(57)【要約】【課題】半導体基板上に形成した高周波増幅器のベース端子およびエミッタ端子から基板方向への信号漏洩による雑音指数の劣化を防止する。【解決手段】インピーダンス素子６０とインピーダンス素子６１はアルミニウムや銅などの低抵抗率の金属配線を使用して配線長と配線幅と配線形状を変化させ、拡散容量５０は面積を変化させることにより高周波信号に対する交流的インピーダンスを可変できる。インピーダンス素子６０と拡散容量５０とインピーダンス素子６１により高周波信号に対する交流的インピーダンスを低減し、第１のトランジスタ１５のベース端子からエミッタ端子を介し外部の接地端子への信号経路を作ることでベース端子用パッド２０に外部より入力した高周波信号のうち、半導体基板の絶縁膜における絶縁膜容量を介し基板裏面方向に通過しようとする信号成分を低減あるいは遮断し、基板裏面方向への信号漏洩をなくし雑音指数の劣化を防止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部より高周波信号を入力する半導体基板上に形成した信号入力用の第１のパッドと、前記半導体基板上に形成した第２のパッドと、前記第１のパッドと前記第２のパッドの間に挿入した前記半導体基板の拡散層により形成の容量とを備え、出力信号の周波数帯における雑音指数の劣化を防止することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項２】
前記第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した容量と直列接続した特定のインピーダンスを持ったインピーダンス素子を備えたことを特徴とする請求項１記載の高周波増幅器。
【請求項３】
前記第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した容量とインピーダンス素子が、前記容量と前記インピーダンス素子の組合せにより特定の周波数帯に対する雑音指数の劣化を防止することを特徴とする請求項２記載の高周波増幅器。
【請求項４】
前記容量と前記インピーダンス素子を前記第１のパッドと第２のパッド間において接続の切替えをするスイッチを備え、前記スイッチの切替えにより特定の周波数帯に対する雑音指数の劣化を防止することを特徴とする請求項３記載の高周波増幅器。
【請求項５】
前記第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した第１の容量と第１のインピーダンス素子と、前記第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した第２の容量と第２のインピーダンス素子と、前記第１の容量と前記第１のインピーダンス素子を前記第１のパッドと第２のパッド間において接続の切替えをする第１のスイッチと、前記第２の容量と前記第２のインピーダンス素子を前記第１のパッドと第２のパッド間において接続の切替えをする第２のスイッチとを備え、前記第１のスイッチと前記第２のスイッチの切替えにより特定の周波数帯を選択し、この周波数帯に対する雑音指数の劣化を防止することを特徴とする請求項３記載の高周波増幅器。
【請求項６】
外部よりアンテナで受信した高周波信号を入力し、出力回路から増幅信号として出力した信号を処理する通信機器であって、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波増幅器を用いたことを特徴とする通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話やＰＨＳなどの無線信号の受信機を構成する高周波増幅器に関し、特に雑音指数の劣化を防止する高周波増幅器および通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の携帯電話機の受信部に用いられる高周波増幅器の構成例を図７に示す。図７において、外部からの高周波信号が入力される第１のトランジスタ１５のベース端子はアルミニウムあるいは銅などの金属からなり金ワイヤーや銅配線を張るためのベース端子用パッド２０を有する。また、第１のトランジスタ１５のベース端子は特定のインピーダンスを持つインピーダンス素子１３を介してバイアス回路１１に接続される。
【０００３】
第１のトランジスタ１５のエミッタ端子は特定のインピーダンスを有するインピーダンス素子１７を介してアルミニウムあるいは銅などの金属からなり金ワイヤーや銅配線を張るためのエミッタ端子用パッド２１を有する。
