(57)【要約】【課題】  何ら不具合が発生することなく、ＴＦＴ基板に精度よく凹部が形成されて、マルチドメインを達成できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】  基板１０と、基板１０の上の形成されたＴＦＴ５と、ＴＦＴ５に接続された画素電極２４とを備えたＴＦＴ基板２と、ＴＦＴ基板２に対向して配置される対向基板２ａと、ＴＦＴ基板２と対向基板２ａとの間に封入された垂直配向型液晶２６とを有し、ＴＦＴ基板２の画素電極２４が形成された画素領域内に、画素電極２４の一部がへこんだ凹部２３が設けられており、かつ凹部２３の下にエッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃが形成されている。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上の形成されたＴＦＴと、該ＴＦＴに接続された画素電極とを備えたＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板に対向して配置される対向基板と、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に封入された垂直配向型液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板の前記画素電極が形成された画素領域内に、前記画素電極の一部がへこんだ凹部が設けられており、かつ前記凹部の下にエッチングストップパターンが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記基板上には、
ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層の両端部にそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極とにより構成される前記ＴＦＴと、
前記ＴＦＴの前記ソース電極に接続された前記画素電極と、
前記ＴＦＴを被覆する保護層とが形成されており、
前記エッチングストップパターンは前記基板上に前記ゲート電極と同一材料で同時に形成され、前記凹部は前記保護層と前記絶縁層とに設けられた開口部内に前記画素電極が被覆されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記凹部は上部側から下部側になるにつれて径が小さくなって側面が傾斜していることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記凹部の最下部は前記エッチングストップパターンの内側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極は、相互に繋がった状態で複数の副画素電極部に分割されており、前記副画素電極部ごとに前記凹部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、さらに詳しくは、垂直配向型液晶を使用する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型・軽量であると共に、低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種のディスプレイに広く使用されている。
【０００３】
近年では、視野角や解像度の向上を目的に、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）型の液晶表示装置が開発されている。図１に示すように、従来のＭＶＡ型の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１００と、対向基板２００と、これらの基板１００，２００の間に封入された垂直配向型液晶１０８とにより構成される。ＴＦＴ基板１００では、ガラス基板１０２ａ上に絶縁層１０４を介して、ＴＦＴ（不図示）に接続されてスリット１０６ｘが設けられた画素電極１０６が形成されている。また、対向基板２００では，ガラス基板１０２ｂ上のコモン電極２０２の上にドメイン規制用の突起２０４が設けられている。
【０００４】
そして、画素電極１０６とコモン電極２０２との間に電圧を印加すると、液晶分子が突起２０４を指差すように配向することで、１つの画素領域内で液晶分子の配向方向（ドメイン）が異なるようになり、視野角を向上させることができる。
【０００５】
あるいは、対向基板にドメイン規制用の突起を設ける代わりに、ＴＦＴ基板側に凹部を設ける方法がある。特許文献１には、ＴＦＴ基板のパシベーション層の上に形成されるオーバーコート層に直線状の開口部を設け、その上に画素電極を被覆することで凹部を形成して、液晶の配向を制御することが記載されている。
【０００６】
