(57)【要約】【課題】    異物の発生を抑制し、かつ異物による試料への影響を抑制することのできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  真空処理容器２と、該真空処理容器２内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段８と、第１の高周波電源に接続され前記真空処理容器内に導入された処理ガスに高周波エネルギを印加して前記処理ガスをプラズマ化する手段６と、試料をその上面に載置して前記真空処理容器内に保持する試料載置電極４と、前記真空処理容器内の処理ガスを排気する真空排気手段１と、前記真空排気手段による処理ガスの流れを前記載置電極の試料載置面よりも下流側で屈曲させて、プラズマの前記試料載置面よりも下流側への拡散を抑制するプラズマ閉じ込め手段７を前記真空処理容器２内の試料載置電極４外周側に備えた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理容器と、
該真空処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、
第１の高周波電源に接続され前記真空処理容器内に導入された処理ガスに高周波エネルギを印加して前記処理ガスをプラズマ化する手段と、
試料をその上面に載置して前記真空処理容器内に保持する試料載置電極と、
前記真空処理容器内の処理ガスを排気する真空排気手段と、
前記真空排気手段による処理ガスの流れを前記載置電極の試料載置面よりも下流側で屈曲させて、プラズマの前記試料載置面よりも下流側への拡散を抑制するプラズマ閉じ込め手段を、前記真空処理容器内の載置電極外周側に備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。  
【請求項２】
真空処理容器と、
該真空処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、
第１の高周波電源に接続され前記真空処理容器内に導入された処理ガスに高周波エネルギを印加して前記処理ガスをプラズマ化する手段と、
試料をその上面に載置して前記真空処理容器内に保持する試料載置電極と、
前記真空処理容器内の処理ガスを排気する真空排気手段と、
前記真空処理容器内の載置電極外周側に、前記真空排気手段による処理ガスの流れを前記載置電極の全外周に渡って前記載置電極の試料載置面よりも下流側で屈曲させる、環状板材からなるプラズマ閉じ込め手段を備え、
該プラズマ閉じ込め手段は、該手段の上流側と下流側で１．１倍以上の圧力差を発生し、かつ該圧力差は前記環状板材からなるプラズマ閉じ込め手段の前記真空排気手段の設置側で非設置側よりも大きくなるように設定したことを特徴とするたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ閉じ込め手段は、その表面に対して斜め方向に形成したアスペクト比１．５以上の細孔を有する環状板材を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ閉じ込め手段は、環状板材に放射方向形成したスリットを備え、該スリットのガス通過軸は環状板材の表面に対して斜め方向に形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ閉じ込め手段は、処理ガスの流れ方向に間隔をあけて積層した内径および外径の異なる複数の環状板材を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ閉じ込め手段の構成材料は、アルミニウム、ステンレス、シリコン、炭化シリコン、カーボン、酸化アルミニュウム、石英、酸化イットリウム、酸化イットリビュウムのいずれかであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ閉じ込め手段の構成材料は、金属材料に絶縁性の表面処理またはコーティングを施したものであり、前記コーティングは、酸化イットリウム、酸化イットリビュウム、酸化アルミニウム、酸化シリコンの何れかの膜であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ閉じ込め手段は、試料載置電極に取り付け、該試料載置電極に連動して上下動可能であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、
