(57)【要約】【課題】  蒸着マスク、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び、その製造方法に関し、スルーホールを介した補助配線と共通電極の結線構造に由来する非画素開口部面積を抑制して、開口率を高める。【解決手段】  発光画素間に配置され、且つ、有機エレクトロルミネッセンス層５と第２の電極６の間或いは第２の電極６上のいずれかに第２の電極６と導通する配線７を設ける。【選択図】          図１
2006331920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配線層／絶縁層／第１の電極／有機エレクトロルミネッセンス層／第２の電極を基板側から順次積層し、前記有機エレクトロルミネッセンス層からの発光を前記第２の電極を透過して取り出す発光画素を複数構成し、全ての第２の電極を同一層で構成した有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記発光画素間に配置され、且つ、前記有機エレクトロルミネッセンス層と前記第２の電極の間或いは前記第２の電極上のいずれかに前記第２の電極と導通する配線を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
上記第２の電極と導通する配線が、互いの成膜パターンの少なくとも一部が重なって連続する配線を構成することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
上記第２の電極と導通する配線が、上記発光画素以外の領域において、互いの配線を交差して繋ぐ配線を構成することを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
長さＬ1 、幅Ｗ1 の第１の開口部を複数有する蒸着マスクであって、前記複数の第１の開口部がその長さ方向にピッチＰ1 、幅方向にピッチＰ2 で配置され、Ｌ1 ＞Ｐ1 ／２且つＷ1 ＜Ｐ2 ／２を満たすことを特徴とする蒸着マスク。
【請求項５】
基板上に配線層／絶縁層／第１の電極／有機エレクトロルミネッセンス層／第２の電極を基板側から順次積層し、前記有機エレクトロルミネッセンス層からの発光を前記第２の電極を透過して取り出す発光画素を複数構成し、全ての第２の電極を同一層で構成した有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記第２の電極の形成前或いは形成後のいずれかにおいて、請求項４記載の蒸着マスクを前記基板に対して上記第１の開口部の幅方向に（Ｐ2 ／２）×（２ｎ−１）〔但し、ｎは１以上の整数〕だけ移動して配線材料を蒸着し、前記第２の電極と導通する配線を形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蒸着マスク、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び、その製造方法に関するものであり、特に、トップエミッション型のアクティブマトリクス駆動有機エレクトロルミネッセンス表示装置における共通電極の等価的抵抗を低下させるための補助配線を開口率に影響なく形成するための構成に特徴のある蒸着マスク、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び、その製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＲＴ（ブラウン管）やＬＣＤ（液晶表示装置）と比較して薄型化、軽量化が可能な表示装置として、近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置が大きな注目を集めている。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンス素子は自己発光型であるため、視認性が高い、視野角依存性がない、可撓性を有するフィルム基板を用いることができる、液晶表示装置と比較して薄い・軽い、などの様々な特長がある。
【０００４】
従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、例えば、ガラス基板よりなる絶縁性基板上に、ＩＴＯ等の透明導電膜よりなる陽極を形成し、この陽極上に電子と正孔との再結合により光が発生する発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層を形成し、さらに、有機エレクトロルミネッセンス層上に、ＡｌやＭｇ−Ａｇ合金等よりなる陰極を形成することによって、絶縁性基板上に、陽極／有機エレクトロルミネッセンス層／陰極からなる有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される。
【０００５】
