(57)【要約】【課題】  高応答、高出力で精密な温調が可能であり、大型化や高スループット化に対応した露光装置にも好ましく適用可能な温調装置を提供する。【解決手段】  温調装置１００は露光装置本体の複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）の各々に温度制御した流体を供給するものであり、流体を冷却または加熱するための媒流体が流れる媒流体流路１３０を備える。媒流体流路１３０は複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）の各々に対応付けられた複数の分岐経路１３０ａ〜１３０ｄを有する。複数の分岐経路１３０ａ〜１３０ｄの各々に流体と媒流体とを熱交換するための熱交換器１１４ａ〜１１４ｄと、熱交換器１１４ａ〜１１４ｄを流れる媒流体の流量を制御する流量制御器１３５ａ〜１３５ｄとが配される。媒流体流路１３０には複数の分岐経路１３０ａ〜１３０ｄの各々に対する媒流体の流入量を一定に保つための流量一定化手段（１５７、１５８、１５９、１６０）が設けられる。【選択図】    図５
2006080194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置本体の複数のユニットのそれぞれに、温度制御した流体を供給する温調装置であって、
前記流体を冷却または加熱するための媒流体が流れる媒流体流路を備え、
前記媒流体流路は、前記複数のユニットのそれぞれに対応付けられた、前記媒流体が流れる複数の分岐経路を有し、
前記複数の分岐経路のそれぞれに、前記流体と前記媒流体とを熱交換するための熱交換器と、前記熱交換器を流れる前記媒流体の流量を制御する流量制御器と、が配され、
前記媒流体流路には、前記複数の分岐経路のそれぞれに対する前記媒流体の流入量を一定に保つための流量一定化手段が設けられている、ことを特徴とする温調装置。
【請求項２】
前記流量一定化手段は、前記複数の分岐経路の少なくとも１つの分岐経路について、前記熱交換器に向かう前記媒流体の一部を迂回させる迂回路と、該分岐経路における前記媒流体の流入量または流出量の変動を検出する検出器と、前記検出器の検出結果に基づいて前記迂回路を流れる前記媒流体の流量を制御する迂回量制御器と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の温調装置。
【請求項３】
前記迂回路は、前記複数の分岐経路のうち、前記熱交換器を流れる前記媒流体の流量変動が比較的大きい分岐経路に対して設けられる、ことを特徴とする請求項２に記載の温調装置。
【請求項４】
前記複数の分岐経路は、前記熱交換器を流れる前記熱媒体の流量変動が比較的小さい第１系と、前記熱交換器を流れる前記熱媒体の流量変動が比較的大きい第２系とに分類されており、
前記流量一定化手段は、前記第１系及び前記第２系のそれぞれに対する前記媒流体の流入量を一定に保つ、ことを特徴とする請求項１に記載の温調装置。
【請求項５】
前記媒流体流路はさらに、前記複数の分岐経路に向かう前記媒流体を、前記第１系と前記第２系とに分ける入口分岐配管を有し、
前記流量一定化手段は、前記入口分岐配管から前記第２系に向かう前記媒流体の一部を迂回させる迂回路と、前記第１系または前記第２系における前記媒流体の流入量または流出量の変動を検出する検出器と、前記検出器の検出結果に基づいて前記迂回路を流れる前記媒流体の流量を制御する迂回量制御器と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の温調装置。
【請求項６】
前記複数の分岐経路のそれぞれの前記流量制御器をまとめて収容するボックスと、前記複数の前記流量制御器の漏液を検知する漏液検知系と、をさらに備える、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の温調装置。
【請求項７】
前記漏液検知系は、複数の前記流量制御器のそれぞれの比較的微量な漏液を検知する第１漏液検知系と、複数の前記流量制御器のそれぞれの比較的多量な漏液を検知する第２漏液検知系とを含む、ことを特徴とする請求項６に記載の温調装置。
【請求項８】
前記第１漏液検知系は、漏液検知器と、複数の前記流量制御器のそれぞれに個別に対応付けられた複数の検知配線と、前記複数の検知配線のいずれかに前記漏液検知器の検知対象を切り替えるためのリレーと、を含むことを特徴とする請求項７に記載の温調装置。
【請求項９】
マスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写する露光装置であって、
請求項１から請求項８のうちのいずれかに記載の温調装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９記載の露光装置を用いて、デバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置本体の所定ユニットに、温度制御した流体を供給する温調装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスの製造工程では、マスク（又はレチクル）に形成された回路パターンをレジスト（感光材）が塗布された基板（ウエハやガラスプレートなど）上に転写する露光装置が用いられている。
【０００３】
近年、露光装置では、回路の微細化に伴い、露光用照明ビーム（露光光）が短波長化している。例えば、これまで主流だった水銀ランプに代わり、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）や、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等の短波長の光源が用いられる傾向にある。短波長光を用いた露光装置では、露光装置の光路上の空間や露光装置が配置される空間の精密な温度制御が要求される。
【０００４】
露光装置に対する温調技術としては、露光装置本体の所定ユニットに供給される温調用の流体を、電気ヒータによって温度制御する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−３１２６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の電子デバイスの製造工程では、基板の大サイズ化や、高スループット化が進んでおり、より精度の高い温調技術が求められている。しかしながら、電気ヒータを用いた温調技術では、基板の大サイズ化や高スループット化に対応しようとすると、高応答な温調が難しく、また、電気ヒータの消費電力が大幅に増大し、運転コストの増大を招く。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、高応答、高出力で精密な温調が可能であり、大型化や高スループット化に対応した露光装置にも好ましく適用可能な温調装置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、露光精度の向上を図ることができる露光装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、デバイス品質の向上を図ることができるデバイス製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は、実施の形態を示す図１から図１３に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の温調装置は、露光装置本体の複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）のそれぞれに、温度制御した流体を供給する温調装置であって、前記流体を冷却または加熱するための媒流体が流れる媒流体流路（１３０）を備え、前記媒流体流路は、前記複数のユニットのそれぞれに対応付けられた、前記媒流体が流れる複数の分岐経路（１３０ａ〜１３０ｄ）を有し、前記複数の分岐経路のそれぞれに、前記流体と前記媒流体とを熱交換するための熱交換器（１１４ａ〜１１４ｄ）と、前記熱交換器を流れる前記媒流体の流量を制御する流量制御器（１３５ａ〜１３５ｄ）と、が配され、前記媒流体流路には、前記複数の分岐経路のそれぞれに対する前記媒流体の流入量を一定に保つための流量一定化手段が設けられている、ことを特徴とする。
【０００８】
この温調装置では、媒流体との熱交換によって流体温度を制御する。媒流体を用いた温調は、流体に熱を伝える部分の面積（伝熱面積）を比較的広く取ることが容易であり、高応答化、並びに高出力化に適している。すなわち、伝熱面積が広いので、多量の流体の温度を精密に制御することが可能である。
【０００９】
ここで、媒流体流路が複数の経路に分岐され、各分岐経路ごとに媒流体を用いた熱交換が行われる場合、ある分岐経路内での媒流体の流量変動の影響が他の分岐経路に及ぶ可能性がある。すなわち、ある分岐経路内で熱交換に使用する媒流体の流量が大きく変動すると、その分岐経路に流入する媒流体の流量が大きく変動し、それに伴い、他の分岐経路への媒流体の流入量が変化する場合がある。媒流体の流入量の変化は、その分岐経路における流体温度の制御遅れや制御精度低下の原因となりやすい。
【００１０】
上記の温調装置では、流量一定化手段によって、複数の分岐経路のそれぞれに対する媒流体の流入量が一定に保たれる。そのため、各分岐経路において熱交換が安定的に行われ、複数のユニットのそれぞれに対してより精密な温調が可能となる。
【００１１】
