(57)【要約】【課題】導線の電流が形成する磁界によってセンサーに付着された磁性体の電磁気力を利用して導線内に流れるＡＣ電流の大きさを測定する低電力近接ＡＣ電流センサーを提供する。【解決手段】本発明の低電力近接ＡＣ電流センサーは、外部に形成される磁界の強度に応じて位置変化を起こす磁性体と、磁性体と近接し、磁性体の位置変化に従って電荷を発生させる圧電フィルムと、圧電フィルムを固定する基板とを含む。他の低電力近接ＡＣ電流センサーは、外部に形成される磁界の強度に応じて位置変化を起こす磁性体と、磁性体と近接し、磁性体の位置変化に従って静電容量の変化を起す対応電極と、対応電極を固定する基板とを含む。又、別の低電力近接ＡＣ電流センサーは、微細加工技術及び半導体工程を利用して作製でき、半導体回路と一体化できるため、半導体回路と一体化された低電力近接ＡＣ電流センサーを具現できる。【選択図】図２
2006138852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部に形成される磁界の強度に応じて位置変化を起こす磁性体と、
前記磁性体と近接し、前記磁性体の位置変化に従って電荷を発生させる圧電フィルムと、
前記圧電フィルムを固定する基板と
を含む低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２】
前記圧電フィルムの一方側には、前記圧電フィルムから発生された電荷を検出するための電極配線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項３】
前記基板には、外部雑音を測定するためのリファレンスセンサーがさらに包含されることを特徴とする請求項１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項４】
前記基板には、前記圧電フィルムが容易に動作するようにくぼみ部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項５】
前記磁性体は、前記圧電フィルム上部の全面に積層されることを特徴とする請求項１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項６】
前記圧電フィルムは、前記基板の上部に片持ばり形態で形成されることを特徴とする請求項５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項７】
前記圧電フィルムは、前記基板の上部にブリッジ形態で形成されることを特徴とする請求項５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項８】
前記圧電フィルムは、前記基板の上部に薄膜形態で形成されることを特徴とする請求項５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項９】
前記磁性体は、前記圧電フィルムの一部面にのみ積層されることを特徴とする請求項１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１０】
前記圧電フィルムは、前記基板の上部に片持ばり形態で形成されることを特徴とする請求項９に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１１】
前記圧電フィルムは、前記基板の上部にブリッジ形態で形成されることを特徴とする請求項９に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１２】
前記圧電フィルムは、前記基板の上部に薄膜形態で形成されることを特徴とする請求項９に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１３】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、コバルトの中から選択される1種以上の元素を包含することを特徴とする請求項１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１４】
前記ＡＣ電流センサーは、導線の一部に近接して装着されることを特徴とする請求項１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１５】
外部に形成される磁界の強度に応じて位置変化を起こす磁性体と、
前記磁性体と近接し、前記磁性体の位置変化に従って静電容量の変化を発生させる対応電極と、
前記対応電極を固定する基板と
を含む低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１６】
前記対応電極は、所定のギャップを有する上板と下板によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１７】
前記所定のギャップは、上板と下板との間に介装される支持部材によって形成されることを特徴とする請求項１６に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１８】
前記対応電極には、前記対応電極から発生された静電容量の変化を検出するための電極配線がさらに包含されていることを特徴とする請求項１５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項１９】
