(57)【要約】    【課題】      多数の基体を成膜する場合の各基体への成膜状態のばらつきを減少させること。    【解決手段】  複数の基体Ｂを収容する、接地状態の真空容器３０１内にＣＶＤガスを充満させ、これらの複数の基体Ｂに同時に電圧を印加して各基体Ｂの周囲にプラズマを発生させると共に、プラズマ中のイオンを基体Ｂに引き付けて成膜する基体Ｂへの成膜方法において、複数の基体Ｂへ成膜する際、真空容器３０１内で各基体Ｂの成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材３０７を接地状態とする。  【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する基体への成膜方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態としたことを特徴とする基体への成膜方法。
【請求項２】
前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧であることを特徴とする請求項１記載の基体への成膜方法。
【請求項３】
前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧であることを特徴とする請求項１記載の基体への成膜方法。
【請求項４】
前記複数の基体に同時に印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧であることを特徴とする請求項３記載の基体への成膜方法。
【請求項５】
前記複数の接地部材は円筒形状を成し、各接地部材は各基体の近傍に配置されることを特徴とする請求項１記載の基体への成膜方法。
【請求項６】
前記複数の接地部材は中空の円筒形状を成し、各接地部材は各基体を内部に収容することを特徴とする請求項１記載の基体への成膜方法。
【請求項７】
前記複数の接地部材は周面を網状に設定されたことを特徴とする請求項６記載の基体への成膜方法。
【請求項８】
前記基体と前記真空容器との距離をＤ１とし、前記基体と前記接地部材との距離をＤ２とした場合にＤ１≧Ｄ２なる関係を有することを特徴とする請求項１記載の基体への成膜方法。
【請求項９】
前記接地部材の長さをＬ１とし、前記基体の長さをＬ２とした場合にＬ１≧Ｌ２なる関係を有することを特徴とする請求項１記載の基体への成膜方法。
【請求項１０】
複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する電子写真感光体の製造方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態としたことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧であることを特徴とする請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧であることを特徴とする請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の基体に同時に印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧であることを特徴とする請求項１２記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の接地部材は円筒形状を成し、各接地部材は各基体の近傍に配置されることを特徴とする請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１５】
前記複数の接地部材は中空の円筒形状を成し、各接地部材は各基体を内部に収容することを特徴とする請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１６】
前記複数の接地部材は周面を網状に設定されたことを特徴とする請求項１５記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１７】
前記基体と前記真空容器との距離をＤ１とし、前記基体と前記接地部材との距離をＤ２とした場合にＤ１≧Ｄ２なる関係を有することを特徴とする請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１８】
前記接地部材の長さをＬ１とし、前記基体の長さをＬ２とした場合にＬ１≧Ｌ２なる関係を有することを特徴とする請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項１９】
前記基体の表面に、炭化水素系ガスの非晶質カーボンで形成される表面保護層を成膜することを特徴とする請求項１０記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項２０】
複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する基体への成膜方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態とし、前記基体と前記接地部材との距離に応じてプラズマ生成のガス圧を制御することを特徴とする基体への成膜方法。
【請求項２１】
前記基体と前記接地部材との距離が短くなるのに応じて、前記プラズマ生成のガス圧を高く設定することを特徴とする請求項２０記載の基体への成膜方法。
【請求項２２】
複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する基体への成膜方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態とし、前記基体と前記接地部材との距離に応じて前記基体に印加する高周波出力を制御することを特徴とする基体への成膜方法。
【請求項２３】
前記基体と前記接地部材との距離が短くなるのに応じて、前記基体に印加する高周波出力を小さくすることを特徴とする請求項２２記載の基体への成膜方法。
【請求項２４】
前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧であることを特徴とする請求項２０又は請求項２２記載の基体への成膜方法。
【請求項２５】
前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧であることを特徴とする請求項２０又は請求項２２記載の基体への成膜方法。
【請求項２６】
前記複数の基体に同時に印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧であることを特徴とする請求項２５記載の基体への成膜方法。
【請求項２７】
前記複数の基体は、円筒形状を成した金属管であることを特徴とする請求項２０又は請求項２２記載の基体への成膜方法。
【請求項２８】
前記金属管は、電子写真用感光体用の素管であることを特徴とする請求項２７記載の基体への成膜方法。
【請求項２９】
前記複数の接地部材は、円筒形状を成すことを特徴とする請求項２０又は請求項２２記載の基体への成膜方法。
【請求項３０】
前記複数の接地部材は、中空の円筒形状を成し、各接地部材は各基体を内部に収容することを特徴とする請求項２０又は請求項２２記載の基体への成膜方法。
【請求項３１】
前記複数の基体へ炭化水素ガスのプラズマＣＶＤにより非晶質カーボン層を形成することを特徴とする請求項２０又は請求項２２記載の基体への成膜方法。
【請求項３２】
