(57)【要約】    【課題】  基板処理装置に於いて、基板の基板支持台への搬送位置の再現性を向上させ、基板と基板支持台との接触の不均一の要因の１つである累積膜の影響を無くし、膜厚の均一性、再現性の向上を図る。    【解決手段】  基板９を収納し処理する処理容器１と、該処理容器内で前記基板を支持する基板支持台２と、該基板支持台上方に設けられ、該基板支持台に対する前記基板の搬送位置を検知する基板位置検知センサ２９とを具備する。    【選択図】          図１
2006080148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納し処理する処理容器と、該処理容器内で前記基板を支持する基板支持台と、該基板支持台上方に設けられ、該基板支持台に対する前記基板の搬送位置を検知する基板位置検知センサとを具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を製造する工程の内、基板に薄膜の形成、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の１つにシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板の表面に所定の薄膜を堆積形成するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程がある。
【０００３】
ＣＶＤ工程は、気密な処理容器に基板を収納し、基板を加熱し、反応ガスを基板表面に導入しながら化学反応を起し、基板表面にＣＶＤ薄膜を均一に形成するものである。
【０００４】
図１７に於いて、従来のＣＶＤ装置、例えばコールドウォールタイプのＣＶＤ装置について概略を説明する。
【０００５】
気密な処理容器１の内部に基板支持台２が収納され、該基板支持台２は前記処理容器１の底部を貫通する支柱３の上端に設けられている。該支柱３は昇降機構４の一部である昇降ベース５に立設され、前記昇降機構４の処理容器１の貫通部分はベローズ６が設けられ、気密となっている。
【０００６】
前記基板支持台２はヒータユニット７、該ヒータユニット７の上側に設けられたサセプタ８を有し、該サセプタ８上にウェーハ、ガラス基板等の基板９が載置される。前記サセプタ８に対向してシャワー板１１が前記処理容器１の上部に設けられており、前記シャワー板１１は中空となっており、該シャワー板１１の前記サセプタ８に対向する面には多数の反応ガス噴出孔１０が穿設されている。前記シャワー板１１には反応ガス供給管１２が接続され、該反応ガス供給管１２は図示しない反応ガス供給源、窒素ガス等の不活性ガス供給源に接続され、反応ガス、不活性ガスを前記シャワー板１１よりシャワー状に導入可能となっている。
【０００７】
前記基板支持台２の下方、前記処理容器１の底部に基板押上げピン１３が立設され、該基板押上げピン１３は前記基板支持台２が降下した状態で、該基板支持台２を貫通して上方に突出し、前記基板９を前記サセプタ８より持上げた状態で支持可能となっている。
【０００８】
前記処理容器１の一側面には排気管１４が連通され、該排気管１４は図示しない排気処理装置に接続されている。又、前記処理容器１の他側面にはゲート弁１５が設けられ、該ゲート弁１５を通して前記基板９が図示しない基板搬送ロボットにより搬入出される様になっている。尚、図１７中、１６は前記ヒータユニット７に電力を給電する為の電力供給部１６を示している。
【０００９】
基板の処理について略述する。
【００１０】
前記昇降機構４により前記基板支持台２が降下した状態で、前記ゲート弁１５が開放され、前記基板搬送ロボットにより前記基板９が搬入され、該基板９は前記基板押上げピン１３上に載置される。前記基板搬送ロボットが後退し、前記ゲート弁１５が閉じられ、前記昇降機構４により前記基板支持台２が上昇され、前記基板９が前記サセプタ８上に載置される。
【００１１】
