(57)【要約】【課題】多数の微小な構造体を製造するに際し、製造に要する時間の増大を防止しつつ、歩留まりの向上を図ることができる構造体の製造方法、および、この製造方法を用いて製造された構造体を提供すること。【解決手段】基体１０を用意する第１の工程と、基体１０を複数の個片に分割可能とするように、基体１０に薄肉脆弱部１２を形成（連続的な溝部１１）を形成して、基体１０に対し区画を行う第２の工程と、基体１０の各区画内に対し、所定のパターンをなすマスクを介して、エッチングを行う第３の工程と、薄肉脆弱部１２を破断して、基体を複数の個片に分割することにより、複数の波長可変フィルタ１を得る第４の工程とを有することを特徴とする構造体の製造方法。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体を用意する第１の工程と、
前記基体を複数の個片に分割可能とするように、前記基体に薄肉脆弱部を形成して、前記基体に対し区画を行う第２の工程と、
前記基体の各区画内に対し、所定のパターンをなすマスクを介して、エッチングを行う第３の工程と、
前記薄肉脆弱部を破断して、前記基体を複数の個片に分割することにより、複数の構造体を得る第４の工程とを有することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程において、前記基体に連続的な溝部を形成することにより前記薄肉脆弱部を形成する請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項３】
前記溝部の底部の横断面形状は、先細りとなっている請求項２に記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記基体は、互いに接合された第１の基板および第２の基板を有するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、前記第１の基板および前記第２の基板を互いに接合する工程を有する請求項４に記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板と前記第２の基板との接合は陽極接合により行う請求項５に記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程において、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程の前に、前記第２の基板に凹部を形成する工程を有し、その後、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程において、前記第２の基板の前記凹部側の面と前記第１の基板の一方の面とを接合する請求項５または６に記載の構造体の製造方法。
【請求項８】
前記第３の工程において、前記第１の基板のうち、前記第２の基板の前記凹部に対応する部位の一部を除去して、可動部と、支持部と、前記可動部を前記支持部に対し可動とするようにこれらを連結する連結部とを形成する請求項７に記載の構造体の製造方法。
【請求項９】
前記第１の基板の厚さは前記第２の基板の厚さよりも小さい請求項８に記載の構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程において、前記第１の基板を貫通するとともに前記第２の基板に前記薄肉脆弱部を残すように、前記基体に溝部を形成する請求項８または９に記載の構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記第３の工程の工程に先立ち、前記第２の基板の前記凹部に連通するように前記第１の基板に第１の開口部を形成する工程を有し、前記第３の工程において、前記第１の基板に異形状の第２の開口部を形成することにより前記可動部と前記支持部と前記連結部とを形成する請求項７ないし１０のいずれかに記載の構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の開口部と前記第２の開口部とは離間している請求項１１に記載の構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の開口部と前記第２の開口部とを同一のエッチング処理により形成する請求項１１または１２に記載の構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記凹部を形成する工程の後、かつ、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程の前に、前記第２の基板の前記凹部の底面に電極を形成する工程を有し、前記第１の開口部を形成する工程において、前記第１の開口部を、前記電極を外部に引出し可能に設ける請求項７ないし１３のいずれかに記載の構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記第３の工程において、前記エッチングはドライエッチングにより行う請求項１ないし１４のいずれかに記載の構造体の製造方法。
【請求項１６】
前記区画の形成に先立ち、前記基体に前記第３の工程の前記エッチングに用いる前記マスクを形成する請求項１ないし１５のいずれかに記載の構造体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の構造体の製造方法によって製造されたことを特徴とする構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小な構造体の製造方法および構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシニング技術等を用いて基板を加工して、微小な光学素子や振動子などの構造体を製造する方法が知られている。このような微小な構造体を形成するに際しては、一般に、比較的大きなウエハ状の基板を材料として用いる（例えば、特許文献１参照。）。
例えば、特許文献１では、基板上に膜を形成してなる基体にエッチングを施すことにより、基板上の膜に微細な複数のパターンを形成した後に、パターンごとに基体をレーザカッタやダイシングカッタなどにより切断して、個片化（チップ化）することにより、複数の構造体を得る。
【０００３】
しかし、特許文献１にかかる方法では、エッチングの後に基板をレーザカッタやダイシングカッタなどにより切断するため、切断時に生じた切り屑などの不要物が微細なパターンに付着して、得られる構造体の特性を低下させてしまう場合がある。その結果、構造体の製造の歩留まりが低下してしまう。
特に、パターンと基板との間に空隙が形成されていた場合、その空隙にダイシング時の水や切削屑が入り込んでしまうと、これらを取り除くことが難しく、得られる構造体の特性を低下させてしまう場合がある。
