(57)【要約】【課題】副画素電極間を接続する透明導電体に断線が発生しても良好な表示品質を維持することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲートバスライン１１１及びデータバスライン１１５により区画された画素領域には、ＩＴＯからなる副画素電極１２０ａ〜１２０ｃが形成されている。これらの副画素電極１２０ａ〜１２０ｃは接続配線１２１により相互に電気的に接続されている。この接続配線１２１は、データバスライン１１５等と同時に形成された金属接続部１２１ａと、副画素電極１２０ａ〜１２０ｃと同時に形成されたＩＴＯ接続部１２１ｂとにより構成されている。【選択図】図３
2006259134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、前記第１の基板に画素領域毎に透明導電体からなる複数の副画素電極が形成された液晶表示装置において、
金属膜からなる金属接続部と、前記金属接続部上に形成された透明導電体からなる透明導電体接続部とにより構成され、１つの画素領域内の前記複数の副画素電極間を相互に電気的に接続する接続配線を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の基板上に形成されて前記複数の副画素電極に表示信号を伝達する薄膜トランジスタを有し、前記接続配線の前記金属接続部が、前記薄膜トランジスタのゲート電極、又はソース／ドレイン電極と同じ層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記接続配線の前記透明導電体接続部が、前記副画素電極と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板上に第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜をパターニングしてゲートバスラインを形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の所定の領域上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に第２の金属膜を形成する工程と、
前記第２の金属膜をパターニングして、データバスラインと、前記薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極と、金属接続部とを形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、前記金属接続部が露出する開口部を形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に透明導電体膜を形成する工程と、
前記透明導電体膜をパターニングして画素領域毎に複数の副画素電極を形成するとともに、前記開口部に露出した金属接続部に接続し前記複数の副画素電極間を電気的に接続する透明導電体接続部を形成する工程と、
前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素領域毎にＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）等の透明導電体からなる複数の副画素電極が形成され、且つそれらの副画素電極間が幅の狭い接続配線で電気的に接続された液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く利用されている。特に、画素毎にスイッチング素子としてＴＦＴ(Thin Film Transistor ：薄膜トランジスタ）が設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもＣＲＴ(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れているため、テレビやパーソナルコンピュータ等のディスプレイに広く使用されている。
【０００３】
一般的な液晶表示装置は、相互に対向して配置された２枚の基板の間に液晶を封入した構造を有している。一方の基板にはＴＦＴ及び画素電極等が形成され、他方の基板にはカラーフィルタ及びコモン（共通）電極等が形成されている。以下、ＴＦＴ及び画素電極等が形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、ＴＦＴ基板に対向して配置される基板を対向基板と呼ぶ。また、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を封入してなる構造物を液晶パネルと呼ぶ。
【０００４】
図１は従来の液晶表示装置の一例を示す平面図である。なお、図１はＴＦＴ基板の１画素分の領域を示している。また、図１中の２５は、対向基板側に設けられた配向制御用突起物を示している。
【０００５】
この図１に示すように、ＴＦＴ基板には、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン１１と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン１４とが形成されている。これらのゲートバスライン１１及びデータバスライン１４により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。
【０００６】
また、ＴＦＴ基板には、ゲートバスライン１１と平行に配置されて画素領域の中央を横断する補助容量バスライン１２が形成されている。ゲートバスライン１１及び補助容量バスライン１２は第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）に覆われており、データバスライン１４は第１の絶縁膜の上に形成されている。
【０００７】
