(57)【要約】      （修正有）【課題】簡略な作製プロセスにより再現性良く作製することができ、繰り返し使用による反りや曲りに対応することが可能となる微細な凹凸パターンを有するモールドとその製造方法、凹凸パターンの転写方法、凹部を有する部材の製造方法を提供する。【解決手段】ナノインプリント用モールドであって、基板１０上にレジストで凹凸パターン１１を形成し、前記凹凸パターンに、形状記憶性を有する組成の材料１２（ＮｉＴｉ合金）を埋め込んで成膜した後、前記凹凸パターンから成膜部を剥離して前記凹凸パターンが転写されたモールド１３を得るようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸パターンを有するナノインプリント用モールドであって、少なくとも前記凹凸パターンを含む表面形状部が、形状記憶性を有する組成の材料によって構成されていることを特徴とするナノインプリント用モールド。
【請求項２】
前記表面形状部が、形状記憶性を有する組成の材料を凹凸パターンの形成された試料に成膜し、該試料から剥離して得られた形状部で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項３】
前記成膜された材料による層が、薄い膜厚で形成されていることを特徴とする請求項２に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項４】
前記成膜された材料による層上に、更に厚膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項５】
前記形状記憶性を有する組成の材料が、ＮｉＴｉ合金であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項６】
前記ＮｉＴｉ合金は、これらＮｉとＴｉの組成比が５２：４８（ａｔｏｍｉｃ％）であることを特徴とする請求項５に記載のナノインプリント用モールド。
【請求項７】
ナノインプリント用モールドの製造方法であって、
基板上に凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、
前記凹凸パターンに、形状記憶性を有する組成の材料を埋め込んで成膜する成膜工程と、
前記成膜工程での成膜後、前記凹凸パターンから成膜部を剥離して前記凹凸パターンが転写されたモールドを得るモールド形成工程と、
を有することを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
【請求項８】
表面に凹凸パターンを有するモールドであって、少なくとも前記凹凸パターンを含む表面形状部が、形状記憶材料によって構成されていることを特徴とするモールド。
【請求項９】
凹凸パターンの転写方法であって、
被転写層を有する基板を用意する工程、及び請求項８記載の前記モールドが有する凹凸パターンを該被転写層に転写する工程を有することを特徴とする凹凸パターンの転写方法。
【請求項１０】
凹部を有する部材の製造方法であって、
表面に被転写層を有する部材を用意する工程、
請求項８記載の前記モールドが有する凹凸パターンを該被転写層に転写する工程、及び
該被転写層をマスクとして用いて、該部材に凹部を形成することを特徴とする部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリント用モールドとその製造方法、凹凸パターンの転写方法、凹部を有する部材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板上に所望のパターンを転写する代表的な技術として、半導体プロセスで使用される露光技術が挙げられる。最も一般的な光を用いた露光技術では、光源の短波長化や光学系の進歩などにより解像度が著しく向上し、これらによって露光パターンの一層の微細化が図られ、それに伴い半導体集積回路の微細化が実現されてきた。現在ではＡｒＦエキシマレーザー（λ＝１９３ｎｍ）を用いて１００ｎｍ以下といった極めて微細なパターンの露光も行われている。
また、より微細なパターンに対応するＦ2エキシマレーザー（λ＝１５７ｎｍ）を使用した露光技術や、更には次世代の露光技術としてＥＵＶ（超紫外線）露光やＸ線露光、電子線露光といったものも検討がなされている。
