(57)【要約】    【課題】  磁気ヘッドの低浮上性及び耐摺動信頼性耐食性に優れた磁気記録媒体とその製造方法を提供する。    【解決手段】  垂直磁気記録媒体のグラニュラー磁性層６を保護するDLC保護膜層７を形成する際に、炭化水素ガスに水素ガスを混合し、基板（1）にバイアス電圧を印加する。    【選択図】  図１
2006114182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも密着層と、軟磁性層と、グラニュラー磁性膜と、ダイヤモンドライクカーボン保護膜を形成する工程とを有し、
前記ダイヤモンドライクカーボン保護膜は、炭化水素ガスと水素ガスを用いてCVD法により、前記非磁性基板にバイアス電圧が印加された状態で形成されることを特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法は、さらに
前記軟磁性層を形成する工程後に基板を冷却する工程と、
前記グラニュラー磁性膜を形成する工程の前に中間層を形成する工程とを有することを特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法において、
前記炭化水素ガスは、エチレンガス、アセチレンガス、メタンガス、エタンガスの内少なくとも一つであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法において、
炭化水素ガスにエチレンガスを用い、エチレンガスと水素ガスの体積流量比率（H2/Ｃ2Ｈ4）を0.5〜2とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法は、さらに
前記保護膜を形成する工程後に潤滑層を形成する工程を有し、
前記非磁性基板はガラス基板であることを特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法において、
前記軟磁性層は、第1軟磁性膜と、第2軟磁性膜と、前記第1と第2軟磁性膜との間に配置されたRu層とを具備し、
前記グラニュラ-磁性膜は、コバルトと、クロムと、白金と、二酸化シリコンとを含有することを特徴とする磁気記憶媒体の製造方法。
【請求項７】
非磁性基板上に密着層と、軟磁性層と、グラニュラー磁性膜と、保護膜と、潤滑層とが少なくとも形成された磁気記憶媒体において、
前記保護膜は、水素含有量が30％よりも少なく、炭素を主成分とし水素を含んだダイヤモンドライクカーボンを有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項７の磁気記憶媒体において、
前記非磁性基板はガラス基板であり、  
前記密着層はNiTaを含有し、
前記軟磁性層は、第1軟磁性膜と、第2軟磁性膜と、前記第1と第2軟磁性膜との間に配置されたRu層とを具備し、
前記グラニュラ-磁性膜は、コバルトと、クロムと、白金と、二酸化シリコンとを含有することを特徴とする磁気記憶媒体。
【請求項９】
請求項８の磁気記憶媒体において、
前記保護膜は、炭化水素ガスと水素ガスを用いてCVD法により、前記非磁性基板にバイアス電圧が印加された状態で形成されることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体及びその製造方法とそれを用いた磁気記録媒体に係り、特に優れた信頼性を有し、高密度に磁気記録が可能な磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大型コンピュータ、ワークステーション、パーソナルコンピュータ等の記憶装置に用いられる磁気ディスク装置は年々その重要性が高まり、大容量小型化へと発展を遂げている。磁気ディスク装置の大容量小型化には高密度化が不可欠である。その為近年、従来の面内磁気記録方式に比べて高密度化が可能な垂直磁気記録方式による製品実用化が急がれている。垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体として、ガラス基板やアルミニウムにニッケルリンメッキを施した剛性の非磁性基体上に密着層、軟磁性層、中間層、グラニュラー磁性層を設ける層構成が用いられることがある。
