(57)【要約】  【課題】  めっきによる変形量が極めて少なく、光情報記録媒体用スタンパとして好適な電鋳物を提供すること。  【解決手段】  ニッケル（Ｎｉ）金属等のめっき金属膜から形成され、被めっき物表面から転写された微細パターンを有し、光情報記録媒体用スタンパとして好適な電鋳物であって、電鋳によって生じる電着応力が０ＭＰａ〜８０ＭＰａの圧縮応力であり、表面の微細パターンの変形量が約±２μｍ以内である電鋳物。この電鋳物は、例えば、μ−ＴＡＳデバイス等のように、微細パターンを有する金属からなる電鋳物そのものをパターニング部材として、または電鋳物を分割した一部が特定のシステムを構築したパターニング部材として使用することができる。  【選択図】  図２
2006138001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細パターンを有する金属膜からなる電鋳物であって、
電鋳によって生じる電着応力が、０ＭＰａ〜８０ＭＰａの圧縮応力であることを特徴とする電鋳物。
【請求項２】
前記電鋳が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種の金属をめっきすることを特徴とする請求項１記載の電鋳物。
【請求項３】
前記電鋳が、Ｎｉ金属をめっきすることを特徴とする請求項２記載の電鋳物。
【請求項４】
前記金属膜の厚さが、１００μｍ〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１記載の電鋳物。
【請求項５】
前記金属膜が、光情報記録媒体用スタンパであることを特徴とする請求項１記載の電鋳物。
【請求項６】
前記金属膜が、当該金属膜自体を用いるパターニング部材である、または前記金属膜を分割した一部分が特定のシステムを構築しているパターニング部材であることを特徴とする請求項１記載の電鋳物。
【請求項７】
微細パターンを有する被めっき物表面に電鋳によりめっき膜を形成する電鋳工程と、
前記電鋳工程により形成された前記めっき膜を剥離し、前記微細パターンが転写された電鋳物を形成する剥離工程と、を有し、
前記電鋳工程における前記めっき膜の電着応力が、０ＭＰａ〜８０ＭＰａの圧縮応力であることを特徴とする電鋳物の製造方法。
【請求項８】
前記電鋳工程が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種の金属をめっきすることを特徴とする請求項７記載の電鋳物の製造方法。
【請求項９】
前記電鋳工程が、Ｎｉ金属膜を厚さ１００μｍ〜１０００μｍにめっきすることを特徴とする請求項７記載の電鋳物の製造方法。
【請求項１０】
電鋳により形成された光情報記録媒体用スタンパであって、
前記電鋳によって生じる０ＭＰａ〜８０ＭＰａの圧縮応力を有することを特徴とする光情報記録媒体用スタンパ。
【請求項１１】
前記電鋳がＮｉ金属をめっきすることを特徴とする請求項１０記載の光情報記録媒体用スタンパ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電鋳物等に関し、より詳しくは、表面に微細パターンが形成された電鋳物等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電鋳技術は、プリント基板配線用の銅めっき、磁気ディスク、磁気ディスク用ヘッドの作製等に利用されている。特に、光情報記録媒体を得るためのスタンパ等の作製には、微細形状パターンを高精度に転写できる有効な方法として活用されている。また、最近では、マイクロ・エレクトロメカニカル・システム（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ：ＭＥＭＳ）やマイクロトータル・アナリシス・システム（Ｍｉｃｒｏ−Ｔｏｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｓｙｓｔｅｍ：μ−ＴＡＳ）にも電鋳技術が適用され、微小センサーやアクチュエータ、医療用の微小分析機器の製造に活用されている。さらに、マイクロマシンを超えたナノサイズの歯車、ばね等の作製にも適用されている。
【０００３】
