(57)【要約】【課題】  ＣＭＰ装置の研磨テーブルに張り付けられた研磨パッドを、容易に剥離することを目的とする。【解決手段】  研磨パッド１１として、一主面側において被加工物の研磨を行う研磨層と、前記研磨層の他の主面側に設けられた粘着層とを有し、前記研磨層に切り取り線１７を形成し、研磨テーブルからの剥離を容易にする。【選択図】  図４
2006100437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面側において被加工物の研磨を行う研磨層と、前記研磨層の他の主面側に設けられた粘着層とを有し、前記研磨層に切り取り線が形成されていることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
複数の前記切り取り線が、それぞれ直線状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
１本の前記切り取り線が、渦巻き状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記研磨層の周辺にある前記切り取り線の端部の少なくとも一つが、切り欠き状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の研磨パッド。
【請求項５】
一主面側において被加工物の研磨を行う研磨層と、前記研磨層の他の主面側に設けられた粘着層とを有し、前記研磨層に切り取り線が形成された研磨パッドが装着された化学機械研磨装置を用いて、半導体基板或いは前記半導体基板に形成された膜を研磨する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物表面を研磨する研磨パッド、及びその研磨パッドを装着した化学機械研磨装置による研磨工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造における基板表面の平坦化は、極めて重要である。近年、光リソグラフィによる微細パターン形成が進むと共に、短波長の光が用いられ、そのため、焦点深度が浅くなる。従って、パターンの解像は、基板表面の平坦度に大きく依存するようになってきたからである。
【０００３】
そこで、微細化が進んだ超高密度の集積回路等を作製するために必要とされる平坦度の実現を目的として、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスが広く用いられるようになっている。一般に、ＣＭＰプロセスでは、研磨パッドが装着されたＣＭＰ装置に、化学反応性研磨スラリを供給し、基板を研磨パッドに押しつけながら研磨する。そこで、ＣＭＰプロセスにおいては、使用される研磨パッドは化学反応による変質或いは機械的研磨による摩耗等により消耗する。このため、必要に応じて、研磨パッドを交換する。
【０００４】
研磨パッドは、ＣＭＰ装置内の研磨テーブルに貼り付けられている。また、例えば、直径３００ｍｍの基板を研磨する場合、その研磨テーブルは大きい場合、直径１ｍ程度あるため、研磨パッドも同様な大きさを必要とする。
【０００５】
基板研磨中に、研磨パッドは研磨テーブルから剥がれないことが要求されるため、研磨テーブルに対する研磨パッドの粘着層の粘着力は、或る程度の強度が必要である。従って、研磨テーブルへの研磨パッドの張り付け及びその剥離の作業に工夫が必要とされている。例えば、張り付け作業における位置決めを精度良く行うため、張り付け前の粘着層に保護用として張られている保護フィルムに切れ目やガイドを入れる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
これにより、研磨パッドの張り付け作業の効率は向上するが、張り付け時に保護フィルムは剥がされるため、研磨パッドを剥離の際は役に立たなかった。剥離作業に関して、依然として作業効率の改善等の必要があった。
