(57)【要約】【課題】  入力部から漏洩するマイクロ波を効率よく吸収しながら、パルス動作をする場合でも、パルス特性に影響を与えない構造のマイクロ波発振素子を提供する。【解決手段】  入力電力を供給する導電性部品（支持管５１、カソード端子５２、ヒータ端子５３、カソード用リード線５４、ヒータ用リード線５５）およびその導電性部品相互間を電気的に分離する絶縁物５６、５７を有する入力部５と、その入力部５から供給される電力に基づいてマイクロ波を発振する発振部４（アノード１、カソード部２、ポールピース３）とを有しており、少なくとも一部の導電性部品（カソード用リード線５４、ヒータ用リード線５５）が貫通するようにキャップ８が被せられ、そのキャップの内側に電波吸収体９が設けられている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電力を供給する導電性部品および該導電性部品相互間を電気的に分離する絶縁物を有する入力部と、該入力部から供給される電力に基づいてマイクロ波を発振する発振部とを有するマイクロ波発振素子において、前記導電性部品の少なくとも一部が貫通するように貫通孔が設けられたキャップが被せられ、該キャップの内側に電波吸収体が設けられていることを特徴とするマイクロ波発振素子。
【請求項２】
前記電波吸収体は、長さ方向の少なくとも一部が錐状体に形成され、該錐状体の頂部側が前記発振部側を向き、かつ、該錐状体の中心部を前記少なくとも一部の導電性部品が貫通するように設けられてなる請求項１記載のマイクロ波発振素子。
【請求項３】
前記キャップの少なくとも一面が導電性部材からなり、前記電波吸収体が前記キャップの内面に密着するように設けられると共に、該電波吸収体の厚さが、減衰させる電波の波長をλとして電気長でλ／４以下に形成されてなる請求項１記載のマイクロ波発振素子。
【請求項４】
前記キャップに設けられた貫通孔から導出される前記導電性部品にフェライトリングが挿入されてなる請求項１、２または３記載のマイクロ波発振素子。
【請求項５】
前記導電性部品が導出される前記キャップの貫通孔から、前記電波吸収体の一部も該キャップの外側に導出されてなる請求項１ないし４のいずれか１項記載のマイクロ波発振素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波を発振するマグネトロン、クライストロン、進行波管、固体発振素子などのマイクロ波発振素子に関する。さらに詳しくは、入力部からのスプリアスの漏洩を低減した構造のマイクロ波発振素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波を発振する素子としては、マグネトロン、クライストロン、進行波管、固体発振素子などが用いられているが、これらのいずれの場合も、入力部に少なくとも２つの導電性部品が絶縁性部品を介して設けられ、その入力部から電気エネルギーを供給することによりマイクロ波を発振させる構造になっている。この入力部の導電性部品は、ヒータ端子、カソード端子、アノード端子またはこれらに接続されたリードなどにより構成されている。このような構造では、マイクロ波の発振を行うと、発振したマイクロ波の極めて僅かの信号が入力部に伝わり、入力部から漏洩電波として放射されるという不都合が生じる。このような不都合は、上記のマイクロ波発振素子に共通して起こる問題である。
【０００３】
たとえばマイクロ波を発振する素子の一例であるマグネトロンは、図８に一般的な構造の断面説明図が示されるような構造で、つぎのように動作する。すなわち、カソード２１を中心として、その周囲を囲むようにアノードシェル１１に固着されたベーン１２からなるアノード１が配置され、カソード２１から放出された電子は、周囲のアノード１の方向へと走行する。このとき、一対のポールピース３によりカソード２１とアノード１の間の作用空間に加えられた磁界により、電子はカソード２１の周りを周回する方向に走行方向が変えられる。このカソード２１から電子を放出するため、カソード２１の温度を上昇させて熱電子放出を促す方法がとられ、カソード２１の近傍にヒータ２２が設けられてカソード部２が構成されている。そのため、図８に示される例では、入力部５は、カソード２１を支持する支持管５１、絶縁物５６、５７、カソード端子５２、ヒータ端子５３、カソード用リード線５４、ヒータ用リード線５５およびアノード１と電気的に接続された部分からなっている。
【０００４】
