(57)【要約】【課題】  切削時に発生する切削屑がウエーハの表面に付着するのを防止することができるウエーハの切削方法および切削装置を提供する。【解決手段】  チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しつつ切削手段によりウエーハに形成された所定の分割予定ラインに沿って切削するウエーハの切削方法であって、ウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する親水性付与工程と、親水性が付与されたウエーハをチャックテーブルに保持し、チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しつつ切削手段によりウエーハに形成された所定の分割予定ラインに沿って切削する切削工程とを含む。【選択図】        図２
2006295050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しつつ切削手段によりウエーハに形成された所定の分割予定ラインに沿って切削するウエーハの切削方法であって、
ウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する親水性付与工程と、
親水性が付与されたウエーハをチャックテーブルに保持し、チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しつつ切削手段によりウエーハに形成された所定の分割予定ラインに沿って切削する切削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの切削方法。
【請求項２】
該親水性付与工程においてウエーハの切削面に照射する紫外線は、波長が１８４nmの紫外線と波長が２５４nmの紫外線である、請求項１記載のウエーハの切削方法。
【請求項３】
該切削水には、高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加されている、請求項１又は２記載のウエーハの切削方法。
【請求項４】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの切削面に切削水を供給しつつウエーハを切削する切削手段と、ウエーハを収容したカセットを載置するカセット載置台を備えたカセット載置機構と、該カセット載置台上に載置された該カセットに収容されているウエーハを仮置き領域に搬出する搬出手段と、該仮置き領域に搬出されたウエーハを該チャックテーブルに搬送する搬送手段と、を具備する切削装置において、
該搬出手段によって搬出されたウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する紫外線照射手段を具備している、
ことを特徴とする切削装置。
【請求項５】
該紫外線照射手段は、該カセット載置台の下側に配設されている、請求項４記載の切削装置。
【請求項６】
該紫外線照射手段は、ウエーハを収容するチャンバーと、該チャンバー内に配設され波長が１８４nmの紫外線照射する第１の紫外線照射器と波長が２５４nmの紫外線照射する第２の紫外線照射器とを具備している、請求項４又は５記載の切削装置。
【請求項７】
該紫外線照射手段は、該チャンバーと連通するオゾン処理室を備えている、請求項６記載の切削装置。
【請求項８】
該紫外線照射手段は、透明なウエーハ支持部材によって仕切られた上部チャンバーと下部チャンバーとを備え、該上部チャンバー内には波長が１８４nmの紫外線を照射する第１の紫外線照射器と波長が２５４nmの紫外線を照射する第２の紫外線照射器が配設され、該下部チャンバーには波長が３００〜４００nmの紫外線を照射する第３の紫外線照射器が配設されている、請求項４又は５記載の切削装置。
【請求項９】
該紫外線照射手段は、該下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備している、請求項８記載の切削装置。
【請求項１０】
ウエーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段とを具備する切削装置に装備される紫外線照射ユニットであって、
ハウジングと、該ハウジング内を上部チャンバーと下部チャンバーに仕切る透明なウエーハ支持部材と、該上部チャンバーに配設され波長が１８４nmの紫外線を照射する第１の紫外線照射器および波長が２５４nmの紫外線を照射する第２の紫外線照射器と、該下部チャンバーに配設され波長が３００〜４００nmの紫外線を照射する第３の紫外線照射器と、を具備している、
ことを特徴とする紫外線照射ユニット。
【請求項１１】
該下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備している、請求項１０記載の紫外線照射ユニット。
【請求項１２】
