(57)【要約】【課題】ＤＰＰ法やＤＰＤ法といった異なるトラッキングエラー検出を一つの受光素子で共有化し、かつ回路構成を簡素にできる光ピックアップを提供することを目的とする。【解決手段】半導体レーザ６からの出射光は、光ディスク１表面上に集光された後、反射され、その反射光７は、元の光路を通って第一の回折格子素子３に入射し、±１次回折光８ａ、８ｂに分割される。＋１次回折光８ａは第二の回折格子素子４に達した後、回折格子４ａによってさらに±１次回折光９ａ、９ｂに分割されて受光素子基板５の受光領域５ｂ、５ａで受光される。−１次回折光８ｂは回折格子４ｂによってさらに±１次回折光１０ａ、１０ｂに分割されて受光素子基板５の受光領域５ｄ、５ｃで受光される。受光領域５ａ〜５ｄは光ディスクのラジアル方向と平行に３分割されており、各領域からの光電変換信号を演算してトラッキングエラー検出信号を得る。【選択図】図１
2006127566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一面上に離間して配置された２つの回折格子領域を有し、
前記回折格子領域が、それぞれ第１の分割線となる直線により上下に分割された回折格子素子であって、
前記第１の分割線の上部領域は、前記第１の分割線と直交する第２の分割線となる直線によってさらに分割され、かつ分割された一の領域は第１の回折格子パターンを、他の領域は前記第１の回折格子パターンと異なる第２の回折格子パターンを有しており、
前記第１の分割線の下部領域は、前記第２の分割線と平行な方向に複数分割されており、前記複数の分割領域は前記第１の回折格子パターンを有する領域と前記第２の回折格子パターンを有する領域とが交互に配されたことを特徴とする回折格子素子。
【請求項２】
前記複数の分割領域のうち、少なくとも１組の隣り合う領域間の境界線が前記第２の分割線の延長線上にあることを特徴とする請求項１記載の回折格子素子。
【請求項３】
同一面上に離間して配置された２つの回折格子領域を有し、
前記回折格子領域が、それぞれ第１の分割線となる直線により上下に分割された回折格子素子であって、
前記第１の分割線の上部領域は、前記第１の分割線と直交する第２の分割線となる直線によってさらに分割され、かつ分割された一の領域は第１の回折格子パターンを、他の領域は前記第１の回折格子パターンと異なる第２の回折格子パターンを有しており、
前記第１の分割線の下部領域は、前記第１の回折格子パターンおよび前記第２の回折格子パターンとは異なる第３の回折格子パターンを有することを特徴とする回折格子素子。
【請求項４】
前記２つの回折格子領域の間に、３ビーム用回折格子が形成されていることを特徴する請求項１ないし３のいずれかに記載の回折格子素子。
【請求項５】
光を情報記録媒体に照射し、前記情報記録媒体からの反射光を用いて前記情報記録媒体上の情報を読み取る光ピックアップであって、
光源と、前記反射光を受光して、光信号を電気信号に変換する受光素子と、前記情報記録媒体からの反射光を回折して回折光を発生させる第一の回折格子素子と、前記第一の回折格子素子からの回折光を受けて、さらに回折光を発生させて、それを前記受光素子に導く第二の回折格子素子と、を少なくとも有し、
前記第二の回折格子素子は請求項１ないし４のいずれかに記載の回折格子素子であって、
前記第２の分割線は前記情報記録媒体上に形成されたピット列の接線方向と平行であり、前記光源から前記情報記録媒体に向けて射出される光の光軸は、前記第２の分割線あるいはその延長線と交わっていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項６】
前記光軸と前記第１の分割線とは交わらないことを特徴とする請求項５記載の光ピックアップ。
【請求項７】
前記受光素子は、同一平面に形成された第１〜第４受光領域を少なくとも有しており、
前記第１受光領域は、前記第二の回折格子素子に形成された２つの回折格子領域のうち、一の回折格子領域からの−１次回折光を受光し、
前記第２受光領域は、前記一の回折格子領域からの＋１次回折光を受光し、
前記第３受光領域は、前記第二の回折格子素子に形成された２つの回折格子領域のうち、他の回折格子領域からの−１次回折光を受光し、
前記第４受光領域は、前記他の回折格子領域からの＋１次回折光を受光することを特徴とする請求項５または６記載の光ピックアップ。
【請求項８】
前記第１〜第４受光領域は、前記第１の分割線と平行な方向にそれぞれ３分割されており、
前記第１〜第４受光領域中の各分割領域からの光電変換信号を演算処理する回路をさらに備えたことを特徴とする請求項７記載の光ピックアップ。
【請求項９】
フォーカスエラー信号の検出はスポットサイズ検出法（ＳＳＤ法）により行い、トラッキングエラー信号の検出は差動プッシュプル法（ＤＰＰ法）あるいは位相差検出法（ＤＰＤ法）により行うことを特徴とする請求項８記載の光ピックアップ。
【請求項１０】
光源からの出射光に対して透明な材料からなる光学部材の一の面に前記第一の回折格子素子が形成され、前記一の面と反対側の面に前記第二の回折格子素子が形成されていることを特徴とする請求項５ないし９のいずれかに記載の光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置、光ディスク装置などに用いることができる光ピックアップ、および、光ピックアップの構成部品である回折格子素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、光ディスクには、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＭＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒなど用途によって様々な規格が存在し、各々にて異なるサーボ信号検出方法が採用されている。フォーカスエラー信号検出方法はスポットサイズ検出法（以下、ＳＳＤ法という）など、トラッキングサーボ信号検出方法は、３ビーム法、差動プッシュプル法（以下、ＤＰＰ法という）、位相差検出法（以下、ＤＰＤ法という）などが採用されている。
【０００３】
さらに、近年では、異なる規格のディスクを同一のシステムで対応可能な複合システムが主流であり、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷを同一のシステムで扱える複合システムではＤＰＰ法が採用されているものがある。
