(57)【要約】【課題】  半導体基板等の表面を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。【解決手段】  本発明の研磨用組成物は、研磨材と、アゾール類及び／又はその誘導体と、水とを含有する。この研磨用組成物は、半導体基板の表面を研磨する用途において特に有用である。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨材と、
アゾール類及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、
水と
を含有することを特徴とする研磨用組成物。
【請求項２】
前記アゾール類及びその誘導体は、イミダゾール、トリアゾール、及びそれらの誘導体である請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
研磨促進剤をさらに含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
キレート剤をさらに含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
半導体基板の表面を研磨する用途に用いられる請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物の表面を研磨する研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等の研磨対象物の表面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物、及びそうした研磨用組成物を用いて半導体基板等の研磨対象物の表面を研磨する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の表面を研磨する用途に用いられる研磨用組成物には、高い研磨速度を有することや、基板の表面品質（表面粗さやヘイズなど）を良好に仕上げられることとともに、基板に金属汚染を生じさせないことが要求されている。特許文献１及び２に開示されている研磨用組成物はこうした要求に応えるべく改良されたものであるが、その要求を十分に満足するものではなく、依然として改良の余地を残している。
【特許文献１】特開昭６３−２７２４６０号公報
【特許文献２】特開２００１−７７０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、半導体基板等の表面を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供すること、及びそうした研磨用組成物を用いて研磨対象物の表面を研磨する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、研磨材と、アゾール類及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、水とを含有することを特徴とする研磨用組成物を提供する。
【０００５】
請求項２に記載の発明は、前記アゾール類及びその誘導体がイミダゾール、トリアゾール、及びそれらの誘導体である請求項１に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項３に記載の発明は、研磨促進剤をさらに含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物を提供する。
【０００６】
請求項４に記載の発明は、キレート剤をさらに含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項５に記載の発明は、半導体基板の表面を研磨する用途に用いられる請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を提供する。
【０００７】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物の表面を研磨する研磨方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体基板等の表面を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物が提供される。また本発明によれば、そうした研磨用組成物を用いて研磨対象物の表面を研磨する方法も提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨材と、アゾール類又はその誘導体と、水とからなる。
【００１０】
前記研磨材は、研磨対象物を機械的に研磨する役割を担う。研磨材は、ケイ素酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、セリウム酸化物、及びチタン酸化物のいずれを含んでもよく、好ましくは二酸化ケイ素を含み、より好ましくは二酸化ケイ素からなる。二酸化ケイ素は、研磨対象物をより平滑に研磨する能力に優れている。二酸化ケイ素は、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、及び沈殿法シリカのいずれであってもよく、好ましくはフュームドシリカ又はコロイダルシリカ、より好ましくはコロイダルシリカである。フュームドシリカ及びコロイダルシリカは、二酸化ケイ素の中でも水中での分散安定性に優れており、コロイダルシリカは、研磨対象物に傷等の欠陥を生じさせる虞が小さい。
