(57)【要約】【課題】  ウエーハに同時に印加される電気的負荷を低減し、ウエーハ温度の過渡的な上昇を抑制することで、プローブの消耗、焼けを防止するウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法を提供すること。【解決手段】  上記目的を達成するために、本発明のウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法は、半導体ウエーハ１０１上の各チップを少なくとも２組のグループに分配し、各グループのチップへの電気的負荷を非同期で与える電気的負荷印加装置１０５を有し、半導体チップのスクリーニングを行う。本構成によって、半導体ウエーハ１０１に同時に印加される電気的負荷を低減し、半導体ウエーハ温度の過渡的な上昇を抑制することで、プローブの消耗、焼けの防止をすることができる。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハ上の全てのチップを一括してコンタクトするプローブを用い、電気的負荷および温度的負荷を与えて不良品のスクリーニングを行うウエーハレベルバーンイン装置であって、
あらかじめ前記半導体ウエーハ上のチップが分割された少なくとも２組以上のグループそれぞれに任意のタイミングで電気的負荷を印加する電気的負荷印加装置と、
前記半導体ウエーハに温度的負荷を与える温度的負荷印加装置と、
不良品のスクリーニングを行う検査装置と
を有し、前記半導体ウエーハ上のチップに電気的負荷を印加するタイミングを制御することにより、前記半導体ウエーハの急激な温度上昇を抑制することを特徴とするウエーハレベルバーンイン装置。
【請求項２】
各グループのチップが前記半導体ウエーハ上で均等になるように分割されることを特徴とする請求項１記載のウエーハレベルバーンイン装置。
【請求項３】
各チップが各辺において異なるグループのチップと接するように分割されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置。
【請求項４】
複数のチップで構成される各エリアを前記グループとすることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置。
【請求項５】
前記電気的負荷印加装置が各グループに独立して順番に電気的負荷を印加することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置。
【請求項６】
前記電気的負荷印加装置が各グループにタイミングをずらして電気的負荷を印加することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置。
【請求項７】
半導体ウエーハ上の全てのチップを一括してコンタクトするプローブを用い、電気的負荷および温度的負荷を与えて不良品のスクリーニングを行うウエーハレベルバーンイン方法であって、
検査対象となる半導体ウエーハ上のチップを２組以上のグループに分割する工程と、
前記グループそれぞれに任意のタイミングで電気的負荷を印加する工程と、
温度的負荷を与える工程と、
スクリーニング検査を行う工程と
を有し、前記半導体ウエーハ上のチップに電気的負荷を印加するタイミングを制御することにより、前記半導体ウエーハの急激な温度上昇を抑制することを特徴とするウエーハレベルバーンイン方法。
【請求項８】
各グループのチップが前記半導体ウエーハ上で均等になるように分割されることを特徴とする請求項７記載のウエーハレベルバーンイン方法。
【請求項９】
各チップが各辺において異なるグループのチップと接するように分割されることを特徴とする請求項７または請求項８のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法。
【請求項１０】
複数のチップで構成される各エリアを前記グループとすることを特徴とする請求項７または請求項８のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法。
【請求項１１】
前記電気的負荷印加装置が各グループに独立して順番に電気的負荷を印加することを特徴とする請求項７または請求項８または請求項９または請求項１０のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法。
【請求項１２】
