(57)【要約】【課題】  照明制御システムを実施するために、低価格及び容易な製造可能性を有した単純化された混成電子安定器を得ること。【解決手段】  混成電子安定器回路は、単一のパッケージ内に、安定器制御と、ハーフ・ブリッジ・ドライバと、電力スイッチ・ハーフ・ブリッジとを含む。安定器回路は、多くの欠陥保護及び安全特徴を含み、蛍光ランプを含む共振回路を駆動するために自己発振する。起動開始、予熱、通常の走行モード及び欠陥保護応答モードを含む多くの動作モードのために、内部フィードバック及び制御信号が提供される。電圧制御発振器は切換えハーフ・ブリッジの切換え周波数を調整してゼロ・ボルト切換え及び最小電流切換えを維持する。全安定器制御は、３つだけの外部接続を有し得てＴＯ２２０パッケージ内に履行され得る。【選択図】  図２
2006092806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安定器負荷を駆動するための単一のパッケージ内の電子安定器回路であって、
安定器負荷に電力を切換えるための電力スイッチと、
該電力スイッチを駆動するための駆動回路と、
該駆動回路に結合された切換え制御回路であって、該駆動回路に信号を供給して前記電力スイッチを動作させる前記切換え制御回路と、
前記駆動回路及び前記切換え制御回路に結合され、前記駆動回路の出力値に基づいて前記切換え制御回路に制御情報を提供するフィードバック回路と、
前記電子安定器で検出された欠陥に応答するために、前記切換え制御回路または前記駆動回路に結合された欠陥応答回路と、
を備え、前記欠陥応答回路は、欠陥の検出時に駆動回路を不能化するよう動作可能である電子安定器回路。
【請求項２】
前記切換え制御回路は、電圧制御発振器を含む請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項３】
前記欠陥応答回路内の欠陥規準をさらに含み、該欠陥規準は、波高率指示及び切換え周波数指示の少なくとも一方を含む請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項４】
前記切換え制御回路に電力を供給するための電力入力と、
該電力入力及び前記駆動回路間に結合され、前記駆動回路のための起動開始電圧を提供するのに寄与するブートストラップ・ダイオードと、
をさらに備えた請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項５】
前記切換え制御回路の動作のための最小周波数を提供するために前記切換え制御回路に供給される最小周波数入力信号をさらに含む請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項６】
切換え制御回路入力を調整するために前記切換え制御回路に選択的に接続可能な電流源をさらに備える請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項７】
前記電流源は、前記フィードバック回路に結合されて、前記駆動回路から該フィードバック回路に与えられる動作指示に基づいて前記切換え制御回路入力を調整する請求項６に記載の電子安定器回路。
【請求項８】
前記フィードバック回路は、前記駆動回路からの信号を処理するよう、そしてスイッチのためのゼロ・ボルト切換え及び最小電流切換えを得るために前記切換え制御回路に影響を与えるよう動作可能である請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項９】
電子安定器回路は負荷に電力を供給するために切換えハーフ・ブリッジを含み、
該電子安定器回路は、前記ハーフ・ブリッジに制御信号を供給するためのハーフ・ブリッジ・ドライバを備え、
前記切換え制御回路は、前記ハーフ・ブリッジ・ドライバに結合され、該ハーフ・ブリッジ・ドライバに制御信号を供給するよう該ハーフ・ブリッジ・ドライバを制御し、
前記フィードバック回路は、前記ハーフ・ブリッジ・ドライバ及び前記切換え制御回路に結合され、前記ハーフ・ブリッジ・ドライバまたは前記ハーフ・ブリッジの動作値に基づいて前記切換え制御回路の動作を修正し、
前記電子安定器回路は、前記負荷により引き抜かれる過度の電流の検出に基づいて前記ハーフ・ブリッジ・ドライバの出力を不能化するために、前記ハーフ・ブリッジ・ドライバ及び前記フィードバック回路に結合された波高率検出器を備える請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項１０】
前記切換え制御回路の入力を変調して特定の範囲間で前記駆動回路に与えられる信号を変えるために前記切換え制御回路に結合される入力変調制御をさらに備える請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項１１】
前記電力スイッチ及び前記フィードバック回路に結合され、前記電力スイッチを横切る電圧を測定することにより電流感知を提供するよう動作する感知信号をさらに含む請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項１２】
前記ハーフ・ブリッジ・ドライバにおける電流を感知するために前記フィードバック回路に高電圧スイッチをさらに備える請求項９に記載の電子安定器回路。
【請求項１３】
ターンオンされている前記ハーフ・ブリッジの低側スイッチに関連した前記高電圧スイッチをターンオンするのに先立って、遅延をさらに含む請求項１２に記載の電子安定器回路。
【請求項１４】
前記欠陥応答回路は、最小切換え周波数欠陥を検出するよう動作可能である請求項１に記載の電子安定器回路。
【請求項１５】
前記最小切換え周波数欠陥は、前記切換え制御回路への入力上の低電圧として検出可能である請求項１４に記載の電子安定器回路。
【請求項１６】
多くても３つの外部接続を有する単一のパッケージ内の電子安定器回路であって、
電源から電力を受けて当該電子安定器回路に電力供給する第１の外部接続と、
共振負荷に電力を供給するための第２の外部接続と、
戻り電力路を提供するよう共通基準に接続する第３の外部接続と、
