(57)【要約】  【課題】  コンデンサマイクロホンにおいて、所期の音響特性を維持した上でその薄型化を図る。  【解決手段】  円筒状に形成された金属製のハウジング１２内において、コンデンサ構造部１６に対してその外周側にインピーダンス変換素子２０を配置し、これによりコンデンサマイクロホン１０の薄型化を図る。その際、コンデンサ構造部１６の振動膜３２Ａは、その振動面形状をハウジング１２の径方向よりも周方向に長い楕円形に設定する。これにより、ハウジング１２内におけるコンデンサ構造部１６の専有面積を、従来のように振動膜の振動面形状が円形に設定されている場合に比して大きくする。そしてこれにより、コンデンサ構造部１６の静電容量を大きくして、コンデンサマイクロホン１０の感度向上を図る。また、ハウジング１２内に所要の背圧空間を容易に確保可能とする。  【選択図】          図２
2006019884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する回路基板と、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板を収容する金属製のハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ハウジングが、略円筒状に形成されており、
上記インピーダンス変換素子が、上記コンデンサ構造部の外周側に配置されており、
上記振動膜が、上記ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形の振動面形状を有している、ことを特徴とするコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
上記ハウジング内に、該ハウジングと上記背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュが設けられており、
この絶縁ブッシュが、上記ハウジングの内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部と、上記コンデンサ構造部を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部とを備えてなる、ことを特徴とする請求項１記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
上記絶縁ブッシュが、上記第２リング部から上記コンデンサ構造部の外周側へ向けて上記第１リング部まで延びる少なくとも１つの補強梁部を備えている、ことを特徴とする請求項２記載のコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
上記ハウジングの厚さが、１ｍｍ以下の値に設定されている、ことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、小型のコンデンサマイクロホンに関するものであり、特に、その薄型化を図るための構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、コンデンサマイクロホンは、振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部を有しており、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子が回路基板に実装された構成となっている。
【０００３】
その際「特許文献１」には、コンデンサ構造部の外周側にインピーダンス変換素子が配置された状態で、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板が金属製のハウジング内に収容されたコンデンサマイクロホンが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−９８７９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
携帯電話機等に搭載されるコンデンサマイクロホンにおいては、その薄型化を図ることが強く要請される。
【０００６】
その際、上記「特許文献１」に記載されているように、コンデンサ構造部の外周側にインピーダンス変換素子が配置された構成とすれば、コンデンサマイクロホンの薄型化を図ることができる。
【０００７】
しかしながら、このような構成を採用した場合には、次のような問題がある。
【０００８】
すなわち、小型のコンデンサマイクロホンの多くは、そのハウジングが円筒状に形成されており、その振動膜は円形の振動面形状を有しているが、このようなコンデンサマイクロホンにおいて、コンデンサ構造部の外周側にインピーダンス変換素子を配置した場合には、その分だけコンデンサ構造部の専有面積が小さくなってしまうので、その振動膜の振動面の面積も小さくなってしまうこととなる。そしてこれにより、コンデンサ構造部の静電容量も小さくなってしまうので、コンデンサマイクロホンとしても感度が低下してしまい、所期の音響特性を維持することができなくなってしまう、という問題がある。
【０００９】
