(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子のビアファーストを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法において、レジスト汚染と低ｋ誘電体絶縁材料の損傷を避けるか、少なくとも最小にする方法を提供する。【解決手段】低ｋ誘電体絶縁層５にエッチングによりホールを形成し、ホールにギャップ充填材料を堆積し部分的に除去する。この上に金属ハードマスク８と結像材料９を堆積し、トレンチパターンを金属ハードマスクに形成する。結像材料とギャップ充填材料を除去し、金属ハードマスクを用いて無酸素プラズマにより低ｋ誘電体絶縁層をエッチングすることによりトレンチを形成する。トレンチとホールにバリア層と銅を堆積し平坦化する。【選択図】図１Ｇ
2006295171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアル・ダマシン構造のパターニングの方法であって、
基板の上に誘電体層(5)を堆積し、
所望ならば、この誘電体層(5)の上にキャップ層(6)を堆積し、
このキャップ層(6)と前記誘電体層(5)に第１のホールをエッチし、
前記第１のホール(14)が完全に充填されるようにギャップ充填材料を堆積し、
前記ギャップ充填材料(7)のレベルが前記誘電体層(5)のレベルまたは前記キャップ層(6)のレベルに等しくなるように、前記ギャップ充填材料(7)を部分的に除去し、
前記誘電体層(5)の上に、または、もし存在していれば前記キャップ層(６)の上に、金属ハードマスク層(8)を堆積し、
金属ハードマスク層(8)の上に、結像材料(9,10)を堆積し、
前記結像材料(9,10)の中に少なくとも１つの第１のパターンを形成し、
前記ハードマスク層(8)の中に前記パターンを転写し、
前記結像材料(9,10)を除去し、
前記ギャップ充填材料(7)を除去し、
前記誘電体層(5)において前記第１のホール(14)の上に第２のホール(11)をエッチする
方法。
【請求項２】
前記第１のホール(14)がビアであり、前記第２のホールがトレンチであることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記基板は、単独ダマシン・インターコネクト構造などのパターンが形成された構造からなることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項４】
さらに、誘電体層(5)の堆積の前に、前記基板の上に誘電体バリア層(4)を堆積することを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項５】
前記ギャップ充填材料(7)の一部の除去は、ドライエッチ処理または化学的機械的研磨により行われることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項６】
前記ギャップ充填材料(7)が、前記結像材料(9,10)を除去する前に除去されることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項７】
前記誘電体層において前記第１のホール(14)の上に前記第２のホール(11)をエッチした後で、さらに、銅拡散バリア層(12)と所望ならば銅シード層を、前記第１のホール(14)及び第２のホール(11)の側壁の上に堆積し、前記第１のホール(14)と第２のホール(11)の中に銅をめっきすることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項８】
銅をめっきした後で、さらに、化学的機械的研磨を用いて、過剰の銅、および、この過剰の銅の下にある前記銅バリア層、銅シード層および残りの金属ハードマスク層を除去することを特徴とする請求項７に記載された方法。
【請求項９】
前記誘電体材料(5)が、孔を有し、シリコンを含む誘電体材料であることを特徴とする請求項９に記載された方法。
【請求項１０】
前記誘電体材料(5)が、ＳｉＣＯ(Ｈ)材料であることを特徴とする請求項９に記載された方法。
【請求項１１】
前記ギャップ充填材料(7)が、少なくとも１つの有機化合物からなることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項１２】
前記有機化合物が、底部反射防止コーティング材料、ポリアリルスルフォン、ポリハイドロキシスチレンを基にした誘導体、ポリイミド、ポリエーテル特にポリアリレンエーテル、ポリ硫化アリレン、ポリ炭酸塩、エポキシ、エポキシアクル酸塩、ポリフェニレンなどのポリアリレン、ポリフェニレンビニレンなどのポリアリレンビニレン、ポリビニルカルバゾル、環式オレフィン及びポリエステルの中から選択されることを特徴とする請求項１１に記載された方法。
【請求項１３】
前記金属ハードマスク層(8)がＴａＮ層、ＴｉＮ層、ＴａＳｉＮ層、ＴｉＳｉＮ層、ＴｉＷ層およびＷＮ層の中から選択されることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項１４】
前記第２のホール(11)をエッチするときに、フルオロカーボンを含む無酸素プラズマを使用することを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項１５】
前記フルオロカーボンがＣ４Ｆ８であることを特徴とする請求項１４に記載された方法。
【請求項１６】
前記無酸素プラズマがさらに窒素および／またはアルゴンなどの不活性化合物を含むことを特徴とする請求項１４に記載された方法。
【請求項１７】
前記ギャップ充填材料(7)の除去と、前記第２のホール(11)のエッチとが１ステップで実行されることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項１８】
前記結像材料(10および所望ならば９)の除去と、前記ギャップ充填材料(7)の除去と、前記第２のホール(11)のエッチとが１ステップで実行されることを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項１９】
前記結像材料(9,10)の除去と、所望ならば前記ギャップ充填材料(7)の除去と、前記第２のホール(11)のエッチとが、水素を含む無酸素プラズマを使用することを特徴とする請求項１８に記載された方法。
【請求項２０】
水素を含む前記無酸素プラズマがさらにフルオロカーボン化合物を含むことを特徴とする請求項１９に記載された方法。
【請求項２１】
前記フルオロカーボンがＣＦ４であることを特徴とする請求項２０に記載された方法。
【請求項２２】
水素を含む前記無酸素プラズマがさらに窒素を含むことを特徴とする請求項２０に記載された方法。
【請求項２３】
フル・ビア・ファースト・パターニング法における請求項１に記載された方法の使用。
【請求項２４】
パーシャル・ビア・ファースト・パターニング法における請求項１に記載された方法の使用。
【請求項２５】
請求項１に記載された方法により得られる半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターニング・デュアル・ダマシン・インターコネクト構造の分野に関連する。本発明は、さらに、フォトレジストの汚染(poisoning)をなくすことや、パターニングの間における低ｋ損傷をなくし、または少なくとも最小にすることに特徴がある。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業は、デバイスの寸法を連続的に小さくしている。バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）処理において、伝導層の寸法を小さくすることや、異なる複数の伝導構造を相互に分離することに関心がある。これらの構造の間の容量を小さくすることは非常に重要になり、低ｋ材料が従来の誘電体絶縁材料に置き換えられている。インターコネクト構造における誘電材料としてのこれらの（多孔性の）低ｋ材料は、半導体プロセスにおいて新しい問題を生じた。この問題の例は、エッチ処理、アッシング処理および／またはクリーニング処理におけるフォトレジスト汚染と低ｋ損傷を含む。
【０００３】
