(57)【要約】【課題】  半導体搭載用支持部材に半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れる接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シートを提供する。【解決手段】  ｉ）接着シートとダイシングテープ、及びダイシングテープ一体型接着シートからなる群から選択される接着シートを０〜１７０℃でウェハに貼り付ける工程、ｉｉ）ウェハを改質し切断可能な状態にする、又は切断する工程、ｉｉｉ）接着シートを改質し切断可能な状態にする工程を行い、さらにｉｖ）エクスパンドにより接着シートを切断する工程、ｖ）ピックアップにより接着シート付き半導体素子を個片化する工程、を有することを特徴とする接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｉ）接着シートとダイシングテープ、及びダイシングテープ一体型接着シートからなる群から選択される接着シートを０〜１７０℃でウェハに貼り付ける工程、
ｉｉ）ウェハを改質し切断可能な状態にする、又は切断する工程、
ｉｉｉ）接着シートを改質し切断可能な状態にする工程、とを
ｉ）→ｉｉ）→ｉｉｉ）、ｉ）→ｉｉｉ）→ｉｉ）、またはｉｉ）→ｉ）→ｉｉｉ）の順で行い、さらに
ｉｖ）エクスパンドにより接着シートを切断する工程、
ｖ）ピックアップにより接着シート付き半導体素子を個片化する工程、を
有することを特徴とする接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項２】
ｉ’）接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シートからなる群から選択される接着シートを０〜１７０℃でウェハに貼り付ける工程、
ｉｉ’）ウェハと接着シートを同時に改質し切断可能な状態にする工程、
ｉｉｉ’）エクスパンドにより接着シートを切断する工程、
ｉｖ’）ピックアップにより接着シート付き半導体素子を個片化する工程、を
有することを特徴とする接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項３】
上記接着シートを改質する工程は、電磁波で接着シートを硬くすることを特徴とする請求項１、２記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項４】
上記電磁波が、レーザーであることを特徴とする請求項３記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項５】
上記接着シートが、熱硬化性成分と赤外光を吸収し発熱する成分を含有するものであり、上記レーザーが赤外光であることを特徴とする請求項１〜４記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項６】
上記赤外光の波長が、１．０６４μｍであることを特徴とする請求項５記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項７】
上記接着シートが、紫外光を吸収すると硬化する成分を含有するものであり、上記レーザーが紫外光であることを特徴とする請求項１〜４記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項８】
上記紫外光の波長が、３５５ｎｍであることを特徴とする請求項７記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
【請求項９】
請求項３において、電磁波で硬くした後の接着シートの２５℃での引っ張り伸び率が３００％以下であることを特徴とする請求項３記載の接着シート。
【請求項１０】
請求項３において、接着シートがフィラーを５〜７０体積％含むことを特徴とする請求項３記載の接着シート。
【請求項１１】
請求項３において、接着シートが、Ｔｇ−３０℃〜５０℃、重量平均分子量５万〜１００万の高分子量成分含み、かつ接着シートの全構成成分からフィラー成分を除いた成分中に５０重量％以下含むことを特徴とする請求項３記載の接着シート。
【請求項１２】
請求項５において、接着シートが、赤外線吸収剤を含有することを特徴とする請求項５記載の接着シート。
【請求項１３】
請求項７において、接着シートが、光重合開始剤、及び光硬化性成分を含有することを特徴とする請求項７記載の接着シート。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれか１項に記載の接着シートとダイシングテープを積層することを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、接着シートの膜厚の制御困難性、および接着シートのボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、シート状の接着剤が使用されるようになってきた。
