(57)【要約】【課題】  所望の指向性で反射表示を実現できる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  透光性部材１０Ａ上に形成された遮光部及び透光部からなるマスクパターン１１を有するマスク１０を介して、電気光学装置用基板Ｄに露光光Ｌを照射することにより、マスクパターン１１に対応する露光パターンを電気光学装置用基板Ｄに転写させて露光する電気光学装置の製造方法であって、マスク１０は、透光性部材１０Ａのマスクパターン１１が形成された面とは反対側の面に曲面Ｃ１，Ｃ２が設けられたレンズ部１２を有してなり、当該レンズ部１２を介してマスクパターン１１に対応した露光パターンを電気光学装置用基板Ｄに転写して露光することを特徴とする。【選択図】  図２
2006220907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性部材上に形成された遮光部及び透光部からなるマスクパターンを有するマスクを
介して、電気光学装置用基板に露光光を照射することにより、前記マスクパターンに対応
する露光パターンを前記電気光学装置用基板に転写させて露光する電気光学装置の製造方
法であって、
前記マスクは、前記透光性部材の前記マスクパターンが形成された面とは反対側の面に
曲面が設けられたレンズ部を有してなり、当該レンズ部を介して前記マスクパターンに対
応した露光パターンを前記電気光学装置用基板に転写して露光することを特徴とする電気
光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記レンズ部は、
当該レンズ部の曲面上の第１点から第２点までの曲線において、
第１点から第２点に向けて曲率が連続的に異なっている部分を少なくとも有しており、
当該曲率が連続的に異なっている部分を介して前記マスクパターンに対応した前記露光パ
ターンを前記電気光学装置用基板に転写することを特徴とする請求項１に記載の電気光学
装置の製造方法。
【請求項３】
前記レンズ部は、前記曲面の曲率が連続的に異なっている部分を有しており、前記曲率
に応じて前記マスクパターンに対応した前記露光パターンに歪みの疎密を生じさせ、当該
露光パターンを前記露光光として前記電気光学装置用基板に照射することを特徴とする請
求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記レンズ部は、凸レンズであり、前記露光光を前記凸レンズの凸部の頂点の側に向け
て屈折させて、前記マスクパターンよりも小さいサイズの当該マスクパターンに対応した
前記露光パターンを前記電気光学装置用基板に転写して露光することを特徴とする請求項
１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記レンズ部は、凹レンズであり、前記露光光を前記凹レンズの凹部の頂点から外側に
離れる方向に向けて屈折させて、前記マスクパターンよりも大きいサイズの当該マスクパ
ターンに対応した前記露光パターンを前記電気光学装置用基板に転写して露光することを
特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記電気光学装置用基板は、同一面上に複数の被露光領域を有し、
前記マスクは、前記複数の被露光領域に対応する複数の前記マスクパターンを有し、
当該マスクを介して、前記複数の被露光領域に対して一括して露光を行うことにより、
前記複数の被露光領域の各々に前記露光パターンを転写すること、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記電気光学装置用基板は、同一面上に複数の被露光領域を有し、
前記マスクを介して、前記複数の被露光領域の構成単位毎に対して順次露光を複数回に
わたって行うことにより、
前記複数の被露光領域の各々に前記露光パターンを転写すること、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記電気光学装置用基板上には、予め感光性部材が成膜されていること、
を特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学装置の一つである液晶装置においては、外光を利用して画像を表示する
反射型の液晶装置や、外光と照明光を共に利用して画像を表示する半透過反射型の液晶装
置が知られている。このような液晶装置の構成として、反射表示を行う部分に凹凸状の表
面を有する樹脂層が形成され、更に、樹脂層を被覆するアルミニウム等の金属膜からなる
反射膜が形成されたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。このような構成
