(57)【要約】【課題】  様々な欠陥を効率よく修正することができるように改良された欠陥の修正装置を提供することを目的とする。【解決手段】  欠陥の修正装置は、半導体装置または液晶表示装置の製造過程において欠陥を検出する欠陥検出・分析装置１と、欠陥の位置・形・サイズ・構成成分のデータを分析収集し記憶する記憶装置２と、この記憶された前記欠陥に関するデータと、回路設計レイアウトデータベース４および欠陥知識データベース５とを比較して電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出する欠陥自動分類・抽出処理部３と、抽出された前記電気的に不整合を引き起こす欠陥を修正するための対処方法を欠陥修正方法知識データベース７から選択する欠陥修正方法選択処理部６と、選択された欠陥修正方法により、欠陥を除去もしくは修復する欠陥修正装置８とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置または液晶表示装置の製造過程において欠陥を検出する工程と、
前記欠陥の位置・形・サイズ・構成成分のデータを分析収集し記憶する工程と、
記憶された前記欠陥に関するデータと、前記半導体装置または液晶表示装置の回路設計レイアウトのデータを予め記憶させた回路設計レイアウトデータベースおよび過去の欠陥情報に関する知識を蓄積した欠陥知識データベースとを比較して電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出する工程と、
抽出された前記電気的に不整合を引き起こす欠陥を修正するための対処方法を、過去の欠陥修正方法の知識についてのデータを予め記憶させた欠陥修正方法知識データベースから選択する工程と、
選択された欠陥修正方法により、前記欠陥を除去もしくは修復する工程とを備えた欠陥の修正方法。
【請求項２】
前記電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出する工程に、回路設計シミュレーションを使用することを特徴とする請求項１に記載の欠陥の修正方法。
【請求項３】
前記欠陥を除去する工程は、Ｎ2、Ａｒ、ＨｅまたはＡｉｒのガスを前記欠陥に当てることで該欠陥を除去する工程を含む請求項１又は２に記載の欠陥の修正方法。
【請求項４】
前記欠陥を除去する工程は、前記欠陥に向けて、紫外光、可視光、赤外光、ＦＩＢ（収束イオンビーム）またはＸ線を局所的に照射することで該欠陥を除去する工程を含む請求項１又は２に記載の欠陥の修正方法。
【請求項５】
前記欠陥を修復する工程は、レーザーＣＶＤまたはＦＩＢ（収束イオンビーム）により、欠損部に局所的に導電物を成膜する工程を含む請求項１又は２に記載の欠陥の修正方法。
【請求項６】
半導体装置または液晶表示装置の製造過程において欠陥を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥の位置・形・サイズ・構成成分のデータを分析収集し記憶する記憶手段と、
前記半導体装置または液晶表示装置の回路設計レイアウトのデータを予め記憶させた回路設計レイアウトデータベースと、
過去の欠陥情報に関する知識を蓄積した欠陥知識データベースと、
過去の欠陥修正方法の知識についてのデータを予め記憶させた欠陥修正方法知識データベースと、
前記記憶手段に記憶された前記欠陥に関するデータと、前記回路設計レイアウトデータベースの内容および前記欠陥知識データベースの内容とを比較して電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出する欠陥抽出手段と、
抽出された前記電気的に不整合を引き起こす欠陥を修正するための対処方法を、前記欠陥修正方法知識データベースから選択する対処方法選択手段と、
選択された欠陥修正方法により、前記欠陥を除去もしくは修復する欠陥修正手段とを備えた欠陥の修正装置。
【請求項７】
前記欠陥抽出手段は、回路設計シミュレータを含む請求項６に記載の欠陥の修正装置。
【請求項８】
前記欠陥修正手段は、Ｎ2、Ａｒ、ＨｅまたはＡｉｒのガスを前記欠陥に当てる手段を含む請求項６又は７に記載の欠陥の修正装置。
【請求項９】
前記欠陥修正手段は、前記欠陥に向けて、紫外光、可視光、赤外光、ＦＩＢ（収束イオンビーム）またはＸ線を局所的に照射する手段を含む請求項６又は７に記載の欠陥の修正装置。
【請求項１０】
