(57)【要約】【課題】担体にはんだ付けするために設けられた、改良された表面実装可能な光電子式の構成素子を提供し、特にはんだフィレットによりハウジング体に加えられて生じるトルクが減じられているようにする。【解決手段】ハウジング体（１）が、接続箇所（７）に隣接した切欠き（１１）を有しており、該切欠き（１１）がハウジングベース面（９）からハウジング体（１）内へ延びており、外側のはんだフィレット（１７）が第１のハウジング側面（１５）に形成され、かつ内側のはんだフィレット（１８）が、切欠き（１１）の、前記接続箇所（７）に隣接した側面（１３）に形成されるようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装可能な光電子式の構成素子であって、該構成素子がハウジング体（１）を有しており、該ハウジング体（１）が、ハウジングベース面（９）と、少なくとも第１のハウジング側面（１５）と、第２のハウジング側面（１６）とを有しており、第１のハウジング側面（１５）と第２のハウジング側面（１６）とが互いに向かい合っており、ハウジングベース面（９）が、第１のハウジング側面（１５）から第２のハウジング側面（１６）の方向へ延在しており、前記光電子式の構成素子に接続箇所（７）が設けられており、該接続箇所（７）が、ハウジングベース面（９）に配置されており、かつ第１のハウジング側面（１５）に隣接しており、前記接続箇所（７）が、構成素子と担体（２）とをはんだ（１０）により接続するために設けられている形式のものにおいて、ハウジング体（１）が、接続箇所（７）に隣接した切欠き（１１）を有しており、該切欠き（１１）が、ハウジングベース面（９）からハウジング体（１）内へ延びており、外側のはんだフィレット（１７）が第１のハウジング側面（１５）に形成され、かつ内側のはんだフィレット（１８）が、切欠き（１１）の、前記接続箇所（７）に隣接した側面（１３）に形成されることを特徴とする、表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項２】
外側のはんだフィレット（１７）によりハウジング体（１）に加えられるトルク（Ｍ１）が、内側のはんだフィレット（１８）によりハウジング体（１）に加えられる逆向のトルク（Ｍ２）により減じられている、請求項１記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項３】
切欠き（１１）の横断面が、ハウジングベース面（９）を基点として、ハウジング体（１）の内部に向かって先細りしている、請求項１又は２記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項４】
切欠き（１１）が、Ｖ字形又は台形の横断面を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項５】
切欠き（１１）が、接続箇所（７）に隣接した金属被覆された側面（１３）と、金属被覆されていない側面（２１）とを有しており、内側のはんだフィレット（１８）が、金属被覆された側面（１３）に形成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項６】
ハウジング体（１）が、少なくとも２つの異なったプラスチック（５，６）を含有しており、一方のプラスチック（６）が金属被覆不能であり、かつ他方のプラスチック（５）が金属被覆可能であり、ハウジング体（１）が、金属被覆可能なプラスチック（５）の表面に金属被覆部（１９，２０）を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項７】
金属被覆部（１９，２０）が、金属被覆不能なプラスチック（６）より形成された絶縁ウェブにより、互いに電気的に分離可能な少なくとも２つの金属被覆領域（１９，２０）に分割されている、請求項６記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項８】
いずれか一方の金属被覆領域（１９）が、切欠き（１１）の金属被覆された側面（１３）を有しており、切欠き（１１）の金属被覆されていない側面（２１）が、金属被覆不能なプラスチック（６）の表面の一部である、請求項７記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項９】
ハウジング体（１）が、２成分・射出成形法により製造されており、２つの成分が、２つの異なったプラスチック（５，６）である、請求項６から８までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項１０】
