(57)【要約】【課題】優れた銅選択性を有し、微細なパターンの形成が容易である銅のエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】  Ｃｕ（ＮＨ3）4Ｘ2、及び、ＮＨ4Ｘ（ここで、Ｘはハロゲン元素である）を含む水溶液であって、含有されるＮＨ4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ3）4Ｘ2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ（ＮＨ3）4Ｘ2、及び、ＮＨ4Ｘ
（ここで、Ｘはハロゲン元素である）
を含む水溶液であって、含有されるＮＨ4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ3）4Ｘ2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする、銅のエッチング方法。
【請求項２】
前記エッチング液のｐＨを測定し、その結果に基づいて、前記エッチング液にアンモニア及びハロゲン化アンモニウムから成る補給液を添加することによって、該エッチング液のｐＨを6.5〜8.1の範囲に維持し、
前記補給液に含まれるハロゲン化アンモニウムのモル数は、アンモニウムのモル数の1.5倍以上であることを特徴とする、銅のエッチングを連続的に行うための請求項１に記載の銅のエッチング方法。
【請求項３】
前記ｐＨの維持は、さらに、ハロゲン化水素の添加、銅の溶解によるアンモニアの消費、又は、追加のハロゲン化アンモニウムの添加によっても行われる、請求項２に記載の銅のエッチング方法。
【請求項４】
前記エッチング液の比重を測定し、その結果に基づいて、前記エッチング液に水を加えることにより、該エッチング液の比重を一定に維持することを特徴とする、銅のエッチングを連続的に行うための請求項１〜３の何れか一項に記載の銅のエッチング方法。
【請求項５】
絶縁樹脂基板に銅薄膜を積層した銅張り積層板を準備する工程と、
該積層板上にアルカリ可溶性レジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンをマスクとして、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法により、前記銅薄膜を選択的にエッチング除去する工程と、
を具備する、銅の配線パターンを形成する方法。
【請求項６】
前記銅薄膜の下層に、銅以外の金属層が設けられていることを特徴とする、請求項５に記載の銅の配線パターンを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅のエッチング方法に関し、特に、配線基板の微細な配線パターンを形成するための銅のエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅-アンモニア錯体による銅のエッチングは古くから知られており、かつては広く行われていた。しかしながら、銅−アンモニア錯体によるエッチングは臭気が強く作業環境を悪化させる、アルカリ現像、剥離型のエッチングレジストが使えない、価格が高いなどの問題があり、今日では特殊な場合しか使用されなくなっている。
【０００３】
現在、広く行われている銅のエッチングは、塩化第二鉄、塩化第二銅の酸性エッチング液を用いた方法である。しかしながらこの方法は、銅以外の金属も腐食するため、銅のみを選択的にエッチングするためには、使用可能な金属が極めて限られている。また、装置に使用できる金属も限られ、高価な金属を使用せざるを得なかった。
【０００４】
