(57)【要約】【課題】  簡易な構成によって発光素子間の漏れ電流を抑制する。【解決手段】  素子アレイ部Ａは、複数の発光素子Ｕを面状に配列してなる。各発光素子Ｕは、電流の供給により発光する発光層２３を含む複数の機能層を積層してなる発光体２０と、当該発光体２０を挟んで相互に対向する第１配線１１（陽極）および第２配線１２（陰極）とを備える。複数の機能層のうち少なくともひとつは複数の発光素子Ｕにわたって連続する。各発光素子Ｕとこれに隣接する他の発光素子Ｕとの間隙には、両者間にわたる漏れ電流を遮断するための遮断配線３１１が形成される。【選択図】      図３
2006317740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流の供給により発光する発光層を含む複数の機能層を積層してなる発光体と当該発光体を挟んで相互に対向する第１電極および第２電極とを各々が備える複数の発光素子を面状に配列してなり、前記複数の機能層のうち少なくともひとつが前記複数の発光素子にわたって連続する素子アレイ部と、
各発光素子と当該発光素子に隣接する他の発光素子との間隙に形成されて両者間にわたる電流を遮断する遮断配線と
を具備する発光装置。
【請求項２】
第１方向に延在するとともに各々が前記各発光素子の第１電極として機能する複数の第１配線と、
前記第１方向に交差する第２方向に延在するとともに各々が前記各発光素子の第２電極として機能する複数の第２配線とを具備し、
前記遮断配線は、相互に隣接する前記第１配線間に各々が形成されて前記第１方向に延在する第１遮断配線と、相互に隣接する前記第２配線間に各々が形成されて前記第２方向に延在する複数の第２遮断配線とを含む
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１遮断配線と前記第１配線、または、前記第２遮断配線と前記第２配線は、単一の導電膜から形成される
請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光体は、前記第２電極に対する前記第１電極の電圧が閾値電圧を越えると発光し、
前記第１遮断配線には、前記第２配線の電圧と前記閾値電圧とを加算したレベルを下回る電圧が印加される
請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光体は、前記第２電極に対する前記第１電極の電圧が閾値電圧を越えると発光し、
前記第２遮断配線には、前記第１配線の電圧から前記閾値電圧を減算したレベルを上回る電圧が印加される
請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は、発光素子ごとに相互に離間して形成された画素電極を前記第１電極および前記第２電極の一方として含み、
前記遮断配線は、各発光素子の画素電極と当該発光素子に隣接する他の発光素子の画素電極との間隙に形成される
請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記遮断配線と前記各画素電極とは、単一の導電膜から形成される
請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記複数の発光素子にわたって連続に形成されて前記各発光素子における前記第１電極および前記第２電極の他方として機能する導電膜を具備し、
前記遮断配線と前記導電膜とは略同電位である
請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】
前記遮断配線は、前記複数の発光素子にわたって連続する機能層を挟んで前記導電膜と対向するとともに、この機能層を貫通する開口部を介して前記導電膜に導通する
請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記遮断配線は、前記各発光素子の画素電極を包囲するように格子状をなす
請求項６から請求項９の何れかに記載の発光装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０の何れかひとつに記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項１２】
電流の供給により発光する発光層を含む複数の機能層を積層してなる発光体と当該発光体を挟んで相互に対向する第１電極および第２電極とを各々が備える複数の発光素子を面状に配列してなり、前記複数の機能層のうち少なくともひとつが前記複数の発光素子にわたって連続する素子アレイ部と、
第１方向に延在するとともに各々が前記各発光素子の第１電極として機能する複数の第１配線と、
前記第１方向に交差する第２方向に延在するとともに各々が前記各発光素子の第２電極として機能する複数の第２配線と、
相互に隣接する前記第１配線間に各々が形成されて前記第１方向に延在する第１遮断配線と、
相互に隣接する前記第２配線間に各々が形成されて前記第２方向に延在する複数の第２遮断配線と
を具備する発光装置を駆動する方法であって、
複数の第１配線の各々を順番に選択して選択電圧を印加するとともにそれ以外の第１配線に非選択電圧を印加し、前記第２配線の各々に、前記選択電圧と前記非選択電圧との間のレベルで発光素子の階調に応じた電圧を印加する一方、
前記選択電圧および前記非選択電圧よりも低位の電圧を前記各第１遮断配線に印加し、前記発光素子の階調に応じた電圧よりも高位の電圧を前記各第２遮断配線に印加する
発光装置の駆動方法。
【請求項１３】
電流の供給により発光する発光層を含む複数の機能層を積層してなる発光体と当該発光体を挟んで相互に対向する第１電極および第２電極とを各々が備える複数の発光素子を面状に配列してなる発光装置を製造する方法であって、
前記複数の機能層のうち少なくともひとつが前記複数の発光素子にわたって連続するように前記発光体を形成する工程と、
前記各発光素子と当該発光素子に隣接する他の発光素子との間隙に相当する領域に、両者間にわたる電流を遮断するための遮断配線を形成する工程と
を有する発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記遮断配線を形成する工程は、単一の導電膜を選択的に除去することによって、前記第１電極と前記遮断配線とを一括的に形成する配線形成工程を含む
請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記配線形成工程は、単一の導電膜を選択的に除去することによって、第１方向に延在するとともに前記各発光素子の第１電極として機能する複数の第１配線と、前記各第１配線の間隙にて前記第１方向に延在する第１遮断配線とを一括的に形成する工程を含む
請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記遮断配線を形成する工程は、単一の導電膜を選択的に除去することによって、前記第１方向に交差する第２方向に延在するとともに前記各発光素子の第２電極として機能する複数の第２配線と、前記各第２配線の間隙にて前記第２方向に延在する第２遮断配線とを一括的に形成する工程を含む
請求項１４または請求項１５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記発光体を形成する工程は、前記複数の発光素子にわたって連続する機能層を貫通する開口部を形成する工程を含み、
前記各発光素子における前記第２電極として機能する導電膜を前記複数の発光素子にわたって連続に形成するとともに前記開口部を介して当該導電膜を前記遮断配線に導通させる工程を有する
