(57)【要約】【課題】  製造時に半導体装置に加わる熱履歴のばらつきを小さくする。【解決手段】この半導体製造方法は、半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程（Ｓ１０）と、半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程（Ｓ１４）と、を具備する。酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度は、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更する。不活性雰囲気中での熱処理時間を、酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。また、酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更し、不活性雰囲気中で熱処理する工程において熱処理時間を、不活性雰囲気中での熱処理時間と酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定してもよい。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程と、
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間を、前記酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記不活性雰囲気中で熱処理する工程において、前記半導体基板の熱処理時間を、前記半導体基板の熱履歴が略一定になるように変更する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、前記酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理時間を、前記不活性雰囲気中での熱処理時間と前記酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程と、
酸化処理後の前記半導体基板を降温する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記半導体基板を降温する工程において、前記熱処理の時間または熱処理温度に基づいて前記半導体基板の酸化処理後の降温レートを設定する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸化雰囲気中で熱処理する工程の前に、前記半導体基板に不純物を注入する工程を有し、
前記半導体基板を降温する工程において、前記半導体基板の降温レートを、前記酸化雰囲気中での熱処理時間に加えて、前記不純物の拡散係数、前記半導体基板の熱処理温度及び前記半導体基板中の不純物濃度に基づいて設定する請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記酸化雰囲気中で熱処理する工程の前に、前記半導体基板に不純物を注入する工程を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板に不純物を注入する工程は、前記半導体基板にウェルを形成する工程である請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記酸化雰囲気中で熱処理する工程は、前記半導体基板にゲート酸化膜を形成する工程である請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板を、常圧かつ加熱した状態でＣＶＤ処理する工程と、
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間は、前記ＣＶＤ処理の時間に基づいて定められる半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板を、常圧かつ加熱した状態でＣＶＤ処理する工程と、
前記ＣＶＤ処理の時間に基づいて、前記半導体基板のＣＶＤ処理後の降温レートを設定し、該設定したレートに従って前記半導体基板を降温する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
常圧で半導体基板を収容する反応室と、
