(57)【要約】【課題】記録層が凹凸パターンで形成され、表面が充分に平坦で良好な記録／再生特性が確実に得られる磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板２２上に導電層３８、連続記録層、絶縁層がこの順で形成された被加工体の連続記録層を凹凸パターンに加工し、凹凸パターンの凸部に前記絶縁層が残存し、且つ、凹凸パターンの凹部２６の底部に導電層３８が露出するように記録要素２４Ａを形成してから、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材２８を凹部２６の底部に露出した導電層３８上に選択的に堆積させるＣＶＤ法を用いて、凹部２６に非磁性材２８を充填する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電層、連続記録層、絶縁層がこの順で形成された被加工体の前記連続記録層を凹凸パターンに加工し、該凹凸パターンの凸部に前記絶縁層が残存し、且つ、前記凹凸パターンの凹部の底部に前記導電層が露出するように、前記凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、ＣＶＤ法により、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材を、前記凹部の底部に露出した前記導電層上に選択的に堆積させ、前記凹部に前記非磁性材を充填する非磁性材充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記被加工体は、前記導電層として前記記録層加工工程における加工速度が前記記録層よりも遅いストップ膜が形成された構成であり、前記記録層加工工程において、前記凹凸パターンの凹部に前記ストップ膜が残存するように、前記ストップ膜まで前記被加工体を加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
基板上に導電性を有する連続記録層、絶縁層がこの順で形成された被加工体の前記連続記録層を凹凸パターンに加工し、該凹凸パターンの凸部に前記絶縁層が残存し、且つ、前記凹凸パターンの凹部の底部に前記連続記録層が露出するように、前記凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、ＣＶＤ法により、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材を、前記凹部の底部に露出した前記連続記録層上に選択的に堆積させ、前記凹部に前記非磁性材を充填する非磁性材充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記非磁性材充填工程の後に、前記記録要素上に残存する前記絶縁層を除去し、表面を平坦化する平坦化工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記記録層加工工程と、前記非磁性材充填工程と、の間に、前記被加工体の上に絶縁膜を成膜する絶縁膜成膜工程と、前記記録要素の側面に前記絶縁膜が残存し、前記記録要素の上に前記絶縁層が残存し、且つ、前記凹凸パターン凹部の底部に前記導電層が露出するように、前記絶縁膜を部分的に除去する絶縁膜加工工程と、が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
基板上に導電層、絶縁性の連続記録層がこの順で形成された被加工体の前記連続記録層を凹凸パターンに加工し、該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成して該記録要素を露出させ、且つ、前記凹凸パターンの凹部の底部に前記導電層を露出させる記録層加工工程と、ＣＶＤ法により、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材を、前記凹部の底部に露出した前記導電層上に選択的に堆積させ、前記凹部に前記非磁性材を充填する非磁性材充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記被加工体は、前記導電層として前記記録層加工工程における加工速度が前記記録層よりも遅いストップ膜が形成された構成であり、前記記録層加工工程において、前記凹凸パターンの凹部に前記ストップ膜が残存するように、前記ストップ膜まで前記被加工体を加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記記録層加工工程において、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を凹凸パターンに加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
基板上に所定の凹凸パターンで形成されて記録要素が前記凹凸パターンの凸部として形成された記録層と、前記記録要素の間の凹部に充填された、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対してデータの記録／再生を行うための磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録層が所定の凹凸パターンで形成されて記録要素が凹凸パターンの凸部として形成された磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されているが、磁気ヘッドの加工限界、磁気ヘッドの記録磁界の広がりに起因する隣接トラックへの記録、再生時のクロストークなどの問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。
【０００３】
これに対し、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が凹凸パターンで形成され、記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。尚、ハードディスク等の磁気記録媒体ではヘッド浮上高さを安定させるために、表面の平坦性が重視されるため、記録要素の間の凹部を非磁性材で充填し、記録層の表面を平坦化することが好ましい。
【０００４】