該上部チャンバーと連通するオゾン処理室を備えている、請求項１０又は１１記載の紫外線照射ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを切削加工するウエーハの切削方法および切削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでおり、切削時には切削ブレードによる切削部に切削水を供給しつつ切削する。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平７−１０６２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、上述した切削装置においては、切削ブレードによってウエーハを切削した際に発生する切削屑が切削水に混入してウエーハの表面を漂い、ウエーハの表面に切削屑が付着して汚染するという問題がある。即ち、ウエーハの切削によって発生した切削屑は、切削水に混入してウエーハの表面を漂っている際にウエーハの表面に付着するとともに、切削水が撥水して乾燥するとウエーハの表面に強固に付着する。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、切削時に発生する切削屑がウエーハの表面に付着するのを防止することができるウエーハの切削方法および切削装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しつつ切削手段によりウエーハに形成された所定の分割予定ラインに沿って切削するウエーハの切削方法であって、
ウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する親水性付与工程と、
親水性が付与されたウエーハをチャックテーブルに保持し、チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しつつ切削手段によりウエーハに形成された所定の分割予定ラインに沿って切削する切削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの切削方法が提供される。
【０００７】
上記親水性付与工程においてウエーハの切削面に照射する紫外線は、波長が１８４nmの紫外線と波長が２５４nmの紫外線である。また、上記切削水には、高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加されていることが望ましい。
【０００８】
また、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの切削面に切削水を供給しつつウエーハを切削する切削手段と、ウエーハを収容したカセットを載置するカセット載置台を備えたカセット載置機構と、該カセット載置台上に載置された該カセットに収容されているウエーハを仮置き領域に搬出する搬出手段と、該仮置き領域に搬出されたウエーハを該チャックテーブルに搬送する搬送手段と、を具備する切削装置において、
該搬出手段によって搬出されたウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する紫外線照射手段を具備している、
ことを特徴とする切削装置が提供される。
【０００９】
上記紫外線照射手段は、上記カセット載置台の下側に配設されていることが望ましい。また、上記紫外線照射手段は、ウエーハを収容するチャンバーと、該チャンバー内に配設され波長が１８４nmの紫外線照射する第１の紫外線照射器と波長が２５４nmの紫外線照射する第２の紫外線照射器とを具備している。更に、上記紫外線照射手段は、上記チャンバーと連通するオゾン処理室を備えていることが望ましい。上記紫外線照射手段は、透明なウエーハ支持部材によって仕切られた上部チャンバーと下部チャンバーとを備え、上部チャンバー内には波長が１８４nmの紫外線を照射する第１の紫外線照射器と波長が２５４nmの紫外線を照射する第２の紫外線照射器が配設され、下部チャンバーには波長が３００〜４００nmの紫外線を照射する第３の紫外線照射器が配設されているまた、紫外線照射手段は、下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備していることが望ましい。
【００１０】
また、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削手段とを具備する切削装置に装備される紫外線照射ユニットであって、
ハウジングと、該ハウジング内を上部チャンバーと下部チャンバーに仕切る透明なウエーハ支持部材と、該上部チャンバーに配設され波長が１８４nmの紫外線を照射する第１の紫外線照射器および波長が２５４nmの紫外線を照射する第２の紫外線照射器と、該下部チャンバーに配設され波長が３００〜４００nmの紫外線を照射する第３の紫外線照射器と、を具備している、
ことを特徴とする紫外線照射ユニットが提供される。
【００１１】
上記下部チャンバーに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を具備していることが望ましく、上記上部チャンバーと連通するオゾン処理室を備えていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、切削工程において切削部に切削水を供給しつつウエーハを切削すると、切削によって生成された切削屑が切削水に混入してウエーハの切削面に漂うことになるが、切削工程を実施する前に親水性付与工程を実施することによりウエーハの切削面は親水性が向上せしめられ濡れた状態が維持されるので、切削屑がウエーハの切削面に強固に付着することはない。従って、ウエーハの接着面に付着した研削屑は、次工程である洗浄工程において容易に除去することができる。