前記電気的負荷印加装置が各グループにタイミングをずらして電気的負荷を印加することを特徴とする請求項７または請求項８または請求項９または請求項１０のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハに対して電気的負荷および温度的負荷を与えて不良品のスクリーニングを行うウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、バーンイン装置と呼ばれているスクリーニングテスト装置は、半導体ウエーハを個辺化して得られたＩＣチップをパッケージングした後、所定温度（例えば１２５℃）の熱雰囲気中において通電試験をして、潜在欠陥を顕在化させ、不良品のスクリーニングを行っている。
【０００３】
このような従来装置は、大きな恒温装置が必要で、発熱量が多いため、他の製造ラインとは分離して、別室において行う必要があり、半導体装置の搬送、装置への装着、脱着等の手間を要するうえ、パッケージングの後に不良品が発見されるため、不良チップをもパッケージングすることになり、パッケージングに無駄が生じることになる。さらに、ＩＣチップをパッケージ化しない、いわゆるベアチップの状態での品質保証が要求されるようになった。このような事情により、チップ化される前の半導体ウエーハの段階でバーンインテストを行うことが望まれている。
【０００４】
このような要請に応えるためのバーンイン装置は、半導体ウエーハに熱負荷を加えるに際して、半導体ウエーハを均一な温度に維持する必要がある。この目的に使用される半導体ウエーハの温度調節プレートとして、銅やアルミニウム、或いはこれらの合金などの熱良導性素材からなる板状体に、一連の冷媒流路とヒータとを内蔵せしめ、冷媒流路には目標温度より低い温度に半導体ウエーハを冷却するための冷媒を流すと共に、ヒータを発熱させて板状体の温度を調整して、該板状体に接触せしめた半導体ウエーハを所定の目標温度に維持するようにした温度調節機能を備えたウエーハレベルバーンイン装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、冷却応答性向上のため、冷却流路部分を冷却体として加熱体であるヒータ部分と分離し、冷却が必要となる時間のみ半導体ウエーハが保持されている部分と接触する構成のウエーハレベルバーンイン装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平８−３４００３号公報
【特許文献２】特開２００２−４３３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法では、ＩＣチップのチップサイズ縮小や印加電流の増大に伴い、半導体ウエーハを恒温で維持した中で電気的負荷を印加する際の過渡的な温度上昇により、半導体ウエーハに電気的負荷を印加するためのプローブの消耗が激しくなる、あるいは焼けるといった問題点がある。
【０００７】
本発明は、前記従来の問題点を解決するもので、プローブの消耗、焼けを防止するウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載のウエーハレベルバーンイン装置は、半導体ウエーハ上の全てのチップを一括してコンタクトするプローブを用い、電気的負荷および温度的負荷を与えて不良品のスクリーニングを行うウエーハレベルバーンイン装置であって、あらかじめ前記半導体ウエーハ上のチップが分割された少なくとも２組以上のグループそれぞれに任意のタイミングで電気的負荷を印加する電気的負荷印加装置と、前記半導体ウエーハに温度的負荷を与える温度的負荷印加装置と、不良品のスクリーニングを行う検査装置とを有し、前記半導体ウエーハ上のチップに電気的負荷を印加するタイミングを制御することにより、前記半導体ウエーハの急激な温度上昇を抑制することを特徴とする。
【０００９】
請求項２記載のウエーハレベルバーンイン装置は、請求項１記載のウエーハレベルバーンイン装置において、各グループのチップが前記半導体ウエーハ上で均等になるように分割されることを特徴とする。
【００１０】
請求項３記載のウエーハレベルバーンイン装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置において、各チップが各辺において異なるグループのチップと接するように分割されることを特徴とする。
【００１１】
請求項４載のウエーハレベルバーンイン装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置において、複数のチップで構成される各エリアを前記グループとすることを特徴とする。
【００１２】
請求項５記載のウエーハレベルバーンイン装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置において、前記電気的負荷印加装置が各グループに独立して順番に電気的負荷を印加することを特徴とする。
【００１３】
