(57)【要約】【課題】基板の周縁のフォトレジストを完全に除去するとともに、フォトレジストの外周部の盛り上がりを低減したフォトレジスト塗布方法を提供すること。【解決手段】基板２１を回転させてフォトレジスト３１をスピンコートするフォトレジスト塗布工程と、基板２１を回転させながら基板２１の周縁２１Ａに溶剤４１を供給し、基板２１の周縁２１Ａからフォトレジスト３１を除去する周縁洗浄工程と、基板２１を回転させながらフォトレジスト３１の表面を乾燥させるフォトレジスト乾燥工程とで構成し、周縁洗浄工程とフォトレジスト乾燥工程とを複数回繰り返して、基板周縁のフォトレジスト３１の残渣を除去するとともに、フォトレジスト３１の外周部の盛り上がりを低減するようにした。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板へのフォトレジスト塗布方法において、
前記基板にフォトレジストを滴下するとともに基板を回転させてフォトレジストをスピンコートするフォトレジスト塗布工程と、
前記基板を回転させながら基板の周縁に溶剤を供給し、基板の周縁からフォトレジストを除去する周縁洗浄工程と、
前記基板を回転させながらフォトレジストの表面を乾燥させるフォトレジスト乾燥工程とを有し、
前記周縁洗浄工程と前記フォトレジスト乾燥工程とを複数回繰り返して、基板周縁のフォトレジストの残渣を除去するとともに、フォトレジストの外周部の盛り上がりを低減することを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項２】
最初に行う前記周縁洗浄工程は、塗布されたフォトレジストの表面が乾燥した後に行うことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト塗布方法。
【請求項３】
前記周縁洗浄工程を複数回繰り返す毎に基板の回転数を増加させ、フォトレジストの溶解性を低下させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のフォトレジスト塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトレジスト塗布方法に関し、特にウェーハレベルで一括製造されるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）タイプの固体撮像装置において、固体撮像素子を封止するスペーサ付透明平板のスペーサ形成等に用いられるフォトレジスト塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラや携帯電話に用いられるＣＣＤやＣＭＯＳからなる固体撮像装置は、益々小型化が要求されている。このため、固体撮像素子チップ全体をセラミックス等のパッケージに気密封止した従来の大型パッケージから、最近では固体撮像素子チップの大きさと略等しい大きさのチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）タイプに移行しつつある。
【０００３】
このような中で、ウェーハ（半導体基板）上に多数の固体撮像素子を形成し、一方、透明材料からなる封止部材（透明平板）に固体撮像素子の受光エリアを囲う枠部（スペーサ）を多数一体形成し、この封止部材（透明平板）を枠部（スペーサ）を介してウェーハに接合して、各固体撮像素子の受光エリアを密閉し、固体撮像装置がウェーハレベルで多数形成された積層体を製造し、次に、この積層体を個々の固体撮像装置に分割することによって、固体撮像装置をウェーハレベルで多数一括製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この特許文献１に記載された封止部材（透明平板）に多数の枠部（スペーサ）を一体形成する方法では、先ず透明平板にシリコンの基板を接着剤で接合し、次いでシリコン基板を砥石による研磨等で薄層化する。次に、このシリコンの薄層上にフォトレジストを塗布してフォトリソグラフィ技術によってエッチングマスクを形成し、このシリコンの薄層をドライエッチングして多数のスペーサを形成する。
