(57)【要約】【課題】  塗布処理時に発生する被処理基板上の静電気を適切かつ効率的に除去すること。【解決手段】  このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２は、塗布処理時に基板Ｇの被処理面上に発生する静電気を除去するために接地式の除電部１６０を備えている。この除電部１６０は、片側のスライダ１３２の上に搭載または取付されており、保持部１３６に保持されている基板Ｇの一側縁部の非塗布領域ＮＥにて金属膜ＧＭに接触可能な可動の接触子１６２と、この接触子１６２を復動位置と往動位置との間で移動操作するためのアクチエータ１６４と、接触子１６２を電気的にグランド電位に接続するためのアース線１６６とを有する。【選択図】    図１２
2006173246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理面のほぼ全面に導電膜が形成され、前記被処理面の少なくとも周縁部に非塗布領域が設定されるとともに前記非塗布領域の内側に塗布領域が設定されている被処理基板に対して前記塗布領域に処理液を塗布する塗布部と、
電気的にグランド電位に接続される接触子を有し、前記導電膜から静電気を除去するために前記基板の非塗布領域にて前記導電膜に前記接触子を着脱可能に接触させる除電部と
を有する塗布装置。
【請求項２】
被処理面に導電膜が形成されている被処理基板上に処理液を塗布する塗布部と、
塗布中または塗布終了後に前記基板の被処理面上で露出する前記導電膜に除電用のイオンを供給する除電部と
を有する塗布装置。
【請求項３】
前記塗布部が、
前記基板の塗布領域に処理液を供給するためのノズルと、
前記ノズルを前記基板に対して相対的に移動させる塗布走査部と
を有する請求項１または請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記塗布部が、
ステージ上面に多数の噴出口を有し、前記噴出口より噴出する気体の圧力で前記基板を所望の高さに浮かせるステージと、
前記ステージ上で浮いた状態の前記基板を所定の方向に移動させる基板搬送部と、
前記ステージの上方で前記基板の塗布領域に処理液を供給する処理液供給部と
を有する請求項１または請求項２に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記基板搬送部が、
前記基板の移動する方向と平行に延びるように前記ステージの両側に配置されるガイドレールと、
前記ガイドレールに沿って移動可能なスライダと、
前記スライダを前記ガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、
前記スライダから前記ステージの中心部に向かって延在し、前記基板の両側縁部を着脱可能に保持する保持部と
を有する請求項４に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記保持部が、
前記基板の縁部に着脱可能に結合可能なパッドと、
基端部が前記スライダに固定されるとともに、先端部が前記パッドに結合され、前記基板の高さ位置に応じて前記先端部の高さ位置が鉛直方向で変位するパッド支持部と
を有する請求項５に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記処理液供給部が、前記ステージの上方から前記基板の塗布領域に向けて前記処理液を吐出または滴下するノズルを有する請求項４〜６のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記ノズルが、前記基板の移動する方向と直交して水平方向に延びる吐出口を有する請求項７に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記基板の移動する方向において前記処理液供給部よりも下流側の所定位置で前記基板を搬出時に上方へ持ち上げるために、前記ステージに形成された貫通孔を貫通して昇降移動可能に設けられた複数のリフトピンを有する請求項４〜８のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記除電部が、前記スライダに取り付けられ、前記接触子を前記基板の非塗布領域で前記導電膜と接触する第１の位置と前記基板の一側面よりも外側の第２の位置との間で双方向に移動させるアクチエータを有する請求項５〜９のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記徐電部が、前記基板の移動する方向において前記処理液供給部の上流側近傍で前記基板の導電膜に局所的に帯電中和用のイオンを供給する第１のイオナイザを含む請求項４〜９のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記徐電部が、前記基板の移動する方向において前記処理液供給部よりも下流側で前記基板の導電膜に局所的に帯電中和用のイオンを供給する第２のイオナイザを含む請求項４〜１０のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記基板の移動する方向において前記処理液供給部よりも下流側で前記基板の被処理面の静電気を測定するための静電測定部を有し、前記静電測定部の測定結果に応じて前記第２のイオナイザを条件的に作動させる請求項１２に記載の塗布装置。
【請求項１４】
被処理面のほぼ全面に導電膜が形成され、前記被処理面の少なくとも周縁部に非塗布領域が設定されるとともに前記非塗布領域の内側に塗布領域が設定されている被処理基板に対して、電気的にグランド電位に接続されている導体を前記導電膜に接触させ、
前記導電膜に前記導体を接触させた状態で前記基板の塗布領域に処理液を塗布し、
塗布終了後に前記導体を前記基板から離して前記導電膜の接地を解除する塗布方法。
【請求項１５】
被処理面に導電膜が形成されている被処理基板を気体の圧力を用いてステージ上でほぼ水平に浮かせ、かつ所定の方向に搬送するステップと、
前記浮上搬送の途中で前記ステージの上方から前記基板の被処理面に処理液を供給するステップと、
前記基板の被処理面に処理液を供給している最中に前記基板の被処理面の塗布前の部位にて前記導電膜に除電用のイオンを供給するステップと
を実行する塗布処理プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板上にスピンレス方式で処理液を塗布する技術に係わり、特に静電対策をとる塗布装置、塗布方法および塗布処理プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺型のレジストノズルを用いて被処理基板（ガラス基板等）上にレジスト液をスピンレス法で塗布する塗布装置がよく用いられている。
【０００３】
このようなスピンレス方式の塗布装置は、たとえば特許文献１に開示されるように、載置台またはステージ上に基板を水平に載置して、このステージ上の基板と長尺型レジストノズルの吐出口との間に１００μｍ程度の微小なギャップを設定し、基板上方でレジストノズルを走査方向（一般にノズル長手方向と直交する水平方向）に移動させながら基板上にレジスト液を帯状に吐出させて塗布する。長尺型レジストノズルを基板の一端から他端まで１回移動させるだけで、レジスト液を基板の外に落とさずに所望の膜厚でレジスト塗布膜を形成することができる。
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のようなスピンレス法のレジスト塗布処理においては、レジストノズルより基板上に滴下されたレジスト液と基板上面（被処理面）との摩擦により静電気が発生し、塗布走査の進行につれて、つまり基板上でレジスト塗布膜が拡がるにつれて基板の被処理面に蓄積する静電気の量も増大する。この基板被処理面に蓄積した静電気が付近の外部導体たとえば搬送アーム等との間で放電すると、基板上の回路パターンや素子を破壊するおそれがある。
【０００５】
従来より、様々なＦＰＤ用処理装置において、ガラス基板等の絶縁性の被処理基板の表面に発生する静電気を除去するために、基板全体をカバーするサイズを有するバー（横棒）タイプのイオナイザ（除電バー）や平板タイプの軟Ｘ線照射除電装置等が用いられている。しかしながら、スピンレス方式の塗布装置は、レジストノズルをステージに対して相対的に移動させる走査機構との兼ね合いで除電バーや軟Ｘ線照射除電装置を設置するのはスペース的に難しい面がある。また、除電バーや軟Ｘ線照射除電装置は、基板全面を覆う範囲で電荷中和用イオンの雰囲気を形成する方式であるため、除電処理に時間がかかり、スループットの低下を来たすという不利点もある。