請求項６記載のウエーハレベルバーンイン装置は、請求項１または請求項２または請求項３または請求項４のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン装置において、前記電気的負荷印加装置が各グループにタイミングをずらして電気的負荷を印加することを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載のウエーハレベルバーンイン方法は、半導体ウエーハ上の全てのチップを一括してコンタクトするプローブを用い、電気的負荷および温度的負荷を与えて不良品のスクリーニングを行うウエーハレベルバーンイン方法であって、検査対象となる半導体ウエーハ上のチップを２組以上のグループに分割する工程と、前記グループそれぞれに任意のタイミングで電気的負荷を印加する工程と、温度的負荷を与える工程と、スクリーニング検査を行う工程とを有し、前記半導体ウエーハ上のチップに電気的負荷を印加するタイミングを制御することにより、前記半導体ウエーハの急激な温度上昇を抑制することを特徴とする。
【００１５】
請求項８記載のウエーハレベルバーンイン方法は、請求項７記載のウエーハレベルバーンイン方法において、各グループのチップが前記半導体ウエーハ上で均等になるように分割されることを特徴とする。
【００１６】
請求項９記載のウエーハレベルバーンイン方法は、請求項７または請求項８のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法において、各チップが各辺において異なるグループのチップと接するように分割されることを特徴とする。
【００１７】
請求項１０記載のウエーハレベルバーンイン方法は、請求項７または請求項８のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法において、複数のチップで構成される各エリアを前記グループとすることを特徴とする。
【００１８】
請求項１１記載のウエーハレベルバーンイン方法は、請求項７または請求項８または請求項９または請求項１０のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法において、前記電気的負荷印加装置が各グループに独立して順番に電気的負荷を印加することを特徴とする。
【００１９】
請求項１２記載のウエーハレベルバーンイン方法は、請求項７または請求項８または請求項９または請求項１０のいずれかに記載のウエーハレベルバーンイン方法において、前記電気的負荷印加装置が各グループにタイミングをずらして電気的負荷を印加することを特徴とする。
【００２０】
本構成によって、半導体ウエーハに同時に印加される電気的負荷が低減され、半導体ウエーハ温度の過渡的な上昇が抑制されるため、プローブの消耗、焼けを防止することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法は、ウエーハレベルバーンインにおいて、半導体ウエーハ上のチップをグループ化し、グループ毎に分散して電気的負荷を印加することにより、半導体ウエーハ全体の温度上昇が緩やかになり、半導体ウエーハの温度調整が有効に働き、過渡的な温度上昇を抑制できるため、プローブの消耗、焼けを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明のウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法は、半導体ウエーハ上の各チップを少なくとも２組のグループに分割し、各グループのチップへの電気的負荷を個別に任意のタイミングで印加する電気的負荷印加装置と、半導体ウエーハに温度的負荷を与える温度的負荷印加装置を用いて、半導体チップの不良品のスクリーニングを行う。この時、半導体ウエーハ上の全てのチップに同時に電気的負荷を印加しないので、半導体ウエーハの急激な温度上昇を抑制することができ、半導体ウエーハの温度調整が有効に働くため、過渡的な温度上昇を抑制でき、プローブの消耗、焼けを防止することができる。
【００２３】
以下本発明の具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施の形態１）
まず、図１を用いてウエーハレベルバーンイン装置の概略と温度調整の機構について説明する。
【００２４】
図１は本発明の実施の形態１におけるウエーハレベルバーンイン装置の概略図である。
図１において、半導体ウエーハ１０１はウエーハ保持用トレイ１０２に保持され、半導体ウエーハに一括コンタクト可能なプローブ１０３により、電気的負荷を印加する基板１０４と接続され、電気的負荷印加装置１０５によって電気的負荷を印加される。ここで、電気的負荷印加装置１０５は、半導体ウエーハ上のチップに対してグループ毎に電気的負荷を非同期に印加することができる。温度的負荷は、温度調整用プレート１０６内に配置されたヒータ１０８、冷媒用流路１０７に流される水、アルコールなどの冷媒により温度調整用プレート１０６の温度を１２５℃にコントロールすることにより印加される。温度調整用プレート１０６の温度コントロールは温度センサ１０９にて計測された温度を基に、温度調整器１１０からヒータ１０８の発熱量および、冷媒用流路１０７を流れる冷媒の温度および流量を制御することによって行われる。
