(57)【要約】【課題】  多結晶基板上に配線パターンが形成されてなる被検査物について、その配線パターンの欠陥の有無を精度良く検出できる検査装置を提供する。【解決手段】  被検査物１に対して略水平方向から光が照射されるように照明手段を配置するとともに、相対位置変更手段によって被検査物１と照明手段との相対位置を変更した状態でそれぞれ撮像手段５で撮像を行って複数の画像データを獲得する。こうして得られた各画像データについて相対位置を一致させた上で論理積演算手段１０で各画像データの論理積演算を行うことにより、多結晶基板１ａの特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響を除去する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶基板上に配線パターンが形成されてなる被検査物の表面に対して略水平方向から光を照射する照明手段と、上記被検査物と照明手段との相対位置を変更する相対位置変更手段と、この相対位置変更手段により変更された互いに異なる相対位置においてそれぞれ撮像を行う撮像手段と、この撮像手段により撮像された各画像データを記憶する撮像結果記憶手段と、この撮像結果記憶手段に記憶されている各画像データを二値化する二値化手段と、この二値化手段により二値化された各画像データについて上記相対位置を一致させて論理積演算を行う論理積演算手段と、この論理積演算手段により得られた演算結果を用いて上記配線パターンの欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、上記欠陥抽出手段により得られた欠陥抽出結果に基づいて上記配線パターンの良否判定を行う判定手段と、を備えることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
上記相対位置変更手段の代わりに、複数の照明手段を上記被検査物に対する照明方向が異なるようにそれぞれ配置するとともに、上記各照明手段の照明タイミングと上記撮像手段の撮像タイミングとを制御する撮像同期手段を付加したしたことを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
上記撮像手段はラインセンサカメラであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
上記撮像手段により撮像された画像の歪みを補正する画像歪み補正手段を付加したことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項５】
上記撮像手段の前面に、入射光の波長を選択する波長選択手段を付加したことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項６】
上記撮像手段の前面に、偏光手段を付加したことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば太陽電池のように、多結晶基板上に形成された配線パターンの良否を検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、太陽電池等の製作に際しては、多結晶シリコン等の多結晶基板上にスクリーン印刷等の技法を用いて配線パターンが形成される。この場合、常に一定の製品品質を保つ上で、配線パターンの局部的な断線や短絡等が生じていないかどうかを検査することが必要になる。
【０００３】
ところで、従来、プリント基板上に形成された配線パターンの欠陥の有無を検査する検査装置として、リング状のライトガイド等の照明装置によりプリント基板を照明し、ＣＣＤカメラ等の撮像装置でプリント基板の濃淡画像を獲得し、続いて、例えば予め濃度ヒストグラム等で求めた閾値レベルでもってこの濃淡画像を二値画像に変換する。そして、この二値画像に対して細線化処理等の画像処理を適用することによって欠陥の有無を判定するようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２０９８４３号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許文献１に記載された従来技術は、プリント基板がガラスエポキシやポリカーボネート等の合成樹脂製のものや、シリコン単結晶のようなものに対して適用が可能である。しかしながら、プリント基板が多結晶基板の場合には、この多結晶基板の表面に対して照明装置により単純に照明を行うと多結晶基板の表面からの光強度の大きな反射光が撮像装置にそのまま入射してしまい、配線パターンからの散乱光との区別ができなくなる。その結果、二値化処理の後に配線パターンの良否判定を行ったときには、配線パターンの短絡が生じているものと誤って判定されるなどの不具合を生じる。
【０００６】
