(57)【要約】【課題】  従来の表示装置用電磁波シールド材では、表示装置の画質の低下の抑制と高い電磁波シールド効果とを同時に満たすことができない。【解決手段】  透明樹脂基材と、この透明樹脂基材の片面または両面に形成されている透明導電層とからなる電磁波シールド部を用いて、前記透明導電層の層数が２以上、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上である電磁波シールド材を作製する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明樹脂基材と該透明樹脂基材の片面または両面に形成されている透明導電層とからなる電磁波シールド部を有し、前記透明導電層の層数が２以上、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上であることを特徴とする電磁波シールド材。
【請求項２】
電磁波シールド部を構成している透明樹脂基材が近赤外カット機能を有する、請求項１に記載の電磁波シールド材。
【請求項３】
電磁波シールド部を構成している透明導電層がシート抵抗４０Ω／□以下の透明導電性酸化物膜からなる、請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド材。
【請求項４】
透明導電性酸化物膜が少なくともインジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）を構成元素としている非晶質酸化物からなる、請求項３に記載の電磁波シールド材。
【請求項５】
透明導電性酸化物膜におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５〜０．９である、請求項３または請求項４に記載の電磁波シールド材。
【請求項６】
透明導電性酸化物膜がインジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），ガリウム（Ｇａ）および酸素（Ｏ）を構成元素としている、請求項３または請求項４に記載の電磁波シールド材。
【請求項７】
透明導電性酸化物膜におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．５〜０．９、ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．０４以下である、請求項６に記載の電磁波シールド材。
【請求項８】
２または３の電磁波シールド部が重ね合わされている、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の電磁波シールド材。
【請求項９】
互いに隣接する電磁波シールド部同士が粘着層によって接着されている、請求項８に記載の電磁波シールド材。
【請求項１０】
片面または両面に近赤外カット層および／または反射防止層が形成されており、該近赤外カット層または反射防止層が厚さ方向の最外層となっている、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の電磁波シールド材。
【請求項１１】
透明樹脂基材の片面に、インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），ガリウム（Ｇａ）および酸素（Ｏ）を構成元素とする透明導電性酸化物膜からなる透明導電層と、この透明導電層とは屈折率が異なる透明電気絶縁性物質からなる電気絶縁層とが交互に積層されており、前記透明導電層の層数が２以上、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上であることを特徴とする電磁波シールド材。
【請求項１２】
透明導電性酸化物膜が非晶質酸化物からなり、該透明導電性酸化物膜におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．５〜０．９、ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．０４以下である、請求項１１に記載の電磁波シールド材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電磁波シールド材に係り、特に、透明基材上に透明導電層が形成されているタイプの電磁波シールド材に関する。
【背景技術】
【０００２】
我々の身の回りには、電子，電気，電波を利用した機器が数多く存在するが、これらの中には意図しないで不要な電磁波を放射しているものがある。この電磁波は他の電子機器に影響を与えて、誤作動，雑音の発生，その他いろいろな機能障害を起こす原因となっている。また、電子機器から放射される電磁波が人体に及ぼす影響についても従来より問題となっており、特にヨーロッパ等においては電器機器，情報機器等に対して規制が設けられている。そして、日本においても最近自主規制が設けられるようになり、電器機器，情報機器等から放射される電磁波をシールドする必要性が重要視されている。
【０００３】
電磁波シールドの手法としては、従来より、回路の改良やシールド板の設置の他に、電子機器のハウジング材またはケーシング材の表面に導電膜を形成する方法，導電性充填材を分散させた樹脂によって電子機器のハウジング材またはケーシング材を作製する方法，炭素繊維マットや金属メッシュ等と樹脂とからなる導電性複合材料によって電子機器のハウジング材またはケーシング材を作製する方法等が提案されている。
【０００４】
また、電子機器の中でもＣＲＴ（ブラウン管）ディスプレイやカラー表示プラズマディスプレイ等の表示装置では画面からも電磁波が放射され、かつ、これらの表示装置ではその使用者が当該表示装置の画面の前にいる時間が比較的長くなりやすいことから、画面から放射される電磁波についても画質を低下させることなく十分にシールドする必要がある。
【０００５】
表示装置の画面から放射される電磁波をシールドするための電磁波シールド材（以下、この電磁波シールド材を「表示装置用電磁波シールド材」という。）は、(1) 表示部に用いられているガラスが仮に破損した場合でもその飛散を防止する、(2) 電磁波シールド材の軽量化を図る、等の観点から可撓性，耐衝撃性，衝撃吸収性に優れ、かつ、軽量であることが望ましいので、当該電磁波シールド材としては、透明樹脂基材（なかでも透明樹脂フィルム）上に透明導電層を形成したタイプのものが好適である。
【０００６】
このようなタイプの表示装置用電磁波シールド材としては、(1) 透明なフィルム基材の片面に金属や透明導電性酸化物からなる透明導電層を設け、他方の面に接着剤によって透明基板を貼り合わせてなるものや、(2) 前記(1) の電磁波シールド材を２枚、透明導電層同士が接触するようにして積層したもの、が知られている（(1) ，(2) 共に特許文献１参照）。
【０００７】
なお、表示装置用電磁波シールド材との具体的な記載はないが、特許文献２には、ＩＴＯからなる透明導電性薄膜と、当該透明導電性薄膜とは異なる電磁気的特性を有する材料の透明薄膜とを透明基板上に交互に積層してなる透明電磁遮蔽部材が開示されている。
【特許文献１】特開平１−２３５１９５号公報
【特許文献２】特開昭５９−２０１４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
透明樹脂基材上に透明導電層を形成したタイプの表示装置用電磁波シールド材を得る場
