(57)【要約】【課題】  本発明は、非磁性基板の表面にテクスチャリング処理により、基板半径方向に沿った溝を複数形成していることにより、エラーレートに優れ、ＷＡＴＥ問題が発生しない磁気記録媒体を容易に製造することが可能となり、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置の提供を目的とする。【解決手段】  本発明は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板の表面にテクスチャリング処理により、基板半径方向に沿った溝が複数形成されてなる。【選択図】  図１
2006092715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板の表面にテクスチャリング処理により、基板半径方向に沿った溝が複数形成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記裏打ち層の磁化容易軸が前記テクスチャリング処理により形成した溝と同一方向であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性基板がガラスまたはシリコンからなることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記テクスチャリング処理後の非磁性基板の平均表面粗さが０．１ｎｍ以上、０．８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記裏打ち層は、少なくとも２層の軟磁性膜と、その間に設けられたＲｕまたはＲｅを含む中間層からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記裏打ち層を構成する軟磁性膜の総膜厚が２０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記裏打ち層を構成する軟磁性膜が非結晶質構造であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記非磁性基板が直径３０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、表面にテクスチャリング処理により半径方向に沿った溝を複数形成した非磁性基板を用いて、該非磁性基板上に少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記テクスチャリング処理を、アルミナ砥粒またはダイヤモンド砥粒を用いて研磨する工程により行うことを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、前記磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、前記磁気記録媒体が、請求項１乃至８の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体及びその製造方法と、前記磁気記録媒体及び磁気ヘッドを備えた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フロッピー（登録商標）ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。
特に、ＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）、およびＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド（巨大磁気抵抗効果型ヘッド）、ＴＭＲヘッド（トンネル磁気抵抗型ヘッド）なども導入され１年に約１００％ものペースで増加を続けている。
【０００３】
これらの磁気記録媒体については、今後、更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために、磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮ比）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では高面記録密度を達成するために媒体の絶対膜厚が薄くなってきており、これに伴い記録磁化が熱的擾乱によって弱められるという現象が問題となってきつつあり、特に記録の熱的安定性が大きな技術的課題となってきている。とりわけ、前述のＳＮ比を改善しようとするとこの熱的安定性が低下するケースが多く、これら２つの両立が開発の目標となっている。これは、一般的にＳＮ比に優れた媒体では磁性層を構成する磁性粒子の結晶粒サイズが微細であることが多く、このことは媒体ノイズに有効である反面、磁性の熱的安定性の観点からは不安定領域に近いと言えるためである。
【０００４】
また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられており、最新の磁気記録装置においてはトラック密度１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮ比を損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）の低下につながるため、記録密度の向上に対して障害となっている。
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮ比を確保することがむずかしいという問題がある。
【０００５】
以上のような媒体の熱的安定性を確保するために近年注目されているのが垂直磁気記録媒体である。
