(57)【要約】      （修正有）【課題】  水素イオン注入法によるＳＯＩ基板の製造工程において、貼り合わせ時のボイドの発生を防止し、剥離後のブリスタの発生を防止する。【解決手段】  基板への水素イオン注入前に基板洗浄を行う。洗浄方法はＳＣ−１洗浄、ＳＣ−１洗浄＋ＳＣ−２洗浄、ＨＦ／Ｏ３洗浄、もしくはＨＦ洗浄＋Ｏ３洗浄の内の１種またはこれらを組み合わせた洗浄方法を採用することができる。【選択図】図１
2006303089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素イオン注入による貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法において、水素イオン注入前に基板洗浄を行うことを特徴とするシリコン基板の洗浄方法。
【請求項２】
前記水素イオン注入前の洗浄を洗浄条件を変えて繰り返し実施することを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板の洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄方法が、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−１洗浄＋ＳＣ−２洗浄、ＨＦ／Ｏ３洗浄、もしくはＨＦ洗浄＋Ｏ３洗浄の内の１種またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のシリコン基板の洗浄方法。
【請求項４】
水素イオン注入後に再び基板洗浄を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のシリコン基板の洗浄方法。
【請求項５】
前記基板の再洗浄方法が超純水リンスであることを特徴とする請求項４に記載のシリコン基板の洗浄方法。
【請求項６】
洗浄後の表面粗さをＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下（１０μｍ×１０μｍ）とすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のシリコン基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素イオン注入法を使用した貼り合わせシリコン基板の製造方法に関し、特に材料となるシリコン基板を貼り合わせる前の洗浄方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水素イオンを注入したシリコン基板を貼り合わせて形成した、いわゆるＳＯＩ（ Silicon On Insulator ）基板は、集積回路を形成した場合に高速、低消費電力、高温動作、耐放射線効果などの数々の優れた性能を発揮するため、次世代の超ＬＳＩ用の半導体基板として注目を集めている。
従来からＳＯＩ基板の製造方法としては、図４に示すように、第１のシリコン基板表面に熱酸化法等により酸化膜を形成する工程（ａ）、表面から水素イオンを注入することにより基板内部に微小気泡層（注入層）を形成する水素イオン注入工程（ｃ）、水素イオン注入した基板を洗浄する工程（ｄ）、第２のシリコン基板表面とを密着させる貼り合わせ工程（ｅ）と、貼り合わせた２枚の基板を前記微小気泡層を境にして剥離する剥離工程（ｆ）、剥離した第２のシリコン基板上に酸化膜を介して存在する第１のシリコン層表面の微小気泡層を平坦にする平坦化処理工程（ｇ）、及び第１のシリコン層を研磨等の加工により、所定の厚さにする薄膜化処理工程（ｈ）を経て製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１に記載された方法では、イオン注入した後にシリコン基板のパーティクルを除去するため洗浄を行っている。また、洗浄方法としてはＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液による洗浄（ＳＣ−１洗浄）を提唱している。
【０００３】
