(57)【要約】【課題】  レジスト膜に付着した異物を除去し、パターン異常を低減する。【解決手段】  洗浄液を用いてレジスト膜３０１を洗浄し、レジスト膜３０１に付着した臭化カリウム等の異物を除去する（Ｓ６）。尚、臭化カリウムに限定されず、各種工程の諸条件に応じてレジスト膜３０１に付着する異物が異なるため、これら異物をレジスト膜３０１から除去するのに適した洗浄液を用いてレジスト膜３０１を洗浄することが可能である。例えば、レジスト膜３０１に付着した異物に除去できるようにｐｈ値が調整された洗浄液を用いてレジスト膜３０１を洗浄してもよい。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層された複数の膜上における同一のレジスト膜を介して前記複数の膜をエッチングする工程を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記複数の膜のうち一の膜をエッチングする第１工程と、
前記複数の膜のうち前記一の膜の下層側に形成された他の膜を前記レジスト膜を介してエッチングする第２工程と、
前記第１工程及び前記第２工程間に、前記レジスト膜を洗浄する第３工程とを備えたこと
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程において、臭素を含むガスを用いて前記一の膜をエッチングし、前記第１工程及び前記第３工程間に、前記レジスト膜を大気に曝すこと
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３工程において、水を含む洗浄液を用いて前記レジスト膜を洗浄すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記第３工程において、前記レジスト膜を傷めないように前記レジスト膜及び前記他の膜の表面を酸素プラズマによって洗浄すること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記一の膜は、前記複数の膜のうち最上層に形成された第１導電膜であり、
前記他の膜は、前記第１導電膜の下面で前記第１導電膜に接する誘電体膜と、該誘電体膜の下面で前記誘電体膜に接する第２導電膜とを有しており、
前記第１導電膜、前記誘電体膜、及び前記第２導電膜は、画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する保持容量を構成しており、
前記第１工程において、前記レジスト膜を介して前記第１導電膜をエッチングし、前記第２工程において、前記レジスト膜を介して前記誘電体膜をエッチングすること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記一の膜は、前記複数の膜のうち最上層に形成された第１導電膜及びその下の誘電体膜の積層膜であり、
前記他の膜は、前記誘電体膜の下面で前記誘電体膜に接する第２導電膜であり、
前記第１導電膜、前記誘電体膜、及び前記第２導電膜は、画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する保持容量を構成しており、
前記第１工程において、前記レジスト膜を介して前記第１導電膜及び前記誘電体膜をエッチングし、前記第２工程において、前記レジスト膜を介して前記第２導電膜をエッチングすること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて製造されたこと
を特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【請求項９】
基板上に積層された複数の膜上における同一のレジスト膜を介して前記複数の膜をエッチングする工程を備えた半導体基板の製造方法であって、
前記複数の膜のうち一の膜をエッチングする第１工程と、
前記複数の膜のうち前記一の膜の下層側に形成された他の膜を前記レジスト膜を介してエッチングする第２工程と、
前記第１工程及び前記第２工程間に、前記レジスト膜を洗浄する第３工程とを備えたこと
を特徴とする半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、保持容量を構成する導電膜及び誘電体膜等の膜を同一のレジスト膜を介してエッチングすることによって液晶装置等の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及びこれを備えた電子機器、並びに半導体基板の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、一対の基板間に液晶等の電気光学物質を挟持してなり、これらを貫くように光を透過させることで、画像の表示が行われる。このような電気光学装置としては、前記一対の基板の一方の上に、マトリクス状に配列された画素電極、該画素電極間を縫うように設けられた走査線及びデータ線、加えて、画素スイッチング用素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）等を備えることによって、アクティブマトリクス駆動可能なものが提供されている。このような電気光学装置では、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された保持容量を備えることによって一般にアクティブマトリクス駆動される。この保持容量は、画素電極に印加された電位を一定期間保持し、各画素における電位保持特性を顕著に向上させることを可能にする。保持容量は、その容量の確保を目的として一対の電極間に挟まれた２層の誘電体膜を含む場合が多い。保持容量を構成する誘電体膜と、ＴＦＴ及び画素電極と電気的に接続される導電膜とは、基板上に形成された絶縁膜上に形成された後、所定のパターンを有するレジスト膜を介してエッチングされ、保持容量が所定の領域に形成される。
【０００３】
また、特許文献１は、薄膜トランジスタのチャンネルエッチングの均一性を高めるために、酸素プラズマによって金属残渣を除去する薄膜トランジスタの製造方法を開示している。特許文献２は、半導体装置を製造する際に、タンタル酸化膜を含む被加工膜をドライエッチングした後のポリマー残渣を除去する方法を開示している。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２８３４２７号公報
【特許文献２】特開２００４−３４９５３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置では、製造工程を簡便にするために誘電体膜及び導電膜等からなる複数の膜をこれら膜上に形成された同一のレジスト膜を介して一括、或いは順次エッチングする場合がある。
