(57)【要約】【課題】  温度上昇の抑制可能で信頼性の高いスイッチング素子を提供することであり、また他の目的は、モータ駆動回路や緩衝器の小型化および信頼性を向上することである。【解決手段】  本発明のスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴＭ１を備えたスイッチング素子Ｓ１において、ＭＯＳＦＥＴＭ１の寄生ダイオードＫ１と並列に寄生ダイオードＫ１の順方向電圧降下値より小さい順方向電圧降下値を有するダイオードＤ１を設けたことを特徴とし、回生電流が寄生ダイオードＫ１のみならずダイオードＤ１を流れることでスイッチング素子Ｓ１の発熱量を低減する。【選択図】      図２
2006115557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳ電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子において、ＭＯＳ電界効果トランジスタの寄生ダイオードと並列に寄生ダイオードの順方向電圧降下値より小さい順方向電圧降下値を有するダイオードを設けたことを特徴とするスイッチング素子。
【請求項２】
ＭＯＳ電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子を直列に接続した複数のアームを電源に接続し、アームのスイッチング素子間をモータの巻線に接続してなるモータ駆動回路において、該スイッチング素子は、ＭＯＳ電界効果トランジスタと、ＭＯＳ電界効果トランジスタの寄生ダイオードと並列に寄生ダイオードの順方向電圧降下値より小さい順方向電圧降下値を有するダイオードとを備えてなるを設けたことを特徴とするモータ駆動回路。
【請求項３】
直線運動を回転運動に変換する運動変換機構と、該回転運動が伝達されるモータと、モータ駆動回路を備えた緩衝器において、モータ駆動回路が、ＭＯＳ電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子を直列に接続して構成されるとともにスイッチング素子間をモータの巻線に接続してなる複数のアームを電源に接続してなり、上記スイッチング素子が、ＭＯＳ電界効果トランジスタと、ＭＯＳ電界効果トランジスタの寄生ダイオードと並列に寄生ダイオードの順方向電圧降下値より小さい順方向電圧降下値有するダイオードとを備えてなるを設けたことを特徴とする緩衝器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子、モータ駆動回路および緩衝器の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、スイッチング素子で誘導性負荷を駆動する回路、具体的にたとえば、モータの駆動回路にあっては、スイッチング素子を閉から開に切換動作させたときにサージ電圧が発生する。
【０００３】
通常、上記のような回路にあっては、フライホイルダイオードを誘導性負荷に対し並列させることで誘導性負荷への通電を遮断したときに生じるサージを抑制し、上記サージ電圧からスイッチング素子を保護することが行われている。
【０００４】
転じて、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子にあっては寄生ダイオード（ボディダイオードとも言う）が内蔵されており、この寄生ダイオードはＭＯＳ電界効果トランジスタのソース−ドレイン間にＭＯＳ電界効果トランジスタとは逆並列に内蔵されている。
【０００５】
この寄生ダイオードは、ＭＯＳ電界効果トランジスタの製造工程で生成されてしまうものではあるが、ＭＯＳ電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用する際、上記寄生ダイオードがフライホイルダイオードとして機能することから、しばしば、積極的に寄生ダイオードをフライホイルダイオードとして活用することが行われている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２０４１９４号公報（段落番号００１２，図１）
【特許文献２】特開２００３−３２４９８６号公報（段落番号００３８，図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
また、特に、従来のＭＯＳ電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子における寄生ダイオードをフライホイルダイオードとして活用する場合、たとえば、ブラシレスモータをＰＷＭ制御する回路中に該スイッチング素子を適用する場合には、スイッチング素子の開閉動作が頻繁に行われることとなり、寄生ダイオードには、頻繁に回生電流が流れることとなる。
【０００７】
さらに、上記したＰＷＭ回路を利用したモータを、モータの出力トルクを減衰力、もしくは、減衰力およびアクチュエータの推力として利用する緩衝器にて起用する際には、緩衝器の伸縮によってモータのロータは強制的に回転せしめられるため、自身の誘導起電圧が非常に高くなることもあり、寄生ダイオードを流れる回生電流も大きくなる。
【０００８】
