(57)【要約】【課題】フープ内でＰ、Ｃｌ２等の腐食性ガスが滞留することなく、処理済と処理前のウエハが混在しても、清浄な雰囲気を保つことができるフープを提供することを目的とする。【解決手段】半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアに用いられるフープにおいて、前記フープのシェルの内側に設けられるウエアを載置するためのセルであって、箱型形状に形成された前記セルの内側にウエハを載置するためのウエハサポートと、仕切られた箱状空間内にウエハを載置できるように前記ウエハサポートの間に仕切りが設けられていることを特徴とするフープである。また、前記セルが導電性を有するか、又は帯電防止処理されており、かつ前記シェルの上面、前記セル、及び前記シェルの下面が導通する部材を用いて構成されていることを特徴とする。さらに、前記セルのウエハの出し入れ側に対抗する反対側に開口部が設けられていることを特徴とする。【選択図】図１
2006080458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアとして用いられるドアとシェルとからなるフープであって、該フープの内部に入出可能に設けられた箱型形状に形成されたセルを備え、該セルはその内側に収容されるウエアを載置するためのウエハサポートと、
前記ウエハサポートに載置されたウエハの間を仕切るように配置される箱状の仕切りと、が設けられているセルであることを特徴とするウェハキャリア。
【請求項２】
前記セルが導電性を有するか又は帯電防止処理されており、かつ前記シェルの上面及び前記シェルの下面が導通する部材を用いて構成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハキャリア。
【請求項３】
前記セルのウエハの出し入れ側に対抗する反対側に開口部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェハキャリア。
【請求項４】
前記セルは、導電性を有するか又は帯電防止処理されている前側セルと、透明に形成され、かつ開口部が設けられている後側セルとが、接合された構造であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のウェハキャリア。
【請求項５】
前記後側セルに設けられた開口部を蓋うカバーを設けたことを特徴とする請求項４に記載のウェハキャリア。
【請求項６】
前記カバーに更に開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とする請求項５に記載のウェハキャリア。
【請求項７】
前記シェルに開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とする請求項１に記載のウェハキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセスに用いられるウエハキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、３００ｍｍウエハを用いた半導体製造プロセスにおいて、例えば２５枚のウエハを１バッチとし一括処理していた方法に替えて、ウエアを一枚ずつ処理する枚葉処理方法が採用されることがある。枚葉処理を採用するプロセスには、例えば、ウエハの洗浄、エッチング、ＣＶＤ処理などの工程がある。
【０００３】
枚葉処理方式を用いる背景には、パターンの微細化に伴い、ウエハを一枚ずつ管理する必要性が増大したことと、少量多品種の生産に対応するため、Ｑ−ＴＡＴ方式（クイック−ターンアラウンドタイム方式）を実現する必要が生じたことがあげられる。そのような枚葉処理が行われるウェハは、下記の特許文献１に記載されているようなウェハキャリアに収納されて所定枚毎に一括して搬送される。
【０００４】
次に、図１３（ａ）の斜視図及び図１３（ｂ）の水平断面図を参照して、ウエハキャリアとして用いられるフープ（ＦＯＵＰ：front open unified pod）について説明する。
【０００５】
フープ５０１は、大まかにポッド本体であるシェル５０３と、シェル５０３の外部からウエハをポッド内に出し入れすると共に、内部へのパーティクルの侵入防止や化学的な汚染防止を図るため、開閉自在のドア５０５とで構成される。
【０００６】
シェル５０３には、フープ５０１の自動釣り上げや釣り下げを行うためのフランジ５０７、作業員が運搬する等のためのマニュアルハンドル５１３、フープ５０１の自動搬送を行うためのサイドレール５１５が設けられている。また、ドア５０５には、フープ５０１の位置決めを行うためのレジストレーションピン穴５０９、ドア５０５を開閉及びロックするためのラッチキー穴５１１が設けられている。
