(57)【要約】【課題】  通信装置の受信動作及び受信待機動作における消費電力を低減することができる高周波スイッチを提供する。【解決手段】  通信装置の送信動作及び受信動作を切り替える高周波スイッチであって、受信側のスイッチであるデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタと、送信側のスイッチであるエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタと、デプレッション型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される負バイアス回路と、を備えることを特徴とする高周波スイッチ。【選択図】      図１
2006173754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置の送信動作及び受信動作を切り替える高周波スイッチであって、
受信側のスイッチであるデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタと、
送信側のスイッチであるエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタと、
前記デプレッション型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される負バイアス回路と、
を備えることを特徴とする高周波スイッチ。
【請求項２】
前記負バイアス回路は、前記高周波スイッチの外部に備えられたスイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号を負極性に変換することを特徴とする、請求項１に記載の高周波スイッチ。
【請求項３】
前記負バイアス回路は、チャージポンプ回路と発振器とで構成されることを特徴とする、請求項２に記載の高周波スイッチ。
【請求項４】
前記高周波スイッチは、前記スイッチ制御回路から送られる０Ｖの制御信号により受信状態及び受信待機状態となり、前記スイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号により送信状態となることを特徴とする、請求項２に記載の高周波スイッチ。
【請求項５】
前記デプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ及び前記エンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタは、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板またはバルクシリコン基板を用いて形成されることを特徴とする、請求項１に記載の高周波スイッチ。
【請求項６】
前記負バイアス回路は、前記高周波スイッチの外部に備えられたスイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号を負極性に変換することを特徴とする、請求項５に記載の高周波スイッチ。
【請求項７】
前記負バイアス回路は、チャージポンプ回路と発振器とで構成されることを特徴とする、請求項６に記載の高周波スイッチ。
【請求項８】
前記高周波スイッチは、前記スイッチ制御回路から送られる０Ｖの制御信号により受信状態及び受信待機状態となり、前記スイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号により送信状態となることを特徴とする、請求項６に記載の高周波スイッチ。
【請求項９】
前記高周波スイッチは、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチであることを特徴とする、請求項１に記載の高周波スイッチ。
【請求項１０】
前記負バイアス回路は、前記高周波スイッチの外部に備えられたスイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号を負極性に変換することを特徴とする、請求項９に記載の高周波スイッチ。
【請求項１１】
前記負バイアス回路は、チャージポンプ回路と発振器とで構成されることを特徴とする、請求項１０に記載の高周波スイッチ。
【請求項１２】
前記高周波スイッチは、前記スイッチ制御回路から送られる０Ｖの制御信号により受信状態及び受信待機状態となり、前記スイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号により送信状態となることを特徴とする、請求項１０に記載の高周波スイッチ。
【請求項１３】
前記デプレッション型ＮＭＯＳトランジスタ及び前記エンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタは、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板またはバルクシリコン基板を用いて形成されることを特徴とする、請求項１２に記載の高周波スイッチ。
【請求項１４】
通信装置の送信動作及び受信動作を切り替える高周波スイッチであって、
受信側のスイッチであるデプレッション型ＰＭＯＳトランジスタと、
送信側のスイッチであるエンハンスメント型ＰＭＯＳトランジスタと、
前記エンハンスメント型ＰＭＯＳトランジスタのゲートに接続される負バイアス回路と、
を備えることを特徴とする高周波スイッチ。
【請求項１５】
前記負バイアス回路は、前記高周波スイッチの外部に備えられたスイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号を負極性に変換することを特徴とする、請求項１４に記載の高周波スイッチ。
【請求項１６】
前記負バイアス回路は、チャージポンプ回路と発振器とで構成されることを特徴とする、請求項１５に記載の高周波スイッチ。