すなわち、図１１（ａ）に示すように、配線パターンｐに対してある程度大きな角度θａから光を照射した場合、配線パターンｐは光の指向性が小さいので、その表面の凹凸により散乱された反射光が放射される。これに対して、図１１（ｂ）に示すように、多結晶基板ｑは多数の結晶ｑ１，ｑ２，ｑ３，…により構成されているので、各結晶の配向が異なっていて各結晶ごとに光の指向性も異なっている。このため、多結晶基板ｑに対してある角度θａから光を照射した場合、結晶の配向によっては光の指向性が大きくなって結晶から強度の大きな反射光（正反射光）が放射される。そして、ある結晶（例えばｑ２）からの正反射された反射光の強度は、配線パターンｐで散乱された反射光の強度と同じ、あるいはそれよりも大きくなる。したがって、このような現象が生じた場合には、多結晶基板ｑのある特定の結晶ｑ２からの反射光と配線パターンｐからの反射光との識別が困難になり、配線パターンｐが短絡しているなどの誤った判定を行ってしまう。
【０００７】
この発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、太陽電池のような多結晶基板上に配線パターンが形成されてなる被検査物について、特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響を有効に除去できるようにして、配線パターンの欠陥の有無を精度良く検査することが可能な検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、この発明の検査装置は、多結晶基板上に配線パターンが形成されてなる被検査物の表面に対して略水平方向から光を照射する照明手段と、上記被検査物と照明手段との相対位置を変更する相対位置変更手段と、この相対位置変更手段により変更された互いに異なる相対位置においてそれぞれ撮像を行う撮像手段と、この撮像手段により撮像された各画像データを記憶する撮像結果記憶手段と、この撮像結果記憶手段に記憶されている各画像データを二値化する二値化手段と、この二値化手段により二値化された各画像データについて上記相対位置を一致させて論理積演算を行う論理積演算手段と、この論理積演算手段により得られた演算結果を用いて上記配線パターンの欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、上記欠陥抽出手段により得られた欠陥抽出結果に基づいて上記配線パターンの良否判定を行う判定手段と、を備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、照明手段は被検査物の表面に対して略水平方向から光を照射するので、配線パターンからの反射光以外の反射光、すなわち多結晶基板の特定の結晶からの反射光が撮像手段に入射する量が極めて少なくなる。このため、多結晶基板の特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響を受け難くなる。しかも、相対位置変更手段によって被検査物と照明手段との相対位置を変更した状態で複数回の撮像を行うことにより複数の画像データを獲得し、その後、これらの複数の画像データについて相対位置を一致させた上で論理積演算を行うので、この論理積演算によってさらに多結晶基板の特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響が除去される。このため、従来に比べて、精度良く配線パターンの断線や短絡、さらにはペースト漏れ等の微小な配線パターンの欠陥の有無を検査することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１における検査装置を示す構成図である。
【００１１】
この実施の形態１の検査装置は、多結晶基板１ａ上に配線パターン１ｂが形成されてなる被検査物１における配線パターン１ｂの良否を検査するものであって、被検査物１を検査位置まで搬送する搬送手段２、被検査物１を照明する一対の照明手段３ａ，３ｂ、被検査物１と照明手段３ａ，３ｂとの相対位置を変更する相対位置変更手段４、および照明手段３ａ，３ｂで照明された状態の被検査物１を撮像する撮像手段５を備えている。
【００１２】
上記の搬送手段２は、被検査物１を載置するテーブルやテーブルを移動させる搬送コンベア等で構成されている。また、照明手段３ａ，３ｂは、例えば、蛍光管あるいはＬＥＤアレイなどからなり、両照明手段３ａ，３ｂは、被検査物１の表面に対して略水平方向から光を照射するように互いに対向配置されている。相対位置変更手段４は、本例では搬送手段２を例えば９０゜回転させる回転装置からなる。また、撮像手段５は、本例では二次元ＣＣＤカメラからなり、回転装置４によって被検査物１が回転される前後の各位置において被検査物１の撮像を行うものである。
【００１３】
さらに、この実施の形態１の検査装置は、撮像結果記憶手段６、特徴記憶手段７、二値化手段９、論理積演算手段１０、欠陥抽出手段１１、および判定手段１２を備えている。なお、これらの各手段６〜１２は、例えばマイクロコンピュータ内に構成される。
【００１４】
