(57)【要約】【課題】  画質の良好な放射線画像を与える放射線像変換パネルの製造方法を提供する。【解決手段】  蒸着装置内にて、蛍光体材料を含む蒸発源を加熱することによって発生する蛍光体成分を基板上に蒸着堆積させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、基板上の任意の箇所における蛍光体成分の堆積速度の時間変化率が０．０３乃至２μｍ／秒2の範囲にあることを特徴とする。【選択図】  なし 【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着装置内にて、蛍光体材料を含む蒸発源を加熱することによって発生する蛍光体成分を基板上に蒸着堆積させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該基板上の任意の箇所における蛍光体成分の堆積速度の時間変化率が０．０３乃至２μｍ／秒2の範囲にあることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
蛍光体成分の堆積速度の時間変化率が０．０３乃至１μｍ／秒2の範囲内にある請求項１に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
蒸着装置内にて、基板を３乃至２５０ｍｍ／秒の範囲内の速度で直線方向に往復移動させる請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
蒸着装置内での基板上の任意の箇所における移動速度が３乃至２５０ｍｍ／秒の範囲内にあるように、基板上の任意の位置を中心として基板を回転させる請求項１または２に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
蒸着装置内の真空度を０．１乃至１０Ｐａの範囲に維持する請求項１乃至４のいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
蒸着を抵抗加熱方式により行う請求項１乃至５のいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項７】
蛍光体が蓄積性蛍光体である請求項１乃至６のいずれかの項に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項８】
蓄積性蛍光体が、基本組成式（Ｉ）：
ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＡ        ‥‥（Ｉ）
［ただし、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；ＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］
を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である請求項７に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【請求項９】
基本組成式（Ｉ）においてＭIがＣｓであり、ＸがＢｒであり、ＡがＥｕであり、そしてｚが１×１０-4≦ｚ≦０．１の範囲内の数値である請求項８に記載の放射線像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蓄積性蛍光体を利用する放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光などの励起光を走査して順次発光光として放出させ、そしてこの発光光を光電的に読み取って画像信号を得ることからなる、放射線画像記録再生方法が広く実用に供されている。読み取りを終えたパネルは、残存する放射線エネルギーの消去が行われた後、次の撮影のために備えられて繰り返し使用される。
【０００３】
放射線画像記録再生方法に用いられる放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シートともいう）は、基本構造として、支持体とその上に設けられた蛍光体層とからなるものである。ただし、蛍光体層が自己支持性である場合には必ずしも支持体を必要としない。また、蛍光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。
【０００４】
蛍光体層としては、蓄積性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、蒸着法や焼結法によって形成される結合剤を含まないで蓄積性蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、および蓄積性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているものなどが知られている。
【０００５】
また、上記放射線画像記録再生方法の別法として特許文献１には、従来の蓄積性蛍光体における放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能とを分離して、少なくとも蓄積性蛍光体（エネルギー蓄積用蛍光体）を含有する放射線像変換パネルと、放射線を吸収して紫外乃至可視領域に発光を示す蛍光体（放射線吸収用蛍光体）を含有する蛍光スクリーンとの組合せを用いる放射線画像形成方法が提案されている。この方法は、被検体を透過などした放射線をまず、該スクリーンまたはパネルの放射線吸収用蛍光体により紫外乃至可視領域の光に変換した後、その光をパネルのエネルギー蓄積用蛍光体にて放射線画像情報として蓄積記録する。次いで、このパネルに励起光を走査して発光光を放出させ、この発光光を光電的に読み取って画像信号を得るものである。このような放射線像変換パネルおよび蛍光スクリーンも、本発明に包含される。
【０００６】
放射線画像記録再生方法（および放射線画像形成方法）は上述したように数々の優れた利点を有する方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルにあっても、できる限り高感度であってかつ画質（鮮鋭度、粒状性など）の良好な画像を与えるものであることが望まれている。
【０００７】
