(57)【要約】【課題】コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供する。【解決手段】発光ダイオードは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７およびＩＴＯ透明電極１１０を備えている。このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０19ｃｍ-3に設定されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、酸化インジウム錫からなる透明電極と、上記透明電極のためのコンタクト層とを備え、
上記コンタクト層のキャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上５．０×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記コンタクト層がＧａＡｓからなることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記コンタクト層がＡｌＧａＩｎＰからなることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項４】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記コンタクト層のキャリア濃度が２．０×１０19ｃｍ-3以上３．０×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項５】
請求項１に記載の発光ダイオードにおいて、
上記透明電極は、前処理として逆スパッタが行われた後、スパッタ法で形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項６】
請求項５に記載の発光ダイオードにおいて、
上記スパッタ法は、基板加熱を行わない室温スパッタ法であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項７】
請求項６に記載の発光ダイオードにおいて、
上記透明電極は、上記スパッタ法で形成された後、３００℃以上４００℃以下のアニール処理が施されていることを特徴とする発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置等に広く用いられている発光ダイオードに関し、より詳しくは、ＡｌＧａＩｎＰを発光層の材料として使用すると共に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）を透明電極の材料として使用する発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡｌＧａＩｎＰ発光層は組成比によって緑色から赤色までの発光が可能である。これにより、上記ＡｌＧａＩｎＰ発光層を含む発光ダイオードは表示用素子として用いられている。また、現在までに、上記発光ダイオードは高輝度化するために、発光ダイオードの様々な素子構造が実施されている。
【０００３】
従来、ＡｌＧａＩｎＰ発光層を備えた発光ダイオードとしては、特許文献１（特開平１１−４０２０号公報）に開示されたものがある。
【０００４】
上記発光ダイオードでは、ｎ型ＧａＡｓ基板上に順次積層されたｎ型バッファ層３２、ｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜３３、ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層３５、ｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層３６、透明電極用ｐ型コンタクト層３７、ｎ型電流ブロック層３８、Ｚｎ層３９、透明電極３１０を備えている。
【０００５】
上記ブロック層３８は、フォトリソグラフィによって円板形状に成形されてコンタクト層３７の中央部のみを覆っている。
【０００６】
上記透明電極３１０はスパッタ法で形成されている。
【０００７】
なお、３１１はワイヤボンディング用電極であり、３１２はｎ側電極である。
【０００８】
上記構成の発光ダイオードによれば、活性層３５をクラッド層３４，３６で挟むダブルヘテロ構造を採用することにより、活性層３５の発光効率を向上させている。
【０００９】
また、上記活性層３５とワイヤボンディング用電極３１１との間に電流ブロック層３８を形成することにより、活性層３５による発光がワイヤボンディング用電極３１１で吸収されるのを防止している。
【００１０】
また、上記ワイヤボンディング用電極３１１下に透明電極３１０を形成することにより、ワイヤボンディング用電極３１１から活性層３５へ向かう電流の拡散を良好にして、活性層３５の一部に電流が集中することによる発光効率の低下を防止している。
【００１１】
また、上記透明電極３１０とコンタクト層３７との間にＺｎ層３９を介在させることにより、コンタクト層３７に対する透明電極３１０の密着度を上げている。
【００１２】
しかしながら、上記従来の発光ダイオードでは、上記コンタクト層３７と透明電極３１０とのオーミックコンタクトを取るのが困難であるという問題がある。