そして、寄生ダイオードを流れる回生電流が増えると発熱量も大きくなるので、ＭＯＳ電界効果トランジスタの温度上昇の原因となり、スイッチング素子の信頼性の低下や場合によってはスイッチング素子自体の破損してしまう等の恐れがある。
【０００９】
また、スイッチング素子の温度上昇に対応するために当該スイッチング素子に冷却板を取り付けることが通例であるが、従来のスイッチング素子では寄生ダイオードの発熱量が大きくなることに対応して冷却板を大型化したり、スイッチング素子を複数個並列に接続して発熱を分散させたりせざるを得ず、これによりモータ駆動回路や緩衝器も大型化することになり不便である。
【００１０】
そこで、本発明は上記不具合を改善するために創案されたものであって、その目的とするところは、温度上昇を抑制し信頼性の高いスイッチング素子を提供することであり、また他の目的は、モータ駆動回路や緩衝器の小型化および信頼性を向上することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記した目的を達成するため、本発明のスイッチング素子は、ＭＯＳ電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子において、ＭＯＳ電界効果トランジスタの寄生ダイオードと並列に寄生ダイオードの順方向電圧降下値より小さい順方向電圧降下値を有するダイオードを設けたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のモータ駆動回路は、ＭＯＳ電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子を直列に接続した複数のアームを電源に接続し、アームのスイッチング素子間をモータの巻線に接続してなるモータ駆動回路において、該スイッチング素子は、ＭＯＳ電界効果トランジスタと、ＭＯＳ電界効果トランジスタの寄生ダイオードと並列に寄生ダイオードの順方向電圧降下値より小さい順方向電圧降下値を有するダイオードとを備えてなるを設けたことを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明の緩衝器は、直線運動を回転運動に変換する運動変換機構と、該回転運動が伝達されるモータと、モータ駆動回路を備えた緩衝器において、モータ駆動回路が、ＭＯＳ電界効果トランジスタを備えたスイッチング素子を直列に接続して構成されるとともにスイッチング素子間をモータの巻線に接続してなる複数のアームを電源に接続してなり、上記スイッチング素子が、ＭＯＳ電界効果トランジスタと、ＭＯＳ電界効果トランジスタの寄生ダイオードと並列に寄生ダイオードの順方向電圧降下値より小さい順方向電圧降下値有するダイオードとを備えてなるを設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のスイッチング素子によれば、その発熱量を従来のスイッチング素子より少なくすることができ、これにより、ＭＯＳ電界効果トランジスタの温度上昇も低減でき、スイッチング素子の信頼性を向上できるとともに、スイッチング素子自体の破損も防止される。
【００１５】
さらに、本発明のスイッチング素子およびモータ駆動回路によれば、スイッチング素子冷却用の冷却板も従来のものより小さくすることができるので、筐体を含めたモータ駆動回路全体を小型化することが可能となる。
【００１６】
また、本発明の緩衝器によれば、スイッチング素子の信頼性を向上でき、スイッチング素子自体の破損も防止されるので、緩衝器が減衰力を発生不能となってしまう危険が回避される。
【００１７】
さらに、スイッチング素子冷却用の冷却板も従来のものより小さくすることができ、筐体を含めたモータ駆動回路全体を小型化することが可能となるから、これを搭載する緩衝器も小型化することができ、さらに、緩衝器の車両への搭載性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図に示した実施の形態に基づき、本発明を説明する。図1は、一実施の形態におけるモータ駆動回路の回路図である。図２は、巻線通電時のモータ駆動回路を流れる電流の流れを示した図である。図３は、巻線非通電時のモータ駆動回路を流れる電流の流れを示した図である。図４は、モータを利用した緩衝器を概念的に示した図である。
【００１９】
図１に示すように、一実施の形態におけるモータ駆動回路Ｃは、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ４を直列に接続したアームＡ１と、スイッチング素子Ｓ２，Ｓ５を直列に接続したアームＡ２と、スイッチング素子Ｓ３，Ｓ６直列に接続したアームＡ３とを電源に接続して構成されており、各アームＡ１，Ａ２，Ａ３のスイッチング素子Ｓ１，Ｓ４，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ３，Ｓ６間がモータＭに接続される出力端子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３とされている。
【００２０】
さらに、モータＭは、詳しく図示はしないが、ロータとステータとで構成されており、ロータの外周側には所定の磁気配置で永久磁石が装着され、他方、ステータは、ステータコアと、ステータコアに巻回されるU，Ｖ，Wの三相巻線とで構成され、この場合モータＭは、三相ブラシレスモータとして構成されている。
