(57)【要約】【課題】低電圧で駆動することが可能であり、かつ生産性の高い非線形素子、非線形素子を備えた素子基板及び非線形素子を備えた素子基板を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】非線形素子の素子構造は、第１の電極と第２の電極との間に、無機化合物と有機化合物とを含む複合材料からなる膜を有している。また、無機化合物と有機化合物とを含む複合材料からなる膜は、双方向で非線形の挙動を示す複合材料を用いる。【選択図】図１
2006303457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
第１の電極上に形成され、且つ前記第１の電極に接する有機化合物と無機化合物とを含む複合材料を含む層と、
前記複合材料を含む層上に形成され、且つ前記層に接する第２の電極を有することを特徴とする非線形素子。
【請求項２】
第１の電極と、
第１の電極上に形成された有機化合物と無機化合物とを含む第１の複合材料を含む第１の層と、
前記第１の層上に前記第１の層とは異なる濃度で、有機化合物と無機化合物とを含む第２の複合材料を含む第２の層と、
前記第２の層上に形成された第２の電極を有することを特徴とする非線形素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記無機化合物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする非線形素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記無機化合物が、遷移金属酸化物であることを特徴とする非線形素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記無機化合物は、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化銀のいずれか一種または複数種であることを特徴とする非線形素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記有機化合物は、ホール輸送性を有することを特徴とする非線形素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記有機化合物は、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１，５−ビス（ジフェニルアミノ）ナフタレン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンのいずれか一種または複数種であることを特徴とする非線形素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の電極と前記第２の電極との間の距離は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする非線形素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記非線形素子を絶縁基板上に有することを特徴とする非線形素子基板。
【請求項１０】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成された第１の電極と、第１の電極上に形成された有機化合物と無機化合物とを含む複合材料を含む第１の層と、前記第１の層上に前記第１の層とは異なる濃度で、有機化合物と無機化合物とを含む第２の複合材料を含む第２の層と、前記第２の層上に形成された第２の電極とを有する非線形素子と、
前記非線形素子の上部に前記絶縁基板と対向して設けられた対向基板と、
前記絶縁基板と前記対向基板の間に挟持された液晶とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機化合物と無機化合物とを含む第１の複合材料を含む第１の層と、前記第１の層上に前記第１の層とは異なる濃度で、有機化合物と無機化合物とを含む第２の複合材料を含む第２の層と、前記第２の層上に形成された第２の電極とを有する非線形素子と、
前記非線形素子の上部に前記絶縁基板と対向して設けられた対向基板と、
前記絶縁基板と前記対向基板の間に挟持された液晶とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、前記無機化合物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、前記無機化合物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記無機化合物は、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化銀のいずれか一種または複数種であることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、前記有機化合物は、ホール輸送性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一項において、前記有機化合物は、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１，５−ビス（ジフェニルアミノ）ナフタレン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンのいずれか一種または複数種であることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項において、前記第１の電極と前記第２の電極との間の距離は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項９乃至請求項１７のいずれか一項において、前記絶縁基板はガラス、プラスチックまたは石英のいずれかであることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非線形素子及び、非線形素子を備えた素子基板、並びにその素子基板を備えた表示装置に関するものである。特に、スイッチング素子として非線形素子を用いる液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置において、非線形素子を用いることが検討されている。その非線形素子の１つとして、下部導体薄膜と絶縁体薄膜と上部導体薄膜を積層した三層構造からなるＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）スイッチング素子が知られている。