以上のように露光技術は次世代に向けて進展する一方で、生産性の面において露光装置が非常に高価であること、スループットが悪いこと、等が問題となってきている。
【０００３】
このような状況のもとで、近年、ナノインプリントと呼ばれる新たな微細加工技術が、高解像度を有する安価な微細加工技術として注目を集めている。
このナノインプリントは、例えば非特許文献１に紹介されているように、被加工物となる基板上にレジストなどの樹脂層を配置し、樹脂層の上にナノスケールの凹凸を有したモールドを押し付ける。
そして、モールドの凸部を凹部としてレジストに一括転写した後剥離し、更にエッチングやリフトオフプロセスを組み合わせることで基板にレジストパターンを転写する手法によるものである。
これは微細加工技術として、簡易で生産性に優れた手法であると共に、モールドに形成する凹凸パターンは電子線露光などを用いた従来プロセスで作製する必要があるが、モールドが繰り返し利用可能なことからコスト的にも優れた手法であるといえる。
【０００４】
また、このナノインプリント技術は、アルミニウムの陽極酸化の開始点形成にも応用されている。これは例えば特許文献１に示されているように、アルミニウム基板の表面に規則的に配列した凹凸を有するモールドを押し付ける。
そして、アルミニウム基板にモールドの凸部を凹部として転写して陽極酸化の開始点を物理的に形成し、その後陽極酸化を行うことで高度に規則化した多孔質皮膜を作製するというものである。
これによれば、極めて高いアスペクト比を有する微細パターンなど、既存の露光技術では作製不可能なパターンの作製も可能となることから、磁気記録媒体を始めとした多くの応用例が考えられている。
【０００５】
前述のようにナノインプリント技術は既存の露光技術を上回る可能性を持っているが、加工パターンが微細になるに従ってモールドの作製が困難なものとなる。
通常モールドの作製は、まずモールドの母材となるＳｉなどの基板上にレジストを塗布して、電子線やＸ線などの露光プロセスによりレジストパターンを形成する。引き続き選択的なドライエッチングやリフトオフによりレジストパターンを基板に転写するという一般的な手法で行われる。
しかし露光パターンが微細なものになるに従って、選択比のとれたドライエッチングやリフトオフが困難なものとなり、露光パターンが正確に基板に転写されずパターンの劣化などを引き起こすことがある。
【０００６】
このため、例えば特許文献２のように、レジストパターンに対して直接導電性の金属を形成し、更にめっきにより金属を析出させた後にレジストを剥離してモールドを作製する手法が提案されている。この手法は、図３に示すように、まず、基板３０上のレジスト層３１に電子ビームリソグラフィやＸ線リソグラフィなどの従来の露光プロセスを用いて所定の微細凹凸パターンを形成する（図３（ａ））。
つぎに、上記レジスト層３１に形成された微細凹凸パターンに、電気めっき用の導電性の金属層あるいは無電解メッキ用の触媒層３２を、真空蒸着、グロー放電あるいはイオンビームによるスパッタ等を用いて形成する（図３（ｂ））。
つぎに、上記導電性の金属層あるいは触媒層３２上に、めっきによりモールド用金属３３（例えばニッケル）を析出させる（図３（ｃ））。
さらに、上記レジスト材の表面に析出した金属３３から、このレジスト層３１を除去することにより、モールド３４を得る（図３（ｄ））。
特許文献２の手法では、以上の手順によりモールドが作製される。
【特許文献１】特開平１０−１２１２９２号公報
【特許文献２】特開２００４−２８５４２２号公報
【非特許文献１】Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ  ｅｔ  ａｌ．，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ６７，  ３１１４  （１９９５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した特許文献２のものでは、特許文献１に比してさらに微細な凹凸パターンを有する金属モールドの形成が可能である。
しかしながら、モールドの作製プロセスにめっきが用いられているため、レジスト材に導電層あるいは触媒層等の電極を形成することが必要となり、モールドの作製プロセスが複雑となり、またメッキ液によるレジスト材の溶解等の問題を考慮することが必要となる。
