(57)【要約】【課題】  ＣＲ製法ＢＪヘッドの長尺化。【解決手段】  短辺の断面が（１００）、長辺の断面が（１１０）で面方位が（１１０）のＳｉ単結晶基板に、長辺と３５．２６度をなす角度で、側面が（１１１）面で囲まれた平行四辺形のインク供給口を複数連続的に配置することによって、実質上長尺のフルマルチインクジェット基板を形成する。【選択図】  図１
2006224592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面方位が（１１０）のＳｉ角型基板であって、基板の短辺の断面が（１００）面と等価の面で形成され、基板の長辺断面が（１１０）と等価の面で形成されているＳｉ基板上に、側面が（１１１）面と等価の面で囲まれた平行四辺形の平面形状を持ったインク供給口が分割され、インク供給口の長辺が基板長辺方向と３５．２６度±４度をなす角度で複数連続的に配置されたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
前記分割されたインク供給口は、５０ｍｍ以下に分割されていることを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
該Ｓｉ基板の長辺が１４０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
該インク供給口は、異方性エッチング技術を用いて貫通されていることを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッド用Ｓｉ基板。
【請求項５】
該Ｓｉ基板は、（１００）方位のＳｉ単結晶を種結晶として１５０ｍｍ以上の長さのＳｉインゴットを引き上げ、それをインゴットの引き上げ方向と垂直に、インゴットの長手方向にスライスして作製されたことを特徴とする請求項１記載のインクジェット記録ヘッド用Ｓｉ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体に外部からエネルギーを加えることによって、所望の液体を吐出するインクジェット記録ヘッド、およびインクジェット記録ヘッドに用いる基板およびインクジェット記録ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のインクジェット記録ヘッドに関し、例えば特開昭５４−５１８３７に記載されているインクジェット記録法は、熱エネルギーを液体に作用させて、液滴吐出の原動力を得るという点において、他のインクジェット記録方法とは異なる特徴を有している。即ち、上述の公報に開示されている記録法は、熱エネルギーの作用を受けた液体が過熱されて気泡を発生し、この気泡発生に基づく作用力によって、記録ヘッド部先端のオリフィスから液滴が形成され、この液滴が被記録部材に付着して情報の記録が行われるということを特徴としている。この記録法に適用される記録ヘッドは、一般に液体を吐出するために設けられたオリフィスと、このオリフィスに連通して液滴を吐出するための熱エネルギーが液体に作用する部分である熱作用部を構成の部とする液流路とを有する液吐出部および熱エネルギーを発生する手段である熱変換体としての発熱抵抗層とそれをインクから保護する上部保護層と蓄熱するための下部層を具備している。ところで、高密度、高精度のノズルおよび吐出口を形成する方法として特開平５−３３００６６、および特開平６−２８６１４９に示されている方法が提案されている。また、特開平１０−１３８４７８では、Ｓｉ（１１０）基板に垂直エッチした供給口をハリを介して複数並列に配置して、インクジェット記録ヘッドを長尺化する手法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１３８４７８号公報
【特許文献２】特開平５−３３００６６号公報
【特許文献３】特開平６−２８６１４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これらの手法を用いて一度に幅広に印字できるインクジェット記録ヘッドを形成しようとすると、長大なＳｉ基板が必要になってくる。前述した技術と同様にインク供給口を異方性エッチで開けるとすると、インク供給口は長く配列された吐出口に平行に開口しなければならない。この場合、基板面方位が（１１０）と等価で長辺の断面の方位が（１１１）と等価で、（１１１）方向に長大な基板が必要であった。しかしながら、従来の（１１０）の面方位で引き上げたＳｉウエハでは８インチΦのインゴットから（１１０）の角型基板を効率よく採ろうとすると、その一辺の最大値はたかだか１４０ｍｍ程度であった。また、（１００）の面方位で引き上げたＳｉインゴットは直径１２インチΦのサイズまで工業化されているが、このインゴットの長辺に平行に縦切りして（１１０）面を持つ角型基板を採ろうとすると、（１１１）と等価の面がインゴットの長辺に対して傾いてしまい、従来と同様の構成で長尺のインク供給口形成すると、供給口が基板に平行に作製できなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記のような問題点は、面方位が（１１０）のＳｉ角型基板であって、基板の短辺の断面が（１００）面と等価の面で形成され、基板の長辺断面が（１１０）と等価の面で形成されているＳｉ基板上に、側面が（１１１）面と等価の面で囲まれた平行四辺形の平面形状を持ったインク供給口が分割され、インク供給口の長辺が基板長辺方向と３５．２６度±４度をなす角度で複数連続的に配置されたことを特徴とするインクジェット記録ヘッドを提供することで解決される。
