(57)【要約】【課題】    半導体装置の反対側にも電子部品を実装可能な半導体装置実装基板、半導体装置の実装方法、電子機器、カメラモジュール及び半導体装置実装基板の形成方法を安価で得る。【解決手段】  セラミック基板１０２の内部に金属配線１２０を埋設し、セラミック基板１０２の側面１０２Ｃに、金属配線１２０の端部１２０Ａ、１２０Ｂを露出させ、セラミック基板１０２の側面から電源１２２を接続してワイヤボンディングパッド１１０に熱を伝達することで、ワイヤボンディング時にセラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂ側にヒータ等を当接させる必要はなくなる。このため、セラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂ側にＩＣ等を配設することができ、セラミック基板１０２の小型化を図ることができる。また、金属配線１２０に電圧を印加するだけなので、作業工数が増大することもない。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置が実装される実装基板と、
前記実装基板に設けられ、前記半導体装置を実装基板へ電気的に接続する接続部と実装基板との接点部へ熱を伝達可能とする通路部と、
を有することを特徴とする半導体装置実装基板。
【請求項２】
前記通路部が、前記接点部の下部から前記実装基板の少なくとも一方の側面へ抜ける連通孔であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置実装基板。
【請求項３】
前記連通孔が、前記実装基板の上面に対して平行に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置実装基板。
【請求項４】
半導体装置が実装される実装基板と、
前記実装基板に埋設され、前記半導体装置を実装基板へ電気的に接続する接続部と実装基板との接点部へ熱を伝達可能とする熱伝達手段と、
を有することを特徴とする半導体装置実装基板。
【請求項５】
前記熱伝達手段が、前記実装基板の上面に対して平行に設けられたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置実装基板。
【請求項６】
前記熱伝達手段が、電圧を印加することによって加熱される加熱部材であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置実装基板。
【請求項７】
前記熱伝達手段が、供給された熱を伝達する熱伝導部材であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置実装基板。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置が、被写体の撮像信号を生成する固体撮像装置であることを特徴とする半導体装置実装基板。
【請求項９】
半導体装置を実装基板に載置し、前記半導体装置と前記実装基板を接続部で電気的に接続する半導体装置の実装方法であって、
前記実装基板に設けられ前記接続部と実装基板との接点部へ熱を伝達可能とする通路部へ加熱手段を挿入し、接点部を加熱して、半導体装置と実装基板を接続部で電気的に接続することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１０】
請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置実装基板が備えられたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置実装基板が備えられたことを特徴とするカメラモジュール。
【請求項１２】
半導体装置を実装基板へ電気的に接続する接続部と実装基板との接点部の下部から前記実装基板の少なくとも一方の側面へ抜ける連通孔が、ドリルで形成されたことを特徴とする半導体装置実装基板の形成方法。
【請求項１３】
前記実装基板がセラミック製であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置実装基板の形成方法。
【請求項１４】
セラミック粉末をスラリー状にした後、電圧を印加することによって加熱される加熱部材を載置し、さらにスラリー状のセラミック粉末を重ね焼結させて実装基板を形成することを特徴とする半導体装置実装基板の形成方法。
【請求項１５】
セラミック粉末をスラリー状にした後、供給された熱を伝達する熱伝導部材を載置し、さらにスラリー状のセラミック粉末を重ね焼結させて実装基板を形成することを特徴とする半導体装置実装基板の形成方法。
【請求項１６】
電圧を印加することによって加熱される加熱部材を２枚のセラミックシートで挟んで実装基板を形成することを特徴とする半導体装置実装基板の形成方法。
【請求項１７】
