(57)【要約】【課題】  小型・薄型・低価格なＣＳＰ構造の樹脂封止型ＳＡＷデバイスを、耐湿性を劣化させることなしに実現する。【解決手段】  単層セラミック基板３、配線パターン５、及び実装電極４と配線パターン５間を導通する内部導体６と、を備えた実装基板２と、圧電基板１８、ＩＤＴ電極１７、及び接続電極１６、を備えたＳＡＷチップ２５と、ＩＤＴ電極と実装基板との間に気密空間Ｓを形成する封止樹脂２０と、を備えた弾性表面波デバイス１であって、内部導体の埋設位置を、気密空間部の外郭を構成する前記封止樹脂の裾部の幅内に位置するように構成し内部導体上端部を含む配線パターンの一部を単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層で覆い、かつ少なくとも絶縁コートの内部導体上端部に相当する部分を封止樹脂で覆った。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層セラミック基板、該単層セラミック基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、前記単層セラミック基板の上部に配置された配線パターン、及び前記単層セラミック基板に形成した貫通孔に充填された導体によって形成され前記外部電極と前記配線パターン間を導通する内部導体と、を備えた実装基板と、
圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続電極、を備えたＳＡＷチップと、
前記ＳＡＷチップを前記実装基板上に前記導体バンプを用いてフリップチップ実装した状態で、前記ＳＡＷチップ外面から前記実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備えた弾性表面波デバイスであって、
前記内部導体の埋設位置を、前記気密空間部の外郭を構成する前記封止樹脂の裾部の幅内に位置するように構成し、
前記内部導体上端部を含む前記配線パターンの一部を前記単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層で覆い、かつ少なくとも前記絶縁コートの内部導体上端部に相当する部分を前記封止樹脂で覆ったことを特徴とする表面実装型弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記絶縁コート層による被覆範囲は、前記配線パターンの周縁に位置する前記絶縁基板面にも延在していることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記絶縁コート層は、前記実装基板の絶縁体材料がアルミナセラミックの場合にはアルミナコート、ガラスセラミックの場合にはガラスセラミックコートであることを特徴とする請求項１、又は２に記載の表面実装型弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波チップを実装基板上にバンプを用いて搭載してから弾性表面波チップを樹脂にて封止した構造の弾性表面波デバイスにおいて、実装基板を貫通する孔内に充填した内部導体が弾性表面波チップ内の気密性を害する原因となる不具合を解消した表面実装型弾性表面波デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）は、水晶等の圧電基板上に櫛歯状の電極指から成るＩＤＴ（インターディジタルトランスジューサ）電極を配置した構成を備え、例えばＩＤＴ電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
半導体部品においてＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれる小型パッケージング技術が一般化するのに伴って、ＳＡＷデバイスにおいても、デバイス小型化の容易化と、バッチ式の製造方法による生産性の向上という観点から、ＣＳＰ技術を用いた生産方法が導入されるようになっている。ＣＳＰ技術では樹脂を用いた封止工法が多く使用されている。
