(57)【要約】【課題】  バンクに対する表面処理（撥液化処理）を不要にし、これにより工程を簡易化して生産性を向上した膜パターンの形成方法と、これによって得られる膜パターン、さらにはデバイス、電気光学装置等を提供する。【解決手段】  機能液Ｘ１を基板Ｐ上に配置して膜パターンを形成する方法である。基板Ｐ上に膜パターンの形成領域に対応したバンクＢを形成する工程と、バンクによって区画された領域３４に機能液Ｘ１を配置する工程と、機能液Ｘ１を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有する。バンクＢを形成する工程では、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにし、機能液Ｘ１として、水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いる。【選択図】      図５
2006317567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、
前記機能液を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有し、
前記バンクを形成する工程では、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにし、
前記機能液として、水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記疎水基がメチル基であることを特徴とする請求項１記載の膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記ポリシラザン液又はポリシロキサン液として、光酸発生剤を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液又は感光性ポリシロキサン液を用いることを特徴とする請求項１又は２記載の膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記機能液に含有される機能材料が、導電性材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項５】
機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に第１の機能液を配置する工程と、
配置した前記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程と、
前記バンクによって区画された領域に積層した前記第１の機能液と前記第２の機能液とに対して所定の処理を施すことにより、複数の材料が積層されてなる膜パターンを形成する工程と、を有し、
前記バンクを形成する工程では、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにし、
前記第１の機能液として水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いるとともに、前記第２の機能液として水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記疎水基がメチル基であることを特徴とする請求項５記載の膜パターンの形成方法。
【請求項７】
前記ポリシラザン液又はポリシロキサン液として、光酸発生剤を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液又は感光性ポリシロキサン液を用いることを特徴とする請求項５又は６記載の膜パターンの形成方法。
【請求項８】
前記第１の機能液と第２の機能液とは、互いに異なる種類の機能材料を含有してなる液であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項９】
配置した前記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程に先立ち、前記第１の機能液を固化させておくことを特徴とする請求項５〜８のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
前記第１の機能液および第２の機能液に含有される機能材料は、いずれも導電性材料であることを特徴とする請求項５〜９のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１１】
前記第２の機能液は、形成する膜パターンの主なる機能を担う第２の機能材料を含有し、前記第１の機能液は、前記第２の機能材料と前記基板との密着性を向上させるための第１の機能材料を含有してなることを特徴とする請求項５〜１０のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１２】
前記第１の機能液と第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、前記主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料を含有してなることを特徴とする請求項５〜９のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１３】
前記第１の機能液と第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、絶縁特性を有する材料を含有してなることを特徴とする請求項５〜９のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１４】
前記第１の機能液と第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料を含有してなることを特徴とする請求項５〜９のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１５】
前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料とは、前記プラズマダメージによる拡散を抑制するためのバリア材料であることを特徴とする請求項１４記載の膜パターンの形成方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の形成方法によって形成された膜パターン。
【請求項１７】
請求項１６記載の膜パターンを備えることを特徴とするデバイス。
【請求項１８】
請求項１７記載のデバイスを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１８記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
アクティブマトリクス基板の製造方法において、
基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、
前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、
前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、
前記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、
前記第１の工程、前記第４の工程、前記第６の工程のうちの少なくとも一つの工程では、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の膜パターンの形成方法を用いることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターンとその形成方法、デバイス、電気光学装置、電子機器、及びアクティブマトリクス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路などの微細な配線パターン（膜パターン）の製造には、フォトリソグラフィ法が多く用いられている。これに対し、近年では、液滴吐出法を用いた製造方法が提供されている。この製造方法は、配線パターン形成用の機能材料（導電性微粒子）を含有した機能液（配線パターン用インク）を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であるなど大変有効であるとされている。
【０００３】
ところで、近年ではデバイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例えば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。
しかしながら、このような微細な配線パターンを前記の液滴吐出法による製造方法によって形成しようとした場合、特にその配線幅の精度を十分にだすのが困難である。そのため、基板上に仕切部材であるバンクを設けるとともに、このバンクを撥液性にし、それ以外の部分が親液性となるように表面処理を施す方法が提案されている。
【０００４】
また、液滴吐出法によって配線パターンを形成しようとした場合、特に配線パターン形成用の機能材料となる導電性微粒子を焼成する必要上、比較的高温での熱処理が必須となる。しかし、特にバンクを用いて配線パターンを形成する場合、通常用いられる有機材料からなるバンクでは、この熱処理に対する耐性が低く、熱処理時に溶融してしまうなどの不都合を生じてしまうことがある。
そこで、特に熱処理に対して高い耐性を有する無機質のバンクとして、例えば特許文献１に示されるような、感光性ポリシラザン塗膜からなるバンクを用いることが考えられる。
【特許文献１】特開２００２−７２５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前記の感光性ポリシラザン塗膜からなるバンクにあっては、有機溶媒系の機能液（膜パターン用インク）に対しては十分な撥液性を発揮せず、したがってフルオロカーボン系のガスなどによる表面処理（撥液化処理）が必要となる。