さらには、高精細度の表示を実現すべく、有機エレクトロルミネッセンス素子とともに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を有するアクティブマトリックス型の表示装置の開発が進められており、通常は、有機エレクトロルミネッセンス層の発光層において発生した光が絶縁性基板から取り出される所謂ボトムエミッション型となっている。
【０００６】
このボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置においては、有機ＥＬ素子に印加する駆動電圧を制御する薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が影になるため開口率が低いという問題がある。
【０００７】
そこで、近年、スイッチング素子が影にならないように、上部の共通電極を透明或いは半透明の光透過性電極として上部電極側から光を取り出すトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。
【０００８】
この場合、例えば、下層の有機ＥＬ層を劣化させないようにＩＴＯ（インジウム錫酸化膜）を１００℃以下の低温成膜とし、且つ光透過を確保するために膜厚を１５０ｎｍ程度としている。
【０００９】
しかし、一般に透明導電体は電気抵抗が大きく、上述構成では３０Ω／□程度になるため、電流駆動の有機ＥＬ素子においては高輝度のとき大電流を必要とし、通電経路の配線抵抗と電流に応じて余計な負荷を電源に与える。
即ち、電源電圧から配線抵抗と電流の積からなる電圧降下分を引いた電圧が有機ＥＬ素子の実効電圧となる。
【００１０】
この場合、ＴＦＴ基板内のメタル配線は０．２Ω／□程度なので、通電経路における配線抵抗および電圧降下は共通電極の高抵抗が支配的になり、共通電極は画面の外周部で基板内のメタル配線と接続されるため、同接続部の直近部（画面外周）と最遠部（画面中央）では通電経路の共通電極長が異なり、画面中央は共通電極による高抵抗の負荷を有することになる。
【００１１】
また、全面点灯時、即ち、全画素通電時は、画面中央から画面外周の共通電極接続部へ向かって各画素の電流が重畳されるため、共通電極の高抵抗と相乗して画面外周よりも画面中央の電圧降下が大きくなり、各々の有機ＥＬ素子の実効電圧に差を生じて極端な輝度ムラが発生する。
この輝度ムラは、表示品位損失となり、この悪影響は、発光面積が大きく大電流を要し、共通電極経路が長い大画面であるほど顕著に現れる。
【００１２】
この様なトップエミッション型有機ＥＬ表示装置に特有の輝度ムラの問題を解決するため、共通電極の補助配線をＴＦＴ基板に構成する方法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）ので、ここで図１６参照して説明する。
【００１３】
図１６参照  
図１６は、従来のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の概略的断面図であり、ガラス基板９１上にＳｉＮ膜９２及びＳｉＯ2 膜９３を介して多結晶シリコン島状領域９４を形成するとともに、この多結晶シリコン島状領域９４の上にＳｉＯ2 膜からなるゲート絶縁膜９５を介してＡｌからなるゲート電極９６を設け、次いで、全面を覆うようにＳｉＯ2 膜９７を設けたのち、ソース・ドレイン領域に対する開口を形成してソース電極９８及びドレイン電極９９を形成することによってアクティブ素子としてのＴＦＴを形成する。  
【００１４】
次いで、ポジ型感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布したのち、ソース電極９８に対応する領域のみ露光して・現像したのち、ベークすることによってソース電極９８に対するコンタクトホール１０１を有する平坦化絶縁膜１００を形成する。
【００１５】
次いで、全面にＡｌ膜を堆積させたのち、所定形状にパターニングすることによって、下部電極１０２及び補助配線１０３を形成し、次いで、全面にＳｉＯ2 膜１０４を堆積したのち、下部電極１０２を露出させる開口部及び補助配線１０３を露出させるスルーホール１０５を形成する。
【００１６】
次いで、補助配線１０３に非開口部が対応するように位置を決めした蒸着マスクを用いて正孔注入層／正孔輸送層／発光層を順次加熱蒸着させて有機ＥＬ層１０６を形成したのち、蒸着マスクを取り除いて、全面にＩＴＯからなる上部電極１０７を堆積させて、上部電極１０７と補助電極１０３とを電気的に接続する。
【００１７】
最後に、通常の有機ＥＬ素子と同様に、乾燥窒素雰囲気中において、ＵＶ接着剤を用いてガラスからなる封止板１０８によって封止を行うことによりトップエミッション型有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００１８】
このように、高比抵抗のＩＴＯからなる上部電極１０７を低比抵抗のＡｌからなる補助配線１０３に接続することによって上部電極１０７による電圧降下が低減されるため、表示特性が大幅に改善される。