また、特許文献２には、ＴＦＴ基板に、誘電体層の上下に２つの導電層が形成された３層構造の画素電極が形成されており、その画素電極の上側導電層に開口部を形成し、さらに誘電体層の上層部分に凹部を設けて液晶の配向を制御することが記載されている。
【特許文献１】特開２００１−１７４８２１号公報
【特許文献２】特開２００１−３４３６４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、対向基板に突起を形成する方法では、直径が１０μｍ程度のニップル状に突起を形成する必要があることから、突起を制御よく形成することは困難を極め、製造歩留りの低下を招きやすい。
【０００８】
また、特許文献１では、パシベーション層（シリコン窒化層）上のオーバーコート層（アクリル樹脂）に開口部を形成するので、製造工程が複雑になったり、凹部の深さがばらつくなどの不具合が発生するおそれがある。
【０００９】
また、特許文献２においても、３層構造の画素電極の上側導電層と誘電体層の上層部に選択的に凹部を形成するので、製造工程が複雑になったり、凹部の深さがばらつくなどの不具合が発生するおそれがある。
【００１０】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、何ら不具合が発生することなく、ＴＦＴ基板に精度よく凹部が形成されて、マルチドメインを達成できる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、液晶表示装置に係り、基板と、該基板の上の形成されたＴＦＴと、該ＴＦＴに接続された画素電極とを備えたＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向して配置される対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に封入された垂直配向型液晶とを有する液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板の前記画素電極が形成された画素領域内に、前記画素電極の一部がへこんだ凹部が設けられており、かつ前記凹部の下にエッチングストップパターンが形成されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の液晶表示装置のＴＦＴ基板を得る一つの好適な方法は、まず、逆スタガ型のＴＦＴのゲート電極（ゲートバスライン）を基板上に形成する工程で、ドメイン規制用の凹部が形成される部分に金属層よりなるエッチングストップパターンが予め形成される。その後に、絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極が順に形成されてＴＦＴを得た後に、ＴＦＴを被覆する保護層が形成される。次いで、ソース電極上などにコンタクトホールを形成する工程で、エッチングストップパターン上の保護層及び絶縁層がエッチングされて開口部が形成される。このとき、開口部の下にはエッチングストップパターンが形成されているので、その下側の基板（ガラス基板など）がエッチングされるおそれがなく、開口部が精度よく安定して形成される。
【００１３】
その後に、ＴＦＴのソース電極に接続される画素電極が形成され、その画素電極によって上記した開口部の内面が被覆されてドメイン規制用の凹部が形成される。
【００１４】
このように、本発明の液晶表示装置では、特別な工程を追加することなくＴＦＴ基板にドメイン規制用の凹部が精度よく安定して形成され、従来技術よりも、高歩留り、低コストでＭＶＡ型の液晶表示装置が製造されるようになる。
【００１５】
上記した発明において、凹部は上部側から下部側になるにつれて径が小さくなって側面が傾斜していることが好ましい。
【００１６】
また、上記した発明において、画素電極は、相互に繋がった状態で複数の副画素電極部に分割されており、副画素電極部ごとにドメイン規制用の凹部が形成されているようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明では、ＭＶＡ型の液晶表示装置が低コスト、高歩留りで製造され、安定したマルチドメインが達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１９】
図２〜図３は本発明の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図である。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１０（透明基板）を用意し、そのガラス基板１０上にスパッタ法などによって導電層を成膜する。導電層としては、例えば、膜厚が１００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）又はＡｌ合金と、膜厚が５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属層との積層膜が好適に使用される。その後に、この導電層をフォトリソグラフィ及びエッチングでパターニングすることにより、ゲートバスライン（ゲート電極）１２ａ、エッチングストップパターン１３ａ、１３ｂ，１３ｃ及び蓄積容量バスライン１２ｂを得る。
