(57)【要約】【課題】  不良ロットの見逃しを減少可能な品質管理システムを提供する。【解決手段】  過去のロットのＱＣ実測値を格納するＱＣ値記憶部２２と、対象ロットの処理装置１０の装置内部情報を取得するデータ取得装置３と、装置内部情報を格納する装置内部情報記憶部２１と、ウェハ内のサンプリング密度分布により分類した複数のレシピを格納するレシピ記憶部２４と、装置内部情報と過去のロットのＱＣ実測値とに基づいて、対象ロットのＱＣ予測値を予測するＱＣ値予測手段１１と、ＱＣ予測値に基づいて対象ロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定するウェハ決定手段１２と、ＱＣ予測値に基づいて複数のレシピからサンプルウェハに適用する適用レシピを選択するレシピ選択手段１３と、適用レシピを用いてサンプルウェハに対してＱＣ測定を行い、測定結果をＱＣ値記憶部２２に格納する測定装置４とを備える。【選択図】      図１
2006293433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過去のロットの品質管理実測値を格納する品質管理値記憶部と、
対象とするロットの処理装置の装置内部情報をリアルタイムに取得するデータ取得装置と、
前記装置内部情報を格納する装置内部情報記憶部と、
ウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した複数のレシピを格納するレシピ記憶部と、
前記装置内部情報と前記過去のロットの品質管理実測値とを前記装置内部情報記憶部及び前記品質管理値記憶部からそれぞれ読み出し、該装置内部情報と品質管理実測値とに基づいて、前記対象とするロットの品質管理予測値を予測する品質管理値予測手段と、
前記品質管理予測値に基づいて前記対象とするロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定するウェハ決定手段と、
前記複数のレシピを前記レシピ記憶部から読み出し、該複数のレシピから前記品質管理予測値に基づいて前記サンプルウェハに適用する適用レシピを選択するレシピ選択手段と、
前記適用レシピを用いて前記サンプルウェハに対して品質管理測定を行い、測定結果を前記品質管理値記憶部に格納する測定装置
とを備えることを特徴とする品質管理システム。
【請求項２】
前記ウェハ決定手段は、前記複数のウェハのうちスペックアウト確率が相対的に高いウェハを前記サンプルウェハとすることを特徴とする請求項１に記載の品質管理システム。
【請求項３】
前記レシピ選択手段は、前記品質管理予測値の面内分布に基づいて、前記サンプルウェハ内のショット領域のうち、スペックアウト確率が相対的に高いショット領域をサンプリングする前記適用レシピを選択することを特徴とする請求項１又は２に記載の品質管理システム。
【請求項４】
前記装置内部情報に基づいて、前記品質管理実測値を管理する管理幅を決定する管理幅決定手段を更に備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の品質管理システム。
【請求項５】
対象とするロットの処理装置の装置内部情報をリアルタイムに取得するステップと、
過去のロットの品質管理実測値から読み出し、該品質管理実測値と前記装置内部情報とに基づいて、前記対象とするロットの品質管理予測値を予測するステップと、
前記品質管理予測値に基づいて前記対象とするロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定するステップと、
ウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した複数のレシピから前記品質管理予測値に基づいて前記サンプルウェハに適用する適用レシピを選択するステップと、
前記適用レシピを用いて前記測定対象となるウェハに対して品質管理測定を行い、測定結果を前記品質管理値記憶部に格納するステップ
とを含むことを特徴とする品質管理方法。
【請求項６】
第１のロットを処理装置を用いて処理し、その品質管理測定による品質管理実測値を品質管理値記憶部に格納する工程と、
第２のロットを前記処理装置を用いて処理する工程と、
前記第２のロットの処理における前記処理装置の装置内部情報をリアルタイムに取得する工程と、
前記第２のロットの処理における前記装置内部情報と前記第２のロットを含む過去のロットの品質管理実測値とに基づいて前記第２のロットの品質管理予測値を予測し、前記品質管理予測値に基づいて前記第２のロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定し、前記品質管理予測値に基づいて、ウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した複数のレシピから前記サンプルウェハに適用する適用レシピを選択し、前記適用レシピを用いて前記サンプルウェハに対して品質管理測定を行う工程と、
前記品質管理測定の結果に基づいて前記第２のロットの良否を判定する工程
とを含むことを特徴とするロット単位のウェハ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造技術に関し、特にロットの品質管理を行う品質管理システム、品質管理方法及びロット単位のウェハ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造は、多数の半導体製造装置を用い、リソグラフィ工程、エッチング工程、熱処理（酸化、アニール、拡散）工程、イオン注入工程、薄膜形成（ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着）工程、洗浄（レジスト除去、溶液による洗浄）工程、検査工程等を複雑且つ多数組み合わせた長い一連の工程により行われる。検査工程においては品質管理測定（以下、「ＱＣ測定」という。）等によりそれぞれのロットの品質管理が実施される。「ＱＣ測定」とは、それぞれのロット内のウェハに形成されたレジストパターンの膜厚や線幅等を測定する手法である。測定結果（ＱＣ実測値）に基づいて、ウェハ及びロット全体の良否が判定される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ＱＣ測定においては、時間やコストを抑制するために、対象とするロット内の複数のウェハを抽出（サンプリング）してＱＣ測定を行う。従来のサンプリング手法は、前世代品でのやり方を踏襲するのが一般的であった。即ち、以前に設定されたロット内の特定のウェハを継続してサンプリングしていた。
【０００４】