【００２１】
なお、Ｕ相、Ｖ相およびＷ相の各巻線は、その一端でＹ字型に結線されているが、Δ結線とされてもよい。
【００２２】
また、このモータＭには、ロータの回転位置を検出する回転位置検出手段が設けられており、この回転位置検出手段としては、具体的にたとえば、ロータの永久磁石の磁気を検出するホール素子等からなる磁気センサや、レゾルバ、ロータリエンコーダ等を用いることができる。
【００２３】
さらに、モータＭのＵ，Ｖ，Ｗの各巻線に流れる電流を検出する電流センサが別途設けられており、上記回転位置検出手段と電流センサとが出力する信号は、図示しないゲートコントローラに入力される。
【００２４】
上記ゲートコントローラは、モータＭをＰＷＭ制御する制御回路であるが、ゲートコントローラの構成およびＰＷＭ制御については、公知であるので詳しい説明を省略することとする。
【００２５】
他方、アームＡ１は、２つのスイッチング素子Ｓ１，Ｓ４を直列に接続されて構成され、このアームＡ１のスイッチング素子Ｓ１，Ｓ４間には、出力端子Ｐ１が設けられ、この出力端子Ｐ１は、モータＭの巻線のＵ相に接続される。
【００２６】
他のアームＡ２，Ａ３もアームＡ１と同様の構成であって、それぞれの出力端子Ｐ２，Ｐ３は、モータＭの巻線のＶ相、Ｗ相に接続されている。
【００２７】
したがって、たとえば、スイッチング素子Ｓ１とスイッチング素子Ｓ４をオンすると、電源ＥとモータＭの巻線のＵ相、Ｖ相とが閉回路となり、モータＭの巻線のうちＵ相とＶ相に電流を流すことができ、同様にして適宜いずれか１つのアームＡ１，Ａ２，Ａ３のスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と他の２つのアームＡ１，Ａ２，Ａ３のうち１つのスイッチング素子Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をオンすれば、モータＭの巻線に通電することができ、具体的には、上記ゲートコントローラによってモータＭのＵＶＷ相の巻線で回転磁界が形成されるように開閉制御される。
【００２８】
そして、スイッチング素子Ｓ１は、ＭＯＳ電界効果トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴという）Ｍ１と、ＭＯＳＦＥＴＭ１のソース電極とドレイン電極とに接続されたダイオードＤ１とを備えてなり、このダイオードＤ１はＭＯＳＦＥＴＭ１に対し逆並列となるように接続されている。
【００２９】
また、ＭＯＳＦＥＴＭ１は、寄生ダイオードＫ１をそのソース電極とドレイン電極との間に内蔵しており、この寄生ダイオードＫ１と上記ダイオードＤ１とは並列に接続されていることとなる。
【００３０】
さらに、ダイオードＤ１の順方向電圧降下値は、寄生ダイオードＫ１の順方向電圧降下値より小さく設定されている。
【００３１】
他のスイッチング素子Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６についても、スイッチング素子Ｓ１と同様の構成であり、それぞれダイオードＤ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６および寄生ダイオードＫ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５，Ｋ６を備えて構成されている。
【００３２】
そして、これらスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６は、それぞれ、上述した回転位置検出手段で検出するロータの回転角および各巻線に流れる電流に基づいて上記ゲートコントローラの通電位相切換制御によりゲート電極に電圧が印加され開閉制御されることによりモータＭは駆動され、さらに、ＰＷＭ制御によりモータＭの出力トルクおよびロータ回転速度が制御される。
【００３３】
なお、ＰＷＭ制御以外にも、ＰＡＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）、ＰＰＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）等の連続変調方式やＰＮＭ（Ｐｕｌｓｅ  Ｎｕｍｂｅｒ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）回路等の不連続変調方式を採用した制御を行ってもよい。
【００３４】
モータ駆動回路Ｃは、以上のように構成され、以下、モータ駆動回路Ｃの動作について説明すると、ＰＷＭ制御中、各スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６は、それぞれゲートコントローラの制御により所定のデューティ比を実現する所定のパルス幅期間にオンされ、他の期間にはオフされる制御が行われるが、たとえば、図２に示すように、ある期間にスイッチング素子Ｓ１をオンしつつスイッチング素子Ｓ５をオンすると、電流は電源Ｅとスイッチング素子Ｓ１およびスイッチング素子Ｓ５のＭＯＳＦＥＴＭ１，Ｍ５およびモータＭの巻線を循環し、これにより、巻線に電流が流れる。
【００３５】
そして、次の期間には、図３に示すように、スイッチング素子Ｓ１がオフされて電源Ｅから巻線へ電流の供給は行われないが、それまで通電されていた巻線に逆起電力が生じて回生電流Ｉ０が流れる。