【０００６】
しかしながら、レジスト膜を介して任意の膜をエッチングした後、その下側に形成された他の膜を同一のレジスト膜を介してエッチングした場合には、上述の任意の膜をエッチングした後にレジスト膜にパターン異常が生じ、続く他の膜のエッチング工程において他の膜を所定にパターンにエッチングできない場合がある。より具体的には、例えば保持容量を構成する導電膜の一例であるポリシリコン膜をその上に形成されたレジスト膜でエッチングした後、このポリシリコン膜の下側に形成された酸化シリコン膜等の誘電体膜をレジスト膜を介してエッチングした場合には、酸化シリコン膜に多数のパターン異常が生じることを本願発明者は確認している。
【０００７】
このようなパターン異常は、正常に動作する液晶装置等の電気光学装置に見られるパターン異常に比べて極端に多く、製造プロセスにおける電気光学装置の歩留まりを低下させる原因の一つとなる。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、同一のレジスト膜を介してその下側に形成された複数の膜を一括、或いは順次エッチングする際に生じるレジスト膜のパターン異常を低減できる電気光学装置の製造方法、これを用いて製造された電気光学装置、及びこれを具備してなる電子機器、並びに半導体基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に積層された複数の膜上における同一のレジスト膜を介して前記複数の膜をエッチングする工程を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記複数の膜のうち一の膜をエッチングする第１工程と、前記複数の膜のうち前記一の膜の下層側に形成された他の膜を前記レジスト膜を介してエッチングする第２工程と、前記第１工程及び前記第２工程間に、前記レジスト膜を洗浄する第３工程とを備える。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、第１工程の後にレジスト膜に付着した異物を第３工程によって洗浄し、異物が除去された所定のパターン形状を有するレジスト膜を介して、一の膜の下層側に形成された他の膜をエッチングすることができる。レジスト膜に付着する異物は、第１工程の後の個別具体的な製造プロセスに応じて生成されるものであり、第１工程及び第２工程間にレジスト膜が曝される雰囲気等の条件によって個別に異なる。第３工程では、このような異物を除去できる手法を用いてレジスト膜を洗浄する。
【００１１】
したがって、本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、同一のレジスト膜を用いて、一の膜及び他の膜を順次エッチングした場合でも、他の膜を所定のパターンにエッチングでき、パターン異常を低減することが可能である。
【００１２】
尚、「膜」は、電気光学装置が備える各種多層構造或いは素子を構成する薄膜であれば如何なる薄膜であってもよい。このような膜は、一旦積層された後、例えばこれら膜で構成される素子の構造に合わせて第１工程及び第２工程を経て所定のパターン形状にエッチングされる。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、所定のパターンに維持されたレジスト膜を介して膜をエッチングできるため、膜のパターン異常に起因する不具合を低減することが可能である。したがって、同一のレジスト膜を介して複数の膜をエッチングすることにより、高品質な電気光学装置を効率良く製造できる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一の態様では、前記第１工程において、臭素を含むガスを用いて前記一の膜をエッチングし、前記第１工程及び前記第３工程間に、前記レジスト膜を大気に曝してもよい。
【００１５】
この態様では、レジスト膜を大気に曝すことにより、大気中に含まれるカリウム及び一の膜に付着した臭素が結合し、臭化カリウムが生成される。生成された臭化カリウムは、レジスト膜の付着し、レジスト膜のパターンに異常の一因となる。
【００１６】
そこで、第１工程に続いて行われる第３工程においてレジスト膜を洗浄し、レジスト膜に付着した臭化カリウムを除去することによってレジスト膜のパターン異常を低減することが可能である。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程において、水を含む洗浄液を用いて前記レジスト膜を洗浄してもよい。
【００１８】
この態様によれば、レジスト膜に付着した異物を洗浄液によって洗浄することができ、レジスト膜のパターン異常を低減できる。この洗浄液は水を含んでおり、除去すべき異物がレジスト膜から除去できるように、例えば異物に合わせたｐｈ値を有する洗浄液が用いられる。また、洗浄液は、所定のｐｈ値になるように水に所定の物質を溶解させた場合に限定されるものではなく、純水或いはこれに順ずる洗浄用の水であってもよい。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第３工程において、前記レジスト膜を傷めないように前記レジスト膜及び前記他の膜の表面を酸素プラズマによって洗浄してもよい。
【００２０】
この態様によれば、レジスト膜に付着した異物を酸素プラズマを用いて除去することが可能である。この場合、例えば酸素プラズマをレジスト膜に照射する条件は、レジスト膜の構成材料及び異物の特性に応じて個別具体的に設定される。
【００２１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記一の膜は、前記複数の膜のうち最上層に形成された第１導電膜であり、前記他の膜は、前記第１導電膜の下面で前記第１導電膜に接する誘電体膜と、該誘電体膜の下面で前記誘電体膜に接する第２導電膜とを有しており、前記第１導電膜、前記誘電体膜、及び前記第２導電膜は、画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する保持容量を構成しており、前記第１工程において、前記レジスト膜を介して前記第１導電膜をエッチングし、前記第２工程において、前記レジスト膜を介して前記誘電体膜をエッチングしてもよい。
【００２２】
この態様によれば、例えば、ポリシリコン膜等の第１導電膜を酸化シリコン膜等の誘電体膜上に形成した後、第１工程においてポリシリコン膜をレジスト膜を介してエッチングした後、第３工程においてレジスト膜に付着した異物を除去し、第２工程において同一のレジスト膜を介して酸化シリコン膜をパターン異常を生じさせることなくエッチングできる。
