(57)【要約】      （修正有）【課題】加工の終点を決定する為に、形成された窓を有する研磨パッドが開示されているが、窓とプラテンとの間に「空隙」又は空間が出来てしまう。これにより、研磨中、空隙中で発生する圧力から過度な応力が窓に加わり、望まれない残留応力変形を窓の中に生じさせることがある。要望されているものは、ＣＭＰ中での広い範囲の波長での確固とした終点検出又は計測のための、応力が軽減した窓を有する研磨パッドである。【解決手段】本発明は、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、研磨パッド中に形成された窓を含み、窓が、その側面にあてがわれた空隙を有するものである研磨パッドを提供する。研磨パッドはさらに、空隙から研磨パッドの周辺部まで研磨パッド中に設けられた空隙−圧力逃がし通路を含む。【選択図】図１
2006005358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
研磨パッドに形成された窓を含み、窓が、その面にあてがわれた空隙と、空隙から研磨パッドの周辺部まで研磨パッド中に設けられた空隙−圧力逃がし通路とを有する、研磨パッド。
【請求項２】
空隙−圧力逃がし通路が、研磨パッドの研磨層に設けられている、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
空隙−圧力逃がし通路が、研磨パッドの接着剤層に設けられている、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】
空隙−圧力逃がし通路が、研磨パッドの下層に設けられている、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】
空隙−圧力逃がし通路が、幅０．７０mm〜６．５０mmである、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】
幅が、空隙と研磨パッドの周辺部との間で変化する、請求項５記載の研磨パッド。
【請求項７】
空隙−圧力逃がし通路が、深さ０．３８mm〜１．５３mmである、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項８】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
形成された窓を有し、窓がその面で空隙に露出している研磨層と、
空隙に露出した窓の面の一部から研磨層の周辺部まで研磨層中に設けられた空隙−圧力逃がし通路と
を含む研磨パッド。
【請求項９】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
下層の上にある研磨層と、
研磨層と下層との間に配置された接着剤層と、
研磨層に形成され、その面で空隙に露出している窓と、
空隙から接着剤層の周辺部まで接着剤層中に設けられた空隙−圧力逃がし通路と
を含む研磨パッド。
【請求項１０】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
下層の上にある研磨層と、
研磨層と下層との間に配置された接着剤層と、
研磨層に形成され、その面で空隙に露出している窓と、
空隙から下層の周辺部まで下層中に設けられた空隙−圧力逃がし通路と
を含む研磨パッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケミカルメカニカルプラナリゼーション（ＣＭＰ）のための研磨パッドに関し、特に、光学終点検出を実施するために形成された、応力が軽減した窓を有する研磨パッドに関する。さらに、本発明は、窓に対する応力を減らすための圧力逃がし通路を有する研磨パッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路及び他の電子素子の製造においては、導体、半導体及び絶縁材料の多数の層を半導体ウェーハの表面に付着させたり、同表面から除去したりする。導体、半導体及び絶縁材料の薄い層は、多数の付着技術によって付着させることができる。最新の加工で一般的な付着技術としては、スパッタリングとも知られる物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）及び電気化学的めっき法（ＥＣＰ）がある。
【０００３】
材料層が順次付着され、除去されるにつれ、ウェーハの一番上の表面が非平坦になる。後続の半導体加工（たとえばメタライゼーション）はウェーハが平坦面を有することを要するため、ウェーハは平坦化されなければならない。望ましくない表面トポグラフィーならびに表面欠陥、たとえば粗面、凝集した材料、結晶格子の損傷、スクラッチ及び汚染された層又は材料を除去する際にはプラナリゼーションが有用である。
【０００４】
