(57)【要約】【課題】ＲＦ素子でＲＦテスト及びＤＣテストが可能な装置及び方法を提供する。【解決手段】ＲＦ線と、ＲＦ線に連結されたＤＣ線と、ＤＣ線と接地との間に連結されたキャパシタとを備え、ＲＦ線及びＤＣ線それぞれを通じてＲＦ信号端子からのＲＦ信号及びＤＣ信号を伝達するテストのための装置である。これにより、ＲＦ線上にＤＣ線を追加しても、ＲＦ信号の共振現象なしにＲＦ信号テスト帯域が確保される。ＤＣ線上には、計算された位置にオープンスタブのためのキャパシタを有し、ＤＣ線上の任意の位置にキャパシタを設置しようとする場合には、ＬＣ補助回路が利用される。【選択図】図６
2006345526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ線と、
前記ＲＦ線に連結されたＤＣ線と、
前記ＤＣ線と接地との間に連結されたキャパシタと、を備え、
前記ＲＦ線及び前記ＤＣ線それぞれを通じてＲＦ信号端子からのＲＦ信号及びＤＣ信号を伝達することを特徴とするテストのための装置。
【請求項２】
前記キャパシタにより、前記ＤＣ線は、オープンスタブとして動作することを特徴とする請求項１に記載のテストのための装置。
【請求項３】
前記キャパシタの前記ＤＣ線上の位置は、前記ＲＦ信号の周波数及び前記ＲＦ線の特性により決定されることを特徴とする請求項１に記載のテストのための装置。
【請求項４】
前記キャパシタの前記ＤＣ線上の位置は、前記ＲＦ線に前記ＤＣ線が接続された点から前記ＲＦ信号の波長の１／４位置であることを特徴とする請求項１に記載のテストのための装置。
【請求項５】
前記キャパシタの前記ＤＣ線上の位置は、前記ＲＦ線に前記ＤＣ線が接続された点から前記ＲＦ信号の波長の３／４位置であることを特徴とする請求項１に記載のテストのための装置。
【請求項６】
前記キャパシタのキャパシタンス値は、前記ＤＣ信号の歪曲のない範囲内に決定されることを特徴とする請求項１に記載のテストのための装置。
【請求項７】
前記ＤＣ線に挿入され、前記ＲＦ信号の共振特性を変更させる補助回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のテストのための装置。
【請求項８】
前記キャパシタ及び前記補助回路により、前記ＤＣ線は、オープンスタブとして動作することを特徴とする請求項７に記載のテストのための装置。
【請求項９】
前記補助回路は、前記ＤＣ線上の任意の位置に挿入されることを特徴とする請求項７に記載のテストのための装置。
【請求項１０】
前記補助回路は、
前記キャパシタの前記ＤＣ線との接点と、前記挿入により分離された前記ＤＣ線上の点との間に接続されたインダクタと、
前記インダクタと並列連結された補助キャパシタと、を備えることを特徴とする請求項７に記載のテストのための装置。
【請求項１１】
前記インダクタのインダクタンス値及び前記補助キャパシタのキャパシタンス値は、前記ＲＦ線に前記ＤＣ線が接続された点から、前記インダクタ及び前記補助キャパシタが前記ＤＣ線に挿入される点までの距離により決定されることを特徴とする請求項１０に記載のテストのための装置。
【請求項１２】
前記ＲＦ線に挿入されたインピーダンスマッチング回路をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のテストのための装置。
【請求項１３】
前記ＲＦ信号端子と前記インピーダンスマッチング回路との間で、前記ＤＣ線が前記ＲＦ線に接続されることを特徴とする請求項１２に記載のテストのための装置。
【請求項１４】
ＲＦ線にＤＣ線が連結された前記ＲＦ線を利用して、ＲＦ信号端子からのＲＦ信号を測定するステップと、
前記ＲＦ線に連結された前記ＤＣ線を利用して、前記ＲＦ信号端子からのＤＣ信号を測定するステップと、を含み、
前記ＤＣ線と接地との間には、キャパシタが接続されることを特徴とするテストのための方法。
