(57)【要約】【課題】  非処理領域を覆う膜パターンを形成するための液滴の一部分が、処理対象領域に付着することを抑制できる、膜パターン形成方法、及び弾性表面波デバイスの製造方法、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現する。【解決手段】  本発明による膜パターン形成方法及び弾性表面波デバイスの製造方法は、移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズル４からウェハ１に向けて陽極酸化レジスト膜材料の液滴吐出を実行する吐出走査工程において、吐出ノズル４を塗布禁止領域であるＩＤＴ４４に対向させないことを特徴とする。弾性表面波発振装置は、当該方法で製造された弾性表面波デバイスを備え、電子機器は、当該弾性表面波波発振装置を備える。【選択図】  図９
2006224046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状材料の液滴を吐出ノズルから吐出する液滴吐出ヘッドの前記吐出ノズルを基板に対向させ、前記液滴吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させると共に、前記基板に向けて連続的又は間欠的に前記液滴を吐出することで、前記基板上に前記液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、
相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記基板に向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、
前記相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記基板に向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、
前記基板面は、
前記膜パターンを形成する塗布領域と、
前記液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、
前記吐出走査工程においては、前記吐出ノズルを前記塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする、膜パターン形成方法。
【請求項２】
液状材料の液滴を吐出する吐出ノズルを複数備えた液滴吐出ヘッドの前記吐出ノズルを基板に対向させ、前記液滴吐出ヘッドと前記基板とを相対的に移動させると共に、前記基板に向けて連続的又は間欠的に前記液滴を吐出することで、前記基板上に前記液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、
相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記基板に向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、
前記相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記基板に向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、
前記基板面は、
前記膜パターンを形成する塗布領域と、
前記液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、
前記吐出走査工程においては、当該吐出走査工程の間に前記液滴を吐出する前記吐出ノズルを、前記塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする、膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記塗布禁止領域に隣接する前記塗布領域に向けて前記液滴を吐出する場合の吐出走査工程における、前記相対的移動の前記移動方向は、前記液滴を吐出する対象の前記塗布領域に隣接する前記塗布禁止領域に向かう方向ではないことを特徴とする、
請求項１又は２に記載の膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記相対的移動の方向が第１の相対的移動方向である前記吐出走査工程において、
前記塗布禁止領域の前記第１の相対的移動方向の延長上に位置する前記塗布領域の部分が存在した場合には、前記第１の相対的移動方向とは異なる第２の相対的移動方向で前記吐出走査工程を、さらに実施することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記吐出走査工程に続く前記移動走査工程において、前記吐出ノズルを前記塗布禁止領域に対向させる場合には、
前記吐出ノズルが前記塗布禁止領域に対向している時点における前記相対的移動の前記移動方向が、前記吐出ノズルが前記塗布禁止領域に対向している時点直前の前記吐出走査工程における前記移動方向と異なることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記膜パターンは、前記基板面を処理する前に当該処理を実行しない非処理面を覆うために形成するレジスト膜であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項７】
液状材料の液滴を吐出ノズルから吐出する液滴吐出ヘッドの前記吐出ノズルを、弾性表面波デバイスを形成するためのウェハに対向させ、前記液滴吐出ヘッドと前記ウェハとを相対的に移動させると共に、前記ウェハに向けて連続的又は間欠的に前記液滴を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、
相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記ウェハに向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、
前記相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記ウェハに向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、
前記ウェハ面は、
前記膜パターンを形成する塗布領域と、
前記液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、
前記吐出走査工程においては、前記吐出ノズルを前記塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする、弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
液状材料の液滴を吐出する吐出ノズルを複数備えた液滴吐出ヘッドの前記吐出ノズルを、弾性表面波デバイスを形成するためのウェハに対向させ、前記液滴吐出ヘッドと前記ウェハとを相対的に移動させると共に、前記ウェハに向けて連続的又は間欠的に前記液滴を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、
相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記ウェハに向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、
前記相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する前記相対的移動の間に、前記吐出ノズルから前記ウェハに向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、
前記ウェハ面は、
前記膜パターンを形成する塗布領域と、
前記液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、
前記吐出走査工程においては、当該吐出走査工程の間に前記液滴を吐出する前記吐出ノズルを、前記塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする、弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記塗布禁止領域に隣接する前記塗布領域に向けて前記液滴を吐出する場合の吐出走査工程における、前記相対的移動の前記移動方向は、前記液滴を吐出する対象の前記塗布領域に隣接する前記塗布禁止領域に向かう方向ではないことを特徴とする、請求項７又は８に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記相対的移動の方向が第１の相対的移動方向である前記吐出走査工程において、
前記塗布禁止領域の前記第１の相対的移動方向の延長上に位置する前記塗布領域の部分が存在した場合には、前記第１の相対的移動方向とは異なる第２の相対的移動方向で前記吐出走査工程を、さらに実施することを特徴とする、請求項７乃至９のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記吐出走査工程に続いて、前記吐出ノズルを前記塗布禁止領域に対向させる場合には、
前記吐出ノズルが前記塗布禁止領域に対向している時点における前記相対的移動の前記移動方向が、前記吐出ノズルが前記塗布禁止領域に対向している時点直前の前記吐出走査工程における前記移動方向と異なることを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記ウェハ上には、複数の前記弾性表面波デバイスを形成し、
前記塗布領域の少なくとも一部を含む範囲であって、当該範囲に含まれる前記塗布領域に向けて前記液滴を吐出する前記吐出走査工程における前記相対的移動の移動方向に直角な方向の前記範囲の幅が、前記範囲に含まれる前記塗布領域の当該相対的移動の移動方向に直角な方向の幅であって、当該相対的移動の移動方向に延在する前記範囲には、前記塗布禁止領域が存在しないように、前記ウェハ上に、前記弾性表面波デバイスを形成することを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記膜パターンは、前記ウェハ面を処理する前に当該処理を実行しない非処理面を覆うために形成するレジスト膜であることを特徴とする、請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記処理は、前記弾性表面波デバイス基板面に形成された電極面に酸化膜を形成する陽極酸化処理であり、
前記塗布禁止領域は、前記酸化膜を形成する前記電極面であることを特徴とする、請求項７乃至１３のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記非処理面は、前記弾性表面波デバイスを電気的に接続するための接続電極を含む領域であることを特徴とする、請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項７乃至１５のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法を用いて製造することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１７】
