(57)【要約】【課題】  温度検出素子を使用しないインバータ制御方式パルスヒート電源を提供する。【解決手段】  本発明になるインバータ制御方式パルスヒート電源は、インバータ制御方式を用いて、ヒータチップに間欠的に電流を流すことにより、半田付けを行うパルスヒート電源において、前記ヒータチップの給電端子間の電圧が所定の電圧に達したときにこのヒータチップへの通電を停止する電圧を設定すること；  前記ヒータチップの給電端子間の電圧を検出すること；  この検出電圧と前記設定電圧とを比較すること；  設定電圧が検出電圧より高い間は前記ヒータチップへの通電を続行し、反対に低い間はこのヒータチップへの通電を停止すること、を特徴とするものである。【選択図】        図１
2006026683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インバータ制御方式を用いて、ヒータチップに間欠的に電流を流
すことにより、半田付けを行うパルスヒート電源において、
前記ヒータチップの給電端子間の電圧が所定の電圧に達したときにこのヒータ
チップへの通電を停止する電圧を設定すること；  前記ヒータチップの給電端子
間の電圧を検出すること；  この検出電圧と前記設定電圧とを比較すること；  
設定電圧が検出電圧より高い間は前記ヒータチップへの通電を続行し、反対に低
い間はこのヒータチップへの通電を停止すること、
を特徴とするインバータ制御方式パルスヒート電源。
【請求項２】
インバータ制御方式を用いて、ヒータチップに間欠的に電流を流
すことにより、半田付けを行うパルスヒート電源において、
所定のパラメータを設定するパラメータ設定部と、
前記ヒータチップの給電端子間の電圧を検出すると共に所定の増幅を行う電圧
検出増幅部と、
前記パラメータ設定部で設定されたパラメータとこの電圧検出増幅部からの電
圧と別途設けられた操作部からの半田付け開始信号に基づいて前記インバータ制
御方式のインバータ部のゲート信号を生成するＰＷＭ制御部と、
を有することを特徴とするインバータ制御方式パルスヒート電源。
【請求項３】
前記パラメータ設定部で設定されるパラメータは、次のものから
なることを特徴とする請求項２記載のインバータ制御方式パルスヒート電源。
イ．前記ヒータチップへの通電パターンのサイクルタイムを決定する間隔であ
る通電間隔時間Ｔ１
ロ．所定時間経過時に前記ヒータチップが所定の電圧に達しないときにこのヒ
ータチップへの通電を停止させる通電制限時間Ｔ２
ハ．総通電時間である加熱時間Ｔ３
ニ．前記インバータ制御におけるインバータ部の通電パワーを設定するゲート
開度幅Ｗ１
ホ．所定の半田付け温度に対応する電圧であり、前記ヒータチップの温度がこ
の温度に達したときにこのヒータチップへの通電を停止するしきい値となる通電
停止電圧Ｖ１１
【請求項４】
前記各パラメータの設定範囲とデフォルト値は、次のとおりであ
ることを特徴とする請求項２記載のインバータ制御方式パルスヒート電源。
イ．前記通電間隔時間Ｔ１は０〜９９９ｍｓであり、デフォルト値はこの設定
範囲の任意の１の時間であること。
ロ．前記通電制限時間Ｔ２は０〜９９９ｍｓであり、デフォルト値は１ｍｓ以
上であって、この設定範囲内の任意の１の時間であること。
ハ．前記加熱時間Ｔ３は０．０〜９９．９９ｓであり、デフォルト値はこの設
定範囲内の任意の１の時間であること。
ニ．前記ゲート開度幅Ｗ１は１０．０〜９０．０パーセントであり、デフォル
ト値はこの設定範囲内の任意の１の開度幅であること。
ホ．前記通電停止電圧Ｖ１１の設定範囲は、０．１Ｖ〜１０．０Ｖであり、デ
フォルト値はこの設定範囲の任意の１の電圧であること
【請求項５】
前記電圧検出増幅部からの電圧が、前記通電制限時間Ｔ２内に前
記通電停止電圧Ｖ１１に到達しないときに、前記ヒータチップへの通電を停止す
ることを特徴とする請求項１または２記載のインバータ制御方式パルスヒート電
源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パルスヒート式のリフロソルダリング装置のヒータ