さらに、基板洗浄と水素イオン注入を数回に分割して実施する方法も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。洗浄方法としてはアンモニア、過酸化水素、純水、電解イオン水、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液（ＳＣ−１）等による洗浄を提唱している。  この方法によれば、ボイドの発生原因となるパーティクル直下にできるイオン注入の陰となる部分の発生を少なくすることが可能で、水素イオン濃度が著しく少ない領域が減少して熱処理後の剥離不良部分もなく、ボイドの発生を防止できるとされている。
【特許文献１】国際公開第０１−０９３３３４号パンフレット
【特許文献２】特開２００３−３０９１０１号公報
【０００４】
これらのイオン注入剥離法は、貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法として極めて優れた方法であるが、これらのＳＯＩ基板を量産レベルで歩留まり良く生産するためには、貼り合わせ界面に発生するボイドと呼ばれる結合不良を低減させる必要がある。ボイドの主な発生原因は、貼り合わせ面に付着したパーティクルであることがわかっており、そのパーティクルの粒径が０．５μｍ以上であればボイドが発生することが明らかになってきた。
イオン注入する際にパーティクルが付着していない場合には、図５（ａ）に示すように酸化膜１１の下に，後に活性シリコン層１３となる領域を介して水素イオンが均一に注入された水素イオン注入層１２が形成される。このように均一な水素イオン注入層１２が形成された場合には、剥離工程で脆弱な水素イオン注入層１２内の剥離面Ｓを境にしてきれいに分離することができる。
一方、イオン注入する際にパーティクルが付着している場合には、図５（ｂ）に示すように貼り合わせ工程でパーティクルＰの部分が密着しないばかりでなく、パーティクルＰの下はパーティクルＰの陰（シャドウ）になって所定量に水素イオンが注入されず、水素イオン欠乏領域１４が生ずる。水素イオン欠乏領域１４が生じるとこの部分は脆弱にならないので、剥離工程で連続した剥離面Ｓが得られず、きれいに分離することができなくなる。
従って、このようなボイドを低減するためには、イオン注入するシリコン基板表面に付着しているパーティクルを除去するための基板洗浄を行って、パーティクルを完全に除去してからイオン注入を行う必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように水素イオン注入を分割して行いイオン注入間洗浄を行うと、ある程度のパーティクルの除去は期待できるが、イオン注入前から持ち込まれたパーティクルのほとんどはイオン注入により基板表面に固着してしまい、薬液洗浄では除去することが困難になってしまう。また、イオン注入間洗浄を行うと、洗浄によりイオン注入したシリコン基板表面が、通常の基板表面に比較して粗くなることと、洗浄を複数回繰り返すことでシリコン基板表面の面アレが進行して、貼り合わせする際にボイド等の発生原因となる。さらに、イオン注入を分割して実施してその間に洗浄工程を入れることで、製造時の工程が増加して煩雑となり、生産性が大幅に低下するという問題がある。
本発明はイオン注入の際のシャドウ発生原因となり、貼り合わせの際のボイド発生原因となる基板表面のパーティクルを無くすことを目的とし、製造時の工程が増加しない効果的な洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明は、水素イオン注入による貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法において、水素イオン注入前にシリコン基板洗浄を行うこととした。
本発明においては、前記水素イオン注入前の洗浄を洗浄条件を変えて繰り返し実施することができる。
本発明においては、前記洗浄方法としてＳＣ−１洗浄、ＳＣ−１洗浄＋ＳＣ−２洗浄、ＨＦ／Ｏ３洗浄、もしくはＨＦ洗浄＋Ｏ３洗浄の内の１種またはこれらの組み合わせた方法を使用することができる。
本発明においては、水素イオン注入後に再び基板洗浄を行うこともできる。
前記基板の再洗浄方法として超純水リンスを利用することができる。