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７２１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかし、画面全体は、有機ＥＬ層が発光する画素開口部とそれ以外の非画素開口部から成り、非画素開口部に敷設する補助配線１０３とスルーホール１０４のスペースを大きく確保すると、画素開口部が縮小して開口率が低下し、輝度が下がるという問題がある。
因に、上記特許文献２の構成では開口率３０％程度となる。
【００２０】
また、これら構造を加工限界の最小値で形成しても、高精細であるほど非画素開口部の占有率が大きくなって開口率が低下するため、高輝度を得るには不利な構造である。
【００２１】
したがって、本発明は、スルーホールを介した補助配線と共通電極の結線構造に由来する非画素開口部面積を抑制して、開口率を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、基板１上に配線層２／絶縁層３／第１の電極４／有機エレクトロルミネッセンス層５／第２の電極６を基板１側から順次積層し、有機エレクトロルミネッセンス層５からの発光を第２の電極６を透過して取り出す発光画素を複数構成し、全ての第２の電極６を同一層で構成した有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、発光画素間に配置され、且つ、有機エレクトロルミネッセンス層５と第２の電極６の間或いは第２の電極６上のいずれかに第２の電極６と導通する配線７を設けたことを特徴とする。
【００２３】
このように、第２の電極６と導通する配線７を発光画素間に配置することによって、スルーホールを必要としないため、開口率に影響を与えることなく第２の電極６による電圧降下を低減することができる。
【００２４】
この場合、第２の電極６と導通する配線７が、互いの成膜パターンの少なくとも一部が重なって連続する配線７を構成すること、即ち、重ね合わせパターンで所定の形状の配線７を任意に形成することによって、使用する蒸着マスクの剛性を高めることができる。
【００２５】
また、第２の電極６と導通する配線７が、発光画素以外の領域において、互いの配線７を交差して繋ぐ配線７を構成する所謂バス配線を構成することが望ましく、それによって、各画素電流が配線７を経由して電流が集中し大電流となるパネル周辺部における電圧降下を低減することができる。
【００２６】
また、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する際の蒸着マスクとしては、長さＬ1 、幅Ｗ1 の第１の開口部をその長さ方向にピッチＰ1 、幅方向にピッチＰ2 で、Ｌ1 ＞Ｐ1 ／２且つＷ1 ＜Ｐ2 ／２を満たすように配置することが望ましく、それによって、蒸着マスクの剛性を高めることができ、開口パターンの寸法精度を維持することが容易になる。。
【００２７】
この場合、第１の開口部の幅方向に、長さＬ2 、幅Ｗ2 の第２の開口部をピッチＰ3 ＝Ｐ2 ×ｍ〔但し、ｍは１以上の整数〕で且つＷ2 ＜Ｐ3 を満たすように複数配置することによって、パネル周辺部のパターンも同時に形成することができる。
【００２８】
この場合、ピッチＰ3 で隣接する第２の開口部が互いの長さ方向にδ＜Ｌ2 を満たすδだけ位置をずらしても良く、それによって、任意の方向にバス配線を延在させることができる。
【００２９】
また、第２の開口部に幅Ｗ2 の辺に少なくとも幅Ｗ1 のスリット開口を設けても良く、このスリット開口によって第２の開口部と第１の開口部とを重合わせパターンにおいて接続することができる。
【００３０】
或いは、第２の開口部における幅Ｗ2 の同一辺にスリット開口部を２ヶ所以上配置し、スリット開口部は第１の開口部の幅方向にピッチＰ4 ＝Ｐ2 ×ｋ〔但し、ｋは２以上の整数〕で配置し、この並列する複数のスリット開口部の間に第１の開口部を設けても良く、それによって、高精細な蒸着マスクの開口パターン構成であっても蒸着マスクの剛性を高めることに効果的に対応することができる。
【００３１】
或いは、複数の第１の開口部を配置した領域の外周に上記複数の第２の開口部を設けても良い。
【００３２】
このような蒸着マスクを用いて基板１上に配線層２／絶縁層３／第１の電極４／有機エレクトロルミネッセンス層５／第２の電極６を基板１側から順次積層し、有機エレクトロルミネッセンス層５からの発光を第２の電極６を透過して取り出す発光画素を複数構成し、全ての第２の電極６を同一層で構成した有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するためには、第２の電極６の形成前或いは形成後のいずれかにおいて、上述の蒸着マスクを基板１に対して第１の開口部の幅方向に（Ｐ2 ／２）×（２ｎ−１）〔但し、ｎは１以上の整数〕だけ移動して配線材料を蒸着し、第２の電極６と導通する配線７を形成すれば良い。
【発明の効果】
【００３３】
