(57)【要約】【課題】低背化に最適な構造をもった圧電発振器を提供することにある。【解決手段】支持基板１の上面と発振用ＩＣ２の下面とを、封止部材８で両者間に封止空間１１を形成するように接合し、前記封止空間１１内に前記発振用ＩＣ２と電気的に接続される圧電振動素子３を収容して圧電発振器を構成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の上面と発振用ＩＣの下面とを、封止部材で両者間に封止空間を形成するように接合し、前記封止空間内に前記発振用ＩＣと電気的に接続される圧電振動素子を収容してなる圧電発振器において、
前記封止空間の内方で、前記支持基板上の接続パッドと発振用ＩＣ上の電極パッドとが導電性接合材を介して接続されることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
前記圧電振動素子が前記発振用ＩＣの下面に実装されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
前記封止部材がロウ材から成ることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記封止部材と前記導電性接合材とが同一の金属材料から成ることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記封止部材が金属材料により形成されるとともに、該封止部材を支持基板下面のグランド端子に電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項６】
前記発振用ＩＣの上面にシールド層が被着されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項７】
前記シールド層の端部は、前記発振用ＩＣの側面に沿って前記封止部材まで延在されていることを特徴とする請求項６に記載の圧電発振器。
【請求項８】
前記発振用ＩＣの上面に電波吸収体層が被着されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項９】
前記支持基板をセラミック材料で、前記封止部材を金属材料で形成し、前記電波吸収体層の端部を前記発振用ＩＣの側面に沿って前記支持基板及び／又は前記封止部材まで延在させたことを特徴とする請求項８に記載の圧電発振器。
【請求項１０】
前記発振用ＩＣ及び前記支持基板が平面視して略同一であることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項１１】
前記支持基板の上面及び前記発振用ＩＣの下面が平面状であることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項１２】
前記支持基板及び前記発振用ＩＣに当接するスペーサ部材が設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の圧電発振器。
【請求項１３】
前記圧電振動素子は導電性接着剤を介して前記支持基板又は前記発振用ＩＣに実装され、且つ、前記導電性接着剤を前記スペーサ部材とすることを特徴とする請求項１２に記載の圧電発振器。
【請求項１４】
前記スペーサ部材は耐熱性樹脂からなることを特徴とする請求項１２に記載の圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯用通信機器等の電子機器に用いられる圧電発振器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯用通信機器等の電子機器に組み込まれるタイミングデバイスとして温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）等の圧電発振器が幅広く用いられている。
【０００３】
かかる従来の圧電発振器としては、例えば図１０に示すように、上方が開口した凹部内に水晶振動素子（圧電振動素子）を収容した第１の容器体２１を、下面に複数個の外部端子を設け、上方が開口した凹部内に水晶振動素子の発振出力を制御するための発振用ＩＣ２２を収容した第２の容器体２３上に、載置・固定した構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