ここで、マイクロ・エレクトロメカニカル・システム（ＭＥＭＳ）とは、非常に小型で、複雑且つ高度な働きを奏することができる微小な機械構造体である。また、マイクロトータル・アナリシス・システム（μ−ＴＡＳ）とは、１０ｃｍから数ｃｍ角程度のチップ表面に溝を刻み、その溝で液体中の分離、反応を利用して微量液体試料の分析を行うシステムである。尚、電鋳とは、被めっき物（母型）から剥がした金属めっき部分を製品とする方法であり、剥がした金属めっき部分を電鋳物という。
【０００４】
このような光情報記録媒体を得るためのスタンパ等は、非常に平滑で平坦な微細形状パターンを有し、通常、平坦度が１０μｍ以内に調整されていることが必要である。
しかし、一般に、電気めっきを行うと、被めっき物に対してめっき膜側に電着応力が生じ、残留応力によりめっき膜が変形するという問題が発生する。図３は、めっき膜の残留応力とめっき膜の変形を説明するための図である。図３（ａ）に示すように、微細パターン３３ａを有するガラス等の原盤３１ａ上に、電気めっきにより形成されためっき膜３２ａ中に圧縮応力（図中矢印）が残留すると、めっき膜３２ａは、凹状に変形する。一方、微細パターン３３ｂを有するガラス等の原盤３１ｂ上に、電気めっきにより形成されためっき膜３２ｂ中に引張り応力（図中矢印）が残留すると、めっき膜３２ｂは、凸状に変形する。上述したＭＥＭＳやμ−ＴＡＳ等の部品が高機能を発揮するためには、微細構造を正確に転写することが求められることから、電鋳操作によりめっき膜が変形することは好ましくない。また、光情報記録媒体を得るためのスタンパに変形が生じると、光情報記録媒体上に形成されるパターン形状の寸法が変化するという問題が生じる。
【０００５】
特に、めっき膜に引張り応力が残留する場合は、めっき膜に亀裂（クラック）発生又はめっき膜の剥離等のおそれがある。めっき膜に引張り応力が残留する原因としては、めっき工程中に金属イオンに取り込まれる水素原子が水素ガスとなって放出され、その結果、微視的にポーラスになっためっき膜の中心部方向に向かう引張り応力が生じると考えられている。
そこで、このようなめっき膜に引張り応力を残留させないために、例えば、電鋳工程において、電着応力による被めっき物（母型）及びめっき膜の反り、変形挙動を検出器でモニターし、電流密度と電着応力との相関関係に基づき平面度を制御する方法が報告されている(特許文献１参照。)。
【０００６】
【特許文献１】特開平０５−２８７５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１に記載されているような電気めっきにおいては、予め求めた電鋳浴の電流密度と電着応力との相関関係に基づき、常に、電着応力がゼロレベルになる電流密度で一定の厚さになるまで電析し、電着応力と電析金属の剛性とのバランスを保つ必要がある。また、通常、電析金属の厚さはファラデー則に従い、電流と電析時間に比例するので、厚いめっき膜を作成するときは、電鋳開始直後の低電流密度から段階的に電流密度を上げて行く等の複雑な操作を経て電鋳を行わねばならない。
【０００８】
このように、めっき膜の平坦性を維持し、簡単且つ低コストの工程により変形が極めて少ない電鋳物とその作製方法が望まれている。本発明は、上述した技術的課題を解決するためになされたものである。
即ち、本発明の目的は、めっきによる変形が極めて少ない電鋳物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、簡単且つ低コストの工程により変形が極めて少ない電鋳物の作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる目的のもと、本発明によれば、微細パターンを有する金属膜からなる電鋳物であって、電鋳によって生じる電着応力が、０ＭＰａ〜８０ＭＰａの圧縮応力であることを特徴とする電鋳物が提供される。即ち、めっき膜の電着応力を圧縮側の残留応力の範囲内（０ＭＰａ〜−８０ＭＰａ）に制御することにより、めっき（電鋳）前後で微細パターンの寸法変形が極めて少ない電鋳物を得ることができる。
ここで、電鋳が、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎから選ばれる少なくとも１種の金属をめっきすることが好ましく、なかでも、Ｎｉ金属をめっきすることが特に好ましい。また、電鋳により形成する金属膜の厚さは、１００μｍ〜１０００μｍであることが好ましい。
