(57)【要約】【課題】  所定の荷重を超えないオーバードライブ状態でプローブを検査対象物に接触させることができるプローブカードを提供することを目的とする。【解決手段】  コンタクトユニット２は、プローブ２１が形成されたコンタクト基板２０に金属板２５を貼付して構成され、フレキシブル基板３０によって、メイン基板１０から上下動自在に吊り下げられている。このため、プローブ２１に当接させた検査対象物４０によってコンタクトユニット２が持ち上げられると、プローブ２１には実質的にコンタクトユニットの重量が付与され、この荷重はオーバードライブ量が変化しても一定のままであり、プローブに過大な針荷重が付与されるのを防止できる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メイン基板と、上記メイン基板から上下動自在に吊り下げられたコンタクトユニットとを備え、
上記コンタクトユニットは、少なくともコンタクト基板を有し、
上記コンタクト基板は、表面の面上に複数のプローブが形成され、裏面を上記メイン基板の下面に対向させ、
上記コンタクトユニットが、所定のオーバードライブの荷重に相当する重量を有することを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
上記コンタクトユニットは、上記コンタクト基板及び荷重部材からなり、
上記荷重部材は、上記コンタクト基板に取付けられ、上記所定のオーバードライブの荷重から上記コンタクト基板の重量を差し引いた重量を有することを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
上記コンタクトユニットの重心が、上記コンタクト基板上における上記プローブの配置領域内にあることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
【請求項４】
上記プローブは、電気鋳造法により形成された金属針からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
【請求項５】
上記コンタクト基板は、シリコン基板からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
【請求項６】
上記コンタクト基板は、線膨張係数が−３ｐｐｍ／℃以上かつ８ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードに関するもので、更に詳しくは、半導体ウエハ上に形成されたデバイスなどの検査対象物の電気的特性を検査する際に使用されるプローブカードの改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プローブカードとは、半導体集積回路の電極パッドにプローブ（接触探針）を接触させて、電極パッドの電気信号を取出すための電気的接続手段であって、一般的に、多層配線基板が使用され、この多層配線基板上に、半導体集積回路の電極パッドの数およびピッチに対応して複数のプローブが配列され、プローブから入った電気信号は多層配線基板を通じて所定間隔に配置された外部端子に導かれるように構成されている。
【０００３】
このプローブカードを使用して半導体ウエハ上のデバイスの電気的特性を検査する場合には、プローブカードをプローブ装置に取付け、プローブカードの外部端子の電気信号をプローブ装置外に取出せるように電気的な接続を行った後、プローブを半導体ウエハ上の電極パッドに押し付けている。
【０００４】
プローブと電極パッドとを良好に導通させるためには、単にプローブを電極パッドに接触させるだけでなく、プローブに所定の針荷重を与えて電極パッドに押し付けた状態にしておく必要がある。特に、複数の電極パッドに僅かな高低差がある場合には、一部のプローブと電極パッドとが接触した後、すべてのプローブをそれぞれ電極パッドに接触させるために、更に押し付けること（オーバードライブ）が行われている。
【０００５】
さらに、プローブカードと半導体ウエハとが平行でない場合には、半導体ウエハの傾きに倣ってプローブカードを傾斜させるプローブ装置が従来から提案されている（例えば、特許文献１）。この特許文献１に記載されたプローブ装置は、揺動自在のプッシャーを用いてプローブカードを押圧することによって、ウエハの傾きに応じてプローブカードも傾斜させ、プローブを電極パッドに押し付けて接触させている。
【０００６】