これを防止するために、仮に、チップ化した後に、各チップに対しエッチングを行うと、多数の微小なチップに対しそれぞれ処理を行わなければならず、取り扱い性が悪く、構造体の製造に長時間を要してしまう。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２８１３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、多数の微小な構造体を製造するに際し、製造に要する時間の増大を防止しつつ、歩留まりの向上を図ることができる構造体の製造方法、および、この製造方法を用いて製造された構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の構造体の製造方法は、基体を用意する第１の工程と、
前記基体を複数の個片に分割可能とするように、前記基体に薄肉脆弱部を形成して、前記基体に対し区画を行う第２の工程と、
前記基体の各区画内に対し、所定のパターンをなすマスクを介して、エッチングを行う第３の工程と、
前記薄肉脆弱部を破断して、前記基体を複数の個片に分割することにより、複数の構造体を得る第４の工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
これにより、第４の工程にて基体を個片化（チップ化）するに際し、基体にはあらかじめ第２の工程にて薄肉脆弱部が形成されているので、切り屑などの不要物の発生を防止しつつ、基体を複数の個片に容易に分割することができる。特に、区画（すなわち、薄肉脆弱部の形成）がエッチングの前に行われるので、区画の際に仮に切り屑が生じても、構造体に切り屑が付着するのを防止することができる。
【０００８】
したがって、チップ化するに際し、基体に形成されたパターンに切り屑などの不要物が付着して構造体の特性を低下させるのを防止することができる。その結果、構造体を製造するに際し、歩留まりの向上を図ることができる。
また、チップ化する前に、基体に対しエッチングを行うので、取り扱いが比較的容易であり、構造体の製造に要する時間の短縮化を図ることができる。
【０００９】
本発明の構造体の製造方法では、前記第２の工程において、前記基体に連続的な溝部を形成することにより前記薄肉脆弱部を形成することが好ましい。
これにより、比較的簡単に区画を行いつつ、容易に基体を個片化することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記溝部の底部の横断面形状は、先細りとなっていることが好ましい。
これにより、エッチング時の基体に必要な強度を保ちつつ、より容易に基体を個片化することができる。
【００１０】
本発明の構造体の製造方法では、前記基体は、互いに接合された第１の基板および第２の基板を有するものであることが好ましい。
これにより、第１の基板および第２の基板に対し、一括して第２の工程での区画および第４の工程での個片化を行って、製造工程の簡略化を図ることができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の工程において、前記第１の基板および前記第２の基板を互いに接合する工程を有することが好ましい。
これにより、第１の基板および第２の基板に対し、一括して第２の工程での区画および第４の工程での個片化を行って、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００１１】
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の基板と前記第２の基板との接合は陽極接合により行うことが好ましい。
これにより、第１の基板と第２の基板とを比較的簡単にかつ強固に接合することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の工程において、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程の前に、前記第２の基板に凹部を形成する工程を有し、その後、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程において、前記第２の基板の前記凹部側の面と前記第１の基板の一方の面とを接合することが好ましい。
これにより、第１の基板と第２の基板との間にギャップを有する構造体を製造することができる。
【００１２】
本発明の構造体の製造方法では、前記第３の工程において、前記第１の基板のうち、前記第２の基板の前記凹部に対応する部位の一部を除去して、可動部と、支持部と、前記可動部を前記支持部に対し可動とするようにこれらを連結する連結部とを形成することが好ましい。
これにより、振動子やアクチュエータなどの構造体を製造することができる。
【００１３】
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の基板の厚さは前記第２の基板の厚さよりも小さいことが好ましい。
これにより、より微細なパターンを形成することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第２の工程において、前記第１の基板を貫通するとともに前記第２の基板に前記薄肉脆弱部を残すように、前記基体に溝部を形成することが好ましい。
これにより、基体を個片化する際に、第１の基板にかかる力を低減して、構造体にエッチングにより形成されたパターンの損傷や変形を防止することができる。
【００１４】
本発明の構造体の製造方法では、前記第３の工程の工程に先立ち、前記第２の基板の前記凹部に連通するように前記第１の基板に第１の開口部を形成する工程を有し、前記第３の工程において、前記第１の基板に異形状の第２の開口部を形成することにより前記可動部と前記支持部と前記連結部とを形成することが好ましい。
これにより、第１の基板と第２の基板との間の空間と外部との圧力差を解消した状態で、第１の基板に対しパターンニングを行うことができる。よって、エッチング時における当該圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。
【００１５】
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の開口部と前記第２の開口部とは離間していることが好ましい。
これにより、第１の開口部の寸法と第２の開口部の寸法とを調整することにより、比較的簡単に、同一のエッチング処理により第１の開口部、第２の開口部の順にこれらを形成することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の開口部と前記第２の開口部とを同一のエッチング処理により形成することが好ましい。