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の後、前記反応性ガス供給部に反応性ガスの供給を終了させ、かつ、前記加熱部を動作させた状態で、前記不活性ガス供給部に、不活性ガスを前記反応室に供給させることで、処理時間を調整するための熱処理を行う機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記調整のための熱処理の時間を、前記酸化処理の時間または温度に基づいて定める機能と、
を具備する半導体製造装置。
【請求項１３】
常圧で半導体基板を収容する反応室と、
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記酸化処理の時間または温度に基づいて、酸化処理後の前記半導体基板の降温レートを設定する機能と、
を具備する半導体製造装置。
【請求項１４】
前記半導体製造装置は前記半導体基板を熱酸化する熱酸化装置であり、
前記反応性ガス供給部は酸素または水蒸気を前記反応室に供給する請求項１２または１３に記載の半導体製造装置。
【請求項１５】
前記半導体製造装置は、ＣＶＤ装置である請求項１２または１３に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。特に本発明は、製造中に半導体装置に加わる熱履歴のばらつきを小さくすることができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０は、従来の半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。本フローチャートは、常圧の熱酸化炉を用いてシリコン基板を熱酸化することにより、トランジスタのゲート酸化膜を形成する工程を示している。ゲート酸化膜の厚さは、トランジスタの性能に大きく影響する。このため、ゲート酸化膜の厚さのばらつきを小さくする必要がある。
【０００３】
一方、大気圧は時々刻々変化しているため、熱酸化炉内部の酸素分圧も時々刻々変化する。このため、ゲート酸化膜の厚さを一定に保つためには、大気圧の変動に合わせて熱処理時間、熱処理温度等を調整する必要がある。以下、大気圧の変動に合わせて熱酸化時間を調整している例について説明する。
【０００４】
まず、熱酸化炉にシリコン基板を搬入する（Ｓ１０２）。次いで、熱酸化炉を昇温する（Ｓ１０４）。また、大気圧を測定し（Ｓ１０６）、その測定結果に合わせて酸化時間を決定する（Ｓ１０８）。具体的には、大気圧が低くなるにつれて酸化時間を長くする。
【０００５】
熱酸化炉の温度が規定の温度（例えば９００℃）になったら、その温度を、決定した酸化時間ほど維持することにより、シリコン基板の表面を熱酸化する（Ｓ１１０）。決定した時間が経過したら、熱酸化炉の温度を下げ（Ｓ１１２）、熱酸化後のシリコン基板を搬出する（Ｓ１１４）。このような技術は、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開平７−７４１６６号公報（第１１段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
大気圧の変動に基づいて熱酸化時間または熱処理温度を変化させる場合、半導体基板の熱履歴がロット毎に異なる。このため、半導体装置の特性がロットごとに異なる可能性がある。特に熱酸化前に半導体基板に不純物が導入されている場合、不純物の拡散プロファイルがロット毎に異なってくるため、半導体装置の電気的特性がロット毎に異なる可能性がでてくる。
【０００７】
また、ＣＶＤ処理において、圧力は堆積速度を定める重要なパラメータである。ＣＶＤを常圧で行う場合、膜厚を一定にするために、大気圧を測定し、この測定結果に基づいてＣＶＤ処理時間または処理温度を調節することがある。この場合、常圧のＣＶＤ処理においても、半導体基板の熱履歴がロット毎に異なり、半導体装置の特性がロットごとに異なってくる可能性がある。
【０００８】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、製造時に半導体装置に加わる熱履歴のばらつきを小さくすることができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程と、
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間を、前記酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。
【００１０】
