(57)【要約】【課題】  基板などの表面に均一な表面改質処理ができる表面改質装置および表面改質方法を提供する。【解決手段】  表面改質装置であるプラズマ処理装置２０は、対向基板２を載置する載置電極２３と、載置電極２３の対向基板２の載置面側に対して所定の間隙をもって位置する対向電極２２と、当該間隙へ処理ガスを供給するガス供給部２７と、載置電極２３および対向電極２２へ電圧を印加して当該間隙に放電を生じさせる交流電源２１と、対向基板２に対峙するように対向電極２２に設けられた溝状の対向溝部２５ａと、を備え、電圧の印加時に、対向基板２と対向溝部２５ａに対応する間隙においては放電を生じさせず、放電突起部２６ａと載置電極２３との間隙において放電を生じさせることを特徴とする。【選択図】      図３
2006173037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を載置するための載置電極と、
前記載置電極の前記被処理物の載置面側に対して所定の間隙をもって位置する対向電極と、
前記間隙へ処理ガスを供給するガス供給部と、
前記載置電極および前記対向電極へ電圧を印加して前記間隙に放電を生じさせる電源部と、を備え、
少なくとも前記被処理物に対応する前記間隙においては、前記電圧の印加時に前記放電を生じさせないための放電抑制部を前記載置電極と前記対向電極のうち少なくとも一方に設けたことを特徴とする表面改質装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表面改質装置において、
前記載置電極は、前記被処理物を前記処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置し、前記処理ガスの流れの方向に移動可能であることを特徴とする表面改質装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表面改質装置において、
前記対向電極は、前記放電抑制部として、前記複数の列と対峙する位置に設けられた対向溝部を有することを特徴とする表面改質装置。
【請求項４】
請求項２に記載の表面改質装置において、
前記載置電極は、前記放電抑制部として、前記複数の列を形成するように前記被処理物を載置する載置溝部を有することを特徴とする表面改質装置。
【請求項５】
請求項２に記載の表面改質装置において、
前記対向電極は、前記放電抑制部として、前記被処理物の前記複数の列と対峙する位置に設けられた電気絶縁性の絶縁部を有することを特徴とする表面改質装置。
【請求項６】
被処理物を載置するための載置電極と、
前記載置電極の前記被処理物の載置面側に対して所定の間隙をもって位置する対向電極と、
前記間隙へ処理ガスを供給するガス供給部と、
前記載置電極および前記対向電極へ電圧を印加して前記間隙に放電を生じさせる電源部と、を備え、
前記被処理物に対応していない前記間隙においては、前記電圧の印加時に前記放電を生じさせないための放電抑制部を前記載置電極と前記対向電極のうち少なくとも一方に設けたことを特徴とする表面改質装置。
【請求項７】
請求項６に記載の表面改質装置において、
前記載置電極は、前記被処理物を前記処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置し、前記処理ガスの流れの方向に移動可能であることを特徴とする表面改質装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表面改質装置において、
前記載置電極は、前記放電抑制部として、前記被処理物の載置位置以外の部分に設けられた電気絶縁性の絶縁部を有することを特徴とする表面改質装置。
【請求項９】
請求項７に記載の表面改質装置において、
前記載置電極は、前記被処理物が突起させられた状態で載置されるように形成された載置突起部を有することを特徴とする表面改質装置。
【請求項１０】
被処理物を載置電極へ載置する載置工程と、
前記載置電極と前記載置電極の前記被処理物の載置面側に対向して位置する対向電極との間隙へ処理ガスをガス供給部によって供給する供給工程と、
前記載置電極および前記対向電極へ電圧を印加する印加工程と、
前記電圧を印加して放電が生じたときに、少なくとも前記被処理物に対応する前記間隙においては、前記放電を生じさせないための放電抑制部を前記載置電極と前記対向電極のうち少なくとも一方に設けて前記放電を制御する放電工程と、を有することを特徴とする表面改質方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の表面改質方法において、
前記載置工程は、前記処理ガスの流れの方向に移動可能な前記載置電極へ前記被処理物を前記処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置する工程であることを特徴とする表面改質方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表面改質方法において、
前記放電工程は、前記放電抑制部として、前記対向電極に対し前記複数の列と対峙する位置に対向溝部が設けられ、前記対向溝部に対応していない前記間隙において前記放電を生じさせる工程であることを特徴とする表面改質方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の表面改質方法において、
前記放電工程は、前記放電抑制部として、前記載置電極に対し前記複数の列を形成するように前記被処理物を載置する載置溝部が設けられ、前記載置溝部に対応していない前記間隙において前記放電を生じさせる工程であることを特徴とする表面改質方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の表面改質方法において、
前記放電工程は、前記放電抑制部として、前記対向電極に対し前記被処理物の前記複数の列と対峙する位置に電気絶縁性の絶縁部が設けられ、前記絶縁部に対応していない前記間隙において前記放電を生じさせる工程であることを特徴とする表面改質処理方法。
【請求項１５】
被処理物を載置電極へ載置する載置工程と、
前記載置電極と前記載置電極の前記被処理物の載置面側に対向して位置する対向電極との間隙へ処理ガスをガス供給部によって供給する供給工程と、
前記載置電極および前記対向電極へ電圧を印加する印加工程と、
前記電圧を印加して放電が生じたときに、前記被処理物に対応していない前記間隙においては、前記放電を生じさせないための放電抑制部を前記載置電極と前記対向電極のうち少なくとも一方に設けて前記放電を制御する放電工程と、を有することを特徴とする表面改質方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の表面改質方法において、
