(57)【要約】【課題】  研磨パッドがウェハに対してオーバーハングしたときにウェハに偏荷重が作用するのを防止した研磨装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る研磨装置は、研磨パッド４０の上方に配設される電磁石３５から発生した磁界により、磁性を有するプレート部材６１の第１保持部６５が研磨パッド４０へ引き付けられるように上方へ移動することで、第１保持部６５に保持されたウェハ５０の被研磨面５１が研磨パッド４０の研磨面４１に当接するように構成される。【選択図】  図４
2006303274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨対象物を保持する対象物保持装置と、前記研磨対象物を研磨可能な研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、前記研磨部材を前記研磨対象物に対し上下方向に相対移動させて前記研磨部材の研磨面を前記研磨対象物の被研磨面に当接させるとともに、前記研磨面を前記被研磨面に当接させながら前記研磨部材を前記被研磨面内で相対移動させて前記研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、
前記対象物保持装置が、前記被研磨面の輪郭形状とほぼ同じ輪郭形状を有するとともに前記被研磨面と反対側の面に当接した状態で前記研磨対象物を保持するように構成された磁性を有する第１保持部と、前記第１保持部を上下移動可能に保持する第２保持部とを有し、
前記研磨ヘッドが、前記研磨部材における前記研磨面の反対側に位置して配設され、前記研磨部材から前記第１保持部に向けて前記研磨面の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状を有した磁界を発生させる磁界発生器を有し、
前記磁界発生器から発生した磁界により前記第１保持部が前記研磨部材へ引き付けられるように上下移動することで、前記第１保持部に保持された前記研磨対象物の前記被研磨面が前記研磨部材の前記研磨面に当接するように構成されることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記対象物保持装置が、円板状に形成された弾性を有するプレート部材と、前記プレート部材を略水平方向に保持するプレート保持部材とを有し、
前記プレート部材に複数のスリットが円を形成するように設けられて、前記プレート部材における前記複数のスリットに囲まれた領域に前記第１保持部が形成されるとともに、前記複数のスリットより外側の領域に前記プレート保持部材に固定保持される前記第２保持部が形成され、
前記第１保持部が前記プレート部材の弾性を利用して前記第２保持部に対し上下移動可能に構成されることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記プレート部材における前記研磨対象物が保持される側の面に前記複数のスリットの周囲を囲むように取り付けられ、前記研磨対象物の前記被研磨面に高さを合わせて形成されたガイド面を有するリテーナリングを備え、
前記プレート部材において前記リテーナリングの周囲を囲むように第２のスリットが複数設けられ、前記プレート部材の弾性を利用して、前記第１保持部と前記リテーナリングとが互いに独立して前記第２保持部に対し上下移動可能に構成されることを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】
研磨対象物を保持する対象物保持装置と、前記研磨対象物を研磨可能な研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、前記研磨部材を前記研磨対象物に対し上下方向に相対移動させて前記研磨部材の研磨面を前記研磨対象物の被研磨面に当接させるとともに、前記研磨面を前記被研磨面に当接させながら前記研磨部材を前記被研磨面内で相対移動させて前記研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、
前記研磨ヘッドが、前記研磨面の輪郭形状とほぼ同じ輪郭形状を有するとともに前記研磨面と反対側の面に当接した状態で前記研磨部材を保持するように構成された磁性を有する第１保持部と、前記第１保持部を上下移動可能に保持する第２保持部とを有し、
前記対象物保持装置が、前記研磨対象物における前記被研磨面の反対側に位置して配設され、前記研磨対象物から前記第１保持部に向けて前記被研磨面の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状を有した磁界を発生させる磁界発生器を有し、
前記磁界発生器から発生した磁界により前記第１保持部が前記研磨対象物へ引き付けられるように上下移動することで、前記第１保持部に保持された前記研磨部材の前記研磨面が前記研磨対象物の前記被研磨面に当接するように構成されることを特徴とする研磨装置。
【請求項５】
前記研磨ヘッドが、円板状に形成された弾性を有するプレート部材と、前記プレート部材を略水平方向に保持するプレート保持部材とを有し、
前記プレート部材に複数のスリットが円を形成するように設けられて、前記プレート部材における前記複数のスリットに囲まれた領域に前記第１保持部が形成されるとともに、前記複数のスリットより外側の領域に前記プレート保持部材に固定保持される前記第２保持部が形成され、
前記第１保持部が前記プレート部材の弾性を利用して前記第２保持部に対し上下移動可能に構成されることを特徴とする請求項４に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記研磨対象物の周囲を囲むように配設され、前記研磨対象物の前記被研磨面に高さを合わせて形成されたガイド面を有するリテーナリングを備えて構成されることを特徴とする請求項５に記載の研磨装置。
【請求項７】
前記磁界発生器が電磁石であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の研磨装置。
【請求項８】
前記研磨対象物は半導体ウェハであり、