しかしながら、そのように表面処理を行うのでは、工程が複雑になって生産性が損なわれてしまう。特に、バンク内に機能液を配置して第１の機能膜を形成し、その後、これの上に別の機能液を配置して第２の機能膜を形成しようとした場合、第２の機能液を配置する前に、バンクに対して再度表面処理（撥液化処理）を行わなければならないことから、工程がより一層複雑になってしまう。なぜなら、第１の機能膜を形成した際の熱処理により、バンクからフッ素が脱離して撥液性が消失しあるいは低下してしまい、これによって第２の機能液を配置する前に、再度表面処理（撥液化処理）を行う必要が生じてしまうからである。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、バンクに対する表面処理（撥液化処理）を不要にし、これにより工程を簡易化して生産性を向上した膜パターンの形成方法と、これによって得られる膜パターン、さらにはデバイス、電気光学装置、電子機器、及びアクティブマトリクス基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため本発明の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、
前記機能液を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有し、
前記バンクを形成する工程では、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにし、
前記機能液として、水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いることを特徴としている。
【０００８】
この膜パターンの形成方法によれば、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれをパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにしているので、得られたバンクが、その主成分となる骨格が無機質であることにより、熱処理に対し高い耐性を有するものとなる。したがって、例えば機能液を硬化処理する際に比較的高温で熱処理を行う必要がある場合に、バンクが溶融してしまうなどの不都合が生じることなく、熱処理に対し十分対応可能となる。また、得られたバンクが、側鎖に疎水基を有した構造の材質となっているので、撥液化についての表面処理を行わなくても、そのままで良好な撥水性を有するものとなる。よって、特に水系の液状体からなる機能液に対して良好な撥水性を発揮するようになり、したがって、バンクについての撥液化処理が不要になることで工程が簡易化し、生産性が向上するとともに、前記機能液からなる膜パターンについてのパターン精度を十分に高くすることが可能になる。
【０００９】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記疎水基がメチル基であるのが好ましい。
このようにすれば、前記バンクがより良好な撥水性を発揮するようになり、したがって、前記機能液からなる膜パターンについてのパターン精度をより高くすることが可能になる。
【００１０】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記ポリシラザン液又はポリシロキサン液として、光酸発生剤を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液又は感光性ポリシロキサン液を用いるのが好ましい。
このように、ポリシラザン液又はポリシロキサン液をポジ型レジストとして機能するようにすれば、これから得られるバンクのパターン精度をより良好にすることができ、したがって、このバンクから得られる膜パターンについても、そのパターン精度をより高くすることが可能になる。
【００１１】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記機能液に含有される機能材料が、導電性材料であってもよい。
このようにすれば、特に膜パターンとして、配線パターンなどの導電性パターンを形成することができる。
【００１２】
また、本発明における別の膜パターンの形成方法は、機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記膜パターンの形成領域に対応したバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に第１の機能液を配置する工程と、
配置した前記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程と、
前記バンクによって区画された領域に積層した前記第１の機能液と前記第２の機能液とに対して所定の処理を施すことにより、複数の材料が積層されてなる膜パターンを形成する工程と、を有し、
前記バンクを形成する工程では、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにし、
前記第１の機能液として水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いるとともに、前記第２の機能液として水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いることを特徴としている。
【００１３】
この膜パターンの形成方法によれば、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれをパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにしているので、得られたバンクが、その主成分となる骨格が無機質であることにより、熱処理に対し高い耐性を有するものとなる。したがって、例えば機能液を硬化処理する際に比較的高温で熱処理を行う必要がある場合に、バンクが溶融してしまうなどの不都合が生じることなく、熱処理に対し十分対応可能となる。また、得られたバンクが、側鎖に疎水基を有した構造の材質となっているので、撥液化についての表面処理を行わなくても、そのままで良好な撥水性を有するものとなる。よって、特に水系の液状体からなる機能液に対して良好な撥水性を発揮するようになり、したがって、バンクについての撥液化処理が不要になることで工程が簡易化し、生産性が向上するとともに、前記機能液からなる膜パターンについてのパターン精度を十分に高くすることが可能になる。さらに、得られたバンクが、そのままで良好な撥水性を有するものとなるので、第１の機能液から膜パターンを形成した後、これの上に第２の機能液を配置する際、例えば前記膜パターンの形成時に熱処理を行ったとしても、これによってバンクから撥水性が消失し、あるいは著しく低下してしまうといったことがない。したがって、第２の機能液を配置する前に、バンクについての撥液化処理を行う必要がないことから、工程がより簡易化し、生産性が向上する。
【００１４】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記疎水基がメチル基であるのが好ましい。
このようにすれば、前記バンクがより良好な撥水性を発揮するようになり、したがって、前記機能液からなる膜パターンについてのパターン精度をより高くすることが可能になる。
【００１５】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記ポリシラザン液又はポリシロキサン液として、光酸発生剤を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液又は感光性ポリシロキサン液を用いるのが好ましい。
このように、ポリシラザン液又はポリシロキサン液をポジ型レジストとして機能するようにすれば、これから得られるバンクのパターン精度をより良好にすることができ、したがって、このバンクから得られる膜パターンについても、そのパターン精度をより高くすることが可能になる。
【００１６】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と第２の機能液とは、互いに異なる種類の機能材料を含有してなる液であってもよい。
このようにすれば、これら機能液からなる膜パターンは、異なる複数の機能が付与された優れた膜パターンとなる。
【００１７】
また、前記膜パターンの形成方法においては、配置した前記第１の機能液上に第２の機能液を配置する工程に先立ち、前記第１の機能液を固化させておくのが好ましい。
このようにすれば、第１の機能液中の機能材料と第２の機能液中の機能材料とが混じり合わなくなるため、各機能材料から得られる積層構造の膜パターンは、各機能材料に基づく機能、例えば異なる複数の機能を良好に発揮するものとなる。
【００１８】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液および第２の機能液に含有される機能材料が、いずれも導電性材料であってもよい。
このようにすれば、得られる膜パターンを導電性にすることができ、したがってこの膜パターンを配線として用いることができる。
【００１９】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第２の機能液が、形成する膜パターンの主なる機能を担う第２の機能材料を含有し、前記第１の機能液が、前記第２の機能材料と前記基板との密着性を向上させるための第１の機能材料を含有していてもよい。
このようにすれば、第２の機能材料からなる膜パターンの基板に対する密着性が良好になり、したがってこの膜パターンが基板から剥離するのが防止される。
なお、前記の主なる機能とは、得られる膜パターンの主なる機能であり、例えば膜パターンを配線として形成する場合には、主として電流を流す機能である。
また、このような主なる機能をなす第２の機能材料としては銀や銅が挙げられ、このような材料と基板との密着性を向上させるための第１の機能材料としては、クロム、マンガン、鉄、ニッケル、モリブデン、チタン及びタングステン等が挙げられる。
【００２０】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と第２の機能液とのうちの一方が、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方が、前記主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料を含有していてもよい。
このようにすれば、得られる膜パターンが、前記主材料からなる層と、この主材料のエレクトロマイグレーションを抑制するための材料からなる層とからなるので、主材料のエレクトロマイグレーションが抑制される。