また、本発明においては洗浄後の表面粗さがＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下となるまで洗浄することが好ましい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、水素イオン注入前に付着しているパーティクルを完全に洗浄除去するので、水素イオン注入してもパーティクルが強固に付着する心配はなく、貼り合わせする際にボイドの発生を防止することが可能となる。また、本発明によれば連続的に洗浄を行った後に水素イオン注入するので、製造ラインにおいて洗浄槽の位置を入れ替えるだけでよく、工程を煩雑にすることなく生産性と製造歩留まりを高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１に本発明のシリコン基板の洗浄方法を使用したＳＯＩ基板の製造工程の概略を示す。このＳＯＩ基板の製造工程は、第１のシリコン基板表面に熱酸化法等により酸化膜を形成する酸化膜形成工程（ａ）、酸化膜を形成したシリコン基板を洗浄する洗浄工程（ｂ）、シリコン基板表面から水素イオンを注入することにより基板内部に微小気泡層（注入層）を形成する水素イオン注入工程（ｃ）、水素イオン注入したシリコン基板を再度洗浄する工程（ｄ）、水素イオン注入した基板と第２のシリコン基板表面とを密着させる貼り合わせ工程（ｅ）、貼り合わせた２枚の基板を前記微小気泡層を境にして剥離する剥離処理工程（ｆ）、剥離した第２のシリコン基板上に酸化膜を介して存在する第１のシリコン層表面の微小気泡層を平坦にする平坦化処理工程（ｇ）、第２のシリコン基板上に酸化膜を介して存在する第１のシリコン層を所定の厚さにする薄膜化処理工程（ｈ）を経て製造する。
【０００９】
図２及び図３に、各工程における処理の概要を説明する。
先ず、図２（ａ）に示す様に、第１のシリコン基板（トップウェーハ）１の表面に熱酸化法、ＣＶＤ等により酸化膜１１を形成する。酸化膜の厚さは１００〜３００ｎｍ程度とするのが好ましい。
第１のシリコン基板１として単結晶シリコン基板を用いれば、膜厚が極めて均一なＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を低コストで作製できるので、各種デバイスへ広範囲に適用することができる。また、単結晶シリコン基板であれば大口径化にも適している。
酸化膜１１を形成しておくと、次のイオン注入時にチャンネリング現象による注入プロファイルの悪化を防止することができ、第２の基板との接合時にボイドの発生を低減させることができる。
【００１０】
次に、水素イオン注入に先立って酸化膜形成を終えた第１のシリコン基板を洗浄する。洗浄方法については本発明の最も特徴とする部分なので、あとからあらためて詳説する。  次いで、図２（ｃ）に示すように、酸化膜１１の表面から２×１０１６／ｃｍ２  〜１×１０１７／ｃｍ２  の水素イオンを注入する。すると酸化膜１１の下に、後に活性シリコン層１３となる領域を介して所望の深さに水素イオン注入層１２が形成される。イオン注入の際のエネルギーによって決まる水素イオン注入層の深さが活性シリコン層の厚さを決めることになる。水素イオン注入層１２は微小気泡を多く含み、材質が脆くなっているので後の続く、剥離工程において剥離面Ｓとなる。
さらに水素イオン注入を終えた第１のシリコン基板を再度洗浄する。この洗浄方法においても後述する。
【００１１】
次に、洗浄を終えた第１のシリコン基板１と第２のシリコン基板を重ね合わせて貼り合わせる。第２のシリコン基板（ベースウェーハ）２としては、同じく鏡面研磨した単結晶シリコン基板を使用することができる。
第２のシリコン基板として単結晶シリコン基板を用いれば、平坦度に優れた基板が得られ、しかも直径２００ｍｍや３００ｍｍあるいはそれ以上の大口径基板も得ることができる。
接合は図２（ｅ）に示すように、室温下で第２のシリコン基板２の鏡面研磨した表面の上に、第１のシリコン基板１を天地反転させて酸化膜１１面を下にして重ね合わせる。そして酸素雰囲気下において５００〜１０００℃の温度でアニールすることにより剥離する。
【００１２】
この熱処理により微小気泡層を境として、水素イオン注入層１２は脆くなっているので、図２（ｆ）に示す剥離工程において剥離面Ｓとなって、剥がすことができるようになる。
このようにして得られた表面に薄い水素イオン注入層１２を有する第２のシリコン基板（ベースウェーハ）２の剥がし面には、１０ｎｍ程度の凹凸が形成されている。このため必要に応じて機械研磨法や化学研磨法を使用して、表面を平滑化する（図２（ｇ）参照。）。
