(57)【要約】【課題】磁気インピーダンス素子を使用する電流センサは、高周波電流を印加することから消費電流がかなり大きくなるので、これをできるだけ低減する。【解決手段】上記のような電流センサの主要部は図示のように構成され、クロック切替回路３からの高周波クロック信号はＭＩ素子４０と固定抵抗４１とで分圧され、整流回路４３に入力される。整流回路４３からは、高周波成分が除去された電流に比例する信号が出力され、増幅回路５ａ等を介して後段の装置に送られるが、この電流信号は予め取得しておき必要時にのみ利用する、例えばここではクロック発生回路を常時動作させておくのではなく、電圧量とともにＡ／Ｄ変換する等のときにのみ利用することにより、消費電流を低減する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界の変化によって特性が変化するデバイスからなる磁界検出部と、その出力を増幅する増幅部と、その出力をサンプリングし保持するサンプルホールド部と、その出力をデジタル量に変換するＡ／Ｄ変換部と、前記各部を制御するとともに前記Ａ／Ｄ変換部からのデジタル量に基づき所定の演算処理を行なう演算処理部とを備え、前記増幅部およびサンプルホールド部にはそれぞれシャットダウン機能を持たせ、シャットダウン機能を持つこれら各部を前記演算処理部に接続することを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記増幅部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作開始時または開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記サンプルホールド部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作終了時またはその前後のいずれかの時に、前記増幅部およびサンプルホールド部をシャットダウンすることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
クロック発生部と、このクロック発生部からの高周波信号により駆動される磁界検出部と、その出力を増幅する増幅部と、その出力をバイアス磁界とともに負帰還する負帰還部と、前記増幅部からの出力をサンプリングし保持するサンプルホールド部と、その出力をデジタル量に変換するＡ／Ｄ変換部と、前記各部を制御するとともに前記Ａ／Ｄ変換部からのデジタル量に基づき所定の演算処理を行なう演算処理部とを備え、
前記磁界検出部を、前記高周波信号により被測定電流線に発生する磁界に比例してインピーダンスが変化するＭＩ素子と、このＭＩ素子に巻かれ被測定電流を流されるコイルと、前記インピーダンス変化による高周波信号の振幅成分を取り出す整流回路とから構成するとともに、
前記増幅部，負帰還部およびサンプルホールド部にはそれぞれシャットダウン機能を持たせ、シャットダウン機能を持つこれら各部を前記演算処理部に接続することを特徴とする電流センサ。
【請求項４】
前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記クロック発生部，増幅部および負帰還部をアクティブにし、前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始時または開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記サンプルホールド部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作終了時またはその前後のいずれかの時に、前記クロック発生部，増幅部，負帰還部およびサンプルホールド部をシャットダウンすることを特徴とする請求項３に記載の電流センサ。
【請求項５】
クロック発生部と、被測定電流線からそれぞれ異なる位置に配置され前記クロック発生部からの高周波信号により駆動される第１，第２磁界検出部と、その出力をそれぞれ増幅する第１，第２増幅部と、その出力をバイアス磁界とともにそれぞれ負帰還する第１，第２負帰還部と、前記第１，第２増幅部の出力差を得る差動回路部と、その出力をサンプリングし保持するサンプルホールド部と、その出力をデジタル量に変換するＡ／Ｄ変換部と、前記各部を制御するとともに前記Ａ／Ｄ変換部からのデジタル量に基づき所定の演算処理を行なう演算処理部とを備え、