前記基板９が前記サセプタ８を介して前記ヒータユニット７によって処理温度に加熱され、前記反応ガス供給管１２から反応ガスが前記シャワー板１１に供給され、更に前記反応ガス噴出孔１０により均一に分散され、前記処理容器１内部に導入される。反応ガスが加熱された基板９と反応して該基板９表面に薄膜を堆積形成し、反応後のガスは前記排気管１４を経て排気される。
【００１２】
処理が完了すると、前記処理容器１内がガスパージされ、前記ゲート弁１５が開放されると共に前記基板支持台２が前記昇降機構４により降下され、前記基板９が前記基板押上げピン１３に支持された状態となり、図示しない基板搬送ロボットが前記ゲート弁１５を通って処理済の基板９を搬出する。
【００１３】
上記したサセプタ８を具備したコールドウォール型のＣＶＤ装置では、基板に形成される薄膜の膜厚再現性が得難いという問題がある。膜厚を変動させる要因は多々あり複雑に絡んでいるが、その要因の１つとして前記サセプタ８上に形成される累積膜の影響が挙げられ、その１つは基板９とサセプタ８との接触状態の不均一である。基板９とサセプタ８との接触状態の不均一は、基板温度の加熱状態に影響し、基板温度の不均一となって現れる。
【００１４】
上述した様に、接触状態の不均一を招く要因の１つとして累積膜が挙げられる。該累積膜は、基板処理を行うと、基板表面だけでなく、反応ガスに接触する処理容器１の構造物、例えばサセプタ８にも堆積形成されるものであり、処理が重ねられることで累積され、厚みが増大していく。尚、累積膜の堆積が接触状態に影響するのは反応ガスが粘性流となる１００Ｐａ以上であると考えられる。
【００１５】
累積膜の影響について、図１８、図１９に於いて説明する。
【００１６】
図１８は累積膜１８が未だ形成されていないサセプタ８で１枚目の基板９を処理した後の累積膜１８の形成状態を示している。
【００１７】
次に、処理後の基板９を取去ると、前記サセプタ８は前記基板９が載置された部分だけ、前記累積膜１８が形成されていない状態となっている。
【００１８】
２枚目の基板９を前記サセプタ８に載置した場合、最初の基板９と位置がずれると、２枚目の基板９の端（図１９中左端）が前記累積膜１８に乗上げ、該累積膜１８の厚みだけ浮いた状態となる。従って、２枚目の基板９では前記累積膜１８に乗上げた左端部と前記サセプタ８に直接接触している右端部とでは該サセプタ８に対する接触状態が異なり、左端部では熱伝達量が減少し、成膜される膜厚が薄くなり易い。
【００１９】
又、接触状態の不均一を招く要因の１つとして、基板９の反り等、基板自体の平面度が挙げられる。例えば図２０に示される様に、基板９が凸状に反っている場合は、該基板９は中央部で前記サセプタ８から離反し、中央部で前記サセプタ８からの熱伝達量が減少し、外周部に対して温度が低くなる。従って、基板中央部での膜厚が薄くなり易い。
【００２０】
又、図２１に示される様に、前記基板９が凹状に反っている場合は、該基板９は中央部で前記サセプタ８と接触し、外周部で該サセプタ８から離反する状態となり、外周部での熱伝達量が減少して基板外周部での膜厚が薄くなり易い。
【００２１】
実際には、基板は多様な反り方をしているので、基板に成膜される薄膜の膜厚分布は、全ての基板毎に異なる結果を示す。一般的に、反り量（高低差）は２μｍ以下であるが、堆積した薄膜の応力によって、反り量は増大したり減少したりする。
【００２２】
従来、上記した接触の不均一が膜厚に与える影響を減少させる為、予め前記サセプタ８の表面に凹凸を形成し、該サセプタ８と基板９との密着度を低くし、該基板９の反り等が前記サセプタ８と基板９間の熱伝達に与える影響を低くしたり、或は基板処理条件で成膜圧力を上げ、温度の影響を少なくしたりしていた。
【００２３】