記録層を凹凸パターンに加工する手法としては、ドライエッチング等の加工手法を利用しうる。又、凹部に非磁性材を充填し、表面を平坦化する手法としては、スパッタリング法、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で凹凸パターンの記録層上に凹部を充填するように非磁性材を成膜してから、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）やドライエッチングで余剰の非磁性材を除去し、表面を平坦化する手法を利用しうる（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開平１２−１９５０４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＣＭＰ法は、ｎｍのオーダーで加工量を制御することが困難であり、記録要素の上面の一部まで除去したり、記録要素の上に非磁性材が残存し、磁気記録媒体の特性が悪化することがある。又、ＣＭＰ法は、スラリーの除去のために洗浄等に多大な時間、コストを要するという問題があった。更に、ＣＭＰ法はウェットプロセスであるため、記録層を凹凸パターンに加工する工程等のドライプロセスと組合わせると、被加工体の搬送等が煩雑となり、製造工程全体の効率が低下するという問題がある。
【０００７】
一方、ドライエッチングは、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ−Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）による組成分析を行うことにより、ｎｍのオーダーで加工量を制御することが可能である。又、ドライエッチングは、ドライプロセスであるのでスラリーの除去等の問題がなく、更に、記録層を凹凸パターンに加工する工程等のドライプロセスと組合わせることで生産効率の向上が可能であるが、凹凸パターンの記録層に倣って凹凸パターンで成膜される非磁性材をドライエッチングで平坦化する場合、例えば、データ領域とサーボ領域のように、記録要素の幅や凹凸パターンが異なる領域間でエッチングレートに差が生じやすく、表面を所望のレベルまで充分に平坦化できないことがあった。
【０００８】
又、ＣＭＰ法やドライエッチングを用いて表面を所望のレベルまで充分に平坦化しても、磁気記録媒体の表面が静電気を帯びて異物を吸着し、この異物のために記録／再生精度が低下してしまうことがあった。
【０００９】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、記録層が凹凸パターンで形成され、表面が充分に平坦で良好な記録／再生特性が確実に得られる磁気記録媒体及びこのような磁気記録媒体を効率良く製造することができる磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板上に連続記録層が形成された被加工体の連続記録層を凹凸パターンに加工し、凹凸パターンの凸部の少なくとも上面に絶縁材が露出し、且つ、凹凸パターン凹部の底部に導電材が露出するように連続記録層を加工して記録要素を形成してから、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材を、凹部の底部に露出した導電材上に選択的に堆積させるＣＶＤ法を用いて、凹部に非磁性材を充填することにより、上記目的を達成するものである。
【００１１】
即ち、凹部に非磁性材を充填するために、従来のように凹凸パターンの記録層の上に非磁性材を一様に成膜するのではなく、非磁性材を凹部に選択的に充填するので、凹部が非磁性材で充填された被加工体の表面には、記録層の凹凸パターンが殆ど残存せず、又、凹凸パターンが形成されても、その段差は従来よりも著しく小さく抑制される。従って、その後のドライエッチング等により、表面を所望のレベルまで確実、且つ、容易に平坦化することができる。
【００１２】
又、本発明は、記録要素の間の凹部にタングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材が充填された磁気記録媒体により、上記目的を達成するものである。
【００１３】
このように、記録要素の間の凹部に、導電性を有するタングステンやアルミニウムを充填することで、絶縁性の材料が記録要素の凹部に充填される磁気記録媒体よりも、静電気の帯電が抑制される。従って、異物等の吸着による記録／再生精度の低下を抑制することができる。
【００１４】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００１５】
（１）基板上に導電層、連続記録層、絶縁層がこの順で形成された被加工体の前記連続記録層を凹凸パターンに加工し、該凹凸パターンの凸部に前記絶縁層が残存し、且つ、前記凹凸パターンの凹部の底部に前記導電層が露出するように、前記凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、ＣＶＤ法により、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材を、前記凹部の底部に露出した前記導電層上に選択的に堆積させ、前記凹部に前記非磁性材を充填する非磁性材充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１６】
（２）  （１）において、前記被加工体は、前記導電層として前記記録層加工工程における加工速度が前記記録層よりも遅いストップ膜が形成された構成であり、前記記録層加工工程において、前記凹凸パターンの凹部に前記ストップ膜が残存するように、前記ストップ膜まで前記被加工体を加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１７】
（３）基板上に導電性を有する連続記録層、絶縁層がこの順で形成された被加工体の前記連続記録層を凹凸パターンに加工し、該凹凸パターンの凸部に前記絶縁層が残存し、且つ、前記凹凸パターンの凹部の底部に前記連続記録層が露出するように、前記凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する記録層加工工程と、ＣＶＤ法により、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材を、前記凹部の底部に露出した前記連続記録層上に選択的に堆積させ、前記凹部に前記非磁性材を充填する非磁性材充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１８】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記非磁性材充填工程の後に、前記記録要素上に残存する前記絶縁層を除去し、表面を平坦化する平坦化工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００１９】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記記録層加工工程と、前記非磁性材充填工程と、の間に、前記被加工体の上に絶縁膜を成膜する絶縁膜成膜工程と、前記記録要素の側面に前記絶縁膜が残存し、前記記録要素の上に前記絶縁層が残存し、且つ、前記凹凸パターン凹部の底部に前記導電層が露出するように、前記絶縁膜を部分的に除去する絶縁膜加工工程と、が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（６）基板上に導電層、絶縁性の連続記録層がこの順で形成された被加工体の前記連続記録層を凹凸パターンに加工し、該凹凸パターンの凸部として記録要素を形成して該記録要素を露出させ、且つ、前記凹凸パターンの凹部の底部に前記導電層を露出させる記録層加工工程と、ＣＶＤ法により、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材を、前記凹部の底部に露出した前記導電層上に選択的に堆積させ、前記凹部に前記非磁性材を充填する非磁性材充填工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