前記第１，第２磁界検出部をそれぞれ、前記高周波信号により電流線に発生する磁界に比例してインピーダンスが変化するＭＩ素子と、このＭＩ素子に巻かれ被測定電流を流されるコイルと、前記インピーダンス変化による高周波信号の振幅成分を取り出す整流回路とから構成するとともに、
前記第１，第２増幅部、第１，第２負帰還部、差動回路部およびサンプルホールド部にはそれぞれシャットダウン機能を持たせ、シャットダウン機能を持つこれら各部を前記演算処理部に接続することを特徴とする電流センサ。
【請求項６】
前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記クロック発生部，第１，第２増幅部および第１，第２負帰還部および差動回路部をアクティブにし、前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始時または開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記サンプルホールド部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作終了時またはその前後のいずれかの時に、前記クロック発生部、第１，第２増幅部、第１，第２負帰還部、差動回路部およびサンプルホールド部をシャットダウンすることを特徴とする請求項５に記載の電流センサ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の電流センサと、電圧センサとを設け、前記演算処理部により電力量を演算して求めることを特徴とする電力量演算装置。
【請求項８】
電流センサと、電圧センサと、前記電流センサおよび電圧センサからの各アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、このＡ／Ｄ変換部からのデジタル信号に基き電力量を演算する演算処理部とを備え、この演算処理部は前記Ａ／Ｄ変換部において前記電流センサ信号をＡ／Ｄ変換するときのみ、電流センサを動作させるための動作信号を電流センサに送信することを特徴とする電力量演算装置。
【請求項９】
前記電流センサは、高周波クロック信号を発生するクロック信号発生部と、電流線に発生する磁界に比例してインピーダンスが変化するＭＩ素子と、前記高周波クロック信号を流されてＭＩ素子のインピーダンス変化を電流信号として検出する検出部とから構成され、前記演算処理部は、前記Ａ／Ｄ変換部において前記電流センサ信号をＡ／Ｄ変換するときのみ、前記クロック信号発生部を動作させるための動作信号をクロック信号発生部に送信することを特徴とする請求項８に記載の電力量演算装置。
【請求項１０】
前記演算処理部は、前記動作信号をクロック信号発生部のほかに前記検出部にも送信することを特徴とする請求項９に記載の電力量演算装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電流センサ、特にＭＩ素子（磁気インピーダンス素子）を用いた電流センサおよびそれを用いた電力量演算装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６に例えば非特許文献１に記載されている、従来の小型電力量計の例を示す。なお、同図（ａ）は上面図、（ｂ）は図（ａ）の上下方向から見た側面図、（ｃ）は図（ａ）の左右方向見た側面図である。
かかる小型電力量計は、通常ブレーカなどの遮断手段に直結した構造となっている。例えば、Ａ側の端子６２Ａに電源用ブレーカ、Ｂ側の端子６２Ｂが負荷側になるように、取り付けネジ６４で配線する。
【０００３】
そして、Ａ側からＢ側の負荷側に各相間に流れる電流と電圧とを検出し、電力量を演算するものである。液晶ディスプレイ６６および電力量に比例する周期で発光する計量パルス用ＬＥＤ６０により、外部へ電力量を表示することができる。単相３線対応の電力量計で電力量を演算するには、少なくとも２相の電流信号と電圧信号が必要である。そのため、電流センサは電力量計当り少なくとも２個必要である。
【０００４】
図７に小型電力量計の展開図を示す。
これは、下側筺体６１に取り付けられた３個の凹型の電流バー６３と、Ａ相およびＣ相の電流バー６３から所定の距離離れた位置に配置された電流センサ７３、この電流センサ７３を実装している電流センサ基板７４、電流センサ基板７４に対して垂直方向に配置され、電流センサ基板７４と電気的に接続されている信号処理基板７５、信号処理基板７５から所定の距離離れた位置に配置された電力量演算基板７６等から構成される。なお、図６に示した上側筺体６９は、ここでは図示が省略されている。