この半導体装置の製造方法によれば、不活性雰囲気中での熱処理時間を、酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定めている。このため、酸化雰囲気中での熱処理の時間または熱処理温度が変動しても、半導体基板の熱履歴のばらつきを小さくすることができる。
【００１１】
不活性雰囲気中で熱処理する工程において、半導体基板の熱処理時間を、前記半導体基板の熱履歴が略一定になるように変更、制御するのが好ましい。
また、不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。このようにすると、酸化雰囲気中での熱処理の時間または熱処理温度が変動しても、半導体基板の熱履歴が変動することを、容易に抑制することができる。
【００１２】
酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、大気圧の変動に基づいて変更し、不活性雰囲気中で熱処理する工程において熱処理時間を、不活性雰囲気中での熱処理時間と酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定してもよい。このようにすると、酸化雰囲気中での熱処理の時間が変動しても、半導体基板の熱履歴が変動することを、容易に抑制することができる。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程と、
酸化処理後の前記半導体基板を降温する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記半導体基板を降温する工程において、前記熱処理の時間または熱処理温度に基づいて前記半導体基板の酸化処理後の降温レートを設定する。
【００１４】
この半導体装置の製造方法によれば、酸化処理後の降温レートを、前記酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定めている。このため、酸化雰囲気中での熱処理の時間または熱処理温度が変動しても、半導体基板の熱履歴が変動することを抑制することができる。
【００１５】
酸化雰囲気中で熱処理する工程の前に、半導体基板に不純物を注入する工程を有し、半導体基板を降温する工程において、半導体基板の降温レートを、酸化雰囲気中での熱処理時間に加えて、不純物の拡散係数、半導体基板の熱処理温度及び半導体基板中の不純物濃度に基づいて設定してもよい。
酸化雰囲気中で熱処理する工程は、例えば半導体基板にゲート酸化膜を形成する工程である。
【００１６】
酸化雰囲気中で熱処理する工程の前に、半導体基板に不純物を注入する工程を有していてもよい。この場合、半導体基板の熱履歴が変動しにくくなるため、不純物のプロファイルはばらつきにくくなる。従って、製造される半導体装置の電気的特性はばらつきにくくなる。
半導体基板に不純物を注入する工程は、例えば、半導体基板にウェルを形成する工程である。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板を、常圧かつ加熱した状態でＣＶＤ処理する工程と、
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間は、前記ＣＶＤ処理の時間に基づいて定められる。
【００１８】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体基板を、常圧かつ加熱した状態でＣＶＤ処理する工程と、
前記ＣＶＤ処理の時間に基づいて、前記半導体基板のＣＶＤ処理後の降温レートを設定し、該設定したレートに従って前記半導体基板を降温する工程と、
を具備する。
【００１９】
本発明に係る半導体製造装置は、常圧で半導体基板を収容する反応室と、
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の後、前記反応性ガス供給部に反応性ガスの供給を終了させ、かつ、前記加熱部を動作させた状態で、前記不活性ガス供給部に、不活性ガスを前記反応室に供給させることで、処理時間を調整するための熱処理を行う機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記調整のための熱処理の時間を、前記酸化処理の時間または温度に基づいて定める機能と、
を具備する。
【００２０】
本発明に係る他の半導体製造装置は、常圧で半導体基板を収容する反応室と、
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記酸化処理の時間または温度に基づいて、酸化処理後の前記半導体基板の降温レートを設定する機能と、
を具備する。
【００２１】
