(57)【要約】【課題】  ダメージの深さおよび低誘電率材料の正確な疎水性を割り出すことができる方法が望まれている。さらに、様々な低誘電率材料、特に将来の技術において使用されるであろう超低誘電率材料の開発および選別において使用するための簡単な非破壊の方法へのニーズが存在している。【解決手段】  多孔性材料の親水性の定量化、ならびに多孔性材料のダメージの深さを割り出すための方法が開示される。典型的な方法は、第１の濡れ角を有する第１の吸着質を使用して、多孔性材料について第１の偏光測定を実行するステップを含んでいる。この典型的な方法は、第２の濡れ角を有する第２の吸着質を使用して、多孔性材料について第２の偏光測定を実行するステップをさらに含んでおり、ここで多孔性材料に対する前記第１および第２の濡れ角が相違している。多孔性材料の親水性が、前記第１および第２の偏光測定に少なくとも部分的にもとづいて判断される。【選択図】図２
2006317442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性材料の親水性を定量化するための方法であって、
第１の濡れ角を有する第１の吸着質を使用して、多孔性材料について第１の偏光測定を実行するステップと、
多孔性材料に対して前記第１の濡れ角と異なる第２の濡れ角を有する第２の吸着質を使用して、多孔性材料について第２の偏光測定を実行するステップと、
前記第１および第２の偏光測定に少なくとも部分的に基づいて、多孔性材料の親水性を判断するステップと
を含んでいる方法。
【請求項２】
前記第１の濡れ角が、実質的にゼロであり、前記第２の濡れ角が、ゼロから実質的に相違している請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ダメージ処理前の多孔性材料について第３の偏光測定を実行するステップ
をさらに含んでおり、
該第３の偏光測定が、前記第２の吸着質を使用して行なわれる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
多孔性材料の親水性が、前記第１、第２、および第３の偏光測定に少なくとも部分的にもとづいて判断されるとともに、
前記親水性から多孔性材料のダメージの深さについての指標を割り出すステップ
をさらに含んでいる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の濡れ角が、（ｉ）５°未満、（ｉｉ）３°未満、および（ｉｉｉ）１°未満のうちの１つである請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の吸着質が、窒素、トルエン、メタノール、およびベンゼンのうちの１つである請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の濡れ角が９０°以上である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の吸着質が、極性分子を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の吸着質が、水、ＳＯＣｌ２、および無機溶媒のうちの１つである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記多孔性材料が、低誘電率材料である請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件出願は、２００５年５月１２日付の米国特許仮出願第６０／６８０，６６５号について、米国特許法第１１９条（ｅ）項に規定の利益を主張する。さらに、本件出願は、２００５年７月１５日付の欧州特許出願第０５０１５４１２．９号にもとづく優先権を主張する。米国特許仮出願第６０／６８０，６６５号および欧州特許出願第０５０１５４１２．９号の開示の全体は、ここでの言及によって本明細書に取り入れられたものとする。
【０００２】
本発明は、例えば空孔を有する低誘電率（ｌｏｗ‐ｋ）材料など、多孔性材料の親水性の定量化のための方法に関する。典型的な方法は、そのような多孔性材料についてパターン形成後のダメージの深さを割り出すためにも使用することができる。
【背景技術】
【０００３】
半導体の処理において、例えば低誘電率材料などの多孔性材料を取り入れる際の重大な問題の１つが、例えばプラズマ・エッチングおよび／またはレジスト剥離の際のそれら材料の誘電特性の劣化である。そのような処理において使用されるプラズマは、典型的には、酸素含有の種を含んでいる。多孔性材料の誘電特性の低下の主たる原因は、それら酸素含有プラズマの使用によって炭素含有疎水基が除去されることにある。
【０００４】
炭素の空乏は、例えばＳｉ‐ＣＨ３結合が破壊されて炭素がケイ素のダングリングボンドで置換される場合に生じる。この炭素の空乏が、種々の中間反応を経てシラノール（Ｓｉ‐ＯＨ）の形成につながる。これが、多孔性材料のダメージ部位における比誘電率（ｋ‐ｖａｌｕｅ）の増加につながり、本来は疎水性である低誘電率材料を親水性材料に変換する。その後に、例えば水などの湿気や高い分極率を有する他の極性分子が、水素結合によって仲介されて吸収されることにより、これらの材料の実際の比誘電率が、例えば「比誘電率＞＞８０」へと大きく増加する可能性がある。プラズマによるダメージの程度および深さは、多孔性材料の空孔のサイズおよび空孔の連続性に依存して決まり、したがって、比較的大きなサイズの空孔を有している、例えば比誘電率が２．６を下回るような超低誘電率材料は、比誘電率が２．６を上回るような微細孔の材料にくらべ、はるかにプラズマによるダメージに悩まされることになる。エッチング処理された材料の側壁における絶縁材料のダメージ部位の程度も、多孔性材料の多孔度が増すにつれて大きくなると予想され、そのようなダメージが全体的な電気的性能に及ぼす影響が、配線間の間隔が縮小されるにつれてますます重要になる。すなわち、側壁における絶縁体のダメージが、先進の配線の性能に大きく影響しており、そのようなダメージの程度を評価するための信頼できる分析方法が望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、炭素の空乏の深さおよび特徴は、例えば飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ‐ＳＩＭＳ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、エネルギーフィルタ型透過型電子顕微鏡法（ＥＦＴＥＭ）などの複雑な分析技法を使用して評価されており、あるいはいわゆるＨＦ浸漬テストを使用して評価されている。ＴＯＦ‐ＳＩＭＳは、ＳＩＭＳの一種であり、きわめて低電流の入射イオンビームが使用され、固体の最も外側の表面の化学的組成に関する情報を得ることができる。ＥＦＴＥＭは、形態の断面を通じてＣ、ＯおよびＳｉなどの元素の原子濃度のばらつきを検出する技法である。