なお、第２の容器体２３の開口部周辺には複数個の接続電極２４が、第１の容器体２１の下面には接続電極２４と１対１に対応する接続電極（図示せず）が設けられ、この両者を半田等のロウ材を介して接合することにより第１の容器体２１が第２の容器体２３上に固定される。
【０００５】
その組み立てを終えた後、第１の容器体２１の開口部は、金属製の蓋体２５を従来周知のシーム溶接（抵抗溶接）等で接合することにより塞がれ、これによって水晶振動素子の収容領域が気密封止される。
【０００６】
また、このような従来の圧電発振器の製造方法としては、通常、第１の容器体２１と第２の容器体２３だけを“複数個取り”の手法によって製作し、分割後に得られた個片（第１の容器体２１、第２の容器体２３）に水晶振動素子や発振用ＩＣ２２を個別に搭載した上、両者を接合して製品を組み立てていた。
【特許文献１】特開平１０−９８１５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した従来の圧電発振器は、水晶振動素子が収容されている第１の容器体２１と発振用ＩＣ２２が収容されている第２の容器体２３とを縦に積み上げて組み立てたものであり、全体構造が高背化してしまう。したがって圧電発振器を低背化（薄型化）させることが困難であるという欠点を有していた。
【０００８】
また、上述した製造方法では、第２の容器体２３を個片に分割した後で発振用ＩＣ２２や第１の容器体２１等を第２の容器体２３上に搭載する場合、その作業が完了するまでの間、第２の容器体２３を個々にキャリア部材等で保持しておく必要があり、組み立て作業が煩雑である上に、キャリア部材等の製造設備が別途必要になり、これによっても温度補償型水晶発振器の生産性が低下するという欠点を有していた。
【０００９】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、低背化に最適な構造の圧電発振器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の圧電発振器は、支持基板の上面と発振用ＩＣの下面とを、封止部材で両者間に封止空間を形成するように接合し、前記封止空間内に前記発振用ＩＣと電気的に接続される圧電振動素子を収容してなる圧電発振器において、前記封止空間の内方で、前記支持基板上の接続パッドと発振用ＩＣ上の電極パッドとが導電性接合材を介して接続されることを特徴とする。
【００１１】
前記圧電振動素子が前記発振用ＩＣの下面に実装されていることを特徴とする。
【００１２】
前記封止部材がロウ材から成ることを特徴とする。
【００１３】
前記封止部材と前記導電性接合材とが同一の金属材料から成ることを特徴とする。
【００１４】
前記封止部材が金属材料により形成されるとともに、該封止部材を支持基板下面のグランド端子に電気的に接続したことを特徴とする。
【００１５】
前記発振用ＩＣの上面にシールド層が被着されていることを特徴とする。
【００１６】
前記シールド層の端部は、前記発振用ＩＣの側面に沿って前記封止部材まで延在されていることを特徴とする。
【００１７】
前記発振用ＩＣの上面に電波吸収体層が被着されていることを特徴とする。
【００１８】
前記支持基板をセラミック材料で、前記封止部材を金属材料で形成し、前記電波吸収体層の端部を前記発振用ＩＣの側面に沿って前記支持基板及び／又は前記封止部材まで延在させたことを特徴とする。
【００１９】
前記発振用ＩＣ及び前記支持基板が平面視して略同一であることを特徴とする。
【００２０】
前記支持基板の上面及び前記発振用ＩＣの下面が平面状であることを特徴とする。
【００２１】
前記支持基板及び前記発振用ＩＣに当接するスペーサ部材が設けられていることを特徴とする。
【００２２】
前記圧電振動素子は導電性接着剤を介して前記支持基板又は前記発振用ＩＣに実装され、且つ、前記導電性接着剤を前記スペーサ部材とすることを特徴とする。
【００２３】
前記スペーサ部材は耐熱性樹脂からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の圧電発振器によれば、支持基板上に配置される圧電振動素子の収容領域を発振用ＩＣで塞ぐようにしたことから、従来例に比し全体構造を薄く形成することができ、圧電発振器の低背化に供することが可能となる。