前記欠陥修正手段は、レーザーＣＶＤまたはＦＩＢ（収束イオンビーム）により、欠損部に局所的に導電物を成膜する手段を含む請求項６又は７に記載の欠陥の修正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置または液晶表示装置の製造過程で発生した欠陥の修正方法に関するものであり、より特定的には、様々な欠陥を効率よく修正することができるように改良された欠陥修正方法に関する。この発明はまたそのような方法を実現する欠陥修正装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
製品の製造工程において、製造の歩留まりや製品の品質を維持・向上させるためには、製造工程の状態を常時良好に保つこと、そして製造工程に何らかの異常が発生したときには、それらをいち早く発見し、原因を究明して適切な対策を講じることが重要であるとされている。このため欠陥源を究明し、プロセス、装置から生じる欠陥を低減することが歩留まり向上のための最優先事項として注力されている。この背景のもと、欠陥検査・欠陥分析装置により、製品上の欠陥の座標・サイズ・形状・成分といった情報を比較的容易に得ることが可能になり、それから得られる情報から欠陥を自動で分類する機能のついた外観検査装置等が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
また、異物を分類する方法として、図１３に示す構成で、電気的に不良となる可能性の高い欠陥を優先的に解析する方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。図１３を参照して、従来の半導体デバイスの検査システムは、回路パターンの形状不良を検査する光学又はＳＥＭ等の外観検査装置や異物検出を行なう光学異物検査装置で構成される各種の検査装置６０を備え、さらに各種の複数の検査装置６０やレビュー装置５２や計測装置やテスタなどの各装置から得られる、検査・計測・レビュー・分析データ等を収集、統合的に管理・解析することにより、歩留り向上を支援する、データ解析システムで構成される検査システム５１と、検査装置６０から得られるデータから、優先的に実施すべき欠陥の情報を基に、欠陥のレビューを行なうレビュー装置５２と、レイアウトＣＡＤのデータを作成するレイアウトＣＡＤ５３とを備える。これらは、必要に応じてデータのやり取りを行うことができるように、ＬＡＮ(ネットワーク)５４で接続される。
【０００４】
検査装置６０の検査結果である欠陥情報と補助記憶装置６３に格納されたレイアウトデータを比較する。あるいは検査処理演算部６１で、欠陥を、その背景である配線パターンと比較再検査した結果を基に、補助記憶装置６３に蓄えたレビュー選択条件を用いて、レビュー対象を選択する。これにより、半導体集積回路などの電子デバイスを形成するワークに生じた異物やパターン欠陥の検査において、電気的に不良になる可能性の高い欠陥を優先的に解析することができる。
【０００５】
しかし、この方法では、製造の歩留まりを向上させるために、製品の製造工程における、欠陥の原因を究明し、プロセス、装置で対策を講ずることは可能であるが、プロセス・装置で発生する欠陥をゼロにすることは現状において不可能である。
【０００６】
そこで、製品の製造工程中の欠陥を直接修正する方法として、図１４に示すように、欠陥検出装置１６で、製品に存在するパーティクルを１個１個検出し、各検出した１個１個のパーティクルの各位置を記憶装置１７に記憶させ、この記憶させた各位置について、パーティクル除去装置１８で、１個１個パーティクル除去を行う、パーティクル除去方法およびパーティクル除去装置が提案されている(例えば特許文献３参照)。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１-３３１７８４号公報
【０００８】
【特許文献２】特開２００３-８６６４５号公報
【０００９】
【特許文献３】特開平４-６８５２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１４に示す特許文献３の方法では、製品上で検出された全ての欠陥（パーティクル、パターンの欠損、パターン形成不良等）の内のパーティクルの除去についてのみ提案されており、パターンの欠損やパターン形成不良といった欠陥についての修復は不可能であった。また、パーティクルの除去においてもパーティクルの歩留まりへのインパクトが識別できるシステム構成になっていないため、すべてのパーティクルを除去するか、作業者による都度の識別作業が必要であり、作業効率が悪いという問題があった。