前記非晶質カーボン層は、電子写真用感光体の表面保護層を構成することを特徴とする請求項３１記載の基体への成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式の複写機やプリンタなどに用いられる電子写真感光体などに用いられる基体への成膜方法及びこれを用いた電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、成膜用原料ガスを、高周波電力の印加、あるいは、高電圧パルス及び高周波電力の重畳印加によりプラズマ化し、このプラズマに基体を曝して基体上に膜形成を行うプラズマＣＶＤ法が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
また、プラズマＣＶＤ法によりシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層、水素原子を含む非単結晶カーボンからなる表面保護層で構成された電子写真用感光体の製造方法も知られている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平７−２７８８２２号公報
【特許文献２】特開２００１−２６８８７号公報
【特許文献３】特開２００２−１２３０２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の技術においてプラズマＣＶＤ法により多数の基体へ膜形成を行った場合には、成膜用原料ガスの回り込み具合や基体を収容する真空容器等との位置関係に起因して基体への成膜状態のばらつきが基体内、あるいは基体間で発生するという問題がある。
【０００５】
このような成膜状態のばらつきの発生は、電子写真感光体に用いられる基体においては更なる問題の原因となる。すなわち、多数の電子写真感光体を同時に製造する場合においては、成膜状態のばらつきは、表面保護層の膜厚むらの原因となると共に、電子写真感光体の感度や残留電位にむらの原因となる。このような表面保護層の膜厚むら等が発生した場合、当該電子写真感光体で形成した画像上に濃度むら、かぶりなどが発生するという問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みて為されたものであり、多数の基体を成膜する場合の各基体への成膜状態のばらつきを減少させ、また、多数の電子写真感光体に表面保護層を形成する場合の各電子写真感光体の表面保護層の膜厚むらを減少させることができる基体への成膜方法及びこれを用いた電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、これらの複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する基体への成膜方法において、複数の基体へ成膜する際、真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る基体への成膜方法及びこれを用いた電子写真感光体の製造方法によれば、多数の基体を成膜する場合の各基体への成膜状態のばらつきを減少させ、また、多数の電子写真感光体に表面保護層を形成する場合の各電子写真感光体の表面保護層の膜厚むらを減少させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の第１の態様に係る基体への成膜方法は、複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する基体への成膜方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態としたものである。
【００１０】
この方法によれば、真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態とすることで、基体の周囲の電界が均一化され、これに応じて基体の周囲のプラズマ状態が均一化されるので、多数の基体を成膜する場合の各基体への成膜状態のばらつきを減少させることができる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧であるものである。
【００１２】
この方法によれば、複数の基体に対して高周波電圧が同時に印加されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００１３】
本発明の第３の態様は、第１の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧であるものである。
【００１４】
この方法によれば、複数の基体に対して高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧が同時に印加されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００１５】
本発明の第４の態様は、第３の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体に同時に印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧であるものである。
【００１６】
この方法によれば、複数の基体に対して印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧で構成されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００１７】
本発明の第５の態様は、第１の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の接地部材は円筒形状を成し、各接地部材は各基体の近傍に配置されるものである。
【００１８】
この方法によれば、円筒形状を有する接地部材が各基体の近傍に配置されるので、他の形状を有する場合と比べて基体の周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【００１９】
本発明の第６の態様は、第１の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の接地部材は中空の円筒形状を成し、各接地部材は各基体を内部に収容するものである。
【００２０】
この方法によれば、中空の円筒形状を有する各接地部材の内部に各基体が収容されるので、接地部材が外部に配置される場合に比べて基体の周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【００２１】
本発明の第７の態様は、第６の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の接地部材は周面を網状に設定されたものである。
【００２２】
この方法によれば、接地部材の周面を網状に設定しているので、接地部材の内側のＣＶＤガスを容易に入れ替えることができる。これにより、基体の周囲の電界をより均一化させることができる。
【００２３】
本発明の第８の態様は、第１の態様に係る基体への成膜方法において、前記基体と前記真空容器との距離をＤ１とし、前記基体と前記接地部材との距離をＤ２とした場合にＤ１≧Ｄ２なる関係を有するものである。
【００２４】
この方法によれば、基体と真空容器との距離Ｄ１を、基体と接地部材との距離Ｄ２以上の大きさとしているので、基体の周囲の電界を接地部材との位置関係によって決定することができる。このため、真空容器の影響を受けずに基体の周囲の電界を均一化することができる。
【００２５】
本発明の第９の態様は、第１の態様に係る基体への成膜方法において、前記接地部材の長さをＬ１とし、前記基体の長さをＬ２とした場合にＬ１≧Ｌ２なる関係を有するものである。
【００２６】
この方法によれば、接地部材の長さＬ１を、基体の長さＬ２以上の長さとしているので、基体の全長に渡って基体の周囲の電界を均一化することができる。
【００２７】
