(57)【要約】【課題】  電子装置の複数の外部端子の半田接続における接続信頼性の向上を図る。【解決手段】  電子装置（ＲＦモジュール）の組み立てにおいて、多層配線基板４の裏面４ｂの複数の外部端子それぞれに接続された半田バンプ１６を加熱して溶融し、溶融状態の複数の半田バンプ１６をレベリング板１２の平坦面１２ａで押し潰して複数の半田バンプ１６を固化させる。これにより、複数の半田バンプ１６の先端の被接続面１６ａを同一面上で平坦化することができ、前記電子装置の複数の外部端子の半田接続における接続信頼性の向上を図ることができる。【選択図】  図５
2006295012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）主面とこれに対向する裏面とを有し、前記裏面に複数の外部端子が設けられた配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記配線基板の主面上に半導体チップ及び面実装部品を搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記配線基板の前記裏面の複数の外部端子それぞれに接続された半田を加熱して溶融し、前記溶融した状態の複数の半田を平坦化部材の平坦面で押し潰し、さらに前記押し潰した状態で前記複数の半田を固化することにより形成される前記複数の半田のうちの少なくとも一部の複数の半田の被接続面を同一面上で平坦化する工程とを有し、
前記（ｄ）工程の前記複数の半田の平坦化は、前記（ａ）工程の後に行うことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）主面とこれに対向する裏面とを有し、前記裏面に複数の外部端子が設けられた配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記配線基板の主面上にそれぞれ第１の半田を介して半導体チップ及びチップ部品を配置する工程と、
（ｃ）前記第１の半田と、前記配線基板の前記裏面の複数の外部端子それぞれに接続された第２の半田とをリフローによって加熱して溶融することにより、前記半導体チップ及び前記チップ部品をそれぞれ前記第１の半田で前記配線基板に接続し、さらに前記溶融した状態の複数の第２の半田を平坦化部材の平坦面で押し潰し、その後に前記押し潰した状態で前記複数の第２の半田を固化することにより形成される前記複数の第２の半田の被接続面を同一面上で平坦化する工程と、
（ｄ）前記半導体チップと前記配線基板とを導電性ワイヤによって電気的に接続する工程とを有し、
前記（ｃ）工程において、前記リフローにより、前記半導体チップ及び前記チップ部品をそれぞれ前記第１の半田を介して前記配線基板に接続し、さらに前記複数の第２の半田の被接続面を同一面上で平坦化することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）主面とこれに対向する裏面とを有し、前記裏面に複数の外部端子と凹部が設けられた配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記配線基板の前記凹部に第３の半田を介して放熱部材を配置する工程と、
（ｃ）前記第３の半田を加熱して溶融し、前記溶融した状態で前記放熱部材及び前記裏面の複数の外部端子を平坦化部材の平坦面で加圧して前記第３の半田を押し潰すことにより、前記放熱部材の底面と前記複数の外部端子の高さを合わせる工程と、
（ｄ）前記配線基板の主面上に半導体チップ及び面実装部品を搭載する工程と、
（ｅ）前記半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）主面とこれに対向する裏面とを有し、前記裏面に複数の外部端子と凹部が設けられ、さらに前記凹部に放熱部材が配置された配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記放熱部材の底面に第３の半田を配置し、その後、前記第３の半田を加熱して溶融し、前記溶融した状態で前記第３の半田及び前記裏面の複数の外部端子を平坦化部材の平坦面で加圧して前記第３の半田を押し潰すことにより、前記第３の半田と前記複数の外部端子の高さを合わせる工程と、
（ｃ）前記配線基板の主面上に半導体チップ及び面実装部品を搭載する工程と、