【０００３】
従来のＭＩＭスイッチング素子としては、図１４に示すようにガラスからなる基板１００１の上に下部導体薄膜１００２を設け、さらに全面に絶縁体薄膜１００３を設け、その上に上部導体薄膜１００４と画素電極１００５とを設ける構造が知られている（特許文献１参照。）。
【特許文献１】特公平７−７８５１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の絶縁体薄膜を用いた非線形素子では、絶縁体薄膜の抵抗率が大きく、低電圧で駆動することが困難であった。
【０００５】
また、従来の非線形素子に用いられていた絶縁体薄膜は、膜厚によって抵抗値が異なるため、非線形素子の特性のばらつきや、絶縁体薄膜のそれぞれの膜厚を統一しなければならないといった問題があった。しかし、全ての非線形素子に用いられる絶縁体薄膜の膜厚を統一することは困難であり、膜厚を統一する為に多くの時間を必要とするため、生産性の低下といった問題があった。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、低電圧での駆動が可能な表示装置を提供することを目的とする。また、生産性の高い非線形素子、及び非線形素子を備えた素子基板、並びにその素子基板を備えた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一は、非線形素子に有機化合物と無機化合物とを含む複合材料（以下、複合材料ともいう。）を用いることを特徴とする。また、本発明で用いる複合材料は、順バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性と逆バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性のそれぞれが非線形の挙動を示す複合材料を用いることを特徴とする。
【０００８】
本発明の一は、第１の電極と、第１の電極上に形成された複合材料を含む層と、前記複合材料を含む層上に形成された第２の電極を有する非線形素子を有することを特徴とする表示装置である。
【０００９】
本発明の他の構成としては、第１の電極と、第１の電極上に形成された複合材料を含む第１の層と、前記複合材料を含む第１の層上に前記複合材料を含む第１の層とは異なる濃度で、複合材料を含む第２の層と、前記複合材料を含む第２の層上に形成された第２の電極を有する非線形素子を有することを特徴とする表示装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のように、非線形素子を形成する際に絶縁体薄膜ではなく、順バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性と、逆バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性のそれぞれが非線形な特性を示す有機化合物と無機化合物を含む複合材料を用いることによって、絶縁体薄膜を用いて形成した非線形素子と比較して、低電圧での駆動が可能となる。
【００１１】
また、本発明で用いる複合材料を用いることによって、オーム接触が可能となり、種々の材料を電極として用いることが可能となる。
【００１２】
また、本発明で用いる非線形素子は、順バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性と逆バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性のそれぞれが非線形の挙動を示す複合材料を用いているため、液晶に印加する電圧を反転させた場合に透過率の差によって起こるちらつきやフリッカー等を防止することができる。
【００１３】
また、本発明で用いる非線形素子は、従来の非線形素子に用いられていた絶縁体薄膜と比べて、複合材料を有する膜の膜厚による抵抗値の影響が少ない為、非線形素子の特性のばらつきを防止することができるため、信頼性を向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の非線形素子は、絶縁体薄膜を統一した厚さで作製する際に必要となる時間を削減することができる為、生産性を向上させることができる。
【００１５】
また、駆動電圧が低減できるため、素子寿命の長い非線形素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、各図面において共通の部分は同じ符号を付して詳しい説明を省略する。
【００１７】
（実施の形態１）
本発明の非線形素子の素子構造の一態様について説明する。
【００１８】
本実施の形態においては、本発明における非線形素子の素子構造の例について、図１を用いて説明する。本発明の非線形素子は、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に、複合材料を含む層１０２が設けられた構造を有している。
【００１９】
第１の電極１０１としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物金属を用いることができる。例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−チタン（Ａｌ−Ｔｉ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）または金属の窒化物（ＴｉＮ）等、を用いることができる。
【００２０】
第１の層１０２は抵抗率５×１０４〜１×１０６Ωｃｍ好ましくは２〜５×１０５Ωｃｍの複合材料によって形成されている。
【００２１】
以下では、本実施形態１における本発明で用いる複合材料を形成するのに好適な無機化合物を挙げるが、本発明はこれらに限定されることはない。
【００２２】
