(57)【要約】【課題】  半導体ウェハ外周端部のナイフエッジによるウェハの破損を低減可能な半導体装置の製造方法、およびそれに用いる粘着シートを提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、粘着シート１２を、外周端部が面取り加工された半導体ウェハ１１のパターン面に貼り付けて、該半導体ウェハ１１を加工する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハ１１と、前記粘着シート１２とを貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハ１１を前記粘着シート１２に埋め込み、該半導体ウェハ１１に於ける面取り加工された部分と粘着シート１２との間の隙間を埋める工程と、前記半導体ウェハ１１の粘着シート１２が貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含む。【選択図】  図１
2006295030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着シートを、外周端部が面取り加工された半導体ウェハのパターン面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハと、前記粘着シートとを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハを前記粘着シートに埋め込み、該半導体ウェハに於ける面取り加工された部分と粘着シートとの間の隙間を埋める工程と、
前記半導体ウェハの粘着シートが貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハを前記粘着シートに埋め込む工程の後、該粘着シートを硬化させ、これにより半導体ウェハを埋め込んだ状態で保持する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記粘着シートとして、基材上に粘着剤層が設けられたものを使用することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記薄型加工の工程後に、前記半導体ウェハから粘着シートを剥離する工程を行い、該剥離は、前記粘着剤層に於ける粘着力を低下させて行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記粘着力の低下は、
前記粘着剤層としてエネルギー線硬化型の粘着剤層を有する粘着シートを用いる場合には、エネルギー線の照射により該粘着剤層を硬化させることにより行い、
または、前記粘着剤層として加熱剥離型の粘着剤層を有する粘着シートを用いる場合には、該粘着剤層を加熱することにより行うことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記粘着シートとして、前記基材と粘着剤層との間に中間層が設けられたものを使用することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記中間層はエネルギー線の照射により硬化する粘着剤を含有し、該中間層はエネルギー線の照射により硬化することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法に用いられることを特徴とする粘着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、およびそれに用いる粘着シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードや薄膜トランジスタ等の半導体集積回路を作製する際、その基板となる半導体ウェハの厚みを薄くすることによって、デバイスの小型化が可能となり、使用上の自由度を向上させることが出来る。ＩＣカードなどでは薄型化、大チップ化を図る為に、半導体チップとしては厚さ１００μｍ以下の超薄型チップが望まれている。
【０００３】
しかしながら、半導体ウェハの多くは半導体チップ製造工程における加熱やエッチング処理の繰り返しにおいてウェハ自体の割れや、欠けが発生しないように外周端部を面取りしている。図２は、従来の半導体ウェハに於ける面取り加工された外周端部の形状を示す模式図である。図３は、半導体ウェハが薄型加工された外周端部の断面形状を示す模式図である。図２に示すように、半導体ウェハ３１の外周端部が面取り加工された結果、面取り加工部３２の断面形状は略円弧状となっている。
【０００４】
その為、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、従来の半導体ウェハ固定用の粘着シート３３を半導体ウェハ３１に貼り付け、該半導体ウェハ３１を厚さが１００μｍ以下まで薄型加工等する場合に、半導体ウェハ３１の面取り加工部３２が、非常に鋭利でかつ脆くなる（以下、これをナイフエッジと言い、その部分をナイフエッジ部３４と言う）。このとき、従来の半導体ウェハ３１に於けるナイフエッジ部３４では、粘着シート３３との間に隙間３５が生じている。この為、従来の粘着シート３３では、ナイフエッジ部３４を十分に支持することができず、半導体ウェハ３１の破損の原因になるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体ウェハ外周端部のナイフエッジによるウェハの破損を低減可能な半導体装置の製造方法、およびそれに用いる粘着シートを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく、半導体装置の製造方法、およびそれに用いる粘着シートについて鋭意検討した。その結果、以下の構成とすることにより、前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
すなわち、前記の課題を解決する為に、本発明に係る半導体装置の製造方法は、粘着シートを、外周端部が面取り加工された半導体ウェハのパターン面に貼り付けて、該半導体ウェハを加工する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハと、前記粘着シートとを貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハを前記粘着シートに埋め込み、該半導体ウェハに於ける面取り加工された部分と粘着シートとの間の隙間を埋める工程と、前記半導体ウェハの粘着シートが貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
