(57)【要約】【課題】光学フィルムとして好ましいレターデーション値を有するフィルムを形成できるセルロース誘導体組成物、並びに光学フィルムとして好ましいレターデーション値を有するセルロース誘導体フィルムを提供する。【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有するセルロース誘導体組成物。【化１】2006282745.tif 000044（式中、Ｒ1〜Ｒ5は各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1〜Ｒ5のうちのいずれか一つはＱ1で表される置換基を表す。Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13又は−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2は各々独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基又は芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2、Ａｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基もしくはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするセルロース誘導体組成物。
【化１】
2006282745.tif 000038
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5のうちのいずれか一つは下記Ｑ1で表される置換基を表す。Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載のセルロース誘導体組成物。
【化２】
2006282745.tif 000039
（式中、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｐ1は水素原子以外の置換基を表す。Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【請求項３】
前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載のセルロース誘導体組成物。
【化３】
2006282745.tif 000040
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25のうちのいずれか一つは下記Ｑ2で表される置換基を表す。Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35のうちのいずれか一つは下記Ｑ3で表される置換基を表す。Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｍは１以上の整数を表し、二つ以上のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【請求項４】
前記セルロース誘導体としてセルロースアシレートを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物からなることを特徴とするセルロース誘導体フィルム。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物からなることを特徴とするセルロース誘導体延伸フィルム。
【請求項７】
下記一般式（１）で表される化合物。
【化４】
2006282745.tif 000041
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5のうちのいずれか一つは下記Ｑ1で表される置換基を表す。Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【請求項８】
下記一般式（２）で表される化合物。
【化５】
2006282745.tif 000042
（式中、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｐ1は水素原子以外の置換基を表す。Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【請求項９】
下記一般式（３）で表される化合物。
【化６】
2006282745.tif 000043
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25のうちのいずれか一つは下記Ｑ2で表される置換基を表す。Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35のうちのいずれか一つは下記Ｑ3で表される置換基を表す。Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｍは１以上の整数を表し、二つ以上のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【請求項１０】
偏光子の両面に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が、請求項５又は６に記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
【請求項１１】
保護フィルムの少なくとも片方の面上に、光学異方性層を有する請求項１０に記載の偏光板。
【請求項１２】
液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板を有し、その少なくとも１方の偏光板が請求項１０又は１１に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
該液晶表示装置がＶＡモードであることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
該液晶表示装置がＯＣＢモードであることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セルロース誘導体組成物、および前記セルロース誘導体組成物からなるセルロース誘導体フィルムに関するものである。本発明は更に、新規な置換安息香酸誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
セルロースフィルムの中でもセルロースアセテートフィルムは他のポリマーフィルムと比較して光学的等方性が高い（レターデーション値が低い）という特徴がある。したがって、光学的等方性が要求される用途、例えば偏光板には、セルロースアセテートフィルムを用いることが一般的である。一方、液晶表示装置等の光学補償シート（位相差フィルム）には、逆に光学的異方性（高いレターデーション値）が要求される。したがって、光学補償シートとしては、ポリカーボネートフィルムやポリスルホンフィルムのようなレターデーション値が高い合成ポリマーフィルムを用いることが一般的であった。
【０００３】
しかし最近になって、光学的異方性が要求される用途にも使用できる高いレターデーション値を有するセルロースアセテートフィルムが提案されている（例えば特許文献１及び２）。前記特許文献１及び２では、セルローストリアセテートで高いレターデーション値を実現するために、少なくとも２つの芳香環を有する芳香族化合物、中でも１，３，５−トリアジン環を有する化合物を添加し、延伸処理を行っている。
一般にセルローストリアセテートは延伸しにくい高分子素材であり、光学的異方性を大きくすることは困難であることが知られているが、前記特許文献１及び２では添加剤を延伸処理で同時に配向させることにより光学的異方性を大きくすることを可能にし、高いレターデーション値を実現している。
【０００４】
近年、液晶表示装置の軽量化、製造コスト低減のために液晶セルの薄膜化が必須となっている。そのために光学補償シートをはじめとする光学フィルムには、前記特許文献１及び２記載の１，３，５−トリアジン環を有する化合物で実現できる光学的異方性（Ｒｅ：フィルム面内のレターデーション値、Ｒｔｈ：フィルム厚み方向におけるレターデーション値）に対して、さらにより高いＲｅとより低いＲｔｈが要求されるようになってきた。
【０００５】
しかしながら、本発明者が特許文献１及び２に開示された方法について鋭意検討した結果、該方法では、前述のＲｅ値とＲｔｈ値をそれぞれ好ましい範囲内に制御することができないという問題があることが判明した。そこで、新たな光学性能制御技術の開発が必要となってきた。
【０００６】
【特許文献１】欧州特許公開ＥＰ０９１１６５６Ａ２号明細書
【特許文献２】特開２００３−３４４６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の第１の目的は、光学フィルムとして好ましいレターデーション値を有するフィルムを形成できるセルロース誘導体組成物を提供することにある。
本発明の第２の目的は、光学フィルムとして好ましいレターデーション値を有するセルロース誘導体フィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の目的は、下記手段により達成された。
［１］下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするセルロース誘導体組成物。
【０００９】
【化１】
2006282745.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5のうちのいずれか一つは下記Ｑ1で表される置換基を表す。Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
［２］前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする［１］項に記載のセルロース誘導体組成物。
【００１１】
【化２】
2006282745.tif 000003
【００１２】
（式中、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｐ1は水素原子以外の置換基を表す。Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
［３］前記一般式（１）で表される化合物が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする［１］項に記載のセルロース誘導体組成物。
【００１３】
【化３】
2006282745.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25のうちのいずれか一つは下記Ｑ2で表される置換基を表す。Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35のうちのいずれか一つは下記Ｑ3で表される置換基を表す。Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｍは１以上の整数を表し、二つ以上のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
［４］前記セルロース誘導体としてセルロースアシレートを含有することを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物。
［５］［１］〜［４］のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物からなることを特徴とするセルロース誘導体フィルム。
［６］［１］〜［４］のいずれか１項に記載のセルロース誘導体組成物からなることを特徴とするセルロース誘導体延伸フィルム。
［７］上記一般式（１）で表される化合物。
［８］上記一般式（２）で表される化合物。
［９］上記一般式（３）で表される化合物。
［１０］偏光子の両面に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が、［５］又は［６］項に記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
［１１］保護フィルムの少なくとも片方の面上に、光学異方性層を有する［１０］項に記載の偏光板。