【特許文献１】特開２００４―９０１０６号公報（第８ページ、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はＣＭＰ装置の研磨テーブルに張り付けられた研磨パッドを、容易に剥離することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様は、研磨パッドとして、一主面側において被加工物の研磨を行う研磨層と、前記研磨層の他の主面側に設けられた粘着層とを有し、前記研磨層に切り取り線が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の態様は、半導体装置の製造方法として、一主面側において被加工物の研磨を行う研磨層と、前記研磨層の他の主面側に設けられた粘着層とを有し、前記研磨層に切り取り線が形成された研磨パッドが装着された化学機械研磨装置を用いて、半導体基板或いは前記半導体基板に形成された膜を研磨する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、研磨パッドに切り取り線を入れることによって、ＣＭＰ装置の研磨テーブルに張り付けられた研磨パッドを、容易に剥離することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１（ａ）は、本発明による第１の実施例の研磨パッドを用いた化学機械研磨装置を示す概観の模式図である。また、図１（ｂ）は、研磨パッドの断面の模式図である。
【００１３】
研磨装置１０は、研磨テーブル１２を有し、このテーブルには、研磨パッド１１が取り付けられている。研磨テーブル１２の大きさは、被加工物である半導体基板１６の直径を考慮して決められ、例えば、３００ｍｍの半導体基板１６を加工する場合、その直径は７００乃至１，０００ｍｍ程度である。半導体基板１６の直径が小さくなると、研磨テーブル１２も小さくして良く、例えば、直径４００ｍｍ程度であっても良い。一方、半導体基板１６の大口径化の流れから、更に大きな直径を有する研磨テーブル１２を用いる場合があっても良い。また、研磨テーブル１２は適切なモータまたは駆動手段（図示せず）によって、回転される。
【００１４】
図１（ｂ）に示すように、研磨パッド１１は、研磨層１０ａ及び粘着層１０ｂの積層構造をとる。研磨層１０ａは、例えば、ポリウレタン或いは不織布であり、研磨する半導体基板１６上の材料等により、その厚さを０．１ｍｍ乃至１０ｍｍ程度にかえて使用する。研磨パッド１１における研磨層１０ａの表面側が半導体基板１６の研磨に用いられる。一方、裏面には粘着層１０ｂが形成されており、研磨パッド１１は粘着層１０ｂによって、研磨テーブル１２に接着している。
【００１５】
トップリング１５は、半導体基板１６を保持する基板キャリヤ機構（図示せず）を有している。トップリング１５は、基板キャリヤ機構によって半導体基板１６を保持しつつ、半導体基板１６に押圧をかける。また、適切なモータまたは駆動手段（図示せず）によって駆動され、矢印に示すように半導体基板１６を回転する。
【００１６】
半導体基板１６を研磨中、供給ラインを通してノズル１３から、スラリ１４が研磨パッド１１の表面へ与えられ、トップリング１５により担持される半導体基板１６と、研磨パッド１１と間に流れ、浸透する。トップリンク１５に加えられる圧力、及び基板キャリヤ機構の回転および運動によって、研磨パッド１１に接触する半導体基板１６の表面が研磨される。
【００１７】
図２は、本発明による第１の実施例である研磨パッドの一主面における平面の模式図である。図２（ａ）に示すように、直線状の切り取り線１７が研磨パッド１１を横切るように、例えば、３本形成されている。切り取り線１７は、拡大図に示されるように、通常の点線であって、その穴あき部１７ａが比較的長い点線になっており、切り取りが容易な形状となっている。このように、切り取り線１７によって、研磨パッド１１を分断して研磨テーブル１２から剥がせるようにして、その作業をやりやすくしている。従って、比較的均一な力で剥離できると共に、その作業時間を短くすることもできる。
【００１８】
また、この点線の形状は、図２（ｂ）乃至図２（ｄ）に示すような種々の形状をとっても良い。例えば、図２（ｂ）に示すように、２点鎖線であり、かつ、ドット状の穴あき部があっても良い。また、図２（ｃ）に示すにように、１点鎖線であり、かつ、矩形の穴あき部であっても良い。更に、図２（ｄ）に示すにように、１点鎖線であり、かつ、矩形の穴あき部であっても良い。このように、切り取りが容易な形状は、種々有り、研磨パッド１１の使用状況に合わせて、選択可能である。