請求項１３または請求項１４に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）材料などの発光材料を利用した発光素子の挙動を制御するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の発光素子を面状に配列した発光装置が従来から提案されている。各発光素子は、例えば、有機ＥＬ材料からなる発光層とこの発光層を挟んで対向する陰極および陽極とを有する。この構成のもとで各発光素子の階調を独立に制御するためには各々を電気的に分離するための構成が必要となる。この分離のための構成として、特許文献１には、基板の表面上に格子状の隔壁を形成し、この隔壁の内壁によって包囲された空間に発光層を形成した構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２４８４４３号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この技術においては、基板上に隔壁を形成するための煩雑な工程が必要となるために製造コストが嵩むという問題がある。この問題を解決するための構成としては、発光層を複数の発光素子にわたって連続して形成するとともに陽極および陰極を発光素子ごとに分離することによって各発光素子の階調を制御するという構成も考えられる。しかしながら、この構成においては、ひとつの発光素子の発光層からこれに隣接する発光素子の発光層に電流（以下「漏れ電流」という）が流れる場合がある。そして、このような漏れ電流が発生すると、各発光素子の発光層に流れる電流量を正確に制御することが困難となる。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、簡易な構成によって発光素子間の漏れ電流の発生を抑制するという課題の解決を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、電流の供給により発光する発光層を含む複数の機能層を積層してなる発光体と当該発光体を挟んで相互に対向する第１電極（陽極および陰極の一方）および第２電極（陽極および陰極の他方）とを各々が備える複数の発光素子を面状に配列してなり、複数の機能層のうち少なくともひとつが複数の発光素子にわたって連続する素子アレイ部と、各発光素子と当該発光素子に隣接する他の発光素子との間隙に形成されて両者間にわたる電流を遮断する遮断配線とを具備する。
【０００５】
この構成によれば、少なくともひとつの機能層が複数の発光素子にわたって連続するから、この機能層を発光素子ごとに相互に分離させるための構成（例えば隔壁）を不要として構成を簡素化することができる。また、各発光素子の間隙に遮断配線が形成されているから、ひとつの発光素子から他の発光素子に向かう漏れ電流は遮断される。したがって、各発光素子の発光層に流れる電流を高い精度で制御することができる。
【０００６】
なお、本発明における機能層とは、発光を実現するための膜体（発光層）、またはその発光の効率を向上させるための膜体である。後者に係る機能層としては、発光層に対するキャリア（正孔または電子）の流入を促進するための膜体がある。この種の膜体の典型例は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層である。ただし、本発明における発光体はこれらの総ての層を含んでいる必要はない。
【０００７】
本発明の望ましい態様において、第１方向に延在するとともに各々が各発光素子の第１電極として機能する複数の第１配線と、第１方向に交差する第２方向に延在するとともに各々が各発光素子の第２電極として機能する複数の第２配線とがさらに設けられ、遮断配線は、相互に隣接する第１配線間に各々が形成されて第１方向に延在する第１遮断配線と、相互に隣接する第２配線間に各々が形成されて第２方向に延在する複数の第２遮断配線とを含む。この態様によれば、第２方向に隣接する各発光素子にわたる電流が第１遮断配線によって遮断されるとともに、第１方向に隣接する各発光素子にわたる電流が第２遮断配線によって遮断される。したがって、発光素子の四方にわたる漏れ電流を有効に防止することができる。なお、この態様の具体例は第１実施形態として後述される。
【０００８】
ところで、第１遮断配線は発光体を挟んで第２配線または第２遮断配線と対向する部分を含み、第２遮断配線は発光体を挟んで第１配線または第１遮断配線と対向する部分を含む。したがって、各配線の電位によっては、本来ならば発光体のうち第１配線と第２配線とによって挟まれた部分のみが発光すべきであるにも関わらず、第１遮断配線または第２遮断配線と他の配線とによって挟まれた部分が発光する可能性がある。そこで、本発明の望ましい態様においては、発光体のうち第１遮断配線と第２配線または第２遮断配線に挟まれた部分、および、発光体のうち第２遮断配線と第１配線または第１遮断配線に挟まれた部分が発光しないように、各遮断配線や各配線の電位が選定される。例えば、発光体が、第２電極に対する第１電極の電圧が閾値電圧を越えると発光する場合には、第１遮断配線には、第２配線の電圧と閾値電圧とを加算したレベルを下回る電圧が印加される。また、第２遮断配線に対し、第１配線の電圧から閾値電圧を減算したレベルを上回る電圧が印加される構成としてもよい。
【０００９】
このように遮断配線に起因した発光素子の発光を回避するという観点からすると、本発明は、発光装置を駆動するための方法としても把握される。すなわち、この駆動方法は、複数の第１配線の各々を順番に選択して選択電圧を印加するとともにそれ以外の第１配線に非選択電圧を印加し、第２配線の各々に、選択電圧と非選択電圧との間のレベルで発光素子の階調に応じた電圧を印加する一方、選択電圧および非選択電圧よりも低位の電圧を各第１遮断配線に印加し、発光素子の階調に応じた電圧よりも高位の電圧を各第２遮断配線に印加することを特徴とする。また、複数の第１配線の各々を順番に選択して選択電圧を印加するとともにそれ以外の第１配線に非選択電圧を印加する選択回路と、第２配線の各々に、選択電圧と非選択電圧との間のレベルで発光素子の階調に応じた電圧を印加するデータ供給回路と、選択電圧および非選択電圧よりも低位の電圧を各第１遮断配線に印加し、発光素子の階調に応じた電圧よりも高位の電圧を各第２遮断配線に印加する電圧生成回路とを具備する駆動回路としても本発明は具現化される。これらの発明によれば、第１遮断配線の電位が第２配線や第２遮断配線よりも常に低位とされ、第２遮断配線の電位が第１配線や第１遮断配線よりも常に高位とされる。したがって、第１配線と第２配線とが対向する部分以外の発光を回避することができる。
【００１０】
本発明の他の態様において、発光素子は、発光素子ごとに相互に離間して形成された画素電極を第１電極および第２電極の一方として含み、遮断配線は、各発光素子の画素電極と当該発光素子に隣接する他の発光素子の画素電極との間隙に形成される。この態様によれば、画素電極が発光素子ごとに相互に離間して形成されるから、各発光素子間の電流を遮断するという所期の効果に加えて、第１電極および第２電極の他方を複数の発光素子にわたって連続に形成することができるという利点がある。なお、この態様の具体例は第２実施形態および第３実施形態として後述される。
【００１１】