【０００６】
ＴＯＦ‐ＳＩＭＳを使用し、炭素の濃度のみが、それらが多孔性材料の構造中にどのように結合して取り入れられているかにかかわりなく、フィルムの誘電率を決定する疎水性に影響していると仮定される。低誘電率に対するダメージの深さを割り出すためのＴＯＦ‐ＳＩＭＳデータは、低誘電率多孔性材料の表面領域の炭素濃度に関係しており、これらのデータが、低誘電率材料の塊の炭素濃度と比較される。したがって、エッチングおよび剥離処理の後の表面領域における炭素の空乏が、低誘電率に対するダメージの指標である。しかしながら、例えばフィルムなどこのような低誘電率材料についてＨＦ浸漬テストを行なったとき、炭素の空乏とプラズマによるダメージとの間に明白な相関が存在しない。
【０００７】
ＨＦ浸漬テストは、ダメージを受けた低誘電率絶縁材料が、ダメージを受けていない材料よりも高いエッチング速度を示すという事実にもとづいている。通常は、このテストが、多孔性材料の親水性をより直接的に反映しているが、ＨＦとＳｉＯ２との反応における自己触媒的機構が、エッチングの速度および計算によって得られるダメージの深さがＨＦの濃度に依存するがため、このテストを信頼できないものにしている。
【０００８】
炭素の空乏が、常にはプラズマによるダメージに直接相関しない可能性がある。例えば、高度な重合化学が使用される（例えば、ＣｘＦｙＨｚプラズマ）とき、炭素の空乏がＣＦｘポリマーの堆積によって補われ、結果として低誘電率多孔性材料の表面の炭素濃度が同じままであり、あるいは増加する。従来どおりのＴＯＦ‐ＳＩＭＳ結果の解釈によれば、この表面はもっとも疎水的である（「ダメージ」なし）とされる。しかしながら、このサンプルについてＨＦ浸漬テストを行なうと、おおむね自然のままのダメージを受けていない低誘電率基準材料に比べて、大きなエッチング速度を示す。すなわち、エッチング処理において形成されて多孔性材料の空孔を満たすフッ化炭素ポリマーでは、元の疎水化因子と同じ疎水性をもたらすことができない。これらの事実が、プラズマによるダメージに関係する内部の親水化の程度について、より直接的な分析をもたらす特別な測定手順の開発の重要性を示している。
【０００９】
さらに、上述した既存の方法および従来技術において利用可能な他の方法はすべて、破壊的であり、かつ／または比較的複雑であり、多孔性材料の絶縁性に最大の影響を有している疎水性の喪失について、直接相関する情報をもたらすことができない。すなわち、低誘電率へのダメージを割り出すための既存の方法は、深刻な欠点および欠陥を抱えている。そこで、ダメージの深さおよび低誘電率材料の正確な疎水性を割り出すことができる方法が望まれている。さらに、様々な低誘電率材料、特に将来の技術において使用されるであろう超低誘電率材料の開発および選別において使用するための簡単な非破壊の方法へのニーズが存在している。
【００１０】
上述した背景技術の例およびそれらに関する限界は、例示を目的とするものであって、これらがすべてではない。背景技術の他の限界は、本明細書を読み図面を検討することによって、当業者にとって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下の実施の形態およびその態様は、例として挙げられ、例証を意味しており、範囲を限定することを意図してはいないシステム、ツール、および方法に関して、説明および例証される。種々の実施の形態において、上述の課題のうちの１つ以上が軽減または除去される一方で、他の実施の形態は、他の改善に向けられている。
【００１２】
多孔性材料の親水性を定量化するための非破壊の方法の例が、開示される。例えば、典型的な方法が、多孔性材料の親水性／疎水性を定量化するために開示され、これら親水性／疎水性が、多孔性材料のダメージの程度の指標となりうる。材料は、多孔低誘電率材料であってよく、あるいは超低誘電率材料であってよい。この典型的な方法は、多孔性材料の空孔における吸着／脱離特性を利用する。さらに、この方法は、多孔性材料の空孔の内表面に対する接触角（濡れ角とも称される）が相違する第１および第２の吸着質を利用する。この典型的な方法においては、第１の吸着質が、実質的にゼロに等しい接触角または濡れ角を有している吸着質であり、第２の吸着質が、多孔性材料に関して実質的にゼロでない接触角または濡れ角を有し、極性を有している吸着質である。第１の吸着質（有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対して実質的にゼロの接触角を有している）の例は、窒素、トルエン、メタノール、およびベンゼンであり、これらの吸着質は、多孔性材料、例えば低誘電率材料との良好な濡れ性を示す。第２の吸着質（有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対して実質的にゼロでない接触角を有している）の例は、水、チオニル（ＳＯＣｌ２）、または有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対してゼロでない接触角を有している他の任意の適切な無機溶媒である。
【００１３】
典型的な方法は、多孔性材料の親水性の定量化を提供し、少なくとも第１および第２の偏光測定を含んでおり、第１の偏光測定が、第１の吸着質を使用して実行されるとともに、第２の偏光測定が、第２の吸着質を使用して実行され、第１および第２の吸着質が、多孔性材料に対して異なる濡れ角を有している。
【００１４】
