(57)【要約】【課題】ストレスによる活性層の結晶性低下及び圧電フィールドによる影響を低減させながらも活性層の下で効果的に電子を捕獲し再結合確率を増加させる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体素子２０はｎ型窒化物半導体層２３、ｐ型窒化物半導体層２７及びｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導体層２３との間に形成され量子井戸層と量子障壁層を有する活性層２６を含む。ｎ型窒化物半導体層２７と活性層２６との間に電子放出層２５が形成され、電子放出層２５は、ｎ型窒化物半導体層２３上に形成されＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる窒化物半導体量子点（ＱＤ）層２５ｂと、上記窒化物半導体量子点の上に形成され隣接した上記量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有する共振トンネル層２５ａを含む。【選択図】          図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層、及び前記ｐ型窒化物半導体層と前記ｎ型窒化物半導体層との間に形成され量子井戸層と量子障壁層を有する活性層を含む窒化物半導体素子において、
前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性層との間に電子放出層が形成され、
前記電子放出層は、
前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる窒化物半導体の量子点（ＱＤ）層と、
前記窒化物半導体の量子点上に形成され隣接した前記量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有する共振トンネル層を含む
窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体の量子点層は１原子層の厚さ以上で５０Å以下の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記窒化物半導体の量子点層は１０〜３０Å以下の厚さを有することを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記窒化物半導体の量子点層を構成する物質の格子常数と前記ｎ型窒化物半導体層の格子常数は異なることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記窒化物半導体の量子点層はＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）であり、前記ｎ型窒化物半導体層はＡｌx1Ｉｎy1Ｇａ(1-x1-y1)Ｎ（ここで、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）であり、ｙは少なくともｙ1より０．３大きいことを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記窒化物半導体の量子点層はＩｎyＧａ(1-y)Ｎであり、前記ｎ型窒化物半導体層はＧａＮであり、ここでｙは０．３〜１であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記共振トンネル層は０．５〜１０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記共振トンネル層はＩｎy2Ｇａ(1-y2)Ｎであり、ここでｙ２が０．２以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記共振トンネル層は前記量子障壁層と同一組成を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記共振トンネル層はアンドープされた層であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】
前記共振トンネル層はｎ型不純物でドープされた層で、ｎ型不純物の濃度は１０20／ｃｍ3 以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の窒化物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体素子に関するものであり、さらに詳しくは、活性層に注入される電子の捕獲率を最適化し内部量子効率を向上させると同時に、活性層において圧電フィールドを誘発するストレス問題を低減させることが可能な高効率の窒化物半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、窒化物半導体はフルカラーディスプレー、イメージスキャナー、各種信号システム及び光通信機器に光源として提供される緑色または青色発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ｌａｓｅｒ  ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）に広く使用されている。このような窒化物半導体素子はｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に配置された単一量子井戸（ｓｉｎｇｌｅ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ：ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）構造の活性層を含み、活性層における電子と正孔の再結合により特定波長光を生成することが可能である。
