(57)【要約】【課題】  素子動作特性に変動を与えることのない、微細に分離された電極を備えた半導体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体基板１に溝１２が形成されている。素子分離領域１６は、溝の側壁部分で溝の上部と一致された第１の部分及び前記溝の残りの部分で前記溝より突出し、第１の部分と同一材料により形成された第２の部分を有している。第１のゲート絶縁膜２２上の電荷蓄積層７は、一部分が素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして第２の部分と自己整合的に形成され、第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有している。第２のゲート絶縁膜８は、電荷蓄積層の上面、及び第２の部分の上面に形成され、制御ゲート電極９は、第２のゲート絶縁膜８上に形成されている。【選択図】      図２２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面に設けた溝と、
前記溝を絶縁物で埋め込んで形成され、前記溝の側壁部分で溝の上部と一致された第１の部分及び前記溝の残りの部分で前記溝より突出し、第１の部分と同一材料により形成された第２の部分を有する素子分離領域と、
前記素子分離領域により互いに分離された素子領域と、
前記素子領域上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成され、一部分が前記素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして前記第２の部分と自己整合的に形成された、前記素子分離領域の前記第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有する電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層の上面、及び前記第２の部分の上面に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板表面に、熱酸化膜、所定の材料からなるマスク層を順次形成する第１の工程と、
素子形成領域以外の前記熱酸化膜及び前記マスク層を除去する第２の工程と、
前記素子形成領域上に残ったマスク層をマスクとし、前記第２の工程によって露出した半導体基板表面をエッチングして溝を形成する第３の工程と、
前記溝の底部から前記マスク層の上端面まで絶縁膜を堆積する第４の工程と、
前記溝から突出した部分の絶縁膜を残すように前記マスク層を除去して素子形成領域上に前記絶縁膜の開口部を形成する第５の工程と、
半導体基板表面に形成されている熱酸化膜をはく離する第６の工程と、
前記溝から突出した部分の絶縁膜を所望の量除去して前記開口部を素子形成領域両端の外側に素子形成領域に対して自己整合的に広げる第７の工程と、
半導体基板表面にゲート絶縁膜を形成する第８の工程と、
電荷蓄積層形成のための伝導性膜を形成する第９の工程と、
前記伝導性膜を前記絶縁膜の上端面が露出するまで除去し前記伝導性膜表面を平坦化する第１０の工程と、
前記伝導性膜及び前記絶縁膜上に電極間絶縁膜を形成する第１１の工程と、
前記電極間絶縁膜上に制御ゲート形成のための伝導性膜を形成する第１２の工程と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１０の工程と前記第１１の工程との間に、前記伝導性膜間の前記絶縁膜をエッチバックして前記伝導性膜の側壁の少なくとも一部分を露出させる工程を備えたことを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】
前記第７の工程と前記第８の工程との間に、前記半導体基板表面に熱酸化膜を形成した後、この熱酸化膜をはく離する工程を備えたことを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体記憶装置およびその製造方法に係わり、特にトレンチ構造による素子分離領域に対して電荷蓄積層やゲート電極などの電極を自己整合的に形成した半導体記憶装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体記憶装置は高集積化の一途を辿っており、微細な半導体記憶装置の研究が盛んである。例えば各種半導体記憶装置のうち不揮発性メモリ素子はハードディスク装置の代替品として期待されており、さらなる高集積化が望まれている。
【０００３】
この不揮発性メモリ素子は、他の半導体記憶装置には見られない浮遊ゲートを用いる特殊な構造を有しており、素子微細化の上で、この浮遊ゲートを微細形成する技術が重要な要素の一つである。
【０００４】