【００２３】
したがって、この態様によれば、例えば基板上における画像表示領域に形成される保持容量を所定に領域に形成でき、画像信号を一時的に維持できる十分な容量が確保できるように、設計どおりに保持容量を形成することが可能である。尚、第１導電膜、第２導電膜、及び誘電体膜は、保持容量及び電気光学装置の設計に合わせて個別具体的に適用な材料及び成膜方法によって形成されていればよく、上述したポリシリコン膜及び酸化シリコン膜に限定されるものではない。また、第１導電膜及び第２導電膜は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成されていてもよく、誘電体膜は、単層構造に限定されず、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜及び酸化シリコン膜からなる２層構造、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というように三層構造や、或いはそれ以上の多層構造を有するように構成されていてもよい。
【００２４】
尚、本願発明者は、レジスト膜のパターン異常は、ポリシリコン膜をエッチングした後にレジスト膜に付着する異物が原因である推定し、不具合が生じた液晶装置等の電気光学装置において、ポリシリコン膜等の第１導電膜をエッチングした後にレジスト膜に存在するパターン異常が正常な電気光学装置に比べて格段に多いことを確認している。加えて、第３工程において、レジスト膜を洗浄することによって電気光学装置の不具合の発生数が低減されていることも確認している。したがって、この態様によれば、同一のレジスト膜を介して第１導電膜、第２導電膜、及び誘電体膜を順次エッチングすることによって高品質の電気光学装置を効率良く製造することが可能である。
【００２５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記一の膜は、前記複数の膜のうち最上層に形成された第１導電膜及びその下の誘電体膜の積層膜であり、前記他の膜は、前記誘電体膜の下面で前記誘電体膜に接する第２導電膜であり、前記第１導電膜、前記誘電体膜、及び前記第２導電膜は、画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する保持容量を構成しており、前記第１工程において、前記レジスト膜を介して前記第１導電膜及び前記誘電体膜をエッチングし、前記第２工程において、前記レジスト膜を介して前記第２導電膜をエッチングしてもよい。
【００２６】
この態様によれば、第２導電膜及び誘電体膜の間で洗浄工程を入れることができる。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置の製造方法を用いて製造されている。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置によれば、本発明の電気光学装置の製造方法によって製造されているので、膜のパターン異常が低減されており、高品質且つ歩留まりが高い電気光学装置を提供できる。
【００２９】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００３０】
本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル、反射型の液晶装置であるＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）などの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００３１】
本発明に係る半導体基板の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に積層された複数の膜上における同一のレジスト膜を介して前記複数の膜をエッチングする工程を備えた半導体基板の製造方法であって、前記複数の膜のうち一の膜をエッチングする第１工程と、前記複数の膜のうち前記一の膜の下層側に形成された他の膜を前記レジスト膜を介してエッチングする第２工程と、前記第１工程及び前記第２工程間に、前記レジスト膜を洗浄する第３工程とを備えている。
【００３２】
本発明に係る半導体基板の製造方法によれば、上述の本発明の電気光学装置の製造方法と同様に、同一のレジスト膜を介して複数の膜をエッチングすることにより、高品質な半導体基板を効率良く製造できる。
【００３３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照しながら本実施形態の電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器、並びに半導体基板の製造方法を説明する。本実施形態では、電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス駆動される液晶装置を挙げる。
【００３５】
先ず、本実施形態の液晶装置における画素部の構成について、図１から図４を参照して説明する。図１は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のうち特にデータ線、シールド層及び画素電極の配置関係を示すためこれらの要素を抜き出して描いた平面図である。図４は、図２のＡ−Ａ´断面図である。尚、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００３６】
図１において、本実施形態における液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００３７】
ＴＦＴ３０のゲートは走査線３ａに電気的に接続されている。本実施形態の液晶装置は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。
【００３８】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００３９】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０を付加する。保持容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００４０】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２乃至図４を参照して説明する。
【００４１】