請求項１６に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする弾性表面波発振装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の弾性表面波発振装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターン形成方法、及び弾性表面波デバイスの製造方法、及び当該形成方法又は製造方法を用いて製造された弾性表面波デバイス、並びに当該弾性表面波デバイスを備えた弾性表面波発振装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上の所定の領域を選択的に処理するために、所定の領域（以降「処理対象領域」と表記する）以外の領域（以降「非処理領域」と表記する）を覆う膜パターンを形成し、基板の全面を処理しても膜パターンに覆われた非処理領域は処理されないようにすることで、所定の領域のみを選択的に処理する方法が行われている。非処理領域を覆う膜パターンを形成する方法としては、基板面の全域を覆う保護膜を形成し、フォトエッチングなどで処理対象領域を覆う保護膜を除去して、非処理領域を覆う膜パターンを形成する方法が行われている。この方法では処理対象領域の保護膜をエッチングして除去する際に、処理対象領域の面がエッチング剤の影響を受けることがあった。例えば、基板の処理対象領域に含まれる表面に形成された電極膜が、エッチング剤によって侵食される場合があった。エッチング剤の影響を排除する方法として、特許文献１に記載されたように、エッチング剤に侵され難い処理を行う方法が提案されている。
【０００３】
しかし、特許文献１に記載されたような方法は、基板面に対して実施するべき処理を実行するためにさらに別の処理を実行する方法である。そのため、例えば弾性表面波デバイスのように、基板の表面に形成された電極膜の厚さの微小な変化が装置の特性に影響を与える装置においては、当該別の処理を実行することで、装置の特性が変化するという弊害が生ずる可能性があった。このような弊害がない方法として、特許文献２に記載されたようなインクジェット方式で、非処理領域にのみ選択的に保護膜の膜パターンを形成する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２７８０６７号公報
【特許文献２】特開２００４−１６９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、インクジェット方式では、図１５に示したように、吐出ヘッド内の液状材料から分離される液滴１１０が尾を曳き（図１５（ｂ），（ｃ）参照）、尾の部分が液滴（以降「主液滴１１１」と表記する）から分離して微小液滴（以降「副液滴１１２」と表記する）が発生する場合があった（図１５（ｄ），（ｅ），（ｆ）参照）。副液滴１１２は主液滴１１１より重量が軽いことから主液滴１１１より飛行速度が遅いため、主液滴１１１より遅れて基板面に着弾し、目標とする着弾位置から大幅にずれた位置に副液滴１１２が着弾する可能性が高く、非処理領域に隣接する処理対象領域に着弾する場合もあった。処理対象領域に着弾した副液滴１１２は、部分的に保護膜を形成し、当該部分の処理を妨げていた。例えば、所定の領域に絶縁層形成処理を行うために非処理領域にレジスト膜を形成する場合では、絶縁層を形成する領域に、副液滴１１２によるレジスト膜が部分的に形成され、レジスト膜が形成され部分には絶縁層が形成されないため、当該部分で短絡が発生する可能性があった。また、突発的に液滴１１０の飛行経路が変わって着弾した場合や、吐出ノズルの縁などに付着した液体が脱落して落下した場合などにも、目標とする着弾位置からずれた位置に液状材料が付着することで、同様の問題が発生する可能性があった。
【０００６】
そこで、本発明は、非処理領域を覆う膜パターンを形成するための液滴の一部分が、処理対象領域に付着することを抑制できる、膜パターン形成方法、及び弾性表面波デバイスの製造方法、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による膜パターン形成方法は、液状材料の液滴を吐出ノズルから吐出する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルを基板に対向させ、液滴吐出ヘッドと基板とを相対的に移動させると共に、基板に向けて連続的又は間欠的に液滴を吐出することで、基板上に液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルから基板に向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルから基板に向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、基板面は、膜パターンを形成する塗布領域と、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、吐出走査工程においては、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする。
【０００８】
吐出ノズルから吐出された液滴の一部が分離して、複数の液滴となる可能性がある（分離した基の液滴を「主液滴」、分離した液滴の一部を「副液滴」と表記する）。副液滴は主液滴に比べて重量が軽いため飛行速度が遅くなることから、液滴の着弾目標位置から離れた位置に着弾する可能性が高い。吐出走査工程において、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させると、吐出ノズルが塗布領域に対向している間に塗布領域に向けて吐出した液滴の一部が副液滴となり、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向した時点で、基板に着弾する可能性がある。即ち、吐出ノズルを対向させた塗布禁止領域に副液滴が着弾する可能性がある。また、吐出ノズルの縁などに付着した液体が脱落して落下した場合などにも、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している間に落下し着弾することで、塗布禁止領域に液状材料が付着する可能性がある。
【０００９】
本発明の方法によれば、吐出走査工程においては、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させないことから、吐出走査工程において、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させることがある方法に比べて、塗布禁止領域に液滴が着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００１０】
本発明による膜パターン形成方法は、液状材料の液滴を吐出する吐出ノズルを複数備えた液滴吐出ヘッドの吐出ノズルを基板に対向させ、液滴吐出ヘッドと基板とを相対的に移動させると共に、基板に向けて連続的又は間欠的に液滴を吐出することで、基板上に液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルから基板に向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルから基板に向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、基板面は、膜パターンを形成する塗布領域と、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、吐出走査工程においては、当該吐出走査工程の間に液滴を吐出する吐出ノズルを、塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする。
【００１１】
本発明の方法によれば、１回の吐出走査工程において、当該吐出走査工程の間に液滴を吐出する吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させないことから、吐出走査工程において、当該吐出走査工程の間に液滴を吐出する吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させることがある方法に比べて、塗布禁止領域に液滴が着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００１２】
この場合、膜パターン形成方法は、塗布禁止領域に隣接する塗布領域に向けて液滴を吐出する場合の吐出走査工程における、相対的移動の移動方向は、液滴を吐出する対象の塗布領域に隣接する塗布禁止領域に向かう方向ではないことが好ましい。
【００１３】
この方法によれば、塗布禁止領域に向かって相対的移動しながら塗布禁止領域に隣接する塗布領域に向けて液滴を吐出する場合、塗布領域の塗布禁止領域に接する端の近傍に着弾する主液滴から分離した副液滴は、主液滴より重量が軽いため飛行速度が遅いことから、主液滴より遅れて着弾し、塗布領域と隣接する塗布禁止領域との境を越えて、塗布禁止領域に着弾する可能性がある。この方法によれば、このような可能性を排除して、塗布禁止領域に副液滴が着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００１４】
この場合、膜パターン形成方法は、相対的移動の方向が第１の相対的移動方向である吐出走査工程において、塗布禁止領域の第１の相対的移動方向の延長上に位置する塗布領域の部分が存在した場合には、第１の相対的移動方向とは異なる第２の相対的移動方向で吐出走査工程を、さらに実施することが好ましい。
【００１５】
この方法によれば、第１の相対的移動方向において、塗布禁止領域の延長上にあることから、第１の相対的移動方向においては、塗布禁止領域に吐出ノズルを対向させることなく液滴吐出対象とすることができない塗布領域であっても、第１の相対的移動方向とは異なる第２の相対的移動方向においては、当該塗布領域が塗布禁止領域の延長上にないような第２の相対的移動方向を選ぶことで、塗布禁止領域に吐出ノズルを対向させることなく液滴吐出対象とすることができる。
【００１６】
この場合、膜パターン形成方法は、吐出走査工程に続く移動走査工程において、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させる場合には、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している時点における相対的移動の移動方向が、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している時点直前の吐出走査工程における移動方向と異なることが好ましい。
【００１７】
この方法によれば、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している時点の相対的移動の方向が、直前の吐出走査工程の相対的移動の方向と異なることから、吐出走査工程の相対的移動の方向の延長線上に着弾する可能性が高い副液滴が、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向しても当該塗布禁止領域に着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００１８】
この場合、膜パターン形成方法は、膜パターンは、基板面を処理する前に当該処理を実行しない非処理面を覆うために形成するレジスト膜であることが好ましい。
【００１９】
この方法によれば、処理を実行する面に液滴が着弾してレジスト膜が形成されることで、当該部分の面の処理が阻害されることを抑制することができる。