【特許文献１】特開２００４−６８３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フォトレジストの塗布には一般的なスピンコート法が知られているが、単にスピンコート法で塗布を行うだけの場合、図１１に示すように、塗布された部材の周縁部のフォトレジストが山状に盛り上がる。
【０００６】
このフォトレジストの盛り上がりはスピンコートの回転数を上げても小さくならない。これは、目標とする塗布膜厚を得るためには高粘度のフォトレジストが必要であり、回転数を上げても盛り上がりが必然的に発生してしまうからである。
【０００７】
しかし、固体撮像装置に用いられる封止部材（透明平板）にスペーサを形成する工程では、このフォトレジストの盛り上がりが以下に述べるような問題を発生させる。
【０００８】
即ち、透明平板にシリコンの基板を接合し砥石による研磨等で薄層化した部材（以下基板と呼称する）の面内とフォトレジストが山状に盛り上がった周縁部とでは露光する時の露光条件が異なるため、基板面内に最適な露光条件で露光・現像を行うと、基板周縁部にフォトレジストが残り、例えば図１２に示すように、この透明平板周縁部のシリコンがエッチングされずにリング状に残ってしまう。
【０００９】
ところで、固体撮像装置に用いられる封止部材としての透明平板には、図４に示すように、透明平板１４をスペーサ５を介してウェーハに接合する時にスペーサ端面とウェーハとの間の空気を外部に逃がすための空気抜き溝１４Ａが多数形成されている。しかし、図１２に示すように、透明平板周縁部に未エッチングのシリコンがリング状に残っていると空気抜き溝１４Ａが機能せず、スペーサ端面とウェーハとの間に接合不良が生じてしまう。
【００１０】
この問題を解決するために、図５（ｃ）に示すように、フォトレジスト塗布工程において基板２１の周縁部２１Ａのフォトレジスト３１を溶剤４１で除去するエッジリンス方法が知られている。しかし、単に溶剤４１で基板２１の周縁部２１Ａのフォトレジスト３１を溶解するだけでは周縁部２１Ａにフォトレジスト３１の残渣が残りやすい。
【００１１】
図１３は、エッジリンス時に基板２１の周縁部２１Ａにフォトレジスト３１の残渣が形成されるメカニズムを説明する概念図である。まず、図１３（ａ）に示すように、基板２１を回転させながら基板２１の周縁部２１Ａに溶剤４１を供給することにより、周縁部２１Ａのフォトレジスト３１が溶解除去される。
【００１２】
次いで、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、溶剤４１の供給を停止すると、残っていた溶剤４１が遠心力で基板２１外に飛ばされるとともに、溶融状態のフォトレジスト３１が周縁部２１Ａに流出してレジスト残渣３１Ｃが発生する。図１４は、基板２１の周縁部２１Ａに多数流出したレジスト残渣３１Ｃを撮影した写真である。
【００１３】
このレジスト残渣３１Ｃが、基板２１とウェーハとを接合する時に、基板２１とウェーハの夫々の周縁に形成されている位置合わせ用のノッチ又はオリフラを検出するノッチ検出又はオリフラ検出において、及び基板２１とウェーハとの間隔を検出するギャップ検出において誤検出を生じさせる。
