(57)【要約】  【課題】球切れのＬ形ヒータを交換可能とし、所望の温度分布に制御可能とする。  【解決手段】ＣＶＤ装置１０はウエハを加熱する複数本のＬ形ヒータ６０を備えており、複数本のＬ形ヒータ６０はアッパ発熱ゾーンＵとセンタ発熱ゾーンＣとロア発熱ゾーンＬとの三つの発熱ゾーンを構成するように設定され、ロア発熱ゾーンＬにおけるＬ形ヒータ６０Ｌ1 とＬ2 の分布がセンタ発熱ゾーンＣにおけるＬ形ヒータ６０Ｃの分布よりも蜜になるように設定され、アッパ発熱ゾーンＵとセンタ発熱ゾーンＣとの間、センタ発熱ゾーンＣとロア発熱ゾーンＬとの間にはオーバラップ部ＯＲ1 、ＯＲ2 が設定されている。複数本のＬ形ヒータは互いに独立しているので、取り外して交換できる。三つの発熱ゾーンにより温度分布をゾーン制御できる。オーバラップ部によりＬ形ヒータの非発熱ゾーンを起因とする温度不均一ゾーンの発生を防止できる。  【選択図】図７
2006319187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はＬ字形状に形成されて、複数本が前記ヒータユニットにおいて同心円に配置されているとともに、前記Ｌ字形状の一端部に形成された被保持部が保持されて、他端部が上下方向に延在するように敷設されており、
前記複数本の発熱体は前記ヒータユニットにおいて上下方向に複数の発熱ゾーンを構成するように設定されているとともに、上下方向で隣り合う発熱ゾーン同士が一部において重なるように設定されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はＬ字形状に形成されて、複数本が前記ヒータユニットにおいて同心円に、かつ、前記ヒータユニットの上下に分配されて配置されているとともに、前記Ｌ字形状の一端部に形成された被保持部が保持されて、他端部が上下方向に延在するように敷設されており、
前記複数本の発熱体は前記ヒータユニットにおいて上下方向に三つ以上の発熱ゾーンを構成するように設定されているとともに、最下位置の発熱ゾーンの分布が中間位置の発熱ゾーンよりも蜜になるように設定されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法に使用されるＣＶＤ装置や拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の熱処理装置（furnace ）に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコンおよびポリシリコン等のＣＶＤ膜を形成するのに、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入（ボートローディング）され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積するように構成されている。
【０００３】
従来のこの種のＣＶＤ装置においては、ヒータユニットはセラミックファイバ等の断熱材が使用されて円筒形状に形成された断熱槽の内周面に、抵抗発熱体（珪化モリブデン、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金等）が敷設されて構成されているのが、一般的である。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００２−１１０５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
抵抗発熱体は安価で、かつ、酸化雰囲気で使用することができるので、ＣＶＤ装置に広く使用されている。
しかしながら、抵抗発熱体は断熱槽の内部において溶接によって電気的に接続されて一体的に配線されているために、抵抗発熱体が断線した場合には、抵抗発熱体だけを交換することはきわめて困難である。
【０００５】
本発明の目的は、発熱体を容易に交換することができるとともに、所望の温度分布に制御することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はＬ字形状に形成されて、複数本が前記ヒータユニットにおいて同心円に配置されているとともに、前記Ｌ字形状の一端部に形成された被保持部が保持されて、他端部が上下方向に延在するように敷設されており、
前記複数本の発熱体は前記ヒータユニットにおいて上下方向に複数の発熱ゾーンを構成するように設定されているとともに、上下方向で隣り合う発熱ゾーン同士が一部において重なるように設定されていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はＬ字形状に形成されて、複数本が前記ヒータユニットにおいて同心円に、かつ、前記ヒータユニットの上下に分配されて配置されているとともに、前記Ｌ字形状の一端部に形成された被保持部が保持されて、他端部が上下方向に延在するように敷設されており、
前記複数本の発熱体は前記ヒータユニットにおいて上下方向に三つ以上の発熱ゾーンを構成するように設定されているとともに、最下位置の発熱ゾーンの分布が中間位置の発熱ゾーンよりも蜜になるように設定されていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記複数本の発熱体は前記ヒータユニットにおいて上下方向に三つ以上の発熱ゾーンを構成するように設定されているとともに、最下位置の発熱ゾーンの分布が中間位置の発熱ゾーンよりも蜜になるように設定されていることを特徴とする前記（１）に記載の基板処理装置。
（４）基板を処理する処理室と、この処理室を囲む上端閉塞の筒形状の断熱槽に敷設された発熱体を有するヒータユニットとを備えており、
前記発熱体はＬ字形状に形成されて、複数本が前記ヒータユニットにおいて同心円に、かつ、前記ヒータユニットの上下に分配されて配置されているとともに、前記Ｌ字形状の一端部に形成された被保持部が保持されて、他端部が上下方向に延在するように敷設されており、
前記複数本の発熱体は前記ヒータユニットにおいて上下方向に三つ以上の発熱ゾーンを構成するように設定されているとともに、最下位置の発熱ゾーンの分布が最上位置および中間位置の発熱ゾーンよりも蜜になるように設定されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記（１）によれば、ヒータユニットの発熱ゾーンを構成する複数本のＬ字形状の発熱体のそれぞれは互いに独立しているので、ヒータユニットから取り外して容易に交換することができる。
