(57)【要約】  【課題】信号線間のショートを少なくできるアレイ基板を提供する。  【解決手段】走査線11の信号線12間に位置する両辺13,14に内角１８０度以下の鋭角部16を有する屈曲部15を形成する。鋭角部16の角部の端面が逆テーパ状になる。層間絶縁膜の走査線11上に位置する部分が他の部分より厚くなる。走査線11の幅方向の両側に沿って層間絶縁膜に形成される段差部の一部に内角１８０度以下の部分ができる。層間絶縁膜上に半導体膜Ａを成膜してからパターニングして信号線12を作成する際に、層間絶縁膜の段差部に導電性膜Ａが残り難くなる。  【選択図】図１
2006317639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
この基板上に設けられ導電性膜にて構成された第１の配線と、
この第１の配線を覆う前記基板上に設けられた絶縁層と、
前記第１の配線に交差して前記絶縁層上にそれぞれが離間されて設けられ導電性膜にて構成された複数の第２の配線とを具備し、
前記複数の第２の配線間に位置する前記第１の配線の両辺の少なくとも一部には、内角１８０度以下の変形部が設けられている
ことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
変形部は、内角が１８０度以下に屈曲した屈曲部である
ことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
変形部は、内角が１８０度以下の円弧状に突出した湾曲部である
ことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項４】
変形部は、第１の配線の少なくとも一辺を凸状に突出させた凸状部である
ことを特徴とする請求項１または２記載の回路基板。
【請求項５】
変形部は、第１の配線の少なくとも一辺を凹状に変形させた凹状部である
ことを特徴とする請求項１または２記載の回路基板。
【請求項６】
請求項１ないし５いずれか記載の回路基板であるアレイ基板と、
このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、
この対向基板と前記アレイ基板との間に介在された液晶層と
を具備したことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に第１の配線および第２の配線が配線された回路基板および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の液晶表示装置はアレイ基板を備えており、このアレイ基板のガラス基板上には、縦方向に沿った直線状の第１の配線としての複数の信号線が平行に離間されて配線されている。この信号線は、ガラス基板上に導電性膜をスパッタ法などにて成膜してからパターニングして形成されている。さらに、この信号線を覆うガラス基板上には、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法などにて略等しい膜厚の層間絶縁膜が積層されている。そして、この層間絶縁膜上には、ガラス基板の幅方向に沿った直線状の第２の配線としての複数の走査線が平行に離間されて配線されている。この走査線もまた、層間絶縁膜上に導電性膜をスパッタ法などにて成膜してからパターニングして形成されている(例えば、特許文献１参照。)。
【特許文献１】特開２００４−２４６２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の液晶表示装置では、信号線および走査線のそれぞれが直線状に形成されているため、層間絶縁膜を介した信号線上に走査線を形成するときに、この信号線の両側縁に沿って層間絶縁膜に段差部が形成され、これら段差部に沿って走査線形成時の導電性膜が残ってしまうおそれがある。したがって、この層間絶縁膜の段差部に残った導電性膜によって走査線間がショートしてしまうおそれがあるという問題を有している。
【０００４】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、第２の配線間のショートを少なくできる回路基板および液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板と、この基板上に設けられ導電性膜にて構成された第１の配線と、この第１の配線を覆う前記基板上に設けられた絶縁層と、前記第１の配線に交差して前記絶縁層上にそれぞれが離間されて設けられ導電性膜にて構成された複数の第２の配線とを具備し、前記複数の第２の配線間に位置する前記第１の配線の両辺の少なくとも一部には、内角１８０度以下の変形部が設けられているものである。
