(57)【要約】【課題】  本発明は、当たり幅の中心と曲面の頂点を任意に設定でき、且つ摺動幅方向の曲面出しの研磨の加工精度を向上した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】  本発明の薄膜磁気ヘッド１は、薄膜磁気ヘッド１内のテープ摺動面２側で且つテープ摺動方向と交差する面の両端に、磁気ヘッド素子８を挟んでテープ摺動面研磨の進行に応じて抵抗値を変化させる検知素子４［４Ｒ，４Ｌ］が設けられてなることを特徴とする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッド内のテープ摺動面側で且つテープ摺動方向と交差する面の両端に、磁気ヘッド素子を挟んでテープ摺動面研磨の進行に応じて抵抗値を変化させる検知素子が設けられてなる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を有し、
前記検知素子が前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子の磁気抵抗効果素子と同じ材料で形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
テープ摺動面側の内部で且つテープ摺動方向と交差する面の両端に、磁気ヘッド素子を挟んでテープ摺動面研磨の進行に応じて抵抗値を変化させる検知素子を形成し、
前記テープ摺動面を研磨しながら前記両端の検知素子の抵抗値を比較して、テープ摺動面のテープ摺動方向と直交するテープ当たり幅内での曲面の頂点位置を制御する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記両端の検知素子で前記曲面の頂点位置と、前記磁気ヘッド素子のギャップデプスの制御を行う
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ摺動面の摺動幅方向の曲面を高精度に形成した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録方式を用いた薄膜磁気ヘッド素子を備えるデバイス（以下、薄膜磁気ヘッドと称する）では、情報化社会の急速な進化により、高記録密度化の要求が高まりつつある。この高記録密度化に伴い情報の転送レートもより高いレベルが要求され、磁気記録ではその解決方法の一つとして、薄膜磁気ヘッドとメディア（いわゆる記憶媒体：以下、磁気テープと称する）との相対速度を上げ、単位時間あたりに薄膜磁気ヘッドがテープを走査する距離を長くすることで、所望の情報量の読み出し・記録を行う方法がある。
その相対速度を向上させるヘリカルスキャニング方式では、薄膜磁気ヘッドを搭載した回転ドラムの回転速度を上げる方法がとられる。しかし、ドラムの回転数が高くなるにつれ、薄膜磁気ヘッドと磁気テープとの接触界面への空気の巻き込み等により、磁気テープと薄膜磁気ヘッド両者の安定した接触状態を得ることが困難になりつつある。より安定した接触状態を保つ為、薄膜磁気ヘッドの磁気テープと接触する面（以下、テープ摺動面と称す）の形状、並びに記録・再生ギャップとの位置関係に関し、より一層高い精度が求められている。
【０００３】
図５ａ，ｂに、従来のヘリカルスキャニング方式の薄膜磁気ヘッド、この例では磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子（以下、ＭＲヘッド素子という）を有する薄膜磁気ヘッド３１を示す。この薄膜磁気ヘッド３１は、ＭＲヘッド素子３４と、このＭＲヘッド素子３４を挟んで設けられた非磁性ガード部材４１〔４１Ａ，４１Ｂ〕とから構成される。ＭＲヘッド素子３４は、一方の非磁性ガード部材４１Ａの接合面上に形成され、磁気抵抗効果素子（いわゆる感磁部：以下、ＭＲ素子という）３３とその両端に接続した電極３６〔３６Ｒ，３６Ｌ〕とを有して構成される。このＭＲヘッド素子３４を有する非磁性ガード部材４１Ａと他方の非磁性ガード部材４１Ｂとが磁気ギャップｇを形成するように接合される。ＭＲ素子３３の電極３６Ｒ，３６Ｌにそれぞれ接続された端子４２〔４２Ｒ．４２Ｌ〕は、非磁性ガード部材４１の側面に臨むように導出される。非磁性ガード部材４１のテープ摺動面３２側は段差を形成して所要のテープ当たり幅となる摺動幅３５に形成される。テープ摺動面３２は、テープ摺動方向Ｘに所要の曲率半径Ｒｘを有する曲面が形成されると共に、テープ当たり幅方向Ｙに所要の曲率半径Ｒｙを有する曲面が形成される。