本発明の第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法は、複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する電子写真感光体の製造方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態としたものである。
【００２８】
この方法によれば、真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態とすることで、基体の周囲の電界が均一化され、これに応じて基体の周囲のプラズマ状態が均一化されるので、多数の電子写真感光体に表面保護層を形成する場合の各電子写真感光体の表面保護層の膜厚むらを減少させることができる。
【００２９】
本発明の第１１の態様は、第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧であるものである。
【００３０】
この方法によれば、複数の基体に対して高周波電圧が同時に印加されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００３１】
本発明の第１２の態様は、第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧であるものである。
【００３２】
この方法によれば、複数の基体に対して高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧が同時に印加されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００３３】
本発明の第１３の態様は、第１２の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記複数の基体に同時に印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧であるものである。
【００３４】
この方法によれば、複数の基体に対して印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧で構成されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００３５】
本発明の第１４の態様は、第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記複数の接地部材は円筒形状を成し、各接地部材は各基体の近傍に配置されるものである。
【００３６】
この方法によれば、円筒形状を有する接地部材が各基体の近傍に配置されるので、他の形状を有する場合と比べて基体の周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【００３７】
本発明の第１５の態様は、第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記複数の接地部材は中空の円筒形状を成し、各接地部材は各基体を内部に収容するものである。
【００３８】
この方法によれば、中空の円筒形状を有する各接地部材の内部に各基体が収容されるので、接地部材が外部に配置される場合に比べて基体の周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【００３９】
本発明の第１６の態様は、第１５の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記複数の接地部材は周面を網状に設定されたものである。
【００４０】
この方法によれば、接地部材の周面を網状に設定しているので、接地部材の内側のＣＶＤガスを容易に入れ替えることができる。これにより、基体の周囲のプラズマ状態をより均一化させることができる。
【００４１】
本発明の第１７の態様は、第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記基体と前記真空容器との距離をＤ１とし、前記基体と前記接地部材との距離をＤ２とした場合にＤ１≧Ｄ２なる関係を有するものである。
【００４２】
この方法によれば、基体と真空容器との距離Ｄ１を、基体と接地部材との距離Ｄ２以上の大きさとしているので、基体の周囲の電界を接地部材との位置関係によって決定することができる。このため、真空容器の影響を受けずに基体の周囲の電界を均一化することができる。
【００４３】
本発明の第１８の態様は、第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記接地部材の長さをＬ１とし、前記基体の長さをＬ２とした場合にＬ１≧Ｌ２なる関係を有するものである。
【００４４】
この方法によれば、接地部材の長さＬ１を、基体の長さＬ２以上の長さとしているので、基体の全長に渡って基体の周囲の電界を均一化することができる。
【００４５】
本発明の第１９の態様は、第１０の態様に係る電子写真感光体の製造方法において、前記基体の表面に、炭化水素系ガスの非晶質カーボンで形成される表面保護層を成膜するものである。
【００４６】
この方法によれば、炭化水素系ガスの非晶質カーボンで形成される表面保護層を、膜厚むらの発生を減少させつつ、基体の表面に成膜することができる。
【００４７】
本発明の第２０の態様に係る基体への成膜方法は、複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する基体への成膜方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態とし、前記基体と前記接地部材との距離に応じてプラズマ生成のガス圧を制御するものである。
【００４８】
この方法によれば、基体と接地部材との距離に応じてプラズマ生成の際のガス圧を制御するようにしたので、基体の周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体への成膜状態を最適にすることが可能となる。
【００４９】
本発明の第２１の態様は、第２０の態様に係る基体への成膜方法において、前記基体と前記接地部材との距離が短くなるのに応じて、前記プラズマ生成のガス圧を高く設定するものである。
【００５０】
この方法によれば、基体と接地部材との距離が短くなるのに応じて、プラズマ生成のガス圧を高く設定するようにしたので、基体の周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体への成膜状態を最適にすることが可能となる。
【００５１】
本発明の第２２の態様に係る基体への成膜方法は、複数の基体を収容する接地状態の真空容器内にＣＶＤガスを充満させ、前記複数の基体に同時に電圧を印加して各基体の周囲にプラズマを発生させると共にプラズマ中のイオンを基体に引き付けて成膜する基体への成膜方法であって、前記複数の基体へ成膜する際、前記真空容器内で各基体の成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材を接地状態とし、前記基体と前記接地部材との距離に応じて前記基体に印加する高周波出力を制御するものである。
【００５２】
この方法によれば、基体と接地部材との距離に応じて基体に印加する高周波出力を制御するようにしたので、基体の周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体への成膜状態を最適にすることが可能となる。
【００５３】
本発明の第２３の態様は、第２２の態様に係る基体への成膜方法において、前記基体と前記接地部材との距離が短くなるのに応じて、前記基体に印加する高周波出力を小さくするものである。
【００５４】
この方法によれば、基体と接地部材との距離が短くなるのに応じて、基体に印加する高周波出力を小さく設定するようにしたので、基体の周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体への成膜状態を最適にすることが可能となる。