第１の高周波電源に接続され前記真空処理容器内に導入された処理ガスに高周波エネルギを印加して前記処理ガスをプラズマ化する手段は、アンテナ電極を備え、該アンテナ電極と前記試料載置電極には同一周波数で逆位相の高周波電力を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に異物による影響を抑制することのできるプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチング装置では、真空排気手段を有する真空処理容器内に処理ガスを導入し、導入した処理ガスを電磁波によりプラズマ化して試料（ウエハなどの被加工物）にさらすことにより、試料表面に形成したマスク部以外の部分をエッチングして所望の形状を得ている。
【０００３】
試料には、プラズマ生成用とは別の高周波電圧が印加され、該高周波電圧により、プラズマ中のイオンを加速して試料面に入射させることでエッチング効率向上と加工形状の垂直性を得ている。
【０００４】
エッチング形状やエッチング速度は、前記イオンの入射の外に電気的に中性な活性種によっても大きく影響される。中性な活性種の試料表面における入射の分布は、プラズマの分布および供給される処理ガスの流れに大きく影響される。
【０００５】
このため、プラズマを均一に形成しても、試料への処理ガスの流れに不均一が生じるとエッチング形状や速度の試料面内分布に不均一が生じることになる。処理ガスの流れを試料に対して均一化する手段として、試料に対向する面からシャワー状にガスを供給し、さらにガス排気手段である真空ポンプの排気口を試料載置電極の直下に配置する方式が知られている。
【０００６】
この配置方式によれば、試料面への供給ガスの特に軸対称が向上する。但し、この方法では、試料載置電極のメンテナンス性の低下や試料の処理位置を任意に設定するための試料搬送手段の駆動機構の搭載が困難となる。また、このように前記試料に対向する面からシャワー状にガスを供給し、さらにガス排気手段である真空ポンプの排気口を試料載置電極の直下に配置する方式では、試料載置電極の下方側面および排気口周辺部の真空処理容器壁に蓄積された微小パーティクルがプラズマ生成時に舞い上がり、これが試料表面に付着するとパーティクル汚染を生じる。
【０００７】
排気口周辺部へは容易にプラズマが拡散するため、拡散したプラズマにより、真空処理容器壁面が劣化し、これに伴いパーティクル汚染が生じる。なお、真空処理容器壁にイットリアなどのプラズマ耐性に優れる材料を用いることにより、パーティクルの発生を低減することが可能であるが、イットリア等は高価であるため、全ての領域をコーティングする場合はコストが増加する。
【０００８】
上記したパーティクルに関する課題を解決する技術として、例えば、特許文献１には、試料に印加する高周波電圧と位相が１８０度異なる同一の周波数の電圧を、試料の対向面に配置した放電生成用電極に印加するプラズマ処理装置が示されている。このように、試料に印加する高周波電圧と位相が１８０度異なる高周波電圧を放電生成用電極に印加すること、すなわち、試料に高周波電圧の正電圧を印加する周期時に対向電極に負電圧を印加することによりプラズマ電位の上昇を抑制し、真空処理容器壁のスパッタリングが抑制される。これにより壁材料消耗の抑制や、壁材料からのパーティクル発生を抑制することが可能となる。
【特許文献１】特開２００２−１８４７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記従来技術によれば、前述のようにパーティクルの発生を抑制することはできる。しかし、プラズマ処理装置を長期間に渡って使用し続けると、パーティクルが真空処理容器下部や排気口周辺に蓄積し、これに伴い微小な異物が発生する。このような異物は、今後ますます高精度化するデバイス製造の要求に対応するための障害となる。
【００１０】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたもので、異物の発生を抑制し、かつ異物による試料への影響を抑制することのできるプラズマ処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
【００１２】