上述のヘリカルスキャニング方式で用いられる薄膜磁気ヘッド３１では、図５に示すように、テープ摺動面３２が磁気テープ（図示せず）と摺動するテープ摺動方向と、それに直交する摺動幅３５（以下、当たり幅３５と称す）方向に夫々異なる曲率を持った曲面が形成される。また、薄膜磁気ヘッド３１の摺動方向並びに当たり幅３５方向の凡そ中央付近には、磁気によって記録或いは再生するための磁気ギャップｇが形成されている。この薄膜磁気ヘッド３１とテープとの良好な接触状態を得るには、テープ摺動面３２の曲率や当たり幅３５の寸法など様々な要素が存在し、特に当たり幅３５方向での曲面の形状と、記録或いは再生用素子との位置関係は重要な要素となっている。
【０００４】
ここで、図６に示す薄膜磁気ヘッドの当たり幅方向の曲面の形状は、研磨加工を行うことにより形成され、そのとき薄膜磁気ヘッド３２の当たり幅方向の曲面の頂点（いわゆるＲ−ｔｏｐ）と当たり幅３５の端部での高低差を生じる。なお、図６の大きさが異なる複数の楕円は、テープ摺動面３２の曲面形状を表現するために記述したものであり、例えば、地図において地形をあらわすために用いられる等高線の様なものである。
図６ａに示すように、大きさが異なる複数の楕円は、当たり幅の中心と曲面の頂点位置が一致している。この場合は、曲面の頂点と当たり幅端部での高低差ａ＝ｂが左右等しくなる。
一方、図６ｂ、図６ｃに示すように、大きさが異なる複数の楕円は、当たり幅中心と摺動面の当たり幅方向での曲面の頂点位置にズレが生じている。この場合の摺動面の断面形状では、当たり幅の左右の端部での高さに差、ａ＜ｂもしくは、ａ＞ｂが生じることとなる。
このような研磨加工次第で薄膜磁気ヘッドの摺動面の曲面出しは大きく左右される。特に、この当たり幅自体は、例えば数μｍと非常に狭く、さらに当たり幅方向の曲面は、例えば曲面の頂点と当たり幅の端部での高低差で示すと±０．１μｍの精度が要求され、より高い精度が求められている。
【０００５】
通常、このような薄膜磁気ヘッド素子では何らかの研磨加工は行われており、例えば、薄膜基板上に複数の磁気抵抗効果素子と摺動面までの研磨深さモニター素子を並べて、目標の摺動面までの研磨深さを持つように予め形成したインピーダンス検出可能な摺動面までの研磨深さモニター素子を研磨仕上げ工程で研磨されないように配置し、即モニター素子のインピーダンス値とトラックのインピーダンス値を比較し摺動面までの研磨深さの加工が行われている（特許文献１参照）。また、基板上にＭＲ素子と削り量検出のためのモニター素子を設け、このモニター素子がＭＲ素子の垂直方向に平行して形成されていることにより、ラッピング（研磨工程）時にモニター素子が先に研磨されて無くなった段階で、ＭＲ素子からテープ摺動面までの距離を一定にして研磨加工を完了させる製造方法を行ったり（特許文献２参照）、さらに、磁気ギャップｇの中心位置Ａと当たり幅方向の曲率の頂点Ｃとを同一となるように、磁気ヘッドを冶具を用いて研磨加工する製造方法が開示されている。（特許文献３参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平３−８４７１７号公報
【特許文献２】特開昭５６−１５９８３０号公報
【特許文献３】特開平９−２１２８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した薄膜磁気ヘッドの製造方法では、予め設定した加工条件で形成したテープ摺動面の形状を計測し、その測定結果を基に、要求される形状・位置精度となるよう加工条件を適宜修正していた。また、この方法では、薄膜磁気ヘッドを研磨加工機に取り付ける際の位置バラツキや、加工前の初期形状のバラツキなどにより、研磨加工後の形状・位置精度のバラツキを小さくすることが困難であった。
【０００８】
本発明は、上述の点に鑑み、当たり幅の中心と曲面の頂点を任意に設定でき、且つ摺動幅方向の曲面出しの研磨の加工精度を向上した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッド内のテープ摺動面側で且つテープ摺動方向と交差する面の両端に、磁気ヘッド素子を挟んでテープ摺動面研磨の進行に応じて抵抗値を変化させる検知素子が設けられてなることを特徴とする。
