(57)【要約】【課題】  反射屈折系や反射系のような投影光学系を用いる場合に、アライメント精度を高めることができる露光装置を提供する。【解決手段】  反射屈折系よりなる投影光学系ＰＬの露光領域３３の中心が、投影光学系ＰＬの光軸に対して−Ｙ方向側にずれているときに、投影光学系ＰＬに対して−Ｙ方向側の側面に、ウエハＷのアライメント用のアライメントセンサ４３を配置する。ウエハＷを保持するウエハステージ３５とは独立に、ベースライン量計測用の基準マークの形成された計測用ステージ３６を用いる。【選択図】        図２
2006203001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光ビームで第１物体を照明し、前記第１物体を介した前記露光ビームで第２物体を露光する露光装置において、
露光領域の中心が光軸に対して所定方向にずれた状態で、前記第１物体のパターンの像を前記第２物体上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系に対して前記所定方向にずれた方向に配置されて、前記第２物体の位置を計測するアライメント系とを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記投影光学系は、反射屈折系又は反射系であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記露光領域と前記アライメント系との位置関係を計測する計測機構をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記計測機構は、
前記露光領域及び前記アライメント系の位置をそれぞれ計測するための第１及び第２マークが、前記露光領域と前記アライメント系の検出領域との間隔よりも狭い間隔で形成された計測用ステージと、
前記計測用ステージを前記所定方向に移動する駆動機構とを有することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記計測用ステージは、前記第２物体が載置される露光用ステージとは別体であることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記露光装置は、前記所定方向を走査方向とする走査露光型の露光装置であるとともに、
前記投影光学系と前記第２物体との間に液体を供給する液体供給機構をさらに備えたことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
露光ビームで第１物体を照明し、前記第１物体を介した前記露光ビームで第２物体を露光する露光方法であって、
露光領域の中心が光軸に対して所定方向にずれた状態の投影光学系に対し、前記所定方向にずれた方向に配置されたアライメント系を用いて、前記第２物体の位置を計測する第１工程と、
前記第１工程の計測結果に基づいて前記第１物体と前記第２物体との位置合わせを行う第２工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
前記投影光学系は、反射屈折系又は反射系であることを特徴とする請求項７に記載の露光方法。
【請求項９】
前記投影光学系と前記アライメント系との位置関係を計測する第３工程をさらに有し、前記第３工程の計測結果を前記第２工程で用いることを特徴とする請求項７又は８に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体デバイス、撮像素子（ＣＣＤ等）、及び液晶ディスプレイ等の各種デバイスを製造するためのリソグラフィ工程で使用されて、アライメント系と投影光学系とを用いる露光技術に関し、特にその投影光学系が反射屈折系や反射系である場合に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程の一つであるリソグラフィ工程においては、マスクとしてのレチクル（又はフォトマスク等）に形成されているパターンを基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に転写露光するために、露光装置が使用されている。露光装置としては、ステッパー等の一括露光型（静止露光型）の投影露光装置やスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）などが使用されている。
【０００３】
これらの露光装置においては、半導体デバイスのパターンの微細化に対応して解像力を高めるために、露光波長の短波長化が進んでおり、現在は露光ビームとしてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などのエキシマレーザ光が主に使用されている。さらに短波長である波長１５７ｎｍのＦ2 レーザ等の使用も検討されている。
【０００４】
また、デバイスパターンの微細化に対応して、重ね合わせ精度も高める必要があるため、露光装置においてはウエハのアライメント精度の向上も求められている。ウエハのアライメントは、例えば投影光学系の側面に配置されたオフ・アクシス方式でＦＩＡ（Field Image Alignment)方式のアライメントセンサを用いて行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
さらに、露光装置に搭載される投影光学系は、従来は殆ど屈折系（ジオプトリック系）であったが、最近では短波長化に伴う色収差の補正を良好に行うために、屈折光学素子（レンズ素子）と反射光学素子（特に凹面鏡）との組み合わせで構成した反射屈折系（カタジオプトリック系）の使用も検討されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平７−１８３１８６号公報
【特許文献２】国際公開第０１／０６５２９６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の如く反射屈折系よりなる投影光学系を用いる場合にも、ウエハのアライメント精度を高める必要がある。しかしながら、反射屈折系の光学系は、物体面と像面との間隔は比較的狭くなっているが、鏡筒の側面の一部が張り出したような構造となる。そのため、アライメント精度を高くするために、投影光学系の側面にどのような配置でオフ・アクシス方式のアライメントセンサを配置するかが問題となる。