【００２５】
また、封止空間の内方で、前記支持基板上の接続パッドと発振用ＩＣ上の電極パッドとが導電性接合材を介して接続されるようにすることが好ましく、これによって、発振用ＩＣ−支持基板間の封止状態を目視等によって容易に確認することができるため、製品の検査等にかかる作業性が良好となる。
【００２６】
更に、圧電振動素子を発振用ＩＣの下面に実装しておけば、圧電振動素子の振動電極が発振用ＩＣの電極パッドに直接接続されるようになるため、発振用ＩＣを支持基板側に実装する場合に比し圧電振動素子と発振用ＩＣの電子回路とを接続する配線の長さが短縮されて配線抵抗に起因した容量の発生を有効に防止することができ、設計値に近い発振特性が得られるようになる。
【００２７】
また更に、封止部材をロウ材で形成することにより、支持基板と発振用ＩＣとの接合強度を高くすることができ、支持基板及び発振用ＩＣ間の熱応力に起因した封止部や接続部の破損等が有効に防止されるようになり、圧電発振器の生産性、信頼性を向上させることが可能となる。特に、前記封止部材と前記導電性接合材とを同一のロウ材で形成すれば、両者を同一の工程で形成した上、同一の工程でロウ付けすることができ、圧電発振器の生産性を向上させることができる。
【００２８】
更にまた、封止部材を金属材料で形成するとともに、該封止部材を支持基板下面のグランド端子と電気的に接続させておくことにより、圧電発振器の使用時、圧電振動素子が収容されている封止空間や発振用ＩＣの回路形成面（発振用ＩＣの下面）がグランド電位に保持された封止部材で取り囲まれた形となることから、封止空間内に侵入しようとする外部からのノイズの一部を前記封止部材でもって遮蔽し、発振用ＩＣや封止空間内の圧電振動素子をより安定して動作させることができるようになる。なお、封止部材は、支持基板を構成する複数の絶縁層の層間に形成された配線パターンや絶縁層を貫くように形成されたビアホール導体などを介して、グランド端子に電気的に接続されておけば良い。
【００２９】
更にまた、発振用ＩＣの上面にシールド層を被着させておけば、外部からのノイズをシールド層により良好に遮蔽することができ、これによって圧電発振器の動作信頼性を高く維持することができる。特にこの場合、シールド層の端部を前記発振用ＩＣの側面に沿って前記封止部材まで延在させておけば、外部からのノイズをより良好に遮蔽することができ、これによって圧電発振器の動作信頼性を高く維持することができる。
【００３０】
また更に、発振用ＩＣの上面に電波吸収体を被着させておけば、圧電発振器の使用時、外部からのノイズを前記電波吸収体で良好に吸収して、外部からのノイズが封止空間内に侵入しようとするのを有効に防止することができる。従って、このような場合であっても、圧電発振器の使用時、圧電振動素子や発振用ＩＣを安定して動作させることができる。特に、支持基板をセラミック材料で、封止部材を金属材料で形成し、電波吸収体層の端部を発振用ＩＣの側面に沿って支持基板及び／又は封止部材まで延在させておけば、外部からのノイズを吸収することによって発生した熱エネルギーを、支持基板を介して外部へ良好に放散することができ、このような熱エネルギーが圧電発振器の内部に蓄積されることに起因した種々の不都合を有効に防止することが可能となる。
【００３１】
更にまた、前記発振用ＩＣ及び前記支持基板が平面視して略同一となるように設定しておけば、圧電発振器に側面から加わる衝撃を発振用ＩＣ及び支持基板の両者で緩和することが可能となる。
【００３２】
また更に、前記支持基板の上面及び前記発振用ＩＣの下面を平面状とすれば、全体構造をより効果的に薄く形成することができ、圧電発振器の低背化に供することが可能となる。
【００３３】
更にまた、前記支持基板及び前記発振用ＩＣに当接するスペーサ部材が設けておけば、リフロー処理などの際に封止部材や導電性接合材が軟化して封止空間が変動することを抑制できる。特に、前記圧電振動素子を導電性接着剤を介して前記支持基板又は前記発振用ＩＣに実装し、且つ、前記導電性接着剤を前記スペーサ部材として構成すれば、支持基板及び発振用ＩＣにスペーサ部材を形成する領域を別途設ける必要がない。なお、前記スペーサ部材を耐熱性樹脂により形成すれば、支持基板や前記発振用ＩＣに加わる衝撃を効果的に緩和することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００３５】
図１は本発明の一実施形態に係る圧電発振器を表面実装型の水晶発振器に適用した例を示す分解斜視図、図２は図１の水晶発振器の断面図、図３は図１の水晶発振器に用いられる支持基板を上方より見た平面図、図４は図１の水晶発振器に用いられる発振用ＩＣを下方より見た平面図である。
【００３６】
これらの図に示す水晶発振器は、大略的に、支持基板１と、発振用ＩＣ２と、圧電振動素子としての水晶振動素子３とで構成されている。なお、ＩＣ２及び支持基板１は平面視して略同一に設定されている。
【００３７】
支持基板１は、例えば、平板状の絶縁層１ａ上に枠状の絶縁層１ｂを積層することにより形成され、上面側の中央域に凹部６を有した構造となっている。かかる支持基板１は、その表面や隣接する絶縁層間に所定の配線導体が形成され、また内部には配線導体同士を電気的に接続するためのビアホール導体４等が埋設されている。また、支持基板１の下面には複数個の外部端子電極５が設けられている。本実施形態においては支持基板１の下面四隅に配される４個の外部端子電極５が設けられており、それぞれ電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子として機能する。これらの外部端子電極５は、水晶発振器をマザーボード（図示せず）等の外部電気回路に搭載する際、半田付け等によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されることとなる。
【００３８】
なお、絶縁層１ａ、１ｂは、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料や樹脂等の有機材料から形成されている。
【００３９】
また、このような支持基板１の上面側に設けられた凹部６内には、水晶振動素子３が収容されている。本実施形態において水晶振動素子３は発振用ＩＣ２の下面に実装された状態で凹部６内に収容されており、発振用ＩＣ２の下面に設けられる搭載パッドに水晶振動素子３の対応する振動電極が導電性接着剤を介して電気的に接続されている。
【００４０】
更に、枠状の絶縁層１ｂの上面には図３に示す如く、内周側に複数個の接続パッド１０が、外周側に基板側封止用導体１２が被着・形成されている。
【００４１】
なお、支持基板１は、アルミナセラミックスから成る場合、例えば、アルミナセラミックスの原料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合した上、これを従来周知のドクターブレード法等で所定形状に成形することによりセラミックグリーンシートを得、その表面等に配線導体となる導体ペーストを所定パターンに塗布し、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。また凹部６は、支持基板１の製作に使用されるセラミックグリーンシートのうち上部領域に配されるセラミックグリーンシートの中央域に矩形状の貫通孔を穿設しておくことにより形成される。
【００４２】
そして支持基板１上には、フリップチップ型の発振用ＩＣ２が配置されている。この発振用ＩＣ２の下面には、水晶振動素子３が実装されており、かかる水晶振動素子３は、所定の結晶軸でカットした水晶片の両主面に一対の振動電極を被着・形成してなり、外部からの変動電圧が一対の振動電極を介して水晶片に印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こすようになっている。
【００４３】
また、水晶振動素子３は、一対の振動電極を発振用ＩＣ２の下面に設けた対応する搭載パッド１５に導電性接着剤を介して電気的に接続させることにより発振用ＩＣ２の下面に実装され、この状態で支持基板１の凹部６内に配置される。
【００４４】
このように、水晶振動素子３を発振用ＩＣ２の下面に実装させておけば、水晶振動素子３の振動電極が発振用ＩＣ２の電極パッド９に直接接続されることになるため、発振用ＩＣ２を支持基板１側に実装する場合に比し水晶振動素子３と発振用ＩＣ２の電子回路とを接続する配線の長さは著しく短縮され、配線抵抗に起因した容量の発生を有効に防止することができる。これにより、設計値に近い発振特性が得られる。
