(57)【要約】【課題】  イメージセンサーの小型化とコスト低減を図るとともに、電荷蓄積時間を短縮する。【解決手段】  電荷転送部の長さに応じて複数の光電変換素子列をグループ化し、電荷転送部の短いグループに含まれるすべての光電変換素子列に対する電荷蓄積制御を共通化する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影レンズの撮影画面内に複数の焦点検出エリアを有し、前記各焦点検出エリアにおいて撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出装置に用いられるイメージセンサーであって、
前記各焦点検出エリアに対応して設けられる複数の光電変換素子列と、
前記各光電変換素子列に対応して設けられ、前記各光電変換素子列の蓄積電荷を転送する電荷転送部と、
前記光電変換素子列の電荷蓄積制御を行う蓄積制御回路とを備え、
前記蓄積制御回路は、前記電荷転送部の長さに応じて前記複数の光電変換素子列をグループ化し、前記電荷転送部の短いグループに含まれるすべての前記光電変換素子列に対する電荷蓄積制御を共通化したことを特徴とする焦点検出装置用イメージセンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出装置に用いられるイメージセンサー（光電変換素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の焦点検出エリアに対応する複数の光電変換素子列を備えたイメージセンサーが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この出願の発明に関連する先行技術文献としては次のものがある。
【特許文献１】特開平０４−１７９９３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来の焦点検出装置用イメージセンサーでは、光電変換素子列ごとに電荷蓄積制御を行っているので、蓄積制御を行う制御回路を各光電変換素子列ごとに設けなければならず、イメージセンサーの回路規模が大きくなって大型になり、コストが高くなっていた。
また、各光電変換素子列の出力にＡＧＣ（Auto Gain Control）をかけるので、イメージセンサー全体の１回の蓄積制御に要する時間が長くなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
電荷転送部の長さに応じて複数の光電変換素子列をグループ化し、電荷転送部の短いグループに含まれるすべての光電変換素子列に対する電荷蓄積制御を共通化する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、イメージセンサーの回路規模が小さくなって小型にすることができ、コストを低減できる。また、イメージセンサー全体の１回の電荷蓄積、転送制御サイクルに要する時間を短縮することができ、すべての焦点検出エリアにおける撮影レンズの焦点調節状態を速く検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
《発明の第１の実施の形態》
図１は第１の実施の形態の構成を示す図である。第１の実施の形態のイメージセンサーは、水平方向に平行な２列の焦点検出エリアと、垂直方向に平行な２列の焦点検出エリアが十字型に交差した焦点検出装置に用いられるイメージセンサーである。なお、水平方向の２列の焦点検出エリアと垂直方向の２列の焦点検出エリアの長さは同一である。このイメージセンサー上には、水平方向に平行な２列の焦点検出エリアに対応する２対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）、（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）と、垂直方向に平行な２列の焦点検出エリアに対応する２対の光電変換素子列（ＳＶ１Ａ，ＳＶ１Ｂ）、（ＳＶ２Ａ，ＳＶ２Ｂ）とが十字型に交差して配置される。なお、水平方向と垂直方向の合計８本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＶ２Ｂの光電変換素子の数はすべて同一である。
【０００８】
水平方向の光電変換素子列ＳＨ１Ａ、ＳＨ１Ｂ、ＳＨ２Ａ、ＳＨ２Ｂにはそれぞれ、各光電変換素子列に沿って電荷転送素子列（レジスター）ＲＨ１Ａ、ＲＨ１Ｂ、ＲＨ２Ａ、ＲＨ２Ｂが設けられる。これらの４本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂの電荷転送素子の数はすべて同一であり、また対向する４本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ２Ｂの光電変換素子の数と同一である。
【０００９】
なお、電荷転送素子列は複数の電荷転送素子を直列に連結したものであり、各電荷転送素子のピッチは同一であるから、電荷転送素子列を構成する電荷転送素子の数が同じであれば電荷転送素子列の長さも同じである。したがって、水平方向の４本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂの長さなすべて同一である。
