(57)【要約】【課題】半導体装置の生産性の向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】保護膜４上に、突起体５を形成する感光性樹脂としてのアクリル樹脂を塗布して樹脂層を形成する。該樹脂層上に、開口部を有するマスクを所定位置に位置決めして配置し、さらに、マスク上に紫外線を照射することで、開口部に露出されている樹脂層の部分を露光させる。樹脂が紫外線硬化されることにより、上面が平面である円柱形状の突起体５ｂが形成される。次に、突起体５ｂに赤外線１１を照射し、突起体５ｂを加熱して、突起体５ｂを形成するアクリル樹脂を融解させる。融解したアクリル樹脂には表面張力が生じるため、平面であった突起体５ｂの上面は、滑らかな曲面に変形する。従って、突起体５ｂから、略半球形状の突起体５が形成される。【選択図】図３
2006303420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、
前記電極よりも突出し、樹脂により形成される凸部と、
前記電極に電気的に接続され、前記凸部の上面に至る導電層とを有する半導体装置の製造方法において、
前記凸部は、前記樹脂を融解させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凸部の断面は半円状の形状をなしていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は、感光性樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は、アクリル樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は、放射熱の加熱によって融解させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極を跨るように前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電層を形成し、前記導電層の各々と、対応する前記電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板上に電極を形成することと、
該電極を覆う保護膜を形成することと、
該保護膜上に樹脂製の突起体を形成することと、
該突起体を融解させて滑らかな曲面を有する凸部を形成することと、
前記凸部を覆い且つ前記電極に電気的に接続される導電層を形成することと、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体装置を、加熱加圧処理を施すことにより接合材を介して実装基板に実装する半導体装置の実装方法であって、前記半導体装置は、電極と、前記電極よりも突出した第１の樹脂により形成される凸部と、前記電極に電気的に接続されるとともに前記凸部の上面を被覆する導電層とを備え、前記接合材は第２の樹脂により形成される半導体装置の実装方法において、
前記第1の樹脂のガラス転移温度は、前記第２の樹脂の硬化温度よりも高いことを特徴
とする半導体装置の実装方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の実装方法において、
前記凸部の断面は半円状の形状をなしていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の半導体装置の実装方法において、
前記第１の樹脂はガラス転移温度が２７０℃以上であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記第１の樹脂はフェノール樹脂又はポリイミド樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか１つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記第２の樹脂はエポキシ樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれか1つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極を跨るように前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電層を形成し、前記導電層の各々と、対応する前記電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれか１つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記接合材が非導電性接合材であることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項１５】
半導体装置を実装基板に実装する方法であって、該方法は、
電極を有する半導体装置に、前記電極よりも突出する凸部を第１の樹脂により形成することと、
前記電極に電気的に接続されると共に前記凸部を被覆する導電層を形成することと、
前記第１の樹脂のガラス転移温度よりも低い硬化温度を有する第２の樹脂で形成される接合材を準備することと、
前記接合材を前記半導体装置と前記実装基板との間に配置した状態で、前記接合材、前記半導体装置、及び前記実装基板に加熱加圧処理を施すことと