【０００４】
第１のトランジスタ１５のコレクタ端子は、第２のトランジスタ１６のエミッタ端子に接続され、第２のトランジスタ１６のベース端子は特定のインピーダンスを持つインピーダンス素子１０を介しバイアス回路１２に接続される。
【０００５】
第２のトランジスタ１６のコレクタ端子は出力回路１４に接続され、出力回路１４は電源電圧に接続される。また、第１のトランジスタ１５で増幅された高周波信号は第２のトランジスタ１６を介し出力回路１４から増幅信号として出力され、アルミニウムあるいは銅などの金属からなり金ワイヤーや銅配線を張るための増幅信号出力用パッド１８から出力される。
【０００６】
図８は第１のトランジスタのベース端子およびエミッタ端子用パッドのレイアウトおよび断面構造を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図である。
【０００７】
図８（ａ），（ｂ）において、ベース端子用パッド２０およびエミッタ端子用パッド２１はシリコンなどの基板３３上に絶縁膜３０を介して配置される。各パッド下の基板部分は例えば砒素などを注入した拡散層などで形成されており、各パッドの周辺にはＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁物を使用して分離する絶縁層２５，２６が形成されている。
【０００８】
通常基板の裏面は接地用端子と共通の接地面となっており、第１のトランジスタ１５のベース端子に外部より高周波信号が入力された場合、ベース端子用パッド２０下の絶縁膜３０は容量として機能するようになり、高周波信号は絶縁膜３０を通過して基板裏面方向に流れ込み、ベース端子用パッド２０から基板裏面方向への信号経路が発生する。また、エミッタ端子でもこのような基板裏面方向への信号の流れ込みが生じ同様の信号経路が発生する。
【０００９】
従来、携帯電話等で使用されていた信号周波数では、第１のトランジスタ１５のベース端子に入力された信号は第１のトランジスタ１５で増幅されて出力端子から増幅信号が得られるが、ベース端子用パッド２０およびエミッタ端子用パッド２１から基板裏面方向への信号経路は発生せず両パッドでの信号ロスは考慮する必要がなかった。このような高周波増幅器の一例として特許文献１に記載されている高周波増幅器がある。
【００１０】
特許文献１には、高周波可変利得増幅装置の信号バイパス回路部にある漏れ電流の経路を遮断し、漏れ電流を低減するため、図９に示すように、高周波可変利得増幅装置の信号バイパス回路１２０は、ゲートが電圧制御端子Ｐ３に接続されドレインが増幅器１１０の入力端子に接続された高周波スイッチ１２２と、ゲートが電圧制御端子Ｐ４に接続されソースが増幅器１１０の出力端子と出力側コンデンサとの間に接続された高周波スイッチ１２３と、高周波スイッチ１２２のソースと高周波スイッチ１２３のドレインを接続する高周波信号減衰用の抵抗器１２４を有し、高周波スイッチ１２３が高利得モード動作時の漏れ電流を低減し、雑音特性の劣化を防止する構造の高周波可変利得増幅装置および通信機器が記載されている。
【特許文献１】特開２００３―１６３５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、近年の携帯電話等では利用者数の増加や通信速度の高速化に伴い使用周波数が高くなってきている。
【００１２】
そして、使用周波数が高くなるにつれ、半導体基板上に形成される高周波増幅器において、ベース端子およびエミッタ端子用パッド下の絶縁膜が容量として機能するようになり、周波数に応じたインピーダンスを持つようになる。この場合入力信号は絶縁膜を通過しやすくなり、基板方向への流れ込み量が増加する。その結果パッド下の絶縁膜容量と基板内の寄生インピーダンスがパッド端子に等価的に接続された状態が生じ、雑音指数が劣化してしまう。
【００１３】
第２の課題として、ベース端子とエミッタ端子はレイアウト上近傍に配置されるため、ベース端子およびエミッタ端子用パッド下の基板内で両者の配置距離に伴うインピーダンスが生じ、基板内にベース端子とエミッタ端子間を繋ぐ信号経路が発生する。雑音指数はベース端子およびエミッタ端子用パッド下の基板内に等価的に発生する寄生インピーダンスに強く依存するため、雑音指数の基板内の寄生インピーダンス依存を防止する必要がある（図１０参照）。
【００１４】
