(57)【要約】【課題】  スパッタリングターゲット使用時、特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるAl系スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】  (1) スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット、(2) 上記と同様のスパッタリングターゲットの表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット。【選択図】        図なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Alを主成分とするAl系スパッタリングターゲットであって、スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲット表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Alを主成分とするAl系スパッタリングターゲットであって、スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲット表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Al系スパッタリングターゲットに関する技術分野に属し、より詳細には、Alを主成分とするAl系スパッタリングターゲット（Al合金や純Alよりなるスパッタリングターゲット）に関し、特には、スパッタリングターゲット使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数が低減されるAl系スパッタリングターゲットに関する技術分野に属するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（LCD : Liquid Crystal Display）（例えばアモルファスSi TFT LCDやポリSi TFT LCD等）、フィールドエミッションディスプレイ（FED : Field Emission Display）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ELD : Electro Luminescence Display）（例えば有機ELD や無機ELD 等）、プラズマディスプレイパネル（PDP : Plasma Display Panel）等のフラットパネルディスプレイ（FPD : Flat Panel Display）を製造する際、Al系スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングによって配線膜、電極膜、反射電極膜等のAl系薄膜が形成される。
【０００３】
かかるAl系スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングによってAl系薄膜を形成する際、Al系スパッタリングターゲットの特に使用初期において、スプラッシュやアーキング等のスパッタリング不良が発生しやすく、このスパッタリング不良によるAl系配線膜、電極膜、反射電極膜等の欠陥部がFPD の歩留り低下、動作性能不良を引き起こすという問題がある。
【０００４】
スパッタリングターゲット使用初期のスパッタリング不良の抑制策として、透明電極膜のITO （インジウム−錫酸化物）薄膜のスパッタリングを対象とするものではあるが、次に示す五つの従来技術が提案されている。
【０００５】
〔１〕ITO スパッタリングターゲットで、レーザーにより表面処理する（特開2003-55762号公報）。
〔２〕ITO スパッタリングターゲットで、直線状の加工痕を低減する（特開2003-73821号公報）。
〔３〕ITO スパッタリングターゲットで、スパッタリングにより表面処理する（特開2003-89869号公報）。
〔４〕ITO スパッタリングターゲットで、マイクロクラックを低減する（特開2003-183820 号公報）。
〔５〕ITO スパッタリングターゲットで、水を所定の圧力で噴射することによって表面処理を施す（特開2005-42169号公報）。
【０００６】
しかしながら、FPD の配線膜、電極膜、反射電極膜等のスパッタリングに使用されるAl系スパッタリングターゲット（Alを主成分とするAl合金や純Alよりなるスパッタリングターゲット）に関するスパッタリング不良の抑制策は、提案されてない現状にある。
【特許文献１】特開2003-55762号公報
【特許文献２】特開2003-73821号公報
【特許文献３】特開2003-89869号公報
【特許文献４】特開2003-183820 号公報
【特許文献５】特開2005-42169号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情に着目してなされたものであって、その目的は、Alを主成分とするAl系スパッタリングターゲットの特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるAl系スパッタリングターゲットを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成するため、鋭意研究を行なった結果、本発明を完成するに至った。本発明によれば上記目的を達成することができる。
【０００９】