前記載置工程は、前記処理ガスの流れの方向に移動可能な前記載置電極へ前記被処理物を前記処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置する工程であることを特徴とする表面改質方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の表面改質方法において、
前記放電工程は、前記放電抑制部として、前記載置電極に対し前記被処理物の載置位置以外の部分に電気絶縁性の絶縁部が設けられ、前記被処理物に対応する前記間隙においてのみ前記放電を生じさせる工程であることを特徴とする表面改質方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の表面改質方法において、
前記放電工程は、前記載置電極に前記被処理物が突起させられた状態で載置されるように載置突起部が設けられ、前記載置突起部に対応する前記間隙において前記放電を生じさせる工程であることを特徴とする表面改質方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板などの表面に各種薄膜を形成する際に表面の改質処理をするための表面改質装置および表面改質方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置の基板表面に配向膜などの薄膜をインクジェット方式で形成する際に、基板と薄膜との密着性を向上させる目的でプラズマ処理装置（表面改質装置）によって基板の表面改質処理を行っている。液晶表示装置の場合、基板表面は、表面改質処理により薄膜を形成するインク（薄膜形成液）に対して親液性を有する面となる。プラズマ処理装置を用いた表面改質については特許文献１に概略が記載されている。
【０００３】
このプラズマ処理装置のさらに詳細について説明する。図１０は、従来のプラズマ処理装置の詳細を示す断面図および平面図である。プラズマ処理装置５０は、交流電源（電源部）５１に接続された平らな対向電極５２と、対向電極５２と一定空間を形成して位置する接地電極である載置電極５３とを備えている。載置電極５３は、対向電極５２との空間側に複数の基板５４を載置してＸ軸方向へ移動可能となっている。対向電極５２と載置電極５３との空間へは、酸素（Ｏ2）を主とするガスを載置電極５３の一端からガス導入方向（Ｘ軸方向）５５へ導入する。そして、対向電極５２と載置電極５３との間に電圧が印加されると気体放電が発生しプラズマが生成される。気体放電は、対向電極５２と載置電極５３とが直接対峙する領域が強放電領域５６となり、対向電極５２と基板５４とが対峙する部分が弱放電領域５７となる。それぞれの領域において発生したプラズマにより導入ガスが励起活性されてオゾンと活性酸素とが生成される。これらオゾンと活性酸素とにより基板５４の表面が親液処理される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１５８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の技術では、基板５４の表面が親液処理されるものの、放電の強弱により発生するオゾンおよび活性酸素の量が異なるため、強放電領域５６は、オゾンおよび活性酸素の発生が多く流動速度も速い高濃度領域５８である。また、弱放電領域５７は、オゾンおよび活性酸素の発生が少なく流動速度も遅い低濃度領域５９である。従って、強放電領域５６と弱放電領域５７とでは、オゾンおよび活性酸素の濃度、流動速度が異なり、その結果、基板５４の親液処理が不均一となる。このような基板５４の表面へインクジェット方式で薄膜を形成すると、不均一な親液処理のためインクの広がりがバラツいてムラのある薄膜が形成されてしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、基板などの表面に均一な表面改質処理ができる表面改質装置および表面改質方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表面改質装置は、被処理物を載置するための載置電極と、載置電極の被処理物の載置面側に対して所定の間隙をもって位置する対向電極と、間隙へ処理ガスを供給するガス供給部と、載置電極および対向電極へ電圧を印加して間隙に放電を生じさせる電源部と、を備え、少なくとも被処理物に対応する間隙においては、電圧の印加時に放電を生じさせないための放電抑制部を載置電極と対向電極のうち少なくとも一方に設けたことを特徴とする。
【０００８】
この表面改質装置によれば、被処理物は、載置電極に載置されており、載置電極と載置電極の被処理物の載置面に対して所定の間隙をもって対峙する対向電極とに電圧を印加して、所定の間隙に放電を発生させる。この場合、対向電極と被処理物との間隙での放電の強さと、対向電極と載置電極との間隙での放電の強さとは異なり、共に導電性の良い対向電極と載置電極との間隙での放電の強さの方が強放電となる。例えば、放電により生成された処理ガスの励起活性種と被処理物とを反応させて、被処理物を処理する場合などでは、強放電の領域と弱放電の領域とにおいて生成された励起活性種の濃度や流動速度が異なり、領域の各部における励起活性種の濃度が不均一である。そのため、被処理物が均一に処理されない。そこで、電圧の印加時に、少なくとも被処理物に対応する間隙においては放電を生じさせないように放電抑制部を設け、被処理物に対応する間隙での弱放電を生じさせない。これにより、放電は、放電抑制部以外の部分における強放電となる。強放電領域で生成された励起活性種の濃度や流動は、ほぼ均一であり、弱放電と混在していないため被処理物を覆うように均一に拡散する。従って、被処理物を均一に処理することができる。
【０００９】
この場合、載置電極は、被処理物を処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置し、処理ガスの流れの方向に移動可能であることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、載置電極に被処理物を処理ガスの流れの方向に沿って列状に載置し、その列をさらに複数形成する。そして、載置電極は、処理ガスの流れの方向に移動する。被処理物の載置された列と、処理ガスの流れの方向と、載置電極の移動方向とが同一であり、例えば放電により生成された処理ガスの励起活性種も、乱れずに整流となって被処理物を覆い、被処理物を均一に処理することができる。また、被処理物を複数の列として載置電極に載置することにより、多数の被処理物を一度の処理で処理できる。