［１２］液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板を有し、その少なくとも１方の偏光板が［１０］又は［１１］項に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
［１３］該液晶表示装置がＶＡモードであることを特徴とする［１２］項に記載の液晶表示装置。
［１４］該液晶表示装置がＯＣＢモードであることを特徴とする［１２］項に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のセルロース誘導体組成物は個々に指定されたＲｅ値とＲｔｈ値とを同時に満足した光学性能に優れたフィルムを形成するために有用である。したがってこれより得られたセルロース誘導体フィルムは光学性能に優れる。
本発明のセルロース誘導体フィルムは、液晶表示装置用光学フィルムとして、特に光学補償シートとして好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下において、本発明について詳細に説明する。以下の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１７】
本発明のセルロース誘導体組成物は、セルロース誘導体を必須成分として含有し、かつ、下記一般式（１）で表される化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする。
［安息香酸誘導体化合物］
まず、一般式（１）で表される化合物に関して詳細に説明する。
【００１８】
【化４】
2006282745.tif 000005
【００１９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5のうちのいずれか一つは下記Ｑ1で表される置換基を表す。Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【００２０】
一般式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5のうちのいずれか一つは下記Ｑ1で表される置換基を表す。
【００２１】
Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。
【００２２】
Ｒとして好ましくは水素原子、無置換のアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基であり、最も好ましくは水素原子である。
Ｒ13で表されるアルキル基としては、置換もしくは無置換のアルキル基を用いることができ、炭素原子数１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１２であることが最も好ましい。置換アルキル基の場合、用いられる置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
【００２３】
Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13のいずれも好ましく用いられるが、特に好ましくは、−ＮＨＣＯ−Ｒ13、−ＮＨＣＯＯ−Ｒ13、−ＮＨＣＯＮＨ−Ｒ13、または、−ＮＨＳＯ2−Ｒ13であり、最も好ましくは−ＮＨＣＯ−Ｒ13、または−ＮＨＳＯ2−Ｒ13である。
【００２４】
Ｒ1として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基であり、更に好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、水酸基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
【００２５】
Ｒ2として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００２６】
Ｒ3として好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、Ｑ1で表される置換基であり、より好ましくは、Ｑ1で表される置換基である。
【００２７】
Ｒ4として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００２８】
Ｒ5として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。最も好ましくは水素原子である。
【００２９】
以下に一般式（１）の部分構造である一般式（１Ｐ）の好ましい例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。一般式（１Ｐ）において＃の部分で−Ｌ1−に連結する。
【００３０】
【化５】
2006282745.tif 000006
【００３１】
一般式（１Ｐ）の具体例を示す。
【００３２】
【化６】
2006282745.tif 000007
【００３３】
【化７】
2006282745.tif 000008
【００３４】
【化８】
2006282745.tif 000009
【００３５】
【化９】
2006282745.tif 000010
【００３６】
【化１０】
2006282745.tif 000011
【００３７】
Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、(Ａｒ1−Ｌ2)nで表される繰り返し単位中のＡｒ1は、すべて同一であってもそれぞれ異なっていてもよい。Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表す。
一般式（１）中、Ａｒ1で表されるアリーレン基として好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ1で表されるアリーレン基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、ｏ−メチルフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
一般式（１）中、Ａｒ2で表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ2で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００３８】
一般式（１）中、Ａｒ1又はＡｒ2で表される芳香族ヘテロ環基は、酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環基であることができ、好ましくは５ないし６員環の酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
【００３９】
一般式（１）中、Ａｒ1又はＡｒ2で表される芳香族ヘテロ環基の芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。これらの芳香族ヘテロ環の例えば水素原子を除去して前記の芳香族ヘテロ環基を与える。芳香族ヘテロ環として好ましいものは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。
【００４０】
一般式（１）中、Ｌ1及びＬ2はそれぞれ独立に単結合、または２価の連結基を表す。Ｌ1及びＬ2は、同じであっても異なっていてもよい。また、(Ａｒ1−Ｌ2)nで表される繰り返し単位中のＬ2は、すべて同一であってもそれぞれ異なっていてもよい。
二価の連結基として好ましいものは、−Ｏ−、−ＮＲ’−（Ｒ’は水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基をあらわす）、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｓ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基およびこれらの二価の基を２つ以上組み合わせて得られる基である。
Ｌ1として、より好ましくは、−Ｏ−、−ＮＲ’−、−ＮＲ’ＳＯ2−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＯＣＯ−であり、特に好ましくは、−Ｏ−、−ＮＲ’−である。Ｌ2として、より好ましくは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲ’−、−ＮＲ’ＳＯ2−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、およびアルキニレン基であり、最も好ましくは単結合、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、およびアルキニレン基である。
Ｒ’は好ましくは水素原子、炭素数１〜１２の無置換のアルキル基、炭素数６〜１２の無置換のアリール基を表し、より好ましくは水素原子、炭素数１〜４の無置換のアルキル基を表し、もっとも好ましくは水素原子を表す。
【００４１】
本発明に用いられる一般式（１）で表される化合物において、Ａｒ1はＬ1及びＬ2と結合するが、Ａｒ1がフェニレン基である場合、−Ｌ1−Ａｒ1−Ｌ2−及び−Ｌ2−Ａｒ1−Ｌ2−においてＬ1又はＬ2が互いにパラ位（１，４−位）の関係にあることが最も好ましい。
【００４２】
一般式（１）中、ｎは０以上の整数を表し、好ましくは１〜７であり、より好ましくは２〜７であり、さらに好ましくは３〜６である。
【００４３】
一般式（１）であらわされる化合物のうち特に好ましくは、Ｒ3がＱ1で表される置換基であり、Ｒ1が水素原子以外の置換基であり、Ｌ1が−Ｏ−、−ＮＲ’−であり、Ｌ2が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ’−、−ＳＯ2ＮＲ’−、−ＮＲ’ＳＯ2−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、またはアルキニレン基であり、ｎが３〜６である化合物である。
【００４４】
一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。
次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００４５】
【化１１】
2006282745.tif 000012
【００４６】
（式中、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ1は−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｐ1は水素原子以外の置換基を表す。Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、Ａｒ2はアリール基または芳香族へテロ環基を表し、ｎは０以上の整数を表し、二つ以上のＬ2はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【００４７】
一般式（２）中、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｑ1、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1、Ａｒ2及びｎは一般式（１）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
Ｐ1は水素原子以外の置換基を表す。Ｐ1として好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基であり、更に好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、水酸基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
【００４８】
一般式（２）で表される化合物の好ましいものは、
Ｐ1が水酸基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、
Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5がいずれも水素原子であり、
