(57)【要約】【課題】  絶縁層及び配線層の剥離やクラックの発生を防止すると共に、表皮効果に基づく高周波伝送損失を低減する配線基板を提供する。【解決手段】  絶縁層及び配線層を有する配線基板において、前記配線層２、４、６、８は金属部からなり、金属部の厚さ方向の中間部位（第二の金属層２ｂ、４ｂ、６ｂ、８ｂ）が、絶縁層との界面部位よりも気孔率が大きい多孔質金属からなる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層及び配線層を有する配線基板において、前記配線層は金属部からなり、該金属部の厚さ方向の中間部位が、絶縁層との界面部位よりも気孔率が大きい多孔質金属からなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記配線層は、３層以上の金属層を含む金属部からなり、絶縁層と接する層よりも内側の少なくとも１層の金属層が、絶縁層と接する金属層よりも気孔率が大きい多孔質金属からなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記多孔質金属の気孔率が５０％以上である請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記多孔質金属の平均気孔径が６００μｍ以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
前記多孔質金属が発泡金属である請求項１乃至４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記多孔質金属が２種以上の金属を含む複合金属からなる請求項１乃至５のいずれかに記載の配線基板。
【請求項７】
前記発泡金属が発泡銅である請求項１乃至６のいずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記配線層が前記絶縁層と交互に積層され、かつ、配線層を２層以上有する多層配線板である請求項１乃至７のいずれかに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と配線層を有する配線基板及び多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノートＰＣ、携帯電話、デジタルビデオカメラなど電子・電気機器の小型化、軽量化、多機能化の進展に伴い、これら機器に組み込まれる半導体集積回路用基板としては多層配線基板が多く用いられている。この多層配線基板は、表面に所定の回路パターンが配線されている配線基板を複数枚積層して一体化した構造のものである。
これらの多層配線基板においては、回路パターンの細線化や高密度化、また基板全体の薄型化や高多層化の要望が強まっており、プリント基板上に絶縁層と配線層を交互に形成することで微細な配線を形成することができるビルドアップ工法などが提案されている。
【０００３】
これらの高密度化された多層配線基板においては絶縁層、配線層及び半田接合部など多くの異種材料間に界面が存在し、各材料の線膨張係数が違うため、実装時のリフロー処理などの製造工程での温度履歴により界面応力を発生させ、剥離やクラック、ひいては配線回路の断線や腐食などを引き起こすことがある。
これらの剥離やクラックの問題を解決するために、導体金属表面を粗化するなどの手法が特許文献１などに提案されているが、高周波信号は配線表面を流れやすく（表皮効果という）、表面粗さが大きい配線では信号伝送損失が大きくなるという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６３４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、絶縁層及び配線層の剥離やクラックの発生を防止すると共に、表皮効果に基づく高周波伝送損失を低減する配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明により提供される配線基板は絶縁層及び配線層を有し、前記配線層は金属部からなり、金属部の厚さ方向の中間部位が、絶縁層との界面部位よりも気孔率が大きい多孔質金属からなることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一実施形態として、前記配線層を３層以上の金属層を含む金属部とし、絶縁層と接する層よりも内側の少なくとも１層の金属層を、絶縁層と接する金属層よりも気孔率が大きい多孔質金属により形成することができる。
【０００８】
前記多孔質金属の気孔率が５０％以上であることが好ましい。また、前記多孔質金属の平均気孔径が６００μｍ以下であることが好ましい。
前記多孔質金属は、発泡金属により形成しても良い。また、多孔質金属が２種以上の金属を含む複合金属からなるものであってもよい。さらに、前記発泡金属は発泡銅であることが好ましい。
【０００９】
