(57)【要約】【課題】半導体素子の表裏面間を接続する導電体層と絶縁層の形成性の向上や形成コストの削減等を図ると共に、導電体層の絶縁信頼性を高める。【解決手段】半導体素子１は、表裏面２ａ、２ｂ間を接続する貫通孔４を有する半導体基板２を備えている。貫通孔４内および半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂには多孔質絶縁樹脂層５が形成されている。多孔質絶縁樹脂層５内には、少なくとも半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂ間を接続する導電体層６が選択的に形成されている。導電体層６は半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂおよび貫通孔４の内面と多孔質絶縁樹脂層５で絶縁されている。【選択図】図１
2006080400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏両面間を接続する貫通孔を有する半導体基板と、
前記貫通孔内に充填されると共に、前記半導体基板の表裏両面を覆うように形成された多孔質絶縁樹脂層と、
少なくとも前記半導体基板の表裏両面間を接続するように、前記多孔質絶縁樹脂層内に連続的に形成され、かつ前記半導体基板の表裏両面および前記貫通孔の内面とは前記多孔質絶縁樹脂層で絶縁された導電体層と
を具備することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子において、
前記半導体基板は素子領域側の前記表面に形成された電極を有し、かつ前記電極は前記導電体層と接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体素子において、
前記多孔質絶縁樹脂層の空孔内に第２の絶縁樹脂が充填されていることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の表裏両面間を接続するように貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内を含めて前記半導体基板の表裏両面を覆うように多孔質絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記多孔質絶縁樹脂層内に、少なくとも前記半導体基板の表裏両面間を接続する導電体層を、前記半導体基板の表裏両面および前記貫通孔の内面と絶縁された状態を保ちつつ連続的に形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体素子の製造方法において、
さらに、前記多孔質絶縁樹脂層の空孔内に第２の絶縁樹脂を充填・硬化させる工程を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマルチチップパッケージ等に好適な半導体素子とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の小型化や高密度実装化等を実現するために、1つのパッケージ内に複数の半導体素子（半導体チップ）を積層して封止したスタック型マルチチップパッケージが実用化されている。このようなスタック型マルチチップパッケージでは、複数の半導体素子の各電極パッドと基板の電極部とをワイヤボンディングにより電気的に接続することが一般的である。また、複数の半導体素子間を相互接続する場合には、各半導体素子の電極パッド間をワイヤボンディングで電気的に接続している。
【０００３】
上述したスタック型マルチチップパッケージのように、半導体素子と基板との間や複数の半導体素子間の接続にワイヤボンディングを適用したパッケージ構造は、特に接続工程に要するコストや工数に基づいて製造コストが増加しやすく、また信号配線長が長くなると共に、パッケージ形状が大型化するというような問題を有している。そこで、半導体素子と基板との間の接続および複数の半導体素子間の接続に、スループラグを適用したスタック型マルチチップパッケージが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