このようにして完成され上記目的を達成することができた本発明は、Al系スパッタリングターゲットに係わり、特許請求の範囲の請求項１〜２記載のAl系スパッタリングターゲット（第１〜２発明に係るAl系スパッタリングターゲット）であり、それは次のような構成としたものである。
【００１０】
即ち、請求項１記載のAl系スパッタリングターゲットは、Alを主成分とするAl系スパッタリングターゲットであって、スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲット表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲットである〔第１発明〕。
【００１１】
請求項２記載のAl系スパッタリングターゲットは、Alを主成分とするAl系スパッタリングターゲットであって、スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲット表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲットである〔第２発明〕。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るAl系スパッタリングターゲットによれば、スパッタリングターゲットの特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明に係るAl系スパッタリングターゲットにおいて、凹状欠陥とは、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部として定義されるものである。かかる凹状欠陥の生成原因の一つは、Al系スパッタリングターゲット中に存在する金属間化合物がフライスや旋盤などの機械加工時に機械加工の切削工具によって押し込まれることによるものであり、その結果として凹状欠陥が発生する。この凹状欠陥とスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の因果関係については、従来は知られていなかった。なお、上記凹状欠陥の断面TEM 像の一例を図１に示す。
【００１４】
本発明者らは、Alを主成分とするAl系スパッタリングターゲットのスパッタリング面に相当するスパッタリングターゲット表面における凹状欠陥のサイズ（最大深さ、円相当直径）や単位表面積あたりの発生総数（凹状欠陥密度）と、このAl系スパッタリングターゲットの特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数との関係を調査した結果、この凹状欠陥を起点にスプラッシュやアーキング等のスパッタリング不良が発生することを明らかにし、ある規定値以上の最大深さや円相当直径を有する凹状欠陥の単位表面積あたりの発生総数（凹状欠陥密度）を、ある規定値以下に低減することによって、スプラッシュやアーキングの発生期間と発生数を低減することが可能であることを明らかにした。また、スパッタリング不良の発生起点となりうる凹状欠陥を低減するために、スパッタリングターゲット製造工程におけるフライス加工の際の切込み深さと送り速度を低減することが有効であることを明らかにした。その結果、従来はスパッタリングターゲットの生産性向上の観点から切込み深さを大きく、送り速度を速くするフライス加工を行うため、凹状欠陥が多く、スパッタリング不良が多発するものであったが、切込み深さと送り速度の低減によって凹状欠陥が低減され、スパッタリング不良が低減されることを明らかにした。
【００１５】
上記の最大深さや円相当直径の規定値および凹状欠陥密度の規定値は、具体的には、最大深さについては 0.2μm で、その凹状欠陥密度は45000 個であり、円相当直径については 0.5μm で、その凹状欠陥密度は15000 個である。即ち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が単位表面積１mm2 あたり45000 個以下（凹状欠陥密度45000 個／mm2 以下）であるか、あるいは、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が単位表面積１mm2 あたり15000 個以下（凹状欠陥密度15000 個／mm2 以下）である場合には、スパッタリングターゲットの特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができる。
【００１６】
本発明は、このような知見に基づき完成されたものであり、本発明に係るAl系スパッタリングターゲットは、スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲット表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり45000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット（第１発明に係るAl系スパッタリングターゲット）としており、また、スパッタリング面に相当するスパッタリングターゲット表面において、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が、単位表面積１mm2 あたり15000 個以下であることを特徴とするAl系スパッタリングターゲット（第２発明に係るAl系スパッタリングターゲット）としている。
【００１７】