【００２０】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、液状材料の液滴を吐出ノズルから吐出する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルを、弾性表面波デバイスを形成するためのウェハに対向させ、液滴吐出ヘッドとウェハとを相対的に移動させると共に、ウェハに向けて連続的又は間欠的に液滴を吐出することで、ウェハ上に液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルからウェハに向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルからウェハに向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、ウェハ面は、膜パターンを形成する塗布領域と、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、吐出走査工程においては、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする。
【００２１】
吐出ノズルから吐出された液滴の一部が分離して、複数の液滴となる可能性がある（分離した基の液滴を「主液滴」、分離した液滴の一部を「副液滴」と表記する）。副液滴は主液滴に比べて重量が軽いため飛行速度が遅くなることから、液滴の着弾目標位置から離れた位置に着弾する可能性が高い。吐出走査工程において、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させると、吐出ノズルが塗布領域に対向している間に塗布領域に向けて吐出した液滴の一部が副液滴となり、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向した時点で、基板に着弾する可能性がある。即ち、吐出ノズルを対向させた塗布禁止領域に副液滴が着弾する可能性がある。また、吐出ノズルの縁などに付着した液体が脱落して落下した場合などにも、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している間に落下し着弾することで、塗布禁止領域に液状材料が付着する可能性がある。
【００２２】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法によれば、吐出走査工程においては、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させないことから、吐出走査工程において、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させることがある方法に比べて、塗布禁止領域に液滴が着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００２３】
本発明による弾性表面波デバイスの製造方法は、液状材料の液滴を吐出する吐出ノズルを複数備えた液滴吐出ヘッドの吐出ノズルを、弾性表面波デバイスを形成するためのウェハに対向させ、液滴吐出ヘッドとウェハとを相対的に移動させると共に、ウェハに向けて連続的又は間欠的に液滴を吐出することで、ウェハ上に液状材料から成る、所定形状の膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルからウェハに向けての液滴吐出を実行する吐出走査工程と、相対的移動の移動方向の変更を伴わない連続する相対的移動の間に、吐出ノズルからウェハに向けての液滴吐出を実行しない移動走査工程とを有し、ウェハ面は、膜パターンを形成する塗布領域と、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域とを含み、吐出走査工程においては、当該吐出走査工程の間に液滴を吐出する吐出ノズルを、塗布禁止領域に対向させないことを特徴とする。
【００２４】
吐出ノズルから吐出された液滴の一部が分離して、複数の液滴となる可能性がある。分離した液滴の一部である副液滴は、分離した基の液滴である主液滴に比べて重量が軽いため飛行速度が遅くなることから、液滴の着弾目標位置から離れた位置に着弾する可能性が高い。吐出走査工程において、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させると、吐出ノズルが塗布領域に対向している間に塗布領域に向けて吐出した液滴の一部が副液滴となり、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向した時点で、基板に着弾する可能性がある。即ち、吐出ノズルを対向させた塗布禁止領域に副液滴が着弾する可能性がある。また、吐出ノズルの縁などに付着した液体が脱落して落下した場合などにも、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している間に落下し着弾することで、塗布禁止領域に液状材料が付着する可能性がある。
【００２５】
本発明の方法によれば、１回の吐出走査工程において、当該吐出走査工程の間に液滴を吐出する吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させないことから、吐出走査工程において、当該吐出走査工程の間に液滴を吐出する吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させることがある方法に比べて、塗布禁止領域に液滴が着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００２６】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、塗布禁止領域に隣接する塗布領域に向けて液滴を吐出する場合の吐出走査工程における、相対的移動の移動方向は、液滴を吐出する対象の塗布領域に隣接する塗布禁止領域に向かう方向ではないことが好ましい。
【００２７】
この製造方法によれば、塗布禁止領域に向かって相対的移動しながら塗布禁止領域に隣接する塗布領域に向けて液滴を吐出する場合、塗布領域の塗布禁止領域に接する端の近傍に着弾する主液滴から分離した副液滴は、主液滴より重量が軽いため飛行速度が遅いことから、主液滴より遅れて着弾し、塗布領域と隣接する塗布禁止領域との境を越えて、塗布禁止領域に着弾する可能性がある。この方法によれば、このような可能性を排除して、塗布禁止領域に副液滴が着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００２８】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、相対的移動の方向が第１の相対的移動方向である吐出走査工程において、塗布禁止領域の第１の相対的移動方向の延長上に位置する塗布領域の部分が存在した場合には、第１の相対的移動方向とは異なる第２の相対的移動方向で吐出走査工程を、さらに実施することが好ましい。
【００２９】
この製造方法によれば、第１の相対的移動方向において、塗布禁止領域の延長上にあることから、第１の相対的移動方向においては、塗布禁止領域に吐出ノズルを対向させることなく液滴吐出対象とすることができない塗布領域であっても、第１の相対的移動方向とは異なる第２の相対的移動方向においては、当該塗布領域が塗布禁止領域の延長上にないような第２の相対的移動方向を選ぶことで、塗布禁止領域に吐出ノズルを対向させることなく液滴吐出対象とすることができる。
【００３０】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、吐出走査工程に続いて、吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させる場合には、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している時点における相対的移動の移動方向が、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している時点直前の吐出走査工程における移動方向と異なることが好ましい。
【００３１】
この製造方法によれば、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向している時点の相対的移動の方向が、直前の吐出走査工程の相対的移動の方向と異なることから、吐出走査工程の相対的移動の方向に着弾する可能性が高い副液滴が、吐出ノズルが塗布禁止領域に対向しても当該塗布禁止領域に着弾する可能性を非常に小さくすることができる。
【００３２】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、ウェハ上には、複数の弾性表面波デバイスを形成し、塗布領域の少なくとも一部を含む範囲であって、当該範囲に含まれる塗布領域に向けて液滴を吐出する吐出走査工程における相対的移動の移動方向に直角な方向の当該範囲の幅が、当該範囲に含まれる塗布領域の当該相対的移動の移動方向に直角な方向の幅であって、当該相対的移動の移動方向に延在する範囲には、塗布禁止領域が存在しないように、ウェハ上に、弾性表面波デバイスを形成することが好ましい。
【００３３】
この製造方法によれば、塗布領域に向けて液滴を吐出する吐出走査工程における相対的移動の移動方向の当該塗布領域の延長上には、塗布禁止領域が存在しない。従って、塗布領域に液滴を吐出した吐出ノズルを塗布禁止領域に対向させないように、塗布禁止領域に対して当該吐出ノズルを迂回させるなどの処置をとることは不要で、効率良く塗布走査工程を実施することができる。
【００３４】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法において、膜パターンは、ウェハ面を処理する前に当該処理を実行しない非処理面を覆うために形成するレジスト膜であることが好ましい。
【００３５】
この製造方法によれば、処理を実行する面に液滴が着弾して、レジスト膜が形成され、当該部分の面の処理が阻害されることを抑制することができる。
【００３６】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法において、処理は、弾性表面波デバイス基板面に形成された電極面に酸化膜を形成する陽極酸化処理であり、塗布禁止領域は、酸化膜を形成する電極面であることことが好ましい。
【００３７】
この製造方法によれば、陽極酸化処理を実行する電極面に液滴が着弾して、レジスト膜が形成され、電極面のレジスト膜が形成された部分の陽極酸化処理が阻害されることを抑制することができる。
【００３８】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法において、非処理面は、弾性表面波デバイスを電気的に接続するための接続電極を含む領域であることことが好ましい。
【００３９】
この製造方法によれば、接続電極以外の領域にレジスト膜が形成されることを抑制しながら、接続電極を覆うレジスト膜を形成することができる。
【００４０】
本発明の弾性表面波デバイスは、前記請求項のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法を用いて製造することを特徴とする。
【００４１】
本発明によれば、塗布禁止領域に膜パターンの材料が付着することで、膜パターンが形成されることが好ましくない領域に膜パターンが形成されることを抑制できる方法で製造することで、信頼性の高い弾性表面波デバイスを実現することができる。
【００４２】
本発明の弾性表面波発振装置は、前記した請求項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする。
【００４３】