【０００７】
また、最近では波長１〜１００ｎｍ程度のＥＵＶ光（Extreme Ultraviolet Light ）を用いる露光装置の開発も行われている。ＥＵＶ光を用いる場合には、照明系や投影光学系は複雑な配置の反射系となる。この場合にも、アライメント精度を高くするために、反射系よりなる投影光学系とアライメントセンサとをどのように配置したらよいのかが問題となる。
【０００８】
さらに、露光装置においては、露光工程のスループットを高めることも求められている。
本発明は斯かる点に鑑み、例えば反射屈折系や反射系のような投影光学系を用いる場合に、アライメント精度を高めることができる露光技術を提供することを第１の目的とする。
【０００９】
また、本発明は、そのような投影光学系を用いる場合に、アライメント精度を高めることができるとともに、露光工程のスループットを向上できる露光技術を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による露光装置は、露光ビームで第１物体（Ｒ）を照明し、その第１物体を介したその露光ビームで第２物体（Ｗ）を露光する露光装置において、露光領域（３３）の中心が光軸（ＡＸ）に対して所定方向（−Ｙ方向）にずれた状態で、その第１物体のパターンの像をその第２物体上に投影する投影光学系（ＰＬ）と、その投影光学系に対してその所定方向にずれた方向に配置されて、その第２物体の位置を計測するアライメント系（４３）とを備えたものである。
【００１１】
本発明は、反射屈折系や反射系の投影光学系は、露光領域である結像特性の良好な範囲の中心が、光軸からずれている傾向があることを利用するものである。即ち、そのように露光領域の中心が光軸から所定方向にずれているときに、その投影光学系に対してその所定方向側にそのアライメント系を配置することによって、そのアライメント系の検出中心から露光領域の中心までの距離（ほぼいわゆるベースライン量に等しい）が短くなる。従って、高いアライメント精度が得られると共に、アライメント系での検出から、露光に至る第２物体の移動時間を低減することができる。
【００１２】
本発明において、その投影光学系が反射屈折系又は反射系であるときには、本発明が適用しやすい。
また、その露光領域とそのアライメント系との位置関係を計測する計測機構（３６，４１）をさらに備えてもよい。その計測機構を用いて、例えば定期的にその位置関係を計測し、この計測結果を用いてそのアライメント系の計測値を補正することで、アライメント精度を高く維持できる。
【００１３】
また、一例として、その計測機構は、その露光領域及びそのアライメント系の位置をそれぞれ計測するための第１マーク（５２Ａ，５２Ｂ）及び第２マーク（５３）が、その露光領域とそのアライメント系の検出領域との間隔よりも狭い間隔で形成された計測用ステージ（３６）と、その計測用ステージをその所定方向に移動する駆動機構（４１）とを有する。これによって、その計測用ステージを小型化できる。
【００１４】
また、一例として、その計測用ステージは、その第２物体が載置される露光用ステージ（３５）とは別体である。これによって、例えばその計測用ステージを用いた計測中に、その露光用ステージではその第２物体の交換等を行うことができるため、スループットが向上できる。
また、一例として、その露光装置は、その所定方向を走査方向とする走査露光型の露光装置であるとともに、その投影光学系とその第２物体との間に液体を供給する液体供給機構（４４Ａ，４４Ｂ）をさらに備えてもよい。走査露光型であれば、露光領域が光軸からずれたスリット状の領域であっても、大面積のマスクパターンを露光できる。また、液浸型である場合には、解像力や焦点深度を改善できる。
【００１５】
次に、本発明による露光方法は、露光ビームで第１物体（Ｒ）を照明し、その第１物体を介したその露光ビームで第２物体（Ｗ）を露光する露光方法であって、露光領域（３３）の中心が光軸（ＡＸ）に対して所定方向（−Ｙ方向）にずれた状態の投影光学系（ＰＬ）に対し、その所定方向にずれた方向に配置されたアライメント系（４３）を用いて、その第２物体の位置を計測する第１工程と、その第１工程の計測結果に基づいてその第１物体とその第２物体との位置合わせを行う第２工程とを有するものである。
【００１６】
本発明によれば、その露光領域の中心とそのアライメント系の検出中心との間隔が狭いため、アライメント精度が向上する。
本発明において、一例として、その投影光学系は反射屈折系又は反射系である。
また、一例として、その投影光学系とそのアライメント系との位置関係を計測する第３工程をさらに有し、その第３工程の計測結果をその第２工程で用いてもよい。例えば定期的にその第３工程を実施することで、アライメント精度を高く維持できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、露光領域の中心とアライメント系の検出中心との間隔を短くできるため、アライメント精度が向上すると共に、アライメント系での検出から露光に至る第２物体の移動時間を低減することができる。
また、投影光学系が反射屈折系又は反射系である場合には、結像特性の良好な範囲の中心が光軸からずれている傾向があるため、本発明を適用しやすい。
また、計測用ステージが、第２物体が載置される露光用ステージとは別体である場合には、露光領域とアライメント系との位置関係の計測と、露光用ステージ上の物体の交換等とを並行に実行できるため、露光工程のスループットを向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図面を参照して説明する。本例は、スキャニングステッパーよりなる走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）に本発明を適用したものである。