２４８ｎｍ（ＤＵＶ)または１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の波長のフォトレジストが多孔性低ｋ材料とともに使用されるとき、フォトレジスト汚染が問題となる。アミンなどの化合物を含む痕跡量の塩基窒素の存在は、２４８ｎｍまたは１９３ｎｍのフォトレジストの照射の際に生成される酸を中和でき、フォトレジスト汚染といわれている化学的に増強された酸反応を阻止する。変性されたフォトレジスト材料は、予期されたようにはリソグラフィのパターニングを起こさないことがあり、これにより、フォトレジスト材料における不正確に形成された形状を生じたり、または、フォトレジストの現像の後で基板表面に残る過剰なフォトレジスト残留物を生じたりするが、これらは、いずれもエッチ処理での、その後のプロセスに有害に影響する。
【０００４】
アミンは、レジスト層に近い堆積材料から直接に生じることがある。また、アミンは、レジスト材料を間接的に汚染されることがある。後者は、たとえば、１以上の層を通る拡散により、焼鈍やプラズマ処理などの処理ステップの間での材料の脱ガスにより、また、窒素を含む下の層（たとえば窒化シリコンのエッチストップ層）を、それに続いて堆積されるレジスト材料にさらすことにより、起こる。
【０００５】
レジスト汚染を生じることがある他の材料には、水酸基を含む塩基化合物がある。
【０００６】
デュアル・ダマシン・パターニングのためのビア・ファースト（via first)・アプローチでは、誘電体層の上でのフォトレジスト層の使用は、しばしば、ライン結像レジストの「汚染」を生じ、これはビアが十分にまたは部分的に誘電体の中にエッチされた後で起こる。
【０００７】
汚染は、おそらく、絶縁体の有限の浸透率と、下記の薄膜、および、汚染が観察されるフォトレジストを接触させる前におけるパターンのエッチとストリップ（取り去り)における処理ガスＮ２およびＨ２の使用の結果として、絶縁体からのアミン化合物の吸収および／または絶縁体からのその放出によるものである。誘電体層が化学蒸着（CVD)により付加された多孔性低ｋ絶縁体であるとき、この汚染問題は、シリコン酸塩ガラス誘電体層に比べて、はるかに悪く見える。これは、低ｋ絶縁体の透過率の増加、いくつかの堆積法におけるキャリアガスとしてのＮ２Ｏの使用、および、前のリソグラフィパターンを取り去るためのＮ２、Ｈ２などの薬品を減少する一般的な使用によるものと考えられる。
【０００８】
低ｋ誘電体を集積するときのもう１つの重要な問題は、エッチ処理、ストリップ処理(stripping)およびエッチ後のクリーニング処理により生じるプラズマ損傷である。低ｋ薄膜の中に拡散されるプラズマの種は、薄膜の組成や構造を変えることがある。エッチ／ストリップのための酸素を含む薬品の使用は、典型的には、薄膜の中に存在する炭素の消耗を生じ、薄膜を親水性にし、水（ｋ値>>８０）の吸着を受けやすくし、これは、薄膜のｋ値の増加にみちびく。集積回路の小型化において、構造の寸法が損傷領域と同じぐらいになるので、この問題は、さらに重要になってきている。
【０００９】
いくつかのアプローチが、従来から汚染問題を解決するために提案されているが、不完全であり、また、複雑すぎていた。
【００１０】
１つの試みは、より汚染に敏感でないレジスト材料を使用することである。しかし、そのようなレジスト材料は、結像の解像度を損ない、リソグラフィ法のウィンドウを小さくする。
【００１１】
もう１つの試みは、汚染をより少なくするように誘電材料を変性することである。たとえば、Grillらの米国特許第６，１４７，００９号公報において、酸化性キャリアガスとしてのＮ２Ｏの使用は、シロキサンを基にした先駆体とＨｅガスを用いて低ｋのＳｉＣＯ（Ｈ）薄膜を作ることにより避けられ、これにより、堆積された薄膜における窒素の源を除く。これは、ブランケットSiCO(H)薄膜の上の第１のフォトレジスト材料の汚染を防くことができるが、SiCO(H)薄膜においてパターンがエッチされ、レジストが取り去られた後でも、アミンがなお生成されて、デュアル・ダマシン・インターコネクトについて要求されるような、その後のフォトレジストのパターニング処理を損なうことがある。
【００１２】
もう１つの方法は、酸性化合物などで低ｋ材料をあらかじめ処理することにより、フォトレジストの汚染を除くことである。米国特許出願第２００２／００８１８５５号に開示されたイン・シトゥ・プラズマ処理では、トレンチ・パターニング・レベルで汚染を減少しまたは無くすことにより、汚染の源を直ちに取り除く。しかし、そのような変更は、絶縁材料の誘電定数や他の特性に悪影響を及ぼすことがある。
【００１３】
部分的に成功したもう１つのアプローチは、ビアのエッチの後にバリア層を堆積することである。このアプローチでは、ＴＥＯＳ、シランＳｉＯ２などのバリア材料の非常に薄い層で内表面を形成し、これにより汚染の源をカプセル化する。内表面形成（ライナー）材料は、優れた整合性を持たねばならない。高いアスペクト比のビアに材料を堆積することは難しいので、このアプローチは、未来の技術に対して応用可能でないかもしれない。薄い領域の中での欠陥は、汚染性ガスを通すことがあり、低い統計的発生であっても、線結像層の中での欠陥パターンを許容できないレベルにさせる。このアプローチの１例は、米国特許第６，６４５，８６４号公報に説明されている。
【００１４】
Huらの米国特許第６，７１３，３８６号公報では、低ｋ材料は、ビアのエッチの後で、保護層が、窒素を中和する低ｋ材料の表面の上に形成されるように、酸素、二酸化炭素、オゾン、過酸化水素などの気体成分を含むプラズマにさらされる。しかし、これは、低ｋ材料の損傷、バルクの低ｋ材料のｋ値の増加といった危険なしではない。
【００１５】
パターニングの間でのレジスト汚染を防ぐもう１つのアプローチは、米国特許第２００４／１２７０１６号公開公報に説明されている。デュアル・キャップ層の使用が開示される。デュアル・キャップ層は、ビアまたはトレンチの、その下の伝導層へのエッチの前に、低ｋ絶縁体層の上に形成される。デュアル・キャップ層は、炭化シリコンの層と窒化シリコンの層を含む。炭化シリコン層は、絶縁体層の方へエッチされるとき、ビアまたはトレンチの重要な寸法を維持し、窒化シリコン層は、レジスト汚染の故障機構を抑制する。このアプローチは、単独ダマシン・プロセスに対してのみ正当であり、デュアル・ダマシン・プロセスにおけるビア・ファースト・アプローチで、パターンが形成されたビア構造の上でトレンチをエッチするのには適用できない。
【００１６】
Baoらの米国特許第２００４／００８９７１６４号公開公報では、デュアル・ダマシン・パターニングのためのビア・ファースト・アプローチにおいて使用するための、ｌラインすなわち深紫外光レジストをバリア層として使用している。バリア層は、ビア・エッチの後に低ｋ材料の上に堆積される。バリア層として使用されるレジストは、窒素含有化合物を引きつける水酸基を含む。バリア層の堆積の前に、不活性な高分子樹脂が、ビアの中に堆積されて、そのビアを閉じ、また、所望ならば、スピンコーティングにより形成されたバリア層を使用して、そのビアを閉じ、また、ダマシン・スタック（積層体）の上にコプラナー層を形成する。トレンチは、ビア構造の中で、酸化物エッチ剤（プラズマ）でエッチされる。このエッチ剤は、フォトレジストとBARC層を消費し、バリア層と樹脂層の一部を消費する。ＣＶＤ低ｋ材料の場合に、この酸化性プラズマは、トレンチの側壁に低ｋ損傷を起こさせる。トレンチのエッチの後に、かなりの量のバリア層と樹脂層があって、さらに低ｋ損傷を起こす危険性を持っている湿式ストリップ処理（Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２を含む酸化性溶液）を用いて除去されねばならない。
【００１７】
Willeらによる米国特許第２００４／０２６６６２０１号公開公報では、デュアル・ダマシン・パターニングのためのビア・ファースト・アプローチにおける使用のため、バリア層を使用する別の方法が記載されている。バリア層は、ビア・エッチの後で低ｋ材料の上表面の上に堆積される。平坦化材料が、また、そこに堆積されて、バリア層堆積の前にそのビアを閉じる。低ｋ材料におけるトレンチ・エッチは、Ｏ２を含むプラズマを用いて行われる。このプラズマは、低ｋ材料がＳｉＣＯ（Ｈ）材料（ＣＶＤ低ｋ材料ともいう）であるなら低ｋ損傷を生じる。バリア層は、トレンチ・エッチの間に除去される。ビアの底部にある平坦化材料の残りは、さらに、トレンチの側壁にふたたび損傷を生じる、Ｏ２を含む除去用化学薬品を用いて除去されねばならない。