を備える半導体装置の実装方法。
【請求項１６】
半導体装置を、加熱加圧処理を施すことにより接合材を介して実装基板に実装した半導体装置の実装構造であって、前記半導体装置は、電極と、前記電極よりも突出した第１の樹脂により形成される凸部と、前記電極に電気的に接続されるとともに前記凸部の上面を被覆する導電層とを備え、前記接合材は第２の樹脂により形成される半導体装置の実装構造において、
前記第1の樹脂のガラス転移温度は、前記第２の樹脂の硬化温度よりも高いことを特徴
とする半導体装置の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装方法及び実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、表示体装置の基板上に駆動用ＩＣを実装するための接続方法として、ＣＯＧ（Chip On Glass）接続が知られている。このＣＯＧ接続では、例えば、電極としてのＡ
ｕメッキバンプ（以下、単にバンプという）を駆動用ＩＣに形成する。そして、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）といった導電性のある接合材を使用して、駆動用ＩＣに形成されたバンプを表示体装置の基板上に形成された端子電極に電気的に接続することにより、駆動用ＩＣを基板上に実装する方法が採用されている。
【０００３】
ところが、近年、電極の微細化（電極間の狭ピッチ化）が進展するのに伴って、電極間の寸法が異方性導電膜（ＡＣＦ）等に含まれる導電微粒子の寸法に近づいてしまい、その結果、該電極間に導電微粒子が入り込んでショートを引き起こす問題が生じている。
【０００４】
一方、前記したショートを回避するために、導電微粒子を含まない接合材（例えば、非導電性ペースト（ＮＣＰ））を使用して基板上に駆動用ＩＣを実装すると、駆動用ＩＣのバンプと基板上の端子電極との接触機会が低下してしまい、その結果、導通不良による接続信頼性の低下が生じるおそれがある。
【０００５】
そこで、この接続信頼性の低下を回避するため、突起電極（特許文献１）を使用することが考えられる。詳しくは、駆動用ＩＣを基板上に実装する際には、樹脂により形成された突起体に駆動用ＩＣの電極から延びる配線を設けた突起電極が、基板上に形成された端子電極に接触する。この時、突起電極の先端部分は、端子電極に押し付けられるため、潰されて変形する。これによって、突起電極と端子電極とが互いに接触する面積が増大し、駆動用ＩＣの突起電極と基板上の電極端子との導通が安定的に確保される。従って、導電微粒子を含まない接合材を使用した場合であっても、駆動用ＩＣのバンプと基板上の端子電極との間の接触信頼性の低下が回避される。
【特許文献１】特開平１−１３７３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記した突起電極では、突起体を形成する感光性絶縁樹脂を紫外線等によって露光して硬化させることにより、突起体の形状制御を行う。しかしながら、紫外線等の露光によって感光性絶縁樹脂を硬化させて突起体の形状制御を行うと、露光ランプの劣化等によって露光条件が変化し、形状の制御が困難になる。これにより、半導体装置の生産性が低下する問題が生じる。
【０００７】
また、上記した突起電極の芯部を形成する樹脂にシリコーン等の弾性率の低い樹脂を使用すると、実装時の加圧処理の条件によっては、突起電極の芯部を形成する樹脂が必要以上に大きく変形してしまい、突起電極の配線が断線してしまうことが考えられる。この場合にも、駆動用ＩＣの突起電極と基板上の端子電極との間の接続信頼性が低下する問題が生じてしまう。また、接合材には、生産性を向上するために、硬化温度を上げて硬化時間を短縮するような接続材が採用される傾向がある。よって、高温の実装条件でも確実に接続が確保される突起電極の構造が必要とされている。
【０００８】
本発明の目的は、半導体装置の生産性の向上を図る半導体装置の製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置の実装方法及び実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法では、電極と、前記電極よりも突出し、樹脂により形成される凸部と、前記電極に電気的に接続され、前記凸部の上面に至る導電層と、を有する半導体装置を製造する。このような半導体装置の製造方法において、前記凸部は、前記樹脂を融解させて形成される。
【００１０】
本発明の半導体製造装置の製造方法によれば、凸部を形成する樹脂を融解させて、凸部の形状を形成する。このため、光の露光によっては凸部の形状は制御されない。即ち、紫外線等の露光条件によって凸部の形状制御が左右されることはないため、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００１１】
この半導体製造装置の製造方法では、前記凸部の断面は半円状の形状をなしている。この半導体製造方法の製造方法によれば、凸部を形成する樹脂を十分に融解させることにより、融解した樹脂に表面張力を生じさせて、凸部の断面が半円状となるように形成させている。これにより、紫外線等の露光条件によって凸部の形状の制御が左右されることがないため、確実に半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００１２】
