(57)【要約】【課題】  半導体レーザから出射された輝度中心位置を目標位置に容易に、かつ、高い精度で一致させることができる光ヘッド装置の製造方法、および光ヘッド装置製造装置を提供すること。【解決手段】  光ヘッド装置の製造工程において、コリメータレンズに対する半導体レーザの光軸位置を調整する際には、コリメータレンズの後段にアパーチャ５７を配置した状態で輝度分布計測用撮像装置７０で撮像することにより、コリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求める。そして、輝度中心位置が目標位置と一致するように、半導体レーザの位置を調整する。【選択図】  図２
2006155772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置の製造方法において、
前記半導体レーザの光軸調整を行うレーザ光軸調整工程では、前記コリメータレンズから出射される光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求め、該輝度中心位置と目標位置とが一致するように、前記半導体レーザの前記光学系に対する相対位置を調整することを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記コリメータレンズから出射される光束は、コリメート光束であることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記レーザ光軸調整工程では、前記コリメータレンズの後段に、前記コリメートレンズから出射される光束の中心を含む一部の光のみを通過させるアパーチャを配置し、該アパーチャを透過してきた光の輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求めることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、前記輝度分布を計測する際には、撮像系の焦点位置を前記アパーチャに合わせることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４において、前記目標位置は、前記アパーチャの光透過部の中心位置であることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１または２において、前記レーザ光軸調整工程では、前記コリメータレンズから出射された光束のファーフィールドパターンを測定し、当該ファーフィールドパターンの測定結果のうち、前記光束の中心を含む一部の領域内における輝度分布に基づいて前記輝度中心を求めることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記輝度分布を計測する際には、輝度分布計測用撮像装置の焦点位置を前記コリメータレンズに合わせることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求める際には、前記輝度分布のうち、所定の輝度値を示す領域の中心を前記輝度中心位置とすることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求める際には、前記輝度分布のうち、所定値以上の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置を前記輝度中心位置とすることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求める際には、前記輝度分布に基づいて輝度の曲線近似を行い、そのピーク位置を前記輝度中心位置とすることを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、前記光学系は、前記半導体レーザの後段にグレーティング素子を備え、
前記輝度分布に出現する干渉縞に基づいて前記グレーティング素子の傾きを調整することを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかにおいて、コリメート光源を用いて、少なくとも、前記輝度分布の測定対象となる製造途中品を設置する試料台の角度調整を行うことを特徴とする光ヘッド装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置を製造する際、前記コリメータレンズから出射される光束の輝度中心位置を求め、該輝度中心位置と目標位置とが一致するように、前記半導体レーザの前記光学系に対する相対位置を調整するための光ヘッド装置製造装置であって、
前記コリメータレンズの後段に配置され、当該コリメータレンズから出射される光束の中心を含む一部の光のみを通過させるアパーチャと、該アパーチャを透過してきた光を撮像する輝度分布計測用撮像装置と、該輝度分布計測用撮像装置で撮像された像に基づいて輝度中心位置を求めるための画像処理装置とを有することを特徴とする光ヘッド装置製造装置。