【００１０】
磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を有し、前記検知素子が前記磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子の磁気抵抗効果素子と同じ材料で形成されてなることが好ましい。
【００１１】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、テープ摺動面側の内部で且つテープ摺動方向と交差する面の両端に、磁気ヘッド素子を挟んでテープ摺動面研磨の進行に応じて抵抗値を変化させる検知素子を形成し、前記テープ摺動面を研磨しながら前記両端の検知素子の抵抗値を比較して、テープ摺動面のテープ摺動方向と直交するテープ当たり幅内での曲面の頂点位置を制御することを特徴とする。
【００１２】
前記両端の検知素子で前記曲面の頂点位置と、前記磁気ヘッド素子のギャップデプスの制御を行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、薄膜磁気ヘッド内のテープ摺動面側で且つテープ摺動方向と交差する面の両端に、磁気ヘッド素子を挟んで摺動面研磨の進行に応じて抵抗値を変化させ検知素子が設けられることで、当たり幅内での曲面の頂点が当たり幅の中心あるいは任意の位置に設定された精度の高い、且つばらつきのない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００１４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、テープ摺動面を研磨しながら摺動幅方向の両端の検知素子の抵抗値を計測することにより、当たり幅内での曲面の頂点位置を把握することが可能となる。
摺動面形成の研磨加工の際に、検知素子の抵抗値をリアルタイムでモニターして、研磨加工条件にフィードバックすることによって、曲面の頂点の位置精度を高めることが可能となる。これにより、摺動面の加工前の製品で個々が持つバラツキを吸収して、製品の品質並びに歩留りを向上することが可能となる。
検知素子の抵抗値を基に加工条件を調節することにより、当たり幅内で任意の位置に曲面の頂点を形成することが可能となる。
本発明の薄膜磁気ヘッドを記録再生装置に組み込みとき、従来の薄膜磁気ヘッドでは当たり幅の曲面から生じる特性のばらつきを取り付け位置・角度で微調整していたが、本発明の薄膜磁気ヘッドは高精度に当たり幅の曲面が形成されていることにより、記録再生装置に組み込み微調整を不要にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１６】
図１及び図２は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施の形態を示す。本例はヘリカルスキャニング方式のＭＲヘッド素子を有した薄膜磁気ヘッドに適用した場合である。図１はその概略構成図、図２ａは透視図、図２ｂは、図２ａの要部の拡大図である。
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１は、薄膜磁気ヘッド１内のテープ摺動面２側のテープ摺動方向に直交する面にＭＲヘッド素子８を挟んで、両端に抵抗値の変化する検知素子４が形成されて成る。すなわち、薄膜磁気ヘッド１は、ＭＲヘッド素子８と、一対の検知素子４〔４Ｒ，４Ｌ〕と、これらＭＲヘッド素子８及び検知素子４〔４Ｒ，４Ｌ〕を挟んで設けられた非磁性ガード部材９〔９Ａ，９Ｂ〕とから構成される。ＭＲヘッド素子８は、一方の非磁性ガード部材９Ａの接合面上に形成され、ＭＲ素子３とその両端に接続した電極６〔６Ｒ，６Ｌ〕とを有して構成される。また一対の検知素子４Ｒ，４Ｌは同様に一方の非磁性ガード材９Ａの接合面上にＭＲヘッド素子８を挟むようにテープ当たり幅方向Ｙの両端にそれぞれ形成され、それぞれの検知素子４Ｒ，４Ｌの両端にリード電極７Ｒ．７Ｌが形成される。このＭＲヘッド素子８及び検知素子４〔４Ｒ，４Ｌ〕を有する非磁性ガード部材９Ａと他方の非磁性ガード部材９ＢとがＭＲヘッド素子８や検知素子４を形成する薄膜層１７を挟む様に接合される。この薄膜層１７は、ＭＲ素子３を両側の磁気シールドコア１５で挟むように形成される。薄膜層１７と非磁性ブロック部材９Ｂは、接合層１６によって接合される。非磁性ガード部材９〔９Ａ，９Ｂ〕のテープ摺動面２側は段差１４を形成して所要のテープ当たり幅となる摺動幅５に形成される。テープ摺動面２は、テープ摺動方向Ｘに所要の曲率半径Ｒｘを有する曲面が形成されると共に、テープ当たり幅方向Ｙに所要の曲率半径Ｒｙを有する曲面が形成される。