【００１１】
平均粒子径が小さすぎる研磨材は、研磨対象物を研磨する能力があまり高くない。従って、研磨材による研磨対象物の研磨を迅速化するという観点から見た場合、ＢＥＴ法により測定される研磨材の比表面積から求められる研磨用組成物中の研磨材の平均粒子径は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上である。一方、研磨材の平均粒子径が大きすぎる場合には、研磨用組成物の安定性が低下して研磨用組成物がゲル化したり研磨材が沈殿したりする虞がある。従って、研磨用組成物の安定性の低下を抑制するという観点から見た場合、ＢＥＴ法により測定される研磨材の比表面積から求められる研磨用組成物中の研磨材の平均粒子径は、好ましくは１．０μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下である。
【００１２】
研磨材を少量しか含有しない研磨用組成物は研磨能力があまり高くない。従って、研磨用組成物の研磨能力をより確実に向上させるという観点から見た場合、研磨用組成物中の研磨材の含有量は、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上である。一方、研磨用組成物が研磨材を大量に含有する場合には、研磨用組成物の粘度が過剰に増大する虞がある。従って、研磨用組成物の粘度を適正化するという観点から見た場合、研磨用組成物中の研磨材の含有量は、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは３質量％以下である。
【００１３】
前記アゾール類及びその誘導体は、研磨用組成物に添加されることによって研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与する。アゾール類及びその誘導体が研磨能力の向上に寄与する理由は、複素五員環の窒素原子の非共有電子対が研磨対象物に直接作用するためと考えられる。
【００１４】
アゾール類及びその誘導体は、モノエタノールアミンなどの他のアミンや１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７（略称ＤＢＵ）及び１,５−ジアザビシクロ（４，３，０）−ノネン−５（略称ＤＢＮ）と違って研磨対象物を金属汚染する虞が小さい。これは、アゾール類及びその誘導体が金属イオンに配位しにくいことが理由と推測される。一般にモノエタノールアミンなどのアミンは金属イオンに配位する。しかし、金属イオンに配位したアミンは比較的解離を起こしやすい。そのため、例えばモノエタノールアミンを含む研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した場合には、モノエタノールアミンと結合していた研磨用組成物中の金属不純物が研磨時に研磨対象物の近傍でモノエタノールアミンから離れて研磨対象物に受け渡されてしまう虞がある。また、ＤＢＵやＤＢＮは、それ自身は金属イオンに配位しにくいが、研磨用組成物中の水分により加水分解を受けるとアミン化して金属イオンに配位するようになり、その結果、モノエタノールアミンなどのアミンと同様に研磨対象物を金属汚染する虞がある。それに対し、アゾール類及びその誘導体は、金属イオンに配位しにくく、また加水分解も受けないため、モノエタノールアミンやＤＢＵ及びＤＢＮの場合のようなことが起こりにくいと考えられる。アゾール類及びその誘導体が金属イオンに配位しにくい理由は、立体障害によるものと思われる。
【００１５】
アゾール類の誘導体は、例えば、アゾール類の複素五員環を構成する窒素原子又は炭素原子に結合している水素原子のうちの少なくとも一つがメチル基及びエチル基等のアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、又はアミノ基によって置き換えられたものであってもよい。
【００１６】
研磨用組成物中に含まれるアゾール類又はその誘導体は、イミダゾール、トリアゾール、又はそれらの誘導体であることが好ましい。研磨用組成物中のアゾール類又はその誘導体がイミダゾール、トリアゾール、又はそれらの誘導体である場合には、研磨対象物が金属汚染される虞はより小さくなる。
【００１７】
イミダゾール誘導体は、例えば、イミダゾール環の１位の窒素原子、２位の炭素原子、４位の炭素原子、及び５位の炭素原子に結合している水素原子のうちの少なくとも一つがメチル基及びエチル基等のアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、又はアミノ基によって置き換えられたものであってもよい。トリアゾール誘導体は、例えば、トリアゾール環の１位の窒素原子及び３位、５位の炭素原子に結合している水素原子のうちの少なくとも一つがメチル基及びエチル基等のアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、又はアミノ基によって置き換えられたものであってもよい。
