(57)【要約】【課題】  出力端子の使用の有無による受信信号レベルの変動やアイソレーション劣化を防止することが可能な低価格の高周波分配回路を提供する。【解決手段】  この高周波分配回路は、出力端子１５，１６にレシーバ１０４，１０５が接続されている場合は高周波線路２，３の他方端子から出力端子１５，１６に高周波信号を通過させ、出力端子１５，１６がレシーバ１０４，１０５に接続されていない場合は高周波線路２，３の他方端子を終端抵抗素子７，８を介して接地させるスイッチ回路５，６を備える。したがって、入力端子１から出力端子１５，１６側を見た抵抗値は、出力端子１５，１６の使用の有無によらず一定になる。【選択図】        図１
2006345464.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子に与えられた高周波信号を複数の出力端子に分配する高周波分配回路であって、
それぞれ前記複数の出力端子に対応して設けられ、各々の一方端が前記入力端子に接続された複数の高周波線路、
各高周波線路に対応して設けられた終端抵抗素子、および
各高周波線路に対応して設けられ、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は対応の高周波線路の他方端から対応の出力端子に高周波信号を通過させ、対応の出力端子に前記負荷回路が接続されていない場合は対応の高周波線路の他方端を対応の終端抵抗素子を介して接地させる切換回路を備えた、高周波分配回路。
【請求項２】
複数の入力端子と複数の出力端子を備え、前記複数の入力端子に与えられた複数の高周波信号のうちのいずれかの高周波信号を各出力端子ごとに選択し、選択した高周波信号をその出力端子に与える高周波分配回路であって、
それぞれ前記複数の出力端子に対応して設けられた複数の高周波線路、
前記複数の入力端子に与えられた複数の高周波信号のうちのいずれかの高周波信号を各高周波線路ごとに選択し、選択した高周波信号をその高周波線路の一方端に与える選択回路、
各高周波線路に対応して設けられた終端抵抗素子、および
各高周波線路に対応して設けられ、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は対応の高周波線路の他方端から対応の出力端子に高周波信号を通過させ、対応の出力端子に前記負荷回路が接続されていない場合は対応の高周波線路の他方端を対応の終端抵抗素子を介して接地させる切換回路を備えた、高周波分配回路。
【請求項３】
さらに、各出力端子に対応して設けられ、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は第１の信号を出力し、対応の出力端子に負荷回路が接続されていない場合は第２の信号を出力する制御回路を備え、
前記切換回路は、対応の制御回路から前記第１の信号が出力されている場合は対応の高周波線路の他方端から対応の出力端子に高周波信号を通過させ、対応の制御回路から前記第２の信号が出力されている場合は対応の高周波線路の他方端を対応の終端抵抗素子を介して接地させる、請求項１または請求項２に記載の高周波分配回路。
【請求項４】
前記負荷回路は、前記出力端子に接続されたことに応じてその出力端子に電源電圧を印加し、
前記制御回路は、対応の出力端子に前記電源電圧が印加されている場合は前記第１の信号を出力し、対応の出力端子に前記電源電圧が印加されていない場合は前記第２の信号を出力する、請求項３に記載の高周波分配回路。
【請求項５】
前記切換回路は、対応の高周波線路の他方端に接続された共通端子と、対応の出力端子に接続された第１の導通端子と、対応の終端抵抗素子の一方端子に接続された第２の導通端子と、制御端子とを有し、前記制御端子に第１の電圧が印加された場合は前記共通端子と前記第１の導通端子の間が導通し、前記制御端子に第２の電圧が印加された場合は前記共通端子と前記第２の導通端子の間が導通するＳＰＤＴを含み、
前記終端抵抗素子の他方端子は接地され、
前記第１の信号は前記制御端子に印加される前記第１の電圧であり、前記第２の信号は前記制御端子に印加される前記第２の電圧である、請求項３または請求項４に記載の高周波分配回路。
【請求項６】
前記切換回路は、対応の高周波線路の他方端と接地電位のラインとの間に対応の終端抵抗素子と直列接続され、前記制御回路から前記第１の信号が出力されている場合は非導通になり、前記制御回路から前記第２の信号が出力されている場合は導通するスイッチング素子を含む、請求項３または請求項４に記載の高周波分配回路。
【請求項７】
さらに、各高周波線路に対応して設けられ、対応の高周波線路の他方端からの高周波信号を増幅して対応の出力端子に与える増幅器を備え、
前記制御回路は、対応の出力端子に前記負荷回路が接続されている場合は対応の増幅器を活性化させ、対応の出力端子に前記負荷回路が接続されていない場合は前記増幅器を非活性化させる、請求項３から請求項６までのいずれかに記載の高周波分配回路。
【請求項８】
さらに、各切換回路に対応して設けられた副終端抵抗素子、および
各切換回路に対応して設けられて対応の切換回路と対応の出力端子との間に設けられ、対応の出力端子に前記負荷回路が接続されている場合は対応の切換回路を通過した高周波信号を対応の出力端子に通過させ、対応の出力端子に前記負荷回路が接続されていない場合は対応の切換回路から漏れた高周波信号を対応の副終端抵抗素子を介して接地電位のラインに導く副切換回路を備えた、請求項１から請求項７までのいずれかに記載の高周波分配回路。
【請求項９】
さらに、各ＳＰＤＴに対応して設けられた副終端抵抗素子、および
各ＳＰＤＴに対応して設けられ、対応のＳＰＤＴの第１の導通端子に接続された副共通端子と、対応の出力端子に接続された第１の副導通端子と、対応の副終端抵抗素子の一方端子に接続された第２の副導通端子と、副制御端子とを有し、前記副制御端子に前記第１の電圧が印加された場合は前記副共通端子と前記第１の副導通端子の間が導通し、前記副制御端子に前記第２の電圧が印加された場合は前記副共通端子と前記第２の副導通端子の間が導通する副ＳＰＤＴを備え、
前記副終端抵抗素子の他方端子は接地され、
前記副ＳＰＤＴの前記副制御端子と対応のＳＰＤＴの前記制御端子には同じ電圧が印加される、請求項５に記載の高周波分配回路。
【請求項１０】
さらに、各スイッチング素子に対応して設けられた副終端抵抗素子、および
対応の高周波線路の他方端と接地電位のラインとの間に対応の副終端抵抗素子と直列接続され、前記制御回路から前記第１の信号が出力されている場合は非導通になり、前記制御回路から前記第２の信号が出力されている場合は導通する副スイッチング素子を備えた、請求項６に記載の高周波分配回路。
【請求項１１】
前記高周波分配回路はディスクリート回路として構成されている、請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の高周波分配回路。
【請求項１２】