なお、エレクトロマイグレーションとは、長時間にわたり配線に電流を流すことによって原子が電子の流れに沿って移動する現象であり、配線の抵抗値の増加や断線の原因となる。
このエレクトロマイグレーションを抑制する材料としては、チタン等が挙げられる。
【００２１】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と第２の機能液とのうちの一方が、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方が、絶縁特性を有する材料を含有していてもよい。
このようにすれば、特に膜パターンが他の導電性の構成要素と接するような場合に、この構成要素と前記主材料との間の導通を防止することが可能になる。
【００２２】
また、前記膜パターンの形成方法においては、前記第１の機能液と第２の機能液とのうちの一方は、形成する膜パターンの主なる機能を担う主材料を含有し、他方は、前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料を含有していてもよい。その場合に、前記主材料のプラズマダメージを抑制するための材料としては、前記プラズマダメージによる拡散を抑制するためのバリア材料であるのが望ましい。
このようにすれば、特に膜パターンがプラズマ照射を受けるような場合に、膜パターン中の主材料からなるパターンが、プラズマによりダメージを受けてしまうのが抑制される。
【００２３】
本発明の膜パターンは、前記の形成方法によって形成されたことを特徴としている。
この膜パターンを形成するためのバンクが、前述したように熱処理に対し十分対応可能となっているので、この膜パターンはバンクによって高精度にパターニングされたものとなる。また、バンクについての撥液化処理が不要になっているので、生産性が向上したものとなる。
【００２４】
本発明のデバイスは、前記膜パターンを備えることを特徴としている。
前述したように高精度にパターニングされ、生産性も向上した膜パターンを備えることにより、このデバイス自体も良好なものとなる。
【００２５】
本発明の電気光学装置は、前記デバイスを備えることを特徴としている。
前述したように良好なデバイスを備えることにより、この電気光学装置自体も良好なものとなる。
【００２６】
本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えることを特徴としている。
前述したように良好な電気光学装置を備えることにより、この電子機器自体も良好なものとなる。
【００２７】
本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、アクティブマトリクス基板の製造方法において、基板上にゲート配線を形成する第１の工程と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、前記ゲート絶縁膜を介して半導体層を積層する第３の工程と、前記ゲート絶縁層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する第４の工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に絶縁材料を配置する第５の工程と、前記絶縁材料を配置した上に画素電極を形成する第６の工程と、を有し、前記第１の工程、前記第４の工程、前記第６の工程のうちの少なくとも一つの工程では、前記の膜パターンの形成方法を用いることを特徴としている。
このアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、ゲート配線、ソース電極及びドレイン電極、画素電極のうちの少なくとも一種を、高精度でしかも良好な生産性のもとで形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
（第１実施形態）
まず、本発明の膜パターンの形成方法を、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含有する配線パターン（膜パターン）用インク（機能液）を液滴状に吐出し、配線パターンに対応して基板上に形成されたバンクの間、すなわちバンクに区画された領域に、配線パターン（膜パターン）を形成するようにした場合の実施形態について説明する。なお、この実施形態では、特に、異なる二種類の機能液を吐出することにより、複数の材料が積層されてなる配線パターン（膜パターン）を形成するものとする。
【００２９】
この配線パターン用インク（機能液）としては、後述するようにバンクとして、ポリメチルシロキサン等の撥水性を有するシロキサン結合を骨格とする、すなわち、ポリシロキサンを骨格とする材質からなるものを用いることから、特に水系の分散媒または溶媒を含有した液状体が用いられる。具体的には、導電性微粒子を水やアルコール等の水系分散媒に分散させた分散液や、有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を水系分散媒に分散させた分散液からなるものである。
本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、鉄、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
【００３０】
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさない水系ものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類を例示できる。
【００３１】
前記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３２】
前記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３３】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、シリコンウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００３４】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３６】
本実施形態では、このような液滴吐出をなす装置として、ピエゾ素子（圧電素子）を用いた電気機械変換方式の、液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料（配線パターン用インク）を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００３７】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、前記の導電性微粒子を含む配線パターン用インクが吐出されるようになっている。
【００３８】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。このＸ軸方向駆動モータ２は、ステッピングモータ等からなるもので、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００３９】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４０】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ、基板Ｐに対して、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出するようになっている。
【００４１】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４２】
また、本実施形態では、前述したように、配線パターンに対応するバンクを基板上に形成するが、これに先立ち、基板に対して親液化処理を施す。この親液化処理は、後述するインク（機能液）の吐出による配置において、吐出されたインクに対する基板Ｐの濡れ性を良好にしておくためのもので、例えば図３（ａ）に示すように、基板Ｐの表面にＴｉＯ２等の親液性（親水性）の高い膜Ｐ０を形成する。または、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を蒸気状にして基板Ｐの被処理面に付着させ（ＨＭＤＳ処理）、親液性の高い膜Ｐ０を形成するようにしてもよい。また、基板Ｐの表面を粗面化することにより、この基板Ｐの表面を親液化してもよい。
【００４３】
（バンク形成工程）
このようにして親液化処理を行ったら、この基板Ｐ上にバンクを形成する。
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、まず、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図３（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に所望のバンク高さに合わせてバンクの形成材料、すなわちポリシラザン液を塗布し、ポリシラザン薄膜３１を形成する。
【００４４】
ここで、バンクの形成材料となるポリシラザン液としては、ポリシラザンを主成分とするもので、特にポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン液が好適に用いられる。この感光性ポリシラザン液は、ポジ型レジストとして機能するようになるもので、露光処理と現像処理とによって直接パターニングすることができるものである。なお、このような感光性ポリシラザンとしては、例えば特開２００２−７２５０４号公報に記載された感光性ポリシラザンを例示することができる。また、この感光性ポリシラザン中に含有される光酸発生剤についても、特開２００２−７２５０４号公報に記載されたものが用いられる。
【００４５】
このようなポリシラザンは、例えばポリシラザンが以下の化学式（１）に示すポリメチルシラザンである場合、後述するように加湿処理を行うことで化学式（２）または化学式（３）に示すように一部加水分解し、さらに４００℃未満の加熱処理を行うことにより、化学式（４）〜化学式（６）に示すように縮合してポリメチルシロキサン［−（ＳｉＣＨ３Ｏ１．５）ｎ−］となる。なお、化学式（２）〜化学式（６）においては、反応機構を説明するため、化学式を簡略化して化合物中の基本構成単位（繰り返し単位）のみを示している。
