(57)【要約】【課題】三次元的なリソグラフィシミュレーションを可能にする。【解決手段】このパターン評価方法は、フォトマスク用基板に形成された非正常パターンを含む三次元画像を取得する工程と、前記三次元画像からパターンの等高線データを抽出する工程と、前記等高線データを、高さに対応した光学パラメータと関係付けた図形データに変換する工程と、前記図形データと前記フォトマスクが露光されるときの照明条件から、ウェハ上での光強度分布をリソグラフィシミュレーションにより求め、前記非正常パターンがウェハ転写時に形成する非正常パターン像強度を求める工程と、前非正常パターンの合否を判定する工程とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク用基板に形成された非正常パターンを含む三次元画像を取得する工程と、
前記三次元画像からパターンの等高線データを抽出する工程と、
前記等高線データを、高さに対応した光学パラメータと関係付けた図形データに変換する工程と、
前記図形データと前記フォトマスクが露光されるときの照明条件から、ウェハ上での光強度分布をリソグラフィシミュレーションにより求め、前記非正常パターンがウェハ転写時に形成する非正常パターン像強度を求める工程と、
前記非正常パターンの合否を判定する工程と、
を具備することを特徴とするパターン評価方法。
【請求項２】
前記合否を判定する工程は、前記非正常パターンに対応する正常パターンの三次元画像を取得し、前記正常パターンがウェハ転写時に形成する正常パターン像強度を求め、これと前記非正常パターン像強度と比較することを特徴とする請求項１記載のパターン評価方法。
【請求項３】
前記合否判定は、前記正常パターン像強度から得られるウェハ転写予測輪郭線から一定の距離を置いて形成される境界線を、前記非正常パターン像強度から得られるウェハ転写予測輪郭線が横切るか否かで判定することを特徴とする請求項１記載のパターン評価方法。
【請求項４】
前記高さに対応した光学パラメータと関係付けた図形データは、等高線と等高線の間に区切られた領域内ではパラメータは一定値とし、領域間の境界である等高線の位置で階段状に値が変化していくよう割り振られた図形であることを特徴とする請求項１記載のパターン評価方法。
【請求項５】
請求項１〜４に記載のパターン評価方法により評価されたマスクパターンを用いて、半導体基板上に対応するパターンを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクパターン評価方法およびこれにより評価されたマスクを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に半導体フォトマスクの製作工程で発生した形状欠陥や欠陥修正部の転写性を評価する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、形状欠陥の転写性を評価する技術としては、像質検査装置（カールツァイス社のＡＩＭＳ（Aerial Image Measurement Software）：以降ＡＩＭＳと称する）を用いるか、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）やマスク形状欠陥装置から得られる画像を、必要に応じた画像処理を行った上で計算によって評価する方法（リソグラフィシミュレーション）が一般的に用いられている。
【０００３】
ＡＩＭＳは、露光装置と同波長光源・同光学系を持つ検査装置であるため、露光時の状況を正確に再現するという点では優れているが、装置自体としては測定再現性が低い、投資コスト／維持コストがかかる、スループットが低いなど現段階の技術レベルでは多くの問題を抱えている。また、ウェハ露光の結果しか分からないので、個々の欠陥がどのような形状をしているか知るためには、また別にＳＥＭ画像などを取得しなければならない。
【０００４】
また、ＳＥＭ画像による輪郭抽出図形を用いたリソグラフィシミュレーション計算では、欠陥の形状は精度良く把握できるものの、高さ情報については全く知ることができないため精度を欠く可能性が考えられる。例えば黒系欠陥の場合、欠陥の高さがパターン膜に比べて低い（薄い）場合は、欠陥としての影響度は計算よりも小さくなる方向になる筈である。逆に、白系欠陥では、同じ理由で計算値の方が影響が小さく出てしまう。また、完全にピンホールに成り切らないような若干薄化しただけの欠陥であれば、輪郭画像を出すこともできない。この場合影響度は０と計算されてしまう。