前記高周波分配回路は集積回路として構成されている、請求項１から請求項１０までのいずれかに記載の高周波分配回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は高周波分配回路に関し、特に、入力端子に与えられた高周波信号を複数の出力端子に分配する高周波分配回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１９は、従来の衛星放送システムの受信部の構成を示すブロック図である。図１９において、この衛星放送システムの受信部は、反射器１０１およびＬＮＢ（Low Noise Block down converter）１０２を含むアンテナ１０３と、レシーバ（負荷回路）１０４，１０５と、テレビ受像機１０６，１０７とを備える。
【０００３】
衛星から出射された電波αは、反射器１０１を介してＬＮＢ１０２に入射される。ＬＮＢ１０２は、受信した電波αから複数チャンネルの映像信号を抽出するとともに低雑音増幅し、レシーバ１０４，１０５によって選択されたチャンネルの映像信号（高周波信号）をそれぞれレシーバ１０４，１０５に与える。ＬＮＢ１０２の出力信号は、レシーバ１０４，１０５の各々においてＦＭ復調され、さらにビデオ信号およびオーディオ信号に変換されてテレビ受像機１０６，１０７に与えられる。テレビ受像機１０６，１０７画面には、それぞれ、レシーバ１０４，１０５のチューナによって選択されたチャンネルの映像が表示される（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
このようなＬＮＢ１０２内には映像信号を２つのレシーバ１０４，１０５に分配する高周波分配回路が設けられており、ＬＮＢ１０２の電源電圧はレシーバ１０４，１０５から供給される。
【特許文献１】特開２００２−２１８３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなＬＮＢ１０２やＳＷ（switch）−ＢＯＸ等の各出力端子に接続される同軸線の特性インピーダンスおよびレシーバ１０４，１０５の入力インピーダンスは通常７５Ωになっている。このためＬＮＢ１０２などにおいて、一方の出力端子で受信信号をモニタしているときに、他方の出力端子に何も接続しなければ、他方の出力端子で受信信号が全反射するため、他方の出力端子の接続の有無により、一方の出力端子でモニタしている受信信号のレベルに差異が生じたり、アイソレーションが劣化する等の問題がある。
【０００６】
使用しない出力端子を７５Ωの終端器で終端すれば、出力端子の使用の有無によるインピーダンス変化をなくすことができる。しかし、ＬＮＢやＳＷ−ＢＯＸなどの製品に終端器を付属させると、大幅なコスト高になる。
【０００７】
また、最終段の増幅器などにアッテネネータを挿入して出力端子からの反射信号のレベルを減衰させる方法もあるが、増幅器の利得を上げる必要があるため、消費電流の増加や、位相雑音の劣化などの弊害を生じる場合がある。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、出力端子の使用の有無による受信信号レベルの変動やアイソレーション劣化を防止することが可能な低価格の高周波分配回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る高周波分配回路は、入力端子に与えられた高周波信号を複数の出力端子に分配する高周波分配回路であって、それぞれ複数の出力端子に対応して設けられ、各々の一方端が入力端子に接続された複数の高周波線路と、各高周波線路に対応して設けられた終端抵抗素子と、各高周波線路に対応して設けられ、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は対応の高周波線路の他方端から対応の出力端子に高周波信号を通過させ、対応の出力端子に負荷回路が接続されていない場合は対応の高周波線路の他方端を対応の終端抵抗素子を介して接地させる切換回路とを備えたものである。
【００１０】
また、この発明に係る他の高周波分配回路は、複数の入力端子と複数の出力端子を備え、複数の入力端子に与えられた複数の高周波信号のうちのいずれかの高周波信号を各出力端子ごとに選択し、選択した高周波信号をその出力端子に与える高周波分配回路であって、それぞれ複数の出力端子に対応して設けられた複数の高周波線路と、複数の入力端子に与えられた複数の高周波信号のうちのいずれかの高周波信号を各高周波線路ごとに選択し、選択した高周波信号をその高周波線路の一方端に与える選択回路と、各高周波線路に対応して設けられた終端抵抗素子と、各高周波線路に対応して設けられ、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は対応の高周波線路の他方端から対応の出力端子に高周波信号を通過させ、対応の出力端子に負荷回路が接続されていない場合は対応の高周波線路の他方端を対応の終端抵抗素子を介して接地させる切換回路とを備えたものである。
【００１１】
好ましくは、さらに、各出力端子に対応して設けられ、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は第１の信号を出力し、対応の出力端子に負荷回路が接続されていない場合は第２の信号を出力する制御回路を備え、切換回路は、対応の制御回路から第１の信号が出力されている場合は対応の高周波線路の他方端から対応の出力端子に高周波信号を通過させ、対応の制御回路から第２の信号が出力されている場合は対応の高周波線路の他方端を対応の終端抵抗素子を介して接地させる。
【００１２】
また好ましくは、負荷回路は、出力端子に接続されたことに応じてその出力端子に電源電圧を印加し、制御回路は、対応の出力端子に電源電圧が印加されている場合は第１の信号を出力し、対応の出力端子に電源電圧が印加されていない場合は第２の信号を出力する。
【００１３】
また好ましくは、切換回路は、対応の高周波線路の他方端に接続された共通端子と、対応の出力端子に接続された第１の導通端子と、対応の終端抵抗素子の一方端子に接続された第２の導通端子と、制御端子とを有し、制御端子に第１の電圧が印加された場合は共通端子と第１の導通端子の間が導通し、制御端子に第２の電圧が印加された場合は共通端子と第２の導通端子の間が導通するＳＰＤＴを含み、終端抵抗素子の他方端子は接地され、第１の信号は制御端子に印加される第１の電圧であり、第２の信号は制御端子に印加される第２の電圧である。
【００１４】
また好ましくは、切換回路は、対応の高周波線路の他方端と接地電位のラインとの間に対応の終端抵抗素子と直列接続され、制御回路から第１の信号が出力されている場合は非導通になり、制御回路から第２の信号が出力されている場合は導通するスイッチング素子を含む。
【００１５】
また好ましくは、さらに、各高周波線路に対応して設けられ、対応の高周波線路の他方端からの高周波信号を増幅して対応の出力端子に与える増幅器を備え、制御回路は、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は対応の増幅器を活性化させ、対応の出力端子に負荷回路が接続されていない場合は増幅器を非活性化させる。
【００１６】
