(57)【要約】【課題】従来の樹脂積層品などからなる基板にＬＥＤ素子を実装、樹脂封止を行い形成される表面実装型ＬＥＤは、ＬＥＤ素子からの発熱が効率的にパッケージ外へ放出されず、寿命の著しい低下や破壊モードを起こす要因、及び今後の適応用途の薄型化の対応に対し、薄型化が困難であるという問題があった。【解決手段】図１−Ａの支持板を兼ねた金属体から成る二つの電極と、この二つの電極を一定間隔介して並べ、この電極を保持すると共に、半導体素子搭載用孔と接続用孔とを形成した保持板の半導体素子搭載用孔下の電極にＬＥＤ素子を搭載し、金属細線によりＬＥＤ素子の電極と接続用孔下の支持板を兼ねた金属体から成る二つの電極を接続し、透光性樹脂にて、ＬＥＤ素子、金属細線を封止した構造を用いる事により、高放熱、及び薄型の表面実装型ＬＥＤが作製可能となる。【選択図】  図１−Ａ
2006303458.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板を兼ねた金属体から成る一方の電極と、支持板を兼ねた金属体から成る他方の電極と、この両電極を一定間隔介して並べ、この両電極を保持すると共に、半導体素子搭載用孔と接続用孔とを形成した保持板の半導体素子搭載用孔に半導体素子を搭載し、金属細線により半導体素子の一方の電極と接続用孔下の一方の電極、半導体素子の他方の電極と接続用孔下の他方の電極とをそれぞれ接続した事を特徴とする電子部品実装基板。
【請求項２】
保持板材料に金属体を用いて形成した場合に、使用される金属体に絶縁処理が施されている事を特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項３】
切断された電極の端面が保持板にて被覆されていない事を特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板。
【請求項４】
保持板により被覆されていない電極の端面が樹脂にて被覆された事を特徴とする請求項３に記載の電子部品実装基板。
【請求項５】
半導体素子搭載部の電極にキャビティーが形成され、キャビティー底部に半導体素子が搭載される事を特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の電子部品実装基板。
【請求項６】
接続用孔下の電極の表面に、導電性バンプが形成された事を特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電子部品実装基板。
【請求項７】
保持板に形成された半導体素子搭載用孔下の電極が、極性を持たない放熱極である事を特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品実装基板。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の電子部品実装基板にＬＥＤ素子を搭載した事を特徴とする表面実装型ＬＥＤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品実装基板に関するものであり、詳しくは、スイッチ内照明、ＬＥＤディスプレイ、バックライト光源、光プリンターヘッド、カメラフラッシュ等の光源として用いられる表面実装型ＬＥＤに好適な電子部品実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表面実装型ＬＥＤとしては、図３１−Ａ、図３１−Ｂのように支持板として樹脂積層品などからなる絶縁基板１０１の表面側と裏面側に電極を備え、これらをスルホール１３０により導通し、一方の表面電極１１１ａ上に導電性樹脂１０２を塗布、ＬＥＤ素子１０３を実装し、ＬＥＤ素子１０３の負電極１０４と正電極１０５のどちらかが表面電極１１１ａに金属細線１０６ａにより接続され、同一のＬＥＤ素子１０３の他方の電極が表面電極１１１ｂに金属細線１０６ｂにより接続された後、透光性樹脂１０７にてＬＥＤ素子１０３、金属細線１０６ａ、１０６ｂが封止されたもの（例えば、特許文献１参照）、及び、図３２−Ａ、図３２−Ｂのように支持板として樹脂積層品などからなる絶縁樹脂１０１の表面側に電極を備え、一方の表面電極１１１ａにＬＥＤ素子１０３を実装し、ＬＥＤ素子１０３の負電極１０４と正電極１０５のどちらかが表面電極１１１ａに金属細線１０６ａにより接続され、同一のＬＥＤ素子１０３の他方の電極が表面電極１１１ｂに金属細線１０６ｂにより接続された後、透光性樹脂１０７にてＬＥＤ素子１０３、金属細線１０６ａ、１０６ｂが封止されたもの（例えば、特許文献１参照）と、図３３−Ａ、図３３−ＢのようにＬＥＤ素子搭載部が開孔された、絶縁基板１０１の表面側と裏面側に電極を備え、これらをスルホール１３０により導通し絶縁基板１０１の開孔下に設けられた裏面電極２１１ａにＬＥＤ素子１０３を実装、ＬＥＤ素子１０３の負電極１０４と正電極１０５のどちらかが表面電極１１１ａに金属細線１０６ａにより接続され、同一のＬＥＤ素子１０３の他方の電極が表面電極１１１ｂに金属細線１０６ｂにより接続された後、透光性樹脂１０７にてＬＥＤ素子１０３、金属細線１０６ａ、１０６ｂが封止されたもの（例えば、特許文献２参照）が存在する。これらの表面実装型ＬＥＤは、図３４のようにプリント基板上のプリント配線電極１２５ａ、１２５ｂに半田１２７付けされて用いられる。
【０００３】
【特許文献１】特許公開平８−２９８３４５号公報参照
【０００４】
【特許文献２】特許公開平７−２３５６９６号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、以上で説明した従来の樹脂積層品などからなる基板を支持板とし、ＬＥＤ素子１０３を実装、樹脂封止を行い形成される従来図３１−Ａ、図３２−Ａにおいて、ＬＥＤ素子１０３から発せられる熱は、ＬＥＤ素子搭載電極下面に熱伝導率の低い絶縁基板１０１が介在する為、金属箔等にて形成されている表面電極１１１ａを伝わりパッケージ外へ放出される経路をとるが、表面電極１１１ａが比較的薄い事、表面実装型ＬＥＤとして実装されるプリント基板上に形成された放熱を促すプリント配線電極との接続部分までの距離が有る事により、ＬＥＤ素子１０３からの発熱が効率的にパッケージ外へ放出されず、パッケージ内に熱が蓄積、即ちＬＥＤ素子１０３の温度上昇に繋がり、ＬＥＤ素子１０３の機能性を十分に発揮できず、寿命の著しい低下や破壊モードを起こす要因を含んでいた。
【０００６】
また、従来図３１−Ａにおいては、今後の適応用途の薄型化の対応に対し、支持板である絶縁基板１０１層の薄層化を進めていかなければならなく、その為に支持板である絶縁基板１０１層の光の遮断効率が悪くなり、表面電極１１１ａ、１１１ｂ間の絶縁基板１０１層から、ＬＥＤ素子１０３から発せられる光がパッケージ下面に透過し、表面実装型ＬＥＤとしての輝度が低下する要因、及び絶縁基板１０１の強度が低下し、ＬＥＤ素子１０３の実装工程において基板の破壊が起こる等の実装工程内での不良要因を含み、絶縁基板１０１の薄層化、即ち表面実装型ＬＥＤの薄型化が困難であった。
【０００７】
また、従来図３２−Ａにおいては、前記薄型化の対応は可能な構造になっているが、前記内容より、ＬＥＤ素子１０３からの発熱が効率的にパッケージ外へ放出されず、パッケージ内に熱が蓄積し易く、即ちＬＥＤ素子１０３の温度上昇に繋がり、ＬＥＤ素子１０３の機能性を十分に発揮できず、寿命の著しい低下や破壊モードを起こす要因を含んでいた。
【０００８】
また、従来図３３−Ａにおいては、ＬＥＤ素子１０３から発せられる熱が、裏面電極２１１ａを通してパッケージ下面に効率的に放出される構造となっているが、表面電極１１１ａ、１１１ｂと裏面電極２１１ａ、２１１ｂを接続する為に、スルホール１３０を形成しなくてはならなく、スルホール１３０形成には一定の金属層の形成が必要となり、この金属層の存在が基板厚みを厚くする要因となり、表面実装型ＬＥＤの薄型化が困難であった。