前記構成素子が、導体フレームを有していない、請求項１から９までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項１１】
前記構成素子が、放射線を放出する、又は放射線を吸収する少なくとも１つの半導体チップ（２４）を有している、請求項１から１０までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項１２】
半導体チップ（２４）が、ハウジングベース面（９）には形成されていない、ハウジング体（１）の別の切欠き（２３）内に配置されている、請求項１１記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項１３】
別の切欠き（２３）が、ハウジング体（１）の、ハウジングベース面（１）に向かい合った面に形成されている、請求項１２記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項１４】
別の切欠きが、ハウジング体の、ハウジングベース面に対して垂直に配置された表面に形成されている、請求項１２記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【請求項１５】
第２の接続箇所（８）が、ハウジングベース面（９）に配置されており、かつ第２のハウジング側面（１６）に隣接しており、前記第２の接続箇所（８）が、構成素子と担体（２）とをはんだ（１０）により結合するために設けられており、ハウジング体（１）が、第２の接続箇所（８）に隣接した第２の切欠き（１２）を有しており、該切欠き（１２）が、ハウジングベース面（９）からハウジング体（１）内へ延びており、はんだ（１０）により、外側のはんだフィレット（１７）が第２のハウジング側面（１６）に形成されており、内側のはんだフィレット（１８）が、第２の切欠き（１２）の、第２の接続箇所（８）に隣接した側面（１４）に形成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装可能な光電子式の構成素子であって、該構成素子がハウジング体を有しており、該ハウジング体が、ハウジングベース面と、少なくとも第１のハウジング側面と、第２のハウジング側面とを有しており、第１のハウジング側面と第２のハウジング側面とが互いに向かい合っており、ハウジングベース面が、第１のハウジング側面から第２のハウジング側面の方向へ延在しており、接続箇所が設けられており、該接続箇所がハウジングベース面に配置されており、かつ第１のハウジング側面に隣接しており、前記接続箇所が構成素子と担体とをはんだにより接続するために設けられている形式のものに関する。
【背景技術】
【０００２】
この特許出願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５０１７５２７．９号明細書の優先権を請求しており、この明細書の開示内容はここに取り込まれている。
【０００３】
表面実装可能な光電子構成エレメントは、通常は、はんだ付け結合によりプリント配線板、特に印刷されたプリント配線板（PCB, Printed Circuit Board）に固定される。
【０００４】
はんだ付け結合によりＰＣＢに固定された表面実装可能な半導体構成素子が、例えばドイツ連邦共和国６９７０９１７２Ｔ２（ヨーロッパ特許明細書の翻訳文）につき公知である。特にこの刊行物の図４には表面実装可能な構成素子（SMD, Surface Mounted Device）が記載されており、この構成素子は、はんだ付け箇所によりハウジングの側面の領域内でＰＣＢに固定されている。この場合にはんだはＰＣＢとハウジング側面との間に設けられた外側のはんだフィレットと、ＰＣＢとハウジングベース面との間に設けられた内側のはんだフィレットとを形成している。はんだは、溶融時にハウジングベース面の下方で部分的にハウジングの重力により押しのけられるが、しかしながらハウジングの側面では押しのけられないので、外側のはんだフィレットと内側のはんだフィレットとは非対称的に形成されている。
【０００５】
はんだフィレットにより、はんだの表面張力に基づきそれぞれ力が構成素子のハウジングに加えられ、この場合にこれらの力ははんだフィレットに向けられたそれぞれ接線方向の、すなわち、ハウジングベース若しくは担体基板の表面に対して平行に作用する成分を有している。外側及び内側のはんだフィレットの互いに対称的ではない形状に基づき、接線方向に作用する力は通常は補償されない。特に外側のはんだフィレットからハウジングに加えられる接線方向の力は、通常は内側のはんだフィレットの逆に作用する接線方向の力よりも大きい。
【０００６】