【０００７】
フープ５０１内に収納されるウエハ５２１は、フープ５０１内の両側面に取り付けられるウエハサポート５２３に載置され、さらに、ドア５０５に設けられたウエハ押さえ機構であるリテーナ部５２５によって押さえられている。
【０００８】
次に、図１４（ａ）に示すようにドア５０５を外した状態のフープ５０１の斜視図と、図１４（ｂ）に示すようにフープ５０１の正面から見た垂直断面図を参照して、フープ５０１の内部構造を説明する。
【０００９】
ウエハ５２１は、シェル５０３内側の左右に分割して配置されるセル５３１の各々に取り付けられた断面櫛状のウエハサポート５２３の各段上に載置される。ウエハサポート５２３は、例えば、セル５３１と一体に成形される。そのセル５３１は、シェル５０３の上面を貫通して取り付けられるネジ５２５と、シェル５０３の下面を貫通して取り付けられたるネジ５２７とによってフープ５０１の上下から支えられている。なお、フープ５０１の下面は、基準を合わすためのキネマティックベースプレート５２９に取り付けられている。
【００１０】
ところで、半導体工場内では、ウエハ５２１はフープ５０１に収納されて各処理装置間を移動される。そして、各々の処理装置では、図１３に示した状態で、フープ５０１のドア５０５をシェル５０３から取り外し、ついでフープ５０１の前面からウエハ５２１を取り出して処理装置内部の処理部（不図示）に搬送し、その後に所要の処理が行われる。さらに、処理の終了後には、処理済みのウエハ５２１がフープ５０１に戻される。
【００１１】
このような処理を各ウェハ５２１毎に行い、全てのウエハ５２１の処理を終了した後にフープ５０１を搬送して一時保管した後に、次の処理装置に搬送される。このような工程を繰り返すことで所望の半導体回路がウエハ５２１上に形成される。
【特許文献１】特開２００２−１１０７６９号公報  （図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ウェハの処理として例えば枚葉式ＬＰＣＶＤ（low pressure chemical vapor deposition）法があり、アルミニウム、銅等の配線下の層間絶縁膜の形成や半導体回路の機能保護のためのパッシベーション膜等の形成時に用いられる。
【００１３】
絶縁膜の膜種としては、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）を含んだSiO２膜であるＢＰＳＧ膜がある。ＢＰＳＧ膜形成には、例えば、SiH４（シラン）、B２H６（ジボラン）、PH３（ホスフィン）等の水素化合物と酸素（O２）とを反応させたり、あるいは、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＭＰＯ（トリメチルフォスフェート）、ＴＭＢ（トリメトキシボロン）等の有機ソースとオゾン（O３）とを反応させる方法がある。
【００１４】
ところで、絶縁膜にＰ成分を入れるのは、可動性イオンであるナトリウム（Na）のゲッタリングと、絶縁膜のリフロー温度を下げるためであり、また、Ｂ、Ｐ成分を入れることにより、絶縁膜にクラックが入りにくいように応力を制御できるからである。
【００１５】
また、膜種には、ＰＳＧ膜（Ｐを含んだSiO２膜）がある。ＰＳＧ膜形成時には、SiO２中にP２O５を添加する際には、方法によってはP２O３が混入する。P２O３は、P２O５に比べて低温で平坦化できるが、昇華性があるのでリフロー工程で膜表面に欠陥が発生する可能性がある。
【００１６】
Ｂ、Ｐを含んだSiO２膜は不安定で、吸湿性がある。また、Ｐについては水分との反応によりリン酸が生じる可能性がある。これは、P２O５の吸湿性が高いからである。また、ＣＶＤの処理条件によっては、メタホウ酸（HBO2）の微結晶が析出することがある。さらに、リン酸は、配線、銅配線等の金属配線に対して腐食を引き起こす場合があるし、シリコン窒化（Si3N4）膜にもダメージを与える場合がある。
【００１７】
ところで、前記の枚葉式ＬＰＣＶＤ法では、二次汚染（クロスコンタミ）が発生する可性がある。その、機構について以下に説明する。
(1) 前述の方法によって処理された処理済ウエハは処理前のウエハを入れたフープに戻されると、処理済と処理前のウエハとがフープ内で混在することになる。
(2) フープ内の処理済のウエハから、例えばリンを含んだガスが揮発する。