さらに、ナノインプリントのモールドは、繰り返し使用されるため、このような使用に伴いモールドの反りや曲りが発生するが、上記した特許文献２のものではこれらへの対応についても何ら開示されていない。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑み、簡略な作製プロセスにより再現性良く作製することができ、繰り返し使用による反りや曲りに対応することが可能となる微細な凹凸パターンを有するナノインプリント用モールドとその製造方法を提供することを目的とするものである。
また、本発明は、上記モールドによる凹凸パターンの転写方法、凹部を有する部材の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第一の本発明は、表面に凹凸パターンを有するモールドであって、少なくとも前記凹凸パターンを含む表面形状部が、形状記憶材料によって構成されていることを特徴とする。
また、第二の本発明は、凹凸パターンの転写方法であって、
被転写層を有する基板を用意する工程、及び前記モールドが有する凹凸パターンを該被転写層に転写する工程を有することを特徴とする。
また、第三の本発明は、凹部を有する部材の製造方法であって、
表面に被転写層を有する部材を用意する工程、
前記モールドが有する凹凸パターンを該被転写層に転写する工程、及び該被転写層をマスクとして用いて、該部材に凹部を形成することを特徴とする。
本発明は、上記課題を達成するために、特にナノインプリント用に適したモールドを提供するものである。
すなわち、本発明のモールドは、表面に凹凸パターンを有するナノインプリント用モールドであって、少なくとも前記凹凸パターンを含む表面形状部が、形状記憶性を有する組成の材料によって構成されていることを特徴としている。
その際、本発明においては前記表面形状部を、形状記憶合金であるＮｉＴｉ合金を用い、このＮｉＴｉ合金を凹凸パターンを形成した試料に成膜し、該試料から剥離して得られた形状部で構成することができる。
また、本発明のナノインプリント用モールドの製造方法は、基板上に凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、
前記凹凸パターンに、形状記憶性を有する組成の材料を埋め込んで成膜する成膜工程と、
前記成膜工程での成膜後、前記凹凸パターンから成膜部を剥離して前記凹凸パターンが転写されたモールドを得るモールド形成工程と、
を有することを特徴としている。
その際、本発明においては、前記成膜工程における前記凹凸パターンへの前記材料による成膜が、スパッタリング法、またはＣＶＤ法、または蒸着法のいずれかによることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、微細なパターンを有するモールドを簡易且つ正確簡略な作製プロセスにより再現性良く作製することができ、
繰り返し使用による反りや曲りに対応することが可能となる微細な凹凸パターンを有するナノインプリント用モールドとその製造方法、凹凸パターンの転写方法、凹部を有する部材の製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。
図１に本実施形態におけるナノインプリント用モールドの作製工程の模式図を示す。
図１を用いて、本実施形態におけるナノインプリント用モールドの作製工程について説明する。
まず、基板１０上に塗布したレジスト層１１に、凹凸パターンを形成する（図１（ａ））。
この凹凸パターンの形成には、レジスト層１１に対して電子線露光を行う手法、あるいはレジスト層１１に対して予め用意した凹凸パターンを有するモールドを押し付けるなどの手法、等を用いることができる。
つぎに、上記凹凸パターンの形成されたレジスト層１１に、形状記憶性を有する組成の材料として、例えばＮｉＴｉ合金膜１２を成膜する（図（ｂ））。
ここで、絶縁性のレジスト層１１上に成膜を行う手法として、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、等の基板側に電極を必要としない各種成膜方法が用いられる。
【００１２】
つぎに、レジスト層１１からＮｉＴｉ合金膜１２を剥離する（図（ｃ））。
