(57)【要約】【課題】  第一の発明は、複数の電極が微細なピッチで配置された検体の検査に対応でき、検体の電極との導通不良を抑制することができるプローブユニット及びその製造方法を提供する。第二の発明は、複数の電極が微細なピッチで配置された電子デバイスの検査に対応でき、電子デバイスの電極との導通不良を抑制することができる検査方法を提供する。【解決手段】  基板と、前記基板上にリソグラフィ技術を用いて形成されている導線と、前記導線に形成され、突に湾曲しているエッジを有し、前記エッジの一部が検体の電極に切れ込む片刃状のブレード部と、を備える。【選択図】    図１
2006138651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にリソグラフィ技術を用いて形成されている導線と、
前記導線に形成され、突に湾曲しているエッジを有し、前記エッジの一部が検体の電極に切れ込む片刃状のブレード部と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
前記導線は線状の基部を有し、
前記ブレード部は前記基部から前記基部の長手方向軸線と垂直な方向に突出していることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記導線の先端は前記基板の一端から突出し、
前記ブレード部は前記導線の前記基板の前記一端から突出している部分に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項４】
前記導線の前記ブレード部以外の部分の幅は、前記ブレード部の幅より広いことを特徴とする請求項３に記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記導線の両端部は前記基板に接合し、
前記導線の中間部は前記基板から離間して前記基板との間に空隙を有し、
前記ブレード部は前記導線の前記中間部に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプローブユニット。
【請求項６】
前記導線の前記ブレード部が形成されている部分と前記導線の他の部分とは、略同一厚さであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項７】
前記導線の前記ブレード部と前記導線の前記ブレード部以外の部分とは、同一材料で形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項８】
前記ブレード部は内部と異なる材質の表面層を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項９】
基板上に形成され、前記基板に対して垂直な仮想面上で突に湾曲する湾曲線から前記基板に連なる裾部まで前記裾部に向かうほど低くなるように傾斜する斜面を有する犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、
前記犠牲膜の前記斜面と前記基板の表面とを露出させ前記基板に対して略垂直な内壁面が前記湾曲線で前記斜面に連なる開口部を有するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記開口部内にメッキにより導線を形成する導線形成工程と、
前記導線形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
前記導線形成工程後に前記犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項１０】
前記犠牲膜形成工程前に前記基板に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記犠牲膜形成工程前に前記凹部を埋没させる犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記導線形成工程後に前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程をさらに含み、
前記犠牲膜形成工程では、前記犠牲層上に前記犠牲膜を形成することを特徴とする請求項９に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１１】
犠牲基板に凹部を形成する工程であって、前記凹部の縁部から前記犠牲基板に垂直な仮想面上で突に湾曲する湾曲線まで前記湾曲線に向かうほど深くなるように傾斜する斜面を有する前記凹部を前記犠牲基板に形成する凹部形成工程と、
前記凹部の前記斜面と前記基板の表面とを露出させ前記犠牲基板に対して略垂直な内壁面が前記湾曲線で前記斜面に連なる開口部を有するレジスト膜を、前記基板上に形成するレジスト膜形成工程と、
前記開口部内にメッキにより導線を前記犠牲基板上に形成する導線形成工程と、
前記導線形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
前記導線に基板を固定する基板固定工程と、
前記基板固定工程後に前記犠牲基板を除去する犠牲基板除去工程と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項１２】
前記レジスト膜形成工程前に第二犠牲膜を前記犠牲基板上に形成する第二犠牲膜形成工程をさらに含み、
前記犠牲基板除去工程では、前記導線と前記犠牲基板との間に形成されている前記第二犠牲膜を除去することにより、前記導線と前記犠牲基板とを分離して前記犠牲基板を除去することを特徴とする請求項１１に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１３】
請求項１から８のいずれか一項に記載のプローブユニットを用いることを特徴とする電子デバイスの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブユニット、その製造方法及びそれを用いた検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路、液晶パネル、プリント基板、フレキシブルプリント基板等の製造工程では、それらの電気的特性を検査するための導通試験が実施される。かかる導通試験は、プローブの接触部を検体の電極に電気的に接続し、プローブを介して検体に電気信号を送信することによって実施される。ここで検体の電極がアルミニウム、銅、はんだ等の酸化しやすい材料で形成されていると、電極の表面には硬質の酸化膜が形成されやすい。導通試験時に検体の電極の表面に酸化膜などの絶縁膜が形成されていると、プローブの接触部と検体の電極との電気的な接続が不安定になる。
【０００３】