（７）  （６）において、前記被加工体は、前記導電層として前記記録層加工工程における加工速度が前記記録層よりも遅いストップ膜が形成された構成であり、前記記録層加工工程において、前記凹凸パターンの凹部に前記ストップ膜が残存するように、前記ストップ膜まで前記被加工体を加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２２】
（８）  （１）乃至（７）のいずれかにおいて、前記記録層加工工程において、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を凹凸パターンに加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
（９）基板上に所定の凹凸パターンで形成されて記録要素が前記凹凸パターンの凸部として形成された記録層と、前記記録要素の間の凹部に充填された、タングステン及びアルミニウムのいずれかを主成分とする非磁性材と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２４】
（１０）  （９）に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に対してデータの記録／再生を行うための磁気ヘッドと、を備えることを特徴とする磁気記録再生装置。
【００２５】
尚、本出願において、「凹凸パターンで形成されて記録要素が凹凸パターンの凸部として形成された記録層」とは、連続記録層が所定のパターンで多数の記録要素に分割された記録層の他、連続記録層が所定のパターンで部分的に分割して形成され、一部が連続する記録要素で構成された記録層、又、例えば螺旋状の渦巻き形状の記録層のように、基板上の一部に連続して形成された記録層、凸部及び凹部双方が形成された連続した記録層も含む意義で用いることとする。
【００２６】
又、本出願において「タングステンを主成分とする非磁性材」とは、全構成原子に対するタングステンの原子数の比率が９０％以上の非磁性材という意義で用いることとする。「アルミニウムを主成分とする非磁性材」についても同様である。
【００２７】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【００２８】
又、本出願において「加工速度」という用語は、単位時間当たりの加工量という意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、記録層が凹凸パターンで形成され、表面が充分に平坦で良好な記録／再生特性が確実に得られる磁気記録媒体を効率良く製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
図１に示されるように、本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１２と、磁気記録媒体１２に対してデータの記録／再生を行うための磁気ヘッド１４と、を備えている。尚、磁気記録媒体１２はチャック１６に固定され、該チャック１６と共に回転自在とされている。又、磁気ヘッド１４は、アーム１８の先端近傍に装着され、アーム１８はベース２０に回動自在に取付けられている。これにより、磁気ヘッド１４は磁気記録媒体１２の径方向に沿う円弧軌道で磁気記録媒体１２の表面に近接して可動とされている。磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１２の構成に特徴を有しており、他の構成については、本発明の理解のために特に必要とは思われないため、説明を適宜省略することとする。
【００３２】
磁気記録媒体１２は、円板状の垂直記録型のディスクリートトラックメディアであり、図２に示されるように、基板２２上に所定の凹凸パターンで形成されて記録要素２４Ａが凹凸パターンの凸部として形成された記録層２４と、記録要素２４Ａの間の凹部２６に充填された、Ｗ（タングステン）を主成分とする非磁性材２８と、を有している。尚、記録要素２４Ａは、データ領域において径方向に微細な間隔の同心円状のトラック形状で形成されており、図２はこれを示す径方向に沿う側断面図である。又、記録要素２４Ａは、サーボ領域において所定のサーボ情報のパターンで形成されている（図示省略）。
【００３３】
基板２２は、記録層２４側の面が鏡面研磨されている。基板２２の材料としては、ガラス、ＮｉＰで被覆したＡｌ合金、Ｓｉ、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性材料を用いることができる。
【００３４】
記録層２４は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層２４の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等の保磁力が高い材料を用いることができる。又、記録層２４は導電性を有している。尚、記録層２４を凹凸パターンに加工する手法としては、イオンビームエッチング等のドライエッチングの手法を用いることができる。
【００３５】
非磁性材２８は、上記のように主成分がタングステンであり、記録層２４と同様に導電性を有している。
【００３６】
記録要素２４Ａ及び非磁性材２８の上には保護層３０、潤滑層３２がこの順で形成されている。保護層３０は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層３０の材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボンと呼称される硬質炭素膜等を用いることができる。尚、本出願において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２×１０９〜８×１０１０Ｐａ程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。又、潤滑層３２は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層３２の材料としては、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）やフォンブリン系潤滑剤等を用いることができる。
