(57)【要約】【課題】チップ間の剥離を防止するチップ積層方法を提供する。【解決手段】複数の連結パッドを有する基板を提供して（ステップ１）、基板上に第１チップが設置される（ステップ２）。第１チップは能動面に位置する複数の第１ボンディングパッドを有し、第１ボンディングパッドと基板の連結パッドとを電気的に接続する（ステップ３）。液体ダイアタッチ材料を第１チップの能動面にプリントし（ステップ４）、脱泡作業を行うことで液体ダイアタッチ材料内のある微細気泡を除く（ステップ５）。一回目の焼き作業を行うと、液体ダイアタッチ材料は半硬化状態になり緻密粘着仲介層に形成される（ステップ６）。第２チップを第１チップ上に堆積し、緻密粘着仲介層を用いて能動面に位置する複数の第２ボンディングパッドを有する第２チップの背面を粘着する（ステップ７）。二回目の焼き作業を行って緻密粘着仲介層を硬化してしまう（ステップ８）。【選択図】図３Ｉ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の連結パッドを有する基板を提供するステップと、
能動面と背面とを有し、該能動面に複数の第１ボンディングパッドが形成され、該背面は該基板に接着される第１チップを基板上に設置するステップと、
該第１チップの複数の第１ボンディングパッドと該基板の複数の連結パッドとを電気的に接続するステップと、
液体ダイアタッチ材料を該第１チップの該能動面上に塗布するステップと、
脱泡作業を行って該液体ダイアタッチ材料内に存在する微細気泡を除去するステップと、
一回目の焼き作業を行って該液体ダイアタッチ材料は半硬化状態に焼成されて緻密粘着仲介層に形成されるステップと、
能動面には複数の第２ボンディングパッドを有する第２チップを該第１チップ上に堆積して、該緻密粘着仲介層を用いて該第２チップの背面と該第１チップの能動面とを接着するステップと、
二回目の焼き作業を行って該緻密粘着仲介層を硬化させるステップと、
を含むことを特徴とするチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項２】
脱泡作業において、該第１チップは真空状態容器内に置かれ、且つ振動されることによって、該液体ダイアタッチ材料内に存在する微細気泡を除去することを特徴とする請求項１に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項３】
該真空状態の圧力は２Torrより小さくなることを特徴とする請求項２に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項４】
第１チップの複数の第１ボンディングパッドは複数の第１ボンディングワイヤを介して該基板の複数の連結パッドに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項５】
該緻密粘着仲介層は一部で前記第１ボンディングワイヤの一端を覆うことを特徴とする請求項４に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項６】
該緻密粘着仲介層は該第２チップの背面全体を接着することを特徴とする請求項１に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項７】
更に、該第２チップの複数の第２ボンディングパッドと該基板とを電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項８】
更に、封止体は該基板上に形成されて該第１チップと該第２チップとを密封することを特徴とする請求項１に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項９】
能動面に複数の第１ボンディングパッドが形成される第１チップを提供するステップと、
液体ダイアタッチ材料を該第１チップの該能動面上に形成するステップと、
脱泡作業を行って該液体ダイアタッチ材料内に存在する微細気泡を除去するステップと、
一回目の焼き作業を行って該液体ダイアタッチ材料は半硬化状態に焼成されて緻密粘着仲介層に形成されるステップと、
能動面に複数の第２ボンディングパッドを有する第２チップを該第１チップ上に堆積して、該緻密粘着仲介層を用いて該第２チップの背面と該第１チップの能動面とを接着するステップと、
二回目の焼き作業を行って該緻密粘着仲介層を硬化させるステップと、
を含むチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１０】
更に一回目の焼き作業を行った後に、該第１チップを基板上に設置することを特徴とする請求項９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１１】
脱泡作業において、該第１チップは真空状態容器内に置かれ、且つ振動されることによって、該液体ダイアタッチ材料内に存在する微細気泡を除去することを特徴とする請求項９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１２】
該真空状態の圧力は２Torrより小さくなることを特徴とする請求項１１に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１３】
第１チップの複数の第１ボンディングパッドは複数の第１ボンディングワイヤを介して該基板の複数の連結パッドに電気的に接続されることを特徴とする請求項９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１４】
