(57)【要約】【課題】仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうこと。【解決手段】一次ストレージ３０であるハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域と二次ストレージ４０，５０である磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を有する仮想ディスク６０1〜６０3を複数設定し、ハードディスク３０1〜３０Lにおいて所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御する。【選択図】        図１
2006092124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置であって、
一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定手段と、
一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御手段と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
前記データ記憶制御手段は、ホストコンピュータからデータの記憶要求を受け付けた際に通知された仮想記憶領域におけるデータの記憶位置を一次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置および二次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置に変換する変換情報に基づいて、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする請求項１に記載の記憶装置。
【請求項３】
前記データ記憶制御手段は、所定の仮想記憶領域に属する一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータがホストコンピュータにより所定の期間参照されなかった場合に、前記一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする請求項１または２に記載の記憶装置。
【請求項４】
前記データ記憶制御手段により所定の仮想記憶領域に属する二次記憶部の記憶領域にデータが記憶された後、前記二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを読み出して一次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に当該データを記憶するよう制御するデータ復帰制御手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１、２または３に記載の記憶装置。
【請求項５】
二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、前記データ復帰制御手段により一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータをホストコンピュータに送信するデータ送信手段をさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の記憶装置。
【請求項６】
仮想記憶領域におけるデータの記憶容量に係る情報を取得する記憶容量情報取得手段をさらに備え、前記仮想記憶領域設定手段は、前記記憶容量情報取得手段により取得された情報に基づいて前記仮想記憶領域を設定することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の記憶装置。
【請求項７】
前記一次記憶部は、ハードディスクであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の記憶装置。
【請求項８】
前記二次記憶部は、磁気テープまたは光ディスクであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の記憶装置。
【請求項９】
ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置のデータの記憶制御をおこなう記憶制御方法であって、
一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定工程と、
一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御工程と、
を含んだことを特徴とする記憶制御方法。
【請求項１０】
ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置のデータの記憶制御をおこなう記憶制御プログラムであって、
一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定手順と、
一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする記憶制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置およびその記憶装置がデータの記憶制御をおこなう記憶制御方法および記憶制御プログラムに関し、特に、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができる記憶装置、記憶制御方法および記憶制御プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ホストコンピュータにより頻繁に参照されるデータをハードディスクに記憶し、参照される頻度が低いデータを光ディスクや磁気テープに記憶する階層記憶装置が利用されている。
【０００３】
一般に、ハードディスクは、データの記憶または読み出しを高速におこなうことができるという特徴を持っている。また、光ディスクや磁気テープは、データの記憶容量が大きいという特徴がある。これらの特徴を利用して、階層記憶装置は、大量のデータを記憶するとともに、頻繁に参照されるデータに高速にアクセスできるように構成されている。
【０００４】
また、階層記憶装置は、光ディスクや磁気テープに記憶されたデータの参照要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、光ディスクや磁気テープからそのデータを読み出してハードディスクに記憶する。そして、ホストコンピュータは、ハードディスクに記憶されたデータを参照する。
【０００５】
このように、ホストコンピュータは、ハードディスクとの間でのみデータの記憶および読み出しをおこなうため、光ディスクや磁気テープの存在を認識する必要がなく、あたかもハードディスクを大容量の記憶媒体であるかのように利用することができる。
【０００６】
たとえば、特許文献１および特許文献２には、ハードディスクの記憶領域と光ディスクの記憶領域とを対にして論理的なドライブを構成し、ハードディスクおよび光ディスクの記憶領域をホストコンピュータに１つの仮想記憶領域として認識させる階層記憶装置が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１６３２９８号公報
【特許文献２】特開平９−６５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献１および特許文献２に代表される階層記憶装置の従来技術では、さまざまなデータが仮想記憶領域に混在して記憶されるため、データの管理がしにくくなるという問題があった。
【０００９】
具体的には、複数のユーザにより階層記憶装置が利用される場合に、仮想記憶領域の中に各ユーザのデータが混在してしまい、他人のデータを誤って消去したり、データの上書きをおこなってしまうなどのトラブルが発生する可能性が高くなるという問題があった。特に、仮想記憶領域に大量のデータが記憶された場合には、データの管理がさらに難しくなってくる。
【００１０】
そのため、階層記憶装置において構築された仮想記憶領域にさまざまなデータが記憶される場合に、データの管理をいかに容易かつ効率的におこなえるようにするかが重要な課題となってきている。
【００１１】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができる記憶装置、記憶制御方法および記憶制御プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置であって、一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定手段と、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、上記発明において、前記データ記憶制御手段は、ホストコンピュータからデータの記憶要求を受け付けた際に通知された仮想記憶領域におけるデータの記憶位置を一次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置および二次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置に変換する変換情報に基づいて、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上記発明において、前記データ記憶制御手段は、所定の仮想記憶領域に属する一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータがホストコンピュータにより所定の期間参照されなかった場合に、前記一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、上記発明において、前記データ記憶制御手段により所定の仮想記憶領域に属する二次記憶部の記憶領域にデータが記憶された後、前記二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを読み出して一次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に当該データを記憶するよう制御するデータ復帰制御手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上記発明において、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、前記データ復帰制御手段により一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータをホストコンピュータに送信するデータ送信手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、上記発明において、仮想記憶領域におけるデータの記憶容量に係る情報を取得する記憶容量情報取得手段をさらに備え、前記仮想記憶領域設定手段は、前記記憶容量情報取得手段により取得された情報に基づいて前記仮想記憶領域を設定することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置のデータの記憶制御をおこなう記憶制御方法であって、一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定工程と、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御工程と、を含んだことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、上記発明において、前記データ記憶制御工程は、ホストコンピュータからデータの記憶要求を受け付けた際に通知された仮想記憶領域におけるデータの記憶位置を一次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置および二次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置に変換する変換情報に基づいて、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明は、上記発明において、前記データ記憶制御工程は、所定の仮想記憶領域に属する一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータがホストコンピュータにより所定の期間参照されなかった場合に、前記一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、上記発明において、前記データ記憶制御工程により所定の仮想記憶領域に属する二次記憶部の記憶領域にデータが記憶された後、前記二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを読み出して一次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に当該データを記憶するよう制御するデータ復帰制御工程をさらに含んだことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、上記発明において、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、前記データ復帰制御工程により一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータをホストコンピュータに送信するデータ送信工程をさらに含んだことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、上記発明において、前記仮想記憶領域設定工程により仮想記憶領域が複数設定された場合に、設定された仮想記憶領域におけるデータの記憶容量に係る情報を取得する記憶容量情報取得工程と、前記記憶容量情報取得工程により取得された情報に基づいて仮想記憶領域を再設定する仮想記憶領域再設定工程をさらに含み、前記データ記憶制御工程は、一次記憶部において前記仮想記憶領域再設定工程により再設定された所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明は、ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置のデータの記憶制御をおこなう記憶制御プログラムであって、一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定手順と、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御手順と、をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２５】
