(57)【要約】【課題】半田ボール接続用電極パッドでプリント配線板に直接半田ボールで実装するＢＧＡ型多層回路配線板において、半田ボール接続用電極パッドに接続されたフィルドビアの電気的接続信頼性が損なわれないＢＧＡ型多層回路配線板を提供することを目的とする。【解決手段】絶縁基材１１の両面に配線層２１と配線層２２が形成されており、絶縁層３１を介して一方の面には半導体チップを接続するための半田バンプ用電極パッド４１が、他方の面にはプリント配線板と接続するための半田ボール用電極パッド４３ｐが形成されている。半田バンプ用電極パッド４１はフィルドビア４２にて、半田ボール用電極パッド４３ｐはフィルドビア４４にて電気的に接続されており、フィルドビア４４は隣接する半田ボール接続用電極パッド４３ｐ間の中間位置に設けられている。【選択図】図１
2006303364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して配線層が形成され、配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されており、一方の面に半導体チップを搭載するための半田バンプ接続用電極パッドが、他方の面に半田ボール接続用電極パッドがそれぞれ形成されてなるＢＧＡ型多層回路配線板であって、前記半田ボール接続用電極パッドと接続される最外層フィルドビアが半田ボール接続用電極パッドからずれた位置に配置されていることを特徴とするＢＧＡ型多層回路配線板。
【請求項２】
前記半田ボール接続用電極パッドと接続される最外層フィルドビアは隣接する半田ボール接続用電極パッド間の中間位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＢＧＡ型多層回路配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップが搭載されるＢＧＡ型多層回路配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体大規模集積回路（ＬＳＩ）等の半導体素子には、近年、動作速度がクロック周波数で１ＧＨｚに達するものが出現している。この様な高速半導体素子では、トランジスターの集積度が高く、その結果入出力端子数が１０００を越えることもある。
【０００３】
このような多端子数の半導体素子をプリント配線基板に実装するために、半導体素子とプリント基板の間には多層回路配線板が配置され、両者の電気的接合の橋渡しを担っている。多層回路配線板は、高密度化された半導体素子の端子との接合に対応するため、プリント配線基板よりも非常に薄い層構造と、微細なライン・アンド・スペースを有する配線パターンを持つ。
現在広く実用化されている多層回路配線板としては、例えばBGA（Ball Grid Array）やCSP（Chip Size Package）等が挙げられる。
【０００４】
最近では、さらなる高密度実装への対応、また、高動作周波数化への要望に答えるため、ポリイミド樹脂フィルムなどに配線層を形成したものを積層して多層回路配線板全体の厚さを薄くするとともに、層間接続長を短くすることにより高周波数に対応させたものも開発されてきている。
【０００５】
図２（ａ）は、ＢＧＡ対応の４層構成の多層回路配線板の一例を、図２（ｂ）は、多層回路配線板２００をはんだボール６１でプリント配線板７０に実装した実装例をそれぞれ示す部分模式構成断面図である。
多層回路配線板２００は、絶縁基材１１の両面に配線層２１と配線層２２が形成されており、配線層２１と配線層２２とはフィルドビア２３にて電気的に接続されている。さらに、絶縁層３１を介して一方の面には半導体チップを接続するための半田バンプ用電極パッド４１が、他方の面にはプリント配線板と接続するための半田ボール用電極パッド４５が形成されている。
【０００６】
半田バンプ用電極パッド４１と配線層２２とはフィルドビア４２にて、半田ボール用電極パッド４５と配線層２１とは、半田ボール用電極パッド４５の中央部でフィルドビア４６にてそれぞれ電気的に接続されている。
また、半田バンプ用電極パッド４１及び半田ボール用電極パッド４５以外の領域にはソルダーレジスト層５１及び５２が形成されている。
【０００７】
次に、上記多層回路配線板２００を用いた一般的な実装構成例を図４に示す。