【００４６】
このようにして形成されるポリメチルシロキサンは、シロキサン結合（ポリシロキサン）を骨格とし、側鎖に疎水基であるメチル基を有したものとなる。したがって、その主成分となる骨格が無機質であることにより、熱処理に対し高い耐性を有するものとなる。また、側鎖に疎水基であるメチル基を有しているので、そのままで良好な撥水性を有するものとなる。ただし、化学式では示さないものの、前記の加熱処理を４００℃以上で行うと、側鎖のメチル基も脱離してポリシロキサンとなり、撥水性が著しく低下する。したがって、本発明においては、特にポリシラザン液からバンクを形成するに際しては、その加熱処理温度を４００℃未満とするのが望ましい。
・化学式（１）；−（ＳｉＣＨ３（ＮＨ）１．５）ｎ−
・化学式（２）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）１．５＋Ｈ２Ｏ  
→ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋０．５ＮＨ３
・化学式（３）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）１．５＋２Ｈ２Ｏ
→ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２＋ＮＨ３
・化学式（４）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋Ｈ２Ｏ
→２ＳｉＣＨ３Ｏ１．５＋２ＮＨ３ 
・化学式（５）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２
→２ＳｉＣＨ３Ｏ１．５＋１．５ＮＨ３
・化学式（６）；ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２＋ＳｉＣＨ３（ＮＨ）０．５（ＯＨ）２
→２ＳｉＣＨ３Ｏ１．５＋ＮＨ３＋Ｈ２Ｏ
【００４７】
続いて、得られたポリシラザン薄膜３１を、例えばホットプレート上にて１１０℃で１分程度プレベークする。
次いで、図３（ｃ）に示すようにマスクを用いてポリシラザン薄膜３１を露光する。このとき、このポリシラザン薄膜３１は前述したようにポジ型レジストとして機能するので、後の現像処理によって除去する箇所を、選択的に露光する。露光光源としては、前記感光性ポリシラザン液の組成や感光特性に応じ、従来のフォトレジストの露光で用いられている高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザー、Ｘ線、電子線等から適宜選択され用いられる。照射光のエネルギー量については、光源や膜厚にもよるものの、通常は０．０５ｍＪ／ｃｍ２以上、望ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ２以上とされる。上限は特にないものの、あまりに照射量を多く設定すると処理時間の関係から実用的でなく、通常は１００００ｍＪ／ｃｍ２以下とされる。露光は、一般に周囲雰囲気（大気中）あるいは窒素雰囲気とすればよいが、ポリシラザンの分解を促進するため、酸素含有量を富化した雰囲気を採用してもよい。
【００４８】
このような露光処理により、光酸発生剤を含有する感光性ポリシラザン薄膜３１は、特に露光部分において膜内で選択的に酸が発生し、これによりポリシラザンのＳｉ−Ｎ結合が解裂する。そして、雰囲気中の水分と反応し、前記の化学式（２）または化学式（３）に示したようにポリシラザン薄膜３１は一部加水分解し、最終的にシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合が生成し、ポリシラザンが分解する。
【００４９】
次いで、このようなシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合の生成、ポリシラザンの分解をより進めるため、図３（ｄ）に示すように露光後のポリシラザン薄膜３１を、例えば２５℃、相対湿度８０％の環境下にて４分程度加湿処理する。このようにしてポリシラザン薄膜３１内に水分を継続的に供給すると、一旦ポリシラザンのＳｉ−Ｎ結合の解裂に寄与した酸が繰り返し解裂触媒として働く。このＳｉ−ＯＨ結合は露光中においても起こるが、露光後、露光された膜を加湿処理することにより、ポリシラザンのＳｉ−ＯＨ化がより一層促進される。
【００５０】
なお、このような加湿処理における処理雰囲気の湿度については、高ければ高いほどＳｉＯＨ化速度を速くすることができる。ただし、あまり高くなると膜表面に結露してしまうおそれがあり、したがってこの観点から相対湿度９０％以下とするのが実用的である。また、このような加湿処理については、水分を含有した気体を、ポリシラザン薄膜３１に接触させるようにしてやればよく、したがって、加湿処理装置内に露光された基板Ｐを置き、水分含有気体をこの加湿処理装置に連続的に導入するようにすればよい。または、予め水分含有気体が導入されて調湿された状態の加湿処理装置内に、露光された基板Ｐを入れ、所望時間放置するようにしてもよい。
【００５１】
次いで、例えば濃度２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）液によって加湿処理後のポリシラザン薄膜３１を２５℃で現像処理し、被露光部を選択的に除去することにより、図４（ａ）に示すようにポリシラザン薄膜３１を所望のバンク形状とする。これにより、目的とする膜パターンの形成領域に対応したバンクＢ、Ｂを形成するとともに、例えば溝状の膜パターン形成領域３４を形成する。なお、現像液としては、ＴＭＡＨ以外の他のアルカリ現像液、例えばコリン、珪酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることもできる。
【００５２】
次いで、必要に応じて純水でリンスした後、図４（ｂ）に示すように得られたバンクＢ、Ｂ間の残渣処理を行う。残渣処理としては、紫外線を照射することによる紫外線（ＵＶ）照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理、フッ酸溶液で残渣部をエッチングするフッ酸処理などが用いられる。本実施形態では、例えば濃度０．２％のフッ酸水溶液によって２０秒程度接触処理を行う、フッ酸処理を採用する。このような残渣処理を行うと、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能することにより、バンクＢ、Ｂ間に形成された膜パターン形成領域３４の底部３５が選択的にエッチングされ、ここに残ったバンク材料等が除去される。
【００５３】
次いで、図４（ｃ）に示すように、基板ＰのバンクＢを形成した側の面に対し、全面露光を行う。露光条件については、図３（ｃ）に示した工程での露光処理条件と同様とする。このようにして全面露光を行うことにより、先の露光処理では露光されなかったバンクＢが露光される。これにより、バンクＢを形成するポリシラザンは一部加水分解し、最終的にシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合が生成してポリシラザンが分解する。
次いで、図４（ｄ）に示すように再度加湿処理を行う。加湿条件については、図３（ｄ）に示した工程での加湿処理条件と同様とする。このようにして加湿処理を行うと、バンクＢを形成するポリシラザンはＳｉ−ＯＨ化がより一層促進される。
【００５４】
次いで、例えば３５０℃で６０分程度加熱することにより、図４（ｄ）に示すように焼成処理を行う。このようにして焼成処理を行うと、先に加湿処理されてＳｉＯＨ化されたポリシラザンからなるバンクＢは、焼成により前記の化学式（４）〜化学式（６）に示したように容易に（ＳｉＯＳｉ）化し、ＳｉＮＨ結合がほとんど（又は全く）存在しないシリカ系セラミックス膜、例えばポリメチルシロキサンに転化される。
すると、このポリメチルシロキサン（シリカ系セラミックス膜）からなるバンクＢは、前述したようにシロキサン結合（ポリシロキサン）を骨格とし、側鎖に疎水基であるメチル基を有したものとなることから、熱処理に対し高い耐性を有し、また、撥液化処理を行うことなく、そのままで良好な撥水性を有したものとなる。
なお、ここでの焼成温度を例えば４００℃以上で行うと、側鎖のメチル基が脱離して撥水性が著しく低下するおそれがある。したがって、焼成温度については、４００℃未満で行うのが好ましく、３５０℃以下程度で行うのが望ましい。
【００５５】
（機能液配置工程）
次に、前記の液滴吐出装置ＩＪを用い、図５（ａ）に示すように配線パターン用インク（第１の機能液）Ｘ１をバンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に露出した基板Ｐ上に吐出し、配置する。本発明では、配線パターン用インク（第１の機能液）Ｘ１として、水等の分散媒に導電性微粒子を分散させてなる、前記の液状体を用いる。なお、本実施形態では、導電性微粒子として、例えばクロムを用いた配線パターン用インクＬを吐出するものとする。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４〜７ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００５６】
この材料配置工程では、図５（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用インクＸ１を液滴にして吐出し、その液滴をバンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に露出した基板Ｐ上に配置させる。
このとき、膜パターン形成領域３４は、バンクＢに囲まれているので、配線パターン用インクＸ１が所定位置以外に拡がることを阻止される。また、バンクＢは前述したように撥水性を有した材質となっているため、吐出された水系の配線パターン用インクＸ１の一部がバンクＢ上にのっても、その撥水性によってバンクＢからはじかれ、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に流れ落ちるようになる。さらに、膜パターン形成領域３４に露出した基板Ｐは親液性が付与されているため、吐出された配線パターン用インクＸ１が膜パターン形成領域３４にて露出した基板Ｐ上で拡がり易くなる。これにより、図５（ｃ）に示すように配線パターン用インクＸ１を、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４の延在方向に均一に配置することができる。
