(57)【要約】【課題】  薄型の積層型半導体装置を安価に提供する。【解決手段】  配線基板の上面には半導体チップが固定され、半導体チップの電極と配線基板の上面の配線はワイヤで接続され、配線基板の下面には電極を有し、配線基板の上面の半導体チップ及びワイヤは絶縁性樹脂からなる封止体で覆われる構造の半導体装置を積層する積層型半導体装置である。第１の半導体装置は、複数の孔を有する絶縁体からなる枠状のガイドが配線基板の上面に固定されている。孔底には配線基板の上面の配線が位置している。ガイドの内側は封止体で覆われる構造となっている。第２の半導体装置は、配線基板の下面に設けられる電極が前記孔に対面する構造となっている。第２の半導体装置は第１の半導体装置に重なり、第２の半導体装置の電極は第１の半導体装置のガイド内に入れられる半田ボールの再加熱によって孔底の配線に接続される。第１の半導体装置の下面の電極が積層型半導体装置の実装電極になる。  【選択図】        図２
2006303079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続される配線基板と、
前記配線基板の上面に固定される半導体チップと、
前記半導体チップの電極と前記上面の配線を電気的に接続する接続手段と、
前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記配線基板の下面の前記配線に重ねて形成される電極とを有する半導体装置を複数段に積層してなる積層型半導体装置であって、
上段と下段との関係にある二つの前記半導体装置において、
下段となる第１の半導体装置は、
前記配線基板の上面に固定される絶縁体からなる枠状のガイドと、
前記ガイドに支持され、下面が前記配線基板の前記配線に電気的に接続され、上面が露出する接続導体とを有し、
前記ガイドの内側に前記半導体チップ及び前記接続手段が位置し、
前記ガイドの内側が前記封止体で覆われてなり、
上段となる第２の半導体装置は、
前記配線基板の下面に設けられる前記電極が前記接続導体に対面する構造となり、
前記第２の半導体装置は前記第１の半導体装置に重なり、前記第２の半導体装置の前記電極は前記第１の半導体装置の前記接続導体に接続されてなり、
最下段の前記半導体装置の前記電極が積層型半導体装置の実装電極になっていることを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項２】
前記ガイドには上下を貫通する複数の孔が設けられ、前記各孔に前記接続導体が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項３】
前記電極及び前記接続導体は半田で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項４】
前記ガイドの内壁に接触する前記接続導体が形成され、かつ前記各接続導体の上面側は前記封止体の上面側に露出していることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項５】
前記最下段の半導体装置の前記実装電極の融点は、他の前記半導体装置の前記電極及び前記接続導体の融点よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項６】
前記最下段の半導体装置の前記実装電極及び他の前記半導体装置の前記電極並びに前記接続導体は半田ボールで形成され、かつ前記他の半導体装置の前記電極及び前記接続導体の直径は前記実装電極の直径に比較して大きいことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置のうちの少なくとも一つの半導体装置においては、前記配線基板の上面に前記半導体チップが固定され、前記半導体チップの上にさらに半導体チップが固定され、前記両半導体チップの各電極は前記接続手段を介して前記配線基板の上面の前記各配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項８】
前記配線基板は四角形となり、前記ガイドは四角形枠となり、前記ガイドの外周縁は前記配線基板の周縁と一致していることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項９】
前記ガイドはガラス・エポキシ樹脂板で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型の半導体装置。
【請求項１０】
第１の半導体装置上に第２の半導体装置を積層して積層型半導体装置を製造する方法であって、
前記第１の半導体装置は、
（ａ）上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｂ）前記製品形成部の上面の前記配線の導体接続部分に対応して設けられる貫通した孔を有する絶縁体からなる枠状のガイドを、前記各製品形成部の上面に固定する工程、
（ｃ）前記各製品形成部の上面に半導体チップを固定する工程、
（ｄ）前記各製品形成部において、前記半導体チップの電極と前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｅ）前記各製品形成部の各ガイドの内側を絶縁性樹脂で覆い、前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う封止体を形成する工程、
（ｆ）前記各製品形成部の下面の配線に電極を形成する工程、
（ｇ）前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造し、
前記第２の半導体装置は、
（ｋ）上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続され、かつ前記下面の電極が形成される配線部分は前記第１の半導体装置の前記孔に対応する位置に配置される構造の製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｌ）前記各製品形成部の上面にそれぞれ半導体チップを固定する工程、
（ｍ）前記半導体チップの電極と前記製品形成部の上面の前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｎ）前記配線母基板の上面を絶縁性樹脂で覆って樹脂層を形成する工程、
（ｏ）前記配線母基板の下面の前記配線に電極を形成する工程、
（ｐ）前記配線母基板及び前記樹脂層を切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造し、
