(57)【要約】【課題】  発熱による磁気ヘッド素子の突出における突出効率が高く、しかもＷＡＴＥを回避することができる薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  第１及び第２のシールド層を含む読み出し磁気ヘッド素子と第１及び第２の磁極層を含む書き込み磁気ヘッド素子とを備えており、第２のシールド層と第１の磁極層とが隣り合った位置にあって互いに対向している薄膜磁気ヘッドであって、第２のシールド層と第２の磁極層との間に、浮上面に垂直であって法線がトラック幅方向であるコイル面を有しており、通電されることによって発熱する少なくとも１つの発熱コイル体が設けられた薄膜磁気ヘッドが提供される。【選択図】  図５
2006331469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシールド層及び第２のシールド層を含む読み出し磁気ヘッド素子と第１の磁極層及び第２の磁極層を含む書き込み磁気ヘッド素子とを備えており、該第２のシールド層と該第１の磁極層とが隣り合った位置にあって互いに対向している薄膜磁気ヘッドであって、該第２のシールド層と該第２の磁極層との間に、浮上面に垂直であって法線がトラック幅方向であるコイル面を有しており、通電されることによって発熱する少なくとも１つの発熱コイル体が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記少なくとも１つの発熱コイル体が、前記コイル面を有する少なくとも１つのコイル部と、互いに対向して伸長しており反対方向の電流が流れるリード導体層の組から形成される、該コイル部に通電するためのリード導体部とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記少なくとも１つのコイル部が、一方の端部同士が接続されており半ターンのコイルを形成している電気抵抗材料又は導電材料からなる２つの層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記少なくとも１つのコイル部が、前記リード導体部よりも浮上面側のヘッド端面に近い位置に設置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記リード導体部が、前記第２のシールド層の直上領域の外まで引き出されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記少なくとも１つの発熱コイル体が、前記第２のシールド層及び前記第１の磁極層の間に設置されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記少なくとも１つの発熱コイル体が、前記第１及び第２の磁極層の間に設置されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第１の磁極層が主磁極層であって、前記第２の磁極層が補助磁極層であり、前記書き込み磁気ヘッド素子が垂直磁気記録用であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドを少なくとも１つ備えており、前記少なくとも１つの発熱コイル体に電流を供給するためのリード線と、前記読み出し磁気ヘッド素子及び前記書き込み磁気ヘッド素子のための信号線と、該薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とをさらに備えていることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１０】
請求項９に記載のヘッドジンバルアセンブリを少なくとも１つ備えており、少なくとも１つの磁気ディスクと、前記少なくとも１つの発熱コイル体に供給する電流を制御するための発熱制御回路と、読み出し及び書き込み動作を制御するための記録再生回路とをさらに備えていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記発熱制御回路と前記記録再生回路とを制御しており、読み出し及び／又は書き込み動作とタイミングを合わせて該発熱制御回路を駆動させるためのＣＰＵを備えていることを特徴とする請求項１０に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱コイル体を備えた薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）及びこのＨＧＡを備えた磁気ディスク装置（ＨＤＤ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＨＤＤにおける面記録密度のさらなる向上を実現するために、従来の面内磁気記録方式とは異なる垂直磁気記録方式の開発が盛んに行われている。
【０００３】
垂直磁気記録方式においては、面内磁気記録方式に比べて磁気ディスク面内の磁化遷移領域での減磁界が非常に小さくなるので、磁化遷移幅を狭くすることができる。さらに、面内磁気記録方式において高記録密度化の際に問題となっている磁化の熱揺らぎの影響を記録ビットが受けにくいので、安定した高記録密度を得ることが可能となる。
【０００４】
この垂直磁気記録方式に用いる薄膜磁気ヘッド（垂直磁気ヘッド）においては、主磁極とリターンヨークである補助磁極と両磁極に作用する励磁コイルとを備えた単磁極構造が主に採用されている。この場合、主磁極から発生する磁界によって、磁気ディスクに書き込みを行う。この際の磁束は、主磁極から、磁気ディスクの記録層及び軟磁性裏打ち層を介して補助磁極に達するループを描く。
【０００５】
図１２に、この単磁極構造における磁束の分布を示す。同図によれば、書き込み動作の際、書き込みコイル１２０４によって誘導された主磁極１２０２から発生する磁束は、磁気ディスク内の軟磁性裏打ち層１２０６を介して、補助磁極層１２０３に磁束ＦＹとして戻って来る。この磁束ＦＹは、さらに、読み出し用のＭＲ効果素子が有する上下部シールド１２０１及び１２００にまで達して、これらのシールドに磁束ＦＳとして影響を及ばす。この結果、上下部シールド１２０１及び１２００のヘッド端面側の端１２０１ａ及び１２００ａから相当の磁界が発生し、書き込みを行うべきトラックから数μｍ〜数十μｍ離れた位置にあるトラックに、異常信号を書き込んでしまい記録信号を消去してしまう現象が発生する場合が生じる。本明細書では、このような異常現象を広域トラック消去（ＷＡＴＥ（Wide Area Track Erasure））と呼んでいる。このように、垂直磁気ヘッドにおいては、垂直磁気記録用の磁気ディスクに特有な軟磁性裏打ち層の存在も影響して、磁気ヘッド素子内の磁束分布が書き込みの良否に大きな影響を及ぼす。
【０００６】
上述したＷＡＴＥを回避する１つの方法として、バッキングコイル１２０５を設けて、磁束ＦＢを誘導させることが有効である。実際に、磁束ＦＢにより磁束ＦＳをキャンセル又は低減することが可能となる。
【０００７】
