(57)【要約】    【課題】  基板処理装置に於いて、昇降機構部に設けられるベローズ部分での放熱を低減し、温度低下を抑制し、温度に敏感な原料使用条件下に於いても安定に基板に薄膜を堆積生成し、少量、多品種生産への対応、又多種多様な原料の使用を可能とする。    【解決手段】  基板１２を処理する処理容器１０と、該処理容器内で基板を支持する支持台１１と、基板を加熱するヒータ１１と、前記支持台を昇降させる昇降手段４と、前記支持台の一部が前記処理容器を貫通する部分を外部に対して気密に保つ様に該処理容器と前記昇降手段との間に設けられたベローズ６と、該ベローズの昇降手段側部分に設けられたベローズヒータと、前記ベローズの中途部に設けられたサブベローズヒータとを具備する。    【選択図】          図１
2006080291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理容器と、該処理容器内で基板を支持する支持台と、基板を加熱するヒータと、前記支持台を昇降させる昇降手段と、前記支持台の一部が前記処理容器を貫通する部分を外部に対して気密に保つ様に該処理容器と前記昇降手段との間に設けられたベローズと、該ベローズの昇降手段側部分に設けられたベローズヒータと、前記ベローズの中途部に設けられたサブベローズヒータとを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理容器と、該処理容器内で基板を支持する支持台と、基板を加熱するヒータと、前記支持台を昇降させる昇降手段と、前記支持台の一部が前記処理容器を貫通する部分を外部に対して気密に保つ様に該処理容器と前記昇降手段との間に設けられたベローズと、該ベローズに設けられたベローズヒータと、該ベローズヒータ、前記ベローズを覆う様に処理容器と昇降手段間に設けられた保温カバーとを具備することを特徴とする基板処理装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ等の基板に薄膜を生成して半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化に伴い半導体装置の成膜工程に於いても原子層レベルの成膜が要求され、斯かる成膜方法の１つにＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）がある。該ＡＬＤは従来より主流であったＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｉｐｏｓｉｔｉｏｎ）とは異なり、金属含有原料Ａと酸化力のある原料Ｂ（Ｏ3 、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ等）とを比較的低温（例えば２５０℃〜３００℃）に加熱された基板上に原料ガスの吸着、離脱の過程を経て薄く堆積させる方法である。
【０００３】
基板処理装置としては、所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置、或は一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置とがあり、近年の少量、多品種生産に対しては枚葉式の基板処理装置が適している。
【０００４】
枚葉式の基板処理装置では、気密な処理容器内に１枚或は２枚の基板が搬入され、前記処理容器内の基板載置台に前記基板が載置され、前記基板載置台に埋設されたヒータにより前記基板が加熱され、更に原料が導入されて処理が成される。
【０００５】
前記処理容器内への基板の搬送は搬送ロボットによる基板の搬入搬出動作と、前記基板載置台の昇降動作の協働で行われる。該基板載置台は前記処理容器を貫通する支柱によって支持され、前記処理容器外に設けられた昇降駆動部により前記支柱を介して前記基板載置台が昇降される様になっており、前記支柱の貫通部分には、図５に示される様に気密を保持する為ベローズが設けられている。
【０００６】