【００１９】
図３は、本発明による第１の実施例の研磨パッドの一主面における平面の模式図であり、ここでは、研磨パッドの周辺部を主として示している。図３（ａ）に示すように、切り取り線１７の相互の間隔Ｒは、研磨パッド１１の半径ｒよりも小さくしている。また、切り取り線１７が研磨パッド１１の端部に当たる部分に、切り欠き部１８を形成し、切り取りの開始を容易にしている。図３（ｂ）他の例の切り欠き部１９を示す。この場合においても、比較的容易に切り取り線１７から研磨パッドを切断していくことができる。
【００２０】
図４は、本発明による第１の実施例における、研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す模式図である。図４（ａ）に示すように、先ず、例えば、研磨パッドの第２の切り取り部１１ｂを剥がす。即ち、研磨パッドの第２の切り取り部１１ｂにおける、図３（ａ）に示した切り欠き部から、切り取り線１７に沿って、研磨パッドの裏面１１ｅを研磨テーブル１２から上方へ引き上げるように力をかける。これにより、切り取り線１７の点線部に応力が集中し、研磨パッドの裏面１１ｅを研磨テーブル１２から剥がすよう、研磨パッドの第２の切り取り部１１ｂを、研磨パッドの第１の切り取り部１１ａ及び研磨パッドの第３の切り取り部１１ｂから容易に切断できる。
【００２１】
続いて、図４（ｂ）乃至図４（ｄ）に示すように、研磨パッドの第３の切り取り部１１ｃ、研磨パッドの第１の切り取り部１７ａ及び研磨パッドの第４の切り取り部１１ｄを順次、研磨テーブル１２から剥がし、研磨テーブルの表面部１２ａを表出させていく。
【００２２】
これら４つの切り取り部をすべて剥がすことによって、研磨パッド交換作業の剥離工程を終え、次の工程に進む。なお、この工程においては、第１の切り取り部１１ａ乃至第４の切り取り部１１ｄをそれぞれ単独に研磨テーブル１２から剥離したが、例えば、複数を同時に剥離することも可能であり、その場合、更に剥離工程の時間を短縮することができる。
【００２３】
以上に述べたように、研磨パッドに切り取り線を形成することにより、研磨パッドを分断して、研磨テーブルから剥がせるようにでき、その作業をやりやすくしている。それにより、比較的均一に剥離できると共に、その作業時間を短くすることができる。
【実施例２】
【００２４】
図５（ａ）は、本発明による第２の実施例である研磨パッドの一主面における平面の模式図である。本実施例においては、切り取り線１７ｅが渦巻き状に形成されており、それによって、研磨パッド１１ｆが蚊取り線香状に、連続して研磨テーブルから剥離できることが特徴である。これにより、剥離作業をやりやすくしている。従って、比較的均一な力で剥離できると共に、その作業時間を短くすることもできる。
【００２５】
また、この点線の形状は、図２（ｂ）乃至図２（ｄ）に示す場合と同様に、種々の形状をとっても良い。例えば、２点鎖線であり、かつ、ドット状の穴あき部があっても良い。また、１点鎖線であり、かつ、矩形の穴あき部であっても良い。更に、１点鎖線であり、かつ、矩形の穴あき部であっても良い。このように、切り取りが容易な形状は、種々有り、研磨パッド１１ｆの使用状況に合わせて、選択可能である。
【００２６】
本実施例の研磨パッド１１ｆは、例えば、第１の実施例において、図１（ａ）に示したＣＭＰ装置と基本的に同じ装置で用いられる。また、研磨パッド１１ｆは、図１（ｂ）において示した研磨パッド１１と同じ構成で、研磨層及び粘着層（図示せず）の積層構造をとる。研磨層は、例えば、ポリウレタン或いは不織布であり研磨する半導体基板上の材料等により、その厚さを０．１ｍｍ乃至１０ｍｍ程度にかえて使用する。研磨パッド１１ｆにおける研磨層の表面側が半導体基板の研磨に用いられる。一方、裏面には粘着層が形成されている。
【００２７】
また、研磨パッド１１ｆの周辺部は、図３（ａ）に示し場合と同様に、切り取り線１７ｅが研磨パッドの端部に当たる部分に、切り欠き部を形成し、切り取りの開始を容易にしている。
