(57)【要約】【解決手段】  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）アクリルゴム、シリコーンゴム、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸メチル、アクリル酸アルキルとメタクリル酸メチルの共重合物、ポリスチレン、ＭＢＳ、ＡＢＳ、ポリブタジェンゴムなどの有機樹脂粒子の表面を無機化合物の粒子によって被覆した複合化合物を必須成分とするエポキシ樹脂組成物。【効果】  本発明は、成形性が良好であり、半導体装置の反り量が小さく、表面実装性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を与えるものであり、該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置は、産業上特に有用である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）硬化剤
（Ｃ）無機充填材
（Ｄ）有機樹脂粒子の表面を無機化合物の粒子によって被覆した複合化合物
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｄ）成分の複合化合物がアクリルゴム（架橋）、シリコーンゴム（架橋）、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸メチル、アクリル酸アルキルとメタクリル酸メチルの共重合物、ポリスチレン、ＭＢＳ、ＡＢＳ、ポリブタジェンゴムから選択される有機樹脂の表面を無機化合物の粒子によって被覆した物であることを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｄ）成分の複合化合物がアクリルゴム（架橋）、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸メチル、アクリル酸アルキルとメタクリル酸メチルの共重合物から選択されるポリアクリル樹脂化合物の表面を無機化合物の粒子によって被覆した物であることを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）成分の複合化合物が、有機樹脂粒子の表面を溶融シリカ、タルク、マイカを含む化合物の中から選ばれる無機化合物の粒子によって被覆した物であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｄ）成分の複合化合物が、有機樹脂粒子の表面をモリブデン酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛担持亜鉛、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウムを含む化合物の中から選ばれる無機化合物の粒子によって被覆した物であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）成分の複合化合物が、有機樹脂粒子の表面をハイドロタルサイト化合物、希土類酸化物を含む化合物の中から選ばれる無機化合物の粒子によって被覆した物であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
（Ｄ）成分の複合化合物が、有機樹脂粒子の表面をアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウムを含む化合物の中から選ばれる無機化合物の粒子によって被覆した物であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置が表面実装により基板と接続されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形性が良好であり、半導体装置の反り量が小さく表面実装性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的である。しかし、ここ数年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化へと進む市場に伴い、半導体素子の高集積化がますます進み、また半導体装置の実装技術が促進される中で、半導体封止材として用いられているエポキシ樹脂への要求は鉛フリー化も含めてますます厳しくなってきている。
【０００３】
例えば、高密度実装に優れるＬＯＣ（Ｌｅａｄ  ｏｎ  ｃｈｉｐ  ）型ＴＳＯＰ、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）やＱＦＮなどが近年ＩＣやＬＳＩの主流となりつつあるが、これらのパッケージはリードフレーム上下の樹脂厚がアンバランスであったり、片面のみ封止するために成型後の反りが大きな問題となってきている。
【０００４】
従来まで、反り改善のため１つの手法として樹脂の架橋密度を多くしガラス転移温度を高めることがあげられるが、鉛フリー化による半田温度上昇により、高温での弾性率高く、また吸湿性も高いため半田リフロー後にエポキシ樹脂硬化物と基板との界面での剥離、半導体素子と半導体樹脂ペーストとの界面での剥離が問題となっている。
【０００５】
一方、架橋密度が低い樹脂を用い無機充填剤を高充填化することにより低吸水性、低膨張率、高温での低弾性率化を向上させられ、耐リフロー性に効果が期待されるが高粘度化になってしまうため成形時の流動性が損なわれてしまう。一方低反り化の為に各種の添加剤の検討も行われている。
【０００６】
なお、本発明に関連する公知文献としては、下記のものがある。
【特許文献１】特許第２６７２６７１号公報