【００４５】
また発振用ＩＣ２の下面には、図４に示す如く、中央領域に水晶振動素子３が搭載され、また、その周辺に発振用ＩＣ２の電子回路や搭載パッド１５と電気的に接続している複数個の電極パッド９が形成されている。そして、水晶振動素子３を包囲し、且つ、搭載パッド１５の外方に基板側封止用導体１２と略同形状をなすようにして形成されたＩＣ側封止用導体１３が設けられている。
【００４６】
なお発振用ＩＣ２の上面には、シールド層１６が被着されている。このシールド層１６により、外部からのノイズを良好に遮蔽することができ、水晶発振器の動作信頼性を高く維持することが可能となる。このようなシールド層１６の材質としては、例えば、Ａｇ等の金属粒子を含有させたエポキシ樹脂等が用いられる。図８に示すように、シールド層１６の端部を発振用ＩＣ２の側面に沿って封止部材１１まで延在させておけば、外部からのノイズをより良好に遮蔽することができ、これによって圧電発振器の動作信頼性を高く維持することができる。
【００４７】
発振用ＩＣ２は、単結晶シリコン等から成る基体の下面に、周囲の温度状態を検知する感温素子（サーミスタ）、水晶振動素子３の温度特性を補償する温度補償データを格納するとともに該温度補償データに基づいて水晶振動素子３の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、該温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等の電子回路が設けられており、前述した発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後、例えば、クロック信号等の基準信号として利用されることとなる。
【００４８】
そして、発振用ＩＣ２の下面に形成されたＩＣ側封止用導体１３と支持基板１の上面に形成された基板側封止用導体１２とを封止部材８を介して接続させることにより、発振用ＩＣ２と支持基板１との間に設けられる封止空間１１、すなわち発振用ＩＣ２下面及び凹部６内面等によって囲まれた水晶振動素子３の収納領域が気密封止されることとなる。
【００４９】
また、封止部材８の内方には、導電性接合材７が配され、この導電性接合材７によって発振用ＩＣ２の下面に形成された電極パッド９と絶縁層１ｂの上面に形成された接続パッド１０とが電気的・機械的に接続している。
【００５０】
このように、支持基板１上に配置される水晶振動素子３の収容領域を発振用ＩＣ２で塞ぐように構成することで、従来例に比し全体構造を薄く形成することができ、水晶発振器の低背化に供することが可能となる。
【００５１】
しかも発振用ＩＣ２の下面に形成されたＩＣ側封止用導体１３と支持基板１の上面に形成された基板側封止用導体１２とを接続する封止部材８を、導電性接合材７よりも外方に形成することにより、発振用ＩＣ−支持基板間の封止状態を目視等によって極めて容易に確認することができるため、製品の検査等にかかる作業性が良好となる。
【００５２】
なお、発振用ＩＣ２は、単結晶シリコンのインゴットを所定厚みにスライスしてシリコンウエハを得、その一主面に従来周知の半導体製造技術を採用し、発振回路等の電子回路や電極パッド、接合用導体層等を形成して製作されたＩＣウエハを分割することによって得られる。
【００５３】
また上述した導電性接合材７や封止部材８としては、例えば、ＡｕやＡｕ−Ｓｎ合金、半田等の金属から成るロウ材が好適に用いられ、封止部材８は支持基板１の配線導体等を介して支持基板下面のグランド端子５と電気的に接続されている。このように封止部材８をグランド端子５と電気的に接続させておけば、水晶発振器の使用時、水晶振動素子３が収容されている封止空間１１や発振用ＩＣ２の回路形成面（発振用ＩＣ２の下面）がグランド電位ＧＮＤに保持された封止部材８で取り囲まれた形となることから、封止空間１１内に侵入しようとする外部からのノイズの一部を封止部材８でもって遮蔽し、発振用ＩＣ２や封止空間１１内の水晶振動素子３をより安定して動作させることができる。
【００５４】
