(57)【要約】【課題】パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、小型化、薄型化、高集積化に寄与し、信頼性の高い光導波路構造体を提供すること。【解決手段】光導波路構造体１は、基板２と、コア層９３の両面にクラッド層９１、９２を積層してなる光導波路９と、光路変換部９６と、導体層５１と、基板２に形成された開口部２０内に設置され、封止材３１で封止された発光素子１０および電子回路素子１２とを備えている。コア層９３は、伝送光の光路を構成するコア部９４とクラッド部９５とを有し、コア部９４は、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層９３に対し活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものである。【選択図】図２
2006323317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有する光導波路と、少なくとも１つの電気素子とを備える光導波路構造体であって、
前記電気素子のうちの少なくとも１は、光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置されており、
前記コア部は、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
【請求項２】
光導波路構造体の内部に設置されている前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子である請求項１に記載の光導波路構造体。
【請求項３】
光導波路構造体は、基板を有している請求項１または２に記載の光導波路構造体。
【請求項４】
前記電気素子は、前記基板に内蔵されている請求項３に記載の光導波路構造体。
【請求項５】
前記電気素子は、前記光導波路に内蔵されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６】
光導波路構造体は、電気絶縁性を有する絶縁層を有し、前記電気素子は、前記絶縁層に内蔵されている請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項７】
前記光導波路は、その少なくとも一部が前記絶縁層に内蔵されている請求項６に記載の光導波路構造体。
【請求項８】
少なくとも１層の導体層を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項９】
前記電気素子の端子は、前記導体層と電気的に接続されている請求項８に記載の光導波路構造体。
【請求項１０】
前記導体層は、前記光導波路に接合されている請求項８または９に記載の光導波路構造体。
【請求項１１】
前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、電子回路素子とを含み、これらのうちの少なくとも一方は、光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１２】
前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、電子回路素子とを含み、これら双方が光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１３】
前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、電子回路素子とを含み、前記素子は、光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置され、前記電子回路素子は、光導波路構造体の外面に搭載されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１４】
前記電子回路素子は、封止材により封止されている請求項１３に記載の光導波路構造体。
【請求項１５】
前記電子回路素子は、前記素子を駆動するまたは素子からの出力信号を処理する機能を有するものである請求項１１ないし１４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１６】
互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有する光導波路が第１基板に搭載された光導波路基板と、発光部または受光部と端子とを有する素子が第２基板に搭載された素子搭載基板とを接合してなる光導波路構造体であって、
前記コア部は、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
【請求項１７】
前記素子搭載基板に搭載している前記素子は、前記素子搭載基板への設置面と発光部または受光部とが同側になるよう搭載されている請求項１６に記載の光導波路構造体。
【請求項１８】
前記第２基板は、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有する透光部を有し、該透光部を介して前記素子の前記発光部または前記受光部と前記コア部とが光学的に接続されている請求項１７に記載の光導波路構造体。
【請求項１９】
前記透光部は、貫通孔で構成されている請求項１８に記載の光導波路構造体。
【請求項２０】
前記貫通孔内に前記伝送光の透過率が８０％以上の材料が充填されている請求項１９に記載の光導波路構造体。
【請求項２１】
前記第２基板には開口部が形成され、前記開口部内に前記素子が設置されている請求項１６ないし２０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２２】
前記素子搭載基板は、開口部が形成された第３基板を有し、当該第３基板の開口部内に前記素子が設置されている請求項１６ないし２１のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２３】
前記素子搭載基板に搭載している前記素子は、前記素子搭載基板への設置面と発光部または受光部とが異なる側になるように搭載されている請求項１６に記載の光導波路構造体。
【請求項２４】
前記素子搭載基板は、前記第２基板より内側に、開口部が形成された第３基板を有し、前記開口部内に前記素子が設置されている請求項２３に記載の光導波路構造体。
【請求項２５】
前記素子は、封止材により封止されている請求項１６ないし２４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２６】
前記封止材は、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有するものである請求項２５に記載の光導波路構造体。
【請求項２７】
前記素子搭載基板に電子回路素子が搭載または内蔵されている請求項１６ないし２６のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２８】
前記第２基板または前記第３基板に形成された前記開口部内に電子回路素子が設置されている請求項２１、２２または２４に記載の光導波路構造体。
【請求項２９】
前記電子回路素子は、封止材により封止されている請求項２７または２８に記載の光導波路構造体。
【請求項３０】
前記電子回路素子は、前記素子を駆動するまたは素子からの出力信号を処理する機能を有するものである請求項２７ないし２９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３１】
少なくとも１層の導体層を有する請求項１６ないし３０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３２】
少なくとも１層の導体層を有し、前記素子および／または前記電気回路素子の端子は、前記導体層と電気的に接続されている請求項２７ないし３０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３３】
前記光導波路基板と前記素子搭載基板との間に接着性および／または電気絶縁性を有する層が介在している請求項１６ないし３２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３４】
前記光導波路基板と前記素子搭載基板との間に伝送光に対する透光性を有する層が介在している請求項１６ないし３３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３５】
前記コア層の両面に前記クラッド部を構成するクラッド層がそれぞれ接合され、両クラッド層とこれらの間に介挿されたコア層の積層体により前記光導波路が構成される請求項１ないし３４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３６】
前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる光路変換部を有する請求項１ないし３５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３７】
前記光路変換部は、前記伝送光の少なくとも一部を反射する反射面を有するものである請求項３６に記載の光導波路構造体。
【請求項３８】
前記コア部を伝送される伝送光を集光または拡散し得るレンズ部を有する請求項１ないし３７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３９】
前記導体層に電気的に接続し、層の厚さ方向に延在する導体ポストを有する請求項８、９、１０、３１または３２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項４０】
異方導電性シートまたは異方性導電シートを有する請求項１ないし３９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項４１】
前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし４０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項４２】
前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである請求項４１に記載の光導波路構造体。
【請求項４３】
前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである請求項４１または４２に記載の光導波路構造体。
【請求項４４】
前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである請求項４１ないし４３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項４５】
前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む請求項４４に記載の光導波路構造体。
（Ｅ（Ｒ）３）２Ｐｄ（Ｑ）２  ・・・  （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
【請求項４６】
前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む請求項４４または４５に記載の光導波路構造体。
［（Ｅ（Ｒ）３）ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）ｂ］ｐ［ＷＣＡ］ｒ  ・・・  （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
【請求項４７】
ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される請求項４６に記載の光導波路構造体。
【請求項４８】
前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項４１ないし４７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項４９】
前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項４８に記載の光導波路構造体。
【請求項５０】
前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い請求項４９に記載の光導波路構造体。
【請求項５１】
前記モノマーは、架橋性モノマーを含む請求項４１ないし５０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項５２】
前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである請求項４１ないし５１のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項５３】
前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである請求項５１に記載の光導波路構造体。
【請求項５４】
前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する請求項４１ないし５３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項５５】
前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項５４に記載の光導波路構造体。
【請求項５６】
前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである請求項１ないし４０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項５７】
前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである請求項５６に記載の光導波路構造体。
【請求項５８】
前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である請求項５６または５７に記載の光導波路構造体。
【請求項５９】
前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである請求項５５または５８に記載の光導波路構造体。
【請求項６０】
前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである請求項５４ないし５９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６１】
前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である請求項６０に記載の光導波路構造体。
【請求項６２】
前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである請求項４１ないし６１のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６３】
前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２である請求項４１ないし６２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６４】
前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される請求項４１ないし６３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６５】
前記層は、さらに、酸化防止剤を含む請求項４１ないし６４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６６】
前記層は、さらに、増感剤を含む請求項４１ないし６５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６７】
前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項４１ないし６６のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項６８】
前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項６７に記載の光導波路構造体。
【請求項６９】
前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項１ないし４０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項７０】
前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項６９に記載の光導波路構造体。
【請求項７１】
前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである請求項７０に記載の光導波路構造体。
【請求項７２】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項７０または７１に記載の光導波路構造体。
【請求項７３】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項７０または７１に記載の光導波路構造体。
【請求項７４】
前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項７０または７１に記載の光導波路構造体。
【請求項７５】
前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項７０ないし７４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項７６】
前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項６９に記載の光導波路構造体。
【請求項７７】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである請求項７５または７６に記載の光導波路構造体。
【請求項７８】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項７０ないし７７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項７９】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項７０ないし７７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項８０】
前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項７０ないし７９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項８１】
前記コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層を有する請求項４１ないし８０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項８２】
前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている請求項８１に記載の光導波路構造体。
【請求項８３】
前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項８２に記載の光導波路構造体。
【請求項８４】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項８２または８３に記載の光導波路構造体。
【請求項８５】
前記ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項８２ないし８４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項８６】
前記重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位は、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位のうちの少なくとも１種である請求項８５に記載の光導波路構造体。
【請求項８７】
前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している請求項８５または８６に記載の光導波路構造体。
【請求項８８】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む請求項８２ないし８４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項８９】
前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが架橋剤を介して架橋している請求項８８に記載の光導波路構造体。
【請求項９０】
前記クラッド層の平均は、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である請求項８２ないし８９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信の分野における光部品として、光分岐結合器（光カプラ）、光合分波器等が開発されており、これらに用いる光導波路型素子が有望視されている。この光導波路型素子（以下単に「光導波路」とも言う）としては、従来の石英系光導波路の他、製造（パターニング）が容易で汎用性に富むポリマー系光導波路があり、最近では後者の開発が盛んに行われている。
【０００３】
このような光導波路は、通常、基板上に所定の配置（パターン）で形成され、光導波路構造体として取り扱われる。この光導波路構造体としては、基板上に所定の配線回路と、コア部およびクラッド部で構成される光導波路とを形成し、さらにこの光導波路に発光素子および受光素子を取り付けたものが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の光導波路構造体では、次のような問題点がある。
１．光導波路の形成工程が複雑であり、伝送光の光路を構成するコア部のパターン形状の設計、選択の自由度が狭い。
２．コア部のパターン形状の精度や寸法精度が悪い。
３．配線パターンと組み合わせた場合に、該配線パターンの設計における自由度が狭い。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４６６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部（光路）を簡単な方法で形成することができ、また、耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体を提供するとともに、小型化、薄型化、高集積化に寄与し、信頼性の高い光導波路構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記（１）〜（９０）の本発明により達成される。
（１）  互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有する光導波路と、少なくとも１つの電気素子とを備える光導波路構造体であって、
前記電気素子のうちの少なくとも１は、光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置されており、
前記コア部は、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
【０００８】
（２）  光導波路構造体の内部に設置されている前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子である上記（１）に記載の光導波路構造体。
【０００９】
（３）  光導波路構造体は、基板を有している上記（１）または（２）に記載の光導波路構造体。
【００１０】
（４）  前記電気素子は、前記基板に内蔵されている上記（３）に記載の光導波路構造体。
【００１１】
（５）  前記電気素子は、前記光導波路に内蔵されている上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００１２】
（６）  光導波路構造体は、電気絶縁性を有する絶縁層を有し、前記電気素子は、前記絶縁層に内蔵されている上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００１３】
（７）  前記光導波路は、その少なくとも一部が前記絶縁層に内蔵されている上記（６）に記載の光導波路構造体。
【００１４】
（８）  少なくとも１層の導体層を有する上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００１５】
（９）  前記電気素子の端子は、前記導体層と電気的に接続されている上記（８）に記載の光導波路構造体。
【００１６】
（１０）  前記導体層は、前記光導波路に接合されている上記（８）または（９）に記載の光導波路構造体。
【００１７】
（１１）  前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、電子回路素子とを含み、これらのうちの少なくとも一方は、光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置されている上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００１８】
（１２）  前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、電子回路素子とを含み、これら双方が光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置されている上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００１９】