前記基板には、外部雑音を測定するためのリファレンスセンサーがさらに包含されることを特徴とする請求項１５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２０】
前記対応電極は、前記上板の全面にかけて磁性体が積層されることを特徴とする請求項１６に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２１】
前記対応電極は、前記基板の上部に片持ばり形態で形成されることを特徴とする請求項２０に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２２】
前記対応電極は、上板と下板の一方側にのみ支持部材が介装されることを特徴とする請求項２１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２３】
前記対応電極は、上板と下板の両方側に支持部材が介装されることを特徴とする請求項２１に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２４】
前記対応電極は、前記基板の上部に薄膜形態で形成されることを特徴とする請求項２０に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２５】
前記対応電極は、上板と下板の両方側に支持部材が介装されることを特徴とする請求項２４に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２６】
前記対応電極は、前記上板の一部面にのみ磁性体が積層されることを特徴とする請求項１６に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２７】
前記対応電極は、前記基板の上部に片持ばり形態で形成されることを特徴とする請求項２６に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２８】
前記対応電極は、上板と下板の両方側に支持部材が介装されることを特徴とする請求項２７に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項２９】
前記対応電極は、前記基板の上部に薄膜形態で形成されることを特徴とする請求項２６に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項３０】
前記対応電極は、上板と下板の両方側に支持部材が介装されることを特徴とする請求項２９に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項３１】
前記磁性体は、鉄、ニッケル、コバルトの中から選択される1種以上の元素を包含することを特徴とする請求項１５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【請求項３２】
前記ＡＣ電流センサーは、導線の一部に近接して装着されることを特徴とする請求項１５に記載の低電力近接ＡＣ電流センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は低電力近接ＡＣ電流センサーに関する。
【０００２】
一般的にＡＣ電流センサーには、コイルに流れる電流と磁石との間に発生する電磁気力によって検出する電流計方式と、ホール効果(Hall effect)を利用するホールセンサーと、磁気抵抗(magneto−resistance)の変化を検出するＧＭＲ(great magneto−resistance)方式などの電流センサーがある。
【背景技術】
【０００３】
先ず、図１は、従来の一般的な電流計の構成及び各部品間の配置を示す模式的斜視図である。一般的に電流計は、電流が流れる導線に直列で連結されており、この時、軟鉄心に巻回されている可動コイルに流れる電流によって発生される磁界と、電流計の内部に装着されている永久磁石との間に発生する電磁気力を利用して導線の電流量を測定する電流センサーである。
【０００４】
しかし、前記電流計方式の電流センサーは、電流が流れる導線に電流センサーを直結しなければならないのでその設置が難しいのみならず、可動部品の数が多く、サイズが大きいのでコストが高いという短所がある。なお、前記ホールセンサーとＧＭＲ方式の電流センサーは、電流計方式の電流センサーに比べてサイズと設置面においては有意に改善されているが、センサーに電力を供給して動作させるため、電力を消耗するという短所がある。
【０００５】
このような前記方式の電流センサーは、最近、開発されているセンサーネットワーク（Sensor network）などに使用するには、サイズ、コストとともに電力消耗の面において不適とされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記のような従来技術が有する問題点を解決するべくなされたもので、その目的は、導線に流れる電流によって誘導される磁界によってセンサーに付着された磁性体が受ける電磁気力を利用して、導線内に流れるＡＣ電流の大きさを測定する低電力近接ＡＣ電流センサーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の課題を達成するために、本発明の低電力近接ＡＣ電流センサーは、
外部に形成される磁界の強度に応じて位置変化を起こす磁性体と、
前記磁性体と近接し、前記磁性体の位置変化に従って電荷を発生させる圧電フィルムと、
