(57)【要約】【課題】ＣＯＤの発生を防ぐために、本体の光出射端面近傍の部分の放熱性を向上させた半導体レーザを提供する。【解決手段】  半導体基板ｎ型ＧａＡｓ基板上には、レーザ光を出射する光出射端面１５０ａを有する本体１５０が形成されている。本体１５０上に形成されたメッキ金属層１１２の光出射端面１５０ａ近傍の前端部１１２ａの厚みは、メッキ金属層１１２の共振器方向の中央部１１２ｂの厚みより厚い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
上記半導体基板上に形成され、レーザ光を出射する光出射端面を有する本体と、
上記本体上に形成されたメッキ金属層と
を備え、
上記メッキ金属層の上記光出射端面近傍の前端部の厚みは、上記メッキ金属層の共振器方向の中央部の厚みより厚いことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
上記本体は、
電流通路として機能するリッジストライプと、
上記リッジストライプの側方に形成された平坦部と、
上記リッジストライプの側面と上記平坦部とを覆うように形成され、誘電体膜からなる電流阻止層と
を含むことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
上記本体は、上記リッジストライプの側方に上記平坦部を介して形成され、上記リッジストライプと略同じ高さを有するテラス部を含むことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
上記メッキ金属層の後端部の厚みは上記中央部の厚みより厚いことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
上記前端部と上記中央部との境界部分には段差面が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体レーザにおいて、
上記後端部と上記中央部との境界部分には段差面が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体レーザおいて、
上記メッキ金属層と対向するように上記本体に接合されたヒートシンクを備え、
上記段差面は、上記ヒートシンクの上記光出射端面側の端面に重ねられていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体レーザにおいて、
上記メッキ金属層と対向するように上記本体に接合されたヒートシンクを備え、
上記段差面は、上記ヒートシンクにおける上記光出射端面側の端面と反対側の端面に重ねられていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
上記メッキ金属層は上記本体の両側面近傍を除いて形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体レーザにおいて、光出力の増加に伴い、共振器端面の劣化つまりＣＯＤ（光学損傷）が生じることが知られている。このＣＯＤは半導体レーザ素子の高出力動作に伴った共振器端面の温度上昇に起因している。特に、共振器端面の一つとなる光出射端面の反射率を低減している高出力半導体レーザでは、光出射端面の温度上昇が大きくなり、光出射端面においてＣＯＤが発生するため、光出射端面近傍の放熱を向上させることが必要である。
【０００３】
図５に、特開２００３−３１９０１号公報（特許文献１）に記載されている従来の半導体レーザの要部の概略斜視図を示す。なお、図５では、上記従来の半導体レーザの一部を除去して、従来の半導体レーザの積層構造を理解し易くしている。
【０００４】
上記半導体レーザは、図５に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板５１２と、このｎ型ＧａＡｓ基板５１２上に形成された本体５５０と、この本体５５０上にいわゆるオーバーコート電極として形成されたｐ側メッキ電極５３０とを備えている。
【０００５】
上記本体５５０は、ｎ型ＧａＡｓ基板５１２上に形成されたｎ型バッファ層５１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５１６、多重量子井戸活性層５１８、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５２０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層５２２及びＳｉＯ２膜５２８を含んでいる。
【０００６】