具体的には、例えば、前記流量一定化手段は、前記複数の分岐経路（１３０ａ〜１３０ｄ）の少なくとも１つの分岐経路（１３０ｃ、１３０ｄ）について、前記熱交換器（１１４ｃ、１１４ｄ）に向かう前記媒流体の一部を迂回させる迂回路（１４３ａ、１４３ｂ）と、該分岐経路における前記媒流体の流入量または流出量の変動を検出する検出器（１４４ａ、１４４ｂ）と、前記検出器の検出結果に基づいて前記迂回路を流れる前記媒流体の流量を制御する迂回量制御器（１４５ａ、１４５ｂ）と、を含むとよい。
【００１２】
この構成によれば、複数の分岐経路の少なくとも１つの分岐経路において、その分岐経路を流れる媒流体の全体流量が一定に保たれる。すなわち、その分岐経路における媒流体の流入量または流出量の変動を検出し、その検出結果に基づいて迂回量を制御することにより、熱交換器を流れる媒流体の流量が変動しても、その変動分が迂回路で吸収される。例えば、その分岐経路において、熱交換器を流れる媒流体の流量が増えると迂回路を流れる媒流体の流量（迂回量）を減らし、逆に、熱交換器を流れる媒流体の流量が減ると迂回量を増やす。これにより、その分岐経路を流れる媒流体の全体流量（熱交換器を流れる量＋迂回量）が一定に保たれ、その結果、その分岐経路に対する媒流体の流入量が一定に保たれる。
【００１３】
この場合、前記迂回路（１４３ａ、１４３ｂ）は、前記複数の分岐経路のうち、前記熱交換器を流れる前記媒流体の流量変動が比較的大きい分岐経路（１３０ｃ、１３０ｄ）に対して設けられる、とよい。
【００１４】
熱交換時における媒流体の流量変動が比較的大きい分岐経路について、媒流体の全体流量が一定に保たれることで、その分岐経路内の流量変動が他の分岐経路に影響を及ぼすことが回避される。その結果、複数の分岐経路のそれぞれに対して、媒流体の流入量がほぼ一定に保たれる。また、この構成では、複数の分岐経路のすべてに迂回路を設ける場合に比べて構成の簡素化が図られる。
【００１５】
また、上記の温調装置において、前記複数の分岐経路（１３０ａ〜１３０ｄ）は、前記熱交換器（１１４ａ〜１１４ｄ）を流れる前記熱媒体の流量変動が比較的小さい第１系（１３０ａ、１３０ｂ）と、前記熱交換器を流れる前記熱媒体の流量変動が比較的大きい第２系（１３０ｃ、１３０ｄ）とに分類されており、前記流量一定化手段は、前記第１系及び前記第２系のそれぞれに対する前記媒流体の流入量を一定に保つ、構成であってもよい。
【００１６】
この構成によれば、流量一定化手段によって、第１系及び第２系への媒流体の流入量が一定に保たれるので、各系において熱交換が安定的に行われる。また、複数の分岐経路を第１系と第２系に分類することにより、構成や制御の簡素化が図られる。
【００１７】
具体的には、前記媒流体流路（１３０）はさらに、前記複数の分岐経路（１３０ａ〜１３０ｄ）に向かう前記媒流体を、前記第１系と前記第２系とに分ける入口分岐配管（１５５ａ）を有し、前記流量一定化手段は、前記入口分岐配管から前記第２系に向かう前記媒流体の一部を迂回させる迂回路（１５７）と、前記第１系または前記第２系における前記媒流体の流入量または流出量の変動を検出する検出器（１５８）と、前記検出器の検出結果に基づいて前記迂回路を流れる前記媒流体の流量を制御する迂回量制御器（１５９）と、を含むとよい。
【００１８】
この構成によれば、第２系内で熱交換器を流れる媒流体の流量が大きく変動しても、その変動分が迂回路で吸収される。例えば、第２系内で熱交換器を流れる媒流体の流量が増えると迂回路を流れる媒流体の流量（迂回量）を減らし、逆に、第２系内で熱交換器を流れる媒流体の流量が増えると迂回量を増やす。これにより、第２系を流れる媒流体の全体流量（熱交換器を流れる量＋迂回量）が一定に保たれ、その結果、第１系及び第２系に対する媒流体の流入量も一定に保たれる。また、この構成では、第２系に含まれる複数の分岐経路に対してまとめて迂回制御を行うことから、構成や制御の簡素化が図られる。
【００１９】
また、上記の温調装置においては、前記複数の分岐経路（１３０ａ〜１３０ｄ）のそれぞれの前記流量制御器（１３５ａ〜１３５ｄ）をまとめて収容するボックス（１７１）と、前記複数の前記流量制御器の漏液を検知する漏液検知系（１７０）と、をさらに備える構成としてもよい。
【００２０】
この構成によれば、漏液検知系によって複数の流量制御器の漏液が検知されることから、その検知結果に基づくメンテナンス作業を行うことで、長期かつ連続的に安定した温調が可能となる。
【００２１】
この場合、前記漏液検知系（１７０）は、複数の前記流量制御器（１３５ａ〜１３５ｄ）のそれぞれの比較的微量な漏液を検知する第１漏液検知系（１７０ａ）と、複数の前記流量制御器のそれぞれの比較的多量な漏液を検知する第２漏液検知系（１７０ｂ）とを含む、とよい。
【００２２】
これにより、メンテナンス作業の効率化や温調の制御安定性の向上が図られる。例えば、比較的微量な漏液が検知された場合は、流量制御器の整備や交換を次のメンテナンス時に行うことで、スループットの低下が防止される。また、比較的多量な漏液が検知された場合は、速やかに流量制御器の整備や交換を行うことで不具合の発生が防止される。さらに、装置の停止時間が抑制されることから、装置の停止に伴う媒流体の温度変化が少なく、温調の制御安定性が向上する。
【００２３】
この場合、前記第１漏液検知系（１７０ａ）は、漏液検知器（１７６）と、複数の前記流量制御器（１３５ａ〜１３５ｄ）のそれぞれに個別に対応付けられた複数の検知配線（１７７ａ〜１７７ｄ）と、前記複数の検知配線のいずれかに前記漏液検知器の検知対象を切り替えるためのリレー（１７８ａ〜１７８ｄ）と、を含むとよい。
【００２４】
これにより、複数の流量制御器のそれぞれに漏液検知器を設ける場合に比べて、構成の簡素化が図られる。
【００２５】
本発明の露光装置は、マスク（Ｒ）のパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して基板に転写する露光装置（ＥＸＰ）であって、上記の温調装置（１００）を備えることを特徴としている。
また、本発明のデバイス製造方法は、上記露光装置（ＥＸＰ）を用いて、デバイスを製造することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の温調装置によれば、高応答、高出力で精密な温調が可能であり、大型化や高スループット化に対応した露光装置にも好ましく適用することができる。また、構成や制御の簡素化にも適している。
【００２７】
本発明の露光装置によれば、上記温調装置により高精度に温調されることから、露光精度の向上を図ることができる。
【００２８】
本発明のデバイス製造方法によれば、露光精度の向上により、デバイス品質の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
次に、本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る温調装置における特徴部分の一形態例を模式的に示している。この温調装置１００ａは、露光装置に対して適用されるものである。
【００３０】
温調装置１００ａは、露光装置本体の複数のユニット（Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４）のそれぞれに、温度制御された流体（ハイドロフルオロエーテル：ＨＦＥ、ノベック）を供給するためのＨＦＥ系を有しており、ＨＦＥ系は、供給先ユニット（Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４）に対応付けられた流体流路としてのＨＦＥ循環経路１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄを含む。また、温調装置１００ａは、ＨＦＥ循環経路１１０ａ〜１１０ｄを流れるＨＦＥを温度制御する媒流体（本例では温媒流体、温水）を流すための温水系を有している。
なお、本例では、温調用の流体としてＨＦＥを用いているが、これに限らず、フロリナート（ＦＣ）や、Ｈ−ガルデン（ＨＦＰＥ）などの他の流体を用いてもよい。
【００３１】
ここで、上記の温調対象の複数のユニットは、比較的熱負荷の変動が小さいものの目標とする温度安定度が厳しいユニット（Ｕ１，Ｕ２）と、比較的熱負荷の変動が大きく目標とする温度安定度が比較的緩いユニット（Ｕ３，Ｕ４）とに分類されている。温調装置１００ａにおいて、比較的熱負荷の変動が小さいユニット（Ｕ１，Ｕ２）に対する温調系を「恒温系」、比較的熱負荷の変動が大きいユニット（Ｕ３，Ｕ４）に対する温調系を「アクティブ系」、と必要に応じて以後称する。
【００３２】
温水系は、目標温度に制御された温水が循環する流路である温水循環経路１３０が供給先ユニットに対応付けて４つの経路（１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄ）に分岐している。各分岐経路１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれには、ＨＦＥ循環経路１１０ａ〜１１０ｄを流れるＨＦＥとの熱交換を行うための熱交換器１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄと、各熱交換器１１４ａ〜１１４ｄを流れる温水の流量を制御するための流量制御弁１３５ａ、１３５ｂ、１３５ｃ、１３５ｄとが配設されている。各ユニットに入るＨＦＥが目標温度（例えば２３℃）となるように、制御系１１６ａ、１１６ｂの指示に基づいて、対応付けられた流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄの開度が制御される。
【００３３】
