(57)【要約】  【課題】  接続が高信頼性で得られる接続構造を有する非接触通信機器及びその製造方法を提供すること。  【解決手段】  ICカードやRF-IDタグ等の非接触通信機器では、フレキシブルな基材が多く用いられるため電気的接続は接触により接続を保つ構造を有しており、接続信頼性が非常に重要となっている。本発明では非接触通信機器において、少なくともチップの電極５と導通材料２間の電気的接続が接触接続７により保たれており、電気的接続部７の外周が樹脂３により囲まれた構造体であり、かつ接触部形状を樹脂３の収縮力が作用する領域を増加させた形状とする。これにより接続信頼性の向上と共に、簡易な工程で多数のインレットを一括作製することにより低コスト化が可能となる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面にデバイス面を有するチップと、第１の導通材料を表面に有する第１の絶縁基材と、第２の導通材料を表面に有する第２の絶縁基材とを合体して前記チップの電極と前記第１の導通材料との間の電気的接続を接触接続で保持した電気的接続部を有する非接触通信機器において、
前記電気的接続部の外周が樹脂により囲まれた構造体であり、前記電気的接続部の接続を前記樹脂の収縮力で増大させていることを特徴とする非接触通信機器。
【請求項２】
請求項１記載の非接触通信機器において、前記チップ外周と前記チップ外周から２０〜５０μm内側とで囲まれる面積を基準とした際に、前記チップの電極と前記導通材料間の電気的接続部における接続部外周と前記接続部外周から２０〜５０μm内側とで囲まれる面積の総和が前記基準とした面積以上であることを特徴とする非接触通信機器。
【請求項３】
請求項１もしくは２記載の非接触通信機器において、少なくとも前記チップの電極が複数個に分割されていることを特徴とする非接触通信機器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の非接触通信機器において、
前記チップの電極と前記第１の絶縁基材側の前記第１の導通材料との第１の電気的接触接続部と、前記第１及び第２の絶縁基材上の導通材料同士の接続による第２の電気的接触接続部とを具備していることを特徴とする非接触通信機器。
【請求項５】
互いに導通材料を表面に有する２枚の絶縁基材を向かい合わせ前記導通材料の任意の箇所を互いに接触させることにより電気的導通をとる電気的接続部を備えた非接触通信機器であって、
前記電気的接続部の外周が樹脂により囲まれた構造体であり、前記電気的接続部の接続を前記樹脂の収縮力で増大させていることを特徴とする非接触通信機器。
【請求項６】
請求項５記載の非接触通信機器において、
前記電気的接続部の外周が前記樹脂により囲まれた構造体であり、接続部外周と前記接続部外周から２０〜５０μm内側とで囲まれる面積を基準とした際に、前記導通材料間の電気的接続部における接続部外周と前記接続部外周から２０〜５０μm内側とで囲まれる面積の総和が前記基準とした面積以上であることを特徴とする非接触通信機器。
【請求項７】
請求項５もしくは６記載の非接触通信機器において、
前記導通材料間の接触が２つ以上の接続部からなることを特徴とする非接触通信機器。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一つに記載の非接触通信機器において、
前記電気的接続部の外周を取り囲む前記樹脂材料が異方導電性フィルム、異方導電性ペースト、絶縁接着フィルム、絶縁接着ペーストのいづれか一つを含むことを特徴とする非接触通信機器。
【請求項９】
互いに導通材料を表面に有する２枚の絶縁基材を向かい合わせ、樹脂を介して前記導通材料同士の任意の箇所、及び前記いずれか一方の導通材料とチップの電極とを互いに接触させて電気的接続部を形成するために位置合わせを行い、これらの積層構造体を準備する工程と、