【００１４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、固体撮像装置に用いられる封止部材としての透明平板にフォトリソグラフィ技術とエッチングとによってスペーサを形成するにあたり、透明平板の周縁のフォトレジストを完全に除去するとともに、フォトレジストの外周部の盛り上がりを低減したフォトレジスト塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は前記目的を達成するために、基板へのフォトレジスト塗布方法において、前記基板にフォトレジストを滴下するとともに基板を回転させてフォトレジストをスピンコートするフォトレジスト塗布工程と、前記基板を回転させながら基板の周縁に溶剤を供給し、基板の周縁からフォトレジストを除去する周縁洗浄工程と、前記基板を回転させながらフォトレジストの表面を乾燥させるフォトレジスト乾燥工程とを有し、前記周縁洗浄工程と前記フォトレジスト乾燥工程とを複数回繰り返して、基板周縁のフォトレジストの残渣を除去するとともに、フォトレジストの外周部の盛り上がりを低減することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、フォトレジスト塗布工程の後に基板の周縁に溶剤を供給してフォトレジストを除去する周縁洗浄工程とフォトレジストの表面を乾燥させるフォトレジスト乾燥工程とを複数回繰り返すので、基板周縁のフォトレジストが除去されるとともにフォトレジストの残渣も除去され、またフォトレジストの外周部の盛り上がりが低減される。
【００１７】
また、前記の発明において、最初に行う前記周縁洗浄工程は、塗布されたフォトレジストの表面が乾燥した後に行うことを特徴とする。これによれば、最初に行う周縁洗浄工程ではフォトレジストの表面が乾燥しているので、基板周縁のフォトレジストの残渣が少なく、またフォトレジストの外周部の盛り上がりも小さい。
【００１８】
また、前記の発明において、前記周縁洗浄工程を複数回繰り返す毎に基板の回転数を増加させ、フォトレジストの溶解性を低下させることを特徴とする。これによれば、周縁洗浄工程を繰り返す毎に基板の回転数を増加させてフォトレジストの溶解性を低下させるので、各周縁洗浄工程毎に発生するフォトレジストの残渣が徐々に少なくなるとともに、フォトレジストの外周部の盛り上がりも徐々に小さくなる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように本発明のフォトレジスト塗布方法によれば、フォトレジスト塗布工程の後に基板の周縁に溶剤を供給してフォトレジストを除去する周縁洗浄工程とフォトレジストの表面を乾燥させるフォトレジスト乾燥工程とを複数回繰り返すので、基板周縁のフォトレジストが除去されるとともにフォトレジストの残渣も除去され、またフォトレジストの外周部の盛り上がりが低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下添付図面に従って、本発明に係るフォトレジスト塗布方法の好ましい実施の形態について詳説する。なお、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【００２１】
先ず最初に、本発明のフォトレジスト塗布方法を用いてウェーハレベルで多数一括製造されるＣＳＰタイプの固体撮像装置について説明する。図１は、ＣＳＰタイプの固体撮像装置の外観形状を示す斜視図である。
【００２２】
固体撮像装置１は、固体撮像素子３が設けられた固体撮像素子チップ２、固体撮像素子チップ２に取り付けられ固体撮像素子３を取り囲む枠形状のスペーサ５、及びスペーサ５の上に取り付けられて固体撮像素子３を封止する透明板４から構成されている。
【００２３】