【０００９】
また、前記スルホール１３０について説明すると、プリント配線基板製造において、絶縁基板により絶縁された上下面に形成された配線を、絶縁基板に設けた貫通孔の壁面に金属層を形成する事により、上下面に形成された配線間を接続する方法の、貫通孔の壁面に金属層を形成した部位を指しており、絶縁基板に貫通孔を加工し、貫通孔壁面に無電解の銅メッキ処理を施し、その上に電解の銅メッキ処理を施すプロセスが一般的に行なわれている。
【００１０】
また、従来図３１−Ａ、図３２−Ａ、図３３−Ａにおいては、表面電極１１１ａ、１１１ｂと透光性樹脂１０７間の密着が弱い為に、プリント基板上のプリント配線電極１２５ａ、１２５ｂが半田１２７付け実装される工程にて、半田１２７が表面電極１１１上に吸い上がり、半田１２７が浸入、表面電極１１１ａ、１１１ｂと金属細線１０６ａ、１０６ｂの接合部分まで達し、表面電極１１１ａ、１１１ｂと金属細線１０６ａ、１０６ｂの接合部分が半田１２７によりダメージを受け信頼性が損なわれる問題があった。
【００１１】
そこで本発明は、上記問題を解決した構造、即ち支持板を兼ねた金属体から成る一方の電極と、支持板を兼ねた金属体から成る他方の電極と、この両電極を一定間隔介して並べ、この両電極を保持すると共に、半導体素子搭載用孔と接続用孔とを形成した保持板の半導体素子搭載用孔にＬＥＤ素子（半導体素子）を搭載し、金属細線によりＬＥＤ素子（半導体素子）の一方の電極と接続用孔下の一方の電極と、ＬＥＤ素子（半導体素子）の他方の電極と接続用孔下の他方の電極とをそれぞれ接続し、透光性樹脂にてＬＥＤ素子（半導体素子）、金属細線を封止した事を特徴とする表面実装型ＬＥＤを提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、支持板を兼ねた金属体から成る一方の電極と、支持板を兼ねた金属体から成る他方の電極と、この両電極を一定間隔介して並べ、この両電極を保持すると共に、半導体素子搭載用孔と接続用孔とを形成した保持板の半導体搭載用孔に半導体素子を搭載し、金属細線により半導体素子の一方の電極と接続用孔下の一方の電極、半導体素子の他方の電極と接続用孔下の他方の電極とをそれぞれ接続した事を特徴とする電子部品実装基板であり、半導体素子（以下ＬＥＤ素子を含み半導体素子と記す）からの発熱を、半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行なう事で半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能と成る。
【００１３】
請求項２の発明は、保持板材料に金属体を用いて形成した場合に、使用される金属体に絶縁処理が施されている事を特徴とする請求項１の電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能であり、且つ金属細線が保持板に触れた場合に起こる電気的障害が回避される。
【００１４】
請求項３の発明は、切断された電極の端面が保持板にて被覆されていない事を特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能である。
【００１５】
請求項４の発明は、保持板により被覆されていない電極の端面が樹脂にて被覆された事を特徴とする請求項３に記載の電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能であり、且つプリント基板への半田付け実装時の半田の浸入が防止されるものとなる。
【００１６】
請求項５の発明は、半導体素子搭載部の電極にキャビティーが形成され、キャビティー底部に半導体素子が搭載される事を特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載されたキャビティーが形成された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、又ＬＥＤ素子を搭載した場合においては、ＬＥＤ素子から発せられる光がキャビティーの壁面に反射され、効率良く上方に出射されるものとなる。
【００１７】
請求項６の発明は、接続用孔下の電極の表面に、導電性バンプが形成された事を特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、金属細線による半導体素子の電極と電極との接続が容易となる。
【００１８】
請求項７の発明は、保持板に形成された半導体素子搭載用孔下の電極が、極性を持たない放熱極である事を特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載された極性を持たない放熱極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能と成る。
【００１９】
請求項８の発明は、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の電子部品実装基板にＬＥＤ素子を搭載した事を特徴とする表面実装型ＬＥＤであり、ＬＥＤ素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、ＬＥＤ素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能であり、又特定の該請求項の電子部品実装基板においては半田付け実装時の半田の浸入防止機能が備わり、又ＬＥＤ素子から発せられる光が効率良く上方に出射されるものとなる。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に示す本発明の電子部品実装基板は、半導体素子からの発熱を、半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行なう事で半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能と成る。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ素子の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度、及び寿命の向上、且つ薄型化に対しても対応可能なものが得られる。
【００２１】
請求項２に示す本発明の電子部品実装基板は、保持板材料に金属体を用いて形成した場合に、使用される金属体に絶縁処理が施されている事により、前記と同様に半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能と成り、且つ金属細線が保持板に触れた場合に起こる電気的障害が回避される。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、保持板材料に金属体を用いる事により、より優れた光の反射特性が付加され、より輝度が向上するものと成る。
【００２２】
請求項３に示す本発明の電子部品実装基板は、切断された電極の端面が保持板にて被覆されていない事を特徴とする電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能である。
【００２３】
請求項４に示す本発明の電子部品実装基板は、接続用孔下の電極の、保持板により被覆されていない電極の端面が樹脂にて被覆された事を特徴とする電子部品実装基板であり、前記と同様に半導体素子の搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能であり、且つプリント基板への半田付け実装時の半田の浸入が防止されるものと成り、品質、信頼性が向上するものと成る。