第３の課題として近年の携帯電話方式では使用周波数がこれまでと比べて高くなるとともに、雑音指数の要求も厳しくなっており、最小雑音指数の向上が必要とされる。
【００１５】
そして、従来どおり半導体基板上にベース端子およびエミッタ端子を配置した場合、使用周波数が高くなるにつれて基板方向の信号漏洩成分が増加していき、このような信号の漏洩成分の増加により基板のインピーダンスがベース端子と等価的に接続される状態になるため、雑音指数が劣化するという問題があった。
【００１６】
本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、半導体基板上に形成された高周波増幅器のベース端子およびエミッタ端子から基板方向への信号漏洩による雑音指数の劣化を防止する高周波増幅器および通信機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記の目的を達成するために、本発明に係る高周波増幅器は、外部より高周波信号を入力する半導体基板上に形成した信号入力用の第１のパッドと、半導体基板上に形成した第２のパッドと、第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した半導体基板の拡散層により形成の容量とを備え、出力信号の周波数帯における雑音指数の劣化を防止すること、また、第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した容量と直列接続した特定のインピーダンスを持ったインピーダンス素子を備えたことを特徴とする。
【００１８】
また、前記高周波増幅器において、第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した容量とインピーダンス素子が、容量とインピーダンス素子の組合せにより特定の周波数帯に対する雑音指数の劣化を防止すること、さらに、容量とインピーダンス素子を第１のパッドと第２のパッド間において接続の切替えをするスイッチを備え、スイッチの切替えにより特定の周波数帯に対する雑音指数の劣化を防止すること、またさらに、第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した第１の容量と第１のインピーダンス素子と、第１のパッドと第２のパッドの間に挿入した第２の容量と第２のインピーダンス素子と、第１の容量と第１のインピーダンス素子を第１のパッドと第２のパッド間において接続の切替えをする第１のスイッチと、第２の容量と第２のインピーダンス素子を第１のパッドと第２のパッド間において接続の切替えをする第２のスイッチとを備え、第１のスイッチと第２のスイッチの切替えにより特定の周波数帯を選択し、この周波数帯に対する雑音指数の劣化を防止することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係る通信機器は、外部よりアンテナで受信した高周波信号を入力し、出力回路から増幅信号として出力した信号を処理する通信機器であって、請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波増幅器を用いたことを特徴とする。
【００２０】
前記構成によれば、半導体基板上に形成した高周波増幅器のベース端子とエミッタ端子間に、容量とインピーダンス素子（配線）とスイッチを接続することにより基板方向への信号の漏洩をなくすことができ、容量と配線により周波数帯の選択ができ、さらにスイッチにより切替えることによって複数の周波数帯に対して雑音指数の劣化を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体基板上に形成された高周波増幅器において、ベース端子およびエミッタ端子から基板方向への信号漏洩による雑音指数の劣化を防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００２３】
図１は本発明の実施の形態１におけるベース端子用パッドとエミッタ端子用パッド間に容量とインピーダンス素子を挿入した高周波増幅回路の構成例を示す図である。ここで、前記従来例を示す図７，図８（ａ），（ｂ）において説明した構成部材に対応し同等の機能を有するものには同一の符号を付して示し、また以下の各図においても同様とする。
【００２４】