（ｄ）前記半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）主面とこれに対向する裏面とを有する配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記配線基板の主面上に、下部に半田と放熱部材を配置した状態で電子部品を配置する工程と、
（ｃ）前記半田を加熱して溶融し、前記溶融した状態で前記半田もしくは放熱部材と前記配線基板の裏面とを平坦化部材の平坦面で加圧して前記半田を押し潰すことにより、前記半田もしくは放熱部材と前記配線基板の裏面とを同一面上で平坦化する工程と、
（ｄ）前記放熱部材もしくは半田を放熱装置に密着させて前記配線基板を前記放熱装置に接続する工程とを有することを特徴とする電子装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造及び実装技術に関し、特に、高周波用電力増幅器（電子装置）の外部端子の半田接続における接続信頼性の向上に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半田バンプ付き配線基板は、反りを有する絶縁基板の電子部品搭載部に複数の半田接合パッドを設けるとともに半田接合パッド上に各々の上端が略同一平面上となるように研磨により平坦化された半田バンプを接合させて成る（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、半田バンプ付き配線基板は、反りを有する絶縁基板の電子部品搭載部に複数の半田接合パッドを設けるとともに半田接合パッド上に各々の上端が略同一平面上となるよう
にプレスにより平坦化された半田バンプを接合させて成る（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−１６５３２８号公報（図２）
【特許文献２】特開２００４−１４０１１０号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
携帯用通信機器などに組み込まれる高周波用のモジュール（電子装置）の一例として、ＲＦ（Radio Frequency)モジュールと呼ばれる高周波用電力増幅器が知られている。ＲＦモジュールには、半導体チップを搭載する多層配線基板のチップ下部にＧＮＤなどの電気的接続とともに放熱を目的とするサーマルビアと呼ばれるビア（Via)が複数個設けられている構造のものがある。
【０００５】
近年、ＲＦモジュールでは、小型化・高機能化の要求が高まっている。したがって、多層配線基板の裏面に設けられた半田接続用の外部端子の数が増えるとともに、個々の外部端子の面積は小さくなる傾向にある。これにより、半田接続の際のそれぞれの外部端子の半田量も少なくなってきている。
【０００６】
このような状況で、多層配線基板が反っていると、外部端子の高さ（外部端子のコプラナリティ）にバラツキが生じ、外部端子が実装基板に対して均等に密着できない。その結果、実装時に半田接続不良が発生し易くなり、ＲＦモジュールにおいて外部端子の高さのバラツキの抑制が重要な課題となっている。
【０００７】
なお、前記特許文献１（特開２００４−１６５３２８号公報）及び特許文献２（特開２００４−１４０１１０号公報）には、半田バンプの高さの同一化（レベリング）に手間がかかる研磨や、膨大な圧力を加えるプレス加工などの工程を追加している。したがって、製造コストが増加するという問題がある。
【０００８】
また、前記特許文献１及び２に記載された技術は、基板に部品を搭載する前に半田バンプの高さの同一化を行って平坦性を改善させる方法であるため、モジュールの組み立て工程の最上流から基板の裏面側に半田バンプが付いている状態となる。したがって、半田バンプがモジュールの組み立てプロセスの制約になり、その結果、低コストのモジュール製造ラインの構築の妨げになる可能性があることが問題である。
【０００９】
本発明の目的は、電子装置の複数の外部端子の半田接続における接続信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、電子装置の実装性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１３】
すなわち、本発明は、配線基板の裏面の複数の外部端子それぞれに接続された半田を加熱して溶融し、溶融した状態の複数の半田を平坦化部材で押し潰し、この状態で複数の半田を固化して複数の半田の被接続面を同一面上で平坦化するものである。その際、複数の半田の平坦化は、配線基板を準備する工程の後に行う。
【００１４】