真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、第１の高周波電源に接続され前記真空処理容器内に導入された処理ガスに高周波エネルギを印加して前記処理ガスをプラズマ化する手段と、試料をその上面に載置して前記真空処理容器内に保持する試料載置電極と、前記真空処理容器内の処理ガスを排気する真空排気手段と、前記真空排気手段による処理ガスの流れを前記載置電極の試料載置面よりも下流側で屈曲させて、プラズマの前記試料載置面よりも下流側への拡散を抑制するプラズマ閉じ込め手段を、前記真空処理容器内の載置電極外周側に備えた。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、以上の構成を備えるため、異物の発生を抑制し、かつ異物による試料への影響を抑制することのできるプラズマ処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、最良の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置を説明する図である。図１に示すように、プラズマ処理装置は、真空排気手段１により真空排気される真空処理容器２、該真空処理容器２内で試料３を載置する試料載置電極４、試料３と対向する面に位置する上部電極６を備える。
【００１５】
試料載置電極４と真空処理容器２の内壁間には２枚の環状板材で構成されるプラズマ閉じ込め手段７が設置されている。また、試料載置電極４は、該載置手段を上下に駆動し、試料３と上部電極６との相対的距離を調節することのできる上下駆動機構５を備える。
【００１６】
上部電極６には処理ガス導入手段８から供給される処理ガスを分散して試料３表面に供給するシャワープレート９が設置される。プラズマは上部電極６に接続される第１の高周波電源１０より供給される高周波エネルギーにより、試料３と上部電極６間に形成される。なお、本実施形態では、放電形成用の第１の高周波電源１０として２００ＭＨｚの周波数の電源を用いた。
【００１７】
プラズマは磁場発生手段１１による磁場によりその密度分布が制御される。試料３には、試料載置電極４を介して第３の高周波電源１２が接続されており、該第３の高周波電源１２による高周波電圧によりプラズマから試料３に入射するイオンのエネルギーが制御される。また、上部電極６に設置されるシャワープレート９にも先の放電形成用の第１の高周波電源１０とは別の第２の高周波電源１３から高周波電圧が供給される。これにより、シャワープレート９に入射するイオンのエネルギーを放電形成とは独立に制御することができる。
【００１８】
試料３に高周波電圧を印加する第３の高周波電源１２と、シャワープレート９に高周波電圧を印加する第２の高周波電源１３は同一周波数であり、さらに位相が相対的に１８０度異なるように設定されている。本実施形態では、試料３およびシャワープレート９に印加する高周波電源の周波数を４ＭＨｚとした。
【００１９】
次に本実施形態のプラズマ処理装置の動作を説明する。本実施形態では、プラズマ形成用の電源として２００ＭＨｚの高周波電源（第１の高周波電源）を用いる。この電源による電場と磁場発生手段１１による磁場との相互作用により、低圧力から高圧力（略０．１Ｐａ〜２０Ｐａ）に渡る圧力範囲でプラズマを生成することができる。さらに、２００ＭＨｚという平行平板型放電としては比較的高い周波数を用いることで、高いプラズマ生成効率を実現することができるとともに、プラズマ電位の上昇を抑制し、真空処理容器壁等のアース電位の部材のスパッタリング効果による過剰な消耗を抑制することができる。
【００２０】
また、試料３とそれに対向するシャワープレート９に同一周波数（４ＭＨｚ）で、位相が１８０度異なる周波数の高周波電圧を印加することにより、試料およびシャワープレートの表面にプラズマからイオンを加速して引き込むことができるとともに、プラズマ電位の上昇が抑制される。これにより、真空処理容器壁等のアース電位部材に対する過剰なスパッタリング効果が抑制される。
【００２１】
