(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた青色の発光材料として用いることができるビアントラセン誘導体を提供すること、このビアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子、および表示装置を提供する。【解決手段】Ａ１，Ｂ１でアントラセン環が互に結合し、Ａ６とＢ６が４−ジフェニルアミノフェニル基であり、他はＨである化合物で例示される下記一般式（１）で示されるビアントラセン誘導体。2006282533.tif 000029【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるビアントラセン誘導体。
【化１】
2006282533.tif 000023
［ただし、一般式（１）中において、
一方のアントラセン核のＡ1部位およびＡ2部位と、他方のアントラセン核のＢ1部位およびＢ2部位とからそれぞれ選択された位置で、２つのアントラセン核が結合している。
アントラセン核の結合位置を除くＡ1〜Ａ10およびＢ1〜Ｂ10は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換のシリル基を表すとともに、
Ａ1〜Ａ10のいずれか一つは、一般式（２）で示される置換基を示し、Ｂ1〜Ｂ10のいずれか一つは、一般式（３）で示される置換基を示す。
【化２】
2006282533.tif 000024
ただし、一般式（２）、（３）中のＸ、Ｙは、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の２価複素環基を表し、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリール基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基を表す。］
【請求項２】
請求項１記載のビアントラセン誘導体において、
前記一般式（１）中のＡ1部位とＢ1部位、またはＡ2部位とＢ2部位とが結合している
ことを特徴とするビアントラセン誘導体。
【請求項３】
請求項１記載のビアントラセン誘導体において、
前記一般式（２）、（３）のＸとＹとが同一である
ことを特徴とするビアントラセン誘導体。
【請求項４】
請求項１記載のビアントラセン誘導体において、
前記一般式（２）、（３）のＡｒ1とＡｒ3とが同一であり、Ａｒ2とＡｒ4とが同一である
ことを特徴とするビアントラセン誘導体。
【請求項５】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を挟持してなる有機電界発光素子において、
前記有機層は、下記一般式（１）で示されるビアントラセン誘導体を用いて構成されている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【化３】
2006282533.tif 000025
［ただし、一般式（１）中において、
一方のアントラセン核のＡ1部位およびＡ2部位と、他方のアントラセン核のＢ1部位およびＢ2部位とからそれぞれ選択された位置で、２つのアントラセン核が結合している。
アントラセン核の結合位置を除くＡ1〜Ａ10およびＢ1〜Ｂ10は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換のシリル基を表すとともに、
Ａ1〜Ａ10のいずれか一つは、一般式（２）で示される置換基を示し、Ｂ1〜Ｂ10のいずれか一つは、一般式（３）で示される置換基を示す。
【化４】
2006282533.tif 000026
ただし、一般式（２）、（３）中のＸ、Ｙは、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の２価複素環基を表し、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリール基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基を表す。］
【請求項６】
請求項５記載の有機電界発光素子において、
前記ビアントラセン誘導体は、前記発光層を構成する材料として用いられている
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項５記載の有機電界発光素子において、
前記発光層は、前記ビアントラセン誘導体の少なくとも一種をゲスト材料として含有している
ことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項８】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を挟持してなる有機電界発光素子を、基板上に複数配列形成してなる表示装置において、
前記有機層は、下記一般式（１）で示されるビアントラセン誘導体を用いて構成されている
ことを特徴とする表示装置。
【化５】
2006282533.tif 000027
［ただし、一般式（１）中において、
一方のアントラセン核のＡ1部位およびＡ2部位と、他方のアントラセン核のＢ1部位およびＢ2部位とからそれぞれ選択された位置で、２つのアントラセン核が結合している。
アントラセン核の結合位置を除くＡ1〜Ａ10およびＢ1〜Ｂ10は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換のシリル基を表すとともに、
Ａ1〜Ａ10のいずれか一つは、一般式（２）で示される置換基を示し、Ｂ1〜Ｂ10のいずれか一つは、一般式（３）で示される置換基を示す。
【化６】
2006282533.tif 000028
ただし、一般式（２）、（３）中のＸ、Ｙは、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の２価複素環基を表し、
Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリール基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基を表す。］
【請求項９】
請求項８記載の表示装置において、
前記有機電界発光素子が青色発光素子として複数の画素のうちの一部の画素に設けられている
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）用の有機材料として好適に用いられるビアントラセン誘導体およびこのビアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子、およびこの素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、消費電力が小さく、応答速度が高速であり視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイとして、有機電界発光素子を用いた表示装置が注目されている。
【０００３】
一般的に有機電界発光素子は、陰極と陽極との間に有機層を挟持してなり、陽極および陰極からそれぞれ注入された正孔（ホール）と電子とが有機層中において再結合することにより発光する。有機層としては、例えば、正孔輸送層、発光材料を含む発光層および電子輸送層を陽極側から順に積層させた構成や、さらに電子輸送層中に発光材料を含ませて電子輸送性の発光層とした構成が開発されている。
【０００４】
上述したような有機電界発光素子は、自発光素子であり、この有機電界発光素子を用いて表示装置を構成する場合、有機電界発光素子の長寿命化および信頼性の確保が最も重要な課題の１つとなる。このため、有機電界発光素子を構成する有機材料に関する研究が取り進められている。