【００１１】
この場合、対向電極は、放電抑制部として、複数の列と対峙する位置に設けられた対向溝部を有することが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、載置電極に載置された被処理物の複数の列に対峙するように、対向電極には、放電抑制部である対向溝部が設けられている。対向溝部により、対向溝部の底部と載置電極の被処理物との間隙は、対向溝部以外の対向電極の面と載置電極との間隙より長くなる。従って、対向溝部の底部と載置電極の被処理物との長い間隙には、放電がほとんど生じず、対向溝部以外の対向電極の面と載置電極との短い間隙に強放電が生じる。対向電極に対向溝部を設けることにより、被処理物に対応する間隙に放電が生じることをほぼ抑制できる。
【００１３】
また、載置電極は、放電抑制部として、複数の列を形成するように被処理物を載置する載置溝部を有することが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、載置電極に載置される被処理物は、載置されるべき列を形成している放電抑制部である載置溝部の底部に載置される。載置溝部により、載置溝部の被処理物と対向電極との間隙は、載置溝部以外の載置電極の面と対向電極との間隙より長くなる。従って、載置溝部の被処理物と対向電極との長い間隙には、放電がほとんど生じず、載置溝部以外の載置電極の面と対向電極との短い間隙に強放電が生じる。載置電極に載置溝部を設けることにより、被処理物に対応する間隙に放電が生じることをほぼ抑制できる。
【００１５】
そして、対向電極は、放電抑制部として、被処理物の複数の列と対峙する位置に設けられた電気絶縁性の絶縁部を有することが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、載置電極に載置されている被処理物の複数の列に対峙するように、対向電極に放電抑制部である絶縁部が設けられている。この絶縁部は電気絶縁性を有しており、絶縁部と対峙する被処理物と絶縁部との間隙には、放電が生じない。一方、絶縁部以外の対向電極の面と載置電極との間隙で強放電が生じる。絶縁部を設けることにより、例えば対向電極および載置電極に凹凸を形成しなくても、被処理物に対応する間隙に放電を生じさせないようにできる。
【００１７】
本発明の表面改質装置は、被処理物を載置するための載置電極と、載置電極の被処理物の載置面側に対して所定の間隙をもって位置する対向電極と、間隙へ処理ガスを供給するガス供給部と、載置電極および対向電極へ電圧を印加して間隙に放電を生じさせる電源部と、を備え、被処理物に対応していない間隙においては、電圧の印加時に放電を生じさせないための放電抑制部を載置電極と対向電極のうち少なくとも一方に設けたことを特徴とする。
【００１８】
この表面改質装置によれば、被処理物は、載置電極に載置されており、載置電極と載置電極の被処理物の載置面に対して所定の間隙をもって対峙する対向電極とに電圧を印加して、所定の間隙に放電を発生させる。ここで、電圧の印加時に、被処理物に対応していない間隙においては放電を生じさせないように放電抑制部を設け、被処理物に対応する間隙でのみ放電を生じさせる。これにより、放電は、被処理物に対応する間隙での放電のみとなる。例えば、放電領域で生成された処理ガスの励起活性種により被処理物を均一に処理する場合等では、励起活性種の濃度や流動が均一でなくてはならない。被処理物に対応する間隙でのみ放電を生じさせれば、放電条件の違いによる放電の強弱がなく、放電で生成される励起活性種の濃度や流動は、ほぼ均一となる。従って、被処理物を均一に処理することができる。
【００１９】
この場合、載置電極は、被処理物を処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置し、処理ガスの流れの方向に移動可能であることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、載置電極に被処理物を処理ガスの流れの方向に沿って列状に載置し、その列をさらに複数形成する。そして、載置電極は、処理ガスの流れの方向に移動する。被処理物の載置された列と、処理ガスの流れの方向と、載置電極の移動方向とが同一であり、例えば放電により生成された処理ガスの励起活性種も、乱れずに整流となって被処理物を覆い、被処理物を均一に処理することができる。また、被処理物を複数の列として載置電極に載置することにより、多数の被処理物を一度の処理で処理できる。
【００２１】
この場合、載置電極は、放電抑制部として、被処理物の載置位置以外の部分に設けられた電気絶縁性の絶縁部を有することが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、載置電極に載置されている被処理物の載置位置以外の部分に、放電抑制部である絶縁部が設けられている。この絶縁部は電気絶縁性を有しており、絶縁部と対峙する対向電極との間隙には、放電が生じない。一方、被処理物と対向電極との間隙では、放電が生じる。絶縁部を設けることにより、被処理物に対応する間隙にのみ放電を生じさせることができる。
【００２３】
また、載置電極は、被処理物が突起させられた状態で載置されるように形成された載置突起部を有することが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、被処理物は、載置電極に形成された載置突起部に載置されている。載置突起部は、載置電極の他の面より突起しており、載置突起部に載置された被処理物と対向電極との間隙は、他の載置電極の面と対向電極との間隙より短い。従って、載置突起部に載置された被処理物と対向電極との間隙では、放電が生じ、他の載置電極の面と対向電極との間隙では、ほとんど放電が生じない。載置突起部を設けることにより、被処理物に対応する間隙に主たる放電を生じさせることができる。
【００２５】
本発明の表面改質方法は、被処理物を載置電極へ載置する載置工程と、載置電極と載置電極の被処理物の載置面側に対向して位置する対向電極との間隙へ処理ガスをガス供給部によって供給する供給工程と、載置電極および対向電極へ電圧を印加する印加工程と、電圧を印加して放電が生じたときに、少なくとも被処理物に対応する間隙においては、放電を生じさせないための放電抑制部を載置電極と対向電極のうち少なくとも一方に設けて放電を制御する放電工程と、を有することを特徴とする。
【００２６】
