(57)【要約】【課題】  バラクタダイオードの容量値が温度に依存して発振周波数が変化するのを抑える。【解決手段】  発振トランジスタ３１、３２と、カソードに発振周波数制御用の制御電圧が印加されるバラクタダイオード３７ａ、３７ｂを有して発振トランジスタ３１、３２のコレクタとベースとの間に結合された共振回路３７とを備え、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源４２を設け、バイアス電圧に負の温度特性を持たせ、温度によるバラクタダイオード３７ａ、３７ｂの容量値変化に起因する発振周波数変化をバイアス電圧の温度による変化によって補正した。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振トランジスタと、カソードに発振周波数制御用の制御電圧が印加されるバラクタダイオードを有して前記発振トランジスタのコレクタとベースとの間に結合された共振回路とを備え、前記バラクタダイオードのアノードにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源を設け、前記バイアス電圧に負の温度係数を持たせたことを特徴とする発振回路。
【請求項２】
前記負の温度係数の絶対値を、前記制御電圧が所定値以上のときに大きくし、前記制御電圧が前記所定値以下のときに小さくしたことを特徴とする請求項１に記載の発振回路。
【請求項３】
前記バイアス電源は、抵抗値が第１の正の温度係数を有する第１の抵抗と、抵抗値が前記第１の正の温度係数よりも小さい第２の正の温度係数を有する第２の抵抗と、抵抗値が前記第１の正の温度係数よりも小さく前記第２の正の温度係数よりも大きい第３の正の温度係数を有する第３の抵抗とを有し、前記第１の抵抗と前記第３の抵抗との各一端を電源電圧にプルアップすると共に前記第２の抵抗の一端を接地し、前記第２の抵抗の他端を前記バラクタダイオードのアノードに接続し、前記制御電圧が所定値以上のときに前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との他端同士を接続し、前記制御電圧が前記所定値以下のときに前記第３の抵抗と前記第２の抵抗との他端同士を接続したことを特徴とする請求項２に記載の発振回路。
【請求項４】
前記第１の抵抗の他端と前記第２の抵抗の他端との間に第１のスイッチトランジスタを介挿し、前記第３の抵抗の他端と前記第２の抵抗の他端との間に第２のスイッチトランジスタを介挿し、前記制御電圧が所定値以上のときに前記第１のスイッチトランジスタのみをオンし、前記制御電圧が前記所定値以下のときに前記第２のスイッチトランジスタのみをオンしたことを特徴とする請求項３に記載の発振回路。
【請求項５】
前記バイアス電源は、抵抗値が第１の正の温度係数を有する第１の抵抗と、抵抗値が前記第１の正の温度係数よりも小さい第２の正の温度係数を有する第２の抵抗と、第４の抵抗とを有し、前記第１の抵抗と前記第４の抵抗との各一端を電源電圧にプルアップすると共に前記第２の抵抗の一端を接地し、前記第２の抵抗の他端を前記第１の抵抗の他端に接続すると共に前記バラクタダイオードのアノードに接続し、前記制御電圧が所定値以上のときに前記第４の抵抗の他端を開放し、前記制御電圧が前記所定値以下のときに前記第４の抵抗を前記第１の抵抗に並列接続すると共に、並列接続状態の前記第１及び第４の抵抗の合成抵抗値の温度係数を前記第１の正の温度係数よりも小さく前記第２の正の温度係数よりも大きくなるように設定したことを特徴とする請求項２に記載の発振回路。
【請求項６】
前記第４の抵抗の他端を第３のスイッチトランジスタを介して前記第１の抵抗と第２の抵抗との接続点に接続し、前記スイッチトランジスタを、前記制御電圧が所定値以上のときにオフし、前記制御電圧が前記所定値以下のときにオンしたことを特徴とする請求項５に記載の発振回路。
【請求項７】