【０００５】
中でも発光を司る発光材料については、三原色に対応する赤、緑、そして、青色の発光材料についての様々な検討がなされている。発光材料に求められる物性には耐熱性や蛍光量子収率などの化合物特有の指標の他に、デバイスにおける色純度や輝度、さらには発光寿命といった素子特性を解決する材料が求められている。
【０００６】
そして、特に青色発光材料については、過去から勢力的に開発が進められており、例えばスチリルアレンもしくはアントラセン誘導体といった材料が知られている。このようなアントラセン誘導体の中では、９，１０位をナフチル基に置換した９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）は良好な青色発光材料として知られている。ただし、ＡＤＮは、単独で発光層として使用した場合には電流効率が２ｃｄ／Ａ以下と低い（下記非特許文献１参照）。このため、主に発光層のホスト材料として用いることにより、電流効率の向上を図ることも検討されている。
【０００７】
また、アントラセン誘導体を、発光層のゲスト材料として用いる構成も検討されている。そして、特に、アントラセン核を有する青色発色のゲスト材料として、Ｎ，Ｎ’−ジ―（アントラセン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ベンジジン（Ｋ−１）が示されている。このような構成のアントラセン誘導体（Ｋ−１）は、アントラセン核に直接アミノ基を結合してなり、アミン化合物としたことによって、より効率の高い素子となることが示されている（下記特許文献１参照）。
【０００８】
また、９，１０位をジアリールアミノ基で置換したアントラセン化合物について有機電界発光素子の発光材料として開示されている（下記特許文献２、および下記非特許文献２
参照）。
【０００９】
一方、アントラセン核同士を直接結合して、二量体化したビアントラセン誘導体についても、種々の誘導体が開示されている。例えば、１つのアントラセン核に２つのフェニル基を有するビアントラセン誘導体が、開示されている（下記特許文献３参照）。また、アントラセン核の９、１０位結合させたビアントラセン誘導体についても報告されている（下記特許文献４参照）。
【００１０】
【非特許文献１】Applied Physics Letters（米）２００２年，第８０巻，１７号，ｐ．３２０１−３２０３
【非特許文献２】Chemistry of Materials（米）２００２年，第１４巻，ｐ．３９５８−３９６３
【特許文献１】特開平８−１９９１６２号公報
【特許文献２】特開平８−５３３９７号公報
【特許文献３】特開平８−１２６００号公報
【特許文献４】特開２００２−１６４１７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上述した有機電界発光素子は自発光素子であるため、この有機電界発光素子を用いて表示装置を構成する場合、有機電界発光素子の長寿命化および信頼性の確保が最も重要な課題の一つである。特に青色発光材料については、発光効率や発光寿命の他に色相の改善も必要とされている。
【００１２】
しかし、上述したようなアントラセン誘導体において、アントラセン核の９，１０位をアリール基やアリールアミノ基で置換したアントラセン誘導体は、これを発光材料として有機電界発光素子を構成した場合に、緑色または緑色に近い青色の発光しか得ることができず、純度の高い青色発光を得ることができなかった。
【００１３】
また、例えば特許文献１には、アントラセン誘導体で示された上記Ｋ−１で青色発光が観測されると記されている。しかしながら、一般にアントラセン核に直接アミノ基が結合する骨格として、例えば最も単純なジフェニルアミノアントラセンにおいては、その発光波長は４８０ｎｍ前後となるため、Ｋ−１の発光においても青色というよりもむしろ青緑に近くなることが、Synthetic Metals (米）２０００年、第１１１−１１２巻、ｐ．２５−２９に示されている。
【００１４】
また、特許文献２に示された９，１０位をジアリールアミノ基で置換したアントラセン誘導体の発色については、例えば最も分子量が小さい９，１０−ビスジフェニルアミノアントラセンにおいての発光波長が５２０ｎｍとなっており、完全に緑色であることが上記非特許文献２にも記載されている。
【００１５】
一方、アントラセン核を二量化したビアントラセン誘導体において、特許文献３に示された１つのアントラセン核に２つのフェニル基を有するビアントラセン誘導体については、上記ＡＤＮと同じように高電圧化してしまい、発光効率が悪くなる、という問題がある。
【００１６】
また、特許文献４に示されたように、アントラセン核の９，１０位でアントラセン同士を結合させた場合には、構造的に不安定となり、さらにアントラセン核の端部同士で結合が生じ、構造が変化してしまうといった問題もある。
【００１７】
以上説明したように、青色発色の有機材料については、改善の余地が多く、さらなる材料の開発が求められている。そこで、本発明は、発光効率および発光寿命だけでなく色純度に優れ、構造的にも安定なビアントラセン誘導体を提供することを目的とする。また、このビアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
このような目的を達成するための本発明のビアントラセン誘導体は、有機電界発光素子を構成する有機材料として好適に用いられるビアントラセン誘導体であり、下記式一般式（１）で示される。
【００１９】
【化７】
2006282533.tif 000002
【００２０】
この一般式（１）中において、一方のアントラセン核のＡ1部位およびＡ2部位と、他方のアントラセン核のＢ1部位およびＢ2部位とからそれぞれ選択された位置で、２つのアントラセン核が結合している。
【００２１】
また、アントラセン核の結合位置を除くＡ1〜Ａ10およびＢ1〜Ｂ10は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換のシリル基を表す。
【００２２】
そして、Ａ1〜Ａ10のいずれか一つは、一般式（２）で示される置換基を示し、Ｂ1〜Ｂ10のいずれか一つは、一般式（３）で示される置換基を示す。
【化８】
2006282533.tif 000003
この一般式（２）、（３）中のＸ、Ｙは、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の２価複素環基を表す。さらに、Ａｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリール基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基を表す。
【００２３】
また、本発明は、一般式（１）で示されるビアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子でもある。この有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を挟持してなり、この有機層に上述した構成のビアントラセン誘導体が用いられている。特にこれらのビアントラセン誘導体は、発光層を構成する材料として好ましく用いられる。
【００２４】
以上のような一般式（１）で示されるビアントラセン誘導体は、２つのアントラセン核の１，２位で結合されたビアントラセン骨格を有する構成である。これにより、このアントラセン誘導体を発光材料として用いた有機電界発光素子において、アントラセン特有の色純度の高い青色発光が得られることが確認された。また、アントラセン核の９，１０位でアントラセン核同士を直接結合していないため、構造的にも安定である。しかも、二量体とすることで、分子量としても耐熱性を十分に保持できる量が確保されるため、熱的な物性が良好であり、外部からの力や熱的な耐久性に優れている。また、電圧による変動力にも安定性を有している。