垂直磁気記録方式は、従来、媒体の面内方向に向けられていた磁気記録層の磁化容易軸を媒体の垂直方向に向けることにより、記録ビット間の境界である磁化遷移領域付近での反磁界が小さくなるため、記録密度が高くなるほど静磁気的に安定となって熱揺らぎ耐性が向上することから、面記録密度の向上に適した方式とされている。
また、基板と垂直磁気記録膜との間に軟磁性材料からなる裏打ち層を設けた場合には、いわゆる垂直２層媒体として機能し、高い記録能力を得ることができる。このとき、軟磁性裏打ち層は磁気ヘッドからの記録磁界を還流させる役割を果たしており、記録再生効率を向上させることができる。
【０００６】
一般に垂直磁気記録媒体は、基板上に裏打ち層（軟磁性膜）を設け、磁性層の磁化容易軸を基板面に対して垂直に配向させる下地膜、Ｃｏ合金からなる垂直磁気記録膜および保護膜の順で構成されている。しかしながら、近年、垂直磁気記録媒体の問題点として、ＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）があることがわかってきている。
このＷＡＴＥとは、垂直磁気記録媒体特有の問題であり、あるトラックに信号を記録した際に、その記録したトラックから数μｍの広域にわたっての信号が減磁する現象である。従来ではこの問題を回避するために、主に裏打ち層の構造、磁気異方性で特性を改善するという方法が提案されている。（特許文献１参照）
また、半径方向に磁気異方性の向きをそろえることも効果的であることが提案されている。この方法としては、半径方向の磁場中にて裏打ち層を成膜する方法や裏打ち層を軟磁性膜と反強磁性膜の積層構造として、スピンの向きを一定方向に揃えるという方法が提案されている。（特許文献２参照）
【特許文献１】特開昭５８−１６６５３１号公報
【特許文献２】特開平０６−１０３５５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述の特許文献２などの従来技術に開示されている磁場中成膜では以下の問題点を有している。
（１）磁界を半径方向に均一に制御することが困難なこと。
（２）基板の内周部で磁界が小さくなること。
従って、今後さらに磁気記録媒体の小型化が進んだ時に、前記（２）の項目に記載した内周部に大きな磁界を印加できないという問題は、この種の垂直磁気記録媒体において大きな問題になると推測される。
【０００８】
また、これらの問題点を解消するために、ＭｎＩｒを構成材料として用いることも含めて成膜後に磁場中アニールする技術なども提案されているが、これには高い処理温度を必要とするので、軟磁性膜および垂直記録層の磁気特性の変化を引き起こす問題があり、簡単には適用できないという問題がある。
しかしながら、上記のように単に裏打ち層を設けた磁気記録媒体を用いた構成では、基板の半径方向に均一な磁化容易軸を形成することは非常に困難であり、この問題を解決しかつ容易に製造が可能な磁気記録媒体が要望されていた。
【０００９】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、裏打ち層の磁気異方性を均一に半径方向に揃えるための問題を解決し、高密度の情報の記録再生が可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち本発明は以下に関する。
（１）本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板の表面にテクスチャリング処理により、基板半径方向に沿った溝が複数形成されていることを特徴とする。
（２）本発明の垂直磁気記録媒体は、前記裏打ち層の磁化容易軸が前記テクスチャリング処理により形成した溝と同一方向であることを特徴とする。
（３）本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記非磁性基板がガラスまたはシリコンからなることを特徴とする。
（４）本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記テクスチャリング処理後の非磁性基板の平均表面粗さが０．１ｎｍ以上、０．８ｎｍ以下であることを特徴とする。
（５）本発明の垂直磁気記録媒体において、前記裏打ち層は、少なくとも２層の軟磁性膜と、その間に設けられたＲｕまたはＲｅを含む中間層からなることを特徴とする。
【００１１】
（６）本発明の垂直磁気記録媒体は、前記裏打ち層を構成する軟磁性膜の総膜厚が２０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
（７）本発明の垂直磁気記録媒体は、前記裏打ち層を構成する軟磁性膜が非結晶質構造であることを特徴とする。
（８）本発明の垂直磁気記録媒体は、前記非磁性基板が直径３０ｍｍ以下であることを特徴とする。
（９）本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、表面にテクスチャリング処理により半径方向に沿った溝を複数形成した非磁性基板を用いて、該非磁性基板上に少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を形成することを特徴とする。
（１０）本発明の磁気記録媒体の製造方法は、前記テクスチャリング処理を、アルミナ砥粒またはダイヤモンド砥粒を用いて研磨する工程により行うことを特徴とする。
【００１２】
（１１）本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、前記磁気ヘッドが単磁極ヘッドであり、前記磁気記録媒体が、先の何れか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と垂直磁気記録膜を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板の表面にテクスチャリング処理により、基板半径方向に沿った溝を複数形成していることにより、エラーレートに優れ、ＷＡＴＥ問題が発生しない磁気記録媒体を容易に製造することが可能となり、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を示すものである。