上述のような水晶発振器は、まず水晶振動素子３を発振用ＩＣ２の下面に搭載し、次に発振用ＩＣ２を下面に実装した水晶振動素子３が支持基板１の凹部６内に配置されるようにして支持基板１上に導電性接合材７及び封止部材８を介して載置させ、しかる後、これをＮ２ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中または所定の真空度に保たれた真空中で熱処理し、導電性接合材７及び封止部材８を支持基板１の上面、発振用ＩＣ２の下面にそれぞれ接合することにより組み立てられる。
【００５５】
ここで封止部材８をロウ材により形成しておけば、支持基板１と発振用ＩＣ２との接合強度が高くなることから、支持基板１及び発振用ＩＣ２間の熱応力に起因した封止部や接続部の破損等が有効に防止されるようになり、水晶発振器の生産性、信頼性を向上させることができる。またこの場合、封止部材８と導電性接合材７とを同一のロウ材で形成するようにすれば、両者を同一の工程で形成した上、同一の工程でロウ付けすることができ、水晶発振器の生産性を高く維持することができる利点もある。
【００５６】
なお、上述した組み立て工程において支持基板１に対する発振用ＩＣ２の接合を不活性ガス雰囲気中で行なうのは水晶振動素子３が収容される封止空間１１内に不活性ガスを充填しておくことで水晶振動素子３等の電気的特性を安定させるためである。また、発振用ＩＣ２の接合を真空中で行う場合、水晶振動素子３の電気的特性を安定させることができるとともに、水晶振動素子３のクリスタルインピーダンスを低く抑えることができる。
【００５７】
また導電性接合材７や封止部材８として半田を用いる場合には、フラックス等の汚染物質を用いることなく酸化膜を良好に除去するために、従来周知の水素還元方式を採用することが好ましい。
【００５８】
そして最後に、支持基板１の外表面に設けられる書込制御端子（図示せず）に温度補償データ書込装置のプローブ針を当て、予め測定しておいた水晶振動素子３の温度特性に応じた温度補償データを書き込むことによって発振用ＩＣ２のメモリ内に温度補償データが格納される。
【００５９】
かくして上述した水晶発振器は、マザーボード等の外部配線基板上に半田付け等によって搭載され、その温度状態に応じて発振用ＩＣ２の温度補償回路で発振出力を補正しながら、水晶振動素子３の共振周波数に応じた所定の発振信号を出力することによって水晶発振器として機能する。
【００６０】
次に、上述した水晶発振器（圧電発振器）の製造方法について図５−１乃至図５−４を用いて説明する。
【００６１】
（工程Ａ）
初めに、図５−１に示すようなＩＣウエハ１８を準備する。
【００６２】
ＩＣウエハ１８は、単結晶シリコンのインゴットを所定厚みにスライスしてシリコンウエハを得、その一主面に従来周知の半導体製造技術を採用し、発振回路等の電子回路や電極パッド，接合用導体層等を形成することによって製作される。
【００６３】
そして、ＩＣウエハ１８の各発振用ＩＣ２に水晶振動素子３が1個ずつ搭載され、水晶振動素子３の振動電極（図示せず）とＩＣウエハ１８上面の搭載パッドとが導電性接着剤を介して電気的・機械的に接続される。
【００６４】
尚、本実施形態では、縦横に（マトリクス状に）配された発振用ＩＣ２の間に所定の捨代領域が設けている。
【００６５】
（工程Ｂ）
次に、図５−２に示すような母基板１７を準備する。
【００６６】
母基板１７は、上述した支持基板１と同じ材料、即ち、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料からなる矩形状の平板状基板が３層積層され、さらにセラミック材料からなるマトリクス状、即ち、縦ｍ列×横ｎ行（ｍ，ｎは２以上の自然数。）の行列状に配置された多数の矩形状の孔を有する基板を積層して形成されており、当該孔を中心に有する個々の基板領域１９には、上面側にキャビティ部底面の一対の接続パッドと開口周縁を囲む接合用の導体層が被着・形成され、下面側には入出力端子やグランド端子等の外部端子が被着・形成されている。
【００６７】
このような母基板１７は、例えば、アルミナセラミックス等から成るセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に接続パッドや外部端子、導体パターン等となる導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。
【００６８】
