(57)【要約】【課題】光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】上記半導体レーザ装置１００は、搭載面１０１ａを有する薄金属板１０１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有するＬＤチップ１０２とを備えている。薄金属板１０１には、薄金属板１０１がＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心に搭載面１０１ａと平行な平面に沿って回転することを可能にするアール部１０１ｂが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載面を有する本体部と、
上記搭載面に搭載されると共に、レーザ光を出射する前端面を有する半導体レーザ素子と
を備え、
上記本体部に、上記本体部が上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第１回転ガイド機構
を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記本体部の縁部の少なくとも一部は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記本体部は金属板からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記本体部は、
上記搭載面を有する金属板と、
上記金属板と一体に形成され、かつ、上記第１回転ガイド機構が形成された樹脂部と
からなることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１回転ガイド機構は、上記本体部の縁部に形成されたアール部であり、
上記アール部は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１回転ガイド機構は、上記本体部の縁部に形成された２つの第１角部であり、
上記第１角部の先端は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周上の点に略重なることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１角部の先端と上記発光点近傍とを通る直線が、上記本体部の側面に対して鋭角を成すように交差することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項８】
請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子における上記金属板とは反対側の表面にはワイヤボンディング配線が電気的に接続され、
上記樹脂部における上記金属板とは反対側の表面は、上記ワイヤボンディング配線における上記金属板とは反対側の部分よりも高く、
上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面および２つの側面に対向するように形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項９】
請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記樹脂部は、導電性を有する樹脂材料で形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体レーザ装置において、
上記樹脂材料は粉末状または粒子状の金属を含んでいることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１１】
請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面に対向する黒色の表面を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１２】
請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面に対向すると共に、上記半導体レーザ素子の後端面から出射されたレーザ光を散乱する光散乱面を有し、
上記第１回転ガイド機構が形成されている部分の表面は上記光散乱面よりも凹凸が少ないことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１３】
請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面に対向する表面を有し、
上記表面は、上記半導体レーザ素子の後端面から出射されたレーザ光の光軸に対して傾斜していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１４】
請求項４に記載の半導体レーザ装置において、
上記樹脂部には、上記半導体レーザ素子の後端面に対向する切り欠きが形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体レーザ装置において、
上記切り欠きにより露出した上記金属板の表面には、上記半導体レーザ素子の後端面から出射されたレーザ光を散乱する光散乱手段が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の半導体レーザ装置において、
上記切り欠きにより露出した上記金属板の表面の色は黒色であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１回転ガイド機構は、上記本体部における上記半導体レーザ素子とは反対側の表面に形成された凹部であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部は上記発光点と略重なるように形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部の内壁面は円周面の少なくとも一部であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２０】
請求項１８に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部の内壁面は円錐面の少なくとも一部であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２１】
請求項１７に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部は、上記半導体レーザ素子の前端面側の部分が開放されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２２】
請求項１７に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部は、上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なる溝部であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２３】
請求項１７に記載の半導体レーザ装置において、
上記凹部は、上記本体部の縁部に形成された切り欠きであり、
上記切り欠きは上記半導体レーザ素子と略同じ幅を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２４】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子は複数の異なる波長のレーザ光を出射することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子による複数の発光点のうちの２つの発光点を結ぶ直線の中間点近傍が上記本体部の回転中心となることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２６】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子はモノリシック型半導体レーザ素子であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２７】
請求項２６に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子による複数のレーザ光のうち最も光出力が大きいレーザ光の発光点近傍が上記本体部の回転中心となることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２８】
請求項２４に記載の半導体レーザ装置において、
上記半導体レーザ素子による複数のレーザ光のうちの最も水平広がり角が小さいレーザ光の発光点近傍が上記本体部の回転中心となることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２９】
請求項２４に記載の半導体レーザ装置において、
上記本体部の上記搭載面とは反対側の表面には、上記半導体レーザ素子による複数の発光点に略重なる凹部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３０】
請求項２４に記載の半導体レーザ装置において、
上記本体部の上記搭載面とは反対側の表面には、上記半導体レーザ素子による複数の発光点のうちの２つの発光点を結ぶ直線の中間点近傍に略重なる凹部が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３１】
請求項１に記載の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成したことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３２】
請求項５に記載の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記アール部に接触する湾曲面であり、
上記湾曲面は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３３】
請求項５に記載の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心にして上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記アール部に接触する平面であり、
上記平面は上記アール部に対する接線に略重なることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３４】
請求項５に記載の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心にして上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記アール部に当接する２つの第２角部であり、
上記第２角部の先端は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周上の点に略重なることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３５】
請求項６に記載の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心にして上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記第１角部が当接する湾曲面であり、
上記湾曲面は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３６】
請求項１７に記載の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記取付面に形成された突起部であり、
上記突起部は上記凹部に嵌合することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３７】
請求項３６に記載の光ピックアップ装置において、
上記突起部の形状は、略円柱形状または略円板形状または略円錐形状であることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３８】
請求項３６に記載の光ピックアップ装置において、
上記突起部の高さは上記本体部の厚みより低いことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３９】
請求項３６に記載の光ピックアップ装置において、
上記突起部の表面の色は黒色であることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４０】
請求項３６に記載の光ピックアップ装置において、
上記突起部における上記半導体レーザ素子とは反対側の部分の高さは、上記突起部における上記半導体レーザ素子側の部分の高さよりも低くなっていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４１】
請求項３６に記載の光ピックアップ装置において、
上記突起部の高さは、上記半導体レーザ素子の前端面から出射されたレーザ光の中心強度の１／ｅ2以下であることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４２】
請求項３６に記載の光ピックアップ装置において、
上記突起部は複数あることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４３】
請求項３６に記載の光ピックアップ装置において、
上記半導体レーザ素子は複数の異なる波長のレーザ光を出射し、
上記半導体レーザ素子による複数の発光点のうちの２つの発光点間の距離Ｌと、上記凹部の幅Ｗ１と、上記突起部の幅Ｗ２とが以下の関係式を満たすことを特徴とする光ピックアップ装置。
Ｌ＜Ｗ１
Ｗ２≒Ｗ１−Ｌ
【請求項４４】
請求項４３に記載の光ピックアップ装置において、
上記突起部と上記凹部との間には、熱伝導性を有するペーストが充填されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子を金属板に搭載した半導体レーザ装置と、この半導体レーザ装置を搭載して、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）などの光ディスクに対して情報の再生、消去及び記録のうちの少なくとも１つを行う光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ピックアップ装置は、光源としてレーザダイオードチップを備え、光ディスクへ情報を記録したり、光ディスに記録された情報を再生したり、光ディスクに記録された情報を消去したりする。
【０００３】
図２８に、従来の光ピックアップ装置の基本構成の概念図を示す。
【０００４】
上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置１７００、コリメートレンズ１７６１および対物レンズ１７６２を備えている。
【０００５】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１７００から出射されたレーザ光は、コリメートレンズ１７６１によって略平行光に変換され、対物レンズ１７６２によって光ディスク１７６３の記録面に集光される。これにより、上記光ディスク１７６３へ情報が記録されたり、光ディスク１７６３に記録された情報が再生されたり、光ディスク１７６３に記録された情報が消去されたりする。
【０００６】
なお、図２８では、上記光ディスク１７６３に対する情報の再生、記録および消去のために必要な光検出器などの信号検出系や、光ディスク１７６３に対するレーザ光の焦点調整に必要な機構は省略する。
【０００７】
図２９に、従来の半導体レーザ装置１７００の基本構成図を示す。
【０００８】
上記半導体レーザ装置１７００は一般にフレームレーザと呼ばれるものである。上記半導体レーザ装置１７００では、レーザダイオードチップ（以下、「ＬＤチップ」と言う。）１７０２を薄金属板１７０１にインジウムや銀ペーストなどを介して搭載している。
【０００９】
上記ＬＤチップ１７０２はレーザ光出射端面（前端面）１７０２ａからレーザ光を出射する。このレーザ光は、図２９に示すような楕円の光強度分布を有している。このような光強度分布となるのは、ＬＤチップ１７０２が以下の構造を有していることによる。
【００１０】
なお、図２９のＸ軸は、薄金属板１７０１の上面（ＬＤチップ１７０２を搭載する搭載面）に平行、かつ、とＬＤチップ１７０２のレーザ光出射端面１７０２ａとに平行である。また、図２９のＹ軸は薄金属板１７０１の表面に垂直な方向である。そして、図２９のＺ軸は、薄金属板１７０１の上面に平行、かつ、ＬＤチップ１７０２のレーザ光出射端面１７０２ａに垂直である。
【００１１】
上記ＬＤチップ１７０２は、図３０に示すように、６つの面を有している。
【００１２】