一方、近年のＨＤＤの大容量小型化に伴う高記録密度化に際して、薄膜磁気ヘッドのトラック幅はより減少する傾向にある。このトラック幅の減少による書き込み及び読み出し能力の低下を回避するために、例えば、特許文献１〜４には、長手磁気記録方式ではあるが、磁気ヘッド素子近傍又は磁気ヘッド素子内に発熱体を設ける技術が開示されている。これらの技術は、この発熱体からの熱による熱膨張により磁気ヘッド素子の端部を磁気ディスク方向に突出させて、磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との磁気的な実効距離（マグネティックスペーシング）を極めて小さな値に設定し、制御するものである。これにより、書き込み及び読み出し能力の低下を回避し得る。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５，９９１，１１３号明細書
【特許文献２】特開２００３−２７２３３５号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８２７４号公報
【特許文献４】特開平０５−０２０６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述したような発熱体を垂直磁気ヘッドに採用した場合、磁気ヘッド素子の発熱による突出効率を高めようとすると、ＷＡＴＥを回避できないという問題が生じていた。
【００１０】
例えば、特許文献１〜３に記載された技術を用いて垂直磁気ヘッド素子を突出させようとした場合、発熱体は、ヘッド素子内ではなく素子近傍に設けられているので、発熱による突出の効率が良くない。従って、書き込み及び読み出し開始に先立って磁気ヘッド素子を突出させようとしても、十分かつ適当な大きさの突出をタイミングよく引き起こすことができない。
【００１１】
なお、発熱体を小さく形成することによっても突出効率は向上するが、その構造によっては、発熱体自身の温度上昇により発熱体の信頼性が低下する傾向にあり、単なる小型化での対処は難しい。
【００１２】
一方、特許文献４に開示された技術では、薄膜抵抗体が、薄膜コイルと同じく上下部磁極間に形成されているので、薄膜抵抗体の発熱による突出効率を薄膜コイルの発熱による突出効率と同程度に高く設定することができる。
【００１３】
しかしながら、この技術を含めて、発熱体を垂直磁気ヘッド素子内に設置した場合、発熱体への通電によって垂直磁気ヘッド素子内のシールドや磁極等の磁性層に磁束が誘導されて、上述したＷＡＴＥを発生させる場合が生じてしまう。すなわち、上述したように、垂直磁気ヘッド素子の書き込み特性は、素子内の磁束分布に非常に敏感であるので、素子内に磁界を発生させる手段を設置すると、この書き込み特性に悪影響を及ぼし得る。この際、バッキングコイルの磁束誘導能力をさらに増加させて対処する方法も考えられるが、主磁極による書き込み磁界の勾配を大幅に低下させてしまうため、この対処にも限界がある。
【００１４】
従って、本発明の目的は、発熱による磁気ヘッド素子の突出における突出効率が高く、しかもＷＡＴＥを回避することができる薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えたＨＤＤを提供することにある。
【００１５】
さらに本発明の他の目的は、磁気ヘッド素子突出用の発熱手段の信頼性が向上した薄膜磁気ヘッド、この薄膜磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えたＨＤＤを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明について説明する前に、明細書において用いられる用語の定義を行う。基板の素子形成面に形成された磁気ヘッド素子の積層構造において、基準となる層よりも素子形成面側にある構成要素を「下」又は「下方」にあるとし、基準となる層から見て素子形成面とは反対側にある構成要素を「上」又は「上方」にあるとする。例えば、「絶縁層上にシールド層がある」とは、絶縁層の素子形成面とは反対側にシールド層があることを意味する。
【００１７】
また、１つの積層構造内において、２つの構成要素の位置を比較する際、素子形成面により近い方を「下部」とし、より遠い方を「上部」とする。例えば、電磁コイル素子内に設けられた２つの磁極層のうち、「下部磁極層」とは、素子形成面により近い方を意味することとする。また、「直上」にあるとは、「上方」の領域のうち、基準となる層又はその部分の面に対して垂線を下ろすことができる位置からなる領域内にあることとする。
【００１８】
本発明によれば、第１のシールド層及び第２のシールド層を含む読み出し磁気ヘッド素子と第１の磁極層及び第２の磁極層を含む書き込み磁気ヘッド素子とを備えており、第２のシールド層と第１の磁極層とが隣り合った位置にあって互いに対向している薄膜磁気ヘッドであって、第２のシールド層と第２の磁極層との間に、浮上面（ＡＢＳ）に垂直であって法線がトラック幅方向であるコイル面を有しており、通電されることによって発熱する少なくとも１つの発熱コイル体が設けられた薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１９】
発熱コイル体のコイル面が、ＡＢＳに垂直（従って、ＡＢＳ側のヘッド端面に垂直）であってその法線がトラック幅方向となっている。従って、発熱コイル体から発生する磁界は、ほぼトラック幅方向の成分からなり、ＡＢＳすなわちヘッド端面に垂直な成分を有しない。これにより、この発熱コイル体は、通電されても、磁気ヘッド素子内のシールド層を介する磁束ループの形成に加担することがない。その結果、書き込み時においてＷＡＴＥが回避される。
【００２０】
しかも、発熱コイル体は、第２のシールド層と第２の磁極層との間に位置している。すなわち、読み出し磁気ヘッド素子及び書き込み磁気ヘッド素子に近接して、又は書き込み磁気ヘッド素子内に設置されている。従って、発熱による突出効率が非常に高くなっている。このように、本発明による薄膜磁気ヘッドによれば、発熱による磁気ヘッド素子の突出における突出効率が高い上に、ＷＡＴＥが回避される。
【００２１】
第１の磁極層が主磁極層であって、第２の磁極層が補助磁極層であり、書き込み磁気ヘッド素子が垂直磁気記録用であることが好ましい。実際に、書き込み動作時に磁束がシールド層を介するループを形成してＷＡＴＥを引き起こす問題は、特に、垂直磁気記録方式において解決が必要となる。ここで、本発明による発熱コイル体を、特に垂直磁気ヘッド内に設けることが、非常に有効なＷＡＴＥ対策となる。
【００２２】
少なくとも１つの発熱コイル体が、コイル面を有する少なくとも１つのコイル部と、互いに対向して伸長しており反対方向の電流が流れるリード導体層の組から形成される、このコイル部に通電するためのリード導体部とを備えていることが好ましい。ここで、少なくとも１つのコイル部が、一方の端部同士が接続されており半ターンのコイルを形成している電気抵抗材料又は導電材料からなる２つの層であることも好ましい。また、リード導体部が、第２のシールド層の直上領域の外まで引き出されていることが好ましい。
【００２３】
コイル部がこのような２つの層から形成されている場合、そのコイル面の面積は、これらの層の層断面のオーダーであって非常に小さくなっている。また、コイル部は、コイルとして半ターンを形成しているのみである。従って、コイル部から発生する磁界は小さくなり、磁気ヘッド素子内での磁束の流れに大きな影響を与えない程度に抑制可能となる。
【００２４】
さらに、本発明による発熱コイル体は、上述したように、発熱による突出効率が非常に高くなっている。これにより、所定の突出量を得るのにそれほど大きな通電量を必要としない。従って、コイル部を、このような２つの層からなる比較的簡単で小型化できる構造にしても、電流密度を過度に増大させずに済む。その結果、発熱体としての信頼性を維持したままで、この小型化によってさらに突出効率の向上に寄与することが可能となる。
