(57)【要約】【課題】  本発明は、小型化を図ると共に、ＩＣタグやＩＣカードとの通信の信頼性を向上させることのできるリーダライタ及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  回路基板１１と、回路基板１１に実装され、ＩＣタグとの間の通信を行なう通信制御部１４と、通信制御部１４を封止する封止樹脂１９と、封止樹脂１９上に樹脂層２２とを設け、樹脂層２２上にアンテナ２６を形成する。【選択図】  図３
2006303700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、該回路基板に実装され、ＩＣタグとの間の通信を行なう通信制御部と、該通信制御部を封止する封止樹脂と、該通信制御部と電気的に接続されるアンテナとを有するリーダライタであって、
前記封止樹脂上に、前記アンテナとなる導電膜との密着性が該封止樹脂よりも高い樹脂層を設けると共に、該樹脂層上にアンテナを設けたことを特徴とするリーダライタ。
【請求項２】
前記樹脂層は、軟磁性金属粉を含む樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のリーダライタ。
【請求項３】
前記封止樹脂と樹脂層との間に、軟磁性金属粉を含む樹脂からなる別の樹脂層を設けたことを特徴とする請求項１に記載のリーダライタ。
【請求項４】
前記軟磁性金属粉は、前記樹脂に対して１０％〜７０％混合させることを特徴とする請求項２または３に記載のリーダライタ。
【請求項５】
前記軟磁性金属粉は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔからなる群のうちの少なくとも一種からなることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載のリーダライタ。
【請求項６】
前記軟磁性金属粉の平均粒径は、１μｍ〜８μｍであることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載のリーダライタ。
【請求項７】
回路基板に実装され、ＩＣタグとの間の通信を行なう通信制御部と、該通信制御部を封止する封止樹脂と、該通信制御部と電気的に接続されるアンテナとを有するリーダライタの製造方法であって、
前記回路基板に前記通信制御部を実装する通信制御部実装工程と、
前記封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、
前記封止樹脂上に前記アンテナとなる導電膜との密着性が該封止樹脂よりも高い樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層上に前記アンテナを形成するアンテナ形成工程とを設けたことを特徴とするリーダライタの製造方法。
【請求項８】
前記封止樹脂形成工程と樹脂層形成工程との間に、軟磁性金属粉を含む樹脂からなる別の樹脂層を形成する別の樹脂層形成工程を設けたことを特徴とする請求項７に記載のリーダライタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣタグやＩＣカードに対して非接触で情報の書き込みや読み出しを行なうリーダライタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＩＣタグ（ＲＦＩＤタグともいう）やＩＣカードを情報管理したい製品や物体等の対象物（以下、「対象物」とする）に取り付けて、リーダライタを介してＩＣタグからの対象物の情報をコンピュータで管理し、業務の効率化を図ることが行われている。
【０００３】
図１は、従来のリーダライタを示した平面図である。図１に示すように、リーダライタ１００は、回路基板１０１と、通信制御部１０２と、マッチング回路部１０３と、アンテナ１０４と、モールド樹脂１０５とから構成されている。
【０００４】
回路基板１０１は、配線やビア（共に図示せず）等の導体パターンを有する。通信制御部１０２、マッチング回路部１０３、及びアンテナ１０４は、回路基板１０１の同一平面上に実装されている。通信制御部１０２は、ＩＣチップやＬＣＲ等の受動部品から構成され、モールド樹脂１０５により封止されている。通信制御部１０２は、アンテナ１０４を介してＩＣタグとの間の情報の送受信を行なうためのものであり、マッチング回路１０３と電気的に接続されている。
【０００５】
マッチング回路１０３は、アンテナ１０４及び通信制御部１０２と電気的に接続されている。マッチング回路１０３は、通信に用いる電磁波の周波数や入出力のインピーダンスを考慮して整合を行なうためのものである。
【０００６】
アンテナ１０４は、通信制御部１０２を囲むように回路基板１０１上に設けられている。アンテナ１０４は、電磁誘導によりＩＣタグに電力の供給と情報の送受信を行なうためのものである（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１２６７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のリーダライタ１００では、通信制御部１０２、マッチング回路部１０３、及びアンテナ１０４が回路基板１０１の同一平面上に実装されているため、回路基板１０１のサイズが大きくなってしまい、リーダライタ１００の小型化が困難であるという問題があった。