（１３）  前記電気素子は、発光部または受光部と端子とを有する素子と、電子回路素子とを含み、前記素子は、光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置され、前記電子回路素子は、光導波路構造体の外面に搭載されている上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００２０】
（１４）  前記電子回路素子は、封止材により封止されている上記（１３）に記載の光導波路構造体。
【００２１】
（１５）  前記電子回路素子は、前記素子を駆動するまたは素子からの出力信号を処理する機能を有するものである上記（１１）ないし（１４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００２２】
（１６）  互いに屈折率が異なるコア部とクラッド部とを有する光導波路が第１基板に搭載された光導波路基板と、発光部または受光部と端子と有する素子が第２基板に搭載された素子搭載基板とを接合してなる光導波路構造体であって、
前記コア部は、活性放射線の照射により、またはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料で構成されたコア層に対し前記活性放射線を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものであることを特徴とする光導波路構造体。
【００２３】
（１７）  前記素子搭載基板に搭載している前記素子は、前記素子搭載基板への設置面と発光部または受光部とが同側になるよう搭載されている上記（１６）に記載の光導波路構造体。
【００２４】
（１８）  前記第２基板は、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有する透光部を有し、該透光部を介して前記素子の前記発光部または前記受光部と前記コア部とが光学的に接続されている上記（１７）に記載の光導波路構造体。
【００２５】
（１９）  前記透光部は、貫通孔で構成されている上記（１８）に記載の光導波路構造体。
【００２６】
（２０）  前記貫通孔内に前記伝送光の透過率が８０％以上の材料が充填されている上記（１９）に記載の光導波路構造体。
【００２７】
（２１）  前記第２基板には開口部が形成され、前記開口部内に前記素子が設置されている上記（１６）ないし（２０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００２８】
（２２）  前記素子搭載基板は、開口部が形成された第３基板を有し、当該第３基板の開口部内に前記素子が設置されている上記（１６）ないし（２１）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００２９】
（２３）  前記素子搭載基板に搭載している前記素子は、前記素子搭載基板への設置面と発光部または受光部とが異なる側になるように搭載されている上記（１６）に記載の光導波路構造体。
【００３０】
（２４）  前記素子搭載基板は、前記第２基板より内側に、開口部が形成された第３基板を有し、前記開口部内に前記素子が設置されている上記（２３）に記載の光導波路構造体。
【００３１】
（２５）  前記素子は、封止材により封止されている上記（１６）ないし（２４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００３２】
（２６）  前記封止材は、前記コア部を伝送される伝送光に対する透光性を有するものである上記（２５）に記載の光導波路構造体。
【００３３】
（２７）  前記素子搭載基板に電子回路素子が搭載または内蔵されている上記（１６）ないし（２６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００３４】
（２８）  前記第２基板または前記第３基板に形成された前記開口部内に電子回路素子が設置されている上記（２１）、（２２）または（２４）に記載の光導波路構造体。
【００３５】
（２９）  前記電子回路素子は、封止材により封止されている上記（２７）または（２８）に記載の光導波路構造体。
【００３６】
（３０）  前記電子回路素子は、前記素子を駆動するまたは素子からの出力信号を処理する機能を有するものである上記（２７）ないし（２９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００３７】
（３１）  少なくとも１層の導体層を有する上記（１６）ないし（３０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００３８】
（３２）  少なくとも１層の導体層を有し、前記素子および／または前記電気回路素子の端子は、前記導体層と電気的に接続されている上記（２７）ないし（３０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００３９】
（３３）  前記光導波路基板と前記素子搭載基板との間に接着性および／または電気絶縁性を有する層が介在している上記（１６）ないし（３２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４０】
（３４）  前記光導波路基板と前記素子搭載基板との間に伝送光に対する透光性を有する層が介在している上記（１６）ないし（３３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４１】
（３５）  前記コア層の両面に前記クラッド部を構成するクラッド層がそれぞれ接合され、両クラッド層とこれらの間に介挿されたコア層の積層体により前記光導波路が構成される上記（１）ないし（３４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４２】
（３６）  前記コア部を伝送される伝送光の光路を屈曲させる光路変換部を有する上記（１）ないし（３５）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４３】
（３７）  前記光路変換部は、前記伝送光の少なくとも一部を反射する反射面を有するものである上記（３６）に記載の光導波路構造体。
【００４４】
（３８）  前記コア部を伝送される伝送光を集光または拡散し得るレンズ部を有する上記（１）ないし（３７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４５】
（３９）  前記導体層に電気的に接続し、層の厚さ方向に延在する導体ポストを有する上記（８）、（９）、（１０）、（３１）または（３２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４６】
（４０）  異方導電性シートまたは異方性導電シートを有する上記（１）ないし（３９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４７】
（４１）  前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである上記（１）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００４８】
（４２）  前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである上記（４１）に記載の光導波路構造体。
【００４９】
（４３）  前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである上記（４１）または（４２）に記載の光導波路構造体。
【００５０】
（４４）  前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである上記（４１）ないし（４３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００５１】
（４５）  前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む上記（４４）に記載の光導波路構造体。
（Ｅ（Ｒ）３）２Ｐｄ（Ｑ）２  ・・・  （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
【００５２】
（４６）  前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む上記（４４）または（４５）に記載の光導波路構造体。
［（Ｅ（Ｒ）３）ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）ｂ］ｐ［ＷＣＡ］ｒ  ・・・  （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
【００５３】
（４７）  ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される上記（４６）に記載の光導波路構造体。
【００５４】
（４８）  前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（４１）ないし（４７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００５５】
（４９）  前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである上記（４８）に記載の光導波路構造体。
【００５６】
（５０）  前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い上記（４９）に記載の光導波路構造体。
【００５７】
（５１）  前記モノマーは、架橋性モノマーを含む上記（４１）ないし（５０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００５８】
（５２）  前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである上記（４１）ないし（５１）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００５９】
（５３）  前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである上記（５１）に記載の光導波路構造体。
【００６０】
（５４）  前記ポリマーは、活性化した前記第１の物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射した際に、前記照射領域において、前記ポリマーの前記離脱性基が離脱する上記（４１）ないし（５３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００６１】
（５５）  前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（５４）に記載の光導波路構造体。
【００６２】
（５６）  前記コア層は、活性放射線の照射により活性化する物質と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した前記物質の作用により、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するポリマーとを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記物質を活性化させ、前記ポリマーの前記離脱性基を離脱させて、当該照射領域と前記活性放射線の非照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記非照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものである上記（１）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００６３】
（５７）  前記コア層は、前記活性放射線の照射の後、前記層に対して加熱処理を施すことにより得られたものである上記（５６）に記載の光導波路構造体。
【００６４】
（５８）  前記物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記離脱性基は、前記カチオンの作用により離脱する酸離脱性基である上記（５６）または（５７）に記載の光導波路構造体。
【００６５】
（５９）  前記酸離脱性基は、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものである上記（５５）または（５８）に記載の光導波路構造体。
【００６６】
（６０）  前記離脱性基は、その離脱により前記ポリマーの屈折率に低下を生じさせるものである上記（５４）ないし（５９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００６７】
（６１）  前記離脱性基は、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方である上記（６０）に記載の光導波路構造体。
【００６８】
（６２）  前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである上記（４１）ないし（６１）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００６９】
（６３）  前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２である上記（４１）ないし（６２）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００７０】
（６４）  前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される上記（４１）ないし（６３）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００７１】
（６５）  前記層は、さらに、酸化防止剤を含む上記（４１）ないし（６４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００７２】
（６６）  前記層は、さらに、増感剤を含む上記（４１）ないし（６５）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００７３】
（６７）  前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである上記（４１）ないし（６６）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００７４】
（６８）  前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（６７）に記載の光導波路構造体。
【００７５】
（６９）  前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている上記（１）ないし（４０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００７６】
（７０）  前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（６９）に記載の光導波路構造体。
【００７７】
（７１）  前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである上記（７０）に記載の光導波路構造体。
【００７８】
（７２）  前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（７０）または（７１）に記載の光導波路構造体。
【００７９】
（７３）  前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（７０）または（７１）に記載の光導波路構造体。
【００８０】
（７４）  前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（７０）または（７１）に記載の光導波路構造体。
【００８１】
（７５）  前記ノルボルネン系ポリマーは、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基を有し、
前記コア部と前記クラッド部とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なること、および、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（７０）ないし（７４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００８２】
（７６）  前記コア層は、主鎖と該主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が前記主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、
前記第１のノルボルネン系材料と第２のノルボルネン系材料とは、前記主鎖に結合した状態の前記離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている上記（６９）に記載の光導波路構造体。
【００８３】
（７７）  前記ノルボルネン系ポリマーは、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランの繰り返し単位を含むものである上記（７５）または（７６）に記載の光導波路構造体。
【００８４】
（７８）  前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（７０）ないし（７７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００８５】
（７９）  前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（７０）ないし（７７）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００８６】
（８０）  前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（７０）ないし（７９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００８７】
（８１）  前記コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率の低いクラッド層を有する上記（４１）ないし（８０）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００８８】
（８２）  前記クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている上記（８１）に記載の光導波路構造体。
【００８９】
（８３）  前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である上記（８２）に記載の光導波路構造体。
【００９０】
（８４）  前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（８２）または（８３）に記載の光導波路構造体。
【００９１】
（８５）  前記ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むものである上記（８２）ないし（８４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００９２】
（８６）  前記重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位は、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位のうちの少なくとも１種である上記（８５）に記載の光導波路構造体。
【００９３】
（８７）  前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋している上記（８５）または（８６）に記載の光導波路構造体。
【００９４】
（８８）  前記ノルボルネン系ポリマーは、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む上記（８２）ないし（８４）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【００９５】
（８９）  前記ノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが架橋剤を介して架橋している上記（８８）に記載の光導波路構造体。
【００９６】
（９０）  前記クラッド層の平均は、前記コア層の平均厚さの０．１〜１．５倍である上記（８２）ないし（８９）のいずれかに記載の光導波路構造体。
【発明の効果】
【００９７】
本発明によれば、活性放射線（活性エネルギー光線または電子線）の照射という簡単な方法でコア部のパターニングをすることができ、コア部のパターン形状の設計の自由度が広く、しかも寸法精度の高いコア部が得られる。
【００９８】
また、光導波路構造体が電気素子（発光素子、受光素子等）を有するので、光導波路と光学的に接続することにより、電気素子の発光部から発せられた光を光導波路により他所へ導くことあるいは他所からの光を光導波路により素子の受光部へ導くことができ、小型で集積された光回路を形成することができ、また当該光回路の作動の信頼性も高い。
【００９９】
そして、電気素子が光導波路構造体の外表面に露出することなく光導波路構造体の内部に設置されている（特に、基板に形成された開口部内に設置されている）ため、光導波路構造体の小型化、薄型化、高集積化に寄与するとともに、耐久性、耐候性が優れ、信頼性の向上が図れる。
【０１００】
また、光導波路基板と素子搭載基板とを接合してなる構成としたことにより、光導波路基板および素子搭載基板をそれぞれ適正に設計、製造し、これらを組み合わせることができるので、設計の自由度が広く、また、複雑な回路構成の光回路／電気回路混成基板を比較的簡単な方法で製造することができる。さらに、小型化、薄型化にも寄与する。
【０１０１】
また、コア層を所望の材料で構成した場合には、光導波路に応力が作用したり変形が生じたりした場合、特に、繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部とクラッド部との層間剥離や、コア部内にマイクロクラックが発生すること等の欠陥が生じ難く、その結果、光導波路の光伝送性能が維持され、耐久性に優れる。
【０１０２】
さらに、コア部をノルボルネン系樹脂（環状オレフィン系樹脂）を主とする樹脂組成物で構成した場合には、前記変形に対し特に強く欠陥が生じ難いという効果が高い他、コア部とクラッド部との屈折率の差をより大きくすることができ、しかも、耐熱性に優れ、その結果、より高性能で耐久性に優れる光導波路が得られる。
【０１０３】
また、光路変換部を有する場合には、伝送光の光路を所望の方向へ屈曲させることができ、そのため、光路の設計の自由度が広がり、光回路の集積化にも寄与する。
【０１０４】
そして、基板が透光部を有する場合には、基板を通過する光路を形成することができるので、光路の設計の自由度がさらに広がる。また、透光部がレンズ部を有する場合には、光路において必要に応じ伝送光の集光、拡散が可能となり、光路の屈曲等と相まって、光回路の設計の自由度がさらに広がる。
【０１０５】
また、導体層を形成した場合、さらには導体ポストや異方導電性シートまたは異方性導電シートを設けた場合には、前記電気素子への配線が容易であるとともに、電気素子の種類（端子の設置箇所）等に係わらずそれに適した配線が可能となり、汎用性に富む。しかも、このような導体層による配線回路のパターンは、設計の自由度（例えば、端子の設置箇所の選択の自由度）が広い。
【０１０６】
このような本発明の光導波路構造体は、光回路（光導波路のパターン）や電気回路の設計の幅が広く、複雑な回路構成の光回路／電気回路混成基板を得ることも容易に可能であり、また、製造が容易で歩留まりが良く、光伝送性能を高く維持し、信頼性、耐久性に優れ、汎用性に富む。そのため、本発明の光導波路構造体は、種々の電子部品、電子機器等に対し用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１０７】
以下、本発明の光導波路構造体について添付図面に示す好適実施形態に基づき詳細に説明する。
【０１０８】
図１〜図１４は、それぞれ、本発明の光導波路構造体の実施形態を示す断面図である。以下これらの図を参照しつつ、光導波路構造体の構成例について説明する。なお、以下の説明では、図１〜図１４中の上側を「上」または「上方」とし、下側を「下」または「下方」とする。また、各図は、層の厚さ方向（各図の上下方向）が誇張して描かれている。
【０１０９】
＜第１実施形態：図１＞
図１に示すように、本発明の光導波路構造体１は、基板２と、光導波路９と、導体層５１と、光導波路９の光路を屈曲させる光路変換部９６と、発光素子（電気素子）１０と、電子回路素子（電気素子）１２とを備えている。
【０１１０】
基板２の構成材料としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート樹脂、ポリイソシアヌレート樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ノルボルネン樹脂等の樹脂材料や、シリコン等の半導体材料が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。
また、基板２は、例えばガラス繊維、樹脂繊維等の繊維基材（織布、不織布、織物、編物等）に前述したような樹脂材料を含浸させたもの（プリプレグ等）であってもよい。例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたものをガラスエポキシ基板と言うが、このようなものを基板２として用いることができる。このような繊維基材を含む基板２は、比較的薄くても高強度で、また、熱膨張率も低いため、基板２に光導波路９や導体層（金属層）を接合した場合に特に有利である。