（ｓ）前記第１の半導体装置の前記孔内に接続導体を入れる工程、
（ｔ）前記第２の半導体装置の前記電極を前記接続導体に接触するように前記第１の半導体装置を前記第２の半導体装置上に重ね、前記接続導体及び前記第２の半導体装置の前記電極を一次的に溶融させて前記第１の半導体装置上に前記第２の半導体装置を固定する工程、
を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の半導体装置を形成するための前記製品形成部の寸法を、前記第１の半導体装置を形成するための前記製品形成部の寸法以下にすることを特徴とする請求項１０に記載の積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記下段となる前記第１の半導体装置の電極は、前記第２の半導体装置の電極及び前記接続導体の融点よりも低い融点からなる電極材料で形成することを特徴とする請求項１０に記載の積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２半導体装置のうちの少なくとも一つの半導体装置の製造においては、前記配線基板の上面に前記半導体チップを固定し、その後前記半導体チップの上にさらに半導体チップを固定し、ついで前記両半導体チップの各電極と前記配線基板の上面の前記各配線を前記接続手段で電気的に接続することを特徴とする請求項１０に記載の積層型の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
第１の半導体装置上に第２の半導体装置を積層して積層型半導体装置を製造する方法であって、
前記第１の半導体装置は、
（ａ）上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｂ）前記製品形成部の上面の前記配線の導体接続部分が内周壁に近接するような絶縁体からなる枠状のガイドを、前記各製品形成部の上面に固定する工程、
（ｃ）前記各製品形成部の上面に半導体チップを固定する工程、
（ｄ）前記各製品形成部において、前記半導体チップの電極と前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｅ）前記ガイドの内周壁に寄り掛かるようにして前記各製品形成部の前記配線の前記接続部分上に接続導体を固定する工程、
（ｆ）前記各製品形成部の各ガイドの内側を絶縁性樹脂で覆い、前記接続導体の上面を露出させ、かつ前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う封止体を形成する工程、
（ｇ）前記各製品形成部の下面の配線に電極を形成する工程、
（ｈ）前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造し、
前記第２の半導体装置は、
（ｋ）上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続され、かつ前記下面の電極が形成される配線部分は前記第１の半導体装置の前記導体接続部分に対応する位置に配置される構造の製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｌ）前記各製品形成部の上面にそれぞれ半導体チップを固定する工程、
（ｍ）前記半導体チップの電極と前記製品形成部の上面の前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｎ）前記配線母基板の上面を絶縁性樹脂で覆って樹脂層を形成する工程、
（ｏ）前記配線母基板の下面の前記配線に電極を形成する工程、
（ｐ）前記配線母基板及び前記樹脂層を切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造し、
（ｓ）前記第１の半導体装置の前記孔内に接続導体を入れる工程、
（ｔ）前記第２の半導体装置の前記電極が前記第１の半導体装置の前記接続導体上に重なるように前記第１の半導体装置を前記第２の半導体装置上に重ね、前記接続導体及び前記第２の半導体装置の前記電極を一次的に溶融させて前記第１の半導体装置上に前記第２の半導体装置を固定する工程、
を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の半導体装置を形成するための前記製品形成部の寸法は、前記第１の半導体装置を形成するための前記製品形成部の寸法以下になっていることを特徴とする請求項１４に記載の積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記下段となる前記第１の半導体装置の電極は、前記第２の半導体装置の電極及び前記導体の融点よりも低い融点からなる電極材料で形成することを特徴とする請求項１４に記載の積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２半導体装置のうちの少なくとも一つの半導体装置の製造においては、前記配線基板の上面に前記半導体チップを固定し、その後前記半導体チップの上にさらに半導体チップを固定し、ついで前記両半導体チップの各電極と前記配線基板の上面の前記各配線を前記接続手段で電気的に接続することを特徴とする請求項１４に記載の積層型の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の半導体装置と前記第２の半導体装置の間に第３の半導体装置を積層する積層型半導体装置であって、
第３の半導体装置は、
前記配線基板の上面に固定される絶縁体からなる枠状のガイドと、
前記ガイドに支持され、下面が前記配線基板の前記配線に電気的に接続され、上面が露出し、かつ前記第２の半導体装置の下面の前記電極に対応する接続導体とを有し、
前記ガイドの内側に前記半導体チップ及び前記接続手段が位置し、
前記ガイドの内側が前記封止体で覆われ、
前記配線基板の下面の前記配線に形成される電極が前記第１の半導体装置の前記接続導体に対応した構造となり、