【請求項１４】
半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置を製造する際、前記コリメータレンズから出射される光束の輝度中心位置を求め、該輝度中心位置と目標位置とが一致するように、前記半導体レーザの前記光学系に対する相対位置を調整するための光ヘッド装置製造装置であって、
前記コリメータレンズから出射される光束を撮像する輝度分布計測用撮像装置と、該輝度分布計測用撮像装置で撮像された像のうち、前記光束の中心を含む一部の領域内における輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求めるための画像処理装置とを有することを特徴とする光ヘッド装置製造装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、前記コリメータレンズから出射される光束は、コリメート光束であることを特徴とする光ヘッド装置製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ヘッド装置の製造方法およびその製造装置に関するものである。さらに詳しくは、光ヘッド装置で用いる半導体レーザの位置調整技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ヘッド装置では、ＬＤ（レーザダイオード）などの半導体レーザと、コリメータレンズとを用いてコリメート光を生成し、このコリメート光を対物レンズによって収束させて光記録ディスクの記録面にスポットを形成する。このため、光ヘッド装置では、品位の高いコリメート光を生成する必要がある。ここで、レーザ光の光軸方向をＺ方向とし、このＺ方向に対して垂直な２方向をＸＹ方向としたとき、半導体レーザの出射点のＸＹ方向ずれはコリメート光の傾きの原因になり、このような傾きが発生した場合には、光軸に点対称に結像がＸＹ方向にずれてしまう。また、半導体レーザの出射光軸の傾き（出射方向のずれ／θ方向ずれ）は、コリメート光の輝度分布の偏りの原因となり、この場合には、スポット上に輝度分布の偏りが発生する。さらに、半導体レーザの出射点のＺ方向ずれは、コリメート光の平行度が悪化する原因になり、この場合には結像の合焦位置がずれてしまう。
【０００３】
そこで、大きく焦点のずれたレーザスポットを撮像素子で撮像するとともに、撮像した結果に画像処理を行って、輝度分布の中心を計測し、この計測結果に基づいて、半導体レーザの出射点のＸＹ方向の位置を調整することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−００４４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、デフォーカス状態のスポット像に基づいて輝度分布の中心を求める方法では、スポット像の輪郭が不明瞭であるため、測定精度が低いという問題点がある。
【０００５】
また、特許文献１に記載の技術の他に、ナイフエッジスキャン型、スリットスキャン型、ＣＣＤ型の輝度分布測定装置があり、これらの装置を用いて、アパーチャを通過した略コリメート光の強度中心がアパーチャの所望の位置になるように調整する装置も知られているが、スキャン型では、機構が複雑であるため、高価かつ調整が難しく、しかも、装置の小型化が困難である。また、従来のＣＣＤ型では、輝度分布に基づいてビームまたはスポットの形状を求めるものが一般的であるが、ソフトウエア処理に時間がかかるため、レスポンスが悪く、光ヘッド装置の製造工程で用いることができないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、半導体レーザから出射された輝度中心位置を目標位置に容易に、かつ、高い精度で一致させることができる光ヘッド装置の製造方法、および光ヘッド装置製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置の製造方法において、前記半導体レーザの光軸調整を行うレーザ光軸調整工程では、前記コリメータレンズから出射される光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求め、該輝度中心位置と目標位置とが一致するように、前記半導体レーザの前記光学系に対する相対位置を調整することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、コリメータレンズから出射される光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるため、デフォーカス状態のスポット像に基づいて輝度分布の中心を求める方法と違って、輪郭な明瞭な像から輝度中心位置を求めることができるので、輝度中心位置を容易に求めることができ、かつ、その精度が高い。
