(57)【要約】      （修正有）【課題】貼合せワークの上側のワークの薄膜加工、ひいてはＳＯＩ基板の生産能率を飛躍的に高めることができる画期的な貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置を提供する。【解決手段】貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、ワーク取付け台４及びその駆動装置と、該貼合せワークの回転面２ａに対して回転面１５ａが略直角になるように研削する砥石１５ならびにその駆動装置とを備え、貼合せワーク２を低速回転させながら、砥石１５を高速回転させて貼合せワーク２に接触させ、砥石１５又は貼合せワーク２のいずれかを接近させて砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワークの外周エッジ部１ａを基本的にその半径方向の研削により段差加工するようにした。【選択図】図８
2006319292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるように砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
【請求項２】
少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設された砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
【請求項３】
少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該砥石による研削がダウンカットとなるように砥石を該貼合せワークに対して下向きに高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚の貼合せワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向のダウンカット研削により段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
【請求項４】
少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるように同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所を同時に段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
【請求項５】
少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設され同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により複数箇所を同時に段差加工することを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法。
【請求項６】
少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する砥石と、該砥石の駆動装置とを備え、前記貼合せワークを前記ワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、前記砥石を前記砥石の駆動装置により高速回転させながら前記貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工するように構成したことを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置。
【請求項７】
少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する複数の砥石と、該複数の砥石を同時に駆動する複数の砥石の駆動装置とを備え、前記貼合せワークを前記ワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、前記複数の砥石を前記複数の砥石の駆動装置により高速回転させながら前記貼合せワークに接触させて該砥石又は前記貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所同時に段差加工するように構成したことを特徴とする貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハをシリコン酸化膜等で電気的に絶縁分離させて少なくとも２枚貼り合わせた高耐圧ＩＣ用の貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置に係り、特に貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面を略直角にして基本的に貼合せワークの半径方向に研削することにより、砥石による貼合せワークの加工位置が常に変わる（トラバースする）ようにし、切屑が貼合せワークの外側へ逃げ易くすると共に、研削抵抗を小さくすることによって切屑による研削面の損傷で生ずる条痕や亀裂を防止し、また砥石による研削をダウンカットとすることにより貼合せワークを加工中に下方向へ押さえる力を働かせることにより貼合せが剥がれ難いようにし、これらの総合的な効果として、従来１００μｍが限度であった加工後の段差残し量を、その１／２の５０μｍまで薄くすることができるようにし、この加工後の段差部分を更に薄く加工するためのエッチング処理の時間従来の１／２に短縮し、貼合せワークの上側のワークの薄膜加工、ひいてはＳＯＩ基板の生産能率を飛躍的に高めることができる画期的な貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  