ケミカルメカニカルプラナリゼーション又はケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハのような基材を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のＣＭＰでは、ウェーハキャリヤがキャリヤアセンブリに取り付けられ、ＣＭＰ装置内で研磨パッドと接する状態に配置される。キャリヤアセンブリが制御可能な圧力をウェーハに供給して、ウェーハを研磨パッドに押し当てる。パッドは外部駆動力によってウェーハに対して動かされる（たとえば回転させられる）。それと同時に、化学組成物（「スラリー」）又は他の研磨溶液がウェーハと研磨パッドとの間に供給される。このようにして、ウェーハ表面は、パッド表面及びスラリーの化学的かつ機械的作用によって研磨され、平坦化される。
【０００５】
ウェーハを平坦化する際に重要な工程は、加工の終点を決定することである。したがって、多様なプラナリゼーション終点検出法、たとえば、ウェーハ表面その場での光学的計測を伴う方法が開発された。光学的技術は、選択された波長の光のための窓を研磨パッドに設けることを含む。光ビームがその窓を通してウェーハ表面に当てられると、そこで反射し、窓を逆に通過して検出器（たとえば分光光度計）に達する。この戻りシグナルに基づき、終点検出のためにウェーハ表面の性質（たとえば膜の厚さ）を測定することができる。
【０００６】
Robertsは、米国特許第５，６０５，７６０号で、形成された窓を有する研磨パッドを開示している。Robertsでは、窓は、研磨パッドの流動性ポリマー中にキャスティングされ、挿入される。この研磨パッドは、積み重ねた構造（すなわちサブパッドとともに）で使用することもできるし、単独で、研磨装置のプラテンに、接着剤でじかに接着された状態で使用することもできる。いずれの場合でも、窓とプラテンとの間に「空隙」又は空間ができてしまう。残念ながら、研磨中、空隙中で発生する圧力から過度な応力が窓に加わり、望まれない残留応力変形（たとえば「膨れ」又は「陥没」）を窓の中に生じさせることがある。これらの応力変形が結果的に非平坦な窓をもたらし、不十分な終点検出、欠陥率及びウェーハの滑りを生じさせることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、要望されているものは、ＣＭＰ中での広い範囲の波長での確固とした終点検出又は計測のための、応力が軽減した窓を有する研磨パッドである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一の態様で、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、研磨パッドに形成された窓を含み、窓が、その面にあてがわれた空隙と、空隙から研磨パッドの周辺部まで研磨パッド中に設けられた圧力逃がし通路とを有する研磨パッドが提供される。
【０００９】
本発明の第二の態様で、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、形成された窓を有し、窓がその面の空隙に露出している研磨層と、空隙に露出した窓の面の一部から研磨層の周辺部まで研磨層中に設けられた圧力逃がし通路とを含む研磨パッドが提供される。
【００１０】
本発明の第三の態様で、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、下層の上にある研磨層と、研磨層と下層との間に配置された接着剤層と、研磨層に形成され、その面の空隙に露出している窓と、空隙から接着剤層の周辺部まで接着剤層中に設けられた圧力逃がし通路とを含む研磨パッドが提供される。
【００１１】
本発明の第四の態様で、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、下層の上にある研磨層と、研磨層と下層との間に配置された接着剤層と、研磨層に形成され、その面の空隙に露出している窓と、空隙から下層の周辺部まで下層中に設けられた圧力逃がし通路とを含む研磨パッドが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１を参照すると、本発明の研磨パッド１が示されている。研磨パッド１は、研磨層４及び任意の下層２を含む。研磨層４及び下層２が研磨パッドとして個々に作用してもよいことが理解されよう。換言するならば、本発明は、研磨パッドとして、研磨層４のみを使用することもできるし、研磨層４と下層２とを組み合わせたものを使用することもできる。下層２は、フェルト地のポリウレタン製、たとえば米デラウェア州NewarkのRohm and Haas Electronic Materials CMP社（「ＲＨＥＭ」）製のSUBA-IV（商標）パッドであることができる。研磨層４は、ポリウレタンパッド（たとえば微小球を充填したパッド）、たとえばＲＨＥＭ製のIC1000（商標）を含むことができる。場合によっては、研磨層４は、所望により、テキスチャーを施されていてもよい。感圧接着剤層６の薄い層で研磨層４と下層２とを一緒に保持することができる。接着剤６は、米ミネソタ州St, Paulの3M Innovative Properties社から市販されているものであってもよい。
【００１３】