供給された熱を伝達する熱伝導部材を２枚のセラミックシートで挟んで実装基板を形成することを特徴とする半導体装置実装基板の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ等の半導体装置実装基板、半導体装置の実装方法、電子機器、カメラモジュール及び半導体装置実装基板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、撮像装置、特にデジタルカメラでは、ＣＣＤ等の固体撮像装置を備えたものが数多く流通している。このようなデジタルカメラでは、撮影時には、ＣＣＤの受光面に被写体像が結像され、結像された被写体像は、ＣＣＤの各センサで入射光量に応じた量の信号電荷に変換される。そして、ＣＣＤに蓄積された信号電荷を画素毎に読み取って画像データに変換し、この画像データをメモリーカードなどの記録媒体に記録している。
【０００３】
ところで、ＣＣＤやＣＣＤ駆動ドライバー用のＩＣ、抵抗などのチップ部品を一体化したセラミック基板モジュールにおいて、ＣＣＤはワイヤボンディングによってセラミック基板に実装され、ＩＣはいわゆるフリップチップ実装によってセラミック基板に実装される。また、チップ部品は半田リフローによってセラミック基板に実装される。
【０００４】
ここで、ＣＣＤは、実装後カバーガラスで封止されるが、フリップチップ実装での洗浄に耐えられないため、また、ＣＣＤは一般的にリフローにより性能変化してしまうため、最後に実装することが望ましい。
【０００５】
一方、ワイヤボンディングによる実装の場合、実装基板上のボンディングパッドを熱しながら、また実装基板に超音波をかけながら、ワイヤとパッドを接合させるが、ボンディングパッドに熱を供給する方法として、一般的には、実装基板の裏面にヒータを当接させてボンディングパッドに熱を伝達させる（約１５０℃）方法が用いられる。
【０００６】
このため、ＣＣＤを最後に実装するとなると、ＣＣＤの実装時には実装基板の裏面にヒータを当接させるため、ヒータ周辺のチップ部品が熱により外れる場合があり、ヒータを当接させる領域には、チップ部品を配設することができず、実装基板の小型化を図ることができない。
【０００７】
従って、特許文献１では、実装基板に実装されるＩＣの実装位置の周縁部に封止枠を形成した後、ＩＣを実装基板上に実装し、封止枠内に封止樹脂を充填し加熱して封止樹脂を硬化させる。そして、実装基板を裏がえし、赤外線センサーチップを実装基板に実装するとき、封止樹脂側をヒーター上に配置して、赤外線センサーチップの実装を行うようにしている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の方法では、封止樹脂を形成させなければならず、作業工数が増大することとなり、コストアップを招いてしまう。
【特許文献１】特開平７−３２６７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記事実を考慮し、半導体装置の反対側にも電子部品を実装可能な半導体装置実装基板、半導体装置の実装方法、電子機器、カメラモジュール及び半導体装置実装基板の形成方法を安価で提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、半導体装置実装基板において、半導体装置が実装される実装基板と、前記実装基板に設けられ、前記半導体装置を実装基板へ電気的に接続する接続部と実装基板との接点部へ熱を伝達可能とする通路部と、を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項１に記載の発明では、実装基板に通路部を設けることで、例えば、該連通路内へヒータなどの加熱手段を挿入すると、実装基板を介して、接続部と実装基板との接点部へ熱を伝達さることができ、接点部が加熱されることとなる。
【００１２】
つまり、ワイヤボンディング或いは半田付けを行うとき等に、実装基板の裏面側にヒータ等を当接させる必要はなくなり、実装基板の裏面側にチップ部品を配設することができる。このため、半導体装置実装基板の小型化を図ることができる。
【００１３】
また、通路内へ加熱手段を挿入して接続部と実装基板との接点部を加熱する場合、作業工数が増大することもない。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置実装基板において、前記通路部が、前記接点部の下部から前記実装基板の少なくとも一方の側面へ抜ける連通孔であることを特徴とする。
【００１５】