感度および画質を高めることを目的として、放射線像変換パネルの蛍光体層を気相堆積法により形成する方法が提案されている。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法などがあり、例えば蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、金属シートなどの基板表面にその蒸発物を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形成するものである。
【０００８】
気相堆積法により形成された蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上げることができるので高感度であり、また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を得ることができる。
【０００９】
特許文献２には、輝尽性蛍光体層を気相堆積法によって形成するに際して、基板上への堆積速度を経時的に大きくすることにより蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法が開示されている。この特許文献では、蛍光体の平均的な堆積速度を取り上げている。
【００１０】
特許文献３には、蒸発源と蒸発源に対して相対的に移動する支持体との間にスリットを有し、そして蒸発源からの蒸発流が支持体面に入射する交角を規制する規制部材を備えた蛍光体蒸着装置が開示されている。その実施例には、支持体を５０ｃｍ／分の速度で往復移動させることが記載されている。
【００１１】
特許文献４には、蛍光体層を基板上に蒸着させて形成する際に、蛍光体層の密度が蛍光体の固体としての密度よりも低くなるように堆積させることにより、光学的に分離された針状構造の蛍光体層を形成する方法が開示されている。この特許文献には、基板を１２ｒｐｍの回転速度で回転させることが記載されている。
【００１２】
しかしながら、上記いずれの特許文献にも、基板上の任意の箇所における堆積速度の安定性（すなわち、変化率）については全く記述されていない。
【００１３】
【特許文献１】特開２００１−２５５６１０号公報
【特許文献２】特許３０７０９４１号公報
【特許文献３】特許２７８９１９４号公報
【特許文献４】米国特許出願公開第２００１／０００７３５２Ａ１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
放射線像変換パネルの蛍光体層を蒸着法により形成すると、一般には柱状結晶構造の蛍光体からなる蛍光体層が得られ、柱状結晶の平均柱径は数μｍ乃至数十μｍである。しかしながら、柱状結晶の成長過程で蛍光体結晶が局所的に異常に成長することがあり、この異常成長した結晶（異常結晶、Hillockとも言う）の結晶サイズがパネル読み取り時の画素サイズや画像再生時の画像サイズを越えてしまうと、再生された放射線画像上でも点欠陥として確認できるようになり、各種の診断や検査に支障を来すことが分かった。
【００１５】
一方、基板を移動させながら、蒸発源から蒸発発生する物質を基板上に堆積させる場合に、蒸発源からの蒸発流の速度（蒸発速度）が一定であっても、基板上に蒸発物質が堆積する速度（堆積速度）は、蒸発源の真上の位置で最大であり、蒸発源から離れるにつれて小さくなる。よって、基板上のある一箇所を考えた場合に、基板の移動速度が速いほど堆積速度の時間変化も大きくなる。そして、上記の異常結晶は、堆積速度の時間変化率が大きいほど増加することが分かった。
【００１６】
従って、本発明は、点欠陥が少なく画像ムラの無い、画質の良好な放射線画像を与える放射線像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者は、上述した問題について検討を重ねた結果、基板上の如何なる箇所においても堆積速度の時間変化率が一定値以内にあるときに、異常結晶を顕著に低減できることを見い出し、本発明に至ったものである。
【００１８】
従って、本発明は、蒸着装置内にて、蛍光体材料を含む蒸発源を加熱することによって発生する蛍光体成分を基板上に蒸着堆積させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、該基板上の任意の箇所における蛍光体成分の堆積速度の時間変化率が０．０３乃至２μｍ／秒2の範囲にあることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法にある。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の製造方法は、基板の移動速度、蒸発流の蒸発速度および蒸発物質の被着範囲などを好適に調整して、蒸発物質の堆積速度の時間変化率を一定値以内に抑えることによって、画像の点欠陥を招く異常結晶（Hillock）を顕著に低減することができる。さらに、蒸着膜の膜厚も均一にすることができ、画像ムラの発生を防ぐことができる。従って、本発明の方法により製造された放射線像変換パネルは、画質の良好な放射線画像を与え、医療用放射線画像診断に有利に使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の放射線像変換パネルの製造方法において、蛍光体成分の堆積速度の時間変化率は０．０３乃至１μｍ／秒2の範囲内にあることが好ましい。
【００２１】
蒸着装置内にて、基板を３乃至２５０ｍｍ／秒の範囲内の速度で直線方向に往復移動させることが好ましい。
【００２２】
あるいは、基板上の任意の箇所における移動速度が２５０ｍｍ／秒以内であるように、基板上の任意の位置を中心として基板を回転させることが好ましい。さらに、基板の最大移動速度が３乃至２５０ｍｍ／秒の範囲内にあるように、基板上の任意の位置を中心として基板を回転させることが好ましい。
【００２３】
蒸着装置内の真空度は０．１乃至１０Ｐａの範囲に維持することが好ましい。また、蒸着を抵抗加熱方式により行うことが好ましい。
【００２４】
蛍光体は、蓄積性蛍光体であることが好ましく、特には下記基本組成式（Ｉ）を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体であることが好ましい。基本組成式（Ｉ）においてＭIはＣｓであり、ＸはＢｒであり、ＡはＥｕであり、そしてｚは１×１０-4≦ｚ≦０．１の範囲内の数値であることが好ましい。
【００２５】
ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＡ        ‥‥（Ｉ）
【００２６】
