(57)【要約】【課題】照明系・投影系を構成するミラーをコンタミネーションによる汚染から保護し、デバイス製造の歩留まり・デバイスの信頼性といった生産性の向上を図ることができる露光装置を提供すること。【解決手段】光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系と、前記レチクルを載置するステージと、前記被露光体を載置するステージと、前記投影光学系を収納する空間を備え、前記投影光学系と照明光学系の光学素子を冷却する冷却手段を有する露光装置において、前記冷却手段の少なくとも一部に物質の吸着手段を有することを特徴とする。【選択図】図１
2006173245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系と、前記レチクルを載置するステージと、前記被露光体を載置するステージと、前記投影光学系を収納する空間を備え、前記投影光学系と照明光学系の光学素子を冷却する冷却手段を有する露光装置において、
前記冷却手段の少なくとも一部に物質の吸着手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記吸着手段は、多孔質であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記多孔質は、冷却手段の表面に活性炭などの多孔質であることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記冷却手段は、冷却板であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記冷却板は、冷却対象側の輻射率がその反対側の輻射率に対して高いことを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記冷却手段は、光学素子の近傍に配置されることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の露光装置。
【請求項７】
前記冷却手段は、温度調節可能であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１〜７の何れかに記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な回路パターンを転写するための露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体メモリや論理回路等の微細な半導体素子を製造するための焼き付け（リソグラフィー）方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。
【０００３】
縮小投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため、微細な回路パターンを転写するために露光光の短波長化が進められ、水銀ランプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
【０００４】
しかし、半導体素子は急速に微細化しており、上述のような紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターンを効率良く焼き付けるために、上述の紫外光線よりも更に波長が短い波長である１０〜１５ｎｍ程度の波長の極端紫外光（ＥＵＶ光）を用いた縮小投影露光装置が開発されている。
【０００５】
ＥＵＶ波長領域の光に対しては領域では物質による吸収が非常に大きくなるので、可視光領域や上述のような紫外光の波長領域で用いられるような光の屈折を利用したレンズ光学系は実用的ではなく、反射光学系が用いられる。又、レチクルに関してもミラーの上に吸収体によって転写すべきパターンを形成した反射型レチクルが用いられている。
【０００６】
ＥＵＶ光を用いた露光装置を構成する反射型光学素子としては、多層膜ミラーと斜入射全反射ミラーとがある。ＥＵＶ波長領域の光に対するミラー材料の領域では屈折率の実部は１より僅かに小さいので、ミラー表面で全反射を起こすためにはミラーの反射面に対して小さな角度ですれすれにＥＵＶ光を入射させなければならない。斜入射で用いれば全反射が起きる。通常、反射面から測って数度以内の斜入射では数十％以上の高い反射率が得られる。しかし、光学設計上の自由度が小さいためく、全反射ミラーを投影光学系に用いることは難しい。
【０００７】
直角入射に近い入射角でＥＵＶ光を入射させる用いるＥＵＶ光用のミラーとしては、反射面に光学定数の異なる２種類の物質を交互に積層した多層膜ミラーが用いられる。精密な面形状に研磨されたガラス基板の表面にモリブデンとシリコンを交互に積層する。その層の厚さは、例えばモリブデン層の厚さは０．２ｎｍ、シリコン層の厚さは０．５ｎｍ程度、積層数は２０層対程度である。２種類の物質の層の厚さを加えたものを膜周期と呼ぶ。上記例では膜周期は０．２ｎｍ＋０．５ｎｍ＝０．７ｎｍである。
【０００８】