【０００３】
上記窒化物半導体素子の光効率は源泉的に活性層内における電子と正孔の再結合確率、すなわち内部量子効率により決定される。このような内部量子効率の改善方案は、主に、活性層自体の構造を改善するか、またはキャリアの有効量（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  ｍａｓｓ）を増加させる方向で研究されている。
【０００４】
特に、活性層においてキャリアの有効量を増大させるため、活性層の外部で再結合されるキャリア数を減少させるべきであるため、電子と正孔の捕獲率（ｃａｐｔｕｒｅ  ｒａｔｅ）を最適化する必要がある。しかし、電子の移動性が正孔の移動性に比べ相対的に大きいため、一部電子が活性層内で再結合されず、ｐ型窒化物半導体層まで移動し活性層外部で再結合され発光効率を低下させる問題がある。
【０００５】
このような従来の方案として、例えば特許文献１［米国特許第６、６１４、０６０号明細書（登録公告日付：２００３年９月２日、譲受人：Ａｒｉｍａ  Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）］ではｎ型窒化物半導体層と活性層との間にＩｎＧａＮ/ＧａＮ層からなる非対称共振トンネリング構造（ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を採用する方案が記載されている。
【０００６】
上記特許文献１による窒化物半導体素子の概略的な構造とエネルギーバンド図が図１−１及び図１−２に図示されている。
【０００７】
図１−１に図示された窒化物半導体素子１０は、上面にバッファ層１２が形成されたサファイア基板１１を備えている。上記バッファ層１２上にはｎ型窒化物半導体層１３、電子放出層構造１５、活性層１６及びｐ型窒化物半導体層１７が順次に形成されている。上記窒化物半導体素子１０はさらに上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層１３、１６に各々接続されたｎ側及びｐ側電極１８、１９を有する。
【０００８】
上記特許文献１において提案された電子放出層構造１５はｎ型窒化物半導体層１３と活性層１６との間に形成されたＩｎＧａＮ電子蓄積層１５ａとＧａＮの共振トンネル層１５ｂからなる。上記電子放出層１５は、活性層１６で再結合されずにｐ型窒化物半導体層１７に進入する電子を減少させる役割をする。
【０００９】
より具体的には、図１−２を参照すると、ＩｎＧａＮ電子蓄積層１５ａはＧａＮのｎ型窒化物半導体層１３より小さいバンドギャップを有し、ＧａＮ共振トンネル層１５ｂは量子井戸層より厚いエネルギーバンドギャップを有しトンネリング可能な厚さに形成される。
【００１０】
上記ｎ型窒化物半導体層１３から提供される電子は低いバンドギャップを有するＩｎＧａＮ電子蓄積層１５ａに蓄積され、その蓄積された電子はＧａＮ共振トンネル層１５ｂを通じトンネリングされ活性層１６に注入される。このような方式を通じ、上記電子放出層１５は電子を捕獲した後トンネリング効果を利用し活性層に電子を注入させることにより活性層で再結合される電子の有効量を増加させることが可能である。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６、６１４、０４０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、上記方案によると、ＩｎＧａＮの電子蓄積層１５ａは隣接したｎ型窒化物半導体層１３のエネルギーバンドギャップより充分小さいバンドギャップを有すると同時に、比較的大きい厚さ（約５０ｎｍ）を有するべきであるため、格子常数差により大きいストレスを誘発する。
【００１３】
このような格子常数の差によるストレスは活性層の結晶性が大きく低下されるだけではなく、活性層に及ぼす圧電フィールドの影響をより深刻にする。特に、圧電フィールドにより波動関数間距離が増加し、再結合確率が低下される側面がある。これはかえって素子の発光効率を深刻に低下させる問題を引き起こす。
【００１４】
