(57)【要約】【課題】  大幅な設計変更および工程数の大幅な増大を伴なうことなく、シール材の外側での配線パターンの電食を防止可能な電気光学装置、その製造方法、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】  電気光学装置１において、配線パターン８０は液晶、汚れ、水分の付着によって電食するおそれがあるので、張り出し領域１５では、シール材３０の一部が第２の基板２０の端縁２０１よりも外側に張り出すように第２の基板２０を切断し、シール材３０の外側では、第１の基板１０と第２の基板２０と隙間を無くす。また、第２の基板２０の端縁２０１とシール材３０との界面に離型剤３を用いて離型処理を施しておき、第２の基板２０ａをシール材３０ａと平面的に重なる領域で切断する際、第２の基板２０ａのうち、切断予定線４０３ａの外側でシール材３０ａと接している部分を容易に除去できるようにする。【選択図】      図６
2006106080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板間に電気光学物質を備えた第１の基板と第２の基板の対向部分の周囲がシール材によって封止され、かつ、前記第１の基板は、複数の導電パターンが前記シール材より外側に延びた張り出し部を備えた電気光学装置において、
前記張り出し領域では、前記シール材の一部が前記第２の基板の端縁と同一端面あるいは該端縁よりも外側に張り出していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記複数の導電パターンは、前記シール材より外側に向けて並列して延びていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記張り出し領域では、前記第２の基板の端縁と前記シール材との界面に離型処理が施されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３において、前記離型処理は、離型剤によって成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４において、前記離型剤は、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、および炭化水素系離型剤のうちのいずれかであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
基板間に電気光学物質を備えた第１の基板と第２の基板の対向部分の周囲がシール材によって封止され、かつ、前記第１の基板は、複数の導電パターンが前記シール材より外側に延びた張り出し部を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記第１の基板と前記第２の基板とを前記シール材で貼り合せる貼り合せ工程と、
前記張り出し領域で前記第２の基板を切断予定線に沿って切断する切断工程とを有し、
当該切断工程では、前記張り出し領域において前記シール材の一部が前記第２の基板の端縁よりも外側に張り出すように前記第２の基板を切断することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、前記貼り合せ工程を行う前に、前記張り出し領域において少なくとも前記切断予定線より外側に位置する前記第２の基板の基板面、あるいは前記第１の基板に塗布した前記シール材の表面のうち、前記張り出し領域において少なくとも前記切断予定線より外側に位置する部分のいずれかに離型処理を施すことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記離型処理は、前記張り出し領域において少なくとも前記切断予定線より外側に位置する前記第２の基板の基板面に対する離型剤の塗布により行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、前記離型剤は、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、あるいは炭化水素系離型剤であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし５のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板間に電気光学物質を備えた電気光学装置、その製造方法、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学物質として液晶を用いた電気光学装置では、図１３に示すように、電気光学物質としての液晶５′を備えた第１の基板１０′と第２の基板２０′の対向部分の周囲がシール材３０′によって封止されており、シール材３０′で囲まれた領域内に多数の画素がマトリクス状に配置されている。第１の基板１０′は、第２の基板２０′の端縁２０１′から張り出した張り出し領域１５′を備えており、この張り出し領域１５′では、複数の配線パターン８０′がシール材３０′より外側に向けて並列した状態で延びている。従って、これらの配線パターン８０′を介して各画素に信号を供給すれば各画素を駆動することができる。このような電気光学装置を製造する際には、第１の基板１０′と第２の基板２０′とをシール材３０′で貼り合せた後、シール材３０′のわずか外側位置で第２の基板２０′を切断する。その結果、第１の基板１０′に張り出し領域１５′が構成されるとともに、この張り出し領域１５′で複数の配線パターン８０′を露出させることができる。従って、配線パターン８０′に可撓性基板を実装することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような構造および製造方法は、駆動用ＩＣをＣＯＦ(Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）実装した可撓性基板を第１の基板１０′の張り出し部１５′に実装した構造を採用した場合も、駆動用ＩＣを第１の基板１０′の張り出し領域１５′にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装した構造を採用した場合も同様である。
