(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置及びこのような装置を較正する方法を提供すること。【解決手段】リソグラフィ装置は、対象物を支持するようになされた対象物支持体を有している。リソグラフィ装置は、さらに、Ｘ、Ｙ及びＺ干渉計測定システムと、干渉計測定システムの測定に基づいて対象物支持体を複数の自由度で位置決めする対象物支持体位置決めシステムとを有している。較正デバイスは、Ｘ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で対象物支持体のＲｙを測定し、Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で対象物支持体のＲｙを測定し、測定した測値に基づいてＲｙの一次Ｚ依存性を較正し、且つ、該較正に基づいてＺの一次Ｘ依存性を較正するようになされている。同様に、Ｚの一次Ｙ依存性が較正される。【選択図】図２
2006295155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を支持するようになされた対象物支持体と、
ＸＹＺ座標系のＸ方向で測定するＸ干渉計測定システム、ＸＹＺ座標系のＹ方向で測定するＹ干渉計測定システム、及びＸＹＺ座標系のＺ方向で測定するＺ干渉計測定システムを備えた干渉計測定システムと、
前記干渉計測定システムの測定に基づいて前記対象物支持体を複数の自由度で位置決めする対象物支持体位置決めシステムと、
較正デバイスであって、
（ａ）前記Ｘ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定し、
（ｂ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定し、
（ｃ）ステップ（ａ）及び（ｂ）の測定に基づいてＲｙの一次Ｚ依存性を較正し、且つ、
（ｄ）ステップ（ｃ）の較正に基づいてＺの一次Ｘ依存性を較正する
ようになされた較正デバイスと
を備えたリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記較正デバイスが、さらに、ステップ（ｄ）で、ステップ（ｃ）で得られたＲｙの一次Ｚ依存性を表すパラメータに係数を掛け合わせることによってＺの一次Ｘ依存性を表すパラメータを得るようになされた、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記係数が、前記対象物支持体のＸ方向の寸法Ｌの半分である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記較正デバイスが、さらに、
（ｅ）前記Ｘ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＸ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定し、
（ｆ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＸ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定し、且つ、
（ｇ）ステップ（ｅ）及び（ｆ）の測定に基づいてＲｙの一次Ｘ依存性を較正する
ようになされた、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
対象物を支持するようになされた対象物支持体と、
ＸＹＺ座標系のＸ方向で測定するＸ干渉計測定システム、ＸＹＺ座標系のＹ方向で測定するＹ干渉計測定システム、及びＸＹＺ座標系のＺ方向で測定するＺ干渉計測定システムを備えた干渉計測定システムと、
前記干渉計測定システムの測定に基づいて前記対象物支持体を複数の自由度で位置決めする対象物支持体位置決めシステムと、
較正デバイスであって、
（ａ）前記Ｙ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定し、
（ｂ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定し、
（ｃ）ステップ（ａ）及び（ｂ）の測定に基づいてＲｘの一次Ｚ依存性を較正し、且つ、
（ｄ）ステップ（ｃ）の較正に基づいてＺの一次Ｙ依存性を較正する
ようになされた較正デバイスと
を備えたリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記較正デバイスが、さらに、ステップ（ｄ）で、ステップ（ｃ）で得られたＲｘの一次Ｚ依存性を表すパラメータに係数を掛け合わせることによってＺの一次Ｙ依存性を表すパラメータを得るようになされた、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記係数が、前記対象物支持体のＹ方向の寸法Ｌの半分である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記較正デバイスが、さらに、
（ｅ）前記Ｙ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＹ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定し、
（ｆ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＹ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定し、且つ、
（ｇ）ステップ（ｅ）及び（ｆ）の測定に基づいてＲｘの一次Ｙ依存性を較正する
ようになされた、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
対象物を支持するようになされた対象物支持体と、ＸＹＺ座標系におけるＸ方向の前記対象物支持体の位置を測定するＸ干渉計測定システム、ＸＹＺ座標系におけるＹ方向の前記対象物支持体の位置を測定するＹ干渉計測定システム、及びＸＹＺ座標系におけるＺ方向の前記対象物支持体の位置を測定するＺ干渉計測定システムを備えた干渉計測定システムと、前記干渉計測定システムの測定に基づいて前記対象物支持体を複数の自由度で位置決めする対象物支持体位置決めシステムとを備えたリソグラフィ装置を較正する方法であって、