そこで、先端が尖鋭な接触部で電極表面をスクラブすることにより、絶縁膜を機械的に破ってプローブと検体の電極との電気的な接続を確保する方法が知られている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、このような方法ではスクラブによって発生した電極の削り屑がプローブの接触部に堆積しやすい。これを放置すると電極の削り屑がプローブの接触部に堆積して酸化するため、接触部が絶縁膜で覆われる。このような状態になると、プローブと検体の電極とを電気的に接続させることができなくなる。
【０００４】
一方、特許文献２には、先端が両刃状の接触部を有するプローブを備えるプローブユニットが開示されている。特許文献２に記載のプローブユニットでは、両刃状の接触部が絶縁膜に切り破って検体の電極に接触する。そのため特許文献２に記載のプローブユニットによれば、検体の電極にプローブを確実に接触させることができる。しかしながら、特許文献２に記載のプローブユニットは、機械加工で形成される導線を支持部に取り付けて製造されるものであるため、複数の電極が微細なピッチで配置された検体の検査に対応することができない。また特許文献２に記載のプローブユニットでは、両刃状の導線が検体の電極に深く切れ込み、電極を傷つけるおそれがある。
【特許文献１】特開２００１−３１３３１６号公報
【特許文献２】特開２００１−３５６１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものである。第一の発明は、複数の電極が微細なピッチで配置された検体の検査に対応でき、検体の電極との導通不良を抑制することができるプローブユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。第二の発明は、複数の電極が微細なピッチで配置された電子デバイスの検査に対応でき、電子デバイスの電極との導通不良を抑制することができる検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、第一の発明に係るプローブユニットは、基板と、前記基板上にリソグラフィ技術を用いて形成されている導線と、前記導線に形成され、突に湾曲しているエッジを有し、前記エッジの一部が検体の電極に切れ込む片刃状のブレード部と、を備える。
【０００７】
本発明によると、プローブユニットは導線に片刃状のブレード部を有している。ここで片刃状とは、エッジを挟んだ一方の面が基板に対して略垂直であり、他方の面が刃先が鋭角になるように基板に対して所定の角度を有する形状のことである。そのためブレード部は、検体の電極に接触すると検体の電極に切り込む。したがって本発明のプローブユニットによれば、ブレード部が検体の電極に切り込んで電極に確実に接触するため、導線と検体の電極との導通不良を抑制することができる。特に、電極の表面に酸化膜などの絶縁膜が形成されていても、その絶縁膜に切り破って電極に接触することができるため、Ａｌ、Ｃｕ等の酸化されやすい材料で形成された電極を有する検体の検査に好適である。また本発明によれば、導線が検体の電極を削り取るのではなくブレード部が検体の電極に切り込むので、電極の削り屑が発生しにくい。
【０００８】
また、本発明によると検体の電極に接触するブレード部のエッジは湾曲している。つまり、ブレード部のエッジには電極の削り屑が堆積するような屈曲部がないので、電極の削り屑が発生したとしても、その削り屑がエッジに堆積しにくい。そのため、検体の電極の削り屑がブレード部のエッジに堆積して酸化することによって、エッジが電極材料の酸化膜で覆われることを抑制することができる。したがって本発明によるプローブユニットによれば、導線と検体の電極との導通不良を抑制することができる。
【０００９】
さらに、本発明に係る導線はリソグラフィ技術を用いて形成される。つまり本発明によると複数の微細な導線を微細なピッチで基板に形成することができる。そのため本発明によれば、複数の電極が微細なピッチで配置された検体の検査に対応することができる。尚、リソグラフィは、露光転写に使用する光源や線源を特に限定するものではなく、例えばフォトリソグラフィ、ＵＶリソグラフィ、イオンビームリソグラフィなどを含む。
【００１０】
前記導線は線状の基部を有し、前記ブレード部は前記基部から前記基部の長手方向軸線と垂直な方向に突出していてもよい。
本発明によると、ブレード部は基部から基部の長手方向軸線と垂直な方向に突出している。そのため、ブレード部が検体の電極に所定の深さまで切り込むと、基部が検体の電極に接触する。ここで所定の深さはブレード部の形状に応じて決まる。つまり、ブレード部のエッジ形状を適宜設計することにより、ブレード部が検体の電極に切れ込む深さを制限することができる。したがって本発明によるプローブユニットによれば、検体の電極のブレード部による破損を防止することができる。
【００１１】
前記導線の先端は前記基板の一端から突出し、前記ブレード部は前記導線の前記基板の前記一端から突出している部分に形成されていてもよい。
本発明によると、ブレード部は導線の基板から突出している部分に形成されている。そのため、検体の電極にブレード部を接触させると導線の基板から突出している部分が撓む。ここで一般に導線の剛性は基板の剛性よりも低い。つまり、本発明によるプローブユニットによれば、ブレード部が検体の電極に過度な接触圧で接触することを防止できる。
【００１２】
前記導線の前記ブレード部以外の部分の幅は、前記ブレード部の幅より広くてもよい。
本発明によると、導線のブレード部以外の部分の幅はブレード部の幅より広いため、ブレード部の幅に関わらず導線の幅を広くすることができる。したがって本発明によるプローブユニットによれば、導線の基板から突出している部分の剛性を高くすることができるため、ブレード部が検体の電極に過小な接触圧で接触することを防止できる。
【００１３】
前記導線の両端部は前記基板に接合し、前記導線の中間部は前記基板から離間して前記基板との間に空隙を有し、前記ブレード部は前記導線の前記中間部に形成されていてもよい。
前記導線の前記ブレード部が形成されている部分と前記導線の他の部分とは、略同一厚さでもよい。
【００１４】
前記導線の前記ブレード部と前記導線の前記ブレード部以外の部分とは、同一材料で形成されていてもよい。本発明によるプローブユニットによれば、ブレード部が導線のブレード部以外の部分と同一材料で形成されているので、ブレード部が導線のブレード部以外の部分から剥がれにくい。
【００１５】
前記ブレード部は内部と異なる材質の表面層を有していてもよい。
表面層を内部より電気抵抗率の低い材料で形成すれば、ブレード部の電気抵抗を小さくできる。特に高周波の電気信号は表皮効果によって表面層を伝わるので、高周波の電気信号に対するブレード部の導体損を効果的に低減できる。表面層を内部よりも硬質な材料で形成すれば、ブレード部が検体の電極との接触によって摩耗することを抑制できる。
【００１６】