【００５５】
本発明の第２４の態様は、第２０又は第２２の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧であるものである。
【００５６】
この方法によれば、複数の基体に対して高周波電圧が同時に印加されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００５７】
本発明の第２５の態様は、第２０又は第２２の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体に同時に印加される電圧が高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧であるものである。
【００５８】
この方法によれば、複数の基体に対して高周波電圧と負の電圧とを重畳した電圧が同時に印加されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００５９】
本発明の第２６の態様は、第２５の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体に同時に印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧であるものである。
【００６０】
この方法によれば、複数の基体に対して印加される高周波電圧及び負の電圧がパルス電圧で構成されるので、各基体の周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体に引き付けることができる。
【００６１】
本発明の第２７の態様は、第２０又は第２２の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体は、円筒形状を成した金属管であるものである。
【００６２】
この方法によれば、複数の基体が円筒形状を成した金属管であるので、円筒形状を成した金属管に対して最適な条件下で成膜することが可能となる。
【００６３】
本発明の第２８の態様は、第２７の態様に係る基体への成膜方法において、前記金属管は、電子写真用感光体用の素管であるものである。
【００６４】
この方法によれば、金属管が電子写真用感光体用の素管であるので、電子写真用感光体用の素管に対して最適な条件下で成膜することが可能となる。
【００６５】
本発明の第２９の態様は、第２０又は第２２の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の接地部材は、円筒形状を成すものである。
【００６６】
この方法によれば、複数の接地部材が円筒形状を成すので、他の形状を有する場合と比べて基体の周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【００６７】
本発明の第３０の態様は、第２０又は第２２の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の接地部材は、中空の円筒形状を成し、各接地部材は各基体を内部に収容するものである。
【００６８】
この方法によれば、中空の円筒形状を有する各接地部材の内部に各基体が収容されるので、接地部材が外部に配置される場合に比べて基体の周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【００６９】
本発明の第３１の態様は、第２０又は第２２の態様に係る基体への成膜方法において、前記複数の基体へ炭化水素ガスのプラズマＣＶＤにより非晶質カーボン層を形成するものである。
【００７０】
この方法によれば、複数の基体へ炭化水素ガスのプラズマＣＶＤにより非晶質カーボン層を形成するので、複数の基体に対して最適な条件下で非晶質カーボン層を形成することが可能となる。
【００７１】
本発明の第３２の態様は、第３１の態様に係る基体への成膜方法において、前記非晶質カーボン層は、電子写真用感光体の表面保護層を構成するものである。
【００７２】
この方法によれば、非晶質カーボン層が電子写真用感光体の表面保護層を構成するので、最適な条件下で電子写真用感光体の表面保護層を構成する非晶質カーボンを形成することが可能となる。
【００７３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００７４】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る基体への成膜方法で成膜された基体を利用した電子写真感光体（以下、「感光体」という）が適用される画像形成装置における画像形成部周辺の構成を示す図である。なお、本明細書においては、後述するように、導電性支持体に電荷発生層及び電荷輸送層が積層されたものを「基体」と呼ぶものとする。
【００７５】
かかる画像形成装置においては、同図に示すように、感光体１０１の近傍に帯電装置１０２、露光装置１０３、現像装置１０４及び転写装置１０５が配置されている。感光体１０１は、表面保護層を有するが、かかる表面保護層の構成については後述する。感光体１０１は、不図示の駆動機構により同図中矢印方向に回転する。
【００７６】
帯電装置１０２は、感光体１０１の表面を均一に帯電させる。同図においては、非接触帯電法により感光体１０１の表面を均一に帯電させる帯電装置１０２について示しているが、これに限定されず、接触帯電法により帯電させる装置を適用することもできる。露光装置１０３は、帯電された表面をレーザ光により露光させる。これにより、感光体１０１の表面上に潜像画像が形成される。現像装置１０４は、内蔵する現像ローラ１０６に非磁性の現像剤（トナー）を供給し、一定量のトナーを感光体１０１の表面に形成された潜像画像に付着させる。転写装置１０５は、潜像画像に付着したトナーを、搬送ローラ１０７により搬送される記録紙１０８に対して転写する。
【００７７】
また、感光体１０１の回転方向であって、転写装置１０５の下流側にクリーニング装置１０９が配置されている。クリーニング装置１０９は、記録紙１０８への転写後に感光体１０１の表面上に残留するトナーを除去する。クリーニング装置１０９は、感光体１０１の表面に残留したトナーに直接接触して除去するクリーニングブレード１１０を備えている。
【００７８】
図２は、実施の形態１に係る感光体１０１の構成を示す拡大図である。
【００７９】
同図に示すように、実施の形態１に係る感光体１０１は、導電性支持体２０１に対して電荷発生層２０２及び電荷輸送層２０３が積層され、さらにその上に表面保護層２０４が積層された構成としている。表面保護層２０４は、第１の表面保護層２０５と、第２の表面保護層２０６との２層構造となっている。実施の形態１に係る表面保護層を有する感光体１０１において、これらの第１及び第２の表面保護層２０５及び２０６は、プラズマＣＶＤ法により形成される。
【００８０】
図３は、実施の形態１に係る基体への成膜方法を実施する際に用いられるＣＶＤ成膜装置の一例の概略図である。図４は、図３に示すＣＶＤ成膜装置の真空容器内を上方から見た図である。図５は、図３及び図４に示すＣＶＤ成膜装置において、感光体１０１の第１の表面保護層２０５及び第２の表面保護層２０６を形成する際に利用されるＣＶＤガスや印加電圧等の一例を示している。
【００８１】
図３に示すように、ＣＶＤ成膜装置３００は、接地状態とされた真空容器３０１を備える。真空容器３０１の内側に、基体Ｂを保持する複数の基体ホルダ３０２を備える。基体ホルダ３０２には、パルス高周波電源３０３及びパルスバイアス電圧電源３０４が接続される。この基体ホルダ３０２を介して基体Ｂにパルスバイアス電圧とパルス高周波電圧とを重畳した電圧が印加される。
【００８２】
このように本実施の形態においては、複数の基体Ｂに同時にパルスバイアス電圧とパルス高周波電圧とを重畳した電圧を印加しているので、後述するように、各基体Ｂの周囲に発生したプラズマ中のイオンを確実に基体Ｂに引き付けることができる。