この表面改質方法によれば、まず、載置工程で、被処理物を載置し、次に、供給工程で、処理ガスを供給し、印加工程で、電圧を印加する。そして、放電工程において、載置電極と対向電極との間隙に放電を発生させる。この場合、放電工程では、対向電極と被処理物との間隙での放電の強さと、対向電極と載置電極との間隙での放電の強さとは異なり、共に導電性の良い対向電極と載置電極との間隙での放電の強さの方が強放電となる。例えば、放電により生成された処理ガスの励起活性種と被処理物とを反応させて、被処理物を処理する場合などでは、強放電の領域と弱放電の領域とにおいて、生成された励起活性種の濃度や流動速度が異なり、領域の各部における励起活性種の濃度が不均一である。そのため、被処理物が均一に処理されない。そこで、電圧の印加時に、少なくとも被処理物に対応する間隙においては放電を生じさせないように放電抑制部を設け、被処理物に対応する間隙での弱放電を生じさせない。これにより、放電は、放電抑制部以外の部分における強放電となる。強放電領域で生成された励起活性種の濃度や流動は、ほぼ均一であり、弱放電と混在していないため被処理物を覆うように均一に拡散する。従って、被処理物を均一に処理することができる。
【００２７】
この場合、載置工程は、処理ガスの流れの方向に移動可能な載置電極へ被処理物を処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置する工程であることが好ましい。
【００２８】
この方法によれば、載置工程では、載置電極に被処理物を処理ガスの流れの方向に沿って列状に載置し、その列をさらに複数の列となるように形成する。そして、載置電極は、処理ガスの流れの方向に移動する。被処理物の載置された列と、処理ガスの流れの方向と、載置電極の移動方向とが同一であり、例えば放電により生成された処理ガスの励起活性種も、乱れずに整流となって被処理物を覆い、被処理物を均一に処理することができる。また、被処理物を複数の列として載置電極に載置することにより、多数の被処理物を一度の処理で処理できる工程である。
【００２９】
この場合、放電工程は、放電抑制部として、対向電極に対し複数の列と対峙する位置に対向溝部が設けられ、対向溝部に対応していない間隙において放電を生じさせる工程であることが好ましい。
【００３０】
この方法によれば、放電工程では、載置電極に載置された被処理物の複数の列に対峙するように、設けられた放電抑制部である対向溝部により、対向溝部の底部と載置電極の被処理物との間隙は、対向溝部以外の対向電極の面と載置電極との間隙より長くなる。従って、対向溝部の底部と載置電極の被処理物との長い間隙には、放電がほとんど生じず、対向溝部以外の対向電極の面と載置電極との短い間隙に強放電が生じる。対向電極に対向溝部を設けることにより、放電工程において、被処理物に対応する間隙に放電が生じることを抑制できる。
【００３１】
また、放電工程は、放電抑制部として、載置電極に対し複数の列を形成するように被処理物を載置する載置溝部が設けられ、載置溝部に対応していない間隙において放電を生じさせる工程であることが好ましい。
【００３２】
この方法によれば、放電工程では、載置電極に載置される被処理物は、載置されるべき列を形成している放電抑制部である載置溝部の底部に載置されている。載置溝部により、載置溝部の被処理物と対向電極との間隙は、載置溝部以外の載置電極の面と対向電極との間隙より長くなる。従って、載置溝部の被処理物と対向電極との長い間隙には、放電がほとんど生じず、載置溝部以外の載置電極の面と対向電極との短い間隙に放電が生じる。載置電極に載置溝部を設けることにより、放電工程において、被処理物に対応する間隙に放電が生じることをほぼ抑制できる。
【００３３】
そして、放電工程は、放電抑制部として、対向電極に対し被処理物の複数の列と対峙する位置に電気絶縁性の絶縁部が設けられ、絶縁部に対応しない間隙において放電を生じさせる工程であることが好ましい。
【００３４】
この方法によれば、放電工程では、被処理物の複数の列に対峙するように、放電抑制部である絶縁部が設けられている。この絶縁部は電気絶縁性を有しており、絶縁部と対峙する被処理物と絶縁部との間隙には、放電が生じない。一方、絶縁部以外の対向電極の面と載置電極との間隙で放電が生じる。絶縁部を設けることにより、放電工程において、例えば対向電極および載置電極に凹凸を形成しなくても、被処理物に対応する間隙に放電を生じさせないようにすることができる。
【００３５】
本発明の表面改質方法は、被処理物を載置電極へ載置する載置工程と、載置電極と載置電極の被処理物の載置面側に対向して位置する対向電極との間隙へ処理ガスをガス供給部によって供給する供給工程と、載置電極および対向電極へ電圧を印加する印加工程と、電圧を印加して放電が生じたときに、被処理物に対応していない間隙においては、放電を生じさせないための放電抑制部を載置電極と対向電極のうち少なくとも一方に設けて放電を制御する放電工程と、を有することを特徴とする。
【００３６】
この表面改質方法によれば、まず、載置工程で、被処理物を載置し、次に、供給工程で、処理ガスを供給し、印加工程で、電圧を印加する。そして、放電工程において、載置電極と対向電極との間隙に放電を発生させる。ここで、放電工程において、被処理物に対応していない間隙においては放電を生じさせないように放電抑制部を設け、被処理物に対応する間隙でのみ放電を生じさせる。これにより、放電は、被処理物に対応する間隙での放電のみとなる。例えば、放電領域で生成された処理ガスの励起活性種により被処理物を均一に処理する場合等では、励起活性種の濃度や流動が均一でなくてはならない。被処理物に対応する間隙でのみ放電を生じさせれば、放電条件の違いによる放電の強弱がなく、放電で生成される励起活性種の濃度や流動は、ほぼ均一となる。従って、被処理物を均一に処理することができる。
【００３７】
この場合、載置工程は、処理ガスの流れの方向に移動可能な載置電極へ被処理物を処理ガスの流れの方向に沿った複数の列となるように載置する工程であることが好ましい。
【００３８】
この方法によれば、載置工程では、載置電極に被処理物を処理ガスの流れの方向に沿って列状に載置し、その列をさらに複数の列となるように形成する。そして、載置電極は、処理ガスの流れの方向に移動する。被処理物の載置された列と、処理ガスの流れの方向と、載置電極の移動方向とが同一であり、例えば放電により生成された処理ガスの励起活性種も、乱れずに整流となって被処理物を覆い、被処理物を均一に処理することができる。また、被処理物を複数の列として載置電極に載置することにより、多数の被処理物を一度の処理で処理できる工程である。
【００３９】
この場合、放電工程は、放電抑制部として、載置電極に対し被処理物の載置位置以外の部分に電気絶縁性の絶縁部が設けられ、被処理物に対応する間隙においてのみ放電を生じさせる工程であることが好ましい。
【００４０】