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハなどの研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置に関する。さらに、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハなどの研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置として、ウェハをその被研磨面が露出する状態で保持するウェハ保持装置（対象物保持装置）と、このウェハ保持装置に保持されたウェハの被研磨面と対向する研磨パッドが貼り付けられた研磨部材とを備え、これら双方を回転させた状態で研磨パッドをウェハの被研磨面に押し付け、且つ研磨部材を両者の接触面内方向に揺動させてウェハを研磨する構成のものが知られている。また、このような機械的研磨に加え、研磨パッドとウェハとの接触面に研磨剤（研磨液）を供給して研磨剤の化学的作用により上記研磨を促進させる化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置も知られている。
【０００３】
この種の研磨装置として、例えば、ウェハよりも径が小さい研磨パッドを用いる研磨装置や、ウェハよりも径が大きい研磨パッドを用いる（コンベンショナルの）研磨装置が知られている。ウェハよりも径が小さい研磨パッドを用いる研磨装置では、例えば、ウェハチャックにウェハがその被研磨面を上方に向けて（フェイスアップ状態で）真空吸着され、ウェハチャックとともに回転駆動される。このウェハの上方にこれと対向して研磨ヘッドが配設されており、研磨ヘッドは、ウェハの被研磨面と接触する研磨パッドを貼り付けた研磨部材と、これを柔軟に支えるドライブプレートおよびゴムシート（ダイアフラム）と、これらに空気圧を加えるための圧力室を構成するための内部空間が形成されたヘッドハウジングとを有して構成される（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
ヘッドハウジングの下端外周においてドライブプレートおよびゴムシートの外周が接合され、ドライブプレートおよびゴムシートが内周部において研磨部材と結合されており、ヘッドハウジングの内部空間がこれらドライブプレートおよびゴムシートにより覆われて圧力室が形成されている。この結果、研磨部材はドライブプレートを介してヘッドハウジングに支持され、且つゴムシートを介して圧力室内の空気圧を均一に受ける。そして、ヘッドハウジングが回転駆動されるとドライブプレートを介して研磨部材に回転駆動力が伝達されて全体が回転されるようになっている。
【０００５】
このような構成の研磨装置を用いたウェハの研磨加工は、研磨パッドを回転させながらウェハチャックに回転保持されたウェハの被研磨面に当接させて行われ、このとき、研磨パッドは回転しながらウェハに対して水平方向へ往復運動をすることで、ウェハの全表面が均一に研磨加工される。
【特許文献１】特開２００３−２４３３３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ウェハよりも径が小さい研磨パッドを用いる研磨装置においては、研磨パッドを水平移動させてウェハの端部近傍を研磨するときに、研磨パッドがウェハに対してオーバーハングした（はみ出した）状態となる。このとき、上述のような従来の研磨装置では、研磨パッド（研磨部材）がウェハ（研磨対象物）に対してオーバーハングしたときに研磨パッドでモーメントが生じ、ウェハに偏荷重が作用して研磨圧力の分布に変化が生じやすいという問題があった。
【０００７】
これに対し、電磁力を用いてモーメントを解消する手段が考えられるが、装置が大型化するという問題がある。また、電空高速制御により研磨圧力をコントロールする手段も考えられるが、モーメントを完全に解消することができないという問題がある。さらに、リテーナリングを設けてウェハの仮想直径を大きくする方法もあるが、機構が複雑になりやすいという問題がある。
【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、研磨部材が研磨対象物に対してオーバーハングしたときに研磨対象物に偏荷重が作用するのを防止した研磨装置を提供することを目的とする。また、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的達成のため、本発明に係る研磨装置は、研磨対象物を保持する対象物保持装置と、研磨対象物を研磨可能な研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、研磨部材を研磨対象物に対し上下方向に相対移動させて研磨部材の研磨面を研磨対象物の被研磨面に当接させるとともに、研磨面を被研磨面に当接させながら研磨部材を被研磨面内で相対移動させて研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、対象物保持装置が、被研磨面の輪郭形状とほぼ同じ輪郭形状を有するとともに被研磨面と反対側の面に当接した状態で研磨対象物を保持するように構成された磁性を有する第１保持部と、第１保持部を上下移動可能に保持する第２保持部とを有し、研磨ヘッドが、研磨部材における研磨面の反対側に位置して配設され、研磨部材から第１保持部に向けて研磨面の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状を有した磁界を発生させる磁界発生器を有し、磁界発生器から発生した磁界により第１保持部が研磨部材へ引き付けられるように上下移動することで、第１保持部に保持された研磨対象物の被研磨面が研磨部材の研磨面に当接するように構成される。
【００１０】
また、本発明に係る研磨装置において、対象物保持装置が、円板状に形成された弾性を有するプレート部材と、プレート部材を略水平方向に保持するプレート保持部材とを有し、プレート部材に複数のスリットが円を形成するように設けられて、プレート部材における複数のスリットに囲まれた領域に第１保持部が形成されるとともに、複数のスリットより外側の領域にプレート保持部材に固定保持される第２保持部が形成され、第１保持部がプレート部材の弾性を利用して第２保持部に対し上下移動可能に構成されることが好ましい。
【００１１】
さらに、本発明に係る研磨装置において、プレート部材における研磨対象物が保持される側の面に複数のスリットの周囲を囲むように取り付けられ、研磨対象物の被研磨面に高さを合わせて形成されたガイド面を有するリテーナリングを備え、プレート部材においてリテーナリングの周囲を囲むように第２のスリットが複数設けられ、プレート部材の弾性を利用して、第１保持部とリテーナリングとが互いに独立して第２保持部に対し上下移動可能に構成されることが好ましい。
【００１２】