然し乍ら、前記サセプタ８の表面に凹凸を形成した場合、前記基板９裏面にも膜が堆積形成されるという不具合が生じ、又成膜圧力を上げる場合では、ローディング効果が強まったり、カバレッジ等の膜特性が犠牲になる等の不具合を生じた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板のサセプタへの搬送位置の再現性を向上させ、基板とサセプタとの接触の不均一の要因の１つである累積膜の影響を無くし、膜厚の均一性、再現性の向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明は、基板を収納し処理する処理容器と、該処理容器内で前記基板を支持する基板支持台と、該基板支持台上方に設けられ、該基板支持台に対する前記基板の搬送位置を検知する基板位置検知センサとを具備する基板処理装置に係るものである。
【００２６】
又、本発明は上記基板処理装置に於いて、前記基板位置検知センサは基板エッジが基板支持台に対して所定の位置にあるかどうかを検知するものであり、少なくとも２箇所以上を検知する様設けられた基板処理装置に係り、又基板位置検知センサは２箇所以上設けられた基板処理装置に係り、又基板と対向して反応ガスをシャワー状に導入するシャワー板が設けられ、前記基板位置検知センサは前記シャワー板の内側の領域に設けられた基板処理装置に係り、又前記基板位置検知センサは前記シャワー板を貫通する様に設けられた基板処理装置に係り、又前記基板位置検知センサは前記シャワー板を貫通して前記基板エッジを検知する基板処理装置に係り、更に又前記基板位置検知センサが設けられている部分には不活性ガスが供給される様にした基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、基板を収納し処理する処理容器と、該処理容器内で前記基板を支持する基板支持台と、該基板支持台上方に設けられ、該基板支持台に対する前記基板の搬送位置を検知する基板位置検知センサとを具備するので、前記基板支持台に対する搬送位置精度が向上し、該基板支持台に形成された累積膜の影響による該基板支持台と前記基板の接触の不均一が改善されるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２９】
図１、図２は本発明の第１の実施の形態を示す基板処理装置の一例である、コールドウォール型のＣＶＤ装置を示している。尚、図１中、図１７中で示したものと同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００３０】
昇降ベース５に回転機構部２１が設けられ、該回転機構部２１の出力軸であるサセプタ支持軸２２は中空で支柱３と同心に設けられている。前記サセプタ支持軸２２の上端に中空円盤状のサセプタ支持部２３が設けられ、該サセプタ支持部２３内にはヒータユニット７が非接触状態で収納され、前記サセプタ支持部２３の上端にはサセプタ８が取付けられ、該サセプタ８は前記回転機構部２１により前記サセプタ支持軸２２が回転されることで回転する様になっている。
【００３１】
前記サセプタ支持部２３の上端にはリング状のカバープレート２４が着脱可能に載置される。又、処理容器１の内壁には、カバープレート受け２５が中心に向って突設されており、前記サセプタ８が降下状態で前記カバープレート２４は前記カバープレート受け２５に載置可能となっている。該カバープレート受け２５の位置は、ゲート弁１５によって開閉される基板搬入出口２６より上方となっており、前記カバープレート２４が前記カバープレート受け２５に支持された状態で、基板搬送ロボット２７の進退と干渉しない様になっている。
【００３２】
前記処理容器１の底部１ａに立設された少なくとも３本の基板押上げピン１３は前記サセプタ支持部２３、ヒータユニット７、サセプタ８を貫通して上方に突出可能となっており、前記サセプタ８の降下状態で基板９を支持可能である。
【００３３】
