(57)【要約】【課題】高い電気移動度を有すると共に製造コストを最少に抑えることができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板上に形成されている第１及び第２電極と、第１電極上に形成されている半導体芯、半導体芯の一部を覆う内皮、内皮を覆う外皮を有する微細線と、第１電極及び微細線上に形成されている固定部材と、半導体芯に接続され、透明電極及び反射電極を有する画素電極とを備え、半導体芯の一部は内皮及び外皮と固定部材で覆われずに、第２電極及び画素電極に接続されている。【選択図】図２
2006317952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されている第１及び第２電極と、
前記第１電極上に形成されている半導体芯、前記半導体芯の一部を覆う内皮、前記内皮を覆う外皮を有する微細線と、
前記第１電極及び前記微細線上に形成されている固定部材と、
前記半導体芯に接続され、透明電極及び反射電極を有する画素電極と、
を備え、前記半導体芯は前記内皮及び前記外皮と前記固定部材で覆われない第１部分と第２部分とを備え、前記第１部分は前記第２電極に接続されていて、前記第２部分は前記画素電極に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記半導体芯の第１及び第２部分は両端に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極の少なくとも一部は前記固定部材上に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記内皮は絶縁体を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記内皮は酸化シリコンまたは窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記外皮は導体を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記外皮は、アルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウムまたはタンタルのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記画素電極と対向する共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間に充填されている液晶層と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記透明電極は、前記反射電極と重畳する第１領域と、前記反射電極と重畳せず露出している第２領域とを備え、前記液晶層の厚さは、前記第１領域及び前記第２領域の上で互いに異なることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記固定部材は、表面に形成されている凹凸を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極は、前記固定部材の凹凸に沿って屈曲していることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記透明電極は、前記基板及び前記固定部材上に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記反射電極は、前記固定部材上に位置することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２電極は、前記反射電極と同一物質で同一層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記画素電極及び前記第２電極上に形成されている保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置において、陰極線管表示装置が液晶表示装置（ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）等に代替されて、表示領域は大型化するが、表示領域を制御するための回路は益々小さくなり、全体装置の大きさが小型化、軽量化されている。
現在、表示装置の大きさをより小さくするために、基板にトランジスタを直接集積している。そして、表示領域を構成するそれぞれの画素もトランジスタを有しており、トランジスタの大きさが小さくなるほど画素の開口率が増加して、表示品質に優れた表示装置を得ることができる。
【０００３】
このようなトランジスタは、出力電極、入力電極、制御電極及び半導体から構成され、半導体の特性によってトランジスタの駆動能力が異なる。半導体中で主に用いられているケイ素は、結晶状態によって多結晶シリコン、非晶質シリコン、または単結晶シリコンに分けられる。
この中で非晶質シリコンは、低い温度で蒸着可能で薄膜形成が可能であるので大型表示板に主に利用されているが、多結晶または単結晶シリコンに比べて低い電界効果移動度を有する。
【０００４】
そして、単結晶及び多結晶シリコンは、電界効果移動度は優れているものの単結晶または多結晶シリコンを形成するための工程が複雑である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記のような従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、高い電気移動度を有すると共に製造コストを最少に抑えることができる表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前述した目的を達成するための本発明に係る表示装置は、基板上に形成されている第１及び第２電極と、第１電極上に形成されている半導体芯、半導体芯の一部を覆う内皮、内皮を覆う外皮を有する微細線と、第１電極及び微細線上に形成されている固定部材と、半導体芯に接続され、透明電極及び反射電極を有する画素電極とを備え、半導体芯は内皮及び外皮と固定部材で覆われない第１部分と第２部分とを備え、第１部分は第２電極に接続されていて、第２部分は画素電極に接続されている。