また、第２の本発明に係る研磨装置は、研磨対象物を保持する対象物保持装置と、研磨対象物を研磨可能な研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、研磨部材を研磨対象物に対し上下方向に相対移動させて研磨部材の研磨面を研磨対象物の被研磨面に当接させるとともに、研磨面を被研磨面に当接させながら研磨部材を被研磨面内で相対移動させて研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、研磨ヘッドが、研磨面の輪郭形状とほぼ同じ輪郭形状を有するとともに研磨面と反対側の面に当接した状態で研磨部材を保持するように構成された磁性を有する第１保持部と、第１保持部を上下移動可能に保持する第２保持部とを有し、対象物保持装置が、研磨対象物における被研磨面の反対側に位置して配設され、研磨対象物から第１保持部に向けて被研磨面の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状を有した磁界を発生させる磁界発生器を有し、磁界発生器から発生した磁界により第１保持部が研磨対象物へ引き付けられるように上下移動することで、第１保持部に保持された研磨部材の研磨面が研磨対象物の被研磨面に当接するように構成される。
【００１３】
また、第２の本発明に係る研磨装置において、研磨ヘッドが、円板状に形成された弾性を有するプレート部材と、プレート部材を略水平方向に保持するプレート保持部材とを有し、プレート部材に複数のスリットが円を形成するように設けられて、プレート部材における複数のスリットに囲まれた領域に第１保持部が形成されるとともに、複数のスリットより外側の領域にプレート保持部材に固定保持される第２保持部が形成され、第１保持部がプレート部材の弾性を利用して第２保持部に対し上下移動可能に構成されることが好ましい。
【００１４】
さらに、第２の本発明に係る研磨装置において、前記研磨対象物の周囲を囲むように配設され、前記研磨対象物の前記被研磨面に高さを合わせて形成されたガイド面を有するリテーナリングを備えて構成されることが好ましい。
【００１５】
なお、上述の各研磨装置において、磁界発生器が電磁石であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明に係る半導体デバイス製造方法は、研磨対象物は半導体ウェハであり、本発明に係る研磨装置を用いて半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。
【００１７】
さらに、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係る半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、研磨部材が研磨対象物に対してオーバーハングしたときに研磨対象物に偏荷重が作用するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る研磨装置の代表例である第１実施形態に係るＣＭＰ装置（化学的機械的研磨装置）を図１に示している。第１実施形態のＣＭＰ装置１は、研磨対象物たるウェハ５０をその上面側に着脱自在に保持可能なウェハ保持装置（対象物保持装置）６０と、このウェハ保持装置６０の上方位置に設けられ、ウェハ保持装置６０上に保持されたウェハ５０の被研磨面５１と対向する研磨パッド（研磨部材）４０を有した研磨ヘッド３０とを備えて構成されている。このＣＭＰ装置１では、研磨パッド４０の寸法（直径）はウェハ５０の寸法（直径）よりも小さく（すなわち研磨パッド４０はウェハ５０よりも小径であり）、研磨パッド４０をウェハ５０に接触させた状態で双方を相対移動させることにより、ウェハ５０の被研磨面５１（上面）全体を研磨できるようになっている。
【００２０】
これらウェハ保持装置６０と研磨ヘッド３０とを支持する支持フレーム２０は、水平な基台２１と、この基台２１上にＹ方向（図１を参照）に延びて設けられたレール（図示せず）上をＹ方向に移動自在に設けられた第１ステージ２２と、この第１ステージ２２から垂直（Ｚ方向）に延びるように設けられた垂直フレーム２３と、この垂直フレーム２３上をＺ方向（上下方向）に移動自在に設けられた第２ステージ２４と、この第２ステージ２４上から水平（Ｘ方向）に延びるように設けられた水平フレーム２５と、この水平フレーム２５上をＸ方向に移動自在に設けられた第３ステージ２６とを有して構成されている。
【００２１】
第１ステージ２２内には第１電動モータＭ１が設けられており、これを回転駆動することにより第１ステージ２２を上記レールに沿ってＹ方向に移動させることができる。第２ステージ２４内には第２電動モータＭ２が設けられており、これを回転駆動することにより第２ステージ２４を垂直フレーム２３に沿ってＺ方向に移動させることができる。また、第３ステージ２６内には第３電動モータＭ３が設けられており、これを回転駆動することにより第３ステージ２６を水平フレーム２５に沿ってＸ方向に移動させることができる。このため、上記電動モータＭ１〜Ｍ３の回転動作を組み合わせることにより、第３ステージ２６をウェハ保持装置６０上方の任意の位置に移動させることが可能である。
【００２２】
基台２１上に設けられたテーブル支持部２７には、回転軸２８がテーブル支持部２７から垂直上方に延びて設けられており、この回転軸２８の上端部にウェハ保持装置６０が水平に取り付けられている。回転軸２８は、テーブル支持部２７内に設けられた第４電動モータＭ４を回転駆動させることで回転するようになっており、これによりウェハ保持装置６０をＸＹ面（水平面）内で回転させることができる。
【００２３】
第３ステージ２６には、スピンドル２９が第３ステージ２６から垂直下方に延びて設けられており、このスピンドル２９の下端部に研磨ヘッド３０が水平に取り付けられている。スピンドル２９は、第３ステージ２６内に設けられた第５電動モータＭ５を回転駆動させることで回転するようになっており、これにより研磨ヘッド３０全体を回転させて研磨パッド４０をＸＹ面（水平面）内で回転させることができる。
【００２４】
さて、ウェハ保持装置６０は、図２および図３に示すように、ウェハ５０を保持するプレート部材６１と、プレート部材６１の上面側に取り付けられたリテーナリング８０と、プレート部材６１を略水平方向に保持するプレート保持部材９０とを主体に構成される。プレート部材６１は、図５に示すように、鉄やニッケル等の強磁性体（磁性体とも称する）を用いて、弾性を有する薄い円板状に形成される。また、強磁性体は一般に腐食し易いため、プレート部材６１の表面にはフッ素樹脂コート等の表面処理が施される。
【００２５】
