(57)【要約】【課題】給電のために用いられる給電部材に断線等のトラブルが発生し難い、基板加熱機能を備えた基板載置機構を提供すること。【解決手段】基板処理装置１００の処理容器１内において基板Ｗを載置するとともに加熱する基板加熱機能を有する基板載置機構１０であって、基体１１ａと基体１１ａに設けられた発熱体１３とを有し基板を載置する載置台１１と、上端が載置台１１を支持し、下端が処理容器１のベースに取り付けられる支持部材１２と、発熱体１３に給電するための給電端子部１４と、支持部材１２の下端近傍に設けられ、処理容器１の外部に設けられた電源５に接続される接続端子２７と、給電端子部１４に接続されるとともに、支持部材１２内部に沿って延在し、電源５から発熱体１３に給電するための給電部材１５と、給電部材１５および接続端子部２８をつなぐバネ部材２５とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の処理容器内において基板を載置するとともに加熱する基板加熱機能を有する基板載置機構であって、
基体と基体に設けられた発熱体とを有し基板を載置する載置台と、
上端が前記載置台を支持し、下端が前記処理容器のベースに取り付けられる支持部材と、
前記発熱体に給電するための給電端子部と、
前記支持部材の下端近傍に設けられ、前記処理容器の外部に設けられた電源に接続される接続端子部と、
前記給電端子部に接続されるとともに、前記支持部材内部に沿って延在し、前記電源から前記発熱体に給電するための給電部材と、
前記給電部材および前記接続端子部をつなぐバネ部材と
を具備することを特徴とする基板加熱機能を有する基板載置機構。
【請求項２】
基板処理装置の処理容器内において基板を載置するとともに加熱する加熱機能を有する基板載置機構であって、
基体と基体に設けられた発熱体とを有し基板を載置する載置台と、
上端が前記載置台を支持し、下端が前記処理容器のベースに取り付けられる支持部材と、
前記発熱体に給電するための給電端子部と、
前記支持部材の下端近傍に設けられ、前記処理容器の外部に設けられた電源に接続される接続端子部と、
前記給電端子部に接続されるとともに、前記支持部材内部に沿って延在し、前記電源から前記発熱体に給電するための給電部材と、
前記給電部材および前記接続端子部をつなぐバネ部材と
を具備し、
前記バネ部材は、前記給電部材に常時引張力がかかるように前記給電部材を付勢することを特徴とする加熱機能を有する基板載置機構。
【請求項３】
前記バネ部材は、取り付け時に、前記給電部材が加熱によって延びる最大長さよりも長い距離だけ引張って前記接続端子部に接続されることを特徴とする請求項２に記載の基板加熱機能を有する基板載置機構。
【請求項４】
前記給電部材は、給電ロッドと、編線状の給電ワイヤーとを有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板加熱機能を有する基板載置機構。
【請求項５】
前記バネ部材は、板バネであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板加熱機能を有する基板載置機構。
【請求項６】
前記板バネは、水平面および垂直面のみから実質的になることを特徴とする請求項５に記載の基板加熱機能を有する基板載置機構。
【請求項７】
前記載置台において、前記基体はセラミック製であり、前記発熱体は前記基体に埋設されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板加熱機能を有する基板載置機構。
【請求項８】
基板を収容し、内部が減圧保持される処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記基板が載置され、請求項１から請求項７のいずれかに記載された構成を有する基板載置機構と、
前記処理容器内で基板に所定の処理を施す処理機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置等の基板処理装置において処理容器内で半導体ウエハ等の基板を載置して加熱する基板加熱機能を有する基板載置機構およびそれを用いた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板である半導体ウエハに対して、ＣＶＤ成膜処理やプラズマエッチング処理のような真空処理を施す工程が存在するが、その処理に際しては半導体ウエハを所定の温度に加熱する必要があるため、ヒーターを用いて基板支持部材を加熱している。
【０００３】