これらの半導体製造装置は、例えば半導体基板を熱酸化する熱酸化装置であってもよいし、ＣＶＤ装置であってもよい。前者の場合、反応性ガス供給部は酸素または水蒸気を反応室に供給する。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置の構成を示す概略図である。この半導体製造装置は、シリコンウェハ１を熱酸化する常圧式の熱酸化炉であり、反応室３の内部には、ウェハーボート２が配置されている。ウェハーボート２は、複数のシリコンウェハ１を保持しており、また、反応室３の下方から出し入れ可能である。
【００２３】
反応室３の外部には、ヒーター７が設けられている。ヒーター７は、反応室３の内部のシリコンウェハ１を加熱し、またシリコンウェハ１の温度を一定に保つ。ヒーター７の動作は、制御部９によって制御されている。
【００２４】
反応室３には、ガス供給管４及びガス排出管５が接続されている。ガス供給管４の上流は、ガス供給管４ａ，４ｂに分岐している。ガス供給管４ａは、酸化種（例えば、酸素または水蒸気、あるいはこれら双方）を供給し、ガス供給管４ｂは、不活性ガスの一例である窒素またはＡｒを供給する。ガス供給管４ａ，４ｂそれぞれには、ガス流量を制御する流量制御機構６ａ，６ｂが設けられているが、流量制御機構６ａ，６ｂは制御部９によって制御されている。
【００２５】
熱酸化速度には、処理温度のほかに、反応室３の内部における酸化種の分圧も影響する。反応室３の密閉性は高くないため、反応室３の内部の圧力は常圧すなわち排気も加圧もほとんどしていない状態になる。このため、反応室２の内部における酸化種の分圧は大気圧によって変動し、その結果、熱酸化速度は大気圧によって変動する。
【００２６】
これに対し、本半導体製造装置には気圧センサ１０が設けられている。気圧センサ１０は、例えば、反応室３の外部に設けられており、測定した大気圧を制御部９に出力する。制御部９は、入力された大気圧に基づいて熱酸化処理の時間を変更することにより、熱酸化膜の厚さを一定に保つ。なお、熱酸化処理の時間の決定には、大気圧のほかに、形成される熱酸化膜の厚さ、及びデータベース９ａに格納されたデータが用いられる。このデータは、例えば大気圧と酸化速度とを対応させた表形式のデータ、または大気圧と酸化速度の関係を示す数式である。なお、データベース９ａには、他のデータも必要に応じて格納されている。
【００２７】
このように、本半導体製造装置では、大気圧が変動するとシリコンウェハ１の熱酸化処理の時間すなわち熱履歴も変動する。しかし、シリコンウェハ１の熱履歴は、シリコンウェハ１に形成される半導体装置（例えばトランジスタ、キャパシタまたは抵抗素子）の特性に影響を与えるため、一定であるのが好ましい。そこで本半導体製造装置は、この熱履歴の変動を吸収するために、以下のように動作する。
【００２８】
図２は、半導体製造装置の第１の動作例を示すフローチャートである。第１の動作において、シリコンウェハ１には、熱履歴を調整するための熱処理が、熱酸化処理が行われた後に行われる。
【００２９】
反応室３の内部は、ヒーター７により、予め待機温度（例えば８００℃）に制御されている。まず、複数のシリコンウェハ１を保持したウェハーボート２が反応室３の内部に搬入される（Ｓ２）。このとき、酸化種とともに、窒素またはＡｒが供給されているが、他の不活性ガスが、図示しない配管を通して反応室３の内部に供給されていてもよい。このシリコンウェハ１には、表層の一部に、予め不純物が導入されている。
【００３０】
その後、反応室３の内部の温度がシリコンウェハ１を熱酸化処理の温度（例えば９００℃）まで昇温される（Ｓ４）。
【００３１】
Ｓ４の動作の後、またはこれらの動作に並行して、若しくは熱酸化処理中に、以下の処理が行われる。まず、気圧センサ１０によって大気圧が測定され（Ｓ６）、その後、大気圧をデータベース９ａのデータに当てはめることにより、酸化速度が算出される。次いで、算出された酸化速度に基づいて熱酸化処理の時間が算出され、その後、調整のための熱処理の時間が算出される（Ｓ８）。調整のための熱処理の時間は、熱酸化処理の時間との和が常に一定になるように設定される。具体的には、予めトータルの熱処理時間を定めておき、このトータルの熱処理時間から熱酸化処理の時間を引くことにより、調整のための熱処理時間が算出される。
【００３２】
そしてシリコンウェハ１は、算出した時間にて熱酸化処理される（Ｓ１０）。その後、不活性ガス（例えば窒素またはＡｒ）のみが反応室３に供給され、反応室３の内部の酸素等がガス排出管５から排出される（Ｓ１２）。このとき、一時的にガス流量を増大させ、反応室３の内部の酸素等が速やかにガス排出管５から排出されるようにしてもよい。
