(57)【要約】【課題】光反射膜からの反射光の干渉を防止し、かつ、画素間での輝度むらやぎらつきの発生も回避することのできる電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供すること。【解決手段】反射型、あるいは半透過・反射型の電気光学装置のＴＦＴアレイ基板１０において、マトリクス状に形成された各画素１００ａの各々に下層側凹凸形成膜１３ａを形成することにより、光反射膜８ａの表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成している。ここで、画素１００ａを複数画素ずつ、複数のユニットにグループ分けし、少なくともユニット内では画素１００ａ毎に、凹凸パターン８ｇが異なる形態をもつように構成する。その際、基準となる画素の凹凸パターン８ｇを例えば、回転移動させてその形態を相違させる。【選択図】図６
2006106780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を保持する基板にマトリクス状に構成された多数の画素の各々に、突起あるいは孔からなる複数の凹凸が分散した状態に形成された凹凸形成層と、該凹凸形成層の上層側に形成された光反射膜とを有し、該光反射膜の表面には前記凹凸形成層によって光散乱用の凹凸パターンが形成されてなる電気光学装置において、
前記光反射膜は、コンタクトホールを介して下層側あるいは上層側の導電層に電気的に接続しているとともに、前記コンタクトホール内にも前記光反射膜が形成され、
前記多数の画素間で前記コンタクトホールの形成位置が相違していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記多数の画素を複数画素ずつ、複数のユニットにグループ分けしたときに、それぞれのユニット内における前記コンタクトホールの形成位置パターンが前記複数のユニット間で相違していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２において、前記それぞれのユニット内では前記コンタクトホールの形成位置が画素毎に相違していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２または３において、複数のユニットのそれぞれにおいて同一箇所に位置する画素のコンタクトホールの形成位置が、前記複数のユニット間で相違していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、各画素に形成された前記コンタクトホールの面積が等しいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記多数の画素の各々に画素スッチング用の薄膜トランジスタが形成されているとともに、前記光反射膜は、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続し、
前記多数の画素のいずれにおいても前記光反射膜の下層側で略画素全体にわたって形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記画素毎に前記凹凸パターンが異なる形態をもって形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記基板を第１の基板とし、該第１の基板に対して第２の基板を対向配置させて当該基板間に前記電気光学物質としての液晶を保持してなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１または８のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として備えてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数の画素がマトリクス状に形成された電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装置の各画素の構造技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置などの電気光学装置は、各種機器の直視型の表示装置として用いられている。このような電気光学装置のうち、反射型あるいは半透過・半反射型のＴＦＴアクティブマトリクス型の液晶装置では、図２９および図３０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の表面にマトリクス状に配列された多数の画素１００ａの各々に、対向基板２０の側から入射してきた外光を対向基板２０の方に向けて反射するための光反射膜８ａが形成されており、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板側から出射された光によって画像を表示する。
【０００３】
このような反射モードでの画像表示を行う液晶装置において、光反射膜８ａで反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性が顕著に出てくる。そこで、従来は、第２層間絶縁膜５の表面に、アクリル樹脂などの有機系樹脂からなる感光性樹脂を厚めに塗布した後、この感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングして光反射膜８ａの下層側に突起あるいは孔からなる凹凸を複数、備えた下層側凹凸形成膜１３ａを形成し、次に、下層側凹凸形成膜１３ａの表面に上層側凹凸形成膜７ａを形成して凹凸をなだらかな形状として、その上層側に形成される光反射膜８ａの表面になだらかな形状の光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成している。
【０００４】
しかしながら、光反射膜８ａ表面の凹凸パターン８ｇを各画素１００ａで同一とすると、光反射膜８ａからの反射光に干渉が発生してしまい、表示の品位が著しく低下するという問題点がある。
【０００５】
そこで、凹凸パターン８ｇの形態を画素１００ａ毎に相違させることが提案されている(例えば、特許文献１参照)。
【０００６】
また、ＴＦＴアレイ基板１０において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のドレインと透明な画素電極９ａとを電気的に接続するにあたっては、いずれの画素１００ａにおいても、ＴＦＴ３０のドレイン領域に対して、ゲート絶縁膜２および第１層間絶縁膜４に形成したコンタクトホール４ｃを介してドレイン電極６ｂを電気的に接続するとともに、このコンタクトホール４ｃと略重なる位置において、第２の層間絶縁膜５、および上層側凹凸形成膜７ａに形成したコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに光反射膜８ａが電気的に接続し、この光反射膜８ａにＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが電気的に接続している。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２３５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、多数の画素１００ａの各々に、異なる凹凸パターン８ｇを形成するのは困難であり、画素１００ａ間に凹凸の位置が重複してしまうという問題点がある。また、凹凸パターン８ｇの形態を画素１００ａ毎に相違させただけでは、各画素１００ａにおける散乱反射特性のばらつきに起因して、輝度むらやぎらつきが発生するという問題点がある。さらに従来の電気光学装置では、コンタクトホール５ｂの形成位置がいずれの画素１００ａにおいても完全に揃っているため、凹凸パターン８ｇの形態を画素１００ａ毎に相違させても、コンタクトホール５ｂの壁部の傾斜面からの反射光が画素単位で干渉するという問題点がある。
【０００９】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、光反射膜からの反射光の干渉を防止し、かつ、画素間での輝度むらやぎらつきの発生も回避することのできる電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の電気光学装置は、前記光反射膜は、コンタクトホールを介して下層側あるいは上層側の導電層に電気的に接続しているとともに、前記コンタクトホール内にも前記光反射膜が形成されている場合があり、この場合、前記多数の画素では、前記コンタクトホールの形成位置が相違していることを特徴とする。このように構成すると、画素毎にコンタクトホールの形成位置が異なっているため、電気光学装置をいずれの方向から眺めてもコンタクトホールが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜からの反射光においてコンタクトホール、およびその周辺部分は干渉を発生させない。
【００１１】
本発明において、前記多数の画素の各々で、前記コンタクトホールの形成位置が相違している構成を採用することができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、前記光反射膜は、コンタクトホールを介して下層側あるいは上層側の導電層に電気的に接続しているとともに、前記コンタクトホール内にも前記光反射膜が形成されている場合、前記多数の画素を複数画素ずつ、複数のユニットにグループ分けしたときに、それぞれのユニット内における前記コンタクトホールの形成位置パターンが前記複数のユニット間で相違していることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電気光学装置は、前記光反射膜は、コンタクトホールを介して下層側あるいは上層側の導電層に電気的に接続しているとともに、前記コンタクトホール内にも前記光反射膜が形成されている場合、前記それぞれのユニット内では前記コンタクトホールの形成位置が画素毎に相違していることが好ましい。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、複数のユニットのそれぞれにおいて同一箇所に位置する画素のコンタクトホールの形成位置が、前記複数のユニット間で相違していることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、各画素に形成された前記コンタクトホールの面積が等しいことが好ましい。
【００１６】