この図１に示されている磁気記録媒体１０は、非磁性基板１上に、裏打ち層Ｕとして形成された第１軟磁性膜２、Ｒｕ膜からなる中間層３、第２軟磁性膜４と、この第２軟磁性膜４の上に積層された配向制御層５と垂直磁気記録膜６と保護膜７と潤滑膜８とが順次形成された構成とされている。
【００１５】
前記非磁性基板１としては、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属材料からなる金属基板を用いてもよいし、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属材料からなる基板を用いてもよい。
前記非磁性基板１を構成するガラスとして、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。前記非磁性基板１として、特にガラス基板またはシリコン基板を用いることが好ましい。
【００１６】
前記非磁性基板１にあっては、その平均表面粗さＲａを０．８ｎｍ以下、好ましくは、０．５ｎｍ以下とすることが、磁気ヘッドを低浮上させる高記録密度記録に適している点から望ましい。
また、前記非磁性基板１の表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であることが磁気ヘッドを低浮上させる高記録密度記録に適している点から好ましい。
【００１７】
前記非磁性基板１の上面に半径方向に溝を形成するテクスチャリング処理とは、ダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒などを含む研磨液を用いて、低速回転している円盤状の非磁性基板１の表面にテクスチャリングテープを押し付け、前記研磨液を滴下しながら前記テクスチャリングテープを非磁性基板１の半径方向に往復移動（振動）させることにより、非磁性基板１の上面に半径方向に溝を形成する処理のことである。
ここで用いる研磨液として、例えば、水性ダイヤモンドスラリーなどを用いることができ、テクスチャリングテープとしてポリエステル系の極細繊維織布などを用いることができる。基板１の回転数を５〜１５ｒｐｍ程度、テクスチャリングテープの往復移動速度は５〜５０ｃｍ／秒程度とすることができる。
前記非磁性基板１の回転数を大きくし過ぎると、円盤状の非磁性基板１の表面に放射状のテクスチャ溝を均一に形成することができなくなり、テクスチャリングテープの移動速度を遅くしすぎると、同様にテクスチャ溝を均一に形成することができなくなるおそれがある。
【００１８】
また、テクスチャリング処理した後の非磁性基板１の表面の平均表面粗さＲａを０．１ｎｍ以上、０．８ｎｍ以下とすることが好ましい。表面の平均表面粗さＲａが０．１ｎｍ未満であると、テクスチャリング処理した溝の効果が不十分となり、裏打ち層の磁気異方性がテクスチャリング処理した溝の方向からずれるために好ましくない。表面の平均表面粗さＲａが０．８ｎｍを超えると、磁気ヘッドの浮上量を十分に小さくすることができないため好ましくない。また、垂直磁気記録膜６の配向が悪化することによるＳＮＲの低下を引き起こすので好ましくない。
【００１９】
前記第１軟磁性膜２と第２軟磁性膜４は、軟磁性材料からなるもので、これらの軟磁性材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む材料を挙げることができる。より具体的な軟磁性材料としては、ＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢなど）を挙げることができる。
また、その他の軟磁性材料として、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮ等の微結晶構造、あるいは微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する軟磁性材料を用いてもよい。
前記第１軟磁性膜２あるいは第２軟磁性膜４は、アモルファス構造または微細結晶構造からなることが特に好ましい。アモルファス構造または微細結晶構造とすることで、よりテクスチャリングの効果が顕著になるためである。
【００２０】
前記第１軟磁性膜２あるいは第２軟磁性膜４の形成方法としては、スパッタリング法を用いることができる。第１、第２の軟磁性膜２、４と中間層３からなる裏打ち層を形成する際に、半径方向に磁界を与えた状態で成膜することもできる。
この形態の裏打ち層は少なくとも２層の軟磁性膜２、４と２層の軟磁性膜の間にＲｕまたはＲｅの中間層３が設けられた構成からなることが好ましい。これら軟磁性膜２、４の間にＲｕ、Ｒｅなどの中間層３を設け、中間層３を所定の厚さに設定することで、上下に設けられた軟磁性膜２、４を反強磁性結合させることができるためである。このような構成とすることで、垂直磁気記録媒体特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）の現象をより改善することが可能となる。
【００２１】
前記配向制御膜５は、その上に設けられた垂直磁気記録膜６の結晶配向性や結晶サイズを制御するためのものである。前記垂直磁気記録膜６の下地膜として用いられる配向制御膜５の材料は、ｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造を有するものが好適である。特にＲｕが好ましい。
