(57)【要約】【課題】  プラズマディスプレイパネルの発光効率を高い水準に維持しながらプラズマディスプレイパネルの放電電圧を低減する。【解決手段】  放電ガスとして、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素と、を含むガスを用いる。或いは、放電ガスとして、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水蒸気と、を含むガスを用いる。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記放電ガス中の前記１のガスに対する水素の割合が０．０５体積％以上０．３体積％以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．１体積％以下の水素と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記放電ガス中の前記１のガスに対する水素の割合が０．０５体積％以上０．１体積％以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水蒸気と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記放電ガス中の前記１のガスに対する水蒸気の割合が０．０５体積％以上０．３体積％以下であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．１体積％以下の水蒸気と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記放電ガス中の前記１のガスに対する水蒸気の割合が０．０５体積％以上０．１体積％以下であることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、水素と水蒸気との混合ガスを前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記放電ガス中の前記１のガスに対する水素と水蒸気との前記混合ガスの割合が０．０５体積％以上０．３体積％以下であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、水素と水蒸気との混合ガスを前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．１体積％以下と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記放電ガス中の前記１のガスに対する水素と水蒸気との前記混合ガスの割合が０．０５体積％以上０．１体積％以下であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記放電ガス中の前記１のガスの分圧が４０Ｔｏｒｒ以上４００Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記放電ガス中の希ガス成分は前記１のガスのみからなることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記放電ガスは、更に、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含むことを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記放電ガスは、更に、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含み、全ガス圧が６００Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、
前記放電ガスとして、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素と、を前記放電空間内に封入する工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１８】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、
前記放電ガスとして、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水蒸気と、を前記放電空間内に封入する工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１９】
放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、
前記放電ガスとして、少なくとも、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、水素と水蒸気との混合ガスを前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下と、を前記放電空間内に封入する工程を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１６の何れか一項に記載のプラズマディスプレイパネルと、このプラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路と、を備えることを特徴とするプラズマ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル、その製造方法及びプラズマ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大画面化が容易で且つ薄型の表示デバイスとしてプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：以下、ＰＤＰ）が注目を集めている。
