(57)【要約】【課題】  密閉室の気密を損なわずに確実に電気的接続ができると共に、電気信号の損失の低減化及びＳ／Ｎ比の低減化を図ること。【解決手段】  検出用電極１４及び検出用配線１５が設けられたガラス基板１１に形成された貫通孔２１と、該貫通孔２１の少なくとも内周面に金属膜を成膜して設けられた外部電極２２と、貫通孔２１の開口の周囲を囲むようにシリコン基板１０側のガラス基板１１に形成されたガスケット部２３と、シリコン基板上１０に、該シリコン基板１０とは電気的絶縁状態で設けられると共に、ガラス基板１１とシリコン基板１０とを接合した際にガスケット部２３と圧着して貫通孔２１の開口を封止する金属パッド部２４とを備え、該金属パッド部２４が、ガラス基板１１とシリコン基板１０とを接合した際に、検出用配線１５に電気的接続されると共に外部電極２２に電気的接続される封止型ＭＥＭＳ１及び該封止型ＭＥＭＳ１の製造方法を提供する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、該シリコン基板の上面及び下面に接合されたガラス基板と、シリコン基板とガラス基板との間に形成された密閉室と、該密閉室内に収容されて外力が作用したときに外力に応じて変位するセンサ本体と、該センサ本体に対向するようにガラス基板上に設けられてセンサ本体の変位を電気信号として出力する検出用電極と、ガラス基板上に設けられて検出用電極に電気的に接続された検出用配線とを備える封止型ＭＥＭＳであって、
前記検出用電極及び検出用配線が設けられた前記ガラス基板に形成された貫通孔と、
該貫通孔の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は金属材料を注入して設けられた外部電極と、
前記貫通孔の開口の周囲を囲むように前記シリコン基板側の前記ガラス基板に形成されたガスケット部と、
前記シリコン基板上に、該シリコン基板とは電気的に絶縁された状態で設けられると共に、前記ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記ガスケット部と圧着して前記貫通孔の開口を封止する金属パッド部とを備え、
該金属パッド部は、前記ガラス基板と前記シリコン基板とを接合した際に、前記検出用配線に電気的接続されると共に前記外部電極に電気的接続されることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項２】
請求項１記載の封止型ＭＥＭＳにおいて、
前記ガスケット部は、導電性材料により形成され、
前記金属パッド部は、前記ガスケットを介して前記検出用配線に電気的接続されることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項３】
請求項２記載の封止型ＭＥＭＳにおいて、
前記シリコン基板上に設けられ、前記ガラス基板と前記シリコン基板とを接合した際に、前記ガスケット部内に埋入するように嵌合して嵌合状態を維持する突起部を備えていることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項４】
請求項３記載の封止型ＭＥＭＳにおいて、
前記突起部は、前記金属パッド部の周囲を囲む環状に形成されていることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項５】
請求項３又は４記載の封止型ＭＥＭＳにおいて、
前記突起部及び前記金属パッド部は、前記シリコン基板上から略同じ高さ突出するように形成されていることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の封止型ＭＥＭＳにおいて、
前記貫通孔が円筒状に形成され、前記ガスケット部が環状に形成されていることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項７】
シリコン基板と、該シリコン基板の上面及び下面に接合されたガラス基板と、シリコン基板とガラス基板との間に形成された密閉室と、該密閉室内に収容されて外力が作用したときに外力に応じて変位するセンサ本体と、該センサ本体に対向するようにガラス基板上に設けられてセンサ本体の変位を電気信号として出力する検出用電極と、ガラス基板上に設けられて検出用電極に電気的に接続された検出用配線とを備える封止型ＭＥＭＳであって、
前記検出用電極及び検出用配線が設けられた前記ガラス基板に形成された貫通孔と、
該貫通孔の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は金属材料を注入して設けられた外部電極と、
前記貫通孔の開口の周囲を囲むように前記シリコン基板側の前記ガラス基板に形成された突起部と、
前記シリコン基板上に、該シリコン基板とは電気的に絶縁された状態で設けられると共に、前記ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記外部電極に電気的接続する金属パッド部と、
前記シリコン基板上に、該シリコン基板とは電気的に絶縁された状態で前記金属パッド部の周囲を囲むように設けられ、前記ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記突起部と圧着して前記貫通孔の開口を封止する導電性材料で形成されたガスケット部とを備え、
前記ガラス基板と前記シリコン基板とを接合した際に、前記金属パッド部は前記ガスケット部に電気的接続され、該ガスケット部は前記検出用配線に電気的接続されると共に金属パッド部を介して前記外部電極に電気的接続されることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項８】
請求項７記載の封止型ＭＥＭＳにおいて、
前記金属パッド部及び前記ガスケット部は、前記シリコン基板上から略同じ高さ突出するように形成されていることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項９】
請求項７又は８記載の封止型ＭＥＭＳにおいて、
前記貫通孔が円筒状に形成され、前記突起部が環状に形成されていることを特徴とする封止型ＭＥＭＳ。
【請求項１０】
シリコン基板と、該シリコン基板の上面及び下面に接合されたガラス基板と、シリコン基板とガラス基板との間に形成された密閉室と、該密閉室内に収容され外力が作用したときに外力に応じて変位するセンサ本体と、該センサ本体に対向するようにガラス基板上に設けられてセンサ本体の変位を電気信号として出力する検出用電極と、ガラス基板上に設けられて検出用電極に電気的に接続された検出用配線とを備える封止型ＭＥＭＳを製造する方法であって、
前記シリコン基板に、凹部を形成すると共に該凹部内に前記センサ本体を形成するセンサ形成工程と、
前記ガラス基板に前記貫通孔を形成し、該貫通孔の開口の周囲を囲むようにガラス基板上にガスケット部を形成すると共に、前記センサ本体に対向するように前記検出用電極及び前記検出用配線をガラス基板上に形成するガラス基板形成工程と、
