(57)【要約】【課題】  電子部品とマザー基板１との熱膨張率の違いによる接合位置ズレを抑えつつ、全ての電子部品を透過レーザー接合方式で接合することによる実装効率の低下を回避し、且つ、電極パッド３と接合用電極２００ａとの接合不良を抑えることができる電子部品実装方法を提供する。【解決手段】  マザー基板１として、第１接合層が図示しない複数の電極パッド３における一部の表面に形成され、且つ、その第１接合層よりも高い融点の導電性材料からなる第２接合層７が他の電極パッド３の表面に形成されたものを用い、第１接合層の上に図示しない電子部品を載置したマザー基板１を第２接合層７の融点よりも低い温度に保たれるリフロー炉に投入して第１接合層だけを溶融せしめて、上記一部の電極パッド３と電子部品とを接合するリフロー接合工程を実施してから、第２接合層７の上に新たな電子部品２００を載置して、第２接合層７をレーザー照射によって溶融せしめる。【選択図】  図１７
2006303357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光透過性の材料からなる基板と、これのおもて面に形成された電極である複数の基板電極とを有する配線基板の上に、それら複数の基板電極の何れかに接合するための接合用電極を複数有する電子部品を、互いの対応する電極同士が導電性接合材を介して重なるように載置した後、該配線基板の裏面側からレーザー光を照射して、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させた該レーザー光を該基板電極の裏面に当てることにより、該基板電極とこれに対応する接合用電極との間に介在する導電性接合材を溶融せしめて両電極を接合する透過レーザー接合工程を実施して、該配線基板上に該電子部品を実装する電子部品実装方法において、
上記配線基板における複数の上記基板電極のうち、一部の基板電極の表面に導電性接合材を含有する接合層を形成した後、該接合層の上に電子部品を載置した該配線基板をリフロー炉に投入して該接合層を溶融せしめることで、該一部の基板電極と該電子部品とを接合するリフロー接合工程と、
該リフロー接合工程の後に、該配線基板の複数の上記基板電極のうち、電子部品が接合されていない基板電極の表面に導電性接合材を含有する接合層を形成するリフロー後接合層形成工程と
を上記透過レーザー接合工程に先立って実施してから、
該透過レーザー接合工程にて、該リフロー後接合層形成工程で形成された接合層の上に新たな電子部品を載置して、該基板電極と新たな該電子部品の上記接合用電極とを接合することを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項２】
レーザー光透過性の材料からなる基板と、これのおもて面に形成された電極である複数の基板電極とを有する配線基板の上に、それら複数の基板電極の何れかに接合するための接合用電極を複数有する電子部品を、互いの対応する電極同士が導電性接合材を介して重なるように載置した後、該配線基板の裏面側からレーザー光を照射して、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させた該レーザー光を該基板電極の裏面に当てることにより、該基板電極とこれに対応する接合用電極との間に介在する導電性接合材を溶融せしめて両電極を接合する透過レーザー接合工程を実施して、該配線基板上に該電子部品を実装する電子部品実装方法において、
上記配線基板における複数の上記基板電極のうち、一部の基板電極の表面に導電性接合材を含有する接合層を形成した後、該接合層の上に電子部品を載置した該配線基板をリフロー炉に投入して該接合層を溶融せしめることで、該一部の基板電極と該電子部品とを接合するリフロー接合工程を実施した後、
該配線基板の複数の上記基板電極のうち、電子部品が接合されていない基板電極の上に、上記接合用電極の表面に導電性接合材を含有する接合層が形成された新たな電子部品を載置してから、上記透過レーザー接合工程にて、その新たな電子部品が載置された基板電極と、該電子部品の接合用電極とを接合することを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項３】
レーザー光透過性の材料からなる基板と、これのおもて面に形成された電極である複数の基板電極とを有する配線基板の上に、それら複数の基板電極の何れかに接合するための接合用電極を複数有する電子部品を、互いの対応する電極同士が導電性接合材を介して重なるように載置した後、該配線基板の裏面側からレーザー光を照射して、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させた該レーザー光を該基板電極の裏面に当てることにより、該基板電極とこれに対応する接合用電極との間に介在する導電性接合材を溶融せしめて両電極を接合する透過レーザー接合工程を実施して、配線基板上に電子部品を実装する電子部品実装方法において、
上記配線基板として、導電性材料を含有する第１接合層が複数の上記基板電極における一部の表面に形成され、且つ、該第１接合層の導電性材料よりも高い融点の導電性材料からなる第２接合層が他の基板電極の表面に形成されたものを用い、
該第１接合層の上に電子部品を載置した該配線基板を該第２接合層の融点よりも低い温度に保たれるリフロー炉に投入して該第１接合層だけを溶融せしめて、該一部の基板電極と該電子部品とを接合するリフロー接合工程を、上記透過レーザー接合工程に先立って実施してから、該透過レーザー接合工程にて、該第２接合層の上に新たな電子部品を載置して、該第２接合層が形成された基板電極と、新たな該電子部品とを接合することを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項４】
請求項１、２又は３の電子部品実装方法において、
上記透過レーザー接合工程にて、レーザー光遮光部材にレーザー通過用の開口が形成されたアパーチャーマスクに上記レーザー光を通すことで、上記基板電極に対してその平面よりも小さなスポット径にした該レーザー光を当てることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項５】
請求項４の電子部品実装方法において、
上記アパーチャーマスクとして、上記開口が複数形成されたものを用いることを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項６】
請求項５の電子部品実装方法において、