【００２５】
次に、図２，図３，図４，図５を用いて、ウエーハレベルバーンイン方法を説明する。
図２は半導体ウエーハ上のチップのグループ分割を例示した図，図３は実施の形態１における電気的負荷印加装置を説明する概略図，図４は実施の形態１における電気的信号の印加タイミングを示す図，図５は本実施の形態１におけるウエーハレベルバーンイン時のウエーハ温度変化を示す図である。
【００２６】
まず、図２に示すように、本例では半導体ウエーハ１０１上のチップを図２（ａ）の斜線部のグループ２０１ａと図２（ｂ）の斜線部のグループ２０１ｂに分割している。この２つのグループのチップに印加する電気的負荷を非同期で与える構成からなっている。分割の方法は任意であるが、各グループのチップが半導体ウエーハ上で均等になるように分割しても良く、図２のように、同一グループのチップ同士が各辺で接しないように分割しても良い。さらに、複数のチップで構成される複数のエリアに分割することもできる。
【００２７】
次に、図３に示すように、電気的負荷印加装置において、分割されたチップの各グループ２０１ａ、２０１ｂはそれぞれ配線３０１ａ、３０１ｂと接続されている。電気的負荷印加装置１０５の電気的信号発生部３０２により発生した電気的負荷である電気的信号は、スイッチ３０３で切り替えられることによって分割されたチップの各グループ２０１ａ、２０１ｂに別タイミングで印加される。
【００２８】
この時印加される電気的信号の印加タイミングは、図４の斜線部分に示すように、電気的信号印加開始時刻Ｔｓより図２におけるグループ２０１ａとグループ２０１ｂに対し、交互に電気的信号が印加される。実施の形態１では、２つのグループに分割する例について説明しているため、印加タイミングは２つのグループに交互に重ならないように制御されているが、３つ以上のグループに分割した場合には、各グループに対して順番に重ならないように電気的信号をスイッチング制御して電気的負荷を印加する。ここで、分割するグループ数を多くして一度に印加する電気的負荷を小さくすることによって、急激な半導体ウエーハ温度の上昇をより緩和することができる。
【００２９】
このようなタイミングで電気的信号が印加されることにより、図５に示すように、半導体ウエーハ温度変化は従来に比べて安定するようになる。実線が本発明でチップをグループ分割した時の温度変化であり、破線が従来のグループ分割しない時の温度変化である。グループ分割しない場合は半導体ウエーハに電気的負荷がすべて同時に印加されることにより、半導体ウエーハの温度が急激に上昇して半導体ウエーハ温度が１３０℃を超えているが、グループ分割を実施した場合は、電気的負荷を印加されるチップが分散されるため、半導体ウエーハ全体の温度上昇が緩やかになり、半導体ウエーハの温度調整が有効に働き、過渡的な温度上昇を抑制できている。
【００３０】
かかる構成によれば、半導体ウエーハに同時に印加される電気的負荷を低減することにより、半導体ウエーハ温度の過渡的な上昇を抑制することで、プローブの消耗、焼けを防止することができる。さらに、印加する電気的負荷が増大した際にも、電気的負荷が印加されるチップが分散されるため、半導体ウエーハ温度の急激な上昇を抑制することができる。
【００３１】
なお、本実施の形態１において、電気的負荷を印加するグループの切り替えは、スイッチ３０３と各グループの配線３０１ａ、３０１ｂにより行っているが、これをプログラム等のソフトウェアで行う構成としても良い。また、温度調整用プレート１０６の冷却には冷媒用流路１０７を流れる冷媒を用いているが、温度調整用プレート１０６に放熱用フィンを配置し、ファンによって空気等の気体を循環させることによって冷却を行う構成としても良い。さらに、上記説明では、半導体ウエーハ上のチップを２グループに分割する例について説明したが、２グループ以上に分割して、それぞれの電気的負荷印加タイミングを分散することもできる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２では、図１に示す実施の形態１と同様の装置構成、図２に示すグループ分割を用いる。
【００３２】
次に、図６，図７，図８を用いて、ウエーハレベルバーンイン方法を説明する。
図６は実施の形態２における電気的負荷印加装置を説明する概略図，図７は実施の形態２における電気的信号の印加タイミングを示す図であり、図６の構成による電気的信号の印加タイミングを図示したものである。図８は本実施の形態２におけるウエーハレベルバーンイン時の半導体ウエーハ温度変化を示す図である。
