(57)【要約】【課題】  記録ジッタを抑制しつつ垂直磁化膜記録層にて微小な記録マークを形成するのに適した記録媒体を製造するための方法、およびそのような記録媒体を提供すること。【解決手段】  本発明の記録媒体製造方法は、電荷密度波が生じる低温側での第１状態と電荷密度波が生じない高温側での第２状態との間での状態変化が生じる転移温度を有する下地層１１を基材上に形成する工程と、転移温度未満の温度にある下地層１１上に垂直磁化膜よりなる記録層１２を形成する工程と、下地層１１を転移温度以上に昇温させる工程とを含む。本発明の記録媒体Ｘ１は、上述のような転移温度を有して第２状態にある下地層１１と、下地層１１上に形成された垂直磁化膜よりなり且つ面内方向において周期的な歪みを有する記録層１２と、からなる積層構造を有する。【選択図】  図１
2006127652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内方向に広がる電荷密度波が生じる低温側での第１状態と、前記電荷密度波が生じない高温側での第２状態と、の間での状態変化が生じ得る転移温度を有する下地層を、基材上に形成するための工程と、
前記第１状態にある前記下地層上に垂直磁化膜よりなる記録層を形成するための工程と、
前記下地層を前記転移温度以上に昇温させるための工程と、を含む記録媒体製造方法。
【請求項２】
前記下地層は、ＴａＳｅ2、ＴａＳ2、ＴａＳ3、ＶＳｅ2、ＮｂＳｅ2、またはＮｂＳｅ3よりなる、請求項１に記載の記録媒体製造方法。
【請求項３】
面内方向に広がる電荷密度波が生じる低温側での第１状態と、前記電荷密度波が生じない高温側での第２状態と、の間での状態変化が生じ得る転移温度を有し、前記第２状態にある下地層と、
前記下地層上に形成された垂直磁化膜よりなり、面内方向において周期的な歪みを有する記録層と、からなる積層構造を有する記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁化膜よりなる記録層を有する記録媒体を製造するための方法、および、そのような記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な媒体である。光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開２００１−５６９７７号公報
【特許文献３】特開２００３−１３２５９９号公報
【０００４】
図４は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ２を表す。光磁気ディスクＸ２は、基板Ｓ２と、記録磁性部４１と、プリグルーブ層４２と、熱伝導層４３と、誘電体層４４，４５と、保護膜４６とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【０００５】
記録磁性部４１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１または２以上の磁性膜よりなる（誘電体層４４に接する記録層を含む）。当該磁性膜は、希土類−遷移金属アモルファス合金垂直磁化膜である。プリグルーブ層４２は、樹脂材料よりなり、その記録磁性部４１の側の面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示略）が形成されている。熱伝導層４３は、レーザビーム照射時に記録磁性部４１などにて発生する熱を効率よく基板Ｓ２の側へ伝えるための部位であり、高熱伝導材料よりなる。誘電体層４４，４５は、記録磁性部４１に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避するための部位である。保護膜４６は、記録磁性部４１を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
【０００６】
このような構成を有する光磁気ディスクＸ２の製造においては、まず、例えばいわゆる２Ｐ法により、基板Ｓ２上にプリグルーブ層４２が形成される。次に、例えばスパッタリング法により、プリグルーブ層４２上に、熱伝導層４３、誘電体層４４、記録磁性部４１（誘電体層４４に接する記録層を含む）、および誘電体層４５が順次形成される。その後、例えばスピンコーティング法により、誘電体層４５上に保護膜４６が形成される。
【０００７】
光磁気ディスクＸ２への情報記録に際しては、例えば、当該ディスクを回転させた状態で、記録磁性部４１に対して保護膜４６の側から記録用のレーザビームを光変調しながら常時的に照射することにより記録磁性部４１を局所的に順次昇温させつつ、磁気記録ヘッド（図示せず）により、所定に変調された記録磁界を当該昇温箇所に印加する。このようにして、記録磁性部４１ないしこれに含まれる記録層に、磁化方向の変化として所定の情報ないし信号が記録される。
【０００８】
光磁気ディスクＸ２では、上述のような情報記録によって記録層内に安定に形成され得る最小の記録マーク（磁区）が微小であるほど、記録分解能が高く、記録密度が大きい。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、光磁気ディスクなど記録媒体については、より大きな記録密度が要求される。
