(57)【要約】【課題】  半田剥がれが無く、回路基板とマザー基板間の間隔を確実に確保できる電子回路ユニットを提供する。【解決手段】  本発明の電子回路ユニットは、回路基板１の下面に設けられた複数のランド部３と、このランド部３に設けられた半田盛り上がり部７とを備え、この半田盛り上がり部７に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁８ａと、この抑え壁８ａと同一の絶縁樹脂からなり、抑え壁８ａのそれぞれを繋ぐ連結体８ｂとを設けたため、外部環境の温度変化によって回路基板１が膨張、収縮しても、連結体８ｂ全体に歪みが分散すると共に、この分散によって抑え壁８ａへの歪みの集中が緩和されて、半田盛り上がり部７の剥がれの無いものが得られる。【選択図】        図１
2006303253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に設けられた配線パターンに電子部品が搭載された回路基板と、前記配線パターンに接続された状態で、前記回路基板の下面に設けられた複数のランド部と、このランド部に設けられた半田盛り上がり部とを備え、前記回路基板の下面には、前記半田盛り上がり部に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁が設けられ、この抑え壁の先端から突出した前記半田盛り上がり部がマザー基板に半田付けされるようにすると共に、前記抑え壁のそれぞれは、前記抑え壁と同一の絶縁樹脂からなる連結体によって繋げられたことを特徴とする電子回路ユニット。
【請求項２】
前記連結体は、前記半田盛り上がり部と前記抑え壁を除く前記回路基板の下面全体に設けられたことを特徴とする請求項１記載の電子回路ユニット。
【請求項３】
前記回路基板の下面には、前記電子部品が搭載されると共に、この電子部品の外周面が前記連結体によって覆われたことを特徴とする請求項１、又は２記載の電子回路ユニット。
【請求項４】
前記抑え壁と前記連結体は、熱硬化性の樹脂で形成されると共に、前記抑え壁の内部は、先端部から前記ランド部に向かってすり鉢状に形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の電子回路ユニット。
【請求項５】
前記抑え壁は、前記半田盛り上がり部の高さの１／２以上にわたって設けられたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の電子回路ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は近距離無線装置等の電子機器に使用して好適な電子回路ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
図３は従来の半導体装置の側面図を示し、この従来の半導体装置の構成を説明すると、半導体装置５１の下面には、複数のランド部５２が設けられた絶縁フィルム５３を配置し、ランド部５２には、半田バンプ５４が設けられると共に、個々の半田バンプ５４に外周部には、絶縁樹脂からなる抑え壁５５が単独に設けられ、この抑え壁５５は、絶縁フィルム５３に付着された状態となっている。
【０００３】
このような従来の半導体装置は、抑え壁５５から突出した半田バンプ５４が実装基板５６の配線パターン５７上に載置されて、配線パターン５７に接続されるようになっている。（例えば、特許文献１参照）
【０００４】
しかし、従来の半導体装置が実装基板５６に実装された際、外部環境の温度変化によって絶縁フィルム５３は膨張、収縮するが、この時、絶縁フィルム５３の膨張、収縮による歪みが単独の個々の抑え壁５５に集中して、半田バンプ５４の剥がれが生じる。
【０００５】
【特許文献１】特許２８４２３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の半導体装置は、抑え壁５５が個々の半田バンプ５４に単独に設けられているため、外部環境の温度変化によって絶縁フィルム５３が膨張、収縮した際、絶縁フィルム５３の膨張、収縮による歪みが単独の個々の抑え壁５５に集中して、半田バンプ５４の剥がれが生じるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は半田剥がれが無く、回路基板とマザー基板間の間隔を確実に確保できる電子回路ユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、上面に設けられた配線パターンに電子部品が搭載された回路基板と、前記配線パターンに接続された状態で、前記回路基板の下面に設けられた複数のランド部と、このランド部に設けられた半田盛り上がり部とを備え、前記回路基板の下面には、前記半田盛り上がり部に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁が設けられ、この抑え壁の先端から突出した前記半田盛り上がり部がマザー基板に半田付けされるようにすると共に、前記抑え壁のそれぞれは、前記抑え壁と同一の絶縁樹脂からなる連結体によって繋げられた構成とした。
【０００９】
また、第２の解決手段として、前記連結体は、前記半田盛り上がり部と前記抑え壁を除く前記回路基板の下面全体に設けられた構成とした。
また、第３の解決手段として、前記回路基板の下面には、前記電子部品が搭載されると共に、この電子部品の外周面が前記連結体によって覆われた構成とした。
【００１０】
また、第４の解決手段として、前記抑え壁と前記連結体は、熱硬化性の樹脂で形成されると共に、前記抑え壁の内部は、先端部から前記ランド部に向かってすり鉢状に形成された構成とした。
