(57)【要約】      （修正有）【課題】リードフレームの材料費節減と併せて、半導体装置のバージョンアップにも容易に対応できるようにした樹脂封止形半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム１に、パワー素子２，３および制御用ＩＣ４をマウントするダイパッド７〜９、片側一列に並べて引出した主回路，制御電源，信号回路の端子リード１０、および各リード１０の間を繋ぐダムバー１１をパターン形成した樹脂封止形半導体装置のリードフレーム１において、少なくともパワー素子２，３，制御用ＩＣ４に対応する主回路端子，制御電源端子を、あらかじめ各端子からリードを複数本ずつ引出して形成し、ダイパッド７〜９にマウントしたパワー素子２，３，制御用ＩＣ４との間を内部配線してその周域を樹脂封止した後に、必要なリードを残して他のリードをダムバー１１とともにカットする。また、端子リード１０の配列は変えずに、そのインナーリードを融通して回路変更に対応させる。【選択図】図１
2006173649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１，第２のパワー素子，制御用ＩＣの各チップを個別にマウントするダイパッドと、片側一列に並べて配置された複数のリードと、各リードの間を繋ぐダムバーとをパターン形成したリードフレームを用いた樹脂封止形半導体装置において、
前記リードフレームは、
前記第１，第２のパワー素子をそれぞれマウントする第１のダイパッドと第２のダイパッドとの間に前記制御用ＩＣをマウントするダイパッドを備え、前記複数のリードのうち、少なくとも第１，第２のパワー素子，制御用ＩＣに対応する主回路端子，制御電源端子については各端子に対応して引出された複数本のリードとを備えるものであって、
前複数本のリードのリードのうち、記第１のパワー素子の主回路端子に対応する複数本のリードの一部は、前記制御用ＩＣをマウントするダイパッドと前記第２のダイパッドとの間から前記第１のダイパッドに繋がり、
前記各ダイパッドにマウントした第１，第２のパワー素子，制御用ＩＣと内部配線を施した上でその周域を樹脂封止した状態で、前記リードのうち不要なリードを選択してそのアウターリードをダムバーとともにカットして取り除いたことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
【請求項２】
主回路端子の異なる電位のリード間に並置してダミーリードを形成し、
前記ダミーリードは、その内端を樹脂パッケージのモールドラインに合わせてカットしておき、
該ダミーリードを樹脂封止後にダムバーとともにカットして取り除くようにしたことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止形半導体装置。
【請求項３】
前記リードフレームのサイドレールを片側一列のみとして、各端子リードの先端と連結して形成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の樹脂封止形半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば電源回路（スイッチング電源）に適用する制御用デバイスとしてのマルチチップパワーデバイスを対象とした樹脂封止形半導体装置のリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、頭記電源回路に適用する制御用デバイスを例に、シングルエンドタイプの樹脂封止形半導体装置、およびその半導体装置の組立に用いるリードフレームの従来構造を図２(a) 〜(c) に示す。なお、図２(a) はリードフレーム単体の展開図、(b) はリードフレームに半導体素子をマウントしてワイヤボンディングを施した組立状態図、(c) は樹脂封止後にリードカットした半導体装置の外観図（平面図）を表し、図中で１はリードフレーム、２，３はリードフレーム１に搭載したパワー素子（スイッチング素子）、４はパワー素子２，３の制御用ＩＣ、５は内部配線のボンディングワイヤ、６はパワー素子２，制御用ＩＣ４，ボンディングワイヤ５の周域を樹脂封止した樹脂パッケージである。
【０００３】
すなわち、(a) 図に示す従来のリードフレーム１は、その両サイドに延在してリードフレームをピッチ送りするタイバー兼用のサイドレール１ａと１ｂの間に、半導体装置単体の外形サイズに合わせて、全てのリードを片側一列に定ピッチ間隔に並べて前記の各ダイパッド７，８，９およびこのダイパッドと分離してサイドレール１ｂ側に引出した主回路，制御電源，信号回路の端子リード１０（各リードに付した○内の数字１，２，．．は端子番号）、さらに各リードの間を繋ぐダムバー１１がパターン形成されている。なお、サイドレール１ａはタイバー１ａ-1を介してダイパッド７に繋がれている。
【０００４】