素子間接続等に適用されるスループラグ（接続プラグ）は、例えば半導体基板にその表裏両面を接続する貫通孔を形成し、この貫通孔内に金属を充填する等して導電体層を形成した構造を有している。接続プラグと半導体基板表面の電極パッドとの接続には、通常の半導体プロセスによる配線技術が適用される。ここで、接続プラグを構成する導電体層と半導体基板の表面や貫通孔内面との間は絶縁する必要がある。これらの間の絶縁にはＣＶＤ法等の通常の半導体プロセスで形成したＳｉＯ2層、Ｓｉ3Ｎ4層、あるいはこれらの積層膜等の無機絶縁物層が適用されている。
【特許文献１】特開平10-223833号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したＳｉＯ2層やＳｉ3Ｎ4層等の無機絶縁物層は、その形成工程等に起因して貫通孔の内面に均一に形成することが技術的に困難であり、特に厚い膜を形成することが難しいという問題がある。このように、従来の半導体プロセスを適用した無機絶縁物層は、半導体素子の表裏両面を接続する接続プラグの絶縁信頼性を低下させる要因となっている。また、貫通孔の内面に無機絶縁物層を形成した場合、その内部に導電体を充填することは技術的に難易度が高いという問題がある。この点に対しては通常のスルーホールと同様に孔壁面のみに導電体層を形成することも考えられるが、この場合には半導体素子の機械的強度が低下するという問題が生じる。
【０００６】
本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、半導体素子の表裏両面間を接続する導電体層と絶縁層の形成性の向上や形成コストの削減等を図ると共に、導電体層の絶縁信頼性を高めることを可能にした半導体素子とその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体素子は、表裏両面間を接続する貫通孔を有する半導体基板と、前記貫通孔内に充填されると共に、前記半導体基板の表裏両面を覆うように形成された多孔質絶縁樹脂層と、少なくとも前記半導体基板の表裏両面間を接続するように、前記多孔質絶縁樹脂層内に連続的に形成され、かつ前記半導体基板の表裏両面および前記貫通孔の内面とは前記多孔質絶縁樹脂層で絶縁された導電体層とを具備することを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板の表裏両面間を接続するように貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔内を含めて前記半導体基板の表裏両面を覆うように多孔質絶縁樹脂層を形成する工程と、前記多孔質絶縁樹脂層内に、少なくとも前記半導体基板の表裏両面間を接続する導電体層を、前記半導体基板の表裏両面および前記貫通孔の内面と絶縁された状態を保ちつつ連続的に形成する工程とを具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様に係る半導体素子およびその製造方法によれば、貫通孔内や半導体基板の表裏両面に形成された多孔質絶縁樹脂層内に選択的に導電体層を配置しているため、導電体層と貫通孔内面や半導体基板の表裏両面との間の絶縁信頼性を高めた上で、導電体層や絶縁層を容易にかつ低コストで形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。なお、以下では本発明の実施形態を図面に基づいて説明するが、それらの図面は図解のために提供されるものであり、本発明はそれらの図面に限定されるものではない。
【００１１】
図１は本発明の一実施形態による半導体素子の要部構造を示す断面図である。同図に示す半導体素子１は、通常の半導体プロセスで演算素子部や記憶素子部、あるいはセンサ素子部のような機能素子部等を形成した半導体基板（Ｓｉ基板等）２を有している。すなわち、半導体基板２の表面２ａ側は素子領域とされており、図示を省略した集積素子部や各素子部間を接続する多層配線部等が形成されている。さらに、半導体基板２の表面２ａにはその内部の多層配線部に接続された電極３が形成されている。
【００１２】
このような半導体基板２の外周部には、例えば20〜100μm程度の直径を有する貫通孔３が形成されている。すなわち、半導体基板２はその表面２ａと裏面２ｂとの間を接続する貫通孔４を有している。この貫通孔４内には多孔質絶縁樹脂層５が充填されており、さらに多孔質絶縁樹脂層５は貫通孔４内から連続して半導体基板２の表裏両面２ａ、２ｂを覆うように形成されている。このように、多孔質絶縁樹脂層５は貫通孔４内に充填されていると同時に、半導体基板２の表裏両面２ａ、２ｂを覆うように形成されている。