また、第５の解決手段として、前記抑え壁は、前記半田盛り上がり部の高さの１／２以上にわたって設けられた構成とした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の電子回路ユニットは、回路基板の下面に設けられた複数のランド部と、このランド部に設けられた半田盛り上がり部とを備え、この半田盛り上がり部に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁と、この抑え壁と同一の絶縁樹脂からなり、抑え壁のそれぞれを繋ぐ連結体とを設けたため、外部環境の温度変化によって回路基板が膨張、収縮しても、連結体全体に歪みが分散すると共に、この分散によって抑え壁への歪みの集中が緩和されて、半田盛り上がり部の剥がれの無いものが得られる。
また、抑え壁と連結体は、同一の絶縁樹脂で形成されるため、抑え壁と連結体の形成が容易であると共に、抑え壁の高さを小さくできて、抑え壁の変形を極力、抑えることができる。
【００１２】
また、連結体は、半田盛り上がり部と抑え壁を除く回路基板の下面全体に設けられたため、回路基板の膨張、収縮による連結体への歪み分散を向上させることが出来て、抑え壁への歪みの集中が一層緩和されて、半田盛り上がり部の剥がれを一層防止できる。
【００１３】
また、回路基板の下面に搭載された電子部品が連結体によって覆われたため、別の封止部材を必要とせず、生産性が良く、安価なものが得られる。
【００１４】
また、抑え壁と連結体は、熱硬化性の樹脂で形成されると共に、抑え壁の内部は、先端部からランド部に向かってすり鉢状に形成されたため、抑え壁と連結体は、熱硬化性の樹脂を用いることによって、安価で、その形成が容易となり、また、抑え壁をすり鉢状にすることによって、内部での半田の係留と外部への半田の流出防止が確実になる。
【００１５】
また、抑え壁は、半田盛り上がり部の高さの１／２以上にわたって設けられたため、抑え壁の内部での半田の係留と抑え壁外への半田の流出防止が確実にできると共に、回路基板とのマザー基板間の間隔を確実に確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は本発明の電子回路ユニットの要部の断面図、図２は本発明の電子回路ユニットの下面図であり、次に、本発明の電子回路ユニットの構成を図１、図２に基づいて説明すると、積層基板からなる回路基板１には、上面、積層内、及び下面に設けられた配線パターン２と、下面に設けられた複数のランド部３と、配線パターン２とランド部３を接続する接続導体（スルーホール）４が設けられている。
【００１７】
また、回路基板１の上面には、種々の電子部品５ａが搭載されると共に、回路基板１の下面の中央部には、半導体チップ（ベアチップ）等からなる電子部品５ｂが搭載されて、所望の電気回路が形成されている。
そして、金属板からなる箱形のカバー６は、回路基板１の上面に配置された電子部品５ａを覆った状態で、回路基板１に取り付けられている。
【００１８】
それぞれのランド部３には、半田盛り上がり部７が設けられ、この半田盛り上がり部７は、半田ボールや、ランド部３にクリーム半田が塗布、或いは印刷された後、溶融されてできた略半球状の半田で形成されると共に、回路基板１の下面には、半田盛り上がり部７に接触した状態で外周を囲むように、半田の広がりを抑える絶縁樹脂からなる抑え壁８ａが設けられ、半田盛り上がり部７が抑え壁８ａの先端から下方に突出した状態となっている。
【００１９】
また、半田盛り上がり部７と抑え壁８ａを除く回路基板１の下面全体には、電子部品５ｂの外周面を覆うと共に、抑え壁８ａのそれぞれを繋ぐ絶縁樹脂からなる連結体８ｂが設けられている。
この抑え壁８ａと連結体８ｂは、同一の絶縁樹脂である熱硬化性の樹脂で形成されると共に、抑え壁８ａの高さは、半田盛り上がり部７の高さの１／２以上の高で、回路基板１の下面に配置された電子部品５ｂよりも高くなっている。
また、抑え壁８ａの先端部が円形の環状をなし、抑え壁８ａの内部は、先端部からランド部３に向かってすり鉢状に形成されると共に、抑え壁８ａの内部全体が半田盛り上がり部７に接触した状態となって、本発明の電子回路ユニットが形成されている。
【００２０】
そして、抑え壁８ａと連結体８ｂは、半田盛り上がり部７が形成された後、先ず、半田盛り上がり部７を除く回路基板１の下面に、連結体８ｂとなる絶縁樹脂が塗布され、しかる後、連結体８ｂである絶縁樹脂の一部が半田盛り上がり部７の外周部を囲むように盛り上げられた後、絶縁樹脂が硬化されて形成されている。
【００２１】
このような本発明の電子回路ユニットは、半田盛り上がり部７が電子機器のマザー基板９に設けられた導電パターン（図示せず）上に載置され、半田盛り上がり部７がリフロー炉によって溶融されて、導電パターンに接続されるようになっている。
【００２２】
そして、半田盛り上がり部７が溶融された際、横方向に広がって、高さが低くなるようになるが、抑え壁８ａの存在によって、半田の横方向の広がりが抑制され、このため、半田の高さ、即ち、回路基板１の下面とマザー基板９との間の間隔を大きく確保できて、下面の電子部品５ｂがマザー基板９にぶつかることが無くなる。
【００２３】
なお、上記実施例の抑え壁８ａは、先端部が円形の環状のもので説明したが、先端部の一部が切り欠きされたＣ字状、或いは、半田盛り上がり部７の外周を取り巻くように、複数の絶縁樹脂を点在させて抑え壁８ａを形成したものでも良い。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の電子回路ユニットの要部の断面図。
【図２】本発明の電子回路ユニットの下面図。
【図３】従来の半導体装置の側面図。
【符号の説明】
【００２５】
１：回路基板
２：配線パターン
３：ランド部
４：接続導体
５ａ、５ｂ：電子部品
６：カバー
７：半田盛り上がり部
８ａ：抑え壁
８ｂ：連結体
９：マザー基板
【図１】
2006303253.tif 000003
【図２】
2006303253.tif 000004
【図３】
2006303253.tif 000005