【０００５】
ここで、電流バー６３に電流が流れると、そのα面に図８に示すように回転磁界が発生する。この磁界は距離Ｒ０離れた位置では、距離Ｒ０に反比例し印加された電流Ｉに比例する、次式のような磁界Ｓが発生する。ｋは定数である。
Ｓ＝ｋＩ／Ｒ０
したがって、距離Ｒ０離れた位置に配置された電流センサにより、磁界Ｓを計測することで印加された電流Ｉを検出することができる。
【０００６】
図９に電流センサの構成例を示す。ここでは、ＭＩ素子９１，９２がモールド成形されて構成される。より具体的には、ガラス９３上にスパッタリングにより成膜された磁性膜を、フォトプロセスなどでつづら折れにパターニングした磁性体９４、ＭＩ素子に巻かれたコイル９５などから構成される。また、ＭＩ素子９１は測定対象となる電流バー６３から距離Ｒの位置に、またＭＩ素子９２はＭＩ素子９１からさらにΔＲ１離れた位置にそれぞれ配置されている。なお、ＭＩ素子はホール素子や磁気抵抗素子に比して、磁界に対し高感度であることから、これを用いると好都合である。ＭＩ素子を用いる電流センサ、およびそれを用いる電力量演算装置は例えば特許文献１に開示されている。
【０００７】
図１０にＭＩ素子に印加される磁界と、ＭＩ素子のインピーダンスとの関係を示す。横軸に磁界強度、縦軸にインピーダンスを示す。ＭＩ素子に印加される磁界が変化すると、ＭＩ素子は図のようにインピーダンスが変化する。ＭＩ素子のインピーダンスとの関係は図示のように、一般に０磁場付近では安定しない。そこで、コイルに所定のバイアス電流を流し、コイルからバイアス磁界Φ[Ａ／ｍ]を印加して、インピーダンスの変化が磁界に比例するような領域にシフトさせて用いることが望ましい。
【０００８】
また、ＭＩ素子を電流センサとして用いる場合、１）レンジアビリティの向上、２）温度特性改善、等を目的に外部磁界に比例し、外部磁界とは逆方向の磁場（負帰還磁場）を印加するが、上記バイアス磁界Φの外に負帰還磁場が発生するのに必要な負帰還電流を、コイルに流すようにする。
上記電流バーに電流が流れると、図１１に示すように電流バー６３の周辺に磁界が発生する。例えば、電流バーに５Ａ程度の電流を流した場合、ＭＩ素子９１，９２にはそれぞれ１３０Ａ／ｍ，７０Ａ／ｍの磁界が印加されることが分かる。
【０００９】
【非特許文献１】大崎電気工業株式会社：技術情報“コンパクトＥＭ”[平成１７年４月１１検索]インターネット<ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｏｓａｋｉ．ｃｏ．ｊｐ／ｐｒｏｄｕｃｔ／ｄｅｎｎｒｙｏｋｕ／ｃｅｍ＿ｔａｎ３ｓａｎ３．ｈｔｍｌ>
【特許文献１】特開２００３−１４９２７６号公報（第２頁，図１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のようなＭＩ素子を用いる電流センサは、数ＭＨｚ〜数十ＭＨｚの高周波パルスをＭＩ素子に印加するため、消費電力が大きいという問題がある。また、アンプでの消費電力も大きい。
したがって、この発明の課題は、消費電力をできる限り低減化することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような課題を解決するために、請求項１の発明では、磁界の変化によって特性が変化するデバイスからなる磁界検出部と、その出力を増幅する増幅部と、その出力をサンプリングし保持するサンプルホールド部と、その出力をデジタル量に変換するＡ／Ｄ変換部と、前記各部を制御するとともに前記Ａ／Ｄ変換部からのデジタル量に基づき所定の演算処理を行なう演算処理部とを備え、前記増幅部およびサンプルホールド部にはそれぞれシャットダウン機能を持たせ、シャットダウン機能を持つこれら各部を前記演算処理部に接続することを特徴とする。
この請求項１の発明においては、前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記増幅部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作開始時または開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記サンプルホールド部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作終了時またはその前後のいずれかの時に、前記増幅部およびサンプルホールド部をシャットダウンすることができる（請求項２の発明）。
【００１２】