また、ヒータユニットの発熱ゾーンは複数本のＬ字形状の発熱体の配置によって適宜に構成することができるので、所望の温度分布に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、図１、図２および図３に示されているように、本発明に係る基板処理装置はＩＣの製造方法における成膜工程を実施するＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）１０として構成されている。
【００１０】
図１、図２および図３に示されたＣＶＤ装置１０は、中心線が垂直になるように縦に配されて筐体２に支持された縦形のプロセスチューブ１１を備えている。プロセスチューブ１１は互いに同心円に配置されたアウタチューブ１２とインナチューブ１３とから構成されている。
アウタチューブ１２は後記する発熱体の熱線（赤外線や遠赤外線等）を透過する材料の一例である石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。
インナチューブ１３は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１３の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１４を実質的に形成している。インナチューブ１３の下端開口はウエハを出し入れするための炉口１５を実質的に構成している。したがって、インナチューブ１３の内径は取り扱うウエハの最大外径（例えば、直径３００ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。
【００１１】
アウタチューブ１２とインナチューブ１３との間の下端部は、略円筒形状に構築されたマニホールド１６によって気密封止されており、マニホールド１６はアウタチューブ１２およびインナチューブ１３の交換等のために、アウタチューブ１２およびインナチューブ１３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。
そして、マニホールド１６がＣＶＤ装置の筐体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１２】
アウタチューブ１２とインナチューブ１３との隙間によって排気路１７が、図３に示されているように、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。図１に示されているように、マニホールド１６の側壁の上部には排気管１８の一端が接続されており、排気管１８は排気路１７の最下端部に連通した状態になっている。
排気管１８の他端には、圧力コントローラ２１によって制御される排気装置１９が接続されており、排気管１８の途中には圧力センサ２０が接続されている。圧力コントローラ２１は圧力センサ２０からの測定結果に基づいて排気装置１９をフィードバック制御するように構成されている。
【００１３】
マニホールド１６の下方にはガス導入管２２がインナチューブ１３の炉口１５に連通するように接続されており、ガス導入管２２にはガス流量コントローラ２４によって制御される原料ガス供給装置および不活性ガス供給装置（以下、ガス供給装置という。）２３が接続されている。ガス導入管２２によって炉口１５に導入されたガスは、インナチューブ１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。
【００１４】
マニホールド１６には下端開口を閉塞するシールキャップ２５が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２５はマニホールド１６の外径と略等しい円盤形状に構築されており、筐体２の待機室３に設備されたボートエレベータ２６によって垂直方向に昇降されるように構成されている。
ボートエレベータ２６はモータ駆動の送りねじ軸装置およびベローズ等によって構成されており、ボートエレベータ２６のモータ２７は駆動コントローラ２８によって制御されるように構成されている。シールキャップ２５の中心線上には回転軸３０が挿通されて回転自在に支承されており、回転軸３０は駆動コントローラ２８によって制御されるモータ２９によって回転駆動されるように構成されている。
【００１５】
回転軸３０の上端にはボート３１が垂直に立脚されて支持されている。
ボート３１は上下で一対の端板３２、３３と、両端板３２と３３との間に架設されて垂直に配設された三本の保持部材３４とを備えており、三本の保持部材３４には多数の保持溝３５が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。
ボート３１は三本の保持部材３４の保持溝３５間にウエハ１を挿入されることにより、複数枚のウエハ１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。
ボート３１と回転軸３０との間には断熱キャップ部３６が配置されている。断熱キャップ部３６はボート３１をシールキャップ２５の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート３１の下端を炉口１５の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。
断熱キャップ部３６の上側には下側サブヒータユニット３７が設置されており、下側サブヒータユニット３７はボート３１に保持されたウエハ１を下側から加熱するように構成されている。
【００１６】
図１および図２に示されているように、プロセスチューブ１１の外側にはヒータユニット５０の断熱槽５１が設置されている。ヒータユニット５０の断熱槽５１はＣＶＤ装置の筐体２に垂直に支持されている。
ヒータユニット５０の断熱槽５１とプロセスチューブ１１との間には冷却ガスとしての冷却エアを流通させる冷却エア通路４１が、プロセスチューブ１１を全体的に包囲するように形成されている。
断熱槽５１の下端部には冷却エアを冷却エア通路４１に供給する給気管４２が、複数箇所（例えば、１０箇所）に接続されており、給気管４２に供給された冷却エアは冷却エア通路４１の全周に拡散するようになっている。