従来より、スパッタリングによる成膜技術を用いて作製される磁気記録媒体には、磁性膜を磁気ヘッドによる摺動から保護する目的でダイヤモンドライクカーボン(ＤＬＣ)保護膜を設けており、その膜厚は５nm以下にまで薄膜化されている。近年では、また、磁気ヘッドと磁気記録媒体の摩擦を低減する目的で保護膜の上にはパーフルオロポリエーテル液体潤滑剤を用いるのが一般的である。
特許文献１には、炭化水素ガスを用いたケミカルベーパーデポジション(ＣＶＤ)法により炭化水素ラジカルと炭化水素イオンを基板に堆積させたＤＬＣ保護膜が開示されている。また、特許文献２には、磁気ヘッドの浮上性の観点から、ＤＬＣ保護膜においては、水素含有量が３5％以下が望ましいことが開示されている。  
特許文献３には、非磁性高分子基板上のグラニュラー磁性膜に適用する保護層を成膜する際に炭化水素系ガスと水素を用いてCVD法をする方法が開示されている。また、基板にプラスチック基板を用いるため、基板にバイアスを印加しない方式が好ましいことが開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平４−９０１２５号
【特許文献２】特開2004-152462
【特許文献３】特開2004-30803
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願の発明者らは、面内磁気記録方式が磁気特性を向上させる為に基板温度を200〜400℃に加熱するのに対して垂直磁気記録方式に用いるグラニュラー磁性層は概ね75℃以下でないと磁気特性が向上できないことに着目した。従来の面内磁気記録媒体は基板温度が高温である為、ＣＶＤ法による成膜中に一旦基板表面に到達した結合力の弱い炭化水素ラジカルが再脱離し炭化水素イオンの打ち込みによるスパッタ効果と相まって磁性膜上に残る保護膜としては結合力の強いＤＬＣ膜を生成できる。しかしながら、グラニュラー磁性層を用いる垂直磁気記録媒体では基板温度が７５℃以下と低い為に炭化水素ラジカルの再脱離が起こりにくく、結合力の弱く保護膜層としての機能を十分に果たせないＤＬＣ膜または非常にやわらかいポリマーライクカーボン（ＰＬＣ膜）を極めて速い成膜速度で生成しやすく磁気ヘッドの衝撃から磁性層を保護できない、耐食性が良くないといった問題が発生しやすい。また、この場合のＤＬＣ膜またはＰＬＣ膜は水素含有量が40％以上となり磁気ヘッド浮上性も劣化する。
【０００５】
これらの問題点に対して炭化水素ガスの材料供給量を低減して成膜速度を遅くしようとすると放電可能な最低ガス圧が障壁となる。放電可能な範囲で材料供給量を減らし5nm以下の極薄膜を1〜2secの短い時間で安定な制御を行い作製することは工業的な困難を伴い、またこの方法で作製したＤＬＣ保護膜では十分な磁気ヘッド浮上性、耐食性、耐衝撃性は得られない。
さらに材料供給量を低減しても圧力が維持できるように排気コンダクタンスを小さくした場合、チャンバー内でプラズマの偏りが起こり基板上に均一に成膜できないといった問題が起こる。また保護膜中の水素含有量は40％程度となり磁気ヘッド浮上性は改善できない。
本発明は上記の如き問題点を解消する為になされたものであり、目的は、グラニュラー磁性膜を用いた垂直磁気記録媒体の如き比較的低温で作製される垂直磁気記録媒体においてＤＬＣ保護膜層の形成速度を安定制御できる領域にまで低減し、結合力の強いＤＬＣ保護膜層を付与し耐食性、磁気ヘッドによる耐摺動性を供し、さらにはＤＬＣ保護膜層の水素含有量を30％以下に低減することで磁気ヘッド浮上安定性に優れた垂直記憶媒体及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【０００７】
非磁性基板上に少なくとも密着層と、軟磁性層と、グラニュラー磁性膜と、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜とを順次形成して成る磁気記録媒体において、DLC保護膜は、基板にバイアス電圧を印加した状態で炭化水素ガスと水素ガスを用いてケミカルベーパ−デポジション（CVD）法で形成する。炭化水素ガスとしては、メタン、エタン、エチレン、アセチレンガスの内少なくとも一つが望ましい。  
【発明の効果】
【０００８】
