(57)【要約】【課題】  可変減衰器で抵抗値の切換えの構成などとして用いられる高周波信号切換え装置において、インピーダンスマッチングが良好で、かつ良好な組立て性を確保する。【解決手段】  ２つの高周波信号切換え装置４１，４２を用い、スルー素子１１と抵抗体１２とを切換えて信号を通過させるようにした可変減衰器４０において、撓み変形したコンタクトばね４１ａ，４２ａの基端４１ｃ，４２ｃ側と遊端４１ｅ，４２ｅ側とで、近接するベース４３の内部空間４４の天面４４ａまたは底面４４ｂとの間で形成する静電容量（＝電界分布）が相互に等しくなるように、遊端４１ｅ，４２ｅ側になるにつれて、天面４４ａと底面４４ｂとが相互に離反するように形成する。したがって、インピーダンスマッチングのためにコンタクトばね４１ａ，４２ａの両側部を、ベース４３の両側壁４３ａ，４３ｂにむやみに近接させる必要は無くなり、良好な組立て性を確保することができる。【選択図】      図４
2006303947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部導体となるベースに形成された内部空間に、共通接点となるコンタクトばねが収納され、前記コンタクトばねは電気絶縁性の架台に基端が固定され、前記内部空間の天面および底面には、前記ベースから電気的に絶縁された個別接点がそれぞれ設けられ、前記コンタクトばねが電気絶縁性の駆動部材によって撓み変形されることで、遊端が個別接点の一方と接触するようにした高周波信号切換え装置において、
前記撓み変形したコンタクトばねの基端側と遊端側とで、前記撓み変形によって近接する前記内部空間の天面または底面との間で形成する静電容量が相互に等しくなるように、前記ベースの内部空間およびコンタクトばねの形状を設定することを特徴とする高周波信号切換え装置。
【請求項２】
前記撓み変形によって、前記コンタクトばねの遊端側程、前記内部空間の天面または底面により近接し、静電容量が増加するのを、該コンタクトばねを先細状に形成することで打消し、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくすることを特徴とする請求項１記載の高周波信号切換え装置。
【請求項３】
前記撓み変形によって、前記コンタクトばねの遊端側程、前記内部空間の天面または底面により近接し、静電容量が増加するのを、前記ベースの内部空間を形成する天面および底面が、前記コンタクトばねの遊端側になるにつれて相互に離反してゆくことで打消し、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくすることを特徴とする請求項１記載の高周波信号切換え装置。
【請求項４】
前記撓み変形によって、前記コンタクトばねの遊端側程、前記内部空間の天面または底面により近接し、静電容量が増加するのを、該コンタクトばねを先細状に形成し、かつ前記ベースの内部空間を形成する天面および底面が、前記コンタクトばねの遊端側になるにつれて相互に離反してゆくことで打消し、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくすることを特徴とする請求項１記載の高周波信号切換え装置。
【請求項５】
同じベースの内部空間に、前記請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波信号切換え装置を、個別接点側が相互に隣接するように２つ直列に配置し、前記内部空間の天面および底面で各個別接点間には相互に抵抗値の異なる抵抗体が設けられ、前記コンタクトばねを連動して切換えることを特徴とする可変減衰器。
【請求項６】
