(57)【要約】【課題】  アルミニウムを含む配線層から成るボンディングパッドを備えた半導体装置及びその製造方法において、その歩留まりの向上を図る。【解決手段】  本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の最上層の第２の配線層２２（例えばアルミニウムから成る）上に形成された反射防止層２３Ａ（例えばチタン合金から成る）の一部をエッチングして除去する工程と、反射防止層２３Ａ及びそれが形成されていない第２の配線層２２の一部上を覆い、かつ第２の配線層２２の他の一部を露出する開口部２４を有したパッシベーション層２５Ａを形成する工程と、ダイシングにより半導体基板１０を複数の半導体チップに分離する工程と、を含む。これにより、開口部２４内で反射防止層２３Ａが露出しなくなり、従来例にみられたような第２の配線層２２と反射防止層２３Ａとの電池反応による第２の配線層２２の溶出を抑止することができる。【選択図】  図５
2006303452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップに形成された配線層と、
前記配線層の一部上に形成された反射防止層と、
前記配線層及び反射防止層を覆うパッシベーション層と、を備え、
前記パッシベーション層は、前記反射防止層の端部を露出させずに前記配線層の一部を露出する開口部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップに形成された配線層と、
前記配線層を覆うパッシベーション層と、を備え、
前記パッシベーション層は、前記配線層の一部を露出する開口部を有し、かつ露出されていない前記配線層と直接に接するようにして形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体チップと、
前記半導体チップに形成された配線層と、
前記配線層の一部上に形成された反射防止層と、
前記配線層及び反射防止層を覆うパッシベーション層と、を備え、
前記パッシベーション層は、前記反射防止層の端部を露出させており、
前前記反射防止層の端部は、金属層に覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記反射防止層はチタン又はチタン合金から成ることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線層は、アルミニウム又はアルミニウム合金から成ることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線層と前記金属層とが同一材料から成ることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記パッシベーション層は無機膜から成ることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記パッシベーション層は、複数の無機膜が積層されて成ることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板に配線層及び反射防止層を形成し、それらをパターニングする工程と、
前記反射防止層の一部をエッチングして除去する工程と、
前記配線層及び前記反射防止層を覆うパッシベーション層を形成する工程と、
前記反射防止層が形成されていない前記配線層の一部を露出し、かつ前記反射防止層の端部を露出させないようにして、前記パッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板に配線層及び反射防止層を形成し、それらをパターニングする工程と、
前記反射防止層の全てをエッチングして除去する工程と、
前記配線層と直接に接するようにして、パッシベーション層を形成する工程と、
前記配線層の一部を露出するようにして、前記パッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板に配線層及び反射防止層を形成し、それらをパターニングする工程と、
前記配線層及び前記反射防止層を覆うようにして、第１のパッシベーション層を形成する工程と、
前記配線層の一部を露出するようにして、前記反射防止層の一部及び前記第１のパッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、
前記配線層及び前記第１のパッシベーション層を覆うようにして、第２のパッシベーション層を形成する工程と、
前記配線層の一部を再び露出するようにして、前記第２のパッシベーション層をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２のパッシベーション層の除去方法がスパッタエッチングであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板に配線層及び反射防止層を形成し、それらをパターニングする工程と、
前記配線層及び前記反射防止層を覆うようにして、パッシベーション層を形成する工程と、
前記配線層の一部を露出するようにして、前記反射防止層の一部及び前記パッシベーション層の一部をエッチング除去し、前記反射防止層の端部が露出する開口部を形成する工程と、
前記反射防止層の端部を覆うようにして、金属層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体基板に配線層及び反射防止層を形成する工程と、
前記反射防止層の一部をエッチングして除去する工程と、
前記配線層及び前記反射防止層を覆うパッシベーション層を形成する工程と、
前記反射防止層が形成されていない前記配線層の一部を露出し、かつ前記反射防止層の端部を露出させないようにして、前記パッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記配線層と金属層は同一材料から成ることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記パッシベーション層は無機膜から成り、ＣＶＤ法により形成されることを特徴とする請求項９、１０、１３、１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２のパッシベーション層は無機膜から成り、ＣＶＤ法により形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記配線層はアルミニウム又はアルミニウム合金から成り、前記反射防止層はチタン又はチタン合金から成ることを特徴とする請求項９、１０、１１、１２、１３、１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、アルミニウムを含む配線層から成るボンディングパッドを備えた半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の入出力端子や電源端子等の外部接続用の電極としてボンディングパッドが知られている。ボンディングパッドは、例えばアルミニウム（Ａｌ）配線を用いて形成され、ボンディングワイヤ等を介してリードフレーム等と接続される。