また、前述のように、プラズマ電位の上昇が抑制されることにより、試料３とシャワープレート９間に生成されるプラズマが真空処理容器の下流域（真空排気手段１の方向）に拡散する程度も抑制される。しかし、プラズマの真空処理容器下流域への拡散を完全に抑制することができるわけではない。真空処理容器下流域にプラズマが拡散すると、該領域の真空処理容器壁に反応生成物が異物として堆積したり、真空処理容器壁そのものが変質することにより微小異物が蓄積される。この蓄積された異物が舞い上がると試料３の表面を汚染し、半導体デバイスの製造歩留まりを低下させる。真空処理容器下流域は、酸素プラズマによるクリーニング効果等がおよびにくいため、真空処理容器を開放し手作業にて洗浄しないと除去できない。すなわち、真空処理容器下部に蓄積される異物は装置の稼働率を低下させる大きな要因ともなる。このため、本実施形態では、図１に示すように、２枚の環状板材で形成されたプラズマ閉じ込め手段７を配置する。
【００２２】
図２は、２枚の環状板材で形成されるプラズマ閉じ込め手段７の詳細を説明する図である。プラズマ閉じ込め手段７は、上部環状板１５および下部環状板１６からなる２枚の環状板材をそれぞれの一部が重なるように支え１７を介して固定配置して構成される。該プラズマ閉じ込め手段は、シャワープレート９から試料３の上面に供給されるガスの流れ（矢印１４）を１回以上屈曲して真空排気手段１に到達させる構造となっており、これによりプラズマを構成する粒子を閉じ込め手段により捕捉することが可能となる。このように、プラズマ閉じ込め手段７を配置することにより、プラズマ閉じ込め手段７より下流側へのプラズマの拡散を抑制することができる。
【００２３】
本実施形態では、前述のように１８０度位相の異なる高周波電圧を上部電極６および試料載置電極４に印加することにより、プラズマ電位の上昇が抑制されている。このため、図１、２に示すように比較的大きな開口を有するプラズマ閉じ込め手段７を用いた場合においてもプラズマの真空処理容器下流域への拡散を十分に抑制することができる。このように、比較的大きな開口を有するプラズマ閉じ込め手段７によっても、真空排気手段方向へのプラズマ遮蔽ができることは、ガスの排気速度低下を必要最小限にすることが可能となることを意味しており、低圧力かつ大流量のプロセスを容易に構築することが可能となる。
【００２４】
前述のように、ガスの流れを１回以上屈曲させることによりプラズマの拡散を抑制することができる。しかし、長期にわたりプラズマ処理を継続すると、いずれは中性な活性粒子等からなる異物が真空処理容器下部に蓄積される。このような場合、蓄積された異物はプラズマの到達による電気的な作用で舞い上がることがある。しかし、プラズマそのものは到達しないため、異物が舞い上がるリスクは大幅に低減される。また、何らかの理由により突発的に異物が舞い上がったとしても、真空処理容器下部から試料３の面に到達するには１回以上屈曲したプラズマ閉じ込め手段７を通過する必要がある。ここで、微小異物の真空中での平均自由工程は非常に長く数ｃｍから数十ｃｍである。このため、プラズマ閉じ込め手段７による迷宮構造が有効に機能し、前記異物の試料３上面への到達確率を大幅に低下させることが可能となる。  
図１の実施形態では、試料載置電極４に上下駆動機構５が設置されている。またプラズマ閉じ込め手段７は試料載置電極４に固定されている。よって、上下駆動機構５により試料載置電極４を上下するとプラズマ閉じ込め手段７も連動して上下することになる。この構造により、試料３の任意な処理位置に対して常にプラズマ閉じ込め手段７が試料３と相対的に同位置にあることになり、効果的な真空処理容器下流域への拡散を抑制できる。本実施形態では、上下駆動機構５によりプラズマ閉じ込め手段７の相対位置を可変としたが、ある特定位置に固定して設置させてもほぼ同様の効果があることは言うまでもない。
【００２５】
本実施形態におけるプラズマ閉じ込め手段７は、プラズマ閉じ込め手段７を境にその上流（試料３側）と下流（排気手段１側）で１．１倍以上の圧力差となるようなガス流れに対するコンダクタンスを有する構造とすることが望ましい。実験によると、このようなコンダクタンスが生じる迷路構造とすることにより、プラズマ拡散を効果的に抑制し、さらに真空処理容器下部からの異物の舞い上がりによる試料面の汚染を抑制することができる。  プラズマ閉じ込め手段７を境にその上流と下流での圧力差が１．１倍より低い場合は、特に真空処理容器下部からの異物舞い上がりを抑制うる効果が小さくなる。また、前述のような圧力差により生じるガスの流れにより異物に対する押し戻し効果が発生し、これによっても試料への異物到達確率を効果的に低減することができる。
【００２６】
図３は、プラズマ閉じ込め手段７の他の例を説明する図である。この例においては、プラズマ閉じ込め手段７の周方向の一部にガス流れに対するコンダクタンスを部分的に低下させる構造１８を付加している。