【０００５】
欠陥の高さ情報を得るにはＡＦＭ（Atomic Force Microscope）装置のようなものの利用が一般的であり（例えば、特許文献１参照）、ＡＦＭ装置を用いた３次元画像取得と同画像を用いたリソグラフィシミュレーションにより欠陥の影響度を評価する報告もある（例えば、特許文献２参照）。しかし３次元の構造体をそのままシミュレーションパラメータとして取り込み、計算を行うと膨大な時間がかかってしまうという問題がある。
【０００６】
例えば、マスク上１６μｍ×１６μｍの計算領域を設定した場合、現在一般に利用されているＥＷＳ（Engineering Work Station）を用いて二次元のリソグラフィシミュレーションを行うと、数分程度で終了するが、パターン膜面の高さ７０ｎｍの条件で三次元に拡張すると早くても数時間程度は必要であると言われている。パターンの複雑なものにいたっては1日以上かかってしまう場合もある。実用面ではマスク上に何箇所にもわたって測定点が存在するような場合がほとんどであり、実質的に三次元シミュレーションを使っていくことは難しい。
【０００７】
リソグラフィシミュレーションに入力する元となる画像に欠陥検査装置などで得られる光学イメージを用いた場合は、欠陥の高さ方向の情報はＳＥＭよりは幾分精度良く把握できるが、やはり不十分である。また、エッジ位置の抽出精度に関してはＳＥＭよりもかなり悪くシミュレーションに与える誤差も大きくなる。
【０００８】
一方、修正後保証についてはこれまでＡＩＭＳで行うのが一般的であった。ウェハ転写時と同じ状況を再現できるために、修正保証とダメージの両方からの影響をトータルに評価できるからである。欠陥評価のように画像取得して輪郭抽出しただけではダメージの影響が考慮されない。
【０００９】
ＦＩＢ（Focused Ion Beam）修正装置では、修正後のダメージとして図１４（ａ）、（ｂ）の２つのケースが考えられる。図１４（ａ）のように、アンダーエッチングになる原因としては修正装置としてエッチングプロセスが不安定である場合のほか、欠陥がマスク材料としてのＭｏＳｉの組成ではない場合がある。欠陥が膜面と同じＭｏＳｉであるかどうか修正前に見分けるのは非常に難しい。欠陥がＭｏＳｉの組成から変わっていると反応生成物が残ってしまったりする。特に、ＭｏＳｉでなく完全に異物であった場合は、その影響が大きく、その部分の透過率の低下が著しい。
【００１０】
図１４（ｂ）のようにオーバーエッチングとなる場合は、ＦＩＢ修正におけるエンドポイント検出精度の低さが原因である。欠陥の大きさや厚みが夫々異なっているのに対応して、エンドポイントを制御する技術は現在のところ不充分である。オーバーエッチングの場合クォーツ（Ｑｚ）基板面が凹むことによる位相差変動のほか、イオンビーム源であるＧａが注入されることによる透過率低下を引き起こす。
【００１１】
このような理由によりＳＥＭ画像などから得られる形状計測に基づいた修正後保証は欠陥下地の情報が分からないため非常に困難であり、像質評価装置のみがこの問題を唯一の方法であった。しかし、ＡＩＭＳには上述したような問題があるため、別の方法が求められている。
【特許文献１】特開２００３−１２１９８６号公報
【特許文献２】特開２００４−１２６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、三次元形状を考慮したリソグラフィシミュレーションが可能なパターン評価方法、およびこれにより評価されたパターンを用いた半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明のパターン評価方法は、フォトマスク用基板に形成された非正常パターンを含む三次元画像を取得する工程と、前記三次元画像からパターンの等高線データを抽出する工程と、前記等高線データを、高さに対応した光学パラメータと関係付けた図形データに変換する工程と、前記図形データと前記フォトマスクが露光されるときの照明条件から、ウェハ上での光強度分布をリソグラフィシミュレーションにより求め、前記非正常パターンがウェハ転写時に形成する非正常パターン像強度を求める工程と、前記非正常パターンの合否を判定する工程とを具備することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記のパターン評価方法により評価されたマスクパターンを用いて、半導体基板上に対応するパターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、評価の対象となるパターンの三次元形状を考慮したリソグラフィシミュレーションが可能になる。