この態様においては、複数の発光素子にわたって連続に形成されて各発光素子における第１電極および第２電極の他方として機能する導電膜（例えば図１２や図１３の導電膜１６）が設けられ、遮断配線と導電膜とは略同電位とされる。例えば、遮断配線と導電膜とを同電位とするための態様としては、遮断配線は、複数の発光素子にわたって連続する機能層を挟んで導電膜と対向するとともに、この機能層を貫通する開口部を介して導電膜に導通する。この態様によれば、遮断配線と導電膜とが略同電位とされるから、発光体のうち遮断配線と導電膜との間に介在する部分の発光を回避することができる。これらの態様における遮断配線は、例えば、各発光素子の画素電極を包囲するように格子状をなす。この態様によれば、発光素子の四方にわたる漏れ電流を有効に防止することができる。
【００１２】
本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。この電子機器の典型例は、発光装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（露光ヘッド）の光源としても本発明の発光装置を適用することができる。
【００１３】
本発明は、発光装置を製造する方法としても特定される。すなわち、この方法は、電流の供給により発光する発光層を含む複数の機能層を積層してなる発光体と当該発光体を挟んで相互に対向する第１電極および第２電極とを各々が備える複数の発光素子を面状に配列してなる発光装置を製造する方法であって、複数の機能層のうち少なくともひとつが複数の発光素子にわたって連続するように発光体を形成する工程と、各発光素子と当該発光素子に隣接する他の発光素子との間隙に相当する領域に、両者間にわたる電流を遮断するための遮断配線を形成する工程とを含む。この方法によって製造された発光装置によれば、少なくともひとつの機能層が複数の発光素子にわたって連続して形成されるから、総ての機能層が発光素子ごとに分断される従来の製造方法と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。その一方、各発光素子の間隙には遮断配線が形成されるから、発光素子間の漏れ電流は有効に抑制される。なお、本発明において発光体を形成する工程と遮断配線を形成する工程との順序は任意である。
【００１４】
本発明の望ましい態様において、遮断配線を形成する工程は、単一の導電膜を選択的に除去することによって、第１電極と遮断配線とを一括的に形成する配線形成工程（例えば、図８(b)・図９(b)または図１４(b)の工程）を含む。この態様によれば、第１電極と遮断配線とを別個に形成する場合と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。さらに詳述すると、配線形成工程は、単一の導電膜を選択的に除去することによって、第１方向に延在するとともに各発光素子の第１電極として機能する複数の第１配線と、各第１配線の間隙にて第１方向に延在する第１遮断配線とを一括的に形成する工程（例えば図８(b)の工程）を含む。さらに望ましくは、遮断配線を形成する工程は、単一の導電膜を選択的に除去することによって、第１方向に交差する第２方向に延在するとともに各発光素子の第２電極として機能する複数の第２配線と、各第２配線の間隙にて第２方向に延在する第２遮断配線とを一括的に形成する工程（例えば図９(b)の工程）を含む。この態様によれば、第１遮断配線および第２遮断配線の一方を配線（第１配線または第２配線）と同時に形成する場合と比較して製造コストをいっそう低減することができる。
【００１５】
さらに他の態様において、発光体を形成する工程は、複数の発光素子にわたって連続する機能層を貫通する開口部を形成する工程（例えば図１５の工程）を含み、各発光素子における第２電極として機能する導電膜を複数の発光素子にわたって連続に形成するとともに開口部を介して当該導電膜を遮断配線に導通させる工程を有する。この態様によれば、機能層を貫通する開口部を介して導電膜と遮断配線とを容易に導通させることができる。そして、この態様によれば、発光体のうち遮断配線と導電膜とによって挟まれた部分の発光を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
＜Ａ：第１実施形態＞
まず、パッシブマトリクス方式の表示装置に本発明の発光装置を適用した形態を説明する。図１は、この発光装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、発光装置Ｄは、複数の発光素子Ｕを基板１０の表面上に配列してなる素子アレイ部Ａと、各発光素子Ｕを駆動して各々の階調（輝度）を制御する選択回路６１およびデータ供給回路６３と、電位Ｖa0および電位Ｖc0を生成して素子アレイ部Ａに供給する電圧生成回路６６とを具備する。なお、素子アレイ部Ａの周辺の各回路（選択回路６１・データ供給回路６３・電圧生成回路６６）は、基板１０の表面やこれに接合された配線基板にＩＣチップの形態で実装されていてもよいし、基板１０の表面に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）などのスイッチング素子によって構成されてもよい。
【００１７】
図２は、基板１０の表面における素子アレイ部Ａの構成を示す平面図である。なお、図２や後掲の図１１・図１６は平面図であるが、各図に図示された配線が分布する領域には便宜的にハッチングが施されている。また、図３は、図２におけるIII−III線からみた断面図であり、図４は、図２におけるIV−IV線からみた断面図である。
【００１８】
図２に示されるように、基板１０の表面上には、Ｙ方向に延在する複数の第１配線１１が幅方向（Ｘ方向）に相互に間隔をあけて形成される。図３および図４に示されるように、これらの第１配線１１が形成された基板１０の表面は層状の発光体２０（図２においては便宜的に図示が省略されている）によって被覆される。さらに、この発光体２０の表面上には、Ｙ方向と直交するＸ方向に延在する複数の第２配線１２が幅方向（Ｙ方向）に相互に間隔をあけて形成される。
【００１９】
各第１配線１１のうち発光体２０を挟んで第２配線１２と対向する部分は発光素子Ｕの陽極として機能する。同様に、各第２配線１２のうち発光体２０を挟んで第１配線１１と対向する部分は発光素子Ｕの陰極として機能する。図１に示されるひとつの発光素子Ｕは、陽極および陰極と両者間に介在する発光体２０とによって構成される。したがって、これらの発光素子Ｕは、図１および図２に示されるように、基板１０の表面上にＸ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配列する。
【００２０】
図３および図４に示されるように、発光体２０は、発光層２３を含む複数の機能層を積層した構造となっている。この発光層２３は、有機ＥＬ材料によって形成された膜体である。本実施形態における発光体２０は、正孔注入層２１と発光層２３と電子注入層２５という３種類の機能層を陽極側（第１配線１１側）から陰極側（第２配線１２側）に向かってこの順番に積層した構造となっている。この構成のもと、図５に示されるように、陰極に対する陽極の電圧Ｖが所定の閾値電圧Ｖthを上回ると発光素子Ｕには電流が流れ始めて発光し、その輝度（発光量）Ｌは電圧Ｖの上昇に伴って増加していく。
【００２１】
なお、発光体２０の構造は図３および図４の例示に限定されない。例えば、正孔注入層２１と発光層２３との間に正孔輸送層を介在させた構成や、電子注入層２５と発光層２３との間に電子輸送層を介在させた構成、あるいは、正孔注入層２１や電子注入層２５に代えて正孔輸送層や電子輸送層が配置された構成としてもよい。すなわち、発光素子Ｕは、発光層２３を含む複数の機能層を積層してなる発光体２０とこの発光体２０を挟んで相互に対向する陽極および陰極とを備えた構成であれば足りる。