【０００５】
（作用）
基板にインク吐出圧力発生素子が設けられ、インク吐出圧力発生素子に対向するプレート側に吐出口が配されて、インク内に気泡を発生させて該吐出口基板に垂直にインクを吐出するインクジェット記録ヘッドにおいて、Ｓｉ基板の単辺方向を（１００）面、長辺方向を（１１０）面とし、長辺方向に３５．２６度±４度傾けて狭角が７０．５度の平行四辺形状にマスクを設け、異方性エッチによりＳｉ基板に垂直にインク供給口を開け、これを短いピッチで分割し、基板の長辺に平行な方向に配列することにより、基板の長辺の長さに近い印字幅のインクジェット記録ヘッド用のインク供給口を提供する。このとき、インク吐出口も周期的に斜めに配置されるので、吐出信号に位置のずれに応じて補正を行い、従来の直線状に配置された吐出口と同様の印字が可能になる。
【発明の効果】
【０００６】
以上に述べたように、面方位が（１１０）のＳｉ角型基板であって、基板の短辺の断面が（１００）面と等価の面で形成され、基板の長辺断面が（１１０）と等価の面で形成されているＳｉ基板上に、側面が（１１１）面と等価の面で囲まれた平行四辺形の平面形状を持ったインク供給口が、５０ｍｍ以下に分割され、長辺方向と３５．２６度をなす角度で複数連続的に配置されたことを特徴とするインク供給口によって、安価な基板を用いて、一度に印字幅が広い高速のインクジェット記録ヘッドが製作可能になった。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
［実験１］
以下に、本発明に至る実験の結果について説明する。
【０００８】
図１は本発明に至る実験に用いた、（１１０）面を持ったインクジェット記録ヘッド基板の概略図を示したものである。短辺の断面が（１００）で、長辺の断面が（１１０）で、短辺の長さが１５０ｍｍ、長辺の長さが３３０ｍｍ、厚さが０．９ｍｍとした。この基板は、（１００）面を持った種結晶をチョクラルスキー法により引き上げたインゴットを、引き上げ方位と平行にスライスして製造した。
【０００９】
１０２は、基板に垂直に貫通させたインク供給口で、狭角７０．５度の平行四辺形の平面形状とした。インク供給口の長辺は、基板の長辺に対して３５．２６度傾斜させた。
【００１０】
ここで供給口の長辺の長さを０．５〜８０ｍｍの範囲で変化させて基板を作製し、プロセス中に掛かる力を想定し、最大５０Ｇの加速度を加えて、基板の強度をテストした。インク供給口の幅は１６０μｍとした。
【００１１】
この結果、供給口の長辺が５０ｍｍ以上では、基板の破損が発生することが判った。
【００１２】
［実施態様例］
種結晶として（１００）と等価の方位を持つ一辺８〜２０ｍｍの円柱または角柱状のＳｉ単結晶を用い、チョクラルスキー法によってＳｉインゴットの引き上げを行う。これは、Ｓｉ上はとして一般的な（１００）方位の基板を得る時のインゴットと同じものである。このインゴットを、通常とは切断方位を９０度回転させて加工し、（１１０）面の大判の長方形のウエハを作製する。Ａ４版の紙の長手方向に一度に印字できるインクジェット記録ヘッドを作製するためには、ウエハの長辺方向は３２０ｍｍ以上必要となる。Ａ４版の紙の短手方向に一度に印字できるインクジェット記録ヘッドを作製するためには、ウエハの長辺方向は２３０ｍｍ以上必要となる。
【００１３】
このインゴットを、図２４のように長手方向に平行にスライスして、面方位が（１１０）と等価の面を有する長方形基板を切り出す。図２はこの基板の概略を示した図である。基板の長辺方向の断面が（１１０）と等価の面、短辺方向が（１００）と等価の面になっている。また、異方性エッチングで垂直の貫通穴を形成する際に、貫通穴の平面形状は側面が（１１１）面で囲まれた平行四辺形となり、その平行四辺形の一辺は、基板の長辺と３５．２６度の傾きを持つことになる。
【００１４】
この時、基板方位のズレは±４度程度ならば、短く分割された供給口の形成に実質的な問題は生じない。
【００１５】
図１は本発明による実施態様例を示すインクジェット記録ヘッドのベース基板の模式図である。基板としては面方位が（１１０）と等価の面を持ち、長辺の断面が（１１０）と等価の面を持ち、短辺の断面が（１００）と等価の面を持つＳｉウエハが用いられる。このウエハは長辺方向に２３０ｍｍ以上の長さを持つことを特徴としている。基板にはインクを裏面から供給するための貫通穴１０２があけられている。この平行四辺形の平面形状を持ったインク供給口の側面は、基板の長辺と３５．２６度の傾きを持っているため、インク供給口の近傍に配置されたインク吐出用のヒーター１０３も、同じ傾きを持って配置されることになる。ここで、インク供給口は、ある程度のピッチで複数に分割され、基板の長辺に平行に配列されている。これは、基板の強度を低下させないという効果、インクジェット記録ヘッド基板の幅を狭く抑える効果、印字する紙の送り方向に対するインク吐出口の位置のばらつきを少なくするという効果がある。
【００１６】