【０００７】
半導体芯の第１及び第２部分は両端に位置するように構成でき、第２電極の少なくとも一部は固定部材上に位置することが望ましい。
内皮は酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの絶縁体を含むことが望ましい。
外皮はアルミニウム、クロム、モリブデン、銅、チタニウムまたはタンタルなどの導体を含むことが望ましい。
【０００８】
このような表示装置は画素電極と対向する共通電極、並びに画素電極と共通電極との間に充填している液晶層をさらに含むことが望ましい。
透明電極は反射電極と重畳する第１領域、反射電極と重畳せずに露出している第２領域を含み、第１領域及び第２領域の上での液晶層の厚さは互いに異なるように構成できる。
固定部材は、表面に形成されている凹凸を有する構成とすることが望ましく、画素電極は固定部材の凹凸に沿って屈曲していることが望ましい。
【０００９】
透明電極は、基板及び固定部材上に位置することが望ましく、反射電極は固定部材上に位置することが望ましい。
第２電極は、反射電極と同一物質で同一層に形成されていることが望ましい。
このような表示装置は画素電極及び第２電極上に形成されている保護膜をさらに含むことが望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、微細線を利用してトランジスタを実現することによって、複雑な工程なしに、優れたトランジスタを備える表示板を得ることができ、生産コストを最少に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
添付した図面を参照して、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１２】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態によるトランジスタと、これを備える表示装置及びその製造方法について説明する。
図１〜図４を参照して表示装置の一例として本発明の一実施形態による液晶表示装置の一例について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図２は図１に示した微細線トランジスタ表示板のII部分を拡大して示した配置図であり、図３は図２の微細線の斜視図であり、図４は図１の微細線トランジスタ表示板を備える液晶表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。
【００１３】
本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する微細線トランジスタ表示板１００、及び共通電極表示板２００とこれら２つの表示板１００、２００の間に挟持された液晶層３を備える。
まず、共通電極表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、ブラックマトリックスという遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、クロム単一膜またはクロムと酸化クロムの二重膜で構成することができ、また黒色顔料（ｐｉｇｍｅｎｔ）を含む有機膜で構成することもできる。
【００１４】
また、基板２１０上には、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は、基本色のうちの１つを表示することができ、基本色の例としては赤色、緑色、青色などの三原色がある。隣接するカラーフィルタ２３０の周縁は重畳することができる。
カラーフィルタ２３０上には、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電体などからなる共通電極２７０が形成されている。
【００１５】
共通電極２７０とカラーフィルタ２３０との間には、カラーフィルタが露出することを防止し、平坦面を提供するためのオーバーコート膜（図示せず）を形成することが望ましい。
次に、微細線トランジスタ表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１が形成されている。
【００１６】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に図１の横方向に延びている。各ゲート線１２１は、図１下方に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のために幅が拡大された端部１２９を有する。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、表示板１００上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着することができ、また表示板１００上に直接装着することもでき、さらに表示板１００に集積することもできる。ゲート駆動回路を表示板１００に集積する場合、ゲート線１２１を延長して直接接続するように構成できる。
【００１７】
ゲート線１２１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、金や金合金などの金系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。しかしながら、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少できるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成する。もう１つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの物理的、化学的、電気的接触特性が優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどで形成する。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１はこれ以外にも様々な金属または導電体で形成することができる。
