(57)【要約】【課題】電磁変換特性に優れ、高記録密度に適した磁気記録媒体を得る。【解決手段】表面に条痕を有するガラス基板上に、少なくとも、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層をＣｏ、ＮｉおよびＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、ＴａおよびＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むように形成する。また、配向調整層を、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金を含むように形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に条痕を有するガラス基板上に、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層がＣｏ、ＮｉおよびＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、ＴａおよびＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記配向調整層が、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記配向調整膜の膜厚が、１０オングストローム〜３００オングストロームの範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記ガラス基板が、アモルファスガラスであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記条痕の線密度が、７５００（本／ｍｍ）以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
磁性層の磁気的異方性指数（円周方向の保持力/半径方向の保持力）が、１．０５以上であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
残留磁化量の磁気的異方性指数（円周方向の残留磁化量/半径方向の残留磁化量）が、１．０５以上であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記非磁性下地層が、Ｃｒ層、または、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種以上を含有するＣｒ合金層を含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである。）から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置などに用いられる磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置の１種であるハ−ドディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％で増えており今後もその傾向は続くと言われている。高記録密度に適した磁気記録用ヘッドの開発、磁気記録媒体の開発が進められている。
【０００３】
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、高記録密度化が要求されており、これに伴い保磁力の向上、媒体ノイズの低減が求められている。
【０００４】
ハ−ドディスク装置に用いられる磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板にスパッタリング法により金属膜を積層した構造が主流となっている。磁気記録媒体に用いられる基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。アルミニウム基板とは鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上にＮｉ−Ｐ系合金膜を無電解メッキで１０μｍ程度の厚さに形成し、その表面を更に鏡面仕上げしたものである。ガラス基板にはアモルファスガラスと結晶化ガラスの２種類がある。どちらのガラス基板も鏡面仕上げしたものが用いられる。
【０００５】
現在一般的に用いられているハ−ドディスク装置用磁気記録媒体においては、非磁性基板上に非磁性下地層（Ｎｉ−Ａｌ系合金、Ｃｒ、Ｃｒ系合金等）、非磁性中間層（Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金等）、磁性層（Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金等）、保護膜（カ−ボン等）が順次成膜されており、その上に液体潤滑剤からなる潤滑膜が形成されている。
【０００６】
磁気ディスク装置などの高記録密度化に伴い、円周方向の磁気異方性を有した磁気記録媒体とすることによる電磁変換特性の良好なものが求められている。そのために、現在、アルミニウム合金にＮｉＰをメッキした基板（「アルミ基板」ともいう。）を用いた磁気記録媒体はＮｉＰ表面に機械的に溝を円周方向に入れる（「メカニカルテクスチャー加工」という。）ことにより円周方向に磁気異方性を持たせている。
【０００７】
一方、非磁性基板、例えばガラス基板は耐衝撃性にすぐれた剛性を有し、かつ、すぐれた平坦性を有するので、高記録密度に適した非磁性基板といえる。非磁性基板にガラスを用いた磁気記録媒体に円周方向の磁気異方性を付与することができれば、優れた電磁変換特性が得られることが期待される。
【０００８】
