(57)【要約】      （修正有）【課題】極紫外線（ＥＵＶ）光マスク・ブランクにおける欠陥の有無を判定する。【解決手段】マスク・ブランクの層における異常によって散乱又は拡散された入射ＥＵＶ光を測定、正規化、閾値との比較を行うことにより欠陥の存在の有無及びその場所を判定する。正規化は画素についての光強度値を周囲画素から成る１つ以上のリングについての光強度値の平均によって除算することによって行う。欠陥は、画素についての該正規化強度値が画素閾値よりも大きいか否かを考慮して判定する。【選択図】図５
2006080437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１画素についての第１光強度値を検出する工程；及び
該基板の複数の異なった第２画素についての複数第２光強度値を検出する工程；
を有し、
該第２画素が：
内周画素；及び
外周画素；
を有し、
該外周画素が：
該内周画素の外周囲長以上の外周囲長；
を有し、更に、該第１画素が該内周画素の中にあり；
更に：
該第１光強度値を、該複数第２光強度度値の平均によって、除算する工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、該内周画素と該外周画素の一方が：
台形、長方形、正方形、及びリング形、のうちの１つの形状を形成することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、該第１光強度値及び該第２光強度値が：
多層マスク・ブランクからの散乱極紫外線（ＥＵＶ）光反射測定値；と
該多層マスク・ブランクからのＥＵＶ暗視野像検出値；
とのうちの１つであることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、更に、前記基板の複数第１画素について：
第１光強度値を検出するサブ工程；
複数第２光強度値を検出するサブ工程；及び
該複数第１画素各々についての第１光強度値を、相当する複数第２画素各々についての該複数第２光強度値の平均によって、除算するサブ工程；
を繰り返す工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項５】
多層マスク・ブランクを極紫外線（ＥＵＶ）光によって放射する工程；
該多層マスク・ブランクの第１画素ブロックについて判定された少なくとも１つの第１反射ＥＵＶ光強度値を考慮する工程；及び
前記多層マスク・ブランクの第２画素ブロックについて判定された複数第２反射ＥＵＶ光強度値を考慮する工程；
を有し、
該第２画素ブロックが：
該第１画素ブロック；
を含み、該第１画素ブロックよりも多くの画素を有することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、基準が：
該第１反射ＥＵＶ光強度値が第１閾値を充足する場合；と
該複数第２反射ＥＵＶ光強度値が第２閾値を充足する場合；
の一方の場合に、充足されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、該基準の充足が前記多層マスク・ブランクにおける前記第１画素ブロックでの欠陥を示すことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項５記載の方法であって、更に：
前記多層マスク・ブランクの第３画素ブロックについての複数第３反射ＥＵＶ光強度値を考慮する工程；
を有し、
該第３画素ブロックが：
前記第２画素ブロック；
を含み、該第２画素ブロックよりも多くの画素を有することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法であって、基準が：
該少なくとも１つの第１反射ＥＵＶ光強度値が第１閾値を充足する場合；
該複数第２反射ＥＵＶ光強度値が第２閾値を充足する場合：及び
該複数第３反射ＥＵＶ光強度値が第３閾値を充足する場合；
のうちの１つの場合に充足されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、該基準の充足が、前記多層マスク・ブランクにおける前記第１画素ブロック、と、前記多層マスク・ブランクにおける前記第２画素ブロック、の一方での欠陥を示すことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項８記載の方法であって、更に：
該第１反射ＥＵＶ光強度値、第２反射ＥＵＶ光強度値、及び第３反射ＥＵＶ光強度値を測定する工程；
を有し、
該測定が散乱光反射測定値と暗視野像検出値の一方を含み；
更に：
該第１反射ＥＵＶ光強度値、第２反射ＥＵＶ光強度値、及び第３反射ＥＵＶ光強度値を、該第１反射ＥＵＶ光強度値、第２反射ＥＵＶ光強度値、及び第３反射ＥＵＶ光強度値の各々を該ＥＵＶ反射光値各々の周囲の複数画素についての複数反射ＥＵＶ光値の平均によって除算することによって、正規化する工程；
を有することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項８記載の方法であって、該第１画素ブロックの寸法が１画素ブロック分で、該第２画素ブロックの寸法が少なくとも２画素分で、該第３画素ブロックの寸法が少なくとも９画素分であることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項８記載の方法であって、該第１画素ブロックの寸法が１画素分で、該第２画素ブロックの寸法が２×２の画素ブロック分で、該第３画素ブロックの寸法が少なくとも５×５の画素ブロック分であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項６記載の方法であって、更に：
基準が充足されるか否かを判定するサブ工程；
を、前記多層マスク・ブランクの複数第１画素ブロックについて、繰り返す工程；
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
多層パターニング・マスク・ブランクを照射する極紫外線（ＥＵＶ）光の光源；及び
第１周囲及び開口部を有する第１球面ミラー；
を有し、
該第１球面ミラーが該光源によって照射された多層パターニング・マスク・ブランクから受光される散乱光を反射するよう企図されたものであり；
更に：
該第１周囲よりも小さい第２周囲を有する第２球面ミラー；
を有し、
該第２球面ミラーが該第１球面ミラーから受光された該散乱波を、該開口部を通じ、検出器に向けて、反射するよう企図されたものであり；
更に：
前記検出器に結合されて、第１閾値と、該検出器によって受光された画素反射光強度値、とを、前記多層パターニング・マスク・ブランクの第１画素について比較する、第１コンパレータ；及び