前記シリコン基板に、ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記ガスケット部と圧着して前記貫通孔の開口を封止する金属パッド部を、シリコン基板とは電気的に絶縁した状態で形成するパッド形成工程と、
前記ガラス基板形成工程、センサ形成工程及びパッド形成工程後、前記シリコン基板の上面及び下面に前記ガラス基板を接合して、前記凹部とガラス基板とで囲まれた密閉室を形成する接合工程と、
該接合工程後、前記貫通孔の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は注入して外部電極を形成する電極形成工程とを備え、
該電極形成工程の際、前記外部電極と前記検出用配線とを前記金属パッド部を介して電気的接続することを特徴とする封止型ＭＥＭＳの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の封止型ＭＥＭＳの製造方法において、
前記ガラス基板形成工程の際に、導電性材料により前記ガスケット部を形成し、前記電極形成工程の際に、前記金属パッド部は前記ガスケット部を介して前記検出用配線に電気的接続されることを特徴とする封止型ＭＥＭＳの製造方法。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板とシリコン基板とを用いて高真空な密閉室を形成し、該密閉室内に検出部を収容した加速度センサや角速度センサ等の封止型ＭＥＭＳ及び封止型ＭＥＭＳの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセス技術を用いて１つの基板上に電子と機械機構とを融合させた微小デバイスであるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）が注目されている。このＭＥＭＳは、シリコンウエハ上で半導体技術を利用して製造されることから、加工精度の高さ、量産の容易さ、電子回路と機械部品とを一体形成することで精密な動作制御が可能等といった利点があり、ＩＴ関連のみならず、通信や化学、医療やバイオ等といった様々な分野に応用され始めている。その１つとして、例えば、加速度センサや角速度センサの応用したものが知られている。
【０００３】
ここで、これらセンサにＭＥＭＳを応用した場合には、ガラス基板とシリコン基板とで囲まれた密閉室（検出部を収容する）内の真空度が、検出感度に大きな影響を与えるので、真空度を損なわないようにする必要がある。
つまり、一般的にガラス基板とシリコン基板とを接合するには、真空状態に減圧した状態で陽極接合を行って両基板の接合を行っている。ところが、陽極接合時にガラス基板及びシリコン基板の接合面から酸素ガスが発生して密閉室内に残留してしまい、該密閉室内の圧力が上昇する不具合があった。これにより、例えば、センサの振動が、残留酸素ガスによって妨げられ、センサの検出感度の低下を招いていた。そのため、真空度を損なわないようにする必要がある。
そのため、密閉室内の検出部等からの電気信号を密閉室外部に取り出す構造についても、やはり密閉室内の真空度を損なわないように様々な工夫をする必要があり、そのための各種の方法が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、従来の電気信号の取出構造について、図２９及び図３０を参照して説明する。この電気信号の取出構造は、シリコンウエハ５０とガラス基板５１とを接合することで気密に保たれた密閉室５２内から、ガラス基板５１にパターニングされた配線５３を密閉室５２外部に取出すものであって、ガラス基板５１の貫通孔５４に対向するように電極取り出し領域となる柱状構造５５をシリコンウエハに設け、該柱状構造５５と配線５３とが電気的に接続するようにシリコンウエハ５０とガラス基板５１とを接合し、その後、貫通孔５４内に金属を成膜又は注入して外部電極５６を形成し、該外部電極５６と柱状構造５５とを電気的に接続させることで、該柱状構造５５を介して配線５３からの電気信号の取出しを行うことができる。
なお、この際、貫通孔５６の下面及び柱状構造５５の上面は、共に平面であるので、シリコンウエハ５０とガラス基板５１とを接合した際に、密閉室５２内の真空度が保たれるようになっている。
【０００５】
また、上記特許文献１に記載されている半導体加速度センサは、シリコン基板に絶縁膜を介して該シリコン基板の上面と同一平面を有するようにリードを設け、該リードとガラス基板に設けられた固定電極である導電性膜とが接するように、シリコン基板とガラス基板とを接合することで、リードに電気的接続されたパッドから電気信号の取出しを行っている。また、リードは、シリコン基板の平面性を損なわないように設けられているので、シリコン基板とガラス基板とを接合した際に、気密性を保つことができるようになっている。
【特許文献１】特開平７−２９７４１０号公報（図１（ｂ）、図３等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の方法では、以下の課題が残されている。
即ち、従来の電気信号の取出構造は、配線５３からの電気信号がシリコンで形成された電極取り出し領域である柱状構造５５を介して外部電極５６に伝わる構造、即ち、電気信号は金属材料で形成された配線５３、シリコンで形成された柱状構造５５、金属材料で形成された外部電極５６という経路を通って取り出される。ところが、電極取り出し領域である柱状構造５５を通過する際に、シリコンの抵抗による損失が大きいので、電気信号が微弱になる不具合があった。また、シリコンは、光が照射されると、電子が励起して電気的ノイズが発生するので、この電気的ノイズによりＳ／Ｎ比が低下する不具合があった。
【０００７】
また、仮にシリコンを介さずに貫通孔５５に設けられられた外部電極５６と配線５３とを単に電気的に接続した場合には、配線５３をスパッタ等で形成するため、貫通孔５６の端部の角で配線５３を断線する恐れがあった。
【０００８】
更に、特許文献１に記載されている半導体加速度センサの電気信号の取り出しは、シリコン基板とガラス基板とを接合する際に、単にリードと導電性膜とを接触させるだけであるので、シリコン基板とガラス基板との間に、仮に塵埃等の不純物が介在したときに、隙間が生じてしまい電気的接続が不完全になる恐れがあり、十分な信頼性が得られるものではなかった。更に、その隙間により真空度が損なわれる可能性もあった。
【０００９】