外周端部が面取り加工された半導体ウェハと、粘着シートとを貼り合わせると、面取り加工部では粘着シートとの間に隙間が生じる。しかし、半導体ウェハを粘着シートに埋め込むことにより、その隙間を埋めた状態にするので、半導体ウェハの面取り加工部についても確実に粘着シートで接着固定することが可能となる。これにより、その後の半導体ウェハの加工等においてウェハの破損を抑えることができる。すなわち、半導体ウェハの裏面の研削による薄型加工に於いて、半導体ウェハの外周端部がエッジナイフとなっても、該半導体ウェハの破損を防止することができ、取扱い性が向上する。また、ウェハ表面を粘着シートで固定している為、薄型加工工程における半導体ウェハの反りも同時に抑制できる。更に、ウェハキャリア等による搬送工程に於いても、半導体ウェハの破損の心配がないので搬送が容易となり、作業性が向上する。
【０００９】
前記方法に於いては、前記半導体ウェハを前記粘着シートに埋め込む工程の後、該粘着シートを硬化させ、これにより半導体ウェハを埋め込んだ状態で保持する工程を含むのが好ましい。
【００１０】
前記方法によれば、半導体ウェハを粘着シートに埋め込んだ状態で保持していることから、半導体ウェハと粘着シートとの間に種々の異物が浸入するのを抑制できる。より具体的には、例えば薄型加工の際に行われる酸若しくはアルカリ等によるウェットエッチング、半導体ウェハ上へのパターン形成、または該パターン形成で使用するレジストの除去工程において、エッチング液、レジストおよびその剥離液などの侵入を抑制できる。
【００１１】
前記粘着シートとして、基材上に粘着剤層が設けられたものを使用することができる。
【００１２】
粘着シートが前記構成であると、粘着剤層は半導体ウェハを接着固定するので、前述と同様に半導体ウェハと粘着シートとの間に異物が浸入するのを抑制することができる。
【００１３】
前記薄型加工の工程後に、前記半導体ウェハから粘着シートを剥離する工程を行い、該剥離は、前記粘着剤層に於ける粘着力を低下させて行うのが好ましい。
【００１４】
前記方法であると、粘着剤層の粘着力を低下させて粘着シートの剥離を行うので、剥離が容易となる。これにより、半導体ウェハの破損を抑制することができる。
【００１５】
前記粘着力の低下は、前記粘着剤層としてエネルギー線硬化型の粘着剤層を有する粘着シートを用いる場合には、エネルギー線の照射により該粘着剤層を硬化させることにより行い、または、前記粘着剤層として加熱剥離型の粘着剤層を有する粘着シートを用いる場合には、該粘着剤層を加熱することにより行うのが好ましい。
【００１６】
また、前記粘着シートとして、前記基材と粘着剤層との間に中間層が設けられたものを使用することができる。
【００１７】
前記構成であると、中間層を設けたことにより、厚みが薄い粘着剤層を用いた場合にも粘着シートの厚みを十分に確保することができる。その結果、半導体ウェハの埋め込みが可能となる。
【００１８】
前記中間層はエネルギー線の照射により硬化する粘着剤を含有し、該中間層はエネルギー線の照射により硬化するものであることが好ましい。
【００１９】
前記の構成によれば、中間層にエネルギー線を照射してこれを硬化することにより、半導体ウェハを粘着シートに埋め込んだ状態を維持しつつ確実に接着固定が可能となる。
【００２０】
また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る粘着シートは、前記に記載の半導体装置の製造方法に用いられることを特徴とする。
【００２１】
前記の構成によれば、粘着シートは、半導体ウェハの埋め込みが可能な弾力性を有しているので、該半導体ウェハを粘着シートに埋め込むことにより、半導体ウェハの形状に応じて粘着シートを半導体ウェハに密着させることができる。よって、外周端部が面取り加工された半導体ウェハに対しても、面取り加工部と粘着シートとの間を隙間なく密着固定できる。すなわち、半導体ウェハの面取り加工部についても確実に粘着シートで支持することが可能となる。その結果、その後の半導体ウェハの加工においてウェハの破損を抑制できる粘着シートを提供することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。  
即ち、本発明によれば、半導体ウェハの面取り加工部と粘着シートとの間も隙間なく固定することから、半導体ウェハの薄型加工やその後の搬送などに於いて該半導体ウェハに欠けや割れが発生するのを抑制することができる。その結果、歩留まりよく半導体装置を製造することが可能になる。また、半導体ウェハの取扱いも容易になり、ウェハキャリアによる処理も可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施の形態について、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。
【００２４】
（半導体装置の製造方法）  
先ず、半導体装置の製造方法について、図１に基づいて説明する。同図は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図である。
【００２５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１１の外周端部を面取り加工する工程と、半導体ウェハ１１と前記粘着シート１２とを貼り合わせる工程と、半導体ウェハ１１を粘着シート１２に埋め込む工程と、半導体ウェハ１１の粘着シート１２が貼り付けられた面とは反対側の面を薄型加工する工程とを有する。また、本実施の形態に係る粘着シート１２は、基材１２ａ上に中間層１２ｂおよび粘着剤層１２ｃが順次積層された構成である。尚、粘着シート１２の詳細については、後段にて述べる。
【００２６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法で使用される半導体ウェハ１１とは、半導体素子が形成された基板を意味する。この半導体素子は、半導体ウェハ１１に於けるパターン面１１ｂに設けられている。半導体ウェハ１１の原料としては、例えばシリコン(Ｓｉ)、ゲルマニウム(Ｇｅ)、またはガリウムヒ素(ＧａＡｓ)等が挙げられる。
【００２７】