【００２１】
次いで、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法でシリコン窒化層を成膜するなどして絶縁層１４を形成する。絶縁層１４は、後にＴＦＴのゲート絶縁層として機能する。続いて、図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などにより絶縁層１４上にＴＦＴ用の能動層となるアモルファスシリコンなどの半導体層を形成した後に、半導体層をフォトリソグラフィ及びエッチングでパターニングすることにより半導体層パターン１６を形成する。さらに、半導体層パターン１６上にシリコン窒化層などの絶縁層を成膜した後に、フォトリソソグラフィ及びエッチングで絶縁層をパターニングすることにより、半導体層パターン１６の中央部上にチャネル保護層１８を形成する。
【００２２】
続いて、図２（ｃ）の構造体の上面に、ＴＦＴ用のソース電極及びドレイン電極などを形成するための導電層を形成する。この導電層は、例えば、オーミックコンタクト層となる高濃度の不純物を含有するアモルファスシリコン層（３０ｎｍ）と、Ｔｉ層（２０ｎｍ）／Ａｌ層（７５ｎｍ）／Ｔｉ層又はＭｏ層（４０ｎｍ）との積層膜より構成される。
【００２３】
さらに、図２（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングでこの導電層をパターニングすることにより、ソース電極２０ａ、ドレイン電極２０ｂ、及び蓄積容量電極２０ｃを得る。ソース電極２０ａ及びドレイン電極２０ｂは、半導体層パターン１６の両端部にそれぞれ電気的に接続されて形成される。また、蓄積容量電極２０ｃは、蓄積容量バスライン１２ｂ上の絶縁層１４上の部分に形成される。
【００２４】
これにより、ゲートバスライン（ゲート電極）１２ａ、絶縁層１４、半導体層パターン１６、ソース電極２０ａ、及びドレイン電極２０ｂから構成される逆スタガ型のＴＦＴ５が得られる。ＴＦＴ５のドレイン電極２０ｂはデータバスライン（不図示）に繋がって形成される。
【００２５】
次いで、図３（ａ）に示すように、図２（ｄ）の構造体の上面に、プラズマＣＶＤ法でシリコン窒化層を成膜するなどして保護層２２を形成する。その後に、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィにより、ソース電極２０ａ、エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ、及び蓄積容量電極２０ｃ上の保護層２２の部分に開口部１５ｘがそれぞれ設けられたレジスト膜１５を形成する。
【００２６】
さらに、図３（ｃ）に示すように、そのレジスト膜１５をマスクにして保護層２２をドライエッチングして、ソース電極２０ａ及び蓄積容量電極２０ｃの上面に到達する深さのコンタクトホール２２ｘ，２２ｙをそれぞれ形成し、さらにその下の絶縁層１４をエッチングしてエッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ上に開口部２２ｚをそれぞれ形成する。その後に、レジスト膜１５が除去される。エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃ上の絶縁層１４及び保護層２２に形成される開口部２２ｚは、後にドメイン規制用の凹部となる。
【００２７】
ドライエッチング条件の一例としては、ＳＦ6（六フッ化イオウ）：２００Ｓｃｃｍ、Ｏ2（酸素）：２００Ｓｃｃｍ、圧力：８Ｐａ、ＲＦ電力：６００Ｗが採用される。このような条件を採用することにより、保護層２２や絶縁層１４（シリコン窒化層）をエッチングする際に、下地のエッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ、１３ｃ（Ａｌ層／Ｔｉ層）に対して高い選択比が得られる。エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ、１３ｃの材料としてＡｌ層／Ｔｉ（又はＭｏ）層を例示したが、ゲートバスライン１２ａに適用できて、絶縁層をドライエッチングする際に高い選択比が得られる各種の金属層を使用することができる。
【００２８】