上記目的を達成するため、第一の発明に係るプローブユニットの製造方法は、基板上に形成され、前記基板に対して垂直な仮想面上で突に湾曲する湾曲線から前記基板に連なる裾部まで前記裾部に向かうほど低くなるように傾斜する斜面を有する犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、前記犠牲膜の前記斜面と前記基板の表面とを露出させ前記基板に対して略垂直な内壁面が前記湾曲線で前記斜面に連なる開口部を有するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記開口部内にメッキにより導線を形成する導線形成工程と、前記導線形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、前記導線形成工程後に前記犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、を含む。
【００１７】
本発明によると、レジスト膜の開口部の内壁面は湾曲線で犠牲膜の斜面に連なっている。また、レジスト膜の開口部の内壁面は基板に対して略垂直である。そのため、導線の内壁面に密着して形成される面は基板に対して略垂直に成形され、その上端（以下エッジという。）は湾曲線に沿って湾曲する。また導線の犠牲膜の斜面に形成されている部分はエッジから離間するほど低くなるように傾斜する。したがって本発明による製造方法によれば、突に湾曲するエッジを挟んだ一方の面が基板に対して略垂直であり他方の面がエッジから離間するほど低くなるように傾斜する片刃状の部分を有する導線を、基板上に形成することができる。
【００１８】
前記犠牲膜形成工程前に前記基板に凹部を形成する凹部形成工程と、前記犠牲膜形成工程前に前記凹部を埋没させる犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記導線形成工程後に前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程をさらに含み、前記犠牲膜形成工程では、前記犠牲層上に前記犠牲膜を形成してもよい。
【００１９】
本発明によると、基板の凹部を埋没させる犠牲層上に犠牲膜を形成し、導線形成工程後に犠牲層を除去する。そのため本発明による製造方法によれば、導線の基板と離間する部分にブレード部を形成することができる。具体的には、犠牲層上に導線の一端を形成し基板の凹部が形成されていない部分上に導線の他端を形成すれば、導線の一端が基板から突出し、導線の基板から突出している部分にブレード部が形成されているプローブユニットを製造することができる。また犠牲層を横断する導線を形成すれば、導線の中間部が基板から離間し、その中間部にブレード部が形成されているプローブユニットを製造することができる。
【００２０】
上記目的を達成するため、第一の発明に係るプローブユニットの製造方法は、犠牲基板に凹部を形成する工程であって、前記凹部の縁部から前記犠牲基板に垂直な仮想面上で突に湾曲する湾曲線まで前記湾曲線に向かうほど深くなるように傾斜する斜面を有する前記凹部を前記犠牲基板に形成する凹部形成工程と、前記凹部の前記斜面と前記基板の表面とを露出させ前記犠牲基板に対して略垂直な内壁面が前記湾曲線で前記斜面に連なる開口部を有するレジスト膜を、前記基板上に形成するレジスト膜形成工程と、前記開口部内にメッキにより導線を前記犠牲基板上に形成する導線形成工程と、前記導線形成工程後に前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、前記導線に基板を固定する基板固定工程と、前記基板固定工程後に前記犠牲基板を除去する犠牲基板除去工程と、を含む。
【００２１】
本発明によると、レジスト膜の開口部の内壁面は湾曲線で凹部の斜面に連なっている。また、レジスト膜の開口部の内壁面は犠牲基板に対して略垂直である。そのため、導線の内壁面に密着して形成される部分は犠牲基板に対して略垂直に成形され、その下端（以下エッジという。）は湾曲線に沿って湾曲する。また導線の凹部の斜面に形成されている部分はエッジに近接するほど低くなるように傾斜する。したがって、突に湾曲するエッジを挟んだ一方の面が犠牲基板に対して略垂直であり他方の面がエッジから近接するほど低くなるように傾斜する片刃状の部分を導線に形成することができる。また本発明によると、導線に基板を固定し犠牲基板を除去する。そのため本発明による製造方法によれば、エッジが湾曲する片刃状の部分を有する導線を基板上に形成することができる。
【００２２】
前記レジスト膜形成工程前に第二犠牲膜を前記犠牲基板上に形成する第二犠牲膜形成工程をさらに含み、前記犠牲基板除去工程では、前記導線と前記犠牲基板との間に形成されている前記第二犠牲膜を除去することにより、前記導線と前記犠牲基板と分離して前記犠牲基板を除去してもよい。
本発明によれば、第二犠牲膜を除去することにより、導線と犠牲基板とを分離して犠牲基板を除去することができる。
【００２３】
上記目的を達成するため、第二の発明に係る電子デバイスの検査方法は第一の発明に係るプローブユニットを用いる。
【００２４】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」ことと、「・・・上に中間物を介して形成する」ことの両方を含む意味とする。また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限りにおいて、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。また、「内壁面が斜面に連なる」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「内壁面が斜面に直に接触して連なる」ことと、「内壁面が斜面に沿って積層された中間物を介してその斜面に連なる」ことの両方を含む意味とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。まず、プローブユニットについて複
数の実施例に基づいて説明する。尚、各実施例で対応する構成要素には同一の符号を付し、各実施例で対応する構成要素について重複する説明は省略する。
（プローブユニットの第一実施例）
図２は本発明のプローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１を示す斜視図である。プローブユニット１は、プローブ４と液晶パネルやＩＣ（Integrated Circuit）等の検体の電極とを導通させて検体の電気的特性を検査するために用いるものである。
【００２６】
基板２は、ジルコニア、アルミナ等のセラミックで板状に形成されている。基板２上には、プローブ４が形成されている。プローブ４は、基板２の一端２ａに対して垂直な方向に延伸し、その先端４ａは基板２の一端２ａに対して平行に配列されている。尚、基板２はガラス、ガラスセラミック、フィルム状の樹脂などでもよい。また基板２は、互いに異なる複数の材料を積層させて形成してもよい。例えば基板２は、シリコン層上に絶縁膜を積層させて形成してもよいし、金属層上に絶縁膜を積層させて形成してもよい。
【００２７】