上記６つの面のうちＸＹ平面に平行な面が２つある。この２つの面の一方が、レーザ光出射端面１７０２ａであり、劈開によって作られた原子レベルで精度が出ている平面である。そして、上記２つの面の他方がＬＤチップ１７０２の後端面１７０２ｂである。
【００１３】
上記ＬＤチップ１７０２を製造する際、結晶の成長方向は図３０のＹ軸方向、即ちＬＤチップ１７０２の厚み方向に平行である。そのため、電流を流してレーザを発光させるための電極（アノード電極またはカソード電極）はＹ軸方向に垂直な表面を有することになる。
【００１４】
上記６つの面のうちＹＺ平面に平行な２つの面は、ウェハーからＬＤチップ１７０２を切り出したときに形成されるダイシング面１７０２ｃ，１７０２ｄである。
【００１５】
上記ＬＤチップ１７０２の寸法は、通常、Ｚ軸方向の長さが３００〜１０００μｍ程度、Ｘ軸方向の長さが３００μｍ程度、Ｙ軸方向の長さが１００μｍ程度である。
【００１６】
上記ＬＤチップ１７０２は発光の際に発熱するので放熱の必要があり、当然、ＬＤチップ１７０２の放熱性は高い方が好ましい。
【００１７】
上記ＬＤチップ１７０２の放熱性を高めるには、ＬＤチップ１７０２の熱を薄金属板１７０１のＬＤチップ１７０２取付面に効率よく伝える必要がある。即ち、上記ＬＤチップ１７０２と薄金属板１７０１との間の熱抵抗が小さいことが望ましい。
【００１８】
上記ＬＤチップ１７０２の放熱性を高めるため、通常、インジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質でＬＤチップ１７０２を薄金属板１７０１に固定する。なお、上記材質は導電性を有している。
【００１９】
上記材質による固定を行う場合、ダイシング面を薄金属板１７０１のＬＤチップ１７０２取付面に上記材質で固定する方法は、アノード電極とカソード電極とが上記材質で電気的に接続されてショートすることになってしまうのでできない。
【００２０】
このようなショートを防ぐため、上記半導体レーザ装置１７００では、アノード電極とカソード電極との一方の面を薄金属板１７０１のＬＤチップ１７０２取付面に上記材質で固定する。この場合、上記アノード電極またはカソード電極が薄金属板１７０１に電気的に接続されるので、薄金属板１７０１は、半導体レーザ装置１７００のアノード電極端子またはカソード電極端子を兼ねた放熱板ということになる。
【００２１】
また、上記半導体レーザ装置１７００では、結晶成長の方向がＹ軸方向と平行なので、Ｙ軸方向の光の閉じこめは強く、Ｘ軸方向の光の閉じこめは弱い。このため、上記レーザ光の強度分布は、図２９に示すように、Ｘ軸方向に短軸を有し、かつ、Ｙ軸方向に長軸を有する楕円になる。
【００２２】
上記光強度分布のＸ軸方向の拡がり角をθ‖、光強度分布のＹ軸方向の拡がり角をθ⊥と一般に称する。
【００２３】
なお、上記アノード電極とカソード電極とのうち、薄金属板１７０１に接しない電極には、金線を使ったワイヤボンディングが行われる。これにより、上記薄金属板１７０１に接しない電極は、図示しないレーザ端子に電気的に接続される。このレーザ端子を介してＬＤチップ１７０２への電流供給が行われる。
【００２４】
図３１に、他の従来の半導体レーザ装置１８００の基本構成図を示す。
【００２５】
上記半導体レーザ装置１８００では、ＬＤチップ１８０２および金線を保護するため、樹脂部１８０３が薄金属板１８０１に一体成型されている。
【００２６】
上記半導体レーザ装置では、ＬＤチップ１８０２を薄金属板１８０１に固定する際に生じる傾きが問題となる。
【００２７】
一般的に、上記ＬＤチップ１８０２の傾き精度Δθ‖，Δθ⊥は２〜３°である。つまり、上記ＬＤチップ１８０２は、所定の方向に対してＸ，Ｙ軸方向に±２〜３°傾いて薄金属板１８０１のＬＤチップ１８０２取付面に取り付けられてしまうことがある。
【００２８】
上記光強度分布のＹ軸方向の拡がり角θ⊥は上述のように大きいため、ＬＤチップ１８０２の傾き精度Δθ⊥が光ピックアップ装置の特性に及ぼす悪影響は小さい。
【００２９】
しかし、上記光強度分布のＸ軸方向の拡がり角θ‖は上述のように小さいため、ＬＤチップ１８０２の傾き精度Δθ‖は光ディスクの記録面に集光される光スポットの品位を悪化させて、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響を及ぼす。
【００３０】
このような記録再生特性の悪化を回避するため、半導体レーザ装置をθ‖方向に傾き調整（回転調整）することが行われる。具体的には、上記光ピックアップ装置のハウジングの半導体レーザ装置取付面上に、半導体レーザ装置の薄金属板１８０１が接触する格好で面内回転をさせることにより、半導体レーザ装置のθ‖方向の傾き調整を行う。この傾き調整は、ＣＣＤ（電荷結合素子）カメラなどによって、レーザ光の光強度分布を測定しながら行う。
【００３１】
しかしながら、上記半導体レーザ装置のθ‖方向の傾き調整を行うと、ＬＤチップ１８０２の発光点の位置が変動してしまうため、コリメートレンズおよび対物レンズへ入射するレーザ光の光軸が傾いて軸外収差が発生する結果、記録再生特性が悪化してしまう。つまり、上記半導体レーザ装置のθ‖方向の傾き調整では、記録再生特性の悪化を回避することができない。
【００３２】
なお、図３１において、１８０２ａはレーザ光出射端面であり、１８０１ａは搭載面である。
【特許文献１】特開２００２−１７６２２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
そこで、本発明の課題は、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる半導体レーザ装置およびそれを備えた光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
上記課題を解決するため、第１の発明の半導体レーザ装置は、
搭載面を有する本体部と、
上記搭載面に搭載されると共に、レーザ光を出射する前端面を有する半導体レーザ素子と
を備え、
上記本体部に、上記本体部が上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第１回転ガイド機構
を形成したことを特徴としている。
【００３５】
上記構成の半導体レーザ装置によれば、上記第１回転ガイド機構を本体部に形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部を回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、半導体レーザ素子のθ‖方向の傾き調整を行える。したがって、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に搭載した場合、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００３６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記本体部の縁部の少なくとも一部は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なる。
【００３７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記本体部は金属板からなる。
【００３８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記本体部は、上記搭載面を有する金属板と、上記金属板と一体に形成され、かつ、上記第１回転ガイド機構が形成された樹脂部とからなる。
【００３９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１回転ガイド機構は、上記本体部の縁部に形成されたアール部であり、上記アール部は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なる。
【００４０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１回転ガイド機構は、上記本体部の縁部に形成された２つの第１角部であり、上記第１角部の先端は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周上の点に略重なる。
【００４１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１角部の先端と上記発光点近傍とを通る直線が、上記本体部の側面に対して鋭角を成すように交差する。
【００４２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子における上記金属板とは反対側の表面にはワイヤボンディング配線が電気的に接続され、上記樹脂部における上記金属板とは反対側の表面は、上記ワイヤボンディング配線における上記金属板とは反対側の部分よりも高く、上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面および２つの側面に対向するように形成されている。
【００４３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記樹脂部は、導電性を有する樹脂材料で形成されている。
【００４４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記樹脂材料は粉末状または粒子状の金属を含んでいる。
【００４５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面に対向する黒色の表面を有している。
【００４６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面に対向すると共に、上記半導体レーザ素子の後端面から出射されたレーザ光を散乱する光散乱面を有し、上記第１回転ガイド機構が形成されている部分の表面は上記光散乱面よりも凹凸が少ない。
【００４７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記樹脂部は、上記半導体レーザ素子の後端面に対向する表面を有し、上記表面は、上記半導体レーザ素子の後端面から出射されたレーザ光の光軸に対して傾斜している。
【００４８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記樹脂部には、上記半導体レーザ素子の後端面に対向する切り欠きが形成されている。
【００４９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記切り欠きにより露出した上記金属板の表面には、上記半導体レーザ素子の後端面から出射されたレーザ光を散乱する光散乱手段が形成されている。
【００５０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記切り欠きにより露出した上記金属板の表面の色は黒色である。
【００５１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記第１回転ガイド機構は、上記本体部における上記半導体レーザ素子とは反対側の表面に形成された凹部である。
【００５２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部は上記発光点と略重なるように形成されている。
【００５３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部の内壁面は円周面の少なくとも一部である。
【００５４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部の内壁面は円錐面の少なくとも一部である。
【００５５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部は、上記半導体レーザ素子の前端面側の部分が開放されている。
【００５６】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部は、上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なる溝部である。
【００５７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記凹部は、上記本体部の縁部に形成された切り欠きであり、上記切り欠きは上記半導体レーザ素子と略同じ幅を有する。
【００５８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子は複数の異なる波長のレーザ光を出射する。
【００５９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子による複数の発光点のうちの２つの発光点を結ぶ直線の中間点近傍が上記本体部の回転中心となる。
【００６０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子はモノリシック型半導体レーザ素子である。
【００６１】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子による複数のレーザ光のうち最も光出力が大きいレーザ光の発光点近傍が上記本体部の回転中心となる。
【００６２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記半導体レーザ素子による複数のレーザ光のうちの最も水平広がり角が小さいレーザ光の発光点近傍が上記本体部の回転中心となる。
【００６３】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記本体部の上記搭載面とは反対側の表面には、上記半導体レーザ素子による複数の発光点に略重なる凹部が形成されている。
【００６４】
一実施形態の半導体レーザ装置では、上記本体部の上記搭載面とは反対側の表面には、上記半導体レーザ素子による複数の発光点のうちの２つの発光点を結ぶ直線の中間点近傍に略重なる凹部が形成されている。
【００６５】
第２の発明の光ピックアップ装置は、
上記実施形態の半導体レーザ装置と
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成したことを特徴としている。
【００６６】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００６７】
第３の発明の光ピックアップ装置は、
上記実施形態の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記アール部に接触する湾曲面であり、
上記湾曲面は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なることを特徴とする光ピックアップ装置。
【００６８】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００６９】
第４の発明の光ピックアップ装置は、
上記実施形態の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心にして上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記アール部に接触する平面であり、
上記平面は上記アール部に対する接線に略重なることを特徴としている。
【００７０】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００７１】
第５の発明の光ピックアップ装置は、
上記実施形態の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心にして上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記アール部に当接する２つの第２角部であり、
上記第２角部の先端は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円周上の点に略重なることを特徴としている。
【００７２】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００７３】
第６の発明の光ピックアップ装置は、
上記実施形態の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心にして上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記第１角部が当接する湾曲面であり、
上記湾曲面は上記発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なることを特徴としている。
【００７４】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００７５】
第７の発明の光ピックアップ装置は、
上記実施形態の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザ装置を取り付ける取付面を有するハウジングと
を備え、
