(57)【要約】【課題】  圧電方式のインクジェットプリントヘッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】  互いに接合される三つの単結晶のシリコン基板上に具現され，上部基板には，インクインレット及び複数の圧力チャンバが形成され，中間基板には，インクインレットに連結されるマニホールド，複数のリストリクタ及び複数のダンパが形成され，下部基板には，インクを吐出するための複数のノズルが貫通形成され，上部基板上には，複数の圧力チャンバそれぞれにインクの吐出のための駆動力を提供する圧電アクチュエータが形成され，中間基板には，マニホールドの下部に形成されてマニホールドの内圧の変化を緩和させるダンピングメンブレインが設けられ，中間基板の底面及び下部基板の上面のうち少なくとも一面には，ダンピングメンブレインの下部に位置するようにキャビティが形成される圧電方式のインクジェットプリントヘッドである。【選択図】    図５
2006224672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクが導入されるインクインレットが貫通形成され，その底面には吐出されるインクが充填される複数の圧力チャンバが形成された上部基板と，
前記上部基板の底面に接合され，その上面には，前記インクインレットと連結されるマニホールド，及び前記マニホールドと前記複数の圧力チャンバそれぞれの一端部を連結する複数のリストリクタが形成され，前記複数の圧力チャンバそれぞれの他端部に対応する位置に複数のダンパが貫通形成された中間基板と，
前記中間基板の底面に接合され，前記複数のダンパに対応する位置にインクを吐出するための複数のノズルが貫通形成された下部基板と，
前記上部基板上に形成されて前記複数の圧力チャンバそれぞれにインクの吐出のための駆動力を提供する圧電アクチュエータと，を備え，
前記中間基板には，前記マニホールドの下部に形成されて前記マニホールドの内圧の変化を緩和させるダンピングメンブレインが設けられ，
前記中間基板の底面及び前記下部基板の上面のうち少なくとも一面には，前記ダンピングメンブレインの下部に位置するようにキャビティが形成される
ことを特徴とする圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項２】
前記ダンピングメンブレインは，１０μｍ〜２０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項３】
前記キャビティは，前記中間基板の底面と前記下部基板の上面のうち少なくとも一面のエッジまで延びて，外部と連通されるように形成されることを特徴とする，請求項１または２に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項４】
前記キャビティは，前記マニホールドの幅と実質的に同一であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項５】
前記キャビティは，前記マニホールドの幅より広いことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項６】
前記上部基板は，第１シリコン層，中間酸化膜及び第２シリコン層が順次に積層された構造を有するＳＯＩウェーハからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項７】
前記第１シリコン層に前記複数の圧力チャンバが形成され，前記第２シリコン層が前記圧電アクチュエータの駆動により反り変形される振動板としての役割を行うことを特徴とする請求項６に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項８】
前記マニホールドは，一方向に長く形成され，前記複数の圧力チャンバは，前記マニホールドの両側に２列に配列されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項９】
前記マニホールドの内部に，その長手方向に延びた隔壁が形成されることを特徴とする請求項８に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項１０】
前記キャビティの内部に，その長手方向に延びた支持壁が前記隔壁に対応して形成されることを特徴とする請求項９に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項１１】
前記圧電アクチュエータは，
前記上部基板上に形成される下部電極と，
前記下部電極上に，前記複数の圧力チャンバそれぞれの上部に位置するように形成される圧電膜と，
前記圧電膜上に形成されて前記圧電膜に電圧を印加するための上部電極と，
を備えることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項１２】
前記複数のノズルの各々は，
前記下部基板の上面から所定の深さに形成されるインク導入部と，
前記下部基板の底面から前記インク導入部と連通されるように形成されるインク吐出口と，
を備えることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッド。
【請求項１３】
（イ）シリコンウェーハからなる上部基板，中間基板及び下部基板を準備する工程と，
（ロ）準備された前記上部基板を微細加工して，インクが導入されるインクインレット，及び吐出されるインクが充填される複数の圧力チャンバを形成する工程と，
（ハ）準備された前記中間基板を微細加工して，その上面に前記インクインレットと連結されるマニホールド，及び前記マニホールドと前記複数の圧力チャンバそれぞれの一端部を連結する複数のリストリクタを形成し，前記複数の圧力チャンバそれぞれの他端部に対応する位置に複数のダンパを貫通形成する工程と，
（ニ）準備された前記下部基板を微細加工して，インクを吐出するための複数のノズルを形成する工程と，
（ホ）前記下部基板，中間基板及び上部基板を順次に積層して互いに接合する工程と，
（ヘ）前記上部基板上にインクの吐出のための駆動力を提供する圧電アクチュエータを形成する工程と，を含み，
前記（ハ）工程及び（ニ）工程のうち少なくとも一つの工程で，前記中間基板の底面及び前記下部基板の上面のうち少なくとも一面に所定深さのキャビティを形成しつつ，前記マニホールドと前記キャビティとの間に，前記マニホールドの内圧の変化を緩和させる所定厚さのダンピングメンブレインを形成することを特徴とする圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記ダンピングメンブレインは，１０μｍ〜２０μｍの厚さを有するように形成されることを特徴とする請求項１３に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記キャビティは，前記中間基板及び下部基板をなすシリコンウェーハのうち少なくとも一つのエッジまで延びて，外部と連通されるように形成されることを特徴とする請求項１３または１４に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記キャビティは，前記マニホールドの幅と実質的に同一に形成されることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記キャビティは，前記マニホールドの幅より広く形成されることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記中間基板及び下部基板それぞれに，前記接合工程での整列基準として利用される整列マークが形成され，
前記キャビティは，前記中間基板及び下部基板のうち少なくとも一つに形成される前記整列マークと共に形成されることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記中間基板の底面及び前記下部基板の上面のうち少なくとも一面にシリコン酸化膜を形成する工程と，
前記シリコン酸化膜上にフォトレジストを塗布した後，それをパターニングして前記キャビティ及び整列マークを形成するための開口部を形成する工程と，
前記開口部を通じて露出された前記シリコン酸化膜をエッチングする工程と，
前記エッチングにより露出された前記少なくとも一面を所定深さにエッチングして，前記キャビティ及び整列マークを形成する工程と，
を含むことを特徴とする請求項１８に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２０】
前記（ハ）工程で，前記マニホールドは，一方向に長く形成され，
前記（ロ）工程で，前記複数の圧力チャンバは，前記マニホールドの両側に２列に配列されるように形成されることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２１】
前記（ハ）工程で，前記マニホールドの内部にその長手方向に延びた隔壁を形成することを特徴とする請求項２０に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２２】
前記キャビティを形成するとき，前記キャビティの内部にその長手方向に延びた支持壁を前記隔壁に対応して形成することを特徴とする請求項２１に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２３】
前記（イ）工程で，前記上部基板として第１シリコン層，中間酸化膜及び第２シリコン層が順次に積層された構造を有するＳＯＩウェーハを準備することを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２４】
