(57)【要約】【課題】  容易に小型化できると共に、十分な放熱性が得られる光半導体素子用ステムを提供する。【解決手段】  円弧状の外側側面Ａと、その反対側の、光半導体素子５を実装するための実装部１４が設けられた実装側面Ｂとを備えた金属立体から構成される基体部１０と、基体部１０の実装側面Ｂの下部側に設けられ、基体部１０に絶縁体２２を介して固定されたリード２０とを含み、さらに、基体部１０の実装側面Ｂの両端部に防御部１０ｂがそれぞれ設けられている。【選択図】  図６
2006303384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側側面と、該外側側面と反対側の、光半導体素子を実装するための実装部が設けられた実装側面とを備えた金属立体から構成される基体部と、
前記基体部の前記実装側面の下部側に設けられ、前記基体部に絶縁体を介して固定されたリードとを有することを特徴とする光半導体素子用ステム。
【請求項２】
前記基体部の外側側面は、外周が円弧状になっていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項３】
前記基体部には、前記実装側面の幅方向の両端部に、該実装側面から突出する防御部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項４】
前記実装部は、前記実装側面の上部側に凹部が設けられ、該凹部の上部が開口されて構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項５】
前記実装部は、前記開口された前記上側の側面が前記基体部の上面から下がった位置に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項６】
前記防御部は、該防御部の側面が前記基体部の外側側面と不連続面となるように、前記実装側面の幅方向の両終端部から内側にずれた位置にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項３に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項７】
前記防御部は、該防御部の側面が前記基体部の外側側面から連続面となって繋がるように、前記実装側面の幅方向の両終端部にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項３に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項８】
前記基体部の外側側面の下部側に、鍔部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項９】
前記実装部に実装される前記光半導体素子は、気密封止して実装する必要がない半導体レーザ素子であり、前記光半導体素子用ステムには前記半導体レーザ素子を気密封止するキャップを設けないことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項１０】
前記絶縁体は、絶縁性両面接着テープ、ガラス又は樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項１１】
前記基体部は銅、銅合金又は鉄よりなり、前記リードは銅、鉄又はコバールよりなることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステム。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の光半導体素子用ステムと、
光出射面が上側になって前記実装部に実装され、前記リードに電気的に接続された半導体レーザ素子とを有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項１３】
前記リードは半導体レーザ素子用リードとグランドリードとを含み、前記半導体レーザ素子は、前記半導体レーザ素子用リード及び前記グランドリードにワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の光半導体装置。
【請求項１４】
前記リードは、前記半導体レーザ素子用リード、前記グランドリード、及び受光素子用リードにより構成され、
前記実装部の半導体レーザ素子の下側に実装されて、前記半導体レーザ素子の光出力をモニタする受光素子をさらに有し、
前記受光素子は、前記受光素子用リード及び前記グランドリードにワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の光半導体装置。
【請求項１５】
前記素子は、気密封止して実装する必要がないものであり、前記素子はキャップによって気密封止されていないことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の光半導体装置。
