(57)【要約】【課題】ポリマーを、１次エッチングしたシリコン基板の傾斜面上にクラッド層として形成した精密なミラー面を持つマイクロミラーマイクロミラーを提供する。【解決手段】第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２が対向するように形成されたシリコン基板４０と、第１傾斜面４１及び第２傾斜面上４２にそれぞれ形成された第１ミラー面５１及び第２ミラー面５２を備えたクラッド層５０と、を備え、クラッド層５０が光反射面となるマイクロミラーである。【選択図】図２
2006106753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１傾斜面及び第２傾斜面が対向するように形成されたシリコン基板と、
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面上にそれぞれ形成された第１ミラー面及び第２ミラー面を備えたクラッド層と、
を備え、
前記クラッド層が光反射面であることを特徴とするマイクロミラー。
【請求項２】
前記クラッド層は、ＵＶ硬化ポリマー、熱硬化性ポリマーまたは熱可塑性ポリマーから形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラー。
【請求項３】
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面は、前記シリコン基板の下面に対し、５４．７４°の傾斜角を有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラー。
【請求項４】
前記第１傾斜面は、前記シリコン基板の下面に対し、４５°の傾斜角を有し、
前記第２傾斜面は、前記シリコン基板の下面に対し、６４．４８°の傾斜角を有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラー。
【請求項５】
前記第１ミラー面及び／又は第２ミラー面は、前記シリコン基板の下面に対し、４５°の傾斜角を有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラー。
【請求項６】
（ａ）シリコンウェハの上面に第１マスク膜を形成するとともに、前記シリコンウェハの下面に第２マスク膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１マスク膜をパターニングして前記シリコンウェハの所定領域を露出させるエッチング窓を形成する工程と、
（ｃ）前記エッチング窓を通じて前記シリコンウェハをウェットエッチングして対向する１組の傾斜面を形成する工程と、
（ｄ）前記シリコンウェハ上にスピンコーティングでポリマー層を形成する工程と、
（ｅ）前記エッチング窓に、基板上に備えられたモールドを挿入しつつ前記ポリマー層を加圧して、前記傾斜面に対応するミラー面を備えるクラッド層を形成する工程と、
（ｆ）前記モールドを前記シリコンウェハから除去する工程と、
（ｇ）前記シリコンウェハをダイシングしてマイクロミラーを形成する工程と、
を含むことを特徴とするマイクロミラーの製造方法。
【請求項７】
前記シリコンウェハは、（１００）面を持ち、
前記傾斜面は、前記シリコンウェハの下面に対し、５４．７４°の傾斜角を有し、
前記ミラー面は、前記シリコンウェハの下面に対し、４５°の傾斜角を有する
ことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーの製造方法。
【請求項８】
前記シリコンウェハは、（１００）面を持ち、＜１１１＞方向軸に対して９．７４°の傾斜角を有し、
前記傾斜面は、前記シリコンウェハの下面に対し、それぞれ４５°及び６４．４８°の傾斜角を有する
ことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーの製造方法。
【請求項９】
前記モールドは、
対応する前記傾斜面と噛み合う傾斜で形成され、
前記ミラー面は、
それぞれ前記シリコンウェハの下面に対し、４５°及び６４．４８°の傾斜角を有するように形成された
ことを特徴とする請求項８に記載のマイクロミラーの製造方法。
【請求項１０】
前記ポリマー層は、
ＵＶ硬化ポリマーであり、
前記モールド及び前記基板は、
透光性物質から形成され、
前記（ｅ）工程は、
前記基板上からＵＶを照射させて前記ポリマー層を硬化させる工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーの製造方法。
【請求項１１】
前記ポリマー層は、
熱硬化性ポリマーまたは熱可塑性ポリマーであり、