即ち、これまでのＳＥＭ画像や光学像などでは得られなかった高さ情報に依存する欠陥の光学パラメータをシミュレータに与えることができる。これによりマスクの形状欠陥の転写性評価をより精度の良いものにすることができる。
【００１６】
また、これまでのＡＩＭＳ以外の方法では困難であった修正後良否判定をＡＦＭ装置で出来るようになる。これによりＡＩＭＳよりも精度の良い修正後判定が可能になる。さらに、本発明のマスク評価方法を用いることで、マスクの欠陥転写性がより確実になることから、ウェハでの共通欠陥などの問題がより明確になり、歩留りの改善が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態では、パターン以外の部分で検出された比較的小さい欠陥の評価を例に取り説明する。まず、フォトマスクとして、ＡｒＦ波長の露光装置で利用されているようなハーフトーン型位相シフトマスクを準備する。具体的には、クォーツ（Ｑｚ）基板１にＭｏＳｉによる位相シフトパターン２が形成されたマスクである。この４倍マスクは、例えば５５ｎｍデバイスノードで必要な２２０ｎｍ、あるいは６５ｎｍノードデバイスで必要な２６０ｎｍのパターンが最小パターンとして描かれているものを想定している。
【００１９】
上記の基板をデバイスとして必要な欠陥レベルを考慮した形状検査を行う。必要な欠陥レベルとは最小パターンで転写の影響が出る欠陥のサイズを最小のものとして、それより大きい形状のものを全て検出するというものである。この検査の結果、検出された欠陥に対して、位置情報並びに検査装置での欠陥画像をデータストレージ装置（以後欠陥データサーバという）に保存する。保存した画像情報を閲覧した上で、例えば最小パターン以外の部分で検出された比較的小さい欠陥に注目し、修正が必要かどうかの判定を行なう。この手順を、以下図１を参照しつつ説明する。
【００２０】
まず、上記マスクをＡＦＭ装置あるいはＡＦＭ修正装置のような三次元画像を取り込める装置にセットし、適切な回転補正などを行った後、欠陥データサーバから座標情報を入手して着目した欠陥位置に移動する。欠陥を中心として周囲数μｍ角のエリアでＡＦＭの探針をスキャンさせ、三次元画像を取得する（図１のＳ１０１）。
【００２１】
このとき使用する探針は、カーボンナノチューブのような先端からカンチレバーまでの太さが一定で有るようなものが望ましい。こうすることでパターンエッジのテーパ角をなるべく現実に近い状態で画像取得することが出来る。
【００２２】
こうして得られた図２のような画像について特定の高さの点を抽出することで輪郭線を形成し、図３のような二次元図形を得ることができる（図１のＳ１０２）。図２でＡ−Ａ線を通る高さプロファイルが図４のようなものであったとすると、欠陥部分の位相差や透過率は正常部の膜面のものと異なっている。ＳＥＭ画像を用いる従来技術では、図３から得られる面積情報のみを使っての計算となるため、この点精度を欠く可能性があった。本実施形態ではＨとｈとの関係から光学パラメータ、具体的には位相差・透過率の変化の程度を見積もるようにする（図１のＳ１０３）。
【００２３】
基本的には下記のような式に基づいて欠陥部面積Ｓについての透過率ＴDefと位相差ＰDefの値を決める。
【００２４】
ＴDef＝ｅ−α（ｈ／Ｈ）  …  （１）
ＰDef＝  π   × （ｈ／Ｈ）  …  （２）
ここでα＝ｌｎ（１／ＴRef）、ＴRefは正常なＭｏＳｉ膜部分の透過率を示す。またこの式はＱｚ部を透過してくる光強度を１としている。
【００２５】
厳密には、欠陥が純粋なＭｏＳｉ素材であったとしても、膜の組成はＱｚ基板界面の位置から表面に向かって分布があるような場合は、高さだけでは決まらない。例えば、表面近傍の方が酸素成分の比率が高い場合がある。そこでより正確には（１）、（２）式もその補正を加える必要がある。これは実験的に求めることができるが、今回は省略している。