を備えた電子安定器回路。
【請求項１７】
前記単一のパッケージは、３つの電気接続を有するＴＯ２２０パッケージである請求項１６に記載の電子安定器回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して蛍光ランプのための電子安定器に関し、特に、単純化された混成安定器制御及びパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子安定器（バラスト）は、多くの照明装置の応用、特に、切換えハーフ・ブリッジと共に動作するものにおいて用いられている。このような電子安定器は、インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーションに与えられた米国特許第６，００８，５９３号（特許文献１）に示されている。電子安定器の制御は、応答回路における欠陥検出及び力率修正を含め広範な機能及び特徴を含むよう発展してきた。代表的な電子安定器は幾つかの制御ＩＣを含んでおり、該制御ＩＣは、電子安定器におけるスイッチを動作させ、かつ切換えハーフ・ブリッジによって駆動される蛍光ランプを制御するようフィードバック信号を受ける。切換えハーフ・ブリッジを制御するための制御ＩＣは、代表的には、蛍光ランプ負荷に結合されたハーフ・ブリッジ・スイッチのための切換え信号を駆動するために用いられる発振器を含む。発振器を用いた電子安定器の一つの実施方法は、電子安定器に電圧制御発振器（ＶＣＯ）を接続すること、並びに所望に応じて切換え周波数を修正するよう適切な信号でＶＣＯを駆動することを含む。例えば、蛍光ランプ応用の場合、電子安定器の動作を改善するよう、起動開始中または欠陥条件下で電子安定器の切換え周波数が変わるよう調整され得る。
【０００３】
電子安定器は、また、代表的には、ランプ・フィラメントを予め熱すること、ランプを点火すること、ランプを所望の電力レベルに駆動すること、ランプの欠陥状態を検出すること、及び電子安定器を安全に消勢することのような種々の設計特徴を行う。蛍光ランプのようなガス放電ランプのための電子安定器の使用は、先に使用された電力バイポーラ・スイッチング装置に取って代わる絶縁されたゲート・バイポーラ・トランジスタ（ＩＧＢＴ）及び電力ＭＯＳＦＥＴスイッチング装置を使用することにより、広範に利用可能である。インターナショナル・レクティファイヤ・コーポレーションによって販売されかつ米国特許第５，５４５，９５５号（特許文献２）に記載されているＩＲ２１５５のようなモノリシック・ゲート・ドライバ回路が、電子安定器における電力ＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴを駆動するために用いられてきた。ＩＲ２１５５ゲート・ドライバＩＣは、小さい外形を有した通常のＤＩＰまたはＳＯＩＣパッケージでパッケージされかつ標準の製造過程で使用可能なので、多くの応用に有利である。
【０００４】
上述の電子安定器回路の各々において、制御ＩＣは、切換えハーフ・ブリッジにおけるもしくは電子安定器の他の部分における電力スイッチから別々に実現される。加えるに、制御ＩＣは、プログラム可能な予熱時間、最小周波数等のような特徴を得るために、受動要素のような外部の要素を用いる。外部要素は、制御ＩＣの柔軟性を改善するように、応用特定基準に基づいて設計者によって決定され得る。しかしながら、多くの応用においては、照明制御システムを実施するために、低価格及び容易な製造可能性を有した単純化された応用特定安定器制御を得ることが望ましい。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，００８，５９３号
【特許文献２】米国特許第５，５４５，９５５号
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、点灯システム産業の必要性に叶うよう実質的に単純化されかつ単一のユニットとしてパッケージされる電子安定器が提供される。単一ユニットのパッケージは、安定器制御ＩＣと、安定器制御ＩＣにおける特徴をプログラムするための受動要素と、ランプ負荷に制御された電力出力を提供するための切換えハーフ・ブリッジ回路とを含む。全電子安定器は、電子安定器の完全な動作性を提供するために、例えば３つの接続ピンだけを有した単一のＴＯ２２０パッケージ内に組込まれ得る。電子安定器制御パッケージは、ＭＯＳＦＥＴスイッチから成る切換えハーフ・ブリッジに、安定器制御回路と、充電ポンプ供給と、電子安定器のための制御パラメータを決定する受動要素とを組合せ得る。
【０００７】
混成安定器制御によって提供される特徴の中に、安定器制御のＶＣＯに結合される集積化されたコンデンサによって設定される予熱時間がある。混成安定器制御は、また、下電圧ロックアウト、非点火状態、過度電流状態、及び開フィラメント欠陥を含め、集積化された欠陥保護を含む。混成安定器制御は、ランプが点火しない場合に点火中に生じ得る過度の電流を検出する。蛍光ランプは典型的には共振インダクタで動作するので、インダクタは飽和し得て、非点火ランプ故障となり、これを本発明の電子安定器が検出する。安定器制御は、切換えハーフ・ブリッジにおける低側スイッチのＲＤＳＯＮ値に基づき波高率測定を行うことができる。波高率測定により過度の電流が検出された場合、安定器制御は欠陥モードに入り、切換えハーフ・ブリッジ・ドライバ出力が不能化されて点灯システム及びシステム構成要素が損傷するのを阻止する。波高率測定は、切換えハーフ・ブリッジの低側ＭＯＳＦＥＴにおける温度及び公差（許容範囲）変動とは独立している相対電流測定である。従って、低側スイッチのＲＤＳＯＮ電圧が単独で用いられる場合よりも正確な電流感知が得られ得る。結果の検出後に電子安定器がシャットダウンするのを許容するためにロックアウト・リセット特徴が与えられ、それ故、電子安定器が再度動作を始める前に電子安定器に電力が回帰されなければならない。
【０００８】
本発明によれば、電子安定器制御に固定の最小周波数特徴も与えられる。この特徴は、切換えハーフ・ブリッジにおけるハード切換えを阻止し、切換え損失及びハーフ・ブリッジ切換え要素を損傷させる可能性を避けることができる。