また、基板２は、複数の層の積層体であってもよい。例えば、それぞれ組成（種類）が異なる樹脂材料からなる第１の層と第２の層とを積層したもの、前記繊維基材に樹脂材料を含浸させた層（シート材）と、樹脂材料からなる層とを積層したものが挙げられる。なお、積層体における層構成は、これに限定されないことは言うまでもない。
【０１１１】
基板２の厚さは、特に限定されないが、通常、５０μｍ〜４ｍｍ程度が好ましく、１００μｍ〜１．５ｍｍ程度がより好ましく、１５０μｍ〜１ｍｍ程度がさらに好ましい。
【０１１２】
基板２は、硬質（リジッド）のものでも、可撓性（フレキシブル）を有するものでもよい。また、硬質の基板と可撓性を有する基板の双方を有していてもよい。この場合、光導波路９は、硬質の基板と可撓性を有する基板の少なくとも一方に形成されていればよく、双方にまたがって形成されていてもよい。
【０１１３】
基板２の一方の面（下面）には、導体層５１が接合されている。導体層５１は、所定の形状にパターンニングされて、所望の配線または回路を構成している。導体層５１の構成材料としては、例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料が挙げられる。導体層５１の厚さは、特に限定されないが、通常、３〜１２０μｍ程度が好ましく、５〜７０μｍ程度がより好ましい。
【０１１４】
導体層５１は、例えば、金属箔の接合（接着）、金属メッキ、蒸着、スパッタリング等の方法により形成されたものである。導体層５１へのパターニングは、例えばエッチング、印刷、マスキング等の方法を用いることができる。このような導体層５１に関する事項は、後述する導体層５２、５３についても同様である。
【０１１５】
基板２の他方の面（上面）には、光導波路９が接合されている。すなわち、導体層５１と光導波路９とが、それぞれ、基板２の一方の面側と他方の面側に形成されている。
【０１１６】
光導波路９は、図１中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている。コア部９４は、伝送光の光路を形成する部分であり、クラッド部９５は、コア層９３に形成されているものの伝送光の光路を形成せず、クラッド層９１、９２と同様の機能を果たす部分である。
【０１１７】
図１に示す構成では、コア層９３の後述する反射面９６１より図１中右側の部位は、コア部９４が形成され、コア層９３のそれ以外の部分は、クラッド部９５が形成されている。
【０１１８】
光導波路９のコア部９４は、平面視で（図１の上方から見たとき）発光素子１０の発光部１０１と重なるような（すなわち、発光部１０１の真上を通過するような）パターン形状で形成されている。このコア部９４は、クラッド部９５に比べて屈折率が高く、また、クラッド層９１、９２に対しても屈折率が高い。クラッド層９１および９２は、それぞれ、コア部９４の下部および上部に位置するクラッド部を構成するものである。このような構成により、コア部９４は、その外周の全周をクラッド部に囲まれた導光路として機能する。
【０１１９】
コア層９３の構成材料としては、活性放射線（活性エネルギー光線、電子線またはＸ線等）の照射により、あるいはさらに加熱することにより屈折率が変化する材料とされる。このような材料の好ましい例としては、ベンゾシクロブテン系ポリマー、ノルボルネン系ポリマー（樹脂）等の環状オレフィン系樹脂を含む樹脂組成物を主材料とするものが挙げられ、ノルボルネン系ポリマーを含む（主材料とする）ものが特に好ましい。
【０１２０】
このような材料で構成されたコア層９３は、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、特に繰り返し湾曲変形した場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３と隣接する層（クラッド層９１、９２）との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路９が得られる。
【０１２１】
また、コア層９３の構成材料には、例えば、酸化防止剤、屈折率調整剤、可塑剤、増粘剤、補強剤、増感剤、レベリング剤、消泡剤、密着助剤および難燃剤等の添加剤が含まれていてもよい。酸化防止剤の添加は、高温安定性の向上、耐候性の向上、光劣化の抑制という効果がある。このような酸化防止剤としては、例えば、モノフェノール系、ビスフェノール系、トリフェノール系等のフェノール系や、芳香族アミン系のものが挙げられる。また、可塑剤、増粘剤、補強剤の添加により、曲げに対する耐性をさらに増大させることもできる。
【０１２２】
前記酸化防止剤に代表される添加剤の含有率（２種以上の場合は合計）は、コア層９３の構成材料全体に対し、０．５〜４０重量％程度が好ましく、３〜３０重量％程度がより好ましい。この量が少なすぎると、添加剤の機能を十分に発揮することができず、量が多すぎると、添加剤の種類や特性によっては、コア部９４を伝送する光（伝送光）の透過率の低下、パターニング不良、屈折率不安定等を生じるおそれがある。
【０１２３】
コア層９３の形成方法としては、塗布法が挙げられる。塗布法としては、コア層形成用組成物（ワニス等）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法が挙げられる。また、塗布法以外の方法、例えば、別途製造されたシート材を接合する方法を採用することもできる。
【０１２４】
以上のようにして得られたコア層９３に対し、マスクを用いて活性放射線を選択的に照射し、所望の形状のコア部９４をパターニングする。
【０１２５】
露光に用いる活性放射線としては、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光等の活性エネルギー光線や電子線、Ｘ線等が挙げられる。電子線は、例えば５０〜２０００ＫＧｙ程度の照射量で照射することができる。
【０１２６】
コア層９３において、活性放射線が照射された部位は、その屈折率が変化し（コア層９３の材料により、屈折率が増大する場合と減少する場合とがある）、活性放射線が照射されなかった部位との間で屈折率の差が生じる。例えば、コア層９３の活性放射線が照射された部位がクラッド部９５４となり、照射されなかった部位がコア部９４となる。また、この逆の場合もある。クラッド部９５の屈折率は、クラッド層９１、９２の屈折率とほぼ等しい。
【０１２７】
また、コア層９３に対し活性放射線を所定のパターンで照射した後、加熱することにより、コア部９４を形成する場合もある。この加熱工程を付加することにより、コア部９４とクラッド部９５との屈折率の差がより大きくなるので好ましい。なお、この原理等については、後に詳述する。
【０１２８】
形成されるコア部９４のパターン形状としては、特に限定されず、直線状、湾曲部を有する形状、異形、光路の分岐部、合流部または交差部を有する形状、集光部（幅等が減少している部分）または光拡散部（幅等が増大している部分）、あるいはこれらのうちの２以上を組み合わせた形状等、いかなるものでもよい。活性放射線の照射パターンの設定により、いかなる形状のコア部９４をも容易に形成することができる点が、本発明の特徴である。
【０１２９】
なお、光導波路９の各部の構成材料およびコア部９４の形成方法等については、後に詳述する。
【０１３０】
このような光導波路９は、コア部９４の光路を屈曲させる光路変換部９６を有している。この光路変換部９６は、伝送光１８の少なくとも一部を反射する反射面（ミラー）９６１で構成されている。この反射面９６１は、発光部１０１の真上の位置に設けられている。
【０１３１】
反射面９６１は、光導波路９の光路、すなわちコア部９４の長手方向に対しほぼ４５°傾斜しており、発光部１０１から発せられた伝送光１８の大半（例えば９０％以上）を反射する機能を有している。
【０１３２】
このような光路変換部９６は、光導波路９の一部を除去（欠損）することにより例えば断面が三角形の凹部を形成し（図１参照）、その１つの傾斜面を反射面９６１として用いるものである。反射面９６１は、例えば多層光学薄膜や金属薄膜（例えばアルミ蒸着膜）のような反射膜あるいは反射増加膜を有していてもよい。光導波路９の一部を除去する方法としては、切削、レーザ光の照射等の方法が挙げられる。
【０１３３】
また、図示しないが、光路変換部９６の凹部には、充填材、特にコア部９４と屈折率の異なる充填材（封止材）、金属材料による充填材（封止材）が充填されていてもよい。なお、反射面９６１は、全反射するものに限らず、例えば、ハーフミラー、ダイクロイックミラー等のように、伝送光１８の一部を反射し、残部を透過するようなものでもよい。この場合には、光路変換部９６は、光路を２方向に分離するビームスプリッターとしての機能を有する。このような反射面９６１の光学的特性は、伝送光１８の光路設計に応じで適宜設定することができる。
【０１３４】
なお、図示の構成では、反射面９６１（光路変換部９６）は、クラッド層９１とコア層９３とクラッド層９２とにまたがって形成されているが、コア層９３内のみに形成されていてもよい。
【０１３５】
また、図示されていないが、基板２と導体層５１との間、基板２と光導波路９との間のいずれか一方または双方には、後述する第３実施形態における接着層７と同様の接着層が介在していてもよい。
【０１３６】
基板２には、該基板２を貫通する開口部２０が形成されており、該開口部２０内に発光素子１０が設置されている。なお、基板２には、開口部２０に代えて、基板２を貫通しない（底部を有する）凹部が形成され、該凹部内に発光素子１０が設置されていてもよい。また、図示の構成では、発光素子１０の全体が開口部２０に収納されているが、これに限らず、発光素子１０の一部分が開口部２０内に収納されている構成であってもよい。
【０１３７】
発光素子１０は、図１中上面側に、発光部１０１と端子１０３とを有し、下面側に端子１０５を有している。端子１０３、１０５間に通電がなされると、発光部１０１が発光する。
【０１３８】
なお、発光素子１０における発光部１０１は、１つの発光点で構成されているものの他、発光点が複数個集合したものでもよい。発光点が複数個集合したものとしては、例えば、発光点が列状（例えば発光点が１×４個、１×１２個）または行列状（例えば発光点がｎ×ｍ個：ｎ、ｍは２以上の整数）に配置されたものや、複数の発光点がランダム（不規則）に配置されたもの等が挙げられる。後述する受光素子における受光部についても同様である。
【０１３９】
発光素子１０は、それらの端子１０３、１０５がそれぞれ導体層５１の所定部位に接合（電気的に接続）されるようにして基板２に搭載されている。すなわち、端子１０５は、半田（ろう材）４を介して導体層５１の所定部位に接続され、端子１０３は、ワイヤ４１を介して導体層５１の所定部位（前記端子１０５とは絶縁された部位）に接続されている。
【０１４０】
発光素子１０が収納された開口部２０内には、封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置（基板２に内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１４１】
また、ワイヤ４１も封止材３１により封止されている。これにより、ワイヤ４１の損傷、酸化劣化、断線等が防止され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１４２】
封止材３１の構成材料としては、電気絶縁性を有する樹脂材料が好ましく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノルボルネン樹脂、シリコン樹脂が挙げられる。
【０１４３】
また、封止材３１は、発光部１０１から発せられる光（伝送光１８）を実質的に透過する材料（伝送光１８に対する透光性を有する材料）で構成されているのが好ましく、実質的に透明な材料で構成されているのがより好ましい。
【０１４４】
基板２の下面側には、電子回路素子１２が搭載されている。この電子回路素子１２は、例えば半導体素子（半導体チップ）で構成されており、上面側に端子１２３および１２５を有している。電子回路素子１２の機能は特に限定されないが、一例として、発光素子１０を駆動するための回路を構成するものが挙げられる。
【０１４５】
なお、光導波路構造体１が後述する受光素子を有する場合、それに接続される電子回路素子１２は、受光部（例えばフォトダイオードで構成される）が受光することにより出力される信号（受光素子の出力信号）を処理する（例えば増幅する）ための回路を構成するものが挙げられる。
【０１４６】
また、光導波路構造体１が発光素子１０と受光素子の双方を有する場合、１つの電子回路素子１２が発光素子１０を駆動する機能と受光素子からの出力信号を処理する機能とを備えるものをすることができる。
【０１４７】
電子回路素子１２の端子１２３および１２５は、それぞれ導体層５１の所定部位に半田４により電気的に接続されている。
【０１４８】
この電子回路素子１２は、光導波路構造体１の下面側に搭載されているが、電子回路素子１２の全体（外表面）が封止材３２により覆われ、封止されている。そのため、電子回路素子１２は、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１４９】
封止材３２の構成材料としては、前記封止材３１と同様のものが挙げられるが、封止材３２は、伝送光に対する透光性を必ずしも必要としない。
【０１５０】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図１中上方へ向かって発せられた光（伝送光１８）は、封止材３１およびクラッド層９１を順次透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図１中右方向）に沿って進む。
【０１５１】
＜第２実施形態：図２＞
図２には、本発明の光導波路構造体１の第２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１５２】
本実施形態の光導波路構造体１は、電子回路素子１２の搭載箇所が前記と異なり、それ以外は第１実施形態と同様である。すなわち、電子回路素子１２は、発光素子１０と共に、基板２に形成された開口部２０内に設置（収納）されている。電子回路素子１２は、端子１２３および１２５が下方となるように設置され、端子１２３および１２５は、それぞれ導体層５１の所定部位に半田４により電気的に接続されている。端子１２５と端子１０５とは、導体層５１およびワイヤ４１を介して電気的に接続されている。
【０１５３】
発光素子１０および電子回路素子１２が収納された開口部２０内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０、電子回路素子１２およびワイヤ４１は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置（基板２に内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１５４】
本実施形態の光導波路構造体１において、発光素子１０および光導波路９の作動は、前記第１実施形態と同様である。
【０１５５】
＜第３実施形態：図３＞
図３には、本発明の光導波路構造体１の第３実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１５６】
本実施形態の光導波路構造体１は、基板２と、光導波路９と、光路変換部９６（反射面９６１）と、導体層５１、５２、５３と、異方導電性シート（または異方性導電シート）６と、接着層７と、導体ポスト８１、８２と、発光素子（電気素子）１０と、電子回路素子（電気素子）１２とを備えている。
【０１５７】
基板２の下面および上面には、それぞれ、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５１および５２が形成（接合）されている。
【０１５８】
基板２の上面には、接着層（ボンディングシート）７を介して光導波路９が接合（接着）されている。接着層７としては、例えばボンディングシートのようなシート材を用いることができ、その構成材料としては、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、フェノール樹脂系接着剤、シアネート樹脂系接着剤、マレイミド樹脂系接着剤等が挙げられる。特に、酸化防止等のために、フラックス活性を有する材料で構成されているのが好ましい。また、接着層７は、電気絶縁性を有するのが好ましい。
【０１５９】
また、接着層７としてシート材を用いず、基板２の上面または光導波路９の下面に塗膜による接着層を形成してもよい。なお、接着層７は、２層以上を積層したものでもよい。
【０１６０】
接着層７の厚さは、特に限定されないが、０．５〜１５０μｍ程度が好ましく、１０〜７０μｍ程度がより好ましい。
【０１６１】
光導波路９は、図３中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている。また、光導波路９は、光路変換部９６（反射面９６１）を有している。光導波路９および光路変換部９６の構成、作用等については、前記と同様である。
【０１６２】
光導波路９のクラッド層９１には、その下面に開口する凹部９７が形成されており、該凹部９７内に、発光素子１０が設置（収納）されている。発光素子１０の上面は、凹部９７の図３中上面（底面）に接合されている。なお、図示の構成では、発光素子１０の全体が凹部９７内に収納されているが、これに限らず、発光素子１０の一部分が凹部９７内に収納されている構成であってもよい。
【０１６３】
発光素子１０が収納された凹部９７内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置（光導波路９に内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１６４】
発光素子１０の下面側に位置する端子１０３は、異方導電性シート（または異方性導電シート）６を介して導体層５２に電気的に接続されている。ここで、異方導電性シート（または異方性導電シート）６は、例えば、ゴム材料等の電気絶縁性材料のシート基材を有し、該シート基材の厚さ方向（図３中上下方向）に多数の金属細線が埋設されており、各金属細線同士は導通しないような構造のものである。これにより、異方導電性シート（または異方性導電シート）６は、その厚さ方向には導通するが面方向には導通しないという特性、すなわち、導通方向に異方性を有するものである。
【０１６５】
このような異方導電性シート（または異方性導電シート）６を用いることにより、端子１０３の電気的接続を容易に行うことができ、特に、位置合わせ等を厳密に行わなくても良いという利点がある。
【０１６６】
光導波路９の上面には、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５３が形成（接合）されている。この場合、導体層５３は、光路変換部９６の断面三角形の凹部の内面にも形成され（図３参照）、発光素子１０の端子１０３と導通しているとともに、反射面９６１を覆っている。導体層５３を金属層で構成した場合、導体層５３が反射面９６１を構成する反射層を兼ねることができる。
【０１６７】
また、光導波路９の上部には、電子回路素子１２が搭載されている。電子回路素子１２の端子１２３および１２５は、それぞれ導体層５３の所定部位に半田４により電気的に接続されている。
【０１６８】
この電子回路素子１２は、光導波路構造体１の上面側に搭載されているが、電子回路素子１２の全体（外表面）が前記と同様の封止材３２により覆われ、封止されている。そのため、電子回路素子１２は、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１６９】
図３に示すように、光導波路構造体１には、少なくとも基板２をその厚さ方向に貫通する２つの貫通孔（スルーホール）８が形成されている。各貫通孔８には、導電材料（例えば、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミニウム系合金等の各種金属材料）が充填され、導体ポスト８１および８２を形成している。
【０１７０】
導体ポスト８１は、基板２を貫通しており、該導体ポスト８１により導体層５１と導体層５２の所定部位同士が導通している。導体ポスト８２は、基板２、接着層７および光導波路９を貫通しており、該導体ポスト８２により導体層５１と導体層５３の所定部位同士が導通している。このような導体ポスト８１、８２を形成したことにより、発光素子１０の端子１０５は、異方導電性シート（または異方性導電シート）６、導体層５２、導体ポスト８１、導体層５１および導体ポスト８２を介して導体層５３と導通するので、発光素子１０の端子１０３、１０５間への通電は、光導波路構造体１の上面側にある導体層５３の所定部位間に通電することにより可能となる。すなわち、光導波路構造体１の片面（上面）に発光素子１０への通電用端子を集中して配置させることができる。
【０１７１】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図３中上方へ向かって発せられた光（伝送光１８）は、クラッド層９１を透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図３中右方向）に沿って進む。
【０１７２】
＜第４実施形態：図４＞
図４には、本発明の光導波路構造体１の第４実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第４実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１７３】
本実施形態の光導波路構造体１は、電子回路素子１２の搭載箇所が前記と異なり、それ以外は第３実施形態等とほぼ同様である。すなわち、電子回路素子１２は、発光素子１０と共に、クラッド層９１に形成された凹部９７内に設置（収納）されている。電子回路素子１２は、端子１２３および１２５が下方となるように設置され、端子１２３および１２５は、それぞれ異方導電性シート（または異方性導電シート）６を介して導体層５２の所定部位に電気的に接続されている。
【０１７４】
発光素子１０および電子回路素子１２が収納された凹部９７内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０および電子回路素子１２は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置（光導波路９に内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１７５】
発光素子１０の端子１０３は、導体層５３と導通し、さらに導体ポスト８２を介して導体層５１の所定部位と導通している。一方、発光素子１０の端子１０５は、異方導電性シート（または異方性導電シート）６、導体層５２および導体ポスト８１を介して導体層５１の前記所定部位とは異なる部位（絶縁された部位）と導通している。これにより、発光素子１０の端子１０３、１０５間への通電は、光導波路構造体１の下面側にある導体層５１の所定部位間に通電することにより可能となる。すなわち、光導波路構造体１の片面（下面）に発光素子１０への通電用端子を集中して配置させることができる。
【０１７６】
本実施形態の光導波路構造体１において、発光素子１０および光導波路９の作動は、前記第３実施形態と同様である。
【０１７７】
＜第５実施形態：図５＞
図５には、本発明の光導波路構造体１の第５実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第４実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１７８】
本実施形態の光導波路構造体１は、絶縁層３と、光導波路９と、光路変換部９６（反射面９６１）と、導体層５１、５２と、導体ポスト８１、８２と、発光素子（電気素子）１０と、電子回路素子（電気素子）１２とを備えている。
【０１７９】
光導波路構造体１の下部には、光導波路９が設置され、光導波路９の上面には、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５１が形成（接合）されている。
【０１８０】
光導波路９は、図５中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている。また、光導波路９は、光路変換部９６（反射面９６１）を有している。光導波路９および光路変換部９６の構成、作用等については、前記と同様である。
【０１８１】
光導波路９の上部には、導体層５１を覆うように、電気絶縁性を有する絶縁層３が接合されている。絶縁層３の構成材料としては、例えば、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレンサルファイド、ポリフェニレンサルフィド、ポリキノリン、ポリノルボルネン、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、トリアゾール樹脂、ポリシアヌレート、ポリイソシアヌレート、ベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。また、これらの材料は、単独で使用してもよく、複数を混合して使用してもよい。また、絶縁層３は、組成の異なる樹脂材料の層を複数積層した積層体であってもよい。
【０１８２】
絶縁層３の厚さは、特に限定されないが、１０μｍ〜５ｍｍ程度が好ましく、１００μｍ〜３ｍｍ程度がより好ましく、３００μｍ〜２ｍｍ程度がさらに好ましい。
【０１８３】
また、図５に示すように、発光素子１０の発光部１０１を絶縁層３の一部が覆う場合、絶縁層３の構成材料は、伝送光１８に対する透光性を有するものであるのが好ましい。ただし、発光部１０１の真下（光路となる部位）に絶縁層３が存在しない場合（貫通孔等を形成した場合）には、この限りでない。
【０１８４】
光導波路９の上部には、発光素子１０が搭載されている。この場合、発光素子１０は、その発光部１０１が光導波路９の反射面９６１の真上に位置するような位置に設置されている。
【０１８５】
また、この発光素子１０は、その全部または一部が絶縁層３の内部に埋設（内蔵）されている。これにより、発光素子１０は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置（絶縁層３に内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１８６】
発光素子１０の端子１０３は、半田４により導体層５１の所定部位に電気的に接続され、端子１０５は、絶縁層３の発光素子１０より上方の部分を貫通する導体ポスト８１により導体層５２の所定部位に電気的に接続されている。また、導体層５１の所定部位と導体層５２の所定部位とは、絶縁層３を貫通する導体ポスト８２により電気的に接続されている。