【００２２】
図３および図４に示されるように、本実施形態における発光体２０の各機能層は、発光素子Ｕごとに分離されず、総ての発光素子Ｕにわたって連続して形成される。すなわち、発光体２０は、素子アレイ部Ａの全域にわたって隙間なく分布する。この構成によれば、例えば発光体を形成する領域が発光素子ごとに隔壁によって区画された構成（例えば特許文献１に開示された構成）と比較して、製造工程を簡素化することができる。
【００２３】
なお、陰極を発光素子Ｕの配列に沿って分断するための構成としては、例えば特開平8-315981号公報（特に段落0034および図9参照）に開示されるように、基板の表面における各発光素子の間隙に隔壁を形成した構成も考えられる。この構成においては、頂上部が基底部よりも大きい寸法とされた断面形状（すなわち下底が上底よりも長い等脚台形）の隔壁を介して陰極を蒸着することによって、隔壁の頂上面に形成された部分と基板の表面上に形成さた部分（すなわち陰極）とが電気的および機械的に分断される。しかしながら、この技術のもとでは、隔壁の形成が必須となるために製造の工程が煩雑化するとともに陰極の形成の精度が低下し、しかも隔壁の断面は基底部が頂上部よりも小さい断面形状とされているために姿勢が不安定となって機械的な強度を維持することが難しいという問題がある。
【００２４】
これに対し、本実施形態においては、発光体２０の各機能層が複数の発光素子Ｕにわたって連続に形成されるから、この発光体２０の表面は基板１０の表面と平行な略平面（すなわち段差が少ない平面）となる。陰極はこのような発光体２０の表面に形成されるから、隔壁によって陰極を分断する構成と比較して簡易な工程によって高精度に陰極を形成することができる。
【００２５】
ところで、本実施形態のように発光体２０が複数の発光素子Ｕにわたって共通に形成された構成においては、陽極が各列ごとに分断されるとともに陰極が各行ごとに分断されているとは言っても、ひとつの発光素子Ｕの発光体２０からこれに隣接する他の発光素子Ｕの発光体２０に電流（漏れ電流）が流れる場合がある。そして、各発光素子Ｕに対する漏れ電流の流入や各発光素子Ｕからの漏れ電流の流出が発生すると、各々に流れる電流量を正確に制御することが困難となって輝度のムラが発生するという問題がある。また、各発光素子Ｕの間隙に存在する発光層２３（すなわち本来的に画素として機能すべき領域以外の領域）が漏れ電流の供給によって発光するため、例えば各発光素子Ｕの観察側に複数色のカラーフィルタが配置された構成においては、各発光素子Ｕに対応するカラーフィルタからの出射光が混色するという問題もある。これらの問題を解決するために、本実施形態においては、相互に隣接する各発光素子Ｕの間隙に形成された遮断配線によって両者間にわたる漏れ電流を遮断する構成となっている。この遮断配線について詳述すると以下の通りである。
【００２６】
図２ないし図４に示されるように、相互に隣接する各第１配線１１の間隙にはＹ方向に延在する第１遮断配線３１１が形成される。各第１遮断配線３１１は、単一の導電膜をパターニングすることによって第１配線１１と共通の工程で形成された配線である。したがって、各第１遮断配線３１１は、第１配線１１と同じ材料および膜厚であり、発光体２０の陽極側と基板１０との間に介在する。また、図２ないし図４に示されるように、相互に隣接する各第２配線１２の間隙にはＸ方向に延在する第２遮断配線３１２が形成される。各第２遮断配線３１２は、単一の導電膜をパターニングすることによって第２配線１２と共通の工程で形成された配線である。したがって、各第２遮断配線３１２は、発光体２０の表面上に第２配線１２と共通の材料によって略同一の膜厚に形成される。
【００２７】
以上のように、基板１０に垂直な方向からみると、Ｙ方向に隣接する各発光素子Ｕの間隙には第２遮断配線３１２が介在する。したがって、これらの発光素子Ｕにわたる漏れ電流は第２遮断配線３１２によって遮断される。同様に、Ｘ方向に隣接する各発光素子Ｕにわたる漏れ電流は第１遮断配線３１１によって遮断される。このように、本実施形態においては、発光体２０が複数の発光素子Ｕにわたって連続する構成にも関わらず、漏れ電流を有効に抑制することができる。したがって、この漏れ電流に起因した輝度のムラや混色を回避することができる。
【００２８】
次に、図６は、ひとつの発光素子Ｕの周辺における配線の態様を示す平面図である。同図に示されるように、第１配線１１または第１遮断配線３１１と第２配線１２または第２遮断配線３１２とは発光体２０を挟んで相互に対向する。例えば、第２遮断配線３１２は、領域Ａにおいて第１遮断配線３１１に対向するとともに領域Ｂにおいて第１配線１１に対向する。また、第２配線１２は、領域Ｃにおいて第１遮断配線３１１に対向するとともに領域Ｄにおいて第２配線１２に対向する。このように各配線が相互に交差する領域（以下「交差領域」という）の発光体２０は各配線の電位の高低に応じて発光し得る。しかしながら、これらの交差領域のうち発光が許容されるのはひとつの発光素子Ｕに相当する交差領域Ｄのみであり、その他の交差領域（Ａ・Ｂ・Ｃ）については発光が禁止されるべきである。そこで、本実施形態においては、交差領域Ａ・ＢおよびＣにて発光体２０が発光しないように各配線の電位の高低が選定されている。より具体的には、交差領域Ａ・ＢおよびＣにおいては、発光体２０の陰極に対する陽極の電圧が閾値電圧Ｖthを下回るように（すなわち図５における範囲Ｒ内の電圧となるように）各配線の電位が設定される。以下では、各配線の電位に特に注目しながら発光装置Ｄの動作を説明する。
【００２９】
図７は、ひとつの発光素子Ｕを駆動するための信号の波形を示すタイミングチャートである。図６および図７に信号Ｙとして図示されるように、図１に示した選択回路６１は、選択期間（水平走査期間）Ｐselごとに複数の第２配線１２の各々を順番に選択し、この選択した第２配線１２に選択電位Ｖc1L印加するとともに、非選択の第２配線１２に選択電位Ｖc1Lよりも高位の非選択電位Ｖc1Hを印加する。すなわち、信号Ｙは、選択期間Ｐselにおいて選択電位Ｖc1Lを維持し、それ以外の非選択期間Ｐoffにおいて非選択電位Ｖc1Hとなる。一方、図７に信号Ｘとして図示されるように、データ供給回路６３は、各選択期間Ｐselにおいて、選択回路６１が選択した第２配線１２と各第１配線１１との交差に対応する発光素子Ｕに指定された階調に応じて電位Ｖa1Hおよびこれよりも低位の電位Ｖa1Lの何れかを各第１配線１１に供給する。
【００３０】
図７に示されるように、選択期間Ｐselにおいて第２配線１２（発光素子Ｕの陰極）に印加される選択電位Ｖc1Lは、第１配線１１（発光素子Ｕの陽極）に印加される何れの電位（Ｖa1HまたはＶa1L）よりも低い。さらに詳述すると、電位Ｖa1Hおよび電位Ｖa1Lの各々は、選択電位Ｖc1Lに閾値電圧Ｖthを加算したレベルよりも高位である。したがって、選択期間Ｐselにおいて、発光素子Ｕは、第１配線１１に供給された電位（Ｖa1LまたはＶa1H）に応じた輝度に発光する。一方、非選択期間Ｐoffにおいて第２配線１２に供給される非選択電位Ｖc1Hは、第１配線１１（陽極）に印加される電圧（Ｖa1HまたはＶa1L）よりも高い。したがって、この非選択期間Ｐoffにおいては逆バイアスされるから発光素子Ｕは発光しない。
【００３１】
