(57)【要約】【課題】  放熱効果が高くしかも防振効果を得られる外部記憶装置の免振構造を提供することである。【解決手段】  外部記憶装置１２とトレイ１３との間に防振材１４を設け、外部記憶装置１２に取付ネジ１５を取り付け、トレイに設けられる取付ネジを貫通させるためのトレイ貫通孔は取付ネジ１５のネジ部外径より大きく形成され、防振材に設けられる取付ネジ１５を貫通させるための防振材貫通孔は、取付ネジ１５のネジ部外径より大きくトレイ貫通孔より小さく形成される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部記憶装置とトレイとの間に設けられた防振材と、前記外部記憶装置に取り付けられる取付ネジと、前記取付ネジのネジ部外径より大きく前記トレイに設けられ前記取付ネジを貫通させるためのトレイ貫通孔と、前記取付ネジのネジ部外径より大きく前記トレイ貫通孔より小さく前記防振材に設けられ前記取付ネジを貫通させるための防振材貫通孔とを備えたことを特徴とする外部記憶装置の免振構造。
【請求項２】
前記防振材貫通孔の大きさと前記取付ネジのネジ部外径やネジ部長さの大きさにより特定の周波数の揺れ幅を制限することを特徴とする請求項１記載の外部記憶装置の免振構造。
【請求項３】
外部記憶装置とトレイとの間に設けられた防振材と、前記外部記憶装置に取り付けられる取付ネジと、前記取付ネジのネジ部外径より大きく前記トレイに設けられ前記取付ネジを貫通させるためのトレイ貫通孔と、前記取付ネジのネジ部外径及び前記トレイ貫通孔より大きく前記防振材に設けられ前記取付ネジを貫通させるための防振材貫通孔とを備えたことを特徴とする外部記憶装置の免振構造。
【請求項４】
前記トレイ貫通孔の大きさと前記取付ネジのネジ部外径やネジ部長さの大きさにより特定の周波数の揺れ幅を制限することを特徴とする請求項３記載の外部記憶装置の免振構造。
【請求項５】
外部記憶装置ユニットを収納するユニット収納部と情報処理装置本体との間に設けられた防振材と、前記ユニット収納部に取り付けられる取付ネジと、前記取付ネジのネジ部外径より大きく前記情報処理装置本体に設けられ前記取付ネジを貫通させるための情報処理装置本体貫通孔と、前記取付ネジのネジ部外径より大きく前記情報処理装置本体貫通孔より小さく前記防振材に設けられ前記取付ネジを貫通させるための防振材貫通孔とを備えたことを特徴とする外部記憶装置の免振構造。
【請求項６】
前記防振材貫通孔の大きさと前記取付ネジのネジ部外径やネジ部長さの大きさにより特定の周波数の揺れ幅を制限することを特徴とする請求項５記載の外部記憶装置の免振構造。
【請求項７】
外部記憶装置ユニットを収納するユニット収納部と情報処理装置本体との間に設けられた防振材と、前記ユニット収納部に取り付けられる取付ネジと、前記取付ネジのネジ部外径より大きく前記情報処理装置本体に設けられ前記取付ネジを貫通させるための情報処理装置本体貫通孔と、前記取付ネジのネジ部外径及び前記情報処理装置本体貫通孔より大きく前記防振材に設けられ前記取付ネジを貫通させるための防振材貫通孔とを備えたことを特徴とする外部記憶装置の免振構造。
【請求項８】
前記情報処理装置本体貫通孔の大きさと前記取付ネジのネジ部外径やネジ部長さの大きさにより特定の周波数の揺れ幅を制限することを特徴とする請求項７記載の外部記憶装置の免振構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報処理装置等における外部記憶装置の振動を防止する外部記憶装置の免振構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報処理装置における外部記憶装置は、情報処理装置本体内の収納部分にネジで取り付けられているため、外界の振動は直接的に外部記憶装置に与えられる。このため、情報処理装置全体で最も振動に弱い外部記憶装置の耐振性能が情報処理装置全体の耐振性能となる。また、情報処理装置の外部記憶装置は機械的動作を伴うため振動に弱く、情報処理装置本体の振動を直接伝える構造では、情報処理装置全体としての耐振動や衝撃性能は低いことになる。
【０００３】