撮像結果記憶手段６は、撮像手段５により得られる各画像データを記憶するものであり、また、特徴記憶手段７は、予め基本となる被検査物１の配線パターン１ｂの基準画像がテンプレートとして保存されている。そして、撮像結果記憶手段６および特徴記憶手段７は、例えば画像メモリにより構成されている。また、位置決め手段８は、特徴記憶手段７に予め記憶されているテンプレート画像に対して撮像結果記憶手段６に記憶された画像が重なるように位置決めを行うものである。
【００１５】
二値化手段９は、位置決め手段８で位置決めされた後の各画像データを二値化するものであり、例えば、予め濃度ヒストグラム等で求めた閾値レベルでもって二値画像への変換を行う。また、論理積演算手段１０は、二値化手段９によって二値化された各画像データについて相対位置を一致させて論理積演算を行うものである。すなわち、二値化後の各画像データについて配線パターン１ｂが同じ向きになるように逆回転等の処理を行ってから、各画像データについて論理積演算を実行するようになっている。欠陥抽出手段１１は、この論理積演算手段１０により得られた論理積演算後の画像データを用いて配線パターン１ｂの欠陥の抽出を行うものである。さらに、判定手段１２は、欠陥抽出手段１１により得られた欠陥抽出結果に基づいて配線パターン１ｂの良否判定を行うものである。
【００１６】
次に、上記構成を備えた検査装置による配線パターン１ｂの検査動作について説明する。
【００１７】
被検査物１は、搬送手段２によって検査ステージまで搬送される。そして、この検査ステージにおいて被検査物１の表面が各照明手段３ａ，３ｂによって照明される。この場合、各照明手段３ａ，３ｂは、被検査物１の表面に対して略水平方向から光を照射するので、配線パターン１ｂからの反射光以外の反射光、すなわち多結晶基板１ａの特定の結晶から大きな強度の反射光が撮像手段５に入射する確率が極めて少なくなる。
【００１８】
すなわち、図１１において、配線パターンｐ（１ｂ）は光の指向性が小さいので、図１１（ａ）の破線で示すように、配線パターンｐ（１ｂ）に対して低角度θｂで光を照射した場合でも、その表面の凹凸により散乱された反射光の強度は、ある程度の大きさがある。したがって、配線パターンｐ（１ｂ）からの反射光は、撮像手段５で配線パターンｐ（１ｂ）を撮像する際にも十分な露光量が得られる。一方、多結晶基板ｑ（１ａ）を構成する各結晶は光の指向性が大きいので、比較的高角度θａから光を照射した場合には強度の大きな反射光が放射されても、図１１（ｂ）の破線で示すように、多結晶基板ｑ（１ａ）に対して低角度θｂで光を照射した場合には、光の指向性をもつ領域から外れるので、このときの反射光の強度は、配線パターンｐ（１ｂ）で散乱された反射光の強度よりもはるかに小さくなる。しかも、低角度θｂからの照明に対して強度の大きな反射光を放射する配向をもつ結晶の存在確率が低くなる。このため、撮像手段５は、多結晶基板ｑ（１ａ）の特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響を受け難くなる。
【００１９】
なお、被検査物１の表面に対して照明する角度を小さくすると、多結晶基板１ａの特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響を受け難くなる反面、撮像手段５で撮像を行うのに必要な配線パターン１ｂからの反射光量は少なくなり、両者はトレードオフの関係にある。したがって、被検査物１に対する照明角度は、実際には多結晶基板１ａの表面から１０゜〜１５゜程度が適当である。
【００２０】
撮像手段５は、照明手段３ａ，３ｂによって照明されている被検査物１の表面を任意の露光時間で撮像する。これにより得られた画像データは、例えば図２（ａ）に示すようになり、この画像データが撮像結果記憶手段６に保存される。さらに、回転装置４で搬送手段２を９０°回転させた後、撮像手段５によって再度被検査物１の表面の画像を撮像する。これにより得られた画像データは、例えば図２（ｂ）のようになり、この画像データが同様にして撮像結果記憶手段６に保存される。そして、撮像が完了した被検査物１は、搬送手段２によって検査ステージの外部に搬出される。
【００２１】
位置決め手段８は、特徴記憶手段７に予め保存されている被検査物１のテンプレート画像に対して撮像結果記憶手段６に記憶された各画像が重なるように位置決めを行う。そして、位置決めされた各画像データは、二値化手段９に送出されて、それぞれ図２（ａ’）、（ｂ’）に示すように二値化される。
【００２２】
次いで、二値化された各画像データは、論理積演算手段１０に送出される。論理積演算手段１０は、二値化された各画像データについて相対位置を一致させて論理積演算を行う。すなわち、二値化後の各画像データの配線パターン１ｂが同じ向きになるように、例えば一方の画像データ（図２（ｂ’））を９０゜逆回転する等の処理を行った後、各画像データについて論理積演算を実行する。その結果、図２（ｃ）に示すような画像データが得られる。
【００２３】