一方、電圧生成回路６６は、選択期間Ｐselおよび非選択期間Ｐoffの双方にわたって、第１遮断配線３１１に略一定の電位Ｖa0を供給するとともに第２遮断配線３１２に略一定の電位Ｖc0を供給する。このうち電位Ｖc0は、図７に示されるように、第１配線１１に供給される電位（Ｖa1LおよびＶa1H）や第１遮断配線３１１に供給される電位Ｖa0よりも高位である。一方、電位Ｖa0は、第２配線１２に供給される電位（Ｖc1HおよびＶc1L）や第２遮断配線３１２に供給される電位Ｖc0よりも低位である。
【００３２】
以上のような電位の関係において、発光体２０の陰極側に位置する第２遮断配線３１２の電位Ｖc0は、選択期間Ｐselおよび非選択期間Ｐoffの双方にわたって第１配線１１の電位（Ｖa1HおよびＶa1L）および第１遮断配線３１１の電位Ｖa0よりも高位となる。すなわち、交差領域Ａおよび交差領域Ｂにある発光体２０は逆バイアスされるから発光しない。また、発光体２０の陽極側に位置する第１遮断配線３１１の電位Ｖa0は、選択期間Ｐselおよび非選択期間Ｐoffの双方にわたって第２配線１２の電位（Ｖc1HおよびＶc1L）よりも低位となる。したがって、交差領域Ｃにある発光体２０は逆バイアスされるから発光しない。以上のように、第１配線１１または第１遮断配線３１１と第２配線１２または第２遮断配線３１２とが発光体２０を挟んで相互に対向するとは言っても、本実施形態においては第１配線１１と第２配線１２との交差領域Ｄのみを選択的に発光させることができるから、所期の画像を高精細に表示することが可能となる。
【００３３】
図５を参照しながら説明したように、発光層２３は、閾値電圧Ｖthを上回るレベルの順方向の電圧Ｖが印加されることによって発光する一方、陰極を基準としたときの陽極の電圧Ｖが閾値電圧Ｖthを下回る場合には発光しない。したがって、交差領域Ｂを発光させないためには、第２遮断配線３１２の電位Ｖc0を基準としたときの第１配線１１の高位側の電圧（Ｖa1H−Ｖc0）が閾値電圧Ｖthを下回る必要がある。つまり、第２遮断配線３１２の電位Ｖc0は、第１配線１１の高位側の電位Ｖa1Hから閾値電圧Ｖthを減算したレベルよりも高位（Ｖc0＞Ｖa1H−Ｖth）とされる。また、交差領域Ｃを発光させないためには、第２配線１２の低位側の電位（すなわち選択電位）Ｖc1Lを基準としたときの第１遮断配線３１１の電圧（Ｖa0−Ｖc1L）が閾値電圧Ｖthを下回る必要がある。つまり、第１遮断配線３１１の電位Ｖa0は、第２配線１２の低位側の電位Ｖc1Lに閾値電圧Ｖthを加算したレベルよりも低位（Ｖa0＜Ｖc1L＋Ｖth）とされる。さらに、交差領域Ａを発光させないためには、第２遮断配線３１２の電位Ｖc0を基準としたときの第１遮断配線３１１の電圧（Ｖa0−Ｖc0）が閾値電圧Ｖthを下回る必要がある。電圧生成回路６６は、以上の条件を満たすような電位Ｖc0および電位Ｖa0を生成して画素アレイ部Ａに供給する。
【００３４】
次に、図８および図９を参照して、本実施形態の発光装置Ｄを製造する方法について説明する。なお、図８に図示された断面は、図２におけるIII−III線の断面（図３に示された断面）に相当し、図９に図示された断面は、図２におけるIV−IV線の断面（図４に示された断面）に相当する。
【００３５】
まず、図８(a)に示されるように、基板１０の表面上に導電膜８１１が形成される。この導電膜８１１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する導電性の材料によって形成された膜体である。導電膜８１１の形成には、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などの成膜技術が利用される。次いで、図８(b)に示されるように、導電膜８１１の選択的な除去（パターニング）によって第１配線１１および第１遮断配線３１１が一括的に形成される。導電膜８１１のパターニングには、リソグラフィ技術やエッチング技術が利用される。
【００３６】
次に、図８(c)に示されるように、複数の発光素子Ｕにわたって連続するように各機能層を形成することによって発光体２０が作成される。この発光体２０を構成する各機能層の形成には、例えば、スピンコート法などの塗布技術やインクジェット法あるいはグラビア印刷法といった印刷技術が利用される。発光層２３は、各々が別個の色光（赤色・緑色・青色）を出射する複数の材料で形成されてもよいし、白色光を発光するように選定された材料で形成されてもよい。後者の場合には、複数のカラーフィルタと各カラーフィルタの間隙を遮光する遮光層（ブラックマトリクス）とが発光層２３の観察側に配置される。
【００３７】
続いて、図９(a)に示されるように、発光体２０の表面を被覆するように導電膜８１２が形成される。この導電膜８１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）といった光反射性を有する導電性の材料によって形成された膜体である。導電膜８１２の形成には、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などの成膜技術が利用される。次いで、図９(b)に示されるように、導電膜８１２のパターニングによって第２配線１２および第２遮断配線３１２が一括的に形成される。このパターニングには、リソグラフィ技術やエッチング技術が利用される。なお、発光体２０の表面のうち導電膜８１２が形成されない部分を物理マスクによって被覆したうえで、真空蒸着法やスパッタリング法などの成膜技術によって導電膜を成膜すること（いわゆるマスク蒸着）によって所望の形状の導電膜８１２を形成してもよい。以上の工程が完了すると、板状の封止材（図示略）が接着剤によって基板１０の表面に接着され、これによって各発光素子Ｕが基板１０と封止材との間隙に封止される。
【００３８】
以上に説明したように、本実施形態においては、複数の発光素子Ｕにわたって発光体２０が連続に形成されるから、この発光体２０を発光素子Ｕごとに電気的および機械的に分離するための工程（例えば発光素子Ｕの間隙に隔壁を形成する工程）は原理的に不要である。したがって、製造工程の簡素化および製造コストの低減を図ることができる。加えて、本実施形態においては、第１遮断配線３１１と第１配線１１とが共通の膜体から形成されるとともに第２遮断配線３１２と第２配線１２とが共通の膜体から形成されるから、各々が別個の工程で作成される場合と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減が図られる。
【００３９】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る発光装置Ｄについて説明する。
第１実施形態においてはパッシブマトリクス方式の発光装置Ｄを例示した。これに対し、本実施形態の発光装置Ｄは、各発光素子Ｕに流れる電流を制御するためのスイッチング素子が画素アレイ部Ａに配置されたアクティブマトリクス方式の表示装置である。なお、本実施形態のうち第１実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
【００４０】
図１０は、本実施形態におけるひとつの発光素子Ｕとその周辺の要素との構成を示す回路図である。同図に示されるように、Ｙ方向に延在する第１配線１１とＸ方向に延在する第２配線１２との交差に対応する位置には発光素子Ｕを含む画素回路Ｇが配置される。この画素回路Ｇは、発光素子Ｕの陽極と電源線との間に介挿されたｐチャネル型のトランジスタ（以下「駆動トランジスタ」という）Ｔdrと、この駆動トランジスタＴdrのゲートと第１配線１１との間に介挿されてゲートが第２配線１２に接続されたｎチャネル型のトランジスタ（以下「選択トランジスタ」という）Ｔswと、トランジスタdrのゲートとソースとの間に介在する容量素子Ｃとを含む。