図１８は、図１のＡＡ′断面を示したものである。供給口の幅Ｘは一般には５０〜３００μｍ、望ましくは８０〜２００μｍ、最適には１００〜２００μｍである。供給口の長さＹは一般には０．５〜２０ｍｍ、望ましくは１〜１０ｍｍ、最適には１．５〜５ｍｍである。
【００１７】
図１７はさらに、樹脂等でインクジェット記録ノズルを形成したもののＡＡ′断面部の構造を示したものである。下部のインク供給口２２２方向から供給されたインクがヒーター２１２で加熱され発泡しノズル２１６から吐出する。
【００１８】
次に、本発明によるインクジェット記録ノズルのプロセスを図３〜１７を使って順を追って説明する。
【００１９】
（１）基板面方位（１１０）のシリコン基板２０１に、例えば熱酸化やＣＶＤ法などで絶縁膜２０２を形成し、フォトリソ技術によって図３（平面図  図１９）のようにインク供給口を設けるための所望のパターンを形成する。
【００２０】
（２）ＡｌやＣｕ等の抵抗が低く、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドライド）等の異方性エッチング用エッチャントに対するエッチング速度が大きな金属を堆積、パターニングして、下層配線２０５と犠牲層２０４を形成する。エッチング犠牲層は、裏面からエッチングが進行してエッチャントが犠牲層に到達するとＳｉウエハよりエッチングレートが格段に速いので短時間にエッチングされ、犠牲層パターンに対応した開口部を開けることができるものである。この時のパターンは基板に対して垂直にエッチング穴があくように、狭角が７０．５度をなす平行四辺形とし、平行四辺形の長辺および短辺は（１１１）と等価の面に平行になるように配置する。
【００２１】
また、この犠牲層の平行四辺形の長辺は、図１９のように基板の長辺に対して３５．２６度傾けて、複数に分割し基板長辺に平行に配列する。
【００２２】
（３）基板表面上にエッチングストップ層２０６〜２０７として、ＳｉＮやＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の膜を堆積する。
【００２３】
積層されたエッチングストップ層のトータルの膜厚は、好ましくは２０００Å〜１μｍ、さらに好ましくは３０００〜９０００Å、最適には４０００〜８０００Åである。この図では、エッチングストップ層は単機能な膜となっているが、層間絶縁膜を兼用しても良い。
【００２４】
（４）プラズマＣＶＤ等を使って、ＳｉＮやＳｉＯＮ、ＳｉＯ2等の膜を堆積して層間絶縁膜２０８とする。さらに、層間絶縁膜にコンタクトホール２０９を形成する。
【００２５】
（５）インク供給口に合わせて、インク吐出圧力発生素子としてヒーター部２１２形成する。ヒーター材料としては、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＮＳｉ等などの金属膜をスパッターや真空蒸着等によって堆積しパターニングする。さらに電力供給用の電極２１１としてＡｌ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属膜を同様にして形成する。なお特に図示してはいないが、ヒーターには耐久性の向上を目的として保護膜を付けても良い。また、配線とヒーターの形成の順番等に特に制限がないのは言うまでもない。
【００２６】
（６）樹脂製のノズルの密着性を上げるためと、裏面をアルカリエッチャントから保護するために、耐食性の高い樹脂膜２１３を形成する。そして、ヒーター部とインク供給口部をパターニングする。
【００２７】
（７）インク流路確保のために、強アルカリや有機溶剤等で溶解可能な樹脂でパターン２１４を形成する。このパターンは、印刷法や感光性樹脂によるパターニング等で形成する。
【００２８】
（８）インク流路のパターンの上に、被覆樹脂層２１５を堆積する。この被覆樹脂層は微細パターンを形成するので感光性レジストが望ましく、さらに流路を形成した樹脂層２１４を除去する際のアルカリや溶剤等によって変形変質しない性質が必要である。
【００２９】
（９）次に流路の被覆樹脂層をパターニングして、ヒーター部に対応したインク吐出口２１６と電極の外部接続部を形成する。この後、被覆樹脂層を光や熱等によって硬化する。
【００３０】
（１０）この基板のノズル形成面側を保護するため耐食性レジストで保護膜２１７を形成する。
【００３１】
（１１）裏面の樹脂製保護膜と絶縁膜をフォトリソ技術を使ってインク供給口のパターン部分２１８を除去しウエハ面を露出させる。このパターンの形状は、図２０のように犠牲層とは鏡像関係になるように形成する。
【００３２】
裏面のエッチングマスク膜の製法は、ＣＶＤや熱酸化に限定されるものではなく、アルカリエッチャントに対して耐食性があるものであれば良い。
【００３３】
（１２）次に裏面の平行四辺形の狭角の近傍部分（裏面の平面図２０）に、エッチング先導孔２１９をあける。一般的には、レーザー加工などが用いられるが、放電加工、プラスト等でも良い。
【００３４】
この先導孔は、エッチングストップ層に限りなく近くまであける。先導孔の深さは、一般には基板厚さの６０％以上、好ましくは７０％以上、最適には８０％以上である。また、基板を貫通してはならない。この先導孔によって、平行四辺形の狭角から発生する斜めの（１１１）面が抑制される。
【００３５】