図３、図４に示される様に、前記処理容器１の天井部１ｂにフランジ部２８を介して基板位置検知センサ２９，３０が少なくとも２箇所（本実施の形態では２箇所）、前記ゲート弁１５が設けられた側面とは反対側に、好ましくは基板載置中心を通過する基板搬入方向に対して対称に、又配置角度θ（好ましくは３０°〜６０°）で設けられている。又、前記基板位置検知センサ２９，３０の半径方向の位置は、前記シャワー板１１の内側の領域に位置し、前記基板９からの反射レーザ光線により該基板９のエッジを検知する様になっている。
【００３４】
前記基板位置検知センサ２９，３０は光センサ、好ましくはレーザ光線を使用した光センサであり、前記天井部１ｂ、シャワー板１１にはレーザ光線が通過する光路孔３１が形成され、レーザ光線の光軸は前記基板９が前記サセプタ８に正確に載置された場合に、前記基板９の周縁を通過する様に設定されている。前記フランジ部２８には前記光路孔３１に連通する不活性ガス導入ノズル３２が設けられ、該不活性ガス導入ノズル３２は不活性ガス供給源（図示せず）に接続され、前記光路孔３１に不活性ガス（例えば窒素ガス等）を導入可能となっており、不活性ガスは前記不活性ガス導入ノズル３２より導入され、前記光路孔３１を経て前記処理容器１内に流出する様になっている。不活性ガスを処理中常時流しておくことで前記光路孔３１、基板位置検知センサ２９，３０への反応生成物の付着を防止できる。
【００３５】
尚、前記基板位置検知センサ２９，３０では前記光路孔３１を前記シャワー板１１を貫通する様に形成し、該シャワー板１１を通して前記基板９のエッジを検出する様にしたが、前記基板位置検知センサ２９，３０自体を前記シャワー板１１に貫通させて設けてもよい。
【００３６】
図５、図６により前記サセプタ８、前記カバープレート２４について説明する。
【００３７】
前記サセプタ８の基板載置面は、図７（Ａ）に見られる様に、中央が盛上がった凸面となっており、中央部と周辺部との高低差ｈは３μｍ〜４μｍ程度となっている。図７（Ｂ）は凹状に反った基板９が載置された場合を示し、図７（Ｃ）は凸状に反った基板９が載置された場合を示している。該基板９、例えばウェーハの場合、基板自体の実際の反り量は２μｍ〜３μｍ程度であるので、該基板９の反り状態に限らず、該基板９の周縁は前記サセプタ８から僅かに浮く様になっている。
【００３８】
又、前記サセプタ８が上昇した状態で、前記カバープレート２４は図６に示される状態で、前記サセプタ支持部２３の周辺部に載置されるが、前記カバープレート２４の下面には前記サセプタ支持部２３と外嵌する嵌合部３３が形成され、外縁部には前記カバープレート受け２５に係合する鍔部３４が形成されている。
【００３９】
前記カバープレート２４の内縁部は上面が中心に向って下降するテーパ面３５となっていると共に下面には前記基板９が当接する段差部３６が形成されており、前記カバープレート２４の内縁は前記基板９の外縁に上方から当接する様になっており、前記カバープレート２４が前記基板９に当接した状態では、前記カバープレート２４の下面と前記サセプタ８の上面とは僅かに隙間３７が形成される様になっている。前記カバープレート２４の内縁部と前記基板９の外縁部とは重なり量ｅ（エッジカット量）で重なっている。
【００４０】
前記サセプタ８に前記基板押上げピン１３が貫通し、該基板押上げピン１３の貫通箇所には凹部３８が形成される。尚、該凹部３８は前記基板押上げピン１３を中心とした円形等の凹部でもよく、或は全周に連続して形成された溝であってもよい。
【００４１】
前記サセプタ支持部２３の内部には不活性ガスが供給される様になっており、不活性ガスは前記基板押上げピン１３が貫通する貫通孔３９を通って前記凹部３８、前記隙間３７を経て前記処理容器１内に流出する様になっている。不活性ガスを処理中常時流しておくことで前記基板９の裏面、前記カバープレート２４の裏面、前記サセプタ８の上面への反応生成物の付着を防止できる。
【００４２】
以下、基板処理について説明する。
【００４３】
図２は基板の搬送状態を示しており、昇降機構４により前記サセプタ８が降下された状態である。前記カバープレート２４は前記カバープレート受け２５に載置支持され、前記基板押上げピン１３は前記サセプタ８より突出している。
【００４４】