【０００９】
一方、磁性材料の技術分野においては、アモルファス磁性薄膜に形成される安定磁区の微小さの程度は、当該磁性薄膜が積層形成される下地面の微細凹凸形状の影響を受け得ることが知られている。具体的には、当該下地面に適度な粗さの凹凸が存在し且つ当該凹凸が微細なほど、その上に形成されるアモルファス磁性薄膜において、より小さな安定磁区を形成できる傾向があることが知られている。下地面の凹凸により、アモルファス磁性薄膜内に存在する磁壁の位置の揺らぎ（磁壁移動）が抑制され（ピンニング作用）、その結果、当該アモルファス磁性薄膜の磁区構造が微細化される。
【００１０】
そのため、光磁気ディスクＸ２においては、記録層内に安定に形成され得る最小記録マークの微小化を目的として、図５に示すように核形成層４７が設けられる場合がある。核形成層４７は、記録磁性部４１ないし記録層を形成する際の下地膜として誘電体層４４上に例えばスパッタリング法により形成されるものであり、その記録層側表面に、所定の微細凹凸形状４７ａを有する。
【００１１】
記録層内に安定に形成され得る最小記録マークの微小化を図るためのこのような核形成層は、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体においても採用される場合がある。垂直磁気記録方式の磁気記録媒体は、垂直磁化膜よりなる記録層を有するところ、当該記録層を形成する際の下地膜として、上述の核形成層４７のような核形成層が設けられる場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、例えば上述の光磁気ディスクＸ２においては、記録層下地膜として核形成層４７を採用する場合、記録層に形成される最小記録マークの長さが１００ｎｍ程度以上に設定されるならば実用的な情報再生が実行されるが、記録層に形成される最小記録マークの長さが５０ｎｍ程度に短く設定されると、情報再生に際して良好な再生信号を得るのが困難である。
【００１３】
核形成層４７における微細凹凸形状４７ａの凹凸周期は１０ｎｍ程度であるので、当該微細凹凸形状４７ａに起因して記録層に対して作用するピンニング力の周期も１０ｎｍ程度である。そのため、核形成層４７上の記録層内では、記録マーク（磁区）の境界をなす磁壁の位置について、この周期と同程度の揺らぎが存在する。すなわち、記録層内では、磁壁の位置は１０ｎｍ程度の範囲で不確定である。したがって、記録層内の最小記録マーク長が例えば１００ｎｍに設定される場合、当該最小記録マークの境界をなす磁壁の位置は１０ｎｍ程度で不確定であるために当該最小記録マークについての記録ジッタは１０％程度である。これに対し、記録層内の最小記録マーク長が例えば５０ｎｍに短く設定される場合、当該最小記録マークについての記録ジッタは２０％程度と大きくなってしまう。記録ジッタが２０％程度であると、情報再生に際して良好な再生信号を得るのは困難である。
【００１４】
このように、核形成層を利用する従来の手法によると、記録ジッタを抑制しつつ垂直磁化膜記録層にて所望の程度に微小な記録マークを形成するのが困難な場合がある。
【００１５】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、記録ジッタを抑制しつつ垂直磁化膜記録層にて微小な記録マークを形成するのに適した記録媒体を製造するための方法、およびそのような記録媒体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の側面によると記録媒体製造方法が提供される。この方法は、下地層形成工程、記録層形成工程、および昇温工程を含む。下地層形成工程では、面内方向に広がる電荷密度波が生じる低温側での第１状態と、そのような電荷密度波が生じない高温側での第２状態と、の間での状態変化が生じ得る転移温度を有する下地層を、基材上に形成する。記録層形成工程では、第１状態にある下地層上に垂直磁化膜よりなる記録層を形成する。昇温工程では、下地層を転移温度以上に昇温させる。本発明における面内方向とは、下地層ないし記録層が広がる方向である。また、本発明における基材は、基板自体、または、基板上に何らかの層が既に形成されたものである。
【００１７】
本方法の記録層形成工程では、第１状態にある下地層内に、その面内方向に広がる電荷密度波が生じている。すなわち、下地層の結晶構造において、面内方向に周期的な（必ずしも一定周期ではない）格子歪みが存在し、且つ、下地層内の電荷分布において、当該歪みに対応して面内方向に周期的（必ずしも一定周期ではない）な疎密が存在する。面内方向の格子歪みの周期は、上述の核形成層４７における凹凸周期（１０ｎｍ程度）よりも有意に小さく、例えば１ｎｍ程度を達成することが可能である。記録層形成工程では、このような第１状態にある下地層上に所定の磁性材料を成膜することにより記録層を積層形成する。そして、昇温工程では、本来的には電荷密度波が生じない第２状態へと転移させるように、下地層を昇温させる。これにより、下地層の結晶構造における格子歪みが解消ないし有意に低減され、下地層に接合している記録層の組織において、面内方向に周期的な歪みが生ずる（即ち、記録層組織の密度分布において面内方向に周期的な疎密が生ずる）。面内方向において記録層組織に生ずる歪みの周期は、下地層にて生じていた面内方向の格子歪みの周期に相当して例えば１ｎｍ程度である。