【００８３】
ＣＶＤ成膜装置３００には、真空容器３０１の内部に上方からＣＶＤガスを導入するガス導入口３０５が設けられている。また、ガス導入口３０５から導入され、真空容器３０１の下方からＣＶＤガスを排出する排出口３０６が設けられている。
【００８４】
ＣＶＤ成膜装置３００は、複数の基体ホルダ３０２に保持された各基体Ｂを囲むように複数の接地部材３０７を備えている。各接地部材３０７は、真空容器３０１に接続されることで接地状態とされている。また、接地部材３０７の長さ（図３中の「Ｌ１」）と、基体Ｂの長さ（図３中の「Ｌ２」）との関係がＬ１≧Ｌ２になるように設定されている。このように接地部材３０７の長さＬ１を、基体Ｂの長さＬ２以上の長さとしているので、後述するように、基体Ｂの全長に渡って基体Ｂの周囲の電界が均一化される。
【００８５】
また、接地部材３０７は、図４に示すように、円筒形状を有し、基体Ｂの近傍に設置されている。このように円筒形状を有する接地部材３０７を各基体Ｂの近傍に配置することで、接地部材３０７が他の形状を有する場合と比べて基体Ｂの周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【００８６】
さらに、接地部材３０７は、真空容器３０１に配置された複数の基体Ｂのうち、隣接する基体Ｂとの距離が一定になるように配置されている。真空容器３０１近傍の接地部材３０７においては、隣接する基体Ｂとの距離（図４中の「Ｄ２」）と、当該基体Ｂと真空容器３０１との距離（図４中の「Ｄ１」）との関係が、Ｄ１≧Ｄ２になるように設定されている。このように基体Ｂと真空容器３０１との距離Ｄ１を、基体Ｂと接地部材３０７との距離Ｄ２以上の大きさとしているので、基体Ｂの周囲の電界を接地部材３０７との位置関係によって決定することができる。このため、後述するように、真空容器３０１の影響を受けずに基体Ｂの周囲の電界を均一化することができる。
【００８７】
このようなＣＶＤ成膜装置３００において表面保護層を形成する場合、第１の表面保護層２０５を形成する前に、基体ホルダ３０２に保持した基体Ｂの表面を水素ガスのエッチングによりクリーニングする。具体的には、ガス導入口３０５から水素ガスを導入し、基体Ｂにパルス高周波電圧と−５００〜−１０００Ｖのパルスバイアス電圧を印加することで、基体Ｂの表面をクリーニングする。このようなクリーニング作業を行うことで、基体Ｂの表面上の異物等を除去することができ、電荷輸送層２０３と第１の表面保護層２０５との密着性をより一層向上させることができる。このように基体Ｂの表面をクリーニングした後、第１の表面保護層２０５及び第２の表面保護層２０６を形成する。
【００８８】
第１の表面保護層２０５を形成する場合、図３に示すように、ガス導入口３０５からＣＶＤガスとしてメタン等の炭化水素系ガスが導入される。真空容器３０１の内部に炭化水素系ガスが充満した状態で基体Ｂに負のパルスバイアス電圧とパルス高周波電圧とを重畳した電圧が印加される。基体Ｂにパルス高周波電圧を印加することで真空容器３０１内の炭化水素系ガスをプラズマ化し、プラズマ中の電子と炭化水素系ガスとの衝突により炭化水素系ガスを分解してイオンを生成する一方、基体Ｂに負のパルスバイアス電圧を印加することで生成されたイオンを基体Ｂに引き付けて第１の表面保護層２０５を形成する。
【００８９】
第１の表面保護層２０５を形成する際、ＣＶＤ成膜装置３００は、図５に示すように、基体Ｂに−５００Ｖ〜−２０００Ｖのパルスバイアス電圧を印加する。これにより、パルス高周波電圧の印加によって生成されたイオンは、基体Ｂに引き付けられると共に、その一部が基体Ｂの表面を構成する電荷輸送層２０３に注入される。すなわち、電荷輸送層２０３に炭素が注入され、電荷輸送層２０３に単に第１の表面保護層２０５が付着するのでなく、電荷輸送層２０３にミキシング層（遷移層）を伴って第１の表面保護層２０５が形成される。このとき、基体Ｂの表面に膜厚０．０１〜０．１μｍの、イオン注入層を伴う非晶質カーボンで第１の表面保護層２０５が形成される。
【００９０】
一方、第２の表面保護層２０６を形成する場合、図３に示すように、ガス導入口３０５から炭化水素系ガスを水素で希釈したガス（以下、「水素希釈炭化水素系ガス」という）が導入される。真空容器３０１の内部に水素希釈炭化水素系ガスが充満した状態で基体Ｂに負のパルスバイアス電圧とパルス高周波電圧とを重畳した電圧が印加される。基体Ｂにパルス高周波電圧を印加することで真空容器３０１内の水素希釈炭化水素系ガスをプラズマ化し、プラズマ中の電子と水素希釈炭化水素系ガスの衝突により水素希釈炭化水素系ガスを分解してイオンを生成する一方、基体Ｂに負のパルスバイアス電圧を印加することで生成されたイオンを基体Ｂに引き付けて第２の表面保護層２０６を形成する。
【００９１】
第２の表面保護層２０６を形成する際、ＣＶＤ成膜装置３００は、図５に示すように、第１の表面保護層２０５を形成する場合よりも小さい−５００〜−１０００Ｖのパルスバイアス電圧を基体Ｂに印加する。この場合、パルス高周波電圧の印加によって生成されたイオンは、基体Ｂに引き付けられるものの、第１の表面保護層２０５の場合と異なり、その一部が基体Ｂの表面層に注入されることはない。基体Ｂに引き付けられたイオンは、基体Ｂの表面層を構成する第１の表面保護層２０５の表面に堆積し第２の表面保護層２０６を形成する。このとき、基体Ｂ（第１の表面保護層２０５）の表面に膜厚０．１〜２．０μｍの堆積層の非晶質カーボンで第２の表面保護層２０６が形成される。
【００９２】
このように第１の表面保護層２０５及び第２の表面保護層２０６を形成する際（基体Ｂに成膜する際）、本ＣＶＤ成膜装置３００においては、接地部材３０７を接地状態としている。これにより、基体Ｂの周囲の電界分布を均一化することで、各基体Ｂの周囲のプラズマ状態を均一化している。この結果、表面保護層の膜厚むら（各基体Ｂへの成膜状態のばらつき）が減少する。以下、接地部材３０７を接地状態とすることによって均一化される基体Ｂの周囲の電界分布について図６〜図９を用いて説明する。
【００９３】
図６及び図７は、真空容器３０１内に４本の基体Ｂが配置された場合の電界分布について示す模式図である。図６は、接地部材３０７が設置されていない場合について示し、図７は、４本の基体Ｂの中央に接地部材３０７が設置されている場合について示している。図６及び図７、並びに、後述する図８、図９及び図１３においては各領域に記述されたパターン画像により、その電界強度を示している。すなわち、電界強度が一定値以下の部分を白色領域で示し、白地にドットを記述した領域、同図の左方下側（右方上側）に向けた斜線を記述した領域、同図の左方上側（右方下側）に向けた斜線を記述した領域、横線を記述した領域、縦線を記述した領域、並びに、黒地にドットを記述した領域の順番で、次第に電界強度が強くなるものとする。また、真空容器３０１は、矩形状を有するものとする。
【００９４】
真空容器３０１内に４本の基体Ｂのみが配置されている場合には、基体Ｂの周囲の電界分布は図６に示すようになる。すなわち、真空容器３０１内における電界強度は、各基体Ｂにおける真空容器３０１側の近傍が最も強く、そこから真空容器３０１に向かって次第に弱くなっていく。一方、各基体Ｂにおける対向する他の基体Ｂ側には電界は一定値以下となっている。これは、他の基体Ｂとの相互干渉に起因するものである。基体Ｂの周囲の電界が図６に示すようになった場合、各基体Ｂの周囲のプラズマ状態が均一化されない事態が生じるため、各基体Ｂへの成膜状態のばらつきの原因となる。
【００９５】