［ただし、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し；ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し；ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し；Ｘ、Ｘ’及びＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し；ＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表し；そしてａ、ｂ及びｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］
【００２７】
以下に、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について、蛍光体が蓄積性蛍光体であり、抵抗加熱方式による蒸着法を用いる場合を例にとって、詳細に述べる。
【００２８】
蒸着膜形成のための基板は、通常は放射線像変換パネルの支持体を兼ねるものであり、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、特に好ましい基板は、石英ガラスシート、サファイアガラスシート；アルミニウム、鉄、スズ、クロムなどからなる金属シート；アラミドなどからなる樹脂シートである。公知の放射線像変換パネルにおいて、パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られている。本発明で用いられる基板についても、これらの各種の層を設けることができ、それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択することができる。さらに、蒸着膜の柱状結晶性を高める目的で、基板の蒸着膜が形成される側の表面（基板の表面に下塗層（接着性付与層）、光反射層あるいは光吸収層などの補助層が設けられている場合には、それらの補助層の表面であってもよい）には微小な凹凸が形成されていてもよい。
【００２９】
蓄積性蛍光体としては、波長が４００〜９００ｎｍの範囲の励起光の照射により、３００〜５００ｎｍの波長範囲に輝尽発光を示す輝尽性蛍光体が好ましい。
【００３０】
そのうちでも、基本組成式（Ｉ）：
ＭIＸ・ａＭIIＸ’2・ｂＭIIIＸ”3：ｚＡ        ‥‥（Ｉ）
で代表されるアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体は特に好ましい。ただし、ＭIはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIIはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属又は二価金属を表し、ＭIIIはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表し、そしてＡはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｍｇ、Ｃｕ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は金属を表す。Ｘ、Ｘ’およびＸ”はそれぞれ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。ａ、ｂおよびｚはそれぞれ、０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す。
【００３１】
上記基本組成式（Ｉ）において、ｚは１×１０-4≦ｚ≦０．１の範囲内にあることが好ましい。ＭIとしては少なくともＣｓを含んでいることが好ましい。Ｘとしては少なくともＢｒを含んでいることが好ましい。ＡとしてはＥｕ又はＢｉであることが好ましく、そして特に好ましくはＥｕである。また、基本組成式（Ｉ）には、必要に応じて、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物を添加物として、ＭIＸ１モルに対して、０．５モル以下の量で加えてもよい。
【００３２】
また、基本組成式（II）：
ＭIIＦＸ：ｚＬｎ                          ‥‥（II）
で代表される希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、ＭIIはＢａ、Ｓｒ及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。ｚは、０＜ｚ≦０．２の範囲内の数値を表す。
【００３３】
上記基本組成式（II）中のＭIIとしては、Ｂａが半分以上を占めることが好ましい。Ｌｎとしては、特にＥｕ又はＣｅであることが好ましい。また、基本組成式（II）では表記上Ｆ：Ｘ＝１：１のように見えるが、これはＢａＦＸ型の結晶構造を持つことを示すものであり、最終的な組成物の化学量論的組成を示すものではない。一般に、ＢａＦＸ結晶においてＸ-イオンの空格子点であるＦ+（Ｘ-）中心が多く生成された状態が、６００〜７００ｎｍの光に対する輝尽効率を高める上で好ましい。このとき、ＦはＸよりもやや過剰にあることが多い。
【００３４】
なお、基本組成式（II）では省略されているが、必要に応じて下記のような添加物を一種もしくは二種以上を基本組成式（II）に加えてもよい。
ｂＡ，  ｗＮI，  ｘＮII，  ｙＮIII
ただし、ＡはＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2及びＺｒＯ2などの金属酸化物を表す。ＭIIＦＸ粒子同士の焼結を防止する上では、一次粒子の平均粒径が０．１μｍ以下の超微粒子でＭIIＦＸとの反応性が低いものを用いることが好ましい。ＮIは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属の化合物を表し、ＮIIは、Ｍｇ及び／又はＢｅからなるアルカリ土類金属の化合物を表し、ＮIIIは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属の化合物を表す。これらの金属化合物としてはハロゲン化物を用いることが好ましいが、それらに限定されるものではない。
【００３５】
また、ｂ、ｗ、ｘ及びｙはそれぞれ、ＭIIＦＸのモル数を１としたときの仕込み添加量であり、０≦ｂ≦０．５、０≦ｗ≦２、０≦ｘ≦０．３、０≦ｙ≦０．３の各範囲内の数値を表す。これらの数値は、焼成やその後の洗浄処理によって減量する添加物に関しては最終的な組成物に含まれる元素比を表しているわけではない。また、上記化合物には最終的な組成物において添加されたままの化合物として残留するものもあれば、ＭIIＦＸと反応する、あるいは取り込まれてしまうものもある。
