(57)【要約】      （修正有）【課題】コンタクト・ホールなどの小さなフィーチャを作成することのできるリソグラフィ工程を提供する。【解決手段】多数の投影を用いてリソグラフィ・クラスタにおいて画像解像度を増強するリソグラフィ方法、及び解像度が増強された像を形成するために多数のパターンを投影して組み合わされた像を形成するのに用いられるリソグラフィ・クラスタ。この方法は現像可能な材料層で被覆され、且つ該現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層が被覆された基板を提供する工程を含む。第１のパターンが現像可能な層に転写される。第２のレジスト層を適用及び露光することによって、第２のパターンが現像可能な層に転写される。第１及び第２のパターンが現像可能な材料層に所望のパターンを生成する。【選択図】図４
2006303504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ・クラスタにおいて基板の表面上に所望のパターンのフィーチャを提供する方法であって、
前記基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程と、
前記現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層を被覆する工程と、
前記第１のレジスト層を第１のパターンの像に露光する工程と、
露光後ベークを前記基板に適用する工程と、
前記第１のレジスト層及び前記現像可能な材料層を現像して、前記現像可能な材料層に第１のターゲット・パターンを付与する工程と、
前記第１のレジスト層を除去する工程と、
前記現像可能な材料層の上部に第２のレジスト層を被覆する工程と、
前記第２のレジスト層を第２のパターンの像に露光する工程と、
前記第２のレジスト層及び前記現像可能な材料層を現像して、前記現像可能な材料層に第２のターゲット・パターンを付与する工程とを含み、
前記第１及び第２のターゲット・パターンは前記現像可能な材料層に前記所望のパターンを生成する方法。
【請求項２】
前記現像可能な材料層が、ウェット現像可能な材料及び現像可能な底部抗反射性材料のうち少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のパターンに放射ビームを通すことによって前記第１のパターンを含む第１のパターン化装置を露光する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のレジスト層を除去し、前記第２のレジスト層を被覆する工程は前記リソグラフィ・クラスタ内の同じ領域で実行される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記リソグラフィ・クラスタはリソグラフィ装置及び被覆／現像トラック・システムを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のパターンに放射ビームを通すことによって前記第２のパターンを含む第２のパターン化装置を露光する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のレジスト層を露光する前に、前記リソグラフィ・クラスタ内の前記基板を所定距離だけずらして、前記第２のパターンの像を前記第１のターゲット・パターンに重ね合わせる工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のパターンはコンタクト・ホール、トレンチ、ライン、支柱、又はそれらの組合せを印刷するフィーチャを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のパターンはコンタクト・ホール、トレンチ、ライン、支柱、又はそれらの組合せを印刷するフィーチャを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記現像可能な材料層の厚さは、前記現像可能な材料層においてフィーチャの近等方性現像を可能にするように選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
リソグラフィ・クラスタであって、
基板上に現像可能な材料層を塗布し且つ該現像可能な材料層の上部に第１及び第２のレジスト層を塗布するように構成された被覆ステーションと、
第１のパターン化装置の第１のパターンを前記基板上に投影し且つ第２のパターン化装置の第２のパターンを前記基板上に投影するように構成された投影装置とを備え、
前記第１のパターン及び第２のパターンが組み合わされて基板上に所望のパターンを生成するリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１２】
前記現像可能な材料層は、現像可能な底部抗反射性層を含む請求項１１に記載のリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１３】
前記基板に露光後ベークを適用し、前記第１のレジスト層、前記第２のレジスト層、及び前記現像可能な材料層を現像し、且つ前記第１のレジスト層及び前記第２のレジスト層を除去するように構成された処理ステーションをさらに含む請求項１１に記載のリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１４】
前記処理ステーションは、前記第１の露光ベークの後に前記第１のレジスト層及び前記現像可能な材料層を現像し、前記第２の露光後ベークの後に前記第２のレジスト層及び前記現像可能な材料層を現像するように構成された現像ステーションを含む請求項１３に記載のリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１５】
前記処理ステーションは、前記第１のレジスト層を除去し、且つ前記第２のレジスト層を除去するように構成されたストリッピング・ステーションを含む請求項１３に記載のリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１６】
前記ストリッピング・ステーション及び前記被覆ステーションは前記リソグラフィ・クラスタ内の実質的に同じ場所に位置決めされた請求項１５に記載のリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１７】
前記ストリッピング・ステーション及び前記被覆ステーションは前記リソグラフィ・クラスタの被覆／現像トラック・システム内に位置決めされた請求項１５に記載のリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１８】
前記現像ステーションは、前記第１の露光ベーク後に前記現像可能な材料層を固定するように構成された請求項１３に記載のリソグラフィ・クラスタ。
【請求項１９】
基板の表面上に所望のパターンのフィーチャを提供するデバイス製造方法であって、
前記基板の表面に現像可能な材料層を被覆する工程と、
前記現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層を被覆する工程と、
前記該第１のレジスト層を第１のパターンの像に露光する工程と、
前記第１のレジスト層及び前記現像可能な材料層を現像して前記現像可能な材料層に第１のターゲット・パターンを付与する工程と、
前記第１のレジスト層を除去する工程と、
前記現像可能な材料層の上部に第２のレジスト層を被覆する工程と、
前記第２のレジスト層を第２のパターンの像に露光する工程と、
前記第２のレジスト層及び前記現像可能な材料層を現像して、前記現像可能な材料層に第２のターゲット・パターンを付与する工程とを含み、
前記第１及び第２のターゲット・パターンは前記現像可能な材料層に所望のパターンを生成する方法。
【請求項２０】
基板の表面上に所望のパターンのフィーチャを提供するデバイス製造方法であって、
前記基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程と、
前記現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層を被覆する工程と、
前記第１のレジスト層を第１のパターンの像に露光する工程と、
前記第１のレジスト層及び前記現像可能な材料層を現像して、前記現像可能な材料層に第１のターゲット・パターンを付与する工程と、
前記第１のレジスト層を除去する工程と、
前記第１のターゲット・パターンが付与された前記現像可能な材料層を固定する工程と、
補助的な現像可能な材料層を供給して前記現像可能な材料層の前記第１のターゲット・パターンの空隙を充填する工程と、
前記補助的な現像可能な材料層の上部に第２のレジスト層を被覆する工程と、
前記第２のレジスト層を第２のパターンの像に露光する工程と、
前記第２のレジスト層及び前記補助的な現像可能な材料層を現像して、前記補助的な現像可能な材料層に第２のターゲット・パターンを付与する工程とを含み、
前記第１及び第２のターゲット・パターンは前記基板の表面上に前記所望のパターンを生成する方法。
【請求項２１】
前記現像可能な材料層は、ウェット現像可能な材料及び現像可能な底部抗反射性材料のうち少なくとも１つを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記補助的な現像可能な材料層は、ウェット現像可能な材料及び現像可能な底部抗反射性材料のうち少なくとも１つを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
基板の表面上にターゲット・パターンのフィーチャを提供するデバイス製造方法であって、
前記基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程と、
前記現像可能な材料層の上部にレジスト層を被覆する工程と、
前記レジスト層を前記パターンの像に露光する工程と、