【請求項１５】
前記キャパシタにより、前記ＤＣ線は、オープンスタブとして動作することを特徴とする請求項１４に記載のテストのための方法。
【請求項１６】
前記キャパシタの前記ＤＣ線上の位置は、前記ＲＦ信号の周波数及び前記ＲＦ線の特性により決定されることを特徴とする請求項１４に記載のテストのための方法。
【請求項１７】
前記キャパシタの前記ＤＣ線上の位置は、前記ＲＦ線に前記ＤＣ線が接続された点から前記ＲＦ信号の波長の１／４位置であることを特徴とする請求項１４に記載のテストのための方法。
【請求項１８】
前記キャパシタの前記ＤＣ線上の位置は、前記ＲＦ線に前記ＤＣ線が接続された点から前記ＲＦ信号の波長の３／４位置であることを特徴とする請求項１４に記載のテストのための方法。
【請求項１９】
前記キャパシタのキャパシタンス値は、前記ＤＣ信号の歪曲のない範囲内に決定されることを特徴とする請求項１４に記載のテストのための方法。
【請求項２０】
前記ＤＣ線上の任意の位置に並列に挿入されるインダクタ及び補助キャパシタを利用することを特徴とする請求項１４に記載のテストのための方法。
【請求項２１】
前記挿入されたインダクタ及びキャパシタは、前記ＲＦ信号の共振特性を変更させることを特徴とする請求項２０に記載のテストのための方法。
【請求項２２】
前記キャパシタ、前記挿入されたインダクタ及び補助キャパシタにより、前記ＤＣ線は、オープンスタブとして動作することを特徴とする請求項２０に記載のテストのための方法。
【請求項２３】
前記インダクタのインダクタンス値及び前記補助キャパシタのキャパシタンス値は、前記ＲＦ線に前記ＤＣ線が接続された点から、前記インダクタ及び前記補助キャパシタが前記ＤＣ線に挿入される点までの距離により決定されることを特徴とする請求項２０に記載のテストのための方法。
【請求項２４】
前記ＲＦ線に挿入されたインピーダンスマッチング回路を利用することを特徴とする請求項２０に記載のテストのための方法。
【請求項２５】
前記ＲＦ信号端子と前記インピーダンスマッチング回路との間で、前記ＤＣ線が前記ＲＦ線に接続されることを特徴とする請求項２４に記載のテストのための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）素子のテストに係り、特に一つの装置でＲＦ及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）テストを支援する装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、ＲＦ素子をテストする一般的なシステム１０を示すブロック図である。図１に示すように、システム１０は、テストボードに備えられたＲＦ素子１１、及びＡＴＥ（Ａｕｔｏ−Ｔｅｓｔ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）１２を備える。ＲＦ素子１１の出力信号の特性を測定するために、ＲＦ素子１１の任意のＲＦ出力信号端子（または、ピン）とＡＴＥ１２のＲＦポートとは、ＲＦ線１５を通じて連結される。ＡＴＥ１２は、ＲＦポートを通じてＲＦ線１５から受信されるＲＦ信号の特性を測定できる。
ＡＴＥ１２は、ＲＦポートを通じてＤＣ信号を受信できない。これは、ＡＴＥ１２のＲＦポートで受信できる信号の大きさが数ｍＶ以内に限定されているためであり、ＡＴＥ１２のＲＦポートにＤＣ信号が受信されると、内部回路が損傷を受ける。このため、ＲＦ線１５は、ＤＣ成分を遮断するキャパシタを備えうる。
【０００３】