チップに電流を供給するパルスヒート電源に係り、特にヒータチップの温度計測
素子として熱電対を用いることなくヒータチップの温度制御を可能とするインバ
ータ制御方式パルスヒート電源に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、被接合部を局部的に加熱することによって薄膜基板等へのリード線の熱
圧着や、プリント基板へのＩＣリードのリフロソルダリングなどを行うリフロソ
ルダリング装置があり、このリフロソルダリング装置で用いられる局部加熱法の
１方式としてパルスヒート法がある。
パルスヒート法は、ヒータチップと呼ばれる接合ヘッドによって被接合部を加
圧しながら、このヒータチップに大電流を流して、そこで発生するジュール熱に
より被接合部（リフロソルダリングの場合には半田）を溶融させて接合を得るも
のである。
【０００３】
このようなパルスヒート法はヒータチップの温度を測定して、所定の設定温度
になるように制御しており、この温度計測素子として熱電対を用いている。（例
えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図５はこのようなリフロソルダリング装置のヒータチップに電流を供給する従
来のパルスヒート電源のブロック図、図６はこのパルスヒート電源の動作を説明
するためのタイミングチャート図である。
図５において、１は入力交流電圧を整流する整流回路、２はコンデンサ、３ａ
〜３ｄは整流回路１及びコンデンサ２によって得られた直流電圧をスイッチング
するスイッチング素子となるトランジスタ、４はトランス、５はヒータチップ、
６は熱電対、７は熱電対６の出力電圧を増幅して熱電対フィードバック電圧Ｖｆ
を出力する増幅器、８はヒータチップ５の設定温度に応じた電圧Ｖｓを出力する
温度設定スイッチである。
【０００５】
また、９はＰＷＭ制御回路であり、熱電対フィードバック電圧Ｖｆ及び温度設
定スイッチ８からの電圧Ｖｓに基づき、トランジスタ３ａ〜３ｄのオン／オフす
る時間をヒータチップ５の温度が設定温度になるように制御する。１１はフィー
ドバック電圧Ｖｆと温度設定スイッチ８からの電圧Ｖｓの差を電圧Ｖ１として出
力する誤差増幅器、１２は三角波電圧Ｖ２を発生する発振器、１３は電圧Ｖ１と
三角波電圧Ｖ２を比較する比較器、１４は否定回路、１５はＴ形フリップフロッ
プ、１６、１７はＮＯＲ回路である。そして、整流回路１、コンデンサ２が整流
平滑回路を構成している。
【０００６】
次に、このようなパルスヒート電源の動作を説明する。
図示しない商用交流電源からの交流電圧（ＡＣ２００Ｖ）は、３相全波整流回
路１によって整流され、コンデンサ２によって平滑化される。このような整流平
滑回路によって生成された直流電圧は、後述するトランジスタ３ａ〜３ｄのオン
／オフによって例えば１ｋＨｚの交流電圧に変換され、この交流を低電圧、大電
流に変換するトランス４を介してヒータチップ５に印加される。こうして、ヒー
タチップ５に電流が流れ始める。
【０００７】
このヒータチップ５の温度は熱電対６によって電圧に変換される。そして、熱
電対６の出力電圧は差動増幅器７によって増幅され、熱電対フィードバック電圧
ＶｆとしてＰＷＭ制御回路９に入力される。
また、ヒータチップ５の温度を設定するための温度設定スイッチ８を操作する
ことにより、設定温度に応じた電圧Ｖｓがスイッチ８から回路９に入力される。
【０００８】
次いで、ＰＷＭ制御回路９内の誤差増幅器１１は、熱電対フィードバック電圧
Ｖｆと温度設定スイッチ８からの電圧Ｖｓの差を電圧Ｖ１として出力する。
発振器１２は図６（ａ）のような２ｋＨｚの三角波電圧Ｖ２を発生しており、
比較器１３はこの三角波電圧Ｖ２と誤差増幅器１１の出力電圧Ｖ１を比較する。
この結果、比較器１３の出力電圧Ｖ３は、電圧Ｖ１（図６（ａ）ではＶ１ａ又
はＶ１ｂ）が三角波電圧Ｖ２以上の期間で図６（ｂ）のように「Ｈ」レベルとな
り、Ｖ２以下の期間で「Ｌ」レベルとなる。
【０００９】
