(57)【要約】【課題】  ＴＦＴ基板１１とソースＴＣＰ１８とのコンタクト領域またはその近傍におけるパネル配線２０の断線が修正された液晶表示パネルの提供。【解決手段】  液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板１１上に形成され、断線部分を有するパネル配線２０と、パネル配線２０の額縁領域に配置されたソースＴＣＰ１８と、額縁領域におけるパネル配線２０と接続され、ソースＴＣＰ１８のＴＦＴ基板１１側面に形成された配線６とを有する。断線部分は額縁領域１４内またはその近傍に存在する。液晶表示パネルは、断線部分の配線を接続し、かつ少なくとも一部がパネル配線２０と配線６との間に介在して両配線２０，６を接続する転写配線３を有する。【選択図】  図９
2006019415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板上に形成され、断線部分を有する第１配線と、前記第１配線の一部の領域に配置された第２基板と、前記一部の領域における前記第１配線と接続され、前記第２基板の前記第１基板側面に形成された第２配線とを有し、前記断線部分が前記第１配線の前記一部の領域内またはその近傍に存在する配線基板であって、
前記断線部分の配線を接続し、かつ少なくとも一部が前記第１配線と前記第２配線との間に介在して前記第１配線と前記第２配線とを接続する第３配線を有する配線基板。
【請求項２】
導電性粒子を含有する異方性導電材が前記第１配線と前記第３配線との間に介在する請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１配線と前記第３配線とがレーザーメルトにより接続されている請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第３配線のピッチが前記第１配線のピッチよりも短い請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
導電性粒子を含有する異方性導電材が前記第２配線と前記第３配線との間に介在する請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
導電性粒子を含有する第１異方性導電材が前記第１配線と前記第３配線との間に介在し、導電性粒子を含有する第２異方性導電材が前記第２配線と前記第３配線との間に介在し、前記第１異方性導電材に含まれる前記導電性粒子の粒径が前記第２異方性導電材に含まれる前記導電性粒子の粒径よりも大きい請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
導電性粒子を含有する第１異方性導電材が前記第１配線と前記第３配線との間に介在し、導電性粒子を含有する第２異方性導電材が前記第２配線と前記第３配線との間に介在し、前記第１異方性導電材に含まれる前記導電性粒子の密度が前記第２異方性導電材に含まれる前記導電性粒子の密度よりも高い請求項１に記載の配線基板。
【請求項８】
第１基板と、前記第１基板上に形成され、断線部分を有する第１配線と、前記第１配線の一部の領域に配置された第２基板と、前記一部の領域における前記第１配線と接続され、前記第２基板の前記第１基板側面に形成された第２配線と、前記断線部分の配線を接続する第３配線とを有し、前記断線部分が前記第１配線の前記一部の領域内またはその近傍に存在する配線基板を製造する方法であって、
基材上に剥離可能に形成された前記第３配線を前記断線部分の配線上に配置する工程と、
前記基材を前記第３配線から剥離して、前記第３配線を前記断線部分の配線上に転写する工程とを有する方法。
【請求項９】
接着剤層を介さずに前記基材上に前記第３配線が形成されている請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記配置工程と前記転写工程との間に、レーザーメルトにより前記第１配線と前記第３配線とを接続する工程をさらに有する請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
第１基板と、前記第１基板上に形成され、断線部分を有する第１配線と、前記第１配線の一部の領域に配置された第２基板と、前記一部の領域における前記第１配線と接続され、前記第２基板の前記第１基板側面に形成された第２配線と、前記断線部分の配線を接続する第３配線とを有し、前記断線部分が前記第１配線の前記一部の領域内またはその近傍に存在する配線基板を製造する方法であって、