【０００９】
本発明において、前記レーザ光軸調整工程では、例えば、前記コリメータレンズの後段に、前記コリメータレンズから出射される光束の中心を含む一部の光のみを通過させるアパーチャを配置し、該アパーチャを透過してきた光の輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求める。ここで、前記輝度分布を計測する際には、撮像系の焦点位置を前記アパーチャに合わせることが好ましい。この場合、前記目標位置は、例えば、前記アパーチャの光透過部の中心位置である。
【００１０】
本発明において、前記レーザ光軸調整工程では、前記コリメータレンズから出射された光束のファーフィールドパターンを測定し、当該ファーフィールドパターンの測定結果のうち、前記光束の中心を含む一部の領域内における輝度分布に基づいて前記輝度中心を求めてもよい。すなわち、仮想のアパーチャを設定することにより、前記光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めてもよい。ここで、前記輝度分布を計測する際には、輝度分布計測用撮像装置の焦点位置を前記コリメータレンズに合わせることが好ましい。
【００１１】
本発明において、前記輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求める際には、例えば、前記輝度分布のうち、所定の輝度値を示す領域の中心を前記輝度中心位置とする。
【００１２】
本発明において、前記輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求める際には、前記輝度分布のうち、所定値以上の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置を前記輝度中心位置としてもよい。
【００１３】
本発明において、前記輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求める際には、前記輝度分布に基づいて輝度の曲線近似を行い、そのピーク位置を前記輝度中心位置としてもよい。
【００１４】
本発明において、前記光学系が、前記半導体レーザの後段にグレーティング素子を備えてる場合には、前記輝度分布に出現する干渉縞に基づいて前記グレーティング素子の傾きを調整することが好ましい。
【００１５】
本発明においては、コリメート光源を用いて、前記輝度分布の測定対象となる光ヘッド装置の製造途中品を設置する試料台の角度調整を行うことが好ましい。
【００１６】
本発明では、半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置を製造する際、前記コリメータレンズから出射される光束の輝度中心位置を求め、該輝度中心位置と目標位置とが一致するように、前記半導体レーザの前記光学系に対する相対位置を調整するための光ヘッド装置製造装置であって、前記コリメータレンズの後段に配置され、当該コリメータレンズから出射される光束の中心を含む一部の光のみを通過させるアパーチャと、該アパーチャを透過してきた光を撮像する輝度分布計測用撮像装置と、該輝度分布計測用撮像装置で撮像された像に基づいて輝度中心位置を求めるための画像処理装置とを有することを特徴とする。
【００１７】
本発明の別の形態では、半導体レーザと、少なくともコリメータレンズを含み、前記半導体レーザからの出射光を光記録ディスクに導くための光学系とを備えた光ヘッド装置を製造する際、前記コリメータレンズから出射される光束の輝度中心位置を求め、該輝度中心位置と目標位置とが一致するように、前記半導体レーザの前記光学系に対する相対位置を調整するための光ヘッド装置製造装置であって、前記コリメータレンズから出射される光束を撮像する輝度分布計測用撮像装置と、該輝度分布計測用撮像装置で撮像された像のうち、前記光束の中心を含む一部の領域内における輝度分布に基づいて前記輝度中心位置を求めるための画像処理装置とを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記輝度分布計測用撮像装置に加えて、さらに、前記半導体レーザの前記光学系に対する相対位置を調整して輝度中心位置を目標位置に一致させる際に前記輝度分布計測用撮像装置よりもさらに高い倍率をもって撮像を行う高倍率撮像装置を備えていることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記コリメータレンズから出射される光束は、コリメート光束であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、コリメータレンズから出射された光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるため、デフォーカス状態のスポット像に基づいて輝度分布の中心を求める方法と違って、輪郭な明瞭な像から輝度中心位置を求めることができるので、輝度中心位置を容易に求めることができ、かつ、その精度が高い。