合、電磁波シールド効果が高い電磁波シールド材を得るという観点からは、透明導電性酸化物膜よりも導電性の高い金属薄膜によって透明導電層を形成することが好ましい。
【０００９】
しかしながら、透明導電層を金属薄膜によって形成した場合には可視光領域における光透過率が低下するので、表示装置の画質の低下を抑制しつつ電磁波を高度にシールドすることができる表示装置用電磁波シールド材を得ることは困難である。
【００１０】
一方、透明導電層を透明導電性酸化物膜によって形成した場合には、可視光領域における光透過率が比較的高い表示装置用電磁波シールド材を得ることができ、これに伴って表示装置の画質の低下を抑制しつつ電磁波をシールドすることができる表示装置用電磁波シールド材を得ることが容易になる。
【００１１】
しかしながら、透明樹脂基材上に透明導電性酸化物膜を形成する場合には、前記透明樹脂基材の耐熱性が比較的低いことから低温度環境下で透明導電性酸化物膜を形成しなければならず、これに伴って、得られる透明導電性酸化物膜の導電性が低下する。したがって、透明樹脂基材上に単に透明導電性酸化物膜を形成しただけでは、電磁波シールド効果が高い表示装置用電磁波シールド材を得ることが困難である。また、透明樹脂基材上に透明導電性酸化物膜を形成したタイプの電磁波シールド材を２枚、前記(2) の電磁波シールド材のように透明導電層同士が接触するようにして積層することにより電磁波シールド効果を向上させることができるが、その向上の程度は透明導電層の膜厚が厚くなった分だけであり、さほど高くない。
【００１２】
さらに、低温度環境下で形成された従来の透明導電性酸化物膜は、可視光領域において金属薄膜よりも高い光透過率を有しているとはいえ導電性が低いので、高い電磁波シールド効果を付与するためには膜厚を厚くしなければならず、これにより光透過率が低下ため、可視光領域における光透過率の更なる向上が望まれている。
【００１３】
本発明は、表示装置用電磁波シールド材として用いた場合でも、画面から放射される電磁波を画質の低下を抑制しつつ高度にシールドすることが可能な電磁波シールド材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の目的を達成する本発明の電磁波シールド材は、透明樹脂基材と該透明樹脂基材の片面または両面に形成されている透明導電層とからなる電磁波シールド部を有し、前記透明導電層の層数が２以上、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上であることを特徴とするものである（以下、この電磁波シールド材を「電磁波シールド材Ｉ」という。）。
【００１５】
また、上記の目的を達成する本発明の他の電磁波シールド材は、透明樹脂基材の片面に、インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），ガリウム（Ｇａ）および酸素（Ｏ）を構成元素とする透明導電性酸化物膜からなる透明導電層と、この透明導電層とは屈折率が異なる透明電気絶縁性物質からなる電気絶縁層とが交互に積層されており、前記透明導電層の層数が２以上、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上であることを特徴とするものである（以下、この電磁波シールド材を「電磁波シールド材II」という。）。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電磁波シールド材は可視光領域での反射率が２０％以下と低く、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上と高いので、当該電磁波シールド材を表示装置用電磁波シールド材として用いた場合には、画面から放射される電磁波を画質の
低下を抑制しつつ高度にシールドすることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について詳述する。
まず、本発明の電磁波シールド材Ｉについて説明すると、この電磁波シールド材Ｉは、上述したように透明樹脂基材と当該透明樹脂基材の片面または両面に形成されている透明導電層とからなる電磁波シールド部を有している。
【００１８】
ここで、上記の透明樹脂基材としては、本発明の電磁波シールド材Ｉを表示装置用電磁波シールド材として用いた場合でも表示画面の画質の低下をできるだけ抑制することができるように、可視光（波長３８０〜７８０ｎｍの光を意味する。以下同じ。）の全光線透過率が概ね７０％以上であるものを使用することが好ましい。透明樹脂基材における可視光の全光線透過率は、概ね７５％以上であることがより好ましく、概ね８０％以上であることが特に好ましい。
【００１９】
透明樹脂基材の材質の具体例としては、ポリカーボネート樹脂，ポリアリレート樹脂，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂，ポリエーテルサルホン樹脂，アモルファスポリオレフィン樹脂，ポリスチレン樹脂，アクリル樹脂等が挙げられる。さらに、透明樹脂基材としては近赤外カット機能を有するもの、すなわち、テレビ用等のリモートコントローラの誤作動を防止するために、近赤外吸収剤を添加して近赤外領域である波長８００〜１２００ｎｍにおける光透過率を低下させたものを用いることもできる。本発明の電磁波シールド材Ｉを表示装置用電磁波シールド材として用いる場合には、当該近赤外カット機能を有する透明樹脂基板を用いることが好ましい。
【００２０】
上述した透明樹脂基材の厚さは、目的とする電磁波シールド材Ｉの用途等に応じて適宜選択可能である。また、上述した透明樹脂基材は、後述する透明導電層との密着性を改善するためのアンダーコート層や、基材が傷つくことを防止するためのハードコート層や、透明性を向上させるための反射防止層等をその片面または両面に有していてもよい。
【００２１】
一方、上述した透明樹脂基材の片面または両面に形成されている透明導電層としては、インジウム酸化物，ＩＴＯ，スズ酸化物，アンチモンドープスズ酸化物，フッ素ドープスズ酸化物，アルミニウムドープ亜鉛酸化物，Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物等の透明導電性酸化物からなるものが好適である。これらの透明導電層の中でも、目的とする電磁波シールド効果を有する電磁波シールド材Ｉを得るうえからは、シート抵抗が４０Ω／□以下の透明導電性酸化物膜からなっているものが好ましく、特に、シート抵抗が３０Ω／□以下の透明導電性酸化物膜からなっているものが好ましい。そして、シート抵抗が４０Ω／□以下の透明導電性酸化物膜を得るうえからは、その材質はＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物とすることが好ましい。
【００２２】
なお、本発明でいう「Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物」とは、インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）を必須の構成元素とし、ガリウム（Ｇａ），Ｓｎを任意の構成元素としている非晶質酸化物を意味する。
【００２３】