【００２７】
（試料３の真下ではなく）試料３に対して非対称な位置に真空排気手段１が配置される場合、例えば、図１で示す例の場合には、真空排気手段１に近い側（図１の左側）での排気効率が高く、シャワープレート９を介して均等に処理ガスを供給しても、試料面上では真空排気手段１側に偏ったガス供給となる場合が生じる。
【００２８】
このため、図３に示すように、プラズマ閉じ込め手段７の排気手段１側に、ガス流れのコンダクタンスを部分的に低下させる構造１８（例えば、上部環状板１５の下面に形成した円弧状凸部）を付加する。これにより試料載置電極４周辺の円周方向におけるガス排気性能が見かけ上等しくなり、試料３面への均等なガス供給が可能となる。
【００２９】
図３の例では、ガス流れのコンダクタンスを部分的に低下させる構造１８の設置により、排気構造の非対称性に伴う試料面への処理ガス供給の不均一化を抑制したが、このほかに、図１の実施形態で示す２枚以上の板状部材からなる閉じ込め手段の重なり合う面積および重なり合う隙間距離を相違させて、プラズマ閉じ込め手段における試料周方向でのガス流れに対するコンダクタンスに差を生じさせることができる。
【００３０】
また、本実施形態では、プラズマ閉じ込め手段を構成する材料として、アルミニュウムにイットリア（Ｙ２Ｏ３）膜を溶射したものを用いた。しかし、他にアルミニュウム、アルマイト処理されたアルミニュウム、イットリビウムを溶射したアルミニュウム、ステンレス、シリコン、炭化シリコン、カーボン、酸化アルミニュウム（アルミナ）、石英、イットリア、イットリビウムのいずれかを用いても同様の効果を奏することができる。
【００３１】
また、本実施形態では、プラズマの生成に２００ＭＨｚの高周波電源を使用し、またシャワープレート９および試料３に印加する高周波電源として位相が１８０度異なる４ＭＨｚの電源を利用したが、プラズマ生成電源として１３ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの電源を、シャワープレートおよび試料に印加する高周波電源として４００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚの電源を利用しても同様な効果を得ることができる。
【００３２】
また、シャワープレート９と試料３に供給する電源はその位相が１８０度異なる同一の周波数でなくても処理は可能であり、さらには試料３のみに高周波電源を印加する場合においても同様である。また放電形式としては、磁場を有さない構造に対しても適応可能である。また、１００ｋＨｚ〜１５ＭＨｚの電磁波を用いる誘導結合方式または４５０ＭＨｚ〜２．５ＧＨｚの電磁波を用いる有磁場マイクロ波方式においても同様に適用できる。  しかし、図１に示したように、シャワープレート９と試料３に供給する電源の位相を１８０度異なる位相とする場合、プラズマ電位上昇が効果的に抑制されるため、プラズマ閉じ込め手段７の効果を最も良好に発現することができる。
【００３３】
図４は、本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置を説明する図であり、図５は図４におけるプラズマ閉じ込め手段１９の詳細を説明する図である。図４、図５に示すように、プラズマ閉じ込め手段１９は、複数の細孔２０が形成された１枚の環状板材により形成する。
【００３４】
プラズマ閉じ込め手段１９を構成する環状板材に形成する細孔は、図５に示されるように厚さ方向に対して角度を持って空けられている。この斜めに空けた細孔によりガスの流れを１回以上屈曲させる作用を得ることができ、図１に示す第１の実施形態と同様な効果が得られる。また図５に示す細孔のアスペクト比（孔深さ／孔径）比を１．５以上とすることで効果的なプラズマ遮蔽と真空処理容器下部からの異物通過抑制効果が得られる。アスペクト比１．５以下では、孔中でのプラズマ消失が不十分となり、結果として孔をプラズマが通過し閉じ込め手段下流へのプラズマ拡散が生じる。
【００３５】
また、図５に示す細孔の径、数（周方向における密度）、あるいは斜めに開ける細孔の向きを周方向で変えることにより、図３に示すような、試料３に対して非対称位置に配置された真空排気手段１による試料３面に供給されるガス流れの不均一化を抑制することができる。
【００３６】