多層回路配線板２００の上面には，半導体チップ７１が半田バンプ７２によって実装される。また、多層回路配線板２００は薄くて反りやすいため、半導体チップ７１の周囲にはスティフナ９１と呼ばれる枠状の板が取り付けられることが多い。さらに、チップの上面にはリッド９２と呼ばれる放熱板が貼り付けられる（例えば，特許文献１参照）。
多層回路配線板２００の下面は、多数の半田ボールがアレイ状に形成されており、この状態で最終的に半田ボール６１を介してプリント配線板７０に実装される。
【０００８】
このような多層回路配線板の問題として、多層回路配線板が薄いために変形が発生し、多層回路配線板内部の配線層に応力が生じ易いことがある。
特に、配線層の層間の電気的接続を担っているフィルドビアに応力が集中し易い。
【０００９】
さらに、このような多層回路配線板は、従来型のビルドアップ基板とは異なり、薄いプリント基板（コア材）を介してではなく、上述したように多層回路配線板の下面に直接半田ボールが接続される構造をとる。
従って、図２（ａ）に示すように、半田ボール接続パッド４５内に形成されるフィルドビア４６において、多層回路配線板と半田ボールやプリント基板との間の熱膨張係数の差異によって熱変形が発生し易く、回路接続の信頼性に問題となる場合がある。
【特許文献１】特願２００１−１１０９２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、半田ボール接続用電極パッドでプリント配線板に直接半田ボールで実装するＢＧＡ型多層回路配線板において、半田ボール接続用電極パッドに接続されたフィルドビアの電気的接続信頼性が損なわれないＢＧＡ型多層回路配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１においては、絶縁層を介して配線層が形成され、配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されており、一方の面に半導体チップを搭載するための半田バンプ接続用電極パッドが、他方の面に半田ボール接続用電極パッドがそれぞれ形成されてなるＢＧＡ型多層回路配線板であって、前記半田ボール接続用電極パッドと接続される最外層フィルドビアが半田ボール接続用電極パッドからずれた位置に配置されていることを特徴とするＢＧＡ型多層回路配線板としたものである。
【００１２】
また、請求項２においては、前記半田ボール接続用電極パッドと接続される最外層フィルドビアは隣接する半田ボール接続用電極パッド間の中間位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＢＧＡ型多層回路配線板としたものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のＢＧＡ型多層回路配線板は、半田ボール接続用電極パッドと接続される最外層フィルドビアが隣接する半田ボール接続用電極パッド間の中間位置に設けられているため、多層回路配線板とプリント配線板とを半田ボールにて実装後の実装基板のフィルドビアが熱膨張係数の差異による熱変形の影響を受け難くなり、電気的接続信頼性を維持することができる。
また、半田ボール接続パッド面が従来構成よりも平坦化されているため、半田ボールの接続信頼性の向上につなげることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）は、本発明のＢＧＡ型多層回路配線板の一実施例を、図１（ｂ）は、半田ボール接続用電極パッド４３ｐとフィルドビア４４との位置関係を、図１（ｃ）は、多層回路配線板１００をはんだボール６１でプリント配線板７０に実装した実装例をそれぞれ示す部分模式構成断面図である。
本発明のＢＧＡ型多層回路配線板１００は、絶縁基材１１の両面に配線層２１と配線層２２が形成されており、配線層２１と配線層２２とはフィルドビア２３にて電気的に接続されている。さらに、絶縁層３１を介して一方の面には半導体チップを接続するための半田バンプ用電極パッド４１が、他方の面にはプリント配線板と接続するための半田ボール用電極パッド４３ｐが形成されている。
【００１５】
半田ボール用電極パッド４３ｐは、配線層４３の先端部に形成されており、配線層４３、絶縁層３１を介してフィルドビアにて４４にて電気的に接続されている。
このとき、最外層フィルドビアの位置は半田ボール接続用電極パッドと重ならない、ずれた位置に設けられている。
このように、フィルドビア４４を隣接する半田ボール接続用電極パッド４３ｐをフィルドビア４４からずれた位置に配置することにより、半田ボール６１にて多層回路配線板１００とプリント配線板７０とを実装後のフィルドビア４４が熱膨張係数の差異による熱変形の影響を受け難くなり、電気的接続信頼性が維持される。
