(57)【要約】    【課題】圧電特性をほとんど劣化させることなく低温で焼成することが可能であり、従って、内部電極に安価な金属を用いることができる圧電磁器組成物及びそれを用いた圧電素子を提供する。    【解決手段】本発明に係る圧電磁器組成物は、少なくともPb、Zr、Tiで構成されるペロブスカイト型構造を有し、Znを含有する。更に、Sr、Ba、Mg、Nb、W、Ni、Cu、Co、Fe、Mn群から選ばれた元素が少なくとも１種を含有していてもよい。【選択図】      図５
2006282411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともPb、Zr、Tiで構成されるペロブスカイト型構造を有する圧電磁器組成物であって、Znを含有する圧電磁器組成物。
【請求項２】
請求項１に記載された圧電磁気組成物であって、更に、Sr、Ba、Mg、Nb、W、Ni、Cu、Co、Fe、Mnの群から選ばれた元素の少なくとも１種を含有する圧電磁器組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された圧電磁器組成物であって、下記基本組成式、
(Pb A-B Me B)[(Zn1/3 Nb2/3)a Ti b Zr c] O3
(但し、A、B、ａ、ｂ、ｃは
ａ＋ｂ＋ｃ＝１、
０.９８≦Ａ≦１.０２、
Ｂ≦０.１２、
０.０５≦ａ≦０.２５、
０.３５≦ｂ≦０.５、及び、
０.３８≦ｃ≦０.４８
を満たす範囲内の値であり、MeはSr、Baから選ばれた少なくとも１種を表す。)
の酸化物を主成分とし、この主成分１モルの質量に対し、副成分としてWを、WO3に換算して０.１〜１.０質量％含有し、さらに主成分１モルの質量に対し、副成分としてFe、Co、Ni、Cu、Mnうちから選ばれた少なくとも１種を、NiO、CoO、Fe3O3、CuO、MnOに換算して０.８質量％以下の範囲で含有する、
圧電磁器組成物。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された圧電磁気組成物であって、
下記基本組成式、
(Pb A-B Me B)[(Mg1/3 Nb2/3)d (Zn1/3 Nb2/3)e Ti f Zr g] O3
(但し、A、B、ｄ、ｅ、ｆ、ｇは
ｄ+ｅ+ｆ+ｇ=１、
０.９８≦Ａ≦１.０２、
Ｂ≦０.１２、
０.１≦ｄ≦０.２５、
０.０５≦ｅ≦０.２５、
０.２≦ｆ≦０.５、及び、
０.１５≦ｇ≦０.６
を満たす範囲内の値であり、MeはSr、Baの群から選ばれた少なくとも１種を表す。)
の酸化物を主成分とし、この主成分１モルの質量に対し、副成分としてWをWO3に換算して０.１〜１.０質量％含有し、さらに主成分１モルの質量に対し、副成分としてFe、Co、Ni、Cu、Mnうちから選ばれた少なくとも１種を、NiO、CoO、Fe3O3、CuO、MnOに換算して、０.８質量％以下の範囲で含有する、
圧電磁器組成物。
【請求項５】
圧電磁器と、電極とを有する圧電素子であって、
前記圧電磁器は、請求項１乃至４の何れかに記載された圧電磁器組成物で構成され、
前記電極は、前記圧電磁器に備えられている、
圧電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電トランス、圧電発音体、圧電センサ、圧電アクチュエータ、圧電超音波モータなどに好適な圧電磁器組成物および圧電素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Pb、Zr、Tiを主成分とする複合酸化物圧電磁器組成物としては、圧電歪特性等の圧電特性に優れる等の理由から、例えば
Pb(Ni1/3Nb2/3)ZrO3系、Pb(Mg1/3Nb2/3)(Ni1/3Nb2/3)TiZrO3系などが知られている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
近年、圧電素子を応用した装置として、積層型の圧電アクチュエータなど、圧電磁器層と内部電極層を交互に積み重ねた積層型の素子を用いるものが盛んに開発されている。このような積層型アクチュエータは小型で小さな電界で大きな変位が得られるという利点があるが、内部電極を形成したのち焼成するので、従来より知られている1200℃以上で焼成する圧電磁器では、このような高温に耐え得る白金(Pt)あるいはパラジウム(Pd)などの高価な貴金属を内部電極として用いなければならず、製造コストの面で問題があった。