続いて、Ｔ形フリップフロップ１５は、否定回路１４の出力電圧Ｖ４（図６（
ｃ））が「Ｌ」から「Ｈ」に立ち上がる度に、出力端子Ｑ、バーＱの値を反転さ
せる。これにより、フリップフロップ１５の出力電圧Ｖ５ａ、Ｖ５ｂは図６（ｄ
）、（ｅ）に示すように交互に「Ｈ」レベルとなり、ＮＯＲ回路１６、１７の出
力電圧Ｖ６、Ｖ７も図６（ｆ）、（ｇ）のように交互に「Ｈ」レベルとなる。
【００１０】
したがって、電圧Ｖ７をベース入力電圧とするトランジスタ３ａ、３ｂの組と
、電圧Ｖ６をベース入力電圧とするトランジスタ３ｃ、３ｄの組も、交互にオン
することになり、この結果トランス４の１次側に流れる電流Ｉは図６（ｈ）に示
すように１ｋＨｚの交流となる。なお、図６（ｈ）において、Ｔは制御周期であ
り、交流周波数をｆ（三角波電圧Ｖ２の周波数の１／２）とすると、Ｔ＝１／２
ｆである。
【００１１】
このようなパルスヒート電源において、最初の立ち上がり時は、温度設定スイ
ッチ８で設定された温度よりもヒータチップ５の温度が低く、電圧Ｖｓよりもフ
ィードバック電圧Ｖｆの方がかなり小さいため、誤差増幅器１１の出力電圧Ｖ１
が低い値となる（図６（ａ）のＶ１ａ）。
これにより、周期Ｔにおいてトランジスタ３ａ〜３ｄがオンする期間Ｔｏｎが
長くなって、オフする期間Ｔｏｆｆが短くなり、大きな電流がヒータチップ５に
流れる。
【００１２】
次に、このような電流の供給によりヒータチップ５の温度が上昇すると、熱電
対フィードバック電圧Ｖｆが上昇して電圧Ｖｓに近づくので、誤差増幅器１１の
出力電圧Ｖ１は図６（ａ）のＶ１ｂのように上昇する。
よって、比較器１３の出力電圧Ｖ３は、立ち上がり時に比べると「Ｌ」レベル
の期間が短くなって「Ｈ」レベルの期間が長くなり、トランジスタ３ａ〜３ｄと
しては、図６（ｈ）に示すようにオンする期間Ｔｏｎが短くなってオフする期間
Ｔｏｆｆが長くなる。
【００１３】
こうして、ヒータチップ５の温度上昇に伴いチップ５に供給する電流を減らす
ことにより、温度設定スイッチ８で設定された温度を保つように動作する。
以上のようなトランジスタ３ａ〜３ｄのオン／オフ制御によってパルスヒート
電源を実現することができる。
【００１４】
【特許文献１】特開平８−３３００５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
以上のように従来のパルスヒート電源は、ヒータチップの温度を温度センサと
して熱電対を使用して検出して、その検出結果をフィードバック制御を行うこと
により、ヒータチップの温度制御を実現している。そして、この熱電対は溶接に
よりヒータチップに取り付けられているが、高温下での半田付けの温度サイクル
の影響により溶接部が剥がれたり、熱電対素線が断線したりすることがあるので
、適切なヒータチップの温度制御ができなくなるためヒータチップの寿命が短く
なるという問題点があった。また、熱電対の寿命はヒータチップの寿命と比較し
て短いため、使用状況に応じて交換する必要があり、取扱い上面倒であるという
問題点もあった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、熱電対を使用せずにヒ
ータチップの温度を検出して、その検出結果をフィードバックしてヒータチップ
への供給電流の制御を可能とするインバータ制御方式パルスヒート電源を提供す
ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、抵抗値が温度の関数であること、そして電圧は抵抗値の関数である
ことに着目してなされたものである。すなわち抵抗値は次の式で表現することが
できる。
Ｒ＝ρ×｛１＋α×（Ｔ−Ｔ２５）｝×（Ｌ／Ａ）
ここで、ρは抵抗体を構成する材料の抵抗率、αは抵抗体を構成する材料の温
度係数、Ｔ２５は基準温度（ここでは、摂氏２５度）、Ｌは抵抗体の長さ、Ａは
抵抗体の断面積である。
また、電圧は次の式で表現することができる。
Ｖ＝Ｉ×Ｒ
ここで、Ｉは電流である。
従って、これらの式から、電流を一定にしておくことにより、電圧を測定する