また、本発明は、上記発明において、前記一次記憶部は、ハードディスクであることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明は、上記発明において、前記二次記憶部は、磁気テープまたは光ディスクであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定し、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、仮想記憶領域ごとにデータを分類して記憶することができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができるという効果を奏する。
【００２８】
また、本発明によれば、ホストコンピュータからデータの記憶要求を受け付けた際に通知された仮想記憶領域におけるデータの記憶位置を一次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置および二次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置に変換する変換情報に基づいて、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、記憶位置の変換情報を用いることにより効率的にデータの記憶位置を特定することができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができるという効果を奏する。
【００２９】
また、本発明によれば、所定の仮想記憶領域に属する一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータがホストコンピュータにより所定の期間参照されなかった場合に、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、長期間参照されないデータを仮想記憶領域ごとに二次記憶部に自動的に記憶することができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができるという効果を奏する。
【００３０】
また、本発明によれば、所定の仮想記憶領域に属する二次記憶部の記憶領域にデータが記憶された後、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを読み出して一次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に当該データを記憶するよう制御することとしたので、二次記憶部に記憶されたデータを仮想記憶領域ごとに一次記憶部に自動的に復帰させることができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができるという効果を奏する。
【００３１】
また、本発明によれば、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から読み出され、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータをホストコンピュータに送信することとしたので、ホストコンピュータは二次記憶部の存在を認識する必要がなく、データの管理を容易かつ効率的におこなうことができるという効果を奏する。
【００３２】
また、本発明によれば、仮想記憶領域が複数設定された場合に、設定された仮想記憶領域におけるデータの記憶容量に係る情報を取得し、取得した情報に基づいて仮想記憶領域を再設定し、一次記憶部において再設定された所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを、二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、仮想記憶領域において空き容量が不足した場合に仮想記憶領域を再設定でき、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができるという効果を奏する。
【００３３】
また、本発明によれば、一次記憶部は、ハードディスクであることとしたので、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこないつつ、ホストコンピュータとの間でのデータの授受を高速におこなうことができるという効果を奏する。
【００３４】
また、本発明によれば、二次記憶部は、磁気テープまたは光ディスクであることとしたので、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこないつつ、大量のデータを記憶することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に添付図面を参照して、この発明に係る記憶装置、記憶制御方法および記憶制御プログラムの好適な実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３６】
まず、本発明に係るデータの記憶処理の概念について説明する。図１は、本発明に係るデータの記憶処理の概念を説明する図である。図１に示すように、このデータの記憶処理をおこなう記憶装置２０は、複数のハードディスク３０1〜３０Lからなる一次ストレージ３０と、磁気テープ４０1〜４０Mおよび光ディスク５０1〜５０Nからなる二次ストレージ４０，５０とを有する。
【００３７】
ハードディスク３０1〜３０Lは、ハードディスク装置に格納されている記憶媒体である。磁気テープ４０1〜４０Mおよび光ディスク５０1〜５０Nは、磁気テープライブラリ装置および光ディスクライブラリ装置にそれぞれ格納されている記憶媒体である。
【００３８】
磁気テープライブラリ装置または光ディスクライブラリ装置は、データの記憶処理または読み出し処理をおこなう場合に、処理対象となる磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nをそれぞれ選択し、データの記憶または読み出し処理を実行する。
【００３９】
また、光ディスク５０1〜５０Nは、具体的には、ＣＤ−Ｒ（Compact Disk Recordable）やＤＶＤ−Ｒ（Digital Versatile Disk Recordable）、ＣＤ−ＲＷ（Compact Disk Rewritable）、ＤＶＤ−ＲＡＭ（Digital Versatile Disk Random Access Memory）、ＰＤ（Phase Change Rewritable Disk）などの記憶媒体のことである。
【００４０】
そして、この記憶装置２０は、ハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域と、磁気テープ４０1〜４０mまたは光ディスク５０1〜５０nの記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数構築し、仮想記憶領域を有する仮想ディスク６０1〜６０3を設定する。
【００４１】
図１では、記憶装置２０は、ハードディスク３０1〜３０iの記憶領域と、磁気テープ４０1〜４０kの記憶領域とを組み合わせて仮想ディスク６０1の仮想記憶領域を構築し、ハードディスク３０i+1〜３０jの記憶領域と、磁気テープ４０k+1〜４０Mの記憶領域とを組み合わせて仮想ディスク６０2の仮想記憶領域を構築し、ハードディスク３０j+1〜３０Lの記憶領域と、光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域とを組み合わせて仮想ディスク６０3の仮想記憶領域を構築している。
【００４２】
ホストサーバ装置１０は、記憶装置２０にデータを記憶する場合に、データを記憶する仮想ディスク６０1〜６０3と仮想ディスク６０1〜６０3におけるデータの記憶位置を記憶装置２０に通知する。
【００４３】
記憶装置２０は、通知された仮想ディスク６０1〜６０3のデータの記憶位置を、当該仮想ディスク６０1〜６０3に属するハードディスク３０1〜３０Lのデータの記憶位置に変換し、得られた記憶位置にデータを記憶する処理をおこなう。
【００４４】
また、記憶装置２０は、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータのうち、ホストサーバ装置１０から長期間参照されないデータを二次ストレージ４０，５０の磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nに記憶する処理をおこなう。
【００４５】
このデータの記憶処理は、同一の仮想ディスク６０1〜６０3に属するハードディスク３０1〜３０Lと、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nとの間でのみおこなわれる。
【００４６】
さらに、記憶装置２０は、ホストサーバ装置１０からデータの読み出し要求を受け付けた場合に、一次ストレージ３０のハードディスク３０1〜３０Lにそのデータが記憶されているか否かを調べる。そして、ハードディスク３０1〜３０Lにデータが記憶されている場合には、記憶装置２０は、ホストサーバ装置１０にデータを送信する処理をおこなう。
【００４７】
ハードディスク３０1〜３０Lにデータが記憶されていない場合には、記憶装置２０は、二次ストレージ４０，５０の磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nから当該データを読み出して、ハードディスク３０1〜３０Lにそのデータを記憶する。そして、記憶装置２０は、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータを、データの読み出し要求をおこなったホストサーバ装置１０に送信する処理をおこなう。
【００４８】
ここで、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nからデータを読み出してハードディスク３０1〜３０Lに記憶する処理は、同一の仮想ディスク６０1〜６０3に属するものとして設定されたハードディスク３０1〜３０Lと、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nとの間でのみおこなわれる。
【００４９】
なお、図１では、一次ストレージ３０のハードディスク３０1〜３０Lを複数の組３０1〜３０i，３０i+1〜３０j，３０j+1〜３０Lに分割し、それぞれを各仮想ディスク６０1〜６０3に割り当てる場合を示しているが、ハードディスク３０1〜３０L全体を各仮想ディスク６０1〜６０3に割り当て、ハードディスク３０1〜３０Lの任意の記憶領域を各仮想ディスク６０1〜６０3に利用させることとしてもよい。
【００５０】
この場合、ハードディスク３０1〜３０L全体が各仮想ディスク６０1〜６０3における一次ストレージ３０として利用されることにより、各ハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域の利用効率を高めることができるようになる。
【００５１】
このように、一次ストレージ３０の記憶領域と二次ストレージ４０，５０の記憶領域とを組み合わせた仮想記憶領域を複数構築し、仮想記憶領域を有する仮想ディスク６０1〜６０3を設定することにより、さまざまなデータを仮想ディスク６０1〜６０3ごとに分類して記憶することができ、１つの記憶領域にデータを混在させて記憶する場合に比べて、データの管理を容易かつ効率的におこなうことができる。
【００５２】
つぎに、本実施例１に係る記憶装置２０の機能的構成について説明する。なお、以下の実施例では、ハードディスク３０1〜３０L全体を各仮想ディスク６０1〜６０3に割り当てて、各ハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域の利用効率を高める場合について説明することとする。
【００５３】
図２は、実施例１に係る記憶装置２０の機能的構成を示す機能ブロック図である。図２に示すように、この記憶装置２０は、ホストサーバ装置１０とファイバチャネルネットワーク７０を介して接続され、また、管理サーバ装置８０とＬＡＮ（Local Area Network）９０を介して接続されている。
【００５４】
ホストサーバ装置１０は、光ファイバを用いて構成されるファイバチャネルネットワーク７０を介して、記憶装置２０にデータの記憶を要求し、また、記憶装置２０に記憶されたデータの読み出しを要求するホストコンピュータである。
【００５５】
管理サーバ装置８０は、ユーザから仮想ディスク６０1〜６０3の設定情報の入力を受け付ける。そして、管理サーバ装置８０は、ＬＡＮ９０を介して記憶装置２０と接続し、仮想ディスク６０1〜６０3の設定情報を記憶装置２０に送信する処理をおこなう。
【００５６】
記憶装置２０は、管理サーバ装置８０から受信した設定情報に基づいて、仮想ディスク６０1〜６０3を構築し、仮想ディスク６０1〜６０3ごとにデータの記憶または読み出し処理を実行する。
【００５７】
具体的には、この記憶装置２０は、一次ストレージ３０の記憶領域と二次ストレージ４０，５０の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を有する仮想ディスク６０1〜６０3を設定し、データを一次ストレージ３０または二次ストレージ４０，５０に記憶する処理、および、一次ストレージ３０または二次ストレージ４０，５０からデータを読み出す処理を仮想ディスク６０1〜６０3ごとにおこなう。
【００５８】
図２に示すように、この記憶装置２０は、一次側記憶処理部２１０、磁気テープライブラリ装置２２０、光ディスクライブラリ装置２３０および二次側記憶処理部２４０を備える。
【００５９】
ここで、一次側記憶処理部２１０および二次側記憶処理部２４０、二次側記憶処理部２４０および磁気テープライブラリ装置２３０、二次側記憶処理部２４０および光ディスクライブラリ装置２４０は光ファイバにより構成されるファイバチャネル回線により接続されている。
【００６０】
一次側記憶処理部２１０は、一次ストレージ３０であるハードディスク３０1〜３０Lに対するデータの記憶処理およびハードディスク３０1〜３０Lからのデータの読み出し処理をおこなう。
【００６１】
この一次側記憶処理部２１０は、インターフェース部２１１，２１２、ハードディスク装置２１３、記憶部２１４および一次側制御部２１５を有する。インターフェース部２１１は、ホストサーバ装置１０との間でファイバチャネルネットワーク７０を介してデータの授受をおこなうネットワークインターフェースである。