【００１８】
アゾール類又はその誘導体を少量しか含有しない研磨用組成物は研磨能力があまり高くない。従って、研磨用組成物の研磨能力をより確実に向上させるという観点から見た場合、研磨用組成物中のアゾール類又はその誘導体の含有量は、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上である。一方、研磨用組成物がアゾール類又はその誘導体を大量に含有する場合には、研磨用組成物の化学的腐食作用が強くなりすぎるため、研磨後の研磨対象物の表面に荒れが生じる虞がある。従って、面荒れの発生を抑制するという観点から見た場合、研磨用組成物中のアゾール類又はその誘導体の含有量は、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは３．０質量％以下である。
【００１９】
前記水は、研磨用組成物中の水以外の成分を分散又は溶解する媒質としての役割を担う。水は、工業用水、水道水、蒸留水、又はそれらをフィルター濾過したものであってもよく、不純物をできるだけ含有しないことが好ましい。
【００２０】
本実施形態に係る研磨用組成物は、例えば、シリコンウエハ等の半導体基板の表面を研磨する用途に用いられる。換言すれば、研磨用組成物は、例えば、研磨製品としての半導体基板を得るべく半導体基板の半製品の表面を研磨する用途に用いられる。研磨用組成物を用いて研磨対象物の表面を研磨するときには、例えば、研磨対象物の表面に研磨パッド等の研磨部材を接触させて、その接触部分に研磨用組成物を供給しながら研磨対象物及び研磨部材のいずれか一方を他方に対して摺動させる。
【００２１】
本実施形態は、以下の利点を有する。
・  本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与するアゾール類又はその誘導体を含有している。そのため、本実施形態に係る研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて高い研磨能力を有しており、研磨対象物の表面、特に半導体基板の表面を迅速に研磨することができる。従って、本実施形態に係る研磨用組成物は、半導体基板の表面を研磨する用途において特に有用である。
【００２２】
・  アゾール類及びその誘導体は、モノエタノールアミンなどの他のアミンやＤＢＵ及びＤＢＮと違って研磨対象物を金属汚染する虞が小さい。従って、本実施形態に係る研磨用組成物を用いて研磨された後の研磨対象物は、モノエタノールアミンなどの他のアミンやＤＢＵ及びＤＢＮを含有する研磨用組成物を用いて研磨された後の研磨対象物に比べて金属汚染の程度が低い。金属汚染された半導体基板から半導体装置を作製した場合には、半導体装置の電気的特性が低下する虞がある。しかし、本実施形態に係る研磨用組成物を用いて研磨された後の半導体基板は金属汚染の程度が低いので、その半導体基板からは電気的特性の低下が抑制された半導体装置を作製することができる。
【００２３】
・  本実施形態に係る研磨用組成物に酸化剤を添加した場合、添加される酸化剤の量によっては、研磨中の研磨対象物の表面に酸化不動態層が形成される虞がある。研磨対象物の表面に酸化不動態層が形成されると、研磨用組成物の化学的研磨作用による研磨対象物の研磨が進みにくくなるため、研磨用組成物の研磨能力が低下する虞がある。しかし、本実施形態に係る研磨用組成物は酸化剤を含有していないので、こうした酸化剤に起因する弊害を回避することができる。
【００２４】
前記実施形態は以下のように変更されてもよい。
・  前記実施形態に係る研磨用組成物は研磨促進剤をさらに含有してもよい。研磨促進剤は、研磨対象物を化学的に研磨する役割を担い、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与する。研磨促進剤は、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属塩、アンモニウム水酸化物、及びアンモニウム塩のいずれを含んでもよいが、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、第４級アンモニウム塩、又は第４級アンモニウム水酸化物のいずれかを含むことが好ましく、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、又は水酸化テトラメチルアンモニウムのいずれかを含むことがより好ましい。水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、第４級アンモニウム塩、及び第４級アンモニウム水酸化物は、研磨対象物を研磨する能力が高く、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及び水酸化テトラメチルアンモニウムは、研磨対象物を研磨する能力が特に高い。
【００２５】