本発明において、前記多数の画素の各々に画素スッチング用の薄膜トランジスタが形成されているとともに、前記光反射膜は、前記コンタクトホールを介して薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続している場合、前記ドレイン電極は、前記多数の画素のいずれにおいても前記光反射膜の下層側で略画素全体にわたって形成されていることが好ましい。
【００１７】
本発明のさらに別の形態では、電気光学物質を保持する基板にマトリクス状に構成された多数の画素の各々に、突起あるいは孔からなる複数の凹凸が分散した状態に形成された凹凸形成層と、該凹凸形成層の上層側に形成された光反射膜とを有し、該光反射膜の表面には前記凹凸形成層によって光散乱用の凹凸パターンが形成されてなる電気光学装置において、前記光反射膜は、コンタクトホールを介して下層側あるいは上層側の導電層に電気的に接続しているとともに、前記コンタクトホール内にも前記光反射膜が形成され、前記多数の画素間で前記コンタクトホールの形成位置が相違していることを特徴とする。
【００１８】
本発明では、画素毎にコンタクトホールの形成位置が異なっているため、電気光学装置をいずれの方向から眺めてもコンタクトホールが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜からの反射光においてコンタクトホール、およびその周辺部分は干渉を発生させない。
【００１９】
本発明において、前記多数の画素を複数画素ずつ、複数のユニットにグループ分けしたときに、当該ユニット内における前記コンタクトホールの形成位置パターンが前記ユニット間で異なっていることが好ましい。本発明では、ユニット内におけるコンタクトホールの形成位置パターンがユニット間で異なっているため、電気光学装置をいずれの方向から眺めてもコンタクトホールが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜からの反射光においてコンタクトホール、およびその周辺部分が干渉を発生させない。
【００２０】
本発明において、前記ユニット内では前記コンタクトホールの形成位置が画素毎に相違している構成を採用してもよい。このように構成すると、ユニット内では、各画素におけるコンタクトホールの形成位置が相違しているため、たとえ、ユニット間でコンタクトホールの形成パターンが同一でも、従来であれば１画素周期で光の干渉が発生していたのをユニット周期まで拡大でき、干渉を抑制することができる。
【００２１】
本発明において、前記ユニット間では、当該ユニット内における位置が同一の画素における前記コンタクトホールの形成位置が全て相違していることが好ましい。
【００２２】
本発明において、各画素に形成された前記コンタクトホールの面積が等しいことが好ましい。
【００２３】
本発明において、前記多数の画素の各々に画素スッチング用の薄膜トランジスタが形成されているとともに、前記光反射膜は、前記コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタの前記ドレイン電極に電気的に接続し、前記多数の画素のいずれにおいても前記光反射膜の下層側で略画素全体にわたって形成されていることが好ましい。このように構成すると、コンタクトホールの形成位置を変えても、それに合わせて、ドレイン電極の形成領域を変更する必要がない。
【００２４】
本発明の第３の形態でも、前記多数の画素の各々に前記凹凸パターンが異なる形態をもって形成されていることが好ましい。このように構成すると、電気光学装置をいずれの方向から眺めても同一の凹凸パターンが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜からの反射光に干渉が発生しない。
【００２５】
本発明において、例えば、前記基板を第１の基板とし、該第１の基板に対して第２の基板を対向配置させて当該基板間に前記電気光学物質としての液晶を保持すれば、電気光学装置として液晶装置を構成することができる。
本発明の参考例では、電気光学物質を保持する基板にマトリクス状に構成された多数の画素の各々に、突起あるいは孔からなる複数の凹凸が分散した状態に形成された凹凸形成層と、該凹凸形成層の上層側に形成された光反射膜とを有し、該光反射膜の表面には前記凹凸形成層によって光散乱用の凹凸パターンが形成されてなる電気光学装置において、前記多数の画素を複数画素ずつ、複数のユニットにグループ分けしたときに、少なくともユニット内では前記画素毎に前記凹凸パターンが異なる形態をもって形成されているとともに、当該ユニット内の同一箇所に位置する画素の前記凹凸パターンが前記ユニット間で相違していることを特徴とする。
【００２６】
本発明の参考例では、ユニット内では画素毎に凹凸パターンが異なる形態をもって形成されているとともに、当該ユニット内における各凹凸パターンの位置がユニット間で異なっているため、同一の凹凸パターンが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜からの反射光に干渉が発生しにくい。
【００２７】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起あるいは孔は、平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布の各画素間でのばらつきが制御されてなることが好ましい。すなわち、電気光学装置の製造方法において、前記凹凸パターンをフォトリソグラフィ技術で形成する際に、露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部に対して、画素間での平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきを制御し、当該ばらつきが制御された露光マスクを用いることにより、前記多数の画素を複数画素ずつ、複数のユニットにグループ分けしたときに、少なくともユニット内では前記画素毎に前記凹凸パターンを異なる形態をもって形成するとともに、当該ユニット内の同一箇所に位置する画素の前記凹凸パターンが前記ユニット間で相違させる。このように構成すると、前記凹凸パターンにおいて、凹凸の平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきが制御されているため、画素間での輝度むらやぎらつきの発生を回避することができる。
【００２８】
本発明の他の参考例では、電気光学物質を保持する基板にマトリクス状に構成された多数の画素の各々に、突起あるいは孔からなる複数の凹凸が分散した状態に形成された凹凸形成層と、該凹凸形成層の上層側に形成された光反射膜とを有し、該光反射膜の表面には前記凹凸形成層によって光散乱用の凹凸パターンが形成されてなる電気光学装置において、前記画素毎に前記凹凸パターンが異なる形態をもって形成され、かつ、前記凹凸を構成する突起あるいは孔は、平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布の各画素間でのばらつきが制御されてなることを特徴とする。
【００２９】
すなわち、電気光学装置の製造方法において、前記凹凸パターンをフォトリソグラフィ技術で形成する際に、露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部に対して、画素間での平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきを制御し、当該ばらつきが制御された露光マスクを用いることにより、前記多数の画素の各々に前記凹凸パターンを異なる形態で形成することを特徴とする。
【００３０】
本発明の参考例では、凹凸パターンにおいて、凹凸の平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきが制御されているため、画素間での輝度むらやぎらつきの発生を回避することができる。
【００３１】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起あるいは孔の平面形状は、例えば、円形あるいは多角形である。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部の形状を、例えば、円形あるいは多角形とする。
【００３２】
本発明の参考例において、前記基板に対する法線方向から１０度ないし３０度、傾いた方向からみたときの反射輝度の各画素間での標準偏差／平均値が１０％以内であることが好ましい。
【００３３】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起または孔は、１画素内に平面的なサイズの異なる複数種類が形成されていることが好ましい。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部は、１画素に相当する領域内に平面的なサイズの異なる複数種類が形成されていることが好ましい。
【００３４】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起または孔は、１画素内で平面的なサイズが同一の突起または孔の数が前記画素間で等しいことが好ましい。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部は、１画素に相当する領域内における同一サイズの数が前記画素間で等しいことが好ましい。
【００３５】
本発明の参考例において、前記凹凸パターンの形成領域を微小面に区切って各微小面が前記基板平面となす角度を１画素内における存在率でヒストグラム表示したとき、当該角度が３°〜１０°である微小面の存在率の合計の各画素間での標準偏差／平均値が１０％以内であることが好ましい。
【００３６】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起あるいは孔の総面積の各画素間での標準偏差／平均値が５％以内であることが好ましい。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部の総面積の各画素間での標準偏差／平均値が５％以内であることが好ましい。
【００３７】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起あるいは孔のうち、ブラックマトリクスが形成される領域を除く領域内に位置する当該突起あるいは孔の総面積の各画素間での標準偏差／平均値が５％以内であることが好ましい。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部のうち、ブラックマトリクスが形成される領域を除く領域内に位置する当該透光部あるいは遮光部の総面積の各画素間での標準偏差／平均値が５％以内であることが好ましい。