プレート部材６１の上面には、シリコンゴムシート等の耐薬品性に優れる摩擦係数が高い樹脂シートを用いてプレート部材６１とほぼ同形状に形成されたダイヤフラム７０が貼り付けられており、プレート部材６１およびダイヤフラム７０の外縁部が、プレート部材６１が略水平となるようにそれぞれプレート保持部材９０に固定される。また、プレート部材６１には、複数の第１スリット６２が二重の円を形成するようにそれぞれ配設されており、これら複数の第１スリット６２に囲まれた領域に略円形の第１保持部６５が形成される。
【００２６】
この第１保持部６５は、ウェハ５０の被研磨面５１の輪郭形状とほぼ同じ輪郭形状を有しており、ダイヤフラム７０を介して被研磨面５１と反対側の面に当接した状態でウェハ５０を保持するようになっている。第１保持部６５には、図４に示すように、ウェハ５０を吸着するための吸着パイプ７１が第１保持部６５を貫通するように取り付けられている。吸着パイプ７１は、一端が図示しない真空ポンプに繋がるとともに、他端がダイヤフラム７０の上面（ウェハ５０を保持する面）と同じ面内で上方に向けて開口するように構成されており、負圧を利用してウェハ５０を真空吸着することができるようになっている。
【００２７】
図５に示すように、プレート部材６１における第１スリット６２の周囲には、リテーナリング８０の輪郭形状とほぼ同じ輪郭形状を有するリング状のリテーナ保持部６７が第１スリット６２（および第１保持部６５）を囲むように形成され、図２〜図４に示すように、リテーナ保持部６７の上面（すなわち、ウェハ５０が保持される側の面）にダイヤフラム７０を介してリテーナリング８０が取り付けられる。さらに、リテーナ保持部６７の周囲には、図５に示すように、複数の第２スリット６３が二重の円を形成するようにそれぞれ配設されており、第２スリット６３と第１スリット６２との間にリテーナ保持部６７が形成されるとともに、第２スリット６３より外側の領域にプレート保持部材９０に固定保持されるリング状の第２保持部６６が形成される。
【００２８】
第１スリット６２および第２スリット６３のスリットパターンは、プレート部材６１の弾性変形を利用して、第１保持部６５とリテーナリングが取り付けられたリテーナ保持部６７とが互いに独立して第２保持部６６に対し上下移動可能となるスリットパターンが好ましい。これにより、第１保持部６５およびリテーナ保持部６７が、プレート保持部材９０に固定された第２保持部６６に上下移動可能に保持されることになる。また、第１保持部６５およびリテーナ保持部６７が上下移動し易いように、プレート部材６１の弾性定数は小さい方が良い。
【００２９】
リテーナリング８０は、図２および図３に示すように、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）やベスペル等の樹脂材料を用いて、第１保持部６５の周囲を囲むリング状に形成され、ボルト等の締結部材を用いてリテーナ保持部６７の上面側に取り付けられる。リテーナリング８０の上面には、ウェハ５０の被研磨面５１（上面）に高さを合わせてガイド面８１が形成されており、このガイド面８１に研磨パッド４０の研磨面４１が接触可能に構成されている。これにより、リテーナリング８０が研磨パッド４０のウェハ５０からのはみ出し部分を支持し、さらには、ウェハ５０の水平方向への移動を規制できるようになっている。
【００３０】
また、図４に示すように、ウェハ５０が第１保持部６５の上面側に保持された状態では、ウェハ５０の外周部とリテーナリング８０の内周部との間に略リング状の間隙部が形成され、プレート部材６１に取り付けられたウォーターシールパイプ７２からこの間隙部に水が供給されて、間隙部が水（ウォーターシール）で満たされるようになっている。これにより、ウェハ５０とプレート部材６１（ダイヤフラム７０）との間にスラリー等の異物が侵入するのを防止することができる。また、ウェハ５０とリテーナリング８０との間隙部に供給された水は、リテーナリング８０に形成された排出穴８２から回転遠心力を利用して外部に排出される。なお、このようなウォーターシールパイプ７２をプレート部材６１に設けなくてもよい。
【００３１】
プレート保持部材９０は、図１に示すような略円筒状に形成され、ネジ等の固定手段により回転軸２８の上端部に水平に取り付けられる。プレート保持部材９０の内側上部には、図２および図３に示すように、プレート部材６１およびダイヤフラム７０の外縁部が固定され、これにより、プレート保持部材９０がプレート部材６１およびダイヤフラム７０を略水平方向に保持するとともに、回転軸２８を中心軸としてプレート部材６１およびダイヤフラム７０とともに回転自在となる。
【００３２】
図６に示すように、プレート保持部材９０には、上下移動可能な押し出し棒９１が内蔵されており、押し出し棒９１を上方に移動させることで、プレート部材６１およびダイヤフラム７０を突き上げて上方に湾曲（弾性変形）させることができるようになっている。これにより、ウェハ５０の外縁部近傍とダイヤフラム７０との間に、ウェハ搬送装置９５のクランプ爪９６を挿入可能な隙間が形成され、ウェハ搬送装置９５によるウェハ５０の供給および排出が可能になる。
【００３３】
研磨ヘッド３０は、図４に示すように、スピンドル２９の下端部に取り付けられたヘッドハウジング３１と、ヘッドハウジング３１の下面側に取り付けられた研磨パッド４０とを備えて構成される。ヘッドハウジング３１は、図１および図４に示すような有底円筒状に形成され、ネジ等の固定手段によりスピンドル２９の下端部に水平に取り付けられる。
【００３４】
研磨パッド４０は、下面側に研磨面４１を有する円盤状に形成され、研磨面４１がウェハ保持装置６０に保持されたウェハ５０の被研磨面５１と対向するように、両面テープ等を用いてヘッドハウジング３１の下面側に取り付けられる。これにより、スピンドル２９を回転軸として、研磨ヘッド３０が研磨パッド４０を保持した状態で回転自在となる。なお、両面テープに限らず、接着剤を用いて研磨パッド４０をヘッドハウジング３１の下面側に取り付けるようにしてもよく、図示しない真空ラインを用いて研磨パッド４０を真空吸着するようにしてもよい。
【００３５】
さて、ヘッドハウジング３１の内部には、電磁石（磁界発生器）３５が取り付けられている。電磁石３５は、銅線等を円筒状に巻いたコイル３６と、コイル３６が巻き付けられた鉄芯３７とを有して構成され、鉄芯３７が上下方向を向くようにして、研磨パッド４０の上方、すなわち研磨パッド４０の研磨面４１の反対側に位置するヘッドハウジング３１の内部に取り付けられる。そして、電磁石３５は、研磨パッド４０から鉛直下方、すなわちウェハ５０を保持するプレート部材６１の第１保持部６５の方に向けて、研磨面４１の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状（円形状）を有した磁界Ｈ（図７を参照）を発生させるようになっている。なお、鉄芯３７の径は、研磨パッド４０の径とほぼ同じ径（若干大きい径）となっている。