このように、照明方向を異ならせて撮像された複数の画像データから生成した二値画像について、相対位置を一致させた上で論理積演算を行うことにより、多結晶基板１ａの特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響がさらに除去される。つまり、被検査物１に対する照明方向を異ならせた場合でも同じ程度の光強度をもつ光指向性の少ない配線パターン１ｂからの反射光だけが抽出される。
【００２４】
引き続いて、欠陥抽出手段１１は、例えば、公知技術である細線化処理によって端点や孤立点を抽出したり、あるいは良品パターンとの比較による欠陥検出などの方法を用いて欠陥を抽出する。そして、欠陥が抽出された画像データは、判定手段１２により予め決定された基準により良否判定を行う。
【００２５】
このように、この実施の形態１の検査装置によれば、被検査物１の表面に対して略水平方向から光を照射するとともに、照明方向を異ならせて撮像された複数の画像データから生成した二値画像について論理積演算を行うことにより、多結晶基板１ａの特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響を有効に除去することができる。このため、従来に比べて、精度良く配線パターン１ｂの断線や短絡、さらにはペースト漏れ等の微小な配線パターン１ｂの欠陥の有無を検査することが可能となる。
【００２６】
なお、この実施の形態１では、相対位置変更手段として搬送手段２を回転させる回転装置４を使用したが、照明手段３ａ，３ｂを回転させるようにしてもよい。また、ここでは、回転角度は９０°としたが、これに限定する必要はなく、任意の角度で回転させて複数回の撮像を行ってもよい。
【００２７】
実施の形態２．
図３はこの発明の実施の形態２における検査装置の構成図であり、図１に示した実施の形態１と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
【００２８】
上記の実施の形態１では、一対の照明手段３ａ，３ｂを対向配置して被検査物１を回転させることにより照明方向を相対的に変更するように構成しているが、この実施の形態２では、図３に示すように、予め一対の照明手段３ａ，３ｂおよび３ｃ，３ｄを２組配置しておき、撮像同期手段１３によって照明タイミングおよび撮像タイミングを制御して被検査物１の画像を複数撮像するようにしている。
【００２９】
すなわち、被検査物１が搬送手段２によって検査ステージまで搬送されると、撮像同期手段１３によるタイミング制御により、例えば、左右一対の照明手段３ａ，３ｂによって被検査物１を照明し、この状態で撮像手段５で被検査物１の表面を撮像する。引き続いて、前後一対の照明手段３ｃ，３ｄによって被検査物１を照明し、この状態で撮像手段５で被検査物１の表面を撮像する。
【００３０】
このように、照明手段３ａ，３ｂおよび３ｃ，３ｄの照明タイミングと撮像タイミングとを時分割で切り替えることにより、被検査物１を回転させる手間と時間を省けるので、高速に検査を行えるという利点が得られる。その他の構成および作用効果は実施の形態１の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
【００３１】
実施の形態３．
図４はこの発明の実施の形態３における検査装置の構成図であり、図１に示した実施の形態１と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
【００３２】
上記の実施の形態１，２では、撮像手段５として二次元ＣＣＤカメラを使用しているが、この実施の形態３では、撮像手段５ａ，５ｂとしてラインセンサカメラを用いている。また、この実施の形態３では、２つの検査ステージが配置されるとともに、両検査ステージの間には被検査物１の配置方向を９０゜回転させる相対位置変更手段としての回転装置４が設けられている。
【００３３】
したがって、搬送手段２は、各検査ステージにおいて、例えば左から右の方向に被検査物１を搬送するが、被検査物１は、一方の検査ステージから他方の検査ステージに移送される間に回転装置４によって、９０°回転される。また、両ラインセンサカメラ５ａ，５ｂは、搬送手段２により被検査物１が搬送される方向に対して直交する方向に画像を撮像するように設定されている。
【００３４】
この構成の検査装置において、一方の検査ステージにおいて、被検査物１は搬送手段２によって等速度で搬送される。この状態でラインセンサカメラ５ａは、搬送速度に同期しながら被検査物１の撮像を行って二次元の画像データを獲得する。次に、撮像後の被検査物１は、回転装置４によって９０°回転された後、搬送手段２によって他方の検査ステージに送られる。そして、この検査ステージにおいて、被検査物１は、搬送手段２よって等速度で搬送されつつ、ラインセンサカメラ５ｂによって撮像を行って二次元の画像データを獲得する。
【００３５】