本実施形態は、前記第１の実施形態とは、プラズマ閉じ込め手段１９の形態が異なるのみで他は全て同様である。従って、プラズマ閉じ込め手段１９の材質、プラズマ生成手段、試料およびシャワープレートへの高周波電圧印加手段に対しても前記第１の実施形態の場合と同様である。
【００３７】
図６は、本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装置を説明する図であり、図７は図６におけるプラズマ閉じ込め手段２１の詳細を説明する図である。本実施形態では、図６、図７に示すように、プラズマ閉じ込め手段２１を、複数のスリット状開口部２２が形成された１枚の環状部材により形成する。該環状部材に形成されるスリット状の開口部２２は図７に示すように厚さ方向に対して角度を持って空けられている。この斜めに空けたスリットによりガスの流れを１回以上屈曲させる作用が得られ、図１に示す第１の実施形態と同様な効果が得られる。
【００３８】
本実施形態では、スリットの幅、スリットの数（周方向密度）あるいは斜めに開けるスリットの向きを周方向で変えることにより、第１の実施形態の図３で示した試料３に対して非対称位置に配置される排気手段１による試料３面に供給されるガス流れの不均一化を抑制できる。
【００３９】
本実施形態は、第１の実施形態とは、プラズマ閉じ込め手段の形態が異なるのみで他は全て同様である。従って、プラズマ閉じ込め手段２１の材質、プラズマ生成手段、試料およびシャワープレートへの高周波電圧印加手段に対しても前記実施形態１の記載内容と同様である。
【００４０】
以上説明したように、本発明の各実施形態によれば、真空排気手段による処理ガスの流れを前記載置電極の試料載置面よりも下流側で１回以上屈曲させて、プラズマの前記試料載置面よりも下流側への拡散を抑制するプラズマ閉じ込め手段を、前記真空処理容器内の載置電極外周側に備える。このため、プラズマ閉じ込め手段より下流（真空処理容器下部および排気手段周辺）へのプラズマ拡散を抑制し、真空処理容器下部および排気手段周辺における異物の堆積、容器壁の劣化およびパーティクルの舞い上げを抑制することができる。また、真空排気手段が試料に対して非対称な位置に配置されることにより生じる試料面上でのガス流れの非対称化を、プラズマ閉じ込め手段に設ける細孔位置を調整することなどにより抑制することができる。また、真空処理容器下部および排気手段周辺部でパーティクルが舞い上がったとしても、ガスの流れを１回以上屈曲させる構造により、パーティクルの試料面への到達確率を格段に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマ処理装置を説明する図である。
【図２】２枚の環状板材で形成されるプラズマ閉じ込め手段７の詳細を説明する図である。
【図３】プラズマ閉じ込め手段７の他の例を説明する図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るプラズマ処理装置を説明する図である。
【図５】図４におけるプラズマ閉じ込め手段１９の詳細を説明する図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るプラズマ処理装置を説明する図である。
【図７】図６におけるプラズマ閉じ込め手段２１の詳細を説明する図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  真空排気手段
２  真空処理容器
３  試料
４  試料載置電極
５  上下駆動機構
６  上部電極
７，１９，２１  プラズマ閉じ込め手段
８  処理ガス導入手段
９  シャワープレート
１０  第１の高周波電源
１１  磁場発生手段
１２  第３の高周波電源
１３  第２の高周波電源
１４  ガスの流れ
１５  上部環状板
１６  下部環状板
１７  支え
１８  ガス流れのコンダクタンスを部分的に低下させる構造
２０  細孔
２２  スリット状開口部
【図１】
2006303309.tif 000003
【図２】
2006303309.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2006303309.tif 000007
【図６】
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【図７】
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