(57)【要約】【課題】  演色性がよく小型化、経済的な混光発光素子、白色発光装置及びバックライトモジュールを提供する。【解決手段】  それぞれ波長領域が異なる光を発する２以上の半導体発光層が形成された発光チップと、前記発光チップが発光する光の一部により励起され前記光の波長領域と異なる蛍光を生じさせる励起発光体を備え、前記発光チップの光と前記励起発光体の生じさせる光を混合してそれぞれの光を含んだ混色光を発する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ波長領域が異なる光を発する２以上の半導体発光層が形成された発光チップと、
前記発光チップが発光する光の一部により励起され前記光の波長領域と異なる蛍光を生じさせる励起発光体と
を備え、
前記発光チップの光と前記励起発光体により生じる光とを混合してそれぞれの光を含んだ混色光を発することを特徴とする混光発光素子。
【請求項２】
前記混色光は、白色光であることを特徴とする請求項１に記載の混光発光素子。
【請求項３】
前記発光チップは、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とがさらに形成され、
前記２以上の半導体発光層は、前記ｐ型クラッド層及び前記ｎ型クラッド層の間に介設され、
前記２以上の半導体発光層におけるｐ型クラッド層寄りの一方の半導体発光層は、上、下バリヤ膜及び前記上、下バリヤ膜の間に介設されたキャリヤ閉じ込め膜からなり、
前記キャリヤ閉じ込め膜は、山と谷の連続する起伏構成をし、そのエネルギーギャップが前記上、下バリヤ膜より小であることを特徴とする請求項１に記載の混光発光素子。
【請求項４】
前記キャリヤ閉じ込め膜は、Ａｌ(1-x-y)ＩｎyＧａxＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１、０≦（１−ｘ−ｙ）＜１）式により示される半導体材料によりつくられることを特徴とする請求項３に記載の混光発光素子。
【請求項５】
前記キャリヤ閉じ込め膜における山と谷の密度として、前記各谷を挟んで隣り合う２つの山の山頂間の距離の総和を前記発光層の層幅で除した値は、％で表し、５％〜７５％であることを特徴とする請求項４に記載の混光発光素子。
【請求項６】
前記半導体発光層は、波長が４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの光を発光することを特徴とする請求項１に記載の混光発光素子。
【請求項７】
前記半導体発光層は、波長が５２０ｎｍ〜５６０ｎｍの光を発光することを特徴とする請求項１に記載の混光発光素子。
【請求項８】
前記励起発光体は、波長が５７５ｎｍ〜６５０ｎｍの蛍光を発することを請求項１に記載の混光発光素子。
【請求項９】
前記励起発光体は、ＬｉＥｕＷ2Ｏ8、（Ｙ,Ｌａ）2Ｏ3：Ｅｕ、（Ｂａ,Ｍｇ,Ｚｎ）Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｂｉ、ＹＶＯ4：Ｅｕ、ＹＶＯ4：Ｂｉ、ＳｒＹ2Ｓ4：Ｅｕ、ＣａＬａＳ4：Ｃｅ、（Ｂａ,Ｃａ,Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、ＳｒＳ：Ｅｕ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ｃｌ、ＡＥｕxＬｎ1-xＭ2Ｏ8、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3：Ｂｉ、ＱＰ2Ｏ7：Ｅｕ、ＱＰ2Ｏ7：Ｍｎ、3.5ＭｇＯ・0.5ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ（ただし、０＜ｘ≦１、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを表し、ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｇｄ又はＬｕを表し、ＰはＷ又はＭｏを表し、ＱはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇを表す）からなる群から選ばれることを請求項１に記載の混光発光素子。
【請求項１０】