しかしながら、例えばドライエッチング工程の処理前後に行われるシーズニングの出来栄えに影響されて、半導体製造装置のパラメータが変動する場合がある。その結果、シーズニング前後で、半導体製造装置のパラメータ変動に起因したロットばらつきが生じる。このロットばらつきを考慮せずに特定のウェハを抽出（サンプリング）してＱＣ測定を行った場合、実際には不良率が高くてスペックアウトすべきロットであっても、サンプリングされたウェハが良品と判定されればロットが良品と判定される。このため、不良ロットを見逃してしまう恐れがある。
【特許文献１】特開平７−２４４６９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、不良ロットの見逃しを減少可能な品質管理システム、品質管理方法及びロット単位のウェハ処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の特徴は、（イ）過去のロットの品質管理実測値を格納する品質管理値記憶部と、（ロ）対象とするロットの処理装置の装置内部情報をリアルタイムに取得するデータ取得装置と、（ハ）前記装置内部情報を格納する装置内部情報記憶部と、（ニ）ウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した複数のレシピを格納するレシピ記憶部と、（ホ）前記装置内部情報と前記過去のロットの品質管理実測値とを前記装置内部情報記憶部及び前記品質管理値記憶部からそれぞれ読み出し、該装置内部情報と品質管理実測値とに基づいて、前記対象とするロットの品質管理予測値を予測する品質管理値予測手段と、（ヘ）前記品質管理予測値に基づいて前記対象とするロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定するウェハ決定手段と、（ト）前記複数のレシピを前記レシピ記憶部から読み出し、該複数のレシピから前記品質管理予測値に基づいて前記サンプルウェハに適用する適用レシピを選択するレシピ選択手段と、（チ）前記適用レシピを用いて前記サンプルウェハに対して品質管理測定を行い、測定結果を前記品質管理値記憶部に格納する測定装置とを備える品質管理システムであることを要旨とする。
【０００７】
本発明の第２の特徴は、（イ）対象とするロットの処理装置の装置内部情報をリアルタイムに取得するステップと、（ロ）過去のロットの品質管理実測値から読み出し、該品質管理実測値と前記装置内部情報とに基づいて、前記対象とするロットの品質管理予測値を予測するステップと、（ハ）前記品質管理予測値に基づいて前記対象とするロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定するステップと、（ニ）ウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した複数のレシピから前記品質管理予測値に基づいて前記サンプルウェハに適用する適用レシピを選択するステップと、（ホ）前記適用レシピを用いて前記測定対象となるウェハに対して品質管理測定を行い、測定結果を前記品質管理値記憶部に格納するステップとを含む品質管理方法であることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第３の特徴は、（イ）第１のロットを処理装置を用いて処理し、その品質管理測定による品質管理実測値を品質管理値記憶部に格納する工程と、（ロ）第２のロットを前記処理装置を用いて処理する工程と、（ハ）前記第２のロットの処理における前記処理装置の装置内部情報をリアルタイムに取得する工程と、（ニ）前記第２のロットの処理における前記装置内部情報と前記第２のロットを含む過去のロットの品質管理実測値とに基づいて前記第２のロットの品質管理予測値を予測し、前記品質管理予測値に基づいて前記第２のロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定し、前記品質管理予測値に基づいて、ウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した複数のレシピから前記サンプルウェハに適用する適用レシピを選択し、前記適用レシピを用いて前記サンプルウェハに対して品質管理測定を行う工程と、（ホ）前記品質管理測定の結果に基づいて前記第２のロットの良否を判定する工程とを含むロット単位のウェハ処理方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、不良ロットの見逃しを減少可能な品質管理システム、品質管理方法及びロット単位のウェハ処理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものである。また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る品質管理システムは、図１に示すように、過去のロットのＱＣ実測値を格納するＱＣ値記憶部２２と、対象とするロットの処理装置１０の装置内部情報をリアルタイムに取得するデータ取得装置３と、装置内部情報を格納する装置内部情報記憶部２１と、ウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した複数のレシピを格納するレシピ記憶部２４と、装置内部情報と過去のロットのＱＣ実測値とを装置内部情報記憶部２１及びＱＣ値記憶部２２からそれぞれ読み出し、装置内部情報とＱＣ実測値とに基づいて、対象とするロットのＱＣ予測値を予測するＱＣ値予測手段１１と、ＱＣ予測値に基づいて対象とするロットを構成する複数のウェハのうち測定対象となるサンプルウェハを決定するウェハ決定手段１２と、複数のレシピをレシピ記憶部２４から読み出し、ＱＣ予測値に基づいて複数のレシピからサンプルウェハに適用する適用レシピを選択するレシピ選択手段１３と、適用レシピを用いて測定対象となるウェハに対してＱＣ測定を行い、測定結果をＱＣ値記憶部２２に格納する測定装置４とを備える。
【００１２】
品質管理システムにおいては、中央演算処理装置（ＣＰＵ）１、データ記憶装置２、データ取得装置３、測定装置４、入力装置５、出力装置６、及び処理装置１０がバス７を介してそれぞれ接続されている。ＣＰＵ１は、処理装置１０や図示を省略した装置群の動作を制御する装置群制御サーバや、処理装置１０の動作状況や装置パラメータを記述した装置内部情報（装置エンジニアリングデータ：ＥＥデータ）を入力して処理装置１０の動作状態をリアルタイムで監視する管理サーバとしても機能する。なお、図１には単一のＣＰＵ１が示されているがこれは例示であり、物理的に複数のＣＰＵ、装置群制御サーバ及び管理サーバが存在しても構わないことは、勿論である。
【００１３】