該緻密粘着仲介層は一部で前記第１ボンディングワイヤの一端を覆うことを特徴とする請求項９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１５】
該緻密粘着仲介層は該第２チップの背面全体を接着することを特徴とする請求項９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１６】
更に、該第２チップの複数の第２ボンディングパッドと該基板とを電気的に接続することを特徴とする請求項９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１７】
更に、封止体は該基板上に形成されて該第１チップと該第２チップとを密封することを特徴とする請求項９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１８】
能動面に複数の第１ボンディングパッドが形成される第１チップと、能動面に複数の第２ボンディングパッドが形成される第２チップとを提供するステップと、
液体ダイアタッチ材料を該第１チップの背面と該第２チップの背面に形成するステップと、
脱泡作業を行って該液体ダイアタッチ材料内に存在する微細気泡を除去するステップと、
一回目の焼き作業を行って該液体ダイアタッチ材料は半硬化状態に焼成されて緻密粘着仲介層に形成されるステップと、
第２チップを該第１チップ上に堆積して、該緻密粘着仲介層を用いて該第２チップの背面と該第１チップの能動面とを接着するステップと、
二回目の焼き作業を行って該緻密粘着仲介層を硬化させるステップと、
を含むチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項１９】
脱泡作業において、該第１チップと該第２チップとは真空状態容器内に置かれ、且つ振動されることによって、該液体ダイアタッチ材料内に存在する微細気泡を除去することを特徴とする請求項１８に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項２０】
該真空状態の圧力は２Torrより小さくなることを特徴とする請求項１９に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項２１】
該第１チップの複数の第１ボンディングパッドは複数の第１ボンディングワイヤを介して該基板の複数の連結パッドに電気的に接続されることを特徴とする請求項１８に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項２２】
該第２チップの下面にある該緻密粘着仲介層は一部で前記第１ボンディングワイヤの一端を覆うことを特徴とする請求項２１に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項２３】
該緻密粘着仲介層は該第２チップの背面全体を接着することを特徴とする請求項１８に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項２４】
更に、該第２チップ複数の第２ボンディングパッドと該基板とを電気的に接続することを特徴とする請求項１８に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【請求項２５】
更に、封止体は該基板上に形成されて該第１チップと該第２チップとを密封することを特徴とする請求項１８に記載のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマルチチップ積層の実装技術、特にチップ間の剥離を防止するチップ積層方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のマルチチップパッケージ技術領域において、複数のチップは基板から垂直上向きに堆積され且つ電気的に接続されて有効にパッケージ構造の遮蔽区（footprint）を縮小することができ、マルチチップパッケージ構造の寸法が大き過ぎることを回避する。一般に、下層チップと接続用ボンディングワイヤを圧して傷つくことを防止するため、チップ間に仲介物（interposer）を挿んでチップ間の間隔を広げる。通常に、ボンディングワイヤを傷つかないようにチップ間に挿まれる仲介物の寸法は下層チップの能動面より小さくしている。周知の仲介物材質は熱発散フィン、ダミチップ、ポリイミド（polyimide）テープなどを採用するので上層チップに対する支注力は弱くなる。上層チップが薄すぎる場合、ワイヤボンディングする圧力が上層チップの破裂を起こす要因となる。
【０００３】
