(57)【要約】【課題】  多層配線基板の反りを抑制し、信号伝送距離を短縮する多層配線基板構造を得ること。【解決手段】  本発明による多層配線基板構造では、配線層を形成する金属の熱膨張率以下の熱膨張率を有する２枚の材料基板の間に、熱可塑性樹脂材料、液晶ポリマ材料又はゴムの分子構造を含む樹脂材料の何れかを含む配線基板が、複数積層される。配線基板は、ゴムの分子構造を含む樹脂材料等から構成されるので、その弾性率は非常に小さく柔軟である。低弾性の樹脂材料を採用することで、熱膨張率は却って上昇し、配線材料と樹脂材料との間の熱膨張率の差は大きくなってしまうかもしれないが、弾性率が充分に小さくなれば、内部応力を小さく維持することができる。このため、配線基板のスタック数及びビアを積み上げる許容値を従来よりも大きくすることができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層及び配線層より成る積層構造を有する多層配線基板構造であって、前記配線層を形成する金属の熱膨張率以下の熱膨張率を有する２枚の材料基板の間に前記絶縁層及び前記配線層が設けられ、前記絶縁層は、前記２枚の材料基板の弾性率よりも小さな弾性率を有する材料より成る
ことを特徴とする多層配線基板構造。
【請求項２】
前記積層構造に含まれる絶縁層の少なくとも１つが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリイミドより成る群から選択された少なくとも１つの熱可塑性樹脂材料、全芳香族ポリアミド及び全芳香族ポリエステルより成る群から選択された少なくとも１つの液晶ポリマ材料、アクリルゴム、ブタジエンゴム、ポリイソブチレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、フッ素系ゴム及びシリコーン系ゴムより成る群から選択された少なくとも１つのゴム材料、又は該ゴム材料を架橋及び変性させた樹脂材料を含む
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板構造。
【請求項３】
前記材料基板が、銅、ニッケル、タングステン、チタン、鉄、アルミニウム、クロム、亜鉛、マンガン、鉛、コバルト、マグネシウム及び銀より成る群から選択された少なくとも１つの金属材料、又はシリコン、ボロン、炭素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、セレン、スズより成る群から選択された少なくとも１つの非金属材料より成る
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板構造。
【請求項４】
前記配線層及び前記材料基板の間に磁性遮蔽材料層が設けられる
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板構造。
【請求項５】
前記材料基板が、所定の繊維に樹脂を含浸させた材料より成る
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩ搭載用パッケージ用多層配線プラスチック基板構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の技術分野では、半導体素子の高密度化に伴って、配線基板の多層化が進んでいる。配線基板が多層化された構造は多層配線基板構造とも呼ばれる。更に、半導体素子の高性能化及び多機能化等により、多層化される配線基板数も増加する傾向にある。多層配線構造に関する従来技術については、特許文献１，２に記載されている。
【特許文献１】特開平６−５３６８４号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＬＳＩパッケージプラスチック基板は配線材料と絶縁樹脂材料で構成されるが、両者の熱膨張率の差に起因する歪に対処するために、ガラスクロスで補強された樹脂材料をコア基板として使用し、そのコア基板の表裏に対称的に積層構造を形成（ビルドアップ）する構造が一般的に用いられている。剛直なコア基板の表裏に対称的に配線層を設けることで、表裏双方で生じる歪の影響が相殺され、結果的に歪の少ない基板が得られる。しかしながら、樹脂材料もある程度の弾性率を有しているため、歪矯正効果を発現させるためには、０．４ｍｍ以上の厚みのあるコア基板を用いる必要がある。しかし、表面のＬＳＩチップから裏面のキャパシタまでの伝送距離は、少なくともその厚みの分だけ長くなってしまう。特にギガヘルツ以上の高周波信号では伝送距離の増大による減衰が大きいため、次世代の高周波信号を用いた高速伝送には、伝送距離の低減が大きな課題となっている。