本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、所期の音響特性を維持した上で薄型化を図ることができるコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明は、振動膜の振動面形状に工夫を施すことにより、上記目的達成を図るようにしたものである。
【００１１】
すなわち、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、
振動膜と背面電極板とが対向配置されてなるコンデンサ構造部と、このコンデンサ構造部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する回路基板と、これらコンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板を収容する金属製のハウジングと、を備えてなるコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ハウジングが、略円筒状に形成されており、
上記インピーダンス変換素子が、上記コンデンサ構造部の外周側に配置されており、
上記振動膜が、上記ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形の振動面形状を有している、ことを特徴とするものである。
【００１２】
上記「ハウジング」は、金属製であって略円筒状に形成されたものであれば、その具体的な材質や形状あるいは大きさ等は特に限定されるものではない。
【００１３】
上記「回路基板」は、インピーダンス変換素子のみが実装された構成となっていてもよいし、それ以外の電子部品（例えばコンデンサや抵抗等）も実装された構成となっていてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
上記構成に示すように、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、コンデンサ構造部、インピーダンス変換素子および回路基板が、略円筒状に形成された金属製のハウジング内に収容された構成となっているが、その際、インピーダンス変換素子はコンデンサ構造部の外周側に配置されているので、コンデンサマイクロホンの薄型化を図ることができる。
【００１５】
また、本願発明に係るコンデンサマイクロホンは、そのコンデンサ構造部の振動膜が、ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形の振動面形状を有しているので、コンデンサ構造部の外形形状についても、ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形に設定することができ、これによりハウジング内におけるコンデンサ構造部の専有面積を、従来のように振動膜の振動面形状が円形に設定されている場合に比して大きくすることができる。そしてこれにより、コンデンサ構造部の静電容量を大きくすることができるので、コンデンサマイクロホンの感度向上を図ることができる。
【００１６】
その際、振動膜の振動面形状が略楕円形に設定されていることにより、これを例えば矩形形状等に設定した場合に比して、振動膜のスティフネスを小さくしても振動膜にシワを発生させにくくすることできる。そしてこれにより、コンデンサマイクロホンの音響特性を安定的に維持した上で、その感度向上を図ることができる。
【００１７】
しかも上述したように、コンデンサ構造部の外形形状を、ハウジングの径方向よりも周方向に長い略楕円形とすることができるので、ハウジング内に所要の背圧空間を確保することが容易に可能となる。
【００１８】
このように本願発明によれば、コンデンサマイクロホンにおいて、所期の音響特性を維持した上でその薄型化を図ることができる。
【００１９】
上記構成において、ハウジング内に、該ハウジングと背面電極板とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュを設け、この絶縁ブッシュを、ハウジングの内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部と、コンデンサ構造部を囲むようにしてリング状に延びる第２リング部とを備えてなる構成とすれば、次のような作用効果を得ることができる。
【００２０】
すなわち、一般に、小型のコンデンサマイクロホンは、そのハウジングや回路基板によってある程度の外部荷重に耐え得る構造となっているが、これを大幅に薄型化すると、そのハウジングや回路基板もかなり薄型化せざるを得なくなるため、強度が大幅に低下してしまい、小さな荷重でも撓み変形が発生しやすくなる。そして、このような撓み変形が発生すると、コンデンサマイクロホンとしての所期の音響特性を維持することができなくなってしまう。特に、携帯電話機等に搭載されるコンデンサマイクロホンにおいては、音響シールを図るために介装される弾性部材により、ハウジングに常時ある程度の外部荷重が作用する状態となることが多く、このため撓み変形が一層発生しやすくなる。
【００２１】
そこで、第１および第２リング部を備えた絶縁ブッシュがハウジング内に設けられた構成とすることにより、ハウジングや回路基板等が撓み変形してしまうのを効果的に抑制することができる。しかも、このように絶縁ブッシュを設けることにより、その第１リング部と第２リング部とで囲まれた空間部をコンデンサ構造部の背圧空間として利用することができるので、コンデンサマイクロホンを薄型化した場合においても所要の背圧空間を確保することができる。
【００２２】
その際、この絶縁ブッシュを、第２リング部からコンデンサ構造部の外周側へ向けて第１リング部まで延びる少なくとも１つの補強梁部を備えた構成とすれば、絶縁ブッシュの曲げ剛性をさらに高めることができ、これにより撓み変形抑制効果をさらに高めることができる。
【００２３】
上記「絶縁ブッシュ」は、絶縁性を有する材料で構成されていれば、その具体的な材質は特に限定されるものではない。また、上記「少なくとも１つの補強梁部」の具体的形状や本数等についても特に限定されるものではない。
【００２４】
上記構成において、ハウジングの具体的な構成が特に限定されないことは上述したとおりであるが、このハウジングの厚さが１ｍｍ以下という極めて小さい値に設定されている場合には、所要の背圧空間を確保しにくくなるので、本願発明の構成を採用することが特に効果的である。また、このようにハウジングの厚さが１ｍｍ以下という極めて小さい値に設定されている場合には、小さな荷重であっても撓み変形が容易に発生しやすくなるため、上記のような絶縁ブッシュを備えた構成とすることが効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。
【００２６】
図１は、本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０を上向きに配置した状態で示す側断面図であり、図２は、図１のII-II 線断面図である。
【００２７】
これらの図に示すように、このコンデンサマイクロホン１０は、小型のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、高さが０．６ｍｍ程度で直径が６ｍｍ程度の背の低い略円筒形の外形形状を有している。
【００２８】
このコンデンサマイクロホン１０は、ハウジング１２内に、絶縁ブッシュ１４と、コンデンサ構造部１６と、コンタクトスプリング１８と、インピーダンス変換素子２０と、２つのコンデンサ２２、２４と、回路基板２６とが収容されてなっている。
【００２９】
ハウジング１２は、下端部が開放された円筒状の金属製部材であって、上記各構成部材を上方側から覆うように配置された状態で、その周壁１２ｂの下端部１２ｂ１が内周側へ折り曲げられることにより、回路基板２６の周縁部にカシメ固定されている。そして、このハウジング１２には、その上面部１２ｃにおけるコンデンサ構造部１６と対向する位置に、音孔１２ａが形成されている。
【００３０】
図３は、絶縁ブッシュ１４を単品で示す平面図である。
【００３１】
同図にも示すように、この絶縁ブッシュ１４は、ハウジング１２とコンデンサ構造部１６の背面電極板３６とを電気的に絶縁するための合成樹脂製部材であって、ハウジング１２の内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部１４Ａと、コンデンサ構造部１６を囲むとともにハウジング１２の中心Ｏを通るようにしてリング状に延びる第２リング部１４Ｂと、この第２リング部１４Ｂからコンデンサ構造部１６の外周側へ向けて第１リング部１４Ａまで延びる補強梁部１４Ｃとからなっている。
【００３２】
コンデンサ構造部１６は、ハウジング１２の径方向よりも周方向に長い楕円形の外形形状を有しており、これに伴い、第２リング部１４Ｂも楕円形のリング状に延びるように形成されている。その際、この第２リング部１４Ｂは、円形のリング状に延びる第１リング部１４Ａと内接するように形成されている。また、補強梁部１４Ｃは、ハウジング１２の略中心において第２リング部１４Ｂからコンデンサ構造部１６の外周側へ向けて垂直に途中まで延びた後、二股に分岐して第１リング部１４Ａまで延びている。
【００３３】
そして、この絶縁ブッシュ１４により、ハウジング１２内に４つの空間部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を形成するようになっている。
【００３４】
空間部Ｃ１は、コンデンサ構造部１６を収容する空間であって、ハウジング１２の径方向よりも周方向に長い楕円形の空間部として形成されている。その際、この楕円形の短軸側の幅は、ハウジング１２の内径の半分よりもやや小さい値に設定されている。空間部Ｃ２、Ｃ３は、この空間部Ｃ１に隣接するようにして、第１リング部１４Ａと第２リング部１４Ｂと補強梁部１４Ｃによって囲まれた略台形の空間部として形成されている。空間部Ｃ４は、第１リング部１４Ａと補強梁部１４Ｃの二股に分岐した部分とによって囲まれた略扇形の空間部として形成されている。
【００３５】
その際、空間部Ｃ２は、他の空間部Ｃ１、Ｃ３、Ｃ４から隔離されているが、空間部Ｃ３は、第２リング部１４Ｂの上面に形成された連通溝１４ｂ１を介して空間部Ｃ１と連通しており、また、空間部Ｃ４は、補強梁部１４Ｃの二股に分岐した一方の部分の上面に形成された連通溝１４ｂ２を介して空間部Ｃ３と連通している。このように空間部Ｃ３、Ｃ４を空間部Ｃ１と連通させることにより、コンデンサ構造部１６の背圧空間を十分に拡大させるようになっている。
