(57)【要約】【課題】  集積回路とＳＡＷ振動子とを半導体基板上に一体化した場合においても、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続する。【解決手段】  集積回路１２から引き出されたパッド電極１５ａ、１５ｂを半導体チップ１１に形成するとともに、半導体チップ１１上には、パッド電極１５ａ、１５ｂにかかるように配置された薄膜圧電体１３を積層し、薄膜圧電体１３上には、ＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂからそれぞれ引き出されたパッド電極１６ａ、１６ｂをそれぞれ形成し、パッド電極１６ａ、１６ｂは、薄膜圧電体１３を介してパッド電極１５ａ、１５ｂとそれぞれ対向するように配置する。【選択図】      図１
2006303763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記半導体チップに形成された集積回路とを備え、
前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極と前記集積回路から引き出されたパッド電極とが容量結合されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記半導体チップに形成された集積回路と、
前記集積回路上に形成された保護膜とを備え、
前記保護膜および前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極と、前記集積回路から引き出されたパッド電極とが容量結合されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項３】
前記パッド電極が配置された薄膜圧電体は前記ＩＤＴ電極が配置された薄膜圧電体と厚みが異なることを特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記半導体チップに形成された集積回路とを備え、
前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極の幹状部と前記集積回路の配線層とが容量結合されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項５】
半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記半導体チップに形成された集積回路と、
前記集積回路上に形成された保護膜とを備え、
前記保護膜および前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極の幹状部と、前記集積回路の配線層とが容量結合されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、
前記半導体チップに形成された集積回路と、
前記集積回路上に形成された保護膜とを備え、
前記保護膜を介して前記ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極と、前記集積回路から引き出されたパッド電極とが容量結合されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性表面波装置に関し、特に、半導体基板上に形成された集積回路とＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）振動子との接続方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波は、電磁波よりも約１０-5遅い速度で固体中を伝播するため、素子の小型・高密度化が可能であるとともに、伝播損失が小さくＱ値の高い素子が作成できることから、通信用クロック発振器やフィルタなどの分野で利用が拡大している。
また、例えば、特許文献１には、圧電薄膜共振子と半導体回路基板上の集積回路と一体化するために、圧電薄膜共振子と半導体回路基板上の集積回路とを、電極上に形成された誘電体膜の一部に設けられた接続孔を通じて金属膜配線により接続する方法が開示されている。
【０００３】
また、例えば、特許文献２には、半導体基板上に集積回路と圧電薄膜共振子とが一体的に形成された集積型圧電薄膜機能素子において、電極金属原子の共振子への拡散を抑えて、圧電薄膜共振子の絶縁抵抗の低下を防止するために、圧電薄膜共振子と集積回路とをパッシベーション膜を誘電体層として形成される結合容量により容量結合させる方法が開示されている。
【特許文献１】特開昭６３−１３８８０８号公報
【特許文献２】特開平２−２９８１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、半導体基板上に形成された集積回路とＳＡＷ振動子とを一体化する場合、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制するため、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないようにするための直流遮断用コンデンサを集積回路内に作り込む必要があり、チップ面積の増大を招くという問題があった。