【００１３】
多孔質絶縁樹脂層５は、例えば発泡剤（低沸点液体、高圧充填された窒素、二酸化炭素等）を樹脂中に分散させた後に加熱して気泡を形成する方法、樹脂中に分散させた発泡剤を加熱・熱分解しガスを生じさせて気泡を形成する方法、あるいは重合性モノマー中にそれとは非相溶性の有機化合物等を分散させ、重合性モノマーを硬化させた後に非相溶性有機化合物を除去して微小空孔を形成する方法等、各種公知の多孔質化法を適用して形成することができる。また、多孔質絶縁樹脂層５の形成材料は特に限定されるものではなく、多孔質化法等に応じて各種の絶縁性樹脂（有機絶縁物）を使用することができ、例えばポリアミドイミド樹脂を用いて形成した多孔質絶縁樹脂層５が一例として挙げられる。
【００１４】
また、多孔質絶縁樹脂層５はその内部の空孔面に後述する連続した導電体層を形成することが可能なように、微細な空孔が三次元的に連通した内部状態を有するものである。このような内部状態を得る上で、多孔質絶縁樹脂層５の空孔度（絶縁樹脂層５の見掛け上の体積に対する空孔容積の比率）は40〜90％の範囲とすることが好ましい。多孔質絶縁樹脂層５の空孔度が40％未満であると空孔の連通状態が低下し、導電体層が非連続状態となるおそれがある。一方、空孔度が90％を超えると多孔質絶縁樹脂層５自体の強度等が損なわれ、層状態や充填状態を維持することができなくなるおそれがある。
【００１５】
上述した多孔質絶縁樹脂層５内には導電体層６が選択的に形成されている。すなわち、多孔質絶縁樹脂層５内の空孔表面（空孔を形成している樹脂の表面）に、例えばＣｕやＡｌ等の導電性金属を無電解めっき等で析出させることによって、連続した導電体層６が選択的に形成されている。このような導電体層６は、まず半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂ間を接続するように、貫通孔４内に存在する多孔質絶縁樹脂層５の内部に連続的に形成された部分６ａを有している。この貫通孔４内に存在する導電体層６ａは、半導体素子１の表裏面２ａ、２ｂ間を接続する部分（接続プラグ）として機能する。
【００１６】
ここで、導電体層６ａは半導体基板２の構成材料であるＳｉ等の半導体からなる貫通孔４の内面と絶縁されている必要がある。そこで、導電体層６ａは貫通孔４の内面から例えば1μm以上離れた位置に選択的に形成されていることが好ましい。言い換えると、導電体層６ａと貫通孔４の内面との間には、導電体が充填されていない多孔質絶縁樹脂層５が存在しており、この部分の多孔質絶縁樹脂層５が絶縁層として機能する。導電体層６ａは後述する選択的めっき法等を適用することで、多孔質絶縁樹脂層５内の任意の位置に任意の深さで形成することができるため、導電体層６ａと貫通孔４の内面との間に絶縁層として機能する多孔質絶縁樹脂層５を任意の厚さ（例えば1μm以上）で再現性よく存在させることができる。従って、導電体層６ａの絶縁信頼性を向上させることが可能となる。
【００１７】
さらに、導電体層６は貫通孔４内に存在する部分６ａから連続して、半導体基板２の表面２ａを覆う多孔質絶縁樹脂層５の内部に形成された部分６ｂを有している。この表面部側の導電体層６ｂは貫通孔４内の導電体層６ａと電極３とを電気的に接続する部分であり、所望の配線パターンに応じて形成されている。表面部側の導電体層６ｂも貫通孔４内と同様に、半導体基板２の表面２ａから例えば1μm以上離れた位置に形成されていることが好ましい。導電体層６は上述したように多孔質絶縁樹脂層５の任意の深さ領域に形成することができるため、導電体層６ｂと半導体基板２の表面２ａとの間に絶縁層として機能する多孔質絶縁樹脂層５を再現性よく存在させることができる。従って、導電体層６ｂについても半導体基板２の表面２ａに対する絶縁信頼性を向上させることが可能となる。
【００１８】
導電体層６ｂと電極３との接続部については、その部分だけ多孔質絶縁樹脂層５に対する導電体層６ｂの形成領域を深くすることによって、良好な電気的接続を複雑な工程を経ることなく容易にかつ確実に得ることができる。また、半導体基板２の裏面２ｂ側には、他の半導体素子や配線基板等との接続部となるランド状の導電体層６ｃが形成されている。この裏面２ｂ側の導電体層６ｃも半導体基板２の裏面２ｂから例えば1μm以上離れた位置に形成されていることが好ましい。なお、半導体基板２の裏面２ｂ側は、貫通孔４内の導電体層６ａがそのまま存在する状態であってもよい。
【００１９】
