(57)【要約】【課題】紫外光源または紫外レーザ光源を用いた欠陥検査装置のように視野が広い検査装置の精度点検パタンとして使用可能なパタン形成基板およびパタン形成方法を提供する。【解決手段】任意の基板の短辺が５０μｍ以上の矩形領域に、規則的に一定間隔で同一線パタンまたは同一孔パタンを複数形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
短辺が５０μｍ以上の矩形領域に規則的に一定間隔で同一線パタンまたは同一孔パタンが複数形成されたことを特徴とするパタン形成基板。
【請求項２】
前記線パタンにおける線幅または前記孔パタンにおける孔径が４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のパタン形成基板。
【請求項３】
前記４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の線幅または孔径から選択された少なくとも５水準以上の線パタンまたは孔パタンが複数形成された複数の前記矩形領域を備えることを特徴とする請求項２に記載のパタン形成基板。
【請求項４】
前記５水準以上の線パタンまたは孔パタンは、その線幅または孔径が各々１０ｎｍ未満の水準差を有するように選択されたことを特徴とする請求項３に記載のパタン形成基板。
【請求項５】
前記線パタンおよび孔パタンは、Ｘ線リソグラフィを用いた転写により形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパタン形成基板。
【請求項６】
短辺が５０μｍ以上の第１の矩形領域に規則的に一定間隔で線幅が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の同一線パタンまたは孔径が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の同一孔パタンが複数形成される共に、短辺が５０μｍ以上の第２の矩形領域に規則的に一定間隔で線幅が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の同一線パタンまたは孔径が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の同一孔パタンが複数形成されたことを特徴とするパタン形成基板。
【請求項７】
任意の基板上にパタンを形成する方法であって、
線パタン及び／又は孔パタンを転写するためのマスクを作成し、
このマスクから前記基板上に前記線パタン及び／又は孔パタンを転写して当該基板上の短辺が５０μｍ以上の矩形領域に同一線パタン及び／又は同一孔パタンを規則的に一定間隔で複数形成することを特徴とするパタン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パタン形成基板およびパタン形成方法に関し、特に、短辺が５０μｍ以上の矩形領域に規則的に一定間隔で同一線パタンまたは同一孔パタンを複数形成することによって、ナノメートル・オーダーでの精度点検を効率化できるようにしたパタン形成基板およびパタン形成方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造装置の精度点検には、一定間隔をおいて精度点検パタンが形成された標準ウエハが用いられてきた（特許文献１参照）。この特許文献１に記載された標準ウエハによれば、ダイシング装置等によるミクロン・オーダーでの精度点検に好適である。
【０００３】
一方、測長ＳＥＭのようにサブミクロン・オーダーまたはナノメートル・オーダーでの精度が問題となる半導体検査装置の精度点検においては、一定間隔で線パタン（ライン・アンド・スペース；Ｌ＆Ｓ）が形成された測長用スケールが用いられてきた（非特許文献１参照）。
【０００４】
この非特許文献１に記載された測長用スケールＣｊは、図４（ａ）に示すように、公知の半導体プロセスによりシリコン（Ｓｉ）ウエハＷ上に複数形成されたチップＣｊをダイシング加工により切り出したものである。
【０００５】
従来の測長用スケールＣｊは、図４（ｂ）に示すように、一辺の長さがＬａ、他辺の長さがＬｂの矩形となされ、複数のブロックＢｋ（Ｋ＝正の整数）を有して構成される。これら複数のブロックＢｋには、図４（ｃ）に示すように、線幅Ｗｋの線パタンＬｋが一定間隔Ｓｋで規則的に並置される。この従来の測長用スケールＣｊは、通常、Ｌａ＝Ｌｂ＝２００μｍ程度の正方形状となされ、複数のブロックＢｋは、その短辺の長さが１０μｍ以下の長方形状となされていた。
【０００６】
この従来の測長用スケールＣｊにおいては、例えば第１のブロックＢ１には、線幅Ｗ１＝５０ｎｍの線パタンが、この線幅Ｗ１と同一間隔Ｓ１＝５０ｎｍで並べられ、第２のブロックＢ２には、線幅Ｗ２＝１００ｎｍの線パタンが、この線幅Ｗ２と同一間隔Ｓ２＝１００ｎｍとなるように並べられ、同様に、ブロックＢｋには、線幅Ｗｋの線パタンがこの線幅Ｗｋと同一間隔Ｓｋで規則正しく並置されていた。すなわち、従来の測長用スケールＣｊでは、線幅Ｗｋと線間隔Ｓｋとが等しくなるように、これらの比が１対１となされていた。この従来の測長用スケールＣｊによれば、測長ＳＥＭおよびＡＦＭのように、測定領域が１０μｍ以下と極めて狭い検査装置の精度点検に好適である。
【特許文献１】特開平６−３１４７３２号公報