【０００９】
本発明の他の特徴及び長所は、添付図面を参照しながら為される以下の説明から明瞭となるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
さて、図１及び図２を参照すると、本発明による混成安定器制御２０に用いられる集積制御回路１００のブロック図が示されている。制御回路１００は、安定器制御の入力及び出力のための接続に対して番号付けされた指示を含んでいる。ＶＣＣ電圧は接続番号１に接続され、ＶＣＯ信号は接続番号3に接続され、そして最小周波数要素は接続番号４のＦＭＩＮに接続されている。出力ＨＯ及びＬＯはそれぞれ接続７及び５であり、ハーフ・ブリッジ・スイッチＭ１、Ｍ２に対するドライバ出力を提供する。接続番号8上の電圧ＶＢは、ハーフ・ブリッジ・ドライバ１３に対する電力接続を提供し、接続番号６上の電圧ＶＳは、ハーフ・ブリッジ２２における高側スイッチＭ１に対し基準電圧を提供する。ＣＯＭと表示した接続番号２は、制御回路１００における戻り路及び電圧基準を提供するよう共通電圧接続を表す。
【００１１】
制御回路１００はまた、供給コンデンサＣＢＯＯＴ（図２）と共に高側ドライバ回路に対する起動電圧を提供するのに寄与する電圧ＶＣＣ及びＶＢ間の集積ブートストラップ・ダイオードを含む。回路１００はまた、電子安定器制御における多くの作用を行う電圧制御発振器（ＶＣＯ）２１を含む。接続３上の信号ＶＣＯは、ＶＣＯ２１の周波数を決定するコンデンサＣＶＣＯ（図２）に接続される。コンデンサＣＶＣＯが充電される方法を制御することによって、ＶＣＯ２１は、起動モード、走行モード及び欠陥モードを含む種々の動作側面中にハーフ・ブリッジ２２の切換え周波数を変化させることができる。ＶＣＯ２１の周波数は、ＶＳ感知ブロック１５において得られる電流感知フィードバックを有する適応性フィードバック制御ループによって影響される。さらに、適応性ゼロ電圧及び最小電流切換え制御１９は、ＶＣＯ２１及びハーフ・ブリッジ・ドライバ１３を介してハーフ・ブリッジ切換えに影響を与えるよう周波数調整を提供する。切換え制御１９は、ハーフ・ブリッジ２２におけるゼロ・ボルト切換え（ＺＶＳ）及び最小電流切換え（ＭＣＳ）を得るようＶＳ感知ブロック１５に基づいてＶＣＯ２１の周波数に影響を与える。ＶＣＯ２１は、以下に一層詳細に説明するように、接続４上の信号ＦＭＩＮに与えられる設定により、最小周波数にプログラム可能に制限される。
【００１２】
図２に示されるように、本発明による安定器制御２０は、安定器制御２０として示されている。安定器制御２０は、図１に記載された制御回路１００を組込んでおり、制御入力を受けて、スイッチＭ１及びＭ２から構成される切換えハーフ・ブリッジ２２を駆動する。切換えハーフ・ブリッジ２２における高側スイッチＭ１は、外部のパッケージ接続１として示されているＤＣバスに接続される。従って、スイッチＭ１は、ＤＣ電力を混成安定器制御の出力ピン２に切換える。ハーフ・ブリッジ２２における低側スイッチＭ２は、すべての外部電力接続を混成安定器制御２０に与えるよう、混成安定器制御の出力２と共通の基準点３とに接続される。従って、混成安定器制御２０によって切換えられるすべての高電力信号は、ハーフ・ブリッジ２２におけるスイッチＭ１及びＭ２を介して流れる。それ故、混成安定器制御２０は、共振回路内のガス放電ランプを駆動するための電子安定器制御機能を提供するよう、３つの外部接続を用いている。混成安定器制御２０内の受動要素並びにスイッチＭ１、Ｍ２及びダイオードＤ１、Ｄ２は、例えば小さい基板上に集積され得るので、混成安定器制御２０は、３つのピン接続を有したＴＯ２２０のような小さいパッケージで実施し得る。
【００１３】
さて、図３を参照すると、電子安定器制御２０を有したＣＦＬランプ３３の回路図が示されている。安定器制御２０は、ＣＦＬランプ３３と一緒に共振回路を形成するインダクタＬＲＥＳに出力を与える。インダクタＬ１、コンデンサＣ１及び全波ブリッジ整流器ＢＲから接続１を介して安定器制御２０にＤＣ電力が供給される。安定器制御２０の出力接続２は、インダクタＬＲＥＳ及びコンデンサＣＲＥＳから構成される共振回路を介してランプ３３に高周波電力を供給する。インダクタＬＲＥＳ及びコンデンサＣＲＥＳの組合せは、高効率でランプ３３を駆動する共振周波数を有する共振回路を創成する。安定器制御２０は、インダクタＬＲＥＳ及びコンデンサＣＲＥＳから構成される共振回路の共振周波数に近い周波数で安定器制御２０の出力を駆動するよう試みる適応性制御１９（図１）を含む。切換え周波数が共振周波数に近づくにつれ、安定器制御２０の出力２上の出力電流が出力２上の出力電圧と殆ど同相であるので、最小電流の切換えが行われ得る。共振動作近辺のこの種の同相では、安定器制御２０におけるハーフ・ブリッジの切換え損失は最小とされる。
【００１４】
さて、図４を参照すると、混成安定器制御２０は、下電圧のロックアウト・モードにおける動作に適切な特別の要素を有して示されている。供給電圧ＶＣＣが集積制御回路１００のターンオン閾値以下に下がったとき、下電圧ロックアウト・モード（ＵＶＬＯ）に入る。ＵＶＬＯモードは、ハーフ・ブリッジ・ドライバ、高及び低の双方の側が付勢される前に制御回路１００が完全に機能しているのを許容する極端に低い供給電流、すなわち、＜２００μａを維持する。起動コンデンサＣＶＣＣは、抵抗ＲＳＵＰＰＬＹを介してＶＢＵＳによって供給される電流から、制御回路１００によって引き込まれる起動電流を引いたもので充電する。抵抗ＲＳＵＰＰＬＹは、バス電圧ＶＢＵＳから制御回路１００に供給するのに充分な電流を提供するよう選択される。コンデンサＣＶＣＣは、入力ライン電圧の少なくとも１つの半サイクルの間、ＶＣＣに対する電圧をＵＶＬＯモードに対する閾値以上に維持するために充分に大きい。コンデンサＣＶＣＣは、ＶＣＣ上にＤＣ電圧を維持し、ＶＢＵＳによって供給されるピーク入力電圧の間は充電する。ＶＣＣに供給されるコンデンサＣＶＣＣ上の電圧が起動閾値に達したとき、制御回路１００はターンオンし、出力ＨＯ及びＬＯを駆動し始め、切換えハーフ・ブリッジ・スイッチＭ１及びＭ２を発振させ始める。
