(57)【要約】【課題】  記録層にて大きな記録磁界を形成するのに適した光磁気記録媒体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明の光磁気記録媒体Ｘ１は、基板Ｓ１と、記録機能を担う記録層１１ａと、基板Ｓ１および記録層１１ａの間に位置する軟磁性部１２とを含む積層構造を有し、軟磁性部１２における記録層１１ａの側の面１２ａ’は、凹凸形状を有する。好ましくは、面１２ａ’の表面粗さは１〜５ｎｍであり、且つ、その凹凸形状における凸部の平均高さは３〜３０ｎｍである。本発明の光磁気記録媒体製造方法は、例えば、基材上に軟磁性膜を形成するための工程と、当該軟磁性膜の露出面に対してスパッタエッチングを施すことにより、表面に凹凸形状を有する軟磁性部１２を形成するための工程と、軟磁性部１２の上位に記録層１１ａを形成するための工程とを含む。【選択図】  図１
2006127657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、記録機能を担う記録層と、前記基板および前記記録層の間に位置する軟磁性部と、を含む積層構造を有し、
前記軟磁性部における前記記録層の側の面は、凹凸形状を有する、光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記軟磁性部における前記面の表面粗さは１〜５ｎｍであり、且つ、前記凹凸形状における凸部の平均高さは３〜３０ｎｍである、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
基材上に軟磁性膜を形成するための工程と、
前記軟磁性膜の露出面に対してスパッタエッチングを施すことにより、表面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、
前記軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。
【請求項４】
基材の表面を酸素プラズマに晒らして粗化するための工程と、
前記基材上に軟磁性材料を成膜することにより、成長端面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、
前記軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。
【請求項５】
基材を加熱しつつ当該基材上に軟磁性材料を成膜することにより、成長端面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、
前記軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録磁界を増強するための軟磁性層を有する光磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な媒体である。
【０００３】
図１０は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ２を表す。光磁気ディスクＸ２は、基板Ｓ２と、記録磁性部９１と、軟磁性層９２と、プリグルーブ層９３と、熱伝導層９４と、誘電体層９５，９６と、保護膜９７とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【０００４】
記録磁性部９１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１層または２層以上の磁性膜よりなる。当該磁性膜は、希土類−遷移金属アモルファス合金垂直磁化膜である。軟磁性層９２は、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有し且つ小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。プリグルーブ層９３は、樹脂材料よりなり、その記録磁性部９１の側の面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示せず）が形成されている。熱伝導層９４は、レーザビーム照射時に記録磁性部９１などにて発生する熱を効率よく基板Ｓ２の側へ伝えるための部位であり、高熱伝導材料よりなる。誘電体層９５，９６は、記録磁性部９１に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避するための部位である。保護膜９７は、記録磁性部９１を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
【０００５】
光磁気ディスクＸ２への情報記録においては、例えば、当該ディスクを回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜９７の側から記録磁性部９１に対して連続的なパルスとして照射することにより記録磁性部９１を局所的に順次昇温させつつ、磁気記録ヘッド（図示せず）により、所定に変調された記録磁界を当該昇温箇所に印加する。このようにして、記録磁性部９１ないしこれに含まれる記録層には、磁化方向の変化として所定の情報ないし信号が記録される。
【０００６】
光磁気ディスクＸ２では、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有し且つ小さな保磁力を有する軟磁性層９２が記録磁性部９１に近接して存在するため、上述のような情報記録時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部９１に印加される記録磁界の磁束（一点鎖線で表す）は、図１１に示すように軟磁性層９２内を迂回するように記録磁性部９１を通過し、これにより記録磁性部９１にて集中する。すなわち、記録磁性部９１にて形成される記録磁界は、軟磁性層９２が存在しない場合よりも増強されている。実効的な記録磁界の増強は、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現するうえで好ましく、高速記録化は、記録密度の高い光磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。光磁気ディスクＸ２のように軟磁性層を有する光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１および特許文献２に記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１９１２４７号公報