前記圧電フィルムを固定する基板と
を包含する。
【０００８】
なお、本発明の他の低電力近接ＡＣ電流センサーは、
外部に形成される磁界の強度に応じて位置変化を起こす磁性体と、
前記磁性体と近接し、前記磁性体の位置変化に従って静電容量の変化を発生させる対応電極と、
前記対応電極を固定する基板と
を包含する。
【０００９】
本発明の前記低電力近接ＡＣ電流センサーは、電流によって変化する圧電効果及び静電容量の変化を検出する方法を利用することによって、従来の電流センサーが電流量を検出するために導線に直接接続されるとは異なり、電流センサーを電気的な接続なしに電流が流れる導線の周囲に近接させることによって電流の大きさを検出することができる低電力近接ＡＣ電流センサーを提供する。
【００１０】
本発明の低電力近接ＡＣ電流センサー(以下、「電流センサー」と略記することもある)は、基本的に可動構造体である片持ばり(cantilever)、ブリッジ(bridge)、薄膜(membrane)形態の圧電フィルムと、前記圧電フィルムに具備された磁性体とからなり、本発明の電流センサーの前記磁性体がＡＣ電流によって発生された導線周囲の誘導磁界の磁力を受けて圧電フィルムが動き、前記圧電フィルムに変形及び変位が誘起され、前記変形または変位による圧電効果または静電容量の変化を検出する方式を採択している。
【００１１】
さらに、本発明の電流センサーをＡＣ電流が流れる導線周囲に被覆して所定の位置に付着させることによって電流を感知することができ、前記圧電フィルムの動きにより圧電効果及び静電容量の変化を検出するため、電力の消耗を顕著に低下させることができることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電流センサーは、微細加工技術及び半導体工程を利用して作製することができ、半導体回路と一体化することができるため、前記半導体回路と一体化された低電力の近接ＡＣ電流センサーを提供することができる。
【００１３】
なお、前記本発明の電流センサーは、静電容量の変化を検出して電流の量を検査する方法を採用することによって、電力の消耗が少なく、センサーネットワークなどの低電力、超小型のセンサーが要求される応用分野において有効に利用することができる。
【００１４】
なお、本発明の電流センサーは、電流が流れる導線の周囲に付着させることによって電流の量を測定することができるため、従来の電流センサーと比べてその設置が容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付すとともに、本発明の要旨と混同されないように公知技術及び構成に対する詳細な説明はこれを省略する。
【００１６】
図２は、本発明の一実施形態による低電力近接ＡＣ電流センサーの斜視図である。
【００１７】
本実施形態の電流センサー２０は、磁性体２１、圧電フィルム２２、上部電極配線２３、下部電極配線２４、基板２５を包含する。
【００１８】
図２は、圧電フィルム２２によって電流センサー２０が形成されていることを概略的に示している。
【００１９】
図２を参照すると、基板２５の上部には、中央から一方にやや偏った位置に所定のくぼみ部２６が形成され、前記くぼみ部２６の上部に圧電フィルム２２が形成されるが、前記くぼみ部２６の位置は、以下で詳述する圧電フィルム２２の動きを自由にする位置であれば、前記基板２５上の何れの位置でも構わない。
【００２０】
前記圧電フィルム２２の上部には磁性体２１が積層され、前記圧電フィルム２２の一方側には一対の電極配線２３、２４が形成されるが、前記圧電フィルム２２の上部面には上部電極配線２３が、同下部面には下部電極配線２４がそれぞれ接触される。本実施形態の圧電フィルム２２は図示のように片持ばり形態で装着されているが、前記圧電フィルム２２の装着は多様な形態で装着されることができ、その装着方法に対しては以下の図３で詳細に説明する。
【００２１】
前記圧電フィルム２２は、前記磁性体２１の位置変化によって変形される。即ち、前記磁性体２１の周囲に磁界が形成され、前記圧電フィルム２２の上部に積層された磁性体２１が位置変化を起こすと、これに応じて圧電フィルム２２に変形が発生するとともに、その変形によって電荷を発生させる。前記圧電フィルムは、前記磁性体２１の周囲に形成された磁界の強度に比例してその位置が変化する。
【００２２】
又、前記電極配線２３，２４は、前記圧電フィルム２２によって発生された電荷の大きさを測定するために、前記発生された電荷を所定の測定装置(図示せず)へ誘導する役割をする。
【００２３】
前記圧電フィルム２２の材料は、一般的に圧電効果の大きいロシェル塩（Rochell salt）、チタン酸バリウムなどを使用することが好ましい。
【００２４】
前記の内容をさらに要約すれば、通常の導線にＡＣ電流が印加されると、電流の大きさに比例して導線の周囲に磁界が形成され、前記磁界の強度に比例して前記磁性体２１の位置が変化する。前記磁性体２１の位置変化の幅に従って前記圧電フィルム２２から発生する電荷の大きさの変化を検出することによって電流の量を測定することができる。
【００２５】
図３の（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の一実施形態による低電力近接ＡＣ電流センサーの多様な変形例である。
【００２６】