本発明の非線形素子の素子構造について説明する。本実施形態１における本発明の素子は、複合材料を含んでいるが、ここでは、有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を列挙する。無機化合物を用いることにより、耐熱性の向上という効果も得られる。なお、無機化合物としては特に限定されることはないが、遷移金属酸化物が好ましい。
【００２３】
より具体的には、酸化チタン、酸化レニウム、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン等が挙げられる。この他、酸化インジウム錫や酸化亜鉛を用いることができる。また、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化銀等も用いることができる。但し、用いる無機化合物は、ここに示したものに限らず、その他の材料を用いてもよい。
【００２４】
上記のような無機化合物は有機化合物に対して電子受容性を示す。このような無機化合物を用いる場合、有機化合物にはホールが発生するため、有機化合物としてはホール輸送性を有する有機化合物が好ましい。
【００２５】
ホール輸送性を有する有機化合物としては、アリールアミン骨格を有する有機化合物を用いることが好ましい。より具体的には、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）等が挙げられるが、用いる有機化合物は、これらに限定されることはない。
【００２６】
また、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＢＰＢ）、１，５−ビス（ジフェニルアミノ）ナフタレン（略称：ＤＰＡＮ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物を用いることもできる。但し、用いる有機化合物は、ここに挙げた材料に限定されない。
【００２７】
本発明の複合材料に含まれる無機化合物と有機化合物について、有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物と、ホール輸送性を有する有機化合物とを組み合わせを上述した。しかし、本発明で用いる複合材料に含まれる有機化合物と無機化合物の組み合わせはこれに限定されず、有機化合物に対して電子供与性を有する無機化合物と、電子輸送性を有する有機化合物を組み合わせて用いてもよい。有機化合物に対して電子供与性を有する無機化合物としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む酸化物を用いることが好ましい。より具体的には、リチウム、カルシウム、バリウムのいずれか一種もしくは複数種であることが好ましい。但し、用いる無機化合物はここに示したものに限らず、その他の材料を用いてもよい。
【００２８】
上記のような無機化合物は有機化合物に対して電子供与性を示す。このような無機化合物を用いる場合、有機化合物には電子が発生するため、有機化合物としては電子輸送性を有する有機化合物が好ましい。
【００２９】
電子輸送性を有する有機化合物としては、ピリジン骨格、イミダゾール骨格、トリアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、オキサゾール骨格、チアゾール骨格を有する有機化合物を用いることが好ましい。より具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ビフェニリル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、ポリ（４−ビニルピリジン）（略称：ＰＶＰｙ）などが挙げられるが、用いる無機化合物はこれらに限定されることはない。
【００３０】
なお、図１では層１０２が単層のものを記載したが、例えば上記の無機化合物と有機化合物を含む複合材料からなり、それぞれの混合比が異なる層が二層以上積層した構造としてもよい。
【００３１】
本発明で用いる複合材料の作製方法としては、例えば、上述したような有機化合物と無機化合物の両方を抵抗加熱により蒸着させ、共蒸着する手法が挙げられる。その他、有機化合物を抵抗加熱により蒸着させる一方で、無機化合物をエレクトロンビーム（ＥＢ）により蒸着させ、共蒸着してもよい。また、有機化合物を抵抗加熱により蒸着させると同時に、無機化合物をスパッタリングし、両方を同時に堆積する手法も挙げられる。その他、インクジェット法、スピンコート法、または湿式法により成膜してもよい。
【００３２】
第２の電極１０３を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような電極材料の具体例としては、元素周期表の１族または２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）が挙げられる。また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の金属膜のほか、インジウム錫酸化物、珪素を含有したインジウム錫酸化物等の画素電極に用いる透明導電膜等様々な導電性材料を第２の電極１０３として用いることができる。
【００３３】
以上のような構成を有する本発明の非線形素子は、外部からの電圧印加に対して、順バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性と逆バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性のそれぞれが非線形な挙動を示す。このことから、電圧の印加に対して電流が流れている領域と流れていない領域が発生している。この電流のオン、オフの性質を利用することによって、画素のスイッチング動作を行わせることができる。
【００３４】
また、電圧―電流特性が順バイアスを印加した場合と逆バイアスを印加した場合とで同じ非線形の挙動を示すことから、本発明の非線形素子に用いる複合材料は電極とオーム接触していると考えられ、種々の電極材料を使用することができる。
【００３５】