上記のＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物が不可避的な混入物を除いて必須の構成元素のみからなる場合、当該非晶質酸化物におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、得られる膜の導電性の点から０．５〜０．９とすることが好ましく、０．６〜０．９とすることがより好ましく、０．８〜０．９とすることが特に好ましい。この場合、当該Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物からなる膜の比抵抗は概ね３×１０-4〜５×１０-4Ω・ｃｍとなるので、その膜厚を概ね１２５０オングストローム以上とすることにより、シート抵抗が４０Ω／□以下の透明導電層を形成することが可能になる。なお、前記イ
ンジウムの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５未満では得られる膜の導電性が低下し、０．９を超えると膜の熱に対する抵抗安定性が低下する。
【００２４】
一方、上記のＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物に任意の構成元素を含ませる場合、当該任意の構成元素としてはガリウム（Ｇａ）が特に好ましい。ガリウム（Ｇａ）を含ませることにより、波長４００ｎｍ付近の光透過率が向上したＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物膜を得ることができる。
【００２５】
任意の構成元素としてガリウム（Ｇａ）を含ませる場合、当該非晶質酸化物におけるインジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）は、必須の構成元素のみからなるＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物膜におけると同様の理由から０．５〜０．９とすることが好ましく、０．６〜０．９とすることがより好ましく、０．８〜０．９とすることが特に好ましい。また、ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）は０．０４以下とすることが好ましく、０．０３以下とすることがより好ましく、０．０２５以下とすることが特に好ましい。この場合、当該非晶質酸化物からなる膜の比抵抗は概ね３×１０-4〜５×１０-4Ω・ｃｍとなるので、その膜厚を概ね１２５０オングストローム以上とすることにより、シート抵抗が４０Ω／□以下の透明導電層を形成することが可能になる。なお、前記ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．０４を超えると、得られる膜の導電性が低下する。
【００２６】
上記のＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物からなる膜を概ね１００℃以下の低温度環境下で製膜した場合、このＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物膜の透明性は低温度環境下で製膜した他の透明導電性酸化物膜（インジウム酸化物膜，ＩＴＯ膜，スズ酸化物膜，アンチモンドープスズ酸化物，フッ素ドープスズ酸化物膜，アルミニウムドープ亜鉛酸化物膜等）より高くなる。したがって、当該Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物膜は電磁波シールド効果が高い電磁波シールド材を得るうえで好適であるほか、透明性の高い電磁波シールド材を得るうえでも好適である。
【００２７】
前述した透明樹脂基材と当該透明樹脂基材の片面または両面に形成されている上述の透明導電層とからなる電磁波シールド部を有している本発明の電磁波シールド材Ｉは、前記の電磁波シールド部を１つのみ有するものであってもよいし、複数個の前記電磁波シールド部が重ね合わされているものであってもよい。ただし、いずれの場合においても、上述した透明導電層の層数は２以上とする。
【００２８】
ここで、本発明でいう「透明導電層の層数が２以上」とは、電磁波シールド材の厚さ方向についてみたときに、電気絶縁層（透明樹脂基材を含む。）を介して互いに隣接している透明導電層（上述した透明導電層。この透明導電層は、前述した透明樹脂基材の表面に形成されている。）の層数が２以上であることを意味する。したがって、電磁波シールド材の厚さ方向についてみたときに２つ以上の透明導電層が互いに面接触している場合の「透明導電層の層数」は１である。
【００２９】
本発明の電磁波シールド材Ｉが上記の電磁波シールド部を１つのみ有するものである場合、当該電磁波シールド部は、前述した透明樹脂基材の両面にそれぞれ上述した透明導電層が形成されたものである（以下、この電磁波シールド部を「電磁波シールド部Ａ」という。）。この場合、各透明導電層の材質，厚さ，電気的特性および光学的特性は、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００３０】
また、本発明の電磁波シールド材Ｉにおいて前記の電磁波シールド部が複数個重ね合わされている場合、重ね合わされている電磁波シールド部の各々は前記の電磁波シールド部Ａであってもよいし、前述した透明樹脂基材の片面に上述した透明導電層が形成されたも
の（以下、この電磁波シールド部を「電磁波シールド部Ｂ」という。）であってもよい。この場合も、各電磁波シールド部における透明導電層の材質，厚さ，電気的特性および光学的特性は、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００３１】
ただし、重ね合わせる電磁波シールド部の総数が４以上では、得られる電磁波シールド材の可視光領域における光透過性が低下しやすくなるので、その数は２〜３とすることが好ましい。電磁波シールド部の重ね合わせは、熱圧着，両面テープの使用等の方法によっても行うことができるが、エポキシ系接着剤，アクリル系接着剤，シリコーン系接着剤，ウレタン系接着剤等の電気絶縁性の粘着剤によって行うことが実用上好適である。
【００３２】
また、電磁波シールド部の重ね合わせに際しては、上に重ねる電磁波シールド部のサイズ（平面視上の大きさ）をその下の電磁波シールド部のサイズ（平面視上の大きさ）よりも若干小さくすることが好ましい。このように電磁波シールド部のサイズを調整すると、重ね合わせた後に各透明導電層からアースをとることが容易になる。
【００３３】
本発明の電磁波シールド材Ｉは、前述した透明導電層の層数が２以上となるように上述した電磁波シールド部Ａおよび／または電磁波シールド部Ｂを適宜使用することにより得ることが可能であるが、可視光領域（波長３８０〜７８０ｎｍの領域を意味する。以下同じ。）での反射率が２０％を超える電磁波シールド材を表示装置用電磁波シールド材として用いると、表示装置の画質が低下しやすくなるので、本発明の電磁波シールド材Ｉにおける前記の反射率は２０％以下とする。当該反射率は１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。
【００３４】
可視光領域での反射率は、電磁波シールド部を構成している透明樹脂基材の材質および厚さ，透明導電層の材質および厚さ，電磁波シールド材中の界面の数等に応じて変化する。このため、前述した電磁波シールド部Ａを単独使用して、もしくは複数個使用して、もしくは前述した電磁波シールド部Ｂを複数個使用して、または電磁波シールド部Ａと電磁波シールド部Ｂとを所定個づつ併用して透明導電層の層数が２以上の電磁波シールド材を作製すれば必ず可視光領域での反射率が２０％以下の電磁波シールド材が得られるというわけではない。したがって、可視光領域での反射率が２０％以下の所望値となるように、電磁波シールド部を構成する透明樹脂基材の材質および厚さ，透明導電層の材質および厚さ、ならびに電磁波シールド材中の界面の数等を適宜調整する。
