(57)【要約】【課題】  加熱装置によって加熱されたガスを、循環ファンにより循環させながら基板を収容させた処理部を通過させて、基板を加熱処理する循環式焼成炉において、加熱された基板内での温度差を少なくして、基板の加熱処理が適切に行えるようにする。【解決手段】  加熱装置１４によって加熱されたガスを、循環ファン１６により循環させながら基板２０を収容させた処理部１２を通過させて、基板２０を加熱処理する循環式焼成炉において、上記の基板２０に対するガスの流れ方向下流側における基板２０の近傍に加熱装置１４を設けた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱装置によって加熱されたガスを、循環ファンにより循環させながら基板を収容させた処理部を通過させて、基板を加熱処理する循環式焼成炉において、上記の基板に対するガスの流れ方向下流側における基板の近傍に上記の加熱装置を設けたことを特徴とする循環式焼成炉。
【請求項２】
請求項１に記載の循環式焼成炉において、上記の加熱装置により加熱されたガスを循環ファンに導く途中にガス導入部を設け、このガス導入部から導入された新しいガスと上記の加熱装置により加熱されたガスとを循環ファンにより混合させて上記の処理部に導くことを特徴とする循環式焼成炉。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の循環式焼成炉において、基板を加熱処理する処理部の両側にガスを循環させるための循環流路が設けられていることを特徴とする循環式焼成炉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、加熱装置によって加熱されたガスを、循環ファンにより循環させながら基板を収容させた処理部を通過させて、基板を加熱処理する循環式焼成炉に関するものであり、上記のように基板を加熱処理した場合において、加熱された基板内での温度差を少なくして、基板の加熱処理が適切に行えるようにした点に特徴を有するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイに用いるガラス基板等の基板を加熱処理するにあたり、加熱装置によって加熱させたガスを循環ファンにより基板を通過させて循環させながら基板を加熱させる循環式焼成炉が使用されている。
【０００３】
ここで、このような循環式焼成炉としては、基板を加熱処理する処理部の両側における循環経路にラジアントチューブバーナ等の加熱装置を設け、この加熱装置により加熱されたガスを循環ファンにより上記の処理部を通過させて基板を加熱させ、このように基板を加熱させた後の温度が低下したガスを、上記の循環経路に戻して加熱装置により再度加熱させるようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかし、上記の加熱装置により加熱されたガスを、循環ファンにより基板を収容させた処理部を通過させて基板を加熱させるようにした場合、加熱されたガスが導かれる基板の上流側から下流側に向かうに従ってガスの温度が次第に低下して、加熱された基板の温度が、ガスが導かれる上流側に比べて下流側で大きく低下し、基板を均一に加熱処理することができなくなるという問題があった。
【特許文献１】特開平１１−３１１４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、上記のようにガスを加熱装置によって加熱されたガスを、循環ファンにより循環させながら基板を収容させた処理部を通過させて、基板を加熱処理する循環式焼成炉において、加熱された基板内での温度差を少なくして、基板の加熱処理が適切に行えるようにすることを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明においては、上記のような課題を解決するため、加熱装置によって加熱されたガスを、循環ファンにより循環させながら基板を収容させた処理部を通過させて、基板を加熱処理する循環式焼成炉において、上記の基板に対するガスの流れ方向下流側における基板の近傍に上記の加熱装置を設けた。
【０００７】
また、この発明における循環式焼成炉においては、上記の加熱装置により加熱されたガスを循環ファンに導く途中にガス導入部を設け、このガス導入部から導入された新しいガスと上記の加熱装置により加熱されたガスとを、上記の循環ファンにより混合させて上記の処理部に導くようにすることが好ましい。
【０００８】
また、この発明における循環式焼成炉においては、上記の基板を加熱処理する処理部の両側にガスを循環させるための循環流路を設けることが好ましい。
【０００９】
さらに、この発明における循環式焼成炉においては、上記の加熱されたガスが処理部を通過する方向と交差する方向に、上記の基板を順々に搬送させる搬送装置を設けることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
この発明における循環式焼成炉のように、基板に対するガスの流れ方向下流側における基板の近傍に加熱装置を設けると、この加熱装置によって加熱されたガスを循環ファンにより循環させながら上記の処理部を通過させて、基板を加熱処理する場合において、加熱されたガスが導かれる基板の上流側から下流側に向かうに従ってガスの温度が次第に低下したとしても、上記の加熱装置によってガスの流れ方向下流側における基板の部分が加熱されるようになる。
【００１１】
この結果、この発明における循環式焼成炉においては、加熱された基板の温度が、ガスが導かれる上流側に比べて下流側で大きく低下するのが防止され、加熱された基板内での温度差が少なくなり、基板の加熱処理が適切に行えるようになる。
【００１２】
また、この発明における循環式焼成炉において、上記の加熱装置により加熱されたガスを循環ファンに導く途中にガス導入部を設け、このガス導入部から導入された新しいガスと上記の加熱装置により加熱されたガスとを循環ファンにより混合させて上記の処理部に導くようにすると、新しいガスと加熱されたガスとが均一に混合されて、基板に導かれるガスの温度ムラがなくなり、基板の加熱処理がより適切に行えるようになる。
【００１３】
また、この発明における循環式焼成炉において、上記の基板を加熱処理する処理部の両側にガスを循環させるための循環流路を設けると、上記の加熱装置により加熱されたガスがこの両側の循環流路を通過することにより、基板がこの両側からも均一に加熱されるようになる。