前記基板９を搬入する場合、前記ゲート弁１５が開放され、前記基板搬送ロボット２７が前記基板９を前記基板搬入出口２６を通して前記処理容器１内に搬入する。
【００４５】
前記基板９が搬送位置に到達した状態は、前記基板位置検知センサ２９，３０（以下第１基板位置検知センサ２９、第２基板位置検知センサ３０と称す）によって検知される。又、基板の搬送方向をＸ方向、Ｘ方向と直角な方向をＹ方向とする。
【００４６】
図８は前記基板９と前記第１基板位置検知センサ２９、前記第２基板位置検知センサ３０との関係を示している。
【００４７】
図８中、２点鎖線で示す基板９は搬送方向に対してＹ方向のずれがない場合を示しており、該基板９のエッジは前記第１基板位置検知センサ２９、前記第２基板位置検知センサ３０の検知位置に同時に到達する。従って、該第１基板位置検知センサ２９、第２基板位置検知センサ３０からの基板検知信号に時間差は生じない。
【００４８】
図８中、実線で示す基板９は該基板９の中心がＹ方向（図示では上方に）ずれていた場合を示し、該基板９がＹ方向にΔＹずれていた場合は、最初に前記第１基板位置検知センサ２９が基板９のエッジを検知し、更に前記第２基板位置検知センサ３０はΔｔだけ遅れて基板９のエッジが前記第２基板位置検知センサ３０に到達するのを検知する。又、ΔｔとΔＹとの関係は、前記基板９が円形であった場合、図９に示される関係がある。従って、前記第１基板位置検知センサ２９と第２基板位置検知センサ３０間のエッジ検知の時間差Δｔを検知することで、ずれ方向と、ずれ量ΔＹを検知することができ、直ちに前記基板９の搬送位置の補正を行うことができる。
【００４９】
図１０、図１１により更に前記基板９の搬送位置の位置ずれ補正について説明する。
【００５０】
図１０に於いて、４１は搬送制御部であり、前記第１基板位置検知センサ２９、前記第２基板位置検知センサ３０からの基板検知（エッジ検知）信号が前記搬送制御部４１に入力される。該搬送制御部４１には図９に示す位置修正テーブルが設定されており、前記第１基板位置検知センサ２９、第２基板位置検知センサ３０からの時間差を演算し、更に時間差に基づき位置修正テーブルよりＹ方向補正量を演算して、前記基板搬送ロボット２７に位置修正の指令を発する。
【００５１】
図１１に示す様に、前記基板搬送ロボット２７の搬送動作がスタートされ、前記処理容器１に前記基板９が搬入される。前記第１基板位置検知センサ２９、第２基板位置検知センサ３０によって前記基板９のエッジが検知され、両検知の信号の時間差が計測される。時間差が０でない場合は、時間差に基づきＹ方向の補正量が演算される。前記基板搬送ロボット２７により前記基板９が少し後退され、基板位置がΔＹだけ補正され、該基板９が更に前進される。時間差が０になるまで繰返され、０となった場合は、Ｘ方向の位置補正がなされる。
【００５２】
Ｘ方向の位置補正はオフセット動作で簡単に実施できる。即ち、前記第１基板位置検知センサ２９、第２基板位置検知センサ３０が検出した位置と前記基板９の正しい搬送位置とのずれ量を予め求め、或は設定しておき、前記第１基板位置検知センサ２９、第２基板位置検知センサ３０がエッジ検出をした時点から所定量前記基板９をＸ方向に移動させることでＸ方向の位置補正を実施することができる。
【００５３】
該基板９の搬送位置の設定が完了すると、前記基板搬送ロボット２７により前記基板９を降下させ、該基板９を前記基板押上げピン１３上に載置し、前記基板搬送ロボット２７が後退し、前記ゲート弁１５が閉じられ、前記昇降機構４により前記サセプタ８が上昇され、前記基板９が前記サセプタ８に載置される。
【００５４】
又、該サセプタ８の上昇によって、前記カバープレート２４が前記カバープレート受け２５から前記サセプタ８に移換えられる。
【００５５】
図６は、該サセプタ８の基板処理状態を示している。尚、図中前記基板押上げピン１３は便宜的に示しており、基板処理状態では該基板押上げピン１３は前記貫通孔３９から抜脱されている。