【００２５】
また、互いに対向している第１及び第２のリード導体層は、通電による電流の向きが互いに反対となるので、所定の距離だけ離れた地点においては発生する磁界が打ち消しあって非常に弱くなる。この結果、これらのリード導体層からの磁界がＷＡＴＥの発生に加担することが回避される。さらに、このように磁界の発生が抑制されたリード導体部が、第２のシールド層の直上領域の外まで引き出されているので、磁気ヘッド素子内において、コイル部への通電の途上で発生する磁界が、ＷＡＴＥの発生に加担することが回避される。
【００２６】
さらに、少なくとも１つのコイル部が、リード導体部よりもＡＢＳ側のヘッド端面に近い位置に設置されていることが好ましい。通電によって発熱するコイル部をＡＢＳにより近く配置することによって、発熱による突出効率がさらに向上する。
【００２７】
少なくとも１つの発熱コイル体が、第２のシールド層及び第１の磁極層の間に設置されていることが好ましい。また、第１及び第２の磁極層の間に設置されていることも好ましい。第１及び第２の磁極層間に設置されている場合、電磁コイル素子の熱による突出のレスポンスが、書き込みコイルからの熱による突出現象のレスポンスと同程度に早くなり、従来問題となっていた書き込み初期における書き込み特性不足を解消することも可能となる。
【００２８】
本発明によれば、また、上述した薄膜磁気ヘッドを少なくとも１つ備えており、少なくとも１つの発熱コイル体に電流を供給するためのリード線と、読み出し磁気ヘッド素子及び書き込み磁気ヘッド素子のための信号線と、薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とをさらに備えたＨＧＡが提供される。
【００２９】
本発明によれば、さらにまた、上述のＨＧＡを少なくとも１つ備えており、少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの発熱コイル体に供給する電流を制御するための発熱制御回路と、読み出し及び書き込み動作を制御するための記録再生回路とをさらに備えたＨＤＤが提供される。
【００３０】
ここで、発熱制御回路と記録再生回路とを制御しており、読み出し及び／又は書き込み動作とタイミングを合わせて発熱制御回路を駆動させるためのＣＰＵを備えていることが好ましい。このようなＣＰＵを用いることによって、より多様な発熱体への通電モードを実施することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、発熱による磁気ヘッド素子の突出における突出効率が高く、しかもＷＡＴＥを回避することができる。また、磁気ヘッド素子突出用の発熱手段である発熱コイル体の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００３３】
図１は、本発明によるＨＤＤの一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本発明によるＨＧＡの一実施形態を示す斜視図である。また、図３（Ａ）は、図２の実施形態におけるＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッド（スライダ）を示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の磁気ヘッド素子の一実施形態を概略的に示す平面図である。
【００３４】
図１において、１０は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は、薄膜磁気ヘッド（スライダ）２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は、この薄膜磁気ヘッドの書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに後述する発熱コイル体に印加される電流を制御するための記録再生及び発熱制御回路をそれぞれ示している。
【００３５】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、薄膜磁気ヘッド（スライダ）２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及びスライダ２１は、単数であってもよい。
【００３６】
図２に示すように、ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、磁気ヘッド素子を有するスライダ２１を固着し、さらにそのスライダ２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
【００３７】
サスペンション２０は、ロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とを備えている。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００３８】
薄膜磁気ヘッド（スライダ）２１は、図３（Ａ）に示すように、適切な浮上量を得るように加工されたＡＢＳ３０と、素子形成面３１上に形成された磁気ヘッド素子３２と、素子形成面３１上に形成された被覆層４６の層面から露出した４つの信号端子電極３６及び２つの駆動端子電極３７とを備えている。ここで、磁気ヘッド素子３２は、読み出し用のＭＲ効果素子３３と、書き込み用の電磁コイル素子３４と、熱膨張によって磁気ヘッド素子３２を磁気ディスク方向に突出させるための発熱コイル体３５とを含む。ここで、４つの信号端子電極３６は、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４に接続されており、２つの駆動端子電極３７は、発熱コイル体３５に接続されている。
【００３９】
２つの駆動端子電極３７は、４つの信号端子電極３６の群の両側にそれぞれ配置されている。これは、特開２００４−２３４７９２号公報に記載されているように、ＭＲ効果素子３３の配線と電磁コイル素子３４の配線との間におけるクロストークを防止することができる配置である。ただし、クロストークが許容される場合には、２つの駆動端子電極３７が、例えば４つの信号端子電極３６の何れかの間の位置等に配置されていてもよい。なお、これらの端子電極の数も、図３の形態に限定されるものではない。図３において端子電極は６つであるが、例えば、電極を５つとした上でグランドをスライダ基板に接地した形態でもよい。
【００４０】
ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４においては、図３（Ｂ）に示すように、素子の一端がＡＢＳ３０側のヘッド端面３００に達している。これらの端が磁気ディスクと対向することによって、信号磁界の感受による読み出しと信号磁界の印加による書き込みとが行われる。また、発熱コイル体３５は、磁気ヘッド素子３２内においてＬ字状に折れ曲がっており、折れ曲がり部分から先にコイル部３５０を備えている。コイル部の端３５０ａは、ヘッド端面３００の近傍に達している。また、コイル部３５０のコイル面は、ヘッド端面３００に垂直であってその法線３８がトラック幅方向となっている。なお、コイル部３５０は、磁気ヘッド素子３２をその中心線（同図中のＡ−Ａ線に相当）を中心として対称に突出させるために、この中心線にコイル面を揃えて配置されている。