これにより、製造工程の簡略化を図りつつ、エッチング時における第１の基板と第２の基板との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。
【００１６】
本発明の構造体の製造方法では、前記凹部を形成する工程の後、かつ、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程の前に、前記第２の基板の前記凹部の底面に電極を形成する工程を有し、前記第１の開口部を形成する工程において、前記第１の開口部を、前記電極を外部に引出し可能に設けることが好ましい。
これにより、第１の開口部を有効利用して、構造体の複雑化を防止しつつ、エッチング時における第１の基板と第２の基板との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。
【００１７】
本発明の構造体の製造方法では、前記第３の工程において、前記エッチングはドライエッチングにより行うことが好ましい。
これにより、高精度なエッチングを行うことができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記区画の形成に先立ち、前記基体に前記第３の工程の前記エッチングに用いる前記マスクを形成することが好ましい。
これにより、区画を形成するに際し、仮に切り屑が生じても、構造体に対する切り屑の付着をより確実に防止することができる。
本発明の構造体は、本発明の構造体の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
これにより、構造体を、安価で、かつ、所望の特性を有するものとすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の構造体の製造方法、および、この製造方法を用いて製造された構造体を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の構造体の製造方法の説明に先立ち、かかる製造方法を用いて形成された構造体を説明する。なお、以下では、本発明の構造体として、波長可変フィルタを一例に説明する。
【００１９】
＜波長可変フィルタ＞
図１は、本発明の構造体である波長可変フィルタの実施形態を示す分解斜視図、図２は、かかる波長可変フィルタの平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線での断面図である。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言い、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言い、図３中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左側」と言う。
【００２０】
図１に示すように、波長可変フィルタ１は、例えば、光を受け、干渉作用により、その光の波長のうち特定の波長に対応する光（干渉光）だけを出射させる装置であって、光を干渉させるためのギャップを区画形成する第１の基板２および第２の基板３が互いに接合されている。
第１の基板２は、光透過性および導電性を有し、例えばシリコンで構成されている。そして、第１の基板２は、第１の基板２と第２の基板３との間のギャップを可変とするための可動部２１と、支持部２２と、可動部２１を支持部２２に対し上下方向に変位可能とするようにこれらを連結する連結部２３とを有している。これらは、第１の基板２に異形状の開口部２４が形成されることにより、一体的に形成されている。
【００２１】
可動部２１は、平面視にて、第１の基板２のほぼ中央部に位置し、円形状をなしている。なお、可動部２１の形状、大きさ、配置は、図示の形状に特に限定されないのは言うまでもない。
可動部２１の厚さ（平均）は、構成材料、用途等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。
また、可動部２１には、第２の基板３と対向する側の面（すなわち、可動部２１の下面）に、光を比較的高い反射率で反射させる第１の反射膜（ＨＲコート）２５が形成され、第２の基板３と対向する側とは反対側の面（すなわち、可動部２１の上面）に、光の反射を抑制する第１の反射防止膜（ＡＲコート）２６が形成されている。
【００２２】
第１の反射膜２５は、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に入射した光を、後述する第２の反射膜３５との間で複数回にわたって反射させるためのものである。第１の反射防止膜２６は、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に入射した光が第１の基板２の上面と外気との界面で図中下方に反射されるのを防止するためのものである。
このような可動部２１を囲むように支持部２２が形成され、可動部２１は、連結部２３を介して支持部２２に支持されている。
【００２３】
連結部２３は、前述した可動部２１の周囲に周方向に等間隔で複数（本実施形態では４つ）設けられている。この連結部２３は、弾性（可撓性）を有しており、これにより、可動部２１は、支持部２２に対し上下に変位可能となっている。なお、連結部２３の数、位置、形状は、可動部２１を支持部２２に対し変位可能とするものであれば、前述したものに限定されない。
【００２４】
また、第１の基板２には、後述する引出し電極３８に外部からアクセスするための開口部２７が設けられている。この開口部２７は、波長可変フィルタの製造工程において、第１の基板と第２の基板との間の空間に外部との圧力差が生じるのを防止する圧力開放用開口部としても機能する。
このような第１の基板２に対し、支持部２２の下面で、第２の基板３が接合されている。
【００２５】
第２の基板３は、光透過性を有しており、第２の基板３には、その一方の面側に、第１の基板２と第２の基板３との間に第１のギャップＧ１を形成するための第１の凹部３１と、第１の凹部３１内側で第１の基板２と第２の基板３との間に第２のギャップＧ２を形成するための第２の凹部３２とが形成されている。
このような第２の基板３の構成材料としては、用いる光の波長に関し光透過性を有していれば、特に限定されないが、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられる。
これらの中でも、第２の基板３の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）のようなアルカリ金属（可動イオン）を含有したガラスが好ましい。これにより、第１の基板２を例えばシリコンで構成した場合に、第１の基板２と第２の基板３とを陽極接合により、簡単かつ強固に接合することができる。