図３に従来技術によるＣＳＰ構造のＳＡＷデバイスの一例を示す（例えば、ＷＯ９７／０２５９６、特開平９−１６２６９０号公報）。
このＳＡＷデバイス１０１は、絶縁基板（単層アルミナセラミック基板）１０３、絶縁基板１０３の底部に設けた表面実装用の外部電極１０４、及び該絶縁基板の上面に設けた配線パターン１０５とから成る実装基板１０２と、配線パターン１０５上に導体バンプ１１０を介して電気的機械的に接続される接続パッド１１６、及びＩＤＴ電極１１７を下面に備えた圧電基板１１８から成るＳＡＷチップ１１５と、配線パターン１０５の上面を含む実装基板１０２とＳＡＷチップ１１５の側面及び上面に対して被覆一体化される樹脂１２０と、を備えている。樹脂１２０は、ＳＡＷチップ１１５の下面と実装基板１０２の上面との間に樹脂が充填されていないＳＡＷ伝搬用の気密空間Ｓが確保されるようにスクリーン印刷等により被覆形成される。
【０００３】
ところで、ＳＡＷデバイス１０１が縦横寸法が数ｍｍの微小寸法である場合には、複数の実装基板１０２をシート状に連結した大面積の実装基板母材を用いたバッチ処理により量産され、実装基板母材上の各個片領域に対して、ＳＡＷチップ１１５のフリップチップ実装を行ってから、所定のマスクを用いたスクリーン印刷、或いはディスペンサによる塗布により樹脂１２０の被覆が行われる。この際、樹脂１２０は、各ＳＡＷチップ１１５間の谷間に充填されてＳＡＷチップ１１５の裾部と実装基板上面との間の空間を気密封止する一方で、ＳＡＷチップ外面に対して密着して被覆される。
絶縁基板１０３の底部と上面に夫々設けた外部電極１０４、及び配線パターン１０５は、絶縁基板１０３に形成された貫通孔１０３ａに充填された内部導体１０６によって電気的に接続されている。内部導体１０６は、セラミックグリーンシートに貫通孔１０３ａを穿設し、この貫通孔１０３ａ内に導体ペーストを充填して焼成することで形成される。この導体ペーストの充填が不十分であると、焼成後に貫通孔１０３ａと内部導体１０６との間の微小間隙を介してセラミック基板の内部導体部の気密性が劣化するという不具合が発生する。
図３の構造では、内部導体１０６が気密空間Ｓの直下に位置する絶縁基板１０３内に配置されているため、貫通孔１０３ａと内部導体１０６との気密性が不十分な場合には外部から水分が気密空間Ｓ内に侵入して、内部空間に存在する金属を腐食させ、ＳＡＷデバイスの電気的特性を劣化させる原因となる。
【０００４】
次に、図４に示すＳＡＷデバイス１０１のように、実装基板１０２を構成する絶縁基板１０３を上層１０３Ｕと下層１０３Ｌから成る多層セラミック基板とし、上層１０３Ｕと下層１０３Ｌに夫々形成する各縦貫通孔１０３ａ’、１０３ａ”の横方向位置をずらすと共に、両縦貫通孔１０３ａ’、１０３ａ”間を横孔１０３'''によって連通した構造とした場合には、連通し合った各孔内に導体ペーストを充填して焼成した際に上層１０３Ｕと下層１０３Ｌとに夫々形成した内部導体１０６Ｕ、１０６Ｌの横方向位置が重ならなくなる。このように構成すれば、各縦貫通孔１０３ａ’、１０３ａ”及び横孔横孔１０３'''内への導体充填が不十分な場合であっても気密空間Ｓの気密性を確保することができる。
しかし、多層セラミック基板の製造に際しては、上層１０３Ｕと下層１０３Ｌの各々のセラミックグリーンシートに対して貫通孔穿設と導体充填を個別に行う必要があるので、製造工程が増大するという欠点がある。貫通孔の穿設方法が金型による打ち抜きである場合は、上層用と下層用の両方の金型を準備する必要があり、高価な打ち抜き用金型が複数個必要となってコスト増大をもたらす。貫通孔の穿設を金型による打ち抜きではなくＮＣ加工機で行う場合は、穿設する貫通孔の数が単層セラミック基板の場合よりも多くなってしまうため、穿設完了までの時間が長くなってしまう。また、多層セラミック基板に対する配線パターンや外部電極となる導体パターンの印刷についても、上層と下層の各々のセラミックグリーンシートに対して行わなければならず、これも製造工程が増える原因となる。さらに、近年のデバイス薄型化によって実装基板についても薄肉化が進んでいるため、貫通孔穿設、導体充填、そして導体パターン印刷を終えた上層と下層の各々の薄型セラミックグリーンシートを積層する作業が非常に困難なものとなってきている。