【請求項１６】
前記光半導体装置は、光モジュールに組み込まれる際、前記基体部は、前記外側側面が前記光モジュールを構成するための金属ケースの開口部の側面に接触した状態で前記金属ケースに挿入されて実装されることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子用ステム及び光半導体装置に係り、さらに詳しくは、光通信装置や光ディスク装置などに適用される半導体レーザ素子などが実装される光半導体素子用ステム及びそれを使用した光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光半導体装置として、金属製のステムの上に半導体レーザ素子とその出力をモニタする受光素子が実装されたものがある。図１は従来の光半導体素子用ステムに光半導体素子が実装された光半導体装置の一例を示す斜視図である。図１に示すように、従来の光半導体素子用ステム１００は、円形状のアイレット１００ａとその上に配置された放熱部１００ｂとにより基本構成されている。
【０００３】
アイレット１００ａの周縁部には光透過窓１１０が天井壁に設けられた金属キャップ１０８が抵抗溶接されていて、この光透過窓１１０はガラス板で覆われている。そして、放熱部１００ｂの側面には半導体レーザ素子１０４が実装されている。また、アイレット１００ａ上の放熱部１００ｂの近傍には底面に傾斜をもったへこみ部１０５が設けられており、その底部に受光素子１０６が傾斜した状態で実装されている。
【０００４】
このようにして金属キャップ１０８内に半導体レーザ素子１０４及び受光素子１０６が気密封止された状態で収容されて、それらの素子の信頼性が確保される。
【０００５】
また、アイレット１００ａには、その厚み方向に貫通する２つの絶縁体１１２ａ，１１２ｂが設けられている。その絶縁体１１２ａ，１１２ｂの中心部には半導体レーザ素子用リード１１４ａ及び受光素子用リード１１４ｂがそれぞれ挿設されており、これらのリード１１４ａ，１１４ｂはステム１００に対して電気的に絶縁された状態になっている。また、共通（グランド）リード１１４ｃがアイレット１００ａに電気的に接続された状態で設けられている。
【０００６】
半導体レーザ素子１０４はワイヤ１１６ａを介して半導体レーザ素子用リード１１４ａと電気的に接続され、また受光素子１０６はワイヤ１１６ｂを介して受光素子用リード１１４ｂと電気的に接続されている。
【０００７】
従来の光半導体素子用ステムに光半導体素子が実装された光半導体装置は、このような構成になっていて、半導体レーザ素子１０４の光出射面１０４ａから放出された光が光透過窓１１０を透過して外部に放出される。また、半導体レーザ素子１０４の光出射面１０４ａと反対面１０４ｂから放出されたモニタ光を受光素子１０６が受光し、これに基づいて半導体レーザ素子１０４のレーザ出力が制御される。
【０００８】
ところで、上記したような放熱部１００ｂが立設されたステム１００は、鉄層／銅層／鉄層構造のクラッド材がプレス加工されることにより製造される。このため、アイレット１００ａは、鉄層１００ｙ／銅層１００ｘ／鉄層１００ｙ構造となり、また放熱部１００ｂはその表層部全体が鉄層で被覆された状態で成形される。このようなクラッド材を使用する理由は、銅からなるアイレット１００ａに金属キャップ１０８を抵抗溶接することは困難であるため、銅層１００ｘ上に抵抗溶接に適した鉄層１００ｙを設けておく必要があるからである。
【０００９】
しかしながら、鉄層は抵抗溶接には適するものの、熱伝導性は銅層よりもかなり悪いので、鉄層上に半導体レーザ素子１０４が実装される従来の光半導体素子用ステムでは、十分な放熱特性が得られない。このため、半導体レーザ素子１０４の温度変化によって、半導体レーザ素子１０４から放出される光の出力や波長が変動するなどの不具合が発生しやすい。
【００１０】
また、近年では、光半導体素子の耐酸化性などの信頼性が向上し、気密封止する必要がなくなりつつあることから、金属キャップ１０８の光透過窓１１０にガラスを設けないものもある。
【００１１】
以上のような光半導体素子を気密封止する必要がないという観点から、前述した従来技術の図１のステムにおいて、ステム全体を銅などの熱伝導性の高い金属から構成し、さらに金属キャップを省略した構造の同一金属一体型のキャップレスステムが開発されている（特許文献１及び２）。
【特許文献１】特開２００４−６６５９号公報
【特許文献２】特開２００４−３４９３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１及び２のステムでは、水平方向に配置されるアイレット（ベース部）にリードを設ける構成であるので、アイレットに開口部を形成し、その中にリードを設け、さらにアイレットとリードを電気絶縁するためにリードの外周隙間をガラスや樹脂によって封止する必要がある。このため、金属板をプレス加工したり、リードを組み立てたりする際の精度を考慮すると小型化を図るとしても直径３．３ｍｍ程度が限界である。しかも、小型化を図るとパッケージの放熱性が低下するので、このような観点からも小型化が妨げられている。