図３の（ａ）は、磁性体３１ａが圧電フィルム３２ａ上部の全面に積層された片持ばり形態の電流センサーである。図３の（ｂ）は、磁性体３１ｂが圧電フィルム３２ｂの一定部分に積層されたブリッジ形態の電流センサーである。図３の（ｃ）は、磁性体３１ｃが圧電フィルム３２ｃ上の全面に積層されたブリッジ形態の電流センサーである。図３の（ｄ）は、磁性体３１ｄが圧電フィルム３２ｄ上の全面に積層された薄膜形態の電流センサーである。図３の（ｅ）は、磁性体３１ｅが圧電フィルム３２ｅの一定部分に積層された薄膜形態の電流センサーである。図３の（ｆ）は、前記図３の（ｄ）と図３の（ｅ）に図示する薄膜形態の圧電フィルムでなる電流センサーにおいて圧電フィルム上の磁性体を除去した電流センサーである。前記薄膜形態の圧電フィルムで形成された電流センサーの基板に形成するくぼみ部３２ｆは、前記片持ばり形態やブリッジ形態で形成された、圧電フィルムでなる電流センサーのくぼみ部より大きく形成することが好ましい。
【００２７】
図４は、本発明の一実施形態による低電力近接ＡＣ電流センサー２０の装着例の図示であり、図５は、本発明の一実施形態による低電力近接ＡＣ電流センサー２０の動作原理を説明する概念図である。
【００２８】
図５を参照すると、導線４１に流れる電流によって導線４１の周囲には導線を中心にして同心円形態の磁界が発生し、磁性体が積層された圧電フィルムを含む電流センサー２０が磁界によって動くようになる。図５に図示するように前記の圧電材料からなる圧電フィルムの場合、圧電フィルムの動きによって電荷が発生し、これを電圧又は電流の形態で測定することになるのである。
【００２９】
図６の（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態による外部の雑音を除去する機能が追加された電流センサーパッケージの斜視図である。
【００３０】
前記電流センサーパッケージは、図２の電流センサー２０にリファレンスセンサー６１がさらに設けられる。
【００３１】
前記図６の（ａ）は、リファレンスセンサー６１を概略的に示している。図６の（ａ）を参照すると、前記リファレンスセンサー６１は、図２の電流センサー２０とその構造が同一である。但し、前記リファレンスセンサーが形成される下部基板２５にはくぼみ部が形成されていない。一般的に電流が流れる導線の周囲には導線の電流から発生する信号以外の雑音成分が常に存在し、このような外部雑音成分を除去するためにリファレンスセンサー６１を同時に具備することができる。同一の電流入力に対してリファレンスセンサー構造物は、対応電極の動きが排除された雑音成分のみを発生させるため、二つの信号を差分すると電流によって発生する純粋な信号を検出することができる。
【００３２】
以上、導線の周囲に形成される磁界の変化に従って圧電フィルムから発生する電荷量の変化による電流の量を測定する圧電効果方式に対して詳述したが、以下では、静電容量の変化に従って電流の量を測定する電流センサーに対して詳述する。
【００３３】
図７は、本発明の一実施形態による静電容量検出型の電流センサーの斜視図である。
【００３４】
本実施形態の低電力近接ＡＣ電流センサーは、磁性体７１、対応電極上・下板７２，７３、支持部材７４、上・下部電極配線７５，７６及び基板７７を含む。
【００３５】
なお、図７は、基板７７の上部に装着されている対応電極上・下板７２，７３及び上・下部電極配線７５，７６を概略的に示している。
【００３６】
図７を参照すると、基板７７の上部には対応電極上・下板７２，７３が形成され、前記対応電極上板７２の上部には磁性体７１が積層される。又、前記対応電極の上板７２と下板７３は所定のギャップを有して互いに対向するように形成される。前記対応電極上板７２と対応電極下板７３間の所定のギャップは、図示のように所定の厚さを有する支持部材７４を前記対応電極下板７３の一端側に介装し、さらに前記支持部材７４の上部に対応電極上板７２を載置することによって形成されるのが好ましい。
【００３７】
前記支持部材７４と連接している対応電極上板７２と対応電極下板７３の一端側には図示のように上・下部電極配線７５，７６が接触している。即ち、前記対応電極上板７２の一端側の上部には上部電極配線７５が接触され、前記対応電極下板７３の一端側の下部には下部電極配線７６が接触される。なお、前記対応電極上・下板７２、７３と磁性体７１は、多様な形態で形成されることができ、その形成方法に対しては以下図８の変形例で詳細に説明する。
【００３８】
次に、図７の形成による電流センサーの作動と機能を説明する。
【００３９】
まず、前記対応電極上板７２は、前記磁性体７１の動きによって変形される。即ち、前記対応電極上板７２の上部に積層された磁性体７１の周囲に形成される磁界により前記磁性体７１が動くことによって前記対応電極上板７２が変形を起す。又、前記磁性体７１は、周囲に形成される磁界の強度に比例して位置変化の大小が決められるとともに、前記対応電極上板７２の変形によって前記対応電極上板７２と対応電極下板７３の距離間隔に変化が発生し、前記変化は両板７２，７３の間で形成される静電容量に変化を起す。即ち、導線の周囲に形成される磁界の強度に比例して静電容量が変化し、前記磁界の強度は容易に測定することができる。
【００４０】
さらに、前記上・下部電極配線７５，７６は、対応電極７２，７３で形成された静電容量による電気信号を測定するために所定の測定装置(図示せず)に電気信号を誘導する機能を果す。
【００４１】