前記検出器に結合されて、第２閾値と、該検出器によって受光された画素反射光強度値、とを、前記多層パターニング・マスク・ブランクの画素ブロックについての複数画素ブロック反射光強度値について比較する、第２コンパレータ；
を有し、
前記画素ブロックが：
前記第１画素；
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１６】
請求項１５記載のシステムであって、更に：
該第１球面ミラーの軸に対して２次元で照射される多層パターニング・マスク・ブランクを移動させるマスク・ブランク移動装置；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１７】
請求項１６記載のシステムであって、該検出器が電荷結合素子（ＣＣＤ）カメラを含み；
更に：
該光源からの該ＥＵＶ光を該マスク・ブランクに向けて反射するよう該軸に沿って配置されたミラー；
を有することを特徴とするシステム。
【請求項１８】
請求項１７記載のシステムであって、該第１球面ミラーの軸が該多層パターニング・マスク・ブランクの表面に対して垂直であることを特徴とするシステム。
【請求項１９】
請求項１５記載のシステムであって、該ＥＵＶ光の光源が該多層パターニング・マスク・ブランクの複数層を照射するものであり、該第１球面ミラーが該複数層からの拡散光反射を受光するものであることを特徴とするシステム。
【請求項２０】
請求項１５記載のシステムであって、該極紫外線（ＥＵＶ）光の光源が該多層パターニング・マスク・ブランクを、フォトリソグラフィのプロセス中にウェーハ上に感光材料の一部分を露光するパターニング光、のセントロイド波長の１．００５倍と１．０１０倍との間のセントロイド波長を有するＥＵＶ光によって、照射するものであり、該一部分が該マスク・ブランク上に形成されるパターンに相当することを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、回路パターニングに関し、特に、マスクを用いた、感光材料の基板又はウェーハ上での、パターニングに関する。
【背景技術】
【０００２】
パターニングは一連の工程であり、該工程はウェーハのような、基板上に付加された表層の特定部分を除去させる。パターニングによって素子の表面部分が生成され、該部分は回路を構成する。パターニングを行ううえでの１つの目標としては、ウェーハ表面の内部又は上に、回路設計によって必要とされるまさにその寸法（加工寸法）で該素子又は回路の該部分を生成し、該部分を該ウェーハ表面の上の該部分の適切な位置に配置するというものがある。
【０００３】
一般に、パターニングはフォトリソグラフィ技術によって実現される。例えば、フォトリソグラフィは複数工程から成るパターン転写プロセスであってもよく、該プロセスにおいては、レチクル、フォト・マスク、エッチング・マスク、又は多層マスク上に含まれたパターンがウェーハ又は基板の表面上にフォトリソグラフィによるイメージング工程によって転写され、感光材料（例えば、フォトレジスト）が該ウェーハ上に現像される。回路設計者の１つの目標としては、回路の素子の、該加工寸法（微小寸法）、すなわち最小の、パターニング可能な、加工寸法、を削減するというものがある。パターニングに用いられる光の波長を低減することによって微小寸法を削減するものである。したがって、パターニング波長は２００ナノメートル未満まで低減でき、微小寸法を１００ナノメートル以下に低減するよう極紫外線（ＥＵＶ）光領域に位置し得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般のパターニングにおいては、レチクル又はフォト・マスクのイメージがウェーハ又は基板の表面上に撮像システムによって投影される。ＥＵＶ光放射は、しかしながら、石英又はガラスを透過せず、したがって、一般に、反射光学系を用いて投影される。例えば、感光材料のＥＵＶ光パターニング用レチクル又はフォト・マスクは、多層マスクを含んでもよく、該多層マスク（例えば、パターニング・マスク）は多層反射性材料によって被覆された基板の特定部分上に光吸収材料を形成することによって生成される。（例えば、該光吸収材料を形成する前に、多層反射性材料を有する基板のような）多層反射性材料のみを有する該基板は「マスク・ブランク」と呼び得る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
ＥＵＶ光マスク・ブランクについては欠陥を検査できることが重要であるが、該欠陥は該感光材料の上記撮像又はパターニングにおいて誤りを、該材料上に該マスク・ブランクから形成された該パターニング・マスクによってパターニングされた（例えば、微小加工のような）加工のイメージにおける望ましくない変動を発生させることによるように、発生させ得るものである。特に、該感光材料を露光するのに用いられるＥＵＶ光の波長の理由で、多層マスク・ブランクの表面上の２ナノメートルの高さしかない小さいバンプでも該感光材料の上記撮像又はパターニングにおける誤りを発生させることがあり、したがって、該マスク・ブランクにおける欠陥となり得る。したがって、ＥＵＶ光パターニング・フォト・マスク・ブランクは、（例えば、パターニングにおいて誤りを発生させ得る欠陥のような）「重大な欠陥」を、（例えば、形成される加工の微小寸法を左右するのに十分大きな誤りを発生させない欠陥のような）「偽欠陥」を最小化しながら、検出するよう、製造中、製造後、出荷前、又は出荷後に、検査し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
種々の特性、特徴及び効果が本明細書の以下の詳細説明、添付図面、及び本特許請求の範囲から徹底的に明らかになるものである。
【実施例】
【０００７】
図１は多層マスク・ブランクを検査するシステムの一実施例である。図１は基板１０５を照射する光源１１０を有するシステム１００を表す。光源１１０は、基板１０５に対して入射光ＩＬを、（例えば、球面ミラー又は非球面ミラーのような）光源ミラー１１２を用いて、供給（例えば、反射）し得る。光源１１０からの光は光源ミラー１１２によって基板１０５の表面１１５上か、基板１０５の表面１１５より下か、基板１０５の表面１１５より上に、（例えば、球面ミラー又は非球面ミラーのような）光源ミラー１１２を用いて、集束させ得る。
【０００８】