【特許文献１】特開２００３−１３７５７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図１３に示す構造を備えた電気光学装置では、シール材３０′の外側で第１の基板１０′と第２の基板２０′が狭い隙間８′を介して対向している。このため、狭い隙間８′に液晶や汚れが付着していた場合や隙間８′内に水分が付着した場合に配線パターン８０′に電食が発生し、電気光学装置に不具合が発生するという問題点がある。
【０００５】
そこで、第２の基板２０′を切断した後、洗浄し、さらに隙間８′を樹脂でモールドすることが提案されている。しかしながら、かかる対策では、パネル毎にモールドを行う必要があるので、工程数が著しく増大する。しかも、洗浄しても狭い隙間８′に付着した液晶や汚れを完全に除去することができないので、工程数が増える割りには、配線パターン８０′の電食を完全に防止することが困難である。また、隙間８′をモールドする際、端子への樹脂の付着、端子の損傷などのおそれもある。さらに、隙間８′をモールドした場合には、隙間８′の外側にモールド樹脂がはみ出るので、モールド樹脂がはみ出た分、張り出し領域１５′の寸法（シール材３０′の外側での配線パターン８０′の長さ寸法）などを延長して可撓性基板などの実装領域を確保する必要があるなど、電気光学装置の設計変更が必要となってしまう。
【０００６】
そこで、シール材３０′より外側に位置する配線パターン８０′の間隔を広げることが考えられるが、不具合の発生原因を抜本的に除去するものではないため、配線パターン８０′の電食を完全に防止することができない。また、張り出し領域１５′には画素数に対応する多数の配線パターン８０′が密に形成されているため、配線パターン８０′の間隔を広げるには、電気光学装置のサイズ自身を大型化する必要がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、大幅な設計変更および工程数の大幅な増大を伴なうことなく、シール材の外側での配線パターンの電食を防止可能な電気光学装置、その製造方法、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、基板間に電気光学物質を備えた第１の基板と第２の基板の対向部分の周囲がシール材によって封止され、かつ、前記第１の基板は、複数の導電パターンが前記シール材より外側に延びた張り出し部を備えた電気光学装置において、前記張り出し領域では、前記シール材の一部が前記第２の基板の端縁と同一端面あるいは該端縁よりも外側に張り出していることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、第１の基板において、複数の導電パターンがシール材より外側に延びた張り出し部では、シール材の一部が第２の基板の端縁よりも外側に張り出している。すなわち、第１の基板の張り出し部が位置する側において、第２の基板の端縁はシール材の外周縁より内側に位置しており、張り出し領域では、第１の基板と第２の基板がシール材より外側で対向していない。従って、第１の基板と第２の基板がシール材より外側で対向していることによって形成される隙間に液晶、汚れ、水分などが付着することに起因する導電パターンの電食が発生しない。それ故、導電パターン間隔の変更やモールドなどを行う必要がないので、大幅な設計変更および工程数の大幅な増大を伴なうことなく、シール材の外側での導電パターンの電食を確実に防止することができる。また、第２の基板がシール材の外周縁よりも内側で切断されるので、第１の基板における張り出し領域の幅寸法は、第２の基板の端縁から第１の基板の端縁までの寸法ではなく、シール材の外周縁から第１の基板の端縁までの寸法となるので、第１の基板における張り出し領域の幅寸法が広くなる。言い換えれば、同一の幅寸法の張り出し領域を確保しようとした場合に、第１の基板の面積を狭めることができるので、同一の画像表示領域を確保する場合でも、電気光学装置の外形寸法を小さくすることができる。また、電気光学装置の外形寸法および張り出し領域の幅寸法を同一とした場合には、画像表示領域の面積を広げることができる。
【００１０】
本発明は、前記複数の導電パターンは、前記シール材より外側に向けて並列して延びている構成の電気光学装置に適用するとその効果が大きい。すなわち、複数の導電パターンが並列して延びている場合には、隣接する導電パターン間に発生する電位差によって電食が発生しやすいが、本発明によれば、このような電食を確実に防止することができる。
【００１１】
