(57)【要約】【課題】スクライブライン及び該スクライブラインに起因するリブマークの深さをスクライブライン形成中に確認することができる電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供する。【解決手段】大板１００に対して圧を以て当接することにより、大板１００に対して略直線状のスクライブラインを形成するスクライブカッタ７０と、大板１００にスクライブラインを形成するようスクライブカッタ７０を駆動するモータ７２と、モータ７２にかかる電圧値を検出する電流／電圧計９２と、電流／電圧計９２において検出した電圧値と、スクライブカッタ７０が大板１００に対して特定の深さにスクライブラインを形成する際の基準電圧幅とを比較する比較手段１２２とを有することを特徴とする。【選択図】図５
2006259050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して圧を以て当接することにより、前記基板に対してスクライブ溝を形成する溝形成手段と、
前記基板に前記スクライブ溝を形成するよう前記溝形成手段を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段にかかる負荷を検出する負荷検出手段と、
前記負荷検出手段において検出した前記駆動手段にかかる負荷と、前記溝形成手段が前記基板に対して特定の深さにスクライブ溝を形成するように設定された許容負荷範囲とを比較する比較手段と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項２】
前記比較手段において比較する前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを出力する出力手段と、
前記出力手段から出力された前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを表示する表示手段と、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項３】
前記比較手段は、前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを比較した後、さらに前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れているか否かを判定し、
前記比較手段において前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れていると判定した場合、その差分を検出する差分検出手段と、
前記差分検出手段において検出した差分に基づき、前記溝形成手段の前記基板に対する当接圧を調整する当接圧調整手段と、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項４】
前記駆動手段はモータであり、前記駆動手段にかかる負荷は、前記モータにかかる電圧と、電流との少なくとも１つに基づいて検出することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項５】
前記溝形成手段は、前記基板に対してスクライブによって前記スクライブ溝を形成する回動自在なスクライブカッタであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
前記基板は、実装用端子部を有する素子基板が複数構成された第１の基板と、前記素子基板に対向する対向基板が複数構成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に貼り合わされるカバーガラスとの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
基板に対してスクライブ溝を形成した後、該スクライブ溝に沿って前記基板を分断することによって電気光学装置用基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、
溝形成手段を基板に対して圧を以て当接させる工程と、
前記基板に対して前記スクライブ溝が形成されるよう、駆動手段を用いて前記溝形成手段を駆動させる工程と、
前記駆動手段にかかる負荷を、負荷検出手段において検出させる工程と、
前記負荷検出手段において検出した前記駆動手段にかかる負荷と、前記溝形成手段が前記基板に対して特定の深さにスクライブ溝を形成するように設定された許容負荷範囲とを比較手段において比較させる工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記比較手段において比較した前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを、出力手段から出力させる工程と、
前記出力手段から出力された前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを表示手段に表示させる工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記比較手段は、前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを比較した後、さらに前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れているか否かを判定し、
前記比較手段において前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れていると判定した場合、その差分を、差分検出手段において検出させる工程と、
前記差分検出手段において検出した差分に基づき、前記溝形成手段の前記基板に対する当接圧を、当接圧調整手段において調整させる工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法に関し、特にスクライブによって基板にスクライブ溝を形成する電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶表示装置は、ガラス基板等からなる２枚の基板間に液晶を封入して構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に共通電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えばガラス上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。
【０００４】
このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされる。このパネル組立工程は、先ず、各基板の製造工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成する。この配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメータの厚さで印刷することにより形成される。