先ず、図２において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び後述する下側遮光膜１１ａがその機能を兼ねる走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなる。走査線として機能する下側遮光膜１１ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´が形成されている。このように、島状に形成されたチャネル領域１ａ´に応じてゲート電極３ａａが島状に形成されている。走査線とデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００４２】
次に、液晶装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図４に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００４３】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の側には画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図５及び図６参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００４４】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。図４に示すように、この積層構造は下から順に、走査線３ａを兼ねる下側遮光膜１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０を含む第２層、保持容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、シールド層４００が形成される第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁層４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁層４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁層４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁層４４が夫々設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【００４５】
第１層には、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、図４中Ｘ方向に延在するストライプ状に形成されている。尚、下側遮光膜１１ａについては、図２に示すように、データ線６ａが延在する方向に沿って突出部を有している。これにより各画素の開口領域を規定している（図２参照）。但し、相隣接する下側遮光膜１１ａから延びる突出部は相互に接触することはなく、互いに電気的に絶縁されている。こうしないと、下側遮光膜１１ａを、走査線３ａとして機能させることができないからである。
【００４６】
次に、第２層には、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´に対向するように、ゲート電極３ａａが設けられることにより、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、ゲート電極３ａａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線としての下側遮光膜１１ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００４７】
尚、ＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００４８】
第２層には、ゲート電極３ａａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。中継電極７１９は、平面的に見て、図２に示すように、各画素電極９ａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９と、ゲート電極３ａａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００４９】
以上説明した下側遮光膜１１ａの上、且つＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００５０】
下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａａが形成されていることにより、ゲート電極３ａａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２に示されるように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００５１】
側壁部３ｂは、コンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が下側遮光膜１１ａと接している。下側遮光膜１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａａ及び下側遮光膜１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００５２】
次に、第３層には、保持容量７０を構成する第１中継層７１、誘電体膜７５及び容量電極３００が形成されている。保持容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての第１中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。保持容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る保持容量７０は、図２に示すように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、液晶装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００５３】
より詳細には、第１中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。但し、第１中継層７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、第１中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３、８８１、８８２、４０２及び８９を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を有する。第１中継層７１は、後述する容量電極３００の平面形状と略同一の形状を有するように形成されている。