を採用することで、凹凸状の表面を有する反射膜が形成され、反射膜に光散乱機能を付与
することが可能となる。
【０００３】
一方、従来から半導体装置や各種電気光学装置の回路パターンの形成方法としてフォト
リソグラフィ技術が利用されている（例えば、特許文献２参照。）。これは、露光光源と
感光性部材との間にマスクを配置し、投影光学系を介してマスクに形成されているマスク
パターンを感光性部材に転写する技術である。
【特許文献１】特開２００３−１７７３９６号公報
【特許文献２】特開平７−７２４２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、反射型や半透過反射型の液晶装置において、観察者側に対する反射光の指向
性が得られないという問題があった。
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、所望の指向性で反射表示を実現できる
電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、反射型や半透過反射型の液晶装置において、凹凸状の樹脂膜上に反射膜が
形成された構成を採用すると、光散乱性が向上するものの、反射光が不規則に散乱してし
まうために、観察者側への指向性が得られないことに着目した。そして、本発明者は、こ
のような反射光の指向性が得られないのは、樹脂膜の凹凸状が均一であると、これに倣っ
て均一な凹凸パターンで反射膜が形成されてしまい、従って、入射光を均一に散乱させて
しまうこととなり、結果的に指向性を得ることができないことを見出した。
そこで、本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
【０００６】
即ち、本発明の電気光学装置の製造方法は、透光性部材上に形成された遮光部及び透光
部からなるマスクパターンを有するマスクを介して、電気光学装置用基板に露光光を照射
することにより、前記マスクパターンに対応する露光パターンを前記電気光学装置用基板
に転写させて露光する電気光学装置の製造方法であって、前記マスクは、前記透光性部材
の前記マスクパターンが形成された面とは反対側の面に曲面が設けられたレンズ部を有し
てなり、当該レンズ部を介して前記マスクパターンに対応した露光パターンを前記電気光
学装置用基板に転写して露光することを特徴としている。
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記レンズ部は、当該レンズ部の
曲面上の第１点から第２点までの曲線において、第１点から第２点に向けて曲率が連続的
に異なっている部分を少なくとも有しており、当該曲率が連続的に異なっている部分を介
して前記マスクパターンに対応した前記露光パターンを前記電気光学装置用基板に転写す
ることが好ましい。
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記レンズ部は、前記曲面の曲率
が連続的に異なっている部分を有しており、前記曲率に応じて前記マスクパターンに対応
した前記露光パターンに歪みの疎密を生じさせ、当該露光パターンを前記露光光として前
記電気光学装置用基板に照射することが好ましい。
【０００７】
本発明において、電気光学装置用基板、或いは電気光学装置とは、電界により物質の屈
折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギー
を光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。
また、マスクパターンとは、レンズ部が形成される側とは反対側に設けらたものである
と共に、透光性部材における露光光の入射側に設けられたものである。
また、レンズ部とは、透光性部材における露光光の出射側に設けられたものである。こ
のようなレンズ部としては、透光性部材から電気光学装置用基板に対して、凸状に形成さ
れている凸レンズや、凹状に形成されている凹レンズが採用される。
また、透光性部材は、当該透光性部材と電気光学装置用基板との間に存在する気体の屈
折率とは異なる屈折率を有する材料によって構成されたものである。
【０００８】
このようなレンズ部を有するマスクにおいて、マスクパターンの形成面から露光光が照
射されると、遮光部が露光光を遮り、透光部が露光光を透過させる。これによって、透光
性部材における露光光の入射側においてマスクパターンと同一の大きさの露光パターンが
生成される。更に、露光パターンは、露光光の進行方向に応じて透光性部材中を透過し、
レンズ部を介して出射され、気体中を通じて電気光学装置用基板に転写される。