（ａ）前記Ｘ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定するステップと、
（ｂ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定するステップと、
（ｃ）ステップ（ａ）及び（ｂ）の測定に基づいてＲｙの一次Ｚ依存性を較正するステップと、
（ｄ）ステップ（ｃ）の較正に基づいてＺの一次Ｘ依存性を較正するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
ステップ（ｄ）で、ステップ（ｃ）で得られたＲｙの一次Ｚ依存性を表すパラメータに係数を掛け合わせることによってＺの一次Ｘ依存性を表すパラメータが得られる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記係数が、前記対象物支持体のＸ方向の寸法Ｌの半分である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
（ｅ）前記Ｘ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＸ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定するステップと、
（ｆ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＸ位置で前記対象物支持体のＲｙを測定するステップと、
（ｇ）ステップ（ｅ）及び（ｆ）の測定に基づいてＲｙの一次Ｘ依存性を較正するステップと
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
対象物を支持するようになされた対象物支持体と、ＸＹＺ座標系におけるＸ方向の前記対象物支持体の位置を測定するＸ干渉計測定システム、ＸＹＺ座標系におけるＹ方向の前記対象物支持体の位置を測定するＹ干渉計測定システム、及びＸＹＺ座標系におけるＺ方向の前記対象物支持体の位置を測定するＺ干渉計測定システムを備えた干渉計測定システムと、前記干渉計測定システムの測定に基づいて前記対象物支持体を複数の自由度で位置決めする対象物支持体位置決めシステムとを備えたリソグラフィ装置を較正する方法であって、
（ａ）前記Ｙ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定するステップと、
（ｂ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定するステップと、
（ｃ）ステップ（ａ）及び（ｂ）の測定に基づいてＲｘの一次Ｚ依存性を較正するステップと、
（ｄ）ステップ（ｃ）の較正に基づいてＺの一次Ｙ依存性を較正するステップと
を含む方法。
【請求項１４】
ステップ（ｄ）で、ステップ（ｃ）で得られたＲｘの一次Ｚ依存性を表すパラメータに係数を掛け合わせることによってＺの一次Ｙ依存性を表すパラメータが得られる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記係数が、前記対象物支持体のＹ方向の寸法Ｌの半分である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
（ｅ）前記Ｙ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＹ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定するステップと、
（ｆ）前記Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＹ位置で前記対象物支持体のＲｘを測定するステップと、
（ｇ）ステップ（ｅ）及び（ｆ）の測定に基づいてＲｘの一次Ｙ依存性を較正するステップと
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を較正するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれているパターン化デバイスを使用してＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成され、生成されたパターンが、基板（たとえばシリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば１つ又は複数のダイの一部が含まれている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射線感応材料（レジスト）の層への画像化を介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターン化される目標部分に隣接する回路網が含まれている。従来のリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、又は非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。パターンを基板に転写することによってパターン化デバイスから基板へパターンを転送することも可能である。
【０００３】
投影システムの最終エレメント即ち投影システムの底部と基板の間の空間を充填するために、比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に、リソグラフィ投影装置内の基板を浸す方法が提案されている。液体中では露光放射の波長がより短くなるため、このような空間に液体を充填することにより、より微小なフィーチャをより正確に投影し、且つ、画像化することができる。液体の効果は、システムの有効開口数ＮＡが大きくなり、且つ、焦点深度が深くなることにあると見なすことができる。固体粒子（たとえば水晶）が懸濁した水を始めとする他の液浸液も提案されている。したがってリソグラフィ装置は、液浸液を提供し、又は液体を所定の位置に維持するようになされた流体プロバイダ（液浸ヘッドとも呼ばれている）を備えることができる。液体を流すことによって局部加熱を回避することができる。