図１において、外部からの高周波信号を入力する第１のトランジスタ１５のベース端子は、アルミニウムあるいは銅などの金属からなり金ワイヤーや銅配線を張るためのベース端子用パッド２０を有する。さらに、第１のトランジスタ１５のベース端子は特定のインピーダンスを持つインピーダンス素子１３を介してバイアス回路１１に接続される。
【００２５】
また、第１のトランジスタ１５のエミッタ端子は、特定のインピーダンスを有するインピーダンス素子１７を介してアルミニウムあるいは銅などの金属からなり金ワイヤーや銅配線を張るためのエミッタ端子用パッド２１を有する。さらに、第１のトランジスタ１５のコレクタ端子は、第２のトランジスタ１６のエミッタ端子に接続され、第２のトランジスタ１６のベース端子は特定のインピーダンスを持つインピーダンス素子１０を介しバイアス回路１２に接続される。
【００２６】
第２のトランジスタ１６のコレクタ端子は出力回路１４に接続され、出力回路１４は電源電圧に接続される。また、第１のトランジスタ１５で増幅された高周波信号は第２のトランジスタ１６を介し出力回路１４から増幅信号として出力され、アルミニウムあるいは銅などの金属からなり金ワイヤーや銅配線を張るための増幅信号出力用パッド１８から出力される。
【００２７】
本実施の形態１で採用した回路構成は、第１のトランジスタ１５のベース端子に接続されるアルミニウムあるいは銅などの金属よりなるベース端子用パッド２０と、第１のトランジスタ１５のエミッタ端子に接続されたインピーダンス素子１７とエミッタ端子用パッド２１との間に、特定のインピーダンスを有するインピーダンス素子６０とシリコンの基板に砒素などの不純物を注入した拡散層を利用して構成された拡散容量５０と特定のインピーダンスを有するインピーダンス素子６１を直列接続した構成である。
【００２８】
例えば、アルミニウムや銅などの低抵抗率の金属配線を使用することにより配線長と配線幅と配線形状を変化させることによりインピーダンス素子６０とインピーダンス素子６１の高周波信号に対する交流的インピーダンスは容易に可変させることができ、拡散容量５０は面積を変化させることにより高周波信号に対する交流的インピーダンスを容易に可変させることができる。
【００２９】
第１のトランジスタ１５のエミッタ端子はエミッタ端子用パッド２１から金ワイヤーや銅配線などを介し外部の接地端子に接続される。したがって、第１のトランジスタ１５はエミッタ接地として使用される。
【００３０】
図１に示す、インピーダンス素子６０と拡散容量５０とインピーダンス素子６１で構成される回路の高周波信号に対する交流的インピーダンスを低減することにより、第１のトランジスタ１５のベース端子からエミッタ端子を介し外部の接地端子への信号経路を作ることでベース端子用パッド２０に外部より入力された高周波信号のうち、図７に示す絶縁膜３０における絶縁膜容量４０を介し基板３３の裏面方向に通過しようとする信号成分を低減あるいは遮断することができる。
【００３１】
前述の作用により図７に示したベース端子用パッド２０に等価的に接続される寄生インピーダンス素子３４の影響が無くなり雑音指数の劣化を防止することができる。同様に、エミッタ端子用パッド２１に等価的に接続される寄生インピーダンス素子３５および寄生インピーダンス素子３６の影響も同時になくすことができ、雑音指数の劣化を防止することができる。
【００３２】
また、インピーダンス素子６０とインピーダンス素子６１に対し基板３３内でアルミニウムあるいは銅などの金属配線を使用してインダクタとし、拡散容量５０の高周波信号に対するインピーダンスを変化させることにより、所望の周波数帯を選択でき、その周波数帯に対して雑音指数の最適化が可能となる。
【００３３】
図２は本実施の形態１におけるベース端子用パッドおよびエミッタ端子用パッド周辺のレイアウトおよび断面構造を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図である。
【００３４】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、ベース端子用パッド２０とエミッタ端子用パッド２１の周辺レイアウトとして、ベース端子用パッド２０は、例えばＳｉＮやＳｉＯ２などの絶縁層２５で周辺を包囲され、エミッタ端子用パッド２１も同様に、例えばＳｉＮやＳｉＯ２などの絶縁層で包囲される。
【００３５】
