(57)【要約】【課題】固体レーザー結晶を半導体レーザーによってポンピングし、得られたレーザービームの一部を部分反射ミラーで分岐させ、その分岐されたレーザービームの光量を検出してＡＰＣをかけ、出力を安定化させる半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、経時変化や湿度変化によって出力が変動することを防止する。【解決手段】レーザービーム（第２高調波）19を分岐させてＡＰＣ用光検出器25に導く部分反射ミラー44として、反射面となる表裏面の双方が無コート面とされたものを用い、この部分反射ミラー44を、前記表裏面でそれぞれ反射したレーザービーム19が共に光検出器25に入射するように配置する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー結晶と、
このレーザー結晶を励起する励起光を発する半導体レーザーと、
この励起により得られたレーザービームの一部を透過させ残余を反射させて、該レーザービームを分岐させる部分反射ミラーと、
分岐されたレーザービームの光量を検出する光検出器と、
この光検出器の出力を受け、該出力を一定化するように前記半導体レーザーの駆動電流を制御するＡＰＣ回路とを有する半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、
前記部分反射ミラーとして、反射面となる表裏面の双方が無コート面とされたものが用いられ、
この部分反射ミラーが、前記表裏面でそれぞれ反射した前記レーザービームを共に前記光検出器に導くように配置されていることを特徴とする半導体レーザー励起固体レーザー。
【請求項２】
前記部分反射ミラーが、表裏面でそれぞれ反射した前記レーザービームの光路を、ビーム径（１／ｅ2 径）の1.5 倍以上互いにずらすように形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザー励起固体レーザー。
【請求項３】
前記部分反射ミラーが、分岐させるレーザービームがｐ偏光で入射するように配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザー励起固体レーザー。
【請求項４】
前記部分反射ミラーに入射する前記レーザービームが、光波長変換素子により波長変換されたものであることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の半導体レーザー励起固体レーザー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザー励起固体レーザーに関し、特に詳細には、出力安定化制御の精度向上を図った半導体レーザー励起固体レーザーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１に示されるように、ネオジウム（Ｎｄ）が添加されたレーザー結晶を半導体レーザーから発せられた光によって励起する固体レーザーが公知となっている。
【０００３】
この半導体レーザー励起固体レーザーにおいては、より短波長のレーザービームを得るために、その共振器内に非線形光学材料からなる光波長変換素子を配置して、固体レーザービームを第２高調波等に波長変換することも広く行なわれている。
【０００４】
一方、上述の半導体レーザー励起固体レーザーに対しては、多くの場合、波長変換波の出力を一定に保ちたいという要求がある。そこで従来、例えば特許文献２に示されるように、レーザービームの一部を透過させ残余を反射させる部分反射ミラー等の光分岐手段と、分岐されたレーザービームの光量を検出する光検出器と、この光検出器の出力を受けて該出力を一定化するように半導体レーザーの駆動電流を制御するＡＰＣ（Automatic Power Control ）回路とを設けて、出力を安定化するようにした半導体レーザー励起固体レーザーが提案されている。
【０００５】
なお、固体レーザービームが前述のように波長変換される場合は、上記光分岐手段に波長変換後のレーザービームが入射するように構成され、この波長変換後のレーザービームの出力が安定化される。
【特許文献１】特開昭62-189783 号公報
【特許文献２】特開平7-154014号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、この従来の半導体レーザー励起固体レーザーにおいては、出力安定化制御をかけていても、経時変化や湿度変化があると、出力が変動しやすいという問題が認められている。
【０００７】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、経時変化や湿度変化があっても、出力を精度良く安定化することができる半導体レーザー励起固体レーザーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体レーザー励起固体レーザーは、半導体レーザーから発せられた励起光によりレーザー結晶を励起する基本構成に加えて、