更に、ＴＦＴ基板には、画素領域毎に、ＴＦＴ１５と、補助容量電極１６と、画素電極１８とが形成されている。この図１に示す液晶表示装置では、画素電極１８がスリット２０によりほぼ矩形状の３つの副画素電極１８ａ〜１８ｃに分割されており、各副画素電極１８ａ〜１８ｃ間は接続配線１９により相互に電気的に接続されている。
【０００８】
ＴＦＴ１５はゲートバスライン１１の一部をゲート電極としており、第１の絶縁膜の所定の領域上に形成された半導体膜（図示せず）を活性層としている。ＴＦＴ１５のドレイン電極１５ａ及びソース電極１５ｂはゲートバスライン１１を挟んで相互に対向して配置されており、それぞれ半導体膜に接続している。また、ドレイン電極１５ａはデータバスライン１４に接続されており、ソース電極１５ｂは後述するように配線１５ｃを介して副画素電極１８ａに電気的に接続されている。
【０００９】
補助容量電極１６は、第１の絶縁膜を挟んで補助容量バスライン１２に対向する位置に形成されている。補助容量電極１６、補助容量バスライン１２及びそれらの間の第１の絶縁膜により、補助容量が構成される。
【００１０】
ゲートバスライン１４、ＴＦＴ１５及び補助容量電極１６の上には第２の絶縁膜が形成されており、この第２の絶縁膜の上に前述した３つの副画素電極１８ａ〜１８ｃがＹ軸方向に並んで配置されている。これらの副画素電極１８ａ〜１８ｃはＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）等の透明導電体により形成されており、同じく透明導電体からなる接続配線１９により相互に電気的に接続されている。副画素電極１８ａは、第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホール１７ａを介してソース電極１５ｂから伸び出した配線１５ｃに電気的に接続している。また、副画素電極１８ｂは、第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホール１７ｂを介して補助容量電極１６と電気的に接続されている。
【００１１】
一方、対向基板には、コモン電極と、カラーフィルタと、配向制御用突起物２５とが設けられている。コモン電極はＩＴＯ等の透明導電体により形成され、ＴＦＴ基板側の副画素電極１８ａ〜１８ｃに対向して配置されている。カラーフィルタには赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３種類があり、各画素毎にいずれか１色のカラーフィルタが配置されている。配向制御用突起物２５は樹脂等の誘電体によりほぼ円錐状に形成されており、副画素電極１８ａ〜１８ｃのほぼ中心に対向する位置に配置されている。
【００１２】
ＴＦＴ基板と対向基板とはスペーサ（図示せず）を挟んで配置され、両者の間に誘電率異方性が負の液晶が封入されて液晶パネルとなる。この液晶パネルの両側にはそれぞれ偏光板が配置され、更に、液晶パネルの裏面側（観察面と反対の側）にはバックライトが配置されて液晶表示装置となる。
【００１３】
このように構成された液晶表示装置において、ゲートバスライン１１にはＴＦＴ１５をオンーオフ駆動する走査信号が供給され、データバスライン１４には表示信号が供給される。液晶層に電圧が印加されていないときには、液晶分子は基板面にほぼ垂直に配向する。但し、突起物２５の近傍の液晶分子は突起物２５の傾斜面に垂直な方向に配向する。この状態では、バックライトから出射された光は２枚の偏光板により遮断されるので、黒表示となる。
【００１４】
ゲートバスライン１１に供給された走査信号によりＴＦＴ１５がオン状態になると、副画素電極１８ａ〜１８ｃには表示信号が供給され、液晶分子は表示信号の電圧に応じた角度で傾斜する。この場合、配向制御用突起物２５と副画素電極１８ａ〜１８ｃのエッジから外側に斜め方向に発生する電気力線とにより液晶分子の倒れる方向が決定され、液晶分子は突起物２５を中心として放射状に配向する。この状態では、バックライトから出射された光のうち液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が２枚の偏光板を透過して前面側（観察者側）に出力される。
【００１５】
１画素内の液晶分子の配向方向が均一な場合は、正面から見たときの表示品質に比べて斜め方向から見たときの表示品質が著しく劣化する。しかし、図１に示す液晶表示装置では、上述したように液晶分子が突起物２５を中心として放射状に配向するので、斜め方向から見たときの表示品質が向上し、良好な視野角特性が得られるという利点がある。
【００１６】
図２は、従来の液晶表示装置の他の例を示す平面図である。なお、図２はＴＦＴ基板の１画素分の領域を示している。また、図２中の４５は、対向基板側に設けられた配向制御用突起物を示している。
【００１７】
この液晶表示装置においても、ＴＦＴ基板には、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びるゲートバスライン３１と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びるデータバスライン３４と、ゲートバスライン３１に平行に配置されて画素領域を横断する補助容量バスライン３２とが形成されている。ゲートバスライン３１及び補助容量バスライン３２は第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）に覆われており、データバスライン３４は第１の絶縁膜の上に形成されている。
【００１８】
各画素領域毎に、ＴＦＴ３５と、補助容量電極３６と、画素電極３８とが形成されている。ＴＦＴ３５はゲートバスライン３１の一部をゲート電極としており、その上方の半導体膜（図示せず）を挟んでドレイン電極３５ａ及びソース電極３５ｂが相互に対向して配置されている。
【００１９】
補助容量電極３６は第１の絶縁膜を挟んで補助容量バスライン３２と対向する位置に形成されている。補助容量電極３６、補助容量バスライン３２及びそれらの間の第１の絶縁膜により、補助容量が構成される。
【００２０】