Ｑ1が−ＮＨＣＯ−Ｒ13、−ＮＨＣＯＯ−Ｒ13、−ＮＨＣＯＮＨ−Ｒ13、または、−ＮＨＳＯ2−Ｒ13（Ｒ13は置換もしくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基）であり、
Ｌ1が−Ｏ−または−ＮＲ’−（Ｒ’は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、Ｌ2が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ’−、−ＳＯ2ＮＲ’−、−ＮＲ’ＳＯ2−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、またはアルキニレン基（Ｒ’は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、
Ａｒ1がアリーレン基であり、Ａｒ2がアリール基であり、
ｎが３以上６以下である
ものを挙げることができる。
【００４９】
一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（３）で表される化合物であることが好ましい。
次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。
【００５０】
【化１２】
2006282745.tif 000013
【００５１】
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25のうちのいずれか一つは下記Ｑ2で表される置換基を表す。Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35のうちのいずれか一つは下記Ｑ3で表される置換基を表す。Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｍは１以上の整数を表し、二つ以上のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【００５２】
一般式（３）中、Ｑ2及びＱ3は一般式（１）中のＱ1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
また、Ｒ21及びＲ31は一般式（１）中のＲ1と、Ｒ22及びＲ32は一般式（１）中のＲ2と、Ｒ23及びＲ33は一般式（１）中のＲ3と、Ｒ24及びＲ34は一般式（１）中のＲ4と、Ｒ25及びＲ35は一般式（１）中のＲ5とそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。
また、Ｌ1及びＬ2は一般式（１）におけるＬ1と同義である。Ｌ1として、より好ましくは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲ’−、−ＮＲ’ＳＯ2−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、およびアルキニレン基であり、最も好ましくは単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、およびアルキニレン基である。Ｌ2として、より好ましくは、−Ｏ−、−ＮＲ’−、−ＳＯ2ＮＲ’−、−ＣＯＮＲ’−、−ＣＯＯ−であり、特に好ましくは、−Ｏ−、−ＮＲ’−である。
また、Ａｒ1は一般式（１）におけるＡｒ1と同義であり、好ましい範囲も同様である。
また、ｍは１以上の整数を表し、好ましくは１〜７であり、より好ましくは２〜７であり、さらに好ましくは３〜６である。
【００５３】
Ｒ21とＲ31、Ｒ22とＲ32、Ｒ23とＲ33、Ｒ24とＲ34、Ｒ25とＲ35はそれぞれ同じであっても異なっていてもかまわないが、合成適性上は同じであることが好ましい。
【００５４】
以下に一般式（３）の部分構造である一般式（３Ｃ）の好ましい例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。一般式（３Ｃ）において＃、＃＃の部分でそれぞれ−Ｃ(＝Ｏ)−に連結する。
【００５５】
【化１３】
2006282745.tif 000014
【００５６】
一般式（３Ｃ）の具体例を示す。
【００５７】
【化１４】
2006282745.tif 000015
【００５８】
【化１５】
2006282745.tif 000016
【００５９】
【化１６】
2006282745.tif 000017
【００６０】
【化１７】
2006282745.tif 000018
【００６１】
一般式（３）で表される化合物のうち特に好ましくは、Ｒ23、Ｒ33がそれぞれＱ1で表される置換基であり、Ｒ21、Ｒ31がそれぞれ水素原子以外の置換基であり、Ｌ1が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ’−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、またはアルキニレン基であり、Ｌ2が−Ｏ−、−ＮＲ’−であり、ｎが３〜６である化合物である。
【００６２】
一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３−Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。
【００６３】
【化１８】
2006282745.tif 000019
【００６４】
（式中、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ32、Ｒ34、Ｒ35はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｑ2、Ｑ3はそれぞれ独立に−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｏ−Ｒ13、−Ｎ(Ｒ)Ｃ(＝Ｏ)Ｎ(Ｒ)−Ｒ13、または、−Ｎ(Ｒ)Ｓ(＝Ｏ)2−Ｒ13を表し、Ｐ21、Ｐ31はそれぞれ独立に水素原子以外の置換基を表す。Ｌ1、Ｌ2はそれぞれ独立に単結合または二価の連結基を表し、Ａｒ1はアリーレン基または芳香族へテロ環基を表し、ｍは１以上の整数を表し、二つ以上のＬ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、二つ以上のＡｒ1はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒは水素原子または置換基を有してもよいアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ13は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。）
【００６５】
一般式（３−Ｂ）中、Ｒ22、Ｒ32は一般式（２）中のＲ2と、Ｒ24、Ｒ34は一般式（２）中のＲ4と、Ｒ25、Ｒ35は一般式（２）中のＲ5とそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｑ2、Ｑ3は一般式（２）中のＱ1とそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｐ21、Ｐ31は一般式（２）中のＰ1とそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1、ｍは一般式（３）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００６６】
Ｐ21とＰ31、Ｒ22とＲ32、Ｑ2とＱ3、Ｒ24とＲ34、Ｒ25とＲ35はそれぞれ同じであっても異なっていてもかまわないが、合成適性上は同じであることが好ましい。
【００６７】
一般式（３−Ｂ）で表される化合物の好ましいものは、
Ｐ21、Ｐ31が水酸基または炭素数１〜４のアルコキシ基であり、
Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ32、Ｒ34、Ｒ35がいずれも水素原子であり、
Ｑ2、Ｑ3が−ＮＨＣＯ−Ｒ13、−ＮＨＣＯＯ−Ｒ13、−ＮＨＣＯＮＨ−Ｒ13、または、−ＮＨＳＯ2−Ｒ13（Ｒ13は置換もしくは無置換の炭素数１〜１２のアルキル基）であり、
Ｌ1が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ’−、−ＳＯ2ＮＲ’−、−ＮＲ’ＳＯ2−、−ＣＯＮＲ’−、−ＮＲ’ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、またはアルキニレン基（Ｒ’は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、
Ｌ2が−Ｏ−または−ＮＲ’−（Ｒ’は水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、
Ａｒ1がアリーレン基であり、
ｍが３以上６以下である
ものを挙げることができる。
【００６８】
一般式（１）〜（２）で表される化合物のうちｎが３以上であるもの、および、一般式（３）、（３−Ｂ）で表される化合物のうちｍが３以上であるものは、(−Ａｒ1−Ｌ2−)n、および、(−Ｌ1−Ａｒ1−)mで表される部分が長く、同様の構造を有する従来の化合物に比べて、セルロース誘導体フィルムにおいて、より高いレターデーション発現能を有している。また、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3で表される含窒素置換基を含有することによりセルロース誘導体組成物中での高い溶解性を実現可能である。
【００６９】
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとして好ましくは、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、
【００７０】
アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、
【００７１】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５または６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、
【００７２】
シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、
【００７３】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、p−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、
【００７４】
スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、
【００７５】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、
【００７６】
アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換または無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、
【００７７】
アリールおよびヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換または無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。
【００７８】
上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００７９】
以下に一般式（１）〜（３）又は一般式（３−Ｂ）のいずれかで表される化合物の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。また、これら以外に、前述の一般式（１Ｐ）、一般式（３Ｃ）で表される部分構造をその相当する部分に置換したものを挙げることもできる。
【００８０】
【化１９】
2006282745.tif 000020
【００８１】
【化２０】
2006282745.tif 000021
【００８２】
【化２１】
2006282745.tif 000022
【００８３】
【化２２】
2006282745.tif 000023
【００８４】
【化２３】
2006282745.tif 000024
【００８５】
【化２４】
2006282745.tif 000025