【００５７】
（中間乾燥工程）
基板Ｐに所定量の配線パターン用インクＸ１を吐出した後、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして、この乾燥処理によって配線パターン用インクＸ１は、自らの上に配置される他の種類の配線パターン用インクと混じり合わない程度に固化される。この乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
そして、この中間乾燥工程によって、図６（ａ）に示すように膜パターン形成領域３４の基板Ｐ上には、クロムを導電性微粒子として含む配線パターン用インクＸ１の層が形成される。
なお、配線パターン用インクＸ１の分散媒を除去しなくとも、配線パターン用インクＸ１と次に吐出する他の配線パターン用インク（第２の機能液）とが混じり合わない場合には、中間乾燥工程を省略しても良い。
【００５８】
また、この中間乾燥工程において、乾燥条件によっては、基板Ｐ上に配置された配線パターン用インクＸ１が多孔体になる場合がある。例えば、１２０℃加熱を５分間程度、あるいは１８０℃加熱を６０分間程度行った場合には、配線パターン用インクＸ１が多孔体となる。このように、配線パターン用インクＸ１が多孔体になった場合には、配線パターン用インクＸ１上に配置される第２の機能液（異なる金属）が配線パターン用インクＸ１の中に入り込んでしまい、配線パターン用インクＸ１の層が所望の機能を得られないことが懸念される。このため、本中間乾燥工程においては、配線パターン用インクＸ１が多孔体とならないような乾燥条件で乾燥することが好ましい。例えば、６０℃加熱を５分間程度、２００℃加熱を６０分間程度あるいは２５０℃加熱を６０分間程度行うことにより、配線パターン用インクＸ１が多孔体になることを抑止することができる。
【００５９】
ここで、バンクＢは、疎水基を有する材質からなっており、表面処理を行うことなくそのままで撥水性を発揮するようになっている。したがって、このような加熱による乾燥を行っても、その撥水性が消失したり著しく低下するといったことがない。よって、配線パターン用インクＸ１上にさらに別の機能液（配線パターン用インク）を配置する場合にも、バンクＢに関して表面処理（撥水処理）を行う必要はない。
【００６０】
このようにして、配線パターン用インクＸ１（第１の機能液）からなる層を形成したら、この配線パターン用インクＸ１上に、異なる導電性微粒子を含む配線パターン用インク（第２の機能液）を配置することにより、膜パターン形成領域３４に異なる種類の配線パターン用インクが積層されてなる配線パターン（膜パターン）を形成する。なお、本実施形態では、銀を導電性微粒子として用いた水系の配線パターン用インクＸ２を第１の機能液とし、配線パターン用インクＸ１上に配置する。
【００６１】
具体的には、配線パターン用インクＸ２を用いて前述の材料配置工程を再度行うことにより、図６（ｂ）に示すように、配線パターン用インクＸ１上に配線パターン用インクＸ２を配置する。
そして、前述の中間乾燥工程を再度行うことにより、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去し、図５（ｃ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４に配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とが積層されてなる配線パターン３３を形成する。
なお、配線パターン用インクＸ２の分散媒を除去するための中間乾燥工程を省略して、後述する熱処理／光処理工程を行っても良い。
【００６２】
（熱処理／光処理工程）
吐出工程後の乾燥膜については、微粒子間の電気的接触をよくするため、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。そのため、吐出工程後の基板Ｐには熱処理及び／又は光処理を施すようにする。
【００６３】
熱処理及び／又は光処理は、通常大気中で行うが、必要に応じて窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度としては、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
【００６４】
本実施形態では、特に、３５０℃で６０分程度加熱処理することにより、配線パターン用インクＸ１と配線パターン用インクＸ２とからなる配線パターン３３中の分散媒等を十分に除去する。このとき、バンクＢは、その主成分となる骨格が無機質であるので、熱処理に対し高い耐性を有し、前記条件での熱処理に対しても溶融してしまうなどの不都合を生じることなく、十分な耐性を発揮するものとなる。
【００６５】
以上の工程により、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４にクロムと銀とが積層されてなる配線３３を形成することができる。
なお、機能液に、導電性微粒子でなく、熱処理または光処理により導電性を発現する材料を含有させておき、本熱処理／光処置工程において配線パターン３３に導電性を発現させるようにしてもよい。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態の配線パターン３３（膜パターン）の形成方法では、材質そのものの特性として撥水性を有したバンクＢを用いるので、このバンクＢに対し、特に撥液化についての表面処理を行わなくても、バンクＢがそのままで良好な撥水性を有するものとなる。よって、特に水系の液状体からなる配線パターン用インクＸ１（第１の機能液）、配線パターン用インクＸ２（第２の機能液）に対し、バンクＢが良好な撥水性を発揮するようになり、したがって、バンクＢについての撥液化処理が不要になることで工程が簡易化し、生産性が向上するとともに、前記機能液からなる配線パターン３３についてのパターン精度を十分に高くすることができる。
また、得られたバンクＢがそのままで良好な撥水性を有するので、配線パターン用インクＸ１から膜パターンを形成した後、これの上に配線パターン用インクＸ２を配置する際にも、バンクＢについて撥液化処理を行う必要がなく、したがって、工程がより簡易化し、生産性が向上する。
さらに、バンクＢはその主成分となる骨格が無機質であり、熱処理に対し高い耐性を有しているので、配線パターン用インクＸ１、Ｘ２からなる膜パターンを焼成処理しても、その際に溶融してしまうなどの不都合を生じることなく十分な耐性を発揮するものとなる。したがって、プロセスの自由度を高めることができる。
【００６７】
また、このような形成方法によって得られた配線パターン３３（膜パターン）は、前述したようにバンクＢが熱処理に対し十分対応可能となっているので、バンクＢによって高精度にパターニングされたものとなり、さらに、バンクＢについての撥液化処理が不要になっているので、生産性が向上したものとなる。
また、バンクＢ、Ｂ間の膜パターン形成領域３４にクロムと銀とが積層されてなる配線が形成されるので、配線としての主な機能を担う銀を、クロムにより基板Ｐに対して確実に密着させることができる。
【００６８】
なお、前記実施形態では、特にポジ型レジストとして機能する感光性ポリシラザン液によってバンクＢを形成したが、本発明はこれに限定されることなく、ネガ型として機能するポリシラザン液によってバンクＢを形成するようにしてもよい。また、ポリシラザン液の種類によっては、図３（ｄ）、図４（ｄ）に示した加湿処理を省略することもできる。
さらに、バンクＢの形成材料として感光性ポリシラザン液を用いるのに代えて、ポリシロキサン液（感光性ポリシロキサン液）を用い、このポリシロキサン液から直接的にポリメチルシロキサン等のポリシロキサン製のバンクＢを形成するようにしてもよい。
【００６９】
また、前述したようにバンクＢ表面が撥液性となっていることにより、配線パターン用インクＸ１、Ｘ２は、バンクＢからはじかれ、膜パターン形成領域３４に流れ落ちるようになる。しかしながら、配線パターン用インクＸ１、Ｘ２の一部が、例えばバンクＢの上面に触れた場合には、バンクＢの上面に微細な残渣が残る場合がある。このため、例えば本実施形態に係る配線パターンの形成方法によって形成した配線パターンをＴＦＴのゲート配線に用いた場合には、ＴＦＴのチャネル長が変化し、リーク電流が増大する等の不都合が生じることが懸念される。そこで、膜パターン形成領域３４に配線３３を形成した後に、バンクＢの上面の残渣を除去する工程を行うことが好ましい。具体的には、バンクＢの上面に対してウエットエッチング処理、ドライエッチング処理あるいは研磨処理等の行うことによって、バンクＢの上面を削り取ることによって、バンクＢの上面の残渣を除去することができる。
【００７０】
また、バンクＢの上面の残渣を除去する際に、バンクＢの上面と配線３３の上面とが略同一面となるようにバンクＢの上面を削り取ることが好ましい。このように、バンクＢの上面と配線３３の上面とを略同一面とすることにより、例えば、本実施形態に係る膜パターンの形成方法によって形成した配線パターンを液晶表示装置に備えられるＴＦＴのソース線あるいはドレイン線に用いる場合に、ＴＦＴ上に配置される配向膜の平坦性を確保することができ、ラビング処理等にムラが生じることを抑止することができる。
【００７１】
（第２実施形態）
第２実施形態として、前記第１実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図７を参照して説明する。なお、本第２実施形態においては、前記第１実施形態と異なる部分について説明する。
本第２実施形態では、前記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことにより、図７に示すように、膜パターン形成領域３４にチタンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ３と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２とを積層する。なお、図示したように、膜パターン形成領域３４には、基板Ｐ側から配線パターン用インクＸ３、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ３の順で積層する。すなわち、配線パターン用インクＸ２については、配線パターン用インクＸ３に挟まれた状態となるように膜パターン形成領域３４に配置する。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２，Ｘ３に前記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことにより、膜パターン形成領域３４に、チタン、銀、チタンの順に積層されてなる配線３３を形成する。