【０００３】
図１にＡＣ型ＰＤＰの分解斜視図を示す。
【０００４】
ＰＤＰは、相互に平行に配置された前面基板１０及び背面基板１１の２枚の基板を備え、この２枚の基板と背面基板１１側に取り付けられた隔壁１２によって放電空間１３が形成されている。この放電空間１３内には、放電ガスとして希ガス（キセノン、クリプトン、ヘリウム、ネオン、アルゴンの何れか１種以上）が封入されている。
【０００５】
ＰＤＰにおける画像の表示は、前面基板１０に互いに平行となるように配置された走査電極１４と維持電極１５、及び走査電極１４と維持電極１５の延伸方向に交差するように背面基板１１に配置されたデータ電極１６の３電極にそれぞれ駆動波形を印加することにより所望の放電を起こさせ、放電により発生した紫外線により隔壁１２面に塗布された蛍光体を発光させることにより行う。
【０００６】
図２に所望の放電を起こさせるために各電極に印加する駆動波形の一例を示す。
【０００７】
すなわち、図２には走査電極１４に印加する走査電極波形２５、維持電極１５に印加する維持電極波形２６及びデータ電極１６に印加するデータ電極波形２７が示されている。
【０００８】
各電極に印加する波形はサブフィールド２０という基本単位を有し、サブフィールド２０の動作を繰り返すことにより一連の画像表示を行うことができる。
【０００９】
１つのサブフィールド２０は、維持消去期間２１、予備放電期間２２、走査期間２３及び維持期間２４の４つの期間を、時系列においてこの順に備えて構成されている。
【００１０】
以下では、サブフィールド２０を構成する各期間における放電空間内の動作を順に説明する。
【００１１】
（１．維持消去期間２１）
維持期間２４に続く維持消去期間２１には、維持放電を止め、維持放電によって前面基板１０の保護層１８に形成される電荷（以下、壁電荷と記す）を減少もしくは消滅させる役割がある。図２では壁電荷を減少もしくは消滅させるために、走査電極１４に傾斜波２１０を印加している。
【００１２】
（２．予備放電期間２２）
予備放電は放電セル内の荷電粒子を活性化させて書き込み放電を起こし易くするために行う。走査電極１４に傾斜波２２０を印加し維持電極１５との間に弱放電を起こす。その後、走査電極１４と維持電極１５間に逆極性の電位差２２１を与え、弱放電を起こす。一連の弱放電により荷電粒子あるいは励起原子、分子を発生させ、書き込み放電を起こしやすくする。予備放電を起こすためのパルスは傾斜波に限られるものではなく、上記の様な動作が可能であればどのような波形であっても良い。
【００１３】
（３．走査期間２３）
走査期間２３では書き込み放電を起こすことによって発光させるセルを選択する。維持放電及び予備放電が走査電極１４と維持電極１５間の面放電であるのに対して書き込み放電は走査電極１４とデータ電極１６間の対向放電であることが特徴である。書き込み放電は走査電極波形２５のパルス２３０のタイミングに合わせて、データ電極１６にパルス２３１を印加することにより起こす。書き込み放電後には保護層１８上に壁電荷が形成される。
【００１４】
（４．維持期間２４）
維持期間２４では走査期間２３で選択されたセルで維持放電を起こし発光させる。書き込み放電を行わなかったセル（すなわち走査電極１４、データ電極１６間で電位差を生じるように保護層１８上に壁電荷が形成されていないセル）は発光しない。維持放電は走査電極１４と維持電極１５に位相を反転させたパルスを連続して印加することにより起こす。
【００１５】
以下では、ＡＣ型ＰＤＰにおいて階調表示を行う方法を説明する。動画を表示するための基本となる１フィールド（１／６０秒）は複数のサブフィールドから構成されている。各サブフィールドは独立に操作することが可能で、通常は各サブフィールドの維持パルスの印加回数（維持パルス数）は異なっている。維持発光の輝度は維持パルス数に影響されるので、維持パルス数の異なるサブフィールドでは発光輝度も異なる。例えば１フィールド内にｎ個のサブフィールドがある場合には、各サブフィールドの輝度比を２m（ｍ＝０，１，２，・・・，ｎ）になるように維持パルス数を制御すると、２nの階調を表現する事が出来る。
【００１６】
ＡＣ型ＰＤＰを駆動させて画像を表示する場合、各電極に駆動波形を印加して所望の放電を確実に起こす必要がある。ガス放電を起こすために最も重要となる特性値の一つに放電開始電圧がある。放電開始電圧とは、放電ガスが封入された放電空間に充分な電離が起こり自続放電を発生させるための閾値となる電圧のことである。この放電開始電圧によって、印加するパルスの電圧が決まってくると共に、ＰＤＰの発光特性にも大きな影響を与える。
【００１７】
なお、本発明に関連する従来技術としては、例えば、特許文献１がある。特許文献１には、放電ガス中に０．０１〜１体積％の水蒸気を導入することにより、放電電圧を抑制し、青色蛍光体の発光強度低下および色度劣化の少ないＰＤＰを提供する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２２２９５７号公報（特許第３１９９０６９号公報）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