他の典型的な方法においては、例えば低誘電率材料である多孔性材料のダメージの程度を割り出すための方法が提供され、さらに具体的には、多孔性材料における内部表面エネルギー（有効接触角）ならびにダメージの程度および深さを割り出すための方法が提供される。ここで、ダメージは、例えば低誘電率材料である多孔性材料の疎水性の喪失として定義され、プラズマ・エッチングおよび／または剥離処理に関係している。さらに具体的には、少なくとも３つの偏光測定を含んでいる方法が開示される。この典型的な方法においては、偏光測定が、偏光吸着測定（ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｉｃ  ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）である。上述の第１の典型的な方法と同様、この方法においても第１および第２の吸着質が使用され、それぞれの吸着質が、多孔性材料の空孔の内表面に対して異なる濡れ角を有している。例えば、第１の吸着質が、多孔性材料に対して実質的にゼロに等しい接触角または濡れ角を有している吸着質であり、第２の吸着質が、多孔性材料に対して実質的にゼロでない接触（濡れ）角を有し、極性を有している吸着質である。
【００１５】
上述の第１の例の各ステップに加えて、この第２の例の方法は、ダメージ処理前の多孔性材料について、多孔性材料に対して第２の濡れ角を有している第２の吸着質を使用して第３の偏光測定を行なうことをさらに含んでいる。本明細書の開示の目的において、ダメージ処理とは、多孔性材料にダメージをもたらす処理ステップ（例えば、プラズマ・エッチング・ステップ）を意味する。第３の偏光測定が、例えばダメージ処理前の多孔性材料や基準低誘電率フィルムなど、ほとんど親水性を有さない基準となる多孔性材料について実行される。自然のままの絶縁材料が、基準材料として使用されることが多い。さらに、この方法における第３の偏光測定は、例えば基準低誘電率フィルムなどの基準材料の空孔内の固有の親水性を得ることができるよう、極性分子を有する第２の吸着質を使用する。
【００１６】
このような方法は、例えば低誘電率フィルムである多孔性材料の乾式エッチングおよび剥離処理後のダメージを判断するために使用できる。例えば、低誘電率材料は、２〜１０ｎｍの空孔サイズを有する超低誘電率材料など、ＳｉＯＣ（Ｈ）材料であってよい。このような方法を使用し、多孔性材料の疎水性の定量化を、エッチングおよび／または剥離プロセスによって多孔性材料に生じたダメージの深さの判断に使用することができる。
【００１７】
典型的な実施の形態が、図面の引用図に示されている。本明細書に開示の実施の形態および図面は、例示であると考えるべきであって、本発明を限定するものと考えるべきではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
概要
エッチングおよび／または剥離のステップなど、多孔性材料を含んでいるデバイスの製造のための特定の半導体処理ステップにおいて、多孔性材料がダメージを受ける可能性がある。例えば多孔低誘電率フィルムなどの多孔性材料は、プラズマ・エッチングおよび／または剥離プロセスの際に、有機疎水基を喪失する可能性がある。その結果、それらが親水性となり、誘電特性に悪影響を及ぼす湿気および他の極性分子を吸収する。プラズマ・エッチングおよび／または剥離プロセスの際に、プラズマによって例えば低誘電率材料などの多孔性材料に生じるダメージの程度は、現在のところ、例えばＸＰＳ、ＴＯＦ‐ＳＩＭＳ、ＥＦＴＥＭ、その他を使用する深さ‐特徴分析などの技法を使用して、評価されている。
【００１９】
これらの方法においては、プラズマによるダメージが、炭素の空乏に相関付けられている。しかしながら、すでに説明したとおり、炭素の空乏が、常にプラズマによるダメージに直接相関するわけではない。例えば、例えばＣｘＦｙＨｚプラズマなどの高度に重合的なプラズマが使用されるとき、炭素の空乏がＣＦｘポリマーの堆積によって補われるが、ダメージの程度の判断において、そのような多孔性材料は、たとえば多孔低誘電率材料であるダメージを受けていない基準の多孔性材料と比べ異なる特性を有するに相違ない。
【００２０】
現時点における他のアプローチはＨＦ浸漬テストであり、プラズマによるダメージがエッチングの深さと相関を有しているという事実にもとづいている。しかしながら、ＨＦによるエッチングの深さは、ＨＦによるシリカの自己触媒的エッチング機構ゆえ、ＨＦの濃度に強く依存する。
【００２１】
図１は、炭素の原子濃度についてのＴＯＦ‐ＳＩＭＳデータを、エッチング、例えばイオン・スパッタリング時間の関数として示しており、この時間が、ＣＦ４含有プラズマ（曲線１）、低出力（例えば、２７ＭＨｚにおいて３００Ｗおよび２ＭＨｚにおいて６００Ｗ）でのＣ４Ｆ８含有プラズマ（曲線２）、中間出力（例えば、２７ＭＨｚにおいて８００Ｗおよび２ＭＨｚにおいて１８００Ｗ）でのＣ４Ｆ８含有プラズマ（曲線３）、および高出力（２７ＭＨｚにおいて１０００Ｗおよび２ＭＨｚにおいて２０００Ｗ）でのＣ４Ｆ８含有プラズマ（曲線４）によるエッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料のエッチング深さに比例する。
【００２２】
図１に示されているとおり、この例においては、ＣＦ４ベースのプラズマ（曲線１）が、表面領域においてもっとも顕著な炭素の空乏をもたらしている。高出力のＣ４Ｆ８ベースのプラズマ（曲線２）も、低誘電率材料の表面領域において炭素濃度の減少を示しているが、その程度はより小さい。この結果をＴＯＦ‐ＳＩＭＳ流に解釈すると、ダメージの深さが減少したことになる。中間的な出力のＣ４Ｆ８ベースのプラズマ（曲線３）は、炭素濃度の減少および炭素濃度のいくらかの濃縮を示している小さな表面領域を示している。低出力のＣ４Ｆ８ベースのプラズマ（曲線４）は、低誘電率材料の表面領域および塊、とくにはフィルムの上面から３０〜５０ｎｍに相当する領域において、炭素濃度の大きな増加を示している。これは、エッチングの深さがエッチング、例えばイオン・スパッタリングの時間に比例するという事実から、割り出すことができる。フィルムの厚さおよびエッチングの時間が既知であれば、エッチング速度が一定であると仮定して、エッチングの深さを時間の関数として計算することができる。
【００２３】