【請求項１７】
前記高周波スイッチは、前記スイッチ制御回路から送られる０Ｖの制御信号により受信状態及び受信待機状態となり、前記スイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号により送信状態となることを特徴とする、請求項１５に記載の高周波スイッチ。
【請求項１８】
前記デプレッション型ＰＭＯＳトランジスタ及び前記エンハンスメント型ＰＭＯＳトランジスタは、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板またはバルクシリコン基板を用いて形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の高周波スイッチ。
【請求項１９】
前記負バイアス回路は、前記高周波スイッチの外部に備えられたスイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号を負極性に変換することを特徴とする、請求項１８に記載の高周波スイッチ。
【請求項２０】
前記負バイアス回路は、チャージポンプ回路と発振器とで構成されることを特徴とする、請求項１９に記載の高周波スイッチ。
【請求項２１】
前記高周波スイッチは、前記スイッチ制御回路から送られる０Ｖの制御信号により受信状態及び受信待機状態となり、前記スイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号により送信状態となることを特徴とする、請求項１９に記載の高周波スイッチ。
【請求項２２】
前記高周波スイッチは、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチであることを特徴とする、請求項１４に記載の高周波スイッチ。
【請求項２３】
前記負バイアス回路は、前記高周波スイッチの外部に備えられたスイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号を負極性に変換することを特徴とする、請求項２２に記載の高周波スイッチ。
【請求項２４】
前記負バイアス回路は、チャージポンプ回路と発振器とで構成されることを特徴とする、請求項２３に記載の高周波スイッチ。
【請求項２５】
前記高周波スイッチは、前記スイッチ制御回路から送られる０Ｖの制御信号により受信状態及び受信待機状態となり、前記スイッチ制御回路から送られる正極性の制御信号により送信状態となることを特徴とする、請求項２３に記載の高周波スイッチ。
【請求項２６】
前記デプレッション型ＰＭＯＳトランジスタ及び前記エンハンスメント型ＰＭＯＳトランジスタは、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板またはバルクシリコン基板を用いて形成されることを特徴とする、請求項２５に記載の高周波スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、送信機能及び受信機能を備えた移動体通信装置に用いられる高周波スイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動体通信装置に用いられる高周波スイッチの一つにＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチがある。一般的なＳＰＤＴスイッチは、３つの信号端子と２つの制御端子とを備えている。３つの信号端子は、それぞれアンテナと、受信機と、送信機とに接続される。アンテナ用の信号端子と受信機用の信号端子との間には受信側のスイッチである受信側トランジスタが介在し、アンテナ用の信号端子と送信機用の信号端子との間には送信側のスイッチである送信側トランジスタが介在する。受信側トランジスタ及び送信側トランジスタのゲート端子である２つの制御端子は、共にスイッチ制御回路に接続される。
【０００３】
ＳＰＤＴの基本動作を簡単に説明すると、アンテナから信号を受信する場合は、スイッチ制御回路からの指令により受信側トランジスタを導通状態（ＯＮ）、送信側トランジスタを非導通状態（ＯＦＦ）として受信信号を受信機側へのみ送る。一方、アンテナから信号を送信する場合は、スイッチ制御回路からの指令により送信側トランジスタを導通状態（ＯＮ）、受信側トランジスタを非導通状態（ＯＦＦ）として送信信号をアンテナ側へのみ送る。このように受信側トランジスタ及び送信側トランジスタをスイッチングして送受信動作を切り替えている。
【０００４】
高周波スイッチに関する発明が、例えば、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の高周波スイッチは、移動体通信装置に用いられるＳＰＤＴ型の高周波スイッチであって、受信側トランジスタ及び送信側トランジスタにそれぞれ並列にインダクタを接続し、トランジスタの寄生容量とインダクタとを共振させて寄生容量の影響を打ち消している。これにより、信号の通過損失を低減すると共にアイソレーションの劣化を防止している。
【特許文献１】特開平９−８５０１号公報（第４−５頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯電話やワイヤレスＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）などに高周波スイッチを使用する場合、受信側トランジスタは常に導通状態（ＯＮ）で待機させておくのが一般的である。そのため、高周波スイッチの消費電力が大きくなり、バッテリー駆動時間が短くなるという問題がある。
【０００６】