【００５６】
基板処理状態では、前記カバープレート２４が前記基板９の周縁部に載置され、又図７で示された様に、基板の反り状態に拘らず前記基板９の周縁部は前記サセプタ８から浮いた状態にあるので、又前記カバープレート２４は前記サセプタ８からも浮いた状態にあるので、前記カバープレート２４が前記基板９の周縁を前記サセプタ８に対して押付ける作用が生じる。即ち、前記カバープレート２４によって前記基板９を前記サセプタ８に密着させる矯正作用が生じ、該サセプタ８と前記基板９間の接触状態が改善される。
【００５７】
前記サセプタ８により前記基板９が加熱され、前記回転機構部２１により前記サセプタ支持軸２２、サセプタ支持部２３を介して前記基板９が前記サセプタ８と一体に回転される。前記反応ガス供給管１２から反応ガスが導入され、前記基板９に薄膜の生成処理がなされる。
【００５８】
基板処理中、前記基板９より食出している前記サセプタ８の周辺部は前記カバープレート２４により覆われているので、又、前記貫通孔３９には不活性ガスが供給されているので、前記サセプタ８に反応生成物が堆積すること（累積膜の生成）が防止されると共に前記カバープレート２４の裏面、前記基板９の裏面に反応生成物が付着することが防止される。
【００５９】
又、処理中前記回転機構部２１により前記基板９が回転されるので、基板面内の膜厚の均一化が図られる。
【００６０】
処理が完了すると、前記反応ガス供給管１２からパージガスが導入され、前記処理容器１内がガスパージされる。前記サセプタ８が降下され、前記カバープレート２４は前記カバープレート受け２５に支持され、処理済の基板９は前記基板押上げピン１３に支持される。前記ゲート弁１５が開放され、前記基板搬送ロボット２７により処理済の基板９が搬出され、未処理の基板９が搬入され、基板処理が繰返される。
【００６１】
未処理基板９が前記サセプタ８に載置される場合、該サセプタ８には累積膜の生成はないので、従来の様に累積膜の影響で未処理基板９と前記サセプタ８との接触状態の不均一が問題となることはない。
【００６２】
図１２〜図１６により第２の実施の形態について説明する。
【００６３】
該第２の実施の形態では、基板押上げピン４３による基板９の支持方式を変更したものである。尚、図１２中、図１、図２中で示したものと同等のものには同符号を付し、その説明を省略する。
【００６４】
前記基板押上げピン４３は、図１３に見られる様にピンベース４４とピンヘッド４５によって構成されている。
【００６５】
前記ピンベース４４は前記処理容器１の底部１ａに固着されるフランジ４６を有し、該フランジ４６に断面が円弧状の支柱体４７が立設され、該支柱体４７の上端には連結片４８が突設され、該連結片４８は先端に向って先細りするテーパ形状をしており（図１４参照）、前記ピンヘッド４５の連結穴５２（図１５参照）に嵌脱自在に嵌合する。
【００６６】
前記ピンヘッド４５は、前記支柱体４７と同一断面形状を有するヘッド本体５０と該ヘッド本体５０から中心に向って水平に突出する円弧状の基板支持部５１とを有し、前記ヘッド本体５０には前記連結片４８が嵌合するテーパ形状の連結穴５２が穿設されている。又、前記ヘッド本体５０の上端部は内面側から外面側に向って片テーパ形状となっており、前記基板支持部５１の先端面は下方に向って外側に後退する傾斜面となっている。
【００６７】
前記サセプタ８には前記支柱体４７、前記ヘッド本体５０が接触することなく貫通する円弧状の貫通孔３９が穿設され、該貫通孔３９に連続する凹部５３が形成され（図１４参照）、該凹部５３には前記基板支持部５１が嵌没する様になっている。前記凹部５３は前記基板支持部５１と相似形状の凹部としてもよく、或は全周に連続する溝であってもよい。
【００６８】
前記カバープレート２４の下面には前記ヘッド本体５０の上端が干渉しない様な逃げ部５４が凹設されている。
【００６９】
上記第２の実施の形態に於ける基板処理は上記第１の実施の形態と同様であるので説明を省略し、基板搬送作動について説明する。