前記（ｅ）工程は、
前記ポリマー層を加熱する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーの製造方法。
【請求項１２】
前記（ｃ）工程は、
前記第１マスク膜及び前記第２マスク膜を除去する工程と、
前記シリコンウェハの下部にプレートを配置する工程と、
をさらに含み、
前記（ｆ）工程は、
前記プレートを前記シリコンウェハから除去し、前記ミラー面の間にホールを形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロミラー及びその製造方法に係り、より詳細には、マイクロミラーの反射面の角度及び表面形状の精度を得るために、一次的にシリコンの異方性のウェットエッチングで形成したマイクロミラーの反射面にポリマーを塗布した後、ポリマーを所定角度及び所定形状に精密に製造したモールドでプレスしてポリマーの反射面の角度及び表面を精密に形成するマイクロミラー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロミラーは、光ピックアップ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｉｃｋｕｐ）、光通信システム、光情報処理装置（ｏｐｔｉｃａｌ  ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）などに使われる。光ピックアップが使われる光情報記録装置（ｏｐｔｉｃａｌ  ｄａｔａ  ｓｔｏｒａｇｅ  ｄｅｖｉｃｅ）は、光ディスクに情報を記録し、光ディスクに記録した情報を再生する。光ディスクは、媒体の配布性、携帯性、高容量、情報のコピー防止などの利点により他の情報記録装置より優れている。
【０００３】
このような光情報記録装置は、光エネルギを小さなスポットに集束させて高記録密度を達成できるように使用する光源の波長を低め、対物レンズの開口数（ＮＡ；Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高める方向に開発が進んでいる。例えば、ＣＤ用の光情報記録装置は、７８０ｎｍの波長を持つ光源及び０．４５の開口数を持つ対物レンズを採用しており、ＤＶＤ用の光情報記録装置は、６５０ｎｍの波長を持つ光源及び０．６の開口数を持つ対物レンズを採用する。
【０００４】
最近では、光ディスクを携帯型情報機器に採用しようとする情勢によって超小型の光ピックアップの開発が活発に進んでいる。従来技術では、光ピックアップ及びそれを備える光情報記録装置を小型化するために光学部品のサイズを小さくすることによって光学システムを小型化する方法が主に採用されてきたが、技術的に既に限界に到達している。このような点を鑑みて光ピックアップの製造において半導体製造工程を利用しようとする試みがある。既存の光ピックアップの製造工程は、数ｍｍ単位の光学部品を組立てる過程で、各部品相互間の光軸の調整に長時間かかり、自動化率が低くなるという短所があった。
【０００５】
そのため、光ピックアップを半導体工程で製造する方法が開発された（例えば、特許文献１）この光ピックアップを半導体工程で製造する場合、ウェハレベルで製造できて量産が可能であり、小型化でき、組立及び調整が容易であるという長所がある。
【０００６】
図１Ａないし図１Ｄは、従来のマイクロミラーを半導体工程で製造する方法を示した図面である。
【０００７】
図１Ａに示すように、シリコンインゴットを、（１００）面から＜１１１＞方向に対して９．７４°の軸はずし（ｏｆｆ−ａｘｉｓ）となるようにシリコンウェハ１０を切断する。シリコンウェハ１０は、約５００μｍの厚さに形成する。シリコンウェハ１０の両面にエッチングマスク膜２１、２２を形成する。
【０００８】
図１Ｂに示すように、フォトリソグラフィ工程でエッチング窓２３を上面のエッチングマスク膜２１に形成する。
【０００９】
図１Ｃに示すように、エッチング窓２３が形成されたシリコンウェハ１０を、適正温度に維持したＫＯＨ、ＴＭＡＨなどのシリコン異方性エッチング液に浸漬してウェットエッチングする。所定時間エッチングが進めば、シリコンウェハ１０の下面に対して４５°及び６４．４８°傾斜角が形成される。符号１２は、エッチング停止時に現れた４面の（１１１）面である傾斜面のうち一つを表す。
【００１０】
図１Ｄに示すように、エッチングマスク膜２１、２２を除去した後、４５°の傾斜角を有する傾斜面１１を使用するためシリコンウェハ１０を切断する。
【００１１】
