(57)【要約】【課題】現像主薬の酸化体と反応して離脱する離脱基がハロゲン原子であるピラゾロアゾール系カプラーを、簡便、安価でしかも高純度にて得る方法を提供することにある。【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を塩基の存在下、ハロゲン化することにより、下記一般式（２）で表される化合物を製造することを特徴とするピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。【化１】2006265154.tif 000011式（１）中、Ｚ１及びＺ２は各々＝Ｃ（Ｒ２）−または＝Ｎ−を表わす。Ｚ1及びＺ2が同時に＝Ｃ（Ｒ2）−を表わすとき、２つのＲ2は同じでも異なっていてもよいが、Ｚ１及びＺ２が同時に＝Ｎ−であることはない。Ｒ１及びＲ２は各々水素原子または１価の基を表わす。【化２】2006265154.tif 000012式（２）中、Ｚ１及びＺ２、Ｒ１及びＲ２は式（１）中と同義であり、Ｘはハロゲン原子を表す。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物を塩基の存在下ハロゲン化することにより、下記一般式（２）で表される化合物を製造することを特徴とするピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【化１】
2006265154.tif 000007
式（１）中、Ｚ１及びＺ２は各々＝Ｃ（Ｒ２）−または＝Ｎ−を表わす。Ｚ1及びＺ2が同時に＝Ｃ（Ｒ2）−を表わすとき、２つのＲ2は同じでも異なっていてもよいが、Ｚ１及びＺ２が同時に＝Ｎ−であることはない。Ｒ１及びＲ２は各々水素原子または１価の基を表わす。
【化２】
2006265154.tif 000008
式（２）中、Ｚ１及びＺ２、Ｒ１及びＲ２は式（１）中と同義であり、Ｘはハロゲン原子を表す。
【請求項２】
式（１）及び式（２）が、それぞれ式（３）及び式（４）で示されることを特徴とする請求項１記載のピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【化３】
2006265154.tif 000009
式（３）中、Ｒ３はアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アニリノ基、ウレイド基、シアノ基又はカルバモイル基を表し、Ｌはアルキレン基、アリーレン基を表し、Ｙはアミド結合又はスルホンアミド結合を表し、Ｒ４は１価の基を表す。
【化４】
2006265154.tif 000010
式（４）中、Ｒ３ 、Ｒ４ 、Ｌ及びＹは式（３）中と同義であり、Ｘはハロゲン原子を表す。
【請求項３】
使用する塩基が、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩、アルカリ金属酢酸塩からなる群より選ばれることを特徴とする請求項１または請求項２記載のピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【請求項４】
使用するハロゲン化剤が、１，３−ジハロ−５，５−ジメチルヒダントイン、Ｎ−ハロコハク酸イミド、１，３，５−トリハロイソシアヌル酸又は次亜ハロゲン酸塩のいずれかであることを特徴とする請求項１〜３記載のピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピラゾロアゾール系カプラーの新規な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、写真用ピラゾロアゾール系カプラーとして、現像主薬の酸化体と反応して離脱する離脱基を７位に導入したピラゾロトリアゾール化合物が知られている。その７位離脱基には、現像試薬の酸化体とのカップリング速度、カプラー製造コスト等の観点から、ハロゲン原子を採用する頻度が非常に高い。これら７位にハロゲン原子を導入したピラゾロトリアゾール系化合物の製造には、大別して２つの方法がある。一つは、ハロゲン原子を導入したのちに他の部位の置換基に対する反応を行うという方法である。具体的な例として、７位へ塩素原子を導入した後に２位置換基上のニトロ基を還元し、その後アミド結合等を形成させる方法が挙げられる。しかし、この方法ではニトロ基のアミノ基への転換過程で、同時に７位の塩素原子の離脱反応が起こり目的化合物の収率が低下するという欠点があった。そのため、７位にハロゲン原子を導入したピラゾロトリアゾール系カプラーの合成方法としては満足でるものではなかった。もう一方の方法として、他の結合部分全ての反応を終了せしめた後、最後に７位へハロゲン原子を導入する方法が挙げられる。しかし、この場合は選択的に７位モノハロゲン化合物のみを得ることは容易ではない。７位無置換のピラゾロトリアゾール系化合物に当量のハロゲン化剤を作用させると、７位無置換化合物、７位モノハロゲン化合物及び７位ジハロゲン化合物の３成分系混合物となり、７位無置換化合物を消失させハロゲン化を完結せしめるには当量をはるかに超えるハロゲン化剤が必要となる。しかしながら、大過剰のハロゲン化剤を用いてハロゲン化を完結させ７位無置換化合物を消滅させた段階では、７位ジハロゲン化合物が大量に副生し、目的の７位モノハロゲン化合物の収率が大幅に低下するという問題があった。加えて、この７位ジハロゲン化合物は、目的物本来が持つ写真感光材料用カプラーとしての性能を著しく劣化させることが知られているため、それを検出感度以下まで除去する必要があり、操作上の負担が非常に大きく、またコスト的にも不利であった。