（１３）この基板をアルカリ系エッチャント（ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ヒドラジン等）に浸け、（１１１）面が出るように異方性エッチングすると、平面形状が平行四辺形の貫通穴２２０が形成される。
【００３６】
（１４）エッチングストップ層２０６〜２０７のＳｉＮ等の膜をフッ酸等の薬液または、ドライエッチ等で部分的に除去してインク供給口２２１を開口する。
【００３７】
（１５）次に、図１６のように保護膜２１７を除去し、最後にインク流路形成材を除去し、インクの流路２２２を確保する。
【００３８】
上記プロセスにおいて、基板の加工手順は特に限定されるものではなく、任意に選ぶことができる。
【００３９】
印字するときには、紙の送り方向に対するノズルの傾きを補正するように、電流を流すヒーターを選択制御しながら順次駆動を行う。
【実施例１】
【００４０】
以下に、本発明の実施例を説明する。
【００４１】
図１は本発明による、（１１０）面を持ったインクジェット記録ヘッド基板の概略図を示したものである。短辺の断面が（１００）で、長辺の断面が（１１０）で、短辺の長さが１５０ｍｍ、長辺の長さが３３０ｍｍ、厚さが０．９ｍｍとした。この基板は、（１００）面を持った種結晶をチョクラルスキー法により引き上げたインゴットを、引き上げ方位と平行にスライスして製造した。
【００４２】
１０２は、基板に垂直に貫通させたインク供給口で、狭角７０．５度の平行四辺形の平面形状とした。インク供給口の長辺は、基板の長辺に対して３５．２６度傾斜させた。長辺の長さは３ｍｍ、幅は１６０μｍとした。このインク供給口の近傍に、インク吐出用のヒーター１０３を配置した。また、ヒーターに電力を供給する配線１０４を各ヒーターに結線した。
【００４３】
このインクジェット記録ヘッドを使って、吐出周波数８ＫＨｚで印字テストを行ったが、２７０ｍｍ幅全域にわたって、印字のカスレ、濃度ムラ、インクの不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【実施例２】
【００４４】
以下に、本発明の他の実施例を説明する。
【００４５】
構成は実施例１と同様で、インク供給口の長辺の長さを５ｍｍ、幅を２２０μｍとした。
【００４６】
このインクジェット記録ヘッドを使って、吐出周波数５ＫＨｚで印字テストを行ったが、２７０ｍｍ幅全域にわたって、印字のカスレ、濃度ムラ、インクの不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【実施例３】
【００４７】
本発明によるインクジェット記録ノズルの実施例のプロセスフローを図２１〜３７を使って順を追って説明する。
【００４８】
（１）３３０×１５０ｍｍ厚さ０．９ｍｍで基板面方位（１１０）、短辺の方位が（１００）、長辺の方位が（１１０）のシリコン基板３０１に、熱酸化法でＳｉＯ2  ３０２を１４０００Å形成し、フォトリソ技術によって図２１（平面図  図１９）のようにインク供給口を設けるための所望のパターンを形成した。
【００４９】
（２）Ａｌ９９．５Ｃｕ０．５を２０００Å堆積、パターニングして、下層配線３０５と犠牲層３０４を形成した。エッチング犠牲層は、裏面からエッチングが進行してエッチャントが犠牲層に到達するとＳｉウエハよりエッチングレートが格段に速いので短時間にエッチングされ、犠牲層パターンに対応した開口部を開けることができるものである。この時のパターンは基板に対して垂直にエッチング穴があくように、狭角が７０．５度をなす平行四辺形とし、平行四辺形の長辺および短辺は（１１１）と等価の面に平行になるように配置する。
【００５０】
また、この犠牲層の平行四辺形の長辺は、図１９のように基板の長辺に対して３５．２６度傾けて、複数に分割し基板長辺に平行に配列する。
【００５１】
犠牲層の長辺は３ｍｍ、幅は１６０μｍとした。
【００５２】
（３）基板表面上にプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜を６０００Å堆積、パターニングしてエッチングストップ層３０６とした。
【００５３】
（４）プラズマＣＶＤを使って、ＳｉＮ膜を７０００Å堆積して層間絶縁膜３０７とした。さらに、ドライエッチングを使って層間絶縁膜にコンタクトホール３０８を形成する。
【００５４】
（５）インク供給口に合わせてＴａＳｉＮを６００Å堆積、パターニングしてインク吐出圧力発生用ヒーター部３０９形成した。さらに電力供給用の電極３１０としてＡｌＣｕ膜を形成した。
【００５５】
（６）次にヒーター保護膜３１１として、プラズマＣＶＤのＳｉＮを３０００Å堆積、パターニングした。
【００５６】
（７）インクの発泡によるキャビテーションからヒーターを保護するため、Ｔａを３０００Å堆積パターニングして、耐キャビテーション膜３１２を形成した。
【００５７】
（８）樹脂製のノズルの密着性を上げるためと、裏面をアルカリエッチャントから保護するために、耐食性の高い樹脂膜（日立化成製  ＨＩＭＡＬ）３１３を２μｍ塗布焼成して形成し、ヒーター部とインク供給口部をパターニングで露出させた。
【００５８】
（９）インク流路確保のために、強アルカリや有機溶剤等で溶解可能な樹脂ポリメチルイソプロペニルケトン（東京応化  ＯＤＵＲ−１０１０）３１４をリソグラフィーを使ってパターニングした。