前記第３の半導体装置は、第３の半導体装置の前記電極が前記第１の半導体装置の前記接続導体に接続され、第３の半導体装置の前記接続導体が前記第２の半導体装置の前記電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係わり、特に、パッケージ下面に電極を有する半導体装置を積層してなる積層型半導体装置の製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の集積度向上及び小型・軽量化を図るためのパッケージ構造として、ＢＧＡ（Ball Grid Array）構造及びＬＧＡ（Land Grid Array）と呼称される表面実装型の半導体装置が知られている。これら半導体装置は、配線基板上に半導体素子（半導体チップ）を固定し、かつ半導体チップの電極と配線基板の導体層を導電性のワイヤで接続し、かつ半導体チップ及びワイヤ等を絶縁性の樹脂からなる封止体で覆った構造になっている。また、生産性を向上させるために、いわゆる一括モールド方法を採用した製造方法も採用されている。この製造方法では、半導体装置を製造する製品形成部を縦横に配列した配線母基板が準備される。その後、各製品形成部に半導体チップを固定し、かつワイヤの接続を行い、さらに絶縁性樹脂で配線母基板全体を覆い、ついで配線母基板を樹脂毎縦横に切断して複数の半導体装置を製造する。
【０００３】
一方、半導体装置の集積度及び小型化の向上を図る一つの方法として、ＩＣ等が形成された半導体チップを積層したり、あるいはパッケージ毎半導体装置を積層する手法が採用されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１１００９１号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は一括モールド技術を採用して製造したＢＧＡ型半導体装置を使用し、半田ボールでパッケージ・オン・パッケージの積層品（積層型半導体装置）の製造について検討した。
【０００６】
ＢＧＡ型半導体装置は、配線基板の上面に半導体チップを固定し、この半導体チップの電極と配線基板の配線（導体層）を導電性のワイヤで接続し、かつ半導体チップ及びワイヤ等を絶縁性の樹脂からなる封止体で覆う構造となる。また、配線基板の下面には外部電極端子となる電極（ボール電極：バンプ電極）が配列されている。このような半導体装置は、封止体の厚さが厚い場合、電極ピッチ（ボールピッチ）に適応した半田ボールの大きさでは積層し難いことが判明した。
【０００７】
例えば、下段の半導体装置の封止体の上面に孔を開けて配線基板の上面に設けた配線を露出させ、この露出した配線に上段の半導体装置の下面の電極（ボール電極）を接触させ、かつ溶融によって一体化する場合、封止体が厚い場合には、ボール電極が下段の半導体装置の配線に届かなくなる。一方、ＢＧＡ型半導体装置は順次小型・薄型化の傾向にある。
【０００８】
本発明の目的は、薄型の積層型半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、製造コストの低減が可能な積層型半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１０】
（１）上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続される配線基板と、
前記配線基板の上面に固定される半導体チップと、
前記半導体チップの電極と前記上面の配線を電気的に接続する接続手段と、
前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記配線基板の下面の前記配線に重ねて形成される電極とを有する半導体装置を複数段に積層してなる積層型半導体装置であって、
上段と下段との関係にある二つの前記半導体装置において、
下段となる第１の半導体装置は、
前記配線基板の上面に固定される絶縁体からなる枠状のガイドと、
前記ガイドに支持され、下面が前記配線基板の前記配線に電気的に接続され、上面が露出する接続導体とを有し、
前記ガイドの内側に前記半導体チップ及び前記接続手段が位置し、
前記ガイドの内側が前記封止体で覆われてなり、
上段となる第２の半導体装置は、
前記配線基板の下面に設けられる前記電極が前記接続導体に対面する構造となり、
前記第２の半導体装置は前記第１の半導体装置に重なり、前記第２の半導体装置の前記電極は前記第１の半導体装置の前記接続導体に接続されてなり、
最下段の前記半導体装置の前記電極が積層型半導体装置の実装電極になっていることを特徴とする。
【００１１】
前記ガイドには上下を貫通する複数の孔が設けられるとともに、これらの孔には前記接続導体が設けられている。前記最下段の半導体装置の前記実装電極及び他の前記半導体装置の前記電極並びに前記接続導体は半田ボールで形成され、かつ前記他の半導体装置の前記電極及び前記接続導体の直径は前記実装電極の直径に比較して大きくなっている。また、前記最下段の半導体装置の前記実装電極の融点は、他の前記半導体装置の前記電極及び前記接続導体の融点よりも低くなっている。
【００１２】
前記半導体装置のうちの少なくとも一つの半導体装置においては、前記配線基板の上面に前記半導体チップが固定され、前記半導体チップの上にさらに半導体チップが固定され、前記両半導体チップの各電極は前記接続手段を介して前記配線基板の上面の前記各配線に電気的に接続されている。前記配線基板はガラス・エポキシ樹脂配線基板で形成され、ガイドはガラス・エポキシ樹脂板で形成されている。
【００１３】
このような半導体装置は、以下の工程を有する製造方法で製造される。
第１の半導体装置上に第２の半導体装置を積層して積層型半導体装置を製造する方法であって、
前記第１の半導体装置は、
（ａ）上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｂ）前記製品形成部の上面の前記配線の導体接続部分に対応して設けられる貫通した孔を有する絶縁体からなる枠状のガイドを、前記各製品形成部の上面に固定する工程、
（ｃ）前記各製品形成部の上面に半導体チップを固定する工程、
（ｄ）前記各製品形成部において、前記半導体チップの電極と前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｅ）前記各製品形成部の各ガイドの内側を絶縁性樹脂で覆い、前記半導体チップ及び前記接続手段を覆う封止体を形成する工程、
（ｆ）前記各製品形成部の下面の配線に電極を形成する工程、
（ｇ）前記配線母基板を前記各製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造し、
前記第２の半導体装置は、
（ｋ）上下面に所定パターンの配線を有し、前記上下面の前記配線の一部は前記上下面間を貫通する配線で接続され、かつ前記下面の電極が形成される配線部分は前記第１の半導体装置の前記孔に対応する位置に配置される構造の製品形成部を、縦横に整列配置した配線母基板を準備する工程、
（ｌ）前記各製品形成部の上面にそれぞれ半導体チップを固定する工程、
（ｍ）前記半導体チップの電極と前記製品形成部の上面の前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｎ）前記配線母基板の上面を絶縁性樹脂で覆って樹脂層を形成する工程、