【０００４】
さらに、パッケージ基板内の多層構造に存在する層間接続用ビアが多段に積層された場合に、熱ストレスが印加されると配線材料とその周辺の絶縁材料間の熱膨張率差による内部応力がビア根底部に局所的に集中し、ビアの断線をおこす。このような熱膨張率の差に起因する応力を緩和するために、図１に示されるように、直線状に積み上げられるビアの段数を制限し、発生する内部応力を分散させる試みがなされている。図中、斜線の部分は導電性の部分であり、最下層の導電性コンタクトからビアが垂直に４段積み上げられ、水平方向にＡで示される分だけ引き回された後に、再びビアが垂直に２段積み上げられている。しかしながら、この手法によれば、応力集中を緩和させることができる一方で、実装面積の増大につながるだけでなく、図中のＡに示される分だけ信号伝送距離が増加してしまう。信号伝送距離は、特に高周波信号の伝搬特性（遅延量、反射率等）に大きく影響を及ぼすので、このような信号伝送距離の増加は、素子設計の観点からは好ましくない。
【０００５】
また、配線材料と絶縁材料との間の応力を低減させるため、樹脂材料に低熱膨張率のセラミックスのフィラーを充填し、両者の熱膨張率を近づける試みもなされている。これにより、樹脂材料の熱膨張率は、確かに下がるかもしれないが、この手法は以下の点で不都合である。先ず、セラミックスのフィラーを充填しても、もともとの樹脂の熱膨張率（約６０ｐｐｍ以上）を銅（Ｃｕ）の熱膨張率（約１７ｐｐｍ）程度に下げることは困難である。そのようにして熱膨張率がいくらか下がったとしても、逆に弾性率は高くなり（硬くなり）、残留応力が熱膨張率差と弾性率の積に比例するため、応力低減の効果はほとんど期待できないと考えられる。更に、レーザ加工できないセラミックスを大量に含むことで、配線パターン形成時におけるレーザ加工精度が劣化してしまう。このため、例えばビアになるスルーホールに、テーパ角の大きいビアが形成され、層間接続部分のビアの太さが細くなる結果、かえって応力集中を招く構造が形成されること等が懸念される。さらに、樹脂材料に密着に寄与しないセラミックスのフィラーが充填されると、樹脂材料を積層する際の密着性が悪くなってしまうことも懸念される。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、多層配線基板の反りを抑制するとともに、信号伝送距離を短縮する多層配線基板構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、配線層を形成する金属の熱膨張率以下の熱膨張率を有する２枚の材料基板の間に、熱可塑性樹脂材料又はゴムの分子構造もしくはそれらを架橋及び編成させた樹脂材料より成り、且つ所定の配線パターンを有する基板が、複数積層される多層配線基板構造が使用される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、多層配線基板の反りを抑制するとともに、スタックビア接続信頼性を向上させることができ、このスタックビアを多層配線に使用することで結果的に信号伝送距離を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の一態様によれば、配線層を形成する金属の熱膨張率以下の熱膨張率を有する２枚の材料基板の間に、ゴムの分子構造を含む樹脂より成る配線基板が、複数積層される多層配線基板構造が使用される。
【００１０】