現在においては、図１から図４に示すように、シリコンウェーハ１（１Ａ，１Ｂ）の基板（本願の貼合せワーク２）は、少なくとも２枚のシリコンウェーハ１Ａ，１Ｂをシリコン酸化膜３で電気的に絶縁分離させて貼り合わせた高耐圧用ＩＣ用の基板、即ちＳＯＩ基板と呼ばれる貼合せワーク２が主流となっており、この貼合せワーク２では、上側の１枚のワークの一例たるシリコンウェーハ１Ａのみを１μｍ程度まで最終的に薄膜加工するが、この薄膜加工に先立って、その外周エッジ部１ａを幅数ｍｍにわたってリング状に段差加工して、なるべく薄くしておくことが必須の条件となっている。
即ち、図５に示すように、貼合せワーク２の最上部、即ち上側の１枚のシリコンウェーハ１Ａのみの外周エッジ部１ａを幅数ｍｍのリング状に段差加工し、更にこの外周エッジ部１ａにエッチング処理を施して、１μｍ程度まで薄くしてから、その他の部分（中央部分）を研削加工して上側の１枚のシリコンウェーハ１Ａのみを最終的に１μｍ程度まで薄膜加工してＳＯＩ基板が完成する。【０００３】図１８から図２２により従来の貼合せワーク２の外周エッジ部の段差加工方法及び装置について説明すると、図２０に示すように、貼合せワーク２を吸着テーブル等のワーク取付け台４に固定し、矢印Ａ方向に低速回転させておき、ダイヤモンド砥粒を含むカップ砥石等の砥石５（特許文献１参照）を貼合せワーク２の回転面と平行に砥石駆動装置（図示せず）により矢印Ｂ方向に高速回転させて貼合せワーク２の上側のシリコンウェーハ１Ａの外周エッジ部１ａに接触させ、砥石５又は貼合せワーク２のいずれかを、砥石駆動装置又はワーク取付け台駆動装置（図示せず）により接近させて砥石５による切込みを増して外周エッジ部１ａを研削して該外周エッジ部１ａのみが他の部分よりもリング状に薄くなるような段差加工を行っていた。【０００４】しかし、この方法では、砥石５の回転面５ａが貼合せワーク２の回転面２ａと平行であるため、研削が行われている外周エッジ部１ａにおいては、図２１に示すように、貼合せワーク２は矢印Ａ方向に回転し、これに対して砥石５は矢印Ｂ方向に回転するため、両者の動きは逆方向となり、砥石５と貼合せワーク２との間に生ずる研削による切屑６は、矢印Ａのように貼合せワーク２との摩擦により図中上から下に向かって押されて移動しようとするが、これを砥石５による上向きの摩擦力が矢印Ｂの如く上に押し上げようとする。この結果切屑６は上下いずれの方向にも動くことができずにこの部分に閉じ込められてしまい、研削の行われている外周エッジ部１ａ、即ち研削面８に常に相当量残留することとなり、研削が完了した貼合せワーク２の外周エッジ部１ａには非常に好ましくない状痕１ｂや亀裂１ｃが発生し、チップや欠けが発生するのが避けられないという欠点があった。
またこのことは、砥石５の回転方向を逆方向（図２１中反時計方向）としても、研削が行われている砥石５と貼合せワーク２の外周エッジ部１ａとの間の研削面８は相当広いので、この研削面８に切屑６が相当量常に閉じ込められる点は同様であるので、大差ないものであった。【０００５】またこの従来の方法では、貼合せワーク２の回転面２ａと砥石５の回転面５ａとが平行であり、貼合せワーク２の基本的に円周方向の研削が行われるため、上側の１枚のシリコンウェーハ１Ａのみにその回転を阻止しようとするトルクが砥石５から働くから、シリコンウェーハ１Ａが下側のワークの一例たるシリコンウェーハ１Ｂから剥離しようとする力が常に働く。このためシリコンウェーハ１Ａの外周エッジ部１ａにおける剥離が発生し易いという欠点があった。【０００６】以上の結果、上記従来の段差加工方法及び装置では、加工後の外周エッジ部１ａの段差残し量ｔは、１００μｍが限度であり、それ以上薄くすることは不可能であった。このため、この段差加工後、この部分をエッチング処理により１μｍ程度まで薄くするのであるが、これに要する時間が非常に長くかかり、またチップや欠けによる不良率も高いため、ＳＯＩ基板の生産能率が非常に悪く、このことが、主流となって来たＳＯＩ基板の生産のネックとなっていた。【０００７】なお、砥石と通常の１枚のシリコンウェーハ等のワークの外周エッジ部の研削についての方法及び装置は、特許文献１その他本願出願人の出願において種々提案されているが、これらの構成は、その目的の対象となるワークが全く異なるので、別異の発明であって、参考までに公知特許文献として特許文献１を開示しておく。
【特許文献１】  特開２００４−１３６４１６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  本発明は、上記した従来技術の欠点をなくすためになされたものであって、その目的とするところは、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行うワークの外周エッジ部の段差加工装置において、貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する砥石と、該砥石の駆動装置とを備え、ワークをワーク取付け台及びその駆動装置により低速回転させながら、砥石を砥石駆動装置により高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工するように構成することによって、研削面が常に変化する（トラバースする）ようにして砥石と貼合せワークのとの間の研削面に生ずる切屑が研削面に閉じ込められることなく、常に順調にその半径方向に逃げるようにすることであり、またこれによって研削後の外周エッジ部に条痕や亀裂及びこれらに起因するチップや欠けが全く発生せず、非常にきれいな研削面が得られるようにすると共に、従来１００μｍが限度とされていた貼合せワークの外周エッジ部の段差残し量を一挙にその１／２の５０μｍまで可能とすることであり、またこれによってＳＯＩ基板のその後の薄膜加工であるエッチング処理に要する時間を従来の１／２に短縮することを可能とし、ＳＯＩ基板の品質、歩留り及び生産能率の飛躍的な向上を図ることである。