本発明の一実施形態として、前記配線層が前記絶縁層と交互に積層され、かつ、配線層を２層以上有する多層配線板とすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、金属部からなる配線層内の厚さ方向の中間部位を、絶縁層の界面部位よりも気孔率が大きい多孔質金属で形成することにより、絶縁層と配線層との間の温度履歴による界面応力を低減させて、クラックや剥離の発生を防止することができる。
また本発明によれば、配線層と絶縁層との界面に接する配線層の表面を表面粗化しなくても、中間部位の多孔質金属によって配線層と絶縁層との間の界面応力を低減し、界面の密着性を充分に確保することができるので、配線層の表面を平滑に形成して表皮効果による伝送損失を阻止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明に係る配線基板は、絶縁層と交互に積層された配線層を１層又は２層以上有し、該配線層の少なくとも１層が金属部からなり、金属部の厚さ方向の中間部位が、絶縁層との界面部位よりも気孔率が大きい多孔質金属からなるものである。
【００１２】
図１は、本発明に係る配線基板の一例を示す模式的断面図である。図１の多層配線基板（１０１）は、第一の絶縁層である絶縁基板１の上に、回路パターン、グランド層、電源層等の導電性部位を形成する第一の配線層２が所定パターン状に設けられ、この第一の配線層を覆うように第二の絶縁層３が積層され、さらに、その上に、所定パターン状に形成された第二の配線層４、第三の絶縁層５、所定パターン状に形成された第三の配線層６、第四の絶縁層７、及び、第四の配線層８が、順次積層されている。
第二、第三及び第四の絶縁層３、５、７には、絶縁層の上下にそれぞれ設けられた配線層を電気的に接続するための貫通孔９が形成されており、これら貫通孔内に選択的に形成された導体によって、各層の配線層が所定位置で接続され、回路網が形成される。
【００１３】
最表面の配線層である第四の配線層は、ＩＣチップなどの各種電子部品１０を搭載するためのパッドや、シールド用導体膜、外部回路との接続端子としても用いられる。
この多層配線基板においては、第一、第二、第三及び第四の配線層２、４、６、８は、絶縁層との界面に接する第一の金属層（２ａ、４ａ、６ａ、８ａ）及び第三の金属層（２ｃ、４ｃ、６ｃ、８ｃ）を通常の緻密な金属により形成し、これら第一及び第三の金属層よりも気孔率が大きい多孔質金属からなる第二の金属層（２ｂ、４ｂ、６ｂ、８ｂ）を中間に挟む積層構造を有している。
【００１４】
上記多層配線基板１０１においては、配線層内の中間層である第二の金属層（２ｂ、４ｂ、６ｂ、８ｂ）を、その両面どちらの金属層よりも気孔率が大きい多孔質金属で形成することにより、絶縁層と配線層との間（又は配線層とＩＣ等の接合部材との間）の温度履歴による界面応力を低減させて、クラックや剥離の発生を防止することができる。
また、この多層配線基板１０１においては、配線層の表面層となって絶縁層との界面に接する第一の金属層（２ａ、４ａ、６ａ、８ａ）及び第三の金属層（２ｃ、４ｃ、６ｃ、８ｃ）を表面粗化しなくても、中間層である第二の金属層（２ｂ、４ｂ、６ｂ、８ｂ）によって配線層と絶縁層との間の界面応力を低減し、界面の密着性を充分に確保することができるので、配線層の表面を平滑に形成して、表皮効果による伝送損失（粗化表面による高周波信号の伝送損失）を阻止することができる。
【００１５】
以下に、上記多層配線基板１０１をビルドアップ工法により形成する方法の一例を図２を参照して説明する。
（１）  先ず、第一の絶縁層となる絶縁基板１を準備する。この絶縁基板や、後続の工程で積層される第二、第三及び第四の絶縁層として用いる絶縁材は、ビルドアップ工法に適するものであれば良く、各種の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を使用することができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、トリアジン、トリアゾール、シアネート、イソシアネート、ベンゾシクロブテン等の樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフォン、ポリキノリン、ポリノルボルネン、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー等の樹脂が挙げられる。これらを一種のみ又は複数種混合して用いても良く、また、シリカフィラー等の無機フィラー、レベリング剤、カップリング剤、消泡剤、硬化触媒等を添加しても良い。
【００１６】
特に、積層工程に最初から用いる絶縁基板としては、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板に代表されるようなガラスクロスやアラミド不織布等の補強繊維に樹脂を含浸させて硬化又は半硬化させたものを用いることが好ましい。第一の絶縁層である絶縁基板の厚さは、通常、０．０５〜３．５ｍｍ程度とする。
【００１７】