前記レジスト層及び前記現像可能な材料層を現像して、前記現像可能な材料層に前記ターゲット・パターンを付与する工程とを含み、
これによって、前記基板の前記表面上の所望のパターンのフィーチャは前記基板の前記表面の上に前記ターゲット・パターン及び補助的なターゲット・パターンのフィーチャを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ・クラスタ及びデバイスを製造し、リソグラフィ・クラスタの画像解像度を増強する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれているパターン化装置を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンが、放射線感応材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウエハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は複数のダイ部分からなる）に結像されることができる。通常、１枚の基板には、順次露光されるターゲット部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。
【０００３】
リソグラフィにおける新しい装置及び方法を開発することで、基板上にパターン化されるライン及びコンタクト・ホール又はバイアなどの結像されるフィーチャの解像度が改善されることになり、恐らくは５０ｎｍ未満の解像度が得られる。これは、例えば、０．７５ＮＡを超える比較的多い開口数（ＮＡ）、１９３ｎｍ未満の波長、及び、位相シフト・マスク、従来のものではない照明及び高度なフォトレジスト工程などの非常に多くの技術を有する投影系を用いることによって達成することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、コンタクト・ホールなどのある小さなフィーチャは作成するのが特に難しい。波長以下の解像度で製造するプロセスが成功するかどうかは、投影されるレチクル・パターンの低い変調画像を印刷する能力又は投影されるレチクル・パターンの画像変調を受容可能なリソグラフィ歩留りまで増大させる能力にかかっている。
【０００５】
一般に、当業界はレイリー基準を用いてプロセスの限界寸法（ＣＤ）及び焦点深度（ＤＯＦ）能力を評価している。ＣＤ及びＤＯＦの尺度は以下の式によって得ることができる：
ＣＤ＝ｋ１（λ／ＮＡ）、及び
ＤＯＦ＝ｋ２（λ／ＮＡ２）
上式中、λは照明放射線の波長であり、ｋ１及びｋ２は具体的なリソグラフィ・プロセスのための定数、ＮＡは開口数である。
【０００６】
解像限界のリソグラフィに関連する問題を理解する手掛かりになるさらなる尺度には、露光寛容度（ＥＬ）、（粗密バイアスとしても知られる）密粗バイアス（ＤＩＢ）、及びマスク・エラー・エンハンスメント係数（ＭＥＥＦ）がある。露光寛容度とは、印刷されたパターンの限界寸法（ＣＤ）が受容限界内にある用量パーセント範囲を表すものである。例えば、露光寛容度は、印刷されるライン幅に１０％の変化を生じさせる露光量の変化として定義することができる。露光寛容度はリソグラフィにおいてフィーチャを印刷する際の信頼性の尺度である。プロセス・ウィンドウ、すなわち最終的なレジスト・プロフィール（すなわち、所望のレジストのパターンのフィーチャ）を所定の仕様内に維持する焦点及び露光の領域を決定するために、露光寛容度はＤＯＦと共に用いられる。（粗密バイアスとしても知られる）密粗バイアスは、類似するフィーチャ間のサイズの差の尺度であり、パターン密度又はレジストのフィーチャが配置されるピッチに左右される。最後に、ＭＥＥＦとはパターン化装置のＣＤ誤差がどのように基板ＣＤ誤差に伝えられるかを表すものである。
【０００７】
使用される波長を低減し、開口数を増大し、且つ／又はｋ１の値を低減することによってＣＤを抑えることがリソグラフィの趨勢である。しかし、開口数を増大すれば、ＤＯＦを低減することにもなり、これは最終的にはプロセス寛容度を制限することになってしまう。このことは上記２式を組み合わせて次式を得ることによっても理解することができる：
ＤＯＦ＝（ｋ２／ｋ１２）（ＣＤ２／λ）
【０００８】
この式から、ＣＤの低減、すなわち解像度が大きくなれば、殆どのリソグラフィ工程及び特にコンタクト・ホールを印刷する工程においては望ましくないＤＯＦの低減につながることが理解できよう。
【０００９】
コヒーレント照明の簡略化した近似では、リソグラフィ・システムの解像度も波長及び開口数ＮＡの関数として分解可能である格子の最小のハーフ・ピッチの観点で従来的に引用される。従来の光学リソグラフィに関し、最終的な解像限界はｋ１＝０．５に達する。二光束干渉に類似する特性を用いた画像化は、最終的な解像限界をｋ１＝０．２５にまで拡大することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、リソグラフィ・クラスタにおいて基板の表面上に所望のパターンのフィーチャを提供する方法が提供される。この方法は基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程、該現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層を被覆する工程、及び該第１のレジスト層を第１のパターンの像に露光する工程を含む。この方法は、露光後ベークを基板に塗布する工程、第１のレジスト層及び現像可能な材料層を現像して現像可能な材料層に第１のターゲット・パターンを付与する工程をさらに含む。次いで、この方法は第１のレジスト層を除去する工程、現像可能な材料層の上部に第２のレジスト層を被覆する工程、及び該第２のレジスト層を第２のパターンの像に露光する工程を含む。第２のレジスト層及び現像可能な材料層を現像することによって、現像可能な材料層には第２のターゲット・パターンが付与される。第１及び第２のターゲット・パターンは現像可能な材料に所望のパターンを生成する。
【００１１】
本発明の別の態様によれば、基板上に現像可能な材料層を塗布し且つ該現像可能な材料層の上部に第１及び第２のレジスト層を塗布するように構成された被覆ステーションを含んだリソグラフィ・クラスタと、第１のパターン化装置の第１のパターンを基板上に投影し且つ第２のパターン化装置の第２のパターンを基板上に投影するように構成された投影装置とが提供される。第１及び第２のパターンが組み合わされて基板上に所望のパターンを生成する。
【００１２】
本発明のさらなる態様によれば、基板の表面上に所望のパターンのフィーチャを提供するデバイス製造方法が提供される。この方法は基板の表面に現像可能な材料層を被覆する工程、該現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層を被覆する工程、該第１のレジスト層を第１のパターンの像に露光する工程、第１のレジスト層及び現像可能な材料層を現像して現像可能な材料層に第１のターゲット・パターンを付与する工程、第１のレジスト層を除去する工程、現像可能な材料層の上部に第２のレジスト層を被覆する工程、該第２のレジスト層を第２のパターンの像に露光する工程、第２のレジスト層及び現像可能な材料層を現像して現像可能な材料層に第２のターゲット・パターンを付与する工程を含み、第１及び第２のターゲット・パターンは現像可能な材料層に所望のパターンを生成する。
【００１３】
本発明のさらなる態様によれば、基板の表面上に所望のパターンのフィーチャを提供するデバイス製造方法が提供される。この方法は基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程、該現像可能な材料層の上部に第１のレジスト層を被覆する工程、該第１のレジスト層を第１のパターンの像に露光する工程、第１のレジスト層及び現像可能な材料層を現像して現像可能な材料層に第１のターゲット・パターンを付与する工程、第１のレジスト層を除去する工程、第１のターゲット・パターンが付与された現像可能な材料層を固定する工程、第１のターゲット・パターンを有する現像可能な材料層の上部に補助的な現像可能な材料層を被覆して第１のターゲット・パターンの空隙を充填する工程、該補助的な現像可能な材料層の上部を第２のレジスト層で被覆する工程、該第２のレジスト層を第２のパターンの像に露光する工程、第２のレジスト層及び補助的な現像可能な材料層を現像して補助的な現像可能な材料層に第２のターゲット・パターンを付与する工程を含み、第１及び第２のターゲット・パターンは基板の表面上に所望のパターンを生成する。
【００１４】
またさらに別の態様では、基板の表面上にターゲット・パターンのフィーチャを提供するデバイス製造方法が提供され、この方法は、基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程、該現像可能な材料層の上部にレジスト層を被覆する工程、該レジスト層を前記パターンの像に露光する工程、及びレジスト層及び現像可能な材料層を現像して現像可能な材料層にターゲット・パターンを付与する工程を含み、これによって、基板の表面上の所望のパターンのフィーチャは基板の表面の上にターゲット・パターン及び補助的なターゲット・パターンのフィーチャを含む。
【００１５】
本明細書では、リソグラフィ装置の、特にＩＣ製造の際の使用を参照しているが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は、集積光学系、磁区メモリ用の案内及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他の用途を有し得ることを理解されたい。当該分野の技術者であれば、このような代替的な用途の文脈においては、本明細書の「ウエハ」又は「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることが理解されよう。本明細書において参照されている基板は、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能な場合、本明細書の開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するように複数回にわたって処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００１６】