【０００６】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、塗布処理時に発生する被処理基板上の静電気を適切かつ効率的に除去するようにした塗布装置、塗布方法および塗布処理プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の塗布装置は、被処理面のほぼ全面に導電膜が形成され、前記被処理面の少なくとも周縁部に非塗布領域が設定されるとともに前記非塗布領域の内側に塗布領域が設定されている被処理基板に対して前記塗布領域に処理液を塗布する塗布部と、電気的にグランド電位に接続される接触子を有し、前記導電膜から静電気を除去するために前記基板の非塗布領域にて前記導電膜に前記接触子を着脱可能に接触させる除電部とを有する。
【０００８】
また、本発明の塗布方法は、被処理面のほぼ全面に導電膜が形成され、前記被処理面の少なくとも周縁部に非塗布領域が設定されるとともに前記非塗布領域の内側に塗布領域が設定されている被処理基板に対して、電気的にグランド電位に接続されている導体を前記非塗布領域にて前記導電膜に接触させ、前記導電膜に前記導体を接触させた状態で前記基板の塗布領域に処理液を塗布し、塗布終了後に前記導体を前記基板から離して前記導電膜の接地を解除する。
【０００９】
上記第１の塗布装置および塗布方法は、被処理面のほぼ全面に導電膜が形成され、被処理面の少なくとも周縁部に非塗布領域が設定されるとともに非塗布領域の内側に塗布領域が設定されている被処理基板を処理対象とする。塗布処理中に基板の非塗布領域の導電膜に導体または接触子を接触させて接地するので、被処理面上に静電気が発生ないし蓄積するのを確実かつ効果的に防止ないし抑制することができる。
【００１０】
本発明の好適な一態様によれば、塗布部が、基板の塗布領域に処理液を供給するためのノズルと、このノズルを基板に対して相対的に移動させる塗布走査部とを有し、スピンレス法の塗布処理を行う。
【００１１】
特に好ましい一態様によれば、塗布部が、ステージ上面に多数の噴出口を有し、それらの噴出口より噴出する気体の圧力で基板を所望の高さに浮かせるステージと、このステージ上で浮いた状態の基板を所定の方向に移動させる基板搬送部と、ステージの上方で基板の塗布領域に処理液を供給する処理液供給部とを有し、浮上搬送でスピンレス法の塗布処理を行う。この場合、好ましい一形態として、基板搬送部は、基板の移動する方向と平行に延びるようにステージの両側に配置されるガイドレールと、このガイドレールに沿って移動可能なスライダと、このスライダをガイドレールに沿って移動するように駆動する搬送駆動部と、スライダからステージの中心部に向かって延在し、基板の両側縁部を着脱可能に保持する保持部とを有する。また、保持部が、基板の縁部に着脱可能に結合可能なパッドと、基端部がスライダに固定されるとともに、先端部がパッドに結合され、基板の高さ位置に応じて先端部の高さ位置が鉛直方向で変位するパッド支持部とを有する。また、処理液供給部は、ステージの上方から基板の塗布領域に向けて処理液を吐出または滴下するノズルを有してよい。このノズルは、基板の移動する方向と直交して水平方向に延びる吐出口を有するのが好ましい。また、基板の移動する方向において処理液供給部よりも下流側の所定位置で基板を搬出時に上方へ持ち上げるために、ステージの貫通孔を貫通して昇降移動可能な複数のリフトピンが設けられてよい。
【００１２】
さらに、好適な一態様として、上記のような浮上搬送式において、除電部が、スライダに取り付けられ、接触子を基板の非塗布領域で導電膜と接触する第１の位置と基板の一側面よりも外側の第２の位置との間で双方向に移動させるアクチエータを有する。
【００１３】
本発明の第２の塗布装置は、被処理面に導電膜が形成されている被処理基板上に処理液を塗布する塗布部と、塗布中または塗布終了後に前記基板の被処理面上で露出する前記導電膜に除電用のイオンを供給する除電部とを有する。
【００１４】
上記第２の塗布装置においては、被処理面に導電膜が形成されている被処理基板を処理対象とし、除電部が塗布中または塗布終了後に基板の被処理面上で露出する導電膜に除電用のイオンを供給して除電するので、被処理面上に静電気が発生ないし蓄積するのを確実かつ効果的に防止ないし抑制することができる。また、上記第１の塗布装置と同様に、スピンレス法、特に浮上搬送式の塗布処理で除電をより効果的に行うことができる。
【００１５】
本発明の好適な一態様によれば、徐電部が、基板の移動する方向において処理液供給部の上流側近傍で基板の導電膜に局所的に帯電中和用のイオンを供給する第１のイオナイザを含み、あるいは処理液供給部よりも下流側で基板の導電膜に局所的に帯電中和用のイオンを供給する第２のイオナイザを含む。これらのイオナイザはスポット式であるため、機構やスペースが小さくて済み、処理時間も短く済む。
【００１６】
また、本発明の塗布処理プログラムは、被処理面に導電膜が形成されている被処理基板を気体の圧力を用いてステージ上でほぼ水平に浮かせ、かつ所定の方向に搬送するステップと、前記浮上搬送の途中で前記ステージの上方から前記基板の被処理面に処理液を供給するステップと、前記基板の被処理面に処理液を供給している最中に前記基板の被処理面の塗布前の部位にて前記導電膜に除電用のイオンを供給するステップとを実行する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の塗布装置、塗布方法または塗布処理プログラムによれば、上記のような構成と作用により、塗布処理時に発生する被処理基板上の静電気を適切かつ効率的に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００１９】
図１に、本発明の塗布装置、塗布方法および塗布処理プログラムを適用できる一構成例としてのＦＰＤ用塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、おもて面または被処理面の全面に金属膜が形成されているＦＰＤ用パネル基板たとえばガラス基板を被処理基板とし、該金属膜をパターニングするフォトリソグラフィー加工においてレジストパターンを形成するために洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、この処理システムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００２０】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００２１】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、角型のガラス基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２２】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００２３】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２４】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２５】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の枚葉式オーブンユニットを基板受け渡し用のパスユニットと一緒に多段に積層配置してなる多段ユニット部またはオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８を設けている。
【００２６】
たとえば、図２に示すように、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）４４には、基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳL）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳL）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２からの洗浄処理の済んだ基板Ｇを第１の熱的処理部２６内に搬入するためのスペースを提供する。下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８には、基板搬出用のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０、基板温度調整用の冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳR）６０は、第１の熱的処理部２６で所要の熱処理の済んだ基板Ｇを下流側の塗布プロセス部２８へ搬出するためのスペースを提供する。
