(57)【要約】【課題】  読み出し周波数の高いイメージセンサを提供する。【解決手段】  直線状に配列されている第一光電変換素子群と、前記第一光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第一移送部と、前記第一移送部により移送された前記電荷を前記光電変換素子毎に順次検出する第一検出部と、前記第一光電変換素子群の一端から他端に向かう方向に前記第一光電変換素子群の前記他端の前記光電変換素子に続いて、前記第一光電変換素子群の配列方向と平行に配列されている第二光電変換素子群と、前記第二光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第二移送部と、前記第二移送部により移送された前記電荷を順次検出する第二検出部と、を備える。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線状に配列されている第一光電変換素子群と、
前記第一光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第一移送部と、
前記第一移送部により移送された前記電荷を順次検出する第一検出部と、
前記第一光電変換素子群の一端から他端に向かう方向に前記第一光電変換素子群の前記他端の前記光電変換素子に続いて、前記第一光電変換素子群の配列方向と平行に配列されている第二光電変換素子群と、
前記第二光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第二移送部と、
前記第二移送部により移送された前記電荷を順次検出する第二検出部と、
を備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
原稿を位置決めするプラテンと、
前記プラテンに位置決めされた前記原稿を読み取る請求項１に記載のイメージセンサと、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
直線状に配列されている第一光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第一移送段階と、
前記第一移送段階で移送された前記電荷を順次検出する第一検出段階と、
前記第一光電変換素子群の一端から他端に向かう方向に前記第一光電変換素子群の前記他端の前記光電変換素子に続いて前記第一光電変換素子群の配列方向と平行に配列されている第二光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第二移送段階と、
前記第二移送段階で移送された前記電荷を順次検出する第二検出段階と、
を含むことを特徴とするイメージセンサの制御方法。
【請求項４】
前記第一移送段階と前記第二移送段階とを同時に実行することを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイメージセンサ、その制御方法及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、イメージセンサは、直線状に配列されている光電変換素子群と光電変換素子群の配列方向の長さに対応する長さの移送部と検出部とを備えている。このようなイメージセンサでは、光電変換素子群の各光電変換素子に光電変換により発生した電荷を蓄積し、それらの電荷を所定のタイミングで移送部に読み出して、読み出した電荷を移送部で直列に検出部まで移送している。そして検出部まで移送された電荷を検出部で順次電圧に変換することにより、原稿を読み取っている。しかしながら、光電変換素子群の配列方向の長さが長くなると、それに伴って移送部の長さも長くなるため、電荷を検出部まで移送するために要する時間が長くなる。つまり上述したようなイメージセンサでは、その読み取り幅が長くなると、読み出し周波数が低下するという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものである。本発明の第一の発明は、読み出し周波数の高いイメージセンサを提供することを目的とする。また本発明の第二の発明は、読み取り速度の速い画像形成装置を提供することを目的とする。