前記（ロ）工程で，前記複数の圧力チャンバは，前記中間酸化膜をエッチング停止層として前記第１シリコン層をエッチングすることによって形成されることを特徴とする請求項２３に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２５】
前記（ニ）工程で，前記複数のノズルそれぞれは，前記下部基板の上面から所定深さに形成されるインク導入部と，前記下部基板の底面から前記インク導入部と連通されるように形成されるインク吐出口と，を備えることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２６】
前記（ホ）工程で，前記三つの基板間の接合は，シリコン直接接合方法により行われることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【請求項２７】
前記（ヘ）工程は，
前記上部基板上に下部電極を形成する工程と，
前記下部電極上に圧電膜を形成する工程と，
前記圧電膜上に上部電極を形成する工程と，
前記圧電膜に電界を加えて圧電特性を発生させるポーリング工程と，を含むことを特徴とする請求項１３〜１７のうちいずれか一項に記載の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，インクジェットプリントヘッドに係り，特にインクの吐出時にクロストークを抑制できる構造を有する圧電方式のインクジェットプリントヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に，インクジェットプリントヘッドは，印刷用インクの微小な液滴を記録媒体上の所望の位置に吐出させて所定色相の画像に印刷する装置である。このようなインクジェットプリントヘッドは，インクの吐出方式によって二つに大別されうる。その一つは，熱源を利用してインクにバブルを発生させて，そのバブルの膨張力によりインクを吐出させる熱駆動方式のインクジェットプリントヘッドであり，他の一つは，圧電体を使用してその圧電体の変形によりインクに加えられる圧力によりインクを吐出させる圧電方式のインクジェットプリントヘッドである。
【０００３】
圧電方式のインクジェットプリントヘッドの一般的な構成を，図１に示す。図１に示すように，流路形成板１の内部には，インク流路をなすマニホールド２，リストリクタ３，圧力チャンバ４及びノズル５が形成されており，流路形成板１の上部には，圧電アクチュエータ６が設けられている。マニホールド２は，インク保存庫（図示せず）から流入されたインクを各圧力チャンバ４に供給する通路であり，リストリクタ３は，マニホールド２から圧力チャンバ４にインクが流入される通路である。圧力チャンバ４は，吐出されるインクが充填される所であって，圧電アクチュエータ６の駆動によりその体積が変化することによって，インクの吐出または流入のための圧力変化を生成する。そして，圧力チャンバ４の上部壁は，圧電アクチュエータ６により変形される振動板１ａの役割を行う。
【０００４】
上述の構成を有する従来の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの動作を説明する。圧電アクチュエータ６の駆動により振動板１ａが変形すると，圧力チャンバ４の体積が減少し，それによる圧力チャンバ４内の圧力変化により，圧力チャンバ４内のインクは，ノズル５を通じて外部に吐出される。次いで，圧電アクチュエータ６の駆動により振動板１ａが本来の形態に復元されると，圧力チャンバ４の体積が増加し，これによる圧力変化により，インクがマニホールド２からリストリクタ３を通じて圧力チャンバ４内に流入される。
【０００５】
しかし，従来のインクジェットプリントヘッドにおいて，流路形成板１は，主にセラミック材料，金属材料または合成樹脂材料からなる複数の薄板をそれぞれ加工して上述のインク流路の部分を形成した後，それらの複数の薄板を積層して接合することによって形成される。このようにプリントヘッドを構成する薄板が多い場合には，プリントヘッドの製造過程で薄板を整列させる工程が多くなり，これにより，薄板の間の整列誤差も大きくなるという短所がある。整列誤差が発生すると，インク流路を通じたインクの流れが円滑でなくなり，プリントヘッドのインク吐出性能を低下させる。特に，解像度の向上のために，プリントヘッドを高密度に製作する最近の趨勢によって，上述の整列工程での精密度の向上はさらに要求され，製品の価格上昇につながる。
【０００６】
そして，プリントヘッドをなす複数の薄板が相異なる材料で相異なる方法により製造されるので，その製造工程の複雑性及び異種材料間の接合の困難性は，製品の収率を低下させる。また，複数の薄板が製造過程で正確に整列されて接合されたとしても，使用中に周囲の温度の変化によって，異種材料間の熱膨張係数の差による整列誤差または変形が発生する恐れがあるという問題点もある。
【０００７】
そこで，本件出願人は，上述の問題点を解消できる構造を有する圧電方式のインクジェットプリントヘッドを提案した。図２及び図３は，本件出願人により以前に出願された特許文献１に開示されたインクジェットプリントヘッドを示す図面である。
【０００８】
図２及び図３に示したインクジェットプリントヘッドは，三つのシリコン基板３０，４０，５０が積層されて接合された構造を有する。三つの基板３０，４０，５０のうち上部基板３０の底面には，所定の深さの圧力チャンバ３２が形成されており，その一側には，インク保存庫（図示せず）と連結されたインクインレット３１が貫通形成されている。圧力チャンバ３２は，中間基板４０に形成されたマニホールド４１の両側に２列に配列されている。そして，上部基板３０の上面には，圧力チャンバ３２にインクの吐出のための駆動力を提供する圧電アクチュエータ６０が形成されている。中間基板４０には，インクインレット３１と連結されるマニホールド４１が形成されており，このマニホールド４１の両側に複数の圧力チャンバ３２それぞれと連結されるリストリクタ４２が形成されている。マニホールド４１の内部には，マニホールド４１の両側に配列された圧力チャンバ３２の相互間のクロストークを防止するための隔壁４４が形成されている。また，中間基板４０には，上部基板３０に形成された圧力チャンバ３２に対応する位置にダンパ４３が垂直に貫通形成されている。そして，下部基板５０には，ダンパ４３と連結されるノズル５１が形成されている。
【０００９】
上述のように，図２及び図３に示したインクジェットプリントヘッドは，三つのシリコン基板３０，４０，５０が積層された形態に構成されることによって，従来のインクジェットプリントヘッドに比べて基板の数が減少してその製造工程が比較的簡単になり，複数の基板の積層工程で発生する誤整列の問題点が減少するという長所がある。
【００１０】
しかし，圧電アクチュエータ６０の駆動により圧力チャンバ３２の上部の振動板３３が変形すると，ノズル５１を通じてインクが吐出され，これと共にリストリクタ４２を通じてマニホールド４１側へのインクの逆流も発生する。このようなインクの逆流により，マニホールド４１の内圧が不均一に上昇する。一方，振動板３３が本来の状態に復元されると，マニホールド４１からリストリクタ４２を通じた圧力チャンバ３２へのインクの急激な流動が発生して，マニホールド４１の内圧が不均一に下降する。このようなマニホールド４１の内圧の急激かつ不均一な上昇及び下降は，隣接した圧力チャンバ３２にも影響を及ぼし，これにより圧力チャンバ３２の間のクロストークを発生させる。一方，マニホールド４１の内部に形成された隔壁４４は，マニホールド４１の両側に配列された圧力チャンバ３２の相互間のクロストークは防止できるが，マニホールド４１の一側に１列に配列された圧力チャンバ３２の相互間のクロストークは防止できない。
【００１１】
上述のように，インクの吐出時にクロストークが発生する場合には，インクの吐出速度や吐出される液滴の体積によって偏差が発生するという問題点がある。
【００１２】
図４は，図２及び図３に示したインクジェットプリントヘッドにおいて，単一ノズルの駆動時のインクの吐出速度と複数ノズルの同時駆動時のインクの吐出速度との偏差を示す図面である。
【００１３】
図４に示すように，一つのノズルを通じてインクが吐出されるときには，隣接したノズルとの間にクロストークがほとんど発生しないので，図４の左側に示したように，吐出されるインク液滴は，実線で表示された所望の位置に達する。しかし，インクが複数のノズルを通じて同時に吐出されるときには，上述したようにクロストークが発生して，図４の右側に示したように，インク液滴が実線で表示された所望の位置から外れる。これは，単一ノズルの駆動時のインクの吐出速度と複数ノズルの同時駆動時のインクの吐出速度との偏差が発生したためである。
【００１４】
このように，インクの吐出時にクロストークが発生する場合には，均一なインク吐出性能が得られないので，印刷品質が低下するという問題点が発生する。
【００１５】
【特許文献１】韓国公開特許第２００３−００５０４７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，インクの吐出時にクロストークを抑制できる圧電方式のインクジェットプリントヘッド及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，インクが導入されるインクインレットが貫通形成され，その底面には吐出されるインクが充填される複数の圧力チャンバが形成された上部基板と，上部基板の底面に接合され，その上面には，インクインレットと連結されるマニホールド，及びマニホールドと複数の圧力チャンバそれぞれの一端部を連結する複数のリストリクタが形成され，複数の圧力チャンバそれぞれの他端部に対応する位置に複数のダンパが貫通形成された中間基板と，中間基板の底面に接合され，複数のダンパに対応する位置にインクを吐出するための複数のノズルが貫通形成された下部基板と，上部基板上に形成されて複数の圧力チャンバそれぞれにインクの吐出のための駆動力を提供する圧電アクチュエータと，を備え，中間基板には，マニホールドの下部に形成されてマニホールドの内圧の変化を緩和させるダンピングメンブレインが設けられ，中間基板の底面及び下部基板の上面のうち少なくとも一面には，ダンピングメンブレインの下部に位置するようにキャビティが形成されることを特徴とする圧電方式のインクジェットプリントヘッドが提供される。
