(57)【要約】      （修正有）【課題】挿入損失を低減し、かつ回路の小型化が可能な高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提供する。【解決手段】複合高周波部品１０は、ダイプレクサ１１、第１及び第２の高周波スイッチ１２，１３、第１及び第２のフィルタ１４，１５からなる。そして、ダイプレクサ１１は、インダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。また、第１の高周波スイッチ１２は、ダイオードＤ１１〜Ｄ１３、インダクタＬ２１〜Ｌ２５、コンデンサＣ２１〜Ｃ２５で構成される。さらに、第２の高周波スイッチ１３は、ダイオードＤ２１，Ｄ２２、インダクタＬ３１〜Ｌ３３、コンデンサＣ３１〜Ｃ３３で構成される。また、第１のフィルタ１４は、インダクタＬ４１、コンデンサＣ４１，Ｃ４２で構成される。さらに、第２のフィルタ１５は、インダクタＬ５１、コンデンサＣ５１，Ｃ５２で構成される。【選択図】図１
2006129433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナに接続される第１のポート、送信部に接続される第２のポート、第１の受信部に接続される第３のポート、第２の受信部に接続される第４のポート、及び制御端子を備え、前記第１のポートと前記第２のポートの間には、ダイオードが接続され、前記第１のポートと前記第３のポートの間には、インダクタが接続され、前記インダクタの前記第３のポート側の一端とアースの間には、別のダイオードが接続されており、前記第１のポートと前記第４のポートの間には、さらに別のダイオードが接続されており、前記制御端子に印加される電圧を制御することにより、前記第１のポートを前記第２乃至第４のポートのいずれかに切り換えることを特徴とする高周波スイッチ。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波スイッチの第１のポートまたは第２のポートのいずれかに、フィルタを接続したことを特徴とする複合高周波部品。
【請求項３】
ダイプレクサをさらに備え、前記高周波スイッチ、前記フィルタ、及び前記ダイプレクサが複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化されることを特徴とする請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項４】
請求項１に記載の高周波スイッチ、または請求項２乃至請求項３に記載の複合高周波部品を含んでなることを特徴とする移動体通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、３つの異なる通信システムに利用可能な高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、移動体通信装置として、複数の周波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ(Digital Cellular System)及びＰＣＳ(Personal Communication Services)と９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ(Global System for Mobile communications)とで動作が可能なトリプルバンド携帯電話器が提案されている。
【０００３】
図６は、従来のトリプルバンド携帯電話器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳ、それらと周波数が異なる第３の通信システムに９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとした場合の一例を示したものである。
【０００４】
トリプルバンド携帯電話器のフロントエンド部は、アンテナ１、ダイプレクサ２、３ポートを備えた第１乃至第３のスイッチ３〜５、第１及び第２のフィルタ６，７を備える。ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭの送信信号を結合し、受信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭに受信信号を分配する役目を担う。第１の高周波スイッチ３は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信部側とＤＣＳ及びＰＣＳの受信部側とを切り換え、第２の高周波スイッチ４は、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側とを切り換え、第３の高周波スイッチ５は、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘｇ側とを切り換える役目を担う。第１のフィルタ６は、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させ、第２のフィルタ７は、ＧＳＭの送受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させる役目を担う。
【０００５】
ここで、トリプルバンド携帯電話器の動作について、まず、ＤＣＳの場合を説明する。送信の際には、第１の高周波スイッチ３にてＰＣＳと共通の送信部Ｔｘｄｐを接続して送信部Ｔｘｄｐからの送信信号を第１のフィルタ６に送り、第１のフィルタ６を通過した送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＤＣＳ、ＰＣＳ側の第１のフィルタ６に送り、第１の高周波スイッチ３にて受信部側をオンにして第１のフィルタ６を通過した受信信号を第２の高周波スイッチ４に送り、第２の高周波スイッチ４にてＤＣＳの受信部Ｒｘｄを接続して第２の高周波スイッチ４を通過した受信信号をＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＰＣＳを用いる場合にも同様の動作にて送受信される。
【０００６】
続いて、ＧＳＭの場合を説明する。送信の際には、第３の高周波スイッチ５にて送信部Ｔｘｇを接続して送信部Ｔｘｇからの送信信号を第２のフィルタ７に送り、第２のフィルタ７を通過した送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＧＳＭ側の第２のフィルタ７に送り、第３の高周波スイッチ５にて受信部Ｒｘｇを接続して第２のフィルタ７を通過した受信信号を受信部Ｒｘｇに送る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記の従来の移動体通信装置の１つであるトリプルバンド携帯電話器によれば、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システム側で２つの高周波スイッチを備えているため、受信部に２つの高周波スイッチの挿入損失が発生し、挿入損失が大きくなるという問題があった。