【０００５】
その後、焼成を行い、さらに電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を施す。次いで、液晶滴下方式であれば、大板上に複数構成された、例えばＴＦＴ基板上の周縁に、接着剤となるシール材を枠状に規定の高さ描画または印刷によりそれぞれ形成し、このシール材の内側の基板上の液晶充填領域に、規定量の液晶を滴下する。
【０００６】
その後、ＴＦＴ基板のみ大板で形成される場合は、ＴＦＴ基板が複数構成された大板に、複数のチップ状となった対向基板を、ＴＦＴ基板と対向基板が対向配置されるよう、シール材を介して真空下においてそれぞれ貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。
【０００７】
その後、チップ状の対向基板が複数貼り合わされ、ＴＦＴ基板が複数構成された大板から、ＴＦＴ基板を、複数対向配置されたＴＦＴ基板及び対向基板の組毎に分断することにより、液晶表示装置はそれぞれ製造されるのである。
【０００８】
ここで、チップ状の対向基板が複数貼り合わされ、ＴＦＴ基板が複数構成された大板から、ＴＦＴ基板を、複数対向配置されたＴＦＴ基板及び対向基板の組毎に分断する際は、先ず、ＴＦＴ基板が複数構成された大板の切断位置に、例えばスクライブによりスクライブ溝（以下、スクライブラインと称す）を、例えば１０ミクロンの深さに形成する。
【０００９】
尚、スクライブラインは、回動自在なスクライブカッタが基板表面に圧を以て当接された後、スクライブカッタを回動自在に保持する部材が、モータ等により直線状にガイドされることにより形成される。
【００１０】
この際、ＴＦＴ基板が複数構成された大板には、スクライブラインに沿ってクラック（以下、スクライブラインにより発生したクラックをリブマークと称す）が、例えば１５０ミクロンの深さに発生する。
【００１１】
次いで、スクライブラインが形成された面と反対側の面のリブマークに対向する位置を印圧することにより、リブマークに沿って、該リブマークの反対側からＴＦＴ基板を貫通する貫通クラックを発生させ、該貫通クラックを用いて分断する手法が周知である。また、リブマークに沿って、作業者の手により分断する手法も周知である。
【００１２】
また、このようなスクライブブレイクに限らず、ダイシングによって、複数対向配置されたＴＦＴ基板及び対向基板を組毎に分断する技術も周知であり、このよう技術は、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１４７４２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、大板から、ＴＦＴ基板を、複数対向配置されたＴＦＴ基板及び対向基板の組毎に分断する際、分断によりＴＦＴ基板の分断面に欠け等の不良が発生すると液晶表示装置に製品不良が生じるため、分断には安定した分断精度が要求される。このような経緯から、分断精度が要求される分断工程においては、ダイシングよりも分断精度が高いスクライブブレイクが多く用いられている。
【００１４】
しかしながら、スクライブブレイクでは、スクライブカッタの基板に対する当接圧が強すぎて、スクライブカッタが基板に対して回動せずに引っ掛かった状態で基板上を移動した結果、スクライブラインが深く形成され、リブマークが深く形成されてしまった場合は、分断後、ＴＦＴ基板の分断面に欠け等の不良が発生し易くなってしまうばかりか、ＴＦＴ基板表面にクラックが発生し、該クラックによりＴＦＴ基板表面に形成された配線が分断されてしまう場合がある。
【００１５】
また、スクライブカッタの基板に対する当接圧が弱すぎて、スクライブカッタが基板に対して回動せずに滑った状態で基板上を移動した結果、スクライブラインが浅く形成され、リブマークが浅く形成されてしまった場合は、分断し難くなってしまうばかりか、分断後、ＴＦＴ基板の分断面に欠け等の不良が発生し易くなってしまう場合がある。
【００１６】
よって、スクライブカッタによりスクライブラインを形成した後、分断前に、顕微鏡等を用いて、スクライブライン及び該スクライブラインに起因するリブマークの深さを確認する、または分断後、ＴＦＴ基板の分断面を目視しなければスクライブライン精度を確認することができないといった問題があった。さらには、最終製品となってから不良が発生した時点で、スクライブライン精度に起因する分断精度に問題があることを初めて確認することとなり、製品製造上の安定性に問題があった。
【００１７】
このことは、特許文献１に開示された技術においても、スクライブ中にスクライブライン及び該スクライブラインに起因するリブマークの深さを確認する工程がないため、スクライブライン精度は、分断後、または最終製品になってからでなければ確認することができず、その結果、基板製造の安定性向上と歩留まり向上とを図るには、特許文献１に開示された技術では限界がある。
【００１８】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的は、スクライブブレイクにより基板を分断するに際し、スクライブライン及び該スクライブラインに起因するリブマークの深さをスクライブライン形成中に確認することで、安定した分断精度を得ることができ、その結果、基板製造の安定性の向上と歩留まり向上とを図ることができる電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造装置は、基板に対して圧を以て当接することにより、前記基板に対してスクライブ溝を形成する溝形成手段と、前記基板に前記スクライブ溝を形成するよう前記溝形成手段を駆動する駆動手段と、前記駆動手段にかかる負荷を検出する負荷検出手段と、前記負荷検出手段において検出した前記駆動手段にかかる負荷と、前記溝形成手段が前記基板に対して特定の深さにスクライブ溝を形成するように設定された許容負荷範囲とを比較する比較手段と、を有することを特徴とする。
【００２０】