また本発明の第三の発明は、読み出し周波数の高いイメージセンサの制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）上記目的を達成するための第一の発明に係るイメージセンサは、直線状に配列されている第一光電変換素子群と、前記第一光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第一移送部と、前記第一移送部により移送された前記電荷を前記光電変換素子毎に順次検出する第一検出部と、前記第一光電変換素子群の一端から他端に向かう方向に前記第一光電変換素子群の前記他端の前記光電変換素子に続いて、前記第一光電変換素子群の配列方向と平行に配列されている第二光電変換素子群と、前記第二光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第二移送部と、前記第二移送部により移送された前記電荷を順次検出する第二検出部と、を備える。
第二光電変換素子群は、第一光電変換素子群の一端から他端に向かう方向に第一光電変換素子群の他端の光電変換素子に続いて、第一電荷結合素子群の配列方向と平行に配列されている。そのため第一光電変換素子群と第二光電変換素子群とにより対象物の一ライン分の光学像を分割して読み取ることができる。そして第一光電変換素子群で発生した電荷と第二光電変換素子群で発生した電荷とをそれぞれ第一移送部と第二移送部とによりそれぞれ第一検出部と第二検出部とまで移送するため、第一移送部と第二移送部とによる電荷の移送距離を短縮でき、電荷を短時間で移送することができる。したがって第一の発明によるイメージセンサによると、読み取り周波数を高くすることができる。
【０００５】
（２）上記目的を達成するための第二の発明に係る画像形成装置は、原稿を位置決めするプラテンと、前記プラテンに位置決めされた前記原稿を読み取る請求項１に記載のイメージセンサと、を備える。
第一の発明に係るイメージセンサを備えるため、読み取り速度を速くすることができる。
【０００６】
（３）上記目的を達成するための第三の発明に係るイメージセンサの制御方法は、直線状に配列されている第一光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第一移送段階と、前記第一移送段階で移送された前記電荷を前記光電変換素子毎に順次検出する第一検出段階と、前記第一光電変換素子群の一端から他端に向かう方向に前記第一光電変換素子群の前記他端の前記光電変換素子に続いて前記第一光電変換素子群の配列方向と平行に配列されている第二光電変換素子群の各光電変換素子で発生した電荷を直列に移送する第二移送段階と、前記第二移送段階で移送された前記電荷を順次検出する第二検出段階と、含む。
【０００７】
（４）前記第一移送段階と前記第二移送段階とを同時に実行してもよい。
第一光電変換素子群に蓄積した電荷と第二光電変換素子群に蓄積した電荷とを同時に移送するため、電荷の移送に要する時間を短縮することができる。
【０００８】
尚、本発明に係る各部は、構成自体で機能が特定されるハードウェア資源、プログラムにより機能が特定されるハードウェア資源、又はそれらの組み合わせにより実現される。また、これら各部は、各々が物理的に互いに独立したハードウェア資源で実現されるものに限定されない。
また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を一実施例に基づいて説明する。
図２は本発明の一実施例としての画像形成装置としてのイメージスキャナ（以下、スキャナという。）１のブロック図である。図１及び図３はリニアイメージセンサ（以下、イメージセンサという。）２を説明するための模式図である。尚、画像形成装置は、複合機、複写機、複写機能のあるファクシミリなどでもよい。
ハウジング４は、上方が開口した箱形に形成されており、開口側に原稿台６を支持している。原稿台６は概ね矩形のガラス板などの透明な板から形成されている。プラテンとしての原稿台６の盤面には原稿８が載置される。
【００１０】
図１に示すように、イメージセンサ２は、第一光電変換素子列２１１、第二光電変換素子列２１２、第三光電変換素子列２２１、第四光電変換素子列２２２、第一ＣＣＤ（Charge Coupled Devices）２１４、第二ＣＣＤ２１５、第三ＣＣＤ２２４、第四ＣＣＤ２２５、第一検出部２１６及び第二検出部２２６を備えている。イメージセンサ２は、光電変換素子列の各光電変換素子２００で原稿８からの光を光電変換することで発生させた電荷を所定時間蓄積して、光電変換素子２００毎に蓄積した電荷を順次電圧に変換することにより、原稿８の光学像に応じた電気信号を生成する。具体的には光電変換素子２００はフォトダイオードである。