【００２６】
特に、陽極接合により第１の基板２と第２の基板３とを接合する場合には、第１の基板２の熱膨張係数と第２の基板３の熱膨張係数との差は、できるだけ小さいほうが好ましく、具体的には、５０×１０−７℃−１以下であるのが好ましい。これにより、陽極接合時に第１の基板２および第２の基板３が高温化にさらされても、第１の基板２と第２の基板３との間に生じる応力を低減して、第１の基板２または第２の基板３の損傷を防止することができる。
【００２７】
したがって、第２の基板３の構成材料としては、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いるのが好ましく、例えば、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）等が好適に用いられる。
また、第２の基板３の厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
【００２８】
第１の凹部３１は、その外形が円形をなしており、前述した可動部２１と連結部２３と開口部２４とに対応する位置に配置されている。また、第１の凹部３１の底面には、可動部２１の外周部に対応する位置で、円環状の駆動電極３３、絶縁膜３４がこの順で積層されている。
駆動電極３３は、図示しない電源に接続されており、駆動電極３３と可動部２１との間に電位差を生じさせることが可能となっている。
【００２９】
駆動電極３３の構成材料としては、導電性を有しているものであれば、特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料、Ａｕ等が挙げられる。
このような駆動電極３３の厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
【００３０】
絶縁膜３４は、可動部２１と駆動電極３３との接触による短絡を防止する機能を有するものである。
このような第１の凹部３１内の空間内に、可動部２１の駆動のための静電ギャップとして、第１のギャップＧ１が形成される。すなわち、可動部２１と駆動電極３３との間に、第１のギャップＧ１が形成される。
【００３１】
第１のギャップＧ１の大きさ（すなわち、可動部２１と駆動電極３３との間の距離）は、用途などに応じて適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
第２の凹部３２は、その外形が円形をなし、前述した第１の凹部３１とほぼ同心でかつ第１の凹部３１および可動部２１の外径よりも小さい外径を有している。また、第２の凹部３２の底面には、そのほぼ全域に、第２の反射膜３５が形成されている。
【００３２】
第２の反射膜３５は、前述したように、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に入射した光を、第１の反射膜２５との間で複数回にわたって反射させるためのものである。すなわち、この第２の反射膜３５は、前述した第１の反射膜２５と協働して、第２の反射膜３５と第１の反射膜２５との間の距離である第２のギャップＧ２に対応する波長の光を干渉させることができる。この第２のギャップＧ２の距離は、前述した第１のギャップＧ１の距離よりも大きい。
【００３３】
第２のギャップＧ２の距離は、用途などに応じて適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２の基板３には、前述した駆動電極３３を外部に引き出すために、第３の凹部３７と、第３の凹部３７と第１の凹部３１とを連通させる溝部３６とが形成されている。
第３の凹部３７は、前述した開口部２７に対応する位置で第２の基板３に形成されている。
溝部３６および第３の凹部３７は、その深さが第１の凹部３１の深さとほぼ同等となっており、これらの底面には、駆動電極３３に接続される引出し電極３８が設けられている。
【００３４】
引出し電極３８の構成材料としては、前述した駆動電極３３の構成材料と同様のものを用いることができ、導電性を有しているものであれば、特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料、Ａｕ等が挙げられる。
【００３５】
また、引出し電極３８の厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。そして、引出し電極３８は、前述した駆動電極３３と一体的に形成されているのが好ましい。
また、第２の基板３の他方の面（すなわち、前述した第１の凹部３１等が形成されている面とは反対側の面）には、第２の反射防止膜３９が形成されている。
【００３６】
第２の反射防止膜３９は、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に向け照射された光が第２の基板２の下面と外気との界面で図中下方に反射されるのを防止するためのものである。
このような構成を有する波長可変フィルタ１の動作（作用）を説明する。
可動部２１と駆動電極３３との間に電圧が印加されると、可動部２１と駆動電極３３とが互いに逆極性に帯電して、両者の間にクーロン力（静電引力）が発生する。
【００３７】
このクーロン力によって、可動部２１は、駆動電極３３に向け下方向に移動（変位）し、連結部２３の弾性力とクーロン力が釣り合う位置で静止する。これにより、第１のギャップＧ１および第２のギャップＧ２の距離が変化する。
一方、図３に示すように、波長可変フィルタ１の下方の下方から第２のギャップＧ２に向け光Ｌが照射されると、光Ｌは、第２の反射防止膜３９、第２の基板３、第２の反射膜３５を透過して、第２のギャップＧ２に入射する。このとき、この光Ｌは、第２の反射防止膜３９により、ほとんど損失せずに第２のギャップＧ２に入射する。
【００３８】
入射した光は、第１の反射膜２５と第２の反射膜３５との間において、反射を繰り返す（干渉する）。この際、第１の反射膜２５および第２の反射膜３５により、光Ｌの損失を抑えることができる。
前述したように第１の反射膜２５と第２の反射膜３５との間で光が反射を繰り返す過程において、第１の反射膜２５と第２の反射膜３５との間の第２のギャップＧ２の距離に対応する干渉条件を満たさない波長の光は急激に減衰し、この干渉条件を満たした波長の光だけが残って最終的に波長可変フィルタ１から出射する。したがって、可動部２１と駆動電極３３との間に印加される電圧を変更することにより、第２のギャップＧ２を変更（すなわち干渉条件を変更）すれば、可変波長フィルタ１を透過する光の波長を変更することができる。
【００３９】