また、本発明による切削装置は、搬出手段によって搬出されたウエーハの切削面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して切削面に親水性を付与する紫外線照射手段を具備しているので、カセット載置台上に載置されたカセットから搬出されたウエーハの切削面に効率良く親水性を付与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明によるウエーハの切削方法および切削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明によって構成された切削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における切削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す切削送り方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に装着された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の表面である載置面上に被加工物である例えば円板状のウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。
【００１５】
図示の実施形態における切削装置は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転駆動される回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２に装着された切削ブレード４３とを具備している。この切削ブレード４３両側には切削水供給ノズル４４が配設されている。この切削水供給ノズル４４は図示しない切削水供給源に接続されており、高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加されている切削水が供給される。なお、高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加された切削水については、本出願人の出願にかかる特願２００４−３４７２０９を参照されたい。
【００１６】
図示の実施形態における切削装置は、上記チャックテーブル３を構成する吸着チャック３２の表面に保持された被加工物であるウエーハの表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出したり、切削溝の状態を確認したりするための撮像手段５を具備している。この撮像手段５は顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっている。また、図示の実施形態における切削装置は、撮像手段５によって撮像された画像を表示する表示手段６を具備している。
【００１７】
図示の実施形態における切削装置は、被加工物としてのウエーハを収容するカセット１０を具備している。カセット１０は、被加工物であるウエーハを出し入れするための被加工物搬出入開口１０１を備えており、両側壁の内面にはウエーハを載置するための複数個のラック棚１０２が上下方向に対向して設けられている。カセット１０に収納される被加工物であるウエーハ１１は、図１に示すように円板形状に形成されており、その表面に格子状に形成されたストリート１１１によって区画された多数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１１２が形成されている。このように形成されたウエーハ１１は、環状のフレーム１２に装着された粘着テープ１３の表面に貼着されている。粘着テープ１３の粘着層は所定波長の紫外線を照射することによって粘着力が低下する所謂ＵＶテープが用いられている。ウエーハ１１を収容したカセット１０は、被加工物搬出入開口１０１を被加工物載置領域１４に向けてカセット載置機構７のカセット載置台７１上に載置される。カセット載置台７１の上面には、カセット１０を載置したとき位置決めするための位置決め部材７１１が設けられている。なお、カセット載置機構７については、後で詳細に説明する。
【００１８】
図示の実施形態における切削装置は、カセット１０に収容された被加工物としてのウエーハ１１を仮置き領域１４に搬出するとともに切削加工後のウエーハ１１をカセット１０に搬入する搬出入手段１５と、該搬出入手段１５によって搬出されたウエーハ１１を上記チャックテーブル３上に搬送する搬送手段１６と、チャックテーブル３で切削加工されたウエーハ１１を洗浄する洗浄手段１７と、チャックテーブル３で切削加工されたウエーハ１１を洗浄手段１７へ搬送する洗浄搬送手段１８を具備している。
【００１９】
次に、上記カセット載置機構７について、図２および図３を参照して説明する。
図示の実施形態におけるカセット載置機構７は、上記カセット載置台７１の下側に配設された紫外線照射手段８と、カセット載置台７１を上下方向に移動させるための昇降手段７２を具備している。
【００２０】