【０００３】
前述したような問題点を解決する方法として、７位無置換のピラゾロトリアゾール系化合物へ当量を超えるハロゲン化剤を作用させ、７位モノハロゲン化合物と７位ジハロゲン化合物との２成分系混合物とした後に、アルカリ性メタノール、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン、亜硫酸ナトリウム等でジハロゲン化合物を還元する方法が開示されている。（特許文献１）
【０００４】
特許文献１では、７位無置換のピラゾロアゾール系化合物をハロゲン化スルフリル、Ｎ−ハロコハク酸イミド又は次亜ハロゲン酸もしくはその塩でハロゲン化した後、アルカリ性メタノール、ヒドラジン、ヒドロキシルアミン、亜硫酸ナトリウム又は活性メチレン化合物により還元し、ジハロゲン化合物をモノハロゲン化合物へ変換している。この方法では、副生したジハロゲン化合物を目的とする７位モノハロゲン化合物へ変換しており、収率向上という観点では優れた技術と言える。しかしながら、この方法では７位無置換化合物を完全に消滅させるために７位ジハロゲン化合物を２０〜９０モル％も副生させていた。よって、本来７位無置換化合物に対して理論上１当量で足りるべきハロゲン化剤を相当量過剰に必要とするという欠点があり、コスト的に不利であった。また、ハロゲン化反応の後に還元反応という工程が加わり、操作上の負荷が増大するという欠点があった。更には、７位ジハロゲン化合物をモノハロゲン化合物に変換する際、還元剤を使用しなければならないという点からもコスト的に不利であった。加えて、ほとんどの還元剤は、写真感光材料として使用するカプラーに微量でも混入すると性能に多大な悪影響を与えることが知られている。最終の反応工程に還元剤を使用するということは、写真用カプラーの性能に対して大きなリスクを負うということであり、用いた還元剤の完全なる除去に細心の注意を払わなければならず、操作上の負荷が増大するという欠点があった。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−３１６１６１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、前記従来技術の欠点を解決することである。すなわち現像主薬の酸化体と反応して離脱する基がハロゲン原子であるピラゾロアゾール系カプラーを簡便かつ安価に高収率、高純度で得る方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（１）で表されるピラゾロアゾール系化合物を塩基の存在下ハロゲン化することにより、ジハロゲン体を副生させることなく、下記一般式（２）で表されるハロゲン置換のピラゾロアゾール系化合物を選択的に高い純度で製造できることを見出すに至った。すなわち、本発明は以下の手段により達成されることを見出した。
【０００８】
（請求項１）
下記一般式（１）で表される化合物を塩基の存在下ハロゲン化することにより、下記一般式（２）で表される化合物を製造することを特徴とするピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【化５】
2006265154.tif 000002
式（１）中、Ｚ１及びＺ２は各々＝Ｃ（Ｒ２）−または＝Ｎ−を表わす。Ｚ1及びＺ2が同時に＝Ｃ（Ｒ2）−を表わすとき、２つのＲ2は同じでも異なっていてもよいが、Ｚ１及びＺ２が同時に＝Ｎ−であることはない。Ｒ１及びＲ２は各々水素原子または１価の基を表わす。
【化６】
2006265154.tif 000003
式（２）中、Ｚ１及びＺ２、Ｒ１及びＲ２は式（１）中と同義であり、Ｘはハロゲン原子を表す。
【０００９】
（請求項２）
式（１）及び式（２）が、それぞれ式（３）及び式（４）で示されることを特徴とする請求項１記載のピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【化７】
2006265154.tif 000004
式（３）中、Ｒ３はアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アニリノ基、ウレイド基、シアノ基又はカルバモイル基を表し、Ｌはアルキレン基、アリーレン基を表し、Ｙはアミド結合又はスルホンアミド結合を表し、Ｒ４は１価の基を表す。
【化８】
2006265154.tif 000005
式（４）中、Ｒ３ 、Ｒ４ 、Ｌ及びＹは式（３）中と同義であり、Ｘはハロゲン原子を表す。
【００１０】
（請求項３）
使用する塩基が、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩、アルカリ金属酢酸塩からなる群より選ばれることを特徴とする請求項１または請求項２記載のピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【００１１】
（請求項４）
使用するハロゲン化剤が、１，３−ジハロ−５，５−ジメチルヒダントイン、Ｎ−ハロコハク酸イミド、１，３，５−トリハロイソシアヌル酸又は次亜ハロゲン酸塩のいずれかであることを特徴とする請求項１〜３記載のピラゾロアゾール系カプラーの製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の方法により、ピラゾロアゾール系カプラーのハロゲン置換化合物を、対応する無置換のピラゾロアゾール系化合物から大過剰のハロゲン化剤を使用することなく一段階で簡便かつ安価に得ることが可能で、更には、不純物が少なく高純度であるピラゾロアゾール系カプラーが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳述するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００１４】
