(57)【要約】【課題】基板を効率良く耐圧処理し、耐圧の高い画像表示装置を製造することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】処理対象基板１１よりも小さな寸法を有し表面が誘電体３６で覆われた処理電極３４と処理対象基板１１とを、誘電体を挟んで対向配置する。対向配置された処理対象基板と処理電極とを相対移動させ、処理対象基板の表面を処理電極により走査する。相対移動の間、処理対象基板と処理電極との間に電界を印加して処理対象基板を耐圧処理する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示面を有した前面基板、及び、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板の少なくとも一方を処理対象基板として用意し、
前記処理対象基板よりも小さな寸法を有し表面が誘電体で覆われた処理電極と前記処理対象基板とを、前記誘電体を挟んで対向配置し、
前記対向配置された処理対象基板と処理電極とを相対移動させ、前記処理対象基板の表面を前記処理電極により走査し、
前記相対移動の間、前記処理対象基板と処理電極との間に電界を印加して前記処理対象基板を耐圧処理する基板処理方法。
【請求項２】
前記処理電極として、エッジが丸められた処理電極を用いる請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記処理電極として、前記処理電極のエッジを覆った誘電体の角部が丸められた処理電極を用いる請求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記処理電極として、前記処理電極と誘電体との間に設けられた高抵抗膜を備えた処理電極を用いる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
真空雰囲気中で前記処理対象基板を耐圧処理する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
処理対象基板を収納可能な真空チャンバと、
前記処理対象基板よりも小さな寸法を有し表面が誘電体で覆われているとともに、前記誘電体を挟んで前記処理対象基板と対向可能に前記真空チャンバ内に設けられた処理電極と、
前記対向配置された処理対象基板と処理電極とを相対移動させ、前記処理対象基板の表面を前記処理電極により走査する移動機構と、
前記対向配置された処理対象基板と処理電極との間に電界を印加する電圧印加部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項７】
前記処理電極は、丸められたエッジを有している請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記誘電体は、前記処理電極のエッジを覆った角部を有し、前記角部は丸められている請求項６又は７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理電極は、前記処理電極の表面と前記誘電体との間に設けられているとともに接地電位に接続された高抵抗膜を有している請求項６ないし８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画像表示装置を構成する基板を処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、放電現象による蛍光体の発光を利用したプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、主として電界による電子放出を利用したフィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）、表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）が知られている。
【０００３】
例えば、ＳＥＤは、所定の間隔をおいて対向配置された前面基板および背面基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。前面基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、背面基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。真空容器の内部は、真空度が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数の支持部材が配設されている。
【０００４】
ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは５ｋＶ以上に設定することが必要となる。
【０００５】
上記のように、アノード電圧として高電圧を印加した場合、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となる。放電が起こると、瞬間的に１００Ａ以上もの電流が流れることがあり、電子放出素子、蛍光面、駆動回路の破壊あるいは劣化が起こりうる。このような放電のダメージは致命的な製品不良につながるため、ＳＥＤを実用化するためには、長期に渡り放電が起こらないような対策を施す必要がある。なお、放電を起こすことなく印加できる電圧を耐圧と称することにする。  
