(57)【要約】【課題】突起に起因する「ポチ」と呼ばれる画像欠陥を克服し、さらに帯電能および感度といった電気的特性に優れた、高画質の使いやすい電子写真感光体、及びこれを用いた電子写真装置を提供する。【解決手段】導電性基体上に光導電層と、該導電性基体と該光導電層の間にシリコン原子を母体とし水素原子を含む非単結晶材料で形成された阻止層とを設けた電子写真感光体において、阻止層が、ヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％以上、９０％以下となるものであることを特徴とする電子写真感光体およびこれを用いた電子写真装置。【選択図】  図１
2006106433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に光導電層と、該導電性基体と該光導電層の間にシリコン原子を母体とし水素原子を含む非単結晶材料で形成された阻止層とを設けた電子写真感光体において、阻止層が、ヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％以上、９０％以下となるものであることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
阻止層にヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射するにあたり、ＥＲＤＡ (Elastic Recoil Detection Analysis：弾性反跳検出法)による測定装置を用いること特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記阻止層が、全原子の総数に対して２０原子％以上、６５原子％以下の範囲で水素原子を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記阻止層が、更に炭素原子、窒素原子または酸素原子のいずれか１種または２種以上を含有することを特徴とする請求項１〜３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記阻止層が、シリコン原子と、炭素原子との総数に対して１５原子％以上、６０原子％以下の範囲で炭素原子を含有することを特徴とする請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記阻止層が、シリコン原子と窒素原子との総数に対して０．１原子％以上、１０原子％以下の範囲で窒素原子を含有することを特徴とする請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記阻止層が、シリコン原子と酸素原子との総数に対して０．１原子％以上、１０原子％以下の範囲で酸素原子を含有することを特徴とする請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記光導電層が、シリコン原子を母体とし少なくとも水素を含む非単結晶材料で形成されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の電子写真感光体を用いたことを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は非単結晶シリコン系の阻止層を用いた電子写真感光体およびこれを用いた電子写真装置に関するものであって、画像欠陥が少なく、良好な画像形成能を長期間維持することができる電子写真感光体および電子写真装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリンター、ファクシミリ、複写機などに用いられる  プリンター、ファクシミリ、複写機などに用いられる電子写真装置においては、帯電手段により帯電した感光体に画像を通して光を照射し、画像に相当する部分以外、あるいは画像に相当する部分を放電することにより画像に対応した静電潜像を感光体に形成し、これにトナーを供給して静電潜像を現像し、静電潜像に付着したトナーを転写体へ転写した後、更に転写体上のトナーを紙などへ転写、定着し、一方においてトナー転写後の感光体表面を除電、クリーニングする工程を経て、画像の形成が行われている。かかる電子写真感光体に搭載される感光体における光導電層を形成する光導電性材料には、高感度でＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に無公害であること、残像を所定時間内に容易に除去することができる等の特性が要求される。特に事務機としてオフィスで使用される電子写真感光体の場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点である。  このような観点から、電子写真感光体の光導電層の材料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以後、「ａ−Ｓｉ」と表記する）が多用されている。
【０００３】
電子写真感光体は導電性基体上にａ−Ｓｉからなる光導電層を積層して作製されており、かかる光導電層の形成方法として、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）等が知られている。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、マイクロ波グロー放電等によって分解し、導電性基体上に堆積膜を形成する方法は電子写真感光体の製造方法の主流となっている。
【０００４】
このような堆積膜の形成により製造される感光体として、従来から用いられているａ−Ｓｉを母体とし、適宜修飾元素を添加した光導電層に加えて、更にａ−Ｓｉ以外の材料を用いた種々の機能を有する層を設ける試みもなされている。例えば、シリコン原子を主体とし、水素原子またはハロゲン原子の少なくともいずれか一方を含むアモルファス材料で構成されている光導電層の基体側の一部に炭素原子を含有する層領域を有する光導電部材が知られている(例えば、特許文献１参照)。これらの技術により、電気的、光学的、光導電率的特性が向上し、更に、画像品位の向上が図られ、実用的な特性と均一性を持つ電子写真感光体を得ることが可能となっている。
【０００５】