これに対し、４本の基体Ｂの中央に接地部材３０７が設置されている場合には、基体Ｂの周囲の電界分布は図７に示すようになる。すなわち、真空容器３０１内における電界強度は、基体Ｂにおける接地部材３０７側の近傍が最も強く、各基体Ｂにおける接地部材３０７側以外の近傍も接地部材３０７が設置されていない場合と比べて強い。つまり、各基体Ｂの周囲の電界強度が全範囲に渡って強くなる。基体Ｂの周囲の電界が図７に示すようになった場合、各基体Ｂの周囲のプラズマ状態が均一化されるため、各基体Ｂへの成膜状態のばらつき（表面保護層の膜厚むら）が減少する。
【００９６】
図８及び図９は、真空容器３０１内に１本の基体Ｂが配置された場合の電界分布について示す模式図である。図８は、接地部材３０７が設置されていない場合について示し、図９は、１本の基体Ｂの周囲（上下左右）に４本の接地部材３０７が設置されている場合について示している。図８及び図９において電界強度の表示及び真空容器３０１の形状は図６及び図７と同一である。
【００９７】
真空容器３０１内に１本の基体Ｂのみが配置されている場合には、基体Ｂの周囲の電界分布は図８に示すようになる。すなわち、真空容器３０１内における電界強度は、基体Ｂの近傍が最も強く、そこから真空容器３０１に向かって次第に弱くなっていく。基体Ｂの周囲の電界が図８に示すようになった場合、各基体Ｂの周囲のプラズマ状態が均一化されている。しかし、真空容器３０１との距離が大きいため電界強度が弱くなり、基体Ｂへプラズマ中のイオンを十分に引き付けられない事態が発生し得る。
【００９８】
これに対し、１本の基体Ｂの周囲（上下左右）に４本の接地部材３０７が設置されている場合には、基体Ｂの周囲の電界分布は図９に示すようになる。すなわち、真空容器３０１内における電界強度において、基体Ｂの近傍が最も強いのは図８に示す場合と同様であるが、接地部材３０７が設置されていない場合と比べてその電界強度が強くなっている。基体Ｂの周囲の電界が図９に示すようになった場合、各基体Ｂの周囲のプラズマ状態が均一化されると同時に、基体Ｂの周囲の電界強度が強くなり、プラズマ中のイオンを適切に基体Ｂに引き付けられる。
【００９９】
図１０は、実施の形態１に係る基体Ｂへの成膜方法で成膜した場合に得られる効果の一例を示す図である。図１０においては、真空容器３０１内における接地部材３０７の設置の有無から得られる効果を主に示している。また、図１０においては、画像形成部において１０００枚プリントした後の密着性及び初期状態のプリントにおける解像度を比較することで効果を示している。
【０１００】
同図に示すように、真空容器３０１内に接地部材３０７を設置していない場合においては、基体Ｂ内における成膜状態のばらつき、並びに、基体Ｂ間における成膜状態のばらつきが検出され、１０００枚プリントした後に表面保護層と電荷輸送層との密着性が悪化した状態となっている。このため、プリント時のスクラッチにより表面保護層が削れ、感光体自体の寿命が短くなるという事態が発生し得る。
【０１０１】
また、初期状態のプリントにおける解像度においても、基体Ｂ内における成膜状態のばらつき、並びに、基体Ｂ間における成膜状態のばらつきが検出され、初期状態のプリントに画像の解像度が劣化する事態が発生している。
【０１０２】
一方、真空容器３０１内に接地部材３０７を設置した場合においては、基体Ｂ内における成膜状態のばらつき、並びに、基体Ｂ間における成膜状態のばらつきが検出されず、１０００枚プリントした後に表面保護層と電荷輸送層との密着性が悪化する状態を回避している。このため、プリント時のスクラッチにより表面保護層が削れ、感光体自体の寿命が短くなるという事態を確実に回避することができる。
【０１０３】
また、初期状態のプリントにおける解像度においても、基体Ｂ内における成膜状態のばらつき、並びに、基体Ｂ間における成膜状態のばらつきが検出されず、初期状態のプリントに画像の解像度が劣化する事態が確実に回避している。
【０１０４】
このように実施の形態１に係る基体Ｂへの成膜方法によれば、真空容器３０１内で各基体Ｂの成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材３０７を接地状態とすることで、基体Ｂの周囲の電界が均一化され、これに応じて基体Ｂの周囲のプラズマ状態が均一化されるので、多数の基体Ｂを成膜する場合の各基体への成膜状態のばらつきを減少させ、また、多数の感光体１０１に表面保護層を形成する場合の各感光体１０１の表面保護層の膜厚むらを減少させることができる。
【０１０５】
（実施の形態２）
図１１は、本発明の実施の形態２に係る基体への成膜方法を実施する際に用いられるＣＶＤ成膜装置の一例の概略図である。図１２は、図１１に示すＣＶＤ成膜装置の真空容器内を上方から見た図である。
【０１０６】
図１１に示すＣＶＤ成膜装置１１００は、基体Ｂを内側に収容する接地部材１１０１を備える点のみで、図３に示したＣＶＤ成膜装置３００と相違する。実施の形態２に係るＣＶＤ成膜装置１１００によれば、実施の形態１に係るＣＶＤ成膜装置３００と比較して、独立したスペースを要する接地部材３０７のために必要とされるスペースを削減することができるので、より多くの感光体を製造する場合に好適である。なお、図３に示す構成と同一の機能を有する構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１０７】
接地部材１１０１は、図１２に示すように、中空の円筒形状を有している。そして、その内側に基体Ｂを収容する。接地部材１１０１は、基体ホルダ３０２に保持された基体Ｂの上端部よりも僅かに上方に長い長さに設定されている。基体Ｂを内側に収容する結果、真空容器３０１内においては、図１２に示すように、接地部材１１０１が隣接するように配置された状態となっている。
【０１０８】
このようなＣＶＤ成膜装置１１００において表面保護層を形成する場合の処理は、実施の形態１に係るＣＶＤ成膜装置３００における処理と同様である。また、表面保護層を形成する際、接地部材１１０１が接地状態とされるのも同様である。これにより、基体Ｂの周囲の電界分布を均一化し、各基体Ｂの周囲のプラズマ状態を均一化している。この結果、表面保護層の膜厚むら（各基体Ｂへの成膜状態のばらつき）が減少する。
【０１０９】
図１３は、真空容器３０１内に１本の基体Ｂが配置された場合であって、基体Ｂが接地部材１１０１に収容された場合の電界分布について示す模式図である。基体Ｂが接地部材１１０１に収容されていない場合の電界分布については、図８に示す電界分布と同様であるため、その説明を省略する。なお、図１３において電界強度の表示及び真空容器３０１の形状は図６及び図７と同一である。
【０１１０】
基体Ｂが接地部材１１０１に収容されている場合には、基体Ｂの周囲の電界分布は図１３に示すようになる。すなわち、真空容器３０１内における電界強度において、基体Ｂの近傍が最も強いのは図８に示す場合と同様であるが、接地部材１１０１が設置されていない場合と比べてその電界強度が強くなっている。基体Ｂの周囲の電界が図１３に示すようになった場合、各基体Ｂの周囲のプラズマ状態が均一化されると同時に、基体Ｂの周囲の電界強度が強くなり、プラズマ中のイオンを適切に基体Ｂに引き付けられる。
【０１１１】
実施の形態２に係る基体への成膜方法で成膜した場合には、図１０で説明した効果と同様の効果を得ることができる。すなわち、プリント時のスクラッチにより表面保護層が削れ、感光体自体の寿命が短くなるという事態を確実に回避することができると共に、初期状態のプリントに画像の解像度が劣化する事態を確実に回避することができる。
【０１１２】
このように実施の形態２に係る基体Ｂへの成膜方法によれば、真空容器３０１内で各基体Ｂの成膜面に対向する位置に配置された複数の接地部材１１０１を接地状態とすることで、基体Ｂの周囲の電界が均一化され、これに応じて基体Ｂの周囲のプラズマ状態が均一化されるので、実施の形態１と同様に、多数の基体Ｂを成膜する場合の各基体Ｂへの成膜状態のばらつきを減少させ、また、多数の感光体１０１に表面保護層を形成する場合の各感光体１０１の表面保護層の膜厚むらを減少させることができる。
【０１１３】