【００３７】
又、基板２２及び記録層２４の間には基板２２側から、下地層３４、軟磁性層３６、配向層（導電層）３８がこの順で形成されている。下地層３４は、厚さが２〜４０ｎｍである。下地層３４の材料としてはＴａ等を用いることができる。
【００３８】
軟磁性層３６は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層３６の材料としては、Ｆｅ（鉄）合金、Ｃｏ（コバルト）アモルファス合金、フェライト等を用いることができる。
【００３９】
配向層３８は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層３８の材料としては、非磁性、且つ、導電性のＣｏＣｒ合金、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体等を用いることができる。又、配向層３８の材料としては、記録層２４を凹凸パターンに加工するためのイオンビームエッチング等のドライエッチングに対する加工速度が記録層２４よりも遅い材料を用い、配向層３８が記録層２４の加工におけるストップ膜を兼ねる構成とすることが好ましい。尚、後述するように本第１実施形態では、配向層３８は、後述する非磁性材２８の充填工程において非磁性材２８が選択的に堆積する導電層を兼ねているが、例えば、軟磁性層３６を導電層として用いてもよい。又、配向層３８、軟磁性層３６と別体で導電層を設けてもよい。
【００４０】
磁気ヘッド１４は、図示しない記録ヘッド及び再生ヘッドを備えている。
【００４１】
次に、磁気記録再生装置１０の作用について説明する。
【００４２】
磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１２が、記録要素２４Ａの間の凹部２６に、導電性を有するＷ（タングステン）を主成分とする非磁性材２８が充填されているので、凹部に絶縁性の材料が充填された磁気記録媒体よりも静電気が帯電しにくい。従って、異物等を吸着しにくく良好な記録／再生特性が確実に得られる。
【００４３】
又、Ｗは耐食性に優れ、経時的な変形や剥離が生じにくく、この点でも良好な記録／再生特性が確実に得られる。
【００４４】
更に、Ｗは、凹部２６を充填するために従来のように凹凸パターンの記録層２４の上に一様に成膜されるのではなく、後述するようにＣＶＤ法により、凹部２６に選択的に充填できるので、磁気記録媒体１２は、表面を所望のレベルまで充分に、確実、且つ、容易に平坦化でき、生産性が良い。
【００４５】
即ち、Ｗは、ＣＶＤ法により凹部２６に選択的に充填できるので、従来のように凹凸パターンの記録層上に非磁性材を一様に形成する場合に対し、製造工程における非磁性材の使用量が少なくて足り、又、平坦化工程で除去される非磁性材が従来よりも少ないので、生産性が良い。
【００４６】
又、磁気記録媒体１２は、記録要素２４Ａが、データ領域においてトラック形状で形成されているので面記録密度が高くても記録対象のトラックに隣接するトラックへの記録や再生時のクロストーク等の問題が生じにくい。
【００４７】
更に、磁気記録媒体１２は、記録要素２４Ａ同士が分割され、記録要素２４Ａ間の凹部３６には記録層２４が存在しないので凹部３６からノイズが発生することがなく、この点でも良好な記録／再生特性が得られる。
【００４８】
次に、磁気記録媒体１２の製造方法について、図３のフローチャートに沿って説明する。
【００４９】
まず、図４に示されるような被加工体４０の出発体を作製する（Ｓ１０２）。具体的には、被加工体４０の加工出発体は、基板２２の上に、下地層３４、軟磁性層３６、配向層３８、連続記録層４２、絶縁層４４、主マスク層４６、副マスク層４８をこの順でスパッタリング法により形成し、更にレジスト層５０をスピンコート法で塗布することにより得られる。尚、ディッピング法によりレジスト層５０を塗布してもよい。
【００５０】
絶縁層４４は、厚さが１〜１０ｎｍである。絶縁層４４の材料としては、例えば、ＳｉＯ２等を用いることができる。
【００５１】
主マスク層４６は、厚さが３〜５０ｎｍである。主マスク層４６の材料としてはＣ（炭素）、ＤＬＣ等を用いることができる。副マスク層４８は、厚さが３〜３０ｎｍである。主マスク層４６の材料としてはＮｉ等を用いることができる。レジスト層５０は、厚さが３０〜３００ｎｍである。尚、レジスト層５０の材料はネガ型レジストでもポジ型レジストでもよい。
【００５２】
次に、ナノ・インプリント法により、レジスト層５０に、記録要素２４Ａの形状に対応する凹凸パターンを転写し、Ｏ２ガスを反応ガスとする反応性イオンビームエッチングにより、凹凸パターンの凹部の底部のレジスト層５０を除去する（Ｓ１０４）。尚、レジスト層５０を露光・現像して、レジスト層５０を凹凸パターンに加工してもよい。
【００５３】
次に、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、凹部の底部の副マスク層４８を除去する（Ｓ１０６）。
【００５４】
次に、Ｏ２ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部の底部の主マスク層４６を除去する（Ｓ１０８）。これにより、凹部の底部に絶縁層４４が露出する。
【００５５】
次に、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、凹部の底部の絶縁層４４及び連続記録層４２を除去し、記録要素２４Ａを形成する（Ｓ１１０）。この際、記録要素２４Ａの間の凹部２６の底部に配向層３８が露出するように、凹部の底部の連続記録層４２は完全に除去する。これにより、図５に示されるように、連続記録層４２が多数の記録要素２４Ａに分割され、記録層１６が形成される。尚、記録要素２４Ａの上面に残存する主マスク層４６は、Ｏ２ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、完全に除去する。
【００５６】
イオンビームエッチングは、凹部２６の底部の加工速度が、凹部２６の幅に殆ど依存しないので、被加工体４０の全面において、凹部２６は深さが均一に形成される。尚、配向層３８の材料として、記録層２４を凹凸パターンに加工するためのイオンビームエッチングに対する加工速度が記録層２４よりも遅い材料を用い、配向層３８が記録層２４の加工におけるストップ膜を兼ねる構成とすれば、一層確実に、被加工体４０の全面において凹部２６の深さが均一に形成され、好ましい。尚、ストップ膜である配向層３８の上面が露出したところで加工を停止してもよく、配向層３８を厚さ方向に部分的に除去してもよい。
【００５７】