また好ましくは、さらに、各切換回路に対応して設けられた副終端抵抗素子と、各切換回路に対応して設けられて対応の切換回路と対応の出力端子との間に設けられ、対応の出力端子に負荷回路が接続されている場合は対応の切換回路を通過した高周波信号を対応の出力端子に通過させ、対応の出力端子に負荷回路が接続されていない場合は対応の切換回路から漏れた高周波信号を対応の副終端抵抗素子を介して接地電位のラインに導く副切換回路とが設けられる。
【００１７】
また好ましくは、さらに、各ＳＰＤＴに対応して設けられた副終端抵抗素子と、各ＳＰＤＴに対応して設けられ、対応のＳＰＤＴの第１の導通端子に接続された副共通端子と、対応の出力端子に接続された第１の副導通端子と、対応の副終端抵抗素子の一方端子に接続された第２の副導通端子と、副制御端子とを有し、副制御端子に第１の電圧が印加された場合は副共通端子と第１の副導通端子の間が導通し、副制御端子に第２の電圧が印加された場合は副共通端子と第２の副導通端子の間が導通する副ＳＰＤＴとが設けられる。副終端抵抗素子の他方端子は接地され、副ＳＰＤＴの副制御端子と対応のＳＰＤＴの制御端子には同じ電圧が印加される。
【００１８】
また好ましくは、さらに、各スイッチング素子に対応して設けられた副終端抵抗素子と、対応の高周波線路の他方端と接地電位のラインとの間に対応の副終端抵抗素子と直列接続され、制御回路から第１の信号が出力されている場合は非導通になり、制御回路から第２の信号が出力されている場合は導通する副スイッチング素子とが設けられる。
【００１９】
また好ましくは、高周波分配回路はディスクリート回路として構成されている。
また好ましくは、高周波分配回路は集積回路として構成されている。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係る高周波分配回路では、出力端子に負荷回路が接続されている場合は高周波線路の他方端から出力端子に高周波信号を通過させ、出力端子に負荷回路が接続されていない場合は高周波線路の他方端を終端抵抗素子を介して接地させる切換回路が設けられる。したがって、出力端子の使用の有無による受信信号レベルの変動やアイソレーション劣化を防止することができる。また、終端器を使用する場合に比べ、低価格化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
[実施の形態１]
図１は、この発明の実施の形態１による高周波分配回路の構成を示す回路図である。図１において、この高周波分配回路は、ＬＮＢやＳＷ−ＢＯＸ内に設けられ、入力端子１、高周波線路２，３、抵抗素子４、スイッチ回路５，６、終端抵抗素子７，８、コンデンサ９，１０，１３，１４、増幅器１１，１２、および出力端子１５，１６を備える。
【００２２】
高周波線路２，３の一方端はともに入力端子１に接続され、それらの他方端はスイッチ回路５，６の共通端子５ｃ，６ｃにそれぞれ接続される。抵抗素子４は、終端抵抗素子７，８よりも十分に大きな抵抗値を有し、高周波線路２，３の他方端の間に接続される。高周波線路２と３は、同じ寸法および同じ特性インピーダンス（たとえば７５Ω）を有する。
【００２３】
スイッチ回路５の第１の導通端子５ａはコンデンサ９を介して増幅器１１の入力ノードに接続され、増幅器１１の出力ノードはコンデンサ１３を介して出力端子１５に接続される。終端抵抗素子７は、スイッチ回路５の第２の導通端子５ｂと接地電位ＧＮＤのラインとの間に接続される。終端抵抗素子７は、高周波線路２の特性インピーダンスと同じ値の抵抗値（７５Ω）を有する。
【００２４】
出力端子１５が同軸線を介してレシーバ１０４に接続されている場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第１の導通端子５ａとの間が導通状態にされる。ここで、出力端子１５に接続される同軸線の特性インピーダンスは７５Ωであり、レシーバ１０４の入力抵抗値は７５Ωであるものとする。高周波線路２を通過した高周波信号は、スイッチ回路５、コンデンサ９、増幅器１１、コンデンサ１３、出力端子１５、および同軸線を介してレシーバ１０４に伝達される。
【００２５】
また、出力端子１５がレシーバ１０４に接続されていない場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第２の導通端子５ｂとの間が導通状態にされ、高周波線路２の他方端が終端抵抗素子７を介して接地される。したがって、出力端子１５が同軸線を介してレシーバ１０４に接続されている場合および出力端子１５がレシーバ１０４に接続されていない場合のいずれの場合においても、入力端子１から出力端子１５側を見たインピーダンスは７５Ωになり、インピーダンスは変動しない。なお、スイッチ回路５は、手動で切換えてもよいし、後述するように制御回路によって切換えてもよい。
【００２６】
スイッチ回路６の第１の導通端子６ａはコンデンサ１０を介して増幅器１２の入力ノードに接続され、増幅器１２の出力ノードはコンデンサ１４を介して出力端子１６に接続される。終端抵抗素子８は、スイッチ回路６の第２の導通端子６ｂと接地電位ＧＮＤのラインとの間に接続される。終端抵抗素子８は、高周波線路３の特性インピーダンスと同じ値の抵抗値（７５Ω）を有する。
【００２７】
出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されている場合は、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第１の導通端子６ａとの間が導通状態にされる。ここで、出力端子１６に接続される同軸線の特性インピーダンスは７５Ωであり、レシーバ１０５の入力抵抗値は７５Ωであるものとする。高周波線路３を通過した高周波信号は、スイッチ回路６、コンデンサ１０、増幅器１２、コンデンサ１４、出力端子１６、および同軸線を介してレシーバ１０５に伝達される。
【００２８】
また、出力端子１６がレシーバ１０５に接続されていない場合は、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第２の導通端子６ｂとの間が導通状態にされ、高周波線路３の他方端が終端抵抗素子８を介して接地される。したがって、出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されている場合および出力端子１６がレシーバ１０５に接続されていない場合のいずれの場合においても、入力端子１から出力端子１６側を見たインピーダンスは７５Ωであり、インピーダンスは変動しない。なお、スイッチ回路６は、手動で切換えてもよいし、後述するように制御回路によって切換えてもよい。
【００２９】
次に、この高周波分配回路の動作について説明する。出力端子１５，１６がそれぞれレシーバ１０４，１０５に接続されている場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第１の導通端子５ａとの間が導通状態にされるとともに、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第１の導通端子６ａとの間が導通状態にされる。この場合は、入力端子１から出力端子１５側を見た抵抗値と入力端子１から出力端子１６側を見た抵抗値がともに７５Ωになるので、入力端子１に入力された高周波信号は２つの出力端子１５，１６に等しく分配される。