【０００６】
そして、基板上に配線した第１の配線を覆う基板上に絶縁層を設けてから、この絶縁層上に第１の配線に交差しそれぞれが離間された複数の第２の配線を設ける。このとき、これら複数の第２の配線間に位置する第１の配線の両辺の少なくとも一部に内角１８０度以下の変形部を設ける。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、複数の第２の配線間に位置する第１の配線の両辺の少なくとも一部に内角１８０度以下の変形部を設けることにより、この第１の配線上の層間絶縁膜に形成される第１の配線部の両辺に沿った段差部の少なくとも一部に内角１８０度以下の部分ができる。したがって、この層間絶縁膜の内角１８０度以下の部分に第２の配線を構成する導電性膜が残りにくくなるから、この導電性膜の残りによる第２の配線間のショートを少なくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の液晶表示装置の第１の実施の形態の構成を図１ないし図３および図１２を参照して説明する。
【０００９】
図１ないし図３において、１は液晶表示装置としての液晶パネルで、この液晶パネル１は、アクティブマトリクス基板としての略矩形平板状のアレイ基板２を備えている。このアレイ基板２は、多重配線を有する回路基板であって、略透明な矩形平板状の透光性を有する絶縁基板としてのガラス基板３を有している。
【００１０】
さらに、このガラス基板３の一主面である表面上の中央部には、図２に示すように、画像表示領域としての画面部４が形成されている。そして、このガラス基板３上の画面部４には、複数の画素５がマトリクス状に設けられて配置されている。これら複数の画素５のそれぞれには、画素電極６、蓄積容量としての画素補助容量である補助容量７および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）８がそれぞれ１つずつ配置されている。
【００１１】
また、このガラス基板３の表面には、第１の配線としての下層配線である複数の走査線11が、このガラス基板３の幅方向に沿って配設されている。これら走査線11は、導電性膜にて構成されたゲート電極配線であって、ガラス基板３の横方向に向けて等間隔に平行に離間されている。具体的に、これら走査線11は、導電性膜をスパッタ法などで成膜してからのパターニングによって作成されている。
【００１２】
さらに、このガラス基板３の表面には、第２の配線としての上層配線である複数の信号線12が、ガラス基板３の縦方向に沿って配設されている。これら信号線12は、導電性膜にて構成された電極配線としての画像信号配線であって、ガラス基板３の横方向に向けて等間隔に平行に離間されている。具体的に、これら信号線12もまた、導電性膜をスパッタ法などで成膜してからのパターニングによって作成されている。
【００１３】
したがって、これら走査線11および信号線12は、ガラス基板３上に直交して交差して格子状に配線されている。そして、これら走査線11および信号線12にて囲まれた矩形状の各領域に画素５がそれぞれ設けられている。さらに、これら走査線11および信号線12の各交点に対応して、画素電極６、補助容量７および薄膜トランジスタ８のそれぞれが各画素５毎に設けられている。
【００１４】
ここで、各信号線12に位置する各走査線11それぞれの両辺13,14は、これら走査線11をクランク状に屈曲した変形部としての略Ｓ字状の屈曲部15が設けられている。これら屈曲部15は、走査線11を配線してから信号線12を配線する際に、この信号線12を構成する導電性膜Ａが走査線11の幅方向の外側縁に沿って連続して残らず、この残った導電性膜Ａが信号線12間のいずれかの位置で電気的に切断されるように構成されている。具体的に、これら屈曲部15は、平面視で各信号線12にて仕切られた走査線11の一部の両辺13,14の長手方向の中央部に設けられている。そして、これら屈曲部15は、信号線12間に位置する走査線11の長手方向の中央部を幅方向に向けてずらして形成されている。
【００１５】