前記積層構造体をツールにより加熱下で加圧し、前記位置合わせした電気的接続部を導通させ、冷却する工程とを有し、前記電気的接続部外周の前記樹脂の収縮力で前記電気的接続を増大させることを特徴とする非接触通信機器の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の非接触通信機器の製造方法において、前記ツールには前記電気的接続部に当接する突部が設けられ、前記突部先端には複数個の突起が設けられていること特徴とする非接触通信機器の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の非接触通信機器の製造方法において、少なくとも前記導通材料同士の電気的接続部を形成する位置に設けられた前記ツールの突部の突起形状が、前記絶縁基材上に形成されていること特徴とする非接触通信機器の製造方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１記載の非接触通信機器の製造方法において、
前記ツールは、複数個の接触接続部を一括して形成することが可能な形状を有する加圧ツールであること特徴とする非接触通信機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は非接触通信機器及びその製造方法に係り、特に電気的接続部が接触により保たれるフレキシブルな非接触通信機器に好適な接続構造を有する非接触通信機器及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
RF-ID（Radio Frequency Identificationの略称）技術は、対象物の認識を無線により行うことを可能とした技術であり、現在では非接触ICカードや物流管理、認証管理など幅広い分野で活用されている。また、携帯電話にも内蔵され始めており、広く活用されることが推察される。
【０００３】
特に非接触ICカードは、定期券や電子マネー、入退出管理などに用いられており、一般ユーザーにとっても非常に身近な製品となりつつある。
【０００４】
また、同様な非接触通信機器であるRF-IDタグは、バーコードの代替品として研究が進められており、今後物流管理や認証管理などの分野で広く用いられると考えられる。
【０００５】
この種の関連技術としては、例えば第一の方式として、チップと回路パターン間に熱可塑性樹脂を挟みこみ加圧加熱によりチップを熱可塑性樹脂の中にめり込ませると共に、チップの電極を回路パターンに接触させ電極と回路パターンとの電気的接続を得る非接触ＩＣカードの製造方法が知られており、例えば特許文献１が挙げられる。これによると、生産性の向上と低コスト化、半導体素子端面と回路パターン間のショートの防止が可能である。
【０００６】
また、非接触ＩＣカードやＲＦ−ＩＤタグにはＩＣドライバの接続や半導体素子のフリップチップ実装に用いられる異方導電性樹脂（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Filmの略称、ＡＣＰ：Anisotropic Conductive Pasteの略称）や絶縁接着剤（ＮＣＦ：Non-Conductive Filmの略称、ＮＣＰ：Non-Conductive Pasteの略称）が使用されている。
【０００７】
異方導電性樹脂や絶縁接着剤を用いた接続は、樹脂の圧縮力により各々の電極が接触することにより電気的導通が得られるいわゆる接触接続である。そのため、はんだ接続のような金属接続の方が一般的に接続信頼性が高いといわれている。
【０００８】
また、第二の方式として、回路基板の電極上にレベリングされたはんだバンプを形成し、この回路基板とチップの電極とを異方導電性フィルムで接続するフリップチップ実装構造が知られており、例えば特許文献２が挙げられる。このはんだバンプは形成が容易であり、かつチップ電極との間隔のばらつきを小さくし、接続に寄与する対向面積を広くして、両者間に挟み込まれる導電性粒子の数を多くする。これにより、低コストで、使用できるチップに対する制限が少なく、バンプと電極とを低い接続抵抗でかつ高い信頼性で接続できる異方導電性フィルム方式のフリップチップ実装構造が実現する。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−２２７９５２号公報