そして、半導体装置の組立工程では、前記リードフレーム１を工程間に順送し、最初の工程ではリードフレーム１のダイパッド７，８，９にパワー半導体素子２，３および制御用ＩＣ４のチップをマウント（ダイボンディング）し、続く配線工程でパワー半導体素子２，３および制御用ＩＣ４と端子リード１０との間でワイヤ５をボンディングして内部配線する。次に、モールド（トランスファー成形）工程でリードフレームをモールド金型（図示せず）にセット、(b) 図の図中に鎖線で表したモールドラインの領域内を樹脂封止して樹脂パッケージ６を成形した後に、サイドレール１ａ，１ｂおよびダムバー１１をカットして(c) 図のデバイス製品が完成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図２(a) に示した従来のリードフレームを使って組み立てた樹脂封止形半導体装置は、組立性，コスト面で次記のような問題点がある。
【０００６】
(1) リードフレーム上で行うダイボンディング，ワイヤボンディング，および樹脂モールドの一連の組立工程で、リードフレーム１にパターン形成したダイパッド，ワイヤボンディングを施す端子パッド部に反り，位置ずれが生じないような強度を確保するために、従来のリードフレームでは、図２(a) に示したようにパターン領域を両サイドに延在する２列のサイドレール１ａと１ｂで支えて順送するようにしている。
【０００７】
このために、樹脂モールド後に行うタイバーカット工数が多くなるほか、タイバーカットによって生じるフレームの破材（サイドレールおよびダムバーなどの廃棄する部分）の量も多くなってリードフレームの材料費が高くなる。しかも、樹脂封止後にサイドレール１ａとダイパッド７との間を繋いでいるタイバー１ａ-1をカットした完成状態では、図２(c) で表すように端子リード１０の引出し側と反対側で樹脂パッケージ６の外面にタイバー１ａ-1のカット残りが突き出して内部電位が露呈するために、この部分を絶縁する後処理が必要となる。
【０００８】
(2) また、半導体装置に例えば保護機能などの新機能を追加してバージョンアップする場合には、半導体装置の回路変更に伴って外部に引出す端子数が増えることになるが、この新バージョンの製品を製作するにはリードフレームのパターン変更は勿論のこと、パッケージから外部に引出す端子リードの本数も増加することから、そのリード本数に合わせて樹脂封止用のモールド金型も新たに作り直す必要がある。このために追加する生産設備の投資額が増えて半導体装置の価格がアップする。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みなされたものであり、リードフレーム材料費の節減と併せて、半導体装置に新機能を追加してバージョンアップする場合でも、追加する生産設備の投資額を低く抑えてコストパフォーマンスの向上が図れるように改良した樹脂封止形半導体装置のリードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明によれば、第１，第２のパワー素子（2,3），制御用ＩＣ（4）の各チップを個別にマウントするダイパッド（7,8,9）と、片側一列に並べて配置された複数のリード（10）と、各リードの間を繋ぐダムバー（11）とをパターン形成したリードフレーム（1）を用いた樹脂封止形半導体装置において、前記リードフレーム（1）は、前記第１，第２のパワー素子をそれぞれマウントする第１のダイパッド（7）と第２のダイパッド（8）との間に前記制御用ＩＣをマウントするダイパッド（9）を備え、前記複数のリードのうち、少なくとも第１，第２のパワー素子，制御用ＩＣに対応する主回路端子，制御電源端子については各端子に対応して引出された複数本のリードとを備えるものであって、前複数本のリードのリードのうち、記第１のパワー素子の主回路端子に対応する複数本のリードの一部（18、19）は、前記制御用ＩＣをマウントするダイパッドと前記第２のダイパッドとの間から前記第１のダイパッド（7）に繋がり、前記各ダイパッドにマウントした第１，第２のパワー素子，制御用ＩＣと内部配線を施した上でその周域を樹脂封止した状態で、前記リードのうち不要なリードを選択してそのアウターリードをダムバーとともにカットして取り除くものとする。
【００１１】
上記のように、半導体装置の必要な端子数より多い本数のリードをあらかじめリードフレーム上に形成しておくことにより、各本のリードが梁の役目を果してリードフレーム自身の機械的強度（曲げ剛性）を高める。これにより、リードフレーム上で行うダイボンディング，ワイヤボンディング，および樹脂封止などの半導体装置の一連の組立工程で、リードフレームに反り，位置ずれが生じるのを効果的に防ぐことかできる。
【００１２】
しかも、半導体装置に保護機能などを新たに追加してバージョンアップを図る場合でも、前記したリードフレームの基本パターンに対して、アウターリードの配列は変えずに、インナーリード，ダイパッドのパターンを一部変更するだけで新バージョンへの対応が可能となるので、モールド金型を新しく作り直す必要がなく、在来の金型をそのまま使用して樹脂パッケージのモールドが行える。
【００１３】