【００２５】
また、一般式（１）で示されるアントラセン誘導体は、アミン化合物でもあるため、電荷輸送性に優れており、良好な発光効率が得られる。
【００２６】
そして、本発明は、ビアントラセン誘導体を用いた上記構成の有機電界発光素子を備えた表示装置でもあり、特に好適には、上記構成の有機電界発光素子が青色発光素子として複数の画素のうちの一部の画素に設けられていることとする。
【００２７】
このような表示装置では、上述したように、色純度および輝度が高く、かつ輝度の減衰率が低い有機電界発光素子を青色発光素子として用いた表示装置が構成されるため、他の赤色発光素子および緑色発光素子と組み合わせることで、色再現性の高いフルカラー表示が可能になる。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明の一般式（１）に示したビアントラセン誘導体を用いて、有機電界発光素子の有機層を構成することにより、有機層の耐久性の向上を図り、有機電界発光素子における発光寿命の向上を図ることが可能になるとともに、特に青色の発光領域で、発光効率の向上を図ることが可能になる。この結果、この有機電界発光素子とともに、緑色発光素子と赤色発光素子とを１組として画素を構成することにより、色再現性の高いフルカラー表示が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３０】
＜ビアントラセン誘導体＞
下記一般式（１）で示される本発明のビアントラセン誘導体のさらに具体的な例を説明する。
【化９】
2006282533.tif 000004
【００３１】
この一般式（１）で示されるビアントラセン誘導体は、有機電界発光素子の有機層に好適に用いられるビアントラセン誘導体である。ビアントラセン誘導体は、各アントラセン核の結合位置において、複数の異性体が存在するが、本発明のビアントラセン誘導体は、一般式（１）中において、一方のアントラセン核のＡ1部位およびＡ2部位と、他方のアントラセン核のＢ1部位およびＢ2部位とからそれぞれ選択された位置で、結合している。すなわち、本発明のビアントラセン誘導体は、分子対称性を鑑みた、以下の３通りの組み合わせの置換様式の異性体を全て含む。
【００３２】
ａ）１，１’−ビアントラセン；一般式（１）のＡ1部位とＢ1部位での結合
ｂ）２，２’−ビアントラセン；一般式（１）のＡ2部位とＢ2部位での結合
ｃ）１，２’−ビアントラセン；一般式（１）のＡ1部位とＢ2部位またはＡ2部位とＢ1部位での結合
【００３３】
ここで、表１に上記ａ）〜ｃ）に対応する構造式（１）〜（３）を示す。ここでは、ビアントラセン誘導体のうち、無置換のビアントラセン誘導体を示すこととする。
【００３４】
【表１】
2006282533.tif 000005
【００３５】
表１に示す構造式（１）〜（３）のうち、置換様式としては、構造式（１）、（２）に示す、１，１’−ビアントラセンまたは２，２’−ビアントラセンが合成上の容易さの観点で好ましい。
【００３６】
そして、本発明のビアントラセン誘導体は、アントラセン核の結合位置を除くＡ1〜Ａ10およびＢ1〜Ｂ10は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換もしくは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換のシリル基を表している。
【００３７】
尚、上記のカルボニル基は、アルデヒド基、ケトン基およびカルボキシル基を含む。また、上記のアルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基を含む。
【００３８】
上述した置換基の中でも、特に、ビアントラセン骨格における置換部位の一つ以上を、アルキル基、アルコキシル基、アルケニル基または複素環基から選ばれる置換基で置換した構成とすることにより、分子間相互作用を緩和させ、発光素子の素子特性に関わる結晶化の制御や二分子励起の抑制に対して効果を発揮する。
【００３９】
そして、上述したＡ1〜Ａ10およびＢ1〜Ｂ10として示された基のうち、さらに置換基を有してもよい基に対する置換基としては、ハロゲン、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基またはシリル基を挙げることができる。
【００４０】
ここで、上記のさらに置換基を有してもよい基とは、すなわち、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、複素環基およびシリル基である。
【００４１】
また、上記Ａ1〜Ａ10のいずれか一つは、一般式（２）で示される置換基で置換され、Ｂ1〜Ｂ10のいずれか一つは、一般式（３）で示される置換基で置換されている。
【化１０】
2006282533.tif 000006
【００４２】
この一般式（２）、（３）中のＸおよびＹは、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換もしくは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の２価複素環基を表している。このようなＸ，Ｙは、一般式（１）のビアントラセン誘導体を合成する場合の簡便さを考慮した場合、ＸとＹとが同一であることが好ましい。
【００４３】
そして、ＸおよびＹとして示されたアリーレン基および２価複素環基に対するさらなる置換基としては、ハロゲン、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基またはシリル基を挙げることができる。
【００４４】
また、上記一般式（２）、（３）中のＡｒ1〜Ａｒ4は、それぞれ独立に、炭素数３０以下の置換若しくは無置換のアリール基、または炭素数３０以下の置換もしくは無置換の複素環基を表している。このようなＡｒ1〜Ａｒ4は、一般式（１）のビアントラセン誘導体を合成する場合の簡便さを考慮した場合、Ａｒ1とＡｒ3とが同一であり、Ａｒ2とＡｒ4とが同一であることが好ましい。
【００４５】
一般式（２）および（３）におけるＡｒ1〜Ａｒ4が示す置換あるいは無置換のアリール基は、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フルオレニル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、１−クリセニル基、６−クリセニル基、２−フルオランテニル基，３−フルオランテニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基等が挙げられる。
【００４６】
また、一般式（２）、（３）におけるＸ，Ｙを構成するアリーレン基は、以上に例示したＡｒ1〜Ａｒ4を構成するアリール基から導出されたアリーレン基を例示できる。
【００４７】
また、上記Ａｒ1〜Ａｒ4が示す置換あるいは無置換の複素環基の例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、などが挙げられる。
【００４８】
また、一般式（２）、（３）中における上記Ｘ、Ｙを構成する２価複素環基は、以上に例示したＡｒ1〜Ａｒ4を構成する複素環基から導出された２価複素環基を例示できる。
【００４９】
そして、上述したＡｒ1〜Ａｒ4として示されたアリール基および複素環基に対するさらなる置換基としては、ハロゲン、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、シリル基、アミノ基、およびアルキルアミノ基を挙げることができる。