上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５２０には、共振器長方向に延びるリッジストライプ部５４０が形成されている。このリッジストライプ部５４０の上面はｐ型ＧａＡｓコンタクト層５２２で覆われ、リッジストライプ部５４０の両側面はＳｉＯ２膜５２８で覆われている。
【０００７】
また、上記本体５５０の光出射端面５５０ａ近傍の部分は、亜鉛の導入で形成された窓領域５３２となっている。この窓領域５３２上にはｐ側メッキ電極５３０が形成されていない。つまり、上記ｐ側メッキ電極５３０は、本体５５０の光出射端面５５０ａ近傍を除いて形成されている。
【０００８】
なお、図５の５３４はｎ側電極である。
【０００９】
上記構成の従来の半導体レーザのステムへの搭載方法としては、特開２００４−２１４４４１号公報（特許文献２）に記載されている。
【００１０】
上記搭載方法によれば、本体５５０は、図６に示すように、低融点半田材６０２により、ヒートシンクとして機能するサブマウント６０１に接合する。このサブマウント６０１は、接合樹脂６０４により、高熱伝導ステム６０３に接合されている。このような状態は、ｐｎジャンクションがヒートシンク側つまりサブマウント６０１側に位置するので、「ジャンクションダウン」と呼ばれる。
【００１１】
また、上記本体５５０とサブマウント６０１との接合は、本体５５０の光出射端面５５０ａがサブマウント６０１から突き出るように行われる。こうすることによって、上記光出射端面５５０ａから出射されるレーザ光がサブマウント６０１で遮られるのを防ぐことができると共に、低融点半田材６０２が光出射端面５５０ａに付着して上記レーザを遮るのを防ぐことができる。
【００１２】
しかしながら、上記本体５５０をサブマウント６０１に接合すると、光出射端面５５０ａがサブマウント６０１から突き出るため、本体５５０の光出射端面５５０ａ近傍の部分で発生した熱をサブマウント６０１に効率よく伝えることができない。したがって、上記本体５５０の光出射端面５５０ａ近傍の部分の放熱性が悪いという問題がある。
【特許文献１】特開２００３−３１９０１号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、本発明の目的は、ＣＯＤの発生を防ぐために、本体の光出射端面近傍の部分の放熱性を向上させた半導体レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の半導体レーザは、
半導体基板と、
上記半導体基板上に形成され、レーザ光を出射する光出射端面を有する本体と、
上記本体上に形成されたメッキ金属層と
を備え、
上記メッキ金属層の上記光出射端面近傍の前端部の厚みは、上記メッキ金属層の共振器方向の中央部の厚みより厚いことを特徴としている。
【００１５】
この明細書で本体とは、レーザ光を出射する構造を有するものであって、例えばダブルヘテロ構造やシングルヘテロ構造を有するものがある。
【００１６】
上記構成の半導体レーザによれば、例えばヒートシンクに、メッキ金属層を対向させて本体を接合する場合、メッキ金属層では前端部が中央部よりも厚いので、本体の光出射端面をヒートシンクから突出させても、本体の光出射端面近傍の部分の熱をメッキ金属層の前端部を介してヒートシンクに効率よく伝えることができる。したがって、上記本体の光出射端面近傍の部分の放熱性が向上し、光出射端面でのＣＯＤの発生を防ぐことができる。
【００１７】
一実施形態では、
上記本体は、
電流通路として機能するリッジストライプと、
上記リッジストライプの側方に形成された平坦部と、
上記リッジストライプの側面と上記平坦部とを覆うように形成され、誘電体膜からなる電流阻止層と
を含む。
【００１８】
一実施形態の半導体レーザでは、上記本体は、上記リッジストライプの側方に上記平坦部を介して形成され、上記リッジストライプと略同じ高さを有するテラス部を含む。
【００１９】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記リッジストライプと略同じ高さを有するテラス部がリッジストライプの側方に形成されているから、機械的な衝撃からリッジストライプをテラス部で保護される。したがって、上記リッジストライプの破損を防ぐことができる。
【００２０】
一実施形態の半導体レーザでは、上記メッキ金属層の後端部の厚みは上記中央部の厚みより厚い。
【００２１】