前記発振トランジスタと前記バイアス電源とを集積回路内に構成し、前記集積回路内には前記第１乃至第３のスイッチトランジスタをオン又はオフ切り替えるための切替制御回路を設け、前記切替制御回路に受信チャンネルの周波数データを入力し、前記切替制御回路は前記周波数データにおける最上位のビットデータの１又は０によって前記第１乃至第３のスイッチトランジスタを切り替えたことを特徴とする請求項４又は６に記載の発振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビジョンチューナ等の局部発振用として使用される発振回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、例えばＶＨＦテレビジョンチューナのローバンド用又はハイバンド用に使用される従来の発振回路１であり、集積回路２０内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ２、３と、集積回路２０外に設けられた共振回路４とによって構成される。第一の発振トランジスタ２と第二の発振トランジスタ３との各エミッタは互いに接続されて定電流源５に接続される。また、第一の発振トランジスタ２のコレクタは集積回路２０の電源端子Ｂに接続され、第二の発振トランジスタ３のコレクタは給電抵抗６を介して電源端子Ｂに接続される。さらに、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとはそれぞれ集積回路２０内に設けられた第一の直流カットコンデンサ７、第二の直流カットコンデンサ８によって集積回路２０内の共通の接地点に高周波的に接地される。
【０００３】
よって、第一の発振トランジスタ２と第二の発振トランジスタ３とは差動接続され、第一の発振トランジスタ２のベースと第二の発振トランジスタ３のコレクタとは同相となる。
【０００４】
集積回路２０には端子２０ａが設けられる。また、集積回路２０内には第一の結合コンデンサ９と第二の結合コンデンサ１０とが構成される。そして、端子２０ａには第一の発振トランジスタ２のベースが第一の結合コンデンサ９を介して接続され、第二の発振トランジスタ３のコレクタが第二の結合コンデンサ１０を介して接続される。共振回路４はインダクタンス素子４ａ、バラクタダイオード４ｂ等を有し、その一端が端子２０ａに接続され、他端は集積回路２０外で接地される。
よって、発振回路１は不平衡型の発振回路を構成する。そして、バラクタダイオード４ｂに印加される同調電圧Ｔｕによって発振周波数が設定される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７２９３４号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
共振回路４におけるバラクタダイオード４ｂはその容量値が正の温度係数を持っているので、共振回路の共振周波数は負の温度係数を持つこととなり、温度上昇に伴って低くなる。特に、バラクタダイオードの両端間の電圧が低い場合はその容量値が大きくなるので、周波数の変化範囲が大きくなる。
【０００７】
本発明は、バラクタダイオードの容量値が温度に依存して発振周波数が変化するのを抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の解決手段は、発振トランジスタと、カソードに発振周波数制御用の制御電圧が印加されるバラクタダイオードを有して前記発振トランジスタのコレクタとベースとの間に結合された共振回路とを備え、前記バラクタダイオードのアノードにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源を設け、前記バイアス電圧に負の温度係数を持たせた。
【０００９】
また、第２の解決手段は、前記負の温度係数の絶対値を、前記制御電圧が所定値以上のときに大きくし、前記制御電圧が前記所定値以下のときに小さくした。
【００１０】
また、第３の解決手段は、前記バイアス電源は、抵抗値が第１の正の温度係数を有する第１の抵抗と、抵抗値が前記第１の正の温度係数よりも小さい第２の正の温度係数を有する第２の抵抗と、抵抗値が前記第１の正の温度係数よりも小さく前記第２の正の温度係数よりも大きい第３の正の温度係数を有する第３の抵抗とを有し、前記第１の抵抗と前記第３の抵抗との各一端を電源電圧にプルアップすると共に前記第２の抵抗の一端を接地し、前記第２の抵抗の他端を前記バラクタダイオードのアノードに接続し、前記制御電圧が所定値以上のときに前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との他端同士を接続し、前記制御電圧が前記所定値以下のときに前記第３の抵抗と前記第２の抵抗との他端同士を接続した。
【００１１】