【００３６】
このような構成のＣＭＰ装置１を用いてウェハ５０の研磨を行うには、まず、図６に示すように、押し出し棒９１を上方に移動させてプレート部材６１およびダイヤフラム７０上方に湾曲（弾性変形）させた状態で、ウェハ搬送装置９５を用いてプレート部材６１の上面側にウェハ５０を供給する（このときウェハ５０の中心はプレート部材６１の回転中心に一致させる）。次に、押し出し棒９１を下方に移動させてプレート部材６１およびダイヤフラム７０を元の形状に戻すとともに、吸着パイプ７１内を真空状態にしてウェハ５０をプレート部材６１における第１保持部６５の上面側に真空吸着させる。
【００３７】
このとき、第１保持部６５上面のダイヤフラム７０がウェハ５０における被研磨面５１と反対側の面（ウェハ５０の裏面）に当接し、この状態でウェハ５０が第１保持部６５に保持される。これにより、ウェハ５０の裏面側（被研磨面５１と反対側の面）にゴミ等の異物が侵入しても、樹脂製のダイヤフラム７０が弾性変形するため、異物が侵入した部分が過剰に研磨されることが防止される。
【００３８】
続いて、電動モータＭ４により回転軸２８を駆動してウェハ保持装置６０（プレート部材６１）およびウェハ５０を回転させる。次に、電動モータＭ１〜Ｍ３を駆動して第３移動ステージ２６をウェハ５０の上方に位置させ、電動モータＭ５によりスピンドル２９を駆動して研磨ヘッド３０および研磨パッド４０を回転させる。
【００３９】
続いて、電磁石３５のコイル３６に所定の電流を流し、研磨パッド４０から鉛直下方に向けて磁界を発生させる。このとき、図３に示すように、プレート部材６１の第２保持部６６と同じ高さ、あるいは自重により第２保持部６６より僅かに低い高さに位置していた第１保持部６５およびリテーナ保持部６７が、電磁石３５から発生した磁界により研磨パッド４０へ引き付けられるように上方へ移動し、図２に示すように、第１保持部６５に保持されたウェハ５０の被研磨面５１および、リテーナ保持部６７に取り付けられたリテーナリング８０のガイド面８１が研磨パッド４０の研磨面４１に当接する。
【００４０】
そして、ウェハ５０の被研磨面５１（およびリテーナリング８０のガイド面８１）が研磨パッド４０の研磨面４１に当接した状態で、電動モータＭ１，Ｍ２を駆動して研磨ヘッド３０をＸＹ方向（ウェハ５０と研磨パッド４０との接触面の面内方向）に揺動させる。このとき同時に、図示しない研磨剤供給装置より研磨剤を圧送し、研磨パッド４０の下面側（研磨面側）に研磨剤を供給させる。これにより、ウェハ５０の被研磨面５１は、研磨剤の供給を受けつつウェハ５０自身の回転運動と研磨ヘッド３０の（すなわち研磨パッド４０の）回転及び揺動運動とにより研磨される。
【００４１】
このとき、図７に示すように、電磁石３５が、研磨パッド４０から鉛直下方（第１保持部６５の方）に向けて、研磨パッド４０の研磨面４１の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状（円形状）を有した磁界Ｈを発生させるため、研磨パッド４０がウェハ５０に対してオーバーハングした（はみ出した）ときには、磁性を有する第１保持部６５およびリテーナ保持部６７において磁界Ｈと重なる部分（図７における斜線部分）で磁力による引き付け力が作用する。
【００４２】
これにより、研磨ヘッド３０の（すなわち研磨パッド４０の）揺動運動に応じて、磁界Ｈと第１保持部６５およびリテーナ保持部６７とが重なる部分の面積が変化し、この面積の変化に応じて第１保持部６５およびリテーナ保持部６７に作用する引き付け力が変化するため、研磨パッド４０がウェハ５０に対してオーバーハングしたとしても、ウェハ５０（およびリテーナリング８０）に対する研磨圧力はほぼ一定となる。さらに、第１保持部６５およびリテーナ保持部６７において磁界Ｈと重なる部分、すなわち、ウェハ５０およびリテーナリング８０において研磨パッド４０の研磨面４１と当接する部分にのみ引き付け力が作用するため、研磨パッド４０がウェハ５０に対してオーバーハングしたときに研磨パッド４０でモーメントが生じることはなく、ウェハ５０に偏荷重が作用することは皆無となる。
【００４３】
この結果、第１実施形態のＣＭＰ装置１によれば、研磨パッド４０がウェハ５０に対してオーバーハングしたときにウェハ５０に偏荷重が作用するのを防止することができる。そのため、いわゆるディッシングやエッジプロファイルが大幅に抑えられ、ダイヤフラム７０によりゴミ転写等によるブルーアイの発生も抑えられた、より高い均一性および平坦性を有するウェハを得ることができる。
【００４４】
また、第１保持部６５が研磨パッド４０へ引き付けられるように上方へ移動することで、第１保持部６５に保持されたウェハ５０の被研磨面５１が研磨パッド４０の研磨面４１に当接するため、ウェハ５０に作用する研磨荷重は、第１保持部６５で生じる研磨パッド４０（電磁石３５）への引き付け力から、ウェハ５０および第１保持部６５等の自重と、プレート部材６１の弾性力（復元力）とを差し引いた値となる。そのため、研磨ヘッド３０の自重に左右されることなく、研磨ヘッド３０の自重より低い研磨荷重（研磨圧力）をウェハ５０に作用させることができ、極めて低い研磨圧力でウェハ５０を研磨することが可能になる。
【００４５】
さらに、研磨パッド４０およびウェハ５０でモーメントが生じないため、ウェハ裏面のゴミ対策として例えばエアーバックのような弾性支持チャックを用いた場合でも、研磨パッド４０がウェハ５０に対してオーバーハングしたときにウェハ５０が外部へ飛び出してしまうことを防止することができる。
【００４６】
また、磁性体を用いて円板状に形成されたプレート部材６１を用いてウェハ保持装置６０が構成され、ウェハ５０を保持するプレート部材６１の第１保持部６５が、プレート部材６１の弾性を利用して、プレート保持部材９０に固定保持された第２保持部６６に対し上下移動するように構成されることで、装置の構造を単純にすることができる。
【００４７】
さらに、プレート部材６１において、内側に第１保持部６５を形成する第１スリット６２の周囲を囲むようにリテーナリング８０が配設されることで、ウェハ５０の仮想直径を拡大してウェハ５０のエッジ部（外周部）への応力集中を緩和し、いわゆるエッジイクスクルージョン（ウェハ５０のエッジ部において均一性等の評価対象外となる領域）を小さくすることが期待できる。また、ウェハ５０が第１保持部６５から水平方向に飛び出すのを防止する効果も有する。さらに、リテーナリング８０およびリテーナ保持部６７が第１保持部６５から独立して第２保持部６６に対し上下移動可能に構成されるため、リテーナリング８０が摩耗しても、リテーナリング８０のガイド面８１をウェハ５０の被研磨面５１に当接させることが可能になる。