【０００３】
次に、アルミニウム（Ａｌ）配線から成るボンディングパッドを備えた従来例に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図４０は従来例に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。なお、この半導体装置は、多層配線構造を有しているものとする。
【０００４】
図４０に示すように、半導体基板１０（後の半導体チップ）には、トランジスタ１０Ｔが形成されている。即ち、半導体基板１０上にゲート絶縁膜１１及びゲート電極１２が形成され、その両側にソース１３及びドレイン１３が形成されてトランジスタ１０Ｔを構成している。
【０００５】
そして、この半導体基板１０上に、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）から成る第１の層間絶縁膜１４が形成され、トランジスタ１０Ｔのソース１３もしくはドレイン１３に対応して、エッチング等によりコンタクトホールが形成され、そこに第１のプラグ１５が埋め込まれる。さらに第１の層間絶縁膜１４上に、チタン（Ｔｉ）及びチタンナイトライド（ＴｉＮ）がこの順で積層されて成る第１のバリア層１６が形成される。この第１のバリア層１６上には、例えばスパッタ法により成膜されたアルミニウム（Ａｌ）から成り所定のパターンにパターニングされた第１の配線層１７が形成される。ここで、トランジスタ１０Ｔのソース１３もしくはドレイン１３と第１の配線層１７とは、第１のプラグ１５を介して電気的に接続される。
【０００６】
さらに、第１の配線層１７上に、第１のバリア層１６と同様の第２のバリア層１８が形成される。これら第１のバリア層１６、第１の配線層１７及び第２のバリア層１８は、所定のパターンにパターニングされる。そして、第２のバリア層１８上には第１の層間絶縁膜１４と同様の第２の層間絶縁膜１９が形成される。第２の層間絶縁膜１９には、必要に応じてコンタクトホールが形成され、そこに第２のプラグ２０が埋め込まれる。第２のプラグは、第１の配線層１７と後述する第２の配線層２２とを電気的に接続する。
【０００７】
さらに第２の層間絶縁膜１９上に、第１のバリア層１６と同様の第３のバリア層２１が形成され、その上には、例えばスパッタ法により成膜されたアルミニウム（Ａｌ）から成る第２の配線層２２が形成される。ここで、第２の配線層２２上には、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）から成る反射防止層５３が形成される。そして、第３のバリア層２１、第２の配線層２２及び反射防止層５３をパターニングするが、その際、反射防止層５３によって、パターニング用のマスクに用いる不図示のフォトレジストに対する露光の反射を防ぐことができる。これにより、上記フォトレジストの露光及び現像を高精度に行うことができ、結果として第２の配線層２２のパターニングを高精度に行うことが可能となる。
【０００８】
次に、第２の配線層２２及び反射防止層５３を覆うパッシベーション層５５を形成する。その後、第２の配線層２２を露出する開口部５４を形成するようにして、反射防止層５３及びパッシベーション層５５をエッチングする。この開口部５４で露出する第２の配線層２２は、第２の配線層２２と不図示のリードフレームとを接続するボンディングワイヤ５６が形成されるボンディングパッドとなる。
【０００９】
なお、本願と関連する技術文献としては、例えば以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開２００４−１５８６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図４１は、図４０の半導体装置の製造過程の一工程、もしくは完成後を示す断面図であり、その最上層近傍を拡大して示している。なお、図４１では、ボンディングワイヤ５６の図示は省略する。
【００１１】
図４１（Ａ）に示すように、パッシベーション層５５の開口部５４では、第２の配線層２２上に形成された反射防止層５３の端部が露出している。これらの第２の配線層２２及び反射防止層５３に、不純物を含む水分３０、即ち半導体の製造工程で用いられる水分や大気中に含まれる水分等が付着すると、図４１（Ｂ）に示すように、第２の配線層２２に、そのアルミニウム（Ａｌ）成分が溶出して成る欠損部２２Ｈが生じ、また、露出する第２の配線層２２の表面に、その溶出物２２Ｆが堆積していた。
【００１２】
この問題は、第２の配線層２２及び反射防止層５３に付着した不純物を含む水分３０が電解質となって、第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分と反射防止層５３のチタン（Ｔｉ）成分とが電池反応を起こすことにより生じるものと考えられる。即ち、この電池反応では、アルミニウム（Ａｌ）のイオン化傾向よりも、チタン（Ｔｉ）のイオン化傾向の方が低いことから、チタン（Ｔｉ）イオンに比して多くのアルミニウム（Ａｌ）イオンが移動し、アルミニウムが溶出することになる。
【００１３】
結果として、ボンディングパッドとして用いられる第２の配線層２２と不図示のリードフレームに対してワイヤボンディングを施す際に接続不良が生じ、半導体装置の歩留まりが低下していた。
【００１４】
そこで本発明は、アルミニウムを含む配線層から成るボンディングパッドを備えた半導体装置及びその製造方法において、歩留まりの向上を図る。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の半導体装置は、上記課題に鑑みて為されたものであり、半導体チップと、前記半導体チップに形成された配線層と、前記配線層の一部上に形成された反射防止層と、前記配線層及び反射防止層を覆うパッシベーション層と、を備え、前記パッシベーション層は、前記反射防止層の端部を露出させずに前記配線層の一部を露出する開口部を有していることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップに形成された配線層と、前記配線層を覆うパッシベーション層と、を備え、前記パッシベーション層は、前記配線層の一部を露出する開口部を有し、かつ露出されていない前記配線層と直接に接するようにして形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップに形成された配線層と、前記配線層の一部上に形成された反射防止層と、前記配線層及び反射防止層を覆うパッシベーション層と、を備え、前記パッシベーション層は、前記反射防止層の端部を露出させており、前記反射防止層の端部は、金属層に覆われていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に配線層及び反射防止層をこの順で形成し、それらをパターニングする工程と、前記反射防止層の一部をエッチングして除去する工程と、前記配線層及び前記反射防止層を覆うパッシベーション層を形成する工程と、前記反射防止層が形成されていない前記配線層の一部を露出し、かつ前記反射防止層の端部を露出させないようにして、前記パッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に配線層及び反射防止層をこの順で形成し、それらをパターニングする工程と、前記反射防止層の全てをエッチングして除去する工程と、前記配線層と直接に接するようにして、パッシベーション層を形成する工程と、前記配線層の一部を露出するようにして、前記パッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に配線層及び反射防止層を形成し、それらをパターニングする工程と、前記配線層及び前記反射防止層を覆うようにして、第１のパッシベーション層を形成する工程と、前記配線層の一部を露出するようにして、前記反射防止層の一部及び前記第１のパッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、前記配線層及び前記第１のパッシベーション層を覆うようにして、第２のパッシベーション層を形成する工程と、前記配線層の一部を再び露出するようにして、前記第２のパッシベーション層をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に配線層及び反射防止層を形成し、それらをパターニングする工程と、前記配線層及び前記反射防止層を覆うようにして、第１のパッシベーション層を形成する工程と、前記配線層の一部を露出するようにして、前記反射防止層の一部及び前記第１のパッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、前記配線層及び前記第１のパッシベーション層を覆うようにして、第２のパッシベーション層を形成する工程と、前記配線層の一部が再び露出するまで、前記第２のパッシベーション層をスパッタエッチング法により除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に配線層及び反射防止層を形成し、それらをパターニングする工程と、前記配線層及び前記反射防止層を覆うようにして、パッシベーション層を形成する工程と、前記配線層の一部を露出するようにして、前記反射防止層の一部及び前記パッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、前記配線層及び前記パッシベーション層を覆うようにして、金属層を形成する工程と、前記金属薄膜層の一部をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に配線層及び反射防止層をこの順で形成する工程と、前記反射防止層の一部をエッチングして除去する工程と、前記配線層及び前記反射防止層を覆うパッシベーション層を形成する工程と、前記反射防止層が形成されていない前記配線層の一部を露出し、かつ前記反射防止層の端部を露出させないようにして、前記パッシベーション層の一部をエッチングして除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、配線層を構成する金属が溶出して欠損や溶出物の堆積が生じることを回避することができる。従って、その配線層にワイヤボンディングを施す際に、従来例にみられたような接続不良を抑止することができる。結果として、アルミニウムを含む配線層から成るボンディングパッドを備えた半導体装置及びその製造方法において、その歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図１乃至図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図５は、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【００２６】
本実施形態は、図４０に示した従来例に係る半導体装置の半導体基板１０から第２の配線層２２までの構成要素と同様の構成を有しているものとする。そこで、図１乃至図５では、本実施形態に係る半導体装置のうち、第２の配線層２２より上層の構成要素についてのみ説明を行う。また、第２の層間絶縁膜１９より下層の構成要素の図示は省略する。
【００２７】
図１に示すように、フォトリソグラフィ（不図示のレジスト層の露光及び現像）を含むパターニング工程を経て、第２の配線層２２及び反射防止層２３Ａが所定のパターンに形成されている。なお、第２の配線層２２は、アルミニウム（Ａｌ）に限定されず、アルミニウム合金、例えばアルミニウム（Ａｌ）及び銅（Ｃｕ）から成る合金であってもよい。もしくは、第２の配線層２２は、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）及び銅（Ｃｕ）から成る合金であってもよい。また、第２の配線層２２は、例えば約９５０ｎｍの膜厚を以って形成される。
【００２８】
また、反射防止層２３Ａは、図４０における反射防止層５３と同様の機能を有し、例えばチタンナイトライド（ＴｉＮ）から成るものとしたが、それ以外のチタン合金もしくはチタン（Ｔｉ）であってもよい。反射防止層２３Ａは、例えば約２０〜８０ｎｍの膜厚を以って形成される。
【００２９】
次に、図２に示すように、第３のバリア層２１の一部上及び反射防止層２３Ａの一部上を覆うようにして、第１のレジスト層１０１を形成する。そして、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガスを用いたドライエッチングにより、第１のレジスト層１０１をマスクとして反射防止層２３Ａをエッチングして、第２の配線層２２の一部を露出する。このエッチングの終了後、第１のレジスト層１０１は除去される。
【００３０】
次に、図３に示すように、第３のバリア層２１上、第２の配線層２２上、及び反射防止層２３Ａ上を覆うようにして、パッシベーション層２５Ａを形成する。このパッシベーション層２５Ａは、無機膜から成るものであれば特に制限されないが、好ましくは、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）の２層から成り、プラズマＣＶＤ法によりこの順で形成される。もしくは、パッシベーション層２５Ａは、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）もしくはシリコン窒化膜（ＳｉＮ）のいずれか１層から成るものであってもよい。パッシベーション層２５Ａは、例えば約９００ｎｍの膜厚を以って形成される。
【００３１】
次に、図４に示すように、パッシベーション層２５Ａ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、残存する反射防止層２３Ａ上、及び反射防止層２３Ａが残存していない第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第２のレジスト層１０２を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第２のレジスト層１０２をマスクとしてパッシベーション層２５Ａの一部をエッチングして除去する。
【００３２】