【０００８】
図２は、アンテナから発生する磁束と渦電流との関係を模式的に示した図である。図２において、図１に示したリーダライタ１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【０００９】
また、アンテナ１０４を含む回路基板１０１を、他の機器に組み込む事を想定したとき、配置場所の制約から金属物質１０６（例えば、別の回路基板、バッテリー、フレーム等）の上に配置される場合がある。この時、アンテナ１０４から発生した磁束Ｂ１が金属物質１０６と衝突して金属物質１０６の表面に渦電流Ｉ１が発生し、この渦電流Ｉ１により新たな磁束Ｂ２が発生して磁束Ｂ１が弱められてしまい、ＩＣタグとリーダライタ１００との間の通信の信頼性が低下してしまうという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、小型化を図ると共に、ＩＣタグやＩＣカードとの通信の信頼性を向上させることのできるリーダライタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一観点によれば、回路基板と、該回路基板に実装され、ＩＣタグとの間の通信を行なう通信制御部と、該通信制御部を封止する封止樹脂と、該通信制御部と電気的に接続されるアンテナとを有するリーダライタであって、前記封止樹脂上に、前記アンテナとなる導電膜との密着性が該封止樹脂よりも高い樹脂層を設けると共に、該樹脂層上にアンテナを設けたことを特徴とするリーダライタが提供される。
【００１２】
本発明によれば、通信制御部を封止する封止樹脂上にアンテナとなる導電膜との密着性が封止樹脂よりも高い樹脂層を設け、樹脂層上にアンテナを設けることにより、樹脂層とアンテナとの間の密着性を向上させると共に、回路基板のサイズを小さくして、リーダライタの小型化を図ることができる。
【００１３】
また、上記構成において、樹脂層として、軟磁性金属粉を含む樹脂を用いてもよい。回路基板とアンテナとの間に、軟磁性金属粉を含む樹脂からなる樹脂層を設けることにより、渦電流の発生を防止して、ＩＣタグとリーダライタとの間の通信の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
本発明の他の観点によれば、回路基板に実装され、ＩＣタグとの間の通信を行なう通信制御部と、該通信制御部を封止する封止樹脂と、該通信制御部と電気的に接続されるアンテナとを有するリーダライタの製造方法であって、前記回路基板に前記通信制御部を実装する通信制御部実装工程と、前記封止樹脂を形成する封止樹脂形成工程と、前記封止樹脂上に前記アンテナとなる導電膜との密着性が該封止樹脂よりも高い樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層上に前記アンテナを形成するアンテナ形成工程とを設けたことを特徴とするリーダライタの製造方法が提供される。
【００１５】
本発明によれば、アンテナとなる導電膜との密着性の悪い封止樹脂上に、アンテナとなる導電膜との密着性が該封止樹脂よりも高い樹脂層を形成することにより、封止樹脂の上方にアンテナを形成することができる。
【００１６】
また、前記封止樹脂形成工程と樹脂層形成工程との間に、軟磁性金属粉を含む樹脂からなる別の樹脂層を形成する別の樹脂層形成工程を設けてもよい。封止樹脂形成工程と樹脂層形成工程との間に、軟磁性金属粉を含む樹脂からなる別の樹脂層を形成することにより、渦電流が発生することを防止して、ＩＣタグとリーダライタとの間の通信の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、小型化を図ると共に、ＩＣタグやＩＣカードとの通信の信頼性を向上させることのできるリーダライタ及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態によるリーダライタの断面図であり、図４は、図３に示したリーダライタの斜視図である。なお、図４においては、アンテナ２６の形状が分かりやすいようにソルダーレジスト３１の図示を省略する。
【００１９】
始めに、図３及び図４を参照して、本発明の第１の実施の形態によるリーダライタ１０について説明する。リーダライタ１０は、回路基板１１と、ビア接続用端子１２，１３と、通信制御部１４と、封止樹脂１９と、樹脂層２２と、ビア２５と、アンテナ２６と、ソルダーレジスト３１とを有する。
【００２０】
回路基板１１は、複数の配線やビア等の導体パターン（図示せず）が形成されている。回路基板１１は、ビア接続用端子１２，１３を形成すると共に、通信制御部１４を実装するための基板である。回路基板１１としては、例えば、プリント基板やフレキシブル基板等を用いることができる。
【００２１】