前記請求項５記載の可変減衰器を複数段直列に接続して成ることを特徴とする可変減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可変減衰器で抵抗値の切換えの構成などとして用いられる高周波信号切換え装置およびそれを用いる前記可変減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、２つの高周波信号切換え装置１，２を用いて構成される可変減衰器３の構造を示す縦断面図である。この可変減衰器３は、計測器などで用いられ、高周波信号の切換えを行う高周波信号切換え装置１，２が２つ直列に配置されて構成されており、高周波信号を、それら２つの高周波信号切換え装置１，２間に設けられ、実質的に抵抗値を無視し得るスルー素子１１と、抵抗体１２との何れを通過させるかによって、減衰無しで通過させるか、減衰して通過させるかを切換えるものである。
【０００３】
前記高周波信号切換え装置１，２は、グランドに接続され、外部導体となるベース１３に形成された内部空間１４に、共通接点となるコンタクトばね１ａ，２ａが収納され、前記コンタクトばね１ａ，２ａが、前記内部空間１４の天面１４ａまたは底面１４ｂの少なくとも一方（図１２では底面１４ｂ）から立設された電気絶縁性の架台１ｂ，２ｂに基端１ｃ，２ｃが固定され、前記内部空間１４の天面１４ａおよび底面１４ｂには、前記ベース１３から電気的に絶縁された個別接点となる前記スルー素子１１および抵抗体１２がそれぞれ設けられ、前記コンタクトばね１ａ，２ａが電気絶縁性の駆動部材１ｄ，２ｄによって撓み変形されることで、遊端１ｅ，２ｅが前記スルー素子１１または抵抗体１２の一方と接触するように構成されている。
【０００４】
前記駆動部材１ｄ，２ｄは、カード１５の連結片１５ａによって相互に連動して駆動されるようになっており、カード１５の駆動片１５ｂが電磁石ブロック１６によって昇降変位される。前記電磁石ブロック１６は、ボビン１６ａにコイル１６ｂが巻回され、前記ボビン１６ａにおいてコイル１６ｂと軸線方向に並んで永久磁石１６ｃが設けられ、それらの構成を継鉄１６ｄで覆うとともに、前記ボビン１６ａ内に磁性の駆動片１６ｅを備えて構成される。
【０００５】
前記駆動片１６ｅは、コイル１６ｂの非励磁時には、永久磁石１６ｃの磁力によって上昇しており、また前記コンタクトばね１ａ，２ａは図１２において仮想線で示すようにスルー素子１１側に撓んでいるように成形されており、これによって前記コイル１６ｂの非励磁時には、カード１５が上昇し、コンタクトばね１ａ，２ａはスルー素子１１と接触し、両者間の抵抗値は略０となっている。これに対して、前記コイル１６ｂの励磁時には、前記駆動片１６ｅは下降し、カード１５を介してコンタクトばね１ａ，２ａを図１２において実線で示すように抵抗体１２側に撓み変形させ、これによってコンタクトばね１ａ，２ａは抵抗体１２と接触し、両者間の抵抗値は大きくなる。このようにして、コンタクトばね１ａ，２ａ間の抵抗値が切換えられる。
【０００６】
図１３は、典型的な従来技術の可変減衰器２０の構造を示す水平断面図である。この可変減衰器２０の縦断面は、前述の図１２の可変減衰器３と同様であり、図１３は図１２の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。前述の可変減衰器３と同一の構成には、同一の参照符号を付して示す。注目すべきは、この可変減衰器２０では、コンタクトばね２１ａ，２２ａは、ベース２３の両側壁２３ａ，２３ｂぎりぎりまで、幅広に形成されていることである。
【０００７】
図１４は図１３の切断面線Ｃ−Ｃから見た断面図であり、図１５はその切断面線Ｄ−Ｄから見た断面図である。図１５は、コンタクトばね２１が抵抗体１２側に撓んでいる状態を示す。たとえば、前記ベース２３の両側壁２３ａ，２３ｂ間の間隔を２．６ｍｍとした場合、前記コンタクトばね２１ａ，２２ａの幅は２ｍｍ、厚さは０．０５ｍｍに選ばれ、したがってコンタクトばね２１ａ，２２ａの両側部と両側壁２３ａ，２３ｂとの隙間は０．３ｍｍとなる。
【０００８】