次に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により図６に示されるように、Ｗ（非磁性材２８）を凹部２６の底部に露出した配向層（導電層）３８上に選択的に堆積させ、図７に示されるように、凹部２６に非磁性材２８を充填する（Ｓ１１２）。尚、非磁性材２８は、その上面が記録要素２４Ａの上面よりも、例えば１ｎｍ程度高くなるように凹部２６内に堆積させ、凹部２６内を完全に充填する。
【００５８】
具体的には、温度が２００〜３００℃、圧力が０．１Ｐａ程度に設定されたチャンバ（図示省略）内に被加工体４０を保持し、ＷＦ６（６フッ化タングステン）及びＳｉＨ４（水素化ケイ素）の混合ガスを供給すると、以下の化学反応が起こり、Ｗが配向層（導電層）３８上に選択的に堆積する。
【００５９】
WF６（g）+(6/n)M(s)→W(s)+(6/n)MFn(g)…（I）
2WF６（g）+3SiH4(g)→2W(s)+３SiF4(g)+６H2(g)…（II）
【００６０】
尚、式（I）、（II）において、Ｍは配向層３８の構成元素、ｎはＭの価数を示す。又、ｇは気体、ｓは固体を示す。チャンバ内では、式（I）、（II）に示される化学反応が同時に進行するが、いずれの化学反応においても、Ｗは、導電性の配向層３８上に選択的に堆積し、絶縁層４４上には堆積しない。
【００６１】
凹部２６の深さが均一であり、非磁性材２８の堆積は厚さ方向に等しい速度で進行するので、被加工体４０の全ての凹部２６において、非磁性材２８の上面は均一な高さとなる。
【００６２】
このように凹部２６を非磁性材２８で充填するために、従来のように凹凸パターンの記録層２４の上に非磁性材２８を一様に成膜するのではなく、非磁性材２８を凹部２６に選択的に充填することができるので、凹部２６が非磁性材２８で充填された被加工体４０の表面には記録層２４の凹凸パターンに倣った凹凸パターンが殆ど形成されず、又、凹凸パターンが形成されても、その段差は従来よりも著しく小さく抑制される。
【００６３】
次に、加工用ガスとしてＡｒガスを用いたイオンビームエッチングにより、被加工体４０の表面の法線に対して傾斜した方向からＡｒのイオンビームを照射して、記録要素２４Ａ上の絶縁層４４と共に余剰の非磁性材２８を除去し、記録要素２４Ａ及び非磁性材２８の表面を平坦化する（Ｓ１１４）。ここで、「余剰の非磁性材２８」とは、記録要素２４Ａの上面を含む平面よりも上側（基板２２と反対側）に存在する非磁性材２８という意義で用いることとする。非磁性材充填工程（Ｓ１１２）において、被加工体４０の表面の凹凸の段差が、従来よりも著しく小さく抑制されているので、例えば、サーボ領域とデータ領域のように、記録層２４の凹凸パターンが異なる領域が存在しても、イオンビームエッチングを用いて、被加工体４０の表面を所望のレベルまで効率良く、確実に平坦化することができる。
【００６４】
次に、ＣＶＤ法により記録要素２４Ａ及び非磁性材２８の上面に保護層３０を一様に形成し（Ｓ１１６）、ディッピング法により保護層３０の上に潤滑層３２を塗布する（Ｓ１１８）。これにより、前記図１に示される磁気記録媒体１２が完成する。
【００６５】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００６６】
本第２実施形態は、上記第1実施形態に対し、図８のフローチャートに示されるように、記録層加工工程（Ｓ１１０）と、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）と、の間に、被加工体４０の上に絶縁膜５２を成膜する絶縁膜成膜工程（Ｓ２０２）と、記録要素２４Ａの側面に絶縁膜５２が残存し、記録要素２４Ａの上に絶縁層４４が残存し、且つ、凹凸パターン凹部の底部に配向層３８が露出するように、絶縁膜５２を部分的に除去する絶縁膜加工工程（Ｓ２０４）と、が設けられたことを特徴としている。その他は、上記第１実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００６７】
具体的には、記録層加工工程（Ｓ１１０）後、スパッタリング法により、図９に示されるように、被加工体４０の表面に絶縁膜５２を２〜１０ｎｍの厚さに成膜する（Ｓ２０２）。尚、絶縁膜５２の材料としてはＡｌ２Ｏ３（アルミナ）等を用いることができる。絶縁膜５２は、（記録要素２４Ａの上の）絶縁層４４の上、記録要素２４Ａの側面、及び凹部２６の底部の上に一様に成膜される。
【００６８】
次に、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、図１０中に矢印で示されるように、被加工体４０の表面に対して垂直な方向からＡｒガスを照射し、絶縁膜５２を部分的に除去する（Ｓ２０４）。イオンビームエッチングは、表面が加工用ガスの照射方向に対して平行な部分よりも垂直に近い部分の方が加工速度が速いので、記録要素２４Ａの側面に絶縁膜５２が残存するように、凹部２６の底部の上の絶縁膜５２を除去することができる。尚、（記録要素２４Ａの上の）絶縁層４４の上の絶縁膜５２は、完全に除去してもよいし、絶縁層４４上に残存してもよい。
【００６９】
次に、上記第１実施形態と同様にＣＶＤ法により、図１１に示されるように、Ｗ（非磁性材２８）を凹部２６の底部に露出した配向層（導電層）３８上に選択的に堆積させ、図１２に示されるように、凹部２６に非磁性材２８を充填する（Ｓ１１２）。
【００７０】
導電性を有する記録要素２４Ａの側面が絶縁膜５２で被覆されているので、Ｗの堆積が記録要素２４Ａの側面から進行することがなく、凹部２６の底面から被加工体４０の厚さ方向に確実に進行する。従って、非磁性材２８は上面が、凹部２６の底面と同様の平坦な形状に形成される。
【００７１】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【００７２】
本第３実施形態は、上記第1及び第２実施形態に対し、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）で用いるガスとして、ＷＦ６及びＳｉＨ４の混合ガスに代えて、ＷＦ６及びＨ２の混合ガスを用いるようにしたものである。その他は、上記第１及び第２実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００７３】
本第３実施形態では、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）において、チャンバ内で以下の化学反応が起こる。
【００７４】
WF６（g）+3H２(g)→W(s)+６HF(g)…（III）
【００７５】
この場合も、Ｗは、導電性の配向層３８上に選択的に堆積し、絶縁層４４には堆積しない。従って、本第３実施形態でも、上記第１及び第２実施形態と同様に、被加工体４０の表面を所望のレベルまで効率良く、確実に平坦化することができる。
【００７６】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