【００１８】
ゲート線１２１の側面は基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０°〜約８０゜であることが好ましい。
ゲート線１２１上には複数の微細線１５４が形成されている。
図２に示すように、微細線１５４はゲート電極１２４を横切って互いに交差して不規則に配列されている。この微細線１５４は互いに平行に配列することもでき、三次元的に積層することもできる。
【００１９】
図３に示すように、それぞれの微細線１５４は、ナノメートルの大きさの単結晶半導体からなる半導体芯１５４ａ、半導体芯１５４ａを覆う内皮１５４ｂ、並びに内皮１５４ｂを覆う外皮１５４ｃを含む。外皮１５４ｃと内皮１５４ｂは、半導体芯１５４ａの中心部分だけを覆い、半導体芯１５４ａの両端は露出している。
半導体芯１５４ａの材料としては、ナノメートルの大きさに形成できる半導体であれば良く、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、III-V族化合物の半導体が挙げられる。半導体芯１５４ａは、導電性不純物イオンで弱くドーピングされており、導電性不純物としてはホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）などのＰ型不純物と、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）などのＮ型不純物がある。半導体芯１５４ａの直径（Ｄ）は約１８〜２２ｎｍの範囲であり、長さ（Ｌ）は約３０〜６０μｍの範囲とすることができる。
【００２０】
内皮１５４ｂは、酸化シリコン（ＳｉＯ2）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなり、外皮１５４ｃは、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などの導電物質からなる。内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃの厚さＴ１、Ｔ２は、それぞれ約２０〜２５ｎｍの範囲とすることができる。
【００２１】
微細線１５４、ゲート線１２１及び基板１１０の上には、固定部材（ｆｉｘｅｒ）１６０が形成されている。固定部材１６０は、ゲート線１２１に沿って配置されて微細線１５４をゲート線１２１上に固定するものであり、図１に示すように図の下方に幅が拡大された部分を有する。
固定部材１６０は、無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、その表面に凹凸（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）が形成されている。無機絶縁物の例としては、窒化シリコンと酸化シリコンがある。有機絶縁物は、感光性を有するものを用いることができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。しかし、固定部材１６０は、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有する構成とすることができる。
【００２２】
固定部材１６０にはコンタクトホール（接触孔）１６１、１６３、１６５が形成されている。コンタクトホール１６３、１６５は、半導体芯１５４ａの両端部を露出し、コンタクトホール１６１はゲート線１２１の端部１２９を露出させる。コンタクトホール１６３、１６５の境界線は、微細線１５４の内皮１５４ｂ及び外皮１５４ｃの境界と一致する。
基板１００及び固定部材１６０上には、複数のデータ線１７１、複数の画素電極１９１、及び複数の接触補助部材８１が形成されている。
【００２３】
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図１の縦方向に延びてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、コンタクトホール１６３を介して半導体芯１５４ａに接続されている入力電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を有する。
入力電極１７３の境界線のうちの一部はコンタクトホール１６３内に位置する。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）を、表示板１００上に付着されるフレキシブル印刷回路膜（図示せず）上に装着することができ、また表示板１００上に直接装着することもでき、表示板１００に集積することもできる。データ駆動回路を表示板１００上に集積する場合、データ線１７１を延長して直接接続するように構成できる。
【００２４】
各画素電極１９１は、固定部材１６０の凹凸（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）に沿って屈曲しており、透明電極１９２及びその上の反射電極１９４を有する。
透明電極１９２は、固定部材１６０及び基板１１０上に位置し、反射電極１９４は、透明電極１９２のうちの固定部材１６０上の部分にだけ存在する。反射電極１９４は透明電極１９２全体を覆うが、透明電極１９２の一部を露出させる透過窓を有することができる。
【００２５】