このため、開口部２２ｚを形成する際に、エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ、１３ｃによってエッチングが概ね止まり、その下側のガラス基板１０がエッチングされるおそれはない。従って、開口部２２ｚの深さのばらつきが低減され、精度の高い開口部２２ｚ（ドメイン規制用の凹部）を形成することができる。また、エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ、１３ｃはゲートバスライン１２ａを形成する工程で同時に形成され、しかも開口部２２ｚを形成するために特別な層を追加形成する必要もないので、コスト上昇を招くおそれもない。
【００２９】
なお、開口部２２ｚ（ドメイン規制用の凹部）を形成するための絶縁層１４のエッチング時に、コンタクトホール２２ｘ，２２ｙの下にソース電極２０ａ及び蓄積容量電極２０ｃが露出するので、ソース電極２０ａ及び蓄積容量電極２０ｃにダメージが生じる場合が想定される。そのような場合は、フォトリソグラフィ及びエッチングを２回行うことにより、コンタクトホール２２ｘ，２２ｙと開口部２２ｚを別の工程で形成するようにしてもよい。
【００３０】
その後に、図３（ｃ）の構造体の上面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電層をスパッタ法などで成膜する。さらに、図３（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングにより透明導電層をパターニングすることにより画素電極２４を形成する。画素電極２４は、コンタクトホール２２ｘを介してＴＦＴ５のソース電極２０ａに電気的に接続されると共に、コンタクトホール２２ｙを介して蓄積容量電極２０ｃに電気的に接続される。このとき、保護層２２及び絶縁層１４に設けられた開口部２２ｚの内面が画素電極２４によって被覆されてドメイン規制用の凹部２３となる。また、後述するように、画素電極２４は相互に繋がった３つの副画素電極部に分割して構成され、パターンの周縁部にくし歯状の電極部が設けられる。その後に、画素電極２４を被覆する垂直配向膜（不図示）が形成される。
【００３１】
以上により本発明の実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板２が製造される。
【００３２】
図４には図３（ｄ）を平面方向からみた透視平面図が示されている。なお、図３（ｄ）は図４のＩ−Ｉ及びＩＩ−ＩＩに沿った断面図を合成したものに相当する。
【００３３】
図４には１つの画素部が示されており、１つの画素部は３つの副画素部Ａ，Ｂ，Ｃに分割されている。そして、３つの副画素部Ａ，Ｂ，Ｃからなる各画素は赤色（Ｒ）画素部、緑色（Ｇ）画素部及び青色（Ｂ）画素部に画定されており、３つの画素部（サブピクセル）が表示単位であるピクセルを構成する。
【００３４】
図３（ｄ）及び図４に示すように、本実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板２では、ガラス基板１０の上に、ゲートバスライン１２ａと、そのゲートバスライン１２ａと直交するデータバスライン１７とが形成されている。ゲートバスライン１２ａ及びデータバスライン１７はそれぞれ複数本で形成されており、これらによって区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域となっている。
【００３５】
ゲートバスライン１２ａ上には絶縁層１４が形成され、絶縁層１４上に半導体層パターン１６が形成されている。半導体層パターン１６上にはゲートバスライン１２ａと略同一幅のチャネル保護層１８が形成されている。半導体層パターン１６の両端部にそれぞれ電気的に接続されたソース電極２０ａ及びドレイン電極２０ｂがチャネル保護層１８の両端部上から絶縁層１４上に延びて形成され、ドレイン電極２０ｂはデータバスライン１７に繋がっている。
【００３６】
ゲートバスライン１２ａ、絶縁層１４、半導体層パターン１６、ソース電極２０ａ及びドレイン電極２０ｂによりＴＦＴ５が構成されている。
【００３７】
ＴＦＴ５上には保護層２２が形成され、ＴＦＴ５のソース電極２０ａ上の保護層２２の部分にコンタクトホール２２ｘが設けられている。ＴＦＴ５のソース電極２０ａはコンタクトホール２２ｘを介して保護層２２上に形成された画素電極２４に電気的に接続されている。
【００３８】
図４に示すように、画素電極２４は、第１副画素電極部２４ａ、第２副画素電極部２４ｂ、及び第３副画素電極部２４ｃに分割されて構成され、各副画素電極部２４ａ，２４ｂ，２４ｃは連結部２４ｘによって相互に繋がっている。各副画素電極部２４ａ，２４ｂ，２４ｃの周縁部には、液晶の配向を安定させるためのスリットが形成されたくし歯状電極部２５が設けられている。
【００３９】