さらに前述の説明を要約すると、一般の導線にＡＣ電流が印加されると、電流の大きさに比例して導線の周囲に磁界が形成され、前記磁界の強度に比例して前記磁性体７１の位置に変化が発生する。前記磁性体７１の位置変化の幅に従って前記対応電極上板７２が変形し、この変形によって前記対応電極上板７２と対応電極下板７３の距離が変化し、前記対応電極上板７２と対応電極下板７３によって形成される静電容量の大きさに変化を起し、この変化を測定することによって電流の大きさを測定することができるようになる。
【００４２】
図８の（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の一実施形態による前記静電容量検出型電流センサーにおける対応電極板と磁性体の多様な変形例を表す斜視図と側面図である。
【００４３】
図８の（ａ）は、磁性体８１ａが対応電極上板８２ａの上部全面に積層された片持ばり形態の静電容量検出型電流センサーの斜視図である。本実施形態は前記図７の実施形態とはその構造が略同様であるが、図７に図示する静電容量検出型電流センサーに積層された磁性体７１は、対応電極上板７２上の一部に積層されているが、図８の（ａ）の磁性体８１ａは対応電極上板８２ａの上部全面にかけて積層されている。又、このセンサーは、対応電極８２ａ，８４ａの一端側にのみ支持部材８３ａが介装されてギャップを形成する。
【００４４】
図８の（ｂ）は、磁性体８１ｂが対応電極上板８２ｂの上部中間の一部面に積層される静電容量検出型電流センサーの斜視図である。本実施形態は前記図７の実施形態とその構造は略同様に構成されるが、前記磁性体８１ｂは、図示のように対応電極上板８２ｂの一方側ではなく中央面に積層されていることが異なる。又、支持部材８３ｂは、対応電極上板８２ｂの一端側だけでなく、他の一端側にも介装されている。従って、対応電極上板８２ｂと対応電極下板８４ｂが両支持部材８３ｂによってギャップを形成する。なお、前記対応電極上・下板８２ｂ、８４ｂは、外部磁界の変化に従って中間部分にある磁性体８１ｂに距離変化が発生し、静電容量の変化を起す。前記の変化に基づく電流の測定は前述の実施形態と同様の原理である。
【００４５】
図８の（ｃ）は、磁性体８１ｃが対応電極上板８２ｃの上部全面に積層された静電容量検出型電流センサーの斜視図である。本実施形態も前記図８の（ｂ）の実施形態とその構造が略同様であるが、本実施形態の磁性体８１ｃは対応電極上板８２ｃの上部全面に積層されるとともに図８の（ｂ）と同様に支持部材８３ｃが対応電極上・下板８２ｃ，８４ｃの両側の間に介装される。
【００４６】
図８の（ｄ）は、磁性体８１ｄが対応電極上板８２ｄの上部全面に積層された薄膜形態の静電容量検出型電流センサーの斜視図である。本実施形態は前記図８の（ｃ）の実施形態とその構造が略同様であるが、ただ、対応電極上・下板８２ｄ，８４ｄの形態が図示のように基板上部の略全面を覆うように拡大された薄膜形態で形成されていることを特徴とする。又、磁性体８１dも前記対応電極上板８２ｄの上部全面に積層される。
【００４７】
図８の（ｅ）は、磁性体８１ｅが対応電極上板８２ｅの中央部の一部面に積層された薄膜形態の静電容量検出型電流センサーの斜視図である。本実施形態は前記図８の（ｄ）の実施形態とその構造が略同様であるが、ただ、磁性体８１ｅが対応電極上板８２ｅ中央部の一部面に積層されることを特徴とする。
【００４８】
図８の（ｆ）は、前記図８の（ｅ）に図示した静電容量検出型電流センサーの縦断面図であって、対応電極上・下板８２ｅ，８４ｅの間にはやはり、支持部材８３ｅの介装によってギャップが形成された様子を示す。
【００４９】
図９及び図１０は、本発明の一実施形態による静電容量検出型電流センサー９０が導線に装着されて使用される状態を示す模式図である。
【００５０】
図９を参照すると、前記静電容量検出型電流センサー７０は、導線９０に極めて近接した状態で作動する。図１０を参照してその作動過程を説明する。導線９０に沿って流れる電流によって導線９０の周囲には導線９０を中心とする同心円形態の磁界が発生し、磁性体が積層された対応電極上板は前記磁界によって動くようになる。図１０に例示されているように前記磁性体を具備する対応電極上・下板でなる静電容量検出型電流センサー７０は、対応電極上板の動きによって静電容量に変化を起し、これを電気的な信号で検出することになる。
【００５１】
図１１の（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態による外部雑音の除去機能が追加された静電容量検出型電流センサーパッケージの斜視図である。即ち、本実施形態の静電容量検出型電流センサーは、リファレンスセンサー１００をさらに具備する。
【００５２】
図１１の（ａ）及び（ｂ）を参照すると、前記リファレンスセンサー１００は一枚の板１０２と前記板１０２の上部に磁性体１０１が積層される。前記リファレンスセンサー１００の板１０２は前記対応電極上板７２と同一であり、前記リファレンスセンサー１００の磁性体１０１は、前記対応電極上板７２の磁性体７１と同一であることが好ましい。一般的に電流が流れる導線の周囲には導線の電流から発生する信号以外の雑音成分が常に存在し、このような雑音成分を除去するためにリファレンスセンサー１００を同時に具備することができる。同一の電流入力に対してリファレンスセンサー１００は対応電極７２、７３の動きが排除された雑音成分のみを発生させるため、二つの信号を差分すると電流によって発生する純粋な信号を検出することができる。
【００５３】