【０００４】
しかし、同一規格ディスク内でも、構成樹脂、ピット深さなどが異なるものが存在し、ＣＤ−ＲＯＭにおいて、ピット深さがλ（＝レーザ光波長）／４である光ディスクではプッシュプル信号が検出不可能であることが発覚し、このようなディスクにも対応するため、上記のＣＤ系複合システムにおいてもＤＰＤ法によるトラッキングエラー信号検出が補助的に求められるようになってきた。
【０００５】
ＤＰＤ法に対応した光ディスクシステムに利用可能な光ピックアップの従来例として、特許文献１、特許文献２に示すものが提案されている。
【０００６】
図１１は従来の技術における光ピックアップの概略斜視図、図１２はこの光ピックアップで用いられる回折格子素子の平面図、図１３はこの光ピックアップで用いられる受光素子基板の平面図である。
【０００７】
図１１から１２において、半導体レーザ(図示せず)からの射出光は、光軸１０３に沿って情報記録媒体である光ディスク１０１に達し、そこで反射される。光ディスク１０１側から回折格子素子１０６、受光素子基板１０９が光軸１０３上に沿って所定の位置関係で配置されている。
【０００８】
図１１および図１２に示すように、回折格子素子１０６の中央には、光の回折とレンズ作用を有するホログラム１０７が形成され、ホログラム１０７は、光軸１０３を通り、かつ、光ディスク１０１のピット列接線方向１０４（以下、タンジェンシャル方向という）と平行な直線を境界として第１領域１０７ａと第２領域１０７ｂに分割されている。
【０００９】
第１領域１０７ａと第２領域１０７ｂは、各々同一の連続する波面の回折光を生成する同一曲線群にて構成され、各々の波面の中心方向を異ならせることにより、第１領域１０７ａと第２領域１０７ｂに入射したディスク反射光１０２の回折角は同一であるが、その回折方向はそれぞれ異なるように配置される。
【００１０】
また、第１領域１０７ａと第２領域１０７ｂでの回折光のうち、波面中心方向へ回折する回折光は収束し、波面中心方向と反対方向へ回折する回折光は発散するようレンズ効果が付加されている。
【００１１】
第１領域１０７ａへ入射した反射光１０２は、＋１次回折光１０８ａ+、−１次回折光１０８ａ-に分割され、第２領域１０７ｂへ入射した反射光１０２は、＋１次回折光１０８ｂ+、−１次回折光１０８ｂ-に分割される。
【００１２】
受光素子基板１０９は、同一平面の受光面上に４つの受光領域１０９ａ+、１０９ａ-、１０９ｂ+、１０９ｂ-を有し、それぞれの受光領域は図１３に示す位置関係で形成されている。ただし、受光領域１０９ａ+、１０９ａ-の中央を通る第１の直線１１０ａと、受光領域１０９ｂ+、１０９ｂ-の中央を通る第２の直線１１０ｂの交点は、ほぼ光軸１０３の近傍を通る。この４つの受光領域１０９ａ+、１０９ａ-、１０９ｂ+、１０９ｂ-に４つの回折光１０８ａ+、１０８ａ-、１０８ｂ+、１０８ｂ-がそれぞれ入射する。
【００１３】
ここで、図１２に示すように第１領域１０７ａで回折された＋１次回折光の回折方向は、１１９ａ+、−１次回折光の回折方向は１１９ａ-、第２領域１０７ｂで回折された＋１次回折光の回折方向は１１９ｂ+、−１次回折光の回折方向は１１９ｂ-である。
【００１４】
また、受光素子基板１０９における受光領域１０９ａ+、１０９ａ-の中央を通る第１の直線１１０ａが、上記した回折方向１１９ａ+と回折方向１１９ａ-上にあり、受光領域１０９ｂ+、１０９ｂ-の中央を通る第２の直線１１０ｂが上記した回折方向１１９ｂ+と回折方向１１９ｂ-上にある。
【００１５】
図１３に示すように、受光領域１０９ａ+、１０９ａ-は、これら領域の中央を通る第１の直線１１０ａと平行な方向にそれぞれ４分割されており、２つの中央領域部Ｅａ１、Ｅａ２と２つの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃからそれぞれ構成される。同様に、受光領域１０９ｂ+、１０９ｂ-は、これら領域の中央を通る第２の直線１１０ｂと平行な方向にそれぞれ４分割されており、２つの中央領域部Ｅａ１、Ｅａ２と２つの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃからそれぞれ構成される。
【００１６】
図１４は、４つの受光領域１０９ａ+、１０９ａ-、１０９ｂ+、１０９ｂ-に入射した回折光からＳＳＤ法によってフォーカスエラー信号を求める方法を示す模式図である。
【００１７】
受光領域１０９ａ+の中央領域部Ｅａ１、Ｅａ２から得られる光電変換信号をＲ+ｉ、２つの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃから得られる光電変換信号をＲ+ｏとし、受光領域１０９ａ-の中央領域部Ｅａ１、Ｅａ２から得られる光電変換信号をＲ-ｉ、２つの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃから得られる光電変換信号をＲ-ｏとし、受光領域１０９ｂ+の中央領域部Ｅａ１、Ｅａ２から得られる光電変換信号をＬ+ｉ、２つの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃから得られる光電変換信号をＬ+ｏとし、受光領域１０９ｂ-の中央領域部Ｅａ１、Ｅａ２から得られる光電変換信号をＬ-ｉ、２つの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃから得られる光電変換信号をＬ-ｏとする。
【００１８】
この時、フォーカスエラー信号ＦＥは以下のように算出される。
【００１９】
ＦＥ＝(Ｌ+ｉ＋Ｌ-ｏ)＋(Ｒ+ｉ＋Ｒ-ｏ)−(Ｌ-ｉ＋Ｌ+ｏ)−(Ｒ-ｉ＋Ｒ+ｏ)    (式１)
図１５は、４つの受光領域１０９ａ+、１０９ａ-、１０９ｂ+、１０９ｂ-に入射した回折光からＤＰＤ法によってトラッキングエラー信号を求める方法を示す模式図である。
【００２０】
受光領域１０９ａ+の中央領域部Ｅａ１と外側領域部Ｅｂとの光電変換信号の和をＲｕ+、中央領域部Ｅａ２と外側領域部Ｅｃとの光電変換信号の和をＲｄ+、受光領域１０９