このようなヒーターとしては従来からステンレスヒーター等が用いられてきたが、近年、上記処理に用いられるハロゲン系ガスによる腐蝕が生じにくく、熱効率が高いセラミックヒーターが採用されつつある。このようなセラミックヒーターは、被処理基板を載置する載置台として機能するＡｌＮ等の緻密質セラミックス焼結体からなる基体の内部に、高融点金属からなる発熱体を埋設した構造を有している。
【０００４】
このようなセラミックヒーターを基板載置台として用いた基板処理装置が例えば特許文献１に開示されている。この文献に開示された基板処理装置は、基板載置台であるセラミックヒーターを処理容器の底部から延びる支持体で支持しており、この支持体の中に発熱体に給電するための給電線が設けられており、セラミックヒーターの下面に設けられた発熱体の端子にこの給電線がつながっており、外部に設けられた電源からこの給電線および給電端子を介して発熱体に給電される。
【０００５】
実際のセラミックヒーターでは、上記給電線としては、ニッケル合金等からなる耐熱性の高いロッド状のもの、すなわち給電ロッドが用いられ、給電ロッドと給電端子との間は編線で接続され、支持体の下端部では、給電ロッドは電源に接続するための接続端子にねじ止め等で固定される。
【０００６】
ところで、近時、半導体ウエハのサイズが２００ｍｍから３００ｍｍへと大型化しており、それにともなって処理装置も大型化している。このように処理装置が大型化すると、セラミックヒーターを用いて半導体ウエハを加熱した際における給電ロッドの熱膨張が無視し得ず、加熱の繰り返しにより給電ワイヤー等の給電部材に断線等のトラブルが生じるおそれがある。
【特許文献１】特開２００１−１６０４７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、給電のために用いられる給電部材に断線等のトラブルが発生し難い、基板加熱機能を備えた基板載置機構およびそのような基板載置機構を用いた基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、基板処理装置の処理容器内において基板を載置するとともに加熱する基板加熱機能を有する基板載置機構であって、基体と基体に設けられた発熱体とを有し基板を載置する載置台と、上端が前記載置台を支持し、下端が前記処理容器のベースに取り付けられる支持部材と、前記発熱体に給電するための給電端子部と、前記支持部材の下端近傍に設けられ、前記処理容器の外部に設けられた電源に接続される接続端子部と、前記給電端子部に接続されるとともに、前記支持部材内部に沿って延在し、前記電源から前記発熱体に給電するための給電部材と、前記給電部材および前記接続端子部をつなぐバネ部材とを具備することを特徴とする基板加熱機能を有する基板載置機構を提供する。
【０００９】
本発明の第２の観点では、基板処理装置の処理容器内において基板を載置するとともに加熱する加熱機能を有する基板載置機構であって、基体と基体に設けられた発熱体とを有し基板を載置する載置台と、上端が前記載置台を支持し、下端が前記処理容器のベースに取り付けられる支持部材と、前記発熱体に給電するための給電端子部と、前記支持部材の下端近傍に設けられ、前記処理容器の外部に設けられた電源に接続される接続端子部と、前記給電端子部に接続されるとともに、前記支持部材内部に沿って延在し、前記電源から前記発熱体に給電するための給電部材と、前記給電部材および前記接続端子部をつなぐバネ部材とを具備し、前記バネ部材は、前記給電部材に常時引張力がかかるように前記給電部材を付勢することを特徴とする加熱機能を有する基板載置機構を提供する。
【００１０】
上記第２の観点において、前記バネ部材は、取り付け時に、前記給電部材が加熱によって延びる最大長さよりも長い距離だけ引張って前記接続端子部に接続されるようにすることができる。
【００１１】
上記第１および第２の観点において、前記給電部材は、給電ロッドと、編線状の給電ワイヤーとを有する構造とすることができる。また、前記バネ部材としては、板バネを用いることができ、板バネとしては、水平面および垂直面のみから実質的になるものを用いることが好ましい。このような構造により、横方向の剛性が大きくできるため、振動が生じても共振せず、給電部材に悪影響を及ぼし難い。さらに、前記載置台としては、基体がセラミック製であり、発熱体が基体に埋設された、セラミックヒーター構造を有しているものを用いることができる。
【００１２】