【００３０】
また、出力端子１５がレシーバ１０４に接続されているが、出力端子１６がレシーバ１０５に接続されていない場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第１の導通端子５ａとの間が導通状態にされるとともに、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第２の導通端子６ｂとの間が導通状態にされる。この場合でも、入力端子１から出力端子１５側を見た抵抗値と入力端子１から出力端子１６側を見た抵抗値がともに７５Ωになるので、入力端子１に入力された高周波信号は２つの出力端子１５側と出力端子１６側に等しく分配される。出力端子１６がレシーバ１０５に接続されているが、出力端子１５がレシーバ１０４に接続されていない場合も同様である。したがって、出力端子１５，１６のうちの一方の出力端子がレシーバに接続されているか否かに関係なく、高周波信号を安定に分配することができる。
【００３１】
この実施の形態１では、出力端子１５，１６にレシーバ１０４，１０５が接続されている場合は高周波線路２，３の他方端から出力端子１５，１６に高周波信号を通過させ、出力端子１５，１６にレシーバ１０４，１０５が接続されていない場合は高周波線路２，３の他方端を終端抵抗素子７，８を介して接地させる。したがって、出力端子１５，１６がレシーバ１０４，１０５に接続されているか否かによる受信信号レベルの変動やアイソレーション劣化を防止することができる。また、終端器を使用する場合に比べ、操作性が向上し、外付け部品が不要になるので作業性が向上し、低価格化を図ることができる。
【００３２】
なお、この実施の形態１では、高周波線路２，３の特性インピーダンスと終端抵抗素子７，８の抵抗値をレシーバ１０４，１０５と同じ７５Ωとしたが、高周波線路２，３の特性インピーダンスと終端抵抗素子７，８の抵抗値をレシーバ１０４，１０５と異なる値（たとえば５０Ω）にし、増幅器１１，１２と出力端子１５，１６の間に５０Ωを７５Ωに変換するインピーダンス変換器を設けてもよい。
【００３３】
[実施の形態２]
図２は、この発明の実施の形態２による高周波分配回路の構成を示す回路図である。図２を参照して、この高周波分配回路は、図１のスイッチ回路５，６をそれぞれＳＰＤＴ(Single Pole Double Throw)２０，２１で構成したものである。
【００３４】
ＳＰＤＴ２０は、共通端子２０ｃ、第１の導通端子２０ａ、第２の導通端子２０ｂ、第１の制御端子２０ｄ、および第２の制御端子２０ｅを含む。共通端子２０ｃは、高周波線路２の他方端に接続される。第１の導通端子２０ａは、コンデンサ９を介して増幅器１１の入力ノードに接続される。第２の導通端子２０ｂは、終端抵抗素子７およびコンデンサ２２を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。コンデンサ２２は、第２の導通端子２０ｂから接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れるのを防止するために設けられており、高周波信号に対しては十分に低いインピーダンスを有する。
【００３５】
出力端子１５が同軸線を介してレシーバ１０４に接続されている場合は、ＳＰＤＴ２０の第１および第２の制御端子２０ｄ，２０ｅにそれぞれ「Ｈ」レベル（３Ｖ）および「Ｌ」レベル（０Ｖ）が与えられて、ＳＰＤＴ２０の共通端子２０ｃと第１の導通端子２０ａとの間が導通状態にされる。
【００３６】
また、出力端子１５がレシーバ１０４に接続されていない場合は、ＳＰＤＴ２０の第１および第２の制御端子２０ｄ，２０ｅにそれぞれ「Ｌ」レベルおよび「Ｈ」レベルが与えられて、ＳＰＤＴ２０の共通端子２０ｃと第２の導通端子２０ｂとの間が導通状態にされ、高周波線路２の他方端が終端抵抗素子７を介して接地される。
【００３７】
ＳＰＤＴ２１は、共通端子２１ｃ、第１の導通端子２１ａ、第２の導通端子２１ｂ、第１の制御端子２１ｄ、および第２の制御端子２１ｅを含む。共通端子２１ｃは、高周波線路３の他方端に接続される。第１の導通端子２１ａは、コンデンサ１０を介して増幅器１２の入力ノードに接続される。第２の導通端子２１ｂは、終端抵抗素子８およびコンデンサ２３を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。コンデンサ２３は、第２の導通端子２１ｂから接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れるのを防止するために設けられており、高周波信号に対しては十分に低いインピーダンスを有する。
【００３８】
出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されている場合は、ＳＰＤＴ２１の第１および第２の制御端子２１ｄ，２１ｅにそれぞれ「Ｈ」レベルおよび「Ｌ」レベルが与えられて、ＳＰＤＴ２１の共通端子２１ｃと第１の導通端子２１ａとの間が導通状態にされる。
【００３９】
また、出力端子１６がレシーバ１０５に接続されていない場合は、ＳＰＤＴ２１の第１および第２の制御端子２１ｄ，２１ｅにそれぞれ「Ｌ」レベルおよび「Ｈ」レベルが与えられて、ＳＰＤＴ２１の共通端子２１ｃと第２の導通端子２１ｂとの間が導通状態にされ、高周波線路２の他方端が終端抵抗素子７を介して接地される。他の構成および動作は、実施の形態１と同じであるので、その説明は繰り返さない。
【００４０】
この実施の形態２でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。なお、ＳＰＤＴの使用による消費電流の増加は問題にならない程度に小さい。
【００４１】
[実施の形態３]
図３は、この発明の実施の形態３による高周波分配回路の構成を示す回路図である。図２を参照して、この高周波分配回路は、図１のスイッチ回路５をＰＩＮダイオード３１，３２、コンデンサ３３，３４、抵抗素子３５、第１の制御端子３６および第２の制御端子３７で構成し、スイッチ回路６をＰＩＮダイオード４１，４２、コンデンサ４３，４４、抵抗素子４５、第１の制御端子４６および第２の制御端子４７で構成したものである。
【００４２】
コンデンサ３３は、高周波線路２の他方端とコンデンサ９との間に接続される。ダイオード３１のアノードは終端抵抗素子７の一方端子に接続され、そのカソードはコンデンサ９と３３の間のノードに接続される。ダイオード３１の導通抵抗値は十分に小さな値に設定されている。終端抵抗素子７の他方端子は、第１の制御端子３６およびコンデンサ３４を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。コンデンサ３４は、第１の制御端子３６から接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れるのを防止するために設けられており、高周波信号に対しては十分に低いインピーダンスを有する。ダイオード３２のアノードは第２の制御端子３７に接続され、そのカソードはダイオード３１のカソードに接続される。ダイオード３２の導通抵抗値は十分に大きな値に設定されている。抵抗素子３５は、終端抵抗素子７，８よりも十分に大きな抵抗値を有し、ダイオード３１，３２のカソードと接地電位ＧＮＤのラインとの間に接続される。