【００２７】
図２において、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２８】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣のオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２９】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２と減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４とをプロセスラインＡに沿って一列に配置している。塗布プロセス部２８内の構成は後に詳細に説明する。
【００３０】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方のオーブンタワー（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方のオーブンタワー（ＴＢ）９２を設けている。
【００３１】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側のオーブンタワー（ＴＢ）８８には、最下段に基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳL）が配置され、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２には、最下段に基板搬出用のパスユニット（ＰＡＳＳR）が配置され、その上に基板温度調整用の冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積みに重ねられてよい。
【００３２】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両オーブンタワー（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳL），（ＰＡＳＳR）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３３】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３４】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３５】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対のオーブンタワー（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３６】
図示省略するが、たとえば、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）９８には、最下段に基板搬入用のパスユニット（ＰＡＳＳL）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、下流側のオーブンタワー（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板搬出および冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積みに重ねられてよい。
【００３７】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳL）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３８】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３９】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれかのカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００４０】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００４１】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００４２】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳL）５０に平流しで搬入される。
【００４３】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のオーブンユニットに順次移送される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳL）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０に移される。
【００４４】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段オーブンタワー（ＴＢ）４４と下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作が行なわれる。
【００４５】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０から塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４６】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２において、基板Ｇは、後述するように長尺型のレジストノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布される。次いで、基板Ｇは、下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ8）。
【００４７】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の熱的処理部３０の上流側オーブンタワー（ＴＢ）８８内のパスユニット（ＰＡＳＳL）に搬入される。
【００４８】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットに順次移送される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳL）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでプリベーキングの加熱処理を受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳR）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４９】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００５０】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００５１】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳR）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００５２】
現像プロセス部３２では、該オーブンタワー（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳR）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００５３】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ平流しで搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳL）に搬入される。
【００５４】
第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳL）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングの加熱処理を受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側オーブンタワー（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５５】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳR・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをステージ２０上のいずれかのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５６】