図１は、本例の投影露光装置の概略構成を示す図であり、この図１において、投影露光装置を収納するチャンバーは省略されている。図１において、露光光源としてＡｒＦエキシマレーザ光源１（発振波長１９３ｎｍ）が使用されている。その露光光源としては、その他のＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）やＦ2 レーザ（波長１５７ｎｍ）のような発振段階で紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からの近赤外域のレーザ光を波長変換して得られるほぼ真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、或いはこの種の露光装置でよく使われている水銀放電ランプ等も使用できる。
【００１９】
図１において、ＡｒＦエキシマレーザ光源１からの波長１９３ｎｍで狭帯化された紫外パルス光よりなる露光光ＩＬ（露光ビーム）は、投影露光装置本体との間で光路を位置的にマッチングさせるための可動ミラー等を含むビームマッチングユニット（ＢＭＵ）２を通り、遮光性のパイプ５内を通過して光アッテネータとしての可変減光器６に入射する。ウエハ上のレジストに対する露光量を制御するための露光コントローラ２４が、ＡｒＦエキシマレーザ光源１の発光の開始及び停止、並びに発振周波数及びパルスエネルギーで定まる出力を制御すると共に、可変減光器６における露光光に対する減光率を段階的又は連続的に調整する。
【００２０】
可変減光器６を通った露光光ＩＬは、所定の光軸に沿って配置されるレンズ系７Ａ，７Ｂよりなるビーム整形光学系を経てオプティカル・インテグレータとしてのフライアイレンズ１１に入射する。フライアイレンズ１１の射出面には照明系の開口絞り系１２が配置されている。開口絞り系１２には、通常照明用の円形の開口絞り、複数の偏心した小開口よりなる変形照明用の開口絞り、及び輪帯照明用の開口絞り等が切り換え自在に配置されている。フライアイレンズ１１から射出されて開口絞り系１２中の所定の開口絞りを通過した露光光ＩＬは、透過率が高く反射率が低いビームスプリッタ８に入射する。ビームスプリッタ８で反射された紫外パルス光は、光電検出器よりなるインテグレータセンサ９に入射し、インテグレータセンサ９の検出信号は露光コントローラ２４に供給されている。
【００２１】
ビームスプリッタ８の透過率及び反射率は予め高精度に計測されて、露光コントローラ２４内のメモリに記憶されており、露光コントローラ２４は、インテグレータセンサ９の検出信号より間接的に投影光学系ＰＬに対する露光光ＩＬの入射光量、及びその積算値をモニタできるように構成されている。
ビームスプリッタ８を透過した露光光ＩＬは、光路折り曲げ用のミラー１３で反射されてから、コンデンサレンズ系１４を経てレチクルブラインド機構１６内の固定照明視野絞り（固定ブラインド）１５Ａに入射する。固定ブラインド１５Ａは、投影光学系ＰＬの視野とほぼ共役な領域内で、走査方向と直交した非走査方向に直線スリット状、円弧状、又は矩形状（以下、まとめて「スリット状」と言う）に伸びるように配置された開口部を有する。更に、レチクルブラインド機構１６内には、固定ブラインド１５Ａとは別に照明領域の走査方向の幅を可変とするための可動ブラインド１５Ｂが設けられ、この可動ブライント１５Ｂによってレチクルステージの走査移動ストロークの低減、レチクルＲの遮光帯の幅の低減を図っている。可動ブラインド１５Ｂの開口率の情報は露光コントローラ２４にも供給され、インテグレータセンサ９の検出信号から求められる入射光量にその開口率を乗じた値が、投影光学系ＰＬに対する実際の入射光量となる。
【００２２】
レチクルブラインド機構１６の固定ブラインド１５Ａでスリット状に整形された露光光ＩＬは、結像用レンズ系１７、光路折り曲げ用のミラー１８、及び主コンデンサレンズ系１９を介して、マスクとしてのレチクルＲの回路パターン領域で固定ブラインド１５Ａのスリット状の開口部と相似な照明領域３１を一様な強度分布で照射する。即ち、固定ブラインド１５Ａの開口部、又は可動ブラインド１５Ｂの開口部の配置面は、結像用レンズ系１７と主コンデンサレンズ系１９との合成系によってレチクルＲのパターン面とほぼ共役となっている。可変減光器６から主コンデンサレンズ系１９までの部材を含んで照明光学系３が構成され、照明光学系３はサブチャンバ４５内に収納されている。本例の露光光ＩＬはＡｒＦエキシマレーザで通常の空気では吸収量が大きいため、サブチャンバ４５内には配管４６を介して露光光ＩＬを透過する気体である窒素ガス（Ｎ2)が供給されている。なお、窒素ガスの代わりに、ドライエアーやヘリウム等の不活性ガスも使用できる。
【００２３】
レチクルＲに形成された回路パターン領域のうち、露光光ＩＬによって照射される照明領域３１内の部分の像は、両側（又は片側）テレセントリックで投影倍率βが縮小倍率の投影光学系ＰＬを介して、基板（感応基板）としてのフォトレジストが塗布されたウエハＷ上の露光領域３３に結像投影される。一例として、投影光学系ＰＬの投影倍率βは１／４である。レチクルＲ及びウエハＷはそれぞれ第１物体及び第２物体とみなすこともできる。
【００２４】
本例の投影光学系ＰＬは反射屈折系であり、その詳細な構成の一例は例えば国際公開第０１／０６５２９６号パンフレット（対応する米国特許出願公開第２００３／００１１７５５Ａ１号明細書）に開示されている。以下、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ軸を、図１の紙面に平行な方向にＹ軸を取って説明する。本例では、−Ｚ方向がほぼ鉛直下方で、ＸＹ平面がほぼ水平面に平行であり、Ｙ軸に沿った方向（Ｙ方向）が、走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向であり、レチクルＲ上の照明領域３１及びそれと共役なウエハＷ上の露光領域３３は、それぞれ非走査方向であるＸ軸に沿った方向（Ｘ方向）に細長い形状である。
【００２５】