本発明においては、共通電極の上面あるいは下面に補助配線を直接形成することで、確実に共通電極と補助配線との接続を得るとともに、スルーホール接続構造を不要とすることから開口率を増加でき、高輝度を得ることができる。
【００３４】
特に、補助配線を形成するための蒸着マスクにおける開口パターンを開口寸法と配置ピッチで連携したメッシュ形状とすることで、蒸着マスクの剛性が向上し、開口パターンの寸法精度を維持することが容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明においては、基板上に配線層／絶縁層／第１の電極／有機エレクトロルミネッセンス層を基板側から順次積層したのち、第２の電極の形成前或いは形成後のいずれかにおいて、長さＬ1 、幅Ｗ1 の第１の開口部をその長さ方向にピッチＰ1 、幅方向にピッチＰ2 で、Ｌ1 ＞Ｐ1 ／２且つＷ1 ＜Ｐ2 ／２を満たすように配置した蒸着マスクを基板に対して第１の開口部の幅方向に（Ｐ2 ／２）×（２ｎ−１）〔但し、ｎは１以上の整数〕だけ移動して配線材料を蒸着し、第２の電極と導通する補助配線を形成するものである。
【実施例１】
【００３６】
ここで、図２乃至図５を参照して、本発明の実施例１のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を説明する。
図２参照  
まず、ガラス或いは樹脂フィルム等の絶縁性基板１１上に、画素毎の通電発光を制御する画素回路１２を形成したのち、層間絶縁層１３を介して各画素回路１２に対応する画素電極１４を形成する。
なお、この画素電極１４は層間絶縁層１３に設けたコンタクトホール（図示を省略）を介して画素回路１２に電気的に接続されている。
【００３７】
次いで、各画素電極１４上に有機ＥＬ層１５及びＩＴＯからなる共通電極１６を順次マスク蒸着したのち、引き続いて、共通電極１６の抵抗を等価的に下げるため、蒸着マスクを用いてＡｌ或いはＡｇを蒸着して補助配線１７を画素間と画面外周に形成する。
【００３８】
図３参照  
図３は、画素間補助配線１８の形成工程の説明図であり、画素ピッチに応じた間隔で配置された縦ストライプ状開口部２２を有する蒸着マスク２１を用いて絶縁性基板１１に設けた共通電極１６上に画素間補助配線１８を形成する。
【００３９】
図４参照  
図４は、補助配線接続部１９の形成工程の説明図であり、２本の横ストライプ状開口部２４を有する蒸着マスク２３を用いて画素間補助配線１８を設けた共通電極１６の画素領域外上に画素間補助配線１８より幅太の補助配線接続部１９を形成する。
【００４０】
特に、フルカラー表示を得るためＲＧＢ三原色等の多色の有機ＥＬ層を形成するにあたっては、各色を塗分けするための発光画素間（画素電極間）スペースを設けるため、このスペースに補助配線１７を画素電極１４と投影的に重ならないように設ける。
【００４１】
このように、本発明の実施例１においては、画素間に画素間補助配線１８を設けているので、ＩＴＯからなる共通電極１６の抵抗を等価的に低下させることができ、開口率に影響を与えることなく、輝度ムラを効果的に低減することができる。
【００４２】
また、最も電流が流れる画素領域外において画素間補助配線１８より幅太の補助配線接続部１９を設けているので、画素領域外における大電流による電圧降下の影響を低減することができる。
【００４３】
図５参照  
図５は、補助配線による共通電極の抵抗低下効果の説明図であり、上図は測定方法の説明図であり、下図は測定結果の説明図である。
上図に示すようにパネルの４隅に共通電極の外部接続端子を設け、この外部接続端子を起点として画面中央に至る距離に対する共通電極を抵抗を測定したものである。
【００４４】
この場合の共通電極としては、厚さが３００ｎｍのＩＴＯを用いるとともに、厚さが２００ｎｍのＡｇからなる補助配線を設けたパネルを測定したものであり、比較のために厚さが３００ｎｍのＩＴＯのみの共通電極を設けた従来例１及び共通電極として厚さが２００ｎｍのＡｌを用いたボトムエミッション型の従来例２を併せて示している。
【００４５】
下図に示すように、従来例１においては、抵抗分布は１８〜２４Ωで、低抵抗な画面四隅が高輝度となり、高抵抗な画面中央が低輝度となる輝度ムラが見られた。
一方、本発明の実施例１の場合には、抵抗分布は３〜４Ωとなり、従来例２の１〜２Ωより若干高くなっているものの、従来例２と同様に輝度ムラは殆ど見られなかった。
【実施例２】
【００４６】
次に、図６を参照して、本発明の実施例２のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置を説明するが、補助配線を設ける位置が異なるだけで使用する蒸着マスクは同じであるので、断面構造のみ図示する。
図６参照  
実施例１と全く同様に、絶縁性基板１１上に、画素毎の通電発光を制御する画素回路１２を形成したのち、層間絶縁層１３を介して各画素回路１２に対応する画素電極１４を形成し、次いで、各画素電極１４上に有機ＥＬ層１５を蒸着させる。
【００４７】