温水系の分岐経路１３０ａ〜１３０ｄのうち、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄにはそれぞれ、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄに向かう温水の一部を迂回させる迂回路１４３ａ、１４３ｂと、各経路１３０ｃ、１３０ｄにおける温水の流出量の変動を検出する流量検出器１４４ａ、１４４ｂと、流量検出器１４４ａ、１４４ｂの検出結果に基づいて迂回路１４３ａ、１４３ｂを流れる温水の流量を制御する迂回量制御弁１４５ａ、１４５ｂとが設けられている。流量検出器１４４ａ、１４４ｂの検出結果は制御系１４６ａ、１４６ｂに送られる。制御系１４６ａ、１４６ｂは、流量検出器１４４ａ、１４４ｂの検出結果に基づいて、各経路１３０ｃ、１３０ｄにおける温水の流出量が一定になるように、迂回量制御弁１４５ａ、１４５ｂの開度を制御する。
なお、本発明における流量一定化手段は、迂回路１４３ａ、１４３ｂ、流量検出器１４４ａ、１４４ｂ、及び制御系１４６ａ、１４６ｂ等を含む。
【００３４】
上記構成の温調装置１００ａでは、温調の対象となる複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）のそれぞれにＨＦＥを供給するとともに、そのＨＦＥの温度を、温水との熱交換によって制御する。すなわち、熱交換器１１４ａ〜１１４ｄに入る温水の流量を制御することにより、ＨＦＥの温度を制御する。本例の温調装置１００ａでは、温調の対象となる複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）のそれぞれに対応付けて熱交換器１１４ａ〜１１４ｄが配設されていることから、複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）のそれぞれに対して、目標温度に制御したＨＦＥが確実に供給される。
【００３５】
熱交換器１１４ａ〜１１４ｄとしては、伝熱面積が広いタイプ、例えばプレート型の熱交換器が用いられる。プレート型熱交換器は、伝熱面積が広いことから、多量の流体の温度を精密に制御するのに適している。熱交換器１１４における広い伝熱面積を利用することにより、高い精度で精密な温度制御（例えば、安定度：±０．００１℃）が可能となる。また、電気ヒータを用いる場合に比べて、消費電力が低減され、運転コストの低減が可能である。したがって、本例の温調装置１００ａは、高応答化、並びに高出力化に好ましく適用される。
【００３６】
また、本例の温調装置１００ａでは、温水系において、温媒流体として水（温水）を用いることから、熱交換器１１４ａ〜１１４ｄにおける伝熱部分の温度は１００℃以下に制限される。電気ヒータの場合は伝熱部分の温度（表面温度）が２００℃を越えることがあり、これに本例で使用するフッ素系の液体であるＨＦＥ（ノベック）が接触すると、熱分解して空気中の水分と反応して腐食性のフッ酸（ＨＦ）を発生させるおそれがあるが、本例の場合はこれが回避される。ＨＦＥの代わりに流体としてフロリナート（ＦＣ）やＨ−ガルデン（ＨＦＰＥ）を使用した場合も同様である。
【００３７】
ここで、図２〜図４は、温調装置１００ａにおいて用いられる流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄの特性（開度−流量特性）の一例を示している。
恒温系で使用する流量制御弁１３５ａ、１３５ｂは、図２に示すように、開度に対しての流量変化が比較的なだらかな特性を有しているのが好ましい。これは、温調対象のユニットの熱負荷の変動が小さいため、微妙な開度変化で流量が大きく変わらないようにして、温度安定度を高めるためである。
【００３８】
一方、アクティブ系で使用する流量制御弁１３５ｃ、１３５ｄは、図３に示すように、開度に対しての流量変化が比較的急峻な特性を有しているのが好ましい。これは、温調対象の熱負荷が大きく変化するので、わずかな開度変化で流量が大きく変わるようにして、温度制御の追従性（応答性）を向上させるためである。
【００３９】
なお、図４に示す特性を有する流量制御弁を用いることにより、上述した恒温系及びアクティブ系のいずれにも対応可能である。すなわち、図４の流量制御弁は、開度に対する流量変化が開度の範囲によって異なっており、ある範囲では開度に対する流量変化がなだらかであり、別の範囲では急峻になっている。この場合、ソフトウェア等で恒温系、アクティブ系のそれぞれの使用範囲を限定し、適切な特性の範囲で使用するとよい。
【００４０】
図１に戻り、本例の温調装置１００ａでは、温水系の複数の分岐経路１３０ａ〜１３０ｄのうち、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄにおいて、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄに向かう温水の一部を、迂回路１４３ａ、１４３ｂに迂回させている。これは、アクティブ系における熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水流量の変動（流量制御弁１３５ｃ、１３５ｄの開度の変動）が比較的大きいことから、その影響が恒温系や温水系全体に伝わるのを抑えるためである。
【００４１】
すなわち、本例の温調装置１００ａでは、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄにおいて、各分岐経路１３０ｃ、１３０ｄからの流出量が一定になるように、迂回量制御弁１４５ａ、１４５ｂによって迂回路１４３ａ、１４３ｂを流れる温水の量を制御し、これにより、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水の流量が比較的大きく変動しても、その変動分を迂回路１４３ａ、１４３ｂで吸収する。
【００４２】
例えば、アクティブ系の各分岐経路１３０ｃ、１３０ｄにおいて、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水の流量が増えると、その増えた分、迂回路１４３ａ、１４３ｂを流れる温水の流量（迂回量）を減らし、逆に、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水の流量が減るとその分、迂回量を増やす。
【００４３】
こうした制御により、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄを流れる温水の全体流量（熱交換器を流れる量＋迂回量）が一定に保たれ、その結果、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄに対する温水の流入量が一定に保たれる。これにより、複数の分岐経路１３０ａ〜１３０ｄに対する温水の流入量のバランスが一定に保たれ、複数の分岐経路１３０ａ〜１３０ｄのそれぞれに対して、温水の流入量がほぼ一定に保たれる。なお、恒温系の分岐経路１３０ａ、１３０ｂ内での流量変動は小さく、その変動が上記流入量のバランスに与える影響は極めて小さい。
【００４４】
このように、本例の温調装置１００ａでは、各分岐経路１３０ａ〜１３０ｄに対して温水の流入量が一定に保たれることから、各分岐経路１３０ａ〜１３０ｄにおいて熱交換が安定的に行われ、複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）のそれぞれに対してより精密な温調が行われる。さらに、温水系の全体の流れが安定し、温水自体の温度制御にかかる負荷が少なくなり、温水の温度が安定するという利点もある。
なお、恒温系の分岐経路１３０ａ、１３０ｂにも迂回路を設け、アクティブ系と同様の迂回量制御を行ってもよい。ただしこの場合、図１に比べて構成が複雑なものとなる。
【００４５】
図５は、図１に示した温調装置１００ａの変形例（温調装置１００）を示している。
なお、図５の温調装置１００について、図１に示したものと同様の機能を有する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００４６】
図５に示す温調装置１００は、図１の例と同様に、露光装置本体の複数のユニット（Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４）のそれぞれに、温度制御された流体（ＨＦＥ）を供給するためのＨＦＥ系１０１を有しており、ＨＦＥ系１０１は、供給先ユニット（Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４）に対応付けられた流体流路としてのＨＦＥ循環経路１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄを含む。また、温調装置１００は、ＨＦＥ循環経路１１０ａ〜１１０ｄを流れるＨＦＥを温度制御する温水を流すための温水系１０３を有しており、温水系１０３は、目標温度に制御された温水が循環する流路である温水循環経路１３０を有している。
【００４７】
温水循環経路１３０は、図１の例と異なり、上流位置で恒温系とアクティブ系との２方向に分岐しており、その下流で恒温系及びアクティブ系のそれぞれにおいてさらに２方向（合計４方向）に分岐している。
【００４８】
具体的には、温水循環経路１３０は、温水の流路を恒温系とアクティブ系との２つに分けるための入口分岐配管１５５ａと、さらに流路を２つに分けるための補分岐配管１５５ｂ、１５５ｃと、補分岐配管１５５ｂに接続される恒温系の２つの分岐経路１３０ａ、１３０ｂと、補分岐配管１５５ｃに接続されるアクティブ系の２つの分岐経路１３０ｃ、１３０ｄと、出口合流配管１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃとを有している。出口合流配管１５６ａは、恒温系の２つの分岐経路１３０ａ、１３０ｂに接続され、出口合流配管１５６ｂはアクティブ系の２つの分岐経路１３０ｃ、１３０ｄに接続され、出口合流配管１５６ｃは、出口合流配管１５６ａ、１５６ｂに接続される。
