(57)【要約】【課題】記録媒体の基板と垂直磁気記録層の間に設ける軟磁性層を、短時間で厚く皮膜形成が可能で、且つスパイクノイズや軟磁性層ノイズが低減された垂直磁気記録媒体を高生産性で得る。【解決手段】アルミニウム板またはアルミニウム合金板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂを設けた基板１に、下から順に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層からなる軟磁性裏打ち層３、Ｎｉ−Ｆｅ合金とＣｏ−Ｆｅの２層からなる軟磁性バッファー層４、反強磁性層５、下地層６、垂直磁気記録層７を順次形成して垂直磁気記録媒体とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性裏打ち層を介して垂直磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体であって、基板と、無電解めっき法によって成膜するＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっきからなる前記軟磁性裏打ち層と、該軟磁性裏打ち層上に成膜してなる反強磁性層と、該反強磁性層上にスパッタ法を用いて成膜してなる下地層と、該下地層上にスパッタ法を用いて成膜してなる垂直磁気記録層とを備えてなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっきからなる軟磁性裏打ち層においてＦｅの含有量が３０〜５０重量％である請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記軟磁性裏打ち層は、研磨後の厚さが１００〜１０００ｎｍであり、表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）が０．５ｎｍ以下である請求項１又は２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記軟磁性裏打ち層の飽和磁束密度が１．２Ｔ以上、保磁力が５Ｏｅ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記基板が、アルミニウム基板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を形成した基板からなる請求項１〜４何れかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記基板と前記軟磁性裏打ち層との間に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を有する請求項１〜５何れかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層中のＰの含有量が５％以下である請求項６に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記軟磁性裏打ち層と反強磁性層との間に、軟磁性バッファー層を設けた請求項１〜６いずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記軟磁性バッファー層が、下層のＮｉ−Ｆｅ合金層と上層のＣｏ−Ｆｅ合金層との２層からなる請求項８に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体を用いてなる垂直磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性裏打ち層に起因するノイズ、特にスパイクノイズの抑制が可能で、ハードディスクや磁気テープなどに好適に適用できる垂直磁気記録媒体およびそれを用いた垂直磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等の磁気記録装置に搭載されている磁気記録媒体として、記録媒体の表面に平行な方向、すなわち磁気記録層の面内方向に磁化方向を固定してデータを記録する面内記録方式が使用されている。この面内記録方式においては、単位面積あたりの記録密度をさらに高めることが求められ、保磁力を高めることで対応してきた。しかし、保磁力が高くなり過ぎるとリングヘッドを用いるデータの書き込みが不可能になるなどの弊害が認められる。
【０００３】
一方、単磁極ヘッドを用いて、記録媒体の表面に垂直な方向にデータを記録する垂直磁気記録方式においては、高保磁力を有する記録媒体であっても記録することが可能であり、面内記録方式よりも高い記録密度が得られる。そのため垂直磁気記録方式を用いる記録媒体の研究開発も従来より行われている。垂直磁気記録媒体としては、記録媒体の基体上に軟磁性層とその上に垂直磁気記録層との２層を設けてなる構造の垂直磁気記録媒体が用いられている。この２層構造の垂直磁気記録媒体においては、垂直磁気記録層の１０倍以上の厚さのパーマロイ系結晶質材料やＣｏＺｒＮｂなどの非晶質材料からなる軟磁性層をスパッタリング法を用いて設けているが、軟磁性層中に形成される磁壁から磁束が漏洩することに起因するスパイクノイズが多発する欠点を有している。