しかしながら、これらの堆積膜を有する電子写真感光体に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の堆積膜が求められ、近年、急激に需要が広がっているカラー複写機においては、これまで以上に画像欠陥に対する要求が厳しい。ところが、大面積で比較的厚い堆積膜が要求される電子写真感光体においては、製造工程が長時間に亘るために製造工程中にダストが発生しやすく、且つ、堆積面の面積が広いため、自ずとダストが付着する確率も高まる傾向がある。このダストは堆積膜の異常成長の起因となり、堆積膜の異常成長は画像欠陥に直結する。上記感光体の製造工程で発生する堆積膜の異常成長は次のようなものである。ａ−Ｓｉ膜は基体表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、成膜中にそのダストを核として異常成長し、いわゆる「突起」が生じてしまうという性質を持っている。この異常成長した突起は感光体の表面側からは器を伏せたように半球状にみえ、断面をみるとダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしている。正常堆積部分と突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って基体側に抜けてしまう。このため、突起のある部分は、画像上ではべた黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はべた白画像に黒い点となって現れる）。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は大きさにもよるが、例えば、Ａ３用紙に数個存在していても、感光体として不良として扱われることがあり、カラー複写機に搭載される場合には、Ａ３用紙に１個存在していても不良となる場合がある。
【０００６】
このような突起の起因となるダストが基体に付着するのを抑制するため、内部の清掃を厳格に行なった反応容器が使用され、導電性基体は成膜前に精密に洗浄され、導電性基体を成膜装置に設置する作業は総てクリーンルームあるいは真空下で行われる。このようにして、成膜開始前に導電性基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、効果を上げている。しかし、突起の発生原因となるダストは導電性基体上に付着したダストのみではなく、堆積膜の生成過程においても生じる。すなわち、ａ−Ｓｉ感光体を製造する場合、要求される膜厚が数μｍから数１０μｍと非常に厚いため、成膜時間は数時間から数十時間に及び、この間にａ−Ｓｉ膜は導電性基体のみではなく、反応炉壁や反応炉内の構造物にも堆積する。これらの炉壁、構造物は導電性基体のように管理された表面や温度を有していないため、場合によっては密着力が弱く、長時間に亘る成膜中に膜剥がれを起こし、それがダストとなり堆積中の感光体表面に付着し、これが起点となって突起の異常成長が発生してしまう場合がある。このため、画像欠陥の発生を抑制するためには、成膜前の導電性基体の管理のみならず、成膜中における成膜炉内のダストの発生についても慎重な管理が必要とされ、ａ−Ｓｉ感光体の製造を難しいものにしている。
【特許文献１】特開昭57-119357号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、突起に起因する画像欠陥の発生を、電気的特性を犠牲にすることなく克服して、安価に安定して歩留まりよく製造し得る、高画質の使いやすい電子写真感光体、及びこれを用いた電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った。基体上に堆積膜を作成する成膜条件として、原料ガス組成、投入電力、圧力、温度などの様々なパラメーターを制御・最適化し、成膜中に反応炉内におけるダストの発生を抑制し突起に起因する画像欠陥を抑えることができる条件を見出す努力をしたが、成膜中のダストの発生を完全に抑えることは非常に困難であるとの結論に至った。
【０００９】
そこで、本発明者らは、画像欠陥の抑制方法として従来から行われている、突起などの異常成長を抑えるという方法から発想を転換し、たとえ感光体に突起があっても白ポチなどの画像欠陥を形成させない方法がないかを探求した。本発明者らが突起により画像欠陥が発生する現象を更に詳しく調べたところ、ａ−Ｓｉ系の阻止層を用いた電子写真感光体において、阻止層の材料を工夫することによって、突起が生成されても、それが必ずしも画像欠陥の発生に直結しないことの知見を得た。
【００１０】
ａ−Ｓｉからなる電子写真感光体には、多くの突起が存在しているが、感光体表面から見たときの突起は、その発生点の深さにより様々な大きさとして存在する。代表的な突起のサイズは約１０μｍから５０μｍ程度である。これに対して、実用上問題となる白ポチサイズは、０．１ｍｍ（１００μｍ）から０．５ｍｍ（５００μｍ）といった大きさであり、突起のサイズと比べて１０倍程度大きい。このことは、突起の影響は何らかのメカニズムで１０倍程度に増幅されて画像欠陥になることを意味していると考えた。すなわち、突起に起因する白ポチを改善するためには、突起に対する白ポチサイズの拡大率を抑えることができれば達成できると確信し、鋭意研究を推進し、この白ポチ拡大率と阻止層の関連を調べたところ、阻止層中の水素含有量とは直接相関が見られなかったものの、ＥＲＤＡ分析により水素量を測定する際、阻止層から反跳する水素原子量が多いもの、すなわち阻止層における水素原子の脱離しやすさと白ポチ拡大率とが関連していることの知見を得た。つまり、ＥＲＤＡ分析において水素量が減少しない阻止層を用いた感光体においては、白ポチ拡大率が従来と同レベルであり、従って白ポチが目立ちやすい。一方、水素量の減少率が高い阻止層では、白ポチ拡大率が特異的に低く抑えられるために、たとえ感光体に突起が存在してもそれが白ポチとして目立ちにくく、画像欠陥として認識されにくい場合が多いのである。
【００１１】
ここで言うＥＲＤＡ分析とは、次のようなものである。ＥＲＤＡ分析とは、イオン加速器によってＭｅＶ程度に加速したイオンを試料表面に当て、弾性的に反跳された軽元素を半導体検出器でエネルギー分析することで元素の定量分析を行う方法である。a-Ｓi系の材料中の水素量は、ＥＲＤＡ分析を用いることで、絶対値を測定することが可能である。
【００１２】
このＥＲＤＡ分析法を用い、様々な条件で作製した阻止層について水素量の分析を行ったところ、従来の製造条件で作製した阻止層においては、たたき出される水素原子の量は、全体の含有量から見て無視できる程度の量にすぎず、上述の通り、分析を行っている間に分析値が減少していくということはなかった。しかし、ある条件で作製した阻止層においては、ＥＲＤＡ分析を行っている間に、水素に起因する信号が減少していくものが見られた。そして、このように水素原子が減少するような条件で作製した阻止層を用いた感光体に限って白ポチサイズが小さく、画像が良好である、との相関を見い出した。