このように、図４のような多層セラミック基板は、貫通孔内への導体充填が不十分な場合であっても内部空間の気密性を確保することができるが、上述のような多くの欠点がある。
【０００５】
次に、図５に示したＳＡＷデバイス１０１は、内部導体１０６をＳＡＷチップ１１５の外側端縁の直下位置に相当する絶縁基板内部に配置すると共に、内部導体１０６の上端部を含む配線パターン１０５を封止樹脂１２０の裾部により被覆した構造を備えている。この構造によれば、貫通孔１０３ａへの導体充填が不十分な場合でも、内部導体上面を覆う封止樹脂１２０の裾部によって気密空間Ｓへの水分侵入が防止できるように思える。しかし、実際には実装基板１０２の配線パターン１０５表面には半田やＡｕバンプとの接合を行うためにＡｕメッキが施されており、Ａｕと樹脂との密着性の悪さから、内部導体１０６と貫通孔１０３ａとの間から侵入した水分は、Ａｕメッキと封止樹脂裾部との接触界面伝いに気密空間内へ侵入してしまう。また、封止樹脂はアルミナセラミックとの密着は良好なため、封止樹脂と絶縁基板との密着強度を上げるためにも、アルミナセラミック製絶縁基板面と封止樹脂との接触界面幅Ｆを極力大きくとるのが望ましいが、近年のデバイス小型化により、十分な接触界面幅Ｆを確保するのが困難になっている。図５のＳＡＷデバイスのように内部導体上面を封止樹脂で覆った構造は、例えば特開２００３−２９８３８９公報に開示されている。
【０００６】
次に、図６は、内部導体１０６を導体バンプ１１０よりも中央寄りに配置し、内部導体１０６の上端部及び配線パターン１０５を封止樹脂１２０の裾部にて覆った構造である。このような構造の場合、アルミナセラミックからなる絶縁基板１０３面と封止樹脂１２０との接触界面幅は大きく確保しやすいが、内部導体が導体バンプ１１０よりも中央寄りに配置されるため、導体バンプ１１０の存在によって（導体バンプが障害となって）内部導体上端部とその周辺の配線パターン上面を封止樹脂により十分に覆うことが困難となる場合がある。
図６のように内部導体１０６を導体バンプよりも中央寄りに配置し、内部導体上端部及び配線パターン上面を封止樹脂で覆った構造は、例えば特開平１１−７４７５５号公報に開示されている。
【特許文献１】ＷＯ９７／０２５９６
【特許文献２】特開平９−１６２６９０号公報
【特許文献３】特開２００３−２９８３８９公報
【特許文献４】特開平１１−７４７５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、小型・薄型・低価格なＣＳＰ構造の樹脂封止型ＳＡＷデバイスを、耐湿性を劣化させることなしに実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、単層セラミック基板、該単層セラミック基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、前記単層セラミック基板の上部に配置された配線パターン、及び前記単層セラミック基板に形成した貫通孔に充填された導体によって形成され前記外部電極と前記配線パターン間を導通する内部導体と、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続電極、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップを前記実装基板上に前記導体バンプを用いてフリップチップ実装した状態で、前記ＳＡＷチップ外面から前記実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備えた弾性表面波デバイスであって、前記内部導体の埋設位置を、前記気密空間部の外郭を構成する前記封止樹脂の裾部の幅内に位置するように構成し、前記内部導体上端部を含む前記配線パターンの一部を前記単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層で覆い、かつ少なくとも前記