これによりレジストパターンが転写されたモールド１３が形成される。この剥離に際して、ＮｉＴｉ合金膜１２の膜厚を薄く形成した場合には、粘着テープなどを使用すれば容易に剥離が可能である。またＮｉＴｉ合金膜１２上に更にめっきなどによって厚膜を形成した場合には、ピンセットなどを利用することにより容易に剥離することができる。その際、レジスト層１１を溶解することによって剥離することも可能であるが、レジストパターンを繰り返し使用する上で、レジスト層１１を溶解することは必ずしも好ましい手法とは言えない。
【００１３】
本実施の形態においては、前述したように凹凸パターンの形成されたレジスト層１１に、ＮｉＴｉ合金膜１２を成膜するに際し、めっきによらずスパッタリング法やＣＶＤ法、蒸着法など基板側に電極を必要としない成膜を用いた。
これにより電極を形成する必要がないことからプロセスが簡略化され、めっき液によるレジスト層の溶解などの問題を考える必要がなくなる。
一般的には、モールドの作製に際し凹凸パターンへの材料の埋め込みにめっきが用いられるが、アスペクト比が高くない場合においては、ターゲットと基板の間の距離を長くとり、また基板に対してバイアスを印加する等の手法を採られる。これによって、スパッタリング法などのプロセスによっても十分に成膜することが可能である。
また、微細な凹凸パターンを有するモールドを使用する際には、アスペクト比が高くなるとモールドを被加工物に押し付けた際に、モールドの凸部が曲がり、あるいは欠損するなどといった不都合が発生する。
このようなことから、本実施の形態のモールドの作製においては、モールドを形成する材料の機械的強度が求められる。
一方、アスペクト比がそれほど高くないということも必要となることから、上記した手法によりスパッタリング法などのプロセスを適用することができる。
【００１４】
また、本実施の形態においては、凹凸パターンの形成されたレジスト層１１への成膜に、ＮｉＴｉ合金膜を用いたことによりレジスト層に均一に成膜を行うことができ、レジスト層１１からの膜の剥離を抑制することが可能となる。
これらについて更に説明する。
レジスト上に薄膜を設ける場合、レジスト層と薄膜との密着強度を高く保つことは困難である。
そのため、レジスト上に設けられた膜に応力が存在している場合、成膜中或いは成膜後に応力により膜がレジスト層１１から剥離するなどして、図１（ｂ）に示すような状態で均一に膜を形成できないといった問題がある。
ＮｉＴｉ合金膜はＮｉの組成比が少ない時に引張り応力が働き、Ｎｉの組成比が約５２（ａｔｏｍｉｃ％）付近において膜中の残留応力がゼロになり、更にＮｉの組成比が多くなると圧縮応力が働くことが知られている。
このようなことから、レジスト上に設ける膜として、ＮｉとＴｉの組成比が概ね５２：４８（ａｔｏｍｉｃ％）であるＮｉＴｉ合金膜を用いることにより、膜中の応力が低減できることからレジスト層１１からの膜の剥離を抑制することが可能となる。
ここでａｔｏｍｉｃ％とは合金中に含有される原子の割合のことであり、例えばＩＣＰ（誘導結合型プラズマ発光分析法）などで定量的に分析して求めることが可能である。
また、ＮｉＴｉ合金膜はアモルファス状態で成膜され、成膜後の粒界などによる膜表面の乱れも少なく非常に平坦な表面を形成する上に、強度的にも強いことなどからモールド材料として非常に適した材料であるといえる。
【００１５】
また、ＮｉＴｉ合金膜を用いたことにより、繰り返し使用における反りや曲りに対応することが可能となる。
ＮｉＴｉ合金は形状記憶合金であり、結晶化させた後に５００℃前後の高温に保ちながら形状記憶処理を行うと、その時の形状を記憶する性質がある。
ＮｉＴｉ形状記憶合金においては、形状記憶処理を行った直後はオーステナイト相と呼ばれる構造をとっているが、これを冷却することによってマルテンサイト相へと構造が変化する（マルテンサイト変態）ことが知られている。
引き続き外部からの力によりＮｉＴｉ合金を変形させた場合においても、１００℃前後の変態温度と呼ばれる転移点以上の温度に加熱することにより、再びオーステナイト相へと構造が変化するため（逆変態）、形状記憶処理時の形状に戻る。
形状を回復し得る変形量は７〜８％程度であるが、このような特殊な性質を有していることから、マイクロアクチュエーターなどに応用がなされている。
したがって、繰り返し使用するモールドに対して、反りや曲りが発生した場合であっても、本実施の形態におけるＮｉＴｉ合金に上記した形状記憶処理を行うことにより、形状変化前の状態に戻すことが可能となる。
【００１６】