以上、添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は斯かる例に限定されない。又、当業者であれば特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然本発明の技術的範囲に属するものと了解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】従来の一般的な電流計の内部構造を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による、低電力近接ＡＣ電流センサー（以下、電流センサーと略記）の斜視図である。
【図３】（ａ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が圧電フィルムの全面に積層された片持ばり形態の電流センサーを示す図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が圧電フィルムの一部に積層されたブリッジ形態の電流センサーを示す図であり、（ｃ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が圧電フィルムの全面に積層されたブリッジ形態の電流センサーを示す図であり、（ｄ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が圧電フィルムの全面に積層された薄膜形態の電流センサーを示す図であり、（ｅ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が圧電フィルムの一部に積層された薄膜形態の電流センサーを示す図であり、（ｆ）は、図３の（ｄ）と（ｅ）に図示する薄膜形態の電流センサーにおいて、磁性体を除去した図である。
【図４】本発明の一実施形態における、電流センサーを導線に装着させた状態の装着例である。
【図５】本発明の一実施形態における、電流センサーの動作原理を説明する概念図である。
【図６】（ａ）は、本発明の一実施形態における、外部雑音を除去する機能が追加された電流センサーの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態における、外部雑音を除去する機能が追加された電流センサーの斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態における、静電容量検出型電流センサーの斜視図である。
【図８】（ａ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が対応電極上板の上部全面に積層された片持ばり形態の静電容量検出型電流センサーを示す図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が対応電極上板の上部の一部面に積層された静電容量検出型電流センサーを示す図であり、（ｃ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が対応電極上板の上部全面に積層された静電容量検出型電流センサーを示す図であり、（ｄ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が対応電極上板の上部全面に積層された薄膜形態の静電容量検出型電流センサーを示す図であり、（ｅ）は、本発明の一実施形態における、磁性体が対応電極上板の上部中央の一部面に積層された薄膜形態の静電容量検出型電流センサーを示す図であり、（ｆ）は、図８の（ｅ）に図示された静電容量検出型電流センサーの縦断面図である。
【図９】本発明の一実施形態における、静電容量検出型電流センサーの装着例である。
【図１０】本発明の一実施形態における、静電容量検出型電流センサーの動作原理を説明する概念図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の一実施形態における、外部雑音の除去機能が追加された静電容量検出型電流センサーの斜視図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態における、外部雑音の除去機能が追加された静電容量検出型電流センサーの変形斜視図である。
【符号の説明】
【００５５】
２０  低電力近接ＡＣ電流センサー（電流センサーと略記することもある）
２１  磁性体
２２  圧電フィルム
２３  上部電極配線
２４  下部電極配線
２５  基板（下部基板）
２６  くぼみ部
３１ａ〜３１ｅ  磁性体
３２ａ〜３２ｅ  圧電フィルム
３２ｆ  くぼみ部
４１  導線
６１  リファレンスセンサー(referencesensor)
６２  磁性体
６３  圧電フィルム
６４  上部電極配線
６５  下部電極配線
７０  静電容量検出型電流センサー
７１  磁性体
７２  対応電極上板
７３  対応電極下板
７４  支持部材
７５  上部電極配線
７６  下部電極配線
７７  基板
８１ａ〜８１ｅ  磁性体
８２ａ〜８２ｅ  対応電極上板
８３ａ〜８３ｅ  支持部材
８４ａ〜８４ｅ  対応電極下板
９０  導線
１００  リファレンスセンサー
１０１  磁性体（対応電極上板７２に積層された磁性体７１と同一）
１０２  リファレンスセンサー板（対応電極上板７２と同一）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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