(57)【要約】【課題】  挿入損失が小さく、かつ小型化を目的とした設計が容易な誘電体積層フィルタを実現する。【解決手段】  薄い板状の誘電体シートを焼成してセラミック基板を作成し、その必要な面に、メッキ、スパッタ、蒸着等によって金属膜を形成する。続いて、エッチングによってパターン形成を行い、接着などで前記基板を積層して接合する。したがって、高温で焼成した誘電損失の小さい基板を共振器に用いることができ、作成したフィルタの挿入損失を小さくできる。また、基板の収縮による影響はなく、基板厚を正確に設定できるとともに、パターンの膜厚や位置精度を正確に制御できる。これによって、フィルタ特性のばらつきが小さくなり、設計が容易になるとともに、電極形状を複雑にでき、少ない枚数の基板で必要なパターンを形成することができ、薄型化および小型化を図ることができる。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼成後のセラミック基板に素子および配線をパターン形成したものを複数層積層して成る誘電体積層フィルタであって、
第１のセラミック基板の一方の面に形成される入出力容量パターンおよび前記入出力容量パターン以外の残余の部分に形成されるシールドパターンと、
前記第１のセラミック基板の他方の面に形成される複数の共振器パターンおよびそれを囲むシールドパターンと、
第２のセラミック基板の一方の面に形成される段間結合容量パターンとを備え、
前記第１のセラミック基板の他方の面と、前記第２のセラミック基板の他方の面とを接合して成ることを特徴とする誘電体積層フィルタ。
【請求項２】
前記第２のセラミック基板の他方の面に、前記第１のセラミック基板の他方の面に形成される共振器パターンおよびシールドパターンのうちの少なくとも一部分に対向する金属パターンを備え、
前記金属パターンを共振器パターンおよびシールドパターンのうちの対応部分と接合することで、前記第１のセラミック基板の他方の面と前記第２のセラミック基板の他方の面とを接合して成ることを特徴とする請求項１記載の誘電体積層フィルタ。
【請求項３】
前記セラミック基板の少なくとも一方には、少なくともセリアを含有し、９０％以上が正方晶ジルコニア粒子で成る第１相と、前記第１相中に分散されるアルミナ粒子で成る第２相とを含むジルコニア−アルミナ複合セラミック基板焼結体を用いることを特徴とする請求項１または２記載の誘電体積層フィルタ。
【請求項４】
セラミック基板を焼成し、
焼成後のセラミック基板に素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成し、
前記パターン形成されたセラミック基板を複数層積層して相互に固着して成ることを特徴とする誘電体積層フィルタの製造方法。
【請求項５】
前記セラミック基板間の接合を、接合面の対向部位に形成した金属パターン同士を接合することで実現することを特徴とする請求項４記載の誘電体積層フィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型かつ薄型で、高周波無線機器に好適に用いられる誘電体積層フィルタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の急速な情報技術の進歩および情報伝達量の増大に伴い、携帯電話、無線ＬＡＮなどの通信機器に使用される周波数は高周波側へ移行している。このような高周波の無線機器に好適に用いられるのが誘電体フィルタであり、その中でも小型かつ薄型化に好適なのが上記誘電体積層フィルタである。
【０００３】
図９は、典型的な従来技術の誘電体積層フィルタ１０１の構造を示す分解斜視図である。この誘電体積層フィルタ１０１は、大略的に、４枚の誘電体シート１１１〜１１４が積層されて構成されている。１枚目の最上部の誘電体シート１１１において、その上面にはシールドパターン１１５が形成され、裏面にはパターン形成されていない。２枚目の誘電体シート１１２において、その上面には入出力容量パターン１２１，１２２および段間結合容量パターン１２３が形成され、裏面にはパターン形成されていない。３枚目の誘電体シート１１３において、その上面には共振器パターン１３１，１３２が形成され、裏面にはパターン形成されていない。４枚目の最下部の誘電体シート１１４において、その上面にはシールドパターン１４１が形成され、裏面にはパターン形成されていない。積層状態の各側面には、それぞれ電極１５１〜１５４が形成され、前記入出力容量パターン１２１，１２２にそれぞれ接続される電極１５１，１５２は入力端子となり、前記シールドパターン１１５，１４１にそれぞれ接続される電極１５３，１５４はＧＮＤ端子となる。