ゲートバスライン３４、ＴＦＴ３５及び補助容量電極３６の上には第２の絶縁膜が形成されており、この第２の絶縁膜の上に画素電極３８がＩＴＯ等の透明導電体により形成されている。画素電極３８は、補助容量バスライン３２の中心線を軸として上下対称に形成された斜め方向に伸びる複数のスリット４０により、６つの副画素電極３８ａ〜３８ｆに分割されている。但し、各副画素電極３８ａ〜３８ｆの間は、ＩＴＯ等の透明導電体からなる接続配線３９により相互に電気的に接続されている。副画素電極３８ａは第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホール３７ａを介してＴＦＴ３５のソース電極３５ｂに接続されている。また、副画素電極３８ｄは第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホール３７ｂを介して補助容量電極３６に電気的に接続されている。
【００２１】
一方、対向基板には、コモン電極と、カラーフィルタと、配向制御用突起物４５とが設けられている。コモン電極はＩＴＯ等の透明導電体により形成され、ＴＦＴ基板側の副画素電極３８ａ〜３８ｆに対向して配置されている。カラーフィルタには赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３種類があり、各画素毎にいずれか１色のカラーフィルタが配置されている。配向制御用突起物４５は樹脂等の誘電体からなり、画素電極３８のスリット４０間の領域に、スリット４０と平行に配置されている。
【００２２】
ＴＦＴ基板と対向基板とはスペーサ（図示せず）を挟んで配置され、両者の間に誘電率異方性が負の液晶が封入されて液晶パネルとなる。この液晶パネルの両側にはそれぞれ偏光板が配置され、更に液晶パネルの裏面側にはバックライトが配置されて液晶表示装置となる。
【００２３】
このように構成された液晶表示装置において、液晶層に電圧が印加されていないときには、液晶分子は基板面にほぼ垂直に配向する。但し、突起物４５の近傍の液晶分子は突起物４５の傾斜面に垂直な方向に配向する。この状態では、バックライトから出射された光は２枚の偏光板により遮断されるので、黒表示となる。
【００２４】
ゲートバスライン３１に供給された走査信号によりＴＦＴ３５がオン状態になると、副画素電極３８ａ〜３８ｆには表示信号が供給され、液晶分子は表示信号に応じた角度で傾斜する。この場合、突起物４５とスリット４０とにより液晶分子の倒れる方向が決定され、液晶分子は突起物４５及びスリット４０に直交する方向に配向する。すなわち、この液晶表示装置では、突起物４５及びスリット４０を境界として液晶分子の倒れる方向が異なる複数の領域（ドメイン）が形成される。この状態では、バックライトから出射された光のうち液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が２枚の偏光板を透過して前面側（観察者側）に出力される。
【００２５】
この図２に示す液晶表示装置でも、１つの画素内に液晶分子の倒れる方向が異なる複数の領域が形成されるので、良好な視野角特性が得られる。
【特許文献１】特開２０００−１４７５５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
しかしながら、上述した液晶表示装置には、いずれも以下に示す問題点がある。図１に示す液晶表示装置では、副画素電極１８ａと副画素電極１８ｂとの間、及び副画素電極１８ｂと副画素電極１８ｃとの間がＩＴＯ等の透明導電体からなる幅の狭い接続配線１９により接続されている。従って、この接続配線１９が断線した場合は、他の副画素電極に電圧が伝達されないため、欠陥となってしまう。断線が発生しないように接続配線１９の幅を広くすることも考えられる。しかし、接続配線１９の部分では液晶分子の配向の乱れが発生するため、接続配線１９の幅を広くすると表示品質の低下を招いてしまう。
【００２７】
図２に示す液晶表示装置では、各副画素電極３８ａ〜３８ｆがそれぞれ複数の接続配線３９を介して他の副画素電極に接続されているため、１つの接続配線３９が断線しただけでは欠陥とならない。しかし、一般的にＩＴＯ等の透明導電体は電気抵抗が比較的高いので、接続配線３９が１つでも断線すると液晶に印加される電圧が部分的に低下し、表示品質の低下を招く。
【００２８】
以上から、本発明の目的は、副画素電極間を接続する透明導電体に断線が発生しても良好な表示品質を維持することができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記した課題は、相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、前記第１の基板に画素領域毎に透明導電体からなる複数の副画素電極が形成された液晶表示装置において、金属膜からなる金属接続部と、前記金属接続部上に形成された透明導電体からなる透明導電体接続部とにより構成され、１つの画素領域内の前記複数の副画素電極間を相互に電気的に接続する接続配線を有することを特徴とする液晶表示装置により解決する。
【００３０】
本発明においては、副画素電極間を相互に電気的に接続する接続配線が、金属膜からなる金属接続部と、透明導電体からなる透明導電体接続部とにより構成されている。これにより、製造工程で透明導電体接続部に断線が発生しても、各副画素電極間の電気的接続を確保することができる。
【００３１】
