(57)【要約】【課題】樹脂封止時において導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止する。【解決手段】上面に複数の電極パッド１１をもつ半導体チップ９を搭載するためのチップ搭載領域７の周囲の絶縁性基板３の表面に配列され、導電性ワイヤ２１によって電極パッド１１と電気的に接続される複数の基板端子５を備え、半導体チップ９がチップ搭載領域７に搭載され、電極パッド１１と基板端子５が導電性ワイヤ２１により接続された状態でモールド金型のキャビティ１３内に配置され、ゲート１７からキャビティ１３内に注入されるモールド樹脂により半導体チップ９及び導電性ワイヤ２１を被って樹脂封止される配線基板１において、基板端子５の形成領域とは異なる領域の絶縁性基板３の表面に形成された、キャビティ１３内でモールド樹脂が流れる方向を制御するための凸状のダミーパターン１５ａ，１５ｂを備えている。【選択図】図１
2006019420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に複数の電極パッドをもつ半導体チップを搭載するためのチップ搭載領域の周囲の基板表面に配列され、導電性ワイヤによって前記電極パッドと電気的に接続される複数の基板端子を備え、前記半導体チップが前記チップ搭載領域に搭載され、前記電極パッドと前記基板端子が前記導電性ワイヤにより接続された状態でモールド金型のキャビティ内に配置され、ゲートから前記キャビティ内に注入されるモールド樹脂により前記半導体チップ及び前記導電性ワイヤを被って樹脂封止される配線基板において、
前記基板端子の形成領域とは異なる領域の基板表面に形成された、キャビティ内でモールド樹脂が流れる方向を制御するための凸状のダミーパターンを備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ダミーパターンは、半導体チップの角部の近傍に配置され、かつ、前記基板端子の配列に対して前記チップ搭載領域側の領域から、前記チップ搭載領域とは反対側の領域に連続して形成されているものを含む請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ダミーパターンは、モールド樹脂の流れ方向に略平行に形成された帯状のものを含む請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ダミーパターンは前記基板端子と同じ材料により形成されたものである請求項１、２又は３に記載の配線基板。
【請求項５】
上面に複数の電極パッドをもつ半導体チップと、前記半導体チップのチップ搭載領域の周囲に配置された複数の基板端子を備えた配線基板と、前記電極パッドと前記基板端子を電気的に接続するための導電性ワイヤと、前記半導体チップ及び前記導電性ワイヤを被って前記配線基板上に形成されたモールド樹脂を備えた半導体装置において、
前記配線基板として請求項１から４のいずれかに記載のものを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
上面に複数の電極パッドをもつ半導体チップを搭載するためのチップ搭載領域の周囲に配置され、導電性ワイヤによって前記電極パッドと電気的に接続される複数の基板端子を備え、前記半導体チップが前記チップ搭載領域に搭載され、前記電極パッドと前記基板端子が前記導電性ワイヤにより接続された状態でモールド金型のキャビティ内に配置され、ゲートから前記キャビティ内に注入されるモールド樹脂により前記半導体チップ及び前記導電性ワイヤを被って樹脂封止される配線基板において、
複数の前記基板端子のうち、前記キャビティ内に配置された状態で前記チップ搭載領域に対して前記ゲートとは反対側に配列されている第１基板端子は、前記ゲート側に配列されている第２基板端子に比べて前記チップ搭載領域に近い距離で配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
前記第１基板端子及び前記第２基板端子を含む前記基板端子の形成領域とは異なる領域に形成された、キャビティ内でモールド樹脂が流れる方向を制御するための凸状のダミーパターンを備えている請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記ダミーパターンは前記基板端子と同じ材料により形成されたものである請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
前記ダミーパターンは、半導体チップの角部の近傍に配置され、かつ、前記基板端子の配列に対して前記チップ搭載領域側の領域から、前記チップ搭載領域とは反対側の領域に連続して形成されているものを含む請求項７又は８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記ダミーパターンは、モールド樹脂の流れ方向に略平行に形成された帯状のものを含む請求項７、８又は９に記載の配線基板。
【請求項１１】
上面に複数の電極パッドをもつ半導体チップと、前記半導体チップのチップ搭載領域の周囲に配置された複数の基板端子を備えた配線基板と、前記電極パッドと前記基板端子を電気的に接続するための導電性ワイヤと、前記半導体チップ及び前記導電性ワイヤを被って前記配線基板上に形成されたモールド樹脂を備えた半導体装置において、