しかしながら、通常はダメージを受けていない材料における炭素濃度よりも高いダメージを受けた材料における炭素濃度の増加の観測は、自然のままの基準材料を前提とする例においては、元のＳｉＯＣ（Ｈ）材料（日本国のＣＣＩＣ社のＮＣＳ（ナノ結晶シリカ）、初期の多孔度が３１％である）の炭素濃度に関係しているのではなく、エッチングの際に堆積したヒドロフルオロカーボン・ポリマーとも称されるＣＦｘポリマーによって生じている。これらのＣＦｘポリマーは、エッチング・プロセスの副生成物であって、多孔性材料のダメージを表わしてはいない。例えば、従来からのＴＯＦ‐ＳＩＭＳ結果の解釈に従えば、この材料がもっとも疎水的である（実質的に「ダメージ」を受けていない）ということになる。しかしながら、ＨＦ浸漬テストは、このサンプルについて基準となる自然のままのサンプルとくらべてより速いエッチング速度を示す。堆積したＣＦｘポリマーは、低誘電率材料の比誘電率を増加させる傾向にあり、少なくとも材料の特性を疎水性（元の材料）から親水性へと変化させる傾向にある。すなわち、エッチング・プロセスの際に形成されて多孔性材料の空孔を満たすフッ化炭素ポリマーは、エッチング・プロセスの際に失われる元の疎水基と同じ疎水性をもたらすことができない。以上が、例えば低誘電率材料などの多孔性材料の内部の親水化、さらに具体的には、例えば低誘電率材料などの多孔性材料の空孔内の親水化の程度について、より直接的な情報をもたらす方法が望ましいことを示している。
【００２４】
多孔性（低誘電率）材料の親水／疎水性を判断するための方法
以下で、低誘電率材料の多孔性材料の親水性および／または疎水性の判定のための典型的な方法を説明する。しかしながら、この例があくまで例示であって、特許請求の範囲の範囲を制限するものではないことを理解できるであろう。例えば、この典型的な方法を、たとえば多孔膜（例えば、ゼオライト膜）など他の多孔性材料にも適用することが可能である。
【００２５】
この典型的な方法は、低誘電率材料または多孔膜などの多孔性材料の親水性および／または疎水性の判定をもたらす。多孔性材料は、多孔性の低誘電率材料または超低誘電率材料であってよい。この典型的な方法は、多孔性材料の空孔における吸着および／または脱離特性を利用する。種々の偏光細孔分布測定（Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｉｃ  ｐｏｒｏｓｉｍｅｔｒｙ  ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ）（以下では、「偏光測定」と称する）を、多孔性材料に対する接触角（濡れ角とも称される）がさまざまである種々の吸着質またはガス状物質を使用しつつ実行することによって、多孔性材料の親水性／疎水性が割り出される。
【００２６】
偏光測定は、多孔性材料の空孔における蒸気の吸着および脱離の際の毛管凝縮のプロセスに起因して現われるヒステリシス・ループの分析にもとづいている。このヒステリシス・ループは、凝縮した液体メニスカスの湾曲の有効半径が、吸着プロセスの際と脱離のプロセスの際とで相違するために出現する。吸着性の蒸気は、たとえ蒸気圧Ｐが平坦な液体表面の平行圧力Ｐ０よりも小さくても、多孔性材料の空孔内で凝縮する。相対圧力Ｐ／Ｐ０のメニスカスの湾曲に対する依存性は、下記のケルビン（Ｋｅｌｖｉｎ）の式に記述される。
【００２７】
2006317442.tif 000003
【００２８】
ここで、γおよびＶＬはそれぞれ、使用される吸着質またはガス状物質の表面張力およびモル体積である。主曲率半径ｒ１およびｒ２（楕円半径）が、空孔のサイズを定める。円柱形の空孔の場合、ｒ１＝ｒ２であり、式（１）を下記式（２）と書くことができる。ここでｒｋは、しばしばケルビン半径と呼ばれる。
【００２９】
2006317442.tif 000004
【００３０】
ケルビンの式（２）は、多孔性材料の表面に対する吸着質またはガス状物質の濡れ角が実質的にゼロであると考えて、空孔の半径を直接与える。しかしながら、本発明によれば、多孔性材料に対する接触角または濡れ核がさまざまである吸着質またはガス状物質が使用され、したがって接触角または濡れ角を考慮に入れなければならない。したがって、式（２）は、下記式（３）と書くことができる。
【００３１】
2006317442.tif 000005
【００３２】
ここで、θは、多孔性材料に対する吸着質またはガス状物質の接触角または濡れ角であり、ｒｋは、多孔性材料中に存在する空孔の平均半径である。偏光測定は、単波長または複数波長の偏光解析法を使用して実行される。
【００３３】
吸着アイソサーム（ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｉｓｏｔｈｅｒｍ）の計算のための初期の実験データは、偏光特性Δ（ｐ偏光した光とｓ偏光した光との間の位相差（図２を参照））およびΨ（図３に示されている）であり、偏光測定は、通常はこれらのパラメータに関して、下記式（４）と表現できる。
【００３４】
2006317442.tif 000006
【００３５】
ここで、ｒｐおよびｒｓは、ｐ偏光（入射の平面内）およびｓ偏光（入射の平面に直角）した光についてのサンプルの複素フレネル反射係数である（図２を参照）。次いで、Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ｉｎ  Ｎｏｖｏｓｉｂｉｒｓｋ，Ｒｕｓｓｉａにおいて開発された特別なソフトウェアによって、吸着および脱離の際の多孔性材料の屈折率の変化を計算することができる。次いで、この屈折率の変化から、吸着体積または空孔体積の変化が、以下の式（５）を用いて計算できる。
【００３６】
2006317442.tif 000007
【００３７】
ここで、ｎｂは、体積分極率Ｂｂを有する材料の密な部分、すなわちマトリクスの屈折率であり、ｎｐは、空孔について測定された屈折率であり、Ｂｐは、ｎｐから計算された体積分極率である。相対圧力Ｐ／Ｐ０に対する吸着体積の依存性が、吸着アイソサームをもたらす。
【００３８】
すでに述べたように、本発明の第１の実施の形態による方法は、２つの異なる吸着質またはガス状物質、すなわち検査しようとする多孔性材料の表面に対して第１の接触角または濡れ角を有している第１の吸着質またはガス状物質、および検査しようとする多孔性材料の表面に対して第２の接触角または濡れ角を有している第２の吸着質またはガス状物質を使用する。本発明によれば、第１の接触角または濡れ角が、第２の接触角または濡れ角と相違している。本発明の第１の実施の形態によれば、第１の濡れ角が、実質的にゼロに等しい。ここで、実質的にゼロに等しいとは、第１の濡れ角が５°未満であってよく、３°未満であってよく、あるいは１°未満であってよいことを意味する。第２の接触角または濡れ角は、ゼロから実質的に相違している。好ましくは、第１および第２の接触角または濡れ角の間の差は、できる限り大きくてよい。好ましくは、第２の接触角または濡れ角が、９０°以上であってよい。