ベース端子用パッド２０とエミッタ端子用パッド２１の間に、例えばＳｉＮやＳｉＯ２などの絶縁層５３で周辺を包囲されている拡散容量５０を配置した場合、ベース端子用パッド２０から拡散容量５０へ向かって、例えばアルミニウムや銅などの金属配線からなるインピーダンス素子６０を拡散容量５０に向かって接続し、エミッタ端子用パッド２１から拡散容量５０へ向かって、例えばアルミニウムや銅などの金属配線からなるインピーダンス素子６１を拡散容量５０に向かって接続している。
【００３６】
また、ベース端子用パッド２０は、シリコンの基板３３上に堆積された、例えばＳｉＮやＳｉＯ２などの絶縁膜３０上に配置される。ベース端子用パッド２０の周辺を囲む絶縁層２５はベース端子用パッド２０の下部にあたる基板３３内の領域を包囲しており、絶縁層２５が包囲する基板３３の領域は、例えば砒素などの不純物を注入した低抵抗拡散層３１となっている。
【００３７】
同様にエミッタ端子用パッド２１は、基板３３上に堆積された、例えばＳｉＮやＳｉＯ２などの絶縁膜３０上に配置される。エミッタ端子用パッド２１の周辺を囲む絶縁層２６はエミッタ端子用パッド２１の下部にあたる基板３３内の領域を包囲しており、絶縁層２６が包囲する基板３３の領域は、例えば砒素などの不純物を注入した低抵抗拡散層３２となっている。
【００３８】
また、拡散容量５０は、例えばＳｉＮやＳｉＯ２などの絶縁層５３により周辺を包囲され基板３３内に、例えば砒素などの不純物を注入した拡散層５２を利用して構成される。インピーダンス素子６０はベース端子用パッド２０と同様に絶縁膜３０上あるいは多層配線プロセスの場合は絶縁膜３０内に形成され、拡散容量５０を構成する拡散層５２に対し、絶縁膜３０を貫通して垂直方向に、例えばアルミニウムや銅などの金属配線により接続される。同様に、インピーダンス素子６１はエミッタ端子用パッド２１と同様に絶縁膜３０上あるいは多層配線プロセスの場合は絶縁膜３０内に形成され、拡散容量５０を構成する拡散層５２に対し絶縁膜３０を貫通して垂直方向に、例えばアルミニウムや銅などの金属配線により接続される。
【００３９】
この拡散容量５０の配置は、インピーダンス素子６０とインピーダンス素子６１の高周波信号に対するインピーダンスを低減させることを目的としている。
【００４０】
図３は本発明の実施の形態２におけるベース端子用パッドおよびエミッタ端子用パッド周辺のレイアウトおよび断面構造を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図である。
【００４１】
本実施の形態２において、前述の実施の形態１で説明した図２（ａ），（ｂ）における拡散容量５０に代えて、絶縁膜３０の中に多層配線を使用して構成される配線間容量５５を使用したものである。配線間容量５５は特定の誘電率を持つ誘電体あるいは絶縁物質を使用しており、例えばインピーダンス素子６０が２層配線で形成され、インピーダンス素子６１が１層配線で形成されたとき配線間容量５５は、インピーダンス素子６０とインピーダンス素子６１とで挟まれた形で形成される。
【００４２】
配線間容量５５を使用した場合でも、前述した拡散容量５０を使用した場合と同様にベース端子用パッド２０とエミッタ端子用パッド２１間の高周波信号に対する交流的インピーダンスを低減させることができ、雑音指数の劣化を防止することができる。
【００４３】
図４は雑音指数の容量依存特性を示す図である。高周波信号の特定の周波数帯で拡散容量５０あるいは配線間容量５５に対し、特定の容量Ｃｐにおいて雑音指数が最も良くなるボトムを持つ二次関数的な特性を示す。インピーダンス素子６０およびインピーダンス素子６１と拡散容量５０あるいは配線間容量５５の組み合わせにより、所望の高周波信号の周波数帯に対し雑音特性を最良化することが可能となる。
【００４４】
図５は本発明の実施の形態３におけるベース端子用パッドとエミッタ端子用パッド間にスイッチとインピーダンス素子と容量を複数挿入した高周波増幅回路の構成例を示した図である。
【００４５】
ベース端子用パッド２０とエミッタ端子用パッド２１の間にインピーダンス素子６０と拡散容量５０とインピーダンス素子６１を直列接続したものに、例えばバイポーラトランジスタやＭＯＳトランジスタなどを使用したスイッチ７１を直列接続し、さらにベース端子用パッド２０とエミッタ端子用パッド２１の間に特定のインピーダンスを有するインピーダンス素子６２と拡散容量５１あるいは配線間容量５５と特定のインピーダンスを有するインピーダンス素子６３に、例えばバイポーラトランジスタやＭＯＳトランジスタなどを使用したスイッチ７２を直列接続したものである。
【００４６】