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（例えば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、波長の範囲が５２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００１７】
本明細書で使用する「パターン化装置」という用語は、基板のターゲット部分にターゲット・パターンを作成するためなど、ビームの断面にパターンを付与するのに用いることのできる任意の装置を指すものとして広く解釈されたい。ビームに付与されるパターンは基板のターゲット部分の所望のパターンに正確には相当しないかもしれないことに留意されたい。一般に、ビームに付与されるパターンは、集積回路などの、ターゲット部分に作成されるデバイスにおける特定の機能層に相当するであろう。
【００１８】
パターン化装置は透過型又は反射型であってよい。パターン化装置の例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、及びプログラム可能なＬＣＤパネルがある。リソグラフィではマスクはよく知られており、バイナリ、交互位相シフト、及び減衰位相シフトなどのマスク型のほか、種々のハイブリッド・マスク型がある。プログラム可能なミラー・アレイの一例は小さなミラーのマトリクス配置を用い、入射放射線ビームを異なる方向に反射するようにミラーの各々を個々に傾けることができる。このようにして、反射されたビームがパターン化される。
【００１９】
支持構造体は、例えばパターン化装置が真空環境において支持されるか否かなどパターン化装置の配向リソグラフィ装置の設計及び他の条件に依存するようにパターン化装置を支持する。この支持構造体は機械的クランプ、真空、又は他のクランプ技術、例えば、真空条件下では静電クランプを用いることができる。この構造体は、例えば、必要に応じて固定的又は可動的であってよく、且つ、パターン化装置を例えば投影系に対して所望の位置にあることを確実にすることのできる、フレーム又はテーブルであってよい。本明細書で「レチクル」又は「マスク」という用語を用いる場合はすべて、より一般的な「パターン化装置」と同義であるとみなすことができる。
【００２０】
本明細書に使用されている「投影系」という用語には、例えば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広く解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影系」という用語の同義語とみなすことができる。
【００２１】
また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶことができる。
【００２２】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００２３】
また、リソグラフィ装置は、基板の表面が比較的屈折率の大きい液体中、例えば水中に浸漬され、それにより投影系の最終要素と基板との間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。また、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターン化装置と投影システムの第１の要素の間に液浸液を充填することも可能である。当分野においては、投影系の開口数を大きくする液浸技法がよく知られている。
【００２４】
本明細書に記載の方法は、ソフトウェア、ハードウェア、又はその組合せとして実施することができる。ある実施例では、コンピュータ・システムで実行されるときに、本明細書に記載の方法の一部又は全部を実行するようにコンピュータ・システムに命令するプログラム・コードを含んだコンピュータ・プログラムが提供される。
【００２５】
本発明のこれら及び他の態様は、添付図面に関連する、本発明の実施例の以下の詳細な説明から、より明白になり、またより容易に理解されよう。
【実施例】
【００２６】
図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。この装置は以下のものを備える：
放射線の投影ビームＰＢ（例えば、１９３ｎｍ乃至１５７ｎｍの波長で動作するエキシマ・レーザによって生成されるようなＵＶ放射線、或いは、１３．６ｎｍで動作するレーザ点弧プラズマ源によって生成されるＥＵＶ放射線）を調整するようになされた照明系（イルミネータ）ＩＬ、
パターン化装置（例えば、マスク）ＭＡを保持するように構成され、且つアイテムＰＬに対してパターン化装置を正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された、支持体（例えば、マスク・テーブル）ＭＴ、
基板（例えば、レジスト被覆されたウエハ）を保持するようになされ、且つ基板をアイテムＰＬに対して正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された、基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴ、及び
パターン化装置ＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイからなっている）に結像するようになされた投影系（例えば、屈折投影レンズ）ＰＬである。
【００２７】
本明細書で記載するように、本装置は（例えば、透過性マスクを用いた）透過型である。別の場合には、本装置は（例えば、上記で参照した型のプログラム可能なミラー・アレイを用いた）反射型であってもよい。
【００２８】
イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源が例えばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビーム・エキスパンダを備えたビーム送出システムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ送出される。それ以外の例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素である。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じて、ビーム送出システムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２９】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整手段ＡＭを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、通常、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えている。イルミネータは、投影ビームＰＢと呼ばれる、所望する一様な強度分布をその断面に有する調節済み放射ビームを提供している。
【００３０】
投影ビームＰＢは、支持体ＭＴ上に支持されたパターン化装置ＭＡに入射する。パターン化装置ＭＡを横断すると、投影ビームＰＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる投影系ＰＬを通過する。一般に、マスク・テーブル上のマスクによるパターン化を用いる現行の装置では、投影系は倍率Ｍ（一般に＜１）を有するであろう。例えば、従来のリソグラフィ投影系を用いた基板のターゲット部分上へのマスク・パターンの結像は、倍率Ｍ＝−０．２５で配置される。本明細書及び図面では、倍率Ｍはわかり易いように１と仮定する。本発明は単位倍率の投影系の使用に限定されるものではない。
【００３１】
第２の位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計装置）を利用して、例えば、異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭ及び（図１には明示していない）別の位置センサを用いて、例えば、マスク・ライブラリから機械的に検索した後、或いは走査中に、ビームＰＢの経路に対してパターン化装置ＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、支持体ＭＴ及び基板テーブルＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭ及びＰＷの一方又は両方を成すロング・ストローク・モジュール（粗位置決め）及びショート・ストローク・モジュール（精密位置決め）を用いて実現されるであろう。しかし、（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、支持体ＭＴはショート・ストローク・アクチュエータのみに接続されてよいか、又は固定されてもよい。パターン化装置位置合わせマークＭ１、Ｍ２、及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を用いて、パターン化装置ＭＡ及び基板Ｗを位置合わせすることができる。図示の装置は以下の好適なモードで用いることができる：
【００３２】