【０００８】
また、高周波スイッチの占有面積が大きくなり、回路基板が大型化し、その結果、トリプルバンド携帯電話器（移動体通信装置）が大型化するという問題もあった。
【０００９】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、挿入損失を低減し、かつ回路の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述する問題点を解決するため本発明の高周波スイッチは、アンテナに接続される第１のポート、送信部に接続される第２のポート、第１の受信部に接続される第３のポート、第２の受信部に接続される第４のポート、及び制御端子を備え、前記第１のポートと前記第２のポートの間には、ダイオードが接続され、前記第１のポートと前記第３のポートの間には、インダクタが接続され、前記インダクタの前記第３のポート側の一端とアースの間には、別のダイオードが接続されており、前記第１のポートと前記第４のポートの間には、さらに別のダイオードが接続されており、前記制御端子に印加される電圧を制御することにより、前記第１のポートを前記第２乃至第４のポートのいずれかに切り換えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の複合高周波部品は、本発明の高周波スイッチの第１のポートまたは第２のポートのいずれかに、フィルタを接続したことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の複合高周波部品は、ダイプレクサをさらに備え、前記高周波スイッチ、前記フィルタ、及び前記ダイプレクサが複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の移動体通信装置は、上記に記載の高周波スイッチ、または複合高周波部品を用いたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の複合高周波部品によれば、４ポートを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減することが可能となる。
【００１５】
本発明の移動体通信装置によれば、受信部の挿入損失を低減する複合高周波部品を用いるため、３つの通信システムに対応したフロントエンド部の特性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の複合高周波部品によれば、４ポートを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減させることが可能となる。
【００１７】
また、複合高周波部品をなす２つの高周波スイッチを５つのダイオードで構成することができるため、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現することができる。
【００１８】
本発明の複合高周波部品によれば、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１乃至第３の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第４及び第５の制御電源で制御しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの送信時には、４ポートを有する第１の高周波スイッチを構成する３つのダイオードが全てオンになり、その結果、複合高周波部品の高調波歪みを低減させることができる。
【００１９】
本発明の複合高周波部品によれば、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１及び第２の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第３の制御電源で制御しているため、第１の高周波スイッチの後段の第１及び第２の通信システムのいずれか一方、及び第２の高周波スイッチの後段の第３の通信システムの受信時には、第１の高周波スイッチが備える第１及び第２の制御電源、及び第２の高周波スイッチが備える第３の制御電源に印加する印加電圧が０Ｖになり、その結果、複合高周波部品の消費電流を低減させることができる。
【００２０】
本発明の複合高周波部品によれば、第１及び第２のフィルタの少なくとも１つが高周波スイッチの後段の送信部側に配置されるため、送信部に構成する高出力増幅器による送信信号の歪みを減衰させることができる。
したがって、受信部の挿入損失を改善することができる。
【００２１】
本発明の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波スイッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路を設ける必要がなくなる。
【００２２】
したがって、部品点数を減らすことができるため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成する回路基板の小型化が可能となる。
【００２３】
本発明の複合高周波部品によれば、ダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、第１のキャパシタンス素子で構成され、第１乃至第３の高周波スイッチが、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、第２のキャパシタンス素子で構成され、第１及び第２のフィルタが、第３のインダクタンス素子、第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、さらに小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
【００２４】
また、波長短縮効果により、各インダクタンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
【００２５】
本発明の移動体通信装置によれば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、本発明の高周波スイッチ及び複合高周波部品の第１の実施例の回路図である。第１乃至第３の通信システムであるＤＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）に対応したフロントエンド部の一部を構成する複合高周波部品１０は、ダイプレクサ１１、４ポートを有する第１の高周波スイッチ１２、３ポートを有する第２の高周波スイッチ１３、第１及び第２のフィルタ１４，１５からなる。