また、塩化第二鉄、塩化第二銅による銅のエッチングでは、銅表面に水溶性の極めて低い塩化第一銅が生成することによって、エッチングの進行が阻害され、エッチング形状を悪化させる原因となっている。この対策として塩酸濃度を上げて塩化第一鉄、塩化第一銅の溶解を促す方法などがとられているが、充分な効果は得られていない。なお、塩酸濃度を上げると刺激臭が強くなり作業環境を悪化させる、レジスト密着性を低下させエッチング形状を不良にするなどの問題点も生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記問題に鑑み、本発明は、優れた銅選択性を有し、微細なパターンの形成が容易な銅のエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、Ｃｕ（ＮＨ3）4Ｘ2、及び、ＮＨ4Ｘ（ここで、Ｘはハロゲン元素である）を含む水溶液であって、含有されるＮＨ4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ3）4Ｘ2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする銅のエッチング方法を提供する。
【０００７】
さらに、本発明の一つの態様において、前記エッチング液のｐＨを測定し、その結果に基づいて、前記エッチング液にアンモニア及びハロゲン化アンモニウムから成る補給液を添加することによって、該エッチング液のｐＨを6.5〜8.1の範囲に維持し、前記補給液に含まれるハロゲン化アンモニウムのモル数は、アンモニウムのモル数の1.5倍以上であることを特徴とする、銅のエッチングを連続的に行うための、上記の銅のエッチング方法が提供される。ここで、前記ｐＨの維持は、さらにハロゲン化水素の添加、銅の溶解によるアンモニアの消費、又は、追加のハロゲン化アンモニウムの添加によっても行われてよい。
【０００８】
また、上記方法において、前記エッチング液の比重を測定し、その結果に基づいて、前記エッチング液に水を加えることにより、該エッチング液の比重を一定に維持することが好ましい。
【０００９】
さらに、本発明の一つの態様においては、絶縁樹脂基板に銅薄膜を積層した銅張り積層板を準備する工程と、該積層板上にアルカリ可溶性レジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法により、前記銅薄膜を選択的にエッチング除去する工程とを具備する、銅の配線パターンを形成する方法が提供される。前記銅薄膜の下層には、銅以外の金属層を設けることも可能である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に拠れば、銅−アンモニウム錯体を用い、エッチング液にハロゲン化アンモニウムを過剰に存在させることにより、アルカリ現像、剥離型エッチングレジストが使用でき、微細パターンの形成が容易であり、さらに優れた銅選択性を有する銅のエッチング方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、銅−アンモニウム錯体を用いて銅のエッチングを行う方法である。銅-アンモニウム錯体による銅エッチングの問題点は、アルカリ型エッチングレジストが使用できないこと、臭気が強いことなどであるが、これらの問題を解決する手段としては、ｐＨを低く抑えればよいことは容易に推測される。しかし、上記問題が回避される程度までｐＨを下げると、沈殿物が生成し、エッチレートの低下、エッチングむら、スプレーノズル、フィルターの詰まりなどの問題点が生じるため、実施は不可能であった。
【００１２】
銅−アンモニア錯体を用いた銅のエッチングは、下式（１）で表される。
【００１３】
Ｃｕ＋Ｃｕ（ＮＨ３）４Ｘ２→2Ｃｕ（ＮＨ３）２Ｘ            (1)
エッチングにより生成した第一銅Ｃｕ（ＮＨ3）2Ｘは、空気酸化することにより、銅−アンモニア錯体Ｃｕ（ＮＨ3）4Ｘ2に再生する。これは、下式（２）のように表される。
【００１４】
2Ｃｕ（ＮＨ3）2Ｃｌ＋2ＮＨ3＋2ＮＨ4Ｃｌ＋1/2Ｏ2→2Ｃｕ（ＮＨ3）4Ｃｌ2＋Ｈ2Ｏ    (2)
この反応は銅の２倍モルのアンモニア、ハロゲン化アンモニウムを必要とする。
【００１５】
しかしながら本発明は、エッチング液としてＣｕ（ＮＨ3）4Ｘ2、及び、ＮＨ4Ｘを含む水溶液であって、含有されるＮＨ4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ3）4Ｘ2のモル数よりも多く、さらに、ｐＨが8.1以下である水溶液を使用することによって、アルカリ現像、剥離型エッチングレジストが使用可能であり、臭気が弱く且つ沈殿物の生成が抑制された銅エッチングを可能とした。ここで、Ｘはハロゲン元素を表し、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が使用できる。