ヒータ２２の電力は、カソード端子５２とヒータ端子５３との間に電圧を印加することにより供給され、電流がヒータ端子５３、ヒータ２２、支持管５１、およびカソード端子５２の順番またはその逆方向に流れることにより、ヒータ２２が加熱され、カソード２１を昇温する。
【０００５】
一方、アノード１からカソード２１へ陽極電流を流すための電力供給は、最終的にカソード部２とアノード１との間に高電圧を印加することにより行われる。これにより、前述の作用空間での電子の運動によるエネルギーがアノードにおいて高周波エネルギーに変換されて発振する。高電圧は、たとえばアノード１をアース（接地）にするとカソード部２には、負の高電圧が印加されることになる。この電圧は、図８において、カソード端子５１に印加されるが、アノード１との間には、数千Ｖの電圧が印加されることになり、絶縁のための距離が必要となる。この絶縁物５６は、真空を保持し、また、マグネトロンが高温となってもガスの発生を起こさず、絶縁耐力が大きい材料という制約の下に素材が選択される。その結果、この絶縁物５６は、セラミックスやガラスにより形成さることが多い。
【０００６】
このようなセラミックスやガラスは、マグネトロン管球部（発振部）で発振したマイクロ波を透過させるため、発振部で発生したマイクロ波が、支持管５１や空間などを伝わって入力部５から漏れるという現象が発生する。漏れるマイクロ波は、マグネトロンが発振した基本波とその高調波、他のモードでの発振波が考えられる。
【０００７】
このような入力部からの漏れ電力を低減する手段として、電子レンジなどに用いられるＣＷ動作のマグネトロンでは、コア型チョークコイルおよび空芯型チョークコイルと貫通型コンデンサとからなるフィルタ部をマグネトロンの入力部に設けてシールドケースにより被覆する構造にし、周波数特性の相違するコアを設けたり（たとえば特許文献１参照）、シールドケース内に設けられたフィルタのチョークコイルの陰極端子側導線部に円筒状の電波吸収体を挿入させることにより、漏洩するマイクロ波を吸収、減衰させたりする方法も考えられている（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平６−１０４０８１号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のようなシールドケースを使用する方式では、端子やリード線からの絶縁距離を確保するために、非常に大きなスペースが必要になるという問題がある。また、リード線をシールドケースの一部から貫通させて外部に出す必要があり、この場合にもリード線との間隔を大きくする必要があるため、本来の目的であるマイクロ波の漏洩を充分に抑えることができない。そのため、絶縁材でモールドされた貫通コンデンサを使用したり、モールド型のターミナルをシールドケースに装着して、外部へのリード線引出しを行う必要がある。この場合、リード線および絶縁のための空間を伝送線路として不要なマイクロ波が伝送されるため、それを減衰するためにチョークコイルやコンデンサを取り付けて伝送線路のマイクロ波に対するインピーダンスを高めることが行われていた。
【０００９】
この場合、ＣＷで用いられるマグネトロンに対する影響は小さいが、パルスで用いられる場合、このリード線をパルス電流が流れるため、上記の高い周波数での静電容量やインダクタンス特性が、パルスの立上りや立下りに影響を与えてしまうという問題が生じてきた。パルス波形が乱れると、パルス発振出力特性や、パルス波形が歪むことにより、スペクトラムに影響を与え、大きな問題となる。また、シールドケースでは、不要なマイクロ波を反射するため、入力部を通じてマグネトロン管球内部に戻り、モジュレーションを起こすようなこともある。このとき、基本波のローブ付近の出力特性に影響を与え、スペクトラムを悪化させ、スプリアスレベルを上昇させるという問題がある。
【００１０】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、入力部から漏洩するマイクロ波を効率よく吸収しながら、パルス動作をする場合でも、パルス特性に影響を与えない構造のマイクロ波発振素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によるマイクロ波発振素子は、入力電力を供給する導電性部品および該導電性部品相互間を電気的に分離する絶縁物を有する入力部と、該入力部から供給される電力に基づいてマイクロ波を発振する発振部とを有するマイクロ波発振素子において、前記導電性部品の少なくとも一部が貫通するように貫通孔が設けられたキャップが被せられ、該キャップの内側に電波吸収体が設けられている。