特許文献１に記載の高周波スイッチは、トランジスタの非導通状態（ＯＦＦ）における寄生容量による通過損失を低減し、アイソレーション特性を向上させるものであって、高周波スイッチの消費電力改善を目的とするものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る高周波スイッチは、通信装置の送信動作及び受信動作を切り替える高周波スイッチであって、受信側のスイッチであるデプレッション型ＮＭＯＳトランジスタと、送信側のスイッチであるエンハンスメント型ＮＭＯＳトランジスタと、デプレッション型ＮＭＯＳトランジスタのゲートに接続される負バイアス回路と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る高周波スイッチによれば、受信側トランジスタをデプレッション型のＮＭＯＳトランジスタとすることで、０Ｖの制御信号で受信動作及び受信待機動作が可能となる。これにより、高周波スイッチの消費電力を低減し、高周波スイッチを備える通信装置のバッテリー駆動時間を長くすることができる。またデプレッション型のＮＭＯＳトランジスタのゲートと外部のスイッチ制御回路との間に負バイアス回路を設けることにより、確実にデプレッション型のＮＭＯＳトランジスタを非導通状態（ＯＦＦ）とすることができる。これにより、送信信号が受信回路側へ漏れ込むことを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係る高周波スイッチ１００の構成図である。高周波スイッチ１００は、エンハンスメント型のＮＭＯＳトランジスタ（以下、Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタ）１と、デプレッション型のＮＭＯＳトランジスタ（以下、Ｄ−ＮＭＯＳトランジスタ）２と、負バイアス回路３とを備えている。
【００１０】
Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタ１は送信側のスイッチであり、ゲート端子に接続されたスイッチ制御回路からの信号に基づいて導通状態が切り替えられる。Ｄ−ＮＭＯＳトランジスタ２は受信側のスイッチであり、負バイアス回路３を介してゲート端子に接続されたスイッチ制御回路からの信号に基づいて導通状態が切り替えられる。
【００１１】
負バイアス回路３は、スイッチ制御回路からの制御信号を極性変換、すなわち、正電圧を負電圧に変換する機能を有している。負バイアス回路３は、例えば、図７に示すようなチャージポンプ回路３ａと発振器３ｂとの組み合わせで構成される。スイッチ制御回路から負バイアス回路３に入力された制御信号Ｖは、発振器３ｂからの信号に基づいてチャージポンプ回路３ａで極性変換され、負バイアス回路３から極性変換された制御信号、すなわち、制御信号−Ｖが出力される。
【００１２】
ここで、エンハンスメント（Ｅ）型のＭＯＳトランジスタと、デプレッション（Ｄ）型のＭＯＳトランジスタとの基本特性の違いを簡単に説明しておく。
【００１３】
図８は、両者のＩｄ−Ｖｇ（ドレイン電流―ゲート電圧）特性を示している。なお、図８のＩｄ−Ｖｇ特性はＮＭＯＳトランジスタの場合であり、ＰＭＯＳトランジスタの場合はドレイン電流Ｉｄ及びゲート電圧Ｖｇそれぞれの極性を反転すればよい。Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタは、ゲート電圧Ｖｇが０Ｖの時にドレイン電流Ｉｄが流れない、いわゆるノーマリーオフ（Ｎｏｒｍａｌｌｙ  ＯＦＦ）タイプのトランジスタである。従って、チャネルにドレイン電流Ｉｄを流してトランジスタを導通状態（ＯＮ）とするためには、閾値電圧Ｖｔｈよりも大きい正のバイアス電圧をゲートに印可する必要がある。一方、Ｄ−ＮＭＯＳトランジスタは、ゲート電圧Ｖｇが０Ｖの時にドレイン電流Ｉｄが流れる、いわゆるノーマリーオン（Ｎｏｒｍａｌｌｙ  ＯＮ）タイプのトランジスタである。従って、ゲートに正のバイアス電圧を印可することなく、チャネルにドレイン電流Ｉｄを流してトランジスタを導通状態（ＯＮ）とすることができる。ただし、Ｄ−ＮＭＯＳトランジスタを非導通状態（ＯＦＦ）とするためには、閾値電圧Ｖｔｈ’よりも絶対値として大きい負のバイアス電圧をゲートに印可する必要がある。
【００１４】
次に、高周波スイッチ１００（図１）の動作について説明する。
【００１５】
図２は、高周波スイッチ１００の受信時及び受信待機中の動作を示している。なお、図２では、Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタ１及びＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２のそれぞれのスイッチ動作を示す模式図も同時に記載している。受信時及び受信待機中は、スイッチ制御回路から制御信号Ｖｒが送られる。ここで、制御信号Ｖｒは０Ｖである。この時、送信側のスイッチであるＥ−ＮＭＯＳトランジスタ１のゲートには０Ｖの制御信号Ｖｒが印可されるため、Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタ１は非導通状態（ＯＦＦ）となり、アンテナと送信回路とが分離される。一方、スイッチ制御回路から負バイアス回路３に送られた０Ｖの制御信号Ｖｒは、そのままの信号状態、すなわち、制御信号Ｖｒ’＝Ｖｒ＝０Ｖとして負バイアス回路３から出力される。これにより、受信側のスイッチであるＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２のゲートには０Ｖの制御信号Ｖｒ’が印可される。Ｄ−ＮＭＯＳトランジスタ２はデプレッション型であるため、制御信号Ｖｒ’によってＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２は導通状態（ＯＮ）となり、アンテナと受信回路とが接続される。このように、スイッチ制御回路から０Ｖの制御信号Ｖｒを送るだけで受信動作及び受信待機動作が可能となるため、高周波スイッチ１００の消費電力を低減することができる。
【００１６】