前記半導体ウェハ１１の周縁部を面取り加工する工程は、インゴットから切り出された直後のウェハの周縁部に、所定のテーパおよび丸みを持つ凸のＲ形状の面取り加工を施すものである（図１（ａ）参照）。面取り加工部１１ａ、即ちＲ形状の頂点の位置は、例えば半導体ウェハ１１の厚さ方向の断面中心上に位置するように面取り加工が施される。本工程は、半導体素子の製造プロセス中に生じる半導体ウェハ１１の割れ及び欠け等の防止の為、並びにエピタキシャル成長時の周辺の異常成長（クラウン）を避けるために行われる。尚、上述の面取り加工後、面取り加工部１１ａの表面を鏡面研磨してもよい。
【００２８】
前記半導体ウェハ１１と粘着シート１２とを貼り合わせる工程は、該半導体ウェハ１１のパターン面１１ｂに粘着シート１２を貼り付けて、パターン面１１ｂを保護する為に行うものである（図１（ｂ）参照）。貼り付けは、テーブル上にパターン面１１ｂが上になるように半導体ウェハ１１を載置し、粘着シート１２の粘着剤層１２ｃをパターン面１１ｂに重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける。また、加圧可能な容器（例えばオートクレーブなど）中で、半導体ウェハ１１と粘着シート１２を上記のように重ね、容器内を加圧するにより半導体ウェハ１１に貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャンバー内で、上記と同様に貼り付けることもできる。これらの方法で貼り付ける際には、粘着シート１２を３０〜１５０℃程度まで加熱してもよい。
【００２９】
尚、半導体ウェハ１１に貼り合せる粘着シート１２のカットについては貼り合せ後にカットしても良く、また半導体ウェハ１１に貼り合せる前に、貼り合せる半導体ウェハ１１と同形状に打ち抜き加工してもよい。また、半導体ウェハ１１と同形状に打ち抜き加工した粘着シート１２と半導体ウェハ１１の位置合せは、画像認識装置により行い、正確な位置を認識して現在の位置関係との差異分を補正することで行うことができる。
【００３０】
半導体ウェハ１１を粘着シート１２に埋め込む工程は、例えば半導体ウェハ１１を押圧等することにより行う。押圧は、半導体ウェハ１１の全面に均一に圧力をかけることにより行うのが好ましい。押圧の条件としては、粘着シート１２の弾性等を考慮し、パターン面１１ｂが破損しない範囲内で適宜設定すればよい。押圧に使用する装置としては特に限定されず、例えば従来公知のプレス装置等を用いることができる。
【００３１】
ここで、粘着シート１２に於ける中間層１２ｂが、エネルギー線（例えば、紫外線や電子線等）、熱または電気等のエネルギーの付与により硬化する成分を含み構成される場合には、該中間層１２ｂにエネルギーを付与する工程を行ってもよい（該成分についての詳細は後述する）。この工程により、前記エネルギーを与えて中間層１２ｂを硬化させ、半導体ウェハ１１を粘着シート１２に埋め込んだ状態で確実に接着固定することができる。エネルギーを付与する方法としては、中間層１２ｂを硬化できるのであれば特に限定されない。例えば、エネルギー線として紫外線を照射する場合には、１ｃｍ２当たりの積算光量３０００ｍＪ以上、好ましくは２０００ｍＪ以上、更に好ましくは１０００ｍＪ以上で照射するのが好ましい。但し、中間層１２ｂの硬化により、中間層１２ｂの体積膨張に起因して、半導体ウェハ１１の埋め込みの戻りなどの現象が発生する場合がある。従って、中間層１２ｂの硬化が終わるまでプレス装置等により半導体ウェハ１１の全面に均一に圧力をかけておくことが好ましい。
【００３２】
半導体ウェハ１１の裏面１１ｃの薄型加工をする工程は、例えば研削工程、研磨工程（ＣＭＰ）またはエッチング工程といった機械的または化学的方法等の従来公知の種々の方法を行う工程である。例えば、図１（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１１の位置を上下反転し、支持ウェハ１５をチャッキングして半導体ウェハ１１の裏面１１ｃの薄型加工を行う。この様な薄型加工に用いる薄型加工機１４としては特に限定されず、例えば研削機（バックグラインダー）、ＣＭＰパッド等が例示できる。薄型加工は、半導体ウェハ１１が所望の厚さになるまで行われる。この薄型加工により、面取り加工部１１ａはナイフエッジ部１１ａ’となるが（図１（ｅ）参照）、本実施の形態に於いては面取り加工部１１ａが中間層１２ｂの発泡により粘着シート１２に接着固定されているので、該半導体ウェハ１１’に割れや欠け等の原因を除去できる。また、パターン面が粘着シート１２により保護されているので、研削時に生じる研削屑等によってパターン面が汚染されるのを防止する。尚、半導体ウェハ１１に対しては、薄型加工の他にダイシング工程等も行われる。
【００３３】
尚、半導体ウェハ１１から粘着シート１２を剥離する方法としては特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。薄型加工された半導体ウェハ１１を破損することなく取り出せる点を考慮すると、粘着シート１２の剥離前に半導体ウェハ１１の研削面をダイシングテープなどのテープに貼り合せ、ビール方式で粘着シート１２を剥離する方式（以下マウント剥離方式）が好ましい。
【００３４】
（粘着シート）  
次に、本実施の形態に係る粘着シート１２について説明する。本実施の形態に係る粘着シート１２は、基材１２ａ上に中間層１２ｂおよび粘着剤層１２ｃが順次積層された構成である（図１（ｂ）参照）。
【００３５】
前記基材１２ａは、粘着剤層１２ｃ等の支持母体となるもので、半導体装置製造用粘着シートに使用される各種の材料を特に制限なく使用することができる。一般には、プラスチックのフィルムやシートが用いられ、より具体的には、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及びこれらの架橋体などのポリマー、熱硬化性樹脂、紙、布、不織布、金属箔、それらのプラスチックラミネート体、プラスチック同士の積層体等の各種材料が挙げられる。これらの材料は必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。但し、中間層１２ｂ及び／又は粘着剤層１２ｃがエネルギー線硬化型の成分を含む場合には、エネルギー線を少なくとも一部透過する材料からなるものが好ましい。基材１２ａの厚み（積層体の場合は総厚み）は特に限定されないが、粘着シート付きウェハの剛性を高める観点から厚い方が良い。但し、粘着シート１２の剥離などの作業性を考慮すると５００μｍ以下が好ましく、１〜３００μｍ程度がより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。
【００３６】