研磨層４は、下層２及び感圧接着剤６の上に設けられた透明な窓１４を有する。研磨層４は、０．７０mm〜２．６５mmの厚さＴを有することができる。窓１４は、終点検出の際に使用されるシグナル光のための経路を創出する空隙１０の上に設けられているということが理解されよう。したがって、レーザ分光光度計（図示せず）からのレーザ光を、空隙１０及び透明な窓材料片１４を通してウェーハ又は基材に当てて、終点検出を容易にすることができる。本発明は、一体に形成された窓を有する研磨パッドを参照して記載するが、本発明はそのように限定されないことが理解されよう。たとえば、研磨層４全体が透明（「クリアパッド」）であってもよく、空隙は、圧力を含め、たとえばレーザ分光光度計が配置されるいかなる地点に形成されてもよい。換言するならば、本発明は、窓なしパッドにも適用可能である。また、本発明は、窓１４を通してレーザ分光光度計を使用する終点検出に関して記載するが、本発明はそのように限定されない。たとえば、研磨層４は、他の終点検出法、たとえばウェーハの研磨面の抵抗値を計測する検出法に適合させることもできる。
【００１４】
本発明の典型的な実施態様では、研磨パッド１は、入口１１ａ及び出口１１ｂを有する圧力逃がし通路１１を含む。圧力逃がし通路１１は、窓１４の、空隙１０中で発生する圧力にさらされる面１４ａの一部から研磨パッド１の周辺部４ａ、特に研磨層４の周辺部４ａまで延びている。したがって、研磨作業中に空隙１０で発生する圧力は、圧力逃がし通路１１の入口１１ａ及び出口１１ｂを介して排出することができる。換言するならば、空隙１０中で発生する圧力は、圧力逃がし通路１１を通って逃げてしまうため、実質的に透明な窓１４に影響を及ぼさない。したがって、透明な窓１４は、圧力の高まりによって応力又は変形を受けることなく、正確な終点検出が容易になる。本明細書では本発明を一つの圧力逃がし通路を有するものとして記載するが、本発明はそのように限定されないことが理解されよう。たとえば、研磨層４中に二つ以上の圧力逃がし通路が設けられてもよい。あるいはまた、本発明の範囲を逸することなく、一つ又は複数の圧力逃がし通路を別々の層（すなわち接着剤層及び下層）それぞれ又はそれらの組み合わせに設けることもできる。加えて、本発明は、研磨パッドの周辺部まで延びる圧力逃がし通路を有するものとして記載するが、本発明は、空隙１０から研磨層４の研磨面まで延びる圧力逃がし通路を有する研磨パッドにも等しく適用可能である。ただし、たとえば圧力逃がし通路の毛管作用を利用することによって、スラリー流が通路に流れ込むことを防ぐための特別な注意を払わなければならない。
【００１５】
有利には、圧力逃がし通路１１は、たとえば、コンピュータ数値制御式ツール（「ＣＮＣツール」）を使用して通路を削り出すこと、レーザ切削、ナイフ切削、パッドを所定位置の通路とともに予備成形すること又は通路をパッド中に溶かす／焼くことによって形成することができる。もっとも好ましくは、圧力逃がし通路１１は、通路を削り出す又はレーザ切削することによって形成される。
【００１６】
次に図２Ａを参照すると、図１の研磨層のＩ−II線から見た断面図が示されている。この実施態様では、圧力逃がし通路１１は半円形の断面を有している。しかし、圧力逃がし通路１１の断面の具体的な形状は、本発明の範囲を逸することなく変更することができる。たとえば、圧力逃がし通路１１の断面は、半正方形又は半長方形であってもよい。加えて、圧力逃がし通路１１は、所定の幅Ｗ及び深さＤを有している。好ましくは、深さＷは０．７０mm〜６．５０mmである。より好ましくは、幅Ｗは０．８０mm〜４．００mmである。もっとも好ましくは、幅Ｗは０．８５mm〜３．５０mmである。加えて、圧力逃がし通路１１は、好ましくは、深さＤが０．３８mm〜１．５３mmである。より好ましくは、深さＤは０．５０mm〜１．２７mmである。もっとも好ましくは、深さＤは０．５５mm〜０．９０mmである。また、幅Ｗ及び深さＤは、圧力の排出を促進するため、圧力逃がし通路１１の長手に沿って変化させてもよい。たとえば、幅Ｗは、周辺部４ａよりも窓１４の近くを狭くして、スラリー汚染を防ぐための毛管作用を発生させてもよい。
【００１７】
さらに図２Ｂを参照すると、本発明の圧力逃がし通路１１の代替態様が示されている。図２Ａと同様な要素は同じ符号によって示している。ここでは、圧力逃がし通路１１の断面は半長方形である。図２Ａを参照して先に論じたように、圧力逃がし通路１１は、所定の幅Ｗ及び深さＤを有している。加えて、幅Ｗ及び深さＤは、圧力の排出を促進するため、圧力逃がし通路１１の長手に沿って変化させてもよい。
【００１８】
次に図３を参照すると、本発明の圧力逃がし通路を有する研磨パッドのもう一つの実施態様が示されている。図１と同様な要素は同じ符号によって示している。ここでは、入口３１ａ及び出口３１ｂを有する、接着剤６中に形成された圧力逃がし通路３１を含む研磨パッド３が示されている。圧力逃がし通路３１は、空隙１０から研磨パッド３の周辺部６ａまで延びている。より具体的には、圧力逃がし通路３１は、空隙１０から接着剤６の周辺部６ａまで延びている。したがって、研磨作業中に空隙１０で発生する圧力は、圧力逃がし通路３１の入口３１ａ及び出口３１ｂを介して排出することができる。換言するならば、空隙１０中で発生する圧力は、圧力逃がし通路３１を通って逃げてしまうため、実質的に透明な窓１４に影響を及ぼさない。したがって、透明な窓１４は、圧力の高まりによって応力又は変形を受けることなく、減少した欠陥率及びウェーハの滑りを含め、正確な終点検出が容易になる。