固体撮像素子チップ２は、矩形のチップ基板２Ａと、このチップ基板２Ａ上に形成された固体撮像素子３と、固体撮像素子３の外側に複数個配列され外部との配線を行うためのパッド（電極）６とからなっている。チップ基板２Ａの材質は、例えばシリコン単結晶で、その厚さは例えば３００μｍ程度である。
【００２４】
透明板４は、低α線ガラスであるＣＧ−１（登録商標）等が使用されるが、パイレックス（登録商標）ガラス等を用いてもよく、その厚さは、例えば５００μｍ程度である。
【００２５】
スペーサ５は、無機材料で、例えば多結晶シリコンが用いられる。また、枠形状のスペーサ５の一部分を断面で見たときに、その断面の幅は例えば２００μｍ程度、厚さは例えば１００μｍ程度である。このスペーサ５は、一方の端面でチップ基板２Ａに接着剤を用いて接合され、他方の端面で透明板４に接着剤を用いて接合されている。
【００２６】
次に、この固体撮像装置の製造方法について説明する。図２はその説明図である。先ず、図２（ｂ）に示すように、チップ用ウェーハ（以下ウェーハと呼称する）１２に固体撮像素子３とパッド６とを多数同時に形成する。
【００２７】
固体撮像素子３とパッド６の形成には一般的な半導体素子製造工程が適用され、固体撮像素子３は、ウェーハ１２に形成された受光素子であるフォトダイオード、励起電圧を外部に転送する転送電極、開口部を有する遮光膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の上部に形成されたインナーレンズ、インナーレンズの上部に中間層を介して設けられたカラーフィルタ、カラーフィルタの上部に中間層を介して設けられたマイクロレンズ等で構成された微細素子が平面アレー状に配列された構造になっている。
【００２８】
固体撮像素子３はこのように構成されているため、外部から入射する光がマイクロレンズ及びインナーレンズによって集光されてフォトダイオードに照射され、有効開口率が上がるようになっている。
【００２９】
ウェーハ１２への固体撮像素子３とパッド６の形成と並行して、図２（ａ）に示すように、透明平板１４上に固体撮像素子３を取り囲む枠形状のスペーサ５を多数形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、ウェーハ１２と透明平板１４とを位置合わせして、スペーサ５を介して接着剤７で接合し、各固体撮像素子３をスペーサ５と透明平板１４とで封止する。これによって、ウェーハ１２と透明平板１４との間に空隙部１１を有し固体撮像素子３の受光部が密閉された構造の固体撮像装置１がウェーハレベルで多数形成された積層体１０が製造される。
【００３０】
次に、積層体１０を図示しないダイシング装置のウェーハテーブルに吸着載置し、図示しないダイシングブレード（砥石）の刃先の最下点がパッド６上部の空隙部１１内に５０μｍ程度入り込む位置にセットして透明平板１４を研削切断し、個々の透明板４に分離するとともに、パッド６、６、…を露出させる。図２（ｃ）はこの状態を表わしている。
【００３１】
次に、透明平板１４の研削切断に用いたダイシングブレードよりも薄いダイシングブレードを用い、ウェーハ１２を研削切断（フルカット）して各チップ基板２に分離する。これによって、図２（ｄ）に示すように、固体撮像装置１がウェーハレベルで多数形成された積層体１０から個々の固体撮像装置１に分割される。
【００３２】
なお、積層体１０はウェーハ１２の裏面に図示しないダイシングシートが貼付されて研削切断加工される。そのため、個々の固体撮像装置１に分割されても、バラバラになることがない。
【００３３】
次に、透明平板１４上に固体撮像素子３を取り囲む枠形状のスペーサ５を多数形成する工程について、図３を用いて説明する。
【００３４】