放電を抑制する方法としては、前面基板および背面基板上に残留する異物を除去して耐圧を向上させる処理方法（以下、耐圧処理と略す）が知られている。例えば、特許文献１には、基板の耐圧処理方法として、真空雰囲気中で基板と処理電極とを対向配置し、これら基板と処理電極との間に電界を印加して基板を電界処理する方法が開示されている。この方法によれば、基板に残留した異物、突起等を処理電極に吸着して除去し、放電発生の要因を取り除くことができる。この基板を用いて画像表示装置を構成することにより、耐圧特性の向上を図ることが可能となる。
【特許文献１】特開２００２−２２７６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した耐圧処理において、通常、処理電極は、耐圧処理される基板とほぼ等しい寸法を有した板状の電極が用いられている。例えば、５０インチサイズの基板を耐圧処理する場合、処理電極も５０インチサイズのものを用いる必要がある。しかしながら、このような大型の処理電極を用いる場合、基板に対する処理電極の保持、位置出し精度を上げることが難しく、基板全体を効率良く、均一に処理することが困難となる。
【０００７】
本発明は、このような課題を解決するためのものであり、その目的は、基板を効率良く耐圧処理し、耐圧の高い画像表示装置を製造することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、この発明の態様に係る基板処理方法は、画像表示面を有した前面基板、及び、前記画像表示面に向けて電子を放出する電子放出素子を有した背面基板の少なくとも一方を処理対象基板として用意し、真空雰囲気中において、前記処理対象基板よりも小さな寸法を有し表面が誘電体で覆われた処理電極と前記処理対象基板とを、上記誘電体を挟んで対向配置し、前記対向配置された処理対象基板と処理電極とを相対移動させ、前記処理対象基板の表面を前記処理電極により走査し、前記相対移動の間、前記処理対象基板と処理電極との間に電界を印加して前記処理対象基板を耐圧処理することを特徴としている。
【０００９】
この発明の他の態様に係る基板処理装置は、処理対象基板を収納可能な真空チャンバと、前記処理対象基板よりも小さな寸法を有し表面が誘電体で覆われているとともに、前記誘電体を挟んで前記処理対象基板と対向可能に前記真空チャンバ内に設けられた処理電極と、前記対向配置された処理対象基板と処理電極とを相対移動させ、前記処理対象基板の表面を前記処理電極により走査する移動機構と、前記対向配置された処理対象基板と処理電極との間に電界を印加する電圧印加部と、を備えている。
【００１０】
上記のように構成された基板処理方法および基板処理装置によれば、処理対象基板と処理電極との間に電界を印加して基板を耐圧処理する。すなわち、処理対象基板に残留した異物をクーロン力によって除去し、あるいは、基板の微小な突起を放電によって溶かして除去することで、放電発生要因を取り除くことができる。処理対象基板よりも寸法の小さな処理電極を用いることにより、処理電極を容易に保持することができるとともに処理対象基板に対して高い精度で位置決めすることが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、基板を効率良く耐圧処理し、耐圧の高い画像表示装置を製造することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る基板処理方法および基板処理装置について詳細に説明する。始めに、本基板処理方法および基板処理装置により処理される基板を備えた画像表示装置として、表面伝導型の電子放出素子を備えたＳＥＤを例にとって説明する。
【００１３】
図１および図２に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板１１および背面基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。前面基板１１および背面基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合され、内部が１０-5Ｐａ程度度の高真空に維持された偏平な真空外囲器１０を構成している。
【００１４】
接合部材として機能する側壁１３は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２３により、前面基板１１の周縁部および背面基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
【００１５】
真空外囲器１０の内部には、前面基板１１および背面基板１２に加わる大気圧荷重を支えるため、例えば、ガラスからなる複数の板状の支持部材１４が設けられている。これらの支持部材１４は、真空外囲器１０の長辺と平行な方向に延在しているとともに、短辺と平行な方向に沿って所定の間隔を置いて配置されている。なお、支持部材１４の形状については特にこれに限定されるものではなく、柱状の支持部材を用いてもよい。