図１はプローブ４を説明するための模式図である。図１（Ａ）はプローブユニット１のブレード部６近傍の平面図、（Ｂ）は側面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＸ１−Ｘ１線断面図である。
導線としてのプローブ４は、Ｎｉ、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｎ、ＮｉＣｏ等の金属である。プローブ４は、線状の基部４２と、基部４２の基板２と反対側の表面４２ａから突出するブレード部６とを有している。ブレード部６は検査時に検体の電極に接触する（図７参照）。またプローブ４は図示しない検査装置本体に電気的に接続されている。そのためプローブ４は、検査時に検査装置本体から出力された検査信号を検体に送信したり、検体から出力された信号を受信したりすることができる。
尚、プローブ４の厚さは５μｍから１００μｍが望ましい。プローブ４の長さは２００μｍから２０００μｍが望ましい。プローブ４の幅は１２μｍから１００μｍが望ましい。また、プローブ４は、導電性材料で形成されていればよく、金属に限定されるものではない。また、直線状のプローブ４を例示したが、プローブ４は蛇行していてもよい。
【００２８】
ブレード部６は、プローブ４の先端４ａ側に形成され、基板２の一端２ａに沿って配列されている。
図１（Ｂ）に示すようにブレード部６のエッジ８は突に湾曲している。つまりエッジ８の頂部８ｃはエッジ８の先端８ａと後端８ｂとの間に位置し、先端８ａから後端８ｂまで滑らかに湾曲している。ここで頂部８ｃとはエッジ８の基板２から最も離間した部分のことである。尚、ブレード部６のエッジ８は突に湾曲していればよく、図３に示すプローブユニット１００のようにエッジ８の頂部８ｃが先端８ａ近傍に位置している形状でもよいし、図４に示すプローブユニット１０１のようにエッジ８の後端８ｂが頂部８ｃに含まれる形状でもよい。
【００２９】
図１（Ｃ）に示すようにブレード部６は片刃状である。具体的には、ブレード部６のエッジ８を挟んだ一方の面６２は基板２に対して略垂直であり、他方の面６４は刃先の角度６６が鋭角になるように基板２に対して所定の角度をなしている。
尚、プローブ４に複数のブレード部６を形成してもよい。具体的には例えば、図５に示すプローブユニット１０２、図６に示すプローブユニット１０３のように、プローブ４は２つのブレード部６を有していてもよい。プローブユニット１０２では、ブレード部６のエッジ８がプローブ４の短手方向の外縁に形成されている。プローブユニット１０３では、ブレード部６のエッジ８がプローブ４の内側に形成されている。
また、ブレード部６は互いに異なる複数の材料を積層させて形成してもよい。例えばブレード部６は、金属層上にＡｕ、Ａｕ合金、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ等の金属膜（以下表面層という。）を積層させて形成してもよい。表面層を電気抵抗率の低い材料で形成すれば、ブレード部６の電気抵抗を小さくできる。特に高周波の電気信号は表皮効果によって表面層を伝わるので、高周波の電気信号に対する導体損を効果的に低減できる。金属層よりも硬質な材料で表面層を形成すれば、ブレード部６が検体の電極との接触によって摩耗することを抑制できる。もちろん、表面層はプローブ４全体の表面上に形成してもよい。
【００３０】
図７はプローブユニット１を用いた検体の検査状態を示す模式図である。図７（Ａ）は正面図、図７（Ｂ）は側面図である。
図７（Ａ）に示すように、プローブユニット１を用いた検体１２の検査では、ブレード部で検体１２の電極１４をスクラブすると、ブレード部６が検体１２の電極１４に切れ込む。これにより検体１２の電極１４とプローブ４とを確実に接触させることができる。例えば、検体１２の電極１４がＡｌ、Ｃｕ等の酸化されやすい材料で形成されており、検査時に酸化膜１４ａが電極１４に形成されていても、ブレード部６は酸化膜１４ａに切り破って電極１４に接触する。したがってプローブユニット１によれば、検体１２の電極１４とプローブ４との導通不良を抑制することができる。
【００３１】
また、ブレード部６は、酸化膜１４ａ及び電極１４を削り取るのではなく、酸化膜１４ａ及び検体１２の電極１４に切り込むので、酸化膜１４ａ及び電極１４の削り屑が発生しにくい。
また、検体１２の電極１４に接触するブレード部６のエッジ８は突に湾曲している。つまりエッジ８は屈曲していないので、電極１４の削り屑が発生したとしてもその削り屑はブレード部６のエッジ８に堆積しにくい（図７（Ｂ）の矢印１６参照）。そのため、ブレード部６のエッジ８に堆積した電極１４の削り屑が酸化することにより、エッジ８が電極材料の酸化膜で覆われることを抑制することができる。したがって、検体１２の電極１４とプローブ４との導通不良を抑制することができる。
【００３２】
また、ブレード部６は基部４２から突出している。そのためブレード部６が所定の深さまで切り込むと、基部４２が検体１２の電極１４に接触する。ここで所定の深さとは、ブレード部６のエッジ８の形状と、プローブユニット１の検査時の検体１２に対する相対的な姿勢とにより決まる値である。つまりブレード部６のエッジ８の形状を適宜設計すれば、ブレード部６が検体１２の電極１４に切れ込む深さを制御することができる。したがって、ブレード部６による検体１２の電極１４の損傷を防止することができる。
【００３３】
尚、酸化膜１４ａが検体１２の電極１４に形成された場合を例示してブレード部６の機能について説明したが、有機膜などの絶縁膜が電極１４の表面に形成された場合であっても、ブレード部６はその絶縁膜に切り込んで電極１４に確実に接触することができる。
【００３４】
（プローブユニットの第二実施例）
図８はプローブユニットの第二実施例によるプローブユニット１０４の模式図である。
プローブユニットの第二実施例に係るプローブ４は、先端４ａが基板２の一端２ａから突出し、ブレード部６がプローブ４の基板２の一端２ａから突出する部分に形成されている。そのため、検体１２の電極１４にブレード部６を接触させると、プローブ４の基板２の一端２ａから突出している部分が撓む。ここで一般に基板２の剛性はプローブ４の剛性よりも高い。つまり、プローブユニット１０４によれば、ブレード部６が検体１２の電極１４に過度な接触圧で接触することを防止できる。
【００３５】
ここでブレード部６は、検体１２の電極１４に切れ込むことができるように設計されるため、その幅が非常に狭くなることがある。そのような場合、プローブ４のブレード部６以外の幅をブレード部６の幅で形成すると、プローブ４の剛性が非常に低くなるため、ブレード部６の検体１２の電極１４に対する接触圧が過小になる。しかしながら、プローブ４の基部４２の幅はブレード部６の幅より広く形成されている。そのためプローブユニット１０４によれば、ブレード部６が検体１２の電極１４に過小な接触圧で接触することを防止できる。尚、本明細書において、幅とはプローブ４の配列方向の長さを意味する。
【００３６】