これにより、パッシベーション層２５Ａには、第２の配線層２２の一部を露出し、かつ反射防止層２３Ａの端部を露出しない開口部２４が形成される。即ち、反射防止層２３Ａの端部は、パッシベーション層２５Ａに覆われる。なお、図４の断面図では、開口部２４の一部の側壁のみを示しているが、その他の側壁においても反射防止層２３Ａはパッシベーション層２５Ａに覆われている。上記エッチングの終了後、第２のレジスト層１０２は除去される。
【００３３】
次に、図５に示すように、不図示のダイシングラインに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層された各層を、複数の半導体チップ１０Ａに分離する。
【００３４】
上述したように、本実施形態では、開口部２４内で反射防止層２３Ａがパッシベーション層２５Ａにより覆われている。また、パッシベーション層２５ＡはプラズマＣＶＤ法により形成されているため、第２の配線層２２と充分に密着している。
【００３５】
これにより、反射防止層２３Ａに、不純物を含む水分、即ち、製造工程に用いられる水分（例えば静電気抑止のためのＣＯ２を含んだダイシング用の水）や大気中に含まれる水分等が接することがなくなり、従来例にみられたような反射防止層のチタン（Ｔｉ）成分と第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分との電池反応の発生が回避される。即ち、第２の配線層２２を構成するアルミニウムの溶出が回避される。結果として、開口部２４で露出する第２の配線層２２に対してワイヤボンディングを施す際の接続不良が極力抑止され、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００３６】
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図６乃至図９は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図１０は、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【００３７】
図６乃至図１０では、第１の実施形態と同様に、第２の配線層２２より上層の構成要素についてのみ説明を行う。その他の構成要素及びその製造方法については、図４０の従来例に係る半導体装置及びその製造方法と同様である。また、第２の層間絶縁膜１９より下層の構成要素の図示は省略する。
【００３８】
図６に示すように、フォトリソグラフィを含むパターニング工程を経て、第２の配線層２２及び反射防止層２３Ｂが所定のパターンに形成されている。なお、反射防止層２３Ｂは、第１の実施形態の反射防止層２３Ａと同様の金属から成る。
【００３９】
次に、図７に示すように、第２の配線層２２が形成されていない第２の層間絶縁膜１９上に、第３のレジスト層１０３を形成する。そして、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガスを用いたドライエッチングにより、第３のレジスト層１０３をマスクとして反射防止層２３Ｂをエッチングして除去する。このエッチングの終了後、第３のレジスト層１０３は除去される。
【００４０】
次に、図８に示すように、第３のバリア層２１上及び第２の配線層２２上を覆うようにして、パッシベーション層２５Ｂを形成する。このパッシベーション層２５Ｂは、１層もしくは複数の層から成り、第１の実施形態のパッシベーション層２５Ａと同様の材料から成り、同様の膜厚を以って、同様の成膜方法により形成される。
【００４１】
次に、図９に示すように、パッシベーション層２５Ｂ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、及び第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第４のレジスト層１０４を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第４のレジスト層１０４をマスクとしてパッシベーション層２５Ｂをエッチングして除去する。このエッチングの終了後、第４のレジスト層１０４は除去される。これにより、パッシベーション層２５Ｂには、第２の配線層２２の一部を露出する開口部２４が形成される。
【００４２】
次に、図１０に示すように、不図示のダイシングラインに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層された各層を、複数の半導体チップ１０Ｂに分離する。
【００４３】
上述したように、本実施形態では、開口部２４近傍の第２の配線層２２上に反射防止層２３Ｂが存在しない。これにより、従来例にみられたような反射防止層のチタン（Ｔｉ）成分と第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分との電池反応の発生が回避され、第２の配線層２２を構成するアルミニウムの溶出が回避される。結果として、開口部２４で露出する第２の配線層２２に対してワイヤボンディングを施す際の接続不良が極力抑止され、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００４４】
次に、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図１１乃至図１５は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図１６は、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【００４５】
図１１乃至図１６では、第１の実施形態と同様に、第２の配線層２２より上層の構成要素についてのみ説明を行う。その他の構成要素及びその製造方法については、図４０の従来例に係る半導体装置及びその製造方法と同様である。また、第２の層間絶縁膜１９より下層の構成要素の図示は省略する。
【００４６】
図１１に示すように、フォトリソグラフィを含むパターニング工程を経て、第２の配線層２２及び反射防止層２３Ｃが所定のパターンに形成されている。なお、反射防止層２３Ｃは、第１の実施形態の反射防止層２３Ａと同様の金属から成る。
【００４７】
次に、図１２に示すように、第３のバリア層２１上、第２の配線層２２上、及び反射防止層２３Ｃ上を覆うようにして、第１のパッシベーション層２５Ｃを形成する。この第１のパッシベーション層２５Ｃは、１層もしくは複数の層から成り、第１の実施形態のパッシベーション層２５Ａと同様の材料から成り、同様の膜厚を以って、同様の成膜方法により形成される。
【００４８】
その後、図１３に示すように、パッシベーション層２５Ｃ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、及び第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第５のレジスト層１０５を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第５のレジスト層１０５をマスクとしてパッシベーション層２５Ｃ及び反射防止層２３Ｃをエッチングして除去する。これにより、パッシベーション層２５Ｃには、第２の配線層２２の一部を露出する開口部２４Ａが形成される。