また、ＤＣ信号の測定のために、ＤＣ線１６がＡＴＥ１２のデジタルオプションに連結されうる。しかし、図１のように、ＤＣ線１６がＲＦ線１５に連結された場合に、ＡＴＥ１２がＲＦ素子１１のＲＦ信号出力端子からＤＣ線１６を通じてＤＣ信号を受信すれば、ＲＦ線１５が影響を受けうる。すなわち、ＲＦ線１５上にＤＣ線１６が連結されることにより、ＲＦテスト時にＲＦ線１５に伝達される信号に共振現象が発生し、パワーが減少して、ＲＦ線１５に沿って信号が正常に伝送されないことがある。したがって、ＡＴＥ１２のＲＦポート及びＲＦ素子１１のＲＦ信号出力端子を連結する線１５上にＤＣ線１６を連結しないのが近時の傾向である。
【０００４】
例えば、ＲＦ線１５の長さを５０ｍｍ、ＤＣ線１６の長さを２２０ｍｍとして、３Ｇｈｚ帯域までのＲＦ信号伝送の特性グラフが図２Ａ及び図２Ｂに示されている。図２Ａを参照すれば、ＤＣテストのための線１６を追加しない場合の反射量２１は、−４０ｄＢ以下であるが、ＤＣテストのための線１６を追加した場合の反射量２２は、それ以上である。図２Ｂを参照すれば、ＤＣテストのための線１６を追加しない場合の損失量２５はほとんどないが、ＤＣテストのための線１６を追加した場合の損失量２６は、共振による伝送損失により非常に大きく表れる。したがって、ＲＦ素子１１のＲＦ信号出力端子に対するＤＣテストは行われていない。
【０００５】
しかし、ＲＦ信号を出力するＲＦ素子１１の端子に連結された内部回路やＲＦ信号端子自体の連結状態を検証するために、ＲＦ端子についてのＤＣテストの要求が増大している。それは、ＲＦ特性の測定のみでは、ＲＦ信号端子を十分に検証できないという問題点があるためである。すなわち、ＲＦ素子１１から伝送されるＲＦ信号の周波数帯域が高いほど、隣接信号間のカップリングが大きくなる。これにより、ＲＦ信号が物理的に連結されていない隣接端子により影響を受けるならば、内部回路に連結されていないＲＦ信号端子が正常的なＲＦ信号を出力すると誤認されうる。
【０００６】
例えば、ＲＦ素子１１のＲＦ信号端子は、正常な場合にボンディングワイヤを通じて内部回路と連結されている。このとき、ボンディングの不良時に、ボンディングワイヤがＲＦ信号端子に連結されたボンディングパッドから分離離脱されうる。しかし、ＲＦ信号の前記のような特性上、隣接するボンディングワイヤ、端子またはピンから不良ＲＦ端子にＲＦ信号が誘導され、これにより、不良ＲＦ端子を選別し難いという問題点がある。かかる不良ＲＦ信号端子の選別のために、簡単な開放／短絡テストを実施できるが、こうしたテストでは、まだ正確に選別できない多くの場合に対応し難いという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、ＲＦ線にＤＣテストのための線を追加しても、共振現象なしにＲＦ信号テスト帯域を確保できるテストのための装置を提供することである。
【０００８】
本発明が解決しようとする他の課題は、ＲＦ信号テスト帯域を確保するために、ＲＦ線にＤＣテストのための線を追加してテストする方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するための本発明の一面によるテストのための装置は、ＲＦ線と、ＲＦ線に連結されたＤＣ線と、ＤＣ線と接地との間に連結されたキャパシタを備え、ＲＦ線及びＤＣ線それぞれを通じてＲＦ信号端子からのＲＦ信号及びＤＣ信号を伝達することを特徴とする。
【００１０】
キャパシタのキャパシタンス値は、ＤＣ信号の歪曲のない範囲内に決定され、キャパシタにより、ＤＣ線は、オープンスタブとして動作することを特徴とする。キャパシタのＤＣ線上の位置は、ＲＦ信号の周波数及びＲＦ線の特性により決定され、ＲＦ線にＤＣ線が接続された点からＲＦ信号の波長の１／４位置または１／４位置で１／２位置の倍数を加算した位置などにする。
【００１１】
本発明の他の面によるテストのための装置は、ＤＣ線に挿入され、ＲＦ信号の共振特性を変更させる補助回路をさらに備える。補助回路は、インダクタ及び補助キャパシタを備え、ＤＣ線上の任意の位置に挿入され、キャパシタ及び補助回路により、ＤＣ線は、オープンスタブとして動作することを特徴とする。インダクタのインダクタンス値及び補助キャパシタのキャパシタンス値は、ＲＦ線にＤＣ線が接続された点から、インダクタ及び補助キャパシタがＤＣ線に挿入される点までの距離により決定される。