更に、光源１１０は、光、紫外線（ＵＶ）光、極紫外線（ＥＵＶ）光、又は、基板若しくはウェーハ上に感光材料をパターニングするか、エッチング・マスク・ブランク若しくはパターニング・マスク・ブランクを検査するのに適切な、別の光、の光源のような、照射装置であり得る。したがって、光源１１０は（例えば、ＵＶ光のような）１０ナノメートルから４００ナノメートルまでの範囲の波長を有する光を、２０ナノメートル、５０ナノメートル、１００ナノメートル、１５０ナノメートル、又は１７５ナノメートルの波長を有する光を供給することによるように、供給し得る。特に、光源１１０は入射光ＩＬが、１１ナノメートル、１２ナノメートル、１３ナノメートル、１３．５ナノメートル、１４ナノメートル、１５ナノメートル、又は１６ナノメートルの波長を有することによるような、１０ナノメートルと２００ナノメートルとの間の波長を有するＥＵＶ光であるような光を生成し得る。更に、光源１１０は、入射光ＩＬの波長が、上記のように、該ＥＵＶの１０ナノメートルから２００ナノメートルまでの範囲に収まるような、所望の範囲に収まることを確保するフィルタのような、フィルタを含み得る。
【０００９】
基板１０５は、反射性材料、多層パターニング・マスク、パターニング・マスク、エッチング・マスク、フォトリソグラフィック・マスク、フォト・マスク、又はそれらのマスク・ブランクから成る多層を含む基板又はウェーハであり得る。したがって、光源１１０及び光源ミラー１１２は、基板１０５の、表面１１５又は、表面１１５より下の層、の高さでのバンプ、すなわち、むら、を照射するのに十分であることが企図される。例えば、基板１０５は板すなわち基板であり、該基板はモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とから成る多層反射性材料を該基板上に形成させたものであり、更に、光源１１０は、入射光ＩＬを供給でき、該入射光は該基板上に形成させた該ＭｏとＳｉとから成る層の全てを照射又は透過するのに適切な波長、強度、及び焦点を有する。
【００１０】
したがって、基板１０５は、該基板上にモリブデン（Ｍｏ）又はシリコン（Ｓｉ）から成る多層を層順に交互に繰り返して形成させた基板すなわち板のような、パターニング・マスク・ブランク又はエッチング・マスク・ブランクであってもよく、そこで表面１１５は、該マスク・ブランクが緩衝層及び吸収層を表面１１５上に堆積させる前は、モリブデン（Ｍｏ）又はシリコン（Ｓｉ）から成る上層の表面である。特に、表面１１５は、緩衝層を該表面上に形成させてもよく、吸収層を該緩衝層上に形成させてもよく、パターンを該吸収層においてパターニング、書き込み、又はエッチングさせてもよく、更に、パターンを該緩衝層内に（例えば、パターニング・マスクを形成するよう）書き込ませるかエッチングさせてよい。更に、このプロセスは（パターニング、書き込み、又はエッチングの間でのような）該吸収層の修復を含み得ることがわかるものである。したがって、基板１０５は、ウェーハで、該ウェーハ上に電子半導体素子が、該ウェーハ上に形成されたか重層化された感光材料のＥＵＶパターニングを用いて、形成されるもの、のような、シリコン・ウェーハをパターニング又はエッチングするために形成されるマスクのマスク・ブランクであり得る。
【００１１】
更に、基板１０５が（例えば、１０と６０との間の数の、ＭｏとＳｉとの材料から成る、層を有することによるような）１０から６０までの間の数の層を有し得ることが企図される。例えば、基板１０５は、２０、２５、３０、３５、４０、４５、又は５０の、ＭｏとＳｉとの材料から成る、層を含んでもよく、そこで各層は、ＭｏとＳｉとが交互に繰り返される層状構造のうちのＭｏかＳｉか何れかの材料から成る一層である。更に、該Ｍｏ又はＳｉの各層は、部分的にＥＵＶ光を反射することができる層のような、反射層であり得る。例えば、入射光ＩＬは基板１０５の該多層の全てを（例えば、３５、４０、又は４５の、ＭｏとＳｉとから成る、層を、該層によって完全に吸収及び／又は反射されることないように）透過し得る。
【００１２】
該ＥＵＶ光は光強度を特定の光周波数帯域にわたって（例えば、光強度を、該光の特定すなわち所望の周波数の約２％の大きさの周波数の帯域に及ぶようにすることによるように）分布させ得るので、入射光ＩＬのような、ＥＵＶ光の周波数を、「セントロイド波長」によって表すことが有用である。セントロイド波長は、使用又は放射ＥＵＶ光の強度の、帯域全体での、平均値が位置する波長を表し得る。
【００１３】
実施例によれば、光源１１０はＥＵＶ光を有する入射光ＩＬを生成することができ、該ＥＵＶ光のセントロイド波長は、フォトリソグラフィ・プロセス中にウェーハ上に感光材料の一部をパターニング又は露光するのに用いられる光のセントロイド波長の１．００５倍と１．０１０倍との間にあるものであり、そこで、反射性多層から成る基板１０５上に形成されたパターンに相当する部分は（該反射性多層上に形成された光吸収材料と比較すると）該ウェーハの該感光材料の内部に形成される。例えば、入射光ＩＬは、入射光ＩＬによって検査されるマスク・ブランクから形成されたパターニング・マスクによってパターニングされるウェーハ上に感光材料の一部を露光するのに用いられるパターニング光のセントロイド波長の１．００６、１．００７、１．００８、又は１．００９倍のセントロイド波長を有し得る。
【００１４】
更に、該感光材料を該ウェーハ上に露光するのに用いられる該光は、表面１１５、基板１０５、及び／又は該ウェーハの該感光材料、の上に、表面１１５に対する垂直方向から６度と８度との間の角度で（例えば、図１に表すように、ミラー１２０の軸ＡＸから６度と８度との間の角度であることによるように）入射し得ることを考慮に入れる。例えば、該感光材料を該ウェーハ上で露光するのに用いられる該パターニング光は軸ＡＸから６．５度、７度、又は７．５度の角度で入射し得る。
【００１５】
図１は更に、基板１０５から散乱された、拡散された、又は反射された、暗視野イメージング光のような散乱光ＳＬを表す。特に、散乱光ＳＬは入射光ＩＬによってＭｏとＳｉとの多層の基板１０５を照射することによって発生された、反射光、散乱光、拡散光を含み得る。しかしながら、実施例によれば、散乱光ＳＬは基板１０５からの入射光ＩＬの鏡面反射の一部又は全てを除外し得る。したがって、実施例によれば、入射光ＩＬは（例えば、本明細書及び特許請求の範囲において記載したような基板すなわち板上に形成されたＭｏ又はＳｉの材料から成る層のような）基板１０５の一部である反射性材料から成る層によって完全に反射され得る。特に、入射光ＩＬは、基板１１５の表面１１５を形成する層、更には、（例えば、多層のＭｏとＳｉとの材料で、該材料上にＭｏ又はＳｉから成る表層が形成されるもののような）基板１０５の表面１１５より下の多層材料のうちの１つ以上の層、によって反射、散乱、又は拡散され得る。
【００１６】