紫外線照射手段８は、カセット載置台７１が上壁を構成するハウジング８１を具備している。図２および図３に示すようにハウジング８１は、上側に形成された上部チャンバー８１１と、該上部チャンバー８１１の下側に形成された下部チャンバー８１２を備えている。この上部チャンバー８１１と下部チャンバー８１２とは、透明なガラス板からなるウエーハ支持部材８２によって仕切られている。上部チャンバー８１１の上部には、波長が１８４nmの紫外線照射する第１の紫外線を照射器８３と波長が２５４nmの紫外線を照射する第２の紫外線照射器８４が交互に配設されている。また、下部チャンバー８１２には、波長が３００〜４００nmの紫外線を照射する第３の紫外線照射器８５が配設されている。なお、ハウジング８１は、上部チャンバー８１１の図２において右側、即ち被加工物搬出入機構側に開口８１１aが形成されている。図示の実施形態における紫外線照射手段８のハウジング８１は、上記下部チャンバー８１２の下側に形成されたオゾン処理室８１３および窒素ガス等の不活性ガスを収容する不活性ガス収容室８１４を備えている。オゾン処理室８１３はハウジング８１に形成された通路８１５を介して上記上部チャンバー８１１と連通されている。また、オゾン処理室８１３には、上記通路８１５の開口と対向して鉄粉等からなるオゾン処理フィルター８６が配設されているとともに、排出ファン８７が配設されている。なお、ハウジング８１には、排出ファン８７と対向する位置に排出口８１６が設けられている。一方、下部チャンバー８１２と不活性ガス収容室８１４とを仕切る仕切り壁８８には穴８８ａが形成されており、この穴８８ａに電磁開閉弁８９が配設されている。なお、電磁開閉弁８９は、図示しない制御手段によって制御されるようになっている。上記不活性ガス収容室８１４と電磁開閉弁８９は、不活性ガスを第２のチャンバー８１２に供給する不活性ガス供給手段として機能する。
【００２１】
以上のように構成された紫外線照射手段８は、図２および図３に示すようにハウジング８１の底壁８１７が昇降手段７２によって昇降せしめられる支持台７３上に固定される。
【００２２】
図示の実施形態における昇降手段７２は、図２および図３に示すように装置ハウジング２の側壁２１に沿って上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド７２１と、該雄ねじロッド７２１を回転せしめる正転および逆転可能なパルスモータ７２２と、上記雄ねじロッド７２１の両側に平行に配設され上下方向に延びる案内レール７２３を具備しており、雄ねじロッド７２１に上記支持台７３の一端部に設けられた雌ねじ穴７３１が螺合するとともに、被案内レール７３２が案内レール７２３と嵌合するようになっている。従って、パルスモータ７２２を一方向に回転駆動すると支持台７３は雄ねじロッド７２１および案内レール７２３に沿って上昇せしめられ、パルスモータ７２２を他方向に回転駆動すると支持台７３は雄ねじロッド７２１および案内レール７２３に沿って下降せしめられる。このように昇降せしめられる支持台７３は、図２に示すようにカセット載置台７１に載置されたカセット１０が上記搬出入手段１５と対向し、紫外線照射手段８のハウジング８１に形成された上部チャンバー８１１の開口８１１aが装置ハウジング２内に配設された閉塞板２２によって閉塞される第１の搬出入位置と、図３に示すように紫外線照射手段８のハウジング８１に形成された上部チャンバー８１１の開口８１１aが搬出入手段１５と対向する第２の搬出入位置に位置付けられる。なお、第１の搬出入位置においては、昇降手段７２はカセット載置台７１に載置されたカセット１０に収容されているウエーハの収容位置に対応して位置調整する。
【００２３】
図示の実施形態における切削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
ウエーハ１１の切削を行うに際しては、ウエーハ１１を収容したカセット１０を、カセット載置機構７のカセット載置台７１上の所定位置に載置する。なお、カセット載置台７１上にカセット１０を載置する場合には、カセット載置台７１は図２に示すように第１の搬出入位置に位置付けられている。図２に示すように第１の搬出入位置においてカセット１０がカセット載置台７１上の所定位置に載置されることにより、カセット１０に収容されたウエーハ１１の切削作業の準備が完了する。
【００２４】
上述したように切削作業の準備が完了したならば、切削加工開始スイッチ（図示せず）が投入されると、カセット載置機構７の昇降手段７２を作動してカセット載置台７１に載置されたカセット１０を図２に示す第１の搬出入位置に位置付ける。カセット１０が図２に示す第１の搬出入位置に位置付けられたら、搬出入手段１５を作動してカセット１０の所定の棚上に載置されたウエーハ１１を支持する環状のフレーム１２を把持する。このように、搬出入手段１５によってウエーハ１１を支持する環状のフレーム１２を把持したならば、搬出入手段１５を図２おいて２点差線で示す位置に位置付ける。
【００２５】
次に、カセット載置機構７の昇降手段７２を作動してカセット載置台７１の下側に配設された紫外線照射手段８を図３に示す第２の搬出入位置に位置付ける。紫外線照射手段８が図３に示す第２の搬出入位置に位置付けられると、ハウジング８１に形成された上部チャンバー８１１の開口８１１aがウエーハ１１を支持した環状のフレーム１２を把持した搬出入手段１５と対向する位置となる。紫外線照射手段８が図３に示す第２の搬出入位置に位置付けられたら、搬出入手段１５を作動してウエーハ１１を支持した環状のフレーム１２を開口８１１aを通して上部チャンバー８１１内に挿入し、ウエーハ支持部材８２上に載置する。このように、ウエーハ１１を支持した環状のフレーム１２をウエーハ支持部材８２上に載置したならば、搬出入機構１５を図３おいて２点差線で示す位置に位置付ける。