従って、光軸方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な２方向をＸ、Ｙ方向としたとき、半導体レーザのレーザ出射点をＸ、Ｙ方向に合わせることができるので、光束の傾きを防止でき、光記録ディスクに対して光軸に点対称なスポットを形成できる。また、半導体レーザの出射光軸の傾き（出射方向のずれ／θ方向ずれ）を防止できるので、光束の輝度分布の偏りを防止でき、光記録ディスクに形成されるスポットに輝度分布の偏りが発生することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。
【００２２】
［実施の形態１］
図１は、光ヘッド装置の光学系の要部を示す説明図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る光ヘッド装置製造装置の構成を示す説明図である。図３は、図２に示す光ヘッド装置製造装置の画像処理装置の主な機能を示す機能ブロック図である。図４は、図２に示す光ヘッド装置製造装置に設置される製造途中品の説明図である。なお、以下の説明においては、レーザ光の光軸方向をＺ方向とし、このＺ方向に対して垂直な２方向をＸＹ方向としてある。
【００２３】
図１において、光ヘッド装置１では、ＬＤ（レーザダイオード）などの半導体レーザ１１と、コリメータレンズ１２とを用いてコリメート光を生成し、このコリメート光を対物レンズ１３によって収束させて光記録ディスク３の記録面にスポットを形成する。対物レンズ１３の前段には、対物レンズ１３に向かう光束を規定する光ヘッド装置用アパーチャ１８が配置されている。また、光路の途中位置にはビームスプリッタなどの光路分離素子１４が配置され、光記録ディスク３の戻り光をフォトダイオードなどの受光素子１５に導くようになっている。ここで、３ビーム法などを利用する場合には、半導体レーザ１１と光路分離素子１４との間にグレーティング素子１６が配置される。また、非点収差法を利用する場合には、光路分離素子１４と受光素子１５との間に焦点検出レンズ１７が配置される。なお、これらの光学部品はフレーム（図示せず）上に搭載されることになる。
【００２４】
このように構成した光ヘッド装置１では、品位の高いコリメート光を生成する必要があるため、光ヘッド装置１の製造工程では、レーザ光軸調整工程において、コリメータレンズ１２と半導体レーザ１１の出射点とのＸ、Ｙ、Ｚ方向の相対位置や、半導体レーザ１１の角度位置を調整する必要がある。
【００２５】
本形態では、このような調整を行う際、図２に示す光ヘッド装置製造装置５０を用いる。この光ヘッド装置製造装置５０では、製造途中品を設置するための試料台５２と、この製造途中品２に向けて配置された低倍率撮像装置６０と、輝度分布を計測するための輝度分布計測用撮像装置７０と、結像レンズ８１を備えた高倍率撮像装置８０とを有している。輝度分布計測用撮像装置７０は、カメラレンズ６１と撮像素子６２との間にエクステンションチューブ６３を備えており、このエクステンションチューブ６３によって、倍率と作動距離を適正に設定してあるので、所定の位置に焦点を正確に合わせることができる。高倍率撮像装置８０は、低倍率撮像装置６０や輝度分布計測用撮像装置７０と比較して高倍率であり、鏡筒８５には、結像レンズ８１、ミラー８２、およびリレーレンズ８３が保持されている。ここで、焦点距離ｆが２００ｍｍの結像レンズ８１を用い、５倍のリレーレンズ８３を用いれば、１０００ｍｍの結像光学系として作用する。低倍率撮像装置６０は、大きく傾いた光線を見つけ出して高倍率撮像装置８０で観察できる位置まで半導体レーザ１１の位置を調整するためのものであり、光線傾きで±２°程度の視野に設定してある。なお、低倍率撮像装置６０で得られた低倍率画像のいずれの位置に高倍率画像が位置するかは、予め、コーナーキューブを利用して調べておく。なお、低倍率撮像装置６０は、スクリーン投影タイプの目視型として構成してもよい。
【００２６】
本形態の光ヘッド装置製造装置５０では、各撮像装置６０、７０、８０での撮像結果は、画像処理装置１００に出力されるようになっており、画像処理装置１００は、ＲＯＭなどに格納された所定のプログラムに基づいてデータ処理などの動作を行うデータ処理装置２００と、このデータ処理装置２００での処理結果などを表示する表示装置３００とを備えている。
【００２７】