【００３６】
この絶縁ブッシュ１４の外周面１４ｃは、その下端から上端へ向けて径が徐々に小さくなるようにテーパ状に形成されており、その周方向４箇所には位置決め用突起部１４ｄが形成されている。その際、これら各位置決め用突起部１４ｄは、周方向に略等間隔で配置されており、その下端から上端へ向けて略鉛直面状に延びるように形成されている。そして、これら各位置決め用突起部１４ｄがハウジング１２の周壁１２ｂの内周面に係合することにより、絶縁ブッシュ１４がハウジング１２に対して位置決め固定されるようになっている。
【００３７】
コンデンサ構造部１６は、振動膜サブアッセンブリ３２と、スペーサ３４と、背面電極板３６とからなり、その外形形状は、絶縁ブッシュ１４の空間部Ｃ１に略内接する大きさの楕円形状に設定されている。
【００３８】
振動膜サブアッセンブリ３２は、金属製の支持リング３２Ｂの下面に振動膜３２Ａが張設固定されてなり、その振動膜３２Ａは、上面に金属蒸着膜が形成された高分子フィルムで構成されており、ハウジング１２の径方向よりも周方向に長い楕円形の振動面形状を有している。スペーサ３４は、金属製の薄板リングで構成されている。
【００３９】
背面電極板３６は、金属製の電極板本体３６Ａと、この電極板本体３６Ａの上面に熱融着されたエレクトレット層３６Ｂとからなり、その外径は支持リング３２Ｂの外径と略同じ値に設定されている。そして、この背面電極板３６には、その周方向の複数箇所に該背面電極板３６を上下方向に貫通する貫通孔３６ａが形成されている。
【００４０】
そして、このコンデンサ構造部１６においては、振動膜サブアッセンブリ３２の振動膜３２Ａと背面電極板３６のエレクトレット層３６Ｂとが、スペーサ３４を介して所定の微小間隔をおいて対向している。
【００４１】
インピーダンス変換素子２０は、接合型の電界効果トランジスタであって、コンデンサ構造部１６の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するようになっている。また、２つのコンデンサ２２、２４は、静電容量の異なる２種類のコンデンサであって、ノイズ除去のために設けられている。そして、インピーダンス変換素子２０は、空間部Ｃ２に収容された状態で回路基板２６に実装されており、２つのコンデンサ２２、２４は、いずれも空間部Ｃ３に収容された状態で回路基板２６に実装されてる。
【００４２】
なお、インピーダンス変換素子２０としては、上記のような接合型の電界効果トランジスタ以外にも、ＭＯＳ型の電界効果トランジスタ等を用いることが可能である。
【００４３】
図４は、インピーダンス変換素子２０および２つのコンデンサ２２、２４の回路基板２６への実装構造を示す平面図である。
【００４４】
同図にも示すように、回路基板２６は、基板本体４２と、この基板本体４２の上面４２ａに所定のパターンで形成された導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃと、この基板本体４２の下面４２ｂ（図１参照）に形成された導電層４６Ａ、４６Ｂとからなっている。
【００４５】
その際、導電層４６Ａは、基板本体４２の下面４２ｂの中心部に形成されており、導電層４６Ｂは、この導電層４６Ａを同心円状に囲むように形成されている。そして、導電層４６Ａは、スルーホール４２ｃを介して導電層４４Ｃと導通しており、導電層４６Ｂは、スルーホール４２ｄを介して導電層４４Ｂと導通している。
【００４６】
さらに、この回路基板２６においては、その基板本体４２の上面４２ａに、各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃを部分的に露出させるようにしてこれらを覆う絶縁層４８が、所定のパターンで形成されている。
【００４７】
コンタクトスプリング１８は、略環状コーン形に形成された金属製のプレートスプリングであって、絶縁ブッシュ１４の空間部Ｃ１よりもやや小さい楕円形の外形形状を有している。そして、このコンタクトスプリング１８は、その上端部において背面電極板３６の電極板本体３６Ａに当接するとともに、その下端部において回路基板２６の導電層４４Ａに当接している。
【００４８】
インピーダンス変換素子２０は、直方体形状を有するチップ本体２０Ａと、このチップ本体２０Ａから側方へ突出する３つの端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄとからなっている。
【００４９】
端子片２０Ｇは、ゲート電極を構成する端子部であって、チップ本体２０Ａの一方の側壁における水平方向中央部の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。残り２つの端子片２０Ｓ、２０Ｄは、ソース電極およびドレイン電極を構成する端子部であって、チップ本体２０Ａの他方の側壁における水平方向両端部近傍部位の下端部から斜め上方へ延びるように形成されている。
【００５０】
そして、ゲート電極を構成する端子片２０Ｇは、導電層４４Ａおよびコンタクトスプリング１８を介して背面電極板３６の電極板本体３６Ａと導通しており、ソース電極を構成する端子片２０Ｓは、導電層４４Ｂ、導電層４６Ｂ、ハウジング１２および支持リング３２Ｂを介して振動膜３２Ａと導通しており、ドレイン電極を構成する端子片２０Ｄは、導電層４４Ｃを介して導電層４６Ａと導通している。