請求項３の発明では、クロック発生部と、このクロック発生部からの高周波信号により駆動される磁界検出部と、その出力を増幅する増幅部と、その出力をバイアス磁界とともに負帰還する負帰還部と、前記増幅部からの出力をサンプリングし保持するサンプルホールド部と、その出力をデジタル量に変換するＡ／Ｄ変換部と、前記各部を制御するとともに前記Ａ／Ｄ変換部からのデジタル量に基づき所定の演算処理を行なう演算処理部とを備え、
前記磁界検出部を、前記高周波信号により被測定電流線に発生する磁界に比例してインピーダンスが変化するＭＩ素子と、このＭＩ素子に巻かれ被測定電流を流されるコイルと、前記インピーダンス変化による高周波信号の振幅成分を取り出す整流回路とから構成するとともに、
前記増幅部，負帰還部およびサンプルホールド部にはそれぞれシャットダウン機能を持たせ、シャットダウン機能を持つこれら各部を前記演算処理部に接続することを特徴とする。
この請求項３の発明においては、前記前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記クロック発生部，増幅部および負帰還部をアクティブにし、前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始時または開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記サンプルホールド部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作終了時またはその前後のいずれかの時に、前記クロック発生部，増幅部，負帰還部およびサンプルホールド部をシャットダウンすることができる（請求項４の発明）。
【００１３】
請求項５の発明では、クロック発生部と、被測定電流線からそれぞれ異なる位置に配置され前記クロック発生部からの高周波信号により駆動される第１，第２磁界検出部と、その出力をそれぞれ増幅する第１，第２増幅部と、その出力をバイアス磁界とともにそれぞれ負帰還する第１，第２負帰還部と、前記第１，第２増幅部の出力差を得る差動回路部と、その出力をサンプリングし保持するサンプルホールド部と、その出力をデジタル量に変換するＡ／Ｄ変換部と、前記各部を制御するとともに前記Ａ／Ｄ変換部からのデジタル量に基づき所定の演算処理を行なう演算処理部とを備え、
前記第１，第２磁界検出部をそれぞれ、前記高周波信号により電流線に発生する磁界に比例してインピーダンスが変化するＭＩ素子と、このＭＩ素子に巻かれ被測定電流を流されるコイルと、前記インピーダンス変化による高周波信号の振幅成分を取り出す整流回路とから構成するとともに、
前記第１，第２増幅部、第１，第２負帰還部、差動回路部およびサンプルホールド部にはそれぞれシャットダウン機能を持たせ、シャットダウン機能を持つこれら各部を前記演算処理部に接続することを特徴とする。
この請求項５の発明においては、前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記クロック発生部，第１，第２増幅部および第１，第２負帰還部および差動回路部をアクティブにし、前記Ａ／Ｄ変換部の動作開始時または開始前に、前記演算処理部からの制御信号にて前記サンプルホールド部をアクティブにし、Ａ／Ｄ変換部の動作終了時またはその前後のいずれかの時に、前記クロック発生部、第１，第２増幅部、第１，第２負帰還部、差動回路部およびサンプルホールド部をシャットダウンすることができる（請求項６の発明）。
【００１４】
上記請求項１〜６のいずれか１つに記載の電流センサと、電圧センサとを設け、前記演算処理部により電力量を演算して求めることができる（請求項７の発明）。
請求項８の発明では、電流センサと、電圧センサと、前記電流センサおよび電圧センサからの各アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、このＡ／Ｄ変換部からのデジタル信号に基き電力量を演算する演算処理部とを備え、この演算処理部は前記Ａ／Ｄ変換部において前記電流センサ信号をＡ／Ｄ変換するときのみ、電流センサを動作させるための動作信号を電流センサに送信することを特徴とする。
【００１５】