そこで、外部記憶装置である情報記録媒体を回転駆動させるドライブ装置等の記録再生に必要な主要機構を装着した記録再生装置や駆動電源等をベース筐体に装着し、このベース筐体を覆う外装部材との間に防振部材を設けて、ベース筐体に外乱振動が伝達することを防止するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、電子装置の筐体のディスク装置収納部を覆う蓋部材とディスク装置との間に、振動や衝撃を吸収する振動衝撃吸収材を設け、ディスク装置のデータ破損を防止し信頼性を向上させたものがある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平７−５７４４９号公報（図１）
【特許文献２】特開平１１−２４２８８１号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１のものでは外部記憶装置のベース筐体と外装筐体とを防振材を介してネジで取り付ける構造であるので、外装筐体の振動が防振材を介してベース筐体に伝わり、防振材のバネ効果により防振効果が減じられる。
【０００６】
また、特許文献２ものでは、外部記憶装置自体に防振材を施した構造であるので、記憶装置の代替やメンテナンスが困難である。また、記憶装置の八方を防振材で囲む構造であるので放熱効果が妨げられる。
【０００７】
本発明の目的は、放熱効果が高くしかも防振効果を得られる外部記憶装置の免振構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の外部記憶装置の免振構造は、外部記憶装置とトレイとの間に設けられた防振材と、外部記憶装置に取り付けられる取付ネジと、取付ネジのネジ部外径より大きくトレイに設けられ取付ネジを貫通させるためのトレイ貫通孔と、取付ネジのネジ部外径より大きく防振材に設けられ取付ネジを貫通させるための防振材貫通孔とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、外部記憶装置の支持は、外部記憶装置底面と防振材との接触のみであり、鉛直方向では防振材に乗っているだけ、水平方向では外部記憶装置底面と防振材との摩擦があるだけであり、防振材が外部記憶装置を保持する構造ではないので、防振材はバネ効果を持たない。従って、その振動性は防振材が外部記憶装置を保持する構造のときよりも低くなり、防振材が持つ効果以上の高い防振効果が得られる。すなわち、外部記憶装置を固定していないので免振効果を発揮できる。
【００１０】
また、外部記憶装置の変位の拘束性は取付ネジのネジ部外径またはネジ部長さの大きさと取付部である防振材貫通孔またはトレイ貫通孔の穴径の大きさにより持たせるので、これらの径の大きさを適切に選択することにより、特定の周波数の揺れ幅を制限できる。すなわち、外部記憶装置のずれや離脱を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係わる外部記憶装置の免振構造の説明図である。外部記憶装置ユニット１１は、外部記憶装置１２をトレイ１３に防振材１４を介して搭載して形成される。すなわち、外部記憶装置１２とトレイ１３との間に防振材１４が設けられ、外部記憶装置１２は防振材１４上に搭載されている。トレイ１３にはトレイ貫通孔が設けられ、同様に防振材には防振材貫通孔が設けられており、それらトレイ貫通孔及び防振材貫通孔を貫通して取付ネジ１５が外部記憶装置１２の底面部に取り付けられている。
【００１２】
図２は図１のＡ部分の拡大詳細図である。外部記憶装置１２の底面部には取付ネジ１５が取り付けられており、この取付ネジ１５を貫通させるためのトレイ１３のトレイ貫通孔１３ａは、取付ネジ１５のネジ部外径より大きく形成されている。また、取付ネジ１５を貫通させるための防振材１４の防振材貫通孔１４ａは、取付ネジ１５のネジ部外径より大きく、トレイ貫通孔１３ａより小さく形成されている。また、必要に応じて耐振動性及び耐衝撃性を持ったワッシャー１８を取付ネジ１５のネジ部に装着し、防振材１４とワッシャー１８の両効果をもって特定の振動数の揺れ幅を制限する。外部記憶装置１２は防振材１３に単に搭載されているだけであり、外部記憶装置１２の底面と防振材１４との摩擦で外部記憶装置１２は支持されている。