基材１２ａは、無延伸のものを用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。また、その表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理（化学架橋（シラン））などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。
【００３７】
前記中間層１２ｂとしては、例えばエネルギー線や熱、電気などのエネルギーを与えることにより硬化する硬化層や、基材１２ａと粘着剤層１２ｃとを接着するためのアンカー層などが挙げられる。
【００３８】
前記中間層１２ｂを構成する材料としては特に限定されず、従来公知の種々のものを採用できる。但し、粘着剤層１２ｃとの接着性（投錨性）が良好であり、また剪断弾性率の調整が容易である点を考慮すると、エネルギー線の照射で硬化が可能な２重結合を導入したアクリル系ポリマーが好ましい。前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどのアルキル基の炭素数が４〜１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。これらのアルキルエステルの中から、その１種または２種以上が用いられる。前記アクリル系ポリマーは、接着性や剪断弾性率などの改質を目的として、必要に応じ、前記モノマーと共重合可能な他のモノマーを併用しても良い。
【００３９】
前記他のモノマーとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、及びイソプロピル（メタ）アクリレートなどの炭素数１〜３のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、及びステアリル（メタ）アクリレートなどの炭素数１３〜１８のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレートなどのエポキシ基含有モノマー；アミノエチル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどの官能性モノマー；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレートなどの多官能性モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロニトリル、スチレン、酢酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン、（メタ）アクリロイルモルホリン、シクロへキシルマレイミド、イソプロピルマレイミドなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用することができる。また、他のモノマー成分の使用量は、適宜調整することができるが、全モノマー成分の３０重量％未満であることが好ましい。
【００４０】
本発明に使用されるアクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上のモノマー成分を含む混合物を溶液重合法、乳化重合法、塊状重合法、懸濁重合法、またはＵＶ重合法等の適宜な方式を適用して行うことができる。
【００４１】
重合開始剤としては、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキサイドなどの過酸化物系が挙げられる。重合開始剤は、単独で用いるのが望ましいが、還元剤と組み合わせてレドックス系重合開始剤として使用することもできる。還元剤としては、例えば、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩などのイオン化の塩、トリエタノールアミン等のアミン類、アルドース、ケトース等の還元糖などを挙げることができる。また、アゾ化合物も好ましい重合開始剤である。具体的には、例えば２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオアミジン酸塩、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス−Ｎ，Ｎ’−ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド等を使用することができる。また、上記重合開始剤を２種以上併用して使用することも可能である。
【００４２】
反応温度は通常５０〜８５℃程度、反応時間は１〜８時間程度とされる。また、前記製造法のなかでは溶液重合法が好ましい。また、（メタ）アクリル系ポリマーの溶媒としては、一般に酢酸エチル、トルエン等の極性溶剤が用いられる。更に、溶液濃度は通常２０〜８０重量％程度とされる。
【００４３】
中間層１２ｂに用いるベースポリマーの数平均分子量は、上記範囲の特性を保てば限定はされないが、３０万〜１６０万の範囲であることが好ましい。数平均分子量が３０万未満であると、高温状態で軟化しやすくなり、シート形状の保持が困難になる場合がある。その一方、数平均分子量が１６０万を超えると、パターン面の凹凸に対する追従性が低下する傾向にある。
【００４４】
中間層１２ｂの硬化前の剪断弾性率は３０〜１０００ｋＰａが好ましく、５０〜７００ｋＰａがより好ましい。剪断弾性率が３０ｋＰａ未満の場合、中間層１２ｂは柔らかくなる為、シート又はテープ形状安定性が低下する。従って、例えば長期保存や荷重がかかった場合、粘着シート１２の形状が変形する可能性が高い。また、粘着シートに掛けられた圧力により、中間層１２ｂの一部がはみ出し、半導体ウェハ１１を汚染する問題がある。その一方、剪断弾性率が１０００ｋＰａを超える場合には、半導体ウェハ１１と粘着シート１２との密着性が低下する為、ナイフエッジ部を十分に支持することができず、半導体ウェハ１１の割れ等を招来する。また、中間層１２ｂの硬化後の剪断弾性率としては、粘着シート１２に半導体ウェハ１１を埋め込んだ後、硬化し、固定することが出来れば特に限定されない。具体的には、１〜５００ＭＰａが好ましく、１０〜４００ＭＰａがより好ましい。尚、「剪断弾性率」とは、動的粘弾性測定装置『レオメトリックスＡＲＥＳ』（レオメトリック社製）で測定された２５℃に於ける剪断弾性率を意味する。
【００４５】
