(57)【要約】    【課題】ＧＭＲヘッドの高感度化によりＥＳＤ耐圧が低下しており、サスペンション上の配線での記録信号からのクロストークを小さくする必要がある。    【解決手段】磁気ヘッドスライダ１の素子形成面での端子配置は、外側からグランドＧ、リードＲ＋、リードＲ−、ライトＷ＋、ライトＷ−の順である。このような端子配列にすることにより、サスペンション上での配線の順番は、端子の配列とは入れ替わり、リード線Ｒ−,リード線Ｒ＋、グランドラインＧ、ライト線Ｗ−、ライト線Ｗ＋の順となる。すなわち、グランドラインＧはライト線Ｗとリード線Ｒの間に入ることになる。したがって、ライト線Ｗとリード線Ｒの配線が隣りあうことは無く、また、グランドラインＧが間に入ることにより、ライト線Ｗに流れる高周波の記録電流によるリード線Ｒへのクロストークが低減される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部分と、
該基板部分の上部に形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、
該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、該基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全てに対するグランドライン用のグランド端子とを備えた端子配列構造とを有し、該端子配列構造において前記グランド端子を前記第１の端子及び第２の端子の外側に配置したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記グランド端子は１個であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２及びグランド端子は一列に配置され、該グランド端子は該第１及び第２の端子配列の外側に配置されることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
基板部分と、
該基板部分の上に絶縁層を介して形成された発熱抵抗体と、
該発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、
該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、前記発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子と、前記基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全て及び前記発熱抵抗体に対するグランドライン用のグランド端子とを備えた端子配列構造とを有し、該端子配列構造において前記グランド端子と第３の端子を前記第１及び第２の端子の両側に配置したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記第３の端子は１個、前記グランド端子は１個であることを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項６】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２，第３及びグランド端子は一列に配置され、該グランド端子と第３の端子は前記第１及び第２の端子配列の両側に配置されることを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項７】
基板部分と、該基板部分の上部に形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、該基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全てに対するグランドライン用のグランド端子とを備え、かつ該グランド端子が前記第１の端子及び第２の端子の外側に配置された端子配列構造とを有する磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダの前記第１の端子に接続される第１の配線と、前記第２の端子に接続される第２の配線と、前記グランド端子に接続されるグランドラインとを所定の方向に案内すると共に、該グランドラインを中央に配置することにより前記第１の配線と前記第２の配線を分離する配線構造を備えるサスペンションと、
を有することを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項８】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記グランド端子は１個であることを特徴とする請求項７記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項９】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２及びグランド端子は一列に配置され、該グランド端子は前記第１及び第２の端子配列の外側に配置されることを特徴とする請求項７記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１０】