前記配線基板として請求項６から１０のいずれかに記載のものを備え、
第１基板端子と前記電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤは、第２基板端子と前記電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤに比べて長さが短いことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びそれを用いた半導体装置に関し、特に、上面に複数の電極パッドをもつ半導体チップを搭載するためのチップ搭載領域の周囲に配置され、導電性ワイヤによって電極パッドと電気的に接続される複数の基板端子を備え、半導体チップがチップ搭載領域に搭載され、電極パッドと基板端子が導電性ワイヤにより接続された状態でモールド金型のキャビティ内に配置され、ゲートからキャビティ内に注入されるモールド樹脂により半導体チップ及び導電性ワイヤを被って樹脂封止される配線基板、及びそれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程において、半導体チップの上面に形成された複数の電極パッドと、配線基板のチップ搭載領域の周囲に配置された基板端子を電気的に接続する方法として、導電性ワイヤを用いたワイヤボンディングによる方法がある（例えば特許文献１参照。）。ワイヤボンディングでは、キャピラリと呼ばれる工具によって導電性ワイヤの一端を半導体チップの電極パッドにボンディングし、他端を基板端子にボンディングして電極パッドと基板端子を電気的に接続する。
ワイヤボンディング後の配線基板はモールド金型のキャビティ内に配置され、トランスファモールド法により、モールド金型に設けられたゲートからキャビティ内に注入されるモールド樹脂によって半導体チップ及び導電性ワイヤを被って樹脂封止される。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−５８５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ワイヤボンディングが施された配線基板に対するモールド樹脂注入時において、ゲートからキャビティ内に注入されたモールド樹脂によって導電性ワイヤが変形し、導電性ワイヤが電極パッドや基板端子から外れてピンコンタクトオープン状態になったり、隣り合う導電性ワイヤ間でショートしたりして接触不良が発生するという問題があった。このような問題は、ゲートから離れた位置ではモールド樹脂の流動性が低下するので、ゲートから離れた位置に配置された導電性ワイヤにおいて顕著に見られる。
また、二次的な問題として、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業が困難になり、不良品流出の懸念や不良数量の増大を招くという問題もあった。
【０００５】
そこで本発明は、樹脂封止時において導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止することができる配線基板及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる配線基板は、上面に複数の電極パッドをもつ半導体チップを搭載するためのチップ搭載領域の周囲の基板表面に配列され、導電性ワイヤによって上記電極パッドと電気的に接続される複数の基板端子を備え、上記半導体チップが上記チップ搭載領域に搭載され、上記電極パッドと上記基板端子が上記導電性ワイヤにより接続された状態でモールド金型のキャビティ内に配置され、ゲートから上記キャビティ内に注入されるモールド樹脂により上記半導体チップ及び上記導電性ワイヤを被って樹脂封止される配線基板であって、
第１態様は、上記基板端子の形成領域とは異なる領域の基板表面に形成された、キャビティ内でモールド樹脂が流れる方向を制御するための凸状のダミーパターンを備えているものである。
配線基板に上記ダミーパターンが設けられていることにより、樹脂封止時に配線基板表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御され、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれる。
【０００７】
本発明の配線基板の第１態様において、上記ダミーパターンは、半導体チップの角部の近傍に配置され、かつ、上記基板端子の配列に対して上記チップ搭載領域側の領域から、上記チップ搭載領域とは反対側の領域に連続して形成されているものを含むようにしてもよい。このようなダミーパターンを備えていることにより、樹脂封止時にゲートからキャビティ内に注入されたモールド樹脂は、基板端子が配列されている領域とチップ搭載領域の間に流れ込みやすくなる。さらに、基板端子が配列されている領域とチップ搭載領域の間に導かれたモールド樹脂は基板端子が配列されている領域よりも外周側に出やすくなり、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれる。
【０００８】
また、上記ダミーパターンは、モールド樹脂の流れ方向に略平行に形成された帯状のものを含むようにしてもよい。ここでモールド樹脂の流れ方向とは、モールド金型のゲートからエアーベントに向かう方向をいう。このようなダミーパターンを備えていることにより、樹脂封止時に任意の領域において配線基板表面近傍を流れるモールド樹脂はモールド樹脂の流れ方向に略平行に流れ、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれる。