また、中間層１２ｂのゲル分率は２０重量％以下が好ましく、１０重量％以下がより好ましい。ゲル分率が２０重量％を超えると、押圧の際のポリマーの流動性が低下し、パターン面１１ｂに対する密着性が劣化する。この為、半導体ウェハ１１を研削加工する際に、割れやディンプルの発生などが生じやすくなる。尚、剪断弾性率が前記範囲内であっても、ゲル分率が高いとパターン面１１ｂに対する密着性が低下するので、剪断弾性率とゲル分率は、それぞれの数値範囲内に含まれていることが好ましい。尚、「ゲル分率」とは、該アクリルポリマーをトルエン、酢酸エチル混合溶剤（１：１）中に２５℃で７日間浸漬させ溶解しないものの割合である。尚、「ゲル分率」とは、試料をトルエン−酢酸エチル混合溶剤（１：１）中に２５℃で７日間浸漬させ溶解しないものの割合である。
【００４６】
中間層１２ｂの厚さは、研削後に必要な半導体ウェハ１１の厚みや、ウェハの保持性、保護性を損なわない範囲で適宜選択できる。具体的には、２０〜４００μｍが好ましく、３０〜２００μｍ程度がより好ましい。中間層１２ｂの厚さが２０μｍ未満の場合、半導体ウェハ１１の粘着シート１２に対する埋め込みが不十分となる。この為、薄型研削により形成されたナイフエッジ部を粘着シート１２が十分に支持することができず、半導体ウェハ１１の割れ等を招来する。その一方、厚さが４００μｍを超えると、中間層１２ｂの一部がはみ出して半導体ウェハ１１を汚染するという問題がある。また、粘着シート１２を半導体ウェハ１１に貼り付けるのに時間がかかり作業効率が低下する傾向がある。
【００４７】
粘着剤層１２ｃを構成する粘着剤としては、一般的に使用されている感圧性粘着剤を使用できる。具体的には、例えばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル等の各種粘着剤が挙げられる。なかでも、半導体ウェハへの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性などの点から、（メタ）アクリル系ポリマーをベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。
【００４８】
前記（メタ）アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどの炭素数１〜３０のアルキル基、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いた（メタ）アクリル系ポリマーなどが挙げられる。
【００４９】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは凝集力、接着性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましく、さらに好ましくは１５重量％以下である。
【００５０】
さらに、前記（メタ）アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。ベースポリマーを架橋させることにより、粘着剤層の自己保持性が向上するので粘着シートの大きな変形を防止でき、粘着シートの平板状態を維持しやすくなる。
【００５１】
多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００５２】
前記（メタ）アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合することにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合等の何れの方式で行うこともできる。特に、紫外線や電子線などのエネルギー線を照射して重合する場合には、ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーにモノマー成分と光重合開始剤とを配合して得られる液状組成物をキャストして光重合させることにより（メタ）アクリル系ポリマーを合成することが好ましい。
【００５３】
前記ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーは、数平均分子量が５００〜１０万程度、好ましくは１０００〜３万のものであり、かつエステル・ジオールを主骨格とする２官能化合物である。また、モノマー成分としては、モルホリン（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン（メタ）アクリレート等が挙げられる。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーとモノマー成分との混合比は、オリゴマー：モノマー成分＝９５〜５：５〜９５（重量％）であることが好ましく、さらに好ましくは５０〜７０：５０〜３０（重量％）である。ウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーの含有量が多いと液状組成物の粘度が高くなって重合が困難となる傾向にある。
【００５４】
粘着剤層１２ｃは半導体ウェハ１１等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は、２０万〜３００万程度が好ましく、さらに好ましくは２５万〜１５０万程度である。
【００５５】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、１〜５重量部程度配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により前記成分の他に従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００５６】
また、前記粘着剤としては、エネルギー線硬化型粘着剤や加熱剥離型粘着剤を使用できる。これらの粘着剤を使用することにより、半導体ウェハ１１からの剥離が容易となり、剥離の際に半導体ウェハ１１の破損を防止できる。
【００５７】
前記エネルギー線硬化型粘着剤は炭素−炭素二重結合等のエネルギー線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。エネルギー線硬化型粘着剤としては、エネルギー線（特に紫外線）照射によって粘着力が低下するものが望ましい。かかる粘着剤層１２ｃによれば、バックグラインド（研削）工程後またはダイシング工程後に紫外線照射によって、粘着シート１２の剥離を容易に行うことができる。
【００５８】
エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えば一般的な粘着剤に、エネルギー線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型のエネルギー線硬化型粘着剤を例示できる。一般的な粘着剤としては、前記（メタ）アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の感圧性粘着剤と同様のものが挙げられる。