【００１８】
上記ダンピングメンブレインは，実質的に１０μｍ〜２０μｍほどの厚さを有していてもよい。
【００１９】
上記キャビティは，中間基板の底面と下部基板の上面のうち少なくとも一面のエッジまで延びて，外部と連通されるように形成されていてもよい。
【００２０】
上記キャビティは，マニホールドの幅と実質的に同一であってもよい。また，上記キャビティは，マニホールドの幅より広くてもよい。
【００２１】
上記上部基板は，第１シリコン層，中間酸化膜及び第２シリコン層が順次に積層された構造を有するＳＯＩウェーハからなるようにしてもよい。
【００２２】
上記第１シリコン層に複数の圧力チャンバが形成され，第２シリコン層が圧電アクチュエータの駆動により反り変形される振動板としての役割を行うようにしてもよい。
【００２３】
上記マニホールドは，一方向に長く形成され，複数の圧力チャンバは，マニホールドの両側に２列に配列されてもよい。
【００２４】
上記マニホールドの内部に，その長手方向に延びた隔壁が形成されてもよい。
【００２５】
上記キャビティの内部に，その長手方向に延びた支持壁が隔壁に対応して形成されてもよい。
【００２６】
上記圧電アクチュエータは，上部基板上に形成される下部電極と，下部電極上に，複数の圧力チャンバそれぞれの上部に位置するように形成される圧電膜と，圧電膜上に形成されて圧電膜に電圧を印加するための上部電極と，を備えていてもよい。
【００２７】
上記複数のノズルの各々は，下部基板の上面から所定の深さに形成されるインク導入部と，下部基板の底面からインク導入部と連通されるように形成されるインク吐出口と，を備えていてもよい。
【００２８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，（イ）シリコンウェーハからなる上部基板，中間基板及び下部基板を準備する工程と，（ロ）準備された上部基板を微細加工して，インクが導入されるインクインレット，及び吐出されるインクが充填される複数の圧力チャンバを形成する工程と，（ハ）準備された中間基板を微細加工して，その上面にインクインレットと連結されるマニホールド，及びマニホールドと複数の圧力チャンバそれぞれの一端部を連結する複数のリストリクタを形成し，複数の圧力チャンバそれぞれの他端部に対応する位置に複数のダンパを貫通形成する工程と，（ニ）準備された下部基板を微細加工して，インクを吐出するための複数のノズルを形成する工程と，（ホ）下部基板，中間基板及び上部基板を順次に積層して互いに接合する工程と，（ヘ）上部基板上にインクの吐出のための駆動力を提供する圧電アクチュエータを形成する工程と，を含み，（ハ）工程及び（ニ）工程のうち少なくとも一つの工程で，中間基板の底面及び下部基板の上面のうち少なくとも一面に所定深さのキャビティを形成しつつ，マニホールドとキャビティとの間に，マニホールドの内圧の変化を緩和させる所定厚さのダンピングメンブレインを形成することを特徴とする圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法が提供される。
【００２９】
上記ダンピングメンブレインは，実質的に１０μｍ〜２０μｍほどの厚さを有するように形成されてもよい。
【００３０】
上記キャビティは，中間基板及び下部基板をなすシリコンウェーハのうち少なくとも一つのエッジまで延びて，外部と連通されるように形成されてもよい。
【００３１】
上記キャビティは，マニホールドの幅と実質的に同一に形成されてもよい。また，上記キャビティは，マニホールドの幅より広く形成されてもよい。
【００３２】
上記中間基板及び下部基板それぞれに，接合工程での整列基準として利用される整列マークが形成され，キャビティは，中間基板及び下部基板のうち少なくとも一つに形成される整列マークと共に形成されてもよい。
【００３３】
上記製造方法は，中間基板の底面及び下部基板の上面のうち少なくとも一面にシリコン酸化膜を形成する工程と，シリコン酸化膜上にフォトレジストを塗布した後，それをパターニングしてキャビティ及び整列マークを形成するための開口部を形成する工程と，開口部を通じて露出されたシリコン酸化膜をエッチングする工程と，エッチングにより露出された少なくとも一面を所定深さにエッチングして，キャビティ及び整列マークを形成する工程と，をさらに含むようにしてもよい。
【００３４】
上記（ハ）工程で，マニホールドは，一方向に長く形成され，（ロ）工程で，複数の圧力チャンバは，マニホールドの両側に２列に配列されるように形成されるようにしてもよい。
【００３５】
上記（ハ）工程で，マニホールドの内部にその長手方向に延びた隔壁を形成するようにしてもよい。
【００３６】
上記キャビティを形成するとき，キャビティの内部にその長手方向に延びた支持壁を隔壁に対応して形成するようにしてもよい。
【００３７】
上記（イ）工程で，上部基板として第１シリコン層，中間酸化膜及び第２シリコン層が順次に積層された構造を有するＳＯＩウェーハを準備するようにしてもよい。
【００３８】
上記（ロ）工程で，複数の圧力チャンバは，中間酸化膜をエッチング停止層として第１シリコン層をエッチングすることによって形成されるようにしてもよい。
【００３９】
上記（ニ）工程で，複数のノズルそれぞれは，下部基板の上面から所定深さに形成されるインク導入部と，下部基板の底面からインク導入部と連通されるように形成されるインク吐出口と，を備えるようにしてもよい。
【００４０】
上記（ホ）工程で，三つの基板間の接合は，シリコン直接接合方法により行われるようにしてもよい。
【００４１】
上記（ヘ）工程は，上部基板上に下部電極を形成する工程と，下部電極上に圧電膜を形成する工程と，圧電膜上に上部電極を形成する工程と，圧電膜に電界を加えて圧電特性を発生させるポーリング工程と，を含むようにしてもよい。
【００４２】
上記発明によれば，マニホールドの下部にマニホールドの内部の急激な圧力変化を緩和させるダンピングメンブレインが設けられることによって，インクの吐出時にクロストークを効果的に抑制できる。したがって，複数のノズルを通じて均一なインク吐出性能が得られるので，印刷品質が向上する。
【００４３】
そして，ダンピングメンブレインは，下部基板により保護されて外部に露出されないので，外部との接触によるダンピングメンブレインの破損を防止できる。
【００４４】
また，ダンピングメンブレインの下部に形成されたキャビティを通じて，基板の接合工程で発生するガスが円滑に外部に排出されるので，このようなガスによる基板の間の接合部にボイドの発生を抑制できる。したがって，このようなボイドによる不良率が低くなって収率が向上する。
【００４５】
また，ダンピングメンブレイン及びキャビティは，中間基板の底面に形成される整列マークと共に形成されるので，ダンピングメンブレイン及びキャビティを形成するための別途の追加的な工程が不要である。
【発明の効果】
【００４６】
以上説明したように本発明によれば，インクの吐出時にクロストークを効果的に抑制できる。したがって，複数のノズルを通じて均一なインク吐出性能が得られるので，印刷品質が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下，添付された図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図面で，同じ参照符号は同じ構成要素を指称し，図面上で，各構成要素のサイズは，説明の明瞭性及び便宜上誇張されうる。また，一層が基板や他の層上に存在すると説明されるとき，その層は，基板や他の層に直接接しつつ，その上に存在してもよく，その間に第３の層が存在してもよい。
【００４８】
図５は，本発明の望ましい実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドを部分切断して示す分解斜視図であり，図６は，図５に表示されたＡ−Ａ´線のプリントヘッドの垂直断面図であり，図７は，図６に表示されたＢ−Ｂ´線のプリントヘッドの部分垂直断面図である。
【００４９】
図５〜図７に示すように，本実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドは，三つの基板，すなわち上部基板１００，中間基板２００及び下部基板３００を接合することによって構成される。そして，三つの基板１００，２００，３００には，インク流路が形成され，上部基板１００の上面には，インクの吐出のための駆動力を発生させる圧電アクチュエータ１９０が設けられる。
【００５０】
三つの基板１００，２００，３００は，いずれも単結晶のシリコンウェーハからなる。したがって，フォトリソグラフィ及びエッチングのような微細加工技術を利用して，三つの基板１００，２００，３００にインク流路をなす構成要素をさらに微細なサイズに精密かつ容易に形成できる。
【００５１】
インク流路は，インク保存庫（図示せず）からインクが流入されるインクインレット１１０，吐出されるインクが充填され，インクを吐出させるための圧力変化を発生させる複数の圧力チャンバ１２０，インクインレット１１０を通じて流入されたインクを複数の圧力チャンバ１２０に供給する共通流路であるマニホールド２１０，マニホールド２１０からそれぞれの圧力チャンバ１２０にインクを供給するための個別流路であるリストリクタ２２０，及び圧力チャンバ１２０からインクが吐出されるノズル３１０を備える。そして，圧力チャンバ１２０とノズル３１０との間には，圧電アクチュエータ１９０により圧力チャンバ１２０で発生したエネルギーをノズル３１０側に集中させ，急激な圧力変化を緩衝するためのダンパ２３０が形成されうる。このようなインク流路を形成する構成要素は，前述したように三つの基板１００，２００，３００に分けられて配置される。