【０００４】
上記のスパイクノイズの発生を抑制することを目的として、以下に示すような技術が提案されている。例えば、基体と非晶質のＣｏ合金からなる軟磁性層の間に、Ｃｏを含むＭｎ合金またはＩｒを含むＭｎ合金からなる反強磁性薄膜を形成し、交換結合を利用して軟磁性層の磁化を固定することにより、軟磁性層における磁壁形成を阻止してスパイクノイズの発生を抑制する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。この方法においては、基体上にスパッタリング法を用いて反強磁性薄膜層、軟磁性層、磁気記録層などを形成しているが、軟磁性層の厚さは反強磁性薄膜層や磁気記録層などの厚さの１０倍近くまで厚く形成する必要があり、長時間のスパッタリング処理が余儀なくされ、生産性に乏しい。
【０００５】
また、垂直磁化膜と裏打ち軟磁性層の間に垂直磁化膜から１００ｎｍ以下の距離を隔てて反強磁性層を設け、垂直磁化膜と反強磁性層の間に非磁性中間層を配置し、垂直磁化膜と反強磁性層の間に非磁性中間層と強磁性層（軟磁性膜）からなる層を設けることにより、裏打ち軟磁性層から発生するスパイク状ノイズを低減する方法が開示されている（例えば特許文献２参照）。この方法においても、これらの各層はスパッタリング法を用いて形成されるが、軟磁性層の厚さは各層の厚さの１０倍以上の厚さで形成する必要があり、長時間のスパッタリング処理が余儀なくされ、生産性に乏しい。
【特許文献１】特許公開公報  特開２００１−２９１２２４号公報
【特許文献２】特許公開公報  特開２００２−２９８３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明においては、記録媒体の基板と垂直磁気記録層の間に設ける軟磁性層を、短時間で厚く皮膜形成が可能で、且つスパイクノイズや軟磁性層ノイズが低減され、高生産性で得ることができる垂直磁気記録媒体及びそれを用いた垂直磁気記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の目的を達成する本発明の垂直磁気記録媒体は、軟磁性裏打ち層を介して垂直磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体であって、基板と、無電解めっき法によって成膜するＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっきからなる前記軟磁性裏打ち層と、該軟磁性裏打ち層上に成膜してなる反強磁性層と、該反強磁性層上にスパッタ法を用いて成膜してなる下地層と、該下地層上にスパッタ法を用いて成膜してなる垂直磁気記録層とを備えてなることを特徴とするものである。上記構成により、軟磁性裏打ち層を、無電解めっき法を用いて短時間で厚膜に成膜できるので、従来のスパッタ法のみで厚膜の軟磁性裏打ち層を設ける場合に比べて高生産性で垂直磁気記録媒体を製造することができ、さらにその上に反強磁性を設けることによりスパイクノイズの発生を抑制することができる。上記構成の垂直磁気記録媒体において、前記反強磁性層と垂直磁気記録層との間に成膜してなる下地層は単層又は多層構造何れでもよい。下地層は、その上に形成する垂直記録層の垂直磁化膜化を促進するものであり、スパッタ法を用いて正確な層厚に形成するのが望ましい。
【０００８】
上記構成の垂直磁気記録媒体において、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっきからなる軟磁性裏打ち層におけるＦｅの含有量が３０〜５０重量％の範囲にすることによって、飽和磁束密度を１．２Ｔ以上、保持力を５Ｏｅ以下とすることが可能となり、結晶構造を結晶質とすることができる。Ｆｅの含有量が３０重量％未満であると飽和磁束密度が１．２Ｔ未満であり、５０重量％を超えると飽和磁束密度は問題ないが、製造上めっき制御が困難であるので、３０〜５０重量％の範囲が好ましい。また前記軟磁性裏打ち層は、研磨後の厚さが１００〜１０００ｎｍであり、表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）が０．５ｎｍ以下にすることが望ましい。１００ｎｍ未満であると十分な研磨精度の確保が困難になり、１０００ｎｍを超えても記録密度向上の利点が向上せず、経済的に有利でなくなる。
【０００９】
さらに、上記構成の垂直磁気記録媒体において、前記基板として、アルミニウム基板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を形成した基板を採用することができる。基板は、非磁性体であれば、金属、樹脂、ガラス、セラミックス等その材質は限定されないが、アルミニウム基板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を形成した基板を採用することによって、無電解めっき法により形成される軟磁性裏打ち層と構造が共通しためっき装置やめっき廃液処理設備を利用できる利点がある。