なお、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に設けられる層の構成は上記のものに限定されない。第１の電極と第２の電極の間に設けられる層の構成が多層構造を有している素子構造の一例として、図２を示す。図２の素子構造は、第１の電極１０１と第２の電極１０３の間に、有機化合物と無機化合物を含む複合材料を含む第１の層１０２と、当該第１の層１０２とは異なる混合比で作製された有機化合物と無機化合物を含む複合材料を含む第２の層１０４が設けられた構造である。このような構造にすることにより、電極間の膜が厚膜化し、衝撃などによる短絡を防止することができる。これにより、信頼性の高い非線形素子を得ることができる。
【００３６】
また、本発明の非線形素子は、複合材料を用いることによって、絶縁膜を用いた非線形素子に比べて、低電圧での駆動が可能となる。
【００３７】
また、本発明の非線形素子は、従来の非線形素子に用いられていた絶縁体薄膜と比べて、膜厚による抵抗値の影響が少ない為、非線形素子の特性のばらつきを防止することができる。
【００３８】
また、本発明に非線形素子は、絶縁体薄膜を統一した厚さで作製する際に必要となる時間を削減することができる為、生産性を向上させることができる。
【００３９】
さらに、本発明で用いる複合材料は、膜厚による抵抗値の影響が少ない為、従来の非線形素子に用いられていた絶縁体薄膜と比較して、厚膜化することができる。厚膜化することによって、衝撃による短絡を防止することができ、信頼性の高い非線形素子を得ることができる。
【００４０】
その一方で、膜厚による抵抗値の影響が少ない為、従来の非線形素子では、スイッチング機能を有する為に、薄膜化に限界があったが、従来の非線形素子に用いられていた絶縁体薄膜と比較して、薄膜化することもできる。よって、薄膜化することによる装置の高集積化が可能となる。例えば、通常の非線形素子に用いられる絶縁膜の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのに対し、本発明の複合材料を用いた非線形素子の電極間での膜厚は、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、好ましくは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることができる。
【００４１】
即ち、本発明の非線形素子に用いる複合材料は用途に合わせて厚膜化も薄膜化も可能である。
【００４２】
また、本発明で用いる非線形素子は、電圧を印加すると順バイアスと逆バイアスとで同じ非線形の挙動を示すため、液晶に印加する電圧を反転させた場合に透過率の差によって起こるちらつきやフリッカー等を防止することができる。
【００４３】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、本実施の形態１で述べたような本発明の非線形素子を備えた素子基板の構造の一態様およびその作製方法を示す。図３は各工程における線Ａ−Ｂによる断面図であり、図４は各工程における上面図である。
【００４４】
絶縁基板３０１上にパターンを形成するための技術を用いて所望の形状に第１の電極３０２を形成する。電極材料としては、実施の形態１で挙げた材料を適宜用いればよい。また、形成方法はこれに限られない。
【００４５】
なお、本実施の形態においては、ガラス、プラスチック、石英などからなる絶縁基板を用いることができる。また、本発明の非線形素子を備えた素子基板に用いる基板の材料は、これに限定されない。
【００４６】
第１の電極３０２が形成された絶縁基板３０１上に所定のパターンを形成し、焼成を行って、第１の電極３０２と重畳しないように、画素電極３０３を所望の形状に形成する。なお、画素電極の材料としては、酸化インジウム錫、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫等の透明導電膜等の様な導電性材料を用いればよい（図３（ａ）、図４（ａ）参照。）。また、画素電極の形成方法もこれ以外の方法を用いてもよい。
【００４７】
第１の電極３０２と画素電極３０３が形成された絶縁基板３０１上に蒸着用のマスクを形成し、第１の電極３０２の上部と側面を覆うように複合材料を含む層３０４を共蒸着によって形成する（図３（ｂ）、図４（ｂ）参照。）。共蒸着する手法としては、有機化合物と無機化合物の両方を抵抗加熱により蒸着させる方法等が挙げられる。
【００４８】
続いて、複合材料を含む層３０４側面及び上面と、画素電極３０３の上面及び側面の一部と、複合材料を含む層３０４と画素電極３０３の間の表面が露出している基板上面を覆う用に第２の電極３０５を形成する。これにより、本発明の非線形素子を備えた素子基板を形成することができる（図３（ｃ）、図４（ｃ）参照。）。
【００４９】
なお、第２の電極を形成する材料として、実施の形態１で挙げた材料を適宜選択して用いればよい。
【００５０】
（実施の形態３）
本発明の非線形素子基板を適用して、液晶表示装置を作製することができる。本実施の形態では、液晶表示装置の作製方法を図５、図６を用いて説明する。図５（Ａ）は表示装置の画素領域の上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の線Ｃ−Ｄにおける断面図である。また、図６（ａ）も表示装置の上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）における線Ｃ−Ｄによる断面図である。同一部分又は同様な機能を有する部分の繰り返しの説明は省略する。
【００５１】
まず、図５について説明する。画素領域は、偏光板５０１を有する絶縁基板５０２上に本発明非線形素子５０３、画素電極５０４が設けられている。
【００５２】
次に、画素電極層５２０及び非線形素子５０３を覆うように、印刷法やスピンコート法により、配向膜と呼ばれる絶縁層５００を形成する。なお、絶縁層５００は、スクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いれば、選択的に形成することができる。その後、ラビングを行う。続いて、画素を形成した周辺の領域に液滴吐出法によりシール材６０４を形成する（図６参照。）。
【００５３】