【００１３】
さらには、従来技術のステムでは、ステム上に立設する放熱部に位置合わせされて半導体レーザ素子が実装され、金属キャップを設ける場合は、金属キャップは半導体レーザ素子に対してある程度位置ずれして配置される。このため、図２及び図３に示すように、光モジュール（ＤＶＤ装置などの光ピックアップなど）を構成する際に、筒状のアルミケース１２０の開口部１２２の中央部に半導体レーザ素子１０４を位置合わした状態でステム１００を装着するには、金属キャップ１０８ではなくステム１００の外周部をアルミケース１２０のガイド部１２４に装着する必要がある。このため、半導体レーザ素子１０４から放出される熱は放熱部１００ｂからアイレット１００ａの外周部を経由してアルミケース１２０側に熱伝導するので、銅一体型のステムを採用しても必ずしも十分な放熱性が得られない場合が多い。
【００１４】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、容易に小型化できると共に、十分な放熱性が得られる光半導体素子用ステム及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明は光半導体素子用ステムに係り、外側側面と、該外側側面と反対側の、光半導体素子を実装するための実装部が設けられた実装側面とを備えた金属立体から構成される基体部と、前記基体部の前記実装側面の下部側に設けられ、前記基体部に絶縁体を介して固定されたリードとを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の光半導体素子用ステムでは、基体部は好適には外周が円弧状になった外側側面とその反対側の実装側面とを備えた金属立体からなり、基体部の実装側面の上部側に光半導体素子を実装するための実装部が設けられている。さらに、基体部の実装側面の下部側にリードが基体部に電気絶縁された状態で固定されている。
【００１７】
本発明の光半導体素子用ステムに実装される光半導体素子は、気密封止して実装する必要がない信頼性の高いものが使用され、特別にガラスキャップを設ける必要がない構造となっている。そして、基体部の実装部に光半導体素子が実装され、光半導体素子はワイヤによって所要のリードに電気的に接続される。このように、本発明では、従来技術のようなアイレットが不要で、かつその開口部にリードを絶縁した状態で設ける必要もなく、基体部として水平方向に設置面積を極力とらない垂直型の金属立体を採用するようにしたので、従来技術に比べて格段に小型化を図ることができる。
【００１８】
本発明の光半導体素子用ステムは、光モジュールに組み込まれる際に、金属ケース（アルミニウムなど）の開口部に基体部の外側側面が接触した状態で挿入されて実装される。このため、光モジュールに組み込まれる際に基体部の実装部の背面側に接触する金属ケースがヒートシンクの役割を果たすので、ステムの小型化による放熱性の低下を考慮する必要がなく、小型化と高放熱性を両立させることができる。
【００１９】
上記した発明において、基体部には、実装側面の幅方向の両端部に、実装側面から突出する防御部がそれぞれ設けられていることが好ましい。この態様の場合、ステムのハンドリングを容易にすると共に、ステムに光半導体素子が実装された後に光半導体素子やワイヤに損傷を与えることを防止することができる。
【００２０】
本発明の光半導体素子用ステムは、例えば、半円柱状の金属立体をその平面状の側面側からプレス加工することにより容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明の光半導体素子用ステムでは、小型化を図れるばかりではなく、放熱性をも向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図４は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムを示す斜視図である。図４に示すように、本実施形態の光半導体素子用ステム１は、基体部１０とその下部側に設けられたリード２０とにより基本構成されている。基体部１０は、外側側面としての半円状側面Ａ及びその反対側の実装側面Ｂを備えた半円柱状のベース部１０ａと、ベース部１０ａの実装側面Ｂの幅方向の両端部からそれぞれ突出して設けられた２つの防御部１０ｂとにより基本構成されている。本実施形態では、光モジュールを構成する金属ケースの円状の開口部に、基体部１０の外側側面を接触させて実装する形態を例示するので、基体部１０の外側側面として、半円状側面Ａの他に各種の円弧を有する曲面が好適に使用される。また、基体部１０の外側側面は、各種の光モジュール実装の形態に合わせて平面状などの各種の側面形状を採用することができる。