(3) リンを含んだガスとフープ内の水分とが反応してリン酸が生じ、リン酸は未処理のウエハを汚染する。
(4) リン酸で汚染されたウエハをＣＶＤ装置で処理すると成膜の異常が発生する。
【００１８】
一方、ウェハ処理としてエッチングがあり、例えば、Cl２ やBCl３に、N２、CF４ 、O２、H２O などを添加したガスを用いてアルミ配線をドライエッチングする処理がある。そのドライエッチングの後には、ウエハからCl系ガスが揮発するので、その処理済ウェハをそのままフープ内に入れると未処理ウエハのアルミ配線表面のアルマイトを腐食（コロージョン）するおそれがある。
【００１９】
以上のように、図１３、図１４に示したようなフープでは、空気の流れがほとんどないように設計されているため、処理済みのウェハからガスが出てフープ内を滞留して、別なウエハを汚染するおそれが高くなる。
【００２０】
なお、処理済と処理前のウエハを混在させないようにするためには、処理済みのウエハを別のフープに戻せば良いが、ウエハやフープの管理が増えて、ランニングコストが増加するため望ましい方法ではない。
【００２１】
従って、本発明は、フープ内でリン、塩素等の腐食性ガスが滞留することなく、処理済と処理前のウエハが混在しても、各ウェハ周囲で清浄な雰囲気を保つことができるウェハキャリアを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前記課題を解決するために、下記のウェハキャリアを提供する。
本願発明の第１の態様は、半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアとして用いられるドアとシェルとからなるフープであって、該フープの内部に入出可能に設けられた箱型形状に形成されたセルを備え、該セルはその内側に収容されるウエアを載置するためのウエハサポートと、
前記ウエハサポートに載置されたウエハの間を仕切るように配置される箱状の仕切りと、が設けられているセルであることを特徴とするウェハキャリアである。
【００２３】
本願発明の第２の態様は、前記セルが導電性を有するか、又は帯電防止処理されており、かつ前記シェルの上面、及び前記シェルの下面が導通する部材を用いて構成されていることを特徴とするウェハキャリアである。
【００２４】
本願発明の第３の態様は、前記セルのウエハの出し入れ側に対抗する反対側に開口部が設けられていることを特徴とするウェハキャリアである。
【００２５】
本願発明の第４の態様は、前記セルは、導電性を有するか帯電防止処理されている前側セルと、透明に形成され、かつ開口部が設けられている後側セルとが、接合されたセルを備えたことを特徴とするウェハキャリアである。
【００２６】
本願発明の第５の態様は、前記後側セルに設けられた開口部を蓋うカバーを設けたことを特徴とするウェハキャリアである。
【００２７】
本願発明の第６の態様は、前記カバーに更に開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とするウェハキャリアである。
【００２８】
本願発明の第７の態様は、前記シェルに開口部を設け、該開口部にはフィルタ及び／又はファンが設けられていることを特徴とするウェハキャリアである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明は、半導体製造プロセスにおいてウエハキャリアに用いられるフープのシェル部の内側に設けられるウエアを収容し、載置するためのセルを箱形形状にするとともに、そのセルの内部にウエハを載置するためのウエハサポートと、前記ウエハ同士を互いに仕切るための仕切りをウエハサポートの間に設けている。
これにより、フープ内でリン、塩素等の腐食性ガスが滞留することなく、処理済と処理前のウエハが混在しても、清浄な雰囲気を保つことができるフープを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に図を参照して本発明のフープについて説明する。（ドア５０５）
図１は、本発明の実施形態に係るウェハキャリアであるフープの前を開けた状態を示す斜視図、図２は、図１に示したフープの中からウェハ用セルを取り出した状態を示す斜視図である。
【００３１】
フープ１は、前面に開口部を有するシェル３と、シェル３上面に設けられたフランジ５と、基準を合わすために下面に取り付けられるキネマティックベースプレート７とを有している。また、シェル３の中には、一体型のセル９が設けられ、セル９内に設けられたウエハサポート１１上にはウエハ１３が載置されるように構成されている。さらに、シェル３の前面には、図１３に示した従来例と同じようにドア５０５（図１１では４）が着脱可能に取り付けられている。なお、シェル３の外観を図１３（ａ）に示した従来例とほぼ同じにしてもよい。