【００１１】
尚、レンズ縮小型のリニアイメージセンサ２を例示したが、本発明は密着型のイメージセンサやエリアイメージセンサにも適用可能である。またイメージセンサ２がカラーイメージセンサの場合は、各光電変換素子２００にはカラーフィルタが設けられて、各光電変換素子２００はカラーフィルタを透過した光を受光する。ここでカラーフィルタとは、例えばＲ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）の原色フィルタである。カラー出力の方式はダイクロイックミラー方式でも、光源切り換え方式でもよい。
【００１２】
第一光電変換素子列２１１と第二光電変換素子列２１２は、それぞれ直線状に配列された複数の光電変換素子２００で構成され、それらは光電変換素子２００の配列方向にその配列間隔の半分だけ互いにずれて平行に配置されている。第一光電変換素子列２１１と第二光電変換素子列２１２には、それぞれに隣接して第一ＣＣＤ２１４と第二ＣＣＤ２１５が設けられている。
第一ＣＣＤ２１４は、第一光電変換素子列２１１の各光電変換素子２００で蓄積した電荷を第一光電変換素子列２１１の一端２１１ａ側から他端２１１ｂ側に向けて第一検出部２１６まで移送する。同様に第二ＣＣＤ２１５は、第二光電変換素子列２１２の各光電変換素子２００で蓄積した電荷を第二光電変換素子列２１２の一端２１２ａ側から他端２１２ｂ側に向けて第一検出部２１６まで移送する。上述したように第一光電変換素子列２１１と第二光電変換素子列２１２は、光電変換素子２００の配列方向にその配列間隔の半分だけ互いにずれて配置されているため、第一光電変換素子列２１１の各光電変換素子２００で蓄積した電荷と第二光電変換素子列２１２の各光電変換素子２００で蓄積した電荷とは、交互に第一検出部２１６に入力される。
【００１３】
具体的には第一ＣＣＤ２１４と第二ＣＣＤ２１５は、図３に示すように基板２３０、電極（ストレージ電極２３４、トランスファ電極２３２）等で構成されている。基板２３０はＰ型基板であり、その電極側の表面には不純物が注入されている。より具体的には、基板２３０のストレージ電極２３４近傍にはＮ型領域が形成され、基板２３０のトランスファ電極２３２近傍にはＮ-型領域が形成されている。第一ＣＣＤ２１４と第二ＣＣＤ２１５は、ストレージ電極２３４とトランスファ電極２３２とに入力される駆動パルス信号（図６参照）に応じてポテンシャル井戸を変化させることにより、それぞれ第一光電変換素子列２１１で蓄積した電荷と第二光電変換素子列２１２で蓄積した電荷とを移送する。詳細は後述する。第一光電変換素子列２１１と第二光電変換素子列２１２が請求項に記載の「第一光電変換素子群」に相当し、第一ＣＣＤ２１４と第二ＣＣＤ２１５が「第一移送部」に相当する。
【００１４】
図１に示す第一検出部２１６は、第一ＣＣＤ２１４及び第二ＣＣＤ２１５により移送された電荷を順次電圧に変換する。具体的には第一検出部２１６は、図３に示すように基板２３０、出力ゲート電極２４２、ＦＤ（フローティング・ディフュージョン）領域２４４、リセットゲート電極２４６、ドレイン領域２４８等から構成されている。より具体的には基板２３０の出力ゲート電極２４２及びリセットゲート電極２４６近傍にはＮ型領域が形成され、基板２３０のＦＤ領域２４４及びドレイン領域２４８にはＮ+型領域が形成されている。ＦＤ領域２４４に電荷が移送されると、ＦＤ領域２４４が有するキャパシタンスによりその電荷に応じた電圧が発生する。
第一検出部２１６のＦＤ領域２４４にはアンプ２５０が接続されており、アンプ２５０はＦＤ領域２４４に発生した電圧を増幅して電気信号として出力する。具体的には例えば、アンプ２５０はＦＤ領域２４４に発生した電圧を緩衝増幅するためのソース・フォロワ回路である。
【００１５】
図１に示すように、第三光電変換素子列２２１は、第一光電変換素子列２１１の配列方向に第一光電変換素子列２１１と並んで配置されている。同様に第四光電変換素子列２２２は、第二光電変換素子列２１２の配列方向に第二光電変換素子列２１２と並んで配置されている。