請求項２に記載の発明では、通路部を、接続部と実装基板との接点部の下部から実装基板の側面へ抜ける連通孔とすることで、ヒータ等を実装基板の側面から挿入することができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の半導体装置実装基板において、前記連通孔が、前記実装基板の上面に対して平行に設けられたことを特徴とする。請求項３に記載の発明では、連通孔を、実装基板の上面に対して平行に設けることで、実装基板の上面に配列された各接点部において温度の差が生じないようにしている。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、半導体装置実装基板において、半導体装置が実装される実装基板と、前記実装基板に埋設され、前記半導体装置を実装基板へ電気的に接続する接続部と実装基板との接点部へ熱を伝達可能とする熱伝達手段と、を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項４に記載の発明では、接続部と実装基板との接点部に熱を伝達する熱伝達手段を実装基板に埋設させており、これにより、請求項１に記載の効果と略同一の効果を得ることができる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の半導体装置実装基板において、前記熱伝達手段が、前記実装基板の上面に対して平行に設けられたことを特徴とする。請求項５に記載の発明では、熱伝達手段を、実装基板の上面に対して平行に設けることで、請求項３に記載の効果と略同一の効果を得ることができる。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載の半導体装置実装基板において、前記熱伝達手段が、電圧を印加することによって加熱される加熱部材であることを特徴とする。
【００２１】
請求項６に記載の発明では、実装基板に加熱部材を埋設し、該加熱部材に電圧を印加することで、加熱部材を加熱し、実装基板を介して、接続部と実装基板との接点部を加熱する。
【００２２】
このように、加熱部材に電圧を印加するだけで接続部と実装基板との接点部を加熱することができるため、作業工数が増大することもない。ここで、加熱部材として、抵抗値の高い金属、例えば、タングステンが用いられる。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、請求項４又は５に記載の半導体装置実装基板において、前記熱伝達手段が、供給された熱を伝達する熱伝導部材であることを特徴とする。
【００２４】
請求項７に記載の発明では、実装基板に熱伝導部材を埋設することで、該熱伝導部材にヒータなどの加熱手段を当接させると、熱伝導部材を通じて接続部と実装基板との接点部へ熱が伝達される。このため、請求項４と略同一の効果を得ることができる。
【００２５】
請求項８に記載の発明は、半導体装置実装基板において、請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置が、被写体の撮像信号を生成する固体撮像装置であることを特徴とする。請求項８に記載の発明では、例えば、デジタルカメラ、車載用のカメラ、携帯電話用のカメラなどに用いられる固体撮像装置に適用される。
【００２６】
請求項９に記載の発明は、半導体装置を半導体装置実装基板に載置し、前記半導体装置と前記実装基板を接続部で電気的に接続する半導体装置の実装方法であって、前記実装基板に設けられ前記接続部と実装基板との接点部へ熱を伝達可能とする通路部へ加熱手段を挿入し、接点部を加熱して、半導体装置と実装基板を接続部で電気的に接続することを特徴とする。
【００２７】
半導体装置と実装基板を接続部で電気的に接続するとき（例えば、ワイヤボンディングを行うとき）、ワイヤボンディング用の接点部を加熱しながら行われるが、請求項９に記載の発明では、実装基板に設けられた通路部へ加熱手段を挿入して、ワイヤボンディング用の接点部へ熱が伝達されるようにする。
【００２８】
請求項１０に記載の発明は、電子機器において、請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置実装基板が備えられたことを特徴とする。請求項１０に記載の発明では、例えば、撮像装置、液晶表示装置などの表示装置、発光ダイオードなどの発光装置に適用される。
【００２９】
請求項１１に記載の発明は、カメラモジュールにおいて、請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置実装基板が備えられたことを特徴とする。
【００３０】
請求項１２に記載の発明は、半導体装置実装基板の形成方法において、半導体装置を実装基板へ電気的に接続する接続部と実装基板との接点部の下部から前記実装基板の少なくとも一方の側面へ抜ける連通孔が、ドリルで形成されたことを特徴とする。
【００３１】
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の半導体装置実装基板の形成方法において、前記実装基板がセラミック製であることを特徴とする。
【００３２】
請求項１４に記載の発明は、半導体装置実装基板の形成方法において、セラミック粉末をスラリー状にした後、電圧を印加することによって加熱される加熱部材を載置し、さらにスラリー状のセラミック粉末を重ね焼結させて実装基板を形成することを特徴とする。