この半導体装置の製造方法では、前記樹脂は、感光性樹脂である。この半導体装置の製造方法によれば、凸部を形成する樹脂に感光性樹脂を使用している。このため、樹脂を融解させて凸部の形状の制御を行う前に、露光処理によって、溶融前の樹脂の形状を制御することができる。従って、より細密な凸部の形状を形成することができる上に、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００１３】
この半導体装置の製造方法では、前記樹脂にアクリル樹脂を用いた。この半導体装置の製造方法によれば、凸部を形成する樹脂にアクリル樹脂を用いることができる。即ち、アクリル樹脂を融解して凸部の形状を形成させるので、紫外線等の露光条件によっては凸部の形状制御は左右されない。従って、確実に半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００１４】
この半導体装置の製造方法では、前記樹脂を、放射熱の加熱によって融解させる。この半導体装置の製造方法によれば、放射熱によって樹脂を加熱させるので、効率よく樹脂を融解させることができる。即ち、局部的に樹脂を加熱させることができるため、容易に樹脂を融解させることができる。従って、紫外線等の露光条件によって凸部の形状制御が左右されることはなく、容易に半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００１５】
この半導体装置の製造方法では、前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極を跨るように前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電層を被覆し、前記導電層の各々と、対応する前記電極とを電気的に接続する。
【００１６】
この半導体装置の製造方法によれば、凸部を個々の電極に対して独立して成形する必要がなく、製造時間の短縮化を図ることができる上に、紫外線等の露光条件によって凸部の形状の制御が左右されることがないため、一層、半導体装置の生産性の向上を図ることができる。
【００１７】
また、本発明は、基板上に電極を形成することと、該電極を覆う保護膜を形成することと、該保護膜上に樹脂製の突起体を形成することと、該突起体を融解させて滑らかな曲面を有する凸部を形成することと、前記凸部を覆い且つ前記電極に電気的に接続される導電層を形成することとを備える半導体装置の製造方法を提供する。
【００１８】
また、本発明の半導体装置の実装方法では、半導体装置を、加熱加圧処理を施すことにより接合材を介して実装基板に実装する。半導体装置は、電極と、前記電極よりも突出した第１の樹脂により形成される凸部と、前記電極に電気的に接続されるとともに前記凸部の上面を被覆する導電層とを備える。接合材は第２の樹脂により形成される。このような半導体装置の実装方法において、前記第１の樹脂のガラス転移温度は、前記第２の樹脂の硬化温度よりも高い。
【００１９】
本発明の半導体装置の実装方法によれば、接合材を形成する第２の樹脂の硬化温度が、凸部を形成する第１の樹脂のガラス転移温度よりも低いため、半導体装置の実装時の加熱加圧処理を第１の樹脂のガラス転移温度以下で行うことができる。これにより、凸部を形成する第１の樹脂は、半導体装置を実装基板に実装する温度下で高い弾性率を保つことができる。従って、第１の樹脂によって形成された凸部が実装時に必要以上に大きく変形することが防止され、導電層が断線するのが抑制される。即ち、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２０】
この半導体装置の実装方法では、前記凸部の断面は半円状の形状をなしている。この半導体装置の実装方法によれば、凸部の断面は半円状の形状をなしているため、実装時の加熱加圧処理によって、凸部の頂点部に加圧の負荷が集中的に荷重される。これにより、実装する温度下で、凸部を形成する第１の樹脂の弾性率が高い状態に保たれていても、凸部の頂点部に集中的に加圧の負荷がかかるため、頂点部の樹脂を変形させることができる。従って、半導体装置の電極と実装基板上の電極との互いに接触する面積を増大させることができるため、より確実に、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２１】
この半導体装置の実装方法では、前記第１の樹脂はガラス転移温度が２７０℃以上である。この半導体装置の実装方法によれば、凸部を形成する第１の樹脂のガラス転移温度が２７０℃以上であるため、接合材を形成する第２の樹脂の硬化温度を２７０℃以下とすることができる。これにより、接合材には、硬化温度が２５０℃以上の汎用的な接合材を使用することができる。従って、生産性を低下させることなく、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２２】
この半導体装置の実装方法では、前記第１の樹脂としてフェノール樹脂又はポリイミド樹脂を用いた。この半導体装置の実装方法によれば、凸部を形成する第１の樹脂として、ガラス転移温度の高いフェノール樹脂又はポリイミド樹脂を用いたため、接合材が硬化する温度であっても、第１の樹脂は高い弾性率を維持することができる。これにより、実装時に凸部が必要以上に大きく変形することを防止でき、導電層が断線するのを抑制することができる。従って、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２３】