【００３８】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起あるいは孔の中心の位置座標に基づいてドロネイ図を描いたとき、各ドロネイ線長さの標準偏差／平均値が３５％以下であることが好ましい。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部の中心の位置座標に基づいてドロネイ図を描いたとき、ドロネイ線長さの標準偏差／平均値が３５％以下であることが好ましい。
【００３９】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起あるいは孔のうち、前記画素の端部で途切れた当該突起あるいは孔の面積の合計が当該突起あるいは孔の面積の整数倍であることが好ましい。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部のうち、前記画素の端部で途切れた当該透光部あるいは遮光部の面積の合計が当該透光部あるいは遮光部の面積の整数倍であることが好ましい。このように構成すると、画素の端部で凹凸が途切れた場合でも、１画素内に形成されている凹凸の数、および面積を実質、同一とすることができる。
【００４０】
本発明の参考例において、前記凹凸を構成する突起あるいは孔の前記画素間での重複率が５０％以上であることが好ましい。すなわち、前記露光マスクにおいて前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成するための透光部あるいは遮光部の前記画素間での重複率が５０％以上であることが好ましい
本発明の参考例においては、例えば、１つの画素よりも大きな凹凸形成用パターンを基準パターンとし、当該基準パターンを所定の位置を中心に回転移動させて得た凹凸パターンによって、各画素に対し、前記凹凸を構成する突起および孔の位置を決定する。すなわち、１つの画素よりも大きな凹凸形成用パターンを基準パターンとし、当該基準パターンを所定の位置を中心に回転移動させて得た凹凸パターンに基づいて、透光部あるいは遮光部の位置を決定した露光マスクを用いて前記凹凸を構成する突起および孔を形成する。
【００４１】
本発明の参考例においては、例えば、前記ユニットを構成するｍ個×ｎ個分の画素を合計した面積よりも大きな凹凸形成用パターンを基準パターンとし、当該基準パターンを所定の位置を中心に回転移動させて得たｍ個×ｎ個分の画素の凹凸パターンによって、各画素に対し、前記凹凸を構成する突起および孔の位置を決定する。すなわち、ｍ個×ｎ個分の画素を合計した面積よりも大きな凹凸形成用パターンを基準パターンとし、当該基準パターンを所定の位置を中心に回転移動させて得たｍ個×ｎ個分の画素の凹凸パターンによって透光部あるいは遮光部の位置を決定した露光マスクを用いて前記凹凸を構成する突起および孔を形成する。
【００４２】
このような基準パターンを利用して各画素の凹凸パターンを決定すれば、前記凹凸パターンにおいて、凹凸の平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきを制御できるため、画素間での輝度むらやぎらつきの発生を容易に回避することができる。
【００４３】
本発明の参考例において、回転移動の際に前記回転の中心を移動させることにより、各画素に異なる凹凸パターンを形成することが好ましい。
【００４４】
この場合、前記凹凸を構成する突起あるいは孔からずれた位置に前記回転の中心を設定することが好ましい。すなわち、露光マスクにおいて、前記凹凸を構成する突起あるいは孔を形成する透光部あるいは遮光部からずれた位置に前記回転の中心を設定して、透光部あるいは遮光部の位置を決定した露光マスクを用いて前記凹凸を構成する突起および孔を形成することが好ましい。
【００４５】
本発明の参考例において、前記光反射膜は、コンタクトホールを介して下層側あるいは上層側の導電層に電気的に接続し、前記コンタクトホール内を避けて前記光反射膜が形成されている場合がある。このような場合、前記回転の中心を前記コンタクトホールと重なる位置に設定することが好ましい。すなわち、前記光反射膜がコンタクトホールを介して下層側あるいは上層側の導電層に電気的に接続しているとともに、前記コンタクトホール内を避けて前記光反射膜が形成されている場合には、前記回転の中心を前記コンタクトホールと重なる位置に設定して透光部あるいは遮光部を決定した露光マスクを用いて前記凹凸を構成する突起および孔を形成することが好ましい。
【００４６】
本発明の参考例において、前記光反射膜には、透過モードでの表示を行うための光透過孔が形成されている場合には、当該光透過孔内に前記回転の中心を設定することが好ましい。すなわち、前記光反射膜には、透過モードでの表示を行うための光透過孔が形成されている場合には、当該光透過孔内に前記回転の中心を設定して透光部あるいは遮光部を決定した露光マスクを用いて前記凹凸を構成する突起および孔を形成することが好ましい。
【００４７】
本発明の参考例においては、例えば、左端と右端のパターンおよび上端と下端のパターンがそれぞれ連続性を有した凹凸パターンを備えた矩形領域を基本パターンとし、該基本パターンからの切り出し領域を端部でのパターンの連続性を保ちつつ上下左右に平行移動して得た複数の凹凸パターンによって、前記画素に対し、前記凹凸を構成する突起および孔の位置を決定する。
【００４８】
この場合、前記切り出し領域は、複数画素分であることが好ましい。
【００４９】
本発明の参考例において、前記切り出し領域が１画素分である場合には、当該切り出し領域の寸法は、画素で遮光膜が形成されている領域を除く開口領域に相当する寸法であることが好ましい。
【００５０】
本発明に係る電気光学装置は、例えば、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどといった電子機器の表示部として用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００５２】
［実施の形態１］
（電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された多数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００５３】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１００（液晶装置）は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学物質としての液晶５０が挟持されている。シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が形成されている。
【００５４】
なお、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド、ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、電気光学装置１００では、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略してある。
【００５５】
また、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述する）に対向する領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００５６】
このような構造を有する電気光学装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、多数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００５７】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００５８】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００５９】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【００６０】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール４ｄを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、画素電極９ａは、コンタクトホール４ｃ、５ｂを介してＴＦＴ３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極４１に、走査線３ｂと同層の容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００６１】
このように構成した各画素１００ａには、後述するように、画素電極９ａの下層側に、この画素電極９ａと略重なる領域に光反射膜８ａが形成されている。
【００６２】
このように構成した画素１００ａのＡ−Ａ′線における断面は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２ａが形成され、このゲート絶縁膜２ａの表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２ａを介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。
【００６３】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ｄを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ｃを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００６４】
第２層間絶縁膜５の上層には、有機系樹脂などの感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａ、およびポリシラザンや有機系樹脂などからなる上層側凹凸形成膜７ａがこの順に形成され、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。
【００６５】
光反射膜８ａの上層には、ＩＴＯ膜からなる透明な画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、画素電極９ａは、上層側凹凸形成膜７ａおよび第２層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。