【００１５】
接続ＶＢ上に与えられる高側ドライバ回路電圧は、起動時の動作電圧を迅速に得るために、内部のブートストラップ・ダイオードＤＢＯＯＴ及び供給コンデンサＣＢＯＯＴによって最初に援助される。コンデンサＣＣＰ並びにダイオードＤＣＰ１及びＤＣＰ２から構成される充電ポンプ回路は、接続ＶＳ上の駆動回路に対して低側ドライバ電圧を供給する。回路のターンオン中、高側スイッチＭ１をターンオンするのに先立って、高側電圧供給を適切な値に充電されるようにするのが望ましい。従って、信号ＨＯ上に最初のパルスが与えられる前に高側供給回路を充電するのに充分な時間を提供するために、信号ＬＯは、切換えハーフ・ブリッジにおける切換えが開始されるとき、最初の発振パルスを提供する。
【００１６】
ＵＶＬＯモードの間、制御回路１００は安全モードに置かれ、高及び低側ドライバ出力ＨＯ及びＬＯは双方ともターンオフされるか、もしくは低に拘束される。さらに、ラインＶＣＯは、ＶＣＯ２１の開始周波数を最大値にリセットするよう、ラインＣＯＭ上の共通電圧にプルダウンされる。
【００１７】
さて、図５を参照すると、本発明による電子安定器の回路ブロック図が、周波数掃引回路の動作に特有の要素と共に示されている。周波数掃引モードは代表的には、電子安定器が電力付勢されて動作し始めたときに関与される。ＶＣＣがＵＶＬＯの正の閾値を超えたとき、制御回路１００は周波数掃引モードに入る。内部電流源３１は、制御回路１００のラインＶＣＯ上に接続されたコンデンサＣＶＣＯを充電する。コンデンサＣＶＣＯが充電するにつれ、ＶＣＯ２１に供給される電圧は指数関数的にランプアップ（上昇）され始める。ラインＶＣＯ上の電圧が増加するにつれ、ＶＣＯ２１の周波数はそれに対応して減少し、例えばインダクタＬＲＥＳ及びコンデンサＣＲＥＳから成る共振回路の共振周波数に向かってランプダウン（下降）する。ラインＶＣＯ上の電圧は最初ゼロであり、このことは、ＶＣＯ２１の出力周波数を回路の最大周波数にセットする。予熱及び点火（もしくは始動）の間、周波数掃引モードにおいては、ラインＶＣＯ上の電圧は、以下の式（１）によって定義された指数関数波形の形状でランプアップする。
【００１８】
ｖ（ｔ）＝Ｖ（１−ｅ−ｔ／ＲＣ）            （１）
【００１９】
ラインＶＣＯ上の電圧は、それがランプアップするにつれ５ボルトに接近し、このことは、ＶＣＯ２１に接続された信号ＦＭＩＮ上に供給される抵抗ＲＦＭＩＮによってプログラムされるごとく最小周波数に等しくする。ラインＶＣＯ上の電圧は、内部の非線形電流源３１を介してコンデンサＣＶＣＯ上に置かれる充電に起因して指数関数的にランプ（傾斜）する。代替的には、ラインＶＣＯ上の電圧は、コンデンサＣＶＣＯによってプログラムされるように線形的にランプアップし得る。
【００２０】
ＶＣＯ２１の周波数が電子安定器出力段の共振周波数に接近するにつれ、かつハーフ・ブリッジ・スイッチＭ１及びＭ２が、共振周波数に接近した周波数で発振するにつれ、接続ノード２に供給される出力電圧及び負荷電流は増加する傾向にある。切換え周波数は、例えばランプ３３が点火する（もしくは始動する）レベルに出力電流及び電圧が達するまで、もしくは出力電流限界が達成されるまで、減少し続ける。もしランプ３３が成功裏に点火（もしくは始動）したならば、ＶＣＯ２１への入力電圧は、ほぼ４．６ボルトの値に達するよう増加し続ける。ＶＣＯ２１への入力電圧が４．６ボルトに達すると、制御回路１００は、ゼロ電圧及び最小電流切換え（ＺＶＭＣＳ）を維持するよう適応性走行モードに切換わる。
【００２１】
周波数掃引モードの間、切換え周波数は共振周波数を介して減少し得る。従って、ＶＣＯ２１に対する最小周波数は、インダクタＬＲＥＳ、コンデンサＣＲＥＳ及びランプ３３から成る共振回路から予想される共振周波数のものよりも低い最小周波数を得るよう抵抗ＲＦＭＩＮによってプログラムされる。混成安定器制御２０によって制御される負荷としてガス放電ランプ３３の場合、共振負荷回路は高いＱ共振を提供し、それ故、プログラムされた最小切換え周波数は、該高いＱ共振周波数よりも低いはずである。もしＶＣＯ２１への入力電圧が指数関数的にランプ（傾斜）するならば、ＶＣＯ２１は、共振出力段を横切る利得が低い場合、より高い周波数を介して迅速にランプ（傾斜）する。共振出力段に対して低い利得が有る場合、予熱目的のためにはより少ない電流が利用できる。従って、ＶＣＯ２１がより低い周波数を出力するにつれ、予熱のためには一層多い電流が利用可能であり、良好な応答を許容して構成要素の寿命を増やす。
【００２２】
ＶＣＯ２１への入力電圧の指数関数的な形状は、共振に接近する一層低い周波数を介して一層ゆっくりしたランプ（傾斜）を生成する。より低い周波数において、共振出力段の利得はより高くかつより安定する。従って、予熱は、より高い電流で、より良好な制御下で行われる。ＶＣＯ２１への入力電圧は、発振器周波数を共振周波数に向けて一層単純化して駆動するよう線形的に傾斜（ランプ）し得る。
【００２３】
周波数が共振に接近するにつれ、ランプは代表的には共振より上の周波数で点火（もしくは始動）する。その理由は、共振タンクを横切る利得は共振周波数の近辺で急激に増加してランプを点火するための出力電圧を達成するからである。ランプが点火すると、負荷は過減衰されるようになり共振周波数は減少する。回路は、ランプが点火した後は走行モードに入るので、ＶＣＯ２１の出力は代表的には共振周波数以上に留まる。
【００２４】
切換え周波数は、ＦＭＩＮに達する点まででさえ、多数のサイクルの間に共振周波数以下で走行し得るということが起こり得るが、しかしながら、ＺＶＳ回路は、走行モード中、該周波数を後方にもたらす。共振切換え周波数以下の期間は短く、回路に対し何等かの問題または損傷を引き起すことはないはずである。
【００２５】
周波数が周波数掃引モード中に高いＱ共振周波数に向けて減少するので、ランプ・フィラメントは、ランプが点火する充分に高い点にランプ電圧が増加するまで、予熱される。上述したように、最小周波数は、制御回路１００の信号ＦＭＩＮに接続される抵抗ＲＦＭＩＮによってプログラムされる。最大周波数は、最小周波数よりも高い固定マージンに内部的にセットされ、望まれない「フラッシュ」がランプを横切って生じるのを阻止するよう初期の起動中のランプ電圧が低いのを確実にする。予熱及び点灯時間の量は、コンデンサＣＶＣＯを適切に選択することによりプログラムされる。