また、前記比較手段において比較する前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを出力する出力手段と、前記出力手段から出力された前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを表示する表示手段と、をさらに有することを特徴とする。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造装置によれば、基板へスクライブライン形成中の溝形成手段を駆動する駆動手段にかかる負荷と、溝形成手段が前記基板に対して特定の深さにスクライブ溝を形成するように設定された許容負荷範囲とが、スクライブ中は表示手段に常時表示されることにより、表示手段からスクライブライン形成中の駆動手段にかかる負荷が、許容負荷範囲よりもオーバしているか否かをモニタリングすることができる。よって、モニタリングの結果、オーバしていると判断できれば、溝形成手段の基板への当接圧が強すぎる、または弱すぎると判断することができ、装置を停止することができる。よって、基板にスクライブラインを形成中に、スクライブラインの深さに起因するリブマークの深さを確認することができるので、基板に形成されるリブマークが深すぎることで、スクライブラインに沿って基板を分断した際発生する分断面の欠け及び基板表面のクラックを防止することができるともに、基板に形成されるリブマークが浅すぎることで、スクライブラインに沿って基板を分断し難くなってしまう、または基板を分断した際に発生する分断面の欠けを防止することができる。よって、スクライブブレイクによる安定した基板の分断精度が得られ、基板を精度良く容易に分断できる結果、基板の歩留まりを向上することができ、さらには、基板の製造安定性を向上することができるといった効果を有する。
【００２２】
さらに、前記比較手段は、前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを比較した後、さらに前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れているか否かを判定し、前記比較手段において前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れていると判定した場合、その差分を検出する差分検出手段と、前記差分検出手段において検出した差分に基づき、前記溝形成手段の前記基板に対する当接圧を調整する当接圧調整手段と、をさらに有することを特徴とする。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造装置によれば、比較手段は、駆動手段にかかる負荷が、許容負荷範囲から外れているか否かを判定し、外れていると判定した場合、その差分が差分検出手段において検出される。即ち、スクライブライン形成中の駆動手段にかかる負荷が、許容負荷範囲からオーバしていると判定されれば、溝形成手段の基板への当接圧が強すぎる、または弱すぎると判定することができ、検出した差分に基づき、溝形成手段の基板への当接圧を、当接圧調整手段において、製造装置を停止することなく即座に適切な値に調節することができる。よって、基板にスクライブラインを形成中にスクライブラインの深さに起因するリブマークの深さを調整することができるので、基板に形成されるリブマークが深すぎることに起因する、スクライブラインに沿って基板を分断した際発生する分断面の欠け及び基板表面のクラックを防止することができるともに、基板に形成されるリブマークが浅すぎることで、スクライブラインに沿って基板を分断し難くなってしまう、または基板を分断した際分断面に発生する欠けを、製造装置を停止することなく即座に防止することができる。よって、スクライブブレイクによる安定した基板の分断精度が得られ、基板を精度良く容易に分断できる結果、基板の歩留まりを向上することができ、さらには、基板の製造安定性を向上することができるといった効果を有する。
【００２４】
また、前記駆動手段はモータであり、前記駆動手段にかかる負荷は、前記モータにかかる電圧と、電流との少なくとも１つに基づいて検出することを特徴とする。
【００２５】
さらに、前記溝形成手段は、前記基板に対してスクライブによって前記スクライブ溝を形成する回動自在なスクライブカッタであることを特徴とする。
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造装置によれば、スクライブライン形成中のモータにかかる電圧と、電流との少なくとも１つを検出するのみで、スクライブカッタの基板に対する当接圧が強すぎる、即ち基板に対してスクライブカッタが回動せずに基板に対し引っ掛かっている、または弱すぎる、即ち基板に対してスクライブカッタが基板上を回動せずに滑っている、あるいは適正である、即ち基板に対して適切に回動し、スクライブラインを形成しているかを容易に判断することができるといった効果を有する。
【００２７】
また、前記基板は、実装用端子部を有する素子基板が複数構成された第１の基板と、前記素子基板に対向する対向基板が複数構成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に貼り合わされるカバーガラスとの少なくとも１つであることを特徴とする。
【００２８】
本発明の電気光学装置の製造装置によれば、素子基板が複数構成された第１の基板から電気光学装置に用いる素子基板を、前記素子基板に対向する対向基板が複数構成された第２の基板から電気光学装置に用いる対向基板を、素子基板と対向基板との少なくとも一方に貼り合わされるカバーガラスを、それぞれ分断面に欠け等が発生することなく、精度良く容易に分断することができ、スクライブブレイクによる安定した分断精度を得ることができるため、電気光学装置に用いる基板の歩留まりを向上することができ、基板の製造安定性を向上することができるといった効果を有する。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板に対してスクライブ溝を形成した後、該スクライブ溝に沿って前記基板を分断することによって電気光学装置用基板を製造する電気光学装置の製造方法であって、溝形成手段を基板に対して圧を以て当接させる工程と、前記基板に対して前記スクライブ溝が形成されるよう、駆動手段を用いて前記溝形成手段を駆動させる工程と、前記駆動手段にかかる負荷を、負荷検出手段において検出させる工程と、前記負荷検出手段において検出した前記駆動手段にかかる負荷と、前記溝形成手段が前記基板に対して特定の深さにスクライブ溝を形成するように設定された許容負荷範囲とを比較手段において比較させる工程と、を有することを特徴とする。
【００３０】