断熱槽５１の天井壁の中央部には冷却エアを冷却エア通路４１から排出する排気口４３が開設されており、排気口４３には排気装置に接続された排気路（図示せず）が接続されている。断熱槽５１の天井壁の排気口４３の下側には、排気口４３と連通するバッファ部４４が大きく形成されており、バッファ部４４の底面における周辺部にはサブ排気口４５が複数個、バッファ部４４と冷却エア通路４１とを連絡するように開設されている。
【００１７】
図１、図２および図３に示されているように、冷却エア通路４１には冷却ガスとしての冷却エアを冷却エア通路４１に供給するノズル４６が複数本、周方向に等間隔に配置されて垂直方向に延在するようにそれぞれ敷設されており、各ノズル４６には複数個の噴射口４７が冷却エアを断熱槽５１の中心に向けて半径方向へ噴射するようにそれぞれ開設されている。
ノズル４６には送風機や流量調整弁および圧力調整弁等から構成された冷却エア供給装置４８が接続されており、冷却エア供給装置４８は冷却エア制御コントローラ４９によって制御されるように構成されている。複数本のノズル４６からの冷却エアの噴射量を冷却エア供給装置４８によって制御することにより、冷却エア通路４１による冷却能力を調整することができるようになっている。
また、各ノズル４６毎に冷却エア供給装置４８を設けることにより、冷却エア通路４１の冷却能力をゾーン制御することができる。例えば、冷却エア通路４１の低温になる側に位置したノズル４６群の冷却エアの噴射量をその他の領域に比べて大きくすることにより、冷却エア通路４１を全体的に均一に冷却することができる。
さらに、断熱槽５１の天井面の下側には天井ノズル４６Ａが蛇行状に敷設されており、天井ノズル４６Ａには複数個の噴射口４７Ａが冷却エアを垂直方向下向きに噴射するように開設されている。
【００１８】
図１、図２および図３に示されているように、ヒータユニット５０の断熱槽５１は、熱容量が可及的に小さくなるように構成されている。すなわち、断熱槽５１は容器５２と、断熱材層５３と、筒部リフレクタ（反射板）５４および天井リフレクタ（反射板）５５と、冷却水配管５６とから構成されている。
断熱槽５１の容器５２はステンレス鋼等の薄板が使用されて天井壁が閉塞した円筒形状に構築されている。断熱材層５３はセラミックファイバ等の断熱材が容器５２に全体的に内張りされて天井壁が閉塞した円筒形状に構築されている。
なお、断熱材層５３に断熱材を設けずに空隙とするようにしてもよい。断熱材を設けないことにより、断熱材分の熱容量を減らすことができる。特に、処理室内の温度を下げるように温度制御する際、断熱材に残っている熱量により、温度が下がりにくくなることを防ぐことができる。
断熱材層５３の内周には円筒形状に形成された筒部リフレクタ５４が、プロセスチューブ１１と同心円に設置されている。断熱材層５３の天井面には円板形状に形成された天井リフレクタ５５がプロセスチューブ１１と同心円に設置されている。筒部リフレクタ５４および天井リフレクタ５５はいずれも、例えば、ステンレス鋼板に石英（ＳｉＯ2 ）をコーティングして形成された材料のように耐酸化性、耐熱性および耐熱衝撃性に優れた材料によって構築されている。
筒部リフレクタ５４および天井リフレクタ５５の外面には冷却水配管５６が敷設されており、冷却水配管５６は筒部リフレクタ５４および天井リフレクタ５５を３００℃以下に冷却するように設定されている。
リフレクタ５４、５５は３００℃を超えると、酸化等によって劣化し易くなるが、リフレクタ５４、５５を３００℃以下に冷却することにより、リフレクタ５４、５５の耐久性を向上させることができるとともに、リフレクタ５４、５５の劣化に伴うパーティクルの発生を抑制することができる。また、断熱槽５１の内部の温度を低下させる際に、リフレクタ５４、５５を冷却することにより、冷却効果を向上させることができる。
【００１９】
筒部リフレクタ５４および天井リフレクタ５５は熱を断熱槽５１の内側方向に充分に反射させることができるので、断熱槽５１はリフレクタ５４、５５またはリフレクタを兼用する容器５２のみによって構成してもよい。
【００２０】
図１〜図３に示されているように、ヒータユニット５０の断熱材層５３と筒部リフレクタ５４との間には、プロセスチューブ１１内を加熱する発熱体としてのＬ管形カーボンランプヒータ６０が複数本、図７に示されているように、周方向に等間隔に配置されて同心円に設備されている。
【００２１】
Ｌ管形カーボンランプヒータ（以下、Ｌ形ヒータという。）６０は、図４に示されているように構成されている。
Ｌ形ヒータ６０は石英（ＳｉＯ2 ）が使用されて横断面形状が略８字形状に形成された封入管６１を備えており、封入管６１の一端部は８字の二つの円の中心線の結線と直角方向にＬ字形状に屈曲されている。封入管６１の一端部（以下、垂直側端部という。）には、封止部６２が形成されており、封入管６１の他端部（以下、水平側端部という。）には被保持部６３が形成されている。
なお、封入管６１の垂直側端部が形成された長管における上端部付近および下端部付近には、一対の位置決め突起６１ａ、６１ａが水平側端部の方向へそれぞれ突出するように設けられている。
【００２２】
封入管６１の内部にはアルゴンガスが封入されており、封入管６１の８字の一対の丸管の内部には一対のヒータ素線６４、６４がそれぞれ封入されている。ヒータ素線６４は不活性ガスであるアルゴンガスが封入された封入管６１の内部に敷設されているので、Ｌ形ヒータ６０は酸化雰囲気であっても使用することができる。
ヒータ素線６４はカーボン線材がテープ形状に形成されている。
ヒータ素線６４の封止部６２側の端部には保持具６５が固着されている。一対のヒータ素線６４、６４の保持具６５、６５にはモリブデン（Ｍｏ）からなる保持棒６６が挿通されており、保持棒６６の両端は封入管６１内の封止部６２の付近に没設された一対の保持穴６７、６７にそれぞれ係合されている。
したがって、一対のヒータ素線６４、６４の一端は封入管６１の一対の丸管の内部においてそれぞれ保持された状態になっている。そのため、一対のヒータ素線６４、６４同士が接触し短絡したりするのを防止することができる。
また、封止部６２にはヒータ素線６４が敷設されていない状態になっているので、非発熱ゾーンになっている。
【００２３】