本発明の構成によれば、信頼性の高い弾性表面波デバイスを有する、信頼性の高い弾性表面波発振装置を実現することができる。
【００４４】
本発明による電子機器は、前記した請求項に記載の弾性表面波発振装置を備えることを特徴とする。
【００４５】
本発明の構成によれば、信頼性の高い弾性表面波発振装置を搭載したことから、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明に係る膜パターン形成方法、及び弾性表面波デバイスの製造方法、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器の一実施形態について、図面を参照して、説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００４７】
（第１の実施形態）
最初に、本発明に係る弾性表面波デバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することにより弾性表面波デバイスの基板上に膜パターンを形成する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。図１は、液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
【００４８】
図１において、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、弾性表面波デバイスを形成するウェハ１（図７参照）を支持する基板ステージ２２と、ベース１２と基板ステージ２２との間に介在し、基板ステージ２２を移動可能に支持する第１移動装置（移動装置）１４と、基板ステージ２２に支持されているウェハ１に対して液状材料の液滴を吐出可能な液滴吐出ヘッド２（図２参照）と、複数の液滴吐出ヘッド２を保持するヘッドユニット３（図２参照）を移動可能に支持する第２移動装置１６と、液滴吐出ヘッド２の液滴の吐出動作を制御する制御装置２３とを備えている。更に、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２上に設けられている重量測定装置としての電子天秤（不図示）と、キャッピングユニット２５と、クリーニングユニット２４とを有している。また、第１移動装置１４及び第２移動装置１６を含む液滴吐出装置ＩＪの動作は、制御装置２３によって制御される。
【００４９】
第１移動装置１４はベース１２の上に設置されており、Ｙ方向に沿って位置決めされている。第２移動装置１６は、２本の支柱１６ａを用いてベース１２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の後部１２ａにおいて取り付けられている。第２移動装置１６のＸ方向（第２の方向）は、第１移動装置１４のＹ方向（第１の方向）と直交する方向である。ここで、Ｙ方向はベース１２の前部１２ｂと後部１２ａ方向に沿った方向である。これに対してＸ方向はベース１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ方向はＸ方向及びＹ方向に垂直な方向である。
【００５０】
第１移動装置１４は、駆動部が例えばリニアモータによって構成され、２本のガイドレール１４ａと、このガイドレール１４ａに沿って移動可能に設けられているスライダー１４ｂとを備えている。このスライダー１４ｂは、ガイドレール１４ａに沿ってＹ方向に移動して位置決め可能である。
【００５１】
また、スライダー１４ｂはＺ軸回り（θＺ）用のモータ１４ｃを備えている。このモータ１４ｃは、例えばダイレクトドライブモータであり、モータ１４ｃのロータは基板ステージ２２に固定されている。これにより、モータ１４ｃに通電することでロータと基板ステージ２２とは、θＺ方向に沿って回転して基板ステージ２２をインデックス（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移動装置１４は、基板ステージ２２をＹ方向（第１の方向）及びθＺ方向に移動可能である。
【００５２】
基板ステージ２２はウェハ１を保持し、所定の位置に位置決めするものである。また、基板ステージ２２は吸着保持装置（図示省略）を有しており、吸着保持装置が作動することにより、基板ステージ２２の穴２２ａを通してウェハ１を基板ステージ２２の上に吸着して保持する。
【００５３】
第２移動装置１６は、駆動部がリニアモータによって構成され、支柱１６ａに固定されたコラム１６ｂと、このコラム１６ｂに支持されているガイドレール１６ｃと、ガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動可能に支持されているスライダー１６ｄとを備えている。スライダー１６ｄはガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動して位置決め可能であり、ヘッドユニット３はスライダー１６ｄに取り付けられている。
【００５４】
ヘッドユニット３は、揺動位置決め装置としてのモータ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄを介してスライダー１６ｄに取り付けられている。モータ１８ａを作動すれば、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｚ軸に平行に上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）である。モータ１８ｂを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能である。モータ１８ｃを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モータ１８ｄを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｚ軸回りのα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第２移動装置１６は、ヘッドユニット３をＸ方向（第１の方向）及びＺ方向に移動可能に支持するとともに、このヘッドユニット３をＸ軸回り方向、Ｙ軸回り方向、Ｚ軸回り方向に揺動可能に支持する。
【００５５】
このように、図１のヘッドユニット３に保持された液滴吐出ヘッド２は、スライダー１６ｄにおいて、Ｘ軸方向に直線移動して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐは、基板ステージ２２側のウェハ１に対して正確に位置あるいは姿勢をコントロールすることができる。なお、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐには液滴を吐出する複数の吐出ノズル４が設けられている（図２（ｂ）参照）。
【００５６】
電子天秤（図示省略）は、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズルから吐出された液滴の一滴の重量を測定して管理するために、例えば、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズルから、５０００滴分の液滴を受ける。電子天秤は、この５０００滴の液滴の重量を５０００の数字で割ることにより、一滴の液滴の重量を正確に測定することができる。この液滴の測定量に基づいて、液滴吐出ヘッド２から吐出する液滴の量を最適にコントロールすることができる。
【００５７】
クリーニングユニット２４は、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズル等のクリーニングを製造工程中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことができる。キャッピングユニット２５は、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐが乾燥しないようにするために、デバイスを製造しない待機時にこの液滴吐出面２Ｐにキャップをかぶせるものである。
【００５８】
液滴吐出ヘッド２が第２移動装置１６によりＸ方向に移動することで、液滴吐出ヘッド２を電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５の上部に選択的に位置決めさせることができる。つまり、製造作業の途中であっても、液滴吐出ヘッド２をたとえば電子天秤の位置に移動することで、液滴の重量を測定できる。また液滴吐出ヘッド２をクリーニングユニット２４上に移動することで、液滴吐出ヘッド２のクリーニングを行うことができる。液滴吐出ヘッド２をキャッピングユニット２５の上に移動して、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐにキャップを取り付けることで乾燥を防止する。
【００５９】
つまり、これら電子天秤、クリーニングユニット２４、およびキャッピングユニット２５は、ベース１２上の後端側で、液滴吐出ヘッド２の移動経路直下に、基板ステージ２２と離間して配置されている。基板ステージ２２に対するウェハ１の給材作業及び排材作業はベース１２の前端側から行われるため、これら電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５により作業に支障を来すことはない。
【００６０】
図１に示すように、基板ステージ２２のうち、ウェハ１を支持する以外の部分には、液滴吐出ヘッド２が液滴を捨打ち或いは試し打ち（予備吐出）するための予備吐出エリア（予備吐出領域）２７が、クリーニングユニット２４と分離して設けられている。この予備吐出エリア２７は、図１に示すように、基板ステージ２２の後端部側においてＸ方向に沿って設けられている。この予備吐出エリア２７は、基板ステージ２２に固着され、上方に開口する断面凹字状の受け部材と、受け部材の凹部に交換自在に設置されて、吐出された液滴を吸収する吸収材とから構成されている。
【００６１】
次に、液滴吐出装置の液滴の吐出技術について説明する。液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００６２】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。このうち、ピエゾ方式は、液状材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないなどの利点を有する。本実施形態では、液状材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【００６３】
次に、液滴吐出ヘッド２、及び複数の液滴吐出ヘッド２を保持するヘッドユニット３の構造について説明する。図２（ａ）は、ヘッドユニットの平面図、図２（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの平面図であり、図３（ａ）は、液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視図であり、図３（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの吐出ノズル部の詳細構造を示す液滴吐出ヘッドの断面図である。
【００６４】