【００１８】
こうして、従来技術は、レジスト汚染を防止するいくつかの解決を提案しているが、それらはすべて重大な欠点や短所をもっている。従来技術は、フォトレジスト汚染を除くか、または、少なくとも誘電体材料へのプラズマ損傷を最小にするという問題を同時には解決しない。反対に、フォトレジストの汚染を防ぐ従来技術の解決のいくつかは、低ｋ損傷を生じる。
【特許文献１】米国特許第６，１４７，００９号公報
【特許文献２】米国特許第６，６４５，８６４号公報
【特許文献３】米国特許第６，７１３，３８６号公報
【特許文献４】米国特許第２００４／１２７０１６号公開公報
【特許文献５】米国特許第２００４／００８９７１６４号公開公報
【特許文献６】米国特許第２００４／０２６６６２０１号公開公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、半導体プロセスにおいて使用されるデュアル・ダマシン構造のパターニングのための方法を提供する。
【００２０】
より詳細には、本発明は、金属ハードマスクを基にしたパターニング法を提供し、この方法は、レジスト汚染を除きつつ低ｋ損傷を除く（または少なくとも最小にする）ことを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明による方法は、デュアル・ダマシン・パターニングにおけるフォトレジスト汚染を除去するため、特に、側壁、特にデュアル・ダマシン・パターニングのために使用されるビア・ファースト・アプローチにおけるトレンチの側壁、へのプラズマ損傷を避けるかまたは少なくとも減少しつつ、ビア・ファースト・アプローチにおいて行われるようにビアの上でのトレンチのエッチのためフォトレジスト汚染を除去または減少するために、使用できる。
【００２２】
本発明による方法では、
（好ましくは、パターンが形成された構造からなる）基板の上に誘電体層を堆積し、
所望ならばこの誘電体層の上にキャップ層を堆積し、
このキャップ層と前記誘電体層の中に第１のホール（孔）をエッチし、
前記第１のホールが完全に充填されるようにギャップ充填材料を堆積し、
前記ギャップ充填材料のレベルが前記誘電体層のレベルまたは前記キャップ層のレベルに等しくなるように、前記ギャップ充填材料を部分的に除去し、
前記誘電体層の上に、または、もし存在していれば前記キャップ層の上に、金属ハードマスク層を堆積し、
金属ハードマスク層の上に、結像材料（単数または複数）を堆積し、
前記結像材料の中に少なくとも１つの第１のパターンを形成し、
前記ハードマスク層の中の前記パターンを転写し（すなわち前記ハードマスクに開口部を設け）、
前記結像材料を除去し、
前記ギャップ充填材料を除去し、
前記誘電体層において前記第１のホールの上に第２のホール（孔）(11)をエッチする。
【００２３】
前記誘電体材料は、好ましくは、低ｋ誘電体材料であり、より好ましくは、多孔性ＣＶＤ低ｋ材料、たとえば、Black Diamond(登録商標）、Aurora（登録商標）などの（水素化）オキシ炭化シリコン材料（ＳｉＣＯ(Ｈ)）である。
【００２４】
前記ギャップ充填材料（平坦化化材料ともいう）は、好ましくは有機材料、たとえば、一般的に使用されるＢＡＲＣ(Bottom Anti-Reflective Coating）材料、ＴＩＳ２０００（登録商標)bilayer（富士フィルム電子材料）の下層（UL)、ＳｉＬＫ（登録商標）、ポリアリルスルフォン、ポリヒドロキシスチレンを基にした誘導体、ポリイミド、ポリエーテル（特にハネウェル社のFLARE(登録商標)やシューマッハ社のVELOX(登録商標)などのポリアリレンエーテル）、ポリ硫化アリレン、ポリ炭酸塩、エポキシ、エポキシアクル酸塩、ポリフェニレンなどのポリアリレン、ポリフェニレンビニレンなどのポリアリレンビニレン、ポリビニルカルバゾル、環式オレフィン及び／またはポリエステルである。
【００２５】
誘電体材料の表面の上にまたはキャップ層の上に堆積される前記金属ハードマスク層は、好ましくは、ＴａＮ層、ＴｉＮ層、ＴａＳｉＮ層、ＴｉＳｉＮ層、ＴｉＷ層および／またはＷＮ層であり、これは、低ｋ材料を通り、その下の結像層（たとえばフォトレジスト層）のほうへのアミン化合物の移動を防止するバリア層として機能する。
【００２６】
レジスト汚染を防止する第１の問題は、こうして、バリア層により解決される。好ましくは、このバリア層はハードマスク層であり、より好ましくは、金属ハードマスク層である。
【００２７】
本発明の１つの方法において、前記結像材料は、好ましくは、少なくとも１つのフォトレジスト層と、所望ならば少なくとも１つの反射防止コーティング層（たとえばＢＡＲＣ）である。
【００２８】
好ましい実施の形態において、ギャップ充填材料の一部の除去は、そのレベルがキャップ層のレベルに等しくなる（すなわちギャップ充填層のレベルとキャップ層のレベルがアライン(align)される）ようにギャップ充填層をエッチバックすることにより達成される。もしキャップ層がなければ、そのレベルは誘電体層の上部の上でアラインされる。
【００２９】
前記エッチ処理は、たとえば、等方的または非等方的ドライエッチ処理である。
【００３０】
本発明の１つの方法において、ギャップ充填材料の一部の除去は、また、前記平坦化材料の化学的機械的研磨によって達成できる。ここで、キャップ層は、ギャップ充填材料(のレベル)がキャップ層のレベルに等しくなるようにストップ層として使用される。もしキャップ層がなければ、そのレベルは誘電体層の上部にアラインされる。
【００３１】
側壁損傷の第２の問題を解決するために、誘電体層は、酸素を含まないプラズマであるドライエッチ・プラズマを用いて異方的にエッチされる。
【００３２】
好ましくは、異方的ドライエッチ処理において使用される無酸素プラズマは、（金属）ハードマスク層の方に選択的である。
【００３３】
こうして、第２のホールは、第１のホールの上で異方的ドライエッチ処理を用いてエッチできる。ここで、プラズマは、酸素がなく、好ましくはハードマスク層の方に選択的である。
【００３４】
より詳細には、ビア・ファースト・アプローチにおいて、トレンチは、異方的ドライエッチ処理を用いてビアの上でエッチできる。ここで、プラズマは、酸素を含まず、好ましくは、前記ハードマスク層の方に選択的である。
【００３５】
誘電体層に第２のホールをエッチする前記異方的エッチ化学薬品は、誘電体材料の中の第２のホールの側壁へのプラズマ損傷を除くかまたは少なくとも最小にするという長所をもつ。
【００３６】
本発明による１つの方法において、結像材料の除去は、ギャップ充填材料の除去の前、または、その後に実行できる。
【００３７】
好ましくは、本発明による１つの方法において、結像材料の取り去り（ストリップ）と、ギャップ充填材料の除去は、同時に実行され、すなわち、１ステップで実行される。
【００３８】
本発明による１つの方法では、結像材料の除去とギャップ充填材料の除去とは、第２のホールのエッチの前に、または、同時に（１ステップで）実行できる。
【００３９】
本発明による１つの方法では、第２のホールのエッチは、１つの別のステップで実行され、無酸素プラズマは、さらに、（ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ，ＣＨ２Ｆ２、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８などの）フルオロカーボン化合物（ＣｘＨｙＦｚ化合物)を含んでいてもよい。好ましくは、無酸素プラズマはＣ４Ｆ８と窒素を含む。
【００４０】
前記エッチプラズマは、さらに、アルゴンなどの不活性化合物を含んでいてもよい。
【００４１】
別の方法では、結像材料の除去と、誘電体層での第２のホールの除去（より詳細には、ビア・ファースト・アプローチにおけるトレンチのエッチ）が、無酸素プラズマを用いた異方性エッチ処理を用いて、同時に実行され、すなわち、１ステップで実行される。
【００４２】
前記結像材料の除去と誘電体層での第２のホールのエッチとが同時に（すなわち１ステップで）実行されるとき、前記無酸素プラズマは、水素含有プラズマである。
【００４３】
水素を含む前記無酸素プラズマは、さらに、（ＣＨＦ３、ＣＨ３Ｆ，ＣＨ２Ｆ２、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８などの）フルオロカーボン化合物（ＣｘＨｙＦｚ化合物)を含んでいてもよい。