【００２６】
次に、実欠陥で高さがそれほどない場合は、図５に示すように側壁が丸まった状態で傾斜している。このような場合は、断面を台形に近似して領域を分けるようにする。具体的には欠陥の高さｈを基準にして高さが半分になる点で側壁に沿って接線を引き、それが高さ基準線ｌ並びにＱｚ基準面とに交わる点をＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４として台形に近似する。こうして得られた図形に対して領域をＳin、Ｓout と２つに分けて、夫々に光学パラメータを与えて計算させる。なお、このときの等高線データによる輪郭線は、図６（ａ）により与えられる。
【００２７】
ここでいう光学パラメータは位相差と透過率であり、Ｓinには式（１）、（２）で求められるＴDefとＰDefを用いる。Ｓoutには傾斜に応じた一次関数を（１）、（２）のｈに代入して求めたものを与える。
【００２８】
また、ｈ／２の点で求める接線の角度は毎回求めなくとも欠陥高さｈに依存する実験的データで代用可能である。従って、図５のようにＡＦＭイメージをもとにまずｈ／２となる点で輪郭線を抽出し、この線を基準にｈに依存する距離ｄだけ内側・外側にリサイズした図形を描く。これが台形近似したときの傾斜した部分を示す領域となる。これらをそれぞれＳｉｎ領域・Ｓｏｕｔ領域として光学パラメータを割り振ればよい。
【００２９】
ここで計算を簡単に行う方法として、変数を連続的に与えるのではなくて段階的に与えてもよい。Ｓｉｎの高さに相当するところまで横方向の位置をＮ分割し、ｈ／Ｎを（１）、（２）式に代入して得られる値を、一番低い位置に相当するエリアから順にｎ番目のエリアが（ｈ／Ｎ）＊ｎとなるよう割り振っていけばよい。Ｎ＝４の場合の例を図６（ｂ）、図６（ｃ）に示した。精度を上げるにはＮを大きくすればよいが、欠陥が小さい場合には小さい値でも大きな差は出ないと考えられる。
【００３０】
また、さらに形状を忠実に反映させる方法として図７（ａ）のように等高線で切る輪郭線を描き、等高線で囲まれた領域ごとにパラメータを割り振るとよい。この場合も位相差・透過率の値を段階的に与えることでシミュレーションを簡単に行うことができる。上述の例に対応してＮ＝４の場合を図７（ｂ）、図７（ｃ）に示した。
【００３１】
次に上で求めた値に対して欠陥位置を中心としたリソグラフィシミュレーションを実施する（図１のＳ１０４）。正確なシミュレーションを行うには、計算させるエリアとして１０μｍ〜２０μｍ角程度の二次元パターンデータが必要になる。しかしＡＦＭでこれだけのサイズのイメージを取り込むとイメージの質が落ちてリソグラフィシミュレーションに必要な精度が達成できない。現在のＡＦＭ技術レベルでは、必要な三次元精度を確保するためには取得イメージサイズを１〜２μｍ角まで限定する必要がある。従ってその周辺のエリアについてはパターンデータを補完しなければならない。これには２つのデータをマージする方法が有効である。ＡＦＭによる等高線二次元データをいったんＧＤＳ形式に変換しておき、一方で欠陥の位置に相当する設計データやマスク描画データを１０〜２０μｍの必要サイズで切り出して同じＧＤＳ形式にしておく。この２つのデータをパターンマッチングさせもっとも合わせ誤差の小さい形で重ね合わせる。これをひとつにマージ処理するすることで、リソシミュレーションを行うのに必要なＧＤＳデータセット１が準備される。
【００３２】
ＧＤＳデータセット１をもとにリソシミュレーションを行い、欠陥位置でのリソイメージを求める。その一方で設計データあるいは描画データだけで切りだして作ったＧＤＳデータセット２を準備し、リソグラフィシミュレーションを実行させて正常部としてのリソイメージを取得する。この２つのイメージを重ね合わせ、差分抽出し、面積あるいは幅がある閾値を超えたものについては修正が必要であるという合否判定を行う（Ｓ１０５）。この閾値はそのマスクに許されるクリティカルディメンジョン（ＣＤ）変動分から一律に決めても良いし、その欠陥が存在する位置のパターンサイズに対し相対的に決めても良い。
【００３３】