【００２４】
各防御部１０ｂは、ベース部１０ａの半円状側面Ａの両終端部から内側にずれた位置にそれぞれ形成されており、ベース部１０ａの半円状側面Ａと防御部１０ｂの外側面Ｃは不連続面となっている。また、ベース部１０ａの実装側面Ｂの上側中央部には半導体レーザ素子（光半導体素子）を実装するための実装部１４が設けられており、この実装部１４は底面Ｂ１をもつ凹部がベース部１０ａの実装側面Ｂに形成されて画定されている。
【００２５】
さらに、半円柱状のベース部１０ａの上面のうちの外周部を除く内側部には、底面Ｄをもつ段差部１６が設けられており、その段差部１６の底面Ｄに凹状の実装部１４の上部が開口した状態となっている。なお、実装部１４は、実装側面Ｂに凹部を設けないで実装側面Ｂと同一面に配置してもよい。
【００２６】
また、基体部１０の半円状側面Ａの下部側には、外側に突出する鍔部１０ｃが設けられている。この鍔部１０ｃは、光モジュールの金属ケースの開口部に基体部１０を実装する際に位置決めを行うために設けられている。
【００２７】
基体部１０の材料としては、銅（Ｃｕ）、銅（Ｃｕ）合金、又は鉄（Ｆｅ）などが使用される。基体部１０は放熱部を兼ねるので、熱伝導性の高いＣｕを使用することが好ましい。
【００２８】
このような構造の基体部１０は、半円柱状の金属立体をその平面状の側面側からプレス加工することにより容易に製造することができる。
【００２９】
また、基体部１０の実装側面Ｂの下部側にはリード２０が設けられており、リード２０は第１リード２０ａ、第２リード２０ｂ及び第３リード２０ｃから構成されている。リード２０の材料としては、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、又はコバール（鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びコバルト（Ｃｏ）からなる合金）などが使用される。図５を加えて参照すると、第１〜第３リード２０ａ〜２０ｃは、絶縁性接着層２２によって基体部１０に固定されており、リード２０は基体部１０と電気的に絶縁された状態となっている。リード２０を基体部１０に固定するには、まず、リードフレームのリードの先端部に絶縁性両面接着テープを接着し、次いでリードフレームの絶縁性両面接着テープが設けられた部分を基体部１０の実装側面Ｂに熱プレスによって接着した後に、所要のリード２０が残るようにリードフレームをプレス加工によって切断する。リード２０は絶縁体を介して基体部１０に固定されていればよく、ガラスや樹脂などを介して固定されるようにしてもよい。
【００３０】
なお、基体部１０を接地させるなどの必要がある場合は、グランド用のリードを基体部１０に溶接又はろう付けすることにより、グランド用のリードを基体部１０に電気的に接続するようにしてもよい。
【００３１】
このように、本実施形態の光半導体素子用ステム１は、半円柱状の金属立体がプレス加工されて、実装部１４や防御部１０ｂなどを備えた基体部１０が成形された後に、リード２０が一連のプレス加工によって基体部１０に固定されて製造される。さらに、本実施形態の光半導体素子用ステム１では、基体部１０及びリード２０の表面全体にＮｉ／Ａｕめっき（不図示）が施されている。あるいは、基体部１０の実装部１４のみに選択的にＮｉ／Ａｕめっきを施すようにしてもよい。
【００３２】
図６には、上述した光半導体素子用ステム１に半導体レーザ素子（光半導体素子）が実装されて構成される第１実施形態の光半導体装置２が示されている。図６に示すように、基体部１０の実装部１４（Ｎｉ／Ａｕめっき面）の上に金／すず系はんだなどのろう材（不図示）を介してサブマウント２４が固着され、その上にろう材（不図示）を介して光出射面５ａが上側になった状態で半導体レーザ素子５が固着されている。サブマウント２４は、高い放熱性を有し、かつ周辺材料の熱膨張係数の差による応力の発生を抑制できる材料からなり、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やシリコン（Ｓｉ）などが用いられる。
【００３３】
さらに、半導体レーザ素子５は、半導体レーザ素子用の第１リード２０ａにワイヤ２６ａを介して電気的に接続され、またグランド用の第３リード２０ｃにワイヤ２６ｃを介して電気的に接続されている。これらの第１、第３リード２０ａ、２０ｃの間に半導体レーザ素子５の駆動に必要な電圧が印加されると、半導体レーザ素子５の光出射面５ａから上側にレーザ光が出射される。
【００３４】
なお、第１実施形態では、第２リード２０ｂは電気的に使用されないフローティングリードとなっている形態が例示されており、リード２０の数は光半導体素子の種類や個数、又は光モジュールに実装する際の仕様に合わせて適宜調整すればよい。また、必ずしも、サブマウント２４を設ける必要はなく、半導体レーザ素子５を基体部１０の実装部１４に直接実装してもよい。