【００１６】
このように、驚くべきことに本発明によれば、ハロゲン化アンモニウムを過剰に存在させることによって、エッチング液のｐＨを下げることができ、また沈殿物の生成を抑えることができる。ｐＨを下げることによって、アルカリ現像、剥離型レジストの使用などが可能となり、またアンモニアの蒸気が減少するために臭気を減らし、作業環境を良好にすることができる。
【００１７】
エッチング液のｐＨは、6.5〜8.1の範囲であることが好ましく、特に7.0〜7.7の範囲であることがより好ましい。
【００１８】
エッチング液のアンモニウム錯体の濃度は0.05〜1.5 mol/Lの範囲にあることが好ましく、ハロゲン化アンモニウムのモル濃度はアンモニウム錯体のモル濃度よりも高いことが好ましい。
【００１９】
本発明で使用する銅-アンモニウム錯体は、ハロゲン化第二銅とアンモニアを反応させて得られる。混合方法は、アンモニア水溶液にハロゲン化第二銅を加える方法が好適に用いられるが、これに限定されない。
【００２０】
本発明のエッチング液は、この銅−アンモニウム錯体にハロゲン化アンモニウムを加えて調製される。また例えば、ハロゲン化第二銅とアンモニアを混合する際、アンモニアを過剰に加えておき、ハロゲン化水素の水溶液を加えてエッチング液を調製してもよい。
【００２１】
さらに本発明は一つの態様において、上記のようなエッチング液を用いて銅のエッチングを連続的に行う方法を提供する。本態様では、銅のエッチングを連続的に行うために、上式（２）の反応を行うための補給液を加え、エッチング液の組成を一定に維持する。この補給液は、アンモニア及びハロゲン化アンモニウムからなり、ハロゲン化アンモニウムは、アンモニアの1.5倍モル以上含まれることが好ましい。
【００２２】
また、補給液の組成は、エッチングにより銅が溶解して生成した第一銅が酸化されて、第二銅の錯体に再生したとき、エッチング前と同じ組成になるよう調製される。
【００２３】
補給液は、エッチング液のｐＨを測定した結果に基づき、エッチング液のｐＨが6.5〜8.1、好ましくは7.0〜7.7の範囲に維持されるように添加する。
【００２４】
ｐＨは、沈殿が生じない程度まで下げることができるが、沈殿が生成するｐＨはハロゲン化アンモニウムの添加量により異なる。エッチング液のｐＨの調整は、ハロゲン化水素を加える、銅を溶解しアンモニアを消費する、又はハロゲン化アンモニウムを加えることによって行ってもよく、またこれらの方法を組み合わせてもよい。
【００２５】
ｐＨの測定方法は一般に使用されているガラス電極による方法でよく、ガラス電極の発生電位をｍＶ表示しても良い。なお、本発明ではｐＨを低く抑えているので、ガラス電極の寿命を著しく延ばすことができる。
【００２６】
さらに本発明の一つの態様では、エッチング液の比重を測定し、その結果に基づいてエッチング液に水を加え、エッチング液の比重を一定に維持する。水の蒸発による比重の変化はエッチング特性、ｐＨの指示値に影響を与えるため、比重を測定し、その結果に応じて水を供給することにより、より精度の高いエッチングを連続的に行うことが可能である。
【００２７】
このように、本発明の一つの態様に従えば、エッチング液のｐＨ、比重を測定して液組成を制御することによって、連続的に銅エッチングを行うことが可能である。
【００２８】
なお、本発明によれば、塩化銅の使用は健浴時のみでよく、その後の供給液はアンモニアとハロゲン化アンモニウムからなる補給液のみでよく、通常は液交換を必要とせずに連続的にエッチング可能なため、経済的にも優れている。
【００２９】
また、本発明のエッチング液においては、上式（２）で表される空気酸化による再生反応は極めて早く、スプレータイプのエッチング装置では通常のエッチング操作で充分な再生が行われ、特別な酸化装置は必要としない。しかしながら、短時間で大量のエッチング処理を行い、さらに、微細パターンの形成が必要な場合は、空気酸化により第一銅イオンを第二銅イオンに戻す酸化促進装置を使用することが好ましい。酸化装置は、充填塔型、シャワー塔型、ガス吹き込み型などいずれでもよく、これらの複合型でもよい。