【０００４】
そして、この誘電体積層フィルタ１０１の製造工程としては、たとえば特許文献１に示されているが、簡単に説明すると、図１０で示すように、グリーンシート化された各誘電体シート１１１〜１１４に、シールドパターン１１５，１４１、入出力容量パターン１２１，１２２、共振器パターン１３１，１３２および電極１５１〜１５４などの金属パターンを、金、銀、銅などの導電率の高い金属ペーストで印刷形成した後、積層し、一体焼成される。
【特許文献１】特開２００２−２６１５０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら上述のように金属パターンを印刷後に焼成する方法では、誘電体シート１１１〜１１４の材料としてＬＴＣＣ（Low Temparature Co-fired Ceramic：低温焼成セラミック基板）を用いる必要がある。このＬＴＣＣの焼成温度は、１０００℃以下、たとえば９５０℃での焼成となる。ここで、セラミック基板は、焼成温度が高い程、誘電損失を小さくでき、作成したフィルタの挿入損失を小さくできる。したがって、上記従来技術の場合、セラミック基板における損失が大きくなり、フィルタの挿入損失が大きいという問題がある。
【０００６】
また、上述のように金属パターンを印刷後に焼成すると、焼成によって誘電体シートおよび各金属パターンはそれぞれ数十％程度収縮する。一方、印刷による厚みにもばらつきが生じる。したがって、上記従来技術では、フィルタ特性のばらつきが大きくなり、設計が困難になるという問題もある。
【０００７】
本発明の目的は、挿入損失が小さく、かつ小型化を目的とした設計が容易な誘電体積層フィルタおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の誘電体積層フィルタは、焼成後のセラミック基板に素子および配線をパターン形成したものを複数層積層して成る誘電体積層フィルタであって、第１のセラミック基板の一方の面に形成される入出力容量パターンおよび前記入出力容量パターン以外の残余の部分に形成されるシールドパターンと、前記第１のセラミック基板の他方の面に形成される複数の共振器パターンおよびそれを囲むシールドパターンと、第２のセラミック基板の一方の面に形成される段間結合容量パターンとを備え、前記第１のセラミック基板の他方の面と、前記第２のセラミック基板の他方の面とを接合して成ることを特徴とする。
【０００９】
上記の構成によれば、焼成後のセラミック基板に素子および配線をパターン形成するので、セラミック基板を前記ＬＴＣＣなどに比べて高い温度で焼成することができ、誘電損失の小さいセラミック基板を共振器に用いることができる。これによって、作成したフィルタの挿入損失を小さくすることができる。
【００１０】
また、焼成後のセラミック基板に素子および配線をパターン形成するので、収縮による影響はなく、基板厚を正確に設定することができるとともに、パターン形成を蒸着などによって行うことで、膜厚や位置精度を正確に制御することができる。これによって、フィルタ特性のばらつきが小さくなり、設計が容易になるとともに、電極形状を複雑にできるので、上述のように２枚の基板だけでフィルタに必要なパターンを形成することができ、さらに薄型化および小型化を図ることができる。
【００１１】
また、本発明の誘電体積層フィルタは、前記第２のセラミック基板の他方の面に、前記第１のセラミック基板の他方の面に形成される共振器パターンおよびシールドパターンのうちの少なくとも一部分に対向する金属パターンを備え、前記金属パターンを共振器パターンおよびシールドパターンのうちの対応部分と接合することで、前記第１のセラミック基板の他方の面と前記第２のセラミック基板の他方の面とを接合して成ることを特徴とする。