本発明において、一般式（１）ならびに一般式（２）中のＺ１及びＺ２は各々＝Ｃ（Ｒ２）−または＝Ｎ−を表わす。Ｚ1及びＺ2が同時に＝Ｃ（Ｒ2）−を表わすとき、２つのＲ2は同じでも異なっていてもよいが、Ｚ１及びＺ２が同時に＝Ｎ−であることはない。本発明においては、Ｚ１及びＺ２のいずれかが＝Ｎ−であることが好ましく、すなわち、一般式（１）ならびに一般式（２）は、１Ｈ−ピラゾロ［１，５−ｂ］［１，２，４］トリアゾールもしくは、１Ｈ−ピラゾロ［３，２−ｃ］［１，２，４］トリアゾール系カプラーであることが好ましい。
【００１５】
本発明において、一般式（１）ならびに一般式（２）中のＲ１及びＲ２は各々１価の基を表す。１価の基として具体的には、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３２の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基で、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、１−オクチル、トリデシル）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜８のシクロアルキル基で、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、１−ノルボルニル、１−アダマンチル）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３２のアルケニル基で、例えば、ビニル、アリル、３−ブテン−１−イル）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３２のアリール基で、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３２の、５〜８員環のヘテロ環基で、例えば、２−チエニル、４−ピリジル、２−フリル、２−ピリミジニル、１−ピリジル、２−ベンゾチアゾリル、１−イミダゾリル、１−ピラゾリル、ベンゾトリアゾール−２−イル）、シアノ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子）、ヒドロキシル基、ニトロ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３２のアルコキシ基で、例えば、メトキシ、エトキシ、１−ブトキシ、２−ブトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ドデシルオキシ）、シクロアルキルオキシ基（好ましくは炭素数４〜３２のシクロアルキルオキシ基で、例えば、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３２のアリールオキシ基で、例えば、フェノキシ、２−ナフトキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３２のヘテロ環オキシ基で、例えば、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ、２−フリルオキシ）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数１〜３２のシリルオキシ基で、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ、ジフェニルメチルシリルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３２のアシルオキシ基で、例えば、アセトキシ、ピバロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ドデカノイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３２のアルコキシカルボニルオキシ基で、例えば、メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）、シクロアルキルオキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数４〜３２のシクロアルキルオキシカルボニルオキシ基で、例えば、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは炭素数７〜３２のアリールオキシカルボニルオキシ基で、例えば、フェノキシカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは炭素数１〜３２のカルバモイルオキシ基で、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ−ブチルカルバモイルオキシ）、スルファモイルオキシ基（好ましくは炭素数１〜３２のスルファモイルオキシ基で、例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチルスルファモイルオキシ、Ｎ−プロピルスルファモイルオキシ）、アルカンスルホニルオキシ基（好ましくは炭素数１〜３２のアルカンスルホニルオキシ基で、例えば、メタンスルホニルオキシ、ヘキサデカンスルホニルオキシ）、アレーンスルホニルオキシ基（好ましくは炭素数６〜３２のアレーンスルホニルオキシ基で、例えば、ベンゼンスルホニルオキシ）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３２のアシル基で、例えば、ホルミル、アセチル、ピバロイル、ベンゾイル、テトラデカノイル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３２のアルコキシカルボニル基で、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、オクタデシルカルボニル）、シクロアルキルオキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３２のシクロアルキルオキシカルボニル基で、例えば、シクロヘキシルオキシカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３２のアリールオキシカルボニル基で、例えば、フェノキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３２のカルバモイル基で、例えば、カルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジブチルカルバモイル、Ｎ−エチル−Ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−プロピルカルバモイル）、アミノ基（好ましくは炭素数３２以下のアミノ基で、例えば、アミノ、メチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジオクチルアミノ、テトラデシルアミノ、オクタデシルアミノ）、アニリノ基（好ましくは炭素数６〜３２のアニリノ基で、例えば、アニリノ、Ｎ−メチルアニリノ）、ヘテロ環アミノ基（好ましくは炭素数１〜３２のヘテロ環アミノ基で、例えば、４−ピリジルアミノ）、カルボンアミド基（好ましくは炭素数２〜３２のカルボンアミド基で、例えば、アセトアミド、ベンズアミド、テトラデカンアミド）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３２のウレイド基で、例えば、ウレイド、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド、Ｎ−フェニルウレイド）、イミド基（好ましくは炭素数１０以下のイミド基で、例えば、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３２のアルコキシカルボニルアミノ基で、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、オクタデシルオキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３２のアリールオキシカルボニルアミノ基で、例えば、フェノキシカルボニルアミノ）、スルホンアミド基（好ましくは炭素数１〜３２のスルホンアミド基で、例えば、メタンスルホンアミド、ブタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、ヘキサデカンスルホンアミド）、スルファモイルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３２のスルファモイルアミノ基で、例えば、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−ドデシルスルファモイルアミノ）、アゾ基（好ましくは炭素数１〜３２のアゾ基で、例えば、フェニルアゾ）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３２のアルキルチオ基で、例えば、エチルチオ、オクチルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３２のアリールチオ基で、例えば、フェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３２のヘテロ環チオ基で、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、２−ピリジルチオ、１−フェニルテトラゾリルチオ）、アルキルスルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３２のアルキルスルフィニル基で、例えば、ドデカンスルフィニル）、アレーンスルフィニル基（好ましくは炭素数６〜３２のアレーンスルフィニル基で、例えば、ベンゼンスルフィニル）、アルカンスルホニル基（好ましくは炭素数１〜３２のアルカンスルホニル基で、例えば、メタンスルホニル、オクタンスルホニル）、アレーンスルホニル基（好ましくは炭素数６〜３２のアレーンスルホニル基で、例えば、ベンゼンスルホニル、１−ナフタレンスルホニル）、スルファモイル基（好ましくは炭素数３２以下のスルファモイル基で、例えば、スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジプロピルスルファモイル、Ｎ−エチル−Ｎ−ドデシルスルファモイル）、スルホ基、ホスホニル基（好ましくは炭素数１〜３２のホスホニル基で、例えば、フェノキシホスホニル、オクチルオキシホスホニル、フェニルホスホニル）等が挙げられる。