一対のヒータ素線６４、６４の他端部には一対のスプリング６８、６８の一端がそれぞれ係止されており、一対のスプリング６８、６８の他端部にはモリブデンからなる一対の保持具６９、６９の一端部が直交するようにそれぞれ挿通されている。一対の保持具６９、６９の他端部は封入管６１の水平側端部に形成された被保持部６３にそれぞれ挿入されている。したがって、一対のヒータ素線６４、６４は封入管６１の一対の丸管の内部において、スプリング６８、６８の引張力を付勢された状態でそれぞれ保持されていることになる。
このようにして、ヒータ素線６４は封入管６１の一対の丸管の内部においてスプリング６８の引張力を付勢された状態でそれぞれ保持されているために、ヒータ素線６４が封入管６１の内面に接触するのを防止することができ、また、ヒータ素線６４の熱による伸縮をスプリング６８、６８の伸長によって吸収することができる。
ちなみに、スプリング６８の部分は非発熱ゾーンになっている。
【００２４】
一対の保持具６９、６９の被保持部６３、６３に挿入された端部には、モリブデンからなる一対の端子部材７０、７０の一端部がそれぞれ固着されており、一対の端子部材７０、７０の他端部は被保持部６３の屈曲部と反対側の端部に形成された封止部７１に挿通されている。被保持部６３の封止部７１の端部にはカプラ７２が形成されている。
Ｌ形ヒータ６０の被保持部６３は横断面形状が８字形状に形成されているので、横断面形状の外形は横長の略長方形形状になっている。この長方形形状の被保持部６３は、横断面形状の外形が円形の場合に比べて、保持し易い形状になっている。
【００２５】
図１に示されているように、各Ｌ形ヒータ６０の一対の端子部材７０、７０には、ヒータ駆動装置７３がカプラ７２を介して電気的に接続されている。
各Ｌ形ヒータ６０において、ヒータ駆動装置７３の電力は一方の端子部材７０から一方のヒータ素線６４に供給され、垂直側端部の保持棒６６を経由して他方のヒータ素線６４に供給され、他方の端子部材７０に流れるようになっている。
【００２６】
図１に示されているように、ヒータ駆動装置７３は温度コントローラ７４によって制御されるように構成されている。
図３に示されているように、ヒータユニット５０の筒部リフレクタ５４とアウタチューブ１２との間には、複数本のカスケード熱電対７５が周方向に等間隔に配されて垂直方向に敷設されている。複数本のカスケード熱電対７５は長さがそれぞれ異なっており、それらの上端部が断熱槽５１に固定されて垂直に吊り下げられた状態になっている。
複数本のカスケード熱電対７５はヒータユニット５０の異なった位置の温度をそれぞれ計測し、それらの測定点の計測結果を温度コントローラ７４にそれぞれ送信するようになっている。
温度コントローラ７４はカスケード熱電対７５からの計測温度によってヒータ駆動装置７３をフィードバック制御するようになっている。すなわち、温度コントローラ７４はヒータ駆動装置７３の目標温度とカスケード熱電対７５の計測温度との誤差を求めて、誤差がある場合には誤差を解消させるフィードバック制御を実行するようになっている。
また、温度コントローラ７４は複数本のカスケード熱電対７５の各測定点の計測温度に基づいてＬ形ヒータ６０群をゾーン制御するように構成されている。
【００２７】
なお、図２に示されているように、断熱槽５１の天井面の下側における中央部には直管形カーボンランプヒータ（以下、直管ヒータという。）７６が複数本、互いに平行で両端を揃えられて敷設されており、直管ヒータ７６群はボート３１に保持されたウエハ１群をプロセスチューブ１１の上方から加熱するように構成されている。
直管ヒータ７６はＬ形ヒータ６０と同様に構成されている。直管ヒータ７６もヒータ駆動装置７３に接続されており、温度コントローラ７４によって制御されるように構成されている。
【００２８】
図２および図７に示されているように、複数本のＬ形ヒータ６０はヒータユニット５０において上下に複数本ずつ分配されており、上下に分配された複数本のＬ形ヒータ６０の水平側端部である被保持部６３がヒータユニット５０の上下端部に配置されたＬ形ヒータ保持装置８０によって保持されることにより、上下に分配された複数本のＬ形ヒータ６０はヒータユニット５０にそれぞれ着脱可能に取り付けられている。
【００２９】
上下のＬ形ヒータ保持装置８０は均等に構成されているので、その構成は下側のＬ形ヒータ保持装置８０について図５および図６に即して説明する。
Ｌ形ヒータ保持装置８０は円形リング形状に形成されたサポートリング８１を備えており、図５に示されているように、サポートリング８１は筒部リフレクタ５４の下端部に同心円に配置されて固定されている。
サポートリング８１の内周面には複数個の保持穴８２が周方向に等間隔に配されて、それぞれ法線方向に延在するように没設されている。保持穴８２は略直方体の穴形状に形成されており、保持穴８２の底壁にはＬ形ヒータ６０のカプラ７２を挿通する挿通孔８３が横長の長方形に開設されている。
保持穴８２はブロック８５を取り付け取り外し可能に保持するように構成されており、保持穴８２の挿通孔８３の開口縁辺部はブロック８５の外側端面の一部に係合するように設定されている。また、保持穴８２の底壁の一対の下隅部には、ブロック８５を固定するための一対の雌ねじ孔８４、８４がそれぞれ水平に形成されている。
【００３０】
図６に示されているように、ブロック８５は長方形の枠形状に形成されており、図５に示されているように、保持穴８２に保持穴８２の内周側開口から嵌入する寸法に設定されている。ブロック８５の一対の下隅部には一対の挿通孔８６、８６がそれぞれ水平に開設されており、両挿通孔８６、８６にはブロック８５を固定するための一対の止めねじ部材８７、８７が挿通されて、保持穴８２の雌ねじ孔８４、８４にそれぞれねじ込まれるようになっている。
【００３１】
ブロック８５の上側枠部片には一対の雌ねじ孔８８、８８がそれぞれ垂直に延在するように形成されており、両雌ねじ孔８８、８８には一対の止めねじ部材８９、８９がそれぞれ螺入されるようになっている。両雌ねじ孔８８、８８に螺入された状態において、両止めねじ部材８９、８９の下端には上側押さえ板９０が当接されるようになっている。
ブロック８５の下側枠部片には三本の雌ねじ孔９１、９１、９１がそれぞれ垂直に延在するように形成されており、各雌ねじ孔９１には各調整ねじ部材９２がそれぞれ螺入されるようになっている。雌ねじ孔９１に螺入された状態において、三本の調整ねじ部材９２、９２、９２の上端には下側押さえ板９３が当接されるようになっており、三本の調整ねじ部材９２、９２、９２のねじ込み量を調整することにより、下側押さえ板９３は水平面を構成するようになっている。
【００３２】