【非特許文献１】ＮＴＴアドバンステクノロジ株式会社「測長用スケール」、応用物理学会誌Ｖｏｌ．７３，Ｎｏ．９，２００４，前付６頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の測長用スケールＣｊは、線幅Ｗｋが１００ｎｍ以下の微細な線パタンＬｋを形成可能な電子ビーム（ＥＢ）を用いて直接描画により形成されていたため、ＥＢによる一筆描きが可能な極微小領域にのみ線パタンＬｋが形成されていた。また、スループットおよびコストの問題から、ブロックＢｋとなる矩形領域も狭かった。従って、短辺が少なくとも１０μｍ以上となるブロックＢｋに、線パタンＬｋを規則正しく並置することは極めて困難であった。このため、紫外光源または紫外レーザ光源を用いた欠陥検査装置のように、視野が広い検査装置のための精度点検パタンとして使用することができなかった。
【０００８】
また、たとえスループットおよびコストの問題を無視し、同一線幅Ｗｋを有する線パタンＬｋをＥＢにより広範囲に描画した場合であっても、線パタンＬｋの長さＬが１０μｍを超えては１回のＥＢスキャンで描画することができないので、長さＬが１０μｍを超える線パタンＬｋでは、つなぎ目が生じてしまう。このＥＢスキャンに起因したつなぎ目は、検査装置により欠陥と認識されてしまうため、精度点検には不適切であった。よって、ＥＢによる直接描画を用いずに、リソグラフィ技術を用いた転写によって、大面積にサブミクロン・オーダーの同一パタンが形成された基板が、ナノメートル・オーダーの精度点検用標準パタンとして要求されていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る第１のパタン形成基板は、短辺が５０μｍ以上の矩形領域に規則的に一定間隔で同一線パタンまたは同一孔パタンが複数形成されたことを特徴とする。
【００１０】
前記線パタンにおける線幅または前記孔パタンにおける孔径は、４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下であることが望ましく、前記４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の線幅または孔径から選択された少なくとも５水準以上の線パタンまたは孔パタンが複数形成された複数の前記矩形領域を備えることがより望ましい。
【００１１】
また、前記５水準以上の線パタンまたは孔パタンは、その線幅または孔径が各々１０ｎｍ未満の水準差を有するように選択することができる。前記線パタンおよび孔パタンは、Ｘ線リソグラフィを用いた転写により形成することができる。
【００１２】
本発明に係る第２のパタン形成基板は、短辺が５０μｍ以上の第１の矩形領域に規則的に一定間隔で線幅が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の同一線パタンまたは孔径が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の同一孔パタンが複数形成される共に、短辺が５０μｍ以上の第２の矩形領域に規則的に一定間隔で線幅が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の同一線パタンまたは孔径が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の同一孔パタンが複数形成されたことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係るパタン形成方法は、任意の基板上にパタンを形成する方法であって、線パタン及び／又は孔パタンを転写するためのマスクを作成し、このマスクから前記基板上に前記線パタン及び／又は孔パタンを転写して当該基板上の短辺が５０μｍ以上の矩形領域に同一線パタン及び／又は同一孔パタンを規則的に一定間隔で複数形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、短辺が少なくとも５０μｍ以上となる矩形領域に、４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲で同一線幅を有する多数の線パタンまたは同一孔径を有する多数の孔パタンを規則正しく並置するため、紫外光源または紫外レーザ光源を用いた欠陥検査装置のように、視野が広い検査装置のためのナノメートル・オーダーでの精度点検パタンとして使用することできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の最良の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。図１（ａ）は本実施形態に係るパタン形成基板Ｃｉを示し、図１（ｂ）はパタン形成基板Ｃｉを構成するサブチップＢｍを示し、図１（ｃ）はサブチップＢｍを構成するサブ−サブチップＡｎを示す。
【００１６】
本実施形態に係るパタン形成基板Ｃｉは、図１（ａ）に示すように、複数のサブチップＢｍ（ｍは正の整数）を備えて構成される。サブチップＢｍには、線幅Ｗｍが４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲で、各々異なる線幅Ｗｍの線パタンＬｍが形成される。例えば、第１のサブチップＢ１には、線幅Ｗ１が４０ｎｍとなるように線パタンＬ１が形成され、第２のサブチップＢ２には、線幅Ｗ２が４５ｎｍとなるように線パタンＬ２が形成される。このように線幅Ｗｍが１０ｎｍ未満の水準差を有するように、望ましくは線幅Ｗｍが５ｎｍずつ変化するように線幅Ｗｍの水準が選択されて、各サブチップＢｍに線パタンＬｍが形成される。これによって、パタン形成基板Ｃｉは、５水準以上の線パタンを有する５ブロック以上のサブチップＢｍを備えるように構成される。
【００１７】