上記実施形態の半導体レーザによれば、例えばヒートシンクに、メッキ金属層を対向させて本体を接合する場合、メッキ金属層では後端部が中央部よりも厚いので、本体における光出射端面と反対側の端面をヒートシンクから突出させても、本体における光出射端面と反対側の端面の熱をメッキ金属層の後端部を介してヒートシンクに効率よく伝えることができる。したがって、上記本体における光出射端面と反対側の端面近傍の部分の放熱性が向上し、本体における光出射端面と反対側の端面でのＣＯＤの発生を防ぐことができる。
【００２２】
また、上記本体における光出射端面と反対側の端面からもレーザ光が出射する場合、本体における光出射端面と反対側の端面をヒートシンクから突出させることによって、本体における光出射端面と反対側の端面から出射されたレーザ光がヒートシンクで遮られるのを防ぐことができる。したがって、上記レーザ光に基づいて半導体レーザのＡＰＣ（オートパワーコントロール）駆動を正確に行うことができる。
【００２３】
一実施形態の半導体レーザでは、上記前端部と上記中央部との境界部分には段差面が形成されている。
【００２４】
上記実施形態の半導体レーザによれば、例えばヒートシンクに、メッキ金属層を対向させて本体を接合する場合、メッキ金属層では前端部と中央部との境界部分に段差面があるので、メッキ金属層の中央部をヒートシンクの一面に熱的に接触させつつ、ヒートシンクの一面に略垂直なヒートシンクの他面に上記段差面を熱的に接触させることができる。したがって、上記メッキ金属層がヒートシンクに熱的に接触する面積を大きくして、メッキ金属層の熱をヒートシンクに伝える効率を向上させることができる。
【００２５】
一実施形態の半導体レーザでは、上記後端部と上記中央部との境界部分には段差面が形成されている。
【００２６】
上記実施形態の半導体レーザによれば、例えばヒートシンクに、メッキ金属層を対向させて本体を接合する場合、メッキ金属層では後端部と中央部との境界部分に段差面があるので、メッキ金属層の中央部をヒートシンクの一面に熱的に接触させつつ、ヒートシンクの一面に略垂直なヒートシンクの他面に上記段差面を熱的に接触させることができる。したがって、上記メッキ金属層がヒートシンクに熱的に接触する面積を大きくして、メッキ金属層の熱をヒートシンクに伝える効率を向上させることができる。
【００２７】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記メッキ金属層と対向するように上記本体に接合されたヒートシンクを備え、
上記段差面は、上記ヒートシンクの上記光出射端面側の端面に重ねられている。
【００２８】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記前端部と中央部との境界部分にある段差面がヒートシンクの光出射端面側の端面に重ねられているから、本体の光出射端面の熱をヒートシンクの光出射端面側の端面に効率よく伝えることができる。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記メッキ金属層と対向するように上記本体に接合されたヒートシンクを備え、
上記段差面は、上記ヒートシンクにおける上記光出射端面側の端面と反対側の端面に重ねられている。
【００３０】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記後端部と中央部との境界部分にある段差面がヒートシンクにおける光出射端面側の端面と反対側の端面に重ねられているから、本体における光出射端面と反対側の端面の熱を、ヒートシンクにおける光出射端面側の端面と反対側の端面に効率よく伝えることができる。
【００３１】
一実施形態の半導体レーザでは、上記メッキ金属層は上記本体の両側面近傍を除いて形成されている。
【００３２】
上記実施形態の半導体レーザによれば、例えばヒートシンクに、メッキ金属層を対向させて本体をハンダで接合する場合、メッキ金属層は本体の両側面近傍を除いて形成されているから、ハンダが本体の側面に這い上がることによる電流の短絡を防くことができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の半導体レーザによれば、例えばヒートシンクに、メッキ金属層を対向させて本体を接合する場合、メッキ金属層では前端部が中央部よりも厚いので、本体の光出射端面をヒートシンクから突出させても、本体の光出射端面近傍の部分の熱をメッキ金属層の前端部を介してヒートシンクに効率よく伝えることができる。したがって、上記本体の光出射端面近傍の部分の放熱性が向上し、光出射端面でのＣＯＤの発生を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の半導体レーザを図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３５】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態の半導体レーザの要部の概略斜視図を示す。