導電体層６が形成された多孔質絶縁樹脂層５は、そのままの状態で半導体素子１として実用に供してもよいが、導電体層６が充填されていない部分は機械的強度が低いことから、多孔質絶縁樹脂層５の空孔全体に第２の絶縁樹脂を充填して硬化させることが好ましい。多孔質絶縁樹脂層５の空孔内を埋める第２の絶縁樹脂は、例えばワニス状の熱硬化性樹脂組成物を圧入や真空含浸等を適用して多孔質絶縁樹脂層５内に充填し、これを熱処理等で硬化させることにより形成される。このように、多孔質絶縁樹脂層５内の残余の空孔を第２の絶縁樹脂で埋めることによって、半導体素子１の強度を保つことができる。
【００２０】
上述したように、多孔質絶縁樹脂層５内には半導体基板２の表面２ａ側の電極３から貫通孔４内を経由して半導体基板２の裏面２ｂに至る導電体層６（６ａ、６ｂ、６ｃ）が選択的に形成されており、この導電体層６は表面２ａ側の電極３の配線を裏面２ｂに取り回す配線層として機能するものである。また、導電体層６は半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂや貫通孔４の内面に対する絶縁が多孔質絶縁樹脂層５で維持されているため、半導体素子１内の配線層として信頼性に優れるものであり、配線層の絶縁不良等による歩留りの低下や動作特性の低下等を有効に抑制することが可能となる。これらの形成工程も後述するように従来の半導体プロセスに比べて大幅に簡易化並びに低コスト化することができる。
【００２１】
半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂ間を接続する導電体層６は、例えば複数の半導体素子を積層して封止したスタック型マルチチップパッケージを構成する際に、半導体素子間や半導体素子と配線基板との間の接続プラグとして機能するものである。スタック型マルチチップパッケージとしては、複数のメモリ素子を積層したマルチチップモジュール、あるいはロジック素子とメモリ素子とを積層したシステムＬＳＩモジュール等が挙げられる。また、撮像素子のようなセンサ機能を有する半導体素子の場合には、センサ部を表面側に配置した状態で、裏面側に取り回した配線層（導電体層６）を利用して実装基板等に接続、搭載することが可能となる。
【００２２】
なお、図１は導電体層６を電極３の配線層に適用した例を示しているが、例えば図２に示すように半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂ間を単に接続するスループラグに導電体層６を適用することも可能である。すなわち、図２に示す半導体素子１は図１と同様に、貫通孔４内に存在する多孔質絶縁樹脂層５の内部に選択的にかつ連続的に形成された導電体層６ａを有している。半導体基板２の表面２ａ側および裏面２ｂ側には、それぞれ他の半導体素子や配線基板等との接続部となるランド状の導電体層６ｄが形成されている。導電体層６（６ａ、６ｄ）は、半導体素子１の上下に配置された他の半導体素子や配線基板等との間を接続するスループラグとして機能するものである。
【００２３】
次に、上述した実施形態による半導体素子１の製造工程について、図３を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示すように、表面２ａ側に図示を省略した集積素子部や多層配線部、さらに電極３を有する半導体基板２に、表裏面２ａ、２ｂ間を接続する貫通孔４を形成する。貫通孔４は例えばレーザ加工やエッチング加工等により形成することができる。次いで、図３（ｂ）に示すように、多孔質絶縁樹脂層５を半導体基板２の表裏両面２ａ、２ｂを覆うと同時に貫通孔４内に充填されるように形成する。多孔質絶縁樹脂層５は例えば以下のようにして形成される。
【００２４】
まず、ワニス状の多孔質層形成用絶縁樹脂組成物を半導体基板２の表裏両面２ａ、２ｂおよび貫通孔４内に充填並びに塗布する。このような絶縁樹脂組成物の塗布・充填層に対して、例えば絶縁樹脂組成物中に分散させた非相溶性の有機化合物等を除去する工程（多孔質化工程）等を適用することによって、絶縁樹脂組成物を硬化させると共に多孔質化する。このような工程で得られる多孔質絶縁樹脂層５としては、例えば多孔質状態のポリアミドイミド樹脂層が挙げられる。多孔質絶縁樹脂層５の空孔度は前述したように40〜90％の範囲とすることが好ましい。
【００２５】