【００３６】
このとき、回生電流Ｉ０は、オンとなっているスイッチング素子Ｓ５のＭＯＳＦＥＴＭ５およびスイッチング素子Ｓ４の寄生ダイオードＫ４およびダイオードＤ４を還流することとなる。
【００３７】
ここで、ダイオードＤ４の順方向電圧降下値は寄生ダイオードＫ４の順方向電圧降下値より小さいので、ダイオードＤ４に流れる電流は、寄生ダイオードＫ４に流れる電流より大きくなる。
【００３８】
そして、ダイオードＤ４および寄生ダイオードＫ４が発生する熱は、順方向電圧降下値と電流の積となるのであるが、たとえば、ダイオードＤ４の順方向電圧降下値をＶとし流れる電流をＩとし、寄生ダイオードＫ４の順方向電圧降下値をａ・Ｖ（ａ＞１）とすると、寄生ダイオードＫ４に流れる電流はＩ／ａとなる。なお、回生電流Ｉ０は、Ｉ０＝Ｉ＋Ｉ／ａとなる。
【００３９】
したがって、ダイオードＤ４の発生する熱は、Ｖ・Ｉとなり、他方の寄生ダイオードＫ４が発生する熱は、Ｖ・Ｉ／ａとなるから、ダイオードＤ４と寄生ダイオードＫ４の発生する熱の総和は（１＋１／ａ）・Ｖ・Ｉとなる。
【００４０】
ここで、従来のスイッチング素子と比較するため、スイッチング素子Ｓ４からダイオードＤ４を取り去った状態、すなわち、寄生ダイオードＫ４のみを回生電流Ｉ０が流れる場合を考えると、寄生ダイオードＫ４の発生する熱は、流れる電流が（１＋１／ａ）Ｉで順方向電圧降下値はａ・Ｖであるので、（１＋ａ）Ｖ・Ｉとなる。
【００４１】
そして、ａ＞１であるので、１＋１／ａ＜１＋ａであるから、上記ダイオードＤ３によって発生する熱を少なくすることができるのである。
【００４２】
このことは、他のスイッチング素子Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をオンからオフに切換えたときも同様である。
【００４３】
上述したところから明らかなように、各スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６の発熱量は、従来のスイッチング素子より少なくすることができることとなり、これにより、ＭＯＳＦＥＴの温度上昇も低減でき、スイッチング素子の信頼性を向上できるとともに、スイッチング素子自体の破損も防止される。
【００４４】
また、スイッチング素子冷却用の冷却板も従来のものより小さくすることができるので、筐体を含めたモータ駆動回路全体を小型化することが可能となる。
【００４５】
つづいて、上記したモータ駆動回路を搭載したモータＭを利用した緩衝器１について説明する。
【００４６】
この緩衝器１は、図４に示すように、基本的には、直線運動を回転運動に変換する運動変換機構２と、上記回転運動が伝達されるモータＭを備えて構成され、さらに、この実施の形態の場合、運動変換機構２は、ボール螺子ナット３と、ボール螺子ナット３に螺合される螺子軸４とで構成され、ボール螺子ナット３と螺子軸４の軸方向の相対直線運動を螺子軸４の回転運動に変換し、この螺子軸４の回転運動をモータＭのロータの一部をなす出力シャフト５に伝達することができる。
【００４７】
そして、この緩衝器１の場合、モータＭを駆動することで出力されるトルクを螺子軸４に作用させて上記ボール螺子ナット３と螺子軸４との直線運動を抑制もしくは助長することができるとともに、また、螺子軸４により出力シャフト５が強制的に回転駆動されることにより当該モータＭ内の巻線に誘導起電力が発生しモータＭにエネルギ回生させて電磁力を発生させ、この電磁力に起因するトルクを上記螺子軸４の回転運動を抑制してボール螺子ナット３の直線運動を抑制することができる。
【００４８】
すなわち、この緩衝器１は、減衰力を発生するだけでなくアクチュエータとしても機能することができ、アクティブサスペンションとしても機能することが可能である。
【００４９】
以下、詳細な構造について説明する。螺子軸４は、円柱状に形成され、その外周に螺旋状の螺子溝（付示せず）が形成されるとともに、螺子軸４の図４中上端は、モータＭの出力シャフト５の図４中下端となる先端にカップリング等により連結されている。
【００５０】
この螺子軸４に螺合されるボール螺子ナット３は、その内周には、螺子軸４の螺旋状の螺子溝に符合するように螺旋状のボール保持部（図示せず）が設けられており、前記ボール保持部に多数のボール(図示ぜず)が配在されてなり、ボール螺子ナット３の内部にはボールが循環可能なように前記ボール保持部の両端を連通する通路（図示せず）が設けられているものであって、螺子軸４に前記ボール螺子ナット１が螺合された場合に、螺子軸４の螺旋状の螺子溝にボール螺子ナット１のボールが嵌合し、螺子軸４の回転運動に伴いボール自体も螺子軸４の螺子溝との摩擦力により回転するので、ラックアンドピニオン等の機構に比べ滑らかな動作が可能である利点があるが、運動変換機構２をボール螺子ナット３と螺子軸４とで構成されるボール螺子機構に換えて上記ラックアンドピニオンや他の機構を採用するとしてもよい。
【００５１】
上述のように、ボール螺子ナット３には螺子軸４が螺子溝に沿って回転自在に螺合され、螺子軸４がボール螺子ナット３に対し図４中上下方向の直線運動をすると、このボール螺子ナット３は、車両の車体側部材もしくは車軸側部材の一方にブラケット７を介して連結される筒８の上端内周に固定されるており、これによりボール螺子ナット３の周方向の回転が規制されるので、螺子軸４は強制的に回転駆動される。