【００１２】
前記他の課題を解決するための本発明の一面によるテスト方法は、ＲＦ線にＤＣ線が連結されたＲＦ線を利用して、ＲＦ信号端子からのＲＦ信号を測定するステップ、及びＲＦ線に連結されたＤＣ線を利用して、ＲＦ信号端子からのＤＣ信号を測定するステップを含み、ＤＣ線と接地との間には、キャパシタが接続されることを特徴とする。
【００１３】
他の課題を解決するための本発明の他の面によるテスト方法は、ＤＣ線上の任意の位置に並列に挿入されるインダクタ及び補助キャパシタを利用できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によるテストのための装置では、キャパシタ及び補助回路を利用してＲＦ線にＤＣテストのための線を追加しても、共振現象が抑制され、ＲＦ信号テスト帯域が確保されるので、一つの装置でＲＦテスト及びＤＣテストが可能であり、それを利用して容易にＲＦ素子の不良ＲＦ信号端子を選別できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明と、本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照せねばならない。
【００１６】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することにより、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同じ部材を示す。
【００１７】
図３は、本発明の一実施形態によるテストのための装置３０を示すブロック図である。図３に示すように、装置３０は、ＲＦ線３４、ＤＣ線３５、インピーダンスマッチング回路３３、及びキャパシタ３６を備える。
【００１８】
テストのための装置３０は、ＲＦ素子のＲＦ信号を出力する端子とＡＴＥとの間に連結されて、ＲＦ信号出力端子のＲＦテストはもとより、ＤＣテストも可能に動作する。ＲＦ素子のＲＦ信号出力端子は、正常な場合にはボンディングワイヤを通じて内部回路と連結されているが、例えばボンディングの不良時には、ボンディングワイヤがＲＦ信号出力端子に連結されたボンディングパッドから分離離脱されうる。装置３０は、このような環境で、ボンディングが不良なＲＦ信号出力端子のＲＦ信号テストのみでは、隣の端子からのカップリング効果によりその不良の選別が明確でない場合に、ＤＣ項目のテストを併行することによって、容易に不良ＲＦ信号出力端子を選別できるように提案される。ＲＦテストは、ＲＦ信号出力端子から出力されるＤＣ成分を除去して、数ｍＶのＲＦ信号のみを測定してＲＦ素子が正常動作するか否かを測定するものであり、ＤＣ項目のテストは、ＲＦ信号出力端子から出力されるＤＣ成分が含まれた信号を測定して、ＲＦ素子が正常動作するか否かを測定するものである。
【００１９】
インピーダンスマッチング回路３３は、ＲＦテストのためにＲＦ線３４に挿入される。インピーダンスマッチング回路３３は、複数の受動素子（図示せず）を含み、ＡＴＥの入力ポートとＲＦ線３４とのインピーダンスをマッチングさせる。インピーダンスマッチング回路３３にＤＣ成分を除去するためのキャパシタ（図示せず）が含まれてもよいが、これはＡＴＥ内に含まれてもよい。インピーダンスマッチング回路３３については周知されている通りである。ＲＦテスト時には、このようなＲＦ線３４がＡＴＥの所定の入力ポートに連結され、ＡＴＥは、ＲＦ線３４を通じてＲＦ信号端子から伝達されるＲＦ信号を測定する。
【００２０】