【００７７】
本第４実施形態は、上記第1及び第２実施形態に対し、非磁性材２８がＡｌ（アルミニウム）を主成分とする材料であることを特徴としている。その他は、上記第１及び第２実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００７８】
Ａｌは、Ｗよりも導電性が高いので、上記第１及び第２実施形態よりも静電気の帯電を抑制する効果が高く、異物等の吸着を一層確実に防止することができる。
【００７９】
又、ＡｌもＷと同様に耐食性に優れ、経時的な変形や剥離が生じにくく、良好な記録／再生特性が確実に得られる。
【００８０】
更に、ＡｌもＷと同様に、凹部２６を充填するために従来のように凹凸パターンの記録層２４の上に一様に成膜されるのではなく、以下に示すようにＣＶＤ法により、凹部２６に選択的に充填できるので、表面を所望のレベルまで充分に、確実、且つ、容易に平坦化でき、生産性が良い。
【００８１】
尚、本第４実施形態では、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）で用いるガスとして、上記第1及び第２実施形態のＷＦ６及びＳｉＨ４の混合ガスに代えて、Ａｌ（Ｃ４Ｈ９）３（トリイソブチルアルミニウム）ガスを用いる。具体的には、温度が２００〜３００℃、圧力が０．１Ｐａ程度に設定されたチャンバ（図示省略）内に被加工体４０を保持し、チャンバ内にＡｌ（Ｃ４Ｈ９）３ガスを供給すると、以下の化学反応が起こり、Ａｌが凹部２６の底部に露出した配向層（導電層）３８上に選択的に堆積する。
【００８２】
2Al(C4H9)3(g)→2Al(s)+3H2(g)＋6C4H8(g)…（IV）
【００８３】
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
【００８４】
本第５実施形態は、上記第1実施形態に対し、図１３に示されるように、磁気記録媒体６０が、凸部である記録要素６２Ａ及び凹部２６双方が形成された、凹凸パターンの連続した記録層６２を有している。尚、非磁性材２８はＷを主成分とする材料でもよく、上記第４実施形態と同様にＡｌを主成分とする材料でもよい。又、配向層３８は導電性でもよく、絶縁性でもよい。他の構成については、上記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００８５】
磁気記録媒体６０も、磁気記録媒体１２と同様に、導電性を有する記録要素６２Ａの間の凹部２６に、導電性を有するＷ又はＡｌを主成分とする非磁性材２８が充填されているので、凹部に絶縁性の材料が充填された磁気記録媒体よりも静電気が帯電しにくい。従って、異物等を吸着しにくく良好な記録／再生特性が確実に得られる。又、Ｗ、Ａｌは耐食性に優れ、経時的な変形や剥離が生じにくく、この点でも良好な記録／再生特性が確実に得られる。
【００８６】
又、磁気記録媒体６０も、磁気記録媒体１２と同様に、凹部２６を充填するために、Ｗ又はＡｌを主成分とする材料を従来のように凹凸パターンの記録層６２の上に一様に成膜するのではなく、ＣＶＤ法により、凹部２６に選択的に充填できるので、生産性が良い。
【００８７】
ここで、磁気記録媒体６０の製造方法について、上記第１実施形態に係る図３のフローチャートに沿って簡単に説明しておく。尚、上記第１〜第４実施形態と同様の工程については説明を適宜省略する。
【００８８】
まず、上記第１実施形態と同様に、被加工体の出発体作製工程（Ｓ１０２）、レジスト層加工工程（Ｓ１０４）、副マスク層加工工程（Ｓ１０６）、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）を実行することにより、凹部の底部に絶縁層４４が露出する。
【００８９】
次に、Ａｒガスを加工用ガスとするイオンビームエッチングにより、凹部の底部の絶縁層４４を除去すると共に連続記録層４２を厚さ方向に部分的に除去し、記録要素６２Ａを形成する（Ｓ１１０）。即ち、記録要素６２Ａの間の凹部２６の底部にも連続記録層４２が残存するように連続記録層４２を加工する。これにより、図１４に示されるように、連続記録層４２が凹凸パターンに加工されて該凹凸パターンの凸部として多数の記録要素６２Ａが形成された、連続した記録層６２が形成される。尚、記録要素６２Ａの上面に残存する主マスク層４６は、Ｏ２ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、完全に除去する。
【００９０】
次に、上記第１〜第４実施形態と同様にＣＶＤ法により図１５に示されるように、Ｗ又はＡｌを主成分とする材料（非磁性材２８）を凹部２６の底部に露出した記録層６２上に選択的に堆積させ、図１６に示されるように、凹部２６に非磁性材２８を充填する（Ｓ１１２）。
【００９１】
尚、上記第２実施形態と同様に、記録層加工工程（Ｓ１１０）後、絶縁膜成膜工程（Ｓ２０２）、絶縁膜加工工程（Ｓ２０４）を実行してから、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）を実行してもよい。
【００９２】
次に、上記第１実施形態と同様に、平坦化工程（Ｓ１１４）、保護層形成工程（Ｓ１１６）、潤滑層形成工程（Ｓ１１８）を実行することにより、前記図１３に示される磁気記録媒体６０が完成する。
【００９３】
尚、上記第１〜第５実施形態において、平坦化工程（Ｓ１１４）において記録要素２４、６２上の絶縁層４４及び凹部２６上の余剰の非磁性材２８を完全に除去しているが、所望の磁気特性が得られれば、これらの一部を残存させてもよい。
【００９４】
又、上記第１〜第５実施形態において、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）の後に、平坦化工程（Ｓ１１４）が設けられているが、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）により、被加工体４０の表面が所望のレベルまで充分に平坦化されていれば、平坦化工程（Ｓ１１４）は省略してもよい。
【００９５】
又、上記第１〜第５実施形態において、記録層２４、６２を凹凸パターンに加工するためのドライエッチングとしてＡｒガスを用いたイオンビームエッチングが例示されているが、例えばＫｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）等の他の希ガスを用いたイオンビームエッチングや、ＣＯ（一酸化炭素）及びＮＨ３（アンモニア）の混合ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、記録層２４を凹凸パターンに加工してもよい。
【００９６】