【０００４】
より安価な内部電極の材料としては銀・パラジウム合金（Ag-Pd合金）が知られている。しかし、パラジウムの含有量が３０質量％を超えると、焼成中にパラジウムが還元反応を起こし、積層体素子中にクラックの発生あるいは電極の剥離などの欠陥が生じてしまうので、パラジウムの含有量は３０質量％以下とすることが望ましい。パラジウムの含有量を３０質量％以下とするには、銀−パラジウムの系状態図より、焼成温度は1150℃以下、好ましくは1120℃以下とする必要がある。
【０００５】
更に、製造コストを低減するにはパラジウムの含有量を低くする必要があり、それにはできるだけ焼成温度を低くする必要がある。例えば、パラジウムの含有量を２０質量％以下とするには、焼成温度を1100℃以下、望ましくは1050℃以下とする必要がある。
【０００６】
ところが、従来より知られているこの種の圧電磁器では本焼成温度が1200℃前後と高いので、積層用に用いる場合には、本焼成温度を下げるために、仮焼成後に比表面積の大きな粉体にしたり、本焼成時に加圧したりしなければならないといった煩雑な操作を必要とした。
【０００７】
また、本焼成温度を低くするために、二酸化ケイ素(SiO2)などのガラス成分を添加したり、あるいは過剰な酸化鉛(PbO)を添加したりする方法も提案されているが、このような方法では圧電磁器の特性が劣化してしまうので好ましくない。
【特許文献１】特開平５−２４９１７号公報
【特許文献２】特開平１０−７４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、圧電特性をほとんど劣化させることなく低温で焼成することが可能であり、従って、内部電極に安価な金属を用いることができる圧電磁器組成物及びそれを用いた圧電素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
１．圧電磁器組成物
上述した課題を解決するため、本発明に係る圧電磁器組成物は、少なくともPb、Zr、Tiで構成されるペロブスカイト型構造を有する圧電磁器組成物であって、Znを含有する。
【００１０】
上述したように、PZTを主成分とし、Znを含む圧電磁器組成物とすることにより、従来よりも低温での焼結が可能となる。
【００１１】
Znの含有量は、酸化物換算で、圧電磁器組成物中に、０.２〜２.０質量％含まれていることが望ましい。この範囲のZnを含有していることにより、低温での焼結が可能となる。０.２質量％未満では効果が得られず、また、２.０質量％を越えると、圧電磁器特性を劣化させるため、本範囲が好ましい。
【００１２】
さらに、PZT中には、Znの他に、Sr、Ba、Mg、Nb、W、Ni、Cu、Co、Fe、Mn群から選ばれた元素が少なくとも１種含有されていることが好ましい。
【００１３】
PZTにおいて、Pbの一部をSrまたは、Baで置換することにより、Pbの蒸発による基板のばらつきを抑え、さらに圧電特性を改善することが可能となる。置換量は０.１２モル以下が好ましい。０.１２モル以上になると圧電磁器のキュリー温度が２００℃以下となり、耐熱性が劣るようになるためである。
【００１４】
Mg、Nbが含まれているのが好ましいのは、圧電磁器の焼結性をさらに良好にするからである。圧電磁器は、焼結密度が高いほど(理論密度に近づくほど)良好な圧電特性を発現する。
【００１５】
W、Ni、Cu、Co、Fe、Mnの少なくとも一種を含有する趣旨も、上述した２つの特性改善の少なくとも一方を満たすことにある。
【００１６】
本発明に係る圧電磁器組成物は、具体的には、下記基本組成式、
(Pb A-B Me B)[(Zn1/3 Nb2/3)a Ti b Zr c] O3・・・・・（１）
で表わされる酸化物を主成分とすることが好ましい。
上記組成式（１）において、A、B、ａ、ｂ、ｃは
ａ＋ｂ＋ｃ＝１、
０.９８≦Ａ≦１.０２、
Ｂ≦０.１２、
０.０５≦ａ≦０.２５、
０.３５≦ｂ≦０.５、及び、
０.３８≦ｃ≦０.４８
を満たす範囲内の値である。MeはSr、Baから選ばれた少なくとも１種を表す。
【００１７】
本発明に係る圧電磁器組成物のもう１つの具体的な例は、下記基本組成式、
(Pb A-B Me B)[(Mg1/3 Nb2/3)d (Zn1/3 Nb2/3)e Ti f Zr g] O3
・・・・・（２）
で表わされる酸化物を主成分とするものである。