【００６６】
ここで、光反射膜８ａは、コンタクトホール５ｂ内には形成されていないが、画素電極９ａに接しており、実質、画素電極９ａおよびコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している状態にある。
【００６７】
画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００６８】
また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００６９】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００７０】
また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００７１】
（凹凸パターンの構成）
図４および図５において、ＴＦＴアレイ基板１０では、各画素１００ａの反射領域には、光反射膜８ａの表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域（光反射膜形成領域）には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇが形成されている。
【００７２】
このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、有機系の感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａが第２層間絶縁膜５の表面に複数の柱状突起（凹凸）として所定の分布をもって形成され、この下層側凹凸形成膜１３ａの上層には、ポリシラザンや有機系樹脂などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる上層側凹凸形成膜７ａが積層されている。このため、反射膜８ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸に対応する凹凸パターン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇでは、上層側凹凸形成膜７ａによって、下層側凹凸形成膜１３ａのエッジなどが出ないようになっている。
【００７３】
なお、上層側凹凸形成膜７ａを形成せずに、下層側凹凸形成膜１３ａを形成した後、ベーク工程を行うことにより、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸（孔１３ｂ）の縁を滑らかにすることもある。
【００７４】
ここで、下層側凹凸形成膜１３ａで凹凸を形成する柱状突起は、円形、あるいは略多角形の平面形状を有している。
【００７５】
（対向基板の構成）
図５において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００７６】
（ＴＦＴの製造方法）
本形態に係るＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図６および図７を参照して説明する。
【００７７】
図６および図７はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１１の製造方法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、ＴＦＴ形成領域、および光反射膜形成領域の断面を示してある。
【００７８】
なお、本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたって、ＴＦＴ３０などの製造工程は、いわゆる低温プロセスと称せられる方法が採用され、このような方法については、すでに周知であるため、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の特徴と関連する工程のみを説明する。
【００７９】
本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたっては、図６（Ａ）に示すように、ガラス製等の基板１０′の表面にＴＦＴ３０を形成した以降、第２層間絶縁膜５にコンタクトホール５ｂを形成する。
【００８０】
次に、第２層間絶縁膜５の表面に、有機系の感光性樹脂１３を厚めに塗布した後、感光性樹脂１３を露光マスク５１０を介して露光する。ここで、感光性樹脂１３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図６（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去したい部分に対して、露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。
【００８１】
次に、露光した感光性樹脂１３を現像して、図６（Ｂ）に示すように、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に、図５を参照して説明した柱状突起、およびコンタクトホール５ｂを備えた下層側凹凸形成膜１３ａを形成する。
【００８２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜５および下層側凹凸形成膜１３ａの表面側に、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した後、焼成して、あるいは有機系樹脂からなる流動性材料７を塗布した後、図６（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してのパターニング、あるいは露光、現像により、コンタクトホール５ｂを備えた上層側凹凸形成膜７ａを形成する。
【００８３】
なお、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポリシラザンの一種であり、大気中で焼成することによってシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料である。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−（ＳｉＨ2 ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無機ポリマーの有機溶媒溶液（たとえば、２０％キシレン溶液）を塗布液としてスピンコート法（たとえば、２０００ｒｐｍ、２０秒間）で塗布した後、４５０℃の温度で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、ＣＶＤ法で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質のシリコン酸化膜を得ることができる。
【００８４】
ここで、上層側凹凸形成膜７ａは、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成される。
【００８５】
なお、上層側凹凸形成膜７ａを形成せずに、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを形成する場合には、図６（Ｂ）に示す状態でベーク工程を行って、下層側凹凸形成膜１３ａの縁を滑らかな形状にすればよい。
【００８６】
次に、図７（Ａ）に示すように、スパッタ法などによって、上層側凹凸形成膜７ａの表面にアルミニウム膜などといった反射性を備えた金属膜８を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５７を形成する。
【００８７】
次に、レジストマスク５５７を介して金属膜８にエッチングを行い、図７（Ｂ）に示すように、所定領域に光反射膜８ａを残す。このようにして形成した光反射膜８ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの孔１３ｂからなる凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、上層側凹凸形成膜７ａによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【００８８】
次に、図７（Ｃ）に示すように、光反射膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５８を形成する。
【００８９】
次に、レジストマスク５５８を介してＩＴＯ膜９にエッチングを行って、図７（Ｄ）に示すように、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａを形成する。
【００９０】
しかる後には、図５に示すように、画素電極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【００９１】
その結果、ＴＦＴアレイ基板１０が完成する。
【００９２】
（凹凸および凹凸パターンの構成）
図８は、ＴＦＴアレイ基板上において多数の画素を複数画素ずつ、複数のユニットにグループ分けしたときに、少なくともユニット内では画素毎に凹凸パターンが異なる形態をもって形成されているとともに、ユニット内で同一箇所にある画素の凹凸パターン（凹凸の平面的な位置分布）がユニット間で異なっている様子を示す説明図である。図９、図１０、図１１、および図１２は、本形態の電気光学装置のＴＦＴアレイ基板に付した凹凸パターンの説明図である。図１４は、凹凸の相対距離関係を評価するためのドロネイ三角形の説明図である。
【００９３】
本形態の電気光学装置１００では、画素電極９ａの下層側にアルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。このため、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射することができるので、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所望の画像を表示することができる（反射モード）。
【００９４】
また、本形態では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に下層側凹凸形成膜１３ａを形成し、この下層側凹凸形成膜１３ａに対応する凹凸を利用して、光反射膜８ａの表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成している。また、凹凸パターン８ｇでは、上層側凹凸形成膜７ａによって、下層側凹凸形成膜１３ａのエッジなどが出ないようになっている。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。