請求項１に記載の混光発光素子がケースフレームに装着されてなり、前記混光は白色光であることを特徴とする白色発光装置。
【請求項１１】
前記ケースフレームは、前記発光チップを覆い、前記励起発光体を有する透光コーティング材と、それぞれが前記発光チップに電気的に接続される電極リードフレームとを備えることを特徴とする請求項１０に記載の白色発光装置。
【請求項１２】
前記ケースフレームは、前記発光チップを装着するための収容部と、それぞれが前記発光チップに電気的に接続されるリードフレームとが設けられ、前記励起発光体は前記発光チップを覆うように前記収容部内に充填されることを特徴とする請求項１０に記載の白色発光装置。
【請求項１３】
光源として、請求項１０に記載の白色発光装置を複数設けてなるバックライトモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置のバックライトとして用いられる混光発光素子、白色発光装置及びバックライトモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在では、発光ダイオードを用いたバックライトモジュールの開発が進んでいる。バックライトモジュールの発光面で得られる光は白色光が望まれている。
【０００３】
その白色光は、例えば、青色、緑色、赤色（以後、ＲＧＢと略称）の各発光ダイオードの発光強度を調整してそれぞれの光を混光し白色を得る方法や、青色発光ダイオードの青色光と、青色発光ダイオードに励起されて黄色い蛍光を発生させる蛍光粉末からの黄色光とを混光して白色を得る方法がある（特許文献１）。前者は、発光ダイオードチップを多く使用し、発光面までの混色距離も長いので、小型化に不利である。後者は、発光ダイオードによってそのまま発光面で白色が得られるが、赤色光、緑色光の強度は高くないため、演色性はよくない。また、液晶表示したとき黄色光は液晶モジュールにおけるカラーフィルターによって余計にろ過されるため、明度低下を生じる恐れがある。
【特許文献１】米国特許第５,９９８,９２５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前記問題点を解決して、演色性がよく、小型であり、経済的な混光発光素子、白色発光装置及びバックライトモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成すべく、本発明の混光発光素子は、それぞれ波長領域が異なる光を発する２以上の半導体発光層が形成された発光チップと、前記発光チップが発光する光の一部により励起され前記光の波長領域と異なる蛍光を生じさせる励起発光体を備え、前記発光チップの光と前記励起発光体により生じる光とを混合してそれぞれの光を含んだ混色光を発光することを特徴とする構成をする。
【０００６】
そして、前記励起発光体は、前記発光チップにおける半導体発光層より発生した光、例えば第１の光と第２の光により励起されて波長が前記光と異なる蛍光を発生することができる。また、前記半導体発光層における前記第１、２の光を発光する層のほかの第３の層から第３の光を発光するときは、前記励起発光体も該第３の光により励起されて前記蛍光を発生することができる。このように、第１、２の光や第２、３の光、第１、３の光の組み合せにより、前記混色光を得ることができる。なお、前記励起発光体は、前記発光チップからの光を直接受けるよう前記発光チップを直接被覆することが好ましい。
【０００７】
また、前記第１の光は、波長が４４０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色光で、前記第２の光は、波長が５２０ｎｍ〜５６０ｎｍの緑色光で、前記第３の光は、波長が４４０ｎｍ以下の紫外光で、前記蛍光は、波長が５７５ｎｍ〜６５０ｎｍの赤色光であることが好ましい。
【０００８】