この半導体装置の実装方法では、前記第２の樹脂としてエポキシ樹脂を用いた。この半導体装置の実装方法によれば、接合材を形成する第２の樹脂として、硬化温度の低いエポキシ樹脂を用いたため、凸部を形成する第１の樹脂の弾性率が実装時に低下して凸部が大きく変形することなく、接合材を硬化させることができる。従って、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２４】
この半導体装置の実装方法では、前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極を跨るように前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電層を被覆し、前記導電層の各々と、対応する前記電極とを互いに電気的に接続する。
【００２５】
この半導体装置の実装方法によれば、凸部を個々の電極に対して独立して成形する必要がなく、製造時間の短縮化を図ることができる上に、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２６】
この半導体装置の実装方法では、前記接合材は非導電性接合材である。この半導体装置の実装方法によれば、導電微粒子を含んだ接合材を使用することなく、低コストな非導電性接合材を使用して、半導体装置を実装基板に実装することができる。従って、生産性を低下させることなく、半導体装置の電極と実装基板の電極とを電気的に接続することができ、接続信頼性の向上を図ることができる。
【００２７】
また、本発明は、半導体装置を実装基板に実装する方法を提供する。該実装方法では、電極を有する半導体装置に、前記電極よりも突出する凸部を第１の樹脂により形成する。電極に電気的に接続されると共に凸部を被覆する導電層が形成される。第１の樹脂のガラス転移温度よりも低い硬化温度を有する第２の樹脂で形成される接合材が準備される。接合材を半導体装置と実装基板との間に配置した状態で、接合材、半導体装置、及び実装基板に加熱加圧処理が施される。
【００２８】
本発明の半導体装置の実装構造では、半導体装置は、加熱加圧処理を施すことにより接合材を介して実装基板に実装されている。半導体装置は、電極と、前記電極よりも突出した第１の樹脂により形成される凸部と、前記電極に電気的に接続されるとともに前記凸部の上面を被覆する導電層とを備える。接合材は第２の樹脂により形成される。このような半導体装置の実装構造において、前記第1の樹脂のガラス転移温度は、前記第２の樹脂の硬化温度よりも高い。
【００２９】
本発明の半導体装置の実装構造によれば、実装時の加熱加圧処理を第１の樹脂のガラス転移温度以下で行うことができる。これにより、凸部を形成する第１の樹脂は、半導体装置を基板に実装する時に高い弾性率を保つことができる。即ち、第１の樹脂によって形成された凸部が実装時に必要以上に大きく変形することが防止され、導電層が断線するのが抑制される。従って、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
まず、本発明に係る半導体装置１について説明する。図１（ａ）は液晶表示装置の半導体装置１の要部平面図である。また、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図であって、図１（ｃ）は図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【００３１】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、半導体装置１では、半導体基板２上に複数の電極３が形成されている。各電極３は、電気信号の入出力を行うための電極であり、電極パット３ａと該電極パット３ａに接続された配線３ｂとを含む。本実施形態では、複数の電極３が、半導体基板２の端縁近傍に所定のピッチで形成されており、各電極３の素材はアルミニウムである。
【００３２】
また、これら電極３は保護膜４によって被覆されている。各電極３の一部である電極パット３ａは、それぞれ対応するように保護膜４に形成された開口部４ａを通じて外部に露出されている。本実施形態においては、保護膜４は、酸化珪素による絶縁膜によって形成されている。
【００３３】
そして、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、半導体基板２上に形成された保護膜４の上面には、凸部としての略半球状の複数の突起体５がそれぞれ電極３上に形成されている。突起体５の頂点部は、電極３の上面よりも高くなっている。これら突起体５は、電極３と略同じピッチで配置されている。本実施形態では、突起体５は感光性樹脂によって形成されている。該感光性樹脂にはアクリル樹脂を使用している。
【００３４】
さらに、図１（ｃ）に示すように、保護膜４上には、突起体５及び電極３の組みをそれぞれ覆うように、複数の導電層６が形成されている。各導電層６は、対応する開口部４ａを通じて、対応する電極３の電極パット３ａに電気的に接続されている。このように、各突起体５と、対応する突起体５の上面全体を覆うように形成された導電層６とによって、突起電極８が構成される。本実施形態では、これら導電層６は金によって形成されており、突起体５の底面の寸法（Ｒ）と略等しくなるようにパターニングされている。以上のように半導体装置１は、電極３に電気的に接続された複数の突起電極８を半導体基板２上に有する。