【００１１】
この歩留まりへのインパクトがある欠陥を識別する方法として、図１３に示すような、電気的に不良となる可能性のある欠陥を優先的に抽出する方法が提案されているが、この方法は抽出された結果をプロセス・装置に反映させることを目的としており、抽出された結果から、製品上の欠陥を修正するには、別途システムが必要となるという問題があった。また、電気的に不良となる可能性のある欠陥の抽出方法として、レイアウトＣＡＤデータと比較して欠陥の位置を定める方法を使用しているが、抽出された欠陥が本当に電気的不良になるものか、否かについては曖昧になっているという問題があった。
【００１２】
この発明は上記の問題点を解決するためになされたもので、抽出された欠陥が電気的不良になるか、否かを曖昧にせずに、様々な欠陥を効率よく修正することができるように改良された欠陥の修正方法を提供することを目的とする。
【００１３】
この発明の他の目的は、異物除去だけでなく、パターン欠陥の修復もできるように改良された欠陥の修正方法を提供することにある。
【００１４】
この発明の他の目的は、製品の歩留まりを高め、かつ品質を向上させることができるように改良された欠陥の修正方法を提供することにある。
【００１５】
この発明のさらに他の目的は、そのような方法を実現することができるように改良された欠陥の修正装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
この発明にかかる欠陥の修正方法においては、まず半導体装置または液晶表示装置の製造過程において欠陥を検出する。上記欠陥の位置・形・サイズ・構成成分のデータを分析収集し記憶する。記憶された上記欠陥に関するデータと、上記半導体装置または液晶表示装置の回路設計レイアウトのデータを予め記憶させた回路設計レイアウトデータベースおよび過去の欠陥情報に関する知識を蓄積した欠陥知識データベースとを比較して電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出する。抽出された電気的に不整合を引き起こす欠陥を修正するための対処方法を、過去の欠陥修正方法の知識についてのデータを予め記憶させた欠陥修正方法知識データベースから選択する。選択された欠陥修正方法により、上記欠陥を除去もしくは修復する。
【００１７】
上記電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出する工程に、回路設計シミュレーションを使用するのが好ましい。
【００１８】
この発明によれば、回路設計レイアウトデータ、回路設計シミュレータを使用することにより電気的に不良となる欠陥のみを精度よく抽出し、その欠陥に対応した修正方法を選択・修正する、といった作業を一連で実施することができ、様々な欠陥を効率よく修正することができる。また、欠陥の修正においては、異物除去だけでなく、パターン欠陥の修復も可能になる。
【００１９】
好ましくは、上記欠陥の除去は、Ｎ2、Ａｒ、ＨｅまたはＡｉｒのガスを、上記欠陥に当てることによって行われる。
【００２０】
他の好ましい実施態様によれば、上記欠陥の除去は、上記欠陥に向けて、紫外光、可視光、赤外光、ＦＩＢ（収束イオンビーム）またはＸ線を局所的に照射することによって行われる。
【００２１】
好ましくは、上記欠陥の修復は、レーザーＣＶＤまたはＦＩＢ（収束イオンビーム）により欠損部に局所的に導電物を成膜することによって行われる。
【００２２】
この発明の他の局面に従う欠陥修正装置は、半導体装置または液晶表示装置の製造過程において欠陥を検出する欠陥検出手段と、上記欠陥の位置・形・サイズ・構成成分のデータを分析収集し記憶する記憶手段と、上記半導体装置または液晶表示装置の回路設計レイアウトのデータを予め記憶させた回路設計レイアウトデータベースと、過去の欠陥情報に関する知識を蓄積した欠陥知識データベースと、過去の欠陥修正方法の知識についてのデータを予め記憶させた欠陥修正方法知識データベースとを備える。当該欠陥修正装置は、上記記憶手段に記憶された上記欠陥に関するデータと、回路設計レイアウトデータベースの内容および前記欠陥知識データベースの内容とを比較して電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出する欠陥抽出手段をさらに備え、抽出された電気的に不整合を引き起こす欠陥を修正するための対処方法を、上記欠陥修正方法知識データベースから選択する対処方法選択手段と、選択された欠陥修正方法により、上記欠陥を除去もしくは修復する欠陥修正手段とをさらに備える。