【００１６】
上記のようなＲ１及びＲ２で表わされる１価の基は、更に置換基で置換されていてもよく、好ましい置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、シクロアルキルオキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルファモイルオキシ基、アルカンスルホニルオキシ基、アレーンスルホニルオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、アニリノ基、ヘテロ環アミノ基、カルボンアミド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、ウレイド基、スルホンアミド基、スルファモイルアミノ基、イミド基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルフィニル基、スルホ基、アルカンスルホニル基、アレーンスルホニル基、スルファモイル基、ホスホニル基等を挙げることができる。
【００１７】
一般式（２）おいて、Ｘはハロゲン原子であり、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などを表す。  
【００１８】
一般式（１）ならびに一般式（２）で表される化合物は、好ましくは、１Ｈ−ピラゾロ［１，５−ｂ］［１，２，４］トリアゾールもしくは、１Ｈ−ピラゾロ［３，２−ｃ］［１，２，４］トリアゾール系カプラーであるが、更に好ましくは対応して一般式（３）ならびに一般式（４）で表される。
【００１９】
一般式（３）ならびに一般式（４）において、Ｒ３はアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アニリノ基、ウレイド基、シアノ基又はカルバモイル基を表す。
【００２０】
一般式（３）ならびに一般式（４）において、Ｒ４は１価の基を表し、具体的には一般式（１）ならびに一般式（２）で挙げたものと同様の基を挙げることが出来る。
【００２１】
一般式（３）ならびに一般式（４）において、Ｌは、アルキレン基（好ましくは主鎖の炭素数が１〜１０、総炭素数が１〜３２のアルキレン基で、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、デシレン）またはアリーレン基（好ましくは炭素数６〜３２のアリーレン基で、例えば、１，２−フェニレン、１，３−フェニレン、１，４−フェニレン、１，５−ナフチレン、１，４−ナフチレン）を表わし、これらの基はさらに置換基を有してもよく、好ましい置換基としては前述のＲ1及びＲ2と同様の基を挙げることが出来る。
【００２２】
一般式（３）ならびに一般式（４）において、Ｙは、アミド結合またはスルホンアミド結合を表す。
【００２３】
一般式（４）において、Ｘはハロゲン原子であり、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。その中でも好ましくは、塩素原子ならびに臭素原子である。  
【００２４】
一般式（１）または一般式（３）で表される７位無置換化合物のハロゲン化は、塩基の存在下において行われる。本発明における塩基とは、有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、その具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどに代表されるアルカリ金属水酸化物、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどに代表されるアルカリ土類金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどに代表されるアルカリ金属炭酸塩、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウムなどに代表されるアルカリ土類金属炭酸塩、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウムなどに代表されるアルカリ金属重炭酸塩、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムなどに代表されるアルカリ金属酢酸塩、酸化ナトリウム、酸化カルシウムなどに代表される塩基性酸化物、リチウムアミド、ナトリウムアミドなどの金属アミド、アニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリンなどの芳香族アミン類、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ‘，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノプロパンなどの脂肪族アミン類、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウムなどの第四アンモニウム塩基、ピリジン、２−メチルピリジンなどのピリジン類及びアンモニア等を挙げることが出来る。
【００２５】
本発明に用いる塩基としては、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩、アルカリ金属酢酸塩が特に好ましい。