【００５０】
ここで、上記のカルボニル基はアルデヒド基、ケトン基およびカルボキシル基を含む。そして、上記のアルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基を含む。さらに、上記のアルキルアミノ基は、直鎖状アルキルアミノ基、分岐鎖状アルキルアミノ基、環状アルキルアミノ基を含むこととする。
【００５１】
以下に、構造式（１）〜（３）に示す無置換の化合物を各置換基で置換した本発明のビアントラセン誘導体の一例を示す。尚、本発明のビアントラセン誘導体は、上述した範囲に含まれればよく、ここに例示した構造に限定されるものではない
【００５２】
例えば、表１の構造式（１）で示した無置換の化合物を置換基で置換した例として、下記表２−ａ〜２−ｄに示す構造式（１）−１〜（１）−２４の化合物が挙げられる。
【００５３】
【表２−ａ】
2006282533.tif 000007
【表２−ｂ】
2006282533.tif 000008
【表２−ｃ】
2006282533.tif 000009
【表２−ｄ】
2006282533.tif 000010
【００５４】
このうち、表２−ａに示す構造式（１）−２、（１）−３、（１）−４は、一般式（２）、（３）中のＡｒ1〜Ａｒ4がそれぞれアリール基を示し、Ａｒ2とＡｒ4とが、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基および環状アルキル基で、それぞれ置換された化合物である。
【００５５】
さらに、表１の構造式（２）で示した無置換の化合物を、一般式（２）、（３）で示す置換基で置換した例として、下記表３−ａ〜表３−ｂに示す構造式（２）−１〜（２）−２０の化合物が挙げられる。
【００５６】
【表３−ａ】
2006282533.tif 000011
【表３−ｂ】
2006282533.tif 000012
【００５７】
このうち構造式（２）-２は、一般式（２）、（３）中のＡｒ1〜Ａｒ4がそれぞれアリール基を示し、さらに直鎖状アルキル基で置換された化合物である。また、構造式（２）-３は、一般式（２）、（３）中のＡｒ1〜Ａｒ4がそれぞれアリール基を示し、さらに分岐鎖状アルキル基で置換された化合物である。
【００５８】
以上で一例を示した本発明の有機発光材料は、種々の方法によって合成が可能であり、例えば次のａ）〜ｃ）の方法が例示される。
ａ）ハロゲン化されたアントラセンを、マグネシウムを用いたグリニヤー反応によってカップリングさせる合成方法。
ｂ）ハロゲン化されたアントラセンを、銅触媒存在下でウルマン反応によってカップリングさせる合成方法。
ｃ）ボロン酸、もしくはボロン酸エステル化されたアントラセンとハロゲン化されたアントラセンとを、パラジウムに代表される遷移金属触媒によってカップリングさせる（いわゆる鈴木カップリング反応）合成方法。
【００５９】
尚、本発明のビアントラセン誘導体は、有機電界発光素子の有機層を構成する材料として用いられるものであり、有機電界発光素子の製造プロセスに供する前に純度を高めておくことが好ましく、該純度が９５％以上、より好ましくは９９％以上とするのがよい。かかる高純度の有機化合物を得る方法としては有機化合物の合成後の精製である再結晶法、再沈殿法、もしくはシリカやアルミナを用いたカラム精製のほかに、昇華精製やゾーンメルト法による公知の高純度化方法を用いることができる。
【００６０】
また、これらの精製方法を繰り返し行うことや異なる精製法を組み合わせて行うことで、本発明における有機発光材料中の未反応物、反応副生成物、触媒残渣、もしくは残存溶媒などの混合物を低減させ、よりデバイス特性の優れた有機電界発光素子を得ることが可能となる。
【００６１】
さらに本化合物は、光や酸素といった外因から以下に掲げるａ）〜ｃ）の保管方法をとることによって、その酸化、分解からの劣化反応を抑制し、特にこの有機発光材料を用いて構成される有機電界発光素子において、より優れた発光特性をもたらすことだけでなく、製造装置の負荷の軽減などに効果を発揮する。
【００６２】
ａ）有機発光材料を合成した後、速やかに冷所に静置させる。その保管温度は−１００℃から１００℃の範囲が好ましく、より好ましくは−５０℃から５０℃の温度範囲で保管させる。
ｂ）有機発光材料を合成した後、速やかに遮光性を有する容器に保管する。
ｃ）有機発光材料を合成した後、合成した有機発光材料を窒素、二酸化炭素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で保管する。
【００６３】
以上説明したような構成の一般式（１）および構造式で例示された本発明のビアントラセン誘導体は、アントラセン核の１，２位の何れかでアントラセン核同士を結合させて二量化した構成である。これにより、このビアントラセン誘導体を発光材料として用いた有機電界発光素子において、アントラセン特有の色純度の高い青色発光が得られる。また、アントラセン核の９，１０位でアントラセン核同士を直接結合していないため、構造的にも安定である。しかも、アントラセン核を二量化とすることで、分子量としても耐熱性を十分に保持できる量が確保されるため、熱的な物性が良好であり、外部からの力や熱的な耐久性に優れている。また、電圧による変動力にも安定性を有している。
【００６４】
また、上記構成のビアントラセン誘導体は、ビアントラセン骨格にアリーレン基や２価複素環基を介してアミノ基を結合させたアミン化合物でもあるため、電荷輸送性に優れており、良好な発光効率が得られる。
【００６５】
したがって、このようなビアントラセン誘導体を用いて有機層を構成した本発明の有機電界発光素子は、長時間駆動において有機層の耐久性が優れたものになる。また、特に青色に優れた発光特性を示すものともなる。
【００６６】
また、このビアントラセン誘導体に、上述したように炭素数を規定した適切な置換基を導入することによって、発光効率と発光寿命の向上をさらに図ることが可能になる。
【００６７】
また、本発明に基づくビアントラセン誘導体は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つ。このため、以下に詳しく説明するように、有機電界発光素子の有機層のうち、電子輸送層を兼ねた発光層としても、または正孔輸送層と兼ねた発光層としても用いることが可能である。また、本発明に基づくビアントラセン誘導体を発光層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構成とすることも可能である。
【００６８】
＜有機電界発光素子およびこれを用いた表示装置＞
次に、上述した有機発光材料を用いた有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の構成を、図１に基づいて詳細に説明する。
【００６９】
図１に示す有機電界発光素子１１は、基板１２上に陽極１３、有機層１４、および陰極１５をこの順に積層してなり、基板１２と反対側から光を取り出す上面発光型の素子として構成されている。
【００７０】
ここで、基板１２は、その一主面側に有機電界発光素子１１が配列形成される支持体であって、公知のものであって良く、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。この中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑えるため、積層構造とする、または表面処理を行うことが必要である。
【００７１】