このような多層膜ミラーにＥＵＶ光を入射すると、特定の波長のＥＵＶ光が反射される。入射角をθ、ＥＵＶ光の波長をλ、膜周期をｄとすると近似的にはブラッグの式：
２×ｄ×ｓｉｎθ＝λ
の関係を満足するようなλを中心とした狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率良く反射される。このときのバンド幅は０．６〜１ｎｍ程度である。
【０００９】
多層膜ミラーのＥＵＶ光に対する反射率は高くても０. ７程度であり、各多層膜ミラーでの光量損失がかなり大きい。この多層膜ミラーで反射されなかった光は、多層膜に或は多層膜ミラーの基板に吸収されて、そのエネルギーの大部分が熱になる。更に、この熱のせいで多層膜ミラーが膨張したり、変形したりしてしまい、光学系全体の性能を劣化させるてしまう可能性がある。
【００１０】
そこで、広い露光領域をできるだけ少ない枚数のミラーで露光するために、レチクル（原版）とウエハ（被露光体）とを同時に走査して、レチクル上のパターンをウエハに投影露光することが考えられた。例えば、図９に、このような走査型露光装置（所謂スキャナ）の構成を示す。この走査型露光装置は、ＥＵＶ光源、照明光学系、反射型レチクル、投影光学系、レチクルステージ、ウエハステージ、アライメント光学系、真空系等で構成される。
【００１１】
ＥＵＶ光源は、例えばレーザープラズマ光源が用いられる。これは真空容器外に置かれたターゲット供給装置により供給されたターゲット材に高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴等が用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためには、パルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【００１２】
照明光学系は、複数の多層膜又は斜入射ミラーとオプティカルインテグレータ等から構成される。初段の集光ミラーは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレータは、レチクルを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。又、照明光学系のレチクルと共役な位置にはレチクル面で照明される領域を円弧状に限定するためのアパーチャが設けられる。
【００１３】
投影光学系は複数のミラーを用いている。ミラー枚数は少ない方がＥＵＶ光の利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。収差補正に必要なミラー枚数は４枚から６枚程度である。ミラーの反射面の形状は凸面又は凹面の球面或は非球面である。開口数ＮＡは０．１〜０．２2 程度である。
【００１４】
ミラーは低膨張率ガラスやシリコンカーバイド等の剛性・硬度が高く、熱膨張率が小さい材料から成る基板を、研削・研磨して所定の反射面形状を創生した後、反射面にモリブデン／シリコン等の多層膜を成膜したものである。ミラー面内の場所によって入射角が一定でない場合、前述のブラッグの式から明らかなように、膜周期一定の多層膜では場所によって反射率が高くなるＥＵＶ光の波長がずれてしまう。そこで、ミラー面内で同一の波長のＥＵＶ光が効率良く反射されるように膜周期分布を持たせることが必要である。
【００１５】
レチクルステージとウエハステージは縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する機構を持つ。ここで、レチクル又はウエハ面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル又はウエハ面に垂直な方向をＺとする。
【００１６】
レチクルは、レチクルステージ上のレチクルチャックに保持される。レチクルステージはＸ方向に高速移動する機構を持つ。又、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向及び各軸の回りの回転方向に微動機構を持ち、レチクルの位置決めができるようになっている。レチクルステージの位置と姿勢はレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００１７】
ウエハは、ウエハチャックによってウエハステージに保持される。ウエハステージは、レチクルステージと同様にＸ方向に高速移動する機構を持つ。又、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向及び各軸の回りの回転方向に微動機構を持ち、ウエハ位置決めができるようになっている。ウエハステージの位置と姿勢はレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００１８】
アライメント検出機構によってレチクルの位置と投影光学系の光軸との位置関係及びウエハの位置と投影光学系の光軸との位置関係が計測され、レチクルの投影像がウエハの所定の位置に一致するようにレチクルステージ及びウエハステージの位置と角度が設定される。