この方法によれば、放電工程では、載置電極は、被処理物の載置位置以外の部分に放電抑制部である絶縁部が設けられているため、絶縁部と対峙する対向電極との間隙には、放電が生じない。一方、被処理物と対向電極との間隙では、放電が生じる。絶縁部を設けることにより、放電工程において、被処理物に対応する間隙にのみ放電を生じさせることができる。
【００４１】
また、放電工程は、載置電極に被処理物が突起させられた状態で載置されるように載置突起部が設けられ、載置突起部に対応する間隙において放電を生じさせる工程であることが好ましい。
【００４２】
この方法によれば、放電工程では、被処理物は、載置電極に形成された載置突起部に載置されている。載置突起部は、載置電極の他の面より突起しており、載置突起部に載置された被処理物と対向電極との間隙は、他の載置電極の面と対向電極との間隙より短い。従って、載置突起部に載置された被処理物と対向電極との間隙では、放電が生じ、他の載置電極の面と対向電極との間隙では、ほとんど放電が生じない。載置突起部を設けることにより、放電工程において、被処理物に対応する間隙に主たる放電を生じさせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。実施形態では、液晶表示装置の対向基板（被処理物）へ配向膜をインクジェット方式により形成する場合において、表面改質装置で対向基板の表面を親液化（表面改質）する処理を例に説明する。
（実施形態１）
【００４４】
最初に、液晶表示装置について概略を説明する。図１は、液晶表示装置の構成を示す断面図である。液晶表示装置１は、ガラスまたはプラッスチック等からなる平面形状が略矩形状の対向基板２とフィルタ基板３とがシール材４および図示していないスペーサを介して向き合って配置されている。これらの対向基板２とフィルタ基板３との間には、機能層を介してＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等からなる液晶５が挟持されている。また、対向基板２の液晶５側と反対の面には図示していないバックライトが配置されている。
【００４５】
対向基板２の液晶５側の面には、図１において紙面に垂直な方向にストライプ状に延在する複数のセグメント電極１０と、セグメント電極１０を覆うように、ポリイミド樹脂等からなる配向膜１１が形成されている。セグメント電極１０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide、インジウム錫酸化物）の透明導電膜で形成されており、また、配向膜１１の液晶５に接する面には、液晶５を一定方向へ向かせるためのラビング処理が施されている。
【００４６】
一方、フィルタ基板３の液晶５側の面には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色素層１２ｒ、１２ｇ、１２ｂが形成されている。これら色素層１２ｒ、１２ｇ、１２ｂの境界を区画するために、樹脂ブラックや光の反射率の低いクロム（Ｃｒ）等の金属からなるブラックマトリクス１３が形成されている。色素層１２ｒ、１２ｇ、１２ｂとブラックマトリクス１３とでカラーフィルタ１２が構成されている。カラーフィルタ１２のＲ、Ｇ、Ｂの各色素層１２ｒ、１２ｇ、１２ｂは、各セグメント電極１０の方向に対応して配置されており、図１において隣り合って配列されているＲ、Ｇ、Ｂの３個の画素により画面上の１個のドットが構成されている。
【００４７】
そして、カラーフィルタ１２に重ねて、各色素層１２ｒ、１２ｇ、１２ｂおよびブラックマトリクス１３による段差を平坦化すると共に、各色素層１２ｒ、１２ｇ、１２ｂの表面を保護するためのオーバーコート膜１４が形成されている。オーバーコート膜１４としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の無機膜を用いる。さらに、オーバーコート膜１４上には、セグメント電極１０と直交する方向に延在するＩＴＯの透明導電膜からなる複数のコモン電極１５がストライプ状に形成されている。このコモン電極１５を覆って、液晶５に対する面にラビング処理が施されたポリイミド樹脂等からなる配向膜１６が形成されている。
【００４８】
ラビング処理とは、液晶５を一定方向へ向かせる（配向）ために、配向膜１１、１６に微細な溝を形成する処理である。
【００４９】
この構成の液晶表示装置１において、セグメント電極１０およびコモン電極１５に電圧が印加されない状態では、液晶５が対向基板２方向からのバックライトの光を通過させない。また、セグメント電極１０とコモン電極１５とに電圧が印加されると、両電極間に挟持された部分の液晶５の並びが変化して、バックライトの光をカラーフィルタ１２側へ通過させる。両電極間に挟持された部分が、色素層１２ｒ、１２ｇ、１２ｂのいずれかに該当している。従って、液晶５を通過した光は、例えば色素層１２ｂへ入射すると青色の着色光となって、フィルタ基板３側へ出射する。セグメント電極１０とコモン電極１５とにより、フィルタ基板３側へ出射する着色光を制御すれば、各種のカラー表示が可能である。
【００５０】
この液晶表示装置１の対向基板２へ、配向膜１１を密着性良く形成する方法について説明する。以下では、セグメント電極１０を有する対向基板２のことを、対向基板２とする。図２は、液晶表示装置の配向膜の製造方法を示すフローチャートである。最初に、ステップＳ１において、セグメント電極１０を形成した対向基板２を洗浄機に搬入して、アルカリ系洗剤、純水等を用いて洗浄する。
【００５１】
次に、ステップＳ２において、洗浄機の中で、対向基板２を温度約８０℃、保持時間１０分間程度乾燥させる。
【００５２】
次に、ステップＳ３において、洗浄した対向基板２をプラズマ処理装置（表面改質装置）に搬入し、対向基板２の表面を改質する。表面改質処理は、プラズマ処理装置内において、導入されたガス雰囲気中で気体放電（放電）を発生させて行われる。この表面改質処理により、対向基板２の表面が、配向膜１１を形成するポリイミド樹脂等の配向材料に対して親液性を有するものとなる。プラズマ処理装置については、図３を参考にして後で詳細に説明する。
【００５３】
次に、ステップＳ４において、対向基板２をインクジェット方式の吐出装置にセットし、対向基板２の表面に対して吐出装置のノズルから配向材料の液滴を塗布する。配向材料を塗布した部分が、配向膜１１となる。ステップＳ３で、対向基板２に対して配向材料と親液性を有するように表面改質処理がされており、対向基板２へ配向材料が密着性良く塗布される。なお、配向材料としては、ポリイミド樹脂等の有機高分子材料が好適である。
【００５４】
配向材料の塗布後、ステップＳ５において、対向基板２を水平に保持した状態で約１分間放置し、配向膜１１の面が凹凸のない平面となるようにレベリングを行う。