【００３９】
本発明に従って使用できる有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対して実質的にゼロに等しい接触角または濡れ角を有している吸着質の例としては、例えば窒素、トルエン、メタノール、およびベンゼンが挙げられる。この場合、ケルビンの式（３）においてｃｏｓθ＝１（θ＝０であるため）であり、すでに述べた方法を使用し、吸着／脱離のサイクルによって、多孔性材料の空孔に吸着された吸着質の体積を計算することができ、したがってこれが、多孔性材料に存在する開いた空孔の体積に相当する。有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対して実質的にゼロと異なる接触角を有している吸着質の例としては、例えば水、チオニル（ＳＯＣｌ２）、または有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対してゼロでない接触角を有している他の任意の適切な無機溶媒が挙げられる。
【００４０】
偏光測定を実行するため、上面に例えば低誘電率フィルムなどの多孔性材料を有している基板が、第１の吸着質またはガス状物質で満たされた加圧可能なチャンバ内に配置される。その後、第２の測定が同じやり方で、しかしながら今度は第２の吸着質またはガス状物質で満たされた加圧可能なチャンバ内で、実行される。
【００４１】
以下で、本発明の上記好ましい実施の形態による方法を、あくまで例としてさらに説明する。この例が、本発明を限定するものではないことを、理解すべきである。本発明の第１の実施の形態による方法は、低誘電率材料や多孔膜など、任意の多孔度を有している任意の多孔性材料に適用可能である。
【００４２】
以下の例では、低誘電率材料の親水性／疎水性が判定される。第１のステップにおいて、第１の偏光測定が、第１の吸着質として例えばトルエンを使用して実行される。ΨおよびΔについての測定値から、多孔性材料の屈折率ｎの変化が割り出され、この屈折率ｎの変化から、吸着されたトルエンの体積の変化が、上述の方法を使用して割り出される。
【００４３】
図４に、所与の例の低誘電率フィルムについて、トルエンの吸着／脱離サイクルが示されている（それぞれ、曲線５および６）。曲線５および６から、図４に与えられた例の低誘電率フィルムが、約３１％の多孔率を有していると判断できる。この多孔率の値は、１に等しい相対圧力Ｐ／Ｐ０において、すなわち圧力Ｐ＝Ｐ０において、多孔性材料の空孔に吸着された吸着質の量によって割り出される。この圧力において、吸着質またはガス状物質が、この例では低誘電率材料の空孔であるが、多孔性材料の空孔へと完全に凝縮する。すなわち、吸着された吸着質の量が、この例では低誘電率材料であるが多孔性材料に存在する空孔の量に等しい。
【００４４】
この第１のステップを、ダメージを受けた多孔性材料またはダメージを受けていない多孔性材料の少なくとも一方について実施できることに、触れておかねばならない。処理によって、空孔として振る舞う可能性のある欠陥が形成される可能性があり、空孔として振る舞う可能性のある欠陥が形成されることによって多孔性材料の多孔度が処理の際に増加する可能性があるため、好都合には、第１の測定を、ダメージを受けていない（処理前の）材料およびダメージを受けた（処理後の）材料の両者に対して行なうとよい。このようにすることで、出発材料の多孔率を割り出すことができ、処理ステップによって生じたダメージを正確に判断することができる。
【００４５】
第２のステップにおいては、ダメージを受けた材料が、多孔性材料に対する接触角または濡れ角が実質的にゼロから相違している第２の吸着質またはガス状物質を使用する第２の偏光測定に供される。
【００４６】
ダメージを受けていない低誘電率の誘電体は、一般に疎水性であり、これは、例えば水など、この例では低誘電率材料である多孔性材料に対し実質的にゼロから相違している接触角または濡れ角を有している極性吸着質が使用されるとき、ケルビンの式（３）においてｃｏｓθがゼロに近くなることを意味している。したがって、吸着質が水である場合に、例えば低誘電率フィルムであるこれらの多孔性材料において、水の凝縮は事実上生じない。第２の偏光測定から、ΨおよびΔの値が割り出され、続いてそこから、この例では低誘電率材料である多孔性材料の屈折率の変化および吸着される水の量の変化が、前述の方法を使用して割り出される。さらに図４は、ダメージを受けた低誘電率フィルムについて、水蒸気の吸着／脱離サイクルを示している（それぞれ、曲線７および８）。これら曲線７、８から、吸着される水の量が約１８．５％であることが割り出される。この値は、Ｐ＝Ｐ０（あるいは、Ｐ／Ｐ０＝１）の圧力において吸着される水の体積を割り出すことによって、判断される。吸着された水の量から、ダメージを受けた部位の濃度を、以下のとおり計算することができる。吸着された水の割合から、吸着された水の体積を割り出すことができる。吸着された水の体積に水の密度を掛けることによって、吸着された水の重量が得られる。水の分子量で除算をすることによって、吸着された水のモル量がもたらされる。この結果をアボガドロ数で乗算することによって、水が吸着された部位の数を得ることができる。
【００４７】
さらに図４は、この例では自然のままである基準材料について、水蒸気の吸着／脱離サイクルを示している（それぞれ、曲線９および１０）。基準材料は、エッチングおよび／または剥離によってダメージを受ける前の多孔性材料として見ることができる。図４に示した自然なままのフィルムにおいては、大きな凝縮がなく、生じる水の吸着はわずかであり、水の吸着が生じうる部位（構成的欠陥）がわずかな量しか存在していないことを反映している。これらの部位の数が限られている場合には、吸着された水の分子によって壁面に連続層が形成されることがないため、接触角または濡れ角は、大きいままである。図４は、自然なままのフィルムが、フィルムの全体積のわずか４％の水しか吸着しないことを示している。例えばダメージを受けていない多孔性材料である基準材料についての測定が、エッチングおよび／または剥離のプロセスによって引き起こされたダメージを割り出し、それらを測定された部位の総数から区別し、材料に当初から存在している構成的な親水性部位から区別するために実行される。