【００１９】
次に図４を参照すると、本発明の圧力逃がし通路を有する研磨パッドのもう一つの実施態様が示されている。図１と同様な要素は同じ符号によって示している。ここでは、入口５１ａ及び出口５１ｂを有する、接着剤６中に形成された圧力逃がし通路５１を含む研磨パッド５が示されている。圧力逃がし通路５１は、空隙１０から研磨パッド５の周辺部２ａまで延びている。より具体的には、圧力逃がし通路５１は、空隙１０から下層２の周辺部２ａまで延びている。したがって、研磨作業中に空隙１０で発生する圧力は、圧力逃がし通路５１の入口５１ａ及び出口５１ｂを介して排出することができる。換言するならば、空隙１０中で発生する圧力は、圧力逃がし通路５１を通って逃げてしまうため、実質的に透明な窓１４に影響を及ぼさない。したがって、透明な窓１４は、圧力の高まりによって応力又は変形を受けることなく、正確な終点検出が容易になる。
【００２０】
したがって、本発明は、応力が軽減した窓を有するケミカルメカニカル研磨パッドを提供する。加えて、本発明は、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、研磨パッドに形成された窓を含み、その窓が、その面に設けられた空隙を有するものである研磨パッドを提供する。研磨パッドはさらに、窓に対する過度な応力を緩和するため、空隙から研磨パッドの周辺部まで設けられた圧力逃がし通路を含む。加えて、圧力逃がし通路は、接着剤層又は下層のいずれに形成してもよい。同様に、一つ以上の圧力逃がし通路を、一緒にした又は任意に組み合わせた研磨層、接着剤層及び下層に形成することができる。
【００２１】
さらには、本発明の典型的な実施態様では、窓１４の透明な材料は、ポリイソシアネート含有材料（「プレポリマー」）から製造される。プレポリマーは、ポリイソシアネート（たとえばジイソシアネート）とヒドロキシル含有材料との反応生成物である。ポリイソシアネートは、脂肪族又は芳香族であることができる。そして、プレポリマーを硬化剤で硬化させる。好ましいポリイソシアネートとしては、メチレンビス４，４′−シクロヘキシルイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、プロピレン−１，２−ジイソシアネート、テトラメチレン−１，４−ジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレン−ジイソシアネート、ドデカン−１，１２−ジイソシアネート、シクロブタン−１，３−ジイソシアネート、シクロヘキサン−１，３−ジイソシアネート、シクロヘキサン−１，４−ジイソシアネート、１−イソシアナト−３，３，５−トリメチル−５−イソシアナトメチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキシレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートのトリイソシアネート、２，４，４−トリメチル−１，６−ヘキサンジイソシアネートのトリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートのウレトジオン、エチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート及びこれらの混合物があるが、これらに限定されない。好ましいポリイソシアネートは脂肪族である。好ましい脂肪族ポリイソシアネートは、１４％未満の未反応のイソシアナト基を有する。
【００２２】
有利には、ヒドロキシル含有材料はポリオールである。典型的なポリオールとしては、ポリエーテルポリオール、ヒドロキシ末端ポリブタジエン（部分的／完全に水素化された誘導体を含む）、ポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカーボネートポリオール及びこれらの混合物があるが、これらに限定されない。
【００２３】
一つの好ましい実施態様では、ポリオールはポリエーテルポリオールを含む。例は、ポリテトラメチレンエーテルグリコール（「ＰＴＭＥＧ」）、ポリエチレンプロピレングリコール、ポリオキシプロピレングリコール及びこれらの混合物を含むが、これらに限定されない。炭化水素鎖は、飽和又は不飽和結合を有することもできるし、置換又は非置換の芳香族及び環状基を有することもできる。好ましくは、本発明のポリオールはＰＴＭＥＧを含む。適切なポリエステルポリオールとしては、ポリエチレンアジペートグリコール、ポリブチレンアジペートグリコール、ポリエチレンプロピレンアジペートグリコール、ｏ−フタレート−１，６−ヘキサンジオール、ポリ（ヘキサメチレンアジペート）グリコール及びこれらの混合物があるが、これらに限定されない。炭化水素鎖は、飽和又は不飽和結合を有することもできるし、置換又は非置換の芳香族及び環状基を有することもできる。適切なポリカプロラクトンポリオールとしては、１，６−ヘキサンジオール誘導ポリカプロラクトン、ジエチレングリコール誘導ポリカプロラクトン、トリメチロールプロパン誘導ポリカプロラクトン、ネオペンチルグリコール誘導ポリカプロラクトン、１，４−ブタンジオール誘導ポリカプロラクトン、ＰＴＭＥＧ誘導ポリカプロラクトン及びこれらの混合物があるが、これらに限定されない。炭化水素鎖は、飽和又は不飽和結合を有することもできるし、置換又は非置換の芳香族及び環状基を有することもできる。適切なポリカーボネートとしては、ポリフタレートカーボネート及びポリ（ヘキサメチレンカーボネート）グリコールがあるが、これらに限定されない。