本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、密閉室の気密を損なわずに確実に電気的接続ができると共に、電気信号の損失の低減化及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる封止型ＭＥＭＳ及び封止型ＭＥＭＳの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明の封止型ＭＥＭＳは、シリコン基板と、該シリコン基板の上面及び下面に接合されたガラス基板と、シリコン基板とガラス基板との間に形成された密閉室と、該密閉室内に収容されて外力が作用したときに外力に応じて変位するセンサ本体と、該センサ本体に対向するようにガラス基板上に設けられてセンサ本体の変位を電気信号として出力する検出用電極と、ガラス基板上に設けられて検出用電極に電気的に接続された検出用配線とを備える封止型ＭＥＭＳであって、前記検出用電極及び検出用配線が設けられた前記ガラス基板に形成された貫通孔と、該貫通孔の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は金属材料を注入して設けられた外部電極と、前記貫通孔の開口の周囲を囲むように前記シリコン基板側の前記ガラス基板に形成されたガスケット部と、前記シリコン基板上に、該シリコン基板とは電気的に絶縁された状態で設けられると共に、前記ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記ガスケット部と圧着して前記貫通孔の開口を封止する金属パッド部とを備え、該金属パッド部が、前記ガラス基板と前記シリコン基板とを接合した際に、前記検出用配線に電気的接続されると共に前記外部電極に電気的接続されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、この発明に係る封止型ＭＥＭＳの製造方法は、シリコン基板と、該シリコン基板の上面及び下面に接合されたガラス基板と、シリコン基板とガラス基板との間に形成された密閉室と、該密閉室内に収容され外力が作用したときに外力に応じて変位するセンサ本体と、該センサ本体に対向するようにガラス基板上に設けられてセンサ本体の変位を電気信号として出力する検出用電極と、ガラス基板上に設けられて検出用電極に電気的に接続された検出用配線とを備える封止型ＭＥＭＳを製造する方法であって、前記シリコン基板に、凹部を形成すると共に該凹部内に前記センサ本体を形成するセンサ形成工程と、前記ガラス基板に前記貫通孔を形成し、該貫通孔の開口の周囲を囲むようにガラス基板上にガスケット部を形成すると共に、前記センサ本体に対向するように前記検出用電極及び前記検出用配線をガラス基板上に形成するガラス基板形成工程と、前記シリコン基板に、ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記ガスケット部と圧着して前記貫通孔の開口を封止する金属パッド部を、シリコン基板とは電気的に絶縁した状態で形成するパッド形成工程と、前記ガラス基板形成工程、センサ形成工程及びパッド形成工程後、前記シリコン基板の上面及び下面に前記ガラス基板を接合して、前記凹部とガラス基板とで囲まれた密閉室を形成する接合工程と、該接合工程後、前記貫通孔の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は注入して外部電極を形成する電極形成工程とを備え、該電極形成工程の際、前記外部電極と前記検出用配線とを前記金属パッド部を介して電気的接続することを特徴とするものである。
【００１２】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳ及び封止型ＭＥＭＳの製造方法においては、まず、センサ形成工程により、シリコン基板に凹部を形成すると共にセンサ本体の形成を行う。
次いで、ガラス基板形成工程により、ガラス基板に貫通孔を形成すると共にシリコン基板側となるガラス基板上に貫通孔の開口を囲むようにガスケット部を形成する。また、ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に、センサ本体に対向する位置のガラス基板上に検出用電極を形成すると共に該検出用電極に電気的に接続された検出用配線を形成する。
次いで、パッド形成工程により、シリコン基板に、ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に、上記ガスケット部と圧着して貫通孔の開口を封止する金属パッド部をシリコン基板とは絶縁状態で形成する。
なお、これらセンサ形成工程、ガラス基板形成工程、パッド形成工程の順番は、特に限定されるものではなく、また、同時に行っても構わない。
【００１３】
次に、上記各工程の終了後、シリコン基板の上面及び下面にガラス基板を陽極接合して、上記凹部とガラス基板とで囲まれた密閉室の形成を行う。これにより、センサ本体、検出用電極及び検出用配線が密閉室内に収容された状態となる。
また、この際、ガスケット部と金属パッド部とが圧着することで、貫通孔の開口の封止が行える。特に、従来のように単に接触するのではなく圧着することで確実に貫通孔の開口を封止でき、密閉室内の真空度を低下させることはない。しかも、ガスケット部は、貫通孔の開口を囲むように形成されているので、封止をより確実に行うことができる。更に、この工程により、金属パッド部は、検出用配線に電気的に接続された状態となると共に貫通孔の開口に接した状態となる。
【００１４】
次に、電極形成工程により、貫通孔内の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は注入して
外部電極を形成する。これにより、外部電極と金属パッド部とが電気的に接続された状態となる。つまり、外部電極と検出用配線とが、金属パッド部を介して電気的に接続された状態となる。
これにより、検出用電極から出力された電気信号は、検出用配線、金属パッド部及び外部電極という経路を通って取り出される。従って、電気信号を従来のシリコンを介して取り出すのではなく、全て金属の経路を利用して取り出すことができる。よって、電気信号の損失の低減化を図ることがでできると共に、シリコンに起因したノイズが発生することもないのでＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。その結果、省電力化及び感度を向上することができる。
特に、電気信号は、貫通孔の開口の周囲を囲んで形成されたガスケット部と圧着された金属パッド部を介して取り出されるので、金属パッド部と検出用配線との間に仮に塵埃等が介在したとしても、塵埃等による隙間の影響を受け難い。従って、電気信号を確実に取り出すことができる。
上述したように、密閉室の気密を損なわずに確実に検出用配線と外部電極とを電気的接続ができると共に、電気信号の損失の低減化及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。
【００１５】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、上記本発明の封止型ＭＥＭＳにおいて、前記ガスケット部が、導電性材料により形成され、前記金属パッド部が、前記ガスケットを介して前記検出用配線に電気的接続されることを特徴とするものである。
また、本発明の封止型ＭＥＭＳの製造方法は、上記本発明の封止型ＭＥＭＳの製造方法において、前記ガラス基板形成工程の際に、導電性材料により前記ガスケット部を形成し、前記電極形成工程の際に、前記金属パッド部が前記ガスケット部を介して前記検出用配線に電気的接続されることを特徴とするものである。
