(57)【要約】【課題】静電容量型センサにおいて、引き出し配線の気密性を高め、小型で信頼性を高める。【解決手段】固定電極９が形成されるガラス基板８と可動電極６ａが形成される半導体基板を備え、ガラス基板８に設けられた貫通穴１１ａを通して各電極からの配線の引き出しを行う静電容量型センサにおいて、半導体基板に、絶縁層３を介在して接合された上側Ｓｉ基板２及び下側Ｓｉ基板４を有するＳＯＩウエハ基板を使用し、上側Ｓｉ基板２に、このＳｉ基板２から電気的に分離された島状分離部１５を形成し、半導体基板とガラス基板８とを陽極接合することにより、ガラス基板８の貫通穴１１ａを密閉すると共に、島状分離部１５と各電極の配線との電気的接続を同時に行う。これにより、気密性を保持しつつ電極の引き出し配線を取り出すことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極が形成されるガラス基板と可動電極が形成される半導体基板を備え、前記ガラス基板に設けられた貫通穴を通して前記各電極からの配線の引き出しを行う静電容量型センサの構造において、
前記半導体基板に、絶縁層を介在して接合された上側Ｓｉ基板及び下側Ｓｉ基板を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハ基板を使用し、前記上側Ｓｉ基板に、該Ｓｉ基板から電気的に分離された島状分離部を形成し、
前記半導体基板と前記ガラス基板とを陽極接合することにより前記ガラス基板の貫通穴を密閉すると共に、前記島状分離部と前記各電極の配線との電気的接続を行うことを特徴とする静電容量型センサの構造。
【請求項２】
前記島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板の一部を絶縁層まで除去したことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型センサの構造。
【請求項３】
前記島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板にも、該Ｓｉ基板から電気的に分離された裏面島状分離部を形成したことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型センサの構造。
【請求項４】
前記島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板を前記島状分離部の大きさより大きな面積で除去し、前記島状分離部を下側Ｓｉ基板から分離したことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型センサの構造。
【請求項５】
前記貫通穴の下部にある島状分離部に対し、前記ガラス基板の外部より直接ワイヤボンディングを含む電気的な配線を形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の静電容量型センサの構造。
【請求項６】
前記ＳＯＩ基板の裏面に保護用ガラス基板を接合したことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の静電容量型センサの構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度センサやジャイロセンサのような物理量センサであって、特に、固定電極と可動電極との間の静電容量から物理量を検出する静電容量型センサの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、静電容量型センサとして、ガラス基板の形成された固定電極と、この固定電極に対向して半導体基板に形成された可動電極との電極間隔が、外部圧力により変位にして生ずる容量変化を利用して加速度等の物理量を検出する静電容量型センサが広く利用されている。
【０００３】
このようなセンサでは、長期にわたり気密性を保持でき、腐食ガス雰囲気中で使用された場合でも、センサ内部の静電容量を形成する可動電極や固定電極を保護することが必要とされると共に、静電容量の変化で物理量を検出するため、センサの構造として、できるだけ寄生容量の発生の少ない構造が望まれる。
【０００４】