ビア接続用端子１２，１３は、通信制御部１４と電気的に接続されるよう回路基板１１上に設けられている。ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａは、封止樹脂１９及び樹脂層２２から露出されている。ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａは、ビア２５と電気的に接続されている。また、ビア接続用端子１２，１３の高さＨ１，Ｈ２は、ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａの位置が通信制御部１４よりも高くなるように設定されている。
【００２２】
ビア接続用端子１２，１３は、例えば、回路基板１１の配線上に柱状となるようＣｕめっき膜を析出させたり、柱状の銅材を搭載したりして形成することができる。
【００２３】
通信制御部１４は、回路基板１１上に実装されている。通信制御部１４は、ＩＣタグと情報の送受信を行い、アンテナ２６と合わせて、リーダライタ１０として機能する。通信制御部１４は、制御回路部１５と、ＲＦ回路部１６と、マッチング回路部１７とを有する。制御回路部１５と、ＲＦ回路部１６と、マッチング回路部１７は、回路基板１１に搭載され、回路基板１１の配線（図示せず）と接続された半導体チップやＬＣＲ等の受動素子から構成されている。
【００２４】
制御回路部１５は、通信のプロトコルに従ってＲＦ回路部１６を制御して、ＩＣタグとの通信を行なうと共に、ホスト・コンピュータ（図示せず）とリーダライタ１０との間のインターフェースとして機能する。
【００２５】
ＲＦ回路部１６は、ＩＣタグに送信する情報を符号化して搬送波（電磁波）を変調させる送信部と、ＩＣタグに電力を供給する電力増幅部と、ＩＣタグから受信した情報を復調させる受信部を有する。
【００２６】
マッチング回路部１７は、通信に用いる搬送波の周波数や入出力のインピーダンスを整合するためのものである。
【００２７】
封止樹脂１９は、通信制御部１４を封止するための樹脂であり、制御回路部１５、ＲＦ回路部１６、及びマッチング回路部１７を覆うように設けられている。また、封止樹脂１９には、ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部２１が形成されている。
【００２８】
封止樹脂１９は、外部からの衝撃等から通信制御部１４を保護するためのものである。封止樹脂１９は、表面が平滑であり、かつ表面の粗化も困難である。そのため、封止樹脂１９は、めっき法やスパッタ法により形成された導電膜との密着性が悪く、導電膜が剥離してしまう。したがって、封止樹脂１９上に直接導電膜を形成して、アンテナ２６を設けることは困難である。封止樹脂１９としては、例えば、モールド樹脂を用いることができる。また、モールド樹脂としては、トランスファーモールド法により形成されたエポキシ系モールド樹脂を用いることができる。このエポキシ系モールド樹脂は、例えば、一般的なエポキシ系樹脂に硬化剤（フェノール・ノボラック系樹脂）とフィラー（溶融シリカや結晶シリカ等）を混合させたものである。なお、開口部２１の上端の開口径Ｄ１は、例えば、３０μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００２９】
樹脂層２２は、アンテナ２６となる導電膜との密着性が封止樹脂１９よりも高く、かつ粗化可能な樹脂であり、封止樹脂１９の上面を覆うように設けられている。また、樹脂層２２には、ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部２３が形成されている。樹脂層２２としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。樹脂層２２の厚さＭ１は、例えば、２０μｍ〜６０μｍとすることができる。また、開口部２３の上端の開口径Ｄ２は、例えば、２０μｍ〜４００μｍとすることができる。
【００３０】
このように、封止樹脂１９上にアンテナ２６となる導電膜との密着性が封止樹脂１９よりも高く、かつ粗化可能な樹脂層２２を設けることにより、樹脂層２２の表面を粗化して、樹脂層２２上にアンテナ２６を形成することが可能となる。また、樹脂層２２とアンテナ２６との間の密着性を向上させることができる。
【００３１】
なお、樹脂層２２として、例えば、エポキシ系樹脂等の樹脂にＰｄ等のめっき触媒となる金属粒子を分散させたものを用いてもよい。これにより、樹脂層２２上に設けられる導電膜（めっき膜）と樹脂層２２との密着性を向上させることができる。
【００３２】
ビア２５は、樹脂層２２に形成された開口部２３に設けられている。ビア２５の下端部は、ビア接続用端子１２，１３のいずれか一方と電気的に接続されており、ビア２５の上端部は、アンテナ部接続端子２８，２９のいずれか一方と電気的に接続されている。ビア２５は、ビア接続用端子１２，１３とアンテナ２６との間を電気的に接続するためのものである。
【００３３】
アンテナ２６は、電磁誘導によりＩＣタグに電力の供給と情報の送受信を行なうためのものである。アンテナ２６は、樹脂層２２上に形成されている。
【００３４】