上記した課題は、第１の基板上に第１の金属膜を形成する工程と、前記第１の金属膜をパターニングしてゲートバスラインを形成する工程と、前記第１の基板の上側全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の所定の領域上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成する工程と、前記第１の基板の上側全面に第２の金属膜を形成する工程と、前記第２の金属膜をパターニングして、データバスラインと、前記薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極と、金属接続部とを形成する工程と、前記第１の基板の上側全面に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜に、前記金属接続部が露出する開口部を形成する工程と、前記第１の基板の上側全面に透明導電体膜を形成する工程と、前記透明導電体膜をパターニングして画素領域毎に複数の副画素電極を形成するとともに、前記開口部に露出した金属接続部に接続し前記複数の副画素電極間を電気的に接続する透明導電体接続部を形成する工程と、前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法により解決する。
【００３２】
本発明においては、データバスライン等と同時に金属接続部を形成し、副画素電極と同時に透明導電体接続部を形成して、これらの金属接続部及び透明導電体接続部により構成される接続配線により副画素電極間を相互に電気的に接続する。これにより、製造工程で透明導電体接続部に断線が発生しても、各副画素電極間の電気的接続を確保することができるとともに、製造工程の増加が回避される。
【００３３】
なお、特開２０００−１４７５５４号公報には、金属膜（ゲート配線）とＩＴＯ膜とを積層した構造が記載されている。しかし、この公報に記載された技術では、ゲートストレージ型液晶表示装置の補助容量の容量値を増大するために金属膜とＩＴＯ膜との積層構造を使用している。従って、この公報に記載された金属膜とＩＴＯ膜との積層構造には、副画素電極間の電気的接続を確保するという効果はない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明について、添付の図面を参照して説明する。
【００３５】
（第１の実施形態）
図３は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図４は図３のＩ−Ｉ線による断面図である。
【００３６】
図４に示すように、液晶パネル１００は、ＴＦＴ基板１１０と、対向基板１３０と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層１４０とにより構成されている。液晶パネル１００の前面側（観察者側：図４では上側）及び裏面側（図４では下側）にはそれぞれ偏光板（図示せず）が配置され、更に裏面側にはバックライト（図示せず）が配置されている。
【００３７】
図３に示すように、ＴＦＴ基板１１０には、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン１１１と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン１１５とが形成されている。これらのゲートバスライン１１１及びデータバスライン１１５により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。また、ＴＦＴ基板１１０には、ゲートバスライン１１１と平行に配置されて画素領域の中央を横断する補助容量バスライン１１２が形成されている。
【００３８】
更に、ＴＦＴ基板１１０には、画素領域毎にＴＦＴ１１７と、補助容量電極１１８ａと、画素電極１２０とが形成されている。本実施形態では、画素電極１２０は、スリット１２２により一辺が約８０μｍのほぼ正方形の３つの副画素電極１２０ａ〜１２０ｃに分割されている。副画素電極１２０ａ〜１２０ｃはＩＴＯ等の透明導電体により形成されており、接続配線１２１により相互に電気的に接続されている。接続配線１２１は、後述するように、金属からなる金属接続部１２１ａとＩＴＯからなるＩＴＯ接続部（透明導電体接続部）１２１ｂとの積層構造を有している。
【００３９】
ＴＦＴ１１７はゲートバスライン１１１の一部をゲート電極としている。このゲート電極の上方にはＴＦＴ１１７の活性層となる半導体膜１１４ａが形成されており、半導体膜１１４ａのＹ軸方向の両側にはドレイン電極１１７ａ及びソース電極１１７ｂが相互に対向して配置されている。ドレイン電極１１７ａはデータバスライン１１５に接続されており、ソース電極１１７ｂは配線１１７ｃを介して副画素電極１２０ａに電気的に接続されている。
【００４０】
補助容量電極１１８ａは、第１の絶縁膜１１３を挟んで補助容量バスライン１１２に対向する位置に形成されている。この補助容量電極１１８ａ、補助容量バスライン１１２及びそれらの間の第１の絶縁膜１１３により補助容量が構成される。
【００４１】
ゲートバスライン１１５、ＴＦＴ１１７及び補助容量電極１１８ａの上には第２の絶縁膜（層間絶縁膜）１１９が形成されており、この第２の絶縁膜１１９の上に前述した３つの副画素電極１２０ａ〜１２０ｃがＹ軸方向に並んで配置されている。副画素電極１２０ａは第２の絶縁膜１１９に形成されたコンタクトホール１１９ａを介してソース電極１１７ｂから伸び出した配線１１７ｃに電気的に接続されている。また、副画素電極１２０ｂは、第２の絶縁膜１１９に形成されたコンタクトホール１１９ｂを介して補助容量電極１１８ａと電気的に接続されている。
【００４２】
一方、対向基板１３０には、ブラックマトリクス（遮光膜）１３１と、カラーフィルタ１３２と、コモン電極１３３と、配向制御用突起物１３５とが形成されている。ブラックマトリクス１３１はＣｒ（クロム）等の金属又は黒色樹脂により形成されており、ＴＦＴ基板１１０側のゲートバスライン１１１、データバスライン１１５及びＴＦＴ１１７に対向する位置に配置されている。カラーフィルタ１３２には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の３種類があり、画素毎にいずれか１色のカラーフィルタが配置されている。コモン電極１３３はＩＴＯ等の透明導電体からなり、カラーフィルタ１３２の上（図４では下側）に形成されている。配向制御用突起物１３５は樹脂等の誘電体によりほぼ円錐状に形成されており、コモン電極１３３の上（図４では下側）の副画素電極１２０ａ〜１２０ｃのほぼ中心に対向する位置に配置されている。