【００２４】
有利には、硬化剤はポリジアミンである。好ましいポリジアミンとしては、ジエチルトルエンジアミン（「ＤＥＴＤＡ」）、３，５−ジメチルチオ−２，４−トルエンジアミン及びその異性体、３，５−ジエチルトルエン−２，４−ジアミン及びその異性体、たとえば３，５−ジエチルトルエン−２，６−ジアミン、４，４′−ビス−（sec−ブチルアミノ）−ジフェニルメタン、１，４−ビス−（sec−ブチルアミノ）−ベンゼン、４，４′−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）、４，４′−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（「ＭＣＤＥＡ」）、ポリテトラメチレンオキシド−ジ−ｐ−アミノベンゾエート、Ｎ，Ｎ′−ジアルキルジアミノジフェニルメタン、ｐ，ｐ′−メチレンジアニリン（「ＭＤＡ」）、ｍ−フェニレンジアミン（「ＭＰＤＡ」）、メチレン−ビス２−クロロアニリン（「ＭＢＯＣＡ」）、４，４′−メチレン−ビス−（２−クロロアニリン）（「ＭＯＣＡ」）、４，４′−メチレン−ビス−（２，６−ジエチルアニリン）（「ＭＤＥＡ」）、４，４−メチレン−ビス−（２，３−ジクロロアニリン）（「ＭＤＣＡ」）、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエチル−５，５′−ジメチルジフェニルメタン、２，２′，３，３′−テトラクロロジアミノジフェニルメタン、トリメチレングリコールジ−ｐ−アミノベンゾエート及びこれらの混合物があるが、これらに限定されない。好ましくは、本発明の硬化剤は、３，５−ジメチルチオ−２，４−トルエンジアミン及びその異性体を含む。適切なポリアミン硬化剤は、第一級及び第二級アミンを含む。
【００２５】
加えて、他の硬化剤、たとえばジオール、トリオール、テトラオール又はヒドロキシ末端硬化剤を前述のポリウレタン組成物に加えてもよい。適切なジオール、トリオール及びテトラオール群は、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、低分子量ポリテトラメチレンエーテルグリコール、１，３−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，３−ビス−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ］ベンゼン、１，３−ビス−｛２−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝ベンゼン、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、レゾルシノール−ジ−（β−ヒドロキシエチル）エーテル、ヒドロキノン−ジ−（β−ヒドロキシエチル）エーテル及びこれらの混合物を含む。好ましいヒドロキシ末端硬化剤としては、１，３−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，３−ビス−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ］ベンゼン、１，３−ビス−｛２−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝ベンゼン、１，４−ブタンジオール及びこれらの混合物がある。ヒドロキシ末端硬化剤及びアミン硬化剤は、いずれも、１個以上の飽和、不飽和、芳香族及び環状基を含むことができる。さらには、ヒドロキシ末端硬化剤及びアミン硬化剤は、１個以上のハロゲン基を含むことができる。ポリウレタン組成物は、硬化剤のブレンド又は混合物で形成することができる。しかし、所望ならば、ポリウレタン組成物は、１種の硬化剤で形成することもできる。
【００２６】
本発明の好ましい実施態様では、窓１４は、たとえば、ポリウレタン、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂、ポリカーボネート、ポリエステル、シリコーン、ポリイミド及びポリスルホンで形成することができる。窓１４の典型的な材料としては、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、エチルビニルアセテート、ポリ酪酸ビニル、ポリ酢酸ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレン、フッ素化エチレンプロピレン及びペルフルオロアルコキシポリマーがあるが、これらに限定されない。