本発明は上述の従来技術の問題を解決するためのものであり、その目的はストレスによる活性層の結晶性低下及び圧電フィールドによる影響を低減させながらも活性層の下で効果的に電子を捕獲し再結合確率を増加させることが可能な新たな電子放出構造を有する窒化物半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の技術的課題を解決するため、本発明は、ｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層及び前記ｐ型窒化物半導体層と前記ｎ型窒化物半導体層との間に形成され量子井戸層と量子障壁層を有する活性層を含む窒化物半導体素子において、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性層との間に電子放出層が形成され、前記電子放出層は、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる窒化物半導体量子点（ＱＤ）層と、前記窒化物半導体の量子点の上に形成され隣接した前記量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有する共振トンネル層を含む窒化物半導体素子を提供する。
【００１６】
好ましくは、上記窒化物半導体の量子点層は約１原子層の厚さ以上であり、約５０Å以下の厚さを有し、より好ましくは、上記窒化物半導体の量子点層は約１０〜３０Å以下の厚さを有する。
【００１７】
本発明で採用された窒化物半導体の量子点層は上記隣接したｎ型窒化物半導体層との格子常数差を有することが可能であり、所定の格子定数差を持つように形成することが可能である。
【００１８】
このような量子点形成のための格子常数差はＩｎ含量の差により具現化することが可能である。好ましい形態では、上記窒化物半導体の量子点層がＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）であり、上記ｎ型窒化物半導体層がＡｌx1Ｉｎy1Ｇａ(1-x1-y1)Ｎ（ここで、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）の場合、ｙをｙ１より少なくとも０．３程度大きく設定することにより所望の窒化物半導体の量子点を形成することが可能である。
【００１９】
上記窒化物半導体の量子点層がＩｎyＧａ(1-y)Ｎであり、上記ｎ型窒化物半導体層がＧａＮの場合、上記半導体量子点層のＩｎ含量（ｙ）を０．３〜１の範囲に設定する方案がより好ましく使用され得る。
【００２０】
上記共振トンネル層は、窒化物半導体の量子点層に捕獲された電子がトンネリングされるように、約０．５〜１０ｎｍの厚さを有することが好ましい。上記共振トンネル層がＩｎy2Ｇａ(1-y2)Ｎの場合、所望のエネルギーバンドギャップを有するため、Ｉｎ含量（ｙ）は０．２以下であることが好ましい。上記共振トンネル層は上記量子障壁層と同一組成を有することがより好ましい。
【００２１】
必要によって、上記共振トンネル層はアンドープされた層であるか、またはｎ型不純物にドープされた層であり得る。ｎ型不純物にドープされた場合、ｎ型不純物濃度は約１０20／ｃｍ3 以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の窒化物半導体素子によると、電子放出構造において半導体量子点を電荷蓄積層として採用することにより電子をより効果的に捕獲し再結合確率を増加させることが可能であるだけではなく、ストレスによる活性層の結晶性低下を防止すると同時に圧電フィールドによる影響を低減させ内部量子効率を著しく向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照し本発明をより詳細に説明する。図２は本発明の一実施形態による窒化物半導体素子の側断面図である。図２に図示された通り、窒化物半導体素子２０は、上面にバッファ層２２が形成されたサファイア基板２１を含む。バッファ層２２は低温で成長された窒化物層であり得る。バッファ層２２上にはｎ型窒化物半導体層２３、活性層２６及びｐ型窒化物半導体層２７が順次に形成される。窒化物半導体素子２０は、また、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層２３、２６に各々接続されたｎ側及びｐ側電極２８、２９を有する。
【００２４】
本発明による窒化物半導体素子２０はｎ型窒化物半導体層２３と活性層２６との間に新たな電子放出層構造２５を有する。電子放出層２５は窒化物半導体の量子点層（ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ  ｌａｙｅｒ）２５ａと共振トンネル層２５ｂを含む。
【００２５】
本発明で採用された電子放出層２５は従来の低いバンドギャップを有する層構造を利用する電子蓄積方式とは違って、キャリアの自由度が０次元の量子構造である量子点を利用する。本発明で電荷蓄積構造として採用される窒化物半導体の量子点層２５ａはバンドギャップ原理とは違って電子を３次元的に拘束し蓄積させる方式を使用する。また、窒化物半導体の量子点層２５ａは通常の厚い結晶層構造とは違って後続成長される窒化物層（例、活性層）の結晶性に悪影響を及ぼさない。
【００２６】