【００３２】
シェル３の底部のうちの前端寄りの領域には、図２に示すように左右に間隔をおいて第１の通気孔６が２つ形成され、第１の通気孔６のそれぞれの下には図３の断面図に示すように雰囲気清浄用のフィルタ８が取り付けられている。フィルタ８は、気泡性のテフロン（登録商標）を収容して上下に開口を有するプラグ８ａと、プラグ８ａと通気孔６の間に配置されるフィルタ基盤８ｂとを有しており、第１の通気孔６を通してシェル３内に入る空気中の塵、汚染物質等をフィルタ８によって除去するようになっている。
【００３３】
また、シェル３の底部のうちの奥の領域には第２の通気孔１０が形成され、その第２の通気孔１０の下には、シェル３内の空気、ガス等を外部に排出するためのファン１２が取り付けられている。ファン１２として、例えば図４に例示するように、モータ内蔵のものが用いられる。ファン１２を駆動する電源は、外部から供給してもよいし、フープ１にバッテリーを取り付けてそのバッテリーから供給してもよい。
【００３４】
シェル３に収容されるセル９は、図５に示すように、ウェハ１３の出し入れのために前面が開口され且つ後面に複数のガス通気孔１９を有する箱形であり、その内部は、複数のウェハ１３を間隔をおいて上下に重ねて収納できる大きさの空間となっている。そのセル９は、図６に示す前側セル１５と図７に示す後側セル１７を接合して構成される。
【００３５】
前側セル１５は、図６（ａ）の斜視図に示すように、前と後が開放された直方体形状の箱体であり、横の寸法はウェハ１３の寸法よりも少し長く、その奥行きはウェハ１３を前後に少しはみ出させる寸法となっている。さらに、前側セル１５の内部には、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、内部の空間を上下方向に等間隔でｎ（ｎ＞１）個のスペース２３に区画するｎ−１枚の仕切２１が一方の側面から他方の側面に渡されて取り付けられている。その仕切２１の枚数は例えば１２枚であり、スペース２３の数は１３である。
【００３６】
また、前側セル１５内部の両側面のそれぞれには、ウェハ１３の縁部を支持する狭い帯状のウェハサポート１１が各側面の前端から後端にかけて取り付けられている。それらのウェハサポート１１は、前側セル１５の天板と仕切２１の間のほぼ中間位置、各仕切２１同士の間のほぼ中間位置、及び前側セル１５の底板と仕切２１の間のほぼ中間位置に取り付けられ、仕切２１と平行になるように内向きに突出している。さらに、ウェハサポート１１は、その上に載置するウェハ１３を前側セル１５の天板、底板及び仕切２１にウェハ１３に接触させない位置に取り付けられている。
【００３７】
一方、後側セル１７は、図７（ａ）の斜視図に示すように、前面部が開放されるとともに前面部の両側縁から後にかけて内側に湾曲した背面部２５を有する箱体であり、その上面から後方には、シェル３後部の内面形状に沿うように湾曲する形状のつば部３１が突出している。
【００３８】
また、後側セル１７の前面部の高さと幅は、前側セル１５の後面部の高さと幅に等しくなっている。さらに、後側セル１７の内部には、上下方向に等間隔でｎ（ｎ＞１）個のスペース２９に区画するｎ−１枚の仕切２７が背面部２５の内面に沿って取り付けられている。これにより、後側セル１７の内部は仕切２１により上下に等間隔でｎ個のスペース２９に仕切られている。
【００３９】
後側セル１７の背面部２５には、図７〜図９に示すように、仕切２１の上面、下面、及び後側セル１７内の上面、下面の各面に後端に沿った横長のスリット状の開口部１９が形成されいている。これにより、各スペース２９の後部は、上下２つの開口部１９に繋がった状態となっている。
【００４０】
後側セル１７の前部は前側セル１５の後部に接合され、これらにより図５に示したような１つのセル９が構成されている。前側セル１５と後側セル１７を前後に合わせた状態では、前側セル１５の仕切２１と後側セル１７の仕切２７は同じ高さで前後に繋がっている。これにより、図８の断面図に示すように、前側セル１５のスペース２３と後側セル１７のスペース２９は、１つのセル９内で繋がって上下方向にスペース５５を形成する。
【００４１】
また、図９に示すように、スペース５５の後部は、仕切２７と背面部２５の接合部分３３の上と下に上下に狭いスリット状の開口部１９に繋がっている。さらに、図５に示したようにセル９内の両側面から内部に突出するウェハサポート１１の各段に載置されるウェハ１３には、未処理ウェハ５３と処理済ウェハ５１とがある。