【００３５】
ただし、透明導電層の層数が２以上となるように電磁波シールド部Ａおよび／または電磁波シールド部Ｂを適宜使用して得た電磁波シールド材の反射率（前記の反射率）が２０％を超える場合でも、この電磁波シールド材の片面または両面に可視光用の反射防止層を形成することにより、可視光領域での反射率を２０％以下にすることが可能である。この反射防止層は、例えば反射防止フィルム、すなわち、透明樹脂フィルム上に所定の誘電体多層膜または反射防止用の層（シロキサンオリゴマーにチタン成分を添加したものからなる層や、フッ素系アクリル樹脂層）を形成したものを貼着することにより形成することができる。
【００３６】
上記可視光用の反射防止層は、当該反射防止層を設けなくても可視光領域における反射率が既に２０％以下である電磁波シールド材に対して、その反射率を更に低下させるために使用してもよい。
【００３７】
なお、可視光領域での反射率が２０％以下である本発明の電磁波シールド材Ｉにおける可視光の平均透過率は、概ね５０％以上となる。
【００３８】
また、周波数が概ね１０〜１００ＭＨｚの電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ未満
の電磁波シールド材を表示装置用電磁波シールド材、特にカラー表示プラズマディスプレイ用の電磁波シールド材として用いると、画面から放射される電磁波を十分に遮蔽することが困難になるので、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対する本発明の電磁波シールド材Ｉのシールド効果は４０ｄＢ以上とする。当該電磁波シールド効果は４５ｄＢ以上であることが好ましく、５０ｄＢ以上であることがより好ましい。
【００３９】
ここで、本発明でいう「１００ＭＨｚ以下の電磁波」とは、周波数が概ね１０〜１００ＭＨｚである電磁波を意味する。
【００４０】
上記の電磁波シールド効果は、電磁波シールド部を構成している透明導電層の導電性，透明導電層の層数等に応じて変化する。このため、前述した電磁波シールド部Ａを単独使用して、もしくは複数個使用して、もしくは前述した電磁波シールド部Ｂを複数個使用して、または電磁波シールド部Ａと電磁波シールド部Ｂとを所定個づつ併用して透明導電層の層数が２以上の電磁波シールド材を作製すれば必ず電磁波シールド効果が４０ｄＢ以上の電磁波シールド材が得られるというわけではない。したがって、電磁波シールド効果が４０ｄＢ以上の所望値となるように、電磁波シールド部を構成する透明導電層の導電性（材質および厚さ），透明導電層の層数等を適宜調整する。
【００４１】
前述したように、シート抵抗が４０Ω／□以下と導電性の高い透明導電性酸化物膜によって透明導電層を形成することにより、電磁波シールド効果が４０ｄＢ以上の電磁波シールド材を得ることが容易になる。また、本発明の電磁波シールド材Ｉにおいては透明導電層の層数が２以上であるので、透明導電層の層数が１である電磁波シールド材よりも電磁波の反射回数が増加し、その結果として、インジウム酸化物，ＩＴＯ，スズ酸化物，アンチモンドープスズ酸化物，フッ素ドープスズ酸化物，アルミニウムドープ亜鉛酸化物等の透明導電性酸化物膜によって透明導電層を形成した場合でも、電磁波シールド効果が４０ｄＢ以上の電磁波シールド材を得ることが可能になる。
【００４２】
なお、本発明の電磁波シールド材Ｉは、その片面もしくは両面の最外層として、また、当該電磁波シールド材が前述した可視光用の反射防止層を有している場合にはその直ぐ内側の層として、テレビ用等のリモートコントローラの誤作動を防止するための近赤外カット層を有していてもよい。この近赤外カット層は、例えば、近赤外吸収剤を添加して近赤外領域である波長８００〜１２００ｎｍにおける光透過率を低下させた透明樹脂組成物をコーティングすることにより、あるいは、当該透明樹脂組成物がコーティングされた透明樹脂フィルム（近赤外カットフィルム）を貼着することにより、形成することができる。
【００４３】
以上説明した本発明の電磁波シールド材Ｉは、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上であるので、表示装置用電磁波シールド材として用いた場合でも、表示装置の画面から放射される電磁波を画質の低下を抑制しつつ高度にシールドすることができる。本発明の電磁波シールド材Ｉは、電磁波を放射する種々の表示装置用の電磁波シールド材として用いる他、窓ガラス，パチンコ（遊技台）等用の電磁波シールド材として用いることもできる。
【００４４】
このような特性を有する本発明の電磁波シールド材Ｉは、透明樹脂基材の片面または両面に透明導電層を形成して、所望の電磁波シールド部（電磁波シールド部Ａおよび／または電磁波シールド部Ｂ）を必要個作製し、必要に応じて所定個の電磁波シールド部Ａおよび／または電磁波シールド部Ｂを所望の方法によって重ね合わせ、その後、必要に応じて可視光用の反射防止層および／または近赤外カット層を形成することにより、得ることができる。
【００４５】
透明樹脂基材上に透明導電層を形成するにあたっては、スパッタリング法（反応性スパ
ッタリング法を含む。以下同じ。），イオンプレーティング法，活性化蒸着法等の物理的気相蒸着法、プラズマＣＶＤ法等の化学的気相蒸着法、スプレーパイロリシス法、ゾルゲル法等の方法を目的とする透明導電層の組成に応じて適宜適用することができる。
【００４６】
また、透明樹脂基材の両面に透明導電層を形成する場合には、まず透明樹脂基材の片面に透明導電層を形成し、この透明導電層を覆うようにして保護フィルムをラミネータによってラミネートした後に、透明樹脂基材の他方の面に透明導電層を形成することが好ましい。このとき使用する保護フィルムとしては、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリエチレンテレフタレート等からなるフィルムの片面に薄い粘着層を設けたものが好ましく、かつ、透明樹脂基材の他方の面に透明導電層を形成する際にガスの発生が実質的にないものが好ましい。透明樹脂基材の他方の面に透明導電層を形成する際にガスが発生する保護フィルムを使用すると、保護フィルムと透明導電層（保護フィルムの下地となっているもの）との間に気泡が入ることから、ロール ツー ロール方式で連続製膜した場合には製品の巻きムラを生じる。
【００４７】
なお、先に説明したＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物によって透明導電層を形成しようとする場合には、均一性や透明樹脂基材との密着性に優れた透明導電膜層を形成するうえから、スパッタリング法またはイオンプレーティング法を適用することが好ましい。
【００４８】
以下、スパッタリング法によってＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物（ただし、必須の構成元素からなるもの。）からなる透明導電層を形成する場合の製膜条件について詳述する。
【００４９】
まず、使用するスパッタリングターゲットは、目的とする組成の透明導電膜（酸化物膜）を製膜することができさえすればメタルターゲットであってもよいし酸化物焼結体ターゲットであってもよいが、目的とする透明導電層の組成に応じた酸化物焼結体ターゲットを用いることが好ましい。ここで、「目的とする透明導電層の組成に応じた酸化物焼結体ターゲット」とは、目的とする組成の透明導電層を得ることができる組成の酸化物焼結体ターゲットを意味する。