配線パターンを備える多層化される基板が、熱可塑性樹脂材料、液晶ポリマ材料、ゴムの分子構造を含む樹脂材料等から構成されるので、その基板の室温における弾性率は非常に小さい。このような低弾性の樹脂材料を採用することで、絶縁層の熱膨張率は逆に上昇し、配線材料と樹脂材料との間の熱膨張率の差は却って大きくなってしまうかもしれない。しかしながら、弾性率が充分に小さければ、内部応力を小さくすることができる。材料の内部に残存する内部応力（残留応力）は、熱膨張率と、弾性率と、温度とに比例するからである。一例として、室温における熱膨張率が４倍に上昇したとしても、弾性率が１／１００に小さくなれば、結果的に内部応力は１／２５に小さくすることができる。本発明でもこのような原理が利用されている。内部応力を小さくすることができるので、配線基板のスタック数を従来よりも大きくすることができる。ビアを直線状に積み上げる段数を増やすことができるので、余分な信号伝送距離を増やさずに済む。配線基板構造全体としての剛直性を維持するため、積層される低弾性樹脂層が、従来のコア基板に代わるより硬い材料基板で保持される。積層される低弾性の基板は非常に柔軟であるため、従来のコア材料程厚い材料でなくても、配線金属の熱膨張率以下の熱膨張率を備えていれば、低弾性の配線基板の反りを矯正するには充分である。このため、従って、その材料基板は、従来のコア材料より薄くても充分に効果がある。このため、コア材料の厚みに起因して増大していた信号伝送距離に配慮する必要もなくなる。更に、セラミックスフィラーのような充填剤を絶縁樹脂に混合しないので、レーザ加工性や密着性等の劣化も考慮しなくてよい。
【００１１】
本発明の一態様によれば、前記積層構造に含まれる絶縁層の少なくとも１つが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリイミドより成る群から選択された少なくとも１つの熱可塑性樹脂材料、全芳香族ポリアミド及び全芳香族ポリエステルより成る群から選択された少なくとも１つの液晶ポリマ材料、アクリルゴム、ブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、フッ素系ゴム及びシリコーン系ゴムより成る群から選択された少なくとも１つのゴム材料、又はこららの材料を架橋及び変性させた樹脂材料を含む。本発明の一態様によれば、前記配線層を形成する金属が、銅である。
【００１２】
本発明の一態様によれば、前記材料基板が、金属より成る。
【００１３】
本発明の一態様によれば、前記材料基板が、銅、ニッケル、タングステン、チタン、鉄、アルミニウム、クロム、亜鉛、マンガン、鉛、コバルト、マグネシウム及び銀より成る群から選択された少なくとも１つの金属材料、もしくはシリコン、ボロン、炭素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、セレン、スズより成る群から選択された少なくとも１つの非金属材料より成る。
【００１４】
本発明の一態様によれば、前記材料基板が磁性材料の場合に前記配線層及び前記材料基板の間に磁性遮蔽材料層が設けられる。
【００１５】
本発明の一態様によれば、前記材料基板が、所定の繊維に樹脂を含浸させた材料より成る。
【００１６】
本発明の一態様によれば、前記所定の繊維が、ガラスクロス、アラミド繊維、カーボン繊維又はケブラ繊維より成る。
【実施例１】
【００１７】
図２は、本発明の一実施例による多層配線基板構造を形成するための主要な工程を示す。（以下２０４は低弾性樹脂を示し、−１，−２，−３のような数字はその層番号を示す。）図２（Ａ）には、例えば４０μｍ程度の厚さの金属板２０２に、例えば４０μｍ程度の厚さの樹脂層２０４−１が設けられた構造が示されている。図示の構造は、金属板２０２を用意し、樹脂層２０４−１のシートを貼り合わせることで形成してもよいし、ＲＣＣ（ｒｅｓｉｎ  ｃｏａｔｅｄ  ｏｎ  ｃｏｐｐｅｒ）のような樹脂付の銅箔をそのまま利用してもよい。本実施例では、後者のＲＣＣが利用されている。本実施例における金属板２０２は例えば銅より成るが、用途に応じて様々な材料を用いて金属板を形成することができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の金属又はそれらを含む合金で形成してもよい。何れの材料が利用されるにせよ、少なくとも金属板２０２の熱膨張率は、それに積層される樹脂材料より剛直で、より小さな熱膨張率を有することを要する。
【００１８】