【００４８】
また、磁界発生器として電磁石３５を用いることにより、電磁石３５に流れる電流もしくは電圧を変えることで磁界の強さ等を制御することができるため、必要なときには、研磨圧力を研磨ヘッド３０の位置に応じて高速に制御することができる。
【００４９】
なお、研磨中においては、吸着パイプ７１内を大気開放状態にしてもよい。これにより、ウェハ５０に対して第１保持部６５からの引き付け力（および研磨パッド４０からの反力）のみを作用させることが可能となり、ウェハ５０に対する研磨圧力がより安定する。なおこのとき、ウェハ５０は、摩擦係数の大きいダイヤフラム７０との間で生じる摩擦力を利用して、第１保持部６５に保持されることになる。
【００５０】
そして、研磨が終了すると、吸着パイプ７１内にＣＤＡ（Clean Dry Air）もしくは純水を供給し、図６に示すように、押し出し棒９１を上方に移動させてプレート部材６１およびダイヤフラム７０上方に湾曲（弾性変形）させ、ウェハ搬送装置９５を用いてＣＭＰ装置１からウェハ５０を排出する。
【００５１】
また、上述の実施形態において、図１に示すように、研磨パッド４０の下方においてウェハ保持装置６０によりウェハ５０が保持される研磨装置について説明したが、これに限られるものではなく、本発明は、研磨パッドの上方においてウェハ保持装置によりウェハが保持される構成の研磨装置にも用いることができる。
【００５２】
さらに、上述の実施形態において、研磨パッド４０が研磨ヘッド３０のヘッドハウジング３１に取り付け固定されているが、これに限られるものではなく、例えば、チルト機構を設けて研磨パッド４０を揺動可能にしてもよい。
【００５３】
また、上述の実施形態において、磁界発生器として電磁石３５を用いているが、これに限られるものではなく、永久磁石を用いるようにしてもよい。
【００５４】
さらに、上述の実施形態において、リテーナリング８０が樹脂材料を用いて形成されているが、これに限られるものではなく、鉄やニッケル等の強磁性体を材料として用いるようにしてもよい。さらに、樹脂製のリテーナリング８０の内部に、永久磁石や強磁性体を内蔵するようにしてもよい。
【００５５】
また、上述の実施形態において、プレート部材６１が鉄やニッケル等の強磁性体を用いて形成されているが、これに限られるものではない。例えば、プレート部材６１が樹脂等の磁性を有さない材料や磁性が極めて弱い金属等の材料を用いて形成される場合には、図４の二点鎖線で示すように、第１保持部６５とほぼ同じ輪郭形状を有して円盤状に形成された永久磁石や磁性体等の磁性ブロック７５を第１保持部６５の下面に取り付けるようにしても良い。
【００５６】
さらに、上述の実施形態において、例えば、プレート部材６１の下面に冷却効果を有するペルチェ素子を取り付けたり、プレート部材６１より下側の空間に温度調節された流体（空気や水等）を流したりすることにより、プレート部材６１の温度を一定に保つようにしてもよい。このようにすれば、ウェハ５０の温度もほぼ一定に保たれるため、研磨熱による研磨レートの変動を抑えることができる。
【００５７】
また、上述の実施形態において、研磨パッド４０の直径はウェハ５０の直径よりも小さくなっているが、これに限られるものではなく、図８に示すように、研磨パッド１４０（研磨面１４１）の直径がウェハ５０（被研磨面５１）の直径よりも大きくなるように構成されてもよい。なおこのとき、研磨ヘッド１３０および電磁石１３５は、研磨パッド１４０に合わせて大きくなる。
【００５８】
さらに、上述の実施形態において、リテーナリング８０がプレート部材６１における第１スリット６２の周囲を囲むように設けられているが、これに限られるものではなく、このようなリテーナリングを設けなくてもよい。なおこのとき、図８に示すように、プレート部材１６１には、円を形成するように配設される複数のスリット１６２に囲まれた領域にウェハ５０を保持する第１保持部１６５が形成されるとともに、第１スリット１６２より外側の領域にプレート保持部材９０に固定保持される第２保持部１６６が形成され、第１保持部１６５がプレート部材１６１の弾性を利用して第２保持部１６６に対し上下移動可能に構成される。
【００５９】
また、上述の実施形態において、ウェハ保持装置６０が磁性を有するプレート部材６１を用いてウェハ５０を保持するように構成されているが、これに限られるものではなく、磁性流体を用いてウェハ５０を保持するように構成されてもよい。例えば、図９に示すように、ポリプロピレン等を用いて形成した袋部材２６２に磁性流体２６３を充填した磁性流体バッグ２６１を図１における回転軸２８に連結されたバッグ保持部材２９０の内部に配設するとともに、この磁性流体バッグ２６１の上面に樹脂製のダイヤフラム２７０を略水平となるように取り付けて、ダイヤフラム２７０の上面でウェハ５０を保持するようにしてもよい。このようにすれば、ウェハ５０が変形自在な磁性流体２６３に支持されるため、上述の実施形態と同様の効果を得ることができるのに加え、ウェハ５０に対する研磨圧力の分布をより均一にすることができる。
【００６０】
なお、ダイヤフラム２７０は、シリコンゴムシート等の耐薬品性に優れる摩擦係数が高い樹脂シートを用いて円板状に形成されることが好ましい。また、ダイヤフラム２７０の上面に、リテーナリング２８０をウェハ５０の周囲を囲むように取り付けるようにしてもよく、これにより、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、磁性流体バッグ２６１を温度調節器２９５と接続して、磁性流体２６３（磁性流体バッグ２６１）を一定の温度に保つようにしてもよい。このようにすれば、ウェハ５０の温度もほぼ一定に保たれるため、研磨熱による研磨レートの変動を抑えることができる。
【００６１】
さらに、上述の実施形態において、電磁石３５より発生した磁界により、ウェハ５０を保持する第１保持部６５が研磨パッド４０へ引き付けられるように上方へ移動することで、ウェハ５０の被研磨面５１が研磨パッド４０の研磨面４１に当接するように構成されているが、これに限られるものではなく、電磁石より発生した磁界により、研磨パッドがウェハへ引き付けられるように上下移動することで、研磨パッドの研磨面がウェハの被研磨面に当接するように構成されてもよい。そこで、ＣＭＰ装置の第２実施形態について図１０を参照しながら説明する。
【００６２】
