(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロレンズを保護するための低温絶縁保護膜に起因する光感度の低下を防止できるＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。【解決方法】  受光素子３１と、受光素子３１の上に形成されたマイクロレンズ４１と、マイクロレンズ４１の上に形成され、マイクロレンズ４１を保護するための絶縁保護膜４５と、マイクロレンズ４１と絶縁保護膜４５との間に形成され、マイクロレンズ４１の屈折率よりも小さい屈折率を有する酸化膜４２Ａとを備える。【選択図】    図３Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子と、
該受光素子の上に形成されたマイクロレンズと、
該マイクロレンズの上に形成され、該マイクロレンズを保護するための絶縁保護膜と、
前記マイクロレンズと前記絶縁保護膜との間に形成され、前記マイクロレンズの屈折率よりも小さい屈折率を有する酸化膜と
を備えることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項２】
前記酸化膜が、前記マイクロレンズの表面を覆うように形成され、平坦化された膜であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項３】
前記酸化膜がＳＯＧ膜であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項４】
前記酸化膜の厚さが、約４０００〜５０００Åの範囲の厚さであることを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項５】
前記絶縁保護膜の厚さが、約２０００〜４０００Åの範囲の厚さであることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項６】
前記酸化膜の屈折率が１．４１であることを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項７】
前記マイクロレンズの屈折率が１．５９２であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項８】
前記絶縁保護膜の屈折率が１．５５であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項９】
前記受光素子と前記マイクロレンズとの間にカラーフィルタ層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項１０】
前記受光素子と前記カラーフィルタ層との間に形成された複数層の配線と、
複数層の前記配線を相互に絶縁するための層間絶縁膜とをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項１１】
ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法であって、
基板上に受光素子を形成するステップと、
該受光素子上にマイクロレンズを形成するステップと、
該マイクロレンズの屈折率よりも小さい屈折率を有する酸化膜を前記マイクロレンズの上に形成するステップと、
該マイクロレンズを保護するための絶縁保護膜を前記酸化膜の上に形成するステップと
を含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１２】
前記マイクロレンズの上に形成された前記酸化膜を平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１３】
前記酸化膜がＳＯＧ膜であることを特徴とする請求項１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１４】
前記酸化膜が、約４０００〜５０００Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項１３に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁保護膜の厚さが、約２０００〜４０００Åの範囲の厚さであることを特徴とする請求項１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項１６】
前記酸化膜の屈折率が１．４１であることを特徴とする請求項１３に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１７】
前記マイクロレンズの屈折率が１．５９２であることを特徴とする請求項１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁保護膜の屈折率が１．５５であることを特徴とする請求項１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項１９】
前記受光素子と前記マイクロレンズとの間にカラーフィルタ層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項２０】
前記受光素子とカラーフィルタとの間に複数層の配線を形成し、複数層の前記配線を相互に絶縁するための層間絶縁膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１９に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法に関し、特に光を効率的に集束させることができるマイクロレンズ及びその上層構造を備えたＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、イメージセンサは、光信号である光映像（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｍａｇｅ）を電気信号に変換する半導体装置であって、代表的なイメージセンサには、電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ；ＣＣＤ）、ＣＭＯＳイメージセンサなどがある。
【０００３】