【特許文献２】特許第３３７８４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、アクリルゴムのような熱可塑性樹脂の粒子を添加することにより該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置の反り量を抑えられることを見出した。これはマトリックスの樹脂中と熱可塑樹脂が海島構造をとると、マトリックス樹脂の硬化収縮、または熱収縮による内部応力を熱可塑樹脂が緩和する為と考えられる。しかしながら熱可塑性樹脂の添加量に比例して、エポキシ樹脂組成物の粘度が上昇し、ワイヤー流れ、未充填といった成形不良の問題が発生した。本発明は、  成形性が良好であり、半導体装置の反り量が小さく、表面実装性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、アクリル系化合物のような熱可塑性樹脂の粒子の表面に無機化合物粒子によって被覆することにより得られる複合化合物が本来の熱可塑性樹脂、無機化合物粒子とは全く異なる、優れた流動性を示し、該複合化合物を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物は成形性が良好であり、該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置は反り量が小さく、表面実装性に優れるものである。
【０００９】
即ち、本発明は、
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）硬化剤
（Ｃ）無機充填材
（Ｄ）有機樹脂粒子の表面を無機化合物の粒子によって被覆した複合化合物
を必須成分とするエポキシ樹脂組成物であり、熱可塑性樹脂粒子がポリアクリル樹脂化合物、無機化合物粒子が  溶融シリカを含む化合物、タルクを含む化合物、マイカを含む化合物、モリブデン酸亜鉛を含む化合物、水酸化マグネシウムを含む化合物、水酸化アルミニウムを含む化合物、ハイドロタルサイト化合物を含む化合物、希土類酸化物を含む化合物、アルミナを含む化合物、窒化珪素を含む化合物、窒化アルミニウムを含む化合物等から選ばれる化合物であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその硬化物で封止された半導体装置で、表面実装性に優れた半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、  成形性が良好であり、半導体装置の反り量が小さく、表面実装性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を与えるものであり、該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置は、産業上特に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明について更に詳しく説明する。
［（Ａ）エポキシ樹脂］
本発明で用いるエポキシ樹脂（Ａ）は、特に限定されない。一般的なエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。これらのうちでは、芳香環を含むエポキシ樹脂が好ましい。
【００１２】
上記エポキシ樹脂は、加水分解性塩素が１０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。加水分解性塩素が１０００ｐｐｍを超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００１３】
［（Ｂ）硬化剤］
本発明に用いる（Ｂ）硬化剤も特に限定されるものではない。一般的な硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましく、具体的には、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂などが挙げられ、これらのうち１種又は２種以上を併用することができる。上記硬化剤は、エポキシ樹脂と同様に、ナトリウム及びカリウムをそれぞれ１０ｐｐｍ以下とすることが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。ここで、エポキシ樹脂、硬化剤の配合量は特に制限されないが、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲であることが好ましい。
【００１４】
［（Ｃ）無機質充填剤］
本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合される（Ｃ）無機質充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。
【００１５】
これら無機質充填剤の平均粒径や形状及び無機質充填剤の充填量は、特に限定されないが、表面実装性を高めるためには、エポキシ樹脂組成物中に成形性を損なわない範囲で可能な限り多量に充填させることが好ましい。この場合、無機質充填剤の平均粒径、形状として、平均粒径５〜３０μｍの球状の溶融シリカが特に好ましく、また、（Ｃ）成分である無機質充填剤の充填量は、（Ａ）、（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、４００〜１３００質量部、特に５００〜１１００質量部とすることが好ましい。
【００１６】
なお、本発明において、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又はメディアン径）等として求めることができる。
【００１７】
［（Ｄ）有機樹脂粒子の表面を無機化合物の粒子によって被覆した複合化合物］
本発明に用いられる（Ｄ）有機樹脂粒子の表面を無機化合物の粒子によって被覆した複合化合物は熱可塑性樹脂粒子を芯物質に、無機化合物を膜物質として被覆したものである。複合化手法としては特に限定されないが特許第２６７２６７１号（特許文献１）、第３３７８４９２号（特許文献２）公報記載の高速気流中衝撃法、即ち芯物質と膜材の両者を混合した後、適当な機械エネルギーを与えることにより芯物質と膜材が付着し、複合化合物が得られる方法が確立されている。
【００１８】