第２実施形態のＣＭＰ装置３０１は、第１実施形態のＣＭＰ装置１と同様に、ウェハ３５０をその上面側に着脱自在に保持可能なウェハ保持装置（対象物保持装置）３６０と、ウェハ３５０の被研磨面３５１と対向する研磨パッド（研磨部材）３４０を有した研磨ヘッド３３０とを備えて構成される。なお、第２実施形態のＣＭＰ装置３０１では、第１実施形態のＣＭＰ装置１と同様に、研磨パッド３４０の寸法（直径）がウェハ３５０の寸法（直径）よりも小さくなっており、他の装置構成も第１実施形態のＣＭＰ装置１と同様であるため詳細な説明は省略する。
【００６３】
研磨ヘッド３３０は、研磨パッド３４０と、研磨パッド３４０を保持するプレート部材３３１と、プレート部材３３１を略水平方向に保持するヘッドハウジング３４５とを主体に構成される。研磨パッド３４０は、第１実施形態の研磨パッド４０と同様に、下面側に研磨面３４１を有する円盤状に形成され、研磨面３４１がウェハ保持装置３６０に保持されたウェハ３５０の被研磨面３５１と対向するように、両面テープ等を用いてプレート部材３３１の下面側（ダイヤフラム３３９の下面）に取り付けられる。
【００６４】
プレート部材３３１は、第１実施形態のプレート部材６１と同様に、強磁性体（磁性体とも称する）を用いて弾性を有する薄い円板状に形成され、表面にフッ素樹脂コート等の表面処理が施される。プレート部材３３１の下面には、第１実施形態と同様に形成されたダイヤフラム３３９が貼り付けられており、プレート部材３３１およびダイヤフラム３３９の外縁部が、プレート部材３３１が略水平となるようにそれぞれヘッドハウジング３４５に固定される。また、プレート部材３３１には、第１実施形態の第１スリット６２と同様に、複数のスリット３３２が二重の円を形成するようにそれぞれ配設され、これら複数のスリット３３２に囲まれた領域に略円形の第１保持部３３５が形成される。
【００６５】
この第１保持部３３５は、研磨パッド３４０の研磨面３４１の輪郭形状とほぼ同じ輪郭形状を有しており、ダイヤフラム３３９を介して研磨面３４１と反対側の面に当接した状態で研磨パッド３４０を保持するようになっている。一方、プレート部材３３１におけるスリット３３２より外側の領域には、ヘッドハウジング３４５に固定保持されるリング状の第２保持部３３６が形成され、第１保持部３３５がヘッドハウジング３４５に固定された第２保持部３３６に上下移動可能に保持されるようになっている。
【００６６】
ヘッドハウジング３４５は、下側が開口した略円筒状に形成され、ネジ等の固定手段により図１におけるスピンドル２９の下端部に水平に取り付けられる。ヘッドハウジング３４５の内側下部には、プレート部材３３１およびダイヤフラム３３９の外縁部が固定され、これにより、ヘッドハウジング３４５がプレート部材３３１、ダイヤフラム３３９、および研磨パッド３４０を略水平方向に保持するとともに、スピンドル２９を中心軸としてプレート部材３３１や研磨パッド３４０とともに回転自在となる。
【００６７】
ウェハ保持装置３６０は、図１における回転軸２８の上端部に取り付けられたベース部材３６１と、ベース部材３６１の上部に取り付けられてウェハ３５０を保持するウェハ保持部材３６２と、ベース部材３６１に内蔵された電磁石（磁界発生器）３６５とを備えて構成される。ベース部材３６１は、ウェハ３５０より径の大きい円筒状に形成され、ネジ等の固定手段により回転軸２８の上端部に水平に取り付けられる。
【００６８】
ウェハ保持部材３６２は、ベース部材３６１と同じ径を有した円盤状に形成され、ネジ等の固定手段によりベース部材３６１の上部に取り付けられる。ウェハ保持部材３６２の上面には、図示しない吸着穴が複数形成されており、この吸着穴に負圧を作用させることにより、ウェハ３５０をウェハ保持部材３６２の上面に真空吸着させることができるようになっている。
【００６９】
電磁石３６５は、第１実施形態の電磁石３５と同様の構成であり、ウェハ保持部材３６２の下方、すなわち、ウェハ保持部材３６２に保持されたウェハ３５０の被研磨面３５１の反対側に位置するベース部材３６１の内部に取り付けられる。そして、電磁石３６５は、ウェハ３５０から鉛直上方、すなわち、研磨パッド３４０を保持するプレート部材３３１の第１保持部３３５の方に向けて、被研磨面３５１の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状（円形状）を有した磁界を発生させるようになっている。
【００７０】
このような第２実施形態のＣＭＰ装置３０１を用いても、第１実施形態のＣＭＰ装置１と同様にしてウェハ３５０の研磨を行うことができる。具体的には、まず、ウェハ３５０をウェハ保持部材３６２の上面に真空吸着させる。次に、研磨ヘッド３３０をウェハ３５０の上方に移動させ、ウェハ保持装置３６０およびウェハ３５０を回転させるとともに、研磨ヘッド３３０および研磨パッド３４０を回転させる。
【００７１】
続いて、電磁石３６５のコイルに所定の電流を流し、ウェハ３５０から鉛直上方に向けて磁界を発生させる。このとき、プレート部材３３１の第２保持部３３６と同じ高さ、あるいは自重により第２保持部３３６より僅かに低い高さに位置していた第１保持部３３５が、電磁石３６５から発生した磁界によりウェハ３５０へ引き付けられるように下方へ移動し、第１保持部３３５に保持された研磨パッド３４０の研磨面３４１がウェハ３５０の被研磨面３５１に当接する。そして、第１実施形態のＣＭＰ装置１と同様の研磨が行われる。
【００７２】
このとき、電磁石３６５が、ウェハ３５０から鉛直上方（第１保持部３３５の方）に向けて、ウェハ３５０の被研磨面３５１の輪郭形状とほぼ同じ断面輪郭形状（円形状）を有した磁界を発生させるため、研磨パッド３４０がウェハ３５０に対してオーバーハングした（はみ出した）ときには、磁性を有する第１保持部３３５において磁界と重なる部分で磁力による引き付け力が作用する。これにより、第１実施形態の場合と同様の理由で、研磨パッド３４０がウェハ３５０に対してオーバーハングしたとしても、ウェハ３５０に対する研磨圧力はほぼ一定となる。また、研磨パッド３４０がウェハ３５０に対してオーバーハングしたときに研磨パッド３４０でモーメントが生じることはなく、ウェハ３５０に偏荷重が作用することは皆無となる。
【００７３】
この結果、第２実施形態のＣＭＰ装置３０１によれば、第１実施形態のＣＭＰ装置１と同様の効果を得ることができる。なお、図１０に示すように、ウェハ３５０の被研磨面３５１に高さを合わせて形成されたガイド面３８１を有するリテーナリング３８０を、ウェハ３５０の周囲を囲むように配設するようにしてもよい。これにより、第１実施形態のＣＭＰ装置１と同様に、エッジイクスクルージョンを小さくすることが期待できる。
【００７４】