基板部分と、該基板部分の上に絶縁層を介して形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、前記発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子と、前記基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全て及び前記発熱抵抗体に対するグランドライン用のグランド端子とを備え、かつ該グランド端子と第３の端子が前記第１及び第２の端子の両側に配置された端子配列構造とを有する磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダの前記第１の端子に接続される第１の配線と、前記第２の端子に接続される第２の配線と、前記第３の端子に接続される第３の配線と、前記グランド端子に接続されるグランドラインとを所定の方向に案内すると共に、前記グランドラインと第３の配線を中央に配置することにより前記第１の配線と前記第２の配線を分離する配線構造を備えるサスペンションと、
を有することを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１１】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記第３の端子は１個、前記グランド端子は１個であることを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１２】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２，第３及びグランド端子は一列に配置され、該グランド端子と第３の端子は前記第１及び第２の端子配列の両側に配置されることを特徴とする請求項１０記載の磁気ヘッドアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッドスライダをサスペンションで支持した磁気ヘッドアセンブリに係り、特に記録素子用の配線と再生素子用の配線間でクロストーク等の影響が少ない磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッドアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置の読み出し素子として、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を用いたスピンバルブ素子が実用化されている。記録密度の向上とともに再生感度の向上がなされ、それとともに製造工程での静電気（ＥＳＤ）によるダメージが問題となってきている。静電気によるダメージにより絶縁破壊や溶融の他に波形変動やノイズの増加などが生じるため、ヘッド歩留まりとともに信頼性の上でも大きな問題となっている。静電気によるダメージの対策として、ＧＭＲヘッドのリード端子間をサスペンション上で短絡させ、組立完了前に開路させる方法、ＧＭＲヘッドのリード端子間に抵抗を入れ電流を分流させる方法等が提案されている。
【０００３】
しかしながら、製造工程以降の伝送線路でのクロストークの影響等については上記対策では効果が得られない。つまり、ＧＭＲヘッドのＥＳＤ耐圧の低下に伴い、サスペンション上の配線での記録信号からのクロストークの影響を小さくする必要がある。特許文献１には、急峻な立上り及び立下りを有する書込み電流を用いた場合にも、読出しヘッド素子の特性変化や破壊を防止するために、サスペンション上の配線部材である互いに隣接する第１及び第２のリード導体パターン間に、グランド（ＧＮＤ）パターン又は電源電圧（Ｖｃｃ）パターンを配置する構成が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−９３０９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＧＭＲヘッドには磁気記録素子に接続される２本のリード線と、磁気再生素子に接続される２本のリード線が必要であり、最近ではＴＦＣ（Thermal Fly height Control）のための発熱抵抗体に接続される新たなる配線も必要になっている。また、ＧＭＲヘッドと磁気ディスクの距離が狭まっているために、静電気による放電を防止する必要があり、スライダ、磁気記録素子及び磁気再生素子をグランドに落とすための配線も必要である。したがって、配線の数は５本から８本も必要になり、これらの配線が接続される端子の数も増え、これらの端子に接続されるサスペンション上の配線も同様であり、配線間隔を益々狭めねばならず、磁気記録素子用の配線と磁気再生素子用の配線間のクロストークの問題は益々深刻になっている。
【０００６】
本発明の目的は、磁気記録素子用の配線と磁気再生素子用の配線間のクロストークを少なくすることができる磁気ヘッドスライダを提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、磁気記録素子用の配線と磁気再生素子用の配線間のクロストークが少ない磁気ヘッドアセンブリを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドスライダにおいては、
基板部分と、
該基板部分の上部に形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、
該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、該基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全てに対するグランドライン用のグランド端子とを備えた端子配列構造とを有し、該端子配列構造において前記グランド端子を前記第１の端子及び第２の端子の外側に配置したことを特徴とする。
【０００９】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記グランド端子は１個である。