【０００３】
この接着シートの代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付け方式がある。これは、まず半導体ウェハの裏面に接着シートを貼付けさらに接着シートの他面にダイシングテープを貼り合わせ、その後前記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着シート付き半導体素子をピックアップしそれを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。また、この接着シートと前記ダイシングテープを一体化した、ダイシング一体型接着シートなるものもある。
【０００４】
しかしながら、ウェハ裏面貼り付け方式でのダイサーによるダイシングでは、接着シートの柔らかさが原因となり、ダンシング時のチッピング、バリなどが問題となっている。これを解決する手段の一つは、ダイシング後のウェハに接着シートを貼り付け後、接着シートを再びダイサーでダイシングすることが考えられるが、これはやはり接着シートの柔らかさにより、バリが問題となる。
【０００５】
また近年のダイシング技術の発展により、従来のダイサーによるダイシングとは異なり、レーザーによりウェハをダイシングする、レーザーダイシングが開発され、これはレーザーをウェハに照射することによりウェハ内部に改質層を形成し、エクスパンド工程などの外力を与えることによりウェハを所定の形状に個片化する技術であり、従来の技術と比べダイシング溝の幅が狭いことや、非接触工程であることから、半導体素子の生産性、及び歩留まり向上の点で優れている。
【０００６】
ウェハ裏面貼り付け方式において、接着シートとウェハを貼り付けた後にレーザーダイシング処理を施した場合は、エクスパンド工程の外力によるウェハ切断時の衝撃力を用い接着シートを切断することが可能である（例えば、特許文献１、２参照）。しかし、接着シートとウェハを貼り付ける前にレーザーダイシング処理を施した場合は、エクスパンド工程の外力によるウェハ切断時の衝撃力が小さくなるため、上手く接着シートを切断できない。また、接着シートをレーザーで直接切断する手段もあるが、切断時に発生する接着シートの切断ゴミが問題となる。
【０００７】
このように、ウェハ裏面貼付け方式において良好なダイシング性を有する接着シート付き半導体装置の製造方法の確立、及び接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの開発が必要である。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７０号公報
【特許文献２】特開２００３−３３８４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来のウェハ裏面貼付け方式では、ダイサーによるダイシングではダイシング時のチッピングやバリの問題、レーザーダイシングでは接着シートの切断が困難な場合があることや、接着シートをレーザーで切断するときに発生する切断ゴミの問題があった。本発明者らは、エキスパンド工程でのウェハ切断と同時に接着シートを切断するためには、接着シートを改質することが有効であることを見出した。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、接着シートを貼り付けたウェハを個片化する工程であって、ウェハ裏面貼付け方式において、所定の形状に個片化するために接着シートを改質し、接着シート付き半導体素子の製造方法、及び接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートを提供できる。すなわち、本発明は以下の記載事項に関する。
＜１＞  ｉ）接着シートとダイシングテープ、及びダイシングテープ一体型接着シートからなる群から選択される接着シートを０〜１７０℃でウェハに貼り付ける工程、
ｉｉ）ウェハを改質し切断可能な状態にする、又は切断する工程、
ｉｉｉ）接着シートを改質し切断可能な状態にする工程、とを
ｉ）→ｉｉ）→ｉｉｉ）、ｉ）→ｉｉｉ）→ｉｉ）、またはｉｉ）→ｉ）→ｉｉｉ）の順で行い、さらに
ｉｖ）エクスパンドにより接着シートを切断する工程、
ｖ）ピックアップにより接着シート付き半導体素子を個片化する工程、を有することを特徴とする接着シート付き半導体素子の製造方法。
＜２＞  ｉ）接着シートとダイシングテープ、及びダイシングテープ一体型接着シートからなる群から選択される接着シートを０〜１７０℃でウェハに貼り付ける工程、
ｉｉ）ウェハと接着シートを同時に改質し切断可能な状態にする工程、
ｉｉｉ）エクスパンドにより接着シートを切断する工程、
