(57)【要約】【課題】基板変形が発生した場合にも基板上の正確な位置にレーザービームを照射して基板上の希望する位置に転写層パターンを形成することができる平板表示装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】平板表示装置及びその製造方法を提供する。平板表示装置は，画素領域Ｐとアラインマーク領域ＡＭを有する基板１００を具備する。アラインマーク領域ＡＭは，画素領域Ｐの相互に対応する両側部に画素領域Ｐに沿って位置する。画素領域Ｐ上に単位画素アレイが列Ｐｃと行を有するように配列される。アラインマーク領域ＡＭ上に少なくとも一つのアラインマーク対１３３が相互に対応して位置する。アラインマーク対１３３は単位画素アレイの列Ｐｃに対応して位置する。【選択図】図４Ａ
2006293353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域と，前記画素領域の相互に対応する両側部に前記画素領域に沿って位置するアラインマーク領域とを具備する基板と；
前記画素領域上に列と行を有するように配列された単位画素アレイと；
前記アラインマーク領域上に相互に対応して位置する少なくとも一つのアラインマーク対と；
を含み，
前記アラインマーク対は，前記単位画素アレイの列に対応して位置することを特徴とする，平板表示装置。
【請求項２】
前記アラインマーク領域上に，前記単位画素アレイのすべての列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置することを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記各アラインマーク対は，前記単位画素アレイの各列の延長線上に位置することを特徴とする，請求項２に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記アラインマーク領域上に，前記単位画素アレイの一部の列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置し，前記アラインマーク対間の間隔は，前記単位画素アレイの列間の間隔の整数倍であることを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記単位画素アレイの各列には，同一色単位画素が位置することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記各単位画素は，画素電極，対向電極及び前記画素電極と前記対向電極との間に位置する有機発光層を具備することを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記有機発光層は，レーザー熱転写法を用いて形成されたことを特徴とする，請求項６に記載の平板表示装置。
【請求項８】
画素領域と，前記画素領域の相互に対応する両側部に前記画素領域に沿って位置するアラインマーク領域と，前記画素領域上に列と行を有するように配列された単位画素アレイと，前記アラインマーク領域上に相互に対応して位置する少なくとも一つのアラインマーク対とを備える平板表示装置を製造する方法において，
前記アラインマーク対は前記単位画素アレイの列に対応して位置する素子基板をチャック上に配置する段階と，
カメラを用いて前記アラインマーク対の位置を測定する段階と，
前記測定されたアラインマーク対の位置に基づいて，前記測定されたアラインマーク対に対応する前記単位画素アレイの列の位置を計算する段階と，
前記計算された位置に沿ってレーザービームを照射する段階と，
を含むことを特徴とする，平板表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記計算された位置に沿ってレーザービームを照射する段階は，レーザー照射装置を移動させる段階と，前記レーザー照射装置に連動して前記チャックを移動させながら前記基板上に前記レーザービームを照射する段階とを含むことを特徴とする，請求項８に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記アラインマーク対の位置を測定する前に，前記素子基板上にドナーベース基板と，前記ドナーベース基板上に位置する光熱変換層及び前記光熱変換層上に位置する転写層を具備するドナー基板とを，前記転写層が前記素子基板に対向するように配置する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項８または９のいずれかに記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記各単位画素は画素電極を具備し，前記レーザービームの照射により前記画素電極上に転写層パターンを形成することを特徴とする，請求項１０に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記アラインマーク領域上に，前記単位画素アレイのすべての列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置することを特徴とする，請求項８〜１１のいずれかに記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記各アラインマーク対は，前記単位画素アレイの各列の延長線上に位置することを特徴とする，請求項１２に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記アラインマーク領域上に，前記単位画素アレイの一部列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置し，前記アラインマーク対間の間隔は前記単位画素アレイの列間の間隔の整数倍であることを特徴とする，請求項８〜１１のいずれかに記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記単位画素アレイの各列には同一色の単位画素が位置することを特徴とする，請求項８〜１４のいずれかに記載の平板表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，平板表示装置及びその製造方法に係り，さらに詳細には，アラインマーク領域を具備する平板表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置は軽量及び薄形などの特性により，最近陰極線管表示装置（ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ  ｔｕｂｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）に代わる表示装置として台頭している。このような平板表示装置には液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ），有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ），プラズマディスプレーパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；ＰＤＰ）及び電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＥＤ）がある。
【０００３】
このような平板表示装置は，一般的に高い温度で変形しやすいガラス基板を採用しているが，このような変形は，後続する過程でのパターン形成の精密度を低下させる要因になることもある。ひいては，基板のサイズが大きくなるにしたがって，変形の程度はさらに大きくなり，これにより精密なパターンを形成することが徐々に難しくなっている。
【０００４】
一方，平板表示装置にパターンを形成する方法のうちの一つに，レーザー熱転写方法がある。このようなレーザー熱転写方法は，少なくともレーザー，アクセプタ基板及びドナーフィルムを必要とし，ドナーフィルムは，基材フィルム，光熱変換層及び転写層を具備する。レーザー熱転写工程においては，転写層をアクセプタ基板に対向させるようにしてドナーフィルムをアクセプタ基板上にラミネーションした後，基材フィルム上にレーザービームを照射する。基材フィルム上に照射されたビームは，光熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され，熱エネルギーにより転写層はアクセプタ基板上に転写される。その結果，アクセプタ基板上に転写層パターンが形成されるようになる。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５，６４３，８０１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，６１０，９６１号明細書
【特許文献３】米国特許第６，２５１，５５０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし，上述したように，アクセプタ基板が変形された場合，レーザービームは正確な位置に照射されないこともあって，転写層パターンの形成エラーが発生することがある。