【特許文献２】特開２００２−９３８５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、前記第一の方式では、例えば、熱可塑性樹脂基板の一方の面に導電性ペーストを用いてアンテナコイルパターンと回路パターンとを基板に印刷する工程と、コイルパターンと回路パターンを硬化する工程と、回路パターンと反対の基板面に接着剤を塗布する工程と、チップを接着剤を用いて回路パターンと接着する工程と、チップを接着した熱可塑性樹脂基板の両面にそれぞれ別の熱可塑性樹脂シートを加熱しつつ加圧する工程が必要であり、工程数が多くなる。
【００１１】
また、前記第一の方式において、半導体素子電極と基材の接続は熱可塑性樹脂の収縮力による接触により保たれているが、ICカードに用いられる熱可塑性樹脂基板はセラミック基板やプリント基板に比べ変形しやすいため、樹脂の硬化収縮時に熱可塑性樹脂基板も同様に収縮し半導体素子電極と基材の接続箇所に十分な圧縮応力が発生せず、接続信頼性が低下する。
【００１２】
前記第二の方式では、はんだバンプを用いるため接続時における半導体チップと回路基板間の異方導電性フィルムを排除することが困難であり、接続信頼性が低下する。また、形成した素子を新たな基板に搭載する二次実装時に、はんだの融点以上の温度がかかると、はんだが溶融するため接続不良や溶融時の膨張による異方導電性樹脂とチップおよび基板間の剥離が発生する。例えばSn3Ag0.5Cuではんだバンプを形成した場合、二次実装時にSn3Ag0.5Cuの融点（約220℃）以上の温度をかけると接続不良が発生する。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、上記従来の問題点を解消し、簡易な工程で、かつ柔軟な基板間の接続が高信頼性で得られる接続構造を有する非接触通信機器及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明では、少なくとも片面にデバイス面を有するチップと、導通材料を表面に有する絶縁基材からなるICカードやRF-IDタグのような非接触通信機器に関して、チップの電極と導通材料間の電気的接続が接触接続により保たれており電気的接続部の外周が樹脂により囲まれた構造体であり、接触部形状を樹脂の収縮力が作用する領域を増加させた形状とすることを特徴とする非接触通信機器を提供するものである。また、接続信頼性の高い非接触通信機器を一括して製造することを可能にするツールを提供する。
【００１５】
本発明では上記課題を解決するための手段として、チップの電極もしくは基板側の導通材料電極の形状を接続部を取り囲む樹脂量が多くなるように形成することであり、例えばチップ外周とチップ外周から５０μm内側とで囲まれる面積を基準とした際に、チップの電極と導通材料間の電気的接続部における接続部外周と前記接続部外周から５０μm内側とで囲まれる面積の総和が前記基準とした面積以上とする構造体である。
【００１６】
本発明により、接続部の外周を取り囲む樹脂の圧縮力が働く領域を大きくすることにより接続信頼性を向上させることができる。また、樹脂として異方導電性フィルム、異方導電性ペースト、絶縁接着フィルム、絶縁接着ペーストを用いることにより、チップと導通材料間の接続と外周の封止を一括して行えるため、簡易な工程で形成が可能である。
【００１７】