【０１８７】
絶縁層３の上部には、電子回路素子１２が搭載されている。電子回路素子１２の端子１２３および１２５は、それぞれ半田４により導体層５２の所定部位に電気的に接続されている。この場合、電子回路素子１２の端子１２５は、導体層５２および導体ポスト８１を介して発光素子１０の端子１０５と導通し、電子回路素子１２の端子１２３は、導体層５２、導体ポスト８２および導体層５１を介して発光素子１０の端子１０３と導通している。
【０１８８】
この電子回路素子１２は、光導波路構造体１の上面側に搭載されているが、電子回路素子１２の全体（外表面）が前記と同様の封止材３２により覆われ、封止されている。そのため、電子回路素子１２は、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１８９】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図５中下方へ向かって発せられた光（伝送光１８）は、絶縁層３およびクラッド層９１を透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図５中右方向）に沿って進む。
【０１９０】
＜第６実施形態：図６＞
図６には、本発明の光導波路構造体１の第６実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第５実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１９１】
本実施形態の光導波路構造体１は、電子回路素子１２の搭載箇所が前記と異なり、それ以外は第５実施形態等とほぼ同様である。すなわち、電子回路素子１２は、発光素子１０と共に、光導波路９上に搭載され、絶縁層３の内部に設置されている。これにより、発光素子１０および電子回路素子１２は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置（絶縁層３に内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０１９２】
電子回路素子１２は、端子１２３および１２５が下方となるように設置され、端子１２３および１２５は、それぞれ半田４により導体層５１の所定部位に電気的に接続されている。
【０１９３】
発光素子１０の端子１０３、１０３は、それぞれ半田４により導体層５１の所定部位に電気的に接続されている。さらに、端子１０５は、絶縁層３を貫通する導体ポスト８２を介して導体層５２の所定部位と導通している。
【０１９４】
本実施形態の光導波路構造体１において、発光素子１０および光導波路９の作動は、前記第５実施形態と同様である。
【０１９５】
＜第７実施形態：図７＞
図７には、本発明の光導波路構造体１の第７実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第６実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０１９６】
本実施形態の光導波路構造体１は、基板２と、絶縁層３と、光導波路９と、光路変換部９６（反射面９６１）と、導体層５１、５２、５３と、導体ポスト８１、８２と、発光素子（電気素子）１０と、電子回路素子（電気素子）１２とを備えている。
【０１９７】
基板２の下面および上面には、それぞれ、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５１および５２が形成（接合）されている。基板２の上面には、導体層５２を覆うように前記と同様の絶縁層３が形成されている。
【０１９８】
絶縁層３の内部には、光導波路９と発光素子１０とが内蔵されている。光導波路９は、図７中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、絶縁層３内における下面付近に位置している。図示の構成では、光導波路９の全体が絶縁層３に内臓されているが、これに限らず、光導波路９の一部が絶縁層３に内蔵されていてもよい。
【０１９９】
光導波路９のコア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている。また、光導波路９は、光路変換部９６（反射面９６１）を有している。光導波路９および光路変換部９６の構成、作用等については、前記と同様である。
【０２００】
絶縁層３内における光導波路９の上部には、発光素子１０が設置されている。発光素子１０は、その下面側に発光部１０１と端子１０３、１０５とを有し、端子１０３および１０５は、それぞれ半田４により導体層５２の所定部位に電気的に接続されている。また、発光素子１０の下面は、クラッド層９２に当接し、発光部１０１が反射面９６１の真上に位置している。
【０２０１】
また、導体層５２の所定部位と導体層５３の所定部位とは、絶縁層３を貫通する導体ポスト８２により電気的に接続されており、これにより、発光素子１０の端子１０３は、導体層５２および導体ポスト８２を介して導体層５３の所定部位と導通している。
【０２０２】
発光素子１０は、その全部または一部が絶縁層３の内部に埋設（内蔵）されており、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２０３】
基板２の下部には、電子回路素子１２が搭載されている。電子回路素子１２はその上面側に端子１２３、１２５を有し、端子１２３および１２５は、それぞれ半田４により導体層５１の所定部位に電気的に接続されている。この場合、電子回路素子１２の端子１２５は、導体層５１、基板２を貫通する導体ポスト８１および導体層５２を介して発光素子１０の端子１０５と導通している。
【０２０４】
この電子回路素子１２は、光導波路構造体１の下面側に搭載されているが、電子回路素子１２の全体（外表面）が前記と同様の封止材３２により覆われ、封止されている。そのため、電子回路素子１２は、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２０５】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図７中下方へ向かって発せられた光（伝送光１８）は、クラッド層９２を透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図７中右方向）に沿って進む。
【０２０６】
＜第８実施形態：図８＞
図８には、本発明の光導波路構造体１の第８実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第７実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０２０７】
本実施形態の光導波路構造体１は、電子回路素子１２の搭載箇所が前記と異なり、それ以外は第７実施形態等とほぼ同様である。すなわち、電子回路素子１２は、発光素子１０と共に、基板２上に搭載され、絶縁層３の内部に設置されている。これにより、発光素子１０および電子回路素子１２は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく光導波路構造体１の内部に設置（絶縁層３に内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２０８】
電子回路素子１２は、端子１２３および１２５が下方となるように設置され、端子１２３および１２５は、それぞれ半田４により導体層５２の所定部位に電気的に接続されている。端子１２５は、さらに、絶縁層３を貫通する導体ポスト８２を介して、基板２の上面に形成された導体層５３の所定部位と導通している。
【０２０９】
発光素子１０の端子１０３、１０３は、それぞれ半田４により導体層５２の所定部位に電気的に接続されており、端子１０５は、さらに、基板２を貫通する導体ポスト８１を介して、基板２の下面に形成された導体層５１の所定部位と導通している。
【０２１０】
本実施形態の光導波路構造体１において、発光素子１０および光導波路９の作動は、前記第７実施形態と同様である。
【０２１１】
＜第９実施形態：図９＞
図９には、本発明の光導波路構造体１の第９実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第８実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０２１２】
本実施形態の光導波路構造体１は、光導波路基板１４と素子搭載基板１６とを有し、これらを接着層７（または絶縁層３）を介して接合してなるものである。接着層７（または絶縁層３）は、前記と同様のものを用いることができる。以下、光導波路基板１４と素子搭載基板１６の構成について順次説明する。
【０２１３】
光導波路基板１４は、第１基板２ａと、第１基板２ａに搭載された光導波路９と、光路変換部９６（反射面９６１）とを有している。この場合、光導波路９は、第１基板２ａの下面に接合されている。第１基板２ａは、前記基板２と同様のものを用いることができる。
【０２１４】
光導波路９は、図９中下側からクラッド層９１、コア層９３およびクラッド層９２をこの順に積層してなるものであり、コア層９３には、所定パターンのコア部９４とクラッド部９５とが形成されている。また、光導波路９は、光路変換部９６（反射面９６１）を有している。光導波路９および光路変換部９６の構成、作用等については、前記と同様である。
【０２１５】
素子搭載基板１６は、第２基板ｂと、第２基板２ｂに搭載された発光素子１０と、第３基板２ｃと、電子回路素子１２と、導体層５１、５２と、導体ポスト８１、８２とを有している。
【０２１６】
第２基板２ｂは、前記基板２と同様のものを用いることができる。第２基板２ｂの下面には、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５１が形成（接合）されている。
【０２１７】
さらに第２基板２ｂの下面側には、前記と同様の接着層７（または絶縁層３）を介して第３基板２ｃが接合されている。第３基板２ｃの下面には、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５２が形成（接合）されている。
【０２１８】
第３基板２ｃは、第２基板２ｂより下方（外側）に形成されている。第３基板２ｃには、該第３基板２ｃを貫通する開口部２０が形成されており、該開口部２０内に発光素子１０が設置されている。なお、第３基板２ｃには、開口部２０に代えて、第３基板２ｃを貫通しない（底部を有する）凹部が形成され、該凹部内に発光素子１０が設置されていてもよい。また、図示の構成では、発光素子１０の全体が開口部２０に収納されているが、これに限らず、発光素子１０の一部分が開口部２０内に収納されている構成であってもよい。
【０２１９】
発光素子１０は、図９中上面側に、発光部１０１と端子１０３、１０５とを有し、端子１０３および１０５は、それぞれ、半田４により導体層５２の所定部位に電気的に接続されている。なお、発光部１０１の真上の部位には、発光部１０１から発せられた伝送光１８の光路を確保するため、導体層５２は形成されていない。
【０２２０】
発光素子１０が収納された開口部２０内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく素子搭載基板１６の内部に設置（第２基板２ｂに内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２２１】
第２基板２ｂにおける発光部１０１の真上の位置でかつ反射面９６１の真下の位置には、第２基板２ｂを貫通する貫通孔２２が形成されている。この貫通孔２２は、伝送光１８を透光する透光部２１を構成するものである。すなわち、この貫通孔２２が、伝送光１８を第２基板２ｂの厚さ方向に導光（伝送）する導光路となる。
【０２２２】
なお、図示されていないが、貫通孔２２の内部（全部または一部）に、伝送光１８の透過率が８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上の材料による充填材が充填されていてもよい。また、図示されていないが、貫通孔２２の内面等に導電材料による層を形成することによって、光伝送機能の他に、電気信号を伝送する機能を持たせてもよい。
【０２２３】
また、第２基板２ｂ自体を、伝送光１８に対する透光性を有する材料で構成すること、すなわち、第２基板２ｂを実質的に透明な透明基板とすることができ、この場合には、該第２基板２ｂにおける発光部１０１の真上の部分は、貫通孔２２が形成されていなくても透光部２１を構成することとなる。
【０２２４】
第２基板２ｂおよび接着層７には、これらを貫通する導体ポスト８１および８２が形成されている。導体ポスト８１により導体層５１と導体層５２の所定部位同士が電気的に接続され、導体ポスト８２により導体層５１と導体層５２の所定部位同士が電気的に接続されている。
【０２２５】
第３基板２ｃの下部には、電子回路素子１２が搭載されている。電子回路素子１２はその上面側に端子１２３、１２５を有し、端子１２３および１２５は、それぞれ半田４により導体層５１の所定部位に電気的に接続されている。この場合、電子回路素子１２の端子１２３は、導体層５１、導体ポスト８１および導体層５２を介して発光素子１０の端子１０３と導通している。
【０２２６】
この電子回路素子１２は、光導波路構造体１の下面側に搭載されているが、電子回路素子１２の全体（外表面）が前記と同様の封止材３２により覆われ、封止されている。そのため、電子回路素子１２は、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２２７】
光導波路構造体１は、以上のような光導波路基板１４と素子搭載基板１６とを接着層７（または絶縁層３）を介して接合してなるものである。この場合、光導波路基板１４と素子搭載基板１６とは、光導波路９が内側（素子搭載基板１６側）となるように接合されている。換言すれば、光導波路基板１４と素子搭載基板１６とは、第１基板２ａが外側となるように接合されている。これにより、光導波路９は、両基板２ａ、２ｂ間に位置することとなるので、光導波路９の保護機能がより一層強化され、デバイスのさらなる信頼性向上に寄与する。
【０２２８】
なお、光導波路基板１４や素子搭載基板１６の層構成は、図示のものに限定されず、特に、光導波路基板１４における光導波路９の位置や、基板２ａ、２ｂの位置は、いかなる位置でもよく、これらの位置関係も特に限定されない。
【０２２９】
光導波路基板１４と素子搭載基板１６との間の接着層７は、伝送光１８に対する透光性を有するものが好ましい。または、該接着層７における発光部１０１の真上の部位に前記貫通孔２２と同様の貫通孔が形成されているのが好ましい。このような構成としたことにより、発光部１０１、反射面９６１間の光路における伝送光１８の伝送をより良好に行うことができる。
【０２３０】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図９中上方へ向かって発せられた光（伝送光１８）は、封止材３１を透過し、貫通孔２２内を通り、接着層７およびクラッド層９２を透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図９中右方向）に沿って進む。
【０２３１】
＜第１０実施形態：図１０＞
図１０には、本発明の光導波路構造体１の第１０実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第９実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０２３２】
本実施形態の光導波路構造体１は、素子搭載基板１６における電子回路素子１２の搭載箇所が前記と異なり、それ以外は第９実施形態と同様である。すなわち、第２基板２ｂの下部には、発光素子１０と電子回路素子１２とが搭載されているが、電子回路素子１２は、発光素子１０と共に、第３基板２ｃに形成された開口部２０内に設置（収納）されている。電子回路素子１２は、端子１２３および１２５が上方となるように設置され、端子１２３および１２５は、それぞれ導体層５２の所定部位に半田４により電気的に接続されている。端子１２３と端子１０３とは、導体層５２を介して電気的に接続されている。
【０２３３】
発光素子１０および電子回路素子１２が収納された開口部２０内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０および電子回路素子１２は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく素子搭載基板１６の内部に設置（第３基板２ｃに内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２３４】
本実施形態の光導波路構造体１において、発光素子１０および光導波路９の作動は、前記第９実施形態と同様である。
【０２３５】
＜第１１実施形態：図１１＞
図１１には、本発明の光導波路構造体１の第１１実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第１０実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０２３６】
本実施形態の光導波路構造体１は、光導波路基板１４と素子搭載基板１６とを有し、これらを前記と同様の接着層７（または絶縁層３）を介して接合してなるものである。接着層７（または絶縁層３）は、前記と同様のものを用いることができる。
【０２３７】
光導波路基板１４は、第１基板２ａの上面に導体層５３が接合されている以外は、前記第１０実施形態と同様である。この場合、導体層５３は、所望の形状にパターンニングされたものでもよいが、図１１に示すように、パターンニングされておらずまたはパターンニングされる前の層であってもよい。
【０２３８】
素子搭載基板１６は、第２基板ｂと、第２基板２ｂに搭載された発光素子１０および電子回路素子１２と、第３基板２ｃと、導体層５１、５２と、導体ポスト８１、８２とを有している。この場合、第３基板２ｃは、第２基板２ｂより上方（内側）に形成（接合）されている。
【０２３９】
第２基板２ｂの下面および上面には、それぞれ、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５１および５２が形成（接合）されている。
【０２４０】
第３基板２ｃには、該第３基板２ｃを貫通する開口部２０が形成されており、該開口部２０内に発光素子１０が設置されている。なお、第３基板２ｃには、開口部２０に代えて、第３基板２ｃを貫通しない（底部を有する）凹部が形成され、該凹部内に発光素子１０が設置されていてもよい。また、図示の構成では、発光素子１０の全体が開口部２０に収納されているが、これに限らず、発光素子１０の一部分が開口部２０内に収納されている構成であってもよい。
【０２４１】
発光素子１０は、図１１中上面側に、発光部１０１と端子１０３とを有し、下面側に端子１０５を有している。
【０２４２】
発光素子１０は、それらの端子１０３、１０５がそれぞれ導体層５２の所定部位に接合（電気的に接続）されるようにして第２基板２ｂの上部に搭載されている。すなわち、端子１０５は、半田４を介して導体層５２の所定部位に接続され、端子１０３は、ワイヤ４１を介して導体層５２の所定部位（前記端子１０５とは絶縁された部位）に接続されている。
【０２４３】
発光素子１０が収納された開口部２０内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく素子搭載基板１６の内部に設置（第３基板２ｃに内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２４４】
また、ワイヤ４１も封止材３１により封止されている。これにより、ワイヤ４１の損傷、酸化劣化、断線等が防止され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２４５】
発光部１０１と反射面９６１との間に位置する封止材３１および接着層７は、伝送光１８に対する透光性を有している。これにより、発光部１０１と反射面９６１との間の部位は、伝送光１８を透光する透光部２１を構成することとなり、発光部１０１、反射面９６１間の光路における伝送光１８の伝送を良好に行うことができる。
【０２４６】
なお、図示されていないが、透光部２１には、前記貫通孔２２と同様の貫通孔を設けてもよく、あるいは、該貫通孔の内部（全部または一部）に、伝送光１８の透過率が８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上の材料による充填材が充填されていてもよい。
【０２４７】
第２基板２ｂには、該第２基板２ｂを貫通する導体ポスト８１および８２が形成されている。導体ポスト８１により導体層５１と導体層５２の所定部位同士が電気的に接続され、導体ポスト８２により導体層５１と導体層５２の所定部位同士が電気的に接続されている。
【０２４８】
第２基板２ｂの下部（発光素子１０と反対側）には、電子回路素子１２が搭載されている。電子回路素子１２はその上面側に端子１２３、１２５を有し、端子１２３および１２５は、それぞれ半田４により導体層５１の所定部位に電気的に接続されている。この場合、電子回路素子１２の端子１２３は、導体層５１、導体ポスト８１、導体層５２およびワイヤ４１を介して発光素子１０の端子１０３と導通している。
【０２４９】
この電子回路素子１２は、光導波路構造体１の下面側に搭載されているが、電子回路素子１２の全体（外表面）が前記と同様の封止材３２により覆われ、封止されている。そのため、電子回路素子１２は、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２５０】
光導波路構造体１は、以上のような光導波路基板１４と素子搭載基板１６とを接着層７（または絶縁層３）を介して接合してなるものである。この場合、光導波路基板１４と素子搭載基板１６とは、光導波路９が内側（素子搭載基板１６側）となるように接合されている。また、光導波路基板１４と素子搭載基板１６とは、第１基板２ａと第２基板２ｂとがそれぞれ外側となるように接合されている。これにより、光導波路９および発光素子１０は、両基板２ａ、２ｂ間に位置することとなるので、それらの保護機能がより一層強化され、デバイスのさらなる信頼性向上に寄与する。
【０２５１】
本実施形態の光導波路構造体１では、電子回路素子１２の作動により発光素子１０の端子１０３、１０５間へ通電がなされると、発光部１０１が点灯し、図１１中上方へ向かって発せられた光（伝送光１８）は、透光部２１を透過し（封止材３１および接着層７を透過し）、さらにクラッド層９２を透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、クラッド部（クラッド層９１、９２および側方のクラッド部９５）との界面で反射を繰り返しながら、コア部９４内をその長手方向（図１１中右方向）に沿って進む。
【０２５２】
＜第１２実施形態：図１２＞
図１２には、本発明の光導波路構造体１の第１２実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第１１実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０２５３】
本実施形態の光導波路構造体１は、素子搭載基板１６における電子回路素子１２の搭載箇所が前記と異なり、それ以外は第１１実施形態と同様である。すなわち、第２基板２ｂの上部には、発光素子１０と電子回路素子１２とが搭載されているが、電子回路素子１２は、発光素子１０と共に、第３基板２ｃに形成された開口部２０内に設置（収納）されている。電子回路素子１２は、端子１２３および１２５が下方となるように設置され、端子１２３および１２５は、それぞれ導体層５２の所定部位に半田４により電気的に接続されている。端子１２３と端子１０３とは、導体層５２およびワイヤ４１を介して電気的に接続されている。
【０２５４】
発光素子１０および電子回路素子１２が収納された開口部２０内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０および電子回路素子１２は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく素子搭載基板１６の内部に設置（第３基板２ｃに内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２５５】
本実施形態の光導波路構造体１において、発光素子１０および光導波路９の作動は、前記第９実施形態と同様である。
【０２５６】
＜第１３実施形態：図１３＞
図１３には、本発明の光導波路構造体１の第１３実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第１２実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０２５７】
本実施形態の光導波路構造体１は、素子搭載基板１６における透光部２１にレンズ部２３が設けられている点が異なり、それ以外は第１０実施形態と同様である。すなわち、透光部２１には、伝送光１８を集光または拡散し得るレンズ部２３が設けられている。
【０２５８】
図示の構成では、レンズ部２３は、貫通孔２２内に設置された凸レンズ（正確には、平凸レンズ）で構成されている。これにより、発光部１０１から図１３の上方へ向かって発せられた伝送光１８は、封止材３１を透過した後、貫通孔２２を通り、レンズ部２３で集光されてその光束（ビーム）が絞られ、この光束が接着層７およびクラッド層９１を順次透過し、反射面９６１で反射されて９０°屈曲し、光導波路９のコア部９４に入り、コア部９４内をその長手方向（図１３中右方向）に沿って進む。
【０２５９】
このようなレンズ部２３を設けることにより、より明確な（シャープな）伝送光１８を得ることができ、より優れた光伝送特性を得ることができ、デバイスの信頼性の向上に寄与する。
【０２６０】
なお、レンズ部２３は、伝送光１８を拡散し得るものでもよい。この場合には、凹レンズを用いればよい。
【０２６１】
また、レンズ部２３の設置位置は、図１３に示す位置に限らず、例えば透光部２１の途中や下部であってもよく、あるいは、その他の箇所、例えばコア部９４の途中や、コア部９４の入射側端部または出射側端部であってもよい。
【０２６２】
＜第１４実施形態：図１４＞
図１４には、本発明の光導波路構造体１の第１４実施形態が示されている。以下、この光導波路構造体１について説明するが、前記第１〜第１３実施形態と同様の事項（構成、作動等）についてはその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【０２６３】