更に、実施例によれば、散乱光ＳＬは基板１０５によって反射、散乱、又は拡散された入射光ＩＬの一部又は全てを含み得る。したがって、入射光ＩＬが表面１１５の上又は表面１１５より下でバンプ、すなわち、むら、と衝突する場合、散乱光ＳＬの大きさ、すなわち輝度、は増加し得る一方、鏡面反射の大きさ、すなわち輝度、は減少する。
【００１７】
ミラー１２０は散乱光ＳＬの全て又は一部を集光するのに用い得る。ミラー１２０は（例えば、直径のような）周囲Ｐ１及び開口部ＯＰを有する球面ミラーであり得る。更に、ミラー１２０は散乱光ＳＬをミラー１３０に向けて反射するよう企図し得る。ミラー１３０は更に、周囲Ｐ１よりも小さな（例えば、直径のような）周囲Ｐ２を有する球面ミラーであり得る。ミラー１３０はミラー１２０から受光された該散乱波の一部又は全てを検出器に向けて反射するよう企図し得る。例えば、ミラー１３０は該光を、開口部ＯＰを通じて、検出器１４０に向けて、反射し得る。
【００１８】
実施例によれば、ミラー１２０及びミラー１３０は球の表面積の２０％未満の表面積を含む球形状を有するミラーであり得る。特に、ミラー１２０は０．２の開口数（ＮＡ）を有してもよく、凹型球形状を有し得る。同様に、ミラー１３０は０，１のＮＡを有してもよく、凸型球面反射面を有し得る。
【００１９】
更に、実施例によれば、開口部ＯＰはミラー１３０の周囲Ｐ２以下の直径を有し得る。特に、開口部ＯＰは（例えば、開口部ＯＰの直径のように）ミラー１３０の端部又は周囲Ｐ２で反射された光線のトレースすなわち断面形状よりも大きなものであり得る。ミラー１２０、ミラー１３０、及び開口部ＯＰは「シュバルツシルド光学系」素子の一部であり得る。
【００２０】
検出器１４０はＵＶ光又はＥＵＶ光のような、光を検出する素子であり得る。例えば、検出器１４０はカメラ若しくは、電荷結合素子（ＣＣＤ）のような、電子式イメージ・センシング・アレイ（ＩＳＡ）、又は検出器１４０に向けて反射された散乱光を獲得することができる種々の別の適切な画素撮像技術であり得る。
【００２１】
図１に表したように、光源ミラー１１２はミラー１２０の軸ＡＸに沿って位置合わせ、すなわち配置、し得る。同様に、検出器１４０は軸ＡＸに沿って配向すなわち配置し得る。更に、軸ＡＸは基板１０５の表面１１５に対して垂直に配向し得る。更に、入射光ＩＬの照射の最外側光線と表面１１５との間の角度ＡＮ、すなわち入射光ＩＬの照射と表面１１５との半円錐角、であり得ることを考慮に入れる。一例では、角ＡＮは、８５度と９０度との間で、８６度、８７度、８８度、又は８９度であることによるように、あり得る。
【００２２】
図１は更に、基板１０５に付着された移動装置１６０を表す。移動装置１６０は軸ＡＸに対して３次元で表面１１５を移動させるのに十分な装置であり得る。例えば、図１は表面１１５と平行であり得る２次元の平面を形成する「Ｘ」軸及び「Ｙ」軸を有する軸１７０を表す。したがって、移動装置１６０は、軸ＡＸに対して２次元で、表面１１５を軸１７０から成る「Ｘ」「Ｙ」平面に沿って移動させ得る。特に、移動装置１６０は入射光ＩＬが表面１１５の全て又は一部に入射するように入射光ＩＬに対して基板１０５を移動させ得る。更に、移動装置１６０は光源ミラー１１２、ミラー１２０、及び検出器１４０が上記のように、表面１１５に対して特定の角度で軸ＡＸに沿って（例えば、そこで軸ＡＸが表面１１５に対して垂直方向に配向されるように）配向すなわち配置されるように基板１０５を移動させ得る。
【００２３】
更に、基板１０５に対して上記シュバルツシルド光学系を（例えば、ミラー１１２及び／又はミラー１２０の焦点が表面１１５にくるか、表面１１５より下の所望の深さにくるように）フォーカスするよう、移動装置１６０は基板１０５を、光源ミラー１１２、ミラー１２０、及び検出器１４０が軸ＡＸに沿って（例えば、当該素子が、所望のように１つ以上の該ミラーをフォーカスするよう表面１１５からの適切な距離で軸ＡＸに沿って配置されることによるように）配向すなわち配置されるように軸ＡＸに沿って（例えば、軸ＡＸに対する３次元で）移動させ得る。
【００２４】
実施例によれば、移動装置１６０はサーボ・ステージであってもよく、該サーボ・ステージは、マスク・ブランクを該サーボ・ステージ上に設定させてもよく、コンピュータによって制御され得る。例えば、移動装置１６０はプラットフォームすなわち表面を有してもよく、該表面上には基板１０５が（例えば、物理的制約すなわち接着剤によって着脱自在になるように）配置される、すなわち、付着される。移動装置は更に、１つ以上のサーボを含んでもよく、該サーボはコンピュータによって（例えば、マシン又はソフトウェア・ルーチンによって実行する命令を有する、マシンによってアクセス可能な媒体によるように）、上記のように、３次元で該基板を移動させるよう、制御される。
【００２５】
更に、システム１００、又は該システムの構成部分、は真空状態において存在することができ、例えば、光源１１０によって供給される光、入射光ＩＬ、基板１０５、散乱光ＳＬ、ミラー１２０、ミラー１３０、及び検出器１４０に向けてミラー１３０によって反射された光は本明細書及び特許請求の範囲に記載されたシステム及びプロセスにとって十分なほどのＥＵＶ光の伝搬を可能にするのに十分な真空において存在し得る。したがって、システム１００、基板１０５、（例えば、表面１１５上及び表面１１５より下で形成されたＭｏとＳｉとが交互に繰り返される層のような）基板１０５上の多層反射性材料、及び基板１０５から形成された、（例えば、そこで基板１０５がマスク・ブランクであるような）、パターニング・マスクはＥＵＶ光を透過するのに適切に、設計し、構成し、光学系及び圧力を用いることができることがわかるものである。例えば、当該素子は、レンズすなわちガラスで、該ガラスを通じて該ＥＵＶ光が透過するもの、なしで（例えば、ＥＵＶ光はガラスを透過しないので）企図し、該ＥＵＶ光に真空中のみを伝搬させるよう（例えば、ＥＵＶ光は空気のような大気中で遠くまで伝搬しないので）企図してもよい。
【００２６】
上記のように、入射光ＩＬは漸進的に、該多層の基板１０５を透過でき、該基板によって、反射されることができ、及び／又は、吸収されることができる。例えば、図２は多層マスク・ブランクの断面図である。図２は基板２０５と、基板２０５の上面に形成された第１層Ｌ１、第２層Ｌ２、第３層Ｌ３、第４層Ｌ４、及び第５層Ｌ５とを有する基板１０５を表す。上記のように、基板１０５は１０から６０までの間の数の層を含んでもよく、したがって、層Ｌ１乃至Ｌ５は多層マスク・ブランクの全ての層の一部を表し得ることを企図する。図２に表すように、表面１１５は第５層Ｌ５の表面である。したがって、入射光ＩＬは、基板１０５に入射すると、表面１１５より上に部品バンプ高さＢ１を有する欠陥ＤＥＦ１によって、図２に散乱光ＳＬ１で表すように、散乱又は拡散され得る。同様に、入射光ＩＬがＥＵＶ光である場合、欠陥ＤＥＦ２はＥＵＶ光を、層Ｌ１乃至Ｌ５において変形すなわちバンプを発生させることによって、図２のＳＬ２で表すように、散乱又は拡散させ得る。