実際には、プローブカードが半導体ウエハの上方に空間を空けて固定され、上下動可能な台上に置かれた半導体ウエハが持ち上げられ、半導体ウエハ上のデバイスの電極パッドがプローブに接触させられる。そして、電極パッドに高低差がある場合およびプローブカードと半導体ウエハとが平行でない場合を想定して、複数のプローブのうちの最初のプローブが電極パッドに接触した後も、プローブカードと半導体ウエハとを大きな力で押し付け合うこと（オーバードライブ）が行われている。このオーバードライブによって全てのプローブが電極パッドに確実に接触することになる。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−８３８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
全てのプローブを検査対象の電極パッドに確実に接触させるためにオーバードライブが行われるが、過剰なオーバードライブは、プローブの変形、さらには破損を引き起こすという問題があった。検査対象のデバイスの電極パッド数が１００本程度の少ない場合には、一本あたりの荷重を例えば３グラムとすると、全体で３００グラムの力が加わることになる。しかも半導体ウエハの面上には検査対象が複数領域あって、順次に検査対象領域を変更するたびに、オーバードライブの荷重が加えられることになり、数千本のプローブを備えたプローブカードでは数キロから数十キロの荷重が何度も加えられることになっていた。そのため、数千本のプローブを備えたプローブカードの場合には、本数の増加に伴って、一本一本のプローブが数μｍから数十μｍの極めて微細な径寸法の形状となるが、このオーバードライブの荷重に耐える構造および材質の検討が進められ、ほぼ限界に近づいていた。
【０００９】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、所定の荷重を超えないオーバードライブ状態でプローブを検査対象物に接触させることができるプローブカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の本発明によるプローブカードは、メイン基板と、上記メイン基板から上下動自在に吊り下げられたコンタクトユニットとを備え、上記コンタクトユニットが、少なくともコンタクト基板を有し、上記コンタクト基板が、表面の面上に複数のプローブが形成され、裏面を上記メイン基板の下面に対向させ、上記コンタクトユニットが、所定のオーバードライブの荷重に相当する重量を有する。
【００１１】
この様な構成により、各プローブを検査対象物に接触させたオーバードライブ状態において、コンタクトユニットが検査対象物によって下方から持ち上げられ、コンタクトユニットがメイン基板に対して上下動自在となるとともに、各プローブには実質的にコンタクトユニットの重量のみが加えられる。このため、コンタクトユニットが検査対象物に倣って自らバランスをとって、コンタクト基板が検査対象物と平行になるとともに、オーバードライブの荷重を所定値にすることができる。
【００１２】
第２の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクトユニットが、上記コンタクト基板及び荷重部材からなり、上記荷重部材が、上記コンタクト基板に取付けられ、上記所定のオーバードライブの荷重から上記コンタクト基板の重量を差し引いた重量を有する。
【００１３】
この様な構成により、荷重部材の重量を調整することによって、コンタクト基板の重量にかかわらず、オーバードライブの荷重を任意に決定することができる。特に、コンタクト基板が多数のプローブを有し、大きなオーバードライブの荷重が必要とされる場合であっても、所望の荷重を確保することができる。
【００１４】
第３の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクトユニットの重心が、上記コンタクト基板上における上記プローブの配置領域内にあるように構成される。この様な構成により、各プローブに対して、オーバードライブの荷重を精度よく均等に付与することができる。
【００１５】
第４の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記プローブが、電気鋳造法により形成された金属針からなる。電気鋳造法によってプローブを形成することにより、コンタクト基板上に狭ピッチかつ短ストロークのプローブを配置することができる。従って、プローブ数をより増大させることができる一方で、オーバードライブの荷重としてより大きな荷重が必要とされ、また、コンタクト基板と検査対象物をより精度良く平行にすることが求められる。本発明は、この様なプローブカードに好適である。
【００１６】
第５の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクト基板は、シリコン基板からなる。この様な構成により、検査対象物がシリコン基板上の集積回路である場合、温度に応じて位置ずれを生じさせることがないため、例えば温度試験などに好適である。
【００１７】