ところで、ＰＤＰの発光効率・輝度を高めるためには、放電ガス中のキセノン又はクリプトンの分圧を高い値に設定したり、放電ガスとして純キセノン（キセノンが１００％のガス）又は純クリプトン（クリプトンが１００％のガス）を用いることが有効である。
【００１９】
しかしながら、放電ガス中のキセノン又はクリプトンの分圧を高い値に設定したり、放電ガスとして純キセノン又は純クリプトンを用いたりすると、放電電圧が上昇し、ＰＤＰの駆動が困難となるとともに消費電力が増大するという問題がある。
【００２０】
このため、従来は、キセノン或いはクリプトンの分圧を高い値に設定した放電ガスをＰＤＰに利用することが困難であった。
【００２１】
このような問題に鑑み、本発明が解決しようとする課題の一例としては、ＰＤＰの発光効率・輝度を高めるとともにＰＤＰの放電電圧を低減することが挙げられる。
【００２２】
なお、特許文献１の技術は、放電ガス中のキセノン或いはクリプトンの分圧を高い値に設定したものではないため、ＰＤＰの発光効率・輝度は、放電ガス中のキセノン或いはクリプトンの分圧を高い値に設定した場合と比べて劣る。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
請求項１に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素と、を含むことを特徴としている。
【００２４】
請求項３に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．１体積％以下の水素と、を含むことを特徴としている。
【００２５】
請求項５に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水蒸気と、を含むことを特徴としている。
【００２６】
請求項７に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．１体積％以下の水蒸気と、を含むことを特徴としている。
【００２７】
請求項９に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、水素と水蒸気との混合ガスを前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下と、を含むことを特徴としている。
【００２８】
請求項１１に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電ガスは、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、水素と水蒸気との混合ガスを前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．１体積％以下と、を含むことを特徴としている。
【００２９】
請求項１７に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、前記放電ガスとして、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素と、を前記放電空間内に封入する工程を備えることを特徴としている。
【００３０】
請求項１８に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、前記放電ガスとして、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水蒸気と、を前記放電空間内に封入する工程を備えることを特徴としている。
【００３１】
請求項１９に記載の発明は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、前記放電ガスとして、少なくとも、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、水素と水蒸気との混合ガスを前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下と、を前記放電空間内に封入する工程を備えることを特徴としている。
【００３２】
請求項２０に記載のプラズマ表示装置は、請求項１乃至２６の何れか一項に記載のプラズマディスプレイパネルと、このプラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路と、を備えることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
次に、実施形態を説明する。
【００３４】
図１は本実施形態に係るＰＤＰの一例としてのＡＣ型ＰＤＰの分解斜視図である。
【００３５】
図１に示すように、ＰＤＰ１５０は、相互に平行に配置された前面基板１０及び背面基板１１の２枚の基板を備えている。
【００３６】
前面基板１０における背面基板１１との対向面側には、透明な走査電極１４及び透明な維持電極１５が、それぞれＰＤＰ１５０の行方向（図１では左右方向）に延在するように設けられている。
【００３７】
更に、前面基板１０には、走査電極１４及び維持電極１５を覆う誘電体層１９並びにこの誘電体層１９を放電から保護する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層１８が設けられている。
【００３８】
背面基板１１における前面基板１０との対向面側には、ＰＤＰ１５０の面方向に対し垂直な方向から見て、走査電極１４及び維持電極１５と直交する列方向（図１では手前側から右斜め奥に向かう方向）に延在するようにデータ電極１６が設けられている。