【００１３】
図３は、外部記憶装置が水平方向に振動した場合の免振構造の説明図である。図３（ａ）に示す状態で、いま水平方向の振動があったとすると、図３（ｂ）に示すように、振動に伴って外部記憶装置１２と防振材１４との位置関係に変位が生じする。この場合、取付ネジ１５が防振材貫通孔に当接し、水平方向の振動に対して外部記憶装置１２の移動を拘束する。すなわち、外部記憶装置１２の水平方向の変位の拘束性は、取付ネジ１５のネジ部外径の大きさと取付部である防振材貫通孔の穴径の大きさにより持たせる。従って、防振材貫通孔の穴部及び取付ネジ１５のネジ部外径の大きさを適切に選択することにより、水平方向の特定の周波数の揺れ幅を制限できる。すなわち、外部記憶装置のずれや離脱を防ぐことができる。
【００１４】
図４は外部記憶装置１２が鉛直方向に振動した場合の免振構造の説明図である。振動により図３の場合の水平方向の変位に代えて、外部記憶装置１２と防振材１４との位置関係に鉛直方向の変位が生じた場合には、図４（ａ）の状態から図４（ｂ）の状態となり、取付ネジ１５の頭部が防振材貫通孔に当接し、鉛直方向の振動に対して外部記憶装置１２の移動を拘束する。すなわち、外部記憶装置１２の鉛直方向の変位の拘束性は、取付ネジ１５のネジ部長さの大きさと取付部である防振材貫通孔の穴径の大きさにより持たせる。従って、防振材貫通孔の穴部及び取付ネジのネジ部長さの大きさを適切に選択することにより、鉛直方向の特定の周波数の揺れ幅を制限できる。
【００１５】
このように、外部記憶装置１２の支持は、外部記憶装置１２の底面と防振材１４との接触のみであり、鉛直方向では防振材１４に乗っているだけ、水平方向では外部記憶装置１２の底面と防振材１４との摩擦があるだけであり、防振材１４が外部記憶装置１２を保持する構造ではないので、防振材１４はバネ効果を持たない。従って、その振動性は防振材１４が外部記憶装置１２を保持する構造のときよりも低くなり、防振材１４が持つ効果以上の高い防振効果が得られる。
【００１６】
以上の説明では、防振材貫通孔を取付ネジ１５のネジ部外径より大きく、トレイ貫通孔より小さく形成し、防振材貫通孔により外部記憶装置１２の移動を拘束するようにしたが、トレイ貫通孔を取付ネジ１５のネジ部外径より大きく、防振材貫通孔より小さく形成し、トレイ貫通孔により外部記憶装置１２の移動を拘束するようにしてもよい。
【００１７】
図５は、その場合の外部記憶装置１２が水平方向に振動した場合の免振構造の説明図、図６は、その場合の外部記憶装置１２が鉛直方向に振動した場合の免振構造の説明図である。
【００１８】
図５において、図５（ａ）の状態で、いま水平方向の振動があったとすると、図５（ｂ）に示すように、振動に伴って外部記憶装置１２と防振材１４との位置関係に変位が生じする。この場合、取付ネジ１５がトレイ貫通孔に当接し、水平方向の振動に対して外部記憶装置１２の移動を拘束する。すなわち、外部記憶装置１２の水平方向の変位の拘束性は、取付ネジ１５のネジ部外径の大きさと取付部であるトレイ貫通孔の穴径の大きさにより持たせる。従って、トレイ貫通孔の穴部及び取付ネジ１５のネジ部外径の大きさを適切に選択することにより、水平方向の特定の周波数の揺れ幅を制限できる。
【００１９】
図６において、外部記憶装置１２と防振材１４との位置関係に鉛直方向の変位が生じた場合には、図６（ａ）の状態から図６（ｂ）の状態となり、取付ネジ１５の頭部がトレイ貫通孔に当接し、鉛直方向の振動に対して外部記憶装置１２の移動を拘束する。すなわち、外部記憶装置１２の鉛直方向の変位の拘束性は、取付ネジ１５のネジ部長さの大きさと取付部であるトレイ貫通孔の穴径の大きさにより持たせる。従って、トレイ貫通孔の穴部及び取付ネジのネジ部長さの大きさを適切に選択することにより、鉛直方向の特定の周波数の揺れ幅を制限できる。
【００２０】
図７は本発明の第１の実施の形態に係わる外部記憶装置の免振構造を備えた外部記憶装置ユニット１１を装着した情報処理装置の斜視図である。図７において、情報処理装置本体１６には外部記憶装置ユニット１１を収納するためのユニット収納部１７が設けられている。このユニット収納部１７に、本発明の外部記憶装置の免振構造を備えた外部記憶装置ユニット１１が収納される。