上記第１〜第４実施形態においては、このような反応性イオンエッチングを用いて記録層２４を加工する場合も、配向層３８の材料として、加工速度が記録層２４の加工速度よりも遅い材料を用い、配向層３８がストップ膜を兼ねる構成とすることで、被加工体４０の全面において凹部２６の深さを均一にする効果が得られる。ＣＯ及びＮＨ３の混合ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いる場合の、ストップ膜を兼ねる配向層３８の具体的な材料としては、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｕ及びＴａの積層体等を用いることができる。
【００９７】
又、上記第１実施形態において、配向層３８の材料として、記録層２４を凹凸パターンに加工するためのイオンビームエッチング等のドライエッチングに対する加工速度が記録層２４よりも遅い材料を用い、配向層３８が記録層２４の加工におけるストップ膜を兼ねる構成とすることが好ましい旨が示されているが、第１〜第４実施形態において、配向層３８と軟磁性層３６との間に、配向層３８と別体で、導電性を有し、且つ、記録層２４を凹凸パターンに加工するためのイオンビームエッチング等のドライエッチングに対する加工速度が記録層２４よりも遅い、導電層を兼ねるストップ膜を形成してもよい。
【００９８】
一方、ストップ膜がなくても凹部２６の深さを充分均一に加工できれば、配向層３８の材料として、記録層２４を凹凸パターンに加工するためのイオンビームエッチング等のドライエッチングに対する加工速度が記録層２４と同等、又は記録層２４よりも速い材料を用いてもよい。
【００９９】
又、上記第１〜第５実施形態において、絶縁層４４の材料としてＳｉＯ２が例示され、又、絶縁膜５２の材料としてＡｌ２Ｏ３が例示されているが、例えば、絶縁層４４の材料としてＡｌ２Ｏ３を用い、絶縁膜５２の材料としてＳｉＯ２を用いてもよく、絶縁層４４、絶縁膜５２の材料として他の絶縁材料を用いてもよい。
【０１００】
又、上記第１〜第４実施形態において、配向層３８の材料として導電性の材料を用い、凹部２６の底部に露出した配向層３８上に、非磁性材２８を選択的に堆積させているが、配向層３８の材料として絶縁性の材料を用い、配向層３８と軟磁性層３６との間に、配向層３８と別体で、導電層を形成してもよい。この場合、記録層加工工程（Ｓ１１０）において、凹部の配向層３８を完全に除去し、凹部２６の底面から配向層３８と別体の導電層を露出させればよい。
【０１０１】
又、上記第１〜第５実施形態において、連続記録層４２の上に絶縁層４４、主マスク層４６、副マスク層４８、レジスト層５０を連続記録層４２に形成し、３段階のドライエッチングで連続記録層４２を分割しているが、連続記録層４２を高精度で分割できれば、レジスト層、マスク層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。例えば、絶縁層４４が主マスク層を兼ねるようにしてもよい。
【０１０２】
又、上記第１〜第５実施形態において、記録層２４、６２（連続記録層４４）の材料はＣｏＣｒＰｔ合金又はＦｅＰｔ合金であるが、記録層２４、６２の材料として、例えば、鉄族元素（Ｃｏ、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ）を含む他の合金、これらの積層体等の他の材料を用いてもよい。
【０１０３】
又、以下に示す本発明の第６実施形態のように、記録層２４の材料として、酸化物、窒化物等の絶縁性の磁性材料を用いてもよい。以下、本第６実施形態による磁気記録媒体１２の製造方法について簡単に説明するが、記録層加工工程（Ｓ１１０）、非磁性材充填工程（Ｓ１１２）以外の工程については、上記第１実施形態と同様であるので、説明を適宜省略することとする。尚、この第６実施形態では、磁気記録媒体記録層２４が絶縁性であり、磁気記録媒体１２の製造工程において、絶縁層４４は不要であるので、上記第１実施形態に係る被加工体４０に対し、図１７に示されるような、絶縁層４４が省略された被加工体７０を用いる。
【０１０４】
まず、第１実施形態と同様の要領で被加工体７０の連続記録層４２を、図１８に示されるように凹凸パターンに加工し、凹凸パターンの凸部として記録要素２４Ａを形成して該記録要素２４Ａを露出させ、且つ、凹凸パターンの凹部２６の底部に配向層（導電層）３８を露出させる（Ｓ１１０）。
【０１０５】
次に、上記第１、第３又は第４実施形態と同様の要領で、ＣＶＤ法により図１９に示されるように、Ｗ又はＡｌ（非磁性材２８）を凹部２６の底部に露出した配向層３８上に選択的に堆積させ、図２０に示されるように、凹部２６に非磁性材２８を充填する（Ｓ１１２）。
【０１０６】
この際、記録要素２４Ａが絶縁性であるので、Ｗ又はＡｌの堆積が記録要素２４Ａの側面から進行することがなく、凹部２６の底面から被加工体７０の厚さ方向に確実に進行する。従って、非磁性材２８は上面が、凹部２６の底面と同様の平坦な形状に形成される。尚、記録要素２４Ａの上に絶縁層が形成されていないので、絶縁層を除去する工程は不要であるが、必要に応じて、ドライエッチング等により、記録要素２４Ａ、非磁性材２８の表面を平坦化してもよい。更に、上記第１実施形態と同様に、保護層３０、潤滑層３２を形成することにより、磁気記録媒体１２が得られる。
【０１０７】
尚、上記第１〜第６実施形態において、基板２２と記録層２４、６２との間に下地層３４、軟磁性層３６、配向層３８が形成されているが、記録層２４、６２の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層３４、軟磁性層３６、配向層３８のうち一又は二の層を省略してもよい。
【０１０８】
又、上記第１〜第６実施形態において、磁気記録媒体１２、６０はデータ領域において記録要素２４Ａ、６２Ａがトラックの径方向に微細な間隔で形成された垂直記録型の磁気ディスクであるが、記録層がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で形成された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で形成された磁気ディスク、記録層が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の他の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造に対しても本発明を適用可能である。又、面内記録型の磁気記録媒体についても本発明は適用可能である。
【実施例】
【０１０９】
上記第２実施形態のとおり、直径が約６５ｍｍで、記録層２４の分割パターンが異なる３種類の磁気記録媒体１２を作製した。各試料の具体的な分割パターンを表１に示す。尚、表１中の凹部の深さは、記録層加工工程（Ｓ１１０）後、且つ、絶縁膜成膜工程（Ｓ２０２）前の、絶縁層４４の上面と、凹部２６の底面との厚さ方向の長さである。
【０１１０】
記録層２４の厚さは約２０ｎｍとし、記録層２４の材料はＣｏＣｒ合金を用いた。又、絶縁層４４の厚さは約３ｎｍとし、絶縁層４４の材料はＳｉＯ２を用いた。又、絶縁膜５２の厚さは約２ｎｍとし、絶縁膜５２の材料はＡｌ２Ｏ３を用いた。