プローブユニットの第二実施例に係るブレード部６は、プローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１と同様に、基部４２の表面４２ａから突出している。そのため、ブレード部６を検体１２の電極１４に接触させたときに、プローブ４の基板２の一端２ａに接合している基部４２には、基板２に押しつけられる方向の力が加わる。したがって、プローブ４は基板２から剥がれにくい。しかしながらブレード部６は、基部４２からその長手方向軸線と垂直な方向に突出していればよく、例えば図９に示すプローブユニット１０５のように、基部４２の表面４２ａと反対側の表面から突出していてもよい。
【００３７】
（プローブユニットの第三実施例）
図１０はプローブユニットの第三実施例によるプローブユニット１０６の模式図である。図１０（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ５−Ｘ５線断面図である。
プローブユニットの第三実施例に係る基板２には凹部２０が形成されている。
プローブユニットの第三実施例に係るプローブ４は、凹部２０の上方に架設されているブリッジ部４４と、基板２に接合されているリード部４６とからなる。ブリッジ部４４は両端でリード部４６に接続されている。ブレード部６はブリッジ部４４に形成されている。リード部４６は図示しない検査装置本体に電気的に接続されている。
【００３８】
（製造方法の第一実施例）
次に、プローブユニットの製造方法について複数の実施例に基づいて説明する。図１１から図１４は、製造方法の第一実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。（Ｂ１）から（Ｂ１２）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ１２）のＸ６−Ｘ６線断面図である。製造方法の第一実施例に係る製造方法によれば、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１０２（図５参照）を製造することができる。
【００３９】
はじめに、基板２上に基板２の一端２ａに沿って配列するドーム状の犠牲膜１１０を形成する。具体的には例えば、基板２上にレジストで円柱状の犠牲膜１１０を形成する（図１１（Ａ１）、（Ｂ１）参照）。そして犠牲膜１１０を１３０℃で３０分間ベークした後に、犠牲膜１１０を２２０℃で３０分間ハードベークする。これにより円柱状の犠牲膜１１０が融解してドーム状になる（図１１（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。犠牲膜１１０のベーク及びハードベークには、オーブンを用いてもよいし、ホットプレートを用いてもよい。本工程が特許請求の範囲に記載の「犠牲膜形成工程」に相当する。尚、犠牲膜１１０の材料は低融点ガラス、低融点金属などでもよい。
【００４０】
次に、基板２上および犠牲膜１１０上にシード層１１２をスパッタ等で形成する（図１１（Ａ３）（Ｂ３）参照）。シード層１１２はＮｉ、ＮｉＦｅ等である。シード層１１２の厚さは０．３μｍ程度が望ましい。尚、シード層１１２は基板２上および犠牲膜１１０上にＮｉ、ＮｉＦｅ等を蒸着して形成してもよい。また犠牲膜１１０を形成する前に、シード層１１２が基板２から剥がれることを防止する密着層をスパッタ等で基板２上に形成してもよい。密着層は、基板２に対する密着性がシード層１１２より高く、シード層１１２に対する密着性も高い材料で形成する。密着層は、例えば３００ÅのＴｉ層、Ｃｒ等である。
【００４１】
次に、シード層１１２上にレジスト膜１１４を形成する（図１２（Ａ４）（Ｂ４）参照）。具体的には、シード層１１２上にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成する。そして、所定形状のマスクを配置してレジスト膜に露光現像処理を施す。最後に、不要なレジスト膜を除去して、プローブユニット１０２のプローブ４を形成するための開口部１１５を形成する。開口部１１５形成後のレジスト膜がレジスト膜１１４である。開口部１１５は、基板２の他端２ｂ側から一端２ａ側に向けて延伸し、隣り合う２つの犠牲膜１１０の対向する斜面上の部位を露出させている。開口部１１５の形状の詳細については後述する。本工程が特許請求の範囲に記載の「レジスト層形成工程」に相当する。
【００４２】
次に、レジスト膜１１４の開口部内に電解メッキで金属層１１６を形成する（図１２（Ａ５）（Ｂ５）参照）。本工程が特許請求の範囲に記載の「導線形成工程」に相当する。尚、金属層１１６を無電解メッキで形成してもよい。そのときは、上述したシード層１１２を形成する工程を省略して、基板２上と犠牲膜１１０上とに直に金属層１１６を形成することができる。
【００４３】
図１５は、レジスト膜１１４の開口部１１５の形状と金属層１１６の形状との関係を説明するための模式図である。図１５は、図１２（Ａ５）、（Ｂ５）のＹ６−Ｙ６線断面図である。Ｙ６−Ｙ６線は、開口部１１５の基板２の他端２ｂ側から一端２ａ側に向けて延伸する内壁面１１５ａ上を通過する仮想線である。
【００４４】
レジスト膜１１４は、内壁面１１５ａが犠牲膜１１０の断面半円状の部位で犠牲膜１１０の斜面に連なるように形成されている。また内壁面１１５ａは、図１２（Ｂ４）に示すように基板２に対して略垂直である。そのため、金属層１１６の内壁面１１５ａに密着して形成されている面は基板２に対して略垂直に成形され、その上端（以下エッジという。）１１６ａは、ドーム状の犠牲膜１１０の断面形状に沿って突に湾曲している。また、金属層１１６の犠牲膜１１０の斜面上に形成される部分は、図１２（Ｂ５）に示すように犠牲膜１１０の斜面に沿ってエッジ１１６ａから離間するほど低くなるように傾斜している。つまり、湾曲するエッジ１１６ａを挟んだ一方の面が基板２に対して略垂直であり他方の面がエッジ１１６ａから離間するほど低くなるように傾斜する片刃状の部分を有する金属層１１６を基板２上に形成することができる。この部分がプローブユニット１０２のブレード部６の一部に相当する。また、犠牲膜１１０の半円状の断面の円周部１１１が特許請求の範囲に記載の「湾曲線」に相当する。
【００４５】
次に、レジスト膜１１４を除去し（図１２（Ａ６）（Ｂ６）参照）、金属層１１６から露出するシード層１１２をミリング等により除去する（図１３（Ａ７）（Ｂ７）参照）。そして、犠牲膜１１０を除去する（図１３（Ａ８）（Ｂ８）参照）。レジスト膜１１４と犠牲膜１１０の除去には、ＮＭＰ（エヌ・メチル・ジ・ピロリドン）等のレジスト剥離液を用いてもよいし、アッシングで除去してもよい。レジスト膜１１４を除去する工程が特許請求の範囲に記載の「レジスト膜除去工程」に相当する。犠牲膜１１０を除去する工程が特許請求の範囲に記載の「犠牲膜除去工程」に相当する。本工程後のシード層１１２と金属層１１６とが、プローブユニット１０２のプローブ４に相当する。
【００４６】