本発明の第３の観点では、基板を収容し、内部が減圧保持される処理容器と、前記処理容器内に設けられ、前記基板が載置され、上記いずれかの構成を有する基板載置機構と、前記処理容器内で基板に所定の処理を施す処理機構とを具備することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の第１の観点によれば、給電部材と接続端子部の間にバネ部材が設けられているので、給電部材が熱膨張しても、バネ部材が圧縮されて給電部材の熱膨張がバネ部材によりほとんど吸収される。このため、温度上昇により給電部材が熱膨張しても、給電部材に断線等のトラブルが発生し難くすることができる。
【００１４】
本発明の第２の観点によれば、給電部材と接続端子部の間にバネ部材を設け、バネ部材が前記給電部材に常時引張力がかかるように前記給電部材を付勢するようにしたので、給電部材に引張と圧縮が複雑な応力形態でかかることが防止され、給電部材のクリープ破断等を極めて有効に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添附図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
ここでは、本発明に係る基板載置機構をＣＶＤ成膜装置に適用した例について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るウエハ載置機構を適用したＣＶＤ成膜装置を示す概略断面図である。このＣＶＤ成膜装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー２と、チャンバー２の底壁２ｂから下方に突出して設けられた排気室３とを有する処理容器１を有している。チャンバー２内には被処理体である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗを水平状態にして載置し、かつ加熱するための、ウエハ載置機構１０が設けられている。このウエハ載置機構１０は、ウエハ載置面を有するウエハ載置台１１と、処理容器１の底部から上方に延びウエハ載置台１１の中央を支持する円筒状の支持部材１２とを有している。さらに、ウエハ載置機構１０は、後述するように、ウエハ載置台１１に埋設された発熱体と、外部に設けられた電源５から発熱体に給電する給電機構を有している。ウエハ載置台１１の外縁部にはウエハＷをガイドするためのガイドリング６が設けられている。
【００１６】
チャンバー２の天壁２ａには、シャワーヘッド３０が設けられている。このシャワーヘッド３０は、上段ブロック体３０ａ、中段ブロック体３０ｂ、下段ブロック体３０ｃで構成されている。上段ブロック体３０ａの上面には、第１のガス導入口３１と、第２のガス導入口３２とが形成されており、下段ブロック体３０ｃにはガス吐出孔３３と３４とが交互に形成されている。
【００１７】
第１および第２のガス導入口３１、３２には、それぞれガス供給機構４０から延びるガス供給配管３５、３６が接続されており、ガス供給機構４０から例えばＴｉＣｌ４ガスおよびＮＨ３ガスが、それぞれこれらガス供給配管３５、３６を通って第１のガス導入口３１および第２のガス導入口３２からシャワーヘッド３０内に導入され、各ブロック体内に形成されたガス通路を通って、それぞれガス吐出孔３３および３４から別個に吐出されるようになっている。つまり、第１のガス導入口３１から導入されたガスと第２のガス導入口３２から導入されたガスがシャワーヘッド３０内では混合せず、別個のガス吐出口３３および３４から吐出された後に混合されるポストミックスタイプとなっている。
【００１８】
前記排気室３は、チャンバー２の底壁２ｂの中央部に形成された円形の穴４を覆うように下方に向けて突出しており、その側面には排気管５１が接続されており、この排気管５１には排気装置５２が接続されている。そしてこの排気装置５２を作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。
【００１９】
ウエハ載置台１１には、ウエハＷを支持して昇降させるための３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン５３がウエハ載置台１１の表面に対して突没可能に設けられ、これらウエハ支持ピン５３は支持板５４に固定されている。そして、ウエハ支持ピン５３は、エアシリンダ等の駆動機構５５により支持板５４を介して昇降される。
【００２０】
チャンバー２の側壁には、真空に保持された図示しない搬送室との間でウエハＷの搬入出を行うための搬入出口５６と、この搬入出口５６を開閉するゲートバルブ５７とが設けられている。
【００２１】