本発明により低温で作製されるグラニュラー磁性膜を用いた垂直磁気記録媒体において磁気ヘッドの耐摺動性、低浮上性及び耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する事が出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面に従い本発明の一実施例を詳細に説明する。
【００１０】
図1は本発明の垂直磁気記録媒体の断面を模式的に示したものである。１は非磁性基板、２はＮｉTa密着層、３は軟磁性層、３aはCoTaZr下部軟磁性層、３bはRu層、３cはCoTaZr上部軟磁性層、４はTa中間層、５はRu中間層、６はＣｏ合金グラニュラー磁性層、７は保護膜層、８…潤滑層、をそれぞれ示している。
【００１１】
図2は垂直磁気記録媒体のグラニュラー磁性層上にDLC保護膜層を形成する成膜装置の概要を模式的に示した説明図である。尚、非磁性基板上に磁性層を形成するまでの工程は、以下に示すような通常の製造方法に従って行ったので製造装置の図面は省略する。
【００１２】
まず、用いるソーダライムガラス基体１(外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０.８５ｍｍ)の洗浄を十分行なった。これを約１.３×１０Ｅ−５Ｐａ以下(１.０×１０Ｅ−７Ｔｏｒｒ)まで排気された真空槽内に導入した。最初に密着層形成室に搬送しＡｒ雰囲気約０.８Ｐａ(６ｍＴｏｒｒ)の条件下でＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＮｉ−３７．５ａｔ％  Ｔａ密着層２を３5ｎｍ形成した。続いて下部軟磁性層形成室に搬送し、Ａｒ雰囲気約０.８Ｐａ(６ｍＴｏｒｒ)の条件下でＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＣｒ−５ａｔ％Ｔa−３ａｔ％Zr合金下部軟磁性層３aを６０ｎｍ成膜した。続いて反強磁性結合誘発層形成室に搬送しＡｒ雰囲気約０.８Ｐａ(６ｍＴｏｒｒ)の条件下でＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＲｕ層３ｂを０．５nm形成した。続いて上部軟磁性層形成室に搬送し、Ａｒ雰囲気約０.８Ｐａ(６ｍＴｏｒｒ)の条件下でＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＣｒ−５ａｔ％Ｔa−３ａｔ％Zr合金上部軟磁性層３cを６０ｎｍ成膜した。続いて基板冷却室に搬送しスパッタによる熱の影響で上昇した基板温度を６０℃まで低下した後、Ｔａ中間層形成室に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．９Ｐａ(７ｍＴｏｒｒ)の条件下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｔａ中間層４を２nm形成した。続いてＲｕ中間層形成室に搬送し、Ａｒ雰囲気約１.５Ｐａ(１０ｍＴｏｒｒ)の条件下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｒｕ中間層５を１２nm形成した。さらに磁気記録層形成室に搬送し、Ａｒ雰囲気約０．９Ｐａ(７ｍＴｏｒｒ)の条件下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により、９０mol%（Ｃｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−１８ａｔ％Ｐｔ）１０molSiO2合金からなるグラニュラー磁気記録層６を２０nm形成した。この磁気記録層まで形成した基板を用い、以下に述べる本発明に関わるカーボンを主成分とし水素を有するDLC保護膜層7を形成した。
【００１３】
前記基板１としては、Ｎｉ−Ｐを無電解めっきを施したＡｌ−Ｍｇ合金基板等、バイアス電圧を印加することができる基板を用いることが望ましい。尚、ソーダライムガラス、化学強化したアルミノシリケート、シリコン、硼珪酸ガラス等からなるセラミックス、または、ガラスグレージングを施したセラミックス等からなる非磁性の剛体基板等は、メタル膜（グラニュラー磁性膜）形成後に基板端面にバイアス電圧を印加する為の電極を接触させる等の手段を用いることで使用することが可能である。
【００１４】
密着層２は、ソーダライムガラスからのアルカリ金属の電気化学的溶出を防ぐため、またガラスと軟磁性層との密着性を向上するために設けてあるもので、厚さは任意である。また、特に用いる必要がなければ省略することもできる。