この基板１２上に設けられる陽極１３には、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例えばクロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）とアンチモン（Ｓｂ）との合金、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）、ＩｎＺｎＯ（インジウム亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金、さらにはこれらの金属や合金の酸化物等が、単独または混在させた状態で用いられる。この陽極１３は例えばスパッタリング法等により作製することができる。
【００７２】
そして、この有機電界発光素子１１を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合には、陽極１３は画素毎にパターニングされ、基板１２に設けられた駆動用の薄膜トランジスタに接続された状態で設けられている。また、この陽極１３の上には、ここでの図示を省略したが絶縁膜が設けられ、この絶縁膜の開口部から、各画素の陽極１３の表面が露出されるように構成されていることとする。
【００７３】
そして、この陽極１３上に設けられた有機層１４が、本発明に特有の有機発光材料を用いて構成された層となる。この有機層１４は、例えば陽極１３側から順に、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄの４層を積層してなるものである。これらの各層１４ａ〜１４ｄは、電場が印加されることによって蛍光やリン光が発光する化合物を用いることの他に、電子または正孔（ホール）の輸送能を有する化合物が適宜用いられることとする。
【００７４】
そして、本発明の有機電界発光素子１１においては、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄの少なくとも一層が、上述したビアントラセン誘導体を用いて構成されている。特に、発光層１４ｃが、上述したビアントラセン誘導体を用いて構成されることが好ましい。このため、以下においては、発光層１４ｃに、上述したビアントラセン誘導体が用いられる場合を例示する。
【００７５】
ここで、正孔注入層１４ａおよび正孔輸送層１４ｂは、それぞれ発光層１４ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。このような正孔注入層１４ａ、もしくは正孔輸送層１４ｂの材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
【００７６】
具体的には、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７７】
そして、発光層１４ｃは、陽極１３と陰極１５による電圧印加時に、陽極１３と陰極１５のそれぞれから正孔および電子が注入され、さらにこれらが再結合する領域である。このような発光層１４ｃは、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。そして、本実施形態においては、この発光層１４ｃに上記一般式（１）、例えば構造式（１）−１〜（１）−２４、構造式（２）−１〜（２）−２０に示したビアントラセン誘導体が含有されていることとする。
【００７８】
そして、より好ましくは、本発明のビアントラセン誘導体は、発光層１４ｃ内にゲスト材料（ドーパント材料）として添加されることとする。この際の発光層１４ｃにおけるビアントラセン誘導体の添加量は、１体積％から５０体積％、より好ましくは２０体積％以下であることとする。
【００７９】
また、ビアントラセン誘導体をゲスト材料として用いた場合のホスト材料としては、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物であり、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、１，６−ジフェニルピレン、１，６−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，６−ジ（２−ナフチル）ピレン、１，８−ジフェニルピレン、１，８−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，８−ジ（２−ナフチル）ピレン、ルブレン、６，１２−ジフェニルクリセン、６，１２−ジ（１−ナフチル）クリセン、６，１２−ジ（２−ナフチル）クリセン等を好適に用いることができる。
【００８０】
また、この発光層１４ｃには、発光層１４ｃでの発光スペクトルの制御を目的として、他のゲスト材料を微量添加してもよい。このような他のゲスト材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、ベリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素等の有機物質が用いられ、なかでもこれらの芳香族第三級アミン化合物が好適に用いられる。
【００８１】
尚、以上においては、本発明のビアントラセン誘導体をゲスト材料に用いて発光層１４ｃを構成する場合について説明した。しかしながら、本発明のビアントラセン誘導体を用いて発光層１４ｃを構成する場合、本発明のビアントラセン誘導体の単体からなる発光層１４ｃを構成してもよい。また、本発明のビアントラセン誘導体をホスト材料として用いてもよい。この場合、ゲスト材料としては、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。このような発光層１４ｃに用いる具体的な材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルが挙げられる。
【００８２】
そして、以上のように構成された発光層１４ｃ上に設けられる電子輸送層１４ｄは、陰極１５から注入される電子を発光層１４ｃに輸送するためのものである。電子輸送層１４ｄの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、またはこれらの誘導体が挙げられる。
【００８３】
以上、有機層１４を構成する上記の各層１４ａ〜１４ｄは、例えば真空蒸着法や、スピンコート法などの方法によって形成することができる。ただし、特に、発光層１４ｃの形成においては、発光層１４ｃでの発光スペクトルの制御を目的として、本発明のビアントラセン誘導体の他に微量のゲスト材料を添加する場合には、発光層１４ｃの形成において、他のゲスト材料の共蒸着を行う。
【００８４】
尚、有機層１４は、このような層構造に限定されることはなく、少なくとも発光層１４ｃとともに、陽極１３と発光層１４ｃとの間に、正孔輸送層１４ａまたは正孔注入層１４ｂを有する構成であれば、必要に応じた積層構造を選択することができる。
【００８５】
また、発光層１４ｃは、正孔輸送性の発光層や電子輸送性の発光層、または両電荷輸送性の発光層として有機電界発光素子１１に設けられていてもよい。さらに、以上の有機層１４を構成する各層、例えば正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄは、それぞれが複数層からなる積層構造であってもよい。
【００８６】
次に、このような構成の有機層１４上に設けられる陰極１５は、例えば、有機層１４側から順に第１層１５ａ、第２層１５ｂを積層させた２層構造で構成されている。
【００８７】
第１層１５ａは、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の酸化物である酸化セシウム（Ｃｓ2Ｏ）、さらにはこれらの酸化物の混合物を用いることができる。また、第１層１５ａは、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物の混合物や合金として安定性を高めて使用してもよい。