次いで、有機ＥＬ層を水分や酸素等で劣化させないように、上述の蒸着マスク２１及び蒸着マスク２３を用いて有機ＥＬ層１５上に画素間補助配線１８及び補助配線接続部１９を連続して真空成膜して補助配線１７を形成したのち、引き続いてＩＴＯからなる共通電極１７を全面に蒸着する。
【００４８】
この本発明の実施例２においても、実施例１と同様に、共通電極１６の抵抗を等価的に低下させることができ、開口率に影響を与えることなく、輝度ムラを効果的に低減することができるとともに、画素領域外における大電流による電圧降下の影響を低減することができる。
【００４９】
但し、上述の縦ストライプ状開口部２２を有する蒸着マスク２１の形成は難しく、特に高精細（狭ピッチ）になるほどストライプ部の剛性低下に伴うパターンのヨレ変形を生じるためストライプ形状を保持するのが困難になる。
これを回避するためには、ストライプの間引きによってマスク剛性の確保はできるが、間引いた分だけ蒸着工程の追加が必要になる。
【実施例３】
【００５０】
そこで、このような問題を解決するための本発明の実施例３を説明するが基本的素子構造は上記の実施例１或いは実施例２と同様であるので、蒸着マスク及び蒸着パターンのみを説明する。
図７及び図８参照  
図７は、本発明の実施例３に用いる蒸着マスクの全体を示す平面図であり、また、図８は蒸着マスクのパターン領域角部の拡大図であり、この場合の蒸着マスク３１は、画素間補助配線用のスリット開口部３２と、補助配線接続部を構成するスリット開口部３４及びスリット開口部３３により構成される。
【００５１】
図９参照  
図９は、スリット開口部の説明図であり、画素間補助配線用のスリット開口部３２は長さＬ1 ，幅Ｗ1 であり、スリット開口部３３は長さＬ2 ，幅Ｗ2 であり、また、スリット開口部３４は長さＬ1 ／２で幅Ｗ1 のスリット部３５、長さＬ3 ，幅Ｗ2 の矩形部３６、及び、接続部３７から構成される。
【００５２】
再び、図８参照  
図に示すように、画素間補助配線用のスリット開口部３２は長さ方向にＰ1 のピッチで、また、幅方向においてはＰ2 のピッチで配置されるとともに、更に、各ピッチＰ1 ，Ｐ2 の半分の位置においてもスリット開口部３２を配置し、千鳥状の配列とする。
【００５３】
また、スリット開口部３３およびスリット開口部３４は、その幅方向にピッチＰ3 で配置される。
この場合、スリット開口部３４に設けたスリット部３５はスリット開口部３２の千鳥配列の端部に位置する必要があるので、Ｐ2 ＝Ｐ3 とする。
また、複数のスリット開口部３４は、長さ方向にδずらして構成しており、面内任意の斜め方向へバス配線を形成できる。
【００５４】
図１０参照  
図１０は、実施例３の補助配線の形成工程の説明図であり、上述の蒸着マスク３１を用いて原点位置で成膜を行い、画素間補助配線要素４２及びバス配線要素４５，４７を形成する。
この時、スリット開口部３２が隣接する画素電極１４の間の領域に位置するように原点位置を設定する。
【００５５】
次いで、蒸着マスクを各スリット開口部の幅方向にＰ3 ／２＝Ｐ2 ／２だけ移動した位置で成膜することによって、画素間補助配線要素４３及びバス配線要素４６，４８を１回目に形成した画素間補助配線要素４２及びバス配線要素４５，４７とそれぞれ一部を重ねて画素間補助配線４１及びバス配線４４を形成する。
【００５６】
この時、上記のパターン寸法の関係から、各パターンの重なり幅Ｄは以下のように決まる。
画素間補助配線要素４２，４３の長さ方向の重なりＤ1 は、
Ｄ1 ＝Ｌ1 −Ｐ1 ／２
となり、また、画素間補助配線要素４２，４３とバス配線要素４５，４６の長さ方向の重なりＤ2 は、
Ｄ2 ＝Ｌ1 −Ｐ1 ／２
となり、また、バス配線要素４５，４６、バス配線要素４７，４８、或いは、バス配線要素４６，４７各々における幅方向の重なりＤ3 は、
Ｄ3 ＝Ｗ2 −（Ｐ3 ／２）
となる。
【００５７】
以上の蒸着マスク３１でＲＧＢ三色の構成に対して補助配線を形成する場合の数値の一例を表１に示す。
【表１】
2006331920.tif 000003
【００５８】
このように、本発明の実施例３においては、細長いストライプ状の開口部を設けていないので、蒸着マスクの剛性が高まり、パターンのヨレ変形を抑制することができ、また、蒸着回数は上記の実施例１或いは実施例２と同様の２回であるので、製造工程が増加することがない。
【実施例４】
【００５９】
次に、図１１乃至図１３を参照して本発明の実施例４を説明するが基本的素子構造は上記の実施例１或いは実施例２と同様であるので、蒸着マスク及び蒸着パターンのみを説明する。
図１１参照  
図１１は、本発明の実施例４に用いる蒸着マスクのパターン領域角部の拡大図であり、この場合の蒸着マスク５１は、画素間補助配線用のスリット開口部５２と、補助配線接続部を構成するスリット開口部５４及びスリット開口部４３により構成される。
【００６０】
図１２参照  
図１２は、スリット開口部の説明図であり、画素間補助配線用のスリット開口部５２は長さＬ1 ，幅Ｗ1 であり、スリット開口部５３は長さＬ2 ，幅Ｗ2 であり、また、スリット開口部５４は長さＬ1 ／２で幅Ｗ1 の３本スリット部５５をＰ4 のピッチで、長さＬ3 ，幅Ｗ2 の矩形部５６の先端部に設けたものである。