【００２６】
一般式（１）または一般式（３）で表される７位無置換化合物のハロゲン化の際に供される塩基の使用量としては、基質である７位無置換化合物に対して０．２〜５．０当量の範囲が好ましく、更に好ましくは０．５〜３．０当量の範囲である。この好ましい範囲の塩基使用量未満でハロゲン化を行うと、７位ジハロゲン体が副生する場合があり、また好ましい範囲の塩基使用量を超えてハロゲン化を行うと、副反応を生じる場合がある。なお、ここでいう当量とは、塩基の価数を換算した化学当量を意味する。
【００２７】
７位無置換のピラゾロアゾール系化合物のハロゲン化は、その前段の反応から連続して行うことが可能である。前段までの反応により系内に酸が残存している場合には、その酸を完全に中和するのに必要な塩基を加えた後、更に前述した好ましい範囲内の塩基量を加えてハロゲン化することが出来る。また、前段の反応で塩基を用いており、なおかつ７位ハロゲン化を行う段階でその塩基が系内に残存している場合には、前述した好ましい使用量に塩基量を調製した後、ハロゲン化することが可能である。好ましい範囲内に塩基量を調製する場合、新たに塩基を追加することが可能であり、また塩基が過剰ならばその分の塩基を適量の酸で中和することも可能である。  
【００２８】
本発明におけるハロゲン化とは、クロル化、ブロム化、ヨウ素化のいずれかであり、ハロゲン化剤の具体例としてクロル化においては、塩素、塩化スルフリル、次亜塩素酸ナトリウム、１，３−ジクロロ−５，５−ジメチルヒダントイン、Ｎ−クロロコハク酸イミド、１，３，５−トリクロロイソシアヌル酸、塩化水素などを挙げることができ、ブロム化においては、臭素、臭化水素酸、１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、１，３，５−トリブロモイソシアヌル酸などを挙げることができ、ヨウ素化においてはヨウ素、ヨウ化カリウム、ヨウ化ナトリウム、１，３，５−トリヨウドイソシアヌル酸などを挙げることができる。
【００２９】
本発明において用いられるハロゲン化剤としては、１，３−ジハロ−５，５−ジメチルヒダントイン、Ｎ−ハロコハク酸イミド、１，３，５−トリハロイソシアヌル酸又は次亜ハロゲン酸塩のいずれかであることが好まし。
【００３０】
本発明において、ハロゲン化剤の好ましい使用量は、基質である７位無置換化合物に対して、０．８〜１．５当量の範囲であり、更に好ましくは０．９〜１．１当量の範囲内である。なお、ここでいう当量とは、ハロゲン化剤の１分子中に存在するハロゲン化に有効なハロゲン原子数を換算した化学当量を意味する。すなわち、１，３−ジハロ−５，５−ジメチルヒダントインの１当量とは、基質に対して２分の１倍モルであり、１，３，５−トリハロイソシアヌル酸の１当量とは、基質に対して３分の１倍モルであり、Ｎ−ハロコハク酸イミドならびに次亜ハロゲン酸塩の１当量とは、基質に対して１倍モルである。
【００３１】
本発明のハロゲン化反応は有機溶媒中で行われるが、その有機溶媒として好ましくは、脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、エステル類、ケトン類、ニトリル類、ハロゲン系溶媒及びアミド系溶媒等を挙げることができる。例示した有機溶媒は、任意の組み合わせによる混合系でも用いることができる。また、それら有機溶媒と水との２成分系以上中でも行うことができる。用いる溶媒は、反応基質である７位無置換化合物ならびに生成物である７位ハロゲン化合物に対して不活性であることが好ましい。
【００３２】
前記した溶媒のうち脂肪族炭化水素類の具体的溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、ｎ−トリデカン、ｎ−テトラデカン、ｎ−ペンタデカン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等を挙げることができる。芳香族炭化水素類の具体的溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。エステル類の具体的溶媒としては、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等を挙げることができる。ケトン類の具体的溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン等を挙げることができる。ニトリル類の具体的溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリル等を挙げることができる。ハロゲン系溶媒の具体例としては、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエチレン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、ジブロモエタン、クロロベンゼン等を挙げることができる。アミド系溶媒の具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。
【００３３】
特に本発明においては、前記した有機溶媒のうち、ｎ−ヘプタン、トルエン、酢酸エチル、アセトン、アセトニトリル、塩化メチレン、クロロホルム、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを単独あるいは任意の混合系で用いると好反応結果をもたらす。また、これら有機溶媒の使用量は特に限定するものではないが、基質である７位無置換化合物に対して１〜１００質量部が好ましく、更に好ましくは２〜３０質量部の範囲である。