【００１６】
前面基板１１の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン１５が形成されている。この蛍光体スクリーン１５は、赤、緑、青に発光する蛍光体層１６、および遮光層１７を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン１５上には、アルミニウム等からなるメタルバック２０およびゲッター膜２２が順に形成されている。
【００１７】
背面基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６を励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は複数列および複数行に配列され、対応する蛍光体層とともに画素を形成している。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。背面基板１２の内面上には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引出されている。
【００１８】
ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１５およびメタルバック２０に例えば、８ｋＶのアノード電圧を印加し、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーンへ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１５の蛍光体層１６が励起されて発光し、カラー画像を表示する。
【００１９】
次に、上記のように構成されたＳＥＤの製造工程において、前面基板１１および背面基板１２を耐圧処理する基板処理装置および基板処理方法について説明する。図３に示すように、基板処理装置は、真空処理槽として機能する真空チャンバ３０を備え、この真空チャンバには、内部を真空排気する排気ポンプ３２が接続されている。
【００２０】
真空チャンバ３０内には、基板を耐圧処理する処理電極３４、ゲッター成膜装置３５、並びに処理対象基板となる前面基板１１を処理電極３４と対向する耐圧処理位置、およびゲッター成膜装置３５と対向するゲッター蒸着位置４０の間で搬送する基板搬送機構４２が設けられている。
【００２１】
図３ないし図５に示すように、処理電極３４は、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、チタン、ニッケル等の金属により細長い矩形板状に形成されている。処理電極３４の長辺側の両側縁、つまり、エッジ３４ａは、丸められ円弧状に形成されている。処理電極３４の一方の表面および両エッジ３４ａは、ガラス等の誘電体からなる誘電体層３６によって覆われている。誘電体層３６の内、処理電極３４のエッジ３４ａを覆った角部３６ａは、丸められ円弧状に形成されている。処理電極３４は、耐圧処理位置に搬送された前面基板１１の短辺よりも長い長辺と、前面基板の長辺よりも短い短辺と、を有している。処理電極３４は、水平に配置されているとともに、その長辺が前面基板１１の短辺と平行に位置するように配置されている。また、処理電極３４は、その長手方向両端部が前面基板１１の長辺を越えて両側へ突出するように配置されている。なお、処理電極３４は接地電位に接続されている。
【００２２】
真空チャンバ３０内には、処理電極３４を支持しているとともに、耐圧処理位置に搬送された前面基板１１に対して処理電極を相対的に移動させる移動機構３８が設けられている。移動機構３８は、耐圧処理位置に搬送された前面基板１１の長辺と平行な方向Ｘに沿って延在した一対のガイド部４８を有している。処理電極３４は、その長手方向両端部がそれぞれガイド部４８に沿って移動自在に支持されている。また、処理電極３４は、誘電体層３６を間に挟んで、前面基板１１と隙間をおいてほぼ平行に対向している。
【００２３】
移動機構３８は、ガイド部４８に沿って処理電極３４を往復移動させる駆動部５０を備えている。駆動部５０を作動させることにより、処理電極３４は、耐圧処理位置に搬送された前面基板１１に対して、前面基板の長辺と平行な方向Ｘに沿って相対移動される。
【００２４】
基板処理装置は、電圧印加部として機能する電源５２を備えている。この電源５２は、耐圧処理位置に搬送された基板対象基板に接続され、処理対象基板の処理表面と、処理電極３４との間に電界を印加する。電界の印加方法は、これに限らず、処理対象基板と処理電極間に電界を印加できれば他の方法としてもよい。
【００２５】
図３に示すように、ゲッター成膜装置３５は、ゲッター蒸着位置４０に向かって開放したカバー５４、カバー内の底部に設けられたゲッター材５６、およびゲッター材を加熱する加熱機構５８を備えている。加熱機構５８としては、高周波加熱方式あるいは抵抗加熱方式を用いることができる。
【００２６】
次に、上記基板処理装置により基板を耐圧処理する方法について説明する。ここでは、処理対象基板として、蛍光体スクリーン１５およびメタルバック２０が形成された前面基板１１を処理する場合について説明する。
【００２７】