【００５２】
具体的には，上部基板１００には，インクインレット１１０及び複数の圧力チャンバ１２０が形成される。インクインレット１１０は，上部基板１００を垂直に貫通するように形成されており，後述する中間基板２００に形成されるマニホールド２１０の一端部に連結される。一方，インクインレット１１０は，マニホールド２１０の両端部に連結されるように二つが形成されうる。複数の圧力チャンバ１２０は，上部基板１００の底面に，インクが流れる方向にさらに長い直六面体の形状に形成され，中間基板２００に形成されるマニホールド２１０の両側に２列に配列される。一方，複数の圧力チャンバ１２０は，マニホールド２１０の一側に１列にのみ配列されることもある。
【００５３】
上部基板１００は，半導体集積回路の製造に広く使われる単結晶のシリコンウェーハからなり，特にＳＯＩウェーハからなることが望ましい。ＳＯＩウェーハは，一般的に第１シリコン層１０１，第１シリコン層１０１上に形成された中間酸化膜１０２，及び中間酸化膜１０２上に接着される第２シリコン層１０３の積層構造を有する。第１シリコン層１０１は，シリコン単結晶からなり，約１００μｍ〜２５０μｍの厚さを有する。中間酸化膜１０２は，第１シリコン層１０１の表面を酸化させることによって形成され，その厚さは約２μｍである。第２シリコン層１０３も，シリコン単結晶からなり，約１０μｍ〜２０μｍの厚さを有する。このように上部基板１００としてＳＯＩウェーハを使用する理由は，圧力チャンバ１２０の深さを正確に調節できるためである。すなわち，圧力チャンバ１２０の形成過程で，ＳＯＩウェーハの中間層をなす中間酸化膜１０２がエッチング停止層の役割を行うので，第１シリコン層１０１の厚さが決まれば，圧力チャンバ１２０の深さも決まる。また，圧力チャンバ１２０の上部壁をなす第２シリコン層１０３は，圧電アクチュエータ１９０により反り変形させられることによって，圧力チャンバ１２０の体積を変化させる振動板の役割を行うが，その振動板の厚さも第２シリコン層１０３の厚さにより決まる。
【００５４】
上部基板１００上には，圧電アクチュエータ１９０が形成される。そして，上部基板１００と圧電アクチュエータ１９０との間には，シリコン酸化膜１８０が形成されうる。シリコン酸化膜１８０は，絶縁膜としての機能だけでなく，上部基板１００と圧電アクチュエータ１９０との間の拡散を抑制し，熱的ストレスを調節する機能も有する。圧電アクチュエータ１９０は，共通電極の役割を行う下部電極１９１，電圧の印加によって変形される圧電膜１９２，及び駆動電極の役割を行う上部電極１９３を備える。下部電極１９１は，したシリコン酸化膜１８０の全面に形成され，一つの導電金属物質層からなることもできるが，チタン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）とからなる二つの金属薄膜層で構成されることが望ましい。下部電極１９１は，共通電極の役割だけでなく，その上側に形成される圧電膜１９２とその下側の上部基板１００との間の相互拡散を防止する拡散防止層の役割も行う。圧電膜１９２は，下部電極１９１上に形成され，複数の圧力チャンバ１２０それぞれの上部に位置するように配置される。圧電膜１９２は，圧電物質，望ましくは，チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）セラミック材料からなりうる。圧電膜１９２は，電圧の印加により変形し，その変形により，圧力チャンバ１２０の上部壁をなす上部基板１００の第２シリコン層１０３，すなわち振動板を反り変形させる役割を行う。上部電極１９３は，圧電膜１９２上に形成され，圧電膜１９２に電圧を印加する駆動電極の役割を行う。
【００５５】
中間基板２００も，半導体集積回路の製造に広く使われる単結晶のシリコンウェーハからなり，約２００μｍ〜３００μｍの厚さを有する。中間基板２００には，インク導入口１１０と連結されるマニホールド２１０，及びマニホールド２１０と複数の圧力チャンバ１２０それぞれの一端部を連結する複数のリストリクタ２２０とが形成される。そして，中間基板２００には，複数の圧力チャンバ１２０それぞれと，後述する下部基板３００に形成される複数のノズル３１０それぞれとを連結するダンパ２３０が形成されうる。また，中間基板２００には，マニホールド２１０の下部にダンピングメンブレイン２１４が形成され，このダンピングメンブレイン２１４の下部にはキャビティ２１６が形成される。
【００５６】
具体的には，マニホールド２１０は，中間基板２００の上面に所定の深さに形成され，一方向に長く延びた形状を有する。そして，前述したように，複数の圧力チャンバ１２０がマニホールド２１０の両側に２列に配列される場合には，マニホールド２１０を左右に分離させる隔壁２１２がマニホールド２１０の内部にその長手方向に長く形成されうる。このような隔壁２１２によれば，マニホールド２１０の両側に配列された圧力チャンバ１２０の相互間のクロストークが効果的に防止されうる。
【００５７】
ダンピングメンブレイン２１４は，マニホールド２１０の下部に形成されて，マニホールド２１０の内部の急激な圧力変化を緩和させる役割を行う。ダンピングメンブレイン２１４の厚さは，約１０μｍ〜２０μｍであることが望ましい。ダンピングメンブレイン２１４が厚すぎれば容易に変形せず，薄すぎれば耐久性が劣化する。
【００５８】
キャビティ２１６は，ダンピングメンブレイン２１４の下部に形成されて，ダンピングメンブレイン２１４の自由な変形を可能にする。キャビティ２１６は，ダンピングメンブレイン２１４の上部に形成されたマニホールド２１０の幅と実質的に同一に形成されうる。そして，キャビティ２１６の内部には，隔壁２１２に対応する支持壁２１７が形成されうる。支持壁２１７は，ダンピングメンブレイン２１４を支持することによって，ダンピングメンブレイン２１４の過度な変形による破損を防止する。
【００５９】
そして，ダンピングメンブレイン２１４は，中間基板２００の底面に接合される下部基板３００により保護されるので，外部に露出されない。したがって，ダンピングメンブレイン２１４が外部と接触することにより生じうる破損を防止できる。
【００６０】
また，キャビティ２１６は，図７に示したように，中間基板２００のエッジまで延びて外部と連通されるように形成されることが望ましい。これは，キャビティ２１６が密閉される場合には，その内圧によりダンピングメンブレイン２１４の自由な変形が妨害されるためである。そして，前述したように，キャビティ２１６が外部と連通されるように形成されると，キャビティ２１６を通じて，中間基板２００と下部基板３００との接合工程で発生するガスが円滑に外部に排出されうるので，このようなガスにより，中間基板２００と下部基板３００との間の接合部にボイドの発生を抑制できる。これについては，後述する製造方法で詳細に説明する。
【００６１】
前述したように，本実施形態によれば，マニホールド２１０の下部に形成されたダンピングメンブレイン２１４が，マニホールド２１０の内部の急激な圧力変化を緩和させ，これにより，インクの吐出時にマニホールド２１０の一側に１列に配列された複数の圧力チャンバ１２０の相互間のクロストークを効果的に防止できる。したがって，複数のノズル３１０を通じて均一なインク吐出性能が得られるので，印刷品質が向上するという長所がある。
【００６２】
複数のリストリクタ２２０それぞれは，中間基板２００の上面に所定の深さ，例えば２０μｍ〜４０μｍほどに形成され，その一端はマニホールド２１０に連結され，その他端は圧力チャンバ１２０の一端部に連結される。リストリクタ２２０は，マニホールド２１０から圧力チャンバ１２０に適正量のインクを供給する役割だけでなく，インクが吐出されるとき，圧力チャンバ１２０からマニホールド２１０側へのインクの逆流を抑制する役割も行う。一方，複数のリストリクタ２２０は，マニホールド２１０の深さと同一に形成されてもよい。ダンパ２３０は，複数の圧力チャンバ１２０それぞれの他端部に対応する位置で，中間基板２００を垂直に貫通するように形成される。
【００６３】
下部基板３００には，インクを吐出するための複数のノズル３１０が形成される。下部基板３００も，半導体集積回路の製造に広く使われる単結晶のシリコンウェーハからなり，約１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する。
【００６４】
複数のノズル３１０それぞれは，ダンパ２３０に対応する位置に下部基板３００を垂直に貫通するように形成される。ノズル３１０は，下部基板３００の上部に形成されたインク導入部３１１，及び下部基板３００の下部に形成されてインクを吐出すインク吐出口３１２からなりうる。インク吐出口３１２は，一定した直径を有する垂直ホールの形状に形成され，インク導入部３１１は，ダンパ２３０からインク吐出口３１２側に行くほど，次第にその断面積が減少するピラミッド状に形成されうる。
【００６５】
前述したように形成された三つの基板１００，２００，３００は，前述したように積層されて互いに接合されることによって，本実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドを構成する。そして，三つの基板１００，２００，３００の内部には，インクインレット１１０，マニホールド２１０，リストリクタ２２０，圧力チャンバ１２０，ダンパ２３０及びノズル３１０が順次に連結されてなるインク流路が形成される。
【００６６】
図８Ａ〜図８Ｃは，図６に示したキャビティの変形例を示す部分垂直断面図である。
【００６７】
まず，図８Ａに示すように，キャビティ２１６は，マニホールド２１０の幅より広く形成されうる。このように形成されたキャビティ２１６は，中間基板２００と下部基板３００との接合工程で発生するガスをさらに容易に捕集して排出できるという長所がある。