次に、以上のように構成されたＬ形ヒータ保持装置８０によるＬ形ヒータ６０の被保持部６３の取り付け手順について説明する。
Ｌ形ヒータ６０をサポートリング８１に取り付けるに際しては、ヒータユニット５０の外部において、Ｌ形ヒータ６０の被保持部６３がブロック８５に図６に示されているように予め装着される。
まず、雌ねじ孔９１に螺入された状態において、三本の調整ねじ部材９２、９２、９２の上端間に下側押さえ板９３が架橋され、三本の調整ねじ部材９２、９２、９２のねじ込み量を調整することにより、下側押さえ板９３の水平面が出される。
Ｌ形ヒータ６０の被保持部６３がブロック８５の枠内に挿入され、その下面が下側押さえ板９３の上面に当接されるとともに、被保持部６３の上面に上側押さえ板９０が当接される。このとき、被保持部６３の外形は横長の略長方形形状に形成されているので、上側押さえ板９０は被保持部６３にがたつきなく載置した状態になる。
この後に、一対の雌ねじ孔８８、８８に一対の止めねじ部材８９、８９がねじ込まれると、Ｌ形ヒータ６０の被保持部６３は上側押さえ板９０と下側押さえ板９３との間で押さえ付けられるために、ブロック８５はＬ形ヒータ６０の被保持部６３に相対的に固定された状態になる。このとき、被保持部６３の外形は横長の略長方形形状に形成されているので、被保持部６３は上側押さえ板９０と下側押さえ板９３との間でがたつきなく強固に固定された状態になる。
その後、カプラ７２を介して端子部材７０、７０とヒータ駆動装置７３とを接続するため、挿通孔８３にヒータユニット５０の外側から内側へヒータ駆動装置７３と接続されたケーブルを挿通し、端子部材７０、７０と結線するようにしておく。
【００３３】
このようにしてＬ形ヒータ６０の被保持部６３に固定されたブロック８５は、図５に示されているように、サポートリング８１の保持穴８２にヒータユニット５０の内周側から嵌入される。保持穴８２の奥まで嵌入されると、ブロック８５の外側端面は挿通孔８３の開口縁辺部に係合し、Ｌ形ヒータ６０のカプラ７２は挿通孔８３から外部に突き出した状態になる。
その際、ヒータ駆動装置７３に結線された前述のケーブルは、挿通孔８３からヒータユニット５０の内側から外側に押し戻すようにする。
その後、止めねじ部材８７がブロック８５の挿通孔８６に挿通されて、保持穴８２の雌ねじ孔８４にそれぞれねじ込まれることにより、ブロック８５が保持穴８２に締結される。この締結により、Ｌ形ヒータ６０の被保持部６３がヒータユニット５０にサポートリング８１およびブロック８５を介して取り付け取り外し可能に固定された状態になる。
【００３４】
ところで、本実施の形態においては、Ｌ形ヒータ６０群のうちに所謂球切れ等の不良が発見された場合には、次のようにして、Ｌ形ヒータ６０を交換することができる。
まず、交換したいＬ形ヒータ６０のブロック８５とサポートリング８１の保持穴８２との固定を、一対の止めねじ部材８７、８７の保持穴８２の雌ねじ孔８４、８４との締結を解除することにより、解除する。
続いて、固定を解除したブロック８５をサポートリング８１の保持穴８２からヒータユニット５０の内側方向に引き抜くことにより、交換したいＬ形ヒータ６０をブロック８５ごとヒータユニット５０の内側空間に取り外す。
以上のようにして球切れのＬ形ヒータ６０が外されたＬ形ヒータ保持装置８０の保持穴８２には、新規のＬ形ヒータ６０が前述した手順によって取り付けられる。
【００３５】
ところで、Ｌ形ヒータ６０の水平側端部である被保持部６３とヒータ素線６４が敷設された封入管６１の長管側との直角度（垂直度）が悪い場合には、Ｌ形ヒータ６０の本体が筒部リフレクタ５４またはアウタチューブ１２に接触する危惧がある。筒部リフレクタ５４に接触した場合には、筒部リフレクタ５４の酸化を引き起こす危惧がある。他方、アウタチューブ１２に接触した場合には、アウタチューブ１２の着脱が困難になる。さらに、Ｌ形ヒータ６０の本体が筒部リフレクタ５４に接触すると、冷却水配管５６によって冷却されている筒部リフレクタ５４の影響により、Ｌ形ヒータ６０が温度低下を引き起こしてしまう。
しかし、本実施の形態においては、三本の調整ねじ部材９２、９２、９２のねじ込み量を調整して、下側押さえ板９３の水平面を出すことにより、サポートリング８１の保持穴８２とブロック８５との間でＬ形ヒータ６０の垂直度を吸収することができるので、Ｌ形ヒータ６０が筒部リフレクタ５４またはアウタチューブ１２に接触するのを防止することができる。
さらに、Ｌ形ヒータ６０には、位置決め突起６１ａが設けてあり、位置決め突起６１ａを筒部リフレクタ５４に突き当てて調整することにより、Ｌ形ヒータ６０と筒部リフレクタ５４との距離を所定の距離に保つことができ、Ｌ形ヒータ６０の本体と筒部リフレクタ５４との接触を防止することができる。
つまり、本実施の形態によれば、Ｌ形ヒータ６０が筒部リフレクタ５４やアウタチューブ１２に接触することによる弊害の発生を未然に防止することができる。
【００３６】
また、Ｌ形ヒータ６０の被保持部６３と封入管６１の長管側とが捩じれている場合には、隣り合うＬ形ヒータ６０、６０同士が接触したり接近しすぎたりする危惧がある。隣り合うＬ形ヒータ６０、６０同士が接触したり接近しすぎたりすると、Ｌ形ヒータ６０が取り付けが不能になったり、Ｌ形ヒータ６０群の位置関係に疎密が形成されるために、ウエハ１に加熱斑紋が発生したりする。
しかし、本実施の形態においては、三本の調整ねじ部材９２、９２、９２のねじ込み量を調整して、下側押さえ板９３の水平面を出すことにより、サポートリング８１の保持穴８２とブロック８５との間でＬ形ヒータ６０の捩じれ具合を吸収することができるので、隣り合うＬ形ヒータ６０、６０同士が接触したり重なり合ったりするのを防止することができる。
つまり、本実施の形態によれば、Ｌ形ヒータ６０が取り付けが不能になったり、Ｌ形ヒータ６０群の位置関係に疎密が形成されるのを未然に防止することができる。
【００３７】
以上のようにして、垂直側端部である長管側が上下方向に延在するように敷設されて、水平側端部である被保持部６３をＬ形ヒータ保持装置８０によって保持された複数本のＬ形ヒータ６０は、図３に示されているように、ヒータユニット５０に同心円かつ周方向に等間隔に配置されているとともに、図７に示されているように、ヒータユニット５０の上下に分配されて配置されている。