ａ-の中央領域部Ｅａ２と外側領域部Ｅｃとの光電変換信号の和をＲｕ-、中央領域部Ｅａ１と外側領域部Ｅｂとの光電変換信号の和をＲｄ-、受光領域１０９ｂ+の中央領域部Ｅａ１と外側領域部Ｅｂとの光電変換信号の和をＬｕ+、中央領域部Ｅａ２と外側領域部Ｅｃとの光電変換信号の和をＬｄ+、受光領域１０９ｂ-の中央領域部Ｅａ２と外側領域部Ｅｃとの光電変換信号の和をＬｕ-、中央領域部Ｅａ１と外側領域部Ｅｂとの光電変換信号の和をＬｄ-とする。
【００２１】
この時、トラッキングエラー信号は、（Ｒｕ+  ＋  Ｒｕ-）＋（Ｌｄ+  ＋  Ｌｄ-）と（Ｌｕ+  ＋  Ｌｕ-）＋（Ｒｄ+  ＋  Ｒｄ-）の位相差を比較することにより求められる。
【００２２】
このように、ディスク反射光情報のうち、ホログラム１０７によって回折された±１次回折光を用いてＳＳＤ法によるフォーカスエラー信号とＤＰＤ法によるトラッキングエラー信号を得ることができる。
【特許文献１】特開平１１−２９６８７３号公報
【特許文献２】特開２０００−２３５７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、上記の光ピックアップには以下のような問題がある。
【００２４】
第１の問題点は、ＳＳＤ法とＤＰＤ法とでエラー検出に必要な信号情報が異なるため、受光素子基板に設けられた回路が複雑となり、かつ外部出力端子が増加する点である。
【００２５】
従来例において、ＳＳＤ法のみを考慮する場合、４つの受光領域において、それぞれ中央領域部のＥａ１、Ｅａ２からの信号は必ず加算しているため、本来分割は不要であり、各受光領域は３分割でよい。また、ＤＰＤ法のみを考慮する場合、４つの受光領域において、それぞれＥａ１とＥｂからの信号、Ｅａ２とＥｃからの信号は必ず加算されており、各受光領域は２分割でよい。
【００２６】
しかし、上記したように、各受光領域上で回折光が入射する部分において、ＳＳＤ法とＤＰＤ法では必要とされる信号情報をもつ部位が異なるため、各受光領域をより細かく分割、少なくとも４分割して必要な部位を取り出し、演算する必要がある。
【００２７】
このように、受光領域を細分化するため、既存の受光回路の大幅な変更や複雑化、あるいは、外部出力端子の増加が発生する。
【００２８】
回路の大幅な変更は、既存品との互換性を失わせ、回路の複雑化や外部出力端子の増加は、受光素子面積の増加、パッケージ面積の増加につながり、小型化、簡素化、低コスト化の流れに反する。
【００２９】
図１６から図１８は、受光領域１０９ａ+、１０９ａ-、１０９ｂ+、１０９ｂ-を各々４分割した際の各領域部と外部出力端子との接続例である。
【００３０】
受光素子基板１０９内に演算回路を設けず、一切演算を実施しない場合、外部出力端子は、１６端子必要となる（図１６）。また、前述の従来例にて述べた検出信号の演算式（式１）中のカッコ内の信号のみ受光素子基板内の回路で演算した場合、フォーカスエラー検出信号用に４端子、トラッキングサーボ検出信号用に４端子の計８端子となる（図１７）。
【００３１】
図１８は、この構成で外部出力端子を最小とした場合の接続例であり、フォーカスエラ
ー検出信号用に２端子、トラッキングサーボ検出用に２端子の計４端子となる。
【００３２】
図１７におけるフォーカスエラー検出信号用の４端子、信号（Ｌ+ｉ＋Ｌ-ｏ）検出用端子、（Ｒ+ｉ＋Ｒ-ｏ）検出用端子、（Ｌ-ｉ＋Ｌ+ｏ）検出用端子、（Ｒ-ｉ＋Ｒ+ｏ）検出用端子にそれぞれ出力される信号を、受光素子基板内の回路でさらに演算するようにすると、[（Ｌ+ｉ＋Ｌ-ｏ）＋（Ｒ+ｉ＋Ｒ-ｏ）]端子と、[（Ｌ-ｉ＋Ｌ+ｏ）＋（Ｒ-ｉ＋Ｒ+
ｏ）]端子の計２端子に削減される。
【００３３】
同様に、トラッキングエラー検出信号用４端子は、（Ｒｕ+  ＋  Ｒｕ-）端子、（Ｌｄ+  ＋  Ｌｄ-）端子、（Ｌｕ+  ＋  Ｌｕ-）端子、（Ｒｄ+  ＋  Ｒｄ-）端子のうち、（Ｌｄ+  ＋  Ｌｄ-）端子、（Ｒｄ+  ＋  Ｒｄ-）端子を消去して （Ｒｕ+
＋  Ｒｕ-）端子と（Ｌｕ+  ＋  Ｌｕ-）端子の位相比較によりＤＰＤ法を適用する。
【００３４】
図１８に示す例では、受光素子基板内での演算回路は、図１７のそれと比較して簡素であり、外部出力端子数も半減している。しかし、欠点として、フォーカスエラー検出信号については、本来２端子分の出力信号を１端子より出力するため、１端子当りの信号量許容レンジが２倍以上なければ、端子出力が飽和してしまう。また、トラッキングエラー検出信号については、信号量が半分になってしまう。
【００３５】
また、従来例の光ピックアップをＣＤ系の複合システムに適用する場合、さらにプッシュプル法（以下、ＰＰ法という）によるトラッキングエラー検出方法を追加することになり、回路の複雑化や外部出力端子の増加を回避する方法がさらに限定されてしまう。
【００３６】
ＰＰ法は、ホログラム１０７の第１領域１０７ａと第２領域１０７ｂに入射した反射光１０２の光量差により、光軸１０３と光ディスク１０１上のピット列中央とのラジアル方向１０５(タンジェンシャル方向と直交する方向)ずれを検出する方法である。
【００３７】
図１４にて用いた符号を用いると、ＰＰ法によるトラッキングエラー検出信号ＴＥは以下のように記述される。
【００３８】
ＴＥ＝(Ｒ+ｉ＋Ｒ-ｏ)＋(Ｒ-ｉ＋Ｒ+ｏ)−(Ｌ+ｉ＋Ｌ-ｏ)−(Ｌ-ｉ＋Ｌ+ｏ）    (式２)
つまり、ＰＰ法によるトラッキングエラー検出信号はＳＳＤ法によるフォーカスエラー検出信号と同じく、各受光領域を３分割することにより取得可能である。また、図１７では、フォーカスエラー検出信号に利用される４端子出力は、上記トラッキングエラー検出信号演算に用いられた４信号と全く同一である。ＳＳＤ法とＰＰ法によるエラー検出は共通の出力信号による外部演算の相違のみにより実行可能である。
【００３９】
しかし、図１８に示した例では、回路内での演算がＰＰ法によるトラッキングエラー検出信号を得るには過剰であるため、別途回路と外部出力端子の追加が必要になり、せっかくのメリット、すなわち外部出力端子数の増加抑制効果が出なくなってしまう。
【００４０】
このように、図１６に示した場合を除いて、外部端子出力が各エラー検出法により独立し、共有不可能であるため、受光素子基板内の回路の複雑化、外部出力端子増加は回避できない。上記したように、回路演算と外部出力端子の選択方法によっては、ＳＳＤ法とＰＰ法演算に必要な信号は共有化が可能であるが、ＤＰＤ法演算に必要な信号は共有化が困難である。
【００４１】