このように、封止樹脂１９上に設けられた樹脂層２２にアンテナ２６を設けることにより、従来の回路基板１０１よりも回路基板１１のサイズ（面積）を小さくして、リーダライタ１０の小型化を図ることができる。
【００３５】
アンテナ２６は、アンテナ部２７と、アンテナ部接続端子２８，２９とを有する。また、アンテナ２６の厚さＭ２は、例えば、１０μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００３６】
アンテナ部２７は、スパイラル形状とされており、一方の端部がアンテナ部接続端子２８と接続され、他方の端部がアンテナ部接続端子２９と接続されている。アンテナ部接続端子２８は、樹脂層２２上に設けられており、ビア接続用端子１２と接続されたビア２５と電気的に接続されている。アンテナ部接続端子２９は、樹脂層２２上に設けられており、ビア接続用端子１３と接続されたビア２５と電気的に接続されている。アンテナ部接続端子２８，２９は、ビア２５を介してアンテナ部２７とビア接続用端子１２，１３との間を電気的に接続する。
【００３７】
ソルダーレジスト３１は、アンテナ２６を覆うよう樹脂層２２上に設けられている。ソルダーレジスト３１は、外部からの衝撃等からアンテナ２６を保護するためのものである。
【００３８】
図５〜図１５は、本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図である。なお、図５〜図１５において、図３に示したリーダライタ１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００３９】
次に、図５〜図１５を参照して、本実施の形態のリーダライタ１０の製造方法について説明する。
【００４０】
始めに、図５に示すように、回路基板１１上にビア接続用端子１２，１３を形成し、続いて、ビア接続用端子１２，１３が形成された側の回路基板１１に通信制御部１４（制御回路部１５、ＲＦ回路部１６、及びマッチング回路部１７）を実装する（通信制御部実装工程）。この際、ビア接続用端子１３の高さＨ２は、ビア接続用端子１２の高さＨ１と略同じ高さになるように形成する。
【００４１】
ビア接続用端子１２，１３は、例えば、回路基板１１の配線上に柱状となるようＣｕめっき膜を析出させたり、柱状の銅材を搭載したりして形成することができる。
【００４２】
次に、図６に示すように、ビア接続用端子１２，１３と通信制御部１４とを覆うように封止樹脂１９を形成する（封止樹脂形成工程）。ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａから封止樹脂１９の上面１９Ａまでの厚さＭ３は、例えば、１０μｍ〜６００μｍとすることができる。
【００４３】
続いて、図７に示すように、封止樹脂１９にビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部２１を形成する。開口部２１は、例えば、レーザ加工、ドリル加工等により形成することができる、また、開口部２１の上端の開口径Ｄ１は、例えば、３０μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００４４】
次に、図８に示すように、開口部２１を充填すると共に、封止樹脂１９の上面１９Ａを覆う樹脂層２２を形成する（樹脂層形成工程）。樹脂層２２は、デスミア処理等により粗化可能な樹脂である。樹脂層２２の厚さＭ１は、例えば、２０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００４５】
樹脂層２２としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。例えば、樹脂層２２として樹脂フィルムを用いる場合、真空ラミネータにより加熱・加圧することで、封止樹脂１９に圧着することができる。なお、液状樹脂を封止樹脂１９上に塗布し、その後、液状樹脂を熱硬化させることにより、樹脂層２２を形成してもよい。なお、樹脂層２２として、例えば、エポキシ系樹脂等の樹脂にＰｄ等のめっき触媒となる金属粒子を分散させたものを用いてもよい。
【００４６】
続いて、図９に示すように、樹脂層２２にビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部２３を形成し、その後、デスミア処理を行って樹脂層２２の表面を粗化させる。開口部２３は、例えば、レーザ加工、ドリル加工等により形成することができる、また、開口部２３の上端の開口径Ｄ２は、例えば、２００μｍ〜４００μｍとすることができる。
【００４７】
このように、表面が平滑で粗化することが困難で、かつめっき法やスパッタ法等により形成された導電膜との密着性の悪い封止樹脂１９上に、封止樹脂１９よりも導電膜との密着性の高い樹脂層２２を形成することにより、樹脂層２２を粗化して、樹脂層２２上にアンテナ２６を形成することが可能となる。
【００４８】
次に、図１０に示すように、開口部２３に露出されたビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａ及び樹脂層２２上にシード層３３を形成する。シード層３３としては、例えば、無電解めっき法により形成されたＣｕ層を用いることができる。