透明電極１９２及び接触補助部材８１は、ＩＺＯまたはＩＴＯなどの透明な導電物質からなり、データ線１７１及び反射電極１９４は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、金や金合金などの金系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などの反射性金属で構成できる。これとは異なり、データ線１７１及び反射電極１９４を、アルミニウム、銀またはその合金などの低抵抗反射性上部膜と、モリブデン系金属、クロム、タンタル及びチタニウムなどＩＴＯまたはＩＺＯと接触特性が良い下部膜の二重膜構造とすることもできる。
【００２６】
画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を介して半導体芯１５４ａと物理的・電気的に接続されている。半導体芯１５４ａに接続されている画素電極１９１のうちの一部分は出力電極１７５として使用されており、半導体芯１５４ａからデータ電圧の印加を受ける。
少なくとも１つの微細線１５４は、１つのゲート電極１２４、１つの入力電極１７３、及び１つの出力電極１７５と共にトランジスタを構成し、トランジスタのチャンネルは、微細線１５４の内皮１５４ｂの内側の半導体芯１５４ａに形成される。
【００２７】
このように、単結晶からなる微細線を用いてトランジスタを形成すれば、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなる薄膜トランジスタより高い駆動能力が得られる。
データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧の印加を受ける他の表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、２つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子（図示せず）の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変化する。画素電極１９１と共通電極２７０は、キャパシタ（以下、液晶キャパシタと言う）を構成して、薄膜トランジスタが非導通（ターンオフ）状態になった後も印加された電圧を維持する。
【００２８】
一方、半透過型液晶表示装置は、透明電極１９２及び反射電極１９４によってそれぞれ定義される透過領域（ＴＡ）及び反射領域（ＲＡ）で区画される。具体的には、微細線トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００及び液晶層３等において、透明電極１９２の露出した部分の下上に位置する部分は透過領域（ＴＡ）となり、反射電極１９４の下上に位置する部分は反射領域（ＲＡ）となる。透過領域（ＴＡ）では液晶表示装置の後面、つまり、微細線トランジスタ表示板１００側から入射した光が液晶層３を通過して前面、つまり、共通電極表示板２００側に出射することによって表示を行い、反射領域（ＲＡ）では前面から入射した光が液晶層３を通過して反射電極１９４で反射され、液晶層３を再び通過して前面に出射することによって表示を行う。
【００２９】
接触補助部材８１は、コンタクトホール１６１を介してゲート線１２１の端部１２９に接続される。接触補助部材８１はゲート線１２１の端部１２９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
データ線１７１及び画素電極１９１上には、データ線１７１及び画素電極１９１を保護し、薄膜トランジスタの安定化のために保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、固定部材１６０のように無機絶縁物または有機絶縁物などからなる。保護膜１８０を有機絶縁物で形成する場合、固定部材１６０を全体的に均一な厚さに形成し、保護膜１８０の厚さを異なるように形成することができる。
【００３０】
ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９上には保護膜１８０が無く、これにより端部１２９、１７９が露出している。
前述した２つの表示板１００、２００の内側面には配向膜１１、２１がそれぞれ塗布されている。２つの表示板１００、２００の外側には偏光子（図示せず）がそれぞれ設けられているが、２つの偏光子の透過軸は互いに垂直あるいは平行に配置することができる。
【００３１】
表示板１００、２００と偏光子との間には、液晶層３の遅延値を補償するための少なくとも１つの位相遅延フィルム（図示せず）を介在させることができる。位相遅延フィルムは複屈折性を有しており、液晶層３の複屈折性を逆に補償する役割を果たす。遅延フィルムとしては、一軸性または二軸性光学フィルムがあり、特に陰性（ｎｅｇａｔｉｖｅ）一軸性光学フィルムが好ましい。
【００３２】
微細線トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００との間には、絶縁物質からなり、２つの表示板１００、２００の間隔を一定に維持するための間隔材（図示せず）が形成されている。
また、液晶表示装置は、偏光子、位相遅延フィルム、表示板１００、２００及び液晶層３に光を供給する照明部（図示せず）を備えることが望ましい。
【００３３】
液晶層３は、垂直配向方式または捩じれネマチック配向方式で配向することができ、両基板１１０、２１０の中心面に対して対称に屈曲した配列とすることもできる。そして、反射領域（ＲＡ）の液晶層３の厚さと透過領域（ＴＡ）の液晶層３の厚さは互いに異なり、反射領域（ＲＡ）の液晶層（Ｄ）の厚さが透過領域（ＴＡ）の液晶層３の厚さより薄い。
【００３４】
このような本実施形態による微細線トランジスタは、高い移動度を有する単結晶シリコンを含む微細線からなるので、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを使用した薄膜トランジスタよりも高い駆動能力を有する。これにより、一般の薄膜トランジスタより小さくすることができるので、画素の開口率が増加する。また、このような微細線トランジスタは、ゲート駆動回路及びデータ駆動回路を構成する素子として使用できるので、この駆動回路を基板１１０に集積することが容易である。