本発明に用いられる励起発光体としては、例えばＬｉＥｕＷ2Ｏ8、（Ｙ,Ｌａ）2Ｏ3：Ｅｕ、（Ｂａ,Ｍｇ,Ｚｎ）Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｂｉ、ＹＶＯ4：Ｅｕ、ＹＶＯ4：Ｂｉ、ＳｒＹ2Ｓ4：Ｅｕ、ＣａＬａＳ4：Ｃｅ、（Ｂａ,Ｃａ,Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、ＳｒＳ：Ｅｕ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ｃｌ、ＡＥｕxＬｎ1-xＭ2Ｏ8、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3：Ｂｉ、ＱＰ2Ｏ7：Ｅｕ、ＱＰ2Ｏ7：Ｍｎ、3.5ＭｇＯ・0.5ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ（ただし、０＜ｘ≦１、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを表し、ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｇｄ又はＬｕを表し、ＰはＷ又はＭｏを表し、ＱはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇを表す）からなる群から選ばれる。
【０００９】
また、本発明の白色発光装置は、前記混光発光素子がケースフレームに装着されてなり、前記混光は白色光である構成とする。
【００１０】
また、本発明において、前記混光発光素子または前記白色発光装置を用いて光源とするバックライトモジュールを構成することができる。
【本発明の効果】
【００１１】
以上により、本発明の発光素子、発光装置及びバックライトモジュールにおいては、発光が異なるよう多層に形成された半導体発光層を用い、チップ数を減らすことができるので、発光の強度、輝度を低下させずによい演色性を実現することができると共に、装置全体の小型化を図ることができ、コストダウンにもつながる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を説明する。なお、これらの図において、ほぼ同一構成及び機能を有する構成要素については、同一番号を付してその説明を省略する。
【００１３】
図１は、本発明の混光発光素子１０を備えた発光ダイオード１００の構成を概略示す縦断面図である。
【００１４】
図示の発光ダイオード（白色発光装置）１００は、混光発光素子１０がケースフレーム３内に装着されている。混光発光素子１０は、それぞれ波長領域が異なる光を発する２以上の半導体発光層が形成された発光チップ（発光ダイオードチップ）１と、発光チップ１からの光により励起されて発光チップ１の光波長領域と異なる蛍光を生じる励起発光体２とを備え、発光チップ１の光と励起発光体２が生じた蛍光を混合してそれぞれの光を含んだ混色光、例えば白色光を発する。具体的には、発光素子１０の発光チップ１は、外装である断面楕円形ケースフレーム３内に設けられ、例えば透明樹脂である透光性コーティング材３３により封じ込められ、発光チップ１上の各電極は、ケースフレーム３の内部から外部へ延伸形成されるｐ型、ｎ型リードフレーム３１、３２に対してボンディングワイヤによってそれぞれが接続され、発光チップ１は、ｐ型、ｎ型リードフレーム３１と３２により外部に電気的に接続される。発光チップ１は、ｎ型リードフレーム先端に設けられた凹部３２１（収容部）に装着され、励起発光体２により覆われ封止される。
【００１５】
励起発光体２は、直接発光チップ１からの光を受け、違う波長の光、例えば紫外光と青色光を吸収し赤色光を発する物質とする。具体的な発光体としては、ＬｉＥｕＷ2Ｏ8、（Ｙ,Ｌａ）2Ｏ3：Ｅｕ、（Ｂａ,Ｍｇ,Ｚｎ）Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｂｉ、ＹＶＯ4：Ｅｕ、ＹＶＯ4：Ｂｉ、ＳｒＹ2Ｓ4：Ｅｕ、ＣａＬａＳ4：Ｃｅ、（Ｂａ,Ｃａ,Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、ＳｒＳ：Ｅｕ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ｃｌ、ＡＥｕxＬｎ1-xＭ2Ｏ8、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ3：Ｂｉ、ＱＰ2Ｏ7：Ｅｕ、ＱＰ2Ｏ7：Ｍｎ、3.5ＭｇＯ・0.5ＭｇＦ2・ＧｅＯ2：Ｍｎ（ただし、０＜ｘ≦１、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを表し、ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｇｄ又はＬｕを表し、ＰはＷ又はＭｏを表し、ＱはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇを表す）からなる群から選ばれ、ＬｉＥｕＷ2Ｏ8が好ましく、それによる吸収スペクトルと発光スペクトルは図２、図３に示される。