本発明において、前記張り出し領域では、前記第２の基板の端縁と前記シール材との界面に離型処理が施されていることが好ましい。このように構成すると、離型処理を施した部分では、第２の基板とシール材との接着強度を低下させることができる。従って、第１の基板と第２の基板とをシール材で貼り合わせた後、第２の基板をシール材と平面的に重なる領域で切断する際、第２の基板のうち、切断予定線の外側でシール材と接している部分を容易に除去することができる。従って、第２の基板に過大な力が加わらないので、第２の基板にクラックや破損が発生することがない。また、第２の基板からシール材を介して第１の基板に対しても過大な力が伝わらないので、第２の基板においてシール材と重なる領域に形成した導電パターンなどに過大な力が加わらず、導電パターンの断線や導電パターンの第１の基板からの剥離などといった問題を回避することもできる。
【００１２】
本発明において、前記離型処理は、離型剤によって成すことができる。このような離型剤としては、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、炭化水素系離型剤などを用いることができる。
【００１３】
本発明では、基板間に電気光学物質を備えた第１の基板と第２の基板の対向部分の周囲がシール材によって封止され、かつ、前記第２の基板は、複数の導電パターンが前記シール材より外側に延びた張り出し部を備えた電気光学装置の製造方法において、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記シール材で貼り合せる貼り合せ工程と、前記張り出し領域で前記第２の基板を切断予定線に沿って切断する切断工程とを有し、当該切断工程では、前記張り出し領域において前記シール材の一部が前記第２の基板の端縁よりも外側に張り出すように前記第２の基板を切断することを特徴とする。
【００１４】
本発明において、前記貼り合せ工程を行う前に、前記張り出し領域において少なくとも前記切断予定線より外側に位置する前記第２の基板の基板面、あるいは前記第１の基板に塗布した前記シール材の表面のうち、前記張り出し領域において少なくとも前記切断予定線より外側に位置する部分のいずれかに離型処理を施すことが好ましい。
【００１５】
本発明において、前記離型処理は、例えば、前記張り出し領域において少なくとも前記切断予定線より外側に位置する前記第２の基板の基板面に対する離型剤の塗布により行う。このような離型剤としては、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、あるいは炭化水素系離型剤を用いることができる。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００１８】
［実施の形態１］
（電気光学装置の構成）
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。図３（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ側の端部の断面を示す説明図、および電気光学装置を図１のII−II′線で切断したときのII側の端部の断面を示す説明図である。なお、図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００１９】
図１、図２および図３（ａ）、（ｂ）において、本形態の電気光学装置１は、パッシブマトリクスタイプの液晶パネル１′を有しており、この液晶パネル１′では、矩形の無アルカリガラス、耐熱ガラス、石英ガラスなどからなる第１の基板１０と第２の基板２０が所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされている。また、基板間でシール材３０によって区画された液晶封入領域３５内に電気光学物質としての液晶５が封入され、画像表示領域２が構成されている。従って、電気光学装置１では、基板間に液晶５を備えた第１の基板１０と第２の基板２０の対向部分の周囲がシール材３０によって封止された状態にある。ここに示す電気光学装置１は透過型の例であり、第１の基板１０の外側にはバックライト装置（図示せず）が配置されている。第１の基板１０の外側表面に偏光板など（図示せず）が積層され、第２の基板２０の外側表面にも偏光板など（図示せず）が積層されている。
【００２０】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の基板１０には、第１の電極パターン４０、および配向膜１２がこの順に形成されている。第２の基板２０には、第１の電極パターン４０と交差する方向に第２の電極パターン５０が形成されており、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成されている。また、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側には、絶縁性の平坦化膜２３、第２の電極パターン５０および配向膜２２がこの順に形成されている。なお、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの間にはブラックマトリクスあるいはブラックストライプを構成する遮光膜２４が形成されている。
【００２１】
本形態において、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。なお、反射型の電気光学装置や半透過反射型の電気光学装置では、第１の基板１０の側に反射層や半透過反射層が形成される。
【００２２】
（電極パターンおよび端子の構成）
本形態の電気光学装置１では、外部からの信号入力および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各端縁１０１、２０１付近において第１の基板１０および第２の基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。