また、本発明は、電子部品の下部に配置した半田を加熱して溶融した状態で半田もしくは放熱部材と配線基板の裏面とを平坦化部材で加圧して半田を押し潰すことにより、半田もしくは放熱部材と配線基板を同一面上で平坦化するものである。平坦化後、放熱部材もしくは半田を放熱装置に密着させて配線基板を放熱装置に接続する。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
電子装置の組み立てにおいて、配線基板の裏面の複数の外部端子それぞれに接続された半田を加熱して溶融し、複数の半田を平坦化部材で押し潰して半田の被接続面を同一面上で平坦化することにより、電子装置の外部端子の半田接続における接続信頼性の向上を図ることができる。その結果、電子装置の実装基板への実装時の半田接続不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除きそれらはお互いに無関係なものではなく一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１９】
また、以下の実施の形態において要素の数（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２０】
また、以下の実施の形態において、高周波と言う場合、概ね５００ＭＨｚ程度以上の周波数帯を指す。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の電子装置（ＲＦモジュール）の構造の一例を示す断面図、図２は図１に示す電子装置の裏面の構造の一例を示す裏面図、図３は図１に示す電子装置の組み立て手順の一例を示す製造フロー図である。さらに、図４は図１に示す電子装置の組み立てに用いられる端子平坦化における平坦化前の構造の一例を示す断面図、図５は端子平坦化における端子加熱状態の構造の一例を示す断面図である。さらに、図６は端子平坦化における端子冷却状態の構造の一例を示す断面図、図７は端子平坦化における平坦化後の構造の一例を示す断面図、図８は端子平坦化における平坦化後の構造を示す断面図である。
【００２３】
図１及び図２に示す本実施の形態１の電子装置は、主に、携帯用通信機器などに組み込まれる高周波用の電子装置である。本実施の形態１では前記電子装置として、多層配線基板４を有したＲＦモジュール７（高周波用電力増幅器）の場合を一例として取り上げて説明する。
【００２４】
ＲＦモジュール７の構成について説明すると、図１に示すように、主面４ａ上にパワートランジスタである半導体チップ１やチップコンデンサ２（チップ部品）などの面実装部品が搭載された多層配線基板４を有している。さらに、半導体チップ１と多層配線基板４を電気的に接続する複数のワイヤ６と、半導体チップ１やチップコンデンサ２などのチップ部品、及び複数のワイヤ６を封止する封止用樹脂からなる封止体３を有している。
【００２５】
また、多層配線基板４の主面４ａ上には、巻き線インダクタ５が搭載されており、半導体チップ１、チップコンデンサ２及び巻き線インダクタ５は、それぞれ第１の半田である表面半田８によってそれぞれの端子４ｃに半田接続されている。
【００２６】
さらに、多層配線基板４の主面４ａの各端子４ｃ上には、ガラスコート１０が配置されている。
【００２７】
また、図２に示すように、多層配線基板４の裏面４ｂには、複数の外部端子９が格子状に配置されており、したがって、本実施の形態１のＲＦモジュール７は、例えば、ＬＧＡ（Land Grid Array)型の電子装置である。
【００２８】
なお、多層配線基板４の裏面４ｂの各外部端子９には、図１に示すように、接続用半田である半田バンプ（第２の半田）１６が接続される。
【００２９】
また、多層配線基板４は、例えば、セラミック製の基板であり、複数のセラミック層を積層して形成されたものである。
【００３０】
さらに、図１に示すように、多層配線基板４には、主面４ａの端子４ｃと裏面４ｂの半田バンプ１６とを電気的に接続するビア配線４ｄが複数個設けられている。
【００３１】
多層配線基板４において、端子４ｃやビア配線４ｄ等は、例えば、銅合金からなる。
【００３２】
また、半導体チップ１は、例えば、シリコンなどからなる。さらに、ワイヤ６は、例えば、金線であり、封止体３を形成する封止用樹脂は、例えば、シリコーン樹脂である。
【００３３】
ただし、多層配線基板４や前記封止用樹脂は、例えば、エポキシ系の樹脂からなるものであってもよい。
【００３４】
次に、本実施の形態１の電子装置の製造方法を、図３に示す製造フロー図を用いて説明する。
【００３５】