図３に示すように、データ処理装置２００には、各撮像装置６０、７０、８１での撮像データがインターフェース１１０を介して入力されるようになっている。また、データ処理装置２００には、半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での位置調整を行うための輝度中心位置演算部２１０を有しているとともに、半導体レーザ１１のＺ方向での位置調整を行うために、最大輝度などの特徴値のピークホールド値と現在値とを比較して一時記憶部２４０に記憶されているピークホールド値を更新するためのピークホールド値・現在値比較部２３０、および最大輝度などの特徴値のピークホールド値に対する現在値の比率を求めるためのピークホールド値・現在値比率演算部２５０などが構成されている。また、データ処理装置２００には、表示装置３００での表示動作を制御する表示制御部２８０なども構成されている。
【００２８】
表示装置３００は、図２に示すように、４つの表示領域３１０、３２０、３３０、３４０を備えており、第１の表示領域３１０では、高倍率撮像装置８０で得られた高倍率画像などが表示され、第２の表示領域３２０では、輝度分布計測用撮像装置７０で得られた輝度分布などが表示される。また、第３の表示領域３３０では、輝度分布計測用撮像装置７０で得られた輝度分布に基づいて行われた合焦判定結果などが表示され、第４の表示領域３４０では、輝度分布計測用撮像装置７０で得られた輝度分布に基づいて求められたプロファイルなどが表示される。
【００２９】
また、本形態の光ヘッド装置製造装置５０は、コリメート光源８０と、このコリメート光源８０から出射された光の一部のみを透過させる調整用アパーチャ８１とを備えており、高倍率撮像装置８０と低倍率撮像装置６０との光軸合わせや、試料台５２の角度調整などは、コリメート光源８０からの出射光を基準に行われる。なお、試料台５２から各撮像装置６０、７０、８０に向けては、光路を規定する複数枚のハーフミラー５５が配置され、コリメート光源８０から試料台５２に到る光路上にもハーフミラー５５が配置されている。
【００３０】
さらに、本形態の光ヘッド装置製造装置５０は、試料台５２上にアパーチャ５７が配置され、製造途中品２を試料台５２に搭載した状態で、このアパーチャ５７は、図４に示すように、コリメータレンズ１２の後段に配置された状態となる。アパーチャ５７は、コリメータレンズ１２から出射されるコリメート光束の中心を含む一部の光のみを通過させる円形の光透過部５７０を備えている。なお、半導体レーザ１１は、光透過孔を備えたレーザホルダ１８に保持されている。レーザホルダ１８は、前端面が球状凸面１８０になっており、この球状凸面１８０が保持プレート１９の球状凹面１９０に嵌っている。従って、半導体レーザ１１は、レーザホルダ１８の球状凸面１８０と保持プレート１９の球状凹面１９０とにガイドされながら、Ｘ方向における傾き角θxやＹ方向の傾き角θyを変えることができる。
【００３１】
（半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での位置調整）
図５は、図２に示す光ヘッド装置製造装置の表示装置での表示内容を示す説明図である。
【００３２】
本形態の光ヘッド装置製造装置５０を用いて、半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での相対位置を調整するレーザ光軸調整工程では、まず、コリメート光源８０から調整用アパーチャ８１を介して出射された光に基づいて試料台５２の傾き調整が行われる。また、試料台５２上にミラー（図示せず）を配置して、コリメート光源８０から調整用アパーチャ８１を介して出射された光を各撮像装置６０、７０、８０に向けて導けば高倍率撮像装置８０と低倍率撮像装置６０との光軸合わせなどを行うことができる。
【００３３】
このような調整作業を行った後、レーザ光軸調整工程においては、製造途中品２を試料台５２上に配置し、半導体レーザ１１を点灯させる。ここでの製造途中品２は、例えば、図４に示すように構成した半導体レーザ１１のアセンブリに対して、コリメータレンズ１２を治具で保持した状態のものであり、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２の相対位置を変更可能な状態にある。なお、本形態では、アパーチャ５７もコリメータレンズ１２とともに治具で保持されている。
【００３４】
そして、コリメータレンズ１２から出射されたコリメート光を低倍率撮像装置６０で撮像するとともに、その撮像結果を、図２および図５に示す表示装置３００の第２の表示領域３１０に表示し、半導体レーザ１１の姿勢などを確認する。ここで、撮像されるのは、アパーチャ５７の光透過部５７０を透過してきた光であり、コリメート光束の中心を含む一部の光である。
【００３５】
次に、アパーチャ５７を透過してきた光を輝度分布計測用撮像装置７０で撮像するとともに、その撮像結果（輝度分布）を表示装置３００の第２の表示領域３２０に表示する。その際、輝度分布計測用撮像装置７０の焦点位置はアパーチャ５７に合わせる。
【００３６】