そこで、本発明の目的は、集積回路とＳＡＷ振動子とを半導体基板上に一体化した場合においても、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続することが可能な弾性表面波装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る弾性表面波装置によれば、半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、前記半導体チップに形成された集積回路とを備え、前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極と前記集積回路から引き出されたパッド電極とが容量結合されていることを特徴とする。
【０００６】
これにより、直流遮断用コンデンサを集積回路内に作り込むことなく、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となるとともに、ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極を集積回路に接続するために、半導体チップ上に積層された薄膜圧電体を加工する必要がなくなる。このため、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となるとともに、ＳＡＷ振動子を半導体基板上に一体化するために必要な製造プロセスを簡略化することが可能となり、弾性表面波装置の小型化、低価格化および高信頼性化を図ることができる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る弾性表面波装置によれば、半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、前記半導体チップに形成された集積回路と、前記集積回路上に形成された保護膜とを備え、前記保護膜および前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極と、前記集積回路から引き出されたパッド電極とが容量結合されていることを特徴とする。
【０００８】
これにより、集積回路上に保護膜が形成されている場合においても、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないようにしつつ、半導体チップ上に形成された集積回路とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となるとともに、ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極を集積回路に接続するために、半導体チップ上に積層された保護膜および薄膜圧電体を加工する必要がなくなる。このため、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となるとともに、ＳＡＷ振動子を半導体基板上に一体化するために必要な製造プロセスを簡略化することが可能となり、弾性表面波装置の小型化、低価格化および高信頼性化を図ることができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る弾性表面波装置によれば、前記パッド電極が配置された薄膜圧電体は前記ＩＤＴ電極が配置された薄膜圧電体と厚みが異なることを特徴とする。
これにより、薄膜圧電体に弾性表面波を正常に伝播させることを可能としつつ、薄膜圧電体を誘電体とするキャパシタの容量を調整することが可能となり、ＳＡＷ振動子の動作に影響を及ぼすことなく、ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極と、集積回路から引き出されたパッド電極とを効率よく容量結合させることができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る弾性表面波装置によれば、半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、前記半導体チップに形成された集積回路とを備え、前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極の幹状部と前記集積回路の配線層とが容量結合されていることを特徴とする。
これにより、直流遮断用コンデンサを集積回路内に作り込むことなく、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となるとともに、集積回路とＳＡＷ振動子とを接続するためのパッド電極を集積回路およびＩＤＴ電極からそれぞれ引き出す必要がなくなる。このため、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となり、弾性表面波装置の小型化、低価格化および高信頼性化を図ることができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る弾性表面波装置によれば、半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、前記半導体チップに形成された集積回路と、前記集積回路上に形成された保護膜とを備え、前記保護膜および前記薄膜圧電体を介して前記ＩＤＴ電極の幹状部と、前記集積回路の配線層とが容量結合されていることを特徴とする。
【００１２】