【００２３】
好ましくは、上記欠陥抽出手段は、回路設計シミュレータを含む。
【００２４】
上記欠陥修正手段は、Ｎ2、Ａｒ、ＨｅまたはＡｉｒのガスを欠陥に当てる手段を含む。
【００２５】
また、上記欠陥修正手段は、上記欠陥に向けて、紫外光、可視光、赤外光、ＦＩＢ（収束イオンビーム）またはＸ線を局所的に照射する手段であってもよい。
【００２６】
さらに、上記欠陥修正手段は、レーザーＣＶＤまたはＦＩＢ（収束イオンビーム）により欠損部に局所的に導電物を成膜する手段であってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、プロセス、装置で発生する欠陥から、電気的に不良となる欠陥のみを抽出し、その欠陥に対応した修正方法を選択し、修正することを一連の作業で実施することにより、様々な欠陥を効率よく修正することが可能となる。また、製品上の欠陥そのものの修正を行うため、従来欠陥検査で不良と判定され、且つ実際に不良となっていたチップを工程の途中で救済することが可能であり、製品の歩留まりを高め、かつ品質を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
様々な欠陥を効率よく修正するという目的を、検出した欠陥の位置・形・サイズ・構成成分等を分析収集し、それを回路レイアウトデータベース・欠陥知識データベースと比較して、電気的に不整合を引き起こす欠陥を抽出し、それに見合った修正方式を選択して、該欠陥を除去もしくは修復するということによって実現した。
【００２９】
図１は、本発明の欠陥修正方法を実施する欠陥修正装置の構成例を示す図である。図１を参照して、本発明にかかる欠陥修正装置は、欠陥検出・分析装置１を備え、ここで製品上の欠陥のサイズ・形・位置・成分等の情報を得る。欠陥データ記憶装置２では、欠陥検出・分析装置１で得られた情報が記憶される。欠陥自動分類・抽出処理部３は、回路設計のレイアウトについてのデータを蓄積した回路設計レイアウトデータベース４および過去の欠陥情報に関する知識を蓄積した欠陥知識データベース５を、欠陥データ記憶装置２に記憶された欠陥データと比較し、電気的に問題となる欠陥のみを抽出する。
【００３０】
次にこの抽出された電気的に不整合を引き起こす欠陥に対し、欠陥修正方法選択処理部６で、その欠陥の修正方法を、過去の欠陥修正方法の知識についてのデータを蓄積した欠陥修正方法知識データベース７より選択する。欠陥修正装置８は、欠陥自動分類・抽出処理部３で抽出された欠陥を、欠陥修正方法選択処理部６で選択された修正方法により修正する。その後、欠陥検出・分析装置１で修正が正しく行われたか、否かの確認を行ってもよい。以下、具体的な実施例について、図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００３１】
本発明を、メタルエッチング（半導体装置の一製造過程であるメタル配線形成工程において行われるメタルエッチング）を行って生じた欠陥の修正に、適用した例を以下に示す。
【００３２】
図２（ａ）は、標準的なメタルエッチングが行われた後の半導体装置の断面図であり、図２（Ｂ）は、その上面図である。半導体装置は基板１３を備え、基板１３の表面に素子分離１２が形成されている。基板１３の上にはゲート電極１４が設けられ、ゲート電極１４を覆うように層間絶縁膜１１が設けられている。層間絶縁膜１１の上には、メタルエッチングにより形成されたメタル配線９が設けられている。なお、層間絶縁膜１１中に設けられたコンタクト１０は、メタル配線９とソース・ドレインＳ/Ｄを接続するものである。標準的なメタルエッチングが行われた場合は、図のように欠陥は生じない。しかし、標準からずれた場合には、以下に説明するような欠陥が生じる。
【００３３】
（欠陥の態様）
【００３４】
メタルエッチング後において検出される欠陥の種類は主として、メタル配線下の異物による欠陥、メタル配線上の異物による欠陥、メタルパターンの形成不良による欠陥がある。