本実施形態の光導波路構造体１は、素子搭載基板１６の構成が異なり、それ以外は第１０実施形態と同様である。すなわち、本実施形態における素子搭載基板１６は、第２基板ｂと、第２基板２ｂに搭載（内蔵）された発光素子１０および電子回路素子１２と、導体層５１とを有している。
【０２６４】
第２基板２ｂの下面には、所定の形状にパターンニングされて所望の配線または回路を構成する導体層５１が形成（接合）されている。
【０２６５】
第２基板２ｂには、該第２基板２ｂを貫通する開口部２０が形成されており、該開口部２０内に発光素子１０および電子回路素子１２が設置（収納）されている。なお、第２基板２ｂには、開口部２０に代えて、第２基板２ｂを貫通しない（底部を有する）凹部が形成され、該凹部内に発光素子１０および／または電子回路素子１２が設置されていてもよい。また、図示の構成では、発光素子１０および電子回路素子１２は、その全体が開口部２０に収納されているが、これに限らず、発光素子１０および／または電子回路素子１２の一部分が開口部２０内に収納されている構成であってもよい。
【０２６６】
発光素子１０は、図１４中上面側に、発光部１０１と端子１０３とを有し、下面側に端子１０５を有している。
【０２６７】
発光素子１０は、それらの端子１０３、１０５がそれぞれ導体層５１の所定部位に接合（電気的に接続）されるようにして第２基板２ｂの内部に搭載（内蔵）されている。すなわち、端子１０５は、半田４を介して導体層５１の所定部位に接続され、端子１０３は、ワイヤ４１を介して導体層５１の所定部位（前記端子１０５とは絶縁された部位）に接続されている。
【０２６８】
電子回路素子１２は、それらの端子１２３および１２５がそれぞれ導体層５１の所定部位に接合（電気的に接続）されるようにして第２基板２ｂの内部に搭載（内蔵）されている。すなわち、端子１２５は、半田４を介して導体層５１の所定部位に接続され、端子１２３は、半田４を介して導体層５１の所定部位（前記端子１２５とは絶縁された部位）に接続されている。また、端子１２３と端子１０３とは、導体層５１およびワイヤ４１を介して電気的に接続されている。
【０２６９】
発光素子１０および電子回路素子１２が収納された開口部２０内には、前記と同様の封止材３１が充填され、封止されている。これにより、発光素子１０および電子回路素子１２は、光導波路構造体１の外表面に露出することなく素子搭載基板１６の内部に設置（第３基板２ｃに内蔵）されるため、汚れ、損傷、酸化劣化等から保護され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２７０】
また、ワイヤ４１も封止材３１により封止されている。これにより、ワイヤ４１の損傷、酸化劣化、断線等が防止され、デバイスの信頼性向上に寄与する。
【０２７１】
発光部１０１と反射面９６１との間に位置する封止材３１および接着層７は、伝送光１８に対する透光性を有している。これにより、発光部１０１と反射面９６１との間の部位は、伝送光１８を透光する透光部２１を構成することとなり、発光部１０１、反射面９６１間の光路における伝送光１８の伝送を良好に行うことができる。
【０２７２】
なお、図示されていないが、透光部２１には、前記貫通孔２２と同様の貫通孔を設けてもよく、あるいは、該貫通孔の内部（全部または一部）に、伝送光１８の透過率が８０％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上の材料による充填材が充填されていてもよい。また、透光部２１等に、前記レンズ部２３を設けてもよい。
【０２７３】
光導波路構造体１は、以上のような光導波路基板１４と素子搭載基板１６とを接着層７（または絶縁層３）を介して接合してなるものである。この場合、光導波路基板１４と素子搭載基板１６とは、光導波路９が内側（素子搭載基板１６側）となるように接合されている。これにより、光導波路９は、両基板２ａ、２ｂ間に位置することとなるので、その保護機能がより一層強化され、デバイスのさらなる信頼性向上に寄与する。
【０２７４】
以上、各実施形態を例に挙げて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限り、他の構成のものでもよい。また、本発明は、前記第１〜第１４実施形態のうちの任意の２以上の実施形態が備える構成を組み合わせたものでもよい。
【０２７５】
次に、前記各実施形態における、光導波路９の製造方法および各部の構成材料等について説明するが、特にコア部９４の形成方法について詳細に説明する。
【０２７６】
＜第１の製造方法＞
まず、光導波路９の第１の製造方法について説明する。
【０２７７】
図１５−Ａ〜図１５−Ｅは、それぞれ、光導波路の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【０２７８】
［１Ａ］  まず、支持基板９５１上に、層９１０を形成する（図１５−Ａ参照）。
層９１０は、コア層形成用材料（ワニス）９００を塗布し硬化（固化）させる方法により形成される。
【０２７９】
具体的には、層９１０は、支持基板９５１上にコア層形成用材料９００を塗布して液状被膜を形成した後、この支持基板９５１を換気されたレベルテーブルに置いて、液状被膜表面の不均一な部分を水平化するとともに、溶媒を蒸発（脱溶媒）することにより形成する。
【０２８０】
層９１０を塗布法で形成する場合、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０２８１】
支持基板９５１には、例えば、シリコン基板、二酸化ケイ素基板、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が用いられる。
【０２８２】
コア層形成用材料９００は、ポリマー９１５と、添加剤９２０（本実施形態では、少なくともモノマー、助触媒および触媒前駆体を含む）とで構成される光誘発熱現像性材料（ＰＩＴＤＭ）を含有し、活性放射線の照射および加熱により、ポリマー９１５中において、モノマーの反応が生じる材料である。
【０２８３】
そして、得られた層９１０中では、ポリマー（マトリックス）９１５は、いずれも、実質的に一様かつランダムに分配され、添加剤９２０は、ポリマー９１５内に実質的に一様かつランダムに分散されている。これにより、層９１０中には、添加剤９２０が実質的に一様かつ任意に分散されている。
【０２８４】
このような層９１０の平均厚さは、形成すべきコア層９３の厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【０２８５】
ポリマー９１５には、透明性が十分に高く（無色透明であり）、かつ、後述するモノマーと相溶性を有するもの、さらに、その中で後述するようにモノマーが反応（重合反応や架橋反応）可能であり、モノマーが重合した後においても、十分な透明性を有するものが好適に用いられる。
【０２８６】
ここで、「相溶性を有する」とは、モノマーが少なくとも混和して、コア層形成用材料９００中や層９１０中においてポリマー９１５と相分離を起こさないことを言う。
【０２８７】
このようなポリマー９１５としては、例えば、ノルボルネン系樹脂やベンゾシクロブテン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体など）用いることができる。
【０２８８】
これらの中でも、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。ポリマー９１５としてノルボルネン系ポリマーを用いることにより、優れた光伝送性能や耐熱性を有するコア層９３を得ることができる。
【０２８９】
また、ノルボルネン系ポリマーは、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いコア層９３を得ることができる。
【０２９０】
ノルボルネン系ポリマーとしては、単独の繰り返し単位を有するもの（ホモポリマー）、２つ以上のノルボルネン系繰り返し単位を有するもの（コポリマー）のいずれであってもよい。
【０２９１】
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
【０２９２】
これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
【０２９３】
これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、下記化１（構造式Ｂ）で表される少なくとも１個の繰り返し単位を有するもの、すなわち、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。
【０２９４】
【化１】
2006323317.tif 000003
【０２９５】
かかるノルボルネン系ポリマーは、例えば、後述するノルボルネン系モノマー（後述する化３で表されるノルボルネン系モノマーや、架橋性ノルボルネン系モノマー）を用いることにより好適に合成される。
【０２９６】
なお、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、芳香族環（芳香族基）、窒素原子、臭素原子や塩素原子を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。一方、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５を得るためには、分子構造中に、アルキル基、フッ素原子やエーテル構造（エーテル基）を有するモノマーを一般的に選択して、ポリマー９１５が合成（重合）される。
【０２９７】
比較的高い屈折率を有するノルボルネン系ポリマーとしては、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。かかるノルボルネン系ポリマーは、特に高い屈折率を有する。
【０２９８】
アラルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアラルキル基（アリールアルキル基）としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基、フルオレニルエチル基、フルオレニルプロピル基等が挙げられるが、ベンジル基やフェニルエチル基が特に好ましい。
【０２９９】
かかる繰り返し単位を有するノルボルネン系ポリマーは、極めて高い屈折率を有するものであることから好ましい。
【０３００】
また、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高いため、かかるノルボルネン系ポリマーを用いることにより、光導波路９に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
【０３０１】
アルキルノルボルネンの繰り返し単位が有するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、ヘキシル基が特に好ましい。なお、これらのアルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
【０３０２】
ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマー全体の屈折率が低下するのを防止し、かつ、高い柔軟性を保持することができる。
【０３０３】
ここで、光導波路９は、例えば、６００〜１５５０ｎｍ程度の波長領域の光を使用したデータ通信において好適に使用されるが、ヘキシル（アルキル）ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることから好ましい。
【０３０４】
このようなノルボルネン系ポリマーの好ましい具体例としては、ヘキシルノルボルネンのホモポリマー、フェニルエチルノルボルネンのホモポリマー、ベンジルノルボルネンのホモポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとベンジルノルボルネンとのコポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０３０５】
本実施形態のコア層形成用材料９００は、添加剤９２０として、モノマー、助触媒（第１の物質）および触媒前駆体（第２の物質）を含んでいる。
【０３０６】
モノマーは、後述する活性放射線に照射により、活性放射線の照射領域において反応して反応物を形成し、この反応物の存在により、層９１０において照射領域と、活性放射線の未照射領域とにおいて、屈折率差を生じさせ得るような化合物である。
【０３０７】
ここで、この反応物としては、モノマーがポリマー（マトリックス）９１５中で重合して形成されたポリマー（重合体）、ポリマー９１５同士を架橋する架橋構造、および、ポリマー９１５に重合してポリマー９１５から分岐した分岐構造（ブランチポリマーや側鎖（ペンダントグループ））のうちの少なくとも１つが挙げられる。
【０３０８】
ここで、層９１０において、照射領域の屈折率が高くなることが望まれる場合には、比較的低い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して高い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用され、照射領域の屈折率が低くなることが望まれる場合には、比較的高い屈折率を有するポリマー９１５と、このポリマー９１５に対して低い屈折率を有するモノマーとが組み合わせて使用される。
【０３０９】
なお、屈折率が「高い」または「低い」とは、屈折率の絶対値を意味するものではなく、ある材料同士の相対的な関係を意味する。
【０３１０】
そして、モノマーの反応（反応物の生成）により、層９１０において照射領域の屈折率が低下する場合、当該部分がクラッド部９５となり、照射領域の屈折率が上昇する場合、当該部分がコア部９４となる。
【０３１１】
このようなモノマーとしては、重合可能な部位を有する化合物であればよく、特に限定されないが、例えば、ノルボルネン系モノマー、アクリル酸（メタクリル酸）系モノマー、エポキシ系モノマー、スチレン系モノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０３１２】
これらの中でも、モノマーとしては、ノルボルネン系モノマーを用いるのが好ましい。ノルボルネン系モノマーを用いることにより、光伝送性能に優れ、かつ、耐熱性および柔軟性に優れるコア層９３（光導波路９）が得られる。
【０３１３】
ここで、ノルボルネン系モノマーとは、下記化２（構造式Ａ）で示されるノルボルネン骨格を少なくとも１つ含むモノマーを総称し、例えば、下記化３（構造式Ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【０３１４】
【化２】
2006323317.tif 000004
【０３１５】
【化３】
2006323317.tif 000005
［式中、ａは、単結合または二重結合を表し、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換の炭化水素基、または官能置換基を表し、ｍは、０〜５の整数を表す。ただし、ａが二重結合の場合、Ｒ１およびＲ２のいずれか一方、Ｒ３およびＲ４のいずれか一方は存在しない。］
【０３１６】
無置換の炭化水素基（ハイドロカルビル基）としては、例えば、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルキニル基、炭素数４〜１２（Ｃ４〜Ｃ１２）のシクロアルキル基、炭素数４〜１２（Ｃ４〜Ｃ１２）のシクロアルケニル基、炭素数６〜１２（Ｃ６〜Ｃ１２）のアリール基、炭素数７〜２４（Ｃ７〜Ｃ２４）のアラルキル基（アリールアルキル基）等が挙げられ、その他、Ｒ１およびＲ２、Ｒ３およびＲ４が、それぞれ炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキリデニル基であってもよい。
【０３１７】
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基およびデシル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３１８】
アルケニル基の具体例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基およびシクロヘキセニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３１９】
アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基および２−ブチニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３２０】
シクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基およびシクロオクチル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３２１】
アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基およびアントラセニル（ａｎｔｈｒａｃｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３２２】
アラルキル（ａｒａｌｋｙｌ）基の具体例としては、ベンジル基およびフェニルエチル（フェネチル：ｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３２３】
また、アルキリデニル（ａｌｋｙｌｉｄｅｎｙｌ）基の具体例としては、メチリデニル（ｍｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基およびエチリデニル（ｅｔｈｙｌｉｄｅｎｙｌ）基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３２４】
置換された炭化水素基としては、前記の炭化水素基が有する水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換されたもの、すなわち、ハロハイドロカルビル（ｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基、パーハロハイドロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｈｙｄｒｏｃａｒｂｙｌ）基であるか、パーハロカルビル（ｐｅｒｈａｌｏｃａｒｂｙｌ）基のようなハロゲン化炭化水素基が挙げられる。
【０３２５】
これらのハロゲン化炭化水素基において、水素原子に置換するハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素および臭素から選択される少なくとも１種が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
【０３２６】
このうち、パーハロゲン化された炭化水素基（パーハロハイドロカルビル基、パーハロカルビル基）の具体例としては、例えば、パーフルオロフェニル基、パーフルオロメチル基（トリフルオロメチル基）、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。
【０３２７】
なお、ハロゲン化アルキル基には、炭素数１〜１０のもの以外に、炭素数１１〜２０のものも好適に用いることができる。すなわち、ハロゲン化アルキル基には、部分的または完全にハロゲン化され、直鎖状または分岐状をなし、一般式：−ＣＺＸ’’２Ｚ＋１で表される基を選択することができる。ここで、Ｘ’’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｚは、１〜２０の整数を表す。
【０３２８】
また、置換された炭化水素基としては、ハロゲン原子の他、直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ１〜Ｃ５）のアルキル基またはハロアルキル基、アリール基およびシクロアルキル基で更に置換された、シクロアルキル基、アリール基およびアラルキル基（アラアルキル基）等が挙げられる。
【０３２９】
また、官能置換基としては、例えば、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ２）２−Ｏ−Ｓｉ（Ｍｅ）３、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ３）２−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、−（ＣＨ２）ｎ−ＣＨ（ＣＦ３）２−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（ＣＨ３）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ２、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｃｌ、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ５、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ（Ｒ５）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ（ＯＲ５）３、−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ５）３および−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ６等が挙げられる。
【０３３０】
ここで、前記各式において、それぞれ、ｎは、０〜１０の整数を示し、Ｒ５は、それぞれ独立して、水素原子、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルケニル基、直鎖状または分岐状の炭素数２〜１０（Ｃ２〜Ｃ１０）のアルキニル基、炭素数５〜１２（Ｃ５〜Ｃ１２）のシクロアルキル基、炭素数６〜１４（Ｃ６〜Ｃ１４）のアリール基、炭素数６〜１４（Ｃ６〜Ｃ１４）のハロゲン化もしくはパーハロゲン化アリール基または炭素数７〜２４（Ｃ７〜Ｃ２４）のアラルキル基を表す。
【０３３１】
なお、Ｒ５で示される炭化水素基は、Ｒ１〜Ｒ４で示されるものと同一の炭化水素基を示す。Ｒ１〜Ｒ４で示すように、Ｒ５で示される炭化水素基は、ハロゲン化またはパーハロゲン化されていてもよい。
【０３３２】
例えば、Ｒ５が炭素数１〜２０（Ｃ１〜Ｃ２０）のハロゲン化またはパーハロゲン化アルキル基である場合、Ｒ５は、一般式：−ＣＺＸ’’２Ｚ＋１で表される。ここで、ｚおよびＸ’’は、それぞれ、上記の定義と同じであり、Ｘ’’の少なくとも１つは、ハロゲン原子（例えば、臭素原子、塩素原子またはフッ素原子）である。
【０３３３】
ここで、パーハロゲン化アルキル基とは、前記一般式において、すべてのＸ’’がハロゲン原子である基であり、その具体例としては、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、−Ｃ７Ｆ１５、−Ｃ１１Ｆ２３が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３３４】
パーハロゲン化アリール基の具体例としては、ペンタクロロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３３５】
また、Ｒ６としては、例えば、−Ｃ（ＣＨ３）３、−Ｓｉ（ＣＨ３）３、−ＣＨ（Ｒ７）−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ（Ｒ７）ＯＣ（ＣＨ３）３および下記化４の環状基等が挙げられる。
【０３３６】
【化４】
2006323317.tif 000006
【０３３７】
ここで、Ｒ７は、水素原子、あるいは直鎖状または分岐状の炭素数１〜５（Ｃ１〜Ｃ５）のアルキル基を表す。
【０３３８】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル、ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基が挙げられる。
【０３３９】
なお、上記化４で表される環状基では、環構造から延びる単結合と酸置換基との間でエステル結合が形成される。
【０３４０】
Ｒ６の具体例としては、例えば、１−メチル−１−シクロヘキシル基、イソボルニル（ｉｓｏｂｏｒｎｙｌ）基、２−メチル−２−イソボルニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、テトラヒドロフラニル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎｙｌ）基、テトラヒドロピラノイル（ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｏｙｌ）基、３−オクソシクロヘキサノイル（３−ｏｘｏｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｙｌ）基、メバロンラクトニル（ｍｅｖａｌｏｎｉｃ  ｌａｃｔｏｎｙｌ）基、１−エトキシエチル基、１−ｔ−ブトキシエチル基等が挙げられる。
【０３４１】
また、他のＲ６としては、例えば、下記化５で表されるジシクロプロピルメチル基（Ｄｃｐｍ）、ジメチルシクロプロピルメチル基（Ｄｍｃｐ）等が挙げられる。
【０３４２】
【化５】
2006323317.tif 000007
【０３４３】
また、モノマーには、上記のモノマーに代えて、または、上記のモノマーとともに架橋性モノマー（架橋剤）を用いることもできる。この架橋性モノマーは、後述する触媒前駆体の存在下で、架橋反応を生じ得る化合物である。
【０３４４】
架橋性モノマーを用いることにより、次のような利点がある。すなわち、架橋性モノマーは、より速く重合するので、コア層９３（光導波路９）の形成（プロセス）に要する時間を短縮することができる。また、架橋性モノマーは、加熱しても蒸発し難くいので、蒸気圧の上昇を抑えることができる。さらに、架橋性モノマーは、耐熱性に優れるため、コア層９３の耐熱性を向上させることができる。
【０３４５】
このうち、架橋性ノルボルネン系モノマーは、前記化２（構造式Ａ）で表されるノルボルネン系部位（ノルボルネン系二重結合）を含む化合物である。
【０３４６】