研磨用組成物が研磨促進剤を少量しか含有しない場合、研磨用組成物の研磨能力は大して向上しない。従って、研磨用組成物の研磨能力を大きく向上させるという観点からは、研磨用組成物中の研磨促進剤の含有量は、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは、研磨促進剤がアルカリ金属水酸化物又はアルカリ金属塩からなるときには０．１質量％以上、アンモニウム水酸化物又はアンモニウム塩からなるときには０．０５質量％以上である。一方、研磨用組成物が研磨促進剤を大量に含有する場合には、研磨用組成物の化学的腐食作用が強くなりすぎるため、研磨後の研磨対象物の表面に荒れが生じる虞がある。従って、面荒れの発生を抑制するという観点から見た場合、研磨用組成物中の研磨促進剤の含有量は、好ましくは２０質量％以下であり、より好ましくは、研磨促進剤がアルカリ金属水酸化物又はアルカリ金属塩からなるときには１．０質量％以下、研磨促進剤がアンモニウム水酸化物又はアンモニウム塩からなるときには２．０質量％以下である。
【００２６】
・  前記実施形態に係る研磨用組成物はキレート剤をさらに含有してもよい。キレート剤は、研磨用組成物中の金属不純物と錯イオンを形成してこれを捕捉することにより、金属不純物による研磨対象物の汚染を抑制する。
【００２７】
キレート剤は、鉄、ニッケル、銅、カルシウム、クロム、亜鉛を効果的に捕捉することができるものが好ましい。こうしたキレート剤としては、例えば、アミノカルボン酸系キレート剤又はホスホン酸系キレート剤が挙げられ、より具体的には、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、エチレンジアミン四メチル燐酸、又はジエチレントリアミン五メチル燐酸が挙げられる。
【００２８】
研磨用組成物がキレート剤を少量しか含有しない場合、研磨対象物の金属汚染は大して抑制されない。従って、研磨対象物の金属汚染を強く抑制するという観点から見た場合、研磨用組成物中のキレート剤の含有量は、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上である。一方、キレート剤を大量に含有する研磨用組成物はゲル化しやすい。従って、ゲル化の防止という観点から見た場合、研磨用組成物中のキレート剤の含有量は、好ましくは０．２質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下である。
【００２９】
・  前記実施形態に係る研磨用組成物は水溶性高分子をさらに含有してもよい。水溶性高分子は、研磨対象物の表面濡れ性を向上するように作用する。高い表面濡れ性を有する研磨対象物の場合、たとえ研磨材が研磨対象物に付着したとしても、簡単な洗浄によって付着した研磨材は容易に除去される。水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、及びポリエチレングリコールよりなる群から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましく、ヒドロキシエチルセルロースを含むことがより好ましい。ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、及びポリエチレングリコールは、研磨対象物の表面濡れ性を向上する能力が高く、ヒドロキシエチルセルロールは、研磨対象物の表面濡れ性を向上する能力が特に高い。
【００３０】
水溶性高分子の分子量が低すぎる場合、研磨後の研磨対象物のヘイズ値が増大する虞がある。従って、研磨後の研磨対象物のヘイズ値を低く抑えるという観点から見た場合、ヒドロキシエチルセルロースの分子量は、好ましくは３０万以上、より好ましくは６０万以上である。同様に、ポリビニルアルコールの分子量は、好ましくは１千以上、より好ましくは５千以上であり、ポリエチレンオキサイドの分子量は好ましくは２万以上であり、ポリエチレングリコールの分子量は、好ましくは１百以上、より好ましくは３百以上である。一方、水溶性高分子の分子量が高すぎる場合、研磨用組成物の粘度が過剰に増大する虞がある。従って、研磨用組成物の粘度を適正化するという観点から見た場合、ヒドロキシエチルセルロースの分子量は、好ましくは３００万以下、より好ましくは２００万以下である。同様に、ポリビニルアルコールの分子量は、好ましくは１００万以下、より好ましくは５０万以下であり、ポリエチレンオキサイドの分子量は、好ましくは５０００万以下、より好ましくは３０００万以下であり、ポリエチレングリコールの分子量は好ましくは２万以下である。
【００３１】
研磨用組成物が水溶性高分子を少量しか含有しない場合、研磨対象物の表面濡れ性は大して向上しない。従って、研磨対象物の表面濡れ性を大きく向上させるという観点から見た場合、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、好ましくは０．０００１質量％以上、より好ましくは０．００１質量％以上、最も好ましくは０．００５質量％以上である。一方、研磨用組成物が水溶性高分子を大量に含有する場合には、研磨用組成物の粘度が過剰に増大する虞がある。従って、研磨用組成物の粘度を適正化するという観点から見た場合、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．３質量％以下、最も好ましくは０．１５質量％以下である。