上記ハウジングに、上記本体部が上記ハウジングに対して上記半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に上記搭載面と平行な平面に沿って回転することを可能にする第２回転ガイド機構を形成し、
上記第２回転ガイド機構は、上記取付面に形成された突起部であり、
上記突起部は上記凹部に嵌合することを特徴としている。
【００７６】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、上記第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００７７】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記突起部の形状は、略円柱形状または略円板形状または略円錐形状である。
【００７８】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記突起部の高さは上記本体部の厚みより低い。
【００７９】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記突起部の表面の色は黒色である。
【００８０】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記突起部における上記半導体レーザ素子とは反対側の部分の高さは、上記突起部における上記半導体レーザ素子側の部分の高さよりも低くなっている。
【００８１】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記突起部の高さは、上記半導体レーザ素子の前端面から出射されたレーザ光の中心強度の１／ｅ２以下である。
【００８２】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記突起部は複数ある。
【００８３】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記半導体レーザ素子は複数の異なる波長のレーザ光を出射し、上記半導体レーザ素子による複数の発光点のうちの２つの発光点間の距離Ｌと、上記凹部の幅Ｗ１と、上記突起部の幅Ｗ２とが以下の関係式を満たす。
Ｌ＜Ｗ１
Ｗ２≒Ｗ１−Ｌ
【００８４】
一実施形態の光ピックアップ装置では、上記第７の発明の光ピックアップ装置において、上記突起部と上記凹部との間には、熱伝導性を有するペーストが充填されている。
【発明の効果】
【００８５】
第１の発明の半導体レーザ装置は、第１回転ガイド機構を本体部に形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部を回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、上記半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に搭載した場合、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００８６】
第２の発明の光ピックアップ装置は、第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００８７】
第３の発明の光ピックアップ装置は、第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００８８】
第４の発明の光ピックアップ装置は、第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００８９】
第５の発明の光ピックアップ装置は、第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００９０】
第６の発明の光ピックアップ装置は、第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【００９１】
第７の発明の光ピックアップ装置は、第２回転ガイド機構をハウジングに形成することによって、半導体レーザ素子の発光点近傍を中心に搭載面と平行な平面に沿って本体部をハウジングに対して回転させることができるから、半導体レーザ素子の発光点の位置ずれが生じることなく、θ‖方向の傾き調整を行える。したがって、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９２】
以下、本発明の半導体レーザ装置および光ピックアップ装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００９３】
（第１実施形態）
図１に、本発明の第１実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。
【００９４】
上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置１００と、この半導体レーザ装置１００を取り付ける取付面１５１ａを有するハウジング１５１とを備えている。
【００９５】
上記半導体レーザ装置１００は、搭載面１０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１０１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１０２とを備えている。
【００９６】
上記ＬＤチップ１０２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板１０１の搭載面１０１ａの前端部に固定されている。また、上記ＬＤチップ１０２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【００９７】
上記薄金属板１０１の前端面１０２ａ側の縁部（薄金属板１０１の前端部）には、第１回転ガイド機構の一例としてのアール部１０１ｂが形成されている。一方、上記薄金属板１０１における前端面１０２ａとは反対側の縁部には２つの略直角部が形成されている。
【００９８】
上記ハウジング１５１には、取付面１５１ａよりも高い上面を有するガイド部１５２が形成されている。このガイド部１５２の上面は取付面１５１ａと略平行になっている。また、上記ガイド部１５２には、第２回転ガイド機構の一例である湾曲面１５２ａが形成されている。この湾曲面１５２ａは取付面１５１ａに対して略垂直となっている。また、上記ガイド部１５２の厚みは薄金属板１０１の厚みより薄くなっている。つまり、上記取付面１５１ａに対するガイド部１５２の上面の高さは、薄金属板１０１の厚みよりも低くなっている。
【００９９】
図２に、上記光ピックアップ装置の要部を上方から見た概略図を示す。
【０１００】
上記アール部１０１ｂの縁の曲率半径は、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心とする平面視で円Ｃの半径Ｒに略等しい。つまり、上記半導体レーザ装置１００を取付面１５１ａの所定の位置に配置すると、アール部１０１ｂの縁は、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心とする平面視で円Ｃの円弧に略重なる。
【０１０１】
上記湾曲面１５２ａの縁の曲率半径は、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心とする平面視で円Ｃの半径Ｒに略等しい。つまり、上記半導体レーザ装置１００を取付面１５１ａの所定の位置に配置すると、湾曲面１５２ａの縁は、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心とする平面視で円Ｃの円弧に略重なる。
【０１０２】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１００をハウジング１５１の取付面１５１ａに取り付ける場合、半導体レーザ装置１００をハウジング１５１の取付面１５１ａ上に載せて、アール部１０１ｂを湾曲面１５２ａに接触させた後、湾曲面１５２ａに対してアール部１０１ｂを摺動させる。これにより、上記薄金属板１０１の回転は湾曲面１５２ａに規制されて、薄金属板１０１がハウジング１５１に対してＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心に搭載面１０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０１０３】
上記傾き調整は、前端面１０２ａからのレーザ光の光強度分布をＣＣＤカメラなどで測定しながら行えばよい。
【０１０４】
また、上記ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行った後は、例えば光硬化性樹脂などの接着剤を使って、半導体レーザ装置１００をハウジング１５１の取付面１５１ａに固定すればよい。
【０１０５】
（第２実施形態）
図３に、本発明の第２実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。また、図３において、図１，図２に示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１，図２における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１０６】
上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置１００と、この半導体レーザ装置１００を取り付ける取付面２５１ａを有するハウジング２５１とを備えている。
【０１０７】
上記ハウジング２５１には、取付面２５１ａよりも高い上面を有するガイド部２５２が形成されている。このガイド部２５２の上面は取付面２５１ａと略平行になっている。また、上記ガイド部２５２には、第２回転ガイド機構の一例である平面２５２ａが形成されている。この平面２５２ａは取付面２５１ａに対して略垂直となっている。また、上記ガイド部２５２の厚みは薄金属板１０１の厚みより薄くなっている。つまり、上記取付面２５１ａに対するガイド部２５２の上面の高さは、薄金属板１０１の厚みよりも低くなっている。
【０１０８】
図４に、上記光ピックアップ装置の要部を上方から見た概略図を示す。
【０１０９】
上記半導体レーザ装置１００を取付面２５１ａの所定の位置に配置すると、平面２５２ａは平面視でアール部１０１ｂの縁に対する接線と略重なる。
【０１１０】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１００をハウジング２５１の取付面２５１ａに取り付ける場合、半導体レーザ装置１００をハウジング２５１の取付面２５１ａ上に載せて、アール部１０１ｂを平面２５２ａに接触させた後、平面２５２ａに対してアール部１０１ｂを摺動させる。これにより、上記薄金属板１０１の回転は平面２５２ａに規制されて、薄金属板１０１がハウジング２５１に対してＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心に搭載面１０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０１１１】
ところで、上記第１実施形態では、第２回転ガイド機構の一例として湾曲面１５２ａを用いているので、アール部１０１ｂと湾曲面１５２ａとの嵌め合い公差（クリアランス）が必要であった。つまり、上記アール部１０１ｂの縁の曲率半径は、湾曲面１５２ａの縁の曲率半径よりも小さくする必要があった。このため、上記ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うときに、半導体レーザ装置１００のガタつきが生じてしまう。
【０１１２】
これに対して、本実施形態では、第２回転ガイド機構の一例として平面２５２ａを用いているから、アール部１０１ｂと平面２５２ａとの嵌め合い公差を必要しない。これにより、上記アール部１０１ｂを平面２５２ａに押し当てれば、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行っても、半導体レーザ装置１００のガタつきは一切発生しない。
【０１１３】
したがって、本実施形態の光ピックアップ装置は、上記第１実施形態の光ピックアップ装置よりも、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を高精度に行うことができる。即ち、上記発光点Ｐ１の位置がばらつくのを抑えることができ、特性の良い光ピックアップ装置を実現できる。
【０１１４】
（第３実施形態）
図５に、本発明の第３実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。また、図５において、図１，図２に示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１，図２における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１１５】
上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置１００と、この半導体レーザ装置１００を取り付ける取付面３５１ａを有するハウジング３５１とを備えている。
【０１１６】
上記ハウジング３５１には、取付面３５１ａよりも高い上面を有するガイド部３５２が形成されている。このガイド部３５２の上面は取付面３５１ａと略平行になっている。また、上記ガイド部３５２には、第２角部の一例としての２つの略直角部３５２ａが形成されている。また、上記ガイド部３５２の厚みは薄金属板１０１の厚みより薄くなっている。つまり、上記取付面３５１ａに対するガイド部３５２の上面の高さは、薄金属板１０１の厚みよりも低くなっている。
【０１１７】
図６に、上記光ピックアップ装置の要部を上方から見た概略図を示す。
【０１１８】
上記半導体レーザ装置１００を取付面３５１ａの所定の位置に配置すると、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１から略直角部３５２ａまでの距離は、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１からアール部１０１ｂの縁までの距離と略等しくなる。つまり、上記略直角部３５２ａの先端は、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心とする平面視で円Ｃの円周上の任意の点に略重なる。
【０１１９】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１００をハウジング２５１の取付面２５１ａに取り付ける場合、半導体レーザ装置１００をハウジング２５１の取付面２５１ａ上に載せて、アール部１０１ｂを略直角部３５２ａを当接させ、薄金属板１０１をガイド部３５２に２点接触させる。そして、上記ガイド部３５２の２つの略直角部３５２ａに対してアール部１０１ｂを摺動させると、薄金属板１０１の回転は略直角部３５２ａに規制されて、薄金属板１０１がハウジング３５１に対してＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１近傍を中心に搭載面１０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０１２０】
本実施形態の光ピックアップ装置でも、上記第２実施形態の光ピックアップ装置と同様に、アール部１０１ｂを略直角部３５２ａに押し当てれば、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行っても、半導体レーザ装置１００のガタつきは一切発生しない。
【０１２１】
また、本実施形態の光ピックアップ装置は、２つの略直角部３５２ａの位置精度のみを管理すればよいので、つまり、２つの略直角部３５２ａの先端が平面視で円Ｃの円周上の任意の点に略重なるように管理すればよいので、上記第２実施形態の光ピックアップ装置よりも、ハウジング３５１の精度を管理することが容易である。したがって、本実施形態の光ピックアップ装置は、上記第２実施形態の光ピックアップ装置よりも、ハウジング３５１の製造コストを下げることができる。
【０１２２】
（第４実施形態）
図７に、本発明の第４実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。また、図７において、図１，図２に示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１，図２における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１２３】
上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置２００と、この半導体レーザ装置２００を取り付ける取付面１５１ａを有するハウジング１５１とを備えている。
【０１２４】