その後、配向膜として機能する絶縁層５０６、カラーフィルタとして機能する着色層５０８、対向電極として機能する導電体層５０７、偏光板５１０が設けられた対向基板５０９と非線形素子を有する絶縁基板５０２とをスペーサ６０２を介して貼り合わせ、その空隙に液晶層５０５を設けることにより液晶表示装置を作製することができる（図６参照。）。シール材にはフィラーが混入されていても良く、さらに対向基板５０９には、遮蔽膜（ブラックマトリクス）などが形成されていても良い。なお、液晶層を形成する方法として、ディスペンサ式（滴下式）や、対向基板５０９を貼り合わせてから毛細管現象を用いて液晶を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いることができる。
【００５４】
スペーサは、数μｍの粒子を散布して設ける方法でも良いが、本実施の形態では基板全面に樹脂膜を形成した後これを整形して形成する方法を採用した。このようなスペーサの材料を、スピナーで塗布した後、露光と現像処理によって所定のパターンに形成する。さらにクリーンオーブンなどで１５０〜２００℃で加熱して硬化させる。このようにして作製されるスペーサは露光と現像処理の条件によって形状を異ならせることができるが、好ましくは、スペーサの形状は柱状で頂部が平坦な形状となるようにすると、対向側の基板を貼り合わせたときに液晶表示装置としての機械的な強度を確保することができる。形状については円錐状、角錐状などを用いることができ、特別な限定はない。
【００５５】
以上の工程で形成された表示装置内部と外部の配線基板を接続するために接続部を形成する。大気圧又は大気圧近傍下で、酸素ガスを用いたアッシング処理により、接続部の絶縁体層を除去する。この処理は、酸素ガスと、水素、ＣＦ４、ＮＦ３、Ｈ２Ｏ、ＣＨＦ３から選択された一つ又は複数とを用いて行う。本工程では、静電気による損傷や破壊を防止するために、対向基板を用いて封止した後に、アッシング処理を行っているが、静電気による影響が少ない場合には、どのタイミングで行っても構わない。
【００５６】
続いて、画素部と電気的に接続されている配線６０３を、導電体層６０８を介して、接続用の配線基板であるＦＰＣ６０５を設ける（図６（ｂ）参照。）。ＦＰＣ６０５は、ＩＣドライバ６１４を有しており、また外部からの信号や電位を伝達する役目を担っており、外部回路６１２に電気的に接続されている（図６（ａ）参照。）。上記工程を経て、本発明の非線形素子基板を用いた液晶表示装置を作製することができる。
【００５７】
図６（ａ）に、液晶表示装置の上面図を示す。図６（ａ）で示すように、画素領域６１０がシール材６０４によって、基板６２０と対向基板６１１との間に封止され、基板６２０上に画素のスイッチングを制御する非線形素子が設けられている。
【００５８】
図６（ｃ）に、ＦＰＣ６０５と配線６０３が接続された箇所の拡大図を示す。図６（ｃ）で示すように、基板上の配線６０３と金属配線６２４とフィルム６２３から成るＦＰＣ６０５が導電性のビーズ６２１を含んだ接着剤６２２によって張り合わされている。なお、配線は上記の金属または合金を選択すればよい。また、導電性のビーズは銀粒子、銅粒子、金粒子などの導電性微粒子からなり、接着剤は熱硬化樹脂を用いてもよいし、紫外線硬化樹脂を用いてもよい。また、ここに記載された以外の材料を適宜選択して用いることができる。また、導電性のビーズを含んだ接着剤の代わりに、銀ペースト、銅ペースト、カ−ボンペースト等の導電性接着剤や半田接合を行う方法を用いて基板上の配線６０３とＦＰＣを電気的に接続してもよい。
【００５９】
以上の工程により、本発明の非線形素子を用いた低電圧で駆動することができる液晶の表示装置の作製が可能となる。
【００６０】
（実施の形態４）
本発明により、様々な表示装置を実現することができる。
【００６１】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの例を図７に示す。
【００６２】
図７（Ａ）は、パーソナルコンピュータであり、本体２１０１、筐体２１０２、表示部２１０３、キーボード２１０４、外部接続ポート２１０５、ポインティングマウス２１０６等を含む。本発明によって、表示部２１０３を形成することが可能となる。本発明を用いることによって、より低電圧で駆動することができる。
【００６３】
図７（Ｂ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部Ａ２２０３、表示部Ｂ２２０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２２０５、操作キー２２０６、スピーカー部２２０７等を含む。表示部Ａ２２０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２２０４は主として文字情報を表示するが、本発明によって、これら表示部Ａ、Ｂ２２０３、２２０４を形成することが可能となる。本発明を用いると、小型化し、配線等が精密化しても、信頼性の高い高画質な画像をより低電圧で表示することができる。
【００６４】
図７（Ｃ）は携帯電話であり、本体２３０１、音声出力部２３０２、音声入力部２３０３、表示部２３０４、操作スイッチ２３０５、アンテナ２３０６等を含む。本発明により作製される表示装置を表示部２３０４に適用することで、小型化し、配線等が精密化する携帯電話であっても、信頼性の高い高画質な画像をより低電圧で表示できる。
【００６５】
図７（Ｄ）はビデオカメラであり、本体２４０１、表示部２４０２、筐体２４０３、外部接続ポート２４０４、リモコン受信部２４０５、受像部２４０６、バッテリー２４０７、音声入力部２４０８、操作キー２４０９等を含む。本発明によって、表示部２４０２を形成することができる。本発明により作製される表示装置を表示部２４０４に適用することで、小型化し、配線等が精密化するビデオカメラであっても、信頼性の高い高画質な画像をより低電圧で表示できる。本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００６６】
以上の様に、本発明の非線形素子を備えた素子基板を有する表示装置の適用範囲は極めて広く、この表示装置をあらゆる分野の電気器具に適用することが可能である。
【実施例１】
【００６７】
実施例１では、有機化合物と無機化合物を含む複合材料からなる膜の電圧−電流特性について例示する。まず、ガラス基板を用意し、その上に１１０ｎｍの膜厚で酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜して面積４ｍｍ２の電極を作製した。
【００６８】