【０００４】
基板、又は基板と基板テーブルを液浸液の槽に浸すことができる。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許第４，５０９，８５２号に、このような構造の実施例の１つが開示されている。別法としては、液体供給システムによって、液体拘束システム（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  ｓｙｓｔｅｍ）を使用して基板の局部領域及び投影システムの最終エレメントと基板の間にのみ液浸液を提供することも可能である。基板は、通常、投影システムの最終エレメントの表面積より広い表面積を有している。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている国際特許出願第９９／４９，５０４号に、このような構造の実施例の１つが開示されている。好ましくは投影システムの最終エレメントに対して基板が移動する方向に沿って、少なくとも１つの入口によって液体が基板上に供給され、低圧源に接続することができる少なくとも１つの出口によって液体が除去される。最終エレメントの周囲の近傍には、様々な配向及び数の入口及び出口を配置することができる。また、液体供給システムは、投影システムの最終エレメントと基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在するシール部材を備えることも可能である。シール部材は、Ｚ方向（投影システムの光軸の方向）における若干の相対移動が存在する可能性があるが、投影システムに対して実質的にＸＹＺ座標系のＸＹ平面内で静止している。シール部材と基板の表面の間にシールが形成されている。このシールは、気体軸受として機能させることもできるガス・シールなどの非接触シールであることが好ましい。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願第０３２５２９５５．４号に、このような構造の実施例の１つが開示されている。
【０００５】
参照によりその全体が本明細書に組み込まれている欧州特許出願第０３２５７０７２．３号に、２ステージ又は二重ステージ液浸リソグラフィ装置が開示されている。このような装置は、基板を支持するための２つのステージを備えている。液浸液が存在しない第１の位置のステージを使用して水準測定が実行され、液浸液が存在している第２の位置のステージを使用して露光が実行される。別法としては、液浸リソグラフィ装置は、１つのステージのみを有している。
【０００６】
上で説明したタイプのリソグラフィ装置には、ＸＹ平面に平行の平面内における基板又はマスクなどの対象物の位置及び変位を測定するための干渉計システムが使用されている。測定は、ホルダ即ち対象物を支えている基板テーブル又はマスク・テーブルなどの対物テーブル上に配置された複数のＸ及びＹ測定ミラーを使用して実施される。干渉計システムは、複数の測定ビームを生成し、且つ、ＸＹ平面に平行に、測定ミラーへ向かって延在し、且つ、測定ミラーから延在している複数の測定軸に沿って測定ビームを導く発生器、並びに測定ミラーで反射した測定ビームを対象物のＸ及びＹ位置に関する情報を含んだ電気測定信号に変換する放射線感応検出器を備えている。Ｘ及びＹ測定軸の数は、干渉を使用して測定すべき対象物の移動の数と少なくとも一致している。また、対象物のホルダ上にＸＹ平面に対して一定の角度で複数のＺ測定ミラーが配置されており、干渉計システムは、その端部に対するＺ測定軸を有しており、且つ、Ｚ測定ビームを生成し、生成したＺ測定ビームをＺ測定ミラーへ導く発生器、及びＺ測定ミラーから入射するＺ測定ビームを対象物のＺ位置に関する情報を含んだ電気測定信号に変換するためのＺ検出器を備えている。リソグラフィ装置は、さらに、本質的にＸＹ平面内に延在している複数のＺ基準ミラーを支えている度量衡学フレームを備えることができる。別法としては、投影レンズ系のホルダにこのようなＺ基準ミラーを固着することも可能である。参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許第６，０２０，９６４号に、対象物を支える対象物ホルダのＸ、Ｙ及びＺ位置を決定するための干渉計システムが詳細に開示されている。
【０００７】
Ｚ方向に対する干渉計システムの較正には、感度ｐｚｘとも呼ばれている、Ｘに対する一次Ｚ依存性の較正が含まれている。従来、この較正は、投影システムと基板の間の空気中に画像を投影し、且つ、Ｘ方向から見た２つの異なる位置で測定信号を得るべくＺ位置を基板テーブル位置決めシステムに適合させることによって実行されている。一例として、この較正に使用されるセンサには、投影システムを通して測定する透過イメージ・センサ（ＴＩＳ）を使用することができる。大まかな較正で得られる所定のＺ範囲に基板テーブルが位置していることを条件として、このＴＩＳによってＺ干渉計を精密に較正することができる。ＴＩＳは、濡れた状態、つまり投影システムの最終エレメントと基板の間に液浸液が存在している状態での測定のために調整されることになる。
【０００８】
通常、一方のＺ基準ミラーがもう一方のＺ基準ミラーと整列していない可能性があり、且つ／又は一方若しくは両方のＺ基準ミラーがＺ方向に対して直角に延在していない可能性がある。このようなオフセットは、１つに、初期アライメントの（不）正確性、初期調整の（不）正確性、たとえば保守中におけるＺ基準ミラー又はＺ基準ミラーを取り付けることができる度量衡学フレームの不注意な接触、衝撃又は衝突によるものであることが考えられる。その結果、
Ｚ＝ｐｚｘ＊Ｘ＋．．．
で表すことができるＺのＸ依存性のうち、ｐｚｘの値が較正されていない（上式で、一次Ｘ依存性のパラメータであるｐｚｘは、Ｚ基準ミラーの平均オフセット角を表していると見なすことができる）。液浸タイプのリソグラフィ装置では、測定システムがオフセットしたＺ基準ミラーによって影響され、且つ、ｐｚｘが較正されていない場合、許容不可能なＺ誤差が生じることがあり、そのために液浸液の層が予想外に広がり、又は予想外に薄くなることがある。一方、ｐｚｘの較正は、たとえばＴＩＳを使用して濡れた状態でしか実行することができない。したがって、一方では、濡れた状態にもたらすことによってのみｐｚｘを較正することができるが、他方では、濡れた状態にもたらす前に、少なくとも大まかにｐｚｘを較正しなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