【００８８】
第２層１５ｂは、例えば、ＭｇＡｇなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この第２層１５ｂは、さらに、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であってもよい。この場合には、さらに第３層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。
【００８９】
以上の陰極１５を構成する各層は、真空蒸着法、スパッタリング法、更にはプラズマＣＶＤ法などの手法によって形成することができる。また、この有機電界発光素子１１を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陰極１５は、有機層１４とここでの図示を省略した上述の絶縁膜とによって、陽極１３と絶縁された状態で基板１２上にベタ膜状に形成され、各画素の共通電極として用いられる。
【００９０】
なお、陰極１５は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取ればよいことは言うまでもない。例えば、本実施形態の積層構造は電極各層の機能分離、すなわち有機層１４への電子注入を促進させる無機層（第１層１５ａ）と電極を司る無機層（第２層１５ｂ）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層１４への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねてもよく、これらの層を単層構造として構成してもよい。また、この単層構造上にＩＴＯなどの透明電極を形成した積層構造としてもよい。
【００９１】
そして上記した構成の有機電界発光素子１１に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子が破壊されない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。
【００９２】
また、図１に示した有機電界発光素子１１においては、陽極１３にＩＴＯ等よりなる透明電極を用いることにより上下の両サイドから光を取り出す構成であってもよい。
【００９３】
また、この有機電界発光素子１１が、キャビティ構造となっている場合、有機層１４と、透明材料あるいは半透明材料からなる電極層（本実施形態では陰極１５）との合計膜厚は、発光波長によって規定され、多重干渉の計算から導かれた値に設定されることになる。そして、ＴＦＴが形成された基板上に上面発光型の有機電界発光素子を設けた、いわゆるＴＡＣ（Top Emitting Adoptive Current drive ）構造では、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。
【００９４】
さらに、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機電界発光素子１１を備えた表示装置においては、大気中の水分や酸素等による有機電界発光素子１１の劣化を防止するための封止膜を形成するなどの処置を施すことが好ましい。
【００９５】
また、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機電界発光素子１１を備えた表示装置においては、この有機電界発光素子１１を青色発光素子とし、これとともに、赤色発光素子および青色発光素子を各画素に儲け、これら画素をサブピクセルとして１画素を構成し、基板１２上にこれらの画素を１組とした各画素を複数配列することで、フルカラー表示を行うものとしてもよい。
【００９６】
以上説明した構成の有機電界発光素子１１によれば、一般式（１）を用いて説明したビアントラセン誘導体を用いて有機層１４の発光層１４ｃを構成した。これにより、有機層１４の耐久性および安定性の向上を図ることが可能になるとともに、アントラセン特有の高い蛍光性に基づく電界発光が得られる。この結果、有機電界発光素子１１における発光寿命の向上を図ることが可能になるとともに、特に青色の発光において色純度の向上を図ることが可能になる。
【００９７】
そして、このような本発明の有機電界発光素子とともに、赤色発光素子および緑色発光素子を１組にして画素を構成することにより、色再現性の高いフルカラー表示が可能になる。
【００９８】
尚、以上の実施形態においては、本発明のビアントラセン誘導体を発光層１４ｃ（電子輸送性の発光層、正孔輸送性の発光層、および両電荷輸送性の発光層を含む）の構成材料として用いることのみを説明した。しかしながら、本発明のビアントラセン誘導体は、ビアントラセン誘導体の実施形態において述べたように、耐久性に優れており、また、電子輸送性および正孔輸送性を有している。したがって、このビアントラセン誘導体を、発光層１４ｃ以外の層、例えば電子輸送層１４ｄや正孔輸送層１４ｂさらには正孔注入層１４ａ等を構成する材料として用いることもでき、これによってこれらの層における耐久性の向上を図ることが可能になる。
【００９９】
また、本発明の有機電界発光素子は、上面発光型、これを用いたＴＡＣ構造への適用に限定されるものではなく、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる構成に広く適用可能である。したがって、基板側から順に、陰極、有機層、陽極を順次積層した構成のものや、基板側に位置する電極（陰極または陽極としての下部電極）を透明材料で構成することによって、基板側から光を取り出すようにした、いわゆる透過型（ボトムエミッション方式）の有機電界発光素子にも適用可能である。このような構成であっても、一般式（１）を用いて説明した有機発光材料を有機層に用いることにより、同様の効果を得ることが可能である。
【０１００】
さらに、本発明の有機電界発光素子とは、一対の電極（陽極と陰極）、およびその電極間に有機層が挟持されることによって形成される素子であればよい。このため、一対の電極および有機層のみで構成されたものに限定されることはなく、本発明の効果を損なわない範囲で他の構成要素（例えば、無機化合物層や無機成分）が共存することを排除するものではない。
【実施例】
【０１０１】
本発明のビアントラセン誘導体の合成例、およびこのビアントラセン誘導体を用いた本発明の有機電界発光素子の実施例について具体的に説明する。尚、ここでは先ず、本発明のビアントラセン誘導体の合成例１〜合成例５を説明し、次いでビアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子の作製手順の実施例１〜５および比較例１、２の有機電界発光素子の作製手順、さらにはこれらの評価結果を説明する。
【０１０２】
＜ビアントラセン誘導体の合成例１＞
下記反応式１から反応式３に示される鈴木カップリング反応を行い、表１−ａの構造式（１）−１で示したビアントラセン誘導体を得た。
【０１０３】
【化１１】
2006282533.tif 000013
【０１０４】
まず、上記反応式１を参照し、メカニカルスターラーを装着させた１０００ｍｌの三口フラスコを窒素で十分に置換した後に、溶媒として５００ｍｌのＤＭＳＯを加え、続いて１，５−ジブロモアントラセン（３３ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（３０ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（ＣＨ3ＣＯＯＫ）（２０ｇ、２００ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム［Ｐｄ（ＰＰｈ3）4］（１．１６ｇ、１ｍｍｏｌ）を順次溶媒に加えた。攪拌しながら温度を９０℃まで昇温させ、定常状態になってから６時間反応させた。