【００３６】
その他、上記基本組成式（II）には更に必要に応じて、Ｚｎ及びＣｄ化合物；ＴｉＯ2、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＧｅＯ2、ＳｎＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＴｈＯ2等の金属酸化物；Ｚｒ及びＳｃ化合物；Ｂ化合物；Ａｓ及びＳｉ化合物；テトラフルオロホウ酸化合物；ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸、及びヘキサフルオロジルコニウム酸の１価又は２価の塩からなるヘキサフルオロ化合物；Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉなどの遷移金属の化合物などを添加してもよい。さらに、本発明においては上述した添加物を含む蛍光体に限らず、基本的に希土類付活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とみなされる組成を有するものであれば如何なるものであってもよい。
【００３７】
基本組成式（III）：
ＭIIＳ：Ａ，Ｓｍ                          ‥‥（III）
で代表される希土類付活アルカリ土類金属硫化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、ＭIIはＭｇ、Ｃａ及びＳｒからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属を表す。Ａは、Ｅｕ及び／又はＣｅを表す。
【００３８】
基本組成式（IV）：
ＭIIIＯＸ：Ｃｅ                           ‥‥（IV）
で代表されるセリウム付活三価金属酸化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体も好ましい。ただし、ＭIIIはＰｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素又は三価金属を表す。Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表す。
【００３９】
ただし、本発明において蛍光体は蓄積性蛍光体に限定されるものではなく、Ｘ線などの放射線を吸収して紫外乃至可視領域に（瞬時）発光を示す蛍光体であってもよい。そのような蛍光体の例としては、ＬｎＴａＯ4：（Ｎｂ，Ｇｄ）系、Ｌｎ2ＳｉＯ5：Ｃｅ系、ＬｎＯＸ：Ｔｍ系（Ｌｎは希土類元素である）、ＣｓＸ系（Ｘはハロゲンである）、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｐｒ，Ｃｅ、ＺｎＷＯ4、ＬｕＡｌＯ3：Ｃｅ、Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12：Ｃｒ，Ｃｅ、ＨｆＯ2等を挙げることができる。
【００４０】
多元蒸着（共蒸着）により蒸着膜を形成する場合には、蒸発源として、上記蓄積性蛍光体の母体成分を含むものと付活剤成分を含むものからなる少なくとも二個の蒸発源を用意する。多元蒸着は、蛍光体の母体成分と付活剤成分の融点や蒸気圧が大きく異なる場合に、その蒸発速度を各々制御して蛍光体母体中に付活剤を均一に含有させることができるので好ましい。各蒸発源は、所望とする蓄積性蛍光体の組成に応じて、蛍光体の母体成分および付活剤成分それぞれのみから構成されていてもよいし、添加物成分などとの混合物であってもよい。また、蒸発源は二個に限定されるものではなく、例えば別に添加物成分などからなる蒸発源を加えて三個以上としてもよい。
【００４１】
蛍光体の母体成分は、母体を構成する化合物それ自体であってもよいし、あるいは反応して母体化合物となりうる二以上の原料の混合物であってもよい。また、付活剤成分は、一般には付活剤元素を含む化合物であり、例えば付活剤元素のハロゲン化物や酸化物が用いられる。
【００４２】
付活剤がＥｕである場合に、付活剤成分のＥｕ化合物におけるＥｕ2+化合物のモル比はできるだけ高いことが好ましい。所望とする輝尽発光（あるいは瞬時発光であっても）はＥｕ2+を付活剤とする蛍光体から発せられるからである。一般に、市販されているＥｕ化合物には酸素混入のためにＥｕ2+とＥｕ3+が混合して含まれていることが多いが、このような場合には、予めＥｕ化合物をＢｒガス雰囲気中で溶融処理して含有酸素を除去し、そして得られたＥｕＢｒ2を用いることが望ましい。
【００４３】
蒸発源は、その含水量が０．５重量％以下であることが好ましい。蒸発源となる蛍光体母体成分や付活剤成分が、例えばＥｕＢｒ、ＣｓＢｒのように吸湿性である場合には特に、含水量をこのような低い値に抑えることは突沸防止などの点から重要である。蒸発源の脱水は、上記の各蛍光体成分を減圧下で１００〜３００℃の温度範囲で加熱処理することにより行うことが好ましい。あるいは、各蛍光体成分を窒素ガス雰囲気などの水分を含まない雰囲気中で、該成分の融点以上の温度で数十分乃至数時間加熱溶融してもよい。
【００４４】
さらに、本発明において、蒸発源、特に蛍光体母体成分を含む蒸発源は、アルカリ金属不純物（蛍光体の構成元素以外アルカリ金属）の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、そしてアルカリ土類金属不純物（蛍光体の構成元素以外アルカリ土類金属）の含有量が５ｐｐｍ（重量）以下であることが望ましい。とりわけ、蛍光体が前記基本組成式（Ｉ）を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体である場合には望ましい。このような蒸発源は、アルカリ金属やアルカリ土類金属など不純物の含有量の少ない原料を使用することにより調製することができる。
【００４５】
本発明においては、例えば図１に示すような抵抗加熱器を備えた蒸着装置を用いて、基板上に蛍光体の蒸着膜を形成することができる。
【００４６】
図１は、本発明に用いられる蒸着装置の構成例を示す概略断面図である。図１において、蒸着装置は、チャンバ１、基板加熱ヒータ２、基板保持・移動部材３、シャッタ５、抵抗加熱器６、７、ガス導入管８、蒸着速度モニタ９、真空計１０、ガス分析計１１、主排気バルブ１２、および補助排気バルブ１３から構成される。