ヘッドユニット３は、図２（ａ）に示すように互いに同じ構造を有する複数の液滴吐出ヘッド２を保持している。ここで、図２（ａ）は、ヘッドユニット３を基板ステージ２２側から観察した図である。ヘッドユニット３には６個の液滴吐出ヘッド２からなる列が、それぞれの液滴吐出ヘッド２の長手方向がＸ軸方向に対して角度をなすように２列配置されている。また、液状材料を吐出するための液滴吐出ヘッド２は、図２（ｂ）に示すように、それぞれが液滴吐出ヘッド２の長手方向に延びる２つの吐出ノズル列６、６を有している。１つの吐出ノズル列６は、それぞれ１８０個の吐出ノズル４が一列に並んだ列のことであり、この吐出ノズル列６、６の方向に沿った吐出ノズル４の間隔は、約１４０μｍである。２つの吐出ノズル列６、６間で吐出ノズル４はそれぞれ半ピッチ（約７０μｍ）ずれた位置に配置されている。各液滴吐出ヘッド２は吐出ノズル４がＸ軸方向に一定ピッチで連続するように配置されており、液滴吐出ヘッド２のＸ軸方向に対する角度を調整すれば、ピッチを変えることができる。
【００６５】
この液滴吐出ヘッド２及び吐出ノズル４の配列パターンは一例であり、各種の基板に対し液滴吐出ヘッド２を専用部品とすれば、当該基板に合致した吐出ノズルの配設をすれば良い。あるいは、６個の液滴吐出ヘッド２の列を一つの液滴吐出ヘッドで構成しても良い。すなわち、液滴吐出ヘッド２の個数や列数、さらに配列パターンは任意に設定できる。いずれにしても、１２個の液滴吐出ヘッド２の全吐出ノズル４によるドットが、Ｘ軸方向において連続していればよい。
【００６６】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、それぞれの液滴吐出ヘッド２は、振動板３３と、ノズルプレート３４とを、備えている。振動板３３と、ノズルプレート３４との間には、液状材料タンク（図示省略）から孔３７を介して供給される材料液が常に充填される液たまり３５が位置している。また、振動板３３と、ノズルプレート３４との間には、複数のヘッド隔壁３１が位置している。そして、振動板３３と、ノズルプレート３４と、１対のヘッド隔壁３１とによって囲まれた部分がキャビティ３０である。キャビティ３０は吐出ノズル４に対応して設けられているため、キャビティ３０の数と吐出ノズル４の数とは同じである。キャビティ３０には、１対のヘッド隔壁３１間に位置する供給口３６を介して、液たまり３５から材料液が供給される。
【００６７】
振動板３３上には、それぞれのキャビティ３０に対応して、振動子３２が位置する。振動子３２は、ピエゾ素子３２ｃと、ピエゾ素子３２ｃを挟む１対の電極３２ａ、３２ｂとから成る。この１対の電極３２ａ、３２ｂに駆動電圧を与えることで、対応する吐出ノズル４から液状材料が液滴となって吐出される。
【００６８】
上記した制御装置２３（図１参照）は、ピエゾ素子３２ｃへの印加電圧の制御、すなわち駆動信号を制御することにより、複数の吐出ノズル４のそれぞれに対して、液状材料の吐出制御を行う。具体的には、制御装置２３は、吐出ノズル４から吐出される液滴の体積や、単位時間あたりに吐出する液滴の数、液滴同士の距離などを変化させることができる。例えば、列状に並ぶ複数の吐出ノズル４の中から、液滴を吐出させる吐出ノズル４を選択的に使用することにより、複数の液滴同士の距離を変化させることができる。なお、吐出ノズル４のそれぞれから吐出される液滴の体積は、１ｐｌ〜３００ｐｌ（ピコリットル）の間で可変である。
【００６９】
図４は、ピエゾ素子３２ｃに与える駆動信号の例と、駆動信号に対応する吐出ノズル内の液状材料の状態を示す模式図である。以下、この図４に基づいて、体積の異なる３種類の液滴である、微小ドット、中ドット、大ドットを吐出する原理について説明する。図４において、駆動波形［Ａ］は駆動信号発生回路が生成する基本波形である。波形［Ｂ］は基本波形のＰａｒｔ１で形成されていて、メニスカス（液体の凹凸面）を揺動させ吐出ノズル４開口近傍の増粘した液体を拡散し、微小な液滴の吐出不良を未然に防止するために用いられる。Ｂ１はメニスカスが静定している状態であり、Ｂ２はピエゾ素子３２ｃに緩やかに充電することでキャビティ３０（圧力室）の体積を拡張しメニスカスを僅か吐出ノズル４内に引き込む動作を示している。
【００７０】
波形［Ｃ］は基本波形のＰａｒｔ２で形成されていて、微小ドットの液滴を吐出する波形である。まず静定している状態（Ｃ１）から急激にピエゾ素子３２ｃを充電してメニスカスを素早く吐出ノズル４内に引き込む（Ｃ２）。次に一旦引き込まれたメニスカスが再び吐出ノズル４を満たす方向に振動を開始するタイミングに併せてキャビティ３０を僅か縮小（Ｃ３）させることにより微小ドットの液滴が飛翔する。放電を途中休止した後の２度目の放電（Ｃ４）は吐出動作後のメニスカスやピエゾ素子の残留信号を制振させるとともに液滴の飛翔形態を制御する役目を果たしている。
【００７１】
波形［Ｄ］は基本波形のＰａｒｔ３で形成されていて、中ドットを吐出する波形である。静定状態（Ｄ１）から緩やかに大きくメニスカスを引き込み（Ｄ２）、メニスカスが再び吐出ノズル４を満たす方向に向かうタイミングに合わせて急激にキャビティ３０を収縮（Ｄ３）させることで中ドットの液滴が吐出される。Ｄ４ではピエゾ素子に充電／放電することでメニスカスやピエゾ素子の残留振動を制振させている。波形［Ｅ］は基本波形のＰａｒｔ２とＰａｒｔ３とを組み合わせて形成されていて、大ドットの液滴を吐出するための波形である。まず、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３に示す過程で微小ドットの液滴を吐出し、微小ドット吐出後に僅かに残留するメニスカスの振動が吐出ノズル４内を液体で満たすタイミングに合わせて中ドットを吐出する波形をピエゾ素子３２ｃに印加する。Ｅ４、Ｅ５の過程で吐出される液滴は中ドットよりも大きい体積であり、先の微小ドットの液滴と合わせてさらに大きい大ドットの液滴が形成される。このように駆動信号を制御することにより、微小ドット、中ドット、大ドットの体積の異なる３種類の液滴を吐出することができる。
【００７２】
次に、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子３８（図６参照）について説明する。ＳＡＷ共振子３８は、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０（図５参照）を封入し、接着剤４１で接着し、ボンディングワイヤ４２で導通させて形成される（図６参照）。ＳＡＷ共振子３８が、弾性表面波発振装置に相当し、ＳＡＷ共振片４０が、弾性表面波デバイスに相当する。
【００７３】
図５は、ＳＡＷ共振片の一例を示す平面図である。図５に示したＳＡＷ共振片４０は、水晶、リチウムタンクレート、リチウムニオブベートなどの圧電体を矩形にカットしたものを基体（チップ）として構成されている。本実施形態の圧電体のチップ４３は、平らな長方形にカットされており、その表面（主面）４３ａの中央に１組の電極４４ａおよび４４ｂによって交叉指電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）４４が構成されている。また、このＩＤＴ４４の長手方向の両側に格子状の反射器４６ａおよび４６ｂが形成されている。チップ４３の長手方向の縁に沿って、ＩＤＴ４４を形成する１組の電極４４ａおよび４４ｂとそれぞれ繋がった導通用のボンディングランド４５ａおよび４５ｂが、電極４４ａおよび４４ｂと同じ素材を用いて形成されており、このボンディングランド４５ａ，４５ｂにワイヤーボンディングすることによって電気的な接続が得られるようになっている。ボンディングランド４５ａ，４５ｂが、接続電極に相当する。
【００７４】
電極４４ａ，４４ｂ，反射器４６ａ，４６ｂおよびボンディングランド４５ａ，４５ｂは、導電性の素材、例えば、金、アルミニウム、アルミニウム銅合金などが通常用いられ、加工およびコストの点からアルミニウム系の素材が最も多く用いられている。図５に破線で示した領域４７ａ，４７ｂは、後述する陽極酸化レジスト膜を形成する領域であり、塗布領域に相当する。
【００７５】
図６は、ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図である。上述したように、ＳＡＷ共振子３８は、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０を封入して形成されている。ハウジング３９は、ＳＡＷ共振片４０を支持するための金属部３９ｂと、ＳＡＷ共振片４０を封止するケース３９ａと、封止ガラス３９ｃとで構成されている。ＳＡＷ共振片４０は、これを支持するための金属部３９ｂに接着剤４１で固着されており、ケース３９ａと金属部３９ｂとで形成される空間内に窒素雰囲気中で抵抗溶接などによって封止されている。ＳＡＷ共振片４０と電気的な接続を得るためのリード４９が金属部３９ｂの中の絶縁部すなわち封止ガラス３９ｃを貫通しており、これらのリード４９はＳＡＷ共振片４０上のボンディングランド４５ａ，４５ｂとボンディングワイヤ４２によって電気的に接続されている。
【００７６】
このように、ＳＡＷ共振片４０の周囲に空間を設け、ＳＡＷ共振片４０が周囲の環境から影響を受け難くしてある。ところが、ＳＡＷ共振片４０の周囲に形成された空間がＳＡＷ共振片４０を封入する際に混入する可能性のあるＳＵＳ片あるいは半田くずなどの異物の移動可能なスペースとなってしまう。そして、このような異物がＳＡＷ共振片４０の電極、例えば、ＩＤＴ４４に食い込む可能性がある。ＩＤＴ４４はミクロンオーダーの精度で配置されているため、電極間に上記のような導電性の異物が存在するとショートの原因となり、ＳＡＷ共振子３８の安定した動作が損なわれる。しかし、このような異物の多くはミクロンオーダーの小さなものであり、混入を完全に防ぐのは困難である。さらに、ＳＡＷ共振子３８は様々な用途に用いられ、実装中や運搬中の衝撃、あるいは実装された角度などによってこのような異物が移動してしまうので、ＳＡＷ共振子３８を組み立てたり、実装する段階で上記のようなトラブルを完全に防止することは難しい。
【００７７】
異物によるトラブルを防止するために、例えば、ＩＤＴ４４などを酸化けい素などによってコーディングすることも可能である。しかし、チップ上にコーティング層を形成することは共振周波数の変動やＱ値の低下に繋がり、ＳＡＷ共振子３８の性能が損なわれてしまう。ところで、アルミニウム系の電極の表面に自然に形成される酸化膜は導電性が小さく、絶縁膜として機能させることができ、これらによってショートを防止することができる。しかし、自然に形成される酸化膜は厚みが１０〜３０オングストロームと薄いため強度が不足し、落下等の衝撃によって移動する異物から電極を完全に保護することは困難である。そこで、ＳＡＷ共振片４０のアルミニウム系電極を陽極酸化することによって、膜厚が２８０オングストローム前後、あるいはこれより厚い酸化膜を電極の表面に形成し、異物によるトラブルを防止するようにしている。
【００７８】
図７は、複数のＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図である。図７に示すような圧電体のウェハ５１に複数のＳＡＷパターン５２が形成された状態で陽極酸化を行う。ＩＤＴ４４を構成する一対の電極４４ａおよび４４ｂに陽極酸化を施すため、ウェハ５１には、ＳＡＷパターン５２に加え、陽極酸化用の電源と接続するターミナル（図示省略）と、ターミナルとＩＤＴ４４の一方の電極４４ａ及び４４ｂとを繋ぐ接続線（図示省略）と、を設けてある。陽極酸化を行うことで、印加電圧に略比例した膜厚の酸化膜を電極の表面に形成することができる。
【００７９】