特許文献１の「小寸法積層方式による半導体パッケージ」に一種のマルチチップパッケージ構造が公開されている。チップ間に位置する仲介物は接着剤層であって硬化された後に十分に上層チップ背面を粘着且つ支持することとなる。図１を参考にして、基板１１０上に第１チップ１２０と第２チップ１５０とが設置され、第１チップ１２０の背面１２２は基板１１０上に粘着され、第２チップ１５０は第１チップ１２０上に堆積される。第１チップ１２０と第２チップ１５０との間にある仲介物は液体塗布用のダイアタッチ剤層１４０であり、第１チップ１２０の能動面１２１に第２チップ１５０の背面１５２を粘着させる。一般な手順では、第２チップ１５０を堆積する前、複数の第１ボンディングワイヤ１３０を用いて第１チップ１２０の能動面１２１にある第１ボンディングパッド１２３と基板１１０の連結パッド１１１とを接続してからダイアタッチ剤層１４０を第１チップ１２０上に液体塗布する。また、第２チップ１５０を堆積した後、ダイアタッチ剤層１４０は硬化されて第２チップ１５０を粘着且つ支持する効果に達する。次に、ワイヤボンディング方式で形成される複数の第２ボンディングワイヤを用いて第２チップ１５０の第２ボンディングパッド１５３と基板１１０の連結パッド１１１とを接続する。このとき、第２チップ１５０に対してダイアタッチ剤層１４０が良好な支持力を持つが、しかし、硬化された後のダイアタッチ剤層１４０内には微細な気泡１４１がまだ残留することにより、チップ間の接着力と導熱性に悪影響を与えてチップ間の剥離現象を起こすこととなる。
【０００４】
【特許文献１】台湾特許第５６４，５３１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の主な目的はチップ間の剥離を防止するチップ積層方法を提供する。チップ積層の前に、第１チップ上に液体ダイアタッチ材料をプリントし、そして、脱泡作業を行って液体ダイアタッチ材料内にある微細気泡を除去させる。故に、一回目の焼き作業には、液体ダイアタッチ材料を半硬化して緻密粘着仲介層を形成し、チップ積層の時に、この緻密粘着仲介層を用いて第２チップを粘着してチップ間の気泡によるチップ間の剥離問題を解決することができる。
【０００６】
本発明の他の目的はチップ間の剥離を防止するチップ積層方法を提供する。積層手順としては、液体ダイアタッチ材料を第１チップ１２０上に塗布した後、チップ積層作業の前に脱泡作業が行われる。第１チップは真空状態容器内に置かれ、且つ振動されることによって、第１チップに塗布される液体ダイアタッチ材料内にある微細気泡を除去して後の焼き作業で緻密粘着仲介層を焼成することにとって有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法において、先ず、複数の連結パッドを有する基板を提供して基板上に第１チップが設置され、即ち、第１チップの背面が基板上に粘着される。第１チップは能動面に位置する複数の第１ボンディングパッドを有し、それらの第１ボンディングパッドと基板の連結パッドとを電気的に接続する。次に、液体ダイアタッチ材料を第１チップの能動面にプリントし、そして、脱泡作業を行うことで液体ダイアタッチ材料内のある微細気泡を除くことができる。また、一回目の焼き作業を行うと、液体ダイアタッチ材料は半硬化状態になり緻密粘着仲介層に形成される。次に、第２チップを第１チップ上に堆積して、緻密粘着仲介層を用いて第２チップの背面を粘着し、第１チップと同じように第２チップも能動面に位置する複数の第２ボンディングパッドを有する。さらに、二回目の焼き作業を行って緻密粘着仲介層を硬化してしまう。他の異なる実施例には、第１チップの能動面或は第２チップの背面に緻密粘着仲介層を形成した後に第１チップを基板上に固定すれば第２チップ積層に対して有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の第１実施例は、図２に示すように、一種のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法を開示する。この方法は、ステップ１「一基板を提供する」、ステップ２「一第１チップを基板上に設置する」、ステップ３「第１チップと基板とを電気的に接続する」、ステップ４「一液体ダイアタッチ材料を第１チップ上に塗布する」、ステップ５「脱泡作業を行う」、ステップ６「一回目の焼き作業を行う」、ステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」、ステップ８「二回目の焼き作業を行う」、ステップ９「第２チップと基板とを電気的に接続する」、ステップ１０「封止作業を行う」等のステップを含む。
【０００９】
先ず、ステップ１「一基板を提供する」において、図３Ａに示すように、少なくとも一つの基板２１０を提供する。基板２１０は、上表面２１１と上表面２１１に位置する複数の連結パッド２１２（連結フィンガー（connecting finger）とも言われる）を有し、印刷回路基板や、セラミク回路基板、回路薄膜を使用することができる。
次に、ステップ２「一第１チップを基板上に設置する」において、図３Ｂに示すように、第１チップ２２０を基板２１０の上表面２１１に置く。第１チップ２２０は能動面２２１と背面２２２とを有し、複数の第１ボンディングパッド２２３が能動面上２２１に形成される。基板２１０上の接着材料２１３を用いて第１チップ２２０の背面２２２を粘着且つ固定することができる。
【００１０】
次に、ステップ３「第１チップと基板とを電気的に接続する」において、図３Ｃに示すように、ワイヤボンディング方式で形成される複数の第１ボンディングワイヤ２３０を介して第１チップ２２０の第１ボンディングパッド２２３と基板２１０の連結パッド２１２との接続をすることで第１チップ２２０と基板２１０との間に電気的な接続をすることに達する。
【００１１】
次に、ステップ４「一液体ダイアタッチ材料を第１チップ上に塗布する」において、図３Ｄに示すように、液体ダイアタッチ材料２４０を第１チップ２２０の能動面２２１に塗布し、塗布方式はスクリーン印刷、鋼板印刷、ドロップキャスティング（drop casting）、スプレーコーティング（spray coating）などを有するが、鋼板印刷は他の方式より好ましいと思われる。通常、液体ダイアタッチ材料２４０はそれらの第１ボンディングパッド２２３を覆わないことで、適当な焼き作業を行った後にそれらの第１ボンディングパッド２２３が他のチップと連結可能である。第１実施例では、液体ダイアタッチ材料２４０は、マルチステージ（multistage）硬化特性を持つことができ、さらに多種特性を持つ混合フィルムを含むことも可能である。例えば、弾力を促進するためシリカゲル（silica gel）を混入し、導熱性を促進するため金属微細粒子（例えば銀パウダー）を混入し、各異なる硬化温度を持つ熱硬化フィルムを混入し、さらに特殊用途フィルムを得るため各ナノ材料を混入することもできる。良好な混合効果に達するため常圧状態下で実装する時、液体ダイアタッチ材料２４０内に微細気泡２４１が存在する問題が生じる。
【００１２】
次に、ステップ５「脱泡作業を行う」において、図３Ｅに示すように、脱泡作業を行って液体ダイアタッチ材料２４０内に存在する微細気泡２４１を除去させる。つまり、外界との圧力を隔離する脱泡装置（図に示していない）内に第１チップ２２０と基板２１０を置き、脱泡装置内を真空状態にして、例えば、真空の圧力は２Torrより小さく且つ時間的に１０分から６０分まで維持することができる状態にしてよい。さらに、基板２１０と第１チップ２２０を振動させればより有効に液体ダイアタッチ材料２４０内にある微細気泡２４１を除去する。これには、例えば、超音波振動を利用する。故に、液体ダイアタッチ材料２４０が均一に混合されることを確保することができる。
【００１３】
上記ステップ５「脱泡作業を行う」を実施した後にステップ６「一回目の焼き作業を行う」を行って、図３Ｆに示すように、液体ダイアタッチ材料２４０を半硬化状態（例えば、Ｂ‐stage状態）に焼いて第１チップ２２０上にある緻密粘着仲介層２４２に形成する。第１実施例では、緻密粘着仲介層２４２はＢ‐stage特性を持って熱を加えてチップを接着することが可能である。この時の液体ダイアタッチ材料２２０内の微細気泡２２１が殆ど除去されてしまい、よって、導熱性とダイアタッチ強度に悪影響を及ぼす気泡隙間は緻密粘着仲介層２４２内に残留しなくなる。
【００１４】
次に、ステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」において、図３Ｇに示すように、第２チップ２５０を第１チップ２２０上に堆積する。第２チップ２５０は能動面２５１と背面２５２を有し、複数の第２ボンディングパッド２５３は第２チップ２５０の能動面２５１に形成される。適当なダイアタッチ圧力を加え且つ加熱による温度上昇の条件で緻密粘着仲介層２４２の粘度は一段と強くなり、よって、第２チップ２５０の背面２５２を第１チップ２２０の能動面２２１に粘着させる効果も増強される。このステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」を実施した後に、緻密粘着仲介層２４２は一部でそれらの第１ボンディングワイヤ２３０の一端を覆うことができる。緻密粘着仲介層２４２は第２チップ２５０の背面２５２全体をぴったり接着するのが好ましく、第２チップ２５０に対して優れた粘度と支持力、及び第１ボンディングワイヤ２３０に対して優れた固定と保護に達することができる。
【００１５】
次に、ステップ８「二回目の焼き作業を行う」において、緻密粘着仲介層２４２を完全に硬化させ、例えば、Ｃ‐stage状態に硬化させる。このステップ８「二回目の焼き作業を行う」は、ステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」を実施した直後に行われるか、或はステップ１０「封止作業を行う」と同時に行われてもよい。他に、ステップ９「第２チップと基板とを電気的に接続する」において、図３Ｈに示すように、ワイヤボンディング方式で形成される複数の第２ボンディングワイヤ２６０を介して第２チップ２５０の第２ボンディングパッド２５３と基板２１０の連結パッド２１２との接続をすることで第２チップ２５０と基板２１０との間に電気的な接続をすることに達する。
【００１６】
最後に、ステップ１０「封止作業を行う」において、図３Ｉに示すように、封止体２７０は基板２１０の上表面２１１に形成された第１チップ２２０、第２チップ２５０、それらの第１ボンディングワイヤ２３０、及びそれらの第２ボンディングワイヤ２６０を密封する。第一実施例では、封止体２７０がモールト方式で形成される。更に、第１実施例では、第１チップ２２０と第２チップ２５０とを例にするが、本発明のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法にとって両チップ積層とは限らない。様々な要求に応じてステップ１０「封止作業を行う」を行う前に、ステップ４「一液体ダイアタッチ材料を第１チップ上に塗布する」からステップ９「第２チップを基板に電気的に接続する」までを所定数量のマルチチップ積層を完成するまでに繰り返してよい。
【００１７】
従って、本発明の実施例のチップ間の剥離を防止するチップ積層方法では、ステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」を行う前に、ステップ６「一回目の焼き作業を行う」が行われ、また、ステップ６「一回目の焼き作業を行う」を行う前に、ステップ５「脱泡作業を行う」が行われる。故に、液体ダイアタッチ材料２４０内に存在する微細気泡２４１を除去することができ、液体ダイアタッチ材料２４０を緻密粘着仲介層２４２に変えることが可能でダイアタッチ強度を増強させ且つチップ間の剥離を避けることができる。