【００４２】
セル９は、図１０の正面の垂直断面図と図１１の水平断面図に示すように、シェル３の前面の開口を通して内部に収納されており、さらに、シェル３上面の左右端近傍を貫通して取り付けられる第１のネジ４１とシェル３下面の左右端近傍を貫通して取り付けられる第２のネジ４３とにより支えられ、これによりセル９はシェル３内に固定される。
【００４３】
以上のようにセル９の内部空間は、仕切り２１、２７によって上下方向にｎ個のスペース５５に分けられており、それぞれのスペース５５の両側に設けられたウエハサポート１１の各段上にはウエハ５１，５３が載置される。
【００４４】
ウェハサポート１１は、最下段のウェハサポート１１上のウエハ５１，５３と図１４（ｂ）に示した従来例の最下段のウェハサポート５２３上のウエハ５２１とは同じ高さ位置になるように配置される。また、セル９内の下から２段目のウェハサポート１１に支持されるウエハ５１，５３は、図１４（ｂ）に示された従来例の第３段目のウェハサポート５２３に支持されるウエハ５２１と同じ高さと位置にある。即ち、セル９内のｎ段目のウェハサポート１１は、図１４（ｂ）に示した従来のウェハサポートの２ｎ−１段目とほぼ等しい高さとなる。
【００４５】
従って、本発明の最上段のウェハサポート１１は１３段目となり、従来例の最上の２５段目のウエハサポート５２３と同じ高さとなる。
【００４６】
以上のように、本実施形態のセル９において、スペース５５を１３段としている理由は、エンドエフェクターを用いてウエハ５１，５３をフープから取り出す際に仕切２１，２７に接触する等の支障があることと、操作上ＦＩＭＳ（Front-opening Interface Mechanical Standard）の基準に合せているためである。従って、設計条件や用いる機材によっては１３段にこだわる必要はなく、所望の段数を選択できることは言うまでもない。
【００４７】
上述したようなシェル３内にセル９を収め、セル９のウェハサポート１１の各段にウェハを載せて成膜、エッチング等の処理を枚葉式で行う場合には、前側セル１５の内側壁に設けられたウェハサポート１１の各段のそれぞれの上には、処理済ウエハ５１と未処理ウエハ５３のいずれか載置される。
【００４８】
例えば、図８に示す状態で、下側のスペース５５内では処理済ウエハ５１がウェハサポート１１に支持され、その上のスペース５５のウエハは処理中であるため空であり、さらにその上方の複数のスペース５５では未処理ウエハ５３がウェハサポート１１上に順次載置されている。
【００４９】
これら処理済ウエハ５１及び未処理ウエハ５３は同一のシェル３内に混在している。ところが、各ウエハ５１，５３は、セル９を仕切り２１、２７で分けられたスペース５５内にそれぞれ配置されているので、処理済ウエハ５１から発生したガス、例えば腐食性ガスが未処理ウエハ５３に到達して汚染することを防ぐことが可能となる。
【００５０】
また、ドア４の開閉時やウエハの処理中には処理室が高圧に保たれているため、フープ１に空気が流れ込んで来ると、セル９のスペース５５それぞれに高圧空気が流入する。高圧空気がフープ１のスペース５５内に流入すると、乱流が生じてスペース５５内の雰囲気をかき混ぜ、ひいては発生した腐食性ガスや沈積したパーティクルをスペース５５の外に放出させる可能性がある。
【００５１】
この流入する空気をスペース５５内で乱流を起こさないようにセル９の外に放出して圧力を開放する必要があり、その開放手段として開口部１９が設けられている。従って、処理ウエハ５１から発生する腐食性ガスは、開口部１９を通してセル９の外に排出される。
【００５２】
即ち、仕切り２１，２７で仕切られたスペース５５に各ウエハ５１，５３を載置した場合、各スペース５５内のウエハ５１から他のウェハ５１，５３への汚染は防ぐことができるが、このままでは、発生した腐食性ガスはスペース５５内に滞留することになる。ところが、セル９の後部に開口部１９を設けることによって、圧力の開放とともに、スペース５５内の腐食性ガスを排出できる。
【００５３】
開口部１９は、図９の部分拡大図に示したように、後側セル１７の背面部２５と仕切り２７との接合箇所３３の上と下に設けられ、横に長く且つ高さ方向の幅が狭いスリット形状となっている。なお、開口部１９を設ける箇所は、例えば、接合箇所の上側、下側のいずれかのみ、あるいは、接合箇所３３の間の中央部等、種々の態様がある。
【００５４】