ｉｖ）ピックアップにより接着シート付き半導体素子を個片化する工程、を
有することを特徴とする接着シート付き半導体素子の製造方法。
＜３＞  上記接着シートを改質する工程は、電磁波で接着シートを硬くすることを特徴とする＜１＞、＜２＞記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
＜４＞  上記電磁波が、レーザーであることを特徴とする＜３＞記載の接着シート付き半導体素子の製造方法
＜５＞  上記接着シートが、熱硬化性成分と赤外光を吸収し発熱する成分を含有するものであり、上記レーザーが赤外光であることを特徴とする＜１＞〜＜４＞記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
＜６＞  上記赤外光の波長が、１０６４ｎｍであることを特徴とする＜５＞記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
＜７＞  上記接着シートが、紫外光を吸収すると硬化する成分を含有するものであり、上記レーザーが紫外光であることを特徴とする＜１＞〜＜４＞記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
＜８＞上記紫外光の波長が、３５５ｎｍであることを特徴とする＜７＞記載の接着シート付き半導体素子の製造方法。
＜９＞  ＜３＞において、電磁波で硬くした後の接着シートの２５℃での引っ張り伸び率が３００％以下であることを特徴とする＜３＞記載の接着シート。
＜１０＞  ＜３＞において、接着シートがフィラーを５〜７０体積％含むことを特徴とする＜３＞記載の接着シート。
＜１１＞  ＜３＞において、接着シートが、Ｔｇ−３０℃〜５０℃、重量平均分子量５万〜１００万の高分子量成分含み、かつ接着シートの全構成成分からフィラー成分を除いた成分中に５０重量％以下含むことを特徴とする＜３＞記載の接着シート。
＜１２＞  ＜５＞において、接着シートが、赤外線吸収剤を含有することを特徴とする＜５＞記載の接着シート。
＜１３＞  ＜７＞において、接着シートが、光重合開始剤、及び光硬化性成分を含有することを特徴とする＜７＞記載の接着シート。
＜１４＞  ＜９＞〜＜１３＞のいずれか１つに記載の接着シートとダイシングテープを積層することを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
【００１１】
本発明の接着シート付き半導体素子の製造方法は、半導体装置の製造におけるダイシング工程に用いた場合、ハーフカットダイシング、レーザーダイシングなどによりウェハの所定位置を切断可能に加工を行った後、ウェハと接着シートを同時に切断することが可能である。また、厚さ１００μｍ以下の極薄ウェハを使用した場合でも、接着シートを同時に切断する必要がないため、ダイシングの速度を上げることができる。そのため、本発明の半導体素子の製造方法によれば、半導体装置の加工速度、歩留まりの向上をはかることが可能となる。また本発明の接着シートは、半導体装置の製造における半導体素子と支持部材の接合工程において、接着信頼性に優れる接着シートとして使用することができる。即ち、本発明の接着シートは、半導体搭載用支持部材に半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れるものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体装置を製造する際のダイシング工程においてウェハを切断可能な状態に加工を行った後、ウェハと接着シートを同時に切断することが可能な、接着シート付き半導体素子を製造することが可能である。また本発明によれば、半導体装置の製造における半導体素子と支持部材の接合工程において、接着信頼性に優れる接着シートが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の接着シート付き半導体素子の製造方法は、ｉ）ウェハに接着シートとダイシングテープ、又はダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける工程（図１）、ｉｉ）ウェハの切断予定ラインに沿って、ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射し多光子吸収による改質領域を形成する工程（図２）、及びｉｉｉ）接着シートの切断予定ラインに沿って、接着シート内部に集光点を合わせてレーザーを照射し、熱硬化、又は光硬化による改質領域を形成する工程（図３）を、ｉ）→ｉｉ）→ｉｉｉ）、ｉ）→ｉｉｉ）→ｉｉ）、またはｉｉ）→ｉ）→ｉｉｉ）の順で含み、さらにｉｖ）ダイシングテープを、エキスパンド速度１０〜１０００ｍｍ／秒で、エキスパンド量５〜４０ｍｍとなるようにエキスパンドし、ウェハ及び接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体素子を得る工程（図４）、及びｖ）接着シート付き半導体素子をピックアップする工程（図５）を含むことを特徴とする。