ガラス基板にメカニカルテクスチャー加工を施し、テクスチャー条痕を形成する方法はいくつか知られている。例えば、微細且つ均一なテクスチャー条痕を形成するために、水酸基を有する溶液を含有した砥粒懸濁液とプラスチック繊維からなる織布テープを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
また、微細且つ均一なテクスチャー条痕を形成するために、ダイアモンド砥粒とＣｅＯ2砥粒を一緒に用いることが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１０】
しかし、ガラス基板はテクスチャー条痕を形成しただけでは円周方向に充分な磁気異方性を付与することは難しい。そのため、ライン状テクスチャーが表面に形成されたガラス基板に、円周方向の磁気異方性を付与するため、スパッタ法によりＮｉとＰとを少なくとも含むアモルファス層を形成させることが提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特許第３１１７４３８号明細書
【特許文献２】米国特許第６２４８３９５号明細書
【特許文献３】特開２００１−２０９９２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
テクスチャー条痕が形成されたガラス基板に、ＮｉとＰとを少なくとも含むアモルファス層を形成させることは、ＮｉＰがメッキされたアルミ基板と同じ状況を作り出す試みである。この方法によりＣｒ系下地膜、Ｃｏ系磁性層、保護膜を順次形成した場合に磁気異方性は発現する。しかしながら、ＮｉとＰを少なくとも含むアモルファス層を用いた場合、高保持力、高角型比を出すことが難しく良好な電磁変換特性を得られない。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものである。本発明は、条痕が表面に形成されたガラス基板をもちいて、円周方向の磁気異方性を有する、高保持力、高角型比で電磁変換特性の良好な磁気記録媒体とその製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者等は上記問題を解決するために、鋭意努力検討した結果、配向調整層にＣｏ、ＮｉおよびＦｅから選ばれる何れか１種類以上の成分とＷ、Ｍｏ、ＴａおよびＮｂから選ばれる何れか１種類以上の成分から構成される合金層を用いることにより磁気記録再生装置の特性を向上できることを見出し本発明を完成した。即ち本発明は以下に関する。
（１）表面に条痕を有するガラス基板上に、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層がＣｏ、ＮｉおよびＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、ＴａおよびＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする磁気記録媒体。
（２）前記配向調整層が、Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金を含むことを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記配向調整膜の膜厚が、１０オングストローム〜３００オングストロームの範囲内であることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記ガラス基板が、アモルファスガラスであることを特徴とする（１）〜（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記条痕の線密度が、７５００（本／ｍｍ）以上であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）磁性層の磁気的異方性指数（円周方向の保持力/半径方向の保持力）が、１．０５以上であることを特徴とする（１）〜（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（７）残留磁化量の磁気的異方性指数（円周方向の残留磁化量/半径方向の残留磁化量）が、１．０５以上であることを特徴とする（１）〜（６）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（８）前記非磁性下地層が、Ｃｒ層、または、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種以上を含有するＣｒ合金層を含むことを特徴とする（１）〜（７）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（９）磁性層が、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｙ系合金（ＹはＴａ、または、Ｃｕである。）から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする（１）〜（８）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（１０）（１）〜（９）の何れか１項に記載の磁気記録媒体と、磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の磁気記録媒体は、少なくとも、円周方向に条痕が形成されたガラス基板、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、前記配向調整層にＣｏ、ＮｉおよびＦｅから選ばれる何れか１種類以上の成分とＷ、Ｍｏ、ＴａおよびＮｂから選ばれる何れか１種類以上の成分から構成される合金層を含むことを特徴とする磁気記録媒体であるので、円周方向の磁気異方性が発現し、電磁変換特性が向上する。その結果、高記録密度に適した磁気記録媒が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の磁気記録媒体は、表面に条痕を有するガラス基板上に、配向調整層、非磁性下地層、磁性層及び保護膜をこの順で有する磁気記録媒体において、配向調整層がＣｏ、ＮｉおよびＦｅから選ばれる何れか１種類以上と、Ｗ、Ｍｏ、ＴａおよびＮｂから選ばれる何れか１種類以上とを含むことを特徴とする。