また、第４の解決手段は、前記第１の抵抗の他端と前記第２の抵抗の他端との間に第１のスイッチトランジスタを介挿し、前記第３の抵抗の他端と前記第２の抵抗の他端との間に第２のスイッチトランジスタを介挿し、前記制御電圧が所定値以上のときに前記第１のスイッチトランジスタのみをオンし、前記制御電圧が前記所定値以下のときに前記第２のスイッチトランジスタのみをオンした。
【００１２】
また、第５の解決手段は、前記バイアス電源は、抵抗値が第１の正の温度係数を有する第１の抵抗と、抵抗値が前記第１の正の温度係数よりも小さい第２の正の温度係数を有する第２の抵抗と、第４の抵抗とを有し、前記第１の抵抗と前記第４の抵抗との各一端を電源電圧にプルアップすると共に前記第２の抵抗の一端を接地し、前記第２の抵抗の他端を前記第１の抵抗の他端に接続すると共に前記バラクタダイオードのアノードに接続し、前記制御電圧が所定値以上のときに前記第４の抵抗の他端を開放し、前記制御電圧が前記所定値以下のときに前記第４の抵抗を前記第１の抵抗に並列接続すると共に、並列接続状態の前記第１及び第４の抵抗の合成抵抗値の温度係数を前記第１の正の温度係数よりも小さく前記第２の正の温度係数よりも大きくなるように設定した。
【００１３】
また、第６の解決手段は、前記第４の抵抗の他端を第３のスイッチトランジスタを介して前記第１の抵抗と第２の抵抗との接続点に接続し、前記スイッチトランジスタを、前記制御電圧が所定値以上のときにオフし、前記制御電圧が前記所定値以下のときにオンした。
【００１４】
また、第７の解決手段として、前記発振トランジスタと前記バイアス電源とを集積回路内に構成し、前記集積回路内には前記第１乃至第３のスイッチトランジスタをオン又はオフ切り替えるための切替制御回路を設け、前記切替制御回路に受信チャンネルの周波数データを入力し、前記切替制御回路は前記周波数データにおける最上位のビットデータの１又は０によって前記第１乃至第３のスイッチトランジスタを切り替えた。
【発明の効果】
【００１５】
第１の解決手段によれば、発振トランジスタと、カソードに発振周波数制御用の制御電圧が印加されるバラクタダイオードを有して発振トランジスタのコレクタとベースとの間に結合された共振回路とを備え、バラクタダイオードのアノードにバイアス電圧を印加するためのバイアス電源を設け、バイアス電圧に負の温度係数を持たせたので、温度によるバラクタダイオードの容量値変化に起因する発振周波数変化をバイアス電圧の温度による変化によって補正することができる。
【００１６】
また、第２の解決手段によれば、負の温度係数の絶対値を、制御電圧が所定値以上のときに大きくし、制御電圧が所定値以下のときに小さくしたので、所定値以上の制御電圧を印加して発振周波数を高くした場合には、バイアス電圧の変化範囲を広くして発振周波数の温度補正を容易にし、補正範囲を拡大することができる。また、所定値以下の制御電圧を印加して発振周波数を低くした場合には、バイアス電圧の変化範囲を狭くして発振周波数の過度な温度補正を抑制し、補正範囲を拡大することができる。
【００１７】
また、第３の解決手段によれば、バイアス電源は、抵抗値が第１の正の温度係数を有する第１の抵抗と、抵抗値が第１の正の温度係数よりも小さい第２の正の温度係数を有する第２の抵抗と、抵抗値が第１の正の温度係数よりも小さく第２の正の温度係数よりも大きい第３の正の温度係数を有する第３の抵抗とを有し、第１の抵抗と第３の抵抗との各一端を電源電圧にプルアップすると共に第２の抵抗の一端を接地し、第２の抵抗の他端をバラクタダイオードのアノードに接続し、制御電圧が所定値以上のときに第１の抵抗と第２の抵抗との他端同士を接続し、制御電圧が所定値以下のときに第３の抵抗と第２の抵抗との他端同士を接続したので、制御電圧が所定値以上のときのバイアス電圧の温度係数を大きくし、制御電圧が所定値以下のときのバイアス電圧の温度係数を小さくすることができる。
【００１８】
また、第４の解決手段によれば、第１の抵抗の他端と第２の抵抗の他端との間に第１のスイッチトランジスタを介挿し、第３の抵抗の他端と第２の抵抗の他端との間に第２のスイッチトランジスタを介挿し、制御電圧が所定値以上のときに第１のスイッチトランジスタのみをオンし、制御電圧が所定値以下のときに第２のスイッチトランジスタのみをオンしたので、２つのスイッチトランジスタのオンの切替で温度係数の異なる２種類のバイアス電圧を得ることが出来る。