【００４４】
好ましくは、水素を含む前記プラズマがＣＦ４を含む。
【００４５】
好ましくは、ＣＦ４は、少量である。たとえば、ＣＦ４の流れは、全体の流れの(約)０．１％と(約)１％の間にあり、好ましくは、(約)０．２％と(約)０．７％の間にある。好ましくは、ＣＦ４の流れは、全体の流れの(約)０．５％である。
【００４６】
酸素を含まず水素を含む前記プラズマは、さらに窒素を含んでいてもよい。
【００４７】
より好ましくは、本発明による方法において、誘電体層への第２のホールのエッチと、結像層とギャップ充填層との両方の除去は、同時に（１ステップで）実行される。
【００４８】
すなわち、同じ無酸素プラズマが、感光層の除去のため、ギャップ充填材料の除去のため、また、第２のホールのエッチのために使用できる。
【００４９】
そのような方法において、無酸素プラズマは、たとえば、水素を含むプラズマであって、これは、さらにフルオロカーボン化合物（ＣｘＨｙＦｚ化合物）、より詳細にはＣＦ４を含んでいてもよい。
【００５０】
好ましくは、本発明による方法は、さらに、前記誘電体層の堆積の前に、前記基板の上への誘電体バリア層の堆積を含む。
【００５１】
前記誘電体バリア層は、エッチストップ層として動作でき、また、銅バリア層としても動作できる。
【００５２】
本発明による方法は、さらに、銅バリア層と、所望ならばビアとトレンチの側壁の上への銅シード層の堆積を含む。
【００５３】
本発明による方法は、さらに、トレンチとビアの中での銅の堆積と、過剰の銅およびその下にある銅バリア層、銅シード層（もし存在すれば）および残りの（金属)ハードマスク層の化学的機械的研磨による除去を含んでいてもよい。
【００５４】
本発明による１つの方法は、パターンが形成された構造の上にデュアル・ダマシン・インターコネクト構造を形成するための完全ビア・ファースト・プロセス（ファースト・ビア・アプローチ）において使用できる。
【００５５】
本発明のコンテキストにおいて、前記基板は、好ましくは、パターンが形成された構造を含む半導体基板である。
【００５６】
そのようなパターンが形成された構造は、好ましくは、単独ダマシン・インターコネクト構造である。
【００５７】
前記単独ダマシン・インターコネクト構造は、好ましくは、誘電体層にパターンが形成された構造を含む銅である。
【００５８】
好ましくは、前記誘電層を堆積する前に、誘電体バリア層が前記基板の上に（前記パターンが形成された構造の上に）堆積される。
【００５９】
本発明による別の方法は、デュアル・ダマシン・インターコネクト構造を形成するための部分的ビア・ファースト・プロセス（ファースト・ビア・アプローチ）において使用できる。
【００６０】
部分的ビア・ファースト法において、前記デュアル・ダマシン・インターコネクト構造は、パターンが形成された構造の上に形成される。
【００６１】
本発明の部分的ビア・ファースト法において、第２の誘電体バリア層は、前記誘電体層の上に堆積でき、第２の誘電体層は、（所望ならばキャップ層を堆積する前に）第２の誘電体バリア層の上に堆積できる。
【００６２】
ファースト・ビア・アプローチまたは部分的ファースト・ビア・アプローチにおいて、前記第１のホールは１つのビアに対応し、第１のホールの上にエッチされる前記第２のホールはトレンチに対応する。
【００６３】
本発明は、また、本発明による方法により得られる半導体デバイスに関連する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６４】
以下、添付の図面を参照して発明の実施の形態を説明する。すべての図面は、発明のいくつかの観点及び実施の形態を説明することを意図している。デバイスは、明瞭さのために単純化して示されている。すべての別の実施の形態や選択可能な事項が記載されてはいないので、本発明は図面には限定されない。同じ参照記号は、異なる図面において同じか同等なものを示す。
【００６５】
以下の説明は、（デュアル）ダマシン構造のパターン形成のための別の方法を説明する。この方法により、少なくとも、フォトレジスト汚染を除去し、さらに、誘電体材料のプラズマ損傷を避けるか、または、少なくとも最小にする。理解されるように、多数の変形例や実施の形態がある。
【００６６】
デュアル・ダマシン・パターニングのため、本発明は、まず、第１の問題を解決するためにフォトレジスト汚染を除去するために（ビアの中での）ギャップ充填材料と（金属）ハードマスクを堆積することと、次に、誘電体材料へのプラズマ損傷の第２の問題が(デュアル)ダマシン構造のパターニングの間に避けられ、または、少なくとも最小にされるように、前記(金属)ハードマスクの方に選択的なドライエッチ処理を行うことという組み合わせの使用に基づいている。
【００６７】
なお、ビア（孔）・ファースト・シーケンスとトレンチ（溝）・ファースト・シーケンスとは、デュアル・ダマシン構造のパターニングのための主流の生産において現在使用されている処理である。
【００６８】
ビア・ファースト・アプローチでは、ビアは、まず、ＩＬＤ（狭い間隔のインターコネクト・ラインを電気的に分離するために使用されているインター・レベル誘電体(Inter Level Dielectric)またはインター・レイヤ誘電体(Inter Layer Dielectric))において区画され、続いて、トレンチのパターニングが行われる。
【００６９】
このアプローチにおいて、ダマシン構造を形成するシーケンスは、第１のマスクを用いてビア・パターンを露光することにより始まる。全体の誘電体スタックを通して完全にビアをエッチし、レジストを取り去った後で、第２のマスクはトレンチのパターニングのために使用される。
【００７０】
本発明は、ビアの上でのトレンチのパターニングのためのフォトレジスト汚染を少なくとも除去することと、トレンチのエッチの間での誘電体材料へのプラズマ損傷をさけることまたは少なくとも最小にすることに焦点をおいている。
【００７１】
より詳細には、トレンチのエッチは、トレンチの側壁への損傷が最小になるように最適化される。
【００７２】
半導体プロセスにおいて使用されるデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法が開示される。
【００７３】
このパターニングは、さらに、レジスト汚染を除き低ｋ損傷を避けるかまたは少なくとも最小にする、金属マスクを基にしたパターニングとして特徴づけられる。
【００７４】
この方法は、ビア・ファースト・アプローチにおいて行われるように、デュアル・ダマシン・パターニングにおいて、フォトレジスト汚染を無くすために、また、ビアの上でのトレンチ・エッチのためにフォトレジスト汚染を減少するために使用される。
【００７５】
ハードマスク層、より詳細にはＴａＮ、ＴｉＮなどの金属ハードマスク層は、低ｋ材料を通り、その下にある感光性の結像層（たとえばフォトレジスト層）の方へのアミン化合物の移動を防ぐために、バリア層としての誘電体材料の表面の上に堆積される。
【００７６】
レジスト汚染を除くという第１の問題は、こうして、バリア層を用いて解決される。このバリア層は、好ましくはハードマスク層であり、より好ましくは金属ハードマスク層である。
【００７７】
トレンチは、ハードマスクの方に選択的な異方的ドライエッチ処理を用いて、ビアの上にエッチされる（ビア・ファースト・アプローチ）。
【００７８】
側壁損傷の第２の問題を解決するために、誘電材料を異方的にエッチするために用いられるドライエッチ用プラズマは、（金属）ハードマスク層の方に選択的であり、酸素なしのプラズマである。
【００７９】
トレンチのエッチの前にまたは同時に感光層とギャップ充填層とを除去することは、また、さらに誘電体層を損傷し、より詳細には、トレンチの側壁を損傷することを避ける。トレンチの側壁の、酸素を含むストリップ用化学薬品への暴露の問題は、こうして避けられる。
【００８０】
この方法では、基板の上に誘電体層を堆積し、次に、この誘電体層の上にキャップ層を堆積し、次に、このキャップ層と前記誘電体層に第１のホール（孔）をエッチし、次に、第１のホールの完全な充填が達成されるようにギャップ充填材料を堆積し、次に、前記ギャップ充填材料のレベルが前記キャップ層のレベルに等しくなるように、前記ギャップ充填材料を部分的に除去し、次に、金属ハードマスク層を堆積し、次に、この金属ハードマスク層の上に、結像材料（単数または複数）を堆積し、次に、前記結像材料の層の中に少なくとも１つの第１のパターンを形成し、次に、前記ハードマスク層の中に前記パターンを転写し、次に、前記結像材料と前記ギャップ充填材料を除去し、次に、前記誘電体層において前記第１のホールの上に第２のホール（孔）（トレンチ）をエッチする。