前記光Ｌの干渉の結果、第２のギャップＧ１の距離に対応した波長の光（干渉光）は、第１の反射膜２５、可動部２１、反射防止膜２６を透過し、波長可変フィルタ１の上方へ出射する。このとき、可動部２１の上面に反射防止膜２６が形成されているため、ほとんど損失せずに波長可変フィルタ１の外部へ出射する。
なお、本実施形態では、第２のギャップＧ２に入射した光を波長可変フィルタ１の上方へ出射したが、第２のギャップＧ２に入射した光を波長可変フィルタ１の下方へ出射してもよい。
また、本実施形態では、波長可変フィルタ１に対し、その下方から光を入射したが、上方から光を入射してもよい。
【００４０】
＜波長可変フィルタの製造方法＞
次に、波長可変フィルタ１の製造方法の一例を図４ないし図９に基づいて説明する。
図４〜図９は、波長可変フィルタ１の製造工程を説明するための図である。なお、図４〜図８は、図２のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示している。
本実施形態の波長可変フィルタ１の製造方法は、［Ａ］基体を用意する第１の工程と、［Ｂ］この基体に外力により個片化可能な区画を行う第２の工程と、［Ｃ］基体に対しエッチングを行う第３の工程と、［Ｄ］基体を個片化する第４の工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。
【００４１】
［Ａ］  第１の工程
−Ａ１−
まず、第２の基板３を形成するための基板として、図４（ａ）に示すように、光透過性を有する基板４（第２の基板）を用意する。
基板４としては、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。また、後述する比較的大きなウエハ状のＳＯＩ基板８と同じ程度の大きさのものが好適に用いられる。
【００４２】
基板４の構成材料としては、第２の基板３の説明で述べたものを用いることができる。前述したように、基板４の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）のようなアルカリ金属（可動イオン）を含有したガラスを用いるのが好ましい。したがって、以下の説明では、基板４の構成材料として、アルカリ金属を含有したガラスを用いた場合について説明する。
【００４３】
−Ａ２−
次に、図４（ｂ）に示すように、基板４の一方の面にマスク層５を形成（マスキング）する。
マスク層５を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層５の構成材料にシリコンを用いると、マスク層５と基板４との密着性が向上する。マスク層５の構成材料に金属を用いると、形成されるマスク層５の視認性が向上する。
【００４４】
マスク層５の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．０９〜０．１１μｍ程度とすることがより好ましい。マスク層５が薄すぎると、基板４を十分に保護できない場合があり、マスク層５が厚すぎると、マスク層５の内部応力によりマスク層５が剥がれ易くなる場合がある。
マスク層５は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。
【００４５】
−Ａ３−
次に、図４（ｃ）に示すように、マスク層５に、第１の凹部３１と溝部３６と第３の凹部３７との平面視形状に対応した平面視形状をなす開口５１を形成する。
より具体的には、まず、例えばフォトリソグラフィ法を用い、マスク層５上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行って、開口５１に対応する開口を有するレジストマスクを形成する。次に、このレジストマスク介してマスク層５をエッチングして、マスク層５の一部を除去した後、レジストマスクを除去する。このようにして、マスク層５に開口５１が形成される。このエッチングとしては、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等によるウェットエッチングを用いることができる。
【００４６】
−Ａ４−
次に、マスク層５を介して基板４の一方の面をエッチングして、図４（ｄ）に示すように、第１の凹部３１と溝部３６と第３の凹部３７とを形成する。すなわち、第１の工程［Ａ］において、後述する工程Ａ１３（基板４と活性層８３とを接合する工程）の前に、基板４に第１の凹部３１および第２の凹部３２を形成する工程を有する。
【００４７】
このエッチングとしては、ドライエッチング法、ウェットエッチング法を用いることができるが、ウェットエッチング法を用いるのが好ましい。これにより、形成される第１の凹部３１をより理想的な円柱状とすることができる。この場合、ウェットエッチングのエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。また、エッチング液にグリセリン等のアルコール（特に多価アルコール）を添加すると、形成される第１の凹部３１の底面を極めて滑らかなものとすることができる。
【００４８】
−Ａ５−
次に、マスク層５を除去した後に、前述した工程Ａ２およびＡ３と同様の方法を用いて、図４（ｅ）に示すように、第２の凹部３２の平面視形状に対応した平面視形状の開口を有するマスク層６を形成する。
マスク層５の除去方法としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等によるウェットエッチング、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどを用いることができる。
特に、マスク層５の除去方法としてウエットエッチングを用いると、簡易な操作で、効率よく、マスク層５を除去することができる。
【００４９】
−Ａ６−
次に、前述した工程Ａ４と同様の方法を用いて、マスク層６を介して基板４をエッチングして、図４（ｆ）に示すように、第２の凹部３２を形成する。
−Ａ７−
次に、図５（ａ）に示すように、第２の凹部３２の底面に、第２の反射膜３５を形成する。
より具体的には、第２の凹部３２の底面に、前述したような高屈折率層と低屈折層とを交互に積層することにより、第２の反射膜３５を形成する。
高屈折率層および低屈折率層の形成方法としては、例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的化学気相成長法（ＰＶＤ）が好適に用いられる。
【００５０】
−Ａ８−
次に、前述した工程−Ａ５−と同様の方法を用いて、図５（ｂ）に示すように、マスク層６を除去する。
−Ａ９−
次に、図５（ｃ）に示すように、基板４の第１の凹部３１等が形成された側の面に一様に、駆動電極３３および引出し電極３８を形成するための導電層７を形成する。
導電層７の形成方法としては、例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的化学気相成長法（ＰＶＤ）が好適に用いられる。