それには限定されないが、とりわけ液浸タイプのリソグラフィ装置におけるＺの一次Ｘ依存性の大まかな較正が提供されることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様では、リソグラフィ装置は、
対象物を支持するようになされた対象物支持体と、
ＸＹＺ座標系のＸ方向で測定するＸ干渉計測定システム、ＸＹＺ座標系のＹ方向で測定するＹ干渉計測定システム、及びＸＹＺ座標系のＺ方向で測定するＺ干渉計測定システムを備えた干渉計測定システムと、
干渉計測定システムの測定に基づいて対象物支持体を複数の自由度で位置決めする対象物支持体位置決めシステムと、
較正デバイスであって、
（ａ）Ｘ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で対象物支持体のＲｙを測定し、
（ｂ）Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＺ位置で対象物支持体のＲｙを測定し、
（ｃ）ステップ（ａ）及び（ｂ）の測定に基づいてＲｙの一次Ｚ依存性を較正し、且つ、
（ｄ）ステップ（ｃ）の較正に基づいてＺの一次Ｘ依存性を較正する
ようになされた較正デバイスと
を備えている。
【００１１】
本発明による装置の場合、以下で説明するように、傾斜したＺ基準ミラーが存在している中で、Ｒｙの有効冗長性（ａｖａｉｌａｂｌｅ  ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）を使用してＺの一次Ｘ依存性を大まかに較正することができる。ステップ（ａ）の測定で使用される異なるＺ位置とステップ（ｂ）の測定で使用される異なるＺ位置は同じ位置にすることができるため、これらの測定は、（事実上）同時に実行することができる。
【００１２】
本発明の一態様では、較正デバイスは、さらに、ステップ（ｄ）で、ステップ（ｃ）で得られたＲｙの一次Ｚ依存性を表すパラメータに係数を掛け合わせることによってＺの一次Ｘ依存性を表すパラメータを得るようになされている。この係数は、通常、対象物支持体の幾何学に依存しており、本発明の他の態様では、この係数は、対象物支持体のＸ方向の寸法Ｌの半分である。
【００１３】
本発明の一態様では、較正デバイスは、さらに、
（ｅ）Ｘ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＸ位置で対象物支持体のＲｙを測定し、
（ｆ）Ｚ干渉計測定システムを使用して、少なくとも２つの異なるＸ位置で対象物支持体のＲｙを測定し、且つ、
（ｇ）ステップ（ｅ）及び（ｆ）の測定に基づいてＲｙの一次Ｘ依存性を較正する
ようになされている。
【００１４】
上で説明したステップで得られるＲｙの一次Ｘ依存性を表すパラメータは、Ｚ基準ミラー間の傾斜の差を表しており、このパラメータを使用して、較正ステップ（ｅ）〜（ｇ）を反復して実行することにより、前記傾斜の差のあらゆる変化をモニタすることができる。
【００１５】
ステップ（ａ）及び（ｂ）でＸ干渉計測定システム及びＺ干渉計測定システムを使用してＲｙを測定し、ステップ（ｃ）でＲｙの一次Ｚ依存性を較正し、且つ、ステップ（ｄ）でＺの一次Ｘ依存性を較正する代わりに、代替として、Ｙ干渉計測定システム及びＺ干渉計測定システムを使用してＲｘを測定し、Ｒｘの一次Ｚ依存性を較正し、且つ、Ｚの一次Ｙ依存性を較正することも可能である。後者の場合、較正デバイスは、さらに、Ｒｘの一次Ｚ依存性を表すパラメータに係数を掛け合わせることによってＺの一次Ｙ依存性を表すパラメータを得るように構成することができる。この係数は、一態様では、対象物支持体のＹ方向の寸法Ｌの半分にすることができる。また、後者の場合、ステップ（ｅ）及び（ｆ）でＸ干渉計測定システム及びＺ干渉計測定システムを使用してＲｙを測定し、且つ、ステップ（ｇ）でＲｙの一次Ｘ依存性を較正する代わりに、Ｚ基準ミラー間の傾斜の差をモニタするために、代替として、Ｙ干渉計測定システム及びＺ干渉計測定システムを使用してＲｘを測定し、且つ、Ｒｘの一次Ｙ依存性を較正することも可能である。
【００１６】
以下、本発明の実施例について、単なる実施例にすぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。
【実施例】
【００１７】
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射若しくは適切な他の任意の放射）を条件付けるようになされた照明システム（イルミネータ）ＩＬ、及びパターン化デバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターン化デバイスを正確に位置決めするようになされた第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたマスク支持体構造（たとえばマスク・テーブル）ＭＴを備えている。また、このリソグラフィ装置は、基板（たとえばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするようになされた第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェハ・テーブル）ＷＴ即ち「基板支持体」を備えている。このリソグラフィ装置は、さらに、パターン化デバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイが含まれている）に投影するようになされた投影システム（たとえば屈折投影レンズ系）ＰＳを備えている。
【００１８】
照明システムは、放射を導き、整形し、又は制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネント又は他のタイプの光学コンポーネント、或いはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。