図５中、１は処理容器の底板、２は該底板１に設けられた貫通孔を示しており、前記底板１の下方に昇降ベース３が配設され、該昇降ベース３は図示しない昇降機構部によって昇降可能となっている。前記昇降ベース３には支柱４が設けられ、該支柱４は前記底板１を貫通している。前記支柱４のフランジ部５と前記底板１の下面との間にベローズ６が設けられ、該ベローズ６は前記支柱４が前記底板１を貫通する部分を気密に覆っている。基板の授受の為前記昇降ベース３が昇降し、前記ベローズ６は前記昇降ベース３の昇降に追従して伸縮する。尚、図５（Ａ）は成膜処理を行っている状態、図５（Ｂ）は基板の搬送時に前記昇降ベース３が降下している状態を示している。
【０００７】
上記した原料Ａ、原料Ｂは一般に非常に反応性が高く、同時に供給した場合に気相反応による異物の発生、膜質の劣化を引起すことが考えられる。従って、成膜処理後、次工程に移行する場合、前工程のガスの残留がない様に不活性ガスによりガスパージを行っている。
【０００８】
前記ベローズ６の内部はガスの淀み部分となるので、従来、該ベローズ６の内部もガスパージされる様に、該ベローズ６の下部には下部パージポート７が連通され、該下部パージポート７は窒素ガス等の不活性ガスの供給源（図示せず）に接続されて、前記ベローズ６内部も積極的にガスパージされる様になっている。
【０００９】
又、原料ガスとして気化させた液体原料、例えばＴＤＭＡＨ（テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］4 ））等が使用される場合、原料ガスは温度に鋭敏であり、原料ガスの接触部分で温度低下部があると原料ガスが液化付着し、ガスパージしても残留することがあり、次工程の酸化剤が導入された場合に、残留原料ガスと反応してパーティクルの発生の原因となる可能性がある。
【００１０】
処理容器の一部である前記底板１はアルミニウム或はアルミニウム合金でヒータ（図示せず）によって加熱されて、供給原料が液化しない様になっている。前記底板１に取付けられた前記ベローズ６はステンレス系の金属製となっており、ステンレス系の金属は熱伝導率がアルミニウムの１／１０以下であり、前記底板１から前記ベローズ６への熱の伝達が少なく、又該ベローズ６は蛇腹状の表面で表面積が大きく、表面からの放熱が大きいので、該ベローズ６は下部に行く程温度が低下する。該ベローズ６での温度低下を防止する為、該ベローズ６の下端部の周囲にはベローズ下部ヒータ８が設けられ、前記ベローズ６の下部が前記ベローズ下部ヒータ８により加熱される様になっている。
【００１１】
然し乍ら、上記した様に前記ベローズ６はステンレス系の金属製となっており、ステンレス系の金属は熱伝導率が小さく、又該ベローズ６は表面積が大きな形状であるので、該ベローズ６の下部を前記ベローズ下部ヒータ８で加熱したとしても中間部での放熱による温度低下を充分に抑制できない虞れがあった。
【００１２】
又、少量、多品種生産が更に加速され、又ＡＬＤによる成膜プロセス法が採用される状況では、多種多様な原料の使用が予想されるが、温度に敏感な原料ガスを使用する場合の制約が生じるという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は斯かる実情に鑑み、昇降機構部に設けられるベローズ部分での放熱を低減し、温度低下を抑制し、温度に敏感な原料使用条件下に於いても安定に基板に薄膜を堆積生成し、少量、多品種生産への対応、又多種多様な原料の使用を可能とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板を処理する処理容器と、該処理容器内で基板を支持する支持台と、基板を加熱するヒータと、前記支持台を昇降させる昇降手段と、前記支持台の一部が前記処理容器を貫通する部分を外部に対して気密に保つ様に該処理容器と前記昇降手段との間に設けられたベローズと、該ベローズの昇降手段側部分に設けられたベローズヒータと、前記ベローズの中途部に設けられたサブベローズヒータとを具備する基板処理装置に係り、又基板を処理する処理容器と、該処理容器内で基板を支持する支持台と、基板を加熱するヒータと、前記支持台を昇降させる昇降手段と、前記支持台の一部が前記処理容器を貫通する部分を外部に対して気密に保つ様に該処理容器と前記昇降手段との間に設けられたベローズと、該ベローズに設けられたベローズヒータと、該ベローズヒータ、前記ベローズを覆う様に処理容器と昇降手段間に設けられた保温カバーとを具備する基板処理装置に係るものである。