【００１０】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２及びグランド端子は一列に配置され、該グランド端子は該第１及び第２の端子配列の外側に配置される。
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドスライダにおいては、
基板部分と、
該基板部分の上に絶縁層を介して形成された発熱抵抗体と、
該発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、
該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、前記発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子と、前記基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全て及び前記発熱抵抗体に対するグランドライン用のグランド端子とを備えた端子配列構造とを有し、該端子配列構造において前記グランド端子と第３の端子を前記第１及び第２の端子の両側に配置したことを特徴とする。
【００１２】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記第３の端子は１個、前記グランド端子は１個である。
【００１３】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２，第３及びグランド端子は一列に配置され、該グランド端子と第３の端子は前記第１及び第２の端子配列の両側に配置される。
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドアセンブリにおいては、
基板部分と、該基板部分の上部に形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、該基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全てに対するグランドライン用のグランド端子とを備え、かつ該グランド端子が前記第１の端子及び第２の端子の外側に配置された端子配列構造とを有する磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダの前記第１の端子に接続される第１の配線と、前記第２の端子に接続される第２の配線と、前記グランド端子に接続されるグランドラインとを所定の方向に案内すると共に、該グランドラインを中央に配置することにより前記第１の配線と前記第２の配線を分離する配線構造を備えるサスペンションと、
を有することを特徴とする。
【００１５】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記グランド端子は１個である。
【００１６】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２及びグランド端子は一列に配置され、該グランド端子は前記第１及び第２の端子配列の外側に配置される。
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドアセンブリにおいては、
基板部分と、該基板部分の上に絶縁層を介して形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気再生素子及び磁気記録素子と、該磁気再生素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気記録素子に対する配線用の第２の端子と、前記発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子と、前記基板部分，磁気再生素子及び磁気記録素子のいずれかあるいは全て及び前記発熱抵抗体に対するグランドライン用のグランド端子とを備え、かつ該グランド端子と第３の端子が前記第１及び第２の端子の両側に配置された端子配列構造とを有する磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダの前記第１の端子に接続される第１の配線と、前記第２の端子に接続される第２の配線と、前記第３の端子に接続される第３の配線と、前記グランド端子に接続されるグランドラインとを所定の方向に案内すると共に、前記グランドラインと第３の配線を中央に配置することにより前記第１の配線と前記第２の配線を分離する配線構造を備えるサスペンションと、
を有することを特徴とする。
【００１８】
前記第１の端子は２個、前記第２の端子は２個、前記第３の端子は１個、前記グランド端子は１個である。
【００１９】
前記端子配列構造は、前記磁気記録素子を覆って形成された絶縁層の上に形成され、前記第１，第２，第３及びグランド端子は一列に配置され、該第３の端子とグランド端子は前記第１及び第２の端子配列の両側に配置される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、磁気記録素子用の配線と磁気再生素子用の配線間のクロストークを少なくすることができる磁気ヘッドスライダを提供することができる。
【００２１】