（ｏ）前記配線母基板の下面の前記配線に電極を形成する工程、
（ｐ）前記配線母基板及び前記樹脂層を切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造し、
（ｓ）前記第１の半導体装置の前記孔内に接続導体を入れる工程、
（ｔ）前記第２の半導体装置の前記電極を前記接続導体に接触するように前記第１の半導体装置を前記第２の半導体装置上に重ね、前記接続導体及び前記第２の半導体装置の前記電極を一次的に溶融させて前記第１の半導体装置上に前記第２の半導体装置を固定する工程、を有することを特徴とする。
【００１４】
また、最下段の半導体装置の前記実装電極及び他の前記半導体装置の前記電極並びに前記接続導体は半田ボールで形成し、かつ前記他の半導体装置の前記電極及び前記接続導体の直径は前記実装電極の直径に比較して大きく形成する。前記下段となる前記第１の半導体装置の電極は、前記第２の半導体装置の電極及び前記接続導体の融点よりも低い融点からなる電極材料で形成する。また、前記第１及び第２半導体装置のうちの少なくとも一つの半導体装置の製造においては、前記配線基板の上面に前記半導体チップを固定し、その後前記半導体チップの上にさらに半導体チップを固定し、ついで前記両半導体チップの各電極と前記配線基板の上面の前記各配線を前記接続手段で電気的に接続する。前記配線基板はガラス・エポキシ樹脂配線基板で形成し、前記ガイドはガラス・エポキシ樹脂板で形成する。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１６】
前記（１）の手段によれば、（ａ）下面に電極（半田ボール）を有する第２の半導体装置を、第１の半導体装置に重ねて積層する際、第１の半導体装置の配線基板の上面に接続導体形成のため半田ボールを付け、その後この半田ボール上に第２の半導体装置の電極を重ねることから、第１の半導体装置の封止体が厚くても確実な積層が可能になる。即ち、最下段となる第１の半導体装置の実装電極の直径は、他の半導体装置（第２の半導体装置）の電極及び接続導体の直径に比較して大きくなっている。この結果、第１の半導体装置の封止体の厚さが厚くとも、積層型半導体装置の実装電極の大きさに関わらず接続導体形成のための半田ボールを選ぶことができ、第１の半導体装置の上に第２の半導体装置を確実に積層することができる。
【００１７】
（ｂ）接続導体はガイドの孔に半田ボールを入れ、その後この半田ボール等をリフローすることによって形成される。接続導体は孔によってその側面を規制される。一般に、半田ボールを２個重ねてリフローした場合には、規制するものがない場合には、一体となって直径の大きな接続導体となるが、本発明の場合には、接続導体は孔の内壁で規制される。従って、半田ボールを入れることが可能な小さな孔にすれば、２個の半田ボールによる接続導体の直径を半田ボールの直径と同程度とすることができる。また、孔に重ねて入れる半田ボールの数をさらに増やせば、さらに厚い接続導体を形成することができる。これに伴い封止体を厚くでき、さらなる半導体チップのチップスタック数も増大できる。
【００１８】
（ｃ）接続導体はガイドの孔でその位置が規制されるとともに、ガイドによって隣接する接続導体との絶縁が維持されている。これにより、第２の半導体装置の電極ピッチの狭小化も可能である。
【００１９】
（ｄ）最下段となる第１の半導体装置の実装電極の直径は、他の半導体装置（第２の半導体装置）の電極及び接続導体の直径に比較して大きくなっている。従って、積層型半導体装置の実装電極は積層に左右されることなく直径の小さい半田ボールを選ぶことができ、実装電極のピッチの狭小化も可能になる。
【００２０】
（ｅ）最下段の半導体装置（第１の半導体装置）の実装電極の融点は、他の半導体装置（第２の半導体装置）の電極及び接続導体の融点よりも低くなっている。この結果、積層型半導体装置の実装電極による実装時、第２の半導体装置の電極及び接続導体の融点よりも低い温度で実装を行えば、積層構造に支障を来すことなく確実な実装が可能になり、実装の信頼性が高くなる。
【００２１】
（ｆ）第１及び第２の半導体装置のうちの少なくとも一つの半導体装置においては、配線基板の上面に半導体チップが重ねて固定される構造となることから、高機能・大容量の積層型半導体装置を提供することが可能になる。このチップスタックの採用は、封止体を厚くできることによって可能となる。
【００２２】
（ｇ）第１の半導体装置を構成し、接続導体を支持するガイドは、コストの安いガラス・エポキシ樹脂板で形成されていることから、積層型半導体装置の製造コストの低減も可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００２４】
図１乃至図９は本発明の実施例１の積層型半導体装置に係わる図であり、図１乃至図５は積層型半導体装置の構造に係わる図であり、図６乃至図９は半導体装置の製造方法に係わる図である。
【００２５】
本実施例１の積層型半導体装置１は、図２及び図３に示すように、下段となる第１の半導体装置１０と、この第１の半導体装置１０上に積層される上段となる第２の半導体装置３０と、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置３０を接続する接続導体２とからなっている。そして、積層型半導体装置１の上面は第２の半導体装置３０の上面によって形成される。第２の半導体装置３０の上面は後述するが、絶縁性樹脂によって形成される封止体によって形成されている。また、積層型半導体装置１の下面は第１の半導体装置１０の下面によって形成され、配線基板の下面が露出し、かつこの配線基板の下面に設けられた複数の電極で形成されている。この電極は半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）によって形成されたボール電極（バンプ電極）である。従って、実施例１の積層型半導体装置１は２個の半導体装置を積層したＢＧＡ型半導体装置となる。
【００２６】
第１の半導体装置１０は、図２に示すように、四角形の配線基板１１を有する。この配線基板１１は、例えば、厚さ０．２５ｍｍのガラス・エポキシ樹脂配線基板からなり、上面及び下面に所定パターンの配線１２，１３を有している。これら配線１２，１３の少なくとも一部は配線基板１１の上下面間を貫通する配線１４で接続されている。配線基板１１の上面に設けられる配線１２の一部は、ワイヤを固定するためのワイヤボンディングパッド１２ａ、接続導体２を接続するための導体接続部分１２ｂをも構成する。本実施例１の積層型半導体装置１は、実装電極が四角形の配線基板１１の周縁にそって３列に並ぶＢＧＡ構造であることから、接続導体２を接続するための導体接続部分１２ｂは配線基板１１の各辺に近い位置に位置している。