【００６２】
インターフェース部２１２は、ファイバチャネル回線を介して、二次側記憶処理部２４０との間でデータの授受をおこなうネットワークインターフェースである。ハードディスク装置２１３は、ハードディスク３０1〜３０Lを格納し、ハードディスク３０1〜３０Lにデータを記憶し、また、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータを読み出す装置である。
【００６３】
このハードディスク装置２１３は、ＲＡＩＤ（Redundant Arrays of Independent Disks）技術を採用している。ＲＡＩＤ技術とは、データを複数のハードディスクに分散して記憶することにより、データの記憶および読み出し速度を向上させるとともに、同一データを複数のハードディスクに多重化して記憶することにより、データの破損などに対する信頼性を高める技術である。
【００６４】
さらに、このハードディスク装置２１３では、複数のハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域を論理的に統合または分割することにより複数の論理ユニットを構築する。各論理ユニットは、上記ＲＡＩＤ技術の特徴を備えており、自論理ユニットに属する複数のハードディスク３０1〜３０Lにデータを分散・多重化して記憶することができる。
【００６５】
また、論理ユニットの記憶領域は、ＭＲＢ（Migration Recall Block）と呼ばれる複数のブロックに分割される。図３は、論理ユニット１００の記憶領域が分割されて生成されるＭＲＢを説明する図である。
【００６６】
図３の例では、図１に示した仮想ディスク６０1のみを示しており、論理ユニット１００は、一次ストレージ３０であるハードディスク３０1〜３０iの記憶領域を統合することにより構成されている。
【００６７】
図３に示すように、論理ユニット１００におけるデータの記憶領域は、ＭＲＢと呼ばれる複数のブロックに分割される。このＭＲＢのサイズは、たとえば、２５６ＭＢなどに設定される。
【００６８】
そして、論理ユニット１００に記憶されたデータを二次ストレージ４０の磁気ディスク４０1〜４０kに記憶する場合、あるいは、磁気ディスク４０1〜４０kに記憶されたデータを論理ユニット１００に記憶する場合には、ＭＲＢ単位でデータの記憶処理が実行される。
【００６９】
ここで、一次ストレージ３０に記憶されたデータを二次ストレージ４０に記憶する処理は、「マイグレーション」と呼ばれる。また、二次ストレージ４０に記憶されたデータを一次ストレージ３０に記憶する処理は、「リコール」と呼ばれる。
【００７０】
一方、ホストサーバ装置１０は、一次ストレージ３０にデータを記憶する場合、または、一次ストレージ３０からデータを読み出す場合に、ＭＲＢよりも小さなブロック単位でデータの記憶または読み出しをおこなうことができる。
【００７１】
その際、ホストサーバ装置１０は、データの記憶または読み出しをおこなう仮想ディスク６０1と、仮想ディスク内相対アドレスの情報とを記憶装置２０に通知する。ここで、仮想ディスク内相対アドレスとは、仮想ディスク６０1の仮想記憶領域をＭＲＢと同一のサイズになるよう分割した論理ブロック内のデータの記憶位置を示す情報である。
【００７２】
各論理ブロックは、ホストサーバ装置１０によるデータの記憶または読み出し単位となる複数のブロックにさらに分割されており、論理ブロック内のデータの記憶位置は、分割された各ブロックの先頭ブロックからの相対ブロック番号により特定される。この相対ブロック番号が、仮想ディスク内相対アドレスに相当するものとなる。
【００７３】
そして、記憶装置２０は、仮想ディスク６０1と仮想ディスク内相対アドレスの情報とに基づいて、データを記憶または読み出すべき論理ユニット１００、論理ユニット１００のＭＲＢ、および、ＭＲＢ内でのデータの記憶位置を割り出し、割り出された記憶位置にデータを記憶する処理、または、割り出された記憶位置からデータを読み出す処理を実行する。ここで、論理ユニット１００のＭＲＢは、ＭＲＢが分割されたブロックのＭＲＢ内でのブロック数、および、相対ブロック番号の情報に基づいて特定することができる。
【００７４】
図２の説明に戻ると、記憶部２１４は、ハードディスク装置などの記憶デバイスである。この記憶部２１４は、一次側マッピングテーブル２１４ａを記憶している。一次側マッピングテーブル２１４ａは、仮想ディスク６０1〜６０3におけるデータの記憶位置と、論理ユニットにおけるデータの記憶位置との間の対応関係を記憶したテーブルである。
【００７５】
図４は、図２に示した一次側マッピングテーブル２１４ａの一例を示す図である。図４に示すように、この一次側マッピングテーブル２１４ａは、仮想ディスク番号、仮想ディスク内論理ブロックアドレス、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレス、ステータスおよび最終参照時刻の各データが記憶されている。
【００７６】
仮想ディスク番号は、仮想ディスク６０1〜６０3を識別する識別番号である。仮想ディスク内論理ブロックアドレスは、仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域においてデータを記憶する論理ブロックを特定するアドレスである。
【００７７】
論理ユニット番号は、複数のハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域を論理的に統合または分割することにより構築された論理ユニットを識別する番号である。論理ユニット内論理ブロックアドレスは、論理ユニットの記憶領域においてデータの記憶または読み出しをおこなうＭＲＢを特定するアドレスである。
【００７８】
ステータスは、一次ストレージ３０と二次ストレージ４０，５０との間のデータの同期状況を示している。このステータスには、「ヒット」、「ダーティ」または「ミス」の３つのデータの同期状況が示される。
【００７９】
「ヒット」は、一次ストレージ３０に記憶されたデータと、二次ストレージ４０，５０に記憶されたデータとが一致していることを示している。「ダーティ」は、二次ストレージ４０，５０にデータが記憶された後、一次ストレージ３０に記憶されたデータが更新され、一次ストレージ３０に記憶されたデータと、二次ストレージ４０，５０に記憶されたデータとが一致していないことを示している。
【００８０】
ステータスが「ダーティ」であるデータがある場合には、記憶装置２０は、あらかじめ指定された時間間隔で二次ストレージ４０，５０のデータを一次ストレージ３０のデータで更新し、一次ストレージ３０に記憶されたデータと、二次ストレージ４０，５０に記憶されたデータとを一致させる。
【００８１】
「ミス」は、一次ストレージ３０にデータを記憶する際に、仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域が一次ストレージ３０に設定されたものの、データがまだ記憶されていない状況を示している。ステータスが「ミス」である場合には、一次ストレージ３０に設定された仮想記憶領域に当該データが記憶されるまで、他のデータを記憶させないよう排他制御がなされる。
【００８２】
最終参照時刻は、ホストコンピュータ１０によりデータが最後に参照された時刻を示すデータである。記憶装置２０は、最終参照時刻を参照し、現在時刻と最終参照時刻との差が所定の値を越えた場合に、一次ストレージ３０に記憶されたデータを二次ストレージ４０，５０に記憶する処理をおこなう。
【００８３】
図４の例では、仮想ディスク番号が「０」、仮想ディスク内論理ブロックアドレスが「２」といった仮想ディスク６０1〜６０3に係る情報に対して、論理ユニット番号が「４」、論理ユニット内論理ブロックアドレスが「２４」、ステータスが「ヒット」、最終参照時刻が「２００４／８／２４  １３：１５：２３」といった一次ストレージ３０に係る情報が対応付けられて記憶されている。他の仮想ディスク６０1〜６０3に係る情報に対しても、同様に、一次ストレージ３０に係る情報が対応付けられて記憶されている。
【００８４】
図２の説明に戻ると、一次側制御部２１５は、一次ストレージ３０に対するデータの記憶または一次ストレージ３０からのデータの読み出しを制御する。また、一次側制御部２１５は、ホストサーバ装置１０により読み出し要求がなされたデータが一次ストレージ３０に記憶されていない場合に、そのデータを二次ストレージ４０，５０から読み出して転送するよう二次側記憶装置２２０に要求する処理をおこなう。
【００８５】
この一次側制御部２１５は、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａ、リコール要求部２１５ｂ、マイグレーション要求部２１５ｃおよびＲＡＩＤ制御部２１５ｄを有する。一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、一次側マッピングテーブル２１４ａの管理をおこなう。
【００８６】
具体的には、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０からデータの記憶要求を受け付けた場合に、ホストサーバ装置１０から通知された仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスの情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに登録されているか否かを調べる。
【００８７】
そして、それらの情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに登録されている場合には、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応する論理ユニット番号および論理ユニット内論理ブロックアドレスの情報を取得する。
【００８８】
そして、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレス、および、ホストサーバ装置１０から通知される仮想ディスク内相対アドレスにより特定される論理ユニット内のデータの記憶位置にデータを記憶するようＲＡＩＤ制御部２１５ｄに要求する処理をおこなう。
【００８９】
仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスの情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに登録されていない場合には、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、リコール要求部２１５ｂに対して、二次側記憶処理部２４０にリコール実行要求を送信するよう要求する。
【００９０】
ここで、リコール実行要求とは、磁気テープライブラリ装置２２０の磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスクライブラリ装置２３０の光ディスク５０1〜５０Nに記憶しておいたデータをＭＲＢ単位で読み出して、読み出したデータをＭＲＢ単位で一次側記憶処理部２１０に送信するよう要求するメッセージである。
【００９１】
一次側記憶処理部２１０が二次側記憶処理部２４０からデータを受信した場合には、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄが、そのデータをハードディスク装置２１３のハードディスク３０1〜３０Lに記憶するよう制御する。
【００９２】
そして、図３に示したように、ホストコンピュータ１０から記憶要求をブロック単位で受け付けたデータにより、二次側記憶処理部２４０からＭＲＢ単位で受信したデータの一部または全部が更新される。
【００９３】
また、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、一次ストレージ３０および二次ストレージ４０，５０におけるデータの記憶状況に応じて、一次側マッピングテーブル２１４ａのステータスを「ヒット」、「ダーティ」または「ミス」に設定する処理をおこなう。
【００９４】
さらに、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ハードディスク装置２１３のハードディスク３０1〜３０Lにデータが記憶された場合、あるいは、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータが参照された場合に、一次側マッピングテーブル２１４ａの最終参照時刻の情報を更新する処理をおこなう。
【００９５】
リコール要求部２１５ｂは、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａによりリコール要求を二次側記憶処理部２４０に送信するよう要求された場合に、リコール要求を送信する処理をおこなう。
【００９６】
マイグレーション要求部２１５ｃは、ハードディスク装置２１３のハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータが長期間参照されない場合に、そのデータのマイグレーション実行要求を二次側記憶処理部２４０に送信する。
【００９７】
ここで、マイグレーション実行要求とは、ハードディスク装置２１３のハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータを、磁気テープライブラリ装置２３０の磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスクライブラリ装置２４０の光ディスク５０1〜５０Nに記憶するよう要求するメッセージである。
【００９８】
また、マイグレーション要求部２１５ｃは、ハードディスク３０1〜３０Lにより構成される論理ユニットの空き容量が所定値よりも小さくなった場合に、一次側マッピングテーブル２１４ａのステータスが「ヒット」となっているデータを検索し、検索されたデータを一次側マッピングテーブル２１４ａから削除するよう一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａに要求する処理をおこなう。
【００９９】
ＲＡＩＤ制御部２１５ｄは、複数のハードディスク３０1〜３０Lにデータを分散して記憶するとともに、同一データを複数のハードディスク３０1〜３０Lに多重化して記憶するようハードディスク装置２１３を制御する。
【０１００】
磁気テープライブラリ装置２２０は、磁気テープ４０1〜４０Mを複数格納し、データの記憶処理または読み出し処理をおこなう場合に、記憶処理または読み出し処理の対象となる磁気テープ４０1〜４０Mを選択し、記憶処理または読み出し処理を実行する装置である。