【０００９】
ここで、レンズ部から出射される露光パターンは、レンズ部の曲面における出射角によ
って屈折し、電気光学装置用基板に転写される。また、レンズ部は、曲面上の第１点から
第２点に向けて曲率が連続的に異なっている部分を少なくとも有するので、換言すれば、
第１点から第２点に向けた曲率勾配を少なくとも有することとなり、当該曲率勾配に応じ
て形成された曲面からの出射角で、露光パターンを電気光学装置用基板に転写させること
ができる。そして、露光光によって転写される露光パターンのうち、露光光の出射角が比
較的に大きい部分では、露光パターンを大きく歪ませて転写させることができる。また、
露光光によって転写される露光パターンのうち、露光光の出射角が比較的に小さい部分で
は、露光パターンを小さく歪ませて転写させることができる。
従って、レンズ部が第１点から第２点に向けて所定の曲率勾配を有することにより、露
光パターンを所望に歪ませて、電気光学装置用基板に転写させることができる。また、曲
率は連続的に異なっていることから、露光パターンの歪みを連続的に異ならせて転写する
ことができる。換言すれば、露光パターンの歪みの疎密を生じさせて、転写することがで
きる。
【００１０】
また、レンズ部が凸レンズである場合には、マスクパターンよりも小さいサイズの露光
パターンを電気光学装置用基板に転写することができる。更に、当該凸レンズの場合、露
光光の出射角が大きい程、露光光はレンズ部の頂点の側に向けて屈折するようになる。ま
た、露光光の出射角が小さい程、露光光は屈折し難くなる。従って、露光パターンの全体
としては、出射角が大きい部分程、歪むこととなる。
【００１１】
また、レンズ部が凹レンズである場合には、マスクパターンよりも大きいサイズの露光
パターンを電気光学装置用基板に転写することができる。更に、当該凹レンズの場合、露
光光の出射角が大きい程、露光光はレンズ部の頂点から離れる方向に向けて屈折するよう
になる。また、露光光の出射角が小さい程、露光光は屈折し難くなる。従って、露光パタ
ーンの全体としては、出射角が大きい部分程、歪むこととなる。
【００１２】
また、本発明においては、マスクパターンを部分的に縮尺を異ならせたり、マスクパタ
ーンを歪ませて形成したりせずに、換言すれば、遮光部及び透光部の幅の縮尺を調整する
必要はなく、レンズ部が上記の曲面構造を具備するだけで、露光パターンを歪ませて電気
光学装置用基板に転写することができる。
【００１３】
また、透光性部材のような固体の屈折率は、気体の屈折率よりも大きい場合が一般的で
あるが、このような屈折率の大小関係が成立する条件下において、レンズ部が凸レンズで
ある場合には、凸レンズの周辺部を透過する露光光を露光パターンの中央側に屈折させ、
露光パターンを電気光学装置用基板に転写することができる。また、レンズ部が凹レンズ
である場合には、凹レンズの周辺部を透過する露光光を露光パターンの周辺側に屈折させ
て、露光パターンを電気光学装置用基板に転写することができる。
【００１４】
また、本発明においては、マスクがマスクパターンを複数具備する構成を採用してもよ
い。このようにすれば、複数のマスクパターンに応じた複数の露光パターンを電気光学装
置用基板に転写することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電気光学装置用基板は、同一
面上に複数の被露光領域を有し、前記マスクは、前記複数の被露光領域に対応する複数の
前記マスクパターンを有し、当該マスクを介して、前記複数の被露光領域に対して一括し
て露光を行うことにより、前記複数の被露光領域の各々に前記露光パターンを転写するこ
と、を特徴としている。
このようにすれば、露光パターンを所望に歪ませて電気光学装置用基板に転写すること
ができる効果が得られるだけでなく、複数のマスクパターンに応じた複数の露光パターン
を、複数の被露光領域に対して、一括して転写することができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電気光学装置用基板は、同一
面上に複数の被露光領域を有し、前記マスクを介して、前記複数の被露光領域の構成単位
毎に対して順次露光を複数回にわたって行うことにより、前記複数の被露光領域の各々に
前記露光パターンを転写すること、を特徴としている。
本発明によれば、上記の製造方法と同様の効果が得られるだけでなく、所謂ステップ露
光を実現することが可能となる。
ここで、「複数の露光対象領域の構成単位」とは、１回の露光によって露光パターンが
転写される領域を意味し、複数の露光対象領域の数よりも少ない、単数又は複数の露光対
象領域を意味している。換言すれば、複数の露光対象領域のうち、一の露光対象領域毎に