上記アパーチャーマスクとして、互いに開口パターンの異なる複数のものを用意しておき、使用する該アパーチャーマスクを切り換えながら、上記透過レーザー接合工程を行うことを特徴とする電子部品実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップ、チップコンデンサ、圧電素子等の電子部品を配線基板上に実装して電子回路基板を得るための電子部品実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品には、配線基板の電極に接合するための接合用電極として、パッケージ周囲にガルウイング状に広がるリード端子を備えるものが知られている。例えばＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋ）などである。この種の電子部品において、パッケージ周囲に広がるリード端子の強度をある程度維持しながらリード端子数（Ｉ／Ｏ数）を増加させるためには、パッケージサイズを大型化せざるを得ない。
【０００３】
そこで、近年においては、複数の接合用電極をパッケージ下面にアレイ状に配設した下面電極方式の電子部品が主流になりつつなる。例えば、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などである。これらの電子部品では、扁平な接合用電極をパッケージ下面にアレイ状に配設することにより、パッケージを大型化することなく、Ｉ／Ｏ数を増加させることができる。
【０００４】
このような下面電極方式の電子部品については、はんだペーストを用いて配線基板上に実装するのが一般的である。具体的には、まず、印刷マスクを用いた印刷法により、配線基板の配線パターン内における複数の基板電極上にそれぞれはんだペーストを印刷する。次いで、電子部品を、配線基板上に印刷されたはんだペースト上に載置する。そして、リフロー工程にて、配線基板を電子部品とともにリフロー炉に入れて加熱して、はんだペースト内の導電性接合材たるはんだ粒を溶融させる。この後、溶融はんだを冷却によって固化させることで、配線基板の基板電極と電子部品の接合用電極とを接合する。なお、以下、リフローによって基板電極と接合用電極とを接合する工程をリフロー接合工程という。
【０００５】
かかるリフロー接合工程では、電子部品の材質と配線基板の材質とで熱膨張率が異なると、加熱時の膨張量の違いによって互いの電極の相対位置がずれて、接合位置ズレを引き起こしてしまうおそれがある。電子機器の小型化に伴って、より微細ピッチな接合が求められていく傾向にある近年においては、僅かな熱膨張率の違いが大きな接合位置ズレとなって現れるようになっていくと予想される。
【０００６】
一方、従来より、レーザー光透過性の材料からなる基板に対してその裏面側からレーザー光を照射して、はんだ付けを行う電子部品実装方法が知られている（例えば特許文献１に記載のもの）。この電子部品実装方法では、レーザー光透過性の基板を透過したレーザー光を、基板のおもて面に形成された基板電極に当てることで、その基板電極を発熱せしめる。そして、これにより、基板電極と、下面電極方式の電子部品における接合用電極との間に介在するはんだを溶融せしめて、両電極を接合する。
【０００７】
かかる電子部品実装方法によれば、電子部品や配線基板をそれぞれ全体的に加熱するのではなく、それぞれの電極やその周囲だけを局所的に加熱することで、互いの熱膨張率の違いによる接合位置ズレを抑えることが可能である。なお、以下、特許文献１に記載の電子部品実装方法のように、レーザー光透過性の基板を透過させたレーザー光によって基板電極と接合用電極とを接合する工程を、透過レーザー接合工程という。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２６０８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、このような透過レーザー接合工程では、配線基板上で互いに比較的離れた位置関係で実装される電子部品に対しては、それぞれレーザー照射を別々に行って基板電極と順次接合してく必要がある。このため、全ての電子部品を一度に接合することができるリフロー接合工程に比べて、実装に手間を要してしまう。
【００１０】
そこで、本発明者らは、次のような電子部品実装方法を試験的に実施してみた。即ち、まず、配線基板上に電子部品を接合するためのはんだペーストパターンを、印刷マスクによって印刷する。そして、配線基板に実装する全ての電子部品のうち、大半のものを、リフロー接合工程で配線基板の基板電極に一度に接合する。これらの電子部品は、接合用電極やその配列ピッチが比較的大きかったり、配線基板との熱膨張率の差が比較的低かったりするなどの理由により、リフロー炉で全体を加熱しても接合位置ズレを引き起こし難いものである。リフロー接合工程を実施したら、次に、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品を、透過レーザー接合工程によって配線基板の基板電極に接合する。このような電子部品実装方法では、配線基板に実装する全ての電子部品のうち、接合位置ズレを引き起こし難いものについては、リフロー接合工程で一度に接合する。これにより、全ての電子部品を透過レーザー接合工程で接合することによる実装効率の低下を回避する。また、接合位置ズレを引き起こし易いものについては、透過レーザー接合工程により、電子部品や配線基板における電極やその周囲の箇所だけを局所的に加熱しながら互いの電極を接合する。これにより、電子部品と配線基板との熱膨張率の違いによる接合位置ズレを抑えることができる。
【００１１】
ところが、この電子部品実装方法では、次に説明するような新たな問題が発生してしまった。即ち、リフロー接合工程においては、配線基板上に印刷したはんだペーストパターン内における全てのはんだを溶融させることになる。溶融したはんだの殆どは、既に配線基板上に載置されている接合位置ズレを引き起こし難い電子部品の接合用電極と、配線基板の基板電極との間に介在している。そして、両電極にそれぞれ密着しながら固化することで、両電極を良好に接合する。しかし、一部のはんだは、後に実施される透過レーザー接合方式の工程において電極を接合するためのものであり、基板電極上にはあるものの、その上には未だ電子部品が載置されていない。この状態で溶融したはんだは、基板電極上で濡れ広がった後、山形の形状の固化はんだとなる。電子部品が未だ載置されていない複数の基板電極上でそれぞれ形成された山形の固化はんだは、固化前に基板電極の表面積や印刷時のペースト厚などに応じた厚みで濡れ広がっているため、互いに異なった厚みで固化している。すると、後に実施される透過レーザー接合工程において、それらの固化はんだの上に載置される電子部品が、全ての固化はんだのうち、厚みの大きな固化はんだの間だけを橋渡しする格好になる。そして、厚みの大きな固化はんだにだけ電子部品の接合用電極が接触し、厚みの小さな固化はんだには電子部品の接合用電極が接触しない状態となる。本発明者らの行った試験では、このような状態で透過レーザー接合工程を実施したため、厚みの小さな固化はんだと、接合用電極との接合不良を引き起こしてしまった。
【００１２】