図２（Ｂ）に示される工程では、フォトリソグラフィ等の手法により、樹脂層２０４−１上の一部がレジストで被覆され、一部が露出される。そして、樹脂層２０４−１の所定の部分にスルーホールが穿孔される。この穿孔は、例えばレーザ加工法を用いて行うことができる。レーザ加工には、住友重機製のＣＯ２レーザビア形成装置（ＩＮＰＡＣＴ  Ｌ−５００）を用い、波長９．３μｍのレーザ光を１４８Ｈｚで３ショットで加工することができた。そして、スルーホール内及び樹脂層上に導電性の材料を堆積又は成膜することで、所定の配線パターンが形成された。図２（Ｂ）には、配線層２０８とビア２１０が模式的に示されている。例えば、めつき法によるアディティブ法で形成することができる。
【００１９】
図２（Ｃ）に示される工程では、第２の樹脂層２０４−２が、第１の樹脂層２０４−１上に設けられる。これは、第１の樹脂層２０４−１上に第２の樹脂層２０４−２を設け、例えば１８０℃で９０分間加熱し、それらを貼り合わせることで行われる。第２の樹脂層２０４−２は、熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂で架橋させた熱硬化性樹脂である（硬化後も金属層より充分に柔軟な性質を有する。）。本実施例では、第２の樹脂層２０４−２は、巴川製紙所製のＴＬＦ−Ｙ２０が使用される。この材料のガラス転移温度Ｔｇは−３０℃であり、転移前後の熱膨張率は、α１＝１４０ｐｐｍ／℃及びα２＝３７０ｐｐｍ／℃であり、２３℃における弾性率は１１ＭＰａである。
【００２０】
この第２の樹脂層２０４−２に対しても、第１の樹脂層２０４−１と同様に、適切な配線パターンが形成される。以下同様にして、樹脂層より成る配線基板の貼り合わせ及び配線パターンの形成が、必要な多層化の積層数に合わせて反復される。
【００２１】
図２（Ｄ）は、７つの樹脂層２０４−１〜７が積層された後の配線構造を示す。最後の樹脂層２０４−７上には、金属層２０２と同様な金属層２０６が設けられる。この場合において、最後の樹脂層２０４−７に、金属層２０６を貼り合わせることで、配線構造を完成させてもよいし、或いは最後の樹脂層２０４−７及び金属層２０６に樹脂付き銅箔を利用してもよい。このようにして、熱膨張率の低い金属層２０２，２０６の間に、複数の低弾性の樹脂層２０４−１〜７が挟まれた構造が形成される。
【００２２】
図３は、図２に示される工程で形成された多層配線基板構造に、半導体チップを実装するための主要な工程を示す。図３（Ａ）は、図２（Ｅ）に示されるような多層配線基板構造の概略図を示す。図中、斜線部分は導電性の材料で形成されている部分を示す。樹脂層の積層数及び配線パターンの様子等は、簡単のため、模式的に示されている。
【００２３】
図３（Ｂ）に示される工程では、金属層２０６（説明の便宜上、上位の金属層という）は適切にパターニングされ、樹脂層（の最上層）２０４の一部がレジストで被覆され、一部が露出させる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法で行うことができる。一方、金属層２０２（説明の便宜上、下位の金属層という）も、同様な手法で適切にパターニングされる。パターニングの形状は、上位及び下位の金属層で同一であってもよいし、異なっていてもよい。  
図３（Ｃ）に示される工程では、所定の部分を被覆し、所定の部分を露出させるレジスト３０６が成膜される。本実施例では、ビアの上部のめっき用のシード層を露出させ、それ以外のシード層を被覆するようにレジスト３０６が設けられる。次に、露出したシード層を用いて電解めつきを行うことで、パッド３０８が形成される。
【００２４】
図３（Ｄ）に示される工程では、不要になったレジスト３０６及びシード層が除去される。
【００２５】
図４は、図３（Ｄ）に示されるように形成された配線構造に、半導体チップ４０６が実装された様子を示す。図３（Ｄ）に示される配線構造のパッド３０８の側に、はんだレジスト４０２が設けられ、パッド３０８上にはんだバンプ４０４が設けられる。はんだレジスト４０２には、例えば、日立化成工業製のソルダレジスト（ＳＲ−７０００）を用いることができる。はんだバンプ４０４に、半導体チップ４０６の電極が接続される。図４の下側の図は、配線構造の模式的な底面図を示し、底面図中のＡ−Ａ線断面図が、図４上側の図に相当する。斜線部分は導電性の材料より成る部分である。
【００２６】