先ず、透明平板１４上にＵＶ接着剤（紫外線硬化型接着剤）等の接着剤８を用いてスペーサ５の母材であるスペーサ基材１５を接着し、次いで砥石による研磨等で薄層化して基板２１を製造する。この際、固体撮像素子３を確実に封止する必要があるので、接着剤８塗布後の透明平板１４とスペーサ基材１５との貼り合わせ作業を減圧チャンバ（例えば、１０Ｔｏｒｒ以下）内で行って、接着面に気泡が生じないようにする。
【００３５】
なお、透明平板１４とスペーサ基材１５との接合は、接着剤等を使用しない陽極接合やフュージョン接合等を用いてもよい。
【００３６】
次に、スペーサ基材１５上のスペーサ５を形成する位置にエッチングマスク３１Ａを形成する。このエッチングマスク３１Ａの形成は、スペーサ基材１５上にフォトレジスト３１を塗布し、スペーサ５のパターンが形成されたフォトマスクを用いて露光及び現像して必要部分のみを残す、いわゆる半導体装置の製造工程で広く用いられているフォトリソグラフィー技術を用いて行う。
【００３７】
先ずスペーサ基材１５上にフォトレジスト３１を均一に塗布する。このフォトレジスト３１の塗布工程に本発明のフォトレジスト塗布方法を用いるが、詳細は後述する。図３（ａ）はスペーサ基材１５上にフォトレジスト３１が塗布された状態を表わしている。
【００３８】
図３（ｂ）は、図示しないフォトマスクを用いて露光した状態を表わし、図３（ｃ）は、これを現像してスペーサ５を形成する位置にエッチングマスク３１Ａが形成された状態を表わしている。
【００３９】
次に、スペーサ基材１５をエッチングして、図３（ｄ）に示すように、多数の枠形状のスペーサ５を形成する。このエッチングには、ドライエッチングが好適である。例えば、誘導結合プラズマエッチング装置等を用い、スペーサ５の側面の垂直性を高めるために、Ｂｏｓｃｈプロセスを用いてエッチング加工を行うのが好適である。
【００４０】
Ｂｏｓｃｈプロセスは、エッチング用のガスとデポジット用のガスとを交互に切換えながら垂直方向の加工を進めるので、加工側面のサイドエッチングを防止できる。
【００４１】
エッチング条件としては、例えば、エッチングガスＳＦ６（六フッ化硫黄）３８０ｓｃｃｍ×１０ｓ、デポジットガスＣ４Ｆ８（オクタフルオロシクロブタン）１９０ｓｃｃｍ×３ｓ、プラテンパワー４５Ｗ、チャンバー真空圧１５〜２０Ｔｏｒｒ、コイルパワー１５００〜２０００ＷなるＢｏｓｃｈプロセス処方の単一条件にて、容易にスペーサ５を形成することができる。
【００４２】
次に、図３（ｅ）に示すように、スペーサ５上に残ったエッチングマスク３１Ａと透明平板１４上に残った接着剤８とを除去する。この残留有機物の除去処理には、酸素プラズマによって有機物を灰化して除去するプラズマアッシング装置が好適である。
【００４３】
なお、前述のエッチング工程、及び残留有機物の除去工程を夫々ドライエッチングとアッシングとで説明したが、ウエットエッチングで行ってもよく、また残留有機物の除去もウエット式レジスト剥離装置を用いたウエット処理で行ってもよい。
【００４４】
しかし、前述のようなドライエッチング工程とアッシングによる残留物除去工程によるドライ一貫工程で処理する方が、洗浄工程を省くことができるので有利である。
【００４５】
図４は、このようにして製造された固体撮像素子３の封止部材である透明平板１４を表わす平面図である。図４に示すように、透明平板１４には固体撮像素子３を包囲する位置に多数のスペーサ５、５、…が形成され、透明平板１４の外周部分にはウェーハ１２との接合時の剛性向上のためのダミースペーサがリング状に形成されている。また、ダミースペーサ内には透明平板１４をスペーサを介してウェーハに接合する時にスペーサ端面とウェーハとの間の空気を外部に逃がすための空気抜き溝１４Ａが多数形成されている。