【００８１】
最後に、銅バリア層と、所望ならば銅シード層とを、ビアとトレンチの上に堆積する。最後に、銅が、トレンチとビアの中に堆積され、化学的機械的研磨を用いて、過剰の銅、および、前記銅バリア層、銅シード層および残りの（金属）ハードマスク層を除去する。
【００８２】
好ましくは、前記結像材料の除去と、前記ギャップ充填材料の除去は、同時に、すなわち、同じステップで実行される。別の方法では、結像材料の除去は、ギャップ充填材料の除去の前に実行される。
【００８３】
他の好ましいシーケンスでは、誘電体材料の中での第２のホールのエッチおよび結像材料の除去、および／または、前記ギャップ充填材料の除去は、同時に、すなわち、１ステップで実行される。
【００８４】
誘電体材料は、好ましくは、低ｋ材料であり、より好ましくは、多孔性ＣＶＤ低ｋ材料（たとえばＳｉＣＯ(Ｈ)）である。平坦化材料は、好ましくは、有機ギャップ充填材料である。ハードマスク層は、好ましくは、金属ハードマスク層である。
【００８５】
この方法では、さらに、結像材料の堆積の前に、反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）の層を堆積してもよい。
【００８６】
好ましい実施の形態では、ギャップ充填材料の一部の除去は、そのレベルがキャップ層のレベルに等しくなるようにギャップ充填層をエッチバックすることにより達成される。このエッチは、たとえば等方的または非等方的ドライエッチ処理である。
【００８７】
別の実施の形態では、ギャップ充填材料の一部の除去は、平坦化材料の化学的機械的研磨によって達成できる。ここで、キャップ層は、ギャップ充填材料がキャップ層のレベルに等しくなるようにストップ層として使用される。
【００８８】
好ましい実施の形態において、本発明は、パターンが形成された少なくとも１つの伝導体からなる半導体基板の上にデュアル・ダマシン・インターコネクト構造を形成するための完全ビア・ファースト・プロセスを含む。
【００８９】
別の実施の形態では、本発明の方法は、部分的ビア・ファースト・プロセスを用いてデュアル・ダマシン・インターコネクト構造を形成するために開示される。
【００９０】
部分的ビア・ファースト・プロセスは、好ましくは、中間の誘電体バリアを用いる。
【００９１】
本発明は、さらに、誘電体材料の中のトレンチのエッチがハードマスク層の方に選択的であるということにより特徴づけられる。より好ましくは、このハードマスク層は、金属ハードマスク層であり、誘電体材料は、ＣＶＤ型低ｋ材料である。
【００９２】
好ましくは、誘電体層の中に第２のホール（トレンチ）をエッチするための異方的エッチ用化学薬品は、トレンチの側壁に対するプラズマ損傷をなくし、または少なくとも最小にするエッチ用化学薬品として特徴づけられる。好ましい処理フローでは、結像材料の除去は、第２のホール（トレンチ）のエッチの前に行われ、エッチ用化学薬品は、無酸素プラズマである。このエッチ処理のエッチ用化学薬品（単数または複数）は、好ましくは、誘電体材料へのプラズマ損傷を防止し、または、少なくとも最小にする。このプラズマは、たとえばＣｘＨｙＦｚ化合物（フルオロカーボン化合物）を含む無酸素プラズマであり、より好ましくは、このＣｘＨｙＦｚ化合物はＣ４Ｆ８である。エッチ用プラズマは、さらに、窒素を含み、アルゴンなどの不活性加工物を含んでいてもよい。
【００９３】
別の方法では、誘電体層に第２のホールを、より詳細には、トレンチをエッチするための異方的エッチ用化学薬品は、トレンチの側壁に対するプラズマ損傷を最小にするエッチ用化学薬品として特徴づけられる。これにより、結像材料の除去は、第２のホール（トレンチ）のエッチと同時に行われ、このエッチ用化学薬品は、無酸素プラズマである。エッチ用プラズマは、さらに、水素を含むプラズマとして特徴づけられ、より詳細には、このプラズマは、水素と所望ならばＣｘＦｙを含み酸素を含まないプラズマであり、これにより、低ｋ材料へのプラズマ損傷を最小にする。
【００９４】
（完全ビア・ファースト・アプローチに基づくデュアル・ダマシン・パターニング法）
完全ビア・ファースト・アプローチに基づくデュアル・ダマシン構造のパターニングのための本発明の方法が詳細に説明される。この方法は、トレンチのパターニングの間でのフォトレジスト汚染を除くことに特徴づけられる。この方法は、さらに、トレンチ・エッチの間での誘電体材料へのプラズマ損傷を防止しまたは少なくとも最小にすることにおいて特徴づけられる。この方法は、図１Ａ〜図１Ｌに図式的に示され、詳細に説明される。
【００９５】
好ましくは、出発点は、パターンが形成された構造を含む半導体基板であり、好ましくは、このパターンが形成された構造は、単独ダマシン・インターコネクト構造であり、第１トレンチまたはMetal１という。
【００９６】
このパターンが形成された構造は、誘電体材料１の中でパターンが形成された銅構造２と銅拡散バリア層３とからなる。
【００９７】
誘電体材料１は、好ましくは、低ｋ材料であり、より好ましくは、シリコンを含む低ｋ材料である。これらのシリコンを含む低ｋ材料の例は、ＣＶＤ型低ｋ材料、たとえばBlack Diamond(登録商標)、Aurora（登録商標）などの（水素化）オキシ炭化シリコン材料（SiCO(H))である。
【００９８】
好ましくは、誘電体バリア４は、この基板（またはパターンが形成された構造）の上に堆積される。
【００９９】
好ましくは、この誘電体バリア４は、SiC(N)層であり、これは、後に続く処理でエッチストップ層として使用できる。誘電体バリアの他の例は、酸化TEOS、酸化シランおよびＳｉ３Ｎ４を含む。
【０１００】
次に、誘電体材料５の層が、前記基板（またはパターンが形成された構造）の上に堆積される。
【０１０１】
好ましくは、誘電体材料５は、低ｋ材料であり、より詳細には、ＣＶＤ低ｋ材料である。これらのＣＶＤ低ｋ材料の例は、たとえばBlack Diamond(登録商標)、Aurora（登録商標）などの市販されている材料である。
【０１０２】
好ましくは、誘電体層１，５は、同じ材料からなる。
【０１０３】
キャップ層６は、所望ならば誘電体層５の上に堆積される。このキャップ層は、ＳｉＣ（Ｎ）や、酸化ＴＥＯＳ、酸化シランなどの窒化物型または酸化物型の材料から構成されてもよい。
【０１０４】
次に、ホール（孔）１４、より詳細にはビアホール、が、通常のパターニング技法を用いて誘電体層５の中に形成される。ここで、フォトリソグラフィと、それに続く異方的ドライエッチ処理を用いて、フォトレジスト層の中のパターンを、キャップ層（もし存在すれば）と誘電体層５（図示しない）に転写する。
【０１０５】
誘電バリア層４は、異方的ドライエッチのあいだエットストップ層として使用できる。
【０１０６】
通常の取り去り（ストリップ）処理は、（残留物が確かに残らないようにするため）クリーニング処理と組み合わされて、残っているフォトレジストを除去する。
【０１０７】
次に、ギャップ充填材料７は、少なくともホール（ビア）の完全な充填が達成されるように、ビアホールの中に堆積される。
【０１０８】
好ましくは、ギャップ充填材料７は、有機スピン・オン材料である。そのような材料の例は、ＴＩＳ２０００（登録商標)bilayer（富士フィルムの電子材料）の下層（UL)、ＳｉＬＫ（登録商標）、ポリアリルスルフォン、ポリヒドロキシスチレンを基にした誘導体、ポリイミド、ポリエーテル（特にハネウェル社のFLARE(登録商標)やシューマッハ社のVELOX(登録商標)などのポリアリレンエーテル）、ポリ硫化アリレン、ポリ炭酸塩、エポキシ、エポキシアクル酸塩、ポリフェニレンなどのポリアリレン、ポリフェニレンビニレンなどのポリアリレンビニレン、ポリビニルカルバゾル、環式オレフィン及び／またはポリエステルである。
【０１０９】
次に、過剰のギャップ充填材料７は、そのレベルがキャップ層６のレベルに等しいように除去される。もしキャップ層がなければ、そのレベルは、誘電体層５の上部の上にアラインされる。
【０１１０】
過剰のギャップ充填材料７の除去は、好ましくは、ドライエッチ処理により行われ、これはエッチバックともいう。