ことで温度を算出することが可能であり、電圧そのものを制御パラメータとして
半田付け温度を制御することが可能となる。
【００１７】
本発明になるインバータ制御方式パルスヒート電源は、インバータ制御方式を
用いて、ヒータチップに間欠的に電流を流すことにより、半田付けを行うパルス
ヒート電源において、前記ヒータチップの給電端子間の電圧が所定の電圧に達し
たときにこのヒータチップへの通電を停止する電圧を設定すること；前記ヒータ
チップの給電端子間の電圧を検出すること；この検出電圧と前記設定電圧とを比
較すること；設定電圧が検出電圧より高い間は前記ヒータチップへの通電を続行
し、反対に低い間はこのヒータチップへの通電を停止すること、を特徴とするも
のである。
【００１８】
また、本発明になるインバータ制御方式パルスヒート電源は、インバータ制御
方式を用いて、ヒータチップに間欠的に電流を流すことにより、半田付けを行う
パルスヒート電源において、所定のパラメータを設定するパラメータ設定部と、
前記ヒータチップの給電端子間の電圧を検出すると共に所定の増幅を行う電圧検
出増幅部と、前記パラメータ設定部で設定されたパラメータとこの電圧検出増幅
部からの電圧と別途設けられた操作部からの半田付け開始信号に基づいて前記イ
ンバータ制御方式のインバータ部のゲート信号を生成するＰＷＭ制御部と、を有
することを特徴とするものである。
【００１９】
このインバータ制御方式パルスヒート電源で用いられるパラメータは次のもの
からなることを特徴とするものである。
イ．前記ヒータチップへの通電パターンのサイクルタイムを決定する間隔であ
る通電間隔時間Ｔ１
ロ．所定時間経過時に前記ヒータチップが所定の電圧に達しないときにこのヒ
ータチップへの通電を停止させる通電制限時間Ｔ２
ハ．総通電時間である加熱時間Ｔ３
ニ．前記インバータ制御におけるインバータ部の通電パワーを設定するゲート
開度幅Ｗ１
ホ．所定の半田付け温度に対応する電圧であり、前記ヒータチップの温度がこ
の温度に達したときにこのヒータチップへの通電を停止するしきい値となる通電
停止電圧Ｖ１１
【００２０】
また、このインバータ制御方式パルスヒート電源で用いられる各パラメータの
設定範囲とデフォルト値は、次のようなものであることを特徴とするものである
。
イ．前記通電間隔時間Ｔ１は０〜９９９ｍｓであり、デフォルト値はこの設定
範囲の任意の１の時間であること。
ロ．前記通電制限時間Ｔ２は０〜９９９ｍｓであり、デフォルト値は１ｍｓ以
上であって、この設定範囲内の任意の１の時間であること。
ハ．前記加熱時間Ｔ３は０．０〜９９．９９ｓであり、デフォルト値はこの設
定範囲内の任意の１の時間であること。
ニ．前記ゲート開度幅Ｗ１は１０．０〜９０．０パーセントであり、デフォル
ト値はこの設定範囲内の任意の１の開度幅であること。
ホ．前記通電停止電圧Ｖ１１の設定範囲は、０．１Ｖ〜１０．０Ｖであり、デ
フォルト値はこの設定範囲の任意の１の電圧であること。
【００２１】
また、このインバータ制御方式パルスヒート電源は、前記電圧検出増幅部から
の電圧が、前記通電制限時間Ｔ２内に前記通電停止電圧Ｖ１１に到達しないとき
に、前記ヒータチップへの通電を停止することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、課題を解決するための手段に述べたような構成を採用するこ
ととしたので、熱電対を使用しないでもヒータチップの温度を電圧として検出す
ることが可能となる。また、各種パラメータを設定することにより、一定幅のゲ
ート信号１０１によりインバータ部をスイッチィングし、ヒータチップに一定間
隔で通電／休止を繰り返すことにしてヒータチップの温度を上昇させ、この間前
述したように常時ヒータチップの温度を電圧として検出し、この電圧をフィード
バックしてヒータチップの温度がしきい値として設定された所定の電圧（温度）
超えた場合には、ヒータチップに流す電流を停止することにしたので、ヒータチ
ップの温度を一定に保持することが可能となる。
【００２３】