窒化物半導体の量子点層２５aはｎ型窒化物半導体層２３上に形成され、ＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎ（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる。上記窒化物半導体の量子点層２５ａは公知の多様な量子点形成方法が導入され得るが、好ましくはｎ型窒化物半導体層２３と適切な格子常数差を利用した自発的形成方法（ｓｅｌｆ-ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ）が使用される。すなわち、格子常数差を有する層の成長は強い結合力を基盤とし２次元的な成長を進行しつつ、成長厚さの増加により基盤物質との格子常数差による成長層の内部ストレスも増加し、臨界厚さに到達すると、自発的に３次元的なアイランド（ｉｓｌａｎｄ）の量子点を形成し応力を弛緩させる。このような自発的量子点の形成方法のための格子常数差は、ｎ型窒化物半導体層との組成含量差により調節することが可能であり、好ましくはＩｎ含量を通じ調節される。
【００２７】
例えば、上記ｎ型窒化物半導体層２３がＡｌx1Ｉｎy1Ｇａ(1-x1-y1)Ｎ（ここで、０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）の場合、上記窒化物半導体の量子点層２５ａはｙが少なくともｙ１より０．３大きいＡｌxＩｎyＧａ(1-x-y)Ｎの窒化物に形成することが可能である。他の具体的な例として、上記ｎ型窒化物半導体層２３がＧａＮの場合、上記窒化物半導体の量子点層２５ａは０．３≦ｙ≦１のＩｎyＧａ(1-y)Ｎである窒化物に形成することが可能である。
【００２８】
また、上記窒化物半導体の量子点層２５aは所望の量子点が形成可能（すなわち、自発的形成のための臨界厚さ）であり、結晶層構造に成長されないよう適切な厚さに成長することが要求される。好ましくは１原子層（ｍｏｎｏｌａｙｅｒ：ＭＬ）厚さ以上で約５０Å以下の厚さ、より好ましくは約１０〜３０Åの厚さを有する。
【００２９】
上記共振トンネル層２５ｂは上記窒化物半導体の量子点層２５ａの上に形成され隣接した上記活性層２６の（図示しない）量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有する。上記共振トンネル層２５ｂは上記量子点層２５ａで蓄積された電子が活性層２６にトンネリング可能であるように適切な厚さを有する。
【００３０】
上記共振トンネル層２５ｂの好ましい厚さは約０．５〜１０ｎｍであり得る。上記共振トンネル層２５ｂはＩｎy2Ｇａ(1-y2)Ｎであり、ここで、好ましいＩｎ含量（ｙ２）は０．２以下であるが、これに限定されず、ｙ２は隣接した量子井戸層のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有する条件で形成される。
【００３１】
必要によって、上記共振トンネル層２５ｂは上記活性層２６の（図示しない）量子障壁層と同一エネルギーバンドギャップを有するよう同一組成を有することが可能である。また、上記共振トンネル層２５ｂはアンドープされた層であるか、またはｎ型不純物にドープされた層であり得る。ｎ型共振トンネル層の場合、そのｎ型不純物濃度は１０20／ｃｍ3 以下であることが好ましい。
【００３２】
このように、本発明による窒化物半導体素子は、電子蓄積構造として所定の厚さを有する結晶層ではなく、量子点を利用することにより電子の捕獲効果が優秀なだけではなく、格子常数差によるストレスを誘発しないため、活性層の良好な結晶性を期待することが可能である。従って、従来の電子放出層構造で必然的に引き起こされた圧電フィールドによる再結合確率の低下問題を防止することが可能である。
【００３３】
図３は本発明で採用される窒化物半導体の量子点層の形成を証明する一実験結果として、ＧａＮ層とＩｎＮ量子点層を反復成長させた構造を撮影したＴＥＭ写真である。
【００３４】
本発明者は、図３に示すように通常のｎ型窒化物半導体層として使用される約１０ｎｍのＧａＮ層と約３０ÅのＩｎＮ層を３回反復成長させた結果、ＧａＮ層上に薄いＩｎＮ層が量子点（ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ：ＱＤ）構造に形成されることを確認することができた。このようなＩｎＮ量子点（ＱＤ）層はＧａＮとの格子常数差によるストレスにより形成されたものと理解することができる。また、反復成長過程でＩｎＮ量子点層の上に形成されたＧａＮ層も良好な結晶性を有することを確認することができた。
【００３５】
以下、本発明による一実施例と従来方式による比較例を通じ、本発明から期待される結晶性向上及び電子捕獲効果をより詳細に説明する。
【実施例】
【００３６】
（実施例）
本実施例では、サファイア基板上にｎ型ＧａＮ層を形成した後、電子蓄積層として約１５Å厚さのＩｎＮ量子点層を形成した。次いで、ＩｎＮ量子点層上に共振トンネル層として約１０Å厚さのＧａＮ層を形成した。次に、１０Å厚さのＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎ量子井戸層と１５Å厚さのＧａＮ量子障壁層を有する活性層を形成した。
【００３７】
（比較例１）
本比較例では、上記実施例と同一条件で各層を成長させるが、電子放出構造の電子蓄積層及び共振トンネル層を形成せず、ｎ型ＧａＮ層上に直接活性層を形成した。
【００３８】
（比較例２）
本比較例では、上記実施例及び比較例１と同一条件で各層を成長させるが、電子放出構造の電子蓄積層及び共振トンネル層を異なるようにした。すなわち、ｎ型ＧａＮ層に成長される電子蓄積層として約５０ｎｍ厚さのＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎ層を形成した。