上記組成式（２）において、A、B、ｄ、ｅ、ｆ、ｇは
ｄ+ｅ+ｆ+ｇ=１、
０.９８≦Ａ≦１.０２、
Ｂ≦０.１２、
０.１≦ｄ≦０.２５、
０.０５≦ｅ≦０.２５、及び、
０.２≦ｆ≦０.５、及び、
０.１５≦ｇ≦０.６
を満たす範囲内の値である。MeはSr、Baの群から選ばれた少なくとも１種を表す。
【００１８】
上述した２つの基本組成式（１）、（２）の表わす技術的意義は、次のとおりである。
まず、組成式（１）、（２）において、ａ及びｅが、０.０５≦ａ≦０.２５、０.０５≦ｅ≦０.２５を満たすことにより、低温での焼結性が良好になる。この範囲外では、焼結性が良好にならない。
【００１９】
次に、組成式（２）において、ｄが、０.１≦ｄ≦０.２５を満たすことにより、良好な磁器特性が得られる。
【００２０】
組成式（１）において、ｂ及びｃが、０.３５≦ｂ≦０.５、及び、０.３８≦ｃ≦０.４８を満たすことにより、圧電特性が最も高くなるモルフォトロピック相境界付近を実現することができる。
【００２１】
組成式（２）において、ｆ及びｇが、０.２≦ｆ≦０.５、及び、０.１５≦ｇ≦０.６となる範囲も、モルフォトロピック相境界付近を実現する範囲である。
【００２２】
上述した組成式（１）及び（２）によって表わされる２種の圧電磁器組成物において、主成分１モルの質量に対し、副成分として、WをWO3に換算して０.１〜１.０質量%含有し、さらに主成分１モルの質量に対し、副成分としてFe、Co、Ni、Cu、Mnうちから選ばれた少なくとも１種を、NiO、CoO、Fe3O3、CuO、MnOに換算して、０.８質量％以下の範囲で含有する。この技術的意義は、次のとおりである。
【００２３】
まず、Wを含むことにより、内部電極にAgもしくはCuを含む金属を用いた積層型圧電素子を構成する場合、焼成時に圧電磁器中に拡散する電極中のAgもしくは、Cuを素子の粒界付近でWと結合するため、拡散したAgもしくは、Cuが素子駆動中にマイグレーションを起こし、素子の絶縁破壊を引き起こすことを防止できることになる。
【００２４】
添加量は主成分１モルの質量に対し、WO3に換算して０.１〜１.０質量％含有することが好ましい。この範囲であれば良好な効果が得られるが、０.１質量％未満では効果がなく、１.０質量％を越えると、圧電磁器の特性が劣化するからである。
【００２５】
次に、Ni、Cu、Co、Fe、Mnを含むのは素子の抗電界の温度特性を改善するためである。このことは、素子の抗電界を改善することにより、分極とは逆方向の電界を駆動電界として印加するタイプのアクチュエータ（例えば、バイモルフ型圧電アクチュエータ）において、駆動により素子変位の劣化を防ぐことが可能となることを意味する。
【００２６】
添加量は主成分１モルの質量に対し、酸化物に換算して、０.８質量％以下含有することが好ましい。この範囲であれば良好な効果が得られるが、０.８質量％を越えると、圧電磁器の特性が劣化するからである。
【００２７】
以上述べたように、本発明によれば、従来よりもPZT系圧電磁器の焼成温度を低減させることが可能になるので、積層型アクチュエータ素子などの積層型圧電素子に好適な圧電磁器として、圧電特性をほとんど劣化させることなく、内部電極に安価な金属を用いることができる圧電素子を提供できる。次に、本発明の内容につき、実施例及び比較例を挙げて更に具体的に説明する。
【００２８】
（１）試料の製造
図１は、試料の製造工程を示すフローチャートである。図１は単版圧電素子を製造する工程（図１の左分岐工程）と、積層型圧電素子を製造する工程（図１の右分岐工程）の２つの工程を含んでいる。積層型圧電素子の製造工程については、後述することとし、ここでは、単板圧電素子に相当する試料の製造工程（図１の左分岐工程）を説明する。
【００２９】
まず、出発原料として化学的に純粋なPbO，TiO2，ZrO2，ZnO，MgCO3，Nb2O5，WO3，Fe2O3，CoO，NiO，CuOを用い、所定の組成になるように秤量し、ボールミルにて湿式混合を行なった。
【００３０】
上記のプロセスにおいて、組成式（１）を前提として、（A、B、ａ、ｂ、ｃ、Me）を変えた圧電磁器組成物とを準備した。また、組成式（２）を前提として（A、B、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、Me）を変えた圧電磁器組成物を準備した。
【００３１】