【００１３】
ここで、ヘリウムイオン照射前に存在した阻止層中の水素量は、次のようにして求めた。すなわち、ヘリウムイオンを照射するとき、総照射量が５０μＣになるまで水素原子の量の経時変化を測定する。測定された水素原子の量データをイオン照射量に対してプロットし、得られた曲線を０μＣに外挿することによって照射前の水素量が求められる。イオン照射初期の水素原子の量の変化は大きくないため、滑らかな曲線で近似することで、容易に０μＣに外挿することが可能である。
【００１４】
このような、特定の条件で作製したa-Ｓi系の阻止層が画像欠陥に対して良好な結果を出す理由については、現在のところ本発明者らも明確には理解できていないが、次のように考えられる。前述のように、突起のサイズに対して白ポチサイズが拡大する理由は、感光体が帯電されるときに突起部分に流れ込む、帯電キャリアの流れ込み電流が関係していると考えられる。突起部分は低抵抗のために帯電キャリアが導電性基体側にすり抜けてしまい帯電しないが、例えばコロナ帯電の場合は、突起の直上だけでなく回りの電界も歪めるため、結果的に突起回りの帯電キャリアもリークしてしまい、白ポチが拡大してしまう。接触帯電でも同様に、接触帯電部材を通して、突起の近傍の電流がリークするため、白ポチが拡大することになる。一方、本発明の阻止層は、膜中の水素原子の結合が弱く、離脱しやすいため、結合の切れたダングリングボンドに水素原子が移動しやすく、その結果、局在準位密度の増加を抑制し、膜抵抗が下がるのを抑制しているのではないかと考えられる。そして、阻止層の抵抗が高いために、帯電キャリアの流れ込みが抑えられ、白ポチ拡大率が小さくなるのではないかと考えている。
【００１５】
更に、本発明の阻止層を用いた電子写真感光体において、従来の感光体に比較して感度の改善が見られた。これは予期し得ぬ効果であったが、阻止層の水素の結合状態を本発明の電子写真感光体における阻止層の水素原子の結合状態にすることで水素原子が移動しやすくなり、結合の切れたダングリングボンドを効果的に終端することによって膜質が改善したことと関係しているのではないかと考えられる。かかる知見に基づき、本発明をするに至った。
すなわち、本発明は、導電性基体上に光導電層と、該導電性基体と該光導電層の間にシリコン原子を母体とし水素原子を含む非単結晶材料で形成された阻止層とを設けた電子写真感光体において、阻止層が、ヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％以上、９０％以下となるものである電子写真感光体に関する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子写真感光体や、これを用いた電子写真装置は「ポチ」と呼ばれる画像欠陥の少ない高品質の画像が、電気的特性を犠牲にすることなく、安価に安定して歩留まりよく製造することができ、さらに、帯電能および感度を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に図面を用いて本発明を具体的に説明する。
【００１８】
本発明の電子写真感光体は、図１に示すように、導電性基体201上に、光導電層203と、該導電性基体と該光導電層の間に阻止層202を設けたものであり、阻止層が、ヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％以上、９０％以下となるものであれば、特に制限されるものではない。
【００１９】
本発明の電子写真感光体において使用される導電性基体201は、その上に阻止層を設けられるものであればいずれのものであってもよい。導電性基体の材料としては、Ａl、Ｃr、Ｍo、Ａu、In、Ｎb、Ｔe、Ｖ、Ｔi、Ｐt、Ｐd、Ｆe等の金属、及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性材料を用いて、少なくとも光導電層を作製する側の表面を導電処理し、導電性基体として用いることができる。かかる導電処理としては、蒸着法や、スパッタ法、メッキなどにより上記に例示した金属や、合金などの導電物質を絶縁性の基体上に積層させる処理などを挙げることができる。
【００２０】
使用される導電性基体の形状は平滑表面あるいは微小な凹凸表面を有する円筒型または無端ベルト型とすることができる。導電性基体の厚さは、適宜決定することができるが、電子写真感光体としての可撓性が要求される場合には、導電性基体としての機能が十分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。具体的には、製造上及び取り扱い上、機械的強度等の点から、通常10μｍ以上とすることが好ましい。
【００２１】
本発明の電子写真感光体における阻止層202は、シリコンを母体とし水素原子を含む非単結晶材料で形成されたものである。かかる非単結晶材料としては単結晶材料でない材料であれば、多結晶や微結晶など含んでいてもよいが、非晶質の状態、即ちアモルファスの状態を主体として構成されるものが好ましく、アモルファスシリコンを母体として構成されたものが好ましい。上記阻止層を形成する非単結晶材料はさらに、炭素原子、窒素原子、酸素原子のいずれか１種または２種以上を含むものが好ましい。これらの原子もアモルファス水素化珪素、アモルファス炭化珪素やアモルファス窒化珪素、アモルファス酸化珪素などアモルファス状態で含有されることが好ましい。
【００２２】
その他、阻止層を形成する非単結晶材料には、必要に応じてハロゲン原子や、伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、阻止層中に万偏なく均一に分布した状態で含有されてもよいし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【００２３】
前記の伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期表第１３族原子、またはｎ型伝導特性を与える周期表第１５族原子を用いることができる。
【００２４】