１．ステップ・モードでは、支持体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは本質的に静的に保たれ、他方では、投影ビームに付与されるパターン全体が１回（例えば、１回の静的露光）でターゲット部分Ｃ上に投影される。次に、異なるターゲット部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にずらされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが１回の静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
【００３３】
２．走査モードでは、支持体ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的に走査されるとともに、投影ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、１回の動的露光）。支持体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＬの拡大倍率及び縮小率並びに像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光のターゲット部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査運動の長さがターゲット部分の（走査方向の）高さを決定する。
【００３４】
３．別のモードでは、支持体ＭＴはプログラム可能なパターン化装置を保持しながら本質的に静的に保たれ、投影ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される間に基板テーブルＷＴは移動又は走査される。このモードでは、一般にパルス化された放射線源が用いられ、基板テーブルＷＴの各移動の後、又は走査中の連続する放射線パルス間でプログラム可能なパターン化装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、上で参照した型のプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００３５】
上記使用モード及び全く異なる使用モードを組み合わせたもの及び／又は変形例を使用することもできる。
【００３６】
より精密な光学解像度を達成し、且つ理論的にハーフ・ピッチの低い限界である０．２５のｋ１を回避する必要があるが、これはより短い波長及び／又はより多い開口数を用いる費用のかかる技術に頼らなくても、より小さく、より間隔の緻密なフィーチャを印刷することを可能にするであろうためである。
【００３７】
ｋ１を低減させる１つのアプローチは、二重露光を用いて、１つ１つは印刷があまり難しくはないが、そうでない場合には、同じ基板上に結像されるときに印刷がより困難になる組み合わされた像を生成する２つの相補的な像（例えば、相補的マスク・パターン）に基板を露光することによるものである。図２はこのアプローチの典型的な例を示しており、白抜きの円として表したフィーチャとして図２に示した（パターンＰＡＴ３の最小ピッチに比して）より大きなピッチのパターンＰＡＴ１が基板（図示せず）上に露光（第１の露光）され、投影される。この基板がずらされて、第２のパターンＰＡＴ２のフィーチャが第１のパターンＰＡＴ１のフィーチャ間に適合するように、グレーで満たされた円として表したフィーチャとして図２に示した第２のパターンＰＡＴ２が同じ基板上に露光（第２の露光）され、投影される。このようにして、２つのパターンＰＡＴ１及びＰＡＴ２が組み合わされ、交互配置されるか、或いは別の場合には重ね合わされて、別個に結像されるパターンＰＡＴ１及びＰＡＴ２よりも間隔が緻密な所望のパターンＰＡＴ３が得られる。第２のパターンＰＡＴ２は第１のパターンＰＡＴ１と同じになるか、又は異なったパターンになり得る。すなわち、Ｘ及び／又はＹ方向の、第１のパターンＰＡＴ１のフィーチャ間の期間及び第２のパターンＰＡＴ２のフィーチャの期間は同じであるか、又は異なったものになり得る。また、第１のパターンのフィーチャ及び第２のパターンのフィーチャは同じ（例えば、直径が同じコンタクト・ホール）であるか、又は異なった（例えば、直径の異なるコンタクト・ホール）フィーチャであり得る。
【００３８】
別の例では、第１のパターン及び／又は第２のパターンのフィーチャはコンタクト・ホールに代わるものであり、第１のパターン及び第２のパターンのフィーチャはライン又は支柱になり得る。図３はより大きなピッチの第１のパターン（パターンＰＡＴ４）を示しており、図３では、基板（図示せず）上に露光（第１の露光）され、投影された白抜きの矩形によって表したラインである。基板がずらされ、第２のパターンＰＡＴ５のフィーチャが第１のパターンＰＡＴ４のフィーチャ間に適合するように、図３にはグレーで満たされた矩形によって表したラインとして示した第２のパターン（ＰＡＴ５）が同じ基板の上に露光（第２の露光）され、投影される。図２に示した例と同様に、２つのパターンＰＡＴ４及びＰＡＴ５は組み合わされ、交互配置されるか、或いは別の場合には重ね合わされて、別個に結像されるパターンＰＡＴ４及びＰＡＴ５よりも間隔が緻密な所望のパターンＰＡＴ６が得られる。この例では、第１のパターンＰＡＴ４及び第２のパターンＰＡＴ５は類似するフィーチャ、すなわち、幅の等しいラインを有するが、相互に対してずらされている。しかし、第２のパターンＰＡＴ５は第１のパターンＰＡＴ４と同じパターンであってよいか、又は異なったパターンであってよいことを理解されたい。すなわち、（ラインの配向に応じて）Ｘ及び／又はＹ方向の、第１のパターンＰＡＴ４のライン間の期間及び第２のパターンＰＡＴ５のライン間の期間は、同じになるか、又は異なり得る。また、第１のパターンのライン及び第２のパターンのラインは同じ（例えば、同じ幅のライン）になり得るか、又は異なったライン（例えば、幅の異なるライン）になり得る。
【００３９】
この二重露光を用いて、（ＰＡＴ１及びＰＡＴ２などの構成パターンのフィーチャの間隔に比して）より緻密な間隔のパターンを印刷することができるので、ｋ１値０．２５未満の結像が可能となる。しかし、同じレジストの上（同じ基板の上）に二重露光を用いて印刷することは、ＰＡＴ１とＰＡＴ２のパターンの２つの画像間及びＰＡＴ４とＰＡＴ５のパターンの２つの画像間に相互干渉が生じて解像度を劣化する恐れがあるので、難しいかもしれない。
【００４０】
しかし、同じ基板上に画像を転写するには、非常にアグレッシブなオーバーレイ仕様及びさらなる工程段階が必要になる。この二重露光技法の最も一般的な実施には、第１の露光と第２の露光との間で基板をエッチング及び洗浄（又は基板上の犠牲層をエッチング）することが必要である。このエッチング及び洗浄段階は、第１の露光と第２の露光との間に２４時間〜４８時間の遅延を生じ得る付加的な段階である。また、この付加的な段階は、リソグラフィ工程のさらなる困難をもたらす恐れがある。この２回の露光間の比較的長い期間は、リソグラフィ装置のオーバーレイ性能に影響を及ぼす恐れがあり、リソグラフィ装置の結像安定性、及びともに一般的にリソグラフィ・クラスタと呼ばれる、典型的にはリソグラフィ装置にリンクされる被覆／現像トラックに影響を及ぼす恐れがある。
【００４１】
さらに、この付加的な工程段階は、リソグラフィ・クラスタの外部で、すなわち、リソグラフィ装置の外部及び／又は被覆／現像トラックの外部で行う必要があるかもしれず、これはさらなる手間を伴うことになり、したがってプロセス全体のコストが増大することになる。また、この付加的な工程段階は、考えられる最も密接したオーバーレイ及び結像性能を維持するように第２の露光が同じリソグラフィ装置で確実に行われるようにするためのトラッキング要件を増大することにもなる。これら及び他の制限のすべては、リソグラフィ工程の性能をある程度低減させるかもしれない。
【００４２】
ピッチが縮小された二重露光を実施するために現在用いられている付加的な工程段階（例えば、エッチング及び洗浄段階）の必要性をなくすために、基板の上にレジスト層を塗布するに先立って、現像可能な材料層が基板の表面の上に適用される。本発明の実施例では、現像可能な材料は、現像可能なＢｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ（ＢＡＲＣ）又はウェット現像可能な材料、或いは現像可能なＢＡＲＣ及びウェット現像可能な材料層を組み合わせたものである。適した現像可能なＢＡＲＣ材料は、例えば、Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｉｎｃ，製造のコーティング剤であるＩＭＢＡＲＣ（商標）、又はＡＺ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製造のコーティング剤であるＤ−ＢＡＲＣ（商標）であってよい。現像可能な材料層、例えばＤ−ＢＡＲＣ（商標）を用いることによって、二重露光（第１及び第２の露光）のフル・サイクル中に、リソグラフィ・クラスタ内、すなわち、リソグラフィ装置及び／又は被覆／現像トラックの内に基板を維持することができる。その結果、第１と第２の露光間に生じ得る時間遅延を著しく低減することができる。さらに、この現像可能な材料層の使用を２回の露光を越えて適用して多数の露光を含むことができる。
【００４３】
図４は本発明の一実施例のリソグラフィ工程の流れ図である。リソグラフィ工程（Ｐ３０）は、基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程（Ｐ３２）及び現像可能な材料層の上部を第１のレジスト層で被覆する工程（Ｐ３４）を含む。リソグラフィ工程（Ｐ３０）は、第１のパターンを露光し、第１のレジスト層が第１のパターンの像に露光されるように現像可能な材料層及び第１のレジスト層で被覆された基板の上に第１のパターンを投影する工程（Ｐ３６）をさらに含む。次に、露光後ベークを適用する工程（Ｐ３８）及び第１のレジスト層及び現像可能な材料層を現像する工程によって、第１のパターンの像に従った第１のターゲット・パターンが（第１のレジスト層及び現像可能な材料層内の）基板上に形成される（Ｐ４０）。
【００４４】