【０１１１】
続いて、後の処理でフォトレジスト汚染を防止するための拡散バリア層８が堆積される。
【０１１２】
本発明の拡散バリア層８は、ハードマスク層であり、より好ましくは金属ハードマスク層である。金属ハードマスク層の例は、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＷおよびＷＮである。
【０１１３】
次に、結像材料（単数または複数）が堆積され、ビアの上にトレンチを区画するためのパターンが結像材料に転写される。
【０１１４】
結像材料は、少なくとも１つのフォトレジスト層１０と、所望ならば少なくとも１つの反射防止コーティング９（たとえば底部反射防止コーティングすなわちBARC）からなる。
【０１１５】
好ましくは、前記の結像材料は、少なくとも１つのフォトレジスト層１０と、少なくとも１つの反射防止コーティング９（たとえば底部反射防止コーティングすなわちBARC）からなる。
【０１１６】
ハードマスク層８とおそらくさらにキャップ層６とに開口を設けた後に、結像材料（フォトレジスト層１０ともし存在すれば反射防止コーティング９）とギャップ充填材料７は、ストリップ処理を用いて除去される。
【０１１７】
このストリップ処理は、たとえば、ＳＦ６／Ｏ２ドライエッチ・プラズマを用いている。
【０１１８】
好ましくは、結像材料（フォトレジスト層１０ともし存在すれば反射防止コーティング９）とビアの中のギャップ充填材料７の除去が、同時に行われる。
【０１１９】
ビアの上でのトレンチのドライエッチの前のギャップ充填材料と結像材料の完全な除去により、トレンチの可能な側壁損傷の第１原因を避けられる。
【０１２０】
誘電材料の中の第２の孔１１すなわち「トレンチ」をエッチするために、ハードマスクの方に選択的である異方的ドライエッチ処理が使用される。
【０１２１】
より詳細には、金属ハードマスク層の方に選択的であるエッチ処理が使用される。
【０１２２】
このエッチ処理のエッチ用化学薬品は、さらに、誘電体材料へのプラズマ損傷を避けるように特徴づけられる。好ましくは、このプラズマは、たとえばフルオロカーボン化合物（ＣｘＨｙＦｚ化合物）を含む無酸素プラズマであり、より好ましくは、このＣｘＨｙＦｚ化合物はＣ４Ｆ８である。
【０１２３】
このエッチプラズマは、たとえば、さらに窒素を含み、アルゴンなどの不活性化合物を含んでいてもよい。
【０１２４】
Ｃｕ拡散バリア層１２は、トレンチとビアの開口の中に堆積され、周囲の誘電体（低ｋ）の中での銅の移動を防止する。Ｔａ(Ｎ)、Ｔｉ(Ｎ)、ＷＮＣなどの一般的に使用される銅拡散バリア層１２がここで使用される。
【０１２５】
続いてトレンチとビアの開口は銅１３で電気めっきされる。
【０１２６】
次に、（金属）ハードマスク層の残りの部分、過剰の銅および過剰の銅拡散バリア層は、通常の化学的機械的研磨を用いて除去される。
【０１２７】
上述の方法とは別の方法では、過剰のギャップ充填材料７は、化学的機械的研磨（CMP)を用いてキャップ層６のレベルに等しくなるように除去される。この別の方法のフローは、図４に図式的に示される。
【０１２８】
上述の方法とは別の方法では、結像材料（１０及びもし存在すれば９、それぞれフォトレジスト層とBARC層）の除去（ストリップ）は、ギャップ充填材料７の除去の前に行われる。この別の方法のフローは、図５に図式的に示される。
【０１２９】
上述の方法とは別の方法では、誘電材料の中の第２の開口すなわち「トレンチ」のエッチと結像材料（１０及びもし存在すれば９）の除去は、同時に行われる。このトレンチのエッチを行うために使用される異方的エッチ処理は、また、使用される（金属）ハードマスクの方に選択的である。このエッチ処理のエッチ用化学薬品は、さらに、誘電体材料へのプラズマ損傷を最小にするように特徴づけられる。好ましくは、このプラズマは、水素を含む無酸素プラズマである。不活性化合物などの他の化合物は、このプラズマに追加できる。好ましくは少量のＣｘＦｙ化合物がこのプラズマに追加される。このＣｘＦｙ化合物は、好ましくはＣＦ４であり、最も好ましくは、ＣＦ４の濃度は５sccmである。この別の方法のフローは、図６に図式的に示される。この処理フローにおけるギャップ充填材料７の除去は、トレンチのエッチのための異方的ドライエッチ処理の前またはその間に行える。
【０１３０】
（部分的ビア・ファースト・アプローチに基づくデュアル・ダマシン・パターニング法）
完全ビア・ファースト・アプローチとは別の、部分的ビア・ファースト・アプローチに基づくデュアル・ダマシン構造のパターニングのための本発明に基づく方法が詳細に説明され、図７Ａ〜７Ｍに説明される。この方法は、トレンチのパターニングの間でのフォトレジスト汚染を除くことに特徴づけられる。この方法は、さらに、トレンチのエッチの間での誘電体材料（およびビアの残りの部分）へのプラズマ損傷を防止しまたは少なくとも最小にすることにおいて特徴づけられる。
【０１３１】
好ましくは、出発点は、パターンが形成された構造を含む半導体基板である。
【０１３２】
このパターンが形成された構造は、銅パターン２２または誘電体層２１の中に設けられるトレンチなどの構造からなる。
【０１３３】
誘電体材料２１は、好ましくは、低ｋ材料であり、より好ましくは、シリコンを含む低ｋ材料である。これらのシリコンを含む低ｋ材料の例は、ＣＶＤ（化学蒸着）型低ｋ材料、たとえばBlack Diamond(登録商標)、Aurora（登録商標）などの（水素化）オキシ炭化シリコン材料（SiCO(H))である。
【０１３４】
このパターンが形成された構造は、好ましくは、単独ダマシン・インターコネクト構造であり、Metal１ともいう。
【０１３５】
次に、少なくとも１つの誘電体エッチストップ層２４（誘電体バリア層ともいう）と誘電体材料２５の少なくとも１つのの層からなる積層構造が、基板の上に堆積される。
【０１３６】
好ましくは、誘電体エッチストップ層２４は、SiC(N)層であり、これは、後に続く処理でエッチストップ層として使用できる。誘電体バリアの他の例は、酸化TEOS、酸化シランおよびＳｉ３Ｎ４を含む。
【０１３７】
好ましくは、誘電体材料２５は、低ｋ材料であり、より詳細には、ＣＶＤ低ｋ材料である。これらのＣＶＤ低ｋ材料の例は、たとえばBlack Diamond(登録商標)、Aurora（登録商標）などの市販されている材料である。
【０１３８】
図７Ａ〜図７Ｍに提示されているように、前記積層構造は、好ましくは、さらに、誘電体エッチストップ層２４の上に堆積された誘電体材料の層３６（埋め込み誘電体層３６ともいう）と、この層３６の上に堆積された第２の誘電体バリア３７（中間誘電体バリア層３７ともいう）からなる。
【０１３９】
次に、前記誘電体層２５は、中間誘電体バリア層３７の上に堆積される。
【０１４０】
前記誘電体層２５と埋め込まれた誘電体材料３６は、好ましくは、同じ材料からなる。
【０１４１】
キャップ層２６は、所望ならば、誘電体層２５の上に堆積される。このキャップ層は、ＳｉＣ(Ｎ)、酸化ＴＥＯＳ、酸化シランなどの酸化物型の材料またはＳｉＣ(Ｎ)などの窒化物型の材料から構成されてもよい。
【０１４２】
次に、ホール（孔）、より詳細には「部分的」ビアホール３４、が、通常のパターニング技法を用いて誘電体層２５の中に形成される。ここで、フォトリソグラフィと、それに続く異方的ドライエッチ処理を用いて、フォトレジスト層の中のパターンを、キャップ層２６と誘電体層２５（図示しない）に転写する。
【０１４３】
中間誘電バリア層３７は、異方的ドライエッチのあいだエットストップ層として使用して、「部分的な」ビアホール３４を作る。
【０１４４】
通常のストリップ処理は、残留物が確かに残らないようにする（湿式）クリーニング処理と組み合わされて、残っているフォトレジストとエッチ残留物を除去するために使用される。
【０１４５】
次に、ギャップ充填材料３７は、少なくともホールの完全な充填が達成されるように、ビアホール３４の中に堆積される。
【０１４６】
好ましくは、ギャップ充填材料２７は、一般的に使用されるＢＡＲＣ（底面反射防止コーティング）材料など（前に述べたように）の有機スピン・オン材料である。
【０１４７】
次に、過剰のギャップ充填材料２７は、そのレベルがキャップ層２６のレベルに等しいように除去される。
【０１４８】
過剰のギャップ充填材料２７の除去は、好ましくは、ドライエッチ処理により行われ、これはエッチバックともいう。
【０１４９】