【００１６】
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を模式的に示したものであり、１はガラス基板、２は配向調整膜、３は非磁性下地層、４は磁性層、５は保護膜を示す。
【００１７】
ガラス基板１に用いられるガラスとしては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては、汎用のソーダライムガラス、アルミノほう珪酸ガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。なかでも特に、硬度などの物性が均一なアモルファスガラスを用いると、表面に均一なテクスチャ加工を施すことができるため好ましい。
【００１８】
ガラス基板１には、例えば固定砥粒を用いたラッピングテープや遊離砥粒によるメカニカルテクスチャ加工などにより、表面に条痕を形成する。ガラス基板１表面に形成された条痕は基板円周方向に沿うものであることが好ましい。条痕が表面に形成されたガラス基板１の表面平均粗さＲａは、０．１ｎｍ〜１ｎｍ（１オングストローム〜１０オングストローム）、好ましくは０．２ｎｍ〜０．８ｎｍ（２オングストローム〜８オングストローム）の範囲内とするのが望ましい。
【００１９】
表面平均粗さＲａが０．１ｎｍ未満であると、ガラス基板１が過度に平滑になり磁性膜４の磁気異方性を高める効果が薄れる。また表面平均粗さＲａが１ｎｍを越えると、媒体表面の平滑性が低くなりグライドハイト特性が低下し、記録再生時において磁気ヘッドのフライングハイトを低くするのが難しくなる。
【００２０】
ガラス基板１の表面は、線密度が７５００（本／ｍｍ）以上の条痕を有していることが好ましい。線密度はガラス基板の半径方向に測定したものである。線密度が７５００（本／ｍｍ）以上としたのは、条痕の効果が磁気的特性（例えば保磁力の向上効果。）、電磁変換特性（例えばＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ
ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）、ＰＷ５０の向上効果。）により反映されるからである。さらに好ましくは線密度が２００００（本／ｍｍ）以上の条痕を有していれば上述の効果がより一層顕著になる。
【００２１】
なお線密度の上限は、２０００００（本／ｍｍ）である。線密度が２０００００（本／ｍｍ）を超えると、条痕の線間隔が５０オングストローム未満となってしまい、非磁性下地層の粒径の方が大きくなり、磁気記録媒体の磁気異方性を低下させる。
【００２２】
条痕は基板に対して主に円周方向を有しているのが好ましい。ここで、条痕とは、半径方向の断面において山と谷との間の高低の距離が０．０２ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内（より好ましくは、０．０５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内。）の、表面の凹凸形状のことである。この範囲の表面の凹凸形状による磁気異方性が電磁変換特性の向上に有効だからである。また２０ｎｍを越えた条痕は、凹凸が大きすぎるので近傍の条痕の均一性に影響を与えるおそれがある。
【００２３】
条痕は、例えば固定砥粒を用いたラッピングテープや遊離砥粒によるメカニカルテクスチャ加工などにより形成するのが好ましい。
【００２４】
条痕の線密度は、例えば測定装置として、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ
Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ。Ｄｅｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社（米国）製）を用いることができる。
【００２５】
線密度の測定条件は次のようにする。スキャン幅は１μｍ、スキャンレートは１Ｈｚ、測定数は２５６、モードはタッピングモードとする。試料であるガラス基板の半径方向にプローブを走査し、ＡＦＭのスキャン画像を得る。Ｆｌａｔｔｅｎ
Ｏｒｄｅｒの次数を２として平滑化処理のひとつであるＰｌａｎｅ Ｆｉｔ Ａｕｔｏ処理を、Ｓｃａｎ画像に対してＸ軸とＹ軸とに実施して画像の平滑化補正を行う。平滑化補正済みの画像に対して、約０．５μｍ×約０．５μｍのボックスを設定してその範囲の線密度を算出する。線密度はＸ軸中心線とＹ軸中心線の両方に沿ったゼロ交差点の総数を１ｍｍ当りに換算して算出する。すなわち、線密度は半径方向１ｍｍ当りのテクスチャー条痕の山と谷の数となる。
【００２６】
試料面内の各箇所を測定してその測定値の平均値、標準偏差を求める。その平均値をもってガラス基板の条痕の線密度とする。測定箇所の個数は、平均値、標準偏差を求められる個数とすることができる。たとえば、測定数は１０点とすることができる。またそのうちの最大値、最小値を除いた８点で平均値、標準偏差を求めると測定異常値を除くことができるので測定精度を向上させることができる。
【００２７】
配向調整膜２は、直上に形成される非磁性下地膜３の結晶配向性を整え、さらにはその上に形成される磁性膜４の結晶配向性を調整し、磁性膜４の円周方向の磁気異方性を向上させるためのものである。また配向調整膜２は、結晶配向性を調整するだけでなく、非磁性下地膜３および磁性膜４中の結晶粒を微細化する結晶粒微細化膜としても機能する。  