【００３５】
次に、本発明の半導体装置１の製造方法について、図２〜図４に従って説明する。図２〜図４は、本発明の半導体装置１の製造方法を順を追って示す断面図、即ち、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図に対応する断面図である。
【００３６】
先ず、図２（ａ）に示すように、半導体基板２上の所定の位置に電極３をアルミニウムにより形成する。さらに、電極３の電極パット３ａを露出させる開口部４ａを有する保護膜４で、電極３（配線３ｂ）を被覆する。詳しくは、まず、電極３を含む半導体基板２上に酸化珪素層を成膜する。次に、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等により、酸化珪素層上に図示しないレジスト層を形成させる。そして、所定のパターンが形成されたマスクを用い、レジスト層に露光処理及び現像処理（フォトリソグラフィー処理）を施す。その後、このように所定の形状にパターニングしたレジストパターンをマスクとして、上記成膜した酸化珪素層のエッチングを行う。このエッチング処理によって、電極３の電極パット３ａを露出させる開口部４ａを有する保護膜４が形成される。そして、開口部４ａが形成された後、前記したレジストパターンは剥離液等を用いて除去される。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、保護膜４上に突起体５を形成するための樹脂、即ち、ポジ型レジストとなる感光性樹脂としてのアクリル樹脂を塗布し、塗布したアクリル樹脂をプリベークすることによって樹脂層５ａを形成する。本実施形態では、アクリル樹脂に添加される光硬化剤（紫外線硬化剤）は、光硬化（紫外線硬化）したアクリル樹脂が加温によって再び融解できる程度の添加量に調整されている。
【００３８】
そして、図２（ｃ）に示すように、樹脂層５ａ上に、マスク９を所定位置に位置決めして配置する。本実施形態では、マスク９は、例えば、クロム等の遮光膜を形成したガラス板からなり、形成すべき略半球状の突起体５の平面形状に対応した円形の開口部９ａを有する。また、マスク９の位置決めは、マスク９の開口部９ａが突起体５の形成箇所に位置するように行う。
【００３９】
次いで、図示しない紫外線ランプから、マスク９上に紫外線１０を照射して、開口部９ａ内で露出されている樹脂層５ａを露光させる。詳しくは、樹脂層５ａの材質や厚さに応じて、標準的な露光量の紫外線１０を照射して、開口部９ａ内で露出した樹脂層５ａの部分を紫外線硬化させる。開口部９ａ内で露出した樹脂層５ａの部分以外の未露光部分（紫外線硬化されなかった樹脂層５ａの部分）は、現像処理により現像され、除去される。その結果、図２（ｄ）に示すように、樹脂層５ａから、上面が平面である円柱形状の突起体５ｂが得られる。
【００４０】
次に、図３（ａ）に示すように、図示しない赤外線ランプから、前記した突起体５ｂに赤外線１１を照射して、突起体５ｂを加熱させる。詳しくは、紫外線硬化されたアクリル樹脂からなる突起体５ｂに対して赤外線１１を照射することにより、該アクリル樹脂が融解するまで加熱する。この時、該アクリル樹脂は、添加された紫外線硬化剤の作用によって硬化されている一方、前述したように紫外線硬化剤の添加量が調整されたことにより高密度な架橋状態には至っていない。このため、突起体５ｂを形成するアクリル樹脂は、赤外線１１によって加熱されて融解する。これにより、融解したアクリル樹脂に表面張力が生じるため、平面であった突起体５ｂの上面形状は、滑らかな曲面に変形する。その結果、円柱形状の突起体５ｂは、略半球形状の突起体５となる（図３（ｂ）参照）。
【００４１】
そして、図３（ｃ）に示すように、保護膜４の開口部４ａに露出する電極３の部分（電極パット３ａ）及び突起体５の上面を含む半導体基板２の表面全面に、スパッタ法によって、金属からなる導電材料を成膜することにより、導電材料層６ａを形成する。本実施形態では、導電材料には金を使用しており、導電材料層６ａは突起体５の底面の寸法Ｒと略等しくなるようにパターニングされている。
【００４２】
次に、導電材料層６ａ上の全面にレジストをスピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等によって塗布し、レジスト膜を形成する。そして、導電材料層６ａの平面形状（平面パターン）に対応したマスクを用いて、レジスト層に露光処理及び現像処理を施して、所定の形状にパターニングする。これにより、図４（ａ）に示すように、導電層６のパターン形状に対応したレジストパターン１５が形成される。
【００４３】
さらに、レジストパターン１５によって覆われない導電材料層６ａの部分をエッチングにより除去する。これにより、図４（ｂ）に示すように、開口部４ａを含んで保護膜４上及び突起体５の上面全体を覆うようにして、電極３に電気的に接続される導電層６が形成される。そして、図４（ｃ）に示すように、剥離液等を使用して、レジストパターン１５を除去する。その結果、突起体５と、突起体５の上面全体を覆うようにして形成された導電層６と、によって突起電極８が形成される。以上により、紫外線１０等の露光条件に左右されることなく略半球形状の突起体５が形成される半導体装置１を得ることができる。