【００２４】
請求項５に示す本発明の電子部品実装基板は、前記電子部品実装基板の半導体素子搭載部の電極にキャビティーを形成し、そのキャビティー底部に半導体素子を搭載する事により、前記と同様に半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能である。ことに表面実装型ＬＥＤにおいては、ＬＥＤ素子から発せられる光がキャビティーの壁面に反射され、効率良く上方に出射される事により、輝度の向上が得られるものと成る。
【００２５】
請求項６に示す本発明の電子部品実装基板は、接続用孔下の電極の表面に、導電性バンプを形成する事により、前記と同様に半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能であり、且つ金属細線による半導体素子の電極と電極との接続が容易と成り、生産性が向上するものと成る。
【００２６】
請求項７に示す本発明の電子部品実装基板は、保持板に形成された半導体素子搭載用孔下の電極が、極性を持たない放熱極にする事により、前記と同様に半導体素子の搭載された極性を持たない放熱極からより効率的にパッケージ下面に熱放出を行い、半導体素子の温度上昇を抑制し、パッケージの薄型化が可能と成る。
【００２７】
請求項８に示すように、前記に示した本発明の電子部品実装基板は、表面実装型ＬＥＤに好適であり、ＬＥＤ素子からの発熱が、ＬＥＤ素子が搭載された電極から効率的にパッケージ下面に熱放出が行なわれＬＥＤ素子の温度上昇が抑制され、より電流量に比例した高輝度、及び寿命の向上が得られるものと成り、且つパッケージの薄型化も可能である。
【００２８】
また、前記に示した特定の請求項の電子部品実装基板においては、ＬＥＤ素子から発せられる光がキャビティーの壁面に反射され、効率良く上方に出射される事により、輝度の向上が得られるものと成る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、添付図面に基づいて本発明に係わる電子部品実装基板の実施例を説明する。図１−Ａ〜図１−Ｃは第１実施例であり、図１−Ａは斜視図、図１−Ｂ、図１−Ｃは断面図を示したものである。詳細に説明すると、支持板を兼ねた金属体から成る一方の電極１１ａと、支持板を兼ねた金属体から成る他方の電極１１ｂとを一定間隔介して並べ、この電極１１ａ、１１ｂを保持すると共に、半導体素子搭載用孔９と接続用孔１０ａ、１０ｂとを形成した保持板８を該電極１１ａ、１１ｂ上に設ける。次に、半導体素子搭載用孔９下の電極１１ａにＬＥＤ素子３を導電性樹脂２を用い搭載し、金属細線６ａ、６ｂにより一方のＬＥＤ素子の電極４と接続用孔１０ａ下の電極１１ａ、及び他方のＬＥＤ素子の電極５と接続用孔１０ｂ下の電極１１ｂとをそれぞれ接続し、透光性樹脂７にてＬＥＤ素子３、金属細線６ａ、６ｂを封止したものである。この図１−Ａ〜図１−Ｃは、ＬＥＤ素子３が実装される電極１１ａが放熱作用を促す放熱電極になっており、ＬＥＤ素子３からの発熱が効率的に電極１１ａを伝わってパッケージ下面に放出される構造になっている為、放熱効果は促進され、ＬＥＤ素子３の温度上昇による発光効率の低下が少なく、電流量に比例した高輝度が得られ、表面実装型ＬＥＤの機能性の向上、及び寿命の向上の効果が得られる。
【００３０】
また、放熱効果は電極１１ａの厚みが増すほど促進され、図１−Ｃよりも図１−Ｂのように電極１１ａの厚みが増している方が、より高い放熱効果が得られる。
【００３１】
また、表面実装型ＬＥＤの高さを決定するパラメーターは、ア．ＬＥＤ素子３を搭載する基板の厚み、イ．ＬＥＤ素子３の厚み、ウ．ＬＥＤ素子３と電極１１ａ、１１ｂを接続する金属細線６ａ、６ｂのループ高さ、エ．封止に用いる透光性樹脂７の金属細線６ａ、６ｂループ頂上からの厚みで決定され、本発明の電子部品実装基板を用いた表面実装型ＬＥＤにおいては、このパラメーターのア．基板の厚みを最小限の厚みまで薄くする事が可能となっており、従来品において支持板として用いられていた絶縁基板１０１層にあたるものが、支持板を兼ねた金属体から成る電極１１ａ、１１ｂと、半導体素子搭載用孔９と接続用孔１０ａ、１０ｂとを形成したプリント基板材料、金属体等から成る保持板８にて形成されている事より、薄型化に対して電極１１ａ、１１ｂの厚みを薄くする事で容易に薄型化が対応可能となっており、従来品の薄型化に伴う輝度の低下、及び絶縁基板１０１の強度低下による絶縁基板１０１層が割れる問題は発生しない。
【００３２】
また、該電子部品実装基板は、保持板８の厚みが、表面実装型ＬＥＤの高さを決定するパラメーターであるイ．ＬＥＤ素子３の厚み、ウ．ＬＥＤ素子３と電極１１ａ、１１ｂを接続する金属細線６ａ、６ｂのループ高さに吸収される構造となっている事により、ア．基板厚みとして電極１１ａ、１１ｂの厚さしか影響を及ぼさず、非常に薄型の表面実装型ＬＥＤが作製可能となる。
【００３３】
また、該電子部品実装基板は、従来品に必要であった表面電極１１１ａ、表面電極１１１ｂと裏面電極２１１ａ、裏面電極２１１ｂとをスルホール１３０により接続する必要性が無い為、スホール１３０の形成に必要な一定の金属層の形成が不必要となり、表面実装型ＬＥＤの薄型化が可能である。
【００３４】
よって、前記内容より、本発明の電子部品実装基板の第１実施例は、各々の表面実装型ＬＥＤ製品の使用環境、使用目的に応じた放熱機能と薄型化の選択が、電極１１ａ、１１ｂの厚みを変更する事により、容易に適応可能な構造を有している。
【００３５】
また、該電子部品実装基板は、電極１１ａ、１１ｂ上をより強固に保持板８が密着、及び被覆しているので、従来品に見られた密着の弱い表面電極１１１ａ、１１１ｂと透光性樹脂１０７との界面が存在せず、プリント基板上への半田１２７付け実装する時に、半田１２７が表面電極１１１ａ、１１１ｂ上に吸い上がり表面電極１１１ａ、１１１ｂと透光性樹脂１０７間に半田１２７が浸入、表面電極１１１ａ、１１１ｂに接合された金属細線１０６ａ、１０６ｂまで達し、表面電極１１１ａ、１１１ｂと金属細線１０６ａ、１０６ｂとの接合部分が、半田１２７によりダメージを受け信頼性が損なわれる問題は発生しない。
【００３６】
このように構成された電子部品実装基板の電極１１ａ、１１ｂには、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、などの導電性の良い金属や合金を用いる。
【００３７】
また、電極１１ａ、１１ｂの表面にはＮｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎメッキやこれらを複数積層させたメッキを行う事が好ましい。
【００３８】
また、ＬＥＤ素子の各電極４、５と電極１１ａ、１１ｂとを電気的に接続するためにはＡｇ、Ａｕ、Ａｌなどの金属細線６ａ、６ｂが用いられる。
【００３９】
また、導電性樹脂２にはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属や半田等の合金、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの金属酸化物の導電性材料をエポキシ樹脂などに混合して作られたペーストが用いられる。
【００４０】
また、透光性樹脂７の形状を半円柱状に形成、及び透光性樹脂の天面の一部を凹ませてレンズ形状に加工、透光性樹脂の天面に半円球状のレンズを付加しても良い（不図示）。これにより、ＬＥＤ素子３から発せられる光が集光され、上方への光の出射効率がさらに向上する。
【００４１】