【００２８】
図５（ｂ）は、本発明による第２の実施例における、研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す模式図である。先ず、研磨パッド１１ｆの端部における切り欠き部から、切り取り線１７ｅに沿って、研磨パッドの裏面１１ｅを研磨テーブル１２から上方へ引き上げるように力をかける。これにより、切り取り線１７ｅの点線部に応力が集中し、研磨パッド１１ｆをその外周円に沿って、研磨パッドの裏面１１ｅが研磨テーブル１２から離れるように剥がしていく。
【００２９】
以上に述べたように、研磨パッドに渦巻き状の切り取り線を形成することにより、研磨パッドを分断することなく、研磨テーブルから剥がせるようにでき、その作業をやりやすくしている。それにより、比較的均一に剥離できると共に、その作業時間を短くすることができる。
【実施例３】
【００３０】
第３の実施例は、研磨パッドを研磨テーブルに複数枚重ねて張り付け、ＣＭＰ装置を活用する場合における、研磨パッドの例を示す。例えば、研磨パッドを上下２枚重ねて研磨テーブルに張り付けることにより、上層の研磨パッドを研磨に、下層の研磨パッドをクッション材として用いる。
【００３１】
図６（ａ）は、本発明による第３の実施例において、上層の研磨パッド２１の一主面における平面の模式図であり、図６（ｂ）は、下層の研磨パッド２２の一主面における平面の模式図である。
【００３２】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、直線状の切り取り線１７が上層の研磨パッド２１及び下層の研磨パッド２２を横切るように、例えば、それぞれ３本形成されている。また、上層の研磨パッド２１と下層の研磨パッド２２は、それぞれの切り取り線１７が重なりあうように設置できるように、同じ箇所に切り取り線１７が入れられている。
【００３３】
また、図３において示したように、切り取り線１７は通常の点線であって、その穴あき部が比較的長い点線になっており、切り取りが容易な形状となっている。このように、切り取り線１７によって、上層の研磨パッド２１及び下層の研磨パッド２２共に、分断して研磨テーブル１２から剥がせるようにして、その作業をやりやすくしている。従って、比較的均一な力で剥離できると共に、その作業時間を短くすることもできる。
【００３４】
また、この点線の形状は、図２（ｂ）乃至図２（ｄ）に示す場合と同様に、種々の形状をとっても良い。例えば、２点鎖線であり、かつ、ドット状の穴あき部があっても良い。また、１点鎖線であり、かつ、矩形の穴あき部であっても良い。更に、１点鎖線であり、かつ、矩形の穴あき部であっても良い。このように、切り取りが容易な形状は、種々有り、研磨パッド１１ｆの使用状況に合わせて、選択可能である。
【００３５】
本実施例の上層の研磨パッド２１及び下層の研磨パッド２２は、例えば、第１の実施例において、図１（ａ）に示したＣＭＰ装置と基本的に同じ装置で用いられる。また、上層の研磨パッド２１及び下層の研磨パッド２２は、図１（ｂ）において示した研磨パッド１１と同じ構成で、研磨層及び粘着層（図示せず）の積層構造をとる。研磨層は、例えば、上層の研磨パッド２１の場合、ポリウレタン或いは不織布であり研磨する半導体基板上の材料等により、その厚さを０．１ｍｍ乃至１０ｍｍ程度にかえて使用する。一方、下層の研磨パッド２２は、ポリウレタンを使用する。上層の研磨パッド２１における研磨層の表面側が半導体基板の研磨に用いられる。
【００３６】
また、上層の研磨パッド２１及び下層の研磨パッド２２の周辺部は、図３（ａ）に示し場合と同様に、切り取り線１７ｅが研磨パッドの端部に当たる部分に、切り欠き部を形成し、切り取りの開始を容易にしている。
【００３７】
図６（ｃ）乃至（ｄ）及び図６（ａ）乃至（ｂ）は、本発明による第３の実施例における、研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す模式図である。
【００３８】