また、前記比較手段において比較した前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを、出力手段から出力させる工程と、前記出力手段から出力された前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを表示手段に表示させる工程と、をさらに有することを特徴とする。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、溝形成手段を駆動する駆動手段のスクライブライン形成中の駆動手段にかかる負荷と、溝形成手段が前記基板に対して特定の深さにスクライブ溝を形成するように設定された許容負荷範囲とを、表示手段に表示させる工程を有することにより、スクライブライン形成中は、表示手段において常時モニタリングすることができることから、モニタリングの結果、スクライブライン形成中の駆動手段にかかる負荷が、許容負荷範囲よりもオーバしていると視認できれば、溝形成手段の基板への当接圧が強すぎる、または弱すぎると判断することができ、装置を停止することができる。よって、基板にスクライブラインを形成中にスクライブラインの深さに起因するリブマークの深さを確認することができるので、基板に形成されるリブマークが深すぎることで、スクライブラインに沿って基板を分断した際発生する分断面の欠け及び基板表面のクラックを防止することができるともに、基板に形成されるリブマークが浅すぎることで、スクライブラインに沿って基板が分断し難くなってしまう、または基板を分断した際発生する分断面の欠けを防止することができる。よって、スクライブブレイクによる安定した基板の分断精度が得られ、基板を精度良く容易に分断できる結果、基板の歩留まりを向上することができ、さらには、基板の製造安定性を向上することができるといった効果を有する。
【００３２】
さらに、前記比較手段は、前記駆動手段にかかる負荷と前記許容負荷範囲とを比較した後、さらに前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れているか否かを判定し、前記比較手段において前記駆動手段にかかる負荷が、前記許容負荷範囲から外れていると判定した場合、その差分を、差分検出手段において検出させる工程と、前記差分検出手段において検出した差分に基づき、前記溝形成手段の前記基板に対する当接圧を、当接圧調整手段において調整させる工程と、をさらに有することを特徴とする。
【００３３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、比較手段は、駆動手段にかかる負荷が、許容負荷範囲から外れているか否かを判定し、外れていると判定した場合、その差分が差分検出手段において検出される。即ち、スクライブライン形成中の駆動手段にかかる負荷が、許容負荷範囲よりもオーバしていれば、溝形成手段の基板への当接圧が強すぎる、または弱すぎると判定することができ、溝形成手段の基板への当接圧を、当接圧調整手段において、検出した差分に基づいて、製造装置を停止することなく即座に適切な値に調節することができる。よって、基板にスクライブラインを形成中にスクライブラインの深さに起因するリブマークの深さを確認することができるので、基板に形成されるリブマークが深すぎることで、スクライブラインに沿って基板を分断した際発生する分断面の欠け及び基板表面のクラックを防止することができるともに、基板に形成されるリブマークが浅すぎることで、スクライブラインに沿って基板を分断し難くなってしまう、または基板を分断した際発生する分断面の欠けを、製造装置を停止することなく即座に防止することができる。よって、スクライブブレイクによる安定した基板の分断精度が得られ、基板を精度良く容易に分断できる結果、基板の歩留まりを向上することができ、さらには、基板の製造安定性を向上することができるといった効果を有する。
【００３４】
本発明に係る電気光学装置は、請求項７〜請求項９の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００３５】
本発明の電気光学装置によれば、スクライブブレイクによる基板の分断面に欠け、及び表面にクラックが発生していない、精度良く形成された基板によって構成されていることから、電気光学装置の安定性の向上と歩留まりの向上とを図ることができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態は、電気光学装置は、液晶表示装置を例に挙げて説明する。よって、液晶表示装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、素子基板であるＴＦＴ基板を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する基板（以下、対向基板と称す）を例に挙げて説明する。また、液晶滴下方式により製造された液晶表示装置を例に挙げて説明する。
【００３７】
（第１実施の形態）
先ず、図１、図２を参照して、本発明の第１実施の形態を示す液晶表示装置の製造装置によって製造される液晶表示装置の構成について説明する。  
図１は、液晶表示装置のＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶表示装置を、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００３８】
同図に示すように、液晶表示装置５００は、ＴＦＴ基板１０とそれに対向して設けられる対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。ＴＦＴ基板１０上に画素を構成する画素電極９ａ等がマトリクス状に配置される。
【００３９】
対向基板２０に表示領域を区画する額縁としての遮光膜（ＢＭ）４２が設けられている。遮光膜４２は、例えば遮光性材料によって形成される。
【００４０】
遮光膜４２の外側の領域に、液晶を封入するシール材４１がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に形成されている。シール材４１は、例えば対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。
【００４１】
ＴＦＴ基板１０のシール材４１の外側の領域に、データ線駆動回路６１、及び組み立てられた液晶表示装置５００とプロジェクタ等の電子機器とを接続するＦＰＣ（いずれも図示されず）の一端が接続される実装用端子部６２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。
【００４２】
次に、このように構成される液晶表示装置５００の製造方法について、図３、図４を用いて説明する。図３は、図１の液晶表示装置の製造方法を示す工程図、図４は、複数のＴＦＴ基板が構成された大板に切断用のスクライブラインを形成したことを示す平面図である。
【００４３】
尚、本実施の形態における液晶表示装置は、複数個のＴＦＴ基板１０が構成された第１の基板である大板１００に対し、ＴＦＴ基板１０と同数個のチップ状の対向基板２０を、ＴＦＴ基板１０に対向配置するよう各々貼り合わせた後、ＴＦＴ基板１０が、大板１００から、複数対向配置されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の組毎に分断されることにより複数個製造される。
【００４４】
詳しくは、図３（ａ）に示すように、先ず、ＴＦＴ基板１０が複数形成された大板１００に対し、ＴＦＴ基板１０と同数個のチップ状の対向基板２０が、ＴＦＴ基板１０にそれぞれ対向配置されるように、シール材４１を介して貼り合わされる。