第６の本発明によるプローブカードは、上記構成に加えて、上記コンタクト基板が、線膨張係数が−３ｐｐｍ／℃以上かつ８ｐｐｍ／℃以下となるように構成される。この様な構成により、検査対象物がシリコン基板上の集積回路である場合に、コンタクト基板がシリコン基板でない場合であっても、温度に応じて顕著な位置ずれを生じさせることがなく、例えば温度試験などに好適である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によるプローブカードは、オーバードライブ状態において、コンタクトユニットが検査対象物によって下方から持ち上げられ、コンタクトユニットがメイン基板に対して上下動自在となるとともに、各プローブには実質的にコンタクトユニットの重量のみが加えられる。その際、コンタクトユニットが検査対象物に倣って自らバランスをとって、コンタクト基板が検査対象物と平行になるとともに、オーバードライブの荷重を所定値にすることができる。従って、所定の荷重を超えないオーバードライブ状態でプローブを検査対象物に接触させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１の一例を示した外観図である。メイン基板１０及びコンタクト基板２０は、フレキシブル基板３０によって緩やかに係合され、メイン基板１０がプローブ装置によって水平に保持されている状態において、コンタクト基板２０は、メイン基板１０から吊り下げられ、フレキシブル基板３０によって制限される範囲内において、メイン基板１０に対して変位自在かつ揺動自在となる。
【００２０】
メイン基板１０は、プローブ装置に着脱可能に取り付けられ、コンタクト基板２０及びフレキシブル基板３０を支持する基板である。ここでは、円形形状からなるガラスエポキシ製の多層配線基板が、メイン基板１０として用いられている。このメイン基板１０の周縁部には多数の外部端子１１が形成されている。これらの外部端子１１は、図示しないテスターの信号端子と導通させるための端子であり、プローブ装置の構成に応じて、メイン基板１０の上面又は下面に設けられている。これらの外部端子１１は、メイン基板１０の多層配線を介して、より中央寄りの位置に形成されているマイクロコネクタ１２の端子にそれぞれ接続されている。
【００２１】
コンタクト基板２０は、その表面の面上に多数のプローブ２１が形成され、その裏面をメイン基板１０の下面に対向させて吊り下げられる基板である。ここでは、矩形形状からなるシリコン基板が、コンタクト基板２０として用いられている。プローブ２１は、電気鋳造法により形成された金属針であり、その詳細については後述する。コンタクト基板２０の裏面の周縁部には、電極パッドが設けられており、これらの電極パッドが、フレキシブル基板３０を介して、メイン基板１０に接続されている。
【００２２】
フレキシブル基板３０は、メイン基板１０及びコンタクト基板２０を電気的に接続する導電線の集合体であり、可撓性を有する薄い絶縁性基板上に配線パターンが形成されている。ここでは、メイン基板１０側を３つに分岐させた形状からなるフィルム基板が用いられており、各分岐部分の先端には、メイン基板１０のマイクロコネクタ１２と着脱可能に係合させるマイクロコネクタ３１がそれぞれ設けられている。上記フィルム基板としては、ポリイミド、ガラスエポキシ、ＴＬＣＰ（Thermotropic Liquid Crystal Polymer）などを用いることができる。
【００２３】
図２〜図４は、コンタクト基板２０の詳細構成例を示した図である。図２には表面側の外観の一例が示され、図３には裏面側の外観の一例が示され、さらに、図４には、裏面側の外観の他の例が示されている。コンタクト基板２０の表面には、プローブ２１及び配線パターン２３が形成されている。また、プローブ２１が形成されている領域がプローブ配置領域２４である。本実施の形態では、コンタクト基板２０の表面の中央に、多数のプローブ２１が２列に整列配置されており、プローブ配置領域２４は、これらのプローブ２１によって囲まれた矩形領域である。配線パターン２３は、その一端がプローブ２１に接続され、その他端が、配線間ピッチを拡大させながら周縁部へ延びている。
【００２４】
一方、コンタクト基板２０の裏面側は、中央部に金属板２５，２５ａ〜２５ｄが貼付されるとともに、周縁部に電極パッド２２が形成されている。表面側の配線パターン２３は、周縁部においてコンタクト基板２０を貫通するスルーホール（不図示）を介して、電極パッド２２に接続されている。各電極パッド２２には、フレキシブル基板３０の端子３２がバンプボンディングされ、メイン基板１０に接続される。
【００２５】
図３では、電極パッド２２が形成されている周縁部を残して、矩形形状からなる金属板２５がコンタクト基板２０の裏面に貼付されている。例えば、板状のモリブデン（Ｍｏ）が金属板２５として用いられる。また、図４では、４枚の金属板２５ａ〜２５ｄがコンタクト基板２０上に貼付されている。これらのコンタクト基板２０及び金属板２５（又は２５ａ〜２５ｄ）は、一体として、変位自在かつ揺動自在にメイン基板１０に支持されるコンタクトユニット２を構成している。