【００４３】
図５は、接続配線１２１を拡大して示す断面図である。この図５に示すように、接続配線１２１は、金属からなる金属接続部１２１ａと、副画素電極１２０ａ〜１２０ｃと一体的に形成されたＩＴＯ接続部１２１ｂとにより構成されている。金属接続部１２１ａは第１の絶縁膜１１３上に形成されており、ＩＴＯ接続部１２１ｂは第２の絶縁膜１１９上に形成され、第２の絶縁膜１１９に設けられた開口部１１９ｃを介して金属接続部１２１ａに接続している。
【００４４】
このように構成された本実施形態の液晶表示装置において、ゲートバスライン１１１にはＴＦＴ１１７をオン−オフ駆動する走査信号が供給され、データバスライン１１５には表示信号が供給される。
【００４５】
液晶層１４０に電圧が印加されていないときには、液晶分子は基板面にほぼ垂直に配向する。但し、突起物１３５の近傍の液晶分子は突起物１３５の傾斜面に垂直な方向に配向する。この状態では、バックライトから出射された光は２枚の偏光板により遮断されるので、黒表示となる。
【００４６】
ゲートバスライン１１１に供給された走査信号によりＴＦＴ１１７がオン状態になると、副画素電極１２０ａ〜１２０ｃに表示信号が供給され、液晶分子は表示信号の電圧に応じた角度で傾斜する。この場合、配向制御用突起物１３５と副画素電極１２０ａ〜１２０ｃのエッジから外側に斜め方向に発生する電気力線とにより液晶分子の倒れる方向が決定され、液晶分子は突起物１３５を中心として放射状に配向する。この状態では、バックライトから出射された光のうち液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が２枚の偏光板を透過して液晶パネル１００の前面側（観察者側）に出力される。
【００４７】
以下、図３〜図５を参照して、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。最初に、ＴＦＴ基板１１０の製造方法について説明する。
【００４８】
まず、スパッタ法により、ＴＦＴ基板１１０のベースとなるガラス基板１１０ａの上に、例えばＡｌ（アルミニウム）−Ｔｉ（チタン）の積層構造を有する第１の金属膜を形成する。そして、この第１の金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン１１１及び補助容量バスライン１１２を形成する。
【００４９】
次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により、ガラス基板１１０ａの上側全面に厚さが０．３μｍのＳｉＯ2 からなる第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１３を形成する。そして、この第１の絶縁膜１１３の所定の領域上に、ＴＦＴ１１７の活性層となる半導体膜（アモルファスシリコン又はポリシリコン膜）１１４ａを形成する。その後、ガラス基板１１０ａの上側全面に例えばＳｉＮ膜を形成し、このＳｉＮ膜をパターニングして、半導体膜１１４ａのチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜１１４ｂを形成する。
【００５０】
次に、ガラス基板１１０ａの上側全面に例えばＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの積層構造を有する第２の金属膜を形成し、この第２の金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン１１５と、ドレイン電極１１７ａと、ソース電極１１７ｂと、ソース電極１１７ｂに接続した配線１１７ｃと、補助容量電極１１８ａと、金属接続部１２１ａとを形成する。金属接続部１２１ａの幅は例えば５μｍとする。また、金属接続部１２１ａの長さは、各副画素電極１２０ａ〜１２０ｃ間の間隔よりも若干長くすることが好ましい。
【００５１】
次に、ガラス基板１１０ａの上側全面に例えばＳｉＯ2 からなる厚さが０．３μｍの第２の絶縁膜１１９を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により第２の絶縁膜１１９に、配線１１７ｃに通じるコンタクトホール１１９ａと、補助容量電極１１８ａに通じるコンタクトホール１１９ｂと、金属接続部１２１ａに通じる開口部１１９ｃとを形成する。この場合に、開口部１１９ｃの幅は、金属接続部１２１ａの幅よりも若干狭くすることが好ましい。
【００５２】
次に、スパッタ法により、ガラス基板１１０ａの上側全面にＩＴＯ膜を形成する。そして、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極１２０ａ〜１２０ｃ及びそれらの間を接続するＩＴＯ接続部１２１ｂを形成する。これらの透明電極１２０ａ〜１２０ｃは、前述したように一辺が約８０μｍのほぼ正方形の形状とし、各透明電極１２０ａ〜１２０ｃ間の間隔（スリット１２２の幅）は例えば８μｍとする。また、ＩＴＯ接続部１２１ｂの幅は例えば５μｍとする。
【００５３】
透明電極１２０ａはコンタクトホール１１９ａを介して配線１１８ａに電気的に接続され、透明電極１２０ｂはコンタクトホール１１９ｂを介して補助容量電極１１８に電気的に接続される。また、ＩＴＯ接続部１２１ｂは開口部１１９ｃを介して金属接続部１２１ａに電気的に接続される。
【００５４】
次いで、ガラス基板１１０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極１２０ａ〜１２０ｃの表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、ＴＦＴ基板１１０が完成する。
【００５５】