【００９５】
但し、光反射膜８ａ表面の凹凸パターン８ｇを各画素１００ａで完全同一とすると、光反射膜８ａからの反射光に干渉が発生してしまう。
【００９６】
そこで、本形態では、図８に示すように、マトリクス状に形成された多数の画素１００ａを複数画素ずつ、複数のユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・にグループ分けし、少なくともユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内では画素１００ａ毎に、凹凸パターン８ｇが異なる形態をもって形成された構成としている。
【００９７】
すなわち、各画素１００ａに下層側凹凸形成層１３ａを形成する際、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・に属する各画素１００ａに対して、下層側凹凸形成層１３ａが形成する柱状突起（凹凸）の平面的な形状、平面的なサイズ、平面的な位置分布を変えた凹凸パターン８ｇ（凹凸パターンＡ〜Ｌ）を形成するように、露光マスク５１０を設計してある。
【００９８】
ここで、凹凸は、平面的なサイズが異なるものが複数種類が形成されているが、図４および図５には、同一サイズで図示してある。
【００９９】
また、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内における各凹凸パターンＡ〜Ｌの位置がユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・間で異ならせてある。すなわち、第１番目のユニット１０１ａでは、例えば、上段で左から右に向かって凹凸パターンＡ、凹凸パターンＢ、凹凸パターンＣ・・と並んでるのに対して、第２番目のユニット１０２ａでは、上段で左から右に向かって凹凸パターンＧ、凹凸パターンＡ、凹凸パターンＨ・・と並び、第３番目のユニット１０３ａでは、上段で左から右に向かって凹凸パターンＥ、凹凸パターンＪ、凹凸パターンＡ・・と並んでいる。従って、ユニット内で同一箇所にある画素の凹凸パターン（凹凸の平面的な位置分布）がユニット間で異なっている
このような複数種類の凹凸パターンを形成するにあたっては、図６（Ａ）に示した露光マスク５１０を設計する際、例えば、図９（Ａ）に示す画素１００ａを基準画素１００ａ′とし、この基準画素１００ａ′に形成される凹凸パターンＡの凹凸を、画素領域内の所定の位置Ｏ１を中心に矢印Ｘで示すように回転移動させ、それにより得られる図９（Ｂ）、（Ｃ）に示すような凹凸パターンＢ、Ｃ・・を他の画素１００ａに形成することにより、各画素１００ａに異なる凹凸パターン８ｇを形成するように、露光マスク５１０の透光部分５１１を決定する。
【０１００】
ここで、回転中心Ｏ１は、画素領域内に設定されているが、このような場合、凹凸を構成する下層側凹凸形成膜１３ａの中心からずれた位置に回転中心を設定することが好ましい。また、回転中心を下層側凹凸形成膜１３ａの外周を規定する円上からずれた位置に設定することが好ましい。このように設定すると、各凹凸パターンＡ〜Ｌにおいて、回転中心となった箇所に下層側凹凸形成膜１３ａが常に形成されてしまうのを防止することができる。
【０１０１】
このような回転移動によって各種の凹凸パターンを形成する際、平行移動を組み合わせてもよい。すなわち、図１０（Ａ）に示す基準画素１００ａ′を、図１０（Ｂ）に示すように、中心となる位置Ｏ１を移動させながら、位置Ｏ１を中心に凹凸パターン８ｇを矢印Ｘで示すように回転移動させ、また、図１０（Ｃ）に示すように、中心となる位置Ｏ１を図１０（Ｂ）とは反対側に移動させながら、位置Ｏ１を中心に凹凸パターン８ｇを矢印Ｘで示すようにさらに回転移動させて、凹凸位置を決定してもよい。
【０１０２】
また、露光マスク５１０を設計する際、図１１（Ａ）に示す画素１００ａを基準画素１００ａ′とし、この基準画素１００ａ′に形成される凹凸パターンＡの凹凸を、画素領域外の所定の位置Ｏ２を中心に矢印Ｘで示すように回転移動させ、それにより得られる図１１（Ｂ）、（Ｃ）に示すような凹凸パターンＢ、Ｃ・・を他の画素１００ａに形成することにより、各画素１００ａに異なる凹凸パターン８ｇを形成してもよい。
【０１０３】
さらに、露光マスク５１０を設計する際、図１２（Ａ）に示す画素１００ａを基準画素１００ａ′とし、この基準画素１００ａ′に形成される凹凸パターンＡの凹凸を、画素領域内のコンタクトホール５ｂの形成位置Ｏ３を中心に矢印Ｘで示すように回転移動させ、それにより得られる図１２（Ｂ）、（Ｃ）に示すような凹凸パターンＢ、Ｃ・・を他の画素１００ａに形成することにより、各画素１００ａに異なる凹凸パターン８ｇを形成してもよい。この場合も、図５を参照して説明したように、光反射膜８ａがコンタクトホール５ｂ内に形成されていないので、コンタクトホール５ｂが各画素の同一位置に繰り返し出現してきても、光反射膜８ａからの反射光に干渉が発生しない。
【０１０４】
なお、図１１および図１２を参照して説明した方法を行う際にも、図１０を参照して説明したように、回転移動の際に回転の中心を移動させることにより、回転移動と平行移動とを組み合わせて、各画素に異なる凹凸パターンを形成してもよい。
【０１０５】
ここで、図９〜図１２に示す例では、基準画素１００ａ′に形成される凹凸パターンＡの凹凸を回転移動させたが、１つの画素よりも大きな凹凸形成用パターンを基準パターンとし、当該基準パターンを所定の位置を中心に回転移動させて得た凹凸パターンによって、各画素に対し、前記凹凸を構成する突起および孔の位置を決定してもよい。
【０１０６】
また、ユニットを構成するｍ個×ｎ個分の画素１００ａを合計した面積よりも大きな凹凸形成用パターンを基準パターンとし、当該基準パターンを所定の位置を中心に回転移動させて得たｍ個×ｎ個分の画素の凹凸パターンによって、各画素に対し、前記凹凸を構成する突起および孔の位置を決定してもよい。
【０１０７】
［本形態の効果］
このように本形態のＴＦＴアレイ基板１０を用いた電気光学装置１００では、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内で画素１００ａ毎に凹凸パターン８ｇが異なる形態をもって形成されているとともに、ユニット内における各凹凸パターン８ｇの位置がユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・間で異なっているため、同一の凹凸パターン８ｇが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜８ａからの反射光に干渉が発生しない。
【０１０８】
また、本形態では、各画素１００ａに対して、形態の異なる凹凸パターン８ｇを形成するにあたって、基準画素１００ａ′に形成されている凹凸を所定の位置を中心に回転移動させた凹凸パターン８ｇを他の画素１００ａに形成している。このため、本形態によれば、各画素１００ａにおいて、下層側凹凸形成膜１３ａの平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきが制御されている。すなわち、本形態では、基準画素１００ａの凹凸を回転させた上で転写したものに相当するため、基準画素１００ａに形成された下層側凹凸形成膜１３ａの平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきは、他の画素１００ａと同一であり、画素間でのばらつきが小さい。
【０１０９】
例えば、本形態において、下層側凹凸形成膜１３ａは、１画素内に平面的なサイズの異なる複数種類が形成されているが、このような１画素内での同一サイズの下層側凹凸形成膜１３ａの数は、画素間で等しい。
【０１１０】
また、図１３（Ａ）に示すように、凹凸パターン８ｇの形成領域を微小平面に区切って、図１３（Ｂ）に示すように、各微小面８ｈが基板平面（水平面）となす角度θを測定し、この角度θの１画素内における存在率をヒストグラム表示すると、図１３（Ｃ）、（Ｄ）に示すように表わされ、各画素間で多少の相違が発生する。このようなばらつきに関して、本形態では、この角度θが３°〜１０°である微小面の存在率の合計の各画素間での標準偏差／平均値が１０％以内に設定されている。
【０１１１】
さらに、下層側凹凸形成膜１３ａが形成されている総面積の各画素間での標準偏差／平均値が５％以内である。ここで、各画素には、表示品位を高めるためのブラックマトリクス（遮光膜）が形成される場合があり、このような場合、ブラックマトリクスが形成されている領域を除く領域内に位置する柱状突起の総面積の各画素間での標準偏差／平均値が５％以内であればよい。
【０１１２】
さらにまた、図１４に示すように、複数の下層側凹凸形成膜１３ａの中心の位置座標からドロネイ三角形を描いたとき、各ドロネイ線長さの標準偏差／平均値がいずれの画素においても、３５％以下である。
【０１１３】
従って、ＴＦＴアレイ基板１０に対する法線方向から１０度ないし３０度、傾いた方向からみたときの反射輝度の各画素間での標準偏差／平均値が１０％以内である。それ故、画素間での輝度むらやぎらつきの発生を回避することができる。
【０１１４】
なお、図１５に示すように、画素１００ａの端部で下層側凹凸形成膜１３ａが途切れたパターンとなる場合には、途切れた部分を反対側の辺に出現させて、下層側凹凸形成膜１３ａの面積の合計が、このサイズの下層側凹凸形成膜１３ａの正規の面積の整数倍であることが好ましい。このように構成すると、画素１００ａの端部で下層側凹凸形成膜１３ａが途切れた場合でも、１画素内に形成されている下層側凹凸形成膜１３ａの数、および面積を実質、同一とすることができる。
【０１１５】
［実施の形態１に対する変形例］
上記形態において、図９〜図１２に示すように凹凸パターンを回転させるにあたって、図１６に示すように、光反射膜８ａに、透過モードでの表示を行うための光透過孔８ｄが形成されている場合には、光透過孔８ｄ内に回転中心とすることが好ましい。このように構成すると、光透過孔８ｄには光反射膜８ａが形成されていないので、光透過孔８ｄが各画素の同一位置に繰り返し出現してきても、光反射膜８ａからの反射光に干渉が発生しない。
【０１１６】
また、図９〜図１２に示すように凹凸パターンを回転させる方法に限らず、凹凸パターンを平行移動させる構成であってもよい。すなわち、図１７に示すように、上下左右の境界のパターンが連続した基準パターンを、例えば、９個つなげて配置し、このパターンから基準パターンと同一面積の切り出し枠（点線で示す）を平行移動させながら、各場所でパターンを切り出してもよい。