【００１０】
本発明が適用される電鋳物は、被めっき物表面に電鋳により形成される金属膜が、光情報記録媒体用スタンパとして用いることができる。
さらに、本発明が適用される電鋳物は、マイクロ・エレクトロメカニカル・システム（ＭＥＭＳ）やマイクロトータル・アナリシス・システム（μ−ＴＡＳ）に適用する場合は、金属膜自体を用いるパターニング部材、または金属膜を分割した一部分が特定のシステムを構築しているパターニング部材として用いることができる。
【００１１】
次に、本発明を製造方法のカテゴリーとして把握すると、微細パターンを有する被めっき物表面に電鋳によりめっき膜を形成する電鋳工程と、電鋳工程により形成されためっき膜を剥離し、微細パターンが転写された電鋳物を形成する剥離工程と、を有し、電鋳工程におけるめっき膜の電着応力が、０ＭＰａ〜８０ＭＰａの圧縮応力であることを特徴とする電鋳物の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
かくして本発明によれば、めっきによる変形が極めて少ない電鋳物が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態（実施の形態）について詳細に説明する。尚、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
図１は、本実施の形態が適用される電鋳物の作製方法の一例を説明するための図である。図１には、光情報記録媒体を得るためのスタンパを作製する方法が示されている。
先ず、図１（ａ）に示すようにディスク状のガラス基板１１上にシランカップリング剤１２をスピンコートし、ポジ型のフォトレジスト１３を塗布する（レジスト塗布）。次に、図１（ｂ）に示すように、露光装置を用いてレーザー光でフォトレジスト１３にランド／グルーブの潜像を形成する（レーザーカッティング）。ガラス基板１１は、ガラス（ＳｉＯ２）の他、シリコン（Ｓｉ）基板でも良いが、後工程のエッチング工程において面荒れを防ぐ為に、母材の純度が少なくとも９９．９９％以上の材料を使用することが望ましい。次に、図１（ｃ）に示すように、アルカリ現像液を用いる現像処理により、ガラス基板１１上にフォトレジストパターン１４を顕在化させる（現像）。尚、ネガ型のフォトレジストを用いた場合でも基本的には同様の工程になる。
【００１４】
続いて、図１（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン１４をエッチングマスクとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理を行い、さらに、図１（ｅ）に示すように、ガラス基板１１表面に残ったフォトレジスト１３を苛性ソーダに１０分間浸漬処理することにより除去し、フォトレジストパターン１４が転写されたガラス原盤１５を調製する（フォトレジスト除去）。次に、図１（ｆ）に示すように、フォトレジストパターン１４が転写されたガラス原盤１５上に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）をスパッタして導電膜１６を形成し（電極形成）、その後、図１（ｇ）に示すように、導電膜１６が形成されたガラス原盤１５上に、電鋳により、例えば、厚さ（ｄ）３００μｍ程度のめっき膜１７を形成し（めっき（電鋳））、その後、めっき膜１７を剥離し、洗浄、打ち抜き加工を行い光情報記録媒体を得るためのスタンパ１８を作製する。
【００１５】
尚、光情報記録媒体を得るためには、スタンパ１８を成型機の金型に取り付け射出成型を行い、厚さ約０．６ｍｍ程度のプラスチック製の光ディスク用基板を作製する。次に、このように作成した光ディスク用基板上に、記録層、反射層及び保護層の順番で各層を積層し調製する。また、記録層の前後に、熱緩衝層や光干渉層として、ＳｉＯ２又は金属とＳｉＯ２とを混合した膜を形成しても良い。
【００１６】