配向調整膜２には、Ｃｏ、ＮｉおよびＦｅから選ばれる何れか１種類以上の成分とＷ、Ｍｏ、ＴａおよびＮｂから選ばれる何れか１種類以上の成分から構成される合金層を用いることが出来る。
【００２８】
上述の配向調整膜２に用いられる合金層の組成は特に限定されるものではない。しかし、好ましくは、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が２５ａｔ％〜７０ａｔ％の範囲内であり、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が３０ａｔ％〜７５ａｔ％の範囲内であることが望ましい。Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が２５ａｔ％未満では非磁性下地層の結晶配向が十分ではなく保持力を低下させる。Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅの合計含有率が７０ａｔ％超えると、配向調整膜が磁化を持ってしまい好ましくない。、Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が３０ａｔ％未満では、磁性膜の円周方向の磁気異方性が低下してしまう。Ｍｏ、Ｔａ及びＮｂの合計含有率が７５ａｔ％を超えると非磁性下地層の結晶配向が十分ではなく保持力を低下させる。
【００２９】
上述の配向調整膜２には、より好ましくはＣｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金の中から選択される少なくとも１つの合金層を用いることが望ましい。本発明者等の鋭意努力により、Ｆｅ７Ｗ６構造を含む合金を用いることが磁性膜の円周方向の磁気異方性をより向上させることを見いだした。これらの合金層の組成範囲はＦｅ７Ｗ６構造を２５％以上含有することが磁性膜の円周方向の磁気異方性をより向上させるために効果がある。すなわち、ＣｏＷ系合金のＷの組成範囲は３０ａｔ％〜８５ａｔ％が好ましい。ＣｏＭｏ系合金のＭｏの組成範囲は３０ａｔ％〜８５ａｔ％が好ましい。ＣｏＴａ系合金のＴａの組成範囲は３８ａｔ％〜６５ａｔ％が好ましい。ＣｏＮｂ系合金のＮｂの組成範囲は３７ａｔ％〜８６ａｔ％が好ましい。ＮｉＴａ系合金のＴａの組成範囲は３８ａｔ％〜６３ａｔ％が好ましい。ＮｉＮｂ系合金のＮｂの組成範囲は３１ａｔ％〜８６ａｔ％が好ましい。Ｆｅ−Ｗ系合金のＷの組成範囲は３７ａｔ％〜８６ａｔ％が好ましい。Ｆｅ−Ｍｏ系合金のＭｏの組成範囲は３５ａｔ％〜８５ａｔ％が好ましい。Ｆｅ−Ｎｂ系合金のＮｂの組成範囲は４０ａｔ％〜８６ａｔ％が好ましい。
【００３０】
Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金はそれぞれ単独でも特性は発揮するし、これらのいくつかが組み合わさった合金でも同様の特性を発現する。例えば、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ−Ｔａ系合金などでも同様の特性を発現する。
【００３１】
本発明における配向調整膜の膜厚は１０オングストローム〜３００オングストロームの範囲内であるとことが好ましい。配向調整膜の膜厚が１０オングストローム未満では、非磁性下地層の結晶配向が十分ではなく保持力を低下させる。配向調整膜の膜厚が３００オングストロームを超えると磁性膜の円周方向の磁気異方性が低下してしまう。さらに好ましくは、配向調整膜の膜厚は２０オングストローム〜１００オングストロームの範囲内である方が、磁性膜の円周方向の磁気異方性を上げるために望ましい。
【００３２】
本発明における配向調整膜には、補助的効果を有する元素を添加しても良い。添加元素としてはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｒｕ，Ｂ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐなどが例示される。添加元素の合計含有率は２０ａｔ％以下であることが好ましい。合計含有率が２０ａｔ％を超えると上述の配向調整膜の効果が低下してしまう。合計含有量の下限は、０．１ａｔ％であり、含有量が０．１ａｔ％未満では添加元素の効果が無くなる。
【００３３】
非磁性下地層３にはＣｒ層、または、ＣｒとＴｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種類以上とからなるＣｒ合金層を用いることが好ましい。
【００３４】
Ｃｒ層では格子定数が小さいので、Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｔｉ系合金などのように、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ、Ｔｉなどを添加してＣｒの格子定数を広げ、磁性層のＣｏ合金と格子定数がマッチングするようにすることが、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
【００３５】
上述のＣｒ層、または、Ｃｒ合金層にＢを添加することは、結晶微細化に効果があり、磁気記録媒体のＳＮＲ特性向上の点から好ましい。
【００３６】
非磁性下地層３のＣｒ層またはＣｒ合金層の結晶配向は、（１００）面を優先配向面とするのが好ましい。その結果、非磁性下地層の上に形成した磁性層のＣｏ合金の結晶配向がより強く（１１・０）を示すので、磁気的特性例えば保持力（Ｈｃ）の向上効果、記録再生特性例えばＳＮＲの向上効果が得られる。
【００３７】
なお、結晶面表記の中の「・」は、結晶面を表すミラ−ブラベ−指数の省略形を示す。すなわち、結晶面を表わすのにＣｏのような六方晶系では、通常（ｈｋｉｌ）と４つの指数で表わすが、この中で「ｉ」に関してはｉ＝−（ｈ＋ｋ）と定義されており、この「ｉ」の部分を省略した形式では、（ｈｋ・ｌ）と表記する。