有機樹脂粒子としては加熱時に体積膨張する化合物であれば低反り化に有効であり、特に限定されないが、アクリルゴム（架橋）、シリコーンゴム（架橋）、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸メチル、アクリル酸アルキルとメタクリル酸メチルの共重合物、ポリスチレン、ＭＢＳ、ＡＢＳ、ポリブタジェンゴム等があげられ、この中でも、アクリル樹脂化合物が好ましい。粒子径としては０．１〜５０μｍが好ましく、１次粒子、２次粒子のどちらでも良い。
【００１９】
無機化合物粒子については従来公知の無機化合物を用いることができる。従来エポキシ樹脂組成物に用いられる溶融シリカ、タルク、マイカ等を含む化合物はもとより、モリブデン酸亜鉛を含む化合物、水酸化マグネシウムを含む化合物、水酸化アルミニウムを含む化合物を用いた場合は、成形性、低反り性とともに難燃性も期待できる。またハイドロタルサイト化合物を含む化合物、希土類酸化物を含む化合物を用いた場合はイオン性不純物トラップ能力に優れており、成形性、低反り性とともに耐湿信頼性、耐熱信頼性を付与することが可能である。さらにアルミナを含む化合物、窒化珪素を含む化合物、窒化アルミニウムを含む化合物等を用いた場合、成形性、低反り性とともに高熱伝導性が期待できる。
【００２０】
したがって無機材料は付与させたい特性に応じて選ぶことができる。無機化合物粒子径としては０．００１〜２０μｍ  、特に好ましくは０．０１〜１５μｍである。芯物質の熱可塑性樹脂と膜物質の無機化合物の比率としては、流動性の改善が現れる範囲であれば特に限定されない。また各種無機化合物により比重も異なるので一概に言えないが、凡そ熱可塑性樹脂１質量部に対し０．００１〜１質量部である。膜層については低反り性の発現を妨げない範囲であれば特に限定されない。複合化合物の粒径としては特に限定されないが  粗粒があると成形性に影響を及ぼす可能性がある為、７５μｍ以下、特に５０μｍ以下が好ましい。
【００２１】
（Ｄ）複合化合物の添加量としては優れた成形性、低反り性を発現する範囲であれば特に限定されるものではないが、（Ａ）、（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、２〜５０質量部、特に４〜２０質量部とすることが好ましい。２質量部以下では期待される低反り性が得られない場合がある。また５０質量部を超える場合、特性的には問題ないがコスト的に不利となる。
【００２２】
［他の配合成分］
本発明の封止樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、カルナバワックス、酸化ポリエチレン、モンタン酸エステル等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤、モリブデン酸亜鉛担持タルク、モリブデン酸亜鉛担持亜鉛、ホスファゼン化合物、シリコーン化合物等の難燃材、ハイドロタルサイト類、希土類酸化物等のハロゲントラップ剤、の添加剤を添加配合することができる。
【００２３】
また、本発明において、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用いることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンの付加物などのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７などの第３級アミン化合物、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用することができる。
【００２４】
硬化促進剤の配合量は有効量であるが、上記リン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物等のエポキシ樹脂と硬化剤（フェノール樹脂）との硬化反応促進用の硬化促進剤は、（Ａ）、（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、０．１〜５質量部、特に０．５〜２質量部とすることが好ましい。
【００２５】
離型剤成分としては、例えばカルナバワックス、ライスワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン、モンタン酸、モンタン酸と飽和アルコール、２−（２−ヒドロキシエチルアミノ）−エタノール、エチレングリコール、グリセリン等とのエステル化合物であるモンタンワックス；ステアリン酸、ステアリン酸エステル、ステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、等が挙げられこれら１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
【００２６】
離型剤の配合比率としては（Ｂ）及び（Ｃ）成分の総量１００質量部に対して、０．１〜５質量部、更に好ましくは０．３〜４質量部であることが望ましい。
【００２７】
［エポキシ樹脂組成物の調製等］
本発明の封止樹脂組成物を成型材料として調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹脂、硬化剤、シリカ、その他の添加物を所定の組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
【００２８】
なお、組成物をミキサー等によって十分均一に混合するに際して、保存安定性をよくする為に、或いはウエッターとしてシランカップリング剤等で予め表面処理等を行うことが好ましい。
【００２９】
ここで、シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。ここで、表面処理に用いるシランカップリング剤量及び表面処理方法については、特に制限されるものではない。
【００３０】
このようにして得られる本発明の半導体封止用樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止に有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、本発明の封止用樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８５℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８５℃で２〜２０時間行うことが望ましい。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、以下の例において部は何いずれも質量部である。