【００４９】
温水は、入口分岐配管１５５ａで恒温系とアクティブ系との２方向に分かれる。恒温系において、温水は、補分岐配管１５５ｂでさらに２方向に分かれて、分岐経路１３０ａ、１３０ｂを流れる。アクティブ系において、温水は、補分岐配管１５５ｃでさらに２方向に分かれて、分岐経路１３０ｃ、１３０ｄを流れる。恒温系の２つの分岐経路１３０ａ、１３０ｂから流出した温水は、出口合流配管１５６ａで合流される。アクティブの２つの分岐経路１３０ｃ、１３０ｄから流出した温水は、出口合流配管１５６ｂで合流される。出口合流配管１５６ａ、１５６ｂから流出した温水は、出口合流配管１５６ｃで合流される。
【００５０】
温水循環経路１３０には、入口分岐配管１５５ａからアクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄに向かう温水の一部を迂回させる迂回路１５７と、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄの温水の流出量の変動を検出する流量検出器１５８と、流量検出器１５８の検出結果に基づいて迂回路１５７を流れる温水の流量を制御する迂回量制御弁１５９とが設けられている。迂回路１５７の入口端は、入口分岐配管１５５ａと補分岐配管１５５ｃとの間の配管、すなわち温水がアクティブ系の２つの分岐経路１３０ｃ、１３０ｄに分かれる手前の位置に接続されている。迂回路１５７の出口端は、出口合流配管１５６ｂと出口合流配管１５６ｃとの間の配管、すなわちアクティブ系の２つの分岐経路１３０ｃ、１３０ｄからの温水が合流した直後の位置に接続されている。
【００５１】
流量検出器１５８の配設位置は、迂回路１５７の出口端の下流位置、すなわちアクティブ系の２つの分岐経路１３０ｃ、１３０ｄからの温水と迂回路１５７からの温水とが合流した直後の位置である。流量検出器１５８の検出結果は制御系１６０に送られる。制御系１６０は、流量検出器１５８の検出結果に基づいて、アクティブ系からの温水の流出量が一定になるように、迂回量制御弁１５９の開度を制御する。
なお、本発明における流量一定化手段は、入口分岐配管１５５ａ、補分岐配管１５５ｂ、１５５ｃ、出口合流配管１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃ、迂回路１５７、流量検出器１５８、迂回量制御弁１５９等を含む。
【００５２】
本例の温調装置１００では、アクティブ系における熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水流量の変動（流量制御弁１３５ｃ、１３５ｄの開度の変動）の影響が恒温系や温水系全体に伝わるのを抑えるために、アクティブ系の熱交換器１１４ｃ、１１４ｄに向かう温水の一部を、迂回路１５７に迂回させている。
【００５３】
すなわち、本例の温調装置１００では、アクティブ系からの温水の流出量が一定になるように、迂回量制御弁１５９によって迂回路１５７を流れる温水の量を制御し、これにより、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水の流量が比較的大きく変動しても、その変動分を迂回路１５７で吸収する。例えば、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水の流量が増えると、その増えた分、迂回路１５７を流れる温水の流量（迂回量）を減らし、逆に、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水の流量が減るとその分、迂回量を増やす。
【００５４】
これにより、アクティブ系を流れる温水の全体流量（熱交換器を流れる量＋迂回量）が一定に保たれ、その結果、恒温系及びアクティブ系に対する温水の流入量が一定に保たれる。すなち、入口分岐配管１５５ａにおいて、恒温系（分岐経路１３０ａ、１３０ｂ）に向かう温水量、及びアクティブ系（分岐経路１３０ｃ、１３０ｄ）に向かう温水量がそれぞれ一定に保たれる。なお、恒温系の分岐経路１３０ａ、１３０ｂ内での流量変動は小さく、その変動が上記流入量のバランスに与える影響は極めて小さい。
【００５５】
このように、本例の温調装置１００では、恒温系及びアクティブ系に対して温水の流入量が一定に保たれることから、図１の例と同様に、各系においてそれぞれ熱交換が安定的に行われ、複数のユニット（Ｕ１〜Ｕ４）のそれぞれに対して精密な温調が行われる。さらに、温水系１０３の全体の流れが安定し、温水自体の温度制御にかかる負荷が少なくなり、温水の温度が安定するという利点もある。
【００５６】
また、本例の温調装置１００では、図１の例と異なり、アクティブ系に含まれる２つの分岐経路１３０ｃに対して１つの迂回路１５７を介してまとめて迂回制御を行うことから、構成や制御の簡素化が図られる。
【００５７】
図６は、図１または図５の温調装置に用いられる流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄの漏液を検知する漏液検知系１７０の構成を示す図である。
図６において、複数の流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄは、ボックス１７１内にまとめて収容されている。漏液検知系１７０は、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄのそれぞれの比較的微量な漏液を検知する第１漏液検知系１７０ａと、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄのそれぞれの比較的多量な漏液を検知する第２漏液検知系１７０ｂとを含む。
【００５８】
ここで、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄはそれぞれ、駆動軸のシール部材として樹脂製の部材を使用している。温調装置の連続運転を行う場合など、そのシール部材の摩耗が進行すると、ドレインポート１７２ａ〜１７２ｄから微量の漏液（リーク）が発生する。微量リークした液体は、ドレイン排液配管１７３ａ〜１７３ｄを通り、ボックス１７１の下部（底部）のドレイン排出口１７４から排出される。
【００５９】
第１漏液検知系１７０ａは、上記の微量リークを検知するものであり、漏液検知器１７６と、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄのそれぞれに個別に対応付けられた漏液センサとしての複数の検知配線１７７ａ〜１７７ｄと、検知配線１７７ａ〜１７７ｄのいずれかに漏液検知器１７６の検知対象を切り替えるためのリレー１７８ａ〜１７８ｄとを含む。
【００６０】
漏液検知器１７６の検知対象は、一定時間間隔ごとにリレー１７８ａ〜１７８ｄを介して、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄのいずれかに切り替わる。そのため、第１漏液検知系１７０ａは、４つの流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄのそれぞれに対して個々に漏液検知器を設ける形態に比べて、構成の簡素化が図られる。なお、漏液検知器１７６で微量のリークが検知された場合、その結果が不図示の報知器（表示パネル等）によって報知され、装置（温調装置、露光装置本体）の運転は継続される。作業者は、上記報知に基づき、次のメンテナンス時において、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄの整備や交換を行う。
【００６１】
一方、第２漏液検知系１７０ｂは、ボックス１７１での流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄや配管からの多量の漏液を検知するものであり、漏液検知器１８０と、ボックス１７１の底部から所定高さ位置に配される漏液センサとしての検知配線１８１とを含む。
【００６２】
第２漏液検知系１７０ｂでは、多量の漏液が生じ、ボックス１７１の底部の所定高さにその液が到達すると、検知配線１８１を介して、漏液検知器１８０がその漏液を検知する。漏液検知器１８０で多量の漏液が検知された場合、その結果が不図示の報知器（表示パネル、報知アラーム等）によって報知されるとともに、装置（温調装置、露光装置本体）が停止される。作業者は、上記報知に基づき、速やかに流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄの整備や交換、並びにそれに付随する配管の整備や交換を行う。
【００６３】
このように、本例の漏液検知系１７０は、微量なリークと多量の漏液とを分けて検知することから、装置の停止時間の抑制が図られるとともに、メンテナンス作業の効率化が図られる。また、装置の停止時間が抑制されることにより、装置の停止に伴う媒流体の温度変化が抑制され、温調の制御安定性の向上が図られる。
【００６４】
図７及び図８は、図５に示した温調装置１００の部分的な変形例を示している。
図７の例では、迂回制御のための温水の流量変動を検出する検出器として、図５の例における流量検出器１５８に代えて、流体の圧力を計測する圧力計１５８ａ、１５８ｂが用いられている。圧力計１５８ａは、迂回路１５７の入口端の上流位置に配され、圧力計１５８ｂは、迂回路１５７の出口端の下流位置に配されている。圧力計１５８ａ、１５８ｂの計測結果は制御系１６０ａに送られる。制御系１６０ａは、その計測結果に基づいて、アクティブ系における上流位置と下流位置との間の差圧を求め、その値が一定になるように迂回量制御弁１５９の開度を制御する。一般に、流量検出器に比べて圧力計のほうが分解能が高い。そのため、圧力計を用いることにより、より精密な流量制御（迂回量制御）が可能となる。