【００１４】
また本発明の接着シート付き半導体素子の製造方法は、ｉ’）ウェハに接着シートとダイシングテープ、又はダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける工程（図１）、ｉｉ’）ウェハと接着シートの切断予定ラインに沿って、ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射し多光子吸収による改質領域を形成し、且つ同じレーザーを用いて接着シートに熱硬化又は光硬化による改質領域を形成する工程（図６）、ｉｉｉ’）ダイシングテープを、エキスパンド速度１０〜１０００ｍｍ／秒で、エキスパンド量５〜４０ｍｍとなるようにエキスパンドし、ウェハ及び接着シートを切断予定ラインに沿って切断することにより、複数の個片化された接着シート付き半導体素子を得る工程（図４）、及びｉｖ’）接着シート付き半導体素子をピックアップする工程（図５）を含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明の接着シートは、前記工程ｉｖ）またはｉｉｉ’）の直前において、２５℃での引っ張り伸び率が３００％以下であることを特徴とする。
【００１６】
本発明において、ウェハＡとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素などの化合物半導体が使用される。工程ｉ）、ｉ’）において接着シート１をウェハＡに貼り付ける温度は、０〜１００℃の範囲で行われることが好ましく、１５〜８５℃の範囲で行われることがより好ましく、２０〜６０℃の範囲で行われることがさらに好ましい（図１）。工程ｉｉ）、ｉｉ’）の後に工程ｉ）、ｉ’）を行う場合、ラミネート工程での応力や変形によりウェハが破断することを防止するため、ウェハが変形しないように支持してラミネートを行うことが好ましい。
【００１７】
本発明において、工程ｉｉ）、ｉｉｉ）、ｉｉ’）のウェハと接着シートを切断可能な状態に加工する方法としては、ウェハＡ、及び接着シート１の内部に集光点を合わせてレーザーを照射し前記ウェハＡの切断予定ラインに沿って改質領域３、４を形成する工程を使用する（図２、６）。なお、ウェハＡのレーザー加工方法については、特許文献１及び２に記載の方法を使用することができ、接着シートの加工方法にも使用することができる。装置については、株式会社東京精密製のＭＡＨＯＨＤＩＣＩＮＧ  ＭＡＣＨＩＮＥを使用しても良い。ウェハＡへのレーザーは、ウェハＡの裏面、つまり、回路が形成されていない、接着シートを貼り付ける面から照射してもよい。工程ｉｉ）、ｉｉ’）、ｉｉｉ）を工程ｉ）、ｉ’）の後に行う場合、接着シート及びダイシングテープとして、レーザーを透過するものを用いることが好ましい。
【００１８】
本発明において、工程ｉｖ）、ｉｉｉ’）のエクスパンドは、市販のウェハ拡張装置によって行うことができる（図４）。本工程では、ダイシングテープ２周辺部に貼り付けたリング１１を固定し、突き上げ部１２を上昇することで、ダイシングテープ２に張力をかけ、ダイシングテープ２を拡張させる。この時の突き上げ部が上昇する速度をエキスパンド速度とし、突き上げ部が上昇した高さ１４をエキスパンド量とする。本発明では、エキスパンド速度は１０〜１０００ｍｍ／秒であり、１０〜１００ｍｍ／秒であることが好ましく、１０〜５０ｍｍ／秒であることがさらに好ましい。また、エクスパンド量は５〜４０ｍｍであり、１０〜３０ｍｍであることが好ましく、１５〜２０ｍｍであることがさらに好ましい。エキスパンド速度が１０ｍｍ／秒未満であると、ウェハＡ及び接着シート１の切断が困難になる傾向があり、１００ｍｍ／秒を超えると、ダイシングテープが破断しやすくなる傾向がある。また、エキスパンド量が５ｍｍ未満であると、ウェハＡ及び接着シート１の切断が困難になる傾向があり、４０ｍｍを超えると、ダイシングテープが破断しやすくなる傾向がある。このダイシングテープ２のエキスパンドによって、ウェハＡ改質部３、接着シート１改質部４を起点として、ウェハＡ、接着シート１を切断することができる。これにより、接着シート付き半導体素子５を得ることができる。
【００１９】
本発明において、工程ｖ）、ｉｖ’）のピックアップは、吸着コレット２１、スライダー２２等を用いて行うことができる（図５）。本工程では、切断された接着シート付き半導体素子をピックアップすることで、各接着シート付き半導体素子を個片化できる。
【００２０】