【００３２】
［合成例ａ〜ｃ］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。使用した原材料を下記に示す。
【００３３】
［合成例ａ］
コアがアクリルゴム、シェルがアクリルゴムとグラフト重合したポリメタクリル酸メチルであるアクリル化合物  メタブレン  ＫＷ−４４２６（三菱レーヨン株式会社製）１０００ｇ  、溶融シリカ  ＳＯ−２５Ｒ（株式会社アドマテックス製）５０ｇを配合し、メカノフュージョンＡＭＳ−Ｌａｂ（ホソカワミクロン株式会社製）を用いて作成した。回転数  ２０００ｒｐｍ、温度８０℃、処理時間１０分。  
【００３４】
処理後  ＥＰＭＡのＳｉマッピングにより、溶融シリカが均一にアクリル化合物表面に付着していることを確認した。レーザー光回折法により、平均粒径５μｍであることを確認した。以上のことから熱可塑樹脂含有量９５質量％の複合化合物を得た。
【００３５】
［合成例ｂ］
コアがアクリルゴム、シェルがアクリルゴムとグラフト重合したポリメタクリル酸メチルであるアクリル化合物メタブレン  ＫＷ−４４２６（三菱レーヨン株式会社製）１０００ｇ、モリブデン酸亜鉛担持亜鉛  （シャーウインウイリアムズ株式会社製）２００ｇを配合し、メカノフュージョンＡＭＳ−Ｌａｂ（ホソカワミクロン株式会社製）を用いて作成した。回転数  ２０００ｒｐｍ、温度８０℃、処理時間１０分。
【００３６】
処理後  ＥＰＭＡのＭｏマッピングにより、モリブデン酸亜鉛担持亜鉛  が均一にアクリル化合物表面に付着していることを確認した。レーザー光回折法により、平均粒径１５μｍであることを確認した。以上のことから熱可塑樹脂含有量８３質量％の複合化合物を得た。
【００３７】
［合成例ｃ］
コアがアクリルゴム、シェルがアクリルゴムとグラフト重合したポリメタクリル酸メチルであるアクリル化合物  メタブレン  ＫＷ−４４２６（三菱レーヨン株式会社製）１０００ｇ  、ハイドロタルサイト化合物ＤＨＴ−４Ａ−２（協和化学株式会社製）５００ｇを配合し、メカノフュージョンＡＭＳ−Ｌａｂ（ホソカワミクロン株式会社製）を用いて作成した。回転数２０００ｒｐｍ、温度８０℃、処理時間１０分。
【００３８】
処理後  ＥＰＭＡのＭｇマッピングにより、ハイドロタルサイト化合物  が均一にアクリル化合物表面に付着していることを確認した。レーザー光回折法により、平均粒径２０μｍであることを確認した。以上のことから熱可塑樹脂含有量６７質量％の複合化合物を得た。
【００３９】
［実施例１〜５、比較例１〜３］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。これらの組成物につき、下記の（ｉ）〜（ｉｉｉ）の諸特性を測定した。結果を表１に示した。
【００４０】
（Ａ）〜（Ｄ）成分は下記のものを使用した。
（Ａ）成分
エポキシ樹脂（イ）：  ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：ＮＣ３０００（日本化薬株式会社製）、エポキシ当量＝２７２）
エポキシ樹脂（ロ）：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＥＯＣＮ−１０２０−５５（日本化薬株式会社製、エポキシ当量＝２００）
エポキシ樹脂（ハ）：ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ−４０００Ｋ（油化シェルエポキシ樹脂株式会社製、エポキシ当量＝１９０）
エポキシ樹脂（ニ）：トリフェニルメタン型エポキシ樹脂；  ＥＰＰＮ−５０１Ｈ（日本化薬株式会社製、エポキシ当量＝１６５）
【００４１】
（Ｂ）成分
フェノール樹脂（ホ）：ノボラック型フェノール樹脂：ＴＤ−２１３１大日本インキ化学工業株式会社製、フェノール性水酸基当量＝１１０）
フェノール樹脂（ヘ）：ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：ＭＥＨ−７８００ＳＳ（明和化成株式会社製、フェノール性水酸基当量＝１７５）
（Ｃ）成分
無機質充填剤：球状溶融シリカ（龍森株式会社製、平均粒径２０μｍ）
【００４２】
（Ｄ）成分  
複合化合物（ト）：合成例ａの化合物
複合化合物（チ）：合成例ｂの化合物
複合化合物（リ）：合成例ｃの化合物
熱可塑性化合物（ヌ）：アクリル化合物  メタブレンＫＷ−４４２６（三菱レーヨン株式会社製）
【００４３】
その他添加剤
硬化促進剤：トリフェニルホスフィン（北興化学株式会社製）
離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ株式会社製）
カーボンブラック：デンカブラック（電気化学工業株式会社製）
シランカップリング剤：ＫＢＭ−４０３（信越化学工業株式会社製）
【００４４】
半導体封止用エポキシ樹脂組成物の諸特性
（ｉ）スパイラルフロー値
ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ２、成形時間１２０秒の条件で測定した。
（ｉｉ）溶融粘度
高化式フローテスターを用い、１０ｋｇｆの加圧下、直径１ｍｍのノズルを用い、温度１７５℃で粘度を測定した。
（ｉｉｉ）パッケージ反り量
０．４０ｍｍ厚のＢＴ樹脂基板を用いパッケージサイズが３２ｘ３２ｍｍで厚みが１．２ｍｍ、１０ｘ１０ｘ０．３ｍｍのシリコンチップを搭載し１７５℃、６．９Ｎ／ｍｍ２、キュア時間２分のトランスファー条件で成型し、その後１７５℃で５時間、ポストキュアを行ったものをレ−ザ−三次元測定機を用いてパッケージの対角線方向に高さの変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。
【００４５】
【表１】
2006282958.tif 000002