【００３９】
更に、背面基板１１には、データ電極１６を覆う誘電体層１９と、この誘電体層１９上において列方向に延在し、表示セルを行方向において区切る隔壁１２が、該誘電体層１９より垂直に起立する起立壁状に設けられている。
【００４０】
加えて、隔壁１２の側面及び誘電体層１９の表面上には、放電ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する蛍光体層１７が形成されている。
【００４１】
こうして、前面基板１０と背面基板１１との間の空間には、隔壁１２により区画された放電空間１３が形成されている。
【００４２】
この放電空間１３内には、放電ガスが充填されている。放電ガスの詳細については後述する。
【００４３】
ＰＤＰ１５０においては、行方向に延びるｎ本（ｎは自然数）の走査電極１４及びｎ本の維持電極１５を交互に所定間隔に備えるとともに、これらの走査電極１４及び維持電極１５に対し平面視で直交するように列方向に延びるｍ本（ｍは自然数）のデータ電極１６を備えている。
【００４４】
そして、走査電極１４とデータ電極１６との最近接点及び維持電極１５とデータ電極１６との最近接点を夫々１つずつ含むように、表示セルが行列状に配置されている。従って、ＰＤＰ１５０は（ｎ×ｍ）個の表示セルを備えている。
【００４５】
次に、上述の如く構成された本実施形態に係るＰＤＰ１５０の動作について説明する。
【００４６】
図２は各電極に印加する駆動波形の一例である。
【００４７】
すなわち、図２には走査電極１４に印加する走査電極波形２５、維持電極１５に印加する維持電極波形２６及びデータ電極１６に印加するデータ電極波形２７が示されている。
【００４８】
ＰＤＰは１枚の画像を表示させるフィールドを繰り返すことにより、動画を表示する。各フィールドにおいては、複数のサブフィールド２０が順次実施され、１つのサブフィールド２０においては、維持消去期間２１、予備放電期間２２、走査期間２３及び維持期間２４の４つの期間が順次実施される。
【００４９】
維持消去期間２１は、維持期間２４において発光させた表示セル内の壁電荷を消去する期間である。すなわち、維持期間２４に続く維持消去期間２１には、維持放電を止め、維持放電によって前面基板１０の保護層１８に形成される電荷（以下、壁電荷と記す）を減少もしくは消滅させる役割がある。図２では壁電荷を減少もしくは消滅させるために、走査電極１４に傾斜波２１０を印加している。
【００５０】
予備放電期間２２は、全ての表示セルを発光させて、全ての表示セル内の荷電粒子あるいは励起原子、分子を発生させ、放電が短時間のうちに発生しやすいようにすると共に電荷状態を揃え、初期化する期間である。すなわち、予備放電は放電セルを活性化させて書き込み放電を起こし易くするために行う。走査電極１４に傾斜波２２０を印加し維持電極１５との間に弱放電を起こす。その後、走査電極１４と維持電極１５間に逆極性の電位差２２１を与え、弱放電を起こす。一連の弱放電により荷電粒子を活性化させ、書き込み放電を起こしやすくする。予備放電を起こすためのパルスは傾斜波に限られるものではなく、上記の様な動作が可能であればどのような波形であっても良い。
【００５１】
走査期間２３は、この走査期間２３に続く維持期間２４において維持放電を発生させようとする表示セルに書き込み放電を発生させ、壁電荷を形成する期間である。すなわち、走査期間２３では書き込み放電を起こすことによって発光させるセルを選択する。維持放電及び予備放電が走査電極１４と維持電極１５間の面放電であるのに対して書き込み放電は走査電極１４とデータ電極１６間の対向放電及びこの対向放電をトリガにした面放電であることが特徴である。書き込み放電は走査電極波形２５のパルス２３０のタイミングに合わせて、データ電極１６にパルス２３１を印加することにより起こす。書き込み放電後には保護層１８上に走査電極１４とデータ電極１６間に電位差を生じるような壁電荷が形成される。
【００５２】
維持期間２４は、走査期間２３において壁電荷が形成された表示セルで維持放電を生じさせる期間である。すなわち、維持期間２４では走査期間２３で選択されたセルで維持放電を起こし発光させる。書き込み放電を行わなかったセル（すなわち保護層１８上に走査電極１４とデータ電極１６間に電位差を生じるような壁電荷が形成されていないセル）は発光しない。維持放電は走査電極１４と維持電極１５に位相を反転させたパルスを連続して印加することにより起こす。
【００５３】
上述の動作により、各表示セルにおいて、走査電極１４と維持電極１５との間で放電が発生し、この放電により発生した紫外線が蛍光体層１７を励起し、これにより蛍光体層１７から可視光が出射する。
【００５４】
この可視光はＰＤＰ１５０の保護層１８、誘電体層１９及び前面基板１０を透過してＰＤＰ１５０の前面から出力され、表示画像を形成する。
【００５５】
このように、ＰＤＰ１５０においては、放電空間１３が形成され、この放電空間１３内には放電ガスが封入され、電極間に高電圧を印加することにより発生した気体放電の紫外線を利用して蛍光体を発光させて、表示動作を行う。
【００５６】
以下では、ＡＣ型ＰＤＰにおいて階調表示を行う方法を説明する。動画を表示するための基本となる１フィールド（１／６０秒）は複数のサブフィールドから構成されている。各サブフィールドは独立に操作することが可能で、通常は各サブフィールドの維持パルスの印加回数（維持パルス数）は異なっている。維持発光の輝度は維持パルス数に影響されるので、維持パルス数の異なるサブフィールドでは発光輝度も異なる。例えば１フィールド内にｎ個のサブフィールドがある場合には、各サブフィールドの輝度比を２m（ｍ＝０，１，２，・・・，ｎ）になるように維持パルス数を制御すると、２nの階調を表現する事が出来る。