【００２７】
したがって、図１のシステム１００は基板の１０５の上記層内で異常やバンプ、又は欠陥を、暗視野撮像光学系を用いて当該欠陥から生じる上記多層における該異常、バンプ、すなわち欠陥、から生じる該散乱光、反射光、又は拡散光を集光することによって、検出することができ得る。システム１００は、２ナノメートル（ｎｍ）と８ナノメートル（ｎｍ）との間の高さ（例えば、図２の欠陥ＤＥＦ２の高さＨ参照）を有し、（図２に表す欠陥ＤＥＦ２の幅Ｗのような）３５ｎｍと９４ｎｍとの間の幅を有する、欠陥を検出することができ得ることを企図する。例えば、上記のような高さ及び幅を有する欠陥は、該マスク・ブランクの該多層の平面性において異常、バンプ、すなわち欠陥を引き起こすことがあり、したがって該層に入射したＥＵＶ光の拡散又は散乱を発生させるものである。該散乱又は拡散光は散乱光ＳＬを、該散乱光強度すなわち光量を測定する、検出器１４０に向けて反射する、ミラー１２０及び１３０によるようなシステム１００によって集光、測定又は検出し得る。そのような欠陥は（基板１０５の該層内の望ましくない材料又は空間の欠陥すなわちバンプのような）表面１１５で、又は表面１１５よりも下でのバンプ又は異常であり得ることがわかるものである。
【００２８】
例えば、図１のシステム１００は６０ｎｍと７０ｎｍとの間の幅を有し、２ｎｍ以上の高さを有する欠陥を、重大な欠陥として検出し得る。したがって、装置１００は、表面１１５で高さが０．４ｎｍと２．３ｎｍとの間のバンプを形成する、６０ｎｍの幅と２ｎｍ以上の高さを有する、表面１１５より下の４０層のうちの層３５乃至４０でのような、近似下位層位で欠陥を検出し得る。同様に、装置１００は、表面１１５で高さ２．３ｎｍのバンプを生成する、表面１１５より下の４０層のうちの層１５でのような、近似中位層位で欠陥を検出し得る。
【００２９】
特に、図２に表すように、システム１００は３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、又は７ｎｍの高さＨを有し、表面１１５にゼロナノメートル以上のバンプ高さＢ２を発生させる欠陥ＤＥＦ２を、基板１０５の層Ｌ１乃至Ｌ５によって反射された散乱光ＳＬ２を、該層が入射光ＩＬ２によって照射された場合に、測定することによって、検出、識別、及び位置決めすることができ得る。同様に、システム１００は表面１１５に２ｎｍ、２．５ｎｍ、３ｎｍ、又は４ｎｍのバンプ高さＢ１を有する欠陥ＤＥＦ１を、基板１０５と欠陥ＤＥＦ１とを入射光ＩＬ１によって照射することから生じる散乱光ＳＬ１を測定することによって、検出、識別、及び位置決めし得る。
【００３０】
図１は更に、検出器１４０に接続された論理１５０を表す。例えば、論理１５０は検出器１４０に結合されて、基板１０５からの、受光され、測定された、反射光、散乱光、又は拡散光が基準を充足するか否かを判定する、論理回路、ゲート、コンピュータ論理ハードウェア、メモリ、コンパレータ、及び／又はレジスタ、を含む。したがって、論理１５０は（図２に関して上記で説明したような多層マスク・ブランクの該多層内での欠陥のような）基板１０５における欠陥を検出、識別、及び位置決めする論理を含み得る。特に、本明細書及び特許請求の範囲において用いられたような欠陥の「検出」は、本明細書及び特許請求の範囲において記載したように、反射光強度値を測定し、該値を複数の画素について正規化することを含み得る。更に、本明細書及び特許請求の範囲において用いられるような欠陥の「識別」は該画素からの反射光の該測定値及び正規化値が、本明細書及び特許請求の範囲において記載したように、欠陥が存在することを示す基準を充足するか否かを判定することを含み得る。次に、本明細書及び特許請求の範囲において用いられるような欠陥の「位置決め」は、本明細書及び特許請求の範囲において記載されたように、該欠陥が存在する、１つ以上の画素での、位置のような、欠陥の位置を判定することを含み得る。
【００３１】
一例では、論理１５０は、画素閾値が基板１０５の第１画素についての検出器１４０によって受光された画素反射光強度値によって充足されるか否か、を判定することができ、そこで基板１０５は多層パターニング・マスク・ブランクである。検出器１４０によって受光された該画素反射光強度値は、図３に関する下記のように、論理１５０が、該閾値が充足されるか否か、を判定する前に、正規化し得ることを考慮に入れる。例えば、論理１５０は中心画素ＣＰでの該正規化散乱光強度が画素閾値よりも大きいか否かを判定することができ、したがって中心画素ＣＰを欠陥のある位置の候補として識別する。
【００３２】
更に、論理１５０は画素ブロック閾値が、多層マスクの画素ブロックの複数画素についての検出器１４０から受光された画素反射光強度値の和によって充足されるか否かを判定することができ、該画素ブロックは上記第１の閾値と比較された上記画素を含む。該画素ブロックの該複数の画素についての検出器１４０によって受光された該画素反射光強度値は各々、図３に関する下記のように、論理１５０が、第２閾値が充足されるか否か、を判定する前に、正規化し得ることを考慮に入れる。例えば、論理１５０は中心画素ＣＰを含む、中心画素ＣＰの周囲の、複数画素によって反射された該散乱光が、正規化され、お互いに加算された場合、画素ブロック閾値を充足するか否かを、該画素ブロックが、（例えば、装置１００、基板１０５、及び上記多層の基板１０５が特定の重大な欠陥の寸法についての欠陥許容値すなわち閾値を充足するのに適切な特定の光量のような）「重大な欠陥」に相当する反射光量のような、臨界光量、を散乱させるか否かを判定するよう、判定し得る。
【００３３】
したがって、システム１００は顕微鏡レベルで図２に表すように（例えば、１．０μｍ未満の寸法を有する画素についてのように）基板１０５の層Ｌ１乃至Ｌ５の平面性すなわち平坦度における異常、バンプ、又は不具合を検出して、基板１０５の、表面の内部若しくは上で、又は（例えば、層Ｌ１乃至Ｌ５のような）層で、誤った材料又は材料のバンプのような、欠陥を、論理１５０が、基板１２０が入射光によって照射された場合に基板１２０の表面及び層から反射された散乱光又は拡散光の暗視野像におけるブライト・スポットを考慮に入れさせることによって、識別し、位置決めし得る。更に、論理１５０が、ハードウェア及び／又は、ディジタル・コードすなわち命令、若しくは論理１５０に関して本明細書並びに特許請求の範囲において記載された当該機能をマシンに実行させる命令を含むマシンによってアクセス可能な媒体のような、ソフトウェア、によって実施し得ることを企図する。