セル９を収納したシェル３内のガスは、シェル３の底部の第２の通気孔１０を通してファン１２により強制的に外部に放出される。また、セル９を収納し、ドア４により前面が閉じられたシェル３内のガスは、ファン１２によって第２の通気孔１０から強制的に排気される一方、これにより圧力が低下するシェル３内にはフィルタ８を通して第１の通気孔６から清浄のガスが流入する。流入したガスはセル９の高さ方向にも拡散する。
【００５５】
これにより、開口部１９を通してセル９の外側に流れたガスはフープ１の外部に排出されるので、ウェハから出た腐食性のガスはセル９内を還流することが防止される。
【００５６】
ところで、開口部の寸法、開口部の形状、開口面積、又は開口場所については、空気圧や流入量、腐食性ガス、揮発成分、パーテイクル等の汚染度、フープの洗浄条件その他の使用条件によって適宜設計すれば良い。要は、各スペース５５から空気が乱流を起こさないように開口部１９から排出させることが重要である。
【００５７】
その実施形態について図１２を参照して説明する。セル６１は上述したと同じように前側セル１５と後側セル１７で構成されている。前側セル１５及び後側セル１７の形状は、図７に示したものに同じである。ただし、つば部３１の外縁形状に合せて、後側セル１７のつば部３１の外縁から下に伸びる側壁７１と、その下に形成される底部７３とを設けている構造は図７とは異なるもので、これによりつば部３１の下方には水平断面が略三日月状の空間部６９が形成される。
【００５８】
なお、図１２において、セル６１の仕切り６３、ウエハサポート６４、スペース６５を図示したが、ウエハは省略した。後側セル１７の背面部２５には、図７に示したと開口部１９と同じ位置に開口部６７が形成されている。
【００５９】
ところで、開口部６７から排出される空気、あるいはパーテイクルや腐食性ガスを含む空気は、空間部６９内に放出される。そのため、空間部６９に放出された空気は、さらに放出されて系外に取除くことが望ましく、側壁７１、底部７３、つば部３１の何れかに１箇所以上の開口部７４を設けるることが好ましい。
【００６０】
開口部７４の寸法、形状、開口面積、又は開口場所については、空気圧や流入量、腐食性ガス、揮発成分、パーテイクル等の汚染度、フープ１の洗浄条件その他の使用条件によって適宜設計すれば良い。要は、各スペース６５から空気を乱流を起こさないように開口部７４から排出させることが重要である。
【００６１】
この開口部７４には、例えば、メンブレーンフィルター、ブレザフィルター等のフィルターを設けてパーテイクルの放散を防いでも良い。また、特殊な吸着機能を有したフィルターを用いて、腐食性ガス等を除去しても良い。
【００６２】
更に、吸引力を高めるために、ファンを設けて吸引しても良い。例えば、底部７３に開口部７４を設け、この開口部７４とフープ１に設けられた第２の通気孔１０とをホース等で連通させてもよい。そして、開口部７４からフィルター、又はファン１２を介して排気する方法もある。
【００６３】
本実施形態でも、図２に示したように、フープ１にフィルター６を設けてもよい。即ち、シェル３の底部には、フープ１のドア４の開閉時、又はウエハの処理時、加圧空気を開放するためのフィルタープラグ８が設けられている。本実施形態では、セル６１に設けられた開口部６７から排出される空気、あるいはパーテイクルや腐食性ガスを含む空気は、そのまま、又は前述のように空間部６９を経てセル６１の後部、又はシェル３内に放出される。通常、シェル３内の空気は前記加圧空気の開放時にフィルタープラグ６ａから放出される。
【００６４】
ところが、本実施形態では排出が不充分であっても対応できるように、前記フィルター６を利用するか、そのほかに、放出させるための開口部を、シェル３の上面、側面、底面、背面のいずれかに設けることが望ましい。また、複数設けても良い。この開口部には、例えば、メンブレーンフィルター、ブレザフィルター等のフィルターを設けてパーテイクルの放散を防いでも良い。また、特殊な吸着機能を有したフィルターを用いて、腐食性ガス等を除去しても良い。また、その開口部には、例えばファンを設けても良い。ファンを設けることにより、強制的に排気することができる。
【００６５】
なお、上述した実施形態に係るフープ１では、ウエハを載置する部分が導電性を有しているか帯電防止処理が施されており、フープ１が上下で導通されている。即ち、セル９が導電性を有している又は帯電防止処理されていることが好ましい。また、静電気によってウエハにパーティクルが付着することがないように、ウエハを載置させるウエハホルダ１１を備える前側セル１５は導電性を有しているか、帯電防止処理されていることが特に好ましい。
【００６６】