そして、図５−３に示すように、水晶振動素子３が搭載されたＩＣウエハ１８を、複数の基板領域１９を有する母基板１７上に、水晶振動素子３を気密封止する封止部材８を介して接合することによって、集合圧電発振器を形成する。
【００６９】
ここで、水晶振動素子３は、一対の振動電極をＩＣウエハ１８の各発振用ＩＣ２の下面に設けた対応する搭載パッド１５に導電性接着材を介して電気的に接続させることにより発振用ＩＣ２の下面に実装され、このように実装された状態のまま、母基板１７の各支持基板に設けられているの凹部６内に配置される。
【００７０】
また、ＩＣウエハ１８の各発振用ＩＣ２と母基板１７の各基板領域１９との間には、発振用ＩＣ２の電子回路と基板領域１９の接続パッドとを電気的に接続する複数個の導電性接合材７が、これら導電性接合材７の外方には環状の封止部材８が介在されており、かかる封止部材８は発振用ＩＣ２と基板領域１９との間に設けられる封止空間１１、具体的には、発振用ＩＣ２の下面や凹部６の内面等によって囲まれた水晶振動素子３の収納領域を包囲することにより気密封止している。
【００７１】
（工程Ｃ）
そして、図５−４に示すように、得られた集合圧電発振器の母基板１７及びＩＣウエハ１８を、各基板領域１９及び発振用ＩＣ２の外周に沿ってダイサーなどで切断することで、複数の圧電発振器を得ることができる。
【００７２】
以上のような製造方法によれば、製造過程においてＩＣウエハ１８がキャリア部材として機能するため、別途キャリア部材を用意し、該キャリア部材にＩＣウエハ１８を分割して得た個々の発振用ＩＣ２を搭載するといった煩雑な作業が一切不要となり、圧電発振器の生産性を飛躍的に向上させることができる。しかも母基板１７の状態でＩＣウエハ１８に接合することから、支持基板１を個別に実装する作業も一切不要となる。
【００７３】
また、封止空間１１の内方で、支持基板１上の接続パッド１０と発振用ＩＣ２上の電極パッド９とが導電性接合材７を介して接続されるようにすることが好ましく、これによって、発振用ＩＣ−支持基板間の封止状態を目視等によって容易に確認することができるため、製品の検査等にかかる作業性が良好となる。
【００７４】
さらに、工程Ｂにおいて、発振用ＩＣ２及び基板領域１９に対応する領域外で、ＩＣウエハ１８及び母基板１７に当接するスペーサ部材を設けるようにすれば、リフロー処理などの製造過程において封止部材等が軟化して封止空間が変動することを簡易に抑制することができる。
【００７５】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００７６】
例えば、上述した実施形態においては、水晶振動素子３を発振用ＩＣ２の下面に実装するようにしたが、これに代えて、図６に示すように、水晶振動素子３を支持基板１の凹部６底面に実装するようにしても構わない。
【００７７】
また上述した実施形態においては、水晶振動素子３を支持基板１の凹部６内に収容させるようにしたが、これに代えて、図７に示すように、水晶振動素子３を、上面が平面状である支持基板１´上に搭載するようにしても構わない。この場合、導電性接合材７や封止部材８が封止空間１１を形成するためのスペーサとして機能し、これらの厚みに相当する空間が発振用ＩＣ２と支持基板１との間に形成されることとなる。
【００７８】
ここで、導電性接合材７や封止部材８とは別途、支持基板１及び発振用ＩＣ２に当接するスペーサ部材を設けておけば、リフロー処理などの際に封止部材８等が軟化して封止空間１１が変動することを抑制することが可能となる。特に、図７（ｂ）に示すように、水晶振動素子３を支持基板１又は発振用ＩＣ２に実装するために用いる導電性接着剤１４をスペーサ部材として利用すれば、支持基板１及び発振用ＩＣ２上にスペーサ部材を形成する領域を別途設ける必要がない。なお、スペーサ部材として、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂などの耐熱性樹脂を用いることが好ましく、これによって支持基板１又は発振用ＩＣ２に加わる衝撃をも効果的に緩和することができる。ここで耐熱性とは、リフロー処理工程などの製造過程における温度領域でほぼ形状が変化しないことを意味する。
【００７９】