架橋性ノルボルネン系モノマーとしては、連続多環環系（ｆｕｓｅｄ  ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ  ｒｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物と、連結多環環系（ｌｉｎｋｅｄ  ｍｕｌｔｉｃｙｃｌｉｃ  ｒｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍｓ）の化合物とがある。
【０３４７】
連続多環環系の化合物（連続多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化６で表される化合物が挙げられる。
【０３４８】
【化６】
2006323317.tif 000008
［式中、Ｙは、メチレン（−ＣＨ２−）基を表し、ｍは、０〜５の整数を表わす。ただし、ｍが０である場合、Ｙは、単結合である。］
【０３４９】
なお、簡略化のため、ノルボルナジエン（ｎｏｒｂｏｒｎａｄｉｅｎｅ）は、連続多環環系に含まれ、重合性ノルボルネン系二重結合を含むものと考えることとする。
【０３５０】
この連続多環環系の化合物の具体例としては、下記化７で表される化合物が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３５１】
【化７】
2006323317.tif 000009
一方、連結多環環系の化合物（連結多環環系の架橋性ノルボルネン系モノマー）としては、下記化８で表される化合物が挙げられる。
【０３５２】
【化８】
2006323317.tif 000010
［式中、ａは、それぞれ独立して、単結合または二重結合を表し、ｍは、それぞれ独立して、０〜５の整数を表し、Ｒ９は、それぞれ独立して二価の炭化水素基、二価のエーテル基または二価のシリル基を表す。また、ｎは、０または１である。］
【０３５３】
ここで、二価の置換基とは、端部にノルボルネン構造に結合し得る結合手を２つ有する基のことを言う。
【０３５４】
二価の炭化水素基（ハイドロカルビル基）の具体例としては、一般式：−（ＣｄＨ２ｄ）−で表されるアルキレン基（ｄは、好ましくは１〜１０の整数を表す。）と、二価の芳香族基（アリール基）とが挙げられる。
【０３５５】
二価のアルキレン基としては、直鎖状または分岐状の炭素数１〜１０（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキレン基が好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基が挙げられる。
【０３５６】
なお、分岐アルキレン基は、主鎖の水素原子が、直鎖状または分岐状のアルキル基で置換されたものである。
【０３５７】
一方、二価の芳香族基としては、二価のフェニル基、二価のナフチル基が好ましい。
また、二価のエーテル基は、−Ｒ１０−Ｏ−Ｒ１０−で表される基である。
ここで、Ｒ１０は、それぞれ独立して、Ｒ９と同じものを表す。
【０３５８】
この連結多環環系の化合物の具体例としては、下記化９、化１０、化１１、化１２、化１３で表される化合物の他、化１４、化１５で表されるフッ素含有化合物（フッ素含有架橋性ノルボルネン系モノマー）が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【０３５９】
【化９】
2006323317.tif 000011
【０３６０】
【化１０】
2006323317.tif 000012
【０３６１】
この化１０で表される化合物は、ジメチルビス［ビシクロ［２．２．１］へプト−２−エン−５−メトキシ］シランであり、またの命名では、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（「ＳｉＸ」と略される。）と呼ばれる。
【０３６２】
【化１１】
2006323317.tif 000013
［式中、ｎは、０〜４の整数を表す。］
【０３６３】
【化１２】
2006323317.tif 000014
【０３６４】
【化１３】
2006323317.tif 000015
［式中、ｍおよびｎは、それぞれ、１〜４の整数を表す。］
【０３６５】
【化１４】
2006323317.tif 000016
【０３６６】
【化１５】
2006323317.tif 000017
【０３６７】
各種の架橋性ノルボルネン系モノマーの中でも、特に、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シラン（ＳｉＸ）が好ましい。ＳｉＸは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位および／またはアラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーに対して十分に低い屈折率を有する。このため、後述する活性放射線を照射する照射領域の屈折率を確実に低くして、クラッド部９５とすることができる。また、コア部９４とクラッド部９５との間における屈折率差を大きくすることができ、コア層９３（光導波路９）の特性（光伝送性能）の向上を図ることができる。
【０３６８】
なお、以上のようなモノマーは、単独または任意に組み合わせて用いるようにしてもよい。
【０３６９】
触媒前駆体（第２の物質）は、前記のモノマーの反応（重合反応、架橋反応等）を開始させ得る物質であり、後述する活性放射線の照射により活性化した助触媒（第１の物質）の作用により、活性化温度が変化する物質である。
【０３７０】
この触媒前駆体（プロカタリスト：ｐｒｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射に伴って活性化温度が変化（上昇または低下）するものであれば、いかなる化合物を用いてもよいが、特に、活性放射線の照射に伴って活性化温度が低下するものが好ましい。これにより、比較的低温による加熱処理でコア層９３（光導波路９）を形成することができ、他の層に不要な熱が加わって、光導波路９の特性（光伝送性能）が低下するのを防止することができる。
【０３７１】
このような触媒前駆体としては、下記式（Ｉａ）および（Ｉｂ）で表わされる化合物の少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適に用いられる。
【０３７２】
【化１６】
2006323317.tif 000018
［式Ｉａ、Ｉｂ中、それぞれ、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。また、式Ｉｂ中、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
【０３７３】
式Ｉａに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣＭｅ３）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｐ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣＦ３）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２、Ｐｄ（Ｏ２ＣＣ６Ｈ５）３（Ｐ（Ｃｙ）３）２が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。ここで、Ｃｐは、シクロペンチル（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌ）基を表し、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表す。
【０３７４】
また、式Ｉｂで表される触媒前駆体としては、ｐおよびｒが、それぞれ１および２の整数から選択される化合物が好ましい。
【０３７５】
このような式Ｉｂに従う典型的な触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２が挙げられる。ここで、Ｃｙは、シクロヘキシル基を表し、Ａｃは、アセチル基を表す。
【０３７６】
これらの触媒前駆体は、モノマーを効率よく反応（ノルボルネン系モノマーの場合、付加重合反応によって効率よく重合反応や架橋反応等）することができる。
【０３７７】
また、活性化温度が低下した状態（活性潜在状態）において、触媒前駆体としては、その活性化温度が本来の活性化温度よりも１０〜８０℃程度（好ましくは、１０〜５０℃程度）低くなるものが好ましい。これにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を確実に生じさせることができる。
【０３７８】
かかる触媒前駆体としては、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２およびＰｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２のうちの少なくとも一方を含む（主とする）ものが好適である。
【０３７９】
なお、以下では、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）２を「Ｐｄ５４５」と、また、Ｐｄ（ＯＡｃ）２（Ｐ（Ｃｙ）３）２を「Ｐｄ７８５」と略すことがある。
【０３８０】
助触媒（第１の物質）は、活性放射線の照射によって活性化して、前記の触媒前駆体（プロカタリスト）の活性化温度（モノマーに反応を生じさせる温度）を変化させ得る物質である。
【０３８１】
この助触媒（コカタリスト：ｃｏｃａｔａｌｙｓｔ）としては、活性放射線の照射により、その分子構造が変化（反応または分解）して活性化する化合物であれば、いかなるものでも用いることができるが、特定波長の活性放射線の照射によって分解し、プロトンや他の陽イオン等のカチオンと、触媒前駆体の脱離基に置換し得る弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを発生する化合物（光開始剤）を含む（主とする）ものが好適に用いられる。
【０３８２】
弱配位アニオンとしては、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（ＦＡＢＡ−）、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン（ＳｂＦ６−）等が挙げられる。
【０３８３】
この助触媒（光酸発生剤または光塩基発生剤）としては、例えば、下記化１７で表されるテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸塩やヘキサフルオロアンチモン酸塩の他、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガリウム酸塩、アルミン酸塩類、アンチモン酸塩類、他のホウ酸塩類、ガリウム酸塩類、カルボラン類、ハロカルボラン類等が挙げられる。
【０３８４】
【化１７】
2006323317.tif 000019
【０３８５】
このような助触媒の市販品としては、例えば、ニュージャージ州クランベリーのＲｈｏｄｉａ  ＵＳＡ社から入手可能な「ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ（登録商標、以下同様である。）  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４（ＣＡＳ番号第１７８２３３−７２−２番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７２Ｒ（（ジメチル（２−（２−ナフチル）−２−オキソエチル）スルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート：ＣＡＳ番号第１９３９５７−５４−９番））、日本国東京のみどり化学株式会社から入手可能な「ＭＰＩ−１０３（ＣＡＳ番号第８７７０９−４１−９番）」、日本国東京の東洋インキ製造株式会社から入手可能な「ＴＡＧ−３７１（ＣＡＳ番号第１９３９５７−５３−８番）」、日本国東京の東洋合成工業株式会社から入手可能な「ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ（トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルフォニウムテトラキス（ペンタペンタフルオロフェニル）ボレート）」、日本国東京のみどり化学工業株式会社より入手可能な「ＮＡＩ−１０５（ＣＡＳ番号第８５３４２−６２−７番）」等が挙げられる。
【０３８６】
なお、助触媒（第１の物質）として、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４を用いる場合、後述する活性放射線（化学線）としては、紫外線（ＵＶ光）が好適に用いられ、紫外線の照射手段としては、水銀灯（高圧水銀ランプ）が好適に用いられる。これにより、層９１０に対して、３００ｎｍ未満の十分なエネルギーの紫外線（活性放射線）を供給することができ、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４を効率よく分解して、上記のカチオンおよびＷＣＡを発生させることができる。
【０３８７】
また、コア層形成用材料（ワニス）９００中には、必要に応じて、増感剤を添加するようにしてもよい。
【０３８８】
増感剤は、活性放射線に対する助触媒の感度を増大して、助触媒の活性化（反応または分解）に要する時間やエネルギーを減少させる機能や、助触媒の活性化に適する波長に活性放射線の波長を変化させる機能を有するものである。
【０３８９】
このような増感剤としては、助触媒の感度や増感剤の吸収のピーク波長等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＣＡＳ番号第７６２７５−１４−４番）のようなアントラセン類、キサントン類、アントラキノン類、フェナントレン類、クリセン類、ベンツピレン類、フルオラセン類（ｆｌｕｏｒａｎｔｈｅｎｅｓ）、ルブレン類、ピレン類、インダンスリーン類、チオキサンテン−９−オン類（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｅｎ−９−ｏｎｅｓ）等が挙げられ、これらを単独または混合物として用いられる。
【０３９０】
増感剤の具体例としては、２−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、フェノチアジン（ｐｈｅｎｏｔｈｉａｚｉｎｅ）またはこれらの混合物が挙げられる。
【０３９１】
なお、９，１０−ジブトキシアントラセン（ＤＢＡ）は、日本国神奈川県の川崎化成工業株式会社から入手が可能である。
【０３９２】
コア層形成用材料９００中の増感剤の含有量は、特に限定されないが、０．０１重量％以上であるのが好ましく、０．５重量％以上であるのがより好ましく、１重量％以上であるのがさらに好ましい。なお、上限値は、５重量％以下であるのが好ましい。
【０３９３】
さらに、コア層形成用材料９００中には、酸化防止剤を添加することができる。これにより、望ましくないフリーラジカルの発生や、ポリマー９１５の自然酸化を防止することができる。その結果、得られたコア層９３（光導波路９）の特性の向上を図ることができる。
【０３９４】
この酸化防止剤としては、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ（登録商標、以下同様である。）  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標、以下同様である。）  １０７６およびＣｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標、以下同様である。）  １６８が好適に用いられる。
【０３９５】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。）  １２９、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０、Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標、以下同様である。）  １７９０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５等を用いることもできる。
【０３９６】
なお、このような酸化防止剤は、例えば、層９１０が酸化条件に曝されない場合や、曝される期間が極めて短い場合等には、省略することもできる。
【０３９７】
コア層形成用材料（ワニス）９００の調製に用いる溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒等の各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【０３９８】
さて、支持基板９５１上に形成された液状被膜中から溶媒を除去（脱溶媒）する方法としては、例えば、自然乾燥、加熱、減圧下での放置、不活性ガスの吹付け（ブロー）などによる強制乾燥等の方法が挙げられる。
【０３９９】
以上のようにして、支持基板９５１上には、コア層形成用材料９００のフィルム状の固化物（または硬化物）である層９１０が形成される。
【０４００】
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。
【０４０１】
［２Ａ］  次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、層９１０に対して活性放射線９３０を照射する（図１５−Ｂ参照）。
【０４０２】
以下では、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
【０４０３】
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
【０４０４】
したがって、ここで示す例では、マスク９３５には、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１が形成される。この開口９３５１は、照射する活性放射線９３０が透過する透過部を形成するものである。
【０４０５】
マスク９３５は、予め形成（別途形成）されたもの（例えばプレート状のもの）でも、層９１０上に例えば気相成膜法や塗布法により形成されたものでもよい。
【０４０６】
マスク９３５として好ましいものの例としては、石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスク、ステンシルマスク、気相成膜法（蒸着、スパッタリング等）により形成された金属薄膜等が挙げられるが、これらの中でもフォトマスクやステンシルマスクを用いるのが特に好ましい。微細なパターンを精度良く形成することができるとともに、ハンドリングがし易く、生産性の向上に有利であるからである。
【０４０７】
また、図１５−Ｂにおいては、形成すべきクラッド部９５のパターンと等価な開口（窓）９３５１は、活性放射線９３０の未照射領域９４０のパターンに沿ってマスクを部分的に除去したものを示したが、前記石英ガラスやＰＥＴ基材等で作製されたフォトマスクを用いる場合、該フォトマスク上に例えばクロム等の金属による遮蔽材で構成された活性放射線９３０の遮蔽部を設けたものを用いることもできる。このマスクでは、遮蔽部以外の部分が前記窓（透過部）となる。
【０４０８】
用いる活性放射線９３０は、助触媒に対して、光化学的な反応（変化）を生じさせ得るものであればよく、例えば、可視光、紫外光、赤外光、レーザ光の他、電子線やＸ線等を用いることもできる。
【０４０９】
これらの中でも、活性放射線９３０は、助触媒の種類、増感剤を含有する場合には、増感剤の種類等によって適宜選択され、特に限定されないが、波長２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものであるのが好ましい。これにより、助触媒を比較的容易に活性化させることができる。
【０４１０】
また、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２〜３Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
【０４１１】
前記マスク９３５の構成材料としては、照射する活性放射線９３０により適宜選定される。具体的には、マスク９３５の構成材料としては、活性放射線９３０を遮光し得る材料とされる。このような特性を有するものであれば、マスク９３５の材料自体は、公知のいずれのものも使用することができる。
【０４１２】
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０４１３】
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
【０４１４】
ここで、活性潜在状態（または潜在的活性状態）の触媒前駆体とは、本来の活性化温度より活性化温度が低下しているが、温度上昇がないと、すなわち、室温程度では、照射領域９２５内においてモノマーの反応を生じさせることができない状態にある触媒前駆体のことを言う。
【０４１５】
したがって、活性放射線９３０照射後においても、例えば−４０℃程度で、層９１０を保管すれば、モノマーの反応を生じさせることなく、その状態を維持することができる。このため、活性放射線９３０照射後の層９１０を複数用意しておき、これらに一括して加熱処理を施すことにより、コア層９３を得ることができ、利便性が高い。
【０４１６】
なお、活性放射線９３０として、レーザ光のように指向性の高い光を用いる場合には、マスク９３５の使用を省略してもよい。
【０４１７】
［３Ａ］  次に、層９１０に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
【０４１８】
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散（モノマーディフュージョン）して照射領域９２５に集まってくる。
【０４１９】
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、モノマーの重合体としては、主に付加（共）重合体が生成する。
【０４２０】
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
【０４２１】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図１５−Ｃ参照）。
【０４２２】
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、３０〜８０℃程度であるのが好ましく、４０〜６０℃程度であるのがより好ましい。
【０４２３】
また、加熱時間は、照射領域９２５内におけるモノマーの反応がほぼ完了するように設定するのが好ましく、具体的には、０．１〜２時間程度であるのが好ましく、０．１〜１時間程度であるのがより好ましい。
【０４２４】
ここで、コア部９４は、その横断面形状が、図示のように、正方形または矩形（長方形）のような四角形に形成されるが、その幅および高さは、それぞれ、好ましくは１〜２００μｍ程度、より好ましくは５〜１００μｍ程度、さらに好ましくは１０〜６０μｍ程度とされる。
【０４２５】
［４Ａ］  次に、層９１０に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。
【０４２６】
このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。
【０４２７】
この第２の加熱処理における加熱温度は、触媒前駆体または助触媒を活性化し得る温度であればよく、特に限定されないが、７０〜１００℃程度であるのが好ましく、８０〜９０℃程度であるのがより好ましい。
【０４２８】
また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
【０４２９】
［５Ａ］  次に、層９１０に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
【０４３０】
この第３の加熱処理における加熱温度は、第２の加熱処理における加熱温度より２０℃以上高く設定するのが好ましく、具体的には、９０〜１８０℃程度であるのが好ましく、１２０〜１６０℃程度であるのがより好ましい。
【０４３１】
また、加熱時間は、０．５〜２時間程度であるのが好ましく、０．５〜１時間程度であるのがより好ましい。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。
【０４３２】
なお、例えば、第２の加熱処理や第３の加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［５Ａ］や前記工程［４Ａ］を省略してもよい。
【０４３３】
［６Ａ］  次に、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）を形成する（図１５−Ｄ参照）。
クラッド層９１（９２）の形成方法としては、クラッド材を含むワニス（クラッド層形成用材料）を塗布し硬化（固化）させる方法、硬化性を有するモノマー組成物を塗布し硬化（固化）させる方法等、いかなる方法でもよい。
【０４３４】
クラッド層９１（９２）を塗布法で形成する場合、例えば、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。
【０４３５】
支持基板９５２には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
【０４３６】
クラッド層９１（９２）の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（ポリマーアロイ、ポリマーブレンド（混合物）、共重合体、複合体（積層体）など）用いることができる。
【０４３７】
これらのうち、特に耐熱性に優れるという点で、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、またはそれらを含むもの（主とするもの）を用いるのが好ましく、特に、ノルボルネン系樹脂（ノルボルネン系ポリマー）を主とするものが好ましい。
【０４３８】
ノルボルネン系ポリマーは、耐熱性に優れるため、これをクラッド層９１（９２）の構成材料として使用する光導波路９では、光導波路９に導体層を形成する際、導体層を加工して配線を形成する際、光学素子を実装する等に加熱されたとしても、クラッド層９１（９２）が軟化して、変形するのを防止することができる。
【０４３９】