【００５９】
（１０）インク流路のパターンの上に、表１に示した感光性樹脂３１５を使ってインク流路層を形成した。
【００６０】
（１１）次に流路の被覆樹脂層をパターニングして、ヒーター部に対応したインク吐出口３１６と電極の外部接続部を形成する。この後、被覆樹脂層を熱によって硬化した。
【００６１】
（１２）この基板のノズル形成面側を保護するため耐食性レジストで保護膜（ＯＢＣ  東京応化）３１７を形成する。
【００６２】
（１３）裏面の樹脂製保護膜と絶縁膜をフォトリソ技術を使ってインク供給口のパターン部分３１８を除去しウエハ面を露出させる。このパターンの形状は、図２０のように犠牲層とは鏡像関係になるように形成する。
【００６３】
（１４）次に裏面の平行四辺形の狭角の近傍部分（裏面の平面図２０）に、ＹＡＧレーザーを用いてエッチング先導孔３１９を開けた。
【００６４】
この先導孔は、エッチングストップ層に限りなく近くまであける。この先導孔によって、平行四辺形の狭角から発生する斜めの（１１１）面が抑制される。
【００６５】
（１５）この基板をＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドライド）に９時間浸け、（１１１）面が出るように異方性エッチングした。
【００６６】
平面形状が平行四辺形の貫通穴３２０が形成される。
【００６７】
（１６）図３６のようにエッチングストップ層３０６のＳｉＮ膜をＣＤＥ（ケミカルドライエッチ）で部分的に除去してインク供給口３２１を開口した。
【００６８】
（１７）図３７のように保護膜３１７を除去し、最後にインク流路形成材を除去し、インクの流路３２２を確保する。
【００６９】
このインクジェット記録ヘッドを使って、吐出周波数５ＫＨｚで印字テストを行ったが、２７０ｍｍ幅全域にわたって、印字のカスレ、濃度ムラ、インクの不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【実施例４】
【００７０】
本発明によるインクジェット記録ノズルの実施例のプロセスフローを図３９〜
４２を使って順を追って説明する。
【００７１】
（１）２５０×１５０ｍｍ厚さ０．７ｍｍで基板面方位（１１０）、短辺の方位が（１００）、長辺の方位が（１１０）のシリコン基板４０１に、熱酸化法でＳｉＯ2４０２を７０００Å形成し、フォトリソ技術によって図２１（平面図  図１９）のようにインク供給口を設けるための所望のパターン４０３を形成した。
【００７２】
（２）ｐｏｌｙ−Ｓｉを３０００Å堆積、パターニングしてエッチング犠牲層４０４を形成した。
【００７３】
（３）基板表面上にプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜を６０００Å堆積、パターニングしてエッチングストップ層４０５とした。
【００７４】
（４）Ａｌ９９．５Ｃｕ０．５を３０００Å堆積、パターニングして、下層配線４０６を形成した。
【００７５】
以後は実施例３と同様の工程で、インクジェット記録ヘッドを形成した。
【００７６】
このインクジェット記録ヘッドを使って、吐出周波数７ＫＨｚで印字テストを行ったが、２２０ｍｍ幅全域にわたって、印字のカスレ、濃度ムラ、インクの不吐出のない高品位な印字物が得られた。
【００７７】
【表１】
2006224592.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明によるインクジェット記録ヘッド基板を示す概略図。
【図２】本発明によるＳｉ（１１０）ベース基板を示す概略図。
【図３】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図４】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図５】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図６】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図７】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図８】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図９】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１０】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１１】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１２】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１３】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１４】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１５】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１６】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１７】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図１８】本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板の断面の拡大図。