【００２３】
第１の基板１０としては、第２の基板２０よりも大きな基板が用いられ、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第２の基板２０の端縁２０１から第１の基板１０が張り出す張り出し領域１５を利用して、駆動用ＩＣ９をＣＯＦ実装したフレキシブル基板９０の接続などが行われる。このため、第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は、端縁１０１に近い部分が第２の基板２０からの張り出し領域１５に形成され、この端縁１０１に近い端子形成領域部分の表面は開放状態にある。これに対して、第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１の液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第２の基板２０の側との基板間導通用に用いられるので、第１の端子形成領域１１のうち、液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第２の基板２０との重なり部分に形成されている。
【００２４】
第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は端縁１０１に沿って形成されているが、この第１の端子形成領域１１は、端縁１０１の両端を除く比較的広い範囲にわたって形成されている。第１の端子形成領域１１には、その中央領域で端縁１０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第１の外部入力用端子８１、およびこれらの第１の外部入力用端子８１が形成されている領域の両側２箇所で端縁１０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第２の外部入力用端子８２が形成されている。
【００２５】
第１の外部入力用端子８１は、配線パターン８０の一方側の端部からなり、この配線パターン８０（導電パターン）は、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに基板間導通用端子７０と重なる位置まで延びている。そして、配線パターン８０の端部からなる複数の基板間導通用端子６０が端縁１０２に向かって直線的に延びている。
【００２６】
第２の外部入力用端子８２は、電極パターン４０（導電パターン）の端部からなり、電極パターン４０は、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに電極パターン５０の形成領域の両側に相当する領域を回り込むように形成され、液晶封入領域３５内において電極パターン５０と交差するように延びている。
【００２７】
第２の基板２０において、第２の端子形成領域２１は、第１の基板１０の側との基板間導通に用いられるので、第１の基板１０との重なり部分に形成されている。ここで、第２の端子形成領域２１は第２の基板２０の端縁２０１の中央部分に沿って形成され、この第２の端子形成領域２１では、第２の電極パターン５０の端部からなる複数の基板間導通用端子７０が端縁２０１に沿って所定の間隔をもって並んでいる。また、第２の基板２０では、第２の基板間導通用端子７０から対向する端縁２０２に向かって複数列の液晶駆動用の電極パターン５０が両側に斜めに延びた後、液晶封入領域３５内で端縁２０１、２０２に直交する方向に延びている。
【００２８】
このような構造の電気光学装置１では、第１の基板１０と第２の基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせる際に、少なくとも、張り出し領域１５に相当する領域では、導通材３１を配合したシール材３０を用いる。ここで、シール材３０に含まれる導電材３１は、たとえば、弾性変形可能なプラスチックビーズの表面にめっきを施した粒子であり、その粒径は、シール材３０に含まれるギャップ材の粒径よりもわずかに大きい。それ故、第１の基板１０と第２の基板２０とを重ねた状態でその間隙を狭めるような力を加えながらシール材３０を溶融、硬化させると、導電材３１は、第１の基板１０と第２の基板２０との間で押し潰された状態で基板間導通用端子６０、７０とを導通させる。
【００２９】
また、第１の基板１０と第２の基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせると、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交差部分によって画素がマトリクス状に形成される。このため、第１の基板１０の端縁１０１側の端部に対してフレキシブル基板９０を異方性導電材などを用いて実装した後、このフレキシブル基板９０を介して第１の基板１０の第１の外部入力用端子８１および第２の外部入力用端子８２に信号入力すると、第１の基板１０に形成されている第１の電極パターン４０には第２の外部入力用端子８２を介して走査信号を直接、印加することができ、かつ、第２の基板２０に形成されている第２の電極パターン４０には、第１の外部入力用端子８１、第１の基板間導通用端子６０、導通材３１および第２の基板間導通用端子７０を介して画像データを信号入力することができる。よって、これらの画像データおよび走査信号によって、各画素において第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との間に位置する液晶の配向状態を制御することができるので、所定の画像を表示することができる。