【００１５】
又本発明は、前記ベローズが中途部に中間リングを有し、前記サブベローズヒータは前記中間リングに設けられた基板処理装置に係るものであり、又前記ベローズの上端部、中途部、下端部に円筒状カバーが竹の子状に伸縮可能に設けられたものであり、前記円筒状カバーは前記ベローズの伸長状態で端部が相互に重合している基板処理装置に係るものである。
【００１６】
更に、本発明は、基板を加熱する前記ヒータは支持台に設けられた基板処理装置に係り、又前記処理容器の壁面を加熱する様壁面ヒータが設けられた基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板を処理する処理容器と、該処理容器内で基板を支持する支持台と、基板を加熱するヒータと、前記支持台を昇降させる昇降手段と、前記支持台の一部が前記処理容器を貫通する部分を外部に対して気密に保つ様に該処理容器と前記昇降手段との間に設けられたベローズと、該ベローズの昇降手段側部分に設けられたベローズヒータと、前記ベローズの中途部に設けられたサブベローズヒータとを具備するので、ベローズが複数箇所でヒータにより加熱され、低温部の発生が防止され、ベローズ部分での放熱を低減し、温度低下を抑制し、温度に敏感な原料使用条件下に於いても安定に基板に薄膜を堆積生成し、少量、多品種生産への対応、又多種多様な原料の使用を可能とする。
【００１８】
又本発明によれば、基板を処理する処理容器と、該処理容器内で基板を支持する支持台と、基板を加熱するヒータと、前記支持台を昇降させる昇降手段と、前記支持台の一部が前記処理容器を貫通する部分を外部に対して気密に保つ様に該処理容器と前記昇降手段との間に設けられたベローズと、該ベローズに設けられたベローズヒータと、該ベローズヒータ、前記ベローズを覆う様に処理容器と昇降手段間に設けられた保温カバーとを具備するので、ベローズ部分での放熱を低減し、温度低下を抑制し、低温部の発生が防止され、温度に敏感な原料使用条件下に於いても安定に基板に薄膜を堆積生成し、少量、多品種生産への対応、又多種多様な原料の使用を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２０】
図１は、本発明が実施される基板処理装置の一例である枚葉式のＡＬＤ装置を示している。尚、図１中、図５中で示したものと同一のものには同符号を付してある。
【００２１】
図中、１０は処理容器を示し、該処理容器１０の底板１には貫通孔２が穿設され、支持台１１の一部である支柱４が前記貫通孔２を貫通して設けられ、前記支柱４の下端は昇降手段の一部である昇降ベース３に支持され、前記支柱４の上端にはヒータを兼ねる支持台１１が設けられている。前記処理容器１０の外部には前記昇降ベース３を昇降させる昇降駆動部（図示せず）が設けられ、該昇降駆動部と前記昇降ベース３とにより昇降手段が構成される。前記支持台１１の内部には発熱体、例えば抵抗加熱ヒータ（図示せず）が埋設され、前記支持台１１の上面に載置される基板１２を加熱する様になっている。前記支持台１１の材質としては前記基板１２の金属汚染を防止する為、非金属であることが好ましく、例えば石英、窒化アルミ（ＡｌＮ）等が挙げられる。又、前記支持台１１には温度検出器、例えば熱電対が設けられ、図示しない制御部によって、載置された基板１２の加熱温度が制御される。又、前記処理容器１０の壁面は壁面ヒータ（図示せず）によって、所要温度、例えば１５０℃±１０℃に加熱されている。
【００２２】
前記支持台１１の上昇位置が基板処理状態であり、上昇位置の前記支持台１１の周りにカバープレート１３が設けられ、該カバープレート１３と前記処理容器１０の天井部１４間には反応室１５が画成される。
【００２３】
前記支柱４の周囲を覆う様にベローズ６が設けられ、該ベローズ６の一端（図では上端）は前記底板１の下面に気密に固着され、前記ベローズ６の他端（図では下端）は前記支柱４のフランジ部５に気密に固着されている。