【０１０５】
反応終了後、溶媒のＤＭＳＯを真空条件下で蒸留にて除去、その後にトルエンで再溶解させ、水で洗浄した。続いてトルエン層側を硫酸ナトリウムで乾燥させた後に濃縮し、ヘキサン：トルエンの混合溶媒にてシリカカラムを通し、化合物（Ｃ１）を収率６５％で得た。
【０１０６】
続いて、メカニカルスターラーを装着させた５００ｍｌの三口フラスコを窒素で十分に置換した後に、上記で合成した（Ｃ１）（１５．０ｇ、４０ｍｍｏｌ）、１，５−ジブロモアントラセン（１２ｇ、３５ｍｍｏｌ）を順次加え、１００ｍＬのトルエンを注ぎいれた。攪拌しながら、２．０ｍｏｌ／リットルのＮａ2ＣＯ3水溶液を１００ｍｌ添加し、その混合溶液を窒素にて１０分間バブリングを行い溶液中の溶存酸素を十分に排気させた。続いて、パラジウム触媒成分としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム［Ｐｄ（ＰＰｈ3）4］（４６４ｍｇ、４００μｍｏｌ）を加えてから昇温を開始し還流温度で８時間反応させた。
【０１０７】
反応終了後に室温まで冷却し、有機層を分離させ、水で５回洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。この溶液を濃縮させた後にヘキサン：トルエンの混合溶媒にてシリカカラムを通し、５，５’―ジブロモ−１，１’−ビアントラセンの白色固体（化合物（Ｃ２））１５．３ｇ（収率７５％）を得た。
【０１０８】
【化１２】
2006282533.tif 000014
【０１０９】
次いで、上記反応式２を参照し、メカニカルスターラーを装着させた１０００ｍｌの三口フラスコを窒素で十分に置換した後に、溶媒として５００ｍｌのＤＭＳＯを加え、続いて４−ブロモトリフェニルアミン（３２ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（３０ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（ＣＨ3ＣＯＯＫ）（２０ｇ、２００ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム［Ｐｄ（ＰＰｈ3）4］（１．１６ｇ、１ｍｍｏｌ）を順次溶媒に加えた。攪拌しながら温度を９０℃まで昇温させ、定常状態になってから６時間反応させた。
【０１１０】
反応終了後、溶媒のＤＭＳＯを真空条件下で蒸留にて除去、その後にトルエンで再溶解させ、水で洗浄した。続いてトルエン層側を硫酸ナトリウムで乾燥させた後に濃縮し、ヘキサン：トルエンの混合溶媒にてシリカカラムを通し、化合物（Ｃ３）を収率８３％で得た。
【０１１１】
【化１３】
2006282533.tif 000015
【０１１２】
続いて、上記反応式３を参照し、メカニカルスターラーを装着させた５００ｍｌの三口フラスコを窒素で十分に置換した後に、上記で合成した５，５’―ジブロモ−１，１’−ビアントラセン（１０．２ｇ、２０ｍｍｏｌ）、化合物Ｃ３（１５．５ｇ、４２ｍｍｏｌ）を順次加え、５０ｍｌのトルエンを注ぎいれた。攪拌しながら、２．０ｍｏｌ／リットルのＮａ2ＣＯ3水溶液を５０ｍＬ添加し、その混合溶液を窒素にて１０分間バブリングを行い溶液中の溶存酸素を十分に排気させた。続いて、パラジウム触媒成分としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム［Ｐｄ（ＰＰｈ3）4］（２３２ｍｇ、２００μｍｏｌ）を加えてから昇温を開始し還流温度で１０時間反応させた。
【０１１３】
反応終了後に室温まで冷却し、析出した固体をアセトンおよびエタノールで十分に洗浄し、黄色固体９．２ｇ（収率５５％）を得た。得られた固体を1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ、およびＦＤ−ＭＳにて測定した結果、目的物である５，５’―ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）−１，１’−ビアントラセンの［表２−ａの構造式（１）−１］であることを確認した。
【０１１４】
＜ビアントラセン誘導体の合成例２＞
合成例１の反応式２において、４−ブロモトリフェニルアミンの代わりに、４−ブロモ−４’，４’’−ジメチルトリフェニルアミンを用いた以外は、同様の反応を行い、表２−ａ構造式（１）−５を合成した。
【０１１５】
＜ビアントラセン誘導体の合成例３＞
合成例１の反応式２において、４−ブロモトリフェニルアミンの代わりに、Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−ジフェニルアミンを用いた以外は、同様の反応を行い、表２-ｃ構造式（１）−１５を合成した。
【０１１６】
＜ビアントラセン誘導体の合成例４＞
合成例１の反応式１において、１，５−ジブロモアントラセンの代わりに２，６−ジブロモアントラセンを用い、反応式２において、４−ブロモトリフェニルアミンの代わりに４−ブロモ−４’，４”−ジイソプロピルトリフェニルアミンを用いた以外は、同様の反応を行い、表３−ａ構造式（２）−３を合成した。
【０１１７】
＜ビアントラセン誘導体の合成例５＞
合成例１の反応式１において、１，５−ジブロモアントラセンの代わりに、２，６−ジブロモアントラセンを用い、反応式２において、４−ブロモトリフェニルアミンの代わりに、Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−ジフェニルアミンを用いた以外は、同様の反応を行い、表３−ｂ構造式（２）−１５を合成した。
【０１１８】
＜実施例１＞
合成例１によって得られたビアントラセン誘導体［表２−ａの構造式（１）−１］を用い、以下のように有機電界発光素子（図１参照）を作製した。
【０１１９】
先ず、３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス板からなる基板１２上に、陽極１３としてクロム（Ｃｒ）よりなる膜（膜厚約１００ｎｍ）を形成し、さらに、ここでの図示を省略した二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を蒸着させることにより、２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外を絶縁膜でマスクした有機電界発光素子用のセルを作製した。
【０１２０】
次に、真空蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４ａとして、下記ｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる膜を３０ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。ただし、ｍ−ＭＴＤＡＴＡは、４，４'，４”−トリス（フェニル−ｍ−トリルアミノ）トリフェニルアミンである。
【化１４】
2006282533.tif 000016
【０１２１】
次いで、正孔輸送層１４ｂとして、下記α−ＮＰＤよりなる膜を３０ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。ただし、α−ＮＰＤは、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル[１，１’-ビフェニル]−４，４’−ジアミンである。
【化１５】