このようにして作成されたスタックビア構造に対して、熱ストレス信頼性試験を行った。図３及び図４では、図示の簡明化のため、３段のスタックビア構造が描かれているが、実験では、７段のスタックビア構造（全部又は一部のビアが連続的に直線状に７段垂直に並ぶ構造）が使用された。この試験は、２５℃から２６０℃への加熱を４サイクル行い、−６５℃から１２５℃への加熱を２サイクル行った後に、スタックビアの抵抗値の増加として評価された。仮に、熱ストレスに起因してビアの接続構造が破断したとすると、抵抗値は著しく増加することになる。しかしながら、本実施例による配線構造では、抵抗の増加はほとんど見られないことが確認された。また、スタックビアの断面観察を行ったところ、ビアの断線等の不具合は確認されなかった。基板全体としての物性は、ガラス転移温度が−３０℃であり、転移前後の熱膨張率はα１＝１０ｐｐｍ／℃及びα２＝８ｐｐｍ／℃であり、２３℃における弾性率は１０ＧＰａであった。また、基板全体（２ｃｍ□）の反り量は約３０μｍと非常に反りの少ない基板を作製することができた。
【００２７】
比較のため、味の素社製の樹脂（ＳＨ−９Ｋ）のみより成る７段の樹脂層が含まれる構造を作成し、上記の条件で熱ストレス試験を行った。味の素社製の樹脂（ＳＨ−９Ｋ）のガラス転移温度は１６５℃であり、転移前後の熱膨張率はα１＝９５ｐｐｍ／℃及びα２＝１６０ｐｐｍ／℃であり、２３℃における弾性率は３ＧＰａであり、上記の低弾性の樹脂より硬い性質を有する。試験の結果、熱応力によるビアの断線に顕著な抵抗値の増加が観測された。
【実施例２】
【００２８】
図５は、本発明の第２実施例による多層配線基板構造を示す。概して、図４に示されるのと同様な構造であるが、下位の金属層２０２と樹脂層２０４との間に磁気遮蔽層５０２が設けられていること、及び上位の金属層２０６と樹脂層２０４との間に磁気遮蔽層５０６が設けられている点が異なる。上述したように、上位及び下位の金属層には様々な材料を用いることが可能である。本実施例では、上位及び下位の金属層２０２，２０６が、鉄、ニッケル、コバルト等のような磁性材料から構成される。この場合に、不要な磁場が周囲に影響することを抑制するため、磁気遮蔽層５０２，５０６が設けられる。磁気遮蔽層５０２，５０６は、例えば銅で形成することができる。上位及び下位の構造をバイメタル構造とすることで、このような製品用途にも本発明を使用することができる。但し、図３（Ｂ），（Ｃ）等の工程で、金属層及び磁気遮蔽層が、別々にエッチングされることになる。例えば、それらの層がウエットエッチングで形成される場合に、チタンより成る層に対してはふっ硝酸系のエッチング液が用いられ、ニッケルより成る層に対してはアルカリ系のエッチング液が用いられ、コバルトより成る層に対しては硫酸過水水溶液が用いられる。
【実施例３】
【００２９】
上述したように、上位及び下位の金属層２０２，２０６は、それらが挟む樹脂層２０４よりも剛直であることを要する。このような観点からは、樹脂層２０４を挟む層が金属であることは必須ではない。樹脂層２０４よりも剛直な絶縁性の材料層でもよい。本発明の第３実施例では、低弾性の樹脂層２０４を挟む上下の層が、所定の繊維に樹脂を含浸させた熱硬化性樹脂より成る。所定の繊維には、ガラスクロス、アラミド繊維、カーボン繊維、ケブラ繊維等が含まれ、これらから形成される骨組み構造に、エポキシ樹脂を含浸させることによって、補強された樹脂層（プリプレグ）が得られる。
【００３０】
本実施例では、新神戸電機製の５０μｍ程度の厚さのアラミド紙含浸樹脂（ＫＥＬ−５４）が使用される。この材料のガラス転移温度Ｔｇは１６５℃であり、転移前後の熱膨張率はα１＝１６．８ｐｐｍ／℃及びα２＝−４．６ｐｐｍ／℃であり、２３℃における弾性率は７．０ＧＰａである。この補強された樹脂層に、低弾性の樹脂層２０４−１を貼り合わせ、図２に示される各工程の処理を行うことで、多層配線基板構造を得ることができる。張り合わせは、例えば、１８０℃で９０分間の熱処理で行われる。
【００３１】
低弾性の樹脂層２０４には、例えば巴川製紙所製のＴＬＦ−Ｙ２０が使用される。この材料のガラス転移温度Ｔｇは−３０℃であり、転移前後の熱膨張率はα１＝１４０ｐｐｍ／℃及びα２＝３７０ｐｐｍ／℃であり、２３℃における弾性率は１１ＭＰａである。この樹脂層の貼り合わせも、１８０℃で９０分間の熱処理で行われる。低弾性の樹脂層２０４の配線パターニングは、レーザ加工法を用いて行われる。
【００３２】