処理装置１０には、例えば、イオン注入装置、不純物拡散装置、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）を形成する熱酸化装置、ＳｉＯ2膜、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）、ポリシリコン膜などを堆積する化学的気相成長（ＣＶＤ）装置、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などをリフロー（メルト）する熱処理装置、ＣＶＤ酸化膜などのデンシファイする熱処理装置、シリサイド膜などを形成する熱処理装置、金属配線層を堆積するスパッタリング装置、真空蒸着装置、更に金属配線層をメッキにより形成するメッキ処理装置、半導体基板の表面を研磨する化学的・機械的研磨（ＣＭＰ）装置、半導体基板表面をエッチングするドライ又はウエットエッチング装置、レジスト除去や溶液による洗浄をする洗浄装置、フォトリソグラフィ処理関連のスピンコート装置（スピンナー）、ステッパー等の露光装置、ダイシング装置、ダイシングされたチップ状の半導体装置の電極をリードフレームに接続するボンディング装置など様々な半導体製造装置が含まれる。更に、純水製造装置やガスの純化装置等の付帯設備が含まれていても良い。又、これらの半導体製造装置は、バッチ式装置あるいは枚葉式装置のいずれも適用可能である。後述するすべての実施の形態についても同様にバッチ式装置あるいは枚葉式装置を適用しても構わない。
【００１４】
データ取得装置３としては、装置エンジニアリングシステム（ＥＥＳ）ツール等が使用可能である。データ取得装置３は、処理装置１０のプロセス中の装置内部情報を枚葉でリアルタイムで取得し、これを所定のタイミングでＣＰＵ１に送信する。装置内部情報としては、例えば、処理装置１０が真空処理系の膜形成装置、拡散装置、薄膜堆積膜装置のようなチャンバを有する装置である場合は、チャンバ内複数箇所の温度、サセプタ温度、チャンバ外壁複数箇所の温度、チャンバ圧力、ガス流量、ガス流量を制御するバルブの開度等が挙げられる。処理装置１０がプラズマ処理系のドライエッチング装置、イオン注入装置のような電極を有する装置である場合は、上述した真空処理系の各種パラメータの他に高周波（ＲＦ）のマッチング位置、ＲＦ電圧（進行波電圧、反射波電圧）、ウェハがロット内の何枚目であるかを示すウェハの位置情報等が挙げられる。処理装置１０が大気圧処理系のウエットエッチング装置、スピンコート装置、露光装置、ボンディング装置の場合は、処理時間やウェハ若しくはチップの位置情報等が挙げられる。
【００１５】
測定装置４は、処理装置１０で処理された対象とするロット内のウェハに対してＱＣ測定を行う。測定装置４としては、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、レーザ顕微鏡や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の顕微鏡が使用可能である。更に、干渉式膜厚計、エリプソメータ、接触式膜厚計、抵抗測定装置等の種々の検査装置や測定装置であっても良い。測定装置４は、例えばリソグラフィ工程でウェハに形成された図２に示すようなレジストパターン１００の線幅Ｗrを測定する。更に、レジストパターン１００をマスクとして用いたエッチング工程で被エッチング材に形成された仕上がりパターン（デバイスパターン）１０１の線幅Ｗpを測定する。この結果、レジストパターン１００の線幅Ｗrと仕上がりパターン１０１の線幅Ｗpとの寸法変換差（寸法シフト）Ｗdが「ＱＣ実測値」として測定される。
【００１６】
処理装置１０が例えばエッチング装置の場合、エッチング処理前後にエッチング室（チャンバ）内クリーニング及びシーズニングが行われる。このシーズニングの出来栄えにより、装置内部情報のパラメータが変動するので、シーズニング前後の処理でロット毎・ウェハ毎にばらつきが生じる場合がある。エッチング装置の装置内部情報のパラメータであるＲＦマッチャーのキャパシタ位置は、図２に示すような寸法変換差Ｗdと相関がある。即ち、ＲＦマッチャーのキャパシタ位置がずれると、仕上がりパターン１０１の線幅Ｗpが変動して寸法変換差Ｗdがロット毎・ウェハ毎にばらつく場合がある。
【００１７】
図１に示したＣＰＵは、ＱＣ値予測手段１１、ウェハ決定手段１２、レシピ選択手段１３、処理制御手段１４、レポート作成手段１５、良否判定手段１６及び異常検知分類（ＦＤＣ）手段１７を備える。ＱＣ値予測手段１１は、データ記憶装置２の装置内部情報記憶部２１に格納された過去の装置内部情報、及びＱＣ値記憶部２２に格納された過去のロットのＱＣ実測値を読み出す。ＱＣ値予測手段１１は、過去の装置内部情報と過去のロットのＱＣ実測値の相関を参照しながら、データ取得装置３により取得されたロット処理時点の装置内部情報に基づいて、図２に示すような寸法変換差Ｗd等を「ＱＣ予測値」として対象とするロットのウェハ毎にそれぞれ予測する。なお、ＱＣ予測値は、更にロットの種類やプロセス条件等にも基づいて予測可能である。
【００１８】
図１に示したウェハ決定手段１２は、ＱＣ値予測手段１１により予測されたＱＣ予測値、及びデータ記憶装置２のスペック記憶部２３に格納されたスペック管理幅Ｗcを読み出す。スペック管理幅Ｗcは、図３に示すように、所望のスペックが得られるＱＣ値の許容範囲を示し、所望のスペックが得られる境界のスペック上限値Ｔmax及びスペック下限値Ｔminにより規定されている。ここで、スペック領域は、スペック上限値Ｔmaxの９０％以上の「スペック領域Ａ」、スペック下限値Ｔminの１０％以下の「スペック領域Ｂ」、及びスペック下限値Ｔminの１０％より大きくスペック上限値Ｔmaxの９０％未満の「スペック領域Ｃ」に区分けされている。スペック領域Ａ及びスペック領域Ｂは、スペックアウト確率がスペック領域Ｃと比べて高い。スペック領域Ｃは、所望値（ターゲット値）に近くスペックアウト確率が比較的低い領域である。
【００１９】
ウェハ決定手段１２は、ＱＣ値予測手段１１により予測された対象とするロットのＱＣ予測値が、図２に示したスペック領域Ａ、スペック領域Ｂ、及びスペック領域Ｃのいずれに該当するか判定する。判定の結果、ＱＣ予測値がスペック領域Ａ又はスペック領域Ｂに該当する場合には、スペックアウト確率が比較的高いので、そのウェハを測定対象となる「サンプルウェハ」に決定する。一方、スペック領域Ｃに該当する場合には、スペックアウト確率が比較的低いので判定時点では測定対象としない。そして、対象とするロットの全ウェハに対して判定された後で、スペック領域Ｃに該当するロット内の全ウェハのうち平均的なＱＣ予測値を示すと思われる１枚のウェハをサンプルウェハに決定する。即ち、ウェハ決定手段１２は、対象とするロットに対し、スペックアウト確率が相対的に高いウェハを測定対象とし、スペックアウト確率が相対的に低いウェハは最低限の枚数だけ測定対象とする。
【００２０】