前記配向制御膜５の厚さは３０ｎｍ以下であることが好ましい。配向制御膜５の厚さが３０ｎｍを超えると記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層の距離が大きくなるため、OW（オーバーライト）特性や再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
前記垂直磁気記録膜６の磁化容易軸は基板面に対し垂直方向（基板厚さ方向）に向けられている。前記垂直磁気記録膜６の構成元素としては、少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含んでおり、さらにＳＮＲ特性改善などの目的でＣｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどの元素を添加することもできる。
【００２２】
前記垂直磁気記録膜６を構成する酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２などを挙げることができる。垂直磁気記録膜６においてこれら酸化物の体積率は１５〜４０体積％であることが好ましい。酸化物の体積率が１５体積％未満であると、ＳＮＲ特性が不十分となるため好ましくない。酸化物の体積率が４０体積％を超えると、垂直磁気記録膜６が高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。
垂直磁気記録膜６のニュークリエーション磁界（−Ｈｎ）は１．５（ｋＯｅ）以上であることが好ましい。−Ｈｎが１．５（ｋＯｅ）未満であると、熱揺らぎが発生するので好ましくない。なお、１（Ｏｅ）は、約７９Ａ／ｍである。
垂直磁気記録膜６の厚さは６〜１８ｎｍであることが好ましい。酸化物グラニュラー層などからなる垂直磁気記録膜６の厚さがこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、ＯＷ特性の悪化が生じないために好ましい。
垂直磁気記録膜６は、単層構造とすることもできるし、組成の異なる材料からなる２層以上の構造とすることもできる。
【００２３】
前記第１軟磁性膜２あるいは第２軟磁性膜４の保磁力Ｈｃは、３０（Ｏｅ）以下（好ましくは１０（Ｏｅ）以下）とするのが好ましい。なお、１（Ｏｅ）は、約７９Ａ／ｍである。また、前記第１軟磁性膜２あるいは第２軟磁性膜４の飽和磁束密度Ｂｓは、０．６Ｔ以上（好ましくは１Ｔ以上）とするのが好ましい。
裏打ち層Ｕを構成する第１および第２軟磁性膜２、４の総膜厚は２０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下（好ましくは３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下）であることが好ましい。軟磁性膜の総膜厚が２０ｎｍ未満であると、ＯＷ特性が低下するために好ましくない。逆に総膜厚が１２０ｎｍを超えると、テクスチャリングの溝による効果が不十分となるため好ましくない。
【００２４】
前記保護膜７は、垂直磁気記録膜６の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのもので、従来公知の材料を使用でき、例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが使用可能である。この保護膜７の厚さは、１ｎｍ以上、５ｎｍ以下とするのが磁気ヘッドと磁気記録媒体の距離を小さくできるので高記録密度の点から望ましい。
前記潤滑膜８は、従来公知の材料、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いるのが好ましい。
【００２５】
本実施形態の垂直磁気記録媒体１０にあっては、非磁性基板１上に、少なくとも裏打ち層Ｕと垂直磁気記録膜６を有する垂直磁気記録媒体において、前記非磁性基板１の表面にテクスチャリング処理により、基板半径方向に沿った溝が形成されている磁気記録媒体であるので、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体となる。
【００２６】
図２は、上記構造の磁気記録媒体１０を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、先に説明した構造の磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例を示して本発明の作用効果を明確にする。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００２８】
（実施例１）
ガラス基板（オハラ株式会社製結晶化基板ＴＳ１０−ＳＸ、直径０．８５インチ）に対して基板半径方向にテクスチャリング処理をおこなった。
【００２９】
テクスチャリング処理は、研磨液として、平均粒径０．１μｍのダイヤモンド砥粒を含んだ水性ダイヤモンドスラリーを用い、テクスチャリングテープとして、ポリエステル極細繊維織布を用いた。基板１の回転数を１０ｒｐｍ、テクスチャリングテープの往復移動速度を１５ｃｍ／秒とした。テクスチャリング処理後、基板の表面洗浄を行い、基板の表面洗浄を行った後、該基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ株式会社製Ｃ−３０１０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。この基板上に、第１軟磁性膜として８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂ（Ｃｏ含有量８９ａｔ％、Ｚｒ含有量４ａｔ％、Ｎｂ含有量７ａｔ％）を５０ｎｍ、Ｒｕを０．８ｎｍ、第２軟磁性膜として８９Ｃｏ−４Ｚｒ−７Ｎｂを５０ｎｍ成膜して３層構造の裏打ち層を形成した。この積層膜の磁化容易軸が基板半径方向（テクスチャリングにより形成した溝に沿って）であることを振動式磁気特性測定装置（ＶＳＭ）で確認した。