本発明の電子部品実装基板を用いた表面実装型ＬＥＤの代表的な作製工程フローを、図２−１、図２−２を用いて説明する。工程１として、図２−１のＡのように、材料として絶縁基板１に金属体１７が貼り合わされたプリント基板材料を用意する。工程２として、図２−１のＢのように、絶縁基板１の両面の金属体を除去。工程３として、図２−１のＣのように、絶縁基板１の片面に絶縁性接着シート、又は絶縁性接着剤１６の貼り付け、又は塗布を行い、保持板８を形成。工程４として、図２−１のＤのように、保持板８に半導体素子搭載用孔９、接続用孔１０ａ、１０ｂをプレス加工、ドリル加工、レーザー加工等により形成。工程５として、図２−１のＥのように、工程４にて作製した半導体素子搭載用孔９、接続用孔１０ａ、１０ｂを備えた保持板８を、電極形成用の金属箔、金属板等の金属体１７に貼り付ける。工程６として、図２−１のＦのように、金属体１７をエッチング加工し、電極１１ａ、１１ｂを形成する。工程７として、図２−２のＧのように、電極１１ａ、１１ｂに絶縁性樹脂１２を部分的に塗布する。工程８として、図２−２のＨのように、電極１１ａ、１１ｂに、前記にて説明したメッキ処理を施しメッキ層１８を形成する。工程９として、図２−２のＩのように、ＬＥＤ素子３を搭載する半導体素子搭載用孔９下の電極１１ａに導電性樹脂２を塗布。工程１０として、図２−２のＪのように、ＬＥＤ素子３を半導体素子搭載用孔９下の電極１１ａ上の導電性樹脂２部に搭載。工程１１として、図２−２のＫのように、ＬＥＤ素子３の負電極４、及び正電極５を、接続用孔１０ａ下の電極１１ａ、及び接続用孔１０ｂ下の電極１１ｂに金属細線６ａ、６ｂによりそれぞれ接続。工程１２として、図２−２のＬのように、透光性樹脂７にて封止を行う。
【００４２】
図３に保持板として用いる事が可能な材料、及び構成を示す。図３のＡは、樹脂板、樹脂フィルム等の絶縁基板１ａを示している。図３のＢは、金属板、金属箔等の金属体１７を示している。図３のＣは、金属体表面、金属体に部分的、又は金属体そのものに絶縁性を持つ化成処理層３０を付与した材料を示している。図３のＤは、プリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料の両面に金属体１７が貼り付けられた両面積層板を示している。図３のＥは、プリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料の片面に金属体１７が貼り付けられた片面積層板を示している。図３のＦは、プリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料を示している。
【００４３】
前記保持板８の半導体素子搭載用孔９、接続用孔１０ａ、１０ｂの形成方法を以下に説明する。図４は開孔部形成方法の第１例を示した工程フロー図である。工程１として、図４のＡのように図３のＤのプリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料の両面に金属体１７が貼り付けられた両面積層板を用意する。工程２として、図４のＢのように、絶縁基板１材料の両面に金属体１７が貼り付けられた該両面積層板の金属体１７をエッチング等により除去を行い、絶縁基板１のみにする。工程３として、図４のＣのように、絶縁基板１に絶縁性接着シート、又は絶縁性接着剤１６の貼り付け、又は塗布を行う。工程４として、図４のＤのように、半導体素子搭載用孔９、接続用孔１０ａ、１０ｂをプレス加工、ドリル加工、レーザー加工等により形成する。
【００４４】
図５は開孔部形成方法の第２例を示した工程図である。工程１として、図５のＡのように、図３のＤのプリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料の両面に金属体１７が貼り付けられた両面積層板を用意する。工程２として、図５のＢのように、プリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料の両面に金属体１７が貼り付けられた両面積層板の金属体１７をエッチング等により除去を行い、絶縁基板１のみにする。工程３として、図５のＣのように、半導体素子搭載用孔９、接続用孔１０ａ、１０ｂをプレス加工、ドリル加工、レーザー加工等により形成する。工程４として、図５のＤのように、それぞれの開孔部が形成された絶縁基板１に、絶縁性接着シート、又は絶縁性接着剤１６の貼り付け、又は塗布を行う。
【００４５】
図６は開孔部形成方法の第３例を示した工程フロー図である。工程１として、図６のＡのように、図３のＤのプリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料の両面に金属体１７が貼り付けられた両面積層板を用意する。工程２として、図６のＢのように、プリント基板材料に用いられる絶縁基板１材料の両面に金属体１７が貼り付けられた両面積層板の金属体１７をエッチング等により除去を行い、絶縁基板１のみにする。工程３として、図６のＣのように、絶縁基板１に、絶縁性接着シート、又は絶縁性接着剤１６の貼り付け、又は塗布を行う。工程４として、図６のＤのように、電極形成用の金属体１７を貼り付ける。工程５として、図６のＥのように、半導体素子搭載用孔９、接続用孔１０ａ、１０ｂをドリル加工、レーザー加工等により形成する。
【００４６】
保持板８材料に図３のＡ、図３のＢ、図３のＣ、図３のＦの材料を用いる場合は、図４、図５、図６に示すそれぞれの開孔部形成方法の工程２より加工を進めても良い。
【００４７】
保持板材料に図３のＥを用いる場合は、絶縁基板１側からドリル加工、レーザー加工により半導体素子搭載用孔９、接続用孔１０ａ、１０ｂの形成を行い、それぞれの開孔部が形成された保持板８と、電極形成用の金属体１７を貼り合わせた状態と同等な加工状態にして、代表的な工程作製フロー図２−１のＥから進めても良い。
【００４８】
図３のＡ、図３のＦに示されている保持板材料に熱可塑性、又は熱硬化性の樹脂を使用する場合は、状況に応じて絶縁性接着シート、又は絶縁性接着剤１６を用いなくても良い。
【００４９】
よって、前記内容から、この構造は様々な加工プロセスにより作製する事が可能であり、必要に応じて使用材料、及び構成の選択、加工方法の選択、加工プロセスの組替えにより製品作製を行っても良い。
【００５０】
保持板８を金属板、金属箔等の金属体１７にて形成する場合は、図３のＢよりも図３のＣの金属体１７に絶縁性を持つ化成処理層３０を有するものの方が望ましく、金属体１７に絶縁性を付与する方法としては、金属体表面、金属体に部分的、又は金属体そのものに絶縁性を付与させる化成処理を施す。これにより、金属細線６ａ、６ｂが保持板８に触れた場合に起こる電気的障害が回避され、且つ金属体の持つ、優れた光の反射効果が得られるので、表面実装型ＬＥＤの輝度向上効果が得られる。
【００５１】
図７−Ａ〜図７−Ｃは、保持板８の材料に絶縁基板１材料の片面に金属体１７が貼り付けられた図３のＥを用いた場合、保持板８の金属体１７と金属細線６が接触する可能性の有る場所に部分的に絶縁性樹脂１２を塗布、又は充填を行ったものであり、図７−Ａは斜視図、図７−Ｂ、図７−Ｃは断面図を示している。このように金属体１７に絶縁性を付与させる化成処理を施さないものについては、絶縁性樹脂１２を保持板８の金属体１７と金属細線６ａ、６ｂが接触する可能性の有る場所に塗布、又は充填を行う事により前記にて説明を行ったものと同等の効果が得られるものとなる。
【００５２】
図８−Ａ〜図８−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第２実施例であり、図８−Ａは斜視図、図８−Ｂ、図８−Ｃは断面図を示したものである。図８−Ａ〜図８−Ｃは、第１実施例を示す図１−Ａ〜図１−Ｃの保持板８の接続用孔１０ａ、１０ｂの位置、及び形状を変更している。切断された電極１１ａ、及び電極１１ｂの端面が、保持板８で被覆されていない構造である。この構造にすれば、第１実施例では、生産時の接続用孔１０ａ、１０ｂの加工を、それぞれ単独加工にて形成していたが、接続用孔１０ａ、１０ｂの加工が一回の加工により作製可能となり、加工コストの低減が可能となる。
