(57)【要約】【課題】  素子を破損、損傷させることなく、素子と配線基板との導通を確実に得ることができる配線基板と半導体素子の接続方法を提供する。【解決手段】  配線基板１０上に半導体素子であるＴＦＴ１３が実装されてなる配線基板１０と半導体素子の接続方法であって、ＴＦＴ１３の外側に位置する配線基板１０上の配線端子１４と、ＴＦＴ１３の表面側の素子端子６１の双方からＮｉめっきを成長させる成長工程と、Ｎｉめっき上に導電材としてＡｕめっきを析出させて積層させる積層工程とを含むことを特徴とする。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に半導体素子が実装されてなる配線基板と半導体素子の接続方法であって、
前記配線基板上の配線端子と、前記半導体素子の素子端子とに無電解めっきを成長させ、前記無電解めっき上に導電材を積層させることで前記半導体素子と前記配線基板の導通をとることを特徴とする配線基板と半導体素子の接続方法。
【請求項２】
前記積層工程において、前記無電解めっきであるＮｉめっき上に前記導電材となるＡｕめっきを析出させることを特徴とする請求項１に記載の配線基板と半導体素子の接続方法。
【請求項３】
前記積層工程において、前記無電解めっきであるＮｉめっき上に前記導電材としてはんだを積層させることを特徴とする請求項１に記載の配線基板と半導体素子の接続方法。
【請求項４】
前記積層工程において、前記無電解めっきであるＮｉめっきに対して僅かに置換Ａｕめっき処理を行い、その後、前記導電材となるＮｉめっきを析出させることを特徴とする請求項１に記載の配線基板と半導体素子の接続方法。
【請求項５】
第１基板の表面に前記配線基板を製造する工程と、
第２基板の表面に前記半導体素子を、前記素子端子が前記第２基板の表面に面するように形成して素子基板を製造する工程と、
前記第１基板のうち前記配線端子が形成された面と、前記第２基板のうち前記半導体素子が形成された面とをそれぞれ対向させつつ、前記配線端子が基板面内において前記半導体素子の外側に位置するように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせの後に、前記第２基板を前記半導体素子から剥離する工程と、
を具備し、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板と半導体素子の接続方法を使用することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体基板の製造方法によって得られた半導体基板の前記半導体素子の上部に補修用素子を重ね合わせ、この補修用素子の素子端子を前記導電材に接合することを特徴とする半導体基板の補修方法。
【請求項７】
発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板と半導体素子の接続方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する）装置等の電気光学装置として、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）等の半導体素子を基板上に備えた構成を含むものが知られている。このような半導体素子を含む半導体基板の製造に際しては、高温プロセスを必要とする場合が多いため、該半導体素子を基板上に形成して電気光学装置を構成すると、基板の熱変形や周辺の回路素子の破壊、寿命低下を招いてしまい、結果として当該電気光学装置の特性低下を引き起こす惧れがあった。
【０００３】
そこで、近年では、高温プロセスを含む従来の半導体製造技術を用いてＴＦＴ等の半導体素子を耐熱性の基礎基板上に形成した後に、当該基礎基板からＴＦＴが形成されている素子形成膜（層）を剥離し、これを配線基板に貼り付けることによって電気光学装置を製造する転写技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような転写技術を用いることにより、比較的耐熱性の低いプラスチック基板等の上に半導体素子を形成することができ、当該電気光学装置の設計の幅が広がるとともに、周辺の回路素子を高温プロセスに曝すこともなく、結果的に基板の熱変形や回路素子の破壊を抑制し、好適な電気光学装置を提供することが可能となる。
【特許文献１】特開２００３−０３１７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した転写技術において、半導体素子を配線基板に実装するには、配線基板上に形成したバンプ上に導電性粒子を印刷して配置し、さらに硬化性樹脂を介して半導体素子を転写した後に、加熱加圧により配線基板と半導体素子とを接合させている。しかしながら、オープン不良を回避すべく加熱加圧量を高めると、半導体素子が破損、損傷してしまう惧れがあった。