浮遊ゲートは堆積した膜を分離して形成するが、シリコン半導体基板上に不揮発性メモリ素子を形成する場合には、この浮遊ゲート分離に写真触刻法が用いられる。しかしながら、写真触刻法では、最新の技術を用いても０．４μｍ以下の幅（スリット）で浮遊ゲートの分離を行うことは極めて困難である。
【０００５】
さらに、写真触刻法を用いた場合、合わせずれが生じてしまうため、６４Ｍ以降の高密度素子では、素子上で浮遊ゲート分離を行うおそれが生ずる。この場合、トンネル酸化膜上に直接制御ゲートが形成されるため、素子動作時にトンネル酸化膜の絶縁破壊を起こすので、素子動作に致命的な影響を与えてしまう。また、これを回避しようとすると、素子形成領域を大きくせざるを得ない。
【０００６】
そこで、自己整合的に浮遊ゲートを分離する技術が開発されている（例えば特許文献１、２参照）。しかし、さらなる改善が望まれている。
【特許文献１】特開平３−２２０７７８号公報
【特許文献２】特開平４−２０８５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、素子動作特性に変動を与えることのない、微細に分離された電極を備えた半導体記憶装置とその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体記憶装置の態様は、半導体基板表面に設けた溝と、前記溝を絶縁物で埋め込んで形成され、前記溝の側壁部分で溝の上部と一致された第１の部分及び前記溝の残りの部分で前記溝より突出し、第１の部分と同一材料により形成された第２の部分を有する素子分離領域と、前記素子分離領域により互いに分離された素子領域と、前記素子領域上に形成された第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成され、一部分が前記素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして前記第２の部分と自己整合的に形成された、前記素子分離領域の前記第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有する電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の上面、及び前記第２の部分の上面に形成された第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体記憶装置の製造方法の態様は、半導体基板表面に、熱酸化膜、所定の材料からなるマスク層を順次形成する第１の工程と、素子形成領域以外の前記熱酸化膜及び前記マスク層を除去する第２の工程と、前記素子形成領域上に残ったマスク層をマスクとし、前記第２の工程によって露出した半導体基板表面をエッチングして溝を形成する第３の工程と、前記溝の底部から前記マスク層の上端面まで絶縁膜を堆積する第４の工程と、前記溝から突出した部分の絶縁膜を残すように前記マスク層を除去して素子形成領域上に前記絶縁膜の開口部を形成する第５の工程と、半導体基板表面に形成されている熱酸化膜をはく離する第６の工程と、前記溝から突出した部分の絶縁膜を所望の量除去して前記開口部を素子形成領域両端の外側に素子形成領域に対して自己整合的に広げる第７の工程と、半導体基板表面にゲート絶縁膜を形成する第８の工程と、電荷蓄積層形成のための伝導性膜を形成する第９の工程と、前記伝導性膜を前記絶縁膜の上端面が露出するまで除去し前記伝導性膜表面を平坦化する第１０の工程と、前記伝導性膜及び前記絶縁膜上に電極間絶縁膜を形成する第１１の工程と、前記電極間絶縁膜上に制御ゲート形成のための伝導性膜を形成する第１２の工程とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、素子動作特性に変動を与えることのない、微細に分離された電極を備えた半導体記憶装置とその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、本発明の参考例に係るＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの平面図を示している。また、図２および図３にはそれぞれ、図１のＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭのＡ−Ａ´断面図およびＢ−Ｂ´断面図を示す。
【００１３】
図１および２のように、このＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭでは、複数のコントロール・ゲート９と複数の活性層３０が直交配列され、両者が交差する部分にトンネル酸化膜２２とＯＮＯ膜８を介してフローティング・ゲート７が挟まれた形で設けられており、各交差部分が記憶ノードを形成している。
【００１４】