【００１０】
さらに、上記構成の垂直磁気記録媒体において、前記基板と前記軟磁性裏打ち層との間に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を設けることが望ましい。その場合、前記結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層中のＰの含有量が５％以下であることが望ましい。基板と前記軟磁性バッファー層との間に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を設けることによって、前記軟磁性裏打ち層の析出速度が向上し、生産性を高めることができる。結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層中のＰの含有量が５％を超えると、Ｎｉ−Ｐ合金が非晶質化しＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金の析出速度が低下する。
【００１１】
さらに、上記構成の垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち層と反強磁性層との間に、軟磁性バッファー層を設けることができる。軟磁性バッファー層を設けることによって、前記反強磁性層の結晶成長及び結晶配向制御ができ、一方向磁気異方性を誘導することに寄与することができる。前記軟磁性バッファー層は、特に限定されるものではないが、前記性能を発揮できる軟磁性材料の単層、あるいは積層構成が採用でき、積層構成としては、下層のＮｉ−Ｆｅ合金層と上層のＣｏ−Ｆｅ合金層との２層構造が好適に採用できる。
以上のような構成の垂直磁気記録媒体を用いて、生産性に優れスパイクノイズや軟磁性層ノイズが低減された垂直磁気記録装置を構成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の垂直磁気記録媒体は、記録媒体の基板と垂直磁気記録層の間に設ける軟磁性裏打ち層を、無電解めっき法を用いて短時間で厚膜に成膜して構成するので、スパッタ法のみで厚膜の軟磁性裏打ち層を設ける場合に比べて高生産性で垂直磁気記録媒体を得ることができる。特に、アルミニウム板またはアルミニウム合金板に湿式皮膜形成法である無電解合金めっきにより表面硬度確保のためのＮｉ−Ｐ合金めっき層を形成させた基板を用いる場合は、引き続いて皮膜形成法を変更することなく、湿式皮膜形成法である無電解合金めっきにより軟磁性裏打ち層を形成させるので、極めて効率がよく高生産性で皮膜形成することが可能となる。また、無電解めっき法を用いて形成した軟磁性裏打ち層の上にスパッタ法を用いて軟磁性バッファー層を設け、さらにその上に反強磁性層を設けることにより、スパイクノイズの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の垂直磁気記録媒体とそれを備えた磁気記録装置の一実施形態について図面に基づき説明する。なお、これらの実施形態は発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り本発明を限定するものではない。
【００１４】
図１は本発明の垂直磁気記録媒体の実施例の一例を示す、概略断面図である。垂直記録媒体１０は、基板１上に図面上で下から順に、基板により選択的に設ける結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２、軟磁性裏打ち層３、Ｎｉ−Ｆｅ合金層４ｃおよびＣｏ−Ｆｅ合金層４ｂの２層からなる軟磁性バッファー層４、反強磁性層５、下地層６、垂直磁気記録層７、および保護膜８、潤滑膜９を形成して構成される。図２は本発明の垂直磁気記録媒体の実施例の他の一例において、基板としてアルミニウム基板からなる基板１ａに非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂを形成したものを用いた場合を示す概略断面図である。
【００１５】
基板１としては、磁気ディスク用に非磁性の金属や樹脂からなる円板またはその上に他の非磁性の皮膜を形成させたものがあげられる。非磁性の金属や樹脂からなる円板としては、アルミニウム、チタン、またはそれらを主成分とする合金、ガラス、シリコン、カーボン、セラミックス、樹脂、またはこれらの２種以上からなる複合体からなる円板を用いることができる。これらの円板上に形成させる皮膜は、高温に加熱しても磁性を帯びず、導電性を有し、熱伝導性に優れ、研磨などの機械加工が容易に実施可能で、かつ取扱に際して疵が付きにくい適度な硬度を有している非磁性皮膜が用いられ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｔａ、Ｎｉ−Ｔｉ、Ｎｉ−Ａｌなどの合金からなる皮膜があり、スパッタ法、蒸着法、めっき法などを用いて成膜することができる。基板１ａに形成する非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂも非磁性皮膜である。