【特許文献２】特開２００４−１０３１３０号公報
【０００８】
しかしながら、従来の光磁気ディスクＸ２においては、軟磁性層９２の存在に起因する上述の記録磁界の増強は充分でない場合がある。従来の技術による光磁気ディスクＸ２の製造過程において、軟磁性層９２は、表面（記録磁性部９１の側の面）が実質的に平坦な薄膜として基板Ｓ２上に形成されるところ、軟磁性層９２の表面平坦性が高いほど、記録磁性部９１に形成される記録磁界について、上述の磁束集中の程度が低下するためであると考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、記録層にて大きな記録磁界を形成するのに適した光磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、基板と、記録機能を担う記録層と、基板および記録層の間に位置する軟磁性部とを含む積層構造を有し、軟磁性部における記録層の側の面は、凹凸形状を有する。本発明における軟磁性部には、一様な組成の軟磁性材料よりなる単一の軟磁性層が含まれる。また、軟磁性層および非軟磁性層（例えば誘電体層）が交互に配され且つ最も記録層に近接する側が軟磁性層よりなる多層構造を有し、記録層にて形成される記録磁界を増強する機能（記録磁界エンハンス機能）を全体として発揮する部位も、本発明の軟磁性部に含まれる。
【００１１】
本発明の第１の側面の光磁気記録媒体における軟磁性部は、記録層の側の面に凹凸形状を有するため、記録層の側の面が実質的に平坦な従来の軟磁性層よりも、記録磁界エンハンス機能に優れている。
【００１２】
従来の光磁気ディスクＸ２の情報記録時において、磁気記録ヘッドにより記録磁性部９１ないし記録層に記録磁界が印加されると、図１１を参照して上述したように、磁束が軟磁性層９２を迂回して記録磁性部９１を通過するように記録磁界は形成される。このとき、軟磁性層９２における記録磁性部９１の側の表面は上述のように実質的に平坦であるため、軟磁性層９２の表面には一様に磁極が現れて当該一様磁極を通過するように磁束が発生する。そのため、発生磁束の指向性は低く、軟磁性層９２の表面にて磁束が放射状に拡散してしまう傾向がある。
【００１３】
これに対し、本発明の第１の側面の光磁気記録媒体においては、磁界印加時に、軟磁性部表面の凹凸形状の各凸部に磁極が集中して現れ、当該集中磁極を通過するように磁束が発生する。そのため、本光磁気記録媒体においては、指向性の高い磁束を発生させることができ、軟磁性部表面にて磁束が放射状に拡散することを抑制することができる。軟磁性部表面での磁束の拡散が抑制されるほど、記録層を通過する磁束は集中し、記録層にて形成される記録磁界は増強されることとなる。
【００１４】
加えて、本発明の第１の側面の光磁気記録媒体においては、磁界印加時に軟磁性部表面の凹凸形状の各凸部に磁極が集中するため、軟磁性部表面における記録磁界印加領域全体に占める実質的な磁極面積については、光磁気ディスクＸ２における軟磁性層９２の表面に一様に磁極が現れる場合よりも小さい。軟磁性部表面における磁極面積が小さいほど、当該磁極を通過するように発生する磁束の密度は増大する傾向にあり、当該磁束密度が大きいほど、記録層にて形成される記録磁界は大きい。
【００１５】
以上のように、本発明の第１の側面の光磁気記録媒体における軟磁性部は、記録層の側の面に凹凸形状を有するために記録磁界エンハンス機能に優れ、従って、本発明の第１の側面の光磁気記録媒体は、記録層にて大きな記録磁界を形成するのに適しているのである。
【００１６】
本発明の第１の側面において、好ましくは、軟磁性部における記録層側面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は１〜５ｎｍであり、且つ、当該記録層側面の凹凸形状における凸部の平均高さ（最大高さＲｙの平均）は３〜３０ｎｍである。このような構成は、軟磁性部表面における上述の磁束拡散の抑制と、軟磁性部表面における磁極面積の縮小による上述の磁束密度の増大とを、共に適当に実現するうえで好適である。
【００１７】
本発明の第２の側面によると光磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材上に軟磁性膜を形成するための工程と、軟磁性膜の露出面に対してスパッタエッチングを施すことにより、表面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程とを含む。本発明における基材には、基板自体、および、基板上に何らかの層が既に形成されたものが含まれる。このような方法によると、本発明の第１の側面における軟磁性部を適切に形成することができ、従って、第１の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。
【００１８】
本発明の第３の側面によると別の光磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材の表面を酸素プラズマに晒らして粗化するための工程と、基材上に軟磁性材料を成膜することにより、成長端面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程とを含む。このような方法によっても、本発明の第１の側面における軟磁性部を適切に形成することができ、従って、第１の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。
【００１９】