【００１０】
一方、垂直方向の一方の対の光電変換素子列（ＳＶ１Ａ，ＳＶ１Ｂ）には、これらの光電変換素子列に沿って１本の電荷転送素子列ＲＶ１が設けられる。また、垂直方向の他方の対の光電変換素子列（ＳＶ２Ａ、ＳＶ２Ｂ）には、これらの光電変換素子列に沿って１本の電荷転送素子列ＲＶ２が設けられる。垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２の電荷転送素子数は同一であり、したがって電荷転送素子列ＲＶ１とＲＶ２の長さも同一である。
【００１１】
ところで、垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２は、水平方向の２対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）、（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）と２対の電荷転送素子列（ＲＨ１Ａ，ＲＨ１Ｂ）、（ＲＨ２Ａ，ＲＨ２Ｂ）の中央を貫通して設置されているので、垂直方向の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２の電荷転送素子の数は、垂直方向の光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ２Ｂの光電変換素子の数よりも多い。
これら垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２において、垂直方向の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂと対向しない部分（以下、非対向部という）も、光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂと同じピッチの電荷転送素子が並べられている。光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂに蓄積した電荷を転送するときに、上記非対向部においても電荷転送素子ごとに電荷の受け渡しが行われる。
【００１２】
この明細書では、電荷転送素子列上の光電変換素子列と対向しない部分（非対向部）において、蓄積電荷転送時に電荷転送素子ごとに電荷の受け渡しを行うことを“空打ち”という。この非対向部における空打ちがあると、その分だけ蓄積電荷の転送時間が長くなるというデメリットがある反面、２本の電荷転送素子列を直列に連結することによって蓄積電荷の出力回路を１個にまとめることができるので、回路規模を小さくできるというメリットがある。
【００１３】
制御回路ＴＣ１〜ＴＣ３はイメージセンサーにおける電荷の蓄積と転送を制御する。制御回路ＴＣ１は、垂直方向の一方の対の光電変換素子列（ＳＶ１Ａ，ＳＶ１Ｂ）における電荷蓄積と、電荷転送素子列ＲＶ１における電荷転送を制御する。制御回路ＴＣ２は、水平方向の２対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）、（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）における電荷蓄積と、４本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂにおける電荷転送を制御する。制御回路ＴＣ３は、垂直方向の他方の対の光電変換素子列（ＳＶ２Ａ，ＳＶ２Ｂ）における電荷蓄積と、電荷転送素子列ＲＶ２における電荷転送を制御する。
【００１４】
出力回路ＯＰは、水平方向の４本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂと垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２から転送されてくる光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ２Ｂ、ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂの蓄積電荷を選択的に外部回路へ出力する。
【００１５】
この第１の実施の形態では、水平方向の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂは、垂直方向の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２よりも電荷転送素子の数が少なく、電荷転送素子列の長さが短いので、これらの短い電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂで蓄積電荷を転送する水平方向の２対、４本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ、ＳＨ１Ｂ、ＳＨ２Ａ、ＳＨ２Ｂの電荷蓄積制御を１個の制御回路ＴＣ２により共通して行う。すなわち、これら４本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ、ＳＨ１Ｂ、ＳＨ２Ａ、ＳＨ２Ｂにおいて、同時に電荷蓄積を開始して同時に電荷蓄積を終了する。