上記請求項８の発明においては、前記電流センサは、高周波クロック信号を発生するクロック信号発生部と、電流線に発生する磁界に比例してインピーダンスが変化するＭＩ素子と、前記高周波クロック信号を流されてＭＩ素子のインピーダンス変化を電流信号として検出する検出部とから構成され、前記演算処理部は、前記Ａ／Ｄ変換部において前記電流センサ信号をＡ／Ｄ変換するときのみ、前記クロック信号発生部を動作させるための動作信号をクロック信号発生部に送信することができ（請求項９の発明）、この請求項９の発明においては、前記演算処理部は、前記動作信号を前記クロック信号発生部のほかに前記検出部にも送信することができる（請求項１０の発明）。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、
１）Ａ／Ｄコンバータにて電流信号をサンプリンする前にＭＩ素子に高周波信号を印加しておき、ＭＩ素子出力（インピ−ダンス）を確定する。
２）Ａ／Ｄ変換時のみ確定したインピ−ダンス値またはＭＩ素子出力を、サンプルホールド回路で保持する。
３）上記の制御をマイクロコンピュータで行なう。
などにより、装置を必要なときにのみ動作させる超低消費電力の電流センサおよび電力量計を、簡単な構成にて得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１はこの発明の実施の形態を示す構成図である。これは、電流センサを示すもので、電力量計または電力量演算装置として用いる場合は、図示の２つの電流センサ（第１，第２電流センサ）が必要であるが、両者の構成は全く同じなので、以下では一方についてのみ説明する。
すなわち、上側の電流センサ（例えば第１の電流センサ）は演算処理手段としてのマイクロプロセッサ１、クロック発生回路２、クロック切替回路３、各電流センサに２つずつ設けられる磁界検出部４ａ，４ｂ、増幅回路５ａ，５ｂ、負帰還部６ａ，６ｂと、差動回路７ａおよびサンプルホールド回路８ａ等から構成される。前記増幅回路，負帰還部，サンプルホールド回路はシャットダウン機能を有する集積回路から構成されている。
【００１８】
マイクロプロセッサ１は後述する電力量演算，液晶やＬＥＤを含む表示制御および電流センサの各制御を行なう。クロック発生回路２はマイクロプロセッサ１への動作クロックや、磁界検出部のＭＩ素子に印加するパルスを発生する。クロック切替回路３は、２つの電流センサに対してクロック発生回路２からのパルス信号を、切り替えて供給する。
【００１９】
図１の第１電流センサの主要部の詳細を、図２に示す。
磁界検出部４ａはＭＩ素子４０，固定抵抗４１，コイル４２および整流回路４３等から構成され、負帰還部６ａはバイアス磁場発生回路６１および負帰還磁場発生回路６２等から構成される。図１のクロック発生回路２からの高周波パルス信号（クロック信号）は、図１のクロック切替回路３を介し、ＭＩ素子４０と固定抵抗４１とで分圧され、整流回路４３に入力される。整流回路４３からは、高周波成分が除去された電流に比例する信号が出力される。
【００２０】
整流回路４３からの出力信号は、一定の信号振幅に増幅する増幅回路５ａを介して一方は図１の差動回路７ａに、他方は負帰還部６ａに入力される。負帰還部６ａに入力された信号は、バイアス磁場発生回路６１からの電流信号とともにコイル４２に印加され、所望の磁場を発生させる。
一方、差動回路７ａは増幅回路５ａからの信号と、図１の増幅回路５ｂからの信号とを入力し、これらの差の信号を出力する。差動回路７ａからの出力信号は、図１のサンプルホールド回路８ａを介して一方の（第１）電流センサの出力となる。
【００２１】
図３は図１の動作を説明するためのタイミングチャ−トである。
まず、第１電圧センサからの出力信号Ｖ1を、Ａ／Ｄコンバータを介してデジタル信号に変換する。同様に、第２電圧センサからの出力信号Ｖ2も、Ａ／Ｄコンバータを介してデジタル信号に変換する。（図３ａ），ｂ）参照）。このとき、１つの信号をデジタル信号に変換する時間を、図示のように例えば５０μｓとする。
【００２２】
次に、図３ｂ）のＡ／Ｄ変換終了の例えば１０μｓ前に、マイクロプロセッサは制御信号（ＣＰＵ信号ともいう）を出力し、第１電流センサの回路系をアクティブにする。ここで回路系とは、サンプルホールド回路８ａを除く磁界検出部４ａ，４ｂ、増幅回路部５ａ，５ｂ、負帰還部６ａ，６ｂおよび差動回路部７ａを言うものとする。また、アクティブとは回路等を動作状態にすること、シャットダウンとは回路等を停止または休止状態にすることを言うものとする。
【００２３】
続いて、図３ｃ）に示す制御信号の数μｓ後、アンプ系が正常に動作を開始するであろう時間経過後に、マイクロプロセッサは図３ｄ）のようなＣＰＵ信号をクロック切替回路に出力し、図３ｅ）のようなＭＩクロックパルスをＭＩ素子に印加する。