最後に基板２を成形する。具体的には例えば、金属層１１６及びシード層１１２を埋没させる保護層１１８を形成する（図１３（Ａ９）（Ｂ９）参照）。これにより、本工程において金属層１１６及びシード層１１２が基板２から剥離することを防止できる。例えば保護層１１８は、熱硬化性でかつ水溶性の保護材料で形成する。そのような材料で保護層１１８を形成すれば、金属層１１６及びシード層１１２を埋没させるように保護材料をスピンコートで塗布した後にベークして保護材料を硬化させることにより保護層１１８を形成することができる。また後述する保護層１１８を除去する工程では、保護層１１８を純水で溶解させることにより保護層１１８を除去することができる。次に、基板２の金属層１１６が形成されている側の表面２ｃと反対側の裏面２ｄを研磨シートなどで研削する。これにより基板２を所定の厚さに成形する（図１４（Ａ１０）（Ｂ１０）参照）。次に保護層１１８を除去する（図１４（Ａ１１）（Ｂ１１）参照）。最後に、基板２をダイサー等で切断して基板２の二次元形状を成形する（図１４（Ａ１２）（Ｂ１２）参照）。
【００４７】
尚、保護層１１８を形成せず、金属層１１６及びシード層１１２が基板２から剥離することを防止するための保護テープで、基板２に金属層１１６及びシード層１１２を仮止めしてもよい。また、保護層１１８を形成しなくても金属層１１６及びシード層１１２が基板２から剥離しないのであれば、保護層１１８を形成する工程は省略してもよい。また保護層１１８を除去する工程は、基板２を切断する工程後に実施してもよい。
【００４８】
以上説明した、製造方法の第一実施例によると、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１０２を製造することができる。尚、製造方法の第一実施例では犠牲膜１１０はドーム状に形成するものとして説明した。しかし、犠牲膜１１０は、突に湾曲するエッジ１１６ａ（図１５参照）が形成可能な断面形状を有し、エッジ１１６ａから離間するほど低くなるように傾斜する斜面が形成可能な表面形状を有していればよく、ドーム状に限定されるものではない。例えば、船底状の犠牲膜１１０を形成してもよい。また、１つの犠牲膜１１０の斜面上の部位を露出させる開口部を有するレジスト膜を形成すれば、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１を製造することができる。
【００４９】
（製造方法の第二実施例）
図１６および図１７は、製造方法の第二実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。（Ｂ１）から（Ｂ６）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ６）のＸ７−Ｘ７線断面図である。
【００５０】
はじめに、基板２に溝状の凹部１２０を形成する。具体的には、基板２に切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、サンドブラスト加工、ホーニング加工、レーザ加工等を施すことによって凹部１２０を形成する。例えば凹部１２０の深さは１５０μｍである。本工程が特許請求の範囲に記載の「凹部形成工程」相当する。
【００５１】
次に、凹部１２０を埋没させる犠牲層１２２を形成する。具体的には、まず犠牲層１２２を形成するためのシード層１２４をスパッタ等で形成する（図１６（Ａ１）（Ｂ１）参照）。例えばシード層１２４は厚さ３００ÅのＣｕ層である。尚、シード層１２４を形成する前に、基板２上にシード層１２４が基板２から剥がれることを防止する密着層をＣｒ（クロム）等にて形成してもよい。そして、シード層１２４上にＣｕ等の金属をメッキすることにより、凹部１２０を埋没させる犠牲層１２２を形成する（図１６（Ａ２）（Ｂ２）参照）。最後に基板２の表面２ｃと犠牲層１２２の表面とを平坦化する（図１６（Ａ３）（Ｂ３）参照）。本工程が特許請求の範囲に記載の「犠牲層形成工程」に相当する。尚、犠牲層１２２の表面の凹凸および基板２の表面２ｃと犠牲層１２２の表面との高低差が許容範囲であれば、基板２の表面２ｃと犠牲層１２２の表面とを平坦化する工程は省略することができる。また犠牲層１２２は、銅ペースト等の導電性ペーストで形成してもよい。
【００５２】
次に、製造方法の第一実施例と同様の方法で、基板２上および犠牲層１２２上にプローブ４を形成する（図１７（Ａ４）（Ｂ４）参照）。但し、犠牲層１２２上に犠牲膜１１０を形成して、プローブ４の先端４ａが犠牲層１２２上に位置し先端４ａと反対側の後端４ｂが基板２の凹部１２０が形成されていない部分上に位置するように、プローブ４を形成する。
【００５３】
次に、プローブ４を埋没させる保護層１１８を基板２上に形成し、基板２の裏面２ｄを基板２が所定の厚さになるまで研削する。このとき、犠牲層１２２またはシード層１２４が基板２の裏面２ｄから露出する。
最後に、犠牲層１２２およびシード層１２４を除去する。具体的には例えば、犠牲層１２２およびシード層１２４がＣｕで形成され、密着層がＣｒで形成されているときは、硝酸第２セリウムアンモニウムで溶解させて犠牲層１２２およびシード層１２４を除去する。これにより、プローブ４の犠牲層１２２上に形成されていた部分が基板２から突出し、プローブ４の基板２から突出する部分にブレード部６を有するプローブユニットを製造することができる。
尚、基板２の裏面２ｄを研削する工程において、犠牲層１２２またはシード層１２４が基板２の裏面２ｄから露出しないときは、犠牲層１２２およびシード層１２４を除去しても、プローブユニットと基板２のプローブ４が形成されていない残部とを分離することができない。そのときは、基板２の裏面２ｄからブレードを当てて、凹部１２０の底を切断してもよい。
【００５４】
（製造方法の第三実施例）
図１８から図２１は、製造方法の第三実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。（Ｂ１）から（Ｂ８）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ８）のＸ８−Ｘ８線断面図である。（Ｃ１）から（Ｃ５）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ５）のＸ９−Ｘ９線断面図である。（Ｃ６）から（Ｃ８）は、それぞれ（Ａ６）から（Ａ８）のＸ１０−Ｘ１０線断面図である。製造方法の第三実施例に係る製造方法によれば、プローブユニットの第三実施例によるプローブユニット１０６（図１０参照）を製造することができる。
【００５５】
はじめに、製造方法の第二実施例と同様にして、凹部１２０を埋没させる犠牲層１２２を形成する。
次に、犠牲層１２２上に断面半円状の２つの第二犠牲層１３０をその長手方向が凹部１２０の長手方向と平行になるように形成する。具体的には、犠牲層１２２上に棒状の２つの第二犠牲層１３０をその長手方向が凹部１２０の長手方向と平行になるように形成する（図１８（Ａ１）（Ｃ１）参照）。そして、第二犠牲層１３０を製造方法の第一実施例に係る犠牲膜１１０と同様の方法で融解させ、丸みを帯びた断面半円状に成形する（図１８（Ａ２）（Ｃ２）参照）。