【００４９】
次に、図１１に示すように、シード層３３上に、開口部３４Ａ，３４Ｂを有するレジスト層３４を形成する。開口部３４Ａは、アンテナ部２７が形成される領域に対応しており、開口部３４Ｂは、アンテナ部接続端子２８，２９が形成される領域に対応している。
【００５０】
続いて、図１２に示すように、開口部３４Ａ，３４Ｂに露出されたシード層３３上に導電金属膜３５を形成する。これにより、開口部２３にシード層３３と導電金属膜３５とよりなるビア２５が形成される。導電金属膜３５としては、例えば、電解めっき法により形成されたＣｕ膜を用いることができる。導電金属膜３５の厚さＭ２は、例えば、１０μｍ〜２５μｍとすることができる。
【００５１】
次に、図１３に示すように、レジスト剥離液によりレジスト層３４を除去する。続いて、図１４に示すように、導電金属膜３５が形成されていない部分のシード層３３を除去することにより、シード層３３と導電金属膜３５とよりなるアンテナ２６（アンテナ部２７及びアンテナ部接続端子２８，２９）が形成される（アンテナ形成工程）。
【００５２】
このように、封止樹脂１９上に形成された樹脂層２２にアンテナ２６を形成することにより、リーダライタ１０の小型化を図ることができる。
【００５３】
その後、図１５に示すように、アンテナ２６を覆うように樹脂層２２上にソルダーレジスト３１を形成することで、リーダライタ１０が製造される。
【００５４】
上記説明したように、本実施の形態によれば、通信制御部１４を封止する封止樹脂１９上に、アンテナ２６となる導電膜との密着性が封止樹脂１９よりも高い樹脂層２２を設けると共に、樹脂層２２上にアンテナ２６を設けることにより、従来の回路基板１０１よりも回路基板１１のサイズ（面積）を小さくして、リーダライタ１０の小型化を図ることができる。
【００５５】
なお、本実施の形態では、めっき法により、アンテナ２６を形成する場合を例に挙げてリーダライタ１０の製造方法について説明したが、アンテナ２６は、めっき法以外の方法、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成してもよい。また、ビア接続用端子１２，１３を設けることなく、回路基板１１の配線に直接ビア２５を接続してもよい。
【００５６】
（第２の実施の形態）
図１６は、本発明の第２の実施の形態によるリーダライタの断面図であり、図１７は、本実施の形態によるリーダライタのアンテナから発生する磁束を模式的に示した図である。なお、図１６及び図１７において、第１の実施の形態のリーダライタ１０と同一構成部分には同一の符号を付す。また、図１７において、ソルダーレジスト３１の図示を省略する。
【００５７】
図１６及び図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態によるリーダライタ４０について説明する。リーダライタ４０は、回路基板１１と、ビア接続用端子１２，１３と、通信制御部１４と、封止樹脂１９と、軟磁性樹脂層４１と、ビア２５と、アンテナ２６と、ソルダーレジスト３１とを有する。つまり、リーダライタ４０は、第１の実施の形態のリーダライタ１０に設けられた樹脂層２２の代わりに軟磁性樹脂層４１を設けた以外は、リーダライタ１０と同様な構成とされている。
【００５８】
軟磁性樹脂層４１は、封止樹脂１９の上面を覆うように、封止樹脂１９とアンテナ２６との間に設けられている。また、軟磁性樹脂層４１には、ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部４２が形成されている。軟磁性樹脂層４１は、軟磁性金属粉を含む樹脂により構成されている。上記樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。また、軟磁性金属粉としては、初透磁率が１以上の金属を用いることができる。軟磁性金属粉としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔからなる群のうちの少なくとも一種からなるものを用いるとよい。また、軟磁性金属粉として、金属粉の表面をエポキシ系樹脂等の絶縁材で被膜したものを用いてもよい。これにより、ビア接続用端子１２，１３とアンテナ２６との間の絶縁性を向上させることができる。軟磁性樹脂層４１の厚さＭ４は、例えば、２０μｍ〜６０μｍとすることができる。また、開口部４２の上端の開口径Ｄ３は、例えば、２０μｍ〜４００μｍとすることができる。
【００５９】
このように、アンテナ２６と封止樹脂１９との間に、軟磁性金属粉を含む樹脂からなる軟磁性樹脂層４１を設けることにより、アンテナ２６から発生した磁束Ｂ３が回路基板１１を通過することがなくなるため、回路基板１１の表面に渦電流が発生することを防止できる。これにより、アンテナ２６から発生した磁束Ｂ３が弱められることがなくなるため、ＩＣタグとリーダライタ４０との間の通信の信頼性を向上させることができる。
【００６０】