前述した光分岐手段としての部分反射ミラーと、レーザービームの光量を検出する光検出器と、ＡＰＣ回路とを設けてレーザービームの出力を安定化する半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、
部分反射ミラーとして、反射面となる表裏面の双方が無コート面とされたものが用いられ、
この部分反射ミラーが、前記表裏面でそれぞれ反射した前記レーザービームを共に前記光検出器に導くように配置されていることを特徴とするものである。
【０００９】
なお上記部分反射ミラーは、表裏面でそれぞれ反射したレーザービームの光路を、ビーム径（１／ｅ2 径）の1.5 倍以上互いにずらすように配置されるのが望ましい。
【００１０】
また、上記部分反射ミラーは、分岐させるレーザービームがｐ偏光で入射するように配置されていることが望ましい。
【００１１】
一方本発明において、部分反射ミラーに入射するレーザービームは、光波長変換素子により波長変換されたものであってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明者の研究によると、先に述べた従来装置における問題は、部分反射ミラーに施されている反射率調整のためのコートに起因していることが分かった。すなわち、この種のコートは経時変化や湿度変化によって反射率が変化し、この反射率変化があると、たとえ出力は一定であっても、部分反射ミラーを介してＡＰＣ用光検出器に入射するレーザービームの光量が変動することになる。すると、それに応じて半導体レーザーの駆動電流が増減されて、半導体レーザー励起固体レーザーの出力が変動してしまうのである。
【００１３】
それに対して本発明の半導体レーザー励起固体レーザーにおいては、反射面となる表裏面の双方が無コート面である部分反射ミラーが用いられているので、上記経時変化や湿度変化による部分反射ミラーの反射率変化が全く無くなり、あるいは少なくなるので、半導体レーザー励起固体レーザーの出力を、経時変化や湿度変化に拘らず精度良く安定化させることができる。
【００１４】
また、本発明の半導体レーザー励起固体レーザーにおいては、上記表裏面で反射した各レーザービームを共にＡＰＣ用光検出器に導くように部分反射ミラーを配置したので、表裏面の一方で反射したレーザービームのみを検出する場合と比べて、光検出器の受光量を多く確保することができる。
【００１５】
また、表裏面の双方が無コート面である部分反射ミラーを用いる場合は、コート無しの大サイズの平板をただ小さく切るだけで形成され得る安価な部分反射ミラーを利用できるから、装置コストが低く抑えられるようになる。
【００１６】
一方、表裏面で反射した各レーザービームの光路を、ビーム径（１／ｅ2 径）の1.5 倍以上互いにずらすように部分反射ミラーを形成しておけば、それらのレーザービームが近付き過ぎて干渉し、それにより光検出器の受光量が変化してしまうことを防止できる。
【００１７】
また部分反射ミラーを、分岐させるレーザービームがｐ偏光で入射するように配置しておけば、ｓ偏光で入射する場合と比べて反射率が低くなる。そこで、レーザービームを少ない損失で取り出すことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。まず、本発明の半導体レーザー励起固体レーザーを説明するための参考例について、その側面形状を示す図１を参照して説明する。
【００１９】
この半導体レーザー励起固体レーザーは、励起光としてのレーザービーム10を発する半導体レーザー11と、発散光であるレーザービーム10を集光する集光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープされた固体レーザー媒質であるＹＡＧ結晶（Ｎｄ：ＹＡＧ結晶）13と、このＮｄ：ＹＡＧ結晶13の前方側つまり半導体レーザー11と反対側に配された共振器ミラー14とを有している。
【００２０】
またＮｄ：ＹＡＧ結晶13と共振器ミラー14との間には、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13側から順に、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学材料であるＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶（以下、反転ドメインＬＮ結晶と称する）15、光軸に対して35′傾けたカルサイト結晶17が配設されている。
【００２１】