【０００９】
また、上記ダミーパターンは上記基板端子と同じ材料により形成されたものであるようにしてもよい。これにより、基板端子とダミーパターンを同時に形成することができる。
【００１０】
本発明にかかる半導体装置は、上面に複数の電極パッドをもつ半導体チップと、上記半導体チップのチップ搭載領域の周囲に配置された複数の基板端子を備えた配線基板と、上記電極パッドと上記基板端子を電気的に接続するための導電性ワイヤと、上記半導体チップ及び上記導電性ワイヤを被って上記配線基板上に形成されたモールド樹脂を備えた半導体装置であって、
半導体装置の第１態様は本発明の配線基板の第１態様を備えているものである。
【００１１】
本発明にかかる配線基板の第２態様は、複数の上記基板端子のうち、上記キャビティ内に配置された状態で上記チップ搭載領域に対して上記ゲートとは反対側に配列されている第１基板端子は、上記ゲート側に配列されている第２基板端子に比べて上記チップ搭載領域に近い距離で配置されているものである。
チップ搭載領域に対してゲートとは反対側に配列されている第１基板端子を、ゲート側に配列されている第２基板端子に比べてチップ搭載領域に近い距離に配置することにより、第１基板端子と半導体チップの電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤについて、第２基板端子と電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤに比べて長さが短くなる。
【００１２】
本発明の配線基板の第２態様において、上記配線基板の第１態様を構成するダミーパターンを備えているようにしてもよい。これにより、樹脂封止時に配線基板表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御され、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれる。
【００１３】
本発明にかかる半導体装置の第２態様は、本発明の配線基板の第２態様を備え、第１基板端子と上記電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤは、第２基板端子と上記電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤに比べて長さが短いものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線基板の第１態様では、基板端子の形成領域とは異なる領域の基板表面に形成された、キャビティ内でモールド樹脂が流れる方向を制御するための凸状のダミーパターンを備え、樹脂封止時に配線基板表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御され、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれるようにしたので、ゲートから離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止することができ、樹脂封止時において導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止することができる。
これにより、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業を容易にすることができ、不良品流出の懸念や不良数量の増大を防止することができる。
【００１５】
さらに、ダミーパターンは、半導体チップの角部の近傍に配置され、かつ、基板端子の配列に対してチップ搭載領域側の領域から、チップ搭載領域とは反対側の領域に連続して形成されているものを含むようにすれば、樹脂封止時にゲートからキャビティ内に注入されたモールド樹脂は、基板端子が配列されている領域とチップ搭載領域の間に流れ込みやすくなり、さらに、基板端子が配列されている領域とチップ搭載領域の間に導かれたモールド樹脂は基板端子が配列されている領域よりも外周側に出やすくなるので、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれるようにすることができ、ゲートから離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止して樹脂封止時において導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止することができる。
【００１６】
さらに、ダミーパターンは、モールド樹脂の流れ方向に略平行に形成された帯状のものを含むようにすれば、樹脂封止時に任意の領域において配線基板表面近傍を流れるモールド樹脂はモールド樹脂の流れ方向に略平行に流れ、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれるようにすることができ、ゲートから離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止して樹脂封止時において導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止することができる。