【００２７】
そして、ダイプレクサ１１の第１のポートＰ１１にはアンテナ１が、第２のポートＰ１２には第１のフィルタ１４の第１のポートＰ４１が、第３のポートＰ１３には第２のフィルタ１５の第１のポートＰ５１がそれぞれ接続される。
【００２８】
また、第１のフィルタ１４の第２のポートＰ４２には第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１が接続され、第１の高周波スイッチ１２の第２のポートＰ２２にはＤＣＳとＰＣＳとの共通の送信部Ｔｘｄｐが、第３のポートＰ２３にはＤＣＳの受信部Ｒｘｄが、第４のポートＰ２４にはＰＣＳの受信部Ｒｘｐがそれぞれ接続される。
【００２９】
さらに、第２のフィルタ１５の第２のポートＰ５２には第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１が接続され、第２の高周波スイッチ１３の第２のポートＰ３２にはＧＳＭの送信部Ｔｘｇが、第３のポートＰ３３にはＧＳＭの受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続される。
【００３０】
ダイプレクサ１１は、第１のインダクタンス素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。
【００３１】
そして、第１のポートＰ１１と第２のポートＰ１２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。
【００３２】
また、第１のポートＰ１１と第３のポートＰ１３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回路の第３のポートＰ１３側が第１のコンデンサＣ１５を介して接地される。
【００３３】
第１の高周波スイッチ１２は、第１のスイッチング素子である第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１〜Ｌ２５、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１〜Ｃ２５で構成される。
【００３４】
そして、第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２との間にカソードが第１のポートＰ２１側になるように第１のダイオードＤ１１が接続され、第１のダイオードＤ１１には第２のインダクタＬ２１と第２のコンデンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００３５】
また、第１のダイオードＤ１１の第２のポートＰ２２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第２のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接続点には第１の制御端子Ｖｃ１が設けられる。
【００３６】
さらに、第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ２３側は第１のダイオードＤ１２及び第２のコンデンサＣ２３を介して接地され、第１のダイオードＤ１２のカソードと第２のコンデンサＣ２３との接続点には第２の制御端子Ｖｃ２が設けられる。
【００３７】
また、第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４との間に第２のインダクタＬ２４が接続され、第２のインダクタＬ２４の第４のポートＰ２４側は第１のダイオードＤ１３及び第２のコンデンサＣ２４を介して接地され、第１のダイオードＤ１３のカソードと第２のコンデンサＣ２４との接続点には第３の制御端子Ｖｃ３が設けられる。
【００３８】
さらに、第１のポートＰ２１は第２のインダクタＬ２５及び第２のコンデンサＣ２５を介して接地され、第２のインダクタＬ２５と第２のコンデンサＣ２５との接続点は、抵抗Ｒを介して接地される。
【００３９】
第２の高周波スイッチ１３は、第２のスイッチング素子である第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１〜Ｌ３３、及び第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１〜Ｃ３３で構成される。
【００４０】
そして、第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側になるように第２のダイオードＤ２１が接続され、第２のダイオードＤ２１には第３のインダクタＬ３１と第３のコンデンサＣ３１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００４１】
また、第２のダイオードＤ２１の第２のポートＰ３２側、すなわちアノードは第３のインダクタＬ３２及び第３のコンデンサＣ３２を介して接地され、第３のインダクタＬ３２と第３のコンデンサＣ３２との接続点には第４の制御端子Ｖｃ４が設けられる。
【００４２】
さらに、第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３との間に第３のインダクタＬ３３が接続され、第３のインダクタＬ３３の第３のポートＰ３３側は第２のダイオードＤ２２及び第３のコンデンサＣ３３を介して接地され、第２のダイオードＤ２２のカソードと第３のコンデンサＣ３３との接続点には第５の制御端子Ｖｃ５が設けられる。
【００４３】
第１のフィルタ１４は、第４のインダクタンス素子である第４のインダクタＬ４１、及び第４のキャパシタンス素子である第４のコンデンサＣ４１，Ｃ４２で構成される。
【００４４】
そして、第１のポートＰ４１と第２のポートＰ４２との間に第４のインダクタＬ４１が直列接続され、第４のインダクタＬ４１には第４のコンデンサＣ４１が並列に接続される。また、第４のインダクタＬ４１の第２のポートＰ４２側は第４のコンデンサＣ４２を介して接地される。
【００４５】
第２のフィルタ１５は、第５のインダクタンス素子である第５のインダクタＬ５１、及び第５のキャパシタンス素子である第５のコンデンサＣ５１，Ｃ５２で構成される。
【００４６】
そして、第１のポートＰ５１と第２のポートＰ５２との間に第５のインダクタＬ５１が直列接続され、第５のインダクタＬ５１には第５のコンデンサＣ５１が並列に接続される。また、第５のインダクタＬ５１の第２のポートＰ５２側は第５のコンデンサＣ５２を介して接地される。
【００４７】
図２は、図１の回路構成を有する複合高周波部品の要部分解斜視図である。