【００１３】
また、上記Ｚｎ層３９が光吸収層となってしまうため、発光特性が低下してしまう。
【００１４】
また、上記透明電極３１０をスパッタ法で形成する時に基板加熱を行うため、透明電極３１０の材料が結晶化するため、透明電極３１０の加工が難しい。
【特許文献１】特開平１１−４０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明の課題は、コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる発光ダイオードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明の発光ダイオードは、
ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、酸化インジウム錫からなる透明電極と、上記透明電極のためのコンタクト層とを備え、
上記コンタクト層のキャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上５．０×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴としている。
【００１７】
上記構成の発光ダイオードによれば、上記コンタクト層と透明電極とのコンタクト特性はコンタクト層のキャリア濃度と相関関係がある。このコンタクト層のキャリア濃度を１．０×１０19ｃｍ-3以上にすることにより、コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる。
【００１８】
また、上記コンタクト層のキャリア濃度を５．０×１０19ｃｍ-3以下にすることにより、コンタクト層の結晶性の劣化を防止できる。
【００１９】
一実施形態の発光ダイオードでは、上記コンタクト層がＧａＡｓからなる。
【００２０】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記コンタクト層をＧａＡｓで構成することにより、コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる。
【００２１】
一実施形態の発光ダイオードでは、上記コンタクト層がＡｌＧａＩｎＰからなる。
【００２２】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記コンタクト層をＡｌＧａＩｎＰで構成することにより、コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易かつ確実に取ることができる。
【００２３】
一実施形態の発光ダイオードでは、上記コンタクト層のキャリア濃度が２．０×１０19ｃｍ-3以上３．０×１０19ｃｍ-3以下である。
【００２４】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記コンタクト層のキャリア濃度を２．０×１０19ｃｍ-3以上にすることにより、コンタクト層と透明電極とのさらに良好なオーミックコンタクトを容易に取ることができる。
【００２５】
また、上記コンタクト層のキャリア濃度を３．０×１０19ｃｍ-3以下にすることにより、発光層の結晶性の劣化を防止できる。
【００２６】
一実施形態の発光ダイオードでは、上記コンタクト層の層厚は０．０１μｍ以上０．０５μｍ（５００Å）以下である。
【００２７】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記コンタクト層の層厚を０．０５μｍ以下にすることにより、コンタクト層による光吸収を低く抑えることができる。したがって、上記発光ダイオードの光出力の低下を防ぐことができる。
【００２８】
また、上記コンタクト層の層厚を０．０５μｍ以下にすることにより、コンタクト層から発光層へのドーパントの拡散も少なくなり、発光特性を良好に保つことができる。
【００２９】
また、上記コンタクト層の層厚を１００Å以上にすることにより、層厚制御を容易にすることができる。
【００３０】
一実施形態の発光ダイオードでは、上記透明電極は、前処理として逆スパッタが行われた後、スパッタ法で形成されている。
【００３１】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記逆スパッタを前処理として行った後、スパッタ法で透明電極を形成することにより、シート抵抗を下げることができる。
【００３２】
なお、上記透明電極を蒸着法で形成するのは、逆スパッタと蒸着法とを連続で行うことができないので好ましくない。
【００３３】
一実施形態の発光ダイオードでは、上記スパッタ法は、基板加熱を行わない室温スパッタ法である。
【００３４】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記スパッタ法で基板加熱を行わないことにより、透明電極を結晶化させずに非晶質のままコンタクト層上に形成することができる。したがって、上記透明電極を例えば熱リン酸等で容易にエッチングすることができる。
【００３５】
一実施形態の発光ダイオードでは、上記透明電極は、上記スパッタ法で形成された後、３００℃以上４００℃以下のアニール処理が施されている。