【００３９】
上記の比較例１及び比較例２と実施例から得られた活性層の最終表面（５×５μｍ）をＡＦＭで撮影した。図４−１ないし図４−３は各活性層の最終表面に対するＡＦＭ写真である。
【００４０】
まず、比較例１（図４−１参照）では比較的少ない数のピット（ｐｉｔ）が確認された。これは結晶条件により不可避に発生される水準と見られる。これに対し、比較例２（図４−２参照）では図４−１に比べ相対的に多い数のピットを確認することが可能であった。
【００４１】
このような多い数のピットは比較例１、すなわち電子放出構造を採用しない活性層に比べ結晶性が非常に損傷されたことを示す。これは比較的厚い電子蓄積層により誘発されるストレスによることが分かる。
【００４２】
その反面、本発明による実施例（図４−３）では、電子放出層を採用しない比較例１と類似する程度の少ない数のピットだけが観察された。本実施例では再結合効率向上のため電子放出構造を採用したが、電子蓄積層として比較例２のようにエネルギーバンドギャップ差を利用した厚い結晶層を使用せず、量子点を利用した結果であることが分かる。
【００４３】
本実験結果により、本発明によって量子点を利用した電子放出構造は活性層の結晶性を低下させないことが可能であり、従って、従来の電子放出構造のように活性層に及ぼす圧電フィールド影響を増加させる不作用を防止することが可能である。
【００４４】
また、本発明で採用される窒化物半導体の量子点層の電子捕獲効果を確認するため、上記実施例と比較例２の結果物に対するフォトルミネセンス（ＰＬ）を測定した。図５−１及び図５−２は各々比較例２と本発明による実施例のフォトルミネセンス（ＰＬ）を測定した結果を示すグラフである。
【００４５】
図５−１のＰＬグラフ（比較例２）では、ＩｎＧａＮ電子蓄積層により４００ｎｍ辺りにピークが発生し、図５−２のＰＬグラフ（実施例）では、ＩｎＮ半導体量子点層により４４０ｎｍ辺りにピークが発生した。特に、本実施例によるＩｎＮ半導体量子点層は図５−１に比べより大きいピークを有する。これらの結果から、本発明による半導体の量子点が従来のエネルギーバンドギャップによる電子蓄積層に比べ電子捕獲効果がより向上されたことを確認することができる。
【００４６】
このように、本発明を特定の実施形態および実施例により説明下で、本発明は上述の実施例及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の請求範囲により限定されるべきものである。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これらもまた本発明の範囲に属する。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
以上のように、本発明の窒化物半導体素子は、例えばフルカラーディスプレー、イメージスキャナー、各種信号システム及び光通信機器に光源として提供される緑色または青色発光ダイオードに適している。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１−１】従来の窒化物半導体素子の側断面図である。
【図１−２】図１−１の窒化物半導体素子のエネルギーバンド図である。
【図２】本発明の一実施形態による窒化物半導体素子の側断面図である。
【図３】ＩｎＧａＮ層とＩｎＮ量子点層を反復成長させた構造の側断面を撮影したＴＥＭ写真である。
【図４−１】従来の窒化物半導体素子に採用される活性層の表面を撮影したＡＦＭ写真である。
【図４−２】従来の窒化物半導体素子に採用される活性層の表面を撮影したＡＦＭ写真である。
【図４−３】本発明による窒化物半導体素子に採用される活性層の表面を撮影したＡＦＭ写真である。
【図５−１】従来の窒化物半導体素子に採用される電子放出層/活性層のフォトルミネセンス（ＰＬ）を測定した結果を示すグラフである。
【図５−２】本発明による窒化物半導体素子に採用される電子放出層/活性層のフォトルミネセンス（ＰＬ）を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１１、２１  サファイア基板
１２、２２  バッファ層
１３、２３  ｎ型窒化物半導体層
１５、２５  電子放出層構造
１５ａ、２５ａ  共振トンネル層
１５ｂ、２５ｂ  窒化物半導体の量子点層
１６、２６  活性層
１７、２７  ｐ型窒化物半導体層
１８、２８  ｎ側電極
１９、２９  ｐ側電極
【図１−１】
2006295128.tif 000003
【図１−２】
2006295128.tif 000004
【図２】
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【図５−１】
2006295128.tif 000006
【図５−２】
2006295128.tif 000007
【図３】
2006295128.tif 000008
【図４−１】
2006295128.tif 000009
【図４−２】
2006295128.tif 000010
【図４−３】
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