【００３３】
請求項１５に記載の発明では、半導体装置実装基板の形成方法において、セラミック粉末をスラリー状にした後、供給された熱を伝達する熱伝導部材を載置し、さらにスラリー状のセラミック粉末を重ね焼結させて実装基板を形成することを特徴とする。
【００３４】
請求項１６に記載の発明は、半導体装置実装基板の形成方法において、電圧を印加することによって加熱される加熱部材を２枚のセラミックシートで挟んで実装基板を形成することを特徴とする。
【００３５】
請求項１７に記載の発明は、半導体装置実装基板の形成方法において、供給された熱を伝達する熱伝導部材を２枚のセラミックシートで挟んで実装基板を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明は、上記構成としたので、ワイヤボンディング或いは半田付けを行うとき等に、実装基板の裏面側にヒータ等を当接させる必要はなくなり、実装基板の裏面側にチップ部品を配設することができる。このため、半導体装置実装基板の小型化を図ることができる。また、作業工数が増大することもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の実施の形態に係る半導体装置実装基板が備えられたデジタルカメラについて図面に基づき説明する。
【００３８】
図１には、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０の正面図（Ａ）及び背面図（Ｂ）の一例が示されている。
【００３９】
このデジタルカメラ１０の筐体１１の正面には、被写体像を結像させるためのレンズ１２、ファインダー窓１４、ストロボ発光部１６が設けられており、筐体１１の側面には、メモリカード２４を装着するためのカードスロット２６が設けられている。
【００４０】
また、筐体１１の上面には、シャッタボタン１８及び電源スイッチ２０が配設されている。シャッタボタン１８は２段階式に構成されており、シャッタボタン１８を軽く押して止める「半押し」の状態で自動ピント合わせ（オートフォーカス）を行うと共に自動露出処理（ＡＥ）が作動してオートフォーカスとＡＥをロックし、「半押し」から更に押し込む「全押し」の状態で撮影が実行される。一方、電源スイッチ２０は、ユーザがデジタルカメラ１０の各部への電源電力の供給／供給停止の切り換えを行うときに操作するためのものである。
【００４１】
また、デジタルカメラ１０の筐体１１の背面には、ファインダー２８、ＬＣＤ（液晶表示装置）３０、ズームスイッチ３２、十字ボタン３４、メニューボタン３８、実行ボタン４０及びキャンセルボタン４２が設けられている。
【００４２】
ＬＣＤ３０は、撮影時に画角確認用の電子ファインダーとして使用することができるとともに、各種メニュー項目、ユーザによる各種選択項目、及び撮影画像等を表示するためのものである。
【００４３】
ズームスイッチ３２は、上下方向に操作可能なレバースイッチで構成され、ユーザが望遠（TELE）方向へのズーム移動指示や、広角（WIDE）方向へのズーム移動指示を行うときに操作するためのものである。
【００４４】
メニューボタン３８は、ユーザがＬＣＤ３０へ各種メニュー項目を表示するときに操作するためのものであり、十字ボタン３４は、ユーザがＬＣＤ３０に表示された各種メニューから任意のメニュー項目を選択する際に操作するためのものである。
【００４５】
実行ボタン４０は、ユーザが各項目の実行開始を指示するときに操作するためのものであり、キャンセルボタン４２は、ユーザが選択した項目の取消指示をする際に操作するためのものである。
【００４６】
図２には、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０の主要構成をブロック図として示している。デジタルカメラ１０は、レンズ１２を備えており、このレンズ１２は、固定レンズ４４、変倍レンズ４６Ａ、補正レンズ４６Ｂ及びフォーカスレンズ４８の４群型インナーフォーカス式ズームレンズで構成されている。
【００４７】
変倍レンズ４６Ａと補正レンズ４６Ｂは、図示しないカム機構によって両者の位置関係が規制されながら光軸に沿って移動し、焦点距離を変更可能に設けられている。なお、本実施の形態では、変倍レンズ４６Ａと補正レンズ４６Ｂから成る変倍光学系は、ズームレンズ４６として機能する。
【００４８】
レンズ１２を通過した光は、絞り５０により光量が調節された後、ＣＣＤ５２（後述する）に入射される。なお、ここでいうＣＣＤは、固体撮像装置のことであり、複数の固体撮像素子が配列されて構成されたものである。このＣＣＤ５２の受光面には、フォトセンサが平面的に配列されており、レンズ１２を介してＣＣＤ５２の受光面に結像された被写体像は、各フォトセンサによって入射光量に応じた量の信号電荷に変換される。
【００４９】