一方、ＲＦテストと共にＤＣテストを併行可能にするために、テストのための装置３０では、ＤＣ線３５がインピーダンスマッチング回路３３との間ＡでＲＦ信号端子と接続される。キャパシタ３６は、ＤＣ線３５と接地との間に連結される。かかるテストのための装置３０によって、ＤＣテスト時には、ＤＣ線３５がＡＴＥの所定の入力ポートに連結され、ＡＴＥは、ＤＣ線３５を通じてＲＦ信号端子から伝達されるＤＣ信号を測定する。
【００２１】
このように、ＲＦテスト時にＡＴＥがＲＦ線３４を通じて伝達されるＲＦ信号を測定できるのは、キャパシタ３６により、ＤＣ線３５がオープンスタブとして動作するためである。キャパシタ３６のキャパシタンス値は、ＤＣ信号の歪曲のない範囲内でいくらでも大きく設定され、キャパシタ３６により、ＲＦ信号が歪曲されない。
【００２２】
キャパシタ３６は、ＲＦ線３４にＤＣ線３５が接続された点Ａから一定位置Ｂに連結される。まず、数式（１）及び数式（２）のように、ＲＦ信号の周波数ｆ及びＲＦ線３４の特性εｒ，ｄ，Ｗにより、ＲＦ信号の波長λが決定される。εｒは、ＲＦ線３４が設置されたテストボードの誘電率、ｄは、テストボードの接地面とＲＦ線３４との間の距離、Ｗは、ＲＦ線３４の線幅である。
【００２３】
【数１】
2006345526.tif 000003
【００２４】
【数２】
2006345526.tif 000004
【００２５】
かかる数式は、ＲＦ線３４が図１のように平坦なテストボード上に設置される場合に該当し、それらの数式は、ＲＦ線３４が設置される他の環境では異なって変更されうる。ＲＦ線３４が設置される環境に関係なく、キャパシタ３６は、ＲＦ線３４にＤＣ線３５が接続された点Ａから、ＲＦ信号の波長の１／４，３／４，５／４，．．．位置Ｂに連結される。
【００２６】
例えば、図４Ａ及び図４Ｂはそれぞれ、ＤＣテストのための線３５の点Ａから、ＲＦ信号波長の１／４位置にキャパシタ３６を追加した場合と、追加しない場合との、ＲＦ信号の反射量及び損失量特性を比較したグラフである。ここで、ＲＦ信号の目標周波数は２ＧＨｚとし、ＲＦ信号波長の１／４位置は２０ｍｍに該当する。図４Ａに示すように、２ＧＨｚ付近で、キャパシタ３６なしでＤＣテストのための線３５を追加した場合の反射量２２は多いが、ＲＦ信号波長の１／４位置にキャパシタ３６を追加した場合の反射量４２は、ＤＣ線３５を追加しない図２Ａの２１と同様に少ない。また、図４Ｂに示すように、２ＧＨｚ付近で、キャパシタ３６なしでＤＣテストのための線３５を追加した場合の損失量２６は多いが、ＲＦ信号波長の１／４位置にキャパシタ３６を追加した場合の反射量４６は、ＤＣ線３５を追加しない図２Ｂの２５と同様に少ない。
【００２７】
実際には、ＲＦ素子の使用周波数帯域は１００ＭＨｚほどであるので、２ＧＨｚ付近の１００ＭＨｚ帯域でＲＦ信号の共振現象が除去されればよい。したがって、ＲＦ線３４にＤＣ線３５が接続された点Ａから、ＲＦ信号の波長の１／４位置Ｂにキャパシタ３６が連結されたテストのための装置３０では、追加されたＤＣ線３５によりＲＦ信号の歪曲なしにＲＦ信号のテスト帯域が確保されうる。
【００２８】
一方、テストボードにＲＦ素子と連結されたＲＦ線３４が多い場合には、点Ａから波長の１／４位置Ｂにキャパシタ３６を連結できない場合が発生しうる。それは、インピーダンスマッチング回路３３は、ＲＦ素子に最大限近接した位置に置かねばならないので、このため、ＲＦ線３４が多くなれば、ＲＦ素子の周囲にキャパシタ３６を連結する空間を確保できないためである。もし、波長の１／４位置Ｂにキャパシタ３６を連結できないならば、波長の３／４，５／４，７／４，．．．位置にキャパシタ３６が連結されうる。
【００２９】