【００３３】
まず、図６に示すように、電気的負荷印加装置において、分割されたチップの各グループ２０１ａ、２０１ｂはそれぞれ配線６０１ａ、６０１ｂと接続されている。電気的負荷印加装置１０５の電気的信号発生部６０２により発生した電気的信号は、スイッチ６０３ａ、６０３ｂでそれぞれ分割され、チップの各グループ２０１ａ、２０１ｂに任意のタイミングで印加される。
【００３４】
この時印加される電気的信号の印加タイミングは、図７の斜線部分に示すように、時刻Ｔｓ１にてグループ２０１ａに対する電気的信号印加を開始し、Ｔｓ１から時間をずらしたＴｓ２にてグループ２０１ｂに対する電気的信号の印加を開始する。３つ以上のグループに分割した場合、同時に電気的負荷を印加するグループを少なくすることにより、半導体ウエーハの急激な温度上昇をより緩和できる。
【００３５】
このようなタイミングで電気的信号が印加されることにより、図８に示すように、半導体ウエーハ温度変化は従来に比べて安定するようになる。実線が本発明でチップをグループ分割した時の温度変化であり、破線が従来のグループ分割しない時の温度変化である。グループ分割しない場合は半導体ウエーハに電気的負荷がすべて同時に印加されることにより、半導体ウエーハの温度が急激に上昇して半導体ウエーハ温度が１３０℃を超えているが、グループ分割を実施した場合は、電気的負荷を印加されるチップが分散されるため、半導体ウエーハ全体の温度上昇が緩やかになり、半導体ウエーハの温度調整が有効に働き、過渡的な温度上昇を抑制できている。
【００３６】
かかる構成によれば、半導体ウエーハに同時に印加される電気的負荷を低減することにより、半導体ウエーハ温度の過渡的な上昇を抑制することで、プローブの消耗、焼けを防止することができる。さらに、印加する電気的負荷が増大した際にも、電気的負荷が印加されるチップが分散されるため、半導体ウエーハ温度の急激な上昇を抑制することができる。
【００３７】
なお、本実施の形態２において、電気的負荷を印加するグループの切り替えは、スイッチ６０３ａ、６０３ｂと各グループの配線６０１ａ、６０１ｂにより行っているが、これをプログラム等のソフトウェアで行う構成としても良い。また、温度調整用プレート１０６の冷却には冷媒用流路１０７を流れる冷媒を用いているが、温度調整用プレート１０６に放熱用フィンを配置し、ファンによって空気等の気体を循環させることによって冷却を行う構成としても良い。さらに、上記説明では、半導体ウエーハ上のチップを２グループに分割する例について説明したが、２グループ以上に分割して、それぞれの電気的負荷印加タイミングを分散することもできる。
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３では、図１に示す実施の形態１と同様の装置構成を用いる。
【００３８】
次に、図９、図１０、図１１、図１２を用いてウエーハレベルバーンイン方法を説明する。
図９は実施の形態３における半導体ウエーハ上のチップのエリア分割を例示した図、図１０は実施の形態３における電気的負荷印加装置を説明する概略図、図１１は実施の形態３における電気的信号の印加タイミングを示す図、図１２は本実施の形態３におけるウエーハレベルバーンイン時のウエーハ温度変化を示す図である。
【００３９】
まず、図９に示すように、本例では半導体ウエーハ１０１上のチップを図９（ａ）の斜線部のエリアによるグループ９０１ａ、図９（ｂ）の斜線部のエリアによるグループ９０１ｂと図９（ｃ）の斜線部のエリアによるグループ９０１ｃに分割している。この３つのグループのチップに印加する電気的負荷を非同期で与える構成からなっている。分割の方法は任意であるが、ウエーハ中央部に比べウエーハ外周部では熱が発散しやすいことから、図９のように、同心円状に分割することで、熱伝達の差異による温度変化の違いに対応することができる。更に、熱伝達の差異に対応して、さらに細分化したグループに分割することもできる。
【００４０】
次に、図１０に示すような電気的負荷印加装置において、分割されたチップの各グループ９０１ａ、９０１ｂ、９０１ｃはそれぞれ配線１００１ａ、１００１ｂ、１００１ｃと接続されている。電気的負荷印加装置１０５の電気的信号発生部１００２により発生した電気的信号は、スイッチ１００３ａ、１００３ｂ、１００３ｃでそれぞれ分割され、チップの各グループ９０１ａ、９０１ｂ、９０１ｃに任意のタイミングで印加される。
【００４１】
このとき印加される電気的信号の印加タイミングは、図１１の斜線部分に示すように、時刻Ｔｓ１にてグループ９０１ａに対する電気的信号を開始し、Ｔｓ１から時間をずらしたＴｓ２にてグループ９０１ｂに対する電気的信号の印加を開始、更に時間をずらしたＴｓ３にてグループ９０１ｃに対する電気的信号の印加を開始する。４つ以上のグループに分割した場合でも、同時に電気的負荷を印加するグループを少なくすることにより、半導体ウエーハの急激な温度上昇をより緩和できる。