このように、この実施の形態３では、等速度で移動される被検査物１の表面を各ラインセンサカメラ５ａ，５ｂで撮像して結果的に二次元の画像データを得るので、撮像手段として二次元ＣＣＤカメラを使用する場合に比べて、さらに高分解能の画像を撮像できるという利点が得られる。また、撮像手段５ａ，５ｂの視野が直線となるため、各照明手段３ａ〜３ｄによる照明範囲が小さくてよく、均一照明を簡単に構築することができるという利点がある。その他の構成および作用効果は実施の形態１（図１）の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
【００３６】
なお、この実施の形態３では、２つの検査ステージの間に回転装置４を設けて被検査物１が一方の検査ステージから他方の検査ステージに搬送される間に回転させているが、図５に示すような構成とすることも可能である。すなわち、図５では、搬送手段２は、例えば、一方の検査ステージでは、左から右の方向に被検査物１を搬送するが、他方の検査ステージでは、被検査物１をこの搬送方向と直交するように後から前の方向に被検査物１を搬送するように搬送方向を切り替えるようにして、搬送手段２が相対位置変更手段を兼用する構成としている。この場合、両ラインセンサカメラ５ａ，５ｂは、被検査物１の各搬送方向に対して直交する方向に画像を撮像するように設定されている。
【００３７】
また、図４に示した実施の形態３では、２つの検査ステージを形成しているが、図６に示すような構成とするこもと可能である。すなわち、図６では、一つの検査ステージの外部に回転装置４を設け、例えば、搬送手段２で左から右の方向に被検査物１を搬送して被検査物１の撮像が終了すると、被検査物１を回転装置４の位置まで搬送し、回転装置４で被検査物１を９０°回転した後に、搬送手段２の搬送方向が逆になるよう切り替えて、同じ検査ステージにおいて被検査物１を右から左の方向に搬送する。この構成とした場合には、ラインセンサカメラ５を備えた単一の検査ステージを設けるだけで一連の検査を実施できるので、装置全体の構成が簡素化され、安価に検査装置を構築できるという利点が得られる。
【００３８】
実施の形態４．
図７はこの発明の実施の形態４における検査装置の構成図であり、図４に示した実施の形態３と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
【００３９】
この実施の形態４の検査装置は、各検査ステージにおいて搬送手段２により搬送される被検査物１の搬送速度を検出する搬送速度検出手段１７が設けられるとともに、搬送速度検出手段１７の検出信号に基づいて撮像結果記憶手段６に記憶されている各画像データの画像歪を補正する画像歪み補正手段１４が付加されている。
【００４０】
すなわち、ラインセンサカメラ５ａ，５ｂを用いて被検査物１を撮像する際、被検査物１の搬送速度に変動を生じた場合には、撮像手段５で撮像して撮像結果記憶手段６に記憶されている各画像データにも搬送方向に画像歪が発生している。
【００４１】
そこで、この実施の形態４では、各検査ステージにおいて、搬送速度検出手段１７は、搬送手段２により搬送される被検査物１の搬送速度を検出し、この検出信号を画像歪み補正手段１４に送出する。画像歪み補正手段１４は、搬送速度検出手段１７からの検出信号に基づいて、撮像結果記憶手段６に記憶されている各画像データについて搬送方向に生じる画像歪の補正を行う。
【００４２】
これにより、位置決め手段８によって被検査物１のテンプレート画像と撮像結果記憶手段６に記憶された各画像とが重なるように位置決めを行う場合の位置決め精度、および論理積演算手段１０で二値化後の画像データについて相対位置を一致させて論理積演算を行う際の論理積演算精度をさらに向上させることができる。
【００４３】
その他の構成、および作用効果は実施の形態３（図４）の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。また、図５、図６に示した構成に対して搬送速度検出手段１７および画像歪み補正手段１４を付加することも可能であり、同様な効果を得ることができる。
【００４４】
さらにまた、実施の形態１，２のように、二次元ＣＣＤカメラを使用する場合でも、画像歪み補正手段１４を付加することにより、撮像手段５で撮像された画像データに含まれる画像歪を補正することができるので、位置決め手段８による位置決め精度、および論理積演算手段１０による論理積演算精度を共に向上できるという利点がある。
【００４５】
実施の形態５．
図８はこの発明の実施の形態５における検査装置の構成図であり、図１に示した実施の形態１と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
【００４６】
この実施の形態５の検査装置は、撮像手段５の前面に入射光の波長を選択する波長選択手段１５が設けられている。この波長選択手段１５は、例えば色ガラスフィルタからなり、多結晶基板１ａの表面に塗布された図示しない反射防止膜の特性に応じてフィルタ特性が設定されている。
【００４７】