図６（ｃ）に示すように、先ず、例えば、上層の研磨パッド２１の第２の切り取り部２１ｂを剥がす。即ち、研磨パッドの第２の切り取り部２１ｂにおける、第１の実施例における図３（ａ）に示したような切り欠き部から、切り取り線１７に沿って、上層の研磨パッド２１の裏面２１ｅを研磨テーブル１２から上方へ引き上げるように力をかける。これにより、切り取り線１７の点線部に応力が集中し、研磨パッドの裏面２１ｅを下層の研磨パッド２２から剥がすよう、上層の研磨パッドの第２の切り取り部２１ｂを、上層の研磨パッドの第１の切り取り部２１ａ及び上層の研磨パッドの第３の切り取り部２１ｂから容易に切断できる。
【００３９】
続いて、図６（ｄ）に示すように、上層の研磨パッドの第３の切り取り部２１ｃ、更に、上層の研磨パッドの第１の切り取り部２１ａ及び上層の研磨パッドの第４の切り取り部２１ｄを順次、下層の研磨パッド２２から剥がし、下層の研磨パッド２２の表面を表出させていく。
【００４０】
更に、図７（ｅ）に示すように、下層の研磨パッド２２についても、同様にして、下層の研磨パッドの第２の切り取り部２２ｂから順次、下層の研磨パッドの第３の切り取り部２２ｃ、下層の研磨パッドの第１の切り取り部２２ａ及び下層の研磨パッドの第４の切り取り部２２ｄを研磨テーブル１２から剥がし、研磨テーブルの表面１２ａを表出させていく。
【００４１】
これら上下層８つの切り取り部をすべて剥がすことによって、研磨パッド交換作業の剥離工程を終え、次の工程に進む。なお、この工程においては、例えば、上層の研磨パッドの第１の切り取り部２１ａ乃至第４の切り取り部２１ｄをそれぞれ単独に研磨テーブル１２から剥離したが、例えば、複数を同時に剥離することも可能であり、その場合、更に剥離工程の時間を短縮することができる。また、上層の研磨パッドについても同様の処理が可能である。
【００４２】
以上に述べたように、上下２層に研磨パッドを配置した場合においても、それぞれの研磨パッドに切り取り線を形成することにより、研磨パッドを分断して、研磨テーブルから剥がせるようにでき、その作業をやりやすくしている。それにより、比較的均一な力で剥離できると共に、その作業時間を短くすることができる。
【実施例４】
【００４３】
第４の実施例は、第３の実施例と同様に、研磨パッドを研磨テーブルに複数枚重ねて張り付け、ＣＭＰ装置を活用する場合における、研磨パッドの例を示す。例えば、研磨パッドを上下２枚重ねて研磨テーブルに張り付けることにより、上層の研磨パッドを研磨に、下層の研磨パッドをクッション材として用いる。本実施例が第３の実施例と異なる点は、上層の研磨パッドと下層の研磨パッドとの切り取り線が異なる点である。
【００４４】
図８（ａ）は、本発明による第４の実施例において、上層の研磨パッド２１の一主面における平面の模式図であり、図６（ｂ）は、下層の研磨パッド２３の一主面における平面の模式図である。
【００４５】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、上層の研磨パッド２１には、直線状の切り取り線１７が、下層の研磨パッド２３には、渦巻き状の切り取り線１７ａがそれぞれ形成されている。切り取り線１７及び１７ａの点線の形状、材質、端部の切り欠き部等については、第１乃至第３の実施例と基本的に同じである。
【００４６】
図８（ｃ）乃至（ｄ）は、本発明による第４の実施例における、研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す模式図である。図８（ｃ）に示すように、先ず、例えば、上層の研磨パッド２１の第２の切り取り部２１ｂを剥がす。即ち、研磨パッドの第２の切り取り部２１ｂにおける、第１の実施例における図３（ａ）に示したような切り欠き部から、切り取り線１７に沿って、上層の研磨パッド２１の裏面２１ｅを研磨テーブル１２から上方へ引き上げるように力をかける。これにより、切り取り線１７の点線部に応力が集中し、研磨パッドの裏面２１ｅを下層の研磨パッド２３から剥がすよう、上層の研磨パッドの第２の切り取り部２１ｂを、上層の研磨パッドの第１の切り取り部２１ａ及び上層の研磨パッドの第３の切り取り部２１ｂから容易に切断できる。
【００４７】