【００１６】
これにより、従来のように４本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ、ＳＨ１Ｂ、ＳＨ２Ａ、ＳＨ２Ｂにそれぞれ個別の電荷蓄積制御回路を設けて電荷蓄積を制御するのに比べ、１個の共通の電荷蓄積制御回路ＴＣ２で共通に電荷蓄積制御を行うため、イメージセンサーの回路規模が小さくなって小型にすることができ、コストを低減できる。また、イメージセンサー全体の１回の電荷蓄積、転送制御サイクルに要する時間を短縮することができる。
さらに、短い電荷転送素子列に対向する４本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ、ＳＨ１Ｂ、ＳＨ２Ａ、ＳＨ２Ｂを共通の電荷蓄積制御回路ＴＣ２で電荷蓄積制御を同時に行うことによって、４本の光電変換素子列のいずれかで電荷蓄積レベルが所望のレベルまで達せず、イメージセンサーの蓄積と転送制御をやり直す場合でも、電荷転送素子列の長さが短い分だけ蓄積と転送に要する制御サイクル時間が短くなり、すべての焦点検出エリアにおける撮影レンズの焦点調節状態を速く検出することができる。
【００１７】
《発明の第２の実施の形態》
図２は第２の実施の形態の構成を示す図である。第２の実施の形態のイメージセンサーは、水平方向に平行な２列の焦点検出エリアと、垂直方向に平行な２列の焦点検出エリアが十字型に交差した焦点検出装置に用いられるイメージセンサーである。なお、水平方向の２列の焦点検出エリアは垂直方向の２列の焦点検出エリアよりも長い。このイメージセンサー上には、水平方向に平行な２列の焦点検出エリアに対向する２対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）、（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）と、垂直方向に平行な２列の焦点検出エリアに対向する２対の光電変換素子列（ＳＶ１Ａ，ＳＶ１Ｂ）、（ＳＶ２Ａ，ＳＶ２Ｂ）とが十字型に交差して配置される。なお、水平方向の２列の焦点検出エリアは垂直方向の２列の焦点検出エリアよりも長いので、水平方向の４本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ２Ｂは、垂直方向の４本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂにくらべて光電変換素子の数が多い。
【００１８】
水平方向の光電変換素子列ＳＨ１Ａ、ＳＨ１Ｂ、ＳＨ２Ａ、ＳＨ２Ｂにはそれぞれ、各光電変換素子列に沿って電荷転送素子列ＲＨ１Ａ、ＲＨ１Ｂ、ＲＨ２Ａ、ＲＨ２Ｂが設けられる。これらの４本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂの電荷転送素子の数はすべて同一であり、また対向する４本の光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ２Ｂの光電変換素子の数と同一である。したがって、４本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂの長さはすべて同一である。
【００１９】
一方、垂直方向の一方の対の光電変換素子列（ＳＶ１Ａ，ＳＶ１Ｂ）には、これらの１対の光電変換素子列に沿って１本の電荷転送素子列ＲＶ１が設けられる。また、垂直方向の他方の対の光電変換素子列（ＳＶ２Ａ、ＳＶ２Ｂ）には、これらの１対の光電変換素子列に沿って１本の電荷転送素子列ＲＶ２が設けられる。垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２の電荷転送素子の数は同一であり、したがって２本の電荷転送素子列ＲＶ１とＲＶ２の長さも同一である。
【００２０】
ところで、垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２は、水平方向の２対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）、（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）と２対の電荷転送素子列（ＲＨ１Ａ，ＲＨ１Ｂ）、（ＲＨ２Ａ，ＲＨ２Ｂ）の中央を貫通して設置されている。これら垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２において、垂直方向の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂと対向しない部分（非対向部）も、光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂと同じピッチの電荷転送素子が並べられている。光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂに蓄積した電荷を転送するときに、上記非対向部においても電荷転送素子ごとに電荷の受け渡しが行われる。
【００２１】