すなわち、これら屈曲部15は、走査線11の一辺13を走査線11の内側に向けて直角に屈曲させた鋭角部16と、この鋭角部16の内縁を走査線11の長手方向に向けて直角に屈曲させた鈍角部17とにて構成されている。そして、走査線11の幅方向の一側に位置する屈曲部15は、この走査線11の長手方向の一方に向けて鋭角部16および鈍角部17の順に形成されている。さらに、走査線11の幅方向の他側に位置する屈曲部15は、この走査線11の長手方向の一方の向けて鈍角部17および鋭角部16の順に形成されている。そして、これら屈曲部15は、走査線11の長手方向を、この走査線11の幅寸法の約２分の１ほど、この走査線11の幅方向に向けてずらすように形成されている。したがって、各鋭角部16の走査線11の幅方向に沿った外側辺である端辺18は、この走査線11の幅寸法の約２分の１程度の長さ寸法を有している。ここで、この端辺18は、各鈍角部17の幅方向に沿った内側辺でもある。
【００１６】
また、これら屈曲部15それぞれの鋭角部16は、これら鋭角部16の内角θが１８０度以下、例えば９０度の角度に形成されている。また、これら鋭角部16は、これら鋭角部16の外側縁の断面が９０度以下の内側に向けて傾斜したテーパ状に形成されている。さらに、これら屈曲部15それぞれの鈍角部17は、これら鈍角部17それぞれの内角φが１８０度以上、例えば２７０度の角度に形成されている。さらに、走査線11の幅方向の一辺13に設けられている鋭角部16と、この走査線11の幅方向の他辺14に設けられている鈍角部17とは、この走査線11の幅方向に沿って並設されている。同様に、走査線11の幅方向の一辺13に設けられている鈍角部17と、この走査線11の幅方向の他辺14に設けられている鋭角部16ともまた、この走査線11の幅方向に沿って並設されている。
【００１７】
一方、図２に示すように、ガラス基板３の周縁には、信号線駆動回路としての細長矩形平板状のＹドライバ回路21が配設されている。このＹドライバ回路21は、ガラス基板３の縦方向に沿って設けられており、このガラス基板３上の各走査線11のそれぞれの一端部と電気的に接続されている。また、このガラス基板３の縦方向に沿った一端には、走査線駆動回路としての細長矩形平板状のＸドライバ回路22が配設されている。このＸドライバ回路22は、ガラス基板３上の各信号線12のそれぞれの一端部と電気的に接続されている。
【００１８】
次いで、ガラス基板３の表面には、図示しないアンダーコート層が積層されて成膜されている。このアンダーコート層上には、トップゲートタイプの薄膜トランジスタ８が１画素構成要素として配設されている。この薄膜トランジスタ８は、このスイッチング素子としての半導体素子であって、アンダーコート層上に積層されて設けられた半導体層としての細長矩形状の活性層31を備えている。この活性層31は、非晶質半導体薄膜としてのアモルファスシリコン(ａ−Ｓｉ)薄膜のレーザアニールによる溶融結晶化にて設けられた多結晶半導体薄膜としてのポリシリコン(ｐ−Ｓｉ)薄膜にて構成されている。
【００１９】
さらに、図３に示すように、この活性層31の幅方向の中央部には、この活性層31の長手方向に沿ってチャネル領域32が設けられている。このチャネル領域32は、活性層31の長手方向に沿った長手方向を有する細長矩形状に形成されている。また、このチャネル領域32の両側には、ソース領域33およびドレイン領域34が設けられている。これらソース領域33およびドレイン領域34は、互いに電気的に絶縁されてチャネル領域32の幅方向の両側に一体的に接続されている。
【００２０】
また、活性層31を覆うアンダーコート層上には、ゲート絶縁膜35が積層されて設けられている。そして、このゲート絶縁膜35上の活性層31のチャネル領域32に対向する位置には、ゲート電極36が積層されて設けられている。このゲート電極36は、活性層31のチャネル領域32上に離間対向して設けられている。さらに、このゲート電極36は、ソース領域33およびドレイン領域34がこのゲート電極36を平面視で挟んで対峙するように構成されている。また、このゲート電極36は、チャネル領域32の幅寸法に略等しい幅寸法を有するとともに、このチャネル領域32の長手寸法より大きな長手寸法を有する細長矩形状に設けられている。さらに、これらゲート電極36は、走査線11に一体的に接続されており、この走査線11と同一材料かつ同一工程にて一体的に構成されている。
【００２１】
そして、これらゲート電極36を覆うゲート絶縁膜35上には、絶縁層としての保護膜である層間絶縁膜37が積層されて設けられている。この層間絶縁膜37は、走査線11と信号線12との間に介在されて積層されており、これら走査線11と信号線12との間の電気的な絶縁性を確保させる。また、この層間絶縁膜37およびゲート絶縁膜35には、これら層間絶縁膜37およびゲート絶縁膜35のそれぞれを貫通して薄膜トランジスタ８のソース領域33およびドレイン領域34に導通した導通部としてのスルーホールである複数のコンタクトホール38,39が開口されて設けられている。