【００４５】
尚、ＴＦＴ基板１０の対向基板２０に対向する面には、既知の成膜工程により、画素電極９ａ、実装用端子部６２（いずれも図２参照）等の構成要素が形成されており、対向基板２０のＴＦＴ基板１０に対向する面には、既知の成膜工程により図示しない画素電極等の構成要素が全面に形成されている。また、大板１００は、図４に示すように、例えば円形状を有しており、透過型または反射型の石英、ガラス等から構成されている。
【００４６】
次いで、図３（ｂ）及び図４に示すように、大板１００の対向基板２０が貼り合わされた面と反対側の面（以下、裏面と称す）１００ｒであって、ＴＦＴ基板１０の境界に、図４中ｘ方向にスクライブ溝であるスクライブライン１００ｘを、特定の深さ、例えば１０ミクロンの深さに、後述するスクライブカッタ７０を用いて複数本順次形成する。
【００４７】
尚、スクライブライン１００ｘの深さは、１０ミクロンに限定されず、後述するＴＦＴ基板１０の分断精度に影響を与えない深さであればどのような深さであっても構わない。また、この際、スクライブライン１００ｘに沿ってリブマーク１０１ｘが、例えば１５０ミクロンの深さに発生する。
【００４８】
次いで、大板１００の裏面１００ｒのＴＦＴ基板１０の境界に、図４中ｙ方向にスクライブライン１００ｘと略直交する略直線状のスクライブライン１００ｙを、特定の深さ、例えば１０ミクロンの深さに、後述するスクライブカッタ７０を用いて複数本順次形成する。
【００４９】
尚、スクライブライン１００ｙの深さも、１０ミクロンに限定されず、後述するＴＦＴ基板１０の分断精度に影響を与えない深さであればどのような深さであっても構わない。また、この際も、図示しないが、スクライブライン１００ｙに沿ってリブマークが、例えば１５０ミクロンの深さに発生する。よって、リブマークの深さは、スクライブラインの深さに起因する。即ち、リブマークの深さをスクライブラインの深さで規定することができる。
【００５０】
尚、この大板１００にスクライブライン１００ｘ，１００ｙを形成するスクライブ装置の構成、及びスクライブライン１００ｘ，１００ｙの形成方法は、後に詳細に説明する。
【００５１】
次いで、図３（ｃ）に示すように、大板１００の対向基板２０が貼り合わされた面（以下、表面と称す）であって、大板１００に形成されたスクライブライン１００ｘに対向する複数の略直線状の位置１００ａを、例えばブレード８０により順次印加する。また、この際、大板１００に形成されたスクライブライン１００ｙに対向する複数の略直線状の大板１００の表面の位置も、例えばブレード８０により順次印加する。
【００５２】
このことにより、大板１００のスクライブライン１００ｘ及びスクライブライン１００ｙに沿って、大板１００の板厚方向に該大板１００を貫通するまで進行する垂直なクラック１００ｋが発生する。
【００５３】
尚、大板１００に、該大板１００を貫通するクラック１００ｋを発生させる方法は、ブレード８０に限定されず、例えば作業者の手によって大板１００を引き裂くことにより行っても良い。
【００５４】
最後に、図３（ｄ）に示すように、大板１００から、貼り合わされた一対のＴＦＴ基板１０及び対向基板２０からなる複数の液晶表示装置５００が分割され、その結果、複数個の液晶表示装置５００が製造される。
【００５５】
次に、図３（ｂ）に示した、大板１００にスクライブライン１００ｘ，１００ｙを形成する電気光学装置の製造装置であるスクライブ装置の構成について、図５、図６を用いて説明する。図５は、本発明の第１実施の形態を示すスクライブ装置の構成の概略を示す図、図６は、図５のスクライブ装置のモニタ表示の例を示す図である。
【００５６】
図５に示すように、スクライブ装置１５０は、スクライブ台３１と、溝形成手段であるスクライブカッタ７０と、該スクライブカッタ７０を回動自在に保持するスクライブカッタ保持ホルダ７１と、該スクライブカッタ保持ホルダ７１の駆動源となる駆動手段であるモータ７２と、該モータ７２を略直線状にガイドするレール７３と、モータ７２に電力を供給する電力供給系９１と、モータ７２にかかる負荷を、該モータ７２にかかる電圧と、電流との少なくとも１つに基づいて検出する負荷検出手段である電流／電圧計９２と、制御部１２０と、表示手段であるモニタ１３０とから主要部が構成されている。
【００５７】
スクライブ台３１は、スクライブ溝であるスクライブライン１００ｘ，１００ｙが形成されるワークが載置された後、該ワークを、例えば図示しない真空ポンプ等の吸引により保持する台である。尚、本実施の形態においては、ワークは、複数のチップ状の対向基板２０が貼り合わされた大板１００である。
【００５８】
スクライブカッタ７０は、例えば超合金で形成された円盤状を有する部材であり、大板１００の裏面１００ｒに対し、圧を以て一方向に回転しながら当接することにより、大板１００の裏面１００ｒに特定の深さにスクライブラインを形成する。
【００５９】
モータ７２は、電力供給系９１からの電力の供給を受けて、スクライブカッタ保持ホルダ７１を、レール７３に沿って、例えば８０ｍｍ／ｓｅｃの速さで略直線状に移動するよう駆動させることにより、スクライブカッタ保持ホルダ７１に回動自在に保持されたスクライブカッタ７０を、大板１００の裏面１００ｒに対し一方向に回転させて、スクライブライン１００ｘ，１００ｙを形成する。
【００６０】
電流／電圧計９２は、基板１００の裏面１００ｒに対しスクライブライン１００ｘ，１００ｙを形成中におけるモータ７２にかかる電圧と電流との少なくとも１つを、モータ７２に配設された図示しないコイル等から検出することにより、モータ７２の負荷を検出するものである。
【００６１】
尚、以下、説明上、電流／電圧計９２は、モータ７２にかかる電圧値１７０（図６参照）を負荷の代表として検出するものとして説明する。即ち、モータ７２にかかる負荷は、電圧値１７０に基づいて検出されるものとして説明する。電流／電圧計９２で検出したモータ７２にかかる電圧値１７０は、制御部１２０に送信される。
【００６２】
制御部１２０は、Ａ／Ｄ変換手段１２１と、比較手段１２２と、出力手段１２３とから主要部が構成されている。Ａ／Ｄ変換手段１２１は、電流／電圧計９２から送信されたモータ７２にかかる電圧値１７０を、Ａ／Ｄ変換して比較手段１２２に出力する回路である。
【００６３】
比較手段１２２は、Ａ／Ｄ変換手段１２１から出力された、Ａ／Ｄ変換されたモータ７２にかかる電圧値１７０と、比較手段１２２に格納された特定の許容負荷範囲の基準電圧幅１４０（図６参照）とを比較し、出力手段１２３に出力する回路である。
【００６４】
基準電圧幅１４０は、スクライブカッタ７０が、大板１００の裏面１００ｒに対して、特定の深さにスクライブライン１００ｘ，１００ｙを形成する際のモータ７２にかかる経験値から得られた電圧値の許容負荷範囲のことであり、図６に示すように、電圧値の許容負荷範囲の上限と下限とを、ハイレベル（Ｈ）とローレベル（Ｌ）とで規定している。尚、基準電圧幅１４０は、制御部１２０にメモリを設け、該メモリに格納されていてもよい。