【００２４】
前記ベローズ６は図２に示される様に、上端には上端フランジ１６、下端には下端フランジ１７、中途部に中間リング１８を有しており、前記下端フランジ１７の外周にはベローズ下部ヒータ８が設けられ、前記中間リング１８の周囲にはサブベローズヒータ１９が設けられる。該サブベローズヒータ１９にはケーブルヒータ、ロッド状のカートリッジヒータが用いられる。前記中間リング１８の位置、即ち前記サブベローズヒータ１９が設けられる位置は、前記ベローズ６の温度が最も低くなる部分であり、又該ベローズ６の温度が最も低くなる部分は実験等で事前に求められる。
【００２５】
前記上端フランジ１６には円筒状のベローズ上カバー２１が設けられ、前記中間リング１８には前記ベローズ上カバー２１よりも小径の円筒状のベローズ中間カバー２２が設けられ、更に前記ベローズ下部ヒータ８の周囲には前記ベローズ中間カバー２２より小径の円筒状のベローズ下カバー２３が設けられ、前記ベローズ上カバー２１、前記ベローズ中間カバー２２、前記ベローズ下カバー２３は前記ベローズ６の周囲を覆う竹の子状に伸縮する複数段折畳み式の円筒カバー２４を構成し、前記ベローズ６の伸長時、即ち前記昇降ベース３が降下した基板搬送状態（図２（Ｂ）参照）でも、前記ベローズ上カバー２１と前記ベローズ中間カバー２２、該ベローズ中間カバー２２と前記ベローズ下カバー２３とは重合部分が形成され、前記ベローズ６は外部に露出しない様になっている。前記ベローズ上カバー２１、前記ベローズ中間カバー２２、前記ベローズ下カバー２３の材質としては、例えば（ＳＵＳ３０４，３１６等のステンレス材、アルミニウム合金等の金属材又はＰＴＦＥ，ＰＣＴＦＥ等の耐熱性非金属材）が用いられる。
【００２６】
前記ベローズ下部ヒータ８及び前記下端フランジ１７を貫通して前記ベローズ６内部に連通する下部パージポート７が設けられている。該下部パージポート７は図示しない不活性ガス供給源に接続されている。
【００２７】
前記処理容器１０の底面にはリフトピン２５が少なくとも３本立設され、該リフトピン２５は前記支持台１１が降下時には該支持台１１を貫通して上方に突出し、前記基板１２を前記支持台１１から持上げた状態で支持する様になっている。前記リフトピン２５は前記基板１２の接触面積が少なくなる様、該基板１２に与える温度ムラを抑制する様に、径を、例えば８ｍｍφ以下であることが好ましく、更に基板１２を汚染しない非金属の石英製等の材質が好ましい。
【００２８】
前記処理容器１０の一側面には基板搬送口２６が設けられ、該基板搬送口２６はゲートバルブ２７によって開閉可能であり、前記基板搬送口２６を通して図示しない搬送ロボットにより基板１２が搬入され、前記支持台１１の昇降と協働して前記リフトピン２５を経て前記支持台１１上に基板１２を載置可能となっている。
【００２９】
前記処理容器１０の他側面の前記カバープレート１３より下方に排気口２８が設けられ、該排気口２８には排気系２９が接続され、該排気系２９途中には可変コンダクタンスバルブ等の圧力制御手段３１が設けられ、前記排気系２９は図示しない排気装置に接続されている。前記排気系２９にはテープヒータ等が設けられ、所定温度、例えば１５０℃±２０℃に加熱されている。
【００３０】
前記処理容器１０の天井部にはガス供給系３２が連通され、該ガス供給系３２は液化第１原料を貯溜する第１原料タンク３３を具備する第１原料ガス供給系３２ａ及び液化第２原料を貯溜する第２原料タンク３４を具備する第２原料ガス供給系３２ｂにより構成されている。前記第１原料タンク３３、前記第２原料タンク３４はそれぞれ原料の蒸気圧に応じて内部の原料を加熱するヒータを具備している。
【００３１】
前記第１原料ガス供給系３２ａの前記第１原料タンク３３には第１原料用輸送ガスライン３５及び第１原料ガス供給管３６が接続されている。該第１原料ガス供給管３６にはテープヒータ等のヒータが設けられ、所要温度、例えば１５０℃±５℃に加熱されている。
【００３２】