また、導電層７の構成材料は、前述した駆動電極３３の構成材料を用いることができる。
【００５１】
−Ａ１０−
次に、図５（ｄ）に示すように、導電層７の不要部分を除去して、駆動電極３３を形成するとともに、駆動電極３３上に絶縁膜３４を形成する。さらに、基板４の第１の凹部３１等が形成された側と反対側の面に、第２の反射防止膜３９を形成する。
このように、本実施形態では、第１の凹部３１等の凹部を形成する工程の後、かつ、後述する基板４と活性層８３とを接合する工程の前に、基板４の第１の凹部３１の底面に駆動電極３３を形成する工程を有する。
【００５２】
導電層７の不要部分を除去する方法としては、前述した工程Ａ３と同様の方法を用いることができる。
また、駆動電極３３の形成方法としては、前述したマスク層５の形成方法と同様のものを用いることができる。
第２の反射防止膜３９の形成方法としては、前述した第２の反射膜３５の形成方法と同様のものを用いることができる。
以上のようにして、第２の基板３を製造することができる。
【００５３】
−Ａ１１−
一方、図６（ａ）に示すように、第１の基板２を形成するための基板として、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板８（第１の基板）を用意する。
このＳＯＩ基板８は、Ｓｉで構成されたベース層８１、ＳｉＯ２で構成された絶縁層８２、Ｓｉで構成された活性層８３の順でこれら３層が積層されてなるものである。なお、ＳＯＩ基板８に代えて、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、シリコン基板等を用いることもできる。
ＳＯＩ基板８の厚さは、特に限定されないが、特に活性層８３の厚さが１０〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
【００５４】
−Ａ１２−
次に、ＳＯＩ基板８と第２の基板３との接合に先立ち、図６（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板８の活性層８３側の面に、第１の反射膜２５を形成する。
第１の反射膜２５の形成方法としては、前述した第２の反射膜３５の形成方法と同様のものを用いることができる。
【００５５】
−Ａ１３−
次に、図６（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板８と第２の基板３とを接合する。これにより、基体１０を得る。すなわち、第１の工程［Ａ］において、基板４とＳＯＩ基板８（より具体的には、第１の基板である活性層８３）とを互いに接合する工程を有する。これにより、基板４および活性層８３に対し、後述する第２の工程［Ｂ］での区画および第４の工程［Ｄ］での個片化を一括して行って、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００５６】
本工程において、基板４の第１の凹部３１および第２の凹部３２側の面と活性層８３の一方の面とを接合すると、基板４と活性層８３との間にギャップが形成される。
ＳＯＩ基板８と第２の基板３との接合方法としては、例えば、陽極接合、接着剤による接合、表面活性化接合、低融点ガラスを用いた接合等を用いることができるが、陽極接合を用いるのが好ましい。これにより、基板４と活性層８３とを比較的簡単にかつ強固に接合することができる。
【００５７】
ＳＯＩ基板８と第２の基板３との接合方法として陽極接合を用いる場合には、例えば、まず、図示しない直流電源のマイナス端子を第２の基板３に、プラス端子をＳＯＩ基板８の活性層８３に接続する。そして、第２の基板３を加熱しながら、第２の基板３とＳＯＩ基板８の活性層８３との間に電圧を印加する。この加熱により、第２の基板３のアルカリ金属のプラスイオン、例えば、ナトリウムイオン（Ｎａ+）が移動しやすくなる。これにより、第２の基板３と活性層８３との接合面のうち、第２の基板３側の接合面がマイナス、活性層８３側の接合面がプラスに相対的に帯電する。その結果、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）とが電子対を共有する共有結合により、第２の基板３と活性層８３とは強固に接合される。
【００５８】
−Ａ１４−
次に、エッチングや研磨によりベース層８１を除去して、図７（ａ）に示すような状態とする。
このエッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを用いることができるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、ベース層８１の除去のとき、絶縁層８２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、駆動電極３３に対向している活性層８３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、波長可変フィルタ１の製造時における歩留まりの向上を図ることができる。
【００５９】
−Ａ１５−
次に、エッチングにより絶縁層８２を除去することにより、図７（ｂ）に示すように、基体１０を得る。
このような基体１０においては、活性層８３の厚さは基板４の厚さよりも小さい。これにより、後述する第３の工程［Ｃ］において、より微細なパターンを形成することができる。なお、活性層８３の厚さと基板４の厚さとの関係は、前述した関係以外であってもよい。
【００６０】
このエッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを用いることができるが、フッ酸を含むエッチング液によるウェットエッチングを用いるのが好ましい。これにより、絶縁層８２を簡単に除去することができるとともに、絶縁層８２の除去により露出する活性層８３の面を極めて平滑にすることができる。
なお、前述した工程Ａ１１にて、ＳＯＩ基板８に代えて、以降の工程を行うのに最適な厚さをすでに有しているシリコン基板を用いた場合には、工程Ａ１４、Ａ１５は行わなくてもよい。これにより、波長可変フィルタ１の製造工程を簡略化することができる。
【００６１】
［Ｂ］  第２の工程
−Ｂ１−
次に、区画を形成するに先立って、図７（ｃ）に示すように、活性層８３の上面に、第１の反射防止膜２６を形成する。
第１の反射防止膜２６の形成方法としては、前述した第２の反射膜３５の形成方法と同様のものを用いることができる。
【００６２】
−Ｂ２−
次に、図７（ｄ）に示すように、開口部２４および開口部２７に対応する開口を有するレジスト層９を形成する。
このように区画の形成に先立ち、基体１０に第３の工程［Ｃ］のエッチングに用いるマスクを形成するので、区画を形成するに際し、仮に切り屑が生じても、波長可変フィルタ１に対する切り屑の付着をより確実に防止することができる。