【００６５】
出力手段１２３は、比較手段１２２において比較されたモータ７２にかかる電圧値１７０と、基準電圧幅１４０とを、モニタ１３０に出力する回路である。また、モニタ１３０は、出力手段１２３から出力されたモータ７２にかかる電圧値１７０と、基準電圧幅１４０とを表示する。
【００６６】
次に、このように構成されたスクライブ装置１５０の作用について、図５、図６、及び図７、図８を用いて説明する。図７は、図５のスクライブ装置を用いたリブマーク検査工程を示すフローチャート、図８は、スクライブ中のリブマークの深さが特定の深さ以外の深さである場合のスクライブ装置のモニタ表示の例を示す図である。
【００６７】
図５に示すように、先ず、モータ７２が、スクライブカッタ保持ホルダ７１を、レール７３に沿って、例えば８０ｍｍ／ｓｅｃの速さで略直線状に移動するよう駆動させ、スクライブカッタ保持ホルダ７１に回動自在に保持されたスクライブカッタ７０を、大板１００の裏面１００ｒに対し圧を以て当接させ、一方向に回転させて、例えばスクライブライン１００ｘを形成し始めると、図７に示すように、ステップＳ１において、電流／電圧計９２において、モータ７２にかかる電圧値１７０を検出し、該検出した電圧値１７０を制御部１２０のＡ／Ｄ変換手段１２１に送信し、ステップＳ２に移行する。
【００６８】
ステップＳ２では、Ａ／Ｄ変換手段１２１は、電流／電圧計９２から送信されたモータ７２にかかる電圧値１７０をＡ／Ｄ変換して、該Ａ／Ｄ変換した電圧値１７０を比較手段に出力し、ステップＳ３に移行する。
【００６９】
ステップＳ３では、比較手段１２２は、Ａ／Ｄ変換手段１２１から出力されたモータ７２にかかる電圧値１７０と、比較手段１２２に格納された基準電圧幅１４０（図６参照）とを比較し、出力手段１２３に出力する。その後、ステップＳ４に移行する。
【００７０】
ステップＳ４では、出力手段１２３は、比較手段１２２において比較されたモータ７２にかかる電圧値１７０と基準電圧幅１４０とを、モニタ１３０に出力する。その後ステップＳ５に移行する。
【００７１】
ステップＳ５では、モニタ１３０は、出力手段１２３から出力されたモータ７２にかかる電圧値１７０と基準電圧幅１４０との波形を表示する。この際、一方、モータ７２から出力された電圧値１７０が、基準電圧幅１４０の範囲内にあれば、図６に示すように、モータ７２にかかる電圧値１７０を示す波形は、基準電圧幅１４０のハイレベル（Ｈ）とローレベル（Ｌ）とのラインの間に位置するようモニタ１３０に表示される。
【００７２】
他方、モータ７２から出力された電圧値１７０が、基準電圧幅１４０の範囲外であれば、図８に示すように、モータ７２にかかる負荷が変動することで、モータ７２にかかる電圧値１７０を示す波形は、基準電圧幅１４０のハイレベル（Ｈ）とローレベル（Ｌ）とのラインの間から外れて（オーバして）位置するようモニタ１３０に表示される。その後、ステップＳ１に戻り、再度、電流／電圧計９２において、モータ７２にかかる電圧値１７０を検出する。
【００７３】
このように、本発明の第１実施の形態を示すスクライブ装置１５０においては、スクライブライン形成中において、スクライブカッタ７０を回動自在に保持するスクライブカッタ保持ホルダ７１を駆動するモータ７２にかかる電圧値１７０と、スクライブカッタ７０が、大板１００の裏面１００ｒに対して、特定の深さにスクライブライン１００ｘ，１００ｙを形成する際のモータ７２の基準電圧幅１４０とを、モニタ１３０に出力し、該モニタ１３０から、スクライブライン形成中は、使用者にモータ７２にかかる電圧値の変動を視認できるようにした。
【００７４】
このことにより、使用者は、モニタ１３０をモニタリングすることにより、一方、モータ７２にかかる電圧値１７０を示す波形が、図６に示すように、基準電圧幅１４０のハイレベル（Ｈ）とローレベル（Ｌ）とのラインの間に位置していると視認できれば、スクライブカッタ７０が、大板１００の裏面１００ｒに対して、スクライブライン１００ｘを形成するのに、適切な圧で当接し、一方向に回転することで、特定の深さのスクライブライン１００ｘ及びリブマーク１０１ｘを形成していると容易に判断することができる。
【００７５】
他方、図８に示すように、モータ７２にかかる電圧値１７０を示す波形が、基準電圧幅１４０のハイレベル（Ｈ）とローレベル（Ｌ）とのラインの間からオーバして位置している、例えばハイレベル（Ｈ）からオーバして位置していると視認した際には、スクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒへの当接圧が強すぎて、スクライブカッタ７０が大板の裏面１００ｒに対して回転せずに引っ掛かっていると判断することができ、モータ７２を停止することができる。
【００７６】
よって、大板１００の裏面１００ｒにスクライブライン１００ｘを形成中に、スクライブライン１００ｘ及びリブマーク１０１ｘの深さをモニタリングすることができるので、大板１００の裏面１００ｒに形成されるリブマーク１０１ｘが深すぎることで、スクライブライン１００ｘに沿って大板１００を分断した際発生するＴＦＴ基板１０の分断面の欠け、及びＴＦＴ基板１０表面のクラックを防止することができる。
【００７７】
また、モータ７２にかかる電圧値１７０を示す波形が、基準電圧幅１４０のローレベル（Ｌ）からオーバして位置していると視認した際には、スクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒへの当接圧が弱すぎて、スクライブカッタ７０が大板の裏面１００ｒに対して回転せずに滑っていて、規定の深さのリブマーク１０１ｘが形成されていないと判断することができ、モータ７２を停止することができる。
【００７８】
よって、大板１００の裏面１００ｒにスクライブライン１００ｘを形成中に、スクライブライン１００ｘ及びリブマーク１０１ｘの深さをモニタリングすることができるので、大板１００の裏面１００ｒに形成されるリブマーク１０１ｘが浅すぎることで、スクライブライン１００ｘに沿って大板１００を分断し難くなってしまう、または大板１００を分断した際に発生するＴＦＴ基板１０の分断面の欠けを防止することができる。
【００７９】
よって、スクライブブレイクによる安定したＴＦＴ基板１０の分断精度が得られ、大板１００からＴＦＴ基板１０を精度良く容易に分断できる結果、ＴＦＴ基板１０の歩留まりを向上することができ、さらには、ＴＦＴ基板１０の製造安定性を向上することができる。
【００８０】
尚、このことは、スクライブライン１００ｘに限定されず、スクライブライン１００ｙを形成するに際しても同様である。
【００８１】
以下、変形例を示す。
【００８２】
本実施の形態においては、モニタ１３０をモニタリングすることにより、モータ７２にかかる電圧値１７０を示す波形が、基準電圧幅１４０のハイレベル（Ｈ）とローレベル（Ｌ）とのラインの間からオーバして位置していると視認した際には、使用者は、スクライブ装置１５０を停止すると示した。