図１に簡略化して示すように、投影光学系ＰＬは、レチクルＲ上の照明領域３１内のパターンの縮小された像３２Ａを形成する第１屈折光学系２７と、この第１屈折光学系２７からの光束をほぼ−Ｙ方向に折り曲げる第１の反射面と、後述する凹面鏡２９からの光束をほぼ−Ｚ方向に折り曲げる第２の反射面とを有する反射光学素子２８と、この反射光学素子２８からの光束を反射光学素子２８側に反射して像３２Ｂを形成する凹面鏡２９と、その像３２Ｂを経て反射光学素子２８によってほぼ−Ｚ方向に反射された光束を集光して、ウエハＷ上の露光領域３３にその像３２Ｂの縮小像を形成する第２屈折光学系３０とを鏡筒２６内に配置して構成されている。屈折光学系２７及び３０の光軸は光軸ＡＸと合致しており、反射光学素子２８及び凹面鏡２９の光軸はＹ軸に平行であり、照明領域３１内のパターンと、露光領域３３内の像とは方向が同じである。また、反射光学素子２８と凹面鏡２９とは対向しており、反射光学素子２８が＋Ｙ方向側に、凹面鏡２９が−Ｙ方向側に配置されており、鏡筒２６の−Ｙ方向側の側面の一部２６ａが突き出るような形になっている。
【００２６】
この構成では、凹面鏡２９に入射する像３２Ａからの光束と、凹面鏡２９で反射されて像３２Ｂを形成する光束とがＺ方向に分離されているため、レチクルＲ上の照明領域３１の中心は光軸ＡＸに対して−Ｙ方向にずれており、ウエハＷ上の露光領域３３の中心も光軸ＡＸに対して−Ｙ方向（本発明の所定方向に対応し、本例では走査方向に平行である）にΔＹだけずれている。一例として、露光領域３３のＹ方向の幅（スリット幅）を５〜１０ｍｍとすると、そのずれ量ΔＹはそのスリット幅の１／２を或る程度（例えば１ｍｍ程度）超える長さである。また、投影光学系ＰＬの鏡筒２６内にも、配管４７を介して露光光ＩＬを透過する気体である窒素ガス、あるいはヘリウム等の不活性ガスが供給されている。
【００２７】
なお、投影光学系ＰＬとして、特開２０００−４７１１４号公報（対応する米国特許第６，４９６，３０６号明細書）に開示されている反射屈折系を使用する場合にも本発明が適用できる。
次に、本例の投影露光装置のステージ系及びアライメント系について説明する。
先ず、投影光学系ＰＬの物体面側に配置されるレチクルＲは、走査露光時にレチクルベース２１上をエアベアリングを介して少なくともＹ方向に定速移動するレチクルステージ２０（第１ステージ）に吸着保持されている。レチクルステージ２０の移動座標位置（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びＺ軸の周りの回転角）は、レチクルステージ２０に固定された移動鏡（不図示）と、これに対向して配置された複数のレーザ干渉計よりなるレチクル干渉計システム（不図示）とで逐次計測され、その移動はリニアモータや微動アクチュエータ等で構成される駆動系２２によって行われる。なお、そのレチクル干渉計システムは、実際には少なくともＸ方向に１軸及びＹ方向に２軸の３軸のレーザ干渉計を構成しており、その計測情報は装置全体の動作を統轄制御する主制御系２３内のステージ制御部及び統轄制御部に供給され、そのステージ制御部はその計測情報及びその統轄制御部からの制御情報（入力情報）に基づいて、駆動系２２の動作を制御する。
【００２８】
一方、投影光学系ＰＬの像面側に配置されるウエハＷは、ウエハホルダ３４を介してウエハステージ３５（第２ステージ）上に吸着保持され、ウエハステージ３５は、走査露光時に少なくともＹ方向に定速移動できるとともに、Ｘ方向及びＹ方向にステップ移動できるように、エアベアリングを介してウエハベース３７上に載置されている。ウエハステージ３５には、露光領域３３を含む所定領域内の複数の計測点でのフォーカス位置を計測する多点オートフォーカスセンサ（不図示）の計測値に基づいて、ウエハＷのＺ方向の位置（フォーカス位置）と、Ｘ軸及びＹ軸の周りの傾斜角とを制御するＺレベリング機構も備えられている。
【００２９】
また、投影光学系ＰＬの−Ｙ方向の側面、即ち露光領域３３の中心が光軸ＡＸに対してずれている方向の側面に、オフ・アクシス方式でＦＩＡ（Field Image Alignment)方式のアライメントセンサ（第２物体用のアライメント系）４３が配置されている。アライメントセンサ４３は、例えばライトガイド（不図示）等で導かれる広帯域の照明光で被検マークを照明し、被検マークの像と内部の指標マークの像とに対応する画像信号をアライメント処理系２５に供給する。ＦＩＡ方式のアライメントセンサの詳細な構成の一例は、例えば特開平７−１８３１８６号公報に開示されている。アライメント処理系２５には、ウエハステージ３５及び後述の計測用ステージ３６の移動座標の情報も供給されている。アライメント処理系２５では、その画像信号を画像処理してその指標マークの像の中心に対するその被検マークの像の中心のＸ方向、Ｙ方向に対応する方向の位置ずれ量を求め、この位置ずれ量にそのときのステージの移動座標を加算することによって、その被検マークのＸ方向、Ｙ方向の座標を算出する。この場合、アライメントセンサ４３の視野４３Ｆ（図３参照）内において、その指標マークに対する共役像の中心Ｂがアライメントセンサ４３の検出中心（被検マークの計測される位置ずれ量が（０，０）となる位置）となる。
【００３０】
図２は、図１中のステージ系、投影光学系ＰＬ、及びアライメントセンサ４３の位置関係を示し、この図２において、ウエハＷの上面はＸ方向、Ｙ方向に所定ピッチで多数のショット領域ＳＡ（図２では代表的に１つのショット領域を示している）に分割され、各ショット領域ＳＡにはそれぞれアライメントマークとしてのＸ軸のウエハマークＷＭＸ及びＹ軸のウエハマークＷＭＹが付設されている。そして、アライメントセンサ４３によって、ウエハＷ上の所定のウエハマークの座標を計測することによって、ウエハＷのアライメントが行われる。
【００３１】
一例として、アライメント処理系２５では、ウエハＷ上の所定配置の複数のウエハマークの座標を統計処理することによって、エンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）方式でウエハＷ上の全部のショット領域の配列座標の算出を行う。また、予め後述のようにアライメントセンサ４３の検出中心Ｂと露光中心（通常は露光領域３３の中心にほぼ等しい）との間隔であるベースライン量が計測されており、そのベースライン量の情報もアライメント処理系２５内に記憶されている。アライメント処理系２５では、そのウエハＷ上の全部のショット領域の配列座標をそのベースライン量で補正して求めた配列座標の情報を、主制御系２３内の統轄制御部に供給する。これでウエハＷのアライメントが完了する。
【００３２】