前記第１原料用輸送ガスライン３５は原料ガスを輸送用ガスと共に送給するものであり、ガス種としては不活性ガス例えばＡｒ、Ｎ2 等が用いられ、原料ガスの搬送方式としては、第１原料用輸送ガスライン３５の吐出口を液没させ供給するパブリング方式と、吐出口が第１原料タンク３３の気相部分に開口し、該第１原料タンク３３内の気相を送出する気体搬送方式とがある。
【００３３】
前記第１原料ガス供給管３６は前記処理容器１０の天井部１４に接続され、前記第１原料ガス供給管３６には第１原料バルブ３７が設けられ、前記第１原料ガス供給管３６の第１原料バルブ３７より上流側には第１排気バルブ３８を有する第１排気ライン３９が連通している。又、前記第１原料ガス供給管３６の前記第１原料バルブ３７より下流側には第１原料希釈バルブ４１を有する第１希釈ガスライン４２が連通している。該第１希釈ガスライン４２は、図示しない窒素ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給源と接続されている。
【００３４】
前記第２原料ガス供給系３２ｂは前記第１原料ガス供給系３２ａと同様の構成であり、前記第２原料タンク３４には第２原料用輸送ガスライン４３及び第２原料ガス供給管４４が接続されている。該第２原料ガス供給管４４も、前記第１原料ガス供給管３６と同様、テープヒータ等のヒータが設けられ、所要温度、例えば１５０℃±５℃に加熱されている。
【００３５】
又、前記第２原料ガス供給管４４は前記処理容器１０の天井部１４に接続され、前記第２原料ガス供給管４４には第２原料バルブ４５が設けられ、前記第２原料ガス供給管４４の前記第２原料バルブ４５より上流側には第２排気バルブ４６を有する第２排気ライン４７が連通している。又、前記第２原料ガス供給管４４の前記第２原料バルブ４５より下流側には第２原料希釈バルブ４８を有する第２希釈ガスライン４９が連通し、該第２希釈ガスライン４９は図示しない不活性ガス供給源に接続されている。
【００３６】
以下、基板処理について説明する。
【００３７】
前記支持台１１が降下した状態で、前記ゲートバルブ２７が開放され、図示しない基板搬送ロボットにより前記基板搬送口２６を通して基板１２が前記処理容器１０内に搬入され、前記リフトピン２５の上端に載置される。前記基板搬送ロボットが後退し、前記支持台１１が上昇して前記基板１２が前記支持台１１に載置される。前記ゲートバルブ２７が閉じられ、前記排気系２９により前記処理容器１０内が排気され、前記支持台１１により前記基板１２が加熱される。
【００３８】
前記第１原料タンク３３、第２原料タンク３４から原料ガスが供給されるが、初めは前記第１原料バルブ３７、前記第２原料バルブ４５が閉じられ、気化した原料ガスは流量が一定する迄前記第１排気バルブ３８、第２排気バルブ４６を介して前記第１排気ライン３９、前記第２排気ライン４７より排気される。
【００３９】
成膜処理開始と同時に前記第１原料タンク３３から第１原料を、前記第１排気バルブ３８が閉、前記第１原料バルブ３７を開として前記反応室１５に導入する。第１原料の供給時間としては０．１〜３．０秒程度である。第１原料の供給が終了したと同時に前記第１原料バルブ３７を閉じ、前記第１排気バルブ３８を開いて第１原料を前記第１排気ライン３９より排気する。この際、前記第１原料ガス供給管３６の前記第１原料バルブ３７と前記反応室１５間に第１原料ガスが残留し、第２原料ガス導入時迄充分濃度が低下していない場合、残留ガスが自己分解、或は反応してパーティクルとなる虞れがある。従って、前記第１原料バルブ３７と前記反応室１５間の配管長はできるだけ短いことが好ましい。又、前記第１原料バルブ３７と前記反応室１５間の前記第１原料ガス供給管３６内及び前記反応室１５内の原料ガス濃度を所定の濃度以下とする為に、前記第１原料希釈バルブ４１を開いて希釈ガスを前記第１希釈ガスライン４２、及び該第１原料ガス供給管３６を介して前記反応室１５に、例えば０．１〜１０秒間導入し、前記第１原料希釈バルブ４１が閉じられる。
【００４０】