【００５１】
インピーダンス変換素子２０の回路基板２６への実装は、そのチップ本体２０Ａを基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃおよび絶縁層４８が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該インピーダンス変換素子２０の各端子片２０Ｇ、２０Ｓ、２０Ｄを各導電層４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃに各々ハンダ付けすることにより行われている。
【００５２】
各コンデンサ２２、２４は、インピーダンス変換素子２０よりもやや高さが低い直方体形状を有しており、その長手方向の両端面に配置された１対の端子部において導電層４４Ｂ、４４Ｃと導通している。これら各コンデンサ２２、２４の回路基板２６への実装は、該コンデンサ２２、２４を、基板本体４２の上面４２ａにおいて導電層４４Ｂ、４４Ｃおよび絶縁層４８が形成されていない本体露出部分に載置した状態で、該コンデンサ２２の各端子部を各導電層４４Ｂ、４４Ｃに各々ハンダ付けすることにより行われている。
【００５３】
このコンデンサマイクロホン１０の組付けは、ハウジング１２を上下逆向きに配置し、このハウジング１２内に、絶縁ブッシュ１４と、コンデンサ構造部１６を構成する振動膜サブアッセンブリ３２、スペーサ３４および背面電極板３６と、コンタクトスプリング１８と、インピーダンス変換素子２０およびコンデンサ２２、２４が実装された回路基板２６とを、順次組み込んだ後、ハウジング１２の周壁１２ｂの下端部１２ｂ１を内周側へ折り曲げて、回路基板２６の周縁部にカシメ固定することにより行われるようになっている。
【００５４】
その際、最初に組み込まれる絶縁ブッシュ１４は、ハウジング１２の上方において、その空間部Ｃ１の略中心とハウジング１２の音孔１２ａとを位置合わせした状態で、その上面がハウジング１２の上面部１２ｃの内面に当接する位置までハウジング１２内に挿入されるようになっている。このとき、絶縁ブッシュ１４の外周面１４ｃに形成された４つの位置決め用突起部１４ｄがハウジング１２の周壁１２ｂの内周面に係合し、これにより絶縁ブッシュ１４は、その上面がハウジング１２の上面部１２ｃの内面と面接触した状態で該ハウジング１２に位置決め固定されるようになっている。
【００５５】
そして、このようにして位置決め固定された絶縁ブッシュ１４に対して、その空間部Ｃ１に振動膜サブアッセンブリ３２、スペーサ３４、背面電極板３６およびコンタクトスプリング１８が順次落とし込まれるようになっている。
【００５６】
以上詳述したように、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、コンデンサ構造部１６、インピーダンス変換素子２０および回路基板４２が円筒状に形成された金属製のハウジング１２内に収容された構成となっているが、その際、インピーダンス変換素子２０はコンデンサ構造部１６の外周側に配置されているので、コンデンサマイクロホン１０の薄型化を図ることができる。
【００５７】
また、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０は、そのコンデンサ構造部１６の振動膜３２Ａが、ハウジング１２の径方向よりも周方向に長い楕円形の振動面形状を有しているので、コンデンサ構造部１６の外形形状についても、ハウジング１２の径方向よりも周方向に長い楕円形に設定することができ、これによりハウジング１２内におけるコンデンサ構造部１６の専有面積を、従来のように振動膜の振動面形状が円形に設定されている場合に比して大きくすることができる。そしてこれにより、コンデンサ構造部１６の静電容量を大きくすることができるので、コンデンサマイクロホン１０の感度向上を図ることができる。
【００５８】
その際、振動膜３２Ａの振動面形状が楕円形に設定されていることにより、これを例えば矩形形状等に設定した場合に比して、振動膜３２Ａのスティフネスを小さくしても振動膜３２Ａにシワを発生させにくくすることでき、これによりコンデンサマイクロホン１０の音響特性を安定的に維持した上で、その感度向上を図ることができる。
【００５９】
しかも上述したように、コンデンサ構造部１６の外形形状を、ハウジング１２の径方向よりも周方向に長い楕円形とすることができるので、ハウジング１２内に所要の背圧空間を確保することが容易に可能となる。
【００６０】
このように本実施形態によれば、コンデンサマイクロホン１０の所期の音響特性を維持した上でその薄型化を図ることができる。そしてこれにより、このコンデンサマイクロホン１０を携帯電話機等に搭載するのに適したものとすることができる。
【００６１】
しかも本実施形態においては、ハウジング１２内に、該ハウジング１２と背面電極板３６とを電気的に絶縁するための絶縁ブッシュ１４が設けられており、この絶縁ブッシュ１４は、ハウジング１２の内周面に沿ってリング状に延びる第１リング部１４Ａと、コンデンサ構造部１６を囲むとともにハウジング１２の中心Ｏを通るようにしてリング状に延びる第２リング部１４Ｂと、この第２リング部１４Ｂからコンデンサ構造部１６の外周側へ向けて第１リング部１４Ａまで延びる補強梁部１４Ｃを備えているので、次のような作用効果を得ることができる。