【００６８】
次いで，図８Ｂに示すように，キャビティ２１６は，中間基板２００の底面でなく下部基板３００の上面に所定の深さに形成される。この場合，支持壁２１７も，下部基板３００の上面に形成される。キャビティ２１６は，中間基板２００にマニホールド２１０が比較的深く形成され，下部基板３００が比較的厚い場合に望ましい。
【００６９】
次いで，図８Ｃに示すように，キャビティ２１６は，中間基板２００の底面だけでなく下部基板３００の上面にも形成される。この場合，支持壁２１７も，中間基板２００の底面及び下部基板３００の上面に形成される。キャビティ２１６は，中間基板２００の底面に十分な深さに形成されない場合に望ましい。
【００７０】
前述したように，中間基板２００と下部基板３００との厚さ，及びマニホールド２１０の深さによって，中間基板２００の底面及び下部基板３００の上面のうち少なくとも一面にキャビティ２１６が形成される。
【００７１】
以下では，前述したような構成を有する本実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドの動作を説明する。
【００７２】
インク保存庫（図示せず）からインクインレット１１０を通じてマニホールド２１０の内部に流入されたインクは，複数のリストリクタ２２０を通じて複数の圧力チャンバ１２０それぞれの内部に供給される。圧力チャンバ１２０の内部にインクが充填された状態で，圧電アクチュエータ１９０の上部電極１９３を通じて圧電膜１９２に電圧が印加されれば，圧電膜１９２は変形し，これにより，振動板の役割を行う上部基板１００の第２シリコン層１０３が下側に反る。第２シリコン層１０３の反り変形により，圧力チャンバ１２０の体積が減少し，これによる圧力チャンバ１２０内の圧力上昇により，圧力チャンバ１２０内のインクは，ダンパ２３０及びノズル３１０を通じて外部に吐出される。
【００７３】
次いで，圧電アクチュエータ１９０の圧電膜１９２に印加された電圧が遮断されると，圧電膜１９２は原状に復元され，これにより，振動板の役割を行う第２シリコン層１０３が原状に復元されつつ圧力チャンバ１２０の体積が増加する。これによる圧力チャンバ１２０内の圧力下降により，マニホールド２１０からリストリクタ２２０を通じて圧力チャンバ１２０の内部にインクが流入される。
【００７４】
このような過程で，マニホールド２１０の内圧は，前述したように急激に変わる。しかし，本実施形態によれば，マニホールド２１０の下部にダンピングメンブレイン２１４が設けられ，このダンピングメンブレイン２１４がマニホールド２１０の内部の急激な圧力変化を緩和させる役割を行う。したがって，インクの吐出時にクロストークが効果的に抑制されて複数のノズル３１０を通じて均一なインク吐出性能が得られるので，印刷品質が向上する。
【００７５】
以下では，前述した構成を有する本実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法を説明する。
【００７６】
本発明の望ましい実施形態による製造方法を概括的に説明する。まず，インク流路をなす構成要素が形成された上部基板，中間基板及び下部基板をそれぞれ製造し，次いで，製造された三つの基板を積層して接合した後，最後に，上部基板上に圧電アクチュエータを形成することによって，本実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドが完成する。一方，上部基板，中間基板及び下部基板を製造する工程は，順序に関係なく行われうる。すなわち，下部基板や中間基板が先に製造されてもよく，二つまたは三つの基板が同時に製造されてもよい。ただし，説明の便宜上，以下では，上部基板，中間基板，下部基板の順にそのそれぞれの製造方法を説明する。
【００７７】
図９Ａ〜図９Ｄは，図６に示した本実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドの望ましい製造方法において，上部基板の上面及び底面に整列マークを形成する工程を説明するための断面図である。
【００７８】
図９Ａに示すように，本実施形態において，上部基板１００は，単結晶のシリコンウェーハからなる。これは，半導体素子の製造に広く使われるシリコンウェーハをそのまま使用できて量産に効果的であるためである。そして，上部基板１００としてＳＯＩウェーハを使用することが，圧力チャンバ（図５の１２０）の高さを正確に形成できるので望ましい。ＳＯＩウェーハは，前述したように第１シリコン層１０１，第１シリコン層１０１上に形成された中間酸化膜１０２，及び中間酸化膜１０２上に接着された第２シリコン層１０３の積層構造を有する。
【００７９】
まず，約６５０μｍの第１シリコン層１０１，約２μｍの中間酸化膜１０２及び約１０μｍ〜２０μｍの第２シリコン層１０３からなる上部基板１００を準備する。次いで，上部基板１００の第１シリコン層１０１を化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）によりその厚さを減少させた後，上部基板１００の全体をクリーニングする。このとき，第１シリコン層１０１は，圧力チャンバ１２０の深さによって，適切な厚さ，例えば約１００μｍ〜２５０μｍに減少できる。そして，上部基板１００のクリーニングには，アセトン，イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などを使用した有機クリーニング方法，硫酸，ＢＯＥ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ
Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈａｎｔ）などを使用した酸クリーニング方法，及びＳＣ１クリーニング方法が使われうる。
【００８０】
このようにクリーニングされた上部基板１００をウェット及びドライ酸化させると，上部基板１００の上面及び底面には，約５，０００Å〜１５，０００Åの厚さを有するシリコン酸化膜１５１ａ，１５１ｂが形成される。
【００８１】
次いで，図９Ｂに示したように，上部基板１００の上面に形成されたシリコン酸化膜１５１ａの表面にフォトレジストＰＲ１を塗布する。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ１をパターニングすることによって，上部基板１００の上面のエッジ付近に整列マークを形成するための開口部１４８を形成する。このとき，フォトレジストＰＲ１のパターニングは，露光及び現像を含む周知のフォトリソグラフィ法により行われ，後述する他のフォトレジストのパターニングも，これと同じ方法で行われうる。
【００８２】
次いで，図９Ｃに示したように，パターニングされたフォトレジストＰＲ１をエッチングマスクとして，開口部１４８を通じて露出された部位のシリコン酸化膜１５１ａをエッチングし，次いで，上部基板１００を所定深さにエッチングすることによって整列マーク１４１を形成する。このとき，シリコン酸化膜１５１ａに対するエッチングは，反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）のようなドライエッチング方法，またはＢＯＥを使用したウェットエッチング方法により行われうる。上部基板１００に対するエッチングは，誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ
Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）を利用したＲＩＥのようなドライエッチング方法や，シリコン用のエッチング液として，例えばテトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）を使用したウェットエッチング方法により行われうる。
【００８３】
そして，前述の有機クリーニング方法や酸クリーニング方法により，フォトレジストＰＲ１を除去する。このとき，フォトレジストＰＲ１は，アッシングにより除去されることもできる。フォトレジストＰＲ１の除去方法は，後述する他のフォトレジストの除去にも利用されうる。
【００８４】
一方，前記では，シリコン酸化膜１５１ａ及び上部基板１００をエッチングした後にフォトレジストＰＲ１を除去すると説明したが，フォトレジストＰＲ１をエッチングマスクとしてシリコン酸化膜１５１ａをエッチングした後，フォトレジストＰＲ１を除去した後にシリコン酸化膜１５１ａをエッチングマスクとして上部基板１００をエッチングしてもよい。
【００８５】
次いで，図９Ｄに示したように，前述のような方法で，上部基板１００の底面のエッジ付近にも整列マーク１４２を形成する。
【００８６】
これにより，上面及び底面のエッジ付近に整列マーク１４１，１４２が形成された状態の上部基板１００が準備される。
【００８７】
一方，上部基板１００の底面に整列マーク１４２を形成する工程は，後述する圧力チャンバの形成工程と同時に行われうる。この場合，整列マーク１４２は，圧力チャンバ１２０の深さと同一に形成される。
【００８８】
図１０Ａ〜図１０Ｄは，上部基板に圧力チャンバ及びインクインレットを形成する工程を説明するための断面図である。
【００８９】
まず，図１０Ａに示したように，上部基板１００の底面のシリコン酸化膜１５１ｂの表面にフォトレジストＰＲ２を塗布する。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ２をパターニングすることによって，上部基板１００の底面に圧力チャンバ１２０を形成するための開口部１２８及びインクインレット（図５の１１０）を形成するための開口部（図示せず）を形成する。
【００９０】
次いで，図１０Ｂに示したように，開口部１２８を通じて露出された部位のシリコン酸化膜１５１ｂを，フォトレジストＰＲ２をエッチングマスクとしてＲＩＥのようなドライエッチング方法，またはＢＯＥを使用したウェットエッチング方法によりエッチングすることによって，上部基板１００の底面を部分的に露出させる。