【００５５】
次に、ステップＳ６において、対向基板２を乾燥炉に搬入し、対向基板２の表面に塗布された配向材料を、約１５０℃で６０分間乾燥させる。これにより、対向基板２に塗布された配向材料は、固化して配向膜１１となる。
【００５６】
最後に、ステップＳ７において、対向基板２をラビング処理装置に搬入し、布等を用いて対向基板２の表面にラビング処理を施す。以上により、対向基板２の表面に配向膜１１を形成することができる。
【００５７】
次に、ステップＳ３において対向基板２の表面改質処理をしたプラズマ処理装置について詳細に説明する。図３は、実施形態１に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。また、図４は、基板の表面改質をするためのオゾンおよび活性酸素の発生域および流れを示す平面図である。プラズマ処理装置２０は、交流電源２１に接続された対向電極２２と、接地電極である載置電極２３とを有している。載置電極２３は、対向基板２（以下、単に基板という）を載置してＸ軸方向に移動可能となっている。この場合、基板２は、厚さ０．３ｍｍ、平面形状が１０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状の石英製である。図４に一部が示されているように、基板２は、載置電極面上に、Ｘ軸方向へ２ｍｍの等間隔幅で５枚の列として載置され、さらにこの５枚の列が、Ｙ軸方向へ２ｍｍの等間隔幅で６列（複数の列）載置されている。Ｙ軸方向における各基板２間の境界部分を列間２４と称する。
【００５８】
載置電極２３と対向する対向電極２２の面には、基板２の列と対峙する位置に、対向溝部２５ａが設けられている。１本の対向溝部２５ａは、基板２の５枚の列に対峙するようにＸ軸方向へ延在しており、さらにＹ軸方向へ６本（図３では４本のみ図示）の対向溝部２５ａが設けられている。対向溝部２５ａは、基板２と同じ間隙をもってそれぞれ対峙するような設定である。また、対向溝部２５ａのＹ軸方向の幅は、基板２の幅と同等以上であることが望ましい。対向溝部２５ａが６列設けられたことにより、各対向溝部２５ａの間には、突起状の放電突起部２６ａがＸ軸方向に延在する。放電突起部２６ａは、載置電極２３の列間２４に沿って０．５ｍｍの距離をもって載置電極２３と対峙するように設けられている。
【００５９】
また、プラズマ処理装置２０は、載置電極２３と対向電極２２との間に処理ガスを供給導入するためのガス供給部２７と、載置電極２３をＸ軸方向へ移動させるための移動操作部２８と、ガス供給部２７および移動操作部２８を制御する制御部２９とを有している。
【００６０】
以上のような構成のプラズマ処理装置２０による基板２の表面改質方法について説明する。まず、移動操作部２８によって、載置電極２３を対向電極２２と対向している位置から、基板２が載置可能な位置まで移動させる。次に、載置電極２３へ基板２を既述した列構成となるように載置する。基板２の載置後、載置電極２３を対向電極２２と対向する位置へ再び移動させる。このとき、ガス供給部２７から載置電極２３と対向電極２２の間へ処理ガスを供給する。処理ガスの供給方向３１は、載置電極２３の移動方向（Ｘ軸方向）の前方へ向けて供給する。同時に、交流電源２１から対向電極２２および載置電極２３に電圧が印加され、放電突起部２６ａと載置電極２３の列間２４との間の放電領域３０で気体放電が発生する。放電領域３０は、強放電領域である。一方、対向溝部２５ａと基板２との間では、対向溝部２５ａと基板２との距離が放電突起部２６ａと載置電極２３の列間２４との距離より大きく設定してあることと基板２が電気絶縁性であるため、ほとんど気体放電が発生しない。
【００６１】
本実施形態では、処理ガスとして酸素（Ｏ2）と、大気圧近傍の圧力下で気体放電を容易に開始させると共に、安定した気体放電を維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ2）等の不活性ガスとを混合したものを用いている。プラズマ処理装置２０による酸素プラズマ処理の条件として、例えば電圧が印加され、そのパワーが５００Ｗ、酸素ガス流量が１００ｍＬ／ｍｉｎ、対向電極２２に対する載置電極２３の相対移動速度が１００ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０℃である。この条件下で、処理ガスとして酸素を用いることにより、放電領域３０が気体放電によって酸素の励起活性種であるオゾンおよび活性酸素が生成される発生領域３２となる。オゾンおよび活性酸素は、活性状態で結合しやすい状態である。これらオゾンおよび活性酸素と基板２の表面とが反応して基板２の表面が活性化され、その結果、基板２の表面は、配向材料の液に対して結合しやすい親液性を有する状態となる。なお、基板２の表面は、配向材料の液に対して接触角が２０度以下となるように、酸素プラズマ処理を行うことが好ましい。
【００６２】
ここで、プラズマ処理装置２０によって基板２の表面に均一な親液処理がなされる理由について説明する。基板２と載置電極２３との間での気体放電は、放電突起部２６ａと載置電極２３の列間２４との間で発生する。従って、気体放電により、オゾンおよび活性酸素は、放電突起部２６ａと載置電極２３の列間２４との間隙に生成される。この間隙に生成されたオゾンおよび活性酸素は、対向溝部２５ａへ拡散する。対向溝部２５ａは、基板２に対峙するように設けられている広い空間であり、放電突起部２６ａと載置電極２３の列間２４との狭い間隙で発生したオゾンおよび活性酸素は、対向溝部２５ａへと容易に拡散する。オゾンおよび活性酸素は、図４に矢印で示す拡散方向３３のように、対向溝部２５ａの両側の発生領域３２から基板２を覆うように拡散する。
【００６３】
なお、処理ガスは、載置電極２３の移動方向と同方向に、載置電極２３の移動速度より若干早い速度で供給されている。また、処理ガスは、載置電極２３の移動方向に延在する対向溝部２５ａおよび放電突起部２６ａにより、その流れが乱され難くなり整流状態で供給されている。そのため、基板２へのオゾンおよび活性酸素の拡散が乱されて、基板２面におけるオゾンおよび活性酸素の濃度が不均一になることを抑制できる。以上のような処理により、基板２と対向溝部２５ａとの間隙に気体放電を発生させることなく、基板２の表面を均一な親液性の面に表面改質することができる。
以下、実施形態１の効果を記載する。
【００６４】
（１）載置電極に載置されている基板２に対応して、対向電極２２には対向溝部２５ａが設けられている。基板２と対向溝部２５ａとの距離が、対向溝部２５ａ以外の対向電極２２の面と載置電極２３との距離より大きい設定であるため、基板２と対向溝部２５ａとの間では、ほとんど気体放電が発生しない。従って、気体放電は、対向溝部２５ａ以外の対向電極２２の面と載置電極２３との間の一定した放電だけとなり、この放電によって、生成されるオゾンおよび活性酸素は、放電領域３０において、その濃度が均一に生成される。