【００７０】
図１２は前記サセプタ８が降下され、前記基板９が前記基板押上げピン４３に支持された状態を示しており、前記ピンヘッド４５は前記ピンベース４４と嵌合し、図１３（Ｂ）に示される様に一体化し、前記基板９は前記基板支持部５１に載置された状態となっている。尚、前記連結片４８、前記連結穴５２のテーパ形状により、嵌合時のアライメント作用があると共に嵌脱が容易となっている。
【００７１】
図１４は、前記基板９が基板搬送ロボット２７によって持上げられた状態を示し、図１２の状態から前記基板９を搬出する場合を示し、或は該基板９を搬入位置に搬送し、該基板９を前記基板押上げピン４３に移載する直前の状態を示している。
【００７２】
前記基板９を前記基板押上げピン４３に移載する過程で、前記ヘッド本体５０上端の片テーパ面は、前記基板９のアライメント作用を発揮し、該基板９が確実に前記基板支持部５１に載置される様になっている。
【００７３】
基板処理状態では、図１２の状態から前記昇降機構４により前記サセプタ８が上昇されるが、基板処理状態は図１５、図１６に示されている。
【００７４】
基板処理状態では前記連結片４８が前記連結穴５２から外れ、前記基板支持部５１が前記凹部５３に係合することで、前記ピンヘッド４５が前記基板支持部５１を介して前記サセプタ８に支持される。
【００７５】
更に前記支柱体４７が前記サセプタ支持部２３から外れた状態となる。
【００７６】
前記カバープレート２４は前記サセプタ８の周縁部を覆うと共に前記ヘッド本体５０を覆い、更に前記基板９の周縁に当接した状態となっている。前記ピンベース４４が前記基板支持台２から外れることで、前記サセプタ支持部２３、即ち基板９が前記回転機構部２１によって回転される。
【００７７】
処理中、図１６に示される様に、前記サセプタ支持部２３の内部から不活性ガスが前記貫通孔３９へ流通しており、不活性ガスは前記逃げ部５４、隙間３７を通って前記処理容器１内部に流出する様になっている。従って、反応生成物が前記サセプタ８の周縁部、前記カバープレート２４の裏面、前記基板９の裏面、前記ピンヘッド４５に付着することが防止される。
【００７８】
前記基板押上げピン４３を、前記ピンベース４４とピンヘッド４５とに分割することで、前記サセプタ支持部２３の少ない昇降動作量でも、前記ピンベース４４が前記サセプタ支持部２３から外れ、前記サセプタ支持部２３の回転を可能とする。
【００７９】
尚、第２の実施の形態に於いても、前記カバープレート２４が前記基板９の周縁部を押えることで、該基板９の矯正作用が発揮されることは第１の実施の形態と同様である。
【００８０】
（付記）
尚、本発明は下記の実施の態様を含む。
【００８１】
（付記１）基板を収納し処理する処理容器と、該処理容器内で基板を支持し昇降可能な基板支持台と、該基板支持台を貫通し、該基板支持台の下降状態で基板を支持可能な基板押上げピンとを具備することを特徴とする基板処理装置。
【００８２】
（付記２）基板処理状態で前記基板支持台の周辺部を覆うと共に該基板支持台に載置された基板の周縁部に当接するカバープレートを具備し、該カバープレートは前記基板支持台が降下状態で前記処理容器の壁面に設けられたカバープレート受けに前記基板支持台から離反した状態で支持される付記１の基板処理装置。
【００８３】
（付記３）前記基板支持台の基板載置面は凸面となっている付記１の基板処理装置。
【００８４】
（付記４）前記基板支持台はサセプタ、ヒータユニットを具備し、前記サセプタは回転可能な中空なサセプタ支持部に支持され、前記ヒータユニットは前記サセプタ支持部内に収納された付記１の基板処理装置。
【００８５】
（付記５）前記基板支持台はサセプタ、ヒータユニットを具備し、前記サセプタは回転可能な中空なサセプタ支持部に支持され、前記ヒータユニットは前記サセプタ支持部内に収納され、該サセプタ支持部内には不活性ガスが供給される様にした付記２の基板処理装置。
【００８６】