続いて、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施例について説明する。図１１は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。半導体製造プロセスをスタートすると、まずステップＳ２００で次に挙げるステップＳ２０１〜Ｓ２０４の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。
【００７５】
ここで、ステップＳ２０１はウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップＳ２０２はＣＶＤ等によりウェハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成するＣＶＤ工程である。ステップＳ２０３はウェハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。ステップＳ２０４はウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
【００７６】
ＣＶＤ工程（Ｓ２０２）もしくは電極形成工程（Ｓ２０３）の後で、ステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５はＣＭＰ工程である。ＣＭＰ工程では本発明による研磨装置により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨等が行われ、ダマシン（damascene）プロセスが適用されることもある。
【００７７】
ＣＭＰ工程（Ｓ２０５）もしくは酸化工程（Ｓ２０１）の後でステップＳ２０６に進む。ステップＳ２０６はフォトリソグラフィ工程である。この工程ではウェハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したウェハの現像が行われる。さらに、次のステップＳ２０７は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
【００７８】
次に、ステップＳ２０８で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップＳ２００に戻り、先のステップを繰り返してウェハ上に回路パターンが形成される。ステップＳ２０８で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【００７９】
本発明による半導体デバイス製造方法では、ＣＭＰ工程において本発明にかかる研磨装置を用いているため、より高い均一性および平坦性を有するウェハを得ることができ、ウェハの加工精度および歩留まりが向上する。これにより、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することができるという効果がある。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのＣＭＰ工程に本発明による研磨装置を用いても良い。また、本発明による半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイスは、歩留まりが高く低コストの半導体デバイスとなる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明に係る研磨装置の一例であるＣＭＰ装置の第１実施形態を示す正面図である。
【図２】ウェハが研磨パッドに当接した状態を示す正断面図である。
【図３】ウェハが研磨パッドから離れた状態を示す正断面図である。
【図４】ウェハが研磨パッドに当接した状態を示す断面拡大図である。
【図５】プレート部材を模式的に示す平面図である。
【図６】ＣＭＰ装置にウェハが供給もしくはは排出される状態を示す正断面図である。
【図７】ウェハおよびリテーナリングを模式的に示す平面図である。
【図８】ＣＭＰ装置の変形例を示す正断面図である。
【図９】ＣＭＰ装置の第２の変形例を示す正断面図である。
【図１０】ＣＭＰ装置の第２実施形態を示す正断面図である。
【図１１】本発明に係る半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８１】
１  ＣＭＰ装置（研磨装置）
３０  研磨ヘッド                      ３５  電磁石
４０  研磨パッド（研磨部材）          ４１  研磨面
５０  ウェハ（研磨対象物）            ５１  被研磨面
６０  ウェハ保持装置（対象物保持装置）
６１  プレート部材
６２  第１スリット（スリット）        ６３  第２スリット（第２のスリット）
６５  第１保持部                      ６６  第２保持部
８０  リテーナリング                  ８１  ガイド面
９０  プレート保持部材
１３０  研磨ヘッド（変形例）          １３５  電磁石（変形例）
１４０  研磨パッド（変形例）          １４１  研磨面（変形例）
１６１  プレート部材（変形例）        １６２  スリット（変形例）
１６５  第１保持部（変形例）          １６６  第２保持部（変形例）
２６１  磁性流体バッグ
２６２  袋部材                        ２６３  磁性流体
２８０  リテーナリング（変形例）
３０１  ＣＭＰ装置（研磨装置の第２実施形態）
３３０  研磨ヘッド
３３１  プレート部材                  ３３２  スリット
３３５  第１保持部                    ３３６  第２保持部
３４０  研磨パッド（研磨部材）        ３４１  研磨面
３４５  ヘッドハウジング（プレート保持部材）
３５０  ウェハ（研磨対象物）          ３５１  被研磨面
３６０  ウェハ保持装置（対象物保持装置）
３６５  電磁石
３８０  リテーナリング                ３８１  ガイド面
Ｈ  磁界
【図１】
2006303274.tif 000003
【図２】
2006303274.tif 000004
【図３】
2006303274.tif 000005
【図４】
2006303274.tif 000006
【図５】
2006303274.tif 000007
【図６】
2006303274.tif 000008
【図７】
2006303274.tif 000009
【図８】
2006303274.tif 000010
【図９】
2006303274.tif 000011
【図１０】
2006303274.tif 000012
【図１１】
2006303274.tif 000013