【００１７】
ＭＲヘッド素子８は、ＭＲ素子３のリード電極６に接続された端子１２［１２Ｒ，１２Ｌ］が非磁性ガード部材９の側面に臨むように導出される。また、１対の検知素子４［４Ｒ，４Ｌ］は、夫々の両端のリード電極６Ｒ，６Ｌに接続された端子１３Ｒ、１３Ｌが同様に非磁性ガード部材９の側面に臨むように導出される。これらＭＲヘッド素子の端子１２や検知素子４「４Ｒ，４Ｌ］の端子１３Ｒ，１３Ｌは、例えば樹脂等を用いて固定される。この抵抗素子４は、導電性の材質で形成され、本例ではＭＲ素子３と同じ材料で形成される。ＭＲヘッド素子８及び検知素子４は、同じパターンマスクを用いて形成される。
当たり幅の曲面の研磨加工時に当たり幅５の両端部の各検知素子４Ｒ，４Ｌの抵抗値を抵抗計で計測することによって、検知素子４が配された当たり幅５の端部の、曲面の頂点（いわゆるＲ−ｔｏｐという）に対する高低差を把握することが可能となる。なお、この検知素子４［４Ｒ，４Ｌ］を以降、バランスセンサー４［４Ｒ，４Ｌ］と称する。
【００１８】
図３は、本実施の形態の薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面２の研磨加工に係る要部の拡大構成図である。特に図３ａは、薄膜磁気ヘッド内の当たり幅５の両端部での高低差を検出するためのバランスセンサー４［４Ｒ、４Ｌ］を配した要部の構成図を表している。図３ｂは、図３ａの薄膜磁気ヘッド１内のバランスセンサー４のハイト１１とバランスセンサー４の抵抗値の関係を表すグラフである。
図３ａに示すように、本実施形態の薄膜磁気ヘッド１は、ＭＲヘッド素子８を挟んで左右両側に配置された、各バランスセンサー４［４Ｒ，４Ｌ］のそれぞれのリード電極７［７Ｒ，７Ｌ］が抵抗計１０［１０Ｒ，１０Ｌ］に接続される。これらバランスセンサー４Ｒ及び４Ｌは、摺動面形成の研磨加工が進行することによって、テープ摺動面２に垂直な方向の寸法いわゆるハイト１１が減少する。
図３ｂに示すように、バランスセンサー４のハイト１１とバランスセンサー４の抵抗値の関係から、薄膜磁気ヘッド１内のバランスセンサー４が当たり幅方向にある曲率をもって研磨されることでハイト１１は変化し、このバランスセンサー４の大きさによって抵抗値が変化する。例えば、研磨する量が少ないとハイト１１は高くなり、バランスセンサー４の抵抗値も小さくなる。逆に研磨量が多いとハイト１１は低くなり、バランスセンサー４の抵抗値は大きくなる。よって、このバランスセンサー４の抵抗値を計測することにより、当たり幅５の両端部に設けられたバランスセンサー４のハイト１１を知ることが可能となる。すなわち、両バランスセンサー４Ｒ、４Ｌの夫々の抵抗値の変化によって、研磨加工の状態を把握しながら、研磨を進めることができる。
【００１９】
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１の製造方法における、バランスセンサー４のハイト１１と、当たり幅５内での曲面の頂点及び当たり幅中心位置の関係を説明する。
図４は、それぞれ薄膜磁気ヘッド１のテープ摺動面２の平面図と各平面図をＡ−Ａ’線で切った断面図を示す。各平面図上の同心楕円は、曲面の状態を示し、各断面図の当たり幅内での曲面の頂点及び当たり幅中心位置が変化した場合、各バランスセンサー４Ｒ，４Ｌの左右のハイト１１をそれぞれ記号［Ｈ＿Ｒ，Ｈ＿Ｌ］を用いて説明する。
図４ａに示すように、本実施形態の薄膜磁気ヘッド１のテープ摺動面２上の曲面の頂点（Ｒ−ｔｏｐ）と当たり幅の中心が一致する場合、当たり幅の両端に配したバランスセンサー４の各ハイト１１は、Ｈ＿ＬとＨ＿Ｒが等しくなる。すなわち、抵抗計１０［１０Ｒ，１０Ｌ］では、このハイト１１が等しいとき、各バランスセンサー４Ｌ及び４Ｒの抵抗値も等しいことがモニターされる。このとき曲面を表す同心楕円は、当たり幅中心を境に左右対称となり、当たり幅方向も上下対称の曲面となる。さらに、この抵抗値の変化を用いて、ギャップデプスの制御も兼ねることができる。