【０１１７】
このような方法によれば、いずれの場所で切り出されたパターンも、上下左右の連続性が確保され、かつ、枠内のパターンは、座標が平行移動したパターンを得ることができる。ここで、切り出し枠の大きさについては、画素１つ分の大きさに限らず、基準パターンの大きさによっては、画素複数個分であってもよい。
【０１１８】
また、上記形態では、平面形状が円の柱状突起を形成する下層側凹凸形成膜１３ａを例に説明したが、柱状突起の平面形状については、六角形、６八角形、その他の多角形でもよい。但し、マスクデータおよび散乱特性を考慮すると、平面形状は円形、正六角形ないし正八角形が好ましい。さらに、凹凸を形成するにあたっては、下層側凹凸形成膜１３ａを柱状突起として形成する代わりに、略全面に下層側凹凸形成膜１３ａを形成するとともに、この下層側凹凸形成膜１３ａに孔を形成して凹凸を形成してもよい。
【０１１９】
また、上記形態では、ユニット内では画素毎に凹凸パターンが異なる形態をもって形成されているとともに、ユニット内における各凹凸パターンの位置がユニット間で異なっている構成であったが、多数の画素の各々に凹凸パターンが異なる形態をもって形成されている構成であってもよい。
【０１２０】
さらにまた、上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてトップゲート型のＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に説明したが、ボトムゲート型のＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用してもよい。また、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置、あるいはパッシブマトリクス型の液晶装置、さらには液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１２１】
［実施の形態２］
実施の形態１では、各画素において凹凸パターンを相違させたが、本形態では、各画素で凹凸パターンを相違させるとともに、各画素でコンタクトホールの位置を相違させた形態を説明する。なお、本形態の電気光学装置は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分については、同一の符号を付して図示するとともに、それらの説明を省略する。
【０１２２】
図１８は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１９は、電気光学装置の画素の一部を図１８のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【０１２３】
図１８において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、実施の形態１と同様、各画素１００ａに、複数の透明なＩＴＯ膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するように走査線３ａが延びている。
【０１２４】
データ線６ａは、コンタクトホール４ｄを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、画素電極９ａは、コンタクトホール５ｂを介してＴＦＴ３のドレイン電極６ｂに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは、コンタクトホール４ｃを介してＴＦＴ３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【０１２５】
本形態では、ドレイン電極６ｂは、略画素全体にわたって形成されているとともに、ドレイン領域６ｂが形成されている領域の任意の位置にコンタクトホール５ｂが形成される。
【０１２６】
このように構成した画素１００ａのＡ−Ａ′線における断面は、図１９に示すように表され、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ｄを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。
【０１２７】
第１層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ｃを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【０１２８】
第２層間絶縁膜５の上層には、有機系樹脂などの感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａ、およびポリシラザンや有機系樹脂などからなる上層側凹凸形成膜７ａがこの順に形成され、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。
【０１２９】
光反射膜８ａの上層には、ＩＴＯ膜からなる透明な画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。
【０１３０】
ここで、光反射膜８ａは、上層側凹凸形成膜７ａおよび第２層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ｂ内にも形成され、このコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。また、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａは、光反射膜８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している状態にある。
【０１３１】
また、ＴＦＴ３０のドレイン電極６ｂは、光反射膜８ａの下層側において画素１００ａの略全体にわたって形成されている。このため、後述するように、コンタクトホール５ｂの位置を画素１００ａ毎に変えたとしても、ドレイン電極６ｂについては形成位置や形成範囲などを変更する必要がない。また、光反射膜８ａの下層側であれば、ドレイン電極６ｂを広い範囲にわたって形成しても、表示に寄与する光量が減少することもない。
【０１３２】
（凹凸パターン８ｇの構成）
図１８および図１９において、本形態でも、ＴＦＴアレイ基板１０では、各画素１００ａの反射領域には、光反射膜８ａの表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域（光反射膜形成領域）に、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇが形成されている。
【０１３３】
このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、有機系の感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａが第２層間絶縁膜５の表面に複数の柱状突起（凹凸）として所定の分布をもって形成され、この下層側凹凸形成膜１３ａの上層には、ポリシラザンや有機系樹脂などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる上層側凹凸形成膜７ａが積層されている。
【０１３４】
ここで、下層側凹凸形成膜１３ａにおいて凹凸を形成する柱状突起は、円形、あるいは略多角形の平面形状を有している。また、下層側凹凸形成膜１３ａにおいて凹凸を形成する柱状突起は、平面的なサイズが異なるものが複数種類、形成されているが、図１８および図１９には、同一サイズで図示してある。
【０１３５】
このように、凹凸パターン８ｇの形状、サイズ、および分布は、柱状突起を構成する下層側凹凸形成膜１３ａの形状、サイズ、および分布によって規定される。
【０１３６】
（ＴＦＴの製造方法）
本形態に係るＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図２０ないし図２２を参照して説明する。
【０１３７】
図２０、図２１および図２２はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１１の製造方法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、ＴＦＴ形成領域、および光反射膜形成領域の断面を示してある。
【０１３８】
なお、本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたって、ＴＦＴ３０などの製造工程は、いわゆる低温プロセスと称せられる方法が採用され、このような方法については、すでに周知であるため、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の特徴と関連する工程のみを説明する。
【０１３９】
本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたっては、図２０（Ａ）に示すように、ガラス製等の基板１０′の表面にＴＦＴ３０を形成した以降、第１層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）などを構成するためのアルミニウム膜、タンタル膜、モリブデン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜６をスパッタ法などで３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。
【０１４０】
次に、レジストマスク５５５を介して導電膜６にドライエッチングを行い、図２０（Ｂ）に示すように、データ線６ａ、およびドレイン電極６ｂを形成する。
【０１４１】
次に、図２０（Ｃ）に示すように、データ線６ａ、およびドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法などにより、シリコン窒化膜などからなる第２層間絶縁膜５を１００ｎｍ〜３００ｎｍの膜厚に形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第２層間絶縁膜５にコンタクトホールなどを形成するためのレジストマスク５５６を形成する。
【０１４２】
次に、レジストマスク５５６を介して第２層間絶縁膜５にドライエッチングを行い、図２０（Ｄ）に示すように、第２層間絶縁膜５のうち、ドレイン電極６ｂに対応する部分にコンタクトホール５ｂを形成する。