【０００７】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，基板変形が発生した場合または基板移送エラーが発生した場合であっても，基板上の正確な位置にレーザービームを照射して，基板上の希望する位置に転写層パターンを形成することが可能な，新規かつ改良された，平板表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，画素領域とアラインマーク領域を具備し，アラインマーク領域は，画素領域の相互に対応する両側部に画素領域に沿って位置する基板と，画素領域上に列と行を有するように配列された単位画素アレイと，アラインマーク領域上に相互に対応して位置する少なくとも一つのアラインマーク対とを含み，アラインマーク対は，単位画素アレイの列に対応して位置することを特徴とする，平板表示装置が提供される。
【０００９】
また，アラインマーク領域上に，単位画素アレイのすべての列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置してもよい。
【００１０】
また，各アラインマーク対は，単位画素アレイの各列の延長線上に位置してもよい。
【００１１】
また，アラインマーク領域上に，単位画素アレイの一部の列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置し，アラインマーク対間の間隔は，単位画素アレイの列間の間隔の整数倍であってもよい。
【００１２】
また，単位画素アレイの各列には，同一色単位画素が位置してもよい。
【００１３】
また，各単位画素は，画素電極，対向電極及び画素電極と対向電極との間に位置する有機発光層を具備してもよい。
【００１４】
また，有機発光層は，レーザー熱転写法を用いて形成されてもよい。
【００１５】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，画素領域と，画素領域の相互に対応する両側部に画素領域に沿って位置するアラインマーク領域と，画素領域上に列と行を有するように配列された単位画素アレイと，アラインマーク領域上に相互に対応して位置する少なくとも一つのアラインマーク対とを備える平板表示装置を製造する方法において，アラインマーク対は単位画素アレイの列に対応して位置する素子基板をチャック上に配置する段階と，カメラを用いてアラインマーク対の位置を測定する段階と，測定されたアラインマーク対の位置に基づいて，測定されたアラインマーク対に対応する単位画素アレイの列の位置を計算する段階と，計算された位置に沿ってレーザービームを照射する段階と，を含むことを特徴とする，平板表示装置の製造方法が提供される。
【００１６】
また，計算された位置に沿ってレーザービームを照射する段階は，レーザー照射装置を移動させる段階と，レーザー照射装置に連動してチャックを移動させながら基板上にレーザービームを照射する段階とを含んでもよい。
【００１７】
また，アラインマーク対の位置を測定する前に，素子基板上にドナーベース基板と，ドナーベース基板上に位置する光熱変換層及び光熱変換層上に位置する転写層を具備するドナー基板とを，転写層が素子基板に対向するように配置する段階をさらに含んでもよい。
【００１８】
また，各単位画素は画素電極を具備し，レーザービームの照射により画素電極上に転写層パターンを形成してもよい。
【００１９】
また，アラインマーク領域上に，単位画素アレイのすべての列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置してもよい。
【００２０】
また，各アラインマーク対は，単位画素アレイの各列の延長線上に位置してもよい。
【００２１】
また，アラインマーク領域上に，単位画素アレイの一部列にそれぞれ対応するアラインマーク対が位置し，アラインマーク対間の間隔は単位画素アレイの列間の間隔の整数倍であってもよい。
【００２２】
また，単位画素アレイの各列には同一色の単位画素が位置してもよい。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように本発明によると，基板変形が発生した場合または基板移送エラーが発生した場合であっても，基板上の正確な位置に転写層パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図面において，層が異なる層または基板“上”にあると言及される場合，それは他の層または基板上に直接形成されることができたりまたはそれらの間に第３の層が介在されることもある。
【００２５】
図１は，本発明の一実施形態による平板表示装置の素子基板，及び素子基板上にパターンを形成するためのレーザー熱転写装置を概略的に示した斜視図である。
【００２６】
図１を参照すると，レーザー熱転写装置は，基板ステージ１０を具備する。基板ステージ１０上にチャック２０が配置される。基板ステージ１０は，チャック２０をＸ方向に移動させるためのチャックガイドバー（ｃｈｕｃｋ  ｇｕｉｄｅ  ｂａｒ）１５を具備する。したがって，チャック２０は，チャックガイドバー１５に沿ってＸ方向に移動することができる。チャック２０は，素子基板１００をチャック２０上に位置するように固定させる。