【００５９】
配合するエネルギー線硬化性のモノマー成分としては、例えばウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。またエネルギー線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。エネルギー線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００６０】
また、エネルギー線硬化性の粘着剤としては、上記説明した添加型のエネルギー線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型のエネルギー線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型のエネルギー線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、或いは多くを含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することがない。これにより、安定した層構造の粘着剤層１２ｃを形成することができる。
【００６１】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。（メタ）アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示した（メタ）アクリル系ポリマーが挙げられる。
【００６２】
前記（メタ）アクリル系ポリマーに於けるポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を導入すると、分子設計が容易となる。炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できる。例えば、予め、（メタ）アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合のエネルギー線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法が挙げられる。
【００６３】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基は（メタ）アクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、（メタ）アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、（メタ）アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、またはジエチレングルコールモノビニルエーテルなどのエーテル系化合物を共重合したものが挙げられる。
【００６４】
前記内在型のエネルギー線硬化型粘着剤としては、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特に（メタ）アクリル系ポリマー）を単独で使用することができる。また、特性を悪化させない程度に前記エネルギー線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。エネルギー線硬化性のオリゴマー成分等の配合量は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下であり、好ましくは１０重量部以下である。
【００６５】
前記エネルギー線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどが挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する（メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、１〜１０重量部程度であり、好ましくは３〜５重量部である。
【００６６】
一方、前記加熱剥離型粘着剤は、前記一般的な感圧性粘着剤に熱膨張性微粒子が配合された熱発泡型粘着剤が挙げられる。物品の接着目的を達成したのち熱膨張性微粒子を含有する感圧接着層を加熱することで接着層が発泡もしくは膨張して接着層表面が凹凸に変化し、被着体との接着面積の減少により接着力低減し、物品を容易に分離できるようにしたものであり、電子物品やその材料等の加工時における固定や、搬送等の物流など、多種多様な目的で用いられている。
【００６７】
熱膨張性微粒子については特に限定はなく、剥離開始温度が低いものと剥離開始温度が高いものの異なる剥離開始温度を持つ組み合わせになるように種々の無機系や有機系の熱膨張性微小球を選択使用することができる。この２種類の熱膨張性微小球の剥離開始温度差は、熱膨張性微小球の感温特性等の処理精度に応じて適宜に決定されるが、一般には２０〜７０℃、好ましくは３０〜５０℃の温度差とされる。
【００６８】
熱発泡型粘着剤は、熱による熱膨張性微粒子の発泡により接着面積が減少して剥離が容易になるものであり、熱膨張性微粒子の平均粒子径は１〜２５μｍ程度のものが好ましい。より好ましくは５〜１５μｍであり、特に１０μｍ程度のものが好ましい。
【００６９】
熱膨張性微粒子としては、加熱下に膨張する素材を特に制限なく使用できるが、熱膨張性物質をマイクロカプセル化してなる膨張性微粒子は、混合操作が容易であるなどの点から好ましく用いられる。例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球であればよい。前記穀は、通常、熱可塑性物質、熱溶融性物質、熱膨張により破裂する物質などで形成される。前記殻を形成する物質としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性マイクロカプセルは、前記粘着剤との分散混合性に優れているなどの利点も有する。熱膨張性マイクロカプセルの市販品としては、たとえば、マイクロスフェアー（商品名：松本油脂社製）などがあげられる。必要に応じて熱膨張助剤を添加してもよい。
【００７０】