【００３８】
磁性層４は、直下の非磁性下地層の、例えば（１００）面と充分に良く格子がマッチングするＣｏを主原料としたＣｏ合金であって、ｈｃｐ構造である材料とするのが好ましい。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金から選ばれた何れか１種を含むものとするのが好ましい。
【００３９】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４０】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４１】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は１ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４２】
例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とするのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４３】
磁性層４の膜厚は１５ｎｍ以上であれば熱揺らぎの観点から問題ないが、高記録密度への要求から４０ｎｍ以下であるのが好ましい。４０ｎｍを越えると、磁性層の結晶粒径が増大してしまい、好ましい記録再生特性が得られないからである。磁性層は、多層構造としても良く、その材料は上記のなかから選ばれる何れかを用いた組み合わせとすることができる。多層構造とした場合、非磁性下地層の直上は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点からは好ましい。最上層は、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金からなるものであるのが、記録再生特性の、ＳＮＲ特性の改善の点からは好ましい。
【００４４】
非磁性下地層３と磁性層４との間にＣｏ合金のエピタキシャル成長を助長する目的として非磁性中間層を設けるのが好ましい。磁気的特性例えば保磁力の向上効果、記録再生特性例えばＳＮＲの向上効果が得られる。非磁性中間層はＣｏ、Ｃｒを含むものとすることができる。Ｃｏ−Ｃｒ系合金としたときＣｒの含有量は２５ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。非磁性中間層の膜厚は０．５ｎｍ〜３ｎｍの範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
【００４５】
非磁性下地層３と磁性層４との間に磁気記録媒の熱減磁を改善するために、反強磁性結合層を設けることもできる。反強磁性結合層は安定化層と非磁性結合層から形成される。安定化層には磁性を有したＣｏ−Ｒｕ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金などを用いることができる。非磁性結合層にはＲｕを用いることが好ましい。Ｒｕの膜厚は０．８ｎｍ前後であると反強磁性結合強度が極大値になるので好ましい。
【００４６】
磁性層４にＢを含む場合には、非磁性下地層と磁性層との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となっているのが好ましい。ＣｒとＢとが高濃度で共存するのを防ぎ、ＣｒとＢとの共有結合性化合物の生成を極力抑え、その結果それによる磁性層中の配向の低下を防ぐことができるからである。
【００４７】
保護膜５は、従来の公知の材料、例えば、カ−ボン、ＳｉＣの単体またはそれらを主成分とした材料を使用することができる。保護膜の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であるのが高記録密度状態で使用した場合の、磁気的スペ−シングの低減または耐久性の点から好ましい。磁気的スペーシングとは、ヘッドのリードライト素子と磁性層との距離を表す。磁気的スペーシングが狭くなるほど電磁変換特性は向上する。なお保護膜はヘッドのリードライト素子と磁性層の間に存在するので、磁気的スペーシングを広げる要因となる。
【００４８】
保護膜５上には必要に応じ例えばパ−フルオロポリエ−テルのフッ素系潤滑剤からなる潤滑層を設けることができる。
【００４９】
本発明の磁気記録媒体の磁性層は、１．０５以上（より好ましくは１．１以上）である磁気的異方性指数（ＯＲ）を有しているのが好ましい。磁気異方性指数は、（円周方向の保持力/半径方向の保持力）で表される。
【００５０】
磁気異方性指数が１．０５以上であると、より磁気的特性例えば保磁力の向上効果、電磁変換特性、例えばＳＮＲ、ＰＷ５０の向上効果が得られる。磁気的異方性指数は円周方向の保持力（Ｈｃ）と半径方向のＨｃの比として定義されるが、磁気記録媒体の保持力が高保持力化したために、磁気的異方性指数が低めに測定されたしまうことがある。
【００５１】
本発明においては、この点を補足するために、残留磁化量の磁気的異方性指数も合わせて使用する。残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）は、円周方向の残留磁化量（Ｍｒｔ）と半径方向の、残留磁化量（Ｍｒｔ）の比（ＭｒｔＯＲ＝円周方向のＭｒｔ/半径方向のＭｒｔ）で定義される。残留磁化量の磁気異方性指数が１．０５以上、より好ましくは１．１以上であると、より磁気的特性例えば保磁力の向上効果、電磁変換特性、例えばＳＮＲ、ＰＷ５０の向上効果が得られる。
【００５２】
なお、ＯＲおよびＭｒｔＯＲの値の上限は、理想的には磁性膜の全ての磁区が円周方向を向いた場合であり、この場合には磁気異方性指数の分母が０となり、無限大となる。
【００５３】