複合高周波部品１０は、セラミック多層基板１６を含み、セラミック多層基板１６には、図示していないが、ダイプレクサ１１を構成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５、第１の高周波スイッチ１２の第２のインダクタＬ２１，Ｌ２３〜Ｌ２５、第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２５、第２の高周波スイッチ１３の第３のインダクタＬ３１，Ｌ３３、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２、第１のフィルタ１４を構成する第４のインダクタＬ４１、第４のコンデンサＣ４１，Ｃ４２、第２のフィルタ１５を構成する第５のインダクタＬ５１、第５のコンデンサＣ５１，Ｃ５２がそれぞれ内蔵される。
【００４８】
また、セラミック多層基板１６の表面には、チップ部品からなる第１の高周波スイッチ１２を構成する第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、第２のインダクタＬ２２、第２のコンデンサＣ２３，Ｃ２４、第２の高周波スイッチ１３を構成する第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、第３のインダクタＬ３２、第３のコンデンサＣ３３がそれぞれ搭載される。
【００４９】
さらに、セラミック多層基板１６の側面から底面に架けて、１２個の外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子Ｔａ〜Ｔｌのうち、５個の外部端子Ｔａ〜Ｔｅはセラミック多層基板１１の一方長辺側、５個の外部端子Ｔｇ〜Ｔｋはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２個の外部端子Ｔｆ，Ｔｌはセラミック多層基板１１の相対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより形成される。
【００５０】
そして、外部端子Ｔａ〜Ｔｌは、それぞれ、ダイプレクサ１１のポートＰ１１、第１及び第２の高周波スイッチ１２，１３の第２及び第３のポートＰ２２，Ｐ２３，Ｐ３２，Ｐ３３、第１及び第２の高周波スイッチ１２，１３の第１〜第５の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，Ｖｃ４，Ｖｃ５、並びにグランド用の端子となる。
【００５１】
また、セラミック多層基板１６上には、セラミック多層基板１６の表面を覆うように金属キャップ１７が被せられる。この際、金属キャップ１７と、ラミック多層基板１６の相対する短辺のそれぞれの側に設けられるグランド用の端子となる外部端子Ｔｆ，Ｔｌとは接続される。
【００５２】
ここで、図１の回路構成を有する複合高周波部品１０の動作について説明する。
まず、ＤＣＳあるいはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２とを接続することにより、ＤＣＳあるいはＰＣＳの送信信号が第１の高周波スイッチ１２、第１のフィルタ１４及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳ、ＰＣＳの送信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００５３】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００５４】
次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に１Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に０Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２とを接続することにより、ＧＳＭの送信信号が第２の高周波スイッチ１３、第２のフィルタ１５及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの送信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００５５】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００５６】
次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＤＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、及び第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００５７】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１４を遮断している。
【００５８】
次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＰＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＰＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００５９】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００６０】
次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信号がダイプレクサ１１、第２のフィルタ１５、及び第２の高周波スイッチ１３を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇに送られる。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００６１】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００６２】
上述の第１の実施例の複合高周波部品によれば、４ポートを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減させることが可能となる。
【００６３】
また、複合高周波部品をなす２つの高周波スイッチを５つのダイオードで構成することができるため、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現することができる。
【００６４】
さらに、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１乃至第３の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第４及び第５の制御電源で制御しているため、近接した周波数を備えるＤＣＳ、ＰＣＳの送信時には、４ポートを有する第１の高周波スイッチを構成する３つのダイオードが全てオンになり、その結果、複合高周波部品の高調波歪みを低減させることができる。