【００７２】
チタンと銀の積層からなる配線は、銀単層と比較してエレクトロマイグレーションの発生が遅いという性質を有しているため、本実施形態のように、銀がチタンによって挟まれてなる配線３３は、導電率が確保されると共にエレクトロマイグレーションの発生が遅くなる。従って、本実施形態によれば、エレクトロマイグレーションの発生を抑制した配線３３を得ることが可能となる。
なお、エレクトロマイグレーションの発生を遅らせる材料としては、前述のチタンの他に、鉄、パラジウム及びプラチナ等を挙げることができる。
【００７３】
（第３実施形態）
第３実施形態として、前記第１実施形態及び第２実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図８を参照して説明する。なお、本第３実施形態においては、前記第１実施形態と異なる部分について説明する。
本第３実施形態では、前記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことにより、図８に示すように、膜パターン形成領域３４にクロムを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ１と銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２とを積層する。なお、図示したように、膜パターン形成領域３４には、基板Ｐ側から配線パターン用インクＸ１、配線パターン用インクＸ２、配線パターン用インクＸ１の順で積層する。すなわち、配線パターン用インクＸ２については、配線パターン用インクＸ１に挟まれた状態となるように膜パターン形成領域３４に配置する。
そして、これらの配線パターン用インクＸ１，Ｘ２に前記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことにより、膜パターン形成領域３４に、クロム、銀、クロムの順に積層されてなる配線３３を形成する。
【００７４】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるクロムの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上されると共に、銀の上に配置されるクロムの層によって、銀の酸化及び損傷を防止することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、密着性が向上すると共に、耐酸化性及び耐傷性を有した配線３３を得ることが可能となる。
【００７５】
（第４実施形態）
第４実施形態として、前記第１実施形態〜第３実施形態とは異なる構成からなる配線３３について、図９を参照して説明する。なお、本第４実施形態においては、前記第１実施形態と異なる部分について説明する。
本第４実施形態では、前記第１実施形態において説明した材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行うことによって、図９に示すように、膜パターン形成領域３４に、基板Ｐ側からマンガンを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ４、銀を導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ２、ニッケルを導電性微粒子として用いた配線パターン用インクＸ５を順に積層する。
そして、これらの配線パターン用インクＸ２、Ｘ４、Ｘ５に前記第１実施形態において説明した熱処理／光処理工程を行うことにより、膜パターン形成領域３４に、マンガン、銀、ニッケルの順に積層してなる配線３３を形成する。
【００７６】
このように構成された配線３３は、銀と基板Ｐとの間に配置されるマンガンの層によって、銀と基板Ｐとの密着性が向上される。また、ニッケルは、基板Ｐと銀の密着性を向上する機能の他に、プラズマ照射による銀の劣化を抑止する機能を有している。このため、銀の上にニッケルを配置することにより、配線３３が形成された基板Ｐに対してプラズマ照射を行う際に、銀の劣化を抑止することができる配線３３を得ることができる。
【００７７】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば配線３３として、特に導電性微粒子を含有してなる配線パターン用インクを第１の機能液として基板Ｐ上に塗布し、乾燥等を行った後、これの上に絶縁特性を有する材料を含有する水系のインク（第２の機能液）を塗布し、乾燥することで、導電膜と絶縁膜とからなる膜パターン（配線パターン）を形成するようにしてもよい。
また、本発明で形成する膜パターンとしては、複数の機能液で形成する場合に、これら機能液を同じ材料としてもよく、その場合には、一回の塗布処理では所望の膜厚が得られないような場合に、処理を繰り返すことで、所望の膜厚が得られるようにすることができる。
さらに、複数の機能液を積層することなく、一回の機能液塗布で、本発明に係る膜パターンを形成するようにしてもよく、また、膜パターンの種類についても、配線パターン以外の絶縁パターンなどとしてもよい。
【００７８】
（実験例）
ここで、前記の実施形態において形成したポリシラザン液からなるバンクの、各種インク（機能液）やこれに用いられる分散媒に対する濡れ性を調べるため、その接触角（静的接触角）を調べた。得られた結果を以下に示す。また、比較のため、バンクとして、従来のアクリル系樹脂からなるバンクについても、その接触角を調べた。さらに、アクリル系樹脂からなるバンクについては、ＣＦ４ガスを用いたプラズマ処理による撥液化処理を行ったものについても、インクに対する接触角を調べた。なお、以下のバンク材質についての表記において、ポリシラザンとしたのは、ポリシラザン液を塗布し、最終的にポリメチルシロキサンとしたことを意味している。
・インク材料                        接触角            バンク材質
水                                ９４°            ポリシラザン
テトラデカン                      １５°            ポリシラザン
Ａｇインク（炭化水素系分散媒）    ２４°            ポリシラザン
Ｍｎインク（炭化水素系分散媒）    ２１°            ポリシラザン
Ａｇインク（水系分散媒）          ５０°            ポリシラザン
Ｎｉインク（水系分散媒）          ４６°            ポリシラザン
水                                ６５°            アクリル系樹脂
水                              １００°        アクリル系樹脂（撥液化処理）
テトラデカン                      ２６°            アクリル系樹脂
テトラデカン                      ５４°        アクリル系樹脂（撥液化処理）
【００７９】
このような実験により、本発明におけるポリシラザン液（ポリメチルシロキサン）からなるバンクは、水に対する撥液性、すなわち撥水性が９４°と良好であり、従来の撥液化処理後のアクリル系樹脂に対するテトラデカンの接触角（５４°）や、撥液化処理後のアクリル系樹脂に対する水の接触角（１００°）と同等以上であることが確認された。また、水系分散媒を用いたインク（Ａｇインク、Ｎｉインク）についても、良好な撥水性を発揮することが確認された。
【００８０】
（電気光学装置）
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図１０は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１１は図１０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１２は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１３は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【００８１】
図１０及び図１１において、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【００８２】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００８３】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape  Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００８４】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１２に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、図１２は、本発明に係るアクティブマトリクス基板の一例を示す図となっている。
データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００８５】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１５に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００８６】