【００２７】
素子基板１００は，画素領域Ｐとアラインマーク領域ＡＭを具備する。アラインマーク領域ＡＭは，画素領域Ｐの相互に対応する両側部に画素領域Ｐに沿って位置する。画素領域Ｐは，列Ｐｃと行とを有するように配列された単位画素アレイを具備する。
【００２８】
アラインマーク領域ＡＭは，相互に対応して位置する少なくとも一つのアラインマーク対１３３を具備する。アラインマーク対１３３は，単位画素アレイの列Ｐｃに対応して位置する。ひいては，アラインマーク領域ＡＭ上に複数個のアラインマーク対１３３が位置し，アラインマーク対１３３は，単位画素アレイのすべての列Ｐｃにそれぞれ対応して位置する。望ましくは各アラインマーク対１３３は，単位画素アレイの各列Ｐｃの延長線上に位置する。
【００２９】
ドナー基板２００は，素子基板１００上に少なくとも画素領域Ｐを覆うように配置されることができる。
【００３０】
チャック２０の上方にチャック２０を横切るように光学ステージ４０が配置される。レーザー照射装置３０は，光学ステージ４０上に設置される。光学ステージ４０は，レーザー照射装置３０をＹ方向に移動させるためのレーザーガイドバー（ｌａｓｅｒ  ｇｕｉｄｅ  ｂａｒ）４５を具備する。レーザー照射装置３０は，レーザーソース（ｌｉｇｈｔ  ｓｏｕｒｃｅ；図示せず），ビーム変形装置（ｂｅａｍ  ｓｈａｐｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ；図示せず），マスク（図示せず）及び投影レンズ（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｅｎｓ；図示せず）を具備することができる。レーザーソースは，レーザービームを発生させる装置である。レーザーソースから発生したビームは，ビーム変形装置を通過する。ビーム変形装置は，レーザーソースで発生されたガウシアンプロファイルを有するビームを，均質化されたフラット−トッププロファイルを有するビームに変形させることができる。均質化されたビームは，マスクを通過することができる。マスクは，少なくとも一つの光透過パターンまたは少なくとも一つの光反射パターンを具備する。マスクを通過したビームは，パターンによってパターニングされたイメージを有することができる。パターニングされたイメージを有するレーザービームは，投影レンズを通過して，基板，詳細にはドナー基板２００上に照射される。
【００３１】
光学ステージ４０の側部上にカメラ５１及び５２が装着される。カメラ５１及び５２は，アラインマーク領域ＡＭに配列されたアラインマーク対を撮影するためのものであって，個数や位置はこれに限られない。カメラ５１及び５２はＣＣＤカメラであってもよい。
【００３２】
図２Ａは，図１のＡ領域を拡大して示した平面図である。図２Ｂは，図１の切断線Ｉ−Ｉ´に沿って切り取られた領域及び図２Ａの切断線ＩＩ−ＩＩ´に沿って切り取られた領域を同時に示した断面図である。
【００３３】
図１，図２Ａ及び図２Ｂを参照すると，素子基板１００上にドナー基板２００が配置される。
【００３４】
素子基板１００は，列Ｐｃと行とを有するように配列された単位画素アレイを具備する画素領域Ｐと，アラインマーク対１３３が配列されたアラインマーク領域ＡＭとを具備する。単位画素アレイは，ストライプ形態に配列された単位画素を具備する。すなわち，単位画素アレイの各列Ｐｃには同一色単位画素が位置することができる。しかし，単位画素の配列は，上述したストライプ形態に限定されず，デルタ配列またはモザイク配列であってもよい。
【００３５】
素子基板１００は，素子ベース基板１０１を具備する。素子ベース基板１０１は，ガラス，プラスチック，石英，シリコーンまたは金属基板のいずれかであることができる。ひいては，素子ベース基板１０１はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であることができる。素子ベース基板１０１の画素領域Ｐ上に半導体層１１０が位置する。半導体層１１０は，非晶質シリコーン膜または非晶質シリコーン膜を結晶化した多結晶シリコーン膜であることができる。半導体層１１０を含んだ基板全体面上にゲート絶縁膜１１５が位置する。ゲート絶縁膜１１５上に半導体層１１０と重畳するゲート電極１２０が位置する。ゲート電極１２０を含んだ基板全体面上に半導体層１１０及びゲート電極１２０を覆う第１層間絶縁膜１２５が位置する。第１層間絶縁膜１２５上に，第１層間絶縁膜１２５及びゲート絶縁膜１１５を貫通して，半導体層１１０の両端部とそれぞれ接続するソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂが位置する。