【００４７】
上記の複数の蒸発源を、図１の蒸着装置の抵抗加熱器６、７の加熱容器６ａ、７ａにそれぞれ充填する。また、基板４を基板保持・移動部材３に保持させて固定する。装置のチャンバ１内を主排気バルブ１２および補助排気バルブ１３により排気して０．１〜１０Ｐａ程度の中真空度とする。好ましくは０．１〜４Ｐａの真空度にする。特に好ましくは、チャンバ１内を排気して１×１０-5〜１×１０-2Ｐａ程度の高真空度とした後、ガス導入管８よりＡｒガス、Ｎｅガス、Ｎ2ガスなどの不活性ガスを導入して不活性ガスの圧力を０．１〜１０Ｐａ、好ましくは０．１〜４Ｐａにする。これにより、装置内の水分圧や酸素分圧等を下げることができる。真空度は真空計１０にて検出され、ガス分圧はガス分析計１１にて検出される。排気装置としては、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、ディフュージョンポンプ、クライオポンプ、メカニカルブースタ等を適宜組み合わせて用いることができる。
【００４８】
加熱容器６ａ、７ａ内の蒸発源と基板４との距離は、基板のサイズ等によっても異なるが、一般に１０乃至１０００ｍｍの範囲にあり、各蒸発源間の距離は１０乃至１０００ｍｍの範囲にある。
【００４９】
基板４を、基板保持・移動部材３によって、直線方向に往復移動させるか、あるいは基板上の回転軸を中心に回転移動させる。
【００５０】
図２は、基板を直線移動させる場合の代表的な例を示す上面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図２及び図３において、蒸発源は二個一組で三組（６１、７１、６２、７２、６３、７３）が等間隔で配置されてなり、それぞれ被蒸着エリア８１、８２、８３を有する。ここで、被蒸着エリア（被着範囲）とは、蒸発源の真上の基板位置における最大堆積速度に対して、その１０％以上の堆積速度が維持される領域を意味する。基板（サイズｍ×ｎ）４１は、矢印２１の方向に往復移動する。ｈは、基板４１と蒸発源６２、７２との距離であり、ｉは、被蒸着エリア８２の直径である。
【００５１】
例えば、基板−蒸発源間の距離ｈ＝１５０ｍｍ、被蒸着エリア径ｉ＝１２０ｍｍ、基板サイズｍ×ｎ＝４５ｃｍ×４５ｃｍであるとき、蒸発源の真上の位置（被蒸着エリアの中心位置）ａにおける堆積速度（最大速度）を１００％とすると、被蒸着エリアの端部ｂにおける堆積速度は約１０％である。基板がエリア端部ｂから中心位置ａまで６０ｍｍ移動すると、その間に堆積速度は１０倍（その逆では１／１０倍）に変化して最大の変化を示す。
【００５２】
本発明において、基板４１上の任意の箇所における堆積速度の時間変化率は、２μｍ／秒2以内である。よって、基板４１の直線移動の速度は３乃至２５０ｍｍ／秒の範囲内にあることが好ましい。また、基板４１が直線移動する全距離に対して被蒸着エリア内を通過する距離は、最大でも６０％以内にすることが好ましい。基板の全移動距離は通常、基板の長さｍにほぼ等しい。というのは、被蒸着エリアを広くするには多数の蒸発源が必要で製造コストの増大を招き、また多数の蒸発源を均一に制御するのは技術的により困難だからである。
【００５３】
図４は、基板を回転移動させる場合の代表的な例を示す上面図であり、図５は、図４のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図４及び図５において、蒸発源は二個一組で二組（６４、７４、６５、７５）が配置されてなり、それぞれ被蒸着エリア８４、８５を有する。基板（サイズｍ×ｎ）４２は、基板の中心を回転軸として矢印２２の方向に回転移動する。ｈは、基板４２と蒸発源６４、７４との距離であり、ｉは、被蒸着エリア８４の直径である。
【００５４】
例えば、基板−蒸発源間の距離ｈ＝１５０ｍｍ、被蒸着エリア径ｉ＝１２０ｍｍ、基板サイズｍ×ｎ＝４５ｃｍ×４５ｃｍであるとき、蒸発源の真上の位置（被蒸着エリアの中心位置）ａにおける堆積速度（最大速度）を１００％とすると、被蒸着エリアの端部ｂにおける堆積速度は約１０％である。基板がエリアの端部ｂから中心位置ａまで移動すると、その間に堆積速度は１０倍（その逆では１／１０倍）に変化することになる。
【００５５】
本発明において、基板４２上の任意の箇所における堆積速度の時間変化率は、２μｍ／秒2以内である。よって、基板４２の任意の箇所における回転移動の速度は２５０ｍｍ／秒以内であることが好ましい。基板４２のサイズによっても異なる。堆積速度の変化率を小さくするためには回転移動速度が遅い方がよいが、遅過ぎると形成される蒸着膜の膜厚が不均一になるので、回転移動速度が最大となる箇所（図４では基板４２の角部ｃ）においても回転移動速度は、３乃至２５０ｍｍ／秒の範囲内にあることが好ましい。また、前記と同様の理由で、基板４２の外周部が移動する全距離に対して被蒸着エリア内を通過する距離は、最大でも６０％以内にすることが好ましい。
【００５６】
なお、本発明に係る基板の移動および蒸発源の配置は、図２〜図５に示した構成に限定されるものではなく、蒸発源の組数（一元蒸着の場合には個数）およびその配置は、蒸着装置や基板のサイズ、移動の仕方などに応じて適宜決めることができる。また、基板の直線移動の方向や回転移動の場合の中心軸の位置も任意に定めることができる。
【００５７】
次に、抵抗加熱方式により蒸着を行う。抵抗加熱方式は、中程度の真空度で蒸着を行うことができ、柱状結晶の良好な蒸着膜が容易に得られる利点がある。図１の抵抗加熱器６、７にそれぞれ電流を流して加熱容器６ａ、７ａ内の蒸発源を加熱する。蒸着に先立って、各蒸発源を充分に加熱して完全に溶融させることが望ましい。
【００５８】
蛍光体結晶の異常成長によって発生する点欠陥は、蒸発源から蒸発する物質の突沸やスプラッシ（跳ね掛け）を起点として、蒸発速度の変化や堆積速度の変化によって大きくなると考えられる。そして、異常結晶（Hillock）のサイズは、この起点の大きさ、異常結晶の形状および蒸着膜の膜厚によって決まる。よって、蒸着前に蒸発源を充分に溶融させておくことにより、大きな突沸やスプラッシを防ぐことができる。また、蒸発流を安定させて一定の蒸発速度を維持することができる。
【００５９】
蒸発源である蓄積性蛍光体の母体成分や付活剤成分等は加熱されて蒸発、飛散し、そして反応を生じて蛍光体を形成するとともに基板４の表面に堆積する。このとき、基板４を基板加熱ヒータ２により裏面から加熱してもよい。あるいは基板４を冷却してもよい。基板温度は、一般には２０乃至３５０℃の範囲にあり、好ましくは１００乃至３００℃の範囲にある。各蒸発源の蒸発速度は、加熱器６、７の抵抗電流などを調整することにより制御することができる。堆積速度の変化率を小さくするためには、蒸着中、蒸発速度は一定であることが望ましい。