本発明の第４の側面によると別の光磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材を加熱しつつ当該基材上に軟磁性材料を成膜することにより、成長端面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程とを含む。このような方法によっても、本発明の第１の側面における軟磁性部を適切に形成することができ、従って、第１の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。
【００２０】
本発明の第５の側面によると別の光磁気記録媒体製造方法が提供される。この方法は、基材上に第１軟磁性材料を成膜することにより軟磁性膜を形成するための第１工程と、軟磁性膜上に第２軟磁性材料を成長させることにより複数の突起を形成し、当該複数の突起および軟磁性膜よりなる軟磁性層を形成するための、第２工程と、軟磁性層の上位に記録層を形成するための第３工程とを含む。このような方法によっても、本発明の第１の側面における軟磁性部を適切に形成することができ、従って、第１の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。
【００２１】
本発明の第５の側面における好ましい実施の形態では、第２軟磁性材料は第１軟磁性材料と同じ組成を有し、第１工程において第１軟磁性材料を成膜するための条件と、第２工程において第２軟磁性材料を成長させるための条件とを、異ならしめる。或は、第２軟磁性材料は、第１軟磁性材料とは異なる組成を有し、且つ、当該第１軟磁性材料より大きな表面張力を有する。これらの手法は、軟磁性膜上に突起を形成するうえで好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明に係る光磁気ディスクＸ１の部分断面図である。光磁気ディスクＸ１は、基板Ｓ１と、記録磁性部１１と、軟磁性部１２と、プリグルーブ層１３と、熱伝導層１４と、誘電体層１５，１６と、保護膜１７とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸ１は、軟磁性部１２から保護膜１７までの構造を基板Ｓ１の片側のみ又は両側に有する。
【００２３】
基板Ｓ１は、光磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、樹脂、シリコン、アルミニウム、またはガラスよりなるディスク基板である。
【００２４】
記録磁性部１１は、記録層１１ａ、中間層１１ｂ、および再生層１１ｃよりなる積層構造を有し、再生層１１ｃ内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００２５】
記録層１１ａは、光磁気ディスクＸ１において記録機能を担う部位であって、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。このような記録層１１ａは、具体的には、所定の組成比の例えばＴｂＦｅＣоやＴｂＤｙＦｅＣоなどよりなる。また、記録層１１ａの厚さは例えば４０〜１００ｎｍである。
【００２６】
中間層１１ｂは、記録層１１ａおよび再生層１１ｃの交換結合状態を変化させるための部位であって、昇温によりそのキュリー温度にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移し且つ降温によりキュリー温度にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、中間層１１ｂのキュリー温度は例えば１００〜１７０℃であり、従って、室温において中間層１１ｂは垂直磁化膜である。このような中間層１１ｂは、具体的には、所定の組成比の例えばＴｂＦｅやＴｂＦｅＣоなどよりなる。また、中間層１１ｂの厚さは例えば１０〜３０ｎｍである。
【００２７】
再生層１１ｃは、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。このような再生層１１ｃは、具体的には、所定の組成比の例えばＧｄＦｅＣｏやＧｄＤｙＦｅＣｏよりなる。また、再生層１１ｃの厚さは１０〜５０ｎｍである。
【００２８】
軟磁性部１２は、軟磁性層１２ａと誘電体層１２ｂとが交互に重なる積層構造を有し、当該積層構造における最もプリグルーブ層１３に近接する側（即ち図中最上位）は軟磁性層１２ａにより構成される。軟磁性層１２ａは、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有し且つ小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなり、例えば、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、ＦｅＣｏ−ＡｌＯよりなる。誘電体層１２ｂの構成材料としては、例えば、ＳｉＮやＺｎＳを採用することができる。軟磁性部１２ないし最上位の軟磁性層１２ａは、プリグルーブ層１３ないし記録層１１ａの側に、凹凸形状を伴う凹凸面１２ａ’を有する。凹凸面１２ａ’の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は１〜５ｎｍであり、凹凸面１２ａ’の凸部の平均高さ（最大高さＲｙの平均）は３〜３０ｎｍである。記録磁界強度向上の観点からは、凹凸面１２ａ’はこれらの範囲にて規定される凹凸形状を有するのが好ましい。また、軟磁性層１２ａの厚さは例えば５０〜２００ｎｍであり、誘電体層１２ｂの厚さは例えば１〜１０ｎｍであり、軟磁性部１２における軟磁性層１２ａの積層数は必要に応じて適宜設定される。
【００２９】
本発明に係る光磁気ディスクＸ１においては、上述のような積層構造を有する軟磁性部１２に代えて、一様な組成の軟磁性材料よりなる軟磁性部を設けてもよい。一様な組成の軟磁性材料よりなる軟磁性部を設ける場合においても、当該軟磁性部は、プリグルーブ層１３ないし記録層１１ａの側に、凹凸面１２ａ’を有する。
【００３０】