図５Ａ及び図５Ｂはそれぞれ、ＲＦ信号波長の１／４及び３／４位置にキャパシタ３６が連結されるときのＲＦ信号の反射量及び損失量特性を比較したグラフである。ＲＦ信号波長の３／４位置は、６０ｍｍに該当する。図５Ａを参照すれば、２ＧＨｚ付近で、ＲＦ信号波長の１／４位置にキャパシタ３６が連結された場合４２のＲＦ信号のテスト帯域が、ＲＦ信号波長の３／４位置にキャパシタ３６が連結された場合５２の確保された帯域より広いということが分かる。同様に、図５Ｂの損失量の比較でも、ＲＦ信号波長の１／４位置にキャパシタ３６が連結された場合４６が、ＲＦ信号波長の３／４位置にキャパシタ３６が連結された場合５６よりＲＦ信号のテスト帯域が広いということが分かる。これは、さらに遠い位置にキャパシタ３６が連結されれば、ＲＦ信号の位相も対応して長くなるためである。かかるＲＦ信号の伝送特性及び確保された帯域を考慮するとき、キャパシタ３６を可能な限り近い位置に連結させることでさらに良好な測定結果が得られるということが分かる。
【００３０】
キャパシタ３６が連結される位置に関係なく、ＲＦ信号の伝送特性を向上させるための本発明の他の実施形態によるテストのための装置６０が図６に示されている。図６に示すように、テストのための装置６０に含まれたＲＦ線６４、ＤＣ線６６及びインピーダンスマッチング回路６３は、図３の装置３０と類似した動作を行う。その他にも、テストのための装置６０は、図３のキャパシタ３６の代わりに、第１キャパシタ６５３及び補助回路６５１から構成された回路６５を備える。
【００３１】
ＤＣ線６６は、インピーダンスマッチング回路６３との間ＤでＲＦ素子のＲＦ信号端子と接続される。第１キャパシタ６５３は、ＤＣ線６６と接地との間に連結される。
【００３２】
補助回路６５１は、ＤＣ線６６上の任意の位置に挿入され、インダクタＬ及び補助キャパシタＣを備える。インダクタＬは、第１キャパシタ６５３のＤＣ線６６との接点Ｆと、前記挿入により分離されたＤＣ線６６上の点Ｅとの間に接続される。補助キャパシタＣは、インダクタＬと並列連結される。
【００３３】
第１キャパシタ６５３及び補助回路６５１により、ＲＦテスト時にＲＦ信号の共振特性が除去されるように変更される。これにより、ＲＦ線６４に連結されたＤＣ線６６は、オープンスタブとして動作できる。インダクタＬのインダクタンス値及び補助キャパシタＣのキャパシタンス値は、ＲＦ線６４にＤＣ線６６が接続された点Ｄから、インダクタＬ及び補助キャパシタＣがＤＣ線６６に挿入される点Ｅまでの距離により決定される。図３のキャパシタ３６と同様に、図６の第１キャパシタ６５３のキャパシタンス値は、ＤＣ信号の歪曲のない範囲内でいくらでも大きく設定されうる。
【００３４】
図７Ａ及び図７Ｂはそれぞれ、キャパシタ３６，６５３のみの場合と補助回路６５１を追加した場合とのＲＦ信号の反射量及び損失量特性を比較したグラフであって、波長の１／４位置にキャパシタを付着できない場合についての例である。図７Ａ及び図７Ｂを参照すれば、２ＧＨｚ付近で、ＲＦ線６４にＤＣ線６６が接続された点Ｄから６０ｍｍほど離れたＲＦ信号波長の３／４位置Ｅにキャパシタ３６のみが連結された場合５２，５６より、点Ｄから２５ｍｍほど離れた位置Ｅに補助回路６５１が追加された場合７２，７６が使用帯域幅が大きく増えたと表れる。
【００３５】
図８Ａ及び図８Ｂはそれぞれ、キャパシタ３６，６５３のみの場合と補助回路６５１を追加した場合とのＲＦ信号の反射量及び損失量特性を比較したグラフであって、波長の１／４位置より短い距離にキャパシタを付着できる他の場合についての例である。図８Ａ及び図８Ｂを参照すれば、２ＧＨｚ付近で、ＲＦ線６４にＤＣ線６６が接続された点Ｄから２０ｍｍほど離れたＲＦ信号波長の１／４位置Ｅにキャパシタ３６，６５３のみが連結された場合４２，４６と、点Ｄから１０ｍｍほど離れた位置Ｅに補助回路６５１が追加された場合８２，８６とが類似した特性を表す。
【００３６】