さらに本発明によれば、磁気記録素子用の配線と磁気再生素子用の配線間のクロストークが少ない磁気ヘッドアセンブリを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の実施例による磁気ヘッドアセンブリが搭載される磁気ディスク装置の構成図であり、図１（ａ）はカバーを外した状態の平面図、図１（ｂ）はスピンドルモータ部分及びロータリーアクチュエータ部分の断面図である。磁気ディスク装置１０は、スピンドルモータ７によって回転する磁気ディスク８上の所定位置に、サスペンション４の先端に固定された磁気ヘッドスライダ１に搭載された磁気ヘッド２（図３参照）によって磁化信号の記録再生を行う。サスペンション４はアーム５を介してロータリーアクチュエータ６に支持され、ロータリーアクチュエータ６を駆動することにより、磁気ヘッド２の磁気ディスク半径方向の位置（トラック）を選択することができる。磁気ヘッド２への記録信号及び磁気ヘッド２からの読み出し信号は信号処理回路９ａ，９ｂにて処理される。
【００２３】
図２に、本発明の一実施例による磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッドアセンブリの外観図を示す。磁気ヘッドアセンブリは磁気ヘッド２が形成された磁気ヘッドスライダ１と、磁気ヘッドスライダ１を支持するフレクシャ３と、フレクシャ３の一端が固定されたサスペンション４によって構成されている。磁気ヘッド２はＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドであり、磁気ヘッドスライダ１の空気流出端側の素子形成面に形成されている。素子形成面に形成された磁気ヘッド２の上部には絶縁体による保護膜が形成され、この保護膜上に磁気ヘッド２の磁気記録素子及び磁気再生素子のリード線が接続される端子が形成される。図２では磁気ヘッド２は見えず、５個の端子が見えている。
【００２４】
図３に、面内磁気記録方式の磁気ヘッドを磁気ディスク断面方向から見た図を示す。再生ヘッド２０は、基板部分（スライダ）４０上に、下部磁気シールド２１と上部磁気シールド２５を有し、この間に下部ギャップ層２２と上部ギャップ層２４挟まれた磁気再生素子（ＧＭＲ素子）２３を有している。上部磁気シールド２５の上には、絶縁分離層２６が形成される。記録ヘッド３０は、下部磁極３１と、上部磁極３５と、その間に位置し磁気ディスク８に面するＡＢＳ表面に磁気ギャップを形成する磁気ギャップ層３２と、層間絶縁層３４の中に形成されたコイル３３とを有する。スライダ４０と、再生ヘッド２０のＧＭＲ素子２３，上部及び下部磁気シールド２５，２１と、記録ヘッド３０の上部及び下部磁極３５，３１のいずれかあるいは全ては、適切なる抵抗（３ＫΩ程度）を介してグランド端子（図示せず）に接続される。面内記録方式は、図３に示すように、記録の際に、下部磁極３１から漏洩した磁束が、磁気ディスク８の周回トラックを面内方向に磁化する。再生の際には、回転する磁気ディスク８の磁化された領域からの漏洩磁束が、再生ヘッド２０のＧＭＲ素子２３に注入されて、ＧＭＲ素子２３内部で抵抗変化が起こり、この抵抗変化が電流変化あるいは電圧変化として検出される。
【００２５】
図４に、ＴＦＣ（Thermal Fly height Control）のための発熱抵抗体５０を設けた磁気ヘッド２の断面構成を示す。基板部分４０の上に絶縁層４１を形成し、その上に発熱抵抗体５０を設け、さらに絶縁層４１で覆い、その上に図３に示した再生ヘッド２０及び記録ヘッド３０を形成したものである。発熱抵抗体５０はシングルエンドドライバとし、その片側をグランド端子と接続させる。そのほかの構成は図３の構成と同じである。このヘッドは、発熱抵抗体５０に通電することにより、再生ヘッド２０及び記録ヘッド３０の周囲を加熱し、熱膨張によりＡＢＳ面への突出量を制御することにより、再生ヘッド２０及び記録ヘッド３０と磁気ディスク８との距離を制御するものである。
【００２６】
図５に、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドを磁気ディスク断面方向から見た図を示す。再生ヘッド２０は、基板部分（スライダ）４０上に、下部磁気シールド２１と上部磁気シールド２５間に下部ギャップ層２２と上部ギャップ層２４挟まれた磁気再生素子２３を有している。上部磁気シールド２５の上には、絶縁分離層２６が形成される。記録ヘッド３０は、下部磁極３１と、上部磁極３５と、その間に位置し磁気ディスク８に面するＡＢＳ表面に磁気ギャップを形成する磁気ギャップ層３２と、層間絶縁層３４の中に形成されたコイル３３とを有する。スライダ４０と、再生ヘッド２０のＧＭＲ素子２３，上部及び下部磁気シールド２５，２１と、記録ヘッド３０の上部及び下部磁極３５，３１のいずれかあるいは全ては、適切なる抵抗（３ＫΩ程度）を介してグランド端子（図示せず）に接続される。
【００２７】
記録の際には、信号電流をコイル３３に通電することにより下部磁極３１及び上部磁極３５に磁束が誘導され、ＡＢＳ表面で漏洩する。下部磁極３１から漏洩した磁束は、磁気ディスク８０の下部軟磁性層８１を経由して上部磁極３５に帰還する。この磁束により、記録操作の際に記録層８２上の周回トラックを垂直方向に磁化する。再生の際には、回転する磁気ディスク８０の磁化された領域からの漏洩磁束が、再生ヘッドのＧＭＲ素子２３に注入されて、ＧＭＲ素子２３の内部で抵抗変化が起こる。この抵抗変化は再生素子２３の電流変化あるいは電圧変化として検出される。なお、この垂直磁気記録方式の磁気ヘッドにおいてもＴＦＣ（Thermal Fly height Control）のための発熱抵抗体５０を基板部分４０と再生ヘッド２０の間に設けることができる。
【００２８】