【００４４】
上記実施形態は以下の利点を有する。
（１）本実施形態では、アクリル樹脂を融解させることにより、突起体５を形成した。即ち、アクリル樹脂を融解させることで、その融解したアクリル樹脂に表面張力を生じさせ、断面が半円状となるような略半球形状の突起体５を形成した。従って、紫外線１０の露光条件によって突起体５の形状制御が左右されることがないため、半導体装置１の生産性の向上を図ることができる。
【００４５】
（２）本実施形態では、感光性樹脂としてのアクリル樹脂を使用して、突起体５を形成した。即ち、紫外線１０を露光させることにより、アクリル樹脂を紫外線硬化させて、上面が平面である円柱形状の突起体５ｂを形成した。従って、突起体５ｂを融解させることにより、容易に、略半球形状の突起体５を形成することができる。
【００４６】
（３）本実施形態によれば、アクリル樹脂を、赤外線１１によって加熱し、融解させた。融解したアクリル樹脂には表面張力が生じるため、略半球形状の突起体５が形成される。従って、紫外線１０の露光条件に左右されることなく突起体５が形成されるため、半導体装置１の生産性の向上を確実に図ることができる。
【００４７】
次に、前述した構成の半導体装置１を、実装基板としての配線基板２０にＣＯＧ実装する方法及び実装構造を図５〜図７に従って説明する。
上記説明では、突起体５を、感光性絶縁樹脂としてのアクリル樹脂により形成した。感光性絶縁樹脂で突起体５を形成した場合は、導電樹脂で形成した場合に比べてコストを抑えて突起体５を形成することができる。
【００４８】
しかし、アクリル樹脂に限らず、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、又はエポキシ樹脂等で突起体５を形成してもよい。以下では、フェノール樹脂で突起体５を形成した場合について説明する。フェノール樹脂は、ガラス転移温度が３００℃付近である第１の樹脂に相当する。
【００４９】
図５は、前述した半導体装置１を実装基板としての配線基板２０にＣＯＧ実装した部分を拡大した断面図である。図５に示すように、配線基板２０上には端子電極２２が形成されており、端子電極２２の上面には突起電極８が接続されている。端子電極２２は、半導体装置１に形成された突起電極８の配置に対応して形成されている。詳しくは、半導体装置１の突起電極８を配線基板２０の端子電極２２に接続する方法として、ＮＣＰ（N on Conductive Paste）方式を採用している。従って、ＮＣＰとしての接合材２５を間に挟んで、半導体装置１が配線基板２０に実装されることにより、突起電極８と端子電極２２は、互いに電気的に接続された状態のまま固定される。
【００５０】
次に、半導体装置１を配線基板２０に実装する方法について、図６（ａ）〜図６（ｂ）に従って説明する。
図６（ａ）に示すように、配線基板２０上には、配線基板２０に半導体装置１を実装するための接合材２５が塗布される。本実施形態では、接合材２５には、硬化温度が２７０℃付近であるエポキシ樹脂を使用している。図６（ｂ）に示すように、半導体装置１の突起電極８を配線基板２０の端子電極２２に対して位置合わせを行い、フリップチップボンダによって半導体基板２と配線基板２０とを加熱加圧する。これにより、半導体装置１は接合材２５を間に挟んで、図５に示すように、配線基板２０に実装される。
【００５１】
図７は、実装温度が２１０℃又は２７０℃の場合であって、加圧条件を５ｋｇｆ／ｃｍ２（０．４９ＭＰａ）又は１０ｋｇｆ／ｃｍ２（０．９８ＭＰａ）として半導体基板２と配線基板２０とを加熱加圧した場合に、突起電極８に含まれる導電層６の断線の有無を表した図である。本実施形態では、突起体５を構成する樹脂として、ガラス転移温度が２２０℃付近であるアクリル樹脂と、ガラス転移温度が３００℃付近であるフェノール樹脂とを、前記した実装温度及び加圧条件に対してそれぞれ使用した。
【００５２】
突起体５を形成する樹脂に、ガラス転移温度が２２０℃の樹脂（アクリル樹脂）を使用した場合、実装温度が２１０℃でも、ガラス転移温度付近となって弾性率の低下が開始する。よって、実装温度が２７０℃の場合のみならず、実装温度が２１０℃の場合でも、１０ｋｇｆ／ｃｍ２で半導体装置１を加圧した場合、突起体５の樹脂が大きく変形してしまう。その結果、突起電極８に含まれる導電層６は、突起体５の大きな変形に追随できずに断線してしまう。よって、半導体装置１を、５ｋｇｆ／ｃｍ２の低荷重で配線基板２０に実装しなければならない。
【００５３】
一方、本実施形態で示したように、突起体５を形成する樹脂に、ガラス転移温度が２７０℃以上の樹脂（フェノール樹脂）を使用した場合、同じ実装条件となるように実装温度が２１０℃や２７０℃の場合であっても、突起体５の弾性率は高いまま維持される。よって、突起体５の樹脂の変形は大きくなく、導電層６の断線は発生しない。
【００５４】