図３は、高周波スイッチ１００（図１）の送信時の動作を示している。なお、図３では、Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタ１及びＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２のそれぞれのスイッチ動作を示す模式図も同時に記載している。送信時は、スイッチ制御回路から制御信号Ｖｓが送られる。ここで、制御信号ＶｓはＥ−ＮＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きい正極性の電圧で、例えば、Ｖｓ＝２Ｖである。この時、送信側のスイッチであるＥ−ＮＭＯＳトランジスタ１のゲートには２Ｖの制御信号Ｖｓが印可されるため、Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタ１は導通状態（ＯＮ）となり、アンテナと送信回路とが接続される。一方、スイッチ制御回路から負バイアス回路３に送られた２Ｖの制御信号Ｖｓは、負バイアス回路３で極性反転され、制御信号Ｖｓ’＝−Ｖｓ＝−２Ｖとして負バイアス回路３から出力される。これにより、受信側のスイッチであるＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２のゲートには−２Ｖの制御信号Ｖｓ’が印可される。デプレッション型であるＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２は、負極性である制御信号Ｖｓ’によって非導通状態（ＯＦＦ）となり、アンテナと受信回路とが分離される。このように、スイッチ制御回路から正極性、例えば、２Ｖの制御信号Ｖｓを送ることで受信側のスイッチであるＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２を確実に非導通状態（ＯＦＦ）とすることができるため、送信時に送信信号が受信回路側へ漏れ込むことを防止することができる。
【００１７】
なお、本発明は、ＳＰＤＴ型の高周波スイッチに限定されるものではなく、ＳＰＳＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチ、ＤＰＤＴ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチ、ＳＰ４Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｑｕａｄｒｕｐｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチなどに適用することも可能である。
【００１８】
〔作用効果〕
本発明の第１実施形態によれば、高周波スイッチ１００の受信側トランジスタをデプレッション型のＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２とすることで、０Ｖの制御信号で受信動作及び受信待機動作が可能となる。これにより、高周波スイッチ１００の消費電力を低減し、高周波スイッチ１００を備える通信装置のバッテリー駆動時間を長くすることができる。また、Ｄ−ＮＭＯＳトランジスタ２のゲートとスイッチ制御回路との間に負バイアス回路３を設けることにより、送信時にスイッチ制御回路から正極性の制御電圧を送ることでＥ−ＮＭＯＳトランジスタ１を導通状態（ＯＮ）としつつ、確実にＤ−ＮＭＯＳトランジスタ２を非導通状態（ＯＦＦ）とすることができる。これにより、送信信号が受信回路側へ漏れ込むことを防止することができる。
【００１９】
（２）第２実施形態
本発明の第２実施形態に係る高周波スイッチ１０１は、第１実施形態に係る高周波スイッチ１００をＰＭＯＳトランジスタで構成するものである。
【００２０】
図４は、本発明の第２実施形態に係る高周波スイッチ１０１の構成図である。高周波スイッチ１０１は、エンハンスメント型のＰＭＯＳトランジスタ（以下、Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ）４と、デプレッション型のＰＭＯＳトランジスタ（以下、Ｄ−ＰＭＯＳトランジスタ）５と、負バイアス回路３とを備えている。
【００２１】
Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ４は送信側のスイッチであり、負バイアス回路３を介してゲート端子に接続されたスイッチ制御回路からの信号に基づいて導通状態が切り替えられる。Ｄ−ＰＭＯＳトランジスタ５は受信側のスイッチであり、ゲート端子に接続されたスイッチ制御回路からの信号に基づいて導通状態が切り替えられる。
【００２２】
負バイアス回路３は、スイッチ制御回路からの制御信号を極性変換、すなわち、正電圧を負電圧に変換する機能を有している。負バイアス回路３の構成例（図７）については、既に第１実施形態で説明しているので、ここでは同一符号を付してその説明を省略する。
【００２３】
次に、高周波スイッチ１０１（図４）の動作について説明する。
【００２４】
図５は、高周波スイッチ１０１の受信時及び受信待機中の動作を示している。なお、図５では、Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ４及びＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５のそれぞれのスイッチ動作を示す模式図も同時に記載している。受信時及び受信待機中は、スイッチ制御回路から制御信号Ｖｒが送られる。ここで、制御信号Ｖｒは０Ｖである。この時、スイッチ制御回路から負バイアス回路３に送られた０Ｖの制御信号Ｖｒは、そのままの信号状態、すなわち、制御信号Ｖｒ’＝Ｖｒ＝０Ｖとして負バイアス回路３から出力される。これにより、送信側のスイッチであるＥ−ＰＭＯＳトランジスタ４のゲートには０Ｖの制御信号Ｖｒ’が印可されため、Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ４は非導通状態（ＯＦＦ）となり、アンテナと送信回路とが分離される。一方、受信側のスイッチであるＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５のゲートには０Ｖの制御信号Ｖｒが印可される。Ｄ−ＰＭＯＳトランジスタ５はデプレッション型であるため、制御信号ＶｒによってＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５は導通状態（ＯＮ）となり、アンテナと受信回路とが接続される。このように、スイッチ制御回路から０Ｖの制御信号Ｖｒを送るだけで受信動作及び受信待機動作が可能となるため、高周波スイッチ１０１の消費電力を低減することができる。