まず、多層配線基板４を準備する。多層配線基板４は、主面４ａとこれに対向する裏面４ｂとを有したセラミック製の多層基板であり、主面４ａに複数の端子４ｃが設けられているとともに、裏面４ｂに複数の外部端子９が格子状に配置されて設けられている。
【００３６】
その後、図３のステップＳ１に示す半田印刷を行う。ここでは、多層配線基板４の主面４ａの複数の端子４ｃ上に第１の半田である表面半田８を印刷で形成するとともに、裏面４ｂの各外部端子９に半田バンプ１６を印刷で形成する。
【００３７】
その後、ステップＳ２に示す部品搭載を行う。ここでは、多層配線基板４の主面４ａの端子４ｃ上に表面半田８を介して半導体チップ１や面実装部品であるチップコンデンサ（チップ部品）２、さらに、巻き線インダクタ５を配置する。
【００３８】
その後、ステップＳ３に示すリフローを行う。すなわち、表面半田８を加熱して溶融して半導体チップ１、チップコンデンサ２および巻き線インダクタ５を半田接続する。
【００３９】
その後、ステップＳ４に示す洗浄を行う。ここでは、洗浄により、主に半田のフラックスを落とす。
【００４０】
その後、ステップＳ５に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、半導体チップ１の主面１ａの電極と多層配線基板４の主面４ａの端子４ｃとを導電性ワイヤである金線等のワイヤ６によって電気的に接続する。
【００４１】
その後、ステップＳ６に示すレジン印刷により封止を行う。ここでは、半導体チップ１、チップコンデンサ２及び巻き線インダクタ５等を封止用樹脂で印刷によって封止する。その際、前記封止用樹脂として、例えば、シリコーン樹脂を用い、印刷によってシリコーン樹脂を塗布して封止する。
【００４２】
その後、ステップＳ７に示すクラッキングを行ってモジュールの個片化を行う。
【００４３】
その後、ステップＳ８に示す選別を行ってＲＦモジュール７の組み立て完了となる。
【００４４】
なお、本実施の形態１の電子装置の製造方法では、電子装置（ＲＦモジュール７）の各外部端子９に接続された半田バンプ（第２の半田）１６の平坦性向上を図るために図４〜図７に示す工程を行う。すなわち、多層配線基板４に反りが形成されている場合等に、複数の外部端子９それぞれに接続された複数の半田バンプ１６を同一面上で平坦化するものである。
【００４５】
図４は、例えば、ＲＦモジュール７の多層配線基板４であり、その反り状態を示している。多層配線基板４の裏面４ｂには複数の外部端子９が設けられており、さらに、それぞれの外部端子９には、接続用半田である半田バンプ（第２の半田）１６が接続されている。多層配線基板４に反りが形成されているため、接地ライン１１に対して半田バンプ１６（Ｂ）及び半田バンプ１６（Ｄ）が浮いており、実装基板への半田リフローによる実装時にクリーム半田（予備半田）と接触せず、半田付け不良になる可能性がある。
【００４６】
そこで、本実施の形態１では、図５に示すように、多層配線基板４とレベリング板（平坦化部材）１２をリフロー等で加熱して半田バンプ１６を溶融した状態にしてレベリング板１２の平坦面１２ａを各半田バンプ１６の先端に押し付ける。なお、レベリング板１２は、平坦面１２ａを有しており、例えば、セラミックのような、半田が付かない耐熱性の高い材料によって形成されていることが好ましい。
【００４７】
図５に示すような加熱状態では、半田バンプ１６は、極めて表面張力が強い液体状態なのでその先端は、レベリング板１２の平坦面１２ａと一致した形状に形成される。すなわち、リフローによって半田バンプ１６を加熱して溶融し、前記溶融した状態の複数の半田バンプ１６をレベリング板１２の平坦面１２ａで押し潰すことにより、複数の半田バンプ１６各々の先端をレベリング板１２の平坦面１２ａと一致した形状に形成できる。
【００４８】
その後、図６に示すように、レベリング板１２を、溶融した半田バンプ１６に押し付けたままの状態で冷却し、半田バンプ１６を固化させ、その後、レベリング板１２を各半田バンプ１６から離す。すなわち、各半田バンプ１６をレベリング板１２の平坦面１２ａで押し潰した状態のまま固化させる。
【００４９】
これにより、図７に示すように、多層配線基板４に反りが形成されていても、半田バンプ１６（Ａ）〜（Ｆ）が均等に接地ライン１１に対して一致するような形状を実現することができる。すなわち、レベリング板１２の平坦面１２ａによって形成された各半田バンプ１６の先端の被接続面１６ａを同一面上で平坦化することができる。
【００５０】