【００１７】
さらに、ダミーパターンは基板端子と同じ材料により形成されたものであるようにすれば、基板端子とダミーパターンを同時に形成することができ、製造工程及び製造コストを増加させることなくダミーパターンを形成することができる。
【００１８】
本発明の半導体装置の第１態様では、半導体チップ及び導電性ワイヤを被って配線基板上に形成されたモールド樹脂を備えた半導体装置において、本発明の配線基板の第１態様を備えているようにしたので、樹脂封止時に配線基板表面においてダミーパターンによりモールド樹脂の流れる方向が制御され、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれるので、ゲートから離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止することができ、樹脂封止時において導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止することができる。
これにより、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業を容易にすることができ、不良品流出の懸念や不良数量の増大を防止することができる。
【００１９】
本発明にかかる配線基板の第２態様では、複数の基板端子のうち、キャビティ内に配置された状態でチップ搭載領域に対してゲートとは反対側に配列されている第１基板端子は、ゲート側に配列されている第２基板端子に比べてチップ搭載領域に近い距離で配置されているようにしたので、ゲートから離れた位置ではモールド樹脂の流動性が低下するが、第１基板端子と半導体チップの電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤについて、第２基板端子と電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤに比べて長さを短くしてモールド樹脂の流れの影響を低減することができ、樹脂封止時に、特にゲートから離れた領域において、導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止することができる。
これにより、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業を容易にすることができ、不良品流出の懸念や不良数量の増大を防止することができる。
【００２０】
さらに、配線基板の第１態様を構成するダミーパターンを備えているようにすれば、樹脂封止時に配線基板表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御され、ゲートから離れたキャビティ内の領域にモールド樹脂が早く導かれるので、ゲートから離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止することができ、樹脂封止時における導電性ワイヤの接触不良防止の効果をさらに向上させることができる。
【００２１】
本発明の半導体装置の第２態様では、半導体チップ及び導電性ワイヤを被って配線基板上に形成されたモールド樹脂を備えた半導体装置において、本発明の配線基板の第２態様を備えているようにしたので、第１基板端子と半導体チップの電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤについて、第２基板端子と電極パッドの間を接続するための導電性ワイヤに比べて長さを短くしてモールド樹脂の流れの影響を低減することができ、樹脂封止時に、特にゲートから離れた領域において、導電性ワイヤの接触不良が発生するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は配線基板の第１態様及び半導体装置の第１態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。
【００２３】
配線基板１において、絶縁性基板３の一平面上に導電性材料、例えば銅からなる複数の基板端子５が形成されている。基板端子５は、チップ搭載領域７に搭載される半導体チップ９の上面に設けられた複数の電極パッド１１に対応してチップ搭載領域７の周囲に配列されている。
絶縁性基板３の一平面には、基板端子５の形成領域とは異なる領域に、モールド金型のキャビティ１３内でモールド樹脂が流れる方向を制御するための凸状のダミーパターン１５ａ，１５ｂも形成されている。ダミーパターン１５ａ，１５ｂは基板端子５と同じ材料で同時に形成されたものである。（Ｃ）において、基板端子５及びダミーパターン１５ａ，１５ｂの図示は省略している。
【００２４】
ダミーパターン１５ａは半導体チップ９の角部の近傍に配置され、かつ、基板端子５の配列に対してチップ搭載領域７側の領域から、チップ搭載領域７とは反対側の領域に連続して形成されている。
ダミーパターン１５ｂはモールド樹脂の流れ方向、すなわちモールド金型のゲート１７からエアーベント１９に向かう方向に略平行に帯状に形成されている。
図示は省略するが、配線基板１の一平面上には、基板端子５に連続して形成された配線パターン及びボール端子用電極の組が形成されており、配線基板１にはボール端子用電極に対応して貫通孔が形成されている。