阻止層中に含まれる水素原子の含有量としては、構成原子の総数に対して、例えば２０〜６５原子％であることが好ましく、さらに好ましくは３０〜５５原子％である。構成原子の総数に対して２０〜６５原子％の範囲で水素原子を含有する阻止層を有する感光体は、実用面において優れたものとして充分適用させ得るものであり、阻止層内の欠陥が大幅に減少される。その結果、従来に比べて阻止層の膜質が改され、不純物原子のドーピング効率が改善されるため、感光体が一定極性の帯電処理を受けた際、基体側より光導電層に電荷が注入されるのを阻止する阻止能が向上され、感光体において優れた所望の電子写真特性を得ることができる。水素原子の含有量が構成原子の総数に対して３０〜５５原子％であると、上記効果をより顕著に得ることができる。
【００２５】
また、阻止層中に含まれる炭素原子の含有量としては、シリコン原子と炭素原子との総数に対して１５〜６０原子％であることが好ましく、より好ましくは２５〜５０原子％である。また、阻止層中に含まれる窒素原子の含有量としては、シリコン原子と窒素原子との総数に対して０．１〜１０原子％であることが好ましく、より好ましくは１〜５原子％であり、酸素原子の含有量としては、シリコン原子と酸素原子との総数に対して０．１〜１０原子％であることが好ましく、より好ましくは１〜５原子％である。これらの炭素原子、窒素原子、酸素原子の含有量ががそれぞれこの範囲であると導電性基体と光導電層の密着性の向上を図ることができる。この結果、感光体自体の膜剥がれを抑制できることはもちろん、導電性基体上以外への堆積膜の形成を抑制できダストの発生が低減し、結果的に電子写真感光体の突起も減少させることができる。
【００２６】
本発明の電子写真感光体における阻止層中に含まれる水素原子は、ヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％以上、９０％以下となるような状態で存在する。上記ヘリウムイオンの照射後の水素原子の量が照射前の水素原子の量の６０％以上であれば、阻止層が密着性を有し、電子写真感光体として使用しても剥がれなどが発生することなく、優れた耐久性を有する。また、上記ヘリウムイオンの照射後の水素原子の量が照射前の水素原子の量の９０％以下であれば、阻止層の抵抗が充分になり、白ポチの拡大が抑制され、画像欠陥の発生が顕著に抑制され、カラー複写機など高画質が要請される電子写真装置に対応したものとすることができる。上記ヘリウムイオンの照射後の水素原子の量が照射前の水素原子の量の７０％以上、８５％以下の範囲であれば、上記効果を顕著に得ることができる。
【００２７】
ここで、阻止層における水素原子の状態を特定するためのヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで照射する方法としては、かかる範囲に加速したイオンを試料に照射することができる方法であれば、いずれの装置を用いてもよいが、ＥＲＤＡ分析の測定装置を用いる方法を、具体的に挙げることができる。
【００２８】
ＥＲＤＡ分析の測定装置としては、図２に示すように、試料に照射するヘリウムイオン(4Ｈe+)のイオン源と、ヘリウムイオンが照射されることにより試料から反跳されるイオンを測定する半導体検出器とが備えられたものを、一例として挙げることができる。
【００２９】
このようなＥＲＤＡ分析の測定装置を用いて脱離される水素原子の量を測定する方法を説明する。試料にヘリウムイオンを入射角75度で入射させ、試料に入射したヘリウムイオンによって試料中から弾性的に反跳された水素原子は前方に散乱される。散乱された水素原子は反跳角30度に設置された検出器にフィルターを介して入射する。フィルターは散乱された入射粒子や反跳重粒子をフィルター内で止める厚さに設定されており、水素原子のみを通過させる。検出器に入射した水素原子のエネルギースペクトルを求め、そのエネルギースペクトルから深さ分布を求めることができる。すなわち、反跳水素原子のエネルギーを深さに、収量を濃度(密度)に換算することによって、水素原子濃度の深さ分布が得られる。ＥＲＤＡ分析は反跳粒子を検出するという手法なので、当然ながら、入射イオンビームによる水素の脱離があるが、もともとＥＲＤＡ分析では反跳断面積が大きいために検出感度が高く、短時間に測定を完了できるということもあり、通常の測定においては水素の脱離は無視できる程度に小さく、このため非破壊的検査と考えることができる。なお、ＥＲＤＡ分析法によって水素原子を測定する場合を特に、ＨＦＳ(Ｈydrogen Ｆorｗard scattering Ｓpectroｍetry)分析法と呼ぶ場合がある。
【００３０】
なお、言うまでもないが、本発明の電子写真感光体における阻止層はＥＲＤＡ分析において水素原子の脱離が特定の範囲で生ずる結合状態で水素原子を含有するものであり、そのような結合状態の水素原子が含有されることによって、白ポチを効果的に防止できるのであり、本発明の電子写真感光体は水素原子を脱離させた後の阻止層を用いた電子写真感光体とする必要性は全くない。
【００３１】
本発明における阻止層の層厚としては、例えば０．０１〜３０μｍとすることができ、好適には０．０５〜２０μｍ、より好ましくは０．１〜１０μｍである。層厚が０．０１μｍ以上であれば充分な阻止能が得られ、３０μｍ以下であれば残留電位が増加することなく充分な電子写真特性が得られる。
【００３２】
本発明の目的を達成し得る特性を有する阻止層を作製するには、グロー放電分解法またはスパッタリング法により形成することができ、かかるグロー放電分解法としては、一例として後述するプラズマＣＶＤ法によって調製することができる。プラズマＣＶＤ装置を用いた方法としては、内部を減圧できる反応容器内の載置台に基体を載置し、原料ガスを供給し、基体温度、反応容器内のガス圧を適宜設定して行なう方法を挙げることができる。
【００３３】
本発明の電子写真感光体における阻止層の調製において、加速エネルギー２．３ＭｅＶのヘリウムイオンを照射したときの水素の脱離量が上記範囲となる製造条件を一律に規定することは、プラズマＣＶＤ法では一般に装置依存性が大きく、さまざまなパラメーターが有機的に結びついているため、困難であるが、一般的には、原料ガス種、圧力、電力、高周波電力の周波数、基体温度などの各種パラメーターを最適化することによって、いかなる成膜装置においても容易に特定の水素原子の結合状態を有する本発明の電子写真感光体における阻止層を調製することが可能である。上記水素原子の結合状態を有する阻止層を調製するパラメーターの傾向として、例えば、成膜時の基体温度は低いほうが水素は脱離しやすくなり、また、投入するパワーは低いほうが脱離しやすくなる傾向がある。
【００３４】
基体温度(Ｔs)は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、好ましくは１００〜４００℃である。
【００３５】