これは、図１５で示すように、コンタクトばね２１ａ，２２ａがベース２３の内部空間２４の天面２４ａまたは底面２４ｂの一方に近接してゆくと（図１５ではコンタクトばね２１が底面２４ｂに近接）、他方（図１５では天面２４ａ）との間の電界分布に差が生じ、コンタクトばね２１ａ，２２ａとそれら天面２４ａおよび底面２４ｂとの間で形成する静電容量に差が生じ、高周波伝送路としてのコンタクトばね２１ａ，２２ａにおいて、インピーダンスのミスマッチングが生じるためである。前記隙間を狭くすることで、コンタクトばね２１ａ，２２ａと、それら天面２４ａおよび底面２４ｂとの間の電界よりも、両側壁２３ａ，２３ｂとの間の電界を相対的に大きくし、図１６および図１７で示すように、いずれの方向の撓みに対しても一定のそれら両側壁２３ａ，２３ｂとの間の電界によって、天面２４ａおよび底面２４ｂとの間の電界分布のばらつきによる影響を相対的に小さくし、良好なインピーダンスマッチングを得るためである。
【０００９】
上記従来技術と同様に、特許文献１には、内部が空洞でアース導体を成す筒型のベースの両端から内部空間へ、磁性体から成る可撓性の導電部材をそれぞれ突出させ、その導電部材と平行にスルー素子と抵抗減衰素子とを設け、前記導電部材をマグネットで吸引・反発することで、前記導電部材をスルー素子または抵抗減衰素子と接触させ、減衰を行うか否かを選択するようにした減衰器が示されている。
【００１０】
また、特許文献２にも同様に、内部が空洞となった同軸外導体内に絶縁部材に支持された同軸内導体を設け、それらが径方向に変位する押圧ピンによって導体に接触させるか、減衰チップに接触させるかによって、減衰を行うか否かを選択できるようにしたマイクロ波減衰器が示されている。
【特許文献１】特開平２−２９２９０７号公報
【特許文献２】特開昭６３−１５８７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記可変減衰器２０では、インピーダンスのマッチングは得られても、コンタクトばね２１ａ，２２ａと両側壁２３ａ，２３ｂとの間の隙間が狭く、部品の加工や組立てに高い精度が必要になるという問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、インピーダンスマッチングが良好で、組立て性も良好な高周波信号切換え装置およびそれを用いる可変減衰器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の高周波信号切換え装置は、外部導体となるベースに形成された内部空間に、共通接点となるコンタクトばねが収納され、前記コンタクトばねは電気絶縁性の架台に基端が固定され、前記内部空間の天面および底面には、前記ベースから電気的に絶縁された個別接点がそれぞれ設けられ、前記コンタクトばねが電気絶縁性の駆動部材によって撓み変形されることで、遊端が個別接点の一方と接触するようにした高周波信号切換え装置において、前記撓み変形したコンタクトばねの基端側と遊端側とで、前記撓み変形によって近接する前記内部空間の天面または底面との間で形成する静電容量が相互に等しくなるように、前記ベースの内部空間およびコンタクトばねの形状を設定することを特徴とする。
【００１４】
上記の構成によれば、可変減衰器で抵抗値の切換えの構成などとして用いられる高周波信号切換え装置において、その構造が、グランドに接続され、外部導体となるベースに形成された内部空間に、共通接点となるコンタクトばねが収納され、前記コンタクトばねは前記内部空間の天面または底面から立設されるなどした電気絶縁性の架台に基端が固定され、前記内部空間の天面および底面には、前記ベースから電気的に絶縁された個別接点がそれぞれ設けられ、前記コンタクトばねが電気絶縁性の駆動部材によって撓み変形されることで、遊端が個別接点の一方と接触するようにした構造の場合に、前記撓み変形したコンタクトばねの基端側と遊端側とで、前記撓み変形によって近接する前記内部空間の天面または底面との間で形成する静電容量が相互に等しくなるように、前記ベースの内部空間およびコンタクトばねの形状を設定する。
【００１５】