【００１９】
マスク支持体構造は、パターン化デバイスを支持している。つまり、マスク支持体構造は、パターン化デバイスの重量を支えている。マスク支持体構造は、パターン化デバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件、たとえばパターン化デバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン化デバイスを保持している。マスク支持体構造には、パターン化デバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法又は他のクランプ技法を使用することができる。マスク支持体構造は、たとえば必要に応じて固定又は移動させることができるフレームであっても、或いはテーブルであっても良い。マスク支持体構造は、たとえば投影システムに対してパターン化デバイスを確実に所望の位置に配置することができる。本明細書における「レチクル」又は「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化デバイス」という用語の同義語と見なすことができる。
【００２０】
本明細書に使用されている「パターン化デバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンが移相フィーチャ又はいわゆる補助フィーチャを備えている場合、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、目標部分に生成される、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
【００２１】
パターン化デバイスは、透過型であっても又は反射型であっても良い。パターン化デバイスの実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができる。この傾斜したミラーによって、ミラー・マトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。
【００２２】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、使用する露光放射に適した、又は液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系、磁気光学系、電磁光学系及び静電光学系、或いはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００２３】
図に示すように、この装置は透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は反射型（たとえば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した、又は反射型マスクを使用した）タイプの装置であっても良い。
【００２４】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル即ち「基板支持体」（及び／又は複数のマスク・テーブル即ち「マスク支持体」）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブル即ち支持体を並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブル即ち支持体を露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブル即ち支持体に対して予備ステップを実行することができる。
【００２５】
上で説明したように、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい液体、たとえば水で覆われ、それにより投影システムと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえばマスクと投影システムの間の空間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法を使用することにより、投影システムの開口数を大きくすることができる。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸すことを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影システムと基板の間に液体が充填されることを意味しているにすぎない。
【００２６】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィ装置は個別の構成要素にすることができる。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び／又はビーム・エキスパンダを備えたビーム引渡しシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源は、リソグラフィ装置の一構成部品にすることができる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００２７】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するようになされたアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する一様な強度分布をその断面に持たせることができる。
【００２８】