【００３４】
基板１０５の表面１１５は、本明細書及び特許請求の範囲において記載したような、システム１００が検査する、（例えば、下記のような、図３のグリッド３００及び図４のグリッド４００のような）画素のグリッドを包含又は規定し得る。したがって、反射散乱光強度は該グリッドの画素毎に測定してもよく、次に、正規化散乱光値を該グリッドの画素毎に算定してもよく、更に、論理１５０は基準が、該グリッドの該画素の種々の群について、該グリッド内の欠陥を識別するよう、充足されるか否かを判定し得る。
【００３５】
例えば、図３は多層マスク・ブランクの上面透視図である。図３は画素グリッド３００のような、画素の配列、中心画素ＣＰ、及び中心画素ＣＰからの方向ＤＩＲにおける次画素ＮＰを表す。中心画素ＣＰの周囲には、内周画素Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９、Ｔ１０、Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１５、Ｔ１６、Ｔ１７、Ｔ１８、Ｔ１９、Ｔ２０、Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３、及びＴ２４がある。内周画素Ｔ１乃至Ｔ２４の周囲には、外周画素Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６、Ｓ７、Ｓ８、Ｓ９、Ｓ１０、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５、Ｓ１６、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ１９、Ｓ２０、Ｓ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５、Ｓ２６、Ｓ２７、Ｓ２８、Ｓ２９、Ｓ３０、Ｓ３１、及びＳ３２がある。
【００３６】
実施例によれば、画素グリッド３００は基板１０５上の、又は、基板１０５に関連した、画素であり得る。例えば、画素グリッド３００は表面１１５に対して識別すなわちマップ・アウトされた画素であり得る。特に、（例えば、中心画素ＣＰ、次画素ＮＰ、内周画素Ｔ１乃至Ｔ２４各々、及び外周画素Ｓ１乃至Ｓ３２各々のような）画素グリッド３００の当該画素は図１及び２に関する上記の説明のような画素寸法を有する画素であってもよく、本明細書及び特許請求の範囲において記載したような多層パターニング・マスク・ブランクの層を含み得る。したがって、画素グリッド３００の画素は、画素であって、該画素から、散乱光、反射光、又は拡散光の強度の値すなわち測定値が本明細書及び特許請求の範囲において記載したように得られるもの、に相当し得る。例えば、システム１００は入射光ＩＬによって画素グリッド３００の画素を照射でき、その結果、各画素によって反射された散乱光ＳＬを測定し得る。
【００３７】
特に、実施例によれば、システム１００、ミラー１２０並びに１３０、光源１１０及び／又は検出器１４０は２０倍の倍率を有し、１３．５ｎｍの入射光波長を用い、及び／又１３．５μｍの画素寸法を有する検出器ＣＣＤを用いて、画素グリッド３００の画素から散乱光を測定する、シュバルツシルド光学系すなわち暗視野光学系、を含み得る。例えば、システム１００は、０．３μｍと０．８μｍとの間の幅及び長さを有する画素について、散乱光ＳＬのような、散乱光又は拡散光を検出し得る。特に、検出器１４０は１３．５μｍの画素寸法（例えば、検出器１４０で検出する画素寸法）を有してもよく、システム１００の「シュバルツシルド光学系」すなわち暗視野撮像光学系は２０倍の倍率を有してよく、したがってシステム１００において、入射光ＩＬによって画素を十分に照射し、１３．５μｍを２０で除算した大きさの解像度すなわち画素寸法、すなわち０．６７５μｍに等しい画素寸法（例えば、図４の中心画素ＣＰのような、画素の画素寸法）について結果として生じる散乱光ＳＬを測定する、ことができることをもたらす。システム１００は更に、０．３５μｍ、０．４μｍ、０．４５μｍ、０．５μｍ、０．５５μｍ、０．６μｍ、０．６５μｍ、０．７μｍ、０．８μｍの寸法を有する画素から光を検出し得る。
【００３８】
図３によれば、正規化光強度値は（例えば、暗視野撮像光学系及び／又はシステム１００によって測定された散乱反射光値又は拡散反射光値のような）反射光強度値を（例えば、画素ＣＰでの基板１０５の、表面、更には、表面より下の層、からの、入射光ＩＬの、反射を含む反射光強度のように）中心画素ＣＰについて、かつ、少なくとも１つの、別の画素から成る、周囲リングについて、測定することによって、判定し得る。一例では、内周画素Ｔ１乃至Ｔ２４についての反射光強度値も測定される。同様に、外周画素Ｓ１乃至Ｓ３２についての反射光強度値が測定される。更に、中心画素ＣＰについての正規化光強度値は、中心画素ＣＰについて測定された該反射光強度値を、該内周画素Ｔ１乃至Ｔ２４と該外周画素Ｓ１乃至Ｓ２４との両方についての光強度値の平均によって除算したものとして、算定される。すなわち、（中心画素ＣＰについての正規化光強度値）＝（中心画素ＣＰについての光強度値）／（画素Ｔ１乃至Ｔ２４についての光強度値和＋画素Ｓ１乃至Ｓ３２についての光強度和）／５６）となる。
【００３９】
更に、上記の該正規化光強度値を判定する上記計算式の分母は、代わりに、以下：（１）周囲（内周）画素Ｔ１乃至Ｔ２４のみ、（２）外周画素Ｓ１乃至Ｓ３２のみ、又は（３）図３に表したもの以外の１つ以上の、形状の画素又は周囲画素：の平均であり得る。例えば、正規化光強度値を判定する上記式の分母は１つ以上の、台形、長方形、正方形、及びリング形の形状の、中心画素ＣＰの周囲画素であり得る。更に、正規化光強度値を判定する上記計算式は画素グリッド３００における画素毎に行い得る。例えば、上記のプロセス及び計算は次画素ＮＰについて、周囲画素Ｔ１乃至Ｔ２４及び外周画素Ｓ１乃至Ｓ３２を方向ＤＩＲの方向に１画素分移動させ、次画素ＮＰについての正規化光強度値を判定するよう上記のように再計算することによって、繰り返し得る。
【００４０】