【００２６】
このコンタクトユニット２は、被検査対象物によって持ち上げられることにより、オーバードライブ時にフリー状態となり、各プローブ２１には実質的にコンタクトユニット２の重量のみが付与される。つまり、コンタクトユニット２の重量がオーバードライブの荷重に相当する。このため、コンタクト基板２０に金属板２５，２５ａ〜２５ｄを貼付することによってコンタクトユニット２の重量を調整すれば、所定のオーバードライブ荷重を確保することができる。
【００２７】
さらに、コンタクト基板２０の裏面に金属板２５，２５ａ〜２５ｄを貼付することにより、コンタクト基板２０を補強することができる。この様にして、荷重部材及び補強部材としての金属板２５，２５ａ〜２５ｄを用いることによって、コンタクト基板２０の材質や形状にかかわらず、オーバドライブ荷重に相当するコンタクトユニット２の重量を確保しつつ、構造的強度も向上させることができるので、コンタクト基板２０の材質及び形状の選択の自由度を高めることができる。
【００２８】
また、オーバードライブ時の各プローブ２１に均等に針荷重を与えるためには、コンタクトユニット２の重心がプローブ配置領域２４内に位置するように、金属板２５，２５ａ〜２５ｄを配置しておくことが望ましい。例えば、図３では、金属板２５が、プローブ配置領域２４内の点を中心として対称な形状からなり、また、図４では複数の金属板２５ａ〜２５ｄが上記点を中心として対称に配置されている。
【００２９】
なお、コンタクト基板２０の重量だけで所望のオーバードライブ荷重が得られる場合であれば、金属板２５，２５ａ〜２５ｄを用いなくてもよい。この場合、上記コンタクトユニット２は、コンタクト基板２０のみによって構成されることになる。
【００３０】
例えば、コンタクト基板２０上に１０００本のプローブ２１が形成され、これらのプローブ２１をオーバードライブするために必要となる１本当たりの針荷重が０．５ｇであった場合、コンタクトユニット２の重量として５００ｇが必要となる。一方、シリコンの比重は常温で２．３３であることから、一辺５ｃｍの正方形で厚さ４００μｍのシリコン基板からなるコンタクト基板２０は２．３３ｇとなる。従って、これらの差分に相当する約４９８ｇの金属板２５をコンタクト基板２０に貼付すれば、コンタクトユニット２の重量を５００ｇにすることができる。
【００３１】
また、コンタクト基板２０をより厚くすれば、金属板２５を用いることなく重量を５００ｇにすることもできる。しかしながら、コンタクト基板２０が厚くなれば、コンタクト基板２０のスルーホールの加工が困難になるため、不足分に相当する重量の金属板２５をコンタクト基板２０に貼付することが望ましい。
【００３２】
さらに、電気鋳造法によってプローブを形成すれば、コンタクト基板２０上に５０００〜１００００本のプローブ２１を形成することが可能になる。通常、針荷重として０．１〜５ｇが必要であり、プローブ数が５０００〜１００００本になれば、数ｋｇ又はそれ以上のオーバードライブ荷重が必要になる。このような場合、コンタクト基板２０の重量だけでは十分なオーバードライブ荷重を確保することことはできず、不足分の重量を金属板２５によって補う必要がある。
【００３３】
図５は、プローブ装置に取り付けられた状態のプローブカード１を示した図であり、図中の（ａ）には、シリコンウエハ４０とのコンタクト前、（ｂ）には、シリコンウエハ４０とのコンタクト後の様子がそれぞれ示されている。検査対象物としてのシリコンウエハ４０は、集積回路が形成された面を上にして可動テーブル４１上に載置され、真空吸着されている。この可動テーブル４１を水平面内で移動又は回転させ、プローブ２１及びシリコンウエハ４０の位置合わせを行った後に、可動テーブル４１を上昇させてプローブ２１をシリコンウエハ４０上の電極パッドにコンタクトさせて、上記集積回路の電気的特性の検査が行われる。
【００３４】
コンタクト前のコンタクト基板２０は、フレキシブル基板３０の長さに応じた位置において、メイン基板１０から脱落しないようにフレキシブル基板３０によって吊り下げられている。つまり、コンタクト基板２０は、コンタクトユニット２の重量に相当する垂直成分を有する反力をフレキシブル基板３０から受けている。
【００３５】
検査時には、可動テーブル４１を所定の検査位置で停止させることによって、プローブ２１がオーバードライブ状態となる。この検査位置は、プローブ２１がシリコンウエハ４０に当接しはじめる位置よりも更に高く、かつ、コンタクトユニット２をメイン基板１０に接触させない位置として予め定められている。つまり、オーバードライブ時には、コンタクト基板２０がシリコンウエハ４０によって僅かに持ち上げられ、フレキシブル基板３０が撓んだ状態になっている。