図１３は、ボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、この図に示すボトムゲート型ＴＦＴ３０は、本発明におけるデバイスの一実施形態となるものである。ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、前記実施形態の膜パターン形成方法によって形成された複数の異なる材料が積層されてなるゲート配線６１が形成されている。ここで、本実施形態では、ゲート配線６１を形成する際に、前述したようにポリシロキサン骨格を有する無機質のバンク材を用いているので、後述するアモルファスシリコン層を形成するプロセスで約３５０℃にまで加熱されても、バンクＢがその温度に十分耐え得るものとなっている。また、本実施形態においては、クロム６１ａと銀６１ｂとが積層されてなるゲート配線６１を一例として図示する。
【００８７】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。そして、前記のゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分が、チャネル領域となっている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るため、例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示したようにパターニングされている。
【００８８】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯからなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施すことで、図示したようにパターニングする。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を形成し、これらバンク６６…間に前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、ソース線、ドレイン線を形成する。なお、バンク６６…を本発明に係る前記のポリシラザン液から形成することにより、前記のソース線及びドレイン線についても、本発明に係る膜パターンとすることができる。
【００８９】
したがって、本実施形態では、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線を複数の異なる材料が積層されてなる配線として形成することができ、複数の機能性を有するゲート線６１、ソース線及びドレイン線を得ることができる。
なお、この配線が前記第１実施形態において説明したクロムと銀との２層からなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、前記配線が第２実施形態において説明したチタン、銀、チタンの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線のエレクトロマイグレーションが抑制された液晶表示装置１００を得ることができる。また、前記配線が第３実施形態において説明したクロム、銀、クロムの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に耐酸化性及び耐傷性が向上された液晶表示装置１００を得ることができる。また、前記配線が前記第４実施形態において説明したマンガン、銀、ニッケルの順で積層されてなる場合には、ゲート線６１、ソース線及びドレイン線の密着性が向上されると共に銀のプラズマ処理による劣化が抑止された液晶表示装置１００を得ることができる。
【００９０】
前記実施形態では、本発明におけるデバイスの一実施形態であるＴＦＴ３０を、液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに適用することができる。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
そして、前記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬ装置を製造することができる。
本発明における電気光学装置の範囲には、このような有機ＥＬ装置も含まれており、本発明によれば、例えば複数の機能性を有する配線を備えた有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００９１】
図１４は、前記液滴吐出装置ＩＪにより一部の構成要素が製造された有機ＥＬ装置の側断面図である。図１４を参照しながら、有機ＥＬ装置の概略構成を説明する。
図１４において、有機ＥＬ装置３０１は、基板３１１、回路素子部３２１、画素電極３３１、バンク部３４１、発光素子３５１、陰極３６１（対向電極）、および封止基板３７１から構成された有機ＥＬ素子３０２に、フレキシブル基板（図示略）の配線および駆動ＩＣ（図示略）を接続したものである。回路素子部３２１は、アクティブ素子であるＴＦＴ３０が基板３１１上に形成され、複数の画素電極３３１が回路素子部３２１上に整列して構成されたものである。そして、ＴＦＴ３０を構成するゲート配線６１が、前述した実施形態の配線パターンの形成方法により形成されている。
【００９２】
各画素電極３３１間にはバンク部３４１が格子状に形成されており、バンク部３４１により生じた凹部開口３４４に、発光素子３５１が形成されている。なお、発光素子３５１は、赤色の発光をなす素子と緑色の発光をなす素子と青色の発光をなす素子とからなっており、これによって有機ＥＬ装置３０１は、フルカラー表示を実現するものとなっている。陰極３６１は、バンク部３４１および発光素子３５１の上部全面に形成され、陰極３６１の上には封止用基板３７１が積層されている。
【００９３】
有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ装置３０１の製造プロセスは、バンク部３４１を形成するバンク部形成工程と、発光素子３５１を適切に形成するためのプラズマ処理工程と、発光素子３５１を形成する発光素子形成工程と、陰極３６１を形成する対向電極形成工程と、封止用基板３７１を陰極３６１上に積層して封止する封止工程とを備えている。
【００９４】
発光素子形成工程は、凹部開口３４４、すなわち画素電極３３１上に正孔注入層３５２および発光層３５３を形成することにより発光素子３５１を形成するもので、正孔注入層形成工程と発光層形成工程とを具備している。そして、正孔注入層形成工程は、正孔注入層３５２を形成するための液状体材料を各画素電極３３１上に吐出する第１吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて正孔注入層３５２を形成する第１乾燥工程とを有している。また、発光層形成工程は、発光層３５３を形成するための液状体材料を正孔注入層３５２の上に吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体材料を乾燥させて発光層３５３を形成する第２乾燥工程とを有している。なお、発光層３５３は、前述したように赤、緑、青の３色に対応する材料によって３種類のものが形成されるようになっており、したがって前記の第２吐出工程は、３種類の材料をそれぞれに吐出するために３つの工程からなっている。
この発光素子形成工程において、正孔注入層形成工程における第１吐出工程と、発光層形成工程における第２吐出工程とで前記の液滴吐出装置ＩＪを用いることができる。
【００９５】
前述した実施形態においては、本発明に係る膜パターン形成方法を使って、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート配線を形成しているが、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などの他の構成要素を製造することも可能である。以下、ＴＦＴを製造する方法について図１５を参照しながら説明する。
【００９６】
図１５（ａ）に示すように、まず、洗浄したガラス基板５１０の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の溝５１１ａを設けるための第１層目のバンク５１１を、前記のポリシラザン液を用いて形成する。このようにポリシラザンから形成される、ポリシロキサンを骨格とする無機材料からなるバンクは、前述したように撥水性を有し、さらに光透過性も有するものとなる。
【００９７】
前記第１層目のバンク形成工程に続くゲート走査電極形成工程では、バンク５１１で区画された描画領域である前記溝５１１ａ内を満たすように、導電性材料を含む水系機能液の液滴をインクジェットで吐出することで、ゲート走査電極５１２を形成する。すなわち、このゲート走査電極５１２を形成する際には、本発明に係る膜パターンの形成方法が適用される。
このときの導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたゲート走査電極５１２は、バンク５１１が十分な撥水性を有しているので、溝５１１ａからはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
【００９８】
以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１１とゲート走査電極５１２からなる平坦な上面を備えた銀（Ａｇ）からなる第１の導電層Ａ１が形成される。
また、溝５１１ａ内における良好な吐出結果を得るためには、図１５（ａ）に示すように、この溝５１１ａの形状として順テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【００９９】
次に、図１５（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜５１３、活性層５１０、コンタクト層５０９の連続成膜を行う。ゲート絶縁膜５１３として窒化シリコン膜、活性層５１０としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層５０９としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、前記のポリシラザン液からなる無機系のバンクに用いることで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することができる。
【０１００】
前記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図１５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜５１３の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記溝５１１ａと交差する溝５１４ａを設けるための２層目のバンク５１４を、やはり前記のポリシラザン液を用いて形成する。このようにポリシラザンから形成される無機質のバンクは、前述したように撥水性を有し、さらに光透過性も有するものとなる。