【００１２】
ここに「導電性部品」とは、たとえばマグネトロンのカソードを支持する支持管、カソード端子、カソード用リード線、ヒータ端子、ヒータ用リード線、アノード接続部品（アースに接続し得る部品）など、マイクロ波発振素子に入力電力を印加するため発振部に接続される導電性部品の一部や、マイクロ波発振素子に給電を行うため電流が流れる部品の一部を意味し、「導電性部品の少なくとも一部」とは、たとえばアース接続部品などは含まれなくてもよいことを意味する。
【００１３】
前記電波吸収体は、長さ方向の少なくとも一部が錐状体に形成され、該錐状体の頂部側が前記アノード部側を向き、かつ、該錐状体の中心部を前記導電性部品が貫通するように設けられると、漏洩電波が電波吸収体に垂直に当らないため、反射させないで電波吸収体内に入射させやすく、漏れてきたマイクロ波などを効率よく吸収することができる。ここに「頂部側」とは、錐状体の細くなる側を意味する。
【００１４】
前記キャップの少なくとも一面が導電性部材からなり、前記電波吸収体が前記キャップの内面に密着させて設けられると共に、該電波吸収体の厚さが、減衰させる電波の波長をλとして電気長でλ／４以下の厚さに形成されることにより、少ない電波吸収体により効率的に漏洩電波を減衰させることができ、キャップ部分を小さくすることができる。
【００１５】
前記キャップに設けられた貫通孔から導出される前記導電性部品にフェライトリングが挿入されることにより、キャップの貫通孔から漏れてくる電波を吸収して減衰させることができるため好ましい。
【００１６】
前記導電性部品が導出される前記キャップの貫通孔から、前記電波吸収体の一部も該キャップの外側に導出されることによっても、貫通孔からの電波漏れを防止することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の構成にすることにより、シールドケースやフィルタなどにより漏洩電波が外に漏れ出ることを防止するのではなく、漏れ電波を吸収して消滅させているため、アノードに戻ってモジュレーションを引き起こすようなこともなくなり、さらにパルス動作をさせても有効に電波漏れを防止することができる。その結果、大きなスペースを必要とせず、マイクロ波発振素子の発振パルス波形や、スペクトラムの劣化を起こさずに入力部からのマイクロ波漏洩電力を低減できるマイクロ波発振素子が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
つぎに、図面を参照しながら本発明のマグネトロンについて説明をする。本発明によるマイクロ波発振素子は、図１にその一実施形態であるマグネトロンの断面説明図が示されるように、入力電力を供給する導電性部品（支持管５１、カソード端子５２、ヒータ端子５３、カソード用リード線５４、ヒータ用リード線５５）およびその導電性部品相互間を電気的に分離する絶縁物５６、５７を有する入力部５と、その入力部５から供給される電力に基づいてマイクロ波を発振する発振部４（アノード１、カソード部２、ポールピース３）とを有しており、少なくとも一部の導電性部品（カソード用リード線５４、ヒータ用リード線５５）が貫通するようにキャップ８が被せられ、そのキャップの内側に電波吸収体９が設けられている。
【００１９】
図１に示される例はマグネトロンの例で、その発振部４は前述の図８に示される従来例と同様の構造をしており、円筒状のアノードシェル１１の内周に複数個のベーン１２が中心に向かって放射状に設けられることによりアノード１が形成され、そのアノード１の中心部にアノードシェル１１の軸方向に沿ってカソード２１およびその内部に設けられるヒータ２２からなるカソード部２が設けられている。ヒータ２２はカソード２１から熱電子放出を促すため、カソード２１を昇温するためのものである。そして、ベーン１２の先端部とカソード２１との間の作用空間にカソード２１とほぼ平行な磁界を印加し得るように一対のポールピース３が設けられている。この構造で、真空管とされたアノード１とカソード部２間に高電圧が印加されることにより、カソード２１から放出された電子が作用空間で、電磁界の作用により回転運動をして電子のエネルギーをアノード１に与えてマイクロ波を発振させる。
【００２０】