【００５７】
次に、このようなＰＤＰ１５０の放電空間１３内に封入された放電ガスについて詳述する。
【００５８】
（１）放電ガスとしては、例えば、少なくとも、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素（Ｈ2）と、を含むものを用いることができる。この場合、放電ガス中の前記１のガスに対する水素の割合が０．０５体積％以上０．３体積％以下であることがより好ましい。また、放電ガス中の前記１のガスに対する水素の割合が０．０１体積％以上０．１体積％以下であることも好ましい。この場合、放電ガス中の前記１のガスに対する水素の割合が０．０５体積％以上０．１体積％以下であることがより好ましい。これらの場合、放電ガス中の前記１のガスの分圧は４０Ｔｏｒｒ（約５．３×１０3Ｐａ）以上４００Ｔｏｒｒ（約５．３×１０4Ｐａ）以下であることが好ましい。また、放電ガス中の希ガス成分は前記１のガスのみからなること、すなわち、放電ガスは、純キセノンに微量の水素を混合してなるものであるか、純クリプトンに微量の水素を混合してなるものであるか、或いは、キセノンとクリプトンとからなる混合ガスに微量の水素を混合してなるものであることが好ましい一例である。或いは、放電ガスは、更に、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含むことも好ましい。放電ガスが、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含む場合、放電ガスの全ガス圧が６００Ｔｏｒｒ（約８．０×１０4Ｐａ）以下であることが好ましい。
【００５９】
（２）或いは、放電ガスとしては、例えば、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下の水蒸気と、を含むものを用いても良い。この場合、放電ガス中の前記１のガスに対する水蒸気の割合が０．０５体積％以上０．３体積％以下であることがより好ましい。また、放電ガス中の前記１のガスに対する水蒸気の割合が０．０１体積％以上０．１体積％以下であることも好ましい。この場合、放電ガス中の前記１のガスに対する水蒸気の割合が０．０５体積％以上０．１体積％以下であることがより好ましい。これらの場合、放電ガス中の前記１のガスの分圧は４０Ｔｏｒｒ以上４００Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。また、放電ガス中の希ガス成分は前記１のガスのみからなること、すなわち、放電ガスは、純キセノンに微量の水蒸気を混合してなるものであるか、純クリプトンに微量の水蒸気を混合してなるものであるか、或いは、キセノンとクリプトンとからなる混合ガスに微量の水蒸気を混合してなるものであることが好ましい一例である。或いは、放電ガスは、更に、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含むことも好ましい。放電ガスが、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含む場合、放電ガスの全ガス圧が６００Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。
【００６０】
（３）或いは、放電ガスとしては、例えば、少なくとも、キセノン、クリプトン、キセノンとクリプトンとの混合ガスの何れか１のガスと、水素と水蒸気との混合ガスを前記１のガスに対し０．０１体積％以上０．５体積％以下と、を含むものを用いても良い。この場合、放電ガス中の前記１のガスに対する水素と水蒸気との前記混合ガスの割合が０．０５体積％以上０．３体積％以下であることがより好ましい。また、放電ガス中の前記１のガスに対する水素と水蒸気との前記混合ガスの割合が０．０１体積％以上０．１体積％以下であることも好ましい。この場合、放電ガス中の前記１のガスに対する水素と水蒸気との前記混合ガスの割合が０．０５体積％以上０．１体積％以下であることがより好ましい。これらの場合、放電ガス中の前記１のガスの分圧は４０Ｔｏｒｒ以上４００Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。また、放電ガス中の希ガス成分は前記１のガスのみからなること、すなわち、放電ガスは、純キセノンに水素と水蒸気との混合ガスを微量だけ混合してなるものであるか、純クリプトンに水素と水蒸気との混合ガスを微量だけ混合してなるものであるか、或いは、キセノンとクリプトンとからなる混合ガスに水素と水蒸気との混合ガスを微量だけ混合してなるものであることが好ましい一例である。或いは、放電ガスは、更に、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含むことも好ましい。放電ガスが、ヘリウム、ネオン及びアルゴンのうちの少なくとも何れか１つを含む場合、放電ガスの全ガス圧が６００Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。
【００６１】