磁気的異方性指数、および残留磁化量の磁気的異方性指数の測定にはＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｓａｍｐｌｅ  Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）を使用する。
【００５４】
図２は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、図１に示す構成の磁気記録媒体２０と、磁気記録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記録媒体２０に情報を記録再生する磁気ヘッド２２と、この磁気ヘッド２２を磁気記録媒体２０に対して相対運動させるヘッド駆動部２３と、記録再生信号処理系２４とを備えている。記録再生信号処理系２４は、外部から入力されたデ−タを処理して記録信号を磁気ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号を処理してデ−タを外部に送ることができるようになっている。本発明の磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッド２２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有したより高記録密度に適したヘッドを用いることができる。
【００５５】
また、本発明の磁気記録再生装置は、ガラス基板に直接テクスチャー加工を施して製造した磁気記録媒体を用いているので、安価で高記録密度な磁気記録再生装置である。
【００５６】
また、本発明の磁気記録再生装置は、平均粗さが小さくまた微小うねりも小さい磁気記録媒体を用いているので、電磁変換特性が向上しているのに加えて、スペーシングロスを低減させるためにヘッドを低浮上状態で使用してもエラー特性が良好である磁気記録再生装置である。
【００５７】
上記磁気記録再生装置によれば、高記録密度に適した磁気記録再生装置を製造することが可能となる。
【００５８】
次に本発明の製造方法の一例を説明する。
【００５９】
ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスのどちらも用いることができるが、例えばテクスチャー加工を行った際に条痕がより均一に入ることから、アモルファスガラスを使用することが好ましい。
【００６０】
ガラス基板は、平均表面粗さＲａが２ｎｍ（２０オングストロ−ム）以下、好ましくは１ｎｍ以下であるとことが望ましい。
【００６１】
また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下。）であるのが好ましい。端面のチャンファ−部の面取り部、側面部の少なくとも一方の、いずれの表面平均粗さＲａが１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下。）のものを用いることが磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００６２】
最初に、ガラス基板の表面に線密度が７５００（本／ｍｍ）以上である条痕を形成するように、基板の表面にテクスチャー加工を施す。例えば、ガラス基板の表面に線密度が７５００（本／ｍｍ）以上であるテクスチャー条痕が形成されるように、基板の表面に固定砥粒または／および遊離砥粒を用いた機械的加工（「メカニカルテクスチャー加工」ともいう。）により円周方向にテクスチャを施す。例えば、基板の表面に研磨テープを押し付け接触させ、基板と研磨テープとの間に研磨砥粒を含む研磨スラリーを供給して、基板を回転させると供に、研磨テープを送ることによるテクスチャー加工をおこなう。基板の回転は２００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの範囲内とすることができる。研磨スラリーの供給量は１０ｍｌ／分〜１００ｍｌ／分の範囲内とすることができる。研磨テープの送り速度は、１．５ｍｍ／分〜１５０ｍｍ／分の範囲内とすることができる。研磨スラリーに含まれる砥粒の粒径はＤ９０（累積質量％が９０質量％に相当する時の粒径値）で０．０５μｍ〜０．３μｍとすることができる。テープの押し付け力は１ｋｇｆ〜１５ｋｇｆ（９．８Ｎ〜１４７Ｎ）の範囲内とすることができる。線密度が７５００（本／ｍｍ）以上（より好ましくは２００００（本／ｍｍ）以上。）のテクスチャー条痕を形成するように、これらの条件を設定するのが好ましい。
【００６３】
テクスチャー条痕が表面に形成されたガラス基板１の表面平均粗さＲａは０．１ｎｍ〜１ｎｍ（１オングストローム〜１０オングストローム）、好ましくは０．２ｎｍ〜０．８ｎｍ（２オングストローム〜８オングストローム）の範囲内とするのが望ましい。
【００６４】
オッシレーションを加えたテクスチャー加工を施すことができる。オッシレーションとは、テープを基板の円周方向に走行させると同時に、テープを基板の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレーションの条件は６０回／分〜１２００回／分とするのが好ましい。
【００６５】
テクスチャー加工の方法としては、線密度が７５００（本／ｍｍ）以上のテクスチャー条痕を形成する方法を用いることができ、前述したメカニカルテクスチャーによる方法以外に固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、レーザー加工を用いた方法を用いることができる。
【００６６】
膜を形成するためのスパッタリングの条件は例えば次のようにする。形成に用いるチャンバ内は真空度が１０-4Ｐａ〜１０-7Ｐａの範囲内となるまで排気する。チャンバ内にテクスチャー条痕が表面に形成されたガラス基板を収容して、スパッタ−用ガスとしてＡｒガスを導入して放電させてスパッタ成膜をおこなう。このとき、供給するパワ−は０．２ｋＷ〜２．０ｋＷの範囲内とし、放電時間と供給するパワ−を調節することによって、所望の膜厚を得ることができる。