【００６０】
蒸着中、蒸発源の真上の位置における堆積速度は蒸着速度モニタ９により随時検出される。この堆積速度は、一般には０．００１乃至１６μｍ／秒の範囲にあり、好ましくは０．０１乃至１．６μｍ／秒の範囲にある。これは、蒸発源の蒸発速度に対応している。
【００６１】
蛍光体の堆積速度の時間変化率は、前述したように、一般に基板が被蒸着エリア内をエリアの中心位置を通って移動するときに最大となる。この最大変化率は、被蒸着エリアの中心位置（蒸発源の真上の位置）での堆積速度と端部位置での堆積速度の差を、被蒸着エリアの中心から端部まで基板が移動するのに要する時間で割ることにより、算出することができる。
【００６２】
本発明において、基板上の任意の箇所における堆積速度の変化率は２μｍ／秒2以内である。これにより、異常結晶（Hillock）の発生を顕著に低減することができる。異常結晶の減少の点からは、堆積速度の変化率が小さい方がよい、すなわち基板の移動速度が遅い方がよいが、一方移動速度が遅くなり過ぎると、蒸着膜の膜厚が不均一になって画像ムラが生じたり、柱状結晶性が悪くなって（垂直方向に真っ直ぐに成長しにくくなる）感度の低下を招くことになる。基板上の位置によって堆積速度もその変化率も異なるが、堆積速度の最大変化率は０．０３乃至２μｍ／秒2の範囲内にあることが好ましい。
【００６３】
なお、抵抗加熱器による加熱を複数回に分けて行って二層以上の蛍光体層を形成することもできる。蒸着終了後に蒸着膜を熱処理（アニール処理）してもよい。熱処理は、一般には１００℃乃至３００℃の温度で０．５乃至３時間かけて行い、好ましくは１５０℃乃至２５０℃の温度で０．５乃至２時間かけて行う。熱処理雰囲気としては、不活性ガス雰囲気、もしくは少量の酸素ガス又は水素ガスを含む不活性ガス雰囲気が用いられる。
【００６４】
上記蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体母体化合物のみからなる蒸着膜を形成してもよい。この母体化合物の蒸着膜は、一般に柱状結晶構造または球状結晶の凝集体からなり、この上に形成される蛍光体蒸着膜の柱状結晶性をより一層良好にすることができる。なお、蒸着時の基板加熱および／または蒸着後の熱処理によっては、蛍光体蒸着膜中の付活剤など添加物が母体化合物蒸着膜中に拡散するために両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００６５】
一元蒸着の場合には、蒸発源として蛍光体自体または蛍光体原料混合物を用いてこれを単一の抵抗加熱器で加熱する。蒸発源は予め、所望の濃度の付活剤を含有するように調製する。もしくは、蛍光体母体成分と付活剤成分との蒸気圧差を考慮して、蒸発源に蛍光体母体成分を補給しながら蒸着を行うことも可能である。
【００６６】
このようにして、蛍光体の柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した蛍光体層が得られる。蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙が存在する。蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蒸着法の実施手段や条件などによっても異なるが、通常は５０μｍ〜１ｍｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７００μｍの範囲にある。
【００６７】
なお、基板は必ずしも放射線像変換パネルの支持体を兼ねる必要はなく、蛍光体層形成後、蛍光体層を基板から引き剥がし、別に用意した支持体上に接着剤を用いるなどして接合して、支持体上に蛍光体層を設ける方法を利用してもよい。あるいは、蛍光体層に支持体（基板）が付設されていなくてもよい。
【００６８】
本発明に用いられる蒸着法は、上記の抵抗加熱方式による蒸着法に限定されるものではなく、電子線照射方式による蒸着法等も利用することができる。
【００６９】
蛍光体層の表面には、放射線像変換パネルの搬送および取扱い上の便宜や特性変化の回避のために、保護層を設けることが望ましい。保護層は、励起光の入射や発光光の出射に殆ど影響を与えないように、透明であることが望ましく、また外部から与えられる物理的衝撃や化学的影響から放射線像変換パネルを充分に保護することができるように、化学的に安定で防湿性が高く、かつ高い物理的強度を持つことが望ましい。
【００７０】
保護層としては、セルロース誘導体、ポリメチルメタクリレート、有機溶媒可溶性フッ素系樹脂などのような透明な有機高分子物質を適当な溶媒に溶解して調製した溶液を蛍光体層の上に塗布することで形成されたもの、あるいはポリエチレンテレフタレートなどの有機高分子フィルムや透明なガラス板などの保護層形成用シートを別に形成して蛍光体層の表面に適当な接着剤を用いて設けたもの、あるいは無機化合物を蒸着などによって蛍光体層上に成膜したものなどが用いられる。また、保護層中には酸化マグネシウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、アルミナ等の光散乱性微粒子、パーフルオロオレフィン樹脂粉末、シリコーン樹脂粉末等の滑り剤、およびポリイソシアネート等の架橋剤など各種の添加剤が分散含有されていてもよい。保護層の層厚は一般に、高分子物質からなる場合には約０．１〜２０μｍの範囲にあり、ガラス等の無機化合物からなる場合には１００〜１０００μｍの範囲にある。
【００７１】
保護層の表面にはさらに、保護層の耐汚染性を高めるためにフッ素樹脂塗布層を設けてもよい。フッ素樹脂塗布層は、フッ素樹脂を有機溶媒に溶解（または分散）させて調製したフッ素樹脂溶液を保護層の表面に塗布し、乾燥することにより形成することができる。フッ素樹脂は単独で使用してもよいが、通常はフッ素樹脂と膜形成性の高い樹脂との混合物として使用する。また、ポリシロキサン骨格を持つオリゴマーあるいはパーフルオロアルキル基を持つオリゴマーを併用することもできる。フッ素樹脂塗布層には、干渉むらを低減させて更に放射線画像の画質を向上させるために、微粒子フィラーを充填することもできる。フッ素樹脂塗布層の層厚は通常は０．５μｍ乃至２０μｍの範囲にある。フッ素樹脂塗布層の形成に際しては、架橋剤、硬膜剤、黄変防止剤などのような添加成分を用いることができる。特に架橋剤の添加は、フッ素樹脂塗布層の耐久性の向上に有利である。