【００１９】
また、第５の解決手段によれば、バイアス電源は、抵抗値が第１の正の温度係数を有する第１の抵抗と、抵抗値が第１の正の温度係数よりも小さい第２の正の温度係数を有する第２の抵抗と、第４の抵抗とを有し、第１の抵抗と第４の抵抗との各一端を電源電圧にプルアップすると共に第２の抵抗の一端を接地し、第２の抵抗の他端を第１の抵抗の他端に接続すると共にバラクタダイオードのアノードに接続し、制御電圧が所定値以上のときに第４の抵抗の他端を開放し、制御電圧が所定値以下のときに第４の抵抗を第１の抵抗に並列接続すると共に、並列接続状態の第１及び第４の抵抗の合成抵抗値の温度係数を第１の正の温度係数よりも小さく第２の正の温度係数よりも大きくなるように設定したので、制御電圧が所定値以上のときのバイアス電圧の温度係数を大きくし、制御電圧が所定値以下のときのバイアス電圧の温度係数を小さくすることができる。
【００２０】
また、第６の解決手段によれば、第４の抵抗の他端を第３のスイッチトランジスタを介して第１の抵抗と第２の抵抗との接続点に接続し、スイッチトランジスタを、制御電圧が所定値以上のときにオフし、制御電圧が所定値以下のときにオンしたので、１つのスイッチトランジスタのオン／オフの切替で温度係数の異なる２種類のバイアス電圧を得ることが出来る。
【００２１】
また、第７の解決手段によれば、発振トランジスタとバイアス電源とを集積回路内に構成し、集積回路内には第１乃至第３のスイッチトランジスタをオン又はオフ切り替えるための切替制御回路を設け、切替制御回路に受信チャンネルの周波数データを入力し、切替制御回路は周波数データにおける最上位のビットデータの１又は０によって第１乃至第３のスイッチトランジスタを切り替えたので、選局用の周波数データを使用することで温度係数の異なるバイアス電圧を得ることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１に従って本発明の発振回路を説明する。集積回路３０内に構成された発振トランジスタ３１、３２は差動接続され、各コレクタはそれぞれ抵抗３３、３４によって電源Ｂにプルアップされる。また差動接続のために各エミッタは共通の抵抗３５によって接地される。各ベースにはバイアス電源３６からバイアス電圧が印加される。そして、集積回路３０外に設けられた共振回路３７が発振トランジスタ３１、３２に結合される。
【００２３】
共振回路３７は、２つのバラクタダイオード３７ａ、３７ｂと、それらのカソード間に直列接続された２つのインダクタンス素子３７ｃ、３７ｄと、２つのバラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノード間に接続された容量素子３７ｅとを有する。２つのインダクタンス素子３７ｃ、３７ｄの接続点には発振周波数可変用の制御電圧Ｖｔが印加される。２つのバラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードは集積回路３０の外部接続端子３０ａ、３０ｂを介して発振トランジスタ３１のコレクタとベースとの間に結合されると共に、発振トランジスタ３２のコレクタとベースとの間にも結合される。よって、平衡型発振回路が構成される。
【００２４】
すなわち、発振トランジスタ３１のベースには結合コンデンサ３８を介してバラクタダイオード３７ａのアノードが結合され、コレクタには結合コンデンサ３９を介してバラクタダイオード３７ｂのアノードが結合される。同様に、発振トランジスタ３２のベースには結合コンデンサ４０を介してバラクタダイオード３７ｂのアノードが結合され、コレクタには結合コンデンサ４１を介してバラクタダイオード３７ａのアノードが結合される。
【００２５】
バラクタダイオード３７ａ、３７ｂは、その容量値が温度に依存し、温度上昇に伴って容量値が増加する。すなわち正の温度係数を有している。そのため、共振回路３７の共振周波数（従って、発振周波数）は負の温度係数を有することになる。また、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂのカソードに印加する制御電圧が低くなってバラクタダイオード３７ａ、３７ｂの容量値が大きくなると発振周波数の変化幅が大きくなる。そこで、本発明では、温度によって電圧が変化するバイアス電源４２を集積回路３０内に構成し、このバイアス電源４２からバラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードにバイアス電圧を印加し、発振周波数の温度依存性を改善するようにしている。以下に、バイアス電源４２による発振周波数の温度依存性改善を説明する。