更に、実施例によれば、画素グリッド３００の画素で反射されたＥＵＶ光の光強度値を、基準を、欠陥が多層マスク・ブランクにおいて存在するか否かを判定するように、判定するよう考慮に入れ得る。例えば、図４は多層マスク・ブランクの上面透視図である。図４は中心画素と、該中心画素を含む画素ブロックとを有する画素グリッドである。図４は中心画素ＣＰ；中心画素ＣＰを含む４画素から成る第１ブロック；該第１画素ブロックを含む９画素から成る第２ブロック；及び該第２画素ブロックを含む２５画素から成る第３ブロック；を有する画素グリッド４００を表す。例えば、画素グリッド４００の上記画素についての反射光強度値は、システム１００に関する上記のように、入射光ＩＬから生じる散乱光、拡散光、又は反射光の反射ＥＵＶ光強度値によって考慮、測定、又は判定し得る。更に、画素グリッド４００は画素グリッド３００に関する上記のような画素グリッドであり得る。したがって、画素グリッド４００の該画素は基板１０５上又は表面１１５上の画素であり得る。
【００４１】
実施例によれば、欠陥が存在するか否かは、中心画素ＣＰについての反射ＥＵＶ光強度値を考慮することにより、かつ、中心画素ＣＰと（例えば、１つを超える画素から成るブロックのような）別の画素とを含む画素から成るブロックについての光強度値を考慮することにより、判定し得る。画素の反射ＥＵＶ光強度値を考慮することは図３に関する上記のような正規化光強度値を考慮することを含むことを企図する。したがって、画素グリッド４００の中心画素ＣＰでの欠陥を識別することは、中心画素ＣＰの該正規化光強度値が中心画素ＣＰを欠陥のある位置の候補となる資格を与えるか否かを考慮することにより、かつ、（例えば、少なくとも２画素を有し、中心画素ＣＰを含む、ブロックのような）画素ブロックの該正規化光強度値が、重大な欠陥を示すのに十分な光を散乱又は拡散させるような該画素ブロックの該正規化光値の強度の重大度を確認するか否かを考慮することによって、行い得る。
【００４２】
実施例によれば、該強度の該重大度を確認する該画素ブロックは２画素から成るブロック、３画素から成るブロック、４画素から成るブロック、９画素から成るブロック、１０画素から成るブロック、２５画素から成るブロック、又は３６画素から成るブロックであり得る。特に、図４に表すように、例えば、当該画素ブロックは中心画素ＣＰ及び画素ＰＢ１を含み得る。又、該画素ブロックは中心画素ＣＰ、画素ＰＢ１、画素ＰＢ２、及び画素ＰＢ３を含み得る。更に、該画素ブロックは画素ＰＢ１乃至ＰＢ３、画素ＰＣ１、画素ＰＣ２、画素ＰＣ３、画素ＰＣ４、及び画素ＰＣ５を（例えば、中心画素ＣＰのあるなしに関係ないように）含み得る。その上、該画素ブロックは画素ＰＤ１、画素ＰＤ２、画素ＰＤ３、画素ＰＤ４、画素ＰＤ５、画素ＰＤ６、画素ＰＤ７、画素ＰＤ８、画素ＰＤ９、画素ＰＤ１０、画素ＰＤ１１、画素ＰＤ１２、画素ＰＤ１３、画素ＰＤ１４、画素ＰＤ１５、並びに画素ＰＤ１６を、画素ＰＢ１乃至ＰＢ３、画素ＰＣ１乃至ＰＣ５、及び／又は中心画素ＣＰのあるなしに関係なく、含み得る。
【００４３】
したがって、一実施例では、中心画素ＣＰでの当該正規化散乱光反射又は正規化拡散光反射が第一閾値を充足するか否か、及び、当該画素ブロックについての当該正規化散乱光反射又は正規化拡散光反射が第２閾値を充足するか否かを、欠陥が中心画素ＣＰ又は該画素ブロックの位置に存在するか、を識別するために、判定し得る。閾値が充足されるか否かを判定することは、光強度が閾値よりも大きいか、閾値以上であるかを判定することを含み得ることがわかるものである。
【００４４】
図５は多層マスク・ブランクにおける欠陥を位置決めする処理の流れ図である。ブロック５１０では、基板がＥＵＶ光によって放射される。例えば、ブロック５１０は入射光ＩＬによって基板１０５を放射すなわち照射することに関する上記の記載に相当し得る。更に、ブロック５１０は基板１０５の画素グリッド２００及び／又は画素グリッド３００を放射すなわち照射することについての記載に相当し得る。更に、ブロック５１０は本明細書及び特許請求の範囲において記載されたような多層パターニング又はエッチング・マスク・ブランクの表面及び、表面より下の層、を照射することに相当し得る。
【００４５】
ブロック５２０では、第１画素ブロックについての光強度が測定される。ブロック５２０は図４に関する上記のような中心画素ＣＰ、又は画素ブロックについての散乱光又は拡散光を測定することに相当し得る。例えば、ブロック５２０は、図４に関する上記のような、第１画素ブロックによって反射されたような、入射光ＩＬの、反射光の測定、反射光の検出、暗視野像の検出、散乱光反射の測定、又は拡散光反射の測定を含み得る。
【００４６】
ブロック５３０では、第２画素ブロックについての光強度値が測定される。例えば、第２画素ブロックは、図４に関する上記のようなもので、第１画素ブロックを含み、第２画素ブロックが第１画素ブロックよりも大きいような、画素ブロックに相当し得る。ブロック５３０はブロック５２０に関する上記のようなものではあるが、図４に関する上記のような、第２画素ブロックについての、光強度値の測定に相当し得る。
【００４７】
ブロック５４０では、第３画素ブロックについての光強度値が測定される。ブロック５４０は図４に関する上記のような、画素ブロックについての光強度値の測定に相当し得、そこで該第３画素ブロックは該第２画素ブロックを含み、かつ、該第２画素ブロックよりも大きなものである。ブロック５４０での光強度値の測定はブロック５２０に関する上記のようなものではあるが、図４に関する上記のような、第３画素ブロックについての、光強度値の測定に相当し得る。
【００４８】
ブロック５５０では、ブロック５２０、５３０、及び５４０で測定された当該光強度値が正規化される。例えば、該第１画素ブロック、第２画素ブロック、及び第３画素ブロックの画素毎に測定された当該光強度は該第１画素ブロック、第２画素ブロック、及び第３画素ブロックの該画素各々の周囲の複数画素についての複数ＵＶ光反射測定値の平均によって除算し得る。更に、ブロック５５０の該正規化は図３に関する上記のような光強度値の正規化に関する上記の記載に相当し得る。
【００４９】
判定ブロック５６０では、該正規化第１画素ブロック値が第１閾値Ｔｈ１を充足するか該第１閾値よりも大きいかを判定する。例えば、ブロック５６０では、（例えば、中心画素ＣＰのもののような）図４に関して記載したような第１画素ブロックの当該正規化反射光強度値が第１閾値Ｔｈ１よりも大きいか否かを判定し得る。ブロック５６０で該正規化第１画素ブロック値が第１閾値Ｔｈ１よりも大きくない場合、当該処理はブロック５７０に続く。
【００５０】
ブロック５７０では、該第２画素ブロックの該正規化画素ブロック値が第２閾値Ｔｈ２より大きいか否かを判定する。例えば、ブロック５７０では、（例えば、中心画素ＣＰに画素ＰＢ１乃至ＰＢ３を加えたものについてのような）図４に関して記載したような第２画素ブロックについての当該正規化反射光強度値が第２閾値Ｔｈ２よりも大きいか否かを判定し得る。ブロック５７０で、画素ブロック値が該第２閾値よりも大きくない場合、当該処理はブロック５９０に続く。
【００５１】