【００５３】
図９−Ａ〜図９−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第３実施例であり、図９−Ａは斜視図、図９−Ｂ、図９−Ｃは断面図を示したものである。図９−Ａ〜図９−Ｃは、第２実施例に示した図８−Ａ〜図８−Ｃのような電極１１ａ、１１ｂの端面上部に保持板８が被覆されていない構造のものに対して、保持板８の接続用孔１０ａ下の電極１１ａ、及び接続用孔１０ｂ下の電極１１ｂに樹脂のダム１３を設けたものである。この構造は電極１１ａ、電極１１ｂ上を、より強固に密着している樹脂のダム１３の形成により、プリント基板上のプリント配線に電極１１ａ、１１ｂが半田付け実装される工程にて、半田が電極１１ａ、１１ｂ上に吸い上がった場合において、樹脂のダム１３にて半田の浸入が防御され、電極１１ａ、１１ｂと金属細線６ａ、６ｂの接合部分まで半田が達せず、従来品に見られた、表面電極１１１ａ、１１１ｂと金属細線１０６ａ、１０６ｂとの接合部分が、半田１２７によりダメージを受け信頼性が損なわれる問題は発生しないものと成っている。
【００５４】
図１０−Ａ〜図１０−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第４実施例であり、図１０−Ａは斜視図、図１０−Ｂ、図１０−Ｃは断面図を示したものである。図１０−Ａ〜図１０−Ｃは、第１実施例を示した図１−Ａ〜図１−Ｃ、第２実施例を示した図８−Ａ〜図８−Ｂに示された保持板８に設けられた半導体素子搭載用孔９下に形成された電極１１ａにＬＥＤ素子３を搭載し、同電極１１ａ内にＬＥＤ素子の負電極４と正電極５のどちらかを金属細線６ａにて接続、同様に同一のＬＥＤ素子の他方の電極を金属細線６ｂにて電極１１ｂに接続した後、透光性樹脂７にてＬＥＤ素子３、及び金属細線６ａ、６ｂを封止しており、このように半導体素子搭載用孔９を大きく加工しＬＥＤ素子３搭載面に金属細線６ａの接続を行っても良い。
【００５５】
図１１−Ａ〜図１１−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第５実施例であり、図１１−Ａは斜視図、図１１−Ｂ、図１１−Ｃは断面図を示したものである。図１１−Ａ〜図１１−Ｃのように、ＬＥＤ素子３の一方の電極がＬＥＤ素子底面に配置されているものについては、電極１１ａに、下面に負電極４（正電極５でも可）が形成されたＬＥＤ素子３を導電性樹脂２にて搭載、接続し、電極１１ｂとＬＥＤ素子３の上面に形成されたＬＥＤ素子の正電極５（負電極４でも可）を金属細線６にて接続した後、透光性樹脂７にてＬＥＤ素子３、及び金属細線６を封止しても良い。
【００５６】
図１２−Ａ、及び図１２−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第６実施例であり、図１２−Ａは斜視図、図１２−Ｂは断面図を示したものである。図１２−Ａ、及び図１２−Ｂは、第１実施例を示す図１−Ａ〜図１−Ｃの電子部品実装基板の半導体素子搭載孔９下の電極１１ａを掘下げてキャビティー１４を形成、キャビティー１４の底面部にＬＥＤ素子３を導電性樹脂２を用いて搭載し、ＬＥＤ素子３の負電極４と正電極５のどちらかが保持板８に設けられた接続用孔１０ａ下の電極１１ａに金属細線６ａにより接続され、同一のＬＥＤ素子３の他方の電極が保持板８に設けられた接続用孔１０ｂ下の電極１１ｂに金属細線６ｂにより接続された後、透光性樹脂７にてＬＥＤ素子３、及び金属細線６ａ、６ｂを封止したものである。図１２−Ａ、及び図１２−Ｂは、ＬＥＤ素子３から発せられる光が、キャビティー１４の壁面に反射され、ＬＥＤ素子３から発せられる光が効率良く上方に出射される構造となっている事から、従来品に見受けられる絶縁基板１０１層の光透過によるＬＥＤの輝度低下は無く、表面実装型ＬＥＤの輝度向上の効果がある。
【００５７】
また、この構造は、ＬＥＤ素子３からの発熱によるＬＥＤ素子３周辺の透光性樹脂７に蓄積された熱も、金属体にて形成された電極１１ａのキャビティー１４側面を通してパッケージ外に放出される構造となっており、より高い放熱効果を得られる。
【００５８】
また、図１３−Ａ〜図１３−Ｂに示すように、キャビティー１４内に色相を変換させる目的で使用される蛍光体樹脂２８を充填し、その上から透光性樹脂７により封止を行なう事により、樹脂の２重構造形成が可能と成り、蛍光体樹脂２８が、一定量でキャビティー１４内に充填され、蛍光体樹脂２８の塗布ムラ等の発生が無く、色相のばらつきも抑えられるものと成る。
【００５９】
また、キャビティー１４内に充填される蛍光体樹脂２８の充填量を使用目的に応じて調整を行っても良く、例えば、形成されたキャビティー１４上面まで樹脂を充填し、さらに表面張力を利用し、蛍光体樹脂２８を盛るように塗布、又は半円球状の蛍光体樹脂２８の成型品を設置する事により、光の取出し効率の向上が認められる（不図示）。
【００６０】
また、形成されたキャビティー１４内のＬＥＤ素子３上面まで蛍光体樹脂２８を充填し、その上から違う色相変換機能を持つ蛍光体樹脂２８を充填する事により、使用目的に応じた発色が可能となる（不図示）。
【００６１】
前記キャビティー１４の形成方法を以下に説明する。図１４は、キャビティー１４の形成方法の第１例を示した工程フロー図である。工程１として、図１４のＡは、材料となる金属板、金属箔等の金属体１７を用意。工程２として、図１４のＢは、エッチングレジスト１９を金属体１７に塗布、又は貼付け、開孔部のエッチングレジスト１９を除去。工程３として、図１４のＣは、エッチング液にてエッチングレジスト開孔部の金属をエッチング後、エッチングレジストを除去。第４工程として、図１４のＤは、保持板８と貼り合せる。
【００６２】
図１５は、キャビティー１４の形成方法の第２例を示した工程フロー図である。工程１として、図１５のＡは、金属クラッド材２０と称される、第一金属層２１が両面被覆された中間層に、第一金属層２１とは異種金属の第二金属層２２をもつ３層構造の金属体１７を用意。工程２として、図１５のＢは、エッチングレジスト１９を金属クラッド材２０に塗布、又は貼付け、開孔部のエッチングレジスト１９を除去。工程３として、図１５のＣは、第一金属層２１のみに対してエッチング効果のあるエッチング液を用い、エッチングレジスト開孔部の第一金属層２１の上面をエッチング、その後エッチングレジストを除去。第４工程として、図１５のＤは、第一金属層２１のエッチングにより形成されたキャビティー１４内の第二金属層２２を、第二金属層２２のみに対してエッチング効果のあるエッチング液を用い、除去を行う。工程５として、図１５のＥは、保持板８と貼り合せる。このキャビティー加工法は、キャビティー１４の形成方法の第１例を示す図１４と比較し、キャビティー１４の底面がより平滑に仕上がり、ＬＥＤ素子３が傾く事無く底面に実装される。
【００６３】
図１６は、キャビティー１４の形成方法の第３例を示した工程フロー図である。工程１として、図１６のＡは、金属クラッド材２０を含めた金属体１７を用意。工程２として、図１６のＢは、保持板８に金属体１７を貼り付ける。工程３として、図１６のＣは、接続用孔１０ａ、及び接続用孔１０ｂ部分にエッチングレジスト１９を貼り付ける。工程４として、図１６のＤは、エッチング液を用い、半導体素子搭載用孔９下の金属体１７をエッチングし、キャビティー１４を形成する。また、金属体１７に金属クラッド材２０を用いた場合は、第一金属層２１のみに対してエッチング効果のあるエッチング液を用いる。工程５として、図１６のＥは、接続用孔１０ａ、１０ｂ部分のエッチングレジスト１９を除去する。また、金属体１７に金属クラッド材２０を用いた場合は、第一金属層２１のエッチングにより形成されたキャビティー１４内の第二金属層２２を、第二金属層２２のみに対してエッチング効果のあるエッチング液を用い、第二金属層２２の除去も行う。