ここで、多孔質絶縁樹脂層５を形成するにあたって、貫通孔４内への充填に多くのワニス状絶縁樹脂組成物が必要となり、半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂの平坦部分と比較して樹脂量が不足気味となり、その部分にひけが生じて平坦性が損なわれる場合がある。また、ワニス状絶縁樹脂組成物を硬化させたときの硬化収縮によっても同様な現象が生じる。このように、多孔質絶縁樹脂層５の貫通孔４に相当する部分に凹みが生じて平坦性が損なわれると、他の半導体素子や配線基板等と接続する際に不具合が生じる。
【００２６】
そこで、例えば図４に示すように、貫通孔４に起因して平坦性が損なわれた多孔質絶縁樹脂層５（貫通孔４に相当する部分に凹みが生じた多孔質絶縁樹脂層５）の表面を研磨処理し、多孔質絶縁樹脂層５を平坦化することが好ましい。図４において、Ｓは研磨面を示している。あるいは図５に示すように、ワニス状絶縁樹脂組成物の塗布、硬化処理を複数回繰返して行うことによって、多孔質絶縁樹脂層５を平坦化することが好ましい。図５において、５Ａは1回目の処理で形成した多孔質絶縁樹脂層、５Ｂは2回目の処理で形成した多孔質絶縁樹脂層である。多孔質絶縁樹脂層５の平坦性は、貫通孔４に相当する部分の凹みの深さが平坦部に対して2μm以下となるように設定することが好ましい。
【００２７】
次に、多孔質絶縁樹脂層５を感光剤で処理した後、図３（ｃ）に示すように導電体層６の形成状態に応じて多孔質絶縁樹脂層５を露光する。なお、図中矢印は露光用の光を示している。感光剤による処理は、例えば多孔質絶縁樹脂層５を有する半導体基板２を感光剤の溶液に浸漬した後、乾燥させることにより実施する。このような処理によって、多孔質絶縁樹脂層５の内部の空孔表面を含めて全体的に感光剤が塗布される。なお、感光剤は空孔表面に極薄く塗布されるため、多孔質状態は維持される。
【００２８】
多孔質絶縁樹脂層５の露光処理は、例えば貫通孔４の部分については表裏面２ａ、２ｂ間を貫通するように厚さ方向全体に露光する。この際、露光部分が貫通孔４の内面から所定の距離（例えば1μm以上）だけ離れるように、露光する領域を制御する。また、半導体基板２の表面２ａ側の配線パターン部および裏面２ｂ側のランド部については、多孔質絶縁樹脂層５の所定の深さまで、言い換えると各面２ａ、２ｂから所定の距離（例えば1μm以上）だけ離れた位置まで露光されるように処理する。電極３に対する接続部も同様であり、露光部が電極３に到達するように処理する。露光する深さは露光量（光の照射量）により制御することができる。
【００２９】
上記した露光処理は、各領域（接続プラグ部、配線パターン部、電極への接続部、ランド部等）に応じて光の透過量を制御したマスクを用いることによって、多孔質絶縁樹脂層５の各領域を一括して処理することができる。例えば、貫通孔４の部分は光が全透過し、かつ表裏面２ａ、２ｂの配線パターン部やランド部は光が半透過するようなマスクを用いて、感光処理した多孔質絶縁樹脂層５を露光する。次いで、多孔質絶縁樹脂層５の露光部分にめっきが析出するように活性化処理を行う。多孔質絶縁樹脂層５の活性化は露光部分に対して選択的に行われる。
【００３０】
この後、感光処理、露光処理、活性化処理を順に施した多孔質絶縁樹脂層５を有する半導体基板２を、例えば無電解銅めっき液に浸漬する。このめっき処理工程において、銅等のめっき金属は多孔質絶縁樹脂層５の露光並びに活性化処理した部分にだけ析出するため、例えば貫通孔４の部分は表裏面２ａ、２ｂ間を接続するように銅めっき層等の導電体層６ａが形成される。また、半導体基板２の表面２ａ側および裏面２ｂ側は、それぞれ配線パターンやランド形状に応じて銅めっき層等の導電体層６ｂ、６ｃが形成される。
【００３１】
このようにして、貫通孔４の内面や半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂとの間に所定の厚さの絶縁層（導電体が充填されていない多孔質絶縁樹脂層５）が介在され、かつ半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂ間等を接続する導電体層６が形成される。導電体層６の形成後に、必要に応じて多孔質絶縁樹脂層５の残余の空孔内に第２の絶縁樹脂を充填して硬化させる工程を行う。多孔質絶縁樹脂層５に対する第２の絶縁樹脂の充填工程は、前述したように圧入や真空含浸等を適用して実施することができる。
【００３２】