また、図１において、ウエハベース３７上に、ウエハステージ３５（露光用ステージ）とは独立に、レチクルのアライメント及びベースライン量（露光領域３３とアライメントセンサ４３との位置関係）の計測を行うための計測用ステージ３６もエアベアリングを介してＸ方向、Ｙ方向に移動自在に載置されている。計測用ステージ３６の上面には所定の基準マークが形成された基準マーク板３８が固定され、基準マーク板３８を含む空間像計測系４８（詳細後述）が計測用ステージ３６内に組み込まれている。基準マーク板３８の上面は投影光学系ＰＬの像面と同じ高さに設定されている。後述のように本例の投影露光装置は液浸型であり、基準マーク板３８の上面を矩形の枠で囲んだ領域が、液体が供給される水没エリア３６ａとされている。
【００３３】
ウエハステージ３５及び計測用ステージ３６はそれぞれ不図示のＸ軸ガイドに沿ってリニアモータによってＸ方向に駆動されるとともに、それらのＸ軸ガイドが不図示のＹ軸ガイドに沿ってリニアモータによってＹ方向（所定方向）に駆動されるように構成されている。それらのリニアモータを含む駆動機構が駆動系４１として表されている。計測用ステージ３６及び駆動系４１（駆動機構）が、露光領域とアライメント系との位置関係を計測する計測機構に対応している。また、主制御系２３内のステージ制御部が駆動系４１の動作を制御するためには、ウエハステージ３５及び計測用ステージ３６の移動座標位置（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びＺ軸等の周りの回転角）を計測する必要がある。そのため、ウエハステージ３５の−Ｘ方向及び−Ｙ方向の側面には平面鏡よりなる移動鏡（不図示）が固定され、計測用ステージ３６の−Ｘ方向の側面、＋Ｙ方向の側面、及び−Ｙ方向の側面にも平面鏡よりなる移動鏡（不図示）が固定されている。ただし、移動鏡を用いる代わりに、各ステージの鏡面加工された側面を移動鏡として用いてもよい。
【００３４】
図２は、ウエハステージ３５及び計測用ステージ３６の移動座標位置を計測するためのウエハ干渉計システムをも示し、この図２においては、レチクルＲのアライメント及びベースライン量の計測を行うために、投影光学系ＰＬの下方に計測用ステージ３６が位置しており、ウエハステージ３５は、ウエハベース３７上の＋Ｘ方向及び−Ｙ方向の端部のウエハのローディングポジションＬＰに位置している。また、ウエハＷへの露光を行うために、ウエハステージ３５が投影光学系ＰＬの下方に移動したときには、計測用ステージ３６は＋Ｙ方向の待避位置に移動する。
【００３５】
図２において、Ｘ座標計測用として、ウエハベース３７の−Ｘ方向の端部上方の中央にレーザ干渉計４２ＡＸが配置され、これをＹ方向に挟むようにレーザ干渉計４２ＢＸ及び４２ＣＸが配置されている。中央のレーザ干渉計４２ＡＸは、Ｙ方向に所定間隔だけ離れた２軸の計測ビームＬＸ１及びＬＸ２を＋Ｘ方向に照射し、レーザ干渉計４２ＢＸは計測ビームＬＸ３を＋Ｘ方向に照射し、レーザ干渉計４２ＣＸは計測ビームＬＸ４を＋Ｘ方向に照射する。この場合、計測ビームＬＸ１を延長した直線は露光領域３３の中心を通りＺ軸に平行な直線とほぼ交差している。そして、中央のレーザ干渉計４２ＡＸは、投影光学系ＰＬの下方に位置しているウエハステージ３５又は計測用ステージ３６のＸ座標、及びＺ軸の周りの回転角θＺ１を計測し、レーザ干渉計４２ＢＸ及び４２ＣＸは、それぞれ−Ｙ方向のローディングポジションＬＰに移動しているウエハステージ３５及び＋Ｙ方向の待避位置に移動している計測用ステージ３６のＸ座標を計測する。
【００３６】
また、Ｙ座標計測用として、ウエハベース３７の−Ｙ方向及び＋Ｙ方向の端部上方にそれぞれレーザ干渉計４２ＡＹ及び４２ＢＹが配置され、レーザ干渉計４２ＡＹは、Ｘ方向に所定間隔だけ離れた２軸の計測ビームＬＹ１及びＬＹ２を＋Ｙ方向に照射するとともに、１軸の計測ビームＬＹ３をウエハステージ３５に向けて＋Ｙ方向に照射し、レーザ干渉計４２ＢＹは、２軸の計測ビームＬＹ４及びＬＹ５を計測用ステージ３６に対して−Ｙ方向に照射する。２軸の計測ビームＬＹ１及びＬＹ２の中心を通る直線、及び２軸の計測ビームＬＹ４及びＬＹ５の中心を通る直線は、それぞれ露光領域３３の中心を通りＺ軸に平行な直線とほぼ交差している。そして、計測ビームＬＹ１及びＬＹ２によって、投影光学系ＰＬの下方に位置しているウエハステージ３５又は計測用ステージ３６のＹ座標、及びＺ軸の周りの回転角θＺ２が計測され、計測ビームＬＹ３によってローディングポジションＬＰにあるウエハステージ３５のＹ座標が計測され、計測ビームＬＹ４及びＬＹ５によって、待避中の計測用ステージ３６のＹ座標及びＺ軸の周りの回転角θＺ３が計測される。
【００３７】
この構成では、一例としてレーザ干渉計４２ＡＸ及び４２ＡＹで計測されるＺ軸の周りの回転角θＺ１及びθＺ２の平均値が、計測対象のステージのＺ軸の周りの回転角となる。さらに、レーザ干渉計４２ＡＸ及び４２ＡＹは、実際には更にＹ軸及びＸ軸の周りの回転角計測用の計測ビームも発生している。図２のＸ軸のレーザ干渉計４２ＡＸ，４２ＢＸ，４２ＣＸ及びＹ軸のレーザ干渉計４２ＡＹ，４２ＢＹからウエハ干渉計システムが構成され、ウエハ干渉計システムの計測情報は図１の主制御系２３内のステージ制御部及び統轄制御部に供給され、そのステージ制御部はその計測情報及びその統轄制御部からの制御情報に基づいて、駆動系４１の動作を制御する。さらに、Ｘ軸のレーザ干渉計４２ＡＸ及びＹ軸のレーザ干渉計４２ＡＹの計測情報は図１のアライメント処理系２５にも供給されている。
【００３８】
また、本例の投影露光装置は液浸型であり、投影光学系ＰＬを走査方向に挟むように、投影光学系ＰＬとウエハＷ（又は基準マーク板３８）との間に純水等の液体を供給するための１対の液体供給回収装置４４Ａ及び４４Ｂ（液体供給機構）が配置されている。走査露光中及びレチクルＲのアライメント中には、液体供給回収装置４４Ａ及び４４Ｂから投影光学系ＰＬと対向する物体との間に液体が供給される。これによって、解像力や焦点深度が改善される。なお、液体供給回収装置４４Ａ及び４４Ｂの詳細な構成は、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。
【００３９】