【００２０】
図４ｂに示すように、本実施形態の薄膜磁気ヘッド１のテープ摺動面２上の当たり幅の中心と曲面の頂点（Ｒ−ｔｏｐ）がズレル場合、当たり幅の両端に配したバランスセンサー４［４Ｒ，４Ｌ］の各ハイト１１は、Ｈ＿Ｌ＞Ｈ＿Ｒとなる。このとき抵抗計１０［１０Ｒ，１０Ｌ］では、バランスセンサー４Ｌの抵抗値が小さく、逆にバランスセンサー４Ｒの抵抗値が大きくなることが測定される。このとき曲面を表す同心楕円は、曲面の頂点を境に左右対称であるが、当たり幅方向はレフト方向のハイト１１Ｌ側に偏った曲面となる。さらに、この抵抗値の変化を用いて、ギャップデプスの制御も兼ねることができる。
【００２１】
図４ｃに示すように、本実施形態の薄膜磁気ヘッド１のテープ摺動面２上の当たり幅の中心と曲面の頂点（Ｒ−ｔｏｐ）がズレル場合、当たり幅の両端に配したバランスセンサーの各ハイト１１はＨ＿Ｌ＜Ｈ＿Ｒとなる。このとき抵抗計１０［１０Ｒ，１０Ｌ］では、バランスセンサー４Ｌの抵抗値が大きく、逆にバランスセンサー４Ｒの抵抗値が小さくなることが測定される。このとき曲面を表す同心楕円は、曲面の頂点を境に左右対称であるが、当たり幅方向はライト方向のハイト１１Ｒ側に偏った曲面となる。さらに、この抵抗値の変化を用いて、ギャップデプスの制御も兼ねることができる。
【００２２】
本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１によれば、薄膜磁気ヘッド内のテープ摺動面２側で且つテープ摺動方向Ｘと交差する面の両端に、摺動面研磨の進行に応じて抵抗値の変化する検知素子、すなわちバランスセンサー４［４Ｒ，４Ｌ］が設けられることで、抵抗計１０Ｒ，１０Ｌで各バランスセンサー４Ｒ，４Ｌをリアルタイムでモニターすることにより、当たり幅方向Ｙの曲面の頂点（Ｒ−ｔｏｐ）と当たり幅中心を所望の位置に制御しながら設定することが可能になり、精度の高い、且つばらつきのない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００２３】
通常の薄膜磁気ヘッドでは、当たり幅方向の曲面の頂点と当たり幅の中心位置とが一致している。本実施の形態によれば、この両者が一致した高精度の薄膜磁気ヘッドを提供することができる。さらに、必要に応じて当たり幅方向の曲面の頂点と、当たり幅の中心位置とがずれた薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００２４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、薄膜磁気ヘッド１のテープ摺動面２を形成する為の研磨加工を行う際に、バランスセンサー４の抵抗値を抵抗計１０でモニターし、当たり幅両端部のバランスセンサー４の抵抗値が等しくなるように曲面の頂点位置を調整すれば、当たり幅中心に曲面の頂点を形成することが可能となる。また、意図的に曲面の頂点を当たり幅中心からずらした形状に加工したい場合は、予めその形状での各々のバランスセンサー４の抵抗値を求め、各センサーの抵抗値が目的の値となるように加工条件を調節することで、所望の形状を得ることも可能である。
この摺動面形成の研磨加工の際には、バランスセンサー４の抵抗値をリアルタイムでモニターして、研磨加工条件にフィードバックすることによって、曲面の頂点の位置精度を高めることが可能となる。これにより、摺動面の加工前の製品で個々が持つバラツキを吸収して、製品の品質並びに歩留りを向上することが可能となる。
本実施形態の薄膜磁気ヘッドを記録再生装置に組み込みとき、従来の薄膜磁気ヘッドでは当たり幅の曲面から生じる特性のばらつきがあり、そのばらつきを補正するため組み立て時の取り付け位置・角度で微調整していたが、本発明の薄膜磁気ヘッドは高精度に当たり幅の曲面が形成されていることにより、記録再生装置に組み込み微調整を不要にすることができる。
【００２５】