【００４６】
基板２１へのフォトレジスト３１の塗布には、図５（ａ）及び（ｂ）に示すようなスピンコート法が用いられる。即ち基板２１を真空吸着式の資料台５１に吸着固定して中央部に所定量のフォトレジスト３１を滴下する。次いで資料台５１を回転させ、遠心力によって滴下されたフォトレジスト３１を基板２１上に均一に塗布する。
【００４７】
しかし、フォトレジスト３１をスピンコートすると、前述した図１１に示すような、基板２１の周縁部２１Ａにフォトレジスト３１の盛り上がり部３１Ｂが形成される。そのため、図５（ｃ）に示すように、資料台５１を回転させながら溶剤滴下ノズル５２から基板２１の周縁部２１Ａに溶剤４１を供給し、周縁部２１Ａからフォトレジスト３１を溶解除去する。
【００４８】
この基板２１の周縁部２１Ａからのフォトレジスト３１の溶解除去では、レジスト残渣を完全に除去しなければならず、この工程において以下に詳説する本発明が有効に用いられる。
【００４９】
図６は、本発明に係るフォトレジスト塗布方法の実施の形態を説明する部分側面図である。先ず、前出の図５（ａ）、（ｂ）及び図６（ａ）に示すように、基板２１を単位時間あたりの回転数（回転速度）をＲ1 で回転させながらフォトレジスト３１を供給して、基板２１の表面にフォトレジスト３１をスピンコートする（図６（ａ）；フォトレジスト塗布工程）。ここでは基板２１の外周端にフォトレジスト３１の盛り上がり部３１Ｂが形成されている。
【００５０】
なお、塗布後も、フォトレジスト３１の膜の表面が乾燥し、回転数を変化させても膜厚に変動がなくなるまでフォトレジスト３１の溶剤成分が揮発するように基板２１の回転を続ける。
【００５１】
次に、このフォトレジスト３１の盛り上がり部３１Ｂを除去するために、基板２１の周縁部（周縁）２１Ａに溶剤４１を供給し、周縁部２１Ａからフォトレジスト３１を溶解除去する周縁洗浄工程を行う。この周縁洗浄工程は１回の洗浄を２段階に分けて行う。
【００５２】
先ず、１段階目は、Ｒ1 より低い回転数Ｒ2 で基板２１を回転させながら、溶剤滴下ノズル５２から溶剤４１を周縁部２１Ａに所定時間供給する。引き続き２段階目に移行し、Ｒ2 より高い回転数Ｒ3 で基板２１を回転させながら周縁部２１Ａに溶剤４１を所定時間供給する（図６（ｂ）、図６（ｃ）；周縁洗浄工程−１）。
【００５３】
なお、同一の回転数で長時間周縁洗浄工程を行うと、除去後のフォトレジスト端部に再び盛り上がり部３１Ｂが生じてしまうので、１段階目の回転数Ｒ2 よりも２段階目の回転数Ｒ3 を高くすることで、端部の盛り上がり部３１Ｂを小さくしている。
【００５４】
この周縁洗浄工程−１によって、基板２１の周縁部２１Ａに存在していたフォトレジスト３１は溶解除去されるが、溶剤４１の供給停止とともに溶融状態のフォトレジスト３１が流れ出し、レジスト残渣３１Ｃが発生し始める。
【００５５】
次に、溶剤４１を供給しないで基板２１をＲ1 と同じ回転数Ｒ4 で所定時間回転させ、溶融状態のフォトレジスト３１の表面を乾燥させる（図６（ｄ）；フォトレジスト乾燥工程−１）。このフォトレジスト乾燥工程中も溶融状態のフォトレジスト３１の流出が進行し、レジスト残渣３１Ｃが発達する。
【００５６】
次に、この周縁洗浄工程とフォトレジスト乾燥工程とを繰り返す。先ず、Ｒ2 よりも高い回転数Ｒ5 で基板２１を回転させながら溶剤４１を所定時間供給し、引き続きＲ5 よりも高い回転数Ｒ6 で基板２１を回転させながら所定時間溶剤４１を供給して、周縁部２１Ａのレジスト残渣３１Ｃを溶解除去する（図６（ｅ）、図６（ｆ）；周縁洗浄工程−２）。
【００５７】
この周縁洗浄工程−２では周縁洗浄工程−１よりも回転数が高いので、フォトレジスト３１の溶解性が低く、レジスト残渣３１Ｃはほとんど発生しない。また、フォトレジスト３１の外周端の盛り上がり部３１Ｂも小さい。