この塗布現像処理システム１０においては、塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に本発明を適用することができる。以下、図４〜図２０を参照して本発明をレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に適用した実施形態を説明する。
【００５７】
［実施形態１］
図４および図５に示すように、本発明の第１の実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２は、プロセスラインＡの方向（Ｘ方向）に長く延びるステージ１１２を有し、このステージ１１２の上で基板Ｇを同方向（Ｘ方向）に平流しで搬送しながら、ステージ１１２の上方に配置されたレジストノズル１１４より基板Ｇ上にレジスト液を供給して、基板上面（被処理面）の金属膜（たとえばＣｒ膜、Ａｌ膜等）ＧＭの上に一定の膜厚でレジスト塗布膜を形成するように構成されている。ここで、ステージ１１２は、基板Ｇを載置して保持する載置台として機能するのではなく、基板Ｇを空気圧の力で空中に浮かせるための基板浮上台として機能する。そして、ステージ１１２の両側に配置されている直進運動型の基板搬送部１１６が、ステージ１１２上で浮いている基板Ｇの両側縁部を着脱可能に保持してプロセスラインＡの方向またはステージ長手方向（Ｘ方向）に基板Ｇを搬送するようになっている。レジストノズル１１４は、移動型または走査型ではなく定置型であり、搬送方向（Ｘ方向）においてステージ１１２の中心部の上方に固定設置されている。
【００５８】
より詳細には、ステージ１１２は、その長手方向（Ｘ方向）において５つの領域Ｍ1，Ｍ2，Ｍ3，Ｍ4，Ｍ5に分割されている（図５）。左端の領域Ｍ1は搬入領域であり、上流側隣のユニットつまりオーブンタワー（ＴＢ）４８のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０（図２）から移送されてきた基板Ｇは、この領域Ｍ1に搬入される。この搬入領域Ｍ1には、図示しない搬送アームから基板Ｇを受け取るための昇降可能な搬入用のリフトピン１１８が所定の間隔を置いて複数本（たとえば４本）設けられている。これらの搬入用リフトピン１１８は、たとえばエアシリンダ等の駆動源を有するリフトピン昇降部１７４（図１３）によって昇降駆動される。また、この搬入領域Ｍ1は浮上式の基板搬送が開始される領域でもあり、この領域内のステージ上面には基板Ｇを所望の高さ位置Ｈaで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口１２０が一定の密度で多数設けられている。ここで、搬入領域Ｍ1においてステージ１１２の上面からみた基板Ｇの高さ位置または浮上位置Ｈaは、特に高い精度を必要とせず、たとえば１００〜２００μｍの範囲内に保たれればよい。また、搬送方向（Ｘ方向）において、搬入領域Ｍ1のサイズは基板Ｇのサイズを上回っているのが好ましい。
【００５９】
ステージ１１２の中心部に設定された領域Ｍ3はレジスト液供給領域または塗布領域であり、基板Ｇはこの領域Ｍ3を通過する際に上方のレジストノズル１１４からレジスト液の供給を受ける。この塗布領域Ｍ3のステージ上面には、基板Ｇを所望の浮上位置Ｈbで浮かせるために高圧または正圧の圧縮空気を噴き出す噴出口１２０と負圧で空気を吸い込む吸引口１２２とが一定の密度で混在して多数設けられている。
【００６０】
ここで、正圧の噴出口１２０と負圧の吸引口１２２とを混在させているのは、浮上位置Ｈbを高い精度で設定値（たとえば５０μｍ）に保持するためである。つまり、塗布領域Ｍ3における浮上位置Ｈbは、ノズル下端（吐出口）と基板上面（被処理面）との間のギャップＳ（たとえば１００μｍ）を規定する。このギャップＳはレジスト塗布膜やレジスト消費量を左右する重要なパラメータであり、高い精度で一定に維持される必要がある。この実施形態では、基板Ｇの塗布領域Ｍ3を通過している部分に対しては、噴出口１２０から圧縮空気による垂直上向きの力を加えると同時に、吸引口１２２より負圧吸引力による垂直下向きの力を加えて、双方向の合成された圧力のバランスを制御することで、浮上位置Ｈbを設定値（５０μｍ）に維持するようにしている。この浮上位置制御のために、基板Ｇの高さ位置を検出する高さ検出センサ（図示せず）等を含むフィードバック制御機構が設けられてよい。なお、搬送方向（Ｘ方向）における塗布領域Ｍ3のサイズは、レジストノズル１１４の直下に上記のような狭いギャップＳを安定に形成できるほどの余裕があればよく、通常は基板Ｇのサイズよりも小さくてよい。
【００６１】
搬入領域Ｍ1と塗布領域Ｍ3との間に設定された中間の領域Ｍ2は、搬送中に基板Ｇの高さ位置を搬入領域Ｍ1における浮上位置Ｈa（１００〜２００μｍ）から塗布領域Ｍ3における浮上位置Ｈb（５０μｍ）へ変化または遷移させるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ2内でもステージ１１２の上面には噴出口１２０と吸引口１２２とを混在させて配置している。ただし、吸引口１２２の密度を搬送方向に沿って次第に大きくしており、これによって搬送中に基板Ｇの浮上位置が漸次的にＨaからＨbに移るようになっている。
【００６２】
塗布領域Ｍ3の下流側隣の領域Ｍ4は、搬送中に基板Ｇの高さ位置を塗布用の浮上位置Ｈb（５０μｍ）から搬出用の浮上位置Ｈc（たとえば１００〜２００μｍ）に変えるための遷移領域である。この遷移領域Ｍ4のステージ上面には、搬送方向において上記した上流側の遷移領域Ｍ2と対照的な配置パターンで噴出口１２０と吸引口１２２とが混在して配置されている。
【００６３】
ステージ１１２の下流端（右端）の領域Ｍ5は搬出領域である。このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、この搬出領域Ｍ5から図示しない搬送アームによって下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４へ搬出される。この搬出領域Ｍ5は上記した搬入領域Ｍ1と空間的に対照的な構成になっており、基板Ｇの受け渡しのための昇降可能な搬出用のリフトピン１２４が所定の間隔を置いて複数本（たとえば４本）設けられるとともに、基板Ｇを上記浮上位置Ｈcに浮かせるための噴出口１２０がステージ上面に一定の密度で多数設けられている。これらの搬出用リフトピン１２４も、たとえばエアシリンダを有するリフトピン昇降部１７４（図１３）により昇降駆動される。
【００６４】
レジストノズル１１４は、ステージ１１２上の基板Ｇを一端から他端までカバーできる長さでＹ方向に延びる長尺状のノズル本体１２６を有し、レジスト液供給源に通じるレジスト液供給管１２８に接続されている。ノズル本体１２６は門形または逆さコ字状のノズル支持体（図示せず）に支持されており、その下端にはノズル長手方向（Ｙ方向）に延びるスリット状または多孔型の微細径吐出口（図示せず）が形成されている。このレジストノズル１１４は定置型であるが、直下を通過する基板ＧとのギャップＳを調整するために上下方向で移動可能（高さ調整可能）とするのが好ましい。上記レジスト液供給源、レジスト液供給管１２８およびレジストノズル１１４等によりレジスト液供給部１７２（図１３）が構成されている。
【００６５】
図４、図６および図７に示すように、基板搬送部１１６は、ステージ１１２の両側に平行に配置された左右一対のガイドレール１３０と、両ガイドレール１３０上で軸方向（Ｘ方向）に移動可能に取り付けられた左右一対のスライダ１３２と、両ガイドレール１３０上で両スライダ１３２を同時に直進移動させる搬送駆動部１３４と、両スライダ１３２からステージ１１２の中心部に向かって延びて基板Ｇの両縁部を着脱可能に保持する左右一対の保持部１３６とを有している。
【００６６】
ここで、搬送駆動部１３４は直進型の駆動機構たとえばリニアモータによって構成されてよい。また、保持部１３６は、基板Ｇの下面側縁部に真空吸着力で吸着する真空吸着パッド１３８と、先端部で真空吸着パッド１３８を支持し、スライダ１３２に固定された基端部を支点として先端部の高さ位置を変えられるように弾性変形可能な板バネ型のパッド支持部１４０とを有している。真空吸着パッド１３８は一定のピッチで一列に配置され、パッド支持部１４０は真空吸着パッド１３８を各々独立に支持している。この構成により、個々の真空吸着パッド１３８およびパッド支持部１４０が独立した高さ位置で（異なる高さ位置でも）基板Ｇを安定に保持できるようになっている。