【００４２】
このようなタイミングで電気的信号が印加されることにより、図１２に示すように、半導体ウエーハ温度変化は従来に比べて安定するようになる。実線が本発明でチップをグループ分割した時の温度変化であり、破線が従来のグループ分割しない時の温度変化である。グループ分割しない場合は半導体ウエーハに電気的負荷がすべて同時に印加されることにより、半導体ウエーハの温度が急激に上昇して半導体ウエーハ温度が１３０℃を超えているが、グループ分割を実施した場合は、電気的負荷を印加されるチップが分散されるため、半導体ウエーハ全体の温度上昇が緩やかになり、半導体ウエーハの温度調整が有効に働き、過渡的な温度上昇を抑制できている。
【００４３】
かかる構成によれば、半導体ウエーハに同時に印加される電気的負荷を低減することにより、半導体ウエーハ温度の過渡的な上昇を抑制することで、プローブの消耗、焼けを防止することができる。さらに、印加する電気的負荷が増大した際にも、電気的負荷が印加されるチップが分散されるため、半導体ウエーハ温度の急激な上昇を抑制することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態３において、電気的負荷を印加するグループの切り替えは、スイッチ１００３ａ、１００３ｂ、１００３ｃと各グループの配線１００１ａ、１００１ｂ、１００１ｃにより行っているが、これをプログラム等のソフトウェアで行う構成としても良い。また、温度調整用プレート１０６の冷却には冷媒用流路１０７を流れる冷媒を用いているが、温度調整用プレート１０６に放熱用のフィンを配置し、ファンによって空気等の気体を循環させることにより冷却を行う構成としても良い。さらに、上記説明では、半導体ウエーハ上のチップを３グループに分割する例について説明したが、３グループ以上に分割して、それぞれの電気的負荷印加タイミングを分散することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明のウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法は、プローブの消耗、焼けを防止することができ、半導体ウエーハに対して電気的負荷および温度的負荷を与えて不良品のスクリーニングを行うウエーハレベルバーンイン装置およびウエーハレベルバーンイン方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施の形態１におけるウエーハレベルバーンイン装置の概略図
【図２】半導体ウエーハ上のチップのグループ分割を例示した図
【図３】実施の形態１における電気的負荷印加装置を説明する概略図
【図４】実施の形態１における電気的信号の印加タイミングを示す図
【図５】本実施の形態１におけるウエーハレベルバーンイン時のウエーハ温度変化を示す図
【図６】実施の形態２における電気的負荷印加装置を説明する概略図
【図７】実施の形態２における電気的信号の印加タイミングを示す図
【図８】本実施の形態２におけるウエーハレベルバーンイン時のウエーハ温度変化を示す図
【図９】実施の形態３における半導体ウエーハ上のチップのエリア分割を例示した図
【図１０】実施の形態３における電気的負荷印加装置を説明する概略図
【図１１】実施の形態３における電気的信号の印加タイミングを示す図
【図１２】本実施の形態３におけるウエーハレベルバーンイン時のウエーハ温度変化を示す図
【符号の説明】
【００４７】
１０１    半導体ウエーハ
１０２    ウエーハ保持用トレイ
１０３    プローブ
１０４    基板
１０５    電気的負荷印加装置
１０６    温度調整用プレート
１０７    冷媒用流路
１０８    ヒータ
１０９    温度センサ
１１０    温度調整器
２０１ａ    グループ
２０１ｂ    グループ
３０１ａ    配線
３０１ｂ    配線
３０２    電気的信号発生部
３０３    スイッチ
６０１ａ    配線
６０１ｂ    配線
６０２    電気的信号発生部
６０３ａ    スイッチ
６０３ｂ    スイッチ
９０１ａ    グループ
９０１ｂ    グループ
９０１ｃ    グループ
１００１ａ    配線
１００１ｂ    配線
１００１ｃ    配線
１００２    電気的信号発生部
１００３ａ    スイッチ
１００３ｂ    スイッチ
１００３ｃ    スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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