また、電極のうち、ボンディングランド４５ａ，４５ｂに相当する部分では、ボンディングワイヤ４２とボンディングランド４５ａ，４５ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要であり、ボンディングランド４５ａ，４５ｂには酸化膜が形成されないことが望ましい。そこで、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う領域４７ａ，４７ｂにはレジスト膜を形成して、酸化膜の厚みの増加を防止する。レジスト膜は、前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、領域４７ａ，４７ｂにレジスト膜材料を吐出することで形成する。レジスト膜を形成する領域４７ａ，４７ｂが、膜パターンを形成する塗布領域に相当し、酸化膜を形成する対象であって、レジスト膜材料が付着することが好ましくない電極４４ａ及び４４ｂが、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域に相当する。
【００８０】
ウェハ５１上のＳＡＷパターン５２は、ボンディングランド４５ａ，４５ｂが図７に示したＷ軸方向に直線状に並ぶと共に、ボンディングランド４５ａ，４５ｂのＷ軸方向の延長上に、ＩＤＴ４４が位置しないように配置されている。なお、図７に示したウェハ５１は、ウェハ５１上に形成されたＩＤＴ４４とボンディングランド４５ａ，４５ｂとの位置関係を明示するために、１枚のウェハ５１上に４０個のＳＡＷパターン５２が形成できるものを示している。
【００８１】
次に、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆うレジスト膜を形成する工程について説明する。最初に本工程で用いるヘッドユニット５３の構造について説明する。図８（ａ）は、ヘッドユニットの平面図であり、図８（ｂ）は、吐出ノズルの位置関係を示す模式図である。
【００８２】
ヘッドユニット５３は、図８（ａ）に示すように互いに同じ構造を有する２個の液滴吐出ヘッド２を保持している。ここで、図８（ａ）は、ヘッドユニット５３を基板ステージ２２側から観察した図である。２個の液滴吐出ヘッド２を区別するために、それぞれ液滴吐出ヘッドＡ、液滴吐出ヘッドＢと表記する。液滴吐出ヘッドＡ，Ｂは、長手方向がＸ軸方向に平行に配置されている。液滴吐出ヘッドＡ，Ｂの吐出ノズル列６は、それぞれ１８０個の吐出ノズル４がＸ軸方向に一列に並んでいる。液滴吐出ヘッドＡ，Ｂの吐出ノズル列６を、それぞれ吐出ノズル列Ａａ、吐出ノズル列Ａｂ、吐出ノズル列Ｂａ、吐出ノズル列Ｂｂと表記し、吐出ノズル列Ａａ、吐出ノズル列Ａｂ、吐出ノズル列Ｂａ、吐出ノズル列Ｂｂの端（図８（ａ）に向かって右側の端）の吐出ノズル４を、それぞれ吐出ノズルＡａ１、吐出ノズルＡｂ１、吐出ノズルＢａ１、吐出ノズルＢｂ１と表記し、上記端からｎ番目の吐出ノズル４を、それぞれ吐出ノズルＡａｎ、吐出ノズルＡｂｎ、吐出ノズルＢａｎ、吐出ノズルＢｂｎと表記する。
【００８３】
液滴吐出ヘッドＡと液滴吐出ヘッドＢとは、吐出ノズルＡａｎと吐出ノズルＢａｎとがＸ軸方向に約３５μｍずれるように構成されている。また、前述したように、液滴吐出ヘッド２における吐出ノズル４の間隔は、約１４０μｍであり、２つの吐出ノズル列６、６間で吐出ノズル４はそれぞれ半ピッチ（約７０μｍ）ずれた位置に配置されている。したがって、図８（ｂ）に示すように、ヘッドユニット５３においては、吐出ノズル列Ａａ、吐出ノズル列Ａｂ、吐出ノズル列Ｂａ、吐出ノズル列Ｂｂを構成する７２０個の吐出ノズル４が、Ｘ軸方向に約３５μｍの間隔で連続するように配置されている。
【００８４】
図９は、レジスト膜が形成されたＳＡＷパターンを示す平面図であり、図１０は、ウェハに対するヘッドユニットの相対的移動経路を示す平面図である。図１０に示したウェハ６０は、４インチのウェハであり、ウェハ６０上には、４０００個から５０００個のＳＡＷパターン５２が、図７に基づいて説明したウェハ５１と同様の配列で形成されている。なお、図７のＶ軸方向が、図９，図１０のＸ軸方向に、Ｗ軸方向がＹ軸方向にそれぞれ一致する。Ｙ軸方向のＳＡＷパターン５２の並びを行、Ｘ軸方向のＳＡＷパターン５２の並びを列と表記する。
【００８５】
図９に示したＳＡＷパターン５２は、ウェハ６０上で図１０の最も上側に形成されたＳＡＷパターン５２の中の一つである。ボンディングランド４５ａを覆うレジスト膜５７と、ボンディングランド４５ｂを覆うレジスト膜５８とが形成された状態を示している。レジスト膜５７は、レジスト円列５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄで形成されており、各レジスト円列５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄは、それぞれレジスト膜材料の液滴が着弾した着弾滴が乾燥したレジスト円５６が、一列に連なったものである。同様に、レジスト膜５８は、レジスト円５６が一列に連なった、レジスト円列５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄで形成されている。なお、図９では、レジスト膜５７，５８がレジスト円５６の集合であることを明示するために、レジスト円５６を円状に示してあるが、実際の着弾滴は互いに連なって、レジスト膜５７，５８は、着弾滴間の境目が明らかでない一様な膜になる。なお、ボンディングランド４５ａ，４５ｂに、レジスト膜５７，５８で覆われていない部分があるが、レジスト膜５７，５８を形成する範囲は、ワイヤーボンディングに充分な面積を確保できる範囲であればよく、ボンディングランド４５ａ，４５ｂの全面を覆うレジスト膜５７，５８を形成することは必須ではない。
【００８６】
ヘッドユニット５３は、ＳＡＷパターン５２に対して図９の上側から下側方向に相対的移動しながら、液滴を吐出する。ところで、液滴吐出ヘッドに形成された吐出ノズルは、全吐出ノズルを同一性能に形成することは困難であり、特に吐出ノズル列の端の方の吐出ノズルは性能のばらつきが大きくなる傾向がある。本実施形態のヘッドユニット５３においては、両端の各１５個の吐出ノズル４は使用せず、１６番目から１６５番目までの吐出ノズル４を使用する。
【００８７】
吐出ノズルＡｂ１６は、ボンディングランド４５ａの一端近傍に達すると連続的な液滴吐出を開始し、ボンディングランド４５ａの他端近傍に達するまで継続する。液滴がボンディングランド４５ａ上に着弾した着弾滴は互いに連結して、筋状のレジスト円列５７ｃが形成される。吐出ノズルＡａ１６は、吐出ノズル列ＡａとＡｂとの距離だけ吐出ノズルＡｂ１６より遅れて、ボンディングランド４５ａの一端に到達し、レジスト円列５７ｃと同様にして、レジスト円列５７ａを形成する。同様に、続いてボンディングランド４５ａの一端に達した吐出ノズルＢａ１６、吐出ノズルＢｂ１６から吐出された液滴で、レジスト円列５７ｂ，５７ｄが形成される。レジスト円５６は直径約５０μｍの円形状となり、中心距離３５μｍ間隔で隣合うレジスト円列５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄは隣接する列同士が重なり合い、結合して乾燥し、レジスト膜５７が形成される。
【００８８】
吐出ノズルＡａ１７からＡａ１９、吐出ノズルＡｂ１７，Ａｂ１８、吐出ノズルＢａ１７からＢａ１９、吐出ノズルＢｂ１７，Ｂｂ１８は、レジスト膜を形成する領域に対向しないため、液滴吐出は行わない。吐出ノズルＡａ１６，Ａｂ１６，Ｂａ１６，Ｂｂ１６から液滴を吐出して、レジスト膜５７を形成するのに並行して、吐出ノズルＡａ２０，Ａｂ１９，Ｂａ２０，Ｂｂ１９から液滴を吐出して、それぞれレジスト円列５８ｃ，５８ｂ，５８ｄ，５８ａを形成して、レジスト膜５８を形成する。
【００８９】
また、吐出ノズルＡａ２１，Ａｂ２０，Ｂａ２１，Ｂｂ２０以降の各吐出ノズル４を使用して、Ｘ軸方向の同一の列に配列されたＳＡＷパターン５２（図７参照。図７におけるＶ軸方向がＸ軸方向に相当する）の中の１９個のＳＡＷパターン５２において、ボンディングランド４５ａ，４５ｂに対してレジスト膜５７及びレジスト膜５８の形成を同時に実施する。従って、同一の列に隣接して配置された合計２０個のＳＡＷパターン５２に対して、レジスト膜５７及びレジスト膜５８の形成を並行して実施することができる。図７に示したＷ軸方向の行方向に連なるＳＡＷパターン５２のボンディングランド４５ａ，４５ｂに対して、順次同様にレジスト膜５７及びレジスト膜５８の形成を実行する。このように、一回の吐出工程で、合計２０行のＳＡＷパターン５２に対してレジスト膜５７及びレジスト膜５８の形成を実施する。
【００９０】
図１０に矢印を付した直線で走査方向を示したＹ走査６１において、上記した２０行のＳＡＷパターン５２に対するレジスト膜５７，５８の形成を実施する。Ｙ走査６１に続くＸ走査６２では、ヘッドユニット５３をＸ軸方向に、ＳＡＷパターン５２の行２０行分移動させる。Ｘ走査６２に続くＹ走査６３においては、Ｙ走査６１と反対方向の相対的移動を行いながら、Ｙ走査６１と同様のレジスト膜５７，５８の形成を実施する。以降、Ｘ走査６４、Ｘ走査６６、Ｘ走査６８では、Ｘ走査６２と同様のヘッドユニット５３の移動を実施し、Ｙ走査６５、Ｙ走査６９ではＹ走査６１と同様にレジスト膜形成を実施し、Ｙ走査６７ではＹ走査６３と同様にレジスト膜形成を実施し、ウェハ６０の全面に形成されたＳＡＷパターン５２のボンディングランド４５ａ，４５ｂに対して、レジスト膜５７，５８を形成する。Ｙ走査６１、Ｙ走査６３、Ｙ走査６５、Ｙ走査６７、Ｙ走査６９が、吐出走査工程に相当し、Ｘ走査６２、Ｘ走査６４、Ｘ走査６６、Ｘ走査６８が、移動走査工程に相当する。
【００９１】
陽極酸化レジスト材料としては、フェノール樹脂等が一般的であり、特にノボラック系が好ましい。モノマーの状態で塗布した後、露光により重合させて硬化してもよいし、あらかじめ重合したポリマー状態で溶媒に溶解させた溶液を塗布してもよい。また、耐陽極酸化性を有するポリマーであれば、構造は何ら限定されるものではなく、あらゆる樹脂を適用可能である。具体的には、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリビニル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリアミドおよびポリカーボネート等のポリマーが挙げられる。また、これらのモノマーが、開始剤あるいはモノマー自身が熱または光等の刺激により重合反応を引き起こしてポリマーを形成するものであれば、同様に液状材料として使用することができる。
【００９２】
溶媒についても同様に、ポリマーあるいはモノマーを可溶な溶媒であれば何ら限定されるものではない。具体的にはプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、４−メチル−２−ペンタノン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル、１−メトキシ−２−アセトキシプロパン（ＰＥＧＭＥＡ）、２−メトキシエトキシエタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどの極性化合物、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトールなどのエーテル系化合物、さらにメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、α−テルピネオールなどのアルコール類を例示できる。工業用のシンナー等は多くのポリマーに適用可能である。
【００９３】
次に、レジスト膜５７，５８が形成されたウェハ６０に陽極酸化処理を実施して、ＩＤＴ４４の表面に電極保護膜としての酸化膜を形成する。次に、レジスト膜５７，５８を剥離する。次に、ウェハ６０をチップの形に切断して、ＳＡＷ共振片４０を形成する。
【００９４】
以上説明した、第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）レジスト膜５７，５８を形成するために液状のレジスト膜材料の液滴を吐出する吐出ノズル４は、酸化膜を形成するＩＤＴ４４に対向することがないことから、吐出ノズル４から吐出された液状材料の一部が、ＩＤＴ４４に付着する可能性を極めて小さくすることができる。