また、軟磁性金属粉は、樹脂に対して１０％〜７０％混合させるとよい。樹脂に混合させる軟磁性金属粉の割合が１０％よりも少ないと磁束Ｂ３が回路基板１１を通過して渦電流が発生し、磁束Ｂ３が弱められ、軟磁性金属粉の割合が７０％よりも多いと軟磁性樹脂層４１の絶縁性能を十分に確保することができない。好ましくは、樹脂に対して５０％〜７０％の軟磁性金属粉を混合させるとよい。
【００６１】
さらに、軟磁性金属粉の平均粒径は、１μｍ〜８μｍにするとよい。軟磁性金属粉の平均粒径が１μｍよりも小さいと磁束Ｂ３が回路基板１１を通過して渦電流が発生し、磁束Ｂ３が弱められ、軟磁性金属粉の平均粒径が８μｍよりも大きいと軟磁性樹脂層４１が脆弱となる。
【００６２】
なお、例えば、軟磁性樹脂層４１として樹脂フィルムを用いる場合、真空ラミネータにより加熱・加圧することで、封止樹脂１９に圧着することができる。また、液状樹脂を封止樹脂１９上に塗布し、その後、液状樹脂を熱硬化させることにより、軟磁性樹脂層４１を形成してもよい。
【００６３】
上記説明したように、本実施の形態によれば、回路基板１１とアンテナ２６との間に、軟磁性金属粉を含んだ樹脂からなる軟磁性樹脂層４１を設けることにより、渦電流によりアンテナ２６から発生される磁束Ｂ３が弱められることを防いで、ＩＣタグとリーダライタ４０との間の通信の信頼性を向上させることができる。
【００６４】
なお、本実施の形態のリーダライタ４０は、第１の実施の形態のリーダライタ１０と同様な方法により製造することができる。
【００６５】
（第３の実施の形態）
図１８は、本発明の第３の実施の形態によるリーダライタの断面図である。なお、図１８において、第２の実施の形態のリーダライタ４０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００６６】
図１８を参照して、本発明の第３の実施の形態によるリーダライタ５０について説明する。リーダライタ５０は、回路基板１１と、ビア接続用端子１２，１３と、通信制御部１４と、封止樹脂１９と、樹脂層２２と、アンテナ２６と、ソルダーレジスト３１、軟磁性樹脂層４１と、ビア５３とを有する。つまり、リーダライタ５０は、第２の実施の形態のリーダライタ４０の構成において、封止樹脂１９とアンテナ２６との間に第１の実施の形態で説明した樹脂層２２を設けると共に、ビア２５の代わりにビア５３を設けた構成とされている。なお、本実施の形態において、軟磁性樹脂層４１は別の樹脂層に相当する。
【００６７】
樹脂層２２には、ビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部５２が形成されている。開口部５２の上端の直径Ｄ４は、例えば、１０μｍ〜３００μｍとすることができる。
【００６８】
ビア５３は、樹脂層２２に形成された開口部５２に設けられている。ビア５３は、アンテナ２６とビア接続用端子１２，１３との間を電気的に接続するためのものである。
【００６９】
このように、軟磁性樹脂層４１とアンテナ２６との間に樹脂層２２を設けることにより、ビア接続用端子１２，１３とアンテナ２６との間を十分に絶縁することができる。
【００７０】
図１９〜図２２は、本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図である。なお、図１９〜図２２において、図１８に示したリーダライタ５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７１】
次に、図１９〜図２２を参照して、本実施の形態のリーダライタ５０の製造方法について説明する。
【００７２】
始めに、先の第１の実施の形態で説明した図５〜図７に示した処理（通信制御部実装工程及び封止樹脂形成工程）を行なう。次に、図１９に示すように、開口部２１を充填すると共に、封止樹脂１９の上面１９Ａを覆うように軟磁性樹脂層４１を形成する（別の樹脂層形成工程）。軟磁性樹脂層４１の厚さＭ４は、例えば、２０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００７３】
続いて、図２０に示すように、軟磁性樹脂層４１にビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部４２を形成する。開口部４２は、例えば、レーザ加工、ドリル加工等により形成することができる。また、開口部４２の上端の開口径Ｄ３は、例えば、２０μｍ〜４００μｍとすることができる。
【００７４】
次に、図２１に示すように、開口部４２を充填すると共に、軟磁性樹脂層４１の上面４１Ａを覆うように樹脂層２２を形成する（樹脂層形成工程）。樹脂層２２は、デスミア処理等により粗化することが可能なものである。
【００７５】
続いて、図２２に示すように、樹脂層２２にビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部５２を形成し、その後、デスミア処理を行って樹脂層２２の表面を粗化させる。開口部５２は、例えば、レーザ加工、ドリル加工等により形成することができる、また、開口部５２の上端の開口径Ｄ４は、例えば、１０μｍ〜３００μｍとすることができる。