【００３５】
本実施形態では、半導体レーザ素子５として、気密封止して実装する必要がない仕様で設計されたものが使用される。つまり、大気に曝された状態で動作させても何ら不具合が発生しないような仕様で製造されたものである。このため、本実施形態の光半導体素子用ステム１には半導体レーザ素子５を気密封止するためのガラスキャップは設けられず、半導体レーザ素子５が大気に曝された状態で実装が完了する。
【００３６】
基体部１０の両端側に設けられた各防御部１０ｂは、光半導体素子用ステム１自体のハンドリング性を容易にすると共に、光半導体素子用ステム１に半導体レーザ素子５が実装された後のハンドリング時に半導体レーザ素子５やワイヤ２６ａ、２６ｃに損傷を与えないようにするために設けられる。また、基体部１０の上面に段差部１６を設けることにより、実装部１４の上部を基体部１０の上面から下がった位置に配置できるので、半導体レーザ素子５がハンドリング時に上側から衝撃を受けることが防止される。
【００３７】
また、２つの防御部１０ｂの間は開放されているので、半導体レーザ素子５を搭載する際、あるいは半導体レーザ素子５と第１、第３リード２０ａ，２０ｃとをワイヤで２６ａ，２６ｃで結線する際に、実装部１４の上側（図６では横方向）から搭載作業や結線作業を容易に行えるようになっている。
【００３８】
本実施形態では、従来技術と違って設置面積が大きくなりがちなアイレットが不要であり、基体部１０は水平方向に設置面積を極力とらない垂直型構造となっているので、従来技術よりも格段に小型化を図れるようになる。
【００３９】
また、製造方法の観点からは、従来技術のようなアイレットの開口部にリードを電気絶縁した状態で挿入するような組み立て性が悪く小型化を阻害する方法を採用する必要がなく、一連のプレス加工とめっき処理で製造可能であるので、製造工程が大幅に短縮されて製造コストの削減を図ることができる。
【００４０】
さらには、従来技術のステムの構造では、金属板に煩雑な成形工程でプレス加工を行って製造する必要があるので、加工部の周囲ににがし部を設けたり、位置合わせに余裕をとったりする必要がある。このため、比較的多くの金属板の面積を必要とし、無駄に廃棄する金属板の部分が多く、コスト増加の一因となっている。
【００４１】
しかしながら、本実施形態では、半円柱状の金属立体を所要の長さにカットした後に、その金属立体の平面状の側面に対して簡易なプレス加工によって容易に製造できるので、金属立体の廃棄する部分が少なく、金属材料を有効利用できるという観点からもコスト削減を図ることができる。
【００４２】
ところで、光半導体素子用ステム１の小型化を進めると、十分な放熱性が得られなくなるおそれがある。しかしながら、本実施形態では、以下のようにして光モジュール（ＤＶＤ装置の光ピックアップなど）に組み込むことにより、小型化と高い放熱性を両立させることができる。図７には、図６の光半導体素子装置２が光モジュールを構成するための筒状の金属ケース７の開口部７ａに挿入されて実装された様子が描かれている。なお、図７では金属ケース７は断面斜視図で描かれている。
【００４３】
図７に示すように、本実施形態の光半導体装置２は、基体部１０の半円状側面Ａが金属ケース７の開口部７ａの円周部の一部に対応して相互に接触するように金属ケース７に挿入されて実装される。このとき、金属ケース７の円状の開口部７ａに基体部１０を挿入した状態で、その開口部７ａ中で光半導体装置２を回転させることにより、半導体レーザ素子５の光出射面５ａの位置決めが行われる。このため、光半導体装置２の基体部１０の外側側面は、半円状側面Ａの他に金属ケース７の開口部７ａ内で回転できるような各種の円弧状の側面を備えた形状であってもよい。なお、光半導体装置２の基体部１０の外側側面は、各種の光モジュールの実装形態に合わせて様々な形状を採用できる。
【００４４】
またこのとき、金属ケース７の開口部７ａの下側外周部には、光半導体装置２の基体部１０の鍔部１０ｃに嵌合するガイド部７ｂが設けられており、金属ケース７のガイド部７ｂに光半導体装置２の鍔部１０ｃを突き当てることによって、半導体レーザ素子５の光出射面５ａの高さ方向の位置決めが行われる。
【００４５】
光モジュールの金属ケース７は、銅やアルミニウムなどの熱伝導性の高い材料よりなる。このため、光半導体素子用ステム１が小型化されるとしても、基体部１０の半円状側面Ａが密着する金属ケース７がヒートシンクの役割を果たすので、ステム１が小型化されても実質的に放熱性が低下することはなく、ステム１自体の放熱性を考慮する必要がなくなる。
【００４６】
しかも、従来技術（図２及び図３）では、半導体レーザ素子が実装された放熱部からその下側のアイレットの外周を迂回して金属ケースに放熱している。これに対して、本実施形態では、基体部１０の実装部１４の背面から金属ケース７に直接放熱するので、熱抵抗の最短距離で放熱が可能になり、従来技術よりも格段に放熱性を向上させることができる。