【００３６】
上記実施形態の発光ダイオードによれば、上記スパッタ法で形成された透明電極に、３００℃以上４００℃以下のアニール処理を施すことにより、透明電極を結晶化することができる。したがって、上記コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトの信頼性を高めることができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の発光ダイオードは、コンタクト層のキャリア濃度を１．０×１０19ｃｍ-3以上にすることにより、コンタクト層と透明電極とのオーミックコンタクトを容易に取ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
発光ダイオードのＩＴＯ透明電極のスパッタの前処理を以下の方法で検討した。
【００３９】
キャリア濃度１．０×１０19ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓ基板に、スパッタ前処理として逆スパッタを行った場合と、スパッタ前処理として逆スパッタを行わない場合とを比較した。逆スパッタはＲＦ（無線周波）出力を１００Ｗ、３００Ｗ、５００Ｗの３つの条件で行った。そして、上記逆スパッタを行った後、２５０℃の加熱スパッタでＩＴＯ透明電極をｐ型ＧａＡｓ基板上に形成して、シート抵抗を測定した。逆スパッタのＲＦ出力とシート抵抗との関係は図１に示すようになった。図１から判るように、逆スパッタなしでは、逆スパッタありに比べてシート抵抗が高くなる。そして、上記逆スパッタを行った場合、ＲＦ出力１００Ｗ、３００Ｗ，５００ＷうちＲＦ出力３００Ｗにしたときが、シート抵抗値が最も低くなる。なお、適当な条件で逆スパッタを行っても、シート抵抗を下げることができる。
【００４０】
また、発光ダイオードのＧａＡｓコンタクト層のキャリア濃度とＶＦ（順方向電圧）との関係を以下の方法で検討した。
【００４１】
ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法によりｐ型ＧａＡｓ基板上に、厚さ４００ÅのＺｎドープＧａＡｓコンタクト層を形成する。上記ＧａＡｓコンタクト層は、キャリア濃度が２．５×１０19ｃｍ-3、１．０×１０19ｃｍ-3、０．５×１０19ｃｍ-3の３種類形成する。そして、逆スパッタをＲＦ出力３００Ｗで行った後、２５０℃の加熱スパッタによりＩＴＯ透明電極をＧａＡｓコンタクト層上に形成した。その後、ＧａＡｓ基板とＩＴＯ透明電極とにＡｕＺｎ電極を蒸着して、Ｉ−Ｖコンタクト特性を測定した。電流値２０ｍＡの時のＶＦは図２に示すようになった。図２から判るように、ＧａＡｓコンタクト層のキャリア濃度が高いほど、ＧａＡｓコンタクト層とＩＴＯ電極とのオーミックコンタクトを取り易くなる。例えば、キャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3のＧａＡｓコンタクト層の発光ダイオードのＶＦ（順方向電圧）は０．１Ｖで済む。したがって、上記発光ダイオードの動作電圧を低くするためには、コンタクト層のキャリア濃度を更に高くし、例えば２．０×１０19ｃｍ-3にすると、動作電圧の上昇を抑制することができる。
【００４２】
また、発光ダイオードのＩＴＯ透明電極のスパッタ条件を以下の方法で検討した。
【００４３】
キャリア濃度１．０×１０19ｃｍ-3のｐ型ＧａＡｓ基板に、ＲＦ出力３００Ｗの逆スパッタをスパッタ前処理として行った。その後、２５０℃の加熱スパッタと室温スパッタとでＩＴＯ透明電極を形成し、シート抵抗を比較した。上記加熱スパッタではシート抵抗が０．５６Ω／□となり、室温スパッタでは２.０Ω／□となった。したがって、上記室温スパッタよりも加熱スパッタの方がシート抵抗を下げることができる。
【００４４】
また、上記室温スパッタで形成したＩＴＯ透明電極に対して行うアニールの条件を検討した。
【００４５】
上記アニールの条件を検討した結果は図３のようになった。図３から判るように、３６０℃，１０分のアニールで最も低いシート抵抗が得られた。アニール不足でも過剰でもシート抵抗が上昇するが、適当な条件でアニールを行うことによってシート抵抗を下げることができる。したがって、上記室温スパッタで形成したＩＴＯ透明電極であっても、そのＩＴＯ透明電極にアニールを行うことにより、加熱スパッタで形成したＩＴＯ透明電極と同レベルにシート抵抗をさげることができる。
【００４６】
また、上記室温スパッタで形成したＩＴＯ透明電極に行うウエットエッチングを検討したところ、室温スパッタで形成したＩＴＯ透明電極は７０℃の熱リン酸で容易にエッチングできることが判った。これに対して、上記加熱スパッタで形成したＩＴＯ透明電極は、結晶化して化学的に安定になっているため、特殊なエッチャントでないとエッチングできない。
【００４７】
上記室温スパッタで形成したＩＴＯ透明電極にパターニング等の加工を行った後にアニールを行えば、ＩＴＯ透明電極は結晶化するので、加熱スパッタで形成したＩＴＯ透明電極と同様の信頼性が得られる。
【００４８】
以下、本発明の発光ダイオードを図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４９】
（第１実施形態）