【００２６】
さて、図５Ａを参照すると、適応型走行モード中の電子安定器動作を示す回路図が示されている。適応型走行モードは、ＶＣＯ２１への入力電圧がほぼ４．６ボルト以上に増加したとき可能化される。この点において、周波数は代表的には共振周波数を介して掃引しており、ランプは点火している。ランプが点火するとき、出力段は、低いＱのＲＣＬ回路になり、切換え周波数は、ＶＣＯ２１を介して、共振周波数より僅かに上の所望の動作点に調整する。適応型の走行モード制御によれば、動作周波数は、ＺＶＳをハーフ・ブリッジ切換え段に維持したままで、低いＱのＲＣＬ出力段の共振周波数に可能な限り近くにセットされる。共振周波数に近い切換え周波数でもって、出力電流は、ハーフ・ブリッジ出力電圧と殆ど同相であり、ＭＣＳに帰結する。従って、制御は、ハーフ・ブリッジ・スイッチＭ１及びＭ２の切換え損失を最小にするＺＶＳ及びＭＣＳを有する適応型走行モードを提供する。
【００２７】
ＶＳ感知１５は、出力電圧及びラインＶＳ上の位相を決定するためにハーフ・ブリッジ・ドライバ１３からフィードバックを得る。ＶＳ感知１５は、高いノイズ免疫性を有した良好な閉ループ動作特性を許容するよう制御回路１００において内部的に提供される。この閉ループ制御は、製造及び生成過程を介して生じ得る構成要素及びランプの許容範囲が変化する場合でさえ、電子安定器がＺＶＳ及びＭＣＳで動作するのを許容する共振周波数に近い周波数でハーフ・ブリッジ２２を動作させる。さらに、閉ループ制御は、入力ライン電圧が変化するにつれて、そして構成要素の許容範囲が時間と共に変化するにつれて、例えばランプ３３の特性がその寿命に渡って変化し得るにつれて、ＺＶＳ及びＭＣＳを提供する。
【００２８】
閉ループＺＶＳ及びＭＣＳ制御は、ハーフ・ブリッジ切換えのための非重複デッドタイム中にラインＶＳ上に出力されるハーフ・ブリッジ電圧を感知することによって達成される。各ハーフ・ブリッジ切換えサイクル中、ハーフ・ブリッジ電圧は、デッドタイム中に反対のレール（rail）にスルー（slew）する。閉ループ周波数制御パラメータは、適切なスイッチをターンオンするに先立って電圧が反対のレールに完全にスルーしたか否かを決定することに関して測定される。すなわち、ターンオンされるべきスイッチを横切ってゼロ電圧があるように電圧が反対のレールにスルーしなかったならば、切換え周波数は共振に近すぎており、閉ループ制御は周波数を僅かに高い方にシフトする。電圧スルー測定は、早期の誤差検出を許容して応答に対する安全マージンを提供するためにスイッチのターンオンに先立って与えられるほぼ１００ナノ秒の短い時間インターバルの開始時に、低側スイッチＭ２のターンオンに先立って行われる。電圧が、スイッチのターンオンに先立ってほぼ１００ナノ秒の時間でゼロにスルーしなかったならば、電流のパルスが内部の電流源６１からＶＣＯ入力３に与えられる。電流パルスはコンデンサＣＶＣＯを僅かに放電し、ＶＣＯ２１に入力される電圧を減少させ、そして出力周波数が僅かに増加するようにする。切換えサイクルの残りの間、外部コンデンサＣＶＣＯは、内部電流源６３によって供給される電流によりゆっくりと充電する。このように、適応型走行モード制御は、例えばライン電圧変化または負荷特性のような動作イベントに起因して回路動作周波数がより低い周波数に駆動されるので、周波数を僅かに上方に調整する。これらの動作イベントは、非ＺＶＳ切換えを生じ得る減少された共振周波数を生成する傾向を有する。適応型閉ループ制御回路は、非ゼロ・ボルト切換えが生じたときに共振より僅かに上の高い値に周波数を「あおる（nudge）」。閉ループ適応型制御は、変化する入力ライン電圧及び電流状態、構成要素の許容範囲の変動、及びランプ／負荷の変動にも拘わらずＺＶＳ及びＭＣＳ動作を得るために適応型走行モードにおいて共振近辺の切換え周波数を維持する。
【００２９】
制御回路１００の開発に用いられる製造プロセスは、６００ボルト製造プロセスであり、電圧を正確に測定するために、特に、非重複デッドタイム中のゼロ・ボルトを測定するために、ラインＶＳに接続された内部の高電圧トランジスタを提供する。内部のトランジスタは、また、ハーフ・ブリッジにおける高側スイッチＭ１がターンオンしているとき、すなわち、ラインＶＳがＤＣバス電位にあるとき、切換えサイクルの部分中に、ＤＣバスの高電圧に耐える。
【００３０】
制御回路１００は、また、欠陥ロジック１７（図１）を介して決定される欠陥保護を含む。もし、ランプ・フィラメントが損なわれていないがランプが点火しないとき、ランプ非点火状態が生じた場合に、ランプの電圧及び出力段の電流は、上述のように、過度の量に点火立ち上がり中に増加する。出力段の電流及びランプ電圧が過度の量に達したとき、または、共振インダクタが飽和した場合、点火中に欠陥が生じたと考慮される。この状態は、低側スイッチＭ２の全オン（ＯＮ）時間中にラインＶＳ上の内部測定を行うことによって検出される。ラインＬＯ上に与えられるＯＮ時間パルス中にラインＶＳ上で測定される電圧は、出力段電流を示す低側スイッチ電流によって決定される。電流は、低側スイッチＭ２のＯＮ抵抗を介して流れるものが測定され、電圧の読みは、低側スイッチＭ２のＯＮ抵抗（ＲＤＳＯＮ）を横切って行われる。低側スイッチＭ２の内部のＯＮ抵抗を用いることによって、ハーフ・ブリッジ電流は、追加の電流感知抵抗の必要性無しで、そして制御回路１００における追加の電流感知入力の必要性無しで、感知される。低側スイッチＭ２のＲＤＳＯＮ値は、欠陥検出のための電流感知抵抗として働き、他方、ラインＶＳは、起動開始中の制御回路１００のための電流感知入力として働く。起動開始中、上述の内部の高電圧スイッチは、ラインＶＳ上の電圧が低いときに、すなわち、低側スイッチＭ２がＯＮのときにターンオンされ、電圧測定が低側回路を介して得られて電流感知を行うのを許容する。内部の高電圧スイッチは、高側スイッチＭ１がターンオンされるときにラインＶＳ上に与えられる高電圧に耐えるために切換えサイクルの残りの間ターンオフされ、そしてＤＣバス電圧がラインＶＳに与えられる。