【００４９】
さらに、図１４に示すように、第１のパッシベーション層２５Ｃ上及び開口部２４Ａ内を覆うようにして、第２のパッシベーション層２７Ｃを形成する。この第２のパッシベーション層２７Ｃは、第１のパッシベーション層２５Ｃと同様の材料から成り、同様の成膜方法により形成される。第２のパッシベーション層２７Ｃは、例えば約３０〜１００ｎｍの膜厚を以って形成される。
【００５０】
次に、図１５に示すように、第２のパッシベーション層２７Ｃ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、残存する反射防止層２３Ｃ上、及び反射防止層２３Ｃが残存していない第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第６のレジスト層１０６を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第６のレジスト層１０６をマスクとして第２のパッシベーション層２７Ｃをエッチングして除去する。このエッチングの終了後、第６のレジスト層１０６は除去される。
【００５１】
これにより、第１のパッシベーション層２５Ｃ及び第２のパッシベーション層２７には、第２の配線層２２の一部を露出し、かつ反射防止層２３Ｃの端部を露出しない開口部２４Ｂが形成される。
【００５２】
なお、一般に、開口部の側壁の底部に位置するレジスト層は、露光の反射により必ずしも正確にパターニングされない。そのため、第２のパッシベーション層２７Ｃのエッチングの際、開口部２４Ｂの側壁の底部が必要以上に除去されて、反射防止層２３Ｃが露出する恐れがある。そこで、本実施形態のように、第６のレジスト層１０６を反射防止層２３Ｃが残存していない第２の配線層２２上に対応する位置に至るまで形成すれば、上記エッチング後においても、第２のパッシベーション層２７Ｃは、開口部２４Ｂ内の反射防止層２３Ｃの端部を完全に覆うことができる。
【００５３】
次に、図１６に示すように、不図示のダイシングラインに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層された各層を、複数の半導体チップ１０Ｃに分離する。
【００５４】
上述したように、本実施形態では、開口部２４Ｂ内で反射防止層２３Ｃが第２のパッシベーション層２７Ｃにより覆われている。これにより、反射防止層２３Ｃに、不純物を含む水分、即ち、製造工程に用いられる水分（例えば静電気抑止のためのＣＯ２を含んだダイシング用の水）や大気中に含まれる水分が接することがなくなり、従来例にみられたような反射防止層のチタン（Ｔｉ）成分と第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分との電池反応の発生が回避される。即ち、第２の配線層２２を構成するアルミニウムの溶出が回避される。結果として、開口部２４Ｂで露出する第２の配線層２２に対してワイヤボンディングを施す際の接続不良が極力抑止され、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００５５】
次に、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図１７乃至図２１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図２２は、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【００５６】
図１７乃至図２２では、第１の実施形態と同様に、第２の配線層２２より上層の構成要素についてのみ説明を行う。その他の構成要素及びその製造方法については、図４０の従来例に係る半導体装置及びその製造方法と同様である。また、第２の層間絶縁膜１９より下層の構成要素の図示は省略する。
【００５７】
図１７に示すように、フォトリソグラフィを含むパターニング工程を経て、第２の配線層２２及び反射防止層２３Ｄが所定のパターンに形成されている。なお、反射防止層２３Ｄは、第１の実施形態の反射防止層２３Ａと同様の金属から成る。
【００５８】
次に、図１８に示すように、第３のバリア層２１上、第２の配線層２２上、及び反射防止層２３Ｄ上を覆うようにして、第１のパッシベーション層２５Ｄを形成する。この第１のパッシベーション層２５Ｄは、１層もしくは複数の層から成り、第１の実施形態のパッシベーション層２５Ａと同様の材料から成り、同様の膜厚を以って、同様の成膜方法により形成される。
【００５９】
その後、図１９に示すように、第１のパッシベーション層２５Ｄ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、及び第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第７のレジスト層１０７を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第７のレジスト層１０７をマスクとしてパッシベーション層２５Ｄ及び反射防止層２３Ｄをエッチングして除去する。これにより、パッシベーション層２５Ｄには、第２の配線層２２の一部を露出する開口部２４Ａが形成される。
【００６０】
さらに、図２０に示すように、第１のパッシベーション層２５Ｄ上及び開口部２４Ａ内を覆うようにして、第２のパッシベーション層２７Ｄを形成する。この第２のパッシベーション層２７Ｄは、第１のパッシベーション層２５Ｄと同様の材料から成り、同様の成膜方法により形成される。第２のパッシベーション層２７Ｄは、例えば約３０〜２００ｎｍの膜厚を以って形成される。
【００６１】
次に、図２１に示すように、第２のパッシベーション層２７Ｄの表面を、第２の配線層２２の表面が露出するまで、アルゴンガスを用いてスパッタエッチングを行う。
【００６２】
これにより、第１のパッシベーション層２５Ｄ及び第２のパッシベーション層２７Ｄには、第２の配線層２２の一部を露出し、かつ反射防止層２３Ｄの端部を露出しない開口部２４Ｃが形成される。
【００６３】
次に、図２２に示すように、不図示のダイシングラインに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層された各層を、複数の半導体チップ１０Ｄに分離する。
【００６４】
上述したように、本実施形態では、開口部２４Ｃ内で反射防止層２３Ｄが第２のパッシベーション層２７Ｄにより覆われている。これにより、反射防止層２３Ｄに、不純物を含む水分、即ち、製造工程に用いられる水分（例えば静電気抑止のためのＣＯ２を含んだダイシング用の水）や大気中に含まれる水分が接することがなくなり、従来例にみられたような反射防止層のチタン（Ｔｉ）成分と第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分との電池反応の発生が回避される。即ち、第２の配線層２２を構成するアルミニウムの溶出が回避される。結果として、開口部２４Ｃで露出する第２の配線層２２に対してワイヤボンディングを施す際の接続不良が極力抑止され、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００６５】