【００１２】
上記の構成によれば、焼成後のセラミック基板にパターン形成したものを接合するにあたって、接合面となる第１のセラミック基板の他方の面に形成される共振器パターンおよびシールドパターンを利用し、対向する第２のセラミック基板の他方の面に、前記共振器パターンおよびシールドパターンの少なくとも一部分に対向する金属パターンを形成しておき、それら金属の接合によって前記第１のセラミック基板の他方の面と前記第２のセラミック基板の他方の面との接合を行う。すなわち、前記共振器パターンおよびシールドパターンにおける前記少なくとも一部分を、２枚のセラミック基板に分割形成する。共振器パターンおよびシールドパターンにおける抵抗、インダクタンス、容量などは、接合によって一体化された状態での厚みを前提として設計される。
【００１３】
前記金属パターンの接合は、たとえば導電ペーストを塗布した後、２枚のセラミック基板を貼り合せることによって実現され、或いは２枚のセラミック基板を密着させて金属パターン同士を密着させた状態で加熱し、金属を拡散させることによって実現される。前記金属パターンは、それぞれのセラミック基板に、たとえばメッキ、スパッタ、蒸着などによって強固に貼り付けられており、この金属パターンを利用して２枚の焼成後のセラミック基板を貼り合せることで積層構造を実現しても、強固に貼り合せを行うことができる。
【００１４】
さらにまた、本発明の誘電体積層フィルタは、前記セラミック基板の少なくとも一方には、少なくともセリアを含有し、９０％以上が正方晶ジルコニア粒子で成る第１相と、前記第１相中に分散されるアルミナ粒子で成る第２相とを含むジルコニア−アルミナ複合セラミック基板焼結体を用いることを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、ジルコニア−アルミナ複合セラミック基板焼結体は、比誘電率が３０以上、誘電正接が０．０００１以下、破壊靭性値が、１８．５ＭＰａ・ｍ１／２であり、材料損失が小さいとともに、薄い板状に焼成しても割れにくい材料であり、製造し易いという利点を有する。前記ジルコニア−アルミナ複合セラミック基板の焼結温度は、１２００℃以上、１５００℃以下が好ましい。
【００１６】
また、本発明の誘電体積層フィルタの製造方法は、セラミック基板を焼成し、焼成後のセラミック基板に素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成し、前記パターン形成されたセラミック基板を複数層積層して相互に固着して成ることを特徴とする。
【００１７】
上記の構成によれば、焼成後のセラミック基板に素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成するので、セラミック基板を前記ＬＴＣＣなどに比べて高い温度で焼成することができ、誘電損失の小さいセラミック基板を共振器に用いることができる。これによって、作成したフィルタの挿入損失を小さくすることができる。
【００１８】
また、焼成後のセラミック基板に素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成するので、収縮による影響はなく、基板厚を正確に設定することができるとともに、パターン形成を蒸着などによって行うことで、膜厚や位置精度を正確に制御することができる。これによって、フィルタ特性のばらつきが小さくなり、設計が容易になるとともに、電極形状を複雑にできるので、少ない基板数でフィルタに必要なパターンを形成することができ、さらに薄型化および小型化を図ることができる。
【００１９】
さらにまた、本発明の誘電体積層フィルタの製造方法は、前記セラミック基板間の接合を、接合面の対向部位に形成した金属パターン同士を接合することで実現することを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、焼成後のセラミック基板にパターン形成したものを接合するにあたって、共振器パターンやシールドパターンなどの接合面に形成される金属パターンを利用し、対向するもう一方のセラミック基板側の接合面に、前記の金属パターンの少なくとも一部分に対向する金属パターンをダミーで形成しておき、それら金属の接合によってセラミック基板間の接合を行う。もちろん、前記共振器パターンやシールドパターンなどの本来の金属パターンにおける抵抗、インダクタンス、容量などは、接合によって増加する厚みを前提として設計される。