【００３６】
このとき、コンタクト基板２０が、フレキシブル基板３０から受ける力の垂直成分は、コンタクトユニット２の重量に比べれば、無視できる値となっている。従って、各プローブ２１に付与される針荷重の合計、すなわち、オーバードライブの荷重は、実質的に、コンタクトユニット２の重量に一致している。
【００３７】
発明者の実験によれば、上記プローブカード１にシリコンウエハ４０をコンタクトさせた状態において、コンタクト基板２０がフレキシブル基板３０から受ける力の垂直成分は１０ｇ未満であった。つまり、コンタクトユニット２の重量が５００ｇ以上であれば、その２％未満に過ぎない。従って、十分な可撓性を有するフレキシブル基板３０を用いれば、コンタクト基板２０がフレキシブル基板３０から受ける力が、プローブ２１の針荷重に与える影響は無視することができる。
【００３８】
また、シリコンウエハ４０によって持ち上げられたコンタクト基板２０は、メイン基板１０に対して変位自在かつ揺動自在なフリー状態となり、シリコンウエハ４０に対するコンタクト基板２０の傾きは、各プローブ２１が、シリコンウエハ４０から受ける反力のみによって決定される。つまり、フリー状態となったコンタクト基板２０をシリコンウエハ４０上でバランスさせて、コンタクト基板２０の傾きを決定することができる。従って、シリコンウエハ４０上の電極パッドに高低差があるような場合であっても、従来のようなメカニカルな揺動機構を利用した技術とは比較にならない高い精度で傾き調整を行うことができる。
【００３９】
図６は、オーバードライブ荷重とオーバードライブ量との関係の一例を示した図であり、（ａ）には本実施の形態によるプローブカード１の場合、（ｂ）には従来のプローブカードの場合がそれぞれ示されている。なお、オーバードライブ量は、プローブ２１が電極パッドに当接し始める状態を基準として、更に可動テーブル４１を上昇させた距離であり、オーバードライブ荷重は、各プローブ２１に付与している荷重の和である。
【００４０】
従来のプローブカードの場合、プローブ２１がメイン基板１０に固定されているため、図６の（ｂ）に示した通り、全区間にわたって、オーバードライブ量を増大させれば、オーバードライブ荷重も増大する。この図では、オーバードライブ量がＨ１の場合、プローブ２１に対して所望のオーバードライブ荷重Ｆａが付与されているが、オーバードライブ量がＨｙに達すれば、プローブ２１に対し破壊限界荷重Ｆｂが付与される。破壊限界荷重Ｆｂとは、プローブ２１を塑性変形させることができるオーバードライブ荷重の最大値であり、破壊限界荷重Ｆｂを越えるオーバードライブ荷重を付与すればプローブ２１が破壊される。
【００４１】
このため、従来のプローブカードを用いる場合、プローブ２１を破壊することなく、プローブ２１に所望の針荷重を付与するためには、可動ステージ４１の昇降駆動を高い精度で制御する必要があった。さらに、可動ステージ４１の高さを精度良く駆動したとしても、プローブカードに対する被検査対象物の傾きや、被検査対象物の電極パッドの高低差や、これらの被検査対象物ごとのばらつきによって、各プローブ２１に所望の針荷重を付与することは容易ではなかった。
【００４２】
これに対し、本実施の形態によるプローブカードを用いた場合、図６の（ａ）に示した通り、オーバードライブ荷重の変化は、３つの区間Ａ１〜Ａ３に区分することができる。オーバードライブ量がＨ１以下の区間Ａ１は、一部のプローブ２１のみがシリコンウエハ４０にコンタクトしている区間であり、オーバードライブ量を増大させればオーバードライブ荷重も増大する。
【００４３】
オーバードライブ量がＨ１〜Ｈ２となる区間Ａ２では、オーバードライブ量を増大させてもオーバードライブ荷重は一定となる。この区間Ａ２では、オーバードライブ量を増大させても、それに応じてコンタクトユニット２が持ち上げられ、その高さが変化するのみであり、オーバードライブ量にかかわらず、各プローブ２１にはコンタクトユニット２の重量に相当するオーバードライブ荷重Ｆａが付与されている。
【００４４】
オーバードライブ量がＨ２以上の区間Ａ３では、コンタクトユニット２がメイン基板１０に当接し、オーバードライブ量に応じてオーバードライブ荷重が再び増大しはじめる。この結果、オーバードライブ量がＨｘに達すれば、プローブ２１に破壊限界荷重Ｆｂが付与される。
【００４５】
つまり、区間Ａ２内では、可動ステージ４１を上昇駆動しても針荷重は変化せず、コンタクトユニット２の重量を予め調整しておけば、区間Ａ２内において、常に、所望の針荷重Ｆａを得ることができる。また、区間Ａ２を設けることによって、図６の（ａ）中のオーバードライブ量がＨ１〜Ｈｘとなる区間長が、図６の（ｂ）のオーバードライブ量がＨ１〜Ｈｙとなる区間長よりも長くなる。つまり、プローブ２１を破壊せず、かつ、所望のオーバードライブ荷重を確保することができるオーバードライブ区間を長くすることができる。従って、可動ステージ４１の駆動制御に高い精度は要求されず、また、プローブ２１に過大な針荷重が付与されて破壊されるのを抑制することができる。