続いて、後の処理でフォトレジスト汚染を防止するための拡散バリア層２８が堆積される。本発明の拡散バリア層２８は、ハードマスク層であり、より好ましくは金属ハードマスク層である。金属ハードマスク層の例は、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＳｉＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＷおよびＷＮである。
【０１５０】
次に、結像材料（単数または複数）または感光性層（フォトレジスト層３０ともし存在すれば反射防止コーティング２９）が堆積され、ビアの上にトレンチを区画するためのパターンが結像材料に転写される。
【０１５１】
結像材料は、少なくとも１つのフォトレジスト層３０と、所望ならば少なくとも１つの反射防止コーティング２９（たとえば底部反射防止コーティングすなわちBARC）からなる。好ましくは、前記の結像材料は、少なくとも１つのフォトレジスト層３０と、少なくとも１つの反射防止コーティング２９（たとえば底部反射防止コーティングすなわちBARC）からなる。
【０１５２】
ハードマスク層２８とおそらくさらにキャップ層２６に開口を設けた後に、結像材料とギャップ充填材料２７は、ストリップ処理を用いて除去される。
【０１５３】
このストリップ処理は、たとえば、ＳＦ６／Ｏ２ドライエッチ・プラズマを用いている。
【０１５４】
好ましくは、結像材料（フォトレジスト層３０ともし存在すれば反射防止コーティング２９）とビアの中のギャップ充填材料２７の除去が同時に行われる。
【０１５５】
ビアの上でのトレンチのドライエッチの前のギャップ充填材料２７と結像材料の完全な除去により、トレンチの可能な側壁損傷の第１原因が避けられる。
【０１５６】
誘電材料の中の第２の開口３１すなわち「トレンチ」をエッチするために、ハードマスクの方に選択的である異方的ドライエッチ処理が使用され、好ましくは、中間的誘電体バリア層３７がエッチストップ層として使用される。
【０１５７】
トレンチのパターニングと同時に、部分的なビアは、さらに、誘電体エッチストップ層２４を、そのビアのためのエッチストップ層として用いることにより完全なビアが得られるように、さらにパターンが形成される。
【０１５８】
誘電体層２５の中にトレンチ３１をパターンを形成するため、また、埋め込まれた誘電体層３６の中に完全なビア３５をパターンを形成するために使用されるドライエッチ処理は、さらに、金属ハードマスク層２８の方に選択的なエッチ処理として特徴づけられる。
【０１５９】
このエッチ処理のエッチ用化学薬品は、さらに、誘電体材料２５へのプラズマ損傷を避けまたは少なくとも最小にするように特徴づけられる。
【０１６０】
好ましくは、このプラズマは、フルオロカーボン化合物（ＣｘＨｙＦｚ化合物）を含む無酸素プラズマであり、より好ましくは、このＣｘＨｙＦｚ化合物はＣ４Ｆ８である。
【０１６１】
このエッチプラズマは、たとえば、さらに窒素を含み、アルゴンなどの不活性加工物を含んでいてもよい。
【０１６２】
Ｃｕ拡散バリア層は、トレンチとビアの開口の中に堆積され、周囲の誘電体（低ｋ）の中での銅の移動を防止する。
【０１６３】
一般的に使用されるＴａ(Ｎ)、Ｔｉ(Ｎ)、ＷＮＣなどの銅拡散バリア層１２がここで使用できる。
【０１６４】
続いてトレンチ３１とビア３５は銅で電気めっきされる。次に、過剰の銅、過剰の銅拡散バリア層および（金属）ハードマスク層の残りの部分は、通常の化学的機械的研磨を用いて除去される。
【０１６５】
上述の方法と別の方法では、過剰のギャップ充填材料２７は、化学的機械的研磨（CMP)を用いて、キャップ層のレベルに等しくなるように除去される。
【０１６６】
上述の方法と別の方法では、結像材料（フォトレジスト及びもし存在すればＢＡＲＣ）の除去（ストリップ）は、（ギャップ充填材料の種類と組成に依存して）ギャップ充填材料の除去の前に行われる。
【０１６７】
上述の方法と別の方法では、誘電材料２５の中の第２の開口すなわちトレンチ３１のエッチと結像材料（層３０及びもし存在すれば層２９、それぞれフォトレジスト層とBARC層という）の除去は、同時に行われる。また、このトレンチのエッチを行うために使用される異方的エッチ処理は、使用される（金属）ハードマスクの方に選択的である。このエッチ処理のエッチ用化学薬品は、さらに、誘電体材料へのプラズマ損傷を最小にするように特徴づけられる。好ましくは、このプラズマは、水素を含む無酸素プラズマである。不活性化合物などの他の化合物は、このプラズマに追加できる。好ましくは、この不活性化合物は窒素である。好ましくはフルオロカーボン化合物（ＣｘＦｙ化合物）がこのプラズマに追加される。より好ましくは、このＣｘＦｙ化合物はＣＦ４である。好ましくは、ＣＦ４は５sccmの濃度で追加される。
【０１６８】
この処理フローにおけるギャップ充填材料２７の除去は、このギャップ充填材料の材料特性に依存してトレンチのエッチのための異方的ドライエッチ処理と同時にまたはその前に行うことができる。
【０１６９】
上述の方法と別の方法では、誘電体層２５の中での第２の開口すなわちトレンチ３１のエッチは、エッチストップ層の上でのエッチプロセス停止の代わりに時間エッチ処理である。その場合、埋め込まれた誘電体層３６は必要がなく、また、中間エッチストップ層３７（すなわち第２誘電バリア層）も必要がない。
【０１７０】
例
（例１）レジスト汚染を避けトレンチの側壁へのプラズマ損傷を減少する、基板の上でのデュアル・ダマシン構造の処理
【０１７１】
本発明で説明された上述の処理フローに基づく方法が、この例において説明される。
【０１７２】
トレンチ（第２のホール）のパターニングは、このパターニングの間でのトレンチの側壁損傷を防止するため、酸素なしでＣ４Ｆ８を含む、ハードマスクに選択的なエッチ用プラズマを用いて行った。
【０１７３】
レジストは、トレンチのパターニングの前に取り去られた。
【０１７４】
デュアル・ダマシンの積層構造は、３０ｎｍ厚のＳｉＣ、３４０ｎｍ厚のＳｉＯＣ（ｋ値〜３．０）および１３ｎｍ厚の酸化物キャップからなる。ビア・フォト材料は、１００ｎｍのターゲット寸法で、２０ｎｍ厚のＢＡＲＣ層と２２０ｎｍ厚のレジストを用いて露光された。最小のビア・ピッチは２００ｎｍであった。
【０１７５】
ＳｉＣ底層開口を含むビアホール（複数）は、以下のようにエッチされた。
―  １０秒。ＣＦ４／Ｏ２の中のＢＡＲＣ開口。
―  １５秒。Ａｒ／Ｏ２／Ｃ４Ｆ８の中のビア・エッチ(ステップ１)。
―  ２０秒。Ａｒ／Ｎ２／Ｃ４Ｆ８／ＣＨ２Ｆ２の中ビア・エッチ(ステップ２)。
―  １０秒。Ｃ２／ＣＦ４の中のレジスト取り去り。
【０１７６】
ビアは、４００ｎｍ厚の厚いＵＬ（富士フイルム電子材料から市販されているＴＩＳ２０００bilayerの１９３ｎｍバージョンの下側の層）を用いて充填された。図８から結論できるように、隙間のないよい充填が得られた。
【０１７７】
充填の後で、ビアは、Ｏ２／ＳＯ２／ＣＨ３Ｆプラズマの中で３０”ＵＬエッチバック処理を用いて、平坦化された。図９に示されるように、残りのトポグラフィは、（最もきわどい）最も密集したビア構造の上で〜５０ｎｍに制限された。
【０１７８】
これらのＵＬ平坦化構造の上へのＴａＮ金属ハードマスクの堆積のため、ＵＬベーク温度（２１５℃）より下に保つことが重要である。５０ｎｍ厚のＴａＮの堆積の前に、ウェハ（複数）は１５０℃で１０分間、脱ガスされた。ＴａＮ堆積は、１００℃のチャック(chuck)温度で行われ、Ａｒ衝撃により予期される温度上昇は５０℃より低いと予想される。
【０１７９】
ＴａＮキャップ処理の後で、ウェハは、上面ＳＥＭで検査されたが、層間剥離や他の明白な問題は観察されなかった。
【０１８０】
しかし、平坦化の後で、十分なトポグラフィが２ｍｍ幅のアテナ・アライメント・マーカーの上に残された（ＡＳＭＬ／１０００ステッパが露光のために使用された）。このため、（不透明）ＴａＮハードマスクの上でのトレンチ・フォト材料のアライメントは、アライメント・マークの追加の形成なしで可能であった。
【０１８１】
金属ハードマスクの上でのトレンチのフォト材料は、３５ｎｍ厚のＢＡＲＣと２２０ｎｍ厚のレジストを用いて露光された。この露光は、図１０に示されるように、１２０ｎｍ幅／２４０ｎｍピッチのビアリンクを目標にされた。平均＋３ｓトレンチ対ビアのミスアライメント誤差は〜２５ｎｍであり、これは５０ｎｍの使用限界より十分小さかった。このよいアライメント精度はさらに図１１に示される。