本発明は、チップを介在せずに導通材料を表面に有する基材同士を向かい合わせ任意の箇所を接触させる構造にも同様に有効であり、その際は少なくとも一方から加圧することにより接触部の面積を基準の面積以上にすることにより効果を発揮する。加圧する際のツールは、一括で構造体を形成でき、かつ厳密な位置合わせを必要としないために加圧ツール先端に圧縮力の働く領域が基準値以上となるような任意形状の突起を形成した構造とすることが有効である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、接続部の外周を取り囲む樹脂の圧縮力が働く領域を大きくすることにより接続信頼性を向上させる。また、樹脂として異方導電性フィルム、異方導電性ペースト、絶縁接着フィルム、絶縁接着ペーストを用いることにより、チップと導通材料間の接続と外周の封止を一括して行えるため、簡易な工程で形成が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。図１〜図１０にしたがって本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例】
【００２０】
＜実施例１＞
図１は非接触通信機器の一例として、RF-IDタグに用いるインレットの作製プロセスを示す断面図である。図１中の１は樹脂基材、２は導通材料、３は熱硬化性樹脂、４はチップ、５はチップ４に設けられたバンプ、６は加圧ツール、７はバンプ５と導通材料２との接触面、８は導通材料２同士の接触面、９はアンテナを形成するスリットである。
【００２１】
図１(a)は、一方の樹脂基材１Ａ上に導通材料２Ａを形成し、アンテナ用スリット９を形成する工程である。樹脂基材１Ａは一般にポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル等の熱可塑性樹脂もしくは熱硬化性樹脂であるが紙（パルプ）でもよい。
【００２２】
導通材料２Ａはアルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、錫、チタンの少なくともいずれか一つの金属からなる導体、もしくは銀ペースト、ナノ粒子の集合体などでもよい。また、導通材料２Ａの形成方法は、印刷、蒸着、めっき、転写やスパッタなど、いづれの方法でもよい。スリット９の形状はタグとして必要な通信特性が得られるようなパターンに形成する。
【００２３】
図１(b)は、図１(a)における導通材料２Ａ上の少なくとも接続部分に熱硬化性樹脂３Ａを貼付または塗布し、チップ４におけるバンプ５と導通材料２Ａとの位置合わせを行い、チップ４を熱硬化性樹脂３Ａ上に置き、その上方から導通材料２Ｂ上に熱硬化性樹脂３Ｂを貼付した他方の樹脂基材１Ｂを熱硬化性樹脂３Ａ、Ｂ同士が対向するように位置合わせする工程である。
【００２４】
熱硬化性樹脂３Ａ、３Ｂとしては、異方導電性フィルム（ACF：Anisotropic Conductive Film）、異方導電性ペースト（ACP：Anisotropic Conductive Paste）、絶縁接着フィルム（NCF：Non-Conductive Film）、絶縁接着ペースト（NCP：Non-Conductive Paste）などが用いられる。
【００２５】
以下は熱硬化性樹脂３Ａ、３Ｂとして異方導電性フィルムを用いた接続例を代表例として説明する。スリット９を形成した導通材料２Ａを有する樹脂基材１Ａ上のスリット９をまたぐように異方導電性フィルム３Ａを貼付する。その上からバンプ５を有するチップ４をチップ搭載位置に配置する。この際にバンプ５はチップ４の上下どちら向きでも構わない。更に樹脂基材１Ａの上方から導通材料２Ｂの上に異方導電性フィルム３Ｂを貼付した樹脂基材１Ｂを反転させ、異方導電性フィルム３Ａ，３Ｂ同士が対面するように位置合わせを行う。
【００２６】
図１(c)は、図（ｂ）により異方導電性フィルム３Ａ、３Ｂ同士が対面するように位置合わせされた構造体を、加圧ツール６により加熱・加圧を行いながら電気的導通をとる工程である。図１(b)で位置合わせされた構造体の上部から加圧ツール６により異方導電性フィルム３Ａ、３Ｂが軟化する温度で加熱を行いながらチップ４部と導電材料２Ａ、２Ｂ同士の予め定められた接触面上部を加圧することにより、異方導電性フィルム３Ａ、３Ｂを溶融させて、接触部に導電性粒子を捕捉しつつ樹脂成分を接触面から排除することでバンプ５と導通材料２Ａの接触面７と導通材料２Ａ、２Ｂ同士の接触面８で電気的導通をとる。ここで導通材料２Ａ、２Ｂ同士の接触面８と、バンプ５と導通材料２Ａの接触面７との間にはスリット９が存在する。