図１に示したレシピ選択手段１３は、データ記憶装置２のＱＣ値記憶部２２に格納された対象とするロットのＱＣ予測値のうち、ウェハ決定手段１２により決定されたサンプルウェハに対応するＱＣ予測値を読み出す。ＱＣ予測値のウェハ面内分布は、過去のロットのＱＣ実測値に対する装置内部情報の寄与率に基づいて、例えば図４〜図９に示すようなパターンに予め分類されている。図４のウェハ面内分布は、ウェハ右側外周部にＱＣ予測値の最大値Ｗmaxがあり且つＱＣ予測値がウェハ左側に向かって単調に減少している。図５のウェハ面内分布は、ウェハ中央部にＱＣ予測値の最大値Ｗmaxがあり且つ上に凸である。図６のウェハ面内分布は、ウェハ面内分布が一様で、例えばＱＣ予測値の最大値と最小値の差が２ｎｍ未満である。図７のウェハ面内分布は、ウェハ外周部にＱＣ予測値の最大値Ｗmaxがあり且つ下に凸である。図８のウェハ面内分布は、ウェハ左側外周部にＱＣ予測値の最大値Ｗmaxがあり且つＱＣ予測値がウェハ右側に向かって単調減少している。図９のウェハ面内分布は、ＱＣ予測値の最大値Ｗmaxと最小値Ｗminの差が２ｎｍ以上で且つランダムな分布である。
【００２１】
レシピ選択手段１３は、ＱＣ予測値のウェハ面内分布に基づいて、対象とするロットのサンプルウェハに適用するＱＣレシピである「適用レシピ」を、レシピ記憶部２４に格納された複数のレシピから選択・決定する。図１に示したレシピ記憶部２４には、例えば図１０に示すように、レシピ（１−１）〜（１−６），（２−１）〜（２−６）、及び標準レシピ等が格納されている。レシピ（１−１）〜（１−６），（２−１）〜（２−６）、及び標準レシピは、図３に示したスペック領域Ａ〜Ｃ、及び図４〜図９に示したウェハ面内分布のパターン毎にサンプリング密度を分類している。
【００２２】
図１に示したレシピ選択手段１３は、ウェハ面内のスペックアウト確率が高い部位（ショット領域）を高密度にサンプリングして測定する適用レシピを選択する。例えば、ＱＣ予測値がスペック領域Ａに該当すると予測された場合には、図１０に示したレシピ（１−１）〜（１−６）のグループから適用レシピを以下で説明するように選択する。図４に示すように対象とするロットのＱＣ予測値が左側に向かって単調に減少する時は、図１１に示すようなサンプルウェハ１０３の右側外周部のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（１−１）に決定する。図５に示すように、ＱＣ予測値の面内分布が上に凸の場合、図１２に示すようなサンプルウェハ１０３の中央部のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（１−２）を選択する。図６に示すように、面内分布が一様の場合、図１３に示すように標準レシピと同様のサンプリング密度が一様のレシピ（１−３）を選択する。図７に示すようにＱＣ予測値の面内分布が下に凸の場合、図１４に示すようなサンプルウェハ１０３の外周部のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（１−４）を選択する。図８に示すようにＱＣ予測値が右側に向かって単調減少する時、図１５に示すようなサンプルウェハ１０３の左側外周部のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（１−５）を選択する。図９に示すようにランダムな面内分布の場合、図１６に示すように面内全体のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（１−６）を選択する。
【００２３】
一方、ＱＣ予測値がスペック領域Ｂに相当する場合、図１０に示したレシピ（２−１）〜（２−６）のグループから適用レシピを以下のように選択する。図４に示すようにＱＣ予測値が右側に向かって単調に増加する時は、図１５に示すようなサンプルウェハ１０３の左側外周部が標準レシピの２倍のレシピ（２−１）を選択する。図５に示すようにＱＣ予測値の面内分布が上に凸の場合、図１４に示すようなサンプルウェハ１０３の外周部のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（２−２）を選択する。図６に示すようにウェハ面内分布が一様の場合、図１３に示すような標準レシピと同様のレシピ（２−３）を選択する。図７に示すように下に凸の面内分布である場合、図１２に示すようにサンプルウェハ１０３の中央部のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（２−４）を選択する。図８に示すようにＱＣ予測値が左側に向かって単調増加する時、図１１に示すようにサンプルウェハ１０３の右側外周部のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（２−５）を選択する。図９に示すようにランダムな面内分布の場合、図１６に示すように面内全体のサンプリング密度が標準レシピの２倍のレシピ（２−６）を選択する。また、ＱＣ予測値がスペック領域Ｃに該当する場合、図１３に示すような標準レシピを選択する。
【００２４】
図１に示した処理制御手段１４は、測定装置４の処理を制御する。測定装置４では、レシピ選択手段１３により決定した適用レシピ（１−１）〜（１−６），（２−１）〜（２−６）又は標準レシピを用いて、図１１〜図１６に示すように、サンプルウェハ１０３に対してショット領域１０４（黒で図示）をサンプリングする。サンプリングされたショット領域１０４に対してＱＣ測定を行い、寸法変換差等を「ＱＣ実測値」として得る。
【００２５】
図１に示したレポート作成手段１５は、図１７〜図２６に示すようなＱＣ測定結果を示すレポートを作成する。図１７においては、全ウェハのウェハ番号、サンプルウェハの場合はそのレシピ名、ＱＣ予測値、ＱＣ実測値などの項目が記載されている。各ウェハのＱＣ予測値とターゲット値の差分Ａや、各ウェハのＱＣ予測値とスペック領域Ｃで測定されるウェハのＱＣ予測値との差分Ｂも記載される。図１８においては、ＱＣ予測値のウェハ面内分布及びレシピ選択の妥当性の判定結果が記載されている。ＱＣ実測値の面内傾向が、装置内部情報の面内傾向分類とほぼ一致していれば、「レシピＯＫ」と記載される。「レシピＮＧ」であれば、誤ったレシピの選択・ダイナミックサンプリングを行ったことになるので、装置内部情報から推定する面内傾向分類のやり方を変更する必要が生じる。
【００２６】
図１９及び図２０に示したレポートの一部にはロットのスペック領域別頻度、及びスペック領域別頻度の累積値がそれぞれ記載されている。累積値を集計する期間は適宜任意に設定可能である。図２１及び図２２には、各ロット毎のスペック領域Ａのレシピ頻度、及びスペック領域Ａのレシピ頻度の累積値が記載されている。図２３及び図２４には、各ロット毎のスペック領域Ｂのレシピ頻度、及びスペック領域Ｂのレシピ頻度の累積値が記載されている。図２５には、ロット内全ウェハのＱＣ予測値のプロットが明示されている。図２６においては、ターゲット値及びスペック領域Ｃに該当するＱＣ予測値とＱＣ実測値のトレンドが記載されている。