【００８３】
これに限らず、例えば制御部１２０に警報手段を設け、モータ７２にかかる電圧値１７０を示す波形が、基準電圧幅１４０のハイレベル（Ｈ）とローレベル（Ｌ）とのラインの間からオーバして位置している場合は、警報音を鳴らすことにより、使用者にリブマークが適切な深さに形成されていないことを認知させるようにしてもよい。
【００８４】
また、本実施の形態においては、スクライブ装置１５０は、複数の対向基板２０が貼り合わされた、複数のＴＦＴ基板１０を構成する大板１００にスクライブラインを形成する際に用いられると示した。
【００８５】
これに限らず、例えば、複数個のＴＦＴ基板１０が構成された一方の大板１００と、ＴＦＴ基板１０と同数個の対向基板２０が構成された第２の基板である他方の大板（図示せず）とが対向配置するよう貼り合わせた後、対向配置されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を分断することにより液晶表示装置５００を複数個製造する、所謂大板組立方式により液晶表示装置５００を製造する際に、複数の対向基板２０が構成された大板にスクライブラインを形成するに際し、適用しても良いということは勿論である。
【００８６】
また、複数個のＴＦＴ基板１０が構成された一方の大板１００と、ＴＦＴ基板１０と同数個の対向基板２０が構成された第２の基板である他方の大板（図示せず）とが対向配置するよう貼り合わせた後、一方の大板及び他方の大板の対向面の裏面に貼り合わされるカバーガラスにスクライブラインを形成する際に、適用しても良いということは云うまでもない。
【００８７】
さらに、貼り合わされる前のＴＦＴ基板１０が複数構成された大板から複数のＴＦＴ基板１０を分断する際、貼り合わされる前の対向基板２０が複数構成された大板から複数の対向基板２０を分断する際、貼り合わせる前のカバーガラスから、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に貼着されるサイズにカバーガラスを分断する際のいずれかに本実施の形態を適用してもよいことは勿論である。
【００８８】
また、本実施の形態においては、電流／電圧計９２は、モータ７２にかかる電圧値を検出する例を挙げて示したが、これに限らず、モータ７２にかかる電流値、または駆動パルス値を検出しても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８９】
さらには、モータ７２にかかる電圧の変動に限らず、スクライブカッタ７０の回転数をモニタしても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
（第２実施の形態）
図９は、本発明の第２実施の形態を示すスクライブ装置の構成の概略を示す図である。  
この第２実施の形態のスクライブ装置２５０の構成は、上述した図１〜図８に示した第１実施の形態のスクライブ装置１５０と比して、比較手段１２２でモータ７２にかかる電圧値１７０と基準電圧幅１４０とを比較した後、比較結果をフィードバックしてスクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒに対する当接圧を調整する機構を有する点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態のスクライブ装置１５０と同様の構成部材には、同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００９１】
図９に示すように、スクライブ装置２５０は、第１実施の形態のスクライブ装置１５０の構成に加え、例えばスクライブカッタ保持ホルダ７１に設けられた当接圧調整手段であるアクチュエータ２４２と、制御部２２０とから主要部が構成されている。
【００９２】
制御部２２０は、第１実施の形態の制御部１２０の構成に加え、比較手段１２２に、差分検出手段２４１が接続された構成を有している。差分検出手段２４１は、比較手段１２２によってモータ７２にかかる電圧値１７０が、比較手段１２２に格納された基準電圧幅１４０から外れていると判定された場合、電圧値１７０と基準電圧幅１４０との差分２４０（図８参照）を検出し、該検出した差分２４０をアクチュエータ２４２に出力する。
【００９３】
アクチュエータ２４２は、例えば小型モータを備え、カム機構によってスクライブカッタ７０を上下駆動させることが可能な当接圧調整手段であり、差分２４０に基づいて、スクライブカッタ７０の高さを、大板１００の貫通方向に調整することにより、スクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒに対する当接圧を調整する。尚、アクチュエータ２４２は、電気エネルギを、機械エネルギに変換する圧電材料により構成されていても良い。
【００９４】
次に、このように構成されたスクライブ装置２５０の作用について、図９及び図１０を用いて説明する。図１０は、図９のスクライブ装置を用いたスクライブライン形成工程を示すフローチャートである。
【００９５】
尚、ステップＳ１〜ステップＳ３は、図７において説明した工程と同じであるため、その説明は省略する。
【００９６】
図９に示すように、ステップＳ３において、比較手段１２２によって、Ａ／Ｄ変換手段１２１から出力されたモータ７２にかかる電圧値１７０と、比較手段１２２に格納された特定の範囲の基準電圧幅１４０とが比較された後、ステップＳ１１に移行する。
【００９７】
ステップＳ１１では、比較手段１２２により、検出されたモータ７２にかかる電圧値１７０が、比較手段１２２に格納された基準電圧幅１４０をオーバしたか否かが判定される。一方、電圧値１７０が、基準電圧幅１４０をオーバしていなければ、スクライブカッタ７０が、大板１００の裏面１００ｒに対して、スクライブライン１００ｘを形成するのに、適切な圧で当接し、一方向に回転することで、特定の深さのスクライブライン１００ｘを形成していると判断してステップＳ１に戻る。他方、電圧値１７０が、基準電圧幅１４０をオーバしておれば、ステップＳ１２に移行する。
【００９８】
ステップＳ１２では、比較手段１２２によって、電圧値１７０が基準電圧幅１４０をオーバしたと判定された回数は、規定したｎ回目であったか否かが判定される。具体的には、例えば、ｎ＝３に規定した場合は、一方、電圧値１７０が基準電圧幅１４０をオーバしたと比較手段１２２が判定した回数が２回までは、装置の誤差と判定しステップＳ１に戻る。
【００９９】
他方、電圧値１７０が基準電圧幅１４０をオーバしたと比較手段１２２が判定した回数が３回に達した際は、モータ７２にかかる電圧値１７０が、基準電圧幅１４０からオーバしていると判定されて、ステップＳ１３に移行する。尚、ｎは何回に規定してもよい。