次に、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図２３乃至図２７は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図２８は、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【００６６】
図２３乃至図２８では、第１の実施形態と同様に、第２の配線層２２より上層の構成要素についてのみ説明を行う。その他の構成要素及びその製造方法については、図４０の従来例に係る半導体装置及びその製造方法と同様である。また、第２の層間絶縁膜１９より下層の構成要素の図示は省略する。
【００６７】
図２３に示すように、フォトリソグラフィを含むパターニング工程を経て、第２の配線層２２及び反射防止層２３Ｅが所定のパターンに形成されている。なお、反射防止層２３Ｅは、第１の実施形態の反射防止層２３Ａと同様の金属から成る。
【００６８】
次に、図２４に示すように、第３のバリア層２１上、第２の配線層２２上、及び反射防止層２３Ｅ上を覆うようにして、第１のパッシベーション層２５Ｅを形成する。この第１のパッシベーション層２５Ｅは、１層もしくは複数の層から成り、第１の実施形態のパッシベーション層２５Ｅと同様の材料から成り、同様の膜厚を以って、同様の成膜方法により形成される。
【００６９】
その後、図２５に示すように、パッシベーション層２５Ｅ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、及び第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第８のレジスト層１０８を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第８のレジスト層１０８をマスクとしてパッシベーション層２５Ｅ及び反射防止層２３Ｅをエッチングして除去する。これにより、パッシベーション層２５Ｅには、第２の配線層２２の一部を露出する開口部２４Ａが形成される。
【００７０】
さらに、図２６に示すように、第１のパッシベーション層２５Ｅ上及び開口部２４Ａ内を覆うようにして、金属層２８を形成する。この金属層２８は、好ましくは、アルミニウム（Ａｌ）から成り、スパッタ法により形成される。金属層２８は、例えば、１０〜１０００ｎｍ程度の膜厚を以って形成される。
【００７１】
次に、図２７に示すように、金属層２８上のうち、第３のバリア層２１の一部上、残存する反射防止層２３Ｅ上、及び反射防止層２３Ｅが残存していない第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第９のレジスト層１０９を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第９のレジスト層１０９をマスクとして金属層２８をエッチングして除去する。このエッチングの終了後、第９のレジスト層１０９は除去される。
【００７２】
これにより、パッシベーション層２５Ｅ及び金属層２８には、第２の配線層２２の一部を露出し、かつ反射防止層２３Ｅの端部を露出しない開口部２４Ｄが形成される。
【００７３】
なお、一般に、開口部の側壁の底部に位置するレジスト層は、露光の反射により必ずしも正確にパターニングされない。そのため、金属層２８のエッチングの際、開口部２４Ｄの側壁の底部が必要以上に除去されて、反射防止層２３Ｅが露出する恐れがある。そこで、本実施形態のように、第９のレジスト層１０９を反射防止層２３Ｅが残存していない第２の配線層２２上に対応する位置に至るまで形成すれば、上記エッチング後においても、金属層２８は、開口部２４Ｄ内の反射防止層２３Ｅの端部を完全に覆うことができる。
【００７４】
次に、図２８に示すように、不図示のダイシングラインに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層された各層を、複数の半導体チップ１０Ｅに分離する。
【００７５】
上述したように、本実施形態では、開口部２４Ｄ内で反射防止層２３Ｅが金属層２８により覆われている。これにより、反射防止層２３Ｅに、不純物を含む水分、即ち、製造工程に用いられる水分（例えば静電気抑止のためのＣＯ２を含んだダイシング用の水）や大気中に含まれる水分が接することがなくなり、従来例にみられたような反射防止層のチタン（Ｔｉ）成分と第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分との電池反応の発生が回避される。即ち、第２の配線層２２を構成するアルミニウムの溶出が回避される。結果として、開口部２４Ｄで露出する第２の配線層２２に対してワイヤボンディングを施す際の接続不良が極力抑止され、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００７６】
次に、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図２９乃至図３３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図３４は、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【００７７】
図２９乃至図３４では、第１の実施形態と同様に、第２の配線層２２より上層の構成要素についてのみ説明を行う。その他の構成要素及びその製造方法については、図４０の従来例に係る半導体装置及びその製造方法と同様である。また、第２の層間絶縁膜１９より下層の構成要素の図示は省略する。
【００７８】
図２９に示すように、フォトリソグラフィを含むパターニング工程を経て、第２の配線層２２及び反射防止層２３Ｆが所定のパターンに形成されている。なお、反射防止層２３Ｆは、第１の実施形態の反射防止層２３Ａと同様の金属から成る。
【００７９】
次に、図３０に示すように、第３のバリア層２１上、第２の配線層２２上、及び反射防止層２３Ｆ上を覆うようにして、第１のパッシベーション層２５Ｆを形成する。この第１のパッシベーション層２５Ｆは、１層もしくは複数の層から成り、第１の実施形態のパッシベーション層２５Ｆと同様の材料から成り、同様の膜厚を以って、同様の成膜方法により形成される。
【００８０】
その後、図３１に示すように、パッシベーション層２５Ｆ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、及び第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第１０のレジスト層１１０を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第１０のレジスト層１１０をマスクとしてパッシベーション層２５Ｆ及び反射防止層２３Ｆをエッチングして除去する。これにより、パッシベーション層２５Ｆには、第２の配線層２２の一部を露出する開口部２４Ａが形成される。