第１のレジスト層はある波長の照射線の放射線に反応する材料を含む。現像可能な材料層及び第１のレジスト層で被覆された基板の上に第１のレジスト層が露光及び投影されるとき、放射線に露光される第１のレジスト層の領域は、化学的及び／又は物理的変化を受ける。その結果、ポジ型レジストの場合、放射線に晒される第１のレジスト層の領域は化学溶媒、すなわち、現像液に溶解し易くなるが、放射線に晒されない領域は不溶性のままである。第１のレジスト層を現像する工程は、第１のレジスト層の可溶部分を除去して第１のレジスト層に穴又は空隙を形成することを含む。ネガ型レジストの場合、放射線に晒される領域は化学溶媒／溶液に対してより抵抗性を持つようになるが、放射線に晒されない領域は可溶性のままである。この場合、第１のレジスト層を現像する工程は、第１のレジスト層の可溶部分を除去して、放射線に晒される第１のレジスト層の領域に対応する島又は支柱を形成することを含む。
【００４５】
現像可能な材料層は放射線に反応する材料を含んでもよいし、含まなくてもよい。現像可能な材料層が放射線に反応する材料を含む場合、現像可能な材料層の被露光領域が化学的及び／又は物理的変化を受けるという意味において、現像可能な材料層はレジスト層として働く。この場合、第１のレジスト層と同様に現像可能な材料層を現像することができる。現像可能な材料層が放射線に反応する材料を含まない場合、すなわち、放射線反応性を有さない場合、現像可能な材料層は放射線に反応しないので、ポジ型レジスト又はネガ型レジストいずれかの「型」に関連する特性を有さない。その結果、適した化学溶媒／溶液（例えば、水溶液）を用いて第１のレジスト層が除去されると、（ポジ型レジストの場合）放射線に晒された第１のレジスト層の領域の真下にあるか、又は（ネガ型レジストの場合）放射線に晒されなかった第１のレジスト層の領域の真下にある現像可能な材料層の領域は現像で簡単に除去される。つまり、現像可能な材料層が放射線反応性を有さない場合、現像可能な材料層の加工は第１のレジスト層の現像状態に左右される。いずれの場合でも、すなわち、ポジ型レジスト又はネガ型レジストにおいても、第１のレジスト層上に投影された第１のパターンは現像可能な材料層まで運ばれる。
【００４６】
リソグラフィ工程（Ｐ３０）は例えばウェット処理を用いて第１のレジスト層を除去することによって進行し、第１のターゲット・パターンを担持する処理された現像可能な材料は基板の上に維持される（Ｐ４２）。第１のレジスト層の除去に続いて、処理された現像可能な材料層の上に第２のレジスト層が被覆される（Ｐ４４）。本発明の一実施例では、第１のレジスト層を除去する工程（Ｐ４２）及び第２のレジスト層を被覆する工程（Ｐ４４）は被覆／現像トラック（例えば、被覆用ボウル）内の同じ領域で実行される。
【００４７】
リソグラフィ工程（Ｐ３０）は、第２のパターンを露光し、第２のレジスト層を第２のパターンの像に露光するように、現像可能な材料層及び第２のレジスト層で被覆された基板の上に第２のパターンを投影する工程（Ｐ４６）をさらに含む。工程（Ｐ３０）は露光後ベークを適用する工程（Ｐ４８）及び第２のレジスト層及び現像可能な材料層を現像して第２のパターンの像に従った第２のターゲット・パターンを（第２のレジスト層及び現像可能な材料層内の）基板上に形成する工程（Ｐ５０）をさらに含む。
【００４８】
第１のレジスト層と同様に、第２のレジスト層はポジ型レジスト特性又はネガ型レジスト特性を有してもよい。いずれの場合も、第２のレジスト層上に投影される第２のパターンは現像可能な材料層まで運ばれる。
【００４９】
このリソグラフィ工程は例えばウェット処理を用いて第２のレジスト層を除去することによって進行するが、第１及び第２のターゲット・パターンを担持する処理された現像可能な材料層が維持される（Ｐ５２）。ポイント（Ｐ５３）では、基板を例えば第３のレジスト層で被覆することができ、工程（Ｐ４４及び次の工程）をリソグラフィ工程（Ｐ３０）においてループして反復することができるか、或いは、さらに後のリソグラフィ工程（Ｐ５４）のために基板を解放することができる。第３のレジスト層及び場合によっては複数のさらなる層を塗布するこの工程のループを必要に応じて反復して、所望の像品質及び／解像度を達成することができる。先に記載のように、第２のパターンは第１のパターンと同じであるか、又は第１のパターンとは異なったものになり得る。第２のパターンを投影する前に、第２のパターンが第１のパターンを単にずらしたものである場合、又はオフセットを必要とする場合、基板はＸ及び／又はＹ方向に所定の距離Ｄだけずらされるかオフセットされる（Ｐ４５）。現像可能な材料層上に既に結像及び印刷された第１の（ターゲット）パターンのフィーチャの間に第２のパターンのフィーチャを重ね合わせるか又は挟み込んで、所望のパターン、すなわち、第１のターゲット・パターン及び第２のターゲット・パターンを組み合わせたものを提供するために、所定の距離Ｄは第２のレジスト層及び現像可能な材料層の上に第２のパターンのフィーチャを適切に結像するのに必要なずれに相当する。
【００５０】
この実施例のほか他の実施例のいずれにおいても、現像段階Ｐ４０及びＰ５０のいずれか一方又は両方は、レジスト及び現像可能な材料層のための２つの別個の現像段階を含んでよい。
【００５１】
以下のパラグラフでは上記工程段階が実行された後の基板の状態について説明する。図５Ａ〜５Ｇは上記リソグラフィ工程の段階を実行後の処理済みの基板の状態を示している。
【００５２】
図５Ａは表面が現像可能な材料層ＭＬで被覆された基板Ｗを示している。現像可能な材料層ＭＬの上には第１のレジスト層ＲＥＳ１が被覆されている。現像可能な材料層ＭＬ及びレジスト層ＲＥＳ１を有する基板Ｗが、第１のパターン、例えば図２及び３に示したＰＡＴ１又はＰＡＴ４を有するマスクＭＡ１を通して放射線ＰＢを投影することによって生成されたパターン化された放射線に晒される。図５Ａに概略的に示したパターン化された放射線は単位倍率Ｍ＝１のマスク・パターンの像に相当するので、以降、第１及び第２のターゲット・パターンを（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）及び（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）で概略的に表すことができる。しかし、上記のように、本発明は単位倍率での生成又は投影に限定されるものではない。わかり易いように、１とは異なる倍率で動作する投影系の存在を図５Ａには示していない。
【００５３】
図５Ｂは、ともに第１のターゲット・パターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）を担持する現像可能な材料層ＭＬ及びレジスト層ＲＥＳ１を有する基板Ｗを示している。現像可能な材料層ＭＬ及び第１のレジスト層ＲＥＳ１が現像される。ポジ型レジスト工程の場合、第１のレジスト層ＲＥＳ１の露光された領域が除去される。ネガ型レジスト工程の場合、レジスト層ＲＥＳ１の非露光領域が除去される。上記のように、現像可能な材料層ＭＬは放射線に反応し得るか、又は放射線に反応し得ない。現像可能な材料層ＭＬが放射線に反応する場合、放射線に晒された現像可能な材料層ＭＬの領域は、第１のレジスト層ＲＥＳ１の露光された領域と同様に除去される。現像可能な材料層ＭＬが放射線に反応しない場合、第１のレジスト層ＲＥＳ１の露光された領域が除去されると、現像可能な材料層ＭＬは化学溶媒（例えば、水溶液）中で溶解するので、第１のレジスト層ＲＥＳ１の露光された領域の下にある現像可能な材料層ＭＬの領域も除去される。
【００５４】
その結果、第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）に相当するフィーチャが第１のレジスト層ＲＥＳ１及び現像可能な材料層ＭＬの両方に形成される。このフィーチャは、ポジ型工程の場合には、（図５Ｂに示すように）空隙であってよく、ネガ型工程の場合（図示せず）には峰又は島であってよい。どちらの場合も、これによって第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）がレジスト層ＲＥＳ１及び現像可能な材料層ＭＬに転写されることになる。
【００５５】
図５Ｃは第１のレジスト層ＲＥＳ１の除去又はストリッピング後の基板を示しているが、第１のターゲット・パターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）を担持する現像可能な材料層ＭＬを有している。第１のターゲット・パターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）を担持する現像可能な材料層ＭＬが基板Ｗの上に維持されている間に、第１のレジスト層ＲＥＳ１が除去される。
【００５６】
図５Ｄは第２のレジスト層ＲＥＳ２で被覆された基板を示している。第２のレジスト層は、第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）を担持する現像可能な材料層ＭＬ上に被覆されている。その結果、第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）に対応する現像可能な材料層ＭＬの空隙がレジスト材料で充填される。図５Ｄはポジ型レジスト工程が適用される基板を示しているが、本明細書に記載の工程はネガ型レジスト工程に適用されてもよいことを理解されたい。ネガ型レジスト工程では、第２のレジスト層ＲＥＳ２が現像可能な材料層ＭＬの上に被覆されて峰又は島形のフィーチャの相補体に対応する空隙を充填する。
【００５７】