【００４３】
出力端子１５が同軸線を介してレシーバ１０４に接続されている場合は、第１の制御端子３６に第１の電圧Ｖ１が与えられるとともに第２の制御端子３７に第１の電圧Ｖ１よりも高い第２の電圧Ｖ２が与えられ、ダイオード３２が導通状態にされるとともにダイオード３１が非導通状態にされる。このとき、第２の制御端子３７からダイオード３２および抵抗素子３５を介して接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れる。また、ダイオード３２および抵抗素子３５の抵抗値は十分に高いので、高周波線路２を通過した高周波信号はコンデンサ３３，９、増幅器１１およびコンデンサ１３を介して出力端子１５に出力される。
【００４４】
また、出力端子１５がレシーバ１０４に接続されていない場合は、第１の制御端子３６に第１の電圧Ｖ１が与えられるとともに第２の制御端子３７に第１の電圧Ｖ１よりも低い第３の電圧Ｖ３が与えられ、ダイオード３１が導通状態にされるとともにダイオード３２が非導通状態にされる。このとき、第１の制御端子３６から終端抵抗素子７、ダイオード３１および抵抗素子３５を介して接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れる。また、コンデンサ３３、ダイオード３１およびコンデンサ３４のインピーダンスは、終端抵抗素子７よりも十分に低い値に設定されているので、高周波線路２の他方端は、コンデンサ３３、ダイオード３１、終端抵抗素子７およびコンデンサ３４を介して高周波的に接地される。
【００４５】
コンデンサ４３は、高周波線路３の他方端とコンデンサ１０との間に接続される。ダイオード４１のアノードは終端抵抗素子８の一方端子に接続され、そのカソードはコンデンサ１０と４３の間のノードに接続される。ダイオード４１の導通抵抗値は十分に小さな値に設定されている。終端抵抗素子８の他方端子は、第１の制御端子４６およびコンデンサ４４を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。コンデンサ４４は、第１の制御端子４６から接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れるのを防止するために設けられており、高周波信号に対しては十分に低いインピーダンスを有する。ダイオード４２のアノードは第２の制御端子４７に接続され、そのカソードはダイオード４１のカソードに接続される。ダイオード４２の導通抵抗値は十分に大きな値に設定されている。抵抗素子４５は、終端抵抗素子７，８よりも十分に大きな抵抗値を有し、ダイオード４１，４２のカソードと接地電位ＧＮＤのラインとの間に接続される。
【００４６】
出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されている場合は、第１の制御端子４６に第１の電圧Ｖ１が与えられるとともに第２の制御端子４７に第１の電圧Ｖ１よりも高い第２の電圧Ｖ２が与えられ、ダイオード４２が導通状態にされるとともにダイオード４１が非導通状態にされる。このとき、第２の制御端子４７からダイオード４２および抵抗素子４５を介して接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れる。また、ダイオード４２および抵抗素子４５の抵抗値は十分に高いので、高周波線路３を通過した高周波信号はコンデンサ４３，１０、増幅器１２およびコンデンサ１４を介して出力端子１６に出力される。
【００４７】
また、出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されていない場合は、第１の制御端子４６に第１の電圧Ｖ１が与えられるとともに第２の制御端子４７に第１の電圧Ｖ１よりも低い第３の電圧Ｖ３が与えられ、ダイオード４１が導通状態にされるとともにダイオード４２が非導通状態にされる。このとき、第１の制御端子４６から終端抵抗素子８、ダイオード４１および抵抗素子４５を介して接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れる。また、コンデンサ４３、ダイオード４１およびコンデンサ４４のインピーダンスは、終端抵抗素子８よりも十分に低い値に設定されているので、高周波線路３の他方端は、コンデンサ４３、ダイオード４１、終端抵抗素子８およびコンデンサ４４を介して高周波的に接地される。他の構成および動作は、実施の形態１と同じであるので、その説明は繰り返さない。
【００４８】
この実施の形態３でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。
[実施の形態４]
図４は、この発明の実施の形態４による高周波分配回路の構成を示す回路図である。図４を参照して、この高周波分配回路は、図１の高周波分配回路に制御回路５１，５２、高周波線路５３，５４、およびコンデンサ５５，５６を追加したものである。
【００４９】
高周波線路５３およびコンデンサ５５は、出力端子１５と接地電位ＧＮＤのラインとの間に直列接続され、高周波信号を遮断し、直流電圧を通過させる低域フィルタを構成する。制御回路５１は、高周波線路５３とコンデンサ５５の間のノードＮ５３に直流電圧が印加されているか否かを判別し、判別結果に基づいてスイッチ回路５を制御する。
【００５０】
出力端子１５が同軸線を介してレシーバ１０４に接続されている場合は、レシーバ１０４は同軸線を介してＬＮＢやＳＷ−ＢＯＸの出力端子すなわち高周波分配回路の出力端子１５にＬＮＢやＳＷ−ＢＯＸの電源電圧として直流電圧を供給する。出力端子１５に与えられた直流電圧は、高周波線路５３を介してノードＮ５３に伝達される。制御回路５１は、ノードＮ５３に直流電圧が伝達されたことに応じて、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第１の導通端子５ａとの間を導通させ、高周波信号を出力端子１５に通過させる。
【００５１】
また、出力端子１５がレシーバ１０４に接続されていない場合は、出力端子１５に直流電圧は印加されない。制御回路５１は、ノードＮ５３に直流電圧が伝達されていないことに応じて、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第２の導通端子５ｂとの間を導通させ、高周波線路２の他方端を終端させる。
【００５２】
高周波線路５４およびコンデンサ５６は、出力端子１６と接地電位ＧＮＤのラインとの間に直列接続され、高周波信号を遮断し、直流電圧を通過させる低域フィルタを構成する。制御回路５２は、高周波線路５４とコンデンサ５６の間のノードＮ５４に直流電圧が印加されているか否かを判別し、判別結果に基づいてスイッチ回路６を制御する。