【０００９】また他の目的は、上記構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設された砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により段差加工することによって、研削面における切屑の逃げの効率の最もよい方向の研削を可能とし、またこれによって研削による切屑の排出効率を高め、より平滑な研削面を得ると共に、条痕や亀裂の発生を極力防止し、貼合せワークの外周エッジ部の段差残し量５０μｍを達成することである。【００１０】また他の目的は、上記段落０００８の構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該砥石による研削がダウンカットとなるように砥石を該貼合せワークに対して下向きに高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向のダウンカット研削により段差加工することによって、研削中に砥石から貼合せワークに対して下向きの押さえる力を作用させることであり、またこれによって研削される上側のワークが下側のワークから���がれるのを防止し、ＳＯＩ基板の不良率を低下させ、製品の歩留りを向上させることである。【００１１】また他の目的は、上記段落０００８の構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する複数の砥石と、該複数の砥石を同時に駆動する複数の砥石の駆動装置とを備え、貼合せワークをワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、複数の砥石を複数の砥石の駆動装置により高速回転させながら貼合せワークに接触させて該砥石又は貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所同時に段差加工するように構成することによって、貼合せワークが、例えば１／２、１／３又は１／４回転するだけで貼合せワーク１枚の外周エッジ部の段差加工が完了するようにすることであり、またこれによって砥石の数に反比例して１枚当たりの加工時間が短縮されるようにし、ＳＯＩ基板の生産能率を従来例に比べ大幅に向上させることである。【００１２】また他の目的は、上記段落０００９の構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設され同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により複数箇所を同時に段差加工することによって、貼合せワークの外周エッジ部の段差加工の能率を大幅に向上させながら、更に研削面における研削中の切屑の排出を最も効率よくすることであり、またこれによって研削面の非常にきれいなしかも従来例に比べて非常に小さい段差残し量を可能にし、ＳＯＩ基板の品質と生産能率の向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】  要するに本発明方法（請求項１）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるように砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工することを特徴とするものである。【００１４】  また本発明方法（請求項２）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設された砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により段差加工することを特徴とするものである。【００１５】  また本発明方法（請求項３）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該砥石による研削がダウンカットとなるように砥石を該貼合せワークに対して下向きに高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚の貼合せワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向のダウンカット研削により段差加工することを特徴とするものである。【００１６】  また本発明方法（請求項４）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるように同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接���させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所を同時に段差加工することを特徴とするものである。