【００４８】
しかしながら、ダメージを受けた低誘電率フィルムの場合には、状況が相違する。このダメージを受けた低誘電率フィルムの表面領域は、炭化水素基の喪失ゆえに親水性となり、したがって吸着される水の量が大きく増加する。ダメージを受けた低誘電率フィルムについての水の吸着／脱離アイソサームが、やはり図４に示されている（すでに示したとおり、それぞれ曲線７および８）。ダメージを受けた低誘電率フィルムについての水の吸着／脱離アイソサームが、水の吸着量（プラズマによるダメージの結果としてこの値が増加する）および水の凝縮の開始に対応する相対圧力の割り出しを可能にする。この水の凝縮が開始する相対圧力が、式（４）を使用した内部接触角の計算を可能にする。
【００４９】
親水化の程度（親水性／疎水性）を判断するため、２つのケルビンの式（６）、（７）が組み合わせられる。第１のケルビンの式（６）は、多孔性材料に対する接触角が実質的にゼロである吸着質（例えば、トルエン、ベンゼン）による第１の偏光測定後に得られた値を有し、第２のケルビンの式（７）は、多孔性材料に対する接触角がゼロでない吸着質（例えば、トルエン、ベンゼン）による第２の偏光測定後に得られた値を有しており、ここで第２の吸着質は有極性である（例えば、水）。２つのケルビンの式（６）、（７）の組み合わせは、以下のとおり実行できる。
【００５０】
2006317442.tif 000008
【００５１】
これらのケルビンの式（６）および（７）を組み合わせることによって、水などの「ゼロでない」接触角を有する吸着質またはガス状物質の多孔性材料に対する有効「接触角」を割り出すことができる。有効接触角または有効濡れ角は、多孔性材料の親水性に相関する表面エネルギーについての情報を与える。接触角は、表面エネルギーの指標である。平衡の状況が、ヤングの式
γＳＶ−γＳＬ＝γＬＶｃｏｓθ      （８）
によって表現され、ここで、γＳＶ、γＳＬ、およびγＬＶはそれぞれ、固体の表面エネルギー、界面の表面エネルギー、および水の表面エネルギーである。式（８）を使用し、左辺の２つの量の差を、割り出すことができる。これら２つの量、例えば固体の表面エネルギーおよび界面の表面エネルギーを分離するため、どのように液体と固体とが一体に付着するのかにもとづく或るモデルが使用される。
【００５２】
式（６）は、実質的にゼロに等しい第１の接触角または濡れ角を有している第１の吸着質またはガス状物質についてのケルビンの式である。式（７）は、ゼロでない第２の接触角または濡れ角を有している第２の吸着質またはガス状物質についてのケルビンの式である。式（６）および（７）において、添え字ａ１およびａ２はそれぞれ、第１の吸着質またはガス状物質および第２の吸着質またはガス状物質を表わしている。式（６）および（７）の組み合わせの結果は、下記式（９）となる。
【００５３】
2006317442.tif 000009
【００５４】
上述の方法によれば、他のいかなる方法でも実際に測定することがきわめて困難である多孔性材料の有効接触角を割り出すことができる。さらに、有効接触角は、例えば低誘電率材料などの多孔性材料の比誘電率にとって重要である親水性／疎水性を直接反映している。本発明の方法と、ＴＯＦ‐ＳＩＭＳ／ＸＰＳなどの従来技術の技法との間の相違は、本発明が、炭素の空乏と親水化の程度の同一視などの仮定を用いていない点にある。さらに、この典型的な方法は、既存の方法と対照的に、多孔性材料に対して非破壊である。
【００５５】
上述のとおり、例えば空孔を有する低誘電率フィルムなど、多孔性材料の親水性／疎水性を判断するため、典型的な方法は、第１および第２の吸着質を使用する少なくとも２つの偏光測定を含んでおり、それぞれの吸着質の多孔性材料に対する接触角または濡れ角が相違している。或る特定の実施の形態においては、これらの偏光測定を、ゼロから使用される吸着質の平衡蒸気圧まで変化する圧力を使用して実行することができる。すでに説明したとおり、典型的な方法においては、第１の吸着質、実質的にゼロに等しい接触角または濡れ角を有する吸着質であってよく、第２の吸着質が、極性分子を含んでおりゼロでない第２の接触角または濡れ角を有している吸着質であってよい。
【００５６】
第１の吸着質（多孔性材料に対する接触角が実質的にゼロに等しい）の例としては、有機分子を含んでいる低誘電率材料および多孔膜の場合には、窒素、トルエン、メタノール、およびベンゼンが挙げられる。これらの吸着質は、有機分子を含んでいる多孔低誘電率材料および多孔膜などの多孔性材料において、良好な濡れ性を有している。
【００５７】
有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対してゼロでない接触角または濡れ角を有している第２の吸着質の例としては、水、ＳＯＣｌ２、または有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対してゼロでない接触角を有している他の任意の適切な無機溶媒が挙げられる。
【００５８】
低誘電率へのダメージまたは低誘電率フィルムのダメージの深さの定量化方法
他の実施の形態においては、例えば低誘電率フィルムなどの多孔性材料についてダメージの深さを割り出すための方法が提供される。この方法は、低誘電率材料などの多孔性材料について、内部表面エネルギーまたは有効接触角、ならびにダメージの程度および深さを割り出すことを含んでおり、さらに具体的には、プラズマ・エッチングおよび／または剥離処理後の低誘電率材料などの多孔性材料におけるダメージの深さを割り出すことを含んでいる。ここで、プラズマによるダメージは、例えば低誘電率材料の場合には炭化水素基であるが、有機疎水基の喪失に起因する多孔性材料の疎水性の喪失として定義される。このダメージは、多孔性材料のプラズマ・エッチングおよび／または剥離処理によって生じる可能性がある。
【００５９】
この典型的な方法において多孔性材料のダメージの深さを割り出すため、特性の異なる２つの層を含んでいる多孔低誘電率フィルム製のフィルムが使用される。第１の層すなわち上層は、多孔低誘電率フィルムのダメージ領域を呈している。第１の層すなわち上層は、多孔低誘電率フィルムの第２の層すなわちバルク層よりも親水性である。バルク層は、ダメージを受けていないと考えられる。この事実を考慮に入れ、このような多孔低誘電率フィルムにおけるプラズマによるダメージの深さを、割り出すことができる。