その後も、図８（ｄ）に示すように、第３の実施例と同様に、順次、上層の研磨パッドの第３の切り取り部２１ｃ、更に、上層の研磨パッドの第１の切り取り部２１ａ及び上層の研磨パッドの第４の切り取り部２１ｄを下層の研磨パッド２３から剥がし、下層の研磨パッド２３の表面を表出させていく。
【００４８】
更に、図示しないが、下層の研磨パッド２３についても、第２の実施例と同様にして、研磨テーブル１２から剥がし、研磨テーブルの表面を表出させていく。
【００４９】
これら上下層の切り取り部をすべて剥がすことによって、研磨パッド交換作業の剥離工程を終え、次の工程に進む。なお、この工程においては、例えば、上層の研磨パッドの第１の切り取り部２１ａ乃至第４の切り取り部２１ｄをそれぞれ単独に研磨テーブル１２から剥離したが、例えば、複数を同時に剥離することも可能であり、その場合、更に剥離工程の時間を短縮することができる。また、上層の研磨パッドについても同様の処理が可能である。
【００５０】
以上に述べたように、上下２層にそれぞれ異なる切り取り線を有する研磨パッドを配置した場合においても、それぞれの研磨パッドに切り取り線を形成することにより、研磨パッドを分断して、研磨テーブルから剥がせるようにでき、その作業をやりやすくしている。それにより、比較的均一に剥離できると共に、その作業時間を短くすることができる。
【実施例５】
【００５１】
第５の実施例は、第１から第４の実施例で示した研磨パッドをＣＭＰ装置に張り付け、半導体装置の製造工程へ適用した例を示す。半導体装置は、ＣＭＯＳ回路構造の絶縁ゲート型電界効果トランジスタであり、製造工程として素子分離形成工程へ適用した例を説明する。
【００５２】
図９（ａ）乃至図１０（ｄ）を用いて、半導体基板に素子分離領域を形成する製造工程について説明する。
【００５３】
図９（ａ）に示すように、半導体基板として、Ｐ型のシリコン基板３０を用意する。次に、シリコン基板３０の表面領域に、第１の絶縁膜３１及び第２の絶縁膜３２をＣＶＤ法により、積層して形成する。第１の絶縁膜３１として、例えばシリコン酸化膜、第２の絶縁膜３２として、例えばシリコン窒化膜を用いる。続いて、リソグラフィ法及びエッチング法を用いて、第２の絶縁膜３２及び第１の絶縁膜３１を選択的にエッチングし、マスクパターンを形成する。
【００５４】
次に、図９（ｂ）に示すように、第２の絶縁膜３２及び第１の絶縁膜３１をマスクにドライエッチング法を用いて、シリコン基板３０をエッチングし、浅いトレンチ溝を形成する。更に、図１０（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により第３の絶縁膜３３として、例えばシリコン酸化膜を形成する。第３の絶縁膜３３は溝に埋め込まれ、かつ、シリコン基板３０の上にも厚さ０．５μｍ程度堆積する。
【００５５】
次に、第１乃至第４の実施例で示した研磨パッドを用いたＣＭＰ装置により、シリコン基板３０の上に形成されたシリコン酸化膜である第３の絶縁膜３３を、平坦化しながら第２の絶縁膜３２の表面が露出するまで研磨する。これにより、シリコン基板表面に絶縁膜が平坦に埋め込まれ、その後の工程においても、この平坦性がベースになり、電極、配線等の微細パターン形成が容易に達成される。また、研磨パッドの交換も迅速にできるため、製造工程のスループットも向上する。
【００５６】
更に、図１０（ｄ）に示すように、シリコン基板３０表面のマスクとして用いた第２の絶縁膜４２及び第１の絶縁膜４１を除去する。これにより、第３の絶縁膜４３が埋め込まれた浅いトレンチ溝の素子分離領域４４が形成される。続いて、イオン注入法等を用い、Ｎ型ウェル領域４５ａ及びＰ型ウェル領域４５ｂを形成する。更に、トランジスタ形成工程、多層配線形成工程等を進め、半導体装置として完成させる。なお、素子分離工程以外においても、例えば、配線形成等にＣＭＰ法を適用できる。
【００５７】
以上のように、迅速に交換可能な研磨パッドを有するＣＭＰ装置は、製造工程のスループットを向上させる。
【００５８】
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００５９】
また、本発明は、以下の付記に記載されるような構成が考えられる。
【００６０】