このとき、選択される線幅水準は、フォトリソグラフィおよびエッチング技術の限界を考慮して、５０ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲を選択することが望ましく、７０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の領域を選択幅とすることが、マスク製造費用の点から最適である。
【００１８】
サブチップＢｍは、図１（ｂ）に示すように、複数のサブ−サブチップＡｎに分割されて構成される。各サブ−サブチップＡｎは、同一線幅Ｗｍの線パタンＬｍが各々異なるピッチＰｎで形成された領域であって、図１（ｃ）に示すように、短辺の長さがＬｐであり、長辺の長さがＬｌである矩形領域に、線幅Ｗｍの線パタンＬｍが一定間隔Ｓｎで規則正しくピッチＰｎとなるように複数形成されて構成される。ここで、サブ−サブチップＡｎの短辺の長さＬｐが少なくとも５０μｍ以上となるように、線幅Ｗｍの線パタンを規則正しく並置する。
【００１９】
上述のように第１のサブチップＢ１に線幅Ｗ１が４０ｎｍの線パタンＬ１を形成する場合、このサブチップＢ１を構成するサブ−サブチップＡｎは、線幅Ｗ１が４０ｎｍであってピッチＰｎとなされた領域となる。すなわち、サブチップＢ１を構成する第１のサブ−サブチップＡ１は、線幅Ｗ１が４０ｎｍの線パタンＬ１が一定間隔Ｓ１＝４０ｎｍで規則正しく、ピッチＰ１＝８０ｎｍとなるように並べられ、線幅Ｗ１と間隔Ｓ１との比が１対１となるように構成される。同様に、サブチップＢ１を構成する第２のサブ−サブチップＡ２は、線幅Ｗ１＝４０ｎｍの線パタンＬ１が一定間隔Ｓ２＝８０ｎｍで規則正しく、ピッチＰ２＝１２０ｎｍとなるように並べられ、線幅Ｗ２と間隔Ｓ２との比が１対２となるように構成される。
【００２０】
また、第２のサブチップＢ２には線幅Ｗ２が４５ｎｍの線パタンＬ２を形成する場合、このサブチップＢ２を構成するサブ−サブチップＡｎは、線幅Ｗ２が４５ｎｍであってピッチＰｎとなされた領域となる。したがって、サブチップＢ２を構成する第１のサブ−サブチップＡ１は、線幅Ｗ２が４５ｎｍの線パタンＬ２が一定間隔Ｓ１＝４５ｎｍで規則正しく、ピッチＰ１＝９０ｎｍとなるように並べられ、線幅Ｗ１と間隔Ｓ１との比が１対１となるように構成される。同様に、サブチップＢ２を構成する第２のサブ−サブチップＡ２は、線幅Ｗ２＝４５ｎｍの線パタンＬ２が一定間隔Ｓ２＝９０ｎｍで規則正しく、ピッチＰ２＝１３５ｎｍとなるように並べられ、線幅Ｗ２と間隔Ｓ２との比が１対２となるように構成される。
【００２１】
このように、ピッチＰｎ＝（ｎ＋１）Ｗｍとなるようにサブ−サブチップＡｎを構成し、例えば、線幅Ｗｍと間隔Ｓｎとの比が、１対１、１対２、１対３、１対４および１対５となるようにピッチＰｎの水準をふる。また、孤立パタンでの精度評価のために、ｎ＝６に対しては、Ｐ６＝１０×Ｗｍとして線幅Ｗｍと間隔Ｓｎとの比が、１対１０となるようにサブ−サブチップＡ６を構成する。
【００２２】
本実施形態に係るパタン形成基板Ｃｉには、例えば一端部から順に、線幅４０ｎｍの線パタンがピッチ８０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４０ｎｍの線パタンがピッチ１２０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４０ｎｍの線パタンがピッチ１６０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４０ｎｍの線パタンがピッチ２００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４０ｎｍの線パタンがピッチ２４０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４０ｎｍの線パタンがピッチ４００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅４５ｎｍの線パタンがピッチ９０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４５ｎｍの線パタンがピッチ１３５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４５ｎｍの線パタンがピッチ１８０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４５ｎｍの線パタンがピッチ２２５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４５ｎｍの線パタンがピッチ２７０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅４５ｎｍの線パタンがピッチ４５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅５０ｎｍの線パタンがピッチ１００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５０ｎｍの線パタンがピッチ１５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５０ｎｍの線パタンがピッチ２００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５０ｎｍの線パタンがピッチ２５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５０ｎｍの線パタンがピッチ３００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５０ｎｍの線パタンがピッチ５００