次に、ウエハ載置機構１０について図２の拡大断面図を参照して詳細に説明する。
上述したように、ウエハ載置機構１０は、ウエハ載置台１１と、ウエハ載置台１１を支持する円筒状の支持部材１２とを有している。ウエハ載置台１１は、セラミックヒーターとして構成されており、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３等のセラミック材料からなる基体１１ａと、基体１１ａ内に埋設された、例えばＷ等の高融点金属からなる発熱体１３とを有している。発熱体１３は２ゾーンに分かれており、ウエハ載置台１１の中央部分において、各ゾーンの発熱体１３は、それに給電するための給電端子部１４に接続されている。なお、給電端子部１４は、各ゾーンの発熱体１３に２つずつ設けられているが、図２では便宜上、各ゾーンの発熱体１３について１つずつ合計２つのみ描いている。
【００２２】
給電端子部１４には、支持部材１２の内部に延在する給電部材１５が接続されており、給電部材１５の下端部は、支持部材１２の下端に排気室３の下方へ突出するように取り付けられた接続室２０内に延びている。給電部材１５は、支持部材１２の上端部近傍から接続室２０に至る給電ロッド１６と、給電端子部１４に接続される端子１８と、給電ロッド１６と端子１８とをつなぐ編線からなる給電ワイヤー１７とを有しており、Ｎｉ合金等の耐熱金属材料で構成されている。
【００２３】
支持部材１２の底部にはフランジ状をなす絶縁体からなる底蓋２１が取付部材２１ａおよびネジ２１ｂにより取り付けられており、この底蓋２１に給電ロッド１６が挿通される孔２２が鉛直に設けられている。また、上記接続室２０は円筒状をなし、その上端にフランジ２０ａが形成されており、このフランジ２０ａが底蓋２１と排気室３の底壁とによって狭持されている。フランジ２０ａと排気室３の底壁との間はリングシール部材２３ａにより気密にシールされており、フランジ２０ａと底蓋２１との間は２つのリングシール部材２３ｂによって気密にシールされている。
【００２４】
給電ロッド１６の下端には、クランプ部材２４を介して板バネ２５が取り付けられている。具体的には、給電ロッド１６の下端にはネジ部１６ａが形成されており、このネジ部１６ａがクランプ部材２４に螺合されている。そしてクランプ部材２４にはネジ２６により板バネ２５が取り付けられている。この複数の板バネ２５の下端は、その下方に接続室２０に固定的に設けられた接続端子部２７に接続されている。接続端子部２７は、各板バネ２５に取り付けられる接続端子２８を有し、さらに、これら複数の接続端子２８を位置決めする板状をなす単一の位置決め部材２９を有している。板バネ２５に対する接続端子２８の取り付けは、接続端子２８の上端のネジ部２８ａを位置決め部材２９に形成された垂直孔２９ａに下から挿通して上方に突出させ、その突出したネジ部２８ａを板バネ２５の下端の取り付け部２５ａに形成された穴に挿通し、ワッシャー６１を介してナット６２により固定する。
【００２５】
接続室２０の底部の接続端子２８に対応する部分には、孔６３が形成されており、電源５からの給電線が孔６３を介して接続端子２８に接続されるようになっている。
【００２６】
次に、以上のように構成される成膜装置１００における処理動作について説明する。
まず、ウエハ載置台１１に埋設された発熱体１３に電源５から給電することにより、ウエハ載置台１１を例えば５００〜７００℃程度に加熱し、排気装置５２により処理容器１内を引き切り状態としておき、ゲートバルブ５７を開にして真空状態の図示しない搬送室から搬入出口５６を介してウエハＷをチャンバー２内へ搬入し、ウエハ載置台１１の上面にウエハＷを載置し、ゲートバルブ５７を閉じる。この状態で、ガス供給機構４０から、ガス供給配管３５、３６を介して、例えばＴｉＣｌ４ガスおよびＮＨ３ガスを所定流量でシャワーヘッド３０に供給し、シャワーヘッド３０からこれらのガスをチャンバー２内供給する。これにより、ウエハ載置台１１上のウエハＷの表面で、ＴｉＣｌ４ガスおよびＮＨ３ガスを反応させて、熱ＣＶＤによりＴｉＮ膜が形成される。
【００２７】
この成膜処理の際には、処理容器１内の温度が上昇し、ウエハ載置機構１０の給電部材１５も５００℃以上程度まで上昇するため、成膜前の室温状態と比べ給電部材１５の長さが熱膨張により長くなってしまう。例えば、３００ｍｍウエハ用の成膜装置の場合、給電部材１５の大部分を占める給電ロッド１６の長さは約２５０ｍｍあることから、例えば６７５℃まで温度が上昇すると、給電ロッド１６は垂直方向に１．４ｍｍも膨張することとなる。
【００２８】