プリグルーブ層１３は、樹脂材料よりなり、その熱伝導層１４との接触面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示せず）が形成されている。プリグルーブは渦巻き状または同心円状のパターン形状を有し、このプリグルーブを基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が実現される。プリグルーブ層を構成する樹脂材料としては、いわゆる２Ｐ樹脂を採用することができる。このようなプリグルーブ層１３の厚さは例えば５〜２５μｍである。
【００３１】
熱伝導層１４は、光磁気ディスクＸ１に対して記録用または再生用のレーザビームが照射されるときに記録磁性部１１などにて発生する熱を効率よく基板Ｓ１の側へ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＮ，ＡｌＳｉ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層１４の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
【００３２】
誘電体層１５，１６は、記録磁性部１１に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＹＳｉＯ2、ＺｎＳｉＯ2、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層１５，１６の厚さは、例えば３０〜１００ｎｍである。
【００３３】
保護膜１７は、記録磁性部１１を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部１１を覆い、光磁気ディスクＸ１の記録用レーザビームおよび再生用レーザビームに対して充分な透過性を有する樹脂材料よりなる。保護膜１７を構成するための樹脂としては、例えば、紫外線硬化性の透明樹脂が採用される。
【００３４】
光磁気ディスクＸ１への情報記録においては、例えば、当該ディスクを回転させた状態で、記録用のレーザビーム（図示せず）を保護膜１７の側から記録磁性部１１に対して連続的なパルス信号として照射することにより記録磁性部１１内の記録層１１ａを局所的に順次昇温させつつ、所定に変調された記録磁界を当該昇温箇所に対して磁気記録ヘッド（図示せず）により印加する。このようにして、記録層１１ａに対し、磁化方向の変化として所定の情報ないし信号を記録することができる。
【００３５】
光磁気ディスクＸ１においては、磁気記録ヘッドによる記録磁界の印加時に、図２に示すように、軟磁性部１２ないし最上位の軟磁性層１２ａにおける凹凸表面１２ａ’の各凸部に磁極が集中して現れ、当該集中磁極を通過するように磁束（一点鎖線で表す）が発生する。そのため、光磁気ディスクＸ１においては、指向性の高い磁束を発生させることができ、軟磁性部１２の表面にて磁束が放射状に拡散することを抑制することができる。軟磁性部１２の表面での磁束の拡散が抑制されるほど、記録層１１ａを通過する磁束は集中し、記録層１１ａにて形成される記録磁界は増強されることとなる。
【００３６】
加えて、光磁気ディスクＸ１においては、磁気記録ヘッドによる記録磁界の印加時に、軟磁性部１２ないし最上位の軟磁性層１２ａにおける凹凸面１２ａ’の凹凸形状における各凸部に磁極が集中するため、軟磁性部１２の表面における記録磁界印加領域全体に占める実質的な磁極面積については、仮に当該軟磁性部１２の表面に一様に磁極が現れる場合よりも小さい。磁極面積が小さいほど、当該磁極を通過するように発生する磁束の密度は増大する傾向にある場合があり、当該磁束密度が大きいほど、記録層１１ａにて形成される記録磁界は大きい。
【００３７】
以上のように、光磁気ディスクＸ１における軟磁性部１２は、記録層１１ａの側に凹凸面１２ａ’ないし凹凸形状を有するために記録磁界エンハンス機能に優れる。したがって、光磁気ディスクＸ１においては、その記録層１１ａにて大きな記録磁界を形成することができるのである。
【００３８】
図３は、光磁気ディスクＸ１を製造するための第１の方法を表す。本方法においては、まず、図３（ａ）に示すように、基板Ｓ１上に軟磁性部１２’を形成する。具体的には、例えばスパッタリング法により各々に所定の材料を成膜することによって、基板Ｓ１上において、軟磁性層１２ａおよび誘電体層１２ｂを交互に形成し、最表面に軟磁性層１２ａを有する軟磁性部１２’を形成する。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示すように、軟磁性部１２’（最表面の軟磁性層１２ａ）の露出面に対してスパッタエッチングを施すことにより、当該露出面を粗化して凹凸面１２ａ’を形成する。このようにして、凹凸面１２ａ’を有する軟磁性部１２を基板Ｓ１上に形成することができる。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、軟磁性部１２上にプリグルーブ層１３を形成した後、当該プリグルーブ層１３上に、熱伝導層１４、誘電体層１５、記録層１１ａ、中間層１１ｂ、再生層１１ｃ、および誘電体層１６を、順次形成する。プリグルーブ層１３の形成手法としては、いわゆる２Ｐ法を採用することができる。また、プリグルーブ層１３上の各層の成膜手法としては、スパッタリング法を採用することができる。
【００４１】
次、図３（ｄ）に示すように、誘電体層１６上に保護膜１７を形成する。例えば、透明な紫外線硬化性樹脂材料をスピンコート法により誘電体層１６上に成膜した後、当該樹脂材料に紫外線を照射することにより、保護膜１７を形成することができる。以上のようにして、光磁気ディスクＸ１を適切に製造することができる。
【００４２】
図３（ａ）を参照して上述した工程においては、軟磁性層１２ａおよび誘電体層１２ｂからなる積層構造を有する軟磁性部１２’に代えて、一様な組成の軟磁性材料よりなる軟磁性部を形成してもよい。このような軟磁性部を基板Ｓ１上に形成する場合であっても、図３（ｂ）を参照して上述したのと同様の工程を行うことにより、当該軟磁性部の露出面において、凹凸面１２ａ’を形成することができる。
【００４３】
図４は、光磁気ディスクＸ１を製造するための第２の方法を表す。本方法においては、まず、図４（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法により各々に所定の材料を成膜することによって、軟磁性層１２ａおよび誘電体層１２ｂを交互に形成して最表面に誘電体層１２ｂを形成する。