【００３６】
上記半導体レーザは、半導体基板の一例としてのｎ型ＧａＡｓ基板１０１と、このｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に形成され、レーザ光を出射する光出射端面１５０ａを有する本体１５０と、この本体１５０上に形成されたメッキ金属層１１２とを備えている。
【００３７】
上記本体１５０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に順次形成されたｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、量子井戸活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０５及びエッチングストップ層１０６を含んでいる。
【００３８】
また、上記本体１５０は、エッチングストップ１０６上に形成されたリッジストライプ１２０と、このリッジストライプ１２０上に形成されたｐ側コンタクト電極１０９と、リッジストライプ１２０の側面を覆うように形成され、例えばＳｉＯ２からなる誘電体膜１１０とを含んでいる。この誘電体膜１１０は電流阻止層の一例である。
【００３９】
上記リッジストライプ１２０は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０７とｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８とから成っている。
【００４０】
上記ｐ側コンタクト電極１０９は、リッジストライプ１２０と略同一の幅（図１中の左右方向の長さ）を有している。
【００４１】
上記誘電体膜１１０は、リッジストライプ１２０の両側方にあるリッジストライプ横平坦部１２１も覆っている。このリッジストライプ横平坦部１２１は、エッチングストップ１０６の上面（リッジストライプ１２０側の表面）のうち、リッジストライプ１２０が形成されていない部分から成る。
【００４２】
上記メッキ金属層１１２は例えばＡｕから成っている。そして、上記メッキ金属層１１２の光出射端面１５０ａ側の前端部１１２ａの厚みは、メッキ金属層１１２の共振器方向の中央部１１２ｂの厚みよりも厚くなっている。上記前端部１１２ａと中央部１１２ｂとの境界部分ではメッキ金属層１１２の層厚が急峻に変化して、段差面１１２ｄが形成されている。この段差面１１２ｄはｎ型ＧａＡｓ基板１０１に対して略垂直に延びている。つまり、上記段差面１１２ｄは積層方向と略平行になっている。
【００４３】
また、上記メッキ金属層１１２における光出射端面１５０ａと反対側の後端部１１２ｃの厚みは、メッキ金属層１１２の共振器方向の中央部１１２ｂの厚みと略等しくなっている。
【００４４】
なお、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１０１下には形成されているのはｎ側電極１１３である。
【００４５】
以下、上記半導体レーザの製造プロセスについて説明する。
【００４６】
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、エピタキシャル成長により、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、量子井戸活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０５、エッチングストップ層１０６、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０７及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８をこの順で結晶成長させる。
【００４７】
次に、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０７及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８の一部をウエットエッチングで除去し、光導波路及び電流通路となるリッジストライプ１２０を形成する。このリッジストライプ１２０は、ドライエッチングとウエットエッチングとのどちらで形成してもよい。また、上記リッジストライプ１２０は、ドライエッチングとウエットエッチングとを併用して形成してもよい。