【００２７】
図１に示した良否判定手段１６は、スペック記憶部２３に格納されたスペック管理幅Ｗcを参照して、ＱＣ実測値に基づいてロットの良否を判定する。例えば、良否判定手段１６は、全てのＱＣ実測値がスペック管理幅Ｗc内であればロットを良品と判定し、スペック管理幅Ｗc外のＱＣ実測値があれば不良品と判定する。なお、良否判定は、図１７〜図２６に示したレポートを作業者が目視して行っても良い。図１に示したＦＤＣ手段１７は、ＱＣ予測値が極端にスペック管理幅Ｗcから外れる場合に異常を検知し、異常が発生した旨及び異常の種類を出力装置等に通知する。また、処理装置１０の処理を一時停止や強制終了させる指示を出すことも可能である。
【００２８】
また、ＣＰＵ１には、図示を省略した記憶装置管理手段が備えられている。データ記憶装置２との入出力が必要な場合は、記憶装置管理手段を介して、必要なファイルの読み出し・書き込み処理がなされる。また、ＣＰＵ１には、入力装置５、出力装置６等を図示を省略した入出力制御装置（インターフェース）が接続されている。入力装置５としては、例えばキーボード、マウス、ＯＣＲ等の認識装置、イメージスキャナ等の図形入力装置、音声入力装置等の特殊入力装置が使用可能である。入力装置５より管理実行者（工場管理者）は、入出力データを指定したり、用いるアプリケーションの変更を指定できる。更に、入力装置５より解析に用いるモデルを設定することも可能で、又、演算の実行や中止等の指示の入力も可能である。出力装置６としては、液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ等の表示装置や、インクジェットプリンタ、レーザプリンタ等の印刷装置等を用いることができる。出力装置６が入出力データや解析結果、異常／正常の状態や解析パラメータ等を表示し、工場管理者が統一的に監視できるようにしても良い。
【００２９】
データ記憶装置２は、データ取得装置３により取得される装置内部情報を記憶・蓄積する装置内部情報記憶部２１、測定装置４により測定された過去から現在までのＱＣ実測値を記憶・蓄積するＱＣ値記憶部２２、図３に示したスペック管理幅Ｗcを記憶するスペック記憶部２３、図１０に示したレシピを格納するレシピ記憶部２４、及びレポート作成手段１５により作成された図１７〜図２６に示すようなレポートを記憶するレポート記憶部２５を備える。データ記憶装置２には、ＲＯＭ及びＲＡＭが組み込まれている。ＲＯＭは、ＣＰＵ１において実行されるプログラムを格納しているプログラム記憶装置等として機能する。ＲＡＭは、ＣＰＵ１におけるプログラム実行処理中に利用されるデータ等を一時的に格納したり、作業領域として利用される一時的なデータメモリ等として機能する。データ記憶装置２としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクや磁気テープ等が採用可能である。
【００３０】
次に、図１に示した品質管理システムを用いた品質管理方法の一例を、図２７のフローチャートを参照しながら説明する。
【００３１】
（イ）ステップＳ１１１において、図１に示した処理装置１０を用いて対象とするロットのウェハプロセスを開始する。ステップＳ１１２において、データ取得装置３は、プロセス中の処理装置１０からリアルタイムに装置内部情報を取得する。取得された装置内部情報は、装置内部情報記憶部２１に随時格納される。ステップＳ１１３において、ウェハプロセスを終了する。
【００３２】
（ロ）ステップＳ１２０において、ＱＣ値予測手段１１は、装置内部情報記憶部２１に格納された過去の装置内部情報、及びＱＣ値記憶部２２に格納された過去のロットのＱＣ実測値をそれぞれ読み出す。ＱＣ値予測手段１１は、過去のロットのＱＣ実測値と過去の装置内部情報の相関を参照して、ステップＳ１１２でデータ取得装置３により取得された対象とするロットの装置内部情報に基づいて、例えば図２に示した寸法変換差Ｗd等の「ＱＣ予測値」を対象とするロットに対してウェハ毎に予測する。
【００３３】
（ハ）ステップＳ１３０において、ウェハ決定手段１２は、スペック記憶部２３から図３に示したスペック管理幅Ｗcを読み出して、対象とするロット内のウェハのそれぞれのＱＣ予測値がスペック管理幅Ｗcのスペック領域Ａ〜Ｃのいずれに該当するか判定する。ＱＣ予測値がスペック領域Ａ又はスペック領域Ｂに該当する場合、そのウェハをサンプルウェハに決定し、ステップＳ１４１又はＳ１４２にそれぞれ進む。一方、スペック領域Ｃに該当する場合にはこの時点ではそのウェハを測定対象とはしない。ステップＳ１４３に進み、ウェハ決定手段１２は、ロット内でスペック領域Ｃに該当する全ウェハのうち、平均的な装置内部情報を示す１枚のウェハをサンプルウェハに決定し、ステップＳ１４４に進む。
【００３４】
（ニ）ステップＳ１４１において、レシピ選択手段１３は、レシピ記憶部２４に格納されたウェハ内のサンプリング密度の分布により分類した図１０に示した複数のレシピを読み出す。レシピ選択手段１３は、図４〜図９に示したウェハ面内分布に応じて、サンプルウェハのそれぞれに対して、図１０に示したレシピ（１−１）〜（１−６）のうちステップアウト確率の高いショット領域を高密度にサンプリングする適用レシピを選択する。ステップＳ１４２において、レシピ選択手段１３は、図４〜図９に示したウェハ面内分布に応じて、図１０に示したレシピ（２−１）〜（２−６）のうちステップアウト確率の高いショット領域を高密度にサンプリングする適用レシピを選択する。ステップＳ１４４において、レシピ選択手段１３は、スペック領域Ｃに該当するウェハ及びＱＣ予測値の異常が検知されたウェハに対して適用する適用レシピとしては、面内から均一にサンプリングする標準レシピを選択する。
【００３５】
（ホ）ステップＳ１５０において、測定装置４は、対象とするロットを構成する複数のウェハのうちそれぞれのサンプルウェハに対して、レシピ選択手段１３により選択された適用レシピ（１−１）〜（１−６），（２−１）〜（２−６）、又は標準レシピのいずれかを用いて、ウェハ面内の測定対象となるショット領域をサンプリングしてＱＣ測定を行う。測定結果（ＱＣ実測値）は、ＱＣ値記憶部２２に格納される。
【００３６】
（ヘ）ステップＳ１６０において、レポート作成手段１５は、図１７〜図２６に示すようなＱＣ測定結果等を記載したレポートを対象とするロットに対し作成する。作成されたレポートは、出力装置６のモニタ表示等して出力される。ステップＳ１７０において、次ロットがあればステップＳ１１１の手順に戻り、すべてのロット処理が終了したら、ステップＳ１８０に進む。ステップＳ１８０において、良否判定手段１６は、ＱＣ測定結果に基づいて対象とするロットの良否を判定する。良否判定手段１６の代わりに作業者が、図１７〜図２６に示したレポートに基づいて良否判定しても良い。また、すべてのロット処理が終了してから良否判定を行うのではなく、ロット処理毎に良否判定をそれぞれ行っても良い。