マイクロミラーはウェハレベルで製造可能であり、長波長の光源を使用するか、またはエッチング深さが浅い場合に面精度を得られる。しかし、このような従来のマイクロミラーの製造方法では、エッチング深さが数百μｍ以上である場合、表面の形状精度を、一般的な光ピックアップ用の光学部品で要求される形状精度であるλ／６以下、（例えば、短波長（４０５ｎｍ）を使用するブルーレイ光ディスクの場合、約７０ｎｍ以下）に製造し難い。高精密ミラーを製造するためには、正確な結晶方向を持つように切断され、不純物の濃度を極めて低くした高品質のシリコンウェハを使用しなければならない。また、エッチング液の濃度、温度、攪拌などのエッチング工程の条件及び装置も厳格に制御しなければならないので、必然的にコストアップになる。
【特許文献１】米国特許公開第２００１／００４８５４８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前述した従来技術の問題点を改善するためのものであり、ポリマーを、１次エッチングしたシリコン基板の傾斜面上にクラッド層として形成した精密なミラー面を持つマイクロミラーと、マイクロミラーをウェハレベルで製造する方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の目的を達成するために本発明のマイクロミラーは、第１傾斜面及び第２傾斜面が対向するように形成されたシリコン基板と、前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面上にそれぞれ形成された第１ミラー面及び第２ミラー面を備えたクラッド層と、を備え、前記クラッド層が光反射面である。
【００１４】
前記クラッド層は、ＵＶ硬化ポリマー、熱硬化性ポリマーまたは熱可塑性ポリマーから形成されていることが好ましい。
【００１５】
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面は、前記シリコン基板の下面に対し、５４．７４°の傾斜角を有することが好ましい。
【００１６】
前記第１傾斜面は、前記シリコン基板の下面に対し、４５°の傾斜角を有し、前記第２傾斜面は、前記シリコン基板の下面に対し、６４．４８°の傾斜角を有することが好ましい。
【００１７】
前記第１ミラー面及び／又は第２ミラー面は、前記シリコン基板の下面に対し、４５°の傾斜角を有することが好ましい。
【００１８】
前記の他の目的を達成するために本発明のマイクロミラーの製造方法は、（ａ）シリコンウェハの上面に第１マスク膜を形成するとともに、前記シリコンウェハの下面に第２マスク膜を形成する工程と、（ｂ）前記第１マスク膜をパターニングして前記シリコンウェハの所定領域を露出させるエッチング窓を形成する工程と、（ｃ）前記エッチング窓を通じて前記シリコンウェハをウェットエッチングして対向する１組の傾斜面を形成する工程と、（ｄ）前記シリコンウェハ上にスピンコーティングでポリマー層を形成する工程と、（ｅ）前記エッチング窓に、基板上に備えられたモールドを挿入しつつ前記ポリマー層を加圧して、前記傾斜面に対応するミラー面を備えるクラッド層を形成する工程と、（ｆ）前記モールドを前記シリコンウェハから除去する工程と、（ｇ）前記シリコンウェハをダイシングしてマイクロミラーを形成する工程と、を含む。
【００１９】
前記シリコンウェハは、（１００）面を持ち、前記傾斜面は、前記シリコンウェハの下面に対し、５４．７４°の傾斜角を有し、前記ミラー面は前記シリコンウェハの下面に対し、４５°の傾斜角を有することが好ましい。
【００２０】
前記シリコンウェハは、（１００）面を持ち、＜１１１＞方向軸に対して９．７４°の傾斜角を有し、前記傾斜面は、前記シリコンウェハの下面に対し、それぞれ４５°及び６４．４８°の傾斜角を有することが好ましい。
【００２１】
前記モールドは、対応する前記傾斜面と噛み合う傾斜で形成され、前記ミラー面は、それぞれ前記シリコンウェハの下面に対し、４５°及び６４．４８°の傾斜角を有するように形成されたことが好ましい。
【００２２】
前記ポリマー層は、ＵＶ硬化ポリマーであり、前記モールド及び前記基板は、透光性物質から形成され、前記（ｅ）工程は、前記基板上からＵＶを照射させて前記ポリマー層を硬化させる工程をさらに含むことが好ましい。
【００２３】
前記ポリマー層は、熱硬化性ポリマーまたは熱可塑性ポリマーであり、前記（ｅ）工程は、前記ポリマー層を加熱して硬化させる工程をさらに含むことが好ましい。
【００２４】