電荷結合素子は、個々のＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）とキャパシタとが相互に非常に近接して配置され、電荷がキャパシタに格納された後に移送される素子である。ＣＭＯＳイメージセンサは、制御回路（ｃｏｎｔｒｏｌ  ｃｉｒｃｕｉｔ）及び信号処理回路（ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｃｉｒｃｕｉｔ）を周辺回路として含み、ＣＭＯＳ技術を利用して画素（以下、ピクセルとも記す）数だけＭＯＳトランジスタを形成し、これを用いて順次に出力を検出するスイッチング方式を採用する素子である。
【０００４】
図１は、一般的なＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの構成を示す回路図である。
【０００５】
図１では、１つのフォトダイオード（ＰＤ）と４つのＭＯＳトランジスタから構成される単位ピクセルを示している。ＣＭＯＳイメージセンサは、光を受けて電荷を生成するフォトダイオード１００と、フォトダイオード１００で集められた電荷をフローティング拡散領域１０２に移送するためのトランスファートランジスタ１０１と、所望の値にフローティング拡散領域１０２の電位をセットする、若しくは電荷を排出してフローティング拡散領域１０２をリセットするためのリセットトランジスタ１０３と、フローティング拡散領域１０２の電圧がゲートに印加されてソースフォロアバッファ増幅器の役割をするドライブトランジスタＤｘ１０４と、スイッチングしてアドレッシング（Ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ）の役割をするセレクトトランジスタＳｘ１０５から構成される。単位画素の外側には出力信号を読み出すことができるようにロード（ｌｏａｄ）トランジスタ１０６が形成されている。
【０００６】
図２は、従来の技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位画素の構造を示す断面図である。
【０００７】
図２に示されているように、従来の技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの断面図には、基板１０に形成された受光素子１１上に層間絶縁膜１３、１４、１５が順に形成されており、各層間絶縁膜１３、１４、１５の間には配線１６、１７を備えている。ここで、符号１２は素子分離膜を表す。
【０００８】
また、層間絶縁膜の最上段には平坦化層１８、２０が形成されており、平坦化層１８、２０の間にはカラーフィルタ１９が形成されている。
【０００９】
平坦化層２０の上には、マイクロレンズ２１が形成され、その上には低温絶縁保護膜２２が形成されている。
【００１０】
従来の技術に係るＣＭＯＳイメージセンサは、受光素子１１の上に配線１６、１７を形成し、その上にパッシべーション膜を形成する。その後、カラーフィルタ１９を形成する前に平坦化処理を行い、カラーフィルタ１９を形成し、再び平坦化処理を行う。
【００１１】
その後マイクロレンズ２１を形成し、マイクロレンズ２１を形成した後に低温絶縁保護膜２２を塗布するが、それはマイクロレンズ２１の主成分であるフォトレジスタ膜を外部汚染から保護し、特にバンプ工程において発生する金属エッチングダによる損傷を防止するためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、入射光が低温絶縁保護膜２２を通過してマイクロレンズ２１を通る時、２つの物質の屈折率差が大きくないため、マイクロレンズ２１の周縁部（以下、エッジとも記す）に入射する光は、受光素子１１に集束されずに、ピクセル周囲の金属配線に入射することがしばしば発生する。
【００１３】
すなわち、マイクロレンズ２１のエッジを通過した光が受光素子１１に集束されず、周囲の金属配線に達するか、さらには隣接したピクセルに達することがある。このことは、光感知部である受光素子１１まで光が到達するまでの間に、隣接するピクセル間のクロストークを発生させ、光感度を減少させる原因となる場合がある。
【００１４】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、マイクロレンズの保護のために形成する低温絶縁保護膜に起因するクロストークの発生を防止し、光感度の低下を防止できるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、受光素子と、該受光素子の上に形成されたマイクロレンズと、該マイクロレンズ上に形成され、該マイクロレンズを保護するための絶縁保護膜と、前記マイクロレンズと前記絶縁保護膜との間に形成され、前記マイクロレンズの屈折率よりも低い屈折率を有する酸化膜とを備えることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサを提供することができる。
【００１６】
また、本発明は、ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法であって、基板上に受光素子を形成するステップと、該受光素子上にマイクロレンズを形成するステップと、該マイクロレンズの屈折率よりも小さい屈折率を有する酸化膜を前記マイクロレンズの上に形成するステップと、該マイクロレンズを保護するための絶縁保護膜を前記酸化膜上に形成するステップとを含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を提供することができる。
【００１７】
本発明によれば、ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、マイクロレンズと低温絶縁保護膜との間に屈折率の低いＳＯＧ（ＳＰＩＮ  ＯＮ  ＧＬＡＳＳ）膜系列の酸化膜（屈折率ｎ＝１．４１）を形成し、ＳＯＧ膜とマイクロレンズとの屈折率差で入射光の屈折角度を調節して、入射光を最大限に受光素子に到達させることによって、光感度を向上させ、かつマイクロレンズの中央部とエッジ部との光感度差を低減することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、入射光を最大限に受光素子に集束させ、単位ピクセルの光感度を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、マイクロレンズの中央部とエッジ部との光感度差が低減し、より信頼性の高い、光に対するイメージ処理を可能にするという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の最も好ましい実施の形態を添付する図面を参照して説明する。