また、図１において、図１（ｃ）に示すように、アルカリ現像液を用いる現像処理により、ガラス基板１１上にフォトレジストパターン１４を顕在化させた後、このフォトレジストパターン１４に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）をスパッタして導電膜を形成し、その後、導電膜が形成されたフォトレジストパターン１４上に、電鋳によりめっき膜を形成し、その後、めっき膜を剥離し、洗浄、打ち抜き加工を行い光情報記録媒体を得るためのスタンパを作製することも可能である。
【００１７】
図１（ｇ）に示すめっき（電鋳）において使用されるめっき液は、通常、溶媒に、１種又は２種類以上の金属塩、有機電解質、リン酸等の酸、アルカリ物質等の各種電解質を溶解させたものが用いられる。溶媒としては、極性溶媒であれば特に限定されないが、例えば、水；メタノール、エタノール等のアルコール類；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の環状カーボネート類；ジメチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等の直鎖状カーボネート類、又はこれらの混合溶媒等が挙げられる。
【００１８】
金属塩としては、析出させる金属、合金等を考慮して適宜選択される。金属塩の金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｃｒ、Ｓｅ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｗ、Ｐｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等が挙げられる。これらの中でも、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎが好ましく、さらに、Ｎｉが特に好ましい。尚、これらの金属は、それぞれ単独で、または、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
めっき液の主成分である金属塩の具体例としては、例えば、ニッケルめっき液としては、硫酸ニッケル、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル等；銅めっき液としては、結晶硫酸銅、ホウフッ化銅、シアン化銅、ピロリン酸銅等；クロムめっき液としては、クロム酸等；亜鉛めっき液としては、硫酸亜鉛、酸化亜鉛等；カドミウムめっき液としては、酸化カドミウム等；スズめっき液としては、硫酸第一スズ、スズ酸カリ等；銀めっき液としては、シアン化銀等；金めっき液としては、金；白金めっき液としては、塩化白金酸等；ロジウムめっき液としては、ロジウム、リン酸ロジウム等；ルテニウムめっき液としては、ルテニウム錯体等；黄銅めっき液としては、シアン化第一銅等が挙げられる。
【００２０】
ここで、図１（ｇ）に示すめっき（電鋳）において、一般に、通電する電流値が大きく、また通電時間が長いほどめっき膜１７の厚さが増大する。従って、電鋳の製造コストを高めるためには、高い電流密度を用い、析出速度を早くしてめっき（電鋳）を行うことが要求される。しかし、電流密度を高めると、被めっき物であるガラス基板１１に対して、めっき膜１７側に電着応力が生じる。このような電着応力のうち、被めっき物であるガラス基板１１に対して、析出しためっき膜１７が引っ張るような応力を引張り応力と言い、逆に被めっき物であるガラス基板１１側に圧縮するような応力を圧縮応力と呼ぶ。
被めっき物であるガラス基板１１に電着されためっき膜１７の電着応力が大きい場合、スタンパ１８に残留応力が残留し、スタンパ１８に変形が生じる。このような変形したスタンパ１８を用いて光情報記録媒体を製造する場合は、光情報記録媒体上に形成されるパターン形状の寸法が変化するおそれがある。
【００２１】
このため、めっき（電鋳）においては、電流密度の調整または応力緩和剤の添加により、電着応力を制御している。このような、応力緩和剤としては、通常、めっき膜１７に圧縮応力を生じさせる添加剤（一次添加剤）としては、例えば、サッカリン、１，５−ナフタリンジスルホン酸ナトリウム、１，３，６−トリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミド等が挙げられる。また、めっき膜１７に引張り応力を生じさせる添加剤（二次添加剤）、例えば、クマリン、２−ブチン−１，４−ジオール、エチレンシアンヒドリン、プロパギルアルコール、ホルムアルデヒド、チオ尿素、キノリン、ピリジン等が挙げられる。