詳しくは、実装温度を２７０℃に設定し、突起電極８を端子電極２２に対して位置合わせを行って、フリップチップボンダにより半導体基板２と配線基板２０とを加熱加圧する。このとき、突起体５を形成するフェノール樹脂は、ガラス転移温度が３００℃付近であるため、フェノール樹脂の弾性率は低下せずに、高い弾性率の状態を維持している。従って、フリップチップボンダによる加圧に対して、ＮＣＰとしての接合材２５が硬化する時、即ち、実装温度が２７０℃となった時でも、フェノール樹脂からなる突起体５は必要以上に大きくは変形しない。つまり、略半球状に形成された突起体５の頂点部付近に加圧による負荷が集中的にかかるため、頂点部付近のフェノール樹脂だけが変形する。このため、導電層６が断線することはなく、半導体装置1の突起電極８と配線基板２０の端子電極２２との間の電気的な接続が確保される。従って、実装温度が２１０℃と２７０℃のいずれであっても、また、加圧条件が５ｋｇｆ／ｃｍ２及び１０ｋｇｆ／ｃｍ２のいずれの場合であっても、突起体５を形成するフェノール樹脂の弾性率は高い状態のまま維持されることになり、突起体５は大きく変形することがない。即ち、突起電極８の形状が大きく変化することはないため、突起電極８を構成する導電層６は断線しない。
【００５５】
エポキシ樹脂から構成される接合材２５を硬化させることにより、前述した突起電極８と端子電極２２との間の接続状態を固定、保持させる。以上の工程により、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０の端子電極２２との間の接続信頼性を保持しながら、半導体装置１を配線基板２０に実装することができる。
【００５６】
上記実施形態は、更に以下の利点を有する。
（１１）本実施形態では、接合材２５の硬化温度よりもガラス転移温度の高い樹脂を使用して突起体５を形成した。つまり、接合材２５を構成する樹脂には硬化温度が２５０℃であるエポキシ樹脂を使用し、突起体５を形成する樹脂にはガラス転移温度が３００℃付近であるフェノール樹脂を使用した。
【００５７】
これにより、半導体装置１の実装時の設定温度を、突起体５を形成するフェノール樹脂のガラス転移温度（３００℃付近）以下である２７０℃にすることができる。即ち、実装温度を２７０℃とすることで、実装時において突起体５の弾性率を高い弾性率に維持したまま、半導体装置１を配線基板２０に実装できる。従って、実装時に突起体５が必要以上に大きく変形することがなく、突起電極８に含まれる導電層６の断線を抑制することができる。このため、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０の端子電極２２との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００５８】
（１２）本実施形態によれば、突起体５は略半球状の形状をしている。これにより、半導体装置１の実装時の加熱加圧によって、突起体５の頂点部付近に圧力が集中的にかかる。つまり、突起体５を構成する樹脂全体は、半導体装置１の実装時に高い弾性率を維持していても、突起体５の頂点部付近に集中して荷重がかかることになり、突起体５の頂点部付近の樹脂だけを変形させることができる。従って、突起電極８と端子電極２２との接触面積を増加させることができるため、より確実に、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０の端子電極２２との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００５９】
（１３）本実施形態によれば、突起体５を形成する樹脂にフェノール樹脂を使用した。フェノール樹脂のガラス転移温度は３００℃付近であるため、硬化温度が２７０℃付近であるエポキシ樹脂によって構成される接合材２５が硬化する温度であっても、突起体５を形成するフェノール樹脂は高い弾性率を維持することができる。即ち、実装時に突起体５が必要以上に大きく変形することを防止でき、突起電極８を構成する導電層６が断線することを抑制することができる。従って、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０の端子電極２２との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００６０】
（１４）本実施形態によれば、接合材２５は、エポキシ樹脂から構成されるＮＣＰ（Non Conductive Paste）である。これにより、導電微粒子を含んだ接合材２５を使用することなく、低コストな非導電性接合材としての接合材２５を使用して、半導体装置１を配線基板２０に確実に実装することができる。従って、生産性を低下させることなく、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０の端子電極２２とを電気的に接続することができ、接続信頼性の向上を図ることができる。
【００６１】
なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態の図５〜図７では、突起体５を形成する樹脂には、ガラス転移温度が３００℃であるフェノール樹脂を使用した。しかし、突起体５を形成する樹脂としては、ガラス転移温度が２７０℃以上である樹脂を使用するのであれば他の樹脂を使用してもよい。この場合でも、接合材２５には、硬化温度が２５０℃以上である生産性のよい接合材２５を使用することができる。従って、生産性を低下させることなく、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０上の端子電極２２との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００６２】