【００６５】
図８の例では、図５の例における流量検出器１５８が、恒温系の入口部に設けられている。具体的には、流量検出器１５８の配設位置が、入口分岐配管１５５ａと恒温系の補分岐配管１５５ｂとの間、すなわち入口分岐配管１５５ａによって温水が２方向に分かれた直後の恒温系側の位置である。流量検出器１５８の検出結果は制御系１６０に送られる。制御系１６０は、流量検出器１５８の検出結果に基づいて、アクティブ系からの温水の流出量が一定になるように、迂回量制御弁１５９の開度を制御する。本例では、恒温系の入口部での流量変動を検出することにより、高精度な温度安定度が求められる恒温系への温水の流入量をより確実に一定に保つことが可能となる。なお、流量検出器１５８の配設位置は、上記の位置に限らず他の位置にでもよい。
【００６６】
図９は、図５に示す特徴部分の形態例が適用された温調装置１００の全体構成を示している。
なお、図９の温調装置１００について、図５に示したものと同様の機能を有する構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００６７】
図９において、温調装置１００が適用される露光装置ＥＸＰは、クリーンルーム内に配設される露光装置本体１０と、露光装置本体１０を収容するチャンバＣＨとを有している。露光装置本体１０は、比較的熱負荷の変動が小さいものの目標とする温度安定度が厳しいユニット（Ｕ１，Ｕ２）と、比較的熱負荷の変動が大きいユニット（Ｕ３，Ｕ４）とを有している。
【００６８】
温調装置１００は、露光装置本体１０に供給される温調用の流体（ハイドロフルオロエーテル：ＨＦＥ、ノベック）が流れるＨＦＥ系１０１と、ＨＦＥ系１０１を流れる流体（ＨＦＥ）を冷却するための冷媒流体（冷水）が流れる冷水系１０２と、ＨＦＥ系１０１を流れる流体（ＨＦＥ）を加熱するための温媒流体（温水）が流れる温水系１０３とを備えて構成されている。
【００６９】
（ＨＦＥ系）
ＨＦＥ系１０１は、恒温系のＨＦＥ循環経路１１０ａ、１１０ｂと、アクティブ系のＨＦＥ循環経路１１０ｃ、１１０ｄとを有している。恒温系のＨＦＥ循環経路１１０ａ、１１０ｂには、タンク１１１ａ、ポンプ１１２ａ、及び冷水系１０２との熱交換を行うための熱交換器１１３ａ等が配設されている。アクティブ系のＨＦＥ循環経路１１０ｃ、１１０ｄにも同様に、タンク１１１ｃ、ポンプ１１２ｃ、及び冷水系１０２との熱交換を行うための熱交換器１１３ｃ等が配設されている。タンク１１１ａ、１１１ｃの容量や、ポンプ１１２ａ、１１２ｃの能力、熱交換器１１３ａ、１１３ｃの容量はそれぞれ、対応する系（恒温系、アクティブ系）の発熱量やその変動量などに基づいて定められている。
【００７０】
また、各ＨＦＥ循環経路１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄにはそれぞれ、温水系１０３との熱交換を行うための熱交換器１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ、及び温度センサ１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ等が配設されている。熱交換器１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄの容量はそれぞれ、対応するユニットの熱負荷の変動量や発熱量などに基づいて定められている。各循環経路１１０ａ〜１１０ｄ内のＨＦＥの温度は、温度センサ１１５ａ〜１１５ｄによって検出され、その検出結果は制御系１１６ａ、１１６ｂに送られる。
【００７１】
ＨＦＥ循環経路１１０ａを流れるＨＦＥは、熱交換器１１３ａで一旦冷却された後に、熱交換器１１４ａによって目標温度に加熱されて、第１ユニット（Ｕ１）に供給される。ＨＦＥ循環経路１１０ｂを流れるＨＦＥは、熱交換器１１３ａで一旦冷却された後に、熱交換器１１４ｂによって目標温度に加熱されて、第２ユニット（Ｕ２）に供給される。第１ユニット（Ｕ１）を出たＨＦＥと第２ユニット（Ｕ２）を出たＨＦＥはタンク１１１ａに戻る。
【００７２】
同様にＨＦＥ循環経路１１０ｃを流れるＨＦＥは、熱交換器１１３ｃで一旦冷却された後に、熱交換器１１４ｃによって目標温度に加熱されて、第３ユニット（Ｕ３）に供給される。ＨＦＥ循環経路１１０ｄを流れるＨＦＥは、熱交換器１１３ｄで一旦冷却された後に、熱交換器１１４ｄによって目標温度に加熱されて、第４ユニット（Ｕ４）に供給される。第３ユニット（Ｕ３）を出たＨＦＥと第４ユニット（Ｕ４）を出たＨＦＥはタンク１１１ｃに戻る。
【００７３】
より具体的には、ＨＦＥ系１０１では、タンク１１１ａ、１１１ｃ内のＨＦＥがポンプ１１２ａ、１１２ｃによって圧送される。タンク１１１ａ、１１１ｃは、ＨＦＥ循環経路１１０ａ〜１１０ｄ内のＨＦＥ温度の安定化を目的としてＨＦＥを一時的に貯留するものであり、ポンプ１１２ａ、１１２ｃの上流に配されている。ポンプ１１２ａ、１１２ｃで圧送されたＨＦＥは、熱交換器１１３ａ、１１３ｃにおいて目標温度（例えば２３℃）以下に冷却された後、熱交換器１１４ａ〜１１４ｄにおいて加熱され、これにより、ＨＦＥが目標温度（例えば２３℃）に制御される。
【００７４】
本例のＨＦＥ系１０１では、恒温系とアクティブ系との間でＨＦＥ循環経路１１０ａ〜１１０ｄが互いに独立しており、アクティブ系を流れるＨＦＥの温度の変動が大きくても、その影響が恒温系にはほとんど伝わらない。その結果、恒温系における温調精度を安定させることができるとともに、アクティブ系の発熱量の変動にも柔軟に対応できる。
【００７５】
なお、ＨＦＥの温度制御に際し、ＨＦＥを一旦冷却した後に加熱するのは、露光装置本体１０の各ユニット（Ｕ１〜Ｕ４）から還流するＨＦＥが各ユニットの発熱によって加熱されてくることが予想されるからで、この場合、一旦冷却して荒熱を取り去った後、再加熱しながら流体温度を制御する方が、操作量を少なくできるため、制御性が高いからである。逆に、露光装置本体１０の各ユニットから還流するＨＦＥが冷却されてくることが予想される場合には、一旦加熱した後に冷却しながら流体温度を制御するほうがよい。
【００７６】
（冷水系）
冷水系１０２は、冷凍機１２０と、目標温度に制御された冷水が循環する流路である冷水循環経路１２１とを含む。
【００７７】
冷凍機１２０は、冷水コンデンサ（凝縮器）１２２、熱交換器（蒸発器）１２４、及びコンプレッサ１２５等を含み、蒸発、圧縮、凝縮、及び膨張の各工程からなるサイクルにより、低温の物体から熱を汲み上げ、高温の物体に熱を与えるものである。
【００７８】
すなわち、冷凍機１２０では、コンプレッサ１２５で冷媒蒸気を圧縮し、高温高圧の状態にする。高温高圧の冷媒蒸気を高圧のまま、熱交換器１３６を介した後に、冷水コンデンサ１２２で放熱させ、凝縮する。液化した冷媒は不図示の膨張弁によって減圧され、湿り蒸気となる。湿り蒸気は熱交換器１２４内で吸熱して蒸発し、飽和蒸気となってコンプレッサ１２５に吸引される。 冷水コンデンサ１２２には、工場冷却水が流れる冷却配管１２２ａが配設されており、冷媒から放出される熱は冷媒配管１２２ａを流れる工場冷却水によって必要に応じて回収される。
なお、冷凍機１２０で用いられる冷媒としては、例えば、Ｒ４１０Ａ、Ｒ４０７Ｃ、Ｒ１３４ａ等のフロンや、アンモニア、イソブタン、二酸化炭素などが挙げられる。
【００７９】
冷水循環経路１２１には、熱交換器１１３ａ、１１３ｃ、熱交換器１２４の他に、タンク１２６、及びポンプ１２７等が配設されている。なお、冷水循環経路１２１は、恒温系（経路１２１ａ）とアクティブ系（経路１２１ｃ）とに分岐しており、各経路１２１ａ、１２１ｃに上記熱交換器１１３ａ、１１３ｃが配設されている。
【００８０】
冷水循環経路１２１では、タンク１２６内の冷水がポンプ１２７によって圧送される。タンク１２６は、冷水循環経路１２１内の冷水温度の安定化を目的として冷水を一時的に貯溜するものであり、ポンプ１２７の上流に配されている。ポンプ１２７で圧送された冷水は熱交換器１２４において、冷凍機１２０の冷媒との熱交換により冷却される。熱交換器１２４で冷却された冷水は、熱交換器１１３ａ、１１３ｃにおいてＨＦＥ系１０１を流れるＨＦＥとの間で熱交換を行う。この熱交換により、ＨＦＥ系１０１を流れるＨＦＥの温度が低下し、冷水循環経路１２１（経路１２１ａ、１２１ｃ）を流れる冷水の温度が上昇する。
【００８１】
（温水系）
温水系１０３は、目標温度に制御された温水が循環する流路である温水循環経路１３０を有し、この温水循環経路１３０には、タンク１３１、ポンプ１３３、流量制御弁１３４、１３５ａ〜１３５ｄ、熱交換器１１４ａ〜１１４ｄ、１３６、迂回路１３７、１５７、及び温度センサ１３９等が配設されている。
【００８２】
温水循環経路１３０は、前述したように、供給先ユニット（Ｕ１〜Ｕ４）に対応付けて４つの経路（１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄ）に分岐している。すなわち、温水循環経路１３０は、入口分岐配管１５５ａにおいて恒温系とアクティブ系との２方向に分岐しており、その下流の補分岐配管１５５ｂ、１５５ｃにおいて恒温系及びアクティブ系のそれぞれにおいてさらに２方向（合計４方向）に分岐している。恒温系の２つの分岐経路１３０ａ、１３０ｂはその出口において、出口合流配管１５６ａを介して接続され、アクティブ系の２つの分岐経路１３０ｃ、１３０ｄはその出口において、出口合流配管１５６ｂを介して接続され、さらにそれらの配管が出口合流配管１５６ｃを介して接続されている。また、各分岐経路１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ、１３０ｄのそれぞれに、上記熱交換器１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄと、流量制御弁１３５ａ、１３５ｂ、１３５ｃ、１３５ｄとが配設されている。そして、各ユニットに入るＨＦＥが目標温度（例えば２３℃）となるように、温度センサ１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄの検出結果に基づいて、制御系１１６ａ、１１６ｂの指示に基づいて、対応付けられた流量制御弁１３５ａ、１３５ｂ、１３５ｃ、１３５ｄの開度が制御される。