放電空間の圧力についてはＲＦ(代表的には１３．５６ＭＨz)電力を用いる場合には１３．３Ｐa〜１３３０Ｐa、ＶＨＦ帯(代表的には５０〜４５０ＭＨz)を用いる場合には１３．３ｍＰa〜１３．３Ｐa程度に保つことができる。阻止層を形成するための基体温度、ガス圧の好ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが好ましい。
【００３６】
シリコン(Ｓi)供給用ガスとなり得る物質としては、ＳiＨ4、Ｓi2Ｈ6、Ｓi3Ｈ8、Ｓi4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化珪素(シラン類)を具体的に挙げることができ、更に層作成時の取り扱い易さ、Ｓi供給効率の良さ等の点でＳiＨ4、Ｓi2Ｈ6を好ましいものとして挙げることができる。
【００３７】
炭素供給用ガスとなり得る物質としては、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、Ｃ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る炭化水素を具体的に挙げることができ、更に層作成時の取り扱い易さ、炭素供給効率の良さ等の点でＣＨ4、Ｃ2Ｈ2、Ｃ2Ｈ6を好ましいものとして挙げることができる。
【００３８】
窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質としては、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2、Ｎ2等のガス状態の、またはガス化し得る化合物を具体的に挙げことができる。
【００３９】
また、ハロゲン原子供給用ガスとなり得る物質としては、たとえばＦ2(フッ素ガス)や、ＢrＦ、ＣlＦ、ＣlＦ3、ＢrＦ3、ＢrＦ5、IＦ3、IＦ7等のハロゲン間化合物を挙げることができる。更にＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6、ＣlＦ3、ＣＨＣlＦ2、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ10、ＣＣl4、ＣＨ3ＣＦ3等のハロゲン化炭素ガスや、ＳiＦ4,ＳiＦＨ3,Ｓi2Ｆ6,ＳiＦ3,ＳiＨ3,ＳiＣl4等のハロゲン化シリコンガスなどが好適に用いられる。
【００４０】
伝導性を制御する原子としては、周期表第１３族原子導入用の原料物質として具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣl3、ＢＢr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡlＣl3、ＧaＣl3、Ｇa(ＣＨ3)3、InＣl3、ＴlＣl3等も挙げることができる。
【００４１】
周期表第１５族原子導入用の原料物質として、リン原子導入用としては、具体的にＰＨ3、Ｐ2Ｈ4等の水素化リン、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣl3、ＰＣl5、ＰＢr3、ＰＢr5、ＰI3等のハロゲン化リンやＰＨ4Iなどのハロゲン含有リン化合物を挙げることができる。この他、ＡsＨ3、ＡsＦ3、ＡsＣl3、ＡsＢr3、ＡsＦ5、ＳbＨ3、ＳbＦ3、ＳbＦ5、ＳbＣl3、ＳbＣl5、ＢiＨ3、ＢiＣl3、ＢiＢr3等も周期表第１５族原子導入用の出発物質として具体的に挙げることができる。
【００４２】
本発明の電子写真感光体における光導電層203の作成方法は阻止層上に設けられるものであればいずれのものであってもよく、材質としても、水素を含むシリコン原子を母体とした非単結晶材料は元より、有機材料、Ｓe、ＣdＳいずれの材質で形成されるものであってよい。但し、a-Ｓi系の阻止層との製造上の整合性の観点からは、シリコン原子を母体とし少なくとも水素を含む非単結晶材料で形成されたものがより好ましい。光導電層を形成する非単結晶材料としては、単結晶材料でない材料であれば、多結晶や微結晶など含んでいてもよいが、非晶質の状態、即ちアモルファスの状態を主体として構成されるものが好ましく、アモルファスシリコンを母体として構成されるものが好ましい。かかる非単結晶材料中のシリコン原子の含有量としては、水素原子以外シリコン原子とすることもできる。また、非単結晶材料中の水素原子の含有量としては、例えば、10原子％〜40原子％の範囲を挙げることができる。
【００４３】
光導電層の膜厚としては、例えば１μｍ〜５０μｍなど、感光体が搭載される電子写真装置が要求する帯電能、感度に応じて適宜設定されるが、帯電能、感度の点から１０μｍ以上、工業的生産性の観点からは５０μｍ以下が好ましい。
【００４４】
光導電層を作製するには、高周波電力や、マイクロ波によるグロー放電プラズマ法によることができる。このグロー放電プラズマ法によりシリコン原子を含んだ原料ガスを分解して作製することができる。
【００４５】
更に本発明の電子写真感光体としては、図３に示すように導電性基体301に順次設けられた阻止層302、光導電層303の上に、表面からのキャリアの注入を阻止する表面保護層304を加えたものであってもよく、また、図４に示すように導電性基体401と阻止層402、光導電層403、表面保護層404に加えて、表面保護層404からのキャリアの注入を阻止する上部阻止層405を設けたものであってもよい。
【００４６】
更に図５のように、導電性基体501に設けられた阻止層502と表面保護層504間の光導電層503が少なくとも光導電性を示す電荷発生層506と少なくともキャリアを輸送する電荷輸送層505が順次積層された構成の機能分離型としたものであってもよい。この電子写真感光体に光照射すると主として電荷発生層506で生成されたキャリアが電荷輸送層505を通って導電性基体501に至る。
【００４７】
本発明の電子写真感光体においては、いずれの層構成を有するものであっても、阻止層302、402または502は、ヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射したとき、水素原子が照射前の６０％〜９０％の範囲で脱離するような結合状態で含有されるものである。
【００４８】
本発明の電子写真感光体を作製するために用いられる各層の成膜装置として、例えば、１３．５６ＭＨzの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積装置を挙げることができる。かかる堆積装置は、図６に示すように、大別すると、反応容器601、反応容器内を減圧するための排気装置608から構成されている。反応容器601内にはアースに接続された導電性の受け台607の上に円筒状の導電性基体602が設置され、更に導電性基体の基体加熱ヒーター603、原料ガス導入管605が設置されている。又、カソード電極606は導電性材料からなり、絶縁碍子613によって絶縁されている。カソード電極はマッチングボックス611を介して１３．５６ＭＨzの高周波電源612に接続されている。