図５Ｅは表面が現像可能な材料層ＭＬ及び第２のレジスト層ＲＥＳ２で被覆された基板Ｗを示している。現像可能な材料層ＭＬ及び第２のレジスト層ＲＥＳ２を有する基板Ｗが、第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）を有するマスクＭＡ２を通して放射線ＰＢを投影することによって生成されたパターン化された放射線に晒される。この第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）は第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）と同じであり得るか、又は第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）とは異なり得る。本発明の一実施例では、第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）を投影するに先立って、基板ＷはＸ及び／又はＹ方向に所定の距離Ｄだけずらされるかオフセットされる。既に結像された第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）の間に第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）を重ね合わせて、所望のターゲットを提供するために、所定の距離Ｄはレジスト層ＲＥＳ２の上に第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）のフィーチャを適切に結像するのに必要なずれに相当する。
【００５８】
図５Ｆはポジ型レジスト工程の場合にはレジスト層ＲＥＳ２の露光された領域を除去することによって、又はネガ型レジスト工程の場合にはレジスト層ＲＥＳ２の非露光領域を除去することによって、第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）をともに担持する現像可能な材料層ＭＬ及びレジスト層ＲＥＳ２が現像された後の基板Ｗを示している。上記のように、現像可能な材料層ＭＬは放射線に反応し得るか、又は放射線に反応し得ない。現像可能な材料層ＭＬが放射線に反応する場合、放射線に晒される現像可能な材料層ＭＬの領域は、第２のレジスト層ＲＥＳ２の露光された領域と同様に除去される。現像可能な材料層が放射線に反応しない場合、第２のレジスト層ＲＥＳ２の露光された領域が除去されると、現像可能な材料層ＭＬは化学溶媒（例えば、水溶液）中で溶解するので、第２のレジスト層ＲＥＳ２の露光された領域の下にある現像可能な材料層ＭＬの領域も除去される。
【００５９】
その結果、第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）に相当するフィーチャが第２のレジスト層ＲＥＳ２及び現像可能な材料層ＭＬの両方に形成される。このフィーチャは、ポジ型工程の場合には、（図５Ｆに示すように）空隙であってよく、ネガ型工程の場合（図示せず）には峰又は島であってよい。このようにして、第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）がレジスト層ＲＥＳ２及び現像可能な材料層ＭＬに転写される。
【００６０】
図５Ｇは第２のレジスト層ＲＥＳ２除去後の基板を示している。第２のレジスト層ＲＥＳ２は除去されるが、第１及び第２のターゲット・パターンをともに担持する現像可能な材料層ＭＬは基板Ｗ上に維持される。現像可能な材料層ＭＬを有する得られた基板Ｗは、第１のパターン（ＰＡＴ１、ＰＡＴ４）と第２のパターン（ＰＡＴ２、ＰＡＴ５）とを組み合わせたものである所望のパターンを担持する。得られた基板はこのようにして、本明細書に記載したリソグラフィ工程の付加的な反復、又は、例えば、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学的研磨、機械的研磨などを含み得るさらなる処理のために準備される。
【００６１】
本発明の一実施例では、現像可能な材料層ＭＬの厚さは４００Å（４０ｎｍ）〜１２００Å（１２０ｎｍ）である。本発明の実施例では、現像可能な材料層の厚さは８００Å（８０ｎｍ）になるように選択される。厚さ４０ｎｍ〜１２０ｎｍ、例えば８０ｎｍに等しい厚さを有する現像可能な材料の層を塗布することによって、フィーチャ（例えば、コンタクト・ホール、ライン、支柱、トレンチ、又はこれらの組合せ）を現像可能な材料層ＭＬに近等方性現像することが可能となる。
【００６２】
図６は本明細書に記載の工程を用いて現像可能な材料に結像された複数のコンタクト・ホールの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示している。この例では、第２のパターンは第１のパターンとは異なっている。具体的には、第１のパターンのコンタクト・ホールの直径は第２のパターンのコンタクト・ホールの直径よりも小さい。これは単に、第１のパターンを用いて結像されたコンタクト・ホールと第２のパターンを用いて結像されたコンタクト・ホールとを容易に区別するためのものである。本明細書に記載の工程を用いて任意の組合せのパターンを結像することができることを理解されたい。この例は本明細書で考察した工程を用いて、１つのパターンのみを用いた場合に可能になるよりも緻密な間隔のパターンを印刷することができ、これによってｋ１値が０．２５未満の結像が可能になることを示している。本発明の一実施例によれば、ライン又はライン状のフィーチャを０．２５未満のｋ１値に相当するピッチで印刷できるように上記実施例の方法は改変され、これによってポジ型レジストを各成分のパターン化工程に用いることができる。本実施例の２つの露光の各々は、明るい背景に暗いラインを結像することを伴う。このような結像によって、ライン状のフィーチャに関しては、所与の放射線波長及び開口数に対して最高の解像度が得られる。
【００６３】
図１１では、これに対応する改変された工程フローＰ１１０が示されている。先に示した実施例と同じであり、上に記載した本方法の段階は、図４の対応する段階の参照符号を有する。図１２は工程フローＰ１１０の段階のいくつかが終わった後の基板Ｗの状態を示している。
【００６４】
基板Ｗに所望のパターンＰＡＴ６のライン状のフィーチャを付与するために、基板Ｗの表面はまず、例えばＩＭＢＡＲＣ（商標）の層などの現像可能な材料層ＭＬで被覆される。次に、第１のポジ型レジスト層ＲＥＳ１が現像可能な材料層ＭＬの上部に被覆される。次いで、図１２Ａを参照すると、第１のレジスト層ＲＥＳ１がマスクＭＡ１上で、第１のパターンＰＡＴ４の像としてパターン化されたビームＰＢの放射線に晒される。この方法は第１のレジスト層ＲＥＳ１及び現像可能な材料層ＭＬを現像することとともに進んで、図１２Ｂに示すような第１のターゲット・パターンＰＡＴ４を現像可能な材料層ＭＬに付与する。次に、図１２Ｃに示すように、第１のレジスト層ＲＥＳ１が除去され、図１１の段階Ｐ１１２に示すように、第１のターゲット・パターンが付与された現像可能な材料層ＭＬが固定される。
【００６５】
固定の効果は、例えば、化学的固定を適用することによって得ることができる。別の場合には、固定の効果はウェット化学固定化、熱的固定化、気相化学固定化、ＵＶ照射による固定化、電子ビーム照射による固定化、及びイオン照射による固定化の１つ又は組合せによってもたらすことができる。その結果、図１２Ｄに示すように、基板Ｗは固定化された現像可能な材料ＦＭＬのフィーチャのあるパターンを担持する。次に、図１２Ｅ及び図１１の段階Ｐ１１４に示すように、補助的な現像可能な材料層ＳＭＬを第１のターゲット・パターンＰＡＴ４を有する現像可能な材料層に適用（又はその上部に塗布）して、第１のターゲット・パターンＰＡＴ４の空隙を充填する。
【００６６】
補助的な現像可能な材料層ＳＭＬは放射線に反応し得るか、又は反応し得ない。補助的な現像可能な材料層ＳＭＬが放射線に反応する場合、放射線に晒される補助的な現像可能な材料層ＳＭＬの領域は、第２のレジスト層ＲＥＳ２の露光される領域と同様に除去される。補助的な現像可能な材料層が放射線に反応しない場合、第２のレジスト層ＲＥＳ２の露光された領域が除去されると、補助的な現像可能な材料層ＳＭＬは化学溶媒（例えば、水溶液）中で溶解するので、第２のレジスト層ＲＥＳ２の露光された領域の下にある補助的な現像可能な材料層ＳＭＬの領域も除去される。
【００６７】
段階Ｐ１１４を実行するとき、第１のターゲット・パターンＰＡＴ４のフィーチャも同様に補助的な現像可能な材料層ＳＭＬでオーバーコートすることができる。この可能性は図１２Ｅには示していない。このようなフィーチャの残りのオーバーコートは工程の最終結果に実質的に影響を及ぼすことはない。これはそのような現像可能な材料ＳＭＬはすべて、工程において後から現像により除去されるためである。この方法は、図１２Ｅ及び図１１の段階Ｐ１１６に示すような補助的な現像可能な材料層ＳＭＬの上部に第２のポジ型レジスト層ＲＥＳ２を被覆すること、及び、図１２Ｆに示すように第２のレジスト層ＲＥＳ２を第２のパターンＰＡＴ５の像に露光することとともに進行する。
【００６８】
第２のレジスト層ＲＥＳ２及び補助的な現像可能な材料層ＳＭＬを現像後、図１１の段階Ｐ１１８に示すように、補助的な現像可能な材料層ＳＭＬには第２のターゲット・パターンＰＡＴ５が付与され、これによって第２のターゲット・パターンＰＡＴ５のライン状のフィーチャは、図１２Ｇに示すように、補助的な現像可能な材料層ＳＭＬの層と第２のレジストＲＥＳ２の層との積層から構成される。この現像工程は、この層は先に処理されているので、固定された現像可能な材料層を除去しない。
【００６９】
図１２Ｈを参照すると、第２のレジスト層ＲＥＳ２を除去すると、パターンＰＡＴ４に従った固定された現像可能な材料ＦＭＬのライン状のフィーチャ及びパターンＰＡＴ５に従った補助的な現像可能な材料ＳＭＬのライン状のフィーチャとして所望のパターンＰＡＴ６のフィーチャが得られる。ＳＭＬ及びＦＭＬ材料のフィーチャが組み合わされると、基板上に所望のパターンが生成される。先の実施例のように、２つの露光をインタレース状に配置することによって、基板の表面の上に所望のパターンＰＡＴ６が生成され、設けられる。
【００７０】