また、本発明の請求項２の発明では、前記構成に加えて、主回路端子の異なる電位のリード間に並べてダミーリードを形成し、該ダミーリードを樹脂封止後にダムバーとともにカットして取り除くようにし、さらに、ダミーリードの内端を、樹脂パッケージのモールドラインに合わせてその手前位置でカットしておくようにする。
【００１４】
この構成により、半導体装置の完成状態では、ダミーリードを取り除いた箇所を挟んでその両側に並ぶ端子リードの間には十分な絶縁沿面距離が形成され、これにより主回路電圧に対応した絶縁耐力を確保できる。
【００１５】
また、この場合にダミーリードの内端を樹脂パッケージのモールドラインまで延在させておくことにより、リードフレームをモールド金型にセットして行う樹脂封止の際に、ダミーリードの内端が金型からの樹脂漏れを防ぐとともに、樹脂封止後の状態ではダミーリードの内端が樹脂パッケージと繋がってないので、ダムバーをカットすることでダミーリードが取り除ける。
【００１６】
また、請求項３の発明では、前記構成を基本にリードフレームのサイドレールを片側一列のみとし、そのサイドレールを前記した各端子リードの先端側に繋いで形成するものとする。すなわち、リードの本数を増やすことでリードフレーム自身の強度が増すことから、図２(a) に示したダイパッド側のサイドレール１ａを省略しても、端子リードの先端に繋げた片側一列のサイドレールでダイパッドおよび各端子リードを支えてリードフレームを支障なく半導体装置の組立工程で順送することが可能となる。これにより、片側のサイドレール１ａを省いた分だけリードフレームの材料費が節減できるほか、樹脂封止後に行うタイバーのカット工数が少なくて済み、かつタイバーカット後も樹脂パッケージの外面にタイバー残りが露呈することがないので、その部分の絶縁処理も不要となる。
【発明の効果】
【００１７】
以上述べたように、本発明によれば、リードフレーム上に、パワー素子，制御用ＩＣの各チップを個別にマウントするダイパッド、全てのリードを片側一列に並べて各ダイパッド，およびダイパッドと分離して引出した主回路，制御電源，信号回路の端子リード、および各リードの間を繋ぐダムバーをパターン形成した樹脂封止形半導体装置のリードフレームにおいて、少なくともパワー素子，制御用ＩＣに対応する主回路端子，制御電源端子については各端子からリードを複数本ずつ引出し、ダイパッドにマウントしたパワー素子，制御用ＩＣと内部配線を施した上でその周域を樹脂封止した状態で、不要なリードを選択してそのアウターリードをダムバーとともにカットして取り除くよう構成したことにより、従来のリードフレームを使って組み立てた半導体装置と比べて、次記の効果を奏することがきる。
【００１８】
(1) リードの本数を多くしたことで、リードフレーム自身の強度（曲げ剛性）が増し、リードフレーム上で行うダイボンディング，ワイヤボンディング，樹脂封止などの一連の組立工程で、リードフレームの反り，位置ずれを抑えて欠陥なしに半導体装置を組み立てることができる。また、リードの本数が増したことにより、インナーリードのパターンの引回し回数が減り、配線スペースが減少するのでパッケージの小型化が可能になる。
【００１９】
(2) さらに、半導体装置に保護機能などを新たに追加してバージョンアップを図る場合でも、リードフレームの端子リード本数，配列の基本パターンは変えずに、インナーリード，ダイパッドのパターン一部を変更するだけで、リードフレームにあらかじめ形成しておいた本数のリードを融通して新バージョンの製品への対応が可能となる。したがって、モールド金型を新しく作り直すことなく既設の金型をそのまま使用できるなど、新たに追加投入する設備費を低く抑えてコストパフォーマンスの優れた製品化が可能となる。
【００２０】
また、主回路端子の異なる電位のリード間に並置してダミーリードを形成し、該ダミーリードを樹脂封止後にダムバーとともにカットして取り除くようにしたことにより、ダミーリードの両側に引出した主回路端子リードの間のピッチ間隔を広げて、主回路電圧の耐圧に必要な絶縁沿面距離を確保できる。
【００２１】
また、前記のダミーリードを、リードの内端を樹脂パッケージのモールドラインに合わせてその手前でカットしたことにより、樹脂封止工程ではダミーリードがモールド金型からの樹脂漏れを防ぎ、樹脂封止後はダミーリードの取り除きが簡単に行える。
【００２２】
さらに、リードフレームのサイドレールを片側一列のみとして、各端子リードの先端と連結して形成したことにより、従来のリードフレームと比べて、片方のサイドレールを省略した分だけリードフレームの材料費が少なくなってコスト低減化が図れるほか、樹脂封止後の状態では樹脂パッケージの表面にタイバーのカット残りが露呈することがなく、その絶縁処理も不要となるなどの利点が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図１(a) 〜(c) に示す実施例に基づいて説明する。なお、図１(a) はリードフレーム単体の展開図、(b) はリードフレームに半導体素子をマウントしてワイヤボンディングを施した組立状態図、(c) は樹脂封止後にリードカットした完成状態での半導体装置の外観図（平面図）であり、実施例の図中で図２に対応する部材には同じ符号を付してその説明は省略する。 