図７に示された実施の形態においては、複数本のＬ形ヒータ６０はヒータユニット５０の上下方向において、アッパ発熱ゾーンＵとセンタ発熱ゾーンＣとロア発熱ゾーンＬとの三つの発熱ゾーンを構成するように設定されているとともに、ロア発熱ゾーンＬにおけるＬ形ヒータ６０の分布がセンタ発熱ゾーンＣにおけるＬ形ヒータ６０の分布よりも蜜になるように設定されている。
すなわち、ロア発熱ゾーンＬはヒータユニット５０の下端側にＬ形ヒータ保持装置８０にて被保持部６３が保持されている長短のＬ形ヒータ６０Ｌ1 、６０Ｌ2 をそれぞれ備えており、長い方のＬ形ヒータ６０Ｌ1 はセンタ発熱ゾーンＣを構成するヒータユニット５０の上端側にてＬ形ヒータ保持装置８０によって被保持部６３が保持されている長尺のＬ形ヒータ６０Ｃの片側に近接して配置され、短い方のＬ形ヒータ６０Ｌ2 はセンタ発熱ゾーンＣを構成する長尺のＬ形ヒータ６０Ｃの延長線上の下方に近接して配置されている。
つまり、ロア発熱ゾーンＬには長短のＬ形ヒータ６０Ｌ1 、６０Ｌ2 および長尺のＬ形ヒータ６０Ｃが、隙間なく敷き詰めるように配置されている。
本実施の形態のように、ロア発熱ゾーンＬにおけるＬ形ヒータ６０Ｌ1 、６０Ｌ2 の分布がセンタ発熱ゾーンＣにおけるＬ形ヒータ６０Ｃの分布よりも蜜になるように設定されていると、プロセスチューブ１１の炉口１５に近いことによって低温度になり易いヒータユニット５０の下端部を強力に加熱することができるので、ヒータユニット５０の上下方向の温度分布を相対的に均一化することができる。
また、低温度になり易いヒータユニット５０の下端部のＬ形ヒータへの過負荷状態となることを妨げ、Ｌ形ヒータの劣化防止することができ、寿命を延ばすことができる。
【００３８】
また、図７に示された実施の形態においては、複数本のＬ形ヒータ６０は上下方向で隣り合う発熱ゾーン同士であるアッパ発熱ゾーンＵとセンタ発熱ゾーンＣとの間、センタ発熱ゾーンＣとロア発熱ゾーンＬとの間において一部が重なるように設定されている。
すなわち、アッパ発熱ゾーンＵとセンタ発熱ゾーンＣとの間のオーバラップ部ＯＲ1 は、アッパ発熱ゾーンＵを構成するヒータユニット５０の上端側にてＬ形ヒータ保持装置８０によって被保持部６３が保持されている短いＬ形ヒータ６０Ｕの封止部６２の上側付近のヒータ素線６４の下端部と、センタ発熱ゾーンＣを構成する長いＬ形ヒータ６０Ｃのスプリング６８の下側付近のヒータ素線６４の上端部とによって構成されている。
他方、センタ発熱ゾーンＣとロア発熱ゾーンＬとの間におけるオーバラップ部ＯＲ2 は、センタ発熱ゾーンＣを構成する長いＬ形ヒータ６０Ｃの封止部６２の上側付近のヒータ素線６４の下端部と、ロア発熱ゾーンＬを構成する長い方のＬ形ヒータ６０Ｌ1 の封止部６２の下側付近のヒータ素線６４の上端部とによって構成されている。
ところで、Ｌ形ヒータ６０の封止部６２およびスプリング６８はいずれも非発熱ゾーンであるために、その非発熱ゾーン周辺には、温度不均一ゾーンが形成されやすくなってしまうことになる。
しかし、本実施の形態のように、発熱ゾーンの範囲内（ここでは、アッパ発熱ゾーンＵとセンタ発熱ゾーンＣとロア発熱ゾーンＬの範囲内）では、封止部６２やスプリング６８による非発熱部が形成されるＬ形ヒータのヒータユニット周方向の直ぐ隣のＬ形ヒータは発熱ゾーンとなるように配置すると、温度不均一ゾーンが形成されてしまうのを防ぐことができる。
さらに、アッパ発熱ゾーンＵとセンタ発熱ゾーンＣとの間、センタ発熱ゾーンＣとロア発熱ゾーンＬとの間においてオーバラップ部ＯＲ1 、ＯＲ2 がそれぞれ設定されていると、一方のＬ形ヒータ６０におけるヒータ素線６４のオーバラップ部ＯＲ1 、ＯＲ2 の発熱により、他方のＬ形ヒータ６０における封止部６２またはスプリング６８の非発熱ゾーンを補うことができるために、温度不均一ゾーンが形成されてしまうのを防止することができる。
なお、オーバラップ部ＯＲ1 、ＯＲ2 の寸法は、５〜３０ｍｍ程度に設定することが好ましい。
【００３９】
次に、以上の構成に係るＣＶＤ装置によるＩＣの製造方法の成膜工程を説明する。
【００４０】
図１に示されているように、予め指定された枚数のウエハ１がボート３１に装填されると、ウエハ１群を保持したボート３１はシールキャップ２５がボートエレベータ２６によって上昇されることにより、インナチューブ１３の処理室１４に搬入（ボートローディング）されて行き、シールキャップ２５に支持されたままの状態で処理室１４に存置される。上限に達したシールキャップ２５はマニホールド１６に押接することにより、プロセスチューブ１１の内部をシールした状態になる。
【００４１】
続いて、プロセスチューブ１１の内部が排気管１８によって排気されるとともに、Ｌ形ヒータ６０群および直管ヒータ７６群によって温度コントローラ７４のシーケンス制御の目標温度に加熱される。
Ｌ形ヒータ６０群および直管ヒータ７６群の加熱によるプロセスチューブ１１の内部の実際の上昇温度と、Ｌ形ヒータ６０群および直管ヒータ７６群のシーケンス制御の目標温度との誤差は、カスケード熱電対７５の計測結果に基づくフィードバック制御によって補正される。
また、ボート３１がモータ２９によって回転される。
【００４２】
プロセスチューブ１１の内圧および温度、ボート３１の回転が全体的に一定の安定した状態になると、プロセスチューブ１１の処理室１４には原料ガスがガス供給装置２３によってガス導入管２２から導入される。
ガス導入管２２によって導入された原料ガスは、インナチューブ１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。
処理室１４を流通する際に、原料ガスが所定の処理温度に加熱されたウエハ１に接触することによる熱ＣＶＤ反応により、ウエハ１にはＣＶＤ膜が形成される。
ちなみに、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）が成膜される場合の処理条件の一例は、次の通りである。
処理温度は７００〜８００℃、原料ガスとしてのＳｉＨ2 Ｃｌ2 の流量は０．１〜０．５ＳＬＭ（スタンダード・リットル毎分）、ＮＨ3 の流量は０．３〜５ＳＬＭ、処理圧力は２０〜１００Ｐａである。
【００４３】
所定の処理時間が経過すると、処理ガスの導入が停止された後に、窒素ガス等のパージガスがプロセスチューブ１１の内部にガス導入管２２から導入されるとともに、冷却エアがノズル４６群、天井ノズル４６Ａおよび給気管４２から供給されてサブ排気口４５、バッファ部４４および排気口４３から排気されることにより、冷却エア通路４１に流通される。