ここで、撮像されるのは、アパーチャ５７を透過してきた光であり、コリメート光束の中心を含む一部の光であるため、その像は、図５の第２の表示領域３２０に示す通りである。すなわち、半導体レーザ１１から出射された光のファーフィールドパターンは、本来、図５に一点鎖線Ｌ１で示す通りであるが、その一部のみが撮像され、表示されることになる。このような輝度分布は、図５に示すように、第４の表示領域にＸ方向での輝度プロファイル３４１とＹ方向での輝度プロファイル３４３として表示される。さらに、第４の表示領域３４０には、輝度中心位置の座標３４２が表示される。なお、本形態では、半導体レーザ１１の後段にグレーティング素子１６が配置されているため、グレーティング素子１６による干渉縞の影響は、第２の表示領域３２０に表示された輝度分布やＹ方向でのプロファイル３４３に縞模様として出現する。
【００３７】
そして、画像処理装置１００では、データ処理装置２００の輝度中心位置演算部２１０がコリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求め、その結果を第２の表示領域３２０にマーク「＋」で表示する。また、第１の表示領域３１０には、高倍率撮像装置８０で得られた高倍率画像が表示され、そこにも輝度中心位置がマーク「＋」で表示される。このような輝度分布に基づいて輝度中心位置を求める際、グレーティング素子１６による干渉縞の影響を補正した上で行う。
【００３８】
本形態では、輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるための方法としては、例えば、輝度分布のうち、所定の輝度値を示す領域の中心を輝度中心位置とする。すなわち、輝度分布から等輝度曲線を求め、その重心位置を輝度中心位置とする。この場合の輝度値としては、例えば、最高輝度と最低輝度との間で割合による設定を行えばよい。より具体的には、最低輝度が１０で最高輝度が２００である場合、その８０％で等輝度曲線を求めるとすれば、等輝度曲線の輝度値は、以下の式
等輝度曲線の輝度値＝１０＋（２００−１０）×０．８
＝１６２
から、１６２とすればよい。
【００３９】
また、輝度分布に基づいて輝度中心位置を求める際には、輝度分布のうち、所定値以上の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置を輝度中心位置としてもよい。この場合の閾値についても、例えば、最高輝度と最低輝度との間で割合による設定を行えばよい。より具体的には、最低輝度が１０で最高輝度が２００である場合、その８０％で等輝度曲線を求めるとすれば、閾値は、以下の式
閾値＝１０＋（２００−１０）×０．８
＝１６２
から、１６２とすればよい。
【００４０】
さらに、輝度分布に基づいて輝度中心位置を求める際には、輝度分布に基づいて輝度の曲線近似を行い、そのピーク位置を輝度中心位置としてもよい。
【００４１】
このようにして求められた輝度中心位置は、第１の表示領域３１０および第２の表示領域３２０にマーク「＋」で表示され、かつ、第１の表示領域３１０および第２の表示領域３２０には、輝度中心位置を一致させるべき目標位置がマーク「○」で表示される。また、第４の表示領域３４０の下段には、目標位置の座標３４４と、目標位置の座標と輝度中心位置との距離３４６が表示される。
【００４２】
ここで、目標位置は、予め決定されている座標位置である。また、アパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置を目標位置とすることもある。アパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置を求めるにあたっては、例えば、輝度分布のうち、所定値以下の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置をアパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置（目標位置）とする。また、アパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置を求めるにあたっては、輝度分布からアパーチャ５７の光透過部５７０の円形の輪郭を求め、その輪郭の中心位置をアパーチャ５７の光透過部５７０の中心位置（目標位置）としてもよい。
【００４３】
従って、第１の表示領域３１０あるいは第２の表示領域３２０に表示されている輝度中心位置（マーク「＋」）と目標位置（マーク「○」）とが一致するように、半導体レーザ１１のコリメータレンズ１２に対する相対位置を調整すれば、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせることができ、光軸があったとき、第４の表示領域３４０において、結果を示す領域３４８には「ＯＫ」と表示される。このようにして、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせる。