また密着層２と軟磁性層３の間に軟磁性裏打ち層を設けても構わない。この場合の代表的な構成として密着層２の上にＮｉ−１８at％Ｆｅを６ｎｍ、Ｆｅ−５０at%Ｍｎを１７ｎｍ、Ｃｏ-１０at%Ｆｅを３ｎｍをこの順に順次成膜して軟磁性層３を設けた。
【００１５】
中間層４として、ＮｉＦｅ合金、ＮｉＴａ合金、ＴａＴｉ合金等を用いることも可能である。
【００１６】
基板冷却工程は上部軟磁性層３ａの後ではなく上部軟磁性層３ａの前、グラニュラー磁性層６の前に設ける事もでき、さらにこれらを複数組み合わせても構わない。少なくとも、グラニュラ-磁性層を形成する前に基板の温度が磁気特性を悪化させない程度に下がっていれば基板冷却工程を省略してもよい。
【００１７】
磁性層6まで積層した基板1を真空槽内から出すことなく、図２に示す保護膜層形成室２１に搬送した。この保護膜層形成室２１は、１３.５６ＭＨｚの高周波（Radio Frequency(RF)）電源から整合回路を経て高周波の印加されるRF電極２２を備えている。そして、これらは基板1の両サイドに左右対称に設けてあり、両面同時に成膜出来る構造となっている。この保護膜層形成室２１をターボモレキュラポンプ２３で排気しながら、保護膜層形成室上方のガス導入口２４からエチレンガス（Ｃ2Ｈ4）等の炭化水素ガスをマスフローコントローラを介し、同時に水素(Ｈ2)ガスをマスフローコントローラを介し導入した。炭化水素ガスは、一分子当たり炭素原子が二つ以下のメタン、エタン、エチレン、アセチレンガスを用いることにより、成膜速度を抑制し、極薄膜を形成することができる。このときエチレンの流量を１３０ｓｃｃｍ(Standard Cubic centimeter per minutes)一定とし、水素の流量を０〜１５０ｓｃｃｍに変化させ数種類のサンプル作成に対応させた。この時保護膜層形成室の圧力はバラトロンゲージの読み値で2.0〜3.5Ｐａであった。なお、2.0Ｐａは当該の保護膜形成室を用いて高周波によるケミカルベーパーデポジション法(ＲＦ-ＣＶＤ)を行う場合、工業的に安定してプラズマを誘引できる最低圧力との認識である。
さらに別の方法として、保護膜層形成室の圧力をバラトロンゲージの読み値で2.0Ｐａとなるように水素とエチレンガスの比率（Ｈ2/Ｃ2Ｈ4）を0/1〜3/1の範囲で変化させ数種類のサンプル作成に対応させた。
【００１８】
それぞれのサンプル作製には上記のごとくガスを導入しはじめてから０．５sec後にＲＦ電極に１２００Ｗを印加しプラズマを誘引した。同時に電位がグランド及びＲＦ電極から絶縁されたアルミニウム合金からなる不図示の電極を基板端面に接触させ基板へバイアス電圧を-２５０Ｖ印加した。この時ＲＦ電極のセルフバイアスは−９５０〜−１０５０Ｖ、基板側へのバイアス電流は基板把持具分も含めてトータル０.８１〜０.９３Ａであった。このＲＦ-ＣＶＤを用いプラズマを保持する時間を調節することで、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2グラニュラー 合金磁性層６の上に炭素を主成分とし水素を含有するＤＬＣ保護膜層７を４.０ｎｍ形成した。基板バイアスを印加することにより、イオン打ち込みの効果が得られ、十分な結合力を持ったＤＬＣ保護膜を得ることが出来る。その結果、以下述べるように5nm以下の膜厚で十分な磁気ヘッド浮上性、耐食性、耐摺動性を得ることが出来る。
【００１９】
上記の手法により作製したサンプルの成膜速度を図３及び図４に示す。すなわち、図3に示すようにエチレン流量（C２H４FLOWRATE）を１３０ｓｃｃｍ一定とし水素流量（H２FLOWRATE）を０〜１５０ｓｃｃｍで変化させた場合（水素/エチレン流量比率は0/1〜1.15/1）、水素/エチレン流量比率（H2/C2H4 RATIO）の増加に従って成膜速度（Fｏｒｍ Rate LAYER 7）は約2.0nm/sから約1.6nm/sに低下した。また図４に示すように2.0Ｐａ一定とした場合には水素/エチレン流量比率（H2/C2H4RATIO）が0/1〜3/1の範囲で水素/エチレン流量比率の増加に従って成膜速度（Fｏｒｍ Rate LAYER 7）が約2.0nm/sから約1.1nm/sに低下した。すなわち炭化水素ガスを用いたＲＦ-ＣＶＤによるＤＬＣ保護膜層の形成手法において水素を混合することで成膜レートの低減効果があることを確認した。