【００２７】
また、配線基板１１の下面の配線１３は電極１５が形成される電極形成部分１３ａをも構成する。この電極形成部分１３ａは、図２に示すように、電極が四角形枠状に３列配置されるように配置されている。例えば、電極１５は直径０．３５ｍｍの半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）で形成され、電極のピッチは０．５ｍｍとなる。
【００２８】
配線基板１１の上面には四角形枠からなるガイド１６が図示しない接着剤によって固定されている。ガイド１６は、その外周縁が配線基板１１に略一致する大きさとなっている。また、図３及び図５に示すように、ガイド１６には上下を貫通する孔１７が設けられている。図５はガイド１６の平面図である。
【００２９】
孔１７は、接続導体２が形成される導体接続部分１２ｂに一致するように複数形成されている。即ち、各孔１７の底面には配線１２の導体接続部分１２ｂが露出して位置する状態になっている。孔１７の直径は種々選択できるが、実施例１では、例えば、直径０．４ｍｍの半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）を挿入するために０．４５ｍｍ直径程度の孔になっている。従って、ガイド１６の各辺部分の幅は２ｍｍ程度となっている。また、孔１７の厚さは、チップスタック数が２となり、封止体の厚さが４５０μｍ程度となることから、例えば、０．３５ｍｍの厚さになっている。このようなガイドは、絶縁性であればよいが、例えば、コストが安価で、かつ配線基板１１がガラス・エポキシ樹脂配線基板であることから、熱膨張係数が同じガラス・エポキシ樹脂板を使用する。
【００３０】
配線基板１１のガイド１６で囲まれる上面中央には、例えば、ＡＳＩＣを構成する半導体チップ２０が接着剤２１によって固定されている。また、半導体チップ２０の上面には半導体チップ２０よりも小さい、例えば、ＡＳＩＣを構成する半導体チップ２２が絶縁性の接着剤２３によって固定されている。図示しないが半導体チップ２０及び半導体チップ２２の上面にはそれぞれ電極が設けられている。半導体チップ２０の電極は半導体チップ２２の外側に露出するように半導体チップ２２は半導体チップ２０に固定されている。なお、半導体チップ２０及び半導体チップ２２の固定は、接着剤に代えて接着テープを使用してもよい。
【００３１】
また、半導体チップ２０及び半導体チップ２２の電極と、配線基板１１の上面のワイヤボンディングパッド１２ａは導電性のワイヤ２４で電気的に接続されている。ワイヤ２４は、例えば、金線からなっている。
【００３２】
また、図２及び図４に示すように、ガイド１６に囲まれる配線基板１１の上面には絶縁性樹脂によって封止体２５が形成されている。ガイド１６の内側に形成される封止体２５は、半導体チップ２０，２２及びワイヤ２４を覆う。封止体２５は、例えば、エポキシ樹脂で形成されている。
【００３３】
一方、第２の半導体装置３０は、図２に示すように、四角形の配線基板３１を有する。この配線基板３１は、第１の半導体装置１０の配線基板１１と略同じ大きさになっている。第１の半導体装置１０上に第２の半導体装置３０を積層することから、第２の半導体装置３０の配線基板３１は配線基板１１の大きさ以下の大きさが望ましい。
【００３４】
配線基板３１は、例えば、厚さ０．２５ｍｍのガラス・エポキシ樹脂配線基板からなり、上面及び下面に所定パターンの配線３２，３３を有している。これら配線３２，３３の少なくとも一部は配線基板３１の上下面間を貫通する配線３４で接続されている。配線基板３１の上面に設けられる配線３２の一部は、ワイヤを固定するためのワイヤボンディングパッド３２ａをも構成する。
【００３５】
また、配線基板３１の下面の配線３３は電極３５（図３参照）が形成される電極形成部分３３ａをも構成する。この電極形成部分３３ａは、図２及び図３に示すように、第１の半導体装置１０のガイド１６に設けられた孔１７に対応して設けられ、この電極形成部分３３ａには電極３５が形成されている。この電極３５は直径が０．４ｍｍの半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）からなっている。
【００３６】
また、配線基板３１の上面には、例えば、メモリを構成する半導体チップ４０が接着剤４１によって固定されている。また、半導体チップ４０の上面には半導体チップ４０よりも小さい、例えば、メモリを構成する半導体チップ４２が絶縁性の接着剤４３によって固定されている。図示しないが半導体チップ４０及び半導体チップ４２の上面にはそれぞれ電極が設けられている。半導体チップ４０の電極は半導体チップ４２の外側に露出するように半導体チップ４２は半導体チップ４０に固定されている。なお、半導体チップ４０及び半導体チップ４２の固定は、接着剤に代えて接着テープを使用してもよい。
【００３７】
また、半導体チップ４０及び半導体チップ４２の電極と、配線基板３１の上面のワイヤボンディングパッド３２ａは導電性のワイヤ４４で電気的に接続されている。ワイヤ４４は、例えば、金線からなっている。
【００３８】
また、配線基板３１の上面全域には絶縁性樹脂によって封止体４５が形成されている。封止体４５は半導体チップ４０，４２及びワイヤ４４を覆う。封止体４５は、例えば、エポキシ樹脂で形成されている。封止体４５は、図１に示すように、配線基板３１と同じ寸法となる四角形である。
【００３９】
第１の半導体装置１０と第２の半導体装置３０は、第１の半導体装置１０の孔１７に形成される接続導体２によって接続されている。積層型半導体装置１の製造においては、図３に示すように、第１の半導体装置１０の上面の孔１７に半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）４７が入れられる。そして、孔１７に挿入された半田ボール４７上に第２の半導体装置３０の電極３５が重なるようにして第２の半導体装置３０を第１の半導体装置１０上に積層する。その後、電極３５及び半田ボール４７をリフロー（再加熱）して溶融して孔１７内で一体化する接続導体２を形成する。この接続導体２は第１の半導体装置１０の導体接続部分１２ｂと第２の半導体装置３０の電極形成部分３３ａを電気的に接続することになる。これにより、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置３０は単一の回路を構成した積層型半導体装置１となる。最下段である第１の半導体装置１０の下面の電極１５が実装電極となる。