図４に、本発明の第１実施形態の発光ダイオードの模式断面図を示す。
【００５０】
上記発光ダイオードは、ｎ型ＧａＡｓ基板１１と、このｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次形成されたｎ型ＧａＡｓバッファ層１２、反射膜の一例としてのｎ型ＤＢＲ膜１３、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１６、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７およびＩＴＯ透明電極１１０とを備えている。
【００５１】
上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５による光はＩＴＯ透明電極１１０を通過する。つまり、上記ＩＴＯ透明電極１１０はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５の発光波長に対して透明である。
【００５２】
上記ＩＴＯ透明電極１１０上には、Ａｕからなるワイヤボンディング用電極（ｐ側電極）１１１が形成されている。このワイヤボンディング用電極１１１は円板形状に形成されてＩＴＯ透明電極１１０の略中央部のみを覆っている。
【００５３】
上記ｎ型ＧａＡｓ基板１１下には、ＡｕＧｅからなるｎ側電極１１２が形成されている。このｎ側電極１１２はｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５とは反対側の表面）の全部を覆っている。
【００５４】
上記発光ダイオードは以下のようにして製造する。
【００５５】
まず、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１２、ＤＢＲ膜１３、層厚１μのｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層１４、層厚１μのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層１５、層厚１μｍのｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層１６、層厚０．０４μ（＝４００Å）の透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
【００５６】
上記ｎ型ＧａＡｓ基板１１は、（１００）から［０１１］方向に１５°だけ傾斜した面方位を有している。
【００５７】
上記透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７はキャリア濃度１．０×１０19ｃｍ-3に設定されている。
【００５８】
上記ｎ型ＤＢＲ膜１３はｎ型ＧａＡｓとｎ型Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ｐとの例えば１０ペアからなっている。
【００５９】
次に、上記ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨して、ＧａＡｓ基板１１の厚みを１００μｍ程度にした後、ＧａＡｓ基板１１の裏面にＡｕＧｅを蒸着して、アロイを行う。これにより、上記ＡｕＧｅからなる電極１１２が得られる。
【００６０】
次に、上記透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７の表面に逆スパッタをＲＦ出力３００Ｗで５分間行った後に、基板加熱を行わない室温スパッタによって、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７の表面にＩＴＯ透明電極１１０を付けて、ＩＴＯ透明電極１１０の表面にＡｕを蒸着する。
【００６１】
上記逆スパッタと室温スパッタは、真空度１×１０-6torrに設定したチャンバ内で連続して行う。また、上記逆スパッタと室温スパッタは、Ａｒガスをチャンバ内に導入し３×１０-3torrに設定しながら行う。
【００６２】
次に、上記Ａｕをパターニングして、略円板形状のワイヤボンド用電極１１１を形成する。
【００６３】
次に、上記ＩＴＯ透明電極１１０を７０℃の熱リン酸でエッチングして、ＩＴＯ透明電極１１０にダイシングラインを形成する。
【００６４】
次に、上記ＩＴＯ透明電極１１０に３６０℃，１０分間のアニールを行う。これにより、上記ＩＴＯ透明電極１１０が結晶化する。
【００６５】
最後に、上記ＧａＡｓ基板１１をダイシングで分割すると、チップ形状の発光ダイオードが得られる。
【００６６】
このようにして製造された発光ダイオードは、電流２０ｍＡでのＶＦが２．２Ｖであり、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７に対してＩＴＯ透明電極１１０は良好なコンタクトが取れている。
【００６７】
上記室温スパッタで形成したＩＴＯ透明電極１１０は、加熱スパッタで形成したＩＴＯ透明電極とは異なり、パターニングが容易である。したがって、上記ＩＴＯ透明電極１１０に２ワイヤータイプのチップなどの複雑な電極パターンを形成できる。
【００６８】
また、上記ＩＴＯ透明電極１１０は、パターニングした後、３００℃以上４００℃以下のアニールすれば、加熱スパッタで形成したＩＴＯ透明電極と同様の結晶性にすることができる。