【００８６】
【化２５】
2006282745.tif 000026
【００８７】
【化２６】
2006282745.tif 000027
【００８８】
本発明に用いられる一般式（１）〜（３）又は（３−Ｂ）のいずれかで表される化合物は、まず置換安息香酸を合成したのちに、この置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体の一般的なエステル反応もしくはアミド化反応によって合成でき、エステル結合、アミド結合形成反応であれば任意の反応を用いることができる。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体を脱水縮合する方法などがあげられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。
【００８９】
反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
【００９０】
反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
【００９１】
たとえば下記一般式（３Ａ）で表される化合物は、公知の方法で合成することができる。
【００９２】
【化２７】
2006282745.tif 000028
【００９３】
（式中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｌ1、Ｌ2、Ａｒ1、ｍは上記一般式（３）と同義である。）
例えば、一般式（３Ａ）においてｍ＝４である化合物の場合、下記構造：
【化２８】
2006282745.tif 000029
（式中、Ａは水酸基、ハロゲン原子等の反応性基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、およびＲ25は先に記載した通りである。）
を有する原料化合物を、水酸基、アミノ基等の反応性部位を有する誘導体との反応に付して得られた中間体：
【化２９】
2006282745.tif 000030
（式中、Ａ’はカルボキシル基等の反応性基を表し、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ａｒ1、およびＬ1は先に記載した通りである。）
２分子を、
【化３０】
2006282745.tif 000031
（式中、ＢおよびＢ’は水酸基、アミノ基等の反応性基を表し、Ａｒ2およびＬ2は先に記載したＡｒ1、Ｌ1と同義である。）
１分子により連結することによって得ることができる。ただし、本発明に用いられる化合物の合成法はこの例に限定されない。
【００９４】
本発明のセルロース誘導体組成物における、一般式（１）〜（３）又は（３−Ｂ）のいずれかで表される化合物の含有量は、セルロース誘導体に対して０．１〜２０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．５〜１６質量％、さらに好ましくは１〜１２質量％、特に好ましくは１〜８質量％であり、最も好ましくは１〜５質量％である。
【００９５】
前記一般式（１）〜（３）又は（３−Ｂ）のいずれかで表される化合物は、光学フィルム用レターデーション制御剤として用いることができ、特に延伸によるＲｅ発現性に優れたフィルムを得るためのレターデーション制御剤として好適に用いることができる。前記一般式（１）〜（３）又は（３−Ｂ）のいずれかで表される化合物は、特にセルロース誘導体フィルム用レターデーション制御剤として有用である。これら化合物を含むフィルムの製造方法等の詳細は後述する。
【００９６】
本発明に用いられるセルロース体に関して詳細に説明する。本発明に用いられるセルロース体はセルロースを原料とする化合物であれば何でもよい。好ましくはセルロースアシレートである。
【００９７】
［セルロースアシレート原料綿］
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えば「プラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂」（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。
【００９８】
前記の特定のセルロースアシレートは、セルロースの水酸基をアセチル基及び炭素原子数が３以上のアシル基で置換して得られたセルロースの混合脂肪酸エステルであって、セルロースの水酸基への置換度が下記数式（４）及び（５）を満足するセルロースアシレートであることが好ましい。
数式（４）：２．０≦Ａ＋Ｂ≦３．０
数式（５）：０＜Ｂ
ここで、式中Ａ及びＢはセルロースの水酸基に置換されているアシル基の置換度を表し、Ａはアセチル基の置換度、またＢは炭素原子数３以上のアシル基の置換度である。
【００９９】
セルロースを構成するβ−１，４結合しているグルコース単位は、２位、３位及び６位に遊離の水酸基を有している。セルロースアシレートは、これらの水酸基の一部又は全部をアシル基によりエステル化した重合体（ポリマー）である。アシル置換度は、２位、３位及び６位のそれぞれについて、セルロースがエステル化している割合（１００％のエステル化は置換度１）を意味する。
【０１００】
［セルロースアシレートの重合度］
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫著，「繊維学会誌」，第１８巻，第１号，１０５〜１２０頁，１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。
【０１０１】
低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明のセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。
【０１０２】
本発明のセルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。
【０１０３】
［セルロースアシレートへの添加剤］
本発明のセルロースアシレート溶液には、各調製工程において本発明の透湿性を低下する化合物以外にも用途に応じた種々の添加剤（例えば、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
【０１０４】
それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収剤を混合して用いたり、同様に可塑剤を混合して用いたりすることができ、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。
【０１０５】
［紫外線吸収剤］
紫外線吸収剤としては、目的に応じ任意の種類のものを選択することができ、サリチル酸エステル系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ベンゾエート系、シアノアクリレート系、ニッケル錯塩系等の吸収剤を用いることができ、好ましくはベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、サリチル酸エステル系である。
【０１０６】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例として、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−アセトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，４’−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキシ）プロポキシベンゾフェノン等を挙げることができる。
【０１０７】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール等を挙げることができる。
【０１０８】
サリチル酸エステル系としては、フェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシレート等を挙げることができる。
【０１０９】
これら例示した紫外線吸収剤の中でも、特に２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４，４’−メトキシベンゾフェノン、２（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾールが特に好ましい。
【０１１０】
紫外線吸収剤は、吸収波長の異なる複数の吸収剤を複合して用いることが、広い波長範囲で高い遮断効果を得ることができるので好ましい。液晶用紫外線吸収剤は、液晶の劣化防止の観点から、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、且つ、液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましい。特に好ましい紫外線吸収剤は、先に上げたベンゾトリアゾール系化合物やベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物である。中でも、ベンゾトリアゾール系化合物は、セルロースエステルに対する不用な着色が少ないことから、好ましい。
【０１１１】
また、紫外線吸収剤については、特開昭６０−２３５８５２号、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号、同６−１１８２３３号、同６−１４８４３０号、同７−１１０５６号、同７−１１０５５号、同７−１１０５６号、同８−２９６１９号、同８−２３９５０９号、特開２０００−２０４１７３号の各公報に記載の化合物も用いることができる。
【０１１２】
紫外線吸収剤の添加量は、セルロースアシレートに対し０．００１〜５質量％が好ましく、０．０１〜１質量％がより好ましい。添加量が０．００１質量％以上であれば添加効果が十分に発揮されうるので好ましく、添加量が５質量％以下であればフィルム表面への紫外線吸収剤のブリードアウトを抑制できるので好ましい。
【０１１３】
また紫外線吸収剤は、セルロースアシレート溶解時に同時に添加してもよいし、溶解後のドープに添加してもよい。特にスタティックミキサ等を用い、流延直前にドープに紫外線吸収剤溶液を添加する形態が、分光吸収特性を容易に調整することができるので好ましい。
【０１１４】
［劣化防止剤］
前記劣化防止剤は、セルローストリアセテート等が劣化、分解するのを防止することができる。劣化防止剤としては、ブチルアミン、ヒンダードアミン化合物（特開平８−３２５５３７号公報）、グアニジン化合物（特開平５−２７１４７１号公報）、ベンゾトリアゾール系ＵＶ吸収剤（特開平６−２３５８１９号公報）、ベンゾフェノン系ＵＶ吸収剤（特開平６−１１８２３３号公報）などの化合物がある。
【０１１５】
［可塑剤］
可塑剤としては、リン酸エステル、カルボン酸エステルであることが好ましい。リン酸エステル系可塑剤としては、例えばトリフェニルホスフェート（ＴＰＰ）、トリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ビフェニルジフェニルホスフェート（ＢＤＰ）、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等；カルボン酸エステル系可塑剤としては、例えばジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）、ジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等を挙げることができ、本発明に用いられる可塑剤はこれら例示の可塑剤から選ばれたものであることがより好ましい。さらに、前記可塑剤が、（ジ）ペンタエリスリトールエステル類、グリセロールエステル類、ジグリセロールエステル類であることが好ましい。
【０１１６】
［剥離促進剤］
剥離促進剤としては、クエン酸のエチルエステル類が例として挙げられる。
［赤外吸収剤］
さらに赤外吸収剤としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。
【０１１７】
［染料］