【００４９】
不図示の原料ガス供給装置の各構成ガスのボンベは原料ガス導入バルブ609を介して反応容器601内のガス導入管605に接続されている。
【００５０】
以下、図６の装置を用いた、電子写真感光体の形成方法の一例について説明する。
【００５１】
例えば表面を旋盤を用いて鏡面加工を施した導電性基体602を受け台607に取りつけ、反応容器601内の基体加熱ヒーター603を包含するように取りつける。
【００５２】
次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、原料ガス導入バルブ609を開き、メインバルブ615を開いて反応容器601及び原料ガス導入管605を排気する。真空計610の読みが０．６７Ｐa以下になった時点で原料ガス導入バルブ609から加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンを原料ガス導入管605より反応容器601に導入し、反応容器601内が所望の圧力になるように加熱用ガスの流量および、メインバルブ615の開口あるいは排気装置608の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて導電性基体602を基体加熱ヒーター603により加熱し、導電性基体602の温度を２０℃〜５００℃の所定の温度に制御する。導電性基体602が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止めると同時に、阻止層の成膜用の所定の原料ガス、例えばＳiＨ4、Ｓi2Ｈ6、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6などの材料ガスを、またＢ2Ｈ6、ＰＨ3などのドーピングガスを不図示のミキシングパネルにより混合した後に反応容器601内に徐々に導入する。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器601内が０．１Ｐaから数１００Ｐaの圧力に維持するよう真空計610を見ながらメインバルブ615の開口あるいは排気装置608の排気速度を調整する。
【００５３】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、導電性基体602上に阻止層を作製する。内圧が安定したのを確認後、高周波電源612を所望の電力に設定して高周波電力をカソード電極606に供給し高周波グロー放電を生起させる。このときマッチングボックス611を調整し、反射波が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整する。この放電エネルギーによって反応容器601内に導入させた各原料ガスが分解され、導電性基体602上に所定の堆積膜が形成される。このとき、阻止層に含有される水素原子が、ＥＲＤＡ分析において減少していくように原料ガス流量、基体温度、高周波電力などを設定し、堆積膜を形成する。なお、膜形成を行っている間は導電性基体602を駆動装置(不図示)によって所定の速度で回転させてもよい。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、反応容器601への各原料ガスの流入を止めて反応容器内を一旦項真空に引き上げた後に層の作製を終える。
【００５４】
次に、光導電層を作製する場合も、必要となる原料ガスが変わるだけで、同様の手順で行うことができる。このような操作を繰り返し行うことによって、多層構造の電子写真感光体を作製することができる。
【００５５】
本発明の電子写真感光体を作成するために用いられる各層の成膜装置として、ＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積装置を挙げることができる。かかる堆積装置には、図７に示すように、誘電体部材701(a)と上蓋701(b)からなる反応容器701が設けられる。反応容器701の下部には排気配管709が接続され、排気配管709の他端は不図示の排気装置(例えば真空ポンプ)に接続されている。反応容器701の中心部を取り囲むように、堆積膜の形成される複数の導電性基体705が互いに平行になるように同一円周上に配置されている。複数の導電性基体705は基体加熱ヒーター707を内蔵した導電性の受け台706によって各々保持されている。そして、反応容器701内にはＳiＨ4、ＧeＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ａr、Ｈe等のガスボンベからなる不図示のガス供給装置に接続されたガス供給手段710があり、反応容器701の外にはカソード電極702が設置されている。カソード電極702には、高周波電源703がマッチングボックス704と高周波電力分岐手段712を介して接続されている。さらに、導電性基体705は各々の回転機構708によって、回転可能になっている。
【００５６】
図７に示す装置を用いた、電子写真感光体の形成方法の手順はカソードと導電性基体の配置が異なることと、常に導電性基体が回転機構708によって駆動されていることを除いて、基本的に図６に示す装置の方法と同様である。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明の技術的範囲はこれらに制限されるものではない。
[実施例１]
図６に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用い、導電性基体602として直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダーを設置し、表１に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法で阻止層、光導電層、表面保護層で構成された電子写真感光体を作製した。
【００５８】
表１の阻止層の製造条件は、成膜した阻止層においてＥＲＤＡ分析におけるヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％以上、９０％以下となることを確認した条件である。
【００５９】
【表１】