なお、ＣＣＤ５２は、シャッターゲートパルスのタイミングによって各フォトセンサの電荷蓄積時間（シャッタースピード）を制御する、いわゆる電子シャッター機能を有している。各フォトセンサに蓄積された信号電荷は、ＣＣＤドライバ５４から与えられるパルスに基づいて信号電荷に応じた電圧信号（画像データ）として順次読み出される。
【００５０】
また、ＣＣＤ５２から出力された画像データは、アナログ処理部５６に送られる。このアナログ処理部５６は、サンプリングホールド回路、色分離回路、ゲイン調整回路等の信号処理回路を含み、このアナログ処理部５６において、相関二重サンプリング（ＣＤＳ）処理並びにＲ，Ｇ，Ｂの各色信号に色分離処理され、各色信号の信号レベルの調整が行われる。
【００５１】
アナログ処理部５６から出力された信号は、Ａ／Ｄ変換器５８によりデジタル信号に変換された後、メモリ６０に格納される。ここで、タイミングジェネレータ（ＴＧ）６２は、ＣＰＵ６４の指令に従ってＣＣＤドライバ５４、アナログ処理部５６及びＡ／Ｄ変換器５８に対してタイミング信号を与えており、このタイミング信号によって各回路の同期がとられる。
【００５２】
メモリ６０に格納されたデータは、バス６６を介して信号処理部６８に送られる。この信号処理部６８は、輝度・色差信号生成回路、ガンマ補正回路、シャープネス補正回路、コントラスト補正回路、ホワイトバランス補正回路等を含むデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）で構成された画像処理手段であり、ＣＰＵ６４からのコマンドに従って処理を実行する。
【００５３】
信号処理部６８に入力された画像データは、輝度信号（Ｙ信号）及び色差信号（Ｃr、Ｃb 信号）に変換されるとともに、ガンマ補正等の所定の処理が施された後、メモリ６０に格納される。
【００５４】
そして、撮影画像を表示出力する場合、メモリ６０から画像データが読み出され、表示用メモリ７０に転送される。表示用メモリ７０に記憶されたデータは、表示用の所定方式の信号に変換された後、Ｄ／Ａ変換器７２を介して液晶モニタ（ＬＣＤ）３０に出力される。このため、当該画像データの画像内容がＬＣＤ３０の画面上に表示される。
【００５５】
ユーザがズームスイッチ３２を操作すると、その指示信号がＣＰＵ６４に入力され、ＣＰＵ６４はズームスイッチ３２からの信号に基づいてズーム駆動部７４を制御してズームレンズ４６をテレ（TELE）方向又はワイド（WIDE）方向に移動させる。
【００５６】
ズーム駆動部７４は図示しないモータを備えており、該モータの駆動力によってズームレンズ４６が駆動される。このズームレンズ４６の位置（ズーム位置）は、ズーム位置センサ７６によって検出され、該ズーム位置センサ７６の検出信号はＣＰＵ６４に入力される。
【００５７】
同様に、フォーカス駆動部７８は図示しないモータを備えており、該モータの駆動力によってフォーカスレンズ４８が光軸に沿って前後動する。このフォーカスレンズ４８の位置（フォーカス位置）は、フォーカス位置センサ８０によって検出され、該フォーカス位置センサ８０の検出信号はＣＰＵ６４に入力される。
【００５８】
そして、シャッタボタン１８による全押し指示がなされると、撮影開始指示（レリーズＯＮ）信号が発せられる。ＣＰＵ６４は、レリーズＯＮ信号を検知して記録用の撮像動作を実行する。
【００５９】
すなわち、ＣＰＵ６４は、後述する評価値演算の結果に基づいてフォーカス駆動部７８を制御してフォーカスレンズ４８を合焦位置に移動させるとともに、絞り５０の開口径やＣＣＤ５２の電子シャッターを制御することにより露出制御を行う。また、ＣＰＵ６４は必要に応じてストロボ制御回路８２にコマンドを送り、ストロボ発光部１６の発光を制御する。
【００６０】
このように、シャッタボタン１８の押下操作に応じて、画像データの取り込みが開始される。画像データを圧縮記録するモードが選択されている場合、ＣＰＵ６４は圧縮伸張回路８４にコマンドを送る。圧縮伸張回路８４は、メモリ６０に取り込まれた画像データをＪＰＥＧその他の所定の形式に従って圧縮する。
【００６１】
圧縮された画像データは、カードインターフェース８６を介してメモリカード２４に記録される。非圧縮の画像データを記録するモード（非圧縮モード）が選択されている場合には、圧縮伸張回路８４による圧縮処理は省略され、非圧縮のまま画像データがメモリカード２４に記録される。
【００６２】
ところで、ＣＰＵ６４は、各回路を統括制御する制御部であり、電源スイッチ２０、シャッタボタン１８、ズームスイッチ３２その他の操作部から入力される入力信号に基づき、対応する回路の動作を制御するとともに、ＬＣＤ３０における表示制御、オートフォーカス処理及び自動露出処理等を行う。
【００６３】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置実装基板の要旨について説明する。
【００６４】