【００１８】
このようにして記録層組織に形成される面内方向の周期的な歪み（密度分布の面内方向の周期的な疎密）は、記録層内の磁壁の位置の揺らぎ（磁壁移動）を抑制するピンニング作用を呈する。記録層組織の面内方向の歪み周期を例えば１ｎｍ程度に小さく設定することが可能であるため、当該記録層内では、記録マーク（磁区）の境界をなす磁壁の位置揺らぎについて、この周期と同程度に小さく抑制することが可能である。すなわち、記録層内では、面内方向における磁壁位置の不確定さを例えば１ｎｍ程度に制限することが可能である。したがって、記録層内の最小記録マーク長を例えば５０ｎｍに設定する場合であっても、当該最小記録マークの境界をなす磁壁の位置の不確定さを例えば１ｎｍ程度に制限することが可能であるために当該最小記録マークについての記録ジッタを例えば２％程度以下に抑制可能なのである。
【００１９】
以上のように、本方法により製造される記録媒体は、記録ジッタを抑制しつつ垂直磁化膜記録層にて微小な記録マークを形成するのに、適している。このような記録媒体は、情報再生に際して良好な再生信号を得るうえで好適である。
【００２０】
本発明の第２の側面によると記録媒体が提供される。この記録媒体は、下地層と当該下地層上に形成された記録層とからなる積層構造を有する。下地層は、面内方向に広がる電荷密度波が生じる低温側での第１状態と、そのような電荷密度波が生じない高温側での第２状態と、の間での状態変化が生じ得る転移温度を有し、第２状態にある。記録層は、垂直磁化膜よりなり、面内方向において周期的な歪みを有する。本記録媒体は、本発明の第１の側面に係る方法により製造されるものである。
【００２１】
本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、下地層はＴａＳｅ2、ＴａＳ2、ＴａＳ3、ＶＳｅ2、またはＮｂＳｅ3よりなる。常圧下において、これら物質の上述の転移温度より、液体窒素の気化温度は低い。したがって、下地層構成材料としてこれら物質を採用する場合、下地層を低温側の第１状態とするうえで液体窒素を利用することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明に係る光磁気ディスクＸ１の部分断面図である。光磁気ディスクＸ１は、基板Ｓ１と、下地層１１と、記録層１２と、中間層１３と、再生層１４と、プリグルーブ層１５と、熱伝導層１６と、誘電体層１７，１８と、保護膜１９とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸ１は、プリグルーブ層１５から保護膜１９までの構造を基板Ｓ１の片側のみ又は両側に有する。
【００２３】
基板Ｓ１は、光磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、樹脂、シリコン、アルミニウム、またはガラスよりなるディスク基板である。
【００２４】
下地層１１は、その面内方向に広がる電荷密度波（Charge Density Wave : ＣＤＷ）が生じる低温側での第１状態と、電荷密度波が生じない高温側での第２状態と、の間での状態変化が生じ得るＣＤＷ転移温度を有する例えば低次元電気伝導体であり、室温（光磁気ディスクＸ１の使用環境温度）では実質的に第２状態にある。このような低次元電気伝導体としては、例えば、ＴａＳｅ2、ＴａＳ2、ＴａＳ3、ＶＳｅ2、ＮｂＳｅ2、またはＮｂＳｅ3を採用することができる。ＣＤＷ転移温度について、ＴａＳｅ2は１２０Ｋであり、ＴａＳ2は８０Ｋであり、ＴａＳ3は２４０Ｋであり、ＶＳｅ2は１１２Ｋであり、ＮｂＳｅ2は３３Ｋであり、ＮｂＳｅ3は１４０Ｋである。
【００２５】
記録層１２、中間層１３、および再生層１４よりなる多層記録磁性部は、再生層１４内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００２６】
記録層１２は、光磁気ディスクＸ１において記録機能を担う部位であって、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。後に詳述するように、室温（光磁気ディスクＸ１の使用環境温度）では、記録層１２の組織には、面内方向に周期的な歪みが存在し（即ち、記録層組織の密度分布において面内方向に周期的な疎密が存在し）、当該歪みの周期は例えば１ｎｍ程度である。このような記録層１２は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅＣоやＴｂＤｙＦｅＣоなどよりなる。また、記録層１２の厚さは例えば４０〜６０ｎｍである。
【００２７】