【００１６】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳ及び封止型ＭＥＭＳの製造方法においては、ガラス基板形成工程の際に、導電性材料によりガスケット部を形成し、ガラス基板とシリコン基板とを接合した後の電極形成工程の際に、金属パッド部がガスケット部を介して検出用配線に電気的に接続するので、電気信号をより効率良く取り出すことができる。従って、さらに電気信号の損失をより低減させることができる。
また、例えば、ガスケット部を検出用配線と同じ導電性材料で形成する場合には、ガラス基板形成工程において、フォトリソ技術によるパターニング等でガスケット部と検出用配線とを同時に形成できるので、時間や手間を省略でき、製造コストの低減化を図ることができる。
【００１７】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、上記本発明の封止型ＭＥＭＳにおいて、前記シリコン基板上に設けられ、前記ガラス基板と前記シリコン基板とを接合した際に、前記ガスケット部内に埋入するように嵌合して嵌合状態を維持する突起部を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳにおいては、ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に、金属パッド部とガスケット部との圧着に加え、さらに突起部がガスケット部内に埋入した状態で嵌合し、この嵌合状態を維持するので、金属パッド部とガスケット部との圧着状態をより強固なものにすることができる。従って、貫通孔の開口をさらに確実に封止すると共に、電気的接続をより確かなものにすることができる。
【００１９】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、上記本発明の封止型ＭＥＭＳにおいて、前記突起部が、前記金属パッド部の周囲を囲む環状に形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳにおいては、突起部が金属パッド部の周囲を囲むように環状に形成されているので、金属パッド部とガスケット部との圧着状態を偏りがなく、すべての位置において圧着状態を強固なものにすることができる。
【００２１】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、上記本発明の封止型ＭＥＭＳにおいて、前記突起部及び前記金属パッド部が、前記シリコン基板上から略同じ高さ突出するように形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳにおいては、シリコン基板とガラス基板とを接合した際に、突起部の埋入状態及び金属パッド部とガスケット部との圧着状態を共に最適な状態にすることができる。例えば、突起部がガスケット部に埋入して嵌合する前に、金属パッド部とガスケット部とが圧着してり、逆に金属パッド部とガスケット部とが圧着する前に、突起部がガスケット部に埋入して嵌合することを防止することができる。
【００２３】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、上記本発明のいずれかの封止型ＭＥＭＳにおいて、前記貫通孔が円筒状に形成され、前記ガスケット部が環状に形成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳにおいては、貫通孔を容易に形成することができると共に、ガスケット部が環状、即ち、リング状であるので、バランスが良く、外力が加わったとしても圧着状態が安定し易い。
【００２５】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、シリコン基板と、該シリコン基板の上面及び下面に接合されたガラス基板と、シリコン基板とガラス基板との間に形成された密閉室と、該密閉室内に収容されて外力が作用したときに外力に応じて変位するセンサ本体と、該センサ本体に対向するようにガラス基板上に設けられてセンサ本体の変位を電気信号として出力する検出用電極と、ガラス基板上に設けられて検出用電極に電気的に接続された検出用配線とを備える封止型ＭＥＭＳであって、前記検出用電極及び検出用配線が設けられた前記ガラス基板に形成された貫通孔と、該貫通孔の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は金属材料を注入して設けられた外部電極と、前記貫通孔の開口の周囲を囲むように前記シリコン基板側の前記ガラス基板に形成された突起部と、前記シリコン基板上に、該シリコン基板とは電気的に絶縁された状態で設けられると共に、前記ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記外部電極に電気的接続する金属パッド部と、前記シリコン基板上に、該シリコン基板とは電気的に絶縁された状態で前記金属パッド部の周囲を囲むように設けられ、前記ガラス基板とシリコン基板とを接合した際に前記突起部と圧着して前記貫通孔の開口を封止する導電性材料で形成されたガスケット部とを備え、前記ガラス基板と前記シリコン基板とを接合した際に、前記金属パッド部は前記ガスケット部に電気的接続され、該ガスケット部は前記検出用配線に電気的接続されると共に金属パッド部を介して前記外部電極に電気的接続されることを特徴とするものである。
【００２６】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳにおいては、シリコン基板とガラス基板とを接合した際に、シリコン基板上に該シリコン基板とは絶縁状態で設けられた金属パッド部が、貫通孔に設けられた外部電極に接触して電気的に接続する。また、同時にガラス基板に設けられた突起部と金属パッド部とが圧着することで、確実に貫通孔の開口を封止する。これにより、密閉室内の真空度を低下させることはない。しかも、突起部は、貫通孔の開口を囲むように形成されているので、封止をより確実に行うことができる。
更に、この際、ガスケット部は、金属パッド部及び検出用配線に電気的に接続された状態となる。つまり、外部電極と検出用配線とが、金属パッド部及びガスケット部を介して電気的に接続された状態となる。
これにより、検出用電極から出力された電気信号は、検出用配線、ガスケット部、金属パッド部及び外部電極という経路を通って取り出される。従って、電気信号を従来のシリコンを介して取り出すのではなく、全て金属の経路を利用して取り出すことができる。よって、電気信号の損失の低減化を図ることがでできると共に、シリコンに起因したノイズが発生することもないのでＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。その結果、省電力化及び感度を向上することができる。