前記粘着剤に対する熱膨張性微粒子（熱膨張性マイクロカプセル）の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を適宜に決定することができる。一般には、熱膨張性微粒子含む粘着剤層の厚みを加熱膨張直後の厚みの６０％以上、好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％以上を維持できる配合量が好ましい。またベースポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量部程度、好ましくは５〜４０重量部、より好ましくは１０〜２０重量部である。
【００７１】
粘着剤層１２ｃの厚みは、接着固定性と剥離性を両立する観点から、５μｍ〜２００μｍが好ましく、１０μｍ〜１００μｍ程度がより好ましい。また、粘着剤層１２ｃの接着力は、支持ウェハから最終的に容易に剥離できる範囲内のものであれば良く、特に限定はされない。例えば、半導体ウェハ１１に対する１８０度ピール接着力の値が、０．５から２０Ｎ／１０ｍｍ幅の範囲内であることが好ましく、１から１０Ｎ／１０ｍｍ幅の範囲内であることがより好ましい。
【００７２】
（その他の事項）
以上の説明に於いては、本発明の最も好適な実施態様について説明した。しかし、本発明は当該実施態様に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の範囲で種々の変更が可能である。
【００７３】
例えば、本発明の粘着シートは、基材の両面に粘着剤層を設けた構成としてもよい。この様な構成とすることにより、本実施の形態に係る粘着シートを両面粘着シートとすることができる。尚、両面粘着シートの態様を採用する場合、半導体ウェハに貼り合せる粘着面とは反対側の面に支持板等を貼り合せることにより、半導体ウェハに更なる強度と剛性を付与することができる。この場合、支持板等を貼り合わせる側の粘着剤層にも加熱剥離型粘着剤あるいはエネルギー線硬化型粘着剤を用いてもよい。加熱またはエネルギー線の照射により、支持板等に対する粘着剤層の接着力を低下させることができるので、支持板等から粘着シートを剥離する際には剥離が容易となる。
【実施例】
【００７４】
以下、本発明について実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。
【００７５】
[数平均分子量の測定]
合成したアクリル系ポリマーの数平均分子量は以下の方法で測定した。アクリル系ポリマーをＴＨＦに０．１ｗｔ％で溶解させて、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いてポリスチレン換算により数平均分子量を測定した。詳しい測定条件は以下の通りである。
ＧＰＣ装置：東ソー製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ
カラム：東ソー製、（ＧＭＨHR−Ｈ）＋（ＧＭＨHR−Ｈ）＋（Ｇ２０００ＨHR）
流量：０．８ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．１ｗｔ％
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
【００７６】
[せん断弾性率の測定]
調製した粘着剤を用いて粘着剤層（厚さ３ｍｍ）を形成し、せん断弾性率測定装置（レオメトリック社製、ＡＲＥＳ）を用いて、温度２５℃、周波数１Ｈｚ、プレート径７．９ｍｍφ、及び歪み１％の条件で該サンプルのせん断弾性率を測定した。なお、放射線硬化型粘着剤からなる粘着剤層の場合には、放射線硬化前のせん断弾性率を測定した。
【００７７】
[ゲル分の測定]
粘着剤層を約０．８ｇをとり、これを秤量して重量（Ｗ１）を測定した。次いで、これを微孔性テトラフルオロエチレン膜（膜重量Ｗ２）に包んで、約５０ｍｌのトルエン・酢酸エチル混合溶剤（重量比１：１）に２５℃で７日間浸漬したのち、可溶分を抽出した。これを１３０℃にて１２時間乾燥し、全体の重量（Ｗ３）を測定した。これらの測定値から、下記式により粘着剤層のゲル分（重量％）を求めた。
ゲル分（重量％）＝｛（Ｗ３−Ｗ２）／Ｗ１｝×１００
【００７８】
次に、粘着シートＡ〜Ｄは、以下のようにして作製した。
【００７９】
[粘着シートＡ]
アクリル酸エチル、アクリル酸ブチルおよびアクリル酸２−ヒドロキシエチル（重合比７８／１００／４０）の共重合体（数平均分子量３０万）１００部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート４３部を付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。このポリマー１００部に対して、ポリイソシアネート系架橋剤０．５部と、アセトフェノン系光重合開始剤３部とを配合し、中間層形成組成物を得た。この中間層形成組成物をポリエステルフィルム（厚さ１００μｍ）上に塗布し、乾燥して中間層ａ（厚さ１００μｍ）を形成した。ここで、中間層ａの剪断弾性率を測定したところ５００ｋＰａであった。また、ゲル分率についても測定したところ、５重量％であった。
【００８０】
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸エチルおよびメチルメタクリレートの共重合体系感圧接着剤１００部にポリウレタン系架橋剤２部を配合した後、更に熱膨張性微小球（マツモトマイクロスフィアＦ−３０Ｄ：松本油脂社製：平均粒子径 １３．５μｍ）３０部を配合し、粘着剤層形成組成物を得た。この粘着剤層形成組成物を、セパレー夕上に乾燥後の厚みが３０μｍとなるように塗布、乾燥して粘着剤層ａを形成した。更に、ポリエステルフィルム上に形成した中間層ａに粘着剤層ａを貼り合わせ、粘着シートＡを作製した。
【００８１】
[粘着シートＢ]
アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリロイルモルフェリン、およびアクリル酸２−ヒドロキシエチル（重合比１００／２５／２０）の共重合体（数平均分子量９０万）１００部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート４０部を付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素２重結合を導入した。
【００８２】
次に、得られたポリマー１００部に対して、ポリイソシアネート系架橋剤２部と、アセトフェノン系光重合開始剤３部とを配合し、中間層形成組成物を得た。この中間層形成組成物をセパレー夕上に塗布し、乾燥して粘着剤層ｂ（厚さ２０μｍ）を得た。
【００８３】