結果としてハウジングに作用する接線方向力は、はんだ箇所の亀裂形成をもたらす恐れがある。さらに接線方向に作用する力はハウジング体にトルクを加え、このトルクは特にはんだ付け工程時にはんだがまだ溶融していない場合には担体表面に対するハウジングの傾倒につながる恐れがある。このハウジングが墓石のように傾倒してしまう「墓石化効果（Ｔｏｍｂｓｔｏｎｉｎｇ−Ｅｆｆｅｋｔ）」は特に導体フレームなしの比較的に軽量なプラスチックハウジングを有する光電子式の構成素子において生じる。このような構成素子の原則的な構成が、例えば国際公開第２００４／０７７５５８号パンフレットにより公知である。
【特許文献１】ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５０１７５２７．９号明細書
【特許文献２】ドイツ連邦共和国６９７０９１７２Ｔ２（ヨーロッパ特許明細書の翻訳文）
【特許文献３】国際公開第２００４／０７７５５８号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで本発明の課題は、担体にはんだ付けするために設けられた、改良された表面実装可能な光電子式の構成素子を提供し、特にはんだフィレットによりハウジング体に加えられて生じるトルクが減じられているようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この課題は、ハウジング体が、接続箇所に隣接した切欠きを有しており、該切欠きが、ハウジングベース面からハウジング体内へ延びており、外側のはんだフィレットが第１のハウジング側面に形成され、かつ内側のはんだフィレットが、切欠きの、前記接続箇所に隣接した側面に形成される、表面実装可能な光電子式の構成素子により解決される。本発明の有利な構成及び発展形が従属請求項の対象となっている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による表面実装可能な光電子式の構成素子はハウジング体を有しており、このハウジング体は、ハウジングベース面と、少なくとも第１のハウジング側面と、第２のハウジング側面とを有しており、この場合に第１のハウジング側面と第２のハウジング側面とは互いに向かい合っており、ハウジングベース面は、第１のハウジング側面から第２のハウジング側面の方向に延在している。さらに１つの接続箇所がハウジングベース面に配置されており、かつ第１のハウジング側面に隣接しており、この場合に前記接続箇所は構成素子と担体とをはんだにより結合するために設けられている。ハウジング体は前記接続箇所に隣接した切欠きを有しており、この切欠きは、ハウジングベース面からハウジング体内へ延びており、この場合にはんだにより、外側の、スロート状のはんだフィレット（Ｌｏｔｋｅｈｌｅ）が第１のハウジング側面に形成され、かつ内側のはんだフィレットが、切欠きの、前記接続箇所に隣接した側面に形成される。
【００１０】
有利には、接続箇所に隣接した切欠きの部分領域内には、はんだ付け工程の間の溶融時にはんだが進入することができ、これにより、特に切欠きの、接続箇所に向いた側面には内側のはんだフィレットが形成され、この内側のはんだフィレットは、従来のハウジングではハウジングベース面の下方に形成された内側のはんだフィレットと比べて比較的大きい。有利には内側のはんだフィレットと外側のはんだフィレットとは担体表面に対してほぼ等しい高さ及びほぼ等しい湾曲を有している。特に有利には、内側のはんだフィレットと外側のはんだフィレットとは互いに対称的になっている。
【００１１】
このようにして、有利には外側のはんだフィレットからハウジング体に加えられるトルクが、内側のはんだフィレットによりハウジング体に加えられる逆向のトルクにより減じられるか、又は補償さえされる。有利にはトルクは少なくとも次のように減じられる、すなわち、はんだ工程時にはんだがまだ溶融していない場合にハウジング体がこのハウジング体に作用するトルクにより傾倒せしめられることがないように減じられる。さらにこのようにしてはんだ箇所内の亀裂形成も防止される。
【００１２】
本発明の有利な構成では、切欠きの横断面はハウジングベース面を起点としてハウジング体の内部へ向かって先細りしている。有利には切欠きはＶ字形又は台形の横断面を有している。
【００１３】
有利には、前記切欠きは、接続箇所に隣接した金属被覆された側面と、金属被覆されていない側面とを有している。このようにして、有利には内側のはんだフィレットが特に切欠きの金属被覆されていない側面にではなく、切欠きの金属被覆されている側面に形成されていることが達成される。
【００１４】