このような材料及び装置等を用いて、図２（Ｄ）に示されるような７段のスタックビア構造を形成し、熱ストレス試験が行われた。この試験は、２５℃から２６０℃への加熱を４サイクル行い、−６５℃から１２５℃への加熱を２サイクル行った後に、スタックビアの抵抗値の増加として評価された。その結果、抵抗の増加はほとんど見られないことが確認された。また、断面検査を行ったところ、ビアの断線等の不具合は確認されなかった。基板全体としての性質は、ガラス転移温度が１６５℃であり、転移前後の熱膨張率はα１＝１７ｐｐｍ／℃及びα２＝８ｐｐｍ／℃であり、２３℃における弾性率は５ＧＰａであった。従って、基板全体としては非常に変形の少ない剛直な性質を備えることができる。
【００３３】
以下、本発明により教示される手段を例示的に列挙する。
【００３４】
（付記１）
絶縁層及び配線層より成る積層構造を有する多層配線基板構造であって、前記配線層を形成する金属の熱膨張率以下の熱膨張率を有する２枚の材料基板の間に前記絶縁層及び前記配線層が設けられ、前記絶縁層は、前記２枚の材料基板の弾性率よりも小さな弾性率を有する材料より成る
ことを特徴とする多層配線基板構造。
【００３５】
（付記２）
前記積層構造に含まれる絶縁層の少なくとも１つが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリイミドより成る群から選択された少なくとも１つの熱可塑性樹脂材料、全芳香族ポリアミド及び全芳香族ポリエステルより成る群から選択された少なくとも１つの液晶ポリマ材料、アクリルゴム、ブタジエンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、フッ素系ゴム及びシリコーン系ゴムより成る群から選択された少なくとも１つのゴム材料、又は該ゴム材料を架橋及び変性させた樹脂材料を含む
ことを特徴とする付記１記載の多層配線基板構造。
【００３６】
（付記３）
前記配線層が、銅より成る
ことを特徴とする付記１記載の多層配線基板構造。
【００３７】
（付記４）
前記材料基板が、金属より成る
ことを特徴とする付記１記載の多層配線基板構造。
【００３８】
（付記５）
前記材料基板が、銅、ニッケル、タングステン、チタン、鉄、アルミニウム、クロム、亜鉛、マンガン、鉛、コバルト、マグネシウム及び銀より成る群から選択された少なくとも１つの金属材料、又はシリコン、ボロン、炭素、リン、ゲルマニウム、ヒ素、セレン、スズより成る群から選択された少なくとも１つの非金属材料より成る
ことを特徴とする付記１記載の多層配線基板構造。
【００３９】
（付記６）
前記配線層及び前記材料基板の間に磁性遮蔽材料層が設けられる
ことを特徴とする付記１記載の多層配線基板構造。
【００４０】
（付記７）
前記材料基板が、所定の繊維に樹脂を含浸させた材料より成る
ことを特徴とする付記１記載の多層配線基板構造。
【００４１】
（付記８）
前記所定の繊維が、ガラスクロス、アラミド繊維、カーボン繊維又はケブラ繊維より成る
ことを特徴とする付記６記載の多層配線基板構造。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来の多層配線基板構造の一例を示す図である。
【図２】本発明の一実施例による多層配線基板構造を形成するための主要な工程を示す図である。
【図３】本発明の一実施例による多層配線基板構造に半導体チップを実装するための主要な工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施例による多層配線基板構造を示す図である。
【図５】本発明の一実施例による多層配線基板構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
２０２，２０６  金属層；  ２０４  低弾性樹脂層；  ２０８  配線パターン；  ２１０  ビア；
３０６  レジスト；  ３０８  パッド；  
４０２  はんだレジスト；  ４０４  はんだバンプ；  ４０６  半導体チップ；  ５０２，５０６  磁気遮蔽層
【図１】
2006173333.tif 000003
【図２】
2006173333.tif 000004
【図３】
2006173333.tif 000005
【図４】
2006173333.tif 000006
【図５】
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