従って、熱電対を使用しないでヒータチップの温度フィードバック制御可能が
可能となるので、高温下での半田付けの温度サイクルの影響により熱電対の溶接
部が剥がれたり、熱電対素線が断線したりすることがないので、適切な温度制御
が可能となるからヒータチップの寿命が長く、しかも信頼性の高いインバータ制
御方式パルスヒート電源を提供することが可能となる。
【００２４】
また、比較的寿命の短い熱電対を使用しないので取扱いが容易で使い勝手の良
いインバータ制御方式パルスヒート電源を提供することが可能となる。
加えて、所定時間内にヒータチップが所定の電圧に達しない場合は、ヒータチ
ップへの通電を停止するようにした保護機能を有しているので、半田付け不良を
最小限に抑え、稼働率の高いインバータ制御方式パルスヒート電源を提供するこ
とができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明になるインバータ制御方式パルスヒート電源の全体構成を示す
概略ブロック図である。また、図２は、本発明になるインバータ制御方式パルス
ヒート電源の動作状態を時系列で示す図である。
【００２６】
図１において、２１は入力される商用３相の交流電圧を整流し、平滑化する整
流平滑部、２２は整流平滑部２１で得られた直流電圧を商用電力の周波数より充
分に高い周波数でスイッチングし、交流の電流を得るインバータ部、２３はイン
バータ部２２で得られた交流の電圧を所定の大電流で低電圧の電圧に降圧する溶
接トランス、２４は溶接トランス２３で得られた所定の交流電圧を整流する整流
部、２５は対象物を半田付けするための加熱部となるヒータチップである。
【００２７】
また、２６はヒータチップ２５の給電部の両端に接続され、その間の電圧を検
出し、所定の増幅度で増幅する電圧検出増幅部、２７は所定のパラメータを設定
するパラメータ設定部、２８はパラメータ設定部２７からの各種のパラメータと
電圧検出増幅部２６からの増幅されたヒータチップ２５の給電端子間の電圧およ
び半田付け開始信号１０２を受けてインバータ部２２を直接制御するゲート信号
１０１を生成するＰＷＭ制御部である。
【００２８】
ここで、各種パラメータは次の通りである。
イ．ヒータチップ２５への通電パターンのサイクルタイムを決定する通電間隔
時間Ｔ１。この通電間隔時間Ｔ１の設定範囲は０〜９９９ｍｓであり、デフォル
ト値は例えば、１ｍｓである。
ロ．この時間内にヒータチップ２５が後述する通電停止電圧Ｖ１１に達しない
ときにヒータチップ２５への通電を停止させる時間である通電制限時間Ｔ２。こ
の通電制限時間Ｔ２の設定範囲は０〜９９９ｍｓであり、デフォルト値は例えば
、１ｍｓである。
ハ．総通電時間である加熱時間Ｔ３。この加熱時間Ｔ３の設定範囲は０．０〜
９９．９９ｓであり、デフォルト値は例えば、１ｓである。
ニ．インバータ部２２の通電パワーを設定するゲート開度幅Ｗ１。このゲート
開度幅Ｗ１の設定範囲は１０．０〜９０．０パーセントであり、デフォルト値は
、例えば１０．０パーセントである。
ホ．所定の半田付け温度に対応する電圧であり、前記ヒータチップ２５の温度
がこの温度に達したとき、または前記通電停止時間Ｔ２内にこのヒータチップ２
５の温度がこの電圧に到達しないときにヒータチップ２５への通電を停止するし
きい値となる通電停止電圧Ｖ１１。この通電停止電圧Ｖ１１の設定範囲は、０．
１Ｖ〜１０．０Ｖであり、デフォルト値は、例えば０．１Ｖである。
【００２９】
そして、上述の各種のパラメータ設定に基づいて、基本的にはＰＷＭ制御部２
８でゲート信号１０１は設定された加熱時間Ｔ３の間、連続的に設定されたゲー
ト開度幅で出力されるが、通電／休止間隔のうち通電期間にのみ出力される。な
お、連続通電としないで、別途定められた時間間隔で通電／休止の繰り返しとし
ているのは温度制御の正確性を向上させるためである。
【００３０】
また、通電制限時間Ｔ２内に電圧検出増幅部２６からのヒータチップ２５の電
圧が通電停止電圧Ｖ１１に到達しない場合にはゲート信号１０１の出力を禁止す