【００３０】
エッチングの処理温度は、温度制御性、装置材質、エッチング液からの水の蒸発量等を考慮し、２０〜７０℃であるのが好ましく、３０〜６０℃とするのがより好ましい。
【００３１】
処理圧力は高い方がエッチング形状を良好にできるが、装置材質、エッチングレジストに対する影響などを考慮し、0.02〜1.0ＭＰａが好ましく、0.05〜0.7ＭＰａであることがより好ましい。
【００３２】
なお、エッチングは、材料の板厚、製品形状によっては、浸漬法により行ってもよい。
【００３３】
さらに他の態様において、本発明は、銅の配線パターンを形成する方法を提供する。この方法は、絶縁樹脂基板に銅薄膜を積層した銅張り積層板を準備し、該積層板上にアルカリ可溶性レジストのパターンを形成する。次いで、該レジストパターンをマスクとして、上記したようなエッチング方法によって銅薄膜を選択的にエッチング除去する。
【００３４】
ここでアルカリ可溶性レジストとは、アルカリ性水溶液を用いて現像するタイプのレジストであり、例えば感光性材料（キノンジアジド系化合物）およびフェノール系樹脂が有機溶剤中に含まれるフォトレジストなどを用いてもよいが、これらに限定されない。また、例えばＡＦ−２２５（東京応化から販売）又はＰＥＲ−２０（太陽インキから販売）等の市販のレジストを用いてもよい。
【００３５】
本態様によれば、プリント配線版の回路形成、精密部品作成などの微細なパターンを容易に、且つ高精度で形成することが可能である。
【００３６】
以上記載したように、本発明の方法によれば、銅−アンモニウム錯体を用いたエッチング液を使用することによって、優れた銅選択性を有するために、銅以外の金属を溶解せずにエッチングすることが可能であり、装置に使用できる金属材料を広範囲の種類のなかから選択できる。よって、銅薄膜の下層に、銅以外の金属層を設けることも可能であり、特に、ｐＨを低くすることでアルミニウムを使用することも可能である。
【００３７】
また、エッチング液の比重が軽いために、微細なパターンを形成させることも容易である。さらに、ｐＨが低いことに加えて、ハロゲン化アンモニウムを加えて塩濃度を高くすることで、レジストの耐久性を高めることができる。
【００３８】
さらに、本発明の方法は、銅表面の清浄化または粗面化などにも用いることができる。
【実施例】
【００３９】
以下に、本発明の実施例及び比較例を記載する。
【００４０】
[実施例１]
塩化第二銅・２水和物100ｇ、28%アンモニア145ｇ、塩化アンモニウム38ｇを水に溶解し、総量１リットルのエッチング液を調製した。なお、銅-アンモニウム錯体の濃度は0.59モル/リットル、塩化アンモニウムは0.71モル/リットルである。20％塩酸を加えｐＨを7.7としたが濁りや、沈殿物は生成しなかった。
【００４１】
銅箔厚さ18μｍの両面板にアルカリ現像型ドライフィルム（東京応化製ＡＦ−２２５）でパターン形成を行ったサンプル板を、上記で調製したエッチング液に４５℃で浸漬処理した。６分間でエッチングが終了した。エッチング処理後のドライフィルムの損傷は確認されなかった。また、エッチング液の臭気はわずかであった。
【００４２】
[実施例２]
銅箔厚さ18μｍの両面板にアルカリ現像型液体レジスト（太陽インキ製ＰＥＲ−２０）でパターン形成を行ったサンプル板を、実施例１のエッチング液で同様に処理した。６分間でエッチングが終了した。エッチング処理後、液体レジストの損傷は確認されなかった。
【００４３】
[実施例３]
実施例１と同様の処理を行った。但し、エッチング液に含まれる銅-アンモニウム錯体の濃度は1.20モル/リットル、塩化アンモニウムは1.50モル/リットルであった。実施例１と同様に、エッチング処理後のドライフィルムの損傷は確認されなかった。
【００４４】
[実施例４]
実施例１と同様の処理を行った。但し、塩化第二銅に代わって臭化第二銅を用い、また臭化アンモニウム、アンモニアを使用した。実施例１と同様に、エッチング処理後のドライフィルムの損傷は確認されなかった。