上記半導体レーザ装置２００は、搭載面２０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板２０１を備えている。この薄金属板２０１の厚みは、ガイド部１５２の厚みよりも厚くなっている。つまり、上記薄金属板２０１の厚みは、取付面１５１ａに対するガイド部１５２の上面の高さよりも厚くなっている。また、上記薄金属板２０１の前端面１０２ａ（ガイド部１５２）側の縁部には、第１角部の一例としての２つの略直角部２０１ｂが形成されている。一方、上記薄金属板１０１における前端面１０２ａとは反対側の縁部にも２つの略直角部が形成されている。
【０１２５】
上記半導体レーザ装置２００を取付面１５１ａの所定の位置に配置すると、ＬＤチップ１０２の発光点から略直角部２０１ｂまでの距離は、ＬＤチップ１０２の発光点から湾曲面１２ａまでの距離と略等しくなる。つまり、上記略直角部２０１ｂの先端は、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円周上の任意の点に略重なる。
【０１２６】
上記構成の光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置２００をハウジング１５１の取付面１５１ａに取り付ける場合、半導体レーザ装置２００をハウジング１５１の取付面１５１ａ上に載せて、略直角部２０１ｂを湾曲面１５２ａに当接させ、薄金属板２０１をガイド部１５２に２点接触させる。そして、上記湾曲面１５２ａに対して２つの略直角部２０１ｂを摺動させると、薄金属板２０１の回転は湾曲面１５２ａに規制されて、薄金属板２０１がハウジング１５１に対してＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心に搭載面２０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０１２７】
また、上記薄金属板２０１の縁部には、上記第１実施形態の光ピックアップ装置のようにアール部１０１ｂを形成していないから、本実施形態の光ピックアップ装置は、上記第１実施形態の光ピックアップ装置よりも、ハウジング１５１の取付面１５１ａに対する薄金属板２０１の接触面積が大きい。したがって、本実施形態の光ピックアップ装置は、上記第１実施形態の光ピックアップ装置よりも、ＬＤチップ１０２の放熱性が高くなっている。
【０１２８】
（第５実施形態）
上記第４実施形態の光ピックアップ装置においてＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１が薄金属板２０１の前端部付近にある場合を考える。この場合、図８に示すように、湾曲面１５２ａに対して２つの略直角部２０１ｂを摺動させることができないから、薄金属板１０１の回転を湾曲面１５２ａで規制することができない。したがって、上記ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うと、ＬＤチップ１０２の発光点Ｐ１の位置が所定の位置からずれるという問題が生じてしまう。
【０１２９】
上記問題を回避できるようにしたのが本発明の第５実施形態の光ピックアップ装置である。
【０１３０】
図９に、本発明の第５実施形態の光ピックアップ装置の要部を上方から見た概略図を示す。
【０１３１】
上記光ピックアップ装置の半導体レーザ装置は、搭載面２２０１ａを有する金属板の一例としての薄金属板２２０１を備えている。この薄金属板２２０１の幅は、湾曲面１５２ａの曲率半径の２倍の長さより小さくなっている。また、上記薄金属板２２０１のガイド部１５２側の縁部には、第１角部の一例としての２つの略直角部２２０１ｂが形成されている。一方、上記薄金属板１０１におけるガイド部１５２とは反対側の縁部にも２つの略直角部が形成されている。そして、上記略直角部２２０１ｂ間における薄金属板２２０１の縁部には切り欠きが形成されている。上記略直角部２２０１ｂの先端と発光点Ｐ１近傍とを通る直線Ｓは薄金属板２２０１の側面に対して鋭角α（＝９０°未満）を成すように交差している。
【０１３２】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、直線Ｓを薄金属板２２０１の側面に対して鋭角αで交差させることにより、薄金属板２２０１をガイド部１５２に２点接触させ、湾曲面１５２ａに対して２つの略直角部２２０１ｂを摺動させることができる。したがって、上記薄金属板２２０１の回転を湾曲面１５２ａで規制することができる。
【０１３３】
また、上記略直角部２２０１ｂ間における薄金属板２２０１の縁部には切り欠きを形成しているので、直線Ｓを薄金属板２２０１の側面に対して鋭角αで交差させても、半導体レーザ装置のＬＤチップ搭載位置を薄金属板２２０１の前端面付近に設定することができる。
【０１３４】
上記半導体レーザ装置のＬＤチップ搭載位置を薄金属板２２０１の前端面付近に配置することによるメリットは、発光点Ｐ１を前方へ配置できるので、図１０に示すように、ＬＤチップ１０２の前端面１０２ａから出射されたレーザ光が薄金属板３２０１の表面で反射されて乱れることがない。つまり、上記レーザ光を乱すいわゆるリップル光を発生させることがない。
【０１３５】
なお、本実施形態の条件を上記第５実施形態に用いてもよい。つまり、上記第５実施形態において、略直角部２０１ｂの先端とＬＤチップ１０２の発光点近傍とを通る直線が薄金属板２０１の側面に対して鋭角で交差するようにしてもよい。
【０１３６】
（第６実施形態）
図１１に、本発明の第６実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置３００を斜め上方から見た概略図を示す。また、図１１において、図１，図２に示した第１実施形態の構成部と同一構成部は、図１，図２における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１３７】
上記半導体レーザ装置３００は、搭載面３０１ａを有する金属板の一例としての薄金属板３０１を備えている。この薄金属板３０１の搭載面３０１ａには、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質でＬＤチップ１０２が固定されている。また、上記薄金属板３０１の前端部には樹脂部３０３が一体に形成されている。
【０１３８】
上記樹脂部３０３の前端面１０２ａ側の縁部（樹脂部３０３の前端部）には、第１回転ガイド機構の一例としての２つのアール部３０３ａが形成されている。このアール部３０３ａは、薄金属板３０１への樹脂部３０３の一体成型で得られる。これにより、上記アール部３０３ａの形状の精度を高めることができる。また、上記アール部３０３ａの縁はＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なる。
【０１３９】
例えば上記第１実施形態のような薄金属板は、通常、金型で打ち抜くことによって外形形状を出すため、打ち抜きによってエッジがダレたり、バリが発生しやすい。このため、上記薄金属板では、外形精度を出すためには、打ち抜きに時間を要し、打ち抜き用の金型の精度を上げる必要がある。
【０１４０】
これに対して、上記樹脂部３０３は、樹脂成形用金型によって外形を精度良く製造することが可能であるので、精度の良い回転機構が実現可能である。また、上記樹脂部３０３は、薄金属板に比較して形状の自由度の高いことがメリットである。
【０１４１】
図１２に、上記半導体レーザ装置３００を前方から見た概略図を示す。
【０１４２】
上記半導体レーザ装置によれば、樹脂部３０３がＬＤチップ１０２の３つの面を取り囲むような形状を有している。つまり、上記樹脂部３０３は、ＬＤチップ１０２の後端面および２つの側面に対向する面を有している。これにより、上記樹脂部３０３に、ＬＤチップ１０２の保護機能を兼用させることができる。
【０１４３】
また、上記樹脂部３０３の上面（薄金属板３０１とは反対側の表面）は、ＬＤチップ１０２の上面よりも高く、かつ、ＬＤチップ１０２の上面に接続されたワイヤボンディング配線３０４の最上部（薄金属板３０１とは反対側の部分）よりも高くなっている。これにより、上記光ピックアップ装置の製造工程などで半導体レーザ装置を取り扱う際、ＬＤチップ１０２やワイヤボンディング配線３０４に誤って触れて、ＬＤチップ１０２やワイヤボンディング配線３０４を破壊してしまう危険性を大幅に低減できる。
【０１４４】
本実施形態の光ピックアップ装置は、上記第１〜第５実施形態で説明したようなハウジングを備えてもよい。
【０１４５】
上記樹脂部３０３を絶縁性の樹脂材料で形成した場合、光ピックアップ装置の製造工程などで半導体レーザ装置３００を取扱う際に、樹脂部３０３が帯電して、ＬＤチップ１０２を静電破壊させる可能性がある。したがって、上記樹脂部３０３は、導電性を有する樹脂材料で形成する方がよい。
【０１４６】
また、上記樹脂部３０３は、銅、アルミニウム、鉄などの熱伝導性の高い金属粉または金属粒子を含有した樹脂材料で形成してもよい。この樹脂材料を用いて樹脂部３０３を形成した場合、樹脂部３０３の帯電を防止することができる。また、その場合、上記樹脂部３０３の熱伝導性を高めることができるので、放熱を要求される高光出力の半導体レーザ装置では有用である。
【０１４７】
（第７実施形態）
図１３に、本発明の第７実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置４００を斜め上方から見た概略図を示す。また、図１３において、図１１に示した第６実施形態の構成部と同一構成部は、図１１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１４８】
上記半導体レーザ装置４００は、薄金属板３０１の前端部に一体に形成された樹脂部４０３を備えている。
【０１４９】
上記樹脂部４０３の前端面１０２ａ側の縁部（樹脂部４０３の前端部）には、第１回転ガイド機構の一例としての２つのアール部４０３ａが形成されている。このアール部４０３ａは、薄金属板３０１への樹脂部４０３の一体成型で得られる。これにより、上記アール部４０３ａの形状の精度を高めることができる。また、上記アール部４０３ａの縁はＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なる。
【０１５０】
また、上記樹脂部４０３には、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂに対向する表面４０３ｂが形成されている。この表面４０３ｂは黒色に塗られている。
【０１５１】
上記構成の半導体レーザ装置４００によれば、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂからもレーザ光は出射されている。上記ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂの反射率を完全に１００％にできれば、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂからレーザ光が出射することはない。しかし、上記ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂの反射率を完全に１００％にすることは技術的に難しいため、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂからもレーザ光は出射する。このＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光は樹脂部４０３の表面４０３ｂで反射されて光ピックアップ装置内に入って迷光となる恐れがあるが、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂに対向する表面４０３ｂを黒色に塗っているので、樹脂部４０３の表面４０３ｂの反射率を下げることができる。したがって、上記ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光が光ピックアップ装置内に入って迷光となるのを防ぐことができる。
【０１５２】
上記迷光は、光ディスクからの信号光に混入するなどして、光ピックアップ装置の特性を悪化させる原因となる。
【０１５３】
上記実施形態では、樹脂部４０３の表面４０３ｂのみ黒色に塗っていたが、樹脂部４０３の全表面を黒色に塗ってもよい。
【０１５４】
また、上記樹脂部４０３の樹脂材料そのものを黒色としてもよい。つまり、上記樹脂部４０３は、黒色の樹脂材料で形成してもよい。
【０１５５】
上記実施の形態では、迷光の発生を防ぐために表面４０３ｂを用いていたが、この表面４０３ｂの代わりに、数１０ミクロン〜数１００μｍ程度の微少な凹凸を有した光散乱面を用いてもよい。この光散乱面を樹脂部４０３に形成することにより、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光は光散乱面で散乱される。したがって、上記ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光が光ピックアップ装置内に入って迷光となることを回避できる。
【０１５６】
上記光散乱面は、微少な凹凸を表面に有する樹脂成形用金型を用いるだけで簡単に形成することができる。したがって、上記半導体レーザ装置４００の製造コストを増大させることなく、迷光の発生を防ぐ効果が得られる。
【０１５７】
なお、上記アール部４０３ａの表面は、ＬＤチップ１０２の回転調整をスムーズに行えるよう光散乱面とせず、微少な凹凸のない面にするのが好ましい。つまり、上記アール部４０３ａの表面は上記光散乱面の表面よりも凹凸が少なくするのが好ましい。
【０１５８】
（第８実施形態）
図１４に、本発明の第８実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置５００を斜め上方から見た概略図を示す。また、図１４において、図１１に示した第６実施形態の構成部と同一構成部は、図１１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１５９】
上記半導体レーザ装置５００は、薄金属板３０１の前端部に一体に形成された樹脂部５０３を備えている。
【０１６０】
上記樹脂部５０３の前端面１０２ａ側の縁部（樹脂部５０３の前端部）には、第１回転ガイド機構の一例としての２つのアール部５０３ａが形成されている。このアール部５０３ａは、薄金属板３０１への樹脂部５０３の一体成型で得られる。これにより、上記アール部５０３ａの形状の精度を高めることができる。また、上記アール部５０３ａの縁はＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なる。
【０１６１】
また、上記樹脂部５０３には、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂに対向する表面５０３が形成されている。この表面４０３ｂは、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光の光軸に対して傾斜している。
【０１６２】
上記構成の半導体レーザ装置５００によれば、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂに対向する表面５０３ｂが、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光の光軸に対して傾斜していることにより、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光を半導体レーザ装置外へ導くことができる。したがって、上記ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光が光ピックアップ装置内に入って迷光となるのを回避できる。
【０１６３】
上記樹脂部５０３の表面５０３ｂは、この表面５０３ｂの形状に対応する形状を有する樹脂成形用金型を用いるだけで簡単に形成することができる。したがって、上記半導体レーザ装置５００の製造コストを増大させることなく、迷光の発生を防ぐ効果が得られる。
【０１６４】
（第９実施形態）
図１５に、本発明の第９実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置６００を斜め上方から見た概略図を示す。また、図１５において、図１１に示した第６実施形態の構成部と同一構成部は、図１１における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１６５】
上記半導体レーザ装置６００は、薄金属板３０１の前端部に一体に形成された樹脂部６０３を備えている。
【０１６６】
上記樹脂部６０３の前端面１０２ａ側の縁部（樹脂部６０３の前端部）には、第１回転ガイド機構の一例としての２つのアール部６０３ａが形成されている。このアール部６０３ａは、薄金属板３０１への樹脂部６０３の一体成型で得られる。これにより、上記アール部６０３ａの形状の精度を高めることができる。また、上記アール部６０３ａの縁はＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なる。
【０１６７】