【００８３】
温水系１０３では、タンク１３１内の温水がポンプ１３３によって圧送される。タンク１３１は、温水循環経路１３０内の温水温度の安定化を目的として温水を一時的に貯溜するものであり、ポンプ１３３の上流に配されている。ポンプ１３３で圧送された温水は、熱交換器１３６において加熱される。本例では、温水系１０３を流れる温水の熱源として、上記冷水系１０２における冷凍機１２０の排熱を利用する。すなわち、冷凍機１２０において、コンプレッサ１２５と冷水コンデンサ１２２との間に上記熱交換器１３６が配設されており、コンプレッサ１２５で高温高圧に圧縮された冷媒の上記熱が熱交換器１３６を介して温水系１０３の温水に伝達される。
【００８４】
熱交換器１３６の下流位置においては、熱交換器１３６で加熱された温水と、迂回路１３７を介して熱交換器１３６を迂回した温水とが合流する。温水の混合割合によって熱交換器１１４ａ〜１１４ｄに向かう温水の温度が定まり、この温水温度は、温度センサ１３９で検出され、その検出結果は制御系１４１に送られる。流量制御弁１３４は、熱交換器１３６に入る温水の流量を制御するものであり、ポンプ１３３と熱交換器１３６との間の流路において、迂回路１３７との接続部（分岐部）の下流に配設されている。制御系１４１は、温度センサ１３９の検出結果に基づいて、熱交換器１３６から出た温水の温度が目標温度になるように、流量制御弁１３４の開度を制御する。流量制御弁１３４の開度の制御により、熱交換器１３６を経由する温水の流量と迂回する温水の流量との割合、すなわち熱交換器１１４ａ〜１１４ｄに向かう温水の混合割合が定まる。なお、温水の目標温度は、例えば、ＨＦＥ系１０１の目標温度（例えば２３℃）に対して５℃高い温度（例えば２８℃）である。
【００８５】
目標温度に調整された温水は、熱交換器１１４ａ〜１１４ｄにおいてＨＦＥ系１０１の循環経路１１０ａ〜１１０ｄを流れるＨＦＥとの間で熱交換を行う。この熱交換により、循環経路１１０ａ〜１１０ｄを流れるＨＦＥの温度が上昇し、温水循環経路１３０を流れる温水の温度が低下する。制御系１１６は、温度センサ１１５ａ〜１１５ｄの検出結果に基づいて、露光装置本体１０の各ユニット（Ｕ１〜Ｕ４）に入るＨＦＥが目標温度（例えば２３℃）となるように、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄの開度を制御する。
【００８６】
本例の温水系１０３では、前述したように、温水循環経路１３０において、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄに向かう温水の一部を迂回させる迂回路１５７と、アクティブ系の分岐経路１３０ｃ、１３０ｄの温水の流出量の変動を検出する流量検出器１５８と、流量検出器１５８の検出結果に基づいて迂回路１５７を流れる温水の流量を制御する迂回量制御弁１５９とが設けられている。流量検出器１５８の検出結果は制御系１６０に送られる。制御系１６０は、流量検出器１５８の検出結果に基づいて、アクティブ系からの温水の流出量が一定になるように、迂回量制御弁１５９の開度を制御する。そして、この迂回制御により、熱交換器１１４ｃ、１１４ｄを流れる温水の流量が比較的大きく変動しても、その変動分が迂回路１５７で吸収される。そのため、恒温系及びアクティブ系に対する温水の流入量が一定に保たれ、各熱交換器１１４ａ〜１１４ｄにおいてそれぞれ熱交換が安定的に行われる。さらに、温水系１０３の全体の流れが安定し、温水自体の温度制御にかかる負荷が少なくなり、温水系１０３の系全体において温水の温度安定度が向上する。
【００８７】
また、温水系１０３では、冷水系１０２の排熱利用、すなわち冷凍機１２０で発生する排熱を利用して温水を加熱することから、熱利用効率の向上が図られる。すなわち、この冷凍機１２０の排熱は通常は工場冷却水によって回収されるものであり、その排熱を利用することで消費エネルギーの低減化を図り、運転コストを抑えることが可能である。なお、温水系１０３において、熱交換器１３６から出た温水の温度は、例えば、６０〜８０℃である。この温水の熱を利用して配管内や温水に含まれる細菌類を殺菌することも可能である。
【００８８】
図１０は、図９の温調装置１００の部分的な変形例を示している。
図１０の例は、温水系１０３の熱交換器１３６に接続される冷媒用の配管１９０に、迂回路１９１を設けるとともに、その迂回路に流量制御弁１９２（本例は手動式、固定バルブ）を設けた点が図９と異なる。
ここで、熱交換器１３６は、前述したように、温水系１０３における温水と熱源との熱交換のためのものである。温水系１０３の熱源は、冷凍機１２０の排熱を利用していることから、熱量の変動が生じやすい場合がある。冷凍機１２０側の熱量変動が大きいと、熱交換器１３６に流入する温水の流量（温水側の熱交換流量）を制御する流量制御弁１３４について、良好に制御可能な開度の範囲を外れる可能性がある。
【００８９】
そこで、図１０に示すように、迂回路１９１に設けた流量制御弁１９２によって熱交換器１３６に流入する冷媒（排熱ガス）の流量を適宜調節する。すなわち、熱交換器１３６に供給される冷凍機１２０側の熱量が所望の範囲内におさまるように、流量制御弁１９２の開度を調節する。これにより、本例では、温水側の流量制御弁１３４を、常に制御特性の良い部分で使用することが可能となり、温水の温度をより安定させることが可能となる。なお、図１０の変形例として、図１０に示す迂回路１９１に設けた流量制御弁１９２に代えて、迂回路１９１の分岐部に流量制御用の三方弁を設ける構成としてもよい。
【００９０】
なお、図９の例において、流量制御弁１３４、１３５ａ〜１３５ｄの配設位置は、熱交換器１１４ａ〜１１４ｄ、１３６の上流でもよく下流でもよい。なお、熱交換器１３６から出る温水は高温であることから、その手前に流量制御弁１３４を配することにより、熱による流量制御弁１３４の寿命の低下を防ぐことができるという利点がある。
【００９１】
また、熱交換器１１３ａ、１１３ｃ、１１４ａ〜１１４ｄ、１２４、１３６としては伝熱面積が広いタイプ、例えばプレート型の熱交換器が用いられる。プレート型熱交換器は、伝熱面積が広いことから、多量の流体の温度を精密に制御するのに適している。
【００９２】
また、図９の例では、上述した温調装置１００の構成要素のうち、ＨＦＥ系１０１と、冷水系１０２及び温水系１０３の一部（ＨＦＥ循環経路１１０、タンク１１１ａ、１１１ｃ、ポンプ１１２ａ、１１２ｃ、熱交換器１１３ａ、１１３ｃ、１１４ａ〜１１４ｄ、温度センサ１１５ａ〜１１５ｄ、流量制御弁１３５ａ〜１３５ｄ、迂回路１５７等）は露光装置ＥＸＰとほぼ同じ環境下に配置され（以後この部分を、２次温調系１５０と称する）、他の構成要素（例えば、冷水系１０２の残りの一部、温水系１０３の残りの一部）は、クリーンルームの床下あるいはクリーンルームに隣接して配設されるユーティリティルーム等のクリーンルームとは異なる環境下に配されている（以後この部分を、１次温調系１５１と称する）。１次温調系１５１をクリーンルームとは異なる環境下に配置するのは、クリーンルームにおける厳密管理が必要な領域の縮小化や、クリーンルームの管理コストの低減化を目的としている。
【００９３】
図１１は、露光装置本体１０の具体的な構成例を示している。
露光装置本体１０は、露光光源１１としてＡｒＦエキシマレーザ光（λ＝１９３ｎｍ）を出射するレーザ光源を使用しており、露光光ＥＬの光路内に配置されたレチクルＲを照明するための照明系２１、レチクルＲが搭載されるレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲから射出される露光光ＥＬをウエハＷ上に投射する投影光学系ＰＬ、ウエハＷが搭載されるウエハステージＷＳＴ、及び装置全体を統括的に制御する制御装置（不図示）等を備えて構成されている。
【００９４】
露光光源１１からの露光光ＥＬは、ビーム・マッチング・ユニット（以下、「ＢＭＵ」という。）１２を介して照明系２１に導入される。ＢＭＵ１２は複数の光学素子で構成され、露光光源１１と照明系２１とを光学的に接続する。なお、露光光源１１は、クリーンルームの床下あるいはクリーンルームに隣接して配設されるユーティリティルーム等に配置される。
【００９５】
照明系２１は、オプティカルインテグレータをなすフライアイレンズ（ロッドインテグレータでもよい）２６、ミラー２７、コンデンサーレンズ２８等の光学素子を含んで構成されている。不図示の露光光源からの露光光ＥＬは、ＢＭＵ１２を介して照明系２１に導入される。前記フライアイレンズ２６は、露光光源からの露光光ＥＬの入射により、その後方面に前記レチクルＲを均一な照度分布で照明する多数の二次光源を形成する。フライアイレンズ２６の後方には、前記露光光ＥＬの形状を整形するためのレチクルブラインド２９が配置されている。
【００９６】
照明系２１における露光光ＥＬの入口部と出口部には、板状の平行平板ガラス（図示略）が配置されている。この平行平板ガラスは、露光光ＥＬを透過する物質（合成石英、蛍石など）により形成されている。
【００９７】
投影光学系ＰＬは、露光光ＥＬの入口部と出口部に設けられる一対のカバーガラス（図示略）と、この一対のカバーガラスの間に設けられる複数（図１１では２つのみ図示）のレンズエレメント３１とを含んで構成されている。また、投影光学系ＰＬは、レチクルＲ上の回路パターンを例えば１／５あるいは１／４に縮小した投影像を、表面に前記露光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布されたウエハＷ上に形成する。