【００６７】
配向調整膜と非磁性下地層の間には、その表面を酸素雰囲気に曝露する工程を有することが好ましい。曝露する酸素雰囲気は、例えば５×１０-4Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。また曝露用の雰囲気ガスを水と接触させたものを用いることもできる。また曝露時間は、０．５秒〜１５秒の範囲内とするのが好ましい。例えば、配向調整膜を形成後チャンバから取出し外気雰囲気または酸素雰囲気中に曝露させることが好ましい。またはチャンバから取り出さずチャンバ内に大気または酸素を導入して曝露させる方法を用いることも好ましい。特に、チャンバ内で曝露させる方法は、真空室から取り出すような煩雑な工程がいらないので、非磁性下地層、磁性層の成膜を含めて一連の成膜工程として続けて処理することができるので好ましい。その場合は例えば、到達真空度が１０-6Ｐａ以下において５×１０-4Ｐａ以上の酸素ガスを含む雰囲気とするのが好ましい。なお、酸素による暴露時の酸素ガス圧の上限であるが、大気圧での暴露も可能であるが、好ましくは、５×１０-2Ｐａ以下とするのが良い。
【００６８】
ガラス基板は加熱することにより非磁性下地層、および、磁性層の結晶配向性を向上させることが出来る。ガラス基板の加熱温度は１００℃〜４００℃の範囲であることが好ましい。また、配向調整膜を成膜後、加熱することがより好ましい。
【００６９】
非磁性下地層を形成した後、１５ｎｍ〜４０ｎｍの膜厚を有した磁性層を磁性層の材料からなるスパッタリング用タ−ゲットを用いて同様にスパッタリング法により形成する。スパッタリング用タ−ゲットはＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系から選ばれた何れか１種を含むものを原料としたものを用いることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１０ａｔ％〜２５ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｔａ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１６ａｔ％〜２４ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜８ａｔ％の範囲内、Ｔａの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とすることができる。例えば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ｃｕ系合金の場合、Ｃｒの含有量は１６ａｔ％〜２４ａｔ％の範囲内、Ｐｔの含有量は８ａｔ％〜１６ａｔ％の範囲内、Ｂの含有量は２ａｔ％〜８ａｔ％の範囲内、Ｃｕの含有量は１ａｔ％〜４ａｔ％の範囲内とすることができる。
【００７０】
ここで、非磁性下地層のＣｒまたはＣｒ合金の結晶配向は優先配向面が（１００）を示しているように形成するのが好ましい。
【００７１】
非磁性下地層と磁性層との間に非磁性中間層を設ける場合は、Ｃｏ−Ｃｒ系合金（Ｃｒの含有量は２５ａｔ％〜４５ａｔ％の範囲内。）を原料としたスパッタリング用タ−ゲットを用いるのが好ましい。このとき、磁性層にＢを含む場合には、非磁性下地層と磁性層との境界付近において、Ｂ濃度が１ａｔ％以上の領域におけるＣｒ濃度が４０ａｔ％以下となるようなスパッタ−条件で成膜するのが好ましい。
【００７２】
磁性層を形成した後、公知の方法、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法またはそれらの組み合わせを用いて保護膜、たとえばカ−ボンを主成分とする保護膜を形成する。
【００７３】
さらに、保護膜上には必要に応じパ−フルオロポリエ−テルのフッ素系潤滑剤をディップ法、スピンコ−ト法などを用いて塗布し潤滑層を形成する。
【実施例】
【００７４】
（実施例１）
ガラス基板には日本板硝子製アモルファスガラスＧＤ−７を使用した。ガラス基板のサイズは外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍである。
【００７５】
上記ガラス基板にメカニカルテクスチャー加工を施した。メカニカルテクスチャー加工の条件は以下の通りである。スラリーに含まれる砥粒はＤ９０が０．１５μｍのダイアモンド砥粒を使用した。スラリーは５０ｍｌ／分で加工が開始される前に２秒間滴下した。研磨テープにはポリエステル製の織物布を使用した。研磨テープの送りは７５ｍｍ／分とした。ディスクの回転数は６００ｒｐｍとした。ディスクの揺動は１２０回／分とした。テープの押し付け力は２．０ｋｇｆ（１９．６Ｎ）とした。加工時間は１０秒とした。基板表面を、Ｄｅｇｉｔａｌ
Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製ＡＦＭで測定したところ、平均粗さＲａが４オングストローム、線密度が２５０００本／ｍｍのテクスチャー条痕を有するガラス基板が得られた。
【００７６】
この基板を十分に洗浄し乾燥した後、  ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社（日本）製Ｃ３０１０）内にセットした。真空到達度を２×１０-7Ｔｏｒｒ（２．７×１０-5Ｐａ）まで排気した後、配向調整膜として、Ｃｏ―Ｗ合金（Ｃｏ：４５ａｔ％、Ｗ：５５ａｔ％）からなるタ−ゲットも用いて常温にて１ｎｍ積層した。
【００７７】