すなわち、太陽光の波長成分が図９（ａ）に示すような分布をもつとき、被検査物１が太陽電池の場合には、その発電効率を高めるために、図９（ｂ）に示すように、多結晶基板１ａの表面には例えば太陽光のλ１〜λ２の範囲内の波長の光に対して反射率を低くする反射防止膜が塗布されている。一方、被検査物１を照明する照明手段３ａ，３ｂの種類によっては、図９（ｃ）に示すように、反射防止膜による効果が不十分な波長領域において波長成分がピークとなる照明光が使用されることがある。このときには、例えばλ２以上の波長の照明光が多結晶基板１ａで反射されて撮像手段５に入射するため、撮像手段５で撮像して得られる画像データに雑音が多く含まれることになり、Ｓ／Ｎ比が劣化する。そこで、例えば図９（ｄ）に示すように、λ２以上の波長の光をカットする特性をもつ波長選択手段１５を撮像手段５の前面に設けておけば、このような不要な波長成分の光を除けるので、撮像手段５で撮像して得られる画像データのＳ／Ｎ比が改善される。
【００４８】
このように、この実施の形態５では、多結晶基板１ａの表面に塗布された反射防止膜の特性に応じたフィルタ特性をもつ波長選択手段１５を撮像手段５の前面に設けたので、撮像手段５により得られる画像データに対するＳ／Ｎ比を向上することができ、検査精度を高めることが可能になる。
【００４９】
その他の構成、および作用効果は実施の形態１（図１）の場合と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。なお、この実施の形態５では、実施の形態１の構成に対して波長選択手段１５を付加した場合について説明したが、他の実施の形態２〜４の構成の検査装置に対しても同様に撮像手段５，５ａ，５ｂの前面に波長選択手段１５を付加することが可能である。
【００５０】
実施の形態６．
図１０はこの発明の実施の形態６における検査装置の構成図であり、図１に示した実施の形態１と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
【００５１】
この実施の形態６では、撮像手段５の前面に特定の振動方向の光を分離選択する偏光手段１６が付加されている。このように偏光手段１６を付加した場合でも、多結晶基板１ａの特定の結晶からの指向性の強い反射光の影響を受け難くなるので、従来に比べて、精度良く配線パターン１ｂの断線や短絡、さらにはペースト漏れ等の微小な配線パターン１ｂの欠陥の有無を検査することが可能となる。
【００５２】
なお、この実施の形態６では、実施の形態１の構成に対して偏光手段１６を付加した場合について説明したが、他の実施の形態２〜５の構成の検査装置に対しても同様に撮像手段５，５ａ，５ｂの前面に偏光手段１６を付加することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
この発明は、太陽電池の配線パターンの検査に限定されるものではなく、多結晶基板上に配線パターンが形成されたものを被検査物とする場合に広く適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】この発明の実施の形態１における検査装置を示す構成図である。
【図２】この発明の実施の形態１における検査装置の検査処理動作の説明図である。
【図３】この発明の実施の形態２における検査装置を示す構成図である。
【図４】この発明の実施の形態３における検査装置を示す構成図である。
【図５】この発明の実施の形態３における検査装置の変形例を示す構成図である。
【図６】この発明の実施の形態３における検査装置の他の変形例を示す構成図である。
【図７】この発明の実施の形態４における検査装置を示す構成図である。
【図８】この発明の実施の形態５における検査装置を示す構成図である。
【図９】この発明の実施の形態５における検査装置において使用する波長選択手段の作用説明図である。
【図１０】この発明の実施の形態５における検査装置を示す構成図である。
【図１１】被検査物を構成する配線パターンと多結晶基板の光反射特性を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  被検査物、１ａ  多結晶基板、１ｂ  配線パターン、２  搬送手段、
３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ  照明手段、４  回転装置（相対位置変更手段）、
５，５ａ，５ｂ  撮像手段、１３  撮像同期手段、１４  画像歪み補正手段、
１５  波長選択手段、１６  偏光手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006300747.tif 000008
【図７】
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【図８】
2006300747.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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