本発明の接着シートを改質する工程は、電磁波を用いて接着シートを硬くすることで行うことができる。本工程で用いる電磁波はレーザーであることが好ましく、熱硬化性分と赤外光を吸収し発熱する成分を含有する接着シートの場合、その波長は０．８〜１０μｍであることが好ましく、０．９〜５μｍであることがより好ましく、１〜１．５μｍであることがさらに好ましく、１．０６４μｍであることが最も好ましい。また、光硬化性成分と光重合開始剤を含有する接着シートの場合、その波長は２００〜５００ｎｍであることが好ましく、２５０〜４５０ｎｍであることがより好ましく、３００〜４００ｎｍであることがさらに好ましく、３５５ｎｍであることが最も好ましい。赤外光の波長は、レーザーダイシングで良く用いられるＹＡＧレーザーの基本波である１．０６４μｍを用いるのが、線幅、出力の点から好ましく、紫外光の波長は、１．０６４の第３高調波である３５５ｎｍを用いるのが、同様の理由で好ましい。
【００２１】
本発明の接着シートは、上記工程に用いられる接着シートであって、上記工程ｉｖ）、ｉｉｉ’）の直前において、２５℃での引っ張り伸び率が３００％以下であることを特徴とする。本工程で用いる接着シートの２５℃での引っ張り伸び率は、３〜３００％であることが好ましく、５０〜２５０％であることがより好ましく。１００〜２００％であることがさらに好ましい。２５℃での引っ張り伸び率が、３％未満の場合は接着シートが脆く、取り扱い性が低下し、３００％を越える場合はエクスパンド時に接着シートを切断することが難しいため不適当である。
接着シートの引っ張り伸び率は、幅１０ｍｍ、チャック間距離２０ｍｍ、厚さ１〜２５０μｍの試料について、引っ張り試験機を用いて引っ張り速度０．５ｍ／分で応力−歪み曲線を測定し、それから下式により得たものである。
【００２２】
【数１】
2006080142.tif 000002
【００２３】
引っ張り伸び率を変更するには、材料の可撓性、じん性を調整することが有効である。引っ張り伸び率を低減するには、例えば、フィラーの添加、軟化点が３０℃以上のオリゴマ、モノマの添加、高Ｔｇの高分子量成分の添加が有効であり、引っ張り伸び率を向上するには、低Ｔｇで分子量の大きい高分子量成分の添加、軟化点が３０℃未満のオリゴマ、モノマの添加が有効である。
【００２４】
引っ張り伸び率は、接着シートに含まれる高分子量成分が多く、また、フィラーが少ないほど高くなる傾向があるので、規定した範囲内になるよう調節することが必要である。上記の引っ張り伸び率の範囲内の接着シートは、Ｔｇが−３０℃〜５０℃で重量平均分子量が５万〜１００万である高分子量成分が、接着シートの全構成成分からフィラー成分を除いた成分中に５０重量％以下含まれることが好ましく、３５重量％以下含まれることがより好ましい。また、本発明におけるフィラーとしては、比重１〜１０ｇ／ｃｍ３であるものが好ましく、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが挙げられ、熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましく、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましく、また耐湿性を向上させるためにはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸化物が好ましい。フィラーの添加量は、５体積％以上７０体積％以下であることが好ましく、配合量が多くなると、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので５０重量％以下とするのが好ましい。
【００２５】
赤外光照射によって引っ張り伸び率を低減させるには、赤外光吸収剤と熱硬化性成分を組み合わせて用いるのが有効であり、例えば、吸収した赤外光のエネルギーを熱エネルギーに変換し、接着シート内の熱硬化性成分の反応を促進させることが有効である。赤外光吸収剤としては、赤外領域に吸収特性のある、アントラキノン系、ポリメチン系、シアニン系、アミニウム系、ジイモニウム系、フタロシアニン系、チタンブラック、カーボンブラックが挙げられるが、レーザーダイシング用の光源として多く用いられているＹＡＧレーザーの基本波である１．０６４μｍに特に吸収特性のある、アミニウム系、ジイモニウム系、フタロシアニン系、カーボンブラックが好ましく、また熱硬化性成分としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤等があるが、耐熱性が高い点で、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００２６】