これにより、集積回路上に保護膜が形成されている場合においても、直流遮断用コンデンサを集積回路内に作り込むことなく、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となるとともに、集積回路とＳＡＷ振動子とを接続するためのパッド電極を集積回路およびＩＤＴ電極からそれぞれ引き出す必要がなくなる。このため、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となり、弾性表面波装置の小型化、低価格化および高信頼性化を図ることができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る弾性表面波装置によれば、半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体に弾性表面波を励振するＩＤＴ電極と、前記半導体チップに形成された集積回路と、前記集積回路上に形成された保護膜とを備え、前記保護膜を介して前記ＩＤＴ電極から引き出されたパッド電極と、前記集積回路から引き出されたパッド電極とが容量結合されていることを特徴とする。
【００１４】
これにより、直流遮断用コンデンサを集積回路内に作り込むことなく、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となり、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す平面図である。
図１において、半導体チップ１１には、集積回路１２が形成されるとともに、集積回路１２から引き出されたパッド電極１５ａ、１５ｂが形成されている。また、半導体チップ１１上には、パッド電極１５ａ、１５ｂにかかるように配置された薄膜圧電体１３が積層されている。なお、薄膜圧電体１３としては、例えば、ＺｎＯ膜、ＡｌＮ膜などの圧電薄膜材料などを用いることができる。
【００１６】
そして、薄膜圧電体１３上には、弾性表面波を励振するＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサ）電極１４ａ、１４ｂおよび表面弾性波を反射する反射器電極が形成され、ＳＡＷ振動子が構成されている。なお、ＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂは、互いにかみ合うように配置された１組の櫛形電極にて構成することができる。また、薄膜圧電体１３上には、ＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂからそれぞれ引き出されたパッド電極１６ａ、１６ｂがそれぞれ形成され、パッド電極１６ａ、１６ｂは、薄膜圧電体１３を介してパッド電極１５ａ、１５ｂとそれぞれ対向するように配置されている。
【００１７】
これにより、薄膜圧電体１３を介してＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂからそれぞれ引き出されたパッド電極１６ａ、１６ｂと集積回路１２からそれぞれ引き出されたパッド電極１５ａ、１５ｂとを容量結合することができ、直流遮断用コンデンサを集積回路１２内に作り込むことなく、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路１２とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となるとともに、ＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂからそれぞれ引き出されたパッド電極１６ａ、１６ｂを集積回路１２に接続するために、半導体チップ１１上に積層された薄膜圧電体１３を加工する必要がなくなる。このため、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となるとともに、ＳＡＷ振動子を半導体チップ１１上に一体化するために必要な製造プロセスを簡略化することが可能となり、弾性表面波装置の小型化、低価格化および高信頼性化を図ることができる。
【００１８】
図２は、図１の弾性表面波装置によるＳＡＷ発振器の構成例を示す図である。
図２において、ＳＡＷ発振器には弾性表面波装置Ｗが設けられている。そして、弾性表面波装置Ｗの櫛形電極間には、帰還ループを構成するインバータＮが接続され、弾性表面波装置ＷおよびインバータＮにてＳＡＷ発振器を構成することができる。また、弾性表面波装置Ｗの櫛形電極間には抵抗Ｒが接続されるとともに、弾性表面波装置Ｗの前段および後段には、コンデンサＣｂ、Ｃｂ´がそれぞれ接続されている。さらに、弾性表面波装置Ｗ１の各櫛形電極には、コンデンサＣｂ、Ｃｂ´をそれぞれ介してコンデンサＣａ、Ｃａ´が接続されている。
【００１９】
なお、弾性表面波装置Ｗの前段および後段にコンデンサＣｂ、Ｃｂ´をそれぞれ接続することにより、弾性表面波装置Ｗに直流電圧がかかることを防止することができ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となる。
ここで、弾性表面波装置Ｗは、図１のＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂが形成された薄膜圧電体１３にて構成することができる。また、インバータＮ、抵抗ＲおよびコンデンサＣａ、Ｃａ´は、図１の集積回路１２内に搭載することができる。また、コンデンサＣｂは、図１の薄膜圧電体１３を誘電体膜として互いに対向配置されたパッド電極１５ａ、１６ａにて構成することができ、コンデンサＣｂ´は、図１の薄膜圧電体１３を誘電体膜として互いに対向配置されたパッド電極１５ｂ、１６ｂにて構成することができる。このため、弾性表面波装置Ｗに直流電圧がかからないようにするために、コンデンサＣｂ、Ｃｂ´を集積回路１２内に作り込む必要がなくなり、チップ面積の増大を抑制することができる。