入力部５は、この発振部４にアノード１とカソード部２間の高電圧およびヒータ２２を加熱するための電圧を印加するために、発振部１から引き出された部分をいい、図１に示されるマグネトロンの例では、カソード２１に接続されると共に、カソード２１を支持する支持管５１、その端部に形成されるカソード端子５２、そのカソード端子５２に接続されるカソード用リード線５４と、ヒータ２２の端部に接続されるヒータ端子５３、そのヒータ端子５３に接続されるヒータ用リード線５５と、カソード端子５２をアノード１と電気的に絶縁しながら保持すると共に、カソード２１側を真空に保持するための真空外囲器とする第１の絶縁物５６、カソード端子５２と電気的に絶縁する第２の絶縁物５７とから構成されている。なお、図１において、６はポールピース３を介して作用空間に磁界を印加するためのマグネット、７はそのマグネット６の磁気回路を接続するヨークである。
【００２１】
図１に示される例では、入力部５の支持管５１、カソード端子５２、およびヒータ端子５３まではマグネット６で被覆されており、カソード用リード線５４およびヒータ用リード線５５が外部に導出されているため、そのカソード用リード線５４およびヒータ用リード線５５を被覆するようにキャップ８が被せられ、その貫通孔８ａからカソード用リード線５４およびヒータ用リード線５５が導出されている。そして、そのキャップ８内に電波吸収体９が設けられることにより、入力部５側に漏れてきたマイクロ波を吸収し得る構造にされている。
【００２２】
キャップ８は、金属製でも、プラスティックの少なくとも内面または外面にメッキや蒸着などにより導電性部材を付着させたものでもよく、また、プラスティックなどの非導電性材料のみからなるものでもよく、目的に応じて使い分けられる。すなわち、後述するように、電波吸収体９の厚さが充分で、漏洩電波がキャップ８に達するまでに殆ど減衰してしまう程度の厚さの電波吸収体９であれば、キャップ８は非導電性材料で形成されてもよく、図４に示されるように、電波吸収体９の厚さが薄く、漏洩マイクロ波の１回の進行で完全に漏洩電波を吸収することができない場合には、キャップ８の少なくとも一面に導電性部材が設けられることにより、漏洩マイクロ波を反射させ、キャップ８内で反射を繰り返すことにより、漏洩マイクロ波を完全に吸収することができる。実験によれば、電波吸収体９のみでも、後述する浸透深さの２〜３倍以上の厚さがあれば、マイクロ波の漏洩を１５〜３０ｄＢ程度減衰させることができた。この減衰能力は、通常のマイクロ波漏洩電力を想定した場合、非常に大きな減衰効果となり、マイクロ波に対する感度が著しく高い機器においても、影響を完全になくすることができるレベルとなる。なお、キャップ８をたとえば金属で形成する場合には、金属を切削加工したり、キャストにより成型することにより製造することができる。
【００２３】
電波吸収体９は、たとえばＳｉＣ、カーボン混入樹脂、導電性ゴムなどを使用することができるが、誘電体損失係数の大きいものほど薄くて短い（図１のｔおよびｄが小さい）電波吸収体９で漏洩マイクロ波を吸収することができる。厚さｔは、垂直および斜め方向から入射する漏洩マイクロ波に影響し、垂直および斜め方向に進む漏洩マイクロ波も吸収し得る厚さがあればキャップ８を導電性材料で形成する必要はないが、逆にキャップ８の少なくとも表面に導電性部材（電波反射部材）が設けられていれば、電波吸収体９を薄く形成することができる。具体例について、以下に検討する。
【００２４】
（１）キャップが非導電性部材で形成されていてもよい場合
たとえば、吸収する電波の周波数における誘電体損失係数が、０.２以上の数値をもつ誘電体とすると、その周波数の電波の吸収を効率よく行うことができ、また、反射波が生じにくく、良好であることが判明した。たとえば入力部５から漏洩するマイクロ波の周波数が、１８ＧＨｚであるとし、この周波数における電波吸収体９の誘電体損失係数を０.２とすると、比誘電率εrが２で、誘電体損失角ｔａｎδが０.１の誘電体、たとえばＳｉＣなどを電波吸収体９として用いることにより、浸透深さが１８.８ｍｍとなり、１８.８ｍｍ以上の長さの電波吸収体９を用いることにより、電波吸収体９のみで殆ど完全に吸収することができる。すなわち、
誘電体損失係数＝比誘電率（εr）×誘電体損失角（ｔａｎδ）
今、誘電体損失係数＝０.２とし、εr＝２、ｔａｎδ＝０.１とすると、
マイクロ波の浸透深さｄは、ｄ＝λ／２π・（εr）1/2・ｔａｎδ＝１８.８ｍｍ
となる。ここに、λは漏洩するマイクロ波の波長（ｍｍ）である。この１８.８ｍｍという寸法は、入力部５のスペースを大きく取らずに実現可能となる寸法である。なお、上式よりも誘電体損失係数が大きくなるほど、この浸透深さは減少する。
【００２５】