【００２７】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、上記本発明の封止型ＭＥＭＳにおいて、前記金属パッド部及び前記ガスケット部が、前記シリコン基板上から略同じ高さ突出するように形成されていることを特徴とするものである。
【００２８】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳにおいては、シリコン基板とガラス基板とを接合した際に、金属パッドの接触状態及び突起部とガスケット部との圧着状態を共に最適な状態にすることができる。例えば、金属パッド部が外部電極に接触する前に、突起部とガスケット部とが圧着したり、逆に突起部とガスケット部とが圧着する前に、金属パッド部が外部電極に接触することを防止することができる。
【００２９】
また、本発明の封止型ＭＥＭＳは、上記本発明の封止型ＭＥＭＳにおいて、前記貫通孔が円筒状に形成され、前記突起部が環状に形成されていることを特徴とするものである。
【００３０】
この発明に係る封止型ＭＥＭＳにおいては、貫通孔を容易に形成することができると共に、突起部が環状、即ち、リング状であるので、バランスが良く、外力が加わったとしても圧着状態が安定し易い。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る封止型ＭＥＭＳ及び封止型ＭＥＭＳの製造方法によれば、検出用電極から出力された電気信号を、検出用配線、金属パッド部及び外部電極という全て金属の経路を利用して取り出すことができるので、電気信号の損失の低減化を図ることがでできると共に、シリコンに起因したノイズが発生することもないのでＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。よって、省電力化及び感度を向上することができる。
特に、電気信号は、貫通孔の開口の周囲を囲んで形成されたガスケット部と圧着された金属パッド部を介して取り出されるので、金属パッド部と検出用配線との間に仮に塵埃等が介在したとしても、塵埃等による隙間の影響を受け難い。従って、電気信号を確実に取り出すことができる。
このように、密閉室の気密を損なわずに確実に検出用配線と外部電極とを電気的接続ができると共に、電気信号の損失の低減化及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明に係る封止型ＭＥＭＳ及び封止型ＭＥＭＳの製造方法の第１実施形態を、図１から図２１を参照して説明する。
なお、本実施形態では、封止型ＭＥＭＳを、各速度を検出するジャイロセンサ１とし、該ジャイロセンサ１をデジタルカメラや携帯電話機等のカメラ機構を有する電子機器Ａに適用した場合を例にして以下に説明する。
上記電子機器Ａは、図１に示すように、カメラモジュール２と上記ジャイロセンサ１を有するセンサユニット３とを備えている。カメラモジュール２は、センサユニット３から送られてきた角速度に基づいて、図示しないカメラレンズの補正量の算出を行うレンズ補正量算出回路４と、該レンズ補正量算出回路４で算出された補正量に基づいてＸ軸用レンズアクチュエータ５及びＹ軸用レンズアクチュエータ６を駆動するレンズ駆動回路７とを備えている。そして、両レンズアクチュエータ５、６は、それぞれカメラレンズをＸ方向及びＹ方向に適時変位させることで、手振れ補正等ができるようになっている。
【００３３】
上記センサユニット３は、上記ジャイロセンサ１と、該ジャイロセンサ１で検出された角速度に応じた静電容量を電圧に変換するＣ−Ｖ変換回路８と、変換された電圧から角速度を算出する角速度算出回路９とを備えている。また、角速度算出回路９は、算出した角速度を上記レンズ補正量算出回路４に出力するようになっている。
【００３４】
ジャイロセンサ１は、図２から図５に示すように、シリコン基板１０と、該シリコン基板１０の上面及び下面に陽極接合されたガラス基板１１と、シリコン基板１０とガラス基板１１との間に形成された密閉室１２と、該密閉室１２内に収容されて外力が作用したときに外力に応じて変位する機能部（センサ本体）１３と、該機能部１３に対向するようにガラス基板１１上に設けられて機能部１３の変位を電気信号として出力する検出用電極１４と、ガラス基板１１上に設けられて検出用電極１４に電気的に接続された検出用配線１５とを備えているものである。
【００３５】
上記密閉室１２は、シリコン基板１０に形成された凹部２０とガラス基板１１とで囲まれた空間より形成されている。また、機能部１３は、密閉室１２内に図示しない梁部により中空状態で吊り下げられ、加速度等の外力を受けると梁部を支点としてＸ方向或いはＹ方向或いはＸＹ方向に変位するようになっており、また、上面に図示しない可動電極を有している。  
上記検出用電極１４は、機能部１３の変位を、該機能部１３の上面に設けられた可動電極との距離変化に基づく静電容量の変化として検出するようになっており、これを電気信号として出力する。また、検出用電極１４は、電気信号により検出した静電容量を上記Ｃ−Ｖ変換回路８に出力するようになっている。
【００３６】
また、ジャイロセンサ１は、検出用電極１４及び検出用配線１５が設けられたガラス基板１１に形成された貫通孔２１と、該貫通孔２１の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は金属材料を注入して設けられた外部電極２２と、貫通孔２１の開口の周囲を囲むようにシリコン基板１０側のガラス基板１１に形成されたガスケット部２３と、シリコン基板１０上に、シリコン基板１０とは電気的に絶縁された状態で設けられると共に、ガラス基板１１とシリコン基板１０とを接合した際にガスケット部２３と圧着して貫通孔２１の開口を封止する金属パッド部２４とを備えている。
上記貫通孔２１は、円筒状に形成されている。また、本実施形態のガスケット部２３は、導電性材料、例えば、柔らかく電気伝導率の大きな金属である銅（Ｃｕ）等により、開口の周囲を囲む環状、即ち、リング状に形成されている。また、ガスケット部２３は、上記検出用配線１５の端部と電気的に接続されている。
なお、ガスケット部は、銅（Ｃｕ）に限られず、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（ｐｔ）等でも構わない。また、銅（Ｃｕ）の表面に金等を酸化防止膜としてコーティングしても良い。
【００３７】
上記金属パッド部２４は、シリコン基板１０上に、検出用配線１５を含むと共にガスケット部２３を覆う大きさの矩形状に形成されている。また、金属パッド部２４は、ガラス基板１１とシリコン基板１０とを接合させた際に、ガスケット部２３及び検出用配線１５に電気的に接続されるようになっている。
【００３８】
次に、このように構成されたジャイロセンサ１の製造方法を以下に説明する。