【００２１】
図３Ａ〜図３Ｅは、本発明の好ましい実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの製造工程を示す断面図である。
【００２２】
本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサは、図３Ａに示されているように、先ず基板３０上に受光素子３１を形成する。
【００２３】
次いで、複数の層間絶縁膜３３、３４、３５と、それらの間の複数層の配線３６、３７とを形成する。
【００２４】
次いで、平坦化膜３８を形成し、受光素子３１の上の所定領域にカラーフィルタ３９を形成する。
【００２５】
次いで、カラーフィルタ３９上に平坦化膜４０を形成する。
【００２６】
次いで、カラーフィルタ３９上にマイクロレンズ（屈折率ｎ＝１．５９２）４１を形成する。次いで、マイクロレンズ４１の表面を覆うように、ＳＯＧ膜系列の酸化膜（波長４５０ｎｍの光に対して屈折率ｎ＝１．４１）４２を形成する。ここで、酸化膜４２は、コーディングによって、約４０００〜５０００Åの範囲の厚さに形成する。ＳＯＧ膜系列の酸化膜の代わりに、屈折率ｎが１．５よりも小さい絶縁膜を使用することができる。
【００２７】
次いで、酸化膜４２上に感光膜４３を形成する。
【００２８】
次いで、図３Ｂに示したように、マスク４４（図３Ａ参照）を用いて感光膜４３を選択的に除去し、感光膜パターン４３Ａを形成する。
【００２９】
次いで、図３Ｃに示したように、感光膜パターン４３Ａをエッチングマスクとして用い、酸化膜４２を選択的に除去する。ここで、感光膜パターン４３Ａとしてネガティブ感光膜を用い、ピクセル部分だけをオープンするマスクを用いてピクセル以外の酸化膜４２を選択的に除去する。図３Ｃにおいて、符号４２Ａは、感光膜パターン４３Ａをエッチングマスクとして用い、酸化膜４２を選択的に除去した後に残存する酸化膜を表す。
【００３０】
次いで、図３Ｄに示したように、感光膜パターン４３Ａを除去する。
【００３１】
次いで、図３Ｅに示したように、残存する酸化膜４２Ａ上に低温絶縁保護膜４５（波長４５０ｎｍの光に対して屈折率ｎ＝１．５５）を形成する。低温絶縁保護膜４５は、約２０００〜４０００Åの範囲の厚さに形成する。
【００３２】
０．１８μｍのデザインルールで形成したＣＭＯＳイメージセンサの場合、受光素子３１の上に形成される絶縁層の段差が従来よりも減少することによって入射光量が増加し、光感度が改善されるが、上記したようにピクセルの中央部とエッジ部との光感度に差が生じることが問題となった。
【００３３】
その原因には、単位ピクセルのエッジ部がデフォーカス（ｄｅｆｏｃｕｓｉｎｇ）される現象があり、これは入射光の光角度を調節すれば解決可能である。従って、本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサは、エッジ部への入射光が受光素子３１にさらによく集束されるように、光の屈折角度を調節するものである。
【００３４】
本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルでは、低温絶縁保護膜４５を通過した光がＳＯＧ膜系列の酸化膜４２Ａを経てマイクロレンズ４１に入射する構造になっている。
【００３５】
マイクロレンズ４１を通過した光は、受光素子３１に集束するが、このとき受光素子４１に光が集束する経路は、酸化膜４２Ａの屈折率とマイクロレンズ４１の屈折率の大小関係に依存する。
【００３６】
光が屈折率の異なる２つの物質（ここでは、酸化膜４２Ａ及びマイクロレンズ４１）の境面を通過するときに、光路が境面と成す角度は、スネル（ＳＮＥＬＬ）の法則（ｎｉ×ｓｉｎθｉ＝ｎｒ×Ｓｉｎθｒ）によって決まる。ここで、ｎｉは酸化膜４２Ａの屈折率、ｎｒはマイクロレンズ４１の屈折率である。また、θｉは酸化膜４２Ａ中の光路（入射光）が界面の法線と成す角度、θｒはマイクロレンズ４１中の光路（屈折光）が界面の法線と成す角度である。したがって、マイクロレンズ４１と酸化膜４２Ａの屈折率差が大きいほど、界面を通過した光はさらに屈折し、受光素子３１にさらによく集束される。
【００３７】
従来のＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルでは、マイクロレンズ上に直接に絶縁保護膜が形成されており、低温絶縁保護膜とマイクロレンズとの屈折率差がそれほど大きくないため、これらの境面で光の屈折角が小さく、マイクロレンズを通過した光が受光素子に十分に集束されなかった。特に、エッジ部を通過した光の場合、その集束度が非常に悪かった。
【００３８】
これに対し、本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサでは、マイクロレンズ４１と絶縁保護膜４５との間にＳＯＧ膜系列の酸化膜４２Ａを備えているため、絶縁保護膜４５を通過した光が絶縁保護膜４５とマイクロレンズ４１との界面を通過するときに、従来のＣＭＯＳイメージセンサよりも大きく屈折し、受光素子に到達し易くなる。従って、本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサでは、従来のＣＭＯＳイメージセンサよりも、入射光の集束能力が大きく向上する。
【００３９】
マイクロレンズ４１として用いる感光膜と屈折率の差が大きく、光をさらに効率的に集束させることができる材質の膜として、ＳＯＧ膜系列の酸化膜があるが、マイクロレンズ４１の屈折率（１．５９２）よりも低い屈折率（ｎ＜１．５）の材質の膜であれば、適用可能である。
【００４０】
一方、上記のように酸化膜４２Ａの屈折率をマイクロレンズ４１の屈折率よりも小さくすると、酸化膜４２Ａの上にある絶縁保護膜４５の屈折率が、酸化膜４２Ａの屈折率よも相対的にさらに大きい値を有するようになる。