【００６５】
また、複合高周波部品をなすダイプレクサ、第１及び第２の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保することができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第２の高周波スイッチとの間の整合回路が不要となる。
【００６６】
したがって、複合高周波部品の小型化が可能となる。ちなみに、ダイプレクサ、第１及び第２の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを６．３ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大きさのセラミック多層基板に一体化することが可能となった。
【００６７】
さらに、ダイプレクサが、第１のインダクタ、第１のコンデンサで構成され、第１の高周波スイッチが、第１のダイオード、第２のインダクタ、第２のコンデンサで構成され、第２の高周波スイッチが、第２のダイオード、第３のインダクタ、第３のコンデンサで構成され、第１のフィルタが、第４のインダクタ、第４のコンデンサで構成され、第２のフィルタが、第５のインダクタ、第５のコンデンサで構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
【００６８】
また、波長短縮効果により、第１〜第５のインダクタとなるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
【００６９】
図３は、本発明の高周波スイッチ及び複合高周波部品の第２の実施例の回路図である。複合高周波部品２０は、ダイプレクサ１１、第１及び第２の高周波スイッチ１２，１３、第１及び第２のフィルタ１４，１５からなる。
【００７０】
このうち、ダイプレクサ１１、第１及び第２のフィルタ１４，１５の構成は、図１の第１の実施例の複合高周波部品１０と同じであり、詳細な説明は省略する。
【００７１】
第１の高周波スイッチ１２は、第１のスイッチング素子である第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１〜Ｌ２５、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１〜Ｃ２５で構成される。
【００７２】
そして、第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２との間にカソードが第１のポートＰ２１側になるように第１のダイオードＤ１１が接続され、第１のダイオードＤ１１には第２のインダクタＬ２１と第２のコンデンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００７３】
また、第１のダイオードＤ１１の第２のポートＰ２２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第２のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接続点には第１の制御端子Ｖｃ１が設けられる。
【００７４】
さらに、第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ２３側は第１のダイオードＤ１２及び第２のコンデンサＣ２３を介して接地され、第１のダイオードＤ１２のカソードと第２のコンデンサＣ２３との接続点は抵抗Ｒを介して接地される。
【００７５】
また、第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４との間にカソードが第１のポートＰ２１側になるように第１のダイオードＤ１３が接続され、第１のダイオードＤ１３には第２のインダクタＬ２４と第２のコンデンサＣ２４とからなる直列回路が並列に接続される。
【００７６】
また、第１のダイオードＤ１３の第４のポートＰ２４側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２５及び第２のコンデンサＣ２５を介して接地され、第２のインダクタＬ２５と第２のコンデンサＣ２５との接続点には第２の制御端子Ｖｃ２が設けられる。
【００７７】
第２の高周波スイッチ１３は、第２のスイッチング素子である第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１〜Ｌ３３、及び第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１〜Ｃ３３で構成される。
【００７８】
そして、第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側になるように第２のダイオードＤ２１が接続され、第２のダイオードＤ２１には第３のインダクタＬ３１と第３のコンデンサＣ３１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００７９】
また、第２のダイオードＤ２１の第２のポートＰ３２側、すなわちアノードは第３のインダクタＬ３２及び第３のコンデンサＣ３２を介して接地され、第３のインダクタＬ３２と第３のコンデンサＣ３２との接続点には第３の制御端子Ｖｃ３が設けられる。
【００８０】
さらに、第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３との間に第３のインダクタＬ３３が接続され、第３のインダクタＬ３３の第３のポートＰ３３側は第２のダイオードＤ２２及び第３のコンデンサＣ３３を介して接地され、第２のダイオードＤ２２のカソードと第３のコンデンサＣ３３との接続点は抵抗Ｒを介して接地される。
【００８１】
ここで、図３の回路構成を有する複合高周波部品２０の動作について説明する。まず、ＤＣＳあるいはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２とを接続することにより、ＤＣＳあるいはＰＣＳの送信信号が第１の高周波スイッチ１２、第１のフィルタ１４及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳ、ＰＣＳの送信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００８２】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００８３】