その後、基板を２５０℃に加熱した。加熱後、酸素暴露を０．０５Ｐａで５秒間実施した。非磁性下地層として、Ｃｒ−Ｔｉ―Ｂ合金（Ｃｒ：８３ａｔ％、Ｔｉ：１５ａｔ％、Ｂ：２ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて８ｎｍ積層した。非磁性中間層としてはＣｏ―Ｃｒ合金（Ｃｏ：６５ａｔ％、Ｃｒ：３５ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて２ｎｍ積層した。磁性層としてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなるタ−ゲットを用いて磁性層であるＣｏＣｒＰｔＢ合金層を２０ｎｍの膜厚で形成し、保護膜（カ−ボン）５ｎｍを積層した。成膜時のＡｒ圧は３ｍＴｏｒｒ（０．４Ｐａ）とした。パ−フルオロポリエ−テルからなる潤滑剤２０ｎｍをディップ法で塗布し潤滑層を形成した。
【００７８】
その後グライドテスタ−を用いて、テスト条件のグライド高さを０．４μインチとして、グライドテストを行ない、合格した磁気記録媒体をリ−ドライトアナライザ−ＲＷＡ１６３２（ＧＵＺＩＫ社（米国）製）を用いて記録再生特性を調べた。記録再生特性は、再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オ−バライト（ＯＷ）などの電磁変換特性を測定した。記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。ノイズの測定は５００ｋＦＣＩのパタ−ン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力を２５０ｋＦＣＩで測定し、ＳＮＲ＝２０×ｌｏｇ（再生出力/１ＭＨｚから３７５ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）として算出した。保磁力（Ｈｃ）および角形比（Ｓ＊）の測定にはカ−効果式磁気特性測定装置（ＲＯ１９００、日立電子エンジニアリング社（日本）製）を用いた。磁気的異方性指数（ＯＲ）、および残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）の測定にはＶＳＭ（ＢＨＶ−３５、理研電子社（日本）製）を用いた。
（実施例２〜３３）
配向調整膜の合金組成と膜厚を表１に示すとおりにした以外は、実施例１と同様の処理をした。
（実施例３４）
配向調整膜として、Ｃｏ−Ｗ合金（Ｃｏ：４５ａｔ％、Ｗ：５５ａｔ％）からなるタ−ゲットも用いて常温にて５ｎｍ積層した。非磁性中間層の代わりに反強磁性結合層を設けた。安定化層にはＣｏ−Ｒｕ合金（Ｃｏ：８０ａｔ％、Ｒｕ：２０ａｔ％）からなるタ−ゲットも用いて２ｎｍ積層した。非磁性結合層にはＲｕからなるタ−ゲットも用いて０．８ｎｍ積層した。これ以外は、実施例１と同様の処理をした。
（比較例１〜３３）
ガラス基板にメカニカルテクスチャーを施さないこと、および、配向調整膜の合金組成と膜厚を表２に示すとおりにした以外は、実施例１と同様の処理をした。
（比較例３４〜３６）
配向調整膜の合金組成と膜厚を表２に示すとおりにした以外は、実施例１と同様の処理をした。
【００７９】
実施例１〜３３、比較例１〜３６の保持力（Ｈｃ）、角型比、磁気的異方性指数（ＯＲ）、および残留磁化量の磁気的異方性指数（ＭｒｔＯＲ）、電磁変換特性の結果を表１、表２に示す。実施例１〜７は配向調整膜Ｃｏ−Ｗ系合金（Ｃｏ：４５ａｔ％、Ｗ：５５ａｔ％）の膜厚の傾向を示す。膜厚が２５〜３００オングストロームの範囲で良好な円周方向の磁気異方性が得られており、電磁変換特性が優れている。さらに膜厚が２５〜１００オングストロームの範囲でさらに良好な円周方向の磁気異方性が得られており、電磁変換特性を優れている。実施例８〜３０では配向調整膜の合金組成を変化させた。Ｃｏ−Ｗ系合金、Ｃｏ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｂ系合金、Ｎｉ−Ｔａ系合金、Ｎｉ−Ｎｂ系合金、Ｆｅ−Ｗ系合金、Ｆｅ−Ｍｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｂ系合金で良好な円周方向の磁気異方性が得られており、記録再生特性が優れている。実施例３１〜３３では配向調整膜に３元系合金を用いた。Ｃｏ−Ｗ−Ｍｏ系合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｔａ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｗ系合金で良好な円周方向の磁気異方性が得られており、電磁変換特性が優れている。
【００８０】
比較例１〜３３は、テクスチャー条痕が表面に形成されないガラス基板を用いて、実施例１〜３３の配向調整膜の合金組成を用いた。テクスチャー条痕が表面に形成されないないので、何れも磁気異方性は発現していない。電磁変換特性も実施例と比較して劣っていることが分かる。
【００８１】
比較例３４〜３６は、テクスチャー条痕が表面に形成されたガラス基板に、配向調整膜としてＮｉ−Ｐ系合金（Ｎｉ：８０ａｔ％、Ｐ：２０ａｔ％）を用いた。円周方向の磁気異方性は発現しているが、保持力、角型比が低いために良好な電磁変換特性は得られていない。
【００８２】
【表１】
2006092745.tif 000003
【００８３】
【表２】
2006092745.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図２】本発明の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を示す。
【符号の説明】
【００８５】
１  ガラス基板
２  配向調整膜
３  非磁性下地層
４  磁性層
５  保護膜
２０  磁気記録媒体
２１  媒体駆動部
２２  磁気ヘッド
２３  ヘッド駆動部
２４  記録再生信号処理系
【図１】
2006092745.tif 000005
【図２】
2006092745.tif 000006