【００２０】
次に上記手法により作製したサンプルの膜中の水素量について述べる。水素含有量の測定には、ＤＳＩＭＳ(Dynamic Secondary Ion Mass Spectroscopy)を用い、ＨＦＳ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｆｏｒｗａｒｄ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）で検量した。ＤＳＩＭＳ測定装置はアルバックファイ社製ＡＤＥＰＴ１０１０を用いＣｓ 350V,20nA、測定エリア７００ｕｍ、取り出し角８０度で133Ｃｓ2+1Ｈと133Ｃｓ+12Ｃの比率をＨ/Ｃとして数値化した。ＨＦＳは、神戸製鋼所製高分解能ＲＢＳ分析装置ＨＲＢＳ５００を用い、ビームエネルギー４８０ＫｅＶ、イオン種Ｎ２＋、散乱角３０度、ビーム入射角は試料法線に対し７０度、試料電流約１.５ｎＡ、ビーム照射量約３１０ｎＣ、測定エネルギ範囲６０〜９５ＫｅＶとした。上記測定条件により窒素イオンにより反跳された水素イオンを磁場型検出器により検出した。また、水素の含まれていない既知のサンプルをバックグランドとして用いた。  
上記手法により作製したサンプルの膜中の水素量は図５に示すようにエチレン流量（C２H４FLOWRATE）を１３０ｓｃｃｍ一定とし水素流量（H２FLOWRATE）を変化させた場合、水素/エチレン流量比率（H2/C2H4RATIO）が0/1から0.5/1の範囲で炭素に対する水素の比Ｈ/Ｃは０.３から０.２に減少し、水素/エチレン流量比率（H2/C2H4 RATIO）が0.5/1以上で増加炭素に対する水素の比Ｈ/Ｃは増加に転じた。すなわち図６で検量すると、水素の添加がない場合、保護膜中の水素量（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Content）が約３５at%に対してエチレンに水素ガスを混合することで保護膜中の水素量を約２５％にまで低減できる事を示している。さらに2.0Ｐａ一定とした場合には水素/エチレン流量比率が0/1〜1.8/1の範囲で炭素に対する水素の比Ｈ/Ｃは０.３から最少で０.１７にまで減少する。すなわち保護膜中の水素量は約３５％から２０％にまで低減できた。
【００２１】
さらに、上述した手法によって作製したサンプルの別の複数枚のディスクを用いてＤＬＣ保護膜７の上に周知の方法でフルオロカーボン系の潤滑材層８を設けた。この厚みはフーリエトランスファー赤外分光分析装置(ＦＴ−ＩＲ)で定量し全てのサンプルに対して１.２ｎｍとなるようにした。
【００２２】
これらフルオロカーボン系の潤滑材層８を設けた複数枚のディスクを用い以下に示すヘッドの浮上安定性にかかわる評価、及び信頼性、耐食性に関わる評価を行った。
【００２３】
磁気記録媒体の浮上安定性の評価として，圧電素子が搭載されているヘッド（グライドヘッド）によるグライドノイズを測定した。
【００２４】
グライドノイズ（Ｈave）とは，グライドヘッドが磁気記録媒体上を浮上している際に圧電素子から出力されるノイズのことである。Haveが大きいと，スライダが磁気記録媒体上を安定に浮上していないことを意味する。Haveの測定方法は次の通りである。回転運動している磁気記録媒体上でグライドヘッドを浮上させ，磁気記録媒体の半径位置16.5ｍｍから32.0ｍｍまで0.05ｍｍずつ移動させた。各半径位置毎に，圧電素子のノイズを磁気記録媒体の一周分測定し，その平均値を求めた。さらに各半径位置毎の平均値を平均し，磁気記録媒体のグライドノイズと定義した。ここで，グライドヘッドの浮上量は8nmであった。通常，グライドヘッドは回転している磁気記録媒体との相対速度が変化すると，浮上量が変化する。そこで，浮上量の変化を避ける為に，グライドヘッドの移動毎に，磁気記録媒体の回転数を変化させ，半径位置が変化しても相対速度が一定になるように制御した。また，圧電素子の電圧は増幅器と周波数分別器を通して出力したが，増幅器の利得は60dB（デシベル），周波数分別器の帯域は100kHzから2MＨｚとした。
【００２５】
この評価の結果を図７に示す。すなわち、グライドノイズＨａｖｅは水素ガスの混合により低減でき、水素/エチレン流量比率（H2/C2H4 RATIO）が0.5〜2.0の範囲でとくに良好な結果が得られた。Ｈａｖｅが25ｍVを超える円板では磁気ヘッドとの組み合わせにおいて記録の書きこみ読み出しが安定して出来なくなる。