続いて、図６を参照して図３に示した磁気ヘッド２の、磁気ヘッドスライダ１の素子形成面での端子配列と、サスペンション４上での配線構造の第１の実施例について説明する。図３に示した磁気ヘッド２の場合は、再生ヘッド２０からのリード線が２本、記録ヘッド３０からのリード線が２本、グランドラインが１本の合計５本のリード線及びグランドラインがあり、これらのリード線及びグランドラインが接続される端子も５個必要となる。また、これらの端子に接続され、サスペンション４上に配線されるリード線及びグランドラインも５本必要である。スライダの素子形成面での端子配置は、外側からグランドＧ、リードＲ＋、リードＲ−、ライトＷ＋、ライトＷ−の順である。このような端子配列にすることにより、サスペンション４上での配線の順番は、端子の配列とは入れ替わり、リード線Ｒ−,リード線Ｒ＋、グランドラインＧ、ライト線Ｗ−、ライト線Ｗ＋の順となる。すなわち、グランドラインＧはライト線Ｗとリード線Ｒの間に入ることになる。したがって、ライト線Ｗとリード線Ｒの配線が隣りあうことは無く、また、グランドラインＧが間に入ることにより、ライト線Ｗに流れる高周波の記録電流によるリード線Ｒへのクロストークが低減される。
【００２９】
図７は第２の実施例であり、図４に示したＴＦＣ素子を備えた磁気ヘッド２の、磁気ヘッドスライダ１の素子形成面での端子配列と、サスペンション４上での配線構造について示す図である。上記第１の実施例との違いは、ＴＦＣ素子を構成する発熱抵抗体５０用の端子Ｔと、サスペンション４上のＴＦＣ線Ｔが増えていることである。この場合もサスペンション４上でＴＦＣ線ＴとグランドラインＧが中央に配置されるように、スライダの素子形成面における端子配列は、両外側にグランド端子ＧとＴＦＣ端子Ｔを配置し、その間にリード端子Ｒとライト端子Ｗを配置する。具体的には、一方の外側よりグランドＧ、リードＲ＋、リードＲ−、ライトＷ＋、ライトＷ−、ＴＦＣ Ｔの順である。サスペンション上での配線の順番は、入れ替わり、リード線Ｒ−,リード線Ｒ＋、グランドラインＧ、ＴＦＣ線Ｔ、ライト線Ｗ−、ライト線Ｗ＋の順となる。これにより、グランドラインＧとＴＦＣ線Ｔはライト線Ｗとリード線Ｒの間に入ることになる。したがって、ライト線Ｗとリード線Ｒの配線が隣りあうことは無く、また、グランドラインＧとＴＦＣ線Ｔが間に入ることにより、ライト線Ｗに流れる高周波の記録電流によるリード線Ｒへのクロストークが低減される。
【００３０】
次に、図８〜図１１を参照して磁気ヘッドスライダ１の素子形成面における端子配列構造の具体例を説明する。図８は、磁気ヘッドスライダ１を素子形成面側から見た図であり、図６に対応するもので、端子の配列は左側からグランドＧ、リードＲ＋、リードＲ−、ライトＷ＋、ライトＷ−である。図９の例は、左側からグランドＧ、ライトＷ＋、ライトＷ−、リードＲ＋、リードＲ−である。図１０の例は図７に対応するものであり、左側からグランドＧ、リードＲ＋、リードＲ−、ライトＷ＋、ライトＷ−、ＴＦＣ Ｔである。図１１の例は、左側からグランドＧ、ライトＷ＋、ライトＷ−、リードＲ＋、リードＲ−、ＴＦＣ Ｔである。
【００３１】
なお、上記端子配列構造において、さらに耐腐食用パッドや素子加工検知用パッド等を設ける場合は、グランド端子は、リード端子，ライト端子及びグランド端子の中で最外位置に、またはリード端子，ライト端子，ＴＦＣ端子及びグランド端子の中で最外位置に配置される。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明による磁気ヘッドアセンブリが搭載される磁気ディスク装置の構成図である。
【図２】本発明の一実施例による磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッドアセンブリの外観図である。
【図３】面内磁気記録方式の磁気ヘッドを磁気ディスク断面方向から見た図を示す。
【図４】ＴＦＣ素子を備えた面内磁気記録方式の磁気ヘッドを磁気ディスク断面方向から見た図を示す。
【図５】垂直磁気記録方式の磁気ヘッドを磁気ディスク断面方向から見た図を示す。
【図６】第１の実施例による端子配列構造と配線構造を模式的に示す図である。
【図７】第２の実施例による端子配列構造と配線構造を模式的に示す図である。
【図８】端子配列構造の一例（図６に対応）を示す図である。
【図９】端子配列構造の他の例を示す図である。
【図１０】端子配列構造の他の例（図７に対応）を示す図である。
【図１１】端子配列構造の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…磁気ヘッドスライダ、
２…磁気ヘッド、
３…フレクシャ、
４…サスペンション、
５…アーム、
６…ロータリーアクチュエータ、
７…スピンドルモータ、
８…磁気ディスク、
９ａ，９ｂ…信号処理回路、
１０…磁気ディスク装置、
２０…再生ヘッド、
２１…下部磁気シールド、
２２…下部ギャップ層、
２３…再生素子（ＧＭＲ素子）、
２４…上部ギャップ層、
２５…上部磁気シ−ルド、
２６…絶縁分離層、
３０…記録ヘッド、
３１…下部磁極、
３２…ギャップ層、
３３…コイル、
３４…層間絶縁層、
３５…上部磁極、
４０…基板部分（スライダ）、
４１…絶縁層、
５０…発熱抵抗体。
【図１】
2006331485.tif 000003
【図２】
2006331485.tif 000004
【図３】
2006331485.tif 000005
【図４】
2006331485.tif 000006
【図５】
2006331485.tif 000007
【図６】
2006331485.tif 000008
【図７】
2006331485.tif 000009
【図８】
2006331485.tif 000010
【図９】
2006331485.tif 000011
【図１０】
2006331485.tif 000012
【図１１】
2006331485.tif 000013