【００２１】
前記金属の接合は、たとえば導電ペーストを塗布した後、２枚のセラミック基板を貼り合せることによって実現され、或いは２枚のセラミック基板を密着させて金属パターン同士を密着させた状態で加熱し、金属を拡散させることによって実現される。前記金属パターンは、それぞれのセラミック基板に、たとえばメッキ、スパッタ、蒸着などによって強固に貼り付けられており、この金属パターンを利用して２枚のセラミック基板を貼り合せることで、焼成後のセラミック基板を貼り合せることで積層構造を実現しても、強固に貼り合せを行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の誘電体積層フィルタおよびその製造方法によれば、以上のように、焼成後のセラミック基板に素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成するので、セラミック基板を前記ＬＴＣＣなどに比べて高い温度で焼成することができ、誘電損失の小さいセラミック基板を共振器に用いることができる。これによって、作成したフィルタの挿入損失を小さくすることができる。また、焼成後のセラミック基板に素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成することで、収縮による影響はなく、基板厚を正確に設定することができるとともに、パターン形成を蒸着などによって行うことで、膜厚や位置精度を正確に制御することができる。これによって、フィルタ特性のばらつきが小さくなり、設計が容易になるとともに、電極形状を複雑にできるので、少ない基板数でフィルタに必要なパターンを形成することができ、さらに薄型化および小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
［実施の形態１］
図１および図２は、本発明の実施の一形態に係る誘電体積層フィルタ１の構造を示す分解斜視図であり、図１は上方から見た図であり、図２は下方から見た図である。また、図３は、その誘電体積層フィルタ１の組立て状態を示す縦断面図である。注目すべきは、本発明の誘電体積層フィルタ１は、大略的に、焼成後、パターン形成された２枚のセラミック基板１０，２０が積層されて構成されていることである。前記セラミック基板１０，２０の厚さは、使用される周波数や該セラミック基板１０，２０の比誘電率等により異なるけれども、たとえば後述のように比誘電率３０の材料を用いて、５ＧＨｚ近傍で使用するフィルタの場合、０．１ｍｍ程度である。
【００２４】
下層側の第１のセラミック基板１０の一方の面１１には、側端から延びる矩形状の入出力容量パターン１３ａ，１３ｂが相互に対称に、かつ対向して形成されるとともに、その入出力容量パターン１３ａ，１３ｂ以外の残余の部分に、該入出力容量パターン１３ａ，１３ｂと予め定める間隔を開けてシールドパターン１４が形成されている。一方、前記第１のセラミック基板１０の他方の面１２には、大略的にＪ字状の共振器パターン１５ａ，１５ｂが相互に対称に、かつ対向して形成されるとともに、その共振器パターン１５ａ，１５ｂを囲むシールドパターン１６ａ，１６ｂが形成されている。また、第１のセラミック基板１０の一方の対の側面には、表裏のシールドパターン１４と１６ａ，１６ｂとの間を接続するためのシールドパターン１７ａ，１７ｂが形成されている。さらにまた、第１のセラミック基板１０の他方の対の側面には、前記入出力容量パターン１３ａ，１３ｂから延びる電極パターン１８ａ，１８ｂが形成されている。
【００２５】