【００６４】
図１７は、キャビティー１４の形成方法の第４例を示した工程フロー図である。工程１として、図１７のＡは、半導体素子搭載用孔９を未形成の保持板８と、金属クラッド材２０を含めた金属体１７を貼り合せたものを用意。工程２として、図１７のＢは、ドリル加工、又はレーザー加工等により、半導体素子搭載用孔９と金属体１７にキャビティー１４を一括形成する。
【００６５】
図１８−Ａ〜図１８−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第７実施例であり、図１８−Ａは斜視図、図１８−Ｂ、図１８−Ｃは断面図を示したものである。図１８−Ａ〜図１８−Ｃは、第１実施例を示す図１−Ａ〜図１−Ｃの金属細線６ａ、６ｂと接続される電極１１ａの表面、及び電極１１ｂの表面に、それぞれ導通バンプ１５ａ、導通バンプ１５ｂを形成したものであり、ＬＥＤ素子３を半導体素子搭載用孔９の電極１１ａ上に導電性樹脂２を用い搭載し、ＬＥＤ素子３の負電極４と正電極５のどちらかが電極１１ａ上に形成された導通バンプ１５ａに金属細線６ａにより接続され、同一ＬＥＤ素子３の他方の電極が電極１１ｂ上に形成された導通バンプ１５ｂに金属細線６ｂにより接続された後、透光性樹脂７にてＬＥＤ素子３、及び金属細線６が封止されたものである。この構造は、保持板８の表面近くに、金属細線６ａ、６ｂと接続される導通バンプ１５ａ、１５ｂが形成されているので、第１実施例〜第６実施例のＬＥＤ素子３と電極１１ａ、１１ｂを接続する金属細線６ａ、６ｂの距離が、電極１１ａ、１１ｂ上に導通バンプ１５ａ、１５ｂを形成する事により短縮され、金属細線６ａ、６ｂとＬＥＤ素子の負電極４、ＬＥＤ素子の正電極５との接続が非常に容易となる事を特徴としている。
【００６６】
前記導通バンプの形成方法について説明する。図１９は、前記導通バンプの形成方法の第１例を示した工程フロー図である。工程１として、図１９のＡは、材料となる金属板、又は金属箔からなる金属体１７を用意。工程２として、図１９のＢは、エッチングレジスト１９を金属体１７に塗布、又は貼付け、導通バンプ形成個所以外の部分のエッチングレジスト１９を除去。工程３として、図１９のＣは、エッチング液にて、導通バンプ形成個所以外の部分の金属をエッチングし導通バンプ１５ａ、１５ｂを形成し、エッチングレジストを除去。第４工程として、図１９のＤは保持板８に形成された接続用孔１０ａ、１０ｂの位置に導通バンプ１５ａ、１５ｂを定置し、貼り付ける。
【００６７】
図２０は、導通バンプの形成方法の第２例を示した工程フロー図である。工程１として、図２０のＡは、前記金属クラッド材２０を用意。工程２として、図２０のＢは、エッチングレジスト１９を金属クラッド材２０に塗布、又は貼付け、導通バンプ形成個所以外の部分のエッチングレジスト１９を除去。工程３として、図２０のＣは、第一金属層２１のみに対してエッチング効果のあるエッチング液を用い、導通バンプ形成個所以外の部分の金属をエッチングし導通バンプ１５ａ、１５ｂを形成し、エッチングレジストを除去。第４工程として、図２０のＤは、第一金属層２１のエッチングにより形成された導通バンプ形成個所以外の部分の第二金属層２２を、第二金属層２２のみに対してエッチング効果のあるエッチング液を用い除去を行う。工程５として、図２０のＥは、保持板８に形成された接続用孔１０ａ、１０ｂの位置に導通バンプ１５ａ、１５ｂを定置し、貼り付ける。
【００６８】
図２１は、導通バンプの形成方法の第３例を示した工程フロー図である。工程１として、図２１のＡは、材料となる金属板、又は金属箔等からなる金属体１７を用意。工程２として、図２１のＢは、メッキレジスト２３を金属体１７に塗布、又は貼付け、導通バンプ形成個所のメッキレジスト２３を除去。工程３として、図２１のＣは、メッキ処理を行い、導通バンプ形成個所のメッキレジスト２３の除去部分に導通バンプ１５ａ、１５ｂを形成。工程４として、図２１のＤは、導通バンプ形成個所以外に被覆されたメッキレジスト２３を除去。工程５として、図２１のＥは、保持板８に形成された、接続用孔１０ａ、１０ｂの位置に導通バンプ１５ａ、１５ｂを定置し、貼り付ける。
【００６９】
図２２は、導通バンプの形成方法の第４例を示した工程フロー図である。工程１として、図２２のＡは、材料となる金属板、又は金属箔等からなる金属体１７を用意。工程２として、図２２のＢは、半導体素子搭載用孔９、及び接続用孔１０ａ、１０ｂが形成された保持板８を貼り合せる。工程３として、図２２のＣは、メッキレジスト２３を半導体素子搭載用孔９部分に塗布、又は貼付ける。工程４として、図２２のＤは、メッキ処理を行い、接続用孔１０ａ、１０ｂに導通バンプ１５ａ、１５ｂを形成。工程５として、図２２のＥは、半導体素子搭載用孔９部分のメッキレジスト２３を除去する。
【００７０】
前記メッキ処理にはＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｓｎメッキやこれらを複数積層させたメッキを行う事が好ましい。
【００７１】
図２３は、導通バンプの形成方法の第５例を示した工程フロー図である。工程１として、図２３のＡは、材料となる前記金属体１７を用意。工程２として、図２３のＢは、金属体１７上に導電性樹脂２を印刷法、ディスペンサー法等を用い、導通バンプ１５ａ、１５ｂを形成し、硬化する。工程３として、図２３のＣは、半導体素子搭載用孔９が形成された、熱可塑性又は熱硬化性の保持板８を貼り合せ、導通バンプ１５ａ、１５ｂで保持板８を貫く。工程４として、図２３のＤは、金属体１７を導通バンプ１５ａ、１５ｂ上に重ねて熱プレスを行い積層する。工程５として、図２３のＥは、導通バンプ１５ａ、１５ｂ上に重ねた金属体１７をエッチング等により完全除去、又は部分的に除去を行う。
【００７２】
前記図２３に示した導通バンプ１５ａ、１５ｂ上の金属体１７を部分的に除去を行う場合は、金属体１７を導通バンプ１５ａ、１５ｂとそれぞれ電気的に接続されている電極として使用される（不図示）。
【００７３】
前記図２３Ｃに示した工程３における、半導体素子搭載用孔９は、図２３Ｄに示した工程４以降にレーザー加工、ドリル加工等により形成しても良い。
【００７４】
図２３の導通バンプの形成方法の第５例で、工程４を示す図２３のＤにて金属体１７を用いず、熱プレスを行い積層しても良い。これにより、前記工程５に示す図２３のＥのエッチング等による金属体１７の完全除去、又は部分的に除去する工程は不必要となる。
【００７５】
導電性樹脂２には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの金属や半田などの合金、ＩＴＯ、及びＳｎＯ2などの金属酸化物の導電性材料をエポキシ樹脂等に混合して作られたペーストが用いられる。
【００７６】
図２４−Ａ〜図２４−Ｃは、本発明の電子部品実装基板の第８実施例であり、図２４−Ａは斜視図、図２４−Ｂ、図２４−Ｃは断面図を示している。この図２４−Ａ〜図２４−Ｃは、第１実施例〜第７実施例に用いた各図において、ＬＥＤ素子３が搭載された極性を持つ電極１１ａを分割し、極性を持つ電極１１ａと極性を持たない放熱極２４（以下放熱極２４と記す）を形成し、ＬＥＤ素子３を放熱極２４上に導電性樹脂２を用いて搭載する事を特徴としている。これにより、ＬＥＤ素子３を搭載する放熱極２４は、放熱効果だけの役割を持ち、表面実装型ＬＥＤを実装するプリント基板配線側にも極性を持たないプリント配線放熱極を設けて放熱極２４と半田２７により接合する事によって、ＬＥＤ素子３の発熱が放熱極２４を通してプリント配線放熱極に伝わり、より高い放熱効果が得られるものとなり、よりＬＥＤ素子３の温度上昇による発光効率の低下が少なく、より電流量に比例した高輝度が得られ、より表面実装型ＬＥＤの機能性の向上、及び寿命の向上の効果が得られる。