また、各副画素部Ａ，Ｂ，Ｃの中央部の保護層２２及び絶縁層１４の部分には開口部２２ｚがそれぞれ形成されており、それらの開口部２２ｚの内面が第１副画素電極部２４ａ、第２副画素電極部２４ｂ、第３副画素電極部２４ｃによってそれぞれ被覆されてドメイン規制用の凹部２３が設けられている。各凹部２３の下には、ゲートバスライン１２ａと同一材料からなるエッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃがそれぞれパターニングされている。このように本実施形態では、保護層２２及び絶縁層１４をエッチングして開口部２２ｚを形成する際にガラス基板２０がエッチングされるおそれがないことから、開口部２２ｚ（ドメイン規制用の凹部２３）の深さや径のばらつきを抑制することができ、精度の高い開口部２２ｚを形成することができる。
【００４０】
エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃの径は、ドメイン規制用の凹部２３の径より大きな径にそれぞれ設定される。つまり、凹部２３の最下部は、エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃの内側に配置されて形成される。エッチングストップパターン１３ａ，１３ｂ，１３ｃの形状は、円形や四角形などの各種形状に設定することができる。
【００４１】
また、ドメイン規制用の凹部２３は、上部側から下部側になるにつれて径が小さくなる形状で形成されて、その側面が傾斜していることが好ましい。また、凹部２３は、円柱状や四角柱状などの各種形状に設定することができる。なお、凹部２３の側面は垂直であっても差し支えない。
【００４２】
また、図３（ｄ）及び図４に示すように、第２副画素電極部２４   ｂと第３副画素電極部２４ｃとの間には、ゲートバスライン１２ａに平行に配置された蓄積容量バスライン１２ｂが形成されており、その上には絶縁層１４を介して蓄積容量電極２０ｃが形成されている。蓄積容量電極２０ｃ上には、その上にコンタクトホール２２ｙが設けられた保護層２２が形成されており、蓄積容量電極２０ｃはコンタクトホール２２ｙを介して保護層２２上の画素電極２４に電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１２ｂと絶縁層１４と蓄積容量電極２０ｃとによって蓄積容量Ｃｓが構成されている。
【００４３】
図５には、上記したＴＦＴ基板２を利用して液晶表示装置を構成した一例が示されている。図５に示すように、まず、上記した構成のＴＦＴ基板２と、対向基板２ａとを用意する。対向基板２ａは、ガラス基板３０の上（図５ではガラス基板３０の下）にブラックマトリクス３２、カラーフィルタ層３４、及びコモン電極３６が順に形成されて構成されている。ブラックマトリクス３２は、クロム（Ｃｒ）などの遮光材料からなり、複数の画素部間の領域、ＴＦＴ５が形成された領域、及び蓄積容量Ｃｓが形成された領域に対応する部分に設けられている。カラーフィルタ層３４は赤色（Ｒ）フィルタ層、緑色（Ｇ）フィルタ層及び青色（Ｂ）フィルタ層から構成され、各色の画素部に対応するように配置される。
【００４４】
コモン電極３６はＩＴＯなどの透明導電層よりなり、全ての画素部に対して共通に形成されている。また、ＴＦＴ基板２及び対向基板２ａの最上にはポリイミドなどからなる垂直配向膜（不図示）がそれぞれ形成されている。このようなＴＦＴ基板２と対向基板２ａとが所定間隔をもってシール材によって接着され、ＴＦＴ基板２と対向基板２ａとの間に垂直配向型液晶２６が封入されている。
【００４５】
このようにして、本発明の実施形態の液晶表示装置１が構成される。
【００４６】
図６は図５のＤで示される部分を拡大した拡大断面図である。図６に示すように、本実施形態の液晶表示装置１では、画素電極２４及びコモン電極３６との間に電圧を印加しない状態では、液晶分子２６ａは配向膜に対して垂直に配向する。従って、ＴＦＴ基板２のドメイン規制用の凹部２３の内側においては、液晶分子２６ａは相互に異なる方向に配向する。
【００４７】
一方、画素電極２４及びコモン電極３６との間に電圧を印加すると、液晶分子２６ａは電界に垂直な方向に配向するので、液晶分子３０ａの配向方向が凹部２３から放射状に相互に異なるようになり、マルチドメインが達成される。
【００４８】
以上説明したように、本発明の実施形態の液晶表示装置１では、ＴＦＴ基板２のゲートバスライン１２ａを形成する工程で、エッチングストップパターン１３ａ〜１３ｃを同時に形成しておき、エッチングストップパターン１３ａ〜１３ｃ上の保護層２２及び絶縁層１４をエッチングして開口部２２ｚを形成することでドメイン規制用の凹部２３を得るようにしている。このため、開口部２２ｚ（凹部２３）を形成する際に、ガラス基板１０がエッチングされるおそれがなくなり、凹部２３がその深さのばらつきが抑制されて精度よく形成される。しかも、凹部２３を形成するために特別な層を形成する必要もなく、コスト上昇を招くおそれもない。
【００４９】
このように、従来技術よりも、短手番、低コスト、しかも高歩留りでＭＶＡ型の液晶表示装置が製造される。
【００５０】