次に、前記酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜されたガラス基板を水洗し、乾燥させた後、そのガラス基板を、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が形成された面が下方になるように真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下、ＤＮＴＰＤと略す。）と酸化モリブデン（ＶＩ）とルブレンをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸着源に入れ、圧力が１×１０−３Ｐａ以下となるまで真空に引いた状態で、共蒸着法によりＤＮＴＰＤと酸化モリブデンとルブレンを含む複合材料を成膜した。この時、ＤＮＴＰＤと酸化モリブデンとルブレンを０．２ｎｍ／ｓの成膜レートで蒸着させ、ＤＮＴＰＤ：酸化モリブデン：ルブレン＝１：０．１：０．０２（質量比）となるように調節した。膜厚は比較例と揃えるため、２００ｎｍとした。さらにその上に、アルミニウムを２００ｎｍ成膜した。なお、ルブレンは膜質の安定化剤として添加したものである。
【００６９】
このようにして得られた下から酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極、ＤＮＴＰＤと酸化モリブデンとルブレンの複合膜、Ａｌからなる電極の積層構造に関して、−５０℃、−３５℃、−２０℃、−５℃、１０℃、２５℃、４０℃、５５℃、７０℃、８５℃、および１００℃電圧−電流特性を調べた結果を図１０に示す。なお、本実施例において酸化珪素を含有した酸化インジウム錫の電極の電位をＡｌからなる電極の電位よりも高くした場合を順バイアスとする。
【００７０】
順バイアスと逆バイアスの両方でほぼ同等の電流が流れているため、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極とＡｌからなる電極の両方から同等の量のホールが注入されていた。
【００７１】
次に、先に例示した複合材料とは無機化合物と有機化合物の質量比が異なる複合材料の、電圧−電流特性について例示する。まず、１１０ｎｍの膜厚で酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜されたガラス基板を用意し、面積４ｍｍ２の電極を作製した。
【００７２】
次に、前記酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜されたガラス基板を水洗し、乾燥させた後、そのガラス基板を、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が形成された面が下方になるように真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、ＤＮＴＰＤと酸化モリブデン（ＶＩ）とルブレンをそれぞれ別の抵抗加熱式の蒸着源に入れ、圧力が１×１０−３Ｐａ以下となるまで真空に引いた状態で、共蒸着法によりＤＮＴＰＤと酸化モリブデンとルブレンを含む複合材料を成膜した。この時、ＤＮＴＰＤと酸化モリブデンとルブレンを０．２ｎｍ／ｓの成膜レートで蒸着させ、ＤＮＴＰＤ：酸化モリブデン：ルブレン＝１：０．７５：０．０２（質量比）となるように調節した。膜厚は比較例と揃えるため、２００ｎｍとした。さらにその上に、アルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ成膜した。なお、ルブレンは膜質の安定化剤として添加したものであり、必ずしも必要ではない。
【００７３】
このようにして得られた基板側から酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極、ＤＮＴＰＤと酸化モリブデンとルブレンから成る複合膜、Ａｌからなる電極の積層構造に関して、−５０℃、−３５℃、−２０℃、−５℃、１０℃、２５℃、４０℃、５５℃、７０℃、８５℃、および１００℃電圧−電流特性を調べた結果を図１１に示す。
【００７４】
順バイアスと逆バイアスの両方でほぼ同等の電流が流れているため、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極とＡｌからなる電極の両方から同等の量のホールが注入されていた。また、質量比をＤＮＴＰＤ：酸化モリブデン：ルブレン＝１：０．１：０．０２で形成した複合材料のサンプルより少量の電圧で多くの電流が流れていた。
【００７５】
次に、複合膜の電圧−電流特性と比較を行うために、上述したＤＮＴＰＤのみの膜のサンプルの電圧−電流特性、及び酸化モリブデン（ＶＩ）のみの膜のサンプルの電圧−電流特性について例示する。
【００７６】
［比較例１］
はじめに、比較例１として、ＤＮＴＰＤのみの膜のサンプルの電圧−電流特性を示す。まず、１１０ｎｍの膜厚で酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜されたガラス基板を用意し、面積４ｍｍ２の第１の電極を作製した。
【００７７】
次に、前記酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜されたガラス基板を水洗し、乾燥させた後、ガラス基板を酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が形成された面が下方になるように真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、ＤＮＴＰＤを抵抗加熱式の蒸着源に入れ、圧力が１×１０−３Ｐａ以下となるまで真空に引いた状態で、真空蒸着法によりＤＮＴＰＤを成膜した。膜厚は２００ｎｍとした。さらにその上に、第２の電極としてアルミニウムを２００ｎｍ成膜した。
【００７８】
このようにして得られた下から酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極、ＤＮＴＰＤ、Ａｌからなる電極の順で積層した積層構造に関して、−５０℃、−３５℃、−２０℃、−５℃、１０℃、２５℃、４０℃、５５℃、７０℃、８５℃、および１００℃にて電圧−電流特性を調べた結果を図８に示す。
【００７９】