欠陥がハード欠陥でなく、半透明性異物のようなソフト欠陥であった場合はそもそも膜部のＭｏＳｉとは位相差・透過率の値が違うので、それに応じた値を設定する必要がある。マスク製造工程で存在する半透明性異物は、例えばレジスト残りのように特定の物質に限られる。そこでこうした物質についてはあらかじめ露光波長での光学的特性を求めておいてその値を用いるようにする。マスク材料に基づく欠陥か、それ以外の異物かを判別する方法としてはＡＦＭ装置などの探針を押し付け、フォースカーブを測定するか、インデンテーションを行って硬さを測定することで可能である。
【００３４】
以上のようにして、三次元形状を考慮したリソグラフィシミュレーションによるパターン評価が可能になる。
【００３５】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、出張り状のパターン欠陥の評価方法について説明する。第１の実施形態に挙げたようなハーフトーン型の位相シフトマスクについて欠陥検査を行うと、図８のような出張り状の欠陥４が検出されることがある。この欠陥４に対してＡＦＭ修正機によるスクラッチ修正を行う。このとき用いられるカンチレバーは、図９のようなもので、探針（プローブ）にはダイヤモンドなどの物質を使ったものが装着されている。
【００３６】
一般的な修正手順としては、ＡＦＭスキャンにより欠陥を含むエリアで数μｍ角の高精細なイメージを取り込み、イメージ上で欠陥を認識するプロセスを経て加工に入る。加工はこのプローブにしかるべき圧力を印加して、欠陥上を上下または左右方向に往復運動を繰り返して機械的に削る。
【００３７】
その後、液化二酸化炭素を霧状に吹き付けるドライクリーニング技術か、あるいは通常のマスク製作工程における硫酸加水洗浄のようなウェット洗浄にて、削りカスをきれいに取り除く。こうして図１０のような三次元形状を持つ修正跡が得られる。
【００３８】
ＡＦＭ修正の場合、加工したエッジの側壁角が周囲の正常パターンの側壁角に比べてやや傾いてしまう場合が多い。これはプローブの先端形状をトレースする形で加工エッジが仕上がっていくためで、プローブの種類のみならず先端の磨耗具合によっても大きく変わってくる。
【００３９】
この傾斜は周囲の正常パターンと比較し位相変動をもたらすが、欠陥位置をＭｏＳｉ／Ｑｚ界面よりもやや深く掘り下げることによってある程度緩和され、結果的に良い像質が得られる。そこでこの例においても深さｄｎｍ分掘り下げている。
【００４０】
図１０のようなＡＦＭイメージは、第１の実施形態に記載したようなカーボンナノチューブを用いた探針により側壁の角度が現実に近い状態で得られる。図１０のＡ−Ａ断面をとると図１１のようになり、傾斜した成分を持つ領域Ｓt と欠陥部の下地にあたる領域Ｓdef に分けることができる。実際には掘り下げた部分の側壁も傾斜していると考えられるが、ｄが小さい分寄与が小さいとして無視している。このようにしてパターンを上から見たときの二次元的な光学パラメータの割り振りを示す図１２が得られる。
【００４１】
ここで、第１に実施形態と同様にして、領域Ｓt には位相差・透過率として傾きに対応した一次関数から求めたものを与える。また領域Ｓdef には深さに対応する位相差と一定の透過率を与える。ＡＦＭ修正機の場合、透過率低下はＦＩＢに比べて小さいが、ガラスに傷つけている分、一定量あると考えられる。あとは、第１の実施形態と同様に、図１２の図形と設計データなどから得られる周辺パターンの図形をマージしてリソグラフィシミュレーションを行う。一方で設計データだけでリソグラフィシミュレーションを行い、両者の差分をとるなどして欠陥修正の合否判定を行う。
【００４２】
なお、上記の合否判定では、欠陥位置でのリソイメージを求め、その一方で設計データだけでリソグラフィシミュレーションを実行させて正常部としてのリソイメージを取得し比較したが、合否判定はこれに限るものではない。例えば、正常パターン像強度から得られるウェハ転写予測輪郭線から一定の距離を置いて形成される境界線を、非正常パターン像強度から得られるウェハ転写予測輪郭線が横切るか否かで判定するようにしてもよい。図１３はこの方法を図解したもので、図１３（ａ）は隣接するマスクパターンを示し、一部に突起の欠陥を有している。図１３（ｂ）は、このパターンのウェハ転写予測輪郭線を示しており、このウェハ転写予測輪郭線が点線で示される境界線を横切らなければ良いとするものである。
【００４３】