【００２７】
なお、図１(c)に示すように、加圧ツール６には、接触面８及び接触面７の形成位置に対応して略均一な圧力が加えられるように所定の高さｈ１、ｈ２を有する突部６ａ、６ｂが設けられている。すなわち、突部６ａ、６ｂの高さｈ１、ｈ２は、ツール６が最終的な加圧により押し込まれた位置において、樹脂基材１Ａとツール６の上部表面とが略平行になるように設定されている。また、接触面８及び接触面７の形成において、加圧ツール６の好ましい設定条件は、加熱温度１８０〜２５０℃の下で、圧力１００ｇ〜１ｋｇである。
【００２８】
図１(d)は、接触面８及び接触面７が形成されたRF-IDタグ用インレットの最終形態の接続部断面図である。図１(c)の工程後、構造体が常温へ戻る際に、熱硬化性樹脂３Ａ、３Ｂが収縮することによりバンプ５と導通材料２Ａの接触面７と導通材料２Ａ、２Ｂ同士の接触面８には圧縮応力が発生し電気的導通が保たれる。
【００２９】
このように熱硬化性樹脂３Ａ、３Ｂを用いた接触接続は、接触接続部７及び８の外周を取り囲む樹脂３（３Ａ、３Ｂ）が硬化温度から常温へ低下する際に収縮することにより接続部に圧縮応力が働き接続される。
【００３０】
図２は、図１(d)のチップ接続部７近傍の部分拡大図示しており、チップ４はチップサイズと同程度の全面バンプ５０により接続されている。この構造体を180℃で熱硬化性樹脂３を硬化させた後、常温（25℃）へ温度低下させた場合に発生するバンプ５と導通材料２Ａの接触面７A-Bの垂直方向（図２中、上下方向）に働く主応力をシミュレーションにより計算した結果を図４に示す。
【００３１】
図４のA-Bグラフより接触接続７の信頼性に関与する圧縮応力は外周部のみに発生しており、バンプ５（５０）中央部では殆ど応力が発生していないことがわかる。
【００３２】
図３は、図２の接続形態において、バンプ５０を５１に分割して形成した構造体である。図２の場合と同様に180℃で熱硬化性樹脂３を硬化させた後、常温（25℃）へ温度低下させた場合に発生するバンプ５１と導通材料２Ａの接触面７A'-B'の垂直方向（図３中、上下方向）に働く主応力をシミュレーションにより計算した。その結果を図４に示す。
【００３３】
図４のA'-B'グラフより図２の形状に比べバンプのサイズが小さくなっているが接続部７に働く圧縮応力は同程度の値であることがわかる。またA-B、 A'-B'グラフから外周部から２０〜50μm程度の領域のみが接続に関与する領域であることがわかる。
【００３４】
以上のことから、接触接続に関与する接続部の面積を増加させ、接続信頼性が向上するバンプ形態を実現する。
（１）接触面７を形成する際に接続信頼性を向上させるためのバンプ形状の検討結果：
図５は、本発明の第一の実施例となるバンプ形状を検討した結果を模式的に示した平面図である。図５中の１１は全面バンプで接続に関与する領域（図５（a）参照）、１２は非全面バンプで接続に関与する領域（図５（ｂ）及び図５（ｃ）参照）、２０は全面バンプ外形、２１は接続に関与しない領域、２２は分割された非全面バンプ外形、２３はチップ外形である。なお、ここで全面バンプとは分割されない一つのバンプ、非全面バンプとは一つのバンプであるがバンプ外周の形状がチップの外周の形状と異なるバンプもしくは複数個に分割されたバンプのことを指している。
【００３５】
図５(a)から全面バンプにおける接続に関与する領域Sは、
S＝L1×２d＋(L2-２d)×２d  ＝  ２d（L1＋L2-２d）  …（式１）
と表される。但しｄは50ミクロン以下とする。
【００３６】
また図５(b)及び(c)は接続に関与する接続部の面積を増加させたバンプ形状の一例であるが、一つのバンプあたりの接続に関与する面積をSnとすると、非全面バンプにおける接続に関与する領域S'は、
S'＝（S1+S2+S3+・・+Sn）…  （式２）
と表される。但し、ｎはバンプ数（１〜ｎ）である。
【００３７】