【０１０１】
光ディスクライブラリ装置２３０は、光ディスク５０1〜５０Nを複数格納し、データの記憶処理または読み出し処理をおこなう場合に、記憶処理または読み出し処理の対象となる光ディスク５０1〜５０Nを選択し、記憶処理または読み出し処理を実行する装置である。
【０１０２】
二次側記憶処理部２４０は、二次ストレージ４０，５０である磁気テープライブラリ装置２２０に格納された磁気テープ４０1〜４０Mおよび光ディスクライブラリ装置２３０に格納された光ディスク５０1〜５０Nに対するデータの記憶、または、磁気テープ４０1〜４０Mおよび光ディスク５０1〜５０Nからのデータの読み出しを制御する。
【０１０３】
この二次側記憶処理部２４０は、インターフェース部２４１〜２４４、記憶部２４５および二次側制御部２４６を有する。インターフェース部２４１は、管理サーバ装置８０との間で、ＬＡＮ９０を介してデータの授受をおこなうネットワークインターフェースである。
【０１０４】
インターフェース部２４２〜２４４は、ファイバチャネル回線を介して、一次側記憶処理部２１０、磁気テープライブラリ装置２２０および光ディスクライブラリ装置２３０との間でそれぞれデータの授受をおこなうネットワークインターフェースである。
【０１０５】
記憶部２４５は、ハードディスク装置などの記憶デバイスである。この記憶部２４５は、二次側マッピングテーブル２４５ａを記憶している。二次側マッピングテーブル２４５ａは、仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域におけるデータの記憶位置と、磁気テープライブラリ装置２２０に格納されている磁気テープ４０1〜４０Mの記憶領域または光ディスクライブラリ装置２３０に格納されている光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域におけるデータの記憶位置との間の対応関係を記憶したテーブルである。
【０１０６】
図５は、図２に示した二次側マッピングテーブル２４５ａの一例を示す図である。図５に示すように、この二次側マッピングテーブル２４５ａは、仮想ディスク番号、仮想ディスク内論理ブロックアドレス、リムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号の各データが記憶されている。
【０１０７】
仮想ディスク番号は、図４の一次側マッピングテーブル２１４ａにおける仮想ディスク番号と同様のものであり、仮想ディスク６０1〜６０3を識別する識別番号である。仮想ディスク内論理ブロックアドレスは、仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域においてデータを記憶する論理ブロックを特定するアドレスである。
【０１０８】
リムーバブルメディア番号は、個々の磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nを識別する識別番号である。リムーバブルメディアブロック番号は、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域がＭＲＢに分割されている場合に、データの記憶または読み出しをおこなうＭＲＢを識別する識別番号である。
【０１０９】
ライブラリ番号は、磁気テープ４０1〜４０Mおよび光ディスク５０1〜５０Nが格納されている磁気テープライブラリ装置２２０および光ディスクライブラリ装置２３０の各ライブラリ装置を識別する識別番号である。
【０１１０】
図５の例では、仮想ディスク番号が「０」、仮想ディスク内論理ブロックアドレスが「０」といった仮想ディスク６０1〜６０3に係る情報に対して、リムーバブルメディア番号が「０」、リムーバブルメディアブロック番号が「０」、ライブラリ番号が「０」といった二次ストレージ４０，５０に係る情報が対応付けられて記憶されている。他の仮想ディスク６０1〜６０3に係る情報に対しても、同様に、二次ストレージ４０，５０に係る情報が対応付けられて記憶されている。
【０１１１】
二次側制御部２４６は、二次ストレージ４０，５０である磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nに対するデータの記憶または磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nからのデータの読み出しを制御する。
【０１１２】
また、二次側制御部２４６は、一次側記憶処理部２１０からリコール実行要求またはマイグレーション実行要求を受け付けた場合に、データのリコール処理またはマイグレーション処理の実行制御をおこなう。
【０１１３】
この二次側制御部２４６は、二次側仮想ディスク設定管理部２４６ａ、リコール実行制御部２４６ｂ、マイグレーション実行制御部２４６ｃを有する。二次側仮想ディスク設定管理部２４６ａは、二次側マッピングテーブル２４５ａの管理をおこなう。
【０１１４】
具体的には、二次側仮想ディスク設定管理部２４６ａは、管理サーバ装置８０から仮想ディスク６０1〜６０3の設定情報を受け付けて、二次側マッピングテーブル２４５ａに設定情報を記憶することにより仮想ディスク６０1〜６０3を設定する。
【０１１５】
この設定情報には、仮想ディスク６０1〜６０3の仮想ディスク番号と、その仮想ディスク６０1〜６０3に帰属させる磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nのリムーバブルメディア番号、および、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nが格納されている磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０のライブラリ番号が含まれる。
【０１１６】
また、二次側仮想ディスク設定管理部２４６ａは、一次側記憶処理部２１０のマイグレーション要求部２１５ｃによりマイグレーション実行要求を受け付けた場合に、マイグレーションがなされるデータに対して、仮想ディスク内論理ブロックアドレスおよびリムーバブルメディアブロック番号を割り当て、割り当てた仮想ディスク内論理ブロックアドレスおよびリムーバブルメディアブロック番号を二次側マッピングテーブル２４６ａに記憶する。
【０１１７】
これにより、仮想ディスク６０1〜６０3の論理ブロックと磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０NのＭＲＢとが対応付けられ、データを記憶または読み出す仮想ディスク６０1〜６０3の論理ブロックが指定された場合に、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０NのＭＲＢを特定することができるようになる。
【０１１８】
一旦、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスと、リムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号との間の対応関係が二次側マッピングテーブル２４６ａに記憶されると、それ以降は、その対応関係に基づいて磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nに対するデータの記憶または読み出し処理が実行される。
【０１１９】
リコール実行制御部２４６ｂは、一次側記憶処理部２１０のリコール要求部２１５ｂによりデータのリコール実行要求を受け付けた場合に、磁気テープライブラリ装置２２０の磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスクライブラリ装置２３０の光ディスク５０1〜５０Nから当該データを読み出す制御処理をおこなう。
【０１２０】
そして、リコール実行制御部２４６ｂは、磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０により読み出されたデータを、一次側記憶処理部２１０のＲＡＩＤ制御部２１５ｄに送信し、ハードディスク装置２１３のハードディスク３０1〜３０Lに記憶させる。
【０１２１】
具体的には、リコール実行制御部２４６ｂは、リコール実行要求を受け付けた場合に、二次側マッピングテーブル２４５ａを参照し、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応する磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nのリムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号の情報を取得する。
【０１２２】
そして、リコール実行制御部２４６ｂは、リムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号により特定される磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０NのＭＲＢのデータを読み出すように磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する。
【０１２３】
マイグレーション実行制御部２４６ｃは、一次側記憶処理部２１０のマイグレーション要求部２１５ｃによりデータのマイグレーション実行要求を受け付けた場合に、磁気テープライブラリ装置２２０の磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスクライブラリ装置２３０の光ディスク５０1〜５０Nにそのデータを記憶する制御処理をおこなう。
【０１２４】
具体的には、マイグレーション実行制御部２４６ｃは、マイグレーション実行要求を受け付けた場合に、二次側マッピングテーブル２４５ａを参照し、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応する磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nのリムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号の情報を取得する。
【０１２５】
そして、マイグレーション実行制御部２４６ｃは、リムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号により特定される磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０NのＭＲＢにデータを記憶するように磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する。
【０１２６】
つぎに、図２に示した記憶装置２０の一次側記憶処理部２１０および二次側記憶処理部２４０のハードウェア構成について説明する。図６は、図２に示した記憶装置２０の一次側記憶処理部２１０のハードウェア構成を示す図であり、図７は、図２に示した記憶装置２０の二次側記憶処理部２４０のハードウェア構成を示す図である。
【０１２７】
図６に示すように、この一次側記憶処理部２１０は、ＲＡＭ（Random Access Memory）１１０、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１１１、ＨＤ（Hard Disk）１１２、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１３、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１４、ＨＤＤ１１５1〜１１５n、ＨＤ１１６1〜１１６n、ネットワークインターフェース１１７および１１８がバス１１９で接続された構成となる。
【０１２８】
ＨＤ１１２は、データを磁気的に記憶する記憶媒体であり、一次側マッピングテーブル１１２ａが記憶されている。この一次側マッピングテーブル１１２ａは、図２に示した一次側マッピングテーブル２１４ａに対応するものである。このＨＤ１１２は、ＨＤＤ１１１によりデータの記憶および読み出しが制御される。
【０１２９】
そして、一次側マッピングテーブル１１２ａは、ＣＰＵ１１４からの参照要求により、揮発性の記憶デバイスであるＲＡＭ１１０に読み出され、ＣＰＵ１１４により参照される。
【０１３０】
不揮発性の記憶デバイスであるＲＯＭ１１３には、一次側仮想ディスク設定管理プログラム１１３ａ、リコール要求プログラム１１３ｂ、マイグレーション要求プログラム１１３ｃおよびＲＡＩＤ制御プログラム１１３ｄがあらかじめ記憶されている。
【０１３１】
それらの各プログラム１１３ａ〜１１３ｄは、ＣＰＵ１１４に読み込まれて実行されることにより、一次側仮想ディスク設定管理プロセス１１４ａ、リコール要求プロセス１１４ｂ、マイグレーション要求プロセス１１４ｃおよびＲＡＩＤ制御プロセス１１４ｄとなる。
【０１３２】
この一次側仮想ディスク設定管理プロセス１１４ａが、図２の一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａに対応し、リコール要求プロセス１１４ｂが、図２のリコール要求部２１５ｂに対応し、マイグレーション要求プロセス１１４ｃが、図２のマイグレーション要求部２１５ｃに対応し、ＲＡＩＤ制御プロセス１１４ｄが、図２のＲＡＩＤ制御部２１５ｄに対応する。
【０１３３】
ＨＤＤ１１５1〜１１５nは、データを磁気的に記憶する記憶媒体であるＨＤ１１６1〜１１６nに対するデータの記憶および読み出しを制御する。このＨＤＤ１１５1〜１１５nおよびＨＤ１１６1〜１１６nは、図２に示したハードディスク装置２１３に対応する。
【０１３４】
ネットワークインターフェース１１７は、ファイバチャネルネットワーク７０を介して、ホストサーバ装置１０との間でデータの送受信をおこなうインターフェースである。ネットワークインターフェース１１８は、ファイバチャネル回線を介して、二次側記憶処理部２４０との間でデータの送受信をおこなうインターフェースである。ネットワークインターフェース１１７および１１８は、図２に示したインターフェース部２１１および２１２にそれぞれ対応する。
【０１３５】
また、図７に示すように、二次側記憶処理部２４０は、ＲＯＭ１２０、ＨＤＤ１２１、ＨＤ１２２、ＲＡＭ１２３、ＣＰＵ１２４およびネットワークインターフェース１２５〜１２８がバス１２９で接続された構成となる。
【０１３６】
ＲＯＭ１２０は、二次側記憶処理部２４０のブートプログラムなどを記憶した不揮発性の記憶デバイスである。データを磁気的に記憶するＨＤ１２２には、二次側マッピングテーブル１２２ａ、二次側仮想ディスク設定管理プログラム１２２ｂ、リコール実行制御プログラム１２２ｃおよびマイグレーション実行制御プログラム１２２ｄが記憶されている。そして、ＨＤＤ１２１は、ＨＤ１２２に対するデータの記憶および読み出しを制御する。