半導体レーザー11は、活性層幅が約50μｍのブロードエリアレーザーであり、中心波長809 ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられている。またレーザービーム10の直線偏光方向は図中のβ方向に設定されている。
【００２２】
集光レンズ12は、一例として屈折率分布形レンズ（セルフォックレンズ（登録商標）等）からなり、球面加工が施された片面側をＮｄ：ＹＡＧ結晶13に向けて保持部材20に固定されている。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は厚さ１ｍｍに形成されたものであり、集光レンズ12は該結晶13の入射端面から厚さ方向0.5 ｍｍの位置に、拡大率0.8 〜1.0 倍でレーザービーム10を収束させるように位置調整されている。
【００２３】
この集光レンズ12と半導体レーザー11は、図中のα、β方向の所定位置に集光点が位置するように相対位置が調整された後、保持部材20に固定される。なお、半導体レーザー11および集光レンズ12が取り付けられた保持部材20の部分を以下、励起部と称する。
【００２４】
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13は、入射したレーザービーム10によってネオジウムイオンが励起されることにより、波長 946ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の入射端面13ａには、波長 946ｎｍの光は良好に反射させる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励起用レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％以上）コートが施されている。一方共振器ミラー14のミラー面14ａには、波長 ９４６ｎｍの光は良好に反射させ（反射率９９．９％以上）、下記の波長473 ｎｍの光は透過させる（透過率90％以上）コートが施されている。
【００２５】
したがって、上記波長 946ｎｍの光はそれに対する高反射面となっているＮｄ：ＹＡＧ結晶端面13ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発振を引き起こし、波長 946ｎｍのレーザービーム18が発生する。基本波としてのこのレーザービーム18は反転ドメインＬＮ結晶15により、波長が１／２すなわち473 ｎｍの第２高調波19に変換され、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波19が出射する。
【００２６】
なお本例において、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の厚さは１ｍｍである。また反転ドメインＬＮ結晶15の長さは２ｍｍ、共振器ミラー14の曲率半径は15ｍｍ、共振器を構成するＮｄ：ＹＡＧ結晶端面13ａとミラー面14ａとの間の距離は約10ｍｍである。一方Ｎｄ：ＹＡＧ結晶端面13ａには、波長473 ｎｍの第２高調波19を良好に反射させる（反射率95％以上）コートも施されており、それにより、反転ドメインＬＮ結晶15で発生してＮｄ：ＹＡＧ結晶13側に進行した第２高調波19を共振器ミラー14側に反射させて、高い第２高調波出力が得られるようになっている。
【００２７】
また反転ドメインＬＮ結晶15の結晶軸は、図２に示すように、ｃ軸がβ方向となるように配されている。そして反転ドメインＬＮ結晶15のドメイン反転部15ａの周期は約4.7 μｍであり、半導体レーザー11が発するレーザービーム10の中心波長が809 ｎｍとなる温度で位相整合するように構成されている。
【００２８】
カルサイト結晶17は厚さ約340 μｍの平行平板で、ｃ軸からａ軸方向に46.7°の方向にカットされている。そこで、平行平面を形成する光入出射面にはａ軸と、ｃとａを含む軸が出ている。このカルサイト結晶17の複屈折性のため、該結晶17中では波長 946ｎｍのレーザービーム18の偏光によって光路が異なるので、共振器ミラー14の位置調整によって所望の偏光のみを発振させることができる。
【００２９】
そしてカルサイト結晶17の光入出射面には、波長 946ｎｍの光に対して反射率14.5％となるコートが施され、該結晶17は発振モードを単一縦モード化するエタロンとして作用する。本例では、カルサイト結晶17のａ軸をほぼβ方向に揃え、このβ方向に偏光した波長 946ｎｍの光を発振させている。
【００３０】
一方、上述した通り反転ドメインＬＮ結晶15はｃ軸がβ方向となるように配されているので、非線形光学定数ｄ33を用いて、β方向に偏光した波長473 ｎｍの第２高調波19が発生する。
【００３１】
以上説明したＮｄ：ＹＡＧ結晶13、共振器ミラー14、反転ドメインＬＮ結晶15およびカルサイト結晶17は、保持部材21に取り付けられている。なお以下では、この保持部材21の部分を共振器部と称する。