有利には、光電子式の構成素子は立体射出成形回路部品（Molded Interconnected Device：MID）技術に基づいている。ハウジング体は有利には少なくとも２つの異なったプラスチックを含有しており、この場合に一方のプラスチックは金属被覆不能であり、かつ他方のプラスチックは金属被覆可能であり、この場合にハウジング体は金属被覆可能なプラスチックの表面には金属被覆部を有している。
【００１５】
ハウジング体は、特に２成分・射出成形法により形成されていてよく、この場合に２成分は金属被覆可能なプラスチック及び金属被覆不能なプラスチックより形成されている。
【００１６】
有利には金属被覆部は、金属被覆不能なプラスチックより形成された絶縁ウェブにより、互いに電気的に分離された少なくとも２つの金属被覆領域に分割されている。
【００１７】
有利には、切欠きは金属被覆可能なプラスチックの金属被覆された領域と、金属被覆不能なプラスチックの領域との間の界面に形成されており、これにより、この切欠きは、隣接した接続箇所に向いた金属被覆された側面と、向かい合った金属被覆されていない側面とを有している。
【００１８】
特に有利には、本発明は、通常は金属の導体フレームがプラスチックにより被覆成形されている従来のハウジング形状とは反対に、導体フレームを有していないハウジング体のためのものである。導体フレームを有していないこの形式のハウジングは比較的わずかな重量を有しているので、このようなハウジングでは、はんだ付け時にハウジング体に作用するトルクによるハウジング体の傾倒の危険性が比較的大きい。
【００１９】
有利な構成では光電子式の構成素子は、放射線を吸収する、又は放射線を放出する少なくとも１つの半導体チップ、例えば発光ダイオードチップ又はレーザダイオードチップを有している。
【００２０】
有利には、半導体チップは、ハウジング体の別の切欠き内に配置されており、この切欠きは、ハウジングベース面には形成されていない。有利には、この別の切欠きには金属被覆部が設けられており、この金属被覆部は、放射線を放出する半導体チップから放出された放射線のためのリフレクタとして働く。
【００２１】
半導体チップが配置されている別の切欠きは、例えばハウジング体の、ハウジングベース面に向かい合った面に形成されていてよい。
【００２２】
択一的には、半導体チップが配置されている別の切欠きは、ハウジング体の、ハウジングベース面に対して垂直に配置された面に形成されていてもよい。特に光電子式の構成素子は発光ダイオードチップ又はレーザダイオードチップを有していることができ、この発光ダイオードチップ又はレーザダイオードチップチップはハウジングベース面に対して平行な主放射線方向を有している。
【００２３】
本発明の別の構成では、第２の接続箇所がハウジングベース面に配置されており、かつ第２のハウジング側面に隣接しており、この場合に前記第２の接続箇所は構成素子と担体とをはんだにより結合するために設けられており、ハウジング体は、第２の接続箇所に隣接した第２の切欠きを有しており、この第２の切欠きはハウジングベース面からハウジング体内へ延びており、この場合にはんだにより、外側のはんだフィレットが第２のハウジング側面に形成され、内側のはんだフィレットが、第２の切欠きの、第２の接続箇所に隣接した側面に形成される。ハウジングベース面に設けられた第２の切欠きのためには、第１の切欠きの既に記載した利点及び有利な構成が対応した形であてはまる。
【００２４】
この構成では、放射線を放出する、かつ／又は放射線を吸収する半導体チップが、有利には第１の電気的なコンタクト部により第１の接続箇所に電気伝導性に接続されており、かつ第２の電気的なコンタクト部により第２の接続箇所に電気伝導性に接続されている。半導体チップと、第１の接続箇所と、第２の接続箇所との間の電気伝導性の接続は、有利にはそれぞれ上に記載した、互いに電気的に絶縁された金属被覆領域により得られるようになっており、この場合に第１の金属被覆領域は第１の接続箇所を有しており、第２の金属被覆領域は第２の接続箇所を有している。例えば、半導体チップの第１の電気的なコンタクト部は第１の金属被覆領域に電気伝導性に接続されており、かつ半導体チップの第２の電気的なコンタクト部は第２の金属被覆領域に電気伝導性に接続されている。このようにして、半導体チップは第１の金属被覆領域を介して第１の接続箇所に電気伝導性に接続されており、かつ第２の金属被覆領域を介して第２の接続箇所に電気伝導性に接続されている。
【００２５】
さらに少なくとも１つの金属被覆領域は、有利には同時に光学的な機能を有しており、特にハウジング体の金属被覆された領域は、ハウジング体に配置された、放射線を放出する半導体チップから放出される電磁的な放射線のためのリフレクタとして働く。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に本発明の実施の形態を図面につきさらに詳しく説明する。