【００３３】
これにより、反応室３の内部には不活性ガスが充填される。この状態で、反応室３の内部の温度は熱処理時と同じ温度に維持される。このようにして、シリコンウェハ１には、熱履歴を調整するための熱処理が行われる（Ｓ１４）。
【００３４】
Ｓ８で決定した時間にて調整のための熱処理が行われると、ヒーター７の出力が弱められ、反応室３の内部が、待機温度まで降温する（Ｓ１６）。その後、ウェハーボート２及びシリコンウェハ１が反応室３から搬出される（Ｓ１８）。
【００３５】
図３（Ａ）は、大気圧が平均的な値（例えば１０１３ｈＰａ）であるときの、シリコンウェハ１の熱履歴を示すチャートである。図３（Ａ）においては、シリコンウェハ１には、１５分ほど熱酸化が行われた後、１０分ほど熱履歴を調整するための熱処理が行われている。
【００３６】
図３（Ｂ）は、大気圧が平均的な値より高い場合（例えば１０３０ｈＰａ）における、シリコンウェハ１の熱履歴を示すチャートである。大気圧が平均的な値より高い場合、シリコンウェハ１の酸化速度が速くなるため、熱酸化処理の時間は図３（Ａ）の場合と比べて短くなる（例えば１０分）。しかし、その後に行われる熱処理が、熱酸化時間が短くなった分（例えば５分）、長くなっている（例えば１５分）。このため、トータルの熱処理時間は、図３（Ａ）に示した場合と同一（例えば２５分）である。
【００３７】
図３（Ｃ）は、大気圧が平均的な値より低い場合（例えば９９０ｈＰａ）における、シリコンウェハ１の熱履歴を示すチャートである。大気圧が平均的な値より低い場合、シリコンウェハ１の酸化速度が遅くなるため、熱酸化処理の時間は図３（Ａ）の場合と比べて長くなる（例えば２０分）。しかし、その後に行われる熱処理が、熱酸化時間が長くなった分（例えば５分）、短くなっている（例えば５分）。このため、トータルの熱処理時間は、図３（Ａ）に示した場合と同一（例えば２５分）である。
【００３８】
このように、第１の動作例では、シリコンウェハ１には、熱酸化処理が行われた後、熱履歴を調整するための熱処理が行われる。熱履歴調整のための熱処理において、シリコンウェハ１の温度は、熱酸化処理時と同じになるように制御され、また、熱処理の時間は、熱酸化処理の時間との和が常に一定になるように制御される。このため、シリコンウェハ１の熱履歴は、大気圧が変動して熱酸化処理の時間が変動しても、一定になる。従って、シリコンウェハ１内の不純物の拡散プロファイルがロット毎にばらつくことを、抑制することができる。
【００３９】
図４は、半導体製造装置の第２の動作例を示すフローチャートである。第２の動作では、熱酸化処理の時間が変動すると、熱酸化処理が行われた後のシリコンウェハ１の降温レートが変化するようになっている。
【００４０】
反応室３の内部は、予め待機温度（例えば８００℃）に制御されている。まず、複数のシリコンウェハ１を保持したウェハーボート２が反応室３の内部に搬入される（Ｓ３２）。このシリコンウェハ１には、表層の一部に、予め不純物が導入されている。
【００４１】
その後、反応室３の内部は熱酸化処理の温度（例えば９００℃）まで昇温される（Ｓ３４）。
【００４２】
また、Ｓ３４の後、またはこれらと並行して、または熱酸化処理中に、以下の処理が行われる。まず、気圧センサ１０によって大気圧が測定される（Ｓ３６）。次いで、第１の動作例と同様の処理が行われ、熱酸化処理の時間が算出される。その後、熱酸化処理が行われた後の降温レートが設定される（Ｓ３８）。降温レートは、シリコンウェハ１の熱履歴が同一になるように、熱酸化処理の時間、熱酸化処理の温度、シリコンウェハ１に導入された不純物の拡散係数及び濃度に基づいて設定される。この設定には、データベース９ａに格納されたデータが用いられる。ここで用いられるデータは、熱酸化時間、熱酸化処理温度、不純物の種類及び不純物濃度と、降温レートとを表形式に対応させてものであってもよいし、熱酸化時間、熱酸化処理温度、不純物の種類及び不純物濃度から降温レートを算出するための数式であってもよい。
【００４３】
そして、シリコンウェハ１には、決定した時間ほど熱酸化処理が行われる（Ｓ４０）。その後、ヒーター７の出力が低下し、反応室３の内部は待機温度まで降温する（Ｓ４２）。このときヒーター７の出力は、降温レートが、Ｓ３８で設定したレートになるように制御される。その後、ウェハーボート２を反応室３から取り出すことにより、シリコンウェハ１を搬出する（Ｓ４４）。
【００４４】