【００２２】
具体的に、これらコンタクトホール38,39は、平面視でゲート電極36の両側に位置するソース領域33あるいはドレイン領域34上に設けられており、これらソース領域33あるいはドレイン領域34に連通している。そして、ソース領域33に連通したコンタクトホール38を覆う層間絶縁膜37上には、導電性膜にて構成されたソース電極41が積層されて設けられている。このソース電極41は、コンタクトホール38を介して活性層31のソース領域33に電気的に接続されている。ここで、これらソース電極41は、ガラス基板３の長手方向である縦方向に沿って配線された信号線12に一体的に接続されており、この信号線12と同一材料かつ同一工程にて一体的に構成されている。
【００２３】
また、活性層31のドレイン領域34に連通したコンタクトホール39を覆う層間絶縁膜37上には、導電性膜にて構成されたドレイン電極42が積層されて設けられている。このドレイン電極42は、コンタクトホール39を介して活性層31のドレイン領域34に電気的に接続されている。さらに、これらソース電極41およびドレイン電極42は、平面視でゲート電極36より幅方向の両側に位置して互いに絶縁されている。
【００２４】
さらに、これらソース電極41およびドレイン電極42を覆う層間絶縁膜37上の全面には、保護膜であるパッシベーション膜43が積層されている。このパッシベーション膜43には、このパッシベーション膜43を貫通してドレイン電極42に導通した導通部としてのスルーホールであるコンタクトホール44が開口されて設けられている。そして、このコンタクトホール44を覆うパッシベーション膜43上には、透明導電膜としてのＩＴＯ膜にて構成された画素電極６が積層されている。この画素電極６は、コンタクトホール44を介してドレイン電極42に電気的に接続されている。また、この画素電極６を覆うパッシベーション膜43上の全面には、ポリイミドの配向処理にて構成された配向膜45が積層されて設けられている。
【００２５】
一方、アレイ基板２に対向して矩形平板状の対向基板51が配設されている。この対向基板51は、略透明な矩形平板状の絶縁基板としての透光性基板であるガラス基板52を備えている。このガラス基板52のアレイ基板２に対向した側の一主面には、着色層としてのカラーフィルタ層53が積層されて設けられている。このカラーフィルタ層53は、少なくとも２色以上である１組の色単位、例えば赤（Red：Ｒ）色、緑（Green：Ｇ）色および青（Blue：Ｂ）色の３つのドットがガラス基板52の縦方向および横方向のそれぞれに向けて繰り返し配置されて構成されている。
【００２６】
さらに、このカラーフィルタ層53を覆うガラス基板52上には、透明導電膜としてのＩＴＯ膜にて構成された共通電極としてのコモン電極である対向電極54が積層されて設けられている。また、この対向電極54上には、ラビング処理されたポリイミド(ＰＩ)にて構成された配向膜55が積層されて設けられている。そして、この配向膜55とアレイ基板２の配向膜45との間には、液晶材料としての誘電異方性が正である液晶組成物56が注入されて封止されて光変調層として液晶層57が介在されて設けられている。
【００２７】
次に、上記第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００２８】
まず、図４に示すように、ガラス基板３上にアンダーコート層を積層させて堆積させてから、このアンダーコート層上にアモルファスシリコン膜61を積層させて堆積させる。
【００２９】
次いで、図５に示すように、このアモルファスシリコン膜61にエキシマレーザ光などのエネルギビームを照射して、このアモルファスシリコン膜61を溶融結晶化してポリシリコン膜62にしてからパターニングする。
【００３０】
次いで、図６に示すように、このパターニング後のポリシリコン膜62を覆うアンダーコート層上にゲート絶縁膜35を積層させて堆積させる。
【００３１】
この後、このゲート絶縁膜35上に導電性膜Ａをスパッタ法等にて成膜してからパターニングしてポリシリコン膜62の幅方向の中央部上にゲート電極36を形成するとともに、図１０に示すように、ガラス基板３上に走査線11を形成する。
【００３２】
この状態で、図７に示すように、ゲート電極36をマスクとしてｐ型またはｎ型の不純物をポリシリコン膜62の両側に高濃度に注入してドープしてソース領域33およびドレイン領域34を形成する。