【００４４】
次に、最表面の誘電体層１２ｂの露出面に対して酸素プラズマを作用させ、当該露出面を粗化する。具体的には、基板加熱機能を有するスパッタ装置を使用して、装置のチャンバ内の真空度が３×１０-5Ｐａ以下である条件で、基板Ｓ１の側から誘電体層１２ｂにかけて加熱しつつチャンバ内に酸素プラズマを発生させ、誘電体層１２ｂの露出面に当該酸素プラズマを作用させる。本手法において、チャンバ内の酸素雰囲気の圧力は例えば０.２〜１.０Ｐａであり、基板加熱温度は例えば１５０〜３００℃である。
【００４５】
次に、図４（ｂ）に示すように、最表面の誘電体層１２ｂ上に、例えばスパッタリング法により所定材料を成膜することによって軟磁性層１２ａを形成する。このとき、当該軟磁性層１２ａの直下の誘電体層１２ｂの表面が上述のように粗化されていることに起因して、軟磁性層１２ａの成長端面には凹凸形状が形成される。このようにして、凹凸面１２ａ’を有する軟磁性部１２を基板Ｓ１上に形成することができる。
【００４６】
次に、図４（ｃ）に示すように、軟磁性部１２上に、プリグルーブ層１３、熱伝導層１４、誘電体層１５、記録層１１ａ、中間層１１ｂ、再生層１１ｃ、誘電体層１６、および保護膜１７を、順次形成する。具体的形成手法については、図３（ｃ）および図３（ｄ）を参照して上述したのと同様である。以上のような方法によっても、光磁気ディスクＸ１を適切に製造することができる。
【００４７】
図５は、光磁気ディスクＸ１を製造するための第３の方法を表す。本方法においては、まず、図５（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法により各々に所定の第１軟磁性材料および誘電体材料を成膜することによって、軟磁性層１２ａおよび誘電体層１２ｂを交互に形成した後に最表面に軟磁性膜１２ｃを形成する（軟磁性膜形成工程）。
【００４８】
次に、図５（ｂ）に示すように、スパッタリング法により軟磁性膜１２ｃ上に第２軟磁性材料を成長させることによって複数の突起１２ｄを形成する（突起形成工程）。このようにして、凹凸面１２ａ’を有する軟磁性部１２ないし最表面の軟磁性層１２ａを形成する。
【００４９】
突起形成工程における第２軟磁性材料について、軟磁性膜形成工程における第１軟磁性材料と同じ組成のものを採用する場合、軟磁性膜形成工程において第１軟磁性材料を成膜するための条件と、突起形成工程において第２軟磁性材料を成長させるための条件とを、異ならしめる。例えば、本工程において相対的に高ガス圧条件を採用する。一方、本突起形成工程における第２軟磁性材料について、軟磁性膜形成工程における第１軟磁性材料と異なる組成のものを採用する場合、当該第２軟磁性材料としては、第１軟磁性材料より大きな表面張力を有するものが好ましい。例えば、第１軟磁性材料としてはＦｅＣｏＢを採用し、第２軟磁性材料としてはＦｅＣｏＳｉＣを採用することができる。
【００５０】
次に、図５（ｃ）に示すように、軟磁性部１２上に、プリグルーブ層１３、熱伝導層１４、誘電体層１５、記録層１１ａ、中間層１１ｂ、再生層１１ｃ、誘電体層１６、および保護膜１７を、順次形成する。形成手法については、図３（ｃ）および図３（ｄ）を参照して上述したのと同様である。以上のような方法によっても、光磁気ディスクＸ１を適切に製造することができる。
【００５１】
図６は、光磁気ディスクＸ１を製造するための第４の方法を表す。本方法においては、基板Ｓ１として例えばアルミニウム基板やシリコン基板を採用し、当該基板Ｓ１を、図６（ａ）に示すように未だ軟磁性材料が成膜されていない状態で、高温加熱する。本工程における加熱温度は例えば４００〜５００℃である。
【００５２】
次に、基板Ｓ１を高温加熱した状態で、図６（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により基板Ｓ１上に所定材料を成膜することによって、一様な組成の軟磁性材料よりなる軟磁性部１２を形成する。このとき、基板Ｓ１が高温加熱（例えば４００〜５００℃）されていることに起因して、比較的に大きな粒径を伴って軟磁性材料は基板Ｓ１上に成長する。その結果、軟磁性部１２の成長端面には、所定の凹凸形状が形成される。このようにして、凹凸面１２ａ’を有する軟磁性部１２（一様な組成の軟磁性材料よりなる）を基板Ｓ１上に形成することができる。
【００５３】
次に、図６（ｃ）に示すように、軟磁性部１２上に、プリグルーブ層１３、熱伝導層１４、誘電体層１５、記録層１１ａ、中間層１１ｂ、再生層１１ｃ、誘電体層１６、および保護膜１７を、順次形成する。具体的形成手法については、図３（ｃ）および図３（ｄ）を参照して上述したのと同様である。以上のような方法によると、一様な組成の軟磁性材料よりなる軟磁性部１２を有する光磁気ディスクＸ１を適切に製造することができる。
【実施例１】
【００５４】
〔光磁気ディスクの作製〕
図７に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスク作製方法は、図３を参照して上述した第１の方法に相当する。
【００５５】
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、ガラス基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）上に軟磁性部を形成した。具体的には、まず、スパッタリング法によりガラス基板上にＦｅ54Ｃｏ36Ｂ10を成膜することによって、厚さ１００ｎｍの軟磁性層を形成した。本スパッタリングでは、Ｆｅ54Ｃｏ36Ｂ10合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し（反応性スパッタリングを除く以下のスパッタリングにおいても同様）、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を１.５ｋＷとした。続いて、スパッタリング法により軟磁性層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの誘電体層を形成した。本スパッタリングでは、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、軟磁性層上にＳｉＮを成膜した。また、本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.８ｋＷとした。この後、このような軟磁性層および誘電体層を交互に積層形成し、合計１０層の軟磁性層と軟磁性層間の合計９層の誘電体層とからなる軟磁性部（最表面は軟磁性層よりなる）を形成した。