（付記６）基板処理状態で、不活性ガスが前記基板押上げピンの貫通孔を経て、前記カバープレートとサセプタとの隙間を流通する様にした付記２の基板処理装置。
【００８７】
（付記７）前記基板押上げピンはピンベースと該ピンベースに嵌脱可能なピンヘッドにより構成され、該ピンヘッドは基板処理状態で前記基板支持台に保持される付記１の基板処理装置。
【００８８】
（付記８）前記ピンヘッドは中心側に向って突設された基板支持部を有し、該基板支持部に基板の周縁が載置可能である付記６又は付記７の基板処理装置。
【００８９】
（付記９）前記ピンヘッドは前記カバープレートに覆われ、不活性ガスが前記ピンヘッドの周囲を流れる様にした付記８の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す概略断面図である。
【図２】該第１の実施の形態に於ける基板搬送時を示す概略断面図である。
【図３】該第１の実施の形態に於けるシャワー板と基板位置検知センサとの関係を示す説明図である。
【図４】該実施の形態に於ける基板位置検知センサの説明図である。
【図５】図１に於けるＡ矢視図である。
【図６】基板処理状態に於けるカバープレート部分の拡大断面図である。
【図７】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本発明に於けるサセプタの説明図である。
【図８】基板位置検知センサによる基板の位置ずれ検知についての説明図である。
【図９】２つの基板位置検知センサの検知時期の時間差と基板の搬送位置のずれ量を示すグラフである。
【図１０】基板搬送ロボットの基板搬送位置補正についての制御ブロック図である。
【図１１】基板搬送位置補正のフローチャートである。
【図１２】本発明の第２の実施の形態を示す概略断面図である。
【図１３】（Ａ）（Ｂ）は該本発明の第２の実施の形態に於ける基板押上げピンの斜視図である。
【図１４】該第２の実施の形態に於けるサセプタ降下状態での基板押上げピンと基板との関係を示す説明図である。
【図１５】同前第２の実施の形態に於ける基板処理状態での基板押上げピンと基板支持台との関係を示す説明図である。
【図１６】同前第２の実施の形態に於ける基板処理状態でのカバープレート部分の拡大図である。
【図１７】従来の基板処理装置を示す概略断面図である。
【図１８】該従来の基板処理装置での１枚目の基板の成膜状態を示す説明図である。
【図１９】該従来の基板処理装置での２枚目以降の基板の成膜状態を示す説明図である。
【図２０】基板の反りの状態を示す説明図である。
【図２１】基板の反りの状態を示す説明図である。
【符号の説明】
【００９１】
１              処理容器
２              基板支持台
３              支柱
７              ヒータユニット
８              サセプタ
９              基板
１１            シャワー板
１３            基板押上げピン
２１            回転機構部
２２            サセプタ支持軸
２３            サセプタ支持部
２４            カバープレート
２５            カバープレート受け
２７            基板搬送ロボット
２９            基板位置検知センサ
３０            基板位置検知センサ
３１            光路孔
３９            貫通孔
４１            搬送制御部
４３            基板押上げピン
４４            ピンベース
４５            ピンヘッド
１            基板支持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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