そこで、本発明は、上記課題に鑑み、ＤＰＰ法やＤＰＤ法といった異なるトラッキングエラー検出を一つの受光素子で共有化し、かつ回路構成を簡素にできる光ピックアップおよびそれに用いる回折格子素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４２】
上記課題を解決するため、本発明の回折格子素子は、同一面上に離間して配置された２つの回折格子領域を有し、前記回折格子領域が、それぞれ第１の分割線となる直線により上下に分割された回折格子素子であって、前記第１の分割線の上部領域は、前記第１の分割線と直交する第２の分割線となる直線によってさらに分割され、かつ分割された一の領域は第１の回折格子パターンを、他の領域は前記第１の回折格子パターンと異なる第２の回折格子パターンを有しており、前記第１の分割線の下部領域は、前記第２の分割線と平行な方向に複数分割されており、前記複数の分割領域は前記第１の回折格子パターンを有する領域と前記第２の回折格子パターンを有する領域とが交互に配されたことを特徴とする。
【００４３】
前記複数の分割領域のうち、少なくとも１組の隣り合う領域間の境界線が前記第２の分割線の延長線上にあることが好ましい。
【００４４】
また、本発明の別の回折格子素子は、同一面上に離間して配置された２つの回折格子領域を有し、前記回折格子領域が、それぞれ第１の分割線となる直線により上下に分割された回折格子素子であって、前記第１の分割線の上部領域は、前記第１の分割線と直交する第２の分割線となる直線によってさらに分割され、かつ分割された一の領域は第１の回折格子パターンを、他の領域は前記第１の回折格子パターンと異なる第２の回折格子パターンを有しており、前記第１の分割線の下部領域は、前記第１の回折格子パターンおよび前記第２の回折格子パターンとは異なる第３の回折格子パターンを有することを特徴とする。
【００４５】
前記２つの回折格子領域の間に、３ビーム用回折格子が形成されていることが好ましい。
【００４６】
本発明の光ピックアップは、光を情報記録媒体に照射し、前記情報記録媒体からの反射光を用いて前記情報記録媒体上の情報を読み取る光ピックアップであって、光源と、前記反射光を受光して、光信号を電気信号に変換する受光素子と、前記情報記録媒体からの反射光を回折して回折光を発生させる第一の回折格子素子と、前記第一の回折格子素子からの回折光を受けて、さらに回折光を発生させて、それを前記受光素子に導く第二の回折格子素子と、を少なくとも有し、前記第二の回折格子素子は上記本発明の回折格子素子であって、前記第２の分割線は前記情報記録媒体上に形成されたピット列の接線方向と平行であり、前記光源から前記情報記録媒体に向けて射出される光の光軸は、前記第２の分割線あるいはその延長線と交わっていることを特徴とする。
【００４７】
前記光軸と前記第１の分割線とは交わらないことが好ましい。
【００４８】
前記受光素子は、同一平面に形成された第１〜第４受光領域を少なくとも有しており、前記第１受光領域は、前記第二の回折格子素子に形成された２つの回折格子領域のうち、一の回折格子領域からの−１次回折光を受光し、前記第２受光領域は、前記一の回折格子領域からの＋１次回折光を受光し、前記第３受光領域は、前記第二の回折格子素子に形成された２つの回折格子領域のうち、他の回折格子領域からの−１次回折光を受光し、前記第４受光領域は、前記他の回折格子領域からの＋１次回折光を受光することが好ましい。
【００４９】
前記第１〜第４受光領域は、前記第１の分割線と平行な方向にそれぞれ３分割されており、前記第１〜第４受光領域中の各分割領域からの光電変換信号を演算処理する回路をさらに備えたことが好ましい。
【００５０】
フォーカスエラー信号の検出はスポットサイズ検出法（ＳＳＤ法）により行い、トラッキングエラー信号の検出は差動プッシュプル法（ＤＰＰ法）あるいは位相差検出法（ＤＰＤ法）により行うことが好ましい。
【００５１】
光源からの出射光に対して透明な材料からなる光学部材の一の面に前記第一の回折格子素子が形成され、前記一の面と反対側の面に前記第二の回折格子素子が形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００５２】
本発明によれば、光を情報記録媒体に照射し、前記情報記録媒体からの反射光を用いて情報を読み取る光ピックアップにおいて、受光素子基板内の回路が比較的簡素で、外部出力端子も少なく、ＳＳＤ法によるフォーカスエラー検出信号、ＤＰＰ法とＤＰＤ法によるトラッキングエラー検出信号とが検出可能な小型、簡素、低コストの光ピックアップを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下に、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００５４】
図１は、本発明の実施の形態における光ピックアップの概略斜視図であり、図２は、この光ピックアップに用いる回折格子素子の平面図であり、図２（ａ）は第一の回折格子素子３の平面図、図２（ｂ）は第二の回折格子素子４の平面図である。図３は同じくこの光ピックアップに用いる受光素子基板の平面図である。
【００５５】
半導体レーザ６からの出射光は、受光素子基板５の表面と垂直な方向に出射され、回折格子素子４に形成された３ビーム用回折格子４ｃで１本のメインビームと２本のサイドビームとに分割された後、第二の回折格子素子４、第一の回折格子素子３、対物レンズ２を順に通過して、情報記録媒体である光ディスク１表面上にあるピット列に集光される。光ディスク１で反射された反射光７は、元の光路を通って第一の回折格子素子３に入射し、±１次回折光８ａ、８ｂに分割される。＋１次回折光８ａは第二の回折格子素子４に達した後、回折格子素子４に形成された回折格子４ａによってさらに±１次回折光９ａ、９ｂに分割されて受光素子基板５の受光領域５ｂ、５ａで受光される。−１次回折光８ｂは回折格子素子４に達した後、回折格子素子４に形成された回折格子４ｂによってさらに±１次回折光１０ａ、１０ｂに分割されて受光素子基板５の受光領域５ｄ、５ｃで受光される。
【００５６】
なお、図１において、メインビームの反射戻り光の光路のみを示し、また受光素子基板５上の受光領域５ｅ〜５ｈの図示も省略した。
【００５７】
図３に示したように、第一の回折格子素子３では、光ディスク１のタンジェンシャル方向と平行な方向に整列した回折格子が形成されている。回折格子のピッチをΛ、入射光の波長をλとすると、回折格子素子３へ入射した反射光７の±１次回折光８ａ、８ｂの回折角θは、