【００５４】
容量電極３００は、保持容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた、後述するシールド層４００と電気的接続が図られることによりなされている。容量電極３００は、例えば、下側遮光膜１１ａと同様に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から構成するとよい。これによれば、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００５５】
誘電体膜７５は、図４に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコ
ン膜、或いは窒化シリコン膜等の誘電体から構成される。
【００５６】
本実施形態においては特に、誘電体膜７５は、一層の酸化シリコン膜で構成されているが、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を積層した二層構造を有していてもよい。このような多層構造を有する誘電体膜によれば、一層の誘電体によって保持容量７０を構成する場合より容量を大きくとることが可能である。尚、誘電体膜７５は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というように三層構造や、或いはそれ以上の蓄積構造を有するように構成してもよい。
【００５７】
以上述べた、ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａａ及び中継電極７１９の上、且つ、保持容量７０の下には、第１層間絶縁層４１が形成されている。該第１層間絶縁層４１は、上述と略同様に、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等で構成すればよい。
【００５８】
第１層間絶縁層４１には、下部電極７１の図４中下面に電気的接続点をもつように配置された、コンタクトホール８８１が開孔されている。これにより、第１中継層７１及び中継電極７１９間の電気的接続が図られることになる。第１層間絶縁層４１には、後述する第２中継層６ａ２との電気的接続を図るため、第２層間絶縁層４２をも貫通するように開孔されたコンタクトホール８８２が開孔されている。更に、第１層間絶縁層４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁層４２を貫通しつつ開孔されている。加えて、第１層間絶縁層４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと保持容量７０を構成する第１中継層７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【００５９】
第４層にはデータ線６ａが形成される。データ線６ａは、図４に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層４１Ａ、窒化チタンからなる層４１ＴＮ、窒化シリコン膜からなる層４０１の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜４０１は、その下層のアルミニウム層４１Ａと窒化チタン層４１ＴＮを覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。
【００６０】
第４層には、データ線６ａと同一膜として、シールド層用中継層６ａ１及び第２中継層６ａ２が形成されている。これらは、図２に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００６１】
以上述べた、保持容量７０の上、且つ、データ線６ａの下には、第２層間絶縁層４２が形成されているが、第２層間絶縁層４２は、上述と略同様に、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等で構成すればよい。第２層間絶縁層４２には、シールド層用中継層６ａ１と保持容量７０上の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。更に、第２層間絶縁層４２には、第２中継層６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、コンタクトホール８８２が形成されている。
【００６２】
次に、第５層には、シールド層４００が形成されている。シールド層４００は、平面的にみると、図２及び図３に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つデータ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継層４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００６３】
図２及び図３中ＸＹ方向それぞれに延在するシールド層４００の交差部分の隅部においては、この隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。シールド層４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。従って、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。シールド層４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００６４】
このように、データ線６ａの全体を覆うように形成されているとともに（図３参照）、固定電位とされたシールド層４００の存在によれば、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、データ線６ａへの通電に応じて、画素電極９ａの電位が変動するという事態を未然に回避することが可能となり、画像上にデータ線６ａに沿った表示ムラ等を発生させる可能性を低減することができる。本実施形態においては、シールド層４００は格子状に形成されているから、走査線３ａとして機能する下側遮光膜１１ａが延在する部分についても無用な容量カップリングが生じないように、これを抑制することが可能となっている。シールド層４００における上述の略三角形状の部分は、容量電極３００と画素電極９ａとの間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能であり、これによっても、上述と略同様な作用効果が得られることになる。