異方性導電層に挟まれた前記第３配線または異方性導電層の表面に形成された前記第３配線を前記断線部分の配線上に前記異方性導電層を介して配置する工程と、
前記第３配線とともに前記異方性導電層を加圧することにより、前記異方性導電層を介して前記第３配線を前記断線部分の配線上に転写する工程とを有する方法。
【請求項１２】
前記基材上に剥離可能に形成された前記第３配線のピッチが前記第１配線のピッチよりも短い請求項８または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記転写工程の後、前記第２基板を前記第１配線の前記一部の領域に配置することにより、前記第３配線の少なくとも一部を前記第１配線と前記第２配線との間に介在させて前記第１配線と前記第２配線とを接続する工程をさらに有する請求項８または１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線の断線部分が修正された配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、画像の表示を行う表示領域と、その周辺部の周辺領域とを有する。表示領域には液晶層を駆動するためのアクティブ素子やアクティブ素子に接続された配線が形成され、周辺領域には表示領域に形成された配線の引き出し電極や表示に必要な周辺配線が形成されている。一方、表示装置の大型化に伴って配線が長尺化しているので、断線不良のない配線を形成することが困難である。
【０００３】
断線不良を修正する方法としては、ＹＡＧレーザ等を用いて、断線した配線と予備配線とを接続することにより、断線した配線の両端から信号を入力させる方法がある（例えば特許文献１を参照）。また、支持部材の片面に設けられた転写用媒体を断線部分にスパッタさせて転写する方法もある（例えば特許文献２，３を参照）。
【特許文献１】特開平3-23425 号公報
【特許文献２】特開2000-31013号公報
【特許文献３】特開平7-253583号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶ドライバが搭載された、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）やＣＯＦ（Chip On Film）、ＳＯＦ（System On Film）などのフィルム配線は、異方性導電接着材を介して、周辺領域内の端子に接続される。周辺領域内の配線に断線が生じた場合、フィルム配線と周辺領域内の端子とがコンタクトする領域が減少するので、接続抵抗が増大し、パネルモジュールの表示に悪影響を与える。接続抵抗を減少させるために、異方性導電接着材中の導電性粒子径を大きくする或いは導電性粒子の密度を高めると、絶縁性が保たれなくなるおそれがある。
【０００５】
断線部分のみの接続抵抗を減少させるために、フィルム配線と周辺領域内の端子との接合部をレーザーメルトする方法が想定される。しかし、フィルム配線と端子との間に介在する異方性導電接着材が障害となり、フィルム配線と周辺領域内の端子との電気的な接続は得られない。したがって、コンタクト領域に断線が生じた場合には、不良品としてパネルを廃棄する必要がある。
【０００６】
一方、転写用媒体を断線部分に転写する方法では、断線部分に数百ｎｍ程度の膜厚の金属薄膜を形成するので、電源ラインなどの高電流密度の配線に対して高信頼性を確保した断線修正が困難である。
【０００７】
本発明の目的は、第１基板上に形成された第１配線と第２基板上に形成された第２配線とのコンタクト領域またはその近傍における第１配線の断線を修正するための技術を提供すること、例えば断線部分が修正された配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、断線部分を有する第１配線と、前記第１配線の一部の領域に配置された第２基板と、前記一部の領域における前記第１配線と接続され、前記第２基板の前記第１基板側面に形成された第２配線とを有し、前記断線部分が前記第１配線の前記一部の領域内またはその近傍に存在する配線基板であって、前記断線部分の配線を接続し、かつ少なくとも一部が前記第１配線と前記第２配線との間に介在して前記第１配線と前記第２配線とを接続する第３配線を有する。
【０００９】