【００４１】
以上の構成において、選択回路６１によって第２配線１２に供給される電位がアクティブレベル（ハイレベル）となって選択トランジスタＴswがオン状態になると、その時点においてデータ供給回路６３から第１配線１１に供給されている電位（すなわち発光素子Ｕの階調に応じた電位）が駆動トランジスタＴdrのゲートに印加され、これによって発光素子Ｕには第１配線１１の電位に応じた電流が供給される。また、このときに第１配線１１の電位に応じた電荷が容量素子Ｃに蓄積される。したがって、選択トランジスタＴswがオフ状態に遷移しても、容量素子Ｃに保持された電圧が駆動トランジスタＴdrのゲートに印加され続けることによって発光層２３には第１配線１１の電位に応じた電流が供給される。
【００４２】
次に、図１１は、基板１０の表面に形成された要素の形態を示す平面図である。また、図１２は、図１１におけるXII−XII線からみた断面図であり、図１３は、図１１におけるXIII−XIII線からみた断面図である。図１２および図１３に示されるように、本実施形態における基板１０の表面には素子層４０が形成される。この素子層４０は、基板１０の表面を被覆する絶縁層４１１と、図１０に示した各要素（駆動トランジスタＴdr・選択トランジスタＴsw・容量素子Ｃ）とを含む。図１３に示されるように、駆動トランジスタＴdrおよび選択トランジスタＴswの各々は、ゲート絶縁層４１２によって被覆された半導体層４３２と、ゲート絶縁層４１２を挟んで半導体層４３２のチャネル領域に対向するゲート電極４３４と、ゲート電極４３４を被覆する第１層間絶縁層４８１の表面上に形成されて半導体層４３２のドレイン領域に導通するドレイン電極４３６と、同じく第１層間絶縁層４８１の表面上に形成されて半導体層４３２のソース領域に導通するソース電極４３８とを含む。一方、容量素子Ｃは、半導体層４３２と共通の層から形成された第１電極４５１と、ゲート電極４３４と共通の層から形成された第２電極４５２とを、ゲート絶縁層４１２を挟んで対向させた構成となっている。各トランジスタ（Ｔdr・Ｔsw）および容量素子Ｃが形成された基板１０の表面は第２層間絶縁層４８２によって覆われる。
【００４３】
図１１および図１３に示されるように、第２層間絶縁層４８２の表面上には、各々が間隔をもってマトリクス状に配列された複数の画素電極１５が形成される。各画素電極１５は、発光素子Ｕの陽極として機能する略矩形状の電極であり、ＩＴＯなどの光透過性の導電材料によって形成される。各画素電極１５は、第２層間絶縁層４８２に形成されたコンタクトホール４９を介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極４３６に導通する。
【００４４】
また、第２層間絶縁層４８２の表面上には遮断配線３２が形成される。この遮断配線３２は、図１１に示されるように、各画素電極１５の間隙に形成された格子状の電極である。すなわち、遮断配線３２は、Ｘ方向に隣接する各画素電極１５の間隙にてＹ方向に延在する第１部分３２１と、Ｙ方向に隣接する各画素電極１５の間隙にてＸ方向に延在する第２部分３２２とを含む。遮断配線３２は、画素電極１５と共通の導電膜から形成される。したがって、遮断配線３２と各画素電極１５とは同じ材料によって形成された略等しい膜厚の電極である。
【００４５】
図１２および図１３に示されるように、遮断配線３２と各画素電極１５との周縁上には絶縁層３６が形成される。この絶縁層３６は、ＳｉＯ2やＳｉＮといった無機の絶縁材料、またはアクリル系やエポキシ系といった各種の樹脂材料によって形成される。なお、図１１においては絶縁層３６の図示が省略されている。
【００４６】
図１２および図１３に示されるように、画素電極１５および遮断配線３２が形成された基板１０の表面（第２層間絶縁層４８２の表面）は発光体２０によって覆われる。この発光体２０は、正孔注入層２１と発光層２３と電子注入層２５とを画素電極１５側からこの順番に積層した構造であり、第１実施形態と同様に、総ての発光素子Ｕにわたって連続するように形成される。さらに、発光層２３の表面上には、その全域にわたって連続するように導電膜１６が形成される。この導電膜１６は、例えばアルミニウムや銀といった導電性の材料からなる膜体であり、各発光素子Ｕの陰極として機能する。すなわち、本実施形態においては、画素電極１５とこれに対向する導電膜１６と両者に挟まれた発光体２０とによってひとつの発光素子Ｕが構成される。
【００４７】
図１１および図１２に示されるように、発光体２０の特定の部位には、これを厚さ方向に貫通する開口部ＣＨが形成される。本実施形態における開口部ＣＨは、図１１に示されるように基板１０と垂直な方向からみたときに、遮断配線３２の第１部分３２１と第２部分３２２とが交差する部分と重なり合う部位の幾つかに形成される。図１２に示されるように、発光体２０を被覆する導電膜１６は開口部ＣＨの内側に入り込んでその底部に位置する遮断配線３２に接触する。したがって、遮断配線３２と導電膜１６とは電気的に導通して略同電位となる。
【００４８】
以上のように、本実施形態においても第１実施形態と同様に、各発光素子Ｕとこれに隣接する他の発光素子Ｕとの間隙に遮断配線３２が介在するから、発光体２０が複数の発光素子Ｕにわたって連続する構成にも関わらず、相互に隣接する各発光素子Ｕ間にわたる漏れ電流を有効に抑制することができる。したがって、本実施形態によっても、この漏れ電流に起因した輝度のムラや混色を回避することができる。
【００４９】
また、本実施形態においては、遮断配線３２と導電膜１６とが同電位となるから、導電膜１６を基準としたときの遮断配線３２の電圧は発光層２３の閾値電圧Ｖthを常に下回る。したがって、発光体２０のうち遮断配線３２と導電膜１６とによって挟まれた部分は発光しない。すなわち、本実施形態によれば、画素電極１５が形成された部分のみ（より厳密には絶縁層３６の内周縁によって囲まれた領域）を選択的に発光させることができるから、所期の画像を高精細に表示することが可能となる。
【００５０】
例えばいま、白色光を発光する発光素子Ｕの観察側に複数色のカラーフィルタと各発光素子の間隙を遮光する遮光層（いわゆるブラックマトリクス）が配置された構成を想定する。遮断配線３２が形成されない従来の構成のもとでは、相互に隣接する各発光素子Ｕ間の領域（すなわち遮光層と重なり合う領域）に漏れ電流が流れるため、発光素子Ｕに対する所望の電流の供給が阻害され、この結果として各発光素子Ｕの輝度が不足する場合が生じ得る。この場合に発光素子Ｕを所期の輝度に発光させるためには発光素子Ｕに供給する電流を増大させる必要がある。また、各発光素子Ｕの輝度が漏れ電流に起因してバラつく可能性もある。これに対し、本実施形態によれば、相互に隣接する各発光素子Ｕ間の漏れ電流が遮断配線３２によって遮断される。すなわち、画素電極１５と導電膜１６との間に流れる電流の殆どを画像の表示のために利用することができる（つまり遮光層によって被覆された部分の発光に浪費されない）。このように、所望の輝度に対応した電流が高い精度で発光素子Ｕに供給されるから、階調特性や色再現性に優れた高品位な表示が実現される。換言すると、発光素子Ｕを所望の輝度に発光させるために当該発光素子Ｕに供給しなければならない電流量を低減することができるから、発光素子Ｕ間で電流が浪費される従来の構成と比較して消費電力の低減を図ることができる。
【００５１】