【００４４】
以上説明したように、本形態では、コリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるため、デフォーカス状態のスポット像に基づいて輝度分布の中心を求める方法と違って、輪郭な明瞭な像から輝度中心位置を求めることができる。従って、輝度中心位置を容易に求めることができ、かつ、その精度が高い。それ故、半導体レーザ１１のレーザ出射点をＸ、Ｙ方向に合わせることができるので、コリメート光の傾きを防止でき、光記録ディスク３に対して光軸に点対称なスポットを形成できる。また、半導体レーザ１１の出射光軸の傾き（出射方向のずれ／θ方向ずれ）を防止できるので、コリメート光の輝度分布の偏りを防止でき、光記録ディスク３に形成されるスポットに輝度分布の偏りが発生することを防止することができる。
【００４５】
また、第２の表示領域３２０に表示される縞模様（干渉縞）によれば、グレーティング素子１６の傾きも確認できるので、グレーティング素子１６の傾きを調整することもできる。
【００４６】
なお、コリメータレンズ１２から出射される光束は、コリメート光束であったが、発散光あるいは収束光であってもよい。
【００４７】
（半導体レーザ１１のＺ方向での位置調整）
続いて、本形態の光ヘッド装置製造装置５０を用いて、半導体レーザ１１のＺ方向での位置を調整する合焦調整工程を説明する。この合焦調整工程では、高倍率撮像装置８０を用いる。ここで、高倍率撮像装置８０の計測結果に基づいて、第３の表示領域３３０には、Ｘ方向における輝度プロファイル３３１が表示される。
【００４８】
本形態では、図３を参照して説明したように、データ処理装置２００には、一時記憶部２４０、ピークホールド値・現在値比較部２３０、およびピークホールド値・現在値比率演算部２５０が構成されている。このため、半導体レーザ１１をＺ方向においてコリメートレンズ１２の合焦位置から外れた位置から合焦位置を通過してさらに移動させた際、その間に計測された最大輝度（パラメータ）が一時記憶部２４０にピークホールドされる。また、その値を上回る値が出現したとピークホールド値・現在値比較部２３０が判断したときには、一時記憶部２４０に記憶されているピークホールド値が更新される。その間、一時記憶部２４０に現在、記憶されているピークホールド値は、第３の表示領域３３０の上段のピークホールドグラフ３３４で表示され、現在の計測値は、第３の表示領域３３０の下段に現在値グラフ３３６で表示されるようになっている。さらに、一時記憶部２４０に現在、記憶されているピークホールド値と現在値との比が求められ、第３の表示領域３３０の最上段に比率３３８で表示されるようになっている。また、第３の表示領域３３０の最上段には、所定の手順を経た後、比率３３８が所定の値以上になったとき、判定結果３３９が「ＯＫ」と表示されるようになっている。
【００４９】
このように構成した光ヘッド装置製造装置５０において、半導体レーザ１１のＺ方向での位置調整を行うにあたっては、まず、スポット画像を大幅にぼかして現在値グラフ３３６がその中ほどよりも左（値が小さい方）になるように半導体レーザ１１のＺ方向における位置を設定すると、ピークホールド値がリセットされる。次に、半導体レーザ１１をＺ方向に移動させて徐々にピントを合わせていくと、上段のピークホールドグラフ３３４、および下段の現在値グラフ３３６が伸びていく。そして、合焦位置を過ぎると、ピークホールドグラフ３３４は最大値を保持したまま、現在値グラフ３３６が低下していく。従って、ピーク値から一定割合だけ下がった後、半導体レーザ１１を逆方向に相対移動させれば、現在値グラフ３３６がピークホールドグラフ３３４に近づいていくので、合焦位置を見出すことができる。このとき、現在値をピークホールド値に完全に一致させようとすると、合焦位置を高い精度で見出すことができるが、作業時間が増大する。従って、本形態では、現在値がピークホールド値に対して所定の比率となった時点を合焦位置とする。なお、一連の動作を満たさない状態で上段のピークホールドグラフと、下段の現在値グラフとが一致した場合には、判定結果３３９として「ＮＧ」が表示される。
【００５０】
なお、本形態では、合焦位置を決定するためのパラメータとして、スポットの最大輝度を用いたが、以下のパラメータ
（１）スポットの最大輝度
（２）リング輝度和
（３）０次スポットエリアの最大輝度と一次リング輝度和との比
（４）０次と１次間の暗部の輝度和
（５）上記パラメータに所定の係数を乗じたものの総和
（６）最大輝度に対して一定の閾値（例えば、１／ｅ2＝１３．５％）で０次スポットを切断したときに得られる面の直径
（７）最大輝度に対して一定の閾値（例えば、１／ｅ2＝１３．５％）で０次スポットを切断したときに得られる面の面積