レジスト層９の形成方法としては、前述した工程Ａ２、Ａ３と同様の方法を用いることができる。
【００６３】
−Ｂ３−
次に、図７（ｅ）および図９に示すように、基体１０を外力により複数の個片に分割可能とするように、基体１０に連続的な溝部１１を形成して、基体１０に対し区画を行う。
この溝部１１の形成により、基体１０に薄肉脆弱部１２が形成される。
また、溝部１１は、活性層８３を貫通するとともに、基板４に薄肉脆弱部１２を残すように基体１０に溝部を形成することにより形成されるものである。これにより、基体１０を個片化する際に、活性層８３にかかる力を低減して、波長可変フィルタ１の可動部２１、連結部２３等のパターンの損傷や変形を防止することができる。
【００６４】
その際、基体１０は、互いに接合された基板４（第２の基板）および活性層８３（第１の基板）を有するものであるので、基板４および活性層８３に対し、一括して第２の工程［Ｂ］での区画および第４の工程［Ｄ］での個片化を行って、製造工程の簡略化を図ることができる。
なお、薄肉脆弱部１２は、基体１０を区画ごとに個片化可能とするものであれば、前述したような溝部１１を形成することによるものに限定されない。例えば、薄肉脆弱部１２は、断続的な溝部や孔部を形成することによるものであってもよい。また、溝部や孔部は、前述したように基体１０の一方の面のみに形成されていても、基体１０の両面に形成されていてもよい。
【００６５】
本実施形態では、第２の工程［Ｂ］において、前記区画は、基体１０に連続的な溝部１１を形成するので、比較的簡単に区画を行いつつ、後述する第４の工程［Ｄ］にて容易に基体１０を個片化することができる。
溝部１１の横断面形状は、後述の第４の工程［Ｄ］にてチップ化が可能なものであれば、特に限定されないが、本実施形態では、図示のように矩形をなしている。図示しないが、溝部１１の底部の横断面形状が先細りとなっていると、パターンニング時の基体１０に必要な強度を保ちつつ、より容易に基体１０を個片化することができる。
溝部１１の形成方法としては、特に限定されず、例えば、ダイシングカッタ、レーザカッタ、エッチング（ドライエッチング、ウエットエッチング）などを用いることができる。
【００６６】
［Ｃ］  第３の工程
−Ｃ１−
次に、レジスト層９を介して、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングにより、活性層８３をエッチングして、図８（ａ）に示すように、開口部２７を形成した後に、図８（ｂ）に示すように、開口部２４を形成する。すなわち、基体１０の各区画内に対し、レジスト層９を介して、エッチングを行うことにより、可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成する。このとき、レジスト層９は、マスクとして用いられ、前述したように開口部２４、２７に対応する開口を有している。
【００６７】
このように、第３の工程［Ｃ］の工程に先立ち、基板４の第１の凹部３１に連通するように活性層８３に開口部２７（第１の開口部）を形成する工程Ｃ１を有し、第３の工程［Ｃ］において、活性層８３に異形状の開口部２４（第２の開口部）を形成することにより可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成する。これにより、活性層８３と基板４との間の空間と外部との圧力差を解消した状態で、活性層８３に対しエッチングを行うことができる。よって、エッチング時における当該圧力差に起因するパターン（特に、脆弱な連結部２３）の損傷を防止することができる。
【００６８】
より具体的には、レジスト層９を介して活性層８３をドライエッチングすると、マイクロローディング効果によって開口部２７でのエッチング速度に比べて開口部２４の各開口領域でのエッチング速度が遅くなるので、図８（ａ）に示すように、開口部２４の形成よりも先に開口部２７の形成が完了する。このとき、溝部３６を介して第１の凹部３１に連通する第３の凹部３７の上方に開口部２７が形成されるので、活性層８３と第２の基板３との間の空間が外部に開放され、当該空間と外部との圧力差が解消される。
ここで、マイクロローディング効果とは、開口寸法が小さくなるに従ってエッチング速度が低下する現象である。したがって、開口部２７として、開口部２４の各開口領域でのエッチング速度よりもエッチング速度が速くなるような寸法のものを採用する。
【００６９】
本実施形態では、開口部２７の形状を、図１に示すように、開口部２４の各開口領域の短手方向の開口幅よりも幅広な寸法を一辺の長さとした正方形状としている。特に、開口部２４と開口部２７とは離間しているので、開口部２４の寸法と開口部２７の寸法とを調整することにより、比較的簡単に、同一のエッチング処理により開口部２７、開口部２４の順にこれらを形成することができる。
【００７０】
なお、開口部２７の寸法および形状としては、開口部２７でのエッチング速度が開口部２４の各開口領域でのエッチング速度よりも速くなるものであれば、前述したものに限定されず、任意の構成を採用することができる。例えば、開口部２４と開口部２７とは、一体的に１つの開口部として形成されていてもよい。
このようにマイクロローディング効果を利用すると、開口部２７を形成するためのエッチング工程を別途設けなくても、開口部２４および開口部２７を同一のエッチング工程により形成しつつ、開口部２７、開口部２４の順にこれらを形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、開口部２４の形成と開口部２７の形成とを別々のエッチング処理により形成してもよい。
【００７１】
このような開口部２７は、駆動電極３３を外部に引出し可能な部位に設けるので、開口部２７を有効利用して、波長可変フィルタ１の構造の複雑化を防止しつつ、エッチング時における基板４と活性層８３との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。
開口部２７が形成された後、更にドライエッチングを継続すると、図８（ｂ）に示すように開口部２４が貫通形成されて、可動部２１と支持部２２と連結部２３との形成が完成する。
【００７２】
このとき、前述したように、活性層８３に可動部２１を形成する前（すなわち、開口部２４を形成する前）にあらかじめ、活性層８３と第２の基板３との間の空間と、外部との圧力差が解消されているので、開口部２４の形成に伴って連結部２３が破損するのを防止することができる。
このように、本実施形態では、開口部２４と開口部２７とを同一のエッチング処理により形成するので、製造工程の簡略化を図りつつ、エッチング時における基板４と活性層８３との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。