【００５３】
出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されている場合は、レシーバ１０５は同軸線を介してＬＮＢやＳＷ−ＢＯＸの出力端子すなわち高周波分配回路の出力端子１５にＬＮＢやＳＷ−ＢＯＸの電源電圧として直流電圧を供給する。出力端子１６に与えられた直流電圧は、高周波線路５４を介してノードＮ５４に伝達される。制御回路５２は、ノードＮ５４に直流電圧が伝達されたことに応じて、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第１の導通端子６ａとの間を導通させ、高周波信号を出力端子１６に通過させる。
【００５４】
また、出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されていない場合は、出力端子１６に直流電圧は印加されない。制御回路５２は、ノードＮ５４に直流電圧が伝達されていないことに応じて、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第２の導通端子６ｂとの間を導通させ、高周波線路３の他方端を終端させる。他の構成および動作は、実施の形態１と同じであるので、その説明は繰り返さない。
【００５５】
この実施の形態４でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。また、出力端子１５，１６に接続されたレシーバ１０４，１０５の電源のオン／オフによるインピーダンス変動により、受信信号レベルの変動やアイソレーションの劣化が起こることを防止することができる。
【００５６】
図５は、この実施の形態４の変更例を示す回路図である。この変更例では、制御回路５１は、ノードＮ５３に直流電圧が印加されている場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第１の導通端子５ａとの間を導通させるとともに増幅器１１を活性化させる。また、制御回路５１は、ノードＮ５３に直流電圧が印加されていない場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第２の導通端子５ｂとの間を導通させるとともに増幅器１１を非活性化させる。
【００５７】
制御回路５２は、ノードＮ５４に直流電圧が印加されている場合は、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第１の導通端子６ａとの間を導通させるとともに増幅器１２を活性化させる。また、制御回路５２は、ノードＮ５４に直流電圧が印加されていない場合は、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第２の導通端子６ｂとの間を導通させるとともに増幅器１２を非活性化させる。したがって、不要な場合に増幅器１１，１２を非活性化させるので、消費電力の低減化を図ることができる。
【００５８】
[実施の形態５]
図６は、この発明の実施の形態５による高周波分配回路の構成を示す回路図である。図６を参照して、この高周波分配回路は、図１の高周波分配回路に制御回路６１，６２を追加したものである。
【００５９】
制御回路６１は、切換信号φ１に従ってスイッチ回路５を制御する。切換信号φ１は、レシーバ１０４から与えられてもよいし、出力端子１５に同軸線が接続されたことを検知して高周波分配回路内で発生してもよいし、ユーザの指示に応答して発生してもよい。
【００６０】
出力端子１５が同軸線を介してレシーバ１０４に接続されている場合は、切換信号φ１が「Ｈ」レベルにされる。制御回路６１は、切換信号φ１が「Ｈ」レベルにされた場合は、スイッチ回路５に第１の制御信号を与えてスイッチ回路５の共通端子５ｃと第１の導通端子５ａとの間を導通させ、高周波信号を出力端子１５に通過させる。
【００６１】
また、出力端子１５がレシーバ１０４に接続されていない場合は、切換信号φ１は、「Ｌ」レベルにされる。制御回路６１は、切換信号φ１が「Ｌ」レベルにされた場合は、スイッチ回路５に第２の制御信号を与えてスイッチ回路５の共通端子５ｃと第２の導通端子５ｂとの間を導通させ、高周波線路２の他方端を終端させる。
【００６２】
制御回路６２は、切換信号φ２に従ってスイッチ回路６を制御する。切換信号φ２は、切換信号φ１と同じ方法で生成される。
【００６３】
出力端子１６が同軸線を介してレシーバ１０５に接続されている場合は、切換信号φ２が「Ｈ」レベルにされる。制御回路６２は、切換信号φ２が「Ｈ」レベルにされた場合は、スイッチ回路６に第１の制御信号を与えてスイッチ回路６の共通端子６ｃと第１の導通端子６ａとの間を導通させ、高周波信号を出力端子１５に通過させる。
【００６４】
また、出力端子１６がレシーバ１０５に接続されていない場合は、切換信号φ２は、「Ｌ」レベルにされる。制御回路６２は、切換信号φ２が「Ｌ」レベルにされた場合は、スイッチ回路６に第２の制御信号を与えてスイッチ回路６の共通端子６ｃと第２の導通端子６ｂとの間を導通させ、高周波線路３の他方端を終端させる。他の構成および動作は、実施の形態１と同じであるので、その説明は繰り返さない。
【００６５】
この実施の形態５でも、実施の形態１と同じ効果が得られる。
図７は、この実施の形態５の変更例を示す回路図である。この変更例では、制御回路６１は、切換信号φ１が「Ｈ」レベルの場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第１の導通端子５ａとの間を導通させるとともに増幅器１１を活性化させる。また、制御回路６１は、切換信号φ１が「Ｌ」レベルの場合は、スイッチ回路５の共通端子５ｃと第２の導通端子５ｂとの間を導通させるとともに増幅器１１を非活性化させる。
【００６６】
制御回路６２は、切換信号φ２が「Ｈ」レベルの場合は、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第１の導通端子６ａとの間を導通させるとともに増幅器１２を活性化させる。また、制御回路６１は、切換信号φ２が「Ｌ」レベルの場合は、スイッチ回路６の共通端子６ｃと第２の導通端子６ｂとの間を導通させるとともに増幅器１２を非活性化させる。したがって、不要な場合に増幅器１１，１２を非活性化させるので、消費電力の低減化を図ることができる。
【００６７】
[実施の形態６]
図８は、この発明の実施の形態６による高周波分配回路の構成を示す回路図である。図８において、この高周波分配回路が図１の高周波分配回路と異なる点は、入力端子１および抵抗素子４が除去され、入力端子６５，６６および２×２スイッチ回路６７が設けられている点である。入力端子６５，６６には、異なる高周波信号が与えられる。２×２スイッチ回路６７は、２つの入力端子６５，６６に与えられる２つの高周波信号のうちのいずれかの高周波信号を一方の出力端子１５に対応して選択し、選択した高周波信号をその出力端子１５に与える。また、２×２スイッチ回路６７は、２つの入力端子６５，６６に与えられる２つの高周波信号のうちのいずれかの高周波信号を他方の出力端子１５に対応して選択し、選択した高周波信号をその出力端子１５に与える。したがって、出力端子１５，１６には、同じ高周波信号が与えられる場合もあるし、異なる高周波信号が与えられる場合もある。