なお、これまで、基板電極上にはんだペーストを印刷する実装方法における問題について説明したが、次のような実装方法においても、同様の問題が生じ得る。即ち、基板電極上にはんだペーストを印刷する代わりに、配線基板として、基板電極の表面に金属メッキによる接合層が形成されたものを用いる実装方法である。かかる実装方法においては、たとえ各基板電極上の接合層が互いに均一な厚みであったとしても、リフロー炉で溶融した接合層の導電性接合材は表面張力によって山形になる。そして、その山形の頂点の高さが、個々の基板電極の平面積に応じて互いに異なってしまうからである。
【００１３】
本発明は、以上の背景に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、次のような電子部品実装方法を提供することである。即ち、電子部品と配線基板との熱膨張率の違いによる接合位置ズレを抑えつつ、全ての電子部品を透過レーザー接合方式で接合することによる実装効率の低下を回避し、且つ、基板電極と接合用電極との接合不良を抑えることができる電子部品実装方法である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、レーザー光透過性の材料からなる基板と、これのおもて面に形成された電極である複数の基板電極とを有する配線基板の上に、それら複数の基板電極の何れかに接合するための接合用電極を複数有する電子部品を、互いの対応する電極同士が導電性接合材を介して重なるように載置した後、該配線基板の裏面側からレーザー光を照射して、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させた該レーザー光を該基板電極の裏面に当てることにより、該基板電極とこれに対応する接合用電極との間に介在する導電性接合材を溶融せしめて両電極を接合する透過レーザー接合工程を実施して、該配線基板上に該電子部品を実装する電子部品実装方法において、上記配線基板における複数の上記基板電極のうち、一部の基板電極の表面に導電性接合材を含有する接合層を形成した後、該接合層の上に電子部品を載置した該配線基板をリフロー炉に投入して該接合層を溶融せしめることで、該一部の基板電極と該電子部品とを接合するリフロー接合工程と、該リフロー接合工程の後に、該配線基板の複数の上記基板電極のうち、電子部品が接合されていない基板電極の表面に導電性接合材を含有する接合層を形成するリフロー後接合層形成工程とを上記透過レーザー接合工程に先立って実施してから、該透過レーザー接合工程にて、該リフロー後接合層形成工程で形成された接合層の上に新たな電子部品を載置して、該基板電極と新たな該電子部品の上記接合用電極とを接合することを特徴とするものである。
また、請求項２の発明は、レーザー光透過性の材料からなる基板と、これのおもて面に形成された電極である複数の基板電極とを有する配線基板の上に、それら複数の基板電極の何れかに接合するための接合用電極を複数有する電子部品を、互いの対応する電極同士が導電性接合材を介して重なるように載置した後、該配線基板の裏面側からレーザー光を照射して、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させた該レーザー光を該基板電極の裏面に当てることにより、該基板電極とこれに対応する接合用電極との間に介在する導電性接合材を溶融せしめて両電極を接合する透過レーザー接合工程を実施して、該配線基板上に該電子部品を実装する電子部品実装方法において、上記配線基板における複数の上記基板電極のうち、一部の基板電極の表面に導電性接合材を含有する接合層を形成した後、該接合層の上に電子部品を載置した該配線基板をリフロー炉に投入して該接合層を溶融せしめることで、該一部の基板電極と該電子部品とを接合するリフロー接合工程を実施した後、該配線基板の複数の上記基板電極のうち、電子部品が接合されていない基板電極の上に、上記接合用電極の表面に導電性接合材を含有する接合層が形成された新たな電子部品を載置してから、上記透過レーザー接合工程にて、その新たな電子部品が載置された基板電極と、該電子部品の接合用電極とを接合することを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、レーザー光透過性の材料からなる基板と、これのおもて面に形成された電極である複数の基板電極とを有する配線基板の上に、それら複数の基板電極の何れかに接合するための接合用電極を複数有する電子部品を、互いの対応する電極同士が導電性接合材を介して重なるように載置した後、該配線基板の裏面側からレーザー光を照射して、該基板を裏面側からおもて面側に向けて透過させた該レーザー光を該基板電極の裏面に当てることにより、該基板電極とこれに対応する接合用電極との間に介在する導電性接合材を溶融せしめて両電極を接合する透過レーザー接合工程を実施して、配線基板上に電子部品を実装する電子部品実装方法において、上記配線基板として、導電性材料を含有する第１接合層が複数の上記基板電極における一部の表面に形成され、且つ、該第１接合層の導電性材料よりも高い融点の導電性材料からなる第２接合層が他の基板電極の表面に形成されたものを用い、該第１接合層の上に電子部品を載置した該配線基板を該第２接合層の融点よりも低い温度に保たれるリフロー炉に投入して該第１接合層だけを溶融せしめて、該一部の基板電極と該電子部品とを接合するリフロー接合工程を、上記透過レーザー接合工程に先立って実施してから、該透過レーザー接合工程にて、該第２接合層の上に新たな電子部品を載置して、該第２接合層が形成された基板電極と、新たな該電子部品とを接合することを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、請求項１、２又は３の電子部品実装方法において、上記透過レーザー接合工程にて、レーザー光遮光部材にレーザー通過用の開口が形成されたアパーチャーマスクに上記レーザー光を通すことで、上記基板電極に対してその平面よりも小さなスポット径にした該レーザー光を当てることを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、請求項４の電子部品実装方法において、上記アパーチャーマスクとして、上記開口が複数形成されたものを用いることを特徴とするものである。
また、請求項６の発明は、請求項５の電子部品実装方法において、上記アパーチャーマスクとして、互いに開口パターンの異なる複数のものを用意しておき、使用する該アパーチャーマスクを切り換えながら、上記透過レーザー接合工程を行うことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
これらの発明においては、配線基板に実装する全ての電子部品のうち、接合位置ズレを引き起こし難いものについては、リフロー接合工程にて一度に接合する。これにより、全ての電子部品を透過レーザー接合工程で接合することによる実装効率の低下を回避する。また、接合位置ズレを引き起こし易いものについては、透過レーザー接合工程にて、電子部品や配線基板における電極やその周囲の箇所だけを局所的に加熱しながら互いの電極を接合する。これにより、電子部品と配線基板との熱膨張率の違いによる接合位置ズレを抑えることができる。