また、上記樹脂部６０３には、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂに対向する切り欠き６０３ｃが形成されている。
【０１６８】
上記構成の半導体レーザ装置６００によれば、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂに対向する切り欠き６０３ｃを樹脂部６０３に形成していることにより、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光を半導体レーザ装置外へ導くことができる。したがって、上記ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光が光ピックアップ装置内に入って迷光となるのを回避できる。
【０１６９】
上記樹脂部６０３の切り欠き６０３ｃは、この切り欠き６０３ｃの形状に対応する形状を有する樹脂成形用金型を用いるだけで簡単に形成することができる。したがって、上記半導体レーザ装置６００の製造コストを増大させることなく、迷光の発生を防ぐ効果が得られる。
【０１７０】
（第１０実施形態）
図１６Ａに、本発明の第１０実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置７００を斜め上方から見た概略図を示す。また、図１６Ｂに、上記半導体レーザ装置７００の要部の概略断面図を示す。また、図１６Ａ，１６Ｂにおいて、図１５に示した第９実施形態の構成部と同一構成部は、図１５における構成部と同一参照番号を付して説明を省略する。
【０１７１】
上記半導体レーザ装置７００は、図１６Ａに示すように、薄金属板３０１の前端部に一体に形成された樹脂部６０３を備えている。この樹脂部６０３の切り欠き６０３ｃによって露出した搭載面３０１ａには、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射されたレーザ光を散乱する光散乱手段の一例としての突起７０４が複数形成されている。この複数の突起７０４は樹脂材料から成っている。
【０１７２】
上記構成の半導体レーザ装置７００によれば、樹脂部６０３の切り欠き６０３ｃによって露出した搭載面３０１ａに複数の突起７０４を形成することにより、図１６Ｂに示すように、ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光を突起７０４で散乱して半導体レーザ装置外へ導くことができる。したがって、上記ＬＤチップ１０２の後端面１０２ｂから出射したレーザ光が光ピックアップ装置内に入って迷光となるのを回避できる。
【０１７３】
また、上記突起７０４により、ＬＤチップ１０１の後端面１０２ｂから出射したレーザ光を広範囲に散乱させることが可能である。したがって、上記突起７０４による散乱光が特定の方向に集中して迷光になることを防止できる。このように、上記突起７０４による散乱光が特定の方向に集中しないことは、特に光ピックアップ装置を小型化した際に有用である。
【０１７４】
また、上記突起７０４は、この突起７０４の形状に対応する形状を有する樹脂成形用金型を用いるだけで簡単に樹脂部６０３と同時に形成することができる。したがって、上記半導体レーザ装置７００の製造コストを増大させることなく、迷光の発生を防ぐ効果が得られる。
【０１７５】
上記実施の形態では、突起７０４は塗装していなかったが、突起７０４は黒色に塗装してもよい。
【０１７６】
上記実施の形態では、樹脂部６０３の切り欠き６０３ｃによって露出した搭載面３０１ａに複数の突起７０４を形成していたが、その搭載面３０１ａに突起７０４を形成せずに黒色の塗装を施すだけでもよい。上記搭載面３０１ａは黒色に塗装した場合、上記第７実施形態と同様の効果を搭載面３０１ａで得ることができる。また、その場合、上記搭載面３０１ａの塗装の色やパターンは例えばインクジェット技術を用いて自由に変更可能である。したがって、上記突起７０４を形成するよりも、低コストで多様な迷光防止が実現できる。また、上記搭載面３０１ａの塗装の色やパターンは自由に変更可能であるから、異なる光ピックアップ装置において最適な散乱を搭載面３０１ａで得ることできる。
【０１７７】
上記実施の形態では、樹脂部６０３の切り欠き６０３ｃによって露出した搭載面３０１ａに複数の突起７０４を形成していたが、その搭載面３０１ａに突起７０４を形成せずに梨地加工を施すだけでもよい。
【０１７８】
上記実施の形態では、上記突起７０４を樹脂材料で形成していたが、突起７０４を金属材料で形成してもよい。例えば、上記薄金属板３０１の一部で突起７０４を形成してもよい。
【０１７９】
（第１１実施形態）
図１７Ａに、本発明の第１１実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。また、図１７Ｂに、上記光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置８００の傾き調整を説明するための概略図を示す。
【０１８０】
上記光ピックアップ装置は、図１７Ａに示すように、半導体レーザ装置８００と、この半導体レーザ装置８００を取り付ける取付面８５１ａを有するハウジング８５１とを備えている。
【０１８１】
上記半導体レーザ装置８００は、搭載面８０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板８０１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１０２とを備えている。
【０１８２】
上記ＬＤチップ１０２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板８０１の搭載面８０１ａの前端部に固定されている。これにより、上記ＬＤチップ１０２の発光点は薄金属板８０１の前端面付近にある。また、上記ＬＤチップ１０２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【０１８３】
上記薄金属板８０１の裏面（ＬＤチップ１０２とは反対側の表面）には、図１７Ｂに示すように、第１回転ガイド機構の一例としての略円柱形状の凹部８０１ｃが形成されている。この凹部８０１ｃはＬＤチップ１０２の発光点と重なっている。言い換えれば、上記ＬＤチップ１０２の発光点の下方に凹部８０１ｃが位置している。より詳しくは、上記凹部８０１ｃの側壁面つまり円周面は、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なっている。なお、上記凹部８０１ｃは薄金属板８０１を直接加工することにより得ている。
【０１８４】
上記ハウジング８５１の取付面８５１ａには、第２回転ガイド機構の一例としての略円柱形状の突起部８５３が形成されている。この突起部８５３の側面つまり円周面は、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なる。また、上記突起部８５３は薄金属板８０１の凹部８０１ｃに嵌合することができる。なお、上記突起部８５３ｃの高さは凹部８０１ｃの深さと略一致する。
【０１８５】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置８００をハウジング８５１の取付面８５１ａに取り付ける場合、突起部８５３を凹部８０１ｃに嵌合させた後、薄金属板８０１を搭載面８０１ａと平行な平面に沿って回転させる。そうすると、上記薄金属板８０１はハウジング８５１に対してＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心に搭載面８０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０１８６】
上記傾き調整は、前端面１０２ａからのレーザ光の光強度分布をＣＣＤカメラなどで測定しながら行えばよい。
【０１８７】
また、上記ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行った後は、例えば光硬化性樹脂などの接着剤を使って、半導体レーザ装置８００をハウジング８５１の取付面８５１ａに固定すればよい。
【０１８８】
上記第１１実施形態では、薄金属板８０１に第１回転ガイド機構の一例としての凹部８０１ｃを形成していたが、薄金属板８０１に一体に形成した樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成してもよい。上記樹脂部の凹部は樹脂成形用金型で形成できるから、薄金属板の凹部よりも精度良く形成することができる。したがって、上記樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成することにより、薄金属板８０１の回転精度を高めることができると共に、凹部の形状の自由度を高めることができる。
【０１８９】
（第１２実施形態）
図１８Ａに、本発明の第１２実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。また、図１８Ｂに、上記光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置９００の傾き調整を説明するための概略図を示す。
【０１９０】
上記光ピックアップ装置は、図１８Ａに示すように、半導体レーザ装置９００と、この半導体レーザ装置９００を取り付ける取付面９５１ａを有するハウジング９５１とを備えている。
【０１９１】
上記半導体レーザ装置９００は、搭載面９０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板９０１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１０２とを備えている。
【０１９２】
上記ＬＤチップ１０２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板９０１の搭載面９０１ａの前端部に固定されている。これにより、上記ＬＤチップ１０２の発光点は薄金属板９０１の前端面付近にある。また、上記ＬＤチップ１０２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【０１９３】
上記薄金属板９０１の裏面（ＬＤチップ１０２とは反対側の表面）には、第１回転ガイド機構の一例としての略半円板形状の凹部９０１ｃが形成されている。この凹部９０１ｃの側壁面つまり湾曲面は、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なっている。また、上記凹部９０１ｃの位置は、ＬＤチップ１０２の発光点と略重なる位置となっている。より詳しくは、上記凹部９０１ｃのＬＤチップ１０２側の略半円形状の面の中心点はＬＤチップ１０２の発光点と略重なる。また、上記凹部９０１ｃは、ＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ側の部分が開放されている。つまり、上記凹部９０１ｃの前端部は開放されている。なお、上記凹部９０１ｃは薄金属板９０１を直接加工することにより得ている。
【０１９４】
上記ハウジング９５１の取付面９５１ａには、第２回転ガイド機構の一例としての略円板形状の突起部９５３が形成されている。この突起部９５３の側面つまり円周面は、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なる。また、上記突起部９５３は薄金属板９０１の凹部９０１ｃに嵌合することができる。なお、上記突起部９５３ｃの高さは凹部９０１ｃの深さと略一致する。
【０１９５】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置９００をハウジング９５１の取付面９５１ａに取り付ける場合、図１８Ｂに示すように、突起部９５３を凹部９０１ｃに嵌合させた後、薄金属板９０１をハウジング９５１に対して搭載面９０１ａと平行な平面に沿って回転させる。そうすると、上記薄金属板９０１はハウジング９５１に対してＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心に搭載面９０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０１９６】
また、上記凹部９０１ｃは、ＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ側の部分が開放されているから、薄金属板９０１の裏面の前端部に形成するのが容易で、かつ、精度が出すのが容易である。
【０１９７】
上記傾き調整は、前端面１０２ａからのレーザ光の光強度分布をＣＣＤカメラなどで測定しながら行えばよい。
【０１９８】
また、上記ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行った後は、例えば光硬化性樹脂などの接着剤を使って、半導体レーザ装置９００をハウジング９５１の取付面９５１ａに固定すればよい。
【０１９９】
上記第１２実施形態では、ハウジング９５１の取付面９５１ａに略円板形状の突起部９５３を形成していたが、ハウジング９５１の取付面９５１ａに例えば略四角形板形状や略五角形板形状などの突起部を形成してもよい。つまり、上記ハウジング９５１の取付面９５１ａに形成する突起部の形状は、その突起部が凹部９０１ｃの湾曲面に対して２点接触できる形状であればよい。
【０２００】
上記ハウジング９５１の取付面９５１ａに、凹部９０１ｃの湾曲面に対して２点接触できる突起部を形成した場合、２点接触する部分の位置精度だけを管理すればいいので、ハウジングの金型管理やメインテナンスが容易となる。
【０２０１】
上記第１２実施形態では、薄金属板９０１に第１回転ガイド機構の一例としての凹部９０１ｃを形成していたが、薄金属板９０１に一体に形成した樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成してもよい。上記樹脂部の凹部は樹脂成形用金型で形成できるから、薄金属板の凹部よりも精度良く形成することができる。したがって、上記樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成することにより、薄金属板９０１の回転精度を高めることができると共に、凹部の形状の自由度を高めることができる。
【０２０２】
（第１３実施形態）
図１９Ａに、本発明の第１３実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１０００を前方から見た概略図を示す。また、図１９Ｂに、上記半導体レーザ装置１０００を下方から見た概略図を示す。
【０２０３】
上記半導体レーザ装置１０００は、図１９Ａに示すように、搭載面１００１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１００１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１０２とを備えている。
【０２０４】
上記ＬＤチップ１０２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板１００１の搭載面１０１ａの前端部に固定されている。
【０２０５】
上記薄金属板１００１の裏面（ＬＤチップ１０２とは反対側の表面）には、図１９Ａ，図１９Ｂに示すように、第１回転ガイド機構の一例としての２つの略円弧形状の溝部１００１ｃが形成されている。この溝部１００１ｃは、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円弧に略重なる。また、上記溝部１００１ｃは、ＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ側の部分が開放されている。つまり、上記溝部１００１ｃの前端部は開放されている。なお、上記溝部１００１ｃは薄金属板１００１を直接加工することにより得ている。
【０２０６】
図示しないが、上記光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置１０００を取り付ける取付面を有するハウジングを備えている。このハウジングの取付面には、第２回転ガイド機構の一例としての２つの略円柱形状の突起部が形成されている。この２つの突起部は、それぞれ、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なるように配置されている。また、上記突起部は薄金属板１００１の溝部１００１ｃに嵌合することができる。なお、上記突起部の高さは溝部１００１ｃの深さと略一致する。
【０２０７】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１０００をハウジング１０５１の取付面１０５１ａに取り付ける場合、ハウジングの取付面の突起部を溝部１００１ｃに嵌合させた後、薄金属板１００１をハウジング１０５１に対して搭載面１００１ａと平行な平面に沿って回転させる。そうすると、上記薄金属板１００１はハウジング１０５１に対してＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心に搭載面１００１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０２０８】