【００７６】
その後、先の第１の実施の形態で説明した図１０〜図１５に示した工程と同様な処理を行なうことにより、リーダライタ５０が製造される。
【００７７】
上記説明したように、本実施の形態によれば、軟磁性樹脂層４１によりＩＣタグとリーダライタ５０との間の通信の信頼性を向上させると共に、軟磁性樹脂層４１とアンテナ２６との間に設けられた樹脂層２２により、ビア接続用端子１２，１３とアンテナ２６との間を十分に絶縁することができる。
【００７８】
（第４の実施の形態）
図２３は、本発明の第４の実施の形態によるリーダライタの断面図である。なお、図２３において、第３の実施の形態のリーダライタ５０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００７９】
図２３を参照して、本発明の第４の実施の形態によるリーダライタ６０について説明する。リーダライタ６０は、封止樹脂１９と軟磁性樹脂層４１とを順次積層させた後に、封止樹脂１９及び軟磁性樹脂層４１にビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部６１を設けた以外は、第３の実施の形態のリーダライタ５０と同様な構成とされている。開口部６１の上端の直径Ｄ５は、例えば、３０μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００８０】
図２４〜図２７は、本実施の形態によるリーダライタの製造工程を示した図である。なお、図２４〜図２７において、図２３に示したリーダライタ６０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００８１】
次に、図２４〜図２７を参照して、本実施の形態によるリーダライタ６０の製造方法について説明する。
【００８２】
始めに、先の第１の実施の形態で説明した図５及び図６に示した工程（通信制御部実装工程及び封止樹脂形成工程）を行なう。次に、図２４に示すように、封止樹脂１９の上面１９Ａを覆うように軟磁性樹脂層４１を形成する（別の樹脂層形成工程）。
【００８３】
次に、図２５に示すように、封止樹脂１９及び軟磁性樹脂層４１にビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部６１を形成する。開口部６１は、例えば、レーザ加工、ドリル加工等により形成することができる。また、開口部６１の上端の開口径Ｄ５は、例えば、３０μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００８４】
次に、図２６に示すように、開口部６１を充填すると共に、軟磁性樹脂層４１の上面４１Ａを覆うように樹脂層２２を形成する（樹脂層形成工程）。樹脂層２２は、デスミア処理等により粗化することが可能なものである。
【００８５】
続いて、図２７に示すように、樹脂層２２にビア接続用端子１２，１３の上面１２Ａ，１３Ａを露出する開口部６２を形成し、その後、デスミア処理を行って樹脂層２２の表面を粗化させる。開口部６２は、例えば、レーザ加工、ドリル加工等により形成することができる、また、開口部６２の上端の開口径Ｄ４は、例えば、２０μｍ〜４００μｍとすることができる。
【００８６】
その後、先の第１の実施の形態で説明した図１０〜図１５に示した工程と同様な処理を行なうことにより、リーダライタ６０が製造される。
【００８７】
上記説明した方法により、本実施の形態のリーダライタ６０を製造することにより、第２の実施の形態のリーダライタ５０では３回必要であった開口部の形成工程（開口部２１，２３，５２）を２回（開口部６１，６２）に減らすことが可能となり、リーダライタ６０の製造コストを低減することができる。
【００８８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００８９】
なお、第１〜第４の実施の形態に示したリーダライタは、ＩＣタグに限らず、ＩＣカード等、何らかの通信媒体との間の情報の授受に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明によれば、小型化を図ると共に、ＩＣタグやＩＣカードとの通信の信頼性を向上させることのできるリーダライタ及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】従来のリーダライタを示した平面図である。
【図２】アンテナから発生する磁束と渦電流との関係を模式的に示した図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるリーダライタの断面図である。
【図４】図３に示したリーダライタの斜視図である。
【図５】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その１）である。
【図６】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その２）である。