上述した半導体素子１の製造工程によれば、多孔質絶縁樹脂層５内に導電体層６を選択的に形成することができるため、貫通孔４の内面や半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂに対する導電体層６の絶縁を多孔質絶縁樹脂層５で良好に維持した上で、貫通孔４内を含めて導電体層６を所望のパターンに精度よく形成することができる。さらに、導電体層６および絶縁層（導電体が充填されていない多孔質絶縁樹脂層５）の形成工程は、絶縁樹脂の塗布やめっき等の簡易な工程で実施できるため、導電体層６および絶縁層を低コストで形成することが可能となる。これらは半導体基板２の表裏面２ａ、２ｂ間を接続する導電体層６を有する半導体素子１の製造コストの低減並びに信頼性の向上に寄与するものである。
【００３３】
次に、本発明の半導体素子を適用したスタック型マルチチップパッケージ構造の半導体装置の実施形態について、図６を参照して説明する。図６に示す半導体装置（半導体パッケージ）１０は、素子搭載基板として配線基板１１を有している。配線基板１１には、樹脂基板やセラミックス基板等の各種基板を適用することができる。樹脂基板としては一般的な多層プリント配線板等が使用される。配線基板１１の下面側には、金属バンプ等の外部接続端子１２が形成されている。一方、配線基板１１の上面側には外部接続端子１２と図示を省略した内層配線を介して電気的に接続された電極部１３が設けられている。
【００３４】
配線基板１２の素子搭載面（上面）には、前述した実施形態による半導体素子１が複数積層されて搭載されている。なお、図６は2個の半導体素子１を配線基板１１上に搭載した半導体装置１０を示しているが、半導体素子１の搭載数は2個に限られるものではなく、3個もしくはそれ以上であってもよい。下側の半導体素子１は導電体層６の部分に形成された金属バンプ１４を介して配線基板１１の電極部１３に接続固定されている。同様に、上側の半導体素子１は導電体層６の部分に形成された金属バンプ１４を介して下側の半導体素子１は導電体層６に接続固定されている。そして、積層された複数の半導体素子１を封止樹脂（図示せず）等で封止することによって、スタック型マルチチップパッケージ構造の半導体装置１０が構成される。
【００３５】
このようなスタック型マルチチップパッケージ構造の半導体装置１０によれば、半導体素子１間および半導体素子１と配線基板１１との間の接続にフリップチップ接続を適用することができるため、接続工程に要するコストや工数を低減することが可能になると共に、信号配線長の短縮やパッケージ形状の小型化等を図ることができる。これらはスタック型マルチチップパッケージの低コスト化や信頼性並びに動作特性の向上等に寄与するものである。半導体装置１０の具体例としては、前述したように複数のメモリ素子を積層したマルチチップモジュールやロジック素子とメモリ素子とを積層したシステムＬＳＩモジュール等が挙げられる。
【００３６】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、半導体基板の表裏両面間を接続する導電体層を有する各種の半導体素子に適用することができる。そのような半導体素子についても、本発明に含まれるものである。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態による半導体素子の要部構造を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子の変形例を示す断面図である。
【図３】図１に示す半導体素子の要部製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に示す半導体素子の製造工程における多孔質絶縁樹脂層の形成工程の一例を示す断面図である。
【図５】図３に示す半導体素子の製造工程における多孔質絶縁樹脂層の形成工程の他の例を示す断面図である。
【図６】本発明の半導体素子を適用したスタック型マルチチップ構造の半導体装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体素子、２…半導体基板、３…電極、４…貫通孔、５…多孔質絶縁樹脂層、６…導電体層。
【図１】
2006080400.tif 000003
【図２】
2006080400.tif 000004
【図３】
2006080400.tif 000005
【図４】
2006080400.tif 000006
【図５】
2006080400.tif 000007
【図６】
2006080400.tif 000008