図５（Ａ）は、大気圧が平均的な値（例えば１０１３ｈＰａ）であるときの、シリコンウェハ１の熱履歴を示すチャートである。図５（Ａ）の例では、シリコンウェハ１には、１５分ほど熱酸化が行われている。その後、反応室３の内部は、標準的なレートで降温している。
【００４５】
図５（Ｂ）は、大気圧が平均的な値より高い場合（例えば１０３０ｈＰａ）における、シリコンウェハ１の熱履歴を示すチャートである。大気圧が平均的な値より高い場合、シリコンウェハ１の酸化速度が速くなるため、熱酸化処理の時間は図５（Ａ）の場合と比べて短くなる（例えば１０分）。しかし、その後の降温レートが、図５（Ａ）の場合と比べて緩やかになっており、待機温度まで降温するまでの時間が長くなっている。このため、降温レートを調整することにより、シリコンウェハ１の熱履歴を図５（Ａ）の場合と同一にすることができる。
【００４６】
図５（Ｃ）は、大気圧が平均的な値より低い場合（例えば９９０ｈＰａ）における、シリコンウェハ１の熱履歴を示すチャートである。大気圧が平均的な値より低い場合、シリコンウェハ１の酸化速度が遅くなるため、熱酸化処理の時間は図５（Ａ）の場合と比べて長くなる（例えば２０分）。しかし、その後の降温レートが、図５（Ａ）の場合と比べて急になっており、待機温度まで降温するまでの時間が短くなっている。このため、降温レートを調整することにより、シリコンウェハ１の熱履歴を図５（Ａ）の場合と同一にすることができる。
【００４７】
このように、第２の動作例では、熱酸化処理が行われた後の降温レートが、シリコンウェハ１の熱履歴が一定になるように調整されている。このため、大気圧が変動してシリコンウェハ１の熱酸化処理の時間が変動しても、シリコンウェハ１の熱履歴は一定になる。従って、シリコンウェハ１内における不純物の拡散プロファイルのばらつきを、抑制することができる。
【００４８】
なお、降温レートは一定である必要はなく、降温中に変更してもよい。例えば熱酸化処理終了直後では小さくし、その後大きくしてもよい。
また、ランプアニール型の熱酸化装置に、本実施形態と同様の配管、流量制御機構、制御部、気圧センサ及びデータベースを設けても、本実施形態と同一の作用及び効果を得ることができる。
【００４９】
また、本実施形態の半導体製造装置は、大気圧の変動による影響を補正するために熱酸化時間を調整していたが、熱酸化温度を調整することにより大気圧の変動による影響を補正してもよい。例えば大気圧が上がると熱酸化温度を低くし、大気圧が下がると熱酸化温度を高くする。この場合においても、シリコンウェハ１の熱履歴が変動するが、上記した動作例と同様に、半導体製造装置が、調整のための熱処理の時間、または熱酸化処理後の降温レートを調整すれば、熱履歴の変動を抑制することができる。
【００５０】
次に、第２の実施形態に係る半導体製造装置について説明する。本実施形態に係る半導体装置は常圧式のＣＶＤ装置である。この半導体製造装置の構成は、第１の実施形態において図１に示した半導体製造装置と同じである。ただし、ガス供給管４ａが、ＣＶＤの原料ガスを反応室３に供給する点が第１の実施形態と異なる。
【００５１】
ＣＶＤにおいて、圧力は、堆積速度を制御するための重要なパラメータである。このため、常圧式のＣＶＤ装置においては、大気圧が変動すると堆積速度が変化する。これを補正するため、本半導体製造装置では、ＣＶＤ処理の時間が大気圧の変動によって変動する。しかし、ＣＶＤ処理の時間が変動するとシリコンウェハ１の熱履歴も変動する。そこで本半導体製造装置は、以下に示すように、ＣＶＤ処理後に調整のための熱処理を行うことにより（第１の動作）、大気圧の変動に起因する熱履歴の変動を抑制している。また、本半導体製造装置は、ＣＶＤ処理後の降温レートを調整する（第２の動作）ことにより、大気圧の変動に起因する熱履歴の変動を吸収している。
【００５２】
図６は、本半導体製造装置の第１の動作を説明するためのフローチャートである。まず、複数のシリコンウェハ１を保持したウェハーボート２が反応室３の内部に搬入される（Ｓ５２）。このシリコンウェハ１には、表層の一部に、予め不純物が導入されている。そして、反応室３の内部は、ＣＶＤ処理の温度まで昇温される（Ｓ５４）。
【００５３】
Ｓ５４の後、またはこれと並行して、若しくは熱酸化処理中に、以下の処理が行われる。まず、気圧センサ１０によって大気圧が測定される（Ｓ５６）。次いで、大気圧をデータベース９ａのデータに当てはめることにより、ＣＶＤ処理の時間を算出する（Ｓ５８）。データベース９ａのデータは、例えば大気圧と堆積速度とを対応させた表形式のデータ、または大気圧と堆積速度の関係を示す数式である。
【００５４】