【００３０】
（電食防止のための構造）
本形態の電気光学装置１において、張り出し領域１５では、複数の配線パターン８０がシール材３０より外側に向けて並列した状態に延びている。ここで、シール材３０の一部は、第２の基板２０の端縁２０１よりも外側に張り出している。すなわち、張り出し部１５が位置する側において、第２の基板２０の端縁２０１はシール材３０の外周縁３３より内側に位置している。従って、張り出し領域１５では、第１の基板１０と第２の基板２０がシール材３０より外側で対向しておらず、第１の基板１０と第２の基板２０とが対向することによる隙間（図１３参照）が形成されていない。それ故、第１の基板１０と第２の基板２０がシール材３０より外側で対向していることによって形成される隙間に液晶、汚れ、水分などが付着することに起因する配線パターン８０の電食が発生しない。このように、本形態では、電食の原因となる隙間自身を無くしたので、配線間隔の変更や隙間に対するモールドなどを行う必要がないので、大幅な設計変更および工程数の大幅な増大を伴なうことなく、シール材３０の外側での配線パターン８０の電食を確実に防止することができる。
【００３１】
また、第２の基板２０がシール材３０の外周縁３３よりも内側で切断されているので、第１の基板１０における張り出し領域１５の幅寸法は、第２の基板２０の端縁２０１から第１の基板１０の端縁１０１までの寸法ではなく、シール材３０の外周縁３３から第１の基板１０の端縁１０１までの寸法となるので、第１の基板１０における張り出し領域３０の幅寸法が広い。言い換えれば、同一の幅寸法の張り出し領域１５を確保しようとした場合に、第１の基板１０の面積を狭めることができるので、同一の画像表示領域２を確保する場合でも、電気光学装置１の外形寸法を小さくすることができる。また、電気光学装置１の外形寸法および張り出し領域１５の幅寸法を同一とした場合には、画像表示領域２の面積を広げることができる。
【００３２】
また、本形態では、製造方法の説明の中で後述するように、張り出し領域１５では、第２の基板２０の端縁２０１とシール材３０との界面に離型処理が施されている。かかる離型処理は、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、および炭化水素系離型剤などの離型剤を用いた処理である。
【００３３】
（電気光学装置１の製造方法）
図４は、本形態の電気光学装置１の製造方法を示す工程図である。図５は、本形態の電気光学装置１の製造に用いた大型基板の説明図である。図６（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の製造工程において大型基板に各構成要素を形成した後、貼り合わせ工程を行う前の状態における図１のII側端部の様子を示す断面図、および貼り合わせ工程を行った後の状態における図１のII側端部の様子を示す断面図である。図７はそれぞれ、大型基板を貼り合わせたパネルから単品サイズの電気光学装置を切り出すための切断予定線を示す説明図である。
【００３４】
本形態の電気光学装置１を製造するにあたっては、図５および図６（ａ）に示すように、第１の基板１０を多数取りできる第１の大型基板１００の状態で、図４に示す電極パターン形成工程ＳＴ１１で電極パターン４０などの形成が行われる。また、第２の基板２０を多数取りできる第２の大型基板２００の状態で、図４に示す電極パターン形成工程ＳＴ２１で電極パターン５０などの形成が行われる。
【００３５】
次に、図４に示す配向膜・ラビング工程ＳＴ１２、ＳＴ２２では、図５および図６（ａ）に示すように、大型基板１００、２００の各々に対して配向膜１２、２２の形成およびラビング工程を行う。そして、大型基板１００、２００の各々を洗浄する。
【００３６】
次に、図４に示すシール材塗布工程ＳＴ１３では、図５および図６（ａ）に示すように、第１の大型基板１００に対してシール材３０を塗布した後、プリキュアを行う。
【００３７】
一方、図４に示す離型処理工程ＳＴ２３では、図６（ａ）に示すように、第２の大型基板２００の所定領域に対して、シリコン系離型剤、フッ素系離型剤、炭化水素系離型剤などの離型剤３を塗布し、離型処理を施す。ここで、離型剤３は、後述する２次ブレイク工程において第２の基板２０を切断するための切断予定線４０３の外側領域に塗布する。但し、本形態では、切断精度を考慮して、切断予定線４０３のやや内側領域にも離型剤３を塗布してある。このような離型剤３の塗布は、スクリーン印刷、シリンジによる描画、オフセット印刷、インクジェット法による吐出などにより行うことができる。
【００３８】
次に、図４に示す貼り合わせ工程ＳＴ３１において、図６（ｂ）および図７に示すように、大型基板１００、２００同士を所定の位置関係をもって貼り合わせてシール材３０をキュアし、大型パネル３００を形成する。
【００３９】
このように構成した大型パネル３００から、図１および図２を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１′を得るには、図５および図７（ａ）、（ｂ）において点線で示す切断予定線３０１′３０１″、一点鎖線で示す切断予定線４０１′４０１″、および二点鎖線で示す切断予定線４０３に沿って大型基板１００、２００を切断していく。
【００４０】