【００５６】
次に、上述のようにして形成された軟磁性部（軟磁性層）の露出面に対してスパッタエッチングを施すことにより、当該露出面を粗化して凹凸面を形成した。本スパッタエッチングにおいては、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.５ｋＷとし、エッチング時間を８分とした。このようにして、表面に凹凸面を有する軟磁性部を形成した。当該凹凸面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は１.５ｎｍであり、凹凸形状における凸部の平均高さ（最大高さＲｙの平均）は８.０ｎｍであった。これらの値については、図９の表に掲げる。
【００５７】
次に、２Ｐ法により、軟磁性部上に厚さ１０μｍのプリグルーブ層を形成した。プリグルーブ層形成材料としては２Ｐ法用の樹脂（フォトポリマ）を採用した。また、プリグルーブ層の表面凹凸形状については、トラックピッチ３００ｎｍおよびプリグルーブ深さ５０ｎｍのランドグルーブ形状とした。
【００５８】
次に、スパッタリング法によりプリグルーブ層上にＡｌＳｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの熱伝導層を形成した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.６Ｐａとし、スパッタ電力を０.３ｋＷ（Ａｌターゲット）および０.２ｋＷ（Ｓｉターゲット）とした。
【００５９】
次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ１５ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.８ｋＷとした。
【００６０】
次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＴｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20を成膜することによって、厚さ６０ｎｍの記録層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、熱伝導層上にＴｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.５ｋＷ（Ｔｂターゲット）および１.５ｋＷ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。
【００６１】
次に、スパッタリング法により記録層上にＴｂ22Ｆｅ78を成膜することによって、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、記録層上にＴｂＦｅを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、スパッタ電力を０.３ｋＷ（Ｔｂターゲット）および０.９ｋＷ（Ｆｅターゲット）とした。
【００６２】
次に、スパッタリング法により中間層上にＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を成膜することによって、厚さ２５ｎｍの再生層を形成した。具体的には、ＧｄターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層上にＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.４Ｐａとし、スパッタ電力を０.４ｋＷ（Ｇｄターゲット）および０.８ｋＷ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。
【００６３】
次に、スパッタリング法により再生層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ６０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、再生層上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.８ｋＷとした。
【００６４】
次に、誘電体層上に厚さ２０μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、紫外線硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００６５】
〔記録磁界の測定〕
本実施例の光磁気ディスクについて、磁気記録ヘッドによる磁界印加時において記録層に形成される記録磁界の強度を測定した。具体的には、再生信号の強度（ＣＮＲ）が飽和するように光磁気ディスクに対して情報記録を行うことが可能な、磁気記録ヘッドによる印加磁界のうち、最小の磁界を特定し、当該最小磁界印加時において媒体表面に形成される磁界の強度を、記録層を通過するように形成される記録磁界の強度として、ガウスメータにより測定した。その結果、本実施例において測定された記録磁界の強度は３３０Ｏｅであった。この測定値については、図９の表に掲げる。
【実施例２】
【００６６】
〔光磁気ディスクの作製〕
図７に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスク作製方法は、図４を参照して上述した第２の方法に相当する。
【００６７】