断線部分の配線を接続する第３配線は、少なくとも一部が第１配線と第２配線との間に介在して第１配線と第２配線とを接続するので、第１配線と第２配線とのコンタクト領域の面積が減少せず、コンタクト抵抗が増大しない。したがって、本発明の配線基板を液晶表示パネルに適用した場合には、コンタクト抵抗の増大による表示不良が生じない。
【００１０】
本発明の配線基板は、導電性粒子を含有する異方性導電材が前記第１配線と前記第３配線との間に介在していても良い。これにより、異方性導電材が第１配線と第３配線とを電気的かつ機械的に接続することができる。また、異方性導電材を用いることにより、隣接する配線との短絡を防ぐことができる。
【００１１】
本発明の配線基板は、前記第１配線と前記第３配線とがレーザーメルトにより接続されていても良い。これにより、第１配線と第３配線との接続抵抗の低抵抗化が可能となる。
【００１２】
本発明の配線基板は、前記第３配線のピッチが前記第１配線のピッチよりも短くても良い。これにより、配線基板の製造工程において、異機種パネルの第１配線に対して第１配線のピッチに関係なく第３配線を配置することができる。
【００１３】
本発明の配線基板は、導電性粒子を含有する異方性導電材が前記第２配線と前記第３配線との間に介在していても良い。これにより、異方性導電材が第２配線と第３配線とを電気的かつ機械的に接続することができる。また、異方性導電材を用いることにより、隣接する配線との短絡を防ぐことができる。
【００１４】
本発明の配線基板は、導電性粒子を含有する第１異方性導電材が前記第１配線と前記第３配線との間に介在し、導電性粒子を含有する第２異方性導電材が前記第２配線と前記第３配線との間に介在していても良い。この場合、第１異方性導電材に含まれる導電性粒子の粒径が第２異方性導電材に含まれる導電性粒子の粒径よりも大きいか、あるいは第１異方性導電材に含まれる導電性粒子の密度が第２異方性導電材に含まれる導電性粒子の密度よりも高いことが好ましい。第１異方性導電材を第１配線と第３配線との間に介在させると、断線部分を有する第１配線の抵抗に、第１異方性導電材との接続抵抗および第３配線の配線抵抗が加わるので、第１異方性導電材との接続抵抗をできる限り小さくすることが好ましい。第１異方性導電材に含有された導電性粒子の粒径を大きくするか、あるいは密度を高くすることにより、第１異方性導電材との接続抵抗が減少するので、第１配線に付加される抵抗が減少する。
【００１５】
本発明の第１の局面による製造方法は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、断線部分を有する第１配線と、前記第１配線の一部の領域に配置された第２基板と、前記一部の領域における前記第１配線と接続され、前記第２基板の前記第１基板側面に形成された第２配線と、前記断線部分の配線を接続する第３配線とを有し、前記断線部分が前記第１配線の前記一部の領域内またはその近傍に存在する配線基板を製造する方法であって、基材上に剥離可能に形成された前記第３配線を前記断線部分の配線上に配置する工程と、前記基材を前記第３配線から剥離して、前記第３配線を前記断線部分の配線上に転写する工程とを有する。
【００１６】
基材を第３配線から剥離することにより、第３配線を断線部分の配線上に転写するので、第３配線の膜厚を任意に設定することができる。したがって、電源ラインなどの高電流密度の配線に対しても高信頼性を確保した断線修正が可能となる。また第３配線の両面にて電気的接続を行うことができる。
【００１７】
本発明の第１の局面による製造方法は、接着剤層を介さずに前記基材上に前記第３配線が形成されていても良い。第３配線の基材剥離面に接着剤が存在しないので、接着剤による接続抵抗の上昇が抑えられ、低抵抗接続が可能となる。
【００１８】
本発明の第１の局面による製造方法は、前記配置工程と前記転写工程との間に、レーザーメルトにより前記第１配線と前記第３配線とを接続する工程をさらに有していても良い。第１配線と第３配線とを接合部にレーザーメルトを施すことにより、接続抵抗の低抵抗化が可能となる。
【００１９】
本発明の第２の局面による製造方法は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、断線部分を有する第１配線と、前記第１配線の一部の領域に配置された第２基板と、前記一部の領域における前記第１配線と接続され、前記第２基板の前記第１基板側面に形成された第２配線と、前記断線部分の配線を接続する第３配線とを有し、前記断線部分が前記第１配線の前記一部の領域内またはその近傍に存在する配線基板を製造する方法であって、異方性導電層に挟まれた前記第３配線または異方性導電層の表面に形成された前記第３配線を前記断線部分の配線上に前記異方性導電層を介して配置する工程と、前記第３配線とともに前記異方性導電層を加圧することにより、前記異方性導電層を介して前記第３配線を前記断線部分の配線上に転写する工程とを有する。