【００７３】
特に、本工程では、ＩＣＰエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、可動部２１を形成する。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８等が挙げられる。
【００７４】
本工程において、ドライエッチング技術を使用して異方性エッチングを行うのは、以下に示す理由による。
ウェットエッチング技術を使用した場合、エッチングが進むに従ってエッチング液が活性層８３に形成された孔から、活性層８３と第２の基板３との間に侵入し、駆動電極３３や絶縁膜２５を除去してしまうおそれ。これに対し、ドライエッチング技術を使用した場合はそのような危険性がない。
【００７５】
また、等方性エッチングを使用した場合には、活性層８３が等方的にエッチングされ、サイドエッチングが生じる。特に、連結部２３に対しサイドエッチングが生じると、連結部２３の強度が弱くなり、耐久性が劣化してしまう。これに対し、異方性エッチングを使用した場合には、サイドエッチングが生じないので、エッチング寸法の制御に優れており、連結部２３の側面も活性層８３の板面に対し垂直に形成され、連結部２３の強度の向上を図ることができる。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成してもよい。
−Ｃ２−
その後、レジスト層９を除去する。
【００７６】
［Ｄ］第４の工程
次に、基体１０に対し外力を加えて、薄肉脆弱部１２を破断して、複数の個片に分割（チップ化）することにより、複数の波長可変フィルタ１が得られる。
このとき、基体１０にはあらかじめ前述の第２の工程［Ｂ］にて溝部１１が形成されているので、切り屑などの不要物の発生を防止しつつ、基体１０を複数の個片に容易に分割することができる。特に、区画（すなわち、溝部１１の形成）がパターンニングの前に行われるので、区画の際に仮に切り屑が生じても、構造体である波長可変フィルタ１に切り屑が付着するのを防止することができる。
【００７７】
したがって、チップ化するに際し、基体１０に形成されたパターンに切り屑などの不要物が付着して波長可変フィルタ１の特性を低下させるのを防止することができる。その結果、波長可変フィルタ１を製造するに際し、歩留まりの向上を図ることができる。
特に、本実施形態にかかる波長可変フィルタ１にあっては、第１の反射膜２５、第１の反射防止膜２６、第２の反射膜３５、第２の反射防止膜３９に対する切り屑などの不要物の付着による光学特性の低下を防止することができる。
【００７８】
また、可動部２１に対する切り屑などの付着物の付着による可動部２１の質量変化や、連結部２３に対する切り屑などの不要物の付着による連結部２３の弾性力の変化に起因する駆動電圧の変化を防止することもできる。
また、チップ化する前に、基体１０に対しエッチングを行うので、取り扱いが比較的容易であり、波長可変フィルタ１の製造に要する時間の短縮化を図ることができる。
【００７９】
基体１０に加える外力としては、区画に沿って基体１０を個片化可能なものであれば、特に限定されず、例えば、人手によるものあっても、機械によるものであってもよい。人手により基体１０に外力を加える際には、素手で基体１０に外力を加えてもよいし、工具や器具を用いて基体１０に外力を加えてもよい。
以上説明したように本実施形態の波長可変フィルタ１を得ることができる。このようにして得られる波長可変フィルタ１は、安価で、かつ、所望の特性を有する。
【００８０】
以上、本発明の構造体の製造方法および構造体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明の構造体の製造方法は、エッチングにより基体にパターンを形成した後にチップ化して得られるものであれば、前述した波長可変フィルタ１の製造方法に限定されず、例えば、加速度センサ、振動子、光学素子、アクチュエータなどの製造方法にも適用することができる。
【００８１】
この場合、例えば、前述した実施形態における第３の工程［Ｃ］のように、互いに接合されているとともにギャップを区画形成する２つの基板のうちの一方に対しエッチングを行うことにより、可動部と支持部と連結部とを形成する。これにより、加速度センサ、振動子、光学素子、アクチュエータなどの構造体を製造することができる。
また、前述した実施形態では、基体が互いに接合された２つの基板で構成されているものを説明したが、基体は、１つの基板で構成されていてもよく、また、３つ以上の基板が接合されて構成されていてもよい。また、基体は、基板上に膜が形成されて構成されたものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の構造体の実施形態である波長可変フィルタを示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す波長可変フィルタを示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。
【図６】図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。
【図７】図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。
【図８】図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。
【図９】図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８３】
１……波長可変フィルタ  ２……第１の基板  ２１……可動部  ２２……支持部  ２３……連結部  ２４……開口部  ２５……第１の反射膜  ２６……第１の反射防止膜  ２７……開口部  ３……第２の基板  ３１……第１の凹部  ３２……第２の凹部  ３３……駆動電極  ３４……絶縁膜  ３５……第２の反射膜  ３６……溝部  ３７……第３の凹部  ３８……引出し電極  ３９……第２の反射防止膜  ４……基板（第２の基板）  ５、６……マスク層  ５１……開口  ７……導電層  ８……ＳＯＩ基板  ８１……ベース層  ８２……絶縁層  ８３……活性層（第１の基板）  ９……レジスト層  １０……基体  １１……溝部  １２……薄肉脆弱部  Ｇ１……第１のギャップ  Ｇ２……第２のギャップ  Ｌ……光
【図１】
2006341324.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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