また、本参考例では、図１および図３のように、素子分離領域３１は、半導体基板１の表面に設けた溝１２を上端面まで２種類の絶縁膜５，６で埋め込んで形成するとともに、隣り合う素子分離領域３１間に浮遊ゲート電極７が自己整合的に形成されている。なお、本参考例では、浮遊ゲート電極７が素子分離領域３１の第１の絶縁膜５にオーバーラップしたウイング型の構造になっている。
【００１５】
本参考例では、浮遊ゲート電極を隣り合う素子分離領域間に自己整合的に形成するので、極めて微細に分離・形成された浮遊ゲート電極を得ることができるとともに、従来問題であった写真触刻時の合わせずれ等による素子形状の変動を生じることなく動作特性の変動も完全になくすことができる。
【００１６】
なお、本参考例では、浮遊ゲート電極をウイング型の構造にするので、コントロール・ゲート電極との間の容量を大きく設けることができる。また本参考例では、図３のように浮遊ゲート電極側壁部と浮遊ゲート電極側壁間に形成されたコントロール・ゲート電極との間にも容量が形成されるので、さらなる容量の増加を図ることができる。
【００１７】
以下、図３のような構造を有するＥＥＰＲＯＭを得るための製造工程について説明する。
【００１８】
まず、例えば面方位（１００）、比抵抗５〜５０Ω・ｃｍのＮ型シリコン基板１上に、Ｐ型ウェルを形成し、例えば厚さ２５ｎｍの熱酸化膜２をＨＣｌ雰囲気中で成膜し、さらに多結晶シリコンを４００ｎｍ程度形成して第一マスク層３とし、ＣＶＤ法で酸化シリコン膜を５００ｎｍ程度形成して第二マスク層４とする。
【００１９】
その後、写真触刻法で、選択的にレジスト膜（図示せず）で覆い、これをマスクとして使用し、ＣＶＤ酸化シリコン膜４をエッチングし、その後レジストを剥離する。そして、このＣＶＤ酸化シリコン膜４をマスクにして、先の工程によって露出した第一マスク層である多結晶シリコン膜３をエッチングし、さらに下の熱酸化膜２をエッチングする。
【００２０】
次に、残ったＣＶＤシリコン酸化膜４および多結晶シリコン膜３をマスクにして、露出したシリコン基板１の表面を例えばＨＢｒ／ＳｉＦ4 ／Ｏ2 雰囲気中でエッチングし、深さ０．５μｍ程度、幅０．４μｍ程度の溝１２を形成する。
【００２１】
そして、フィールドＩ／Ｉを行った後、トレンチを埋め込む第一の素子分離絶縁膜５として、例えばＣＶＤ法で成膜したシリコン酸化膜を１００ｎｍ成膜する。このシリコン酸化膜５は、膜質を向上させるために、例えばＮ2 雰囲気中において１０００℃前後で焼き固めるのが好ましい。
【００２２】
上記までの工程が完了した時点での半導体装置の概略断面図を図４に示す。なお、後に示す図４〜図１１においては、ｐ+ 型層２０を省略した。
【００２３】
次に、シリコン窒化膜６を２００ｎｍ程度成膜し、図５のように溝１２を完全に埋め込む。この時、シリコン窒化膜６をボイドが発生しない様に埋め込むことが望ましい。
【００２４】
さらに、シリコン窒化膜６をＣＤＥ（ケミカル・ドライ・エッチング）法などによりエッチバックし、第一マスク層である多結晶シリコン層３に挟まれた部分およびシリコン基板１表面に形成された溝１２の中に成膜された部分のみを残すようにする（図６）。
【００２５】
この後、ＣＶＤ法により成膜したシリコン酸化膜である第一絶縁膜５および同様に成膜したシリコン酸化膜である第二マスク層４を例えばＲＩＥ法などにより選択的にエッチングすることにより、第一マスク層である多結晶シリコン層３および第二絶縁膜であるシリコン窒素化膜６はエッチングされないようにし、第一マスク層である多結晶シリコン層３の上端部まで、第一絶縁膜であるＣＶＤシリコン酸化膜５と第二絶縁膜であるシリコン窒化膜６により埋め込まれているようにする（図７）。
【００２６】
この後、例えばＣＤＥ法等により第一マスク層である多結晶シリコン層３を除去し、さらに例えばフッ化アンモニウム等の溶液でエッチングすることにより、シリコン基板１上に形成されている熱酸化膜２および第一絶縁膜であるＣＶＤシリコン酸化膜５のうちシリコン基板１に形成された溝１２に埋め込まれた部分以外は除去する。その後、ゲート酸化膜２２を形成する（図８）。
【００２７】
次に、リンをドープした多結晶シリコン膜７を形成し（図９）、表面を例えばＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）法により平坦化する（図１０）。これにより、浮遊ゲート電極７を形成すると同時に、浮遊ゲート電極７間の分離を、第二絶縁膜のシリコン窒化膜６により自己整合的に行うことが可能である。
【００２８】
この後、例えばＣＤＥ法により浮遊ゲート側壁部のシリコン窒素化膜６をエッチングし（図１１）、ＯＮＯ膜８を形成した後に、制御ゲート電極９を形成し、ＣＶＤ絶縁膜１０を堆積して、素子形成を完了する（図３）。
【００２９】
以上説明した参考例によれば、半導体基板上に形成された溝および第１のマスク層を第１の絶縁膜および第２の絶縁膜で埋め込み、その後第１の絶縁膜および第１のマスク層を取り除いた箇所（隣り合う第２の絶縁膜の間）に、電極を形成するので、電極を隣り合う素子分離領域間に自己整合的に形成することができる。この結果、極めて微細に分離・形成された電極を得ることができるとともに、写真触刻時の合わせずれ等による素子形状および動作特性の変動の回避を完全になくすことができる。