【００５０】
上記の酸化物焼結体ターゲットの組成は、スパッタ率および目的とする透明導電層の組成に応じて適宜選択される。インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５〜０．９であるＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物膜を形成するにあたっては、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比が０．４５〜０．８５である酸化物焼結体ターゲットを用いることが好ましい。酸化物焼結体ターゲットとしては、例えば、インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）の範囲が異なる点を除いて特開平７−２３５２１９号公報の第２７〜２８段に記載されているスパッタリングターゲットを用いることができる。
【００５１】
このとき、酸化物焼結体ターゲットの相対密度は９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９７％以上であることが特に好ましい。酸化物焼結体ターゲットの相対密度が９０％未満である場合には、製膜速度が遅くなったり、得られる膜の膜質が低下したりしやすくなる。ここに相対密度とは、酸化物の組成から計算した理論密度に対する焼結体の実際の密度を面分率で示したものである。
【００５２】
また、酸化物焼結体ターゲットを得るために使用する原料の純度は９９％以上とすることが好ましく、９９．９％以上とすることがより好ましく、９９．９９％以上とすることが特に好ましい。前記の原料の純度が９９％未満では、得られ膜の導電性や化学的安定性が前記の原料に含まれていた不純物によって低下しやすくなる。
【００５３】
スパッタリングは一元であってもよいし、多元であってもよい。また、スパッタリング
の方式としてはＲＦスパッタリング，ＤＣスパッタリング等、各種の方式を適用することができるが、生産性や得られる酸化物膜の膜特性の観点から、工業的には一般的にＤＣマグネトロンスパッタリングが好ましい。ＤＣマグネトロンスパッタリングのスパッタリング条件の一例を挙げるとすれば、以下のようになる。
【００５４】
・到達真空度
スパッタリングを行う前に、真空槽内を予め１×１０-4Ｐａ以下に真空引きする。真空引きの間は、真空引きの時間を短縮させるために加熱してもよい。到達真空度が１×１０-4Ｐａより高圧であると、装置，基板（透明樹脂基材），スパッタリングターゲット等に吸着されている水分を十分に除去することが困難になり、これに起因して、得られる膜の導電性が低下しやすくなる。
【００５５】
・製膜時の真空度
製膜時の真空度は１×１０-2〜１×１０0 Ｐａ、好ましくは１×１０-2〜５×１０-1Ｐａ、特に好ましくは１×１０-2〜２×１０-1Ｐａとする。製膜時の真空度が１×１０-2Ｐａより低圧であると放電安定性が低下し、１×１０0 Ｐａより高圧であるとスパッタリングターゲットへの印加電圧を高くすることが困難になる。
【００５６】
・製膜時の出力
製膜時の出力は３Ｗ／ｃｍ2 以下、好ましくは２Ｗ／ｃｍ2 以下、特に好ましくは１Ｗ／ｃｍ2 以下とし、このときの電圧は１００〜４００Ｖ，好ましくは１００〜３００Ｖ、特に好ましくは１００〜２００Ｖとする。製膜時の出力が３Ｗ／ｃｍ2 を超えると緻密な膜を得にくなり、その結果として、得られる膜の導電性が低下しやすくなる。
【００５７】
・雰囲気ガス
雰囲気ガスとしては、通常、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが用いられる。不活性ガスと酸素ガスとの混合比は、使用するスパッタリングターゲットの酸化状態，製膜時の圧力，製膜時の出力等に応じて異なるが、酸素ガスの混合比は体積濃度で５％以下とすることが好ましく、４％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが特に好ましい。酸素ガスの混合比が体積濃度で５％を超えると、得られる膜の導電性が低下しやすくなる。また、混合ガスの純度は９９．９％以上とすることが好ましく、９９．９５％以上とすることがより好ましく、９９．９９％以上とすることが特に好ましい。
【００５８】
・基板温度
基板（透明樹脂基材）は特に加熱しなくもよいが、必要に応じて加熱してもよい。基板を加熱する場合、その温度は透明樹脂基材の耐熱性に応じて、当該基材が熱により変形や変質を起こさない温度の範囲内で適宜選択される。基板温度は２０〜１５０℃程度とすることが好ましく、２０〜１００℃程度とすることがより好ましく、２０〜８０℃とすることが特に好ましい。
【００５９】
Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物（ただし、必須の構成元素からなるもの。）からなる透明導電層は、上で例示した条件のＤＣマグネトロンスパッタリング法等の方法によって形成することができるわけであるが、任意の構成元素を含んでいるＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物からなる透明導電層もまた、同様にして形成することができる。
【００６０】
前記任意の構成元素としてガリウム（Ｇａ）のみを含み、かつ、インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．５〜０．９、ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．０４以下のＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物からなる透明導電層をＤＣマグネトロンスパッタリング法によって形成する場合には、インジウム（Ｉｎ
）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．４５〜０．８５で、ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．０４以下である酸化物焼結体ターゲットを用いることが好ましい。
【００６１】
次に、本発明の電磁波シールド材IIについて説明する。
本発明の電磁波シールド材IIは、前述したように、透明樹脂基材の片面に、インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），ガリウム（Ｇａ）および酸素（Ｏ）を構成元素とする透明導電性酸化物膜からなる透明導電層と、この透明導電層とは屈折率が異なる透明電気絶縁性物質からなる電気絶縁層とが交互に積層されており、前記透明導電層の層数が２以上、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上であることを特徴とするものである。
【００６２】
ここで、上記の透明樹脂基材としては、本発明の電磁波シールド材Ｉについての説明の中で述べた透明樹脂基材と同じものを使用することができる。
【００６３】