これに対して、上層側の第２のセラミック基板２０の一方の面２１には、平板状の段間結合容量パターン２３が形成されており、この第２のセラミック基板２０の他方の面２２および側面には、パターン形成されていない。そして、第１のセラミック基板１０の他方の面１２と第２のセラミック基板２０の他方の面２２とを接合し、それらの接合面に形成される共振器パターン１５ａ，１５ｂおよびシールドパターン１６ａ，１６ｂ等の金属パターンのない部分に、エポキシ樹脂などの接着剤３０を塗布することで相互に固着している。前記金属パターン上に接着剤３０が付着すると、該接着剤３０の誘電率や材料損失がフィルタ特性に影響してしまうけれども、金属パターン以外の部分であれば、比較的影響が小さい状態でセラミック基板１０，２０を容易に接合することができる。
【００２６】
前記第１のセラミック基板１０と第２のセラミック基板２０のとの少なくとも一方には、少なくともセリア（ＣｅＯ２）を含有し、９０％以上が正方晶ジルコニア粒子で成る第１相と、前記第１相中に分散されるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子で成る第２相とを含むジルコニア−アルミナ複合セラミック基板焼結体が用いられる。上記ジルコニア−アルミナ複合セラミック基板焼結体については、特開２００３−５５０４４号公報に詳しく記載されている。そして、このジルコニア−アルミナ複合セラミック基板の焼結温度は、１２００℃以上、１５００℃以下である。
【００２７】
図４は、上述のように構成される誘電体積層フィルタ１の等価回路図である。入力端子Ｐ１（前記入出力容量パターン１３ａ）と１段目の共振器Ｒ１（共振器パターン１５ａ）とは入力容量Ｃｉｎを介して接続され、１段目の共振器Ｒ１と２段目の共振器Ｒ２（共振器パターン１５ｂ）との間は、段間結合容量Ｃｃ（段間結合容量パターン２３）および該共振器Ｒ１，Ｒ２間の電磁界結合で接続され、共振器Ｒ２と出力端子Ｐ２（前記入出力容量パターン１３ｂ）とは出力容量Ｃｏｕｔを介して接続されている。
【００２８】
図５は、上述のように構成される誘電体積層フィルタ１の通過特性を示すグラフである。共振器Ｒ１およびＲ２を結合する段間結合容量Ｃｃを適当な値にすることで、Ｒ１およびＲ２の電磁界結合と共振を生じるので、通過帯域（前記５ＧＨｚ程度）の近傍に減衰極を構成している。図５の例では、通過帯域の下側に減衰極を構成しているが、断間結合容量Ｃｃを調整することで、通過帯域の上側に減衰極を構成することも容易にできる。
【００２９】
図６は、上述のように構成される誘電体積層フィルタ１の製造工程を説明するためのフローチャートである。本実施の形態では、前記のジルコニア−アルミナ複合セラミックの誘電体シートを前記０．１ｍｍ程度の薄い板状に形成し、上記の温度で焼成することで前記セラミック基板１０，２０を作成する。その後、それらのセラミック基板１０，２０の必要な面に、メッキ、スパッタ、蒸着等によって、金属膜が形成される。続いて、エッチングによって、前記入出力容量パターン１３ａ，１３ｂ、共振器パターン１５ａ，１５ｂ、シールドパターン１４；１６ａ，１６ｂ；１７ａ，１７ｂ、電極パターン１８ａ，１８ｂおよび段間結合容量パターン２３等のパターン形成が行われ、前記接着剤３０によって２枚のセラミック基板１０，２０が相互に積層されて接合される。
【００３０】
このように焼成後のセラミック基板１０，２０に、素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成することで、従来は金属パターンと一体に焼成していたために、誘電体材料として材料損失の大きいＬＴＣＣを用いる必要があり、フィルタの挿入損失が大きかったのに対して、本発明では、高温で焼成した誘電損失の小さいセラミック基板を共振器に用いることができる。これによって、作成したフィルタの挿入損失を小さくすることができる。
【００３１】
また、焼成後のセラミック基板１０，２０に、素子、配線およびシールドの少なくとも１つをパターン形成するので、セラミック基板１０，２０の収縮による影響はなく、基板厚を正確に設定することができるとともに、パターン形成を、前記メッキ、スパッタ、蒸着等によって行うことで、膜厚や位置精度を正確に制御することができる。これによって、フィルタ特性のばらつきが小さくなり、設計が容易になるとともに、電極形状を複雑にできるので、上述のように２枚のセラミック基板１０，２０だけでフィルタに必要なパターンを形成することができ、さらに薄型化および小型化を図ることができる。