【００４０】
また、積層型半導体装置１において、第１の半導体装置１０の電極１５の融点は、第２の半導体装置３０の電極３５及び接続導体２の融点よりも低くなっている。これは、積層型半導体装置１の実装時、第２の半導体装置３０の電極３５及び接続導体２が溶融しないようにするものである。
【００４１】
つぎに、積層型半導体装置１の製造方法について、図６乃至図９を参照して説明する。図６は第１の半導体装置１０の製造方法を示す工程断面図、図７は第２の半導体装置３０の製造方法を示す工程断面図、図８は第１の半導体装置１０に第２の半導体装置３０を積層する方法を示す工程断面図である。
【００４２】
第１の半導体装置１０を製造する場合、図６（ａ）に示すように配線母基板１１ａが準備される。この配線母基板１１ａは、図２で説明した配線基板１１が縦横に整列配置され、その外周に配線基板構造とならない枠部１１ｂが設けられた構造になっている。配線母基板１１ａの状態では、前記配線基板１１に対応する部分を製品形成部１１ｃと呼称する。従って、図６（ａ）に示すように、配線母基板１１ａは、矩形状の枠部１１ｂの内側に、製品形成部１１ｃが４列１３行の数配列されたパターンになっている。製品形成部１１ｃの構造説明については省略する。また、図６（ｂ）乃至図６（ｅ）では、製品形成部１１ｃを拡大した状態で示す。
【００４３】
第１の半導体装置１０の製造では配線基板１１にガイド１６が固定される。また、製造の最終工程で配線母基板１１ａは切断される。この際、ガイド１６の外側で配線基板１１が切断される。このため、図９に示すように、本実施例１ではその切断部分を少なくするため、四角形からなる製品形成部１１ｃの各辺に沿って溝１１ｄが設けられている。そして、製品形成部１１ｃの四角形の各隅部分が支持片１１ｅで支持される構造になっている。
【００４４】
つぎに、図６（ｂ）に示すように、配線母基板１１ａの上面に図示しない接着剤によって各製品形成部１１ｃにガイド１６を固定する。ガイド１６は、既に説明した図５に示すような構造となり、複数の孔１７を有している。このガイド１６の固定によって孔１７の底に導体接続部分１２ｂが位置するようになる。
【００４５】
つぎに、図６（ｂ）に示すように、配線母基板１１ａの各製品形成部１１ｃの上面に半導体チップ２０を接着剤２１で接続するとともに、この半導体チップ２０上に半導体チップ２２を絶縁性の接着剤２３で固定する。この際、半導体チップ２０上の電極は半導体チップ２２から外れて露出するようにし、ワイヤボンディングを可能にしておく。
【００４６】
つぎに、図６（ｃ）に示すように、半導体チップ２０及び半導体チップ２２の図示しない電極と、ガイド１６の内側に配置されているワイヤボンディングパッド１２ａを導電性のワイヤ２４（接続手段）で接続する。ワイヤ２４は金ワイヤである。
【００４７】
つぎに、図６（ｄ）に示すように、各製品形成部１１ｃのガイド１６の内側を絶縁性の樹脂で覆い封止体２５を形成する。封止体２５は半導体チップ２０，２２及びワイヤ２４を覆う。封止体２５は、例えば、エポキシ樹脂で形成する。
【００４８】
つぎに、図６（ｅ）に示すように、配線母基板１１ａを裏返しにして、配線母基板１１ａの各製品形成部１１ｃの電極形成部分１３ａに電極１５を形成する。この電極１５は、例えば、直径０．３５ｍｍの半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）を取り付け、かつリフローしてバンプ電極（ボール電極）とする。
【００４９】
つぎに、配線母基板１１ａを図示しないダイシングブレードで切断して製品形成部１１ｃ毎に個片化し、図６（ｆ）に示す第１の半導体装置１０を複数製造する。配線母基板１１ａは切断されて配線基板１１になる。
【００５０】
第２の半導体装置３０を製造する場合、図７（ａ）に示すように配線母基板３１ａが準備される。この配線母基板３１ａは、図２で説明した配線基板３１が縦横に整列配置され、その外周に配線基板構造とならない枠部３１ｂが設けられた構造になっている。配線母基板３１ａの状態では、前記配線基板３１に対応する部分を製品形成部３１ｃと呼称する。従って、図７（ａ）に示すように、配線母基板３１ａは、矩形状の枠部３１ｂの内側に、製品形成部３１ｃが６列１７行配列されたパターンになっている。製品形成部３１ｃの構造説明については省略する。また、図７（ｂ）乃至図７（ｅ）では、製品形成部３１ｃを拡大した状態で示す。
【００５１】
このような配線母基板３１ａを準備した後、図７（ｂ）に示すように、配線母基板３１ａの各製品形成部３１ｃの上面に半導体チップ４０を接着剤４１で接続するとともに、この半導体チップ４０上に半導体チップ４２を絶縁性の接着剤４３で固定する。この際、半導体チップ４０上の電極は半導体チップ４２から外れて露出するようにし、ワイヤボンディングを可能にしておく。
【００５２】
つぎに、図７（ｃ）に示すように、半導体チップ４０及び半導体チップ４２の図示しない電極と、製品形成部３１ｃ内のワイヤボンディングパッド３２ａを導電性のワイヤ４４（接続手段）で接続する。ワイヤ４４は金ワイヤである。
【００５３】
つぎに、図７（ｄ）に示すように、配線母基板３１ａの上面全体を絶縁性の樹脂で覆い封止体４５を形成する。封止体４５は半導体チップ４０，４２及びワイヤ４４を覆う。封止体４５は、例えば、エポキシ樹脂で形成する。
【００５４】
つぎに、図７（ｅ）に示すように、配線母基板３１ａを裏返しにして、配線母基板３１ａの各製品形成部３１ｃの電極形成部分３３ａに電極３５を形成する。この電極３５は、例えば、直径０．４０ｍｍの半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）を取り付け、かつリフローしてバンプ電極（ボール電極）とする。
【００５５】
つぎに、配線母基板３１ａを図示しないダイシングブレードで切断して製品形成部３１ｃ毎に個片化し、図７（ｆ）に示す第２の半導体装置３０を複数製造する。配線母基板３１ａは切断されて配線基板３１になる。
【００５６】
つぎに、図８（ａ）に示すように、第１の半導体装置１０の上面の孔１７に半田ボール（ＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボール）４７を挿入する。その後、孔１７に挿入された半田ボール４７上に第２の半導体装置３０の電極３５が重なるようにして第２の半導体装置３０を第１の半導体装置１０上に積層する。ついで、電極３５及び半田ボール４７をリフロー（再加熱）して溶融させて孔１７内で一体化させて接続導体２を形成する（図８（ｂ）参照）。