【００６９】
上記第１実施形態では、キャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3の透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７を用いていたが、キャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上５．０×１０19ｃｍ-3以下の透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を用いてもよい。
【００７０】
上記第１実施形態では、ｎ型基板を用いていたが、ｐ型基板を用いてもよい。このｐ型基板を用いた場合、キャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上５．０×１０19ｃｍ-3以下の透明電極用ｎ型ＧａＡｓコンタクト層を用いてもよい。
【００７１】
上記コンタクト層の層厚は０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であるのが好ましい。
【００７２】
（第２実施形態）
図５に、本発明の第２実施形態の発光ダイオードの模式断面図を示す。
【００７３】
上記発光ダイオードは、ｎ型ＧａＡｓ基板２１と、このｎ型ＧａＡｓ基板２１上に順次形成されたｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、反射膜の一例としてのｎ型ＤＢＲ膜２３、ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層２４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５、ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層２６、透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７およびＩＴＯ透明電極２１０とを備えている。
【００７４】
上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５による光はＩＴＯ透明電極２１０を通過する。つまり、上記ＩＴＯ透明電極２１０はｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５の発光波長に対して透明である。
【００７５】
上記ＩＴＯ透明電極２１０上には、Ａｕからなるワイヤボンディング用電極（ｐ側電極）２１１が形成されている。このワイヤボンディング用電極２１１は円板形状に形成されてＩＴＯ透明電極２１０の略中央部のみを覆っている。
【００７６】
上記ｎ型ＧａＡｓ基板２１下には、ＡｕＧｅからなるｎ側電極２１２が形成されている。このｎ側電極２１２はｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５とは反対側の表面）の全部を覆っている。
【００７７】
上記発光ダイオードは以下のようにして製造する。
【００７８】
まず、上記ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、ＤＢＲ膜２３、層厚１μｍのｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層２４、層厚１μｍのｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層２５、層厚１μｍのｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層２６および層厚０．２μｍ（＝２０００Å）の透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７をＭＯＣＶＤ法により順次積層する。
【００７９】
上記ｎ型ＧａＡｓ基板２１は、（１００）から［０１１］方向に１５°だけ傾斜した面方位を有している。
【００８０】
上記透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７はキャリア濃度１．０×１０19ｃｍ-3に設定されている。
【００８１】
上記ｎ型ＤＢＲ膜２３はｎ型ＧａＡｓとｎ型Ｉｎ0.5Ａｌ0.5Ｐとの例えば１０ペアからなっている。
【００８２】
次に、上記ＧａＡｓ基板２１の裏面を研磨して、ＧａＡｓ基板２１の厚みを１００μｍ程度にした後、ＧａＡｓ基板２１の裏面にＡｕＧｅを蒸着して、アロイを行う。これにより、上記ＡｕＧｅからなる電極２１２が得られる。
【００８３】
次に、上記透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７の表面に逆スパッタをＲＦ出力３００Ｗで５分間行った後に、基板加熱を行わない室温スパッタによって、透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７の表面にＩＴＯ透明電極２１０を付けて、ＩＴＯ透明電極２１０の表面にＡｕを蒸着する。
【００８４】