【００１６】
図４は、本発明の実施形態例における発光チップ１の構成を概略示す縦断面図である。発光チップ１は、バルク基板１２上にバファ層１３と、ｎ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１８と、ｐ型とｎ型クラッド層１４、１８間に介設されそれぞれ波長が異なる光を発する半導体発光層１５、１６、１７が積層してある。この例においては、発光チップ１は、一部がｎ型クラッド層１４まで切り欠かれ、ｐ型クラッド層１８、ｎ型クラッド層１４の上にそれぞれｐ型コンタクト層１１３、ｎ型コンタクト層１１４が積層され、それぞれの上にｐ型電極１１１、ｎ型電極１１２が設けられる。ｐ型電極１１１、ｎ型電極１１２は、図示されない金属線でワイヤボンディングによってそれぞれｐ型リードフレーム３１、ｎ型リードフレーム３２に電気的に接続されている。ｐ型、ｎ型リードフレーム３１、３２の間に適当に直流電圧を印加することで第１の光とする紫外光、第２の光とする青色光、第３の光とする緑色光を発光し、励起発光体２は、紫外光と青色光を一部吸収して励起され、第４の光である赤色光を発生する。このようにして、励起発光体２から発生する赤色光及び発光チップ１から発せられた青色光と緑色光を白色光に混合して発光することができる。
【００１７】
図４に示されるように、ｐ型クラッド層１８寄りの第３の半導体発光層１７は、第２の半導体発光層１６とほぼ平行する下面１７４と、該下面１７４の上方に起伏状の上面１７５により断面が山１７６と谷１７７の連続する構造１７８とからなるキャリヤ閉じ込め膜１７２を形成する。第２の発光層１６の上面と該キャリヤ閉じ込め膜１７２の下面１７４の間に下バリヤ膜１７１が積層されており、ｐ型クラッド層１８の下面と該キャリヤ閉じ込め膜１７２の上面１７５の間に上バリヤ膜１７３が積層されている。
【００１８】
図５は、上バリヤ膜１７３を省略した第３の発光層１７の構成を概略示す斜視図である。図６は第３の発光層１７の構成を概略示す拡大側面図である。図６において、谷１７７を挟んで隣り合う２つの山１７６間の距離をＤとする。そして、谷１７７１を挟んで隣り合う２つの山１７６１、１７６２間の距離をＤ１、その直線延長線上の谷１７７２に隣り合う２つの山１７６３、１７６４間の距離をＤ２とするように順次Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７とする。なお、谷１７７とは、谷底と下面１７４の間の高さＨが０≦Ｈ≦２ｎｍのものに限る。また、山頂に浅く窪んで下面１７４との間がＨよりも大きい高さｈのときは、例えば鞍部１７７５は発光への影響は小さいとして無視する。このように、発光チップ１においては、第３の発光層１７におけるキャリヤ閉じ込め膜１７２の山１７６と谷１７７の密度を調整して、例えば所望の強度の紫外光を発することができる。ここでいう密度とは、各距離の総和（Ｄ１＋Ｄ２＋Ｄ３＋Ｄ４＋Ｄ５＋Ｄ６＋Ｄ７）と発光層５６の全幅Ｌとの商を％で表し、紫外光を発光するにはキャリヤ閉じ込め膜１７２の山１７６と谷１７７の連続する構造１７８は、密度が５％〜７５％であることが必要である。
【００１９】
また、キャリヤ閉じ込め膜１７２を形成する物質としては、そのエネルギーギャップが上、下バリヤ膜１７３、１７１のエネルギーギャップよりも小さくなければならない。この例においては、キャリヤ閉じ込め膜１７２として例えばインジウム（Ｉｎ）を含有するＡｌ(1-x-y)ＩｎyＧａxＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０＜ｙ≦１、０≦（１−ｘ−ｙ）＜１）で示される窒化化合物半導体が挙げられる。また、上、下バリヤ膜１７３、１７１としては、窒化ガリウム（ＧａＮ）により形成される。
【００２０】
上記データをもとに、第３の発光層１７は、ｘとｙの値を調整することにより波長が４００ｎｍ以下例えば３９５ｎｍの紫外光を発することができ、山構造１７８の密度を４６％に調整することにより、所要の強度を得ることができる。