【００１６】
本発明においては、軟磁性裏打ち層３を湿式皮膜形成法である無電解めっき法により形成することを特徴としている。そのため、同様に湿式皮膜形成法を用いて磁気ディスク基板として広汎に製造されている、図２に示すようなアルミニウム基板１ａ（アルミニウム合金板も含む、以下同様）上に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂを形成した基板１を用いると、構造が共通しためっき装置やめっき廃液処理設備等を利用できるので、生産性の観点から好ましい。
【００１７】
また、基板１として非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂを形成したアルミニウム板またはアルミニウム合金板１ａを用いる場合は、非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層１ｂ上に無電解めっき法を用いて薄い結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２を設けることが好ましい。この結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２を設けない場合、その上層に無電解めっき法を用いてＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっきからなる軟磁性裏打ち層３を形成する際に、軟磁性裏打ち層３の析出速度が極端に低下してしまい、生産性の観点から好ましくない。また、この結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっきを適用する場合、めっき皮膜中のＰの含有量を５％以下にすることが好ましく、Ｐの含有量が５％を超えるとＮｉ−Ｐ合金が非晶質化し、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金の析出速度が極端に低下する。めっき皮膜中のＰの含有量を５％以下とするためには、Ｎｉ−Ｐ合金めっきにおいてめっき浴の温度を替えて合金の析出速度を加減したり、めっき浴のｐＨを変化させることにより適宜調整することができる。この結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２の厚さは１００ｎｍ以下であることが好ましい。１００ｎｍを超えるとその上に形成する  Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき皮膜の密着性が低下して剥離しやすくなる。なお、ここでいう非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層とは、透過電子顕微鏡による電子回折像においてハローパターンが認められるものを指し、それ以外のものを結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層という。
【００１８】
一般に、垂直磁気記録媒体の場合、磁気ヘッドが該垂直磁気記録媒体に書き込まれた信号を良好に読みとるためには、磁気ヘッドと該垂直磁気記録媒体の空隙は小さい方が好ましい。特に、磁気ヘッドが垂直磁気記録媒体上を浮上しながら記録再生する場合には、その浮上量は出きるだけ小さい方が好ましい。さらに、磁気ヘッドを浮上させずに垂直磁気記録媒体の表面に接触させて記録再生することができればより好ましい。したがって、垂直磁気記録媒体用の基体としては、優れた表面平滑性を有するものが好ましく、さらには、基体の表裏両面の平行性、および基体の円周方向のうねりが適切に制御されたものが好ましい。
【００１９】
基板１上に設ける軟磁性裏打ち層３は、ヘッド系磁気回路の一部として機能するため、膜厚は１００〜１０００ｎｍのように厚く堆積し、その後表面を研磨して用いられる。そのため、生産性の観点からはスパッタ法、蒸着法などの皮膜形成方法を用いるよりも無電解めっきなどの湿式皮膜形成法を用いる方が有利である。特に、基板１としてＮｉ−Ｐ合金めっき層を形成したアルミニウム板を用いる場合は、上記のように、構造が共通しためっき装置や、共通のめっき廃液処理設備等を利用できるのでより有利になる。
【００２０】
軟磁性裏打ち層３としては、スパッタ法によって成膜するＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ、Ｆｅ−Ｎなどの合金を用いることができるが、本発明においては、湿式皮膜形成法である無電解めっき法を用いてＢを還元剤とするＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層を軟磁性裏打ち層３として適用する。基板１に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を形成したアルミニウム板を用いる場合は、非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層に無電解めっき法を用いて薄い結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２を設け、その上に無電解めっき法を用いてＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層を形成する。