【００２６】
先ず、バイアス電源４２は、一端が電源Ｂにプルアップされた第１の抵抗４２ａ及び第３の抵抗４２ｃと、一端が接地された第２の抵抗４２ｂと、第１の抵抗４２ａの他端と第２の抵抗４２ｂの他端との間に介挿された第１のスイッチトランジスタ４２ｄと、第３の抵抗４２ｃの他端と第２の抵抗４２ｂの他端との間に介挿された第２のスイッチトランジスタ４２ｅとから構成される。そして、第２の抵抗４２ｂの他端にバラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードが接続される。また、第１のスイッチトランジスタ４２ｄ又は第２のスイッチトランジスタ４２ｅは何れか一方がオンとなるように切り替えられる。従って、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードには第１の抵抗４２ａと第２の抵抗４２ｂとによって分圧されたバイアス電圧又は第３の抵抗４２ｃと第２の抵抗４２ｂとによって分圧されたバイアス電圧が印加される。何れのバイアス電圧もほぼ０．２ボルトである。
【００２７】
ここで、第１の抵抗４２ａの抵抗値はおよそ１２００ＰＰＭ／°Ｃの温度係数（第１の正の温度係数）を有し、第２の抵抗４２ｂの抵抗値はおよそ１５０ＰＰＭ／°Ｃの温度係数（第２の正の温度係数）を有し、第３の抵抗４２ｃの抵抗値はおよそ７００ＰＰＭ／°Ｃ（第３の正の温度係数）を有する。
【００２８】
第１乃至第３の抵抗４２ａ〜４２ｃが上記の温度係数を有していることから、バイアス電圧は負の温度係数を有する。このため、温度上昇の過程を考えると、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂの容量値が増加して発振周波数が低くなる方向に変化するが、アノードのバイアス電圧が低い方に変化するのでバラクタダイオード３７ａ、３７ｂの両端間の電圧が大きくなって容量値増加が抑えられ、発振周波数の変化が抑えられる。
【００２９】
また、第１のスイッチトランジスタ４２ｄをオンとしたときのバイアス電圧の温度係数（絶対値で）は第２のスイッチトランジスタ４２ｅをオンとしたときのバイアス電圧の温度係数（絶対値で）よりも大きくなるので、温度に対するバイアス電圧の変化特性は図２に示すように、第１のスイッチトランジスタ４２ｄをオンとしたときのバイアス電圧の傾斜（Ａ）は第２のスイッチトランジスタ４２ｅをオンとしたときのバイアス電圧の傾斜よりも急峻となる。
【００３０】
一方、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂのカソードに印加される制御電圧はおよそ０．５ボルト〜２．５ボルトであるが制御電圧が高い場合（発振周波数が高い場合）には容量値が小さくなり、しかも制御電圧に対する容量値の変化割合が小さくなる。逆に、制御電圧が低い場合（発振周波数が低い場合）には容量値が大きくなり、制御電圧に対する容量値の変化割合が大きくなる。
【００３１】
そこで、所定値以上の制御電圧を印加して発振周波数を高くした場合には、第１のスイッチトランジスタ４２ｄをオンとしたときのバイアス電圧をバラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードに印加することで、バイアス電圧の変化範囲を広くして発振周波数の温度補正を容易にし、補正範囲を拡大することができる。また、所定値以下の制御電圧を印加して発振周波数を低くした場合には、第２のスイッチトランジスタ４２ｄをオンとした場合のバイアス電圧をバラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードに印加することで、バイアス電圧の変化範囲を狭くして発振周波数の過度な温度補正を抑制し、補正範囲を拡大することができる。
【００３２】