そこで、半導体素子の接続端子が上面を向くように配線基板上に転写する方法が提案されている。この場合の実装方法として、配線基板の接続端子および半導体素子の接続端子の両方から、無電解めっき法によりめっきを成長させ、両者の導通をとる方法が採用されている。
【０００５】
しかしながら、異なる接続端子から成長させためっきの出合部の低層領域では、両めっき間に微小な隙間が形成されるので、両めっきは接合されない。しかも、接続端子の狭ピッチ化に伴って、両めっきの出合部には、横からめっき液が流入にくくなっている。そして、出合部に隙間を保持したまま両めっきが成長すると、接続端子間の導通が得られないか、又は接続信頼性が確保できないという問題が発生する。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、素子と配線基板との導通を確実に得ることができる配線基板と半導体素子の接続方法、半導体基板の製造方法、半導体基板の補修方法さらには電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の配線基板と半導体素子の接続方法は、配線基板上に半導体素子が実装されてなる配線基板と半導体素子の接続方法であって、前記配線基板上の配線端子と、前記半導体素子の素子端子とに無電解めっきを成長させ、前記無電解めっき上に導電材を積層させることで前記半導体素子と前記配線基板の導通をとることを特徴としている。
【０００７】
このようにすれば、配線側及び素子側の双方の端子から成長させた無電解めっきの間に界面やスペースが生じたとしても、積層する導電材によって各端子の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
【０００８】
また、前記積層工程において、前記無電解めっきであるＮｉめっき上に前記導電材となるＡｕめっきを析出させることを特徴としている。
このようにすれば、Ｎｉめっき上に析出させて積層させたＡｕめっきからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
【０００９】
また、前記積層工程において、前記無電解めっきであるＮｉめっき上に前記導電材としてはんだを積層させることを特徴としている。
このようにすれば、Ｎｉめっき上に積層させたはんだからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
【００１０】
また、前記積層工程において、前記無電解めっきであるＮｉめっきに対して僅かに置換Ａｕめっき処理を行い、その後、前記導電材となるＮｉめっきを析出させることを特徴としている。
このようにすれば、Ｎｉめっき上に析出させて積層させたＮｉめっきからなる導電材によって端子同士の確実な導通状態を確保することができる。
【００１１】
また、本発明の半導体基板の製造方法は、第１基板の表面に前記配線基板を製造する工程と、第２基板の表面に前記半導体素子を、前記素子端子が前記第２基板の表面に面するように形成して素子基板を製造する工程と、前記第１基板のうち前記配線端子が形成された面と、前記第２基板のうち前記半導体素子が形成された面とをそれぞれ対向させつつ、前記配線端子が基板面内において前記半導体素子の外側に位置するように、前記配線基板と前記素子基板とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせの後に、前記第２基板を前記半導体素子から剥離する工程と、を具備し、上述した配線基板と半導体素子の接続方法を使用することを特徴としている。
【００１２】
このようにすれば、配線端子が上方（貼り合わせ面側）を向き、且つ素子端子が上方（貼り合わせ面の反対側）を向くように半導体素子を配線基板に転写した後、それぞれ上方を向いた配線端子と素子端子の間で無電解めっき及び導電材により電気的に接続をとるものとしているため、接続のために加熱加圧量を高めて素子を破損、損傷させるような不具合を伴うことなく、導通性を一層高めることが可能となる。また、各端子間の接続部が上方を向いているため、外観、触針式検査方法等による接続状況の確認を容易に行うことができるようになる。さらに、仮に接続不良が生じた場合にも、接続部が上方を向いているため、その修復作業も簡易なものとなる。
【００１３】
また、本発明の半導体基板の補修方法は、上記の半導体基板の製造方法によって得られた半導体基板の前記半導体素子の上部に補修用素子を重ね合わせ、この補修用素子の素子端子を前記導電材に接合することを特徴としている。
このようにすれば、基板上の半導体素子に不具合が生じた場合にも、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、発光素子を駆動するためのスイッチング素子が配線基板に実装されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記スイッチング素子として半導体素子を用い、該半導体素子を前記配線基板に実装する工程として、上記の半導体基板の製造方法を用いることを特徴としている。