したがって、コンタクトばねの両側部を、前記内部空間の両側面にむやみに近接させる必要は無くなり、インピーダンスマッチングが良好な高周波信号切換え装置を良好な組立て性で実現することができる。
【００１６】
また、本発明の高周波信号切換え装置は、前記撓み変形によって、前記コンタクトばねの遊端側程、前記内部空間の天面または底面により近接し、静電容量が増加するのを、該コンタクトばねを先細状に形成することで打消し、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくすることを特徴とする。
【００１７】
上記の構成によれば、前記ベースの内部空間に対してコンタクトばねの形状を設定することで、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくする構造を具体的に実現することができる。
【００１８】
さらにまた、本発明の高周波信号切換え装置は、前記撓み変形によって、前記コンタクトばねの遊端側程、前記内部空間の天面または底面により近接し、静電容量が増加するのを、前記ベースの内部空間を形成する天面および底面が、前記コンタクトばねの遊端側になるにつれて相互に離反してゆくことで打消し、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくすることを特徴とする。
【００１９】
上記の構成によれば、前記コンタクトばねの形状に対して、ベースの内部空間の形状を設定することで、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくする構造を具体的に実現することができる。
【００２０】
また、本発明の高周波信号切換え装置は、前記撓み変形によって、前記コンタクトばねの遊端側程、前記内部空間の天面または底面により近接し、静電容量が増加するのを、該コンタクトばねを先細状に形成し、かつ前記ベースの内部空間を形成する天面および底面が、前記コンタクトばねの遊端側になるにつれて相互に離反してゆくことで打消し、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくすることを特徴とする。
【００２１】
上記の構成によれば、前記ベースの内部空間の形状およびコンタクトばねの形状を共に設定することで、撓み変形した該コンタクトばねの基端側と遊端側との静電容量を相互に等しくする構造を具体的に実現することができる。
【００２２】
さらにまた、本発明の可変減衰器は、同じベースの内部空間に、前記の高周波信号切換え装置を、個別接点側が相互に隣接するように２つ直列に配置し、前記内部空間の天面および底面で各個別接点間には相互に抵抗値の異なる抵抗体が設けられ、前記コンタクトばねを連動して切換えることを特徴とする。
【００２３】
上記の構成によれば、上記の高周波信号切換え装置を２つ用いて、可変減衰器を構成することができる。
【００２４】
また、本発明の可変減衰器は、前記の可変減衰器を複数段直列に接続して成ることを特徴とする。
【００２５】
上記の構成によれば、段数が増加する程、切換え可能な抵抗値の種類を増加することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の高周波信号切換え装置およびそれを用いる可変減衰器は、以上のように、グランドに接続され、外部導体となるベースに形成された内部空間に、共通接点となるコンタクトばねが収納され、前記コンタクトばねは前記内部空間の天面または底面から立設されるなどした電気絶縁性の架台に基端が固定され、前記内部空間の天面および底面には、前記ベースから電気的に絶縁された個別接点がそれぞれ設けられ、前記コンタクトばねが電気絶縁性の駆動部材によって撓み変形されることで、遊端が個別接点の一方と接触するようにした構造の場合に、前記撓み変形したコンタクトばねの基端側と遊端側とで、前記撓み変形によって近接する前記内部空間の天面または底面との間で形成する静電容量が相互に等しくなるように、前記ベースの内部空間およびコンタクトばねの形状を設定する。