【００３２】
この共振器部から出射した第２高調波19は、保持部材22に取り付けられた部品からなるＡＰＣ部に入射する。保持部材22は図３に、図１中の上方から見た平断面形状を示すように、互いに直交する端面22ａおよび22ｂと、これらの端面22ａ、22ｂに対して45°の角度をなす端面22ｃとを有し、その内部には直角に折れて３つの端面22ａ、22ｂおよび22ｃに開口する光通過孔22ｄが穿設されている。
【００３３】
共振器部の方を向く上記端面22ａには、励起用レーザービーム10および固体レーザービーム18を吸収する一方、第２高調波19は通過させるフィルター23が取り付けられている。また斜めの端面22ｃには、第２高調波19の一部を通過させ、残余を端面22ｂ側に反射させる部分反射ミラー24が取り付けられている。そして端面22ｂには、上記の反射した第２高調波19を検出するＡＰＣ用光検出器25が取り付けられている。
【００３４】
上記フィルター23としては、光量の大きな励起用レーザービーム10に対する透過率が0.01〜 0.001％のものが用いられている。またその光入出射面には、波長473 ｎｍの光に対する反射率が0.5 ％以下となるＡＲコートが施されている。
【００３５】
ＡＰＣ用光検出器25としては、ＳｉフォトダイオードやＳｉＰＩＮフォトダイオード等、可視光に感度を有するものを適宜選択使用することができるが、励起用レーザービーム10や固体レーザービーム18に対して相対的に感度が低いものを用いるのが望ましい。光検出器25の光検出信号Ｓは、先に述べたＡＰＣつまり第２高調波19の出力を安定化させる制御に用いられるが、その点については後述する。
【００３６】
一方、光分岐手段としての部分反射ミラー24は、光入出射面がほぼ平行な合成石英の平板からなり、上記端面22ｃに固定されたことにより、光軸（γ軸）に対して45°傾いた状態となっている。この部分反射ミラー24の表面（Ａ面）24ａは無コート面とされ、裏面（Ｂ面）24ｂには、第２高調波19に対して反射率が0.5％以下となるＡＲコートが施されている。
【００３７】
部分反射ミラー24を透過した第２高調波19は、図１に示される通り、開口板33の開口33ａを通過した後、パッケージキャップ34の出射窓34ａからパッケージ外に出射する。なお上記開口33ａの径は、第２高調波19のビーム径（１／ｅ2 径）の例えば1.5 〜2.5 倍程度とされ、ここに第２高調波19を通すことにより、前記共振器部やＡＰＣ部で発生した迷光がカットされる。
【００３８】
またパッケージキャップ34の出射窓34ａに取り付けられた窓ガラス35は、表裏の多重反射による干渉で第２高調波出力が低下するのを防ぐため、表裏面の平行度を５〜30′程度としてある。そしてこれら表裏面には、第２高調波19に対する反射率が0.5 ％以下となるコートが施されている。
【００３９】
以上説明した励起部、共振器部およびＡＰＣ部を保持した各保持部材20、21および22は、板状のベースプレート30上に接着され、該ベースプレート30およびペルチェ素子31を介してパッケージベース32に接着固定されている。
【００４０】
そして、共振器部に取り付けられたサーミスタ36により共振器内の温度が検出され、図示しない温度制御回路によりこの検出温度が所定の温度となるようにペルチェ素子31の電流が調節されて、共振器内の温度が所定温度に維持される。
【００４１】
ここで、ベースプレート30上の各要素の温度は均一であるのが望ましく、そこで保持部材20、21、22およびベースプレート30はアルミニウム、銅またはこれらの合金のように熱伝導率の高い材料から形成されるのが望ましい。また、各部の接着固定も熱伝導率性接着剤、半田等熱伝導率の高いものによってなされるのが望ましいが、エポキシ接着剤等の一般的な接着剤でも、接着層を10μｍ以下程度に薄くすれば、熱抵抗が小さくなるので使用可能である。
【００４２】
また本例においては、全ての部品の取り付けが終了した後、電気部品の配線を済ませたパッケージベース32とパッケージキャップ34とが、乾燥窒素雰囲気中でシーム溶接される。
【００４３】
次に、前述したＡＰＣについて詳しく説明する。図３に示されるように光検出器25の光検出信号Ｓは、ＡＰＣ回路26に入力される。ＡＰＣ回路26は例えばこの光検出信号Ｓと所定の基準信号とを比較し、前者が後者を上回るときは半導体レーザ11の駆動電流Ｉを低下させ、その反対のときは駆動電流Ｉを増大させる。それにより、第２高調波19の出力が所定の一定値に保たれる。
【００４４】