【００２１】
第１の発光層１６は、同様にして、上、下バリヤ膜１６３、１６１と密度が３８％の凹凸構造をするキャリヤ閉じ込め膜１６２とからなり、前記のｘとｙの値及び密度を調整することにより、所要強度の波長が４４０ｎｍ〜４８０ｎｍ例えば４６５ｎｍの青色光を発することができる。
【００２２】
第２の発光層１５は、同様にして、前記のｘとｙの値及び密度を調整することにより、所要強度の波長が５２０ｎｍ〜５６０ｎｍ例えば５３８ｎｍの緑色光を発することができる。なお、第１、２、３の発光層１６、１５、１７の起伏構造の密度の調整により所望の発光強度を得ることができるが、発光層を複数積層することによって所望の輝度が実現可能であると共に、発光の強度を調整することができる。そして、第１、３の発光層１６、１７は山と谷の連続した構造に形成されなければならないが、第２の発光層１５は、山と谷の連続した構造の他に、量子井戸構造にしてもよい。
【００２３】
以上により、本発明の発光ダイオード１００は、リードフレーム３１、３２を介して電力が供給され、発光チップ１が駆動され、それぞれ第１、２、３の原色光を発し、ケースフレーム３内に例えば白色に混光してから図示されないバックライトモジュールの出射面から液晶モジュールの裏面側に対し発光する。また、本発光素子は、各波長が異なる複数の光を発する発光チップ１を用いるので、使用する発光チップの数を減らすことができ、バックライトモジュールの小型化につながる。また、発光チップ１における各発光層の山と谷の密度及びインジウム（Ｉｎ）を含有するＡｌ(1-x-y)ＩｎyＧａxＮ半導体化合物のｘ、ｙの比例を調整したり、発光層の積層数を増減したりすることにより、発光チップ１から所望する光及び強度を得ることができ、発光体２の光と合わせて明るくむらの少ない白色光を実現することができる。
【００２４】
この例においては、基板１２はサファイアからなる透光性基板であり、バファ層１３は、図示されないが、好ましくは低温成長した窒化ガリウム膜、高温成長した窒化珪素、及び高温成長した窒化ガリウム膜という順に積層するサンドイッチ構造とすることができる。ｎ型クラッド層１４としては、ｎ型ＩｎＧａＮからなり、ｐ型コンタクト層として透明で電流を均一拡散注入させるインジウム・すず酸化物層からなり、ｎ型コンタクト層１１４はクロム金属よりなるオーミックコンタクト層がある。
【００２５】
本発光装置である発光ダイオード１００では、発光チップ１の第３の発光層１７からの紫外光と第１の発光層１６からの青色光により、励起発光体２を励起させ、赤色光を発光させる。励起発光体２の赤色光と第１の発光層１６からの青色光と第２の発光層１５からの緑色光を混合させて外部の例えば液晶モジュール側へ照射する。本発明によれば、各発光層ごとに混光するための色の比率を制御することができるので、緑、青、赤を混ぜ合せて白色光を演色性よく発光することができる。なお、本発光チップにおける発光構造は、３層の発光層から構成されているが、ｐ型クラッド層１８寄りの第３の発光層１７は山と谷の連続する起伏構造１７８にすればよく、積層数は３層に限定されるものではなく、２層であってもよく、４層以上であってもよく、望む特性などを考慮して適宜選択される。本例では、発光層から発せられる光は青色光、緑色光、紫外光とし、混光は白色光としているが、これに制限されるものではなく、混光によって他の色彩を望む光を発する構成をしてもよい。
【００２６】
図７は、本発明の他の発光ダイオード２００の構成を示す縦断面図である。本実施形態にかかる発光ダイオード２００は、凹部４４が形成されたケースフレーム４内に発光チップ１が装着され、凹部４４の底部からｐ型、ｎ型リードフレーム４１、４２が外部に延伸し、図示しないボンディングワイヤによりチップ１上のｐ型電極１１１、ｎ型電極１１２と電気的に接続される。凹部４４内では、チップ１を覆うように透光性コーティング材４５が充填され、励起発光体２は当該コーティング材４５中に均一に分布させている。
【００２７】