前記（ｃ）工程は、前記第１マスク膜及び前記第２マスク膜を除去する工程と、前記シリコンウェハの下部にプレートを配置する工程と、をさらに含み、前記（ｆ）工程は、前記プレートを前記シリコンウェハから除去し、前記ミラー面の間にホールを形成する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ウェハ上にマイクロミラーを形成した後、ダイシングすることによってマイクロミラーを低コストで量産できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態によるマイクロミラー及びその製造方法を、図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
図２は、本発明の第１実施形態に係るマイクロミラーの断面図である。
図２に示すように、（１００）面を持つシリコン基板４０において、ウェットエッチングで対向する第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２がシリコン基板４０の下面に対して縮径方向に（以下、「シリコン基板４０の下面に対して」という。）５４．７４°の傾斜角を有するように形成されている。符号４５は、エッチング停止時に現れた４面の（１１１）面のうち一つを表す。第１傾斜面４１及び第２傾斜面４２上には、それぞれ第１ミラー面５１及び第２ミラー面５２がクラッド層５０として形成されている。面４５上にもクラッド層５０と同じ物質をコーティングしてもよい。なお、クラッド層５０は、光反射面である。
【００２８】
第１ミラー面５１及び第２ミラー面５２は、シリコン基板４０の下面に対して４５°の傾斜角を有するように形成されている。クラッド層５０は、ＵＶ硬化ポリマー、熱硬化性ポリマー、熱可塑性ポリマーで形成できる。
【００２９】
図３及び図４は、本発明に係るマイクロミラーが使われる光ピックアップの構造を示す図面である。
図３及び図４に示すように、光ピックアップは、板状の光学ベンチ１１０と、光学ベンチ１１０の下面にダイシングされたマウント１２２及びマウント１２２の下面に装着される光源１２５を備える。また、光ピックアップ装置は、レンズ部１３０、ミラー部１４０及び光路分離部１５０を備える。
【００３０】
光学ベンチ１１０には、光源１２５からの光が通過する光通過孔１１３が形成されている。
【００３１】
光源１２５から出射される光は、光学ベンチ１１０に設けられた光通過孔１１３を通過して情報記録媒体１００に入射され、また、情報記録媒体１００から反射された光は光通過孔１１３を通じて第１ミラー１４０ａに入射される。
【００３２】
光学ベンチ１１０の下面に、メイン光検出器１１５及びモニタ光検出器１１９が設けられている。モニタ光検出器１１９は、光源１２５から出射される光の一部を直接受光して、光源１２５の光量を示すモニタリング信号を発生させる。メイン光検出器１１５は、情報記録媒体１００から反射される光を受光して、情報再生信号（ＲＦ信号）及びサーボ駆動に使われるエラー信号（例えば、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号及び／又はチルトエラー信号）を検出する。
【００３３】
レンズ部１３０は、光源１２５から入射された光を集束して情報記録媒体１００に光スポットを形成する。レンズ部１３０は、例えば、屈折レンズ、回折レンズ、屈折率分布（ＧＲＩＮ：Ｇｒａｄｉｅｎｔ  Ｉｎｄｅｘ）レンズである。
【００３４】
ミラー部１４０は、光学ベンチ１１０の下面の一端に設けられて光源１２５からの光を光通過孔１１３に反射させ、情報記録媒体１００に入射させる第１ミラー１４０ａと、光学ベンチ１１０の下面の他端に設けられて情報記録媒体１００で反射されて第１ミラー１４０ａから伝えられた反射光をメイン光検出器１１５に入射させる第２ミラー１４０ｂとを備える。第１ミラー１４０ａ及び第２ミラー１４０ｂを備えるミラー部１４０は、第１実施形態に係るマイクロミラーに代替可能である。
【００３５】
光路分離部１５０は、光源１２５から出射されて情報記録媒体１００に入射される光路と情報記録媒体１００から反射される光路とを分離する。例えば、光路分離部１５０は、回折光学素子、すなわち、ＨＯＥ（Ｈｏｌｏｇｒａｍ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）またはＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）を備える。したがって、光路分離部１５０は、情報記録媒体１００に向かう光を直進透過させ、情報記録媒体１００で反射された光を回折透過させることにより、光路を分離する。具体的には、情報記録媒体１００で反射されて光路分離部１５０を回折透過した光は、情報記録媒体１００側に進む光に対して斜めに進み、第２ミラー１４０ｂで反射されてメイン光検出器１１５に受光される。
【００３６】
図５は、第１実施形態の変形例を示す断面図である。なお、第１実施形態と同じ部材には同じ符号をつけて詳細な説明は省略する。