【００５７】
この接続導体２は、図８（ｂ）及び図２に示すように、第１の半導体装置１０の導体接続部分１２ｂと第２の半導体装置３０の電極形成部分３３ａを電気的に接続することになる。これにより、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置３０は単一の回路を構成した積層型半導体装置１となる。最下段である第１の半導体装置１０の下面の電極１５が実装電極となる。
【００５８】
また、積層型半導体装置１の製造において、第１の半導体装置１０の電極１５の融点は、第２の半導体装置３０の電極３５及び接続導体２の融点よりも低くなっている。これは、積層型半導体装置１の実装時、第２の半導体装置３０の電極３５及び接続導体２が溶融しないようにするものである。このため、第１の半導体装置１０の電極１５は融点が１８０℃となるＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボールを使用して製造し、第２の半導体装置３０の電極３５及び接続導体２は融点が２２０℃となるＰｂＳｎ半田ボールまたはＰｂフリー半田ボールを使用して製造する。
【００５９】
本実施例１によれば以下の効果を有する。
（１）下面に電極（半田ボール）３５を有する第２の半導体装置３０を、第１の半導体装置１０に重ねて積層する際、第１の半導体装置１０の配線基板１１の上面に接続導体２形成のため半田ボール４７を付け、その後この半田ボール４７上に第２の半導体装置３０の電極３５を重ねることから、第１の半導体装置１０の封止体２５が厚くても確実な積層が可能になる。即ち、最下段となる第１の半導体装置１０の実装電極１５の直径は、他の半導体装置（第２の半導体装置３０）の電極３５及び接続導体２（半田ボール４７）の直径に比較して大きくなっている。この結果、第１の半導体装置１０の封止体２５の厚さが厚くとも、積層型半導体装置１の実装電極１５の大きさに関わらず接続導体形成のためのボールを選ぶことができ、第１の半導体装置１０の上に第２の半導体装置３０を確実に積層することができる。
【００６０】
（２）接続導体２はガイド１６の孔１７に半田ボール４７を入れ、その後この半田ボール４７等をリフローすることによって形成される。一般に、半田ボールを２個重ねてリフローした場合には、規制するものがない場合には、一体となって直径の大きな接続導体となるが、本実施例の場合には、接続導体２は孔１７の内壁で規制される。従って、半田ボール４７を入れることが可能な小さな孔にすれば、２個の半田ボールによる接続導体２の直径を半田ボール４７の直径と同程度とすることができる。また、孔１７に重ねて入れる半田ボールの数をさらに増やせば、さらに厚い接続導体を形成することができる。これに伴い封止体を厚くでき、さらなる半導体チップのチップスタック数も増大できる。
【００６１】
（３）接続導体２はガイド１６の孔１７でその位置が規制されるとともに、ガイド１６によって隣接する接続導体２との絶縁が維持されている。これにより、第２の半導体装置３０の電極ピッチの狭小化も可能である。
【００６２】
（４）最下段となる第１の半導体装置１０の実装電極１５の直径は、他の半導体装置（第２の半導体装置３０）の電極３５及び接続導体２の直径に比較して大きくなっている。従って、積層型半導体装置１の実装電極１５は積層に左右されることなく直径の小さい半田ボールを選ぶことができ、実装電極のピッチの狭小化も可能になる。
【００６３】
（５）最下段の半導体装置（第１の半導体装置１０）の実装電極１５の融点は、他の半導体装置（第２の半導体装置３０）の電極３５及び接続導体２の融点よりも低くなっている。この結果、積層型半導体装置１の実装電極１５による実装時、第２の半導体装置３０の電極３５及び接続導体２の融点よりも低い温度で実装を行えば、積層構造に支障を来すことなく確実な実装が可能になり、実装の信頼性が高くなる。
【００６４】
（６）第１及び第２の半導体装置１０，３０のうちの少なくとも一つの半導体装置においては、配線基板の上面に半導体チップが重ねて固定される構造となることから、高機能・大容量の積層型半導体装置を提供することが可能になる。このチップスタックの採用は、封止体を厚くできることによって可能となる。
【００６５】
（７）第１の半導体装置１０を構成し、接続導体２を支持するガイド１６は、コストの安いガラス・エポキシ樹脂板で形成されていることから、積層型半導体装置１の製造コストの低減も可能になる。
【実施例２】
【００６６】
図１０（ａ），（ｂ）は本発明の実施例２の半導体装置の製造方法に係わる断面図である。本実施例２の積層型半導体装置１は、実施例１の積層型半導体装置１において、接続導体２を半田ペーストを用いて製造する以外は他の構造及びその製造方法は実施例１と同じである。
【００６７】
図１０（ａ），（ｂ）は、実施例１の図８（ａ），（ｂ）に対応するものである。実施例１の場合では、図８（ａ）に示すように、ガイド１６の孔１７に半田ボール４７を挿入するが、本実施例２の場合には、図１０（ａ）に示すように、ガイド１６の孔１７に半田ペースト５０を入れて接続導体２を形成する。
【００６８】
即ち、図１０（ａ）に示すように、第１の半導体装置１０の上面の孔１７に半田ペースト（ＰｂＳｎ半田またはＰｂフリー半田）５０を入れる。その後、孔１７に挿入された半田ペースト５０上に第２の半導体装置３０の電極３５が重なるようにして第２の半導体装置３０を第１の半導体装置１０上に積層する。ついで、電極３５及び半田ペースト５０をリフロー（再加熱）して溶融させて孔１７内で一体化させて接続導体２を形成する（図１０（ｂ）参照）。
【００６９】
この接続導体２は、図１０（ｂ）に示すように、第１の半導体装置１０の導体接続部分１２ｂと第２の半導体装置３０の電極形成部分３３ａを電気的に接続することになる。これにより、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置３０は単一の回路を構成した積層型半導体装置１となる。
本実施例２においても実施例１と同様な効果が得られる。
【実施例３】
【００７０】
図１１乃至図１３は本発明の実施例３である積層型半導体装置の製造方法に係わる図である。図１１は第１の半導体装置の製造方法を示す各工程断面図、図１２は積層型半導体装置の第１の半導体装置に第２の半導体装置を積層する方法を示す断面図、図１３は第１の半導体装置の製造で用いる配線母基板の製品形成部を示す模式的平面図である。
【００７１】
本実施例３の積層型半導体装置１及びその製造方法は、実施例１において、第１の半導体装置１０の構造が異なる以外は実施例１と同様である。図１１は図６に対応し、図１２は図８に対応し、図１３は図９に対応する。