【００２０】
図３は、本発明の第２実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す断面図である。
図３において、半導体チップ２１には素子形成領域２２が設けられ、素子形成領域２２にはトランジスタ、抵抗、容量などの素子が形成されている。なお、半導体チップ２１を構成する半導体材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＳｎ、ＰｂＳ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＮまたはＺｎＳｅなどを用いることができる。また、素子形成領域２２が設けられた半導体チップ２１上には層間絶縁膜２３が形成され、層間絶縁膜２３には、素子形成領域２２に接続された配線層２４が形成されている。また、層間絶縁膜２３上には、配線層２４に接続されたパッド電極２５が形成されている。そして、素子形成領域２２に形成された素子および配線層２４にて、図２のインバータＮ、抵抗ＲおよびコンデンサＣａ、Ｃａ´などを構成することができる。
【００２１】
そして、層間絶縁膜２３上には、薄膜圧電体層２６が成膜されている。そして、薄膜圧電体層２６上には、薄膜圧電体層２６に弾性表面波を発生させるＩＤＴ電極２７が形成され、図２の弾性表面波装置Ｗを構成することができる。なお、薄膜圧電体層２６の材質としては、例えば、ＺｎＯなどを用いることができる。また、薄膜圧電体層２６上には、ＩＤＴ電極２７から引き出されたパッド電極２８が形成され、パッド電極２８は、薄膜圧電体２６を介してパッド電極２５と対向するように配置されている。ここで、薄膜圧電体２６を誘電体膜として互いに対向配置されたパッド電極２５、２８にて図２のコンデンサＣｂ、Ｃｂ´を構成することができる。このため、直流遮断用コンデンサを素子形成領域２２内に作り込むことなく、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように素子形成領域２２とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となり、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となる。
【００２２】
なお、図３に示すように、パッド電極２５上の薄膜圧電体２６の膜厚は、ＩＤＴ電極２７が配置された薄膜圧電体２６の膜厚と異なるようにしてもよい。これにより、薄膜圧電体２６に弾性表面波を正常に伝播させることを可能としつつ、薄膜圧電体２６を誘電体とするキャパシタの容量を調整することが可能となり、ＳＡＷ振動子の動作に影響を及ぼすことなく、ＩＤＴ電極２７から引き出されたパッド電極２８と、素子形成領域２２から引き出されたパッド電極２５とを効率よく容量結合させることができる。
【００２３】
図４は、本発明の第３実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す断面図である。
図４において、半導体チップ３１には素子形成領域３２が設けられ、素子形成領域３２にはトランジスタ、抵抗、容量などの素子が形成されている。また、素子形成領域３２が設けられた半導体チップ３１上には層間絶縁膜３３が形成され、層間絶縁膜３３には、素子形成領域３２に接続された配線層３４が形成されている。また、層間絶縁膜３３上には、配線層３４に接続されたパッド電極３５が形成されている。そして、素子形成領域３２に形成された素子および配線層３４にて、図２のインバータＮ、抵抗ＲおよびコンデンサＣａ、Ｃａ´などを構成することができる。
【００２４】
そして、層間絶縁膜３３上には、保護膜３９が成膜されている。なお、保護膜３９としては、例えば、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜などを用いることができる。そして、保護膜３９上には、薄膜圧電体層３６が成膜されている。そして、薄膜圧電体層３６上には、薄膜圧電体層３６に弾性表面波を発生させるＩＤＴ電極３７が形成され、図２の弾性表面波装置Ｗを構成することができる。なお、薄膜圧電体層３６の材質としては、例えば、ＺｎＯなどを用いることができる。また、薄膜圧電体層３６上には、ＩＤＴ電極３７から引き出されたパッド電極３８が形成され、パッド電極３８は、保護膜３９および薄膜圧電体３６を介してパッド電極３５と対向するように配置されている。
【００２５】
ここで、保護膜３９および薄膜圧電体３６を誘電体膜として互いに対向配置されたパッド電極３５、３８にて図２のコンデンサＣｂ、Ｃｂ´を構成することができる。なお、コンデンサＣｂ、Ｃｂ´を構成するキャパシタの容量を調整するために、パッド電極３５上の薄膜圧電体３６の膜厚は、ＩＤＴ電極３７が配置された薄膜圧電体３６の膜厚と異なるようにしてもよい。
【００２６】
図５は、本発明の第４実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す断面図である。
図５において、半導体チップ４１には素子形成領域４２が設けられ、素子形成領域４２にはトランジスタ、抵抗、容量などの素子が形成されている。また、素子形成領域４２が設けられた半導体チップ４１上には層間絶縁膜４３が形成され、層間絶縁膜４３には、素子形成領域４２に接続された配線層４４が形成されている。また、層間絶縁膜４３上には、配線層４４に接続されたパッド電極４５が形成されている。そして、素子形成領域４２に形成された素子および配線層４４にて、図２のインバータＮ、抵抗ＲおよびコンデンサＣａ、Ｃａ´などを構成することができる。