特に、半田ボール用電極パッド４３ｐとフィルドビア４４との位置関係は、図１(ｂ)に示すように、隣接する半田ボール接続用電極パッド４３ｐ間の距離をＰBとしたとき、フィルドビア４４の位置は、隣接する半田ボール接続用電極パッド４３ｐ間の距離ＰBの１／２になるような中間位置に配置されるのが好ましい。
また、半田ボール接続パッド４３ｐ面が従来構成よりも平坦化されるため、半田ボールの接続信頼性の向上につなげることができる。
【実施例１】
【００１６】
まず、２５．４μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材１１に１２μｍ厚の銅箔が積層された両面銅張り積層基材をビア用孔明け、銅めっき、パターニング処理して配線層２１、配線層２２及びフィルドビア２３を形成し、両面配線板を作製した。
【００１７】
次に、両面配線板の両面に５μｍ厚のエポキシ系樹脂フィルムと１３μｍ厚のポリイミド樹脂フィルムとを積層して絶縁層３１を形成し、セミアデティブプロセスにより、一方の面に半田バンプ接続用電極パッド４１及びフィルドビア４２を、他方の面に配線層４３、半田ボール接続用電極パッド４３ｐ及びフィルドビア４４を形成した。
ここで、半田ボール接続用電極パッド４３ｐの直径は５００μｍであり、アレイ状に１mmの等間隔で合計１６００個形成し、フィルドビア４４は隣接する半田ボール接続用電極パッド４３ｐ間の間隔１ｍｍの１／２である５００μｍの位置に配置した。
【００１８】
さらに、ソルダーペーストをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト層５１及び５２を形成して、４層構成の本発明のＢＧＡ型多層回路配線板１００を作製した（図１（ａ）参照）。
【実施例２】
【００１９】
まず、実施例１で作製したＢＧＡ型多層回路配線板１００の上面に、厚さ０．５mmのスティフナ９１を貼り付けた後、その中央に鉛フリー半田バンプ７２を介して、長さ１５mm角の半導体チップ７１を実装し、半導体チップ７１と多層回路配線板１００の間には樹脂を充填しアンダーフィル８１を形成し、半導体チップ７１上面にリッド９２を貼り付けた。
【００２０】
次に、ＢＧＡ型多層回路配線板１００の下面の半田ボール接続用電極パッド４３ｐに直径５００μの鉛フリー半田ボールを形成し、最後に，厚さ２ｍｍの多層プリント配線板７０上に半田ボール実装し、実装基板３００を作製した（図３参照）。
ここで、実装基板３００では、プリント配線板７０の最表面の配線、半田ボール、多層回路配線板１００の内部配線により，半田ボール接続面側の最外層フィルドビアを含む直列のデイジーチェーン回路が形成され，プリント配線板７０表面の電極（特に、図示せず）から、その回路の導通状態が確認可能となっている。
【実施例３】
【００２１】
本実施例３は比較のための例である。
まず、２５．４μｍ厚のポリイミドフィルムからなる絶縁基材１１に１２μｍ厚の銅箔が積層された両面銅張り積層基材をパターニング処理、銅めっきして配線層２１、配線層２２及びフィルドビア２３を形成し、両面配線板を作製した。
【００２２】
次に、両面配線板の両面に５μｍ厚のエポキシ系樹脂フィルムと１３μｍ厚のポリイミド樹脂フィルムとを積層して絶縁層３１を形成し、セミアデティブプロセスにより、一方の面に半田バンプ接続用電極パッド４１及びフィルドビア４２を、他方の面に半田ボール接続用電極パッド４５及びフィルドビア４６を形成した。
ここで、半田ボール接続用電極パッド４５の直径は５００μｍであり、アレイ状に１mmの等間隔で合計１６００個形成し、フィルドビア４６は半田ボール接続用電極パッド４５のほぼ中央部の位置に配置した。
【００２３】
さらに、ソルダーペーストをスクリーン印刷して、ソルダーレジスト層５１及び５２を形成して、４層構成の本発明のＢＧＡ型多層回路配線板２００を作製した（図２（ａ）参照）。
【実施例４】
【００２４】
本実施例４は比較のための例である。
まず、実施例３で作製したＢＧＡ型多層回路配線板２００の上面に、厚さ０．５mmのスティフナ９１を貼り付けた後、その中央に鉛フリー半田バンプ７２を介して、長さ１５mm角の半導体チップ７１を実装し、半導体チップ７１と多層回路配線板２００の間には樹脂を充填しアンダーフィル８１を形成し、半導体チップ７１上面にリッド９２を貼り付けた。
【００２５】