図３及び図４−１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、セラミック基板モジュール１００（半導体装置実装基板）を構成する、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、炭化珪素、窒化珪素などのセラミック基板１０２（実装基板）のＡ面１０２Ａ（ここでは、ＣＣＤ５２が配設される面（いわゆる表面あるいは上面）をＡ面１０２Ａとし、Ａ面の反対側の面（いわゆる裏面あるいは下面）をＢ面とする）の一端部側には、コンデンサ等のチップ部品１０４が配設されており、Ａ面１０２Ａの中央側には、凹部１０６が凹設され、凹部１０６内には固体撮像素子としてのＣＣＤ５２が配置されている。
【００６５】
ＣＣＤ５２の上面には、互いに対面する一対の辺に沿って、ワイヤボンディングパッド１０８が設けられている。一方、凹部１０６の底面には、ＣＣＤ５２のワイヤボンディングパッド１０８に対応するようにワイヤボンディングパッド１１０が設けられており、ワイヤボンディングパッド１０８とワイヤボンディングパッド１１０とが接続部としてのワイヤ１１２を介して接続されている。
【００６６】
また、凹部１０６の周縁部には、凹部１０６の面積よりも大きいカバーガラス１１４が固着されており、凹部１０６内を封止している。
【００６７】
一方、セラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂの中央側には、ＣＣＤ５２を駆動させるための駆動ドライバー用のＩＣ１１６が配設されており、該ＩＣ１１６の周囲には、コンデンサや抵抗等のチップ部品１１７、１１８、１１９が配設されている。
【００６８】
また、セラミック基板１０２の内部には、タングステンなど抵抗値の高い金属で形成された金属配線１２０が埋設されており、ワイヤボンディングパッド１１０の下部を通過し、平面視にて略コ字状となるように設けられ、セラミック基板１０２内で水平方向に沿って（セラミック基板１０２の上面と平行に）形成されている。そして、セラミック基板１０２の側面１０２Ｃには、金属配線１２０の端部１２０Ａ、１２０Ｂが露出している。
【００６９】
この金属配線１２０の端部１２０Ａ、１２０Ｂに電源１２２を接続させ、金属配線１２０に電圧を印加すると、金属配線１２０が加熱（約２００℃）される。これにより、セラミック基板１０２を介してワイヤボンディングパッド１１０が加熱されることとなる。
【００７０】
このように、セラミック基板１０２の内部に金属配線１２０を埋設し、セラミック基板１０２の側面１０２Ｃに、金属配線１２０の端部１２０Ａ、１２０Ｂを露出させ、セラミック基板１０２の側面から電源１２２を接続してワイヤボンディングパッド１１０に熱を伝達することで、ワイヤボンディング時にセラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂ側にヒータ（図６参照）等を当接させる必要はなくなる。
【００７１】
このため、セラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂ側にＩＣ１１６やチップ部品１１８、１１９を配設することができ、セラミック基板１０２の小型化を図ることができる。また、金属配線１２０に電圧を印加するだけでワイヤボンディングパッド１１０を加熱することができるため、作業工数が増大することもない。
【００７２】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置実装基板の製造方法について、図３及び図４−１（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【００７３】
まず、図５に示すように、ステップ１００において、セラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂに、ＩＣ１１６及びチップ部品１１７、１１８、１１９を実装する。具体的には、セラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂには所定の位置に半田が塗布され、その上にチップ部品１１７、１１８、１１９が配置される。
【００７４】
一方、ＩＣ１１６の下部には、図示はしないが複数の電極が設けられており、この電極には半田バンプが設けられている。この半田バンプが接触するセラミック基板１０２上には複数の電極が形成されており、該電極の位置に合わせてＩＣ１１６が配置される。
【００７５】
そして、セラミック基板１０２をリフロー炉内で搬送させると、塗布された半田又は半田バンプがリフロー炉内で溶融され、チップ部品１１７、１１８、１１９及びＩＣ１１６が半田によりセラミック基板１０２に電気的に接続される（いわゆるリフロー処理）。
【００７６】
その後、リフロー炉内の温度を調節して半田を固めることにより、半田付けが完了する。ここで、リフロー処理を行うためフラックスを用いるため、リフロー処理後に該フラックスをセラミック基板１０２上から除去するための洗浄処理が行われる。
【００７７】