【０１００】
ステップＳ１３では、差分検出手段２４１は、モータ７２にかかる電圧値１７０と、比較手段１２２に格納された基準電圧幅１４０との差分２４０（図８参照）を検出してステップＳ１４に移行する。
【０１０１】
最後に、ステップＳ１４では、差分検出手段２４１で検出した差分２４０に基づいて、アクチュエータ２４２は、スクライブカッタ７０の高さを、大板１００の貫通方向に調整することにより、スクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒに対する当接圧を調整する。その後、ステップＳ１に戻る。
【０１０２】
このように、本発明の第２実施の形態を示すスクライブ装置２５０においては、モータ７２にかかる電圧値１７０が、比較手段１２２に格納された基準電圧幅１４０をオーバしたと比較手段１２２によって判定された際は、差分検出手段２４１が差分２４０を検出した後、検出結果をアクチュエータ２４２にフィードバックし、差分２４０に基づいてスクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒに対する当接圧をアクチュエータ２４２が調整する構成とした。
【０１０３】
このことにより、スクライブライン形成中のモータ７２にかかる電圧値１７０が、基準電圧幅１４０よりもオーバしていれば、スクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒへの当接圧が強すぎる、または弱すぎると判断することができ、スクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒへの当接圧を、アクチュエータ２４２において、装置２５０を停止することなく即座に適切な当接圧に調節することができる。
【０１０４】
よって、大板１００の裏面１００ｒにスクライブライン１００ｘを形成中にスクライブライン１００ｘ及びリブマーク１０１ｘの深さを調整することができるので、大板１００の裏面１００ｒに形成されるリブマーク１０１ｘが深すぎることに起因する、スクライブライン１００ｘに沿って基板を分断した際発生するＴＦＴ基板１０の分断面の欠け及びＴＦＴ基板１０表面のクラックを防止することができる。
【０１０５】
また、大板１００の裏面１００ｒに形成されるリブマーク１０１ｘが浅すぎることで、スクライブライン１００ｘに沿ってＴＦＴ基板１０を分断し難くなってしまう、またはＴＦＴ基板１０を分断した際ＴＦＴ基板１０の分断面に発生する欠けを、装置を停止することなく即座に防止することができる。
【０１０６】
よって、スクライブブレイクによる安定したＴＦＴ基板１０の分断精度が得られ、ＴＦＴ基板１０を精度良く容易に分断できる結果、ＴＦＴ基板１０の歩留まりを向上することができ、さらには、ＴＦＴ基板１０の製造安定性を向上することができる。
【０１０７】
尚、このことは、スクライブライン１００ｘに限定されず、スクライブライン１００ｙを形成するに際しても同様である。
【０１０８】
以下、変形例を示す。
【０１０９】
本実施の形態においては、スクライブライン形成中の電圧値１７０が、基準電圧幅１４０をオーバした際、アクチュエータ２４２は、スクライブカッタ７０の大板１００の裏面１００ｒに対する当接圧を調整すると示した。
【０１１０】
これに限らず、例えば制御部２２０にモータ７２の駆動を停止する手段を設け、該停止手段によって、電圧値１７０が基準電圧幅１４０をオーバした際は、モータ７２を停止するようにしても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１１】
尚、その他の本実施の形態における変形例は、上述した第１実施の形態と同様である。  
さらに、上述した第１実施の形態及び第２実施の形態においては、電気光学装置は、液晶滴下方式により製造される液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、シール材４１に切り欠きを設け、該切り欠きから液晶を注入し、注入後、前記切り欠きを塞ぐ液晶注入方式により製造される液晶表示装置に適用してもよい。
【０１１２】
また、電気光学装置は、液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１１３】
また、本発明の電気光学装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶表示装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】液晶表示装置のＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図２】図２は、ＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶表示装置を、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図。
【図３】図１の液晶表示装置の製造方法を示す工程図。
【図４】複数のＴＦＴ基板が構成された大板に切断用のスクライブラインを形成したことを示す平面図。
【図５】本発明の第１実施の形態を示すスクライブ装置の構成の概略を示す図。
【図６】図５のスクライブ装置のモニタ表示の例を示す図。
【図７】図５のスクライブ装置を用いたリブマーク検査工程を示すフローチャート。
【図８】スクライブ中のリブマークの深さが特定の深さ以外の深さである場合のスクライブ装置のモニタ表示の例を示す図。
【図９】本発明の第２実施の形態を示すスクライブ装置の構成の概略を示す図。
【図１０】図９のスクライブ装置を用いたスクライブライン形成工程を示すフローチャート。
【符号の説明】
【０１１５】
１０…ＴＦＴ基板、２０…対向基板、６２…実装用端子部、７０…スクライブカッタ、７２…モータ、９２…電流／電圧計、１００…大板、１００ｘ…スクライブライン、１００ｙ…スクライブライン、１２２…比較手段、１２３…出力手段、１３０…モニタ、１４０…基準電圧幅、１５０…スクライブ装置、１７０…モータにかかる電圧値、２４１…差分検出手段、２４２…アクチュエータ、２５０…スクライブ装置、５００…液晶表示装置。
【図１】
2006259050.tif 000003
【図２】
2006259050.tif 000004
【図３】
2006259050.tif 000005
【図４】
2006259050.tif 000006
【図５】
2006259050.tif 000007
【図６】
2006259050.tif 000008
【図７】
2006259050.tif 000009
【図８】
2006259050.tif 000010
【図９】
2006259050.tif 000011
【図１０】
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