【００２７】
次に図５を参照すると、圧力逃がし通路（図示せず）を含む本発明の研磨パッドを使用するＣＭＰ装置２０が示されている。装置２０は、半導体ウェーハ２４を研磨プラテン２６に対して保持する又は押し当てるためのウェーハキャリヤ２２を含む。研磨プラテン２６は、窓１４及び圧力逃がし通路１１を含む本発明のパッド１を備えている。先に論じたように、パッド１は、プラテン２６の表面と対面する下層２と、ウェーハ２４を研磨するために化学研磨スラリーとともに使用される研磨層４とを有する。図示しないが、研磨流体又はスラリーを供給するための手段を、この装置とともに使用することができることが理解されよう。プラテン２６は通常、その中心軸２７を中心に回転する。加えて、ウェーハキャリヤ２２は通常、その中心軸２８を中心に回転し、移動アーム３０によってプラテン２６の表面を移動する。図５には１個のウェーハキャリヤしか示されていないが、ＣＭＰ装置は、研磨プラテンの周囲に円周方向に離間した２個以上のウェーハキャリヤを有してもよいことが理解されよう。加えて、透明な穴３２がプラテン２６に設けられ、パッド１の空隙１０及び窓１４の上にある。したがって、透明な穴３２は、ウェーハ２４の研磨中に、正確な終点検出のために窓１４を介してウェーハ２４の表面へのアクセスを提供する。すなわち、レーザ分光光度計３４がプラテン２６の下方に設けられ、このレーザ分光光度計が、ウェーハ２４の研磨中に、正確な終点検出のためにレーザビーム３６を投射して、透明な穴３２及び高透過率の窓１４に通過させ、それらを通って反射させる。
【００２８】
したがって、本発明は、応力が軽減した窓を有するケミカルメカニカル研磨パッドを提供する。加えて、本発明は、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、研磨パッドに形成された窓を含み、窓が、その面にあてがわれた空隙を有するものである研磨パッドを提供する。研磨パッドはさらに、窓に対する過度な応力を緩和するため、空隙から研磨パッドの周辺部まで設けられた圧力逃がし通路を含む。加えて、圧力逃がし通路は、接着剤層又は下層のいずれに形成してもよい。同様に、一つ以上の圧力逃がし通路を、一緒にした又は任意に組み合わせた研磨層、接着剤層及び下層に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の圧力逃がし通路を有する研磨パッドを示す図である。
【図２Ａ】図１の研磨パッドのＩ−II線から見た断面図である。
【図２Ｂ】図１の研磨パッドのＩ−II線から見たもう一つの実施態様の断面図である。
【図３】本発明の圧力逃がし通路を有する研磨パッドのもう一つの実施態様を示す図である。
【図４】本発明の圧力逃がし通路を有する研磨パッドのもう一つの実施態様を示す図である。
【図５】本発明の研磨パッドを使用するＣＭＰシステムを示す図である。
【図１】
2006005358.tif 000003
【図２Ａ】
2006005358.tif 000004
【図２Ｂ】
2006005358.tif 000005
【図３】
2006005358.tif 000006
【図４】
2006005358.tif 000007
【図５】
2006005358.tif 000008
【外国語明細書】
1. Title of the Invention
2006005358.tif 000009
2. Detailed Description of the Invention
2006005358.tif 000010
2006005358.tif 000011
2006005358.tif 000012
2006005358.tif 000013
2006005358.tif 000014
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3. Brief Description of Drawings
2006005358.tif 000020
1. Claims
2006005358.tif 000021
2006005358.tif 000022
1. Abstract
2006005358.tif 000023
2. Representative Drawing
None
Fig. 1
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Fig. 2A
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Fig. 2B
2006005358.tif 000026
Fig. 3
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Fig. 4
2006005358.tif 000028
Fig. 5
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