【００６０】
すでに説明したやり方と同様に、多孔低誘電率材料の空孔内に吸着される水の量を、ダメージの程度を計算するため、さらに詳しくは多孔低誘電率フィルム内のダメージの深さを計算するため、この典型的な方法において使用することができる。
【００６１】
ダメージを受けた低誘電率フィルムにおけるダメージの深さを判断するため、この典型的な方法は、ゼロから使用される吸着質の平衡蒸気圧までの範囲にわたる圧力において多孔フィルムの空孔内の吸着特性を割り出すために、少なくとも３つの偏光測定を含んでいる。これらの偏光測定を実行するため、上面に多孔低誘電率フィルムを有している基板が、第１の吸着質（ガス状の物質であってよい）で満たされた加圧可能なチャンバ内に配置される。その後、第２の測定が上述した同じやり方で、しかしながら第２の吸着質（ガス状の物質であってよい）で満たされた加圧可能なチャンバ内で、実行される。
【００６２】
ダメージを受けていない多孔低誘電率材料について実行される第１の偏光測定において、多孔低誘電率フィルムの多孔率および／または孔サイズを得ることができるよう、多孔性材料に対して実質的にゼロに等しい接触角または濡れ角を有している第１の吸着質またはガス状物質が使用される。本明細書に記載の例の目的においては、実質的にゼロに等しいとは、第１の接触角または濡れ角が５°未満であってよく、３°未満であってよく、あるいは１°未満であってよいことを意味する。吸着多孔度測定（ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｐｏｒｏｓｉｍｅｔｒｙ）（例えば、偏光多孔率（ＥＰ）測定を使用する）における孔サイズの割り出しは、相対圧力を穴の半径に相関付けるケルビンの式（２）にもとづいている。
【００６３】
このような測定を正確なものとするため、多孔フィルムの表面に対する接触角または濡れ角が実質的にゼロに等しい吸着質またはガス状物質が使用される。そのような吸着質の例は、窒素、トルエン、メタノール、およびベンゼンである。この場合、ケルビンの式（３）においてｃｏｓθ＝１（θ＝０°であるため）であり、吸着／脱離のサイクルによって、吸着されたトルエンの体積（開いた空孔の体積）を計算することができる。好ましくは、選択される吸着質またはガス状物質の接触角または濡れ角は、ダメージを受けていない基準となる材料、すなわち自然のままの材料と、ダメージを受けた低誘電率材料とについて、実質的に同じであるとよい。この測定から得られた値は、Ｐａ１あるいは接触角または濡れ角が実質的にゼロに等しい吸着質またはガス状物質によって測定された多孔低誘電率フィルムの多孔度と称される。
【００６４】
この典型的な方法では、第２の偏光測定が、ダメージを受けた多孔低誘電率フィルムについて実行され、ここでは、多孔性材料に対して第２の接触角または濡れ角を有している第２の吸着質またはガス状物質が使用される。第２の吸着質は、ダメージを受けた低誘電率フィルムの空孔における第２のガス状物質の吸着を測定できるよう、極性分子を含むことができる。第２のガス状物質または吸着質は、９０°以上の接触角を有することができる。例として、第２のガス状物質は、水、ＳＯＣｌ２、および有機分子を含んでいる低誘電率材料または多孔膜に対してゼロでない接触角を有している他の任意の適切な無機溶媒であってよい。この第２の偏光測定から得られた値は、Ｐａ２，１と称され、あるいは第２の吸着質またはガス状物質、例えば水または他の極性物質によって測定されたダメージありの多孔低誘電率フィルムの多孔度と称される。
【００６５】
この典型的な方法では、第３の偏光測定が、ダメージを受けていない低誘電率フィルム（基準低誘電率フィルムまたは「自然のままの材料」とも称される）、例えばフィルムにダメージをもたらすエッチングおよび／または剥離プロセスに供される前の多孔低誘電率フィルムについて実行される。ダメージを受けていない低誘電率フィルムは、第２のガス状物質（吸着質）について親水性をほとんど有しておらず、したがって基準低誘電率フィルムの空孔における第２のガス状物質の吸着を得ることができる。この第３の偏光測定から得られた値は、Ｐａ２，２と称され、あるいは水または他の極性物質によって測定されたダメージなしの低誘電率フィルムの多孔度と称される。
【００６６】
上記３つの偏光測定が、以下の式（１０）において組み合わされ、次いで、低誘電率フィルムにおけるダメージの深さを割り出すために使用される。
Ｐａ２，２＊ｄ０＝Ｐａ１＊ｄ＋Ｐａ２，１＊（ｄ０−ｄ）      （１０）
ここで、Ｐａ２，２は、極性ガス状物質によって測定されたダメージありの多孔低誘電率フィルムの多孔度（吸着された液体の体積）であり、Ｐａ２，１は、（水によって測定された）ダメージ前の多孔低誘電率フィルムの多孔度（吸着された液体の体積）であり、Ｐａ１は、トルエンを使用して測定されたダメージなしの多孔低誘電率フィルムの多孔度であり、ｄ０はフィルムの厚さであって、ｄは濡れの深さである。
【００６７】
すでに述べたように、値Ｐａ１は、低誘電率フィルムの多孔度および／または孔サイズを得ることができるよう、低誘電率フィルムについて多孔性材料に対する接触角または濡れ角が実質的にゼロに等しい第１のガス状物質で実行される第１の偏光測定から得られている。第１の吸着質は、窒素、トルエン、メタノール、またはベンゼンであってよい。値Ｐａ２，２は、ダメージありの低誘電率フィルムについて極性分子を有する第２の吸着質またはガス状物質で実行される第２の偏光測定から得られている。第２の吸着質またはガス状物質は、水であってよい。値Ｐａ２，１は、ダメージなしの（プラズマ・エッチングおよび／または剥離の前の）低誘電率フィルムについて極性分子を有する第２の吸着質またはガス状物質で実行される第３の偏光測定から得られている。
【００６８】
（実施例１）
多孔低誘電率フィルムに吸着された水の量の割り出し
図５Ａ〜５Ｅは、ダメージを受けていない基準となる低誘電率材料（自然のまま）および種々のプラズマ・エッチング処理後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）について、吸着／脱離アイソサームを示している。
【００６９】