【００７２】
本実施例３の積層型半導体装置１は、図１３に示すように、ガイド１６には孔が設けられず、またガイド１６の各辺の幅は細く（例えば、幅１.０ｍｍ）なっている。そして、図１１（ｃ）に示すように、ワイヤボンディングが終了した後、図１１（ｄ）に示すように、ガイド１６の内側にガイド１６に接触させるようにして半田ボール４７を配線基板１１（配線母基板１１ａ）上に載置する。この際、半田ボール４７を配線母基板１１ａの導体接続部分１２ｂ上に半田ボール４７を載置する。また、半田ボール４７を加熱して導体接続部分１２ｂとの接続を良好にする。つぎに、図１１（ｅ）に示すように、半田ボール４７の上部（上面）を露出させる状態で封止体２５を形成する。その後、図１１（ｆ）に示すように、電極１５を形成し、かつ個片化して図１１（ｇ）に示す第１の半導体装置１０を製造する。
【００７３】
つぎに、図１２（ａ）に示すように、第１の半導体装置１０の上面に露出する半田ボール４７上に第２の半導体装置３０の電極３５が重なるようにして第２の半導体装置３０を第１の半導体装置１０上に積層する。ついで、電極３５及び半田ボール４７をリフローして接続導体２を形成する（図１２（ｂ）参照）。
【００７４】
この接続導体２は、図１２（ｂ）に示すように、第１の半導体装置１０の導体接続部分１２ｂと第２の半導体装置３０の電極形成部分３３ａを電気的に接続することになる。これにより、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置３０は単一の回路を構成した積層型半導体装置１となる。
本実施例３においても実施例１と同様な効果が得られる。
【実施例４】
【００７５】
図１４は本発明の実施例４である積層型半導体装置の断面図である。本実施例４の積層型半導体装置１は、実施例１の積層型半導体装置１において、実装電極１５が平板となり、ＬＧＡ型の積層型半導体装置１となっている以外は実施例１の積層型半導体装置１と同じである。このようなＬＧＡ型の積層型半導体装置１に対しても本発明は適用でき、実施例同様の効果を有する。
【実施例５】
【００７６】
図１５及び図１６は本発明の実施例５である積層型半導体装置及びその製造方法に係わる図である。図１５は積層型半導体装置を示す断面図、図１６は積層型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００７７】
本実施例５はさらに多くの半導体装置を積層する例である。図１５に示すように、実施例１の積層型半導体装置１において、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置３０との間に第３の半導体装置１０Ａを介在積層したものである。
【００７８】
第３の半導体装置１０Ａは、図１６にも示すように、下段の第１の半導体装置１０と電気的に接続され、上段の第２の半導体装置３０に電気的に接続される。従って、第３の半導体装置１０Ａは、配線基板１１の上面に孔１７を有するガイド１６を有し、孔１７内に形成した接続導体２を介して上段側の第２の半導体装置３０に電気的に接続されている。本実施例５では、図１６に示すように、第１の半導体装置１０及び第３の半導体装置１０Ａの孔１７にそれぞれ半田ボール４７を挿入した後、第１の半導体装置１０上に第３の半導体装置１０Ａを位置決めして重ね、さらに第３の半導体装置１０Ａ上に第２の半導体装置３０を位置決めして重ね、その後リフローして第１の半導体装置１０，第３の半導体装置１０Ａ及び第２の半導体装置３０と重なる積層型半導体装置１を製造する。
本実施例５の積層型半導体装置１によればさらに半導体装置の機能，容量向上等を図ることができる。
【００７９】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の実施例１である積層型半導体装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図２に示す積層型半導体装置の分解断面図である。
【図４】図２に示す積層型半導体装置を構成する第１の半導体装置の平面図である。
【図５】前記第１の半導体装置を構成するガイドの平面図である。
【図６】実施例１の積層型半導体装置を構成する第１の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】実施例１の積層型半導体装置を構成する第２の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】実施例１の積層型半導体装置の製造における第１の半導体装置に第２の半導体装置を積層する方法を示す工程断面図である。
【図９】第１の半導体装置の製造で用いる配線母基板の製品形成部を示す模式的平面図である。
【図１０】本発明の実施例２である積層型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施例３である積層型半導体装置を構成する第１の半導体装置の製造方法を示す各工程断面図である。
【図１２】本実施例３である積層型半導体装置の第１の半導体装置に第２の半導体装置を積層する方法を示す断面図である。
【図１３】本実施例３である積層型半導体装置の第１の半導体装置の製造で用いる配線母基板の製品形成部を示す模式的平面図である。
【図１４】本発明の実施例４である積層型半導体装置を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施例５である積層型半導体装置を示す断面図である。
【図１６】本実施例５である積層型半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１…積層型半導体装置、２…接続導体、１０…第１の半導体装置、１０Ａ…第３の半導体装置、１１…配線基板、１２…配線、１２ａ…ワイヤボンディングパッド、１２ｂ…導体接続部分、１３…配線、１３ａ…電極形成部分、１４…配線、１５…電極、１６…ガイド、１７…孔、２０…半導体チップ、２１…接着剤、２２…半導体チップ、２３…接着剤、２４…ワイヤ、２５…封止体、３０…第２の半導体装置、３１…配線基板、３２…配線、３２ａ…ワイヤボンディングパッド、３３…配線、３３ａ…電極形成部分、３４…配線、３５…電極、４０…半導体チップ、４１…接着剤、４２…半導体チップ、４３…接着剤、４４…ワイヤ、４５…封止体、４７…半田ボール、５０…半田ペースト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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