【００６１】
再び、図１１参照  
図に示すように、画素間補助配線用のスリット開口部５２は長さ方向にＰ1 のピッチで、また、幅方向においてはＰ2 のピッチで配置されるとともに、更に、各ピッチＰ1 ，Ｐ2 の半分の位置においてもスリット開口部５２を配置し、千鳥状の配列とする。
【００６２】
また、スリット開口部５３およびスリット開口部５４は、その幅方向にピッチＰ3 で配置される。
この場合、スリット開口部５４に設けたスリット部５５はスリット開口部５２の千鳥配列の端部に位置する必要があるので、Ｐ2 ×３＝Ｐ3 とする。
また、複数のスリット開口部５４は、長さ方向にδずらして構成しており、面内任意の斜め方向へバス配線を形成できる。
【００６３】
図１３参照  
図１３は、実施例４の補助配線の形成工程の説明図であり、上述の蒸着マスク５１を用いて原点位置で成膜を行い、画素間補助配線要素６２及びバス配線要素６５，６７を形成する。
この時、スリット開口部５２が隣接する画素電極１４の間の領域に位置するように原点位置を設定する。
【００６４】
次いで、蒸着マスクを各スリット開口部の幅方向にＰ3 ／２＝Ｐ2 ×３／２だけ移動した位置で成膜することによって、画素間補助配線要素６３及びバス配線要素６６，６８を１回目に形成した画素間補助配線要素６２及びバス配線要素６５，６７とそれぞれ重ねて画素間補助配線６１及びバス配線６４を形成する。
【００６５】
この時、上記のパターン寸法の関係から、各パターンの重なり幅Ｄは以下のように決まる。
画素間補助配線要素６２，６３の長さ方向の重なりＤ1 は、
Ｄ1 ＝Ｌ1 −Ｐ1 ／２
となり、また、画素間補助配線要素６２，６３とバス配線要素６５，６６の長さ方向の重なりＤ2 は、
Ｄ2 ＝Ｌ1 −Ｐ1 ／２
となり、また、バス配線要素６５，６６、バス配線要素６７，６８、或いはバス配線要素６６，６７各々における幅方向の重なりＤ3 は、
Ｄ3 ＝Ｗ2 −（Ｐ3 ／２）
となる。
【００６６】
以上の蒸着マスク５１でＲＧＢ三色の構成に対して補助配線を形成する場合の数値の一例を表２に示す。
【表２】
2006331920.tif 000004
【００６７】
このように、本発明の実施例４においても、細長いストライプ状の開口部を設けていないので、蒸着マスクの剛性が高まり、パターンのヨレ変形を抑制することができ、また、蒸着回数は上記の実施例１或いは実施例２と同様の２回であるので、製造工程が増加することがない。
【００６８】
また、実施例４においては、スリット開口部５３，５４を幅太に形成しているので、高精細化した場合にも、スリット開口部５３，５４同士の間隔、即ち、支持部を広くすることができるので、マスクの剛性をより高めることができる。
【実施例５】
【００６９】
次に、図１４を参照して本発明の実施例５を説明するが基本的構成は上記の実施例４と同様であるので、補助配線の形成工程のみを説明する。
図１４参照  
まず、上述の蒸着マスク５１におけるスリット開口５２の中央部に横方向スリットを設けて十字状開口部とした蒸着マスクを用いて原点位置で成膜を行い、画素間補助配線要素７２及びバス配線要素７５，７７を形成する。
この時、十字状開口部が隣接する画素電極１４の間の領域に位置するように原点位置を設定する。
【００７０】
次いで、蒸着マスクを各スリット開口部の幅方向にＰ3 ／２＝Ｐ2 ×３／２だけ移動した位置で成膜することによって、画素間補助配線要素７３及びバス配線要素７６，７８を１回目に形成した画素間補助配線要素７２及びバス配線要素７５，７７とそれぞれ重ねて画素間補助配線７１及びバス配線７４を形成する。
【００７１】
この実施例５においては、十字状開口部を設けているので、メッシュ状の画素間補助配線を形成することができ、共通電極の透過的な抵抗をより低減することができ、さらに、マスク欠陥による補助配線の断裂が一部に生じても横方向配線から電流が供給されるので共通電極の抵抗の均一性が失われることがない。
【実施例６】
【００７２】
次に、図１５を参照して本発明の実施例６を説明するが基本的構成は上記の実施例４と同様であるので、補助配線の形成工程のみを説明する。
図１５参照  
まず、上述の蒸着マスク５１におけるスリット開口５２と隣接する千鳥状の配列のスリット開口５２との間を接続する横方向スリットを設けてクランク状開口部とした蒸着マスクを用いて原点位置で成膜を行い、画素間補助配線要素８２及びバス配線要素８５，８７を形成する。
この時、クランク状開口部が隣接する画素電極１４の間の領域に位置するように原点位置を設定する。
【００７３】
次いで、蒸着マスクを各スリット開口部の幅方向にＰ3 ／２＝Ｐ2 ×３／２だけ移動した位置で成膜することによって、画素間補助配線要素８３及びバス配線要素８６，８８を１回目に形成した画素間補助配線要素８２及びバス配線要素８５，８７とそれぞれ重ねて画素間補助配線８１及びバス配線８４を形成する。
【００７４】