【００９８】
レチクルステージＲＳＴは、所定のパターンが形成されたレチクルＲを、露光光ＥＬの光軸と直交する面内で移動可能に保持している。レチクルステージＲＳＴの端部には、レチクル側干渉計３３からのレーザビームを反射する移動鏡（図示略）が固定されている。そして、レチクルステージＲＳＴは、このレチクル側干渉計３３によって走査方向の位置が常時検出され、露光装置本体１０の全体の動作を制御する制御装置（不図示）の制御のもとで、所定の走査方向に駆動されるようになっている。
【００９９】
ウエハステージＷＳＴは、露光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布されたウエハＷを、露光光ＥＬの光軸と直交する面内において移動可能、かつその光軸に沿って微動可能に保持するものであり、ウエハ室４０の内部に収容されている。
【０１００】
また、ウエハステージＷＳＴの端部には、ウエハ側干渉計３４からのレーザビームを反射する移動鏡（図示略）が固定されており、ウエハステージＷＳＴが可動する平面内での位置は、ウエハ側干渉計３４によって常時検出される。そして、ウエハステージＷＳＴは、前記制御装置の制御のもとで、前記走査方向の移動のみならず、走査方向に垂直な方向にも移動可能に構成されている。これにより、ウエハＷ上の各ショット領域ごとに走査露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が可能になっている。
【０１０１】
ここで、ウエハ室４０は、支持体としての本体コラム３６の内部に区画形成されたものであり、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の空間を外部雰囲気から遮断している。ウエハ室４０の内部には、上記ウエハステージＷＳＴの他に、ウエハＷの表面のＺ方向の位置（フォーカス位置）や傾斜角を検出するための斜入射形式のオートフォーカスセンサ２４や、オフ・アクシス方式のアライメントセンサ２５等が収納されている。なお、本体コラム３６は、ベースプレート３７上に複数の防振台３８を介して支持され、露光装置本体１０の構成要素であるレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハステージＷＳＴ等をそれぞれ保持している。
【０１０２】
上記構成の露光装置本体１０では、ステップ・アンド・スキャン方式により、レチクルＲ上に回路パターンをウエハＷ上のショット領域に走査露光する場合、レチクルＲ上の照明領域が、前記レチクルブラインド２９で長方形（スリット）状に整形される。この照明領域は、レチクルＲ側の走査方向に対して直交する方向に長手方向を有するものとなっている。そして、レチクルＲを露光時に所定の速度Ｖｒで走査することにより、前記レチクルＲ上の回路パターンを前記スリット状の照明領域で一端側から他端側に向かって順次照明する。これにより、前記照明領域内におけるレチクルＲ上の回路パターンが、前記投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上に投影され、投影領域が形成される。
【０１０３】
このとき、ウエハＷは、レチクルＲとは倒立結像関係にあるため、レチクルＲの走査方向とは反対方向に、レチクルＲの走査に同期して所定の速度Ｖｗで走査される。これにより、ウエハＷのショット領域の全面が露光可能となる。走査速度の比Ｖｗ／Ｖｒは、前記投影光学系の縮小倍率に応じたものになっており、レチクルＲ上の回路パターンがウエハＷ上の各ショット領域上に正確に縮小転写される。
【０１０４】
ここで、露光装置本体１０で使用するＡｒＦレーザ光は、空気中に含まれる酸素・有機化合物によってエネルギーが吸収されやすい。そのため、露光装置本体１０では、照明光路（露光光源１１〜レチクルＲへ至る光路）及び投影光路（レチクルＲ〜ウエハＷへ至る光路）を外部雰囲気から遮断し、それらの光路をＡｒＦレーザ光に対して吸収の少ない特性を有するガスで満たしている。
【０１０５】
具体的には、ＢＭＵ１２、照明系２１、及び投影光学系ＰＬにおける各光路がケーシング４１，４２，４３によって外部環境から遮断されている。各ケーシング４１，４２，４３には、供給管４５と排出管４６とが接続されており、光学的に不活性なパージガスである不活性ガスが、マイクロデバイス工場のユーティリティプラント内のタンク４７から供給されるようになっている。また、各ケーシング４１，４２，４３の内部のガスは、排出管４６を介して工場の外部に排出されるようになっている。
【０１０６】
不活性ガスとは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の中から選択された単体のガス、あるいはその混合ガスであり、化学的に精製されている。パージガスの供給は、各ケーシング４１，４２，４３の内部において、各種光学素子を汚染する有機化合物や、エネルギーを吸収する酸素等の不純物の濃度を低減するために行われる。なお、水分及び有機化合物は、露光光ＥＬの照射下で各種光学素子の表面上に堆積して曇り現象を生じせしめる物質であり、酸素は、ＡｒＦエキシマレーザを吸収する吸光物質である。また、有機化合物としては、例えば有機ケイ素化合物、アンモニウム塩、硫酸塩、ウエハＷ上のレジストからの揮散物、各種駆動部を有する構成部品に使用される摺動性改善剤からの揮散物、電気部品に給電あるいは信号供給するための配線の被覆層からの揮散物等がある。
【０１０７】
なお、パージガス中にも有機化合物、あるいは酸素が不純物として含まれることがある。このため、供給管４５の途中には、パージガス中の不純物を除去するためのパージガスフィルタ４８や、パージガスを所定の温度に調整するとともにパージガス中の水分を除去する温調乾燥器４９が設けられている。
【０１０８】
ここで、上記の露光装置本体１０において、温度制御した流体（ＨＦＥ）の供給先ユニット（温調対象ユニット）の例としては、投影光学系ＰＬ（投影レンズ）、ヒートシンク、及びウエハステージＷＳＴ（Ｘステージ、Ｙステージ）が挙げられる。なお、これらＨＦＥの供給先ユニットは一例であり、露光装置本体１０において温度管理が必要なユニットが必要に応じて適宜選択される。
【０１０９】
投影光学系ＰＬやアライメントセンサ２５等のセンサ類は、電装品や光ビームなどから熱影響を受けると、光学素子の熱変形が生じて性能が低下するおそれがあり、それを回避するために温調されている。上記ヒートシンクは、温調用の放熱手段として備えられているものである。また、投影光学系ＰＬやセンサ類は、比較的熱負荷の変動（発熱量）が小さいものの、目標とする温度安定度が厳しい。したがって、これらは図９の温調装置１００における「恒温系」で温調するのが望ましい。
【０１１０】
一方、ウエハステージＷＳＴにおける、ＸステージやＹステージは、駆動用のアクチュエータが発熱しやすく、その熱を回収すること等を目的として温調されている。なお、アクチュエータの熱がステージＷＳＴ近くの空気に伝わると空気揺らぎ等により干渉計３４の測定精度に影響を与えるおそれがある。Ｘステージ及びＹステージのアクチュエータの熱負荷（発熱量）は、駆動状態で大きく変化する。したがって、これらは図９の温調装置１００における「アクティブ系」で温調するのが好ましい。
【０１１１】
以上、本発明の温調装置、及び露光装置の構成例について説明したが、露光装置本体における投影光学系としては、屈折タイプに限らず、反射屈折タイプ、反射タイプであってもよい。また、露光装置として、投影光学系を用いることなく、マスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するコンタクト露光装置や、マスクと基板とを近接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも本発明を同様に適用することができる。
【０１１２】
また、本発明は、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている液浸法を用いた露光装置にも適用可能である。液浸法は、投影光学系の下面と基板表面（ウエハなど）との間を水（純水）や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。この場合、例えば、投影光学系の下面とウエハとの間に供給する液体を、本発明の温調装置を用いて温調するとよい。具体的には、投影光学系の下面とウエハとの間に液体を供給するための供給ノズルの上流に本発明における第２熱交換器を配置する。これにより、投影光学系の下面とウエハとの間に供給される液体について、高応答、高出力で精密な温調が可能となる。
【０１１３】
また、露光装置として、縮小露光型に限定されるものではなく、例えば等倍露光型や、拡大露光型であってもよい。
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために使用されるレチクルまたはマスクを製造するためにマザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ光（深紫外光）やＶＵＶ光（真空紫外光）などを用いる露光装置では一般に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては、石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、または水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置などでは、透過型マスク（ステンシルマスク、メンバレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