次に、上述のようにして得られた圧電磁器組成物を乾燥させた後、混合粉を空気中８００℃〜９００℃で仮焼成し、仮焼成されたものをボールミルにて湿式粉砕した。
【００３２】
次に、湿式粉砕されたものを乾燥させ、粉体の圧電磁器組成物を得た。この後、乾燥して得られた粉体の圧電磁器組成物にポリビニールアルコール系のバインダーを加え造粒（図１の左分岐工程に移る）を行ない、約１９６MPaの圧力にて一辺が約２０ｍｍで厚さ約１.５ｍｍの角板状に成形した。この成形体を大気の雰囲気中で1000℃〜1050℃の温度で焼成した。なお、焼成は大気中より酸素分圧の高い雰囲気中および純酸素中でも可能である。
【００３３】
このようにして得られた焼結体を厚さ（高さ）１ｍｍに加工し、さらに銀焼付電極を形成した後、１２ｍｍ×３ｍｍに加工し、１２０℃の絶縁油中で、電圧２〜３kV/mm、３０分の条件で分極処理を行ない、単板圧電素子の形態を有する評価用素子を得た。
【００３４】
評価用素子としては、組成式（１）を前提として（A、B、ａ、ｂ、ｃ、Me）を変えた圧電磁器組成物を用いた試料No.１〜１８、及び、組成式（２）を前提として、（A、B、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、Me）を変えた圧電磁器組成物を用いた試料No.１９〜３６を準備した。
【００３５】
（２）評価方法
得られた評価用素子について、インピーダンスアナライザーにより、静電容量(ｃ)、共振周波数(fr)、反共振周波数(fa)を測定した。測定結果をもとに圧電歪定数(ｄ３１)を計算により求めた。磁器密度はアルキメデス法にて測定した。また、圧電磁器の２０℃での抗電界は、強誘電体テストシステムを用いて測定し、試料の厚みあたりの抗電界として計算した。
【００３６】
（３）評価結果
図２は、Pb０.９８(Ti０.４７５ Zr０.５２５)O3を主成分として、WO3を０.５質量％添加した組成に対し、ZnOの含有量を変化させたときの圧電磁器密度の変化を示す図である。横軸はZnOの含有量を示しており、縦軸は1050℃で焼成した圧電磁器の密度を示している。
【００３７】
図２を参照すると、ZnOの含有量が０.２〜２.０質量％の範囲において、高い磁器密度が得られている。ZnOの含有量がゼロの場合は、この温度では十分に焼結しないことを意味しており、ZnOの添加により焼成温度低減の効果が得られたことを示している。
【００３８】
図３として示す表１は、組成式（１）に従った圧電磁器組成物を用いた試料No.１〜１８のデータであり、図４として示す表２は組成式（２）に従った圧電磁器組成物を用いた試料No.１９〜３６のデータである。表中には、検討した組成及び焼成温度、磁器密度、圧電歪定数ｄ３１と抗電界評価の結果を示してある。抗電界の評価は、２０℃での評価で、１.２kV/mm以上の場合を良○(OK)とし、それ未満では不可×(NG)として示してある。
【００３９】
表１、２のデータを参照して、ベストモードを検討する。組成式（１）、（２）における条件０.９８≦Ａ≦１.０２を満たさない試料No.３、４、２１、２２のうち、試料No.３、２１には焼結不良を発生し、試料No.４、２２には抗電界不良が発生している。
【００４０】
また、副成分を含まない試料No.９、及び、試料No.２７にも、抗電界不良が発生している。もっとも、試料No.９、及び、試料No.２７は、燃料噴射用アクチュエータなどのように、一方向変位を利用するタイプのものには使用が可能であるので、そのような用途範囲では良品と評価できる。
【００４１】
副成分として、Niを、NiOに換算して、１．２質量％含有し、０.８質量％以下という条件を満たしていない試料No.１２及び試料No.３０では、抗電界不良が発生している。更に、副成分としてWを、WO3に換算して、１．３質量％含有し、０.１〜１.０質量％の範囲という条件を満たしていない試料No.１８及び試料No.３６では、焼結不良を生じている。
【００４２】
上述した試料以外の試料、即ち、試料No.１、２、５〜８、１０、１１、１３〜１７、１９、２１、２３〜２６、２８、２９、３１〜３５は、組成式（１）において限定された（A、B、ａ、ｂ、ｃ）の範囲を満たし、又は、組成式（２）において限定された（A、B、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ）の範囲を満たしており、1050℃以下の従来よりも低い焼成温度でも、圧電歪定数ｄ３１及び抗電界の評価の点で，満足いく結果を示している。