【００２６】
次に、カセット載置機構７の昇降手段７２を作動してカセット載置台７１の下側に配設された紫外線照射手段８を図２に示す第１の搬出入位置に位置付ける。これにより、紫外線照射手段８のハウジング８１に形成された上部チャンバー８１１の開口８１１aは閉塞板２２によって閉塞される。このようにしてハウジング８１に形成された上部チャンバー８１１の開口８１１aが閉塞板２２によって閉塞されたならば、上部チャンバー８１１に配設された第１の紫外線照射器８３および第２の紫外線照射器８４を附勢し、波長が１８４nmの紫外線および波長が２５４nmの紫外線をウエーハ支持部材８２上に載置されたウエーハ１１に向けて照射する。この結果、波長が１８４nmの紫外線によって酸素分子を分解してオゾン（O3）が生成され、波長が２５４nmの紫外線によってオゾン（O3）が分解され高エネルギーの活性酸素が生成される。このようにして生成された活性酸素がウエーハ１１の上面（切削面）に作用することにより、ウエーハ１１の上面（切削面）は親水性が向上せしめられる（親水性付与工程）。
【００２７】
上述したように、ウエーハ１１の上面（切削面）に親水性が付与されたならば、第１の紫外線照射器８３および第２の紫外線照射器８４を除勢し、排出ファン８７を附勢する。この結果、上部チャンバー８１１内で生成されたオゾンおよび活性酸素を含んだガスは、通路８１５を通ってオゾン処理室８１３に吸引される。このとき、オゾンおよび活性酸素がオゾン処理フィルター８６を通過することにより吸収され、ガスは排出口８１６から排出される。
【００２８】
次に、カセット載置機構７の昇降手段７２を作動してカセット載置台７１の下側に配設された紫外線照射手段８を図３に示す第２の搬出入位置に位置付ける。紫外線照射手段８が図３に示す第２の搬出入位置に位置付けられると、ハウジング８１に形成された上部チャンバー８１１の開口８１１aは搬出入機構１５と対向する位置となる。そして、被加工物搬出入機構１５を作動して親水性が付与されたウエーハ１１を支持する環状のフレーム１２を把持する。このように、ウエーハ１１を支持する環状のフレーム１２を把持した搬出入機構１５は、ウエーハ１１（以下、粘着テープ１３を介して環状のフレーム１２に支持された状態のウエーハ１１を単にウエーハ１１という）を仮置き領域１４に搬出する。仮置き領域１４に搬出されたウエーハ１１は、搬送手段１６の旋回動作によって上記チャックテーブル３を構成する吸着チャック３２の載置面に搬送され、該吸着チャック３２に吸引保持される。このようにしてウエーハ１１を吸引保持したチャックテーブル３は、撮像手段５の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル３が撮像手段５の直下に位置付けられると、撮像手段５によってウエーハ１１に形成されているストリート１１１が検出され、スピンドルユニット４の割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節して精密位置合わせ作業が行われる。
【００２９】
その後、ウエーハ１１を吸引保持したチャックテーブル３を切削送り方向である矢印Ｘで示す方向（切削ブレード４３の回転軸と直交する方向）に移動することにより、チャックテーブル３に保持されたウエーハ１１は切削ブレード４３により所定のストリート１１１に沿って切断される（切削工程）。即ち、切削ブレード４３は割り出し方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に移動調整されて位置決めされたスピンドルユニット４に装着され、回転駆動されているので、チャックテーブル３を切削ブレード４３の下側に沿って矢印Ｘで示す切削送り方向に移動することにより、チャックテーブル３に保持されたウエーハ１１は切削ブレード４３により所定のストリート１１１に沿って切断される。このようにウエーハ１１をストリート１１１に沿って切断することにより、個々のチップに分割される。分割されたチップは、粘着テープ１３の作用によってバラバラにはならず、環状のフレーム１２に粘着テープ１３を介して支持されたウエーハ１１の状態が維持されている。
【００３０】
上述した切削工程においては、切削水供給ノズル４４から切削ブレード４３によるウエーハ１１の切削部に切削水が供給される。従って、切削ブレード４３による切削によって生成された切削屑が切削水に混入してウエーハ１１の上面である切削面に漂うことになる。しかるに、ウエーハ１１の上面である切削面は上述した親水性付与工程によって親水性が向上せしめられ濡れた状態が維持されるので、切削屑がウエーハ１１の上面である切削面に強固に付着することはない。なお、図示の実施形態においては、切削水には高分子量ポリカルボン酸アルカリ塩が添加されているので、切削屑の切削面への付着が更に防止できる。
【００３１】