特に、実施の形態２においては、中空の円筒形状を有する各接地部材１１０１の内部に各基体Ｂを収容するので、接地部材１１０１が外部に配置される場合に比べて基体Ｂの周囲の電界を効果的に均一化することができる。
【０１１４】
なお、実施の形態２に係るＣＶＤ成膜装置１１００における接地部材１１０１は、その周面を網状に設定することが実施の形態として好ましい。接地部材１１０１の周面を網状に設定した場合には、接地部材１１０１の内側のＣＶＤガスを容易に入れ替えることができるので、基体Ｂの周囲のプラズマ状態をより均一化させることが可能となる。
【０１１５】
（実施の形態３）
実施の形態３に係る基体への成膜方法は、実施の形態２に係るＣＶＤ成膜装置１１００において、基体Ｂと接地部材１１０１との距離に応じてプラズマ生成の際のガス圧、並びに、基体Ｂに対する高周波出力を制御する点で実施の形態２に係る基体への成膜方法と相違する。このように基体Ｂと接地部材１１０１との距離に応じてプラズマ生成の際のガス圧等を制御することで、基体Ｂの周囲のプラズマ状態の最適にして基体Ｂへの成膜状態を最適にすることが可能となる。
【０１１６】
図１４は、実施の形態３に係る基体への成膜方法が、基体Ｂと接地部材１１０１との距離（以下、「基体接地部材間距離」という）に応じてプラズマ生成の際のガス圧等を制御する際に利用するパッシェンカーブの一例を示している。同図に示すパッシェンカーブは、基体Ｂと接地部材１１０１との距離とを乗算した値（Ｐａ．ｍｍ）と、放電開始電圧（Ｖ）とを用いて放電状態を表すものである。なお、同図に示すパッシェンカーブにおいてはアルゴンガスを用いた場合について示している。また、同図においては、ガス圧と、基体接地部材間距離とを乗算した値（以下、単に「乗算値」という）が１〜１０００００Ｐａ．ｍｍであり、放電開始電圧が１０〜１０００Ｖの部分について示している。
【０１１７】
図１４に示すように、パッシェンカーブは、乗算値が５００〜１０００Ｐａ．ｍｍの間で放電開始電圧が最も小さくなり、約７０Ｖ〜８０Ｖの電圧値を示す。乗算値が５００Ｐａ．ｍｍより小さい領域では放電開始電圧が急激に上昇し、乗算値が７０Ｐａ．ｍｍの時に放電開始電圧が１０００Ｖとなる。一方、乗算値が１０００Ｐａ．ｍｍより大きい領域では放電開始電圧が緩やかに上昇し、乗算値が８００００Ｐａ．ｍｍの時に放電開始電圧が１０００Ｖとなる。
【０１１８】
このようなパッシェンカーブに基づいて実施の形態３に係る基体への成膜方法においては、プラズマ生成の際のガス圧等を制御する。特に、実施の形態３に係る基体への成膜方法においては、乗算値及び放電開始電圧が基体への成膜処理を行う際に最適な値となるようにする観点から乗算値が５００Ｐａ．ｍｍ以上の一定領域を目標値として利用する。なお、ここでは、乗算値が５００Ｐａ．ｍｍ以上の領域を目標値として利用するが、これ以外の領域を利用することも可能である。
【０１１９】
図１５は、実施の形態３に係る基体への成膜方法において、プラズマ生成の際のガス圧等を制御する際に利用するパッシェンカーブの一定領域を示している。同図においては、特に、乗算値が０〜３０００Ｐａ．ｍｍであり、この範囲に対応する放電開始電圧の部分（６０Ｖ〜１１０Ｖ）について示している。なお、同図においては、乗算値が０〜５００Ｐａ．ｍｍの部分については省略している。
【０１２０】
同図に示すように、乗算値が５００〜３０００Ｐａ．ｍｍの部分においては、当該乗算値の大きさに応じて放電開始電圧が大きくなっている。より具体的には、乗算値が５００Ｐａ．ｍｍの場合に放電開始電圧は約７０Ｖを示す。そして、当該乗算値が大きくなるに従って放電開始電圧も大きくなる。当該乗算値が３０００Ｐａ．ｍｍの場合に放電開始電圧は約１００Ｖを示す。
【０１２１】
図１６は、実施の形態３に係る基体への成膜方法において、乗算値（Ｐａ．ｍｍ）の一例をより具体的に示す図である。同図において、基体Ｂは直径３０ｍｍであるものとする。「円筒径（ｍｍ）」は、接地部材１１０１の直径を示し、「ｄ（ｍｍ）」は、基体Ｂの外周面と接地部材１１０１の内周面との距離（基体接地部材間距離）を示している。例えば、接地部材１１０１の直径が４０ｍｍであれば、基体接地部材間距離ｄは５ｍｍとなり、接地部材１１０１の直径が８００ｍｍであれば、基体接地部材間距離ｄは３８５ｍｍとなる。
【０１２２】
同図に示すように、４０ｍｍの接地部材１１０１に基体Ｂを収容し、ガス圧を０．５Ｐａとすれば乗算値は２．５Ｐａ．ｍｍとなり、ガス圧を１００Ｐａとすれば当該乗算値は５００Ｐａ．ｍｍとなる。同様に、１２０ｍｍの接地部材１１０１に基体Ｂを収容し、ガス圧を０．５Ｐａとすれば乗算値は２２．５Ｐａ．ｍｍとなり、ガス圧を１００Ｐａとすれば当該乗算値は４５００Ｐａ．ｍｍとなる。
【０１２３】
本実施の形態に係るＣＶＤ成膜装置１１００においては、基体接地部材間距離に応じてプラズマ生成の際のガス圧、並びに、基体Ｂに対する高周波出力を制御する。以下、プラズマ生成の際のガス圧、並びに、基体Ｂに対する高周波出力を制御して得られる効果について図１７及び図１８を用いて説明する。
【０１２４】
図１７は、プラズマ生成の際に真空容器３０１に導入されるガス圧（Ｐａ）を調整した場合に得られる効果を示している。なお、図１７においては、基体Ｂに印加される高周波出力は３００Ｗに固定されているものとする。
【０１２５】
特に、図１７（ａ）においては、当該基体Ｂを用いて製造された感光体で１０００枚プリントした後の密着性を比較することでその効果を示し、図１７（ｂ）においては、当該感光体における初期状態のプリントにおける解像度を比較することでその効果を示している。図１８の（ａ）、（ｂ）においても同様である。
【０１２６】
図１７に示すように、１０００枚プリントした後の表面保護層における密着性は、乗算値に応じて特性が変化する。より具体的には、基体接地部材間距離が１０ｍｍの場合、ガス圧が５〜１０Ｐａの時に悪化した特性を示し、ガス圧が５０〜１００Ｐａの時に良好な特性を示す。また、基体接地部材間距離が２５ｍｍの場合、ガス圧が５Ｐａの時に悪化した特性を示し、ガス圧が２５〜５０Ｐａの時に良好な特性を示し、ガス圧が１００Ｐａの時に最適な特性を示す。また、基体接地部材間距離が４５ｍｍの場合、ガス圧が１０〜２５、１００Ｐａの時に良好な特性を示し、ガス圧が５０Ｐａの時に最適な特性を示す。また、基体接地部材間距離が８５ｍｍの場合、ガス圧が５〜１０、５０Ｐａの時に良好な特性を示し、ガス圧が２５Ｐａの時に最適な特性を示す。このことから乗算値が約２０００〜２５００Ｐａ．ｍｍに収まる場合に最適な特性を示すことが分かる（図１６参照）。
【０１２７】
一方、初期状態のプリントにおける解像度も、乗算値に応じて特性が変化する。より具体的には、基体接地部材間距離が１０ｍｍの場合、ガス圧が５〜２５Ｐａの時に良好な特性を示し、ガス圧が５０〜１００Ｐａの時に悪化した特性を示す。また、基体接地部材間距離が２５ｍｍの場合、ガス圧が５〜１０、１００Ｐａの時に良好な特性を示し、ガス圧が２５〜５０Ｐａの時に悪化した特性を示す。また、基体接地部材間距離が４５ｍｍの場合、ガス圧が５、５０〜１００Ｐａの時に良好な特性を示し、ガス圧が１０〜２５Ｐａの時に悪化した特性を示す。また、基体接地部材間距離が８５ｍｍの場合、ガス圧が５〜１０Ｐａの時に悪化した特性を示し、ガス圧が２５〜１００Ｐａの時に良好な特性を示す。このことから乗算値が約２５〜２５０Ｐａ．ｍｍ、並びに、約２１２５〜８５００Ｐａ．ｍｍに収まる場合に良好な特性を示すことが分かる（図１６参照）。
【０１２８】
このような特性を考慮して実施の形態３に係るＣＶＤ成膜装置１１００においては、図１７に示す斜線部に該当するように、基体接地部材間距離に応じてガス圧を制御する。このように実施の形態３の基体への成膜方法によれば、基体Ｂと接地部材１１０１との距離に応じてプラズマ生成の際のガス圧を制御するようにしたので、基体Ｂの周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体Ｂへの成膜状態を最適にすることが可能となる。