【００２７】
それゆえ、コンタクトばねの両側部を、前記内部空間の両側面にむやみに近接させる必要は無くなり、インピーダンスマッチングが良好な高周波信号切換え装置を良好な組立て性で実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の第１の形態に係る高周波信号切換え装置３１，３２を用いて構成される可変減衰器３０の構造を示す水平断面図である。この可変減衰器３０の縦断面は、前述の図１２の可変減衰器３と同様であり、図１は図１２の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。前述の可変減衰器３と同一の構成には、同一の参照符号を付して示す。注目すべきは、この可変減衰器３０では、コンタクトばね３１ａ，３２ａは、先細状に形成されていることである。コンタクトばね３１ａ，３２ａは、グランドに接続され、外部導体となるベース３３に形成された内部空間３４に収納され、前記内部空間３４の底面３４ｂから立設された電気絶縁性の架台１ｂ，２ｂに、その基端３１ｃ，３２ｃが固定されている。このコンタクトばね３１ａ，３２ａは共通接点となり、前記ベース３３から電気的に絶縁された前記スルー素子１１および抵抗体１２が個別接点となる。またこのコンタクトばね３１ａ，３２ａは、電気絶縁性の前記駆動部材１ｄ，２ｄによって撓み変形されることで、遊端３１ｅ，３２ｅが前記スルー素子１１または抵抗体１２の一方と接触する。
【００２９】
図２は図１の切断面線Ｅ−Ｅから見た断面図であり、図３はその切断面線Ｆ−Ｆから見た断面図である。図３は、コンタクトばね３１ａが抵抗体１２側に撓んでいる状態を示す。図２および図３から明らかなように、コンタクトばね３１ａが抵抗体１２側に撓んでいることから、基端３１ｃから遊端３１ｅ側になるにつれて、前記内部空間３４の底面３４ｂに近接してゆき、電界が強くなる。しかしながら、基端３１ｃから遊端３１ｅ側になるにつれて、先細状に形成されていることから、該底面３４ｂ側での電界分布は、前記基端３１ｃ側と遊端３１ｅ側とで変わらず、静電容量は均一のままである。したがって、高周波伝送路としてのコンタクトばね３１ａ，３２ａにおいて、良好なインピーダンスマッチングを得ることができる。
【００３０】
このように構成することで、コンタクトばね３１ａ，３２ａの撓み変形によって、該コンタクトばね３１ａ，３２ａの遊端３１ｅ，３２ｅ側程、ベース３３の内部空間３４の天面３４ａまたは底面３４ｂにより近接し、静電容量が増加するのを、該コンタクトばね３１ａ，３２ａを先細状に形成することで打消し、撓み変形した該コンタクトばね３１ａ，３２ａの基端３１ｃ，３２ｃ側と遊端３１ｅ，３２ｅ側との静電容量を相互に等しくすることができる。こうして、前記ベース３３の内部空間３４に対してコンタクトばね３１，３２の形状を設定することで、撓み変形した該コンタクトばね３１，３２の基端３１ｃ，３２ｃ側と遊端３１ｅ，３２ｅ側との静電容量を相互に等しくすることができ、コンタクトばね３１ａ，３２ａの両側部を、ベース３３の両側壁３３ａ，３３ｂにむやみに近接させる必要は無くなり、それらの間に充分なクリアランスを確保しても、インピーダンスマッチングが良好な高周波信号切換え装置３１，３２およびそれを用いる可変減衰器３０を、良好な組立て性で実現することができる。
【００３１】
［実施の形態２］
図４は、本発明の実施の第２の形態に係る高周波信号切換え装置４１，４２を用いて構成される可変減衰器４０の構造を示す縦断面であり、図５は図４の切断面線Ｇ−Ｇから見た水平断面図である。この可変減衰器４０で、前述の図１２の可変減衰器３および図１の可変減衰器３０と同一の構成には、同一の参照符号を付して示す。注目すべきは、この可変減衰器４０では、コンタクトばね４１ａ，４２ａは、前記図１３〜図１７で示す従来のコンタクトばね１ａ，２ａよりも幅は狭いけれども一定幅に形成され、その代りにベース４３において、内部空間４４を形成する天面４４ａおよび底面４４ｂが、前記コンタクトばね４１ａ，４２ａの遊端４１ｅ，４２ｅ側になるにつれて、相互に離反してゆくことである。