【００９５】
（２）ウェハ５１又はウェハ６０上のＳＡＷパターン５２は、ボンディングランド４５ａ，４５ｂがＷ軸方向に直線状に並ぶと共に、ボンディングランド４５ａ，４５ｂのＷ軸方向の延長上に、ＩＤＴ４４が位置しないように配置されている。これによって、ボンディングランド４５ａ，４５ｂに向けて吐出されたレジスト膜材料の液滴の一部が、ＩＤＴ４４の上に着弾する可能性を極めて小さくすることができる。
【００９６】
（３）レジスト膜形成過程で、ＩＤＴ４４に対向する場合がある吐出ノズルＡａ１７からＡａ１９、吐出ノズルＡｂ１７，Ａｂ１８、吐出ノズルＢａ１７からＢａ１９、吐出ノズルＢｂ１７，Ｂｂ１８などの吐出ノズル４は、レジスト膜を形成する領域に対向しないことから、液滴吐出は行わない。これによって、これらの吐出ノズル４から吐出されたレジスト膜材料の液滴の一部が、ＩＤＴ４４の上に着弾する可能性ほとんどなくすることができる。
【００９７】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る膜パターン形成方法の第２の実施形態について説明する。本実施形態のＳＡＷ共振子を構成するＳＡＷ共振片は、第１の実施形態におけるＳＡＷ共振片と電極形状及びレジスト膜を形成する領域の形状が異なる。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置は、第１の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置と、基本的に同一である。第１の実施形態とは異なるＳＡＷ共振片及びレジスト膜形成工程について説明する。
【００９８】
図１１（ａ）は、ＳＡＷ共振片の一例を示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図である。図１１（ｂ）に示すように、ＳＡＷ共振子７０は、ハウジングにＳＡＷ共振片７１を封入して形成される。図１１（ａ）に示したＳＡＷ共振片７１は、水晶、リチウムタンクレート、リチウムニオブベートなどの圧電体を矩形にカットしたものを基体（チップ）として構成されている。本実施形態の圧電体のチップ７２は、平らな長方形にカットされており、その表面（主面）７３の中央に１組の電極７４ａおよび７４ｂによってＩＤＴ７５が構成されている。また、このＩＤＴ７５の長手方向の両側に格子状の反射器７６ａおよび７６ｂが形成されている。ＩＤＴ７５を形成する１組の電極７４ａおよび７４ｂは、一方の反射器７６ａの外側、すなわち、チップ７２の縁側を通って、チップ７２の端部７２ａに導かれ、若干面積の広くなった接続ランド７７ａおよび７７ｂが形成されている。
【００９９】
電極７４ａ，７４ｂ，反射器７６ａ，７６ｂおよび接続ランド７７ａ，７７ｂは、導電性の素材、例えば、金、アルミニウム、アルミニウム銅合金などが通常用いられ、加工およびコストの点からアルミニウム系の素材が最も多く用いられている。図１１（ａ）に破線で示した領域７９ａ，７９ｂは、後述する陽極酸化レジスト膜を形成する領域であり、塗布領域に相当する。ＳＡＷ共振片７１が、弾性表面波デバイスに相当する。
【０１００】
ＳＡＷ共振子７０は、ＳＡＷ共振片７１の主面７３の弾性表面波によって共振周波数を得ているため、ＳＡＷ共振片７１をＳＡＷ共振子７０のハウジングに固定することが、共振周波数に影響を及ぼすことが確認されている。共振周波数に及ぼす影響は、固定方法によって異なり、共振周波数の変化が少ないＳＡＷ共振片７１の取付方法として、本実施形態のＳＡＷ共振子７０では、ＳＡＷ共振片７１の一端を固定する、いわゆる片持ちマウントが、採用されている。
【０１０１】
図１１（ｂ）に示すように、ＳＡＷ共振子７０では、筒形で一方が開口となった金属製のケース８１の中にＳＡＷ共振片７１が収納されており、金属製のケース８１の開口には、いわゆるハーメチック端子８２が嵌め込まれて、これによってケース８１に密封されている。このハーメチック端子８２は、ガラス部８３の外周に金属環８４が設けられたものであり、ガラス部８３を２本のリード８５が貫通している。そして、これらのリード８５のケース８１内のリード端８５ｃ，８５ｃがＳＡＷ共振片７１の接続ランド７７ａ，７７ｂにそれぞれ接続されており、これらのリード８５を介してハーメチック端子８２（以降リード８５も含めてプラグ体と呼ぶ）によりＳＡＷ共振片７１はケース８１内に片持ちマウントされている。
【０１０２】
リード端８５ｃ，８５ｃは、接続ランド７７ａ，７７ｂに固着剤８６によって固着されており、この固着剤８６は電気的な導通を得るために半田や導電性接着剤が用いられる。リード端８５ｃ，８５ｃと接続ランド７７ａ，７７ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要である。また、ケース８１およびプラグ体の金属環８４には、ケース内の気密性を保持できるようにプラグメッキ８７およびケースメッキ８８が施されており、これらのメッキがシール材として機能している。
【０１０３】
図１２は、複数のＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図である。図１２に示すような圧電体のウェハ９０に複数のＳＡＷパターン９１が形成された状態で陽極酸化を行う。ＩＤＴ７５を構成する一対の電極７４ａおよび７４ｂに陽極酸化を施すため、ウェハ９０には、ＳＡＷパターン９１に加え、陽極酸化用の電源と接続するターミナル（図示省略）と、ターミナルと電極７４ａ及び７４ｂとを繋ぐ接続線（図示省略）と、を設けてある。陽極酸化を行うことで、印加電圧に略比例した膜厚の酸化膜を電極の表面に形成することができる。
【０１０４】
ここで、電極のうち、接続ランド７７ａ，７７ｂ部分では、リード端８５ｃ，８５ｃと接続ランド７７ａ，７７ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要であり、接続ランド７７ａ，７７ｂには酸化膜が形成されないことが望ましい。そこで、接続ランド７７ａ，７７ｂを覆う領域７８ａ，７８ｂにはレジスト膜を形成して、酸化膜の厚みの増加を防止する。レジスト膜は、前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、領域７８ａ，７８ｂにレジスト膜材料を吐出することで形成する。レジスト膜を形成する領域７８ａ，７８ｂが、膜パターンを形成する塗布領域に相当し、酸化膜を形成する対象であって、レジスト膜材料が付着することが好ましくない電極７４ａ及び７４ｂが、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域に相当する。
【０１０５】
また、ＳＡＷ共振片７１は、第１の実施形態で説明したハウジング３９に、第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子３８におけるＳＡＷ共振片４０のように装着することも可能である。そのような装着方法においてボンディングランドとして使用できるように、本実施形態では、ＩＤＴ７５の根元部を覆う領域７８ｃ，７８ｄにもレジスト膜を形成する。
このレジスト膜も、前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、領域７８ｃ，７８ｄにレジスト膜材料を吐出することで形成する。レジスト膜を形成する領域７８ｃ，７８ｄが、膜パターンを形成する塗布領域に相当し、酸化膜を形成する対象であって、レジスト膜材料が付着することが好ましくない電極７４ａ及び７４ｂが、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域に相当する。なお、連続する領域７８ａ，７８ｃが、前述した領域７９ａであり、連続する領域７８ｂ，７８ｄが、前述した領域７９ｂである。
【０１０６】
ウェハ９０上のＳＡＷパターン９１は、領域７８ａ，７８ｂが、図１２に示したＷ軸方向に直線状に並ぶと共に、領域７８ａ，７８ｂのＷ軸方向の延長上に、ＩＤＴ７５が位置しないように配置されている。また、領域７８ｃ，７８ｄが、図１２に示したＶ軸方向に直線状に並ぶと共に、領域７８ｃ，７８ｄのＶ軸方向の延長上に、ＩＤＴ７５が位置しないように配置されている。なお、図１２では、ＳＡＷパターン９１の領域７８ａと、当該ＳＡＷパターン９１に隣接するＳＡＷパターン９１の領域７８ｂとの間は省略して連続した領域として描いてある。同様に、隣接する領域７８ｃと領域７８ｄとも、連続した領域として描いてある。また、図１２に示したウェハ９０は、ウェハ９０上に形成されたＩＤＴ７５と領域７９ａ，７９ｂとの位置関係を明示するために、１枚のウェハ上に７４個のＳＡＷパターン９１が形成できるものを示している。
【０１０７】
次に、領域７９ａ，７９ｂにレジスト膜を形成する工程について説明する。最初に、ヘッドユニット５３（図８参照）とウェハ９０とを、図１２のＷ軸方向に相対的移動させながら、領域７８ａと領域７８ｂとに向けてレジスト膜材料の液滴を吐出し、領域７８ａと領域７８ｂとにレジスト膜を形成する。このとき、領域７８ｃ，７８ｄに向けての液滴吐出は実施しない。液滴吐出の方法は、第１の実施形態で説明した、領域４７ａ，４７ｂにレジスト膜材料を吐出することで、レジスト膜５７とレジスト膜５８とを形成する方法と同様の方法を用いる。次に、ヘッドユニット５３とウェハ９０とを、図１２のＶ軸方向に相対的移動させながら、領域７８ｃと領域７８ｄとに向けてレジスト膜材料の液滴を吐出し、領域７８ａ，７８ｂにレジスト膜を形成する。なお、領域７８ａ，７８ｂにレジスト膜を形成する工程と、領域７８ｃ，７８ｄにレジスト膜を形成する工程とのどちらを先に実行してもよい。また、領域７８ｃ，７８ｄにレジスト膜を形成する工程において、領域７８ａ，７８ｂの一部であって、領域７８ｃ，７８ｄのＶ軸方向延長上にある領域７８ａ，７８ｂの一部にも、液滴を吐出してもよい。Ｖ軸方向又はＷ軸方向に相対的移動を行いながら液滴を吐出する工程が、吐出走査工程に相当する。また、Ｖ軸方向とＷ軸方のどちらか一方が、第１の相対的移動方向に相当し、他方が、第２の相対的移動方向に相当する。
【０１０８】
レジスト膜が形成されたウェハ９０に陽極酸化処理を実施して、ＩＤＴ７５の表面に電極保護膜としての酸化膜を形成する。次に、レジスト膜を剥離し、次に、ウェハ９０をチップの形に切断して、ＳＡＷ共振片７１を形成する。
【０１０９】
第２の実施形態によれば、第１の実施形態で得られる効果に加えて、以下の効果が得られる。
（１）最初に、ヘッドユニット５３とウェハ９０とを、Ｗ軸方向に相対的移動させながら、領域７８ａ，７８ｂに向けて液滴を吐出し、領域７８ａ，７８ｂにレジスト膜を形成し、次に、Ｖ軸方向に相対的移動させながら、領域７８ｃ，７８ｄに向けてレジスト膜材料の液滴を吐出し、領域７８ａ，７８ｂにレジスト膜を形成する。これによって、Ｗ軸方向においては、塗布禁止領域であるＩＤＴ７５の間に位置する領域７８ｃ，７８ｄに向けて液滴を吐出する吐出ノズル４を、ＩＤＴ７５対向させることなく、領域７８ｃ，７８ｄに向けて液滴を吐出させることができ、領域７８ｃ，７８ｄに向けて吐出された液滴の一部がＩＤＴ７５に着弾する可能性を極めて小さくすることができる。即ち、ＩＤＴ７５上の一部に陽極酸化レジスト膜が形成され、当該部分に絶縁膜としての陽極酸化膜が形成されないことから、当該部分でショートが発生する可能性を極めて小さくすることができる。
【０１１０】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る電子機器について説明する。本実施形態の電子機器は、第１の実施形態又は第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子を備えた電子機器である。本実施形態の電子機器の具体例について説明する。