【００４８】
次に、上記リッジストライプ１２０の側面とエッチングストップ層１０６の上面とを覆うように誘電体膜１１０を成膜する。この誘電体膜１１０はリッジストライプ１２０の上面を覆わない。上記誘電体膜１１０は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮｘ及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１つを用いて形成してもよい。
【００４９】
次に、上記リッジストライプ１２０の上面のみにｐ側コンタクト電極１０９を形成する。
【００５０】
次に、上記メッキ金属層１１２の材料であるＡｕをウエハ全面に積層する。このとき、上記Ａｕは全体が略同一層厚になるように積層する。具体的には、そのとき、上記Ａｕの層厚は０．５μｍ〜３．０μｍの範囲内に設定する。
【００５１】
次に、上記光出射端面１５０ａ近傍の部分にすべき箇所のみにＡｕを追加積層する。これにより、目的とする形状のメッキ金属層１１２が得られる。このメッキ金属層１１２の上面（リッジストライプ１２０とは反対側の表面）には急峻な段差面１１２ｄが形成されている。上記追加積層するＡｕの層厚は０．５μｍ〜５．０μｍの範囲内に設定する。これにより、上記メッキ金属層１１２の前端部１１２ａの厚みは１．０μｍ〜８．０μｍの範囲内となり、メッキ金属層１１２の中央部１１２ｂの厚みは０．５μｍ〜３．０μｍの範囲内となる。
【００５２】
次に、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１を裏面側から研磨して薄くして、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面にｎ側電極１１３を形成した後、チップ分割を行うと、複数の半導体レーザチップが得られる。
【００５３】
次に、図２に示すように、ヒートシンク１１５にメッキ金属層１１２を対向させて本体１５０をマウントする。より詳しくは、上記メッキ金属層１１２は、ＡｕＳｎから成るハンダ材１１４によってヒートシンク１１５に接合されて、メッキ金属層１１２の段差面１１２ｄがヒートシンク１１５の光出射端面１５０ａ側の前端面１１５ａに重なる。これにより、上記光出射端面１５０ａがヒートシンク１１５から突き出た状態となるので、光出射端面１５０ａから出射されるレーザ光がヒートシンク１１５で遮られるのを防ぐことができると共に、ハンダ材１１４が光出射端面１５０ａに付着して上記レーザを遮るのを防ぐことができる。
【００５４】
また、上記メッキ金属層１１２の段差面１１２ｄがヒートシンク１１５の前端面１１５ａに重なることによって、メッキ金属層１１２の段差面１１２ｄがハンダ材１１４を介してヒートシンク１１５の前端面１１５ａに熱的に接触する。その結果、上記本体１５０の光出射端面１５０ａ近傍の部分で発生した熱は、熱伝導率が大きいＡｕから成るメッキ金属層１１２の前端部１１２ａを介してヒートシンク１１５に効率良く伝わる。したがって、上記光出射端面１５０ａでの温度上昇が抑制され、光出射端面１５０ａでのＣＯＤの発生を防ぐことができる。具体的には、ＣＯＤの発生する光出力がＣＷ（連続波）駆動時で３３０ｍＷとなり、高出力動作が可能になる。
【００５５】
なお、上記メッキ金属層１１２の代わりに均一な厚みのメッキ金属層を用いた場合、ＣＯＤの発生する光出力がＣＷ（連続波）駆動時で３００ｍＷであった。
【００５６】
（第２実施形態）
図３に、本発明の第２実施形態の半導体レーザの要部の概略斜視図を示す。また、図３において、図１に示した構成部と同一構成は、図１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【００５７】
上記半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１と、このｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に形成され、レーザ光を出射する光出射端面２５０ａを有する本体２５０と、この本体２５０上に形成されたメッキ金属層２１２とを備えている。
【００５８】
上記本体２５０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に順次形成されたｎ型ＧａＩｎＰバッファ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、量子井戸活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０５及びエッチングストップ層１０６を含んでいる。