中間層１３は、記録層１２および再生層１４の交換結合状態を変化させるための部位であって、昇温によりそのキュリー温度にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、中間層１３のキュリー温度は例えば１００〜１５０℃であり、従って、室温（光磁気ディスクＸ１の使用環境温度）において中間層１３は垂直磁化膜である。このような中間層１３は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅやＴｂＦｅＣоなどよりなる。また、中間層１３の厚さは例えば１０〜１５ｎｍである。
【００２８】
再生層１４は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。このような再生層１４は、具体的には、所定の組成比の例えばＧｄＦｅＣｏやＧｄＤｙＦｅＣｏよりなる。また、再生層１４の厚さは１０〜２０ｎｍである。
【００２９】
プリグルーブ層１５は、樹脂材料よりなり、その熱伝導層１６との接触面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示略）が形成されている。プリグルーブは渦巻き状または同心円状のパターン形状を有し、このプリグルーブを基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が実現される。プリグルーブ層１５を構成する樹脂材料としては、いわゆる２Ｐ法用の樹脂（フォトポリマ）を採用する。本発明では、このようなプリグルーブ層１５を設けずに、基板Ｓ１自体にプリグルーブなどを形成してもよい。その場合、プリグルーブ付き基板Ｓ１は、例えば、ポリカーボネートよりなり、射出成形法により作製される。
【００３０】
熱伝導層１６は、光磁気ディスクＸ１に対して記録用または再生用のレーザビームが照射されるときに多層記録磁性部などにて発生する熱を効率よく基板Ｓ１へ伝えるための部位であり、例えば、Ｃ、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＳｉ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層１６の厚さは、例えば１０〜３０ｎｍである。
【００３１】
誘電体層１７，１８は、多層記録磁性部（記録層１２，中間層１３，再生層１４）に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＹＳｉＯ2、ＺｎＳｉＯ2、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層１７，１８の厚さは、例えば３０〜７０ｎｍである。また、誘電体層１８は、記録磁界エンハンス機能を有していてもよい。
【００３２】
保護膜１９は、多層記録磁性部を特に塵埃などから保護すべく当該記録磁性部を覆い、光磁気ディスクＸ１の記録用レーザビームおよび再生用レーザビームに対して充分な透過性を有する樹脂よりなる。このような保護膜１９は、例えば、透明な紫外線硬化性樹脂よりなる。
【００３３】
図２は、光磁気ディスクＸ１を製造するための方法を表す。光磁気ディスクＸ１の製造においては、まず、いわゆる２Ｐ法により、図２（ａ）に示すように基板Ｓ１上にプリグルーブ層１５を形成する。次に、例えばスパッタリング法により各々に所定材料を成膜することによって、図２（ｂ）に示すように、プリグルーブ層１５上に熱伝導層１６および誘電体層１７を順次形成し、更に、下地層１１を積層形成する（下地層形成工程）。
【００３４】
次に、下地層１１がそのＣＤＷ転移温度未満であってその内部に電荷密度波が生じている状態（第１状態）で、図２（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により下地層１１上に記録層１２を形成する（記録層形成工程）。下地層１１の低温状態（ＣＤＷ転移温度未満の所定温度にある状態）は、例えば、冷却媒体（液体窒素など）を熱良導体（銅板など）を介して基板Ｓ１の側に作用させて当該基板Ｓ１から下地層１１までを冷却することにより、維持する。このような低温状態の維持は、記録層１２を形成するときから実行してもよいし、上述の熱伝導層１６を形成するときから実行してもよく、また、記録層１２の形成が終了した時点で停止してもよいし、後述の誘電体層１８の形成が終了するまで継続してもよい。
【００３５】
次に、例えばスパッタリング法により各々に所定材料を成膜することによって、図２（ｄ）に示すように、記録層１２上に中間層１３、再生層１４、および誘電体層１８を順次形成する。記録層形成工程の後であって遅くとも誘電体層１８が形成された後、下地層１１をそのＣＤＷ転移温度以上に昇温させる（昇温工程）。この昇温工程は、例えば、上述のような冷却を停止して室温に放置することにより実行する。
【００３６】
次に、図２（ｅ）に示すように、誘電体層１８上に保護膜１９を形成する。例えば、透明な紫外線硬化性樹脂材料をスピンコート法により誘電体層１８上に成膜した後、当該樹脂材料に紫外線を照射することにより、保護膜１９を形成することができる。以上のようにして、光磁気ディスクＸ１を適切に製造することができる。
【００３７】