以上のとおり、本実施の形態によればＮｉＴｉ合金を使用してレジストパターンから直接モールドを形成するため、簡略且つ正確にナノインプリント用モールドを作製することができる。
また、繰り返し使用による反りや曲りに対応することが可能となり、ドライエッチングやリフトオフを繰り返す従来の手法よりも、極めて簡易なプロセスでモールドを作製することができる。
また、上記モールドを利用して、凹凸パターンの転写方法を提供できる。
具体的には、被転写層を有する基板を用意する工程、及び
前記モールドが有する凹凸パターンを該被転写層に転写する工程からなる。
また、上記モールドを利用して、凹部を有する部材の製造方法を提供できる。
具体的には、表面に被転写層を有する部材を用意する工程、前記モールドが有する凹凸パターンを該被転写層に転写する工程、及び、該被転写層をマスクとして用いて、該部材に凹部を形成する工程からなる。
ここで、前記部材は、例えばシリコン基板、石英基板、ＧａＮ基板、アモルファスシリコン層や多結晶シリコン層を有する基板、ガラス基板である。
前記被転写層とは、熱硬化性あるいは熱可塑性の樹脂、あるいは紫外線等により硬化する光硬化性樹脂である。
【実施例】
【００１７】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１は、本発明を適用してレジストパターンからＮｉＴｉ合金によるモールドを作製した。
まず、電子線露光で作製されたマスクを用い、Ｘ線露光によって基板上に高さ約８０ｎｍである円錐台状のＳｉによる突起が１００ｎｍ間隔で三角格子配列した５ｍｍ角の大きさのモールド（マスターモールド）を作製して用意した。
つぎに、Ｓｉ基板を用意し、該Ｓｉ基板上にスピンコートによって電子線レジストを約５０ｎｍの厚みで塗布し、基板を１２０℃に加熱しながら上記マスターモールドを１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力にてレジスト層上に押し付けた。
その後、基板を冷却してマスターモールドをレジスト層より剥離して、レジスト層表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）でスキャンしたところ、マスターモールドの突起部分が窪みとしてレジスト層に転写されている。
このとき、窪みの深さは約４０ｎｍ、窪みの直径は６０ｎｍ程度であった。
【００１８】
このようにして作製したレジストパターンに対して、スパッタリング法にてＮｉＴｉ合金膜の成膜を行った。
スパッタリングはＮｉとＴｉの組成比が５０：５０（ａｔｏｍｉｃ％）である直径４インチ（１０１．６ｍｍ）のＮｉＴｉ合金ターゲットを使用して、ＤＣ投入電力３００Ｗ、Ａｒガス圧力０．１Ｐａ、ターゲットと基板間の距離１５０ｍｍという条件で行った。
このような成膜条件で成膜されたＮｉＴｉ合金膜の組成比をＩＣＰにより定量すると、ほぼ５２：４８（ａｔｏｍｉｃ％）に近いものが得られていた。
成膜時間はＮｉＴｉ合金膜が１μｍの膜厚となるような時間とし、成膜終了後試料をスパッタリング装置より取り出した。
【００１９】
このとき、成膜されたＮｉＴｉ合金膜はレジスト層から剥離することなく、目視で確認したところレジスト層上に均一に成膜されていた。
これに対して、比較例として同一条件で、硬度が高く高融点材料であるＴｉ、Ｗを成膜した。
これらによると、膜の一部分ないし全ての部分が応力によりレジスト層上からかなりの確率で剥離を起こし、再現性良く均一に成膜を行うことが困難であることが確認された。
【００２０】
つぎに、成膜されたＮｉＴｉ合金膜表面に両面テープを貼った後、両面テープを剥がすことによりＮｉＴｉ合金膜を両面テープと一緒にレジスト層から剥離した。
剥離したＮｉＴｉ合金膜表面をＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）とＡＦＭを使用して観察した。
この観察により、マスターモールドと同じパターンの突起が欠陥なく形成された、突起の高さ４０ｎｍ程度のＮｉＴｉモールド（レプリカモールド）が形成されていることが確認できた。
ここで、モールドのハンドリングを容易にするため、上記した両面テープに替え、ＮｉＴｉ合金膜上に電気めっきにて、Ｎｉを５０μｍ程度配置したものを使用することができる。
こうすることにより、ピンセットを使用してより簡易にレジスト層からの剥離が行える。