更に上述した実施形態においては、発振用ＩＣ２の上面にシールド層１６を被着させることにより外部からのノイズを遮蔽するようにしたが、これに代えて図９に示すように、発振用ＩＣ２の上面に電波吸収体層２０を被着させるようにしても良い。このような電波吸収体層２０を被着させた場合、水晶発振器の使用時、外部からのノイズを電波吸収体層２０で良好に吸収して、外部からのノイズが封止空間１１内に侵入しようとするのを有効に防止し、水晶振動素子３や発振用ＩＣ２を常に安定して動作させることができる。特に、支持基板１をセラミック材料で形成し、電波吸収体層２０の端部を発振用ＩＣ２の側面に沿って支持基板１まで延在させておけば、外部からのノイズを吸収することによって発生した熱エネルギーを、支持基板１を介して外部へ良好に放散することができ、このような熱エネルギーが水晶発振器の内部に蓄積されることに起因した種々の不都合を有効に防止することが可能となる。なお、セラミック材料としてはセラミックス、ガラスセラミックス及びＬＴＣＣ（Low  Temperature  Co-fired  Ceramics）などが用いられ、また、電波吸収体層２０の材質としては、ウレタンフォームやスチロール等の樹脂にカーボンを含浸させた抵抗体タイプのものや、焼結フェライトの磁性損失を利用した焼結フェライトタイプのものが用いられる。
【００８０】
また更に上述した実施形態においては、ＩＣウエハ１８をキャリア部材として用いたが、これに代えて、母基板１７をキャリア部材として用いてもよく、この場合にも、別途キャリア部材を用意し、該キャリア部材に母基板１７を分割して得た個々の支持基板１を搭載するといった煩雑な作業が一切不要となり、圧電発振器の生産性を飛躍的に向上させることができる。しかもＩＣウエハ１８の状態で母基板１７に接合することから、発振用ＩＣ２を個別に実装する作業も一切不要とすることができる。
【００８１】
また更に上述した実施形態においては、圧電振動素子３として水晶振動素子を用いた表面実装型の水晶発振器を例にとって説明したが、これに代えて、圧電振動素子として弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ等の他の圧電振動素子を用いる場合にも本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の一実施形態に係る圧電発振器を表面実装型の水晶発振器に適用した例を示す分解斜視図である。
【図２】図１の水晶発振器の断面図である。
【図３】図１の水晶発振器に用いられる支持基板を上方より見た平面図である。
【図４】図１の水晶発振器に用いられる発振用ＩＣを下方より見た平面図である。
【図５−１】本発明に係る水晶発振器の製造方法に用いるＩＣウエハを説明するための斜視図であり、（ａ）は上面側より見た図、（ｂ）下面側より見た図である。
【図５−２】本発明に係る水晶発振器の製造方法に用いる母基板を説明するための斜視図である。
【図５−３】本発明に係る水晶発振器の製造方法を説明するための斜視図であり、特に集合圧電発振器を示すものである。
【図５−４】本発明に係る水晶発振器の製造方法を説明するための斜視図であり、複数の圧電発振器を示すものである。
【図６】本発明の他の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。
【図１０】従来の圧電発振器の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００８３】
１・・・・支持基板
２・・・・発振用ＩＣ
３・・・・圧電振動素子（水晶振動素子）
４・・・・ビアホール導体
５・・・・外部端子電極
６・・・・凹部
７・・・・導電性接合材
８・・・・封止部材
９・・・・電極パッド
１０・・・接続パッド
１１・・・封止空間
１２・・・基板側封止用導体
１３・・・ＩＣ側封止用導体
１４・・・導電性接着剤
１５・・・搭載パッド
１６・・・シールド層
１７・・・母基板
１８・・・ＩＣウエハ
１９・・・基板領域（支持基板）
２０・・・電波吸収体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図５−４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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