(57)【要約】【課題】  ＴＤＭＡ方式の送信装置において隣接チャネル漏洩電力特性を改善する。【解決手段】  送信信号を変調する直交変調器１０と、変調した送信信号を周波数変換するアップコンバータ２０と、送信信号の送信電力を一定に保つための可変アッテネータ３０と、送信信号の送信電力を増幅する高出力送信電力増幅器４０と、送信スロット数に応じた、可変アッテネータ３０の減衰量設定値と高出力送信電力増幅器４０の端子電圧制御値を格納する記憶装置５０と、記憶装置５０から送信スロット数に応じた減衰量設定値と端子電圧制御値を取得し、当該減衰量設定値を用いて可変アッテネータ３０の減衰量を設定し、当該端子電圧制御値を用いて高出力送信電力増幅器４０の端子電圧を制御する制御回路６０を備える。【選択図】        図１
2006080992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信信号を変調する変調器と、
上記変調器で変調された送信信号を周波数変換する周波数変換器と、
送信スロット数と減衰量設定値と端子電圧制御値の関係を格納する記憶装置と、
上記送信スロット数に基づいて上記記憶装置から減衰量設定値と端子電圧制御値を選定する制御回路と、
上記周波数変換器で変換された送信信号の出力を上記制御回路が選定した減衰量設定値に基づいて制御する減衰器と、
上記減衰器で制御された送信信号の送信電力を上記制御回路が選定した端子電圧制御値に基づいて制御する増幅器を備えたＴＤＭＡ方式の送信装置。
【請求項２】
増幅器の周囲の温度を測定する温度検出器を備え、
制御回路は、記憶装置から、送信スロット数に基づいて選定した減衰量設定値と端子電圧制御値を、上記温度検出器が測定した温度を用いて重み付けすることを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項３】
増幅器の周囲の温度を測定する温度検出器を備え、
記憶装置は、送信スロット数と上記温度検出器が測定した温度と減衰量設定値と端子電圧制御値の関係を格納し、
制御回路は、上記記憶装置から、送信スロット数と上記温度に基づいて減衰量設定値と端子電圧制御値を選定することを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項４】
記憶装置は、増幅器の特性に合わせた複数の減衰量設定値と端子電圧制御値を格納し、
制御回路は、増幅器の特性に最適な減衰量設定値と端子電圧制御値を選定することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の送信装置。
【請求項５】
増幅器の出力値を検出し、制御回路に供給する送信波検出回路を備え、
上記制御回路は、上記出力値を用いて減衰量設定値と端子電圧制御値を算出することを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の送信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＴＤＭＡ（Ｔｉｍｅ  Ｄｉｖｉｔｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）方式の送信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＤＭＡ方式の送信装置において、隣接チャネルへの漏洩電力を補償するための技術が提案されている。例えば、特許文献１に開示された従来の歪補償増幅器は、信号の増幅部の温度に応じた、信号の波形歪を補償するための補償値を格納する補償値テーブルを有し、測定した増幅部の温度に基づいて、補償値テーブルから補償値を選択し、その補償値を用いてベースバンド部の信号の波形歪を補償し、増幅部の温度を調整している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３２０２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された従来の歪補償増幅器は、温度測定部で測定した増幅部の温度に基づいて波形歪を補償しているため、温度測定部と増幅部の熱伝導の遅延により瞬時的な温度変化を検出することが難しく、送信スロット数が変化した場合などに歪が発生する場合があった。また、ベースバンド部の信号歪補償をするために、歪補償増幅器の出力の一部をベースバンド信号に再度変換してフィードバックしている。従って、この方法では高周波信号をベースバンド信号に変換する回路や、フィードバックすることによる発振を防ぐ回路が要求される。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、送信装置の隣接チャネル漏洩電力特性を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る送信装置は、送信信号を変調する変調器と、変調器で変調された送信信号を周波数変換する周波数変換器と、送信スロット数と減衰量設定値と端子電圧制御値の関係を格納する記憶装置と、送信スロット数に基づいて記憶装置から減衰量設定値と端子電圧制御値を選定する制御回路と、周波数変換器で変換された送信信号の出力を制御回路が選定した減衰量設定値に基づいて制御する減衰器と、減衰器で制御された送信信号の送信電力を制御回路が選定した端子電圧制御値に基づいて制御する増幅器を備えたＴＤＭＡ方式のものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、送信スロット数に応じた、減衰器の減衰量の設定値と増幅器の端子電圧制御値を記憶し、記憶された減衰量設定値を用いて上記減衰器の減衰量を設定し、記憶された端子電圧制御値を用いて増幅器の端子電圧を制御するようにしたので、送信スロット数の変化に対して高出力送信電力増幅器の隣接チャネル漏洩電力の特性を改善し、さらに送信出力を一定に保つようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、この発明の実施の様々な形態を説明する。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による送信装置１００の構成を示すブロック図である。送信装置１００は、ＴＤＭＡ方式に対応した送信装置である。図に示すように、送信装置１００は、直交変調器（変調器）１０、アップコンバータ（周波数変換器）２０、可変アッテネータ（減衰器）３０、高出力送信電力増幅器（増幅器）４０、記憶装置５０、制御回路６０、およびアンテナ７０を備えている。
【０００９】
次に動作について説明する。
送信装置１００から送信される信号は、まず直交変調器１０によって直交変調され、アップコンバータ２０によって周波数変換される。周波数変換された信号は、可変アッテネータ３０によって送信出力を一定に保つように減衰され、高出力送信電力増幅器４０によって電力増幅され、アンテナ７０を介して送信される。送信信号の送信スロット数は送信装置１００のシステムによって監視されている。システムは通知手段（図示せず）を通じて、制御回路６０に現在の送信スロット数を通知する。
【００１０】
送信装置１００はＴＤＭＡ送信装置であり、送信スロット数が変化する。記憶装置５０には、送信スロット数に応じた可変アッテネータ３０の減衰量の設定値と高出力送信電力増幅器４０の端子電圧の制御値が記憶されている。
制御回路６０は、記憶装置５０から送信スロット数に応じた可変アッテネータ３０の減衰量の設定値と高出力送信電力増幅器４０の端子電圧の制御値を取得し、可変アッテネータ３０の減衰量と高出力送信電力増幅器４０の端子電圧を制御する。
制御回路６０が高出力送信電力増幅器４０の端子電圧（例えばゲートハウス端子のゲート電圧）を制御すると、隣接チャネル漏洩電力は小さく抑えられるが、端子電圧の制御に伴い高出力送信電力増幅器４０の動作点が変わる。その結果、高出力送信電力増幅器４０のゲインが変化するが、可変アッテネータ３０の減衰量を変化させるので、送信出力は一定に保たれる。
また、ベースバンド信号の歪補償を行う場合に比べ、歪を発生させる原因となる高出力送信電力増幅器４０を直接制御しているので、複雑な設定値が不要で、簡単に歪特性を改善できる。
【００１１】
以上のように実施の形態１によれば、制御回路６０が、記憶装置５０から送信スロット数に対応した制御量を取得して高出力送信電力増幅器４０の端子電圧と可変アッテネータ３０の減衰量を制御するようにしたので、送信スロット数の変化に対応して、簡易的に隣接チャネル漏洩電力を小さく抑え、送信電力を一定に保つことができる。
【００１２】
実施の形態２．
図２は、実施の形態２による送信装置２００の構成を示すブロック図である。図に示すように、送信装置２００は、温度検出回路（温度検出器）８０を備えている。また、図１と同一の符号は同一の構成要素を表している。
【００１３】
送信装置２００の動作について説明する。
温度検出回路８０は、高出力送信電力増幅器４０の周囲の温度を計測する。
制御回路６０は、記憶装置５０から送信スロット数に応じて取得した高出力送信電力増幅器４０の端子電圧制御値と可変アッテネータ３０の減衰量の設定値に、温度検出回路８０が測定した温度測定値を用いて重み付けをする。なお、重み付けにあたり、歪を最小化するような、高出力送信電力増幅器４０の端子電圧制御値と可変アッテネータ３０の減衰量の関係を、温度をパラメータとしてあらかじめ求めておき、制御回路６０に与えておく。