このようにして製造することができる光磁気ディスクＸ１への情報記録においては、光磁気ディスクＸ１を所定の回転速度で回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜１９の側から多層記録磁性部（記録層１２，中間層１３，再生層１４）に対して照射することにより記録層１２を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界を印加する。このようにして、多層記録磁性部内の記録層１２には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層１２には、ディスク周方向に延びる情報トラック（信号の記録および再生を担うトラック）に沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区と、磁区間の境界をなす磁壁とが形成される。中間層１３のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層１２と中間層１３とは交換結合し且つ中間層１３と再生層１４とは交換結合し、中間層１３および再生層１４には、記録層１２と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。
【００３８】
上述の記録層形成工程では、第１状態にある下地層１１内に、その面内方向に広がる電荷密度波が生じている。すなわち、下地層１１の結晶構造において、面内方向に周期的（必ずしも一定周期ではない）な格子歪みが存在し、且つ、下地層１１内の電荷分布において、当該歪みに対応して面内方向に周期的（必ずしも一定周期ではない）な疎密が存在する。電荷密度波発生状態におけるこのような格子歪みの周期は、従来の下地層である核形成層における凹凸周期（１０ｎｍ程度）よりも有意に小さく、例えば１ｎｍ程度を達成することが可能である。記録層形成工程では、このような第１状態にある下地層１１上に所定の磁性材料を成膜することにより記録層１２を積層形成する。そして、昇温工程では、本来的には電荷密度波が生じない第２状態へと転移させるように、下地層１１を昇温させる。これにより、下地層１１の結晶構造における格子歪みが解消ないし有意に低減され、下地層１１に接合している記録層１２の組織において、面内方向に周期的な歪みが生ずる（即ち、記録層組織の密度分布において面内方向に周期的な疎密が生ずる）。面内方向において記録層組織に生ずる歪みの周期は、下地層１１にて生じていた面内方向の格子歪みの周期に相当して例えば１ｎｍ程度である。
【００３９】
このようにして記録層組織に形成される面内方向の周期的な歪み（密度分布の面内方向の周期的な疎密）は、記録層１２内の磁壁の位置の揺らぎ（磁壁移動）を抑制するピンニング作用を呈する。記録層組織の面内方向の歪み周期を例えば１ｎｍ程度に小さく設定することが可能であるため、当該記録層１２内では、記録マーク（磁区）の境界をなす磁壁の位置揺らぎについて、この周期と同程度に小さく抑制することが可能である。すなわち、記録層１２内では、面内方向における磁壁位置の不確定さを例えば１ｎｍ程度に制限することが可能である。したがって、記録層１２内の最小記録マーク長を例えば５０ｎｍに設定する場合であっても、当該最小記録マークの境界をなす磁壁の位置の不確定さを例えば１ｎｍ程度に制限することが可能であるために当該最小記録マークについての記録ジッタを例えば２％程度以下に抑制可能なのである。
【００４０】
以上のように、光磁気ディスクＸ１は、記録ジッタを抑制しつつ記録層１２（垂直磁化膜）にて微小な記録マークを形成するのに、適している。このような光磁気ディスクＸ１によると、情報再生に際して良好な再生信号を得ることができる。
【００４１】
本発明は、上述のような光磁気ディスクに加えて、垂直磁化膜記録層を有する他の記録媒体（例えば垂直磁気記録方式の磁気ディスク）においても適用可能である。本発明を他の記録媒体に適用する場合においても、面内方向に広がる電荷密度波が生じる低温側での第１状態と、電荷密度波が生じない高温側での第２状態と、の間での状態変化が生じ得る転移温度を有する下地層が、垂直磁化膜記録層の直下に設けられる。
【実施例】
【００４２】
図３に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００４３】
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、２Ｐ法により、ガラス基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）の上に厚さ１０μｍのプリグルーブ層を形成した。プリグルーブ層形成材料としては２Ｐ法用の樹脂（フォトポリマ）を採用した。また、プリグルーブ層の表面凹凸形状については、トラックピッチ３００ｎｍおよびプリグルーブ深さ５０ｎｍのランドグルーブ形状とした。
【００４４】
次に、スパッタリング法によりプリグルーブ層上にダイアモンドライクカーボンを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの熱伝導層を形成した。本スパッタリングでは、Ｃターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガスを使用し（反応性スパッタリングを除く以下のスパッタリングにおいても同様）、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、スパッタ電力を２００Ｗとした。