【００６５】
（２）さらに、対向電極２２の対向溝部２５ａおよび放電突起部２６ａの延在方向と、載置電極２３の移動方向と、処理ガスの導入方向とが同じなので、処理ガスは、整流となって流れる。このため、発生したオゾンおよび活性酸素が均一に拡散する。均一に拡散したオゾンおよび活性酸素により、基板２の表面を均一な親液性にすることができる。
【００６６】
（３）対向電極２２にＸ軸方向に延びる溝を形成する簡単な加工で、基板２の面での気体放電を抑制することができる。
（実施形態２）
【００６７】
次に、表面改質処理の実施形態２について説明する。実施形態１との相違点は、対向溝部２５ａに相当する溝部の形成位置が異なることである。以下では、実施形態１との相違点について主に説明する。
【００６８】
図５は、実施形態２に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。対向電極２２の載置電極２３と対向する面は、実施形態１のような溝部等がなく平らな面である。一方、載置電極２３は、実施形態１において、Ｘ軸方向へ５枚が列をなして載置された基板２を、溝底部に収容するように形成された載置溝部２５ｂを有する。載置溝部２５ｂは、Ｙ軸方向へ６列（図５では４列のみ図示）形成されている。載置溝部２５ｂの形成に伴い、Ｙ軸方向において、各載置溝部２５ｂの間には、対向電極方向へ突起している放電突起部２６ｂが形成される。放電突起部２６ｂは、基板２の高さより高く０．５ｍｍの高さに設定され、放電突起部２６ｂの突起先端面と対向電極２２との間隙は０．５ｍｍである。
【００６９】
この構成の対向電極２２と載置電極２３へパワーが印加されると、放電突起部２６ｂと対向電極２２との間隙に気体放電が発生する。基板２と対向電極２２の間隙では、実施形態１と同様な理由により、気体放電が発生しない。そして、気体放電が発生する放電領域３０において、オゾンおよび活性酸素が生成される。放電領域３０で生成されたオゾンおよび活性酸素は、供給される処理ガスの整流に沿って、放電突起部２６ｂと対向電極２２との狭い間隙から、基板２と対向電極２２との広い間隙の載置溝部２５ｂへと均一に拡散し、基板２の表面を覆う。このオゾンおよび活性酸素により、基板２の表面に気体放電を発生させることなく、基板２の表面が均一な親液性を有する面に表面改質される。
【００７０】
以下、実施形態２の効果を記載する。
【００７１】
（１）載置電極２３に載置溝部２５ｂを設けその底部に基板２を載置する。これにより、基板２と対向電極２２との距離を長くすることができ、基板２の面では、ほとんど気体放電が発生しない。従って、気体放電は、載置溝部２５ｂ以外の載置電極２３の面と対向電極２２との間の一定した放電であり、この放電によって、生成されるオゾンおよび活性酸素は、その濃度が均一に生成される。
（実施形態３）
【００７２】
次に、実施形態３として、基板２の列に対応して、対向電極２２に絶縁部を設けた例について説明する。
【００７３】
図６は、実施形態３に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。載置電極２３には、実施形態１と同様に基板２が載置されている。これら基板２のＸ軸方向に載置された列に対峙して、対向電極２２に電気絶縁性を有する絶縁部３４が形成されている。また、絶縁部３４は、基板２に対応して、Ｙ軸方向へは、６列（図６では４列のみ図示）形成されている。
【００７４】
この構成の対向電極２２と載置電極２３へパワーが印加されると、対向電極２２と載置電極２３の列間２４との間隙に気体放電が発生する。基板２と対向電極２２との間隙では、対向電極２２側が電気絶縁性の絶縁部３４であるため気体放電が発生しない。そして、気体放電が発生する放電領域３０において、オゾンおよび活性酸素が生成される。実施形態１および実施形態２では、基板２の表面には気体放電をほとんど発生させない構成であるが、実施形態３においては、基板２の表面で気体放電を発生させない。
【００７５】
放電領域３０で生成されたオゾンおよび活性酸素は、供給される処理ガスの流れに沿って、対向電極２２と列間２４との間隙から、オゾンおよび活性酸素の生成されない基板２と絶縁部３４との間隙へ拡散する。このようにして拡散したオゾンおよび活性酸素により、基板２の表面は、均一な親液性を有する面に表面改質される。
【００７６】
以下、実施形態３の効果を記載する。
【００７７】
（１）対向電極２２に絶縁部３４を設けることにより、絶縁部３４と対峙する基板２の面において、気体放電を発生させない。従って、絶縁部３４以外の対向電極２２の面と載置電極２３との間でのみ、一定の気体放電が発生する。この気体放電により生成されるオゾンおよび活性酸素は、その濃度が均一であり、オゾンおよび活性酸素の生成されない基板２の面へより均一に拡散する。
（実施形態４）
【００７８】
次に、実施形態４として、実施形態１、２および３と放電領域が異なり、基板２と基板２に対峙する対向電極２２との間隙で気体放電を発生させて、基板２の表面改質をする例について説明する。
【００７９】
図７は、実施形態４に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。また、図８は、基板の表面改質をするためのオゾンおよび活性酸素の発生域を示す平面図である。図７に示すように、プラズマ処理装置２０の基本構成は、実施形態１、２および３とほぼ同様である。機能上の相違点として、実施形態１、２および３では、基板２の表面には気体放電を発生させない構成であるが、実施形態４においては、基板２と対向電極２２の間隙にのみ気体放電を発生させる構成である。
【００８０】
図７に示すように、基板２と対向電極２２の間隙に気体放電を発生させるために、載置電極２３の対向電極２２に対峙する面には、基板２が載置される部分を除く全面に電気絶縁性の絶縁部３５が形成されている。従って、対向電極２２と載置電極２３へパワーが印加されると、この絶縁部３５と対向電極２２との間隙では、気体放電が発生せず、気体放電は、放電領域３６である基板２と対向電極２２との間隙で発生する。即ち、実施形態３において、放電領域３０として強放電領域であった領域に気体放電を発生させないため、実施形態３では非放電領域であった基板２と対向電極２２との間隙において、この実施形態４では電界強度が高くなり、基板２の表面を電流が流れる。そして、基板２と対向電極２２との間隙に気体放電が発生する。この気体放電は、実施形態３における放電領域３０の強放電に比べると、弱い放電となる。各放電領域３６における気体放電は、同一条件下で発生し、ほぼ均一なものである。