例えば、インピーダンス素子６０と拡散容量５０とインピーダンス素子６１を直列接続した回路で第１の周波数帯に対し雑音指数を最適化し、また、インピーダンス素子６２と拡散容量５１とインピーダンス素子６３の直列接続した回路で第２の周波数帯に対し雑音指数を最適化した場合、第１の周波数帯を使用するときは前記スイッチ７１をオンし、スイッチ７２をオフすることで第１の周波数を選択でき、かつ第１の周波数に対して雑音指数の最適化を図ることができる。同様に第２の周波数帯を使用するときはスイッチ７２をオンし、スイッチ７１をオフすることで第２の周波数を選択でき、かつ第２の周波数に対して雑音指数の最適化を図ることができる。
【００４７】
図６は雑音指数の周波数依存特性を示す図である。いま、スイッチ７１をオンしてスイッチ７２をオフした場合、第１の周波数ｆ１に対し雑音特性は最適値となる。また、スイッチ７２をオンしてスイッチ７１をオフした場合、第２の周波数ｆ２に対し雑音特性は最適値となる。第１の周波数ｆ１を選択した場合、第２の周波数ｆ２の雑音指数は最適点よりずれた状態となる。同様に第２の周波数ｆ２を選択した場合は、第１の周波数ｆ１での雑音指数は最適点よりずれた状態となる。このことから、スイッチ７１およびスイッチ７２を切替えることにより、所望の周波数帯を選択することができ、かつ所望の周波数帯に対して最適な雑音指数特性を得ることができる。
【００４８】
さらに、前述した高周波増幅器を用いることで、近年の携帯電話方式における使用周波数の高い場合の雑音指数の要求にも応じことが可能な通信機器が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る高周波増幅器および通信機器は、半導体基板上に形成された高周波増幅器において、基板内の寄生インピーダンスを低減し、ベース端子およびエミッタ端子から基板方向への信号漏洩による雑音指数の劣化を防止に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１におけるベース端子用パッドとエミッタ端子用パッド間に容量と特定のインピーダンス素子を挿入した高周波増幅回路の構成例を示す図
【図２】本実施の形態１におけるベース端子用パッドおよびエミッタ端子用パッド周辺のレイアウトおよび断面構造を示す、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるベース端子用パッドおよびエミッタ端子用パッド周辺のレイアウトおよび断面構造を示す、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図
【図４】雑音指数と容量の依存特性を示す図
【図５】本発明の実施の形態３におけるベース端子用パッドとエミッタ端子用パッド間にスイッチとインピーダンス素子と容量を複数挿入した高周波増幅回路の構成例を示す図
【図６】雑音指数と周波数の依存特性を示す図
【図７】従来の携帯電話機の受信部に用いられる高周波増幅器の構成を示す図
【図８】従来の第１のトランジスタのベース端子およびエミッタ端子用パッドのレイアウトおよび断面構造を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は断面図
【図９】従来の雑音特性劣化を防止する高周波可変利得増幅装置の構成を示す図
【図１０】雑音指数と基板内の寄生インピーダンスの依存特性を示す図
【符号の説明】
【００５１】
１０，１３，１７，６０〜６３  インピーダンス素子
１１，１２  バイアス回路
１４  出力回路
１５  第１のトランジスタ
１６  第２のトランジスタ
１８  増幅信号出力用パッド
２０  ベース端子用パッド
２１  エミッタ端子用パッド
２５，２６，５３  絶縁層
３０  絶縁膜
３１，３２  低抵抗拡散層
３３  基板
３４，３５，３６  寄生インピーダンス素子
４０，４１  絶縁膜容量
５０，５１  拡散容量
５２  拡散層
【図１】
2006303976.tif 000003
【図２】
2006303976.tif 000004
【図３】
2006303976.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006303976.tif 000010
【図９】
2006303976.tif 000011
【図１０】
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