このようにすれば、素子特性が良好で非常に信頼性の高い電気光学装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１６】
まず、本発明に係る半導体基板の製造方法を用いて製造された電気光学装置の構成について、図１を参照して説明する。図１は電気光学装置の概略構成を示す断面図であって、電気光学装置１は少なくとも基板接合体２を具備しており、該基板接合体２は半導体基板３と有機ＥＬ基板４とが貼り合わされた構成を具備している。
半導体基板３は、配線基板１０と、配線基板１０に形成された所定形状の配線パターン１１と、配線パターン１１に接続された回路部１２と、有機ＥＬ素子１２４を駆動させるＴＦＴ（半導体素子）１３と、ＴＦＴ１３と配線パターン１１とを電気的に接続させるための配線側の接続端子（ＴＦＴ接続部）１４と、有機ＥＬ素子１２４と配線パターン１１とを接合する有機ＥＬ接続部１５とによって構成されている。なお、接続端子１４は、ＴＦＴ１３の端子パターンに応じて形成されるものである。
【００１７】
有機ＥＬ基板４は、光が透過する透明基板１２０と、光を散乱させる光散乱部１２１と、ＩＴＯ等の透明金属からなる陽極１２２と、正孔注入／輸送層１２３と、有機ＥＬ素子１２４と、陰極（カソード）１２５と、カソードセパレータ１２６とによって構成されている。ここで、陽極１２２と、正孔注入／輸送層１２３と、有機ＥＬ素子１２４と、陰極１２５は、有機ＥＬ素子１２４に対して正孔又は電子を供給して発光させる、いわゆる発光機能素子である。なお、このような発光機能素子の詳細な構造は、公知技術が採用される。また、有機ＥＬ素子１２４と陰極１２５との間に電子注入／輸送層を形成してもよい。
【００１８】
半導体基板３と有機ＥＬ基板４との間には、封止ペースト３０が充填されており、さらに有機ＥＬ接続部１５及び陰極１２５間を電気的に導通させる導電性ペースト３１が設けられている。なお、本実施形態においては、発光素子基板として有機ＥＬ基板を採用した場合について説明するが、これに限定することなく、ＬＥＤ等の固体発光素子を有する発光素子基板を採用してもよい。
【００１９】
次に、図１に示す電気光学装置１の製造方法について説明する。
本実施の形態の電気光学装置１の製造方法は、主に半導体基板３の製造プロセスと、有機ＥＬ基板４の製造プロセスと、これら半導体基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせるプロセスとを有している。以下、各プロセスについて説明するが、本実施の形態は、特に半導体基板３の製造プロセスについて特徴を有するものである。
【００２０】
（１．半導体基板の製造プロセス）
まず、半導体基板３の製造プロセスにおいては、半導体素子の形成方法として、配線基板１０に対して半導体素子たるＴＦＴ１３を転写させる方法を採用している。つまり、接続端子１４を有する配線基板１０に対して、ＴＦＴ１３を有する基板（以下「素子基板」という）を貼り合わせ、該ＴＦＴ１３を配線基板１０側に転写させることで、半導体基板３を得ている。そこで、これら配線基板１０と素子基板２０（図３参照）の製造工程を説明した後に、これら配線基板１０と素子基板２０との貼合せ工程、及びＴＦＴ１３の転写工程等について、順を追って説明する。
【００２１】
図２は、配線基板１０の構成を示す平面図（図２（ａ））及びそのＡ−Ａ’断面図（図２（ｂ））であり、図３は、素子基板２０の構成を示す平面図（図３（ａ））及びそのＢ−Ｂ’断面図（図３（ｂ））である。また、図４〜図５は、各基板１０，２０の貼合せ工程ないしＴＦＴ１３の転写工程を断面にて示す図、図６〜図７は、図４〜図５で示した貼合せ工程ないし転写工程を平面にて示す図である。
【００２２】
（１−１．配線基板の製造工程）
まず、図２に示した配線基板１０の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板（第１基板）１０ａを用意する。ガラス基板１０ａとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板１０ａの表面にＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いて酸化シリコン膜（図示略）を形成した後、該酸化シリコン膜上に配線パターン１１を形成する。
【００２３】
次に、配線パターン１１上に樹脂絶縁膜（図示略）を形成した後、該樹脂絶縁膜の一部を除去することにより開口部を形成し、配線パターン１１の露出部を形成する。そして、開口部を接続端子１４とする。以上の工程により、図２に示した配線基板１０を得ることができる。
なお、接続端子１４は、所定のパターンにて形成するものとし、具体的には図２（ａ）に示すように複数の接続端子（ＴＦＴ接続部）１４が平面視矩形環状の接続部群（端子群）を構成し、該接続部群の内側領域に貼合せ領域１３ａを有する形にて形成されている。
【００２４】