【００４３】
更に詳しく検討すると、試料No.１〜４、１９〜２２は、Pbの量による特性の変化であり、本発明の範囲にないと、焼結不良（試料No.３、試料No.２１）が生じたり、抗電界の評価が悪くなる（試料No.４、２２）など、良好な特性が得られないことが分かる。
【００４４】
試料No.１３と試料No.１６との比較、及び、試料No.３１と試料No.３４との比較は、MeによるPbの置換効果を示しており、Meにより、圧電歪定数d３１の値がさらに大きくできることを意味している。
【００４５】
試料No.９と試料No.１０との比較、及び、試料No.２７と試料No.２８との比較は、副成分の置換量による抗電界の改善効果を示している。
【００４６】
試料No.１２及び１８、試料No.３０及び３６は、副成分の過剰の添加による圧電特性の劣化を示している。
【００４７】
２．圧電素子
（１）圧電素子の構造
本発明に係る圧電磁器組成物は、圧電トランス、圧電発音体、圧電センサ、圧電アクチュエータ、圧電超音波モータなどに好適なものである。図５は本発明に係る圧電磁器組成物を用いた積層型圧電素子の概念的一例を示す断面図、図６は図５に示した積層型圧電素子の内部電極配置を示す図、図７は図６に示した内部電極と対となる他の内部電極の配置を示す図である。図５〜図７を参照すると、本発明に係る圧電磁器組成物を用いて形成された圧電磁器素体１の内部に、多数の内部電極２１、２２が埋設されている。
【００４８】
内部電極２１、２２のうち、内部電極２１は、一端が圧電磁器素体１の相対向する両側面の一側面に導出され、側面に付与された端子電極３１と電気的に接続されている。内部電極２１の他端側は、圧電磁器素体１の他側面から間隔を隔てて配置されている。
【００４９】
内部電極２２は、一端が圧電磁器素体１の他側面に導出され、側面に付与された端子電極３２と電気的に接続されている。内部電極２２の他端側は、端子電極３１の付与された圧電磁器素体１の１側面から間隔を隔てている。
【００５０】
本発明によれば、上述した圧電素子を製造するにあたり、たとえば、1050℃前後の低温で焼成でき、このような低温焼成によっても、圧電特性をほとんど劣化させることがなく、従って、内部電極２１、２２に安価な金属を用いることができる。例えば、内部電極２１、２２にAgもしくはCuを含む金属を用いることができるようになる。
【００５１】
ところで、内部電極２１、２２にAgもしくはCuを含む金属を用いて積層型圧電素子を構成する場合、素子駆動中にAgもしくはCuの移動に起因するマイグレーションが発生し、素子の絶縁破壊を引き起こすことがあり、その防止手段として、所定量のWを添加することが有効であることは既に述べたとおりである。この場合のWの好ましい添加量は、主成分１モルの質量に対しWO3に換算して０.１〜１.０質量％の範囲であった。次に、積層型圧電素子におけるW添加による上記効果について、実験データをあげて説明する。
【００５２】
（２）圧電素子の製造
上述した積層型圧電素子は、図１の右分岐工程によって製造される。分岐工程に入る前の工程、つまり、原料の準備から圧電磁器組成物を得るまでの工程は、先に述べた単板圧電素子の試料を製造する場合と同じである。この工程において、実施例の組成として、試料No.７及び試料No.２５の組成を選択し、比較例の組成として、試料No.７及び試料No.２５において、WO3のみ無添加(表１、２においてWO3＝０)の組成とした。
【００５３】
上記工程を経て得られた圧電磁器組成物の粉体に、アクリル樹脂系の有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加え、ボールミルで混合して圧電磁器ペーストを調製した。
【００５４】
次に、この圧電磁器ペーストを、ドクターブレード法によりPET（ポリエチレンテフタレート）製のベースフィルム上に塗布し、所定厚みのグリーンシートを成形した。
【００５５】
次に、作製したグリーンシート上に、Ag:Pd比が8：2で構成される導電ペーストを用い、内部電極２１又は内部電極２２（図５〜図７参照）をスクリーン印刷した。
【００５６】
次に、内部電極２１を印刷したシートと、内部電極２２を印刷したシートとを、交互に繰り返し積層し、積層体を得た。積層枚数は、内部電極２１と、内部電極２２とによって挟まれる圧電層が１０層になるようにした。
【００５７】