このように、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネル（例えば、図１に示す構造のＰＤＰ１５０）は、放電空間（例えば、図１に示すような放電空間内１３）が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電ガスは、上記の（１）乃至（３）の何れかに記載した放電ガスであることを特徴としている。
【００６２】
また、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネル（例えば、図１に示す構造のＰＤＰ１５０）の製造方法は、放電空間が形成され、該放電空間内に放電ガスが封入されたプラズマディスプレイパネルを製造する方法において、上記の（１）乃至（３）の何れかに記載した放電ガスを放電空間（例えば、図１に示すような放電空間内１３）内に封入する工程を備えることを特徴としている。
【００６３】
また、本実施形態に係るプラズマ表示装置は、本実施形態に係る何れかのプラズマディスプレイパネルと、このプラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路と、を備えることを特徴としている。
【００６４】
以下、図３を参照して、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネル（例えば、図１に示す構造のＰＤＰ１５０）を備えて構成されるプラズマ表示装置の好適な一例について説明する。
【００６５】
図３は、本実施形態に係るプラズマ表示装置の好適な一例を示す概略的なブロック図である。
【００６６】
図３に示すプラズマ表示装置１００は、アナログインタフェース１２０と、ＰＤＰモジュール１３０とを備えて概略構成されている。
【００６７】
ＰＤＰモジュール１３０は、上記のようにして製造されたプラズマディスプレイパネル１５０（以下、ＰＤＰ１５０）を備えている。
【００６８】
アナログインタフェース１２０は、クロマ・デコーダを備えたＹ／Ｃ分離回路１２１と、Ａ／Ｄ変換回路１２２と、ＰＬＬ回路を備えた同期信号制御回路１２３と、画像フォーマット変換回路１２４と、逆γ（ガンマ）変換回路１２５と、システム・コントロール回路１２６と、ＰＬＥ制御回路１２７とを備えて構成されている。
【００６９】
アナログインタフェース１２０は、概略的には、受信したアナログ映像信号をディジタル信号に変換したのち、これをＰＤＰモジュール１３０に供給する機能を有している。
【００７０】
例えば、テレビチューナーから発信されたアナログ映像信号はＹ／Ｃ分離回路１２１において輝度信号と色差信号に分解された後、Ａ／Ｄ変換回路１２２においてＲＧＢのディジタル信号に変換される。
【００７１】
その後、ＰＤＰモジュール１３０の画素構成と映像信号の画素構成とが相互に異なる場合には、画像フォーマット変換回路１２４において、必要な画像フォーマットの変換処理が行われる。
【００７２】
Ａ／Ｄ変換回路１２２において、映像信号のＡ／Ｄ（アナログ／ディジタル）変換を行ったのち、逆γ変換回路１２５において、映像信号に対して逆γ変換を施して、線形特性に復元されたディジタル映像信号を生成する。このようにして生成されたディジタル映像信号は、ＲＧＢ映像信号として、ＰＤＰモジュール１３０に出力される。
【００７３】
同期信号制御回路１２３に内蔵されているＰＬＬ（位相同期ループ）回路は、アナログ映像信号と同時に供給される水平同期信号を基準として、サンプリングクロック信号およびデータクロック信号を生成して、ＰＤＰモジュール１３０に出力する。
【００７４】
アナログインタフェース１２０のＰＬＥ制御回路１２７は、ＰＤＰの輝度制御を行う。具体的には、平均輝度レベルが所定値以下である場合には表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値を超える場合には、表示輝度を低下させるように制御する。
【００７５】
システム・コントロール回路１２６は、ＰＤＰモジュール１３０に対して、各種制御信号を出力する。
【００７６】
ＰＤＰモジュール１３０は、ディジタル信号処理・制御回路１３１と、パネル部１３２と、ＤＣ／ＤＣコンバータを内蔵するモジュール内電源回路１３３とから構成されている。ディジタル信号処理・制御回路１３１は、入力インタフェース信号処理回路１３４と、フレームメモリ１３５と、メモリ制御回路１３６と、ドライバ制御回路１３７とを含んでいる。
【００７７】
入力インタフェース信号処理回路１３４は、システム・コントロール回路１２６から発信される各種制御信号、逆γ変換回路１２５から発信されるＲＧＢ映像信号、同期信号制御回路１２３から発信される同期信号、ＰＬＬ回路から発信されるデータクロック信号を受信する。
【００７８】
入力インタフェース信号処理回路１３４に入力された映像信号の平均輝度レベルは、入力インタフェース信号処理回路１３４内の入力信号平均輝度レベル演算回路（図示略）によって計算されて、例えば５ビットデータとして出力される。また、ＰＬＥ制御回路１２７は、平均輝度レベルに応じてＰＬＥ制御データを設定して、入力インタフェース信号処理回路１３４内の輝度レベル制御回路（図示略）に供給する。
【００７９】
ディジタル信号処理・制御回路１３１では、入力インタフェース信号処理回路１３４において、これらの各種信号の処理を行ったのち、制御信号をパネル部１３２に送信する。これと同時に、メモリ制御回路１３６はメモリ制御信号を、ドライバ制御回路１３７はドライバ制御信号を、それぞれパネル部１３２に送信する。
【００８０】