【００３２】
・  前記実施形態に係る研磨用組成物は少量の酸化剤を含有してもよい。研磨用組成物が酸化剤を大量に含有する場合（例えば研磨用組成物中の酸化剤の含有量が１．２質量％以上である場合）には、上述したように研磨対象物の表面に酸化不動態層が形成されて研磨用組成物の研磨能力に低下が生じる虞がある。しかし、酸化剤の含有量が少量である場合には、酸化不動態層が形成されないか、あるいは研磨材の機械的研磨作用によって容易に除去されるようなごく薄い酸化不動態層しか形成されない。従って、研磨用組成物の研磨能力の低下を防ぐという観点から見た場合、研磨用組成物中の酸化剤の含有量は、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下である。
【００３３】
・  前記実施形態に係る研磨用組成物は、アゾール類及びその誘導体の両方を含有してもよい。
・  前記実施形態に係る研磨用組成物に含まれるアゾール類は、二種類以上の化合物の混合物であってもよい。前記実施形態に係る研磨用組成物に含まれるアゾール類の誘導体は、二種類以上の化合物の混合物であってもよい。
【００３４】
・  前記実施形態に係る研磨用組成物は原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
・  前記実施形態に係る研磨用組成物は、半導体基板以外の研磨対象物の表面を研磨する用途に用いられてもよい。
【実施例】
【００３５】
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１〜１８においては、研磨材、アゾール類又はその誘導体、及び水を混合し、必要に応じて研磨促進剤又はキレート剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を調製した。比較例１〜８においては、研磨材及び水を混合し、必要に応じて、アゾール類若しくはその誘導体、アゾール類及びその誘導体に代わる化合物、研磨促進剤、又はキレート剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を調製した。実施例１〜１８及び比較例１〜８に係る各原液を体積比で１５倍にまで水で希釈して実施例１〜１８及び比較例１〜８に係る研磨用組成物を調製した。実施例１〜１８に係る各研磨用組成物中の研磨材、アゾール類又はその誘導体、研磨促進剤、及びキレート剤の詳細は表１に示すとおりである。また、比較例１〜８に係る各研磨用組成物中の研磨材、アゾール類若しくはその誘導体又はそれらに代わる化合物、研磨促進剤、及びキレート剤の詳細は表２に示すとおりである。
【００３６】
実施例１〜１８及び比較例１〜８に係る各研磨用組成物を用いて表３に示す研磨条件に従ってシリコンウエハの表面を研磨した。
表３に示す研磨条件に従って研磨を実施したとき、研磨前後のシリコンウエハの厚みをダイヤルゲージで測定し、測定された研磨前後のウエハの厚みから研磨によるウエハの厚み減少量を求めた。こうして求められたウエハの厚み減少量を研磨時間で除することによって得られる研磨速度を表１及び表２の“研磨速度”欄に示す。
【００３７】
WYKO社製の表面粗さ測定器“RST Plus”を用いて対物レンズ１０倍、多倍率０．５の計５倍の測定倍率により、研磨後のシリコンウエハの表面粗さＲａを測定した。その結果を表１及び表２の“表面粗さＲａ”欄に示す。
【００３８】
研磨後のシリコンウエハを２００℃で１時間加熱した後に、気相分解−誘導結合プラズマ質量分析法（VPD-ICP-MS）によってウエハ中の金属不純物を定量分析した。その結果を表１及び表２の“金属汚染”欄に示す。
【００３９】
なお、研磨速度及び表面粗さＲａの測定の際に使用したシリコンウエハは、抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以上のものであり、金属汚染の評価の際に使用したシリコンウエハは、抵抗率が０．０１Ω・ｃｍ未満のものである。
【００４０】
【表１】
2006080302.tif 000002
【００４１】
【表２】
2006080302.tif 000003
表１及び表２の“研磨材”欄において、“コロイダルシリカ*1”は平均粒子径が５５ｎｍであるコロイダルシリカを表し、“コロイダルシリカ*2”は平均粒子径が９．５ｎｍであるコロイダルシリカを表し、“コロイダルシリカ*3”は平均粒子径が９０ｎｍであるコロイダルシリカを表す。これらのコロイダルシリカの平均粒子径は、ＢＥＴ法により測定される比表面積から求められる。表１及び表２の“研磨促進剤”欄において、“ＫＯＨ”は水酸化カリウムを表し、“ＴＭＡＨ”は水酸化テトラメチルアンモニウムを表し、“ＮａＯＨ”は水酸化ナトリウムを表し、“ＮＨ4ＯＨ”は水酸化アンモニウムを表す。表１及び表２の“キレート剤”欄において、“ＴＴＨＡ”はトリエチレンテトラミン六酢酸を表し、“ＥＤＴＡ”はエチレンジアミン四酢酸を表し、“ＤＴＰＡ”はジエチレントリアミン五酢酸を表し、“ＥＤＴＰＯ”はエチレンジアミン四メチル燐酸を表す。