（付記１）  基板と、該基板の上の形成されたＴＦＴと、該ＴＦＴに接続された画素電極とを備えたＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板に対向して配置される対向基板と、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に封入された垂直配向型液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板の前記画素電極が形成された画素領域内に、前記画素電極の一部がへこんだ凹部が設けられており、かつ前記凹部の下にエッチングストップパターンが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００５１】
（付記２）  前記基板上には、
ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層の両端部にそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極とにより構成される前記ＴＦＴと、
前記ＴＦＴの前記ソース電極に接続された前記画素電極と、
前記ＴＦＴを被覆する保護層とが形成されており、
前記エッチングストップパターンは前記基板上に前記ゲート電極と同一材料で同時に形成され、前記凹部は前記保護層と前記絶縁層とに設けられた開口部内に前記画素電極が被覆されてなることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【００５２】
（付記３）  前記凹部は上部側から下部側になるにつれて径が小さくなって側面が傾斜していることを特徴とする付記１又は２に記載の液晶表示装置。
【００５３】
（付記４）  前記凹部の最下部は前記エッチングストップパターンの内側に配置されていることを特徴とする付記１又は２に記載の液晶表示装置。
【００５４】
（付記５）  前記画素電極は、相互に繋がった状態で複数の副画素電極部に分割されており、前記副画素電極部ごとに前記凹部が形成されていることを特徴とする付記１又は２に記載の液晶表示装置。
【００５５】
（付記６）  前記副画素電極部の周縁部には、くし歯状の電極部が設けられていることを特徴とする付記５に記載の液晶表示装置。
【００５６】
（付記７）  前記保護層及び前記絶縁層はシリコン窒化層よりなり、前記エッチングストップパターンは金属層よりなることを特徴とする付記１乃至６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【００５７】
（付記８）  複数の前記副画素電極部は連結部によって相互に繋がっており、前記副画素電極部の間に、前記連結部に電気的に接続された蓄積容量が設けられていることを特徴とする付記１又は２に記載の液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】図１は従来技術に係るＭＶＡ型の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は発明の実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４は本発明の実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す透視平面図である。
【図５】図５は本発明の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図６】図６は図５のＤで示される部分を拡大した部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１…液晶表示装置、２…ＴＦＴ基板、２ａ…対向基板、５…ＴＦＴ、１０，３０…ガラス基板、１２ａ…ゲートバスライン、１２ｂ…蓄積容量バスライン、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…エッチングストップパターン、１４…絶縁層、１５…レジスト膜、１５ｘ，２２ｚ…開口部、１６…半導体層パターン、１７…データバスライン、１８…チャネル保護層、２０ａ…ソース電極、２０ｂ…ドレイン電極、２０ｃ…蓄積容量電極、２２…保護層、２２ｘ，２２ｙ…コンタクトホール、２３…凹部、２４…画素電極、２４ａ…第１副画素電極部２４ａ、２４ｂ…第２副画素電極部２４ｂ、２４ｃ…第３副画素電極部、２４ｘ…連結部、２５…くし歯状電極部、２６…垂直配向型液晶、２６ａ…液晶分子、３２…ブラックマトリクス、３４…カラーフィルタ層、３６…コモン電極、Ｃｓ…蓄積容量、Ａ，Ｂ，Ｃ…副画素部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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