【００２１】
第１の実施の形態によれば、外部記憶装置１２の支持は、外部記憶装置１２の底面と防振材１４との接触のみであり、防振材１４が外部記憶装置１２を保持する構造ではないので、防振材１４はバネ効果を持たない。従って、その振動性は防振材１４が外部記憶装置１２を保持する構造のときよりも低くなり、防振材１４が持つ効果以上の高い防振効果が得られる。また、外部記憶装置１２の変位の拘束性は取付ネジ１５のネジ部外径またはネジ部長さの大きさと取付部である防振材貫通孔またはトレイ貫通孔の穴径の大きさにより持たせるので、これらの径の大きさを適切に選択することにより、特定の周波数の揺れ幅を制限できる。
【００２２】
次に、本発明の第２の実施の形態を説明する。図８は本発明の第２の実施の形態に係わる外部記憶装置の免振構造の説明図である。この第２の実施の形態は、図１に示した第１の実施の形態に対し、外部記憶装置１２とトレイとの間に代えて、情報処理装置本体１６内の外部記憶装置ユニット１１を収納するユニット収納部１７と情報処理装置本体１６との間に防振材１４を設置し、ユニット収納部１７に取付ネジ１５を取り付けたものである。
【００２３】
図８において、外部記憶装置ユニット１１を収納するユニット収納部１７と情報処理装置本体１６との間に防振材１４を設け、ユニット収納部１７に取付ネジ１５を取り付ける。情報処理装置本体１６に設けられる取付ネジ１５を貫通させるための情報処理装置本体貫通孔は、取付ネジ１５のネジ部外径より大きく形成され、防振材１４に設けられる取付ネジ１５を貫通させるための防振材貫通孔は、取付ネジ１５のネジ部外径より大きく情報処理装置本体貫通孔より小さく形成される。
【００２４】
ユニット収納部１７の支持は、ユニット収納部１７の底面と防振材１４との接触のみであり、鉛直方向では防振材１４に乗っているだけ、水平方向ではユニット収納部１７の底面と防振材１４との摩擦があるだけであり、防振材１４がユニット収納部１７を保持する構造ではないので、防振材１４はバネ効果を持たない。従って、その振動性は防振材１４がユニット収納部１７を保持する構造のときよりも低くなり、防振材１４が持つ効果以上の高い防振効果が得られる。
【００２５】
以上の説明では、防振材貫通孔を取付ネジ１５のネジ部外径より大きく、情報処理装置本体貫通孔より小さく形成し、防振材貫通孔によりユニット収納部１７の移動を拘束するようにしたが、情報処理装置本体貫通孔を取付ネジ１５のネジ部外径より大きく、防振材貫通孔より小さく形成し、情報処理装置本体貫通孔によりユニット収納部１７の移動を拘束するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる外部記憶装置の免振構造の説明図。
【図２】図１のＡ部分の拡大詳細図。
【図３】本発明の第１の実施の形態における外部記憶装置が水平方向に振動した場合の免振構造の説明図。
【図４】本発明の第１の実施の形態における外部記憶装置が鉛直方向に振動した場合の免振構造の説明図。
【図５】本発明の第１の実施の形態における外部記憶装置が水平方向に振動した場合の免振構造の他の一例の説明図。
【図６】本発明の第１の実施の形態における外部記憶装置が鉛直方向に振動した場合の免振構造の他の一例の説明図。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係わる外部記憶装置の免振構造を備えた外部記憶装置ユニット１１を装着した情報処理装置の斜視図。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係わる外部記憶装置の免振構造の説明図。
【符号の説明】
【００２７】
１１…外部記憶装置ユニット、１２…外部記憶装置、１３…トレイ、１４…防振材、１５…取付ネジ、１６…情報処理装置本体、１７…ユニット収納部、１８…ワッシャー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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