また、上記の透明導電性酸化物膜は、不可避的な混入物を除いてインジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ），ガリウム（Ｇａ）および酸素（Ｏ）のみからなる。この透明導電性酸化物膜は、目的とする反射率（可視光領域における反射率）および電磁波シールド効果を有する電磁波シールド材IIが得られるものであればよいが、そのシート抵抗は４０Ω／□以下であることが好ましく、特に、３０Ω／□以下であることが好ましい。
【００６４】
そして、シート抵抗が４０Ω／□以下の透明導電性酸化物膜を得るうえからは、当該透明導電性酸化物膜を非晶質膜（以下、この非晶質膜を「透明導電性非晶質酸化物膜」という。）とし、かつ、インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）を０．５〜０．９、ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）を０．０４以下とすることが好ましい。すなわち、本発明の電磁波シールド材Ｉについての説明の中で述べたＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物膜のうちで任意成分としてガリウム（Ｇａ）のみを含んでいるものとすることが好ましい。この場合、当該透明導電性非晶質酸化物膜の比抵抗は概ね３×１０-4〜５×１０-4Ω・ｃｍとなるので、その膜厚を概ね１２５０オングストローム以上とすることにより、シート抵抗が４０Ω／□以下の透明導電層を形成することが可能になる。
【００６５】
なお、前記インジウム（Ｉｎ）の原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）は０．６〜０．９とすることがより好ましく、０．８〜０．９とすることが特に好ましい。当該インジウムの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．５未満では得られる膜の導電性が低下し、０．９を超えると膜の抵抗安定性が低下する。また、前記ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）は０．０３以下とすることがより好ましく、０．０２５以下とすることが特に好ましい。当該ガリウム（Ｇａ）の原子比Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）が０．０４を超えると、得られる膜の導電性が低下する。
【００６６】
前述した透明樹脂基材の片面において上述した透明導電性酸化物膜からなる透明導電層と交互に積層される電気絶縁層は、上記の透明導電層とは屈折率が異なる透明電気絶縁性物質からなる。この電気絶縁層の材料である透明電気絶縁性物質としては、上述した透明導電性酸化物よりも屈折率（可視光領域における屈折率）の低いものが好ましく、その具体例としてはＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3  等が挙げられる。当該電気絶縁層の膜厚は、可視光領域での反射率が２０％以下である電磁波シールド材IIが得られるように、その材質に応じて適宜選択される。
【００６７】
本発明の電磁波シールド材IIでは、前述した透明導電層の層数が２以上となるように、当該透明導電層と上述した電気絶縁層とが透明樹脂基材の片面に交互に積層されている。
ここで、本発明の電磁波シールド材IIでいう「透明導電層の層数が２以上」とは、前述した本発明の電磁波シールド材Ｉでいう「透明導電層の層数が２以上」と同じ意味である。
【００６８】
透明導電層および電気絶縁層それぞれの積層数は、透明導電層の層数が２以上、可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上である電磁波シールド材IIが最終的に得られるように、それぞれの材質および厚さに応じて適宜選択される。このとき、前述した本発明の電磁波シールド材Ｉにおけると同様に、必要に応じて可視光用の反射防止層を形成してもよい。
【００６９】
本発明の電磁波シールド材IIにおける前記の反射率は１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましい。このような反射特性を有する本発明の電磁波シールド材IIにおける可視光の平均透過率は、概ね５０％以上である。
【００７０】
また、本発明の電磁波シールド材IIにおける前記のシールド効果は４５ｄＢ以上であることが好ましく、５０ｄＢ以上であることがより好ましい。
【００７１】
ここで、本発明の電磁波シールド材IIでいう「１００ＭＨｚ以下の電磁波」とは、前述した本発明の電磁波シールド材Ｉでいう「１００ＭＨｚ以下の電磁波」と同じ意味である。
【００７２】
上記の電磁波シールド効果は、透明導電層の導電性，透明導電層の層数，電気絶縁層の材質，電気絶縁層の厚さ等に応じて変化する。このため、前述した透明導電層と電気絶縁層とを透明導電層の層数が２以上となるようにして透明樹脂基材上に交互に積層すれば必ず上記の電磁波シールド効果が４０ｄＢ以上の電磁波シールド材が得られるというわけではない。したがって、上記の電磁波シールド効果が４０ｄＢ以上の所望値となるように、透明導電層の導電性（材質および厚さ），透明導電層の層数，電気絶縁層の材質，電気絶縁層の厚さ等を適宜調整する。
【００７３】
なお、本発明の電磁波シールド材IIは、前述した本発明の電磁波シールド材Ｉと同様に、その片面もしくは両面の最外層として、また、当該電磁波シールド材が前述した可視光用の反射防止層を有している場合にはその直ぐ内側の層として、あるいは前記の反射防止層が設けられている側とは反対の側の透明樹脂基材表面に形成される層として、テレビ用等のリモートコントローラの誤作動を防止するための近赤外カット層を有していてもよい。
【００７４】
以上説明した本発明の電磁波シールド材IIは、前述した本発明の電磁波シールド材Ｉと同様に可視光領域での反射率が２０％以下、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上であるので、表示装置用電磁波シールド材として用いた場合でも、表示装置の画面から放射される電磁波を画質の低下を抑制しつつ高度にシールドすることができる。本発明の電磁波シールド材IIは、電磁波を放射する種々の表示装置用の電磁波シールド材として用いる他、窓ガラス，パチンコ（遊技台）等用の電磁波シールド材として用いることもできる。
【００７５】
このような特性を有する本発明の電磁波シールド材IIは、透明樹脂基材の片面に透明導電層と電気絶縁層とを交互に積層し、その後、必要に応じて可視光用の反射防止層および／または近赤外カット層を形成することにより、得ることができる。
【００７６】
このときの透明導電層の形成は、前述した本発明の電磁波シールド材Ｉにおいて透明導電層を「任意の構成元素としてガリウム（Ｇａ）のみを含んでいるＩｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系非晶質酸化物膜」によって形成する場合と同様にして行うことができる。また、電気絶縁層
の形成方法はその材質等に応じて適宜選択可能であるが、透明導電層の形成方法と同じ方法によって形成すれば、透明導電層の形成と電気絶縁層の形成とを同一の装置によって連続して行うことが可能になるので、実用上好ましい。
【実施例】
【００７７】
以下、本発明の実施例について比較例を挙げて説明するが、後述する実施例１〜実施例１０で本発明の電磁波シールド材Ｉを作製するために用いた電磁波シールド部用の透明導電フィルムの製造方法を製膜例１〜製膜例８として、また比較例２〜比較例３の電磁波シールド材を得るために用いた電磁波シールド部用の透明導電フィルムの製造方法を製膜例９〜製膜例１０として、予め以下に説明しておく。