図１２Ｉは、図１１の段階Ｐ１２０に示すように補助的な現像可能な材料ＳＭＬが固定され、それを固定された現像可能な材料ＦＳＭＬに転換した後の、固定された現像可能な材料ＦＭＬ及び補助的な現像可能な材料ＦＳＭＬを含んだ基板Ｗを示している。補助的な現像可能な材料ＳＭＬの固定は処理要件に応じて不要の場合もある。固定された現像可能な材料ＦＭＬ及びＦＳＭＬは基板Ｗの上で第１及び第２のターゲット・パターン（ＰＡＴ４及びＰＡＴ５）を保持する。
【００７１】
固定された現像可能な材料層ＦＭＬ及び固定された補助的な現像可能な材料層ＦＳＭＬを有する得られた基板Ｗは、第１のターゲット・パターンＰＡＴ４及び第２のパターンＰＡＴ５の組合せである所望のパターンのＰＡＴ６を担持する。得られた基板はこのようにして、本明細書に記載したリソグラフィ工程のさらなる反復、又は、例えば、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学的研磨、機械的研磨を含み得るさらなる処理のために準備される。
【００７２】
本発明によれば、本実施例は、各々類似する段階を含んだ少なくとも２つの順序の繰り返しによって特徴付けられ得る。段階の個々の順序はいずれも、例えばＰＡＴ４又はＰＡＴ５などのフィーチャのターゲット・パターンを基板Ｗの表面上に提供することを対象としており、基板Ｗの表面を例えばＭＬ又はＳＭＬなどの現像可能な材料層で被覆する工程、例えばＲＥＳ１又はＲＥＳ２などの現像可能な材料層の上部にレジスト層を被覆する工程、レジスト層をターゲット・パターンの像に露光する工程、レジスト層及び現像可能な材料層を現像して現像可能な材料層にターゲット・パターンを付与する工程を含み、これによって、基板Ｗの表面上の例えば、ＰＡＴ６などの所望のパターンのフィーチャは基板の表面の上にターゲット・パターン及びフィーチャの補助的なターゲット・パターン（例えば、パターンＰＡＴ４及びＰＡＴ５など）を含む。
【００７３】
図７は本明細書に記載の工程を用いて現像可能な材料に結像された複数の緻密なラインの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示している。この例では、緻密なラインは７０ｎｍのハーフ・ピッチ、０．８に等しい開口数で、２４８ｎｍの波長の放射線を用いて結像されている。
本明細書で考察した工程又は複数の工程を用いて、１つのパターンのみを用いた場合に可能であるよりも緻密な間隔のパターンを印刷することができ、これによってｋ１値が０．２３、すなわちｋ１値が０．２５以下で結像が可能になることを示している。さらにこの例は、本明細書で考察した工程又は複数の工程を用いて、限定するものではないがコンタクト・ホール、ライン、支柱、及びトレンチを含む種々のパターンを結像及び印刷することができる。
【００７４】
他の実施例の有利なフィーチャの他に、露光のために明るい背景上に暗いラインを用いることができるので、本方法の本実施例はライン空間パターン及び特には緻密でｋ１の低いライン空間パターンを生成するのに有利である。したがって、ポジ型レジストを用いれば、（空間の代わりに）各々２回の露光でラインが印刷される。ラインは各々２回の露光で印刷されるので、印刷されたライン幅のＣＤは２つの露光の相互の位置合わせに直接結び付けられず、このことによって位置合わせ要件が緩和される。
【００７５】
本実施例はポジ型レジストに限定されるものではなく、ライン・パターンの印刷に限定されるものでもない。本明細書で考察した工程は、第１のレジスト露光又は第２のレジスト露光いずれかのためのネガ型レジスト工程に適用されてもよい。
【００７６】
図８は本発明の別の実施例のリソグラフィ工程の流れ図を示している。このリソグラフィ工程（Ｐ６０）は基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程（Ｐ６２）及び該現像可能な材料層の上部にレジスト層を被覆する工程（Ｐ６４）を含む。リソグラフィ工程（Ｐ６０）は第１のパターンを露光し、現像可能な材料層及びレジスト層で被覆された基板上に
第１のパターンを投影する工程（Ｐ６６）、及び露光後ベークを適用する工程（Ｐ６８）をさらに含む。
【００７７】
リソグラフィ工程（Ｐ３０）は、第２のパターンを露光し、現像可能な材料層及びレジスト層で被覆された基板上に該第２のパターンを投影する工程（Ｐ７０）及び露光後ベークを適用する工程（Ｐ７２）をさらに含む。
【００７８】
ポイント（Ｐ７３）では、必要に応じて、工程（Ｐ７０及び７２）を繰り返すことによって、例えば第３のパターンに基板を露光することができ、露光後ベークを基板に適用することができる。第３のパターン及び場合によっては複数のパターンを露光するこの工程のループを必要に応じて繰り返して、所望の像品質及び／又は解像度を達成することができる。第２のパターンは第１のパターンと同じになり得るか、又は第１のパターンと異なったものになり得る。同様に、第３のパターンは第２及び／又は第１のパターンと同じになり得るか、又は第１及び／又は第２のパターンと異なったものになり得る。例えば、第２のパターンが単に第１のパターンをずらしたものである場合、又は別の場合には、オフセットを必要とする場合、第２のパターンを投影する前に、基板はＸ及び／又はＹ方向に所定距離Ｄだけずらされるか又はオフセットされる（Ｐ６９）。現像可能な材料層上に既に結像された第１のパターンのフィーチャの間に第２のパターンのフィーチャを重ね合わせるか又は挟み込んで、所望のパターンを提供するために、所定距離Ｄは、第２のレジスト層及び現像可能な材料層の上に第２のパターンのフィーチャを適切に結像するのに必要なずれに相当する。第１のパターン及び第２のパターンの間に第３のパターン・フィーチャを重ね合わせるか又は挟み込むように第３のパターンを投影する際に、この基板の位置ずらしを適用することもできる。
【００７９】
第１のパターン、第２のパターン、及び第３のパターンの露光及びこれに続く露光後ベークが終了すると、リソグラフィ工程（Ｐ６０）は、レジスト層及び現像可能な材料層を現像して、基板の上に（レジスト層及び現像可能な材料層内に）第１及び第２のパターン（及び第３のパターン並び場合によっては必要に応じて他のパターン）を形成することによって進行する（Ｐ７４）。次に、このリソグラフィ工程（Ｐ６０）は、例えばウェット処理を用いて、レジスト層を除去することによって進行すると同時に、第１及び第２（及び場合によっては第３）のパターンを担持する処理された現像可能な材料層が維持される（Ｐ７６）。リソグラフィ工程のこの時点では、現像可能な材料を担持する基板をさらに処理するために送ることができる（Ｐ７８）。
【００８０】
図９は本発明の別の実施例によるリソグラフィ工程の流れ図を示している。リソグラフィ工程（Ｐ８０）は、基板の表面を現像可能な材料層で被覆する工程（Ｐ８２）及び該現像可能な材料層の上部にレジスト層を被覆する工程（Ｐ８４）を含む。リソグラフィ工程（Ｐ６０）は第１のパターンを露光し、現像可能な材料層及びレジスト層で被覆された基板の上に第１のパターンを投影する工程（Ｐ８６）、露光後ベークを適用する工程（Ｐ８８）、及びレジスト層及び現像可能な材料層を現像して基板のレジスト層及び現像可能な材料層に第１のパターンの像を形成する工程（Ｐ９０）をさらに含む。
【００８１】
リソグラフィ工程（Ｐ８０）は第２のパターンを露光し、現像可能な材料層及びレジスト層で被覆された基板の上に第２のパターンを投影する工程（Ｐ９２）、露光後ベークを適用する工程（Ｐ９４）、及びレジスト層及び現像可能な材料層を現像して基板のレジスト層及び現像可能な材料層に第２のパターンの像を形成する工程（Ｐ９６）をさらに含む。
【００８２】
ポイント（Ｐ９７）では、例えば、必要に応じて基板を第３のパターンに露光することができ、露光後ベークを適用した後、リソグラフィ工程（Ｐ８０）のループを用いて工程（Ｐ９２、Ｐ９４、及びＰ９６）を繰り返すことによってレジスト層及び現像可能な材料層を現像することができる。第３のパターンを露光するこのプロセスのループを必要に応じて繰り返して、所望の像品質及び／又は解像度を達成することができる。第２のパターンは第１のパターンと同じになり得るか、又は第１のパターンと異なったものになり得る。同様に、第３のパターンは第２及び／又は第１のパターンと同じになり得るか、又は第１及び／又は第２のパターンと異なったものになり得る。例えば、第２のパターンが単に第１のパターンをずらしたものである場合、又は別の場合には、オフセットを必要とする場合、第２のパターンを投影する前に、基板はＸ及び／又はＹ方向に所定距離Ｄだけずらされるか又はオフセットされる（Ｐ９１）。既に結像された第１のパターンのフィーチャの間に第２のパターンのフィーチャを重ね合わせるか又は挟み込んで、所望のパターンを提供するために、所定距離Ｄは、第２のレジスト層及び現像可能な材料層の上に第２のパターンのフィーチャを適切に結像するのに必要なずれに相当する。第１のパターン及び第２のパターンの間に第３のパターンのフィーチャを重ね合わせるか又は挟み込むように第３のパターンを投影する際に、この基板の位置ずらしを適用することもできる。次に、リソグラフィ工程（Ｐ８０）は、例えばウェット処理を用いて、レジスト層を除去することによって進行すると同時に、第１及び第２（及び場合によっては第３のパターン）担持する処理された現像可能な材料層が維持される（Ｐ９８）。リソグラフィ工程のこの時点では、現像可能な材料を担持する基板をさらに処理するために送ることができる（Ｐ９９）。
【００８３】
図１０は本発明の特定の実施例に従って構成及び操作される集積化されたリソグラフィ製造クラスタ・システムを概略的に示している。図示のように、リソグラフィ・クラスタ６００は、リソグラフィ露光装置６０２、基板取扱い装置６０３、及び被覆／現像トラック装置６０４を含んでいる。
【００８４】
リソグラフィ露光装置６０２は、基板上に第１のパターン化装置の第１のパターンを投影するように、且つ付加的なパターン化装置の付加的なパターンを基板上に投影するように構成されている。リソグラフィ露光装置６０２の一例を図１に示しており、先のパラグラフで詳細に説明している。
【００８５】