その結果、ＲＦモジュール７を半田リフロー等によって実装基板に実装する際に、各半田バンプ１６がクリーム半田（予備半田）とほぼ均等に接触するようになり、半田付け不良の発生を防ぐことができる。
【００５１】
図８に示す変形例は、多層配線基板４の裏面４ｂに段差状に突出した凸部４ｅが形成されている場合である。すなわち、多層配線基板４のセラミック層の５層構造の最下層に半田バンプ１６（Ｂ）〜（Ｅ）が配置されており、さらに、その外側において下から３層目に半田バンプ１６（Ａ）と（Ｆ）が配置されている構造である。この場合、半田バンプ１６の先端部の高さにセラミック層の２層分の段差が生じている。
【００５２】
このような段差付きの多層配線基板４に対しても、図８に示すように、凹状の段差部１３が形成されたレベリング板１２を採用することにより、半田バンプ１６（Ａ）と（Ｆ）、および（Ｂ）〜（Ｅ）の先端部の平坦化を行うことができる。
【００５３】
なお、図５〜図７および図８に示す平坦化（レベリング）は、図３に示すＲＦモジュール７の組み立てにおいて、多層配線基板４を準備した後に何れの工程で行ってもよい。ただし、ステップＳ３に示す部品接続用のリフロー工程で前記平坦化を行うことにより、半導体チップ１やチップコンデンサ２等の面実装部品の半田接続と、裏面４ｂの半田バンプ１６の平坦化とを同時に行うことができ、工程の増加を抑制することが可能である。
【００５４】
また、半田バンプ１６の平坦化は、ステップＳ４の洗浄工程前に行うことが好ましい。すなわち、ステップＳ５のワイヤボンディングの前の洗浄工程で半田に付着しているフラックスを落とす必要がある。したがって、半田バンプ１６の平坦化をステップＳ４の洗浄工程前に行うことにより、半田バンプ１６に付着しているフラックスもステップＳ４の洗浄工程で落とすことができ、工程の増加を抑制することができる。
【００５５】
なお、半田バンプ１６の平坦化時には、多層配線基板４またはレベリング板１２のいずれか一方を加圧して行ってもよいし、もしくは両者を加圧してもよい。あるいは多層配線基板４の自重のみにより半田バンプ１６の先端を押し潰して平坦化を行ってもよい。
【００５６】
本実施の形態１によれば、多層配線基板４の複数の外部端子９各々に接続された半田バンプ１６を加熱して溶融し、レベリング板１２の平坦面１２ａで押し潰すことにより、複数の半田バンプ１６の先端の被接続面１６ａを同一面上で平坦化することができる。
【００５７】
これにより、ＲＦモジュール７の外部端子９の半田接続における接続信頼性の向上を図ることができる。すなわち、ＲＦモジュール７の半田付け端子のコプラナリティを向上させることができる。その結果、ＲＦモジュール７の実装基板への実装時の半田接続不良の発生を防止することができる。
【００５８】
また、プレスによるレベリング（平坦化）のように大きな加圧を必要としないため、合理的な製造ライン構築の制約条件になりずらく、適用工程の自由度を高めることができる。
【００５９】
また、ＲＦモジュール７に設けられた複数の半田バンプ１６の先端が同じ高さに揃えられるため、ＲＦモジュール７を携帯用通信機器に搭載する際にも、ＲＦモジュール７の全ての半田バンプ１６が携帯用通信機器の実装基板の表面に密着できるようになる。
【００６０】
その結果、薄いクリーム半田でも良好な半田付け性を実現できるため、ＲＦモジュール７の性能向上を図ることができる。
【００６１】
また、ＲＦモジュール７の設計においては、多層配線基板４等の基板の反りを考慮しないで特性優先のレイアウトで設計することができるため、ＲＦモジュール７の特性向上を図ることができる。
【００６２】
さらに、ＲＦモジュール７の多層配線基板４の反りの規格を緩和することができるため、基板のコストを低減することができる。
【００６３】
また、図８に示す段差付きの多層配線基板４を用いたＲＦモジュール７の半田接続においても、段差部１３を有したレベリング板１２を採用することにより、ＲＦモジュール７の外部端子９のコプラナリティを向上させて良好な半田接続を実現することができる。
【００６４】
これにより、半田バンプ１６の高さ全てが同じ高さでなくてもよく、段差付き基板に実装するニーズが出た場合においても対応することができる。
【００６５】
（実施の形態２）
図９は本発明の実施の形態２の放熱部材と外部端子の平坦化における平坦化前の構造の一例を示す断面図、図１０は平坦化における放熱部材加熱状態の構造の一例を示す断面図、図１１は平坦化における平坦化後の構造の一例を示す断面図、図１２は平坦化における半田配置前の構造の一例を示す断面図である。さらに、図１３は本発明の実施の形態２の変形例の半田と外部端子の平坦化における平坦化前の構造の一例を示す断面図、図１４は平坦化における半田加熱状態の構造の一例を示す断面図、図１５は平坦化における平坦化後の構造の一例を示す断面図である。