また、上記溝部１００１ｃを第１回転ガイド機構として用いることによって、薄金属板１００１の回転角を一定の範囲内に制限することができる。通常、半導体レーザ装置に必要とされる調整範囲は±２〜３度程度であるので、溝部１００１ｃは薄金属板１００１の可動範囲としてこの角度をカバーできればよい。つまり、上記溝部１００１ｃは薄金属板１００１を少なくとも−２〜＋２度回転させることができるものであればよい。
【０２０９】
実際の光ピックアップ装置の生産工程においては、薄金属板の回転調整範囲が広すぎる場合は、回転調整の初期位置がフリーであるがゆえに調整の追い込みに時間がかかるというデメリットがあるが、上記第１３実施形態の光ピックアップ装置は調整の追い込みに時間がかかることはない。
【０２１０】
上記第１３実施形態では、薄金属板１００１に第１回転ガイド機構の一例としての凹部１００１ｃを形成していたが、薄金属板１００１に一体に形成した樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成してもよい。上記樹脂部の凹部は樹脂成形用金型で形成できるから、薄金属板の凹部よりも精度良く形成することができる。したがって、上記樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成することにより、薄金属板１００１の回転精度を高めることができると共に、凹部の形状の自由度を高めることができる。
【０２１１】
（第１４実施形態）
図２０Ａに、本発明の第１４実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図を示す。また、図２０Ｂに、上記光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１１００の傾き調整を説明するための概略図を示す。
【０２１２】
上記光ピックアップ装置は、図２０Ａに示すように、半導体レーザ装置１１００と、この半導体レーザ装置１１００を取り付ける取付面１１５１ａを有するハウジング１１５１とを備えている。
【０２１３】
上記半導体レーザ装置１１００は、搭載面１１０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１１０１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１０２とを備えている。
【０２１４】
上記ＬＤチップ１０２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板１１０１の搭載面１１０１ａの前端部に固定されている。これにより、上記ＬＤチップ１０２の発光点は薄金属板１１０１の前端面付近にある。また、上記ＬＤチップ１０２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【０２１５】
上記薄金属板１１０１の裏面（ＬＤチップ１０２とは反対側の表面）には、第１回転ガイド機構の一例としての略半円錐形状の凹部１１０１ｃが形成されている。この凹部１１０１ｃの先端（ＬＤチップ１０２側の端）ＬＤチップ１０２の発光点近傍と略重なる。また、上記凹部１１０１ｃは、ＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ側の部分が開放されている。つまり、上記凹部１１０１ｃの前端部は開放されている。なお、上記凹部１１０１ｃは薄金属板１１０１を直接加工することにより得ている。
【０２１６】
上記ハウジング１１５１の取付面１１５１ａには、第２回転ガイド機構の一例としての略円錐形状の突起部１１５３が形成されている。この突起部１１５３の先端はＬＤチップ１０２の発光点近傍と略重なる。また、上記突起部１１５３は薄金属板１１０１の凹部１１０１ｃに嵌合することができる。なお、上記突起部１１５３ｃの高さは凹部１１０１ｃの深さと略一致する。
【０２１７】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１１００をハウジング１１５１の取付面１１５１ａに取り付ける場合、図２０Ｂに示すように、突起部１１５３を凹部１１０１ｃに嵌合させた後、薄金属板１１０１をハウジング１１５１に対して搭載面１１０１ａと平行な平面に沿って回転させる。そうすると、上記薄金属板１１０１はハウジング１１５１に対してＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心に搭載面１１０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０２１８】
また、上記凹部１１０１ｃは、ＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ側の部分が開放されているから、薄金属板１１０１の裏面の前端部に形成するのが容易で、かつ、精度が出すのが容易である。
【０２１９】
上記傾き調整は、前端面１０２ａからのレーザ光の光強度分布をＣＣＤカメラなどで測定しながら行えばよい。
【０２２０】
また、上記ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行った後は、例えば光硬化性樹脂などの接着剤を使って、半導体レーザ装置１１００をハウジング１１５１の取付面１１５１ａに固定すればよい。
【０２２１】
上記第１２実施形態では、ハウジング１１５１の取付面１１５１ａに略円板形状の突起部１１５３を形成していたが、ハウジング１１５１の取付面１１５１ａに例えば略四角形板形状や略五角形板形状などの突起部を形成してもよい。つまり、上記ハウジング１１５１の取付面１１５１ａに形成する突起部の形状は、その突起部が凹部１１０１ｃの湾曲面に対して２点接触できる形状であればよい。
【０２２２】
上記ハウジング１１５１の取付面１１５１ａに、凹部１１０１ｃの湾曲面に対して２点接触できる突起部を形成した場合、２点接触する部分の位置精度だけを管理すればいいので、ハウジングの金型管理やメインテナンスが容易となる。
【０２２３】
上記実施形態１４の光ピックアップ装置のメリットは、ＬＤチップ１０２の発光点を回転調整の中心に精度良く設定できる点である。この理由は以下のとおりである。
【０２２４】
予め薄金属板の裏面に略円錐形状の凹部を形成しておく。次に、ＬＤチップを薄金属板にマウントする。通常、ＬＤチップをマウントする際には、ＬＤチップに通電して発光させて発光点を画像認識した後、所望の位置にＬＤチップを固定するという手順が取られているが、ＬＤチップの発光点のマウント目標位置として円錐状の凹部の頂点を利用することができる。即ち、この略円錐形状の凹部は、第１回転ガイド機構の一例としての機能を有し、かつ、ＬＤチップのマウント目標位置としての機能を有する。
【０２２５】
上記第１４実施形態では、薄金属板１１０１に第１回転ガイド機構の一例としての凹部１１０１ｃを形成していたが、薄金属板１１０１に一体に形成した樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成してもよい。上記樹脂部の凹部は樹脂成形用金型で形成できるから、薄金属板の凹部よりも精度良く形成することができる。したがって、上記樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成することにより、薄金属板１１０１の回転精度を高めることができると共に、凹部の形状の自由度を高めることができる。
【０２２６】
（第１５実施形態）
図２１Ａに、本発明の第１５実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図を示す。また、図２１Ｂに、上記光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１２００の傾き調整を説明するための概略図を示す。
【０２２７】
上記光ピックアップ装置は、図２１Ａに示すように、半導体レーザ装置１２００と、この半導体レーザ装置１２００を取り付ける取付面１２５１ａを有するハウジング１２５１とを備えている。
【０２２８】
上記半導体レーザ装置１２００は、搭載面１２０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１２０１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１０２とを備えている。
【０２２９】
上記ＬＤチップ１０２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板１２０１の搭載面１２０１ａの前端部に固定されている。これにより、上記ＬＤチップ１０２の発光点は薄金属板１２０１の前端面付近にある。また、上記ＬＤチップ１０２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【０２３０】
上記薄金属板１２０１の前端面１０２ａ側の縁部（薄金属板１２０１の前端部）には、第１回転ガイド機構の一例としての切り欠き１２０１ｃが形成されている。この切り欠き１２０１ｃはＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ近傍に位置している。また、上記切り欠き１２０１ｃのＸ軸方向の幅Ｗ１２はＬＤチップ１０２のＸ軸方向の幅Ｗ１１と略等しくしている。なお、上記切り欠き１２０１ｃは薄金属板１２０１を直接加工することにより得ている。
【０２３１】
上記ハウジング１２５１の取付面１２５１ａには、第２回転ガイド機構の一例としての略円柱形状の突起部１２５３が形成されている。この突起部１２５３の高さＨ１は薄金属板１２０１の厚みＤより低くなっている。また、上記突起部１２５３は薄金属板１２０１の切り欠き１２０１ｃに嵌合する。
【０２３２】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１２００をハウジング１２５１の取付面１２５１ａに取り付ける場合、図２１Ｂに示すように、突起部１２５３を切り欠き１２０１ｃに嵌合させた後、薄金属板１２０１をハウジング１２５１に対して搭載面１２０１ａと平行な平面に沿って回転させる。そうすると、上記薄金属板１２０１はハウジング１２５１に対してＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心に搭載面１２０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０２３３】
上記傾き調整は、前端面１０２ａからのレーザ光の光強度分布をＣＣＤカメラなどで測定しながら行えばよい。
【０２３４】
また、上記ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行った後は、例えば光硬化性樹脂などの接着剤を使って、半導体レーザ装置１２００をハウジング１２５１の取付面１２５１ａに固定すればよい。
【０２３５】
また、上記切り欠き１２０１ｃをＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ近傍に形成しているから、ＬＤチップ１０２の前端面１０２ａから出射したレーザ光が薄金属板１２０１に衝突して乱れるのを防ぐことができる。即ち、リップル光の発生を防止することができる。
【０２３６】
また、上記突起部１２５３の高さＨ１が薄金属板１２０１の厚みＤより低いので、リップル光の発生を抑制する効果を高めることができる。
【０２３７】
また、上記切り欠き１２０１ｃのＸ軸方向の幅Ｘ２をＬＤチップ１０２のＸ軸方向の幅と略等しくすることにより、切り欠き１２０１ｃの大きさを最小限にし、薄金属板１２０１の熱容量を大きくし、ＬＤチップ１０２の放熱性を確保できる。
【０２３８】
即ち、本実施形態の光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置１２００自身によるリップルを回避し、かつ、回転調整機構を成し、さらに回転調整機構となるハウジング突起部からのリップルも回避することができる。
【０２３９】
上記突起部１２５３の表面は、突起部１２５３でのリップル光をより効果的に回避するため、光散乱面としてもよい。
【０２４０】
上記突起部１２５３の表面の色は、突起部１２５３でのリップルをより効果的に回避するため、黒色にしてもよい。
【０２４１】
（第１６実施形態）
図２２Ａに、本発明の第１６実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図を示す。また、図２２Ｂに、上記光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１２００の傾き調整を説明するための概略図を示す。
【０２４２】
上記光ピックアップ装置は、図２２Ａに示すように、半導体レーザ装置１２００と、この半導体レーザ装置１２００を取り付ける取付面１２５１ａを有するハウジング１２５１とを備えている。
【０２４３】
上記半導体レーザ装置１２００は、搭載面１２０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１２０１と、レーザ光を出射する前端面１０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１０２とを備えている。
【０２４４】
上記ＬＤチップ１０２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板１２０１の搭載面１２０１ａの前端部に固定されている。これにより、上記ＬＤチップ１０２の発光点は薄金属板１２０１の前端面付近にある。また、上記ＬＤチップ１０２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【０２４５】
上記薄金属板１２０１の前端面１０２ａ側の縁部（薄金属板１２０１の前端部）には、第１回転ガイド機構の一例としての切り欠き１２０１ｃが形成されている。この切り欠き１２０１ｃはＬＤチップ１０２の前端面１０２ａ近傍に位置している。また、上記切り欠き１２０１ｃのＸ軸方向の幅Ｗ１２はＬＤチップ１０２のＸ軸方向の幅Ｗ１１と略等しくしている。なお、上記切り欠き１２０１ｃは薄金属板１２０１を直接加工することにより得ている。
【０２４６】
上記ハウジング１３５１の取付面１３５１ａには、第２回転ガイド機構の一例としての略円柱形状の突起部１３５３が形成されている。この突起部１３５３のＬＤチップ１０２側の端（突起部１３５３の後端）の高さＨ２は薄金属板１２０１の厚みＤより低くなっている。より詳しくは、上記突起部１３５３の高さは、ＬＤチップ１０２の発光点から離れるにしたがって低くなっている。また、上記突起部１３５３のＬＤチップ１０２とは反対側の端（突起部１３５３の前端）の高さＨ３は、突起部１３５３のＬＤチップ１０２側の端の高さＨ２より低くなっている。また、上記突起部１３５３は薄金属板１２０１の切り欠き１２０１ｃに嵌合する。
【０２４７】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ装置１２００をハウジング１３５１の取付面１３５１ａに取り付ける場合、図２２Ｂに示すように、突起部１３５３を切り欠き１２０１ｃに嵌合させた後、薄金属板１２０１をハウジング１３５１に対して搭載面１２０１ａと平行な平面に沿って回転させる。そうすると、上記薄金属板１２０１はハウジング１３５１に対してＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心に搭載面１２０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０２４８】
また、上記突起部１３５３の前端の高さＨ３を突起部１３５３の後端の高さＨ２よりも低くしているので、リップル光の発生をより効果的に防ぐことできる。
【０２４９】
上記突起部１３５３がレーザ強度の十分に低い位置にあれば、突起部１３５３がレーザ光を反射してもリップル光としては実用上問題とならない。
【０２５０】
上記レーザ強度分布はガウス分布となっており、レーザ光の中心部から離れるに従ってその強度は低下する。通常の光ピックアップ装置で利用されているのは、レーザ光の中心強度を１とした場合、１／ｅ２程度の強度の光束までである。したがって、１／ｅ２以下のレーザ強度のレーザ光が突起部１３５３で反射されても実用上は問題にならない。
【０２５１】
よって、上記突起部１３５３のＬＤチップ１０２側の端の高さＨ２をレーザ光の中心強度の１／ｅ２以下に設定することでリップル光を発生させない回転調整機構が実現できる。
【０２５２】
（第１７実施形態）
図２３Ａに、本発明の第１７実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１３００の要部の概略斜視図を示す。また、図２３Ｂに、上記半導体レーザ装置１３００を上方から見た概略図を示す。なお、図２３Ｂでは２波長ＬＤチップ１３０２の図示は省略している。
【０２５３】