また、これらの発明のうち、請求項１の発明特定事項の全てを備えるものでは、リフロー接合工程を実施してから、透過レーザー接合工程のためのはんだペースト等からなる接合層を基板電極上に形成する。これにより、透過レーザー接合工程のための複数の接合層をリフロー接合工程で溶融、固化させて互いに異なる厚みにしてしまうといった事態を回避する。そして、それら接合層を互いに均一な厚みのままでそれぞれ電子部品の接合用電極に接触させた状態で、透過レーザー接合工程を実施することで、基板電極と接合用電極との接合不良を抑えることができる。
また、請求項２の発明特定事項の全てを備えるものでは、リフロー接合工程を実施してから、透過レーザー接合工程のための接合層を、全ての電子部品のうち、リフロー接合工程で配線基板に接合しなかった電子部品の接合用電極の上に形成する。これにより、透過レーザー接合工程のための複数の接合層をリフロー接合工程で溶融、固化させて互いに異なる厚みにしてしまうといった事態を回避する。そして、それら接合層を均一な厚みのままでそれぞれ配線基板の基板電極に接触させた状態で、透過レーザー接合工程を実施することで、基板電極と接合用電極との接合不良を抑えることができる。
また、請求項３の発明特定事項の全てを備えるものでは、リフロー接合工程にて、リフロー炉の温度を第２接合層の融点よりも低くすることで、第１接合層を溶融せしめて電子部品の接合用電極と配線基板の基板電極とを接合しつつ、第２接合層の溶融を回避する。これにより、透過レーザー接合工程のための複数の第２接合層をリフロー接合工程で溶融、固化させて互いに異なる厚みにしてしまうといった事態を回避する。そして、それら第２接合層を均一な厚みのままでそれぞれ配線基板の基板電極に接触させた状態で、透過レーザー接合工程を実施することで、基板電極と接合用電極との接合不良を抑えることができる。
【００１６】
また、請求項４の発明特定事項の全てを備えるものでは、レーザー光をアパーチャーマスクに通してそのスポット径を基板電極の平面よりも小さくすることで、レーザー光を、電子部品に直接当ててしまうといった事態を回避する。これにより、レーザー光の直接照射によって電子部品を破損してしまうといった事態を回避することができる。
【００１７】
また、請求項５の発明特定事項の全てを備えるものでは、レーザー光をアパーチャーマスクによって複数に分割し、それぞれを、互いに異なる基板電極に当てることで、１回のレーザー照射で複数の基板電極と接合用電極との組合せを同時に接合することが可能になる。そして、これにより、実装時間の短縮化を図ることができる。
【００１８】
また、請求項６の発明においては、アパーチャーマスクを切り替えることで、アパーチャーマスクで分割された複数のレーザー光の配列ピッチを切り替える。これにより、基板電極や接合用電極の配列ピッチが一定でない場合であっても、配列ピッチを適宜切り替えることで、レーザー光の同時照射による複数箇所の接合を効率良く行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を適用した電子部品実装方法として、配線基板たるＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）上にＣＳＰやチップコンデンサ等の複数の電子部品を実装する電子部品実装方法（以下、単に実装方法という）の第１実施形態について説明する。
【００２０】
本実装方法では、レーザー光透過性を有する基板のおもて面に基板電極たる複数の電極パッドが形成されたマザー基板上に、複数の電子部品を実装する。これら複数の電子部品のうち、下面に形成された接合用電極の大きさや配列ピッチが比較的大きかったり、パッケージの樹脂材料の熱膨張率が比較的小さかったりするものは、接合位置ズレを引き起こし難い。ここで言う接合位置ズレには、軽度のものと、中度のものと、重度のものとがあるが、何れにおいても、基板と電子部品パッケージとの熱膨張率の差によって生ずる。リフロー炉内で加熱された際に、それぞれが異なる膨張率で膨張することにより、互いに対応する電極パッドと接合用電極との相対位置が大きくずれるのである。このズレが軽度の場合（軽度の接合位置ズレの場合）には、互いの電極がごく僅かな箇所でしか接合されないことによって接合不良となる。また、ズレが中度の場合（中度の接合位置ズレの場合）には、２以上の電極パッドの間や接合用電極の間で短絡が起こる。また、ズレが重度の場合（重度の接合位置ズレの場合）には、本来の組合せとは異なる電極パッドと接合用電極との間が接合されてしまう。上述した接合位置ズレを引き起こし難い電子部品とは、重度や中度のみならず、軽度の接合位置ズレをも引き起こし難い電子部品のことである。
【００２１】
本実装方法では、まず、マザー基板に実装する全ての電子部品のうち、接合位置ズレを引き起こし難い電子部品と、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品とを仕分けする。そして、前者の電子部品だけを、少なくとも第１印刷工程と、第１載置工程と、リフロー工程とからなるリフロー接合工程によってマザー基板に実装する。この後、後述するリフロー後接合層形成工程である第２印刷工程を実施する。そして、後者の電子部品を、少なくとも、第２載置工程と、レーザー照射工程とからなる透過レーザー接合工程によってマザー基板上に実装する。
【００２２】
以下、これらの工程について詳述する。
図１は、本第１実施形態に係る実装方法に用いられるマザー基板を示す拡大断面図である。同図において、配線基板たるマザー基板１は、レーザー光透過性を有する材料からなる基板２のおもて面に、導電性材料たる銅からなる回路パターンが形成されている。この回路パターンは、配線部と、これに設けられた複数の電極パッド３とから構成されている。これら電極パッド３は電子部品との接合部となっている。基板２の材料としては、波長１０６４［ｎｍ］のＹＡＧレーザー光を透過させ得るソーダライムガラス、合成石英、硼珪酸ガラス、セラミック等を例示することができる。また、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、非晶性ポリオリフィン、セラミック、４，４’ジアミノジフェニルエーテル・無水ピロメリット酸重縮合物でもよい。４，４’ジアミノジフェニルエーテル・無水ピロメリット酸重縮合物は、ポリイミドにジメチルアセトアミドを混合して得られる樹脂であり、例えば東レ・デュポン株式会社から「カプトン」という商品名で販売されている。以上に列記した基板２の材料のなかでも、特に、ＰＥＮは、熱膨張率の比較的小さい材料であるので好適である。
【００２３】