【００６７】
図８に示すように、真空吸着パッド１３８は、たとえば合成ゴム製で直方体形状のパッド本体１３８ａの上面に複数個の吸引口１３８ｂを設けている。図示の吸引口１３８ｂはスリット状の長穴であるが、丸や矩形の小孔でもよい。真空吸着パッド１３８には、たとえば合成ゴムからなる帯状のバキューム管１４２が接続されている。このバキューム管１４２の管路１４２ａはたとえば真空ポンプ等の真空源（図示せず）に通じている。また、図６および図７に示すように、このバキューム管１４２は、スライダ１３０の上面に取り付けられたヒンジ１４３に支持されており、真空吸着パッド１３８に追随するように弾性変形して先端部の高さ位置を変えられるようになっている。
【００６８】
保持部１３６においては、図４に示すように、片側一列の真空吸着パッド１３８およびパッド支持部１４０が１組毎に分離している分離型または完全独立型の構成が好ましい。しかし、図９に示すように、切欠き部１４１を設けた一枚の板バネで片側一列分のパッド支持部１４０を形成してその上に片側一列の真空吸着パッド１３８を配置する一体型の構成も可能である。
【００６９】
上記のように、ステージ１１２の上面には多数の噴出口１２０が設けられている。この実施形態では、ステージ１１２の搬入領域Ｍ1および搬出領域Ｍ5に属する各噴出口１２０について、空気の噴出流量を基板Ｇとの相対的な位置関係で個別的かつ自動的に切り換える噴出制御部１４４を流量切換弁の形態でステージ１１２の内部に設けている。
【００７０】
図１０に、噴出制御部１４４の一構成例を示す。この噴出制御部１４４は、ステージ１１２の内部に形成された球面体形状の壁面を有する弁室１４６と、この弁室１４６の中で移動可能に設けられた球状の弁体１４８とを有している。弁室１４６の頂部および底部には、鉛直方向で互いに対向する出口１４６ａおよび入口１４６ｂがそれぞれ形成されている。出口１４６ａは、当該噴出制御部１４４と対応する噴出口１２０に連通している。入口１４６ｂはステージ１１２の下部を走っている圧縮空気供給路１５０に連通している。
【００７１】
図１１に、ステージ１１２内における圧縮空気供給路１５０の配管パターンの一例を示す。たとえばコンプレッサ等の圧縮空気源（図示せず）からの圧縮空気は、外部配管１５２の中を流れてきてステージ１１２内の圧縮空気導入部１５４に導入される。圧縮空気導入部１５４に導入された圧縮空気は、そこからステージ１１２内に張り巡らされている多数の圧縮空気供給路１５０に分配される。
【００７２】
図１０において、弁室１４６の出口１４６ａの周りは弁座を構成する。この弁座には、出口１４６ａから放射状に延びる溝部１４６ｃが周回方向に所定の間隔（たとえば９０°間隔）を置いて複数個（４個）形成されている。これにより、弁体１４８が弁座に密着または着座して出口１４６ａを塞いでも弁室１４６から圧縮空気が溝部１４６ｃを通って噴出口１２０側に漏出するようになっている。弁体１４８は、弁室１４６の内径よりも一回りないし二回り小さな直径を有するたとえば樹脂製の球体であり、球面の下半部に入口１４６ｂ側の空気圧に応じた垂直上向きの力ＰUを受けるとともに、球面の上半部に出口１４６ａ側の空気圧に応じた垂直下向きの力（反作用）ＰDを受ける。また、弁体１４８にはその質量に応じた重力ＰG（一定値）が常時垂直下向きに作用する。弁体１４８は、上記のような垂直上向きの力ＰUと垂直下向きの力（ＰD＋ＰG）との差に応じて弁室１４６内で鉛直方向の位置（高さ位置）を変える。
【００７３】
図１０に示すように、各噴出口１２０の上方に基板Ｇが在るか否かに応じて、当該噴出口１２０直下の噴出制御部１４４では、弁室１４６内の弁体１４８の高さ位置が出口１４６ａ側の弁座に密着する第１の位置か、該弁座から離間して弁室１４６内で浮いた状態になる第２の位置かのいずれかに切り換わるようになっている。
【００７４】
すなわち、各噴出口１２０の上方に（厳密には設定浮上位置Ｈa以下の接近距離で）基板Ｇが在るときは、基板Ｇからの反作用で当該噴出口１２０付近やその直下の弁室１４６の出口１４６ａ付近の空気圧が高くなって、弁体１４８に作用する垂直下向きの力（特にＰD）が垂直上向きの力ＰUと互角かそれを少し上回る程に増大し、弁体１４８が出口１４６ａ側の弁座から離間する。これにより、出口１４６ａが開状態となり、入口１４６ｂより弁室１４６に導入された圧縮空気は大きな流量で出口１４６ａを通り抜けて噴出口１２０より噴き出る。
【００７５】
しかし、各噴出口１２０の上方に（厳密には設定浮上位置Ｈa以下の接近距離で）基板Ｇが無いときは、当該噴出口１２０ないしその直下の弁室１４６の出口１４６ａ付近の空気圧は低いため、弁体１４８に作用する垂直下向きの力（ＰD＋ＰG）よりも垂直上向きの力ＰUの方が大きく勝り、弁体１４８は出口１４６ａ付近の弁座に下から押し付けられるようにして密着する。これにより、出口１４６ａが実質的に閉状態となるが、弁室１４６内の圧縮空気は溝部１４６ｃを通って漏出し、少ない流量で噴出口１２０より外へ出るようになっている。
【００７６】
このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２は、塗布処理時に基板Ｇの被処理面上に発生する静電気を除去するために接地式の除電部１６０を備えている。図４、図６、図７および図１２に示すように、この除電部１６０は、片側のスライダ１３２の上に搭載または取付されており、保持部１３６に保持されている基板Ｇの一側縁部の非塗布領域ＮＥにて金属膜ＧＭに接触可能な可動の接触子１６２と、この接触子１６２を復動位置と往動位置との間で移動操作するためのアクチエータ１６４と、接触子１６２を電気的にグランド電位に接続するためのアース線１６６とを有する。
【００７７】
接触子１６２は、たとえば金属、電気伝導性樹脂あるいは導電性高分子等の弾性変形可能な導電性部材で構成されてよい。アクチエータ１６４は、たとえばロータリシリンダまたは電気モータ等からなり、その回転駆動軸１６４ａに接触子１６２の基端部を固定し、接触子１６２を旋回または回動させて、基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）に接触する往動位置と基板Ｇの一側面よりも外側に退避する復動位置との間で接触子１６２の位置を変えられるようになっている。アース線１６６は、たとえば銅線または被覆線からなり、一端が接触子１６２に接続され、他端が付近のグランド電位の物体に接続される。図示の例で、たとえばスライダ１３２がアルミニウムまたはステンレス鋼等の導電性金属からなり、同じく導電性金属からなるガイドレール１３０を介してグランド電位に接続されている場合は、アース線１６８の他端はスライダ１３２に接続されてよい。
【００７８】
なお、基板Ｇの被処理面においては、四辺の各側縁部（周縁部）に一定の幅（たとえば１０ｍｍ）で枠状の非塗布領域ＮＥが設定され、この非塗布領域ＮＥで囲まれた内側の矩形領域が塗布領域ＣＥとなっており、塗布領域ＣＥにレジスト液が塗布されるようになっている。ここで、塗布領域ＣＥは、パネル領域または製品領域を含む。もっとも、通常は、塗布領域ＣＥにおける塗り残しを確実に防止するために、レジスト塗布膜を塗布領域ＣＥから非塗布領域ＮＥに多少（数ミリ程度）はみ出させるようにしている。したがって、この実施形態の除電部１６０において、接触子１６２が基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）に接触する往動位置は、塗布領域ＣＥとの境界線からある程度（たとえば５ｍｍ以上）の距離を置いた位置に設定されるのが好ましい。
【００７９】
図１３に、このレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２における制御系の構成を示す。制御部１７０は、マイクロコンピュータからなり、ユニット内の各部、特に基板搬送部１１６、レジスト液供給部１７２、リフトピン昇降部１７４、除電部１６０（１８０）、除電測定部１８６等の個々の動作と全体の動作（シーケンス）を制御する。
【００８０】
図１４に、この実施形態において基板Ｇに対して行われる主要な動作の手順をフローチャートで示す。制御部１７０は、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されているレジスト塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の動作（ステップＡ１〜Ａ１１）を制御する。
【００８１】