【００１７】  また本発明方法（請求項５）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台に前記貼合せワークを取り付けて低速回転させながら、該貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設され同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により複数箇所を同時に段差加工することを特徴とするものである。【００１８】  また本発明装置（請求項６）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する砥石と、該砥石の駆動装置とを備え、前記貼合せワークを前記ワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、前記砥石を前記砥石の駆動装置により高速回転させながら前記貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工するように構成したことを特徴とするものである。【００１９】  また本発明装置（請求項７）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置において、前記貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する複数の砥石と、該複数の砥石を同時に駆動する複数の砥石の駆動装置とを備え、前記貼合せワークを前記ワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、前記複数の砥石を前記複数の砥石の駆動装置により高速回転させながら前記貼合せワークに接触させて該砥石又は前記貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所���時に段差加工するように構成したことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】  本発明は、上記のように、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワークの最上部の１枚の外周エッジ部の板厚のみを薄くする段差加工を行うワークの外周エッジ部の段差加工装置において、貼合せワークをチャッキング可能に構成されたワーク取付け台と、該ワーク取付け台の駆動装置と、該貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する砥石と、該砥石の駆動装置とを備え、ワークをワーク取付け台及びその駆動装置により低速回転させながら、砥石を砥石駆動装置により高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により段差加工するように構成したので、研削面が常に変化する（トラバースする）こととなるため砥石と貼合せワークのとの間の研削面に生ずる切屑が研削面に閉じ込められることなく、常に順調にその半径方向に逃げるようにすることができる効果があり、またこの結果研削後の外周エッジ部に条痕や亀裂及びこれらに起因するチップや欠けが全く発生せず、非常にきれいな研削面が得られると共に、従来１００μｍが限度とされていた貼合せワークの外周エッジ部の段差残し量を一挙にその１／２の５０μｍまで可能とすることができる効果があり、またこの結果ＳＯＩ基板のその後の薄膜加工であるエッチング処理に要する時間を従来の１／２に短縮することが可能となり、ＳＯＩ基板の品質、歩留り及び生産能率の飛躍的な向上を図ることができる効果がある。【００２１】また上記構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設された砥石を高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により段差加工するようにしたので、研削面における切屑の逃げの効率の最もよい方向の研削を可能となり、またこの結果研削による切屑の排出効率を高め、より平滑な研削面を得ることができると共に、条痕や亀裂の発生を極力防止し得、貼合せワークの外周エッジ部の段差残し量５０μｍを達成することができる効果がある。【００２２】また上記段落００２０の構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ該砥石による研削がダウンカットとなるように砥石を該貼合せワークに対して下向きに高速回転させながら該貼合せワークに接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、前記貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向のダウンカット研削により段差加工するようにしたので、研削中に砥石から貼合せワークに対して下向きの押さえる力を作用させることができ、またこの結果研削される上側のワークが下側のワークから剥がれるのを防止することができ、ＳＯＩ基板の不良率を���下させ、製品の歩留りを向上させることができる効果がある。【００２３】また上記段落００２０の構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して回転面が略直角になるように研削する複数の砥石と、該複数の砥石を同時に駆動する複数の駆動装置とを備え、貼合せワークをワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、複数の砥石を複数の砥石の駆動装置により高速回転させながら貼合せワークに接触させて該砥石又は貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部を基本的にその半径方向の研削により複数箇所同時に段差加工するように構成したので、貼合せワークが例えば１／２、１／８又は１／４回転するだけで貼合せワーク１枚の外周エッジ部の段差加工が完了するようにすることができ、またこの結果砥石の数に反比例して１枚当たりの加工時間が短縮されることになり、ＳＯＩ基板の生産能率を従来例に比べ大幅に向上させることができる効果がある。