【００５６】
次に、第二犠牲層１３０と同様にして、２つの第二犠牲層１３０間に断面半円状の第三犠牲層１３２をその長手方向が凹部１２０の長手方向と平行になるように形成する（図１８（Ａ３）（Ｂ３）（Ｃ３）参照）。第三犠牲層１３２は第二犠牲層１３０より高くなるように形成する。
【００５７】
次に、製造方法の第一実施例に係る犠牲膜１１０と同様にして、第三犠牲層１３２上にドーム状の犠牲膜１３４を形成する（図１９（Ａ４）（Ｂ４）（Ｃ４）参照）。
次に、基板２、犠牲層１２２、第二犠牲層１３０、第三犠牲層１３２及び犠牲膜１３４の表面を覆うシード層１３６をスパッタ等で形成する（図１９（Ａ５）（Ｂ５）（Ｃ５）参照）。
【００５８】
次に、シード層１３６上にプローブ４を形成する。具体的には、プローブユニット１０６のプローブ４を形成する部位を露出させるレジスト膜１３８を形成する（図２０（Ａ６）（Ｂ６）（Ｃ６）参照）。レジスト膜１３８の開口部の形状は、製造方法の第一実施例に係るレジスト膜１１４の開口部１１５と実質的に同一である。次にレジスト膜１３８の開口部内にメッキ等で金属層１４０を形成する。次にレジスト膜１３８を除去し、金属層１４０から露出するシード層１３６をリミング等で除去する（図２０（Ａ７）（Ｂ７）（Ｃ７）参照）。本工程後のシード層１３６と金属層１４０とが、プローブユニットの第三実施例に係るプローブ４に相当する。
【００５９】
最後に、犠牲層１２２、第二犠牲層１３０、第三犠牲層１３２及び犠牲膜１３４を除去する（図２１（Ａ８）（Ｂ８）（Ｃ８）参照）。第二犠牲層１３０、第三犠牲層１３２及び犠牲膜１３４は、ＮＭＰ等のレジスト剥離液で除去してもよいし、アッシングで除去してもよい。犠牲層１２２は、硝酸第２セリウムアンモニウム等で除去する。
以上説明した製造方法の第三実施例によれば、プローブユニットの第三実施例によるプローブユニット１０６を製造することができる。
【００６０】
（製造方法の第四実施例）
図２２から図２４は、製造方法の第四実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。（Ｂ１）から（Ｂ７）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ７）のＸ１１−Ｘ１１線断面図である。（Ｃ６）、（Ｃ７）は、それぞれ（Ａ６）、（Ａ７）のＸ１２−Ｘ１２線断面図である。製造方法の第四実施例に係る製造方法によれば、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１０２（図５参照）を製造することができる。
【００６１】
はじめに、犠牲基板１４０に球面を転写した形状の複数の凹部１４２を犠牲基板１４０の一端１４０ａに沿って形成する。具体的には例えば、まず石英ガラスで犠牲基板１４０を形成する。次に円形の複数の開口部を有するレジスト層１４４を犠牲基板１４０上に形成する（図２２（Ａ１）（Ｂ１）参照）。次に犠牲基板１４０のレジスト層１４４から露出する犠牲基板１４０を希フッ酸、緩衝フッ酸などの液剤を用いた等方性エッチングで触刻する（図２２（Ａ２）（Ｂ２）参照）。そして、レジスト層１４４を除去する（図２２（Ａ３）（Ｂ３）参照）。本工程が特許請求の範囲に記載の「凹部形成工程」に相当する。尚、犠牲基板１４０はＡｌ、Ｃｕ等の金属で形成してもよいし、シリコン等の半導体で形成してもよい。また、エッチング等で犠牲基板１４０に凹部１４２を形成するのではなく、凹部１４２を有する形状に成形した犠牲基板１４０を形成してもよい。例えば犠牲基板１４０が金属のときは、鋳型で成形して鋳造してもよい。
【００６２】
次に犠牲基板１４０の凹部１４２が形成されている側の表面上に第二犠牲膜１４６をスパッタ等で形成する（図２３（Ａ４）（Ｂ４）参照）。第二犠牲膜１４６は、例えば１μｍのＣｕ層である。第二犠牲膜１４６は後述する犠牲基板除去工程で除去される。これにより第二犠牲膜１４６上に形成されるプローブ４から犠牲基板１４０を分離して、犠牲基板１４０を除去することができる。本工程が特許請求の範囲に記載の「第二犠牲膜形成工程」に相当する。尚、第二犠牲膜１４６はＡｌ、Ｓｎ等の金属で形成してもよいし、樹脂で形成してもよい。
【００６３】
次に、犠牲基板１４０上にプローブ４を形成する。具体的には、プローブユニット１０２のプローブ４を形成する部位を露出させる開口部１４９を有するレジスト膜１４８を形成する。次に、レジスト膜１４８の開口部１４９内にメッキで金属層１５０を形成する。次に、レジスト膜１４８を除去する（図２３（Ａ５）（Ｂ５）参照）。
【００６４】
図２５は、レジスト膜１４８の開口部１４９の形状と金属層１５０の形状との関係を説明するための模式図である。図２５は、図２３（Ａ４）、（Ｂ４）のＹ１１−Ｙ１１線断面図である。Ｙ１１−Ｙ１１線は犠牲基板１４０の一端１４０ａ側から一端１４０ａと反対側の他端２ｂ側に向けて延伸している内壁面１４９ａ上を通過する仮想線である。
【００６５】
レジスト膜１４８は、凹部１４２の内壁の断面形状が犠牲基板１４０の裏面１４０ｄに向けて突に湾曲する部位で、開口部１４９の内壁面１４９ａが凹部１４２の内壁に連なるように形成されている。また内壁面１４９ａは、図２３（Ｂ４）に示すように犠牲基板１４０に対して略垂直である。そのため、金属層１５０の内壁面１４９ａに密着して形成される面は犠牲基板１４０に対して略垂直に成形され、その下端（以下エッジという。）１５０ａは凹部１４２内壁の断面形状に沿って突に湾曲する。また、金属層１５０の凹部１４２上に形成される部分は、図２３（Ｂ４）に示すように凹部１４２の内壁に沿ってエッジ１５０ａに近接するほど低くなるように傾斜する。つまり、湾曲するエッジ１５０ａを挟んだ一方の面が犠牲基板１４０に対して略垂直であり、他方の面がエッジ１５０ａから近接するほど低くなるように傾斜する片刃状の部分を有する金属層１５０を形成することができる。この部分がプローブユニット１０２のブレード部６の一部に相当する。また、凹部１４２の内壁の断面形状が突に湾曲する部位１４３が、特許請求の範囲に記載の「湾曲線」に相当する。
【００６６】
次に、金属層１５０に基板２を固定する（図２４（Ａ６）（Ｂ６）（Ｃ６）参照）。具体的には、金属層１５０を埋没させるように犠牲基板１４０上に感光性ポリイミドを塗布した後に、感光、現像して基板２を形成する。その後に基板２をベークして硬化させる。尚、金属層１５０と基板２とを接着シートで接着してもよい。
最後に、第二犠牲膜１４６をエッチング等で除去することにより、プローブ４及び基板２から犠牲基板１４０を分離して犠牲基板１４０を除去する（図２４（Ａ７）（Ｂ７）（Ｃ７）参照）。
以上説明した製造方法の第四実施例によれば、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１０２を製造することができる。
【００６７】
（製造方法の第五実施例）