【００４６】
実施の形態２．
実施の形態１では、プローブ２１が、コンタクト基板２０上のプローブ配置領域２４内において２列に整列配置させている場合の例について説明したが、本発明は、この様な場合に限定されるものではない。
【００４７】
図７は、本発明の実施の形態２によるプローブカードの一例を示した図である。このプローブカードは、コンタクト基板２０の中央のプローブ配置領域２４内に、プローブがマトリクス状に配列されている。この様にして、プローブ２１は、プローブ配置領域２４内に３列以上が整列配置されていてもよい。また、その他の任意の配置であってもよい。
【００４８】
なお、上記実施の形態では、コンタクト基板２０にシリコン基板を用いているため、温度条件にかかわらず、被検査対象物との良好なコンタクトが得られる。通常、プローブ２１は、被検査対象物の電極パッドの位置に対応するコンタクト基板２０上の位置に配置されている。このため、温度に応じてコンタクト基板２０が膨張又は収縮すれば、プローブ２１のピッチも変化する。同様にして、電極パッドのピッチも温度に応じて変化する。このため、被検査対象物がシリコン基板上に形成された集積回路である場合、シリコンを主成分とするコンタクト基板２０を用いれば、両者の熱膨張係数を一致させることができ、温度条件にかかわらず、良好なコンタクトが得られる。
【００４９】
また、コンタクト基板２０としてシリコン以外の材質からなる基板を用いることもできる。例えば、ポリイミド、ガラスエポキシ、ＴＬＣＰ等からなる絶縁性フィルムをコンタクト基板２０として用いることができる。この場合、導電線としてのフレキシブル基板３０の一部をコンタクト基板２０とし、両者を一体に構成することもできる。ただし、コンタクト基板２０としてシリコン基板以外を使用する場合、シリコンに近い熱膨張係数を有する素材を使用することが望ましい。シリコンの線膨張係数は２〜４ｐｐｍ／℃であることから、コンタクト基板２０には、線膨張係数が−３〜９ｐｐｍ／℃の素材を用いることが望ましい。
【００５０】
また、プローブ２１は、電気鋳造法により形成されたものには限定されない。例えば、板バネ状の金属の先端を尖鋭化させたプローブ、いわゆるカンチレバー式のプローブを用いることもできる。
【００５１】
また、図６の（ａ）では、最も好ましい実施形態として、区間Ａ２において針荷重が一定となる場合の例について説明したが、本発明は、このような場合に必ずしも限定されない。すなわち、所望のオーバードライブ荷重Ｆａが得られる区間Ａ２が、オーバードライブ量Ｈ１〜Ｈｘ内に存在し、当該区間Ａ２におけるオーバードライブ荷重の傾きの平均値が、他の区間Ａ１，Ａ３におけるオーバードライブ荷重の傾きの平均値よりも小さくなっていればよい。また、図６の（ａ）では、便宜上、区間Ａ１及びＡ３内における特性が直線で示されているが、本発明はこのような場合に限定されないことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１によるプローブカード１の一例を示した外観図である。
【図２】図１のコンタクト基板２０の詳細構成例を示した図であり、下面側の外観が示されている。
【図３】図１のコンタクト基板２０の詳細構成例を示した図であり、上面側の外観の一例が示されている。
【図４】図１のコンタクト基板２０の詳細構成例を示した図であり、上面側の外観の他の例が示されている。
【図５】プローブ装置に取り付けられたプローブカード１を示した図であり、シリコンウエハとのコンタクト前後の様子が示されている。
【図６】オーバードライブ荷重とオーバードライブ量との関係の一例を示した図である。
【図７】本発明の実施の形態２によるプローブカード１の一例を示した図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    プローブカード
２    コンタクトユニット
１０  メイン基板
１１  外部端子
１２  マイクロコネクタ
２０  コンタクト基板
２１  プローブ
２２  電極パッド
２３  配線パターン
２４  プローブ配置領域
２５，２５ａ〜２５ｄ  金属板
３０  フレキシブル基板
３２  端子
４０  シリコンウエハ
４１  可動テーブル
【図１】
2006317294.tif 000003
【図２】
2006317294.tif 000004
【図３】
2006317294.tif 000005
【図４】
2006317294.tif 000006
【図５】
2006317294.tif 000007
【図６】
2006317294.tif 000008
【図７】
2006317294.tif 000009