上例では、ＭＲヘッド素子のみを有する薄膜磁気ヘッドを用いて説明したが、本発明は、その他、コイルを巻装したインダクティブ型磁気ヘッド素子とＭＲヘッド素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドあるいはインダクティブ型ヘッド素子のみを有する薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。これらの薄膜磁気ヘッドにおいても各ヘッド素子の両側に検知素子を配することにより、ハイトと抵抗値の関係を用いて当たり幅の曲面形成を精度よく行うことができる。
【００２６】
磁気抵抗効果型磁気ヘッドとしては、磁気抵抗効果素子のみで構成したＡＭＲ（Anisotropic Magneto-Resistivity）、あるいはスピンバルブ型のいわゆる巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲ）で構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】ａ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施の形態を示す透視図である。            ｂ  図２ａの要部の拡大図である。
【図３】ａ  図２の薄膜磁気ヘッドの要部を示す構成図である。            ｂ  図３ａの抵抗計で測定した抵抗値とハイトとの関係を示すグラフである。
【図４】ａ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の平面図及びテープ摺動面の平面図のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。            ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の平面図及びテープ摺動面の平面図のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。            ｃ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の平面図及びテープ摺動面の平面図のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【図５】ａ従来の薄膜磁気ヘッドの概略構成図である。            ｂ従来の薄膜磁気ヘッドの透視図である。
【図６】ａ  従来の薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の平面図及びテープ摺動面の平面図のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。            ｂ  従来の薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の平面図及びテープ摺動面の平面図のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。            ｃ  従来の薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の平面図及びテープ摺動面の平面図のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【符号の説明】
【００２８】
１・・薄膜磁気ヘッド、２・・テープ摺動面、３・・ＭＲ素子、４［４Ｒ，４Ｌ］・・検知素子（バランスセンサー）、５・・当たり幅、６［６Ｒ，６Ｌ］・・電極、７・・リード電極、８・・ＭＲヘッド素子、９〔９Ａ，９Ｂ〕・・非磁性ガード部材、１０［１０Ｒ，１０Ｌ］・・抵抗計、１１・・ハイト、１２・・端子、１３・・端子、１４・・段差、１５・・磁気シールドコア、１６・・接合層、１７・・薄膜層、
３１・・薄膜磁気ヘッド、３２・・テープ摺動面、３３・・ＭＲ素子、３４・・ＭＲヘッド素子、３５・・当たり幅、３６［３６Ｒ，３６Ｌ］・・電極、４１〔４１Ａ，４１Ｂ〕・・非磁性ガード部材、４２・・端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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