冷却エア通路４１における冷却エアの流通により、ヒータユニット５０の全体が冷却されるために、プロセスチューブ１１の温度は大きいレート（速度）をもって急速に下降することになる。この際、断熱槽５１は熱容量が通例に比べて小さく設定されているので、急速に冷却することができる。
【００４４】
処理室１４の温度が所定の温度に下降すると、シールキャップ２５に支持されたボート３１はボートエレベータ２６によって下降されることにより、処理室１４から搬出（ボートアンローディング）される。
【００４５】
以降、前記作用が繰り返されることにより、ＣＶＤ装置１０によってウエハ１に対する成膜処理が実施されて行く。
【００４６】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４７】
1)  Ｌ形に形成した発熱体であるＬ形ヒータを複数本、ヒータユニットの内周において同軸に敷設するとともに、これらＬ形ヒータの水平側端部である被保持部をヒータユニットに取り付け取り外し可能に保持することにより、ヒータユニットのＬ形ヒータの被保持部の保持を解除することによって、Ｌ形ヒータを断熱槽から容易に取り外すことができるので、球切れ（断線）のＬ形ヒータの交換を簡単に施工することができる。
【００４８】
2)  Ｌ形ヒータの水平側端部である被保持部をＬ形ヒータ保持装置によってヒータユニットの内側方向に抜き差し自在に保持することにより、Ｌ形ヒータをヒータユニットの内側方向に抜き出すことができるので、一人の作業者でもＬ形ヒータのヒータユニットへの取り付け作業および取り外し作業を実施することができ、ヒータユニットに対するメンテナンス作業時間を短縮することができる。その結果、ＣＶＤ装置ひいてはＩＣの製造方法の成膜工程のスループットを向上させることができる。
【００４９】
3)  Ｌ形ヒータの水平側端部である被保持部に予め装着したブロックをサポートリングの保持穴にヒータユニットの内側から嵌入し、ヒータユニットの内側から止めねじ部材によって螺入して止め着けることにより、Ｌ形ヒータのヒータユニットへの取付作業を一人で実施することができるので、取付作業の能率を高めることができる。
【００５０】
4)  Ｌ形ヒータの水平側端部である被保持部とヒータ素線が敷設された封入管との直角度をサポートリングの保持穴とブロックとの間で吸収することにより、Ｌ形ヒータが胴部リフレクタまたはアウタチューブに接触したり、隣り合うＬ形ヒータ同士が接触したり重なり合ったりするのを防止することができるので、それらによる弊害の発生を未然に防止することができる。
【００５１】
5)  Ｌ形ヒータを横断面形状が略８字形状になるように形成することにより、Ｌ形ヒータの一対の端子部材をＬ形ヒータの水平側端部に纏めることができるので、Ｌ形ヒータの水平側端部である被保持部を片持ち支持することができる。
【００５２】
6)  Ｌ形ヒータを横断面形状が略８字形状になるように形成することにより、Ｌ形ヒータの水平側端部である被保持部を片持ち支持する場合であっても機械的強度を確保することができるので、伝導率に少なからず影響するＬ形ヒータの封入管の厚さを薄く設定することができ、Ｌ形ヒータの加熱効率を高めることができる。
【００５３】
7)  また、Ｌ形ヒータを横断面形状が略８字形状になるように形成することにより、Ｌ形ヒータのヒータユニットの径方向の大きさ（厚さ）を小さく設定することができるので、プロセスチューブとの間隔を小さく設定することができ、Ｌ形ヒータの加熱効率をより一層高めることができる。
【００５４】
8)  Ｌ形ヒータの被保持部を横断面形状が略８字形状になるように形成することにより、被保持部の横断面形状の外形が円形の場合に比べて、Ｌ形ヒータの被保持部が保持し易い形状になるので、Ｌ形ヒータを再現性よく適正に保持することができる。
例えば、Ｌ形ヒータを交換した際に、交換後のＬ形ヒータの保持姿勢が交換前と変更した場合には、当該Ｌ形ヒータのウエハに対する加熱具合が変更してしまうために、ウエハの膜厚や膜厚分布に悪影響が及んでしまう。このような悪影響を回避するために、Ｌ形ヒータの保持姿勢を調整し直したり、交換後のＬ形ヒータの保持姿勢に対応して成膜条件を調整し直したりすると、手間が浪費されてしまう。
しかし、Ｌ形ヒータを再現性よく適正に保持することができれば、このような悪影響の発生や手間の浪費を回避することができる。
【００５５】
9)  ロア発熱ゾーンにおけるＬ形ヒータの分布がセンタ発熱ゾーンにおけるＬ形ヒータの分布よりも蜜になるように設定することにより、プロセスチューブの炉口に近いことによって低温度になり易いヒータユニットの下端部を強力に加熱することができるので、ヒータユニットの上下方向の温度分布を相対的に均一化することができる。
【００５６】
10)   アッパ発熱ゾーンとセンタ発熱ゾーンとの間、センタ発熱ゾーンとロア発熱ゾーンとの間においてオーバラップ部をそれぞれ設定することにより、一方のＬ形ヒータにおけるヒータ素線のオーバラップ部の発熱により、他方のＬ形ヒータにおける封止部またはスプリングの非発熱ゾーンを補うことができるために、温度不均一ゾーンが形成されてしまうのを防止することができる。
【００５７】
図８は本発明の第二の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す一部省略展開図である。
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、アッパ発熱ゾーンＵのＬ形ヒータ６０の分布がセンタ発熱ゾーンＣの分布よりも蜜に構成されている点である。すなわち、アッパ発熱ゾーンＵには一対のＬ形ヒータ６０Ｕ1 、６０Ｕ2 が、互いに近接して隙間なく敷き詰められている。
なお、本実施の形態においては、アッパ発熱ゾーンＵでの一対のＬ形ヒータ６０Ｕ1 、６０Ｕ2 の敷設に伴って形成されるロア発熱ゾーンＬにおける隙間をなくすために、ロア発熱ゾーンＬの長い方のＬ形ヒータ６０Ｌ1 が一本、追加されている。
本実施の形態によれば、アッパ発熱ゾーンＵの発熱密度をも大きくすることができるので、場合によっては天井の直管ヒータ７６を省略することができる。
【００５８】
図９は本発明の第三の実施の形態であるＣＶＤ装置を示す一部省略展開図である。
