
【図５】Ｉ／Ｖ変換差動増幅器のゲイン切替処理の一例を説明するためのフローチャートである。
【図６】チルト検出用の光の波長と反射率との関係の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…光ピックアップ、２…スピンドルモータ、３…アクチュエータ、４…チルトセンサ、５…ガイドレール、６…水平駆動モータ、７…Ｉ／Ｖ変換差動増幅器、８…信号レベル検出／ゲイン切替器、９…制御部、１０…駆動回路、１１…チルト補正機構、４１…発光素子、４２…受光素子、４２ａ，４２ｂ…受光部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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