【０１４３】
次に、図２１（Ａ）に示すように、第２層間絶縁膜５の表面に、有機系の感光性樹脂１３を厚めに塗布した後、感光性樹脂１３を露光マスク５１０を介して露光する。ここで、感光性樹脂１３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図２１（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去したい部分に対して、露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。
【０１４４】
次に、露光した感光性樹脂１３を現像して、図２１（Ｂ）に示すように、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に、図１９を参照して説明した柱状突起、、およびコンタクトホール５ｂを備えた下層側凹凸形成膜１３ａを形成する。
【０１４５】
次に、図２１（Ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜５および下層側凹凸形成膜１３ａの表面側に、流動性材料７を塗布した後、図２１（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してのパターニング、あるいは露光、現像により、コンタクトホール５ｂを備えた上層側凹凸形成膜７ａを形成する。
【０１４６】
次に、図２２（Ａ）に示すように、スパッタ法などによって、上層側凹凸形成膜７ａの表面にアルミニウム膜などといった反射性を備えた金属膜８を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５７を形成する。
【０１４７】
次に、レジストマスク５５７を介して金属膜８にエッチングを行い、図２２（Ｂ）に示すように、所定領域に光反射膜８ａを残す。このようにして形成した光反射膜８ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａによって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、上層側凹凸形成膜７ａによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【０１４８】
次に、図２２（Ｃ）に示すように、光反射膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５８を形成する。
【０１４９】
次に、レジストマスク５５８を介してＩＴＯ膜９にエッチングを行って、図２２（Ｄ）に示すように、コンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａを形成する。
【０１５０】
（凹凸および凹凸パターンの構成）
本形態の電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、画素電極９ａの下層側にアルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されているため、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射することができるので、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所望の画像を表示することができる（反射モード）。
【０１５１】
但し、本形態でも、光反射膜８ａ表面の凹凸パターン８ｇを各画素１００ａで完全同一とすると、光反射膜８ａからの反射光に干渉が発生してしまうので、実施の形態１において、図８を参照して説明したように、マトリクス状に形成された多数の画素１００ａを複数画素ずつ、複数のユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・にグループ分けし、少なくともユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内では画素１００ａ毎に、凹凸パターン８ｇが異なる形態をもって形成された構成としている。すなわち、各画素１００ａに下層側凹凸形成層１３ａを形成する際、図９〜図１２を参照して説明した凹凸パターンの設計手法を利用して、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・に属する各画素１００ａに対して、下層側凹凸形成層１３ａが形成する柱状突起（凹凸）の平面的な形状、平面的なサイズ、平面的な位置分布を変えた凹凸パターン８ｇ（凹凸パターンＡ〜Ｌ）を形成するように、露光マスク５１０を設計してある。
【０１５２】
（コンタクトホール５ｂと画素１００ａとの関係）
また、本形態では、図９〜図１２を参照して説明した凹凸パターンの設計手法を利用して、コンタクトホール５ｂの形成位置を各画素１００ａで相違させてある。
【０１５３】
すなわち、各画素１００ａに対するコンタクトホール５ｂの形成位置パターンを設計する際、図８に示すように、マトリクス状に形成された多数の画素１００ａを複数画素ずつ、複数のユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・にグループ分けし、少なくともユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内では画素１００ａ毎にコンタクトホール５ｂが異なる位置に形成されるように、光反射膜８ａに対するパターニング用露光マスクを設計してある。すなわち、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内におけるコンタクトホール５ｂの形成位置パターンを凹凸パターンＡ〜Ｌに対応させてユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・間で異ならせてある。
【０１５４】
しかも、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・間では、ユニット内における位置が同一の画素１００ａにおけるコンタクトホール５ｂの形成位置が全て相違している。
【０１５５】
このようにコンタクトホール５ｂの形成位置パターンを画素毎に相違させるにあたっては、コンタクトホール５ｂを形成するための露光マスクを設計する際、凹凸パターンを決定するときと同様、図２３（Ａ）に示す画素１００ａを基準画素１００ａ′とし、この基準画素１００ａ′に形成されるコンタクトホール５ｂの位置を、画素領域内の所定の位置Ｏ１を中心に矢印Ｘで示すように回転移動させ、それにより得られる図２３（Ｂ）、（Ｃ）に示すコンタクトホール５ｂの形成位置に対応するように、他の画素１００ａを形成する露光マスクの透光部分などを決定すればよい。このような方法を採用すれば、各画素１００ａにおいてコンタクトホール５ｂの面積は等しいが、コンタクトホール５ｂの形成位置を相違させることができる。
【０１５６】
また、このような回転移動によって各種の凹凸パターンやコンタクトホール５ｂの形成位置を設定する際、平行移動を組み合わせてもよい。すなわち、図２４（Ａ）に示す基準画素１００ａ′を、図２４（Ｂ）に示すように、中心となる位置Ｏ１を移動させながら、位置Ｏ１を中心にコンタクトホール５ｂの位置を矢印Ｘで示すように回転移動させ、また、図２４（Ｃ）に示すように、中心となる位置Ｏ１を図２４（Ｂ）とは反対側に移動させながら、位置Ｏ１を中心にコンタクトホール５ｂの位置を矢印Ｘで示すようにさらに回転移動させて、凹凸位置を決定してもよい。
【０１５７】
また、図２５（Ａ）に示す画素１００ａを基準画素１００ａ′とし、この基準画素１００ａ′に形成されるコンタクトホール５ｂの位置を、画素領域外の所定の位置Ｏ２を中心に矢印Ｘで示すように回転移動させ、それにより得られる図２５（Ｂ）、（Ｃ）に示すようなコンタクトホール５ｂを他の画素１００ａに適用してもよい。
【０１５８】
さらに、露光マスク５１０を設計する際、図２６（Ａ）に示す画素１００ａを基準画素１００ａ′とし、この基準画素１００ａ′に形成されるコンタクトホール５ｂの位置を、画素領域内のコンタクトホール４ｃの形成位置Ｏ３を中心に矢印Ｘで示すように回転移動させ、それにより得られる図２６（Ｂ）、（Ｃ）に示すようなコンタクトホール５ｂを他の画素１００ａに形成することにより、各画素１００ａに異なる凹凸パターン８ｇを形成してもよい。
【０１５９】
このように本形態のＴＦＴアレイ基板１０を用いたアクティブマトリクス型の電気光学装置１００では、実施の形態１と同様、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内で画素１００ａ毎に凹凸パターン８ｇが異なる形態をもって形成されているとともに、ユニット内における各凹凸パターン８ｇの位置がユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・間で異なっているため、同一の凹凸パターン８ｇが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜８ａからの反射光に干渉が発生しない。また、各画素１００ａに対して、形態の異なる凹凸パターン８ｇを形成するにあたって、基準画素１００ａ′に形成されている凹凸を所定の位置を中心に回転移動させた凹凸パターン８ｇを他の画素１００ａに形成している。このため、本形態によれば、各画素１００ａにおいて、下層側凹凸形成膜１３ａの平面的な形状、平面的なサイズ、あるいは平面的な位置分布のばらつきが制御されている。
【０１６０】
また、本形態では、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・内で画素１００ａ毎にコンタクトホール５ｂの形成位置が相違しているとともに、ユニット内における各コンタクトホール５ｂの形成位置パターンがユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・間で異なっている。しかも、ユニット１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ・・間では、ユニット内における位置が同一の画素１００ａにおけるコンタクトホール５ｂの形成位置が全て相違している。このため、電気光学装置１００をいずれの方向から眺めてもコンタクトホール５ｂが各画素１００ａの同一位置に繰り返し、出現するようなことがない。それ故、コンタクトホール５ｂ内にも光反射膜８ａが形成されている場合でも、コンタクトホール５ｂの内壁の斜面部からの反射光に起因する干渉が発生しない。