【００６６】
本実施の形態２の電子装置の製造方法は、多層配線基板４に設けられた凹部４ｆ内に放熱性の高いヒートシンク（放熱部材）１４を埋め込んだ構造の電子装置の組み立てにおいて、ヒートシンク１４とその周囲の外部端子９との高さを合わせるものである。
【００６７】
なお、ここでは、各外部端子９に実施の形態１のような半田バンプ１６が接続されていない場合を説明するが、外部端子９に半田バンプ１６が接続されていてもよい。
【００６８】
まず、図９に示すように、基板の裏面側に開口するキャビテイである凹部４ｆが形成されている多層配線基板４を準備する。多層配線基板４においては、５層基板の下から４層目まで凹部４ｆを形成し、主面４ａ上にはパワートランジスタ等の半導体チップ１が搭載される。したがって、半導体チップ１は発熱体でもあるため、その下部には放熱用の複数のサ−マルビア４ｇが設けられている。それぞれのサ−マルビア４ｇの凹部４ｆに露出する面には半田付けが可能なメタライズ層が設けられている。
【００６９】
その後、凹部４ｆに中間半田（第３の半田）１５を介して金属製のヒートシンク１４を配置する。すなわち、凹部４ｆにおいて基板とヒートシンク１４の間に、ヒートシンク１４が多層配線基板４の裏面４ｂより僅かに突出するような厚さの中間半田１５を挟んだ状態にする。なお、中間半田１５は、例えば、フラックス入り半田ワッシャ等である。
【００７０】
その後、図１０に示すように、レベリング板１２と多層配線基板４を加熱して中間半田１５を溶融し、中間半田１５が溶融した状態で多層配線基板４をレベリング板１２に押し付けると、中間半田１５が変形してヒートシンク１４の底面１４ａと多層配線基板４の裏面４ｂの外部端子９の高さが一致する。その後、レベリング板１２と多層配線基板４を冷却して中間半田１５を固化させる。
【００７１】
さらに、レベリング板１２から多層配線基板４を離すと、図１１に示すように、ヒートシンク１４の底面１４ａと多層配線基板４の裏面４ｂの外部端子９の高さが揃った形状を得ることができる。すなわち、中間半田１５を溶融した状態でヒートシンク１４及び多層配線基板４の裏面４ｂの複数の外部端子９をレベリング板１２の平坦面１２ａで加圧して中間半田１５を押し潰して固化することにより、ヒートシンク１４の底面１４ａと複数の外部端子９の高さを合わせることができる。
【００７２】
このようにＲＦモジュール７の裏面側に取り付けるヒートシンク１４等の部品とその周囲の外部端子９との平坦化にも適用可能なため、ヒートシンク１４を内蔵したＲＦモジュール７を実現することができる。その結果、ＲＦモジュール７の放熱性を向上させることができ、半導体チップ１の接合温度を低くすることができるため、高効率化を図ることができる。
【００７３】
なお、ヒートシンク１４が内蔵された電子装置の組み立てにおいては、図３に示すステップＳ１の半田印刷の前に、ヒートシンク１４とその周囲の外部端子９との平坦化を行うことが好ましい。すなわち、ヒートシンク１４とその周囲の外部端子９との平坦化を行い、平坦化済みの多層配線基板４を準備して、この多層配線基板４を用いて図３に示す電子装置の組み立てを開始する。
【００７４】
次に、図１２〜図１５に示す変形例は、中間半田１５をヒートシンク１４の外側に配置したものである。
【００７５】
まず、図１２に示すように、予め、凹部４ｆにヒートシンク１４が取り付けられた多層配線基板４を準備する。ヒートシンク１４は、例えば、ロウ付けあるいは高熱伝導率のＡｇペースト等で予め凹部４ｆに取り付けられている。その際、ヒートシンク１４の底面１４ａは、多層配線基板４の裏面４ｂより僅かに引っ込んだ構造となっている。
【００７６】
その後、図１３に示すように、ヒートシンク１４の底面１４ａ側に中間半田（第３の半田）１５を配置する。中間半田１５は、例えば、フラックス入り半田ワッシャ等であり、粘性フラックス等で仮留めする。
【００７７】
その後、図１４に示すように、レベリング板１２と多層配線基板４を加熱して中間半田１５を溶融し、中間半田１５が溶融した状態で多層配線基板４をレベリング板１２に押し付けると、中間半田１５が溶着しながら変形して中間半田１５の底面１５ａと多層配線基板４の裏面４ｂの外部端子９の高さが一致する。その後、レベリング板１２と多層配線基板４を冷却して中間半田１５を固化させる。
【００７８】