【００４５】
[比較例１]
塩化第二銅・２水和物１００ｇ、２８％アンモニア145ｇ、塩化アンモニウム25ｇを水に溶解し、総量１リットルのエッチング液を調製した。銅-アンモニウム錯体の濃度は0.59モル/リットル、塩化アンモニウムは0.47モル/リットルである。20％塩酸を加えｐＨ8.4にしたところ沈殿が生成した。
【００４６】
調製したエッチング液を用いて、実施例１、実施例２のサンプル板を実施例と同様に処理したところ、２分間で両者ともにレジストが剥離したため、エッチング処理を中断した。
【００４７】
以上の結果を表１に示す。
【表１】
2006080342.tif 000002
【００４８】
上記の比較例から、エッチング液に含有されるハロゲン化アンモニウム濃度が銅−アンモニウム錯体の濃度より低い場合、ｐＨが高くなり、且つ、ｐＨ８.４でも沈殿が生じることが明らかになった。このようなエッチング液では、レジストが損傷し、エッチングが完了できないことが示された。
【００４９】
一方、本発明に従ったエッチング液を用いた実施例では、エッチング液に含有されるハロゲン化アンモニウムが、銅−アンモニウム錯体より過剰であることによって、ｐＨが低下されるとともに、ｐＨが６.５でも沈殿が生成しなかった。また、レジストの損傷も確認されなかった。
【００５０】
[実施例５]
有効エッチング長さ0.45ｍ、液保有量100リットルのエッチャーを使用してエッチングを行った。塩化第二銅・２水和物10.0ｋｇ、塩化アンモニウム6.0ｋｇを水60リットルに溶解し、25％アンモニア水16.2ｋｇを加え攪拌した。次いで、水を加えて全量100リットルのエッチング液を調製した。ｐＨは8.7であった。
【００５１】
銅を溶解し、またエッチング液をスプレーすることによって、エッチング液のｐＨを8.1まで低下させた。このエッチング液の臭気は極めて弱いものであった。
【００５２】
調製したエッチング液を用い、５００ｍｍ×３５０ｍｍの基板を、継続して５枚エッチング処理した。銅箔厚さは18μｍ、レジスト線幅は40μｍ、線間は20μｍである。レジストは実施例１と同じものを使用した。
【００５３】
エッチング条件は温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、コンベア速度0.52ｍ/分とした。処理後の基板について回路ボトム幅を測定したところ30μｍあった。
【００５４】
また、下式で算出するエッチファクター（数字が大きいほど良い）は6.5であった。
【００５５】
エッチファクター＝銅箔厚さ／0.5×（ボトム幅−トップ幅）
[比較例２]
実施例５と同じエッチャーを使用しエッチングを行った。
【００５６】
エッチング液は塩化第二鉄（比重1.40）：35％塩酸＝100容量：５容量の混合液を使用し、エッチング条件は実施例５に準じた。
【００５７】
回路幅30μｍのエッチファクターを算出したところ4.2であった。
【００５８】
[実施例６]
実施例５のエッチャーにエッチング液制御装置、酸化促進装置を取り付けた。その略図を図１に示した。
【００５９】
実施例５終了時のエッチング液（ｐＨ7.7）をそのまま使用し、銅厚さ18〜42μｍ、アルカリ現像型ドライフィルムでレジストパターンを形成した両面版および片面版を、エッチング液制御装置を稼動して連続的にエッチング処理した。処理温度は40℃、圧力0.2、コンベア速度は銅箔厚さ、パターン形状によって逐次変更した。
【００６０】
制御設定値はｐＨ7.70、比重1.085とした。自動補給した補給液のアンモニア濃度は19.6ｇ／リットル、塩化アンモニウム濃度は123ｇ／リットルである。また、1501〜2000枚処理時には酸化促進装置を稼動させて行った。
【００６１】
銅濃度、第一銅濃度、ｐＨ、比重の測定を行った結果を表２に示す。
【表２】
2006080342.tif 000003
【００６２】
表２から、液組成が一定であったことが示された。また、酸化促進装置を稼動させると第一銅濃度が低く制御されることが示された。これは、上式（２）の酸化反応が促進されたためであると考えられる。
【００６３】