そして制御部９は、調整のための熱処理の時間を算出する（Ｓ５８）。調整のための熱処理の時間は、ＣＶＤ処理の時間との和が常に一定になるように制御される。具体的には、予めトータルの処理時間が定められており、このトータルの処理時間からＣＶＤの時間を引くことにより、調整のための熱処理時間が算出される。
【００５５】
反応室３の内部がＣＶＤ処理の温度まで昇温すると、ＣＶＤ処理の原料ガスが反応室３の内部に供給され、ＣＶＤ処理が行われる（Ｓ６０）。
【００５６】
Ｓ５８で算出した時間ほどＣＶＤ処理が行われると、反応室３の内部には、不活性ガス（例えば窒素またはＡｒ）のみが供給される（Ｓ６２）。このとき、一時的にガス流量を増大させ、反応室３の内部の原料ガスがすみやかにガス排出管５から排出されるようにしてもよい。
【００５７】
これにより、反応室３の内部には不活性ガスが充填される。この状態で、反応室３の内部の温度が熱処理時と同じ温度に維持されることにより、シリコンウェハ１には、熱履歴を調整するための熱処理が行われる（Ｓ６４）。
【００５８】
Ｓ５８で決定した時間にて調整のための熱処理が行われると、ヒーター７の出力が低下し、反応室３の内部は降温する（Ｓ６６）。その後、反応室３からウェハーボート２及びシリコンウェハ１が搬出される（Ｓ６８）。
【００５９】
この第１の動作によれば、ＣＶＤ処理が行われた後、シリコンウェハ１には、不活性雰囲気中で熱履歴調整のための熱処理が行われる。この熱履歴調整のための熱処理において、シリコンウェハ１の温度はＣＶＤ処理時と同じになるように制御され、また、熱処理の時間は、ＣＶＤ処理の時間との和が常に一定になるように設定される。このため、シリコンウェハ１の熱処理時間すなわち熱履歴は、大気圧が変動してＣＶＤ処理の時間が変動しても、一定になるように調整される。従って、シリコンウェハ１内における不純物の拡散プロファイルのばらつきを、抑制することができる。
【００６０】
図７は、本半導体製造装置の第２の動作例を説明するためのフローチャートである。まず、複数のシリコンウェハ１を保持したウェハーボート２が反応室３の内部に搬入される（Ｓ７２）。このシリコンウェハ１には、表層の一部に、予め不純物が導入されている。そして、反応室３の内部は、ＣＶＤ処理の温度まで昇温する（Ｓ７４）。
【００６１】
Ｓ７４の後、またはこれと並行して、若しくはＣＶＤ処理中に、気圧センサ１０は大気圧を測定する（Ｓ７６）。次いで、測定した大気圧をデータベース９ａのデータに当てはめることにより、ＣＶＤ処理の時間を算出する。この算出方法は第１の動作例と同じである。そして制御部９は、ＣＶＤ処理が行われた後の降温レートを算出する（Ｓ７８）。降温レートは、シリコンウェハ１の熱履歴が同一になるように、ＣＶＤ処理の時間、ＣＶＤ処理の温度、シリコンウェハ１に導入された不純物の拡散係数及び不純物濃度に基づいて設定されるが、この設定には、データベース９ａに格納されたデータが用いられる。
【００６２】
反応室３の内部がＣＶＤ処理の温度まで昇温すると、ＣＶＤ処理の原料ガスが反応室３の内部に供給され、ＣＶＤ処理が行われる（Ｓ８０）。その後、ヒーター７の出力が低下し、反応室３の内部が降温する（Ｓ８２）。このとき、ヒーター７の出力は、降温レートが、Ｓ７８で設定したレートになるように制御される。その後、ウェハーボート２及びシリコンウェハ１を、反応室３から搬出される（Ｓ８４）。
【００６３】
このように第２の動作では、ＣＶＤ処理が行われた後の降温レートが、シリコンウェハ１の熱履歴が一定になるように調整されている。このため、大気圧が変動してシリコンウェハ１のＣＶＤ処理の時間が変動しても、シリコンウェハ１の熱履歴は一定になるように調整される。従って、シリコンウェハ１内における不純物の拡散プロファイルのばらつきを、抑制することができる。
なお、降温レートは一定である必要はなく、降温中に変更してもよい。例えばＣＶＤ処理終了直後では小さくし、その後大きくしてもよい。
【００６４】
図８及び図９は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態において、シリコン基板の熱酸化には、第１の実施形態に係る半導体装置が用いられている。
【００６５】
まず、図８（Ａ）に示すように、シリコン基板２１上に図示しないマスクを形成する。このマスクは、レジストパターンであってもよいし、他の膜をパターニングしたものであってもよい。次いで、シリコン基板２１に第１導電型の不純物イオン（例えばＰ型不純物）を注入する。これにより、シリコン基板２１にはウェル２１ａが形成される。その後、マスクを除去する。次いで、シリコン基板２１上に、窒化シリコン膜２１ｂを形成し、この窒化シリコン膜２１ｂを、ウェル２１ａの中央部上を除いて除去する。