上記のように、第１の熱的処理部２６（図１）で所定の熱処理を受けた基板Ｇが下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳR）６０（図２）からレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２に転送され、図示しない搬送アームによってステージ１１２の搬入領域Ｍ1に搬入される。
【００８２】
基板Ｇが搬入領域Ｍ1に搬入されると（ステップＡ１）、制御部１７０はリフトピン昇降部１７４を通じてリフトピン１１８に基板Ｇをステージ１１２上の所定の高さ位置まで降ろさせる（ステップＡ２）。リフトピン１１８は、図５に点線で示すようにステージ１１２の上面から基板受け渡し用の高さ位置まで上昇または突出して基板Ｇを受け取り、次いで基板Ｇを水平姿勢のまま搬送用の高さ位置つまり浮上位置Ｈaまで降ろす。この時、搬入領域Ｍ1の各噴出口１２０における空気の噴出流量は、上記のような噴出制御部（流量切換弁）１４４の作用（図１０）により、基板Ｇが浮上位置Ｈaに着く以前は（弁体１４８が弁室１４６の出口１４６ａを塞いでいるため）少ない流量に制限されており、基板Ｇが浮上位置Ｈaに下りるや否や（噴出口１２０付近の圧力が増大して弁体１４８が弁室１４６内で出口１４６ａから離れることにより）大きな流量に切り換わる。こうして、基板Ｇは、予設定の浮上位置Ｈaでステージ上面（噴出口１２０）から所要の圧力で基板全体に垂直上向きの力を受け、水平姿勢を保って空中に浮くことができる。
【００８３】
また、基板搬送部１１６のスライダ１３２および保持部１３６も搬入領域Ｍ1で待機している。リフトピン１１８によって浮上位置Ｈaまで下ろされた基板Ｇの両側縁部が保持部１３６の真空吸着パッド１３８に載ると、制御部１７０は所定の位置センサ（図示せず）あるいはリフトピン昇降部１７４等からの信号に応じてこの基板の高さ位置または載置状態を検出し、保持部１３６に基板Ｇを吸着させる（ステップＡ３）。こうして、真空源からのバキューム力が真空吸着パッド１３８に供給され、基板Ｇは両側縁部にて保持部１３６ないしスライダ１３２に支持される。
【００８４】
次に、制御部１７０は、除電部１６０を制御して接触子１６２を基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）に付着または接触させる（ステップＡ４）。この場合、除電部１６０においては、図７に示すように、アクチエータ１６４が接触子１６２を一点鎖線で示す復動位置から実線で示す往動位置まで旋回運動させる。こうして、基板Ｇの被処理面の金属膜ＧＭは除電部１６０の接触子１６２およびアース線１６６等を通じて電気的にグランド電位に接続される。
【００８５】
上記のようにして基板搬入動作が完了すると、制御部１７０は基板搬送部１１６に基板Ｇの浮上搬送を開始させる（ステップＡ５）。すると、基板搬送部１１６は搬送駆動部１３４を作動させ、左右のスライダ１３２を同時または平行にガイドレール１３０に沿って搬送方向（Ｘ方向）に一定速度で移動させる。こうして、基板Ｇは、ステージ１１２上で水平姿勢を保ちながら空中に浮いた状態で搬入領域Ｍ1から遷移領域Ｍ2を通って塗布領域Ｍ3に移送される。この浮上搬送中も、除電部１６０は接触子１６２を基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）に接触させた状態つまり接地状態を保つ。
【００８６】
搬入領域Ｍ1の各噴出口１２０においては、左端側から順に基板Ｇが上方を去っていくことになる。そうすると、各噴出口１２０における空気の噴出流量は、上記のような噴出制御部（流量切換弁）１４４の作用（図１０）により、それまでの基板浮上用の大流量から待機用の小流量に切り換わる。すなわち、各噴出口１２０の上方から基板Ｇが去ると、当該噴出口１２０ないしその直下の弁室１４６の出口１４６ａ付近の空気圧が低くなり、弁体１４８が出口１４６ａを塞ぐようになる。
【００８７】
こうして、搬入領域Ｍ1の左端側から順に噴出口１２０の噴出量が実質的にオンからオフに切り換わり、基板Ｇの後端が搬入領域Ｍ1を抜けると、搬入領域Ｍ1内の全ての噴出口１２０の噴出量が実質的にオフ状態となり、次の基板Ｇが搬入されてくるまでこのオフ状態が維持される。このことにより、搬入領域Ｍ1における基板浮上用の用力（圧縮空気）の消費量を大幅に節約することができる。
【００８８】
また、塗布領域Ｍ3では、基板Ｇの高さ位置が搬入領域Ｍ1側の浮上位置Ｈa（１００〜２００μｍ）から塗布領域Ｍ3側の浮上位置Ｈb（５０μｍ）へ漸次的に変化する。この時、除電部１６０においては、図７に示すように、基板の浮上位置の変動に合わせてアクチエータ１６４が接触子１６２を実線で示す高さ位置から二点鎖線で示す高さ位置まで下向きに（反時計回りに）回動させることにより、接触子１６２の先端部が基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）から離れずに接触状態を保つようになっている。
【００８９】
基板搬送部１１６による浮上搬送で基板Ｇの始端部が塗布領域Ｍ3に入りレジストノズル１１４の位置に差し掛かると、所定の位置センサ（図示せず）より発生される信号に応動して制御部１７０はレジスト液供給部１７２にレジスト液の吐出（塗布）を開始させる（ステップＡ６）。こうして、レジストノズル１１４が真下を通過する基板Ｇの上面（被処理面）に向けてスリット状の微細径吐出口から帯状のレジスト液Ｒを吐出または滴下することにより、搬送方向（Ｘ方向）において基板始端部から後端部に向かって基板Ｇの塗布領域ＣＥにレジスト液Ｒが相対的な掃引または走査で塗布され、塗布領域ＣＥの全域に一定の膜厚でレジスト塗布膜ＲＭが形成される。この際、上述したように、レジスト塗布膜ＲＭが塗布領域ＣＥから周縁部の非塗布領域ＮＥに少しはみ出るが、除電部１６０の接触子１６２まで及ぶことはない。基板Ｇの後端部がレジストノズル１１４の真下に来ると、所定の位置センサ（図示せず）より発生される信号に応動して制御部１７０はレジスト液供給部１７２にレジスト液の吐出（塗布）を停止または終了させる。
【００９０】
上記のようにして塗布領域Ｍ3で基板Ｇの被処理面にレジスト液Ｒが塗布される際には、レジスト液と基板被処理面との摩擦により静電気が発生する。さらに、レジスト液自体が帯電した状態でレジストノズル１１４から吐出される場合もある。いずれにしても、塗布の開始から終了まで始終、除電部１６０が接触子１６２を基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）にて金属膜ＧＭに接触させているので、塗布中に基板Ｇの被処理面上に持ち込まれた静電気も、そこで発生した静電気も全て除電部１６０の接触子１６２およびアース線１６６等を通じてグランドへ放出される。このため、レジスト液の塗布によって基板Ｇの被処理面上に静電気が蓄積されることはない。
【００９１】
上記のようにして塗布領域Ｍ3でレジスト液Ｒを塗布された基板Ｇは、遷移領域Ｍ4を通って搬出領域Ｍ5に移送される。この際、基板の浮上位置が上昇するのに合わせて、除電部１６０ではアクチエータ１６４が接触子１６２を二点鎖線で示す高さ位置から実線で示す高さ位置まで上向きに（図７では時計回りに）回動させることにより、接触子１６２の先端部が屈曲変形せずに基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）との接触状態を保つようになっている。
【００９２】
基板Ｇが搬出領域Ｍ5内の終点位置に着くと、所定の位置センサ（図示せず）からの信号に応答して制御部１７０は基板搬送部１１６に基板搬送を停止または終了させ（ステップＡ７）、直後に基板Ｇに対する保持部１３６の吸着を解除させる（ステップＡ８）。次いで、制御部１７０は、リフトピン昇降部１７４に搬出用リフトピン１２４をステージ１１２の中から上方に突出させ、リフトピン１２４の先端に載せて基板Ｇを水平姿勢のまま所定の高さ位置（搬送アームに基板を渡す高さ位置）まで上昇させる（ステップＡ９）。
【００９３】
ここで、基板Ｇが保持部１３６の真空吸着パッド１３８から分離する時に、両者（Ｇ，１３８）の間で静電気が発生することがある。この場合、基板Ｇの下面または裏面が一次的に静電気で帯電し、分極作用により二次的に基板Ｇの上面または被処理面も逆極性の電荷に帯電する。この実施形態では、図１５および図１６に示すように、リフトピン１２４の基板Ｇを保持部１３６の真空吸着パッド１３８から分離させる際にも、除電部１６０が接触子１６２を基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）から離さずに接触状態つまり接地状態を保つようにしている。これによって、走査基板Ｇの被処理面側が帯電するのを抑制することができ、ひいては基板Ｇの下面側の帯電を抑制できる。
【００９４】