【００３３】
このとき、ポリシリコン膜62のソース領域33およびドレイン領域34との間の領域がチャネル領域32となり、このポリシリコン膜62が活性層31となる。
【００３４】
次いで、この活性層31のソース領域33およびドレイン領域34に注入した不純物をアニールにて活性化させてから、ゲート電極36を覆うゲート絶縁膜35上に層間絶縁膜37を積層させて堆積させる。
【００３５】
このとき、図１１に示すように、各走査線11を覆うゲート絶縁膜35上にも層間絶縁膜37を積層させて堆積させる。ここで、この層間絶縁膜37の走査線11上に積層されている部分は、他の部分より上方に向けて突出する。さらに、この層間絶縁膜37の各走査線11の幅方向の両側のエッジに沿って段差部63が形成される。
【００３６】
この後、この層間絶縁膜37のコンタクトホール38,39を設ける部分以外の全面に図示しないレジストを形成してから、図８に示すように、この層間絶縁膜37およびゲート絶縁膜35をパターニングして、活性層31のソース領域33およびドレイン領域34に連通したコンタクトホール38,39を形成する。
【００３７】
次いで、この層間絶縁膜37上のレジストを剥離してから、図９に示すように、これらコンタクトホール38,39を覆う層間絶縁膜37上に、導電性膜Ａをスパッタ法などにて成膜してからパターニングしてソース電極41およびドレイン電極42を形成するとともに、図１２に示すように、この層間絶縁膜37上に信号線12を形成して薄膜トランジスタ８とする。
【００３８】
この後、これらソース電極41およびドレイン電極42を覆う層間絶縁膜37上にパッシベーション膜43を積層させて堆積させてから、このパッシベーション膜43をパターニングしてドレイン電極42に連通したコンタクトホール44を形成する。
【００３９】
次いで、このコンタクトホール44を覆うパッシベーション膜43上に画素電極６を積層させて堆積させてから、この画素電極６を覆うパッシベーション膜43上に配向膜45を積層させて堆積させてアレイ基板２とする。
【００４０】
さらに、この配向膜45に対向基板51の配向膜55を対向させて、この対向基板51とアレイ基板２とを貼り合わせてから、これらアレイ基板２の配向膜45と対向基板51の配向膜55との間に液晶組成物56を注入して液晶層57を介在させて液晶パネル１とする。
【００４１】
上述したように、上記第１の実施の形態によれば、図１に示すように、平面視で各走査線11の信号線12間に位置する部分の幅方向の両辺の少なくとも一部に、内角１８０度以下、具体的には９０度の鋭角部16を有する屈曲部15をそれぞれ形成する構成とした。この結果、これら屈曲部15の鋭角部16の角部の端面が下方に向けて内側に傾斜した逆テーパ状になる。したがって、各走査線11を覆うゲート絶縁膜35上に層間絶縁膜37を積層させたことにより、この層間絶縁膜37の走査線11上に位置する部分が他の部分より厚くなり、これら走査線11の幅方向の両側に沿って層間絶縁膜37に形成される段状の段差部63の少なくとも一部に内角１８０度以下の部分ができる。
【００４２】
この結果、各走査線11上に積層させた層間絶縁膜37上に半導体膜Ａをスパッタ法などで成膜して積層させてからパターニングして各信号線12を作成する際に、この層間絶縁膜37の各走査線11の幅方向の両側のエッジに沿って形成される段差部63の内角１８０度以下の部分に導電性膜Ａが残り難くなる。このため、この導電性膜Ａが層間絶縁膜37の各走査線11の幅方向の両側に沿ってエッチング残り64として残り難くでき、このエッチング残り64にて各信号線12間が電気的に接続されることを防止できる。よって、これら信号線12間にエッチング残り64が生じることによる、これら信号線12間のショートを低減できるので、これら信号線12を備えた液晶パネル１の歩留まりを向上できる。
【００４３】
なお、上記第１の実施の形態では、信号線12間の走査線11の幅方向の両辺13,14それぞれの少なくとも一部に鋭角部16および鈍角部17を有する屈曲部15を設けたが、図１３に示す第２の実施の形態のように、これら信号線12間の走査線11の幅方向の両辺13,14それぞれの少なくとも一部に、円弧状に突出して湾曲した湾曲部71を形成することもできる。これら湾曲部71は、走査線11の長手方向をＳ字状に湾曲させた変形部である。さらに、これら湾曲部71は、これら湾曲部71以外の走査線11の幅方向の両辺13,14より外側に向けて円弧状に突出した凸部としての凸弧状部72と、これら湾曲部71以外の走査線11の幅方向の両辺13,14より内側に円弧状に凹んだ凹部としての凹弧状部73とにて構成されている。