【００６６】
次いで、図８（Ｂ）に示すように、窒化シリコン膜２１ｂを残したままシリコン基板２１を熱酸化する。これにより、シリコン基板２１のうち窒化シリコン膜２１ｂで覆われていない部分が酸化され、酸化シリコンからなる素子分離膜２２が形成される。この熱酸化には、第１の実施形態に係る半導体装置が用いられるため、ウェル２１ａの不純物プロファイルのばらつきが抑制される。
その後、図８（Ｃ）に示すように、窒化シリコン膜２１ｂを除去する。
【００６７】
次いで、図９（Ａ）に示すように、シリコン基板２１を熱酸化することにより、シリコン基板２１の表面にはゲート酸化膜２３が形成される。この熱酸化には、第１の実施形態に係る半導体装置が用いられるため、ゲート酸化膜の厚さのばらつき、及びウェル２１ａの不純物プロファイルのばらつきそれぞれが抑制される。
【００６８】
次いで、図９（Ｂ）に示すように、ゲート酸化膜２３を含む全面上にポリシリコン膜を堆積し、このポリシリコン膜をパターニングする。これにより、ゲート酸化膜２３上にはゲート電極２４が形成される。次いで、ゲート電極２４及び素子分離膜２２をマスクとして第２導電型の不純物イオン（例えばＮ型不純物）を注入する。これにより、シリコン基板１には低濃度不純物領域２６ａ，２６ｂが形成される。
【００６９】
次いで、ゲート酸化膜２３上に酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極２４の側壁にはサイドウォール２５が形成される。次いで、ゲート電極２４、サイドウォール２５、及び素子分離膜２２をマスクとして第２導電型の不純物イオンをシリコン基板２１に注入する。これにより、シリコン基板２１には、ソース及びドレインとなる不純物領域２７ａ，２７ｂが形成される。
このようにして、シリコン基板２１にはトランジスタが形成される。
【００７０】
本実施形態によれば、素子分離膜２２を形成するとき、及びゲート酸化膜２３を形成するときそれぞれにおいて、第１の実施形態で示した半導体製造装置を用いている。このため、ウェル２１ａの不純物プロファイルのばらつきが抑制され、トランジスタの電気的特性のばらつきが抑制される。
【００７１】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施形態に係る半導体製造装置の構成を示す概略図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体製造装置の第１の動作例を示すフローチャート。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）それぞれは第１の動作例におけるシリコンウェハの熱履歴を示すチャート。
【図４】第１の実施形態に係る半導体製造装置の第２の動作例を示すフローチャート。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）それぞれは第２の動作例におけるシリコンウェハの熱履歴を示すチャート。
【図６】第２の実施形態に係る半導体製造装置の第１の動作例を示すフローチャート。
【図７】第２の実施形態に係る半導体製造装置の第２の動作例を示すフローチャート。
【図８】（Ａ）は第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明するための断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明するための断面図。
【図９】（Ａ）は図８（Ｃ）の次の工程を説明するための断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明するための断面図。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャート。
【符号の説明】
【００７３】
１…シリコンウェハ、２…ウェハーボート、３…反応室、４，４ａ，４ｂ…ガス供給管、５…ガス排出管、６ａ，６ｂ…流量制御機構、７…ヒーター、９…制御部、９ａ…データベース、１０…気圧センサ、２１…シリコン基板、２１ａ…ウェル、２１ｂ…窒化シリコン膜、２２…素子分離膜、２３…ゲート酸化膜、２４…ゲート電極、２５…サイドウォール、２６ａ，２６ｂ…低濃度不純物領域、２７ａ，２７ｂ…不純物領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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