第三光電変換素子列２２１、第四光電変換素子列２２２、第三ＣＣＤ２２４、第四ＣＣＤ２２５、第二検出部２２６は、それぞれ第一光電変換素子列２１１、第二光電変換素子列２１２、第一ＣＣＤ２１４、第二ＣＣＤ２１５、第一検出部２１６と実質的に同一である。第三光電変換素子列２２１と第四光電変換素子列２２２が請求項に記載の「第二光電変換素子群」に相当し、第三ＣＣＤ２２４と第四ＣＣＤ２２５が「第二移送部」に相当し、第二検出部２２６が「第二検出部」に相当する。
【００１６】
以降では、第一光電変換素子列２１１と第二光電変換素子列２１２を第一光電変換素子群２１０といい、第三光電変換素子列２２１と第四光電変換素子列２２２を第二光電変換素子群２２０という。また第一ＣＣＤ２１４と第二ＣＣＤ２１５を第一移送部２１３といい、第三ＣＣＤ２２４と第四ＣＣＤ２２５を第二移送部２２３という。
尚、第一光電変換素子群２１０、第一移送部２１３及び第一検出部２１６と、第二光電変換素子群２２０、第二移送部２２３及び第二検出部２２６と、が互いに異なるチップに形成されているイメージセンサ２を例示したが、これらの構成要素は１チップに集積してもよい。また、第一光電変換素子群２１０、第二光電変換素子群２２０は、一列の光電変換素子列でもよい。
【００１７】
第一検出部２１６に接続されているアンプ２５０と第二検出部２２６に接続されているアンプ２５２は、マルチプレクサ（ＭＵＸ）２６０に接続されている。そしてマルチプレクサ２６０は、アナログフロントエンド部（以下、ＡＦＥ部という）３０に接続されている。制御部２０は、マルチプレクサ２６０を制御することにより、アンプ２５０とＡＦＥ部３０又はアンプ２５２とＡＦＥ部３０を時分割で接続する。そして制御部２０は、第一光電変換素子群２１０で蓄積した電荷に応じた電気信号と、第二光電変換素子群２２０で蓄積した電荷に応じた電気信号と、を時分割で読み取る。
【００１８】
図２に示すＡＦＥ部３０は、ＣＤＳ（相関二重サンプリング）等によるノイズ除去、Ａ／Ｄ変換等の機能を有する。
画像処理部３１は、ガンマ補正、先鋭化処理、モアレの除去処理、シェーディング補正、欠陥画素の補間、ホワイトバランスの補正等の機能を有するＡＳＩＣである。尚、これらの機能は、制御部２０で実行するソフトウェアで実現してもよいし、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）４０等の外部システムで実現してもよい。
【００１９】
センサ駆動部３２は、イメージセンサ２を駆動するための信号を出力する回路である。具体的にはセンサ駆動部３２は、第一光電変換素子群２１０に蓄積されている電荷と第二光電変換素子群２２０に蓄積されている電荷とをそれぞれ第一移送部２１３と第二移送部２２３とに移動させるタイミングを制御する読み出し信号、第一移送部２１３と第二移送部２２３とにより電荷を移送させるための駆動パルス信号、第一検出部２１６と第二検出部２２６を制御するリセット信号などを出力する。
光源１０は、キセノンランプ等を用いた管照明装置から構成され、長手方向軸がイメージセンサ２の主走査線に平行な姿勢で配置されている。光源１０は、可視光を放射して原稿台６に載置された原稿８を原稿台６の下方から照明する。
ミラー１２及びレンズ１４は、光源１０から放射され原稿８で反射した原稿８の光学像をイメージセンサ２の受光面に結像させる。
【００２０】
キャリッジ１６は、原稿台６の盤面に対して平行でイメージセンサ２の主走査線に垂直な方向（以下、副走査方向という。）に延伸するガイドロッド１８に、摺動自在に嵌合している。キャリッジ１６はイメージセンサ２とミラー１２とレンズ１４とを収容し、光源１０を搭載している。
キャリッジ駆動部３４は、図示しないモータ、駆動回路、プーリ、駆動ベルトなどを備える。モータが駆動回路に駆動されて回転すると、その回転により図示しないプーリに掛けられた駆動ベルトに牽引されて、キャリッジ１６は副走査方向に往復移動する。これによりイメージセンサ２の主走査線は副走査方向に移動する。尚、画像形成装置は、原稿台に対してイメージセンサ及びレンズの位置を固定し複数のミラーを連動して移動させることにより主走査線を副走査方向に移動させるミラー移動型のスキャナでもよい。
【００２１】
インタフェース部３６は、ＰＣ４０等の外部システムとスキャナ１とを通信可能に接続する。これによりスキャナ１をＰＣ４０で制御したり、読み取った画像を外部システムに送信することができる。
