(57)【要約】【課題】容易に磁気分断ができる光磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】表面にグルーブ２Ａ及びランド２Ｂが形成された光ディスク基板３、４上に第１磁性層７、第２磁性層８、第３磁性層９が順次積層されてなり、第１磁性層７は、第３磁性層９に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、第２磁性層８は、第１磁性層７及び第３磁性層９よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒体５において、光ディスク基板３、４は、ランド２Ｂの両端部に傾斜部Ｍを有し、ランド２Ｂ表面からグルーブ２Ａに向かう傾斜部Ｍの端までの距離をＡ、ランド２Ｂ表面からグルーブ２Ａの底部までの距離をＢとするとき、Ｂ／Ａが１０％以上である。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にグルーブ及びランドが形成された光ディスク基板上に第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層が順次積層されてなり、前記第１磁性層は、前記第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、前記第２磁性層は、前記第１磁性層及び前記第３磁性層よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒体において、
前記光ディスク基板は、前記ランドの両端部に傾斜部を有し、前記ランド表面から前記グルーブに向かう前記傾斜部の端までの距離をＡ、前記ランド表面からグルーブの底部までの距離をＢとするとき、Ｂ／Ａが１０％以上であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
表面にグルーブ及びランドが形成された光ディスク基板上に第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層が順次積層されてなり、前記第１磁性層は、前記第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、前記第２磁性層は、前記第１磁性層及び前記第３磁性層よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒体の製造方法において、
前記光ディスク基板を、射出成形された基板のグルーブ及びランド上方から、窒素雰囲気下で３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギー又は大気中で６００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの紫外線或いは真空紫外線を照射して作製することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気分断を行うことができ、良好な記録再生を行うことができる光磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光基板上に記録膜を形成してなる情報媒体として種々の光記録媒体や磁気記録媒体が知られている。光で検出可能な光学的状態の変化に対応させて情報を記録する光記録媒体は高密度化が可能であり、光ディスクや光カードとして実用化されている。
【０００３】
特許文献１には、グルーブとランドの凹凸が形成された透明な光ディスク基板の表面に第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層が順次積層され、第１磁性層は、第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、第２磁性層は、第１磁性層及び第３磁性層よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒体及びこの光磁気記録媒体を用いて記録マークの境界部に存在する第１磁性層の磁壁を温度勾配によって移動させて、この磁壁移動に伴う磁化反転を反射光の偏光状態の変化として検出する光磁気記録媒体の磁気記録再生方法が記載されている。
【０００４】
記録マークの前方境界部の磁壁と後方境界部の磁壁とが分離独立されていることが再生特性を向上させるうえで望ましいが、膜面方向には一様な記録膜が形成されるため、前後の磁壁が完全分離しているような記録マークを形成することは困難であった。
この対策として、特許文献２に記載されている方法が開発された。
即ち、ランドとグルーブとの間の傾斜部の基板表面に対する傾斜角度が約６３°になるように形成した基板を用いて、マグネトロンスパッタリングを行って、この基板上にＳｉＮ膜、ＴｂＦｅＣｏ層を順次形成した後、逆スパッタを行い、前記傾斜部に形成された膜を除去して、磁気分離をするものである。
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５３６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、傾斜角度を正確に形成する必要があり、また逆スパッタを行う必要があるため、製造方法が複雑化していた。
【０００６】
そこで、本発明は、前述の課題に鑑みて提案されるものであって、容易に磁気分断ができ、良好な記録再生を行うことができる光磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明における第１の発明は、表面にグルーブ及びランドが形成された光ディスク基板上に第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層が順次積層されてなり、前記第１磁性層は、前記第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、前記第２磁性層は、前記第１磁性層及び前記第３磁性層よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒体において、
前記光ディスク基板は、前記ランドの両端部に傾斜部を有し、前記ランド表面から前記グルーブに向かう前記傾斜部の端までの距離をＡ、前記ランド表面からグルーブの底部までの距離をＢとするとき、Ｂ／Ａが１０％以上であることを特徴とする光磁気記録媒体を提供する。
第２の発明は、表面にグルーブ及びランドが形成された光ディスク基板上に第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層が順次積層されてなり、前記第１磁性層は、前記第３磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、前記第２磁性層は、前記第１磁性層及び前記第３磁性層よりもキュリー温度の低い光磁気記録媒体の製造方法において、
前記光ディスク基板を、射出成形された基板のグルーブ及びランド上方から、窒素雰囲気下で３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギー又は大気中で６００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの紫外線或いは真空紫外線を照射して作製することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光ディスク基板は、前記ランドの両端部に傾斜部を有し、前記ランド表面から前記グルーブに向かう前記傾斜部の端までの距離をＡ、前記ランド表面からグルーブの底部までの距離をＢとするとき、Ｂ／Ａが１０％以上であるので、容易に磁気分断ができる光磁気記録媒体を得ることができる。