【００７７】
図２５−Ａ、及び図２５−Ｂは、本発明の電子部品実装基板の第９実施例であり、図２５−Ａは斜視図、図２５−Ｂは断面図を示している。この図２５−Ａ、図２５−Ｂは、第８実施例を示す図２４−Ａ〜図２４−Ｃにおける電極１１ａを電極１１ｃ、電極１１ｄ、電極１１ｅ、電極１１ｆの４つ、電極１１ｂを電極１１ｇ、電極１１ｈ、電極１１ｉ、電極１１ｊの４つに分割形成し、４個のＬＥＤ素子３を保持板８に設けられた半導体素子搭載用孔９下の放熱極２４上に導電性樹脂２により搭載、各ＬＥＤ素子３の４つの負電極４と４つの正電極５のどちらかが保持板８に設けられた接続用孔１０ｃ、接続用孔１０ｄ、接続用孔１０ｅ、接続用孔１０ｆ下の電極１１ｃ、電極１１ｄ、電極１１ｅ、電極１１ｆに金属細線６ａにより接続され、各ＬＥＤ素子３の４つの他方の電極が保持板８に設けられた接続用孔１０ｇ、接続用孔１０ｈ、接続用孔１０ｉ、接続用孔１０ｊ下の電極１１ｇ、電極１１ｈ、電極１１ｉ、電極１１ｊにそれぞれ金属細線６ｂにて接続された後、透光性樹脂７にて４つのＬＥＤ素子３、金属細線６ａ、６ｂがそれぞれ封止されたものである。このように、ＬＥＤ素子３の必要搭載個数に応じて電極１１ａ、１１ｂを分割する事により複数のＬＥＤ素子が搭載可能となり、例えば３分割し、赤色、緑色、青色のＬＥＤ素子３を搭載する事によりフルカラー表示が可能、また同色のＬＥＤ素子３を搭載する事により輝度の向上が可能となる。
【００７８】
図２６は、電極１１ａ、１１ｂ、又は放熱極２４に絶縁性樹脂１２を塗布した斜視図を示す。これにより、プリント基板上のプリント配線に電極１１ａ、１１ｂが半田２７付けされる工程にて発生する、半田２７の回り込みによる電極１１ａと電極１１ｂ間のショートが発生しなく、電極１１ａと電極１１ｂ間の絶縁性が確保される。
【００７９】
しかし、図２６のように絶縁性樹脂１２にて、電極１１ａ、１１ｂ、又は放熱極２４の被覆面積を多くしてしまうと、ＬＥＤ素子３から発せられる熱が絶縁性樹脂１２層により阻害され、放熱効果が低下する為、図２７のように、電極１１ａ、１１ｂ又は放熱極２４を被覆する絶縁性樹脂１２に放熱用絶縁性樹脂開孔部２９を形成した方が良い。
【００８０】
また、図２７のように電極１１ａ、１１ｂ、又は放熱極２４の中側に独立した閉鎖形状にて放熱用絶縁性樹脂開孔部２９の形成を行うと、プリント基板上のプリント配線に電極１１ａ、１１ｂ及び放熱極２４を半田２７付け実装を行う時に、該プリント配線上の半田２７と電極１１ａ、１１ｂ、及び放熱極２４との間に空気の介在が発生し、接合が最適に行なわれない、又は半田２７量の微量過多により、表面実装型ＬＥＤが傾く等の不具合が発生する可能性が有る為、図２８、及び図２９に示すように電極１１ａ、１１ｂ又は放熱極２４の外側に開孔が繋がる、非閉鎖形状の放熱用絶縁性樹脂開孔部２９ａ、２９ｂの形成を行う方が良い。
【００８１】
図３０は、本発明の電子部品実装基板の第８実施例を示す図２４−Ａをプリント基板上へ実装を行った斜視図を示したものである。図３０は、従来品の実装例を示す図３４のプリント基板上にプリント配線電極２５ａ、プリント配線電極２５ｂ、そして大きな放熱効果を有するプリント配線放熱極２６を設け、本発明の電子部品実装基板の第８実施例を示す図２４−Ａの電極１１ａ、１１ｂ、及び放熱極２４をプリント基板上のプリント配線電極２５ａ、２５ｂ、プリント配線放熱極２６上に半田２７付けによりそれぞれ実装を行ったものである。これにより、ＬＥＤ素子３からの発熱が、放熱極２４を通し半田２７付けされた大きな放熱効果を有するプリント配線放熱極２６に直接伝わる構造と成っており、ＬＥＤ素子３の温度上昇による発光効率の低下がより少なく、より電流量に比例した高輝度が得られる事により、より表面実装型ＬＥＤの機能性の向上、及び寿命の向上の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１−Ａ】本発明電子部品実装基板の第１実施例を示す斜視図である。
【図１−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第１実施例を示す断面図である。
【図１−Ｃ】本発明電子部品実装基板の第１実施例を示す断面図である。
【図２−１】本発明電子部品実装基板を用いた表面実装型ＬＥＤの代表的な作製工程フロー図である。
【図２−２】図２−１の代表的な作製工程フロー図の続きである。
【図３】本発明電子部品実装基板の保持板として用いる事が可能な材料、及び構成を示す断面図である。
【図４】本発明電子部品実装基板の保持板の開孔部形成方法の第１例を示す工程フロー図である。
【図５】本発明電子部品実装基板の保持板の開孔部形成方法の第２例を示す工程フロー図である。
【図６】本発明電子部品実装基板の保持板の開孔部形成方法の第３例を示す工程フロー図である。
【図７−Ａ】本発明電子部品実装基板に用いる保持板の変形例を示す斜視図である。
【図７−Ｂ】本発明電子部品実装基板に用いる保持板の変形例を示す断面図である。
【図７−Ｃ】本発明電子部品実装基板に用いる保持板の変形例を示す断面図である。
【図８−Ａ】本発明電子部品実装基板の第２実施例を示す斜視図である。
【図８−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第２実施例を示す断面図である。
【図８−Ｃ】本発明電子部品実装基板の第２実施例を示す断面図である。
【図９−Ａ】本発明電子部品実装基板の第３実施例を示す斜視図である。
【図９−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第３実施例を示す断面図である。
【図９−Ｃ】本発明電子部品実装基板の第３実施例を示す断面図である。
【図１０−Ａ】本発明電子部品実装基板の第４実施例を示す斜視図である。
【図１０−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第４実施例を示す断面図である。
【図１０−Ｃ】本発明電子部品実装基板の第４実施例を示す断面図である。
【図１１−Ａ】本発明電子部品実装基板の第５実施例を示す斜視図である。
【図１１−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第５実施例を示す断面図である。
【図１１−Ｃ】本発明電子部品実装基板の第５実施例を示す断面図である。
【図１２−Ａ】本発明電子部品実装基板の第６実施例を示す斜視図である。
【図１２−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第６実施例を示す断面図である。
【図１３−Ａ】本発明電子部品実装基板の第６実施例の変形例を示す斜視図である。
【図１３−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第６実施例の変形例を示す断面図である。
【図１４】本発明電子部品実装基板のキャビティーの形成方法の第１例を示す工程フロー図である。
【図１５】本発明電子部品実装基板のキャビティーの形成方法の第２例を示す工程フロー図である。
【図１６】本発明電子部品実装基板のキャビティーの形成方法の第３例を示す工程フロー図である。
【図１７】本発明電子部品実装基板のキャビティーの形成方法の第４例を示す工程フロー図である。
【図１８−Ａ】本発明電子部品実装基板の第７実施例を示す斜視図である。
【図１８−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第７実施例を示す断面図である。