半導体層１１０，ゲート電極１２０，ソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂは薄膜トランジスタを構成する。一方，アラインマーク領域ＡＭの第１層間絶縁膜１２５上にはアラインマーク１３３が位置する。アラインマーク１３３は，工程の便宜上，ソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂを形成するのと同時に形成することができる。ひいては，アラインマーク１３３は，アルミニウム膜，モリブデン膜，アルミニウム合金膜またはモリブデン合金膜であることができる。しかし，アラインマーク１３３は，これらの材質に限られず，反射特性が優れた物質膜ならばすべて適用可能である。
【００３６】
ソース電極１３０ａ，ドレイン電極１３０ｂ及びアラインマーク１３３を含んだ基板全体面上に，ソース電極１３０ａ，ドレイン電極１３０ｂ及びアラインマーク１３３を覆う第２層間絶縁膜１３７が位置する。第２層間絶縁膜１３７は，薄膜トランジスタを保護するためのパッシベーション膜及び／または薄膜トランジスタによる段差を緩和するための平坦化膜を具備することができる。第２層間絶縁膜１３７上に，第２層間絶縁膜１３７を貫通してドレイン電極１３０ｂと接続する画素電極１５０が位置する。画素電極１５０は例えば，ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜であることができる。画素電極１５０上に画素電極１５０の一部を露出させる開口部１５５ａを有する画素定義膜（ｐｉｘｅｌ  ｄｅｆｉｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１５５が位置することができる。
【００３７】
一方，ドナー基板２００は，ドナーベース基板２０１及びドナーベース基板２０１の一面上に順に積層した光熱変換層２１０と転写層２２０を具備する。ドナーベース基板２０１は，ポリテレフタル酸エチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ，ＰＥＴ）などの透明性高分子有機材料で形成された基板であることができる。光熱変換層２１０は，入射する光を熱に変換させる膜であって，光吸収性物質であるアルミニウム酸化物，アルミニウム硫化物，カーボンブラック，黒鉛または赤外線染料を含むことができる。転写層２２０は，素子基板１００が有機電界発光素子基板である場合，有機転写層であってもよい。有機転写層２２０は，正孔注入性有機膜，正孔輸送性有機膜，電界発光性有機膜，正孔抑制性有機膜，電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜で構成される群から選択される少なくとも一つの膜であることができる。
【００３８】
図３Ａ及び図３Ｂは，本発明の他の実施形態による平板表示装置の素子基板をそれぞれ示した平面図である。本実施形態による平板表示装置の素子基板は，後述する内容を除いては，図１を参照しながら説明した平板表示装置の素子基板と同様である。
【００３９】
図３Ａを参照すると，アラインマーク領域ＡＭは，相互に対応して位置する少なくとも一つのアラインマーク対１３３を具備し，アラインマーク対１３３は，単位画素アレイの一部列Ｐｃに対応して位置する。アラインマーク対１３３間の間隔は，単位画素アレイの列Ｐｃ間の間隔の整数倍である。
【００４０】
図３Ｂを参照すると，素子基板１００は，複数個の素子セルを具備する。各素子セルは画素領域Ｐ及びアラインマーク領域ＡＭを具備する。アラインマーク領域ＡＭは，図３Ｂに示したように単位画素アレイのすべての列Ｐｃに対応するアラインマーク対１３３を具備することができる。これとは違って，図３Ａに示した素子基板のように，アラインマーク対１３３は，単位画素アレイの一部列Ｐｃに対応して位置し，アラインマーク対１３３間の間隔は，単位画素アレイの列Ｐｃ間の間隔の整数倍であることもできる。一方，素子基板１００は，図１及び図３Ａを参照しながら説明した素子基板に比べて大型であってもよい。
【００４１】
図４Ａ〜図４Ｄは，図１に示したレーザー熱転写装置の平面図であって，本発明の一実施形態による平板表示装置の製造方法，詳細には素子基板上にパターンを形成する方法を示す。
【００４２】
図４Ａを参照すると，チャック２０上に素子基板１００を配置する。素子基板１００は，図１，図２Ａ及び図２Ｂを参照しながら説明した素子基板であることができる。これとは違って素子基板１００は，図３Ａまたは図３Ｂを参照しながら説明した素子基板であってもよい。素子基板１００は，基板上に多くのパターンを形成する過程で変形されることがある。図面には，素子基板１００の上部が下部に比べて拡大した状態を図示したが，これに限られないで他のいかなる変形も可能である。ひいては，素子基板１００がフレキシブル基板であったり大型基板であった場合，変形が大きくなることがある。