この部分の拡大図を、図４に示す。これは、演算処理装置による電力量の演算周期が、通常数百〜数千Ｈｚのサンプリング周波数で行なわれるので（国内電力量は１８００Ｈｚ（５５０μｓ）が標準）、図４ａ）のような５００μｓ周期で、例えば図４ｂ）のような周波数１ＭＨｚのクロックを８パルス、すなわち８μｓのみＭＩ素子に印加できるようにしている。
【００２４】
つまり、周期５００μｓの全ての時間にわたって、ＭＩ素子に高周波信号を印加すると消費電力が大きくなるので、必要なときにのみ高周波信号を印加することで、消費電力を１／５０以下に抑制するものである。図３ではＭＩクロックパルスを与えた後にＡ／Ｄ変換するようにしているが、電流値をＡ／Ｄ変換し得るならば、如何なるタイミングでも良い。回路系についても同様で、常時動作させておくのではなく、Ａ／Ｄ変換のタイミングでのみ動作させるようにしても良い。こうして、消費電力の大幅な低減化を図ることができる。
【００２５】
次いで、第１電流センサの出力信号のＡ／Ｄ変換を行なうタイミング（図３ｇ）参照）の例えば５μｓ前に、マイクロプロセッサは図３ｆ）のようなＣＰＵ信号を出してサンプルホールド回路を立ち上げ、差動回路の出力信号をサンプルホールドする。そして、第２電圧信号のＡ／Ｄ変換が完了し、サンプルホールドされた第１電流信号のＡ／Ｄ変換が開始されるタイミングで、マイクロプロセッサは第１電流センサの回路系をシャットダウンモードに移行させると同時に、クロック切替回路を介してＭＩ素子に印加するパルスも停止する。
【００２６】
その後、第１電流信号のＡ／Ｄ変換が終了する例えば１０μｓ前に、マイクロプロセッサは図３ｈ）のようなＣＰＵ信号を出して、第２電流センサの回路系をアクティブにする。以下は、第１電流センサと同様な動作が行なわれ、第２電流信号が得られる。
以上のようにすることで、各回路系の消費電流およびＭＩ素子に印加するパルス信号の消費電流を低減することができ、超低消費電力の装置を得る事が可能となる。
【００２７】
図１の電流センサを用いる電力演算装置の例を、図５に示す。すなわち、マイクロプロセッサ１に対しＡ／Ｄコンバータ（アナログ−デジタル変換器）１１，計量パルス用ＬＥＤ１２および液晶表示部１３等を設けて構成し、第１，第２電流センサからの出力信号Ｉ1，Ｉ2および図示されない第１，第２電圧センサからの出力信号Ｖ1，Ｖ2をＡ／Ｄコンバータ１１を介して受け、マイクロプロセッサ１において演算により電力量を得るもので、基本原理は非特許文献１および特許文献１に示すものと同じである。
【００２８】
そして、図５に示す演算処理部としてのマイクロプロセッサ１は、電流センサからの信号をＡ／Ｄコンバータ１１でＡ／Ｄ変換するときのみ、電流センサに対してそれを動作させるための動作信号を送信したり、クロック信号発生部（２）を動作させるための動作信号を送信したりすることにより、つとめて消費電力を増大させないようにするのは言うまでもない。
【００２９】
以上では、電流検出素子としてＭＩ素子を用いたが、その代わりに外部磁界によって物理的特性が変化する検出デバイスを用いることができ、この場合は上記のようなクロック発生回路，クロック切替回路および負帰還部は不要となり、回路構成を簡素化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の実施の形態を示すブロック図
【図２】図１の主要部を示す詳細構成図
【図３】図１の動作を説明するタイミング図
【図４】図３の部分拡大図
【図５】図１の電流センサを用いる電力演算装置例を示す原理構成図
【図６】従来例を説明する説明図
【図７】図６の内部構成例を示す斜視図
【図８】図７の部分拡大図
【図９】図８の電流センサ例を示す構成図
【図１０】ＭＩ素子の磁界インピーダンス特性図
【図１１】電流バーに印加される電流によって発生する磁界分布図
【符号の説明】
【００３１】
１…マイクロプロセッサ、２…クロック発生回路、３…クロック切替回路、４ａ〜４ｄ…磁気検出部、５ａ〜５ｄ…増幅回路、６ａ〜６ｄ…負帰還部、７ａ，７ｂ…差動回路、８ａ，８ｂ…サンプルホールド回路、１１…Ａ／Ｄコンバータ（アナログ−デジタル変換器）、１２…計量パルス用ＬＥＤ、１３…液晶表示部、４０…ＭＩ素子（磁気インピーダンス素子）、４１…固定抵抗、４２…コイル、４３…整流回路、６１…バイアス磁場発生回路、６２…負帰還磁場発生回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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