【００３５】
次に、図１〜図４に示した微細線トランジスタ表示板を製造する方法について、図５〜図１０及び図１〜図４を参照して詳細に説明する。
図５は、図１及び図４に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態により製造する方法の中間工程における微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図６は、図５の微細線トランジスタ表示板のVI-VI線に沿った断面図であり、図７は、図５に続く工程における微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図８は、図７の微細線トランジスタ表示板のVIII-VIII線に沿った断面図であり、図９は、図７に続く工程における微細線トランジスタ表示板の配置図であり、図１０は、図９の微細線トランジスタ表示板のX-X線に沿った断面図である。
【００３６】
まず、図５及び図６に示すように、透明な絶縁基板１１０上にスパッタリングなどで導電膜を積層した後、フォトエッチングしてゲート電極１２４及び端部１２９を有する複数のゲート線１２１を形成する。
その後、図７及び図８に示すように、半導体芯１５４ａが露出しない微細線１５４を塗布する。微細線１５４は、エタノールまたは感光剤などに混合して混合液を塗布することができる。
【００３７】
塗布方法の例としては、グラビアコーティング、メイヤーロッドコーティング、ドクターブレードコーティング、スピンコーティング、スリットコーティング、インクジェット印刷などの方法がある。微細線１５４を一定に整列させるために、混合液を一定の方向に流したり、微細線が入るような溝を有する枠を形成して塗布することが望ましい。
エタノールを使用する場合、エタノールは後に蒸発して基板１１０上には微細線１５４だけ残る。
【００３８】
その後、絶縁膜を積層し、フォト工程またはフォトエッチングでパターニングして、複数のコンタクトホール１６１、１６３、１６５を有して表面に凹凸がある複数の固定部材１６０を形成する。そうすれば、固定部材１６０から離れている一部微細線１５４は完全に露出し、他の一部微細線１５４は部分的に固定部材１６０で覆われて部分的には固定部材１６０から脱して露出する。
【００３９】
ここで、固定部材１６０で覆われない微細線１５４は基板１１０で全て除去し、一部分が露出した微細線１５４については外皮１５４ｃ及び内皮１５４ｂをエッチングして半導体芯１５４ａを露出させる。外皮１５４ｃは湿式エッチングを施し、内皮１５４ｂは乾式エッチングまたは湿式エッチングを施すことができる。
このようにすると、ばらまかれた微細線１５４のうち、少なくとも一部は図３に図示したように両方が露出する。
【００４０】
次に、図９及び図１０に示すように、スパッタリングなどでＩＴＯやＩＺＯを積層した後、フォトエッチングして複数の透明電極１９２及び複数の接触補助部材８１を形成する。その後、スパッタリングなどで導電膜を積層した後、フォトエッチングして複数のデータ線１７１と複数の反射電極１９４を形成する。
この時、データ線１７１及び画素電極１９１がゲート電極１２４及びその上の微細線１５４の導電体１５４ｃと接触しないように一定の距離をおく。
【００４１】
次に、図１〜図４に示すように、画素電極１９１上に無機絶縁膜などで保護膜１８０を積層する。その後、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９の上の保護膜１８０部分を除去する。
このように、不純物をドーピングしたり、結晶化する複雑な工程なしに、少ない回数のフォト工程だけで優れた性能のトランジスタを備える表示板を得ることができる。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態による微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１に示した微細線トランジスタ表示板の一部を拡大して示した配置図である。
【図３】図２の微細線の斜視図である。
【図４】図１の微細線トランジスタ表示板を備える液晶表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。
【図５】図１及び図４に示した液晶表示装置の微細線トランジスタ表示板を本発明の一実施形態によって製造する方法の中間段階の微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図６】図５の微細線トランジスタ表示板のVI-VI線に沿った断面図である。
【図７】図５に続く工程の微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図８】図７の微細線トランジスタ表示板のVIII-VIII線に沿った断面図である。
【図９】図７に続く工程の微細線トランジスタ表示板の配置図である。
【図１０】図９の微細線トランジスタ表示板のX-X線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１０  絶縁基板
１２１  ゲート線
１２４  ゲート電極
１５４  微細線
１７１  データ線
１７３  入力電極
１７５  出力電極
１９１  画素電極
【図１】
2006317952.tif 000003
【図２】
2006317952.tif 000004
【図３】
2006317952.tif 000005
【図４】
2006317952.tif 000006
【図５】
2006317952.tif 000007
【図６】
2006317952.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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