【０１１１】
図１３（ａ）は、電子機器の一例である携帯電話の一例を示した斜視図である。携帯電話６００は、液晶表示部６０１を備えている。また、携帯電話６００には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、通信回路の構成部品として、第１の実施形態または第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子が実装されている。
【０１１２】
図１３（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３（ｂ）において、携帯型情報処理装置７００は、情報処理装置筐体７０３を有し、キーボードなどの入力部７０１と液晶表示部７０２とを備えている。また、情報処理装置筐体７０３には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として第１の実施形態または第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子が実装されている。
【０１１３】
図１３（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。腕時計型電子機器８００は、液晶表示部８０１を備えている。また、腕時計型電子機器８００には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として、第１の実施形態または第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子が実装されている。
【０１１４】
第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）ショート防止の絶縁膜としての陽極酸化膜が形成されないことで、当該部分でショートが発生する可能性を極めて小さくすることができたＳＡＷ共振片４０又は７１を備えたＳＡＷ共振子３８又はＳＡＷ共振子７０を備えるため、信頼性の高い携帯電話６００や、携帯型情報処理装置７００や、腕時計型電子機器８００を実現することができる。
【０１１５】
以上、添付図面を参照しながら、本発明に係る好適な実施形態の例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。以下のように実施することもできる。
【０１１６】
（変形例１）前記実施形態では、液滴吐出ヘッド２は、それぞれ１８０個の吐出ノズル４からなる吐出ノズル列を２列備え、３６０個の吐出ノズル４を有していたが、液滴吐出ヘッドの有する吐出ノズルは、３６０個に限らず何個でもよい。また、吐出ノズル列も２列に限らない。
【０１１７】
（変形例２）前記実施形態では、液滴吐出ヘッド２における吐出ノズル４のピッチ間隔は１４０μｍであったが、吐出ノズル４のピッチ間隔は１４０μｍに限らず、液滴吐出対象などに対応して、適切な吐出ノズルピッチ間隔の液滴吐出ヘッドを選ぶことができる。また、ヘッドユニット５３における相対的移動方向と直角な方向の吐出ノズル４のピッチ間隔は３５μｍであったが、ピッチ間隔は３５μｍに限らず、液滴吐出対象などに対応して、適切な吐出ノズルピッチ間隔のヘッドユニットを選ぶことができる。
【０１１８】
（変形例３）前記実施形態では、液滴が着弾した着弾粒径が約５０μｍとなる液滴を吐出する例について説明したが、液滴の大きさは、塗布領域の大きさ、形状や、吐出ノズルピッチ間隔に対応して、液滴吐出ヘッドが吐出可能な液滴の大きさの中から適宜選ぶことができる。
【０１１９】
（変形例４）前記実施形態では、移動走査工程は吐出ノズル４がウェハに対向しない位置で実行していたが、移動走査工程において吐出ノズル４がウェハに対向しないことは必須ではない。移動走査工程において吐出ノズル４が塗布禁止領域に対向することがあってもよい。吐出ノズル４が塗布禁止領域に対向している時点における相対的移動の移動方向が、吐出ノズル４が塗布禁止領域に対向している時点直前の吐出走査工程における、当該吐出走査工程終了直前の移動方向と異なるようにすることで、直前の吐出走査工程において吐出された液滴の一部が、吐出ノズル４が対向する塗布禁止領域に着弾することを抑制することができる。
【０１２０】
このようにすることで、移動走査工程において吐出ノズル４が塗布禁止領域に対向することがない位置まで、予め吐出走査工程において相対的移動をさせることが不要で、吐出走査工程における相対的移動距離を短縮して、工程に要する時間を短縮することができる。
【０１２１】
（変形例５）前記実施形態では、ＩＤＴ４４を形成する１組の電極４４ａ，４４ｂ、及びＩＤＴ７５を形成する１組の電極７４ａ，７４ｂの両方の電極に陽極酸化膜を形成していたが、ＩＤＴを形成する１組の電極の両方の電極に陽極酸化膜を形成することは必須ではない。一方の電極に陽極酸化膜を形成することでも、１組の電極間の短絡を抑制することができる。
【０１２２】
（変形例６）前記実施形態では、吐出走査工程は、一回の吐出走査工程でウェハの端から端まで相対的移動するものであったが、図１４に示すような相対的移動を行う吐出走査工程であってもよい。図１４に示した領域１０１は、第２の実施形態において図１２に基づいて説明した、領域７８ａ，ｂ，ｃ，ｄである。図１４に示すように、領域７８ｃ，ｄ及び領域７８ｃ，ｄに挟まれる領域７８ａ，ｂの一部を領域１０１ｂと表記し、領域１０１ｂで２ヵ所に分割された、領域７８ａ，ｂの領域１０１ｂに含まれない領域を、それぞれ領域１０１ａ，領域１０１ｃと表記する。
【０１２３】
図１４（ａ），（ｂ）に示した吐出走査工程では、最初に、Ｗ軸方向に相対的移動して領域１０１ａに向けて液滴を吐出し、次に、Ｖ軸方向に相対的移動して領域１０１ｂに向けて液滴を吐出し、次に、Ｗ軸方向に相対的移動して領域１０１ｃに向けて液滴を吐出することで、領域１０１全域に液滴を吐出する。領域１０１ａ，ｂ，ｃの全域に向けて液滴を吐出するためには、図１４（ａ）に矢印ａ，矢印ｃで示したように、並列する複数の吐出ノズル４を使用して１回の吐出走査工程で全域に向けて液滴を吐出してもよいし、図１４（ｂ）に矢印ａ，ｂ、及び矢印ｃ，ｄで示したように、吐出走査工程を繰返すことで、全域に向けて液滴を吐出してもよい。また、上記した吐出走査工程は、前述した第１の実施形態や第２の実施形態と同様に、Ｖ軸方向又はＷ軸方向に連なる複数の領域１０１について、並列して実施してもよい。１個又は並列する複数の領域１０１全域に向けての液滴吐出が終了したところで、次の１個又は並列する複数の領域１０１に移動して、同様の吐出走査工程を繰返し、ウェハ上に形成されたすべての吐出領域に対して液滴吐出を実施する。Ｖ軸方向とＷ軸方のどちらか一方が、第１の相対的移動方向に相当し、他方が、第２の相対的移動方向に相当する。
【０１２４】
図１４（ｃ）に示した吐出走査工程では、矢印ｃ，ｄで示したように、Ｖ軸方向の相対的移動を繰返ことで、領域１０１の全域に向けての液滴吐出を実施する。この吐出走査工程は、前述した第１の実施形態や第２の実施形態と同様に、Ｖ軸方向又はＷ軸方向に連なる複数の領域１０１について、並列して実施してもよい。１個又は並列する複数の領域１０１全域に向けての液滴吐出が終了したところで、次の１個又は並列する複数の領域１０１に移動して、同様の吐出走査工程を繰返し、ウェハ上に形成されたすべての吐出領域に対して液滴吐出を実施する。
【０１２５】
図１４（ｄ）に示した吐出走査工程では、矢印ｃで示したようにＶ軸方向に相対的移動しながら、Ｗ軸方行に並列した吐出ノズルから液滴を吐出することで、領域１０１の全域に向けての液滴吐出を実施する。なお、領域１０１ａ，ｃの終端では相対的移動を一時停止して、一旦吐出走査工程を終了し、次の吐出走査工程を実施する領域１０１ａ，ｃまでは、移動走査工程を実施して相対的移動させる。一旦停止する時間は、遅れて着弾する副液滴が着弾できる程度の時間でよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】（ａ）ヘッドユニットの平面図。（ｂ）液滴吐出ヘッドの平面図。
【図３】（ａ）液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視図。（ｂ）液滴吐出ヘッドの吐出ノズル部の詳細構造を示す断面図。
【図４】ピエゾ素子に与える駆動信号の例と、駆動信号に対応する吐出ノズル内の液状材料の状態を示す模式図。
【図５】ＳＡＷ共振片の一例を示す平面図。
【図６】ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図。
【図７】ＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図。
【図８】（ａ）ヘッドユニットの平面図。（ｂ）吐出ノズルの位置関係を示す模式図。
【図９】レジスト膜が形成されたＳＡＷパターンを示す平面図。
【図１０】ウェハに対するヘッドユニットの相対的移動経路を示す平面図。
【図１１】（ａ）ＳＡＷ共振片の一例を示す斜視図。（ｂ）ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図。
【図１２】ＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図。
【図１３】（ａ）電子機器の一例である携帯電話の一例を示す斜視図。（ｂ）ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図。（ｃ）腕時計型電子機器の一例を示す斜視図。
【図１４】領域に対する相対的移動方向を示す模式図。
【図１５】副液滴が分離する過程を示す模式図。
【符号の説明】
【０１２７】
１，５１，６０，９０…基板又はウェハとしてのウェハ、２…液滴吐出ヘッド、２Ｐ…液滴吐出面、３，５３…ヘッドユニット、４…吐出ノズル、６…吐出ノズル列、３２ｃ…ピエゾ素子、３３…振動板、３４…ノズルプレート、３８，７０…弾性表面波発振装置としてのＳＡＷ共振子、３９…ハウジング、４０，７１…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷ共振片、４４，７５…ＩＤＴ、４４ａ，４４ｂ…塗布禁止領域としての電極、４５ａ，４５ｂ…ボンディングランド、４６ａ，４６ｂ…反射器、４７ａ，４７ｂ…塗布領域としての領域、５２，９１…ＳＡＷパターン、５６…レジスト円、５７，５８…レジスト膜、５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄ…レジスト円列、５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄ…レジスト円列、７２…チップ、７４ａ，７４ｂ…塗布禁止領域としての電極、７５…ＩＤＴ、７６ａ，７６ｂ…反射器、７７ａ，７７ｂ…接続ランド、７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄ…塗布領域としての領域、７９ａ，７９ｂ…塗布領域としての領域、８１…ケース、１０１，１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ…塗布領域としての領域、６００…電子機器としての携帯電話、７００…電子機器としての携帯型情報処理装置、７０３…情報処理装置筐体、８００…腕時計型電子機器、ＩＪ…液滴吐出装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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