入射光がマイクロレンズ４１に達する前に絶縁保護膜４５と酸化膜４２Ａとを通過するので、屈折率が大きい物質である絶縁保護膜４５から屈折率が小さい酸化膜４２Ａに入射するときに、光が受光素子から遠ざかる方向に屈折される可能性がある。しかし、光が酸化膜４２Ａと絶縁保護膜４５との界面に対して垂直に入射する場合には、この現象を考慮する必要はない。
【００４１】
したがって、上述した問題点が発生しないように、即ち、酸化膜４２Ａと絶縁保護膜４５との界面に対して垂直に光が入射するように、本実施の形態では、マイクロレンズ４１の表面を覆っている酸化膜４２Ａを平坦化し、その上に絶縁保護膜４５を形成している。
【００４２】
表１及び図４Ａ〜図４Ｃは、図３Ａ〜図３Ｅに示した方法で製造されたＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルと、従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルとの光感度に関する実験データを示す。ここで、光感度は白色光の感度（ｗｈｉｔｅ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を意味する。
【００４３】
表１は、従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの光感度に関するデータと、本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの光感度に関する実験結果のデータを、赤（ＲＥＤ）、青（ＢＬＵＥ）、緑（ＧＲＥＥＮ）のフィルタに対応するピクセル毎に示している。また、エッジ部での光感度を、マイクロレンズの中央部での光感度を基準として、即ち、マイクロレンズの中央部での光感度に対する比率として示している。同様に、赤及び青の単位ピクセルの光感度を、緑の単位ピクセルの光感度を基準にして、即ち、緑の単位ピクセルの光感度に対する比率として示している。
【００４４】
「対照群」は、マイクロレンズ上に低温絶縁保護膜だけが形成された従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサに関するデータであり、「ＳＯＧ蒸着実験群（以下、実験群とも記す）」は、マイクロレンズと絶縁保護膜との間にＳＯＧ膜系列の酸化膜が形成された本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサに関するデータである。
【００４５】
【表１】
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対照群では、低温絶縁保護膜の厚さを約８０００Åに形成し、ＳＯＧ蒸着実験群ではＳＯＧ膜系列の酸化膜を約５０００Å（表１では５ＫÅと記す）に、低温絶縁保護膜を約２０００Å（表１では２ＫÅと記す）に形成した。
【００４６】
図４Ａは、従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサと本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの赤、青、緑の各単位ピクセルにおける、マイクロレンズの中央部での光感度に関するデータを示すグラフである。図４Ｂは、マイクロレンズのエッジ部での光感度に関するデータを示すグラフである。
【００４７】
図４Ｃは、図４Ａ及び図４Ｂのデータを共に示したグラフである。
【００４８】
まず、マイクロレンズの中央部における光感度について述べると、緑と赤のピクセルの場合、対照群と実験群との光感度差に大きな違いがないことが分かる。表１を参照すると、対照群では、緑のピクセルの光感度は７３１ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし７３３ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ、赤のピクセルの光感度は４６４ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし４６８ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃであった。実験群では、緑のピクセルの光感度は７０５ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし７３３、赤のピクセルの光感度は４５７ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし４７７ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃである。
【００４９】
また、青のピクセルに関しては、実験群の光感度が対照群の光感度よりも約６０〜８０ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ程度減少した。青のピクセルの光感度は、対照群では５５７ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし５５３ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃであり、実験群では４６６ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし４８５ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃである。
【００５０】
光感度比に関しては、実験群の場合、緑のピクセルに対する青のピクセルの光感度比、緑のピクセルに対する赤のピクセルの光感度比がほぼ同じ値である。
【００５１】
一般的に、ＣＭＯＳイメージセンサにおいて、緑のピクセルに対する赤ピクセルの光感度比と、緑のピクセルに対する青のピクセルの光感度比は、近似していることが好ましい。これは、ＣＭＯＳイメージセンサの特徴上、単位ピクセルの総数の５０％を占める緑のピクセルに対して、赤のピクセルと青のピクセルとが同じ程度の感度でなければ、画質が良くないからである。
【００５２】