【００２０】
通常はリールで供給される異方性導電接着材中またはその表面に第３配線を形成することにより、第３配線を支持する基材を削減することが可能となる。また、第３配線のハンドリングおよび断線部分への位置合せが容易となる。
【００２１】
本発明の第１または第２の局面による製造方法は、前記基材上に剥離可能に形成された前記第３配線のピッチが前記第１配線のピッチよりも短くても良い。第３配線のピッチを第１配線のピッチよりも微細に設計することにより、第１配線のピッチに関係なく第３配線を断線部分の配線上に配置することが可能となる。したがって、異機種パネルに対し、第３配線が形成された基材や異方性導電材を個別に製作する必要がなくなる。
【００２２】
本発明の第１または第２の局面による製造方法は、前記転写工程の後、前記第２基板を前記第１配線の前記一部の領域に配置することにより、前記第３配線の少なくとも一部を前記第１配線と前記第２配線との間に介在させて前記第１配線と前記第２配線とを接続する工程をさらに有していても良い。第１配線の断線部分を第３配線にてバイパスし、第１配線と第２配線とのコンタクト領域の面積を確保することが可能となる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、第１基板上に形成された第１配線と第２基板上に形成された第２配線とのコンタクト領域またはその近傍における第１配線の断線が修正される。これにより、例えば液晶モジュール製造工程において歩留まりの向上が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。以下の実施形態では配線基板として液晶表示パネルについて説明するが、本発明の配線基板は他の液晶パネルにも適用することができる。例えば、画素を光学的に順次シフトさせる画像シフトパネルや三次元映像を表示可能とするパララックスバリアパネルなどに適用することもできる。また本発明の配線基板は、一対の基板間に液晶材料が封入された液晶パネルに限らず、無機または有機エレクトロルミネッセントパネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロクロミック表示パネル、電気泳動表示パネルなどにも適用することができる。
【００２５】
（実施形態１）
図１は本実施形態の液晶表示パネルを模式的に示す平面図である。本実施形態の液晶表示パネルは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルである。この液晶表示パネルは、ＴＦＴ基板１１とこれに対向する対向基板１２とが貼り合わされた構造を有しており、ＴＦＴ基板１１の対向面の一部が露出している。液晶表示パネルは、一対の基板１１，１２間に液晶層を有している。図１中の対向基板１２内に格子模様を付している部分は、画像信号に基づいて映像を表示する表示領域１３である。表示領域１３の周辺の領域は額縁領域１４とも呼ばれている。
【００２６】
ＴＦＴ基板１１は、ガラス基板上に、互いに交差して形成された走査配線および信号配線と、画素ごとに設けられたＴＦＴ素子と、画素電極とを有する。対向基板１２には、共通電極が形成されている。ＴＦＴ基板１１の額縁領域１４には、走査配線の線順次走査を制御するゲートドライバＩＣ１５と、信号配線に画像データ信号を供給するソースドライバＩＣ１６とがそれぞれ複数個設けられている。
【００２７】
液晶表示パネルは、電子部品としての各ドライバＩＣ１５，１６がＴＣＰ実装方式によって接続された構造を有する。ＴＣＰ実装方式とは、ポリイミドフィルムなどのフレキシブル基板の上にＩＣチップが搭載されたＴＣＰを表示パネルと接続する方式である。以下、ゲートドライバＩＣ１５が搭載されたＴＣＰをゲートＴＣＰ１７、ソースドライバＩＣが搭載されたＴＣＰをソースＴＣＰ１８と呼ぶ。ＴＣＰ１７，１８は、ドライバＩＣ１５，１６に外部信号を入力するＩＣ駆動用配線、対向電極用配線、ドライバＩＣ１５，１６から表示領域へ映像信号を供給するための信号出力配線、隣接するＴＣＰに駆動信号を入出力するための中継配線を備えている。
【００２８】