【００３５】
メタル配線の下に存在する異物による欠陥の１つのモード（モード１）の断面図を図３(ａ)に示し、その上面図を図３(ｂ)に示す。このモードでは、メタル配線９が層間絶縁膜１１の上に形成された欠陥１５の肩に乗り上げるように形成されている。メタル配線の下に存在する異物による、もう１つのモード（モード２）の断面図を図４(ａ)、その上面図を図４(ｂ)に示す。このモードでは、層間絶縁膜１１の上に形成された欠陥１５のためにメタル配線９の一部が断線している。
【００３６】
次にメタル配線の上に存在する異物による欠陥の１つのモード（モード３）の断面図を図５(a)、その上面図を図５(ｂ)に示す。このモードでは、メタル配線９の上に欠陥１５が残存している。メタル配線の上に存在する異物による、欠陥のもう１つのモード（モード４）の断面図を図６(a)、その上面図を図６(ｂ)に示す。このモードでは、隣り合うメタル配線９，９に跨るように欠陥１５が残存している。
【００３７】
パターン形成不良の欠陥の１つのモード（モード５）の断面図を図７(a)、その上面図を図７(ｂ)に示す。このモードでは、メタル配線９の側壁から隣接するメタル配線に向かって欠陥１５が延びている。パターン形成不良の欠陥のもう１つのモード（モード６）の断面図を図８(a)、その上面図を図８(ｂ)示す。このモードでは、メタル配線９の側壁から隣接するメタル配線に向かって欠陥１５が延び、隣接するメタル配線につながっている。
【００３８】
（欠陥の抽出）
【００３９】
次に、欠陥の抽出方法について具体的に説明する。図１を参照して、まず修正対象となるメタルエッチング後のウェハについて、欠陥検出・分析装置１にて欠陥の座標を特定する。欠陥のそれぞれから、サイズ・形・位置・成分を分析するために、光学顕微鏡画像、ＳＥＭ画像、エネルギー分散型Ｘ線装置により成分データを採取し、そのデータを欠陥データ記憶装置２に記憶させる。
【００４０】
次に記憶させたそれぞれの欠陥データと、予め記憶させておいた回路設計レイアウトデータベース４の内容および欠陥知識データベース５の内容とを、欠陥自動分類・抽出処理部３にて比較し、それぞれの欠陥がどのようなモードかを自動分類し、電気的に不整合を引き起こす欠陥のみを回路設計シミュレータ等を利用した欠陥自動分類・抽出処理部３にて抽出する。
【００４１】
以下に、欠陥自動分類・抽出処理部３における抽出の方法の一例を示す。
【００４２】
（ａ）  図３のように、欠陥１５が、回路設計レイアウトデータベース４の内容および欠陥知識データベース５の内容と比較される。そのとき、メタル配線９の下に存在する欠陥であると分類された場合において、欠陥１５はメタル配線９，９間に跨っているため、欠陥１５の成分がエネルギー分散型Ｘ線装置による成分分析結果より導電物であると判定されれば、その欠陥１５は、配線９，９間のショートを引き起こす、すなわち、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出される。欠陥１５の成分が絶縁膜系であれば、その欠陥１５は、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出されない。
【００４３】
（ｂ）  図４のような欠陥１５が、回路設計レイアウトデータベース４および欠陥知識データベース５と比較することで、メタル配線９の下に存在する欠陥であると分類された場合、メタル配線９は欠陥１５により分断されているため、欠陥１５の成分がエネルギー分散型Ｘ線装置による成分分析結果より、絶縁膜系であれば、欠陥１５は、配線がオープンとなる、すなわち電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出される。欠陥１５の成分が導電物であれば、その欠陥１５は、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出されない。
【００４４】
（ｃ）  図５のように、欠陥１５が、回路設計レイアウトデータベース４および欠陥知識データベース５と比較することで、メタル配線９の上に存在する欠陥であると分類された場合には次のように行う。図１１の断面図を参照して、欠陥１５の位置と、回路設計レイアウトデータを使用して求めたコンタクト７２（メタル配線９と、その上に配置される上層メタル７０とを接続するもの）の位置とを比較して、図のように両者の位置が一致した場合は、欠陥１５を、コンタクト７２の導通不良を引き起こす、すなわち、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出される。コンタクト７２の位置と欠陥１５が一致しない場合は、その欠陥１５は、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出されない。