紫外光によって引っ張り伸び率を低減させるには、光重合開始剤と光硬化性成分を組み合わせて用いるの有効であり、例えば、吸収した紫外光により光重合開始剤が反応活性となり触媒的に光硬化性成分の硬化を促進させることが有効である。光重合開始剤としては、２-メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１−オン、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体（ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されても良い）、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を挙げることができ、また光硬化性成分としては、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートのような多官能アクリレート等を挙げることができ、これらの光反応性成分は、単独で又は２種類以上を組み合わせても、使用することができる。紫外線照射後の残存成分の観点から、多官能であるものでも、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートやジペンタエリスリトールペンタアクリレートなどが好ましい。
【００２７】
また、上記の接着シートはダイシングテープと予め貼り合わせたダイシングテープ一体型接着シートとしても使用される。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。  本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが必要であり、ダイシングテープの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、粘着剤層の樹脂組成物において、特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明を実施例を用いてより詳細に説明する。本発明はこれらに制限されるものではない。
[接着シート付き半導体素子の製造方法]
【００２９】
（接着シート作製例）
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６０、東都化成株式会社製商品名ＹＤ−８１７０Ｃを使用）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０、東都化成株式会社製商品名ＹＤＣＮ−７０３を使用）１０重量部；エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェンＬＦ２８８２を使用）２７重量部；エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲル  パーミエーション  クロマトグラフィーによる重量平均分子量８０万、グリシジルメタクリレート３重量％、Ｔｇは−７℃、帝国化学産業株式会社製商品名ＨＴＲ−８６０Ｐ−３ＤＲを使用）２８重量部；硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＺ−ＣＮを使用）０．１重量部；シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、ＳＯ−Ｃ２（比重：２．２ｇ／ｃｍ３）を使用）９５重量部；シランカップリング剤として（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１８９を使用）０．２５重量部および（日本ユニカー株式会社製商品名Ａ−１１６０を使用）０．５重量部、赤外線吸収剤として（山陽色素株式会社製商品名Ｊ−３０８を使用）０．５重量部；からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを、厚さ５０μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で１０分間、１２０℃で５分間加熱乾燥して膜厚が２５μｍの塗膜とし、Ｂステージ状態の接着シートを作製した。
【００３０】
（実施例１）
ダイシング加工するウェハ（厚さ８０μｍ）に接着シートをホットロールラミネータ（Ｄｕ  Ｐｏｎｔ製Ｒｉｓｔｏｎ）を用い、６０℃でラミネートした。次に、ダイシングテープ（古河電工（株）製ＵＣ３００４Ｍ−８０）を積層した（図１）。得られた接着シート付きウェハにレーザー加工により、ウェハ内部に変質部を形成した（図２）。同様に、接着シート付きウェハにレーザー加工により、接着シート内部に変質部を形成した（図３）。ダイシングテープの外周にはステンレス製のリングを貼り付けた。続いて、エキスパンド装置により。リングを固定しダイシングテープをエキスパンドした。この時のエキスパンド条件は、エキスパンド速度が３０ｍｍ／秒、エキスパンド量が１５ｍｍであった。
【００３１】
（比較例１）
接着シート内部に変質部を形成するためのレーザー加工を行わない以外は、実施例１と同様に行った。
【００３２】
（比較例２）
エキスパンド量が３ｍｍであること以外は、実施例１と同様に行った。
【００３３】
