(57)【要約】【課題】  電気的な性能が良好であると共に、高周波素子としても好適な高周波用スパイラルインダクタを提供する。【解決手段】  本発明の高周波用スパイラルインダクタは、絶縁基板１と、この絶縁基板１の一面側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成された帯状の導電体２とを備え、導電体２の側縁部２ｃ、２ｄ近傍には、電流が流れる方向に沿って形成されたスリット部５ａ、５ｂを有するため、特に、電流が集中する導電体２の側縁部２ｃ、２ｄを含む近傍の表面積が大きくなると共に、導電体２の中央部の表面積を大きく確保でき、従って、Ｑ値を高くできて、電気的な性能が良好になる上に、高周波素子としても好適なものが得られる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板の一面側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成された帯状の導電体とを備え、前記導電体の側縁部近傍には、電流が流れる方向に沿って形成されたスリット部を有することを特徴とする高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項２】
前記スリット部が前記導電体の両側縁部近傍に設けられたことを特徴とする請求項１記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項３】
前記両側縁部近傍に設けられた一対の前記スリット部は、前記導電体の幅方向に対向して配置されたことを特徴とする請求項２記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項４】
前記スリット部は、電流が流れる方向に間隔を置いて配置されたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項５】
前記導電体は、多角形状をなしたスパイラル状で形成され、前記多角形状の角部には、前記スリット部を無くしたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項６】
前記導電体は、複数の導体が積層されて形成され、前記スリット部が複数の前記導体に設けられたことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項７】
前記導電体は、複数の導体が積層されて形成され、前記スリット部が表面に位置する一層の前記導体に設けられたことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項８】
前記導電体は、スパイラル状の外方に配置された外部端と、及びスパイラル状の内方に配置された内部端と、この内部端に接続されてスパイラル状の外方に引き出される引出導電体を有し、この引出導電体は、絶縁層を介して前記導電体と交叉した状態で、スパイラル状の外方に引き出されると共に、前記引出導電体と対向する前記導電体の箇所には、前記スリット部が設けられたことを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【請求項９】
前記導電体は、薄膜からなる導体で形成されたことを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の高周波用スパイラルインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器に使用される回路基板等に適用して好適な高周波用スパイラルインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は従来のスパイラルインダクタを示す平面図で、従来のスパイラルインダクタの構成を図５に基づいて説明すると、絶縁基板５１の表面には、スパイラル状に形成された導電体５２が設けられると共に、この導電体５２の中央部には、導電体５２の延びる方向に沿って、導電体５２が削除されたスリット部５３が設けられて、従来のスパイラルインダクタが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
このようなスパイラルインダクタの導体部５２に流れる電流は、導電体５２の側縁部５２ａを含む近傍と表面に集中するが、従来のスパイラルインダクタは、スリット部５３が導電体５２の延びる方向に沿って、導電体５２の中央部に形成されているため、電流が集中する箇所での導電体５２の表面積が小さくなって、Ｑ値が低下して、電気的な性能が悪くなる上に、高周波素子として不適なものになる。
【０００４】
【特許文献１】特開昭５８−７３１０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のスパイラルインダクタは、スリット部５３が導電体５２の延びる方向に沿って、導電体５２の中央部に形成されているため、電流が集中する箇所での導電体５２の表面積が小さくなって、Ｑ値が低下して、電気的な性能が悪くなる上に、高周波素子として不適なものになるという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は電気的な性能が良好であると共に、高周波素子としても好適な高周波用スパイラルインダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、絶縁基板と、この絶縁基板の一面側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成された帯状の導電体とを備え、前記導電体の側縁部近傍には、電流が流れる方向に沿って形成されたスリット部を有する構成とした。
【０００８】
また、第２の解決手段として、前記スリット部が前記導電体の両側縁部近傍に設けられた構成とした。
また、第３の解決手段として、前記両側縁部近傍に設けられた一対の前記スリット部は、前記導電体の幅方向に対向して配置された構成とした。
【０００９】
また、第４の解決手段として、前記スリット部は、電流が流れる方向に間隔を置いて配置された構成とした。
また、第５の解決手段として、前記導電体は、多角形状をなしたスパイラル状で形成され、前記多角形状の角部には、前記スリット部を無くした構成とした。
【００１０】
また、第６の解決手段として、前記導電体は、複数の導体が積層されて形成され、前記スリット部が複数の前記導体に設けられた構成とした。
また、第７の解決手段として、前記導電体は、複数の導体が積層されて形成され、前記スリット部が表面に位置する一層の前記導体に設けられた構成とした。
【００１１】
また、第８の解決手段として、前記導電体は、スパイラル状の外方に配置された外部端と、及びスパイラル状の内方に配置された内部端と、この内部端に接続されてスパイラル状の外方に引き出される引出導電体を有し、この引出導電体は、絶縁層を介して前記導電体と交叉した状態で、スパイラル状の外方に引き出されると共に、前記引出導電体と対向する前記導電体の箇所には、前記スリット部が設けられた構成とした。