また本発明では、色相調整のための染料を添加してもよい。染料の含有量は、セルロースアシレートに対する質量割合で１０〜１０００ｐｐｍが好ましく、５０〜５００ｐｐｍが更に好ましい。この様に染料を含有させることにより、セルロースアシレートフィルムのライトパイピングが減少でき、黄色味を改良することができる。これらの化合物は、セルロースアシレート溶液の調製の際に、セルロースアシレートや溶媒と共に添加してもよいし、溶液調製中や調製後に添加してもよい。またインライン添加する紫外線吸収剤液に添加してもよい。特開平５−３４８５８号公報に記載の染料を用いることができる。
【０１１８】
［マット剤微粒子］
本発明のセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化ケイ素が好ましい。二酸化ケイ素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
【０１１９】
これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。
【０１２０】
二酸化ケイ素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上、いずれも商品名、日本アエロジル(株)製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上、いずれも商品名、日本アエロジル(株)製）の商品名で市販されており、使用することができる。
【０１２１】
これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化ケイ素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０１２２】
本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化ケイ素微粒子の分散性がよく、二酸化ケイ素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化ケイ素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化ケイ素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ2あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。
【０１２３】
使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。
【０１２４】
［化合物添加の比率］
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることが好ましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらに好ましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する（フィルムからの泣き出し）などの問題が生じやすくなる。
【０１２５】
［セルロースアシレート溶液の有機溶媒］
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。
【０１２６】
以上本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。
【０１２７】
その他、本発明のセルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許文献に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号などの各公報に記載されている。これらの特許文献によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。
【０１２８】
［セルロースアシレートフィルムの製造工程］
（溶解工程）
本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。
【０１２９】
本発明のセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることが好ましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、商品名、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定する。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出する。
【０１３０】
（流延、乾燥、巻き取り工程）
次に、本発明のセルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。本発明のセルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。本発明のセルロースアシレートフィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。
【０１３１】
［延伸処理］
本発明に好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムは、延伸処理によりレターデーションを調整することが好ましい。特に、セルロースアシレートフィルムの面内レターデーション値を高い値とする場合には、積極的に幅方向に延伸する方法、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、特開平４−２８４２１１号、特開平４−２９８３１０号、及び特開平１１−４８２７１号の各公報などに記載されている、製造したフィルムを延伸する方法を用いることができる。
【０１３２】
フィルムの延伸は、常温又は加熱条件下で実施する。加熱温度は、フィルムのガラス転移温度以下であることが好ましい。フィルムの延伸は、縦又は横だけの一軸延伸でもよく、同時又は逐次２軸延伸でもよい。通常は１〜２００％の延伸を行うが、好ましくは１〜１００％、特に好ましくは１〜５０％の延伸を行うのがよい。
【０１３３】
上記の偏光板を斜めから見たときの光漏れの抑制のためには、偏光子の透過軸とセルロースアシレートフィルムの面内の遅相軸を平行に配置する必要がある。連続的に製造されるロールフィルム状の偏光子の透過軸は、一般的に、ロールフィルムの幅方向に平行であるので、前記ロールフィルム状の偏光子とロールフィルム状のセルロースアシレートフィルムからなる保護膜を連続的に貼り合せるためには、ロールフィルム状の保護膜の面内遅相軸は、フィルムの幅方向に平行であることが必要となる。従って幅方向により多く延伸することが好ましい。また延伸処理は、製膜工程の途中で行ってもよいし、製膜して巻き取った原反を延伸処理してもよい。前者の場合には残留溶媒を含んだ状態で延伸を行ってもよく、残留溶媒量が２〜３０質量％で好ましく延伸することができる。
【０１３４】
乾燥後得られる、本発明に好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムの膜厚は、使用目的によって異なり、通常、５〜５００μｍの範囲であることが好ましく、更に２０〜３００μｍの範囲が好ましく、特に３０〜１５０μｍの範囲が好ましい。また、光学用、特にＶＡ液晶表示装置用としては、４０〜１１０μｍであることが好ましい。フィルム厚さの調整は、所望の厚さになるように、ドープ中に含まれる固形分濃度、ダイの口金のスリット間隙、ダイからの押し出し圧力、金属支持体速度等を調節すればよい。
【０１３５】
以上のようにして得られた、セルロースアシレートフィルムの幅は０．５〜３ｍが好ましく、より好ましくは０．６〜２．５ｍ、さらに好ましくは０．８〜２．２ｍである。長さは、１ロール当たり１００〜１００００ｍで巻き取るのが好ましく、より好ましくは５００〜７０００ｍであり、さらに好ましくは１０００〜６０００ｍである。巻き取る際、少なくとも片端にナーリングを付与するのが好ましく、ナーリングの幅は３ｍｍ〜５０ｍｍが好ましく、より好ましくは５ｍｍ〜３０ｍｍ、高さは０．５〜５００μｍが好ましく、より好ましくは１〜２００μｍである。これは片押しであっても両押しであってもよい。
【０１３６】
フィルムの幅方向のＲｅ590値のばらつきは、±５ｎｍであることが好ましく、±３ｎｍであることが更に好ましい。また幅方向のＲｔｈ590値のバラツキは±１０ｎｍが好ましく、±５ｎｍであることが更に好ましい。また、長さ方向のＲｅ値、及びＲｔｈ値のバラツキも、幅方向のバラツキの範囲内であることが好ましい。
【０１３７】
〔セルロースアシレートフィルムの光学特性〕
本明細書において、Ｒｅλ、Ｒｔｈλは、それぞれ波長λにおける面内のリターデーション及び厚さ方向のリターデーションを表す。Ｒｅλは“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”｛王子計測機器（株）製｝において、波長λｎｍの光をフィルムの法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈλは、前記Ｒｅλ、面内の遅相軸（“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”により判断される）を傾斜軸（回転軸）として、フィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向
から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、及び面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）として、フィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の、合計３つの方向で測定したレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に“ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ”が算出する。
ここで平均屈折率の仮定値は  ポリマーハンドブック（JOHN  WILEY＆SONS，INC）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：  セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA  21ADHはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。
【０１３８】
Ｒｅλレターデーション値、Ｒｔｈλレターデーション値が、それぞれ、以下の数式（２）、（３）を満たすことが、液晶表示装置、特にＶＡモード液晶表示装置の視野角を広くするために好ましい。また特にセルロースアシレートフィルムが、偏光板の液晶セル側の保護膜に用いられる場合に好ましい。
数式（２）：０ｎｍ≦Ｒｅ590≦２００ｎｍ
数式（３）：０ｎｍ≦Ｒｔｈ590≦４００ｎｍ
［式中、Ｒｅ590、Ｒｔｈ590は、波長λ＝５９０ｎｍにおける値（単位：ｎｍ）である。］
【０１３９】
本発明に好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムをＶＡモードに使用する場合、セルの両側に１枚ずつ合計２枚使用する形態（２枚型）と、セルの上下のいずれか一方の側にのみ使用する形態（１枚型）の２通りがある。
２枚型の場合、Ｒｅ590は２０〜１００ｎｍが好ましく、３０〜７０ｎｍがさらに好ましい。Ｒｔｈ590については７０〜３００ｎｍが好ましく、１００〜２００ｎｍがさらに好ましい。
１枚型の場合、Ｒｅ590は３０〜１５０ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍがさらに好ましい。Ｒｔｈ590については１００〜３００ｎｍが好ましく、１５０〜２５０ｎｍがさらに好ましい。
【０１４０】
［フィルムの透湿度］