図５に示すように、第１ミラー面５１と第２ミラー面５２との間のシリコン基板４０の底がクラッド層５０で覆われている。このクラッド層５０は、第１ミラー面５１及び第２ミラー面５２をスピンコーティングで形成する時に形成されたものであり、マイクロミラーが光ピックアップに使われるときに外部のホコリから光ピックアップを保護する。
【００３７】
図６は、第２実施形態に係るマイクロミラーの断面図である。
図６に示すように、シリコン基板２４０は、（１００）面から＜１１１＞方向に９．７４°の軸はずしとなるように切断され、シリコン基板２４０は、ウェットエッチングにより形成された対向する第１傾斜面２４１及び第２傾斜面２４２を有し、第１傾斜面２４１及び第２傾斜面２４２は、シリコン基板２４０の下面に対し、それぞれ４５°及び６４．４８°の傾斜角を有している。符号２４５は、エッチング停止時に現れた４面の（１１１）結晶面のうちの一つを表す。
【００３８】
第１傾斜面２４１及び第２傾斜面２４２上には、それぞれ第１ミラー面２５１及び第２ミラー面２５２がクラッド層２５０として形成されている。面２４５上にもクラッド層２５０と同じ物質をコーティングすることができる。
【００３９】
第１ミラー面２５１及び第２ミラー面２５２は、シリコン基板２４０の下面に対してそれぞれ４５°及び６４．４８°の傾斜角を有している。クラッド層２５０は、例えば、ＵＶ硬化ポリマー、熱硬化性ポリマー、熱可塑性ポリマーで形成できる。なお、クラッド層５０は、光反射面である。
【００４０】
次に、実施形態に係るマイクロミラーをウェハレベルで量産する製造工程を、図面を参照して詳細に説明する。
【００４１】
図７は、本発明の第３実施形態に係るマイクロミラーの製造方法に使われるモールドを説明する図面である。基板３５０上にモールド３６０を整列して固着させる。モールド３６０には、製造しようとするマイクロミラーのミラー面と同じ傾斜角を持つ傾斜面が両側に形成されている。
【００４２】
この傾斜角は、それぞれ基板３５０の上面に対し４５°及び／又は６４．４８°になる。基板３５０としては、ガラス、シリコン、超硬合金、金属などが使われる。モールド３６０としては、ガラス、シリコン、超硬合金、金属などが使われる。
【００４３】
図８Ａないし図８Ｆは、本発明の第３実施形態によるマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
図８Ａに示すように、シリコンインゴットを（１００）面から＜１１１＞方向に対して９．７４°の軸はずしとなるようにシリコンウェハ３００を切断する。シリコンウェハ３００は、ほぼ５００μｍの厚さに形成する。シリコンウェハ３００の両面にエッチングマスク膜３０１、３０２を形成する。エッチングマスク膜３０１、３０２は、酸化ケイ素、窒化ケイ素などで形成できる。
【００４４】
図８Ｂに示すように、フォトリソグラフィ工程で長方形のエッチング窓３１０をマスク膜３０１に形成する。
【００４５】
図８Ｃに示すように、エッチング窓３１０が形成されたシリコンウェハ３００を、適正温度に維持したＫＯＨ、ＴＭＡＨなどのシリコン異方性エッチング液（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｅｔｃｈａｎｔ）に浸漬してウェットエッチングを行う。所定時間エッチングを行えば、シリコンウェハ３００の上面に対し４５°の角度を有する傾斜面３１１及びシリコンウェハ３００の上面に対し６４．４８°の角度を有する傾斜面３１２がエッチング窓３１０を通じて形成される。図面には図示していないが、図面の正面に見られる面には、エッチング停止時に現れた４面の（１１１）結晶面のうち一つが形成される。
【００４６】
図８Ｄに示すように、シリコンウェハ３００上にクラッド層３２０を形成する。クラッド層３２０は、ポリマー、例えば、ＵＶ硬化ポリマーをスピンコーティングして形成する。
【００４７】
図８Ｅに示すように、複数のモールド３６０が形成された基板３５０をシリコンウェハ３００に重ねた状態で、モールド３６０を対応するエッチングされた領域に嵌め込みつつ加圧する。このとき、モールド３６０の傾斜面と対応する傾斜面３１１、３１２の角度を一致させる。次いで、基板３５０の上部から紫外線を照射すれば、ＵＶ硬化ポリマーは硬化する。したがって、基板３５０とモールド３６０は光透過性（透明）を有する物質からなる必要がある。
【００４８】