【００４５】
次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ２ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００４６】
次に、スパッタリング法により誘電体層上にＴａＳｅ2を成膜することによって、厚さ２０ｎｍの下地層を形成した。本スパッタリングでは、ＴａターゲットおよびＳｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、熱伝導層上にＴａＳｅ2を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗ（Ｔａターゲット）および１０００Ｗ（Ｓｅターゲット）とした。
【００４７】
次に、冷却媒体として液体窒素を利用して基板の側から下地層をそのＣＤＷ転移温度（１２０Ｋ）未満の約７７Ｋに冷却した。
【００４８】
次に、上述のようにして基板側から下地層を冷却した状態で、スパッタリング法により下地層上にＴｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20を成膜することによって、厚さ６０ｎｍの記録層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、下地層上にＴｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、スパッタ電力を２００Ｗ（Ｔｂターゲット）および６００Ｗ（ＦｅＣｏターゲット）とした。本記録層のキュリー温度Ｔｃは２７０℃であった。
【００４９】
次に、引き続き基板側から下地層を冷却した状態で、スパッタリング法により記録層上にＴｂ22Ｆｅ78を成膜することによって、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、記録層上にＴｂＦｅを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、スパッタ電力を２３０Ｗ（Ｔｂターゲット）および６００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。本中間層のキュリー温度Ｔｃは１５０℃であった。
【００５０】
次に、引き続き基板側から下地層を冷却した状態で、スパッタリング法により中間層上にＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を成膜することによって、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。具体的には、ＧｄターゲットおよびＦｅＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層上にＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.３Ｐａとし、スパッタ電力を２３０Ｗ（Ｇｄターゲット）および６００Ｗ（ＦｅＣｏターゲット）とした。本再生層のキュリー温度Ｔｃは２７０℃であった。
【００５１】
次に、スパッタリング法により再生層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ７０ｎｍの誘電体層（エンハンス層）を形成した。具体的形成手法は、上述の下地層下の誘電体層（ＳｉＮ層）と同様である。この後、液体窒素による基板側からの下地層の冷却を停止し、下地層を室温まで昇温させた。
【００５２】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、紫外線硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図２】図１に示す光磁気ディスクの製造方法を表す。
【図３】実施例の光磁気ディスクの積層構成を表す。
【図４】従来の光磁気ディスクの部分断面図である。
【図５】核形成層を有する従来の光磁気ディスクの部分断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
Ｘ１，Ｘ２      光磁気ディスク
Ｓ１，Ｓ２      基板
１１      下地層
１２      記録層
１３      中間層
１４      再生層
１５      プリグルーブ層
１６      熱伝導層
１７，１８      誘電体層
１９      保護膜
【図１】
2006127652.tif 000003
【図２】
2006127652.tif 000004
【図３】
2006127652.tif 000005
【図４】
2006127652.tif 000006
【図５】
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