表示パネルの額縁領域１４の一部には信号入力用のＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板）１９が接続されている。信号入力用のＦＰＣ１９は、表示に必要な各種電気信号（画像データ信号など）やドライバＩＣ１５，１６などを駆動するための電源電圧（ＩＣ駆動用電源電圧、共通電極駆動用電源電圧など）を外部から表示パネルに入力する役割を担っている。画像表示を行うための画像データ信号、ドライバＩＣ１５，１６のための駆動電源、対向基板１２の共通電極の電気信号等は、全てＦＰＣ１９から導入されている。導入された各種信号はゲートＴＣＰ１７あるいはソースＴＣＰ１８内の配線を順次伝搬する。
【００２９】
額縁領域１４には複数の配線が形成されている。大別すると、表示領域１３へ画像データ信号を出力するための配線２１（表示領域への導入用電気配線）と、隣接する各ＴＣＰ１７，１８間の電気的接続を行う配線２２と、ＦＰＣ１９およびＴＣＰ１７，１８を電気的に接続する電源配線２３である。
【００３０】
表示領域１３内の配線は、導電性材料を１種または２種以上含有する単層膜や積層膜であり、ＴＦＴを形成する薄膜プロセスによって形成される。導電性材料として、例えばＡｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉなどの金属やＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの導電性酸化物が挙げられる。典型的には、表示領域１３内の配線は金属薄膜と導電性酸化膜との積層膜である。額縁領域１４内の各配線２１，２２，２３は表示領域１３内の配線の形成と同じプロセスや同じ材料を用いて形成される。
【００３１】
次に、額縁領域１４内の配線に断線が生じた場合の修正工程について説明する。図２は額縁領域１４内のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）接続端子部を模式的に示す平面図である。以下、ＴＡＢ接続端子部をパネル配線（第１配線）２０と呼び、断線が生じているＴＡＢ接続端子部を特に断線パネル配線２０と呼ぶことがある。
【００３２】
図２に示す断線部分に対して転写配線付きフィルムにより修正を行う。図３は転写配線付きフィルム１を断線部分に位置合わせした状態を示す平面図である。転写配線付きフィルム１は、支持フィルム（基材）２と、支持フィルム２上に形成され、パネル配線２０の形状に対応してパターニングされた転写配線（第３配線）３とを有する。
【００３３】
支持フィルム２は、位置合わせを容易にするために、透光性を有することが好ましい。また支持フィルム２の材料は、パターン精度が高い高精細な配線を形成する場合には、伸縮性の小さいポリイミドが好ましい。ポリイミドフィルムを支持フィルム２に用いた場合、加熱処理することにより転写配線３との密着性が低下するので、支持フィルム２と転写配線３とが容易に剥離する。例えばキャスティング法によりポリイミドフィルム上にＣｕを蒸着した転写配線付きフィルムであれば、フィルム基材に100 〜150 ℃程度の加熱を行うことにより、支持フィルム２が転写配線３から剥離される。
【００３４】
一方、パターン精度の低い配線を形成する場合には、支持フィルム２の材料として、ポリイミドより安価なＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、エポキシなどを使用することができる。
【００３５】
転写配線３は、断線部分の配線を接続するものであり、低抵抗の金属、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕなどを含有することが好ましい。転写配線３は単層膜、積層膜、合金膜などである。
【００３６】
支持フィルム２と転写配線３との間には微粘性接着材が介在していても良い。この場合、光（好ましくは紫外線）照射によって接着性を低下させる光崩壊性樹脂（好ましくは紫外線崩壊性樹脂）や、加熱によって接着性を低下させる熱可塑性樹脂などからなる樹脂層を設けることが好ましい。これにより、光照射あるいは加熱処理によって転写配線３を支持フィルム２から簡単に剥離させることができる。また、転写後の転写配線３の表面に、界面活性剤などの変色防止剤を適宜散布して、表面保護を施してもよい。転写配線３がＣｕを含む場合は、変色防止剤を用いることが好ましい。これにより、Ｃｕ表面の腐蝕や酸化による高抵抗化を防止することができる。
【００３７】