【００３４】
本発明におけるピラゾロアゾール系化合物の７位ハロゲン化反応は、前記した有機溶媒過中に一般式（１）あるいは一般式（３）の化合物ならびに前記した塩基とを混合撹拌して、その後ハロゲン化剤を添加することで実施することができる。塩基は粉末状、液体状に関わらずそのまま投入することができ、場合によっては水溶液としてあるいは反応溶媒に希釈して投入することも可能である。ハロゲン化剤は、通常そのままの状態で加えるが、有機溶媒等と混合した後に加える、あるいは水溶液として加えることも可能である。反応温度は、−１０〜６０℃の範囲内が一般的であるが、好ましくは０〜４０℃の範囲内である。反応時間は５分〜２０時間、好ましくは０．５〜６時間である。生成した一般式（２）あるいは一般式（４）の化合物は、抽出、晶析などの通常の方法により反応液から適宜分離回収することができる。この中で抽出後の反応溶媒を冷却することで晶析する方法、反応溶媒を一部又は全部留去して反応液を濃縮したのち、他の溶媒を加えて晶析する方法が一般的であるが、抽出後、濃縮乾固して、そのまま使用することも可能である。  
【実施例】
【００３５】
以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例における反応の進行状況は、下記条件のもと高速液体クロマトグラフィーにて測定した。
装置：ＬＣ−９Ａ  ｓｅｒｉｅｓ（株式会社島津製作所）
カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−２（４．６φ×２５０ｍｍ）（ジーエルサイエンス株式会社）
移動相：アセトニトリル／蒸留水／９９％酢酸＝８５／１５／１
移動相流速：実施例１．０ｍｌ／ｍｉｎ  
検出波長：２５４ｎｍ
【００３６】
実施例１
次式に従って、化合物ｄを合成した。
【００３７】
【化９】
2006265154.tif 000006
【００３８】
化合物ｃ（７位無置換化合物）５０．０ｇ（０．０９１モル）を酢酸エチル３５０ｍｌとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０ｍｌの混合溶媒に分散、縣濁させ、続いて炭酸カリウム６．４ｇ（０．０４６モル）を添加し内温を２５℃に調整した。撹拌下、内温を２５〜３０℃に保ちながらＮ−クロルコハク酸イミド１２．１ｇ（０．０９１モル）を添加し、その後１時間撹拌反応させた。前記高速液体クロマトグラフィー測定条件にて反応率を測定した。なお、以下に示す数値は、溶媒由来のピークを除いた後の単純面積百分率である。
【００３９】
化合物ｃ（７位無置換化合物）：未検出
化合物ｄ（７位モノクロル化合物）：９９．０％
ジクロル化合物の副生もなく選択的に７位モノクロル化が行われ、高純度で化合物ｄが生成した。
【００４０】
上記で得られた反応混合物へ水２５０ｍｌを加え混合後静置させ、下層に分離した水層を除去した。この操作を更に３回繰り返した後、有機層をロータリーエバポレーターにて減圧下濃縮した。有機層濃縮物を酢酸エチル２５０ｍｌにて再結晶し、化合物ｄの白色結晶４８．９ｇを得た。収率９２．１％。
【００４１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳ０−ｄ６）δ（ｐｐｍ）（多重度、積分値）：０．８（３Ｈ，ｔ），１．４（９Ｈ，ｓ），１．６−１．０（２４Ｈ，ｍ），２．７−２．５（４Ｈ，ｍ），４．０（２Ｈ，ｔ），７．８（２Ｈ，ｄ），７．９（２Ｈ，ｄ），１０．３（１Ｈ，ｓ），１３．４（１Ｈ，ｓ）
ｍ．ｐ．：１８２−１８３℃
【００４２】
実施例２
実施例１と同様の反応スキームに従って化合物ｄを合成した。化合物ｃ（７位無置換化合物）５０．０ｇ（０．０９１モル）を酢酸エチル３５０ｍｌとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０ｍｌの混合溶媒に分散、縣濁させ、続いて酢酸ナトリウム７．５ｇ（０．０９１モル）を添加し内温を２５℃に調整した。撹拌下、内温を２５〜３０℃に保ちながら１，３−ジクロロ−５，５−ジメチルヒダントイン１７．９ｇ（０．０９１モル）を添加し、その後１時間撹拌反応させた。前記高速液体クロマトグラフィー測定条件にて反応率を測定した。なお、以下に示す数値は、溶媒由来のピークを除いた後の単純面積百分率である。
【００４３】
化合物ｃ（７位無置換化合物）：未検出
化合物ｄ（７位モノクロル化合物）：９９．２％
ジクロル化合物の副生もなく７位モノクロル化が選択的に行われ、高純度で化合物ｄが生成した。
【００４４】
上記で得られた反応混合物へ水２５０ｍｌを加え混合後静置させ、下層に分離した水層を除去した。この操作を更に３回繰り返した後、有機層をロータリーエバポレーターにて減圧下濃縮した。有機層濃縮物を酢酸エチル２５０ｍｌにて再結晶し、化合物ｄの白色結晶４９．６ｇを得た。収率９３．３％。１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳ０−ｄ６）の測定結果ならびに融点測定結果は、実施例１と同等であった。
【００４５】
以上のごとく、本発明の方法ではいずれにおいてもジハロゲン化合物の副生は認められず、選択的に７位モノハロゲン化合物のみが得られ、ピラゾロアゾール系カプラーの７位ハロゲン置換化合物を高い収率で簡便に製造することが可能であり、また操作性に優れていることがわかる。