絶縁コートの内部導体上端部に相当する部分を前記封止樹脂で覆ったことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１において、前記絶縁コート層による被覆範囲は、前記配線パターンの周縁に位置する前記絶縁基板面にも延在していることを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項１、又は２において、前記絶縁コート層は、前記実装基板の絶縁体材料がアルミナセラミックの場合にはアルミナコート、ガラスセラミックの場合にはガラスセラミックコートであることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のＳＡＷデバイスによれば、気密空間の直下位置に相当する絶縁基板部分には内部導体を配置しないように構成したため、貫通孔と内部導体との間の気密性が不十分な場合に、水分等が直接内部空間に侵入することを防止できる。
また、内部導体の上端部とその周辺の配線パターン部分、更には配線パターン周辺の絶縁基板表面部分を、単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層で覆ったので、絶縁コート層と配線パターン上のＡｕ膜との間の密着強度と、絶縁コート層と封止樹脂との密着強度を夫々高めることができ、耐湿性を向上できる。
更に、内部導体を導体バンプよりも外側（ＳＡＷデバイス端面寄り）に設けているため、導体バンプの存在によって（導体バンプが障害となって）内部導体上面を封止樹脂で覆えなくなるということがなくなる。
また、絶縁基板を単層セラミック基板にて構成したため、製造コストを低減し、生産性を高めることができる。
以上の構成を備えた本発明によれば、小型・薄型・低価格なＣＳＰ構造の樹脂封止型ＳＡＷデバイスを、耐湿性を劣化させることなしに実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図１（ａ）は本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイス（以下、ＳＡＷデバイス、という）の縦断面図であり、（ｂ）は要部拡大断面図である。
このＳＡＷデバイス１は、実装基板２上にＳＡＷチップ１５を搭載し、更にＳＡＷチップ１５の外面を封止樹脂２０にて被覆した構成を備えている。
実装基板２は、単層セラミック基板としての平板状の絶縁基板３、絶縁基板３の底部に設けた表面実装用の実装電極４、及び絶縁基板３の上面に設けられ且つ内部導体６を介して実装電極４と導通した配線パターン５、を備えている。単層セラミック基板としては、例えば単層アルミナセラミック基板、或いは単層ガラスセラミックを用いることができる。実装電極４及び配線パターン５は、夫々タングステンから成るベース４ａ、５ａ上にニッケルメッキ層４ｂ、５ｂ、Ａｕメッキ層４ｃ、５ｃを順次積層した構成を有している。また、内部導体６はタングステンにて構成されている。
ＳＡＷチップ１５は、絶縁基板３の上面に設けた各配線パターン５と導体バンプ１０を介して電気的機械的に接続される接続パッド１６、及びＩＤＴ電極１７を夫々水晶等の圧電基板１８の下面に備えている。接続パッド１６は、ＩＤＴ電極１７の外周を包囲するように配置されている。ＩＤＴ電極１７は、高周波電界を印加されることによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電反作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得ることができる。ＩＤＴ電極１７及び接続パッド１６は、フォトエッチング等の微細加工技術によって圧電基板１８の主面に形成される。
封止樹脂２０は、スクリーン印刷、或いはディスペンサを用いた充填によって、ＳＡＷチップ１５の下面を除いた外面と実装基板上面にかけて被覆されることにより実装基板２上にＳＡＷチップ１５を固定すると共に、ＳＡＷチップ１５の裾部（下面外周縁）と実装基板上面との間の空間に充填されることにより、ＳＡＷチップ１５下面と実装基板２上面との間に気密空間Ｓを形成する。