【００１９】
又、フォーカス位置検出機構によってウエハ面でＺ方向のフォーカス位置が計測され、ウエハステージの位置及び角度を制御することによって、露光中は常時ウエハ面を投影光学系による結像位置に保つ。
【００２０】
ウエハ上で１回のスキャン露光が終わると、ウエハステージはＸ，Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクルステージ及びウエハステージが投影光学系の縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
【００２１】
このようにして、レチクルの縮小投影像がとウエハ上に結像した状態でそれらを同期走査するという動作が繰り返される（ステップ・アンド・スキャン）。こうして、ウエハ全面  にレチクルの転写パターンが転写される。
【００２２】
【特許文献１】特開２００４−２８１６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ＥＵＶ光はガスによって強く吸収される。例えば、空気が１０Ｐａに満たされた空間内を波長１３ｎｍのＥＵＶ光が１ｍ伝播した場合、そのＥＵＶ光の透過率は約５０％程度である。同じように１０Ｐａで以下の気体で満した空間をＥＵＶ光が１ｍ伝播した場合の透過率は、比較的透過率の高いガスであるヘリウムで約８８％、アルゴンで約７１％、水素で約９８％である。ガスによる吸収を避けるためには、透過率の高いヘリウム等のガスで置換し、ＥＵＶ光が伝播する大部分の空間で少なくとも１０−1  Ｐａ以下、望ましくは１０−3  Ｐａ以下の圧力かつ酸素、水等の透過率の低いガスの分圧ができる限り低く保たれている必要がある。
【００２４】
又、ＥＵＶ光が照射される光学素子が置かれた空間に炭化水素等の炭素を含む分子が残留していた場合、光照射によって光学素子表面に炭素が次第に付着し、これがＥＵＶ光を吸収するために反射率が低下してしまうという問題がある。この炭素付着を防止するためには、ＥＵＶ光が照射される光学素子が置かれた空間の炭素を含む分子の分圧は少なくとも１０−4  Ｐａ以下、望ましくは１０−6  Ｐａ以下の圧力に保たれている必要があると考えられている。
【００２５】
しかしながら、露光装置においては、感光剤であるレジストが塗布された半導体ウエハを露光装置外部から搬入し、その半導体ウエハ及びレチクルを互いに走査しながらレチクルの情報を転写し、搬出するという行為を繰り返す。即ち、露光装置は駆動機構を数多く含んでおり、摩擦等によってミラーの透過率低下の原因となるアウトガスが発生する可能性がある。
【００２６】
又、ウエハステージは走査露光を行うための移動機構やウエハを搬送する機構等の駆動機構を持っているため表面積が非常に大きい。そのため、これらのこのような表面積が大きな部品からのアウトガスはがなかなか無くならないため、露光空間内の高真空化が難しい。
【００２７】
更に、ウエハに塗布されたレジストは、露光前に加熱ベーキングされているとは言え有機物であり、これを真空中に持ち込むとレジストからそれを構成している有機物やその分解された物質である炭素化合物等が発生し、真空にされている装置内に拡散することになる。又、ウエハは大気中から露光装置中へ搬入されてくるが、このウエハの搬入に伴いウエハに付着している水分を含む空気成分を短時間の内に無くすことは難しく、真空中において徐々に脱離拡散していく。これらウエハやレジストからのアウトガスによって、前述したような高真空状態に維持することが非常に困難となる。
【００２８】
その場合、大容量の排気ポンプ等を用いて高真空にすることは可能であるが、問題はその成分であり、前述のように炭素を含む分子や水分が露光装置内の特にミラーやレチクルの設置された空間に拡散することは避けなければならない。
【００２９】
先に述べたように、ＥＵＶ光が照射される光学素子の近傍に炭化水素等の炭素を含む分子が残留するために、光照射によって光学素子表面に炭素が付着するのを防ぐ必要がある。
【００３０】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、照明系・投影系を構成するミラーをコンタミネーションによる汚染から保護し、デバイス製造の歩留まり・デバイスの信頼性といった生産性の向上を図ることができる露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系と、前記レチクルを載置するステージと、前記被露光体を載置するステージと、前記投影光学系を収納する空間を備え、前記投影光学系と照明光学系の光学素子を冷却する冷却手段を有する露光装置において、前記冷却手段の少なくとも一部に物質の吸着手段を有することを特徴とする。
【００３２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記吸着手段は、多孔質であることを特徴とする。
【００３３】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記多孔質は、冷却手段の表面に活性炭などの多孔質であることを特徴とする。