ここでは、接続端子１４は、１チップ（１つのＴＦＴ１３）あたり１０個形成され、その配置は図２に示すように、５×２列の配置とされている。また、接続端子１４の大きさは（５μｍ〜３０μｍ）×（５μｍ〜３０μｍ）とし、接続端子１４，１４間のスペースは、１０〜２５μｍとした。
【００２５】
（１−２．素子基板の製造工程）
次に、図３に示した素子基板２０の製造工程について説明する。
はじめに、ガラス基板（第２基板）２０ａを用意する。ガラス基板２０ａとしては、石英ガラス、ソーダガラス等からなる透光性耐熱基板が好ましい。そして、このガラス基板２０ａの表面にＴＦＴ１３を形成する。ＴＦＴ１３の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略する。なお、ここではＴＦＴ１３の接続端子６１がガラス基板２０ａの直上に位置するように、つまりＴＦＴ１３の接続端子６１がガラス基板２０ａの表面に面するように、該ＴＦＴ１３を公知の高温プロセス技術にて形成するものとしている。
【００２６】
なお、ガラス基板２０ａのＴＦＴ１３が形成された表面には、剥離層４１が形成されている。剥離層４１は、レーザ光等の照射により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなる。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００２７】
剥離層４１の組成としては、ここでは非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層４１に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００２８】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００２９】
剥離層４１の形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気めっき、浸漬めっき（ディッピング）、無電解めっき法等の各種めっき法、ラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００３０】
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００３１】
（１−３．貼り合わせ工程）
以上のような方法により製造した配線基板１０と素子基板２０の貼り合わせを行う。ここでは、まず、図４（ａ）及び図６（ａ）に示したように、配線基板１０のガラス基板１０ａ上であって、複数の接続端子１４にて構成される接続部群の内側領域（貼合せ領域）１３ａに接着剤５１を塗布する。接着剤５１の塗布方法は、例えばディスペンス法、フォトリソグラフィ法、或いはインクジェット装置を用いた液滴吐出法等にて行うことができる。
【００３２】
接着剤５１の塗布部分は、ガラス基板１０ａの接続端子１４が形成された領域を避けた位置であり、後述するＴＦＴ１３を貼り合わせた際に、接着剤５１が該接続端子１４へ流れて濡れ広がらない位置としている。また、接着剤５１の塗布量は、同じく接続端子１４へ流れて濡れ広がらない程度の量としている。
【００３３】
なお、接着剤５１の塗布は、素子基板２０側にも行うことができ、さらには配線基板１０及び素子基板２０の双方に行うものとしても良い。また、接着剤５１の塗布形状は、平面視角形状や円形状の他、点や線を散在させたものであっても良い。接着剤５１としては熱可塑性樹脂のほか、光硬化型樹脂を用いても良く、さらに接着剤５１中にフィラーや粒子を含有させたものを用いても良い。
【００３４】
次に、塗布した接着剤５１を介して、配線基板１０と素子基板２０とを貼り合わせる。
具体的には、図４（ｂ）及び図６（ｂ）に示したように、配線基板１０側のガラス基板１０ａのうち接続端子１４が形成された面と、素子基板２０側のガラス基板２０ａのうち接続端子６１が形成された面とをそれぞれ対向させつつ各基板１０，２０を貼り合わせるものとしている。したがって、ＴＦＴ１３が配線基板１０の表面に当接されることとなる。また、特に接続端子１４が基板面内においてＴＦＴ１３の外側に位置するように、つまり貼合せ領域１３ａ内にＴＦＴ１３が位置するように貼り合わせを行うものとしている。
【００３５】
（１−４．転写工程）
次に、ガラス基板２０ａ側に形成されたＴＦＴ１３をガラス基板１０ａ側（配線基板１０側）に転写するために、ガラス基板２０ａの剥離を行う。具体的には、図４（ｃ）に示すように、ガラス基板２０ａの裏面側（素子基板２０のＴＦＴ１３が形成されていない側の面）から、レーザ光Ｌを照射する。そうすると、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３とガラス基板２０ａとの結合力が完全になくなり、レーザ光Ｌが照射された部分のガラス基板２０ａとＴＦＴ１３との結合（接着）を容易に取り外すことが可能となる。
【００３６】