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、ガラス基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）上に軟磁性部を形成した。具体的には、まず、スパッタリング法によりガラス基板上にＦｅ54Ｃｏ36Ｂ10を成膜することによって、厚さ１００ｎｍの軟磁性層を形成した。本スパッタリングでは、Ｆｅ54Ｃｏ36Ｂ10合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を１.５ｋＷとした。続いて、スパッタリング法により軟磁性層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの誘電体層を形成した。本スパッタリングでは、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。また、本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を０.８ｋＷとした。この後、このような軟磁性層および誘電体層を交互に積層し、合計９層の軟磁性層と軟磁性層間の合計９層の誘電体層とからなる多層構造（最表面は誘電体層よりなる）を形成した。
【００６８】
次に、最表面の誘電体層の露出面に対して酸素プラズマを作用させ、当該露出面を粗化した。具体的には、スパッタ装置のチャンバ内の真空度を３×１０-5以下としたうえで、当該チャンバ内において基板側から最表面誘電体層にかけて加熱しつつ酸素プラズマを発生させ、最表面誘電体層の露出面に当該酸素プラズマを作用させた。本工程では、チャンバ内の酸素雰囲気の圧力を０.５Ｐａとし、基板加熱温度を２００℃とし、酸素プラズマ作用時間を１分とした。
【００６９】
次に、スパッタリング法により誘電体層上にＦｅ54Ｃｏ36Ｂ10を成膜することによって、厚さ１００ｎｍの軟磁性層を形成した。本スパッタリングでは、Ｆｅ54Ｃｏ36Ｂ10合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を１.５ｋＷとした。このようにして、表面に凹凸面を有する軟磁性部を形成した。当該凹凸面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は３.０ｎｍであり、凹凸形状における凸部の平均高さ（最大高さＲｙの平均）は２０.０ｎｍであった。これらの値については、図９の表に掲げる。
【００７０】
この後、軟磁性部上に、プリグルーブ層、熱伝導層、誘電体層、記録層、中間層、再生層、誘電体層、保護膜を順次形成した。具体的形成手法については、実施例１と同様である。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００７１】
〔記録磁界の測定〕
本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、磁界印加時において記録層に形成される記録磁界の強度を測定した。その結果、本実施例において測定された記録磁界の強度は３８０Ｏｅであった。この測定値については、図９の表に掲げる。
【実施例３】
【００７２】
〔光磁気ディスクの作製〕
図８に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスク作製方法は、図６を参照して上述した第４の方法に相当する。
【００７３】
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、アルミニウム基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）を、スパッタ装置のチャンバ内で高温加熱した。本工程では、チャンバ内の真空度を３×１０-5Ｐａ以下とし、加熱温度を４００℃とした。
【００７４】
次に、上述のようにアルミニウム基板を加熱した状態で、スパッタリング法により当該基板上にＦｅ54Ｃｏ36Ｂ10を成膜することによって、厚さ１μｍの軟磁性層を形成した。本スパッタリングでは、Ｆｅ54Ｃｏ36Ｂ10合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を１.５ｋＷとした。このようにして、表面に凹凸面を有する軟磁性部を形成した。当該凹凸面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は２.５ｎｍであり、凹凸形状における凸部の平均高さ（最大高さＲｙの平均）は２５.０ｎｍであった。これらの値については、図９の表に掲げる。
【００７５】
この後、軟磁性部上に、プリグルーブ層、熱伝導層、誘電体層、記録層、中間層、再生層、誘電体層、保護膜を順次形成した。具体的形成手法については、実施例１と同様である。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００７６】
〔記録磁界の測定〕
本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、磁界印加時において記録層に形成される記録磁界の強度を測定した。その結果、本実施例において測定された記録磁界の強度は３６０Ｏｅであった。この測定値については、図９の表に掲げる。
【比較例】
【００７７】
〔光磁気ディスクの作製〕
軟磁性部表面にスパッタエッチングを施さない以外は実施例１と同様にして、ガラス基板上に軟磁性部、プリグルーブ層、熱伝導層、誘電体層、記録層、中間層、再生層、誘電体層、保護膜を順次形成した。したがって、本比較例の光磁気ディスクは、軟磁性部が記録層側に凹凸面を有しない以外は、実施例１の光磁気ディスクと同一の構造を有する。本比較例の光磁気ディスクにおいては、軟磁性部における記録層側表面について、表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は０.４ｎｍであり、平均凸部高さは１.５ｎｍであった。また、本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、磁界印加時において記録層に形成される記録磁界の強度を測定したところ、記録磁界の強度は３００Ｏｅであった。これらの値については、図９の表に掲げる。