次に、チップ部品１１７、１１８、１１９及びＩＣ１１６の半田部にいわゆるアンダーフィルを注入し、硬化させることで、チップ部品１１７、１１８、１１９及びＩＣ１１６の半田部を合成樹脂材で被覆することができる。これにより、該半田部の腐食防止、或いは半田部の機械的強度を図ることができる。
【００７８】
次に、ステップ１０２において、セラミック基板１０２のＡ面１０２Ａに、チップ部品１０４のみを実装する。セラミック基板１０２のＢ面１０２Ｂと同様、セラミック基板１０２のＡ面１０２Ａには所定の位置に半田が塗布され、その上にチップ部品１０４が配置される。
【００７９】
そして、セラミック基板１０２をリフロー炉内へ搬送すると、塗布された半田がリフロー炉内で溶融され、チップ部品１０４が半田によりセラミック基板１０２に電気的に接続される。その後、リフロー炉内の温度を調節して半田を固めることにより、チップ部品１０４の半田付けが完了する。
【００８０】
次に、ステップ１０４において、ＣＣＤ５２をセラミック基板１０２の凹部１０６の底面にマウントする。そして、ステップ１０６において、金属配線１２０の端部１２０Ａ、１２０Ｂに電源１２２を接続し、金属配線１２０に電圧を印加して、金属配線１２０を加熱し、セラミック基板１０２を介してワイヤボンディングパッド１１０を加熱する。
【００８１】
このとき、ステップ１０８において、セラミック基板１０２に超音波をかけながらワイヤボンディングパッド１０８とワイヤボンディングパッド１１０をワイヤ１１２で接続させる。
【００８２】
そして、ステップ１１０において、凹部１０６の周縁部にカバーガラス１１４を固着してＣＣＤ５２を封止すると、セラミック基板モジュール１００が完成する。
【００８３】
ところで、本発明の実施の形態に係る半導体装置実装基板では、セラミック基板１０２の内部に、金属配線１２０を埋設させたが、金属配線１２０を埋没させる方法として、例えば、ドクターブレード法、カレンダー法、ロール法、押出し法等によって形成されたセラミックシートを用いても良い。
【００８４】
具体的には、図４−２に示すように、金属配線１２０が収容可能な凹部１０３Ａ、１０５Ａをそれぞれ形成する。そして、セラミックシート１０３の凹部１０３Ａ内に金属配線１２０を収容させた状態で、セラミックシート１０５をセラミックシート１０３に位置合わせし、耐熱性の接着剤などを介してセラミックシート１０５をセラミックシート１０３に固着させる。これにより、内部に金属配線１２０が埋没したセラミック基板１０２を形成する。
【００８５】
また、これ以外にも、図４−３に示すように、キャリアーテープ１３４上に塗布された、セラミック粉末に水、溶剤、結合材などを加えたスラリー１３６の表面に、金属配線１２０を載置した後、さらにスラリー１３８を上部に塗布し、金属配線１２０を埋没させる。そして、このスラリー１４０を乾燥させ、セラミック基板１０２の外形に合わせて切断した後焼結させてセラミック基板１０２を形成しても良い。
【００８６】
さらに、図４−４に示すように、金型１４２内にスラリー１４４を入れ、上面に金属配線１２０を載置した後、さらに金型１４２内にスラリー１４６を入れて、金属配線１２０を埋没させる。そして、金型１４２内のスラリー（スラリー１４４にスラリー１４６を加えたもの）を押圧してセラミック基板１０２の外形を形成し、金型１４２から離型させた状態で焼結させてセラミック基板１０２を形成しても良い。
【００８７】
なお、ここでは、セラミック基板１０２の内部に金属配線１２０を埋設し、該金属配線１２０に電圧を印加して、金属配線１２０を加熱したが、図５に示すステップ１０６において、ワイヤボンディングパッド１１０を加熱することができれば良いため、これに限るものではない。例えば、セラミック基板１０２の側面から供給された熱をワイヤボンディングパッド１１０へ伝達させるようにしても良い。
【００８８】
具体的には、図６及び図７−１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、図中左右に位置するワイヤボンディングパッド１１０の下部にそれぞれ位置し、セラミック基板１０２内を水平に貫通する、連通孔としての略角柱状の挿入孔１２６を、図７−２に示すようにドリル１２７を用いて形成する。なお、ここでは、挿入孔１２６がセラミック基板１０２を貫通するように形成させたが、必ずしも貫通させる必要はない。
【００８９】
この挿入孔１２６にそれぞれ角柱状のヒータ１２８を挿入し、セラミック基板１０２を介してワイヤボンディングパッド１１０を加熱するようにしても良い。ここで、挿入孔１２６及びヒータ１２８を角柱状とすることで、挿入孔１２６及びヒータ１２８を円柱状にした場合と比較して、各ワイヤボンディングパッド１１０の左右で、ヒータ１２８との距離が変らないため効率よくワイヤボンディングパッド１１０を加熱させることができる。
【００９０】