この実施例６においては、クランク状開口部を設けているので、上記の実施例５と同様にメッシュ状の画素間補助配線を形成することができ、共通電極の等価的な抵抗をより低減することができ、さらに、マスク欠陥による補助配線の断裂が一部に生じても横方向配線から電流が供給されるので共通電極の抵抗の均一性が失われることがない。
【００７５】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、上記の各実施例においては有機ＥＬ層の構成を示していないが、発光色に応じて公知の有機ＥＬ材料の中から適宜選択するものである。
【００７６】
また、上記の各実施例においては、共通電極を構成する透光性材料としてＩＴＯを用いているが、ＩＴＯに限られるものではなく、ＩＺＯ或いはＺｎＯ等の他の透明な酸化物導電材料を用いても良く、さらには、２０ｎｍ程度に薄膜化したＡｌ、Ａｇ等の金属薄膜を用いても良いものである。
【００７７】
また、上記の実施例３の場合も、画素間補助配線形成用のスリット開口部を実施例５或いは実施例６と同様に十字状開口部或いはクランク状開口部としても良いものであり、それによって、メッシュ状の画素間補助配線を形成することができる。
【００７８】
また、上記の各実施例においては、基板としてガラス基板を用いているが、トップエミッション型であるので透明である必要はなく、ステンレス等の導電性基板や絶縁性の不透明基板を用いても良いものであり、基板材料の制約を受けることはない。
【００７９】
また、上記の各実施例においてはフルカラー表示装置として説明しているが、複数の色を適当に組み合わせて他の色相のカラー表示装置としても良いものであり、さらには、単色表示装置を構成する場合にも適用されるものである。
【００８０】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  基板１上に配線７層２／絶縁層３／第１の電極４／有機エレクトロルミネッセンス層５／第２の電極６を基板１側から順次積層し、前記有機エレクトロルミネッセンス層５からの発光を前記第２の電極６を透過して取り出す発光画素を複数構成し、全ての第２の電極６を同一層で構成した有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記発光画素間に配置され、且つ、前記有機エレクトロルミネッセンス層５と前記第２の電極６の間或いは前記第２の電極６上のいずれかに前記第２の電極６と導通する配線７を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（付記２）  上記第２の電極６と導通する配線７が、互いの成膜パターンの少なくとも一部が重なって連続する配線７を構成することを特徴とする付記１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（付記３）  上記第２の電極６と導通する配線７が、上記発光画素以外の領域において、互いの配線７を交差して繋ぐ配線７を構成することを特徴とする付記２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
（付記４）  長さＬ1 、幅Ｗ1 の第１の開口部を複数有する蒸着マスクであって、前記複数の第１の開口部がその長さ方向にピッチＰ1 、幅方向にピッチＰ2 で配置され、Ｌ1 ＞Ｐ1 ／２且つＷ1 ＜Ｐ2 ／２を満たすことを特徴とする蒸着マスク。
（付記５）  上記第１の開口部の幅方向に、長さＬ2 、幅Ｗ2 の第２の開口部をピッチＰ3 ＝Ｐ2 ×ｍ〔但し、ｍは１以上の整数〕で且つＷ2 ＜Ｐ3 を満たすように複数配置したたことを特徴とする付記４記載の蒸着マスク。
（付記６）  上記ピッチＰ3 で隣接する第２の開口部が互いの長さ方向にδ＜Ｌ2 を満たすδだけ位置をずらしたことを特徴とする付記５記載の蒸着マスク。
（付記７）  上記第２の開口部幅Ｗ2 の辺に少なくとも幅Ｗ1 のスリット開口を設けたことを特徴とする付記５記載の蒸着マスク。
（付記８）  上記第２の開口部における幅Ｗ2 の同一辺にスリット開口部を２ヶ所以上配置し、前記スリット開口部は第１の開口部の幅方向にピッチＰ4 ＝Ｐ2 ×ｋ〔但し、ｋは２以上の整数〕で配置し、並列する複数の前記スリット開口部の間に前記第１の開口部を設けることを特徴とする付記５記載の蒸着マスク。
（付記９）  上記複数の第１の開口部を配置した領域の外周に上記複数の第２の開口部を設けたことを特徴とする付記５記載の蒸着マスク。