パネル部１３２は、ＰＤＰ１５０と、ＰＤＰ１５０の走査電極を駆動する走査ドライバ１３８と、ＰＤＰ１５０のデータ電極を駆動するデータドライバ１３９と、ＰＤＰ１５０および走査ドライバ１３８にパルス電圧を供給する高圧パルス回路１４０と、高圧パルス回路１４０からの余剰電力を回収する電力回収回路１４１とを備えて構成されている。
【００８１】
ＰＤＰ１５０は、例えば１３６５個×７６８個に配列された画素を有するものとして構成されている。ＰＤＰ１５０においては、走査ドライバ１３８が走査電極を制御し、データドライバ１３９がデータ電極（アドレス電極）を制御することによって、これらの画素のうちの所定の画素の点灯または非点灯が制御されて、所望の画像表示が行われる。
【００８２】
以上のような実施形態によれば、ＰＤＰの放電ガス中に０．０１体積％以上０．５体積％以下の水素、水蒸気、或いは水素と水蒸気との混合ガスが含まれているので、放電ガス中のキセノンの分圧、クリプトンの分圧、或いはキセノンとクリプトンとの混合ガスの分圧が高い場合であっても、ＰＤＰの放電電圧を低減することができる。つまり、放電ガス中のキセノン、クリプトン、或いはキセノンとクリプトンとの混合ガスの分圧を高めることによりＰＤＰの発光効率を向上させる（或いは維持させる）ことと、ＰＤＰの放電電圧を低減させることを両立することができる。すなわち、放電開始電圧及び放電維持電圧を低減させることにより、ＰＤＰの消費電力を低減することが可能となる。また、放電維持電圧を低減させることにより無効電力を低減でき、駆動特性も改善される。
【００８３】
なお、ＰＤＰの駆動電圧を低減できるのは、放電空間内の水素または水蒸気の作用により保護層１８を構成するＭｇＯの表面が改質され、キセノンイオン、クリプトンイオンに対する２次電子放出係数が増加し、放電開始電圧が低下するためであると考えられる。
【００８４】
図４は純キセノン中に水素を添加して放電ガスを構成した場合の、純キセノンに対する水素の添加量とＰＤＰの放電開始電圧Ｖｆ及び発光効率との関係を示す図である。
【００８５】
図４に示すように、キセノンに微量の水素（キセノンに対し０．５体積％程度まで）を添加することによりＰＤＰの放電開始電圧Ｖｆは低下している。すなわち、図４に示すように、純キセノンに対し水素を添加しない場合には約３１０Ｖである放電開始電圧Ｖｆは、水素を添加することにより１０Ｖ〜６０Ｖ程度低減している。また、ＰＤＰの発光効率は、水素の添加量が０．５体積％程度までは、水素を添加していない場合と同様の水準に維持されている。つまり、純キセノンに対し０．５体積％以下の水素を添加して放電ガスを構成することにより、発光効率を低下させることなく放電開始電圧Ｖｆを低減可能であることがわかる。
【００８６】
また、特に、水素の添加量が０．０５体積％以上０．３％体積％以下の範囲では、発光効率を高い水準に維持しつつ、放電開始電圧Ｖｆを大きく低減させることができることが、図４から分かる。
【００８７】
なお、図４に示す多くのデータは、放電ガスの全ガス圧が２００Ｔｏｒｒである場合のデータであるが、放電ガスの全ガス圧が４０Ｔｏｒｒ以上４００Ｔｏｒｒ以下の場合にも、図４と同様の効果が見られた。
【００８８】
図５は、図４と同様に、純キセノン中に微量の水素を添加して放電ガスを構成した場合において、水素の添加量とＰＤＰの放電維持電圧Ｖｓとの関係を示す図である。なお、図５に示すデータは、放電ガスの全ガス圧が２００Ｔｏｒｒである場合のデータである。
【００８９】
図５に示すように、純キセノンに微量の水素を添加することにより、ＰＤＰの放電維持電圧Ｖｓは低下している。すなわち、純キセノンに水素を添加しない場合には２００Ｖ以上である放電維持電圧Ｖｓは、水素を添加することにより１０Ｖ〜４０Ｖ程度低減している。
【００９０】
図６はネオン中に１０体積％のキセノンを混合し、更に、微量の水素を添加して放電ガスを構成した場合の、水素の添加量とＰＤＰの放電開始電圧Ｖｆ及び発光効率との関係を示す図である。
【００９１】
図６に示すように、ネオン中に１０体積％のキセノンを混合した混合ガス中に微量の水素（キセノンに対し０．５体積％程度まで）を添加することにより、ＰＤＰの放電開始電圧Ｖｆは低下している。すなわち、図６に示すように、キセノンとネオンとの混合ガスに対し水素を添加しない場合には約１９６Ｖである放電開始電圧Ｖｆは、水素を添加することにより２Ｖ〜１２Ｖ程度低減している。また、ＰＤＰの発光効率は、水素の添加量が０．５体積％程度までは、ある程度の水準に維持されている。つまり、０．５体積％以下の水素を添加することにより、発光効率をさほど低下させることなく放電開始電圧Ｖｆを低減可能であることがわかる。
【００９２】
また、特に、水素の添加量が０．０５体積％以上０．３％体積％以下の範囲では、発光効率を高い水準に維持しつつ、放電開始電圧Ｖｆを大きく低減させることができることが、図６から分かる。
【００９３】
なお、図６に示す多くのデータは、放電ガスの全ガス圧が４００Ｔｏｒｒである場合のデータであるが、放電ガスの全ガス圧が４０Ｔｏｒｒ以上６００Ｔｏｒｒ以下の場合にも、図６と同様の効果が見られた。
【００９４】
図７は、図６と同様に、ネオン中に１０体積％のキセノンを混合し、更に、微量の水素を添加して放電ガスを構成した場合において、水素の添加量と放電維持電圧Ｖｓとの関係を示す図である。なお、図７に示すデータは、放電ガスの全ガス圧が４００Ｔｏｒｒである場合のデータである。
【００９５】
図７に示すように、ネオンとキセノンとの混合ガスに微量の水素を添加することにより、ＰＤＰの放電維持電圧Ｖｓは低下している。すなわち、ネオンとキセノンとの混合ガスに水素を添加しない場合には１３８Ｖ程度である放電維持電圧Ｖｓは、水素を添加することにより２Ｖ〜１０Ｖ程度低減している。