ここで、β方向に偏光した第２高調波19は、部分反射ミラー24の表面24ａにｓ偏光として入射するため、反射率の公式より、その反射率は約8.5 ％となる。この反射率は、空気および合成石英の屈折率と入射角のみから定まるものであって、従来装置で用いられているコート付きの部分反射ミラーのように、経時変化や湿度変化によって反射率が変化することがない。そこで、この反射率の変化のためにＡＰＣ用光検出器25の検出光量が変化することがなく、その結果、長期に亘り安定な第２高調波出力を得ることができる。
【００４５】
なお、部分反射ミラー24の裏面24ｂの反射率は0.5 ％以下で、そこからの反射光光量は元々非常に少ない。そこで、この反射光が光検出器25に検出されるとしても、反射率変化による検出光量の変化は現実上無視できる。しかし本例では図３に示される通り、上記ミラー裏面24ｂからの反射光が光検出器25の光電面に入射しないように部分反射ミラー24の厚さを設定して、経時変化や湿度変化によって光検出器25の検出光量が変化することをより確実に防止している。
【００４６】
次に、図４を参照して本発明の一実施形態による半導体レーザー励起固体レーザーについて説明する。なおこの図４において、図１中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての重複した説明は省略する。
【００４７】
この図４の半導体レーザー励起固体レーザーは、図１のものと比較すると、基本構成上、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13に代えてネオジウム（Ｎｄ）がドープされた固体レーザー媒質であるＹＶＯ4 結晶（Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶）43が、反転ドメインＬＮ結晶15に代えてＫＴＰ結晶45が、そしてカルサイト結晶17に代えてブリュースタ板47が用いられている点が異なる。また、ＡＰＣ部を構成する保持部材42における部分反射ミラー44の配置の向きも、図１のものとは異なっている。
【００４８】
ここで半導体レーザー11は、活性層幅が約100 μｍのブロードエリアレーザーであり、中心波長809 ｎｍのレーザービーム10を発するものが用いられている。またレーザービーム10の直線偏光方向は図中のα、β方向に対して45°の角度をなす方向に設定されている。なおこの偏光方向等については、分かりやすくまとめて図５に示してある。
【００４９】
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶43は厚さ１ｍｍに形成されており、集光レンズ12は該結晶43の入射端面から厚さ方向約0.4 ｍｍの位置に、拡大率0.8 〜1.0 倍でレーザービーム10を収束させるように位置調整されている。
【００５０】
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶43は、入射したレーザービーム10によってネオジウムイオンが励起されることにより、波長1064ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶43の入射端面43ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反射させる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励起用レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％以上）コートが施されている。共振器ミラー14のミラー面14ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％以上）、下記の波長532 ｎｍの光は透過させる（透過率90％以上）コートが施されている。
【００５１】
したがって、上記波長1064ｎｍの光はそれに対する高反射面となっているＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面43ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発振を引き起こし、波長1064ｎｍのレーザービーム18が発生する。基本波としてのこのレーザービーム18はＫＴＰ結晶45により、波長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波19に変換され、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波19が出射する。
【００５２】
なお本例において、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶43としてはａ軸カットのものが用いられ、その厚さは１ｍｍである。またＫＴＰ結晶45の長さは５ｍｍ、共振器ミラー14の曲率半径は50ｍｍ、共振器を構成するＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面43ａとミラー面14ａとの間の距離は約11ｍｍである。