【０１２９】
特に、実施の形態３に係るＣＶＤ成膜装置１１００においては、基体Ｂと接地部材１１０１との距離が短くなるのに応じて、プラズマ生成のガス圧を高く設定するようにしたので、基体Ｂの周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体への成膜状態を最適にすることが可能となる。
【０１３０】
図１８は、プラズマ生成の際に基体Ｂに対する高周波出力（Ｗ）を調整した場合に得られる効果を示している。なお、図１８においては、真空容器３０１に導入されるガス圧は２５Ｐａに固定されているものとする。
【０１３１】
図１８に示すように、１０００枚プリントした後の表面保護層における密着性は、乗算値に応じて特性が変化する。より具体的には、基体接地部材間距離が１０ｍｍの場合、高周波出力が１００、２５０〜５００Ｗの時に良好な特性を示し、高周波出力が２００Ｗの時に最適な特性を示す。また、基体接地部材間距離が２５ｍｍの場合、高周波出力が１００Ｗの時に悪化した特性を示し、高周波出力が２００、３００〜５００Ｗの時に良好な特性を示し、高周波出力が２５０Ｗの時に最適な特性を示す。また、基体接地部材間距離が４５ｍｍの場合、高周波出力が１００Ｗの時に悪化した特性を示し、高周波出力が２００、３００〜５００Ｗの時に良好な特性を示し、高周波出力が２５０Ｗの時に最適な特性を示す。また、基体接地部材間距離が８５ｍｍの場合、高周波出力が１００〜２００Ｗの時に悪化した特性を示し、高周波出力が２５０、５００Ｗの時に良好な特性を示し、高周波出力が３００Ｗの時に最適な特性を示す。このことから乗算値が大きくなるに従って高周波出力を大きくすることで、表面保護層における密着性が最適な特性を示すことが分かる。
【０１３２】
一方、初期状態のプリントにおける解像度も、乗算値に応じて特性が変化する。より具体的には、基体接地部材間距離が１０ｍｍの場合、高周波出力が１００〜２５０Ｗの時に良好な特性を示し、高周波出力が３００〜５００Ｗの時に悪化した特性を示す。また、基体接地部材間距離が２５ｍｍの場合、高周波出力が１００〜３００Ｗの時に良好な特性を示し、高周波出力が５００Ｗの時に悪化した特性を示す。また、基体接地部材間距離が４５ｍｍの場合、高周波出力が１００〜３００Ｗの時に良好な特性を示し、高周波出力が５００Ｗの時に悪化した特性を示す。また、基体接地部材間距離が８５ｍｍの場合、高周波出力が１００〜５００Ｗのいずれの範囲においても良好な特性を示す。このことから乗算値が一定の範囲の値を示した時に解像度が悪化した特性を示すことが分かる。
【０１３３】
このような特性を考慮して本実施の形態に係るＣＶＤ成膜装置１１００においては、図１８に示す斜線部に該当するように、基体接地部材間距離に応じて高周波出力を制御する。このように実施の形態３の基体への成膜方法によれば、基体Ｂと接地部材１１０１との距離に応じて基体Ｂに印加する高周波出力を制御するようにしたので、基体Ｂの周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体Ｂへの成膜状態を最適にすることが可能となる。
【０１３４】
特に、実施の形態３に係るＣＶＤ成膜装置１１００においては、基体Ｂと接地部材１１０１との距離が短くなるのに応じて、基体Ｂに印加する高周波出力を小さく設定するようにしたので、基体Ｂの周囲のプラズマ状態の最適にすることができ、基体Ｂへの成膜状態を最適にすることが可能となる。
【０１３５】
なお、実施の形態３に係る基体への成膜方法においては、実施の形態２に係るＣＶＤ成膜装置１１００におけるガス圧等を制御する場合について説明しているが、これに限定されず、実施の形態１に係るＣＶＤ成膜装置３００におけるガス圧等を制御するようにしてもよい。このような場合においても、実施の形態３に係る基体への成膜方法と同様の効果を得ることができる。
【０１３６】
以上の説明においては、画像形成装置の感光体１０１に用いられる基体Ｂ（感光体１０１用の素管）について説明している。しかし、基体Ｂとしては、これに限定されず、他の用途に用いられるものにも適用することができる。例えば、何らかの保護膜を必要とする基体Ｂであれば、いかなる基体Ｂにも適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明に係る基体への成膜方法及びこれを用いた電子写真感光体の製造方法によれば、多数の基体を成膜する場合の各基体への成膜状態のばらつきを減少させ、また、多数の電子写真感光体に表面保護層を形成する場合の各電子写真感光体の表面保護層の膜厚むらを減少させることができ、安定して基体に成膜することが可能となる点で有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明の実施の形態１に係る基体への成膜方法で成膜された基体を利用した感光体が適用される画像形成装置における画像形成部周辺の構成を示す図
【図２】実施の形態１に係る感光体の構成を示す拡大図
【図３】実施の形態１に係る基体への成膜方法を実施する際に用いられるＣＶＤ成膜装置の一例の概略図
【図４】図３に示すＣＶＤ成膜装置の真空容器内を上方から見た図
【図５】図３及び図４に示すＣＶＤ成膜装置において、感光体の表面保護層を形成する際に利用されるＣＶＤガスや印加電圧等の一例を示す図
【図６】実施の形態１に係るＣＶＤ成膜装置の真空容器内に４本の基体が配置された場合の電界分布について示す模式図
【図７】実施の形態１に係るＣＶＤ成膜装置の真空容器内に４本の基体が配置された場合の電界分布について示す模式図
【図８】実施の形態１に係るＣＶＤ成膜装置の真空容器内に１本の基体が配置された場合の電界分布について示す模式図
【図９】実施の形態１に係るＣＶＤ成膜装置の真空容器内に１本の基体が配置された場合の電界分布について示す模式図
【図１０】実施の形態１に係る基体への成膜方法で成膜した場合に得られる効果の一例を示す図
【図１１】本発明の実施の形態２に係る基体への成膜方法を実施する際に用いられるＣＶＤ成膜装置の一例の概略図
【図１２】図１１に示すＣＶＤ成膜装置の真空容器内を上方から見た図
【図１３】実施の形態２に係るＣＶＤ成膜装置の真空容器内に１本の基体が配置された場合の電界分布について示す模式図
【図１４】本発明の実施の形態３に係る基体への成膜方法が、基体と接地部材との距離に応じてプラズマ生成の際のガス圧等を制御する際に利用するパッシェンカーブの一例を示す図
【図１５】実施の形態３に係る基体への成膜方法において、プラズマ生成の際のガス圧等を制御する際に利用するパッシェンカーブの一定領域を示す図
【図１６】実施の形態３に係る基体への成膜方法において、ガス圧と距離（基体Ｂと接地部材１１０１との距離）との乗算値の一例を示す図
【図１７】実施の形態３に係るＣＶＤ成膜装置において、プラズマ生成の際に真空容器に導入されるガス圧を調整した場合に得られる効果を示す図
【図１８】実施の形態３に係るＣＶＤ成膜装置において、プラズマ生成の際に基体に対する高周波出力を調整した場合に得られる効果を示す図
【符号の説明】
【０１３９】
１０１  感光体
１０２  帯電装置
１０３  露光装置
１０４  現像装置
１０５  転写装置
１０９  クリーニング装置
１１０  クリーニングブレード
２０１  導電性支持体
２０２  電荷発生層
２０３  電荷輸送層
２０４  表面保護層
２０５  第１の表面保護層
２０６  第２の表面保護層
３００、１１００  ＣＶＤ成膜装置
３０１  真空容器
３０２  基体ホルダ
３０３  パルス高周波電源
３０４  パルスバイアス電圧電源
３０５  ガス導入口
３０６  排出口
３０７、１１０１  接地部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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