支持フィルム２上に転写配線３を形成する方法として、公知の方法を採用することができる。例えば、無電解めっき法と電気めっき法とを併用してポリイミドフィルム上にＣｕ膜を形成した後にパターニングする方法（例えば特開2001-73159号公報を参照）、紫外線を用いてポリイミドフィルム上にＡｇパターンを形成した後にＡｇパターン上に選択的にＣｕメッキを施す方法（表面技術協会主催第１００回講演大会講演要旨集（表面技術協会発行、平成11年９月17日発行）２３、２４頁を参照）、キャスティング法によりポリイミドフィルム上にＣｕを蒸着した後にパターニングする方法などが挙げられる。
【００３８】
次に、断線パネル配線２０の断線部分と転写配線３とを接合する。図４は断線パネル配線２０の断線部分と転写配線３とを接合した状態を示す平面図であり、図５は図４中のＶ−Ｖ線断面図である。本実施形態では、支持フィルム２側またはＴＦＴ基板１１側からレーザ光を照射することにより、断線パネル配線２０の断線部分と転写配線３とをレーザーメルト部４にて接合する。
【００３９】
断線パネル配線２０の断線部分と転写配線３とを接合した後、転写配線付きフィルム１の支持フィルム２を剥離する。図６は支持フィルム２を剥離した状態を示す平面図であり、図７は図６中のVII −VII 線断面図である。図６および図７に示すように、支持フィルム２を剥離することにより、転写配線３が断線パネル配線２０の断線部分に転写される。これにより、パネル配線２０の断線が修正される。また支持フィルム２を剥離することにより、転写配線３の剥離面にてＴＣＰ１７，１８の配線と接続させることができる。言い換えれば、転写配線付きフィルム１の支持フィルム２を剥離することにより、電気的修復のコンタクト面とは反対の転写配線３面を露出させ、この上面にＴＣＰ１７，１８の電気的接続端子をコンタクトさせることができる。すなわち転写配線３の両面にてＴＣＰ１７，１８の配線と断線パネル配線２０とを電気的に接続することができる。
【００４０】
このように、支持フィルム２を転写配線３から剥離することにより、転写配線３を断線部分の配線上に転写するので、転写配線３の膜厚を任意に設定することができる。したがって、電源ラインなどの高電流密度の配線に対しても高信頼性を確保した断線修正が可能となる。
【００４１】
なお、支持フィルム２と転写配線３との間に微粘着性接着材が介在する転写配線付きフィルム１を用いた場合には、支持フィルム２を剥離した後に、転写配線３の剥離面をアルコールなどの有機溶剤により清掃して、剥離面に残存する微粘着性接着材を除去するのが望ましい。接着材が残存することによる接続抵抗の上昇を抑え、低抵抗接続を可能とするためである。
【００４２】
次に、額縁領域１４内のパネル配線２０とＴＣＰ１７，１８とを接続する。図８はソースＴＣＰ１８をパネル配線２０に接続した状態を示す平面図であり、図９は図８中のIX−IX線断面図である。図９中の矢印はドライバＩＣ１５からの出力信号の流れを示している（以降の図において同様）。ソースＴＣＰ１８は、ポリイミドなどからなる支持基材（第２基板）５と、支持基材５上に形成され、パネル配線２０の配置に対応してパターニングされた配線（第２配線）６とを有する。典型的には、ソースＴＣＰ１８は、異方性導電材７を介してパネル配線２０に接続される。
【００４３】
異方性導電材７は、絶縁性樹脂を含有するバインダ（結合剤）中に導電性粒子（例えば、プラスチック球の周りにＡｕ／Ｎｉメッキ膜が形成された粒子）が分散された部材であり、ＡＣＦ（異方導電性フィルム）やＡＣＰ（異方導電性ペースト）が用いられる。絶縁性樹脂としては、熱硬化性あるいは熱可塑性を有し、加熱処理によって接着効果を発揮するものを使用することが好ましい。異方性導電材７は、断線パネル配線２０上にのみ配置しても良いし、隣接する他のパネル配線２０をも覆うように配置しても良い。
【００４４】
異方性導電材７を介してパネル配線２０上にソースＴＣＰ１８を配置した後、好ましくは温度１００〜２００℃の熱圧着（熱プレス）プロセスにて、支持基材５の上方から熱圧着を行う。これにより、パターニングされた配線６と断線パネル配線２０とが異方性導電材７を介して電気的に接続される。このとき、断線部分の配線が転写配線３により接続され、転写配線３が断線パネル配線２０とソースＴＣＰ１８との間に介在するので、パネル配線２０が断線していないときと同程度にコンタクト領域の面積を確保することができる。具体的には、図９に示すように、ソースＴＣＰ１８と重なる部分のパネル配線２０の長さＬ１を確保することができる。したがって、断線パネル配線２０とソースＴＣＰ１８の配線６とが低抵抗にて接続されるので、ドライバＩＣ１５からの出力信号が減衰されず、コンタクト抵抗の増大による表示不良が生じない。