【００４３】
素子基板１００上にドナー基板２００を配置する。ドナー基板２００は，図１及び図２Ｂを参照しながら説明したドナー基板であることができる。ドナー基板２００は，素子基板１００の少なくとも画素領域Ｐを覆うように配置されるが，転写層（図２Ｂの２２０）が素子基板１００と対向するように配置される。
【００４４】
続いて，カメラ（図１の５１及び５２）を用いてアラインマーク対１３３ａ及び１３３ｂの位置を測定する。詳細には，各カメラを用いて撮影された画像５１ａ及び５２ａの中心部に対する，カメラにより撮影されたアラインマーク対１３３ａ及び１３３ｂの偏位度を測定する。これを通じてアラインマーク対１３３ａ及び１３３ｂに対応する単位画素アレイの列Ｐｃ＿ａの位置，詳細にはその開始点，終了点及び開始点と終了点間の直線経路を計算する。
【００４５】
図４Ｂを参照すると，光学ステージ４０は固定され，チャック２０はチャックガイドバー１５に沿って第１方向ｄ１に所定距離移動し，レーザー照射装置３０はレーザーガイドバー４５に沿って所定距離移動する。したがって，レーザー照射装置３０，詳細にはレーザー照射装置３０から照射されるレーザービームの照射領域３５は，単位画素アレイの列Ｐｃ＿ａの開始点上に位置することができる。
【００４６】
図４Ｃ及び図４Ｄを参照すると，レーザー照射装置３０は，計算された単位画素アレイの列Ｐｃ＿ａの位置に沿ってレーザービームを照射する。計算された位置に沿ってレーザービームを照射することは，レーザー照射装置３０をレーザーガイドバー４５に沿って移動させて，レーザー照射装置３０に連動してチャック２０をチャックガイドバー１５に沿って第２方向ｄ２に移動させながら，基板，詳細にはドナー基板２００上にレーザービームを照射することにより行われることができる。
【００４７】
ドナー基板２００上に照射されたレーザービームは，光熱変換層（図２Ｂの２１０）に吸収される。ドナー基板２００のレーザービームが照射された領域では，光熱変換層（図２Ｂの２１０）がレーザービームを吸収して熱を発生させ，熱が発生した光熱変換層（図２Ｂの２１０）下部の転写層（図２Ｂの２２０）は，熱により光熱変換層（図２Ｂの２１０）との接着力に変化が生じて素子基板１００上に転写される。結果的に素子基板１００，詳細には単位画素アレイの列Ｐｃ＿ａ上に転写層パターン１７０が形成される。
【００４８】
続いて，チャック２０を１ステップ移動させて，上述したような過程を介して単位画素アレイの他の列上に転写層パターンを形成する。
【００４９】
上述したように，画素領域の相互に対応する両側部に，単位画素アレイの列に対応して位置するアラインマーク対を位置させて，アラインマーク対の位置を測定し，これを通じてアラインマーク対に対応する単位画素アレイの列の位置を計算し，計算された位置に沿ってレーザービームを照射することによって，基板変形が発生した場合であっても正確な位置に転写層パターンを形成することができる。
【００５０】
これとは違って，素子基板１００の変形がない場合，例えば図５に示したように，素子基板１００を固定したチャックが移動する間に直進度エラー（ｓｔｒａｉｇｈｔｎｅｓｓ  ｅｒｒｏｒ）が発生した場合にも，上述した過程を経て正確な位置に転写層パターンを形成することができる。
【００５１】
図６は，本発明の他の実施形態による素子基板上に転写層パターンを形成するためのレーザー熱転写装置を示した概略図である。
【００５２】
図６を参照すると，レーザー熱転写装置はチャック２１を具備する。チャック２１上に素子基板１０１が固定される。素子基板１０１はフレキシブル基板である。このような素子基板１０１は，プラスチック基板または金属ホイール基板であることができる。素子基板１０１は，フレキシブル基板であることを除いては，図１，図２Ａ及び図２Ｂを参照しながら説明した素子基板と同じである。したがって，素子基板１０１は，画素領域Ｐとアラインマーク領域ＡＭを具備する。アラインマーク領域ＡＭは，画素領域Ｐの相互に対応する両側部に画素領域Ｐに沿って位置する。画素領域Ｐは，列Ｐｃと行を有するように配列された単位画素アレイを具備する。アラインマーク領域ＡＭは，相互に対応して位置する少なくとも一つのアラインマーク対１３３を具備する。アラインマーク対１３３は，単位画素アレイの列Ｐｃに対応して位置する。
【００５３】
ドナー基板２０１は，素子基板１０１上に少なくとも画素領域Ｐを覆うように配置されることができる。ドナー基板２０１も図１及び図２Ｂを参照しながら説明したドナー基板と同様である。素子基板１０１とドナー基板２０１は，チャック２１の回転方向に合せて供給されて，チャック２１上でラミネーションされることができる。