【００２１】
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層を軟磁性裏打ち層３として適用する場合、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層においてＦｅの含有量を３０〜５０重量％とすることにより、飽和磁束密度を１．２Ｔ以上、保磁力を５Ｏｅ以下とすることが可能となり、結晶構造は結晶質となる。Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっきにおいて、Ｆｅの含有量を上記の範囲とするためには、合金めっきにおいてめっき浴の温度を変えてめっき層の析出速度を加減したり、めっきのｐＨを変化させて適宜調整する。一方、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層からなる軟磁性裏打ち層において、Ｎｉの含有率が６８％以下であると、飽和磁束密度が１．２Ｔ以上となり良好である。したがって、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層におけるＢ量は、Ｎｉ量及びＦｅ量が共に上記条件を満たしておれば特に限定されないが、Ｂ量はＮｉ量及びＦｅ量と比べてかなり少ない量が望ましく、例えば２重量％以下でよい。
【００２２】
図５は、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層からなる軟磁性裏打ち層におけるＮｉ量と飽和磁束密度の関係を調べるために行った実験結果を示すグラフであり、縦軸に飽和磁束密度（Ｔ）を横軸にＮｉ量（重量パーセント）を示している。該実験は、軟磁性裏打ち層が表１に示す配合成分を有する１０個の試料について、Ｎｉ含有量が低い順に行なったものである。該グラフから明らかなように、Ｎｉの含有率が高くなるつれて飽和磁束密度（Ｔ）が低下し、Ｎｉの含有率が６８％以下であると、飽和磁束密度が１．２Ｔ以上となる。
【表１】
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【００２３】
上記実験で使用した各試料は、アルミニウム基板に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を有する基板に、結晶質Ｎｉ−合金めっき層を形成し、その上にＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層からなる軟磁性裏打ち層を形成したしたものであり、各層の条件は以下に示す通りである。
（１）基板の厚み：
アルミニウム基板１．２７ｍｍ
非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層（Ｐ含有量１２重量％）１１μｍ
（２）結晶質Ｎｉ−Ｐめっき層：
Ｐ含有率３重量％、厚み０．０５μｍ
（３）軟磁性裏打ち層の厚み：  ０．５μｍ
また、飽和磁束密度の測定条件は、以下のとおりである。
試料サイズ：  １０ｍｍ角
最大印加磁場：５ＫＯｅ
スイープ速度：２０分／ループ
【００２４】
これらの軟磁性裏打ち層３の厚さは研磨後の厚さで１００〜１０００ｎｍであることが好ましく、３００〜５００ｎｍであることがより好ましい。１００ｎｍ未満であると、研磨に際して十分な研磨精度の確保が困難になり、１０００ｎｍを超えても記録密度向上の利点が向上せず、経済的に有利でなくなる。
【００２５】
また、これらの軟磁性裏打ち層３の表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）は０．５ｎｍ以下とする必要がある。表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）が０．５ｎｍを超えるとノイズパワースペクトル中に観測されるノイズパワーが増加するばかりではなく、ヘッドクラッシュが生じやすくなる。そのためには、基板１として非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を形成したアルミニウム板を用いる場合は、非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき後に表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）が０．