【００３０】
また、電極間のスリット幅は、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜の膜厚を制御することで、極めて制御性良く形成できる。
【００３１】
さらに、写真触刻工程数の減少をも図ることができる。
【００３２】
＜変形例１＞
ここで、上記製造方法において、図５までの工程を上記参考例と同様に行った後、第二マスク層であるシリコン酸化膜４、第一絶縁膜であるＣＶＤシリコン酸化膜５と第二絶縁膜であるシリコン窒化膜６が同一のエッチングレートになる条件で、第一マスク層である多結晶シリコン層３の上端部において終了するようにエッチングを行った後、図６に示される工程を省略し、図７の以下の工程を進めることが可能である。
【００３３】
この場合、上述した参考例の利点に加え、プロセスを簡略化することができる利点がある。
【００３４】
＜変形例２＞
ここで、参考例に係る製造方法においては、図４に示すように第一絶縁膜５を形成する前にフィールドＩ／Ｉを行ったが、その代りに先に第一絶縁膜５を形成し、溝１２の底部が露出するように軽くエッチングした後、フィールドＩ／Ｉを行い（図１２）、第二絶縁膜６を形成しても良い（図１３）。
【００３５】
このようにすれば、上記参考例に比較してｐ+ 型層２１の領域を小さく設けることができるので、ｐ+ 型層２１と図１に示すｎ+ 型層１９との間でのジャンクション・ブレークダウンを発生し難くすることができる。もちろん、上述した参考例の利点も同時に得られる。
【００３６】
＜変形例３＞
浮遊ゲート電極７間（浮遊ゲート側壁部）のシリコン窒化膜６をエッチングせずに、図１０の構造の上にＯＮＯ膜８を形成しても良い（図１４）。
【００３７】
このようにすれば、さらに工程を簡略化することができる。
【００３８】
（実施例）
図２２に、本発明の実施例に係るＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの断面図を示す。本実施例は、参考例に比較して工程をさらに簡略化したものである。
【００３９】
図２２のように本実施例において、素子分離領域は、半導体基板１の表面に設けた溝１２を絶縁膜１６で埋め込んで形成するとともに、隣り合う素子分離領域間にゲート電極７が自己整合的に形成されている。なお、本実施例では、ゲート電極７が素子分離領域３１の第１の絶縁膜５にオーバーラップしていない非ウイング型の構造になっている。
【００４０】
本実施例では、浮遊ゲート電極を隣り合う素子分離領域間に自己整合的に形成するので、極めて微細に分離・形成された浮遊ゲート電極を得ることができるとともに、従来問題であった写真触刻時の合わせずれ等による素子形状の変動を生じることなく動作特性の変動も完全になくすことができる。
【００４１】
以下、図２２のような構造を有するＥＥＰＲＯＭを得るための製造工程について説明する。
【００４２】
まず、例えば面方位（１００）、比抵抗５〜５０Ω・ｃｍのＰ型シリコン基板１上に例えば厚さ２５ｎｍの熱酸化膜２をＨＣｌ雰囲気中で成膜し、さらにシリコン窒化膜１４を４００ｎｍ程度形成してマスク層とする。
【００４３】
その後、写真触刻法で、選択的にレジスト膜４０で覆う（図１５）。
【００４４】
これをマスクとして使用し、シリコン窒化膜１４と下の熱酸化膜２を順次エッチングする（図１６）。その後、レジスト４０を剥離する。
【００４５】
次に、残ったシリコン窒化膜１４をマスクにして、露出したシリコン基板１表面を例えばＨＢｒ／ＳｉＦ4 ／Ｏ2 雰囲気中でエッチングし、深さ０．５μｍ程度、幅０．４μｍ程度の溝１２を形成する。そして、フィールドＩ／Ｉを行う（図１７）。
【００４６】
次に、トレンチを埋め込む素子分離絶縁膜１６として、例えばＣＶＤ法で成膜したシリコン酸化膜を１０００ｎｍ程度成膜し、溝１２の底面からシリコン窒化膜からなるマスク層１４の上方まで完全に埋め込む。
【００４７】
さらに、ＣＶＤ法により成膜したＣＶＤシリコン酸化膜１６のうち、マスク層であるシリコン窒化膜１４に挟まれた部分およびシリコン基板１により形成された溝１２の中に成膜された部分のみを残すようにＣＶＤエッチバックを行う（図１８）。
【００４８】
この後、例えばＣＤＥ法等によりマスク層であるシリコン窒素化膜１４を除去する（図１９）。
【００４９】
さらに、フッ化アンモニウム等の溶液でエッチングすることにより、シリコン基板１上に形成されている熱酸化膜２を除去する。そして、ダミー酸化、チャネルＩ／Ｉ、ダミー酸化剥離を順次行う（図２０）。
【００５０】
そして、トンネル酸化膜２２を形成した後、リンをドープした多結晶シリコン膜７を形成し、表面を例えばＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）法により平坦化する（図２１）。