制御部２０は、ＣＰＵ２２、ＲＯＭ２４及びＲＡＭ２６を備える。ＣＰＵ２２はＲＯＭ２４に記憶されているプログラムを実行してスキャナ１の各部を制御する。ＲＯＭ２４は各種プログラム、各種データなどを記憶する不揮発性のメモリであり、ＲＡＭ２６は各種プログラム、各種データなどを一時的に記憶するメモリである。
【００２２】
図４は、スキャナ１による原稿８の一ライン分の読み取り処理のフローチャートである。
まずスキャナ１は、原稿８からの光を第一光電変換素子群２１０と第二光電変換素子群２２０とに光電変換させ、光電変換により発生した電荷をそれら光電変換素子群の各光電変換素子２００に所定時間だけ蓄積させる（ステップＳ１００参照）。具体的には制御部２０は、センサ駆動部３２によりイメージセンサ２の図示しない読出ゲートに対して所定周期の読出パルス信号を出力させる。ここで読出ゲートとは、２つの光電変換素子群とそれに対応する移送部との間に設けられ、それら光電変換素子群の各光電変換素子２００で発生した電荷の移送部への移動を制御するための素子である。制御部２０は、例えばこれらの読出ゲートに対してローレベルの読出パルス信号を印加することにより、２つの光電変換素子群の各光電変換素子２００で発生した電荷の移送部への移動を遮断する。すると、第一光電変換素子群２１０及び第二光電変換素子群２２０の各光電変換素子２００が光電変換により発生させた電荷は、各光電変換素子２００に蓄積される。このようにして制御部２０は、読出パルス信号のパルス発生から次のパルス発生までの１周期中に受光した光を２つの光電変換素子群の各光電変換素子２００に光電変換させ、光電変換により発生した電荷を各光電変換素子２００に蓄積させる。
【００２３】
次にスキャナ１は、ステップＳ１００で蓄積した電荷を第一移送部２１３と第二移送部２２３とに読み出す（ステップＳ１０２参照）。具体的には制御部２０は、例えば第一光電変換素子群２１０と第二光電変換素子群２２０の読出ゲートに対してハイレベルの読出パルス信号を印加することにより、それら光電変換素子群の各光電変換素子２００に蓄積した電荷を対応する移送部に移動させる。
次にスキャナ１は、第一光電変換素子群２１０及び第二光電変換素子群２２０から読み出された電荷を対応する移送部により第一検出部２１６又は第二検出部２２６まで直列に移送しつつ、２つの検出部まで移送された電荷を順次電圧に変換する（ステップＳ１０４参照）。図５は上述の処理中に第一移送部２１３、第二移送部２２３、第一検出部２１６及び第二検出部２２６に形成されるポテンシャル井戸を示す模式図である。図６はこのときセンサ駆動部３２が出力する駆動パルス信号（Ｖφ１、Ｖφ２）とリセット信号（Ｖｒｇ）とを示す模式図である。図５（Ｂ）から（Ｅ）は、それぞれ図６に示す時刻ｔ１からｔ４のときのポテンシャル井戸を示している。
【００２４】
第一光電変換素子群２１０と第二光電変換素子群２２０から読み出された電荷は、対応する移送部により第一検出部２１６又は第二検出部２２６に同時に移送される。具体的には制御部２０は、第一移送部２１３及び第二移送部２２３の対応する電極（ストレージ電極２３４及びトランスファ電極２３２）に同一の駆動パルス信号（図６に示す駆動パルス信号Ｖφ１、Ｖφ２参照）を印加することにより、図５に示すように第一移送部２１３と第二移送部２２３とに同様のポテンシャル井戸を形成する。２つの光電変換素子群の各光電変換素子２００から読み出された電荷は、このポテンシャル井戸に従ってそれぞれ直列に移送される。より具体的には電荷は、電位の低い井戸から電位の高い井戸に移動する（図５（Ｂ）、（Ｃ）に示す電荷３１０、電荷３２０参照）。制御部２０は、電荷が蓄積されているポテンシャル井戸の電位を低くなるように制御することにより（図５（Ｃ）、（Ｄ）参照）、隣接するより電位の高い井戸に電荷を移動させる（図５（Ｄ）、（Ｅ）に示す電荷３１０、電荷３２０参照）。
【００２５】
上述したように第一光電変換素子群２１０から読み出された電荷を第一移送部２１３により移送する処理が請求項に記載の「第一移送段階」に相当し、第二光電変換素子群２２０から読み出された電荷を第二移送部２２３により移送する処理が請求項に記載の「第二移送段階」に相当する。また、上述したように第一検出部２１６により電荷を順次電圧に変換する処理が請求項に記載の「第一検出段階」に相当し、第二検出部２２６により電荷を順次電圧に変換する処理が請求項に記載の「第二検出段階」に相当する。
【００２６】