2006282533.tif 000017
【０１２２】
このようにして形成された正孔注入層１４ａおよび正孔輸送層１４ｂ上に、有機発光層１４ｃとして下記ＡＤＮと、合成例１で合成したビアントラセン誘導体［構造式（１）−１］とを、膜厚５０ｎｍで蒸着成膜した。ただし、ＡＤＮは、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセンであり、ホスト材料として用いた。そして、このＡＤＮに、ビアントラセン誘導体［構造式（１）−１］を相対膜厚比で４％ドーピングして発光層１４ｃとした。
【化１６】
2006282533.tif 000018
【０１２３】
次いで、電子輸送層１４ｄとして下記Ａｌｑ３を２０ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。Ａｌｑ３は、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムである。
【化１７】
2006282533.tif 000019
【０１２４】
以上のようにして、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄを順次積層してなる有機層１４を形成した後、陰極１５の第１層１５ａとして、Ｌｉ2Ｏよりなる膜を真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で形成した。最後に、真空蒸着法により、第２層１５ａ上に陰極１５の第２層１５ｂとして膜厚１０ｎｍのＭｇＡｇ膜を形成した。
【０１２５】
こうして作製した有機電界発光素子を直流電圧駆動したところ、青色の発色を確認し、発光輝度は電圧５．５Ｖで１１３０ｃｄ／ｍ2であった。また、この発光輝度における外部量子効率は４．５％で、色純度は（０．１３，０．１２）となった。
【０１２６】
＜実施例２＞
図１の発光層１４ｃのゲスト材料として、構造式（１）−１の代わりに、合成例２で合成したビアントラセン誘導体［構造式（１）−５］を用いた以外は、実施例１と全く同様に有機電界発光素子を作製し、同様の評価を行った。
【０１２７】
＜実施例３＞
図１の発光層１４ｃのゲスト材料として、構造式（１）−１の代わりに、合成例２で合成したビアントラセン誘導体［構造式（１）−１５］を用いた以外は、実施例１と全く同様に有機電界発光素子を作製し、同様の評価を行った。
【０１２８】
下記表には、発光層１４ｃのゲスト材料と、その評価結果を合わせて示した。尚、ゲスト材料の構造式番号は表に準じるものである。
【０１２９】
【表４】
2006282533.tif 000020
【０１３０】
＜比較例１、２＞
図１の発光層１４ｃのゲスト材料として、比較例１では非特許文献２に示されたアントラセン誘導体（Ｄ−１）を用い、比較例２では、特許文献１に示されたビアントラセン誘導体（Ｄ−２）を用いたほかは，実施例１と全く同様に有機電界発光素子を作製し、同様の評価を行った。尚、上記表４には、比較例１、２の評価結果も合わせて示した。
【化１８】
2006282533.tif 000021
【０１３１】
＜実施例４＞
次のようにして、基板側から発光光を取り出す透過型の有機電界発光素子を作製した。
【０１３２】
真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚さのＩＴＯからなる陽極１３が一表面に形成された３０ｍｍ×３０ｍｍのガラスからなる基板１２をセッティングした。
【０１３３】
蒸着マスクとして、複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有する金属マスクを基板１２に近接して配置し、真空蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４ａとして、ｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる膜を３０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、正孔輸送層１４ｂとして、α−ＮＰＤよりなる膜を３５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。
【０１３４】
このようにして形成された正孔注入層１４ａおよび正孔輸送層１４ｂ上に、ホスト材料として下記ＤＴＢＡＤＮと合成例で合成したビアントラセン誘導体［構造式（２）−３］とを、膜厚４０ｎｍで蒸着成膜した。ただし、ＤＴＢＡＤＮは、２，６−ジ−tertブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセンであり、ホスト材料として用いた。そしてこのＤＴＢＡＤＮに、ビアントラセン誘導体［構造式（２）−３］をゲスト材料として相対膜厚比で２.５％ドーピングして発光層１４ｃとした。
【化１９】
2006282533.tif 000022
【０１３５】
次いで、電子輸送層１４ｄとして、上記Ａｌｑ３を２０ｎｍの膜厚で蒸着した。
【０１３６】
以上のようにして、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄを順次積層してなる有機層１４を形成した後、陰極１５の第１層１５ａとして、ＬｉＦよりなる膜を真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で形成した。最後に、真空蒸着法により、第２層１５ａ上に陰極１５の第２層１５ｂとして膜厚７０ｎｍのＭｇＡｇ膜を形成した。
【０１３７】
こうして作製した有機電界発光素子を直流電圧駆動したところ、青色の発色を確認し、発光輝度は電圧７Ｖで１９９０ｃｄ／ｍ2であった。また、この発光輝度における外部量子効率は４．８％であった。
【０１３８】
＜実施例５＞
実施例４において発光層１４ｃのドーパント材料として、構造式（２）−３の代わりに合成例で合成した構造式（２）−１５の化合物を使用した以外は、実施例４と全く同様に有機電界発光素子を作製し、同様の評価を行った。
【０１３９】
尚、この結果を合わせて表４に示した。
【０１４０】
以上の表４に示した結果から、本発明のビアントラセン誘導体を、発光層１４ｃのゲスト材料として用いた実施例１〜３では、従来の公知材料であるアントラセン誘導体（Ｄ−１），（Ｄ−２）を発光層１４ｃのゲスト材料に用いた比較例１，２と比べると、色座標（特にＹ値）に優れ、色純度が改善されている。
【０１４１】
比較例１、２で用いた公知材料は緑色の発光となるため、青色発光よりも発光輝度は高くなることは自明ながら、発光色に依存しない電子注入に対する光子の生成率を規定する外部量子収率の指標を用いて比較すると、実施例１〜３の外部量子効率は高く維持されることが確認できた。
【０１４２】
また、実施例４、５について測定した結果からは、有機電界発光素子として陽極としてＩＴＯを用いた透過型を構成した場合においても、本発明のビアントラセン誘導体を発光層１４ｃのゲスト材料として用いることで、同様の効果が得られることが確認された。
【０１４３】
また、以上の結果、本発明のビアントラセン誘導体を用いた青色有機電界発光素子とともに、緑色有機電界発光素子と赤色有機電界発光素子を１組にして画素を構成することにより、色再現性の高いフルカラー表示が可能になることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を説明するための断面構成図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１１…有機電界発光素子、１２…基板、１３…陽極、１４…有機層、１４ｃ…発光層、１５…陰極
【図１】
2006282533.tif 000030