【００６２】
すなわち、本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０のように、極限近くまで薄型化されていると、そのハウジング１２や回路基板２６の強度も大幅に低下してしまい、小さな荷重でも撓み変形が発生しやすくなるが、本実施形態においては、ハウジング１２内に絶縁ブッシュ１４がハウジング１２の中心Ｏを通るようにして設けられているので、その曲げ剛性によって撓み変形が発生するのを効果的に抑制することができ、これによりコンデンサマイクロホンとしての所期の音響特性を維持することができる。
【００６３】
しかも、このように絶縁ブッシュ１４が設けられていることにより、コンデンサ構造部１６が収容された空間部Ｃ１だけでなく、第１リング部１４Ａと第２リング部１４Ｂと補強梁部１４Ｃとで囲まれた２つの空間部Ｃ３、Ｃ４もコンデンサ構造部１６の背圧空間として利用することができる。そしてこれにより、コンデンサマイクロホン１０が極限近くまで薄型化されているにもかかわらず、所要の背圧空間を確保することができる。
【００６４】
本実施形態に係るコンデンサマイクロホン１０においては、コンデンサ構造部１６の振動膜３２Ａおよびハウジング１２の音孔１２ａがハウジング１２の中心から外れた位置に配置されているが、絶縁ブッシュ１４には、その外周面１４ｃの複数箇所に位置決め用突起部１４ｄが形成されており、これら各位置決め用突起部１４ｄがハウジング１２の周壁１２ｂの内周面に係合することにより、絶縁ブッシュ１４がハウジング１２に対して位置決め固定されるようになっているので、音孔１２ａの位置が不用意に周方向にずれてしまうのを未然に防止することができる。
【００６５】
ところで、上記実施形態においては、第２リング部１４Ｂがハウジング１２の中心Ｏを通るようにして延びているものとして説明したが、正確に中心Ｏを通るように延びていなくても、中心Ｏの近傍を通るようにして延びていれば、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。具体的には、図３において２点鎖線で示す円形領域Ａ内のいずれかの点を通るように形成されていれば、上記実施形態と同様の撓み変形抑制効果を得ることができる。ここで、円形領域Ａは、中心Ｏを中心とする直径ｄの領域であって、この直径ｄは絶縁ブッシュ１４の外径（すなわちハウジング１２の内径）Ｄに対して１０分の１程度の値に設定されている。
【００６６】
また、上記実施形態においては、振動膜３２Ａが楕円形の振動面形状を有しているものとして説明したが、このように正確な楕円形でなくてもこれに近い形状（例えばハウジング１２の径方向よりも周方向に長円形等）に設定されていれば、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００６７】
なお、上記実施形態においては、コンデンサマイクロホン１０がエレクトレットコンデンサマイクロホンであるものとして説明したが、これ以外のコンデンサマイクロホンである場合においても、上記実施形態と同様の構成を採用することにより上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本願発明の一実施形態に係るコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図
【図２】図１のII-II 線断面図
【図３】上記コンデンサマイクロホンの絶縁ブッシュを単品で示す平面図
【図４】上記コンデンサマイクロホンにおけるインピーダンス変換素子および２つのコンデンサの回路基板への実装構造を示す平面図
【符号の説明】
【００６９】
１０  コンデンサマイクロホン
１２  ハウジング
１２ａ  音孔
１２ｂ  周壁
１２ｂ１  下端部
１２ｃ  上面部
１４  絶縁ブッシュ
１４Ａ  第１リング部
１４Ｂ  第２リング部
１４Ｃ  補強梁部
１４ｂ１、１４ｂ２  連通溝
１４ｃ  外周面
１４ｄ  位置決め用突起部
１６  コンデンサ構造部
１８  コンタクトスプリング
２０  インピーダンス変換素子
２０Ａ  チップ本体
２０Ｄ、２０Ｇ、２０Ｓ  端子片
２２、２４  コンデンサ
２６  回路基板
３２  振動膜サブアッセンブリ
３２Ａ  振動膜
３２Ｂ  支持リング
３４  スペーサ
３６  背面電極板
３６Ａ  電極板本体
３６Ｂ  エレクトレット層
３６ａ  貫通孔
４２  基板本体
４２ａ  上面
４２ｂ  下面
４２ｃ、４２ｄ  スルーホール
４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、４６Ａ、４６Ｂ  導電層
４８  絶縁層
Ａ  円形領域
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４  空間部
Ｏ  中心
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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