次に、対向基板１３０の製造方法について説明する。まず、対向基板１３０のベースとなるガラス基板１３０ａの上（図４では下側）に、Ｃｒ（クロム）等の金属又は黒色樹脂によりブラックマトリクス１３１を形成する。このブラックマトリクス１３１は、ＴＦＴ基板１１０側のゲートバスライン１１１、データバスライン１１５及びＴＦＴ１１７に対向する位置に、ゲートバスライン１１１及びデータバスライン１１５の幅よりも若干広く形成する。
【００５６】
次に、赤色感光性樹脂、緑色感光性樹脂及び青色感光性樹脂を使用して、ガラス基板１３０ａの上にカラーフィルタ１３２を形成する。各画素領域には、赤色、緑色及び青色のいずれか１色のカラーフィルタ１３２を配置する。本実施形態においては、水平方向に隣接する赤色画素、緑色画素及び青色画素の３つの画素により１つのピクセルが構成され、種々の色の表示を可能としている。
【００５７】
次に、スパッタ法により、カラーフィルタ１３２の上にＩＴＯからなるコモン電極１３３を形成する。その後、コモン電極１３３の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を所定の露光マスクを介して露光し、その後現像処理を施して、ほぼ円錐状の配向制御用突起物１３５を形成する。これらの突起物１３５は、それぞれ透明電極１２０ａ〜１２０ｃの中心に対向する位置に形成する。また、これらの突起物１３５の底面の直径は例えば約１０μｍとし、高さは例えば２．５μｍとする。
【００５８】
次いで、ガラス基板１３０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、コモン電極１３３及び突起物１３５の表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、対向基板１３０が完成する。
【００５９】
このようにして製造されたＴＦＴ基板１１０と対向基板１３０とをスペーサ（図示せず）を挟んで相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル１００とする。そして、液晶パネル１００の前面側及び裏面側にそれぞれ偏光板を接合し、更に液晶パネル１００の裏面側にバックライトを取り付ける。これにより、本実施形態の液晶表示装置が完成する。
【００６０】
本実施形態の液晶表示装置においては、副画素電極１２０ａ〜１２０ｃ間を金属接続部１２１ａ及びＩＴＯ接続部１２１ｂの２層構造を有する接続配線１２１により電気的に接続しているので、仮にＩＴＯ接続部１２１ｂを形成するときに断線が発生しても、副画素電極１２０ａ〜１２０ｃ間の電気的接続を確保することができる。これにより、不良の発生が防止され、液晶表示装置の歩留りが向上するという効果を得ることができる。
【００６１】
また、金属接続部１２１ａはゲートバスライン１１５、ドレイン電極１１７ａ、ソース電極１１７ｂ及び補助容量電極１１８ａ等と同時に形成し、ＩＴＯ接続部１２１ｂは副画素電極１２０ａ〜１２０ｃと同時に形成するので、製造工程の増加が回避されるという利点もある。
【００６２】
なお、上記実施形態では金属接続部１２１ａを第２の金属膜のパターニングによりデータバスライン１１５等と同時に形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば金属接続部１２１ａを第１の金属膜のパターニングによりゲートバスライン１１１等と同時に形成してもよい。
【００６３】
また、本実施形態においてはＩＴＯ接続部１２１ｂが開口部１１９ｃ内に露出した金属接続部１２１ａの全面を覆うものとしたが、図６に示すように、ＩＴＯ接続部１２１ｂが開口部１１９ｃ内に露出した金属接続部１２１ａの全面を覆っていなくてもよい。
【００６４】
（第２の実施形態）
以下、本発明を半透過型液晶表示装置に適用した第２の実施形態について説明する。図７は本発明の第２の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図８は図７のII−II線による断面図である。但し、図８では対向基板側のブラックマトリクス及びカラーフィルタの図示を省略している。
【００６５】
図８に示すように、液晶パネル２００は、ＴＦＴ基板２１０と、対向基板２３０と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層２４０とにより構成されている。液晶パネル２００の前面側（観察者側：図８では上側）及び裏面側（図８では下側）にはそれぞれλ／４板（図示せず）及び偏光板（図示せず）が配置され、更に液晶パネル２００の裏面側にはバックライト（図示せず）が配置されている。
【００６６】
ＴＦＴ基板２１０には、第１の実施形態と同様に、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン２１１と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン２１５とが形成されており、これらのゲートバスライン２１１及びデータバスライン２１５により各画素領域が区画されている。また、ＴＦＴ基板２１０には、各画素領域を横断する補助容量バスライン２１２が形成されている。
【００６７】
各画素領域毎に、ＴＦＴ２１７が形成されている。このＴＦＴ２１７は、ゲートバスライン２１１の一部をゲート電極としており、ドレイン電極２１７ａ及びソース電極２１７ｂはゲートバスライン２１１を挟んで相互に対向する位置に配置されている。
【００６８】
１つの画素領域は、透過領域Ａ１，Ａ２及び反射領域Ｂに分割されている。透過領域Ａ１，Ａ２にはＩＴＯからなる透明電極（副画素電極）２２０ａ，２２０ｃが形成されており、反射領域ＢにはＡｌ（アルミニウム）等の金属からなる反射電極（反射膜）２１８と、その反射電極２１８の上を覆う透明電極（副画素電極）２２０ｂとが形成されている。透明電極２２０ａ〜２２０ｃは接続配線２２１により相互に電気的に接続されている。この接続配線２２１は、反射電極２１８と一体的に形成された金属接続部２２１ａと、透明電極２２０ａ〜２２０ｃと一体的に形成されたＩＴＯ接続部２２１ｂとの積層構造を有している。