【００６８】
この高周波分配回路でも、出力端子１５，１６にレシーバ１０４，１０５が接続されている場合は高周波線路２，３の他方端から出力端子１５，１６に高周波信号を通過させ、出力端子１５，１６にレシーバ１０４，１０５が接続されていない場合は高周波線路２，３の他方端を終端抵抗素子７，８を介して接地させる。したがって、出力端子１５，１６がレシーバ１０４，１０５に接続されているか否かによる受信信号レベルの変動やアイソレーション劣化を防止することができる。また、終端器を使用する場合に比べ、操作性が向上し、外付け部品が不要になるので作業性が向上し、低価格化を図ることができる。
【００６９】
なお、図９〜図１４に示すように、図２〜図７の高周波分配回路の入力端子１および抵抗素子４を入力端子６５，６６および２×２スイッチ回路６７で置換しても、同じ効果が得られることは言うまでもない。
【００７０】
[実施の形態７]
図８の高周波分配回路において、たとえば入力端子６５に与えられた高周波信号を出力端子１５のみに与えたい場合でも、高周波信号の一部は２×２スイッチ回路６７を介して出力端子１６側に漏れてしまう。漏れた高周波信号はスイッチ回路６および終端抵抗素子８で終端されるが、漏れた高周波信号の一部はさらにスイッチ回路６を介して出力端子１６に漏れてしまう。出力端子１６に変動するインピーダンスが接続されている場合、そのインピーダンスの変動によって出力端子１６側に漏れる高周波信号の振幅が変動し、ひいては出力端子１５における高周波信号の振幅が変動してしまう。この実施の形態７では、この問題の解決が図られる。
【００７１】
図１５は、この発明の実施の形態７による高周波分配回路の構成を示す回路図であって、図８と対比される図である。図１５を参照して、この高周波分配回路が図８の高周波分配回路と異なる点は、スイッチ回路７１，７２および終端抵抗素子７３，７４が追加されている点である。
【００７２】
スイッチ回路５の第１の導通端子５ａはスイッチ回路７１の共通端子７１ｃに接続され、スイッチ回路７１の第１の導通端子７１ａはコンデンサ９を介して増幅器１１の入力ノードに接続され、スイッチ回路７１の第２の導通端子７１ｂは終端抵抗素子７３を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。スイッチ回路５と７１は同様に切換動作し、スイッチ回路５の端子５ａ，５ｃ間が導通するときはスイッチ回路７１の端子７１ａ，７１ｃ間が導通し、スイッチ回路５の端子５ｂ，５ｃ間が導通するときはスイッチ回路７１の端子７１ｂ，７１ｃ間が導通する。
【００７３】
スイッチ回路６の第１の導通端子６ａはスイッチ回路７２の共通端子７２ｃに接続され、スイッチ回路７２の第１の導通端子７２ａはコンデンサ１０を介して増幅器１２の入力ノードに接続され、スイッチ回路７２の第２の導通端子７２ｂは終端抵抗素子７４を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。スイッチ回路６と７２は同様に切換動作し、スイッチ回路６の端子６ａ，６ｃ間が導通するときはスイッチ回路７２の端子７２ａ，７２ｃ間が導通し、スイッチ回路６の端子６ｂ，６ｃ間が導通するときはスイッチ回路７２の端子７２ｂ，７２ｃ間が導通する。
【００７４】
たとえば入力端子６５に与えられた高周波信号を出力端子１５のみに与えたい場合でも、高周波信号の一部は２×２スイッチ回路６７を介して出力端子１６側に漏れる。漏れた高周波信号はスイッチ回路６および終端抵抗素子８で終端されるが、漏れた高周波信号の一部はさらにスイッチ回路６を介してスイッチ回路７２側に漏れる。スイッチ６から漏れた高周波信号はスイッチ回路７２および終端抵抗素子７４で終端される。この結果、出力端子１６に漏れる高周波信号の振幅は極めて小さく抑えられ、出力端子１６に変動するインピーダンスが接続されている場合でも、そのインピーダンスの変動が出力端子１５における高周波信号の振幅に与える影響は小さく抑えられる。
【００７５】
図１６は、この実施の形態７の変更例を示す回路図であって、図９と対比される図である。図１６を参照して、この高周波分配回路が図９の高周波分配回路と異なる点は、ＳＰＤＴ７５，７６、終端抵抗素子７７，７８およびコンデンサ７９，８０が追加されている点である。
【００７６】
ＳＰＤＴ７５は、共通端子７５ｃ、第１の導通端子７５ａ、第２の導通端子７５ｂ、第１の制御端子７５ｄ、および第２の制御端子７５ｅを含む。共通端子７５ｃは、ＳＰＤＴ２０の第１の導通端子２０ａに接続される。第１の導通端子７５ａは、コンデンサ９を介して増幅器１１の入力ノードに接続される。第２の導通端子７５ｂは、終端抵抗素子７７よびコンデンサ７９を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。
【００７７】
ＳＰＤＴ７５の第１および第２の制御端子７５ｄ，７５ｅには、それぞれＳＰＤＴ２０の第１および第２の制御端子２０ｄ，２０ｅと同じレベルの信号が与えられる。ＳＰＤＴ２０と７５は同様に切換動作し、ＳＰＤＴ２０の端子２０ａ，２０ｃ間が導通するときはＳＰＤＴ７５の端子７５ａ，７５ｃ間が導通し、ＳＰＤＴ２０の端子２０ｂ，２０ｃ間が導通するときはＳＰＤＴ７５の端子７５ｂ，７５ｃ間が導通する。
【００７８】
ＳＰＤＴ７６は、共通端子７６ｃ、第１の導通端子７６ａ、第２の導通端子７６ｂ、第１の制御端子７６ｄ、および第２の制御端子７６ｅを含む。共通端子７６ｃは、ＳＰＤＴ２１の第１の導通端子２１ａに接続される。第１の導通端子７６ａは、コンデンサ１０を介して増幅器１２の入力ノードに接続される。第２の導通端子７６ｂは、終端抵抗素子７８よびコンデンサ８０を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。
【００７９】
ＳＰＤＴ７６の第１および第２の制御端子７６ｄ，７６ｅには、それぞれＳＰＤＴ２１の第１および第２の制御端子２１ｄ，２１ｅと同じレベルの信号が与えられる。ＳＰＤＴ２１と７６は同様に切換動作し、ＳＰＤＴ２１の端子２１ａ，２１ｃ間が導通するときはＳＰＤＴ７６の端子７６ａ，７６ｃ間が導通し、ＳＰＤＴ２１の端子２１ｂ，２１ｃ間が導通するときはＳＰＤＴ７６の端子７６ｂ，７６ｃ間が導通する。
【００８０】
この変更例でも、実施の形態７と同じ効果が得られる。
図１７は、この実施の形態７の他の変更例を示す回路図であって、図１０と対比される図である。図１７を参照して、この高周波分配回路が図１０の高周波分配回路と異なる点は、ＰＩＮダイオード８１，８２，９１，９２、コンデンサ８３，８４，９３，９４、抵抗素子８５，８８，９５，９８、第１の制御端子８６，９６および第２の制御端子８７，９７が追加されている点である。
【００８１】