それには、まず、図４に示す１次ブレイク工程ＳＴ３２において、大型パネル３００に対する切断工程（１次切断工程）として、大型基板１００、２００に対して、大型パネル３００を短冊状パネルに切断するためのスクライブ溝をそれぞれ切断予定線３０１′、３０１″の全体、あるいはその両端部に形成した後、各大型基板１００、２００に対して切断予定線３０１′、３０１″に沿って、所定の押圧治具を裏面側から押し当てて機械的応力を加える、あるいはレーザ光を照射して、大型基板１００、２００を各々切断し、短冊状パネル４００を得る。
【００４１】
この状態において、短冊状パネル４００の切断部分には、液晶注入口３１（図２を参照）が開口しているので、図４に示す液晶注入・封止工程において、液晶注入口３１から液晶を注入した後、液晶注入口３１を封止材３２（図２を参照）で封止する。そして、洗浄を行う。
【００４２】
次に、図４に示す２次ブレイク工程ＳＴ３４において、短冊状パネル４００に対する切断工程として、短冊状パネル４００を構成する大型基板１００、２００に対して、短冊状パネル４００を各電気光学装置１毎の単品のパネル１′に切断するための切断予定線４０１′、４０１″の全体、あるいはその両端部にスクライブ溝を形成した後、各大型基板１００、２００に対して切断予定線４０１′、４０１″に沿って、所定の押圧治具を裏面側から押し当てて機械的応力を加える、あるいはレーザ光を照射して大型基板１００、２００を各々切断し、単品のパネル１′を得る。
【００４３】
また、単品のパネル１′については、図１および図２に示すように、第１の基板１０を第２の基板２０よりも小さ目に仕上げて、各端子領域を露出させる必要があるので、第２の基板２０の切断予定線４０３の全体、あるいはその両端部にスクライブ溝を形成した後、切断予定線４０３に沿って、所定の押圧治具を裏面側から押し当てて機械的応力を加える、あるいはレーザ光を照射して、第２の基板２０から不要な部分を除去して、第２の基板２０から端子領域を露出させる（短冊からの除材工程）。
【００４４】
ここで、切断予定線４０３は、シール材３０の外周縁３３よりもやや内側に設定されているため、第２の基板２０を切断して第１の基板１０に張り出し領域１５を形成した状態で、シール材３０の外側の部分が第２の基板２０の端縁２０１よりも外側に張り出すことになる。
【００４５】
しかる後には、図４に示す実装工程ＳＴ３５において、第１の基板１０の張り出し領域１５に対してフレキシブル基板９０の実装を行う。
【００４６】
このように本形態では、張り出し領域１５が位置する側において、第２の基板２０は、シール材３０の外周縁３３より内側で切断されるため、図３（ｂ）に示すように、第２の基板２０の端縁２０１はシール材３０の外周縁３３より内側に位置することになる。従って、張り出し領域１５では、第１の基板１０と第２の基板２０がシール材３０より外側で対向しておらず、第１の基板１０と第２の基板２０とが対向することによる隙間（図１３参照）が形成されていない。それ故、第１の基板１０と第２の基板２０がシール材３０より外側で対向していることによって形成される隙間に液晶、汚れ、水分などが付着することに起因する配線パターン８０の電食が発生しないなどの効果を奏する。
【００４７】
また、張り出し領域１５では、第２の基板２０の端縁２０１とシール材３０との界面に離型剤３を用いた離型処理が施されており、離型処理を施した部分では、第２の基板２０とシール材３０との接着強度が低い。従って、第１の基板１０と第２の基板２０とをシール材３０で貼り合わせた後、第２の基板２０をシール材３０と平面的に重なる領域で切断する際、第２の基板２０のうち、切断予定線４０３の外側でシール材３０と接している部分を容易に除去することができる。従って、第２の基板１０に過大な力が加わらないので、第２の基板１０にクラックや破損が発生することがない。また、第２の基板２０からシール材３０を介して第１の基板１０に対しても過大な力が伝わらないので、第２の基板２０においてシール材３０と重なる領域に形成した配線パターン８０に過大な力が加わらず、配線パターン８０の断線や配線の第１の基板１０からの剥離などといった問題を回避することもできる。
【００４８】
［実施の形態１の変形例］
上記実施の形態では、離型処理を行うにあたって、第２の大型基板２００の方に離型剤３を塗布したが、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、シール材３０表面に対してその外周縁３３に沿うように離型剤３を塗布してもよい。このように構成した場合も、離型処理を施した部分では、第２の基板２０とシール材３０との接着強度が低い。従って、第１の基板１０と第２の基板２０とをシール材３０で貼り合わせた後、第２の基板２０をシール材３０と平面的に重なる領域で切断する際、第２の基板２０のうち、切断予定線４０３の外側でシール材３０と接している部分を容易に除去することができる。従って、第２の基板１０に過大な力が加わらないので、第２の基板１０にクラックや破損が発生することがないなどの効果を奏する。
【００４９】
また、切断予定線４０３の外側で第２の基板２０とシール材３０との接着強度を低下させるための離型処理としては、例えば、シール材３０表面に対してその外周縁３３に沿うように紫外線や電子線を照射してシール材３０を変質させてもよい。このように構成した場合も、第２の基板２０をシール材３０と平面的に重なる領域で切断する際、第２の基板２０のうち、切断予定線４０３の外側でシール材３０と接している部分を容易に除去することができる。
【００５０】
なお、上記形態では、複数の配線パターン８０がシール材３０より外側に向けて並列した状態に延びている張り出し領域１５が１箇所のみ存在する例であったが、電気光学装置１の４辺の複数辺に、複数の配線パターンがシール材３０より外側に向けて並列した状態に延びている張り出し領域が存在する場合には、張り出し領域の各々に本発明を適用すればよい。