【００５９】
また、上記本体２５０は、エッチングストップ１０６上に形成されたリッジストライプ１２０と、このリッジストライプ１２０上に形成されたｐ側コンタクト電極１０９と、リッジストライプ１２０の側面を覆うように形成された誘電体膜２１０と、リッジストライプ１２０の両側方に形成されたテラス部２４１とを含んでいる。上記誘電体膜２１０は電流阻止層の一例である。
【００６０】
上記テラス部２４１は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０７及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８から成って、リッジストライプ１２０と略同じ高さを有している。また、上記テラス部２４１は、リッジストライプ１２０に対して５μｍ〜１００μｍの間隔を開けて形成されている。つまり、上記テラス部２４１とリッジストライプ１２０との間の距離は５μｍ〜１００μｍとなっている。
【００６１】
上記誘電体膜２１０は、各テラス部２４１のリッジストライプ１２０側の側面と、各テラス部２４１の上面と、リッジストライプ１２０の両側方にあるリッジストライプ横平坦部２２１とを覆っている。このリッジストライプ横平坦部２２１は、エッチングストップ１０６の上面（リッジストライプ１２０側の表面）のうち、リッジストライプ１２０及びテラス部２４１が形成されていない部分から成る。
【００６２】
上記メッキ金属層２１２は例えばＡｕから成っている。上記メッキ金属層２１２は本体２５０の両側面近傍の部分を除いて形成されている。より詳しくは、上記本体２５０の側面からリッジストライプ１２０へ向かって５μｍ〜４０μｍまでの部分にはメッキ金属層２１２を形成していない。
【００６３】
そして、上記メッキ金属層２１２の光出射端面２５０ａ側の前端部２１２ａの厚みは、メッキ金属層２１２の共振器方向の中央部２１２ｂの厚みよりも厚くなっている。上記前端部２１２ａと中央部２１２ｂとの境界部分ではメッキ金属層２１２の層厚が急峻に変化して、段差面２１２ｄが形成されている。この段差面２１２ｄはｎ型ＧａＡｓ基板１０１に対して略垂直に延びている。つまり、上記段差面２１２ｄは積層方向と略平行になっている。
【００６４】
また、上記メッキ金属層２１２における光出射端面２５０ａと反対側の後端部２１２ｃの厚みは、メッキ金属層２１２の前端部２１２ａの厚みと略同じになっている。つまり、上記メッキ金属層２１２における光出射端面２５０ａと反対側の後端部２１２ｃの厚みは、メッキ金属層２１２の中央部２１２ｂの厚みよりも厚くなっている。上記後端部２１２ｃと中央部２１２ｂとの境界部分ではメッキ金属層２１２の層厚が急峻に変化して、段差面２１２ｅが形成されている。この段差面２１２ｅはｎ型ＧａＡｓ基板１０１に対して略垂直に延びている。つまり、上記段差面２１２ｅは積層方向と略平行になっている。
【００６５】
上記メッキ金属層２１２は次のようにして形成する。
【００６６】
まず、上記メッキ金属層２１２の材料であるＡｕを、本体２５０の両側面近傍の部分にすべき箇所を除いて積層する。より詳しくは、上記本体２５０の側面からリッジストライプ１２０へ向かって５μｍ〜４０μｍまでの部分にすべき箇所を除いてＡｕを選択メッキで積層する。このとき、上記Ａｕは厚みが略均一となるように積層する。具体的には、そのとき、上記Ａｕの層厚は０．５μｍ〜３．０μmの範囲内に設定する。
【００６７】
次に、上記光出射端面２５０ａ近傍の部分にすべき箇所と、本体２５０における光出射端面２５０ａと反対側の後端面２５０ｂ近傍の部分にすべき箇所とのみにＡｕを追加積層する。これにより、目的とする形状のメッキ金属層２１２が形成される。このメッキ金属層２１２の上面（リッジストライプ１２０とは反対側の表面）には急峻な段差面２１２ｄ，２１２ｅが形成される。上記追加積層するＡｕの層厚は、０．５μｍ〜５．０μｍの範囲内に設定する。これにより、上記メッキ金属層２１２の前端部２１２ａ，後端部２１２ｃの厚みは１．０μｍ〜８．０μｍの範囲内となり、メッキ金属層２１２の中央部２１２ｂの厚みは０．５μｍ〜３．０μｍの範囲内となる。
【００６８】
このように形成されたメッキ金属層２１２を、図４に示すように、ヒートシンク１１５に対向させ、本体２５０をヒートシンク１１５にマウントする。より詳しくは、上記メッキ金属層２１２は、ＡｕＳｎから成るハンダ材１１４によってヒートシンク１１５に接合されて、メッキ金属層２１２の段差面２１２ｄがヒートシンク１１５の光出射端面２５０ａ側の前端面１１５ａに重なり、かつ、メッキ金属層２１２の段差面２１２ｅがヒートシンク１１５における光出射端面２５０ａと反対側の後端面１１５ｂに重なる。これにより、上記光出射端面２５０ａがヒートシンク１１５から突き出た状態となるので、光出射端面２５０ａから出射されるレーザ光がヒートシンク１１５で遮られるのを防ぐことができると共に、ハンダ材１１４が光出射端面２５０ａに付着して上記レーザを遮るのを防ぐことができる。