接合位置ズレを引き起こし難い電子部品だけを実装するリフロー接合工程では、上述のように、少なくとも第１印刷工程と、第１載置工程と、リフロー工程とを実施する。更に、第１印刷工程においては、孔版たる印刷マスクをマザー基板１のおもて面に密着せしめる密着工程と、密着せしめた印刷マスクの各孔にはんだペーストを充填する充填工程と、印刷マスクをマザー基板から剥がす剥離工程とを実施する。具体的には、まず、図２や図３に示すように、回路パターンが形成されているマザー基板１のおもて面に印刷マスク４を密着せしめる。印刷マスク４には、マザー基板１上に形成された全ての電極パッド３のうち、接合位置ズレを引き起こしにくい電子部品を接合するための電極パッド３に対応する数だけ、貫通孔４ａが形成されている。密着工程では、接合位置ズレを引き起こし難い電子部品に対応する電極パッド３の真上に、印刷マスク４の各貫通孔４ａを位置させるように、位置合わせを行いながら、印刷マスク４をマザー基板１に密着させる。このような密着工程が終了したら、次に、図４に示すように、マザー基板１に密着している印刷マスク４の印刷側面上に、スキージ５を用いてはんだペースト６を刷り付けて、印刷マスク４の各貫通孔４ａ内にはんだペーストを充填する。そして、図５に示すように、印刷マスク４をマザー基板１から剥がして、各貫通孔４ａ内のはんだペースト６を、それぞれマザー基板１の電極パッド３上に転移させる。
【００２４】
このような第１印刷工程により、マザー基板１上の全ての電極パッド３のうち、接合位置ズレを引き起こし難い電子部品に対応するものの表面には、それぞれ導電性接合材たるはんだペーストからなる接合層が形成される。
【００２５】
第１印刷工程を実施したら、次に、マザー基板１のおもて面に、接合位置ズレを引き起こし難い電子部品を載置する第１載置工程を実施する。この第１載置工程においては、それぞれの電子部品について、その下面の複数の接合用電極をマザー基板１の対応する電極パッド３上に重ね得る位置を光学装置での拡大観察によって位置調整しながら、各電子部品を載置していく。これにより、マザー基板１上に載置された複数の電子部品は、それぞれ、その下面の接合用電極と、マザー基板１の電極パッド３との間に、はんだペースト６からなる接合層を介在させた状態になる。
【００２６】
この状態にて、マザー基板１と各電子部品とに対して、リフロー工程が施される。このリフロー工程では、マザー基板１が各電子部品とともにリフロー炉に入れられて加熱される。これにより、接合用電極と電極パッド３との間に介在しているはんだペースト６内のフラックス成分が蒸発するとともに、はんだ粒が溶融して溶融はんだとなる。そして、マザー基板１がリフロー炉から取り出されることにより、溶融はんだが自然冷却によって固化して、接合用電極と電極パッド３とを接合する。この接合により、接合位置ズレを引き起こし低い複数の電子部品がマザー基板上に実装される。
【００２７】
このようにしてリフロー接合工程が終了すると、次に、リフロー後接合層形成工程である第２印刷工程を実施する。この第２印刷工程では、マザー基板１上に形成されている複数の電極パッド３のうち、リフロー接合工程でマザー基板１上に実装しなかった、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品に対応する電極パッド３の表面に、それぞれはんだペーストからなる接合層を印刷する。この印刷は第１印刷工程と同様に印刷マスクを用いて行うが、その印刷マスクの大きさは、マザー基板１の全面を覆うようなものではなく、マザー基板１の必要な箇所だけに印刷する小さなものである。場合によっては、複数の印刷マスクを用いて、マザー基板１の互いに離れた複数の領域に対して、それぞれはんだペーストからなる接合層を印刷してもよい。また、第２印刷工程においては、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品の全てを実装するために必要な接合層を一度に印刷してもよいし、その電子部品の１つだけを実装するための接合層だけを印刷してもよい。後者の場合には、第２印刷工程を終えた後、後述する透過レーザー接合工程によってその１つの電子部品を実装する。そして、次の電子部品を実装するための第２印刷工程と透過レーザー接合工程とを実施するといった作業を繰り返す。つまり、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品の全てを、１回の第２印刷工程と透過レーザー接合工程とによって一気に実装してもよいし、第２印刷工程と透過レーザー接合工程とを繰り返して、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品を１つずつ実装していってもよい。透過レーザー接合工程では、上述したように、少なくとも、第２載置工程と、レーザー照射工程とを実施する。
【００２８】
図６は、本実装方法に用いられる実装装置を示す概略構成図である。この実装装置は、レーザー発振器１００等を有するレーザー照射部と、Ｘ−Ｙテーブル１１０と、部品吸着ノズル１２０等を有するマウンター部などを備えている。載置工程や接合工程を行うにあたっては、まず、印刷工程を終えたマザー基板１を、この実装装置のＸ−Ｙテーブル１１０上に固定する。Ｘ−Ｙテーブル１１０は、周知の技術により、図の左右方向であるＸ方向や、図の奥行き方向であるＹ方向に移動可能に構成されている。Ｘ−Ｙテーブル１１０の内部には、チャンバー室１１１が形成されている。チャンバー室１１１には、ブロワ等からなる図示しない吸引手段が接続されており、これによってチャンバー室内１１１の空気が吸引されることにより、チャンバー室１１１内が減圧せしめられる。Ｘ−Ｙテーブル１１０の天板１１２や底板１１３は、それぞれレーザー光透過性を発揮するガラス板となっており、天板１１２には、図示しない吸引孔が無数に形成されている。この天板１１２上に載置されたワークとしてのマザー基板１は、チャンバー室１１１内の減圧に伴って吸引孔に吸引されることで、Ｘ−Ｙテーブル１１０上に固定される。
【００２９】
図７は、実装装置のマウンター部を示す拡大構成図である。マウンター部は、部品吸着ノズル１２０、光学監視装置１２１、モニタ１２２等を有している。部品吸着ノズル１２０は、図示しないロボットアームに固定されており、ノズル先端に生ずる負圧により、電子部品２００Ａを吸着させることができる。透過レーザー接合工程における第２載置工程においては、この部品吸着ノズル１２０を、ロボットアームの操作により、図示しない治具内に載置されている電子部品２００Ａのところに持っていき、部品吸着ノズル１２０に吸着させる。次に、部品吸着ノズル１２０を、ロボットアームの操作により、Ｘ−Ｙテーブル上に吸引固定されたマザー基板１の上にもっていく。そして、図示しない移動支持台に固定されている光学監視装置１２１を、マザー基板１と部品吸着ノズル１２０との間に介在させる。光学監視装置１２１は、その真上に存在する部品吸着ノズル１２０に吸着されている電子部品２００Ａの下面の映像と、その真下に存在するマザー基板１のおもて面の映像とを同時に撮影して、両映像を重ね合わせてモニタ１２２に映し出すことができる。作業者は、モニタ１２２に映し出される映像を見ながら、図示しないＸ−ＹテーブルをＸ−Ｙ方向に移動させる。そして、電子部品２００Ａの下面に形成されている複数の接合用電極２００ａと、マザー基板１の複数の電極パッド３上にそれぞれ印刷されたはんだペーストとを、互いにピッタリと重ね合わせるように位置合わせする。次いで、光学監視装置１２１を部品吸着ノズル１２０の下から待避させた後、ロボットアームの操作によって部品吸着ノズル１２０をマザー基板１に向けて垂直に降下させる。そして、図８に示すように、電子部品２００Ａをはんだペースト６の上に載せて、マザー基板１のおもて面上にはんだペースト６と電子部品２００Ａとを積み重ねる。電子部品２００を載せた後は、部品吸着ノズル１２０による電子部品２００Ａの吸引を停止させてから、部品吸着ノズル１２０を垂直に引き上げる。なお、画像解析ソフトなどを用いて、モニタ１２２に映し出される映像をコンピュータ解析させることで、作業者の行う作業を自動化することも可能である。