2006106433.tif 000003
【００６０】
[比較例１]
表２に示す条件とする他は、実施例１と同様にして電子写真感光体作製した。表２の阻止層の製造条件は、成膜した阻止層においてＥＲＤＡ分析におけるヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％未満、９０％を超えることを確認した条件である。
【００６１】
【表２】
2006106433.tif 000004
【００６２】
実施例１、比較例１で作製した電子写真感光体は、下記の方法で評価を行った。
（突起の数）
得られた感光体の表面を光学顕微鏡で観察した。そして、２０μｍ以上の大きさの突起の１０ｃｍ2当たりの個数を調べた。
【００６３】
得られた結果は、比較例１での値を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
【００６４】
◎  …  ６５％未満
○  …  ６５％以上９５％未満
△  …  ９５％以上１０５％未満
×  …  １０５％以上
（画像欠陥の数）
本実施例で作製した電子写真感光体をキヤノン製ｉＲ５０００改造機に設置し、露光光源をオフにした状態でＡ３サイズ用紙に複写し、全面黒色画像を作成した。こうして得られた画像を観察し、直径０．２mm以上の突起に起因する白ポチの個数を数えた。
【００６５】
得られた結果は、比較例１での値を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。
【００６６】
◎  …  ６５％未満
○  …  ６５％以上９５％未満
△  …  ９５％以上１０５％未満
×  …  １０５％以上
（白ポチ拡大率）
上記で得られた全面黒色画像上の白ポチをランダムに１００個ピックアップした。ピックアップした白ポチサイズを測定し、平均を取った。さらに、各々の白ポチに対応する突起を感光ドラム上で確認した。それぞれの突起についてサイズを測定し、平均を取った。得られた突起の平均サイズに対する白ポチの平均サイズの比を拡大率として評価した。
（ＥＲＤＡ分析後の水素量）
ＥＲＤＡ分析を前述の方法で行った際の阻止層中の水素量を調べた。ＥＲＤＡ分析の測定条件は、ヘリウムイオンの加速エネルギー；２．３ＭｅＶ、入射角；７５度、反跳角；３０度に検出器を配置、ヘリウムイオンの総照射量；５０μＣとした。この条件で水素量（あるいは水素の信号強度）を測定し、イオン照射前の水素量を１００％としたときの５０μＣ照射時の水素量を相対値で示した。イオン照射前の水素量は、前述の方法に従い、外挿して求めた。
（阻止層の水素含有量）
上記のＥＲＤＡ分析において、ヘリウムイオン照射前の阻止層中の水素量を求めた。水素量は深さ５００nｍまでのデプスプロファイルを求め、その平均値とした。
（帯電能）
キヤノン製ｉＲ５０００改造機の主帯電器に一定の電流（例えば１０００μＡ）を流し、現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社Ｍodel３４４）の電位センサーにより暗部電位を測定した。したがって、暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。帯電能の評価結果は、比較例１の結果を基準とした場合の相対比較でランク付けを行った。
【００６７】
◎  …  比較例１と比べて20％以上の良化
○  …  比較例１と比べて20％未満の良化
△  …  比較例１と同等
×  …  比較例１より悪化
（感度）
現像器位置での暗部電位が一定値（例えば450Ｖ）となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光（波長６５５nｍの半導体レーザー）を調整した際の像露光量により評価した。したがって、像露光量が少ないほど感度が良好であることを示す。感度測定は感光体母線方向全領域に亘って行い、その平均値とした。感度の評価結果は、比較例１の結果を基準とした場合の相対比較でランク付けを行った。
【００６８】
◎  …  比較例１と比べて20％以上の良化
○  …  比較例１と比べて20％未満の良化
△  …  比較例１と同等
×  …  比較例１より悪化
実施例１、比較例１のＥＲＤＡ分析による水素脱離の結果をそれぞれ図８（ａ）、（ｂ）に示す。この図では、便宜上、ヘリウムイオンの照射量が５０μＣのときの水素の信号強度を１としたときのイオン照射中の水素の信号強度の変化を示している。この結果から分かるように、ヘリウムイオンの照射量が少ない領域では水素の脱離量は少なく、従って滑らかな曲線で０μＣに向かって外挿することで容易にイオン照射前の水素の信号強度を求めることができる。図８(a)の結果では、イオン照射前の信号強度比は1.48であり、従って、照射前の水素量に対して５０μＣ照射後の水素量は６８％であることが分かる。
【００６９】
一方、図８(b)は比較例１の結果である。この結果から明らかなように従来の阻止層においては、ヘリウムイオンを５０μＣまで照射しても水素の信号強度はほとんど変化せず、水素の脱離がないことが分かる。
【００７０】
その他の評価結果をまとめて表３に示す。結果から分かるように、本発明の電子写真感光体では、特性に悪影響を与えることなく突起のサイズに対して白ポチ拡大率が小さくなる効果が見られ、画像欠陥の数は大幅に減少できた。また、予期しなかった効果であるが、本発明の阻止層を用いることで、帯電能、感度といった電子写真特性の改善も見られた。
【００７１】
【表３】
2006106433.tif 000005
【００７２】
[実施例２]
図７に示すＶＨＦプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用い、導電性基体705として直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、表４に示す条件に従い、前述の堆積膜形成方法で阻止層および光導電層、表面保護層で構成された電子写真感光体を作製した。本実施例では、阻止層のパワーおよび基板温度を変化させることにより、ＥＲＤＡ分析後の水素量を６０％〜９０％の範囲で変化させた感光体２Ａ〜２Ｅを作製した。
【００７３】
【表４】
2006106433.tif 000006
【００７４】
[比較例２]
阻止層作製時のパワーおよび基板温度を異なる条件とした他は実施例２と同様にしてＥＲＤＡ分析での水素の変化量を５５％、９５％とした感光体２Ｆ、２Ｇを作製した。
【００７５】