【００４１】
以上に説明した構成によって、発熱コイル体３５は、後述するように、発熱による磁気ヘッド素子の突出効率が高くなる上に、ＷＡＴＥを引き起こす等の磁気的な悪影響を及ぼさない構造となっている。
【００４２】
図４は、図３（Ｂ）の磁気ヘッド素子の一実施形態としての垂直磁気ヘッド素子３２の構成を示す、図３（Ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。なお、図４における書き込みコイル層の巻き数は、図を簡略化するため、図３（Ｂ）における巻き数より少なく表されている。各書き込みコイル層は１層、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。
【００４３】
図４において、２１０はスライダ基板であり、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３０を有し、書き込み又は読み出し動作時には回転する磁気ディスク表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上している。このスライダ基板２１０のＡＢＳ３０を底面とした際の一つの側面である素子形成面３１に、読み出し用のＭＲ効果素子３３と、発熱コイル体３５と、バッキングコイル部４２と、書き込み用の電磁コイル素子３４と、これらの素子を保護する被覆層４６とが主に形成されている。
【００４４】
ＭＲ効果素子３３は、ＭＲ積層体３３２と、この積層体を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（Current In Plain））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plain））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive））多層膜を備えており、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【００４５】
このＭＲ積層体３３２がＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に絶縁用の上下部シールドギャップ層３３３及び３３１がそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層３３５が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ-ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極としても機能する。この場合、上下部シールドギャップ層３３３及び３３１とＭＲリード導体層３３５とは不要であって省略される。ただし、ＭＲ積層体３３２のヘッド端面３００とは反対側のシールド層間、及びＭＲ積層体３３２のトラック幅方向の両側には絶縁層が形成される。
【００４６】
電磁コイル素子３４は、本実施形態において垂直磁気記録用であり、主磁極層３４０、補助磁極層３４５及び書き込みコイル層３４３を備えている。主磁極層３４０は、書き込みコイル層３４３によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路であり、主磁極主要層３４００及び主磁極補助層３４０１から構成されている。ここで、主磁極層３４０のヘッド端面３００側の端部３４０ａにおける層厚方向の長さ（厚さ）は、この主磁極主要層３４００のみの層厚に相当しており小さくなっている。この結果、高記録密度化に対応した微細な書き込み磁界を発生させることができる。
【００４７】
補助磁極層３４５のヘッド端面３００側の端部は、補助磁極層３４５の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部３４５０となっている。このトレーリングシールド部３４５０を設けることによって、トレーリングシールド部３４５０の端部３４５０ａと主磁極層３４０の端部３４０ａとの間において磁界勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。
【００４８】
バッキングコイル部４２は、バッキングコイル層４２０及びバッキングコイル絶縁層４２１から形成されており、電磁コイル素子３４から発生してＭＲ効果素子３２を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、ＷＡＴＥの抑制を図っている。なお、バッキングコイル部４２からの磁束は、書き込み磁界の勾配を弱める方向にも作用する。従って、この作用を許容範囲内に限定するために、バッキングコイル層４２０の巻き数は、書き込みコイル層３４３の巻き数と同等に、又はより少なく設定されることが好ましい。
【００４９】
発熱コイル体３５は、絶縁層４３を介してバッキングコイル部４２上に形成されており、第１の発熱層３５００及び第２の発熱層３５０１からなるコイル部３５０と、コイル部３５０に通電するための第１のリード導体層３５１０及び第２のリード導体層３５１１からなるリード導体部３５１とからなる。ここで、第１及び第２の発熱層３５００及び３５０１は、端３５０ａ付近において互いに電気的に接続されている。
【００５０】
また、上述したように、端３５０ａは、ヘッド端面３００の近傍に達している。また、コイル部３５０のコイル面４７（網掛けで示した面）は、ヘッド端面３００に垂直であってその法線がトラック幅方向（図の紙面に垂直な方向）となっている。しかも、その面積は層断面相当であって非常に小さくなっており、さらにコイル部３５０は、コイルとして半ターンを形成しているのみである。従って、コイル部３５０から発生する磁界は、ほぼトラック幅方向の成分からなりヘッド端面３００に垂直な成分を有しない上に、その強度も小さい。さらに、第１及び第２のリード導体層３５１０及び３５１１は、通電による電流の向きが互いに反対となるので、所定の距離だけ離れた地点においては発生する磁界が打ち消しあって非常に弱くなる。
【００５１】
発熱コイル体３５がこのような構造を備えていることによって、後述するように、発熱による磁気ヘッド素子の突出効率が高くなる上に、ＷＡＴＥを引き起こす等の磁気的な悪影響が回避される。
【００５２】
さらに、コイル部３５０の第１及び第２の発熱層３５００及び３５０１に流れる電流によって、各発熱層が発熱する。この熱量によって、発熱コイル体３５を取り囲む絶縁材料からなる層が自ら膨張してＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４を押し出し、これらの素子のヘッド端面３００側の端が、磁気ディスク方向に突出させられる。なお、これらの素子の端は、素子自身の熱膨張によっても突出する。この突出によって、これらの素子と磁気ディスクとの間隔が小さな値に制御されて、書き込み及び読み出し能力が向上する。
【００５３】
ここで、発熱コイル体３５は、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４に近接して、しかもヘッド端面３００近くに設置されているので、発熱による突出効率が非常に高くなっている。これにより、所定の突出量を得るのにそれほど大きな通電量を必要としない。従って、電流密度を過度に増大させずに発熱コイル体３５を比較的小さく形成することができる。その結果、発熱体としての信頼性を維持したままで、この小型化によってさらに突出効率の向上に寄与することが可能となる。