【図１９】本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板の表面のインク供給口パターンの概略図。
【図２０】本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板の裏面のインク供給口パターンの概略図。
【図２１】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２２】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２３】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２４】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２５】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２６】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２７】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２８】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図２９】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３０】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３１】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３２】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３３】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３４】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３５】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３６】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３７】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３８】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図３９】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図４０】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図４１】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【図４２】本発明によるインクジェット記録ヘッドの工程フローを示す図。
【符号の説明】
【００７９】
１０１  （１１０）面Ｓｉ単結晶基板
１０２  インク供給口
１０３  ヒーター
１０４  電極
２０１  （１１０）面Ｓｉ単結晶基板
２０２  絶縁膜
２０３  インク供給口開口部
２０４  犠牲層
２０５  下層電極
２０６  エッチングストップ層
２０７  エッチングストップ層
２０８  層間絶縁膜
２０９  コンタクトホール
２１１  上層電極
２１２  ヒーター
２１３  樹脂膜
２１４  インク流路形成樹脂
２１５  ノズル形成樹脂
２１６  ノズル
２１７  保護レジスト
２１８  裏面インク供給口パターン
２１９  レーザー先導孔
２２０  インク流路
２２１  インク流路
２２２  インク流路
３０１  Ｓｉ（１１０）基板
３０２  ＳｉＯ2
３０３  インク供給口パターン
３０４  犠牲層
３０５  下層電極
３０６  ＳｉＮ膜
３０７  ＳｉＮ膜
３０８  コンタクトホール
３０９  ＴａＳｉＮ膜
３１０  上層電極
３１１  保護膜
３１２  耐キャビテーション膜
３１３  ＨＩＭＡＬ膜
３１４  インク流路形成部材
３１５  ノズル形成樹脂
３１６  ノズル
３１７  保護レジスト
３１８  裏面インク供給口パターン
３１９  レーザー先導孔
３２０  インク流路
３２１  インク流路
３２２  インク流路
４０１  Ｓｉ（１１０）基板
４０２  ＳｉＯ2
４０３  インク供給口パターン
４０４  犠牲層（ポリシリコン膜）
４０５  エッチングストップ層（ＳｉＮ膜）
４０６  下層電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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