【００３２】
さらにまた、セラミック基板１０，２０に、前記ジルコニア−アルミナ複合セラミック基板焼結体を用いることで、該ジルコニア−アルミナ複合セラミック基板焼結体は、比誘電率が前記３０以上、誘電正接が０．０００１以下、破壊靭性値が、１８．５ＭＰａ・ｍ１／２であり、材料損失が小さいとともに、薄い板状に焼成しても割れにくい材料であり、製造し易いという利点を有する。前記ジルコニア−アルミナ複合セラミック基板の焼結温度は、１２００℃以上、１５００℃以下が好ましい。
【００３３】
［実施の形態２］
図７および図８は、本発明の実施の他の形態に係る誘電体積層フィルタ３１の構造を示す分解斜視図であり、図７は上方から見た図であり、図８は下方から見た図である。この誘電体積層フィルタ３１は、前述の誘電体積層フィルタ１に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。この誘電体積層フィルタ３１でも、焼成後、パターン形成された２枚のセラミック基板１０，２０が積層されて構成される。そして、下層側の第１のセラミック基板１０の一方の面１１には、入出力容量パターン１３ａ，１３ｂおよびシールドパターン１４が形成され、側面には、シールドパターン１７ａ，１７ｂおよび電極パターン１８ａ，１８ｂが形成され、上層側の第２のセラミック基板２０の一方の面２１には、段間結合容量パターン２３が形成されている点は、上述の誘電体積層フィルタ１と同様である。
【００３４】
注目すべきは、この誘電体積層フィルタ３１では、前記第２のセラミック基板２０の他方の面２２にも、前記第１のセラミック基板１０の他方の面１２と同様の共振器パターン４５ａ，４５ｂおよびシールドパターン４６ａ，４６ｂが形成されていることである。これに対応して、前記第１のセラミック基板１０の他方の面１２における共振器パターン３５ａ，３５ｂおよびシールドパターン３６ａ，３６ｂは、薄膜に形成されている。
【００３５】
前記誘電体積層フィルタ１と同一特性の場合、後述のように、２枚のセラミック基板１０，２０が導電ペーストによって接合されるとき、これらの共振器パターン４５ａ，４５ｂ；３５ａ，３５ｂ間およびシールドパターン４６ａ，４６ｂ；３６ａ，３６ｂ間に介在されるその導電ペーストの厚みも考慮して、共振器パターン４５ａ，４５ｂ；３５ａ，３５ｂおよびシールドパターン４６ａ，４６ｂ；３６ａ，３６ｂの膜厚が決定される。また、２枚のセラミック基板１０，２０が、共振器パターン４５ａ，４５ｂ；３５ａ，３５ｂおよびシールドパターン４６ａ，４６ｂ；３６ａ，３６ｂの金属を拡散させることによって接合されるとき、これらの共振器パターン４５ａ，４５ｂ；３５ａ，３５ｂおよびシールドパターン４６ａ，４６ｂ；３６ａ，３６ｂの膜厚は、前記共振器パターン１５ａ，１５ｂおよびシールドパターン１６ａ，１６ｂの膜厚の１／２に設定される。
【００３６】
すなわち、前記共振器パターン１５ａ，１５ｂおよびシールドパターン１６ａ，１６ｂを成す金属膜が、２枚のセラミック基板１０，２０に分割形成され、前記メッキ、スパッタ、蒸着等によってセラミック基板１０，２０に強固に接合されるその金属同士を接合することで、前記接着剤３０を用いることなく、２枚のセラミック基板１０，２０を接合するものである。
【００３７】
良好なフィルタ特性は、適切な段間結合容量を共振器に接続したときに得られるが、第１のセラミック基板１０と第２のセラミック基板２０とを接合するときに、第１のセラミック基板１０の他方の面１２に形成された前記共振器パターン１５ａ，１５ｂおよびシールドパターン１６ａ，１６ｂを成す金属パターンと、第２のセラミック基板２０の他方の面２２との間にわずかな隙間が生じたり、金属パターンの上に接着剤が付着することで所望の段間結合容量が得られないことがある。そこで本実施形態のように、前記金属パターンを分割形成し、第１のセラミック基板１０の他方の面１２と第２のセラミック基板２０の他方の面２２とを接合すれば、それらの金属パターン同士が接触し、安定して所望の段間結合容量を得ることができる。その結果、安定して良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００３８】