内部導体６は、絶縁基板３に貫通形成した貫通孔３ａ内に導体を埋設することによって形成される。具体的には、セラミックグリーンシートに貫通孔３ａを穿設し、この貫通孔３ａ内に導体ペーストを充填して焼成することで形成される。
【００１１】
この実施形態の特徴的な構成は、内部導体６の埋設位置を、気密空間Ｓの外郭を構成する封止樹脂２０の裾部２０ａの幅Ｆ内に位置するように構成し、更に内部導体６の上端部とその周辺の配線パターン５の一部を、単層セラミック基板３と同じ主成分を用いた絶縁コート層３０にて被覆し、かつ少なくとも絶縁コート層３０の内部導体上端部６ａに相当する部分を封止樹脂２０で覆った点にある。絶縁コート層３０が被覆する範囲は、少なくとも内部導体６の上端部６ａとその周辺の配線パターン５部分、好ましくは更に配線パターン周辺の絶縁基板表面部分にまで拡張することが好ましい。なお、幅Ｆは、封止樹脂２０の裾部と絶縁コート層３０との接触界面幅である。
絶縁コート層３０の材質としては、単層セラミック基板３が単層アルミナセラミック基板の場合はアルミナ、単層ガラスセラミック基板の場合はガラスセラミックとする。
図１（ｂ）に示すように絶縁コート層３０は、配線パターンのタングステンベース５ａ上にニッケルメッキ層５ｂ、Ａｕメッキ層５ｃを積層する前に、タングステンベース５ａの外側端縁から所要幅の範囲にかけて積層される。
【００１２】
図２は本発明のＳＡＷデバイスの製造手順の説明図であり、実装基板２に対してＳＡＷチップ１５を組み付ける手順を示している。なお、実際には大面積の実装基板ウェハを用いたバッチ処理による製造が行われるが、説明を簡略化するため、本図においては個片についての製造手順を示す。
まず、絶縁基板３を構成するセラミックシート（グリーンシート）に実装電極４、配線パターン５、内部電極６を形成するための導体（タングステン）を形成し、続いて絶縁基板３の上面の所要範囲に絶縁コート３０（アルミナコート）を塗布してから焼成する。その後、絶縁基板上に露出した金属パターンである実装電極ベース４ａと、配線パターンベース５ａに対してニッケルメッキ層４ｂ、５ｂと、Ａｕメッキ層４ｃ、５ｃを順次成膜する。
絶縁コート層３０は、実装基板２の上面外周縁に沿って所要幅にて帯状に積層形成されており、絶縁コート層３０は配線パターン５（タングステンベース５ａ）の外側端縁から所要幅の範囲を被覆するように積層される。この状態で実装基板を焼成し、一方、ＳＡＷチップ１５の各接続パッド１６に予めバンプ１０を固定した状態で、各バンプ１０を各配線パターン５上の接合位置に固着することにより、実装基板２に対するＳＡＷチップを搭載し、その後、真空雰囲気中にて封止樹脂２０を塗布、充填することによりＳＡＷデバイス１を完成する。
【００１３】
本発明に係るＳＡＷデバイスは次のような効果を奏する。
即ち、本発明のＳＡＷデバイスにあっては、絶縁基板の貫通孔３ａと内部導体６との間の微小間隙を介して気密空間Ｓ内に外部から浸透する可能性のある水分を遮断するために、気密空間Ｓの直下位置に相当する絶縁基板部分には内部導体６を配置しないように構成したため、貫通孔３ａと内部導体６との間の気密性が不十分な場合に、水分等が直接内部空間に侵入することを防止できる。
更に、気密空間Ｓの気密性、防水性（耐湿性）を高めるために、本実施形態では、内部導体６の上端部６ａとその周辺の配線パターン５部分、更には配線パターン周辺の絶縁基板表面部分を、単層セラミック基板と同じ主成分を用いた絶縁コート層３０で覆った。絶縁コート層３０は、実装基板３の絶縁体材料がアルミナセラミックの場合にはアルミナコート、ガラスセラミックの場合にはガラスセラミックコートとする。絶縁コートは、ペースト状の絶縁体材料を、貫通孔穿設・導体充填・導体パターン印刷を終えたセラミックグリーンシート上に印刷工程により塗布し、セラミックグリーンシートとともに同時に焼成して固化される。