このような従来の静電容量方式センサの構成として、特許文献１に示されるように、ガラスホールの片側にシリコン基板で蓋をした後、真空中で接合する方法が知られている。この従来の静電容量式センサの接合方法では、蓋板を別途シリコン基板にエッチングにより形成し、このシリコン基板に形成された蓋板でガラス基板のガラスホールを密閉後、さらにエッチングにより、このシリコン基板の蓋板以外の不要部分を除去する必要があり、工程が複雑で時間とコストが掛かるという問題あった。
【０００５】
また、特許文献２に示されるように、半導体基板に形成される重り部を支持する支持部内に、支持部と電気的に分離された独立領域を設け、支持部の両面に接合された固定基板に独立領域と対向させて接続孔を設け、各接続孔は独立領域と接合させることによって封止され、重り部等の密閉空間の気密性を保って、可動電極や固定電極の引き出し線をセンサの外部へ取り出す容量型加速度センサが知られている。しかしながら、このセンサの構成においては、一度のエッチングで完全に独立領域を分離する構成が取れないため、先ず、半導体基板において、重り部や独立領域がばらばらにならないように、一度エッチングで完全に分離されていない状態の重り部や独立領域等を形成し、その後、この半導体基板の一方の表面に固定基板を接合して重り部や独立領域等を一旦固定し、再度、固定基板を接合した面と反対側の面から半導体基板に２度目のエッチング処理をし、支持部から重り部や、独立領域を電気的に分離形成する必要があった。従って、エッチング処理が２度も必要であり、処理工程を複雑化し、時間と精度を要するという問題があった。
【特許文献１】特許第２７７２１１１号公報
【特許文献２】特開平７−２４５４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、本発明は、上記のような２度のエッチングによる蓋の形成を行わずに、１回のエッチングで簡便に密閉構造のセンサチップのパターンを形成することができ、製造プロセスが簡単で信頼性の高い静電容量型センサの構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、固定電極が形成されるガラス基板と可動電極が形成される半導体基板を備え、前記ガラス基板に設けられた貫通穴を通して前記各電極からの配線の引き出しを行う静電容量型センサの構造において、前記半導体基板に、絶縁層を介在して接合された上側Ｓｉ基板及び下側Ｓｉ基板を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハ基板を使用し、前記上側Ｓｉ基板に、該Ｓｉ基板から電気的に分離された島状分離部を形成し、前記半導体基板と前記ガラス基板とを陽極接合することにより前記ガラス基板の貫通穴を密閉すると共に、前記島状分離部と前記各電極の配線との電気的接続を行うものである。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載の静電容量型センサの構造において、前記島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板の一部を絶縁層まで除去したものである。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の静電容量型センサの構造において、前記島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板にも、該Ｓｉ基板から電気的に分離された裏面島状分離部を形成したものである。
【００１０】
請求項４の発明は、請求項１に記載の静電容量型センサの構造において、前記島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板を前記島状分離部の大きさより大きな面積で除去し、前記島状分離部を下側Ｓｉ基板から分離したものである。
【００１１】
請求項５の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の静電容量型センサの構造において、前記貫通穴の下部にある島状分離部に対し、前記ガラス基板の外部より直接ワイヤボンディングを含む電気的な配線を形成したものである。
【００１２】
請求項６の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の静電容量型センサの構造において、前記ＳＯＩ基板の裏面に保護用ガラス基板を接合したものである。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、ガラス基板の貫通穴の密閉と同時に、島状分離部と各電極の配線との電気的接続を行うことができる。従って、センサ内部の気密状態を保ったまま、各電極からの電気的に独立した配線の外部への取り出しが容易に行え、信頼性の高い、コンパクトな静電容量型センサを得ることができる。