コンデンサ８３は、抵抗素子３５の一方端子とコンデンサ９の間に接続される。ダイオード８１のアノードは終端抵抗素子８８の一方端子に接続され、そのカソードはコンデンサ８３と９の間のノードに接続される。ダイオード８１の導通抵抗値は十分に小さな値に設定されている。終端抵抗素子８８の他方端子は、第１の制御端子８６およびコンデンサ８４を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。コンデンサ８４は、第１の制御端子８６から接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れるのを防止するために設けられており、高周波信号に対しては十分に低いインピーダンスを有する。ダイオード８２のアノードは第２の制御端子８７に接続され、そのカソードはダイオード８１のカソードに接続される。ダイオード８２の導通抵抗値は十分に大きな値に設定されている。抵抗素子８５は、終端抵抗素子８８よりも十分に大きな抵抗値を有し、ダイオード８１，８２のカソードと接地電位ＧＮＤのラインとの間に接続される。
【００８２】
第１および第２の制御端子８６，８７には、それぞれ第１および第２の制御端子３６，３７と同じ電圧が与えられる。ダイオード３２が導通状態にされるとともにダイオード３１が非導通状態にされる場合は、ダイオード８２が導通状態にされるとともにダイオード８１が非導通状態にされる。ダイオード３２が非導通状態にされるとともにダイオード３１が導通状態にされる場合は、ダイオード８２が非導通状態にされるとともにダイオード８１が導通状態にされる。
【００８３】
コンデンサ９３は、抵抗素子４５の一方端子とコンデンサ１０の間に接続される。ダイオード９１のアノードは終端抵抗素子９８の一方端子に接続され、そのカソードはコンデンサ９３と１０の間のノードに接続される。ダイオード９１の導通抵抗値は十分に小さな値に設定されている。終端抵抗素子９８の他方端子は、第１の制御端子９６およびコンデンサ９４を介して接地電位ＧＮＤのラインに接続される。コンデンサ９４は、第１の制御端子９６から接地電位ＧＮＤのラインに直流電流が流れるのを防止するために設けられており、高周波信号に対しては十分に低いインピーダンスを有する。ダイオード９２のアノードは第２の制御端子９７に接続され、そのカソードはダイオード９１のカソードに接続される。ダイオード９２の導通抵抗値は十分に大きな値に設定されている。抵抗素子９５は、終端抵抗素子９８よりも十分に大きな抵抗値を有し、ダイオード９１，９２のカソードと接地電位ＧＮＤのラインとの間に接続される。
【００８４】
第１および第２の制御端子９６，９７には、それぞれ第１および第２の制御端子４６，４７と同じ電圧が与えられる。ダイオード４２が導通状態にされるとともにダイオード４１が非導通状態にされる場合は、ダイオード９２が導通状態にされるとともにダイオード９１が非導通状態にされる。ダイオード４２が非導通状態にされるとともにダイオード４１が導通状態にされる場合は、ダイオード９２が非導通状態にされるとともにダイオード９１が導通状態にされる。
【００８５】
この変更例でも、実施の形態７と同じ効果が得られる。
図１８は、この実施の形態７のさらに他の変更例を示す回路図であって、図１１と対比される図である。図１８を参照して、この高周波分配回路が図１１の高周波分配回路と異なる点は、スイッチ回路７１，７２および終端抵抗素子７３，７４が追加されている点である。スイッチ回路７１，７２および終端抵抗素子７３，７４の接続関係および動作は、図１５で説明した通りである。
【００８６】
この変更例でも、実施の形態７と同じ効果が得られる。
なお、以上の高周波分配回路は、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、コンデンサなどを１枚の半導体基板上に形成した集積回路として構成してもよいし、個々の部品をプリント基板上に配置して接続したディスクリート回路として構成してもよい。
【００８７】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】この発明の実施の形態１による高周波分配回路の構成を示す回路図である。
【図２】この発明の実施の形態２による高周波分配回路の構成を示す回路図である。
【図３】この発明の実施の形態３による高周波分配回路の構成を示す回路図である。
【図４】この発明の実施の形態４による高周波分配回路の構成を示す回路図である。
【図５】実施の形態４の変更例を示す回路図である。
【図６】この発明の実施の形態５による高周波分配回路の構成を示す回路図である。
【図７】実施の形態５の変更例を示す回路図である。
【図８】この発明の実施の形態６による高周波分配回路の構成を示す回路図である。
【図９】実施の形態６の変更例を示す回路図である。
【図１０】実施の形態６の他の変更例を示す回路図である。
【図１１】実施の形態６のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図１２】実施の形態６のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図１３】実施の形態６のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図１４】実施の形態６のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図１５】この発明の実施の形態７による高周波分配回路の構成を示す回路図である。
【図１６】実施の形態７の変更例を示す回路図である。
【図１７】実施の形態７の他の変更例を示す回路図である。
【図１８】実施の形態７のさらに他の変更例を示す回路図である。
【図１９】従来の衛星放送システムの受信部の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８９】
１，６５，６６  入力端子、２，３，５３，５４  高周波線路、４，３５，４５，８５，９５  抵抗素子、５，６，７１，７２  スイッチ回路、５ａ，６ａ，２０ａ，２１ａ，７１ａ，７２ａ，７５ａ，７６ａ  第１の導通端子、５ｂ，６ｂ，２０ｂ，２１ｂ，７１ｂ，７２ｂ，７５ｂ，７６ｂ  第２の導通端子、５ｃ，６ｃ，２０ｃ，２１ｃ，７１ｃ，７２ｃ，７５ｃ，７６ｃ  共通端子、２０ｄ，２１ｄ，７５ｄ，７６ｄ，３６，４６，８６，９６  第１の制御端子、２０ｅ，２１ｅ，７５ｅ，７６ｅ，３７，４７，８７，９７  第２の制御端子、７，８，７３，７４，７７，７８，８８，９８  終端抵抗素子、９，１０，１３，１４，２２，２３，３３，３４，４３，４４，５５，５６，７９，８０，８３，８４，９３，９４  コンデンサ、１１，１２  増幅器、１５，１６  出力端子、２０，２１，７５，７６  ＳＰＤＴ、３１，３２，４１，４２，８１，８２，９１，９２  ＰＩＮダイオード、５１，５２，６１，６２  制御回路、６７  ２×２スイッチ回路、１０１  反射器、１０２  ＬＮＢ、１０３  アンテナ、１０４，１０５  レシーバ、１０６，１０７  テレビ受像機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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