付記１として、複数の切り取り線が、それぞれ直線状に形成されている研磨パッドが装着された化学機械研磨装置を用いて、半導体基板或いは前記半導体基板に形成された膜を研磨する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６１】
付記２として、１本の前記切り取り線が、渦巻き状に形成されている研磨パッドが装着された化学機械研磨装置を用いて、半導体基板或いは前記半導体基板に形成された膜を研磨する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６２】
付記３として、研磨層の周辺にある切り取り線の端部の少なくとも一つが、切り欠き状である研磨パッドが装着された化学機械研磨装置を用いて、半導体基板或いは前記半導体基板に形成された膜を研磨する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明による第１の実施例の研磨パッドを用いた化学機械研磨装置を示す概観の模式図及び研磨パッドにおける断面の模式図。
【図２】本発明による第１の実施例の研磨パッドの一主面における平面の模式図。
【図３】本発明による第１の実施例の研磨パッドの一主面における平面の模式図。
【図４】本発明による第１の実施例の研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す模式図。
【図５】本発明による第２の実施例の研磨パッドの一主面を示す平面の模式図及び研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す概観の模式図。
【図６】本発明による第３の実施例の研磨パッドの一主面を示す平面の模式図及び研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す概観の模式図。
【図７】本発明による第３の実施例の研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す概観の模式図。
【図８】本発明による第４の実施例の研磨パッドの一主面を示す平面の模式図及び研磨パッドを研磨テーブルから剥離する工程を示す概観の模式図。
【図９】本発明による第５の実施例である半導体装置の製造方法における半導体装置の断面の模式図。
【図１０】本発明による第５の実施例である半導体装置の製造方法における半導体装置の断面の模式図。
【符号の説明】
【００６４】
１０  化学機械研磨装置
１０ａ  研磨層
１０ｂ  粘着層
１１  研磨パッド
１１ａ  研磨パッドの第１の切り取り部
１１ｂ  研磨パッドの第２の切り取り部
１１ｃ  研磨パッドの第３の切り取り部
１１ｄ  研磨パッドの第４の切り取り部
１１ｅ  研磨パッドの裏面部
１１ｆ  蚊取り線香状の研磨パッド
１２  研磨テーブル
１２ａ  研磨テーブルの表面部
１３  ノズル
１４  スラリ
１５  トップリング
１６  半導体基板
１７、１７ｅ  切り取り線
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ  切り取り線の穴あき部
１８、１９  端部の切り欠き
２１  上層の研磨パッド
２１ａ  上層の研磨パッドの第１の切り取り部
２１ｂ  上層の研磨パッドの第２の切り取り部
２１ｃ  上層の研磨パッドの第３の切り取り部
２１ｄ  上層の研磨パッドの第４の切り取り部
２１ｅ  上層の研磨パッドの裏面部
２２、２３  下層の研磨パッド
２２ａ  下層の研磨パッドの第１の切り取り部
２２ｂ  下層の研磨パッドの第２の切り取り部
２２ｃ  下層の研磨パッドの第３の切り取り部
２２ｄ  下層の研磨パッドの第４の切り取り部
２２ｅ  下層の研磨パッドの裏面部
３０  半導体基板
３１  第１の絶縁膜
３２  第２の絶縁膜
３３  第３の絶縁膜
３４  素子分離領域
３５ａ  Ｐ型ウェル領域
３５ｂ  Ｎ型ウェル領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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