本例の図１の主制御系２３内のステージ制御部は、レチクル干渉計システムによる計測情報に基づいて駆動系２２を最適に制御するレチクル側制御部と、図２のウエハ干渉計システムによる計測情報に基づいて駆動系４１を最適に制御するウエハ側制御部とを含み、走査露光時にレチクルＲとウエハＷとを同期走査するときは、その両方の制御部が各駆動系２２，４１を協調制御する。
【００４０】
そして、図１において、ウエハＷの露光時には、先ず上述のようにアライメントセンサ４３を用いてウエハＷのアライメントが行われる（第１工程）。この後は、ウエハＷ上の露光対象のショット領域（又はこのショット領域に既に形成されている回路パターン）とレチクルＲ上の回路パターンの投影像とが重なり合った状態で、照明領域３１及び露光領域３３に対してそれぞれレチクルＲ及びウエハＷが走査されるようにレチクルステージ２０及びウエハステージ３５が駆動される。即ち、レチクルＲへの露光光ＩＬの照射を開始して、レチクルＲのパターンの一部の投影光学系ＰＬを介した像をウエハＷ上の一つのショット領域に投影した状態で、レチクルステージ２０とウエハステージ３５とを投影光学系ＰＬの投影倍率βを速度比として＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に同期して移動（同期走査）する走査露光動作によって、そのショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される（第２工程）。その後、露光光ＩＬの照射を停止して、ウエハステージ３５を介してウエハＷをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動する動作と、上記の走査露光動作とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の全部のショット領域にレチクルＲのパターン像が転写される。
【００４１】
次に、図１の計測用ステージ３６に設けられた空間像計測系４８の構成、レチクルのアライメント、及びベースライン量の計測動作（第３工程）につき詳細に説明する。
先ず、図２に示すように、レチクルＲのパターン領域のＹ方向の中央部にはＸ方向（非走査方向）に沿って２箇所にアライメントマークとしての２次元のレチクルマーク５１Ａ及び５１Ｂが形成され、レチクルマーク５１Ａ及び５１Ｂの中心（マーク５１Ａの中心とマーク５１Ｂの中心とを結んだ距離の１／２の位置）がレチクルＲ上に形成された回路パターン（転写用のパターン）の中心（又は所定の基準点）に合致している。レチクルＲのアライメント時及びベースライン量の計測時には、そのレチクルマーク５１Ａ及び５１Ｂの中心が露光光ＩＬの照明領域３１のほぼ中心に配置された状態で、レチクルステージ２０が静止する。このとき、投影光学系ＰＬによる露光領域３３内には、図３に示すようにレチクルマーク５１Ａの像５１ＡＰ及びレチクルマーク５１Ｂの像５１ＢＰが投影され、像５１ＡＰ及び像５１ＢＰの中心が本例の露光中心Ａとなる。露光中心Ａは露光領域３３の外形基準の中心にほぼ合致している。
【００４２】
図３は、図１の投影光学系ＰＬの像面の状態及び計測用ステージ３６を示す平面図であり、この図３において、図２の投影光学系ＰＬによる露光領域３３の中心は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して−Ｙ方向にΔＹだけずれている。そのため、レチクルマークの像５１ＡＰ及び５１ＢＰの像の中心である露光中心Ａも光軸ＡＸに対して−Ｙ方向にほぼΔＹだけずれている。この際に、図２のアライメントセンサ４３の検出可能な視野４３Ｆ内のほぼ中心に検出中心Ｂが設定されている。露光中心Ａの設計上の位置のＸ座標は、検出中心ＢのＸ座標に等しく設定されているが、実際には、レチクルＲの位置決め誤差があるために、それらのＸ座標は通常は僅かに異なっている。露光中心Ａと検出中心ＢとのＹ方向の間隔ＢＬＹがＹ方向のベースライン量であり、それらのＸ方向の間隔（本例では殆ど０である）がＸ方向のベースライン量である。Ｘ方向のベースライン量をほぼ０であるとすると、ベースライン量の絶対値はほぼＢＬＹに等しくなる。
【００４３】
これに対して、仮に露光領域３３が光軸ＡＸに対して＋Ｙ方向側の位置Ｐ４にあるものとすると、新たな露光中心は光軸ＡＸに対して＋Ｙ方向にほぼΔＹだけずれるため、新たなＹ方向のベースライン量をＢＬＹ’とすると、ＢＬＹ’は次のように本例のベースライン量ＢＬＹよりも２×ΔＹだけ長くなる。
ＢＬＹ’＝ＢＬＹ＋２×ΔＹ    …（１）
従って、本例のように中心が光軸ＡＸに対してずれている露光領域３３に対して、そのずれた方向にアライメントセンサ４３を配置することによって、そのずれた方向におけるベースライン量ＢＬＹが最も短くなり、ベースライン量の絶対値も最も短くなる。また、ベースライン量の絶対値が長くなる程、ベースライン量の計測誤差は大きくなり、アライメントセンサ４３の計測値によって求められたウエハ上の各ショット領域の配列座標をそのベースライン量で補正して得られる座標も誤差が大きくなる。従って、本例のようにベースライン量が最も短くなる配置を採用することによって、ウエハの各ショット領域の座標の計測精度が向上し、ウエハのアライメント精度が向上する。そのため、重ね合わせ精度も向上する。
【００４４】
また、図３において、計測用ステージ３６の上面の基準マーク板３８の表面にＸ方向に細長いマーク領域５５が形成され、マーク領域５５内のＸ方向の両端部に遮光膜を背景としてＸ方向及びＹ方向に伸びるスリットを組み合わせた開口パターン５２Ａ及び５２Ｂ（第１マーク）が形成されている。マーク領域５５の中心は、基準マーク板３８の上面に設定された水没エリア３６ａの中心５４から−Ｙ方向にΔＹ（露光領域３３の中心の光軸ＡＸからのずれ量と同じ）だけずれている。基準パターンとしての開口パターン５２Ａ及び５２Ｂの中心の間隔は、露光領域３３内のレチクルマークの像５１ＡＰ及び５１ＢＰの中心の設計上の間隔と等しく設定されており、開口パターン５２Ａ及び５２Ｂを用いることによってそれぞれ像５１ＡＰ及び５１ＢＰの位置を計測できる。また、マーク領域５５内の中央部にアライメントセンサ４３用の２次元の基準マーク５３（第２マーク）が形成されている。開口パターン５２Ａの中心と開口パターン５２Ｂの中心との中心は、基準マーク５３の中心と合致するようにマーク領域５５が形成されるが、製造上の誤差（位置ずれ量（ΔＸ１，ΔＹ１））は予め計測されて図１のアライメント処理系２５内に記憶されている。