本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサは、マイクロレンズのエッジ部に入射する光を受光素子に集めるために、屈折率がマイクロレンズよりも低い酸化膜を備えている。その結果、緑のピクセルに対する赤のピクセルの光感度比と、緑のピクセルに対する青のピクセルの光感度比とが、近い値となり、ＣＭＯＳイメージセンサの特性が向上した。
【００５３】
一方、マイクロレンズのエッジ領域での光感度について述べると、緑と赤のピクセルの場合、実験群は対照群に比べて光感度が約１００ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ増大していることが分かる。対照群では、緑のピクセルの光感度は３０８ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし３１４ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ、赤のピクセルの光感度は２２８ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし２３４ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃであり、実験群では、緑のピクセルの光感度は３９８ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし４１２ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ、赤のピクセルの光感度は３２７ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃないし３３９ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃである。
【００５４】
また、青のピクセルの光感度については、実験群が対照群よりも約６０ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ増大している。したがって、約１００ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ増大した赤のピクセルに対して、青のピクセルでは、約４０ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃと増大の程度が小さいので、相対的に青のピクセルの光感度が赤のピクセルと近い値になった。
【００５５】
したがって、実験群の場合、緑のピクセルに対する青のピクセルの光感度比と、緑のピクセルに対する赤のピクセルの光感度比がほぼ近い値になった。
【００５６】
これを整理すると、本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサにおいてマイクロレンズ４１と絶縁保護膜４５との間にＳＯＧ膜系列の酸化膜４２Ａを形成することによって、マイクロレンズ４１の中央部での光感度を変化させずに、エッジ部での光感度を大きく増大させることができる。マイクロレンズ４１のエッジ部において、赤のピクセルと緑のピクセルの光感度は約１００ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ増大し、青のピクセルの光感度は約６０ｍＶ／ｌｕｘ  ｓｅｃ増大する。
【００５７】
また、マイクロレンズ４１と絶縁保護膜４５との間の酸化膜４２Ａは、緑のピクセルに対する青のピクセルの光感度比が、緑のピクセルに対する赤のピクセルの光感度比に近い値になるように、青のピクセルの光感度をシフトさせる役割も担っている。
【００５８】
尚、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】一般的なＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの構成を示す回路図である。
【図２】従来の技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの断面図である。
【図３Ａ】本発明の好ましい実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造段階における単位ピクセルの断面図である。
【図３Ｂ】本発明の好ましい実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造段階における単位ピクセルの断面図である。
【図３Ｃ】本発明の好ましい実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造段階における単位ピクセルの断面図である。
【図３Ｄ】本発明の好ましい実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造段階における単位ピクセルの断面図である。
【図３Ｅ】本発明の好ましい実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサの製造段階における単位ピクセルの断面図である。
【図４Ａ】図３Ａ〜図３Ｅに示した方法で製造されたＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルと従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの実験データを示す図である。
【図４Ｂ】図３Ａ〜図３Ｅに示した方法で製造されたＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルと従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの実験データを示す図である。
【図４Ｃ】図３Ａ〜図３Ｅに示した方法で製造されたＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルと従来技術に係るＣＭＯＳイメージセンサの単位ピクセルの実験データを示す図である。
【図１】
2006080480.tif 000004
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2006080480.tif 000012
【図４Ｃ】
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