このようにして得られた積層体を、加熱しながらプレスし、積層体グリーンチップとし、積層体グリーンチップを大気雰囲気中で脱脂(脱バインダ)した後、密閉容器に詰め、1050℃で２時間焼成した。
【００５８】
焼成後、素子端部にAuのスパッタリングによる外部電極３１、３２（図５〜図７参照）を施し、各層の内部電極２１、２２を一層おきに接続し、積層型圧電素子を完成させた。素子の外形は縦１０ｍｍ×横３０ｍｍとし、圧電層１層あたりの厚みは、３５μmとした。
【００５９】
上述の工程により、試料No.７および試料No.２５の圧電磁器組成物を用いた実施例の試験片を２０個、試料No.７及び試料No.２５においてWO3のみ無添加とした圧電磁器組成物を用いた比較例の試験片を２０個製造した。
【００６０】
（３）評価試験
上述した積層型圧電素子について、素子反りの評価と、耐湿負荷試験による評価を行なった。
【００６１】
反りの評価はレーザ式の３次元形状測定装置を用いて行った。焼成後素子をそのまま測定に供した。素子の面内を測定し、素子の凹凸を調べ、面内の最大の高低差を算出し、最大高さと最小高さを求め、その差を反りとした。この値が小さいほど素子の反り(変形)が小さいと言える。
【００６２】
また、端子電極形成後の素子を用いて、耐湿負荷試験を実施した。温度６０℃、湿度９０％RHの環境下に素子を置き、電圧を圧電層１層厚みあたりの電界が、１kV/mmになるようにDC電界を印加した。印加後、100hr経過後の素子の絶縁抵抗値を、試験前と比較した。絶縁抵抗値が、2桁以上低下した素子を不良として不良素子の発生数を調べた。
【００６３】
結果を、表３に示す。表３において、反りは、評価サンプル数２０個の平均値である。耐湿負荷試験は、素子の絶縁抵抗値が試験前に比べ試験後に２桁以上低下しているものを不合格品として、その数を記載してある。
【００６４】
【表３】
2006282411.tif 000003
まず、反りについては、比較例では、１８７μｍ、２０１μｍの非常に高い値を示している。これは、比較例ではWO3が存在しないため、素子焼成時に内部電極を構成するAgが圧電磁器中に拡散する部分と、拡散しない部分ができ、Agの拡散状態がまばらになるため、素子の焼結状態も不均一になり、その結果、素子が変形したものと考えられる。
【００６５】
これに対して、実施例のWO3添加素子は、反りが３８μｍ、３３μｍと、比較例よりも著しく小さくなっている。これは、内部電極を構成するAgが圧電磁器中に拡散しているため、焼結状態が均一になり焼成後の素子の変形が少ないものと考えられる。
【００６６】
次に、耐湿負荷試験の結果を検討するに、比較例では、２０個中１５個、２０個中１６個という極めて高い確率で、不合格品を生じている。これに対して、実施例では、不合格品が零であり、著しい改善効果が得られている。
【００６７】
よって、本発明の圧電磁器組成物中にWO3の添加効果が確認できたものと判断する。
【００６８】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】圧電素子試料の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】Pb0.98(Ti0.475 Zr0.525)O3を主成分として、WO3を０.５質量％添加した組成に対し、ZnOの含有量を変化させたときの圧電磁器密度の変化を示す図である。
【図３】組成式（１）に従った圧電磁器組成物を用いた試料のデータを、表１として示す図である。
【図４】組成式（２）に従った圧電磁器組成物を用いた試料のデータを、表２として示す図である。
【図５】本発明に係る圧電磁器組成物を用いた圧電アクチュエータの概念的一例を示す断面図である。
【図６】図５に示した積層型圧電素子の内部電極配置を示す平面図である。
【図７】図６に示した内部電極と対となる他の内部電極の配置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１                圧電磁器素体
２１                内部電極
２２                内部電極
３１                端子電極
３２                端子電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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