以上のようなレーザ光照射により、ＴＦＴ１３からガラス基板２０ａを剥離することで、図５（ａ）及び図７（ａ）に示したように、ＴＦＴ１３が配線基板１０に転写される。そして、同図に示したように、配線基板１０の接続端子（ＴＦＴ接続部）１４の表面と、素子基板２０の接続端子６１の表面とが、それぞれ同方向（上方向）を指向する形にて配置されるようになる。
【００３７】
（１−５．めっき成長工程）
以上の転写を行った後、各接続端子１４，６１間の電気的接続を行う。ここでは、無電解めっき処理法を用いて接続するものとしている。まず、各接続端子１４，６１の表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために処理液に浸漬する。本実施形態では、フッ酸が０．０１％〜０．１％、及び硫酸が０．０１％〜０．１％含有した水溶液中に１分〜５分間含浸する。あるいは０．１％〜１０％の水酸化ナトリウム等のアルカリベースの水溶液に１分〜１０分浸漬してもよい。
【００３８】
次に、水酸化ナトリウムベースでｐＨが９〜１３のアルカリ性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬し、表面の酸化膜を除去する。あるいは５％〜３０％硝酸をベースとしたｐＨ１〜３の酸性水溶液を２０℃〜６０℃に加温した中に１秒〜５分間浸漬してもよい。
さらに、ＺｎＯを含有したｐＨ１１〜１３のジンケート液中に１秒〜２分間浸漬し、端子表面をＺｎに置換する。その後、５％〜３０％の硝酸水溶液に１秒〜６０秒浸漬し、Ｚｎを剥離する。そして、再度ジンケート浴中に１秒〜２分浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。その後、無電解Ｎｉめっき浴に浸漬し、Ｎｉめっきを形成する。
めっき高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。めっき浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であり、ｐＨ４〜５、浴温８０℃〜９５℃である。
【００３９】
このような工程においては、次亜リン酸浴を行うので、リン（Ｐ）が共析する。めっき金属は、配線基板１０の接続端子（ＴＦＴ接続部）１４及びＴＦＴ１３の接続端子６１の双方から等方成長するため、双方の接続端子１４，６１にて成長しためっき金属が各端子の高さギャップの半分の厚さまで成長することにより接合する。なお、接続面積を増やすために、接合後もある程度めっきを継続するものとしている。
【００４０】
全ての接続端子１４，６１同士が接続されたら、最後に置換Ａｕめっき浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用い、ｐＨ６〜８、浴温５０℃〜８０℃で、１分〜３０分間の浸漬を行う。このようにして、双方の接続端子１４，６１上にＮｉ−Ａｕめっきバンプを形成する。
【００４１】
以上により、図５（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、双方の接続端子１４，６１は、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２によって互いに電気的に接続され、配線基板１０上に半導体素子たるＴＦＴ１３が実装された半導体基板３を得ることができる。
【００４２】
（１−６．積層工程）
次に、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２の接続の信頼性を高めるべく、Ｎｉ―Ａｕめっきを析出させた上に、さらに、自己触媒型の無電解Ａｕめっきを析出させて積層させる。
ここで、無電解Ａｕめっき処理方法は、置換Ａｕメッキ処理後に無電解Ａｕめっき浴に浸漬し、置換Ａｕめっき処理で０．０５〜０．３μｍ程度形成したＡｕ上に１μｍ程度形成する。無電解Ａｕめっき浴は、シアンフリータイプを用いｐＨ６〜８、浴温４０〜７０℃である。浸漬による処理時間は、３０〜１２０分とする。このようにして、Ｎｉ―Ａｕめっき上にＡｕを１μｍ程度析出させる。
【００４３】
これにより、図５（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、各バンプ７１，７２上に、導電材であるＡｕめっき７３が積層される。
これにより、各接続端子１４，６１に形成されたバンプ７１，７２がＡｕめっき７３によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ７１，７２上に積層した導電材であるＡｕめっき７３によって各接続端子１４，６１の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
【００４４】
（１−７．ＴＦＴの補修工程）
ここで、配線基板１０上に実装したＴＦＴ１３は、強固に固定されていることより、実装後の取り外しは困難である。このため、ＴＦＴ１３からなる半導体素子自体の不良あるいは実装不良により、半導体素子のリペアが必要な場合は、図８及び図９に示すように、不具合を生じたＴＦＴ１３の上方から補修ＴＦＴ１３Ａを、フリップチップボンダなどを用いて下向きにして転写し、この補修ＴＦＴ１３Ａの接続端子６１ａをＡｕめっき７３に接続する。これにより、不具合を生じたＴＦＴ１３を取り外すことなく、補修することができる。なお、不具合を生じたＴＦＴ１３は、レーザを照射するなどして、全ての機能を不能とする。