図８Ｆに示すように、基板３５０及びモールド３６０をシリコンウェハ３００から除去する。次いで、エッチングマスク膜３０１、３０２を除去する。それにより、傾斜面３１１、３１２上にシリコンウェハ３００の上面に対しそれぞれ４５°の傾斜角を有するミラー面３２１及び６４．４８°の傾斜角を有するミラー面３２２が形成される。したがって、対向するミラー面３２１、３２２が形成されたマイクロミラーがシリコンウェハ３００上に形成される。シリコンウェハ３００をダイシングすれば、大量のマイクロミラーを製造できる。マイクロミラーは、ダイシングする位置によって、ミラー面３２１、３２２間に一つまたは二つの面（図２の面４５参照）を持ってもよく、また、ミラー面３２１、３２２を独立的に分離させてもよい。また、ダイシングする前にマイクロミラーが形成されたシリコンウェハを光学素子が形成されているウェハとボンディングした後、ダイシング工程を通じて個別光学素子を製造してもよい。
【００４９】
図９Ａないし図９Ｆは、本発明の第４実施形態に係るマイクロミラーの製造方法を段階別に示す断面図である。
図９Ａに示すように、シリコンインゴットを（１００）面で切断したシリコンウェハ４００を用意する。シリコンウェハ４００は、約５００μｍの厚さに形成されている。シリコンウェハ４００の両面にエッチングマスク膜４０１、４０２を形成する。エッチングマスク膜４０１、４０２は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素で形成できる。
【００５０】
図９Ｂに示すように、フォトリソグラフィ工程で長方形のエッチング窓４１０をマスク膜４０１に形成する。
【００５１】
図９Ｃに示すように、エッチング窓４１０が形成されたシリコンウェハ４００を、所定温度に維持したＫＯＨ、ＴＭＡＨなどのシリコン異方性エッチング液に浸漬してウェットエッチングを行う。所定時間エッチングを行えば、シリコン基板４００の下面に対して５４．７４°の傾斜角を有する傾斜面４１１、４１２がエッチング窓４１０を通じて形成される。図面には図示していないが、図面の正面から見える面には、エッチング停止時に現れる４面の（１００）結晶面のうち一つが形成される。
次いで、マスク膜４０１、４０２を除去する。
【００５２】
図９Ｄに示すように、シリコンウェハ４００の下部にプレート４７０を配置した後、シリコンウェハ４００上にクラッド層４２０を形成する。クラッド層４２０は、ポリマー、例えば、熱硬化性ポリマーをスピンコーティングして形成できる。熱硬化性ポリマーとしては、例えば、フェノール樹脂またはエポキシ樹脂が使われる。
【００５３】
図９Ｅに示すように、複数のモールド３６０が形成された基板３５０をシリコンウェハ４００に重ねた状態で、モールド３６０を対応するエッチングされた領域に嵌め込みつつ加圧する。このとき、モールド３６０は、傾斜面４１１、４１２に対応する面にシリコン基板４００の下面に対して４５°の傾斜角を有する傾斜面を形成する。次いで、クラッド層４２０を加熱して硬化させる。
【００５４】
図９Ｆに示すように、基板３５０及びモールド３６０をシリコンウェハ４００から除去する。プレート４７０をシリコンウェハ４００から除去すれば、ミラー面４２１、４２２の間にホールｈが形成される。傾斜面４１１、４１２上にシリコンウェハ４００の下面に対して４５°の傾斜角を有するミラー面４２１、４２２が形成される。したがって、対向するミラー面４２１、４２２が形成されたマイクロミラーがシリコンウェハ４００上に形成される。シリコンウェハ４００をダイシングすれば、マイクロミラーを量産できる。
【００５５】
第４実施形態では熱硬化性ポリマーを使用したが、必ずしもそれに限定されるものではない。熱硬化性ポリマーの代りに熱可塑性ポリマーを粉末状でシリコンウェハ上に塗布した後、加熱工程及び冷却工程を通じてマイクロミラーを形成できる。このような熱硬化性ポリマーまたは熱可塑性ポリマーを使用する工程では透明なモールド及び基板を使用しなくてもよい。
【００５６】
本実施形態に係るマイクロミラーは、エッチングされたシリコン基板の傾斜面に所定の傾斜で形成されたミラー面を持つクラッド層を備える。このミラー面は、モールドの精度によって表面の形状精度が向上するので、高精密マイクロミラーを使用する光ピックアップに使用できる。また、本実施形態に係るマイクロミラーの製造方法によれば、ウェハレベルでマイクロミラーを量産できるのでコストダウンできる。
【００５７】
前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものというより、望ましい実施形態の例示として解釈しなければならない。したがって、本発明の技術的範囲は説明された実施形態によって定められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、光ピックアップ、光通信システム、光情報処理装置の関連技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】従来のマイクロミラーを半導体工程で製造する方法を示した図面である。