本実施形態のジャイロセンサ１の製造方法は、シリコン基板１０に、凹部２０を形成すると共に該凹部２０内に機能部１３を形成するセンサ形成工程と、ガラス基板１１に貫通孔２１を形成し、該貫通孔２１の開口の周囲を囲むようにガラス基板１１上にガスケット部２３を形成すると共に、機能部１３に対向するように検出用電極１４及び検出用配線１５をガラス基板１１上に形成するガラス基板形成工程と、シリコン基板１０に、ガラス基板１１とシリコン基板１０とを接合した際にガスケット部２３と圧着して貫通孔２１の開口を封止する金属パッド部２４を、シリコン基板１０とは電気的に絶縁した状態で形成するパッド形成工程と、センサ形成工程、ガラス基板形成工程及びパッド形成工程後、シリコン基板１０の上面及び下面にガラス基板１１を接合して、凹部２０とガラス基板１１とで囲まれた密閉室１２を形成する接合工程と、該接合工程後、貫通孔２１の少なくとも内周面に金属膜を成膜又は金属材料を注入して外部電極２２を形成する電極形成工程とを備え、電極形成工程の際、外部電極２２と検出用配線１５とを金属パッド部２４を介して電気的接続する方法である。
これら各工程について、以下に詳細に説明する。なお、本実施形態では、センサ形成工程とパッド形成工程とを同時に行う。
【００３９】
まず、センサ形成工程及びパッド形成工程を行う。始めに、図６に示すように、エッチングマスクとなるフォトレジスト膜３０を、フォトリソグラフィ技術によってシリコン基板１０上の凹部２０以外の領域にパターニングする。なお、この凹部２０は、機能部１３のギャップを兼ねているものである。そして、該フォトレジスト膜３０をマスクとして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）やＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）を行って、マスクされていないシリコン基板１０を選択的に除去する。
なお、この際、凹部２０の深さが所定の深さとなるように反応速度等が設定されている。また、上述したドライエッチングに限らず、水酸化カリウム（ＫＯＨ）やテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ性エッチャントによる異方性エッチング（ウェットエッチング）によりシリコン基板１０を除去しても構わない。そして、図７に示すように、マスクとしていたフォトレジスト膜３０の除去を行う。
【００４０】
次いで、図８に示すように、凹部２０を形成したシリコン基板１０上の全体に、例えば、銅等の金属膜３１を薄膜状に成膜する。なお、この金属膜３１は、金属パッド部２４となるものである。そして、図９に示すように、フォトレジスト膜３２を金属膜３１上に金属パッド部２４の形状でパターニングする。そして、図１０に示すように、該フォトレジスト膜３２をマスクとして上述したドライエッチングやウェットエッチングにより金属膜３１を除去し、その後、フォトレジスト膜３２の除去を行う。これにより、シリコン基板１０上に金属パッド２４を形成することができる。
次いで、図１１に示すように、フォトレジスト膜３３を、シリコン基板１０上に機能部１３の形状でパターニングすると共に、金属パッド部２４の土台となる柱状部の形状でパターニングする。そして、図１２に示すように、フォトレジスト膜３３をマスクとして上述したドライエッチングやウェットエッチングによりシリコン基板１０を除去し、その後、フォトレジスト膜３３の除去を行う。これにより、機能部１３及び柱状部の上部に金属パッド部２４を設けることができる。
【００４１】
次いで、ガラス基板形成工程を行う。始めに、図１３に示すように、フォトレジスト膜３５を、ガラス基板１１上の貫通孔２１以外の領域にパターニングする。そして、図１４に示すように、フォトレジスト膜３５をマスクとしてドライエッチングやウェットエッチングによりガラス基板１１を除去し、その後、フォトレジスト膜３５の除去を行う。これにより、ガラス基板１１に貫通孔２１を形成することができる。そして、図１５に示すように、ガラス基板１１上に銅等の金属膜３６を薄膜状に成膜する。なお、この金属膜３６は、ガスケット部２３、検出用配線１５及び検出用電極１４となるものである。このように、本実施形態では、ガスケット部２３が、導電性材料である金属膜３６であるので、検出用配線１５及び検出用電極１４と共に一度に同じ手順で形成することができる。
【００４２】
そして、そして、図１６に示すように、金属膜２６上に、フォトレジスト膜３７をガスケット部２３、検出用配線１５及び検出用電極１４の形状でパターニングする。そして、図１７に示すように、該フォトレジスト膜３７をマスクとして上述したドライエッチングやウェットエッチングにより金属膜３６を除去し、その後、フォトレジスト膜３６の除去を行う。これにより、ガラス基板１１上にガスケット部２３、検出用配線１５及び検出用電極１４を形成することができる。
【００４３】
上述したガラス基板形成工程、パッド形成工程及びセンサ形成工程の終了後、上記接合工程を行う。即ち、周囲の圧力を、例えば、真空にした状態で、図１８に示すようにシリコン基板１０とガラス基板１１とを陽極接合する。これにより、シリコン基板１０の凹部２０とガラス基板１１とで囲まれた密閉室１２内に機能部１３、検出用配線１５及び検出用電極１４が収容された状態となる。
また、この際、ガスケット部２３と金属パッド部２４とが圧着し、貫通孔２１の開口を封止する。特に、従来のように単に接触するのではなく圧着するので、確実に貫通孔２１の開口を封止でき、密閉室１２内の真空度を低下させることはない。しかも、ガスケット部２３は、貫通孔２１の開口を囲むように形成されているので、封止をより確実に行うことができる。更に、この工程により、金属パッド部２４は、ガスケット部２３及び検出用配線１５に電気的に接続された状態となると共に貫通孔２１の開口に接した状態となる。
【００４４】
次いで、上記電極形成工程を行う。まず、図１９に示すように、貫通孔２１が形成されているガラス基板１１上に金属膜３８を成膜する。これにより、貫通孔２１の内周面に金属膜３８が成膜される。そして、図２０示すように、フォトレジスト膜３９を、金属膜３８上に外部電極２２の形状でパターニングする。そして、該フォトレジスト膜３９をマスクとしてドライエッチングやウェットエッチングにより金属膜３８を除去し、その後、フォトレジスト膜３９の除去を行う。これにより、図２１に示すように、外部電極２２を形成することができる。
この工程により、外部電極２２と金属パッド部２４とが、電気的に接続された状態となる。つまり、外部電極２２と検出用配線１５とが、金属パッド部２４及びガスケット部２３を介して電気的に接続された状態となる。
【００４５】
よって、検出用電極１４から出力された電気信号は、検出用配線１５、金属パッド部２４、ガスケット部２３及び外部電極２２という経路を通って取り出される。従って、電気信号を従来のシリコンを介して取り出すのではなく、全て金属の経路を利用して取り出すことができる。そのため、電気信号の損失の低減化を図ることができると共に、シリコンに起因したノイズが発生することもないのでＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。その結果、省電力化及び感度を向上することができる。