【００９６】
図８は純クリプトン中に水素を添加して放電ガスを構成した場合の、純クリプトンに対する水素の添加量とＰＤＰの放電開始電圧Ｖｆ及び発光効率との関係を示す図である。
【００９７】
図８に示すように、純クリプトンに微量の水素（クリプトンに対し０．５体積％程度まで）を添加することにより、ＰＤＰの放電開始電圧Ｖｆは低下している。すなわち、図８に示すように、純クリプトンに対し水素を添加しない場合には約２３０Ｖである放電開始電圧Ｖｆは、水素を添加することにより３０Ｖ〜５５Ｖ程度低減している。また、ＰＤＰの発光効率は、水素の添加量が０．５体積％程度までは、水素を添加していない場合と同様の水準に維持されている。つまり、０．５体積％以下の水素を添加することにより、発光効率を低下させることなく放電開始電圧Ｖｆを低減可能であることがわかる。
【００９８】
また、特に、水素の添加量が０．０５体積％以上０．３％体積％以下の範囲では、発光効率を高い水準に維持しつつ、放電開始電圧Ｖｆを大きく低減させることができることが分かる。
【００９９】
なお、図８に示す多くのデータは、放電ガスの全ガス圧が２００Ｔｏｒｒである場合のデータであるが、放電ガスの全ガス圧が４０Ｔｏｒｒ以上４００Ｔｏｒｒ以下の場合にも、図８と同様の効果が見られた。
【実施例１】
【０１００】
実施例１では、図１に示すＡＣ面放電型ＰＤＰの放電ガスとして、キセノンガスに水素を０．１体積％添加してなり、全ガス圧を２００Ｔｏｒｒに設定したものを用いた。水素を含まない場合（純キセノンガスを放電ガスとした場合）に比べ、放電開始電圧が４０Ｖ低下した。発光効率は、キセノンを１０体積％含むネオンとキセノンとの混合ガス４００Ｔｏｒｒを放電ガスとした場合に比べて約２〜３倍改善され、水素を含まないときの特性を保つことができた。
【実施例２】
【０１０１】
実施例２では、図１に示すＡＣ面放電型ＰＤＰの放電ガスとして、クリプトンガスに水素を０．１体積％添加してなり、全ガス圧を２００Ｔｏｒｒに設定したものを用いた。水素を含まない場合（純クリプトンガスを放電ガスとした場合）に比べ、放電開始電圧が３０Ｖ低下した。発光効率は、キセノンを１０体積％含むネオンとキセノンとの混合ガス４００Ｔｏｒｒを放電ガスとした場合に比べて約１．５〜２．５倍改善され、水素を含まないときの特性を保つことができた。
【実施例３】
【０１０２】
実施例３では、図１に示すＡＣ面放電型ＰＤＰの放電ガスとして、５０体積％のキセノンガスと５０体積％のクリプトンガスとの混合ガスに対し０．１体積％の水素を添加してなり、全ガス圧を２００Ｔｏｒｒに設定したものを用いた。水素を含まない場合（放電ガスが５０体積％のキセノンガスと５０体積％のクリプトンガスとの混合ガスのみからなる場合）に比べ、放電開始電圧が３５Ｖ低下した。発光効率は、キセノンを１０体積％含むネオンとキセノンとの混合ガス４００Ｔｏｒｒを放電ガスとした場合に比べて約２〜３倍改善され、水素を含まないときの特性を保つことができた。
【実施例４】
【０１０３】
実施例４では、図１に示すＡＣ面放電型ＰＤＰの放電ガスとして、キセノンガスに水蒸気を０．１体積％添加してなり、全ガス圧を２００Ｔｏｒｒに設定したものを用いた。水蒸気を含まない場合（純キセノンガスを放電ガスとした場合）に比べ、放電開始電圧が２０Ｖ低下した。発光効率は、キセノンを１０体積％含むネオンとキセノンとの混合ガス４００Ｔｏｒｒを放電ガスとした場合に比べて約２〜３倍改善され、水蒸気を含まないときの特性を保つことができた。
【実施例５】
【０１０４】
実施例５では、図１に示すＡＣ面放電型ＰＤＰの放電ガスとして、５０体積％のネオンガスと５０体積％のキセノンガスとの混合ガスに対し０．１体積％の水素を添加してなり、全ガス圧を４００Ｔｏｒｒに設定したものを用いた。水素を含まない場合（放電ガスが５０体積％のネオンガスと５０体積％のキセノンガスとの混合ガスのみからなる場合）に比べ、放電開始電圧が４０Ｖ低下した。発光効率は、キセノンを１０体積％含むネオンとキセノンとの混合ガス４００Ｔｏｒｒを放電ガスとした場合に比べて約２〜３倍改善され、水素を含まないときの特性を保つことができた。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】プラズマディスプレイパネルの基本的な構造を示す分解斜視図である。
【図２】プラズマ表示装置の各電極に印加する駆動波形の一例を示す図である。
【図３】プラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図４】実施形態の効果を示す図である。
【図５】実施形態の効果を示す図である。
【図６】実施形態の効果を示す図である。
【図７】実施形態の効果を示す図である。
【図８】実施形態の効果を示す図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１３    放電空間
１５０  プラズマディスプレイパネル
１００  プラズマ表示装置
【図１】
2006331981.tif 000003
【図２】
2006331981.tif 000004
【図３】
2006331981.tif 000005
【図４】
2006331981.tif 000006
【図５】
2006331981.tif 000007
【図６】
2006331981.tif 000008
【図７】
2006331981.tif 000009
【図８】
2006331981.tif 000010