図３に示すように、まず、排気ポンプ３２により真空チャンバ３０内を所望の真空度まで真空排気する。続いて、真空チャンバ３０内に前面基板１１を搬入し、搬送機構４２によって耐圧処理位置に設置する。前面基板１１は、その長軸方向が処理電極３４の移動方向Ｘと一致した状態で配置される。処理電極３４は、前面基板１１の長軸方向一端部、例えば、左端部の表面と対向する初期位置に移動させておく。耐圧処理位置において、前面基板１１は、メタルバック２０側の表面が処理電極３４の誘電体層３６と所望の隙間、例えば、２ｍｍの隙間を置いて対向配置される。
【００２８】
次に、電源５２をメタルバック２０に電気的に接続し、電源５２からメタルバックに電位を印加する。印加電圧は、例えばアノード電圧８ｋＶの２倍の１６ｋＶとする。なお、メタルバック２０にはＳＥＤ動作時と同様、処理電極３４に対し正の電圧を印加するのが好適であるが、負の電圧をかけるようにしてもよい。また、処理電極３４に負の電圧を印加し、メタルバック２０を接地するようにしても良い。これにより、前面基板１１と処理電極３４との間に電位差を印加して電界を発生させ、処理電極と対向している前面基板１１の表面領域を耐圧処理する。すなわち、前面基板１１上に残留した異物をクーロン力によって処理電極３４の誘電体層３６に吸着して除去し、あるいは、基板表面の微小な突起を放電によって溶かして除去することで、放電発生の要因を取り除くことができる。なお、放電発生要因を除去という表現を便宜上使うが、除去されたものがすべて放電発生要因というわけではなく、厳密には、放電源になる可能性のある放電源候補を除去するという意味である。
【００２９】
電界を発生させた後、移動機構３８の駆動部５０を駆動し、処理電極３４を前面基板１１のメタルバック２０と所定の隙間を置いて対向した状態で、前面基板の長軸方向に沿ってその左端部から右端部に向かって一定の速度で移動させる。このように、前面基板１１および処理電極３４を相対的に移動させ、前面基板１１の表面を耐圧処理しながら、処理電極３４によって前面基板表面全体を走査する。
【００３０】
その後、処理電極３４が前面基板１１の表面右端を越え、前面基板外まで移動した時点で、処理電極を停止するとともにメタルバック２０への電圧印加を停止する。これにより、前面基板１１の表面全域を耐圧処理し、メタルバック２０上に残留していた異物等を除去することができる。
【００３１】
耐圧処理が終了した後、基板搬送機構４２により前面基板１１を電界処理位置からゲッター蒸着位置４０へ移動させる。なお、本実施形態では、処理電極３４を前面基板１１表面の左端から右端へ片道だけ走査する構成としたが、上記と同様の方法により、処理電極３４を往復移動させ、前面基板１１の左端を越え前面基板外まで移動させた後に停止する構成としてもよい。この場合、耐圧処理が完了した前面基板１１は、処理電極３４の下を通過することなくゲッター蒸着位置４０に移動することが可能となる。
【００３２】
ゲッター蒸着位置４０において、前面基板１１はそのメタルバック２０側の表面が上を向いた状態でゲッター成膜装置３５のカバー５４の下部開口と対向する。この状態で、カバー５４の底部に設けられたゲッター材５６を加熱機構５８により加熱して蒸発させ、ゲッターフラッシュを行う。これにより、前面基板１１のメタルバック２０上にゲッターを蒸着しゲッター膜２２を形成する。
【００３３】
ゲッター膜２２の成膜後、基板搬送機構４２により前面基板１１をゲッター蒸着位置４０から再び電界処理位置に搬送する。そして、ゲッター膜２２の形成された前面基板１１を上記と同様の工程により耐圧処理する。これにより、ゲッター蒸着工程で前面基板１１に付着した異物や新たに形成された放電源を除去する。
【００３４】
一方、配線２１および電子放出素子１８等が形成された背面基板１２の電子放出面を上記と同様の工程により耐圧処理する。ただし、背面基板１２に対してゲッター蒸着は行わず、したがって、背面基板１２の耐圧処理は１回だけ行えばよい。  
その後、耐圧処理された前面基板１１および背面基板１２を大気に晒すことなく真空雰囲気中に維持した状態で図示しない封着位置へ搬送し、ここで互いに封着して真空外囲器１０を形成する。なお、基板の封着は、上述した耐圧処理と同一の真空チャンバ内、あるいは、真空状態で連通した他の真空チャンバ内のいずれで行ってもよい。
【００３５】
上記のように構成された基板処理方法および基板処理装置によれば、真空チャンバへ投入される前に前面基板１１、背面基板１２に付着した粉塵などの異物および前面基板、背面基板の生産過程で形成された不要な突起などを除去することができる。また、これらの基板を真空チャンバへ投入した後、ゲッター蒸着工程で発生した新たな放電源浮遊物質等の基板に付着した塵、埃等の異物を除去することができる。また、処理電極は、処理対象基板よりも小さな寸法に形成されているため、処理電極の支持および基板に対する位置決めが容易であり、高い精度で耐圧処理を実施することができる。処理電極の小型化、軽量化に伴い駆動系の簡素化も図ることが可能となる。
【００３６】
この際、処理電極は、そのエッジ部分が丸められ円弧状に形成されている。そのため、小型の処理電極を用いた場合でも、処理電極のエッジ部分での電界集中を抑制することができ、処理電極と処理対象基板との間の放電発生を防止することができる。従って、処理電極と基板との間に一層高い電界を印加させた状態で基板を耐圧処理することが可能となり、基板上の異物、突起等を一層確実に除去することができる。更に、処理電極の表面には誘電体層が設けられていることから、処理電極と基板との間の放電を一層確実に防止することが可能となる。