また、ここでは、各ワイヤボンディングパッド１１０が導通することを防止するため、ワイヤボンディングパッド１１０の下部に、金属配線１２０を設けたり、ヒータ１２８を挿入するための挿入孔１２６を設けたが、図８及び図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、各ワイヤボンディングパッド１１０と接続する熱伝導部材としての金属パターン１３０を埋設しても良い。そして、該金属パターン１３０に直接熱を供給することによって、ワイヤボンディングパッド１１０を（セラミック基板１０２を介すことなく）加熱する。
【００９１】
この場合、各金属パターン１３０が互いに導通することがないよう、ワイヤボンディングパッド１１０の配列方向と直交する方向に沿って金属パターン１３０を配設する。そして、セラミック基板１０２の側面１０２Ｃと直交する一対の側面１０２Ｄに各金属パターン１３０のランド１３２を設け、各ランド１３２毎にヒータ１２８を当接させる。このように、金属パターン１３０と各ワイヤボンディングパッド１１０とを直接接続させることで、効率よくワイヤボンディングパッド１１０を加熱させることができる。
【００９２】
以上、ここでは、撮像装置としてデジタルカメラについて説明したが、デジタルカメラに限らず、携帯電話用のカメラモジュールや車載用のカメラモジュールに適用しても良いのは勿論のことである。また、半導体装置として、リフローにより性能変化する固体撮像素子の適用について記載したが、固体撮像装置以外にも液晶表示装置などの表示装置、発光ダイオードなどの発光装置等を適用させても良い。
【００９３】
さらに、ここでは、ワイヤボンディングパッド１０８とワイヤボンディングパッド１１０をワイヤ１１２で接続する構成としたが、半導体装置の形状によっては、単に半田付けによるセラミック基板１０２への接続方法であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の実施の形態に係るデジタルカメラの（Ａ）は正面図であり、（Ｂ）は背面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るデジタルカメラの概略構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るセラミック基板のワイヤボンディングパッドを加熱する方法を示す斜視図である。
【図４−１】（Ａ）は図３の断面図であり、（Ｂ）は図３の平面図である。
【図４−２】図４−１に示すセラミック基板の形成方法。
【図４−３】図４−１に示すセラミック基板の他の形成方法。
【図４−４】図４−１に示すセラミック基板のその他の形成方法。
【図５】本発明の実施の形態に係るセラミック基板モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態に係るセラミック基板のワイヤボンディングパッドを加熱する他の方法を示す斜視図である。
【図７−１】（Ａ）は図６の断面図であり、（Ｂ）は図６の平面図である。
【図７−２】図７−１に示すセラミック基板の形成方法。
【図８】本発明の実施の形態に係るセラミック基板のワイヤボンディングパッドを加熱するその他の方法を示す斜視図である。
【図９】（Ａ）は図８の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の右側面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０    デジタルカメラ
５２    ＣＣＤ（固体撮像装置、半導体装置）
１００  セラミック基板モジュール（半導体装置実装基板）
１０２  セラミック基板（実装基板）
１０３  セラミックシート
１０５  セラミックシート
１１０  ワイヤボンディングパッド（接点部）
１２０  金属配線（加熱部材、熱伝達手段）
１２６  挿入孔（連通孔、通路部）
１２７  ドリル
１２８  ヒータ（加熱手段）
１３０  金属パターン（熱伝導部材、熱伝達手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図４−４】
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【図５】
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【図６】
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【図７−１】
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【図７−２】
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【図８】
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【図９】
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