制御回路６０は、この重み付けをした値を用いて、高出力送信電力増幅器４０の端子電圧を制御するとともに、可変アッテネータ３０の減衰量を変化させる。
【００１４】
以上のように、実施の形態２によれば、温度検出回路８０によって測定した高出力送信電力増幅器４０の温度測定値を用いて、可変アッテネータ３０と高出力送信電力増幅器４０の送信スロット数に応じた制御量を調節することにより、高出力送信電力増幅器４０の周囲温度の変化に対しても、隣接チャネル漏洩電力の特性を改善し、送信出力を一定に保つことができる。
【００１５】
実施の形態３．
実施の形態３による送信装置の構成は、図２に示した実施の形態２と同様である。
実施の形態３では、記憶装置５０に、送信スロット数と、温度検出回路８０による検出温度に応じた可変アッテネータ３０の減衰量の設定値と高出力送信電力増幅器４０の端子電圧の制御値が格納されている。
制御回路６０は、送信スロット数と温度検出回路８０が測定した温度測定値に基づいて、記憶装置５０から高出力送信電力増幅器４０の端子電圧の制御値と可変アッテネータ３０の減衰量の設定値を取得し、高出力送信電力増幅器４０の端子電圧と可変アッテネータ３０の減衰量を制御する。
これにより、隣接チャネル漏洩電力の特性を改善し、送信電力を一定に保つことができる。また、実施の形態２と比較して、測定温度による重み付け演算などの複雑な処理が不用になる。
【００１６】
実施の形態４．
実施の形態４による送信装置の構成は、図１に示した実施の形態１あるいは図２に示した実施の形態２と同様である。
高出力送信電力増幅器４０は、装置によって隣接チャネル漏洩電力の特性にばらつきがある。このため、実施の形態４では、記憶装置５０に何種類かの、送信スロット数に応じた高出力送信電力増幅器４０の端子電圧の制御値および可変アッテネータ３０の減衰量の設定値を格納し、高出力送信電力増幅器４０に最適な設定値を選択できるようにする。
【００１７】
以上のように、実施の形態４によれば、高出力送信電力増幅器４０の個体差によるチャネル漏洩電力の特性のばらつきをある程度吸収することができる。
なお、実施の形態４は、実施の形態１〜実施の形態３のいずれにも適用することができる。
【００１８】
実施の形態５．
図３は、実施の形態５による送信装置３００の構成を示すブロック図である。送信装置３００は、送信波検出回路９０を備えている。また、図１、図２と同一の符号は、同一の構成要素を表している。
【００１９】
送信装置３００の動作について説明する。
送信波検出回路９０は、高出力送信電力増幅器４０の出力を検出し、制御回路６０に供給する。
制御回路６０は、供給された高出力送信電力増幅器４０の出力値に基づいて、高出力送信電力増幅器４０の端子電圧の制御値と可変アッテネータ３０の減衰量の設定値の最適値を算出する。
具体的には、例えば、隣接チャネル漏洩電力を送信波検出回路９０で検出し、その値ができるだけ小さくなるように高出力送信電力増幅器４０の端子電圧と可変アッテネータ３０の減衰量をトレーニングすることにより求める。
制御回路６０は、算出した端子電圧制御値と減衰量の設定値を用いて、可変アッテネータ３０の減衰量と高出力送信電力増幅器４０の端子電圧を制御する。また、算出した端子制御値と減衰量の設定値は、記憶装置５０に格納される。
【００２０】
以上のように、実施の形態５によれば、制御回路６０は、高出力送信電力増幅器４０の出力に基づいて最適な高出力送信電力増幅器４０の端子制御値と可変アッテネータ３０の減衰量の設定値を算出するようにしたので、高出力送信電力増幅器４０の個体差によるチャネル漏洩電力の特性のばらつきを吸収して、隣接チャネル漏洩電力の特性を改善し、送信電力を一定化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の実施の形態１による、送信装置の構成を示すブロック図である。
【図２】この発明の実施の形態２による、送信装置の構成を示すブロック図である。
【図３】この発明の実施の形態５による、送信装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０  直交変調器（変調器）、２０  アップコンバータ（周波数変換器）、３０  可変アッテネータ（減衰器）、４０  高出力送信電力増幅器（増幅器）、５０  記憶装置、６０  制御回路、７０  アンテナ、８０  温度検出回路（温度検出器）、９０  送信波検出回路、１００，２００，３００  送信装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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