前記反応室１５内の原料ガス濃度が所定の濃度以下となった時点で、前記第２原料バルブ４５が開かれ、前記第２排気バルブ４６が閉じられ、第２原料が前記第２原料ガス供給管４４を介して前記反応室１５に所定時間（０．１〜１０秒間）導入される。前記第２原料バルブ４５が閉じられると同時に前記第２排気バルブ４６が開かれ、第２原料ガスの導入が停止される。又、前記第２原料希釈バルブ４８が開かれ、希釈ガスが前記第２希釈ガスライン４９、前記第２原料ガス供給管４４を介して前記反応室１５に所定時間（例えば０．１〜１０秒間）導入される。
【００４１】
原料ガスの導入の態様については、例えばＡＬＤ成膜工程に於いては、第１原料としてＨｆ系、Ａｌ系原料の他に、第２原料としての酸化剤、例えばＨ2 Ｏ、Ｏ3 等が導入され、（第１原料ガス供給）→（配管、反応室希釈）→（第２原料ガス（酸化剤）供給）→（配管、反応室希釈）の４工程が１サイクルとして所望の膜厚になる迄繰返して実行される。１サイクルでの成膜膜厚は、条件によって異なるが、概して０．３Å〜１．０Å程度である。
【００４２】
例えば、基板１２にＡｌ2 Ｏ3 膜を成膜する場合、例えば第１原料としてＴＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ  ａｌｕｍｉｎｕｍ）、第２原料としてＨ2 Ｏが選択され、又他の成膜膜質が複数原料から構成されるＨｆＡｌＯｘ（ハフニウムアルミネート）等では第１原料としてＴＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌ  ａｌｕｍｉｎｕｍ）、第２原料としてＨｆ（ＯｔＢｕ）4 、Ｈｆ（ＮＭｅ2 ）4 等が挙げられ、複数原料が用いられる場合は、酸化剤としての原料供給ラインが更に設けられる。
【００４３】
成膜処理中、前記基板１２に供給された後のガスは前記排気口２８を通って前記排気系２９より排気され、前記反応室１５内の圧力は図示しない圧力検出器によって検出され、前記圧力制御手段３１により所定の処理圧に保持される。
【００４４】
基板１２の処理が完了すると、前記第１原料バルブ３７、第２原料バルブ４５が閉じられた状態で前記第１原料希釈バルブ４１、前記第２原料希釈バルブ４８が開かれ、前記反応室１５内に不活性ガスが導入され、該反応室１５内がガスパージされる。前記支持台１１が降下し、前記基板１２が前記リフトピン２５に支持され、該反応室１５が搬送室と同圧化された後、前記ゲートバルブ２７が開かれ、搬送ロボットにより処理済の基板１２が搬出される。
【００４５】
未処理の基板が、前記ゲートバルブ２７を通って搬入され、基板処理が繰返される。
【００４６】
上記処理工程に於いて、前記支持台１１への基板１２の搬送に伴い、前記昇降ベース３が昇降し、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示される様に前記ベローズ６が伸縮する。
【００４７】
該ベローズ６は前記ベローズ下部ヒータ８、前記サブベローズヒータ１９により加熱され、前記ベローズ６の上端からは前記底板１によって加熱され、前記ベローズ６は上下、中間の３箇所で加熱され、該ベローズ６で低温部が生じない様になっており、該ベローズ６全体として、所要温度、例えば１５０℃±１０℃に加熱されている。
【００４８】
又、該ベローズ６の上端部、中途部、下端部にそれぞれ設けられた前記ベローズ上カバー２１、前記ベローズ中間カバー２２、前記ベローズ下カバー２３は、竹の子状に伸縮し、最大伸長時でも各ベローズカバーの端部が相互に重合する様になっており、前記ベローズ６の露出を防ぎ、保温カバーとして作用し、該ベローズ６からの放熱を抑制し、温度の均一性が向上する。
【００４９】
而して、原料ガスが前記ベローズ６に接触して液化するのが防止され、又前記反応室１５のガスパージ時には前記下部パージポート７よりパージガスが前記ベローズ６内に導入されるので、ガスの淀みが防止され、原料ガスが前記ベローズ６に残留することが防止される。
【００５０】
尚、該ベローズ６が長くなる場合は、前記中間リング１８を複数箇所に設けて、それぞれに中間ヒータ、ベローズ中間カバーを設ける様にしてもよい。
【００５１】
図３、図４は第２の実施の形態を示している。
【００５２】