【００５４】
チャック２１上に光学ステージ４１が位置する。光学ステージ４１上にレーザー照射装置３１が設置される。光学ステージ４１は，レーザー照射装置３１をＹ方向に移動させるためのレーザーガイドバー（図示せず）を具備することができる。光学ステージ４１の側部上にカメラ５３及び５４が装着される。カメラ５３及び５４は，アラインマーク領域ＡＭに配列されたアラインマーク対を撮影するためのものであって，個数や位置はこれに限られない。
【００５５】
このような装置を用いて素子基板上に転写層パターンを形成することは，図４Ａ〜図４Ｄを参照しながら説明した方法と同一の方法で遂行することができる。したがって，素子基板がフレキシブルで，変形が発生しやすい場合であっても，正確な位置に転写層パターンを形成することができる。
【００５６】
図７Ａは，図４ＤのＢ領域のうち素子基板を拡大して示した平面図であって，図７Ｂは，図４Ｄの切断線Ｉ−Ｉ´に沿って取られた領域及び図７Ａの切断線ＩＩ−ＩＩ´に沿って取られた領域を同時に示した断面図である。
【００５７】
図７Ａ及び図７Ｂを参照すると，図２Ａ及び図２Ｂを参照しながら説明した素子基板の開口部１５５ａ内に露出した画素電極１５０上に転写層パターン１７０が位置する。転写層パターン１７０は，発光層であることができる。ひいては，転写層パターン１７０は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層で構成された群から選択される少なくとも一層をさらに含むことができる。
【００５８】
続いて，転写層パターン１７０上に対向電極１８０を形成して有機電界発光表示装置を完成する。
【００５９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施形態による平板表示装置の素子基板及び素子基板上にパターンを形成するためのレーザー熱転写装置を概略的に示した斜視図である。
【図２Ａ】図１のＡ領域を拡大して示した平面図である。
【図２Ｂ】図１の切断線Ｉ−Ｉ´に沿って取られた領域及び図２Ａの切断線ＩＩ−ＩＩ´に沿って取られた領域を同時に示した断面図である。
【図３Ａ】本発明の他の実施形態による平板表示装置の素子基板を示した平面図である。
【図３Ｂ】本発明の他の実施形態による平板表示装置の素子基板を示した平面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による平板表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による平板表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態による平板表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態による平板表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による平板表示装置の製造方法を示した平面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による平板表示装置の素子基板上にパターンを形成するためのレーザー熱転写装置を示した概略図である。
【図７Ａ】図４ＤのＢ領域のうち素子基板を拡大して示した平面図である。
【図７Ｂ】図４Ｂの切断線Ｉ−Ｉ´に沿って取られた領域及び図６Ａの切断線ＩＩ−ＩＩ´に沿って取られた領域を同時に示した断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
２０    チャック
３０    レーザー照射装置
５１，５２    カメラ
１００    素子基板
１３３    アラインマーク対
ＡＭ    アラインマーク領域
Ｐ    画素領域
Ｐｃ    単位画素アレイの列
【図１】
2006293353.tif 000003
【図２Ａ】
2006293353.tif 000004
【図２Ｂ】
2006293353.tif 000005
【図３Ａ】
2006293353.tif 000006
【図３Ｂ】
2006293353.tif 000007
【図４Ａ】
2006293353.tif 000008
【図４Ｂ】
2006293353.tif 000009
【図４Ｃ】
2006293353.tif 000010
【図４Ｄ】
2006293353.tif 000011
【図５】
2006293353.tif 000012
【図６】
2006293353.tif 000013
【図７Ａ】
2006293353.tif 000014
【図７Ｂ】
2006293353.tif 000015