次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２とを接続することにより、ＧＳＭの送信信号が第２の高周波スイッチ１３、第２のフィルタ１５及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの送信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００８４】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００８５】
次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＤＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、及び第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００８６】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００８７】
次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＰＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＰＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００８８】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第３の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００８９】
次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信号がダイプレクサ１１、第２のフィルタ１５、及び第２の高周波スイッチ１３を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇに送られる。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００９０】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００９１】
上述の第２の実施例の複合高周波部品によれば、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１及び第２の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第３の制御電源で制御しているため、第１の高周波スイッチの後段のＤＣＳ、及び第２の高周波スイッチの後段のＧＳＭの受信時には、第１の高周波スイッチが備える第１及び第２の制御電源、及び第２の高周波スイッチが備える第３の制御電源に印加する印加電圧が０Ｖになり、その結果、複合高周波部品の消費電流を低減させることができる。
【００９２】
図４は、本発明の複合高周波部品の第３の実施例のブロック図である。複合高周波部品３０は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較して第１及び第２のフィルタ１４，１５の配置位置が異なる。
【００９３】
すなわち、第１のフィルタ１４が第１の高周波スイッチ１２の後段の送信部側であるＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔｘｄｐ側に、第２のフィルタ１５が第２の高周波スイッチ１３の後段の送信部側であるＧＳＭの送信部Ｔｘｇとの間にそれぞれ配置される。
【００９４】
上述の第３の実施例の複合高周波部品によれば、フィルタが高周波スイッチの後段の送信部側、すなわち高周波スイッチと送信部との間に配置されるため、送信の際に、送信部にある高出力増幅器の歪みをこのフィルタで減衰させることができる。したがって、受信側の挿入損失を改善することができる。
【００９５】
図５は、移動体通信機であるトリプルバンド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。トリプルバンド携帯電話器４０は、アンテナ１及び複合高周波部品１０（図１）を備える。
【００９６】
そして、複合高周波部品１０のポートＰ１１にはアンテナ１が、ポートＰ２２，Ｐ２３，Ｐ２４，Ｐ３２，Ｐ３３には、ＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔｘｄｐ、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐ、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇが、それぞれ接続される。
【００９７】
上述のトリプルバンド携帯電話器によれば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
【００９８】
なお、複合高周波部品１０に複合高周波部品２０，３０（図２、図３）を用いても同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例の回路図である。
【図２】図１の複合高周波部品の要部分解斜視図である。
【図３】本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例の回路図である。
【図４】本発明の複合高周波部品に係る第３の実施例のブロック図である。
【図５】図１の複合高周波部品を用いた移動体通信機の構成の一部を示すブロック図である。
【図６】一般的なトリプルバンド携帯電話器（移動体通信装置）のフロントエンド部の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１００】
１１     ダイプレクサ
１２，１３     第１、第２の高周波スイッチ
１４，１５     第１、第２のフィルタ
１６     セラミック多層基板
４０     移動体通信機（トリプルバンド携帯電話器）
Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５，Ｃ３１〜Ｃ３３，Ｃ４１，Ｃ４２，Ｃ５１，Ｃ５２     第１〜第５のキャパシタンス素子
Ｄ１１〜Ｄ１３，Ｄ２１，Ｄ２２     第１、第２のスイッチング素子
Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１〜Ｌ２５，Ｌ３１〜Ｌ３３，Ｌ４１，Ｌ５１     第１〜第５のインダクタ素子
Ｔｘｄｐ，Ｔｘｇ     送信部
Ｒｘｄ，Ｒｘｐ，Ｒｘｇ     受信部
【図１】
2006129433.tif 000003
【図２】
2006129433.tif 000004
【図３】
2006129433.tif 000005
【図４】
2006129433.tif 000006
【図５】
2006129433.tif 000007
【図６】
2006129433.tif 000008