Λ×ｎ２×ｓｉｎθ＝ｎ１×λ                                            (式３)
で決定される。ここで、ｎ１は正の整数、ｎ２は回折格子素子３と回折格子素子４の間の媒質の屈折率である。また、回折格子素子３と回折格子素子４との距離をｚ１とすると、第二の回折格子素子４上の反射光７の±1次回折光８ａ、８ｂの入射位置を（ｘ、ｙ）で表すとき、
ｘ＝ｚ１×ｔａｎθ                                                      (式４)
で決定される。ここで、回折格子素子４表面とレーザのメインビームの光軸との交点の座標を（０、０）とすれば、＋１次回折光８ａの入射位置（ｘ8a、ｙ8a）、−１次回折光８ｂの入射位置（ｘ8b、ｙ8b）はそれぞれ、
（ｘ8a、ｙ8a)＝(＋ｚ１×ｔａｎ(ｓｉｎ-1((ｎ１／ｎ２)×(λ／Λ))、０)     (式５)
（ｘ8b、ｙ8b)＝(−ｚ１×ｔａｎ(ｓｉｎ-1((ｎ１／ｎ２)×(λ／Λ))、０)     (式６)
で表される。
【００５８】
第二の回折格子素子４上の回折格子４ａ、４ｂは上から見たときの中心が、それぞれ（ｘ8a、ｙ8a）、（ｘ8b、ｙ8b）に一致するように設計されている。
【００５９】
回折格子４ａは、光ディスク１のラジアル方向に平行な方向と、タンジェンシャル方向に平行な方向とにそれぞれ分割線を有しており、４分割されている。
【００６０】
ここで、分割された領域を時計回りにそれぞれ領域（I）〜（IＶ）とすると、領域(III）、（IＶ）はそれぞれタンジェンシャル方向に平行な方向に等間隔で分割されており、ホログラムパターン１１が形成された短冊状の領域４ｄと形成されていない短冊状の領域４ｅとが交互に配置された構成となっている。
【００６１】
また、領域（I）には、光の回折作用とレンズ作用とを有するホログラムパターン１１が全面に形成されており、領域（II）には、ホログラムパターンは形成されていない。
【００６２】
回折格子４ｂもまた、光ディスク１のラジアル方向に平行な方向と、タンジェンシャル方向に平行な方向とにそれぞれ分割線を有しており、４分割されている。
【００６３】
ここで、分割された領域を時計回りにそれぞれ領域（Ｖ）〜（ＶIII）とすると、領域（ＶII）、（ＶIII）はそれぞれタンジェンシャル方向に平行な方向に等間隔で分割されており、ホログラムパターン１２が形成された短冊状の領域４ｆと形成されていない短冊状の領域４ｇとが交互に配置された構成となっている。
【００６４】
また、領域（ＶI）には、光の回折作用とレンズ作用とを有するホログラムパターン１２が全面に形成されており、領域（Ｖ）には、ホログラムパターンは形成されていない。
【００６５】
回折格子４ａ、４ｂはそれぞれ上から見たときの外形は同じであるが、ホログラムパターン１１、１２はそれぞれ集光距離が異なるように設計されている。
【００６６】
また、図１４に示した回折格子素子１０６の回折効率と、本実施の形態における回折格子素子４のトータルと回折効率とは等しくなるようにしている。
【００６７】
図４は本実施の形態における第二の回折格子素子で発生した反射戻り光の±１次回折光路を説明するための図である。
【００６８】
第一の回折格子素子３の表面と半導体レーザ６の発光点との距離をＬ１とし、第一の回折格子素子３の表面と出射光軸との交点を中心として円弧Ｓ１を描くと、第二の回折格子素子４により回折された−１次回折光９ｂあるいは１０ｂは、Ｌ１＞Ｌ２、Ｌ２’となる半径Ｌ２の円弧Ｓ２あるいはＬ２’の円弧Ｓ２’上にて合焦する。
【００６９】
一方、＋１次回折光９ａあるいは１０ａは、Ｌ３、Ｌ３’＞Ｌ１となる半径Ｌ３の円弧Ｓ３あるいはＬ３’の円弧Ｓ３’上にて合焦する。合焦位置が＋１次回折光と−１次回折光とで異なるのは、上述したようにホログラムパターン１１、１２でそれぞれ集光距離が異なるからである。
【００７０】
図３に示したように、受光素子基板５の表面には受光領域５ａ〜５ｈが配置されており、受光領域５ａ〜５ｄにおいて、ラジアル方向に延びる仮想直線が、各領域の中心を通るように配列されている。また、回折格子素子４を上から見たとき、回折格子４ａと４ｂのラジアル方向の分割線と、上記した受光領域５ａ〜５ｄの中心を通る仮想直線とは重なるように配列されている。
【００７１】
回折格子素子３で回折された−１次回折光８ｂがさらに回折格子４ａで回折されて発生した＋１次回折光９ａが受光領域５ｂ上に、−１次回折光９ｂが受光領域５ａ上にそれぞれ入射し、回折格子素子３で回折された＋１次回折光８ａがさらに回折格子４ｂで回折されて発生した＋１次回折光１０ａが受光領域５ｄ上に、−１次回折光１０ｂが受光領域５ｃ上にそれぞれ入射する。
【００７２】
受光領域５ａ〜５ｄはラジアル方向と平行な方向にそれぞれ３分割されており、各受光領域の中央部Ｅａを挟んで外側領域部Ｅｂ、Ｅｃがそれぞれ配置されている。
【００７３】
また、受光領域５ｅ〜５ｈには、２本のサイドビームが光ディスク１によって反射され、さらに回折格子素子３、４によって回折された＋１次回折光（図示せず）が入射する位置に配置されている。
【００７４】
受光領域５ａ、５ｂに入射する±１次回折光９ａ、９ｂは回折格子４ａのホログラムパターン１１の配列を、受光領域５ｃ、５ｄに入射する±１次回折光１０ａ、１０ｂは回折格子４ｂのホログラムパターン１２の配列を、それぞれ反映した投影パターンとなっている。すなわち、受光領域上には、１／４円形状の回折光パターンと、短冊状に投影された１／２円形状の回折光パターンとが入射する。このとき、ホログラムパターン１１と１２の回折効率が同一であるとすると、各受光領域に入射する１／４円形状の回折光パターンと、短冊状に投影された１／２円形状の回折光パターンとは同じ光量となる。
【００７５】
図５は、本発明の実施の形態における各受光領域間の結線図である。
【００７６】
図５に示すように、受光領域５ａ〜５ｄに入射した回折光のうち、５ａの中央領域部Ｅａで発生する光電変換信号と、５ｂの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃとで発生する光電変換信号とを加算して信号ＦＥ１を得る。
【００７７】