ところで、遮断配線３２と導電膜１６とを導通させるための構成としては、例えば、遮断配線３２および導電膜１６の各々に接続された配線を画素アレイ部Ａの周辺の領域（いわゆる額縁領域）まで引き出してその領域で両者を導通させる構成も考えられる。しかしながら、この構成においては、遮断配線３２および導電膜１６に接続された配線や両者を導通させる開口部のスペースを画素アレイ部Ａの周辺に確保する必要があるため、額縁領域を狭小化することが困難となるという問題がある。これに対し、本実施形態においては、画素アレイ部Ａの内部に位置する開口部ＣＨを介して遮断配線３２と導電膜１６とが導通するから、このような問題を解消して額縁領域を充分に狭小化することができる。
【００５２】
次に、図１４および図１５を参照して、本実施形態に係る発光装置Ｄを製造する方法について説明する。なお、図１４に図示された断面は、図１１におけるXIII−XIII線の断面（図１３に図示された断面）に相当し、図１５に図示された断面は、図１１におけるXII−XII線の断面（図１２に図示された断面）に相当する。
【００５３】
まず、公知である各種の技術によって基板１０の表面上に素子層４０が形成される。そして、図１４(a)に示されるように、ＩＴＯなどの導電性の材料からなる導電膜８２１が素子層４０の表面の全域を覆うように形成される。このときに導電膜８２１は第２層間絶縁層４８２のコンタクトホール４９を介して駆動トランジスタＴdrのドレイン電極に導通する。導電膜８２１の形成には真空蒸着法やスパッタリング法など各種の成膜技術が利用される。次いで、図１４(b)に示されるように、リソグラフィ技術やエッチング技術を利用した導電膜８２１のパターニングによって遮断配線３２と各画素電極１５とが一括的に形成される。
【００５４】
さらに、遮断配線３２と各画素電極１５との間隙を覆うように絶縁層３６が形成される。そして、図１４(c)に示されるように、複数の機能層（正孔注入層２１・発光層２３・電子注入層２５）を積層した発光体２０が複数の発光素子Ｕにわたって連続するように形成される。この発光体２０の形成については第１実施形態において説明した通りである。
【００５５】
次に、図１５に示されるように、発光体２０を厚さ方向に貫通する開口部ＣＨが形成される。この開口部ＣＨは、レーザアブレーション技術やエッチング技術を利用して発光体２０を選択的に除去することによって形成される。開口部ＣＨの位置や個数は、遮断配線３２と導電膜１６とが略同電位となるように適宜に選定される。例えば、図１１に示されるように、遮断配線３２のうち第１部分３２１と第２部分３２２とが交差する部分と重なり合う部位の幾つかに対応するように開口部ＣＨを形成してもよいし、第１部分３２１と第２部分３２２とが交差する部分と重なり合う総ての部位に開口部ＣＨを形成してもよい。
【００５６】
続いて、図１３に示したように、発光層２３を被覆する導電膜１６が形成される。この導電膜１６は、アルミニウムや銀を材料として真空蒸着法やスパッタリング法などの成膜技術によって形成される。こうして成膜された導電膜１６は開口部ＣＨに入り込んで遮断配線３２と導通する。以上の工程が完了すると、導電膜１６を覆うように封止材が配置される。
【００５７】
以上に説明したように、本実施形態によれば、各画素電極１５と遮断配線３２とが共通の導電膜８２１から一括的に形成されるから、各々が別個の工程で形成される場合と比較して製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。また、本実施形態においては、発光体２０に開口部ＣＨを形成するという極めて簡易な工程によって導電膜１６と遮断配線３２とを導通させることができる。
【００５８】
＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る発光装置Ｄの構成を説明する。
以上の各実施形態においては、マトリクス状に配列された複数の発光素子Ｕによって画像を表示する表示装置に本発明を適用した形態を例示した。これに対し、本実施形態は、光書込み型の画像形成装置（プリンタや複写機）において感光体ドラムなどの感光体を露光して潜像を形成するためのヘッドに本発明を適用した形態である。なお、本実施形態のうち第１実施形態や第２実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
【００５９】
図１６は、基板１０の表面上に配置された要素の形態を示す平面図である。また、図１７は、図１６におけるXVII−XVII線からみた断面図である。これらの図に示されるように、基板１０の表面上には、各々がひとつの発光素子Ｕの陽極として機能する複数の画素電極１５がＸ方向に沿って直線状に（より具体的にはＸ方向に沿って２列かつ千鳥状に）配列される。これらの画素電極１５の各々には、これに連結された配線１８を介して、感光体に形成されるべき画像（潜像）に応じた電位がデータ供給回路６３から供給される。なお、画素電極１５の配列のパターンは図１６の例示に限定されず、単列または３列以上であってもよいし他の適切なパターンであってもよい。
【００６０】
さらに、基板１０の表面には、各画素電極１５の間隙に沿うように遮断配線３３が形成される。この遮断配線３３は、Ｘ方向に隣接する各画素電極１５の間隙に形成されてＹ方向に延在する第１部分３３１と、Ｘ方向に沿う画素電極１５の各列の間隙に形成されてＸ方向に延在する第２部分３３２とを含む。本実施形態における遮断配線３３は、各画素電極１５や各配線１８と共通の導電膜から形成される。遮断配線３３（およびこれと同層からなる画素電極１５）は、アルミニウムや銀といった遮光性を有する材料によって形成される。したがって、遮断配線３３は、各発光素子Ｕの間隙を遮光する遮光層としても機能する。
【００６１】
第２実施形態と同様に、遮断配線３３の周縁および各画素電極１５の周縁には絶縁層３６が形成される。さらに、画素電極１５および遮断配線３３が形成された基板１０の表面上には発光体２０が形成される。この発光体２０は、各実施形態と同様に、複数の発光素子Ｕにわたって連続するように形成される。発光体２０の表面は導電膜１６によって覆われる。この導電膜１６は、各発光素子Ｕの陰極として機能する電極であり、複数の発光素子Ｕにわたって連続に形成される。導電膜１６は、第２実施形態と同様に、発光体２０に形成された開口部（図示略）を介して遮断配線３３に導通する。したがって、発光体２０のうち各発光素子Ｕの間隙に対応する部分（特に遮断配線３３と重なり合う部分）は発光しない。
【００６２】
以上に説明したように、本実施形態においても、相互に隣接する各発光素子Ｕの間隙に形成された遮断配線３３によって各発光素子Ｕ間にわたる漏れ電流が遮断されるから、この漏れ電流に起因した輝度のムラや混色は有効に回避される。したがって、本実施形態の発光装置Ｄを露光装置として利用した画像形成装置においては、感光体の表面に高精細な潜像を形成することができる。
【００６３】
＜Ｄ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００６４】
（１）変形例１  
第１および第２実施形態においては、Ｘ方向に隣接する各発光素子Ｕの間隙およびＹ方向に隣接する各発光素子Ｕの間隙の双方に遮断配線が形成された構成を例示したが、このうち一方のみに遮断配線が形成された構成としてもよい。例えば、第１実施形態においては、第１遮断配線３１１および第２遮断配線３１２の一方のみを形成した構成が採用される。第１遮断配線３１１のみを形成した構成（第２配線１２間に第２遮断配線３１２が介在しない構成）においても、Ｘ方向に隣接する発光素子Ｕ間の漏れ電流は第１遮断配線３１１によって遮断されるから、漏れ電流を抑制するという本発明の所期の効果は確かに奏される。また、第２実施形態の構成において、遮断配線３２を第１部分３２１および第２部分３２２の一方のみによって構成した場合も同様である。このように、本発明においては、発光素子Ｕの配列面（基板１０の表面）に垂直な方向からみて、相互に隣接する一の発光素子Ｕと他の発光素子Ｕとの間隙に遮断配線が形成された構成であれば足りる。