（付記１０）  基板１上に配線７層２／絶縁層３／第１の電極４／有機エレクトロルミネッセンス層５／第２の電極６を基板１側から順次積層し、前記有機エレクトロルミネッセンス層５からの発光を前記第２の電極６を透過して取り出す発光画素を複数構成し、全ての第２の電極６を同一層で構成した有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、前記第２の電極６の形成前或いは形成後のいずれかにおいて、付記４乃至９のいずれか１に記載の蒸着マスクを前記基板１に対して上記第１の開口部の幅方向に（Ｐ2 ／２）×（２ｎ−１）〔但し、ｎは１以上の整数〕だけ移動して配線材料を蒸着し、前記第２の電極６と導通する配線７を形成する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明の活用例としては、二次元マトリクス状の表示装置が典型的なものであるが、表示装置に限られるものではなく、ムード照明用光源等の大型単一光源にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の概略的断面図である。
【図３】画素間補助配線の形成工程の説明図である。
【図４】補助配線接続部の形成工程の説明図である。
【図５】補助配線による共通電極の抵抗低下効果の説明図である。
【図６】本発明の実施例２のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の概略的断面図である。
【図７】本発明の実施例３に用いる蒸着マスクの全体を示す平面図である。
【図８】蒸着マスクのパターン領域角部の拡大図である。
【図９】スリット開口部の説明図である。
【図１０】実施例３の補助配線の形成工程の説明図である。
【図１１】本発明の実施例４に用いる蒸着マスクのパターン領域角部の拡大図である。
【図１２】スリット開口部の説明図である。
【図１３】実施例４の補助配線の形成工程の説明図である。
【図１４】実施例５の補助配線の形成工程の説明図である。
【図１５】実施例６の補助配線の形成工程の説明図である。
【図１６】従来のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の概略的断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  基板
２  配線層
３  絶縁層
４  第１の電極
５  有機エレクトロルミネッセンス層
６  第２の電極
７  配線
１１  絶縁性基板
１２  画素回路
１３  層間絶縁層
１４  画素電極
１５  有機ＥＬ層
１６  共通電極
１７  補助配線
１８  画素間補助配線
１９  補助配線接続部
２１  蒸着マスク
２２  縦ストライプ状開口部
２３  蒸着マスク
２４  横ストライプ状開口部
３１  蒸着マスク
３２  スリット開口部
３３  スリット開口部
３４  スリット開口部
３５  スリット部
３６  矩形部
３７  接続部
４１  画素間補助配線
４２  画素間補助配線要素
４３  画素間補助配線要素
４４  バス配線
４５  バス配線要素
４６  バス配線要素
４７  バス配線要素
４８  バス配線要素
５１  蒸着マスク
５２  スリット開口部
５３  スリット開口部
５４  スリット開口部
５５  スリット部
５６  矩形部
６１  画素間補助配線
６２  画素間補助配線要素
６３  画素間補助配線要素
６４  バス配線
６５  バス配線要素
６６  バス配線要素
６７  バス配線要素
６８  バス配線要素
７１  画素間補助配線
７２  画素間補助配線要素
７３  画素間補助配線要素
７４  バス配線
７５  バス配線要素
７６  バス配線要素
７７  バス配線要素
７８  バス配線要素
８１  画素間補助配線
８２  画素間補助配線要素
８３  画素間補助配線要素
８４  バス配線
８５  バス配線要素
８６  バス配線要素
８７  バス配線要素
８８  バス配線要素
９１  ガラス基板
９２  ＳｉＮ膜
９３  ＳｉＯ2 膜
９４  多結晶シリコン島状領域
９５  ゲート絶縁膜
９６  ゲート電極
９７  ＳｉＯ2 膜
９８  ソース電極
９９  ドレイン電極
１００  平坦化絶縁膜
１０１  コンタクトホール
１０２  下部電極
１０３  補助配線
１０４  ＳｉＯ2 膜
１０５  スルーホール
１０６  有機ＥＬ層
１０７  上部電極
１０８  封止板
【図１】
2006331920.tif 000005
【図２】
2006331920.tif 000006
【図３】
2006331920.tif 000007
【図４】
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【図５】
2006331920.tif 000009
【図６】
2006331920.tif 000010
【図７】
2006331920.tif 000011
【図８】
2006331920.tif 000012
【図９】
2006331920.tif 000013
【図１０】
2006331920.tif 000014
【図１１】
2006331920.tif 000015
【図１２】
2006331920.tif 000016
【図１３】
2006331920.tif 000017
【図１４】
2006331920.tif 000018
【図１５】
2006331920.tif 000019
【図１６】
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