次いで、配向制御膜としてＲｕを２０ｎｍ、垂直磁気記録膜として６０Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ−１０ＳｉＯ２を１２ｎｍ成膜した。次いで、ＣＶＤ法により厚さ４ｎｍの保護膜を形成した。次いで、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑膜を形成し、垂直磁気記録媒体を得た。
【００３０】
（比較例１）
テクスチャリング処理を行わなかったこと以外は、実施例１に準じて垂直磁気記録媒体を作製した。
（比較例２）
基板半径方向に磁界を加えて裏打ち層を形成したこと以外は、比較例１に準じて磁気記録媒体を作製した。
これら実施例および比較例の各垂直磁気記録媒体について、記録再生特性を評価した。
記録再生特性の評価は、米国ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用いて測定した。
【００３１】
記録再生特性の評価には、書き込みをシングルポール磁極、再生部にＧＭＲ素子を用いた磁気ヘッドを用いて、記録周波数条件を線記録密度８００ｋＦＣＩとして測定した。  
ＷＡＴＥの評価には、８００ｋＦＣＩの信号を書いた後、３μｍ離れたトラックに１００ｋＦＣＩの信号を１０万回書いた後のエラーレートの劣化度を測定した。評価結果を以下の表１に示す。
【００３２】
【表１】
2006092715.tif 000003
【００３３】
表１に示す結果から、実施例１の試料は、比較例１、２の試料に比較してＷＡＴＥ起因によるエラーレートの劣化が小さいことが確認できた。更に詳細に検討すると、比較例２の試料は基板内周側においてエラーレート劣化が大きいがわかった。これは、基板半径方向に磁界を加えて裏打ち層を形成した場合、印加磁界が基板内周側では不十分になり易いということが原因であると推測される。
【００３４】
（実施例２〜４）
テクスチャリング処理の条件やダイヤモンド砥粒の粒径を変更してテクスチャリング処理後の平均表面粗さＲａを変化させた以外は、実施例１に準じて複数の磁気記録媒体を作製した。それらの評価結果を以下の表２に示す。
【００３５】
【表２】
2006092715.tif 000004
【００３６】
表２に示す結果から、テクスチャリング処理後の平均表面粗さＲａが０．１ｎｍ以上、０．８ｎm以下である垂直磁気記録媒体は特にエラーレート劣化が少なく、優れた結果を得ることができた。このことから、テクスチャリング処理後の平均表面粗さＲａが０．１ｎｍ以上、０．８ｎm以下であると、より良好にエラーレート劣化を抑制できることが判明した。
【００３７】
（実施例５〜７）
非磁性基板の材料を変えた以外は、実施例１に準じて複数の垂直磁気記録媒体を作製した。これら垂直磁気記録媒体の評価結果を以下の表３に示す。
【００３８】
【表３】
2006092715.tif 000005
【００３９】
表３に示す結果から、非基板基板の材料に関わらず、テクスチャリングの溝を形成した垂直磁気記録媒体はエラーレート劣化が少なく、優れた特性を得ることができた。また、種々の材料製の非磁性基板の中でもガラス基板とシリコン基板はエラーレート劣化の面で特に優れていることがわかった。
【００４０】
（実施例８〜１２）
裏打ち層を構成する軟磁性膜の材料を変えた以外は、実施例１に準じて複数の垂直磁気記録媒体を作製した。これら複数の垂直磁気記録媒体の評価結果を以下の表４に示す。
【００４１】
【表４】
2006092715.tif 000006
【００４２】
表４に示す結果から、いずれの試料においても裏打ち層の材料に関わらず、エラーレート劣化の面で優れた特性を得ることができた。裏打ち層の構成材料の中でも、ＣｏＺｒＮｂ（実施例１）、ＣｏＴａＺｒ（実施例８）、ＦｅＣｏＢ（実施例９）は特に優れていることがわかる。これらの膜構造をＸＲＤ装置で調べたところ、いずれの膜の解析結果においても明瞭な回折ピークを観察できなかった。このことから、実施例１、８、９のいずれの膜も非晶質構造であると推定でき、非結晶構造であることが、テクスチャリング処理で形成した溝の効果をより有効にしているものであることがわかる。
【００４３】
（実施例１３〜１６）
裏打ち層を構成する軟磁性膜の膜厚を変えた以外は、実施例１に準じて複数の垂直磁気記録媒体を作製した。これら複数の垂直磁気記録媒体の評価結果を以下の表５に示す。
【００４４】
【表５】
2006092715.tif 000007
【００４５】
表５に示す結果から、裏打ち層を構成する軟磁性膜の総膜厚が２０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下の範囲である実施例１、１３、１４、１５はエラーレート劣化の面で特に優れていることがわかる。このことから裏打ち層の膜厚は２０ｎｍ以上、１２０ｎｍ以下の範囲がより好ましいことが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は本発明に係る磁気記録媒体の第１実施形態を示す断面図。
【図２】図２は本発明に係る磁気記録再生装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…非磁性基板、  ２…第１軟磁性膜、  ３…中間層、  ４…第２軟磁性膜、  ５…配向制御層、  ６…垂直磁気記録膜、  ７…保護膜、  ８…潤滑膜、  １０…磁気記録媒体、  １１…媒体駆動部、  １２…磁気ヘッド、  １３…ヘッド駆動部、  １４…記録再生信号処理系
【図１】
2006092715.tif 000008
【図２】
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