以上、第１および第２の実施形態で、本発明のパターン評価方法を説明したが、このような評価方法で合格と判定されたマスクを用いて、設計段階において設定された寸法、形状、および配置通りに、許容できる誤差範囲内で高い精度のパターンが表面に形成されたウェハを得る。この後、詳しい説明および図示は省略するが、良く知られたダイシング工程、マウント工程、ボンディング工程、およびパッケージング工程などを経て、所望の設計パターンが形成されたウェハを具備する半導体装置を得ることができる。
【００４４】
また、マスクの評価方法は、第１および第２の実施形態に述べたものに限られるものではなく、種種変形して実施することが可能であるが、望ましい実施態様として下記のものが挙げられる。
【００４５】
（１）合否判定は、非正常パターンに対応する正常パターンの三次元画像を取得し、正常パターンがウェハ転写時に形成する正常パターン像強度を求め、これと前記非正常パターン像強度と比較する。
【００４６】
（２）図１のＳ１０５における合否判定は、非正常パターンに対応する正常パターンの設計データまたは描画データを使用する。
【００４７】
（３）合否判定は、正常パターン像強度から得られるウェハ転写予測輪郭線から一定の距離を置いて形成される境界線を、前記非正常パターン像強度から得られるウェハ転写予測輪郭線が横切るか否かで判定する。
【００４８】
（４）高さに対応した光学パラメータと関係付けた図形データは、等高線と等高線の間に区切られた領域内ではパラメータは一定値とし、領域間の境界である等高線の位置で階段状に値が変化していくよう割り振られた図形である。
【００４９】
（５）非正常パターンはマスクの形状欠陥である。
【００５０】
（６）非正常パターンは上記形状欠陥をマスク修正装置により修正することで形成された修正跡である。
【００５１】
（７）三次元画像を取得する装置が原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）である。
【００５２】
（８）三次元画像を取得する装置として、三次元計測用の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてもよい。
【００５３】
（９）三次元画像を取得する装置として、トンネル電流顕微鏡（ＳＴＭ）を用いてもよい。
【００５４】
（１０）三次元画像を取得する装置として、スキャッタメータ（Scatterometry）を用いてもよい。
【００５５】
（１１）光学パラメータは、露光波長における位相差と透過率である。
【００５６】
（１２）上記のパターン評価方法により評価されたマスクパターンを用いて、半導体基板上に対応するパターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のパターン評価方法のフローチャート。
【図２】第１の実施形態に係る島状欠陥３を説明する摸式的斜視図。
【図３】図２の特定の高さの等高線から得られた輪郭図。
【図４】図２のＡ−Ａ線に沿った断面プロファイル。
【図５】島状欠陥３の光学パラメータを計算するためのモデル図。
【図６】等高線と光学パラメータ設定条件を説明するための図。
【図７】等高線と光学パラメータ設定条件を説明するための他の図。
【図８】第２の実施形態に係る出張り欠陥４を説明する平面図。
【図９】ＡＦＭ修正機に用いられるカンチレバーの１例を示す図。
【図１０】図８の出張り欠陥４の修正後の状態を示す摸式的な斜視図。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿った断面プロファイル。
【図１２】図１０のパターンにおける、二次元的光学パラメータの割り振りを示す平面図。
【図１３】合否判定の他の方法を説明するための模式図。
【図１４】ＦＩＢ修正機の問題点を説明するための模式図。
【符号の説明】
【００５８】
１…クォーツ（Ｑｚ）基板
２…パターン（ＭｏＳｉ膜）
３…島状欠陥
４…出張り欠陥
【図１】
2006343588.tif 000003
【図２】
2006343588.tif 000004
【図３】
2006343588.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006343588.tif 000012
【図１１】
2006343588.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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