【図１８−Ｃ】本発明電子部品実装基板の第７実施例を示す断面図である。
【図１９】本発明電子部品実装基板の導通バンプの形成方法の第１例を示す工程フロー図である。
【図２０】本発明電子部品実装基板の導通バンプの形成方法の第２例を示す工程フロー図である。
【図２１】本発明電子部品実装基板の導通バンプの形成方法の第３例を示す工程フロー図である。
【図２２】本発明電子部品実装基板の導通バンプの形成方法の第４例を示す工程フロー図である。
【図２３】本発明電子部品実装基板の導通バンプの形成方法の第５例を示す工程フロー図である。
【図２４−Ａ】本発明電子部品実装基板の第８実施例を示す斜視図である。
【図２４−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第８実施例を示す断面図である。
【図２４−Ｃ】本発明電子部品実装基板の第８実施例を示す断面図である。
【図２５−Ａ】本発明電子部品実装基板の第９実施例を示す斜視図である。
【図２５−Ｂ】本発明電子部品実装基板の第９実施例を示す断面図である。
【図２６】本発明電子部品実装基板の変形例を示す斜視図である。
【図２７】本発明電子部品実装基板の変形例を示す斜視図である。
【図２８】本発明電子部品実装基板の変形例を示す斜視図である。
【図２９】本発明電子部品実装基板の変形例を示す斜視図である。
【図３０】本発明電子部品実装基板の第８実施例の応用例の斜視図である。
【図３１−Ａ】従来の表面実装型ＬＥＤを示す斜視図である。
【図３１−Ｂ】従来の表面実装型ＬＥＤを示す断面図である。
【図３２−Ａ】従来の表面実装型ＬＥＤを示す斜視図である。
【図３２−Ｂ】従来の表面実装型ＬＥＤを示す断面図である。
【図３３−Ａ】従来の表面実装型ＬＥＤを示す斜視図である。
【図３３−Ｂ】従来の表面実装型ＬＥＤを示す断面図である。
【図３４】従来品の応用例の斜視図である。
【符号の説明】
【００８３】
１、１ａ・・・絶縁基板
２・・・導電性樹脂
３・・・ＬＥＤ素子（半導体素子）
４・・・ＬＥＤ素子（半導体素子）の負電極
５・・・ＬＥＤ素子（半導体素子）の正電極
６、６ａ、６ｂ・・金属細線
７・・・透光性樹脂
８・・・保持板
９・・・半導体素子搭載用孔
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ、１０ｉ、１０ｊ・・接続用孔
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇ、１１ｈ、１１ｉ、１１ｊ・・電極
１２・・絶縁性樹脂
１３・・樹脂のダム
１４・・キャビティー
１５ａ、１５ｂ・・導通バンプ
１６・・絶縁性接着シート、又は絶縁性接着剤
１７・・金属体
１８・・メッキ層
１９・・エッチングレジスト
２０・・金属クラッド材
２１・・第一金属層
２２・・第二金属層
２３・・メッキレジスト
２４・・極性を持たない放熱極（放熱極）
２５ａ、２５ｂ・・プリント配線電極
２６・・プリント配線放熱極
２７・・半田
２８・・蛍光体樹脂
２９、２９ａ、２９ｂ・・放熱用絶縁性樹脂開孔部
３０・・絶縁性を持つ化成処理層
１０１・・絶縁基板
１０２・・導電性樹脂
１０３・・ＬＥＤ素子
１０４・・ＬＥＤ素子の負電極
１０５・・ＬＥＤ素子の正電極
１０６ａ、１０６ｂ・・・金属細線
１０７・・透光性樹脂
１１１ａ、１１１ｂ・・表面電極
１２５ａ、１２５ｂ・・プリント配線電極
１２７・・半田
１３０・・スルホール
２１１ａ、２１１ｂ・・裏面電極
【図１−Ａ】
2006303458.tif 000003
【図１−Ｂ】
2006303458.tif 000004
【図１−Ｃ】
2006303458.tif 000005
【図２−１】
2006303458.tif 000006
【図２−２】
2006303458.tif 000007
【図３】
2006303458.tif 000008
【図４】
2006303458.tif 000009
【図５】
2006303458.tif 000010
【図６】
2006303458.tif 000011
【図７−Ａ】
2006303458.tif 000012
【図７−Ｂ】
2006303458.tif 000013
【図７−Ｃ】
2006303458.tif 000014
【図８−Ａ】
2006303458.tif 000015
【図８−Ｂ】
2006303458.tif 000016
【図８−Ｃ】
2006303458.tif 000017
【図９−Ａ】
2006303458.tif 000018
【図９−Ｂ】
2006303458.tif 000019
【図９−Ｃ】
2006303458.tif 000020
【図１０−Ａ】
2006303458.tif 000021
【図１０−Ｂ】
2006303458.tif 000022
【図１０−Ｃ】
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【図１１−Ａ】
2006303458.tif 000024
【図１１−Ｂ】
2006303458.tif 000025
【図１１−Ｃ】
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【図１２−Ａ】
2006303458.tif 000027
【図１２−Ｂ】
2006303458.tif 000028
【図１３−Ａ】
2006303458.tif 000029
【図１３−Ｂ】
2006303458.tif 000030
【図１４】
2006303458.tif 000031
【図１５】
2006303458.tif 000032
【図１６】
2006303458.tif 000033
【図１７】
2006303458.tif 000034
【図１８−Ａ】
2006303458.tif 000035
【図１８−Ｂ】
2006303458.tif 000036
【図１８−Ｃ】
2006303458.tif 000037
【図１９】
2006303458.tif 000038
【図２０】
2006303458.tif 000039
【図２１】
2006303458.tif 000040
【図２２】
2006303458.tif 000041
【図２３】
2006303458.tif 000042
【図２４−Ａ】
2006303458.tif 000043
【図２４−Ｂ】
2006303458.tif 000044
【図２４−Ｃ】
2006303458.tif 000045
【図２５−Ａ】
2006303458.tif 000046
【図２５−Ｂ】
2006303458.tif 000047
【図２６】
2006303458.tif 000048
【図２７】
2006303458.tif 000049
【図２８】
2006303458.tif 000050
【図２９】
2006303458.tif 000051
【図３０】
2006303458.tif 000052
【図３１−Ａ】
2006303458.tif 000053
【図３１−Ｂ】
2006303458.tif 000054
【図３２−Ａ】
2006303458.tif 000055
【図３２−Ｂ】
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【図３３−Ａ】
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【図３３−Ｂ】
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【図３４】
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