【００２４】また上記段落００２１の構成に加えて、貼合せワークの回転面に対して砥石の回転面が略直角になるようにかつ回転面を該貼合せワークの半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設され同一の研削加工ができる複数の砥石を同時に高速回転させながら該貼合せワークに複数箇所で接触させて該砥石又は該貼合せワークのいずれかを接近させて該砥石による切込みを次第に増大させ、貼合せワークの最上部の１枚のワークの外周エッジ部をその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により複数箇所を同時に段差加工するようにしたので、貼合せワークの外周エッジ部の段差加工の能率を大幅に向上させながら、更に研削面における研削中の切屑の排出を最も効率よくすることができ、またこの結果研削面の非常にきれいなしかも従来例に比べて非常に小さい段差残し量が可能となり、ＳＯＩ基板の品質と生産能率の大幅な向上を図ることができる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】  以下本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。図６において、本発明に係る貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置１０は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜の一例たるシリコン酸化膜３等で電気的絶縁分離が施された貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行うワークの外周エッジ部の段差加工装置であって、ワーク取付け台４と、該ワーク取付け台の駆動装置（図示せず）と、砥石１５と、砥石の駆動装置１１とを備えている。なお、貼合せワーク２については、すでに背景技術の欄で詳細に説明したので、ここではその説明を省略する。【００２６】ワーク取付け台４は、貼合せワーク２をチャッキング可能に構成されており、通常は真空により貼合せワーク２を吸着する図示のような公知の吸着テーブルが使用されるが、ワーク取付け台４は、吸着テーブルに限定されるものではなく、例えば貼合せワーク２の外周を複数のローラ等で摩擦駆動する装置であってもよい。
また図示の実施例では、ワーク取付け台４は、水平配置の横型であるが、これに限定されるものではなく、垂直配置等の縦型であってもよい。【００２７】ワーク取付け台の駆動装置（図示せず）は、公知のサーボ機構を使用しており、ワーク取付け台４を矢印Ａの如く数値制御して低速で一方向に回転させると共に、該ワーク取付け台を砥石１５に対して接近又は離脱させるため、矢印Ｃ，Ｄ方向（Ｙ軸方向制御）に水平移動させると共に、矢印Ｅ，Ｆ方向（Ｚ軸方向制御）に上下動させることができるように構成されている。【００２８】砥石１５は、貼合せワーク２の回転面２ａに対して回転面１５ａが略直角になるように、即ち砥石１５の回転軸となるスピンドル２２が貼合せワーク２の回転面２ａに略平行になるように配設されており、可動台１８に取り付けられたモータ１９の回転軸（図示せず）に固定されたプーリ２０に巻き掛けられたベルト２１により回転駆動されるスピンドル２２により矢印Ｇ方向に、即ち貼合せワーク２に対してダウンカットが行われるべく高速回転するように構成されており、適宜な手段でスピンドル２２に交換可能に固定されている。砥石１５は、ダイヤモンド砥粒を含んでおり、通常粗研削に使用されるメタルボンド砥石が使用され、その外周角部１５ｂには、１ｍｍ程度の半径の面取り（１Ｒ）が施されている。
なお、砥石１５は、図６及び図７に示す実施例では、貼合せワーク２の完全な半径方向を向けて配設されているが、これはこの方向に限定されるものではなく、図６の位置から時計方向、即ち切削面８における砥石１５の動きが貼合せワーク２の回転方向と逆方向とならないような４５度の範囲で半径方向に対して傾斜して配設してもよい（図１２参照）。
この傾斜角度の範囲を４５度に限定したのは、４５度を超えてあまり傾斜角度を大きくすると、研削面８の長さが長くなり、それだけ切屑６が研削面８内に止まる時間が長くなり、その結果切屑６の排出効率が低下するためである。
またこの傾斜角度が４５度の範囲内であれば、研削面８に切屑６が止まる時間が短く、切屑６の排出効率を高く保つことができ、また砥石１５の周速度と、貼合せワーク２の研削面８における周速度との相対運動により決まる相対的な研削方向を、貼合せワーク２の完全な半径方向とすることもでき、研削により研削面８に形成される研削線（砥石１５により削られてできる線の集合体の意。以下本明細書において同じ。）が貼合せワーク２の完全な半径方向とすることができるためである。