２ｎｍ以下となるように表面を研磨した非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層上に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を１００ｎｍ以下の厚さで形成し、その上にＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層を上記の厚さで形成した後、表面を再研磨することにより表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）を０．５ｎｍ以下とすることができる。また、アルミニウム板上に非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層を形成した後に行う表面研磨を省略して結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層およびＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層を形成させた後、表面研磨を行って表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）を０．５ｎｍ以下とすることもできる。
【００２６】
一般に、垂直磁気記録媒体においては、基板上に軟磁性層を設けた後にその上に反強磁性層を設ける。反強磁性層は、軟磁性層との交換結合作用により、軟磁性層にブロッホ磁壁を形成させずにスパイクノイズを抑制するために設ける層である。特に軟磁性裏打ち層の磁化を基板（円板）の径方向に固定し、残留磁化状態で単磁区化させることは、ブロッホ磁壁からの漏洩磁束を完全に排除できる結果スパイクノイズの発生を抑制できるため好ましい。軟磁性層との交換結合により大きな一方向磁気異方性を誘導するために、反強磁性層の結晶成長ならびに結晶配向制御を目的として、軟磁性層と反強磁性層の間に軟磁性バッファー層を設けてもよい。本発明においては、上記のように基板１上に結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層２を形成したその上に軟磁性裏打ち層３としてＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層を形成し、その上に軟磁性バッファー層４を形成する。軟磁性バッファー層４としては、特に限定するものではないが、反強磁性層の構造をめっき軟磁性層の構造に依存せずに制御できるような軟磁性材料、また、軟磁性バッファー層４の上に形成する反強磁性層５との組み合わせにより大きな一方向磁気異方性を誘導できるような軟磁性材料、あるいはそれらの積層構成を用いてもよい。具体的には、Ｃｏ−Ｆｅ合金からなる単層、または図１に示すように基板側からＮｉ−Ｆｅ合金４ｃとＣｏ−Ｆｅ合金４ｂからなる２層を用いることが好ましい。軟磁性バッファー層４の厚さは生産性の観点から１〜２０ｎｍであることが好ましい。軟磁性バッファー層４の形成には湿式皮膜形成法、乾式皮膜形成法のいずれも適用できるが、膜厚の厳密制御の観点からは、スパッタリング法等の乾式皮膜形成が好ましい。
【００２７】
反強磁性層５としては、Ｍｎ−Ｉｒ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｐｔ−Ｍｎ等の合金およびこれらの合金に反強磁性層としての特性に悪影響を与えない範囲で他の金属１種以上を添加したものを用いることができる。厚さは、ヘッド系磁気回路の観点からスペーシングロスとなるため、一方向磁気異方性を誘導する機能を損ねない程度に薄いことが好ましい。具体的には１〜１０ｎｍの厚さの層を設けることが好ましい。反強磁性層５の形成には湿式皮膜形成法、乾式皮膜形成法などのいずれも適用できるが、膜厚の厳密制御の観点からは、スパッタリング法等の乾式皮膜形成法がより好ましい。
【００２８】
次いで反強磁性層５の上にスパッタ法を用いて、下地層６を設けてもよい。この下地層６としては、その上に形成する垂直記録層７を垂直磁化膜化させる材料であればいかなる材料であっても差し支えない。例えば、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｈｆ、非磁性ＣｏＣｒ、Ｐｔ及びＰｄを用いることができる。また、下地層６の構成としては、これらの単層構造の他、２層またはそれ以上の多層構造であってもよい。
【００２９】
スパッタ法を用いて形成する垂直磁気記録層７は、磁化容易軸が膜面に略垂直方向に一方向に磁気異方性を有して配向した強磁性材料であればよく、特に組成を限定するものではないが、例えば、ＣｏとＣｒを主たる成分とし、磁化容易軸が膜面に略垂直方向に一方向に磁気異方性を有して配向した六方稠密構造（ｈｃｐ：hexagonal closest packed structure）を有するＣｏ−Ｃｒ系強磁性材料が好適に用いられる。このＣｏ−Ｃｒ系強磁性材料は、必要に応じて他の元素を添加したものであっても良い。
【００３０】