【００６５】
第５層には、このようなシールド層４００と同一膜として、第３中継層４０２が形成されている。この第３中継層４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継層６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００及び第３中継層４０２間は、容量電極３００及びデータ線６ａと同様に、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００６６】
他方、シールド層４００及び第３中継層４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。また、図４に示すように、シールド層４００の表面上には、窒化膜４６ａが形成されている。
【００６７】
以上述べた、データ線６ａの上、且つ、シールド層４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第３層間絶縁層４３が形成されている。第３層間絶縁層４３には、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継層４０２と第２中継層６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４が形成されている。
【００６８】
第６層には、画素電極９ａがマトリクス状に形成され、画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはＢＰＳＧからなる第４層間絶縁層４４が形成されている。第４層間絶縁層４４には、画素電極９ａ及び前記の第２中継層４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。
【００６９】
本実施形態では、図４に示すように、第５層において、シールド層４００の表面上には窒化膜４６ａが形成されている。窒化膜４６ａは、平面的にみると、図２及び図３に示すように、シールド層４００の表面上をほぼ覆うように、シールド層４００と同様のパターンとして形成される。
【００７０】
（液晶装置の全体構成）
以上のように構成された実施形態における液晶装置の全体構成を図５及び図６を参照して説明する。なお、図５は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図６は図５のＨ−Ｈ´断面図である。
【００７１】
図５及び図６において、本実施形態の液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００７２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、本実施形態における液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【００７３】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【００７４】
尚、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【００７５】
ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００７６】
図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００７７】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００７８】
（液晶装置の製造方法）
次に、図７乃至図９を随時参照しながら、本実施形態の液晶装置の製造方法を説明する。図７は、本実施形態の液晶装置の製造方法の主要な工程を示すフローチャートである。図８は、本実施形態の液晶装置の製造方法の主要な工程の工程平面図であり、図９は、図８に対応する工程断面図である。尚、図７乃至図９では、容量電極３００を本発明の「一の膜」の一例とし、誘電体膜７５を本発明の「他の膜」の一例とするが、本発明に係る電気光学装置の製造方法では、互いに積層される膜の種類は本実施形態に挙げる各種の導電膜及び誘電体膜に限定されるものではない。加えて、本実施形態の液晶装置の製造方法を、基板上に積層された半導体層等の膜を同一のレジスト膜を介して順次エッチングする工程を含む半導体基板の製造方法に応用すれば、パターン異常が低減された良質の半導体基板を製造することも可能であることは言うまでもない。また、以下では、第１導電膜をエッチングした後に洗浄を行っているが、第１導電膜及び誘電体膜を一括で又は順次エッチングした後に洗浄を行ってもよい。
【００７９】
図７において、絶縁膜４１上に本発明の「第２導電膜」の一例である第１中継層７１を形成する（Ｓ１）。次に、第１中継層７１上に誘電体膜７５を形成する（Ｓ２）。誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜であるが、窒化シリコン膜等の他の誘電体膜、或いは複数の誘電体膜を積層してなる多層構造を有していてもよい。
【００８０】
次に、誘電体膜７５上に本発明の「第１導電膜」の一例である容量電極３００を形成する（Ｓ３）。この段階では、第１中継層７１、誘電体膜７５、及び容量電極３００は、最終的に保持容量７０を形成するように所定の形状にパターニングされていない。
【００８１】
次に、容量電極３００上にレジスト膜３０１を形成する（Ｓ４）。これにより、図８（ａ）及び図９（ａ）に示すように、所定の形状にパターニングされたレジスト膜３０１が容量電極３００上に形成される。
【００８２】
次に、レジスト膜３０１を介して容量電極３００をエッチングし、所定の形状にパターニングする（Ｓ５）。ここで、レジスト膜３０１のエッチングには、臭素を含むガスが持ちられる。レジスト膜３０１のエッチング工程までが終了したＴＦＴアレイ基板１０をエッチング装置の外部に搬送し、必要な各種処理をＴＦＴアレイ基板１０に施す。この際、容量電極３００のエッチングに用いた臭素が大気中のカリウムと結合することによって、生成された臭化カリウムが図８（ｂ）及び図９（ｂ）に示すようにレジスト膜３０１に付着し、レジスト膜３０１のパターン異常の原因の一つとなる。
【００８３】