【００１４】
さらに、この発明における循環式焼成炉において、加熱されたガスが処理部を通過する方向と交差する方向に、上記の基板を搬送装置によって順々に搬送させるようにすると、基板を連続して加熱処理することができ、基板の加熱処理が効率よく行えるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施形態に係る循環式焼成炉を添付図面に基づいて具体的に説明する。なお、この発明に係る循環式焼成炉は下記の実施形態に示すものに限定されず、発明の要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施できるものである。
【００１６】
この実施形態に係る循環式焼成炉においては、図１に示すように、炉１０内に仕切り壁１１を設け、加熱されたガスを通過させて基板２０を加熱処理する処理部１２の片側に、ガスを循環させる循環流路１３を設けている。
【００１７】
そして、上記の処理部１２に基板２０を保持部材２１に保持させて収容させ、この処理部１２を流れるガスの流れ方向下流側における基板２０の近傍に、ガスを加熱させる加熱装置１４を設ける一方、上記の処理部１２にガスを導入させる部分に、ガス中における塵や埃を除去する耐熱フィルタ１５を設けている。
【００１８】
また、上記の加熱装置１４によって加熱されたガスを循環させる循環ファン１６を、加熱装置１４よりもガスの流れ方向下流側における循環流路１３内に設けると共に、上記の加熱装置１４と循環ファン１６との間にガスを炉１０内に導入させるガス導入部１７を設け、また炉１０内において循環されているガスを適宜排出するためのガス排出部１８を設けている。
【００１９】
ここで、この実施形態における循環式焼成炉において、上記の処理部１２に収容させた基板２０を加熱処理するにあたっては、上記のガス導入部１７を通してガスを炉１０内に導入させ、このガスを上記の循環ファン１６により上記の処理部１２と循環流路１３とを通して循環させると共に、このように循環されるガスを上記の加熱装置１４によって加熱させるようにする。
【００２０】
そして、上記のように加熱装置１４によって加熱されたガスを、循環流路１３を通して循環ファン１６により上記の耐熱フィルタ１５に導き、この耐熱フィルタ１５を通してガス中に含まれる塵や埃を除去した後、この加熱されたガスを上記の処理部１２に送り込んで処理部１２を通過させ、この加熱されたガスにより処理部１２内に収容された上記の基板２０を加熱させるようにする。
【００２１】
また、このように基板２０を加熱させた後の温度が低くなったガスを上記の加熱装置１４によって加熱させ、上記のような操作を繰り返して、この処理部１２内に収容された基板２０を加熱処理するようにしている。
【００２２】
このようにして基板２０を加熱処理すると、加熱されたガスが導かれる基板２０の上流側から下流側に向かうに従ってガスの温度が次第に低下したとしても、上記の加熱装置１４によってガスの流れ方向下流側における基板２０の部分が加熱されるようになる。
【００２３】
この結果、加熱された基板２０の温度が、ガスが導かれる上流側に比べて下流側で大きく低下するということがなく、加熱された基板２０内での温度差が少なくなって、基板２０の加熱処理が適切に行えるようになる。
【００２４】
また、この実施形態における循環式焼成炉においては、上記のように基板２０を加熱処理する場合に発生した不純物を含むガスを、適宜上記のガス排出部１８を通して炉１０外に排出させると共に、上記のガス導入部１７を通して新しいガスを炉１０内に導き、上記の加熱装置１４によって加熱されたガスとこの新しいガスとを上記の循環ファン１６により混合させてガスの温度を均一にし、このように温度が均一になったガスを上記の耐熱フィルタ１５を通して処理部１２に送り込むようにしている。このため、基板２０に導かれるガスの温度ムラがなくなり、基板２０の加熱処理がより適切に行えるようになる。
【００２５】
なお、この実施形態の循環式焼成炉においては、加熱されたガスを通過させて基板２０を加熱処理する処理部１２の片側にだけ、ガスを循環させる循環流路１３を設けるようにしたが、図２に示すように、加熱されたガスを通過させて基板２０を加熱処理する処理部１２の両側に、ガスを循環させる循環流路１３を設けることも可能である。
【００２６】
そして、このように基板２０を加熱処理する処理部１２の両側に、ガスを循環させる循環流路１３を設けると、加熱装置１４によって加熱されたガスが処理部１２の両側の循環流路１３を流れるようになり、処理部１２に収容された基板２０が両側の仕切り壁１１を通して加熱され、基板２０の両側の部分における温度差も少なくなり、基板２０がより適切に加熱処理されるようになる。
【００２７】
また、上記の実施形態における循環式焼成炉において、図３に示すように、上記の保持部材２１に複数の基板２０を保持させ、このように複数の基板２０を保持させた保持部材２１をハースローラ等の搬送装置３０により炉１０内において順々に搬送させて、各保持部材２１に保持された複数の基板２０を順々に加熱処理することもできる。このようにすると、基板２０を順々に連続して加熱処理することができ、基板２０の加熱処理が効率よく行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】この発明の一実施形態に係る循環式焼成炉の構成を示した概略断面図である。
【図２】上記の実施形態に係る循環式焼成炉において、基板を加熱処理する処理部の両側に、ガスを循環させる循環流路を設けた変更例の概略断面図である。
【図３】上記の実施形態に係る循環式焼成炉において、複数の基板を保持させた保持部材を搬送装置により炉内において順々に搬送させて、保持部材に保持された複数の基板を順々に加熱処理する状態を示した概略断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０  炉
１１  仕切り壁
１２  処理部
１３  循環流路
１４  加熱装置
１５  耐熱フィルタ
１６  循環ファン
１７  ガス導入部
１８  ガス排出部
２０  基板
２１  保持部材
３０  搬送装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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