この第２の実施の形態のイメージセンサーにおいて、垂直方向の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２は水平方向の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂよりも電荷転送素子の数が少なく、したがって垂直方向の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２は水平方向の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂよりも長さが短い。すなわち、垂直方向の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂの電荷転送経路長は、水平方向の光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ２Ｂの電荷転送経路長よりも短い。
【００２２】
制御回路ＴＣ１〜ＴＣ３はイメージセンサーにおける電荷の蓄積と転送を制御する。制御回路ＴＣ１は、垂直方向の２対の光電変換素子列（ＳＶ１Ａ，ＳＶ１Ｂ）、（ＳＶ２Ａ，ＳＶ２Ｂ）における電荷蓄積と、２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２における電荷転送を制御する。制御回路ＴＣ２は、水平方向の一方の対の光電変換素子列（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）における電荷蓄積と、２本の電荷転送素子列ＲＨ２Ａ、ＲＨ２Ｂにおける電荷転送を制御する。制御回路ＴＣ３は、水平方向の他方の対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）における電荷蓄積と、２本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ、ＲＨ１Ｂにおける電荷転送を制御する。
【００２３】
出力回路ＯＰは、水平方向の４本の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂと垂直方向の２本の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２から転送されてくる光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ２Ｂ、ＳＶ１Ａ〜ＳＶ２Ｂの蓄積電荷を選択的に外部回路へ出力する。
【００２４】
この第２の実施の形態では、垂直方向の電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２は水平方向の電荷転送素子列ＲＨ１Ａ〜ＲＨ２Ｂよりも長さが短いので、短い電荷転送素子列ＲＶ１、ＲＶ２で蓄積電荷を転送する垂直方向の２対、４本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ、ＳＶ１Ｂ、ＳＶ２Ａ、ＳＶ２Ｂの電荷蓄積制御を１個の制御回路ＴＣ１により共通に制御する。すなわち、これら４本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ、ＳＶ１Ｂ、ＳＶ２Ａ、ＳＶ２Ｂにおいて、同時に電荷蓄積を開始して同時に電荷蓄積を終了する。
【００２５】
これにより、従来のように４本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ、ＳＶ１Ｂ、ＳＶ２Ａ、ＳＶ２Ｂにそれぞれ個別の電荷蓄積制御回路を設けて電荷蓄積を制御するのに比べ、１個の共通の電荷蓄積制御回路ＴＣ１で同時に電荷蓄積制御を行うため、イメージセンサーの回路規模が小さくなって小型にすることができ、コストを低減できる。また、イメージセンサー全体の１回の電荷蓄積、転送制御サイクルに要する時間を短縮することができる。
さらに、短い電荷転送素子列に対向する４本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ、ＳＶ１Ｂ、ＳＶ２Ａ、ＳＶ２Ｂを共通の電荷蓄積制御回路ＴＣ１で電荷蓄積制御を同時に行うことによって、４本の光電変換素子列のいずれかで電荷蓄積レベルが所望のレベルまで達せず、イメージセンサーの蓄積と転送制御をやり直す場合でも、電荷転送素子列の長さが短い分だけ蓄積と転送に要する制御サイクル時間が短くなり、すべての焦点検出エリアにおける撮影レンズの焦点調節状態を速く検出することができる。
【００２６】
《発明の第３の実施の形態》
図３は第３の実施の形態の焦点検出エリアの配置例を示す。この第３の実施の形態の焦点検出装置では、撮影画面の中央に、水平方向に平行な３本の焦点検出エリアＨ１〜Ｈ３と、垂直方向に平行な３本の焦点検出エリアＶ１〜Ｖ３とが互いに交差するように配置されている。
【００２７】