【００２２】
本実施の形態において、めっき（電鋳）により作製した電鋳物であるスタンパ１８は、実質的に残留応力を有しない（０ＭＰａ）、または８０ＭＰａ以下、好ましくは、４０ＭＰａ以下の圧縮応力を有している。即ち、スタンパ１８は、めっき（電鋳）により、圧縮側の残留応力（０ＭＰａ〜−８０ＭＰａ）を有し、そのため、スタンパ１８は、電着応力に耐え得る構造となり、めっき（電鋳）後の変形が大幅に減少している。その結果、ガラス原盤１５からスタンパ１８に転写された微細パターンの伸長や収縮が殆ど見られない。
【００２３】
ここで、めっき膜１７の厚さ（ｄ）は、光情報記録媒体用のスタンパ１８等の用途に応じて適宜選択され、特に限定されないが、通常、１００μｍ〜１０００μｍ、好ましくは、１５０μｍ〜９００μｍである。特に、電鋳物が光情報記録媒体用スタンパとして使用される場合は、射出成形等における金型への取り付け易さや、ある程度の弾性が得られることから、２００μｍ〜４００μｍが最適である。めっき膜１７の厚さ（ｄ）が過度に小さい場合は、被めっき物であるガラス原盤１５からめっき膜１７を剥がす際に加えられる力により、極薄いシート状のめっき膜１７が塑性変形するおそれがある。また、めっき膜１７の厚さ（ｄ）が過度に大きい場合は、めっき膜１７が非常に硬くなる。このため、信号面を有するガラス原盤１５からめっき膜１７の剥離が困難となり、信号面を傷つけるおそれがある。
【００２４】
上述したように、本実施の形態では、電鋳物の一例として光情報記録媒体を得るためのスタンパについて説明したが、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、他の実施の形態に適用することができる。
特に、前述したように、マイクロ・エレクトロメカニカル・システム（ＭＥＭＳ）やマイクロトータル・アナリシス・システム（μ−ＴＡＳ）への適用例が挙げられる。例えば、微細構造を有するＭＥＭＳ部品の場合は、微細パターンを形成したＳｉウエハ上にめっき（電鋳）を行い、Ｓｉウエハ上に形成されためっき膜を剥がして電鋳物であるスタンパを作製し、そのスタンパを鋳型に用いて射出成形を行うことにより、大量に樹脂製複製品を製造することが可能である。また、Ｓｉウエハ上に微細構造のＭＥＭＳパターンを露光し、エッチングによりＳｉウエハに微細パターンを作り込み、電鋳を何度も繰り返すことにより、金属製の複製を作製することも容易である。さらに、μ−ＴＡＳの場合は、集積回路（ＬＳＩ）のように、Ｓｉウエハ面にめっき（電鋳）を行ってμ−ＴＡＳデバイスを作製し、めっき（電鋳）後にめっき膜を切り離すことにより、電鋳物である金属製のμ−ＴＡＳデバイスを大量に作製することもできる。
このように、本実施の形態が適用される電鋳物をマイクロ・エレクトロメカニカル・システム（ＭＥＭＳ）やマイクロトータル・アナリシス・システム（μ−ＴＡＳ）に適用する場合は、μ−ＴＡＳデバイス等のように、微細パターンを有する金属からなる電鋳物そのものをパターニング部材として、または電鋳物を分割した一部が特定のシステムを構築したパターニング部材として使用することができる。
【実施例】
【００２５】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本実施の形態は実施例に限定されるものではない。
（実施例１〜実施例５、比較例１〜比較例４）
予め作製した同心円パターンを有するφ２００ｍｍの石英（ＳｉＯ２）原盤上に、スパッタにより電極を形成し、次いで、表１に示す組成のＮｉ系めっき液を用いて所定の電流密度によりめっき（電鋳）を行い、石英（ＳｉＯ２）原盤表面に厚さ３００μｍのめっき膜を形成した。次に、このめっき膜を石英（ＳｉＯ２）原盤表面から剥がして、光情報記録媒体を作製するための所定の残留応力を有するスタンパを得た。
続いて、このように作製した所定の残留応力を有するスタンパの３種類の半径（Ｒ１５ｍｍ、Ｒ３０ｍｍ、Ｒ６０ｍｍ）地点について、それぞれの地点における同心円パターンの変形量（μｍ）を測定した。結果を表２に示す。また、図２は、表２に示す結果に基づき、スタンパの残留応力（ＭＰａ）と同心円パターンの変形量（μｍ）及び３種類の半径（Ｒ１５ｍｍ、Ｒ３０ｍｍ、Ｒ６０ｍｍ）地点との関係を示すグラフである。