【０１１１】
非磁性材充填工程（Ｓ１１２）におけるＣＶＤの条件は、チャンバ内の圧力を約０．１Ｐａ、被加工体４０の温度を約２００℃に設定した。又、ＷＦ６ガス及びＳｉＨ４ガスは流量比が１：１となるようにチャンバ内に供給した。非磁性材２８は、その上面が記録要素２４Ａの上面よりも１ｎｍ高くなるように、約２１ｎｍの厚さに堆積させた。
【０１１２】
又、平坦化工程（Ｓ１１４）におけるイオンビームの照射角は、被加工体４０の表面に対して約２°に設定して余剰の非磁性材２８Ａを除去し、記録要素２４Ａの上面が露出するまで平坦化した。
【０１１３】
平坦化工程（Ｓ１１４）後、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により、記録要素２４Ａの上面と非磁性材２８の上面との段差を測定した。各試料の記録要素２４Ａの上面と非磁性材２８の上面との段差の測定結果を表１に示す。
【０１１４】
【表１】
2006092659.tif 000003
【０１１５】
表１に示されるように、記録層２４の分割パターンによらず、平坦化工程（Ｓ１１４）後の記録要素２４Ａの上面と非磁性材２８の上面との段差はほぼ一定で、表面が所望のレベルまで充分に平坦化されていることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックタイプのハードディスク等の記録層が凹凸パターンで形成された磁気記録媒体に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録再生装置の構造を模式的に示す斜視図
【図２】前記磁気記録再生装置の磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図３】前記磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図４】前記磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図５】連続記録層が分割された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図６】凹部の底部に非磁性材が堆積した前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図７】前記凹部が前記非磁性材で充填された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図８】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図９】同磁気記録媒体の製造工程における表面に絶縁膜が成膜された被加工体を模式的に示す側断面図
【図１０】前記絶縁膜が部分的に除去された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１１】凹部の底部に非磁性材が堆積した前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１２】前記凹部が前記非磁性材で充填された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１３】本発明の第５実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図１４】同磁気記録媒体の製造工程における、連続記録層が加工された被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１５】凹部の底部に非磁性材が堆積した前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１６】前記凹部が前記非磁性材で充填された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１７】本発明の第６実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す側断面図
【図１８】連続記録層が分割された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図１９】凹部の底部に非磁性材が堆積した前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【図２０】前記凹部が前記非磁性材で充填された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図
【符号の説明】
【０１１８】
１０…磁気記録再生装置
１２、６０…磁気記録媒体
１４…磁気ヘッド
１６…チャック
１８…アーム
２０…ベース
２２…基板
２４、６２…記録層
２４Ａ、６２Ａ…記録要素
２６…凹部
２８…非磁性材
３０…保護層
３２…潤滑層
３４…下地層
３６…軟磁性層
３８…配向層（導電層）
４０、７０…被加工体
４２…連続記録層
４４…絶縁層
４６…主マスク層
４８…副マスク層
５０…レジスト層
５２…絶縁膜
Ｓ１０２…被加工体の出発体作製工程
Ｓ１０４…レジスト層加工工程
Ｓ１０６…副マスク層加工工程
Ｓ１０８…主マスク層加工工程
Ｓ１１０…記録層加工工程
Ｓ１１２…非磁性材充填工程
Ｓ１１４…平坦化工程
Ｓ１１６…保護層形成工程
Ｓ１１８…潤滑層形成工程
Ｓ２０２…絶縁膜成膜工程
Ｓ２０４…絶縁膜加工工程
【図１】
2006092659.tif 000004
【図２】
2006092659.tif 000005
【図３】
2006092659.tif 000006
【図４】
2006092659.tif 000007
【図５】
2006092659.tif 000008
【図６】
2006092659.tif 000009
【図７】
2006092659.tif 000010
【図８】
2006092659.tif 000011
【図９】
2006092659.tif 000012
【図１０】
2006092659.tif 000013
【図１１】
2006092659.tif 000014
【図１２】
2006092659.tif 000015
【図１３】
2006092659.tif 000016
【図１４】
2006092659.tif 000017
【図１５】
2006092659.tif 000018
【図１６】
2006092659.tif 000019
【図１７】
2006092659.tif 000020
【図１８】
2006092659.tif 000021
【図１９】
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【図２０】
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