【０１６１】
さらに、本形態では、各画素１００ａに対して、コンタクトホール５ｂを異なる位置に形成するにあたって、基準画素１００ａ′のコンタクトホール５ｂの位置を所定の位置を中心に回転移動、あるいはそれに平行移動を組み合わせて他の画素１００ａにコンタクトホール５ｂを形成している。このため、本形態によれば、各画素１００ａにおいて、コンタクトホール５ｂの形成位置は相違してても、コンタクトホール５ｂが占める面積は各画素１００ａで等しい。さらに、コンタクトホール５ｂと、下層側凹凸形成膜１３ｄにおいて凹凸を形成する柱状突起との相対位置も各画素１００ａで等しい。
【０１６２】
［実施の形態２の変形例］
上記形態では、ユニット内ではコンタクトホール５ｂが異なる位置に形成されているとともに、ユニット内におけるコンタクトホール５ｂの形成位置パターンがユニット間で異なっている構成であったが、多数の画素の各々において、コンタクトホール５ｂの形成位置が相違している構成であってもよい。
【０１６３】
また、ユニット内では各画素におけるコンタクトホールの形成位置が相違しているが、ユニット間でコンタクトホールの形成パターンが同一であってもよい。このように構成すると、従来であれば１画素周期で光が干渉が発生していたのをユニット周期まで拡大でき、干渉を抑制することができる。
【０１６４】
さらに、上記形態では、ユニット内では画素毎に凹凸パターンが異なる形態をもって形成されているとともに、ユニット内における各凹凸パターンの位置がユニット間で異なっている構成であったが、多数の画素の各々に凹凸パターンが異なる形態をもって形成されている構成であってもよい。
【０１６５】
なお、上記形態では、平面形状が例えば円の柱状突起を形成する下層側凹凸形成膜１３ａを例に説明したが、柱状突起の平面形状については、六角形、６八角形、その他の多角形でもよい。但し、マスクデータおよび散乱特性を考慮すると、平面形状は円形、正六角形ないし正八角形が好ましい。また、柱状突起に代えて孔を形成してもよい。
【０１６６】
さらにまた、上記形態では、全反射型の電気光学装置に本発明を適用した例であったが、光反射膜の一部に光透過穴を形成して半透過反射型の電気光学装置を構成する場合にも本発明を適用することができる。
【０１６７】
また、上記形態では、全反射型および半透過・反射型のいずれにも適用できるように光反射膜８ａの上層にＩＴＯ膜からなる画素電極８ａを形成した例を説明したが、全反射型であれば、光反射膜を画素電極としてもよく、また、ＩＴＯ膜からなる画素電極の上層に光反射膜を形成してもよい。また、ＩＴＯ膜は透過領域のみに形成しても良く、この場合は透過部と反射部の境界にＩＴＯ膜と反射膜との重なり領域を設けて、反射膜の上層あるいは下層にＩＴＯ膜を形成し、電気接続をとるのが好ましい。これらいずれの場合にもコンタクトホール内に光反射膜が形成されている場合に本発明を適用すると効果的である。
【０１６８】
［電気光学装置の電子機器への適用］
このように構成した反射型、あるいは半透過・半反射型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図２７、図２８（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【０１６９】
図２７は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【０１７０】
図２７において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置１００を用いることができる。
【０１７１】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【０１７２】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１７３】
図２８（Ａ）は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【０１７４】
図２８（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【０１７５】
〔発明の効果〕
以上のとおり、本発明では、ユニット内では画素毎に凹凸パターンが異なる形態をもって形成されているとともに、当該ユニット内における各凹凸パターンの位置がユニット間で異なっているため、同一の凹凸パターンが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、光反射膜からの反射光に干渉が発生しない。また、前記凹凸パターンにおいて、凹凸の形状、サイズ、あるいは分布のばらつきが制御されているため、画素間での輝度むらやぎらつきの発生を回避することができる。
【０１７６】
また、本発明の別の形態では、画素毎にコンタクトホールの形成位置が異なっているため、電気光学装置をいずれの方向から眺めても画素の同一位置にコンタクトホールが繰り返し、出現するようなことがない。それ故、コンタクトホール内に光反射膜が形成されている場合でも、コンタクトホールの内壁の傾斜部分からの反射光に起因する干渉が発生しない。
【図面の簡単な説明】
【０１７７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図３】図１に示す電気光学装置において、マトリクス状に配置された多数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図４】図１に示す電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は、図５に示す電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、図５に示す電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図６に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図８】図１に示す電気光学装置において、画素の各ユニットに対して、異なる凹凸パターンを配置した様子を示す説明図である。
【図９】図１に示す電気光学装置において、画素に形成する凹凸パターンの違いを示す説明図である。
【図１０】図１に示す電気光学装置において、画素に形成する凹凸パターンの違いを示す説明図である。
【図１１】図１に示す電気光学装置において、画素に形成する凹凸パターンの違いを示す説明図である。
【図１２】図１に示す電気光学装置において、画素に形成する凹凸パターンの違いを示す説明図である。
【図１３】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置において、凹凸パターンの形成領域を微小平面に区切った状態の説明図、各微小面が基板平面（水平面）となす角度θの説明図、この角度θの画素内における存在率のヒストグラム、および別の画素における角度θの存在率のヒストグラムである。
【図１４】図１に示す電気光学装置において、凹凸の相対距離関係を評価するためのドロネイ三角形の説明図である。
【図１５】図１に示す電気光学装置において、画素の端部で凹凸が途切れている様子を示す説明図である。
【図１６】半透過・反射型電気光学装置の画素に異なる凹凸パターンを付すときの回転中心への制約を示す説明図である。
【図１７】図１に示す電気光学装置において、平行移動により各種凹凸パターンを形成するときの説明図である。
【図１８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図１９】図１８のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図である。
【図２０】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１８に示すＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２１】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１８に示すＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図２０に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図２２】（Ａ）〜（Ｄ）は、図１８に示すアクティブマトリクス型の電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２３】図１８に示す電気光学装置において、画素に形成するコンタクトホールの形成位置の違いを示す説明図である。
【図２４】図１８に示す電気光学装置において、画素に形成するコンタクトホールの形成位置の違いを示す説明図である。
【図２５】図１８に示す電気光学装置において、画素に形成するコンタクトホールの形成位置の違いを示す説明図である。
【図２６】図１８に示す電気光学装置において、画素に形成するコンタクトホールの形成位置の違いを示す説明図である。
【図２７】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図２８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ、および携帯電話機の説明図である。
【図２９】従来の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【図３０】従来の電気光学装置の画素の一部の断面図である。
【符号の説明】
【０１７８】
１ａ  半導体膜、１ａ′  チャネル形成用領域、２  ゲート絶縁膜、３ａ  走査線、３ｂ  容量線、４  第１層間絶縁膜、５  第２層間絶縁膜、５ｂ  コンタクトホール、６ａ  データ線、６ｂ  ドレイン電極、７ａ  上層側凹凸形成膜、８ａ  光反射膜、８ｇ  凹凸パターン、９ａ  画素電極、１０  ＴＦＴアレイ基板、１１  下地保護膜、１３ａ  下層側凹凸形成膜、２０  対向基板、２１  対向電極、３０  画素スイッチング用のＴＦＴ、５０  液晶、６０  蓄積容量、１００  電気光学装置、１００ａ  画素、１００ａ  基準画素
【図１】
2006106780.tif 000003
【図２】
2006106780.tif 000004
【図３】
2006106780.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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