【００５４】
次いで、図４を用いて、図４に示した磁気ヘッド素子３２の構成をより詳細に説明する。
【００５５】
まず、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板２１０上に、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の第１の絶縁層４０が形成されている。次いで、第１の絶縁層４０上に、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.３〜３μｍ程度の下部シールド層３３０が形成され、さらにＭＲ積層体３３２が形成されている。ＭＲ積層体３３２は、例えばＴＭＲ多層膜を含む場合、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造を含む。
【００５６】
さらに、下部シールド層３３０との間でＭＲ積層体３３２を挟むように、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.３〜４μｍ程度の上部シールド層３３４が形成されている。さらに、上部シールド層３３４上に、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の第２の絶縁層４１が形成されている。
【００５７】
この第２の絶縁層４１上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のバッキングコイル層４２０が形成されており、さらに、このバッキングコイル層４２０を覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ０.１〜５μｍ程度のバッキングコイル絶縁層４２１が形成されている。さらに、バッキングコイル絶縁層４２１を覆うように、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の第３の絶縁層４３が形成されている。
【００５８】
発熱コイル体３５は、この第２の絶縁層４１上に形成された第１の発熱層３５００及び第１のリード導体層３５１０と、第１の発熱層３５００及び第１のリード導体層３５１０を覆っている第４の絶縁層４４上に形成された第２の発熱層３５０１及び第２のリード導体層３５１１とを備えている。発熱コイル体３５のこれらの構成要素及びその変更態様については、後に詳述する。
【００５９】
この発熱コイル体３５を覆うように、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の第５の絶縁層４５が形成されている。さらに、第５の絶縁層４５上に、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度の主磁極主要層３４００と、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度の主磁極補助層３４０１とが形成されている。
【００６０】
この主磁極補助層３４０１上に、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度のギャップ層３４１が形成されており、さらにギャップ層３４１上に、例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１の書き込みコイル絶縁層３４４０が形成されている。この第１の書き込みコイル絶縁層３４４０上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度の書き込みコイル層３４３が形成されており、さらに、この書き込みコイル層３４３を覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層等からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２の書き込みコイル絶縁層３４４１が形成されている。
【００６１】
さらに、第２の書き込みコイル絶縁層３４４１を覆うように、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ約０.５〜５μｍ程度の補助磁極層３４５が形成されている。さらに、ＭＲ効果素子３３、発熱コイル体３５及び電磁コイル素子３４等を覆うように、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる被覆層４６が形成されている。
【００６２】
なお、本発明による磁気ヘッド素子は、以上に説明した実施形態に限定されるものではないことは明らかである。例えば、書き込み用の電磁コイル素子は、長手磁気記録方式によるものであってもよい。長手磁気記録方式においても、垂直磁気記録方式におけるほどの重要性はないが、同じく隣接トラックへの不要な書き込みや消去は回避されるべきであり、磁気ヘッド素子内において磁極層間の磁束経路以外の経路を有する磁束の流れは、出来るだけ抑制することが好ましい。また、磁気ヘッド素子内にバッキングコイル部が設けられていなくとも、本発明の範囲内である。実際に、バッキングコイル部は、書き込み磁界の勾配を弱めてしまう方向に磁束を発生させてしまうので、磁束の流れがＷＡＴＥの発生限界以下である場合には省略されることが望ましい。
【００６３】
図５は、図４の実施形態における発熱コイル体３５の作用効果を説明する磁気ヘッド素子３２の断面図である。
【００６４】
図５（Ａ）によれば、書き込み動作の際、書き込みコイル層３４３への通電によって誘導された主磁極層３４０から発生する磁束は、磁気ディスク内の軟磁性裏打ち層１００を介して補助磁極層３４５に磁束ＦＹとして戻って来る。この磁束ＦＹは、さらに、ＭＲ効果素子３３が有する上下部シールド層３３４及び３３０を磁束ＦＳとして通過し、磁気ディスク１０内の軟磁性裏打ち層１００に達する。この際、この磁束ＦＳの流れが、端３３０ａ及び３３４ａに不要な磁界を発生させてＷＡＴＥを引き起こす。このＷＡＴＥへの対策として、バッキングコイル部４２を設けて、磁束ＦＢを発生させることにより磁束ＦＳをキャンセル又は低減させている。
【００６５】
ここで、本発明による発熱コイル体３５は、図５（Ａ）によれば上部シールド層３３４と主磁極層３４０との間の位置に設けられている。この位置は、磁束ＦＳ及びＦＢの形成するループ内である。従って、例えば、このような位置に従来の発熱体を設置して通電した場合、発生する磁束によって上述した磁束ＦＳ及びＦＢの間のバランスが崩れてしまい、ＷＡＴＥを引き起こす場合が生じる。しかしながら、上述したように、本発明による発熱コイル体３５のコイル部３５０から発生する磁界は、ほぼトラック幅方向（図の紙面に垂直な方向）の成分からなりヘッド端面３００に垂直な成分を有しない上に、その強度も小さい。その結果、発熱コイル体３５に通電しても、磁束ＦＳ及びＦＢの間のバランスを崩すことがほとんどないので、ＷＡＴＥの発生を回避できる。
【００６６】