【０１３７】
二次側マッピングテーブル１２２ａ、二次側仮想ディスク設定管理プログラム１２２ｂ、リコール実行制御プログラム１２２ｃおよびマイグレーション実行制御プログラム１２２ｄは、ＣＰＵ１２４からの参照要求により、揮発性の記憶デバイスであるＲＡＭ１２３に記憶される。
【０１３８】
さらに、上記各プログラム１２２ｂ〜１２２ｄは、ＣＰＵ１２４に読み込まれて実行されることにより、それぞれ二次側仮想ディスク設定管理プロセス１２４ａ、リコール実行制御プロセス１２４ｂおよびマイグレーション実行制御プロセス１２４ｃとなる。
【０１３９】
この二次側仮想ディスク設定管理プロセス１２４ａが、図２の二次側仮想ディスク設定管理部２４６ａに対応し、リコール実行制御プロセス１２４ｂが、図２のリコール実行制御部２４６ｂに対応し、マイグレーション実行制御プロセス１２４ｃが、図２のマイグレーション実行制御部２４６ｃに対応する。
【０１４０】
ネットワークインターフェース１２５は、ＬＡＮ９０を介して、管理サーバ装置８０との間でデータの送受信をおこなうインターフェースである。ネットワークインターフェース１２６は、ファイバチャネル回線を介して、一次側記憶処理部２１０との間でデータの送受信をおこなうインターフェースである。
【０１４１】
また、ネットワークインターフェース１２７および１２８は、ファイバチャネル回線を介して、磁気テープライブラリ装置２２０および光ディスクライブラリ装置２３０との間でデータの送受信をおこなうインターフェースである。ネットワークインターフェース１２５〜１２８は、図２に示したインターフェース部２４１〜２４４にそれぞれ対応する。
【０１４２】
つぎに、本実施例１に係る記憶装置２０がおこなうマイグレーション処理の処理手順について説明する。図８は、実施例１に係る記憶装置２０がおこなうマイグレーション処理の処理手順を示すフローチャートである。
【０１４３】
なお、ここでは、二次側仮想ディスク設定管理部２４６ａにより仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスと、リムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号との間の対応関係が二次側マッピングテーブル２４６ａにすでに記憶されているものとする。
【０１４４】
図８に示すように、まず、記憶装置２０における一次側記憶処理部２１０のマイグレーション要求部２１５ｃは、一次側マッピングテーブル２１４ａを記憶部２１４から読み込み（ステップＳ１０１）、最終参照時刻の情報を基にして、所定の期間以上参照されず、かつ、ステータスが「ダーティ」であるデータがあるか否かを調べる（ステップＳ１０２）。
【０１４５】
所定の期間以上参照されず、かつ、ステータスが「ダーティ」であるデータがない場合には（ステップＳ１０２，Ｎｏ）、マイグレーション要求部２１５ｃは、そのままこのマイグレーション処理を終了する。
【０１４６】
所定の期間以上参照されず、かつ、ステータスが「ダーティ」であるデータがある場合には（ステップＳ１０２，Ｙｅｓ）、マイグレーション要求部２１５ｃは、マイグレーション実行要求を二次側記憶処理部２４０に送信する（ステップＳ１０３）。このマイグレーション実行要求には、マイグレーションをおこなうデータの仮想ディスク番号、仮想ディスク内論理ブロックアドレス、論理ユニット番号および論理ユニット内論理ブロックアドレスの情報が含まれている。
【０１４７】
一方、二次側記憶処理部２４０のマイグレーション実行制御部２４６ｃは、一次側記憶処理部２１０により送信されたマイグレーション実行要求を受信する（ステップＳ１０４）。そして、マイグレーション実行制御部２４６ｃは、二次側マッピングテーブル２４５ａを記憶部２４５から読み込み（ステップＳ１０５）、データのマイグレーションをおこなう磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nのリムーバブルメディアをマウントするよう磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する（ステップＳ１０６）。
【０１４８】
具体的には、マイグレーション実行制御部２４６ｃは、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応するリムーバブルメディア番号およびライブラリ番号を二次側マッピングテーブル２４５ａから検索し、リムーバブルメディア番号およびライブラリ番号に対応するリムーバブルメディアをマウントするよう磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する。
【０１４９】
その後、マイグレーション実行制御部２４６ｃは、マイグレーションをおこなうデータをハードディスク装置２１３から読み出すデータ読出要求を一次側記憶処理部２１０に送信する処理をおこなう（ステップＳ１０７）。
【０１５０】
一方、一次側記憶処理部２１０のマイグレーション要求部２１５ｃは、二次側記憶処理部２４０のマイグレーション実行制御部２４６ｃにより送信されたデータ読出要求を受信する（ステップＳ１０８）。そして、マイグレーション要求部２１５ｃは、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄにマイグレーションをおこなうデータをハードディスク装置２１３から読み出すように要求し、その結果読み出されたデータを二次側記憶処理部２４０に送信する（ステップＳ１０９）。
【０１５１】
そして、二次側記憶処理部２４０のマイグレーション実行制御部２４６ｃは、一次側記憶処理部２１０のマイグレーション要求部２１５ｃにより送信されたデータを受信し（ステップＳ１１０）、受信したデータを磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０NのＭＲＢに記憶するよう磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する（ステップＳ１１１）。
【０１５２】
その際、マイグレーション実行制御部２４６ｃは、仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応するリムーバブルメディアブロック番号を二次側マッピングテーブル２４５ａから検索することにより、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nにおいてデータを記憶するＭＲＢを特定する。
【０１５３】
その後、マイグレーション実行制御部２４６ｃは、マイグレーション処理の実行完了メッセージを一次側記憶処理部２１０に送信し（ステップＳ１１２）、二次側記憶処理部２４０におけるマイグレーション処理を終了する。
【０１５４】
一方、一次側記憶処理部２１０のマイグレーション要求部２１５ｃは、二次側記憶処理部２４０のマイグレーション実行制御部２４６ｃにより送信された実行完了メッセージを受信する（ステップＳ１１３）。
【０１５５】
その後、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、マイグレーション処理をおこなったデータの一次側マッピングテーブル２１４ａのステータスを「ヒット」に更新し（ステップＳ１１４）、一次側記憶処理部２１０におけるマイグレーション処理を終了する。
【０１５６】
つぎに、本実施例１に係る記憶装置２０がおこなうデータの読み出し処理の処理手順について説明する。図９は、実施例１に係る記憶装置２０がおこなうデータの読み出し処理の処理手順を示すフローチャートである。
【０１５７】
図９に示すように、まず、記憶装置２０における一次側記憶処理部２１０の一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０からデータの読み出し要求を受け付けた場合に（ステップＳ２０１）、一次側マッピングテーブル２１４ａを読み込む（ステップＳ２０２）。
【０１５８】
その際、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、読み出すデータが記憶された仮想ディスク６０1〜６０3の仮想ディスク番号、および、仮想ディスク内相対アドレスの情報をホストサーバ装置１０から取得する。
【０１５９】
そして、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、読み出すデータに係るマッピング情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに記憶されているか否かを調べる（ステップＳ２０３）。ここで、マッピング情報とは、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスと、論理ユニットおよび論理ユニット内論理ブロックアドレスとの間の対応関係を示す情報である。
【０１６０】
マッピング情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに記憶されている場合には（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄは、そのマッピング情報を基にして、ハードディスク装置２１３のハードディスク３０1〜３０Lからデータを読み出し（ステップＳ２１４）、読み出したデータをホストサーバ装置１０に送信して（ステップＳ２１５）、データの読み出し処理を終了する。
【０１６１】
マッピング情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに記憶されていない場合には（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０から読み出し要求を受け付けたデータに対して、仮想ディスク６０1〜６０3における仮想記憶領域を割り当てる処理をおこなう（ステップＳ２０４）。
【０１６２】
具体的には、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０から通知された仮想ディスク６０1〜６０3の仮想ディスク番号、および、仮想ディスク内相対アドレスにより特定される仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対して、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレスを割り当てる。
【０１６３】
そして、リコール要求部２１５ｂは、二次側記憶処理部２４０に対してリコール実行要求を送信する（ステップＳ２０５）。
【０１６４】
一方、二次側記憶処理部２４０のリコール実行制御部２４６ｂは、一次側記憶処理部２１０のリコール要求部２１５ｂにより送信されたリコール実行要求を受信する（ステップＳ２０６）。
【０１６５】
そして、リコール実行制御部２４６ｂは、二次側マッピングテーブル２４５ａを読み込み（ステップＳ２０７）、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nのリムーバブルメディアをマウントするよう磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する（ステップＳ２０８）。
【０１６６】
具体的には、リコール実行制御部２４６ｂは、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応するリムーバブルメディア番号およびライブラリ番号を二次側マッピングテーブル２４５ａから検索し、リムーバブルメディア番号およびライブラリ番号に対応するリムーバブルメディアをマウントするよう磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する。
【０１６７】
その後、リコール実行制御部２４６ｂは、リコール実行要求がなされたデータを磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nから読み出すよう磁気テープライブラリ装置２２０または光ディスクライブラリ装置２３０を制御する（ステップＳ２０９）。
【０１６８】
その際、リコール実行制御部２４６ｂは、仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応するリムーバブルメディアブロック番号を二次側マッピングテーブル２４５ａから検索することにより、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nにおいてデータを読み出すＭＲＢを特定する。
【０１６９】
続いて、リコール実行制御部２４６ｂは、読み出したデータを一次側記憶処理部２１０に送信し（ステップＳ２１０）、二次側記憶処理部２４０におけるデータの読み出し処理を終了する。
【０１７０】
一方、一次側記憶処理部２１０のリコール要求部２１５ｂは、二次側記憶処理部２４０のリコール実行制御部２４６ｂにより送信されたデータを受信する（ステップＳ２１１）。そして、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄは、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレスにより指定されるハードディスク３０1〜３０Lの記憶位置にデータを記憶する処理をおこなう（ステップＳ２１２）。
【０１７１】
続いて、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、一次側マッピングテーブル２１４ａに、仮想ディスク番号、仮想ディスク内論理ブロックアドレス、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレス、ステータスおよび最終参照時刻の情報を記憶することにより、一次側マッピングテーブル２１４ａを更新する（ステップＳ２１３）。
【０１７２】
ここで、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータは、ハードディスク３０1〜３０Lおよび磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの両方に記憶された状態であるので、ステータスは「ヒット」に設定される。また、最終参照時刻は、ハードディスク３０1〜３０Lにデータが記憶された時刻に設定される。
【０１７３】
その後、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄは、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶された当該データを読み出して（ステップＳ２１４）、ホストサーバ装置１０に送信し（ステップＳ２１５）、このデータの読み出し処理を終了する。