前側セル１５は、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）などの樹脂を用いて形成されるが、上記目的を達成できる樹脂であれば他の材料であっても良い。そして、その樹脂に、例えば、カーボンやカーボンファイバを混練させて成形し、導電性を持たすことが好ましいし、金属を用いても支障がないことはもちろんである。
【００６７】
帯電防止処理は、樹脂に界面活性剤を混練する方法や、前記樹脂の表面に導電性ポリマーを塗布する方法等がある。
【００６８】
また、そのように導電性を付与したり、帯電防止処理を施し、さらにシェル３上側の部材、シェル３内のセル９，６１、及びシェル３下側の部材とが導通されるように、部材を選定することが望ましい。導通させることにより、静電気等のアースが可能となるからである。
【００６９】
さらに、上述した実施形態において、後側セル１７はセル９、６１内に載置されたウエハの外観や載置状態を観察できるように、透明に形成されていることが望ましい。シェル３は、樹脂を用いて透明に形成されている。セル９全体についても透明に形成されることが望ましいが、ウエハを載置させるウエハホルダー１１，６４を備えたセル９，６１は、例えば、導電性を付与する場合、カーボンブラックと混練して成形されるので、黒色となって内部のウエハを見ることはできない。そのため、後側セルは透明に形成することが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
半導体製造プロセス用のウエハキャリアに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るフープを示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係るフープを構成するシェルである。
【図３】図３は、本発明の実施形態に係るフープを構成するシェルの通気孔に取り付けられるフィルタを示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係るフープを構成するシェルの通気孔に取り付けられるフィルタを示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に係るフープを構成するセルを示す斜視図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態に係るフープを構成する前側セルを示す斜視図及び正面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施形態に係るフープを構成する後側セルを示す斜視図及び正面図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態に係るフープを構成するセルの一部を示す垂直断面図である。
【図９】図９は、図８の一部の拡大断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施形態に係るフープの垂直断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施形態に係るフープの水平断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の別の実施形態に係るフープを構成するセルを示す斜視図である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、従来例のフープを示す斜視図と水平断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は従来のフープを構成するシェルの斜視図、図１４（ｂ）は従来のフープの垂直断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１：フープ
３：シェル
４：ドア
５：フランジ
６、１０：通気孔
７：キネマティックベースプレート
９：セル
１１：ウエハサポート
１２：ファン
１３：ウエハ
１５：前側セル
１７：後側セル
１９：開口部
２１：仕切り
２３：スペース
２５：背面部
２７：仕切
２９：スペース
３１：つば部
３３：接合部
４１：ねじ
４３：ねじ
５１：処理ウエハ
５３：未処理ウエハ
５５：スペース
６１：セル
６３：仕切り
６４：ウエハサポート
６５：スペース
６７：開口部
６９：空間部
７１：側壁
７３：底部
７４：開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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