ここで、第一光電変換素子群２１０及び第二光電変換素子群２２０の各光電変換素子２００から読み出された電荷は対応する移送部により直列に移送されるため（図５（Ｄ）、（Ｅ）に示す電荷３１０と電荷３１２、電荷３２０と電荷３２２参照）、第一検出部２１６及び第二検出部２２６は電圧に変換され制御部２０に読み取られた電荷を次の電荷が移送される前にリセットする必要がある。そのため制御部２０は、所定のタイミングで２つの検出部をリセットする。具体的には制御部２０は、ハイレベルのリセット信号（図６に示すリセット信号Ｖｒｇ参照）をリセットゲート電極２４６に印加することにより、ＦＤ領域２４４のキャパシタに蓄積された電荷をドレイン領域２４８に移動させて、その電荷をドレイン領域２４８から排出する（図５（Ｂ）参照）。このときＦＤ領域２４４はドレイン電圧Ｖｒｄにリセットされる。
【００２７】
以上説明したようにスキャナ１では、原稿８の一ライン分の光学像を２分割して読み取っている。そのため第一移送部２１３と第二移送部２２３による電荷の移送距離を短縮でき、第一光電変換素子群２１０に蓄積した電荷と第二光電変換素子群２２０に蓄積した電荷とをそれぞれ第一検出部２１６と第二検出部２２６とまで短時間で移送することができる。また、第一移送部２１３と第二移送部２２３とにより第一光電変換素子群２１０に蓄積した電荷と第二光電変換素子群２２０に蓄積した電荷とを同時にそれぞれ第一検出部２１６と第二検出部２２６とまで移送しているため、電荷を移送する時間を短縮することができる。したがってスキャナ１では、読み取り周波数を高くすることができる。
【００２８】
尚、以上説明した一実施例では、第一光電変換素子群２１０と第二光電変換素子群２２０とを備え、原稿８の一ライン分の光学像をそれら光電変換素子群で２分割して読み取るためのイメージセンサ２を例示した。しかしイメージセンサは、３つ以上の光電変換素子群を備え、原稿８の一ライン分の光学像を３つ以上に分割して読み取ってもよい。
また、第二光電変換素子群２２０は、第一光電変換素子群２１０の配列方向に第一光電変換素子群２１０と並んで配置されていなくてもよい。例えば第二光電変換素子群２２０は、図７に示すように第一光電変換素子群２１０の配列方向と直交する方向にずれて配置してもよい。
【００２９】
また、第一検出部２１６をイメージセンサ２の内側に配置し、第二検出部２２６をイメージセンサ２の外側に配置した。しかし、第一検出部２１６と第二検出部２２６の配置はこれに限定されず、第一検出部２１６と第二検出部２２６とをイメージセンサ２の両外側に配置してもよいし、第一検出部２１６と第二検出部２２６の両方をイメージセンサ２の内側に配置してもよい。
また、第一移送部２１３と第二移送部２２３とにより第一光電変換素子群２１０で蓄積した電荷と第二光電変換素子群２２０で蓄積した電荷とを同時に移送するとして説明したが、これら電荷は互いに異なるタイミングで移送してもよい。
また、インターライン・トランスファ方式の第一移送部２１３及び第二移送部２２３を例示したが、第一移送部２１３及び第二移送部２２３の電荷の移送方式は、フレーム・トランスファ方式でもよいし、フレーム・インターライン・トランスファ方式でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施例に係るイメージセンサの模式図。
【図２】本発明の一実施例に係るスキャナのブロック図。
【図３】本発明の一実施例に係るイメージセンサの模式図。
【図４】原稿の１ライン分の読み取り処理のフローチャート。
【図５】読み取り処理におけるポテンシャル井戸を示す模式図。
【図６】読み取り処理におけるイメージセンサの制御信号を示す模式図。
【図７】本発明の一実施例に係る変形例の模式図。
【符号の説明】
【００３１】
１  スキャナ（画像形成装置）、２  イメージセンサ、６  原稿台（プラテン）、８  原稿、２００  光電変換素子、２１０  第一光電変換素子群、２１３  第一移送部、２１６  第一検出部、２２０  第二光電変換素子群、２２３  第二移送部、２２６  第二検出部
【図１】
2006279729.tif 000003
【図２】
2006279729.tif 000004
【図３】
2006279729.tif 000005
【図４】
2006279729.tif 000006
【図５】
2006279729.tif 000007
【図６】
2006279729.tif 000008
【図７】
2006279729.tif 000009