以下、順に、５ａの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃで発生する光電変換信号と、５ｂの中央領域部Ｅａとを加算して信号ＦＥ２を、５ｃの中央領域部Ｅａで発生する光電変換信号と、５ｄの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃとで発生する光電変換信号とを加算して信号ＦＥ３を、５ｃの外側領域部Ｅｂ、Ｅｃで発生する光電変換信号と、５ｄの中央領域部Ｅａとを加算して信号ＦＥ４をそれぞれ得る。
【００７８】
また、図示していないが、サブビームからの戻り光を受光領域５ｅ〜５ｈで受けており、回折格子４ａで発生した回折光を５ｅ、５ｇで受光し、それらで発生する光電変換信号を加算して信号Ｅを得ており、回折格子４ｂで発生した回折光を５ｆ、５ｈで受光し、それらで発生する光電変換信号を加算して信号Ｆを得ている。
【００７９】
一方、図４に示したように、回折格子４ａ、あるいは４ｂによって回折された±１次回折光９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂはホログラムパターンの持つレンズ作用により合焦点までの距離がそれぞれ異なる。そのため、対物レンズ２が出射光軸方向でシフトし、合焦点位置が変化した場合には、合焦点もまた変化する。
【００８０】
−１次回折光９ｂ、１０ｂは、対物レンズ２が基準位置より受光素子基板５側へ所定の距離だけ移動すると、合焦点が受光素子基板６表面に移動し、受光領域上で集光する。
【００８１】
逆に、＋１次回折光９ａ、１０ａは、対物レンズ２が基準位置より光ディスク１側へ所定の距離だけ移動すると、合焦点が受光素子基板６表面に移動し、受光領域上で集光する。
【００８２】
これは、ＳＳＤ法によるフォーカスエラー信号検出が可能な構成であることを示している。このとき、回折光パターンは従来の技術と違って、図３に示すような形状となるが、上述したように、回折格子４ａ、４ｂの回折効率が同じであり、また、ホログラムパターン１１、１２が同じ形状であれば、受光領域に到達する各回折光の光量も集光点も同じであるため、以下の式によってＳＳＤ法によるフォーカスエラー信号を検出できる。
【００８３】
（フォーカスエラー検出信号）＝（ＦＥ１＋ＦＥ３）−（ＦＥ２＋ＦＥ４）  （式７）
次に、回折格子素子４で回折された回折光がどのようなピット情報を有するかについて、図６を用いて説明する。
【００８４】
図６は本発明の実施の形態における出射光および回折光に含まれる情報について示した模式図である。
【００８５】
半導体レーザ６より射出され、対物レンズ２で集光された収束光が光ディスク１表面上のピット列に対して、ラジアル方向にやや左側にずれた位置に入射し、反射された場合を考える（図６（ａ））。ピット列表面は、ピット列以外の光ディスク表面と比較して反射率が低いため、回折格子素子４に到達した反射戻り光のうち、ピット列表面にて反射された反射光１３ａは、ピット列以外の表面で反射された反射光１３ｂより光量が低下する（図６（ｂ））。反射光は回折格子素子３によって±１次回折光８ａ、８ｂの２本のビームに分割され、それらがさらに回折格子素子４内の２つの回折格子４ａ、４ｂによって回折されるため、＋１次回折光９ａ、１０ａが発生することは既に述べた通りであるが、上記のようにもとの反射光内で光量差がある場合の＋１次回折光９ａ、１０ａのパターン形状は図６（ｃ）に示したようになる。
【００８６】
回折格子４ａにおける領域（I）からの回折光を１４ａ、領域（III）、（IＶ）からの回折光を１４ｂ、回折格子４ｂにおける領域（ＶI）からの回折光を１５ａ、領域（ＶII）、（ＶIII）からの回折光を１５ｂとする。ホログラムパターン１１、１２が同一のパターンであるとすると、回折光１４ａと１５ａとは同一の形状となる。一方の各回折光パターン内部にはピット列に起因する光量差が反映されているから、回折光１４ａと１５ａとの光量差を比較すれば、ピット列中心と出射光軸とのずれを読み取ることが可能となる。
【００８７】
一方、回折光１４ｂと１５ｂとは、やはり同じパターンで受光領域５ｂ上と５ｄ上にそれぞれ投影され、さらにこれらの光量は各受光領域で同一である。すなわち、ピット列のラジアル方向に関する情報は回折光１４ａと１５ａとから得られ、回折光１４ｂ、１５ｂからは得られない。
【００８８】
ただし、タンジェンシャル方向のピット列の有無に関する情報は失われないため、光ディスク上データの読み取り能力が低下することはない。
【００８９】
また、同一の形状を有する回折格子４ａ、４ｂにおいて、同一のホログラムパターン１１、１２が形成された短冊状の領域４ｄ、４ｆを、それぞれ回折格子４ａ、４ｂの同じ位置に配置すれば、サーボ動作により対物レンズ２がラジアル方向に移動し、回折格子４ａ、４ｂにおける領域（III）、（IＶ）、（ＶII）、（ＶIII）内に入射する光の入射位置、光量が変化しても、上記と同様の理由から、サーボ信号には全く影響せず、信頼性の高いサーボ信号を得ることが可能である。
【００９０】
ただし、領域（III）、（IＶ）、（ＶII）、（ＶIII）において、分割数が少なければ、ピット列の通過による総光量変化以上に受光総光量が変化する可能性があり、また、分割数が多く、各領域に配置されたホログラムパターンを形成する回折格子数が極端に少ない場合、ホログラムの回折、レンズ機能が低下する可能性があるので注意する必要がある。
【００９１】
次に、本実施の形態におけるＤＰＰ法、および、ＤＰＤ法によるトラッキングエラー信号の検出方法について説明する。図５に示したように、これらの検出に際しては、６つの光電変換信号ＦＥ１〜ＦＥ４、Ｅ、Ｆを使用する。
【００９２】
ＤＰＰ法によるトラッキングエラー検出信号ＴＥDPPは下記のように表現される。
【００９３】
ＴＥDPP＝（ＦＥ１＋ＦＥ２）−（ＦＥ３＋ＦＥ４）＋ｋ×（Ｅ−Ｆ）       （式８）
一方、ＤＰＤ法によるトラッキングエラー検出信号ＴＥDPDは、（ＦＥ１＋ＦＥ２）と（ＦＥ３＋ＦＥ４）との位相差から得られる。
【００９４】
次に、本実施の形態におけるＤＰＰ法によるトラッキングエラー検出方法について詳細に説明する。
【００９５】
光電変換信号ＦＥ１とＦＥ２との和は、図３に示したように、受光領域５ａ、５ｂに入射した±１次回折光９ａ、９ｂ、すなわち、回折格子４ａでの回折光より発生する光電変換信号の和である。光電変換信号ＦＥ３とＦＥ４との和は、図３に示したように、受光領域５ｃ、５ｄに入射した±１次回折光１０ａ、１０ｂ、すなわち、回折格子４ｂでの回折光より発生する光電変換信号の和である。また、上述したように、信号Ｅは、回折格子４ａでの回折光より発生する光電変換信号であり、信号Ｆは、回折格子４ｂでの回折光より発生する光電変換信号である。