【００２６】
磁気記録媒体の信頼性評価として，スクラッチダメージに対する強度を試験、測定した。
スクラッチダメージに対する強度試験を以下に説明する。磁気ディスクと磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置内に，平均粒径0.2μmのアルミナ粉を噴霧し，磁気ヘッドを円板上で５分間スイープする。このとき，磁気ヘッドの浮上量は10nm，ヘッドスイープ周波数は1Hz，磁気ディスクの回転数は4200min-1であった。なおアルミナ粉は，噴霧器に約3μg入れられ，磁気ディスク装置に実装された磁気ディスク表面上の約10cm上から噴霧された。その後，円板表面に45°の角度から白色光を入射し，円板表面からの散乱光をCCDで位置分解し，画像処理することで，任意の閾値以上のスクラッチを計数した。
この評価の結果を図８に示す。すなわちスクラッチカウント（Ｓｃｒａｔｃｈ  Ｃｏuntｓ）は水素ガスの混合により低減でき、水素/エチレン流量比率（H2/C2H4 RATIO）が0.5以上の範囲でとくに良好な結果が得られた。
磁気記録媒体の耐食性は以下の条件にて評価した。温度が60℃で，相対湿度が95％の温湿度環境槽内に４日間，磁気ディスクを放置する。４日後，温湿度環境槽から磁気ディスクを取り出し，米国Candela Instruments社製Optical Surface Analyzer Model 2120のCorrosion Analysis測定によって，磁気ディスク表面の腐食点（Corrosion  Counts）を計数した。
この評価の結果を図9に示す。すなわち耐食性は水素ガスの混合により向上でき、水素/エチレン流量比率（H2/C2H4 RATIO）が0.23以上の範囲でとくに良好な結果が得られた。  
以上の結果を纏めると、ＲＦ-ＣＶＤ法によるＤＬＣ保護膜層の形成に用いる炭化水素（エチレン）ガスに水素ガスを混合することで保護膜層の形成速度を抑制でき、保護膜中の水素量を低減できる。水素ガスの混合により材料ガスである炭化水素ガスの供給量を低減しても高密度なプラズマを安定して得ることが可能となる。その際に、基板にバイアス電圧を印加することにより、プラズマ中の水素イオンが基板近傍のシースにより加速され基板上で結合力の弱い炭化水素ラジカルと結合し再ガス化して取り去ること、水素ラジカルもシースにより加速はされないが基板上で同様の働きをすることで成膜速度の低減効果と保護膜中の水素量の低減効果を得ることが可能となる。さらに上述の手法によって作製したグラニュラー磁性層を備える垂直磁気記録媒体はＨ2/Ｃ2Ｈ4を0.5〜2.0の範囲にすることで保護膜層が4.0ｎｍと極めて薄い状態であってもヘッドの低浮上安定性に優れ、耐摺動信頼性、耐食性に優れていると言う事が証明された。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施例に関わる垂直磁気記録媒体の断面模式図
【図２】保護膜形成室の概略図
【図３】水素／エチレン比率と成膜速度
【図４】水素／エチレン比率と成膜速度
【図５】水素／エチレン比率と保護膜層のＨ／Ｃ
【図６】保護膜層の水素量と保護膜層のＨ／Ｃ
【図７】磁気ヘッド浮上性の評価結果
【図８】耐摺動信頼性の評価結果
【図９】耐食性の評価結果
【符号の説明】
【００２８】
１…非磁性基板、２…密着層、３…軟磁性層、３a…下部軟磁性層-1、３b…反強磁性結合誘発層、３c…上部軟磁性層-2、４…中間層、５…中間層、６…グラニュラー磁性層、７…保護膜層、８…潤滑層、21…保護膜層形成室、22…電極、23…ターボモレキュラーポンプ、24…ガス導入口
【図１】
2006114182.tif 000003
【図２】
2006114182.tif 000004
【図３】
2006114182.tif 000005
【図４】
2006114182.tif 000006
【図５】
2006114182.tif 000007
【図６】
2006114182.tif 000008
【図７】
2006114182.tif 000009
【図８】
2006114182.tif 000010
【図９】
2006114182.tif 000011