ＣｏＣｒ系強磁性材料の具体例としては、Ｃｏ−Ｃｒ（Ｃｒ＜２５ａｔ％）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ等のＣｏ−Ｃｒ系合金が挙げられる。また、この垂直磁気記録層７の結晶粒の粒径制御や粒間の偏析制御、結晶粒の結晶磁気異方性定数（Ｋｕ）、結晶粒径の制御、耐食性の制御、低温プロセスへの対応等を目的として、これら合金にＯ、ＳｉＯｘ、ＭｇＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｖ、Ｓｉ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｕ、希土類元素等を適宜添加してもよい。
【００３１】
また、上記のＣｏ−Ｃｒ系合金以外の強磁性材料、例えば、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｐｄ、Ｆｅ−Ｐｔ等の熱擾乱耐性に優れた材料や、それらを微細化するためにＢ、Ｎ、Ｏ、ＳｉＯｘ、ＭｇＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、Ｚｒ等を添加した材料を用いてもよい。さらに、Ｃｏ層とＰｔ層を多数積層した多層構造の垂直記録層も適用可能である。このような多層構造の垂直記録層としては、Ｃｏ層とＰｄ層、あるいはＦｅ層とＰｄ層等を組み合わせた多層構造の垂直記録層、またはこれらの各層にＢ、Ｎ、Ｏ、Ｚｒ、ＳｉＯｘ等を添加したものも適用可能である。これらいずれの記録層材料を選定した場合も、垂直磁気記録層７の厚さは５〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００３２】
このようにして本発明の垂直磁気記録媒体が得られるが、実際にドライブに組み込んで使用する場合は、垂直磁気記録層７の上に保護膜８および保護膜８上に潤滑膜９を設ける必要がある。保護層８は、垂直磁気記録層７の表面を保護するためのもので、保護膜として必要な機械的強度、耐熱性、耐酸化性、耐腐食性等を備えたものであればよく、特に材料組成を限定するものではないが、例えば、カーボンが好適に用いられる。潤滑膜は基体が回転している際に、磁気ヘッドを安定して浮上させるためのものであり、例えばパーフルオロポリエーテルが好適に用いられる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例にて本発明を詳細に説明する。
（基板の作成）
磁気ディスク用のアルミニウム合金からなる、中心に孔を有する直径：２．５インチ規格の円板（直径：６５ｍｍ）に非晶質のＮｉ−Ｐ合金めっきを施した後、アルミナ系の研磨液を用いて粗研磨した後、コロイダルシリカ研磨液を用いて仕上げ研磨し、表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）を０．３ｎｍにポリッシュし、基板とした。
【００３４】
（軟磁性裏打ち層の形成）
この基板に前処理を施すことなく、以下に示す浴組成のＮｉ−Ｐ合金めっき浴を用いてＮｉ（９７重量％）−Ｐ（３重量％）の組成を有する厚さ８６ｎｍの結晶質Ｎｉ−Ｐ合金層を形成した。
【００３５】
[Ｎｉ−Ｐ合金めっき浴]
硫酸ニッケル                      １４ｇ／Ｌ
Ｌ（＋）−酒石酸                  ４５ｇ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム            ５．５ｇ／Ｌ
ｐＨ（アンモニア水で調整）      ９．５
浴温                            ８０℃
【００３６】
次いで、上記のようにして形成した結晶質Ｎｉ−Ｐ合金層上に、以下に示す浴組成のＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき浴を用いてＮｉ（６２．３重量％）−Ｆｅ（３６．２重量％）−Ｂ（０．５重量％）の組成を有するＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金層を形成した。次いでコロイダルシリカ研磨液を用いて表面を研磨し、表面粗さ：０．２９ｎｍＲａおよび厚さ：３００ｎｍを有する軟磁性裏打ち層とし、試料番号１の試料とした。このようにして得られた試料番号１の試料の軟磁性裏打ち層の軟磁気特性を振動試料型磁力計（ＶＳＭ：理研電子社製ＢＨＶ−３５）を用いて測定したところ、保磁力：２．５Ｏｅ、飽和磁束密度：１．３であった。
【００３７】
[Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき浴]
硫酸ニッケル                    ２．６ｇ／Ｌ
硫酸第一鉄                      ５．７ｇ／Ｌ
酒石酸ナトリウム                  ４５ｇ／Ｌ
クエン酸三ナトリウム              １０ｇ／Ｌ
硫酸アンモニウム                  ２５ｇ／Ｌ
ジメチルアミンボラン            １．５ｇ／Ｌ 