【００５１】
これにより、浮遊ゲート電極７を形成すると同時に、浮遊ゲート電極７間の分離を、絶縁膜であるＣＶＤシリコン酸化膜１６により自己整合的に行うことが可能である。
【００５２】
この後、ＯＮＯ膜８を形成した後に、制御ゲート電極９を形成し、後酸化を行い、ＣＶＤ絶縁膜１４を堆積して素子形成を完了する（図２２）。
【００５３】
＜変形例＞
ここで、図２１の構造において、例えばＣＤＥ法により浮遊ゲート７側壁部のＣＶＤシリコン酸化膜１６をエッチングし、ＯＮＯ膜８を形成した後に、コントロール・ゲート電極９を形成しても良い（図２３）。
【００５４】
このようにすれば、浮遊ゲート電極側壁部と浮遊ゲート電極側壁間に形成されたコントロール・ゲート電極との間に容量が形成されるので、容量の増加を図ることができる。この場合、マスク層を厚く積むと、その後に形成する浮遊ゲート電極側壁がより高くなり、容量がより大きくなるので好ましい。
【００５５】
なお、本実施例では、本発明をＥＥＰＲＯＭ（浮遊ゲート）に適用した例について説明したが、ＭＩＳトランジスタのゲート電極にも適用することが可能である。
【００５６】
また、本発明は上述した各実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の参考例に係るＥＥＰＲＯＭの平面図
【図２】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭのＡ−Ａ´断面図
【図３】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭのＢ−Ｂ´断面図
【図４】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図５】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図６】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図７】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図８】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図９】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１０】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１１】同参考例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１２】同参考例の一変形例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１３】同参考例の一変形例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１４】同参考例の他の変形例に係るＥＥＰＲＯＭの断面図
【図１５】本発明の実施例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１６】同実施例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１７】同実施例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１８】同実施例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図１９】同実施例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図２０】同実施例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図２１】同実施例に係るＥＥＰＲＯＭの製造方法を示す工程断面図
【図２２】同実施例に係るＥＥＰＲＯＭの断面図
【図２３】同実施例の一変形例に係るＥＥＰＲＯＭの断面図
【符号の説明】
【００５８】
１…シリコン基板、２…熱酸化膜、３…第一マスク層、４…第二マスク層、５…第１の素子分離絶縁膜、６…第２の素子分離絶縁膜、７…フローティング・ゲート、８…ＯＮＯ膜、９…コントロール・ゲート、１０…ＣＶＤ絶縁膜、１２…溝、１３…酸化膜、１４…ＣＶＤ絶縁膜、１６…素子分離絶縁膜、１９…ｎ+ 型層、２０，２１，２３…ｐ+ 型層、２２…トンネル酸化膜、３０…素子分離領域、３１…素子形成領域、３２…コンタクト・ホール、４０…レジスト膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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