【００２５】
配線基板１は、チップ搭載領域７に半導体チップ９が搭載され、電極パッド１１と基板端子５が導電性ワイヤ２１により接続された状態で、モールド金型のキャビティ１３内に配置される。そして、ゲート１７からキャビティ１３内にモールド樹脂が注入される（矢印参照。）。注入されたモールド樹脂はエアーベント１９側へ流れるとともに、エアーベント１９からキャビティ１３内の空気を押し出す（白抜き矢印参照。）。
【００２６】
モールド樹脂がキャビティ１３内に充填される際に、ダミーパターン１５ａ，１５ｂにより配線基板１の表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御される。具体的には、ダミーパターン１５ａにより、ゲート１７からキャビティ１３内に注入されたモールド樹脂は基板端子５が配列されている領域とチップ搭載領域７の間に流れ込みやすくなり、さらに、基板端子５が配列されている領域とチップ搭載領域７の間に導かれたモールド樹脂は基板端子５が配列されている領域よりも外周側に出やすくなる。
また、ダミーパターン１５ｂにより、ダミーパターン１５ｂの近傍領域において配線基板１の表面近傍を流れるモールド樹脂はモールド樹脂の流れ方向に略平行に流れる。
このように、ダミーパターン１５ａ，１５ｂにより配線基板１の表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御されることにより、ゲート１７から離れたキャビティ１３内の領域にモールド樹脂が早く導かれるようにすることができ、ゲート１７から離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止して樹脂封止時において導電性ワイヤ２１の接触不良が発生するのを防止することができる。
【００２７】
キャビティ１３内に注入したモールド樹脂を硬化させて配線基板１上に半導体チップ９及び導電性ワイヤ２１を被ってモールド樹脂２３を形成した後、配線基板１をモールド金型から取り出す。
その後、配線基板１の裏面（半導体チップ９が搭載された面とは反対側の面）に設けられた貫通孔にボール端子２５を搭載し、半導体装置の製造工程が完了する。
このように、樹脂封止時において導電性ワイヤ２１の接触不良が発生するのを防止することにより、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業を容易にすることができ、不良品流出の懸念や不良数量の増大を防止することができる。
【００２８】
図２は配線基板の第１態様及び半導体装置の第１態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【００２９】
配線基板１において、絶縁性基板３の一平面上に、複数の基板端子５と、基板端子５の形成領域とは異なる領域に、モールド金型のキャビティ１３内でモールド樹脂が流れる方向を制御するための凸状のダミーパターン１５ａ，１５ｂが形成されている。ダミーパターン１５ａ，１５ｂは基板端子５と同じ材料で同時に形成されたものである。
【００３０】
ダミーパターン１５ａは図１を参照して説明した実施例のものと同じである。
ダミーパターン１５ｂはモールド樹脂の流れ方向、すなわちモールド金型において配線基板１の対向する一対の角部に対応して設けられたゲート２７とエアーベント２９に関してゲート２７からエアーベント２９に向かう方向に略平行に帯状に形成されている。
【００３１】
配線基板１は、チップ搭載領域７に半導体チップ９が搭載され、電極パッド１１と基板端子５が導電性ワイヤ２１により接続された状態で、モールド金型のキャビティ１３内に配置される。そして、ゲート２７からキャビティ１３内にモールド樹脂が注入される。注入されたモールド樹脂はエアーベント２９側へ流れるとともに、エアーベント２９からキャビティ１３内の空気を押し出す。
【００３２】
モールド樹脂がキャビティ１３内に充填される際に、ダミーパターン１５ａ，１５ｂにより配線基板１の表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御される。具体的には、ダミーパターン１５ａにより、ゲート２７からキャビティ１３内に注入されたモールド樹脂は基板端子５が配列されている領域とチップ搭載領域７の間に流れ込みやすくなり、さらに、基板端子５が配列されている領域とチップ搭載領域７の間に導かれたモールド樹脂は基板端子５が配列されている領域よりも外周側に出やすくなる。
また、ダミーパターン１５ｂにより、ダミーパターン１５ｂの近傍領域において配線基板１の表面近傍を流れるモールド樹脂はモールド樹脂の流れ方向に略平行に流れる。
このように、ダミーパターン１５ａ，１５ｂにより配線基板１の表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御されることにより、ゲート２７から離れたキャビティ１３内の領域にモールド樹脂が早く導かれるようにすることができ、ゲート２７から離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止して樹脂封止時において導電性ワイヤ２１の接触不良が発生するのを防止することができる。
【００３３】
図１を参照して説明した実施例と同様に、配線基板１上にモールド樹脂２３を形成した後、配線基板１をモールド金型から取り出し、配線基板１の裏面に設けられた貫通孔にボール端子２５を搭載し、半導体装置の製造工程が完了する。