最後に図２（ｈ）に示すように、残った水素イオン注入層１２と活性シリコン層１３の一部を研磨除去等の加工により、所望の厚さのＳＯＩ基板を得る。  
【００１３】
ここで、図１（ｂ）の洗浄工程に話を戻す。本発明では水素イオン注入前の第１のシリコン基板を洗浄する。洗浄は水素イオン注入するシリコン基板表面に付着したパーティクルを除去するために行うものである。パーティクルが付着したままイオン注入するとパーティクルが固着し，注入後に除去できなくなるのを避けるためである。
洗浄方法としては、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−１洗浄＋ＳＣ−２洗浄、ＨＦ／Ｏ３洗浄、もしくはＨＦ洗浄＋Ｏ３洗浄の内のうちの１種またはこれらを組み合わせた洗浄方法を採用することができる。
ここで、ＳＣ−１洗浄とは、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの混合液による洗浄方法、ＳＣ−２洗浄とは、ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２ＯＨ の混合液による洗浄方法、ＨＦ／Ｏ３洗浄とは、ＨＦ水溶液にオゾン（Ｏ３ ）を溶解させた溶液による洗浄方法、ＨＦ洗浄＋Ｏ３洗浄とは、ＨＦ水溶液による洗浄後、オゾン（Ｏ３ ）を溶解させた水溶液により洗浄する方法である。
【００１４】
ＳＣ−１洗浄液の濃度は、一般的には例えば、ＮＨ４ ＯＨ（２９ｗｔ％）：Ｈ２Ｏ２（３０ｗｔ％）：Ｈ２ Ｏ＝１：１：５〜１：１：１０を用いればよい。
ＳＣ−２洗浄液の濃度は、一般的には例えば、ＨＣｌ（３０ｗｔ％）：Ｈ２Ｏ２（３０ｗｔ％）：Ｈ２ Ｏ＝１：１：５〜１：１：１０を用いればよい。
ＨＦ／Ｏ３洗浄液の濃度は、ＨＦ；０．１％の水溶液に０．１％のＯ３ （オゾン）を溶解させたものを用いればよい。 
Ｏ３洗浄液の濃度は、超純水に０．１％のＯ３ （オゾン）を溶解させた水溶液を用いればよい。
【００１５】
本発明の洗浄方法は、水素イオン注入前のシリコン基板を上記いずれか１種の洗浄方法もしくはそれらのいくつかを組み合わせて洗浄する方法を採用する。
特に、Ｏ３洗浄は洗浄により粗くなったシリコン基板の表面粗さを回復させる効果を有する。
シリコン基板を過酸化水素や弗酸を含む水溶液で洗浄すると、基板表面の表面粗さが悪化して、その後貼り合わせを行い剥離する際に、イオン注入層を境界として剥離しない領域、すなわち貼り合わせ界面で剥がれてしまう領域（ボイド）が発生する。
従来、一旦表面粗さが悪化した場合には回復手段が無いので、温度管理や洗浄時間を厳しく管理して表面を粗らさないようにする必要があった。このような場合にＯ３洗浄を実施すると表面粗さを回復させることができる。したがって、Ｏ３洗浄はＳＣ−１洗浄やＨＦ洗浄の後に引き続き実施するのが有効である。
洗浄後のシリコン基板表面の表面粗さはＲＭＳ値で０．１ｎｍ以下とすることが好ましい。洗浄後の表面粗さが０．１ｎｍを越えると，図６に示すような貼り合わせ及び剥離時に発生するブリスタ不良（ＢＯＸ層２２、ＳＯＩ層２３共に支持側ウエハー２１上に存在し、貼り合わせ界面に空間が生じる火膨れ状の欠陥、図６（ａ）参照。）、ボイド不良（ＢＯＸ層２２、ＳＯＩ層２３共に無く、支持側ウエハー２１が露出する、図６（ｂ）参照。）が増加する。
シリコン基板表面の表目粗さを整えた上で、水素イオン注入前に表面に付着しているパーティクルを完全に除去しておけば、貼り合わせに際してボイドが発生するのを防ぐことができる。
【００１６】
これらの洗浄は１回のみ行う場合に限らず、例えば、洗浄液濃度、洗浄時間等を変えて複数回に分けて行うこともできる。
また、図１（ｄ）に示すように、水素イオン注入をした後、再びシリコン基板を洗浄するのはボイドが発生するのを防ぐ上で有効である。
洗浄方法は特に限定されるものではなく、上記の各洗浄方法を使用することができる。あるいは超純水によるリンスを行っても良い。
【実施例】
【００１７】
（実施例１）
シリコン基板の表面に厚さ２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜表面を表面異物測定装置で観察して、０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルの数（異物数）を計測した。このシリコン基板をＳＣ−１洗浄液（ＮＨ４ ＯＨ（２９ｗｔ％）：Ｈ２Ｏ２（３０ｗｔ％）：Ｈ２ Ｏ＝１：１：５〜１：１：１０）を使用して５分間洗浄した。その後純水リンスを行った後、乾燥させた。乾燥後のシリコン基板表面の酸化膜面の表面粗さ（ＲＭＳ値＠１０μｍ×１０μｍ）を測定した。