【００７８】
製膜例１
透明樹脂基材として厚さ７５μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下「ＰＥＴフィルム」と略記する。）を用い、Ｉｎ2Ｏ3（ＺｎＯ）3 で表される六方晶層状化合物とＩｎ2Ｏ3とからなる酸化物焼結体（表１に示すように、インジウムの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は０．８５である。また、相対密度は９７％である。）をスパッタリングターゲットとして用いて、以下の要領で透明導電フィルムを製造した。
【００７９】
まず、上記のＰＥＴフィルムとスパッタリングターゲットとをＤＣマグネトロンスパッタリング装置内に装着し、１２０℃で真空槽内を５×１０-4Ｐａ以下の圧力になるまで真空引きした後、室温で６時間更に真空引きした。真空引き終了後の真空槽内の圧力は１×１０-4Ｐａであった。
【００８０】
その後、アルゴンガス（純度９９．９９％）と酸素ガス（純度９９．９９％）との混合ガス（酸素ガスの濃度＝３％）を真空槽に導入して真空槽内圧力を１×１０-1Ｐａとし、ＤＣ出力２Ｗ／ｃｍ2 ，基板温度２０℃の条件で製膜を行って、ＰＥＴフィルムの片面に所定の透明導電性酸化物膜からなる透明導電層を形成した。この透明導電層を形成することにより、目的とする透明導電フィルムが得られた。
【００８１】
上記の透明導電層の組成（インジウムの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）），結晶性を、誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ；使用機種はセイコー電子工業社製のＳＰＳ−１５００ＶＲ）またはＸ線回折（使用機種はリガク社製のロータフレックスＲＵ−２００Ｂ）で測定した。また、透明導電層の膜厚，透明導電フィルムにおける波長５５０ｎｍの光の透過率および透明導電フィルム（透明導電層）のシート抵抗を触針法（使用機種はスローン（Ｓｌｏａｎ）社製のＤＥＫＴＡＫ３０３０），分光法（使用機種は日立製作所社製のＵ−３２１０）または四探針法（使用機種は三菱油化社製のロレスタＦＰ）により測定した。これらの結果を表１に示す。
【００８２】
製膜例２〜製膜例５
表１に示す組成（インジウムの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ））の酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとしてそれぞれ用いた以外は製膜例１におけると同様の条件でＰＥＴフィルムの片面に所定の透明導電性酸化物膜からなる透明導電層を形成し、これによって目的とする透明導電フィルムをそれぞれ得た。
上記の透明導電層および透明導電フィルムそれぞれについて、製膜例１で測定したと同じ項目を製膜例１と同様にして測定した。これらの結果を表１に併記する。
【００８３】
製膜例６
透明導電層の厚さを表１に示す厚さとした以外は製膜例１におけると同様の条件でＰＥＴフィルムの片面に所定の透明導電性酸化物膜からなる透明導電層を形成し、これによって目的とする透明導電フィルムを得た。
上記の透明導電層および透明導電フィルムについて、製膜例１で測定したと同じ項目を製膜例１と同様にして測定した。これらの結果を表１に併記する。
【００８４】
製膜例７
ＰＥＴフィルムの片面に製膜例１におけると同一の条件で透明導電層を形成し、この透明導電層を覆うようにして保護フィルム（ポリプロピレン製保護フィルム（厚さ５０μｍ））をラミネータによってラミネートした後、前記のＰＥＴフィルムの他方の面に製膜例１におけると同一の条件で透明導電層を形成し、最後に前記の保護フィルムを剥離して、目的とする透明導電フィルムを得た。
上記の透明導電層および透明導電フィルムについて、製膜例１で測定したと同じ項目を製膜例１と同様にして測定した。これらの結果を表１に併記する。
【００８５】
製膜例８
ＰＥＴフィルムに代えて近赤外カットフィルム（日本化薬社製のＩＲＣフィルム）を透明樹脂基材として用いた以外は製膜例１におけると同様の条件で前記の近赤外カットフィルムの片面に所定の透明導電性酸化物膜からなる透明導電層を形成し、これによって目的とする透明導電フィルムを得た。
上記の透明導電層および透明導電フィルムについて、製膜例１で測定したと同じ項目を製膜例１と同様にして測定した。これらの結果を表１に併記する。
【００８６】
製膜例９
ＰＥＴフィルムの片面に、製膜例５におけると同様の条件で膜厚３００オングストロームのＩＴＯ膜（Ｓｎ：５％）を製膜した後、スパッタリングターゲットをＡｇターゲットに替えて前記のＩＴＯ膜上に膜厚５０オングストロームのＡｇ膜を製膜し、さらに当該Ａｇ膜上に膜厚３００オングストロームのＩＴＯ膜（Ｓｎ：５％）を製膜例５におけると同様の条件で製膜して、目的とする透明導電フィルムを得た。
上記の透明導電層および透明導電フィルムについて、製膜例１で測定したと同じ項目を製膜例１と同様にして測定した。ただし、Ａｇ膜の結晶性については測定しなかった。これらの結果を表１に併記する。
【００８７】
製膜例１０
スパッタリングターゲットしてＡｕターゲットを用いた以外は製膜例１におけると同様の条件でＰＥＴフィルムの片面にＡｕ薄膜からなる透明導電層を形成し、これによって目的とする透明導電フィルムを得た。
【００８８】
上記の透明導電層および透明導電フィルムについて、製膜例１で測定したと同じ項目を製膜例１と同様にして測定した。ただし、Ａｇ膜の結晶性については測定しなかった。これらの結果を表１に併記する。
【００８９】
【表１】
2006303518.tif 000002
【００９０】
実施例１（電磁波シールド材Ｉの作製）
まず、製膜例１で製造した透明導電フィルムから上層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１５ｃｍ×１５ｃｍのものを切り出し、また、下層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１７ｃｍ×１７ｃｍのものを切り出した。
【００９１】
次に、下層用の電磁波シールド部と上層用の電磁波シールド部とをエポキシ系接着剤を用いて重ね合わせた。このとき、下層用の電磁波シールド部の透明導電層上にエポキシ樹脂層を介して上層用の電磁波シールド部のＰＥＴフィルムが位置するようにし、かつ、下層用の電磁波シールド部の平面視上の中心と上層用の電磁波シールド部の平面視上の中心が一致するようにして重ね合わせた。
【００９２】
この後、下層用の電磁波シールド部の透明導電層と上層用の電磁波シールド部の透明導電層とが導通し得るように、重ね合せた後の電磁波シールド部の周囲を両面導電性の銅テープによって貼り合わせて、目的とする電磁波シールド材Ｉを得た。
【００９３】
上記の電磁波シールド材Ｉについて、波長５５０ｎｍの光の透過率および反射率を分光光度計（使用機種は日立製作所社製のＵ−３２１０）を用いて測定した。また、１００ＭＨｚの電磁波に対するシールド効果をＫＥＣ法（関西電子工業振興センター法）によって測定した。これらの結果を表２に示す。
【００９４】
実施例２（電磁波シールド材Ｉの作製）