なお、磁束の流れがＷＡＴＥの発生限界以下であって、磁気ヘッド素子３２内にバッキングコイル部４２が設けられていない場合においても、本発明による発熱コイル体３５ならば、ＷＡＴＥ発生の問題を生じることなく設置可能となる。すなわち、発熱コイル体３５によれば、磁束の流れに加担してＷＡＴＥ発生限界を超えてしまうおそれがない。
【００６７】
さらに、発熱コイル体３５は、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４にほぼ隣接した位置であって、しかも発熱コイル体３５の端３５０ａは、ヘッド端面３００の近傍に達している。従って、ＷＡＴＥを引き起こす等の磁気的な悪影響を回避しつつ、発熱による磁気ヘッド素子３２の突出効率を十分に高めることができる。
【００６８】
なお、本実施形態の発熱コイル体３５は、図５（Ｂ）における位置Ｐ１に設置されているが、この位置に限定されるものではない。例えば、上部シールド層３３４とバッキングコイル部４２との間の位置Ｐ２にあってもよいし、主磁極層３４０と補助磁極層３４５との間の位置Ｐ３にあってもよい。いずれの位置においても、ＷＡＴＥを回避しつつ高い突出効率を実現できる。特に、位置Ｐ３に設置されている場合、電磁コイル素子３４の熱による突出のレスポンスが、書き込みコイル層からの熱による突出現象のレスポンスと同程度に早くなり、従来問題となっていた書き込み初期における書き込み特性不足を解消することも可能となる。
【００６９】
さらに、発熱コイル体は、上述した何れの位置においても又は各々それぞれの位置に、複数個配置されていてもよい。ここで、例えば、何れかの位置において２つの発熱コイル体が設置される場合、各発熱コイル体のコイル部は、磁気ヘッド素子の中心線に関して対称の位置に設置されることが好ましい。これにより、突出のための熱分布の中心をこの中心線に合わせることができるので、効果的な磁気ヘッド素子の突出が実現できる。
【００７０】
図６及び図７は、本発明による発熱コイル体の種々の変更態様の構成を概略的に示す平面図である。なお、いずれの変更態様においても、発熱コイル体は、上部シールド層と主磁極層（又はバッキングコイル部）との間に形成されているが、図の見易さのために、バッキングコイル部及び電磁コイル素子は省略されている。
【００７１】
図６（Ａ）によれば、発熱コイル体３５´は、発熱層３５００´と導電材料からなるコイル導体層３５０１´とから構成されるコイル部３５０´と、コイル部３５０´に通電するための第１及び第２のリード導体層３５１０´及び３５１１´から構成されるリード導体部３５１´とを備えている。ここで、コイル部３５０´の端３５０ａ´は、ヘッド端面３００の近傍にまで達している。また、第１及び第２のリード導体層３５１０´及び３５１１´は、互いに対向して伸長している。さらに、リード導体部３５１´は、上部シールド層３３４のヘッド端面３００に垂直な端辺３３４ａを横切って上部シールド層３３４の直上領域の外まで引き出されている。
【００７２】
すなわち、発熱コイル体３５´は、図４の発熱コイル体３５において、第２の発熱層３５０１をコイル導体層３５０１´に置換した構成となっている。従って、発熱層部分は少ないが、発熱コイル体３５と同様の作用効果を奏する。なお、コイル導体層３５０１´と第２のリード導体層３５１１´とは製造工程において、１つの導体層をパターニングして一括して形成されてもよい。また、図４の発熱コイル体３５において、第１の発熱層をコイル導体層に置換した構成であってもよい。
【００７３】
図６（Ｂ）によれば、発熱コイル体３５´´は、第１及び第２のリード導体層３５１０´´及び３５１１´´と第３のリード導体層３５１２´´とを用いて、図６（Ａ）のコイル部３５０´を複数個直列に接続した構成となっている。このような構成によると、通電される発熱層部分の全長としてより長い値を選択することによって、発熱コイル体としての素子抵抗値を所望の十分な大きさに設定可能となる。
【００７４】
図６（Ｃ）によれば、発熱コイル体３５´´´は、コ字状の発熱層３５００´´´とコ字状の導電材料からなるコイル導体層３５０１´´´とから構成されるコイル部３５０´´´と、コイル部３５０´´´に通電するための第１及び第２のリード導体層３５１０´´´及び３５１１´´´から構成されるリード導体部３５１´´´とを備えている。ここで、コイル部３５０´´´はコ字状であるので、図６（Ａ）のコイル部３５０´に比べて、コイル部当たりの発熱層部分をより長くすることができるので、発熱コイル体としての素子抵抗値を所望の十分な大きさに設定可能となる。
【００７５】
また、コイル部３５０´´´は、コ字状の背の部分（コの字の開いた方とは逆側）をヘッド端面３００に向けて設置されており、端３５０ａ´´´付近に存在するコイル面は、ヘッド端面３００に対して垂直となっている。これにより、ヘッド端面３００付近において、このヘッド端面に垂直な磁界成分ができるだけ発生しないように配慮されている。また、リード導体部３５１´´´は、図６（Ａ）のリード導体層３５１´と同じく上部シールド層３３４のヘッド端面３００に垂直な端辺３３４ａを横切って上部シールド層３３４の直上領域の外まで引き出されている。
【００７６】
なお、コイル導体層３５０１´´´と第２のリード導体層３５１１´´´とは製造工程において、１つの導体層をパターニングして一括して形成されてもよい。また、コイル導体層３５０１´´´の代わりに、発熱材料からなる発熱層が設けられていてもよい。
【００７７】
図６（Ｄ）によれば、発熱コイル体３５´´´´は、図６（Ｃ）のコイル部３５０´´´を複数個直列に接続した構成となっている。このような構成によると、通電される発熱層部分の全長としてより長い値を選択することによって、発熱コイル体としての素子抵抗値を所望の十分な大きさに設定可能となる。
【００７８】
図７（Ａ）によれば、リード導体部７０は、上部シールド層３３４のヘッド端面３００とは反対側の端辺３３４ｂを横切って上部シールド層３３４の直上領域の外まで引き出されている。このような態様においても、第１及び第２のリード導体層７００及び７０１は、互いに対向して伸長したまま引き出されており、外部に大きな磁界を漏洩させることがないので、ＷＡＴＥ発生に加担しない効果を奏する。なお、図７（Ｂ）のように、リード導体部７０´のリード導体層７００´及び７０１´をそれぞれ、上部シールド層３３４のヘッド端面３００とは垂直な端辺３３４ａ及び３３４ｃから引き出した態様においても、コイル部から発生する磁界の方向に対してはＷＡＴＥ防止のための制限が施されているので、本発明の範囲内となる。
【００７９】
以上、図６（Ａ）〜（Ｄ）並びに図７（Ａ）及び（Ｂ）の何れの変更態様においても、発熱コイル体は、上部シールド層上に形成されているが、例えば、この発熱コイル体と上部シールド層との間にバッキングコイル部が設けられていてもよい。さらに、発熱コイル体が、主磁極層と補助磁極層との間に形成されていてもよい。この場合、リード導体部は、第１及び第２のリード導体層が対向したまま、電磁コイル素子から外に引き出されることが好ましい。これにより、ＷＡＴＥの防止のみならず、書き込み磁界そのものへの悪影響をも回避できる。
【００８０】
図８及び図９は、図６に示した種々の発熱コイル体の具体的な積層構造を説明するための斜視図である。以下、図６（Ａ）に示した発熱コイル体の積層構造をＨＣ１とし、図６（Ｃ）に示した積層構造をＨＣ２とし、図６（Ｂ）に示した積層構造をＨＣ３とする。
【００８１】