【０１０１】
前記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク５１４で区画された描画領域である前記溝５１４ａ内を満たすように、導電性材料を含む水系機能液の液滴をインクジェットで吐出することで、図１５（ｄ）に示すように、前記ゲート走査電極５１２に対して交差するソース電極５１５及びソース電極５１６が形成される。そして、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を形成するときに、本発明に係る膜パターンの形成方法が適用される。
【０１０２】
このときの導電性材料としては、Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース電極５１５及びドレイン電極５１６は、バンク５１４が十分な撥水性を有しているので、溝５１４ａからはみ出ることなく、微細な配線パターンを形成することが可能となっている。
また、ソース電極５１５及びドレイン電極５１６を配置した溝５１４ａを埋めるように絶縁材料５１７が配置される。以上の工程により、基板５１０上には、バンク５１４と絶縁材料５１７からなる平坦な上面５２０が形成される。
【０１０３】
そして、絶縁材料５１７にコンタクトホール５１９を形成するとともに、上面５２０上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）５１８を形成し、コンタクトホール５１９を介してドレイン電極５１６と画素電極５１８とを接続することで、ＴＦＴが形成される。
【０１０４】
図１６は、液晶表示装置の別の実施形態を示す図である。
図１６に示す液晶表示装置（電気光学装置）９０１は、大別するとカラーの液晶パネル（電気光学パネル）９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３とを備えている。また、必要に応じて、バックライト等の照明装置、その他の付帯機器が液晶パネル９０２に付設されている。
【０１０５】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、いわゆるセルギャップには液晶が封入されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成されている。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａ及び偏光板９０６ｂが貼り付けられている。なお、図２１においては、偏光板９０６ｂの図示を省略している。
【０１０６】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ、９０７ｂはストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成されている。また、これらの電極９０７ａ、９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成されている。基板９０５ａは、基板９０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子９０８が形成されている。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成するときに電極９０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されている。これらの端子９０８には、電極９０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されるものが含まれる。
【０１０７】
回路基板９０３には、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣとしての半導体素子９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、半導体素子９００が実装される部位以外の部位の所定位置には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品が実装されていてもよい。配線基板９０９は、例えばポリイミド等の可撓性を有するフィルム状のベース基板９１１の上に形成されたＣｕ等の金属膜をパターニングして配線パターン９１２を形成することによって製造されている。
【０１０８】
本実施形態では、液晶パネル９０２における電極９０７ａ、９０７ｂ及び回路基板９０３における配線パターン９１２が本発明の膜パターンの形成方法によって形成されている。したがって、本実施形態の液晶表示装置によれば、前述したように高精度にパターニングされ、生産性も向上した配線パターン９１２等の膜パターンを備えることにより、この液晶表示装置自体も良好なものとなる。
【０１０９】
なお、前述した例はパッシブ型の液晶パネルであるが、アクティブマトリクス型の液晶パネルとしてもよい。すなわち、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、各ＴＦＴに対し画素電極を形成する。また、各ＴＦＴに電気的に接続する配線（ゲート配線、ソース配線）を前記のようにインクジェット技術を用いて形成することができる。一方、対向する基板には対向電極等が形成されている。このようなアクティブマトリクス型の液晶パネルにも本発明を適用することができる。
【０１１０】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１７（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１７（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は前記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１７（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１７（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は前記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１７（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１７（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は前記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図１７（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前記実施形態の液晶表示装置を備えたものであるので、この電子機器自体も良好なものとなる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】液滴吐出装置の概略斜視図である。
【図２】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図３】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図４】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図５】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図６】本発明に係る配線パターンの形成方法を工程順に説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態を説明するための図である。
【図８】本発明の第３実施形態を説明するための図である。
【図９】本発明の第４実施形態を説明するための図である。
【図１０】液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図１１】図１０のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図１２】液晶表示装置の等価回路図である。
【図１３】同、液晶表示装置の部分拡大断面図である。
【図１４】有機ＥＬ装置の部分拡大断面図である。
【図１５】薄膜トランジスタを製造する工程を説明するための図である。
【図１６】液晶表示装置の別形態を示す図である。
【図１７】本発明の電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【０１１２】
Ｂ……バンク、Ｐ……基板、Ｘ１〜Ｘ３……配線パターン用インク（機能液）、３０……ＴＦＴ（スイッチング素子）、３３……配線パターン（膜パターン）、３４……膜パターン形成領域（バンクによって区画された領域）、１００……液晶表示装置（電気光学装置）、４００……非接触型カード媒体（電子機器）、６００……携帯電話本体（電子機器）、７００……情報処理装置（電子機器）、８００……時計本体（電子機器）  
【図１】
2006317567.tif 000003
【図２】
2006317567.tif 000004
【図３】
2006317567.tif 000005
【図４】
2006317567.tif 000006
【図５】
2006317567.tif 000007
【図６】
2006317567.tif 000008
【図７】
2006317567.tif 000009
【図８】
2006317567.tif 000010
【図９】
2006317567.tif 000011
【図１０】
2006317567.tif 000012
【図１１】
2006317567.tif 000013
【図１２】
2006317567.tif 000014
【図１３】
2006317567.tif 000015
【図１４】
2006317567.tif 000016
【図１５】
2006317567.tif 000017
【図１６】
2006317567.tif 000018
【図１７】
2006317567.tif 000019