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、複数本のＬ形ヒータ６０がアッパ発熱ゾーンＵと第一センタ発熱ゾーンＣ1 と第二センタ発熱ゾーンＣ2 とロア発熱ゾーンＬとの四つの発熱ゾーンを構成するように設定されており、アッパ発熱ゾーンＵと第一センタ発熱ゾーンＣ1 との間には第一オーバラップ部ＯＲ1 が、第一センタ発熱ゾーンＣ1 と第二センタ発熱ゾーンＣ2 との間には第二オーバラップ部ＯＲ2 が、第二センタ発熱ゾーンＣ2 とロア発熱ゾーンＬとの間には第三オーバラップ部ＯＲ3 がそれぞれ設定されている点である。
すなわち、本実施の形態においては、第一センタ発熱ゾーンＣ1 を構成するためのＬ形ヒータ６０Ｃ1 と第二センタ発熱ゾーンＣ2 を構成するためのＬ形ヒータ６０Ｃ2 とがそれぞれ敷設されており、アッパ発熱ゾーンＵの一対のＬ形ヒータ６０Ｕ1 、６０Ｕ2 が第一センタ発熱ゾーンＣ1 のＬ形ヒータ６０Ｃ1 と第二センタ発熱ゾーンＣ2 のＬ形ヒータ６０Ｃ2 との両脇にそれぞれ敷設されている。
なお、本実施の形態においては、センタ発熱ゾーンＣでの長短のＬ形ヒータ６０Ｃ1 、６０Ｃ2 の敷設およびアッパ発熱ゾーンＵでの一対のＬ形ヒータ６０Ｕ1 、６０Ｕ2 の敷設に伴って形成されるロア発熱ゾーンＬにおける隙間をなくすために、長い方のＬ形ヒータ６０Ｕ1 が二本、追加されている。
本実施の形態によれば、四つの発熱ゾーンが設定されているので、ヒータユニット５０における温度分布のゾーン制御の精度をより一層向上させることができる。
【００５９】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００６０】
例えば、発熱ゾーンは三つまたは四つに設定するに限らず、二つまたは五つ以上に設定してもよい。
【００６１】
上下方向で隣り合う発熱ゾーン同士が重なるオーバラップ部の寸法は、実験やコンピュータのシュミレーションおよび過去の実績データの解析等の経験的手法によって適宜に設定することが望ましい。
【００６２】
Ｌ形ヒータとしては、カーボンランプヒータを使用するに限らず、他のランプヒータや抵抗体ヒータを使用してもよい。
【００６３】
前記実施の形態においては、ＣＶＤ装置について説明したが、酸化・拡散装置やアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００６４】
被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す一部切断正面図である。
【図２】主要部を示す正面断面図である。
【図３】その平面断面図である。
【図４】Ｌ形ヒータを示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は側面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う平面断面図、（ｄ）は（ｂ）のｄ−ｄ線に沿う断面端面図である。
【図５】Ｌ形ヒータの取付部を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は側面図である。
【図６】ヒータ保持装置の主要部を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面断面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は側面図である。
【図７】Ｌ形ヒータ群の一部省略展開図である。
【図８】本発明の第二の実施の形態であるＣＶＤ装置のＬ形ヒータ群を示す一部省略展開図である。
【図９】本発明の第三の実施の形態であるＣＶＤ装置のＬ形ヒータ群を示す一部省略展開図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…ウエハ（基板）、２…筐体、３…待機室、１０…ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…プロセスチューブ、１２…アウタチューブ、１３…インナチューブ、１４…処理室、１５…炉口、１６…マニホールド、１７…排気路、１８…排気管、１９…排気装置、２０…圧力センサ、２１…圧力コントローラ、２２…ガス導入管、２３…ガス供給装置、２４…ガス流量コントローラ、２５…シールキャップ、２６…ボートエレベータ、２７…モータ、２８…駆動コントローラ、２９…モータ、３０…回転軸、３１…ボート、３２、３３…端板、３４…保持部材、３５…保持溝、３６…断熱キャップ部、３７…下側サブヒータユニット、４１…冷却エア通路、４２…給気管、４３…排気口、４４…バッファ部、４５…サブ排気口、４６、４６Ａ…ノズル、４７、４７Ａ…噴射口、４８…冷却エア供給装置、４９…冷却エア制御コントローラ、５０…ヒータユニット、５１…断熱槽、５２…容器、５３…断熱材層、５４…筒部リフレクタ（反射板）、５５…天井リフレクタ、５６…冷却水配管、６０…Ｌ形ヒータ（Ｌ管形カーボンランプヒータ、発熱体）、６１…封入管、６１ａ…位置決め突起、６２…封止部、６３…被保持部、６４…ヒータ素線（発熱体）、６５…保持具、６６…保持棒、６７…保持穴、６８…スプリング、６９…保持具、７０…端子部材、７１…封止部、７２…カプラ、７３…ヒータ駆動装置、７４…温度コントローラ、７５…カスケード熱電対、７６…直管ヒータ（直管形カーボンランプヒータ）、８０…Ｌ形ヒータ保持装置、８１…サポートリング、８２…保持穴、８３…挿通孔、８４…雌ねじ孔、８５…ブロック、８６…挿通孔、８７…止めねじ部材、８８…雌ねじ孔、８９…止めねじ部材、９０…上側押さえ板、９１…雌ねじ孔、９２…調整ねじ部材、９３…下側押さえ板、Ｕ…アッパ発熱ゾーン、Ｃ…センタ発熱ゾーン、Ｌ…ロア発熱ゾーン、６０Ｕ…アッパ発熱ゾーンを構成するＬ形ヒータ、６０Ｃ…センタ発熱ゾーンを構成するＬ形ヒータ、６０Ｌ1 …ロア発熱ゾーンを構成する長い方のＬ形ヒータ、６０Ｌ2 …ロア発熱ゾーンを構成する短い方のＬ形ヒータ、ＯＲ1 …第一オーバラップ部、ＯＲ2 …第二オーバラップ部、ＯＲ3 …第三オーバラップ部、６０Ｕ1 、６０Ｕ2 …アッパ発熱ゾーンの一対のＬ形ヒータ、Ｃ1 …第一センタ発熱ゾーン、Ｃ2 …第二センタ発熱ゾーン、６０Ｃ1 …第一センタ発熱ゾーンのＬ形ヒータ、６０Ｃ2 …第二センタ発熱ゾーンのＬ形ヒータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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