【図７】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その３）である。
【図８】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その４）である。
【図９】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その５）である。
【図１０】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その６）である。
【図１１】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その７）である。
【図１２】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その８）である。
【図１３】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その９）である。
【図１４】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その１０）である。
【図１５】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その１１）である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態によるリーダライタの断面図である。
【図１７】本実施の形態によるリーダライタのアンテナから発生する磁束を模式的に示した図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態によるリーダライタの断面図である。
【図１９】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その１）である。
【図２０】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その２）である。
【図２１】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その３）である。
【図２２】本実施の形態のリーダライタの製造工程を示した図（その４）である。
【図２３】本発明の第４の実施の形態によるリーダライタの断面図である。
【図２４】本実施の形態によるリーダライタの製造工程を示した図（その１）である。
【図２５】本実施の形態によるリーダライタの製造工程を示した図（その２）である。
【図２６】本実施の形態によるリーダライタの製造工程を示した図（その３）である。
【図２７】本実施の形態によるリーダライタの製造工程を示した図（その４）である。
【符号の説明】
【００９２】
１０，４０，５０，６０  リーダライタ
１１  回路基板
１２，１３  ビア接続用端子
１２Ａ，１３Ａ，１９Ａ，４１Ａ  上面
１４  通信制御部
１５  制御回路部
１６  ＲＦ回路部
１７  マッチング回路部
１９  封止樹脂
２１，２３，３４Ａ，３４Ｂ，４２，５２，６１，６２  開口部
２２  樹脂層
２５，５３  ビア
２６  アンテナ
２７  アンテナ部
２８，２９  アンテナ部接続端子
３１  ソルダーレジスト
３３  シード層
３４  レジスト層
３５  導電金属膜
４１  軟磁性樹脂層
Ｂ３  磁束
Ｄ１〜Ｄ５  開口径
Ｈ１，Ｈ２  高さ
Ｍ１〜Ｍ４  厚さ
【図１】
2006303700.tif 000003
【図２】
2006303700.tif 000004
【図３】
2006303700.tif 000005
【図４】
2006303700.tif 000006
【図５】
2006303700.tif 000007
【図６】
2006303700.tif 000008
【図７】
2006303700.tif 000009
【図８】
2006303700.tif 000010
【図９】
2006303700.tif 000011
【図１０】
2006303700.tif 000012
【図１１】
2006303700.tif 000013
【図１２】
2006303700.tif 000014
【図１３】
2006303700.tif 000015
【図１４】
2006303700.tif 000016
【図１５】
2006303700.tif 000017
【図１６】
2006303700.tif 000018
【図１７】
2006303700.tif 000019
【図１８】
2006303700.tif 000020
【図１９】
2006303700.tif 000021
【図２０】
2006303700.tif 000022
【図２１】
2006303700.tif 000023
【図２２】
2006303700.tif 000024
【図２３】
2006303700.tif 000025
【図２４】
2006303700.tif 000026
【図２５】
2006303700.tif 000027
【図２６】
2006303700.tif 000028
【図２７】
2006303700.tif 000029