前記知見からわかるように、これらのAl系スパッタリングターゲット（第１発明に係るAl系スパッタリングターゲット、第２発明に係るAl系スパッタリングターゲット）によれば、スパッタリングターゲットの特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるようになる。ひいては、スパッタリング不良によるAl系配線膜、電極膜、反射電極膜等の欠陥部の発生を防止することができ、この結果、かかる欠陥部が引き起こすFPD の歩留り低下、動作性能不良の発生を抑制することができるようになる。
【００１８】
第１発明に係るAl系スパッタリングターゲットにおいて、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の総数が単位表面積１mm2 あたり45000 個以下（凹状欠陥密度45000 個／mm2 以下）であることとしているのは、この凹状欠陥（円相当直径 0.2μm 以上かつ最大深さ 0.2μm 以上）の総数が単位表面積１mm2 あたり45000 個（円相当直径 0.2μm 以上かつ最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥密度：45000 個／mm2 ）を超えると、発生起点となる凹状欠陥が深く、この深い凹状欠陥の総数が多いため、スプラッシュやアーキングが消滅するまでに長時間を要し、スプラッシュやアーキングの発生期間および発生数、特に発生期間が低減されないからである。
【００１９】
第１発明に係るAl系スパッタリングターゲットにおいて、上記の円相当直径 0.2μm 以上かつ最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥密度は45000 個／mm2 以下であり、スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができる。この凹状欠陥密度が40000 個／mm2 以下の場合、スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数をより高い水準で低減することができ、この凹状欠陥密度が35000 個／mm2 以下、更に30000 個／mm2 以下とした場合、スパッタリング不良の発生期間および発生数を更に高い水準で低減することができる。かかる点から、この凹状欠陥密度は40000 個／mm2 以下とすることが望ましく、更に35000 個／mm2 以下とすることが望ましく、30000 個／mm2 以下とすることが一層好ましい。
【００２０】
第２発明に係るAl系スパッタリングターゲットにおいて、最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.2μm 以上の凹部で定義される凹状欠陥のうち、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の総数が単位表面積１mm2 あたり15000 個以下（凹状欠陥密度15000 個／mm2 以下）であることとしているのは、この凹状欠陥（最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.5μm 以上）の総数が単位表面積１mm2 あたり15000 個（最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥密度：15000 個／mm2 ）を超えると、発生起点となる凹状欠陥のサイズが大きく、この大きい凹状欠陥の総数が多いため、スプラッシュやアーキングの発生数および発生期間、特に発生数が低減されないからである。
【００２１】
第２発明に係るAl系スパッタリングターゲットにおいて、上記の最大深さ 0.1μm 以上かつ円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥密度は15000 個／mm2 以下であり、スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができる。この凹状欠陥密度が12000 個／mm2 以下の場合、スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数をより高い水準で低減することができ、この凹状欠陥密度が10000 個／mm2 以下、更に5000個／mm2 以下とした場合、スパッタリング不良の発生期間および発生数を更に高い水準で低減することができる。かかる点から、この凹状欠陥密度は12000 個／mm2 以下とすることが望ましく、更に10000 個／mm2 以下とすることが望ましく、5000個／mm2 以下とすることが一層望ましい。
【００２２】
本発明に係るAl系スパッタリングターゲットの母材は、溶解・鋳造法や粉末焼結法やスプレイフォーミング法などのいずれの方法でも製造できるが、これらの製造方法の中でも特にスプレイフォーミング法によって製造されることが推奨される。その理由は、この方法によって製造されたAl系スパッタリングターゲットは、他の方法により製造されたものに比較して酸素などの不純物成分の含有量が少なく、結晶粒の均一微細性と合金元素の均一分散性に優れているからである。
【００２３】