また、光ディスク基板を、射出成形後、前記グルーブ及び前記ランド上方から、窒素雰囲気下で３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギー又は大気中で６００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの紫外線或いは真空紫外線を照射して作製するので、従来のように複雑な工程を必要とせず、容易に磁気分断した光磁気記録媒体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る光磁気記録媒体及びその製造方法の実施の形態について、図１乃至図７を参照して詳細に説明する。
図１は、射出成形された基板に紫外線照射する様子を示す断面図である。図２は、紫外線照射して得られた光ディスク基板を示す断面図である。
図３は、紫外線照射して得られた係る他の光ディスク基板を示す断面図である。図４は、本発明の光磁気記録媒体を示す断面図である。図５は、本発明の光磁気記録媒体のＣ／Ｎと光照射エネルギーとの関係を示す図である。図６は、本発明の光磁気記録媒体のジッタと光照射エネルギーとの関係を示す図である。図７は、光ディスク基板の傾斜部の形状と光照射エネルギーとの関係を示す図である。
【００１０】
図１に示すように、射出成形により得られたポリカーボネートからなる基板１の凹部となるグルーブ２Ａと凸部となるランド２Ｂに窒素雰囲気下で３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの紫外線或いは真空紫外線を照射する。この結果、図２に示すランドの両端が傾斜した光ディスク基板３が得られる。紫外線或いは真空紫外線の光照射エネルギーを前記した範囲内で変化させることにより図３に示すようなランド２Ｂの両端が丸みを帯びた光ディスク基板４を得ることもできる。
【００１１】
この際、この光ディスク基板３、４の傾斜は、３００ＫＪ／ｍｏｌ未満では、形成されず、２０００ＫＪ／ｍｏｌを超えると、ランド２Ｂの上部が全体的に変形や収縮を起こす。このため、紫外線或いは真空紫外線のエネルギーは、３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌが良い。
【００１２】
ランド２Ｂの両端が傾斜した光ディスク基板３の形成は、大気中でも行うことができる。この場合の紫外線或いは真空紫外線のエネルギーは、６００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌが良い。この範囲を最適とするのは前記した理由と同様である。ここで、光ディスク基板３、４の基板１の厚さｄは０．６ｍｍであり、トラックピッチは、０．７４μｍである。
【００１３】
次に、この光ディスク基板３を用いて光磁気記録媒体を作製して、各種特性について調べた。
ここでは、光ディスク基板３としては、窒素雰囲気下で３００ｍＪ／ｃｍ２の密度で６００ＫＪ／ｍｏｌで照射したものを用いた。
図４に示すように、光磁気記録媒体５は、スパッタリング法を用いて、光ディスク基板３上に第１誘電体層６、第１磁性層７、第２磁性層８、第３磁性層９、第２誘電体層１０を順次形成した後、スピンコート法により紫外線硬化樹脂からなる保護層１１を形成し、更に紫外線照射して作製した。
【００１４】
まずは、光磁気記録媒体５のＣ／Ｎとジッタについて調べた。
この際、記録時には、記録パワーを７．５ｍＷ、外部磁界強度を２００Ｏｅ、線速度を１．５ｍ／ｓ、１５ＭＨｚの２値の単一信号を用いて、マーク長１００ｎｍの記録を行い、再生時には、１．７ｍＷで行った。
また、Ｃ／Ｎはスペクトラムアナライザを用いて測定を行い、ジッタは、Ｄａｔａ  ｔｏ  Ｄａｔａジッタをタイムインターバルアナライザを用いて測定した。その結果を表１に示す。表１中、試料１は、窒素雰囲気下で３００ｍＪ／ｃｍ２の密度で６００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーで照射したものであり、試料２は、大気中で６００をｍＪ／ｃｍ２の密度で１２００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーで照射したものであり、試料３は、射出成形した光ディスク基板のままの未照射状態のものである。
【００１５】
【表１】
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【００１６】
表１に示すように、試料１、２は、試料３に比較してＣ／Ｎ及びジッタ共に良好となっていることがわかる。
【００１７】
次に、Ｃ／Ｎの光照射エネルギー依存性について調べた。
図５に示すように、窒素雰囲気下では、３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの範囲で、大気中では、６００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの範囲でＣ／Ｎが良好であることがわかる。
【００１８】
次に、ジッタの光照射エネルギー依存性について調べた。
図６に示すように、前記と同様に、窒素雰囲気下では、３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの範囲で、大気中では、６００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーの範囲でジッタが良好であることがわかる。
【００１９】
次に、基板１の傾斜部Ｍのランド２Ｂ表面からグルーブ２Ａに向かう端までの距離をＡ、グルーブ２Ａの底部からランド２Ｂの上端部までの距離をＢとし、比Ａ／Ｂの光照射エネルギー依存性について調べた。
図７に示すように、窒素雰囲気下では、２００ＫＪ／ｍｏｌ、大気中では、３００ＫＪ／ｍｏｌを超えると比Ａ／Ｂが１０％以上となり、傾斜部Ｍの傾斜が大きくなっていくことがわかる。
【００２０】
以上のように、本発明の実施の形態によれば、射出成形された基板１のグルーブ２Ａ及びランド２Ｂに３００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーを、大気中では、６００ＫＪ／ｍｏｌ〜２０００ＫＪ／ｍｏｌの光照射エネルギーを照射して光ディスク基板３を作製するので、光ディスク基板３の傾斜部Ｍの比Ａ／Ｂが１０％以上にすることができる。この光ディスク基板３を用いて作製された光磁気記録媒体５は、良好なＣ／Ｎ、かつ小さいジッタが得られる。このことは、良好な磁気分離できている結果と思われる。
なお、光ディスク基板４を用いても同様である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】射出成形された基板に紫外線照射する様子を示す断面図である。
【図２】紫外線照射して得られた光ディスク基板を示す断面図である。
【図３】紫外線照射して得られた係る他の光ディスク基板を示す断面図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体を示す断面図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体のＣ／Ｎと光照射エネルギーとの関係を示す図である。
【図６】本発明の光磁気記録媒体のジッタと光照射エネルギーとの関係を示す図である。
【図７】光ディスク基板の傾斜部の形状と光照射エネルギーとの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００２２】
１…基板、２Ａ…グルーブ、２Ｂ…ランド、３、４…光ディスク基板、５…光磁気記録媒体、６…第１誘電体層、７…第１磁性層、８…第２磁性層、９…第３磁性層、１０…第２誘電体層、１１…保護層、Ｍ…傾斜部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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