図８に示す通り、順バイアスでは電流は流れるため、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極側からはホールが注入されていた。一方、逆バイアスでは電流が流れず、整流性を示したため、Ａｌからなる電極側からはホールは注入されていないことが示唆された。
【００８０】
［比較例２］
次に、酸化モリブデン（ＶＩ）のみの膜の電圧−電流特性について示す。まず、１１０ｎｍの膜厚で酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜されたガラス基板を用意し、面積４ｍｍ２の電極を作製した。
【００８１】
次に、前記酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が成膜されたガラス基板を水洗し、乾燥させた後、そのガラス基板を、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫が形成された面が下方になるように真空蒸着装置内の基板ホルダーに固定する。そして、酸化モリブデン（ＶＩ）を抵抗加熱式の蒸着源に入れ、圧力が１×１０−３Ｐａ以下となるまで真空に引いた状態で、真空蒸着法により酸化モリブデン（ＶＩ）を成膜した。膜厚は７５ｎｍとした。さらにその上に、アルミニウムを２００ｎｍ成膜し，電極を形成した。
【００８２】
このようにして得られた、下から酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極、酸化モリブデン（ＶＩ）、Ａｌからなる電極の順で積層した積層構造に関して、−５０℃、−３５℃、−２０℃、−５℃、１０℃、２５℃、４０℃、５５℃、７０℃、８５℃、および１００℃にて電圧−電流特性を調べた結果を図９に示す。
【００８３】
図９に比較例２で用いた酸化モリブデンのみの膜の電圧−電流特性を示す。比較例２は図９で示すように、上述した比較例１のＤＮＴＰＤ膜の電圧−電流特性（図８）とは異なり、順バイアス及び逆バイアスでの両方で電流が流れるため、酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極とＡｌからなる電極の両方からホールが注入されていた。また、先の比較例１に比べて、低い電圧でもより多くの電流が流れていた。
【００８４】
また、上述した本発明で用いた複合材料（図１０及び図１１）では、順バイアスと逆バイアスで同等の電流が流れていたのに対し、比較例２（図９）では順バイアスと逆バイアスで流れる電流量が異なっていた。
【００８５】
このことから、ＭｏＯｘ膜では、順バイアス、逆バイアスの両方で電流は流れるものの、順バイアスあるいは逆バイアスのどちらかの界面で障壁が存在しているため、順バイアスで流れる電流値と逆バイアスで流れる電流値が異なっていたと考えられる。
【００８６】
これらの結果から、ホール輸送性の有機化合物で良好な電圧−電流特性が得られていることから、複合膜のキャリアはホールであると考えられる。
【００８７】
また、複合膜の電圧−電流特性は、低温側で電流が流れにくくなる傾向を示している。複合膜の輸送特性に着目した場合では、低温において、キャリア密度が減少したことによるものと考えられる。
【００８８】
一方で、キャリア注入に着目したメカニズムも考えられる。複合膜の電圧−電流特性において、順方向と逆方向とで電流値の絶対値が一致する対称性を有している。低温で電流が流れにくくなる傾向にあるものの、この対称性は維持されたままである。もし、ショットキー障壁のように、界面との接合障壁によるキャリア注入に図１５（ａ）で示すような律速過程があるとすれば、電極依存性があるはずであるが、複合膜では、酸化インジウム錫からなる電極とＡｌという異なる金属を電極として用いているにもかかわらず、電圧−電流特性は対称性を有している。そのため、低温において電流が流れにくくなる原因は、界面の障壁によるキャリア注入が律速ではないと考えられる。
【００８９】
次に、図１５（ｂ）に示すように、キャリア注入が複合膜のキャリア移動度に律速される場合も考えられる。これは、低温で複合膜のキャリア移動度が小さくなることにより、電極と複合膜の界面にキャリアが留まることによるクーロン反発力により、電極からキャリアが注入できなくなることにより起こる。この場合、電極と複合膜の接合がオーム接合である場合には、電極依存性はないことになる。
【００９０】
以上から、電極と複合膜の界面はオーム接触であり、低温において電流が流れにくくなるのは、キャリア密度とキャリア移動度の低下によるものと考えられる。ただし、低温においてもオーム接触であるため、順方向、逆方向での電流値の絶対値は一致する対称性を有する。なお、低温での低電圧領域において、オーム接触にもかかわらず、電流が電圧の一次直線に比例せずオーム電流とならないのは、キャリア移動度の低下によりキャリア注入が阻害されるためと考えられる。
【実施例２】
【００９１】
本実施例では、実施例１で示した複合材料についてより詳しく説明する。
【００９２】
ガラス基板上に酸化珪素を含有した酸化インジウム錫を膜厚１１０ｎｍとなるように成膜し、面積４ｍｍ２の電極を作製した。前記酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極を有するガラス基板を水洗し、乾燥させた後、蒸着機の中に基板をセットして、圧力が１×１０−３Ｐａ以下となるまで真空チャンバーを排気した。
【００９３】
次に、有機化合物であるＤＮＴＰＤと無機化合物である酸化モリブデン（ＶＩ）とルブレンを共蒸着により成膜した。ここで、ＤＮＴＰＤと酸化モリブデンとルブレンの質量比及び膜厚は表１の水準となるように共蒸着を制御し、成膜を行った。なお、ルブレンは膜質の安定化剤として添加したものである。
【００９４】
【表１】
2006303457.tif 000003
【００９５】
その後、電極としてＡｌを２００ｎｍ蒸着し、素子１〜６を得た。
【００９６】
素子１〜６における２５℃での電圧−電流特性を図１２に示す。酸化モリブデンが含まれている素子２〜６は、酸化モリブデンの質量比が増加するにつれて、低抵抗化していることがわかる。また、酸化モリブデンが含まれていない素子１では、逆バイアスでは電流が流れず、整流性を示したため、Ａｌからなる電極側からはホールは注入されていないことが示唆された。なお、本実施例において酸化珪素を含有した酸化インジウム錫からなる電極の電位をＡｌを含む電極の電位よりも高くした場合を順バイアスとしている。