またこの研削線を貼合せワーク２の半径方向に対して４５度傾斜させることも可能となり、従来の経験からこのように各種のワークの半径方向に対して研削線が同一方向又はこれから４５度の範囲で傾斜するような研削方法が非常によい結果を得ているからである。【００２９】砥石の駆動装置１１は、例えば上記可動台１８、モータ１９、プーリ２０、ベルト２１及びスピンドル２２等で構成され、砥石１５を、矢印Ｉ，Ｊの如く貼合せワーク２に接近又は離脱する方向（Ｙ軸方向制御）に移動させると共に、矢印Ｋ，Ｌの如く上下方向（Ｚ軸方向制御）にも移動させることができるように構成されている。【００３０】また貼合せワーク２の上方には、砥石１５と貼合せワーク２との間の研削面８に対して冷却水（クーラント）２３を噴射するための冷却水噴射ノズル２４が取り付けられている。【００３１】次に、図１１及び図１２に示す本発明の第２実施例について説明する。貼合せワークの段差加工装置１０は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜の一例たるシリコン酸化膜３等で電気的絶縁分離が施された貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置であって、貼合せワーク２をチャッキング可能に構成されたワーク取付け台４（第２実施例では図示を省略、第１実施例参照）と、該ワーク取付け台の駆動装置（図示せず）と、該貼合せワーク２の回転面２ａに対して回転面１５ａが略直角になるように研削する複数（図示の実施例では４個）の砥石１５と、該複数の砥石１５を同時に駆動する複数（図示の実施例では４台）の駆動装置の一例たるスピンドル２２とを備えており、貼合せワーク２をワーク取付け台及びワーク取付け台の駆動装置により低速回転させながら、複数の砥石１５を複数のスピンドル２２により高速回転させながら貼合せワーク２に接触させて該砥石１５又は貼合せワーク２のいずれかを接近させて該砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワーク（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａを基本的にその半径方向の研削により複数箇所同時に段差加工するように構成されている。【００３２】次に、図１２により図１１の第２実施例の変形について説明すると、貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置１０は、貼合せワーク２の回転面２ａに対して砥石１５の回転面１５ａが略直角になるようにかつ回転面１５ａを貼合せワーク２の半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設され同一の研削加工ができる複数（図示の実施例では４個）の砥石１５を同時に高速回転させながら貼合せワーク２に複数箇所で接触させて該砥石１５又は該貼合せワーク２のいずれかを接近させて砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワーク（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部２ａをその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により複数箇所を同時に段差加工するように構成されている。
砥石１５の４５度以内の傾斜は、図１１の状態から砥石１５を時計方向に４５度以内傾斜させるのであって、反時計方向への傾斜ではない。これは砥石１５の研削面８における移動方向が貼合せワーク２の移動方向に逆らわない方向とするためである。【００３３】そして本発明方法（請求項１）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、貼合せワーク２をチャッキング可能に構成されたワーク取付け台４に貼合せワーク２を取り付けて低速回転させながら、該貼合せワーク２の回転面２ａに対して砥石１５の回転面１５ａが略直角になるように砥石１５を高速回転させながら該貼合せワーク２に接触させて該砥石１５又は該貼合せワーク２のいずれかを接近させて該砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワーク（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａを基本的にその半径方向の研削により段差加工する方法である。【００３４】また本発明方法（請求項２）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、貼合せワーク２をチャッキング可能に構成されたワーク取付け台４に貼合せワーク２を取り付けて低速回転させながら、該貼合せワーク２の回転面２ａに対して砥石１５の回転面１５ａが略直角になるようにかつ該回転面１５ａを該貼合せワーク２の半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設された砥石１５を高速回転させながら該貼合せワーク２に接触させて該砥石１５又は該貼合せワーク２のいずれかを接近させて該砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワーク（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａをその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により段差加工する方法てある。