【００３４】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３の何れかに記載の発明において、前記冷却手段は、冷却板であることを特徴とする。
【００３５】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記冷却板は、冷却対象側の輻射率がその反対側の輻射率に対して高いことを特徴とする。
【００３６】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５の何れかに記載の発明において、前記冷却手段は、光学素子の近傍に配置されることを特徴とする。
【００３７】
請求項７記載の発明は、請求項１〜７の何れかに記載の発明において、前記冷却手段は、温度調節可能であることを特徴とする。
【００３８】
請求項８記載のデバイスの製造方法は、請求項１〜７の何れかに記載の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、照明系・投影系を構成するミラーをコンタミネーションによる汚染から保護し、デバイス製造の歩留まり・デバイスの信頼性といった生産性の向上を簡易に達成する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系と、前記レチクルを載置するステージと、前記被露光体を載置するステージと、前記投影光学系を収納する空間を備える露光装置であり、前記投影光学系と照明光学系の光学素子を冷却する冷却手段を有する露光装置において、光学素子はＥＵＶ光の照射による温度上昇に伴って、熱歪みが発生し、光学性能に影響を与える。そのため、光学素子を冷却する必要があり、光学素子には冷却手段が設けられる。この冷却手段の少なくとも一部に物質の吸着手段を設け、光学素子近傍に存在する炭化水素分子を吸着することで、光照射によって光学素子表面に炭素が付着するのを防ぐことが可能である。この冷却手段には平板を設け、その平板には多孔質若しくは冷却手段の表面に活性炭等の多孔質をコーティングしたものを用いることで、活性炭が冷却され、活性炭にぶつかる分子を活性炭内部に取り込むことで、冷却部材と光学素子の間に存在するコンタミネーション分子を減らすことが可能である。
【００４１】
又、前記冷却板の冷却対象側の輻射率がその反対側の輻射率に対して高くすることで、冷却対象となる物質以外の輻射による冷却を抑えることが可能である。又、前記冷却手段は光学素子毎で照射されるＥＵＶ光の強度が異なるため、個別に温度設定・調整できることが好ましい。
【００４２】
又、本発明のデバイスの製造方法は、前述の露光装置を用いて被露光体を露光する工程と、前記露光された被露光体を現像する工程とを有することを特徴としている。
【００４３】
＜実施の形態１＞
図１に本発明の実施の形態を示す。
【００４４】
図１において、８はＥＵＶ光、１はレチクル照明ミラー、２は投影系第１ミラー、３は投影系第２ミラー、４は投影系第３ミラー、５は投影系第４ミラー、６は投影系第５ミラー、７は投影系第６ミラー、１１は反射型レチクル、１２はレチクル保持装置、１３はレチクルステージ、１４はレチクルアライメント光学系、２１はウエハ、２２はウエハチャック、２３はウエハステージ、２４はウエハアライメント光学系を示す。
【００４５】
ＥＵＶ光源には、不図示のレーザープラズマ光源が用いられる。これは真空容器外に置かれたターゲット供給装置により供給されたターゲット材に励起用パルスレーザーから発生する高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマを発生させ、これから放射される例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴等が用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためには、パルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【００４６】
不図示の照明光学系は、複数の多層膜又は斜入射ミラーとオプティカルインテグレータ等から構成され、レチクルを均一に所定の開口数で照明する。
【００４７】
投影光学系は複数のミラーを用いている。ミラー枚数は少ない方がＥＵＶ光の利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。収差補正に必要なミラー枚数は４枚〜６枚程度である。ミラーの反射面の形状は凸面又は凹面の球面或は非球面である。開口数ＮＡは０．１〜０．２程度である。
【００４８】
ミラーは、低膨張率ガラスやシリコンカーバイド等の剛性・硬度が高く、熱膨張率が小さい材料から成る基板を研削・研磨して所定の反射面形状を創生した後、反射面にモリブデン／シリコン等の多層膜を成膜したものである。
【００４９】