【００４４】
そして、これら各湾曲部71の凸弧状部72は、これら凸弧状部72の内角θが１８０度以下、例えば９０度の角度となるように形成されており、信号線12の形成時にエッチング残り64が生じにくい領域である。また、これら凸弧状部72は、これら凸弧状部72の外側縁の断面が９０度以下の内側に向けて傾斜した逆テーパ状に形成されている。さらに、各凹弧状部73は、凸弧状部72に連続して設けられている。そして、これら各凹弧状部73の内角φもまた、１８０度以下、例えば９０度の角度に形成されている。
【００４５】
また、走査線11の幅方向の一辺13に設けられている凸弧状部72と、この走査線11の幅方向の他辺14に設けられている凹弧状部73とは、この走査線11の幅方向に沿って並設されている。同様に、走査線11の幅方向の一辺に設けられている凹弧状部73と、この走査線11の幅方向の他辺14に設けられている凸弧状部72ともまた、この走査線11の幅方向に沿って並設されている。
【００４６】
この結果、信号線12間に位置する走査線11の両辺13,14に設けられている湾曲部71の凸弧状部72の端面が下方に向けて内側に傾斜した逆テーパ状になる。したがって、層間絶縁膜37上に信号線12を作成する際に、この層間絶縁膜37の各走査線11の幅方向の両側のエッジに沿って形成される段差部63の凸弧状部72上の部分にエッチング残り64が生じにくくなる。このため、このエッチング残り64による信号線12間のショートを低減できるので、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００４７】
さらに、図１４に示す第３の実施の形態のように、信号線12間の走査線11の両辺13,14のそれぞれに外側に向けて凸状に突出した凸状部75を形成することもできる。これら凸状部75は、走査線11の長手方向の一部を、この走査線11の幅方向のそれぞれに向けて四角形状に拡幅させた矩形状の変形部である。具体的に、これら凸状部75は、走査線11の長手方向に沿って第１の鈍角部76、第１の鋭角部77、第２の鋭角部78および第２の鈍角部79の順に連続して形成されて構成されている。そして、第１の鋭角部77および第２の鋭角部78のそれぞれは、内角θが１８０度以下、例えば９０度の角度に形成された鋭角部16である。また、第１の鈍角部76および第２の鈍角部79は、内角φが１８０度以上、例えば２７０度の角度に形成された鈍角部17である。
【００４８】
そして、各凸状部75は、走査線11の長手方向に沿って、第１の鈍角部76にて走査線11の両辺13,14が外側に向けて直角に屈曲されて拡幅された後、第１の鋭角部77にて走査線11の長手方向に向けて直角に屈曲されてから、第２の鋭角部78にて走査線11の両辺13,14を内側に向けて直角に屈曲されて縮幅され、第２の鈍角部79にて走査線11の長手方向に向けて直角に屈曲されて構成されている。したがって、これら各凸状部75の第１の鋭角部77と第２の鋭角部78との間は、走査線11の長手方向に沿ってこの走査線の一部を拡幅させた直線状に形成されている。
【００４９】
この結果、信号線12間に位置する走査線11の両辺13,14に設けられている凸状部75の第１の鋭角部77および第２の鋭角部78それぞれの角部の端面が下方に向けて内側に傾斜した逆テーパ状になる。したがって、層間絶縁膜37上に信号線12を作成する際に、この層間絶縁膜37の各走査線11の幅方向の両側のエッジに沿って形成される段差部63の第１の鋭角部77および第２の鋭角部78それぞれの角部上の部分にエッチング残り64が生じにくくなるから、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００５０】
さらに、図１５に示す第４の実施の形態のように、信号線12間の走査線11の両辺13,14のそれぞれに内側に向けて凹状に変形させた凹状部81を形成することもできる。これら凹状部81は、走査線11の長手方向の一部を、この走査線11の長手方向に沿って幅方向を狭くさせた矩形状の変形部である。具体的に、これら凹状部81は、走査線11の長手方向に沿って第１の鋭角部77、第１の鈍角部76、第２の鈍角部79および第２の鋭角部78の順に連続して一体的に形成されている。
【００５１】