【００３２】
図６は図５の切断面線Ｈ−Ｈから見た断面図であり、図７はその切断面線Ｉ−Ｉから見た断面図である。図７は、コンタクトばね４１ａが抵抗体１２側に撓んでいる状態を示す。コンタクトばね３１ａが抵抗体１２側に撓んでいると、前記図１２で示す従来のベース１３では、基端４１ｃ，４２ｃから遊端４１，４２ｅ側になるにつれて、内部空間１４の底面１４ｂに近接してゆき、電界が強くなる。しかしながら、上述のように天面４４ａおよび底面４４ｂが相互に離反してゆくように形成されていることから、図６および図７から明らかなように、基端４１ｃ側と遊端４１ｅ側とで電界分布は変わらず、静電容量は均一のままである。したがって、高周波伝送路としてのコンタクトばね４１ａ，４２ａにおいて、良好なインピーダンスマッチングを得ることができる。
【００３３】
このように構成することで、コンタクトばね４１ａ，４２ａの撓み変形によって、該コンタクトばね４１ａ，４２ａの遊端４１ｅ，４２ｅ側程、ベース４３の内部空間４４の天面４４ａまたは底面４４ｂにより近接し、静電容量が増加するのを、ベース４３の天面４４ａおよび底面４４ｂが相互に離反してゆくように形成することで打消し、撓み変形した該コンタクトばね４１ａ，４２ａの基端４１ｃ，４２ｃ側と遊端４１ｅ，４２ｅ側との静電容量を相互に等しくすることができる。こうして、前記コンタクトばね４１，４２に対してベース４３の内部空間４４の形状を設定することで、撓み変形した該コンタクトばね４１，４２の基端４１ｃ，４２ｃ側と遊端４１ｅ，４２ｅ側との静電容量を相互に等しくすることができ、コンタクトばね４１ａ，４２ａの両側部を、ベース４３の両側壁４３ａ，４３ｂにむやみに近接させる必要は無くなり、それらの間に充分なクリアランスを確保しても、インピーダンスマッチングが良好な高周波信号切換え装置４１，４２およびそれを用いる可変減衰器４０を、良好な組立て性で実現することができる。
【００３４】
［実施の形態３］
図８は、本発明の実施の第３の形態に係る高周波信号切換え装置５１，５２を用いて構成される可変減衰器５０の構造を示す縦断面であり、図９は図８の切断面線Ｊ−Ｊから見た水平断面図である。この可変減衰器５０は、前述の可変減衰器３０，４０に類似している。すなわち、この可変減衰器５０では、コンタクトばね５１ａ，５２ａは、前記コンタクトばね３１ａ，３２ａと同様に先細状に形成されるとともに、ベース５３において、内部空間５４を形成する天面５４ａおよび底面５４ｂが、前記コンタクトばね５１ａ，５２ａの遊端５１ｅ，５２ｅ側になるにつれて、相互に離反してゆくことである。
【００３５】
このように構成してもまた、撓み変形したコンタクトばね５１，５２の基端５１ｃ，５２ｃ側と遊端５１ｅ，５２ｅ側との静電容量を相互に等しくすることができ、コンタクトばね５１ａ，５２ａの両側部を、ベース５３の両側壁５３ａ，５３ｂにむやみに近接させる必要は無くなり、それらの間に充分なクリアランスを確保しても、インピーダンスマッチングが良好な高周波信号切換え装置５１，５２およびそれを用いる可変減衰器５０を、良好な組立て性で実現することができる。
【００３６】
図１０は、上述のように構成される可変減衰器３０，４０，５０を備えて成る可変減衰器１００の構造を示す部分断面図であり、図１１はその可変減衰器１００の平面図である。図１１において、図１０の切断面線を、Ｋ−Ｋで示す。この可変減衰器１００は、上述の可変減衰器３０，４０，５０の何れかの種類、もしくは複数の種類を使用して構成されており、複数段の可変減衰器３０，４０，５０が直列に接続されて構成されている。
【００３７】
各可変減衰器３０，４０，５０における前記抵抗体１２は相互に等しくてもよく、その場合には抵抗体１２の抵抗値に、選択されている段数を乗算した値が、可変減衰器１００としての合成抵抗値となる。これに対して、各可変減衰器３０，４０，５０における抵抗体１２を相互に異なるように形成することで、幅広い抵抗変化幅を得ることができ、たとえば−１０，−２０，−４０，−８０の各減衰率に設定することで、０ｄＢから−１５０ｄＢまでの減衰率に変化することができる。