【００３７】
本発明の第１の実施の形態によれば、装置内部情報が変動し得る処理装置１０で処理された対象とするロットに対して、最適なダイナミックサンプリングを行うことで、スペックアウト確率の高いウェハ及びショット領域をもれなく測定することができる。したがって、不良ロットの見逃しによる損失を減少可能となる。
【００３８】
更に、スペック領域Ｃに該当するＱＣ測定が必須でないウェハの測定は、スペック領域Ｃに該当する全ウェハのうち１ウェハを測定対象とするので、ＱＣ測定に要する時間及びコストを必要最低限に抑制することができる。なお、時間及びコストの許す限り１枚以上のウェハを測定対象としても良いのは勿論である。
【００３９】
また、スペック領域Ｃにより健全と思われるウェハのＱＣ実測値と対応する装置内部情報、及びＱＣ実測値と装置内部情報の相関データをデータ記憶装置２に蓄積し、ＱＣ予測値の面内分布及びレシピ選択の妥当性の判定結果からシステムの信頼性を毎ロットチェックすることで、ダイナミックサンプリングの精度を上げることができる。したがって、誤ったダイナミックサンプリングによる歩留まり低下を抑制することができる。
【００４０】
図２７に示した一連の手順は、図２７と等価なアルゴリズムのプログラムにより、図１に示した品質管理システムを制御して実行できる。このプログラムは、本発明の品質管理システムを構成するコンピュータシステムのプログラム記憶装置（図示省略）に記憶させればよい。また、このプログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、この記録媒体を品質管理システムのプログラム記憶装置に読み込ませることにより、本発明の実施の形態の一連の手順を実行することができる。ここで、「コンピュータ読取り可能な記録媒体」とは、例えばコンピュータの外部メモリ装置、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープなどのプログラムを記録することができるような媒体などを意味する。具体的には、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯディスク、カセットテープ、オープンリールテープなどが「コンピュータ読取り可能な記録媒体」に含まれる。例えば、品質管理システムの本体は、フレキシブルディスク装置（フレキシブルディスクドライブ）及び光ディスク装置（光ディスクドライブ）を内蔵若しくは外部接続するように構成できる。フレキシブルディスクドライブに対してはフレキシブルディスクを、また光ディスクドライブに対してはＣＤ−ＲＯＭをその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムを品質管理システムを構成するプログラム記憶装置にインストールすることができる。また、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばゲームパック等に利用されているメモリ装置としてのＲＯＭや、磁気テープ装置としてのカセットテープを用いることもできる。更に、インターネット等の情報処理ネットワークを介して、このプログラムをプログラム記憶装置に格納することが可能である。
【００４１】
次に、図２８のフローチャートを用いて、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法（ロット単位のウェハ処理方法）の一例を説明する。なお、図２８では製造工程の一部のみ説明するが、実際の製造工程では図示しない多数の工程を経るのは勿論のことである。
【００４２】
（イ）まず、ステップＳ０において、第１のロット内のウェハを処理装置（ＲＩＥ装置）１０を用いて処理し、そのＱＣ測定によるＱＣ実測値をＱＣ値記憶部２２に格納する。ＱＣ値記憶部２２には、現時点までにＱＣ測定により得られた過去のＱＣ実測値を予め蓄積しておく。
【００４３】
（ロ）ステップＳ１において、第１のロットと異なる第２のロット内のウェハに対して、被エッチング材上にレジスト膜を塗布する。ステップＳ２において、リソグラフィ技術を用いてレジスト膜をパターニングし、図２に示すようなレジストパターン１００等を形成する。ステップＳ３において、図１に示した測定装置４を用いてＱＣ測定を行い、レジストパターン１００の線幅Ｗｒを測定する。レジストパターン１００の線幅Ｗｒは図１に示したＱＣ値記憶部２２に格納される。
【００４４】
（ハ）ステップＳ４において、第２のロット内のウェハに対して、パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて、図１に示した処理装置（ＲＩＥ装置）１０を用いたＲＩＥにより被エッチング材を加工して、図２に示すような仕上がりパターン１０１等を形成する。このとき、データ取得装置３が、第２のロットの処理における処理装置（ＲＩＥ装置）１０の装置内部情報をリアルタイムに取得する。
【００４５】
（ハ）ステップＳ５において、図２７に示したステップＳ１３０〜Ｓ１８０の手順と同様に、ＱＣ値記憶部２２に記憶された第２のロットを含む過去のロットのＱＣ実測値と第２のロットの処理における装置内部情報に基づいて第２のロットのＱＣ予測値を予測し、ＱＣ予測値に基づいてサンプルウェハを決定し、ＱＣ予測値に基づいてサンプルウェハに適用する適用レシピをレシピ記憶部２４の複数のレシピから選択し、適用レシピを用いてサンプルウェハに対して仕上がりパターン１０１の線幅Ｗpを測定する。仕上がりパターン１０１の線幅ＷpはＱＣ値記憶部２２に格納される。仕上がりパターン１０１の線幅Ｗpとレジストパターン１００の線幅Ｗｒとの寸法変換差Ｗdが求められ、寸法変換差Ｗdに基づいて第２のロットの良否が判定される。
【００４６】
本発明の実施の形態に係るロット単位のウェハ処理方法によれば、不良ロットの見逃しを減少可能となるので、半導体装置製造の歩留まりを向上可能となる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る品質管理システムは、図２９に示すように、データ記憶装置２が良品データ記憶部２６及び不良品データ記憶部２７を更に備え、ＣＰＵ１が管理幅決定手段１８を更に備える点が、図１に示した品質管理システムと異なる。
【００４８】
管理幅決定手段１８は、ＦＤＣや統計的プロセス管理（ＳＰＣ）で用いる「管理幅」を決定する。「ＦＤＣ」は、ＦＤＣ手段１７のように、処理装置１０の監視を絶えず行い、処理装置１０のズレが製品歩留まりに悪影響を与える前に、ウェハ製造で使用される処理装置１０をシャットダウンすることによってウェハへのリスクを低減する。「ＳＰＣ」は、製造工程の各チェックポイントで収集された膨大なデータに基づいて統計的処理を行って製造条件や各工程での半導体装置の品質の推移（傾向）をモニタして管理する。「管理幅」は、ＦＤＣやＳＰＣで異常や品質の判定基準となる閾値である。ＦＤＣやＳＰＣにおいては、ロットのＱＣ実測値が管理幅に基づいて、処理装置１０やプロセスの異常、ロットの良。・不良をそれぞれ判断する。