本発明の光学補償シートに用いるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨ（相対湿度）の条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ2・２４ｈであることが好ましい。５００〜１８００ｇ／ｍ2・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ2・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ2・２４ｈを超えると、フィルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまう。また、本発明のセルロースアシレートフィルムに光学異方性層を積層して光学補償フィルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまい好ましくない。この光学補償シートや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こす。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度が４００ｇ／ｍ2・２４ｈ未満では、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフィルムにより接着剤の乾燥が妨げられ、接着不良を生じる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算する必要がある。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求める。
透湿度の測定法は、「高分子の物性II」（高分子実験講座４，共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、商品名、東洋精機(株)）にて、ＪＩＳ  Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ2）し、透湿度＝調湿後重量−調湿前重量で求める。
【０１４１】
［フィルムの残留溶剤量］
本発明のセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明に用いる透明支持体の残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由体積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。
【０１４２】
［フィルムの吸湿膨張係数］
本発明のセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、本発明のセルロースアシレートフィルムを光学補償フィルム支持体として用いた際、光学補償フィルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。
【０１４３】
［表面処理］
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０１４４】
［アルカリ鹸化処理］
アルカリ鹸化処理は、セルロースアシレートフィルムを鹸化液の槽に直接浸漬する方法、又は鹸化液をセルロースアシレートフィルムに塗布する方法により実施することが好ましい。塗布方法としては、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法及びＥ型塗布法を挙げることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液をセルロースアシレートフィルムに対して塗布するために、濡れ性がよく、また鹸化液溶媒によってセルロースアシレートフィルム表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、アルコール系溶媒が好ましく、イソプロピルアルコールが特に好ましい。また、界面活性剤の水溶液を溶媒として使用することもできる。アルカリ鹸化塗布液のアルカリは、上記溶媒に溶解するアルカリが好ましく、ＫＯＨ、ＮａＯＨがさらに好ましい。鹸化塗布液のｐＨは１０以上が好ましく、１２以上がさらに好ましい。アルカリ鹸化時の反応条件は、室温で１秒以上５分以下が好ましく、５秒以上５分以下がさらに好ましく、２０秒以上３分以下が特に好ましい。アルカリ鹸化反応後、鹸化液塗布面を水洗あるいは酸で洗浄したあと水洗することが好ましい。
【０１４５】
［機能層］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、その用途として光学用途と写真感光材料に適用される。特に光学用途が液晶表示装置であることが好ましく、液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償シートを配置した構成であることがさらに好ましい。これらの液晶表示装置としては、ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＬＣ、ＡＦＬＣ、ＯＣＢ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡおよびＨＡＮが好ましい。
その際に前述の光学用途に本発明のセルロースアシレートフィルムを用いるに際し、各種の機能層を付与することが実施される。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本発明のセルロースアシレートフィルムを用いることができるこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられ、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０１４６】
［用途（偏光板）］
本発明のセルロースアシレートフィルムの用途について説明する。
本発明の光学フィルムは特に偏光板保護フィルム用として有用である。偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号に記載されているような易接着加工を施してもよい。
保護フィルム処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。
偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。
液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明の光学フィルムを適用した偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが得に好ましい。
【０１４７】
［用途（光学補償フィルム）］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いると特に効果がある。なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。
【０１４８】
（一般的な液晶表示装置の構成）
セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルムとして用いる場合は、偏光素子の透過軸と、セルロースアシレートフィルムからなる光学補償フィルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成を有している。
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。
【０１４９】
（液晶表示装置の種類）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明のセルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。
【０１５０】
（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６８）に記載がある。
【０１５１】
（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。
【０１５２】
（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅレターデーション値を０乃至１５０ｎｍとし、Ｒｔｈレターデーション値を７０乃至４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅレターデーション値は、２０乃至７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。
【０１５３】
（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても特に有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明のセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板は色味の改善、視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、液晶セルの上下の前記偏光板の保護膜のうち、液晶セルと偏光板との間に配置された保護膜（セル側の保護膜）に本発明のセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板を少なくとも片側一方に用いることが好ましい。更に好ましくは、偏光板の保護膜と液晶セルの間に光学異方性層を配置し、配置された光学異方性層のリターデーションの値を、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。
【０１５４】
（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学的異方性層
の光学的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）に記載がある。
【０１５５】
（反射型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号、ＷＯ９８４８３２０号、特許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、ＷＯ００−６５３８４号に記載がある。
【０１５６】
（その他の液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ  ｅｔ  ａｌ．，  ＳＩＤ  ９８  Ｄｉｇｅｓｔ  １０８９（１９９８））に記載がある。
【０１５７】
（ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、またハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明のセルロースアシレートフィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、本発明のセルロースアシレートフィルムを好ましく用いることができる。
【０１５８】
（写真フィルム支持体）
さらに本発明のセルロースアシレートフィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としても適用でき、該特許文献に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。それらの技術については、特開２０００−１０５４４５号公報にカラーネガティブに関する記載が詳細に挙げられており、本発明のセルロースアシレートフィルムが好ましく用いられる。またカラー反転ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としての適用も好ましく、特開平１１−２８２１１９号公報に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。
【０１５９】
（透明基板）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、光学的異方性がゼロに近く、優れた透明性を持っていることから、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いることができる。
液晶を封入する透明基板はガスバリアー性に優れる必要があることから、必要に応じて本発明のセルロースアシレートフィルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面にＳｉＯ2等を蒸着したり、あるいは塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設ける方法が考えられ、これらを適宜使用できる。