制御部１７０は、リフトピン１２４により基板Ｇと保持部１３６との分離が行われた後に、除電部１６０に基板Ｇの接地を解除させる（ステップＡ１０）。除電部１６０においては、図１６に示すように、アクチエータ１６４が接触子１６２を実線で示す往動位置から一点鎖線で示す復動位置まで（時計回りに）回動させることにより、接触子１６２は基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）から離間し、かつ基板Ｇの側方へ退避する。
【００９５】
しかる後、制御部１７０は、搬送アームにリフトピン１２４から基板Ｇを受け取らせ、この塗布ユニット（ＣＴ）８２から搬出させる（ステップＡ１１）。
【００９６】
上記のように、この実施形態では、被処理面のほぼ全面に金属膜ＧＭが形成されているガラス基板Ｇ上の塗布領域ＣＥに長尺型のレジストノズル１１４を用いてスピンレス法でレジスト液を塗布するに際して、除電部１６０が塗布処理の開始から終了まで基板Ｇの非塗布領域ＮＥにて金属膜ＧＭに接触子１６２を接触させて金属膜ＧＭを接地するので、基板全面をカバーするほどの除電雰囲気を形成する必要がないうえ除電処理に特別の時間を充てる必要もなく、被処理面上に静電気が発生ないし蓄積するのを確実かつ効果的に防止ないし抑制することができる。
【００９７】
しかも、この実施形態は、基板Ｇをステージ１１２から空中に浮かせた状態で塗布処理を行う方式であり、基板をステージに載置して塗布処理を行い塗布終了後に基板をステージから引き離す方式に比して、基板Ｇとステージ１１２との間で発生する静電気が非常に少ないという利点もある。また、この実施形態では、浮上搬送を行う基板搬送部１１６に除電部１６０を取り付けているため、除電装置用の特別な支持機構やスペースが不要になっている。
【００９８】
［実施形態２］
図１７および図１８に、本発明の第２の実施形態におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２の構成を示す。図中、上述した第１の実施形態のものと同様の構成または機能を有する部分には同一の符号を附している。
【００９９】
この第２の実施形態における除電部１８０は、ステージ１１２の上方に局所型またはスポット型のイオナイザを１個または複数個（図示の例は２個）を設ける。第１のイオナイザ１８２は、基板搬送方向（Ｘ方向）においてレジストノズル１１４の上流側近傍に配置され、塗布処理中つまりレジストノズル１１４が真下を通る基板Ｇに向けてレジスト液を吐出している最中に、その直ぐ上流側で塗布前の基板被処理面（金属膜ＧＭ）部分に向けて自動的または定常的に電荷中和用のイオンを供給するようになっている。第２のイオナイザ１８４は、レジストノズル１１４の下流側で搬出領域Ｍ5内に配置され、塗布処理を終えたばかりの基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）で露出している金属膜ＧＭに向けて条件的に、つまり必要な時だけ電荷中和用のイオンを供給するようになっている。すなわち、搬出領域Ｍ5には基板Ｇの被処理面における静電気量または帯電量を測定する静電測定部１８６も配置されており、この静電測定部１８６で得られる測定結果にしたがって制御部１７０が除電部１８０のイオナイザ１８４を条件的に作動させるようになっている。
【０１００】
各イオナイザ１８２，１８４は下端の開口した筒状の筐体を有し、筐体内に針状の放電電極（図示せず）を備えている。高圧電源（図示）より高電圧が電気ケーブル１８８，１９０を介して該放電電極に印加され、かつガス供給源（図示せず）より清浄空気または不活性ガス（たとえば窒素ガス）がガス管１９２，１９４を介して送り込まれると、コロナ放電によってガスが正負にイオン化し、ガス流に乗ってイオンＪが開口部から前方に吐出されるようになっている。
【０１０１】
図１９に、この実施形態において基板Ｇに対して行われる主要な動作の手順をフローチャートで示す。制御部１７０（図１３）は、第１の実施形態の場合と同様に、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されているレジスト塗布処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、プログラムされた一連の動作（ステップＢ１〜Ｂ１２）を制御する。
【０１０２】
この実施形態におけるステップＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５は第１の実施形態におけるステップＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ５，Ａ６にそれぞれ対応している。すなわち、基板Ｇが搬入領域Ｍ1に搬入されると（ステップＢ１）、制御部１７０はリフトピン昇降部１７４を通じてリフトピン１１８に基板Ｇをステージ１１２上の所定の高さ位置まで降ろさせる（ステップＢ２）。そして、リフトピン１１８によって浮上位置Ｈaまで下ろされた基板Ｇの両側縁部が保持部１３６の真空吸着パッド１３８に載ると、制御部１７０は保持部１３６に基板Ｇを吸着させる（ステップＢ３）。次に、制御部１７０は、基板搬送部１１６に基板Ｇの浮上搬送を開始させる（ステップＢ４）。
【０１０３】
基板搬送部１１６による浮上搬送で基板Ｇの始端部が塗布領域Ｍ3に入りレジストノズル１１４の位置に差し掛かると、制御部１７０はレジスト液供給部１７２にレジスト液の吐出（塗布）を開始させる（ステップＢ５）。こうして、レジストノズル１１４が真下を通過する基板Ｇの上面（被処理面）に向けてスリット状の微細径吐出口から帯状のレジスト液Ｒを吐出または滴下することにより、搬送方向（Ｘ方向）において基板始端部から後端部に向かって基板Ｇの塗布領域ＣＥにレジスト液Ｒが相対的な掃引または走査で塗布される。そして、基板Ｇの後端部がレジストノズル１１４の真下に来ると、制御部１７０はレジスト液供給部１７２にレジスト液の吐出（塗布）を停止または終了させる。こうして、基板Ｇの塗布領域ＣＥの全域に一定の膜厚でレジスト塗布膜ＲＭが形成される。
【０１０４】
この実施形態においても、レジストノズル１１４より基板Ｇの被処理面にレジスト液Ｒが滴下される際には、レジスト液と基板被処理面との摩擦により静電気が発生する。さらに、レジスト液自体が帯電した状態でレジストノズル１１４から基板上に供給されることもある。
【０１０５】
制御部１７０は、上記のようにレジスト液供給部１７２に基板Ｇに向けてレジスト液の吐出（塗布）を行わせるのと並行して、除電部１８０に第１のイオナイザ１８２を作動させて基板Ｇの除電を行わせる（ステップＢ６）。ここで、第１のイオナイザ１８２は、レジストノズル１１４の上流側近傍で真下を通過する基板Ｇの上面（被処理面）に正負のイオンＪを局所的に吹きかけるようにして供給し、金属膜ＧＭ表面の全電荷を逆極性のイオンで中和させる。こうして、塗布中に基板Ｇの被処理面上に持ち込まれた静電気、あるいはそこで発生した静電気の大部分が第１のイオナイザ１８２による中和で除去される。厳密には、基板Ｇの後端部にレジスト液が塗布される時は第１のイオナイザ１８２は基板Ｇが通り去った直後であるために基板Ｇの金属膜ＧＭにイオンを供給することができず、この時に発生した静電気あるいはレジスト液から持ち込まれた静電気を取り逃がすことがある。しかし、この取り逃がした静電気は、後述する第２のイオナイザ１８４によって除去されるようになっている。なお、第１のイオナイザ１８２は、基板Ｇの後端が真下を通過した時点でオフしてよい。
【０１０６】
基板Ｇが遷移領域Ｍ4を経て搬出領域Ｍ5内の終点位置に着くと、所定の位置センサ（図示せず）からの信号に応答して制御部１７０は基板搬送部１１６に基板搬送を停止または終了させる（ステップＢ７）。
【０１０７】
次いで、制御部１７０は、静電測定部１８６に基板Ｇの被処理面における静電気量を非接触方式で測定させ、所定の基準値を超えるほどの静電気が残っているか否かを判定する（ステップＢ８）。その結果、基板Ｇの被処理面に静電気が実質的に残っていないときは、保持部１３６に基板Ｇの吸着保持を解除させ（ステップＡ１０）、次いでリフトピン昇降部１７４に基板Ｇを水平姿勢で所定の高さ位置まで上昇させ（ステップＢ１１）、搬送アームに基板を搬出させる（ステップＢ１２）。しかし、基準値を超える量の静電気が残っている場合、制御部１７０は、保持部１３６の吸着保持を解除させる前に除電部１８０に第２のイオナイザ１８４を作動させて基板Ｇの除電を行わせる（ステップＢ９）。
【０１０８】