このようにして得られたAl系スパッタリングターゲットの母材を、フライス加工に際して、その切り込み深さと送り速度をコントロールして、本発明に係るAl系スパッタリングターゲットを製造する。より具体的には、フライス加工の際の切込み深さは1.0mm 以下とする。1.0mm を超えると、スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生起点となる凹状欠陥の総数が多いため、スプラッシュやアーキングの発生数および発生期間が低減されないからである。送り速度は3000mm/min以下とする。3000mm/minを超えると、スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生起点となる凹状欠陥の総数が多いため、スプラッシュやアーキングの発生数および発生期間が低減されないからである。そして、単に切り込み深さと送り速度を上述の範囲にするだけでなく、両者のバランスを考慮しなければならない。例えば、切り込み深さが1.0mm 以下であったとしても、0.5mm 超である場合には、送り速度は1000mm/min未満とすべきである。また、送り速度が3000mm/min以下であったとしても、1000mm/min超である場合には、切り込み深さは0.5mm 未満とすべきである。なお、本発明で課題とするスパッタリング不良の発生期間および発生数の低減の観点からは、切り込み深さ及び送り速度の下限は特に限定する必要はないが、切込み深さが0.01mm未満および送り速度200mm/min 未満の場合、Al系スパッタリングターゲットの生産性が低下するため、好ましくない。
【００２４】
本発明において、凹状欠陥の最大深さとは、スパッタリングターゲット最表面位置から凹状欠陥の最も深い個所（底部）までの距離（深さ）のことである。凹状欠陥の円相当直径とは、凹状欠陥（穴）の上部開口部（スパッタリングターゲット最表面位置での開口部）が円の場合は、該円の直径のことであり、それ以外の場合は、この上部開口部の面積（Ｓ）と面積同一の円の直径（ｄ）のことであり、より具体的には、Ｓ＝π×（ｄ／２）2 を満たすｄ（この式より求められるｄ）のことである。
【００２５】
スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生数は、スプラッシュおよび／またはアーキングの発生数である。スプラッシュの発生数とは、ウェーハ表面検査装置によって計測されるＳｉウェーハ基板上のスプラッシュの数のことである。アーキングの発生数とは、マイクロアークモニターによって計測されるアーキングの数のことである。スパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間とは、スプラッシュおよび／またはアーキングが発生している間の時間のことであり、より具体的には、スパッタリングターゲット使用開始時からスプラッシュおよび／またはアーキング消滅時までの時間のことである。
【実施例】
【００２６】
本発明の実施例および比較例について、以下説明する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００２７】
スプレイフォーミング法によってAl-2at%Nd 合金よりなるプリフォーム（母材）を製造した。このプリフォームをカプセルに封入し、このカプセルを脱気して、このカプセル全体に熱間静水圧プレス（HIP : Hot Isostatic Pressing）を行った。このHIP によって緻密化されたAl-2at%Nd 合金素材に、熱間鍛造、熱間圧延、冷間圧延、熱処理を行って、Al-2at%Nd 合金板を得た。
【００２８】
このようにして得られたAl-2at%Nd 合金板に対して異なる数条件（切込み深さ：0.1 〜1.0 mm、送り速度：400 〜3000mm/min）のフライス加工を行うことによって凹状欠陥発生状態の異なる数種類のAl-2at%Nd 合金板を作製し、この板を丸抜き加工することによって円板状のAl-2at%Nd 合金スパッタリングターゲット（サイズ：直径101.6 mm×厚さ5.0mm)を作製した。
【００２９】
これらのAl-2at%Nd 合金スパッタリングターゲットの、それぞれの表面において任意の５視野（１視野あたり面積55μm ×78μm ＝4290μm2の領域）を走査型電子顕微鏡(SEM）によって観察（観察倍率：1500倍）ならびに画像撮影し、撮影された１視野毎のSEM 像それぞれに対して画像解析ソフトウェア（ソフト・イメージング・システム製 analySIS auto）を活用することにより凹状欠陥の円相当直径と、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の単位表面積あたりの発生総数（凹状欠陥密度）を求め、そして５視野の凹状欠陥密度の平均値を、そのスパッタリングターゲットの凹状欠陥密度とした。また、これらのAl-2at%Nd 合金スパッタリングターゲットの、それぞれの表面において任意の５視野（１視野あたり面積 300μm × 300μm ＝ 90000μm2の領域）をレーザー顕微鏡観察によって観察ならびに３次元画像撮影し、撮影された１視野毎の３次元画像の解析により凹状欠陥の最大深さと、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の単位表面積あたりの発生総数（凹状欠陥密度）を求め、そして５視野の凹状欠陥密度の平均値を、そのスパッタリングターゲットの凹状欠陥密度とした。なお、上記スパッタリングターゲット表面の SEM像の一例を図２に示す。
【００３０】