【００３０】
なお、上述したリフロー接合工程における第１載置工程においては、図示した実装装置の光学監視装置１２１を用いてもよいし、リフロー接合工程専用の光学装置を用いてもよい。
【００３１】
第２載置工程を終えたら、次に、レーザー照射工程を実施する。このレーザー照射工程では、先に図６に示した実装装置を用いて、図９に示すように、マザー基板１の裏面側からＹＡＧレーザー光Ｌを照射する。照射されたＹＡＧレーザー光Ｌは、レーザー光透過性を有する基板２を透過した後、電極パッド３の裏面（基板２との接触面）に当たって、電極パッド３を昇温せしめる。この昇温により、電子部品２００の下面に設けられた図示しない接合用電極と、電極パッド３との間に介在しているはんだペースト６からなる接合層を加熱して、接合層内のはんだ粒を溶融せしめる。図６に示したＸ−Ｙテーブル１１０を移動させながら、各電極パッド３に対して順次レーザー照射を行って、接合用電極と電極パッド３との組合せを順次接合していく。これにより、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品の全てを、透過レーザー接合工程によってマザー基板１上に実装する。
【００３２】
以上の工程を実施する本第１実施形態に係る実装方法においては、マザー基板１に実装する全ての電子部品のうち、接合位置ズレを引き起こし難いものについては、リフロー接合工程にて一度に接合する。これにより、全ての電子部品を透過レーザー接合工程で接合することによる実装効率の低下を回避する。また、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品については、透過レーザー接合工程にて、電極パッド３や接合用電極だけを局所的に加熱しながら互いの電極を接合する。これにより、電子部品のパッケージと、マザー基板１の基板２との熱膨張率の違いによる接合位置ズレを抑えることができる。また、リフロー接合工程を実施してから、第２印刷工程により、透過レーザー接合工程のためのはんだペースト６からなる接合層を基板電極上に形成する。これにより、透過レーザー接合工程のための複数の接合層をリフロー接合工程で溶融、固化させて互いに異なる厚みにしてしまうといった事態を回避する。そして、それら接合層を互いに均一な厚みのままでそれぞれ電子部品の接合用電極に接触させた状態で、透過レーザー接合工程を実施することで、電極パッド３と接合用電極との接合不良を抑えることができる。
【００３３】
次に、本発明を適用した実装方法の第２実施形態について説明する。なお、本第２実施形態に係る実装方法は、以下に特筆しない限り、第１実施形態に係る実装方法と同様の工程を実施する。
【００３４】
本第２実施形態に係る実装方法では、第１実施形態に係る実装方法と同様のリフロー接合工程を実施した後、第２印刷工程を電子部品に対して行うか、あるいは、第２印刷工程を省略する。第２印刷工程を電子部品に対して行う場合には、リフロー接合工程でマザー基板１に実装しなかった接合位置ズレを引き起こし易い電子部品の下面に印刷マスクを密着させる。そして、その下面に形成された複数の接合用電極にそれぞれはんだペーストからなる接合層を形成する。また、第２印刷工程を省略する場合には、リフロー接合工程でマザー基板１に実装しない接合位置ズレを引き起こし易い電子部品として、接合用電極の表面に金属メッキ等による接合層が予め被覆されているものを用いる。この場合の接合層の材料としては、金メッキやスズメッキ等を例示することができる。
【００３５】
第２印刷工程を電子部品に対して行うか、あるいは、第２印刷工程を省略ために接合用電極の表面に接合層が形成された電子部品を用意するかした後は、第１実施形態と同様にして、透過レーザー接合工程を行う。
【００３６】
以上の工程を実施する本第２実施形態に係る実装方法においても、透過レーザー接合工程のための複数の接合層をリフロー接合工程で溶融、固化させて互いに異なる厚みにしてしまうといった事態を回避する。そして、それら接合層を均一な厚みのままでそれぞれ配線基板の基板電極に接触させた状態で、透過レーザー接合工程を実施することで、基板電極と接合用電極との接合不良を抑えることができる。
【００３７】
次に、本発明を適用した第３実施形態の実装方法について説明する。
本実装方法においても、マザー基板に実装する全ての電子部品のうち、接合位置ズレを引き起こし難いものについてはリフロー接合工程によって実装する。そして、その後、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品を透過レーザー接合工程によって実装する。但し、第１実施形態や第２実施形態とは異なるマザー基板を用いる。
【００３８】
本実装方法において用いるマザー基板は、次のようになっている。即ち、そのおもて面に形成されている全ての電極パッドのうち、接合位置ズレを引き起こし難い電子部品に対応するものの表面には、それぞれ同じ種類の導電性接合材からなる第１接合層が形成されている。また、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品に対応する電極パッドの表面には、第１接合層よりも融点の高い導電性接合材からなる第２接合層が形成されている。この第２接合層は、メッキ処理によって電極パッド上に予め形成されたものである。これに対し、第１接合層は、第２接合層よりも低い融点の金属材料のメッキ処理によって形成されたものであってもよいし、リフロー工程に先立って、印刷マスクによって電極パッド上に印刷したものでもよい。メッキ処理による第１接合層と第２接合層との組合せとしては、次のようなものを例示することができる。即ち、Ｓｎ−５８Ｂｉ（ビスマスが５８％）のメッキ処理からなる融点１３９℃の第１接合層と、Ｓｎ−３．５Ａｇ（銀が３．５％）のメッキ処理からなる融点２２１℃の第２接合層との組合せである。
【００３９】
以下、第１接合層を印刷マスクによって電極パッド上に形成する方法を例にして、本実装方法を説明する。