【００７２】
上述のようにして本発明の放射線像変換パネルが得られるが、本発明のパネルの構成は、公知の各種のバリエーションを含むものであってもよい。例えば、画像の鮮鋭度を向上させることを目的として、上記の少なくともいずれかの層を励起光を吸収し発光光は吸収しないような着色剤によって着色してもよい。
【実施例１】
【００７３】
［実施例１］基板の直線移動
（１）蒸発源
蒸発源として、純度４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ2）粉末を用意した。各粉末中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析−質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）は各々１０ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）など他の元素は２ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ2中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０ｐｐｍ以下であった。これらの粉末は、吸湿性が高いので露点−２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。
【００７４】
（２）蛍光体層の形成
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄を施したガラス基板（サイズ：４５ｃｍ×４５ｃｍ）４を用意し、図１に示した蒸着装置内の基板保持・移動部材３に固定した。上記ＣｓＢｒ蒸発源を抵抗加熱器６の坩堝容器６ａに、ＥｕＢｒ2蒸発源を抵抗加熱器７の坩堝容器７ａにそれぞれ充填した。
【００７５】
図２及び図３に示したように、三組の蒸発源を、蒸着膜の膜厚分布が±１０％以内になるように等間隔で配置した。基板と各蒸発源との間の距離ｈを１５０ｍｍとした。被蒸着エリア径ｉは１２０ｍｍであった。基板を矢印方向に往復移動させた。基板の直線移動速度は２００ｍｍ／秒であった。
【００７６】
次に、チャンバ１内を主排気バルブ１２および補助排気バルブ１３により排気して、１×１０-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースターおよびターボ分子ポンプの組合せを用いた。ガス導入管８よりチャンバ１内にＡｒガス（純度５Ｎ）を導入して、１．０Ｐａの真空度（Ａｒガス圧）とした。基板加熱ヒータ２でガラス基板４を１００℃に加熱した。
【００７７】
基板４と各蒸発源との間に設けられたシャッタ５を閉じた状態で、抵抗加熱器６、７に電流を流して各蒸発源を加熱し、完全に溶融させた。その後、ＣｓＢｒ蒸発源側のシャッタ５だけを開き、基板４の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させて被覆層を形成した。その３分後に、ＥｕＢｒ2蒸発源側のシャッタ５も開き、被覆層上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。蒸着中、蒸発源真上の堆積速度は０．６μｍ／秒で一定であった。また、各抵抗加熱器６、７の電流値を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるように制御した。蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から基板を取り出した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚：７００μｍ、面積４３ｃｍ×４３ｃｍ）が形成されていた。
このようにして、共蒸着により支持体と蓄積性蛍光体層とからなる本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００７８】
［実施例２］基板の直線移動
実施例１において、基板の直線移動速度を２０ｍｍ／秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００７９】
［実施例３］基板の直線移動
実施例１において、基板の直線移動速度を４ｍｍ／秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００８０】
［比較例１］基板の直線移動
実施例１において、基板の直線移動速度を３００ｍｍ／秒に変更したこと以外は実施例１と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００８１】
［比較例２］基板の直線移動
実施例１において、基板の直線移動速度を４ｍｍ／秒に変更したこと、および蒸発源真上の堆積速度を０．１秒毎に０．６μｍ／秒と０μｍ／秒の間で変化させたこと以外は実施例１と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００８２】
［放射線像変換パネルの性能評価１］
得られた各放射線像変換パネルについて、以下のようにして点欠陥、画像ムラおよび感度の評価を行った。
（１）放射線画像の点欠陥
放射線像変換パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、これにＸ線（１０ｍＲ）を照射した。次いで、パネルをカセッテから取り出した後、ラインスキャン読取装置（励起光：半導体レーザアレイ（波長：６６０ｎｍ）、ＣＣＤラインセンサー）を用いて、パネルから画像データを得、得られた画像データを画像再生装置（画像サイズ：２００μｍ）により画像フィルムとして出力した。この出力フィルム上で、点欠陥の多い領域１０ｃｍ×１０ｃｍを選択して、目視により点欠陥の数を数えた。
【００８３】
（２）画像ムラ
上記の出力フィルムを目視により観察して画像ムラの有無を調べた。
Ａ：画像ムラが無い、  Ｂ：画像ムラが若干ある
Ｃ：画像ムラが非常にあり実用上問題がある
【００８４】
（３）感度
放射線像変換パネルを室内光を遮蔽可能なカセッテに収納し、これに管電圧８０ｋＶｐ、管電流１６ｍＡのＸ線を照射した。次いで、パネルをカセッテから取り出した後、パネル表面を半導体レーザ光（波長：６６０ｎｍ）で励起し、パネルから放出された輝尽発光光をフォトマルチプライヤで検出し、その発光量（実施例１を基準とした相対値）により感度を評価した。