また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するための透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２〜１５％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９号公報や特開２０００−２２７６０３号公報などに公開されている。
【実施例】
【０１６０】
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１６１】
実施例１
＜例示化合物（Ａ−１１）の合成＞
下記スキームに従い、例示化合物（Ａ−１１）を合成した。
【０１６２】
【化３１】
2006282745.tif 000032
【０１６３】
［中間体（Ｓ２）の合成］
４−アミノサリチル酸（Ｓ１）（１５３．２ｇ）、水酸化カリウム（１４５．６ｇ）、アセトン１．５Ｌを混合し、氷冷下にて、硫酸メチル（２２８ｍｌ）を滴下した。その後、反応液を室温にて４時間攪拌した。アセトンを約１Ｌ減圧留去したのち、残分を水１Ｌに添加し、析出した粗結晶を減圧ろ過にてろ別した。粗結晶は酢酸エチルで再結晶し、中間体（Ｓ２）を１００ｇ桃色固体として得た。
【０１６４】
［中間体（Ｓ３）の合成］
中間体（Ｓ２）（３６．２４ｇ、０．２ｍｏｌ）をジメチルアセトアミド２００ｍｌに混合し、ヘキサン酸クロライド（２９．６ｇ）をゆっくり滴下し、続いてトリエチルアミン（３０．６６ｍｌ）をゆっくり滴下した。反応液を室温にしたのち、さらに２時間攪拌を続けた。その後、反応液を塩酸水１Ｌに添加し、析出した固体をろ別した。得られた中間体はこれ以上の精製はせず、加水分解工程に用いた。
得られたメチルエステル体、メタノール（１００ｍｌ）、５Ｎ水酸化カリウム水溶液（１２０ｍｌ）を混合し、この反応液を４０℃で２時間加熱攪拌した。室温まで冷却した後、塩酸水（５００ｍｌ）にゆっくりと添加し、析出した固体をろ別した。こうして、中間体（Ｓ３）を３９．８ｇ得た。
【０１６５】
［例示化合物（Ａ−１１）の合成］
中間体（Ｓ３）１３．３ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１００ｍｌに溶解させ、氷／メタノールにて−１０℃に冷却した。続いて、メシルクロライド４．２５ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン９．５８ｍｌを内温−５℃以下を保ちながらゆっくりと滴下し、その後２時間、０℃以下で攪拌を続けた。続いて、４、４’−ビフェノール（Ｓ４）３．７２ｇをＴＨＦ１５ｍｌに溶解した液、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン９．５８ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．９８ｇを順次ゆっくりと添加し、反応液を室温に戻しながら攪拌を続けた。一晩放置した後に、反応液にメタノール１００ｍｌを添加して、析出した白色固体を濾別した。得られた粗結晶を酢酸エチル／メタノールで再結晶をおこなうことで精製し、例示化合物（Ａ−１１）９．８ｇを白色固体として得た（収率７２％）。
また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ）；０．８５（ｔ，６Ｈ），１．３５（ｍ，８Ｈ），１．６４（ｍ，４Ｈ），３．２６（ｍ，４Ｈ），３．８５（ｓ，６Ｈ），６．９０（ｄ，２Ｈ），７．０１（ｓ，２Ｈ），７．４４（ｄ，４Ｈ），７．８１（ｄ，４Ｈ），８．０５（ｄ，２Ｈ），１０．３５（ｓ，２Ｈ）
【０１６６】
実施例２
＜例示化合物（Ｂ−２１）の合成＞
下記スキームに従い、例示化合物（Ｂ−２１）を合成した。
【０１６７】
【化３２】
2006282745.tif 000033
【０１６８】
［中間体（Ｓ３）の合成］
中間体（Ｓ２）５４．３６ｇ（０．３０ｍｏｌ）をジメチルアセトアミド２００ｍｌと混合し、ここに、ブタンスルホニルクロリド（４２．７９ｍｌ）を室温にてゆっくり滴下し、続いてピリジン（２６．６９ｍｌ）をゆっくり滴下した。反応液を４０℃に加熱し、３時間加熱攪拌を続けた。その後、反応液を塩酸水５００ｍｌに添加し、ここに酢酸エチルを添加して、生成物を酢酸エチルで抽出した。有機層は１Ｎ塩酸水、水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥したのちに、活性炭処理し、溶媒を減圧留去した。こうして得られた中間体はこれ以上の精製はせず、加水分解工程に用いた。
得られたメチルエステル体、メタノール２００ｍｌ、５Ｎ水酸化カリウム水溶液２４０ｍｌを混合し、この反応液を４０℃で２時間加熱攪拌した。室温まで冷却した後、塩酸水１Ｌにゆっくりと添加し、ここに酢酸エチルを添加して、生成物を酢酸エチルで抽出した。有機層は１Ｎ塩酸水、水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥したのちに、溶媒を減圧留去した。油状物にヘキサンを添加して得られた固体をろ別した。こうして、中間体（Ｓ５）を４１ｇ得た。
【０１６９】
［中間体（Ｓ６）の合成］
中間体（Ｓ５）３６．５ｇをＴＨＦ１５０ｍｌに溶解させ、氷／メタノール浴にて−１０℃に冷却した。続いて、メシルクロライド９．７８ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン２２．０４ｍｌを内温−５℃以下を保ちながらゆっくりと滴下し、その後２時間、０℃以下で攪拌を続けた。続いて、４−ヒドロキシベンズアルデヒド１４．０４ｇをＴＨＦ２０ｍｌに溶解した液、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン２０．０ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１．４ｇを順次ゆっくりと添加したのち、反応液を室温に戻しながら攪拌を続けた。一晩放置した後に、反応液に水、酢酸エチルを添加し、有機層を酢酸エチルで抽出した。有機相は水、塩酸水、飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させたのちに、溶媒を減圧留去した。この反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒、塩化メチレン／メタノール＝４０／１）にて精製し、中間体（Ｓ６）を１９ｇ白色固体として得た。
【０１７０】
［中間体（Ｓ７）の合成］
中間体（Ｓ６）１８ｇをアセトニトリル５０ｍｌに溶解させ、氷水で冷却した。ここに、リン酸第二水素ナトリウム水溶液（１．４ｇ／水５ｍｌ）、過酸化水素水（約３５％、７．５ｍｌ）、過塩素酸ナトリウム水溶液（約８０％、６．７６ｇ／水２０ｍｌ）、テトラブチルアンモニウム硫酸水素塩（０．１６ｇ）を順次添加した。その後室温にて３時間攪拌したのち、水３００ｍｌに添加し、油状物をデカンテーションにて分離し、ここに水２００ｍｌを添加し、攪拌し、析出した固体を減圧ろ過にてろ別した。この粗結晶をヘキサンで洗浄することで中間体（Ｓ６）を１０ｇ白色固体として得た。
【０１７１】
［例示化合物（Ｂ−２１）の合成］
中間体（Ｓ７）１０ｇをＴＨＦ１５０ｍｌに溶解させ、氷／メタノールにて−１０℃に冷却した。続いて、メシルクロライド１．９０ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン４．２７ｍｌを内温−５℃以下を保ちながらゆっくりと滴下し、その後２時間、０℃以下で攪拌を続けた。続いて、４，４’−ビフェノール（Ｓ４）１．８２ｇをＴＨＦ１５ｍｌに溶解した液、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン４．２７ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．４７９ｇを順次ゆっくりと添加し、反応液を室温に戻しながら攪拌を続けた。一晩放置した後に、反応液を塩酸水５００ｍｌに添加し、析出した白色固体を濾別した。得られた粗結晶を酢酸エチルで再結晶をおこなうことで精製し、例示化合物（Ｂ−２１）を４．８０ｇ白色固体として得た。
また化合物の同定は1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）により行った。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ）；０．８５（ｔ，６Ｈ），１．３６（ｍ，４Ｈ），１．６８（ｍ，４Ｈ），３．２７（ｍ，４Ｈ），３．８５（ｓ，６Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．００（ｓ，２Ｈ），７．４４（ｍ，８Ｈ），７．８１（ｄ，４Ｈ），８．００（ｄ，２Ｈ），８．２６（ｄ，４Ｈ），１０．４０（ｓ，２Ｈ）
得られた化合物の融点は１９５℃であった。
【０１７２】
実施例３
＜セルロースアセテートフィルムの作製＞
下記のセルロースアセテート溶液組成の各成分をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。
【０１７３】
（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６０．９％のセルロースアセテート                    １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                        ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）                ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                            ３１８質量部
メタノール（第２溶媒）                                      ４７質量部
【０１７４】
別のミキシングタンクに、例示化合物（Ａ−１１）、（Ｂ−１１）、（Ａ−１３）、（Ｂ−１３）、（Ａ−２１）、（Ｂ−２１）、（Ａ−２９）、（Ｂ−２９）、（Ａ−４２）、もしくは（Ｂ−４２）、または比較化合物１６質量部、メチレンクロライド８７質量部およびメタノール１３質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション制御剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４７４質量部にレターデーション制御（上昇）剤溶液３６質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション制御剤は、セルロースアセテート１００質量部に対して表１に記載の質量部を添加した。
【０１７５】
得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量が１５質量％のフィルムを、１３０℃の条件で、テンターを用いて２０％の延伸倍率で横延伸して、セルロースアセテートフィルム（厚さ：９２μｍ）を製造した。作製したセルロースアセテートフィルム（光学補償シート）について、波長５９０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値を測定した。結果を表１に示す。
【０１７６】
＜Ｒｅ、Ｒｔｈの測定＞
ＲｅはKOBRA  21ADH（商品名、王子計測機器(株)製）において波長５９０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。Ｒｔｈは前記Ｒｅ、面内の遅相軸（KOBRA  21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長５９０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長５９０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に算出した。
【０１７７】
【表１】
2006282745.tif 000034
【０１７８】
比較化合物（特開２００３−３４４６５５号公報に記載の化合物）
【化３３】