【００９６】
よって、（式８）からわかるように、ＤＰＰ法でのトラッキングエラー検出信号は、回折格子４ａでの回折光光量と、回折格子４ｂでの回折光光量とを比較して得ていることになる。
【００９７】
また、上述したように、トラッキングサーボ検出信号は、領域（I）、（ＶI）での回折光に含まれるピット列位置ラジアル方向情報により決定し、領域（III）、（IＶ）、（ＶII）、（ＶIII）での回折光に含まれるピット列位置ラジアル方向情報は全く寄与しない。よって、トラッキングサーボ検出信号は、回折格子４ａ、４ｂのうちでも領域（I）、（IＶ）で発生する回折光光量を比較して得られる。
【００９８】
以上のように、本実施の形態によれば、ＤＰＰ法によるトラッキングエラー検出信号を得ることができる。ただし、上述したように、例えば、図１１〜図１８に示した従来の場合と比較して、回折光のうち半分しか利用していないため、検出信号レベルもまた半分になる。
【００９９】
次に、ＤＰＤ法によるトラッキングエラー検出方法について説明する。
【０１００】
従来の技術におけるＤＰＤ法によるトラッキングエラー信号検出方法については、図１７、１８を用いてすでに説明したとおりである。
【０１０１】
従来の技術では、４つの受光領域は２分割、外部出力端子は４端子であれば、少なくともＤＰＤ法によるトラッキングエラーの検出は可能であった。このことをもう少し詳しく解析してみる。
【０１０２】
図１８における信号（Ｒｕ+  ＋  Ｒｕ-）は、受光領域１０９ａ+と１０９ａ-とで発生した光電変換信号の和であり、すなわち、回折格子素子１０６に形成されたホログラム１０７の第１領域から発生した回折光１０８ａ+、１０８ａ-に起因する。また、（Ｌｕ+  ＋  Ｌｕ-）は、受光領域１０９ｂ+と１０９ｂ-とで発生した光電変換信号の和であり、すなわち、回折格子素子１０６に形成されたホログラム１０７の第１領域から発生した回折光に起因する。さらに、図１２に示したホログラム１０７の各領域からの回折光の方向とを考慮すると、信号（Ｒｕ+  ＋  Ｒｕ-）と信号（Ｌｕ+  ＋  Ｌｕ-）との位相差とは、ホログラム１０７における、領域（I）と領域（III）とからの信号と領域（II）と領域（IＶ）とからの信号との位相差である。
【０１０３】
図１２からわかるように、領域（I）と領域（IＶ）、領域（II）と領域（III）とはそれぞれ同じ位相情報を含んでおり、従来の構成では、ＤＰＤ法によるとランキングエラー信号を検出するためには、各受光領域の中央部をさらに分割する必要があった。
【０１０４】
しかし、本実施の形態によれば、図１２における領域（III）、（IＶ）に対応する回折格子４ａ、４ｂの領域（III）、（IＶ）、（ＶII）、（ＶIII）からの回折光にはピット列位置のラジアル方向に関する情報は反映されない。つまり、ピット列位置のラジアル方向に関する情報を有するのは、領域（I）、（IＶ）からの回折光のみである。
【０１０５】
図３、図６からわかるように、領域（I）、（IＶ）からの回折光は、それぞれ受光領域５ｂ、５ｄに入射し、かつそれぞれの受光領域の中央部が分割されているか否かに関わらず、最終的に領域（I）からの回折光の情報は信号（ＦＥ１＋ＦＥ２）に、領域（IＶ）からの回折光の情報は信号（ＦＥ３＋ＦＥ４）にそれぞれすべて反映されるため、各受光領域を中央でさらに分割することなく、ＤＰＤ法によるトラッキングエラー信号を検出することが可能となる。このことにより、各受光領域間の結線が簡素化されるとともに、受光素子の面積縮小が可能となる。ただし、従来例と比較して、検出信号量は半分になる。
【０１０６】
なお、本実施の形態では、領域（III）、（IＶ）、（ＶII）、（ＶIII）を各々５分割したが、分割数はこれに限定されるものではなく、分割間隔、分割方向についても本実施の形態によって制限されるものではない。
【０１０７】
また、回折格子素子４におけるタンジェンシャル方向領域の分割線の位置についても本実施の形態によっては制限されない。
【０１０８】
図７は、本実施の形態における第二の回折格子素子の別の一例である。タンジェンシャル方向領域の分割線の位置以外は、図２（ｂ）に示す構成と同一である。
【０１０９】
この例では、タンジェンシャル方向領域の分割線が図２に示した例と比較して、回折格子の中心を通る直線より、タンジェンシャル方向に距離Ｘだけ離れている。
【０１１０】
対物レンズ２通過後の半導体レーザ出力が同じ値で、各システム構成材料での透過、回折効率等の光学特性がすべて同一であると仮定すると、本実施の形態では、ＳＳＤ法によるフォーカスエラー検出信号、ＤＰＰ法によるトラッキングエラー検出信号、ＤＰＤ法によるトラッキングエラー検出信号の出力は、各々従来例の等倍、１／２倍、１／２倍となる。
【０１１１】
エラー検出信号量が低下することは、制御面での不安定性を増大させるため、可能な限り抑制することが望ましく、その点では、本実施の形態の構成は従来の構成に対して不利な面を有する。
【０１１２】
そもそも、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ複合システムでは、トラッキングエラー検出方法としてＤＰＰ法が主流であり、ＤＰＤ法はあくまでＤＰＰ法が使用不可能な光ディスクに対しての補助的なシステムである。図７に示した変形例は、その点を考慮し、ＤＰＤ法による検出信号の低下を犠牲にして、ＤＰＰ法による検出信号の低下を抑制しうる構成となっている。
【０１１３】
図８は、本実施の形態における第二の回折格子素子のタンジェンシャル方向の分割線の変位量とＤＰＰ法、ＤＰＤ法によるトラッキングエラー検出信号量との関係を示した模式図である。
【０１１４】
ＤＰＰ法による検出信号量は、Ｘ＜０、つまり、図７に示した（−）方向に分割線がシフトした場合、信号レベルが上がり、Ｘ＞０、つまり、図７に示した（＋）方向に分割線がシフトした場合、信号レベルが下がる。
【０１１５】
一方、ＤＰＤ法による検出信号レベルは、Ｘ＝０のとき最大となり、ここから分割線が変位するにしたがって低下する。そこで、分割線の位置Ｘを適切に選択することにより、ＤＰＤ法による検出信号レベルを確保しつつ、ＤＰＰ法による検出信号レベルの低下を抑制することが可能となり、安定した光ピックアップの制御が実現できる。