【００４９】
良品データ記憶部２６は、装置内部情報記憶部２１に格納された装置内部情報のうち、ウェハが管理幅内と判定されたときの装置内部情報（良品データ）、及び良品データ記憶部２６に格納可能な良品データの規定数を格納する。不良品データ記憶部２７は、装置内部情報記憶部２１に格納された装置内部情報のうち、ウェハが管理幅外と判定されたときの装置内部情報（不良品データ）、及び不良品データ記憶部２７に格納可能な不良品データの規定数を格納する。
【００５０】
管理幅決定手段１８は、良品データ記憶部２６に格納された良品データ、及び不良品データ記憶部２７に格納された不良品データに基づいて、管理幅を決定・更新する。以下、管理幅の決定手順を説明する。良品データ記憶部２６に格納されている全良品データの平均値及び標準偏差と、不良品データ記憶部２７に格納されている全不良品データの平均値及び標準偏差を算出する。そして、良品データ及び不良品データのそれぞれのマハラノビス距離を計算する。良品データの平均値をｘAG、不良品データの平均値をｘANG、良品データの標準偏差をσG、不良品データの標準偏差をσNGとして、下記式（１）が成り立つ係数Ａを求める。
【００５１】
ＡσG＋ＡσNG＝｜ｘANG−ｘAG｜      …（１）
そして、図３０に良品データ及び不良品データが単変量の場合、図３１に良品データ及び不良品データが多変量の場合を示すように、例えば管理幅のマハラノビス距離が等しくなる位置、即ち良品データの平均値ｘAGからＡσGの位置、或いは不良品データの平均値ｘANGからＡσNGの位置を管理幅を規定する上下限の閾値として決定する。
【００５２】
また、管理幅決定手段１８は、良品データのみから管理幅を決定することもできる。この場合、良品データを用いて求めた平均値（移動平均値）を中心とし、標準偏差±σをα倍（αは任意の数）を管理値を規定する上下限の閾値として決定する。管理幅決定手段１８により、図３２に示すように、ロット処理が進行するとともに、管理幅Ｗcが随時更新されていく。以前の管理幅Ｗcが厳しめであった場合には、管理幅Ｗcは拡がる傾向となり、甘い管理幅Ｗcであった場合には狭まる傾向となる。
【００５３】
次に、図２９に示した品質管理システムを用いた品質管理方法を、図３３のフローチャートを参照しながら説明する。
【００５４】
（イ）ステップＳ２１０において、図２７に示したステップＳ１１１〜Ｓ１８０と同様の手順でＱＣ測定を行う。この際、ウェハのＱＣ実測値がＦＤＣ又はＳＰＣの管理幅内か判定される。ＱＣ実測値が管理幅内であればステップＳ２１１に進む。一方、ＱＣ実測値が管理幅外であればステップＳ２２１に進む。
【００５５】
（ロ）ステップＳ２１１において、良品データ記憶部２６内のデータ数が規定数以下か判定する。規定数を越えていると判定された場合、ステップＳ２１２において、良品データ記憶部２６内の最も古いデータを削除する。ステップＳ２１３において、最新のデータを良品データ記憶部２６に格納する。ステップＳ２４１において、良品データの平均値（移動平均値）を算出し、移動平均値を中心とし、標準偏差±σをα倍（αは任意の数）を上下限の閾値とする管理幅を決定する。
【００５６】
（ハ）ステップＳ２１１で規定数以下と判定されたときには、ステップＳ２１２に進み良品データを良品データ記憶部２６にそのまま格納する。ステップＳ２１５において、良品データ記憶部２６に記憶されたデータの平均値を計算する。ステップＳ２１６において、良品データ記憶部２６に格納されたデータの標準偏差を計算する。
【００５７】
（ニ）ステップＳ２２１において、不良品データ記憶部２７内のデータ数が規定数以下か判定する。規定数を越えていると判定された場合、ステップＳ２２２において、不良品データ記憶部２７内の最も古いデータを削除する。ステップＳ２２３において、最新のデータを不良品データ記憶部２７に格納する。ステップＳ２２１で規定数以下と判定されたときには、ステップＳ２２４に進み、データを不良品データ記憶部２７にそのまま格納する。ステップＳ２２５において、不良品データ記憶部２７に記憶されたデータの平均値を計算する。ステップＳ２２６において、不良品データ記憶部２７に格納されたデータの標準偏差を計算する。
【００５８】
（ホ）ステップＳ２４０において、図３０及び図３１に示した良品データと不良品データのマハラノビス距離が等しくなる位置を計算し、その位置を上下限の閾値とした管理幅を決定する。ステップＳ２４１又はステップＳ２４０において決定された管理幅で以前の管理幅を更新し、次回のＦＤＣやＳＰＣでは最新の管理幅を用いる。
【００５９】
従来、ＦＤＣやＳＰＣの管理幅は固定値で管理され、変更指示がされない限り非常に甘い管理幅や厳しすぎる管理幅を使い続けていた。このため、不良の見逃しや虚報（良品を不良品と判定する）が発生し、損失が生じていた。これに対して、本発明の第２の実施の形態によれば、常に最新の装置内部情報を用いることにより、即ち装置内部情報の変動に追従した管理幅を設定することにより、処理装置１０の状態が変化しても適正な管理幅に自動的に更新できる。したがって、異常に甘い管理幅での不良ロット見逃し、或いは異常に厳しい管理幅での正常ロットスクラップによる損失を防止できる。
【００６０】
更に、良品データのみでなく、不良品データも用いてマハラノビス距離を計算し、良品／不良品の判別に適した管理幅を決定することで、不良ロット見逃し及び虚報による損失を減少できる。なお、マハラノビス距離が等しい位置を管理幅の閾値として決定したが、良品データ側又は不良品データ側にずれた位置を管理幅の閾値としても良い。
【００６１】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、図３に示すようにスペック領域Ａ、スペック領域Ｂ、スペック領域Ｃの３つの領域で分類したが、４つ以上の領域に細分化し、レシピを更に多様に選択しても良い。また、スペック領域Ａ及びスペック領域Ｂをそれぞれスペック上下限値の９０％以上及び１０％以下の領域としたが、スペック領域Ａ〜Ｃの境界位置は一例であり特に限定されるものではない。また、図４〜図９にウェハ面内分布を２次元で示したが、３次元のデータを用いて更に細かくレシピを選択しても良い。