（８）最大輝度に対して一定の閾値（例えば、１／ｅ2＝１３．５％）で０次スポットを切断したときに得られる面の周囲長
（９）最大輝度に対して一定の閾値（例えば、１／ｅ2＝１３．５％）で０次スポットを切断したときに得られる面の直径と周囲長の比
（１０）最大輝度に対して一定の閾値（例えば、１／ｅ2＝１３．５％）で０次スポットを切断したときに得られる面の互いに直交する直径の比、
のいずれを用いて合焦位置を決定し、半導体レーザ１１のＺ方向での位置調整を行ってもよい。
【００５１】
（半導体レーザ１１の傾き角θx、θyの調整）
なお、半導体レーザ１１の傾き角θx、θyを調整した際の輝度中心のずれ量は、第３の表示領域３３０の下段３３２に表示される。
【００５２】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る光ヘッド装置製造装置において仮想アパーチャによって輝度中心位置を求める方法を示す説明図である。
【００５３】
上記実施の形態１では、半導体レーザ１１のＸ、Ｙ方向での位置調整を行うレーザ光軸調整工程において、コリメータレンズ１２の後段にアパーチャ５７を配置することにより、コリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めたが、アパーチャ５７を用いずに、コリメート光束の中心を含む一部の光の輝度分布に基づいて輝度中心を求めてもよい。すなわち、コリメータレンズ１２の後段にアパーチャ５７を配置しない場合には、図６（ａ）に示す像が得られるので、画像処理装置１００において、図６（ｂ）に円で示す仮想アパーチャ５８を設定し、この仮想アパーチャ５８内の輝度分布の計測結果に基づいて輝度中心位置を求めてもよい。この場合、輝度分布計測用撮像装置７０の焦点位置をコリメータレンズ１２に合わせる。
【００５４】
本形態でも、第２の表示領域３２０に表示されている輝度中心位置（マーク「＋」）と目標位置（マーク「○」）とが一致するように、半導体レーザ１１のコリメータレンズ１２に対する相対位置を調整すれば、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせることができ、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との光軸を合わせた後、半導体レーザ１１とコリメータレンズ１２との位置を固定することができる。
【００５５】
なお、仮想アパーチャ５８内の輝度分布に基づいて輝度中心位置を求めるにあたっては、実施の形態１と同様、輝度分布のうち、所定の輝度値を示す領域の中心を輝度中心位置とする方法、輝度分布のうち、所定値以上の輝度を示す領域における重み付き輝度重心位置を輝度中心位置とする方法、または輝度分布に基づいて輝度の曲線近似を行い、そのピーク位置を輝度中心位置とする方法を採用すればよい。
【００５６】
また、目標位置については、予め決定されている座標位置、あるいは仮想アパーチャ５８の中心位置により設定すればよい。
【００５７】
なお、上記形態２においても、コリメータレンズ１２から出射される光束は、コリメート光束であったが、発散光あるいは収束光であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】光ヘッド装置の要部を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る光ヘッド装置製造装置の構成を示す説明図である。
【図３】図２に示す光ヘッド装置製造装置の画像処理装置の主な機能を示す機能ブロック図である。
【図４】図２に示す光ヘッド装置製造装置に設置される製造途中品の説明図である。
【図５】図２に示す光ヘッド装置製造装置の表示装置での表示内容を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る光ヘッド装置製造装置において仮想アパーチャによって輝度中心位置を求める方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  光ヘッド装置
２  製造途中品
３  光記録ディスク
１１  半導体レーザ
１２  コリメータレンズ
１３  対物レンズ
１５  受光素子
５０  光ヘッド装置製造装置
５２  試料台
５７  アパーチャ
５８  仮想アパーチャ
６０  低倍率撮像装置
７０  輝度分布計測用撮像装置
８０  高倍率撮像装置
１００  画像処理装置
２００  データ処理装置
２１０  輝度中心位置演算部
２４０  一時記憶部
２３０  ピークホールド値・現在値比較部
２５０  ピークホールド値・現在値比率演算部
３００  表示装置
【図１】
2006155772.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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