【００９１】
次いで，図１０Ｃに示したように，フォトレジストＰＲ２をエッチングマスクとして露出された部位の上部基板１００を所定の深さにエッチングして，圧力チャンバ１２０を形成する。このとき，インクインレット１１０の一部も共に形成される。そして，上部基板１００に対するエッチングは，ＩＣＰを利用したＲＩＥのようなドライエッチング方法により行われうる。
【００９２】
そして，図示したように上部基板１００としてＳＯＩウェーハを使用すれば，ＳＯＩウェーハの中間酸化膜１０２がエッチング停止層の役割を行うので，この工程では第１シリコン層１０１のみがエッチングされる。したがって，第１シリコン層１０１の厚さを調節すれば，圧力チャンバ１２０を所望の深さに正確に合わせることができる。ここで，第１シリコン層１０１の厚さは，前述したように上部基板１００に対するＣＭＰ工程で容易に調節できる。一方，圧力チャンバ１２０の上部壁をなす第２シリコン層１０３は，前述したように振動板の役割を行うが，その厚さも同様にＣＭＰ工程で容易に調節されうる。
【００９３】
次いで，フォトレジストＰＲ２を前述した方法により除去すれば，図１０Ｄに示したように，その底面に圧力チャンバ１２０及びインクインレット１１０が形成された上部基板１００が完成される。インクインレット１１０は，後述するように最後の工程で上部基板１００を垂直に貫通するように後加工される。
【００９４】
一方，前記では，フォトレジストＰＲ２をエッチングマスクとして上部基板１００をドライエッチングした後にフォトレジストＰＲ２を除去すると図示して説明したが，フォトレジストＰＲ２を先に除去した後にシリコン酸化膜１５１ｂをエッチングマスクとして上部基板１００をエッチングしてもよい。
【００９５】
図１１Ａ〜図１１Ｊは，中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【００９６】
図１１Ａに示すように，中間基板２００も，単結晶のシリコンウェーハからなる。まず，シリコンウェーハをＣＭＰすることによって，約２００μｍ〜３００μｍの厚さを有する中間基板２００を準備する。中間基板２００の厚さは，その上面に形成されるマニホールド（図５の２１０）の深さによって適切に決まりうる。
【００９７】
準備された中間基板２００をウェット及びドライ酸化させれば，中間基板２００の上面及び底面には，約５，０００Å〜１５，０００Åの厚さを有するシリコン酸化膜２５１ａ，２５１ｂが形成される。
【００９８】
次いで，図１１Ｂに示したように，中間基板２００の上面に形成されたシリコン酸化膜２５１ａの表面にフォトレジストＰＲ３を塗布する。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ３をパターニングすることによって，中間基板２００の上面にリストリクタ（図５の２２０）を形成するための開口部２２８及び整列マークを形成するための開口部２４８を共に形成する。一方，整列マークは，リストリクタ２２０を形成する前にあらかじめ形成されることもあるが，後述するように，整列マーク及びリストリクタ２２０を同時に形成すれば，製造工程が短縮するという長所がある。
【００９９】
次いで，図１１Ｃに示したように，パターニングされたフォトレジストＰＲ３をエッチングマスクとして，開口部２２８，２４８を通じて露出された部位のシリコン酸化膜２５１ａをエッチングし，次いで，中間基板２００を所定深さ，例えば約２０μｍ〜４０μｍにエッチングすることによって，リストリクタ２２０及び整列マーク２４１を形成する。このとき，シリコン酸化膜２５１ａ及び中間基板２００に対するエッチングは，前述したようなドライエッチング方法やウェットエッチング方法により行われうる。
【０１００】
次いで，フォトレジストＰＲ３を前述した方法により除去する。一方，フォトレジストＰＲ３は，シリコン酸化膜２５１ａをエッチングした後に除去されることもあり，この場合，シリコン酸化膜２５１ａをエッチングマスクとして中間基板２００をエッチングする。
【０１０１】
次いで，図１１Ｄに示したように，中間基板２００を前述したクリーニング方法を使用してクリーニングした後，クリーニングされた中間基板２００をウェット及びドライ酸化させて，中間基板２００の上面及び底面にシリコン酸化膜２５１ａ，２５１ｂを再び形成する。これにより，リストリクタ２２０の内面及び整列マーク２４１の内面にも，シリコン酸化膜２５１ａ，２５１ｂが形成される。
【０１０２】
次いで，図１１Ｅに示したように，中間基板２００の上面のシリコン酸化膜２５１ａの表面に再びフォトレジストＰＲ４を塗布する。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ４をパターニングすることによって，中間基板２００の上面にマニホールド２１０を形成するための開口部２１８を形成する。そして，マニホールド２１０の内部に隔壁（図５の２１２）を形成する場合には，隔壁２１２が形成される部位にフォトレジストＰＲ４を残存させる。
【０１０３】
次いで，図１１Ｆに示したように，開口部２１８を通じて露出された部位のシリコン酸化膜２５１ａを，フォトレジストＰＲ４をエッチングマスクとして前述したようなドライエッチング方法またはウェットエッチング方法でエッチングすることによって，中間基板２００の上面を部分的に露出させる。次いで，フォトレジストＰＲ４を前述した方法により除去する。
【０１０４】
次いで，図１１Ｇに示したように，中間基板２００の上面のシリコン酸化膜２５１ａの表面に再びフォトレジストＰＲ５を塗布する。このとき，中間基板２００の上面のうち露出された部位も，フォトレジストＰＲ５により覆われる。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ５をパターニングすることによって，中間基板２００の上面にダンパ（図５の２３０）を形成するための開口部２３８を形成する。
【０１０５】
次いで，図１１Ｈに示したように，開口部２３８を通じて露出された部位のシリコン酸化膜２５１ａを，フォトレジストＰＲ５をエッチングマスクとして前述したようなドライエッチング方法またはウェットエッチング方法でエッチングすることによって，中間基板２００の上面を部分的に露出させる。次いで，露出された部位の中間基板２００の上面を，フォトレジストＰＲ５をエッチングマスクとして所定の深さにエッチングしてダンパ２３０の一部を形成する。このとき，エッチングの深さは，中間基板２００の厚さとマニホールド２１０の深さとの差によって決まる。中間基板２００に対するエッチングは，ＩＣＰを利用したＲＩＥのようなドライエッチング方法により行われうる。
【０１０６】
次いで，フォトレジストＰＲ５を前述した方法により除去して，図１１Ｉに示したように，中間基板２００の上面のうちマニホールド２１０が形成される部位を再び露出させる。
【０１０７】
次いで，図１１Ｊに示すように，中間基板２００の上面のうち露出された部位及びダンパ２３０の底面を，シリコン酸化膜２５１ａをエッチングマスクとしてエッチングすることによって，マニホールド２１０及びダンパ２３０を形成する。このとき，ダンパ２３０は，中間基板２００を垂直に貫通して形成され，マニホールド２１０は，中間基板２００の上面から所定深さに形成され，マニホールド２１０の内部には，それを左右に分離させる隔壁２１２が形成される。中間基板２００に対するエッチングも，ＩＣＰを利用したＲＩＥのようなドライエッチング方法により行われうる。
【０１０８】
図１２Ａ〜図１２Ｃは，中間基板にダンピングメンブレイン及びキャビティを形成する工程を説明するための断面図である。
【０１０９】
図１２Ａに示すように，中間基板２００の底面に形成されたシリコン酸化膜２５１ｂの表面にフォトレジストＰＲ６を塗布する。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ６をパターニングすることによって，中間基板２００の底面にキャビティ（図５の２１６）を形成するための開口部２２９と，整列マークを形成するための開口部２４９とを共に形成する。このとき，キャビティ２１６の内部に支持壁（図５の２１７）を形成する場合には，支持壁２１７が形成される部位にフォトレジストＰＲ６を残存させる。
【０１１０】
次いで，図１２Ｂに示したように，パターニングされたフォトレジストＰＲ６をエッチングマスクとして，開口部２２９，２４９を通じて露出された部位のシリコン酸化膜２５１ｂをエッチングし，次いで，中間基板２００の底面を所定深さにエッチングすることによって，キャビティ２１６及び整列マーク２４２を形成する。これにより，マニホールド２１０とキャビティ２１４との間にダンピングメンブレイン２１４が形成され，キャビティ２１６の内部には，支持壁２１７が形成される。このとき，エッチングの深さは，マニホールド２１０の下部に約１０μｍ〜２０μｍの厚さを有するダンピングメンブレイン２１４が形成可能な程度にする。シリコン酸化膜２５１ｂに対するエッチングは，前述したようなドライエッチング方法やウェットエッチング方法により行われ，中間基板２００に対するエッチングは，前述したようなドライエッチング方法により行われうる。
【０１１１】
次いで，フォトレジストＰＲ６を前述した方法により除去する。一方，フォトレジストＰＲ６は，シリコン酸化膜２５１ｂをエッチングした後に除去することもあり，この場合，シリコン酸化膜２５１ｂをエッチングマスクとして中間基板２００をエッチングする。
【０１１２】
次いで，中間基板２００の表面に残存されたシリコン酸化膜２５１ａ，２５１ｂをウェットエッチングにより除去すれば，図１２Ｃに示したように，ダンピングメンブレイン２１４及びキャビティ２１６が形成された中間基板２００が完成される。
【０１１３】