【００６９】
また、上記メッキ金属層２１２の段差面２１２ｄがヒートシンク１１５の前端面１１５ａに重なることによって、メッキ金属層２１２の段差面２１２ｄがハンダ材１１４を介してヒートシンク１１５の前端面１１５ａに熱的に接触する。その結果、上記本体２５０の光出射端面２５０ａ近傍の部分で発生した熱は、熱伝導率が大きいＡｕから成るメッキ金属層２１２の前端部２１２ａを介してヒートシンク１１５に効率良く伝わる。したがって、上記光出射端面２５０ａでの温度上昇が抑制され、光出射端面２５０ａでのＣＯＤの発生を防ぐことができる。
【００７０】
また、上記メッキ金属層２１２の段差面２１２ｅがヒートシンク１１５の後端面１１５ｂに重なることによって、メッキ金属層２１２の段差面２１２ｅがハンダ材１１４を介してヒートシンク１１５の後端面１１５ｂに熱的に接触する。その結果、上記本体２５０の後端面２５０ｂ近傍の部分で発生した熱は、熱伝導率が大きいＡｕから成るメッキ金属層２１２の後端部２１２ｃを介してヒートシンク１１５に効率良く伝わる。したがって、上記本体２５０の後端面２５０ｂでの温度上昇が抑制され、後端面２５０ｂでのＣＯＤの発生を防ぐことができる。
【００７１】
また、上記本体２５０とヒートシンク１１５との接合により、端面２５０ｂがヒートシンク１１５から突き出た状態となるので、ハンダ材１１４が端面２５０ｂに付着することによる電流の短絡を防ぐことができる。
【００７２】
また、上記メッキ金属層２１２が本体２５０の両側面近傍の部分を除いて形成されているから、本体２５０の側面へのハンダ材１１４の這い上がりによる電極ショートを防ぐことができる。したがって、上記電極ショートによる特性不良を防ぐことができる。
【００７３】
また、上記リッジストライプ１２０の両側方にテラス部２４１を形成するから、半導体レーザ作製プロセス中にリッジストライプ１２０だけが凸部になることを避け、作製プロセス中にリッジストライプ１２０が破損することを防ぐことが可能であり、半導体レーザの歩留が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の半導体レーザの要部の概略斜視図である。
【図２】図２は上記第１実施形態の半導体レーザの本体のマウント状態の概略図である。
【図３】図３は本発明の第２実施形態の半導体レーザの要部の概略斜視図である。
【図４】図４は上記第２実施形態の半導体レーザの本体のマウント状態の概略図である。
【図５】図５は従来の半導体レーザの本体の概略斜視図である。
【図６】図６は上記従来の半導体レーザの本体のマウント状態の概略図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０１  ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２  ｎ型ＧａＩｎＰバッファ層
１０３  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１０４  量子井戸活性層
１０５  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
１０６  エッチングストップ層
１０７  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層
１０８  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１０９  ｐ側コンタクト電極
１１０，２１０  誘電体膜
１１２，２１２  メッキ金属層
１１２ａ，２１２ａ  メッキ金属層の前端部
１１２ｂ，２１２ｂ  メッキ金属層の中央部
１１２ｃ，２１２ｃ  メッキ金属層の後端部
１１３  ｎ側電極
１１５  ヒートシンク
１１５ａ  ヒートシンクの前端面
１１５ｂ  ヒートシンクの後端面
１２０  リッジストライプ
１５０，２５０  本体
１５０ａ，２５０ａ  本体の光出射端面
２５０ｂ  本体の後端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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