また、集積回路３０内には、第１及び第２のスイッチトランジスタ４２ｄ、４２ｅをオン又はオフに切り替えるための切替制御回路４３とインバータ４４とが構成される。切替制御回路４３には受信チャンネルの周波数データＤが入力される。周波数データＤは、例えば、１０数ビットのデータからなり、受信チャンネルの周波数が高くなると上位のビットデータが順次０から１に変わるので、最上位のビットデータのみに着目してこれが０か又は１によって受信チャンネルの高低の判断が可能となる。
【００３３】
切替制御回路４３は周波数データの最上位のビットデータが０の時にはローの切替電圧を出力し、最上位のビットデータが１の時にはハイの切替電圧を出力する。ローの切替電圧によって第１のスイッチトランジスタ４２ｄはオフとなり、第２のスイッチトランジスタ４２ｅはインバータ４４を介して切替電圧が入力されるのでオンとなる。また、ハイの切替電圧によって第１のスイッチトランジスタ４２ｄはオンとなり、第２のスイッチトランジスタ４２ｅはオフとなる。すなわち、所定のチャンネルよりも周波数が低いチャンネルを受信する場合（従って、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂに印加される制御電圧が所定値以下の場合）には第２のスイッチトランジスタ４２ｅがオンし、所定のチャンネルよりも周波数が高いチャンネルを受信する場合（従って、バラクタダイオード３７ａ、３７ｂに印加される制御電圧が所定値以上の場合）には第１のスイッチトランジスタ４３ｄがオンする。
【００３４】
図３はバイアス電源４２の他の構成例を示す。第１の抵抗４２ａと第４の抵抗４２ｆとの一端は電源Ｂにプルアップされる。第２の抵抗４２ｂの一端は接地される。第１の抵抗４２ａの他端と第２の抵抗４２ｂの他端同士は接続され、その接続点にバラクタダイオード３７ａ、３７ｂのアノードが接続される。第４の抵抗４２ｆの他端は第３のスイッチトランジスタ４２ｇを介して第１の抵抗４２ａと第２の抵抗４２ｂとの接続点に接続される。そして、第３のスイッチトランジスタ４２ｇは制御電圧が所定値以上のときにオフ、所定値以下の時にオンとされて第１の抵抗４２ａと第４の抵抗４２ｆとが並列接続される。第３のスイッチトランジスタ４２ｇには切替制御回路４３及びインバータ４４を介して切替電圧が入力される。
【００３５】
並列接続された第１の抵抗４２ａと第４の抵抗４２ｇの合成抵抗値の温度係数は図１に示した第３の抵抗４２ｃの温度係数と同じ値となるように設定されるのが望ましい。こうすることによってスイッチトランジスタは１個で済む。
【００３６】
なお、温度係数の高い第１の抵抗４２ａ、第３の抵抗４２ｃは拡散抵抗によって構成され、第２の抵抗４２ｂはポリシリコン抵抗によって構成される。第４の抵抗４２ｆは拡散抵抗又はポリシリコン抵抗によって構成される。何れの抵抗も集積回路３０の製造プロセスで構成されるが、拡散抵抗はＰＮジャンクションを用いて形成され、ＰＮジャンクションに逆バイアスを印加したときの空乏層が温度によって拡大、縮小するので温度係数の大きな抵抗が形成できる。また、ポリシリコン抵抗はシリコン基盤の酸化膜の表面にポリシリコンで形成されるものであり、温度による抵抗値変化が少ない抵抗が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の発振回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の発振回路に使用するバイアス電源の温度特性図である。
【図３】本発明の発振回路に使用するバイアス電源の他の構成を示す回路図である。
【図４】従来の発振回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３８】
３０：集積回路
３０ａ、３０ｂ：外部接続端子
３１、３２：発振トランジスタ
３４〜３５：抵抗
３６：バイアス電源
３７：共振回路
３７ａ、３７ｂ：バラクタダイオード
３７ｃ、３７ｄ：インダクタンス素子
３７ｅ：容量素子
３８〜４１：結合コンデンサ
４２：バイアス電源
４２ａ：第１の抵抗
４２ｂ：第２の抵抗
４２ｃ：第３の抵抗
４２ｄ：第１のスイッチトランジスタ
４２ｅ：第２のスイッチトランジスタ
４２ｆ：第４の抵抗
４２ｇ：第３のスイッチトランジスタ
４３：切替制御回路
４４：インバータ
【図１】
2006295693.tif 000003
【図２】
2006295693.tif 000004
【図３】
2006295693.tif 000005
【図４】
2006295693.tif 000006