る。これは、一定時間内に所定の電圧に到達しないということであるから、何ら
かの異常状態にあることが想定され、このような場合ヒータチップ２５に印加さ
れる電力を制限し、インバータ制御方式パルスヒート電源を保護すると同時に半
田付け対象物を保護するためである。
【００３１】
そして、電圧検出増幅部２６からのヒータチップ２５の電圧が通電停止電圧Ｖ
１１を超えたときにも前記ゲート信号１０１の出力を禁止する。これがヒータチ
ップの温度データのフィードバック制御を構成し、所定の温度に保持する効果を
もたらす。
なお、このようなフィードバック制御方式を採用したために、通常インバータ
制御で採用されるゲート信号１０１の幅を拡張したり、縮小したりして温度を一
定にする手法は採用せず、ゲート信号１０１の幅は常に一定としている。
【００３２】
次に、このようなインバータ制御方式パルスヒート電源の動作を説明する。
最初に前述した所定のパラメータを所望の値に設定する。なお、この時デフォ
ルト値でよい場合はそのままでよいことは勿論である。
この設定された状態および動作状態におけるヒータチップ２５の温度上昇の様
子が図２に示されている。
図２において、（Ａ）は設定された通電停止電圧Ｖ１１、（Ｂ）は設定された
通電間隔時間Ｔ１、（Ｃ）は設定された通電制限時間Ｔ２、（Ｄ）は設定された
加熱時間Ｔ３、（Ｅ）は設定されたゲート開度幅Ｗ１、（Ｆ）は検出し増幅され
たヒータチップ２５の給電端子間の電圧、（Ｇ）はヒータチップ２５の温度であ
る。
【００３３】
この状態で図示しない３相２００Ｖの商用交流電源を通電する。そうするとこ
の３相２００Ｖの交流電圧が、整流平滑部２１に印加され、ここで整流、平滑化
される。このように整流平滑部２１で生成された直流電圧は、インバータ部２２
に供給される。この状態ではインバータ部２２のスイッチング信号となる前述の
ゲート信号１０１は生成されているが、半田付け開始信号１０２がＰＷＭ制御部
２８に入力されていないのでインバータ部２２に出力されることはない。
【００３４】
このような状態で半田付け開始信号１０２が動作条件設定部２８に入力される
と前述のゲート信号１０１がインバータ部２２に出力される。このゲート信号１
０１は通常商用電源周波数より充分高い周波数である、例えば２ｋＨｚの周波数
の信号である。そして、前述したようにこのゲート信号１０１のパルス幅はパラ
メータとして設定したゲート開度幅のままで拡張したり、縮小したりしない。
【００３５】
このゲート信号１０１により、インバータ部２２に入力された整流平滑部２１
からの直流電圧はゲート信号１０１に応じた高周波の交流電圧に変換され、この
交流電圧は溶接トランス２３で所定の低電圧、大電流の交流電圧に変換され、そ
の後整流部２４で整流され、低電圧、大電流の直流電圧となりヒータチップ２５
に印加される。なお、このゲート信号１０１は前述したように定められた間隔で
通電／休止の通電サイクルで出力される。
【００３６】
こうすることにより、ヒータチップ２５に電流が流れ、ヒータチップ２５の温
度が上昇していく。このヒータチップ２５の温度は電圧検出増幅部２６で電圧と
して検出される。そして、ＰＷＭ制御部２８に入力される。一方、ＰＷＭ制御部
２８には通電停止電圧Ｖ１１も入力されている。そして、前述したようにヒータ
チップ２５からの検出電圧の方が低い場合は、ゲート信号１０１の出力を続行し
、ヒータチップ２５への通電を続行し、ヒータチップ２５の温度をさらに上昇さ
せる。
【００３７】
ヒータチップ２５の電圧は常時電圧検出増幅部２６で検出されているので、常
時ＰＷＭ制御部２８で通電停止電圧Ｖ１１との電圧比較も続行され、ヒータチッ
プ２５の検出電圧が通電停止電圧Ｖ１１を超えるとゲート信号１０１の出力を停
止する（図２の（１）参照）。そうするとヒータチップ２５への通電が停止され
るので図２に示されるように温度が低下してくる。そして、１つの通電間隔時間
サイクルが終了するまでゲート信号１０１が出力されることはない。
なお、図２においては、（１）の時点でヒータチップ２５の検出電圧が通電停