【００３５】また本発明方法（請求項３）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、貼合せワーク２をチャッキング可能に構成されたワーク取付け台４に貼合せワーク２を取り付けて低速回転させながら、該貼合せワーク２の回転面２ａに対して砥石１５の回転面１５ａが略直角になるようにかつ該砥石１５による研削がダウンカットとなるように砥石１５を該貼合せワーク２に対して下向きに高速回転させながら該貼合せワーク２に接触させて該砥石１５又は該貼合せワーク２のいずれかを接近させて該砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚の貼合せワーク（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａを基本的にその半径方向のダウンカット研削により段差加工する方法である。【００３６】また本発明方法（請求項４）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、貼合せワーク２をチャッキング可能に構成されたワーク取付け台４に貼合せワーク２を取り付けて低速回転させながら、該貼合せワーク２の回転面２ａに対して砥石１５の回転面１５ａが略直角になるように同一の研削加工ができる複数の砥石１５を同時に高速回転させながら該貼合せワーク２に複数箇所で接触させて該砥石１５又は該貼合せワーク２のいずれかを接近させて該砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワーク（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａを基本的にその半径方向の研削により複数箇所を同時に段差加工する方法である。【００３７】また本発明方法（請求項５）は、少なくとも２枚貼り合わされ、貼合せ面に半導体酸化膜等で電気的絶縁分離が施された貼合せワーク２の最上部の１枚（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａの板厚のみを薄くする段差加工を行う貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法において、貼合せワーク２をチャッキング可能に構成されたワーク取付け台４に貼合せワーク２を取り付けて低速回転させながら、該貼合せワーク２の回転面２ａに対して砥石１５の回転面１５ａが略直角になるようにかつ回転面１５ａを該貼合せワーク２の半径方向から４５度以内の角度傾斜させて配設され同一の研削加工ができる複数の砥石１５を同時に高速回転させながら該貼合せワーク２に複数箇所で接触させて該砥石１５又は該貼合せワーク２のいずれかを接近させて該砥石１５による切込みを次第に増大させ、貼合せワーク２の最上部の１枚のワーク（シリコンウェーハ１Ａ）の外周エッジ部１ａをその半径方向から４５度以内の角度傾斜した方向の研削により複数箇所を同時に段差加工する方法である。【００３８】  本発明は、上記のように構成されており、以下その作用について説明する。まず本発明の作用の概略を説明すると、図１に示すように、シリコンウェーハ１Ａは、シリコン酸化膜３により電気的に絶縁されてシリコンウェーハ１Ｂと貼り合わされ、図２から図４に示すような貼合せワーク２が完成する。この際、図３及び図４に示すように、シリコンウェーハ１Ａと、シリコンウェーハ１Ｂの外周は、かなり大きい円弧状の面取りが施され、かなり丸みを帯びた形状となっている。
そして段差加工が完了すると、図５に示すように、シリコンウェーハ１Ａの外周エッジ部１ａのみがリング状に薄くなった貼合せワーク２が完成する。本発明では、この外周エッジ部１ａの段差残し量ｔ（図１６参照）を従来の１／２の５０μｍまで薄くすることが可能である。なお、シリコンウェーハ１Ｂには何らの加工も施されない。【００３９】次に、本発明の第１実施例の作用について、図６から図８及び図１３から図１７により詳細に説明する。図６において、貼合せワーク２は、ワーク取付け台４に真空吸引により吸着されて芯出しされて固定される。この状態では未だ砥石１５は貼合せワーク２には接触しておらず、貼合せワーク２はワーク取付け台４と共に、低速（例えば１ｒｐｍ程度）で矢印Ａ方向に回転を開始する。【００４０】そこで、モータ１９が回転し、プーリ２０によりスピンドル２２が回転し、これによって砥石１５が矢印Ｇ方向に、即ち砥石１５による研削がダウンカットとなるように、高速（例えば３０００ｒｐｍ程度）で回転を開始する。このとき冷却水噴射ノズル２４から冷却水２３が砥石１５と貼合せワーク２との研削面８に噴射される。
砥石１５の位置を固定した場合には、ワーク取付け台４が矢印Ｃの方向に移動して図６に示すように、外周エッジ部１ａが砥石１５の真下に来るように接近させ、更に矢印Ｅの如く上昇して、外周エッジ部１ａが砥石１５に接触すると同時に段差加工の研削が開始される。そして図８に示すように、砥石１５の切込みを次第に増して、シリコンウェーハ１Ａの外周エッジ部１ａのみを砥石１５の外周の形状に合わせて円弧状に薄く段差加工して行く。またワーク取付け台４の回転を除く動作を固定した場合には、砥石１５の方が矢印Ｊの如く移動すると共に、矢印Ｋの如く下降して砥石１５が貼合せワーク２に接触する。【００４１】このとき、図７に示すように、砥石１５の回転面１５ａは、貼合せワーク２の回転面２ａと略直角に配設されており、また砥石１５の回転面１５ａは貼合せワーク２の半径方向に略一致させてあるため、砥石１６の研削面８側の外周は貼合せワーク２の半径方向外側に向かっ常に高速で移動しており、また研削面８は貼合せワーク２の回転により刻々変化、即ちトラバースし、研削面８における切屑６の排出が、これらの作用があいまって極めて順調に行われる。この作用が図１３から図１５に詳細に図示されている。