ｐＨ（アンモニア水で調整）      ９．５
浴温                            ７０℃
【００３８】
（軟磁性バッファー層の形成）
上記のようにして基板にＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金めっき層を形成して表面を研磨した試料番号１の試料に、スパッタリング法を用いて表面に基板から順にＮｉ（８１重量％）−Ｆｅ（１９重量％）の組成を有する厚さ：６ｎｍのＦｅ−Ｎｉ合金層およびＣｏ（７０重量％）−Ｆｅ（３０重量％）の組成を有する厚さ：４ｎｍのＣｏ−Ｆｅ合金層層を設け、厚さ：１０ｎｍの軟磁性バッファー層を形成した。
【００３９】
（反強磁性層の形成）
この軟磁性バッファー層の上にスパッタリング法を用いて、Ｍｎ（７５重量％）−Ｉｒ（２５重量％）の組成を有する厚さ：６ｎｍのＭｎＩｒからなる反強磁性層を形成し、径方向へ磁化容易軸を誘導させた。比較用に、試料番号１の試料に反強磁性層を設けない試料（以下、試料番号２とする）も作製した。
【００４０】
（スパイクノイズの有無の判定）
反強磁性層を形成させた後の試料番号１および反強磁性層を設けない試料番号２の試料について、オプティカル・サーフェス・アナライザを用いディスク状の軟磁性層の磁区構造を評価することにより、スパイクノイズの有無を判定した。結果を図３および図４に示す。図３は試料番号２のディスク状軟磁性層１５の磁区構造を示したものであり、磁壁の生成を示す縞状模様１６が認められ、したがってスパイクノイズが発生する。一方、図４は試料番号１のディスク状軟磁性層２０の磁区構造を示したものであり、磁壁の生成を示す縞状模様が認められず、スパイクノイズは発生しない。
【００４１】
（下地層および垂直磁気記録層の形成）
次いで試料番号１の試料の反強磁性層の上にスパッタ法を用いて、下地層として厚さ２５ｎｍを有するＴｉ層を形成させた後、この下地Ｒｕ層の上に、Ｃｏ（６５重量％）−Ｃｒ（２０重量％）−Ｐｔ（１５重量％）の組成を有する厚さ：２２ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金からなる垂直磁気記録層を形成した。
【００４２】
（保護膜および潤滑膜の形成）
次いで垂直磁気記録層の上にスパッタ法を用いて、厚さ：７ｎｍのカーボンからなる保護膜を形成し、次いで、浸漬法を用いて厚さ：２ｎｍのパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成した。以上のようにして本発明の垂直磁気記録媒体を作成した。このようにして、本発明によれば、無電解めっき法によってＮｉ−Ｆｅ−Ｂ合金層を形成することによって形成したので、短時間で層厚の厚い軟磁性裏打ち層を形成することができ生産性に優れ、かつ図４に示すように、スパイクノイズの発生が殆どない垂直磁気記録媒体が得られることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の垂直磁気記録媒体は上記のように構成されており、軟磁性裏打ち層を湿式皮膜形成法である無電解めっき法により形成するので、乾式皮膜形成法あるスパッタリング法などに比べて簡便に短時間で厚い軟磁性裏打ち層を成膜できる。また、スパッタリング法によるコラム状に成長する結晶質軟磁性裏打ち層に比べ、高生産性でスパイクノイズが低減した垂直磁気記録媒体を得ることができ、ハードディスクや磁気テープなどの垂直磁気記録媒体として産業上の利用可能性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の実施例の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体に用いる基板の一例を示す、概略断面図である。
【図３】比較用の反強磁性層を形成させない場合の磁区構造を示す図である。
【図４】本発明の反強磁性層を形成させた場合の磁区構造を示す図である。
【図５】本発明の軟磁性裏打ち層のＮｉ含有率と飽和磁束密度との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  基板
１ａ  基板（アルミニウム板）
１ｂ  非晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層
２  結晶質Ｎｉ−Ｐ合金めっき層
３  軟磁性裏打ち層
４  軟磁性バッファー層
４ｂ  Ｃｏ−Ｆｅ合金
４ｃ  Ｎｉ−Ｆｅ合金
５  反強磁性層
６  下地層
７  垂直磁気記録層
８  保護膜
９  潤滑膜
１５  試料１のディスク状軟磁性層
１６  縞状模様
２０  試料２のディスク状軟磁性層
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図３】
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【図４】
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