マスク支持体構造（たとえばマスク・テーブルＭＴ）上に保持されているパターン化デバイス（たとえばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターン化デバイスによってパターン化される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは、放射ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（たとえば干渉デバイス、直線エンコーダ又は容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なる目標部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭ及びもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、又は走査中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴ即ち「基板支持体」の移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現することができる。ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、又は固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２及び基板アライメント・マークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には、専用目標部分を占有している基板アライメント・マークが示されているが、基板アライメント・マークは、目標部分と目標部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメント・マークは、スクライブ・レーン・アライメント・マークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスク・アライメント・マークを配置することができる。
【００２９】
図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップ・モード：マスク・テーブルＭＴ即ち「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ即ち「基板支持体」が基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに１回で投影される（即ち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴ即ち「基板支持体」がＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モード：放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブルＭＴ即ち「マスク支持体」及び基板テーブルＷＴ即ち「基板支持体」が同期走査される（即ち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴ即ち「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴ即ち「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の幅）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の高さ）が決まる。
３．その他のモード：プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルＭＴ即ち「マスク支持体」が基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴ即ち「基板支持体」が移動又は走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴ即ち「基板支持体」が移動する毎に、又は連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態或いは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００３１】
リソグラフィ装置の場合、マスク・テーブルＭＴ又は基板テーブルＷＴなどの対象物ホルダの位置は、複数の自由度のための干渉計を備えたシステムを使用して、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚの自由度６で決定される。いわゆるＺ干渉計（Ｚ及びＲｙｚと呼ばれている）を使用してＺ及びＲｙを決定する場合、２つのＺ基準ミラーが重要な役割を果している。Ｚ基準ミラーは、いずれもＲｙにおける一定のＺシフト及び一定の角度によって特性化することができる。これについて、図２、３及び４を参照してさらに詳細に説明する。
【００３２】
図２は、第１のＺ基準ミラー２０、第２のＺ基準ミラー２１、及び第１のＺ測定ミラー２３及び第２のＺ測定ミラー２４を有する基板テーブル２２を略側面図で示したものである。基板テーブル２２の支持表面は、ＸＹＺ座標系のＸＹ平面内に延在していることが仮定されている。基板テーブル２２が第１のＺ基準ミラー２０及び第２のＺ基準ミラー２１に対して特定の位置にある場合、第１のＺ干渉計測定ビームＺ１Ｍは、第１のＺ測定ミラー２３を介して基板テーブル２２から第１のＺ基準ミラー２０までのＺ位置Ｚ１を測定し、第２のＺ干渉計測定ビームＺ２Ｍは、第２のＺ測定ミラー２４を介して基板テーブル２２から第２のＺ基準ミラー２１までのＺ位置Ｚ２を測定する。Ｌは、測定ビームＺ１Ｍが第１のＺ測定ミラー２３に当たる第１の衝撃ポイント２５と、測定ビームＺ２Ｍが第２のＺ測定ミラー２４に当たる第２の衝撃ポイント２６の間の距離を表している。Ｒｙは、Ｙ軸の周りの回転方向を表している（図示されていないが）。Ｚ１Ｒ及びＺ２Ｒは、それぞれ第１のＺ基準ビーム及び第２のＺ基準ビームを表している。
【００３３】
第１のＺ基準ミラー２０は、破線で示す水平平面に対する方向係数ａを有するべく傾斜していることが仮定されている。同様に、第２のＺ基準ミラー２１は、同じく破線で示す水平平面に対する方向係数ｃを有するべく傾斜していることが仮定されている。
【００３４】