切屑６は、砥石１５の外周の研削面８における移動が、常にこれを貼合せワーク２の半径方向外側へ向かわせるものであるため、極めて順調に矢印Ｍの如く外部へ排出され、その排出効率が非常に高く、ほとんど研削面８に残留することがない。
このため、図１７に示すように、貼合せワーク２のリング状の段差加工部、即ちシリコンウェーハ１Ａの外周エッジ部１ａの表面は非常にきれいに仕上がり、従来例に見られた条痕１ｂや亀裂１ｃは全く発生せず、またチップや欠けの発生も皆無である。
しかも図１６に示す段差残し量ｔは、従来の限度であった１００μｍを一挙に１／２にする５０μｍまで薄くすることが可能である。【００４２】また砥石１５を矢印Ｇの如く下向きに回転させ、貼合せワーク２に対してダウンカットを行っているため、研削中常に砥石１５からシリコンウェーハ１Ａの外周エッジ部１ａに対して押圧する力が作用するため、たとえ加工により薄くなっても、シリコンウェーハ１Ａはシリコンウェーハ１Ｂから剥がれ難く、剥離するおそれがない。【００４３】次に、図１１及び図１２に示す本発明の第２実施例の作用について説明する。まず図１１の貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置１０においては、砥石１５が４個、９０度間隔で配設されており、砥石１５の回転面１５ａは貼合せワーク２の回転面２ａに対して略直角、かつ貼合せワーク２の半径方向に略一致させてあるので、個々の砥石の作用は第１実施例と変わらないが、この第２実施例では、４個の砥石１５が同時に貼合せワーク２の４箇所を研削することができるため、貼合せワーク２は９０度回転したところで加工が完了となるから、加工時間は単一の砥石１５の場合に比べて１／４に短縮され、加工能率が４倍となる。【００４４】図１２の外周エッジ部の段差加工装置１０においては、砥石１５が４個配設されていることは図１１と同一であるが、各砥石１５は、その回転面１５ａが貼合せワーク２の半径方向から４５度の範囲内で傾斜しているため、外周エッジ１ａの研削線が傾斜角度ごとに異なることとなり、この研削線の向きを４５度の範囲内で自由に設定することができる。
即ち、段差加工部の表面のきれいさ及び切屑６の排出効率が最も高い傾斜角度を選定することができ、最良の段差加工を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１から図１０及び図１３から図１７はは本発明の第１実施例に係り、図１は貼合せ前の２枚のシリコンウェーハとシリコン酸化膜を示す斜視図である。
【図２】貼り合わされて完成した貼合せワークの斜視図である。
【図３】貼合せワークの拡大正面図である。
【図４】図８の貼合せワークの部分拡大正面図である。
【図５】段差加工が完了した貼合せワークの斜視図である。
【図６】貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置の加工状態を示す斜視図である。
【図７】貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置の加工状態を示す概略平面図である。
【図８】貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置の加工状態を示す概略正面図である。
【図９】砥石の側面図である。
【図１０】砥石の正面図である。
【図１１】図１１及び図１２は本発明の第２実施例に係り、図１１は砥石の回転面を貼合せワークの半径方向に略一致させた貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置の概略平面図である。
【図１２】図１１は砥石の回転面を貼合せワークの半径方向に対して略４５度傾斜させて配設した貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置の概略平面図である。
【図１３】段差加工が開始された状態の要部拡大側面図である。
【図１４】段差加工がほぼ完了した状態の要部拡大側面図である。
【図１５】研削面における切屑の排出状態を示す要部縦断面図である。
【図１６】段差加工が完了した貼合せワークの段差残し量を示す部分拡大縦断面図である。
【図１７】段差加工が完了した貼合せワークの斜視図である。
【図１８】図１８から図２２は従来例に係り、図１８は段差加工が完了した貼合せワークの斜視図である。
【図１９】砥石の回転面を貼合せワークの回転面と平行にした貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置の加工状態を示す概略平面図である。
【図２０】貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置の加工状態を示す概略正面図である。
【図２１】切屑が研削面に閉じ込められる状態を示す概略部分平面図である。
【図２２】研削面に条痕や亀裂が生じ、残渣残し量が１００μｍと大きい加工完了後の貼合せワークの部分拡大縦断面図である。
【符号の説明】
【００４６】  １    シリコンウェーハ
１Ａ  上側の１枚のシリコンウェーハ
１Ｂ  下側の１枚のシリコンウェーハ
１ａ  外周エッジ部
２    貼合せワーク
２ａ  回転面
３    半導体酸化膜の一例たるシリコン酸化膜
４    ワーク取付け台
１０    貼合せワークの外周エッジ部の段差加工装置
１１    砥石の駆動装置
１５    砥石
１５ａ  回転面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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