また、第９の解決手段として、前記導電体は、薄膜からなる導体で形成された構成とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の高周波用スパイラルインダクタは、絶縁基板と、この絶縁基板の一面側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成された帯状の導電体とを備え、導電体の側縁部近傍には、電流が流れる方向に沿って形成されたスリット部を有するため、特に、電流が集中する導電体の側縁部を含む近傍の表面積が大きくなると共に、導電体の中央部の表面積を大きく確保でき、従って、Ｑ値を高くできて、電気的な性能が良好になる上に、高周波素子としても好適なものが得られる。
【００１３】
また、スリット部が導電体の両側縁部近傍に設けられたため、電流が集中する導電体の側縁部を含む近傍の表面積を一層大きくでき、Ｑ値が高く、電気的な性能の良好なものが得られる。
【００１４】
また、両側縁部近傍に設けられた一対のスリット部は、導電体の幅方向に対向して配置されたため、スリット部の形成が容易になると共に、スリット部における電流の流れを均等にできて、電気的な性能の良好なものが得られる。
【００１５】
また、スリット部は、電流が流れる方向に間隔を置いて配置されたため、導電体の絶縁基板への付着面積を大きくできて、導電体の剥がれの少ないものが得られる。
【００１６】
また、導電体は、多角形状をなしたスパイラル状で形成され、多角形状の角部には、スリット部を無くしたため、スリット部の形成が簡単であると共に、導電体の剥がれの少ないものが得られる。
【００１７】
また、導電体は、複数の導体が積層されて形成され、スリット部が複数の導体に設けられたため、特に、電流が集中する導電体の側縁部を含む近傍の表面積を一層大きくでき、Ｑ値が高く、電気的な性能の良好なものが得られる。
【００１８】
また、導電体は、複数の導体が積層されて形成され、スリット部が表面に位置する一層の導体に設けられたため、特に、電流が集中する導電体の側縁部を含む近傍の表面積を一層大きくでき、Ｑ値が高く、電気的な性能の良好なものが得られる。
【００１９】
また、導電体は、スパイラル状の外方に配置された外部端と、及びスパイラル状の内方に配置された内部端と、この内部端に接続されてスパイラル状の外方に引き出される引出導電体を有し、この引出導電体は、絶縁層を介して導電体と交叉した状態で、スパイラル状の外方に引き出されると共に、引出導電体と対向する導電体の箇所には、スリット部が設けられたため、導電体と引出導電体との間に生じる結合容量が小さくなって、自己共振周波数が高くなり、高い周波周に使用して好適なものが得られる。
【００２０】
また、導電体は、薄膜からなる導体で形成されたため、特に、小型で、薄型に適したものが得られると共に、微細な幅のスリット部が形成できて、精度の良いものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の高周波用スパイラルインダクタの図面を説明すると、図１は本発明の高周波用スパイラルインダクタの第１実施例を示す平面図、図２は本発明の高周波用スパイラルインダクタの第１実施例に係り、導電体と引出導電体の交叉する箇所における断面図、図３は本発明の高周波用スパイラルインダクタの第１実施例に係る要部の拡大断面図、図４は本発明の高周波用スパイラルインダクタの第２実施例に係る要部の拡大断面図である。
【００２２】
次に、本発明の高周波用スパイラルインダクタの第１実施例における構成を図１に基づいて説明すると、絶縁基板１は、セラミック基板等からなる回路基板を形成するための基板からなり、この絶縁基板１の一面側（上面側）には、薄膜や厚膜ならなる導電膜によって多角形状をなしたスパイラル状に形成され、スパイラル状の外方に配置された外部端２ａ、及びスパイラル状の内方に配置された内部端２ｂを有した同一幅からなる導電体２が設けられている。
【００２３】
また、絶縁基板１の一面側には、内部端２ｂに接続され、スパイラル状の外方に引き出される引出導電体３と、この引出導電体３上と絶縁基板１上とに跨って形成された薄膜や厚膜からなる絶縁膜の絶縁層４が設けられると共に、この絶縁層４上には、絶縁層４を介して引出導電体３と交叉した状態で、導電体２の一部が形成されている。
即ち、引出導電体３は、一部が絶縁層４を介して導電体２と対向し、導電体２に対して直交した状態で、スパイラル状の外方に引き出されている。
【００２４】
また、導電体２と引出導電体３は、複数の導体が積層（この実施例では２層）されて形成されると共に、導電体２の両側縁部２ｃ、２ｄの近傍には、電流が流れる方向（導電体２が延びる方向）に沿って、導電体２を削除した一対のスリット部５ａ、５ｂが設けられている。
【００２５】
このスリット部５ａ、５ｂは、図３に示すように、積層された全ての導体に形成されると共に、スリット部５ａ、５ｂは、電流が流れる方向（導電体２が延びる方向）に間隔を置いて配置され、且つ、スリット部５ａ、５ｂは、導電体２の幅方向に対向して配置されている。
【００２６】
更に、スリット部５ａ、５ｂは、引出導電体３に対向する導電体２の箇所にも形成され、且つ、導電体２が多角形状をなしたスパイラル状に形成されたものにあっては、多角形状の角部には、スリット部５ａ、５ｂを無くした構成となっている。
【００２７】
なお、本発明においては、円形状のスパイラル状でも良く、また、導電体２は、単層の導体で形成しても良い上に、スリット部５ａ、５ｂは、スリット部５ａとスリット部５ｂの何れか一方でも良い。
【００２８】
また、図４は本発明の高周波用スパイラルインダクタの第２実施例を示し、この第２実施例を説明すると、複数の導体が積層された導電体２には、スリット部５ａ、５ｂが表面に位置する一層目の導体のみに形成されたものである。
【００２９】
その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の高周波用スパイラルインダクタの第１実施例を示す平面図。
【図２】本発明の高周波用スパイラルインダクタの第１実施例に係り、導電体と引出導電体の交叉する箇所における断面図。
【図３】本発明の高周波用スパイラルインダクタの第１実施例に係る要部の拡大断面図。
【図４】本発明の高周波用スパイラルインダクタの第２実施例に係る要部の拡大断面図。
【図５】従来のスパイラルインダクタを示す平面図。
【符号の説明】
【００３１】
１：絶縁基板
２：導電体
２ａ：外部端
２ｂ：内部端
２ｃ、２ｄ：側縁部
３：引出導電体
４：絶縁層
５ａ：第１のスリット部
５ｂ：第２のスリット部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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