【００５８】
次に、溶剤４１を供給しないで基板２１をＲ1 と同じ回転数Ｒ7 で所定時間回転させ、フォトレジスト３１を乾燥させる（図６（ｇ）；フォトレジスト乾燥工程−２）。
【００５９】
このように、基板２１の周縁洗浄工程とフォトレジスト乾燥工程とを複数回繰り返して行うことによって、基板２１の周縁部２１Ａからフォトレジスト３１を完全に除去するとともに、フォトレジスト３１の外周端の盛り上がり部３１Ｂもきわめて小さいものとなる。
【００６０】
次に、具体的な実施例について説明する。基板は厚さ５００μｍの透明ガラス板に厚さ１００μｍの多結晶シリコン板を接合したもので、直径２００±３ｍｍを用いた。フォトレジスト３１はポジ型フォトレジストＯＦＰＲ−８００（東京応化工業株式会社製、粘度２００ＣＰ）を用い、膜厚５μｍを目標とした。また、周縁洗浄工程に用いる溶剤４１はＯＫ−７３（東京応化工業株式会社製）を使用した。
【００６１】
[ 実施例１ ]
図７は、前出の図６（ａ）から図６（ｇ）に対応する各ステップの条件をまとめた一覧表である。図７に示すように、先ず、ステップ１のフォトレジスト塗布工程（図６（ａ））では、回転数Ｒ1 ＝１８００ｒｐｍ、回転時間３０ｓｅｃでスピンコートした。
【００６２】
続いて、ステップ２の周縁洗浄工程−１の１段階目（図６（ｂ））では、回転数Ｒ2 ＝１４００ｒｐｍ、回転時間３ｓｅｃで洗浄し、ステップ３の周縁洗浄工程−１の２段階目（図６（ｃ））では、回転数Ｒ3 ＝１６００ｒｐｍ、回転時間５ｓｅｃで洗浄した。
【００６３】
次いで、ステップ４のフォトレジスト乾燥工程−１（図６（ｄ））では、回転数Ｒ4 ＝１８００ｒｐｍ、回転時間１０ｓｅｃで乾燥させた。
【００６４】
次に周縁洗浄工程−２に移り、ステップ５の周縁洗浄工程−２の１段階目（図６（ｅ））では、回転数Ｒ5 ＝１５００ｒｐｍ、回転時間３ｓｅｃで洗浄し、ステップ６の周縁洗浄工程−２の２段階目（図６（ｆ））では、回転数Ｒ6 ＝１７００ｒｐｍ、回転時間５ｓｅｃで洗浄した。
【００６５】
最後に、ステップ７のフォトレジスト乾燥工程−２（図６（ｇ））では、回転数Ｒ7 ＝１８００ｒｐｍ、回転時間１０ｓｅｃで乾燥させて塗布工程を終了させ、ベーキング炉でフォトレジスト３１を完全に乾燥させた。
【００６６】
図８は、このようにして基板２１に塗布したフォトレジスト３１の外周端の形状を粗さ形状測定機で測定したデータ線図を表わしたものである。粗さ形状測定機としては、例えば、表面粗さ・輪郭形状測定機ＳＵＲＦＣＯＭ２８００Ｅ（株式会社東京精密製）等を用いることができる。
【００６７】
図８に示すように、フォトレジスト３１の膜厚は目標どおりの５μｍで、端部の盛り上がり部３１Ｂは１μｍ以下であった。
【００６８】
また、図９は基板２１の周縁部２１Ａの観察画像である。図９に示すように、基板２１の周縁部２１Ａにはレジスト残渣３１Ｃが見られず、フォトレジスト３１が完全に除去されている。
【００６９】
[ 実施例２ ]
図１０は、実施例２の各条件を表わした一覧表である。この実施例２は前述の実施例１に対して周縁洗浄工程及びフォトレジスト乾燥工程を３回繰り返したものである。
【００７０】
図１０に示すように、ステップ１のフォトレジスト塗布工程では、実施例１と同じ回転数Ｒ1 ＝１８００ｒｐｍ、回転時間３０ｓｅｃでスピンコートした。ステップ２の周縁洗浄工程−１の１段階目では、回転数Ｒ2 ＝８００ｒｐｍ、回転時間１ｓｅｃ、ステップ３の周縁洗浄工程−１の２段階目では、回転数Ｒ3 ＝１２００ｒｐｍ、回転時間２ｓｅｃで洗浄し、ステップ４のフォトレジスト乾燥工程−１では、実施例１と同じ回転数Ｒ4 ＝１８００ｒｐｍ、回転時間１０ｓｅｃで乾燥させた。