図３を参照すると、対物テーブル２２が矢印３０で示すＺ方向に破線２２’で示す位置まで変位すると、測定ビームＺ１Ｍが第１のＺ測定ミラー２３に当たる第１の衝撃ポイント２５が矢印３１の方向に第１の衝撃ポイント２５’へ変位する。また、測定ビームＺ１Ｍが第１のＺ基準ミラー２０に当たる（非水平方向であることが仮定されている）衝撃ポイントも矢印３１の方向に変位し、衝撃ポイント２５’と第１のＺ基準ミラー２０の間の測定距離が変化する。測定ビームＺ２Ｍが第２のＺ測定ミラー２４に当たる第２の衝撃ポイント２６は、矢印３２の方向に第２の衝撃ポイント２６’へ変位する。また、測定ビームＺ２Ｍが第２のＺ基準ミラー２１に当たる（非水平方向であることが仮定されている）衝撃ポイントも矢印３２の方向に変位し、衝撃ポイント２６’と第２のＺ基準ミラー２１の間の測定距離が変化する。したがって、変位した第１及び第２の衝撃ポイント２５’及び２６’、及び測定ビームＺ１Ｍ及びＺ２Ｍが第１及び第２のＺ基準ミラー２０及び２１に当たる変位した衝撃ポイントは、それぞれ、測定ビームＺ１Ｍ及びＺ２Ｍによって測定される距離に影響を及ぼしている。対物テーブル２２がＺ方向に変位しても、第１の基準ビームＺ１Ｒ及び第２の基準ビームＺ２Ｒによって測定される距離は変化しない。
【００３５】
図４を参照すると、対物テーブル２２が矢印４０で示すＸ方向に破線２２”で示す位置まで変位しても、測定ビームＺ１Ｍが第１のＺ測定ミラー２３に当たる第１の衝撃ポイント２５は変位しない。ただし、この場合、測定ビームＺ１Ｍによって測定される距離が変化する。また、測定ビームＺ１Ｍが第１のＺ基準ミラー２０に当たる（非水平方向であることが仮定されている）衝撃ポイントが矢印４０の方向に変位し、衝撃ポイント２５と第１のＺ基準ミラー２０の間の測定距離が変化する。また、対物テーブル２２が矢印４０で示すＸ方向に変位しても、測定ビームＺ２Ｍが第２のＺ測定ミラー２４に当たる第２の衝撃ポイントは変位しないが、この場合、測定ビームＺ２Ｍによって測定される距離が変化する。また、測定ビームＺ２Ｍが第２のＺ基準ミラー２１に当たる（非水平方向であることが仮定されている）衝撃ポイントが矢印４０の方向に変位し、衝撃ポイント２６と第２のＺ基準ミラー２１の間の測定距離が変化する。したがって、矢印４０の方向への対物テーブル２２の変位は、測定ビームＺ１Ｍ及びＺ２Ｍによって測定される距離に影響を及ぼしている。また、対物テーブル２２がＸ方向へ変位すると、同じく第１の基準ビームＺ１Ｒ及び第２の基準ビームＺ２Ｒによって測定される距離が変化する。
【００３６】
以上により、Ｘ及びＺを関数とした干渉計軸の変化に対する（基本）モデルの式（定数項又はより高い次数の項は示されていない）は、
Ｚ１Ｍ＝Ｘ＋ａＸ−Ｚ−ａＺ＋・・・
Ｚ１Ｒ＝Ｘ＋・・・
Ｚ２Ｍ＝−Ｘ＋ｃＸ−Ｚ＋ｃＺ＋・・・
Ｚ２Ｒ＝−Ｘ＋・・・
である。
【００３７】
Ｚ１及びＺ２の測値は、干渉計システムが差動測定システムであるため、それぞれ測定ビームＺ１Ｍ、Ｚ２Ｍと、関連する基準ビームＺ１Ｒ、Ｚ２Ｒの間の長さの差である。したがって、
Ｚ１＝Ｚ１Ｍ−Ｚ１Ｒ
＝ａＸ−Ｚ−ａＺ＋・・・
Ｚ２＝Ｚ２Ｍ−Ｚ２Ｒ
＝ｃＸ−Ｚ＋ｃＺ＋・・・
である。
【００３８】
Ｚ測定モデルがＺ１とＺ２の平均によって支配されることは明らかであろう。上の式を使用して次の関係を確立することができる。
【００３９】
【数１】
2006295155.tif 000003
【００４０】
後者の関係は、Ｚに対する式として書き直すことができる。
【００４１】
【数２】
2006295155.tif 000004
【００４２】
実際、第１及び第２のＺ基準ミラー２０及び２１の平均傾斜を表している一次Ｘ依存性のパラメータは、ｐｚｘ（Ｚ測定におけるＸ依存性のパラメータ）で表すことができる。Ｚを有する項は、事実上、Ｚに対するスケーリングであり、無視されることに留意されたい。次の式［１］が得られる。
【００４３】
【数３】
2006295155.tif 000005
【００４４】
このパラメータを未較正のまま放置すると、Ｘを関数とした大きなＺ位置誤差の原因になる可能性があるため、ｐｚｘ＝（ａ＋ｃ）／２を較正しなければならない（式［１］を参照されたい）。
【００４５】
また、Ｌで割ったＺ１とＺ２の差は、Ｒｙ測値として使用することができる。この測値は、Ｒｙｚと呼ばれている（Ｚ干渉計を使用して測定されたＲｙ）。
【００４６】
【数４】
2006295155.tif 000006
【００４７】
パラメータｐｚｘ（係数付き）は、Ｒｙｚのモデルにも出現することに留意されたい。
（ａ＋ｃ）／Ｌ＝２／Ｌ＊（ａ＋ｃ）／２＝２／Ｌ＊ｐｚｘ
【００４８】
また、第２のＲｙ測値は、Ｘ干渉計を使用して取得することができることに留意されたい。図５を参照すると、互いの間に既知の距離ｈを有する第１のＸ測定ビームＸ１及び第２のＸ測定ビームＸ２を使用してＹ軸の周りの回転を測定することができる。したがって、Ｘ干渉計を使用して測定されるＲｙ（Ｒｙｘと呼ばれる。）の測定モデルは、
【００４９】
【数５】
2006295155.tif 000007
によって規定される。
【００５０】
Ｘ干渉計ビームのレイアウトが与えられると、Ｒｙｘの測定が対物テーブル２２のＺ変位に対して鈍感であることに留意されたい。
【００５１】
したがって、Ｚ方向に移動させ、且つ、ＲｙｘとＲｙｚを比較することにより、Ｒｙｚモデルからパラメータ（ａ＋ｃ）／Ｌを較正することができる。つまり、係数２／Ｌを使用することにより、このタスク用に構成された較正デバイスを使用して第１及び第２のＺ基準ミラー２０及び２１の平均傾斜即ちパラメータｐｚｘを大まかに較正することができる。
【００５２】
有利には、このような大まかな較正は、レンズを使用したセンサを使用することなく実行することができ、また、新しいセンサを追加することなく実行することができる。その代わりに、Ｒｙの有効冗長性を使用してＺモデルのパラメータが大まかに較正される。これは、それには限定されないが液浸タイプのリソグラフィ装置にとりわけ有用である。
【００５３】
この較正方法は、検証方法としても使用することができることに注目されたい。図５に示すＸ干渉計ビームのレイアウトが与えられると、Ｒｙｘの測定が対物テーブル２２のＸ変位に対して鈍感である。したがって、Ｘ方向に移動させ、且つ、ＲｙｘとＲｙｚを比較することにより、Ｒｙｚのパラメータ（ａ−ｃ）／Ｌを較正することができる（式［２］を参照されたい）。このパラメータにＬを掛けると、第１及び第２のＺ基準ミラー２０及び２１の傾斜の差が得られる。したがって同じくこの較正を使用することにより、傾斜の差のあらゆる変化を極めて迅速にチェックすることも可能である。そのためには、上で説明した大まかな較正を複数回に渡って実行することによってＺ基準ミラー２０及び２１の傾斜の差をモニタすることが好ましい。