【００４５】
このように、本実施の形態では、各接続端子１４，６１がそれぞれ上方を向くようにＴＦＴ１３を配線基板１０に転写した後、それぞれ上方を向いた接続端子１４，６１間で無電解めっき及びＡｕめっき７３により電気的に接続をとるものとしているため、外観、触針式検査方法等による接続状況の確認を容易に行うことができるようになる。さらに、仮に接続不良が生じた場合にも、接続部が上方を向いているため、その修復作業も簡易なものとなる。
【００４６】
特に、各接続端子１４，６１に形成されたバンプ７１，７２がＡｕめっき７３によって確実に導通されるので、例え、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ７１，７２上に積層した導電材であるＡｕめっき７３によって各接続端子１４，６１の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
また、半導体素子であるＴＦＴ１３に不具合が生じた場合にも、不具合を生じたＴＦＴ１３の上方から補修ＴＦＴ１３Ａを下向きに転写して接続端子６１ａをＡｕめっき７３に接続することにより、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
【００４７】
（２．有機ＥＬ基板の製造プロセス）
次に、半導体基板３と対向して貼り合わせられる有機ＥＬ基板の製造プロセスについて説明する。ここでは、公知の有機ＥＬ基板の製造方法を採用することができ、具体的には、透明基板１２０上に陽極１２２、カソードセパレータ１２６、正孔注入輸送層１２３、有機ＥＬ素子１２４、陰極１２５をそれぞれ図１に示したように形成することで、有機ＥＬ基板４を得ている。
【００４８】
（３．半導体基板と有機ＥＬ基板の貼合せプロセス）
次に、上記半導体基板３と有機ＥＬ基板４とを貼り合わせて、最終的に図１に示す電気光学装置１を形成する工程について説明する。
まず、半導体基板３上に、導電性材料にて構成される有機ＥＬ接続部１５を形成し、該有機ＥＬ接続部１５上には銀ペーストからなる導電性ペースト３１を形成する。
次に、有機ＥＬ基板４の陰極１２５が、半導体基板３の導電性ペースト３１と当接するように、有機ＥＬ基板４と半導体基板３とを貼り合わせる。なお、貼り合わせに際しては、両基板間の空間に封止ペースト３０を封入し、更に、両基板の周辺を封止剤３２によって封止している。
【００４９】
以上のような各プロセスにより、図１に示した電気光学装置１が完成する。
この電気光学装置１は、有機ＥＬ基板４における半導体基板３側から、順に陰極１２５、有機ＥＬ素子１２４、正孔注入／輸送層１２３、陽極１２２が配置された、陽極１２２側から発光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ装置となる。
【００５０】
次に、上記積層工程の他の例を説明する。
（積層工程の第２実施形態）
第２実施形態では、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２の接続の信頼性を高めるべく、Ｎｉ―Ａｕめっきを析出させた上に、さらに、鉛フリータイプのはんだを積層させる。
ここで、Ｎｉ―Ａｕめっき上へのはんだの積層方法としては、マスクを用いて印刷によってバンプ７１，７２上にはんだを配置するマスキング法、あるいは反転させた配線基板１０をリフロー炉へ送り込むことにより、配線基板１０をはんだにディップし、バンプ７１，７２へ選択的にはんだを付着させるディップ法などがある。
【００５１】
そして、上記の方法により、図１０に示すように、各バンプ７１，７２にはんだ７４を積層させる。
これにより、各接続端子１４，６１に形成されたバンプ７１，７２がはんだ７４によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ７１，７２上に積層した導電材であるはんだ７４によって各接続端子１４，６１の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
【００５２】
そして、上記第２実施形態の場合も、半導体素子であるＴＦＴ１３に不具合が生じた際に、不具合を生じたＴＦＴ１３の上方から補修ＴＦＴ１３Ａを下向きに転写して接続端子６１ａを、はんだ７４に接続することにより、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
【００５３】
（積層工程の第３実施形態）
第３実施形態では、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２の接続の信頼性を高めるべく、Ｎｉ―Ａｕめっきを析出させた上に、さらに、Ｎｉめっきを析出させて積層させる。