【００４７】
図８には本発明の第１実施形態の第１変形例の光半導体素子用ステム１ａが示されている。図８に示すように、第１変形例の光半導体素子用ステム１ａでは、防御部１０ｂが、その外側面Ｃがベース部１０ａの半円状側面Ａと段差なく連続面で繋がるようにベース部１０ａの両終端部にそれぞれ形成されている。図８において、他の要素は図４と同一であるので、同一符号を付してその説明を省略する。
【００４８】
また、図９には本発明の第1実施形態の第２変形例の光半導体素子用ステム１ｂが示されている。図９に示すように、第２変形例の光半導体素子用ステム１ｂでは、図４の防御部１０ｂが省略されている。図９において、他の要素は図４と同一であるので、同一符号を付してその説明を省略する。なお、第１、第２変形例においても、基体部１０の下側に鍔部を設けるようにしてもよい。
【００４９】
第１、第２変形例は、図４の光半導体素子用ステム１と同様な効果を奏する。
【００５０】
（第２の実施の形態）
図１０は本発明の第２実施形態の光半導体装置示す斜視図である。第２実施形態は、本実施形態の光半導体素子用ステムに半導体レーザ素子の他にその出力をモニタする受光素子が実装された形態である。第２実施形態では、第１実施形態と同一要素には同一符号を付してその詳しい説明を省略する。
【００５１】
図１０に示すように、第２実施形態の光半導体装置２ａでは、基体部１０の実装部１４に設けられたサブマウント２４の上に半導体レーザ素子５が実装され、さらにその下のサブマウント２４の上に半導体レーザ素子５の光出力をモニタするための受光素子６が実装されている。第１実施形態と同様に、半導体レーザ素子５はワイヤ２６ａ，２６ｃを介して半導体レーザ素子用の第１リード２０ａ及びグランド用の第３リード２０ｃに電気的に接続されている。第２実施形態では、第２リード２０ｂが受光素子用リードとなり、第３リード２０ｃが共通のグランドリードとなる。そして、受光素子６は、ワイヤ２６ｂを介して受光素子用の第２リード２０ｂに電気的に接続され、またワイヤ２６ｄを介して共通グランドリードである第３リード２０ｃに電気的に接続されている。
【００５２】
第２実施形態の光半導体装置２ａはこのような構成になっており、半導体レーザ素子５の光出射面５ａから上側にレーザ光が出射される。また、半導体レーザ素子５の光出射面５ａと反対面５ｂから放出されるモニタ光を受光素子６が受光し、これに基づいて半導体レーザ素子５のレーザ出力が制御される。
【００５３】
第２実施形態においても、第１実施形態の第１、第２変形例のステムを適用してもよい。第２実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は従来技術の光半導体素子用ステムに光半導体素子が実装されて構成される光半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は従来技術の光半導体装置が光ピックアップを構成する筒状のアルミケースに実装された様子を示す斜視図である。
【図３】図３は図２の構造体を裏側からみた斜視図である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムを示す斜視図である。
【図５】図５は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムのリードの様子を示す部分断面図である。
【図６】図６は本発明の第１実施形態の光半導体素子用ステムに半導体レーザ素子が実装されて構成される光半導体装置を示す斜視図である。
【図７】図７は図６の光半導体装置が光モジュールを構成する金属ケースに挿入された様子を示す斜視図である。
【図８】図８は本発明の第１実施形態の第１変形例の光半導体素子用ステムを示す断面図である。
【図９】図９は本発明の第１実施形態の第２変形例の光半導体素子用ステムを示す断面図である。
【図１０】図１０は本発明の第２実施形態の光半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１，１ａ，１ｂ…光半導体素子用ステム、２，２ａ…光半導体装置、５…半導体レーザ素子、５ａ…光出射面、６…受光素子、７…金属ケース、７ａ…開口部、７ｂ…ガイド部、１０…基体部、１０ａ…ベース部、１０ｂ…防御部、１０ｃ…鍔部、１４…実装部、１６…段差部、２０…リード、２０ａ…第１リード、２０ｂ…第２リード、２０ｃ…第３リード、２２…絶縁性接着層、２４…サブマウント、２６ａ〜２６ｄ…ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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