【００５１】
また、上記形態では、複数の配線パターン８０がシール材３０より外側に向けて並列した状態に延びている張り出し領域１５に対してのみ、第２の基板２０をシール材３０と平面的に重なる領域で切断したが、電気光学装置１に用いた液晶パネル１′の全周において第２の基板２０をシール材３０と平面的に重なる領域で切断してもよい。
【００５２】
［実施の形態２］
図９（ａ）、（ｂ）は、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード素子）を用いたアクティブマトリクス型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図、およびこの電気光学装置における張り出し領域の構成を示す断面図である。
【００５３】
図９（ａ）に示すアクティブマトリクス型電気光学１ａは、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、複数の走査線５１ａがＸ方向（行方向）に延びており、複数のデータ線５２ａがＹ方向（列方向）に延びている。走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する各位置には画素５３ａが形成され、多数の画素５３ａがマトリクス状に配列されている。これらの画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａとが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。
【００５４】
このような電気光学装置１ａも、図９（ｂ）に示すように、第１の基板１０ａ（素子基板１０）と第２の基板２０ａ（対向基板）とをシール材３０ａによって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０ａとによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶５ａを封入する。第１の基板１０ａの内側表面には、上述した複数のデータ線５２ａ、画素スイッチング用のＴＦＤ素子（図示せず）、画素電極（図示せず）、および配向膜１２ａなどが形成される。一方、対向基板２０ａの内側の面上には複数の走査線５０ａが形成され、走査線５１ａの表面側に配向膜２２ａなどが形成されている。
【００５５】
このような構成の電気光学装置１ａでも、例えば、第１の基板１０ａでは、複数の配線パターン８０ａがシール材３０ａより外側に向けて並列した状態に延びている張り出し領域１５ａが構成され、この張り出し領域１５ａで可撓性基板の実装や駆動用ＩＣの実装が行われる。ここで、配線パターン８０ａは、タンタル単体膜やＴａＷ等からなる第１金属層８０ｂ、酸化タンタルからなる絶縁層８０ｃ、およびクロム等からなる第２金属層８０ｄが積層された構造を備え、パッド８４ａは、これらの金属の上層に、画素電極４０ａと同時形成されたＩＴＯ膜８０ｅが積層された構造を有している。
【００５６】
このような配線パターン８０ａも、液晶、汚れ、水分の付着によって電食するおそれがある。従って、本形態では、実施の形態１と同様、複数の配線パターン８０ａがシール材３０ａより外側に向けて並列した状態に延びている張り出し領域１５ａでは、シール材３０ａの一部が第２の基板２０ａの端縁２０１ａよりも外側に張り出している。すなわち、張り出し部１５ａが位置する側において、第２の基板２０ａの端縁２０１ａはシール材３０ａの外周縁３３ａより内側に位置している。従って、張り出し領域１５ａでは、第１の基板１０ａと第２の基板２０ａがシール材３０ａより外側で対向しておらず、第１の基板１０ａと第２の基板２０ａとが対向することによる隙間が形成されていない。それ故、第１の基板１０ａと第２の基板２０ａがシール材３０ａより外側で対向していることによって形成される隙間に液晶、汚れ、水分などが付着することに起因する配線パターン８０ａの電食が発生しない。よって、本形態では、電食の原因となる隙間自身を無くしたので、配線間隔の変更や隙間に対するモールドなどを行う必要がないので、大幅な設計変更および工程数の大幅な増大を伴なうことなく、シール材３０ａの外側での配線パターン８０ａの電食を確実に防止することができる。
【００５７】
また、張り出し領域１５ａでは、実施の形態１と同様、第２の基板２０ａの端縁２０１ａとシール材３０ａとの界面に離型剤３ａなどを用いた離型処理を施しておけば、離型処理を施した部分では、第２の基板２０ａとシール材３０ａとの接着強度を低下させることができる。従って、第１の基板１０ａと第２の基板２０ａとをシール材３０ａで貼り合わせた後、第２の基板２０ａをシール材３０ａと平面的に重なる領域で切断する際、第２の基板２０ａのうち、切断予定線４０３ａの外側でシール材３０ａと接している部分を容易に除去することができる。従って、第２の基板１０ａに過大な力が加わらないので、第２の基板１０ａにクラックや破損が発生することがないなどの効果を奏する。
【００５８】
［その他の実施の形態］
上記実施形態では、パッシブマトリクス型の電気光学装置、あるいはＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の電気光学装置に本発明を適用する例を説明したが、図１０および図１１を参照して以下に示す電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００５９】