【０１１４】
また、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、例えば以下のような露光装置にも同様に適用することができる。例えば、本発明は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置にも適用することができる。また、本発明は、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置にも適用することができる。また、本発明は、ＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置にも適用することができる。
【０１１５】
また、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板に転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の一括露光型の露光装置にも適用することができる。
【０１１６】
また、露光装置の光源としては、例えばｇ線（λ＝４３６ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（λ＝１５７ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ（λ＝１４６ｎｍ）、Ａｒ2レーザ（λ＝１２６ｎｍ）等を用いてもよい。また、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外線、または可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いてもよい。
【０１１７】
なお、上述した露光装置１０は、例えば、次のように製造される。
まず、投影光学系ＰＬを構成する複数のレンズエレメント３１及びカバーガラス等を投影光学系ＰＬの鏡筒（ケーシング４３）に収容する。また、ミラー２７、各レンズ２６，２８等の光学部材からなる照明系２１をケーシング４２内に収容する。そして、これらの照明系２１及び投影光学系ＰＬを本体チャンバ１０１に組み込み、光学調整を行う。次いで、多数の機械部品からなるウエハステージＷＳＴ（スキャンタイプの露光装置の場合は、レチクルステージＲＳＴも含む）を本体チャンバＣＨに取り付けて配線を接続する。そして、ＢＭＵ１２のケーシング４１と照明系２１のケーシング４２と投影光学系ＰＬのケーシング４３とに供給管４５と排出管４６とを接続するとともに、温調装置１００を各ユニットに接続した上で、さらに総合調整（電気調整、動作確認など）を行う。
【０１１８】
また、前記各ケーシング４１，４２，４３を構成する各部品は、超音波洗浄などにより、加工油や、金属物質などの不純物を落とした上で、組み上げられる。なお、露光装置１０の製造は、温度、湿度や気圧が制御され、かつクリーン度が調整されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
【０１１９】
次に、上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイス製造方法の実施形態について説明する。
図１２は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【０１２０】
図１２に示すように、まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、デバイス（マイクロデバイス）の機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲ等）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラスプレート等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる）を製造する。
【０１２１】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３で用意したマスクと基板とを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入等）等の工程が必要に応じて含まれる。
【０１２２】
最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
【０１２３】
図１３は、半導体デバイスの場合における、図１３のステップＳ１０４の詳細なフローの一例を示す図である。図１３において、ステップＳ１１１（酸化ステップ）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）では、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）では、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜Ｓ１１４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【０１２４】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、先に説明したリソグラフィシステム（露光装置）によってマスク（レチクル）の回路パターンをウエハ上に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）では露光されたウエハを現像し、ステップ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【０１２５】
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重の回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造装置を用いれば、露光工程（ステップＳ１１６）において、露光光により解像力の向上が可能となり、露光量制御を高精度に行うことができる。従って、露光精度を向上することができ、例えば最小線幅０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まり良く製造することができる。
【０１２６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】本発明に係る温調装置における特徴部分の一形態例を模式的に示す図である。
【図２】温調装置で用いられる流量制御弁の特性（開度−流量特性）の一例を示す図である。
【図３】温調装置で用いられる流量制御弁の特性（開度−流量特性）の一例を示す図である。
【図４】温調装置で用いられる流量制御弁の特性（開度−流量特性）の一例を示す図である。
【図５】図１に示した温調装置の変形例を示す図である。
【図６】図１または図５の温調装置に用いられる流量制御弁の漏液を検知する漏液検知系の構成を示す図である。
【図７】図５の温調装置の部分的な変形例を示す図である。
【図８】図５の温調装置の部分的な変形例を示す図である。
【図９】図５に示す特徴部分の形態例が適用された温調装置の全体構成を示す図である。
【図１０】図９の温調装置の部分的な変形例を示す図である。
【図１１】露光装置本体の具体的な構成例を示す図である。
【図１２】デバイスの製造方法を示すフローチャート図である。
【図１３】半導体素子の製造方法を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１２８】
Ｒ…レチクル（マスク）、Ｗ…ウエハ、ＲＳＴ…レチクルステージ、ＰＬ…投影光学系（温調対象ユニット）、ＷＳＴ…ウエハステージ、露光装置…ＥＸＰ、ＣＨ…チャンバ、１０…露光装置本体、１００、１００ａ…温調装置、１０１…ＨＦＥ系（流体流路）、１０２…冷水系（冷媒流体流路）、１０３…温水系（温媒流体流路）、１１３ａ、１１３ｃ１１４ａ〜１１４ｄ、１２４、１３６…熱交換器、１１５ａ〜１１５ｄ、１３９…温度センサ、１２０…冷凍機、１２５…コンプレッサ（圧縮機）、１３０…温水循環経路、１３０ａ〜１３０ｄ…分岐経路、１３４、１３５ａ〜１３５ｄ…流量制御弁、１３７、１４３ａ、１４３ｂ、１５７…迂回路、１４４ａ、１４４ｂ、１５８…流量検出器、１４５ａ、１４５ｂ、１５９…迂回量制御弁、１５５ａ…入口分岐配管、１５５ｂ、１５５ｃ…補分岐配管、１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃ…出口合流配管、１７０…漏液検知系、１７０ａ…第１漏液検知系、１７０ｂ…第２漏液検知系、１７１…ボックス、１７７ａ〜１７７ｄ、１８１…検知配線、１７６、１８０…漏液検知器、１７８ａ〜１７８ｄ…リレー、Ｕ１〜Ｕ４…温調対象ユニット。
【図１】
2006080194.tif 000003
【図２】
2006080194.tif 000004
【図３】
2006080194.tif 000005
【図４】
2006080194.tif 000006
【図５】
2006080194.tif 000007
【図６】
2006080194.tif 000008
【図７】
2006080194.tif 000009
【図８】
2006080194.tif 000010
【図９】
2006080194.tif 000011
【図１０】
2006080194.tif 000012
【図１１】
2006080194.tif 000013
【図１２】
2006080194.tif 000014
【図１３】
2006080194.tif 000015