【００７１】
ステップ５の周縁洗浄工程−２の１段階目では、回転数Ｒ5 ＝１０００ｒｐｍ、回転時間１ｓｅｃ、ステップ６の周縁洗浄工程−２の２段階目では、回転数Ｒ6 ＝１４００ｒｐｍ、回転時間２ｓｅｃで洗浄し、ステップ７のフォトレジスト乾燥工程−２では、実施例１と同じ回転数Ｒ7 ＝１８００ｒｐｍ、回転時間１０ｓｅｃで乾燥させた。
【００７２】
次に、ステップ８の周縁洗浄工程−３の１段階目では、回転数Ｒ8 ＝１２００ｒｐｍ、回転時間１ｓｅｃ、ステップ９の周縁洗浄工程−３の２段階目では、回転数Ｒ9 ＝１６００ｒｐｍ、回転時間２ｓｅｃで洗浄し、最後にステップ１０のフォトレジスト乾燥工程−３では、実施例１と同じ回転数Ｒ10＝１８００ｒｐｍ、回転時間１０ｓｅｃで乾燥させた。
【００７３】
この実施例２では、周縁洗浄工程の回転数を実施例１の場合よりも低い回転数から開始し、１段階目及び２段階目の時間も実施例１に比べて短い時間としているが、周縁洗浄工程及びフォトレジスト乾燥工程を１回多く繰返している。
【００７４】
この実施例２においても、基板２１の周縁部２１Ａにはレジスト残渣３１Ｃは見られず、フォトレジスト３１が完全に除去され、フォトレジスト３１の端部の盛り上がり部３１Ｂも実施例１同様に１μｍ以下であった。
【００７５】
なお、前述の実施の形態では１回の周縁洗浄工程を２段階に分けて行っているが、本発明は２段階に限定されるものではなく、１段階のみで行ってもよく、また３段階以上に分けて行ってもよい。また、周縁洗浄工程とフォトレジスト乾燥工程との繰返しを実施例１では２回、実施例２では３回繰り返したが、本発明はこの繰返し回数に限定されるものではない。
【００７６】
以上のように、本発明のフォトレジスト塗布方法によれば、基板２１の周縁部２１Ａに流出するフォトレジスト３１のレジスト残渣３１Ｃを確実に除去して基板２１の周縁部２１Ａからフォトレジスト３１を完全に除去するとともに、フォトレジスト３１の外周端部の盛り上がり部３１Ｂも低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明のフォトレジスト塗布方法を用いて製造した固体撮像装置の外観形状を示す斜視図
【図２】固体撮像装置の製造方法を表わす説明図
【図３】固体撮像装置のスペーサ付透明平板の製造方法を表わす説明図
【図４】本発明のフォトレジスト塗布方法を用いて製造した固体撮像装置のスペーサ付透明平板を示す平面図
【図５】スピンコート法及び基板周縁部リンスを説明する斜視図
【図６】本発明の実施の形態に係るフォトレジスト塗布方法を示す説明図
【図７】実施例１の実施条件一覧表
【図８】フォトレジスト外周端部の形状測定値を示すグラフ
【図９】基板周縁部の撮影画像
【図１０】実施例２の実施条件一覧表
【図１１】スピンコート法による基板周縁部のフォトレジストの盛り上がりを示す側面図
【図１２】従来のフォトレジスト塗布方法を用いて製造した固体撮像装置のスペーサ付透明平板を示す平面図
【図１３】レジスト残渣の発生をを説明する概念図
【図１４】基板周縁部のレジスト残渣を示す撮影画像
【符号の説明】
【００７８】
１…固体撮像装置、２…固体撮像素子チップ、３…固体撮像素子、４…透明板、５…スペーサ、６…パッド、７…接着剤、１０…積層体、１２…ウェーハ、１４…透明平板、１５…スペーサ基材、２１…基板、２１Ａ…周縁部（周縁）、３１…フォトレジスト、３１Ｂ…盛り上がり部、３１Ｃ…レジスト残渣、４１…溶剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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