【００６９】
反射電極２１８の下方であって補助容量バスライン２１２の両側には金属膜２１２ａが形成されている。この金属膜２１２ａには、反射電極２１８の表面に凹凸を形成するために、多数の微細な開口部が設けられている。
【００７０】
なお、本実施形態の液晶表示装置では、第１の実施形態と異なり補助容量電極が設けられていないが、反射電極２１８と、補助容量バスライン２１２と、それらの間の第１の絶縁膜２１３とにより補助容量を構成している。
【００７１】
また、本実施形態においては対向基板２３０側の配向制御用突起物２３５がＴＦＴ基板２１０と接する高さに形成されており、この配向制御用突起物２３５がスペーサとなって液晶層２４０の厚さ（セルギャップ）を決定している。
【００７２】
以下、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、ＴＦＴ基板２１０の製造方法について説明する。
【００７３】
ＴＦＴ基板２１０のベースとなるガラス基板２１０ａの上に、スパッタ法により例えばＡｌ−Ｔｉの積層構造を有する第１の金属膜を形成する。そして、この第１の金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン２１１、補助容量バスライン２１２及び金属膜２１２ａを形成する。このとき、金属膜２１２ａには多数の微細な開口部を形成する。
【００７４】
次に、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばＳｉＯ2 を堆積して、第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）２１３を形成する。そして、この第１の絶縁膜２１３の所定の領域上に、ＴＦＴ２１７の活性層となる半導体膜を形成し、更にその上にＳｉＮからなるチャネル保護膜を形成する。
【００７５】
次に、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの積層構造を有する第２の金属膜を形成し、この第２の金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン２１５と、ドレイン電極２１７ａと、ソース電極２１７ｂと、ソース電極２１７ｂに接続した配線２１７ｃと、反射電極２１８と、反射電極２１８に接続した金属接続部２２１ａとを形成する。このとき、反射電極２１８の表面には、その下方の金属膜２１２ａの開口部により凹凸が形成される。
【００７６】
次に、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばＳｉＯ2 を堆積して、第２の絶縁膜２１９を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により第２の絶縁膜２１９に、配線２１８ｃに通じるコンタクトホール２１９ａと、金属接続部２２１ａ及び反射電極２１８が露出する開口部とを形成する。この場合に、金属接続部２２１ａ及び反射電極２１８の縁部は第２の絶縁膜２１９で覆われたままとする。
【００７７】
次に、ガラス基板２１０ａの上側全面にＩＴＯ膜を形成し、フォトリソグラフィ法によりＩＴＯ膜をパターニングして、透明電極２２０ａ〜２２０ｃ及びＩＴＯ接続部２２１ｂを形成する。透明電極２２０ａはコンタクトホール２１９ａを介してソース電極２１７ｂに接続した配線２１７ｃと電気的に接続される。また、透明電極２２０ｂは反射電極２１８と接続され、ＩＴＯ接続部２２１ｂは金属接続部２２１ａと接続される。
【００７８】
次いで、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極２２０ａ〜２２０ｃの表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、ＴＦＴ基板２１０が完成する。
【００７９】
次に、対向基板２３０の製造方法について説明する。まず、対向基板２３０のベースとなるガラス基板２３０ａの上に、第１の実施形態と同様にブラックマトリクス及びカラーフィルタを形成する。その後、スパッタ法により、カラーフィルタの上にＩＴＯからなるコモン電極２３３を形成する。
【００８０】
次に、コモン電極２３３の上にフォトレジストを塗布して厚さが例えば３〜４μｍのフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を所定の露光マスクを介して露光し、その後現像処理を施して配向制御用突起物２３５を形成する。
【００８１】
次いで、ガラス基板２３０ａの上側全面にポリイミドを塗布して、コモン電極２３３及び突起物２３５の表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、対向基板２３０が完成する。
【００８２】
このようにして製造されたＴＦＴ基板２１０と対向基板２３０とを相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル２００とする。そして、液晶パネル２００の前面側及び裏面側にそれぞれλ／４板及び偏光板を接合し、更に液晶パネル２００の裏面側にバックライトを取り付ける。これにより、本実施形態の液晶表示装置が完成する。
【００８３】
本実施形態においても、透明電極２２０ａ〜２２０ｃ間を金属接続部２２１ａ及びＩＴＯ接続部２２１ｂの２層構造を有する接続配線２２１により電気的に接続しているので、ＩＴＯ接続部２２１ｂを形成するときに断線が発生しても、透明電極２２０ａ〜２２０ｃ間の電気的接続を確保することができる。これにより、不良の発生が防止され、液晶表示装置の歩留りが向上する。
【００８４】
また、金属接続部２２１ａは反射電極２１８と同時に形成し、ＩＴＯ接続部２２１ｂは透明電極２２０ａ〜２２０ｃと同時に形成するので、製造工程の増加が回避される。
【００８５】