【０１７４】
つぎに、本実施例１に係る記憶装置２０がおこなうデータの記憶処理の処理手順について説明する。図１０は、実施例１に係る記憶装置２０がおこなうデータの記憶処理の処理手順を示すフローチャートである。
【０１７５】
なお、このデータの記憶処理においては、二次側記憶処理部２４０のおこなう処理は、図９に示した二次側記憶処理部２４０の処理と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【０１７６】
図１０に示すように、まず、記憶装置２０における一次側記憶処理部２１０の一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０からデータの記憶要求を受け付けた場合に（ステップＳ３０１）、一次側マッピングテーブル２１４ａを読み込む（ステップＳ３０２）。
【０１７７】
その際、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、データを記憶する仮想ディスク６０1〜６０3の仮想ディスク番号、および、仮想ディスク内相対アドレスの情報をホストサーバ装置１０から取得する。
【０１７８】
そして、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０から情報を取得した仮想ディスク６０1〜６０3に係るマッピング情報が、一次側マッピングテーブル２１４ａに記憶されているか否かを調べる（ステップＳ３０３）。
【０１７９】
ここで、マッピング情報とは、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスと、論理ユニットおよび論理ユニット内論理ブロックアドレスとの間の対応関係を示す情報である。
【０１８０】
マッピング情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに記憶されている場合には（ステップＳ３０３，Ｙｅｓ）、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄは、そのマッピング情報を基にして、ハードディスク装置２１３のハードディスク３０1〜３０Lにデータを記憶する（ステップＳ３０９）。
【０１８１】
そして、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータに対応する一次側マッピングテーブル２１４ａのステータスを「ダーティ」に設定し、さらに最終参照時刻を書き換えることにより、一次側マッピングテーブル２１４ａを更新し（ステップＳ３１０）、このデータの記憶処理を終了する。
【０１８２】
マッピング情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに記憶されていない場合には（ステップＳ３０３，Ｎｏ）、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０から記憶要求を受け付けたデータに対して、仮想ディスク６０1〜６０3における仮想記憶領域を割り当てる処理をおこなう（ステップＳ３０４）。
【０１８３】
具体的には、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ホストサーバ装置１０から通知された仮想ディスク６０1〜６０3の仮想ディスク番号、および、仮想ディスク内相対アドレスにより特定される仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対して、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレスを割り当てる。
【０１８４】
そして、リコール要求部２１５ｂは、二次側記憶処理部２４０に対してリコール実行要求を送信する（ステップＳ３０５）。
【０１８５】
一方、二次側記憶処理部２４０は、一次側記憶処理部２１０のリコール要求部２１５ｂにより送信されたリコール実行要求を受信した場合に、記憶要求がなされたデータの仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応するデータを磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nから読み出して、一次側記憶処理部２１０のリコール要求部２１５ｂに送信する。この処理は、図９に示したステップＳ２０５からステップＳ２０９の処理に相当するものである。
【０１８６】
ここで、二次側記憶処理部２４０に対してリコールの実行を要求する理由は、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nにおけるデータの記憶単位と、ホストサーバ装置１０により記憶要求がなされるデータの単位が異なるためである。
【０１８７】
具体的には、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０NはＭＲＢ単位でデータを記憶する。ところが、ホストサーバ装置１０は、ＭＲＢよりも小さな単位でデータの記憶要求をおこなうため、ＭＲＢ単位で記憶されたデータの一部のみを変更する場合も発生する。
【０１８８】
そのため、データが磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nにのみ記憶され、ハードディスク３０1〜３０Lには記憶されていない場合には、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nから当該データを読み出して、読み出したデータに対してデータの一部を変更する処理をおこなう必要がある。
【０１８９】
これらのことから、この記憶装置２０では、記憶するデータのマッピング情報が一次側マッピングテーブル２１４ａに記憶されていない場合に、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nからデータを読み出してハードディスク３０1〜３０Lに記憶する処理をおこなう。
【０１９０】
なお、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nにも、データが記憶されていない場合には、二次側記憶処理部２４０から空のデータが送信されてハードディスク３０1〜３０Lに記憶される。
【０１９１】
図１０の説明に戻ると、一次側記憶処理部２１０のリコール要求部２１５ｂは、二次側記憶処理部２４０により送信されたデータを受信する（ステップＳ３０６）。そして、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄは、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレスにより指定されるハードディスク３０1〜３０Lの記憶位置にデータを記憶する処理をおこなう（ステップＳ３０７）。
【０１９２】
続いて、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、一次側マッピングテーブル２１４ａに、仮想ディスク番号、仮想ディスク内論理ブロックアドレス、論理ユニット番号、論理ユニット内論理ブロックアドレス、ステータスおよび最終参照時刻の情報を記憶することにより、一次側マッピングテーブル２１４ａを更新する（ステップＳ３０８）。
【０１９３】
ここで、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータは、ハードディスク３０1〜３０Lおよび磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの両方に記憶された状態であるので、ステータスは「ヒット」に設定される。また、最終参照時刻は、ハードディスク３０1〜３０Lにデータが記憶された時刻に設定される。
【０１９４】
その後、ＲＡＩＤ制御部２１５ｄは、ホストサーバ装置１０から記憶要求を受け付けたデータを、仮想ディスク番号、仮想ディスク内論理ブロックアドレスおよび論理ブロック内のデータの記憶位置により指定されるハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域に記憶する（ステップＳ３０９）。
【０１９５】
そして、一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａは、ハードディスク３０1〜３０Lに記憶されたデータに対応する一次側マッピングテーブル２１４ａのステータスを「ダーティ」に設定し、さらに最終参照時刻を書き換えることにより、一次側マッピングテーブル２１４ａを更新し（ステップＳ３１０）、このデータの記憶処理を終了する。
【０１９６】
上述してきたように、本実施例１では、記憶装置２０の一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａおよび二次側仮想ディスク設定管理部２４６ａが、ハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域と磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を有する仮想ディスク６０1〜６０3を複数設定し、マイグレーション要求部２１５ｃおよびマイグレーション実行制御部２４６ｃが、ハードディスク３０1〜３０Lにおいて所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、仮想記憶領域ごとにデータを分類して記憶することができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができる。
【０１９７】
また、本実施例１では、ホストサーバ装置１０からデータの記憶要求を受け付けた際に通知された仮想記憶領域におけるデータの記憶位置をハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域におけるデータの記憶位置および磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域におけるデータの記憶位置に変換する一次側マッピングテーブル２１４ａおよび二次側マッピングテーブル２４５ａに基づいて、マイグレーション要求部２１５ｃおよびマイグレーション実行制御部２４６ｃが、ハードディスク３０1〜３０Lにおいて所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、一次側マッピングテーブル２１４ａおよび二次側マッピングテーブル２４５ａを用いることにより効率的にデータの記憶位置を特定することができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができる。
【０１９８】
また、本実施例１では、マイグレーション要求部２１５ｃおよびマイグレーション実行制御部２４６ｃが、所定の仮想記憶領域に属するハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域に記憶されたデータがホストサーバ装置１０により所定の期間参照されなかった場合に、ハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域に記憶されたデータを磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、長期間参照されないデータを仮想記憶領域ごとに磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nに自動的に記憶するマイグレーション処理を実行することができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができる。
【０１９９】
また、本実施例１では、所定の仮想記憶領域に属する磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域にデータが記憶された後、リコール要求部２１５ｂおよびリコール実行制御部２４６ｂが、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域に記憶されたデータを読み出してハードディスク３０1〜３０Lの当該仮想記憶領域に属する記憶領域にデータを記憶するよう制御することとしたので、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nにデータを記憶するマイグレーション処理が実行されたデータを仮想記憶領域ごとにハードディスク３０1〜３０Lに自動的に復帰させることができ、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができる。
【０２００】
また、本実施例１では、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストサーバ装置１０から受け付けた場合に、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域から読み出され、ハードディスク３０1〜３０Lの記憶領域に記憶されたデータをホストサーバ装置１０に送信することとしたので、ホストサーバ装置１０は磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの存在を認識する必要がなく、データの管理を容易かつ効率的におこなうことができる。
【０２０１】
また、本実施例１では、一次ストレージ３０として、ハードディスク３０1〜３０Lを用いることとしたので、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこないつつ、ホストサーバ装置１０との間でのデータの授受を高速におこなうことができる。
【０２０２】
また、本実施例１では、二次ストレージ４０として、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nを用いることとしたので、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこないつつ、大量のデータを記憶することができる。
【実施例２】
【０２０３】
ところで、実施例１では、ハードディスク３０1〜３０Lと磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nとにより構成される仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域をユーザが設定することとしたが、仮想記憶領域の空き容量に応じて、記憶装置が動的に仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域を再設定することとしてもよい。