止電圧Ｖ１１を超えているのでその時点でゲート信号１０１の出力が停止してい
るが、この時点で超えない場合は、通電間隔時間Ｔ１内でゲート信号１０１は出
力され続ける。
【００３８】
こうして１つの通電間隔時間サイクルが終了すると次の通電間隔時間サイクル
が開始されるので再びゲート信号１０１の出力が開始される（図２の（２）参照
）。そうするとヒータチップ２５へ通電が開始されるのでヒータチップ２５の温
度が上昇し、従って電圧が上昇する。この電圧は常時電圧検出増幅部２６で検出
され、ＰＷＭ制御部２８において前述のような動作を繰り返し、通電停止電圧Ｖ
１１を超えると再びゲート信号１０１の出力を停止し、ヒータチップ２５への通
電を停止する（図２の（３）参照）。
【００３９】
この動作は、加熱時間Ｔ３の間繰り返される。こうすることによって、加熱時
間Ｔ３の間ヒータチップ２５の電圧を基にヒータチップ２５への通電を開始／停
止するのでヒータチップ２５の温度を一定の範囲内に収めることが可能となる。
この様子を図３、図４に示す。この両図から分かるように、温度偏差は摂氏３０
０度の設定に対して、約摂氏４０度程度であるから、通常の半田付け作業には充
分な精度が得られることが分かる。
従って、熱電対などの温度検出素子を用いることなく、ヒータチップ２５の温
度を制御できるインバータ制御方式パルスヒート電源を構成することが可能とな
る。
【００４０】
一方、上述のように順調にヒータチップ２５の温度が上昇せず、通電制限時間
Ｔ２が経過しても電圧検出増幅部２６からのヒータチップ２５の給電端子間の電
圧が通電停止電圧Ｖ１１に到達しない場合は、ゲート信号１０１の出力を停止さ
せる。このように、所定時間内に所定温度に到達しない場合に、ヒータチップ２
５に給電を停止するのはインバータ制御方式パルスヒート電源を保護すると同時
に半田付け対象物を保護するためである。
【００４１】
なお、本発明においては溶接トランスで生成された大電流で低電圧の交流電圧
を整流部で整流し、直流としてからヒータチップに通電しているのは、半田付け
ケーブル等のインダクタンス成分が負荷となるので交流のままであると、半田付
けのエネルギが消耗されるのでその消耗を防止するためである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明になるインバータ制御方式パルスヒート電源の全体構成を示す概略ブロック図である。
【図２】本発明になるインバータ制御方式パルスヒート電源の動作状態を時系列で示す図である。
【図３】本発明になるインバータ方式パルスヒート電源を使用して半田付けしたときの１つの参考温度波形図である。
【図４】本発明になるインバータ方式パルスヒート電源を使用して半田付けしたときのもう１つの参考温度波形図である。
【図５】従来のパルスヒート電源のブロック図である。
【図６】図５の従来のパルスヒート電源の動作を説明するためのタイミングチャート図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  整流回路、  ２  コンデンサ、  ３ａ〜３ｄ  トランジスタ、
４  トランス、  ５  ヒータチップ、  ６  熱電対、  ７  増幅器、
８  温度設定スイッチ、  ９  ＰＷＭ制御回路、  １１  誤差増幅器、
１２  発振器、  １３  比較器、  １４  否定回路、
１５  Ｔ形フリップフロップ、  １６、１７  ＮＯＲ回路、
２１  整流平滑部、  ２２  インバータ部、  ２３  溶接トランス
２４  整流部、  ２５  ヒータチップ、  ２６  電圧検出増幅部
２７  パラメータ設定部、  ２８  ＰＷＭ制御部
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図３】
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【図４】
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