洗浄終了後の酸化膜付きシリコン基板をイオン注入装置の真空チャンバ内に装填した。シリコン基板を回転させながら印加電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量５．０×１０１６／ｃｍ２ の条件で水素イオンビームによるイオン注入を行った。水素イオン注入したシリコン基板に別のシリコン基板を貼り合わせ，貼り合わせ時のボイド数を計測した。
次に、貼り合わせた２枚の基板を５００℃で３０分の熱処理を行うことにより、２枚のシリコン基板を剥離してＳＯＩ基板とした。このＳＯＩ基板のブリスタ数を測定した。これらの結果を表１に示す。なお、表１において洗浄後のパーティクルの数（異物数）は、洗浄前のパーティクル数を１とした場合の洗浄後パーティクル数の割合で示した。また、洗浄後のボイド数及び剥離後のブリスタ数（ブリスタ不良率）は、後述の比較例１を基準として比較した値で示した。
【００１８】
（実施例２）
実施例１と同様に、シリコン基板の表面に厚さ２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜表面を表面異物測定装置で観察して、０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルの数（異物数）を計測した。このシリコン基板をＳＣ−１洗浄液（ＮＨ４ ＯＨ（２９ｗｔ％）：Ｈ２Ｏ２（３０ｗｔ％）：Ｈ２ Ｏ＝１：１：５〜１：１：１０）を使用して５分間洗浄した後、ＳＣ−２洗浄液（ＨＣｌ（３０ｗｔ％）：Ｈ２Ｏ２（３０ｗｔ％）：Ｈ２ Ｏ＝１：１：５〜１：１：１０）を使用して５分間洗浄した。その後純水リンスを行った後乾燥させた。乾燥後のシリコン基板表面の酸化膜面の表面粗さ（ＲＭＳ値＠１０μｍ×１０μｍ）を測定した。
次に、乾燥後のシリコン基板を使用して実施例１と同様にしてＳＯＩ基板とした。また、実施例１と同様に、ボイド数とブリスタ不良率を測定した。これらの測定結果を表１の表記の方法を使用して表１に併記する。
【００１９】
（実施例３）
実施例１と同様に、シリコン基板の表面に厚さ２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜表面を表面異物測定装置で観察して、０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルの数（異物数）を計測した。このシリコン基板をＨＦ／Ｏ３洗浄液（ＨＦ０．１％の水溶液に０．１％のＯ３ を溶解させた溶液）を使用して５分間洗浄した後、純水リンスを行った後乾燥させた。乾燥後のシリコン基板表面の酸化膜面の表面粗さ（ＲＭＳ値＠１０μｍ×１０μｍ）を測定した。
次に、乾燥後のシリコン基板を使用して実施例１と同様にしてＳＯＩ基板とした。また、実施例１と同様に、ボイド数とブリスタ不良率を測定した。これらの測定結果を表１の表記の方法を使用して表１に併記する。
【００２０】
（実施例４）
実施例１と同様に、シリコン基板の表面に厚さ２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜表面を表面異物測定装置で観察して、０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルの数（異物数）を計測した。このシリコン基板をＨＦ洗浄液（ＨＦ  ０．１％の水溶液）を使用して５分間洗浄した後、Ｏ３洗浄液（純水に０．１％のＯ３ を溶解させた溶液）を使用して５分間洗浄した。次いで、純水リンスを行った後乾燥させた。乾燥後のシリコン基板表面の酸化膜面の表面粗さ（ＲＭＳ値＠１０μｍ×１０μｍ）を測定した。        
次に、乾燥後のシリコン基板を使用して実施例１と同様にしてＳＯＩ基板とした。また、実施例１と同様に、ボイド数とブリスタ不良率を測定した。これらの測定結果を表１の表記の方法を使用して表１に併記する。
（実施例５）