レチクルステージ１３とウエハステージ２３は、縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する機構を持つ。ここで、レチクル又はウエハ面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル又はウエハ面に垂直な方向をＺとする。
【００５０】
レチクル１１は、レチクルステージ１３上のレチクルチャック１２に保持される。レチクルステージ１３は、Ｘ方向に高速移動する機構を持つ。又、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向及び各軸の回りの回転方向に微動機構を持ち、レチクル１１の位置決めができるようになっている。レチクルステージ１３の位置と姿勢は不図示のレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００５１】
ウエハ２１は、ウエハチャック２２によってウエハステージ２３に保持される。ウエハステージ２３は、レチクルステージ１３と同様にＸ方向に高速移動する機構を持つ。又、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向及び各軸の回りの回転方向に微動機構を持ち、ウエハ２１の位置決めができるようになっている。ウエハステージ２３の位置と姿勢は不図示のレーザ干渉計によって計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００５２】
アライメント検出機構１４によってレチクルの位置と投影光学系の光軸との位置関係、及びウエハの位置と投影光学系の光軸との位置関係が計測され、レチクルの投影像がウエハの所定の位置に一致するようにレチクルステージ１３及びウエハステージ２３の位置と角度が設定される。
【００５３】
又、フォーカス位置検出機構２４によってウエハ面でＺ方向のフォーカス位置が計測され、ウエハステージの位置及び角度を制御することによって、露光中は常時ウエハ面を投影光学系による結像位置に保つ。
【００５４】
ウエハ２１上で１回のスキャン露光が終わると、ウエハステージ２３はＸ，Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクルステージ１３及びウエハステージ２３が投影光学系の縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
【００５５】
このようにして、レチクルの縮小投影像がウエハ上に結像した状態でそれらを同期走査するという動作が繰り返される（ステップ・アンド・スキャン）。こうして、ウエハ全面にレチクルの転写パターンが転写される。
【００５６】
ここで、露光装置内は露光光を通過するための開口を有する隔壁や絞り等を使用し、空間的に差圧を生じさせることが可能な構成になっている。
（レチクルステージと第１光路空間）
先ず、レチクル及びレチクルステージを囲むレチクルステージ空間９１と投影光学系の第１〜３ミラーを囲む第１光路空間９２との間には、遮蔽部材（隔壁）６１を設けている。この隔壁は、レチクルを照明する照明光やレチクルから出射する露光光や及びアライメント光を通過するための開口を有しているここで、レチクルステージ空間９１と第１光路空間９２の間の、ガスの行き来が可能な隙間（実施の形態では、遮蔽部材とレチクル面との間の隙間が１ｍｍ以下になるようにしている）を１ｍｍ以下として、レチクル空間と第１光路空間との間にで差圧を発生させている。
【００５７】
ここでは、レチクルステージ空間９１は、ターボ分子ポンプ等の排気装置３１が接続され所定の圧力に保つことができ、空間内の圧力を圧力センサＳ１でモニタできるよう構成されている。又、第１光路空間９２は排気装置３２，３３が接続され所定の圧力に保つことができ、空間内の圧力を圧力センサＳ２でモニタできるよう構成されている。このような構成にすることで、レチクルステージ空間と第１光路空間９１の間に差動排気系を構成し、レチクルステージ空間９１から発生するアウトガスの第１光路空間９２への進入量を抑えることが可能である。ここでは排気装置を２つ設けたが、勿論排気装置は１つであっても構わないし、３つ以上設けても構わない。
（第１光路空間と第２光路空間）
次に、第１光路空間９２と第２光路空間９３との間にも、前述の遮蔽部材に相当する、絞り部材６２が設けられている。この絞り部材６２は、レチクルから出射して第１光路空間９２を経た露光光の第１光路空間からの出口及び第２光路空間９３への入り口を形成している。更に、この絞り部材６２の開口によって、第１光路空間と第２光路空間とを接続することにより、両空間の間に差圧を発生させている。又、第２光路空間には、排気装置３４が接続され、光路空間９３の圧力は圧力センサＳ３でモニタされている。
【００５８】
ここでは、これらの圧力センサからの検出結果及び排気装置等を用いて、第１光路空間９２の圧力が第２光路空間９３の圧力よりも高く低くなるようにしている。
（第２光路空間とウエハステージ空間）
又、第２光路空間９３とウエハステージ空間９５の間に露光光を通過させるための開口を有する隔壁６３が設けられている。ウエハステージ空間９４には排気装置３６が接続され、ウエハステージ空間９４内の圧力は圧力センサＳ４によりモニタされる。