次に、洗浄液を用いてレジスト膜３０１を洗浄し、レジスト膜３０１に付着した臭化カリウム等の異物を除去する（Ｓ６）。尚、臭化カリウムに限定されず、各種工程の諸条件に応じてレジスト膜３０１に付着する異物が異なるため、これら異物をレジスト膜３０１から除去するのに適した洗浄液を用いてレジスト膜３０１を洗浄することが可能である。例えば、レジスト膜３０１に付着した異物に除去できるようにｐｈ値が調整された洗浄液を用いてレジスト膜３０１を洗浄してもよい。洗浄液は、所定のｐｈ値になるように水に所定の物質を溶解させた場合に限定されるものではなく、純水或いはこれに順ずる洗浄用の水であってもよい。レジスト膜３０１を洗浄する際には、洗浄液を用いる場合に限定されず、例えば、酸素プラズマを用いてもよい。ここで、レジスト膜３０１は有機材料を用いて形成されることが多いため、レジスト膜３０１に酸素プラズマを照射する際の照射条件は、レジスト膜３０１を傷めないようにレジスト膜の構成材料及び異物の特性に応じて個別具体的に設定される。
【００８４】
次に、洗浄されたレジスト膜３０１を介して誘電体膜７５をエッチングし（Ｓ７）、その下の第１中継層７１をレジスト膜３０１を介してエッチングする（Ｓ８）。
【００８５】
以上の工程を経ることにより、図８（ｃ）及び図９（ｃ）に示すように、同一のレジスト膜３０１を介して容量電極３００、誘電体膜７５及び第１中継層７１を所定に形状にパターニングすることができる。本実施形態では、同一のレジスト膜３０１を介して、その下に形成された容量電極３００、誘電体膜７５及び第１中継層７１を順次エッチングすることができるため、各層をエッチングする度に個別にレジスト膜を形成する場合に比べて簡便に各層を所定の形状にパターニングすることができる。加えて、本実施形態では、レジスト膜３０１に付着した異物を除去できるため、同一のレジスト膜３０１を用いて複数の層をエッチングした際に生じるパターン異常を低減できる。これにより、パターン異常に起因する液晶装置の不具合を低減することができ、高品質な液晶装置を効率良く製造することが可能である。
【００８６】
このように、本実施形態の液晶装置の製造方法によれば、ＴＦＴアレイ基板１０基板上の保持容量７０を所定に領域に形成でき、画像信号を一時的に維持できる十分な容量が確保できるように、設計どおりに保持容量７０を形成することが可能である。尚、上述したレジスト膜３０１を洗浄する工程を実施したことにより、従来の洗浄工程を行わない場合に比べてパターン異常が劇的に減少したことを本願発明者は確認している。より具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０とされるウェハー一枚当りでレジスト膜３０１の洗浄を行わない場合にパターン異常が１００００個以上発生していたのが、洗浄を行うことによってパターン異常が皆無になったことを本願発明者は確認している。
【００８７】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００８８】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１０に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００８９】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９０】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９１】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９２】
次に、上述した液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１１において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００９３】
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１２は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１２において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００９４】
尚、図１０から図１２を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、本実施形態の液晶装置は、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９５】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器、並びに半導体基板の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。より具体的には、本発明の電気光学装置、又は電子機器を、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）、ＤＭＤ（Digital Micro mirror Device）、有機ＥＬ装置など、各種の透過型、反射型、自発光型のデバイスに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のうちデータ線、シールド層及び画素電極の配置関係を示すためこれらの要素を抜き出して描いた平面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ´断面図である。
【図５】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図６】図９のＨ−Ｈ´断面図である。
【図７】本実施形態の液晶装置の製造方法の主要な工程を示すフローチャートである。
【図８】本実施形態の液晶装置の製造方法の主要な工程の工程平面図である。
【図９】図８に対応する工程断面図である。
【図１０】本実施形態の電子機器の一例であるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【図１１】本実施形態の電子機器の一例であるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１２】本実施形態の電子機器の一例である携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９７】
１０・・・ＴＦＴアレイ基板、７０・・・保持容量、７１・・・第１中継層、７５・・・誘電体膜、３００・・・容量電極、３０１・・・レジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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