【００２６】
ここで、スタンパに残留する応力は、予め、表１に示した組成のＮｉ系めっき液を用い、電流密度を変化させてめっき（電鋳）を行った複数の試験片のめっき膜について、それぞれ測定した電着応力の測定値を用いた。めっき膜の電着応力は、ＪＩＳ  Ｈ８６２６に準拠して、簡易平均電着応力測定器（スペシャリティ・テスティング・アンド・デベロプメント社製：ストリップ電着応力測定器）を用いて測定した（単位：ＭＰａ）。表２中、マイナス符号は圧縮応力を表し、プラス数値は引張り応力を表す。尚、スタンパの残留応力は、Ｘ線応力測定装置を用いることにより、直接測定することも可能である。
各半径地点における同心円パターンの変形量は、φ２００ｍｍの石英（ＳｉＯ２）原盤に直接描画された同心円パターンを基準として、めっき（電鋳）により転写された同心円パターンの変位量を、座標表示機能を有する顕微鏡を用いて測定した（単位：μｍ）。
また、石英（ＳｉＯ２）原盤表面にめっき膜を形成するめっき（電鋳）は、Ｎｉめっき液を温度５５℃、ＰＨ４に保ち、電流密度を変化させてめっき膜の電着応力を変化させた。
【００２７】
【表１】
2006138001.tif 000003
【００２８】
【表２】
2006138001.tif 000004
【００２９】
表１の結果から、めっき（電鋳）により作製したスタンパの残留応力が０ＭＰａから−８０ＭＰａの範囲の場合（実施例１〜実施例５）、即ち、スタンパが圧縮側の残留応力（０ＭＰａ〜−８０ＭＰａ）を有する場合は、スタンパの３種類の半径（Ｒ１５ｍｍ、Ｒ３０ｍｍ、Ｒ６０ｍｍ）地点についてそれぞれ測定した同心円パターンの変形量（μｍ）が極めて小さい（−２．１μｍ〜１．８μｍ）ことが分かる。ここで、マイナス符号の変形量（μｍ）は、同心円パターンが内周側に収縮することを示し、プラス数値の変形量（μｍ）は、同心円パターンが外周側に伸びることを示している。これは、スタンパに圧縮応力が生じることにより、電鋳部材の強靭性が高まり、内部応力に対する変位量が極めて減少したためと考えられる。
【００３０】
一方、めっき（電鋳）により作製したスタンパの残留応力が０ＭＰａを超えた場合（比較例１〜比較例３）、即ち、スタンパが引張り側の残留応力（２０ＭＰａ〜６０ＭＰａ）を有する場合は、スタンパの３種類の半径（Ｒ１５ｍｍ、Ｒ３０ｍｍ、Ｒ６０ｍｍ）地点についてそれぞれ測定した同心円パターンの変形量（μｍ）が極めて大きい（−５．０μｍ〜−５０．０μｍ）ことが分かる。さらに、過度に大きい圧縮応力（−１００ＭＰａ）を有する場合（比較例４）も変形量（μｍ）が増大することが分かる。また、変形量（μｍ）は、スタンパの外周ほど増大することが分かる。
【００３１】
以上詳述したように、本実施の形態が適用される製造方法及びこの製造方法により製造した電鋳物によれば、新たにめっき（電鋳）装置を作製することなく、従来のめっき（電鋳）装置を用い、めっき膜の電着応力を圧縮側の残留応力の範囲内（０ＭＰａ〜−８０ＭＰａ）に制御することにより、めっき（電鋳）前後で微細パターンの寸法変形が極めて少ない電鋳物が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本実施の形態が適用される電鋳物の作製方法の一例を説明するための図である。
【図２】表２に示す結果に基づき、スタンパの残留応力（ＭＰａ）と同心円パターンの変形量（μｍ）及び３種類の半径（Ｒ１５ｍｍ、Ｒ３０ｍｍ、Ｒ６０ｍｍ）地点との関係を示すグラフである。
【図３】めっき膜の残留応力とめっき膜の変形を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３３】
１１…ガラス基板、１２…シランカップリング剤、１３…フォトレジスト、１４…フォトレジストパターン、１５…ガラス原盤、１６…導電膜、１７，３２ａ，３２ｂ…めっき膜、１８…スタンパ、３１ａ，３１ｂ…原盤、３３ａ，３３ｂ…微細パターン
【図１】
2006138001.tif 000005
【図２】
2006138001.tif 000006
【図３】
2006138001.tif 000007