上記半導体レーザ装置１３００は、図２３Ａに示すように、搭載面１３０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１３０１と、２つの異なる波長λ１，λ２のレーザ光を出射する前端面１３０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としての２波長ＬＤチップ１３０２とを備えている。
【０２５４】
上記２波長ＬＤチップ１３０２は、一つの結晶内に２つのレーザ素子を形成したいわゆるモノリシック型２波長レーザである。この２波長ＬＤチップ１３０２は、同一の結晶内にレーザ素子をＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）装置などによって原子レベルの精度で精密に形成されているので、波長λ１のレーザ光と波長λ２のレーザ光とは、ＬＤチップ上では両レーザのθ‖方向は精度良く揃っている。上記波長λ１のレーザ光は、図２３Ｂに示すように、発光点Ｐ２から出射する。一方、上記波長λ２のレーザ光は発光点Ｐ３から出射する。
【０２５５】
上記２波長ＬＤチップ１３０２を薄金属板１３０１にマウントすると、２波長ＬＤチップ１３０２全体に関してθ‖方向の２〜３°の傾き誤差が発生する。即ち、上記２波長ＬＤチップ１３０２を薄金属板１３０１にマウントすると、マウントする工程のばらつきによって、波長λ１，λ２のレーザ光の出射方向が所定の方向に対して同一方向に傾いてしまう。このため、上記２波長ＬＤチップ１３０２は傾き誤差を有したまま搭載面１３０１ａに固定されている。
【０２５６】
上記薄金属板１３０１には、例えば第１１実施形態の凹部８０１ｃのような第１回転ガイド機構が形成されている。この第１回転ガイド機構は、薄金属板１３０１が光ピックアップ装置のハウジングに対して搭載面１３０１ａと平行な平面に沿って回転することを可能にしている。上記薄金属板１３０１の回転中心Ｐ４は発光点Ｐ２と発光点Ｐ３との間の略中間点と略重なる。より詳しくは、上記回転中心Ｐ４および発光点Ｐ２，Ｐ３は略同一直線上にあり、かつ、回転中心Ｐ４と発光点Ｐ２との間の距離は回転中心Ｐ４と発光点Ｐ３との間の距離と略等しい。
【０２５７】
このように、上記回転中心Ｐ４は発光点Ｐ２，Ｐ３と同一位置にないから、当然、薄金属板１３０１は発光点Ｐ２，Ｐ３を中心に回転しない。したがって、厳密に言えば、薄金属板１３０１の回転に伴って発光点Ｐ２，Ｐ３の位置変動が生じる。しかし、上記発光点Ｐ２と発光点Ｐ３との間の距離は、通常数１０μｍから１００μｍ程度と非常に小さいので、回転中心Ｐ４が発光点Ｐ２，Ｐ３間の略中間にあれば、薄金属板１３０１の回転に伴う発光点Ｐ２，Ｐ３の位置変動は非常に小さくて問題にならない。
【０２５８】
仮に、上記回転中心Ｐ４が発光点Ｐ２と発光点Ｐ３との間ではなくてその間以外にあるとすると、発光点Ｐ２，Ｐ３のうち回転中心Ｐ４から遠い方は、薄金属板１３０１の回転によって生じる位置変動が大きくなる。
【０２５９】
本実施形態では、２波長レーザについて説明したが、３波長以上の複数波長レーザの場合も同様に、薄金属板の回転中心は複数の発光点の略中間点にあればよい。
【０２６０】
本実施形態では、２波長ＬＤチップ１３０２はモノリシック型２波長レーザであったが、ハイブリッド型２波長レーザであってもよい。
【０２６１】
上記２波長ＬＤチップ１３０２がハイブリッド型２波長レーザである場合、波長λ１のレーザ光を出射するＬＤチップと、このＬＤチップとは別に製造され、波長λ２のレーザ光を出射するＬＤチップとを用いて２波長ＬＤチップ１３０２が得られる。
【０２６２】
上記２波長ＬＤチップ１３０２がハイブリッド型２波長レーザであっても、薄金属板１３０１の回転中心Ｐ４を発光点Ｐ２と発光点Ｐ３との間の略中間点に略重ねることが、薄金属板１３０１の回転に伴う発光点Ｐ２，Ｐ３の位置変動を小さくする条件であることは変わらない。
【０２６３】
ハイブリッド型２波長レーザとモノリシック型２波長レーザとの差異は、発光点間の距離が数１００μｍと大きいことである。このため、上記２波長ＬＤチップ１３０２がハイブリッド型２波長レーザである場合、薄金属板１３０１の回転に伴って生じる発光点Ｐ２，Ｐ３の位置変動が大きい。したがって、上記薄金属板１３０１の回転量が小さい場合や発光点Ｐ２，Ｐ３の変動が発生しても問題にならないような光ピックアップ装置（例えばＣＤ・ＤＶＤ再生用光ピックアップ装置など）では２波長ＬＤチップ１３０２がハイブリッド型２波長レーザであっても問題にならない。
【０２６４】
（第１８実施形態）
本実施形態では、波長λ１の記録・再生用高出力レーザ光源と、波長λ２の再生用低出力レーザ光源とからなる２波長ＬＤチップが薄金属板にマウントされている半導体レーザ装置について説明する。
【０２６５】
図２４Ａに、本発明の第１８実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１３００の要部の概略斜視図を示す。また、図２４Ｂに、上記半導体レーザ装置１３００を上方から見た概略図を示す。なお、図２４Ｂでは２波長ＬＤチップ１３０２の図示は省略している。
【０２６６】
上記２波長ＬＤチップ１３０２は、図２４Ａに示すように、搭載面１３０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１３０１と、２つの異なる波長λ１，λ２のレーザ光を出射する前端面１３０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としての２波長ＬＤチップ１３０２とを備えている。
【０２６７】
上記波長λ１のレーザ光は、図２４Ｂに示すように、発光点Ｐ２から出射する。一方、上記波長λ２のレーザ光は発光点Ｐ３から出射する。
【０２６８】
上記波長λ１のレーザ光は、光ディスクへの信号記録と、光ディスクに記録された信号の再生とに使用する。一方、上記波長λ２のレーザ光は、光ディスクに記録された信号の再生のみに使用する。
【０２６９】
上記光ディスクに対してＳ／Ｎ（信号対雑音比）比の高い高品質の信号記録を行うには、光ディスクの記録面に集光される光スポットの品位が良いことが要求される。このため、本実施形態では、上記薄金属板１３０１の回転中心Ｐ４が波長λ１のレーザ光の発光点Ｐ２に略重なるようになっている。
【０２７０】
これにより、上記光ディスクへの信号記録に重要な波長λ１のレーザ光の発光点Ｐ２を中心に薄金属板１３０１を搭載面１３０１ａと平行な平面に沿って回転させて、ＬＤチップ１３０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができる。つまり、上記発光点Ｐ２の位置を移動させずに、ＬＤチップ１３０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができる。
【０２７１】
一方、上記波長λ１のレーザ光の発光点Ｐ２は、回転中心Ｐ４から離れているため、上記傾き調整によって移動してしまうが、再生用の光スポットは記録用の光スポットに比較してその品位は低くても問題ない。
【０２７２】
即ち、上記光スポットの品位がより重要である高出力レーザの発光点Ｐ２を中心にして薄金属板１３０１が搭載面１３０１ａと平行な平面に沿って回転することを可能にする第１回転ガイド機構を薄金属板１３０１に形成するのが重要である。
【０２７３】
本実施形態では、２つの波長のレーザ光がある場合について説明したが、異なる３つ以上の波長のレーザ光がある場合も同様に、薄金属板の回転中心は最も高い出力のレーザ光の発光点と略重なればよい。
【０２７４】
高倍速記録を行うために高出力のレーザ光を用いるのであり、そして、高倍速記録を実現するためには、光出力を高めるだけではなく、光スポットの品位を高める必要がある。
【０２７５】
（第１９実施形態）
図２５Ａに、本発明の第１９実施形態の光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１３００の要部の概略斜視図を示す。また、図２５Ｂに、上記半導体レーザ装置１３００を上方から見た概略図を示す。なお、図２５Ｂでは２波長ＬＤチップ１３０２の図示は省略している。
【０２７６】
上記半導体レーザ装置１３００は、図２５Ａに示すように、搭載面１３０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１３０１と、２つの異なる波長λ１，λ２のレーザ光を出射する前端面１３０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としての２波長ＬＤチップ１３０２とを備えている。
【０２７７】
上記波長λ１のレーザ光は、図２５Ｂに示すように、発光点Ｐ２から出射する。一方、上記波長λ２のレーザ光は発光点Ｐ３から出射する。
【０２７８】
上記波長λ１のレーザ光のθ‖は、図２５Ａに示すように、波長λ２のレーザ光のθ‖よりも狭くなっている。
【０２７９】
上記背景技術で説明したように、θ‖が広い場合はその傾きΔθ‖の影響は小さいが、θ‖が狭い場合にはΔθ‖の影響が大きくなって光ディスクの記録面に集光される光スポットの品位を悪化させて、信号の記録再生特性に影響を及ぼす。
【０２８０】
したがって、本実施形態では、薄金属板１３０１の回転中心Ｐ４を発光点Ｐ２と発光点Ｐ３との間の略中間点に略重ねて、光スポットの品位が悪化するのを防止している。
【０２８１】
即ち、本実施形態では、上記スポットの品位により敏感であるθ‖の狭いレーザ光の発光点Ｐ２を中心にして薄金属板１３０１が光ピックアップ装置のハウジングに対して搭載面１３０１ａと平行な平面に沿って回転することを可能にする第１回転ガイド機構を薄金属板１３０１に形成している。
【０２８２】
本実施形態では、異なる２つの波長のレーザ光がある場合について説明したが、異なる３つ以上の波長のレーザ光ある場合も同様に、薄金属板の回転中心は最も高い出力のレーザ光の発光点と略重なればよい。
【０２８３】
（第２０実施形態）
図２６Ａに、本発明の第２０実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。また、図２６Ｂに、上記光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１４００の傾き調整を説明するための概略図を示す。
【０２８４】
上記光ピックアップ装置は、図２６Ａに示すように、半導体レーザ装置１４００と、この半導体レーザ装置１４００を取り付ける取付面１４５１ａを有するハウジング１４５１とを備えている。
【０２８５】
図２６Ｃに、上記半導体レーザ装置１４００を前方から見た概略図を示す。また、図２６Ｄに、上記半導体レーザ装置１４００を下方から見た概略図を示す。
【０２８６】
上記半導体レーザ装置１４００は、図２６Ａ，図２６Ｃに示すように、搭載面１４０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１４０１と、波長λ１のレーザ光を出射する前端面１４０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１４０２と、波長λ１とは異なる波長λ２のレーザ光を出射する前端面１４１２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１４１２とを備えている。
【０２８７】
上記ＬＤチップ１４０２，１４１２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板１４０１の搭載面１４０１ａの前端部に固定されている。これにより、上記ＬＤチップ１４０２，１４１２の発光点は薄金属板１４０１の前端面付近にある。また、上記ＬＤチップ１４０２，１４１２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【０２８８】
上記薄金属板１４０１の裏面（ＬＤチップ１４０２，１４１２とは反対側の表面）１４０１ｅには、図２６Ｃ，図２６Ｄに示すように、第１回転ガイド機構の一例としての略円柱形状の凹部１４０１ｃ，１４０１ｄが形成されている。この凹部１４０１ｃと凹部１４０１ｄとは略同一形状を有している。また、上記凹部１４０１ｃはＬＤチップ１４０２の下方に位置する一方、凹部１４０１ｄはＬＤチップ１４１２の下方に位置している。言い換えれば、上記凹部１４０１ｃはＬＤチップ１４０２の発光点と重なる一方、凹部１４０１ｄはＬＤチップ１４１２の発光点と重なる。なお、上記凹部１４０１ｃ，１４０１ｄは薄金属板１４０１を直接加工することにより得ている。
【０２８９】
上記ハウジング１４５１の取付面１４５１ａには、図２６Ａ，図２６Ｂに示すように、第２回転ガイド機構の一例としての略円柱形状の突起部１４５３が形成されている。この突起部１４５３の側面つまり円周面は、ＬＤチップ１０２の発光点近傍を中心とする平面視で円の円周に略重なる。また、上記突起部１４５３は薄金属板１４０１の凹部１４０１ｃ，１４０１ｄに嵌合することできる。このため、上記突起部１４５３の直径は、突起部１４５３が凹部１４０１ｃ，１４０１ｄに嵌合できるように設定されている。また、上記突起部１４５３ｃの高さは凹部１４０１ｃ，１４０１ｄの深さと略一致する。
【０２９０】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、例えば、上記波長λ１のレーザ光がＤＶＤディスク再生用のθ‖の狭い６５０ｎｍのレーザ光、上記波長λ２のレーザ光がＣＤ−Ｒ再生用のθ‖の広い７８０ｎｍのレーザ光である場合、図２６Ｂに示すように、突起部１４５３を凹部１４０１ｃに嵌合させた後、薄金属板１４０１をハウジング１４５１に対して搭載面１４０１ａと平行な平面に沿って回転させる。そうすると、上記薄金属板１４０１はハウジング１４５１に対してＬＤチップ１４０２の発光点近傍を中心に搭載面１４０１ａと平行な平面に沿って回転する。したがって、上記ＬＤチップ１４０２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１４０２のθ‖方向の傾き調整を行うことができるから、光ディスクの情報の記録再生特性に悪影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０２９１】
また、例えば、上記波長λ２のレーザ光の出力が波長λ１のレーザ光の出力よりも大きい場合、突起部１４５３を凹部１４０１ｄに嵌合させた後、薄金属板１４０１をハウジング１４５１に対して搭載面１４０１ａと平行な平面に沿って回転させることにより、ＬＤチップ１４１２の発光点の位置ずれを生じさせずに、ＬＤチップ１４１２のθ‖方向の傾き調整を行うことができる。
【０２９２】
上記傾き調整は、前端面１４０２ａ，１４１２ａからのレーザ光の光強度分布をＣＣＤカメラなどで測定しながら行えばよい。
【０２９３】
また、上記ＬＤチップ１４０２，１４１２のθ‖方向の傾き調整を行った後は、例えば光硬化性樹脂などの接着剤を使って、半導体レーザ装置１４００をハウジング１４５１の取付面１４５１ａに固定すればよい。
【０２９４】
本実施形態では、薄金属板１４０１に第１回転ガイド機構の一例としての凹部１４０１ｃ，１４０１ｄを形成していたが、薄金属板１４０１に一体に形成した樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成してもよい。上記樹脂部の凹部は樹脂成形用金型で形成できるから、薄金属板の凹部よりも精度良く形成することができる。したがって、上記樹脂部に第１回転ガイド機構の一例としての凹部を形成することにより、薄金属板１４０１の回転精度を高めることができると共に、凹部の形状の自由度を高めることができる。
【０２９５】
本実施形態では、２つのＬＤチップ１４０２，１４１２を薄金属板１４０１に搭載していたが、３つ以上のＬＤチップを薄金属板に搭載してもよい。３つ以上のＬＤチップを薄金属板に搭載する場合、ＬＤチップの数に応じた凹部を薄金属板に形成すればよい。
【０２９６】
（第２１実施形態）
図２７Ａに、本発明の第２１実施形態の光ピックアップ装置の要部を斜め上方から見た概略図を示す。また、図２７Ｂに、上記光ピックアップ装置が備える半導体レーザ装置１６００の傾き調整を説明するための概略図を示す。
【０２９７】
上記光ピックアップ装置は、図２７Ａに示すように、半導体レーザ装置１６００と、この半導体レーザ装置１６００を取り付ける取付面１６５１ａを有するハウジング１６５１とを備えている。
【０２９８】
図２７Ｃに、上記半導体レーザ装置１６００を前方から見た概略図を示す。また、図２７Ｄに、上記半導体レーザ装置１６００を下方から見た概略図を示す。
【０２９９】
上記半導体レーザ装置１６００は、図２７Ａ，図２７Ｃに示すように、搭載面１６０１ａを有する金属板の一例としての略四角形板形状の薄金属板１６０１と、波長λ１のレーザ光を出射する前端面１６０２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１６０２と、波長λ１とは異なる波長λ２のレーザ光を出射する前端面１６１２ａを有する半導体レーザ素子の一例としてのＬＤチップ１６１２とを備えている。
【０３００】