更に、前記粘着シートＡにおいて作製したのと同様にして、ポリエステルフィルム上に中間層ａを形成し、粘着剤層ｂと貼り合わせて粘着シートＢを作製した。
【００８４】
[粘着シートＣ]
アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸アミド、およびアクリル酸（重合比７５／２０／５）共重合体系感圧接着剤１００部に、エポキシ系架橋剤０．１部を配合してなるトルエン溶液を、ポリエステルフィルム（厚さ１００μｍ）上に塗布、乾燥して中間層ｂ（厚さ１００μｍ）を形成した。ここで、中間層ｂの剪断弾性率を測定したところ５００ｋＰａであった。また、ゲル分率についても測定したところ、５重量％であった。
【００８５】
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸エチル、およびメチルメタクリレートの共重合体系感圧接着剤１００部に、ポリウレタン系架橋剤２部を配合し、更に熱膨張性微小球（マツモトマイクロスフィアＦ−３０Ｄ：松本油脂社製：平均粒子径 １３．５μｍ）３０部を配合して粘着剤層形成組成物を得た。この粘着剤層形成組成物を、セパレー夕上に塗布、乾燥して粘着剤層ｃ（厚さ３０μｍ）を形成した。
【００８６】
更に、ポリエステルフィルム上に形成した中間層ｂに粘着剤層ｃを貼り合わせ、粘着シートＣを作製した。
【００８７】
[粘着シートＤ]
アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、およびアクリル酸２−ヒドロキシエチル（重合比７８／１００／４０）の共重合体（数平均分子量３０万）１００部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート４３部を付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。このポリマー１００部に対して、ポリイソシアネート系架橋剤２部と、アセトフェノン系光重合開始剤３部を配合し、ポリエステルフィルム（厚さ１００μｍ）上に塗布し、乾燥して、粘着剤層ｄ（厚さ１５０μｍ）を形成した。これにより、粘着シートＤを作製したここで、粘着剤層ｄの剪断弾性率を測定したところ５００ｋＰａであった。また、ゲル分率についても測定したところ、１重量％であった。
【００８８】
[粘着シートＥ]
アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸アミド、およびアクリル酸（重合比７５／２０／５）共重合体系感圧接着剤１００部に、エポキシ系架橋剤０．１部を配合してなるトルエン溶液をポリエステルフィルム（厚さ１００μｍ）上に塗布し、乾燥して粘着剤層ｅ（厚さ２０μｍ）を形成した。これにより、粘着シートＥを作製した。
【００８９】
（実施例１）
外周端部に面取り加工が施された半導体ウェハ（厚さ：６２５μｍ、６インチ）に粘着シートＡを貼り合せた。その後、圧力０．８ＭＰａで半導体ウェハ全面を押圧して固定した。この状態で、積算照射量が３００ｍＪ／ｃｍとなるように粘着シートＡに於ける基材側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を照射して、補強ウェハＡとした。補強ウェハＡは合計２５枚作製した。
【００９０】
（実施例２）
本実施例に於いては、粘着シートＡを粘着シートＢに代えた以外は、前記実施例１と同様にして、補強ウェハＢを得た。
【００９１】
（比較例１）
本比較例に於いては、粘着シートＡを粘着シートＣに代え、かつ半導体ウェハと粘着シートＣとの貼り合わせの際に押圧を行わなかった以外は、前記実施例１と同様にして、補強ウェハＣを得た。
【００９２】
（比較例２）
本比較例に於いては、粘着シートＣを粘着シートＤに代えた以外は、前記比較例１と同様にして、補強ウェハＤを得た。
【００９３】
（比較例３）
本比較例に於いては、粘着シートＣを粘着シートＥに代えた以外は、前記比較例１と同様にして、補強ウェハＥを得た。
【００９４】
（評価）
各補強ウェハＡ〜Ｅについて、搬送時および粘着シート剥離時のウェハ割れの有無を評価した。
先ず、搬送時のウェハ割れについては、次の通りに評価した。即ち、各補強ウェハＡ〜Ｅについて、シリコンウェハ研削機（ディスコ（株）製）により厚さが５０μｍになるまで研削した後、通常の搬送と同様の作業を行い、ナイフエッジによるウェハ割れが各２５枚中何枚発生したかをカウントした。それらの結果を下記表１に示す。
【００９５】
次に、粘着シート剥離時のウェハ割れについては、次の通りとした。各補強ウェハＡ〜Ｅについて厚さ５０μｍになるまで研削後、粘着シートＡおよびＣに対しては加熱し、粘着シートＢおよびＤに対しては紫外線を照射して各粘着剤層の粘着力を低下させた。尚、粘着シートＥについては、加熱および紫外線照射は行わなかった。更に、各半導体ウェハＡ〜Ｅの研削面にダイシングテープ（ＵＢ−１０８８Ｊ）を貼り合せた後、各粘着シートＡ〜Ｅをマウント剥離方式により剥離した。剥離によるウェハ割れが各２５枚中何枚発生したかをカウントした。それらの結果を下記表１に示す。
【００９６】
【表１】
2006295030.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施の一形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の工程図であって、図１（ａ）は外周端部が面取り加工された半導体ウェハの状態を示し、同図（ｂ）は該半導体ウェハに粘着シートを貼り付けた状態を示し、同図（ｃ）は半導体ウェハを粘着シートに押圧する状態を示し、同図（ｄ）は半導体ウェハを薄型加工する状態を示し、同図（ｅ）は薄型加工後の粘着シート付き半導体ウェハを示す。
【図２】従来の半導体ウェハに於ける面取り加工された外周端部の形状を示す模式図である。
【図３】従来の半導体ウェハに於ける薄型加工された外周端部の形状を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９８】
１１      半導体ウェハ
１１ａ    面取り加工部
１１ａ’  ナイフエッジ部
１１ｂ    パターン面
１１ｃ    裏面
１２      粘着シート
１２ａ    基材
１２ｂ    中間層
１２ｃ    粘着剤層
１４      薄型加工機
１５      支持ウェハ
【図１】
2006295030.tif 000004
【図２】
2006295030.tif 000005
【図３】
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