【００５２】
他方、モータＭは、上記したものと同様の構成であって、この場合、三相ブラシレスモータである。なお、このモータＭは、図示はしないが、車両の車体側部材もしくは車軸側部材の他方に連結される。
【００５３】
したがって、モータＭとブラケット７により本実施の形態における緩衝器１は車両の車体側部材と車軸側部材との間に介装される。
【００５４】
さて、上述のように構成された緩衝器１にあっては、上記したように、モータＭを駆動し、またはエネルギ回生により、またはその両方によりボール螺子ナット３と螺子軸４との軸方向の相対直線運動を抑制することにより車両の車体と車軸との相対直線運動を減衰させることになる。
【００５５】
そして、緩衝器１が伸縮するときの発生減衰力の制御は、モータＭの巻線に流れる電流を制御することによって行われ、この電流の制御は、上述したモータ駆動回路Ｃとゲートコントローラにより行われる。
【００５６】
そして、巻線に流れる電流は、電源Ｅに起因するもの以外に、モータＭが螺子軸４によって強制的に駆動されることにより巻線に生じる誘導起電力、すなわちエネルギ回生による誘導起電力に起因するものがある。
【００５７】
したがって、モータＭが、エネルギ回生によって、すなわち出力シャフト５が強制駆動されることによる誘導起電力によって発生するトルクをベースとして、これに電源Ｅによって発生するトルクを加減して緩衝器１の減衰力を制御するが、上記２つのトルクの方向が同じ方向となるときには巻線に流れる電流も大きくなり、いずれかのスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６をオフ動作させるときには、電源Ｅの電圧を超える電圧が巻線に印加されうる緩衝器１に搭載されるモータ駆動回路Ｃには単にモータＭを駆動するときのモータ駆動回路Ｃに比較して大きな回生電流が発生することとなる。
【００５８】
ここで、上述のように、回生電流は上記したダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６と寄生ダイオードＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５，Ｋ６を流れることになる。
【００５９】
そして、この場合にも、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６の発熱量が低減されるので、ＭＯＳＦＥＴの温度上昇も低減でき、スイッチング素子の信頼性を向上でき、スイッチング素子自体の破損も防止されるので、緩衝器１が減衰力を発生不能となってしまう危険が回避される。
【００６０】
さらに、スイッチング素子冷却用の冷却板も従来のものより小さくすることができ、筐体を含めたモータ駆動回路全体を小型化することが可能となるから、これを搭載する緩衝器１も小型化することができ、さらに、緩衝器１の車両への搭載性が向上する。
【００６１】
なお、上述したところでは、モータＭを三相ブラシレスモータとしているが、二相巻線を備えたモータとしてもよく、この場合には、上記したスイッチング素子を直列に接続したアームを２つ並列に接続してモータ駆動回路を構成すればよい。
【００６２】
また、モータＭは、上記したブラシレスモータのみに限られず他のモータとしてもよい。
【００６３】
以上で、本発明の実施の形態についての説明を終えるが、本発明の範囲は図示されまたは説明された詳細そのものには限定されないことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】一実施の形態におけるモータ駆動回路の回路図である。
【図２】巻線通電時のモータ駆動回路を流れる電流の流れを示した図である。
【図３】巻線非通電時のモータ駆動回路を流れる電流の流れを示した図である。
【図４】モータを利用した緩衝器を概念的に示した図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  緩衝器
２  運動変換機構
３  ボール螺子ナット
４  螺子軸
５  出力シャフト
７  ブラケット
８  筒
Ａ１，Ａ２，Ａ３  アーム
Ｃ  モータ駆動回路
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５，Ｄ６  ダイオード
Ｅ  電源
Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５，Ｋ６  寄生ダイオード
Ｍ  モータ
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６  ＭＯＳＦＥＴ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３  出力端子
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６  スイッチング素子
【図１】
2006115557.tif 000003
【図２】
2006115557.tif 000004
【図３】
2006115557.tif 000005
【図４】
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