前述のように，本実施形態によれば，キャビティ２１６及びダンピングメンブレイン２１４は，中間基板２００の底面に形成される整列マーク２４２と共に形成されうるので，キャビティ２１６及びダンピングメンブレイン２１４を形成するための別途の追加的な工程が必要ないという長所がある。
【０１１４】
一方，前述の中間基板２００の底面にダンピングメンブレイン２１４及びキャビティ２１６を形成する工程は，中間基板２００の上面にリストリクタ２２０，マニホールド２１０及びダンパ２３０を形成する工程より先に実施されてもよい。
【０１１５】
そして，キャビティ２１６は，図６に示したようにマニホールド２１０の幅と実質的に同一に形成されてもよく，図８Ａに示したようにマニホールド２１０の幅より広く形成されてもよい。
【０１１６】
また，図８Ｂに示したように，キャビティ２１６は，下部基板３００の上面に所定深さに形成されることもある。この場合，キャビティ２１６は，図１４Ａの工程で，下部基板３００の上面に形成される整列マーク３４１と共に形成されうる。
【０１１７】
また，図８Ｃに示したように，キャビティ２１６は，中間基板２００の底面だけでなく下部基板３００の上面にも形成されうる。
【０１１８】
図１３は，図１２Ａ〜図１２Ｃの工程で，中間基板の底面に形成されたキャビティを示す斜視図である。
【０１１９】
図１３に示すように，本実施形態によるインクジェットプリントヘッドは，シリコンウェーハ上に複数のチップ状に製造される。これにより，図１２Ａ〜図１２Ｃの工程で，キャビティ２１６は，中間基板２００をなすシリコンウェーハのエッジまで延びて形成されることが望ましい。これは，中間基板２００と下部基板３００との接合工程で発生するガスがキャビティ２１６を通じて外部に円滑に排出されるためである。これについては，後述する接合工程で詳細に説明する。
【０１２０】
図１４Ａ〜図１４Ｇは，下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【０１２１】
図１４Ａに示すように，本実施形態において，下部基板３００も単結晶のシリコンウェーハからなる。まず，シリコンウェーハをＣＭＰすることによって，約１００μｍ〜２００μｍの厚さを有する下部基板３００を準備する。
【０１２２】
準備された下部基板３００をウェット及びドライ酸化させれば，下部基板３００の上面及び底面には，約５，０００Å〜１５，０００Åの厚さを有するシリコン酸化膜３５１ａ，３５１ｂが形成される。そして，下部基板３００の上面及び底面それぞれのエッジ付近に整列マーク３４１，３４２を形成できる。整列マーク３４１，３４２は，前述した図９Ａ〜図９Ｄに示した方法と同じ方法により形成される。
【０１２３】
次いで，図１４Ｂに示したように，下部基板３００の上面のシリコン酸化膜３５１ａの表面にフォトレジストＰＲ７を塗布する。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ７をパターニングすることによって，下部基板３００の上面にノズル（図５の３１０）のインク導入部（図５の３１１）を形成するための開口部３１８を形成する。
【０１２４】
次いで，図１４Ｃに示したように，フォトレジストＰＲ７をエッチングマスクとして，開口部３１８を通じて露出された部位のシリコン酸化膜３５１ａをエッチングすることによって，下部基板３００の上面を部分的に露出させる。このとき，シリコン酸化膜３５１ａに対するエッチングは，前述したようなドライエッチング方法やウェットエッチング方法により行われうる。次いで，フォトレジストＰＲ７を除去した後，下部基板３００を硫酸，ＢＯＥなどを使用する酸クリーニング方法でクリーニングする。
【０１２５】
次いで，図１４Ｄに示したように，露出された部位の下部基板３００を，シリコン酸化膜３５１ａをエッチングマスクとして所定深さにエッチングすることによって，ノズルのインク導入部３１１を形成する。このとき，下部基板３００のエッチングは，シリコン用のエッチング液として，例えばＴＭＡＨまたはＫＯＨを使用したウェットエッチング方法により行われうる。これにより，下部基板３００の内部の結晶面による異方性のウェットエッチング特性により，ピラミッド状のインク導入部３１１が形成される。
【０１２６】
次いで，図１４Ｅに示したように，下部基板３００の底面に形成されたシリコン酸化膜３５１ｂの表面にフォトレジストＰＲ８を塗布する。次いで，塗布されたフォトレジストＰＲ８をパターニングして，下部基板３００の底面にノズルのインク吐出口（図５の３１２）を形成するための開口部３１９を形成する。
【０１２７】
次いで，図１４Ｆに示したように，開口部３１９を通じて露出された部位のシリコン酸化膜３５１ｂを，フォトレジストＰＲ８をエッチングマスクとしてウェットエッチングまたはドライエッチングして除去することによって，下部基板３００の底面を部分的に露出させた後，フォトレジストＰＲ８を除去する。
【０１２８】
次いで，図１４Ｇに示したように，シリコン酸化膜３５１ｂをエッチングマスクとして露出された部位の下部基板３００を貫通するようにエッチングすることによって，インク導入部３１１と連通されるインク吐出口３１２を形成する。このとき，下部基板３００のエッチングは，ＩＣＰを利用したＲＩＥのようなドライエッチング方法により行われうる。
【０１２９】
これにより，インク導入部３１１及びインク吐出口３１２からなるノズル３１０が貫通形成された下部基板３００が完成される。
【０１３０】
図１５は，下部基板，中間基板及び上部基板を順次に積層して接合する工程を示す断面図である。
【０１３１】
図１５に示すように，前述した工程を経て準備された下部基板３００，中間基板２００及び上部基板１００を順次に積層し，それらを互いに接合させる。このとき，三つの基板１００，２００，３００それぞれに形成された整列マーク１４１，１４２，２４１，２４２，３４１，３４２を利用すれば，整列精密度が向上する。そして，三つの基板１００，２００，３００の間の接合は，周知のＳＤＢ方法により行われうる。
【０１３２】
ＳＤＢ方法は，一般的に次の工程を経る。まず，接合されるシリコンウェーハをクリーニングする。これにより，シリコンウェーハそれぞれの接合面には，ＯＨ−，Ｈ＋，Ｈ２Ｏ，Ｈ２及びＯ２のようなイオン及び分子からなる薄膜が形成される。次いで，シリコンウェーハを互いに密着させれば，前述のイオンと分子との間のファンデルワールス力によりシリコンウェーハは仮接合される。次いで，密着された状態のシリコンウェーハを熱処理炉に入れて約１０００℃に加熱すれば，シリコンウェーハの原子間の相互拡散によりシリコンウェーハが互いに強く結合される。このとき，熱処理工程では，シリコンウェーハの間に存在するイオン及び分子によりガスが生成される。
【０１３３】
しかし，本実施形態においては，図１３に示したように，キャビティ２１６が中間基板２００をなすシリコンウェーハのエッジまで延びて形成されているので，前述のように，中間基板２００と下部基板３００との接合工程で発生するガスがキャビティ２１６を通じて外部に円滑に排出される。したがって，このようなガスによる中間基板２００と下部基板３００との接合部にボイドの発生が防止されるか，または最小化しうる。
【０１３４】
図１６は，上部基板上に圧電アクチュエータを形成して，本実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドを完成する工程を説明するための断面図である。
【０１３５】
図１６に示すように，下部基板３００，中間基板２００及び上部基板１００を順次に積層して接合した状態で，上部基板１００の上面に絶縁膜としてシリコン酸化膜１８０を形成する。しかし，このシリコン酸化膜１８０を形成する工程は，前述した上部基板１００の製造工程で上部基板１００の上面に既にシリコン酸化膜１５１ａが形成されているので省略できる。
【０１３６】
次いで，シリコン酸化膜１８０上に圧電アクチュエータの下部電極１９１を形成する。下部電極１９１は，Ｔｉ及びＰｔからなる二つの金属薄膜層で構成されうる。この場合，下部電極１９１は，シリコン酸化膜１８０の全面にＴｉ及びＰｔをそれぞれ所定厚さにスパッタリングすることによって形成されうる。
【０１３７】
次いで，下部電極１９１上に圧電膜１９２及び上部電極１９３を形成する。具体的には，ペースト状態の圧電材料をスクリーンプリンティングにより圧力チャンバ１２０の上部に所定の厚さに塗布した後，それを所定時間乾燥させて圧電膜１９２を形成する。圧電材料としては，多様なものが使われるが，望ましくは，通常的なＰＺＴセラミック材料が使われる。次いで，乾燥された圧電膜１９２上に電極材料，例えばＡｇ−Ｐｄペーストをプリンティングして上部電極１９３を形成する。次いで，圧電膜１９２及び上部電極１９３を所定温度，例えば９００〜１，０００℃で焼結させる。次いで，圧電膜１９２に電界を加えて圧電特性を発生させるポーリング工程を経れば，上部基板１００上に下部電極１９１，圧電膜１９２及び上部電極１９３からなる圧電アクチュエータ１９０が形成される。
【０１３８】
最後に，前述したように図１０Ａ〜図１０Ｄに示した工程で，上部基板１００の底面に圧力チャンバ１２０と共に所定深さに形成されたインクインレット（図５の１１０）を後加工により貫通させる。例えば，接着テープを利用してインクインレット１１０の上部に残存された上部基板１００の薄い部分を離せば，上部基板１００を垂直に貫通するインクインレット１１０が形成される。
【０１３９】
これにより，本発明による圧電方式のインクジェットプリントヘッドが完成される。
【０１４０】
以上，本発明の望ましい実施形態を詳細に説明したが，これは，例示的なものに過ぎず，当業者であれば，これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。例えば，本発明において，プリントヘッドの各構成要素を形成する方法は，単に例示されたものであって，多様なエッチング方法が適用可能であり，製造方法の各工程の順序も例示されたものと変わりうる。したがって，本発明の真の技術的保護範囲は，特許請求の範囲により決まらねばならない。