また、高い疎水性を有するため、吸水による寸法変化等を生じ難いクラッド層９１（９２）を得ることができる。
【０４４０】
また、ノルボルネン系ポリマーまたはその原料であるノルボルネン系モノマーは、比較的安価であり、入手が容易であることからも好ましい。
【０４４１】
さらに、クラッド層９１（９２）の材料として、ノルボルネン系ポリマーを主とするものを用いると、曲げ等の変形に対する耐性に優れ、繰り返し湾曲変形した場合でも、クラッド層９１、９２とコア層９３との層間剥離が生じ難く、クラッド層９１、９３の内部にマイクロクラックが発生することも防止される。しかも、コア層９３の構成材料として好適に用いられる材料と同種となるため、コア層９３との密着性がさらに高いものとなり、クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離を防止することができる。このようなことから、光導波路９の光伝送性能が維持され、耐久性に優れた光導波路９が得られる。
【０４４２】
このようなノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、（１）ノルボルネン型モノマーを付加（共）重合して得られるノルボルネン型モノマーの付加（共）重合体、（２）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との付加共重合体、（３）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、および必要に応じて他のモノマーとの付加共重合体のような付加重合体、（４）ノルボルネン型モノマーの開環（共）重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（５）ノルボルネン型モノマーとエチレンやα−オレフィン類との開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加した樹脂、（６）ノルボルネン型モノマーと非共役ジエン、または他のモノマーとの開環共重合体、および必要に応じて該（共）重合体を水素添加したポリマーのような開環重合体が挙げられる。これらの重合体としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体等が挙げられる。
【０４４３】
これらのノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合（ＲＯＭＰ）、ＲＯＭＰと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤（例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤）を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。
【０４４４】
これらの中でも、ノルボルネン系ポリマーとしては、付加（共）重合体が好ましい。このものは、透明性、耐熱性および可撓性に富むことからも好ましい。
【０４４５】
特に、ノルボルネン系ポリマーは、重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。
【０４４６】
重合性基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、クラッド層９１（９２）において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のものの重合性基同士を、直接または架橋剤を介して架橋させることができる。また、重合性基の種類、架橋剤の種類、コア層９３に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層９３に用いるポリマーとを架橋させることもできる。換言すれば、かかるノルボルネン系ポリマーは、その少なくとも一部のものが重合性基において架橋しているのが好ましい。
【０４４７】
その結果、クラッド層９１（９２）自体の強度や、クラッド層９１（９２）とコア層９３との密着性の更なる向上を図ることができる。
【０４４８】
このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位としては、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位、および、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位がのうちの少なくとも１種が好適である。これらの重合性基は、各種重合性基の中でも、反応性が高いことから好ましい。
【０４４９】
また、このような重合性基を含むノルボルネンの繰り返し単位を、２種以上含むものを用いれば、架橋密度をさらに向上させることができ、前記効果がより顕著となる。
【０４５０】
一方、アリール基を含む置換基を有するノルボンネンの繰り返し単位を含むことにより、アリール基は、疎水性が極めて高いため、クラッド層９１（９２）の吸水による寸法変化等をより確実に防止することができる。また、アリール基は、脂溶性（親油性）に優れ、前述したようなコア層９３に用いられるポリマーとの親和性が高いため、クラッド層９１（９２）とコア層９３との間での層間剥離をより確実に防止することができ、より耐久性に優れた光導波路９が得られる。
【０４５１】
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、アルキル基は、直鎖状または分岐状のいずれであってもよい。
【０４５２】
アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、ノルボルネン系ポリマーは、柔軟性が高くなるため、クラッド層９１、９２（光導波路９）に高いフレキシビリティ（可撓性）を付与することができる。
【０４５３】
また、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーは、前述したような波長領域（特に、８５０ｎｍ付近の波長領域）の光に対する透過率が優れることからも好ましい。
【０４５４】
なお、クラッド層９１（９２）に用いるノルボルネン系ポリマーは、比較的屈折率の低いものが好適であるのに対して、アリール基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含むと、一般に屈折率が高くなる傾向を示すが、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むことにより、屈折率の上昇を防止することもできる。
【０４５５】
このようなことから、クラッド層９１（９２）に用いるノルボルネン系ポリマーとしては、下記化１８〜２１や、化２５で表されるものが好適である。
【０４５６】
【化１８】
2006323317.tif 000020
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
【０４５７】
なお、化１８で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａおよびｂがそれぞれ１である化合物、例えば、ブチルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとメチルグリシジルエーテルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
【０４５８】
【化１９】
2006323317.tif 000021
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ１は、水素原子またはメチル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
【０４５９】
なお、化１９で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー、デシルノルボルネンとアクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルとのコポリマー等が好ましい。
【０４６０】
【化２０】
2006323317.tif 000022
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
【０４６１】
なお、化２０で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、ａが１または２、Ｘがメチル基またはエチル基である化合物、例えば、ブチルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとノルボルネニルエチルトリメトキシシランとのコポリマー、ブチルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリエトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ブチルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとトリメトキシシリルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
【０４６２】
【化２１】
2006323317.tif 000023
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立して、下記化２２〜２４で表される置換基を表すが、同時に同一の置換基であることはない。また、ｐ／ｑ＋ｒが２０以下である。］
【０４６３】
【化２２】
2006323317.tif 000024
［式中、ａは、０〜３の整数を表し、ｂは、１〜３の整数を表す。］
【０４６４】
【化２３】
2006323317.tif 000025
［式中、Ｒ１は、水素原子またはメチル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］
【０４６５】
【化２４】
2006323317.tif 000026
［式中、Ｘは、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を表し、ａは、０〜３の整数を表す。］
【０４６６】
なお、化２１で表されるノルボルネン系ポリマーとしては、例えば、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、アクリル酸２−（５−ノルボルネニル）メチルと、メチルグリシジルエーテルノルボルネンとのターポリマー、ブチルボルネン、ヘキシルノルボルネンまたはデシルノルボルネンのいずれかと、メチルグリシジルエーテルノルボルネン、ノルボルネニルエチルトリメトキシシラン、トリエトキシシリルノルボルネンまたはトリメトキシシリルノルボルネンのいずれかとのターポリマー等が挙げられる。
【０４６７】
【化２５】
2006323317.tif 000027
［式中、Ｒは、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ａｒは、アリール基を表し、Ｘ１は、酸素原子またはメチレン基を表し、Ｘ２は、炭素原子またはシリコン原子を表し、ａは、０〜３の整数を表し、ｃは、１〜３の整数を表し、ｐ／ｑが２０以下である。］
【０４６８】
なお、化２５で表されるノルボルネン系ポリマーの中でも、特に、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、Ｘ１が酸素原子、Ｘ２がシリコン原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ２がメチル基、ａが１、ｃが２である化合物、例えば、ブチルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー、デシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマー等や、Ｒが炭素数４〜１０のアルキル基であり、Ｘ１がメチレン基、Ｘ２が炭素原子、Ａｒがフェニル基、Ｒ２が水素原子、ａが０、ｃが１である化合物、例えば、ブチルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、ヘキシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー、デシルノルボルネンとフェニルエチルノルボルネンとのコポリマー等が好ましい。
【０４６９】
また、ｐ／ｑまたはｐ／ｑ＋ｒは、２０以下であればよいが、１５以下であるのが好ましく、０．１〜１０程度がより好ましい。これにより、複数種のノルボルネンの繰り返し単位を含む効果が如何なく発揮される。
【０４７０】
以上のようなノルボルネン系ポリマーは、前述した特性に加えて、比較的低い屈折率のものであり、かかるノルボルネン系ポリマーを主材料としてクラッド層９１（９２）を構成することにより、光導波路９の光伝送性能をより向上させることができる。
【０４７１】
なお、ノルボルネン系ポリマーが、（メタ）アクリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む場合、（メタ）アクリル基同士は、加熱により比較的容易に架橋（重合）させることができるが、クラッド層形成用材料中に、ラジカル発生剤を混合することにより、（メタ）アクリル基同士の架橋反応を促進することができる。
【０４７２】
ラジカル発生剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペロキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等が好適に用いられる。
【０４７３】
また、ノルボルネン系ポリマーが、エポキシ基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位や、アルコキシシリル基を含む置換基を有するノルボルネンの繰り返し単位を含む場合、これらの重合性基同士を直接架橋させるためには、クラッド層形成用材料中に、前述した助触媒と同種の物質（光酸発生剤または光塩基発生剤）を混合しておき、この物質の作用により、エポキシ基やアルコキシシリル基を架橋させればよい。
【０４７４】
一方、エポキシ基同士、（メタ）アクリル基同士やアルコキシシリル基同士を架橋剤を介して架橋させるためには、さらに、クラッド層形成用材料中に、架橋剤として、各重合性基に対応する重合性基を少なくとも１つを有する化合物を混合するようにすればよい。
【０４７５】
エポキシ基を有する架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（γ−ＧＰＳ）、シリコーンエポキシ樹脂等が好適に用いられる。
【０４７６】
（メタ）アクリル基を有する架橋剤としては、例えば、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラントリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンジメタノールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート等が好適に用いられる。
【０４７７】
アルコキシシリル基を有する架橋剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランのようなシランカップリング剤等が好適に用いられる。
【０４７８】
これらの重合性基同士の架橋反応は、本工程［６Ａ］の最終段階で行うようにしてもよいし、次工程［７Ａ］において光導波路９を得た後に行うようにしてもよい。
【０４７９】
また、クラッド層形成用材料中には、各種の添加剤を添加（混合）するようにしてもよい。
【０４８０】
例えば、クラッド層形成用材料中には、前記コア層形成用材料で挙げたモノマー、触媒前駆体および助触媒を混合してもよい。これにより、クラッド層９１（９２）中において、前述したのと同様にして、モノマーを反応させて、クラッド層９１（９２）の屈折率を変化させることができる。
【０４８１】
特に、モノマーとしては、架橋性モノマーを含むものを用いると、クラッド層９１（９２）において、ノルボルネン系ポリマーの少なくとも一部のもののを、架橋性モノマーを介して架橋させることができる。また、架橋剤の種類、コア層９３に用いるポリマーの種類等によっては、このノルボルネン系ポリマーとコア層９３に用いるポリマーとを架橋させることもできる。
【０４８２】
また、この場合、クラッド層９１（９２）中において、屈折率の差を設けることが要求されないので、助触媒を省略して、加熱により容易に活性化する触媒前駆体を用いることもできる。
【０４８３】
かかる触媒前駆体としては、例えば、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２（Ｏ２ＣＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［２−ｍｅｔｈａｌｌｙｌ  Ｐｄ（ＰＣｙ３）２］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（ＰＣｙ３）２Ｈ（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、［Ｐｄ（Ｐ（ｉＰｒ）３）２（ＯＣＯＣＨ３）（ＮＣＣＨ３）］テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【０４８４】
その他の添加剤としては、前述したような酸化防止剤が挙げられる。酸化防止剤を混合することにより、クラッド材（ノルボルネン系ポリマー）の酸化による劣化を防止することができる。
以上のようにして、支持基板９５２上に、クラッド層９１（９２）が形成される。
【０４８５】
クラッド層９１、９２の平均厚さは、コア層９３の平均厚さの０．１〜１．５倍程度であるのが好ましく、０．３〜１．２５倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層９１、９２の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ、通常、1〜２００μｍ程度であるのが好ましく、５〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１０〜６０μｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路９が不要に大型化（圧膜化）するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。
【０４８６】
［７Ａ］  次に、支持基板９５１からコア層９３を剥離し、このコア層９３を、クラッド層９１が形成された支持基板９５２と、クラッド層９２が形成された支持基板９５２とで挟持する（図１５−Ｅ参照）。
【０４８７】
そして、図１５−Ｅ中の矢印で示すように、クラッド層９２が形成された支持基板９５２の上面側から加圧し、クラッド層９１、９２とコア層９３とを圧着する。
これにより、クラッド層９１、９２とコア層９３とが接合、一体化される。
【０４８８】
また、この圧着作業は、加熱下で行われるのが好ましい。加熱温度は、クラッド層９１、９２やコア層９３の構成材料等により適宜決定されるが、通常は、８０〜２００℃程度が好ましく、１２０〜１８０℃程度がより好ましい。
【０４８９】
次いで、クラッド層９１、９２から、それぞれ、支持基板９５２を剥離、除去する。これにより、光導波路９が得られる。
【０４９０】
このような光導波路９の好ましい例では、コア層９３において、コア部９４が第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド部９５が第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、第１のノルボルネン系材料（コア層９３のコア部９４）より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
【０４９１】
そして、第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有するが、このノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、互いに屈折率が異なっている。
【０４９２】
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路９では、高い光伝送性能が得られる。
【０４９３】
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持される。
【０４９４】
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９では、耐久性に優れたものとなる。
【０４９５】
また、光導波路９に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
【０４９６】
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路９を得ることができる。
【０４９７】
＜第２の製造方法＞
次に、光導波路９の第２の製造方法について説明する。
【０４９８】
以下、第２の製造方法について説明するが、前記第１の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０４９９】
第２の製造方法では、コア層形成用材料９００の組成が異なり、それ以外は、前記第１の製造方法と同様である。
【０５００】
すなわち、第２の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、活性放射線の照射により活性化する離脱剤（物質）と、主鎖と該主鎖から分岐し、活性化した離脱剤の作用により、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基（離脱性ぺンダントグループ）とを有するポリマー９１５とを含有している。
離脱剤には、前記第１の製造方法で挙げた助触媒と同様のものを用いることができる。
【０５０１】
第２の製造方法において用いられるポリマー９１５としては、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５が有する置換基を離脱性基で置換したものや、前記第１の製造方法で挙げたポリマー９１５に離脱性基を導入したもの等が挙げられる。
【０５０２】
かかるポリマー９１５は、離脱性基の離脱（切断）により、その屈折率が変化（上昇または低下）する。
【０５０３】
離脱性基は、カチオン、アニオンまたはフリーラジカルの作用により離脱するもの、すなわち、酸（カチオン）脱離性基、塩基（アニオン）脱離性基、フリーラジカル脱離性基のいずれであってもよいが、好ましくはカチオン（プロトン）の作用により離脱するもの（酸基離脱性基）である。
【０５０４】
酸離脱性基としては、その分子構造中に、−Ｏ−構造、−Ｓｉ−アリール構造および−Ｏ−Ｓｉ−構造のうちの少なくとも１つを有するものが好ましい。かかる酸離脱性基は、カチオンの作用により比較的容易に離脱する。
【０５０５】
このうち、離脱によりポリマー９１５の屈折率に低下を生じさせる酸離脱性基としては、−Ｓｉ−ジフェニル構造および−Ｏ−Ｓｉ−ジフェニル構造の少なくとも一方が好ましい。
【０５０６】
なお、フリーラジカルの作用により離脱するフリーラジカル脱離性基としては、例えば、末端にアセトフェノン構造を有する置換基等が挙げられる。
【０５０７】
また、ポリマー９１５は、前記第１の製造方法で説明したのと同様の理由から、ノルボルネン系ポリマーを用いるのが好ましく、アルキル（特にヘキシル）ノルボルネンの繰り返し単位を含むノルボルネン系ポリマーを用いるのがより好ましい。
【０５０８】
以上のことを考慮した場合、離脱性基の離脱により屈折率が低下するポリマー９１５としては、ジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランのホモポリマーや、ヘキシルノルボルネンとジフェニルメチルノルボルネンメトキシシランとのコポリマーが好適に用いられる。
【０５０９】
以下では、ポリマー９１５として、離脱性基（特に酸離脱性基）の離脱により屈折率が低下するものを用いる場合を一例に説明する。
【０５１０】
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
【０５１１】
［１Ｂ］  前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５の作用による。
【０５１２】
［２Ｂ］  前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する離脱剤は、活性放射線９３０の作用により反応（結合）または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０５１３】
そして、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する（フォトブリーチ）。
【０５１４】
これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。
【０５１５】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第１の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。
【０５１６】
なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．３〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．６〜６Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、離脱剤を確実に活性化させることができる。
【０５１７】
［３Ｂ］  次に、層９１０に対して加熱処理を施す。
これにより、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。
【０５１８】
さらに、このとき、クラッド部９５（照射領域９２５）に残存する離脱性基の一部がさらに離脱（切断）すると考えられる。
【０５１９】
したがって、このような加熱処理を施すことにより、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより大きくすることができる。