【００８１】
気体放電によって生成されるオゾンおよび活性酸素は、図８に示すように、基板２に対応した放電領域３６である発生領域３７においてのみ生成される。気体放電が、発生領域３７においてほぼ均一に発生するため、オゾンおよび活性酸素は、各発生領域３７においてほぼ同様な濃度で生成される。このように生成されたオゾンおよび活性酸素により、基板２の表面は、均一な親液性の面に表面改質される。
【００８２】
以下、実施形態４の効果を記載する。
【００８３】
（１）載置電極２３に、基板２が載置される部分を除く全面に電気絶縁性の絶縁部３５を形成することにより、この絶縁部３４においては、気体放電が発生しない。一方、基板２と対向電極２２との間では、気体放電が発生し、この気体放電は、他部での気体放電の影響がなく均一な放電である。この放電により、基板２を均一に覆うように、オゾンおよび活性酸素を生成することができる。基板２の面で気体放電を生じさせて、基板２の表面を均一な親液性の面に表面改質できる。
（実施形態５）
【００８４】
次に、実施形態５として、実施形態４と同じく、基板２と基板２に対峙する対向電極２２との間隙で気体放電を発生させるために、基板２を対向電極２２側へ突起させた状態で載置する例について説明する。
【００８５】
図９は、実施形態５に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図である。実施形態４との相違点は、載置電極２３に載置突起部３８を設けたことである。載置突起部３８は、基板２の個々に対応して、基板２と同数形成されており、基板２を対向電極２２側へ突起させて載置するように形成されている。基板２は、載置電極２３の載置突起部３８以外の非突起面３９より対向電極２２に近い位置に載置されており、対向電極２２と載置電極２３へパワーが印加されると、基板２と対向電極２２との間隙で主に気体放電が発生する。基板２と対向電極との間隙が放電領域３６となる。
【００８６】
気体放電によって生成されるオゾンおよび活性酸素は、実施形態４と同様に、図８に示すように、基板２に対応した放電領域３６である発生領域３７においてのみ生成される。このように生成されたオゾンおよび活性酸素により、実施形態４と同様に、基板２の表面は、均一な親液性の面に表面改質される。
【００８７】
以下、実施形態５の効果を記載する。
【００８８】
（１）載置電極２３に、載置突起部３８を形成し、基板２を個々に突起した状態で載置することにより、基板２は、載置突起部３８以外の載置電極２３の面より対向電極２２に近い位置にある。このため、パワーが印加されると、基板２と対向電極２２との間で主に気体放電が発生する。基板２の面では、他部での気体放電の影響が少なくほぼ均一な気体放電が発生する。この気体放電により、基板２を均一に覆うように、オゾンおよび活性酸素を生成することができる。基板２の面で気体放電を生じさせて、基板２の表面を均一な親液性の面に表面改質できる。
【００８９】
また、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、次のような変形例が挙げられる。
【００９０】
（変形例１）対向溝部２５ａおよび絶縁部３４は、対峙する基板２に対してＶ字状等の溝を有する形状であっても良い。溝によって基板２と対向電極２２との間隙が放電領域３０から基板２の表面中央へ向かって広がり、放電領域３０で生成されたオゾンおよび活性酸素が基板２へ拡散しやすくなる。
【００９１】
（変形例２）基板２は導電性のパレットに載置されて載置電極２３へ載置されても良い。パレットには、放電突起部２６ｂ、絶縁部３５、載置突起部３８のいずれかを形成しておく。プラズマ処理ができるだけでなく、搬送具として基板２を載置したまま、他工程への移動に使用できる。この場合、パレットは、載置電極２３の一部を構成する。
【００９２】
（変形例３）対向溝部２５ａおよび載置溝部２５ｂは、対向電極２２と載置電極２３との両方に設けても良い。基板２の面での微弱な放電をより抑制できると共に、処理ガスの流れをより整流化でき、オゾンおよび活性酸素を基板２へ均一に拡散できる。
【００９３】
（変形例４）対向電極２２の放電突起部２６ａと載置電極２３の放電突起部２６ｂとを、同時に設ける構成であっても良い。基板２と対向電極２２との間隙がより離反して、基板２と対向電極２２との間隙での放電がより抑制できる。
【００９４】
（変形例５）絶縁部３５は、載置電極２３だけに設けず、載置電極２３の列間２４部分は、対向電極２２側へ設けても良い。この構成でも、基板２と対向電極２２との間隙のみで放電を発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図２】液晶表示装置の配向膜の製造方法を示すフローチャート。
【図３】実施形態１に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図。
【図４】基板の表面改質をするためのオゾンおよび活性酸素の発生域および流れを示す平面図。
【図５】実施形態２に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図。
【図６】実施形態３に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図。
【図７】実施形態４に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図。
【図８】基板の表面改質をするためのオゾンおよび活性酸素の発生域を示す平面図。
【図９】実施形態５に係るプラズマ処理装置の構成を示す断面図。
【図１０】従来のプラズマ処理装置の詳細を示す断面図および平面図。
【符号の説明】
【００９６】
１…液晶表示装置、２…被処理物としての対向基板、１１、１６…配向膜、２０…表面改質装置としてのプラズマ処理装置、２１…電源部としての交流電源、２２…対向電極、２３…載置電極、２５ａ…放電抑制部としての対向溝部、２５ｂ…放電抑制部としての載置溝部、２６ａ…放電突起部、２６ｂ…放電突起部、２７…ガス供給部、２８…移動操作部、２９…制御部、３０…放電領域、３１…ガス供給方向、３２…発生領域、３３…拡散方向、３４…放電抑制部としての絶縁部、３５…放電抑制部としての絶縁部、３６…放電領域、３７…発生領域、３８…載置突起部、３９…非突起部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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