【００４５】
（ｄ）  図６のように、欠陥１５が、回路設計レイアウトデータベース４および欠陥知識データベース５と比較されることで、メタル配線９の上に存在する欠陥であると分類された場合、メタル配線９，９間に欠陥１５が跨っているとき、欠陥１５の成分がエネルギー分散型Ｘ線装置による成分分析結果より導電物であれば、欠陥１５は、配線９，９間のショートを引き起こす、すなわち、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出される。欠陥１５の成分が絶縁膜系であった場合には、図１２の断面図を参照して、欠陥１５の位置と、回路設計レイアウトデータベース４を使用して求めたコンタクト（メタル配線９と、その上に配置される上層メタル７０とを接続するもの）７２の位置とを比較して、図のように両者の位置が一致した場合は、コンタクト７２の導通不良を引き起こす、すなわち、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出される。コンタクト７２の位置と欠陥１５の位置が一致しない場合は、その欠陥１５は、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出されない。
【００４６】
（ｅ）  図７、図８のように、欠陥１５が、回路設計レイアウトデータベース４の内容および欠陥知識データベース５の内容と比較されることにより、パターン欠陥と分類された場合、配線９，９間がショートしている図８の態様は、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出され、ショートの無い図７に示される態様は、電気的に不整合を引き起こす欠陥として抽出されない。
【００４７】
（修正方法の選択）
【００４８】
次に図１を参照して、欠陥自動分類・抽出処理部３にて抽出された電気的に不整合を引き起こす欠陥について、欠陥自動分類・抽出処理部３の結果と、予め記憶させておいた欠陥修正方法知識データベース７の内容とを欠陥修正方法選択処理部６で比較することにより、対象の欠陥をどのような方法で修正するかを決定する。
【００４９】
以下に修正方法の選択例を示す。
【００５０】
ｉ）  図３のようなメタル配線９の下に存在する欠陥１５であり、欠陥１５が導電物で
配線９，９間のショートを引き起こしている場合、ＦＩＢ（収束イオンビーム）をショート部に局所的に当てることによりショート部を除去する方法が選択される。
【００５１】
ｉｉ）  図４のようなメタル配線９の下に存在する欠陥１５であり、欠陥１５が絶縁物でメタル配線９が切断されている場合、図４（ｂ）と図９を参照して、まずＦＩＢ（収束イオンビーム）を欠陥１５に局所的に当てることにより欠陥部を除去する。次に、図１０を参照して、欠陥除去後のメタル欠損部分にソースガス（有機金属）雰囲気中で局所的にレーザー光を当てることで導電物１９を成膜する（レーザーＣＶＤ）ことにより、配線の修復を行う方法が選択される。なお、導電物を成膜する方法として、ソースガス（有機金属）の雰囲気中で、イオンビームを局所的に当てる方法も好ましい。
【００５２】
ｉｉｉ）  図５、図６のようなメタル配線の上に存在する欠陥１５の場合、ＦＩＢ（収束イオンビーム）を欠陥１５に局所的に当てることにより、絶縁膜の欠陥１５を除去する方法が選択される。欠陥１５を除去する方法として、Ｎ2，Ａｒ，Ｈｅ，Ａｉｒ等のガスを欠陥１５に当てる方法、紫外光、可視光、赤外光、Ｘ線を欠陥１５に局所的に当てる方法が好ましい。
【００５３】
ｉｖ）  図８のような配線９，９をショートさせるような欠陥１５の場合、ＦＩＢ（収束イオンビーム）をショート部に局所的に当てることにより、ショート部の導電体を除去する方法が選択される。
【００５４】
（欠陥の修正）
【００５５】
続いて、欠陥自動分類・抽出処理部３にて抽出された電気的に不整合を引き起こす欠陥について、それぞれ、欠陥修正方法選択処理部６で決定された方法を用いて、欠陥修正装置８にて実際に欠陥を修正する。