【００２５】
図６は、高周波スイッチ１０１（図４）の送信時の動作を示している。なお、図６では、Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ４及びＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５のそれぞれのスイッチ動作を示す模式図も同時に記載している。送信時は、スイッチ制御回路から制御信号Ｖｓが送られる。ここで、制御信号ＶｓはＥ−ＰＭＯＳトランジスタ４の閾値電圧Ｖｔｈよりも絶対値として大きい正極性の電圧で、例えば、Ｖｓ＝２Ｖである。この時、スイッチ制御回路から負バイアス回路３に送られた２Ｖの制御信号Ｖｓは、負バイアス回路３で極性反転され、制御信号Ｖｓ’＝−Ｖｓ＝−２Ｖとして負バイアス回路３から出力される。これにより、送信側のスイッチであるＥ−ＰＭＯＳトランジスタ４のゲートには−２Ｖの制御信号Ｖｓ’が印可されるため、Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ４は導通状態（ＯＮ）となり、アンテナと送信回路とが接続される。一方、受信側のスイッチであるＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５のゲートには２Ｖの制御信号Ｖｓが印可される。デプレッション型であるＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５は、正極性である制御信号Ｖｓによって非導通状態（ＯＦＦ）となり、アンテナと受信回路とが分離される。このように、スイッチ制御回路から正極性、例えば、２Ｖの制御信号Ｖｓを送ることで受信側のスイッチであるＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５を確実に非導通状態（ＯＦＦ）とすることができるため、送信時に送信信号が受信回路側へ漏れ込むことを防止することができる。
【００２６】
なお、本発明は、ＳＰＤＴ型の高周波スイッチに限定されるものではなく、ＳＰＳＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチ、ＤＰＤＴ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチ、ＳＰ４Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｑｕａｄｒｕｐｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチなどに適用することも可能である。
【００２７】
〔作用効果〕
本発明の第２実施形態によれば、高周波スイッチ１０１の受信側トランジスタをデプレッション型のＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５とすることで、０Ｖの制御信号で受信動作及び受信待機動作が可能となる。これにより、高周波スイッチ１０１の消費電力を低減し、高周波スイッチ１０１を備える通信装置のバッテリー駆動時間を長くすることができる。また、Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ４のゲートとスイッチ制御回路との間に負バイアス回路３を設けることにより、送信時にスイッチ制御回路から正極性の制御電圧を送ることでＥ−ＰＭＯＳトランジスタ４を導通状態（ＯＮ）としつつ、確実にＤ−ＰＭＯＳトランジスタ５を非導通状態（ＯＦＦ）とすることができる。これにより、送信信号が受信回路側へ漏れ込むことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１実施形態に係る高周波スイッチの構成図。
【図２】第１実施形態に係る高周波スイッチの受信動作及び受信待機動作。
【図３】第１実施形態に係る高周波スイッチの送信動作。
【図４】第２実施形態に係る高周波スイッチの構成図。
【図５】第２実施形態に係る高周波スイッチの受信動作及び受信待機動作。
【図６】第２実施形態に係る高周波スイッチの送信動作。
【図７】負バイアス回路の構成例。
【図８】エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタとデプレッション型ＭＯＳトランジスタの基本特性。
【符号の説明】
【００２９】
１・・・Ｅ−ＮＭＯＳトランジスタ
２・・・Ｄ−ＮＭＯＳトランジスタ
３・・・負バイアス回路
３ａ・・・チャージポンプ回路
３ｂ・・・発振器
４・・・Ｅ−ＰＭＯＳトランジスタ
５・・・Ｄ−ＰＭＯＳトランジスタ
１００、１０１・・・高周波スイッチ
【図１】
2006173754.tif 000003
【図２】
2006173754.tif 000004
【図３】
2006173754.tif 000005
【図４】
2006173754.tif 000006
【図５】
2006173754.tif 000007
【図６】
2006173754.tif 000008
【図７】
2006173754.tif 000009
【図８】
2006173754.tif 000010