【００１４】
請求項２の発明によれば、島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板の一部が絶縁層まで除去されるので、絶縁層を介して発生する島状分離部と下側Ｓｉ基板間の寄生容量が削減され、島状分離部と、それ以外の上側Ｓｉ基板間の寄生容量も削減される。これにより、固定電極からの配線が接続される島状分離部と可動電極が形成される上側Ｓｉ基板間に生じる寄生容量、即ち、固定電極と可動電極間の寄生容量を低減することができ、センサの感度と感度特性の直線性を向上することができる。
【００１５】
請求項３の発明によれば、下側Ｓｉ基板の裏面状分離部により、島状分離部の裏側の下側Ｓｉ基板が電気的に分離されるため、裏面状分離部と他の下側Ｓｉ基板間の寄生容量が極めて小さくなり、結果的に島状分離部とそれ以外の上側Ｓｉ基板間の寄生容量を溝を掘るだけの簡単な加工で削減することができる。
【００１６】
請求項４の発明によれば、島状分離部の裏側に下側Ｓｉ基板が存在しないため、島状分離部と、それ以外の上側Ｓｉ基板間の寄生容量をほぼ無視できるため、寄生容量の影響をほぼ完全に除くことができる。
【００１７】
請求項５の発明によれば、上側Ｓｉ基板の電極に直接、ボンディングして信号を取り出すことができるので、配線を取り出すための接続回数が少なくなり、電極の引き出しの信頼性を向上することができる。
【００１８】
請求項６の発明によれば、裏面に保護用ガラス基板を接合することにより、センサの支持が強化され、また、島状分離部の裏側の下側Ｓｉ基板や絶縁層の存在しない部分では、この保護用ガラス基板により、ほぼ完全に密封されるので、外部環境の影響を排除でき、センサのデバイスとしての信頼性をさらに向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の第１の実施形態に係る静電容量型センサの構造について図１乃至図６を参照して説明する。図１、図２は、本実施形態の静電容量型センサ１０ａ（以下、センサと略す）の構造を示す。
【００２０】
図１、図２において、センサ１０ａは、可動電極６ａの形成されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハ（以下、ＳＯＩ基板と略す）のセンサチップ１ｂ（図３（ｂ）参照）と、固定電極９の形成されたガラス基板８により構成される。センサチップ１ｂは、絶縁体のＳｉＯ２よりなる絶縁層３を介在して接合された活性層となる上側Ｓｉ基板２と、支持基板となる下側Ｓｉ基板４とから構成され、可動電極６ａは、センサチップ１ｂの上側Ｓｉ基板２に形成される。ガラス基板８には、可動電極６ａに対向する面に固定電極９が形成され、固定電極９から引き出し線１２が外部への配線となる穴部１１ａの近傍に導かれる。このガラス基板８とセンサチップ１ｂは、陽極接合により、精度よく接合される。この接合により、引き出し線１２と上側Ｓｉ基板２に形成された島状分離部１５が電気的に接続されると共に、この島状分離部１５が穴部１１ａを密閉する形で穴部１１ａの内壁の金属膜１１ｃと接合される。さらに、この金属膜１１ｃが外部接続端子１７ａに接続されて電極からの信号が外部に取り出される。同様に、別の穴部１１ｂを経て可動電極６ａからの信号も外部接続端子１７ｂより取り出される。この取り出された可動電極６ａと固定電極９間の静電容量変化により、加速度等の物理量が検出される。
【００２１】
図３は、図２に示されたセンサ１０ａのセンサチップ１ｂを形成する半導体基板と、この半導体基板に可動部が形成された各センサチップの構成を示す。図３（ａ）は、本実施形態に使用する半導体基板のＳＯＩ基板１ａの構成を示し、（ｂ）は、センサの検知部となるセンサチップ１ｂを示し、このセンサチップ１ｂは、ＳＯＩ基板１ａに形成された可動部としてダイヤフラムを有する可動電極６ａを備えている。（ｃ）は、上記とは別のセンサチップ１ｃを示し、このセンサチップ１ｃは、可動部として重錘体部６ｃを有する可動電極６ｂを備えている。
【００２２】