次に、ＢＧＡ型多層回路配線板２００の下面の半田ボール接続用電極パッド４５に直径５００μの鉛フリー半田ボールを形成し、最後に，厚さ２ｍｍの多層プリント配線板７０上に半田ボール実装し、実装基板４００を作製した（図４参照）。
ここで、実装基板４００では、プリント配線板７０の最表面の配線、半田ボール、多層回路配線板２００の内部配線により，半田ボール接続面側の最外層フィルドビアを含む直列のデイジーチェーン回路が形成され，プリント配線板７０表面の電極（特に、図示せず）から、その回路の導通状態が確認可能となっている。
【００２６】
上記実施例２及び実施例４で得られた実装基板３００及び実装基板４００を熱サイクル試験機に投入し、１２５℃と−４０℃の間での冷熱サイクル試験を行い、試験中、デイジーチェーン回路にて導通モニターを行った。
その結果、本発明のＢＧＡ型多層回路配線板１００を用いた実装基板３００では、約１８００サイクルまで導通が保たれ、信頼性が大幅に改良された。
それに対し、半田ボール接続パッドの中央部にフィルドビアを形成した従来構成のＢＧＡ型多層回路配線板２００を用いた実装基板４００では、約６００サイクルで導通NGが発生した。
【００２７】
上記冷熱サイクル試験結果から、本発明のＢＧＡ型多層回路配線板１００を用いた実装基板３００では、ＢＧＡ型多層回路配線板１００のフィルドビア４４を隣接する半田ボール接続用電極パッド４３ｐ間のほぼ中間位置に配置することにより、フィルドビア４４がＢＧＡ型多層回路配線板１００と半田ボール６１やプリント配線板との間の熱膨張係数の差異による熱変形の影響を受けない。すなわち、フィルドビアはＢＧＡの拘束を受けないため、ビア内部の変形は一点に集中することなく平均的に分布し、電気的接続信頼性が損なわれないことが確認された。
【００２８】
また、従来構成のＢＧＡ型多層回路配線板２００を用いた実装基板４００では、フィルドビア４６の上部配線層である半田ボール接続用電極パッド４５に剛性が高い半田ボール
６１が直接形成されているため、フィルドビア４６上部は拘束されて変形が発生し難く、その代わりにビアの底面付近に変形が集中することが判明した。
さらに、フィルドビア４６底面近傍の変形が大きくなるのは、温度サイクルの低温側であることが分かった。そして、この主原因はフィルドビア４６の周囲に存在する絶縁樹脂層及び接着剤層といった絶縁層３１の熱膨張係数が、フィルドビア４６を含む配線層の熱膨張係数よりも大きく、低温域において大きな熱収縮を起こすためと推定される。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）は、本発明のＢＧＡ型多層回路配線板の一実施例を示す部分模式構成断面図である。（ｂ）は、半田ボール接続用電極パッド４３ｐとフィルドビア４４との位置関係を示す部分模式構成断面図である。（ｃ）は、本発明のＢＧＡ型多層回路配線板１００をはんだボール６１でプリント配線板７０に実装した実装例を示す部分模式構成断面図である。
【図２】（ａ）は、従来のＢＧＡ型多層回路配線板の一実施例を示す部分模式構成断面図である。（ｂ）は、従来のＢＧＡ型多層回路配線板２００をはんだボール６１でプリント配線板７０に実装した実装例を示す部分模式構成断面図である。
【図３】本発明のＢＧＡ型多層回路配線板１００をはんだボール６１でプリント配線板７０に実装した実装基板の一例を示す模式構成断面図である。
【図４】従来ののＢＧＡ型多層回路配線板２００をはんだボール６１でプリント配線板７０に実装した実装基板の一例を示す模式構成断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１１……絶縁基材
２１、２２、４３……配線層
２３、４２、４４、４６……フィルドビア
３１……絶縁層
４１……半田バンプ接続用電極パッド
４３ｐ、４５……半田ボール接続用電極パッド
５１、５２……ソルダーレジスト層
６１……半田ボール
７０……プリント配線板
５１ｂ……接着強化層
６１……レジストパターン
７１……半導体チップ
７２……半田バンプ
８１……アンダーフィル
９１……スティフナ
９２……リッド
１００、２００……ＢＧＡ型多層回路配線板
３００、４００……実装基板
【図１】
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【図２】
2006303364.tif 000004
【図３】
2006303364.tif 000005
【図４】
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