【００３１】
低側スイッチＭ２の内部のＯＮ抵抗が正の温度係数を有するので、制御回路１００は、ランプの非点火欠陥状態中に発生し得る過度のまたは危険な電流もしくはインダクタの飽和を検出するために、内部の波高率測定を行う。制御回路１００は、低側ハーフ・ブリッジ・スイッチＭ２のＲＤＳＯＮの内部ＯＮ抵抗の温度及び／または許容範囲の変動に依存した相対的な電流測定を提供するために、波高率測定を行う。電流波形の波高率測定は、典型的には、アンペアでのＲＭＳ電流に対するアンペアでのピーク電流の比として定義される。例えば、典型的な正弦６０Ｈｚ電流波形に対する波高率は、１．４である。従って、波高率測定は、過度であり得るもしくは或る時間量の間経験した場合には危険であり得る出力段における電流スパイクの指示を得る。本発明の好適な実施形態においては、４の波高率、すなわちピーク電流が平均電流の４倍である場合を、欠陥状態を決定するために用いている。
【００３２】
もし、ピーク電流が、ラインＬＯ上に決定されたほぼ５０の切換えサイクルの間、４倍だけ平均電流を超えたならば、制御回路１００は欠陥が生じたと決定する。その点において、ラインＬＯ上の出力パルスのＯＮ時間中、制御回路１００は欠陥モードに入り、ラインＨＯ及びＬＯドライバ出力に対する双方のゲート・ドライバは、低にラッチされる。この安全状態は、電力が制御回路１００に回帰されるまで存続する。好ましくは、供給電圧ＶＣＣは、内部のＵＶＬＯ閾値の下及び上に繰り返される。波高率は、適用に依存して任意の与えられた数に随意に設定され得る。さらに、波高率の欠陥を検出するための切換えサイクルの数は、適用に依存して任意の数に設定され得る。多数の切換えサイクルの後に欠陥を決定することに対する一つの長所は、インダクタの飽和の場合において観察される。ランプの点火中、インダクタは、ランプ・アークが創成されている間の数サイクルの間飽和し得る。飽和されたインダクタは、シャットダウン欠陥状態として現れる。しかしながら、制御回路１００は、この状況において誤った欠陥検出を避けるために、欠陥が発生したと決定する前に切換えサイクルの与えられた数を待つ。
【００３３】
波高率検出のさらなる実施形態は、それが、ＬＯの立ち上がりエッジの後の小さい遅延（１マイクロ秒）の後、ＬＯのオン時間中に可能化されるだけであるということである。波高率検出は、デッドタイム中及びＨＯのオン時間中に不能化される。これは、ＬＯのオン時間の終りに向けてインダクタ電流が飽和するからである。波高率検出は、インダクタ電流の飽和検出のために用いられる。開フィラメントのような他の欠陥状態は、非ＺＶＳシフト及び１ＶのＶＣＯシャットダウン閾値によって検出される。周波数は、波高率検出中、点火のための共振に向けて掃引しているので、回路は、インダクタが飽和する前に出力することができる最大電圧を得る。インダクタの飽和は大いに温度に依存するので、波高率は、次に、回路によって出力される最大電圧が温度に基づく許容範囲を自動的に調整するようにするであろう。例えば、低い温度においては、ランプは、点火する前に一層高い点火電圧を必要とする。インダクタは、より低い温度においては飽和前に一層高い電流に耐えることができるので、回路は、波高率が飽和及びシャットダウンを検出する前に一層高い電圧を生成する。このように、この適応型の特徴は、必要時に、より低い温度において一層高い電圧を提供する。また、インダクタ飽和レベルが低い場合、または、飽和レベルが製造中に一貫しないような大いに変化するコア材料が用いられた場合、回路は飽和においてなおシャットダウンし、従って、飽和中に生じ得る損傷電流に対して回路を保護するであろう。
【００３４】
制御回路１００によって検出されるもう１つの欠陥は、開フィラメントのランプ欠陥である。開フィラメントのランプ欠陥は、ハーフ・ブリッジにおいて切換え困難を生じてスイッチＭ１及びＭ２を損傷する可能性を有し得る。この型の欠陥は、欠陥状態の存在中にほぼ５０の切換えサイクルの後、非ゼロ・ボルト切換え回路もしくは波高率回路を介して検出される。適応型制御は、この欠陥が決定されたときに欠陥モードに入り、高及び低のゲート・ドライバ出力は低にラッチされる。非点火欠陥の場合のように、欠陥状態を除去するためには制御回路１００に電力が回帰されなければならない。好ましくは、ＶＣＣに供給される電圧は、内部のＵＶＬＯ閾値の下及び上に反復され、制御回路１００を予熱モードに戻してリセットする。
【００３５】
制御回路１００は、また、電力が落ちて薄暗くなる状態、すなわち下電圧状態に対する保護をも提供する。主な電力が落ちる欠陥状態中、ＤＣバス電圧は減少し得て、ランプの共振出力段に利用可能な電圧の振幅が減少するようにし、ランプ３３は消える。この状況において、制御回路１００は、ＺＶＳが維持されるように切換え周波数を調整する。その結果は、ＤＣバス電圧が減少するにつれて周波数が増加するということである。増加する周波数及び減少する電圧は、ランプ電力が減少するようにしてランプ３３が薄暗くなるようにするが、しかし消えない。ＤＣバスがさらに減少するときにランプ３３が消えるならば、周波数は充分に高くシフトされ、ＶＣＯ電圧は充分に低く減少し、それにより予熱／点火掃引はリセットされる。ＡＣライン電圧が再度増加するとき、周波数は再度共振に向けて減少し、ランプ３３は再点火する。このように、制御回路１００は、開フィラメント、ランプ除去、構成要素の許容範囲、主な電力落ち、そしてランプの寿命の終り（この場合、ランプが古くなるにつれランプ電圧が増加し、ＺＶＳが維持されて回路に損傷が生じないように回路が連続的に適合する）に対して保護を行う。
【００３６】
さて、図６を参照すると、制御回路１００の動作を説明するフローチャートが示されている。ブロック５１において電力がターンオンした後、ＤＣ電力がＤＣバスの双方のレールに供給される。ブロック５２において制御回路１００はＵＶＬＯモードに入り、その間中、ハーフ・ブリッジはＯＦＦ状態に維持され、電子安定器に供給される電流はほぼ１５０マイクロ・アンペアでる。この点において、ラインＶＣＯ上の電圧はゼロ・ボルトであり、ＶＣＯ２１はオフである。同様に、制御回路１００のラインＦＭＩＮ上の電圧はゼロ・ボルトである。ラインＶＣＣ上の電圧が、ＵＶＬＯモードに対する上部の閾値レベルである１１．５ボルトより大きくなると、ブロック５２における状態は出される。ブロック５２における状態が出されると、ＵＶＬＯモードは終わる。