更に、Ｓｉウェーハ基板（サイズ：直径100.0 mm×厚さ0.50mm）に対して、上記のAl-2at%Nd 合金スパッタリングターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング（背圧：3.0 ×10-6Torr以下，Arガス圧：2.25 mTorr，Arガス流量：30sccm，スパッタパワー：811 Ｗ，極間距離：51.6mm，基板温度：室温）を行い、そのSiウェーハ上のパーティクルの位置座標とサイズと数をパーティクルカウンター（トプコン製ウェーハ表面検査装置WM-3）によって計測、そしてこの計測データをもとにSiウェーハを光学顕微鏡観察することによってスプラッシュ（形状が半球形のもの）を分類・計測し、スプラッシュ発生期間と発生数を評価した。具体的には、Siウェーハ１枚あたり81ｓのDCマグネトロンスパッタリングをSiウェーハを入れ替えながら連続して行い、これらのSiウェーハにおいてスプラッシュが検出されなくなったSiウェーハまでのスパッタリング積算時間をスプラッシュ発生期間とし、Siウェーハ単位表面積あたりのスプラッシュ数をスプラッシュ発生数とした。また、DCマグネトロンスパッタリング時に発生するアーキングをスパッタリング装置（島津製作所製スパッタリングシステムHSR-542S）の電気回路に接続したアークモニター（ランドマークテクノロジー製マイクロアークモニター MAM Genesis）により計測してアーキングの発生期間と発生数を評価した。具体的には、アーキングが消滅するまでのスパッタリング積算時間をアーキング発生期間とし、アーキング発生期間内のアーキング積算総数をアーキング発生数とした。これらの計測結果において、スプラッシュ発生期間が10[min] 以上、アーキング発生期間が10[min] 以上、スプラッシュ発生数が10 [個／cm2]以上、アーキング発生数が100[個] 以上の場合をスパッタ不良抑制状態が劣っているとし、これら以外の場合をスパッタ不良抑制状態が優れているとした。
【００３１】
上記計測結果を表１〜４に示す。表１は、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の単位表面積１mm2 あたりの数〔凹状欠陥密度（個／mm2 ）〕と、スプラッシュ発生期間及びスパッタ不良抑制状態との関係を示すものである。表２は、最大深さ 0.2μm 以上の凹状欠陥の単位表面積１mm2 あたりの数〔凹状欠陥密度（個／mm2 ）〕と、アーキング発生期間及びスパッタ不良抑制状態との関係を示すものである。表３は、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の単位表面積１mm2 あたりの数〔凹状欠陥密度（個／mm2 ）〕と、スプラッシュ発生数及びスパッタ不良抑制状態との関係を示すものである。表４は、円相当直径 0.5μm 以上の凹状欠陥の単位表面積１mm2 あたりの数〔凹状欠陥密度（個／mm2 ）〕と、アーキング発生数及びスパッタ不良抑制状態との関係を示すものである。
【００３２】
表１からわかるように、No.5, No.8（比較例）の場合、スプラッシュ発生期間が長く、スパッタ不良抑制状態が劣っている（表中で×）。これに対し、No.1〜4, No.6, No.7(本発明例）の場合、スプラッシュ発生期間が極めて短く、スパッタ不良抑制状態が優れている（表中で○）。
【００３３】
表２からわかるように、No.5, No.8（比較例）の場合、アーキング発生期間が長く、スパッタ不良抑制状態が劣っている（表中で×）。これに対し、No.1〜4, No.6, No.7 （本発明例）の場合、アーキング発生期間が極めて短くて、スパッタ不良抑制状態が優れている（表中で○）。
【００３４】
表３からわかるように、No.8（比較例）の場合、スプラッシュ発生数が多く、スパッタ不良抑制状態が劣っている（表中で×）。これに対し、No.1〜4, No.6, No.7(本発明例）の場合、スプラッシュ発生数が極めて少なく、スパッタ不良抑制状態が優れている（表中で○）。
【００３５】
表４からわかるように、No.8（比較例）の場合、アーキング発生数が多く、スパッタ不良抑制状態が劣っている（表中で×）。これに対し、No.1〜4, No.6, No.7 （本発明例）の場合、アーキング発生数が極めて少なく、スパッタ不良抑制状態が優れている（表中で○）。
【００３６】
つまり、No.5, No.8（比較例）の場合、スプラッシュ発生期間およびアーキング発生期間が長く、また、No.8の場合はスプラッシュ発生数およびアーキング発生数が多く、スパッタ不良抑制状態が劣っているのに対し、No.1〜4, No.6, No.7 （本発明例）の場合、スプラッシュ発生期間およびアーキング発生期間が極めて短く、また、スプラッシュ発生数およびアーキング発生数が極めて少なくて、スパッタ不良抑制状態が優れている。
【００３７】
【表１】
2006316339.tif 000002
【００３８】
【表２】
2006316339.tif 000003
【００３９】
【表３】
2006316339.tif 000004
【００４０】
【表４】
2006316339.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明に係るAl系スパッタリングターゲットによれば、スパッタリングターゲットの特に使用初期に発生するスパッタリング不良（スプラッシュ、アーキング）の発生期間および発生数を低減することができるので、Al系配線膜、電極膜、反射電極膜等をスパッタリングにより成膜する際のAl系スパッタリングターゲットとして好適に用いることができ、これらの膜の欠陥発生の防止がはかれ、ひいては FPDの歩留り低下、動作性能不良の発生の抑制がはかれて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】機械加工により生じたAl系スパッタリングターゲット表面の凹状欠陥の例を示す図である。
【図２】Al系スパッタリングターゲットの表面状態の例を示す図である。
【図１】
2006316339.tif 000006
【図２】
2006316339.tif 000007