本実施形態の場合には、給電部材１５と接続端子部２７の間に板バネ２５が設けられており、給電部材１５が熱膨張しても、図３の（ａ）に示す室温の状態から図３の（ｂ）に示すように板バネ２５が圧縮された状態となり、給電部材１５の熱膨張は板バネ２５によりほとんど吸収される。このため、温度上昇により給電部材１５が熱膨張しても、給電部材１５に断線等のトラブルが発生し難くすることができる。
【００２９】
次に、本発明の第２の実施形態に係るウエハ載置機構について説明する。
上記第１の実施形態の場合、通常の場合、給電部材１５の大部分を占める給電ロッド１６の熱膨張は、上述したように主に板バネ２５によって吸収されるが、板バネ２５で吸収しきれない場合には、一部が編線からなる給電ワイヤー１７のたわみで吸収する。つまり、高温になると、常温では給電ロッド１６の自重による引張力がかかっている給電ワイヤー１７には、給電ロッド１６の熱膨張により圧縮力がかかり座屈を起こす。このため、加熱が繰り返されると、給電ワイヤー１７は繰り返し座屈を起こす。この際に、給電ワイヤー１７には複雑な応力が生じ、しかも高温環境になることから、これらが重なってクリープが発生しやすくなり、クリープによる破断が懸念される。
【００３０】
そこで、第２の実施形態では、このような破断を誘発するおそれのある給電ワイヤー１７の座屈を極力防止したウエハ載置機構について示す。
【００３１】
図４は、本発明の第２の実施形態に係るウエハ載置機構を拡大して示す拡大断面図である。このウエハ載置機構１０′は基本的に、第１の実施形態と同様、図１の成膜装置に適用されるものであり、基本的構成は図２に示すウエハ載置機構１０と同様であるため、ウエハ載置機構１０と同じ部品には同じ符号を付して説明を省略する。
【００３２】
ウエハ載置機構１０′においては、ネジ部１６ａにはナット２４ａが螺合されている。また、給電ロッド１６の下端に、第１の実施形態における板バネ２５の代わりに、構造が異なる板バネ８５が取り付けられている。そして、常温での板バネ８５の取り付け時において、図４の左側に示すように、取り付け前の板バネ８５の下端位置を、取り付けたときの下端位置よりも、成膜処理時に給電ロッド１６が熱膨張する最大長さよりも長い距離だけ上にあるようにし、図４の右側に示すように、この状態から板バネ８５を下方に引張ってナット６２により接続端子２８に接続する。例えば、上述したように７００℃までの加熱では、給電ロッド１６は最大約１．４ｍｍ熱膨張するので、取り付け前の板バネ８５の下端位置を、取り付けたときの下端位置よりも例えば約２ｍｍ上にする。
【００３３】
これにより、室温時に板バネ８５の付勢力が下方に作用し、給電部材１５には引張力が作用する。さらに、成膜処理時に高温になって給電ロッド１６が熱膨張しても、最大熱膨張量よりも長い距離を引張って板バネ８５を取り付けているので、給電部材１５には常に引張力が作用し、給電ワイヤー１７にも常時引張力が作用することになるので、給電ワイヤー１７には給電ロッド１６の熱膨張による繰り返しの座屈が生じることがない。したがって、熱膨張による座屈に起因するクリープ等による給電ワイヤー１７の破断を極めて有効に防止することができる。
【００３４】
また、板バネ８５は引張方向の剛性を低く設計することができ、このときの引張荷重は、その大きさが最大となる室温時においても高々１．０ｋｇｆ程度とすることができ、その際の引張力は、強度の低い、編線からなる給電ワイヤー１７の引張強度および給電端子部１４の接合部の引張強度のいずれに対しても無視できるほど弱い。また、給電ワイヤー１７の強度が低下する高温時においては、給電ロッドの熱膨張のため、板バネ８５による引張力は低下するため、さらに安全である。
【００３５】
ウエハ載置台１１の最高温度７００℃における給電ワイヤー１７の温度はシミュレーションの結果６７５℃程度であると考えられるから、６７５℃において、上記引張力によるクリープ寿命を測定したところ、安全率１０とし板バネ８５による引張荷重の１０倍の１０ｋｇｆの引張荷重を常時かけたとしても、そのクリープ寿命は１０万時間を超えると予想され、耐クリープ性について全く問題がないことが確認された。
【００３６】