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅５５ｎｍの線パタンがピッチ１１０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５５ｎｍの線パタンがピッチ１６５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５５ｎｍの線パタンがピッチ２２０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５５ｎｍの線パタンがピッチ２７５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５５ｎｍの線パタンがピッチ３３０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅５５ｎｍの線パタンがピッチ５５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅６０ｎｍの線パタンがピッチ１２０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６０ｎｍの線パタンがピッチ１８０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６０ｎｍの線パタンがピッチ２４０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６０ｎｍの線パタンがピッチ３００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６０ｎｍの線パタンがピッチ３６０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６０ｎｍの線パタンがピッチ６００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが形成され、次に、線幅６５ｎｍの線パタンがピッチ１３０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６５ｎｍの線パタンがピッチ１９５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６５ｎｍの線パタンがピッチ２６０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６５ｎｍの線パタンがピッチ３２５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６５ｎｍの線パタンがピッチ���９０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅６５ｎｍの線パタンがピッチ６００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、線幅７０ｎｍの線パタンがピッチ１４０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７０ｎｍの線パタンがピッチ２１０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７０ｎｍの線パタンがピッチ２８０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７０ｎｍの線パタンがピッチ３５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７０ｎｍの線パタンがピッチ４２０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７０ｎｍの線パタンがピッチ７００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅７５ｎｍの線パタンがピッチ１５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７５ｎｍの線パタンがピッチ２２５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７５ｎｍの線パタンがピッチ３００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７５ｎｍの線パタンがピッチ３７５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７５ｎｍの線パタンがピッチ４５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅７５ｎｍの線パタンがピッチ７５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅８０ｎｍの線パタンがピッチ１６０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８０ｎｍの線パタンがピッチ２４０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８０ｎｍの線パタンがピッチ３２０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８０ｎｍの線パタンがピッチ４００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８０ｎｍの線パタンがピッチ４８０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８０ｎｍの線パタンがピッチ８００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅８５ｎｍの線パタンがピッチ１７０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８５ｎｍの線パタンがピッチ２５５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８５ｎｍの線パタンがピッチ３３０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８５ｎｍの線パタンがピッチ４２５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８５ｎｍの線パタンがピッチ５１０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅８５ｎｍの線パタンがピッチ８５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅９０ｎｍの線パタンがピッチ１８０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９０ｎｍの線パタンがピッチ２７０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９０ｎｍの線パタンがピッチ３６０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９０ｎｍの線パタンがピッチ４５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９０ｎｍの線パタンがピッチ５４０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９０ｎｍの線パタンがピッチ９００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅９５ｎｍの線パタンがピッチ１９０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９５ｎｍの線パタンがピッチ２８５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９５ｎｍの線パタンがピッチ３８０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９５ｎｍの線パタンがピッチ４７５ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９５ｎｍの線パタンがピッチ５７０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅９５ｎｍの線パタンがピッチ９５０ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置され、次に、線幅１００ｎｍの線パタンがピッチ２００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅１００ｎｍの線パタンがピッチ３００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅１００ｎｍの線パタンがピッチ４００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅１００ｎｍの線パタンがピッチ５００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅１００ｎｍの線パタンがピッチ６００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域と、線幅１００ｎｍの線パタンがピッチ１０００ｎｍで形成された５０μｍ□以上の領域とが配置される。また、線幅１００ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の線パタンについても、同様に線幅とピッチとの水準をふって配置する。
【００２３】
これによって、本実施形態に係るパタン形成基板によれば、４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の微細なＬ＆Ｓが、１０ｎｍ未満の水準差かつ異なるピッチとなるように、短辺が少なくとも５０μｍ以上となる領域Ａｋに規則的に一定間隔で同一線パタンが複数形成されて構成される。したがって、紫外光源および紫外レーザ光源を用いた欠陥検査装置のように、視野が５０μｍ以上となるような検査装置であっても、検査領域は同一パタンとなるので、４０ｎｍ乃至１３０ｎｍの極微細領域での精度検査を、１０ｎｍ未満の精度をもって検定することが可能となる。
【００２４】
なお、上記では同一線幅でピッチの異なる領域を隣接させたが、同一ピッチで線幅の異なる領域を隣接させても同じ作用効果を奏する。
【００２５】
図２（ａ）は上述した線パタンＬｍの一例を示す上面図であって、図２（ｂ）はそのＺ１−Ｚ１線での断面図である。また、図２（ｃ）は線パタンＬｍに替えて孔パタンＨｍを形成した一例を示す上面図であって、図２（ｄ）はそのＺ２−Ｚ２線での断面図である。ここでＲｎＬおよびＲｎＨは、レジスト膜および酸化膜のように、半導体プロセスで使用される任意の膜であり、ＳｎＬおよびＳｎＨは、Ｓｉウエハのような基板である。
【００２６】