製膜例１で製造した透明導電フィルムから上層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１５ｃｍ×１５ｃｍのものを、中層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１７ｃｍ×１７ｃｍのものを、そして下層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１９ｃｍ×１９ｃｍのものをそれぞれ切り出した後、実施例１と同様にしてこれらの電磁波シールド部を重ね合せ、さらに、重ね合せた後の電磁波シールド部の周囲を実施例１と同様にして両面導電性の銅テープによって貼り合わせて、目的とする電磁波シールド材Ｉを得た。
上記の電磁波シールド材Ｉについて、実施例１で測定した項目を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
【００９５】
実施例３〜実施例７（電磁波シールド材Ｉの作製）
電磁波シールド部の材料として表２に示す透明導電フィルムをそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして、目的とする電磁波シールド材Ｉを得た。
上記の各電磁波シールド材Ｉについて、実施例１で測定した項目を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
【００９６】
実施例８（電磁波シールド材Ｉの作製）
製膜例７で製造した透明導電フィルムから平面視上の大きさが１７ｃｍ×１７ｃｍのものを切り出して電磁波シールド部とし、この電磁波シールド部の周囲に両面導電性の銅テープを貼着して、目的とする電磁波シールド材Ｉを得た。
上記の電磁波シールド材Ｉについて、実施例１で測定した項目を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
【００９７】
実施例９（電磁波シールド材Ｉの作製）
製膜例１で製造した透明導電フィルムから上層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１５ｃｍ×１５ｃｍのものを切り出し、製膜例７で製造した透明導電フィルムから下層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１７ｃｍ×１７ｃｍのものを切り出した後、実施例１と同様にしてこれらの電磁波シールド部を重ね合せ、さらに、重ね合せた後の電磁波シールド部の周囲を実施例１と同様にして両面導電性の銅テープによって貼り合わせて、目的とする電磁波シールド材Ｉを得た。
上記の電磁波シールド材Ｉについて、実施例１で測定した項目を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
【００９８】
実施例１０（電磁波シールド材Ｉの作製）
製膜例１で製造した透明導電フィルムから上層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１５ｃｍ×１５ｃｍのものを切り出し、製膜例８で製造した透明導電フィルムから下層用の電磁波シールド部として平面視上の大きさが１７ｃｍ×１７ｃｍのものを切り出した後、実施例１と同様にしてこれらの電磁波シールド部を重ね合せ、さらに、重ね合せた後の電磁波シールド部の周囲を実施例１と同様にして両面導電性の銅テープによって貼り合わせて、目的とする電磁波シールド材Ｉを得た。
上記の電磁波シールド材Ｉについて、実施例１で測定した項目を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
【００９９】
比較例１
製膜例６で製造した透明導電フィルムから平面視上の大きさが１７ｃｍ×１７ｃｍのものを切り出して電磁波シールド部とし、この電磁波シールド部の周囲に両面導電性の銅テープを貼着して、電磁波シールド材を得た。
上記の電磁波シールド材について、実施例１で測定した項目を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
【０１００】
比較例２〜比較例３
電磁波シールド部の材料として表２に示す透明導電フィルムをそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして、電磁波シールド材を得た。
【０１０１】
上記の各電磁波シールド材について、実施例１で測定した項目を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
【０１０２】
【表２】
2006303518.tif 000003
【０１０３】
表２に示したように、実施例１〜実施例１０で作製した各電磁波シールド材Ｉは、波長５５０ｎｍの光の反射率が５〜７％と低く、かつ、１００ＭＨｚの電磁波に対するシールド効果が５２〜６０ｄＢと高い。また、波長５５０ｎｍの光の透過率が５６〜７４％と高い。
【０１０４】
したがって、これらの電磁波シールド材Ｉは、表示装置用電磁波シールド材として用いた場合でも、画面から放射される電磁波を画質の低下を抑制しつつ高度にシールドするこ
とが可能なものであると推察される。
【０１０５】
これに対し、比較例１の電磁波シールド材は、波長５５０ｎｍの光の反射率が６％と低いものの、１００ＭＨｚの電磁波に対するシールド効果は実施例１〜実施例１０の各電磁波シールド材よりも低い。また、比較例２〜比較例３の各電磁波シールド材は、１００ＭＨｚの電磁波に対するシールド効果が５６ｄＢまたは５７ｄＢと高いものの、波長５５０ｎｍの光の反射率は実施例１〜実施例１０の各電磁波シールド材よりも高い。
【０１０６】
実施例１１（電磁波シールド材IIの作製）
製膜例４と同一条件でＰＥＴフィルムの片面に厚さ２０００オングストロームの透明導電層を形成した後、平面視上の外径寸法が１７ｃｍ×１７ｃｍで１５ｃｍ×１５ｃｍの内空間を有するマスクを製膜面上にセットし、また、ＲＦ電源に切り換えて、ＳｉＯ2 ターゲットを用いたＲＦマグネトロン法によって前記の透明導電層上に厚さ５００オングストロームのＳｉＯ2 膜（電気絶縁膜に相当する。）を形成した。このＳｉＯ2 膜形成時における酸素濃度等の製膜条件は、製膜例１におけると同様とした。この後、上記のマスクを取り外し、製膜例４と同一条件で上記のＳｉＯ2 膜上に厚さ２０００オングストロームの透明導電層を形成して、目的とする電磁波シールド材IIを得た。
【０１０７】
上記の電磁波シールド材IIについて、波長５５０ｎｍの光の透過率および反射率を実施例１と同様にして測定したところ、透過率は７８％、反射率は６％であった。また、表面層となっている透明導電層のシート抵抗は１６Ω／□であった。そして、この電磁波シールド材IIの１００ＭＨｚの電磁波に対するシールド効果を実施例１と同様にして測定したところ、５５ｄＢであった。
【０１０８】
このように、上記の電磁波シールド材IIは低い反射率と高い電磁波シールド効果を有しているので、当該電磁波シールド材IIを表示装置用電磁波シールド材として用いた場合には、画面から放射される電磁波を画質の低下を抑制しつつ高度にシールドすることが可能であると推察される。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
以上説明したように、本発明の電磁波シールド材は可視光領域での反射率が２０％以下と低く、１００ＭＨｚ以下の電磁波に対するシールド効果が４０ｄＢ以上と高いので、例えば、当該電磁波シールド材を表示装置用電磁波シールド材として用いた場合には、画面から放射される電磁波を画質の低下を抑制しつつ高度にシールドすることが可能になる。