本実装方法では、まず、少なくとも、印刷工程と第１載置工程とリフロー工程とからなるリフロー接合工程を実施してから、少なくとも、第２載置工程とレーザー照射工程とからなる透過レーザー接合工程を実施する。また、マザー基板としては、そのおもて面に形成されている全ての電極パッドのうち、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品に対応する電極パッドには、それぞれ表面にＳｎ−３．５Ａｇからなる第２接合層（融点２２１℃）が予め形成されている。
【００４０】
リフロー接合工程における印刷工程では、マザー基板上に形成されている全ての電極パッドのうち、接合位置ズレを引き起こし難い電子部品に対応する電極パッドのそれぞれの表面に、はんだペーストからなる第１接合層を印刷する。このはんだペーストのはんだ粒の融点は１４０℃であり、第２接合層の融点よりも低くなっている。
【００４１】
印刷工程を実施したら、第１実施形態と同様にして、第１載置工程とリフロー工程とを実施して、接合位置ズレを引き起こし難い電子部品をマザー基板上に実装する。但し、リフロー工程の際には、リフロー炉を２２１℃℃よりも低く、且つ１４０℃よりも高い温度に保つ。これにより、第１接合層と第２接合層とのうち、第１接合層（はんだ）だけを溶融せしめ、第２接合層の溶融を回避する。このようにしてリフロー接合工程を終えたら、次に、第１実施形態と同様にして、透過レーザー接合工程を行う。
【００４２】
以上の工程を実施する本実装方法では、リフロー接合工程にて、リフロー炉の温度を第２接合層の融点よりも低くすることで、第１接合層を溶融せしめて電子部品の接合用電極とマザー基板の電極パッドとを接合しつつ、第２接合層の溶融を回避する。これにより、透過レーザー接合工程のための複数の第２接合層をリフロー接合工程で溶融、固化させて互いに異なる厚みにしてしまうといった事態を回避する。そして、それら第２接合層を均一な厚みのままでそれぞれマザー基板の電極パッドに接触させた状態で、透過レーザー接合工程を実施することで、電極パッドと接合用電極との接合不良を抑えることができる。なお、第１接合層として、メッキ処理によるものを採用する場合には、リフロー接合工程における印刷工程を省略することは言うまでもない。
【００４３】
図１０は、本実装方法に用いられる実装装置を示す構成図である。実装装置のレーザー照射部は、ＹＡＧレーザー光Ｌを発信するレーザー発振器１００、第１集光レンズ１０１、光ファイバー１０２、第２集光レンズ１０３、マスク円盤回転器１０４、結像レンズ１０５などから構成されている。レーザー発振器１００から発せられたＹＡＧレーザー光Ｌは、図１１に示すような山形のエネルギー強度分布のガウシアンビームとなる。そして、第１集光レンズ１０３により、光ファイバー１０２の一端面に結像されて、光ファイバー１０２内に進入する。レーザー光導通部材である光ファイバーには、ステップインデックス（ＳＩ）型、グレーデッドインデックス（ＧＩ）型、シングルモード（ＳＭ）型など、様々なタイプのものがあるが、図示の光ファイバー１０２はＳＩ型のものである。ＳＩ型の光ファイバー１０２内では、図１２に示すように、レーザー光の一部がファイバー内壁で多重反射しながらレーザー入射側から出射側に進んでいく。このように多重反射すると、レーザー光は、図１３に示すような台形状のエネルギー強度分布のトップハットビームとなる。即ち、ＳＩ型の光ファイバー１０２は、レーザー光の横断面方向の強度分布を均一化せしめる強度分布均一化光学系として機能しているのである。
【００４４】
先に示した図１０において、光ファイバー１０２内でエネルギー強度分布が均一化せしめられたＹＡＧレーザー光Ｌは、第２集光レンズ１０３により、マスク円盤回転器１０４のマスク円盤１０４ａに装着された図示しないアパーチャーマスクの下面に結像される。図１４は、マスク円盤１０４ａを示す平面図である。円盤状のマスク円盤１０４ａには、互いに開口パターンの異なる複数のアパーチャーマスク１０４ｄが、円周方向に並ぶように装着される。マスク円盤１０４ａは、その中心がモータ軸１０４ｂに固定されている。図１０に示したマスク円盤回転器１０４は、モータ軸１０４ｄを回転させるモータ１０４ｃを作動させることで、マスク円盤回転器１０４に装着された複数のアパーチャーマスクのうち、ＹＡＧレーザー光Ｌの光路内に位置させるものを切り換えることができる。アパーチャーマスクの下面に結像されたＹＡＧレーザー光Ｌは、アパーチャーマスクの複数の開口を通ることで、複数に分割される。分割によって得られた複数の分割光は、それぞれ、結像レンズ１０５、Ｘ−Ｙテーブル１１０のガラス製の底板１１３、天板１１２を順次透過して、マザー基板１の下面に至る。そして、マザー基板１の基層を透過した後、電極パッドにあたる。電極パッドは、ＹＡＧレーザー光の照射によって加熱され、その上面に印刷された図示しないはんだペーストのはんだ粒を溶融させる。溶融したはんだ粒が自然冷却に伴って固化することにより、マザー基板の電極パッドと電子部品とが接合される。
【００４５】
このような接合工程においては、光ファイバー１０２によってＹＡＧレーザー光Ｌの横断面方向の強度分布を均一化せしめることで、ＹＡＧレーザー光Ｌの中央部と外縁部とのエネルギー差を非常に小さくする。均一化後のＹＡＧレーザー光Ｌの中心部を、マザー基板１の基層材料であるＰＥＴに焦げや変性をきたさない程度に弱く、且つ、はんだ粒を溶融させ得る程度に強いエネルギー強度に設定すると、外縁部についてもほぼ同様の設定にすることになる。そして、外縁部に対しても、はんだ粒を溶融せしめるのに十分なエネルギー強度を発揮させることができる。よって、はんだ粒を十分に溶融せしめて、マザー基板１の電極パッド（３）と電子部品２００との接合不良を抑えることができる。
【００４６】
マザー基板１としては、基層２のＰＥＴに滑剤が混練されていないものを用いている。ＰＥＴ中の滑剤をＹＡＧレーザー光Ｌに反応させることによる基層２の損傷を回避することができる。
【００４７】
本実装方法における透過レーザー接合工程では、Ｘ−Ｙテーブル１１０によってマザー基板１をＹＡＧレーザー光Ｌの光軸に直交する方向に連続移動させながら、ＹＡＧレーザー光Ｌを間欠的に照射することで、複数のはんだペーストを順次溶融させていく。具体的には、例えば、先に示した図１０において、まず、マスク円盤１０４ａの回転により、アパーチャーマスクとして４×８＝３２個の開口パターンが形成されたものを選択する。そして、図１５に示すように、Ｘ−Ｙテーブルの移動によってマザー基板１をＸ方向に移動させる。次いで、電子部品２００の下面に形成された８×８＝６４個の図示しない接合用電極に対応する６４個の電極パッド３のうち、４×８＝３２個の電極パッド３がレーザー照射位置に移動してくるタイミングを計って、ＹＡＧレーザー光を発射する。すると、アパーチャーマスクによって３２分割されたＹＡＧレーザー光Ｌが、図１６に示すように、マザー基板１の基層２を透過してこれら３２個の電極パッド３の下面にそれぞれ当たる。これにより、図１７に示すように、電子部品の６４個の接合用電極に対応する６４個の第２接合層７のうち、３２個（４個しか図示していないがそれぞれ奥行き方向に８個並んでいる）を溶融する。次に、マザー基板１をＸ方向に移動させたまま、Ｘ−Ｙテーブル電子部品２００の６４個の接合用電極に対応する６４個の電極パッド３のうち、まだＹＡＧレーザー光Ｌを照射していない３２個がレーザー照射位置に移動してくるタイミングを計う。そして、そのタイミングでＹＡＧレーザー光Ｌを発射する。すると、アパーチャーマスクによって３２分割されたＹＡＧレーザー光Ｌが、図１８に示すように、残りの３２個の電極パッド３の下面にそれぞれ当たる。これにより、残りの３２個の第２接合層７を溶融させる。以上のようにして、１個目の電子部品２００とマザー基板１とを接合する。