【００８５】
また、蛍光体の堆積速度の最大時間変化率を、被蒸着エリアの中心位置（蒸発源の真上の位置）での堆積速度（Ｖ、１００％）、端部位置での堆積速度（１０％Ｖ）、被蒸着エリア径ｉ、および基板移動速度（ｖ1）から、下記式により求めた。
堆積速度の最大変化率  ＝  （Ｖ−０．１Ｖ）
０．５ｉ／ｖ1
得られた結果をまとめて表１に示す。
【００８６】
【表１】
2006029852.tif 000002
【００８７】
［実施例４］基板の回転移動
実施例１の（２）蛍光体層の形成を、以下のようにして行ったこと以外は実施例１と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
支持体として、順にアルカリ洗浄、純水洗浄、およびＩＰＡ洗浄を施したガラス基板（サイズ：４５ｃｍ×４５ｃｍ）４を用意し、図１に示した蒸着装置内の基板保持・移動部材３に固定した。上記ＣｓＢｒ蒸発源を抵抗加熱器６の坩堝容器６ａに、ＥｕＢｒ2蒸発源を抵抗加熱器７の坩堝容器７ａにそれぞれ充填した。
【００８８】
図４及び図５に示したように、二組の蒸発源を、蒸着膜の膜厚分布が±１０％以内になるように配置した。基板と各蒸発源との間の距離ｈを１５０ｍｍとした。被蒸着エリア径ｉは１２０ｍｍであった。基板を矢印方向に回転させた。基板の角部ｃの回転移動速度は約１６６ｍｍ／秒（回転速度１０ｒｐｍ）であった。
【００８９】
次に、チャンバ１内を主排気バルブ１２および補助排気バルブ１３により排気して、１×１０-3Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースターおよびターボ分子ポンプの組合せを用いた。ガス導入管８よりチャンバ１内にＡｒガス（純度５Ｎ）を導入して、１．０Ｐａの真空度（Ａｒガス圧）とした。基板加熱ヒータ２でガラス基板４を１００℃に加熱した。
【００９０】
基板４と各蒸発源との間に設けられたシャッタ５を閉じた状態で、抵抗加熱器６、７に電流を流して各蒸発源を加熱し、完全に溶融させた。その後、ＣｓＢｒ蒸発源側のシャッタ５だけを開き、基板４の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させて被覆層を形成した。その３分後に、ＥｕＢｒ2蒸発源側のシャッタ５も開き、被覆層上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。蒸着中、蒸発源真上の堆積速度は０．６μｍ／秒で一定であった。また、各抵抗加熱器６、７の電流値を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるように制御した。蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から基板を取り出した。基板上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚：７００μｍ、面積４３ｃｍ×４３ｃｍ）が形成されていた。
このようにして、共蒸着により支持体と蓄積性蛍光体層とからなる本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００９１】
［実施例５］基板の回転移動
実施例４において、基板の角部の回転移動速度を約８３ｍｍ／秒（回転速度５ｒｐｍ）に変更したこと以外は実施例４と同様にして、本発明に従う放射線像変換パネルを製造した。
【００９２】
［比較例３］基板の回転移動
実施例４において、基板の角部の回転移動速度を約８３３ｍｍ／秒（回転速度５０ｒｐｍ）に変更したこと以外は実施例４と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００９３】
［比較例４］基板の回転移動
実施例４において、基板の角部の回転移動速度を約３００ｍｍ／秒（回転速度１８ｒｐｍ）に変更したこと以外は実施例４と同様にして、比較のための放射線像変換パネルを製造した。
【００９４】
［放射線像変換パネルの性能評価２］
得られた各放射線像変換パネルについて、前記と同様にして点欠陥および感度の評価を行った。なお、点欠陥は基板の角部付近で多かった。
【００９５】
また、基板の角部における蛍光体の堆積速度の時間変化率（最大変化率）は、基板の角部が被蒸着エリア内で最大となる堆積速度と端部位置での堆積速度の差を、その最大堆積速度位置から端部まで基板の角部が移動するのに要する時間で割ることにより求めた。
得られた結果をまとめて表２に示す。
【００９６】
【表２】
2006029852.tif 000003
【００９７】
表１及び表２に示した結果から明らかなように、本発明の方法に従って堆積速度の時間変化率を２μｍ／秒2以内にして製造した放射線像変換パネル（実施例１〜５）はいずれも、堆積速度の変化率が上記範囲外である比較のための放射線像変換パネル（比較例１〜４）に比べて、点欠陥が顕著に減少した。また、本発明のパネル（実施例１〜３）は画像ムラが殆ど発生せず、感度も良好であった。一方、比較例２から、基板の移動速度が一定であっても蒸発速度（蒸発源真上の堆積速度に対応）が変化すると、結果的に堆積速度の変化率が大きくなって、点欠陥が増加することが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明に用いられる蒸着装置の構成例を示す概略断面図である。
【図２】基板の直線移動の代表的な例を示す上面図である。
【図３】図３のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図４】基板の回転移動の代表的な例を示す上面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１  チャンバ
２  基板加熱ヒータ
３  基板保持・移動部材
４、４１、４２  基板
５  シャッタ
６、７  抵抗加熱器
６ａ、７ａ  加熱容器
８  ガス導入管
９  蒸着速度モニタ
１０  真空計
１１  ガス分析計
１２  主排気バルブ
１３  補助排気バルブ
６１、６２、６３、６４、６５、７１、７２、７３、７４、７５  蒸発源
８１、８２、８３、８４、８５  被蒸着エリア
【図１】
2006029852.tif 000004
【図２】
2006029852.tif 000005
【図３】
2006029852.tif 000006
【図４】
2006029852.tif 000007
【図５】
2006029852.tif 000008