前記共振器パターン４５ａ，４５ｂ；３５ａ，３５ｂおよびシールドパターン４６ａ，４６ｂ；３６ａ，３６ｂにおける抵抗、インダクタンス、容量などは、接合によって一体化された状態での厚みを前提として設計される。また、上述の説明では、セラミック基板１０の他方の面１２に形成される総ての金属パターンが２枚のセラミック基板１０，２０に分割形成されたけれども、たとえば厚みのばらつきが比較的許容できるシールドパターン１６ａ，１６ｂだけを分割形成するというように、セラミック基板１０，２０の接合のために、一部の金属パターンだけが分割形成されてもよい。
【００３９】
前記金属パターンの接合は、たとえば銀ペーストのような導電性接着剤を塗布した後、２枚のセラミック基板１０，２０を貼り合せることによって実現され、これによって金属パターン同士の導通を確保しつつ、接合することができる。或いは、金属パターンの材料として金または錫などを用い、第１のセラミック基板１０の他方の面１２に第２のセラミック基板２０の他方の面２２を密着させて金属パターン同士を密着させた状態で加熱し、金属を拡散させることによって実現することができる。この場合、金属パターンの導通を確保しつつ、接着のための誘電体（接着剤や銀ペースト内のエポキシ樹脂など）を用いずに接合でき、設計が容易にできるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の一形態に係る誘電体積層フィルタの構造を示す上方から見た分解斜視図である。
【図２】本発明の実施の一形態に係る誘電体積層フィルタの構造を示す下方から見た分解斜視図である。
【図３】図１および図２で示す誘電体積層フィルタの組立て状態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の誘電体積層フィルタの等価回路図である。
【図５】本発明の誘電体積層フィルタの通過特性を示すグラフである。
【図６】本発明の誘電体積層フィルタの製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図７】本発明の実施の他の形態に係る誘電体積層フィルタの構造を示す上方から見た分解斜視図である。
【図８】本発明の実施の他の形態に係る誘電体積層フィルタの構造を示す下方から見た分解斜視図である。
【図９】典型的な従来技術の誘電体積層フィルタの構造を示す分解斜視図である。
【図１０】従来の誘電体積層フィルタの製造工程を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００４１】
１，３１    誘電体積層フィルタ
１０，２０    セラミック基板
１１，２１    一方の面
１２，２２    他方の面
１３ａ，１３ｂ    入出力容量パターン
１４；１６ａ，１６ｂ；１７ａ，１７ｂ    シールドパターン
１５ａ，１５ｂ    共振器パターン
１８ａ，１８ｂ    電極パターン
２３    段間結合容量パターン
３０    接着剤
３５ａ，３５ｂ；４５ａ，４５ｂ    共振器パターン
３６ａ，３６ｂ；４６ａ，４６ｂ    シールドパターン
Ｒ１    １段目の共振器
Ｒ２    ２段目の共振器
Ｃｉｎ  入力容量
Ｃｃ    段間結合容量
Ｃｏｕｔ    出力容量
【図１】
2006080880.tif 000003
【図２】
2006080880.tif 000004
【図３】
2006080880.tif 000005
【図４】
2006080880.tif 000006
【図６】
2006080880.tif 000007
【図７】
2006080880.tif 000008
【図８】
2006080880.tif 000009
【図９】
2006080880.tif 000010
【図１０】
2006080880.tif 000011
【図５】
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