図２６は、製造方法の第五実施例に係る製造方法を説明するための模式図である。（Ｂ１）及び（Ｂ２）は、それぞれ（Ａ１）及び（Ａ２）のＸ１３−Ｘ１３線断面図である。（Ｃ１）及び（Ｃ２）は、それぞれ（Ａ１）及び（Ａ２）のＸ１４−Ｘ１４線断面図である。
【００６８】
はじめに、製造方法の第二実施例と同様にして、凹部１２０を埋没させる犠牲層１２２上に犠牲膜１１０を形成する（図２５（Ａ１）（Ｂ１）参照）。
次に、製造方法の第一実施例と同様の方法で、基板２上および犠牲層１２２上にプローブ４を形成する（図２５（Ａ２）（Ｂ２）参照）。但し、製造方法の第一実施例に係るレジスト層１４４の内壁面１１５ａと実質的に同一の内壁面１６２ａが犠牲膜１１０の頂点を挟んだ両側の斜面に位置するような開口部１６２を有するレジスト膜１６０を、レジスト層１４４の代わりに形成する。その後の工程は、製造方法の第二実施例と実質的に同一である（図１７参照）。
以上説明した製造方法の第五実施例によれば、２つの片刃状の部分を有しエッジ１１６ａがその内側に位置する金属層１１６を基板２上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】プローブユニットの第一実施例に係るブレード部近傍の模式図である。
【図２】プローブユニットの第一実施例によるプローブユニットの斜視図である。
【図３】プローブユニットの第一実施例によるプローブユニットの模式図である。
【図４】（Ａ）はプローブユニットの第一実施例に係る変形例の平面図である。（Ｂ）はＸ４−Ｘ４線断面図である。
【図５】（Ａ）はプローブユニットの第一実施例に係る変形例の平面図である。（Ｂ）はＸ２−Ｘ２線断面図である。
【図６】（Ａ）はプローブユニットの第一実施例に係る変形例の平面図である。（Ｂ）はＸ３−Ｘ３線断面図である。
【図７】本発明のプローブユニットを用いた検査を説明するための模式図である。
【図８】プローブユニットの第二実施例によるプローブユニットの模式図である。
【図９】プローブユニットの第二実施例によるプローブユニットの模式図である。
【図１０】プローブユニットの第三実施例によるプローブユニットの模式図である。
【図１１】製造方法の第一実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１２】製造方法の第一実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１３】製造方法の第一実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１４】製造方法の第一実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１５】製造方法の第一実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１６】製造方法の第二実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１７】製造方法の第二実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１８】製造方法の第三実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図１９】製造方法の第三実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図２０】製造方法の第三実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図２１】製造方法の第三実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図２２】製造方法の第四実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図２３】製造方法の第四実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図２４】製造方法の第四実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図２５】製造方法の第四実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【図２６】製造方法の第五実施例による製造方法を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１、１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６  プローブユニット、２  基板、２ａ  一端（基板の一端）、４  プローブ（導線）、４ａ  先端（導線の先端）６  ブレード部、８  エッジ、１２  検体、１４  電極、４２  基部、４４  ブリッジ部（導線の中間部）、４６  リード部（導線の両端部）、１１０  犠牲膜、１１１  円周部（湾曲線）、１１４、１３８、１４４、１４８、１６０  レジスト膜、１１５、１４９、１６２  開口部、１１５ａ、１４９ａ、１６２ａ  内壁面、１１６、１４０、１５０  金属層（導線）、１２２  犠牲層、１４０  犠牲基板、１４２  凹部、１４３  内壁の断面形状が突に湾曲する部位（湾曲線）、１４６  第二犠牲膜
【図１】
2006138651.tif 000003
【図２】
2006138651.tif 000004
【図３】
2006138651.tif 000005
【図４】
2006138651.tif 000006
【図５】
2006138651.tif 000007
【図６】
2006138651.tif 000008
【図７】
2006138651.tif 000009
【図８】
2006138651.tif 000010
【図９】
2006138651.tif 000011
【図１０】
2006138651.tif 000012
【図１１】
2006138651.tif 000013
【図１２】
2006138651.tif 000014
【図１３】
2006138651.tif 000015
【図１４】
2006138651.tif 000016
【図１５】
2006138651.tif 000017
【図１６】
2006138651.tif 000018
【図１７】
2006138651.tif 000019
【図１８】
2006138651.tif 000020
【図１９】
2006138651.tif 000021
【図２０】
2006138651.tif 000022
【図２１】
2006138651.tif 000023
【図２２】
2006138651.tif 000024
【図２３】
2006138651.tif 000025
【図２４】
2006138651.tif 000026
【図２５】
2006138651.tif 000027
【図２６】
2006138651.tif 000028