ベローズ６の上端には上端フランジ１６、下端には下端フランジ１７、中間位置に中間リング１８が設けられ、前記上端フランジ１６は底板１に取付けられ、前記下端フランジ１７にはベローズ下部ヒータ８が設けられ、前記中間リング１８にはサブベローズヒータ１９が設けられ、前記ベローズ６は下端部、中途部、上端部で加熱される様になっている。これらの構成は第１の実施の形態と同じである。第１の実施の形態と異なるのは、次の点である。即ち、前記ベローズ６の周囲を覆う様に提灯状の保温カバー５１が設けられ、該保温カバー５１の上端は上端フランジ１６に、又前記保温カバー５１の下端は下端フランジ１７にそれぞれ固着されている。前記保温カバー５１には伸縮性、弾力性を有するもの、例えばシリコンラバー等が用いられる。
【００５３】
該保温カバー５１の上端部、下端部の固定構造としては、例えば図４で示される方法で固定する。
【００５４】
図４は、前記保温カバー５１の上端を上端フランジ１６に固定した状態を示している。
【００５５】
カバー固定フランジ５２を前記上端フランジ１６にボルト５３により固着する。前記カバー固定フランジ５２にはカバー挾持溝５４が形成されており、該カバー挾持溝５４に前記保温カバー５１の上端部が挿入される様になっており、円周所要ピッチでボルト５５により固定される。尚、保温カバー５１の固定方法としては、前記カバー固定フランジ５２にカバー挾持溝５４を形成せず、前記カバー固定フランジ５２に前記保温カバー５１の上端部を外嵌し、更に固定バンドで全周を締付ける様にしてもよい。前記カバー固定フランジ５２の材質としては、金属製、或は耐熱樹脂（弗化樹脂、ＰＥＥＫ樹脂等）が用いられ、特に耐熱樹脂が用いられる場合は、前記保温カバー５１への伝熱が減少し、該保温カバー５１の熱による劣化が防止できる。
【００５６】
前記保温カバー５１によれば、前記ベローズ６の周囲を完全に包囲するので、該ベローズ６の外面を完全に外部雰囲気から遮断でき、保温性が向上する。又、前記保温カバー５１は前記ベローズ６とは非接触の状態で設けられるので、該ベローズ６からの伝熱が抑制され、前記保温カバー５１の熱劣化が回避できる。
【００５７】
該保温カバー５１の上端は、前記底板１に固定されてもよく、或は前記保温カバー５１の下端はフランジ部５、昇降ベース３に固定されてもよく、前記保温カバー５１の上端が前記底板１側に、下端が昇降部側にそれぞれ固定されればよい。
【００５８】
尚、本発明はＡＬＤ基板処理装置に限らず、ＣＶＤ基板処理装置にも実施可能であることは言う迄もない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】（Ａ）（Ｂ）は本発明の実施の形態の要部を示す説明図である。
【図３】（Ａ）（Ｂ）は本発明の他の実施の形態の要部を示す説明図である。
【図４】該他の実施の形態に於ける保温カバーの上端部の固定方法を示す部分図である。
【図５】（Ａ）（Ｂ）は従来例の説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１              底板
３              昇降ベース
４              支柱
６              ベローズ
７              下部パージポート
８              ベローズ下部ヒータ
１０            処理容器
１１            支持台
１５            反応室
１６            上端フランジ
１７            下端フランジ
１８            中間リング
１９            サブベローズヒータ
２１            ベローズ上カバー
２２            ベローズ中間カバー
２３            ベローズ下カバー
２４            円筒カバー
２９            排気系
３２            ガス供給系
５１            保温カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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