このように、この実施例においても、樹脂封止時において導電性ワイヤ２１の接触不良が発生するのを防止することにより、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業を容易にすることができ、不良品流出の懸念や不良数量の増大を防止することができる。
【００３４】
上記の実施例では、ダミーパターン１５ａ，１５ｂは基板端子５と同じ材料で同時に形成されたものなので、ダミーパターン１５ａ，１５ｂを基板端子５とは別途形成する場合に比べて製造工程及び製造コストを低減することができる。ただし、ダミーパターン１５ａ，１５ｂは基板端子５と同じ材料で同時に形成されたものに限定されるものではなく、基板端子５とは別途形成されたものであってもよいし、基板端子５とは別材料で形成されたものであってもよい。
【００３５】
また、上記の実施例では、本発明の配線基板を構成するダミーパターンとして、半導体チップ９の角部の近傍に配置され、かつ、基板端子５の配列に対してチップ搭載領域７側の領域から、チップ搭載領域７とは反対側の領域に連続して形成されているダミーパターン１５ａと、モールド樹脂の流れ方向に略平行に帯状に形成されているダミーパターン１５ｂを備えているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ダミーパターン１５ａ，１５ｂのいずれか一方のみを備えているようにしてもよい。
【００３６】
図３は配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【００３７】
配線基板１において、絶縁性基板３の一平面上に複数の基板端子５が形成されている。基板端子５のうち、キャビティ１３内に配置された状態でチップ搭載領域７に対してゲート１７とは反対側、すなわちエアーベント１９側に配列されている第１基板端子５ａは、ゲート側１７に配列されている第２基板端子５ｂに比べてチップ搭載領域７に近い距離で配置されている。
【００３８】
配線基板１のチップ搭載領域７に半導体チップ９が搭載された後、導電性ワイヤ２１により電極パッド１１と基板端子５が接続される。第１基板端子５ａは第２基板端子５ｂに比べてチップ搭載領域７に近い距離で配置されているので、第１基板端子５ａと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ａは、第２基板端子５ｂと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ｂに比べて長さが短い。
【００３９】
導電性ワイヤ２１，２１ａ，２１ｂが形成された後の配線基板１モールド金型のキャビティ１３内に配置される。そして、ゲート２７からキャビティ１３内にモールド樹脂が注入される。
モールド樹脂がキャビティ１３内に充填される際、ゲート１７から離れたエアーベント１９近傍の位置ではモールド樹脂の流動性が低下するが、第１基板端子５ａと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ａは第２基板端子５ｂと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ｂに比べて長さが短く形成されているので、導電性ワイヤ２１ａについてモールド樹脂の流れの影響を低減することができ、樹脂封止時に、特にゲート１７から離れた領域において、導電性ワイヤ２１ａの接触不良が発生するのを防止することができる。
【００４０】
その後、図１を参照して説明した実施例と同様に、配線基板１上にモールド樹脂２３を形成した配線基板１をモールド金型から取り出し、配線基板１の裏面に設けられた貫通孔にボール端子２５を搭載し、半導体装置の製造工程が完了する。
このように、この実施例においても、樹脂封止時において導電性ワイヤ２１ａの接触不良が発生するのを防止することにより、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業を容易にすることができ、不良品流出の懸念や不良数量の増大を防止することができる。
【００４１】
図４は配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。図３と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。
【００４２】
この実施例は、配線基板１の対向する一対の角部に対応してゲート２７とエアーベント２９が設けられているモールド金型により樹脂封止されるものである。
配線基板１において、絶縁性基板３の一平面上に複数の基板端子５ａ，５ｂが形成されている。キャビティ１３内に配置された状態でチップ搭載領域７に対してゲート２７とは反対側、すなわちエアーベント２９側に、半導体チップ９の２辺に対応して配列されている２列の第１基板端子５ａは、半導体チップ９の他の２辺に対応してゲート側１７に配列されている２列の第２基板端子５ｂに比べてチップ搭載領域７に近い距離で配置されている。
【００４３】