上記例は、円柱状の電波吸収体９の中心部にリード線５４、５５を貫通させる貫通孔が形成された場合の例であるが、この電波吸収体９の形状を円柱状ではなく、たとえば図２または図３に示されるように、軸方向に沿った長さ方向の一部または全部を錐状体に形成することにより、漏洩マイクロ波に対して、電波吸収体９が垂直にならないで、鋭角で入射するため、反射が発生しなくなり、漏洩電波の吸収に有効になる。
【００２６】
すなわち、マグネトロンの発振部４で発生したマイクロ波は、ポールピース３に貫通させた支持管５１との隙間（図１参照）を通り入力部５の方向に伝達される。入力部５は、第１の絶縁物５６により絶縁されているが、誘電体であるが故に、マイクロ波は透過することになる。第１の絶縁物５６の長さは、絶縁を得るための距離が必要となり、印加する陽極電圧や第１の絶縁物５６の絶縁耐力により差異はあるが、通常１５ｍｍ以上を要する。たとえば、発振周波数が９４１０ＭＨｚでは、その高調波となる２倍波では、波長が１５.９ｍｍとなり、丁度輻射しやすい寸法となることが考えられる。このようにして漏洩したマイクロ波は、キャップ８方向に伝達される。したがって、電波吸収体９へのマイクロ波の入射角は、この第１の絶縁物５６側から向かう角度となる。これに対し、電波吸収体９を図２または図３に示される構造にすることにより、漏洩したマイクロ波は、電波吸収体９の平面と対面するのではなく、錐状の傾斜面に入射することになる。したがって、漏洩したマイクロ波は、反射することなく電波吸収体９に入射しやすい。この角度を適宜選択すると、平面で入射した場合に比較して、１０ｄＢ程度以上の減衰量の増加を得ることができた。
【００２７】
図２および図３は、電波吸収体９の構造のみが図１に示される構造と異なり、その近傍のみが示されており、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略すると共に、図示しない発振部などの構造は図１と同じであるので、図およびその説明を省略する。図２の例は、電波吸収体９の図示しない発振部側の一部のみを錐状体にしたもので、このような構造にすることにより、図１の場合に比べて反射が発生し難くなる。また、図３の例は、電波吸収体９を全長に亘って錐状体にしたもので、このような構造でも、反射が発生し難くなる。なお図３の場合において、電波吸収体９の長さがとれず（浸透深さより短い場合）、減衰量が減る場合がある。従って、εr、ｔａｎδ、周波数に応じて適宜有効な寸法を選ぶことで、良好な減衰特性を得ることができる。
【００２８】
（２）キャップが導電性部材で形成される場合
キャップ８が金属またはいずれかの面に金属が被覆された樹脂などにより形成されている場合には、図４に同様の一部断面説明図が示されるように、電波吸収体９をキャップ８の内側に薄い層で密着させて配置しても漏洩マイクロ波を減衰させることができる。すなわち、金属表面では電界が０になるが、そこから１／４波長の距離分離れたところが電界最大点となる。この間に誘電率の大きい素材で、かつ、電波吸収特性のよい素材からなる電波吸収体９を配置することにより、減衰効果を大きくとることが可能となる。この場合、電波吸収体９の誘電体に金属やフェライト、カーボンなどを適量混入すると、減衰効果が著しく増大する。誘電率の増加による波長の短縮も起こり、薄い電波吸収体９により１／４波長の電気長を得ることができ、より一層薄くすることができる。
【００２９】
本発明者らがさらに鋭意検討を重ねた結果、この厚さｔを、吸収させるマイクロ波が垂直入射したときに本来最も減衰する厚さより、薄い厚さの電波吸収体９とすることにより、減衰効果がさらに増大することを見出した。すなわち、図５に本発明者らが実験で測定した電波吸収体９の厚さｔと減衰量との関係を示す。この電波吸収体９は、垂直入射をしたときの最も減衰量が大きい厚さは１.８ｍｍのものである。図５に示されるように、１.８ｍｍよりも若干薄い１.６ｍｍの厚さで大きな減衰量が得られていることが分かる。これは、垂直方向以外の入射に対して、漏洩電波の浸透距離が最も減衰量が大きい１.８ｍｍに近くなるためと考えられる。
【００３０】