【００４５】
一方、断線部分の配線が転写配線３により接続されない場合には、表示不良が生じるおそれがある。図１０は断線したパネル配線２０にソースＴＣＰ１８を接続した状態を示す平面図であり、図１１は図１０中のXI−XI線断面図である。図１１に示すように、転写配線３により断線部分の配線が接続されない場合には、断線したパネル配線２０とソースＴＣＰ１８の配線６とが有効接続長Ｌ２にて接続される。言い換えれば、図９に示す有効接続長Ｌ１のときと比べて、断線パネル配線２０とソースＴＣＰ１８の配線６とのコンタクト領域の面積が減少する。したがって、コンタクト抵抗が増大するので、ドライバＩＣ１５からの出力信号が減衰して、表示不良が生じるおそれがある。
【００４６】
なお、本実施形態ではソースＴＣＰ１８の実装領域内で断線が生じた場合を例示的に説明したが、ゲートＴＣＰ１７やＦＰＣ１９の実装領域内で断線が生じた場合についても同様に本発明を適用することができる。特に、抵抗減衰が懸念されるゲートＴＣＰ１７やソースＴＣＰ１８への駆動電源配線や諧調信号配線の断線修正においては有効である。
【００４７】
（実施形態２）
実施形態１では、ソースＴＣＰ１８の実装領域内で断線が生じた場合について説明したが、ソースＴＣＰ１８の実装領域の近傍に断線が生じた場合についても本発明を適用することができる。本実施形態ではソースＴＣＰ１８の実装領域の近傍に断線が生じた場合について説明する。
【００４８】
図１２は本実施形態におけるソースＴＣＰ１８の実装領域およびその近傍を示す平面図であり、図１３は図１２中のXIII−XIII線断面図である。なお、以降の図面においては、実施形態１と同一の構成要素に同一の参照符号を付すことにより、構成要素の説明を省略する。
【００４９】
本実施形態では、ソースＴＣＰ１８の実装領域の近傍にてパネル配線２０に断線が生じている。断線部分の配線を接続する転写配線３は、断線パネル配線２０とソースＴＣＰ１８の配線６との間に介在する部分と、ソースＴＣＰ１８の実装領域の外側に延びる部分とから構成される。断線部分の配線が転写配線３により接続され、転写配線３の少なくとも一部が断線パネル配線２０とソースＴＣＰ１８との間に介在するので、パネル配線が断線していないときと同程度にコンタクト領域の面積を確保することができる。具体的には、図１３に示すように、ソースＴＣＰ１８と重なる部分のパネル配線２０の長さＬ１を確保することができる。したがって、断線パネル配線２０とソースＴＣＰ１８の配線６とが低抵抗にて接続されるので、ドライバＩＣ１５からの出力信号が減衰されず、コンタクト抵抗の増大による表示不良が生じない。
【００５０】
（実施形態３）
実施形態１では、転写配線付きフィルム１の転写配線３として、パネル配線２０の形状に対応してパターニングされたものを用いたが、本発明はこれに限定されない。本実施形態では、転写配線のピッチがパネル配線２０のピッチよりも短い場合について説明する。図１４は本実施形態による転写配線３０を断線パネル配線２０に接合した状態を示す平面図である。
【００５１】
図１４に示すように、転写配線３０のピッチは断線パネル配線２０のピッチよりも短く、断線修正に必要な転写配線３０のみがレーザーメルト部４にて接合されている。このようなピッチの転写配線３０を採用することにより、端子ピッチの異なるパネル配線２０に対しても転用可能な転写配線付きフィルム、言い換えれば汎用性の高い転写配線付きフィルムを提供することが可能となる。
【００５２】
（実施形態４）
実施形態１では、転写配線３と断線パネル配線２０とをレーザーメルト部４にて接合しているが、転写配線３と断線パネル配線２０との接合を異方性導電材により行っても良い。この場合、転写配線３が異方性導電層に挟まれた異方性導電材、転写配線３が異方性導電層の表面に形成された異方性導電材を用いることができる。異方性導電材は、典型的にはリールにて供給されるので、実施形態１で用いた支持フィルム２を削減することが可能となる。また、リールを用いることにより、転写配線３のハンドリングや断線部分への位置合せが容易となる。なお、実施形態１の転写配線付きフィルム１を用い、異方性導電材を介して転写配線３と断線パネル配線２０とを接合しても良い。
【００５３】