【００５４】
また、干渉計システムは相対システム（ｉｎｃｒｅｍｅｎｔａｌ  ｓｙｓｔｅｍ）であり、零点を規正している間に第１及び第２のＺ基準ミラー２０及び２１の絶対位置が除去されるため、第１のＺ基準ミラー２０或いは第２のＺ基準ミラー２１の純粋な並進によっては、いかなる差も生じないことが分かっている。
【００５５】
以上の説明では、Ｚの一次Ｘ依存性を大まかに較正するための方法及びデバイスが説明されているが、同様の方法及びデバイスを使用して、干渉計測定システムのＺ及びＹ干渉計を使用して測定されるＲｘｙ及びＲｘｚに基づいてＺの一次Ｙ依存性を大まかに較正することも可能である。
【００５６】
本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツール及び／又は検査ツール中で、露光前又は露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００５７】
また、本発明による実施例の使用について、とりわけ光リソグラフィのコンテキストの中で参照されているが、本発明は、他のアプリケーション、たとえば転写リソグラフィに使用することができ、また、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。転写リソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、パターン化デバイスのトポグラフィによって画定される。パターン化デバイスのトポグラフィが、基板に供給されているレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターン化デバイスがレジストから除去され、後にパターンが残る。
【００５８】
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの放射又はその近辺の波長の放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム若しくは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００５９】
コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント及び静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つ又は組合せを意味している。
【００６０】
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。たとえば、本発明は、上で開示した方法を記述した１つ又は複数の機械可読命令シーケンスを含んだコンピュータ・プログラムの形態を取ることができ、又はこのようなコンピュータ・プログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば半導体記憶装置、磁気ディスク又は光ディスク）の形態を取ることができる。
【００６１】
以上の説明は、本発明の例証を意図したものであり、本発明を何ら制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】リソグラフィ装置の可動対物テーブル（基板テーブル又はマスク・テーブル）及び対物テーブル上で実行されるＺ干渉計測定を示す略側面図である。
【図３】図２に示す対物テーブル及びＺ方向に変位した対物テーブル上で実行されるＺ干渉計測定を示す略図である。
【図４】図２に示す対物テーブル及びＸ方向に変位した対物テーブル上で実行されるＺ干渉計測定を示す略図である。
【図５】図２に示す対物テーブル及び対物テーブル上で実行されるＸ及びＺ干渉計測定を示す略図である。
【符号の説明】
【００６３】
ａ、ｃ  水平平面に対する方向係数
ＡＤ  放射ビームの角強度分布を調整するようになされたアジャスタ
Ｂ  放射ビーム
ＢＤ  ビーム引渡しシステム
Ｃ  基板の目標部分
ＣＯ  コンデンサ
ｈ  第１のＸ測定ビームと第２のＸ測定ビームの間の既知の距離
ＩＦ  位置センサ
ＩＬ  照明システム（イルミネータ）
ＩＮ  インテグレータ
Ｌ  測定ビームＺ１Ｍが第１のＺ測定ミラー２３に当たる第１の衝撃ポイント２５と、測定ビームＺ２Ｍが第２のＺ測定ミラー２４に当たる第２の衝撃ポイント２６の間の距離
ＭＡ  パターン化デバイス（マスク）
ＭＴ  マスク支持体構造（マスク・テーブル）
Ｍ１、Ｍ２  マスク・アライメント・マーク
ＰＭ  第１の位置決めデバイス
ＰＳ  投影システム
ＰＷ  第２の位置決めデバイス（ポジショナ）
Ｐ１、Ｐ２  基板アライメント・マーク
ＳＯ  放射源
Ｗ  基板
ＷＴ、２２  基板テーブル（対物テーブル）
Ｘ１  第１のＸ測定ビーム
Ｘ２  第２のＸ測定ビーム
Ｚ１Ｍ  第１のＺ干渉計測定ビーム
Ｚ１Ｒ  第１のＺ基準ビーム
Ｚ２Ｍ  第２のＺ干渉計測定ビーム
Ｚ２Ｒ  第２のＺ基準ビーム
２０  第１のＺ基準ミラー
２１  第２のＺ基準ミラー
２２  対物テーブル
２２’  対物テーブルのＺ方向の変位位置を示す破線
２２”  対物テーブルのＸ方向の変位位置を示す破線
２３  第１のＺ測定ミラー
２４  第２のＺ測定ミラー
２５、２５’  測定ビームＺ１Ｍが第１のＺ測定ミラー２３に当たる第１の衝撃ポイント
２６、２６’  測定ビームＺ２Ｍが第２のＺ測定ミラー２４に当たる第２の衝撃ポイント
３０  対物テーブルが変位するＺ方向
３１  第１の衝撃ポイントの変位方向
３２  第２の衝撃ポイントの変位方向
４０  対物テーブルが変位するＸ方向
【図１】
2006295155.tif 000008
【図２】
2006295155.tif 000009
【図３】
2006295155.tif 000010
【図４】
2006295155.tif 000011
【図５】
2006295155.tif 000012