【０２０４】
これにより、ある仮想ディスク６０1〜６０3の記憶容量が不足するような状況になった場合でも、自動的に記憶容量を増加させることができ、データの記憶を円滑におこなうことができるようになる。そこで、本実施例２では、仮想ディスク６０1〜６０3における仮想記憶領域の空き容量に応じて動的に仮想記憶領域を再設定する場合について説明する。
【０２０５】
まず、本実施例２に係る記憶装置の機能的構成について説明する。図１１は、実施例２に係る記憶装置１４０の機能的構成を示す図である。なお、ここでは、実施例１で示した記憶装置２０と同等の機能を有する機能部については詳細な説明を省略する。
【０２０６】
この記憶装置１４０は、図２に示した記憶装置２０とほぼ同等の機能を有するが、記憶装置２０との違いは、仮想ディスク６０1〜６０3における仮想記憶領域の空き容量が少なくなった場合に、磁気テープ４０1〜４０Mの記憶領域または光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域を仮想ディスク６０1〜６０3に追加して割り当てることにより、仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域を再設定する点である。
【０２０７】
図１１に示すように、この記憶装置１４０は、ホストサーバ装置１３０とファイバチャネルネットワーク１５０を介して接続され、また、管理サーバ装置１６０とＬＡＮ１７０を介して接続されている。ホストサーバ装置１３０および管理サーバ装置１６０は、図２に示したホストサーバ装置１０および管理サーバ装置８０に対応し、それらの装置と同様の機能をそれぞれ有する装置である。
【０２０８】
記憶装置１４０は、一次側記憶処理部１４１０、磁気テープライブラリ装置１４２０、光ディスクライブラリ装置１４３０および二次側記憶処理部１４４０を有する。そして、一次側記憶処理部１４１０および二次側記憶処理部１４４０、二次側記憶処理部１４４０および磁気テープライブラリ装置１４２０、二次側記憶処理部１４４０および光ディスクライブラリ装置１４３０は光ファイバにより構成されるファイバチャネル回線により接続されている。
【０２０９】
一次側記憶処理部１４１０は、インターフェース部１４１１，１４１２、ハードディスク装置１４１３、記憶部１４１４および一次側制御部１４１５を有する。インターフェース部１４１１，１４１２およびハードディスク装置１４１３は、図２に示したインターフェース部２１１，２１２およびハードディスク装置２１３にそれぞれ対応するものであり、それらの機能部と同等の機能を有する。
【０２１０】
また、記憶部１４１４は、図２に示した記憶部２１４に対応するものであり、図４に示した一次側マッピングテーブル２１４ａと同様のデータを記憶した一次側マッピングテーブル１４１４ａを記憶している。
【０２１１】
一次側制御部１４１５は、図２に示した一次側制御部２１５に対応するものであり、一次側仮想ディスク設定管理部１４１５ａ、リコール要求部１４１５ｂ、マイグレーション要求部１４１５ｃおよびＲＡＩＤ制御部１４１５ｄを有する。
【０２１２】
この一次側仮想ディスク設定管理部１４１５ａ、リコール要求部１４１５ｂ、マイグレーション要求部１４１５ｃおよびＲＡＩＤ制御部１４１５ｄは、図２に示した一次側仮想ディスク設定管理部２１５ａ、リコール要求部２１５ｂ、マイグレーション要求部２１５ｃおよびＲＡＩＤ制御部２１５ｄに対応し、それらの各機能部と同様の機能を有する。
【０２１３】
また、磁気テープライブラリ装置１４２０および光ディスクライブラリ装置１４３０は、図２に示した磁気テープライブラリ装置２２０および光ディスクライブラリ装置２３０にそれぞれ対応するものである。
【０２１４】
二次側記憶処理部１４４０は、インターフェース部１４４１〜１４４４、記憶部１４４５および二次側制御部１４４６を有する。インターフェース部１４４１〜１４４４は、図２に示したインターフェース部２４１〜２４４に対応するものである。
【０２１５】
記憶部１４４５は、ハードディスク装置などの記憶デバイスである。この記憶部１４４５は、二次側マッピングテーブル１４４５ａおよび記憶容量データ１４４５ｂを記憶している。
【０２１６】
二次側マッピングテーブル１４４５ａは、図５に示した二次側マッピングテーブル２４５ａと同様のデータである。記憶容量データ１４４５ｂは、各仮想ディスク６０1〜６０3に記憶されているデータの記憶容量などを記憶している。
【０２１７】
図１２は、図１１に示した記憶容量データ１４４５ｂの一例を示す図である。図１２に示すように、この記憶容量データ１４４５ｂは、仮想ディスク番号、最大記憶容量およびデータ記憶容量のデータを記憶している。
【０２１８】
仮想ディスク番号は、一次側マッピングテーブル１４１４ａおよび二次側マッピングテーブル１４４５ａに記憶される仮想ディスク番号と同様の番号であり、各仮想ディスク６０1〜６０3に割り当てられる識別番号である。
【０２１９】
最大記憶容量は、仮想ディスク６０1〜６０3が記憶可能な最大記憶容量のデータである。この最大記憶容量は、具体的には、各仮想ディスク６０1〜６０3に割り当てられた磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶容量を合計した値である。データ記憶容量は、仮想ディスク６０1〜６０3に記憶されているデータの容量である。
【０２２０】
図１２の例では、仮想ディスク番号が「０」である仮想ディスク６０1〜６０3の最大記憶容量は「５１２ＧＢ」、データ記憶容量は「３８９ＧＢ」であり、仮想ディスク番号が「１」である仮想ディスク６０1〜６０3の最大記憶容量は「１，０２４ＧＢ」、データ記憶容量は「９４７ＧＢ」であり、仮想ディスク番号が「２」である仮想ディスク６０1〜６０3の最大記憶容量は「７６８ＧＢ」、データ記憶容量は「７６．８ＧＢ」である場合が示されている。
【０２２１】
図１１の説明に戻ると、二次側制御部１４４６は、磁気テープライブラリ装置１４２０または光ディスクライブラリ装置１４３０を制御して、データの記憶またはデータの読み出しを制御する。
【０２２２】
この二次側制御部１４４６は、記憶容量情報取得部１４４６ａ、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂ、リコール実行制御部１４４６ｃおよびマイグレーション実行制御部１４４６ｄを有する。
【０２２３】
記憶容量情報取得部１４４６ａは、各仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域に記憶されたデータの記憶容量の情報を取得して、取得した情報を記憶容量データ１４４５ｂとして記憶部１４４５に記憶する処理をおこなう。
【０２２４】
ここで、記憶容量情報取得部１４４６ａは、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nにより構成される仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域にデータが記憶されるたびに記憶容量データ１４４５ｂを更新する。
【０２２５】
二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、管理サーバ装置１６０から仮想ディスク６０1〜６０3の設定情報を受け付けて、二次側マッピングテーブル１４４５ａに設定情報を記憶することにより仮想ディスク６０1〜６０3の設定をおこなう。
【０２２６】
さらに、この二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、記憶部１４４５に記憶された記憶容量データ１４４５ｂを参照し、最大記憶容量に対するデータ記憶容量の割合が所定値よりも大きくなった仮想ディスク６０1〜６０3があるか否かを調べる。
【０２２７】
そして、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、データ記憶容量の割合が所定値よりも大きくなった仮想ディスク６０1〜６０3がある場合に、最大記憶容量に対するデータ記憶容量の割合が所定値よりも小さい仮想ディスク６０1〜６０3で、データが記憶されたＭＲＢに挟まれておらず、かつ、データが記憶されていない未使用のＭＲＢを有する仮想ディスク６０1〜６０3があるか否かを調べる処理をおこなう。
【０２２８】
データ記憶容量の割合が所定値よりも小さい仮想ディスク６０1〜６０3がある場合には、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、データ記憶容量の割合が所定値よりも小さい仮想ディスク６０1〜６０3の磁気テープ４０1〜４０Mの記憶領域または光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域の一部を、データ記憶容量の割合が所定値よりも大きくなった仮想ディスク６０1〜６０3に割り当てることにより、仮想ディスク６０1〜６０3の仮想記憶領域を再設定する処理をおこなう。
【０２２９】
リコール実行制御部１４４６ｃおよびマイグレーション実行制御部は、図２に示したリコール実行制御部２４６ｃおよびマイグレーション実行制御部２４６ｃにそれぞれ対応するものであり、それらと同様の機能を有する。
【０２３０】
つぎに、本実施例２に係る仮想ディスク６０1〜６０3における仮想記憶領域の再設定処理の処理手順について説明する。図１３は、実施例２に係る仮想ディスク６０1〜６０3における仮想記憶領域の再設定処理の処理手順を示すフローチャートである。
【０２３１】
図１３に示すように、まず、記憶装置１４０の二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、記憶部１４４５から記憶容量データ１４４５ｂを読み込み（ステップＳ４０１）、最大記憶容量に対する記憶容量の割合が所定値以上である仮想ディスク６０1〜６０3があるか否かを調べる（ステップＳ４０２）。
【０２３２】
記憶容量の割合が所定値以上である仮想ディスク６０1〜６０3がない場合には（ステップＳ４０２，Ｎｏ）、そのまま仮想記憶領域の再設定処理を終了する。記憶容量の割合が所定値以上である仮想ディスク６０1〜６０3がある場合には（ステップＳ４０２，Ｙｅｓ）、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、最大記憶容量に対する記憶容量の割合が所定値以下で、データが記憶された論理ブロックに挟まれていない未使用の論理ブロックを有する仮想ディスク６０1〜６０3があるか否かを調べる（ステップＳ４０３）。
【０２３３】
そして、記憶容量の割合が所定値以下で、データが記憶された論理ブロックに挟まれていない未使用の論理ブロックを有する仮想ディスク６０1〜６０3がない場合には（ステップＳ４０３，Ｎｏ）、そのまま仮想記憶領域の再設定処理を終了する。
【０２３４】
記憶容量の割合が所定値以下で、データが記憶された論理ブロックに挟まれていない未使用の論理ブロックを有する仮想ディスク６０1〜６０3がある場合には（ステップＳ４０３，Ｙｅｓ）、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、未使用のＭＲＢを当該ＭＲＢが属する仮想ディスク６０1〜６０3から解放する処理をおこなう（ステップＳ４０４）。
【０２３５】
具体的には、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、二次側マッピングテーブル１４４５ａにおいて、仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応付けて記憶されていた未使用のＭＲＢに係る情報、すなわち、リムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号を削除する。
【０２３６】
そして、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、解放された未使用のＭＲＢを、記憶容量の割合が所定値以上である仮想ディスク６０1〜６０3に割り当て（ステップＳ４０５）、この仮想記憶領域の再設定処理を終了する。
【０２３７】
具体的には、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂは、二次側マッピングテーブル１４４５ａにおいて、未使用のＭＲＢに係る情報、すなわち、リムーバブルメディア番号、リムーバブルメディアブロック番号およびライブラリ番号の情報を、記憶容量の割合が所定値以上である仮想ディスク６０1〜６０3の仮想ディスク番号および仮想ディスク内論理ブロックアドレスに対応付けて記憶する。
【０２３８】
なお、上記仮想記憶領域の再設定処理では、データが記憶された論理ブロックに挟まれていない未使用の論理ブロックを、記憶容量が不足した仮想ディスク６０1〜６０3に割り当てることとしているが、未使用の論理ブロックを挟む論理ブロックに記憶されたデータをホストサーバ装置１３０と連携して別の論理ブロックに記憶するなどし、未使用の論理ブロックの論理ブロックアドレスよりも大きな論理ブロックアドレスの論理ブロックにデータが記憶されていない状態とすることにより、「データが記憶された論理ブロックに挟まれていない」という条件を不要とし、条件を緩和することができる。
【０２３９】
上述してきたように、本実施例２では、記憶装置１４０の記憶容量情報取得部１４４６ａが、仮想記憶領域が複数設定された場合に、設定された仮想記憶領域におけるデータの記憶容量に係る情報を取得し、二次側仮想ディスク設定管理部１４４６ｂが、取得した情報に基づいて仮想記憶領域を再設定し、マイグレーション要求部１４１５ｃおよびマイグレーション実行制御部１４４６ｄが、ハードディスク３０1〜３０Lにおいて再設定された所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを、磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することとしたので、仮想記憶領域において空き容量が不足した場合に仮想記憶領域を再設定でき、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことができる。
【０２４０】