図１５は転写配線３と断線パネル配線２０とが異方性導電材８を介して接合されている状態を示す平面図である。図１５に示すように、本実施形態は異方性導電材８を介して転写配線３と断線パネル配線２０とが接合されている点を除けば、図９に示す実施形態１と同様である。但し、転写配線３と断線パネル配線２０とをできる限り低抵抗にて接合することが好ましい。そこで、転写配線３と断線パネル配線２０との間に介在する異方性導電材８は、パネル配線とソースＴＣＰ１８の配線６との間に介在する異方性導電材７よりも導電性粒子の粒径を大きくするか、あるいは導電性粒子の密度を高くする。なお、導電性粒子の粒径や密度は、配線材料の配線ピッチ（導体幅）における通電配線の抵抗許容値、印加電圧（電流）における絶縁抵抗保障などを考慮して適宜決定することができる。
【００５４】
以上、実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せに、さらにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。例えば、上記実施形態ではＴＦＴ方式の液晶表示パネルについて説明したが、ＴＦＴ方式以外のアクティブマトリクス方式の液晶表示パネル、例えばＭＩＭ（Metal Insulator Metal ）方式の液晶表示パネルに対して適用することもできるし、あるいは単純マトリクス方式の液晶表示パネルに対して適用することもできる。
【００５５】
また上記実施形態では、第２基板として、ドライバＩＣ１５，１６が搭載されたＴＣＰ１７，１８を例示的に説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、ドライバＩＣだけでなく他の電子部品（メモリーなど）も搭載されたＳＯＦなどのフィルム配線を第２基板として用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の配線基板は、液晶表示パネル、無機または有機エレクトロルミネッセントパネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロクロミック表示パネル、電気泳動表示パネル、電子トナーディスプレイパネルなどに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施形態１の液晶表示パネルを模式的に示す平面図である。
【図２】額縁領域１４内のパネル配線２０を模式的に示す平面図である。
【図３】転写配線付きフィルム１を断線部分に位置合わせした状態を示す平面図である。
【図４】パネル配線２０の断線部分と転写配線３とを接合した状態を示す平面図である。
【図５】図４中のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】支持フィルム２を剥離した状態を示す平面図である。
【図７】図６中のVII −VII 線断面図である。
【図８】ソースＴＣＰ１８をパネル配線２０に接続した状態を示す平面図である。
【図９】図８中のIX−IX線断面図である。
【図１０】断線したパネル配線２０にソースＴＣＰ１８を接続した状態を示す平面図である。
【図１１】図１０中のXI−XI線断面図である。
【図１２】実施形態２におけるソースＴＣＰ１８の実装領域およびその近傍を示す平面図である。
【図１３】図１２中のXIII−XIII線断面図である。
【図１４】実施形態３による転写配線３０を断線パネル配線２０に接合した状態を示す平面図である。
【図１５】転写配線３と断線パネル配線２０とが異方性導電材８を介して接合されている状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１      転写配線付きフィルム
２      支持フィルム
３      転写配線（第３配線）
４      レーザーメルト部
５      支持基材（第２基板）
６      配線（第２配線）
７      （第２）異方性導電材
８      （第１）異方性導電材
１１      ＴＦＴ基板（第１基板）
１２      対向基板
１３      表示領域
１４      額縁領域
１５      ゲートドライバＩＣ
１６      ソースドライバＩＣ
１７      ゲートＴＣＰ
１８      ソースＴＣＰ
１９      ＦＰＣ
２０      パネル配線（第１配線）
２１，２２，２３      配線
２３      電源配線
３０      転写配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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