特に、電気信号は、貫通孔２１の開口の周囲を囲んで形成されたガスケット部２３と圧着された金属パッド部２４を介して取り出されるので、金属パッド部２４と検出用配線１５との間に仮に塵埃等が介在したとしても、塵埃等による隙間の影響を受け難い。従って、電気信号を確実に取り出すことができる。
【００４６】
また、ガスケット部２３が、検出用配線１５と同じ導電性材料であるので、金属パッド部２４と検出用配線１５とが接触している場合よりも接触面積が増え、より効率良く電気信号を取り出すことができる。更に、ガスケット部２３と検出用配線１５とを同時に形成できるので、時間や手間が省略でき、製造コストの低減化を図ることができる。また、貫通孔２１が円筒状であるので、容易に形成し易い。また、ガスケット部２３が貫通孔２１の開口を囲むリング状であるので、外力が加わったとしても圧着状態が安定し易い。
【００４７】
上述したように、本実施形態のジャイロセンサ１及びジャイロセンサの製造方法によれば、密閉室１２の気密を損なわずに確実に検出用配線１５と外部電極２２とを電気的に接続することができると共に、電気信号の損失の低減化及びＳ／Ｎ比の低減化を図ることができる。
【００４８】
次に、本発明に係るジャイロセンサの第２実施形態について、図２２から図２４を参照して説明する。なお、第２実施形態において第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、ガスケット部２３と金属パッド部２４とが単に圧着する構成であるのに対し、第２実施形態のジャイロセンサ１は、図２２及び図２３に示すように、シリコン基板１０上に設けられ、ガラス基板１１とシリコン基板１０とを接合した際に、ガスケット部２３内に埋入するように嵌合して、該嵌合状態を維持する突起部４０を備えている点である。
この突起部４０は、金属パッド部２４の周囲を囲む環状に形成されていると共に、金属パッド部２４と略同じ高さになるように形成されている。また、この突起部４０は、パッド形成工程の際に、例えば、ウエットエッチングや等方性ドライエッチングにより形成される。
【００４９】
このように構成することで、ガラス基板１１とシリコン基板１０とを接合した際に、図２３に示すように、金属パッド部２４とガスケット部２３との圧着に加え、さらに突起部４０がガスケット部２３内に埋入した状態で嵌合し、この嵌合状態を維持するので、金属パッド部２４とガスケット部２３との圧着状態をより強固なものにすることができる。従って、貫通孔２１の開口をさらに確実に封止すると共に、電気的接続をより強固なものにすることができる。
また、突起部４０は、金属パッド部２４の周囲を囲むように環状に形成されているので、金属パッド部２４とガスケット部２３との圧着状態を偏りがなく、全ての位置において均等に圧着状態を強固なものにすることができる。
【００５０】
更に、金属パッド部２４と突起部４０との高さが略等しいので、例えば、突起部４０がガスケット部２３に埋入して嵌合する前に、金属パッド部２４とガスケット部２３とが圧着したり、逆に金属パッド部２４とガスケット部２３とが圧着する前に、突起部４０がガスケット部２３に埋入して嵌合することがなく、突起部４０の嵌合状態及び金属パッド部２４とガスケット部２３との圧着状態を共に最適な状態にすることができる。
また、図２４に示すように、突起部４０の上面に導電性材料４１を薄膜状に成膜しても構わない。こうすることで、突起部４０がガスケット部２３に嵌合し易くなると共に、電気信号の取り出しへの影響を極力低減することができる。
【００５１】
次に、本発明に係るジャイロセンサの第３実施形態について、図２５及び図２６を参照して説明する。なお、第３実施形態において第２実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第２実施形態と第３実施形態との異なる点は、第２実施形態では、ガラス基板１１にガスケット部２３が形成され、シリコン基板１０に突起部４０が形成されていたのに対し、第３実施形態のジャイロセンサ１は、ガラス基板１１に突起部４０が形成され、シリコン基板１０にガスケット部２３が形成されている点である。
【００５２】
本実施形態においては、上記突起部４０は、貫通孔２１の開口の周囲を囲むように環状に形成されている。また、シリコン基板１０とガラス基板１１とを接合した際に、金属パッド部２４は外部電極２２に電気的に接続するようになっており、ガスケット部２３は検出用配線１５に電気的に接続されると共に金属パッド部２４を介して外部電極２２に電気的に接続されるようになっている。
また、金属パッド部２４及びガスケット部２３は、シリコン基板１０上から略同じ高さ突出するようになっている。
【００５３】
このように構成されたジャイロセンサ１においては、シリコン基板１０とガラス基板１１とを接合した際に、まず金属パッド部２４が外部電極２２に接触して電気的に接続する。また、同時に突起部４０と金属パッド部２４とが圧着することで、確実に貫通孔２１の開口を封止する。しかも、突起部４０は、貫通孔２１の開口を囲む環状に形成されているので、封止がより確実である。これにより、密閉室１２内の密閉室１２内の真空度を低下させることはない。
更に、ガスケット部２３は、金属パッド部２４及び検出用配線１５に電気的に接続された状態となる。つまり、外部電極２２と検出用配線１５とが、金属パッド部２４及びガスケット部２３を介して電気的に接続された状態となる。よって、第２実施形態と同様に、電気信号は全て金属の経路を通って取り出され、第２実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
また、金属パッド部２４とガスケット部２３との高さが略等しいので、例えば、金属パッド部２４が外部電極２２に接触する前に、突起部４０とガスケット部２３とが圧着したり、逆に突起部４０とガスケット部２３とが圧着する前に、金属パッド部２４が外部電極２２に接触することがなく、金属パッド部２４の状態及び突起部４０とガスケット部２３との圧着状態を共に最適な状態にすることができる。
【００５４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００５５】
例えば、本実施形態では、封止型ＭＥＭＳとしてジャイロセンサを例にして説明したが、ジャイロセンサに限られるものではなく、例えば、加速度センサ等のように真空封止を必要とするデバイスであれば良い。
また、貫通孔を円筒状に形成したが、円筒状に限られず、テーパ状でも構わないし、開口が三角や四角形状の多角形状になるように形成しても構わない。また、この場合には、第１実施形態のガスケット部や第３実施形態の突起部は、貫通孔の開口の形状に応じて該開口を囲むように形成すれば良い。
更に、上記各実施形態において、シリコン基板として、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を採用しても構わない。
【００５６】
また、上記各実施形態においては、ガスケット部を導電性材料で形成したが、導電性材料でなくても良く、金属パッドと圧着して貫通孔の開口を封止できれば構わない。但し、製造工程の簡略化及び効率的な電気信号の取り出しの点で、導電性材料で形成することが好ましい。また、第１実施形態において、シリコン基板とガラス基板とを接合する前に、ガスケット部と検出用配線とが電気的に接続されていたが、接続されていなくとも構わない。