○上記実施形態の図５〜図７では、突起体５を形成する樹脂にはフェノール樹脂を使用した。これに代えて、突起体５を形成する樹脂として、ガラス転移温度の高いポリイミド樹脂等を使用してもよい。これにより、突起体５を形成する樹脂は、実装時でも高い弾性率を維持することができる。即ち、実装時に突起体５が必要以上に大きく変形することを防止でき、導電層６が断線するのを抑制することができる。従って、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０上の端子電極２２との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００６３】
○上記実施形態では、マスク９の開口部９ａの形状を、略半球状の突起体５の平面形状に対応した円形とした。これに代えて、開口部９ａの形状は特に限定する必要はなく、例えば、四角形であってもよい。その結果、紫外線１０の露光処理によって、直方体状の突起体５ｂが形成される。この場合でも、突起体５ｂを融解させることにより、表面張力によって、半円状の断面形状を有する突起体５を形成することができる。
【００６４】
○上記実施形態では、マスク９に紫外線１０を照射することにより、開口部９ａ内で露出されている樹脂層５ａの部分を紫外線架橋させて突起体５ｂを形成した。これに代えて、マスク９上に電子線を照射することにより、開口部９ａ内で露出されている樹脂層５ａの部分を電子線架橋させて突起体５ｂを形成してもよい。
【００６５】
○上記実施形態では、赤外線１１によって突起体５ｂを融解させて略半球形状の突起体５を形成した。これに代えて、レーザ光等の他の手段に基づく放射熱によって突起体５ｂを加熱してもよい。特にレーザ光は局部的に加熱を行うことができるため、容易に突起体５ｂを加熱して融解させることができる。従って、より一段と半導体装置１の生産性の向上を図ることができる。
【００６６】
○上記実施形態では、半導体基板２上に形成される各々の電極３に対応させて突起体５を形成した。これに代えて、図８に示すように、複数の電極３を跨るように突起体５を形成して、該突起体５の上面に各々の電極３に対応した導電層６を形成し、組となる電極３と導電層６とを互いに電気的に接続させてもよい。これにより、複数の電極３それぞれに突起体５を形成する必要がなく、より一段と半導体装置１の製造時間の短縮化すなわち生産性の向上を図ることができる。更に、半導体装置１の突起電極８と配線基板２０上の端子電極２２との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
【００６７】
○上記実施形態では、保護膜４は酸化珪素により形成した。これに代えて、保護膜４は、窒化珪素、ポリイミド樹脂等によって形成してもよい。
○上記実施形態では、保護膜４の膜厚を限定しなかったが、例えば１μｍ程度に形成すればよい。
【００６８】
○上記実施形態では、導電層６は矩形形状にパターニングして形成した。これに代えて、導電層６の形状は特に限定する必要はなく、例えば、正方形形状にパターニングして形成してもよい。
【００６９】
○上記実施形態では、導電層６は金によって形成した。これに代えて、導電層６の素材には、例えば、銅、ニッケル、チタン、アルミニウム等、他の金属を使用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】図１（ａ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置の概略構成図。図１（ｂ）は図１（ａ）の半導体装置のＡ−Ａ線断面図。図１（ｃ）は図１（ａ）の半導体装置のＢ−Ｂ線断面図。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は図１の半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は引続き図１の半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は引続き図１の半導体装置の製造方法を説明するための断面図。
【図５】図１（ａ）の半導体装置を配線基板にＣＯＧ実装した部分を拡大した要部断面図。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は図１の半導体装置の配線基板への実装を説明するための断面図。
【図７】図６（ｂ）に示す実装方法における実装温度と加圧条件による導電層の断線の有無を表した説明図。
【図８】図８（ａ）は本発明の別例の半導体装置を示す平面図。図８（ｂ）は図８（ａ）の半導体装置のＡ−Ａ線断面図。
【符号の説明】
【００７１】
１…半導体装置、２…半導体基板、３…電極、４…保護膜、５…凸部としての突起体、６…導電層、８…突起電極、９…マスク、１０…紫外線、１１…赤外線、２０…実装基板としての配線基板、２２…端子電極、２５…接合材。
【図１】
2006303420.tif 000003
【図２】
2006303420.tif 000004
【図３】
2006303420.tif 000005
【図４】
2006303420.tif 000006
【図５】
2006303420.tif 000007
【図６】
2006303420.tif 000008
【図７】
2006303420.tif 000009
【図８】
2006303420.tif 000010