【００２４】
すなわち、図示実施例においては、パワー素子２，３および制御用ＩＣ４をマウントするダイパッド７，８，９が図２(a) と同じパターンでのリードフレーム１上に形成されているが、ダイパッド７〜９と離して片側一列に並べて引出した端子リード１０については、半導体装置の外形サイズに合わせて、図示のように主回路，制御電源に対応するリードを各端子から複数本（図示例では２本）ずつ引出し、さらに主回路の異なる電位に接続するリードの間にはダミーリード１０ａ（図１(b) に端子番号３，１７，２１で表した３本のリード）を追加し、トータルで端子番号１〜２３のリード１０を定ピッチ間隔（例えば１．２７mm）に並べた上で、各リード１０の間に跨がってインナーリードとアウターリードとの境目にダムバー１１を形成する。また、リードフレーム１のサイドレールについても、図２(a) の従来構造におけるダイパッド側のサイドレール１ａは省略し、各端子リード１０の先端に連ねて延在するサイドレール１ｂを使ってリードフレーム１をピッチ送りするようにしている。また、前記のダミーリード１０ａは、その内端を図１(b) に鎖線で表した樹脂パッケージ６のモールドラインに合わせてその手前位置でカットしておく。
【００２５】
上記構成のリードフレーム１を使って半導体装置を組み立てるには、図１(b) で示すようにリードフレーム１のダイパッド７，８，９にパワー素子２，３および制御用ＩＣ４をマウント（ダイボンディング）した上で、ワイヤ５をボンディングして内部配線し、続く樹脂封止工程ではリードフレーム１をモールド金型にセットし、前記したモールドラインの領域内を樹脂封止して樹脂パッケージ６を成形する。なお、モールド金型は図１(b) に表した端子リードの配列に合わせて製作したものを使用する。そして、樹脂封止後のリードカット工程では、図１(c) で表すように外部導出端子として使用する端子リード１０だけを残して、他の不要なリードおよびダミーリード１０ａをダムバー１１，サイドレール１ｂとともにカットして取り除き、これでデバイス製品が完成する。なお、樹脂パッケージ６の表面に残る微小な突起６ａは、樹脂封止の際にダミーリード１０ａの端面に向けてモールド金型のキャビティからはみ出した樹脂を表している。
【００２６】
ここで、上記実施例のリードフレーム１を使って組み立てた半導体装置は、図２(a) に示した従来のリードフレームを使って組み立てた半導体装置と比較して次記のような利点が得られる。
【００２７】
まず、片方のサイドレール１ａを省略した分だけリードフレームの材料費が少なくなってコスト低減化が図れるほか、樹脂封止後の状態では図２(c) のように樹脂パッケージ６の表面にタイバー１ａ-1のカット残りが露呈することがなく、その絶縁処理も不要となる。また、リード１０の本数を多くしたことで、リードフレーム自身の強度（曲げ剛性）が増し、リードフレーム上で行うダイボンディング，ワイヤボンディング，樹脂封止などの一連の組立工程で、リードフレームの変形，位置ずれを抑えて欠陥なしに半導体装置を組み立てることができる。さらに、樹脂封止後にダミーリード１０ａを取り除くことで、その両側に並ぶ主回路端子リードの間のピッチ間隔が広がって主回路電圧の耐圧に必要な絶縁沿面距離を確保できる。
【００２８】
また、半導体装置に保護機能などを新たに追加してバージョンアップを図る場合でも、図示実施例では、リードフレーム１の基本パターンに対して、その端子リード１０の本数，配列は変えずに、そのインナーリード，ダイパッド，さらには前記したダミーリードを内側に延長して端子リードとして使用するなどのパターンの設計変更を行うだけで、リードフレーム上にあらかじめ形成しておいた本数のリード１０を融通して新バージョンへの対応が可能となる。したがって、モールド金型を新しく作り直す必要がなく、既設の金型をそのまま使用して支障なく樹脂封止が行える。これにより、新たに追加する設備費の節減化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施例によるリードフレームおよび半導体装置の構成図で、(a) はリードフレーム単体の展開図、(b) はリードフレームに半導体素子をマウントしてワイヤボンディングを施した組立状態図、(c) は樹脂封止後にリードカットした完成状態での半導体装置の外観平面図
【図２】図１に対応する従来例の構成図で、(a) はリードフレーム単体の展開図、(b) はリードフレームに半導体素子をマウントしてワイヤボンディングを施した組立状態図、(c) は樹脂封止後にリードカットした完成状態での半導体装置の外観平面図
【符号の説明】
【００３０】
１    リードフレーム
１ｂ  サイドレール
２，３  パワー素子
４    制御用ＩＣ
５    ボンディングワイヤ
６    樹脂パッケージ
７〜９  ダイパッド
１０    端子リード
１０ａ  ダミーリード
１１    ダムバー
【図１】
2006173649.tif 000003
【図２】
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