【００５７】
〔比較例〕
ここで、電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）について、本実施形態のジャイロセンサ１による電気信号の経路と、従来の電気信号の経路とで比較した場合を、図２７及び図２８に示す。
図２７に示すように、本実施形態の経路は全て金属のみの経路であるので、抵抗が小さく、また、電磁波に影響されないことが確認できる。また、図２８に示すように、従来の経路とは異なり、線形であることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る封止型ＭＥＭＳ（ジャイロセンサ）をカメラモジュールを有する電子機器に適用した場合のブロック図の一例である。
【図２】本発明に係る封止型ＭＥＭＳの第１実施形態を示す組み立て前の斜視図である。
【図３】図２に示す状態におけるＢＢ線に沿った断面図である。
【図４】図３に示す状態からガラス基板とシリコン基板とを接合した状態を示す断面図である。
【図５】図４に示す状態の封止型ＭＥＭＳの上面図である。
【図６】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、シリコン基板上の凹部以外の領域にフォトレジスト膜をパターニングした状態を示す図である。
【図７】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図６に示す状態からシリコン基板に凹部を形成した状態を示す図である。
【図８】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図７に示す状態の後、シリコン基板上に金属膜を成膜した状態を示す図である。
【図９】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図８に示す状態の後、金属膜に金属パッド部の形状でフォトレジスト膜をパターニングした状態を示す図である。
【図１０】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図９に示す状態から金属パッド部を形成した状態を示す図である。
【図１１】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１０に示す状態の後、金属パッド部の土台及びセンサ本体の形状でフォトレジスト膜をパターニングした状態を示す図である。
【図１２】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１１に示す状態から金属パッド部を形成した状態を示す図である。
【図１３】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、ガラス基板上の貫通孔以外の領域にフォトレジスト膜をパターニングした状態を示す図である。
【図１４】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１３に示す状態から、ガラス基板に貫通孔を形成した状態を示す図である。
【図１５】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１４に示す状態の後、ガラス基板上に金属膜を成膜した状態を示す図である。
【図１６】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１５に示す状態の後、金属膜にガスケット部、検出用配線及び検出用電極の形状でフォトレジスト膜をパターニングした状態を示す図である。
【図１７】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１６に示す状態からガラス基板にガスケット部、検出用配線及び検出用電極を形成した状態を示す図である。
【図１８】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１２に示すシリコン基板の上面及び下面に、図１７に示すガラス基板と平板状のガラス基板とを陽極接合した状態を示す図である。
【図１９】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１８に示す状態の後、貫通孔が形成されたガラス基板に金属膜を成膜した状態を示す図である。
【図２０】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図１９に示す状態の後、金属膜上に外部電極の形状でフォトレジスト膜をパターニングした状態を示す図である。
【図２１】図２に示す封止型ＭＥＭＳの製造方法を示した工程図であって、図２０に示す状態の後、貫通孔に外部電極を形成した状態を示す図である。
【図２２】本発明に係る封止型ＭＥＭＳの第２実施形態を示す組み立て前の断面図である。
【図２３】図２２に示す状態から、シリコン基板とガラス基板とを接合した状態を示す組み立て後の断面図である。
【図２４】本発明に係る封止型ＭＥＭＳの第２実施形態の変形例を示す断面図である。
【図２５】本発明に係る封止型ＭＥＭＳの第３実施形態を示す組み立て前の断面図である。
【図２６】図２５に示す状態から、シリコン基板とガラス基板とを接合した状態を示す組み立て後の断面図である。
【図２７】本発明に係る封止型ＭＥＭＳの電気信号の経路と、従来の電気信号の経路とを比較した電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）図である。
【図２８】本発明に係る封止型ＭＥＭＳの電気信号の経路と、従来の電気信号の経路とを比較した電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）図である。
【図２９】従来の封止型ＭＥＭＳの一例を示す組み立て前の断面図である。
【図３０】図２９に示す状態から、シリコン基板とガラス基板とを接合した状態を示す組み立て後の断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１    ジャイロセンサ（封止型ＭＥＭＳ）
１０    シリコン基板
１１    ガラス基板
１２    密閉室
１３    機能部（センサ本体）
１４    検出用電極
１５    検出用配線
２０    凹部
２１    貫通孔
２２    外部電極
２３    ガスケット部
２４    金属パッド部
４０    突起部
【図１】
2006046995.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2006046995.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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