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る品質管理システムの一例を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ予測値（寸法変換差）の一例を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るスペックの一例を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ予測値（寸法変換差）のウェハ内分布傾向を示すグラフ（その１）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ予測値（寸法変換差）のウェハ内分布傾向を示すグラフ（その２）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ予測値（寸法変換差）のウェハ内分布傾向を示すグラフ（その３）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ予測値（寸法変換差）のウェハ内分布傾向を示すグラフ（その４）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ予測値（寸法変換差）のウェハ内分布傾向を示すグラフ（その５）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ予測値（寸法変換差）のウェハ内分布傾向を示すグラフ（その６）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係るレシピの一覧を示す表である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係るショット領域をサンプリングする手順を説明するためのウェハの模式図（その１）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係るショット領域をサンプリングする手順を説明するためのウェハの模式図（その２）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係るショット領域をサンプリングする手順を説明するためのウェハの模式図（その３）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係るショット領域をサンプリングする手順を説明するためのウェハの模式図（その４）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係るショット領域をサンプリングする手順を説明するためのウェハの模式図（その５）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係るショット領域をサンプリングする手順を説明するためのウェハの模式図（その６）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部を示す表である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部を示すウェハ模式図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部である各領域の占有率を示すグラフである。
【図２０】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部である各領域の占有率の累積値を示すグラフである。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部であるスペック領域Ａの各レシピの占有率を示すグラフである。
【図２２】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部であるスペック領域Ａの各レシピの占有率の累積値を示すグラフである。
【図２３】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部であるスペック領域Ｂの各レシピの占有率を示すグラフである。
【図２４】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部であるスペック領域Ｂの各レシピの占有率の累積値を示すグラフである。
【図２５】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部であるＱＣ予測値のロット内ばらつきを示すグラフである。
【図２６】本発明の第１の実施の形態に係るＱＣ測定結果を示すレポートの一部であるＱＣ値のトレンドを示すグラフである。
【図２７】本発明の第１の実施の形態に係る品質管理方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図２８】本発明の第１の実施の形態に係るロット単位のウェハ処理方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係る品質管理システムの一例を示すブロック図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係る単変量解析の場合のマハラノビス距離を説明するためのグラフである。
【図３１】本発明の第２の実施の形態に係る多変量解析の場合のマハラノビス距離を説明するためのグラフである。
【図３２】本発明の第２の実施の形態に係るスペックのトレンドを説明するためのグラフである。
【図３３】本発明の第２の実施の形態に係る品質管理方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１…中央演算処理装置（ＣＰＵ）
２…データ記憶装置
３…データ取得装置
４…測定装置
５…入力装置
６…出力装置
７…バス
１０…処理装置
１１…ＱＣ値予測手段
１２…ウェハ決定手段
１３…レシピ選択手段
１４…処理制御手段
１５…レポート作成手段
１６…良否判定手段
１７…異常検知分類（ＦＤＣ）手段
１８…管理幅決定手段
２１…装置内部情報記憶部
２２…ＱＣ値記憶部
２３…スペック記憶部
２４…レシピ記憶部
２５…レポート記憶部
２６…良品データ記憶部
２７…不良品データ記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2006293433.tif 000020
【図１９】
2006293433.tif 000021
【図２０】
2006293433.tif 000022
【図２１】
2006293433.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2006293433.tif 000026
【図２５】
2006293433.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
2006293433.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
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