【００４８】
マザー基板１上には、接合されていない電子部品２００がまだ複数存在する。そこで、マザー基板１の移動については、そのまま継続して、次の電子部品２００がレーザー照射位置に移動してくるタイミングを見計らう。そして、移動してきたら、ＹＡＧレーザー光Ｌを発射して接合を行う。
【００４９】
マザー基板１上に載置されている複数の電子部品２００は、全て同じ種類のものではない。互いに種類の異なるものが多数存在している。電子部品２００の種類が異なれば、パッケージ下面の電極パターンや、それに対応するマザー基板１の電極パッド３の配列パターンが異なってくる。すると、アパーチャーマスクの開口パターンが、接合対象となる電極パッド３の配列パターンに適さなくなるといった事態が起こる。そこで、本実装方法では、開口パターンがこれから接合しようとする電極パッド３の配列パターンに適さなくなった場合には、図１０に示したマスク円盤１０４ａの回転により、アパーチャーマスクをその配列パターンに適したものに切り換える。
【００５０】
以上のような透過レーザー接合工程においては、光ファイバー１０２によって強度分布を均一化せしめた後のＹＡＧレーザー光Ｌをアパーチャーマスクに通すことで、ＹＡＧレーザー光Ｌの外縁部をカットする。そして、図１３に示した台形状のエネルギー分布ではなく、矩形状のエネルギー分布、即ち、中央部と外縁部とのエネルギー強度差がないＹＡＧレーザー光Ｌを得ることができる。
【００５１】
また、ＹＡＧレーザー光Ｌをアパーチャーマスクによって複数に分割し、それぞれを、互いに異なる位置に存在する電極パッド３にあてることで、１回のレーザー照射で複数の第２接合層７を同時に溶融させることができる。そして、これにより、透過レーザー接合工程の短時間化を図ることができる。
【００５２】
また、マスク円盤１０４ａの回転によってアパーチャーマスクを切り換えることで、作業を中断することなく、互いに電極パターンの異なる複数の電子部品２００を、順次接合していくことができる。
【００５３】
また、マザー基板１を連続移動させながらＹＡＧレーザー光Ｌを適宜のタイミングで発射して、複数のはんだを順次溶融させていくことで、マザー基板１の移動、停止、レーザー照射という３つのプロセスを繰り返す場合に比べて、短時間化を図ることができる。
【００５４】
なお、マザー基板１上の電子部品２００がＸ−Ｙテーブルの移動に伴って第２接合層７上で滑動してしまうおそれがある場合には、第２載置工程とレーザー照射工程とを繰り返し行ってもよい。これにより、透過レーザー接合工程において、電子部品を１つずつ実装していくのである。第２載置工程とレーザー照射工程とを繰り返し行う場合には、まず、図１９に示すように、部品吸着ノズル１２０により、接合位置ズレを引き起こし易い電子部品２００の１つ目をマザー基板１上に載置する。次に、図２０に示すように、部品吸着ノズル１２０により、電子部品２００をマザー基板１に向けて押圧しながら、ＹＡＧレーザー光Ｌを発射する。そして、図示しないアパーチャーマスクによって複数に分割されたＹＡＧレーザー光Ｌにより、電子部品２００の接合用電極に対応する電極パッド３を、それぞれ同時に加熱する。この加熱によって溶融した第２接合層７が固化したら、図２１に示すように、部品吸着ノズル１２０を引き上げる。なお、当然ながら、チップ載置直前から部品吸着ノズル１２０の引き上げまで、マザー基板１は固定したまま移動させない。
【００５５】
これまで、１回のレーザー照射によってはんだペースト６内のはんだ粒を溶融する例について説明してきたが、同じ電極パッドに対して複数回のレーザー照射を行ってはんだ等の導電性接合材を溶融してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態に係る実装方法に用いられるマザー基板を示す拡大断面図。
【図２】同実装方法に用いられる印刷マスクを同マザー基板とともに示す拡大断面図。
【図３】同実装方法に用いられる印刷法の密着工程を示す拡大断面図。
【図４】同印刷法の充填工程を示す拡大断面図。
【図５】同印刷法の剥離工程を示す拡大断面図。
【図６】同実装方法に用いられる実装装置を示す概略構成図。
【図７】同実装装置のマウンター部を示す拡大構成図。
【図８】同マウンター部の部品吸着ノズルを同マザー基板とともに示す拡大断面図。
【図９】同実装方法の透過レーザー接合工程におけるレーザー照射工程を説明するための断面図。
【図１０】第３実施形態に係る実装方法に用いられる実装装置のレーザー照射部及びＸ−Ｙテーブルを示す構成図。
【図１１】ガウシアンビームのエネルギー強度分布を示すグラフ。
【図１２】ＳＩ型の光ファイバー内におけるレーザー光の挙動を示す模式図。
【図１３】トップハットビームのエネルギー強度分布を示すグラフ。
【図１４】同実装装置のマスク円盤を示す平面図。
【図１５】同実装方法におけるレーザー照射工程の初期段階を説明するための断面図。
【図１６】同レーザー照射工程における１回目のレーザー照射を説明するための断面図。
【図１７】同レーザー照射の終了直後の状態を示す断面図。
【図１８】同レーザー照射工程における２回目のレーザー照射を説明するための断面図。
【図１９】同実装方法における載置工程とレーザー照射工程との繰り返しにおける１バッチの初期段階を説明するための断面図。
【図２０】同１バッチにおける中期段階を説明するための断面図。
【図２１】同１バッチにおける後期段階を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１                マザー基板（配線基板）
２                基板
３                電極パッド（基板電極）
６                はんだペースト（接合層：導電性接合材を含有）
７                第２接合層
１０４ｄ          アパーチャーマスク
２００            電子部品
２００ａ          接合用電極
Ｌ                ＹＡＧレーザー光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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