よって、S  ≦  S'  …（式３）
となるようなバンプ形状とすることで接続信頼性を向上した構造体を提供できる。S＝S'の時においても、非全面バンプではチップ直下に残存する樹脂量が全面バンプよりも多くなるため信頼性は向上する。
【００３８】
非接触通信機器においては、基材１としてポリエチレンテレフタレートなどのフレキシブルな樹脂材料が多く用いられるため、基材がガラス基板やプリント基板の場合に比べ、樹脂の収縮により基材自身が変形する。そのため圧縮応力が発生する領域を増加させることは接続信頼性向上に対して非常に有益である。
【００３９】
図６（ａ）〜図６（ｆ）に種々な構造の非全面バンプ形状の一例を示す。図６(f)のように加圧時にチップ外周方向へ樹脂が流れやすい放射形状のバンプも考えられる。図５(b)及び(c)、図６では非全面バンプ形状の一例を示すが、（式３）を成立させる形状であればどのような形状でも良い。
【００４０】
バンプの形成方法は限定しないが、めっきにより形成する方法が最も適している。また、バンプ材料は、金、銅、ニッケル、錫、銀及びクロムのうち少なくともいづれか一つを含むものとする。
【００４１】
上記第一の実施例ではチップ側のバンプ形状について記したが、同様な凹凸形状を樹脂基材１上の導通材料２に形成することによっても同様な効果が得られる。以下に導通材料２同士が接触することにより形成される接触面８の信頼性向上の検討結果を示す。
（２）導通材料２同士が接触することにより形成される接触面８の接続信頼性を向上させるための検討結果：
図７は、発明の第二の実施例となる導通材料２同士の接触面８を示した平面図である。図７中の１１０は全面で接続する導通接触部８で接続に関与する領域（図７（a）参照）、１２０は部分的に接続する導通接触部で接続に関与する領域（図７（ｂ）及び（ｃ）参照）、２００は全面で接続する導通接触部外形、２１０は接続に関与しない領域、２２０は部分的に接続する導通接触部外形である。
【００４２】
図７(a)から全面で接続する導通接触部８で接続に関与する領域sは、
s＝k1×２d＋(k2-２d)×２d  ＝  ２d（k1＋k2-２d）  …（式４）
と表される。
【００４３】
また図７(b)及び(c)は接続に関与する接続部の面積を増加させた複数に分割した導通接触部の一例であるが、一つの導通接触部あたりの接続に関与する面積をsnとすると、部分的に接続する導通接触部で接続に関与する領域s'は、
s'＝（s1+ s2+s3+・・+sn）   …（式５）
と表される。但し、ｎはバンプ数（１〜ｎ）である。
よって、s  ≦  s'  …（式６）
となるような導通接触部形状とすることで接続信頼性を向上した構造体を提供できる。s＝s'の時においても、部分的に接続する導通接触部では各々の導通接触部外周に存在する樹脂量が全面で接続する導通接触部よりも多くなるため、図５及び図６に示したバンプの接触接続７の場合と同様に信頼性は向上する。
【００４４】
非接触通信機器においては、基材１としてポリエチレンテレフタレートなどのフレキシブルな材料が多く用いられるため、基材がガラス基板やプリント基板の場合に比べ、樹脂の収縮により基材自身が変形する。そのため圧縮応力が発生する領域を増加させることは接続信頼性向上に対して非常に有益である。
【００４５】
導通接触部８の形状についても、（式６）を成立させる形状であればどのような形状でも良い。
【００４６】
上記第二の実施例を実現するための導通材料同士の接触面８の形成方法について記す。図１で示すように、導通材料同士の接触面８は、加圧ツール６における突起６ｂの先端形状により形状が決定する。
【００４７】
図８に加圧ツール６の突起６ｂの先端形状を斜視図で示した一例を示す。図８中の３００は加圧ツール６の先端突起６ｂのパターンである。ツール先端形状を図８(b)及び(c)とすることにより図７(b)及び(c)の導通接触部形状が実現する。また、図８(d)、(e)、(f)及び(g)のように先端を尖らせたツールで加圧すると、上部の導通材料２Ｂが下部の導通材料２Ａに食い込むため接触面積を増加させ、更に水平方向の応力に対しても信頼性が向上する。