【００６５】
（２）変形例２  
各実施形態においては、発光体２０を構成する総ての機能層が複数の発光素子Ｕにわたって連続する構成を例示したが、このうちの幾つかの機能層が発光素子Ｕごとに個別に区分されていてもよい。例えば、機能層のうち正孔注入層や電子注入層は特に抵抗が低いため漏れ電流を流し易い。そこで、正孔注入層２１や電子注入層２５（つまり発光体２０のうち抵抗が低い順に選択された幾つかの機能層）は発光素子Ｕごとに分離して形成する一方、比較的に抵抗が高い発光層２３が複数の発光素子Ｕにわたって連続するといった構成としてもよい。また、各機能層が総ての発光素子Ｕにわたって連続する必要は必ずしもない。例えば、素子アレイ部Ａを構成する発光素子Ｕを所定の個数ごとに複数のグループに区分し、グループごとに機能層を形成した構成（すなわちひとつのグループに属する複数の発光素子Ｕにわたって少なくともひとつの機能層が連続する構成）としてもよい。
【００６６】
（３）変形例３  
発光装置Ｄを製造する方法は各実施形態における例示に何ら限定されない。例えば、第１実施形態においては、第１遮断配線３１１と第１配線１１、あるいは第２遮断配線３１２と第２配線１２とをそれぞれ別個の工程で形成してもよい。同様に、第２実施形態においては、遮断配線３２と各画素電極１５とを別個の工程で形成してもよい。
【００６７】
（４）変形例４  
各実施形態においては、発光体２０に対して基板１０側に陽極（第１実施形態の第１配線１１・第２実施形態および第３実施形態の画素電極１５）が配置されるとともに発光体２０に対して基板１０とは反対側に陰極（第１実施形態の第２配線１２・第２実施形態および第３実施形態の導電膜１６）が配置された構成を例示したが、発光体２０に対して基板１０側に陰極が位置するとともに基板１０とは反対側に陽極が配置された構成としてもよい。
【００６８】
（５）変形例５  
第２実施形態においては、素子アレイ部Ａの発光体２０に形成された開口部ＣＨを介して遮断配線３２と導電膜１６とが導通する構成を例示したが、素子アレイ部Ａの外側の領域（額縁領域）で双方が導通する構成としてもよい。また、遮断配線３２と導電膜１６とが直接に接触している必要は必ずしもない。要するに、遮断配線３２と導電膜１６とが同電位であれば足りる。
【００６９】
（６）変形例６  
各実施形態においては有機ＥＬ材料からなる発光層２３を含む発光体２０を例示したが、発光層が無機ＥＬ材料によって形成された発光装置やＬＥＤ（Light Emitting Diode）が発光素子として配列された発光装置にも本発明は適用される。すなわち、本発明における発光素子は、電流の供給によって発光する発光層を含む構成であれば足り、その具体的な材料や形態の如何は不問である。
【００７０】
＜Ｅ：応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１８は、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置Ｄを表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置Ｄと本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置Ｄは発光素子Ｕに有機ＥＬ材料を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００７１】
図１９に、実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。
【００７２】
図２０に、実施形態に係る発光装置Ｄを適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置Ｄを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置Ｄに表示される。
【００７３】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１８から図２０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込みヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の発光装置Ｄは利用される。本発明にいう電子回路とは、各実施形態のように表示装置の画素を構成する単位回路のほか、画像形成装置における露光の単位となる回路をも含む概念である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の全体の構成を示すブロック図である。
【図２】基板上の要素の形態を示す平面図である。
【図３】図２におけるIII−III線からみた断面図である。
【図４】図２におけるIV−IV線からみた断面図である。
【図５】発光層の特性を説明するためのグラフである。
【図６】ひとつの発光素子とその周辺の配線との形態を示す平面図である。
【図７】発光装置において使用される各電位の高低の関係を示すタイミングチャートである。
【図８】発光装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図９】発光装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るひとつの画素回路の構成を示す回路図である。
【図１１】基板上の要素（特に画素電極と遮断配線）の形態を示す平面図である。
【図１２】図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。
【図１３】図１１におけるXIII−XIII線からみた断面図である。
【図１４】発光装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図１５】発光装置を製造する工程を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る発光装置の基板上の要素の形態を示す平面図である。
【図１７】図１６におけるXVII−XVII線からみた断面図である。
【図１８】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１９】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図２０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７５】
Ｄ……発光装置、Ｕ……発光素子、１０……基板、Ａ……画素アレイ部、１１……第１配線、１２……第２配線、１５……画素電極、１６……導電膜、２０……発光体、２１……正孔注入層、２３……発光層、２５……電子注入層、ＣＨ……開口部、３１１……第１遮断配線、３１２……第２遮断配線、３２，３３……遮断配線、３２１，３３１……第１部分、３２２，３３２……第２部分、６１……選択回路、６３……データ供給回路、６６……電圧生成回路、８１１，８１２，８２２……導電膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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