上述したようにして切削工程が終了したら、環状のフレーム１２に粘着テープ１３を介して支持されている分割されたチップ（以下、切削加工後のウエーハ１１という）は、最初にウエーハ１１を吸引保持した位置に戻され、ここで切削後のウエーハ１１の吸引保持を解除する。次に、切削加工後のウエーハ１１は、洗浄搬送手段１８によって洗浄手段１７に搬送され、ここで上記切削時に生成された切削屑が洗浄除去される（洗浄工程）。この洗浄工程においては、上述したようにウエーハ１１の上面である切削面に親水性が付与され切削時に生成された切削屑が強固に付着していないので、切削屑は容易に除去される。このようにして洗浄された切削加工後のウエーハ１１は、搬送手段１６によって仮置き領域１４に搬送される。
【００３２】
一方、カセット載置機構７は、紫外線照射手段８を図３に示す第２の搬出入位置に位置付けている。そして、搬出入手段１５を作動して上述したように仮置き領域１４に搬送された切削加工後のウエーハ１１を、第２の搬出入位置に位置付けられている紫外線照射手段８のハウジング８１に形成された上部チャンバー８１１の開口８１１aを通して第１のチャンバー８１１内に挿入し、ウエーハ支持部材８２上に載置する。このように、ウエーハ１１をウエーハ支持部材８２上に載置したならば、搬出入手段１５を図３おいて２点差線で示す位置に位置付ける。このようにして切削加工後のウエーハ１１を紫外線照射手段８に搬送したら、カセット載置機構７は昇降手段７２を作動して図２に示す第１の搬出入位置に位置付ける。次に、紫外線照射手段８の電磁開閉弁８９を附勢して不活性ガス収容室８１４と第２のチャンバー８１２とを連通し、不活性ガス収容室８１４内の不活性ガスを第２のチャンバー８１２に供給するとともに、第３の紫外線照射器８５を附勢する。この結果、第３の紫外線照射器８５から照射された波長が３００〜４００nmの紫外線が透明なウエーハ支持部材８２を通して切削加工後のウエーハ１１の裏面が貼着されている粘着テープ１３に照射され、粘着テープ１３の粘着力が低下せしめられる（粘着力低下工程）。なお、図示の実施形態においては、第３の紫外線照射器８５を附勢する際に第２のチャンバー８１２に不活性ガスを供給するので、紫外線が効率よく粘着テープに照射される。このように粘着力低下工程を実施することにより、次工程であるピックアップ工程においては、個々に分割されたチップを粘着テープ１３から剥離するピックアップが容易となる。
【００３３】
上述したように紫外線照射手段８に搬送された切削加工後のウエーハ１１が貼着されている粘着テープ１３に紫外線を照射したら、第３の紫外線照射器８５を除勢するとともに、電磁開閉弁８９を除勢する。そして、カセット載置機構７は昇降手段７２を作動して図３に示す第２の搬出入位置に位置付ける。次に、搬出入手段１５を作動して紫外線照射手段８によって粘着力が低下せしめられた粘着テープ１３に貼着されている切削加工後のウエーハ１１を搬出する。そして、カセット載置機構７の昇降手段７２を作動してカセット１０を図２に示す第１の搬出入位置に位置付けた後、再度搬出入手段１５を作動して切削加工後のウエーハ１１を第１の搬出入位置に位置付けられているカセット１０の所定位置に収容する。このようにして、切削加工後のウエーハ１１をカセット１０の所定位置に収容したならば、搬出入手段１５を作動して次に切削すべきウエーハをカセット１０から搬出し、上述した切削作業を繰り返し実施する。
【００３４】
なお、上述した切削作業においては、親水性付与工程が実施されたウエーハ１１に対して切削工程を実施している間に、次に切削すべきウエーハ１１をカセット１０から搬出して親水性付与工程を実施し、親水性が付与されたウエーハ１１をカセット１０に戻して準備しておくことで、作業効率を向上することができる。
【００３５】
以上のように本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではない。図示の実施形態においては、親水性付与工程を切削装置に装備された紫外線照射手段８によって実施する例を示したが、切削装置に隣接して配置した紫外線照射手段によって親水性付与工程を実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に従って構成された切削装置である切削装置の斜視図。
【図２】図１に示す切削装置に装備されるカセット載置機構の第１の作動状態を示す説明図。
【図３】図１に示す切削装置に装備されるカセット載置機構の第２の作動状態を示す説明図。
【符号の説明】
【００３７】
２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：スピンドルユニット
４３：切削ブレード
４４：切削水供給ノズル
５：撮像手段
６：表示手段
７：カセット載置機構
７１：カセット載置台
８：紫外線照射手段
８１：ハウジング
８１１：上部チャンバー
８１２：下部チャンバー
８１３：オゾン処理室
８１４：不活性ガス収容室
８２：ウエーハ支持部材
８３：第１の紫外線を照射器
８４：第２の紫外線照射器
８５：第３の紫外線照射器
８２：昇降手段
１０：カセット
１１：ウエーハ
１２：環状のフレーム
１３：粘着テープ
１５：搬出入手段
１６：搬送手段
１７：洗浄手段
１８：洗浄搬送手段
【図１】
2006295050.tif 000003
【図２】
2006295050.tif 000004
【図３】
2006295050.tif 000005