【０５２０】
この加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、７０〜１９５℃程度であるのが好ましく、８５〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
【０５２１】
また、加熱時間は、照射領域９２５から離脱（切断）された離脱性基を十分に除去し得るに設定され、特に限定されないが、０．５〜３時間程度であるのが好ましく、０．５〜２時間程度であるのがより好ましい。
【０５２２】
なお、例えば、加熱処理を施す前の状態で、コア部９４とクラッド部９５との間に十分な屈折率差が得られている場合等には、本工程［３Ｂ］を省略してもよい。
【０５２３】
また、必要に応じて、１回または複数回の加熱処理（例えば、１５０〜２００℃×１〜８時間程度）の工程を追加することもできる。
以上の工程を経て、コア層９３が得られる。
【０５２４】
［４Ｂ］  前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｂ］  前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、光導波路９が完成する。
【０５２５】
このような光導波路９の好ましい例では、コア層９３がノルボルネン系材料を主材料として構成され、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
【０５２６】
そして、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖と主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを主材料として構成され、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なることにより、それらの屈折率が異なっている。
【０５２７】
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路９では、高い光伝送性能が得られる。
【０５２８】
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持される。
【０５２９】
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９では、耐久性に優れたものとなる。
【０５３０】
また、光導波路９に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
【０５３１】
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路９を得ることができる。
【０５３２】
特に、第２の製造方法によれば、少なくとも活性放射線をすればよく、極めて簡単な処理で、コア層９３を形成することができる。
【０５３３】
＜第３の製造方法＞
次に、光導波路９の第３の製造方法について説明する。
【０５３４】
以下、第３の製造方法について説明するが、前記第１および第２の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０５３５】
第３の製造方法では、コア層形成用材料９００として、第１および第２の製造方法で用いたコア層形成用材料を組み合わせたものを用い、それ以外は、前記第１または第２の製造方法と同様である。
【０５３６】
すなわち、第３の製造方法で用いられるコア層形成用材料９００は、前述したような離脱性基を有するポリマー９１５と、モノマーと、助触媒（第１の物質）と、触媒前駆体（第２の物質）とを含有している。また、助触媒は、前記第２の製造方法における離脱剤と同じものであり、離脱剤を離脱させる機能も有する。
【０５３７】
このようなコア層形成用材料９００では、選択する離脱性基と、選択するモノマーとの組み合わせにより、得られるコア層９３において、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差をより多段階に調整することが可能となる。
【０５３８】
なお、前述したように、モノマーとして、ポリマー９１５より低い屈折率を有するものを用い、また、触媒前駆体として、活性放射線９３０の照射に伴って活性化温度が低下するものを用い、ポリマー９１５として、離脱性基の離脱により屈折率が低下するものを用いると、照射領域９２５をクラッド部９５とし、コア部９４との屈折率差が極めて大きいコア層９３を得ることができる。
【０５３９】
以下では、このような組み合わせのポリマー９１５、モノマーおよび触媒前駆体を用いる場合を一例に説明する。
【０５４０】
すなわち、ここで示す例では、活性放射線９３０の照射領域９２５がクラッド部９５となる。
【０５４１】
［１Ｃ］  前記工程［１Ａ］と同様の工程を行う。
このとき、層（ＰＩＴＤＭの乾燥フィルム）９１０は、第１の屈折率（ＲＩ）を有している。この第１の屈折率は、層９１０中に一様に分散（分布）するポリマー９１５およびモノマーの作用による。
【０５４２】
［２Ｃ］  前記工程［２Ａ］と同様の工程を行う。
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を層９１０に照射すると、活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０５４３】
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
【０５４４】
また、カチオンは、離脱性基そのものを主鎖から離脱させるか、または、離脱性基の分子構造の途中から切断する。
【０５４５】
これにより、照射領域９２５では、未照射領域９４０よりも完全な状態の離脱性基の数が減少し、屈折率が低下して第１の屈折率より低くなる。なお、このとき、未照射領域９４０の屈折率は、第１の屈折率が維持される。
【０５４６】
なお、この場合、活性放射線９３０の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．２〜５Ｊ／ｃｍ２程度であるのがより好ましく、０．２〜４Ｊ／ｃｍ２程度であるのがさらに好ましい。これにより、助触媒を確実に活性化させることができる。
【０５４７】
［３Ｃ］  前記工程［３Ａ］と同様の工程を行う。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
【０５４８】
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。
【０５４９】
また、この加熱処理により、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が、例えば、照射領域９２５から除去されたり、ポリマー９１５内において再配列または架橋する。
【０５５０】
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになること、ポリマー９１５から離脱（切断）された離脱性基が減少すること等により、さらに屈折率が低下して第２の屈折率となる。
【０５５１】
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
【０５５２】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される。
【０５５３】
［４Ｃ］  前記工程［４Ａ］と同様の工程を行う。
［５Ｃ］  前記工程［５Ａ］と同様の工程を行う。
【０５５４】
［６Ｃ］  前記工程［６Ａ］と同様の工程を行う。
［７Ｃ］  前記工程［７Ａ］と同様の工程を行う。
以上のようにして、光導波路９が完成する。
【０５５５】
このような光導波路９の好ましい例では、コア層９３は、主鎖とこの主鎖から分岐し、分子構造の少なくとも一部が主鎖から離脱し得る離脱性基とを有するノルボルネン系ポリマーを含有しており、コア部９４とクラッド部９５とは、主鎖に結合した状態の離脱性基の数が異なること、および、ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっており、また、クラッド層９１、９２が、それぞれ、コア層９３のコア部９４より屈折率が低いノルボルネン系ポリマーを主材料として構成される。
【０５５６】
ノルボルネン系ポリマーは、透明性が高いため、かかる構成の光導波路９では、高い光伝送性能が得られる。
【０５５７】
また、このような構成により、コア部９４とクラッド部９５との間の高い密着性のみならず、コア層９３とクラッド層９１およびクラッド層９２との間の高い密着性が得られ、光導波路９に曲げ等の変形が生じた場合でも、コア部９４とクラッド部９５との剥離や、コア層９３とクラッド層９１、９２との層間剥離が生じ難く、コア部９４内やクラッド部９５内にマイクロクラックが発生することも防止される。その結果、光導波路９の光伝送性能が維持される。
【０５５８】
さらに、ノルボルネン系ポリマーは、高い耐熱性、高い疎水性を有するため、かかる構成の光導波路９では、耐久性に優れたものとなる。
【０５５９】
また、光導波路９に高い耐熱性や高い疎水性を付与することができるため、その特性の低下（劣化）を防止しつつ、前述したような各種の方法を採用して導体層を確実に形成することができる。特に、光の伝送に重要なコア部９４と重なるように、導体層を形成した場合でも、コア部９４の変質・劣化を防止することができる。
【０５６０】
また、以上のような製造方法によれば、簡単な処理で、しかも短時間に、所望の形状を有し、かつ、寸法精度の高いコア部９４を有する光導波路９を得ることができる。
【０５６１】
特に、第３の製造方法によれば、コア部９４とクラッド部９５との間の屈折率差を多段階に設定することが可能となる。
【０５６２】
＜第４の製造方法＞
次に、光導波路９の第４の製造方法について説明する。
【０５６３】
図１６−Ａ〜図１６−Ｅは、それぞれ、光導波路の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【０５６４】
以下、第４の製造方法について説明するが、前記第１〜第３の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０５６５】
第４の製造方法では、コア層形成用材料９００やクラッド層形成用材料には、前記第１〜第３の製造方法で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０５６６】
なお、以下では、コア層形成用材料として、前記第１の製造方法で挙げたものを用いる場合を代表に説明する。
【０５６７】
［１Ｄ］  まず、支持基板１０００上に、クラッド層形成用材料（第１のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第１の層１１１０を形成する（図１６−Ａ参照）。
【０５６８】
支持基板１０００には、支持基板９５１と同様のものを用いることができる。
第１の層１１１０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【０５６９】
［２Ｄ］  次に、第１の層１１１０上に、コア層形成用材料（第２のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第２の層１１２０を形成する（図１６−Ｂ参照）。
【０５７０】
コア層形成用材料は、第１の層１１１０をほぼ完全に乾燥させた後に塗布するようにしてもよいし、第１の層１１１０が乾燥する前に塗布するようにしてもよい。
【０５７１】
後者の場合、第１の層１１１０と第２の層１１２０とは、それらの界面において相互に混ざり合った状態となる。この場合、得られた光導波路９において、クラッド層９１とコア層９３との密着性の向上を図ることができる。
【０５７２】
また、この場合、第１のワニスおよび第２のワニスは、それぞれ、粘度（常温）が好ましくは１００〜１００００ｃＰ程度、より好ましくは１５０〜５０００ｃＰ程度、さらに好ましくは２００〜３５００ｃＰ程度に調製される。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを防止することができるとともに、第１の層１１１０および第２の層１１２０の厚さが不均一となるのを防止することができる。
【０５７３】
なお、第２のワニスの粘度は、第１のワニスの粘度より高くするのが好ましい。これにより、第１の層１１１０と第２の層１１２０とが、それらの界面において必要以上に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０５７４】
第２の層１１２０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１５〜１２５μｍ程度であるのがより好ましく、２５〜１００μｍ程度であるのがさらに好ましい。
【０５７５】
［３Ｄ］  次に、第２の層１１２０上に、クラッド層形成用材料（第３のワニス）を前述したのと同様の方法を用いて塗布して、第３の層１１３０を形成する（図１６−Ｃ参照）。
【０５７６】
第３の層１１３０は、前記第２の層１１２０と同様にして形成することができる。
第３の層１１３０の平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましく、１５〜６５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
これにより、積層体２０００が得られる。
【０５７７】
［４Ｄ］  次に、積層体２０００中の溶媒を除去（脱溶媒）する。
脱溶媒の方法としては、例えば、加熱、大気圧または減圧下での放置、不活性ガス等の噴き付け（ブロー）等の方法が挙げられるが、加熱による方法が好ましい。これにより、比較的容易かつ短時間での脱溶媒が可能である。
【０５７８】
この加熱の温度は、２５〜６０℃程度であるのが好ましく、３０〜４５℃程度であるのがより好ましい。
【０５７９】
また、加熱の時間は、１５〜６０分程度であるのが好ましく、１５〜３０分程度であるのがより好ましい。
【０５８０】
［５Ｄ］  次に、開口（窓）９３５１が形成されたマスク（マスキング）９３５を用意し、このマスク９３５を介して、積層体２０００に対して活性放射線９３０を照射する（図１６−Ｄ参照）。
【０５８１】
マスク９３５を介して、活性放射線９３０を積層体２０００に照射すると、第２の層１１２０の活性放射線９３０が照射された照射領域９２５内に存在する助触媒（第１の物質：コカタリスト）は、活性放射線９３０の作用により反応または分解して、カチオン（プロトンまたは他の陽イオン）と、弱配位アニオン（ＷＣＡ）とを遊離（発生）する。
【０５８２】
そして、これらのカチオンや弱配位アニオンは、照射領域９２５内に存在する触媒前駆体（第２の物質：プロカタリスト）の分子構造に変化（分解）を生じさせ、これを活性潜在状態（潜在的活性状態）に変化させる。
【０５８３】
［６Ｄ］  次に、積層体２０００に対して加熱処理（第１の加熱処理）を施す。
これにより、照射領域９２５内では、活性潜在状態の触媒前駆体が活性化して（活性状態となって）、モノマーの反応（重合反応や架橋反応）が生じる。
【０５８４】
そして、モノマーの反応が進行すると、照射領域９２５内におけるモノマー濃度が徐々に低下する。これにより、照射領域９２５と未照射領域９４０との間には、モノマー濃度に差が生じ、これを解消すべく、未照射領域９４０からモノマーが拡散して照射領域９２５に集まってくる。
【０５８５】
その結果、照射領域９２５では、モノマーやその反応物（重合体、架橋構造や分岐構造）が増加し、当該領域の屈折率にモノマー由来の構造が大きく影響を及ぼすようになり、第１の屈折率より低い第２の屈折率へと低下する。
【０５８６】
一方、未照射領域９４０では、当該領域から照射領域９２５にモノマーが拡散することにより、モノマー量が減少するため、当該領域の屈折率にポリマー９１５の影響が大きく現れるようになり、第１の屈折率より高い第３の屈折率へと上昇する。
【０５８７】
このようにして、照射領域９２５と未照射領域９４０との間に屈折率差（第２の屈折率＜第３の屈折率）が生じて、コア部９４（未照射領域９４０）とクラッド部９５（照射領域９２５）とが形成される（図１６−Ｅ参照）。
【０５８８】
［７Ｄ］  次に、積層体２０００に対して第２の加熱処理を施す。
これにより、未照射領域９４０および／または照射領域９２５に残存する触媒前駆体を、直接または助触媒の活性化を伴って、活性化させる（活性状態とする）ことにより、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させる。
【０５８９】
このように、各領域９２５、９４０に残存するモノマーを反応させることにより、得られるコア部９４およびクラッド部９５の安定化を図ることができる。
【０５９０】
［８Ｄ］  次に、積層体２０００に対して第３の加熱処理を施す。
これにより、得られるコア層９３に生じる内部応力の低減や、コア部９４およびクラッド部９５の更なる安定化を図ることができる。
以上の工程を経て、光導波路９が得られる。
【０５９１】
かかる方法では、第１の加熱処理の後、積層体２０００内にコア部９４が目視で確認することができるようになる。
【０５９２】
また、第１のワニスおよび第３のワニスとして、第２のワニスと同様の組成、すなわち、ポリマー９１５、モノマー、助触媒および触媒前駆体を含有するものを用いるようにしてもよい。これにより、モノマーの反応が、第１の層１１１０および第３の層１１３０と、第２の層１１２０の界面、および／または、かかる界面を越えて第１の層１１１０および第３の層１１３０内で生じて、クラッド層９１、９２とコア層９３との剥離をより確実に防止することができる。
【０５９３】
また、この場合、例えば、Ｉ：第１の層１１１０および第３の層１１３０のポリマー９１５として、第２の層１１２０のポリマー９１５の屈折率より相対的に低い屈折率（ＲＩ）のものを選択したり、II：第１の層１１１０および第３の層１１３０のモノマーとして、第２の層１１２０のモノマーと同じものを用いるが、第１の層１１１０および第３の層１１３０における触媒前駆体およびモノマーの比率を、第２の層１１２０のそれより低くなるように調節するようにしたりすればよい。
【０５９４】
これにより、活性放射線９３０を照射しても、クラッド層９１、９２内に、コア層９３のコア部９４より高い屈折率を有する領域が形成されるのを防止することができる。
【０５９５】
なお、コア層形成用材料（第２のワニス）として、離脱性基を有するポリマー９１５を含有するものを用いる場合、クラッド層形成用材料（第１のワニス、第３のワニス）としては、脱離性基を有しないポリマー９１５を用いて調製したものを用いるか、離脱性基を有するポリマー９１５を用いるが、離脱剤を含有しないものを用いるようにすればよい。
【０５９６】
これにより、第１の層１１１０および第３の層１１３０において、ポリマー９１５から離脱性基が離脱（分解）することを防止することができる。
【０５９７】
また、この場合、助触媒には、コア層９３を形成する際には、活性化しないものを選択するようにしてもよい。例えば、第２のワニスが含有する助触媒の活性化に適した活性放射線を吸収しないか、または、活性放射線に代わって熱の作用により活性化される助触媒を選択するようにすればよい。
【０５９８】
このような助触媒としては、例えば、非吸収性光塩基発生剤（ＰＢＧ）や熱塩基発生剤（ＴＢＧ）等が挙げられる。
【０５９９】
なお、本発明において、光導波路構造体の基本構造、層構成、各部の形状、数、配置等は、図示のものに限定されないことは言うまでもない。
【０６００】
また、前記各実施形態において、電気素子としては、発光素子１０を代表例として説明したが、発光素子１０に代え、受光素子を搭載した構成であってもよい。この場合には、光導波路９は、コア部９４にて形成される導光路を受光素子の受光部へ導く構成とすることができる。もちろん、発光素子と受光素子の双方を少なくとも１組搭載するものでもよい。
【０６０１】
以上、本発明を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意の構成と置換することができ、また、任意の構成が付加されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０６０２】
【図１】本発明の光導波路構造体の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の光導波路構造体の第２実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の光導波路構造体の第３実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の光導波路構造体の第４実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の光導波路構造体の第５実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の光導波路構造体の第６実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の光導波路構造体の第７実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明の光導波路構造体の第８実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明の光導波路構造体の第９実施形態を示す断面図である。
【図１０】本発明の光導波路構造体の第１０実施形態を示す断面図である。
【図１１】本発明の光導波路構造体の第１１実施形態を示す断面図である。
【図１２】本発明の光導波路構造体の第１２実施形態を示す断面図である。
【図１３】本発明の光導波路構造体の第１３実施形態を示す断面図である。
【図１４】本発明の光導波路構造体の第１４実施形態を示す断面図である。
【図１５−Ａ】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１５−Ｂ】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１５−Ｃ】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１５−Ｄ】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１５−Ｅ】本発明の光導波路構造体の第１の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１６−Ａ】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１６−Ｂ】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１６−Ｃ】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１６−Ｄ】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【図１６−Ｅ】本発明の光導波路構造体の第４の製造方法の工程例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０６０３】
１          光導波路構造体
２          基板
２ａ        第１基板
２ｂ        第２基板
２ｃ        第３基板
２０        開口部（凹部）
２１        透光部
２２        貫通孔
２３        レンズ部
３          絶縁層
３１、３２  封止材
４          半田
４１        ワイヤ
５１、５２、５３  導体層
６          異方導電性シート（または異方性導電シート）
７          接着層
８          貫通孔（スルーホール）
８１、８２  導体ポスト（導電材料）
９          光導波路
９１        クラッド層
９２        クラッド層
９３        コア層
９４        コア部
９５        クラッド部
９６        光路変換部
９６１      反射面
９７        凹部
１０        発光素子
１０１      発光部
１０３      端子
１０５      端子
１２        電子回路素子（半導体素子）
１２３      端子
１２５      端子
１４        光導波路基板
１６        素子搭載基板
１８        伝送光
９００      コア層形成用材料
９１０      層
９１５      ポリマー
９２０      添加剤
９２５      照射領域
９３０      活性放射線
９３５      マスク
９３５１    開口
９４０      未照射領域
９５１、９５２  支持基板
１０００    支持基板
１１１０    第１の層
１１２０    第２の層
１１３０    第３の層
２０００    積層体
【図１】
2006323317.tif 000028
【図２】
2006323317.tif 000029
【図３】
2006323317.tif 000030
【図４】
2006323317.tif 000031
【図５】
2006323317.tif 000032
【図６】
2006323317.tif 000033
【図７】
2006323317.tif 000034
【図８】
2006323317.tif 000035
【図９】
2006323317.tif 000036
【図１０】
2006323317.tif 000037
【図１１】
2006323317.tif 000038
【図１２】
2006323317.tif 000039
【図１３】
2006323317.tif 000040
【図１４】
2006323317.tif 000041
【図１５−Ａ】
2006323317.tif 000042
【図１５−Ｂ】
2006323317.tif 000043
【図１５−Ｃ】
2006323317.tif 000044
【図１５−Ｄ】
2006323317.tif 000045
【図１５−Ｅ】
2006323317.tif 000046
【図１６−Ａ】
2006323317.tif 000047
【図１６−Ｂ】
2006323317.tif 000048
【図１６−Ｃ】
2006323317.tif 000049
【図１６−Ｄ】
2006323317.tif 000050
【図１６−Ｅ】
2006323317.tif 000051