絶縁コート層３０を被覆する他のメリットは次の通りである。即ち、上記焼成工程の後、絶縁基板３上の導体パターン（配線パターン：例えばタングステン膜）上には、半田やＡｕバンプとの接合性を高めるために、Ｎｉメッキ膜と、Ａｕメッキ膜を順次施す工程が実施されるが、絶縁コート層３０上にはメッキ膜は付着しない。絶縁コート層３０上にはＡｕメッキ膜が存在しないため、絶縁コート層３０上面の少なくとも内部導体上端部とその周辺に相当する配線パターン部分に封止樹脂２０を密着させた状態で強固に被覆することができる。つまり、アルミナ、或いはガラスセラミック等のセラミック材料を主成分とする絶縁コート層３０と、封止樹脂２０とによって接触界面を形成することができる。封止樹脂２０とアルミナコート層３０との密着強度、または封止樹脂２０とガラスセラミックコート層３０との密着強度は、封止樹脂とＡｕメッキとの間の密着強度よりも強いため、内部導体６を充填した貫通孔３ａから浸入した水分が、絶縁コート層３０と封止樹脂との接触界面伝いに気密空間Ｓへ浸入することを抑制できる。更に、絶縁シート層３０と配線パターン（タングステン膜）との接合強度は、封止樹脂とＡｕ膜との接合強度よりも強いため、耐湿性を更に高めることができる。
【００１４】
このように本発明によれば、図５に示した従来構成におけるセラミック製絶縁基板と封止樹脂との接合幅Ｆよりも、セラミック絶縁コート層３０と封止樹脂２０との接触界面幅Ｆを大きく確保できるため、封止樹脂と実装基板との密着強度が向上し、耐湿性が向上される。具体的には、ＳＡＷデバイスの縦横寸法が数ｍｍの微小寸法である場合には、セラミックと封止樹脂との接触界面幅Ｆは０．１５ｍｍ以上であることが望ましく、これよりも小さくなると耐湿性が劣化する場合があるが、本実施形態によれば上記数値を超えた接触界面幅Ｆを確保できるので、耐湿性を高めることができる。
更に、本発明では、内部導体６は導体バンプ１０よりも外側（ＳＡＷデバイス端面寄り）に設けているため、図６に示した従来例の場合のように、導体バンプの存在によって（導体バンプが障害となって）内部導体上面を封止樹脂で覆えなくなるということがなくなる。
また、本発明では、絶縁基板３を単層セラミック基板にて構成したため、貫通孔３ａの穿設方法が金型による打ち抜きである場合に、多層セラミック基板にて絶縁基板を構成した場合よりも、使用する打ち抜き用金型の個数が少なくて済み、製造コストを低減できる。また、貫通孔３ａの穿設を金型による打ち抜きではなくＮＣ加工機にて行う場合、穿設する貫通孔３ａの数が多層セラミック基板の場合よりも少なくて済むため、穿設作業を単時間に完了することができ、トータルの生産性を高めることができる。特に、単層セラミック基板を用いた場合には、多層セラミック基板を用いた場合に必要とされるセラミックグリーンシート毎の貫通孔の穿設、各貫通孔内への導体ペーストの充填、そして導体パターン印刷を終えたセラミックグリーンシートを他のセラミックグリーンシートに積層する必要がなくなるため、製造手数が大幅に低減する。このためＳＡＷデバイスの薄型化に寄与することができる。
以上の構成を備えた本発明によれば、小型・薄型・低価格なＣＳＰ構造の樹脂封止型ＳＡＷデバイスを、耐湿性を劣化させることなしに実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイスの縦断面図、（ｂ）は要部拡大断面図。
【図２】本発明のＳＡＷデバイスの製造手順の説明図。
【図３】第１の従来例の構成説明図。
【図４】第２の従来例の構成説明図。
【図５】第３の従来例の構成説明図。
【図６】第４の従来例の構成説明図。
【符号の説明】
【００１６】
１  弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）、２  実装基板、３  絶縁基板、４  実装電極、５  配線パターン、５ａ  露出領域、６  内部導体、１０  導体バンプ、１５  ＳＡＷ（弾性表面波）チップ、１６  接続パッド、１７  ＩＤＴ電極、１８  圧電基板、２０  封止樹脂、３０  樹脂コート層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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