（２）  次に、絶縁基板１の上に第一の配線層の元となる金属部１１を積層する。金属部１１は、第一の金属層１１ａ、第二の金属層１１ｂ、第三の金属層１１ｃの３層からなり、厚さ方向の中間位置にある第二の金属層１１ｂは、界面側にある第一の金属層１１ａ及び第三の金属層１１ｃよりも気孔率が大きい多孔質金属により形成されている。金属部を形成する金属材料は、ビルドアップ工法において適するものであれば良いが、製造工程中で使用される薬液に対して耐性を有し、最終的にエッチングにより除去可能できるものであることが必要であり、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｍｇ等、或いは、これら例示の金属を２種以上含む複合金属が挙げられる。
【００１８】
金属部を構成する第一、第二及び第三の金属層は、各層とも全て同じ材料で形成されていてもよいし、各々が異なる材料であっても良い。
上記例示した金属材料のうち、第一及び第三の金属層（１１ａ、１１ｃ）のように絶縁層との界面に近い層、典型的には界面に隣接する層は、リフロー処理等の高温に対する耐熱性や電気伝導率等の観点から、Ａｇ、Ａｇ-Ｐｄ、Ａｇ-Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ-Ｍｎのような物理的・化学的特性に優れた金属材料を用いることが好ましい。通常、第一及び第三の金属層の厚さは、各々９〜１０００μｍ程度とする。また、本発明においては、第一及び第三の金属層の表面を粗化しなくても、界面の充分な密着性が得られるので、表面効果による高周波信号の伝送損失を防止する観点から、第一及び第三の金属層の表面粗さを２．５μｍ以下とすることが好ましい。
【００１９】
また、中間層である第二の金属層１１ｂを形成する多孔質金属としては、発泡金属を用いることが好ましい。
発泡金属の材料としては上記例示した金属材料が挙げられるが、金属部の厚さ方向の中間部位にある金属層であることから第一及び第三の金属層よりも耐熱性の低い材料であってもよく、導電性の高い材料で形成することができる。特に、第二の金属層を銅を主体とする金属（いわゆる発泡銅）で形成することにより、低抵抗で安定した配線層が得られる。配線層用の銅としては、純度９９．９９９％以上の実質的に単体銅のほか、他の成分を微量に添加したものも用いられることから、銅を９０％以上含有するものを用いればよい。
発泡金属等の多孔質金属としては、２種以上の金属を含む複合金属（典型的には合金）を用いても良く、その材料としては、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金、Ａｌ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｎｉ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ合金、Ａｌ−Ｚｎ合金、Ａｌ−Ｃｕ合金等が挙げられる。
【００２０】
多孔質金属の製造方法は、例えば、特開２００３−１５５５０３号公報、特開平９−１１１３１０号公報等に記載されている。
多孔質金属を製造する方法の一例としては、金属粉末と水溶性バインダーと界面活性剤と水を混合し、更に非水溶性有機溶剤を添加混合して、均一に分散分布させた成形体を成形し、この成形体を一定温度に保持することにより、成形体中の非水溶性有機溶剤を気化させ発泡体とし、この発泡体を高温で焼結することにより、気泡を覆うスケルトン部(骨格)で構成された多孔質金属体が得られる。また、上記発泡体に金属粉を坦持させた後に焼結することで、気孔率を調節してもよい。
水溶性バインダーとしては、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースアンモニウム、エチルセルロース、ポリビニルアルコール等を好適に用いることができる。
界面活性剤としては、アルキルベンゼンスルホン酸塩、α-オレフィンスルホン酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸エステル塩、アルカンスルホン酸塩等のアニオン系界面活性剤、ポリエチレングリコール誘導体、多価アルコール誘導体等の非イオン系界面活性剤等を例示することができる。
非水溶性有機溶剤としては、ネオペンタン、イソヘキサン、ヘプタン、イソヘプタン、ベンゼン、トルエン、オクタン等、炭素数５〜８の非水溶性炭素系有機溶剤を使用することができる。
【００２１】
第二の金属層１１ｂを形成する多孔質金属の気孔率は、界面応力を充分に低減させるために５０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。また、第二の金属層の強度を確保するために、多孔質金属の気孔率は９９％以下であることが好ましく、９５％以下であることがさらに好ましい。
また、第二の金属層の平均気孔径も界面応力の低減及び強度に影響する。その平均気孔径は６００μｍ以下の範囲とすることが好ましい。
適度な気孔率及び平均気孔径を有する発泡金属は三次元網目構造を有し、界面応力を低減させる効果が大きい。