【０１８２】
（酸素を含む）エッチ用プラズマとストリップ用プラズマにより生じる低ｋフィールドおよび側壁損傷を最小にするため、金属ハードマスクを用いたトレンチのパターニングのシーケンスが以下のように使用された。
―  ６０秒。ＨＢｒの中でのレジスト処理。
―  １３秒。ＨＢｒ／Ｏ２の中でのＢＡＲＣ開口。
―  ３５秒。Ｃｌ２の中でのＴａＮハードマスクの開口。
―  ２５秒。ＳＦ６／Ｏ２の中でのレジストの取り去り。
―  ４０秒。Ａｒ／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２（酸素なし）の中でのＳｉＯＣエッチ。
【０１８３】
図１２は、金属ハードマスクの開口とレジストの除去の後でのＳＥＭ断面を示す。約７５％のビア・プラグが、この段階で、ＵＬで満たされて残っている。
【０１８４】
上に説明したようにデュアル・ダマシン・エッチ・シーケンスが完了した後で、（図１３に示されるように）上面ＳＥＭが撮影され、よい挙動のデュアル・ダマシン・プロファイルを示した。ＴａＮキャップは、後で、ＣＭＰ処理の間に除去される。
【０１８５】
結論として、デュアル・ダマシン・パターニング・アプローチが、以下の効果を持って、達成された。
−  ＴａＮハードマスクがすべてのアミンをブロックするので、レジスト汚染が避けられる。
−  トレンチのエッチは、金属ハードマスクを基にしていて（選択的であって）、これにより、取り去り用プラズマによる低ｋの損傷を避け、（無酸素）トレンチ用化学物質の選択のための自由度を増している。こうして、パターニングの後での有効ｋ値が基の値に非常に近いことが示された。
−  トレンチのフォト材料のための金属加工が避けられる。
【図面の簡単な説明】
【０１８６】
【図１Ａ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造のパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｂ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｃ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｄ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｅ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｆ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｇ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｈ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｉ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｊ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｋ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図１Ｌ】ビア・ファースト・アプローチに基づく本発明の異なる処理ステップを用いてデュアル・ダマシン構造にパターンを形成する方法を示す図
【図２】本発明の好ましい実施の形態の異なる処理ステップを表すフローチャート
【図３】本発明の好ましい別の実施の形態の異なる処理ステップを表す別のフローチャート（ビアの底でのＳｉＣ層の開口は、トレンチのパターニングの前に開かれている）
【図４】本発明の好ましい別の実施の形態の異なる処理ステップを表す別のフローチャート（ギャップ充填材料は、化学的機械的研磨を用いて平坦化される）
【図５】本発明の好ましい別の実施の形態の異なる処理ステップを表す別のフローチャート（フォトレジストは、ビアの中のギャップ充填材料の除去の前に取り除かれる）
【図６】本発明の好ましい別の実施の形態の異なる処理ステップを表す別のフローチャート（フォトレジストとトレンチのパターニングは同時に実行される）
【図７Ａ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｂ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｃ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｄ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｅ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｆ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｇ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｈ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｉ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｊ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｋ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｌ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図７Ｍ】中間誘電体バリアを用いて部分的ビア・ファースト・アプローチに基づき本発明の異なる処理ステップを用いたデュアル・ダマシン構造のパターニングの方法を表す図
【図８】４００ｎｍのＵＬの充填のあとでのＳｉＯＣ材料でエッチされた１００ｎｍの寸法のビアの断面ＳＥＭ像の図
【図９】ＵＬエッチバック処理の後での平坦化ビアの傾けた上面図
【図１０】トレンチ（第２のホール）のフォトリソグラフ・パターニングの後での上面ＳＥＭ像の図
【図１１】金属加工なしで得られた良い金属２−ビア・アライメントを示す図
【図１２】金属ハードマスクの開口と取り除き処理の後の断面ＳＥＭ写真の図
【図１３】本発明の完全デュアル・ダマシン・パターニングの後の上面のＳＥＭ像の図
【符号の説明】
【０１８７】
５  誘電体層、    ６  キャップ層、    ７  ギャップ充填材料、    ８  金属ハードマスク層、    ９，１０  結像材料、    １１  第２のホール、    １２  Ｃｕ拡散バリア層１２、    １３  銅、    １４  第１のホール、    ２２  銅パターン、    ２１  誘電体層、    ２４  誘電体エッチストップ層、    ２５  誘電体材料層、    ３６  誘電体材料層、    ３７  第２の誘電体層。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
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【図１Ｊ】
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【図１Ｋ】
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【図１Ｌ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図７Ｉ】
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【図７Ｊ】
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【図７Ｋ】
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【図７Ｌ】
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【図７Ｍ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【外国語明細書】
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