ここで、第２のイオナイザ１８４は、塗布処理を終えたばかりの基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）で露出している金属膜ＧＭに向けて正負のイオンＬを吹き付けるようにして供給し、これによって金属膜ＧＭ上の電荷を逆極性のイオンにより中和させて除去する。この場合、図２０に示すように、第２のイオナイザ１８４がレジスト塗布膜ＲＭを避けて基板Ｇの内から外へ向かうような斜め下向きで非塗布領域ＮＥにイオンＬを供給するのが好ましい。なお、第２のイオナイザ１８４は、保持部１３６が基板Ｇの吸着保持を解除する前にオフしてよいが、第１の実施形態と同様に、リフトピン昇降部１７４が基板Ｇを保持部１３６から離間させるまで除電動作（イオン供給）を継続してもよい。
【０１０９】
このように、この実施形態では、被処理面のほぼ全面に金属膜ＧＭが形成されているガラス基板Ｇ上の塗布領域ＣＥに長尺型のレジストノズル１１４を用いてスピンレス法でレジスト液を塗布するに際して、除電部１６０が塗布処理の開始から終了間際までレジストノズル１１４の上流側近傍に配置した第１のイオナイザ１８２により基板Ｇ上の金属膜ＧＭをスポット式のイオン照射によって除電するようにしている。そして、塗布終了後に、基板Ｇの被処理面の静電気量を静電測定部１８６で測定し、基準値を超える静電気量が測定された場合に第２のイオナイザ１８４によるスポット式のイオン照射によってレジスト塗布膜の下地膜である金属膜ＧＭの全域から静電気を除去するようにしている。このように、塗布領域Ｍ3と搬出領域Ｍ5にスポット型のイオナイザ１８２，１８４をそれぞれ１つ配置すればよい構成であり、支持機構や設置スペースを非常に小さくすることができる。しかも、除電のための固有の処理時間が非常に短くなる。さらに、この実施形態においても、基板Ｇをステージ１１２から空中に浮かせた状態で塗布処理を行う方式であるから、基板Ｇとステージ１１２との間で発生する静電気が非常に少ないという利点がある。
【０１１０】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、上記した実施形態ではステージ１１２の各領域Ｍ1〜Ｍ5において各噴出口１２０毎に流量切換弁型の噴出制御部１４４を設けたが、たとえば領域Ｍ1，Ｍ2，Ｍ4，Ｍ5においてのみ流量切換弁型の噴出制御部１４４を設け、塗布領域Ｍ3では噴出制御部１４４を設けずに常時噴出、吸引させる構成とすることも可能である。これにより、塗布領域Ｍ3の構造を簡素化できるとともに、レジストノズル１１４直下付近における基板浮上精度の信頼性を向上させることができる。また、基板浮上用の圧力気体は通常は圧縮空気であるが、窒素等の他の気体も使用可能である。上記した実施形態ではレジストノズル１１４を定置型としたが、必要に応じて水平移動可能としてもよい。また、上記した実施形態における基板搬送部１１６の保持部１３６は真空吸着式のパッド１３８を有するものであったが、基板Ｇの縁部をメカニカルに（たとえば狭着して）保持するパッド等も可能である。また、必要に応じて基板Ｇをステージ１１２上で搬送する途中に一時停止させることも可能であり、搬送速度を可変すること等も可能である。
【０１１１】
また、上記第１の実施形態において、塗布処理中に除電部１６０が接触子１６２を基板Ｇの一側縁部（非塗布領域ＮＥ）に持続的にではなく一時的、断続的または周期的に接触させるのも可能である。接触子１６２の形状やアクチエータ１６４の移動操作またはハンドリングも種々の変形が可能である。上記第２の実施形態においても、塗布処理中に除電部１６０が第１のイオナイザ１８２を持続的にではなく一時的、断続的または周期的に作動させてもよい。また、上記第２の実施形態において、第１および第２のイオナイザ１８２，１８４のいずれか片方を省くことも可能である。第１のイオナイザ１８２は、基板Ｇの被処理面の塗布直前の部位（塗布領域ＣＮでも可）にイオンを供給して除電を行うものであるため、金属膜が塗布領域ＣＥに限定して形成され非塗布領域ＮＥには形成されていない基板に対しても有効に除電作用を奏することができる。
【０１１２】
また、上記実施形態はステージ上で基板を浮上搬送しながら定置式のレジストノズルよりレジスト液を吐出または滴下して基板上にレジスト塗布膜を形成する塗布方式に係るものであったが、ステージ上に基板を水平に載置した状態でレジストノズルおよび／またはステージを水平移動させる塗布方式等にも本発明は適用可能である。
【０１１３】
上記した実施形態はＦＰＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を供給する任意の処理装置やアプリケーションに適用可能である。したがって、本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、現像液やリンス液等も可能である。本発明における被処理基板はＦＰＤ基板に限らず、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板、半導体ウエハ等も可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムにおける処理の手順を示すフローチャートである。
【図４】第１の実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。
【図５】第１の実施形態におけるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。
【図６】第１の実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部および除電部の構成を示す一部断面略側面図である。
【図７】第１の実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部および除電部の構成を示す拡大断面図である。
【図８】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部のパッド部の構成を示す斜視図である。
【図９】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける基板搬送部の保持部の一変形例を示す斜視図である。
【図１０】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける噴出制御部の構成を示す断面図である。
【図１１】実施形態のレジスト塗布ユニットにおけるステージ内部の流路の構成を示す部分断面図である。
【図１２】第１の実施形態における除電部の構成を示す斜視図である。
【図１３】実施形態のレジスト塗布ユニットにおける制御系の構成を示すブロック図である。
【図１４】第１の実施形態において基板に対して行われる主要な動作の手順を示すフローチャート図である。
【図１５】第１の実施形態における除電部の作用（一状態）を示す斜視図である。
【図１６】第１の実施形態における除電部の作用（一状態）を示す一部断面側面図である。
【図１７】第２の実施形態によるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す斜視図である。
【図１８】第２の実施形態によるレジスト塗布ユニットの全体構成を示す略正面図である。
【図１９】第２の実施形態において基板に対して行われる主要な動作の手順を示すフローチャート図である。
【図２０】第２の実施形態における除電部の作用を示す一部断面側面図である。
【符号の説明】
【０１１５】
１０    プロセスステーション
２８    塗布プロセス部
８２    レジスト塗布ユニット（ＣＴ）
１１２    ステージ
１１４    レジストノズル
１１６    基板搬送部
１２０    噴出口
１２２    吸引口
１３０    ガイドレール
１３２    スライダ
１３４    搬送駆動部
１３６    保持部
１３８    真空吸着パッド
１４０    パッド支持部
１４２    バキューム管
１４４    噴出制御部
１６０    除電部
１６２    接触子
１６４    アクチエータ
１６６    アース線
１７０    制御部
１７２    レジスト液供給部
１７４    リフトピン昇降部
１８０    除電部
１８２    第１のイオナイザ
１８４    第２のイオナイザ
１８６    静電測定部
【図１】
2006173246.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006173246.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2006173246.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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