図４は、図３に示す焦点検出装置に用いられるイメージセンサーを示す。このイメージセンサーには、水平方向に平行な３本の焦点検出エリアＨ１〜Ｈ３に対応する３対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）、（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）、（ＳＨ３Ａ，ＳＨ３Ｂ）と、それらの各対の光電変換素子列ＳＨ１Ａ〜ＳＨ３Ｂからそれぞれ蓄積電荷を転送するための３本の電荷転送素子列ＲＨ１、ＲＨ２、ＲＨ３と、垂直方向に平行な３本の焦点検出エリアＶ１〜Ｖ３に対応する３対の光電変換素子列（ＳＶ１Ａ，ＳＶ１Ｂ）、（ＳＶ２Ａ，ＳＶ２Ｂ）、（ＳＶ３Ａ，ＳＶ３Ｂ）と、それらの各対の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ３Ｂからそれぞれ蓄積電荷を転送するための６本の電荷転送素子列ＲＶ１Ａ、ＲＶ１Ｂ、ＲＶ２Ａ、ＲＶ２Ｂ、ＲＶ３Ａ、ＲＶ３Ｂとを備えている。
【００２８】
すべての光電変換素子列の光電変換素子数は同一である。水平方向の電荷転送素子列ＲＨ１〜ＲＨ３は、垂直方向の３対の光電変換素子列（ＳＨ１Ａ，ＳＨ１Ｂ）、（ＳＨ２Ａ，ＳＨ２Ｂ）、（ＳＨ３Ａ，ＳＨ３Ｂ）と３対６本の電荷転送素子列（ＲＶ１Ａ，ＲＶ１Ｂ）、（ＲＶ２Ａ，ＲＶ２Ｂ）、（ＲＶ３Ａ，ＲＶ３Ｂ）の中央を貫通して設けられる。したがって、垂直方向の電荷転送素子列ＲＶ１Ａ〜ＲＶ３Ｂは水平方向の電荷転送素子列ＳＨ１〜ＳＨ３よりも短い。
【００２９】
この第３の実施の形態では、垂直方向の電荷転送素子列ＲＶ１Ａ〜ＲＶ３Ｂは水平方向の電荷転送素子列ＲＨ１〜ＲＨ３よりも長さが短いので、短い電荷転送素子列ＲＶ１Ａ〜ＲＶ３Ｂで蓄積電荷を転送する垂直方向の３対、６本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ３Ｂの電荷蓄積制御を１個の制御回路（不図示）により共通に制御する。すなわち、これら６本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ３Ｂにおいて、同時に電荷蓄積を開始して同時に電荷蓄積を終了する。
【００３０】
これにより、従来のように６本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ３Ｂにそれぞれ個別の電荷蓄積制御回路を設けて電荷蓄積を制御するのに比べ、１個の共通の電荷蓄積制御回路で同時に電荷蓄積制御を行うため、イメージセンサーの回路規模が小さくなって小型にすることができ、コストを低減できる。また、イメージセンサー全体の１回の電荷蓄積、転送制御サイクルに要する時間を短縮することができる。
さらに、短い電荷転送素子列に対向する６本の光電変換素子列ＳＶ１Ａ〜ＳＶ３Ｂを共通の電荷蓄積制御回路で電荷蓄積制御を同時に行うことによって、４本の光電変換素子列のいずれかで電荷蓄積レベルが所望のレベルまで達せず、イメージセンサーの蓄積と転送制御をやり直す場合でも、電荷転送素子列の長さが短い分だけ蓄積と転送に要する制御サイクル時間が短くなり、すべての焦点検出エリアにおける撮影レンズの焦点調節状態を速く検出することができる。
【００３１】
なお、焦点検出エリア、光電変換素子列および電荷転送素子列の個数と配置については上述した一実施の形態の個数と配置に限定されるものではない。
【００３２】
このように一実施の形態によれば、撮影レンズの撮影画面内に複数の焦点検出エリアを有し、各焦点検出エリアにおいて撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出装置に用いられるイメージセンサーであって、各焦点検出エリアに対応して設けられる複数の光電変換素子列と、各光電変換素子列に対応して設けられ、各光電変換素子列の蓄積電荷を転送する電荷転送素子列と、光電変換素子列の電荷蓄積制御を行う蓄積制御回路とを備え、蓄積制御回路によって、電荷転送素子列の長さに応じて複数の光電変換素子列をグループ化し、電荷転送素子列の短いグループに含まれるすべての光電変換素子列に対する電荷蓄積制御を共通化したので、イメージセンサーの回路規模が小さくなって小型にすることができ、コストを低減できる。また、イメージセンサー全体の１回の電荷蓄積、転送制御サイクルに要する時間を短縮することができ、すべての焦点検出エリアにおける撮影レンズの焦点調節状態を速く検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施の形態のイメージセンサーを示す図である。
【図２】第２の実施の形態のイメージセンサーを示す図である。
【図３】第３の実施の形態の焦点検出装置の焦点検出エリアを示す図である。
【図４】第３の実施の形態のイメージセンサーを示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
ＳＨ１Ａ、ＳＨ１Ｂ、ＳＨ２Ａ、ＳＨ２Ｂ、ＳＨ３Ａ、ＳＨ３Ｂ、ＳＶ１Ａ、ＳＶ１Ｂ、ＳＶ２Ａ、ＳＶ２Ｂ、ＳＶ３Ａ、ＳＶ３Ｂ・・・光電変換素子列
ＲＨ１Ａ、ＲＨ１Ｂ、ＲＨ２Ａ、ＲＨ２Ｂ、ＲＨ３Ａ、ＲＨ３Ｂ、ＲＶ１、ＲＶ２、ＲＶ１Ａ、ＲＶ１Ｂ、ＲＶ２Ａ、ＲＶ２Ｂ、ＲＶ３Ａ、ＲＶ３Ｂ・・・電荷転送素子列
ＴＣ１〜ＴＣ３  電荷蓄積制御回路
ＯＰ  出力回路
【図１】
2006106317.tif 000003
【図２】
2006106317.tif 000004
【図３】
2006106317.tif 000005
【図４】
2006106317.tif 000006