【００３７】
ＵＶＬＯモードの終りにおいて周波数掃引モードはブロック５３に入り、その間中、過電流保護が可能化されてラインＶＣＯ上の電圧は指数関数的に増加し始める。好適な実施形態において、ラインＶＣＯ上の電圧は線形的に増加することができる。この状態の間、ＶＣＯ２１の周波数出力は、ＶＣＯ入力がランプアップ（上方に傾斜）するにつれてランプダウン（下方に傾斜）し始め、ハーフ・ブリッジを発振に導いて、負荷に電流及び電圧を供給して、ランプの点火を生じる。予熱が生じるのはこの状態中であり、最大電流が負荷に供給されて、予熱及び点火を許容する。もしランプ点火失敗のような欠陥がこの状態中に生じると、制御回路１００は、ブロック５５において欠陥モード状態に入り、電子安定器回路を保護する。さらに、下電圧状態が生じたならば、すなわち、ＶＣＣがＵＶＬＯの低い閾値である９．５ボルトよりも低いならば、制御回路１００の状態は、ブロック５２におけるＵＶＬＯモードに戻る。
【００３８】
従来の安定器回路は、予熱期間の間、固定された予熱周波数に留まり、次に、点火のために急速に切換え周波数をランプアップ（上方に傾斜）させる。制御回路１００によって達成される予熱方法は、単一の周波数掃引において一緒に、フィラメントを予熱してランプを点火させる。この方法のパラメータは、充分に予熱するためにコンデンサＣＶＣＯの値を調整することによりプログラムするのが簡単である。この新規な方法は、予熱作用をプログラムするために用いられる接続及び外部の構成要素の数を実質的に減少する。従来の安定器制御ＩＣは、予熱時間を設定するための第１の分離ピンと、ハーフ・ブリッジの初期の起動時にランプ上のフラッシュを阻止するためにより高い開始周波数をプログラムするための第２の分離ピンと、予熱周波数をプログラムするための第３の分離ピンと、点火傾斜（ランプ）時間をプログラムするための第４の分離ピンとを必要とする。本発明による方法は、単一の接続及び単一の受動要素を使用し、このことは、回路、機能、システム価格、製造可能性を大いに単純化し、制御回路の寸法、接続数、パッケージング要件、及び最終検査を減少する。
【００３９】
別の状況で、もしランプ３３が正常に点火したならば、制御回路１００は、ほぼ４．６ボルトよりも大きいラインＶＣＯ上の電圧でもって、ブロック５４における適応型モード状態に入る。この状態は、ゼロ・ボルト切換え及び最小電流切換えが共振動作近辺で可能化されるのを許容する。ブロック５４における適応型モード状態において、閉ループ・フィードバック制御は、ラインＶＳ上の感知された電圧に基づいて切換え周波数を調整するよう動作する。正常な適応型走行モードは無限に続くか、もしくは欠陥が感知されるまでまたは下電圧状態が生じるまで続く。下電圧が生じたならば、すなわち、ＶＣＣが９．５ボルトよりも低くなったならば、制御回路１００はブロック５２におけるＵＶＬＯモードに入り、ハーフ・ブリッジ・ドライバをシャットオフし、ＶＣＯ２１を不能化する。この方法で、もし電力がターンオフしたならば、ハーフ・ブリッジ及び全電子安定器は、制御されたモードでシャットダウンされて、さらなる構成要素の磨耗を避ける。
【００４０】
制御回路１００がブロック５４において適応型モードで動作していて欠陥が生じたならば、ブロック５５における欠陥モード状態に入り、ハーフ・ブリッジ・ドライバは不能化され、ＶＣＯ２１はシャットオフされる。この状態は、ブロック５５における状態が波高率欠陥決定時に達成される、もしくは低側ドライバ出力ＬＯのほぼ５０の切換えサイクルの間の非ゼロ・ボルト切換え時に達成されること以外は、ＵＶＬＯモードと同様である。ブロック５４から５５への状態遷移条件は、ピーク電流を表すピーク電圧が、平均電流値を表す平均電圧の４倍より大きいことを要求する。この決定は、過電流またはインダクタ飽和状態検出に対し４の波高率を提供する。さらに、制御回路１００は、欠陥が生じたか否かを決定するために非ゼロ・ボルト切換えを検出し、代表的にはハーフ・ブリッジにおけるハード切換えに帰結する。上述の欠陥状態の場合の各々において、もし低側ドライバ出力ＬＯの５０の切換えサイクルの間欠陥が検出されたならば、欠陥状態が創設されて制御回路１００はブロック５５における欠陥モード状態に入る。ブロック５５における欠陥モード状態は、電力が制御回路１００に回帰されるまで、すなわち、ＶＣＣが９．５ボルトの下部のＵＶＬＯ閾値以下に下げられるまで維持され、その時点で、制御回路１００はブロック５２におけるＵＶＬＯモード状態に遷移する。
【００４１】
制御回路１００は、動作状態における変化を検出することにより、開負荷、もしくは開フィラメントの欠陥状態を検出する。開欠陥状態中、制御回路１００は、非ＺＶＳ状態を検出し、安定器の動作をＺＶＳに戻すよう周波数を増加することを試みる。負荷が除去されフィラメントが開であるという欠陥状態が存在する場合、ラインＶＣＯ上の電圧は減少されて、ＶＣＯ２１の周波数出力をさらに高める。ラインＶＣＯ上の電圧がほぼ１ボルトに達すると、ＶＣＯ２１に対する最大周波数に到達する。ラインＶＣＯ上の電圧が１ボルト以下に減少すると、欠陥状態が生じたとみなされ、制御回路１００は、高及び低側スイッチ制御出力ＨＯ及びＬＯをＯＦＦ状態にラッチする。１ボルトのラッチ・オフ閾値を有するラインＶＣＯに対するこの欠陥状態は、ラインＶＣＯ上の電圧が最初にゼロ・ボルトから４．６ボルト以上に増加するまで、すなわち予熱及び点火の後まで付勢されない。欠陥状態閾値の可能化を遅延させることは、そうでなければ欠陥状態と決定されるであろうものに起因して高及び低側出力ＨＯ及びＬＯのＯＦＦを即座にラッチ・オフすることなく、制御回路１００が起動するのを許容する。
【００４２】