実施例１と同様に、シリコン基板の表面に厚さ２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜表面を表面異物測定装置で観察して、０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルの数（異物数）を計測した。このシリコン基板をＳＣ−１洗浄液（ＮＨ４ ＯＨ（２９ｗｔ％）：Ｈ２Ｏ２（３０ｗｔ％）：Ｈ２ Ｏ＝１：１：５〜１：１：１０）を使用して５分間洗浄した。その後純水リンスを行い，再び同じＳＣ−１洗浄液を使用して５分間洗浄し，純水リンスを行った．２回目の純水リンスを行った後乾燥させ，乾燥後のシリコン基板表面の酸化膜面の表面粗さ（ＲＭＳ値＠１０μｍ×１０μｍ）を測定した。        
次に、乾燥後のシリコン基板を使用して実施例１と同様にしてＳＯＩ基板とした。また、実施例１と同様に、ボイド数とブリスタ不良率を測定した。これらの測定結果を表１の表記の方法を使用して表１に併記する。
【００２１】
【表１】
2006303089.tif 000003
【００２２】
（比較例１）
シリコン基板の表面に厚さ２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜表面を表面異物測定装置で観察して、０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルの数（異物数）を計測した。このシリコン基板を洗浄せずに、表面の酸化膜面の表面粗さ（ＲＭＳ値＠１０μｍ×１０μｍ）を測定した。
次いで、酸化膜付きシリコン基板をイオン注入装置の真空チャンバ内に装填した。シリコン基板を回転させながら印加電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量５．０×１０１６／ｃｍ２ の条件で水素イオンビームによるイオン注入を行った。水素イオン注入したシリコン基板に別のシリコン基板を貼り合わせ，貼り合わせ時のボイド数を計測した。
次に、貼り合わせた２枚の基板を５００℃で３０分の熱処理を行って、２枚のシリコン基板を剥離してＳＯＩ基板とした。このＳＯＩ基板のブリスタ数を測定した。これらの結果を表１に示した。なお、表１において洗浄後のパーティクルの数（異物数）は、洗浄前のパーティクル数を１とした場合の洗浄後パーティクル数の割合で示した。また、洗浄後のボイド数及び剥離後のブリスタ数（ブリスタ不良率）は１とし、全ての測定値の基準となるものである。
【００２３】
（比較例２）
シリコン基板の表面に厚さ２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化膜表面を表面異物測定装置で観察して、０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルの数（異物数）を計測した。このシリコン基板をＨＦ洗浄液（ＨＦ；０．１％の水溶液）を使用して５分間洗浄した。その後純水リンスを行った後、乾燥させた。乾燥後のシリコン基板表面の酸化膜面の表面粗さ（ＲＭＳ値＠１０μｍ×１０μｍ）を測定した。
次に、乾燥後のシリコン基板を使用して実施例１と同様にしてＳＯＩ基板とした。また、実施例１と同様に、ボイド数とブリスタ不良率を測定した。これらの測定結果を表１の表記の方法を使用して表１に併記した。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のＳＯＩ基板製造工程の概略を示す図である。
【図２】図１の各工程における処理の概要を説明する図である。
【図３】図２に続く各工程における処理の概要を説明する図である。
【図４】従来のＳＯＩ基板の製造工程の概略を示す図である。
【図５】イオン注入の際のパーティクルの影響を説明する図であって、（ａ）はパーティクルの無い場合、（ｂ）はパーティクルが付着している場合を示す。
【図６】不良の状態を説明する図である。
【符号の説明】
【００２５】
１・・・・・・第１のシリコン基板、２・・・・・・第２のシリコン基板、１１・・・・・・酸化膜、１２・・・・・・水素イオン注入層、１３・・・・・・活性シリコン層、１４・・・・・・水素イオン欠乏領域
【図１】
2006303089.tif 000004
【図２】
2006303089.tif 000005
【図３】
2006303089.tif 000006
【図４】
2006303089.tif 000007
【図５】
2006303089.tif 000008
【図６】
2006303089.tif 000009