上記ＬＤチップ１６０２，１６１２は、例えばインジウムや銀ペーストなどの熱伝導性の良い材質で薄金属板１６０１の搭載面１６０１ａの前端部に固定されている。これにより、上記ＬＤチップ１６０２，１６１２の発光点Ｐ５，Ｐ６は薄金属板１６０１の前端面付近にある。また、上記ＬＤチップ１６０２，１６１２を構成する層の層厚方向はＹ軸方向と平行になっている。つまり、上記ＬＤチップ１０２の結晶成長の方向はＹ軸方向と平行になっている。
【０３０１】
上記薄金属板１６０１の裏面（ＬＤチップ１６０２，１６１２とは反対側の表面）１６０１ｅには、図２７Ｃ，図２７Ｄに示すように、第１回転ガイド機構の一例としての略小判形状（略長楕円形状）の凹部１６０１ｃが形成されている。この凹部１６０１ｃはＬＤチップ１６０２，１６１２の下方に位置している。言い換えれば、上記凹部１６０１ｃの一方の端部はＬＤチップ１６０２の発光点Ｐ５と重なる一方、凹部１６０１ｃの他方の端部はＬＤチップ１６１２の発光点Ｐ６と重なる。なお、上記凹部１６０１ｃは薄金属板１６０１を直接加工することにより得ている。
【０３０２】
上記ハウジング１６５１の取付面１６５１ａには、図２７Ａ，図２７Ｂに示すように、第２回転ガイド機構の一例としての略円柱形状の突起部１４５３が形成されている。この突起部１４５３は薄金属板１６０１の凹部１６０１ｃに嵌合することできる。なお、上記突起部１４５３ｃの高さは凹部１６０１ｃの深さと略一致する。
【０３０３】
上記凹部１６０１ｃの長手方向（Ｘ軸方向）の幅Ｗ１は、図２７Ｂに示すように、発光点Ｐ５と発光点Ｐ６との間の距離Ｌよりも大きくなっている。また、上記突起部１４５３は幅Ｗ２（直径）を有している。上記距離Ｌ、幅Ｗ１および幅Ｗ２には以下の関係がある。
Ｌ＜Ｗ１
Ｗ２≒Ｗ１−Ｌ
【０３０４】
上記関係は、波長λ１のレーザ光の発光点Ｐ５、または、波長λ２のレーザ光の発光点Ｐ６が、突起部１４５３上に配置できるような可動範囲（間隙）が、突起部１４５３と凹部１６０１ｃとの間にあることを意味する。即ち、上記突起部１４５３によって半導体レーザ装置１６００の可動範囲が発光点間距離（発光点Ｐ５と発光点Ｐ６との間の距離Ｌ）の範囲に制限される。
【０３０５】
したがって、上記突起部１４５３を凹部１４５３の長手方向の端に押し当てながら、薄金属板１６０１を回転させれば、発光点Ｐ５または発光点Ｐ６を中心に傾き調整が可能であるだけではなく、２つの発光点Ｐ５，Ｐ６間の任意の位置で回転調整が可能となる。
【０３０６】
上記構成の光ピックアップ装置によれば、例えば、波長λ１のレーザ光がＤＶＤ記録用レーザ光であり、波長λ２のレーザ光がＣＤ−Ｒ／ＲＷ記録用レーザ光である場合であっても、ＬＤチップ１６０２のθ‖方向の傾き調整を最適に行うことできる。
【０３０７】
その場合、ＬＤチップ１６０２のθ‖方向の傾き調整は次のように行う。
【０３０８】
まず、上記波長λ１のレーザ光と波長λ２のレーザ光とは共に高出力であり、発光点Ｐ５，Ｐ６のどちららを薄金属板１６０１の回転中心とするのが最適であるかは一概には決められない。そこで、上記発光点Ｐ５と発光点Ｐ６との間の略中間点を中心にして薄金属板１６０１を回転させて、ＬＤチップ１６０２のθ‖方向の傾き調整を行う。
【０３０９】
次に、上記光ピックアップ装置の性能確認を行う。その結果、例えば、波長λ１のレーザ光によるＤＶＤ記録の性能が不十分であり、かつ、波長λ２のレーザ光によるＣＤ−Ｒ／ＲＷの性能に余裕があると判断できる場合、薄金属板１６０１の回転中心を波長λ１のレーザ光の発光点Ｐ５側に近づけて、再度、ＬＤチップ１６０２のθ‖方向の傾き調整を行う。
【０３１０】
本実施形態の光ピックアップ装置が、上記第２０実施形態の光ピックアップ装置と同様の効果を奏することができるのは言うまでもない。
【０３１１】
本実施形態では、調整の可動範囲が空隙であるので、ＬＤチップ１６０２，１６１２の放熱性が低下してしまう。そこで、上記空隙に導電性ペーストを充填して、ＬＤチップ１６０２，１６１２の放熱性の低下を回避してもよい。
【０３１２】
上記導電性ペーストを用いる具体的手順としては、まず、凹部１６０１ｃ内に導電性ペーストを充填する。
【０３１３】
次に、上記半導体レーザ装置１６００をハウジング１４５１の取付面に載せて、突起部１４５３を凹部１６０１ｃに嵌合させる。
【０３１４】
上記導電性ペーストは、ペースト状であるので、薄金属板１６０１がハウジング１４５１に対して搭載面１６０１ａと平行な平面に沿って回転することを妨げることはない。
【０３１５】
また、上記導電性ペーストは、ペースト状であるので、凹部１６０１ｃの形状に沿う。
【０３１６】
したがって、上記凹部１６０１ｃ内で突起部１４５３を動かしても、導電性ペーストはその突起部１４５３の動きの妨げにならない。つまり、上記導電性ペーストはＬＤチップ１６０２のθ‖方向の傾き調整に悪影響を及ぼすことはない。
【０３１７】
したがって、上記ＬＤチップ１６０２の放熱性を損なうことなく、複数の発光点を有する半導体レーザ装置１６００を任意の位置を中心にして回転調整することができる。
【０３１８】
なお、上記導電性ペーストは既に市販されているものであり、ＩＣ（集積回路）の放熱などにも実用化されているものであるので、ここでは説明を割愛する。
【０３１９】
上記第１〜第２１実施形態の光ピックアップ装置は、従来の光ピックアップ装置が備える例えばコリメートレンズ、対物レンズ、信号検出系および焦点調整機構などなども備えているが、それらの図示および説明は省略する。
【０３２０】
本発明は上記第１〜第２１実施形態を適宜組み合わせても得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０３２１】
【図１】図１は本発明の第１実施形態の光ピックアップ装置の要部を概略斜視図である。
【図２】図２は上記第１実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略上面図である。
【図３】図３は本発明の第２実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図４】図４は上記第２実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略上面図である。
【図５】図５は本発明の第３実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図６】図６は上記第３実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略上面図である。
【図７】図７は本発明の第４実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図８】図８は上記第４実施形態の光ピックアップ装置の変形例の要部の概略上面図である。
【図９】図９は本発明の第５実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略上面図である。
【図１０】図１０は上記第５実施形態の光ピックアップ装置の変形例の要部の概略側面図である。
【図１１】図１１は本発明の第６実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【図１２】図１２は上記第６実施形態の半導体レーザ装置の概略正面図である。
【図１３】図１３は本発明の第７実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【図１４】図１４は本発明の第８実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【図１５】図１５は本発明の第９実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは本発明の第１０実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは上記第１０実施形態の半導体レーザ装置の要部の概略断面図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは本発明の第１１実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは上記第１１実施形態の半導体レーザ装置の傾き調整を説明するための概略図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは本発明の第１２実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは第１２実施形態の半導体レーザ装置の傾き調整を説明するための概略図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは本発明の第１３実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の概略正面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは上記第１３実施形態の半導体レーザ装置の概略下面図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは本発明の第１４実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは上記第１４実施形態の半導体レーザ装置の傾き調整を説明するための概略図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは本発明の第１５実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは上記第１５実施形態の半導体レーザ装置の傾き調整を説明するための概略図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは本発明の第１６実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは上記第１６実施形態の半導体レーザ装置の傾き調整を説明するための概略図である。
【図２３Ａ】図２３Ａは本発明の第１７実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の要部の概略斜視図である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは上記第１７実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは本発明の第１８実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の要部の概略斜視図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは上記第１８実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図２５Ａ】図２５Ａは本発明の第１９実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の要部の概略斜視図である。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは上記第１９実施形態の半導体レーザ装置の概略上面図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは本発明の第２０実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは上記第２０実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の傾き調整を説明するための概略図である。
【図２６Ｃ】図２６Ｃは上記第２０実施形態の半導体レーザ装置の概略正面図である。
【図２６Ｄ】図２６Ｄは上記第２０実施形態の半導体レーザ装置の概略下面図である。
【図２７Ａ】図２７Ａは本発明の第２１実施形態の光ピックアップ装置の要部の概略斜視図である。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは上記第２１実施形態の光ピックアップ装置の半導体レーザ装置の傾き調整を説明するための概略図である。
【図２７Ｃ】図２７Ｃは上記第２１実施形態の半導体レーザ装置の概略正面図である。
【図２７Ｄ】図２７Ｄは上記第２１実施形態の半導体レーザ装置の概略下面図である。
【図２８】図２８は従来の光ピックアップ装置の基本構成の概念図である。
【図２９】図２９は従来の半導体レーザ装置の基本構成図である。
【図３０】図３０上記従来の半導体レーザ装置のＬＤチップの概略斜視図である。
【図３１】図３１は他の従来の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【符号の説明】
【０３２２】
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００，９００，１０００，１１００，１２００，１３００，１４００，１６００  半導体レーザ装置
１０１，２０１，３０１，８０１，９０１，１００１，１１０１，１２０１，１３０１，１４０１，１６０１，２２０１，３２０１  薄金属板
１０１ａ，２０１ａ，３０１ａ，８０１ａ，９０１ａ，１００１ａ，１１０１ａ，１２０１ａ，１３０１ａ，１４０１ａ，１６０１ａ，２２０１ａ  搭載面
１０１ｂ，３０３ａ，４０３ａ，５０３ａ  アール部
１０２，１４０２，１４１２，１６０２，１６１２  ＬＤチップ
１０２ａ，１３０２ａ  前端面
１５１，２５１，３５１，８５１，９５１，１１５１，１２５１，１３５１，１４５１  ハウジング
１５１ａ，２５１ａ，３５１ａ，８５１ａ，９５１ａ，１１５１ａ，１２５１ａ，１３５１ａ，１４５１ａ  取付面
１５２ａ  湾曲面
２５２ａ  平面
２０１ｂ，３５２ａ，２２０１ｂ  略直角部
３０３，４０３，５０３，６０３  樹脂部
６０３ｃ，１２０１ｃ  切り欠き
７０４  突起
８０１ｃ，９０１ｃ，１００１ｃ，１４０１ｃ，１６０１ｃ  凹部
８５３，９５３，１１５３，１２５３，１３５３，１４５３  突起部
１３０２  ２波長ＬＤチップ
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ５，Ｐ６  発光点
Ｐ４  回転中心
Ｃ  円
【図１】
2006080193.tif 000003
【図２】
2006080193.tif 000004
【図３】
2006080193.tif 000005
【図４】
2006080193.tif 000006
【図５】
2006080193.tif 000007
【図６】
2006080193.tif 000008
【図７】
2006080193.tif 000009
【図８】
2006080193.tif 000010
【図９】
2006080193.tif 000011
【図１０】
2006080193.tif 000012
【図１１】
2006080193.tif 000013
【図１２】
2006080193.tif 000014
【図１３】
2006080193.tif 000015
【図１４】
2006080193.tif 000016
【図１５】
2006080193.tif 000017
【図１６Ａ】
2006080193.tif 000018
【図１６Ｂ】
2006080193.tif 000019
【図１７Ａ】
2006080193.tif 000020
【図１７Ｂ】
2006080193.tif 000021
【図１８Ａ】
2006080193.tif 000022
【図１８Ｂ】
2006080193.tif 000023
【図１９Ａ】
2006080193.tif 000024
【図１９Ｂ】
2006080193.tif 000025
【図２０Ａ】
2006080193.tif 000026
【図２０Ｂ】
2006080193.tif 000027
【図２１Ａ】
2006080193.tif 000028
【図２１Ｂ】
2006080193.tif 000029
【図２２Ａ】
2006080193.tif 000030
【図２２Ｂ】
2006080193.tif 000031
【図２３Ａ】
2006080193.tif 000032
【図２３Ｂ】
2006080193.tif 000033
【図２４Ａ】
2006080193.tif 000034
【図２４Ｂ】
2006080193.tif 000035
【図２５Ａ】
2006080193.tif 000036
【図２５Ｂ】
2006080193.tif 000037
【図２６Ａ】
2006080193.tif 000038
【図２６Ｂ】
2006080193.tif 000039
【図２６Ｃ】
2006080193.tif 000040
【図２６Ｄ】
2006080193.tif 000041
【図２７Ａ】
2006080193.tif 000042
【図２７Ｂ】
2006080193.tif 000043
【図２７Ｃ】
2006080193.tif 000044
【図２７Ｄ】
2006080193.tif 000045
【図２８】
2006080193.tif 000046
【図２９】
2006080193.tif 000047
【図３０】
2006080193.tif 000048
【図３１】
2006080193.tif 000049