第二の金属層の厚さも界面応力の低減に影響する。その厚さは、通常９〜１０００μｍ程度とする。
【００２２】
第一、第二及び第三の金属層を絶縁基板１上に積層して金属部を形成する方法としては、例えば、それぞれ所定の材料からなる金属シート、金属箔等の金属膜を熱プレスや加熱・加圧ローラーにより絶縁基板上に積層する方法があるが、特に限定されない。気孔率の異なる金属層を予め積層し一体化した金属部を絶縁基板上に積層してもよいし、気孔率の異なる金属膜を絶縁基板上に重ね合わせて一体化してもよい。具体例としては、銅箔、発泡銅シート、銅箔を、この順序で積層することによって、銅からなる第一及び第三の金属層の間に、発泡銅からなる第二の金属層が積層された金属部１１が形成される。
【００２３】
また、金属部の厚さ方向の気孔率分布が変化する金属部を形成する他の方法としては、特開平９−８７７０５号公報に記載された多孔質金属積層体の製造方法を適用することができる。この公報に記載された方法を適用する場合には、先ず、金属粉末を含有する発泡スラリーを調製し、これを用いて成形、乾燥する手順で、気孔率の異なる複数の板状成形体を作成する。
次に、これら気孔率の異なる複数の板状成形体を、金属部の厚さ方向の中間部位に気孔率の大きい板状成形体を配置するように重ね合わせて積層体を作成する。
次に、この積層体を焼成して一体化することにより、厚さ方向の気孔率分布が変化する複合金属シートを得る。
そして、この複合金属シートを絶縁基板１上に積層することにより、厚さ方向の気孔率分布が変化する金属部が形成される。
【００２４】
（３）  次に、金属部１１上にレジストフィルムの貼り付けやレジスト材料の塗布等、適宜の方法によりレジスト層１２を積層する。
（４）  そして、レジスト層１２上にパターンを焼付け、現像し、金属部の不要部分を塩化第二鉄溶液や塩化第二銅溶液等のエッチング液で除去し、エッチングレジストを剥離し、第一の配線層２を形成する。
【００２５】
（５）  次に、第一の配線層２上に第二の絶縁層３を形成する。第二の絶縁層３の形成方法としては、例えば、樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、或いは、ドライタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。第二の絶縁層３は、上記第一の絶縁層である絶縁基板１と同様の材料で形成すればよいが、その厚さは絶縁基板１よりも薄く、通常３５〜１０００μｍ程度とする。
【００２６】
（６）  次に、第二の絶縁層３上に、第一の配線層２を形成した手順と同様にして第一の金属層、第二の金属層、第三の金属層からなる金属部を積層し、エッチングにより第二の配線層４を形成する。
この段階では第二の絶縁層にさらに、第一の配線層２と第二の配線層４を電気的に接続するための貫通孔を形成する穴あけ部１３を形成する。
【００２７】
（７）  次に、第二の絶縁層の穴あけ部に、レーザー又はプラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング、ドリル等、適宜の方法により貫通孔９を形成して第一の配線層２を部分的に露出させ、導電性材料を用いて第一の配線層２と第二の配線層４を接続する。第一の配線層２と第二の配線層４を接続する方法としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、半田等の導電性金属を含有する導電ペーストをスクリーン印刷、ディスペンサー、ピン印刷等の塗布方法で貫通孔の位置に選択的に充填し、乾燥硬化させる方法や、無電解めっき又は／及び電解めっきの金属膜を貫通孔の位置に選択的に被着する方法が挙げられる。
【００２８】
（８）  このようにして配線層を２層有する多層配線基板が得られるが、上記（２）〜（７）の工程をさらに２回繰り返すことにより、配線層を４層有する多層配線基板１０１（図１）が得られる。また、最上層の配線層上には、ＩＣチップ等を必要に応じて設けても良い。
【００２９】
以上のようにして得られる多層配線基板１０１の例では、各配線層が気孔率の異なる金属層を３層含む金属部から形成しているが、気孔率の異なる金属層をさらに多く積層し、４層以上含む金属部を用いても良いし、金属部を用いる配線層を１層以上含めば、他の配線層は金属部を用いなくてもよい。
【００３０】
さらに本発明において、配線層は、上下両側の絶縁層との界面部位から厚さ方向の中間部位にかけて階段状に、又は、連続的に気孔率が大きくなる気孔率分布を有していればよく、気孔率の異なる金属層を積層して中間層の気孔率を大きくする上記手法には限定されない。従って、配線層の元となる金属部は、単層構造の金属材料層であってもよい。
また配線層は、通常、厚さ方向の中間部位において気孔率が極大値に達するワンピークの気孔率分布となるように設定するが、厳密に厚さ方向の中央位置で気孔率が最大値となっていなくてもよい。また、配線層の厚さ方向の気孔率変化はワンピークの分布でなくてもよく、複数のピークを有する分布であってもよい。
【００３１】
配線層の厚さ方向の気孔率変化がどのような分布をとる場合でも、中間部位を形成する多孔質金属は、界面応力を充分に低減させるために気孔率５０％以上の部分を有していることが好ましく、８５％以上の部分を有していることがさらに好ましい。また、中間部位の強度を確保するために、多孔質金属の気孔率は９９％以下であることが好ましく、９５％以下であることがさらに好ましい。
また、中間部位を形成する多孔質金属の平均気孔径は、６００μｍ以下の範囲とすることが好ましく、厚さ方向の気孔率変化がある場合には、特に上記気孔率が８５％以上の部分の平均気孔径が、この範囲内であることが好ましい。
多孔質金属からなる中間部位の厚さも界面応力の低減に影響し、厚さ方向の気孔率変化がある場合には、上記気孔率が８５％以上の部分の厚さが１０〜９００μｍ程度であることが好ましい。
【００３２】
以上説明した本発明に係る配線基板は、配線層と該配線層に隣接する絶縁層又は接続部材との間の界面応力を低減し、絶縁層及び配線層の剥離やクラックの発生を防止すると共に、表皮効果による高周波信号の伝送損失を低減することができるため、ノートＰＣ、携帯電話、デジタルビデオカメラ等の電子・電気機器の半導体集積回路用基板として好適に用いることができる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１）
第一の絶縁層としてガラスエポキシ基板（住友ベークライト（株）製ＥＬ−３７６３）を用いた。厚さ１００μｍの発泡銅シート（気孔率８０％、平均気孔径５０μｍ）を厚さ１０５μｍの銅箔で挟み熱プレスして複合シートを作製し、この複合シートを金属部として前記基板上に熱プレスにより積層した。積層した金属部上にドライフィルムレジストをラミネートし、所定パターンを焼付け、現像し、金属部の不要な部分を塩化第二銅溶液のエッチング液で除去し、ドライフィルムレジストを剥離させ、回路パターンを有する配線層を形成した。その後、配線層上に第二の絶縁層であるソルダーレジストを形成し、配線基板とした。
この配線基板の回路に５ＧＨｚの信号を印加することによって、その伝送損失を計測した結果は、−１５ｄＢ／ｍであった。
上記作製した配線基板を用いて、半田リフロー処理（２６０℃、３回）後、−５５℃で３０分、１２５℃３０分を１サイクルとする温度サイクル試験を５００サイクル実施し、配線基板の膨れ、剥離、クラック等の観察を行った。その結果、配線基板に膨れ、剥離、クラック等の発生がないことを確認した。
【００３５】
（実施例２）
第一の絶縁層としてガラスエポキシ基板（住友ベークライト（株）製ＥＬ−３７６３）を用いた。この基板上に厚さ１０５μｍの第一の銅箔、厚さ１００μｍの発泡銅シート（気孔率８０％、平均気孔径５０μｍ）、第一の銅箔と同様の第二の銅箔をこの順序で重ね、熱プレスにより積層して金属部を形成した。その後は実施例１と同様の手順で配線基板を作製した。
この配線基板の伝送損失を実施例１と同様の方法で計測した結果は、−１５ｄＢ／ｍであった。また、実施例１と同様の方法で温度サイクル試験を行った結果、配線基板に膨れ、剥離、クラック等の発生がないことを確認した。
【００３６】
（比較例１）
第一の絶縁層としてガラスエポキシ基板(住友ベークライト(株)製ＥＬ−３７６３)を用いた。この基板上に厚さ３００μｍの銅箔（発泡金属層を含まない緻密質の銅箔）を熱プレスにより積層した。その後は実施例１と同様の手順で配線基板を作製した。
この配線基板の伝送損失を実施例１と同様の方法で計測した結果は、−１５ｄＢ／ｍであった。また、実施例１と同様の方法で温度サイクル試験を行った。しかし結果は、配線基板に膨れ、剥離、クラック等の発生があることを確認した。
【００３７】
（比較例２）
樹脂接着面の表面粗さが５．０μｍ、厚さ３００μｍの銅箔を用いた以外は比較例１と同様の手順で、配線基板を作成した。この配線基板の回路に、実施例１よりも周波数の低い３．２ＧＨｚの信号を印加することによって、その伝送損失を計測した結果は、−１９ｄＢ／ｍであった。また、実施例１と同様の方法で温度サイクル試験を行った結果、配線基板に膨れ、剥離、クラック等の発生がないことを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る配線基板の一例を示す模式的断面図である。
【図２Ａ】本発明に係る配線基板の製造方法の一例（第一工程から第五工程）を説明する図である。
【図２Ｂ】本発明に係る配線基板の製造方法の一例（第六工程から第七工程）を説明する図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１：配線基板
１：絶縁基板
２：第一の配線層
３：第二の絶縁層
４：第二の配線層
５：第三の絶縁層
６：第三の配線層
７：第四の絶縁層
８：第四の配線層
９：貫通孔
１０：電子部品
１１：金属部
１２：レジスト層
１３：穴あけ部
【図１】
2006173399.tif 000003
【図２Ａ】
2006173399.tif 000004
【図２Ｂ】
2006173399.tif 000005