さらに、レベリング板１２から多層配線基板４を離すと、図１５に示すように、中間半田１５の底面１５ａと多層配線基板４の裏面４ｂの外部端子９の高さが揃った形状を得ることができる。すなわち、中間半田１５を溶融した状態で中間半田１５及び多層配線基板４の裏面４ｂの複数の外部端子９をレベリング板１２の平坦面１２ａで加圧して中間半田１５を押し潰して固化することにより、中間半田１５の底面１５ａと複数の外部端子９の高さを合わせることができる。
【００７９】
このようにＲＦモジュール７の多層配線基板４の裏面側に中間半田１５を配置する場合においても、この中間半田１５とその周囲の外部端子９との平坦化を行うことができ、さらに、多層配線基板４の裏面４ｂ側に部分的な窪みが形成されていても平坦化が可能なため、多層配線基板４等の基板を幅広く用いることができる。
【００８０】
なお、半田は熱伝導率が差程良くないため、図１２〜図１５に示す変形例の構造のように、発熱体である半導体チップ１になるべく近い側に熱伝導率の高いヒートシンク１４を配置した方が好ましい。すなわち、図９〜図１１の構造に比較して図１２〜図１５に示す変形例の構造の方が、半導体チップ１からの熱を早い段階でより拡散させて放熱することができ、半導体チップ１の放熱性をより高めることができる。
【００８１】
（実施の形態３）
図１６は本発明の実施の形態３における電子装置の実装構造の一例を示す断面図、図１７は図１６に示す電子装置に搭載されるパワートランジスタの構造の一例を示す平面図、図１８は図１７に示すパワートランジスタの構造の一例を示す側面図、図１９は図１７に示すパワートランジスタの構造の一例を示す裏面図である。
【００８２】
本実施の形態３は、図１６に示すようにプリント基板（配線基板）１８の主面１８ａ上に種々の部品が搭載されたプリント基板構造体（電子装置）１７を、ラジエータ（放熱装置）２４等に実装する際に、ヒートシンク（放熱部材）２３とプリント基板１８の裏面１８ｂとの平坦化を行うものである。
【００８３】
プリント基板１８の主面１８ａ上には、電子部品であり、かつ発熱体でもあるパワートランジスタ１９や、チップコンデンサ２０およびチップ抵抗器２１がそれぞれ半田２２を介して搭載されている。さらに、プリント基板１８の主面１８ａの端部には、リード付け端子１８ｄが設けられている。
【００８４】
また、パワートランジスタ１９は、図１７〜図１９に示すように、封止体１９ｂと、封止体１９ｂから突出するリード１９ａと、ヒートシンク（放熱部材）１９ｃとを有している。
【００８５】
このようなプリント基板構造体（電子装置）１７のラジエータ２４への実装において、まず、プリント基板１８の開口部１８ｃにヒートシンク２３を配置し、さらに、ヒートシンク２３上に半田２２を介してパワートランジスタ１９を配置する。また、プリント基板１８の主面１８ａ上にチップ抵抗器２１およびチップコンデンサ２０等をそれぞれ半田２２を介して配置する。
【００８６】
その後、半田２２を加熱して溶融し、この状態でヒートシンク２３とプリント基板１８の裏面１８ｂとを図５に示すようなレベリング板１２の平坦面１２ａで加圧してヒートシンク２３上の半田２２を押し潰すことにより、ヒートシンク２３とプリント基板１８の裏面１８ｂとを平坦化することができる。
【００８７】
その後、ヒートシンク２３をラジエータ２４に密着させてプリント基板１８をラジエータ２４にネジ２５を用いて接続する。
【００８８】
このように電子部品が搭載されたプリント基板構造体１７をラジエータ２４等の放熱装置に実装する際にも、半田２２を溶融した状態でレベリング板１２によって加圧することにより、ヒートシンク２３もしくは半田２２（半田２２がヒートシンク２３の外側に配置されている場合）とプリント基板１８との平坦化を行うことができる。
【００８９】
これにより、プリント基板１８に反りが形成されている場合においても、ヒートシンク２３もしくは半田２２を放熱装置に密着させてプリント基板構造体１７を放熱装置に実装することが可能になる。
【００９０】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９１】