【００９７】
次に、素子２〜６について、−５０℃、−３５℃、−２０℃、−５℃、１０℃、２５℃、４０℃、５５℃、７０℃、８５℃、および１００℃にて電圧−電流特性を調べた。また、本発明で流れている電流がオーム電流であると仮定し、かつ、温度の低下と共に抵抗の増加が見られたため素子が半導体であると仮定した場合、アレニウスの式（数式１）で表すことができる。
【００９８】
【数１】
2006303457.tif 000004
【００９９】
この式から、ある一定の電圧の場合には、下式を導くことができる。
【０１００】
【数２】
2006303457.tif 000005
【０１０１】
素子２〜６における１Ｖでのアレニウスプロットを図１３に示す。いずれの素子も、ほぼ直線上に乗っていることがわかる。また、本発明の素子である素子２〜素子５は、順バイアスを印加したときと逆バイアスを印加したときとで、ほぼ等しい直線上にある。このことから、素子２〜素子５では順バイアス、逆バイアスに関わらず界面で障壁が存在していないと考えられる。
【０１０２】
一方、酸化モリブデンのみの膜である素子６では、順バイアスを印加したときの直線と逆バイアスを印加したときの直線が重なっていない。このことから、順バイアスもしくは逆バイアスの界面で障壁が存在していると考えられる。
【０１０３】
また、数式（１）に従うということは、本発明の複合材料は電極とオーム接触し、この素子を用いることによって、低電圧で駆動する非線形素子を提供することが可能であることを表している。
【０１０４】
また、この複合材料が電極とオーム接触していることから、種々の電極材料を用いることができることがわかる。
【０１０５】
また、本発明で用いる非線形素子は、順バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性と逆バイアスの電圧を印加した場合の電圧―電流特性のそれぞれが同じ非線形の挙動を示すため、液晶に印加する電圧を反転させた場合に透過率の差によって起こるちらつきやフリッカー等を防止することができる。
【０１０６】
また、本発明で用いる非線形素子は、膜厚による抵抗値の影響が少ない為、非線形素子の特性のばらつきを防止することができるため、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明における非線形素子の素子構造を説明する図。
【図２】本発明における非線形素子の素子構造を説明する図。
【図３】本発明における非線形素子を備えた素子基板の作製方法を説明する断面図。
【図４】本発明における非線形素子を備えた素子基板の作製方法を説明する上面図。
【図５】本発明における非線形素子を備えた素子基板を備えた液晶表示装置の作製方法を説明する図。
【図６】本発明における非線形素子を備えた素子基板を備えた液晶表示装置を説明する図。
【図７】電子機器の一例を説明する図。
【図８】ＤＮＴＰＤ膜を用いた素子の電圧−電流特性。
【図９】酸化モリブデン（ＶＩ）膜を用いた素子の電圧−電流特性。
【図１０】本発明の有機化合物と無機化合物を含む複合材料を用いた素子の電圧−電流特性。
【図１１】本発明の有機化合物と無機化合物を含む複合材料を用いた素子の電圧−電流特性。
【図１２】素子の２５℃での電圧−電流特性。
【図１３】１Ｖでの素子のアレニウスプロットを示す図。
【図１４】従来例におけるＭＩＭスイッチング素子。
【図１５】エネルギー障壁の説明をする図
【符号の説明】
【０１０８】
１０１    電極
１０２    層
１０３    電極
１０４    層
３０１    絶縁基板
３０２    電極
３０３    画素電極
３０４    層
３０５    電極
５００    絶縁層
５０１    偏光板
５０２    絶縁基板
５０３    非線形素子
５０４    画素電極
５０５    液晶層
５０６    絶縁層
５０７    導電体層
５０８    着色層
５０９    対向基板
５１０    偏光板
５２０    画素電極層
６０２    スペーサ
６０３    配線
６０４    シール材
６０５    ＦＰＣ
６０８    導電体層
６１０    画素領域
６１１    対向基板
６１２    外部回路
６１４    ＩＣドライバ
６２０    基板
６２１    ビーズ
６２２    接着剤
６２３    フィルム
６２４    金属配線
１００１    基板
１００２    下部導体薄膜
１００３    絶縁体薄膜
１００４    上部導体薄膜
１００５    画素電極
２１０１    本体
２１０２    筐体
２１０３    表示部
２１０４    キーボード
２１０５    外部接続ポート
２１０６    ポインティングマウス
２２０１    本体
２２０２    筐体
２２０３    表示部Ａ
２２０４    表示部Ｂ
２２０５    読み込み部
２２０６    操作キー
２２０７    スピーカー部
２３０１    本体
２３０２    音声出力部
２３０３    音声入力部
２３０４    表示部
２３０５    操作スイッチ
２３０６    アンテナ
２４０１    本体
２４０２    表示部
２４０３    筐体
２４０４    外部接続ポート
２４０５    リモコン受信部
２４０６    受像部
２４０７    バッテリー
２４０８    音声入力部
２４０９    操作キー
【図１】
2006303457.tif 000006
【図２】
2006303457.tif 000007
【図３】
2006303457.tif 000008
【図４】
2006303457.tif 000009
【図５】
2006303457.tif 000010
【図６】
2006303457.tif 000011
【図７】
2006303457.tif 000012
【図８】
2006303457.tif 000013
【図９】
2006303457.tif 000014
【図１０】
2006303457.tif 000015
【図１１】
2006303457.tif 000016
【図１２】
2006303457.tif 000017
【図１３】
2006303457.tif 000018
【図１４】
2006303457.tif 000019
【図１５】
2006303457.tif 000020