なお、本実施例２では、仮想ディスク６０1〜６０3としてすでに利用されている磁気テープ４０1〜４０Mの記憶領域または光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域を他の仮想ディスク６０1〜６０3に追加して割り当てることとしたが、仮想ディスク６０1〜６０3の記憶容量を増加させるために磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nをあらかじめプールしておき、仮想ディスク６０1〜６０3の記憶容量が不足した場合に仮想ディスク６０1〜６０3に磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域を仮想ディスク６０1〜６０3の記憶領域に追加することとしてもよい。
【０２４１】
また、仮想ディスク６０1〜６０3の記憶容量が不足した段階で磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nが磁気テープライブラリ装置１４２０または光ディスクライブラリ装置１４３０に追加された場合に、記憶容量が不足した仮想ディスク６０1〜６０3の記憶領域に磁気テープ４０1〜４０Mまたは光ディスク５０1〜５０Nの記憶領域を追加することとしてもよい。
【０２４２】
さて、これまで本発明の実施例について説明したが、本発明は上述した実施例以外にも、特許請求の範囲に記載した技術的思想の範囲内において種々の異なる実施例にて実施されてもよいものである。
【０２４３】
また、本実施例において説明した各処理のうち、自動的におこなわれるものとして説明した処理の全部または一部を手動的におこなうこともでき、あるいは、手動的におこなわれるものとして説明した処理の全部または一部を公知の方法で自動的におこなうこともできる。
【０２４４】
この他、上記文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。
【０２４５】
また、図示した装置の各構成部は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示のように構成されていることを要しない。すなわち、各構成部の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。
【０２４６】
さらに、図示した装置にて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵおよび当該ＣＰＵにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。
【０２４７】
（付記１）ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置であって、
一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定手段と、
一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御手段と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【０２４８】
（付記２）前記データ記憶制御手段は、ホストコンピュータからデータの記憶要求を受け付けた際に通知された仮想記憶領域におけるデータの記憶位置を一次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置および二次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置に変換する変換情報に基づいて、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする付記１に記載の記憶装置。
【０２４９】
（付記３）前記データ記憶制御手段は、所定の仮想記憶領域に属する一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータがホストコンピュータにより所定の期間参照されなかった場合に、前記一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする付記１または２に記載の記憶装置。
【０２５０】
（付記４）前記データ記憶制御手段により所定の仮想記憶領域に属する二次記憶部の記憶領域にデータが記憶された後、前記二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを読み出して一次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に当該データを記憶するよう制御するデータ復帰制御手段をさらに備えたことを特徴とする付記１、２または３に記載の記憶装置。
【０２５１】
（付記５）二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、前記データ復帰制御手段により一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータをホストコンピュータに送信するデータ送信手段をさらに備えたことを特徴とする付記４に記載の記憶装置。
【０２５２】
（付記６）仮想記憶領域におけるデータの記憶容量に係る情報を取得する記憶容量情報取得手段をさらに備え、前記仮想記憶領域設定手段は、前記記憶容量情報取得手段により取得された情報に基づいて前記仮想記憶領域を設定することを特徴とする付記１〜５のいずれか１つに記載の記憶装置。
【０２５３】
（付記７）前記一次記憶部は、ハードディスクであることを特徴とする付記１〜６のいずれか１つに記載の記憶装置。
【０２５４】
（付記８）前記二次記憶部は、磁気テープまたは光ディスクであることを特徴とする付記１〜７のいずれか１つに記載の記憶装置。
【０２５５】
（付記９）ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置のデータの記憶制御をおこなう記憶制御方法であって、
一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定工程と、
一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御工程と、
を含んだことを特徴とする記憶制御方法。
【０２５６】
（付記１０）前記データ記憶制御工程は、ホストコンピュータからデータの記憶要求を受け付けた際に通知された仮想記憶領域におけるデータの記憶位置を一次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置および二次記憶部の記憶領域におけるデータの記憶位置に変換する変換情報に基づいて、一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする付記９に記載の記憶制御方法。
【０２５７】
（付記１１）前記データ記憶制御工程は、所定の仮想記憶領域に属する一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータがホストコンピュータにより所定の期間参照されなかった場合に、前記一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする付記９または１０に記載の記憶制御方法。
【０２５８】
（付記１２）前記データ記憶制御工程により所定の仮想記憶領域に属する二次記憶部の記憶領域にデータが記憶された後、前記二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを読み出して一次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に当該データを記憶するよう制御するデータ復帰制御工程をさらに含んだことを特徴とする付記９、１０または１１に記載の記憶制御方法。
【０２５９】
（付記１３）二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、前記データ復帰制御工程により一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータをホストコンピュータに送信するデータ送信工程をさらに含んだことを特徴とする付記１２に記載の記憶制御方法。
【０２６０】
（付記１４）前記仮想記憶領域設定工程により仮想記憶領域が複数設定された場合に、設定された仮想記憶領域におけるデータの記憶容量に係る情報を取得する記憶容量情報取得工程と、前記記憶容量情報取得工程により取得された情報に基づいて仮想記憶領域を再設定する仮想記憶領域再設定工程をさらに含み、前記データ記憶制御工程は、一次記憶部において前記仮想記憶領域再設定工程により再設定された所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御することを特徴とする付記１０〜１３のいずれか１つに記載の記憶制御方法。
【０２６１】
（付記１５）前記一次記憶部は、ハードディスクであることを特徴とする付記１０〜１４のいずれか１つに記載の記憶制御方法。
【０２６２】
（付記１６）前記二次記憶部は、磁気テープまたは光ディスクであることを特徴とする付記１０〜１５のいずれか１つに記載の記憶制御方法。
【０２６３】
（付記１７）ホストコンピュータから受信したデータを所定の記憶領域に記憶する一次記憶部と、一次記憶部の記憶領域に記憶されたデータを所定の記憶領域に記憶する二次記憶部とを有し、二次記憶部の記憶領域に記憶されたデータの読み出し要求をホストコンピュータから受け付けた場合に、二次記憶部の記憶領域から当該データを読み出してホストコンピュータに送信する記憶装置のデータの記憶制御をおこなう記憶制御プログラムであって、
一次記憶部の記憶領域と二次記憶部の記憶領域とを論理的に組み合わせた仮想記憶領域を複数設定する仮想記憶領域設定手順と、
一次記憶部において所定の仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶されたデータを二次記憶部の当該仮想記憶領域に属する記憶領域に記憶するよう制御するデータ記憶制御手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする記憶制御プログラム。
【産業上の利用可能性】
【０２６４】
以上のように、本発明にかかる記憶装置、記憶制御方法および記憶制御プログラムは、仮想記憶領域に記憶されるさまざまなデータの管理を容易かつ効率的におこなうことが必要な記憶システムに有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２６５】
【図１】本発明に係るデータの記憶処理の概念を説明する図である。
【図２】実施例１に係る記憶装置２０の機能的構成を示す機能ブロック図である。
【図３】論理ユニット１００の記憶領域が分割されて生成されるＭＲＢを説明する図である。
【図４】図２に示した一次側マッピングテーブル２１４ａの一例を示す図である。
【図５】図２に示した二次側マッピングテーブル２４５ａの一例を示す図である。
【図６】図２に示した記憶装置２０の一次側記憶処理部２１０のハードウェア構成を示す図である。
【図７】図２に示した記憶装置２０の二次側記憶処理部２４０のハードウェア構成を示す図である。
【図８】実施例１に係る記憶装置２０がおこなうマイグレーション処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図９】実施例１に係る記憶装置２０がおこなうデータの読み出し処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】実施例１に係る記憶装置２０がおこなうデータの記憶処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１１】実施例２に係る記憶装置１４０の機能的構成を示す図である。
【図１２】図１１に示した記憶容量データ１４４５ｂの一例を示す図である。
【図１３】実施例２に係る仮想ディスク６０1〜６０3における仮想記憶領域の再設定処理の処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０２６６】
１０，１３０    ホストサーバ装置
１００    論理ユニット
１１０，１２３    ＲＡＭ
１１１，１１５1〜１１５n，１２１    ＨＤＤ
１１２，１１６1〜１１６n，１２２    ＨＤ
１１３，１２０    ＲＯＭ
１１４，１２４    ＣＰＵ
１１７，１１８，１２５〜１２８    ネットワークインターフェース
１１９，１２９    バス
１４４５ｂ    記憶容量データ
１４４６ａ    記憶容量情報取得部
２０，１４０    記憶装置
２１０，１４１０    一次側記憶処理部
２１１，２１２，２４１〜２４４，１４１１，１４１２，１４４１〜１４４４    インターフェース部
２１３，１４１３    ハードディスク装置
２１４，２４５，１４１４，１４４５    記憶部
２１４ａ，１４１４ａ    一次側マッピングテーブル
２１５，１４１５    一次側制御部
２１５ａ，１４１５ａ    一次側仮想ディスク設定管理部
２１５ｂ，１４１５ｂ    リコール要求部
２１５ｃ，１４１５ｃ    マイグレーション要求部
２１５ｄ，１４１５ｄ    ＲＡＩＤ制御部
２２０，１４２０    磁気テープライブラリ装置
２３０，１４３０    光ディスクライブラリ装置
２４０，１４４０    二次側記憶処理部
２４５ａ，１４４５ａ    二次側マッピングテーブル
２４６，１４４６    二次側制御部
２４６ａ，１４４６ｂ    二次側仮想ディスク設定管理部
２４６ｂ，１４４６ｃ    リコール実行制御部
２４６ｃ，１４４６ｄ    マイグレーション実行制御部
３０    一次ストレージ
３０1〜３０L    ハードディスク
４０，５０    二次ストレージ
４０1〜４０M    磁気テープ
５０1〜５０N    光ディスク
６０1〜６０3    仮想ディスク
７０，１５０    ファイバチャネルネットワーク
８０，１６０    管理サーバ装置
９０，１７０    ＬＡＮ
【図１】
2006092124.tif 000003
【図２】
2006092124.tif 000004
【図３】
2006092124.tif 000005
【図４】
2006092124.tif 000006
【図５】
2006092124.tif 000007
【図６】
2006092124.tif 000008
【図７】
2006092124.tif 000009
【図８】
2006092124.tif 000010
【図９】
2006092124.tif 000011
【図１０】
2006092124.tif 000012
【図１１】
2006092124.tif 000013
【図１２】
2006092124.tif 000014
【図１３】
2006092124.tif 000015