【００４５】
図１において、基準マーク板３８の一方の開口パターン５２Ａの底面側に、集光レンズ３９Ａ及び光電検出器４０Ａが配置されており、開口パターン５２Ａを通過した露光光ＩＬは、光電検出器４０Ａで光電変換される。同様に、図３の他方の開口パターン５２Ｂの底面側にも集光レンズ及び光電検出器４０Ｂが配置され、開口パターン５２Ｂを通過した露光光ＩＬは、光電検出器４０Ｂで光電変換される。光電検出器４０Ａ及び４０Ｂの検出信号は図１のアライメント処理系２５に供給される。開口パターン５２Ａ（又は５２Ｂ）によってレチクルマークの像５１ＡＰ（又は５１ＢＰ）をＸ方向、Ｙ方向に狭い範囲で走査しながら、アライメント処理系２５で光電検出器４０Ａ（又は４０Ｂ）の検出信号を計測用ステージ３６の座標に対応させて取り込み、その検出信号のピーク位置又はボトム位置を求めることによって、そのマーク像のＸ座標及びＹ座標を計測することができる。図１の基準マーク板３８、集光レンズ３９Ａ等、及び光電検出器４０Ａ，４０Ｂを含んで空間像計測系４８が構成されている。なお、空間像計測系４８の代わりに、レチクルＲの上部に配置されたレチクルアライメント顕微鏡（不図示）を用いて、図２のレチクルマーク５１Ａ，５１Ｂと対応する計測用ステージ３６上の基準マーク（不図示）との位置ずれ量を計測してもよい。
【００４６】
次に、その空間像計測系４８を用いてレチクルＲのアライメントを行う場合には、図２に示すように、レチクルマーク５１Ａ及び５１Ｂが照明領域３１のほぼ中央に位置するようにレチクルステージ２０を位置決めする。次に、レチクルマーク５１Ａ及び５１Ｂの像が計測用ステージ３６上の開口パターン５２Ａ及び５２Ｂの位置にほぼ合致するように、計測用ステージ３６を位置決めする。これは、図３では計測用ステージ３６を２点鎖線で示す位置Ｐ１付近に移動した状態に対応する。さらに、計測用ステージ３６をＸ方向、Ｙ方向に狭い範囲で走査して、図１の空間像計測系４８を用いてレチクルマークの像５１ＡＰ及び５１ＢＰの座標を計測する。そして、計測用ステージ３６上の開口パターン５２Ａ及び５２Ｂの中心を結ぶ直線に対して像５１ＡＰ及び５１ＢＰの中心を結ぶ直線が許容範囲を超えて傾斜している場合には、その２つの直線が平行になるように例えばレチクルステージ２０の回転角を微調整する。次に、レチクルマークの像５１ＡＰ及び５１ＢＰの中心に対して開口パターン５２Ａ及び５２Ｂの中心の誤差の自乗和が最も小さくなるように計測用ステージ３６を位置決めしたときの、計測用ステージ３６の位置を図２及び図３の位置Ｐ１とする。これがレチクルＲのアライメントが完了した状態である。この際に、計測用ステージ３６の基準マーク板３８上の水没エリア３６ａには露光時と同様に液体が供給されているため、露光時と同じ状態でレチクルＲのアライメントを高精度に行うことができる。
【００４７】
その後、ベースライン量を計測するために、図２に２点鎖線で示すように、計測用ステージ３６のマーク領域の中央がアライメントセンサ４３の視野内のほぼ中央に移動するように、計測用ステージ３６を位置Ｐ２まで移動する。これには図３に２点鎖線で示すように、計測用ステージ３６を位置Ｐ１から例えばＹ方向のベースライン量の設計値（これをＢＬＹ0 とする）だけ移動すればよい。この状態で、計測用ステージ３６上の基準マーク５３のアライメントセンサ４３の検出中心Ｂに対するＸ方向、Ｙ方向の位置ずれ量（ΔＸ２，ΔＹ２）を計測する。この際には、水没エリア３６ａには液体を供給したままでもよいが、液体の供給を止めておいてもよい。このとき、Ｙ方向のベースライン量ＢＬＹは次のように計算できる。
【００４８】
ＢＬＹ＝ＢＬＹ0 ＋ΔＹ２  …（２）
また、Ｘ方向のベースライン量ＢＬＸはΔＸ２である。この演算は図１のアライメント処理系２５において行われる。このように計測されたベースライン量を主制御系２３内の統轄制御部に供給することで、ベースライン量の計測が終了する。このベースライン量の計測を例えば１ロットの露光終了毎等の定期的に行うことで、熱変形等でベースライン量が次第に僅かに変化するような場合でも、常に高精度にウエハＷのアライメントを行うことができる。この際に本例では、第１マークと第２マークとの間隔がベースライン量（露光領域とアライメント系の検出領域との間隔）よりも狭い間隔で形成されている。即ち、開口パターン５２Ａ及び５２Ｂの中央に基準マーク５３が形成されており、ベースライン量の計測時にはＹ方向のベースライン量分だけ計測用ステージ３６を移動しているため、計測用ステージ３６を小型化することができる。
【００４９】
なお、スペース的に余裕がある場合には、計測用ステージ３６上で開口パターン５２Ａ及び５２Ｂの中心からＹ方向のベースライン量だけ離れた位置に基準マーク５３を形成しておいてもよい。この構成では、計測用ステージ３６を殆ど移動することなく、レチクルマークの像５１ＡＰ及び５１ＢＰと基準マーク５３とを検出できるため、ベースライン量の計測を短時間に行うことができる。
【００５０】
次に、本例のウエハステージ３５及び計測用ステージ３６の移動範囲につき説明する。
図４（Ａ）はウエハＷの露光のためにウエハステージ３５を最も＋Ｙ方向側に移動した状態を示し、この図４（Ａ）において、ウエハＷ上の最も−Ｙ方向側のショット領域ＳＡ１への走査露光を行うために、露光領域３３に対してショット領域ＳＡ１が＋Ｙ方向側に移動している。この状態では、計測ビームＬＸ１，ＬＸ２，ＬＹ１，ＬＹ２によってウエハステージ３５の座標が計測されている。この後、ウエハステージ３５を−Ｙ方向に移動することで、ショット領域ＳＡ１への露光が行われる。図４（Ａ）の状態では計測用ステージ３６は＋Ｙ方向側の待避位置ＷＰで静止している。この際のウエハステージ３５と計測用ステージ３６とのＹ方向の間隔をＧＹ、計測用ステージ３６のＹ方向の幅をＬＢ２とする。また、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸからウエハステージ３５の−Ｙ方向の端部までの長さをほぼ２×ΔＹ（ΔＹは露光領域３３の中心の光軸ＡＸからのずれ量）であるとして、ウエハステージ３５のＹ方向の幅をＬＢ１とすると、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸからウエハステージ３５の＋Ｙ方向の端部までの長さはほぼ（ＬＢ１−２×ΔＹ）となる。従って、光軸ＡＸから計測用ステージ３６の＋Ｙ方向の端部までの長さＬＡ１はほぼ次のようになる。