図示のように、線パタンＬｍでの線幅ＷｍＬを孔パタンＨｍでの孔径ＷｍＨと同等とみなし、線パタンＬｍでの線間隔ＳｎＬを孔パタンＨｍでの孔間隔ＳｎＨと同等とみなすことによって、上述のパタン形成基板Ｃｉの線パタンＬｍを孔パタンＨｍに置換することができる。これによって、短辺が５０μｍ以上の矩形領域に規則的に一定間隔で孔径ＷｍＨが４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下である同一孔パタンＨｍが複数形成されたパタン形成基板Ｃｉを得ることができる。
【００２７】
また、上述の線パタンＬｍと同様に、４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の孔径ＷｍＨから選択された５水準以上の孔パタンＨｍを、望ましくは、孔径ＷｍＨが１０ｎｍ未満の水準差を有するように、より望ましくは、水準差が５ｎｍとなるように複数の異なる水準で、短辺が少なくとも５０μｍ以上となる複数の矩形領域に多数形成することによって、４０ｎｍ乃至１３０ｎｍの極微細領域での精度検査を、軸方向によらずに１０ｎｍ未満の精度をもって実施することができるようになる。
【００２８】
図３は、上述の線パタンＬｍと孔パタンＨｍとを任意の基板に転写するためのマスクＭを示す略式概念図である。線幅ＷｍＬまたは孔径ＷｍＨが４０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の微細パタンを任意の基板に転写するために、Ｘ線リソグラフィ技術を用いることが望ましい。このとき、Ｘ線リソグラフィ技術によってもマスクからの転写が困難な８０ｎｍ未満の領域と、確実に転写可能な８０ｎｍ以上の領域とにマスク領域を分割すると共に、線パタン領域と孔パタン領域とを分割することが望ましい。
【００２９】
すなわち図示のように、線幅が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の狭い線パタン領域ＳＣ１と、線幅が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の広い線パタン領域ＳＣ２と、孔径が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の小さな穴パタン領域ＳＣ３と、孔径が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の大きな孔パタン領域ＳＣ４とに、マスク領域を分割する。これによって、短辺が５０μｍ以上の第１の矩形領域に規則的に一定間隔で線幅が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の同一線パタンを複数形成し、短辺が５０μｍ以上の第２の矩形領域に規則的に一定間隔で線幅が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の同一線パタンを複数形成し、短辺が５０μｍ以上の第３の矩形領域に規則的に一定間隔で孔径が４０ｎｍ以上８０ｎｍ未満の同一孔パタンを複数形成し、かつ、短辺が５０μｍ以上の第４の矩形領域に規則的に一定間隔で線幅が８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の同一孔パタンを複数形成することが容易となる。また、マスクからパタンを転写する際に、アパーチャ等により一部の領域を隠すことができるので、所望の領域のみを基板上に転写により形成可能となる。
【００３０】
したがって、任意の基板上にパタンを形成する場合に、線パタン及び／又は孔パタンを転写するためのマスクを上述のように領域を分割して作成し、このマスクから基板上に線パタン及び／又は孔パタンを、Ｘ線リソグラフィ技術により等倍露光して基板に転写する。
【００３１】
これによって、例えば下表１に示すように、基板上の短辺が５０μｍ以上の矩形領域に同一線パタン及び／又は同一孔パタンを規則的に一定間隔で複数形成することができる。
【表１】
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【００３２】
なお、上述ではＸ線リソグラフィによるパタン形成方法のみを述べたが、基板ＳｎＬ，ＳｎＨ上に予め任意の膜を形成し、マスクからの転写パタンをエッチングすることによって、各種の膜による微細パタンを形成することも可能となる。
【００３３】
また、上述では等倍露光となるＸ線リソグラフィ技術を例示したが、公知のＦ２リソグラフィ技術によっても本発明に係るパタン形成基板を実現可能である。Ｆ２リソグラフィでは、縮小露光法が適用されるので、露光装置に応じた拡大率でマスクＭを製造することになる。これによっても上述と同じ作用効果をそうすることができる。
【００３４】
以上詳述したように、本発明に係るパタン形成基板およびパタン形成方法によれば、５０μｍ□以上の広い領域に同一線パタンまたは同一孔パタンを転写によって形成することができるようになる。このため、紫外光源または紫外レーザ光源による欠陥検査装置等の精度検査用パタンとして好適なパタン形成基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係るパタン形成基板を示す略式概念図。
【図２】線パタンおよび孔パタンを説明する図。
【図３】マスクの分割領域を示す模式図。
【図４】従来のパタン形成基板を示す略式概念図。
【符号の説明】
【００３６】
Ｃ  パタン形成基板
Ｍ  マスク
【図１】
2006080238.tif 000004
【図２】
2006080238.tif 000005
【図３】
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【図４】
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