【００４２】
【表３】
2006080302.tif 000004
表１及び表２に示す結果を以下にまとめる。
【００４３】
・  実施例５に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度は、比較例２に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べて大きい。この結果は、研磨用組成物の研磨能力がアゾール類又はその誘導体の添加によって向上することを示唆するものである。
【００４４】
・  実施例１〜１８に係る各研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの金属汚染の程度は、モノエタノールアミン、ＤＢＵ又はＤＢＮを含有する比較例３〜８に係る各研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの金属汚染の程度に比べて低い。この結果は、アゾール類又はその誘導体がモノエタノールアミンやＤＢＵ、ＤＢＮに比べてシリコンウエハを金属汚染しないこと示唆するものである。
【００４５】
・  キレート剤を含有する実施例６〜１８に係る各研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの金属汚染の程度は、キレート剤を含有しない実施例１〜５に係る各研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの金属汚染の程度に比べて低い。この結果は、シリコンウエハの金属汚染がキレート剤の添加によって更に抑制されることを示唆するものである。
【００４６】
・  研磨促進剤を含有しない実施例１〜４及び実施例６に係る各研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの表面粗さは、研磨促進剤を含有する実施例５、実施例７〜１８及び比較例１，２に係る各研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの表面粗さに比べて小さい。また、イミダゾールの含有量が多い実施例４に係る研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの表面粗さは、イミダゾールの含有量が少ない実施例１に係る研磨用組成物の使用時に測定されるシリコンウエハの表面粗さと同程度である。この結果は、研磨促進剤の添加によって面荒れが生じる虞があること、及びアゾール類又はその誘導体を増量しても面荒れが発生する虞は少ないことを示唆するものである。
【００４７】
前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・  水溶性高分子をさらに含有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【００４８】
・  酸化剤をさらに含有し、研磨用組成物中の酸化剤の含有量が１．２質量％未満である請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・  酸化剤をさらに含有し、研磨用組成物中の酸化剤の含有量が０．１質量％以下である請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【００４９】
・  酸化剤を含有しない請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・  前記研磨対象物は半導体基板である請求項６に記載の研磨方法。
・  請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半製品の表面を研磨する工程を経て得られる研磨製品。
【００５０】
・  請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体基板の半製品の表面を研磨する工程を経て得られる半導体基板。
・  研磨材と、
アゾール類及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
【００５１】
・  研磨材と、
アゾール類及びその誘導体の少なくともいずれか一種と、
研磨促進剤、キレート剤、及び水溶性高分子の少なくともいずれか一種と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
【００５２】
・  前記誘導体は、アゾール類の複素五員環を構成する窒素原子又は炭素原子に結合している水素原子のうちの少なくとも一つがメチル基及びエチル基等のアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、又はアミノ基によって置き換えられたものである請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨用組成物。