【００３７】
これらの基板を用いて真空外囲器を製造することにより、耐圧特性の向上したＳＥＤを得ることができる。また、前面基板、背面基板の耐圧処理、およびゲッター蒸着処理を真空チャンバ内で行った後、これらの基板を大気に晒すことなく真空外囲器を形成することにより、大気中の粉塵などが基板に再付着する恐れがなく、初期放電および長期に渡る放電の抑制を実現することができる。
【００３８】
上述した実施形態において、ゲッター膜を形成した後にのみ、前面基板１１を処理電極３４と対向する耐圧処理位置に搬送し、前面基板の耐圧処理を行う構成としてもよい。この場合においても、最終的に真空外囲器内に露出して背面基板１２と対向するゲッター膜２２を耐圧処理することにより、放電源を除去することができる。その結果、ＳＥＤの耐圧特性を充分に向上させることが可能となる。あるいは、ゲッター膜蒸着前にのみ耐圧処理を行う構成としてもよく、この場合でも耐圧特性の向上を図ることができる。
【００３９】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図６に示すように、第２の実施形態によれば、処理電極３４は金属板に代えて、導電膜により形成されている。この導電膜は、例えば、アルミニウム、ニッケル、銀、等の金属を誘電体層３６の内面上に蒸着することにより、あるいは、金属ペーストを誘電体層３６の内面上に塗布することにより形成されている。導電膜の両側縁部は上方に折曲げられ、一対のエッジ３４ａは、丸められ湾曲している。また、誘電体層３６の内、処理電極３４のエッジ３４ａを覆った角部３６ａは、丸められ円弧状に形成されている。
【００４０】
第２の実施形態において、他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、第２の実施形態によれば、処理電極３４の一層の軽量化を図ることができる。
【００４１】
図７に示すように、第３の実施形態によれば、処理電極３４は、この処理電極３４の表面と誘電体層３６との間に設けられた高抵抗膜３７を備えている。高抵抗膜３７は、例えば、ＡＴＯ、金属酸化膜、金属窒化膜等によって形成され、その抵抗値は、１０ 7〜１０10Ωとなっている。また、高抵抗膜３７は接地電位に接続されている。
【００４２】
第３の実施形態において、他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。第３の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、第３の実施形態によれば、処理電極３４と誘電体層３６との間に高抵抗膜３７を設けることにより、誘電体層の帯電を防止し、放電抑制を図ることができる。
【００４３】
その他、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４４】
基板側を固定とし処理電極を移動させる構成としたが、逆に、処理電極を固定とし基板側を移動させることにより、処理電極と基板とを相対的に移動させる構成としてもよい。上述した実施の形態では、前面基板および背面基板の両方を真空雰囲気中で耐圧処理する構成としたが、少なくとも一方の基板を電界処理することによっても耐圧の向上した画像表示装置を得ることができる。真空雰囲気中の方が高い電圧を印加できる点や封着と一貫して処理ができる点で好適ではあるが、真空雰囲気中であることが必ずしも必要なわけではなく、大気中で耐圧処理を行うことでもある程度の効果が期待できることを確認している。
【００４５】
この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置の基板処理にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の実施形態に係る基板処理方法および基板処理装置により処理される基板を備えたＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った上記ＳＥＤの断面図。
【図３】この発明の実施の形態に係る基板処理装置を概略的に示す断面図。
【図４】上記基板処理装置の処理電極および移動機構を示す平面図。
【図５】図４の線Ｂ−Ｂに沿った上記処理電極の断面図。
【図６】この発明の第２の実施形態に係る処理電極を示す断面図。
【図７】この発明の第３の実施形態に係る処理電極を示す断面図。
【符号の説明】
【００４７】
１０…真空外囲器、  １１…前面基板、  １２…背面基板、  １３…側壁、
１５…蛍光体スクリーン、  １８…電子放出素子、  ３０…真空チャンバ、
３４…処理電極、  ３４ａ…エッジ、  ３５…ゲッター成膜装置、
３６…誘電体層、  ３６ａ…角部、  ３７…高抵抗膜  ４２…搬送機構、
４８…移動機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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