【００５６】
最後に欠陥修正後のウェハを再度欠陥検出・分析装置１で確認し、必要部分の修正が的確に行われたかを確認する。
【００５７】
以上、半導体装置の一製造工程であるメタルエッチ後に本発明を適用する例について述べたが、本発明の適用は半導体装置の各製造工程、液晶表示装置の各工程に適用可能であり、その適用工程を問うものではない。
【００５８】
今回開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上に説明したように、本発明によれば、プロセス、装置で発生する欠陥から、電気的に不良となる欠陥のみを抽出し、その欠陥に対応した修正方法を選択し、修正することを一連の作業で実施することにより、様々な欠陥を効率よく修正することが可能である。また、製品上の欠陥そのものの修正を行うため、従来欠陥検査で不良と判定され、且つ実際に不良となっていたチップを工程の途中で救済することが可能であり、製品の歩留まりを高め、かつ品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の欠陥修正方法を実施する装置の一構成例を示す図である。
【図２】（ａ）  標準的なメタルエッチングを行った後の半導体装置の断面図である。（ｂ）  標準的なメタルエッチングを行った後の半導体装置の上面図である。
【図３】（ａ）  メタル配線の下に存在する欠陥のモード１の断面図である。（ｂ）  メタル配線の下に存在する欠陥のモード１の上面図である。
【図４】（ａ）  メタル配線の下に存在する欠陥のモード２の断面図である。（ｂ）  メタル配線の下に存在する欠陥のモード２の上面図である。
【図５】（ａ）  メタル配線の上に存在する欠陥のモード３の断面図である。（ｂ）  メタル配線の上に存在する欠陥のモード３の上面図である。
【図６】（ａ）  メタル配線の上に存在する欠陥のモード４の断面図である。（ｂ）  メタル配線の上に存在する欠陥のモード４の上面図である。
【図７】（ａ）  メタル配線のパターン欠陥のモード５の断面図である。（ｂ）  メタル配線のパターン欠陥のモード５の上面図である。
【図８】（ａ）  メタル配線のパターン欠陥のモード６の断面図である。（ｂ）  メタル配線のパターン欠陥のモード６の上面図である。
【図９】メタル配線の下に存在する欠陥を除去した後の半導体装置の上面図である。
【図１０】メタル配線の下に存在する欠陥を修復した後の半導体装置の上面図である。
【図１１】メタル配線の上に存在する欠陥（モード３）とコンタクトの位置が一致していることを表す半導体装置の断面図である。
【図１２】メタル配線の上に存在する欠陥（モード４）とコンタクトの位置が一致していることを表す半導体装置の断面図である。
【図１３】欠陥の除去方法を示す従来のシステム構成を示す図である。
【図１４】電気的に不良となる可能性の高い欠陥を優先的に解析する従来のシステムの構成図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  欠陥検出・分析装置
２  欠陥データ記憶装置
３  欠陥自動分類・抽出処理部（回路設計シミュレーション）
４  回路設計レイアウトデータベース
５  欠陥知識データベース
６  欠陥修正方法選択処理部
７  欠陥修正方法知識データベース
８  欠陥修正装置
９  メタル配線
１０  コンタクト
１１  層間絶縁膜
１２  素子分離
１３  基板
１４  ゲート
１５  欠陥
１９  成膜した導電体
７０  上層メタル配線
７１  層間絶縁膜
７２  上層メタルからのコンタクト
【図１】
2006303227.tif 000003
【図２】
2006303227.tif 000004
【図３】
2006303227.tif 000005
【図４】
2006303227.tif 000006
【図５】
2006303227.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006303227.tif 000009
【図８】
2006303227.tif 000010
【図９】
2006303227.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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