【図１Ｂ】従来のマイクロミラーを半導体工程で製造する方法を示した図面である。
【図１Ｃ】従来のマイクロミラーを半導体工程で製造する方法を示した図面である。
【図１Ｄ】従来のマイクロミラーを半導体工程で製造する方法を示した図面である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るマイクロミラーの断面図である。
【図３】本発明に係るマイクロミラーが使われる光ピックアップの構造を示す図面である。
【図４】本発明に係るマイクロミラーが使われる光ピックアップの構造を示す図面である。
【図５】第１実施形態の変形例を示す断面図である。
【図６】第２実施形態に係るマイクロミラーの断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係るマイクロレンズの製造方法に使われるモールドを説明する図面である。
【図８Ａ】本発明の第３実施形態によるマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の第３実施形態によるマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第３実施形態によるマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図８Ｄ】本発明の第３実施形態によるマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図８Ｅ】本発明の第３実施形態によるマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図８Ｆ】本発明の第３実施形態によるマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の第４実施形態に係るマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図９Ｂ】本発明の第４実施形態に係るマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図９Ｃ】本発明の第４実施形態に係るマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図９Ｄ】本発明の第４実施形態に係るマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図９Ｅ】本発明の第４実施形態に係るマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【図９Ｆ】本発明の第４実施形態に係るマイクロミラーの製造方法を工程別に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
４０，２４０  シリコン基板
４１，２４１  第１傾斜面
４２，２４２  第２傾斜面
４５，２４５  結晶面
５０，２５０  クラッド層
５１，２５１  第１ミラー面
５２，２５２  第２ミラー面
【図１Ａ】
2006106753.tif 000003
【図１Ｂ】
2006106753.tif 000004
【図１Ｃ】
2006106753.tif 000005
【図１Ｄ】
2006106753.tif 000006
【図２】
2006106753.tif 000007
【図３】
2006106753.tif 000008
【図４】
2006106753.tif 000009
【図５】
2006106753.tif 000010
【図６】
2006106753.tif 000011
【図７】
2006106753.tif 000012
【図８Ａ】
2006106753.tif 000013
【図８Ｂ】
2006106753.tif 000014
【図８Ｃ】
2006106753.tif 000015
【図８Ｄ】
2006106753.tif 000016
【図８Ｅ】
2006106753.tif 000017
【図８Ｆ】
2006106753.tif 000018
【図９Ａ】
2006106753.tif 000019
【図９Ｂ】
2006106753.tif 000020
【図９Ｃ】
2006106753.tif 000021
【図９Ｄ】
2006106753.tif 000022
【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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