【００２７】
図１は、本発明の実施例による、担体を有する表面実装可能な光電子式の構成素子の概略的な横断面図を示している。
【００２８】
図１に示した、本発明の実施例による表面実装可能な光電子式の構成素子がハウジング体１を有しており、このハウジング体１は、担体２に向いたハウジングベース面９に第１の接続箇所７及び第２の接続箇所８を有している。これらの第１の接続箇所７及び第２の接続箇所８では、前記ハウジング体１はそれぞれはんだ１０により担体２に結合されている。この担体２は、例えばプリント配線板、特にプリント回路基板（Printed Circuit Board: PCB）である。特に担体２には導体路３，４が設けられていてよく、これらの導体路３，４には、光電子式の構成素子が接続箇所７，８ではんだ１０により電気伝導性に接続されている。
【００２９】
前記ハウジングベース面９には、ハウジング体１内に２つの切欠き１１，１２が形成されている。第１の切欠き１１は第１の接続箇所７に隣接しており、かつ第２の切欠き１２は第２の接続箇所８に隣接している。第１の接続箇所７は、第１の切欠き１１に向いていない方の側ではハウジング体１の第１のハウジング側面１５に隣接しており、かつ第２の接続箇所８は、第２の切欠き１２に向いていない方の側ではハウジング体１の第２のハウジング側面１６に隣接している。
【００３０】
はんだ１０は接続箇所７，８でそれぞれ１つの外側のはんだフィレット１７と内側のはんだフィレット１８とを形成しており、外側のはんだフィレット１７は、担体２から、接続箇所７，８に隣接するハウジング側面１５，１６へ延びており、かつ内側のはんだフィレット１８は、それぞれ担体２から、切欠き１１，１２の、接続箇所７，８に隣接する側面１３，１４へ延びている。
【００３１】
外側のはんだフィレット１７はそれぞれトルクＭ１をハウジング体１に加える。内側のはんだフィレット１８はそれぞれトルクＭ１とは逆に向けられたトルクＭ２をハウジング体１に加える。このようにして、外側のはんだフィレット１８から加えられたトルクＭ１は、逆に向けられたトルクＭ２により有利には減じられるか、又は特に有利には補償さえされる。これにより、ハウジング体１が、はんだ付け工程においてはんだ１０がまだ固まっていない場合に外側のはんだフィレット１７により加えられたトルクＭ１により傾倒せしめられ、これにより、例えばハウジングベース面９が担体２の表面に対して平行して延びていないようになる危険が阻止される。さらにもたらされるトルクの減衰によりはんだ１０内の亀裂形成が防止される。
【００３２】
有利には切欠き１１，１２の横断面は、ハウジングベース面９により形成された平面を基点としてハウジング体１の内部へ向かって先細りしている。例えば、図１に示したように切欠き１１，１２は台形の横断面を有している。択一的には、切欠きは別の横断面、例えばＶ字形又は半円形の横断面を有していてもよい。
【００３３】
ハウジング体１は、有利には互いに結合された少なくとも２つのハウジング部分５，６を有している。特にハウジング体１は、金属被覆可能なプラスチックより形成された第１のハウジング部分５と、金属被覆不能なプラスチックより形成された第２のハウジング部分６とを有していてよい。このようなハウジング体１は、例えば２成分・射出成形法により製造され、この場合に第１のハウジング部分５の金属被覆可能なプラスチックが第１の成分であり、第２のハウジング部分６の金属被覆不能なプラスチックが第２の成分である。
【００３４】
金属被覆可能なプラスチックより成るハウジング部分５の表面の少なくとも一部には金属被覆部１９，２０が設けられている。これに対して、金属被覆不能なプラスチックより成るハウジング部分６は表面に金属被覆されておらず、有利には絶縁ウェブを形成しており、この絶縁ウェブは、ハウジング部分５に被着された金属被覆部１９，２０を、互いに電気的に絶縁された２つの領域に分割しており、この場合に第１の金属被覆領域１９は第１の接続箇所７を有しており、かつ第２の金属被覆領域２０は第２の接続箇所８を有している。
【００３５】
前記切欠き１１，１２は、有利にはそれぞれ次のように金属被覆可能なプラスチックから成るハウジング部分５と、金属被覆不能なプラスチックより成るハウジング部分６との間の境界面に配置されている、すなわち、これらの切欠き１１，１２が、隣接した接続箇所７，８に向いたそれぞれ１つの側面１３，１４を有しており、これらの側面１３，１４が金属被覆可能なプラスチック部分５の表面により形成されており、かつ前記側面１３，１４に向かい合った側面２１，２２を有しており、これらの側面２１，２２が金属被覆不能なプラスチック部分６の表面により形成されているように、配置されている。切欠きの、接続箇所７，８に隣接する側面１３，１４は、有利には金属被覆領域１９，２０のそれぞれ１つの部分領域をなしている。このことは、内側のはんだフィレット１８が、切欠きのそれぞれ金属被覆された側面１３，１４に形成されており、向かい合った側面２１，２２に形成されているのではないという利点を有している。