【００２７】
そして、層間絶縁膜４３上には、保護膜４９が成膜されている。なお、保護膜４９としては、例えば、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜などを用いることができる。そして、保護膜３９上には、パッド電極４５上を避けるようにして、薄膜圧電体層４６が形成されている。そして、薄膜圧電体層４６上には、薄膜圧電体層４６に弾性表面波を発生させるＩＤＴ電極４７が形成され、図２の弾性表面波装置Ｗを構成することができる。
【００２８】
なお、薄膜圧電体層４６の材質としては、例えば、ＺｎＯなどを用いることができる。また、薄膜圧電体層４６上には、ＩＤＴ電極４７から引き出されたパッド電極４８が形成されている。そして、パッド電極４８は、薄膜圧電体層４６から露出された保護膜４９上に延伸され、保護膜４９を介してパッド電極４５と対向するように配置されている。ここで、保護膜４９を誘電体膜として互いに対向配置されたパッド電極４５、４８にて図２のコンデンサＣｂ、Ｃｂ´を構成することができ、コンデンサＣｂ、Ｃｂ´を素子形成領域４２内に作り込むことなく、半導体チップ４１上のＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないようにすることができる。
【００２９】
図６は、本発明の第５実施形態の弾性表面波装置の一部を切り欠いて示す斜視図である。
図６において、半導体チップ５１には素子形成領域５２が設けられ、素子形成領域５２にはトランジスタ、抵抗、容量などの素子が形成されている。また、素子形成領域５２が設けられた半導体チップ５１上には層間絶縁膜５３が形成され、層間絶縁膜５３には、素子形成領域５２に接続された配線層５４、５５ａ、５５ｂが形成されている。そして、素子形成領域５２に形成された素子および配線層５４、５５ａ、５５ｂにて、図２のインバータＮ、抵抗ＲおよびコンデンサＣａ、Ｃａ´などを構成することができる。
【００３０】
そして、層間絶縁膜５３上には、薄膜圧電体層５６が成膜されている。そして、薄膜圧電体層５６上には、薄膜圧電体層５６に弾性表面波を発生させるＩＤＴ電極５７ａ、５７ｂが形成され、図２の弾性表面波装置Ｗを構成することができる。なお、薄膜圧電体層３６の材質としては、例えば、ＺｎＯなどを用いることができる。ここで、ＩＤＴ電極５７ａ、５７ｂには、弾性表面波の波長に対応して配列された枝状部５８ａ、５８ｂがそれぞれ設けられるとともに、枝状部５８ａ、５８ｂにそれぞれ接続された幹状部５９ａ、５９ｂが設けられている。そして、層間絶縁膜５３上に形成された配線層５５ａ、５５ｂは、薄膜圧電体５６を介して幹状部５９ａ、５９ｂとそれぞれ対向するように配置されている。なお、薄膜圧電体５６を誘電体膜としてそれぞれ対向配置された配線層５５ａ、５５ｂおよび幹状部５９ａ、５９ｂにて図２のコンデンサＣｂ、Ｃｂ´をそれぞれ構成することができる。
【００３１】
これにより、コンデンサＣｂ、Ｃｂ´を素子形成領域５２内に作り込むことなく、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように素子形成領域５２とＳＡＷ振動子とを接続することが可能となるとともに、素子形成領域５２とＳＡＷ振動子とを接続するためのパッド電極を素子形成領域５２およびＩＤＴ電極５７ａ、５７ｂからそれぞれ引き出す必要がなくなる。このため、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子の長期的な特性の劣化を抑制することが可能となり、弾性表面波装置の小型化、低価格化および高信頼性化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す平面図。
【図２】図１の弾性表面波装置の回路構成の一例を示す図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す断面図。
【図４】本発明の第３実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す断面図。
【図５】本発明の第４実施形態に係る弾性表面波装置の概略構成を示す断面図。
【図６】本発明の第５実施形態の弾性表面波装置の一部を切り欠いて示す斜視図。
【符号の説明】
【００３３】
１１  半導体チップ、１２  集積回路、１３  薄膜圧電体、１４ａ、１４ｂ、２７、３７、４７、５７ａ、５７ｂ  ＩＤＴ電極、１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂ、２５、２８、３５、３８、４５、４８  パッド電極、Ｗ  弾性表面波装置、Ｒ  抵抗、Ｃａ、Ｃａ´、Ｃｂ、Ｃｂ´  コンデンサ、Ｎ  インバータ、２１、３１、４１、５１  半導体基板、２２、３２、４２、５２  素子形成領域、２３、３３、４３、５３  層間絶縁膜、２４、３４、４４、５４、５５ａ、５５ｂ  配線層、２６、３６、４６、５６  ＺｎＯ層、３９  保護膜、５８ａ、５８ｂ  枝状部、５９ａ、５９ｂ  幹状部
【図１】
2006303763.tif 000003
【図２】
2006303763.tif 000004
【図３】
2006303763.tif 000005
【図４】
2006303763.tif 000006
【図５】
2006303763.tif 000007
【図６】
2006303763.tif 000008