上記可動電極６ａは、その裏面の下側Ｓｉ基板４に空洞７ａを有し、ダイヤフラムを形成してる。また、可動電極６ｂは、梁に支持され加速度により変位する重錘体部６ｃと一体に形成され、重錘体部６ｃは、空洞７ｂにより下側Ｓｉ基板４から分離されている。そして、可動電極６ａ又は６ｂは、ともにＳＯＩ基板を用いているので、絶縁層３により下側Ｓｉ基板４から電気的に分離され、静電容量型センサの片側の電極として形成される。なお、これら可動電極６ａ及び６ｂは、可動電極として基本的に同じ作用を有するので、ここでは、可動電極６ａについてのみ説明し、可動電極６ｂについての説明は省略する。
【００２３】
図４（ａ）、（ｂ）は、図３（ｂ）に示されたセンサチップ１ｂに、金属接触部１３と凹状の窪み１４が形成された状態を示す。このセンサチップ１ｂの可動電極６ａの上方には、静電容量ギャップ５（以下、容量ギャップと略す）が形成されている。そして、この容量ギャップ５の空洞の一端から、凹状の窪み１４が、図２に示したガラス基板８の貫通穴１１ａと対向する部分の近傍まで形成されている。この窪み１４の配置は、上側Ｓｉ基板２にガラス基板８を張り合わせた場合に、図２に示した固定電極９の引き出し線１２が、この窪み１４の上を通るように構成されている。これにより、引き出し線１２と上側Ｓｉ基板２との短絡を防止することができる。また、窪み１４の終端部には、引き出し線１２と接合するための金属接触部１３が形成され、この金属接触部１３は、アルミ等の金属材料により構成され上側Ｓｉ基板２と電気的に導通されている。
【００２４】
図５（ａ）、（ｂ）は、図４のセンサチップ１ｂに、さらに金属接触部１３を分離する島状分離部１５が形成された状態を示す。上側Ｓｉ基板２は、金属接触部１３を含み貫通穴１１ａと対向する上側Ｓｉ基板２の周囲をＳｉ基板の深堀エッチングにより、絶縁層３までエッチングされ、上側Ｓｉ基板２内に島状に分離された島状分離部１５が形成されている。この島状分離部１５は、エッチングによる分離溝１６により、周囲の上側Ｓｉ基板２から電気的に分離されている。
【００２５】
また、図６（ａ）、（ｂ）は、上述の図１及び図２に示したセンサ１０ａのガラス基板８の構成を示す。ガラス基板８は、センサ１０ａの可動電極６ａと静電容量を形成する一方の電極となる固定電極９を備え、この固定電極９は、図２に示した容量ギャップ５を挟んで上側Ｓｉ基板２と対向するように配置される。また、ガラス基板８には、２箇所以上の貫通穴１１ａ、１１ｂ等が可動電極６ａや固定電極９等からの配線引き出し用として設けられている。固定電極９は、金属薄膜を蒸着、又はスパッタにより０．１〜１μｍの厚さに成膜後、エッチング等により所定の大きさに形成され、この固定電極９からは、貫通穴１１ａの近傍まで延ばされた引き出し線１２が形成されている。また、貫通穴１１ａ又は１１ｂの内壁には、金属膜１１ｃが形成され、この金属膜１１ｃは、固定電極９や可動電極６ａの引き出し用の配線となり、ガラス基板８の表面に形成された外部接続端子１７ａ又は１７ｂに接続されセンサ信号が外部に取り出される。
【００２６】
上記図１乃至図６に示された構成の第１の実施形態に係るセンサ１０ａによれば、ガラス基板８を上側Ｓｉ基板２に張り合わせて陽極接合されるので、ガラス基板８と上側Ｓｉ基板２がそれらの周辺において精密に接合されて密閉される。この時、ガラス基板８の引き出し線１２と上側Ｓｉ基板２の金属接触部１３が接合されると共に、上側Ｓｉ基板２の島状分離部１５が、ガラス基板８の金属成膜された貫通穴１１ａを完全に塞ぐ形で貫通穴１１ａと物理的かつ電気的に接合される。そして、固定電極９の引き出し線１２が上側Ｓｉ基板２の金属接触部１３と電気的に接続されるので、固定電極９と島状分離部１５が電気的に接続され、貫通穴１１ａを通してガラス基板８の表面の外部接続端子１７ａより、固定電極９からの信号を取り出すことができる。
【００２７】
従って、ガラス基板８の貫通穴１１ａ、１１ｂを密閉した状態で、可動電極６ａや固定電極９からの各引き出し配線を電気的に分離し、配線を最短にして外部に取り出すことができる。これにより、センサとして気密性の良い、信頼性の高い、小型でコンパクトな静電容量型センサを得ることができる。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態に係る静電容量型センサの構造について図７及び図８を参照して説明する。本実施形態の静電容量型センサ１０ｂは、島状分離部１５の裏面にある下側Ｓｉ基板４の一部を絶縁層３まで除去した点において、前記実施形態と異なる。図７において、センサ１０ｂは、島状分離部１５の裏面にある下側Ｓｉ基板４に、その一部を絶縁層まで除去した空洞１９が形成されている。
【００２９】