例えば、前記実施の形態では、電子装置であるＲＦモジュール７がＬＧＡ型の電子装置の場合について説明したが、前記電子装置は、外部端子９として複数の半田ボール電極が設けられたＢＧＡ（Ball Grid Array)等であってもよい。その場合、前記複数の半田ボール電極に対して、レベリング板１２を用いて平坦化を行う。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、配線基板を有する電子装置の製造方法及び実装方法に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の実施の形態１の電子装置（ＲＦモジュール）の構造の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子装置の裏面の構造の一例を示す裏面図である。
【図３】図１に示す電子装置の組み立て手順の一例を示す製造フロー図である。
【図４】図１に示す電子装置の組み立てに用いられる端子平坦化における平坦化前の構造の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す電子装置の組み立てに用いられる端子平坦化における端子加熱状態の構造の一例を示す断面図である。
【図６】図１に示す電子装置の組み立てに用いられる端子平坦化における端子冷却状態の構造の一例を示す断面図である。
【図７】図１に示す電子装置の組み立てに用いられる端子平坦化における平坦化後の構造の一例を示す断面図である。
【図８】図１に示す電子装置の組み立てに用いられる変形例の端子平坦化における平坦化後の構造を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２の放熱部材と外部端子の平坦化における平坦化前の構造の一例を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２の放熱部材と外部端子の平坦化における放熱部材加熱状態の構造の一例を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２の放熱部材と外部端子の平坦化における平坦化後の構造の一例を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２の変形例の半田と外部端子の平坦化における半田配置前の構造の一例を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２の変形例の半田と外部端子の平坦化における平坦化前の構造の一例を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２の変形例の半田と外部端子の平坦化における半田加熱状態の構造の一例を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２の変形例の半田と外部端子の平坦化における平坦化後の構造の一例を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３における電子装置の実装構造の一例を示す断面図である。
【図１７】図１６に示す電子装置に搭載されるパワートランジスタの構造の一例を示す平面図である。
【図１８】図１７に示すパワートランジスタの構造の一例を示す側面図である。
【図１９】図１７に示すパワートランジスタの構造の一例を示す裏面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１  半導体チップ
１ａ  主面
２  チップコンデンサ（面実装部品）
３  封止体
４  多層配線基板
４ａ  主面
４ｂ  裏面
４ｃ  端子
４ｄ  ビア配線
４ｅ  凸部
４ｆ  凹部
４ｇ  サ−マルビア
５  巻き線インダクタ
６  ワイヤ
７  ＲＦモジュール（電子装置）
８  表面半田（第１の半田）
９  外部端子
１０  ガラスコート
１１  接地ライン
１２  レベリング板（平坦化部材）
１２ａ  平坦面
１３  段差部
１４  ヒートシンク（放熱部材）
１４ａ  底面
１５  中間半田（第３の半田）
１５ａ  底面
１６  半田バンプ（第２の半田）
１６ａ  被接続面
１７  プリント基板構造体（電子装置）
１８  プリント基板（配線基板）
１８ａ  主面
１８ｂ  裏面
１８ｃ  開口部
１８ｄ  リード付け端子
１９  パワートランジスタ（電子部品）
１９ａ  リード
１９ｂ  封止体
１９ｃ  ヒートシンク（放熱部材）
２０  チップコンデンサ
２１  チップ抵抗器
２２  半田
２３  ヒートシンク（放熱部材）
２４  ラジエータ（放熱装置）
２５  ネジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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