【００１８】
他に、本発明はステップの順序に限らず、例えば、第２実施例では、ステップ１「一基板を提供する」、ステップ２「一第１チップを基板上に設置する」、及びステップ３「第１チップと基板とを電気的に接続する」は、ステップ６「一回目の焼き作業を行う」の後且つステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」の前に実施されてもよい。最初に、図４に示すように、ステップ４「一液体ダイアタッチ材料を第１チップ上に塗布する」、ステップ５「脱泡作業を行う」、及びステップ６「一回目の焼き作業を行う」を順に実施することによって、第１チップ２２０の能動面２２１上に緻密粘着仲介層２４２を形成することができる。そして、接着材料２１３を介して第１チップ２２０の背面２２２を基板２１０の上表面２１１に粘着させればステップ２「一第１チップを基板上に設置する」を完成する。また、ステップ３「第１チップと基板とを電気的に接続する」を実施して、ステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」、ステップ８「二回目の焼き作業を行う」、ステップ９「第２チップと基板とを電気的に接続する」を順に行えばよい。
【００１９】
第３実施例では、図５に示すように、最初に、ウエファーかチップラベルにステップ４「一液体ダイアタッチ材料を第１チップ上に塗布する」、ステップ５「脱泡作業を行う」、及びステップ６「一回目の焼き作業を行う」を行い、第１チップ２２０の背面２２２と第２チップ２５０の背面２５２とに緻密粘着仲介層２４２を形成させて、第３実施例では、第２チップ２５０の背面２５２は全体的に緻密粘着仲介層２４２に覆われる。次に、ステップ２「一第１チップを基板上に設置する」を行い、第１チップ２２０は基板２１０の上表面２１１に設置される。次に、ステップ３「第１チップと基板とを電気的に接続する」を実施し、第１ボンディングワイヤ２３０を介して第１チップ２２０と基板２１０とを電気的に接続する。また、ステップ７「一第２チップを第１チップ上に設置する」を行い、第１チップ２２０上に第２チップ２５０を堆積するように緻密粘着仲介層２４２を用いて第２チップ２５０の背面２５２を第１チップ２２０の能動面２２１に（図５に示すように）接着させる。最後に、ステップ８「二回目の焼き作業を行う」を実施し、緻密粘着仲介層２４２（図に示していない）を硬化させてしまう。
本発明の保護範囲は後付の特許申請範囲で限定されて、この保護範囲に基準して、本発明の精神と範囲内に触れるどんな変更や修正は本発明の保護範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】周知のマルチチップ積層構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法のブロック流れ図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｄ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｅ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｆ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｇ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｈ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図３Ｉ】本発明の第１実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図４】本発明の第２実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【図５】本発明の第３実施例によるチップ間の剥離を防止するチップ積層方法における基板の断面図である。
【符号の説明】
【００２１】
２１０  基板、２１１  上表面、２１２  連結パッド、２１３  接着材料、２２０  第１チップ、２２１能動面、２２２  背面、２２３  第１ボンディングパッド、２３０  第１ボンディングワイヤ、２４０  液体ダイアタッチ材料、２４１  気泡、２４２  緻密粘着仲介層、２５０  第２チップ、２５１  能動面、２５２  背面、２５３  第２ボンディングパッド、２６０  第２ボンディングワイヤ、２７０  封止体
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2006295187.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
2006295187.tif 000008
【図３Ｅ】
2006295187.tif 000009
【図３Ｆ】
2006295187.tif 000010
【図３Ｇ】
2006295187.tif 000011
【図３Ｈ】
2006295187.tif 000012
【図３Ｉ】
2006295187.tif 000013
【図４】
2006295187.tif 000014
【図５】
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