開フィラメント欠陥状態は、正常の開始シーケンスの後、制御回路１００によって扱われる。制御回路１００はターンオンし、ラインＶＣＯ上の電圧は、正常な予熱及び点火の間、ゼロ・ボルトから４．６ボルトまで正常にランプアップ（上方に傾斜）する。ラインＶＣＯ上の電圧が４．６ボルトを超え、制御が適応型走行モードに入ると、非ＺＶＳ保護が、ハーフ・ブリッジ出力ＨＯ及びＬＯをラッチ・オフするためのラインＶＣＯ上の１ボルトの欠陥状態閾値であるように、付勢される。この点において、ＶＣＯ２１の周波数出力は、ラインＶＣＯ上の電圧が１ボルト以下に減少するまで、そして制御回路がハーフ・ブリッジを制御するための出力を安全にラッチ・オフするまで、ＺＶＳを開フィラメント状態に維持することを試みながら増加し続ける。上述したように開フィラメント欠陥状態中に出力をシャットダウンする時間は、予熱時間と、ラインＶＣＯ上の電圧を１ボルト以下までに放電する時間とを加えたものにほぼ等しい。これらの事象に対する全時間は、代表的には、ほぼ１０ミリ秒以下である。上述した時間フレーム内の事象は、ハーフ・ブリッジ・スイッチ及び安定器回路に対する損傷を回避するのに充分に短い全シャットダウン時間を提供する。
【００４３】
ブロック５４での適応型走行モードにおいて提供される本発明のもう１つの特徴は、安定器（バラスト）入力上のＥＭＩフィルタリングを減少する安定器（バラスト）によって発生されるノイズを減少するための周波数ディザー（dither）である。ラインＶＣＯ上のＶＣＯ２１への入力が５．１ボルトまでランプアップ（上方傾斜）するとき、ラインＶＣＯ上の電圧は、ほぼ４．９ボルトまで２００ミリボルトだけ線形的に放電される。ラインＶＣＯ上の電圧が４．９ボルト以下に減少すると、ラインＶＣＯ上の電圧は、次に、再度５．１ボルトまで線形的に充電される。ラインＶＣＯ上の電圧のほぼ２００ミリボルトだけのこの僅かな充電及び放電は、ブロック５４における適応型走行モード中に連続的に生じる。充電及び放電は、周波数が数キロヘルツだけ僅かにディザー（揺動）するようにする。結果として、ハーフ・ブリッジの動作周波数もまた僅かにディザーし、そのため、切換え周波数が数キロヘルツだけ広がるようになるので、動作周波数における結果のＥＭＩ妨害ピークは低くなる。次に、結果のＥＭＩ妨害が低くなり、このことは、次に、安定器（バラスト）入力上の外部のＥＭＩフィルタリングを減少もしくはおそらくは除去することとなる。この成分の減少もしくは除去により、低価格で全システムにとっても構成要素の数が少ない良好なシステム動作の利点が得られる。
【００４４】
さて、図７を参照すると、ＴＯ２２０パッケージ７０が、正面図及び側面図で示されている。パッケージ７０は、該パッケージ７０を取り付ける際に用いられる貫通孔７２を含んでいる。パッケージ７０の一実施形態において、取り付けクリップ７４も、パッケージ７０に収容された回路から熱を除去するためのヒートシンクとして働く。パッケージ本体７５は、本発明による混成電子安定器（バラスト）回路の回路部を収容する。全混成電子安定器回路は、切換えハーフ・ブリッジを形成する電力スイッチ、制御回路、並びに受動の抵抗及びコンデンサ要素を含め、本体７５内に収容される。
【００４５】
図３に示されるように、混成安定器制御２０は、点灯回路内に単に３つの接続だけを有して履行され得る。パッケージ７０は、混成安定器制御２０によって用いられるすべての接続である３つのコネクタ・ピン７７Ａ、７７Ｂ及び７７Ｃを含む。パッケージ７０は電力スイッチを収容するので、ピン７７Ａ−７７Ｃは、電力スイッチによって切換えられる高い電流を運ぶための充分な寸法のものである。ＴＯ２２０パッケージを本出願に記載したけれども、本発明による混成安定器制御２０を収容するために多数の他の型のパッケージを用いることができるのは明瞭であるはずである。商業的な目的のために、パッケージは、容易に製造されかつ容易に取り扱われるべきであり、そして標準の寸法及び取り付け部分を有するべきである。混成安定器制御２０を収容するために標準パッケージを用いることにより、多数の高容量の応用が商業的に実現され得る。例えば、混成安定器制御２０を収容するパッケージは、単純かつ価格的に効果的なフォーマットで製造するための点灯設備に供給されることができ、標準のパッケージ形態なので自動組み立てのための機会を提起する。代替的には、混成安定器制御２０を収容するパッケージは、例えば単独形のランプ・モジュールに組込むためのＣＦＬランプ製造者に供給され得る。混成安定器制御２０の単純な３つの接続構成は、ガス放電点灯回路に真っ直ぐに組込むのを許容し、製造可能性を向上すると共に製造価格を減少する。
【００４６】
本発明を特定の実施形態に関連させて説明してきたけれども、当業者には、他の多くの変形、修正、及び他の使用が明瞭になるであろう。従って、本発明は、ここで為された特定の開示によってではなく、添付の特許請求の範囲によってのみ制限されることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明による電子安定器制御のブロック図である。
【図２】本発明による混成電子安定器の概略回路図である。
【図３】本発明による電子安定器を組込んだ点灯応用の回路図である。
【図４】本発明による下電圧保護を示す混成電子安定器の概略ブロック図である。
【図５】本発明による周波数動作を示す混成電子安定器の概略ブロック図である。
【図５Ａ】適応型ゼロ最小電流切換え（ＺＶＭＣＳ）回路を示す本発明による混成安定器制御の概略ブロック図である。
【図６】本発明による混成安定器制御の動作フローを示す状態フロー図である。
【図７】３つの接続ピンを有したＴＯ２２０パッケージの正面図及び側面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１３・・・ハーフ・ブリッジ・ドライバ
１５・・・ＶＳ感知ブロック
１７・・・欠陥ロジック
１９・・・適応型ゼロ電圧及び最小電流切換え制御
２０・・・混成安定器制御
２１・・・電圧制御発振器
２２・・・ハーフ・ブリッジ
Ｍ１・・・高側スイッチ
Ｍ２・・・低側スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図７】
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