給電ワイヤー１７の座屈は、引張方向の剛性が小さく、かつ横方向や捩れ方向の剛性が大きい板バネを用いることにより、より生じ難くなると考えられる。本実施形態で用いた板バネ８５は、図５に拡大して示すように、給電ロッド１６への取り付け部を有する第１垂直部８６と、第１垂直部８６の下端で９０°屈曲して水平に延びる第１水平部８７と、第１水平部８７の端部で１８０°屈曲して反対方向へ第１垂直部８６を通過して水平に延びる第２水平部８８と、第２水平部８８の端部で９０°屈曲して垂直に延びる第２垂直部８９と、第２垂直部８９の下端で９０°屈曲して第２水平部８８に対向するように水平に延びる第３水平部９０とを有しており、第３水平部９０に取り付け部８５ａが設けられている。すなわち、この板バネ８５は、実質的に垂直面と水平面のみからなっており、板バネとして機能する水平面の面積が大きいので引張方向の剛性が小さく、垂直面は横方向の変形に対する抵抗として機能するので、横方向の剛性が大きい。また、図６に示すように、取り付け部８５ａを有する第３水平部９０の取り付け部８５ａ近傍に幅方向に延びる長孔９０ａを設けることにより、引張方向の剛性を一層低くすることができる。
【００３７】
このような板バネ８５は、横方向の剛性が大きいため、振動試験において共振が生じない。これに対して、第１の実施形態のようなくの字型の板バネ２５および図７の（ａ）に示すバネ９５のようなバネ面が斜めになっているものや、（ｂ）に示すように曲面を有するものは、横方向の抵抗が小さく横方向の剛性が小さいため、振動試験において共振が生じ、給電ワイヤー１７に複雑な応力がかかるおそれがある。このように、板バネ８５は、他の形状よりも、振動に対して強い特性を有しており、給電ワイヤー１７の座屈に対してより効果的である。
【００３８】
また、本実施形態では、板バネ８５を接続端子２８に接続する部分において、板バネ８５の取り付け部８５ａを挟んで２つのワッシャー６１ａ、６１ｂを取り付けたダブルワッシャーとしているので、強固に取り付けることができ、より振動に強くすることができる。
【００３９】
なお、本実施形態の板バネは、第２の実施形態に適用することにより、より有効であるが、第１の実施形態に適用することもでき、それによって給電ワイヤー１７の座屈を軽減することができる。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、板バネを用いたが、コイルバネ等、他のバネであってもよい。また、給電部材として、給電ロッドの上端に給電ワイヤーを設けたものを用いたが、その位置関係はこれに限定されるものではなく、また給電部材は給電ロッドと給電ワイヤーに限定されるものでもない。
【００４１】
さらに、上記実施形態では、本発明に係る基板載置機構をＣＶＤ成膜装置に用いた場合について示したが、基板を加熱して処理するものであればこれに限るものではない。基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示基板のようなフラットパネルディスプレイ基板等、他の基板にも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態に係るウエハ載置機構を適用したＣＶＤ成膜装置を示す概略断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るウエハ載置機構を拡大して示す拡大断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るウエハ載置機構における常温時と高温時の板バネの状態を示す図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るウエハ載置機構を拡大して示す拡大断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るウエハ載置機構に用いた板バネを拡大して示す拡大側面図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るウエハ載置機構に用いた板バネの第３水平面を示す平面図。
【図７】比較のための板バネの構造を示す側面図。
【符号の説明】
【００４３】
１；処理容器
２；チャンバー
３；排気室
５；電源
１０，１０′；ウエハ載置機構
１１；ウエハ載置台
１１ａ；基体
１２；支持部材
１３；発熱体
１４；給電端子部
１５；給電部材
１６；給電ロッド
１７；給電ワイヤー
２０；接続室
２５，８５；板バネ
２７；接続端子部
【図１】
2006295138.tif 000003
【図２】
2006295138.tif 000004
【図３】
2006295138.tif 000005
【図４】
2006295138.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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