図５Ａは、自然のままの材料とも称するダメージを受けていない基準となる低誘電率材料に吸着された水の量を示している。基準材料（この例では、自然のままの材料）においては、水の吸着はわずかしか生じておらず、大きな凝縮がなく、水の吸着部位がわずかな量しか存在していないことを反映している。これらの部位の数が限られている場合には、吸着された水の分子によって壁面に連続層が形成されることがないため、接触角は大きいままである。図５Ａは、フィルムが、フィルムの体積に対してわずか４％の水しか吸着しないことを示している。
【００７０】
図５Ｂは、ＣＦ４／Ｏ２プラズマ・エッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示している。プラズマによるダメージに起因して低誘電率フィルムに吸着された水の量は、１８％である。
【００７１】
図５Ｃは、Ｃ４Ｆ８プラズマ・エッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示している。プラズマによるダメージに起因して低誘電率フィルムに吸着された水の量は、９．５％である。
【００７２】
図５Ｄは、ＣＦ４標準プラズマ・エッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示している。プラズマによるダメージに起因して低誘電率フィルムに吸着された水の量は、９％である。
【００７３】
図５Ｅは、ＨＭＤＳ処理後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示している。プラズマによるダメージに起因して低誘電率フィルムに吸着された水の量は、２．７％である。
【００７４】
（実施例２）
多孔低誘電率フィルムにおけるダメージの程度および深さの判断
ウエハ上に堆積させた多孔低誘電率材料に、相互接続処理のためのビアおよびトレンチを異方性エッチングする（例えば、（デュアル）ダマシン構造を生成する）ため、標準的なエッチング処理を加える。この例で使用されるエッチング・プラズマは、ＣＦ４、Ｏ２、Ｎ２およびＡｒを含んでいる。
【００７５】
上述の方法および以下の式を使用し、低誘電率フィルムにおけるダメージの深さを得ることができる。
Ｐａ２，２＊ｄ０＝Ｐａ１＊ｄ＋Ｐａ２，１＊（ｄ０−ｄ）      （１１）
ここで、Ｐａ２，２は、例えば水である第２の吸着質を使用して測定されたダメージありの低誘電率フィルムの多孔度であり、Ｐａ２，１は、（第２の吸着質を使用して測定された）ダメージ前の低誘電率フィルムの多孔度であり、Ｐａ１は、例えばトルエンである第１の吸着質を使用して測定されたダメージなしの低誘電率フィルムの多孔度であり、ｄ０はフィルムの厚さであって、ｄは濡れの深さである。値Ｐａ１は、低誘電率フィルムの多孔度および／または孔サイズを得ることができるよう、低誘電率フィルムについて第１の吸着質で実行される第１の偏光測定から得られている。値Ｐａ２，２は、ダメージありの低誘電率フィルムについて第２の吸着質で実行される第２の偏光測定から得られている。値ＰＷｌは、ダメージなしの（プラズマ・エッチングおよび／または剥離の前の）低誘電率フィルムについて第２の吸着質で実行される第３の偏光測定から得られている。
【００７６】
偏光測定の結果から、１４．２％のＰａ２，２値、４．２％のＰａ２，１値、および３０％のＰａ１値が得られた。ローレンツ‐ローレンツの式を使用することによって、下記式（１２）が得られる。
【００７７】
2006317442.tif 000010
【００７８】
ここで、Ｖは吸着された水の体積であり、ｎｒｌ、ｎａｄｓ、およびｎ２はそれぞれ、水が吸着されたフィルム、水、およびフィルムそのものの屈折率である。式（１２）によって得られた値をフィルムの体積で除算し、これに１００を乗算することによって、３８．５％のダメージが得られる。これは、低誘電率フィルムの全厚さの３８．５％がダメージを受けたことを示している。
【００７９】
結論
本明細書において、さまざまな構成および実施の形態を説明してきた。しかしながら、以下の特許請求の範囲によって定められる本発明の真の技術的範囲および技術的思想から離れることなく、これらの構成および実施の形態について変更および変形が可能であることを、当業者であれば理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】ＣＦ４含有プラズマ、低出力でのＣ４Ｆ８含有プラズマ、中間出力でのＣ４Ｆ８含有プラズマ、および高出力でのＣ４Ｆ８含有プラズマによるエッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料について、炭素の原子濃度についてのＴＯＦ‐ＳＩＭＳデータを時間の関数として示す図である。
【図２】偏光測定の原理を説明する図である。
【図３】偏光測定の原理を説明する図である。
【図４】（ダメージありの）低誘電率フィルムについてのトルエンの吸着／脱離サイクル、（ダメージありの）低誘電率フィルムについての水蒸気の吸着／脱離サイクル、および自然のままの基準材料についての水蒸気の吸着／脱離サイクルを示す図である。
【図５Ａ】自然のままのダメージを受けていない基準となる低誘電率材料に吸着された水の量を示す図である。
【図５Ｂ】ＣＦ４／Ｏ２プラズマ・エッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示す図である。
【図５Ｃ】Ｃ４Ｆ８プラズマ・エッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示す図である。
【図５Ｄ】ＣＦ４標準プラズマ・エッチング後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示す図である。
【図５Ｅ】ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）処理後のＳｉＯＣ（Ｈ）低誘電率材料（ＮＣＳ）に吸着された水の量を示す図である。
【図１】
2006317442.tif 000011
【図２】
2006317442.tif 000012
【図３】
2006317442.tif 000013
【図４】
2006317442.tif 000014
【図５Ａ】
2006317442.tif 000015
【図５Ｂ】
2006317442.tif 000016
【図５Ｃ】
2006317442.tif 000017
【図５Ｄ】
2006317442.tif 000018
【図５Ｅ】
2006317442.tif 000019