2006282745.tif 000035
【０１７９】
表１の結果から分かるように、本発明の化合物を添加することにより、公知の円盤状化合物（比較化合物）では実現できなかった、添加剤が２質量部の場合におけるＲｅ/Ｒｔｈ比０．１８以上の光学特性を有する、すなわち、よりＲｅ発現性の高い領域の光学特性を有する新規なセルロース誘導体フィルムの作製が可能になることがわかった。
【０１８０】
実施例４
＜偏光板の作製＞
［セルロースアシレートフィルムの鹸化処理］
前記実施例３で作製されたセルロースアシレートフィルムＮｏ９を、１．３ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬し、次いで室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した後、再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムＮｏ９の表面を鹸化した。
【０１８１】
さらに市販のセルローストリアセテートフィルム「フジタックＴＤ８０ＵＦ」（商品名、富士写真フイルム(株)製）を同条件で鹸化し、以下の偏光板試料作製に供した。
【０１８２】
［偏光子の作製］
延伸したＰＶＡフィルムに、ヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、上記で鹸化したセルロースアシレートフィルムＮｏ９を偏光子の片側に貼り付けた。偏光子の透過軸とセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行になるように配置した。
【０１８３】
さらに上記で鹸化処理した「フジタックＴＤ８０ＵＦ」を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付けた。このようにして偏光板（Ａ）を作製した。
【０１８４】
実施例５
＜ＶＡ液晶表示装置の作製と評価＞
［液晶セルの作製］
ポリビニルアルコール３質量％水溶液１００質量部に、オクタデシルジメチルアンモニウムクロリド（カップリング剤）を１質量部添加した。これを、ＩＴＯ電極付のガラス基板上にスピンコートし、１６０℃で熱処理した後、ラビング処理を施して、垂直配向膜を形成した。ラビング処理は、２枚のガラス基板において反対方向となるようにした。セルギャップ（ｄ）が５μｍとなるように２枚のガラス基板を向かい合わせた。セルギャップに、エステル系とエタン系を主成分とする液晶性化合物（Δｎ：０．０８）を注入し、垂直配向液晶セルを作製した。Δｎとｄとの積は４００ｎｍであった。
【０１８５】
上記実施例４で作製した偏光板（Ａ）を、２５℃、６０％ＲＨの温湿度条件で事前に調湿した後、防湿処理を施した袋に包装し、３日間放置した。袋はポリエチレンテレフタレート／アルミ／ポリエチレンの積層構造からなる包装材であり、透湿度は１×１０-5ｇ／ｍ2・日以下であった。
【０１８６】
２５℃、６０％ＲＨの環境下で、偏光板（Ａ）を取り出して、作製した垂直配向液晶セルの両面に、粘着シートを用いて貼り付けて、液晶表示装置を作製したところ、本発明のセルロースアシレートフィルムを含む偏光板を使用した液晶表示画面は、色味視野角が広く好ましいことがわかった。
【０１８７】
実施例６
＜セルロースアシレートフィルムＮｏ１４の作製＞
［セルロースアシレート溶液の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、撹拌して各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液を調製した。
【０１８８】
（セルロースアシレート溶液の組成）
アセチル化度２．８７のセルロースアセテート      １００．０質量部
可塑剤：トリフェニルホスフェート                    ６．０質量部
可塑剤：ビフェニルホスフェート                      ３．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                    ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                            ６０．０質量部
【０１８９】
［マット剤溶液の調製］
下記の組成物を分散機に投入し、撹拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
【０１９０】
（マット剤溶液組成）
平均粒径２０ｎｍのシリカ粒子                        ２．０質量部
（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２、商品名、日本アエロジル(株)製）
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ７５．０質量部
メタノール（第２溶媒）                            １２．７質量部
セルロースアシレート溶液                          １０．３質量部
【０１９１】
［レターデーション上昇剤溶液の調製］
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら撹拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
【０１９２】
（レターデーション上昇剤溶液の組成）
レターデーション上昇剤（Ａ−４４）                １０．０質量部
レターデーション上昇剤（Ｂ−４４）                １０．０質量部
メチレンクロリド（第１溶媒）                      ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                              ８．７質量部
セルロースアシレート溶液                          １２．８質量部
【０１９３】
上記セルロースアシレート溶液９３．３質量部、マット剤溶液１．３質量部及びレターデーション上昇剤溶液５．４質量部をそれぞれ濾過した後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。残留溶媒含量３５質量％で得られたウェブをバンドから剥離し、１４０℃の条件でテンターを用いて１５％の延伸倍率まで、３０％／分の延伸速度で横延伸した後、１０％の延伸倍率で１４０℃、３０秒間保持した。その後、クリップを外して１４０℃で４０分間乾燥させ、セルロースアシレートフィルム１４を製造した。出来上がったセルロースアシレートフィルムの残留溶媒量は０．２質量％であり、膜厚は８０μｍ、Ｒｅ（５９０）は３４ｎｍ、Ｒｔｈ（５９０）は１４３ｎｍであった。
【０１９４】
実施例７
＜偏光板の作製＞
［光学補償シートの作製］
（セルロースアシレートフィルムの鹸化処理）
実施例６で作製したセルロースアシレートフィルムＮｏ１４上に、下記組成の液を５．２ｍＬ／ｍ2塗布し、６０℃で１０秒間乾燥させた。フィルムの表面を流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。
【０１９５】
（鹸化液の組成）
イソプロピルアルコール                                ８１８質量部
水                                                    １６７質量部
プロピレングリコール                                  １８７質量部
日本エマルジョン(株)製ＥＭＡＬＥＸ（商品名）            １０質量部
水酸化カリウム                                          ６７質量部
【０１９６】
（配向膜の形成）
鹸化処理したセルロースアシレートフィルムＮｏ１４の上に、下記の組成の塗布液を＃１４のワイヤーバーコーターで２４ｍＬ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
次に、セルロースアシレートフィルムＮｏ１４の延伸方向（遅相軸とほぼ一致）と４５゜の方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。
【０１９７】
（配向膜塗布液の組成）
下記構造の変性ポリビニルアルコール                      ２０質量部
水                                                    ３６０質量部
メタノール                                            １２０質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤）                          １．０質量部
【０１９８】
【化３４】
2006282745.tif 000036
【０１９９】
（光学異方性層の形成）
配向膜上に、下記構造のディスコティック化合物９１質量部、エチレンオキシド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、商品名、大阪有機化学(株)製）９質量部、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、商品名、イーストマン・ケミカル社製）１．５質量部、光重合開始剤（イルガキュア９０７、商品名、チバガイギー社製）３質量部、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、商品名、日本化薬(株)製）１質量部を、メチルエチルケトン２１４．２質量部に溶解した塗布液を、＃３のワイヤーバーコーターで５．２ｍＬ／ｍ2塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１３０℃の恒温槽中で２分間加熱し、ディスコティック化合物を配向させた。次に、９０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射しディスコティック化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学異方性層を形成し、光学補償シート（Ｂ）を得た。
【０２００】
【化３５】
2006282745.tif 000037
【０２０１】
（光学補償シートの鹸化処理）
実施例４と同様にして鹸化処理を行った。
【０２０２】
［偏光板の作製］
（偏光子の作製）
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製した。次に、作製した光学補償シート（Ｂ）のセルロースアシレートフィルム（１４）側を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて偏光子の片側に貼り付けた。セルロースアシレートフィルム（１４）の遅相軸および偏光子の透過軸が平行になるように配置した。
【０２０３】
市販のセルローストリアセテートフィルム「フジタックＴＤ８０ＵＦ」（商品名、富士写真フイルム(株)製）を実施例４と同様に鹸化処理し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側（光学補償シートを貼り付けなかった側）に貼り付けた。このようにして、楕円偏光板（Ｂ）を作製した。
【０２０４】
実施例８
＜液晶表示装置の作製＞
［ベンド配向液晶セルの作製］
ＩＴＯ電極付きのガラス基板に、ポリイミド膜を配向膜として設け、配向膜にラビング処理を行った。得られた２枚のガラス基板を、ラビング方向が平行となる配置で向かい合わせ、セルギャップを５．７μｍに設定した。セルギャップにΔｎが０．１３９６の液晶性化合物ＺＬＩ１１３２（商品名、メルク社製）を注入し、ベンド配向液晶セルを作製した。
【０２０５】
［液晶表示装置の作製］
作製したベンド配向セルを挟むように、偏光板（Ｂ）を２枚貼り付けた。偏光板の光学異方性層がセル基板に対面し、液晶セルのラビング方向とそれに対面する光学異方性層のラビング方向とが反平行となるように配置した。
【０２０６】
本発明の偏光板を用いた液晶表示装置は、コントラスト視野角が広く好ましい画像を有していることがわかった。