図８は、本発明の発光ダイオード２００を用いて光源とするバックライトモジュール３００の構成を示す縦断面図である。図８の発光ダイオード２００を光源とするサイドライト式バックライト３００は、白色発光ダイオード２００を複数設けた発光装置アレイからなる棒状光源と、該光源と隣接した側面部６１３から他の側面部に向かって肉厚が順次薄くなるくさび形導光板６などを備える。複数の白色発光ダイオード２００からなる発光装置アレイは、断面がＵ字形のリフレクタ７内に設けられ、白色発光装置２００からの光を導光板６の最も分厚い側の入射面となる側面部６１３へ入射させ、該側面部６１３と隣接した発光面となる表面部６１２から、カラーフィルター５１３や液晶ユニット５１４、ガラス基板５１５からなる液晶モジュール５の裏面５１２側に向けて照射する。
【００２８】
このように、本発明の発光ダイオードによれば、サイドライト式バックライト光源とすると、バックライトモジュールの薄型化に寄与し、演色性よく白色光を発することができる。
【００２９】
図９は、本発明の発光ダイオード２００を用いた直下式バックライトモジュール４００の構成を示す縦断面図である。図示の如く、バックライトモジュール４００は、液晶モジュール５の裏面５１２側に設けられており、発光面となる表面部９１１と、該表面部９１１に対向する底面部９１２と、表面部９１１および底面部９１２に連結する側面部９１３とによって空間９２が定まる筐体９内の底面部９１２上に、発光ダイオード２００が複数設けられている。なお、前記バックライト光源としては、発光ダイオード２００の代りに発光素子１００を用いてもよい。
【００３０】
以上により、本発明の発光チップ・発光装置は、従来の青色ダイオードと黄色蛍光体を用いたものよりも色調に差がなく演色性がよい白色光を得ることができ、液晶表示装置のバックライトとして利用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
以上説明したように、本発明は、２原色以上を発光する発光ダイオードチップまたは発光ダイオードを用いて、従来の単色の発光ダイオードを使って出光面までの一定の混色距離を要するものより、その混色距離を低減することができ小型化、薄型化を可能にすると共に、用いるチップ数を低減することができ、回路板などの回路設計を簡易化し、製造コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の混光発光素子を備えた発光ダイオードの構成を概略示す縦断面図。
【図２】同発光素子における励起発光体の吸収スペクトルを示す。
【図３】同励起発光体の発光スペクトルを示す。
【図４】同発光チップの構成を示す縦断面図。
【図５】同発光チップにおける第３の発光層を示す斜視図。
【図６】同第３の発光層の構成を示す拡大側面図。
【図７】本発明にかかる他の発光ダイオードの構成を概略示す縦断面図。
【図８】同発光ダイオードを用いて光源とするサイドライト式バックライトモジュールを示す縦断面図。
【図９】同発光ダイオードを用いた光源による直下式バックライトモジュールを示す縦断面図。
【符号の説明】
【００３３】
１  発光チップ（発光ダイオードチップ）
１０  混光発光素子
１００、２００  発光ダイオード（発光装置）
１１１  ｐ型電極
１１２  ｎ型電極
１１３  ｐ型コンタクト層
１１４  ｎ型コンタクト層
１２  バルク基板
１３  バファ層
１４  ｎ型クラッド層
１５〜１７  半導体発光層
１６１、１７１  下バリヤ膜
１６２、１７２  キャリヤ閉じ込め膜
１６３、１７３  上バリヤ膜
１６８、１７８  山と谷とを連続した構造
１７４  下面
１７５  上面
１７６、１７６１〜１７６４  山
１７７、１７７１〜１７７５  谷（鞍部）
１８  ｐ型クラッド層
２  励起発光体
３、４  ケースフレーム
３００、４００  バックライトモジュール
３１、４１  ｐ型リードフレーム
３２、４２  ｎ型リードフレーム
３２１、４４  凹部（収容部）
３３、４５  透光性コーティング材
５  液晶モジュール
５１２  裏面
５１３  カラーフィルタ
５１４  液晶ユニット
５１５  ガラス基板
６  導光板
６１２  表面部
６１３  側面部
７  リフレクタ
９  筐体
９１１  表面部
９１２  底面部
９１３  側面部
９２  収容空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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