【００８１】
さらに、図３２に示すように、第１のパッシベーション層２５Ｆ上及び開口部２４Ａ内を覆うようにして、金属層２８を形成する。この金属層２８は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）から成り、スパッタ法により１０〜１０００ｎｍ程度の膜厚を以って形成される。
【００８２】
次に、図３３に示すように、金属層２８上のうち、第３のバリア層２１の一部上、第２の配線層２２の一部上、残存する反射防止層２３Ｆの一部上、及び反射防止層２３Ｆが残存していない第２の配線層２２上に対応する領域に、第１１のレジスト層１１１を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第１１のレジスト層１１１をマスクとして金属層２８をエッチングして除去する。このエッチングの終了後、第１１のレジスト層１１１は除去される。
【００８３】
次に、図３４に示すように、不図示のダイシングラインに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層された各層を、複数の半導体チップ１０Ｆに分離する。
【００８４】
これにより、本実施形態では、開口部２４Ｅ内で反射防止層２３Ｆ及び第２の配線層２２が金属層２８により覆われている。これにより、反射防止層２３Ｆに、不純物を含む水分、即ち、製造工程に用いられる水分（例えば静電気抑止のためのＣＯ２を含んだダイシング用の水）や大気中に含まれる水分が接することがなくなり、従来例にみられたような反射防止層のチタン（Ｔｉ）成分と第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分との電池反応の発生が回避される。即ち、第２の配線層２２を構成するアルミニウムの溶出が回避される。結果として、開口部２４Ｅで露出する第２の配線層２２に対してワイヤボンディングを施す際の接続不良が極力抑止され、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００８５】
次に、本発明の第７の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図３５乃至図３８は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図３９は、本実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【００８６】
図３５乃至図３９では、第１の実施形態と同様に、第２の配線層２２より上層の構成要素についてのみ説明を行う。その他の構成要素及びその製造方法については、図４０の従来例に係る半導体装置及びその製造方法と同様である。また、第２の層間絶縁膜１９より下層の構成要素の図示は省略する。
図３５に示すように、反射防止層２３Ｇの一部上に第１２のレジスト層１１２
を形成する。そして、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガスを用いたドライエッチングにより、第１２のレジスト層１１２をマスクとして反射防止層２３Ｇをエッチングして、第２の配線層２２の一部を露出する。なお、反射防止層２３Ｇは、第１の実施形態の反射防止層２３Ａと同様の金属から成る。このエッチングの終了後、第１２のレジスト層１１２は除去される。
【００８７】
次に、図３６に示すように、第２の配線層２２及び反射防止層２３Ｇの一部上に第１３のレジスト膜１１３を形成する。そして、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガスを用いたドライエッチングにより、第１３のレジスト層１１３をマスクとして第２の配線層２２及び反射防止層２３Ｇをエッチングして、所定のパターンに形成する。このエッチングの終了後、第１３のレジスト層１１３は除去される。
【００８８】
次に、図３７に示すように、第３のバリア層２１上、第２の配線層２２上、及び反射防止層２３Ｇ上を覆うようにして、パッシベーション層２５Ｇを形成する。この第１のパッシベーション層２５Ｇは、１層もしくは複数の層から成り、第１の実施形態のパッシベーション層２５Ａと同様の材料から成り、同様の膜厚を以って、同様の成膜方法により形成される。
【００８９】
次に、図３８に示すように、パッシベーション層２５Ｇ上のうち、第３のバリア層２１の一部上、残存する反射防止層２３Ｇ上、及び反射防止層２３Ｇが残存していない第２の配線層２２の一部上に対応する領域に、第１４のレジスト層１１４を形成する。そして、フッ素（Ｆ）を含んだガス、例えばＣＨＦ３及びＯ２から成るガス、ＣＦ４及びＯ２から成るガス、あるいはＳＦ６から成るガス等を用いたドライエッチングにより、第１４のレジスト層１１４をマスクとしてパッシベーション層２５Ｇの一部をエッチングして除去する。
【００９０】
これにより、パッシベーション層２５Ｇには、第２の配線層２２の一部を露出し、かつ反射防止層２３Ｇの端部を露出しない開口部２４が形成される。上記エッチングの終了後、第１４のレジスト層１１４は除去される。
【００９１】
次に、図３９に示すように、不図示のダイシングラインに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層された各層を、複数の半導体チップ１０Ｇに分離する。
【００９２】
上述したように、本実施形態では、開口部２４内で反射防止層２３Ｇがパッシベーション層２５Ｇにより覆われている。これにより、反射防止層２３Ｇに、不純物を含む水分、即ち、製造工程に用いられる水分（例えば静電気抑止のためのＣＯ２を含んだダイシング用の水）や大気中に含まれる水分等が接することがなくなり、従来例にみられたような反射防止層のチタン（Ｔｉ）成分と第２の配線層２２のアルミニウム（Ａｌ）成分との電池反応の発生が回避される。即ち、第２の配線層２２を構成するアルミニウムの溶出が回避される。結果として、開口部２４で露出する第２の配線層２２に対してワイヤボンディングを施す際の接続不良が極力抑止され、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【００９３】