センサ１０ｂにおける寄生容量について、図８を参照して説明する。同図に示すように、センサ１０ｂにおいて、空洞１９がなかった場合には、可動電極６ａと下側Ｓｉ基板４との間には、絶縁層３を介して寄生容量Ｃ１が発生し、同様に、固定電極９と接続される島状分離部１５と下側Ｓｉ基板４との間にも、絶縁層３を介して寄生容量Ｃ２が発生する。これら寄生容量Ｃ１及びＣ２の合計の寄生容量Ｃｓ（Ｃｓ＝Ｃ１＊Ｃ２／Ｃ１＋Ｃ２）は、センサ検知量となる固定電極９と可動電極６ａ間の測定静電容量Ｃ０に電気的に並列に挿入される。従って、この寄生容量Ｃｓは、微小な静電容量ではあるが測定静電容量Ｃ０にとっては不必要な容量であり、センサの精度を悪くすると共に、感度特性の直線性を悪くすることから、できるだけ小さい方が望ましい。
【００３０】
本実施形態の静電容量型センサ１０ｂにおいて、空洞１９を設けたことにより、島状分離部１５の裏面の下側Ｓｉ基板４が排除され、島状分離部１５と下側Ｓｉ基板４との間で静電容量のコンデンサを形成する電極の一方がなくなるため、寄生容量Ｃ２を大幅に削減することができる。これにより、センサ１０ｂへの寄生容量Ｃｓの影響を削減することができ、センサ精度と感度特性の直線性を向上することができる。
【００３１】
次に、本発明の第３の実施形態に係る静電容量型センサについて図９を参照して説明する。本実施形態の静電容量型センサ１０ｃは、島状分離部１５の裏面にある下側Ｓｉ基板４を前記同様に電気的に分離された島状に形成したした点において、前記実施形態と異なる。
【００３２】
本センサ１０ｃは、上側Ｓｉ基板２の島状分離部１５に対応する下側Ｓｉ基板４に、分離溝２１ａにより電気的に分離された裏面島状分離部２１が、他の下側Ｓｉ基板４から島状に独立して形成されている。この裏面島状分離部２１により、島状分離部１５と下側Ｓｉ基板４間の寄生容量Ｃ２は、島状分離部１５と裏面島状分離部２１間の寄生容量と、裏面島状分離部２１と下側Ｓｉ基板４間の寄生容量との直列容量になる。しかし、裏面島状分離部２１が電気的に他の下側Ｓｉ基板４から分離されているので、島状分離部１５と下側Ｓｉ基板４間の寄生容量Ｃ２を大幅に削減することができる。これにより、固定電極９と接続される島状分離部１５と可動電極６ａ間の寄生容量を溝を掘るだけの簡単な加工で削減することができ、センサの精度をより向上することができる。
【００３３】
次に、本発明の第４の実施形態に係る静電容量型センサの構造について図１０を参照して説明する。本実施形態の静電容量型センサ１０ｄは、島状分離部１５の裏面に対向する下側Ｓｉ基板４から、島状分離部１５の大きさより大きな面積を有する部分を除去し、島状分離部１５を下側Ｓｉ基板４から分離した点において前記実施形態と異なる。
【００３４】
本センサ１０ｄは、上側Ｓｉ基板２の島状分離部１５の裏側の下側Ｓｉ基板４に、島状分離部１５の大きさより大きな面積を有する部分を除去した空洞部２２が形成されている。この空洞部２２により、島状分離部１５は、下側Ｓｉ基板４からほぼ完全に分離される。この分離により、島状分離部１５とコンデンサを形成する電極板に相当する導体が存在しなくなるため、島状分離部と、それ以外の上側Ｓｉ基板間の寄生容量をほぼ無視できるため、寄生容量の影響をほぼ完全に除くことができる。これにより、本実施形態のセンサ１０ｄによれば、島状分離部１５と下側Ｓｉ基板４間における寄生容量の発生が極めて少なくでき、センサの精度をさらに向上することができる。
【００３５】
次に、本発明の第５の実施形態に係る静電容量型センサの構造について図１１を参照して説明する。本実施形態の静電容量型センサ１０ｅは、貫通穴１１ａの下部にある島状分離部１５に対し、ガラス基板８の外部より直接ワイヤボンディング２３を含む電気的な配線を形成した点において前記実施形態と異なる。
【００３６】
センサ１０ｅは、貫通穴１１ａの下部にある上側Ｓｉ基板２の島状分離部１５の上面にボンディングパッド２３ａを備え、このボンディングパッド２３ａにガラス基板８の外部より直接ワイヤボンディング２３を接合することにより、固定電極９や可動電極６ａからの配線を取り出している。このように、ボンディング接合によりセンサ内部から直接信号を取り出すことができるので、電極からの接続プロセスを少なくでき、電極からの引き出し配線の信頼性を向上することができる。
【００３７】
次に、本発明の第５の実施形態に係る静電容量型センサの構造について図１２を参照して説明する。本実施形態の静電容量型センサ２０は、下側Ｓｉ基板４の裏面に保護用ガラス基板２４を接合した点において前記実施形態と異なる。
【００３８】