【００３６】
有利には、前記光電子式の構成素子は、放射線を放出する、かつ／または放射線を吸収する少なくとも１つの半導体チップを有しており、この半導体チップは、例えばハウジング体１の、ハウジングベース面９の向かい側の切欠き２３内に配置されている。例えばこの半導体チップは放射線を放出する半導体チップ２４であり、この半導体チップ２４はアクティブな領域２７を有しており、このアクティブな領域２７からは電磁的な放射線２８、例えば紫外線光、可視光または赤外線光が放出される。
【００３７】
前記半導体チップ２４は、有利にはＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料、特にＩｎｘＡｌｙＧａｌ−ｘ−ｙＮ、ＩｎｘＡｌｙＧａｌ−ｘ−ｙＰ又はＩｎｘＡｌｙＧａｌ−ｘ−ｙＡｓを含有している（それぞれ０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である）。この場合にＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料は、必ずしも上記の公式のいずれか１つに基づく数学的に正確な組成を有している必要はない。むしろ材料の物理的な特性を根本的に変えることのない１つ又は複数のドーピング剤並びに付加的な構成成分を有していてよい。しかしながら、簡易化のために上記公式は結晶格子の主な構成成分のみを含んでいるが、場合によってはこれらの構成成分は部分的にはわずかな量の別の材料により置き換えられていてもよい。
【００３８】
放射線を放出する半導体チップ２４は、有利には第１のコンタクト部、例えばボンディングパッド２６を有しており、このボンディングパッド２６を介して、前記半導体チップ２４は、例えばボンディングワイヤ２９によって第１の金属被覆領域１９に電気伝導性に接続されている。さらに放射線を放出する半導体チップ２４は、第２のコンタクト部、例えばコンタクト金属被覆部２５を有しており、このコンタクト金属被覆部２５により、半導体チップ２４は第２の金属被覆領域２０に電気伝導性に接続されている。このようにして、半導体チップの第１のコンタクト部２６はボンディングワイヤ２９及び第１の金属被覆領域１９を介して第１の接続箇所７に電気伝導性に接続されており、かつ第２のコンタクト部２５は第２の金属被覆領域２０を介して第２の接続箇所８に電気伝導性に接続されている。すなわち、有利には半導体チップの電気的なコンタクトは、導体フレームを有する光電子式の構成素子とは反対に、ハウジング体１の表面の金属被覆された領域を介して行われる。
【００３９】
有利には、金属被覆領域１９、２０の、切欠き２３に向いた表面は、放射線を放出する半導体チップ２４から放出される放射線２８のための反射を高める層である。すなわち、有利には金属被覆領域１９，２０は、一方では半導体チップ２４を接続箇所７，８に電気伝導性に接続する電気的な機能を有しており、かつ他方ではハウジング体１の方向に放出された放射線を反射し、これにより、特に主放射線方向の放射線強度を高めるか、又はプラスチックから成るハウジング部分５，６を紫外線から保護する、光学的な機能を有している。
【００４０】
本発明は、上記実施例に基づく説明により制限されていない。むしろ本発明はそれぞれの新しい特徴並びに複数の特徴のそれぞれの組合せを含んでおり、この特徴又はこれらの組合せ自体が明確に請求項又は実施例に記載されていない場合にも、特にこれらの特徴のそれぞれの組合せが請求項に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例による、担体を有する表面実装可能な光電子式の構成素子の概略的な横断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ハウジング体、  ２  担体、  ３，４  プリント配線板、  ５，６  ハウジング部分、  ７，８  接続箇所、  ９  ハウジングベース面、  １０  はんだ、  １１，１２  切欠き、  １３，１４  側面、  １５，１６  ハウジング側面、  １７，１８  はんだフィレット、  １９，２０  金属被覆部、  ２１，２２  側面、  ２３  切欠き、  ２４  半導体チップ、  ２５  コンタクト金属被覆部、  ２６  コンタクト部、  ２７  領域、  ２８  放射線、  ２９  ボンディングワイヤ、  Ｍ１，Ｍ２  トルク
【図１】
2006303495.tif 000003