【００５１】
ＬＡ１＝ＬＢ１＋ＬＢ２＋ＧＹ−２×ΔＹ  …（３）
図４（Ｂ）は、ベースライン量の計測のために、計測用ステージ３６を最も−Ｙ方向側に移動した状態を示し、この図４（Ｂ）において、マーク領域５５内の基準マーク５３がアライメントセンサ４３の視野４３Ｆ内に移動している。この状態では、計測ビームＬＸ１，ＬＸ２，ＬＹ１，ＬＹ２によって計測用ステージ３６の座標が計測されている。また、計測ビームＬＸ２が計測用ステージ３６に照射される必要があるため、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸから計測用ステージ３６の−Ｙ方向の端部までの長さはほぼ２×ΔＹとなる。この状態では、ウエハステージ３５は、−Ｙ方向側で＋Ｘ方向側のウエハのローディングポジションＬＰに移動しており、ここでウエハＷの交換が行われる。この際には計測ビームＬＸ３及びＬＹ３によってウエハステージ３５の座標が計測される。この状態でもウエハステージ３５と計測用ステージ３６との間隔をＧＹとすると、光軸ＡＸからウエハステージ３５の−Ｙ方向までの長さＬＡ２はほぼ次のようになる。
【００５２】
ＬＡ２＝ＬＢ１＋ＬＢ２＋ＧＹ−２×ΔＹ  …（４）
そして、ウエハステージ３５及び計測用ステージ３６のＹ方向の移動範囲の長さは次の（ＬＡ１＋ＬＡ２）となる。
ＬＡ１＋ＬＡ２＝２×（ＬＢ１＋ＬＢ２＋ＧＹ−２×ΔＹ）  …（５）
また、ウエハステージ３５のＸ方向の幅をＬＣ１とすると、ウエハステージ３５及び計測用ステージ３６のＸ方向の移動範囲の長さは、ほぼ２×ＬＣ１となる。
【００５３】
このように本例では、図４（Ｂ）に示すように、計測用ステージ３６を用いるベースライン量の計測と、ウエハステージ３５におけるウエハＷの交換とを並行に行うことができるため、露光工程のスループットを高めることができる。
なお、上記の実施形態では計測用ステージ３６とウエハステージ３５とは分離しているが、計測用ステージ３６とウエハステージ３５とを一体とする構成も可能である。この構成では、露光工程のスループットは低下するが、ステージの駆動系は簡素化できる。
【００５４】
なお、上述の実施形態の投影露光装置は、不図示のコラム機構を設置した後、複数のレンズから構成される照明光学系、反射屈折系からなる投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより製造することができる。なお、その露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００５５】
また、上記の実施形態の投影露光装置を用いて半導体デバイスを製造する場合、この半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、このステップに基づいてレチクルを製造するステップ、シリコン材料からウエハを形成するステップ、上記の実施形態の投影露光装置によりアライメントを行ってレチクルのパターンをウエハに露光するステップ、エッチング等の回路パターンを形成するステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、及び検査ステップ等を経て製造される。
【００５６】
なお、本発明は、走査型露光装置のみならず、ステッパー等の一括露光型（静止露光型）の投影露光装置にも適用できることは明きらかである。また、液浸型ではない通常の露光装置にも本発明は適用できる。また、本発明は、波長数ｎｍ〜１００ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）を露光ビームとして用いる投影露光装置にも適用できる。ＥＵＶ光を用いる場合には、照明光学系及び投影光学系は反射系となり、露光領域の中心が光軸からずれる傾向があるため、本発明が適用しやすい。
【００５７】
さらに、本発明は、屈折系よりなる投影光学系を用いる場合であっても、露光領域の中心が光軸からずれているような場合には同様に適用して、ウエハのアライメント精度を向上させることができる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。
【００５８】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明を露光装置に適用した場合には、例えば反射屈折系や反射系のような投影光学系を用いる場合に、ベースライン量を短くできるため、アライメント精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態の投影露光装置の概略構成を示す一部を切り欠いた図である。
【図２】図１のステージ系、投影光学系ＰＬ、アライメントセンサ４３、及び計測用ステージ３６の位置関係の一例を示す斜視図である。
【図３】図１の投影光学系ＰＬの像面の状態及び計測用ステージ３６を示す平面図である。
【図４】（Ａ）は、ウエハＷの露光のためにウエハステージ３５を最も＋Ｙ方向側に移動した状態を示す平面図、（Ｂ）は、ベースライン量の計測のために計測用ステージ３６を最も−Ｙ方向側に移動した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６１】
３…照明光学系、Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、２０…レチクルステージ、２５…アライメント処理系、２９…凹面鏡、３５…ウエハステージ、３６…計測用ステージ、３８…基準マーク板、４１…駆動系、４８…空間像計測系、５１Ａ，５１Ｂ…レチクルマーク、５２Ａ，５２Ｂ…開口パターン、５３…基準マーク
【図１】
2006203001.tif 000003
【図２】
2006203001.tif 000004
【図３】
2006203001.tif 000005
【図４】
2006203001.tif 000006