また、2000枚を処理した結果は良好であり、エッチングに関わる不良は発生しなかった。
【００６４】
[実施例７]
銅箔厚さ18μｍ／絶縁層／アルミニウム0.5ｍｍで構成されるアルミ基板を実施例１と同様に処理した。レジストおよびアルミニウムの損傷はなく、５分３０秒でエッチングを終了した。
【００６５】
[比較例３]
比較例２のエッチング液を使用し、実施例７のアルミ基板を処理した。アルミニウムとエッチング液が激しく反応し、水素が発生したため、エッチング処理を中断した。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明を実施するための装置の一例
【符号の説明】
【００６７】
１…エッチャー、２…ｐＨ／比重検出部、３…補給液貯槽、４…酸化促進装置、５…補給液送りポンプ（貯槽−エッチャー）、６…エッチング液送りポンプ、７…スプレーポンプ、８…エッチング液送りポンプ（エッチャー−酸化促進装置）、９…シャワーポンプ、１０…水供給用電磁弁、１１…エッチング液送り配管、１２…エッチング液戻り配管、１３…補給液送り配管、１４…オーバーフロー配管、１５…エッチング液送り配管、１６…エッチング液戻り配管、１７…空気送入配管、１８…排気配管、１９…エッチング液送り配管、２０…比重に関わる制御信号用配線、２１…ｐＨに関わる制御信号用配線。
【図１】
2006080342.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ（ＮＨ3）4Ｘ2、及び、ＮＨ4Ｘ
（ここで、Ｘはハロゲン元素である）
を含む水溶液であって、含有されるＮＨ4Ｘのモル数がＣｕ（ＮＨ3）4Ｘ2のモル数よりも多く、且つ、ｐＨが6.5〜8.1である水溶液をエッチング液として使用することを特徴とする、銅のエッチング方法。
【請求項２】
前記エッチング液のｐＨを測定し、その結果に基づいて、前記エッチング液にアンモニア及びハロゲン化アンモニウムから成る補給液を添加することによって、該エッチング液のｐＨを6.5〜8.1の範囲に維持し、
前記補給液に含まれるハロゲン化アンモニウムのモル数は、アンモニアのモル数の1.5倍以上であることを特徴とする、銅のエッチングを連続的に行うための請求項１に記載の銅のエッチング方法。
【請求項３】
前記ｐＨの維持は、さらに、ハロゲン化水素の添加、銅の溶解によるアンモニアの消費、又は、追加のハロゲン化アンモニウムの添加によっても行われる、請求項２に記載の銅のエッチング方法。
【請求項４】
前記エッチング液の比重を測定し、その結果に基づいて、前記エッチング液に水を加えることにより、該エッチング液の比重を一定に維持することを特徴とする、銅のエッチングを連続的に行うための請求項１〜３の何れか一項に記載の銅のエッチング方法。
【請求項５】
絶縁樹脂基板に銅薄膜を積層した銅張り積層板を準備する工程と、
該積層板上にアルカリ可溶性レジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンをマスクとして、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法により、前記銅薄膜を選択的にエッチング除去する工程と、
を具備する、銅の配線パターンを形成する方法。
【請求項６】
前記銅薄膜の下層に、銅以外の金属層が設けられていることを特徴とする、請求項５に記載の銅の配線パターンを形成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、本発明の一つの態様において、前記エッチング液のｐＨを測定し、その結果に基づいて、前記エッチング液にアンモニア及びハロゲン化アンモニウムから成る補給液を添加することによって、該エッチング液のｐＨを6.5〜8.1の範囲に維持し、前記補給液に含まれるハロゲン化アンモニウムのモル数は、アンモニアのモル数の1.5倍以上であることを特徴とする、銅のエッチングを連続的に行うための、上記の銅のエッチング方法が提供される。ここで、前記ｐＨの維持は、さらにハロゲン化水素の添加、銅の溶解によるアンモニアの消費、又は、追加のハロゲン化アンモニウムの添加によっても行われてよい。