上記のような電波吸収体９の利用では、厚さや形状により減衰量が変化することになる。また、周波数により減衰量に差が生じ、周波数特性をもつことになる。そこで、前記電波吸収体９の減衰する周波数をマグネトロンの基本波発振周波数に対して高調波となる周波数とし、とくに大きいリーク量を示す漏洩マイクロ波の周波数を狙い減衰させることが好ましい。一例として、９４１０ＭＨｚの基本波発振周波数であるマグネトロンに対し、電波吸収体９の減衰する周波数を第２高調波となる１８８２０ＭＨｚや、第３高調波に当る２８２３０ＭＨｚとする。これにより、高調波の減衰を最も効率よく行うことができるようになり、スプリアス漏洩を抑制することができる。このような減衰周波数を調整するには、たとえば図１〜３や後述する図６に示される構造では、電波吸収体９の誘電体損失係数とキャップ形状（とくに深さ）を変えることにより行え、図４に示される構造では、電波吸収体９に含まれる金属やフェライト粉の量や電波吸収体の板厚を変えることにより調整することができる。
【００３１】
入力部５には、給電を行うリード線などの導電性部品が設けられているため、キャップ８には、その導電性部品を貫通させる貫通孔８ａが必ず必要となる。そして、導電性部品とキャップ８の貫通孔８ａの内壁との間に隙間が生じ、また、導電性部品であるリード線の被覆体はマイクロ波の伝送線路になることがあり、この隙間や被覆体を介してマイクロ波が漏洩することがある。そこで、図６に示されるように、貫通孔８ａから導出された導電性部品（図１の例では、カソード用リード線５４およびヒータ用リード線５５）にフェライトリング１０が挿入されることにより、このような漏洩するマイクロ波を充分に減衰させることができた。なお、このようにフェライトリング１０を設けても、マグネトロンに給電されるパルス陽極電圧および電流波形に変化は生じず、発振に影響が出ないことが確認された。
【００３２】
また、このような貫通孔８ａ近傍からのマイクロ波の漏洩を減衰させる他の方法として、図７に示されるように、電波吸収体の一部９ａを、貫通孔８ａ内を介してキャップ８の外に延出させることによっても同様に漏洩マイクロ波を減衰させることができる。このような構造にすることにより、入力部５に前述のように高電圧が加わる場合が多いが、キャップ８と入力部５とは、誘電体が主体である電波吸収体９の介在により、絶縁特性を向上させることができながら、入力部５の方向から漏洩するマイクロ波に対して充分な減衰量を確保することができる。なお、この貫通孔８ａからのマイクロ波漏洩を防止するフェライトリング１０や電波吸収体の一部９ａを貫通孔８ａ近傍または貫通孔８ａ内に設ける構造は、図６および図７に示される電波吸収体９の構造とは関係なくいずれの構造でも適用することができる。
【００３３】
前述の各例では、発振素子としてマグネトロンの例であったが、マグネトロンに限らず、クライストロンや進行波管などの他の電子管および固体発振素子の入力部にも同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明によるマイクロ波発振素子の一実施形態であるマグネトロンの断面説明図である。
【図２】図１に示されるマイクロ波発振素子の変形例を示す要部断面説明図である。
【図３】図１に示されるマイクロ波発振素子の変形例を示す要部断面説明図である。
【図４】本発明によるマイクロ波発振素子の他の実施形態であるマグネトロンの要部の断面説明図である。
【図５】図４の構造で、電波吸収体の厚さを変えたときの減衰量の変化を示す図である。
【図６】本発明によるマイクロ波発振素子の他の実施形態であるマグネトロンの要部の断面説明図である。
【図７】本発明によるマイクロ波発振素子の他の実施形態であるマグネトロンの要部の断面説明図である。
【図８】従来のマグネトロンの一例を示す断面説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    アノード
２    カソード部
３    ポールピース
４    発振部
５    入力部
６    マグネット
７    ヨーク
８    キャップ
９    電波吸収体
１０    フェライトリング
５１    支持管
５２    カソード端子
５３    ヒータ端子
５４    カソード用リード線
５５    ヒータ用リード線
５６    第１の絶縁物
５７    第２の絶縁物
【図１】
2006127767.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006127767.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006127767.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006127767.tif 000009
【図８】
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