具体的に、各凹状部81は、走査線11の長手方向に沿って、第１の鋭角部77にて走査線11の両辺13,14を内側に向けて直角に屈曲させた後に、第１の鈍角部76にて走査線11の長手方向に向けて直角に屈曲されてから、第２の鈍角部79にて走査線11の両辺13,14を外側に向けて直角に屈曲させた後に、第２の鋭角部78にて走査線11の長手方向に向けて直角に屈曲されて構成されている。したがって、これら各凹状部81の第１の鈍角部76と第２の鈍角部79との間は、走査線11の長手方向に沿ってこの走査線11の一部を縮幅させた直線状に形成されている。
【００５２】
この結果、信号線12間に位置する走査線11の両辺13,14に設けられている凹状部81の第１の鋭角部77および第２の鋭角部78それぞれの角部の端面が逆テーパ状になるから、層間絶縁膜37上に信号線12を作成する際に、この層間絶縁膜37の各走査線11の幅方向の両側のエッジに沿って形成される段差部63の第１の鋭角部77および第２の鋭角部78それぞれの角部上の部分にエッチング残り64が生じにくくなるため、上記第３の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００５３】
なお、上記各実施の形態では、走査線11上に層間絶縁膜37を介して信号線12が積層されたトップゲートタイプの薄膜トランジスタ８を備えたアレイ基板２について説明したが、信号線12上に層間絶縁膜37を介して走査線11が積層されたボトムゲートタイプの薄膜トランジスタ８などを備えたアレイ基板２であっても、これら走査線11間に位置する信号線12の両辺の少なくとも一部に、屈曲部15や湾曲部71、凸状部75、凹状部81などを設けることによって、エッチング残り64による走査線11間のショートを防止できるので、上記各実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
【００５４】
さらに、液晶表示装置１のアレイ基板２上の走査線11および信号線12以外の導電性膜であっても、第１の配線上に絶縁層を介して第２の配線が積層され、これら第１の配線および第２の配線のそれぞれが、導電性膜を成膜してからパターニングにて作成されるものなどであれば、対応させて用いることができる。また、信号線12間の走査線11の両辺13,14の一箇所のみに屈曲部15、湾曲部71、凸状部75および凹状部81のいずれかを形成したが、これら信号線12間の走査線11の両辺13,14に、屈曲部15、湾曲部71、凸状部75および凹状部81を複数設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の回路基板の第１の実施の形態を示す説明構成図である。
【図２】同上回路基板を備えた液晶表示装置を示す説明回路構成図である。
【図３】同上液晶表示装置の断面図である。
【図４】同上液晶表示装置のアレイ基板の基板上にアモルファスシリコン膜を積層した状態を示す説明断面図である。
【図５】同上基板上のアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜にする状態を示す説明断面図である。
【図６】同上基板上の活性層上にゲート絶縁膜を積層させた状態を示す説明断面図である。
【図７】同上基板上のゲート電極をマスクとして半導体層をドーピングする状態を示す説明断面図である。
【図８】同上基板上の絶縁層およびゲート絶縁膜に導通部を設けた状態を示す説明断面図である。
【図９】同上基板上の導通部上に第２の配線を設けた状態を示す説明断面図である。
【図１０】同上基板上に第１の配線を設けた状態を示す説明断面図である。
【図１１】同上第１の配線を覆う基板上に絶縁層を積層した状態を示す説明図である。
【図１２】同上絶縁層上に第２の配線を設けた状態を示す説明図である。
【図１３】本発明の回路基板の第２の実施の形態を示す説明構成図である。
【図１４】本発明の回路基板の第３の実施の形態を示す説明構成図である。
【図１５】本発明の回路基板の第４の実施の形態を示す説明構成図である。
【符号の説明】
【００５６】
１    液晶表示装置としての液晶パネル
２    回路基板としてのアレイ基板
３    基板としてのガラス基板
11    第１の配線としての走査線
12    第２の配線としての信号線
15    変形部としての屈曲部
37    絶縁層としての層間絶縁膜
51    対向基板
57    液晶層
71    変形部としての湾曲部
75    変形部としての凸状部
81    変形部としての凹状部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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