図１０は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図１１は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。
【００６０】
図１０に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１０３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ｂから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もずれであってもよい。
【００６１】
このような構成の電気光学装置１００ｂでも、基板間に電気光学物質としての液晶を備えた第１の基板と第２の基板の対向部分の周囲がシール材によって封止され、かつ、第１の基板は、複数の配線がシール材より外側に延びた張り出し部を備えている。従って、張り出し領域において配線が露出した状態で延びている場合には本発明を適用することが好ましい。
【００６２】
図１１に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
【００６３】
ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。
【００６４】
このような構成のエレクトロルミネッセンス型電気光学装置１００ｐにおいては、素子基板（第１の基板）が発光素子１４０ｐなどを水分や酸素から保護するための封止基板（第２の基板）で覆われることがある。このような場合も、第１の基板は、複数の配線がシール材より外側に延びた張り出し部を備えている。従って、張り出し領域において配線が露出した状態で延びている場合には本発明を適用することが好ましい。
【００６５】
［電子機器の実施形態］
図１２（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。ここで、図１２（ａ）に示す電子機器は、モバイル型のパーソナルコンピュータであり、ここに示すパーソナルコンピュータ１０８０は、キーボード１０８６を備えた本体部１０８７と、表示ユニット１０８８とを有する。表示ユニット１０８８は、前述した電気光学装置を含んで構成される。また、図１２（ｂ）に示す電子機器は、携帯電話機１０９０であり、複数の操作ボタン１０９１と、前述した電気光学装置を有している。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ側の端部の断面を示す説明図、および電気光学装置を図１のII−II′線で切断したときのII側の端部の断面を示す説明図である。
【図４】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】図１に示す電気光学装置の製造に用いた大型基板の説明図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図１に示す電気光学装置の製造工程において大型基板に各構成要素を形成した後、貼り合わせ工程を行う前の状態における図１のII側端部の様子を示す断面図、および貼り合わせ工程を行った後の状態における図１のII側端部の様子を示す断面図である。
【図７】図１に示す電気光学装置の製造工程において、大型基板を貼り合わせたパネルから単品サイズの電気光学装置を切り出すための切断予定線を示す説明図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態１の変形例に係る電気光学装置の製造工程において大型基板に各構成要素を形成した後、貼り合わせ工程を行う前の状態における図１のII側端部の様子を示す断面図、および貼り合わせ工程を行った後の状態における図１のII側端部の様子を示す断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の形態２に係るＴＦＤアクティブマトリクス型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図、およびこの電気光学装置の端部の構成を示す断面図である。
【図１０】ＴＦＴアクティブマトリクス型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１１】有機ＥＬ型電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いたモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図、および携帯電話機の説明図である。
【図１３】従来の電気光学装置の端部の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  電気光学装置、２  画像表示領域、３  離型剤、５  液晶（電気光学物質）、１０  第１の基板、２０  第２の基板、３０  シール材、３５  液晶封入領域（画像表示領域）、４０  第１の電極パターン、５０  第２の電極パターン、８０  配線パターン、１００、２００  大型のガラス基板、１０１  第１の基板の端縁、２０１  第２の基板の端縁、３０１  シール材の外周縁、３０１′、３０１″、４０１′、４０１″、４０３  切断予定線
【図１】
2006106080.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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