配線基板１のチップ搭載領域７に半導体チップ９が搭載された後、導電性ワイヤ２１ａ，２１ｂにより電極パッド１１と基板端子５ａ，５ｂが接続される。第１基板端子５ａは第２基板端子５ｂに比べてチップ搭載領域７に近い距離で配置されているので、第１基板端子５ａと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ａは、第２基板端子５ｂと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ｂに比べて長さが短い。
【００４４】
導電性ワイヤ２１ａ，２１ｂが形成された後の配線基板１がモールド金型のキャビティ１３内に配置された後、ゲート２７からキャビティ１３内にモールド樹脂が注入される。
モールド樹脂がキャビティ１３内に充填される際、ゲート１７から離れたエアーベント１９近傍の位置ではモールド樹脂の流動性が低下するが、第１基板端子５ａと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ａは第２基板端子５ｂと電極パッド１１の間を接続するための導電性ワイヤ２１ｂに比べて長さが短く形成されているので、導電性ワイヤ２１ａについてモールド樹脂の流れの影響を低減することができ、樹脂封止時に、特にゲート１７から離れた領域において、導電性ワイヤ２１ａの接触不良が発生するのを防止することができる。
【００４５】
その後、図１を参照して説明した実施例と同様に、配線基板１上にモールド樹脂２３を形成した配線基板１をモールド金型から取り出し、配線基板１の裏面に設けられた貫通孔にボール端子２５を搭載し、半導体装置の製造工程が完了する。
このように、この実施例においても、樹脂封止時において導電性ワイヤ２１ａの接触不良が発生するのを防止することにより、樹脂封止後の半導体装置の検査及び選別作業を容易にすることができ、不良品流出の懸念や不良数量の増大を防止することができる。
【００４６】
図３及び図４を参照して配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様を説明したが、本発明の配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様において、本発明の配線基板の第１態様を構成するダミーパターンをさらに備えているようにしてもよい。
図５に示すように、図３に示した構成に加えて、図１を参照して説明した実施例と同様にしてダミーパターン１５ａ，１５ｂを備えているようにしてもよい。
また、図６に示すように、図４に示した構成に加えて、図２を参照して説明した実施例と同様にしてダミーパターン１５ａ，１５ｂを備えているようにしてもよい。
このように、本発明の配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様において、本発明の配線基板の第１態様を構成するダミーパターン１５ａ，１５ｂをさらに備えているようにすれば、樹脂封止時に配線基板１の表面においてモールド樹脂の流れる方向が制御され、ゲート１７，２７から離れたキャビティ１３内の領域にモールド樹脂が早く導かれるので、ゲート１７，２７から離れた位置でモールド樹脂の流動性が低下するのを防止することができ、樹脂封止時における導電性ワイヤ２１ａの接触不良防止の効果をさらに向上させることができる。
【００４７】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、形状、材料、配置などは一例であり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】配線基板の第１態様及び半導体装置の第１態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。
【図２】配線基板の第１態様及び半導体装置の第１態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。
【図３】配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様の一実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。
【図４】配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様の他の実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。
【図５】配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。
【図６】配線基板の第２態様及び半導体装置の第２態様のさらに他の実施例を示す図であり、（Ａ）は配線基板を示す平面図、（Ｂ）はモールド金型に配置された状態の配線基盤を示す平面図、（Ｃ）は樹脂封止後の状態の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１    配線基板
３    絶縁性基板
５，５ａ，５ｂ  基板電極
７    チップ搭載領域
９    半導体チップ
１１    電極パッド
１３    キャビティ
１５ａ，１５ｂ  ダミーパターン
１７，２７    ゲート
１９，２９    エアーベント
２１，２１ａ，２１ｂ  導電性ワイヤ
２３    モールド樹脂
２５    ボール端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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