【００３８】
なお、上述の説明における上下の各方向は、図に対応して、便宜上使用したものであり、可変減衰器３０，４０，５０；１００の取付け方向によっては、９０°回転や１８０°回転（上下反転）で使用されることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る高周波信号切換え装置を用いて構成される可変減衰器の構造を示す水平断面図である。
【図２】図１の切断面線Ｅ−Ｅから見た断面図である。
【図３】図１の切断面線Ｆ−Ｆから見た断面図である。
【図４】本発明の実施の第２の形態に係る高周波信号切換え装置を用いて構成される可変減衰器の構造を示す縦断面である。
【図５】図４の切断面線Ｇ−Ｇから見た水平断面図である。
【図６】図５の切断面線Ｈ−Ｈから見た断面図である。
【図７】図５の切断面線Ｉ−Ｉから見た断面図である。
【図８】本発明の実施の第３の形態に係る高周波信号切換え装置を用いて構成される可変減衰器の構造を示す縦断面である。
【図９】図８の切断面線Ｊ−Ｊから見た水平断面図である。
【図１０】複数段の可変減衰器を備えて成る可変減衰器の構造を示す部分断面図である。
【図１１】図１０で示す可変減衰器の平面図である。
【図１２】２つの高周波信号切換え装置を用いて構成される可変減衰器の構造を示す縦断面図である。
【図１３】典型的な従来技術の可変減衰器の構造を示す水平断面図である。
【図１４】図１３の切断面線Ｃ−Ｃから見た断面図である。
【図１５】図１３の切断面線Ｄ−Ｄから見た断面図である。
【図１６】従来技術によるコンタクトばねの電界分布を説明するための図１３の切断面線Ｃ−Ｃから見た断面図である。
【図１７】従来技術によるコンタクトばねの電界分布を説明するための図１３の切断面線Ｄ−Ｄから見た断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１，２；３１，３２；４１，４２；５１，５２    高周波信号切換え装置
１ａ，２ａ；３１ａ，３２ａ；４１ａ，４２ａ；５１ａ，５２ａ    コンタクトばね
１ｂ，２ｂ    架台
１ｃ，２ｃ；３１ｃ，３２ｃ；４１ｃ，４２ｃ；５１ｃ，５２ｃ    基端
１ｄ，２ｄ    駆動部材
１ｅ，２ｅ；３１ｅ，３２ｅ；４１ｅ，４２ｅ；５１ｅ，５２ｅ    遊端
３；３０，４０，５０；１００    可変減衰器
１１    スルー素子
１２    抵抗体
１３，３３，４３，５３    ベース
１４，３４，４４，５４    内部空間
１４ａ，３４ａ，４４ａ，５４ａ    天面
１４ｂ，３４ｂ，４４ｂ，５４ｂ    底面
１５    カード
１６    電磁石ブロック
３３ａ，３３ｂ；４３ａ，４３ｂ；５３ａ，５３ｂ    側壁
【図１】
2006303947.tif 000003
【図２】
2006303947.tif 000004
【図３】
2006303947.tif 000005
【図４】
2006303947.tif 000006
【図５】
2006303947.tif 000007
【図６】
2006303947.tif 000008
【図７】
2006303947.tif 000009
【図８】
2006303947.tif 000010
【図９】
2006303947.tif 000011
【図１０】
2006303947.tif 000012
【図１１】
2006303947.tif 000013
【図１２】
2006303947.tif 000014
【図１３】
2006303947.tif 000015
【図１４】
2006303947.tif 000016
【図１５】
2006303947.tif 000017
【図１６】
2006303947.tif 000018
【図１７】
2006303947.tif 000019