【０１１６】
また、本実施の形態では、３ビーム用回折格子と反射光用回折格子の各ホログラムパターンを同一面上に形成しているため、部材数およびコストを削減できる。また、通常、これらのホログラムパターンは成形用金型にパターンを刻み、金型内に光学的に透明な樹脂を流し込んで完成させるが、本実施の形態では、２つのホログラムパターンの位置を加工精度が非常に高い成形用金型で合わせ込め、ひいては光ピックアップ組立時の回折格子の光軸調整回数を削減することができる。
【０１１７】
また、回折格子素子３を光学部材の一方の面に形成し、その反対側の面に回折格子素子４を形成するようにすれば、部材数等のさらなる削減が図れるとともに装置の小型化が図れる。また、光軸調整回数の削減も上記と同様に可能である。
【０１１８】
なお、３ビーム用回折格子のパターンを図９に示すようにしてもよい。
【０１１９】
このように回折格子パターンが無い無格子領域からメインビームを発生させるようにすれば、回折ロスが無く、メインビームの光量を増大させることができ、実質的にレーザ出力を向上させるのと同じ作用をもたらす。このような構成によれば、光ディスクドライブの高倍速化への対応が簡便に図れる。
【０１２０】
なお、図９に示す３ビーム用回折格子を用いると、レーザとの配置関係で、ラジアル、あるいは、タンジェンシャル方向に配置がずれることにより光学的特性に影響を与える可能性があるが、本実施の形態によれば、光ディスクからの反射光を一旦受けて回折光を発生させる回折格子素子３にはラジアル、あるいは、タンジェンシャル方向に対してパターン上の特徴を有しないため、３ビーム用回折格子の配置がずれたとしても、光学的特性に与える影響は緩和される。
【０１２１】
また、本実施の形態では、回折格子４ａ、４ｂに無格子領域を設けたが、この領域は、例えば、迷光処理用回折格子パターンとしてもよい。
【０１２２】
また、図１０に示すように、回折格子４ａ、４ｂの領域（III）、（IＶ）を同一のホログラムパターンとし、領域（ＶII）、（ＶIII）をこれとは異なるホログラムパターンとしても、本発明の奏する上記の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明に係る光ピックアップは、各種のトラッキングエラー検出に対応できるため、記録・再生機能を備えた光ディスク装置に適用する上で有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明の実施の形態における光ピックアップの概略斜視図
【図２】本発明の実施の形態における光ピックアップに用いる回折格子素子の平面図であり、（ａ）は第一の回折格子素子の平面図、（ｂ）は第二の回折格子素子の平面図
【図３】本発明の実施の形態における光ピックアップに用いる受光素子基板の平面図
【図４】本発明の実施の形態における第二の回折格子素子で発生した反射戻り光の±１次回折光路を説明するための図
【図５】本発明の実施の形態における各受光領域間の結線図
【図６】本発明の実施の形態における出射光および回折光に含まれる情報について示した模式図
【図７】本発明の実施の形態における第二の回折格子素子の別の一例を示す図
【図８】本発明の実施の形態における第二の回折格子素子のタンジェンシャル方向の分割線の変位量とＤＰＰ法、ＤＰＤ法によるトラッキングエラー検出信号量との関係を示した模式図
【図９】本発明の実施の形態における３ビーム用回折格子の一例を示す図
【図１０】本発明の実施の形態における第二の回折格子素子のさらなる別の一例を示す図
【図１１】従来の技術における光ピックアップの概略斜視図
【図１２】従来の技術における光ピックアップで用いられる回折格子素子の平面図
【図１３】従来の技術における光ピックアップで用いられる受光素子基板の平面図
【図１４】従来の技術における４つの受光領域に入射した回折光からＳＳＤ法によるフォーカスエラー信号を求める方法を示す模式図
【図１５】従来の技術における４つの受光領域に入射した回折光からＤＰＤ法によるトラッキングエラー検出信号を求める方法を示す模式図
【図１６】従来の技術における４つの受光領域を各々４分割した際の各領域部と外部出力端子との接続を示した一例を示す図
【図１７】従来の技術における４つの受光領域を各々４分割した際の各領域部と外部出力端子との接続を示した別の一例を示す図
【図１８】従来の技術における４つの受光領域を各々４分割した際の各領域部と外部出力端子との接続を示したさらなる別の一例を示す図
【符号の説明】
【０１２５】
１  光ディスク
２  対物レンズ
３  第一の回折格子素子
４  第二の回折格子素子
４ａ、４ｂ  回折格子
４ｃ  ３ビーム用回折格子
５  受光素子基板
５ａ〜５ｈ  受光領域
６  半導体レーザ
７  光ディスクからの反射光
８ａ、８ｂ  第一の回折格子素子での±１次回折光
９ａ、９ｂ  回折格子４ａからの±１次回折光
１０ａ、１０ｂ  回折格子４ｂからの±１次回折光
１１  ホログラムパターン
１２  ホログラムパターン
１３ａ  ピット列表面にて反射された反射光
１３ｂ  ピット列以外の表面で反射された反射光
１４ａ  回折格子４ａにおける領域（I）からの回折光
１４ｂ  回折格子４ａにおける領域（III）、（IＶ）からの回折光
１５ａ  回折格子４ｂにおける領域（ＶI）からの回折光
１５ｂ  回折格子４ｂにおける領域（ＶII）、（ＶIII）からの回折光
１０１  光ディスク
１０２  反射光
１０３  光軸
１０４  タンジェンシャル方向
１０５  ラジアル方向
１０６  回折格子素子
１０７  ホログラム
１０７ａ  第１領域
１０７ｂ  第２領域
１０８ａ+〜１０８ｂ-  回折光パターン
１０９  受光素子基板
１０９ａ+〜１０９ｂ-  受光領域
【図１】
2006127566.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006127566.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2006127566.tif 000017
【図１６】
2006127566.tif 000018
【図１７】
2006127566.tif 000019
【図１８】
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