【評価】
【００７８】
図９の表に示すように、本発明に係る実施例１〜３の光磁気ディスクでは、比較例の光磁気ディスクよりも、記録層に形成される記録磁界は大きい。具体的には、軟磁性部における記録層の側に凹凸形状が積極的に形成された凹凸面を有する実施例１〜３の光磁気ディスクでは、磁界印加時に記録層にて形成される記録磁界は３３０Ｏｅ以上であるのに対し、軟磁性部における記録層の側の表面が実質的に平坦である比較例の光磁気ディスクでは、記録層に形成される記録磁界は３００Ｏｅと小さい。実施例１〜３の光磁気ディスクと比較例の光磁気ディスクとの間で記録磁界強度についてこのような差が生ずるのは、実施例１〜３の光磁気ディスクにおいては、磁界印加時に軟磁性部表面の凹凸形状の各凸部に磁極が集中するため、軟磁性部表面における記録磁界印加領域全体に占める実質的な磁極面積が、比較例の光磁気ディスクにおける軟磁性層表面に一様に磁極が現れる場合の磁極面積よりも小さいためであると考えられる。記録磁界強度の測定結果から、実施例１の光磁気ディスクにおける実質的な磁極面積は、比較例の光磁気ディスクにおけるそれの約０.９倍であると考えられる。同様に、実施例２，３の光磁気ディスクにおける実質的な磁極面積は、比較例の光磁気ディスクにおけるそれの約０.８倍および約０.８３倍であると考えられる。
【００７９】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００８０】
（付記１）基板と、記録機能を担う記録層と、前記基板および前記記録層の間に位置する軟磁性部と、を含む積層構造を有し、
前記軟磁性部における前記記録層の側の面は、凹凸形状を有する、光磁気記録媒体。
（付記２）前記軟磁性部における前記面の表面粗さは１〜５ｎｍであり、且つ、前記凹凸形状における凸部の平均高さは３〜３０ｎｍである、付記１に記載の光磁気記録媒体。
（付記３）基材上に軟磁性膜を形成するための工程と、
前記軟磁性膜の露出面に対してスパッタエッチングを施すことにより、表面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、
前記軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。
（付記４）基材の表面を酸素プラズマに晒らして粗化するための工程と、
前記基材上に軟磁性材料を成膜することにより、成長端面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、
前記軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。
（付記５）基材を加熱しつつ当該基材上に軟磁性材料を成膜することにより、成長端面に凹凸形状を有する軟磁性層を形成するための工程と、
前記軟磁性層の上位に記録層を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。
（付記６）基材上に第１軟磁性材料を成膜することにより軟磁性膜を形成するための第１工程と、
前記軟磁性膜上に第２軟磁性材料を成長させることにより複数の突起を形成し、当該複数の突起および前記軟磁性膜よりなる軟磁性層を形成するための、第２工程と、
前記軟磁性層の上位に記録層を形成するための第３工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。
（付記７）前記第２軟磁性材料は前記第１軟磁性材料と同じ組成を有し、前記第１工程において前記第１軟磁性材料を成膜するための条件と、前記第２工程において前記第２軟磁性材料を成長させるための条件とを、異ならしめる、付記６に記載の光磁気記録媒体製造方法。
（付記８）前記第２軟磁性材料は、前記第１軟磁性材料とは異なる組成を有し、且つ、当該第１軟磁性材料より大きな表面張力を有する、付記６に記載の光磁気記録媒体製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図２】本発明の光磁気ディスクにおける記録磁界の形成態様を模式的に表す。
【図３】図１に示す光磁気ディスクを製造するための一方法を表す。
【図４】図１に示す光磁気ディスクを製造するための他の方法を表す。
【図５】図１に示す光磁気ディスクを製造するための他の方法を表す。
【図６】図１に示す光磁気ディスクを製造するための他の方法を表す。
【図７】実施例１，２および比較例の光磁気ディスクに共通の積層構成を表す。
【図８】実施例３の光磁気ディスクの積層構成を表す。
【図９】実施例および比較例の光磁気ディスクについて、軟磁性部における記録層側の面の表面粗さ及び平均高さ並びに記録磁界測定の結果をまとめた表である。
【図１０】従来の光磁気ディスクの部分断面図である。
【図１１】従来の光磁気ディスクにおける記録磁界の形成態様を模式的に表す。
【符号の説明】
【００８２】
Ｘ１，Ｘ２      光磁気ディスク
Ｓ１，Ｓ２      基板
１１，９１      記録磁性部
１１ａ      記録層
１１ｂ      中間層
１１ｃ      再生層
１２，１２’      軟磁性部
１２ａ，９２      軟磁性層
１２ａ’      凹凸面
１２ｂ      誘電体層
１２ｃ      軟磁性膜
１２ｄ      突起
１３，９３      プリグルーブ層
１４，９４      熱伝導層
１５，１６，９５，９６      誘電体層
１７，９７      保護膜
【図１】
2006127657.tif 000003
【図２】
2006127657.tif 000004
【図３】
2006127657.tif 000005
【図４】
2006127657.tif 000006
【図５】
2006127657.tif 000007
【図６】
2006127657.tif 000008
【図７】
2006127657.tif 000009
【図８】
2006127657.tif 000010
【図９】
2006127657.tif 000011
【図１０】
2006127657.tif 000012
【図１１】
2006127657.tif 000013