なお、上述した第１及び第２の実施形態はいずれも画素電極がほぼ矩形の複数の副画素電極に分割されている場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではないことは勿論である。例えば、本発明は、図２に示すように画素電極が斜め方向に伸びる複数のスリットにより複数の副画素電極に分割された液晶表示装置に適用することができる。
【００８６】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【００８７】
（付記１）相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、前記第１の基板に画素領域毎に透明導電体からなる複数の副画素電極が形成された液晶表示装置において、
金属膜からなる金属接続部と、前記金属接続部上に形成された透明導電体からなる透明導電体接続部とにより構成され、１つの画素領域内の前記複数の副画素電極間を相互に電気的に接続する接続配線を有することを特徴とする液晶表示装置。
【００８８】
（付記２）前記第１の基板上に形成されて前記複数の副画素電極に表示信号を伝達する薄膜トランジスタを有し、前記接続配線の前記金属接続部が、前記薄膜トランジスタのゲート電極、又はソース／ドレイン電極と同じ層に形成されていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【００８９】
（付記３）前記接続配線の前記透明導電体接続部が、前記副画素電極と一体的に形成されていることを特徴とする付記１又は２に記載の液晶表示装置。
【００９０】
（付記４）前記第１の基板上には、金属からなる反射膜が形成されていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【００９１】
（付記５）前記接続配線の前記金属接続部が、前記反射膜と一体的に形成されていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。
【００９２】
（付記６）前記反射膜の表面が、前記複数の副画素電極のうちのいずれか１つに覆われていることを特徴とする付記４に記載の液晶表示装置。
【００９３】
（付記７）前記金属接続部と前記透明導電体接続部とが、層間絶縁膜に形成された開口部を介して接続されていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【００９４】
（付記８）前記透明導電体接続部が、前記開口部内に露出した前記金属接続部の上側全部を覆っていることを特徴とする付記７に記載の液晶表示装置。
【００９５】
（付記９）前記透明導電体接続部が、前記開口部内に露出した前記金属接続部の一部を覆っていることを特徴とする付記７に記載の液晶表示装置。
【００９６】
（付記１０）第１の基板上に第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜をパターニングしてゲートバスラインを形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の所定の領域上に薄膜トランジスタの活性層となる半導体膜を形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に第２の金属膜を形成する工程と、
前記第２の金属膜をパターニングして、データバスラインと、前記薄膜トランジスタを構成するソース電極及びドレイン電極と、金属接続部とを形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、前記金属接続部が露出する開口部を形成する工程と、
前記第１の基板の上側全面に透明導電体膜を形成する工程と、
前記透明導電体膜をパターニングして画素領域毎に複数の副画素電極を形成するとともに、前記開口部に露出した金属接続部に接続し前記複数の副画素電極間を電気的に接続する透明導電体接続部を形成する工程と、
前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】図１は、従来の液晶表示装置の一例を示す平面図である。
【図２】図２は、従来の液晶表示装置の他の例を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図４】図４は、図３のＩ−Ｉ線による断面図である。
【図５】図５は、接続配線を拡大して示す断面図である。
【図６】図６は、接続配線の変形例を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図８】図８は、図７のII−II線による断面図である。
【符号の説明】
【００９８】
１１，３１，１１１，２１１…ゲートバスライン、
１２，３２，１１２，２１２…補助容量バスライン、
１４，３４，１１５，２１５…データバスライン、
１５，３５，１１７，２１７…ＴＦＴ
１６，３６，１１８ａ…補助容量電極、
１８ａ〜１８ｃ，３８ａ〜３８ｆ，１２０ａ〜１２０ｃ…副画素電極、
１９，３９，１２１…接続配線、
２５，４５，１３５，２３５…配向制御用突起物、
１００，２００…液晶パネル、
１１０，２１０…ＴＦＴ基板、
１１３，１１９，２１３，２１９…絶縁膜、
１２１ａ…金属接続部、
１２１ｂ…ＩＴＯ接続部、
１３０，２３０…対向基板、
１３１…ブラックマトリクス、
１３２…カラーフィルタ、
１３３，２３３…コモン電極、
１４０，２４０…液晶層、
２１２ａ…金属膜、
２１８…反射電極（反射膜）
２２０ａ〜２２０ｃ…透明電極（副画素電極）。
【図１】
2006259134.tif 000003
【図２】
2006259134.tif 000004
【図３】
2006259134.tif 000005
【図４】
2006259134.tif 000006
【図５】
2006259134.tif 000007
【図６】
2006259134.tif 000008
【図７】
2006259134.tif 000009
【図８】
2006259134.tif 000010