上記逆スパッタと室温スパッタは、真空度１×１０-6torrに設定したチャンバ内で連続して行う。また、上記逆スパッタと室温スパッタは、Ａｒガスをチャンバ内に導入し３×１０-3torrに設定しながら行う。
【００８５】
次に、上記Ａｕをパターニングして、略円板形状のワイヤボンド用電極２１１を形成する。
【００８６】
次に、上記ＩＴＯ透明電極２１０を７０℃の熱リン酸でエッチングして、ＩＴＯ透明電極１１０にダイシングラインを形成する。
【００８７】
次に、上記ＩＴＯ透明電極２１０に３６０℃，１０分間のアニールを行う。これにより、上記ＩＴＯ透明電極２１０が結晶化する。
【００８８】
最後に、上記ＧａＡｓ基板２１をダイシングで分割すると、チップ形状の発光ダイオードが得られる。
【００８９】
このようにして製造された発光ダイオードは、電流２０ｍＡでのＶＦが２．４Ｖであり、透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７に対してＩＴＯ透明電極２１０は良好なコンタクトが取れている。
【００９０】
また、上記発光ダイオードは、上記第１実施形態よりも光出力は５％向上した。
【００９１】
上記発光ダイオードのＶＦが上記第１実施形態よりも上昇したのは、透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７とＩＴＯ透明電極２１０とのコンタクト抵抗がやや高いためである。しかし、上記発光ダイオードのＶＦ２．４Ｖは実用上問題無いレベルである。
【００９２】
また、上記発光ダイオードが上記光出力が向上したのは、透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７の光吸収よりも透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７の光吸収の方が少ないからである。
【００９３】
上記室温スパッタで形成したＩＴＯ透明電極２１０は、加熱スパッタで形成したＩＴＯ透明電極とは異なり、パターニングが容易である。したがって、上記ＩＴＯ透明電極２１０に２ワイヤータイプのチップなどの複雑な電極パターンを形成できる。
【００９４】
また、上記ＩＴＯ透明電極２１０は、パターニングした後、３００℃以上４００℃以下のアニールすれば、加熱スパッタで形成したＩＴＯ透明電極と同様の結晶性にすることができる。
【００９５】
上記第２実施形態では、キャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3の透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層２７を用いていたが、キャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上５．０×１０19ｃｍ-3以下の透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層を用いてもよい。
【００９６】
上記第２実施形態では、ｎ型基板を用いていたが、ｐ型基板を用いてもよい。このｐ型基板を用いた場合、キャリア濃度が１．０×１０19ｃｍ-3以上５．０×１０19ｃｍ-3以下の透明電極用ｎ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層を用いてもよい。
【００９７】
上記コンタクト層の層厚は０．０１μｍ以上０．０５μｍ以下であるのが好ましい。
【００９８】
本発明の発光ダイオードは、ダブルヘテロ構造に限定されず、例えば、シングルへテロ構造、量子井戸接合構造、ホモ接合構造などが形成されたものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】図１は逆スパッタ条件とシート抵抗の関係図である。
【図２】図２はコンタクト層のキャリア濃度と２０ｍＡ通電時の電圧との関係図である。
【図３】図３は室温スパッタ後のアニール条件とシート抵抗の関係図である。
【図４】図４は本発明の第１実施形態の発光ダイオードの模式断面図である。
【図５】図５は本発明の第２実施形態の発光ダイオードの模式断面図である。
【図６】図６は従来の発光ダイオードの模式断面図である。
【符号の説明】
【０１００】
１１，２１  ｎ型ＧａＡｓ基板
１２，２２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１３，２３  ｎ型ＤＢＲ膜
１４，２４  ｎ型ＡｌＩｎＰ第１クラッド層
１５，２５  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ活性層
１６，２６  ｐ型ＡｌＩｎＰ第２クラッド層
１７  透明電極用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２７  透明電極用ｐ型（Ａｌ0.15Ｇａ0.85）0.5Ｉｎ0.5Ｐコンタクト層
１１０，２１０  ＩＴＯ透明電極
１１１，２１１  ワイヤボンディング用電極
１１２，２１２  ｎ側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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