【００４８】
＜実施例２＞
図９に一括して構造体を形成する一工程例を示す。図９は、シート上に形成されているインレットに対して各々の接続部分（７及び８）に熱硬化性樹脂３Ａを貼付または塗布し、チップの位置合わせを行いチップ４を置き、その上方から導通材料２Ｂ上に熱硬化性樹脂３Ｂを貼付した樹脂基材１Ｂを熱硬化性樹脂３Ａ、３Ｂ同士が対向するように位置合わせする工程である。
【００４９】
このように加圧前状態となった構造体の上部から図８に示すようなツールを用い、加熱下で一括で加圧することにより、複数個のインレットを一括生産できる。加熱・加圧が終了し、室温に放冷後、個片に切断して一つのインレットが完成する。このようにして得られたインレットの断面形状を図１（ｄ）に示している。なお、接触面８及び接触面７の形成において、加圧ツール６の好ましい設定条件は、加熱温度１８０〜２５０℃の下で、圧力１００ｇ〜１ｋｇである。
【００５０】
ここで図８のようにツール６の突起部先端を同一形状を反復した突起３００とすることによりいずれの箇所で加圧されても、ほぼ同一形状の接触接続部となるため、長手方向（図９中奥行き方向）への厳密な位置あわせ精度を必要としない。
【００５１】
図１０は本実施例を用いて形成したRF-IDタグ用インレットの一例を示した平面図である。なお、図中の線分Ｘ−Ｙの断面が図１（ｄ）に該当するものであり、この図を参照しながら図１０を見れば本発明の有効性が理解し易い。
【００５２】
このように本発明により、接続部７及び８の外周を取り囲む樹脂３の圧縮力が働く領域を大きくすることができ、より接続信頼性を向上させることができる。また、樹脂３として異方導電性フィルム、異方導電性ペースト、絶縁接着フィルム、絶縁接着ペーストを用いることにより、チップ４と導通材料３間の接続と共にチップ５外周の樹脂封止を一括して行えるため、簡易な工程で形成が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】RF-IDタグインレット作製工程を示した断面図。
【図２】全面バンプの接合後のインレットの断面形状を示した概略図。
【図３】バンプを２つに分割して接合た場合のインレットの断面形状を示した概略図。
【図４】接触接続部に働く応力値変化を示した特性図。
【図５】本発明におけるバンプ形状を示した平面概略図。
【図６】本発明における他のバンプ形状を示した平面概略図。
【図７】本発明における導通材料同士の接触部の形状を示した平面概略図。
【図８】本発明における導通材料同士の接触部８を形成する際に使用するツールの先端形状を示した斜視図。
【図９】本発明の実施例２となる構造体を加熱下で一括加圧する製造工程を示した斜視図。
【図１０】本実施例により形成したRF-IDタグ用インレットの概略平面図。
【符号の説明】
【００５４】
１（１Ａ、１Ｂ）…樹脂基材、
２（２Ａ、２Ｂ）…導通材料、
３（３Ａ、３Ｂ）…熱硬化性樹脂、
４…チップ、
５…バンプ、
６…加圧ツール、
６ａ…加圧ツールの突起部（バンプ-導通材料の接続用）、
６ｂ…加圧ツールの突起部（導通材料同士の接続用）、
７…バンプと導通材料の接触面、
８…導通材料同士の接触面、
９…スリット、
１１…全面バンプで接続に関与する領域、
１２…非全面バンプで接続に関与する領域、
２０…バンプ外形、
２１…接続に関与しない領域、
２２…非全面バンプ外形、
２３…チップ外形、
５０…全面バンプ、
５１…分割バンプ、
１１０…全面で接続する導通接触部で接続に関与する領域、
１２０…部分的に接続する導通接触部で接続に関与する領域、
２００…全面で接続する導通接触部外形、
２１０…接続に関与しない領域、
２２０…部分的に接続する導通接触部外形、
３００…加圧ツール先端突起。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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