実施例２、比較例２で得られた電子写真感光体について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表５に示す。結果からわかるように、ＥＲＤＡ分析後の水素量が６０％〜９０％のときに、特性に悪影響を与えることなく突起のサイズに対して白ポチ拡大率が小さくなる効果が見られ、画像欠陥の数は大幅に減少し、帯電能、感度といった電子写真特性も改善できた。ＥＲＤＡ分析後の水素量を７０％〜８５％とすることで更に好適な効果が得られることが分かった。
【００７６】
【表５】
2006106433.tif 000007
【００７７】
[実施例３]
表６に示す条件とした他は実施例２と同様にして、阻止層および光導電層、表面保護層で構成された電子写真感光体を作製した。本実施例では、阻止層のH2流量および基板温度を変化させることにより、水素含有量を１５％〜７０％の範囲で変化させた感光体３Ａ〜３Ｇを作製した。
【００７８】
【表６】
2006106433.tif 000008
【００７９】
上記の方法で得られた電子写真感光体について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表７に示す。結果からわかるように、本発明の阻止層では、水素含有量を２０原子％〜６５原子％とすることで良好な結果が得られ、３５％〜５５%とすることで更に好適な結果が得られた。
【００８０】
【表７】
2006106433.tif 000009
【００８１】
[実施例４]
表８に示す条件とした他は実施例２と同様にして、阻止層および光導電層、表面保護層で構成された電子写真感光体を作製した。本実施例では、阻止層の炭素量を１０原子％〜７０原子％の範囲で変化させた感光体４Ａ〜４Ｇを作製した。
【００８２】
阻止層の炭素量の測定には、ＲＢＳ(Ｒutherford Ｂackscattering Ｓpectroｍetry)を用いた。
【００８３】
【表８】
2006106433.tif 000010
【００８４】
上記の方法で得られた電子写真感光体について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表９に示す。結果からわかるように、本発明の阻止層は、炭素量が１５原子％〜６０原子％の範囲で良好な結果が得られ、２５%〜５０%で更に好適な結果が得られた。
【００８５】
【表９】
2006106433.tif 000011
【００８６】
[実施例５]
表１０に示す条件とした他は実施例１と同様にして、阻止層および光導電層、表面保護層で構成された電子写真感光体を作製した。本実施例では、阻止層の窒素量を０．０５原子％〜１２原子％の範囲で変化させた感光体５Ａ〜５Ｇを作製した。
【００８７】
なお、阻止層の窒素量の測定には、ＲＢＳを用いた。
【００８８】
【表１０】
2006106433.tif 000012
【００８９】
上記の方法で得られた電子写真感光体について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１１に示す。結果からわかるように、本発明の阻止層は、アモルファス窒化珪素膜の場合、窒素量が０．１原子％〜１０原子％の範囲で良好な結果が得られ、１％〜５％で更に好適な結果が得られた。
【００９０】
【表１１】
2006106433.tif 000013
【００９１】
[実施例６]
表１２に示す条件とした他は実施例１と同様にして、阻止層および光導電層、表面保護層で構成された電子写真感光体を作製した。本実施例では、阻止層の酸素量を０．０５原子％〜１２原子％の範囲で変化させた感光体６Ａ〜６Ｇを作製した。
【００９２】
阻止層の酸素量の測定には、ＲＢＳを用いた。
【００９３】
【表１２】
2006106433.tif 000014
【００９４】
上記の方法で得られた電子写真感光体について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１３に示す。結果からわかるように、本発明の阻止層は、アモルファス酸化硅素膜の場合であっても、酸素量が０．１原子％〜１０原子％の範囲で良好な結果が得られ、１％〜５％で更に好適な結果が得られた。
【００９５】
【表１３】
2006106433.tif 000015
【００９６】
[実施例７]
表１４に示す条件とした他は実施例２と同様にして、阻止層、電荷輸送層、電荷発生層、表面保護層で構成された電子写真感光体を作製した。阻止層に関しては、ＥＲＤＡ分析におけるヘリウムイオンを加速エネルギー２．３ＭｅＶで５０μＣ照射した後の水素原子の量が、ヘリウムイオン照射前に存在した水素原子の量に対して６０％未満、９０％を超えることを確認した条件で作製した。
【００９７】
【表１４】
2006106433.tif 000016
【００９８】
上記の方法で得られた電子写真感光体について、実施例１と同様の評価を行った。その結果、実施例１と同様の良好な結果が得られた。この結果から、光導電層の構成は、電荷発生層、電荷輸送層の機能分離型の電子写真感光体であっても、良好な結果が得られることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の特性を検出する装置を示す概略構成図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図４】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図５】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【図６】本発明の電子写真感光体を製造するためのＲＦプラズマＣＶＤ法を用いた堆積装置を示す概略構成図である。
【図７】本発明の電子写真感光体を製造するためのＶＨＦプラズマＣＶＤ法を用いた堆積装置を示す概略構成図である。
【図８】（ａ）本発明の電子写真感光体の阻止層のＥＲＤＡ分析の結果を示す図である。（ｂ）従来例の電子写真感光体の阻止層のＥＲＤＡ分析の結果を示す図である。
【符号の説明】
【０１００】
201、301、401、501  導電性基体
202、302、402、502  阻止層
203、303、403、503  光導電層
【図１】
2006106433.tif 000017
【図２】
2006106433.tif 000018
【図３】
2006106433.tif 000019
【図４】
2006106433.tif 000020
【図５】
2006106433.tif 000021
【図６】
2006106433.tif 000022
【図７】
2006106433.tif 000023
【図８】
2006106433.tif 000024