【００５３】
ブリュースタ板47は石英の平行平板からなり、共振器内で発振しているレーザービーム18の偏光方向を制御して、単一縦モード発振を実現する。つまりこのブリュースタ板47は、図５に示す回転軸を中心として、波長1064ｎｍに対するブリュースタ角（約54°）に傾けてある。それにより、この回転軸方向に偏光した波長1064ｎｍの光は反射率の高いｓ偏光として該ブリュースタ板47に入射するのでロスが大きくなり、それに垂直な方向の偏光成分を持つロスの小さい波長1064ｎｍの光のみが発振することになる。
【００５４】
また、単一縦モード発振を実現しつつ、効率良く波長変換を行なうために、各結晶43、45の結晶軸およびレーザービーム10、18の偏光方向は図５に示すように設定されており、発生する第２高調波19の偏光方向はβ方向となる。
【００５５】
部分反射ミラー44は、光入出射面がほぼ平行な合成石英の平板からなり、光軸（γ軸）に対して45°傾いた状態となっている。この部分反射ミラー44の表面44ａ、裏面44ｂとも無コート面とされており、β方向に偏光した波長532 ｎｍの第２高調波19は、それらの面44ａ、44ｂにｐ偏光として入射するため、反射率の公式より、その反射率は約0.7 ％となる。
【００５６】
この反射率は、空気および合成石英の屈折率と入射角のみから定まるものであって、経時変化や湿度変化によって反射率が変化することがない。そこで本例でも、この反射率の変化のためにＡＰＣ用光検出器25の検出光量が変化することがなく、その結果、長期に亘り安定な第２高調波出力を得ることができる。
【００５７】
また、部分反射ミラー44における反射率は、表裏面合わせても約1.4 ％であるので、第２高調波19の多くがこの部分反射ミラー44を透過して、本来の用途に有効に利用されるようになる。
【００５８】
そして本実施形態では、部分反射ミラー44の表面44ａで反射した第２高調波19と、裏面44ｂで反射した第２高調波19の双方がＡＰＣ用光検出器25の光電面に入射するように部分反射ミラー44の厚さが設定されて、該光検出器25の検出光量が十分に確保されている。
【００５９】
さらに部分反射ミラー44の厚さは、表面44ａ、裏面44ｂで反射した第２高調波19の光路が、そのビーム径（１／ｅ2 径）の1.5 倍以上互いにずれるように設定されている。そのようにしておけば、光検出器25に向かう２本の第２高調波19が近付き過ぎて干渉し、それにより光検出器25の受光量が変化してしまうことを防止できる。また、このような厚さとしておけば、裏面44ｂで反射した後さらに表面44ａで反射して出射窓34側に進行する第２高調波19を、部分反射ミラー44を透過した第２高調波19から十分に離して、開口板33によって確実にカットできるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に対する参考例の半導体レーザー励起固体レーザーを示す一部破断側面図
【図２】上記半導体レーザー励起固体レーザーの一部を示す斜視図
【図３】上記半導体レーザー励起固体レーザーの部分反射ミラーの部分を示す一部破断平面図
【図４】本発明の一実施形態である半導体レーザー励起固体レーザーを示す一部破断側面図
【図５】図４の半導体レーザー励起固体レーザーにおけるレーザービームの偏光方向等を説明する概略図
【符号の説明】
【００６１】
10   レーザービーム（ポンピング光）
11   半導体レーザー
12   集光レンズ
13   Ｎｄ：ＹＡＧ結晶
14   共振器ミラー
15   反転ドメインＬＮ結晶
17   カルサイト結晶
18   固体レーザービーム（基本波）
19   第２高調波
23   フィルター
24   部分反射ミラー
24ａ 部分反射ミラーの表面
24ｂ 部分反射ミラーの裏面
25   ＡＰＣ用光検出器
26   ＡＰＣ回路
30   ベースプレート
31   ペルチェ素子
32   パッケージベース
33   開口板
34   パッケージキャップ
36   サーミスタ
43   Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶
44   部分反射ミラー
44ａ 部分反射ミラーの表面
44ｂ 部分反射ミラーの裏面
45   ＫＴＰ結晶
47   ブリュースタ板
【図１】
2006279067.tif 000003
【図２】
2006279067.tif 000004
【図３】
2006279067.tif 000005
【図４】
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【図５】
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