なお、上述した第１乃至第７の実施形態では、第２の配線層２２をボンディングパッドとし、それより下層の構成は図４０の従来例に係る半導体装置と同様であるものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、最上層の配線層がボンディングパッドとなるような半導体装置であれば、上記以外の構成を有した半導体装置についても適用される。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１８】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２０】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２２】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図２３】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２４】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２６】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２７】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２８】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図２９】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３０】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３１】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３２】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３３】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３４】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図３５】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３６】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３７】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３８】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３９】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図４０】従来例に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【図４１】従来例に係る半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０      半導体基板
１０Ａ    半導体チップ
１０Ｂ    半導体チップ
１０Ｃ    半導体チップ
１０Ｄ    半導体チップ
１０Ｅ    半導体チップ
１０Ｆ    半導体チップ
１０Ｇ    半導体チップ
１０Ｔ    トランジスタ
１１      ゲート絶縁膜
１２      ゲート電極
１３      ソース、ドレイン
１４      第１の層間絶縁膜
１５      第１のプラグ
１６      第１のバリア層
１７      第１の配線層
１８      第２のバリア層
１９      第２の層間絶縁膜
２０      第２のプラグ
２１      第３のバリア層
２２      第２の配線層
２２Ｆ    溶出物
２２Ｈ    欠損部
２３Ａ    反射防止層
２３Ｂ    反射防止層
２３Ｃ    反射防止層
２３Ｄ    反射防止層
２３Ｅ    反射防止層
２３Ｆ    反射防止層
２３Ｇ    反射防止層
２４      開口部
２４Ａ    開口部
２４Ｂ    開口部
２４Ｃ    開口部
２４Ｄ    開口部
２４Ｅ    開口部
２５Ａ    パッシベーション層
２５Ｂ    パッシベーション層
２５Ｃ    第１のパッシベーション層
２５Ｄ    第１のパッシベーション層
２５Ｅ    パッシベーション層
２５Ｆ    パッシベーション層
２５Ｇ    パッシベーション層
２７Ｃ    第２のパッシベーション層
２７Ｄ    第２のパッシベーション層
２８      金属層
３０      水分
５３      反射防止層
５４      開口部
５５      パッシベーション層
５６      ボンディングワイヤ
１０１      第１のレジスト層
１０２      第２のレジスト層
１０３      第３のレジスト層
１０４      第４のレジスト層
１０５      第５のレジスト層
１０６      第６のレジスト層
１０７      第７のレジスト層
１０８      第８のレジスト層
１０９      第９のレジスト層
１１０      第１０のレジスト層
１１１      第１１のレジスト層
１１２      第１２のレジスト層
１１３      第１３のレジスト層
１１４      第１４のレジスト層
【図１】
2006303452.tif 000003
【図２】
2006303452.tif 000004
【図３】
2006303452.tif 000005
【図４】
2006303452.tif 000006
【図５】
2006303452.tif 000007
【図６】
2006303452.tif 000008
【図７】
2006303452.tif 000009
【図８】
2006303452.tif 000010
【図９】
2006303452.tif 000011
【図１０】
2006303452.tif 000012
【図１１】
2006303452.tif 000013
【図１２】
2006303452.tif 000014
【図１３】
2006303452.tif 000015
【図１４】
2006303452.tif 000016
【図１５】
2006303452.tif 000017
【図１６】
2006303452.tif 000018
【図１７】
2006303452.tif 000019
【図１８】
2006303452.tif 000020
【図１９】
2006303452.tif 000021
【図２０】
2006303452.tif 000022
【図２１】
2006303452.tif 000023
【図２２】
2006303452.tif 000024
【図２３】
2006303452.tif 000025
【図２４】
2006303452.tif 000026
【図２５】
2006303452.tif 000027
【図２６】
2006303452.tif 000028
【図２７】
2006303452.tif 000029
【図２８】
2006303452.tif 000030
【図２９】
2006303452.tif 000031
【図３０】
2006303452.tif 000032
【図３１】
2006303452.tif 000033
【図３２】
2006303452.tif 000034
【図３３】
2006303452.tif 000035
【図３４】
2006303452.tif 000036
【図３５】
2006303452.tif 000037
【図３６】
2006303452.tif 000038
【図３７】
2006303452.tif 000039
【図３８】
2006303452.tif 000040
【図３９】
2006303452.tif 000041
【図４０】
2006303452.tif 000042
【図４１】
2006303452.tif 000043