すなわち、ＲＦ信号の波長と関係なく、任意の位置に第１キャパシタ６５３及び補助回路６５１が挿入されても、ＲＦ線６４に連結されたＤＣ線６６は、オープンスタブとして動作可能にするということが分かる。例えば、テストボードにＲＦ素子と連結されたＲＦ線６４が多くて、ＲＦ線６４にＤＣ線６６が接続された点Ｄから１／４λ（２０ｍｍ）位置にキャパシタを連結できないならば、図６のように、ＤＣ線６６に第１キャパシタ６５３及び補助回路６５１を可能な限り近い任意の他の位置、例えば２５ｍｍ位置に挿入しても、図７Ａの７２及び図７Ｂの７６のようにテストのための十分な帯域が確保された良好な測定環境を構築できる。
【００３７】
前述したように、本発明の一実施形態によるテストのための装置３０，６０では、ＲＦ線上にＤＣ線を追加しても、ＲＦ信号の共振現象なしにＲＦ信号テスト帯域が確保される。ＤＣ線上には、計算された位置にオープンスタブのためのキャパシタ３６を有し、ＤＣ線上の任意の位置にキャパシタ６５３を設置しようとする場合には、ＬＣ補助回路６５１が利用される。
【００３８】
以上のように、図面と明細書で最適の実施形態が開示された。ここで、特定の用語が使われたが、これは単に、本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、ＲＦ素子のテスト関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】ＲＦ素子をテストする一般的なシステムを示すブロック図である。
【図２Ａ】ＤＣテストのための線を追加した場合と追加しない場合とのＲＦ信号の反射量特性を比較したグラフである。
【図２Ｂ】ＤＣテストのための線を追加した場合と追加しない場合とのＲＦ信号の損失量特性を比較したグラフである。
【図３】本発明の一実施形態によるテストのための装置を示すブロック図である。
【図４Ａ】ＤＣテストのための線にキャパシタを追加した場合と追加しない場合とのＲＦ信号の反射量特性を比較したグラフである。
【図４Ｂ】ＤＣテストのための線にキャパシタを追加した場合と追加しない場合とのＲＦ信号の損失量特性を比較したグラフである。
【図５Ａ】キャパシタの位置によるＲＦ信号の反射量特性を比較したグラフである。
【図５Ｂ】キャパシタの位置によるＲＦ信号の損失量特性を比較したグラフである。
【図６】本発明の他の実施形態によるテストのための装置を示すブロック図である。
【図７Ａ】キャパシタのみの場合と補助回路を追加した場合とのＲＦ信号の反射量特性を比較したグラフである。
【図７Ｂ】キャパシタのみの場合と補助回路を追加した場合とのＲＦ信号の損失量特性を比較したグラフである。
【図８Ａ】キャパシタのみの場合と補助回路を追加した場合とのＲＦ信号の反射量特性を比較した他の例を示すグラフである。
【図８Ｂ】キャパシタのみの場合と補助回路を追加した場合とのＲＦ信号の損失量特性を比較した他の例を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４１】
６０      テストのための装置
６３      インピーダンスマッチング回路
６４      ＲＦ線
６６      ＤＣ線
６５１    補助回路
６５３    第１キャパシタ
【図１】
2006345526.tif 000005
【図２Ａ】
2006345526.tif 000006
【図２Ｂ】
2006345526.tif 000007
【図３】
2006345526.tif 000008
【図４Ａ】
2006345526.tif 000009
【図４Ｂ】
2006345526.tif 000010
【図５Ａ】
2006345526.tif 000011
【図５Ｂ】
2006345526.tif 000012
【図６】
2006345526.tif 000013
【図７Ａ】
2006345526.tif 000014
【図７Ｂ】
2006345526.tif 000015
【図８Ａ】
2006345526.tif 000016
【図８Ｂ】
2006345526.tif 000017