（各ミラーの温調手段）
又、レチクル照明ミラー１は温調板４１が側面に配置され、不図示のペルチェ素子や冷却媒体等の冷却手段により冷却される。又、同様に投影系第１ミラー２、投影系第２ミラー３、投影系第３ミラー４、投影系第４ミラー５、投影系第５ミラー６、投影系第６ミラー７にはそれぞれ、温調板４２、温調板４３、温調板４、温調板５、温調板６、温調板７が各ミラーを囲むように配置され、不図示のペルチェ素子や冷却媒体等の冷却手段により冷却される。
（コンタミネーション排気）
そして、露光時にウエハ面上のレジストから発生するコンタミネーション（汚染物質）は、隔壁６３の開口を通って、第２光路空間内に広がり、各ミラーの近傍に存在するようになる。
【００５９】
図２はミラーを温調板で取囲んだ一例である。
【００６０】
ミラーは、ピエゾ等のアクチュエーターを介してミラーホルダーに支持され、アクチュエーターを駆動することによってミラーの姿勢を変化させることができる。又、温調板もミラーホルダーによって支持され、その周囲に流路が形成され、流路に接続された配管によって供給される冷却媒体（例えば、水や窒素ガス等）によって冷却される。冷却媒体は、図示しない冷媒循環装置によって供給される。このようにして、温調板を冷やすことによる輻射のより、ＥＵＶ光が照射されることによるミラーの発熱を抑える。又、前述したように配管を通して冷却媒体を供給することで冷却する代わりに、ペルチェ素子を使用して冷却しても良い。
【００６１】
そして、温調板のミラー側には活性炭等の多孔質がコーティングされている。コーティングされた多孔質は温調板と伴に冷却され、その多孔質内部にコンタミネーション等の炭化水素を取り込む。これにより、ミラーと冷却板で囲まれた空間のコンタミネーションの分圧を低く抑えることができ、ミラーへの炭素の付着を減らすことが可能である。
【００６２】
又、ミラーに直接、温調手段を接続し、その温調手段に上記のような多孔質をコーティングした温調板を用いても良い。
【００６３】
又、多孔質の輻射率は１に近い。そのため、ミラーから見えない面に対しても多孔質をコーティングすると冷やす必要のない部品までも冷却してしまう。そこで、前記温調板の多孔質をコーティングしていない面、即ち、冷却対象となるミラーから見えない面に関しては、他の部品の温度を下げないように、できる限り輻射率を低く設定することが好ましい。例えば、ニッケルメッキなどのメッキ処理を行うことで温調板のミラー側でない面で輻射率を低く設定することが可能である。
【００６４】
又、図３に示すように、ミラーから離れた場所から輻射によりミラーを冷却する場合においても、冷却板のミラー側に活性炭等の多孔質をコーティングすることにより、同様に、ミラー近傍の炭化水素の分圧を減らすことが可能である。
【００６５】
＜実施の形態２＞
次に、図５及び図６を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施の形態を説明する。
【００６６】
図５はデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【００６７】
本実施形態においては、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。
【００６８】
ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
【００６９】
図６はステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【００７０】
ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置２００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係るＥＵＶ露光装置の構成を説明する図である。
【図２】ミラー近傍を拡大した図である。
【図３】別の実施の形態を示す図である。
【図４】従来のＥＵＶ装置の構成図である。
【図５】デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図６】図５に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００７２】
１    レクチル照明ミラー
２    投影系第１ミラー
３    投影系第２ミラー
４    投影系第３ミラー
５    投影系第４ミラー
６    投影系第５ミラー
７    投影系第６ミラー
８    ＥＵＶ光
１１  反射型レクチル
１２  レクチル保護装置
１３  レクチルステージ
１４  レクチルアライメント光学系
２１  ウエハ
２２  ウエハチャック
２３  ウエハステージ
２４  ウエハアライメント光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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