なお、この実施形態では、接続端子１４，６１上に無電解めっきによってＮｉめっきからなるバンプ７１，７２を析出させた後の置換Ａｕめっきの処理時間を短くし、不完全にＮｉ―Ａｕめっきを析出させる。これにより、バンプ７１，７２は、その表面にＮｉが残ったポーラスな置換Ａｕめっきが施された状態となる。
【００５４】
そして、この状態にて、バンプ７１，７２上にさらにＮｉめっきを析出させる。このようにすると、不完全な置換Ａｕめっき上においてＮｉめっきの析出が面内にてばらつくことにより、バンプ７１，７２同士の間に界面やスペースが生じたとしても、この接続界面部分にてＮｉめっきによる確実な金属接合が得られる。その後は、Ｎｉめっき上に酸化防止のため、置換Ａｕメッキ処理を行う。
【００５５】
そして、上記の方法により、図１１に示すように、各バンプ７１，７２をＮｉ−Ａｕめっき７５を介して導電材であるＮｉめっき７６が界面なく積層される。
これにより、各接続端子１４，６１に形成されたバンプ７１，７２を覆うＮｉめっき７６によって確実に導通される。
つまり、例え、無電解めっきによって成長したバンプ７１，７２同士の間に界面やスペースが生じたとしても、これらバンプ７１，７２上に積層したＮｉめっき７５によって各接続端子１４，６１の導通を確実に確保し、高い接続信頼性を得ることができる。
【００５６】
そして、上記第３実施形態の場合も、半導体素子であるＴＦＴ１３に不具合が生じた際に、不具合を生じたＴＦＴ１３の上方から補修ＴＦＴ１３Ａを下向きに転写して接続端子６１ａを、置換Ａｕめっき７７が施されたＮｉめっき７６に接続することにより、極めて容易に補修して不具合を解消することができる。
【００５７】
以上、本実施の形態を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば、接続端子１４，６１を構成する材料としては、例えばＡｌ，Ｃｕ等の金属導電材料の他、ＴｉＮ等の窒化膜を用いても良い。
【００５８】
また、各接続端子１４，６１のめっき接続を容易化するために、図１２（ａ）に示すようにＴＦＴ１３の形状を断面テーパ形状に構成するものとしても良い。つまり、配線基板１０側に向けて、裾広がりの形状のＴＦＴ１３とすることで、図１２（ｂ）に示すように、めっき７０が各接続端子１４，６１間の段差を超えて接合し易くなり、一層信頼性の高い電気的接続を実現可能となる。
【００５９】
また、めっきはマッシュルーム型の等方成長であるため、配線基板１０の接続端子１４間ピッチが狭い場合や、接続端子１４と接続端子６１との距離が大きくめっき析出量を多くする必要がある場合は、図１３に示すような絶縁壁９１を形成すると良い。
【００６０】
また、本実施の形態では、矩形状のＴＦＴ（チップ）１３を用いる場合を説明したが、例えば図１４に示すように円形のＴＦＴ（チップ）を用いても良い。この場合も、各接続端子１４，６１を上方に指向させ、無電解めっきにより各接続端子１４，６１の電気的に接続を行うことができる。そして、このような円形のＴＦＴ（チップ）を用いることで、接着剤５１が等方的に広がるようになり、接着剤５１が貼り合わせ面からはみ出る不具合を効果的に抑制することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】半導体基板及び電気光学装置の概略構成を示す断面図。
【図２】半導体基板の概略構成を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図３】素子基板の概略構成を示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図４】本発明の半導体基板の製造工程を断面にて示す説明図。
【図５】本発明の半導体基板の製造工程を断面にて示す説明図。
【図６】本発明の半導体基板の製造工程を平面にて示す説明図。
【図７】本発明の半導体基板の製造工程を平面にて示す説明図。
【図８】本発明の半導体基板の補修工程を断面にて示す説明図。
【図９】本発明の半導体基板の補修工程を平面にて示す説明図。
【図１０】第２実施形態の積層工程を断面にて示す説明図。
【図１１】第３実施形態の積層工程を断面にて示す説明図。
【図１２】半導体素子の構成の変形例を示す断面図。
【図１３】絶縁壁の構成を示す断面図。
【図１４】半導体素子の構成の変形例を示す平面図。
【符号の説明】
【００６２】
３…半導体基板、１０…配線基板、１０ａ…第１基板、１３…ＴＦＴ（半導体素子）、１３Ａ…補修ＴＦＴ（補修用素子）、１４…接続端子（配線端子）、２０ａ…第２基板、６１…接続端子（素子端子）、７１，７２…バンプ（Ｎｉめっき）、７３…Ａｕめっき（導電材）、７４…はんだ（導電材）、７６…Ｎｉめっき（導電材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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