センサ２０は、下側Ｓｉ基板４に、その裏面を被う保護用ガラス基板２４が接合され、その中央部には、圧力導入部としての機能、役割を有するスルーホール２５が設けられている。この保護用ガラス基板２４により、センサの支持が強化され、また、島状分離部１５の裏側の下側Ｓｉ基板４や絶縁層３の存在しない部分では、この保護用ガラス基板２４により、ほぼ完全に密封されるので、水分の侵入等の外部環境の影響を排除できセンサとしてデバイスの信頼性を向上することができる。
【００３９】
以上述べたように、本実施形態に係るセンサ１０ａ乃至１０ｄの構造によれば、半導体基板にＳＯＩ基板を使用することにより、電気的に独立された島状分離部１５を簡単に形成することができる。そして半導体基板とガラス基板８とを陽極接合することにより両者を高精度に接合し、ＳＯＩ基板の上側Ｓｉ基板２に設けた島状分離部１５により固定電極９からの外部への引き出し配線となる貫通穴１１ａを密閉することができる。同時に、各電極と貫通穴１１ａが電気的に接続されることにより貫通穴１１ａから外部に信号を容易に取り出すことができる。以上により、コンパクトで気密性の良い小型で信頼性の高い静電容量型センサの構造を得ることができる。
【００４０】
また、島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板の一部を絶縁層まで除去すること、又は島状分離部の裏面にある下側Ｓｉ基板に裏面島状分離部を形成すること、又は島状分離部を下側Ｓｉ基板から分離すること等により、島状分離部とそれ以外の下側Ｓｉ基板間に生じる寄生容量を低減することができ、センサの感度と感度特性の直線性を向上することができる。
【００４１】
さらに、センサ内部の電極に直接、ボンディングして信号を取り出すことにより、電極の引き出しの信頼性を向上することができると共に、ＳＯＩ基板の裏面に保護用ガラス基板を陽極接合等により接合することにより、センサがほぼ完全に気密封止され、センサとしてのデバイスの信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る静電容量型センサの平面図。
【図２】図１のＡ１−Ａ２線断面図。
【図３】（ａ）は上記センサの構造に用いたＳＯＩ基板の断面図、（ｂ）は同基板に形成されたセンサチップの断面図、（ｃ）は同基板に形成された他のセンサチップの断面図。
【図４】（ａ）は上記図３（ｂ）に示したセンサチップに金属接触部と窪みが形成された状態の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ１−Ｂ２線断面図。
【図５】（ａ）は上記センサチップに島状分離部が形成された状態の平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ１−Ｃ２線断面図。
【図６】（ａ）は上記センサの構造のガラス基板の平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ１−Ｄ２線断面図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る静電容量型センサの断面図。
【図８】上記センサの構造の寄生容量を説明する図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る静電容量型センサの断面図。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る静電容量型センサの断面図。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る静電容量型センサの断面図。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る静電容量型センサの断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１ａ  半導体基板、ＳＯＩウェハ基板
１ｂ、１ｃ  センサチップ
２  上側Ｓｉ基板
３  絶縁層
４  下側Ｓｉ基板
６ａ、６ｂ  可動電極
８  ガラス基板
９  固定電極
１０ａ、１０ｂ、２０  静電容量型センサ
１１ａ、１１ｂ貫通穴
１５  島状分離部
２１  裏面島状分離部
２３  ワイヤボンディング
２４  保護用ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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