図８（Ａ）は、積層構造ＨＣ１を具体的に示している。同図によれば、コイル導体層３５０１´が、発熱層３５００´上に絶縁層を介して積層されており、端３５０ａ´付近において電気的に接続されている。第１のリード導体層３５１０´は、発熱層３５００´の端３５０´とは反対側の端部に乗り上げて積層されており、発熱層３５００´と電気的に接続されている。第２のリード導体層３５１１´は、コイル導体層３５０１´と一体のパターンとして形成されている。ここで、コイル部３５０´の３５０ａ´付近におけるトラック幅方向の幅は約２〜約１５μｍ程度である。また、第１及び第２のリード導体層３５１０´及び３５１１´は、共に約５〜約１５μｍ程度の幅を有しており、ヘッド端面３００からそれぞれ約４０〜約８０μｍ程度及び約３０〜約７０μｍ程度離隔している。また、コイル部３５０´の端３５０ａ´付近の接続部におけるヘッド端面からの距離ＤＨＣは、約２〜約１０μｍ程度である。
【００８２】
図８（Ｂ）は、積層構造ＨＣ２を具体的に示している。同図によれば、コ字状のコイル導体層３５０１´´´が、コ字状の発熱層３５００´´´上に絶縁層を介して積層されており、端３５０ａ´´´付近において電気的に接続されている。第１のリード導体層３５１０´´´は、発熱層３５００´´´の端３５０ａ´´´とは反対側の端部に乗り上げて積層されており、発熱層３５００´´´と電気的に接続されている。第２のリード導体層３５１１´´´は、コイル導体層３５０１´´´と一体のパターンとして形成されている。ここで、第１及び第２のリード導体層３５１０´´´は、共に約５〜約１５μｍ程度の幅を有しており、ヘッド端面３００から約１５μｍ程度以上離隔している。また、発熱層３５００´´´及びコイル導体層３５０１´´´は、約２〜約１０μｍ程度の幅を有しており、さらに、発熱層３５００´´´及びコイル導体層３５０１´´´のコ字部分の幅ＷＨＣ´´´は、約２〜約１５μｍ程度である。さらに、コイル部３５０´´´のヘッド端面からの距離ＤＨＣ´´´は、約２〜約１０μｍ程度である。
【００８３】
図９（Ａ）は、積層構造ＨＣ３を具体的に示している。同図によれば、コイル導体層３５０１´´が、発熱層３５００´´上に絶縁層を介して積層されており、端３５０ａ´´付近において電気的に接続されている。第２のリード導体層３５１１´´は、コイル導体層３５０１´´と一体のパターンとして形成されている。第３のリード導体層３５１２´´は、発熱層３５００´´の端３５０ａ´´とは反対側の端部に乗り上げて積層されており、隣接するコイル部同士を直列に接続している。ここで、コイル部３５０´´のトラック幅方向の幅は約２〜約１５μｍ程度である。
【００８４】
なお、図９（Ｂ）に示すように、積層構造ＨＣ３において、第２及び第３のリード導体層３５１１´´及び３５１２´´の一部が上下に絶縁層を介して重畳していてもよい。この重畳部分においては、各層の電流の向きが反対となるので各層から発生する磁界が大部分打ち消し合って外部に漏洩し難くなる。ここで、発熱層の発熱部分の長さＬＨＣ´´は、約５〜約１５μｍ程度であり、端３５０ａ´´付近の接続部におけるヘッド端面からの距離ＤＨＣ´´は、約２〜約１０μｍ程度である。さらに、図９（Ｃ）に示すように、コイル導体層３５０１´´の代わりに、発熱層９０が設けられていてもよい。
【００８５】
以下、上述した積層構造を形成する各層の組成について説明する。
【００８６】
図８（Ａ）及び（Ｂ）並びに図９（Ａ）〜（Ｃ）における発熱層は、例えば、約０.０５〜約０.２μｍ程度の厚さを有しており、例えば、ＮｉＣｕを含む材料からなる。ここで、ＮｉＣｕにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約１５〜約６０原子％であり、好ましくは２５〜４５原子％である。また、このＮｉＣｕに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。
【００８７】
また、図８（Ａ）及び（Ｂ）並びに図９（Ａ）〜（Ｃ）における発熱層は、例えば、約０.０５〜約０.２μｍ程度の厚さを有しており、ＮｉＣｒを含む材料からなっていてもよい。この場合、ＮｉＣｒにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約５５〜約９０原子％であり、好ましくは７０〜８５原子％である。また、このＮｉＣｒに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。
【００８８】
さらに、図８（Ａ）及び（Ｂ）並びに図９（Ａ）〜（Ｃ）における発熱層は、例えば、約０.０５〜約０.２μｍ程度の厚さを有しており、Ｔａ単体又はＴａを含む材料からなっていてもよい。ここで、Ｔａに対する添加物として、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。
【００８９】
また、図８（Ａ）及び（Ｂ）並びに図９（Ａ）〜（Ｃ）におけるリード導体層及びコイル導体層は、例えば、Ａｕ、Ａｕ合金、Ｃｕ及びＣｕ合金等のうち１つから形成されていてもよい。
【００９０】
図１０は、図３（Ａ）の駆動端子電極３７の構造を示すための図３（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【００９１】
同図に示された断面には、引き出し電極３５１０ａ及び３５１１ａが現れているが、これらの電極は、それぞれ上部シールド層の直上領域の外に引き出された第１及び第２のリード導体層と電気的に接続されている。これらの引き出し電極３５２０ａ及び３５２１ａ上には、導電性を有する電極膜部材９１及び９４がそれぞれ形成されている。この電極膜部材９１及び９４上には、この電極膜部材９１及び９４を電極として電界めっきによって形成された、上方に伸びるバンプ９２及び９５がそれぞれ設けられている。電極膜部材９１及び９４並びにバンプ９２及び９５は、Ｃｕ等の導電材料等からなる。電極膜部材９１及び９４の厚みは、約１０〜約２００ｎｍ程度であり、バンプ９２及び９５の厚みは、約５〜約３０μｍ程度である。
【００９２】
バンプ９２及び９５の上端は、被覆層４６から露出しており、これらの上端には、発熱コイル体用のパッド９３及び９６がそれぞれ設けられている。このパッド９３及び９６を介して、発熱コイル体に電流が供給されることになる。なお、同様にして、ＭＲ効果素子及び電磁コイル素子は信号端子電極３６（図３（Ａ））と接続されているが、これらの接続構造は、図面の見易さのために表示されていない。
【００９３】
図１１は、図１の実施形態におけるＨＤＤの記録再生及び発熱制御回路１３の回路構成を示すブロック図である。
【００９４】
同図において、１０００は記録再生回路、１００１は発熱制御回路、１００２はＣＰＵをそれぞれ示している。記録再生回路１０００は、記録再生チャネル１００３とプリアンプ部１００４とを含む。発熱制御回路１００１は、レジスタ１００５と、Ｄ／Ａ変換器１００６と、電流制御部１００７とを含む。
【００９５】
記録再生チャネル１００３から出力される記録データは、プリアンプ部１００４に供給される。プリアンプ部１００４は、ＣＰＵ１００２から出力された記録制御信号をライトゲートで受け取り、この記録制御信号が書き込み動作を指示するときのみ、記録データを電磁コイル素子３４へ供給する。この際、プリアンプ部１００４は、この記録データに従ってコイル層３３２に書き込み電流を流し、磁気ディスク上に記録が行なわれる。
【００９６】