（比較例３）
エキスパンド速度が５ｍｍ／秒であること以外は、実施例１と同様に行った。
【００３４】
（実施例２）
ダイシングされたウェハ（厚さ８０μｍ）に、接着シートをホットロールラミネータ（Ｄｕ  Ｐｏｎｔ製Ｒｉｓｔｏｎ）を用い、６０℃でラミネートした。次に、ダイシングテープ（古河電工（株）製ＵＣ３００４Ｍ−８０）を積層した。得られた接着シート付きウェハにレーザー加工により、接着シート内部に変質部を形成した。ダイシングテープの外周にはステンレス製のリングを貼り付けた。続いて、エキスパンド装置により。リングを固定しダイシングテープをエキスパンドした。この時のエキスパンド条件は、エキスパンド速度が３０ｍｍ／秒、エキスパンド量が１５ｍｍであった。
【００３５】
（比較例４）
接着シート内部に変質部を形成するためのレーザー加工を行わない以外は、実施例２と同様に行った。
【００３６】
（比較例５）
エキスパンド量が３ｍｍであること以外は、実施例２と同様に行った。
【００３７】
（比較例６）
エキスパンド速度が５ｍｍ／秒であること以外は、実施例２と同様に行った。
【００３８】
（破断性及び端部はみ出し評価方法）
実施例１、２、比較例１〜６について、下記の方法で破断性を評価した。結果を表１に示す。
【００３９】
（破断性）
エキスパンド後にウェハと接着シートが破断されたか否かを光学顕微鏡で観察した。ダイシングを施した距離の９０％以上破断されたものを良好（○）、５０〜９０％未満破断されたのものを部分的に良好（△）、５０％未満のものを不良（×）とした。
【００４０】
（断面観察）
また、破断された部分のチップをピックアップし、チップと接着シートの端面を図７に示すように観察した。破断されずにチップ端面からはみだした接着シートの長さ１４をはみだし長さとした。その長さが０〜２０μｍの場合を極めて良好（○）２０〜１００μｍ以内の場合を良好（△）、１００μｍ以上を不良（×）とした。
【００４１】
【表１】
2006080142.tif 000003
【００４２】
実施例１、２は、破断性、断面観察結果ともに良好であった。比較例１〜６は、破断しないか、破断したとした部分があったとしても、切断後の接着シートの断面に大きな凹凸やバリ、ヒゲが見られ、接着シートを良好に切断できるとは言えない。
【００４３】
以上、本発明について実施例を用いて説明してきたが、以下の作用効果を奏することが分かった。本発明の接着シート付き半導体素子の製造方法、及び接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートは、接着シート付き半導体素子を製造する際のダイシング工程において、エクスパンド時にウェハと接着シートを同時に切断可能である。また、ダイシングされたウェハに接着シートを貼り合わせた後の接着シートのダイシング工程において、エキスパンド時に接着シートを切断可能である。本発明の接着シート付き半導体素子の製造方法、及び接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートは、半導体装置の信頼性の向上と共に、半導体装置の加工速度、歩留まりの向上をはかることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明におけるｉ）、及びｉ'）の一実施態様を示す概念図である。
【図２】本発明におけるｉｉ）の一実施態様を示す概念図である。
【図３】本発明におけるｉｉｉ）の一実施態様を示す概念図である。
【図４】本発明におけるｉｖ）、及びｉｉｉ'）の一実施態様を示す概念図である。
【図５】本発明におけるｖ）、及びｉｖ'）の一実施態様を示す概念図である。
【図６】本発明におけるｉｉ'）の一実施態様を示す概念図である。
【図７】接着シート付き半導体チップの一実施態様を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４５】
Ａ  ウェハ
１  接着シート
２  粘着テープ
３  ウェハ切断予定ライン
４  接着シート切断予定ライン
５  接着シート付き半導体素子
６  端部はみだし長さ
１１  リング
１２  突き上げ部
１３  ステージ
１４  エキスパンド量
２１  吸引コレット
２２  針扞
【図１】
2006080142.tif 000004
【図２】
2006080142.tif 000005
【図３】
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【図４】
2006080142.tif 000007
【図５】
2006080142.tif 000008
【図６】
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【図７】
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