【０１４１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明は，インクジェットプリントヘッド関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】従来の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの一般的な構成を説明するための断面図である。
【図２】従来の圧電方式のインクジェットプリントヘッドの具体的な一例を示す分解斜視図である。
【図３】図２に示した圧電方式のインクジェットプリントヘッドの垂直断面図である。
【図４】図２及び図３に示したインクジェットプリントヘッドにおいて，単一ノズルの駆動時のインクの吐出速度と複数ノズルの同時駆動時のインクの吐出速度との偏差を示す図面である。
【図５】本発明の実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドを部分切断して示す分解斜視図である。
【図６】図５に表示されたＡ−Ａ´線のプリントヘッドの垂直断面図である。
【図７】図６に表示されたＢ−Ｂ´線のプリントヘッドの部分垂直断面図である。
【図８Ａ】図６に示したキャビティの変形例を示す部分垂直断面図である。
【図８Ｂ】図６に示したキャビティの変形例を示す部分垂直断面図である。
【図８Ｃ】図６に示したキャビティの変形例を示す部分垂直断面図である。
【図９Ａ】図６に示した本発明の実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法において，上部基板の上面及び底面に整列マークを形成する工程を説明するための断面図である。
【図９Ｂ】図６に示した本発明の実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法において，上部基板の上面及び底面に整列マークを形成する工程を説明するための断面図である。
【図９Ｃ】図６に示した本発明の実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法において，上部基板の上面及び底面に整列マークを形成する工程を説明するための断面図である。
【図９Ｄ】図６に示した本発明の実施形態による圧電方式のインクジェットプリントヘッドの製造方法において，上部基板の上面及び底面に整列マークを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１０Ａ】上部基板に圧力チャンバ及びインクインレットを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１０Ｂ】上部基板に圧力チャンバ及びインクインレットを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１０Ｃ】上部基板に圧力チャンバ及びインクインレットを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１０Ｄ】上部基板に圧力チャンバ及びインクインレットを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ａ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｂ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｃ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｄ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｅ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｆ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｇ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｈ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｉ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１１Ｊ】中間基板にリストリクタ，マニホールド及びダンパを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１２Ａ】中間基板にダンピングメンブレイン及びキャビティを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１２Ｂ】中間基板にダンピングメンブレイン及びキャビティを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１２Ｃ】中間基板にダンピングメンブレイン及びキャビティを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２Ａ〜図１２Ｃの工程において，中間基板の底面に形成されたキャビティを示す斜視図である。
【図１４Ａ】下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１４Ｂ】下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１４Ｃ】下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１４Ｄ】下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１４Ｅ】下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１４Ｆ】下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１４Ｇ】下部基板にノズルを形成する工程を説明するための断面図である。
【図１５】下部基板，中間基板及び上部基板を順次に積層して接合する工程を示す断面図である。
【図１６】上部基板上に圧電アクチュエータを形成して，本発明による圧電方式のインクジェットプリントヘッドを完成する工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１００      上部基板
１０１      第１シリコン層
１０２      中間酸化膜
１０３      第２シリコン層
１１０      インクインレット
１２０      圧力チャンバ
１８０      シリコン酸化膜
１９０      圧電アクチュエータ
１９１      下部電極
１９２      圧電膜
１９３      上部電極
２００      中間基板
２１０      マニホールド
２１２      隔壁
２１４      ダンピングメンブレイン
２１６      キャビティ
２１７      支持壁
２２０      リストリクタ
２３０      ダンパ
３１０      ノズル
３１１      インク導入部
３１２      インク吐出口
【図１】
2006224672.tif 000003
【図２】
2006224672.tif 000004
【図３】
2006224672.tif 000005
【図５】
2006224672.tif 000006
【図６】
2006224672.tif 000007
【図７】
2006224672.tif 000008
【図８Ａ】
2006224672.tif 000009
【図８Ｂ】
2006224672.tif 000010
【図８Ｃ】
2006224672.tif 000011
【図９Ａ】
2006224672.tif 000012
【図９Ｂ】
2006224672.tif 000013
【図９Ｃ】
2006224672.tif 000014
【図９Ｄ】
2006224672.tif 000015
【図１０Ａ】
2006224672.tif 000016
【図１０Ｂ】
2006224672.tif 000017
【図１０Ｃ】
2006224672.tif 000018
【図１０Ｄ】
2006224672.tif 000019
【図１１Ａ】
2006224672.tif 000020
【図１１Ｂ】
2006224672.tif 000021
【図１１Ｃ】
2006224672.tif 000022
【図１１Ｄ】
2006224672.tif 000023
【図１１Ｅ】
2006224672.tif 000024
【図１１Ｆ】
2006224672.tif 000025
【図１１Ｇ】
2006224672.tif 000026
【図１１Ｈ】
2006224672.tif 000027
【図１１Ｉ】
2006224672.tif 000028
【図１１Ｊ】
2006224672.tif 000029
【図１２Ａ】
2006224672.tif 000030
【図１２Ｂ】
2006224672.tif 000031
【図１２Ｃ】
2006224672.tif 000032
【図１３】
2006224672.tif 000033
【図１４Ａ】
2006224672.tif 000034
【図１４Ｂ】
2006224672.tif 000035
【図１４Ｃ】
2006224672.tif 000036
【図１４Ｄ】
2006224672.tif 000037
【図１４Ｅ】
2006224672.tif 000038
【図１４Ｆ】
2006224672.tif 000039
【図１４Ｇ】
2006224672.tif 000040
【図１５】
2006224672.tif 000041
【図１６】
2006224672.tif 000042
【図４】
2006224672.tif 000043