ブロック５６０で、当該画素ブロック値が該第１閾値よりも大きいか、ブロック５７０で該第２画素値の和が該第２閾値よりも大きい場合、当該処理は判定ブロック５８０に続く。判定ブロック５８０では、当該正規化第３画素ブロック値が第３閾値Ｔｈ３よりも大きいか否かが判定される。例えば、ブロック５８０では（例えば、中心画素ＣＰに、画素ＰＢ１乃至ＰＢ３を加え、更に、画素ＰＣ１乃至ＰＣ５を加えたものについてのような）図４に関して記載したような第３画素ブロックについての当該反射光強度値の和が第３閾値Ｔｈ３よりも大きいか否かを判定し得る。更に、ブロック５８０で、画素ＰＤ１乃至ＰＤ１６、画素ＰＢ１乃至ＰＢ３、画素ＰＣ１乃至ＰＣ３、及び中心画素ＣＰについての当該反射光強度値が第３閾値よりも大きいか否かを判定し得ることを考慮に入れる。
【００５２】
ブロック５８０で該正規化第３画素ブロック値の和が第３閾値Ｔｈ３よりも大きくない場合、当該処理はブロック５９０に続く。
【００５３】
ブロック５９０では、当該基準が充足されないことを判定する。例えば、ブロック５９０では、欠陥が中心画素ＣＰ、該第２画素ブロック、又は該第３画素ブロックでは存在しないことを判定し得る。したがって、図５によれば、該基準は、該第２画素ブロックか第３画素ブロックかの何れかが、第２又は第３閾値を、各々、充足することができない場合、充足し得ない。すなわち、判定ブロック５６０及び５７０は欠陥のある位置の候補を識別するのに用い得る一方、ブロック５８０は散乱光強度の重大度があるか否かを、中心画素ＣＰの周囲の９から２５までの間の数の画素内の強度の和を、欠陥によって散乱されたＥＵＶ光は、該欠陥が当該マスク・ブランクの当該多層内に焦点曲面のある大型フィールドを発生させるために、広域においてイメージングし得るために、確かめることによって、確認するのに用い得る。
【００５４】
判定ブロック５８０で該正規化第３画素ブロック値の和が該第３閾値よりも大きい場合、当該処理はブロック５８５に続く。ブロック５８５では、当該基準が充足されることを判定する。例えば、ブロック５８５では、欠陥が中心画素ＣＰ、該第１画素ブロック、該第２画素ブロック、又は該第３画素ブロックに存在することを判定し得る。更に、ブロック５８５で、上記のような、該欠陥の位置を（例えば、該欠陥に相当する当該画素又は画素ブロックの位置又は識別値をメモリ又はレジスタ内に格納するように）格納し得る。
【００５５】
ブロック５８５又はブロック５９０の後で、処理５００は中心画素ＣＰの位置を画素グリッドの次画素まで移動させ、該画素グリッドを検査して欠陥が該次画素の位置に、又は該位置付近に存在するか否かを判定する。例えば、ブロック５８５又はブロック５９０の後に、処理５００は（例えば、方向ＤＩＲに１画素分、対象の画素位置全てを移動させることによるように）図３に関する上記のように、続いて、次画素ＮＰを検査してもよく、更に、図４、５に関する上記のように、新たな、第１画素ブロック、第２画素ブロック、及び第３画素ブロックを考慮する。
【００５６】
更に、ブロック５６０は以下：
【数１】
2006080437.tif 000003
の式に相当してもよく、該式においてＡｍ，ｎは画素グリッドの（例えば、図１に表すように、ｍが軸１７０のＸ方向での位置に相当し、ｎが軸１７０のＹ軸に対する位置に相当するような）位置（ｍ，ｎ）に位置する画素で検出された正規化反射光強度値であり、Ｔｈ１は該第１閾値を表す。
【００５７】
同様に、ブロック５７０は以下：
【数２】
2006080437.tif 000004
の式に相当してもよく、該式においてＡｍ＋ｉ，ｎ＋ｊは式Ａに関する上記のように、画素Ａｍ，ｎに隣接し、該画素を含む画素での正規化反射光強度値を表し、Ｔｈ２は該第２閾値を表す。したがって、式Ｂは画素ブロックについての正規化反射光強度値の和を表し得る。
【００５８】
次に、ブロック５８０は以下：
【数３】
2006080437.tif 000005
の式に相当してもよく、Ａｍ＋ｉ，ｎ＋ｊは式Ａに関する上記のように、画素Ａｍ，ｎに隣接するか、該画素の周りで周囲を形成する画素についての正規化反射光強度値を表し、Ｔｈ３は第３閾値を表す。したがって、式Ｃは式Ｂで加算された上記画素ブロックを含む、及び／又は画素Ａｍ，ｎを含む、式Ｂで加算された上記画素ブロックよりも大きな画素ブロックについての正規化画素反射光強度値の和を表し得る。
【００５９】
本明細書の上記においては、特定の実施例を記載している。しかしながら、種々の修正及び変更を該実施例に対して、本特許請求の範囲において示したような実施例の当該広範な精神及び範囲から逸脱することなく、行い得る。本明細書及び図面は、したがって、限定的な意味においてよりも、例示的な意味において、考慮されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】多層マスク・ブランクを検査するシステムの一実施例である。
【図２】多層マスク・ブランクの断面図である。
【図３】多層マスク・ブランクの上面透視図である。
【図４】多層マスク・ブランクの別の上面透視図である。
【図５】多層マスク・ブランクにおける欠陥を位置決めする処理の流れ図である。
【符号の説明】
【００６１】
１００  システム
１０５  基板
１１０  光源
１１２  光源ミラー
１１５  表面
１２０  ミラー
１３０  ミラー
１４０  検出器
１５０  論理
１６０  移動装置
１７０  軸
２０５  基板
３００  画素グリッド
４００  画素グリッド
５００  処理
５１０  ブロック
５２０  ブロック
５３０  ブロック
５４０  ブロック
５５０  ブロック
５６０  判定ブロック
５７０  ブロック
５８０  ブロック
５８５  ブロック
５９０  ブロック
Ｐ１  周囲
Ｐ２  周囲
ＯＰ  開口部
ＳＬ  散乱光
ＩＬ  入射光
ＡＮ  角
ＡＮＧ  角
ＡＸ  軸
Ｘ  方向
Ｙ  方向
Ｈ  高さ
ＤＥＦ１  欠陥
ＤＥＦ２  欠陥
Ｂ１  バンプ高さ
Ｂ２  バンプ高さ
Ｗ  幅
ＳＬ１  散乱光
ＳＬ２  散乱光
ＩＬ１  入射光
ＩＬ２  入射光
Ｌ１  第１層
Ｌ２  第２層
Ｌ３  第３層
Ｌ４  第４層
Ｌ５  第５層
Ｔ１乃至Ｔ２４  内周画素
Ｓ１乃至Ｓ３２  外周画素
ＤＩＲ  方向
ＣＰ  中心画素
ＮＰ  次画素
ＰＢ１乃至ＰＢ３  画素
ＰＣ１乃至ＰＣ５  画素
ＰＤ１乃至ＰＤ１６  画素
【図１】
2006080437.tif 000006
【図２】
2006080437.tif 000007
【図３】
2006080437.tif 000008
【図４】
2006080437.tif 000009
【図５】
2006080437.tif 000010