その際、ＮｉＴｉ合金膜上に直接Ｎｉをめっきした場合には、ＮｉＴｉ合金膜とＮｉの接合強度が不十分であることから、ＮｉＴｉ合金膜上に例えばＣｕなどを５ｎｍ程度スパッタリング法により配置した後に、Ｎｉめっきを行ったものを使用することが好ましい。
【００２１】
また、上記のように一度レプリカモールドを作製した後、マスターモールドをアッシングすることにより、マスターモールドに付着したレジストを除去した。そして、上記した本実施例と同様のプロセスでマスターモールドを用いることで、再度レプリカモールドを作製することが可能であることを確認した。
【００２２】
以上述べたとおり、本実施例により微細なレジストパターンからＮｉＴｉ合金を材料として簡易にモールドを作製することが可能であることが明らかとなった。
また、電子線露光などを使用して作製する一つのマスターモールドからＮｉＴｉ合金膜によるレプリカモールドを、簡易に複数作製することが可能であることも確認された。
【００２３】
［実施例２］
実施例２は、実施例１で作製したＮｉＴｉモールドを用いてナノインプリントを行った。
特に、ＮｉＴｉモールドを用いたナノインプリントによって、アルミニウムの陽極酸化を行い、高度に規則化した多孔質皮膜を作製した。
図２に本実施例におけるＮｉＴｉモールドを用いたナノインプリントを説明する図を示す。
以下に、図２を用いて本実施例のナノインプリントについて説明する。
まず、Ｓｉ基板２０上にスパッタリング法にてＡｌ層２１を５０ｎｍの膜厚で配置し、その上に電子線レジスト層２２をスピンコートにより５０ｎｍ塗布した（図２（ａ））。
つぎに、基板を１２０℃に加熱しながら実施例１で作製したＮｉＴｉモールド２３をレジスト層２２上に１ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力にて押し付けた（図２（ｂ））。
その後、基板の冷却後にＮｉＴｉモールド２３を剥離した（図２（ｃ））。
剥離後のレジスト層２２表面をＡＦＭでスキャンしたところ、ＮｉＴｉモールドの突起部分が窪み部分２４としてレジスト層２２に転写されており、窪み部分２４の深さも概ねＮｉＴｉモールドの突起部分の高さに等しい４０ｎｍ程度であることが確認できた。
【００２４】
つぎに、ＢＣｌ3とＯ2の混合ガス雰囲気中にてドライエッチングを行い、レジスト層２２の窪み部分２４をＡｌ層２１に転写した。上記の混合ガスを使用した理由は、窪み部分２４底部に残存するレジスト２５とＡｌ層２１表面を一括に削るためである。
その後、オゾンと紫外線を用いたアッシングでレジスト層を除去したところ、Ａｌ層２１表面にＮｉＴｉモールドパターンに対応した窪み２６が確認された（図２（ｄ））。
【００２５】
引き続き、試料を浴温１６℃のシュウ酸０．３ｍｏｌ／Ｌ水溶液中にて４０Ｖの印加電圧にて陽極酸化した。
陽極酸化後の試料表面及び断面をＦＥ−ＳＥＭで観察したところ、１００ｎｍ間隔で三角格子状に配列した直径３０ｎｍ程度の細孔２７が形成されており、規則的に細孔２７が配列した多孔質皮膜２８となっていることが確認できた（図２（ｅ））。
【００２６】
以上述べたとおり、本実施例により実施例１で作製したＮｉＴｉモールドを使用して、ＮｉＴｉモールドのパターンに正確に対応したレジストパターンを形成できることが確認された。
これにより、本実施例による作製方法にて作製したモールドが、ナノインプリントにおいてきわめて有用なモールドであることが確認された。
また、これを利用してアルミニウムの陽極酸化を行うことで、モールドパターンに対応した規則配列を有する多孔質皮膜を再現性よく作製できることも確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態におけるナノインプリント用モールドの作製工程を示す模式図。
【図２】本発明の実施例におけるＮｉＴｉモールドを用いたナノインプリントを説明する図。
【図３】従来例である特許文献１におけるナノインプリントに用いるモールドの作製工程を示す模式図。
【符号の説明】
【００２８】
１０：基板
１１：レジスト層
１２：ＮｉＴｉ合金膜
１３：モールド
２０：基板
２１：Ａｌ層
２２：レジスト層
２３：モールド
２４：窪み部分
２５：残存するレジスト
２６：窪み
２７：細孔
２８：多孔質皮膜
【図１】
2006303454.tif 000003
【図２】
2006303454.tif 000004
【図３】
2006303454.tif 000005