また、ＣＰＵ１００２から出力されてリードゲートで受け取られた再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、プリアンプ部１００４からＭＲ積層体３３２に定電流が流れる。ＭＲ効果素子３３からプリアンプ部１００４に受け取られた再生信号は、増幅復調されて再生データとして記録再生チャネル１００３に出力される。
【００９７】
電流制御部１００７は、記録再生チャネル１００３から出力される発熱コイル体ＯＮ／ＯＦＦ信号と、ＣＰＵ１００２からレジスタ１００５及びＤ／Ａ変換器１００６を介して出力される電流値制御信号とを受け取る。この発熱コイル体ＯＮ／ＯＦＦ信号がオン動作指示である場合、電流が発熱コイル体３５に流れる。この際の電流値は、電流値制御信号に応じた値に制御される。
【００９８】
このように、記録再生回路１０００とは独立して、発熱制御回路１００１を設けることによって、より多様な通電モードを用いることが可能となる。さらに、ＣＰＵ１００２は、記録再生回路１０００と発熱制御回路１００１を制御しているので、読み出し及び／又は書き込み動作とタイミングを合わせて発熱コイル体３５へ通電することが可能となる。
【００９９】
例えば、書き込み動作の初期において書き込み特性が不足する問題に対処するためには、発熱体からの熱を用いて、書き込み直前にマグネティックスペーシングを所定の小さな値に安定させることが有効となる。この場合、レスポンスのよい電磁コイル素子の突出が必要とされる。このような課題に対して、発熱コイル体が書き込みコイル層と同等の位置に又は電磁コイル素子のごく近傍に設置されており、熱による突出効率が高い本発明の薄膜磁気ヘッドを用いることによって初めて、ＷＡＴＥを引き起こすことなく、このような書き込み特性の安定化が達成可能となる。
【０１００】
なお、記録再生及び発熱制御回路１３の回路構成は、図１１に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録再生制御信号以外の信号で書き込み及び読み出し動作を特定してもよい。また、発熱コイル体３５に通電する電流として、直流、交流又はパルス電流等を用いることができる。
【０１０１】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明によるＨＤＤの一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明によるＨＧＡ全体を表す斜視図である。
【図３】図２の実施形態におけるＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッド及び磁気ヘッド素子の概略図である。
【図４】図３（Ｂ）の磁気ヘッド素子の一実施形態としての垂直磁気ヘッド素子の構成を示す断面図である。
【図５】図４の実施形態における発熱コイル体の作用効果を説明する磁気ヘッド素子の断面図である。
【図６】本発明による発熱コイル体の種々の変更態様の構成を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明による発熱コイル体の種々の変更態様の構成を概略的に示す平面図である。
【図８】図６に示した種々の発熱コイル体の具体的な積層構造を説明するための斜視図である。
【図９】図６に示した種々の発熱コイル体の具体的な積層構造を説明するための斜視図である。
【図１０】図３（Ａ）の駆動端子電極の構造を示すための図３（Ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図１１】図１の実施形態におけるＨＤＤの記録再生及び発熱制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【図１２】ＷＡＴＥ発生の原因を説明するための、磁気ヘッド素子内における磁束の分布図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  磁気ディスク
１００  軟磁性裏打ち層
１１  スピンドルモータ
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生及び発熱制御回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６  ピボットベアリング軸
１７  ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）
２０  サスペンション
２１  スライダ
２１０  スライダ基板
２２  ロードビーム
２３  フレクシャ
２４  ベースプレート
２５  配線部材
３０  浮上面（ＡＢＳ）
３００  ヘッド端面
３１  素子形成面
３２  磁気ヘッド素子
３３  ＭＲ効果素子
３３０  下部シールド層
３３１  下部シールドギャップ層
３３２  ＭＲ積層体
３３３  上部シールドギャップ層
３３４  上部シールド層
３３４ａ、３３４ｂ、３３４ｃ  端辺
３４  電磁コイル素子
３４０  主磁極層
３４０ａ、３４５０ａ  端部
３４００  主磁極主要層
３４０１  主磁極補助層
３４１  ギャップ層
３４３  コイル層
３４４  書き込みコイル絶縁層
３４４０  第１の書き込みコイル絶縁層
３４４１  第２の書き込みコイル絶縁層
３４５  補助磁極層
３４５０  トレーリングシールド部
３５  発熱コイル体
３５０、３５０´、３５０´´、３５０´´´  コイル部
３５０ａ、３５０ａ´、３５０ａ´´、３５０ａ´´´  端
３５００  第１の発熱層
３５００´、３５００´´、３５００´´´  発熱層
３５０１、９０  第２の発熱層
３５０１´、３５０１´´、３５０１´´´  コイル導体層
３５１、３５１´、３５１´´、３５１´´´、７０、７０´  リード導体部
３５１０、３５１０´、３５１０´´、３５１０´´´、７００  第１のリード導体層
３５１０ａ、３５１１ａ  引き出し電極
３５１１、３５１１´、３５１１´´、３５１１´´´、７０１  第２のリード導体層
３５１２´´  第３のリード導体層
３６  信号端子電極
３７  駆動端子電極
３８  法線
４０  第１の絶縁層
４１  第２の絶縁層
４２  バッキングコイル部
４２０  バッキングコイル層
４２１  バッキングコイル絶縁層
４３  第３の絶縁層
４４  第４の絶縁層
４５  第５の絶縁層
４６  被覆層
４７  コイル面
７００´、７０１´  リード導体層
９１、９４  電極膜部材
９２、９５  バンプ
９３、９６  パッド
１０００  記録再生回路
１００１  発熱制御回路
１００２  ＣＰＵ
１００３  記録再生チャネル
１００４  プリアンプ部
１００５  レジスタ
１００６  Ｄ／Ａ変換器
１００７  電流制御部
【図１】
2006331469.tif 000003
【図２】
2006331469.tif 000004
【図３】
2006331469.tif 000005
【図４】
2006331469.tif 000006
【図５】
2006331469.tif 000007
【図６】
2006331469.tif 000008
【図７】
2006331469.tif 000009
【図８】
2006331469.tif 000010
【図９】
2006331469.tif 000011
【図１０】
2006331469.tif 000012
【図１１】
2006331469.tif 000013
【図１２】
2006331469.tif 000014