被覆／現像トラック装置６０４は、限定するものではないがプライミング、抗反射被覆、ウェット現像可能な材料の被覆、レジストの被覆、ソフトベーク工程、及び測定工程を含む露光前工程を実行するように構成されている。被覆／現像トラック装置６０４は、限定するものではないが露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、レジスト除去、及び測定工程を含む露光後工程を実行するようにも構成されている。露光前工程及び露光後工程を行う際、多数の処理ステーション又はモジュール６０４ａｌ〜６０４ｊｌがウエハ・トラック装置内６０４に組み込まれる。これらの処理モジュール６０４ａｌ〜６０４ｊｌには、チル・プレート、べーク・プレート、被覆モジュール、現象モジュール、プライミング・モジュール、レジスト除去モジュール（レジスト・ストリッピング・モジュール）、及び計測モジュールを含んでよい。スループットを上げるために、任意の所与のタイプの複数のモジュール６０４ａｌ〜６０４ａ＃（＃は所与のタイプのモジュールの合計数を表す）が、ウエハ・トラック装置６０４内に含まれてよい。本発明の一実施例では、被覆／現像トラック装置６０４は、ウェット現像可能な材料及びレジスト材料を必要に応じて何回も露光前に基板に付着させるようにも構成されている。被覆／現像トラック装置６０４は、露光後ベーク、現像、ハード・ベーク、及びレジスト除去工程を含む露光後基板処理を必要に応じて何回も実行するようにも構成されている。
【００８６】
基板取扱い装置６０３は、被覆／現像トラック装置６０４及び露光装置６０２の処理モジュール６０４ａｌ〜６０４ｊｌ間を所定の順序でウエハ基板Ｗを搬送するように構成されている。基板取扱い装置６０３は、処理モジュール６０４ａｌ〜６０４ｊｌからのウエハ基板の送出及び／又は回収を支持するためのロボット機構、コンベヤ機構、又はトラック機構或いはこれらの組合せを含んでもよい。被覆／現像トラック装置６０４は多数のモジュール６０４ａｌ〜６０４ａ＃を含み、これらモジュールはすべて個々のモジュールから基板Ｗをロード及びアンロードするのに基板取扱い装置６０３の支持を必要とする。
【００８７】
本発明の一実施例では、例えば、基板は現像可能な材料で被覆され、ベークされ、冷却され、レジスト材料で被覆され、ベークされ、且つ被覆／現像トラック装置６０４内で冷却され、次いで、リソグラフィ露光装置６０２まで搬送される。第１の処理層を含んだ基板はリソグラフィ露光装置６０２内で露光され、露光後の処理のために被覆／現像トラック装置６０４へと搬送される。被覆／現像トラック装置６０４は露光後ベークを適用し、第１のレジスト層を現像し、第１のレジスト層を除去する。この工程の間、基板の取扱い及び搬送のすべては基板取扱い装置６０３によって行われる。このようにして基板を処理した後、例えば、材料層（例えば、現像可能な材料層）の上部に第２のレジスト層を塗布するために、基板を被覆／現像トラック装置６０４内で保持し、被覆ステーションまで戻すことができる。リソグラフィ装置６０２内での露光の工程が繰り返され、リソグラフィ・クラスタ内でさらに処理するため又は矢印で概略的に示した外部処理を行うために基板を外部に送る前に、露光後ベーク、現像、及びレジスト除去を含む露光後処理するために、基板は被覆／現像トラック装置６０４に戻される。
【００８８】
本発明の改変された実施例は、被覆／現像トラック装置６０４の機能に安全な先の実施例と同じである。本実施例では、被覆／現像トラック装置６０４は露光後ベークを適用し、第１のレジスト層を現像し、第１の露光後に第１のレジスト層を除去するだけでなく、現像可能な材料を固定化する。さらに、本実施例では、このように基板を処理した後、基板を被覆／現像トラック装置６０４内で維持し、最初に補助的な現像可能な材料層を塗布し、次に固定化された現像可能な材料層の上部の第２のレジスト層を塗布するように配置された被覆ステーションに戻すことができる。先の実施例のように、次に、リソグラフィ装置６０２内の露光工程が繰り返され、露光後処理のために基板が被覆／現像トラック装置６０４に戻される。
【００８９】
当業者であれば多数の変形例及び変更例が容易に想起されるであろうから、本明細書に記載の正確な構成及び動作に本発明を限定することは望ましくない。例えば、本明細書では現像可能な材料を、第１のレジスト層又は第２のレジスト層を塗布する前に塗布するための適した材料として考察しているが、例えばネガ型レジスト工程を用いる他の材料及び／又は構成も想定されることを理解されたい。
【００９０】
さらに、本発明の工程、方法、及び装置は、リソグラフィ分野で用いられる関連の装置及び工程のように、本質的に複雑になり易く、動作パラメータの適した値を実験的に決定することによって、或いは所与の用途のための最高の設計に至るようにコンピュータ・シミュレーションを行うことによって、最良に実施されることが多い。したがって、すべての適した変更例及び同等物は本発明の精神及び範囲内に入るものと考えられたい。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一実施例のリソグラフィ投影装置を示す略図である。
【図２】本発明の一実施例による、コンタクト・ホールを印刷するための、２回の露光を用いる多数の露光アプローチを示す典型的な図である。
【図３】本発明の一実施例による、ラインを印刷するための、２回の露光を用いる多数の露光アプローチを示す典型的な図である。
【図４】本発明の一実施例による、リソグラフィ工程を示す流れ図である。
【図５Ａ】図４に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図５Ｂ】図４に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図５Ｃ】図４に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図５Ｄ】図４に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図５Ｅ】図４に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図５Ｆ】図４に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図５Ｇ】図４に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図６】図４の工程を用いて現像可能な材料に形成された複数のコンタクト・ホールを示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図７】図４の工程を用いて現像可能な材料に形成された複数のラインを示す走査型電子顕微鏡写真である。
【図８】本発明の別の実施例による、リソグラフィ工程を示す流れ図である。
【図９】本発明の別の実施例による、リソグラフィ工程を示す流れ図である。
【図１０】本発明の一実施例による、リソグラフィ系を示す略図である。
【図１１】本発明の別の実施例による、リソグラフィ工程を示す流れ図である。
【図１２Ａ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｃ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｄ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｅ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｆ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｇ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｈ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【図１２Ｉ】図１１に示した工程の種々の段階を実行した後の基板の状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９２】
６００  リソグラフィ・クラスタ
６０２  リソグラフィ露光装置
６０３  基板取扱い装置
６０４  被覆／現像トラック装置
【図１】
2006303504.tif 000003
【図２】
2006303504.tif 000004
【図３】
2006303504.tif 000005
【図４】
2006303504.tif 000006
【図５Ａ】
2006303504.tif 000007
【図５Ｂ】
2006303504.tif 000008
【図５Ｃ】
2006303504.tif 000009
【図５Ｄ】
2006303504.tif 000010
【図５Ｅ】
2006303504.tif 000011
【図５Ｆ】
2006303504.tif 000012
【図５Ｇ】
2006303504.tif 000013
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006303504.tif 000017
【図１０】
2006303504.tif 000018
【図１１】
2006303504.tif 000019
【図１２Ａ】
2006303504.tif 000020
【図１２Ｂ】
2006303504.tif 000021
【図１２Ｃ】
2006303504.tif 000022
【図１２Ｄ】
2006303504.tif 000023
【図１２Ｅ】
2006303504.tif 000024
【図１２Ｆ】
2006303504.tif 000025
【図１２Ｇ】
2006303504.tif 000026
【図１２Ｈ】
2006303504.tif 000027
【図１２Ｉ】
2006303504.tif 000028
【外国語明細書】
2006303504.tif 000029
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