順次に露光パターンを転写したり、２個や３個等の露光対象領域毎に順次に露光パターン
を転写したりすることを意味する。
従って、本発明によれば、露光パターンを所望に歪ませて露光対象物に転写することが
できる。更に、当該効果が得られるだけでなく、露光対象物上の全露光対象領域よりも少
ない数のマスクパターンを用いて、全露光対象領域に露光パターンを転写することができ
る。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電気光学装置用基板上には、
予め感光性部材が成膜されていること、を特徴としている。
また、本発明においては、電気光学装置用基板に対して露光を施した後に、現像と焼成
を行うことが好ましい。
ここで、感光性部材としては、ポジ型或いはネガ型が採用される。従って、露光光が照
射された部分のみを除去或いは薄膜化したり、残留或いは厚膜化させたりすることができ
る。なお、ここで言う薄膜及び厚膜とは、両者間の相対的な膜厚を意味するものである。
【００１８】
このように電気光学装置用基板上に成膜された感光性部材に対して、露光パターンを転
写して現像を施すと、感光性部材における感光部分と非感光部分との境界から、感光性部
材が溶解し、当該感光部分或いは非感光部分に応じて凸部が形成され、当該凸部は露光パ
ターンの疎密に応じて、曲面の曲率が異ならせて形成される。これによって、感光性部材
からなる凸部パターンが形成される。
ここで、露光パターンが密となって露光された部分では、凸部パターンが密となり、即
ち、凸部間の隙間は小さくなり、焼成後には平坦化が生じ易くなる。結果として、曲率が
小さい曲面を有する凸部が形成される。また、当該曲率が小さい面に反射部が形成される
ことにより、反射角が小さい反射光が生じ易くなる。
また、露光パターンが疎となって露光された部分では、凸部パターンが疎となり、即ち
、凸部間の隙間は大きくなり、焼成後には平坦化が生じ難くなる。結果として、曲率が大
きい凸部が形成される。また、当該曲率が大きい面に反射部が形成されることにより、反
射角が大きい反射光が生じ易くなる。
また、露光パターンが連続的に密から疎になっている部分では、凸部パターンは徐々に
疎になり、即ち、凸部間の隙間は徐々に大きくなり、焼成後には平坦性が連続的に低下し
ている。結果として、曲率が連続的に大きくなっている凸部が複数形成される。また、当
該曲率が連続的に大きくなっている部分に反射部が形成されることにより、反射角も連続
的に大きくなる。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、相互に対向する電気光学装置用基
板及び対向基板と、当該電気光学装置用基板及び対向基板によって挟持された電気光学素
子と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、電気光学装置用基板には、対向基板
の側から入射する入射光を反射させる反射部が形成されており、先に記載の製造方法を利
用することにより、前記反射部を形成することが好ましい。
【００２０】
ここで、反射部とは、表面が凹凸状に形成された凹凸部材と、当該凹凸部材上に形成さ
れた光反射部材とによって構成されたものである。凹凸部材は、その凹凸パターンが上記
のマスクパターンに応じたものであり、上記の製造方法によって形成されるものである。
光反射部材は凹凸部材の表面に倣って形成されるものである。これにより、反射部は光反
射性と光散乱性とを兼ね備えたものとなる。
そして、本発明は、上記の製造方法を利用することにより、好適な凹凸部材を形成する
ことが実現可能となるものである。
【００２１】
具体的には、上記の製造方法は、第１点から第２点に向けて曲率勾配を少なくとも有す
るレンズ部を利用している。これにより、曲率勾配に応じた曲面からの出射角で露光パタ
ーンを電気光学装置用基板に転写し、所望に歪ませた露光パターンを電気光学装置用基板
に転写させることができる。更に、当該曲率は連続的に異なっているために露光パターン
の歪みを連続的に異ならせて露光パターンを転写し、当該露光パターンの歪みの疎密を生
じさせることができるものである。
【００２２】
そして、当該製造方法を用いることにより、凹凸部材の原画となるマスクパターンを介
して露光光を照射すると、マスクパターンに対応する露光パターンが感光性部材上に転写
され、当該感光性部材の感光性（ポジ／ネガ）に応じた凹凸部材が形成される。ここで、
上記のレンズ部によって露光を行うことによって、連続的に歪みが生じている露光パター
ンを凹凸部材に転写することができる。即ち、凹凸部材には、露光パターンの歪みに対応
した凹凸パターンが形成されることとなる。そして、反射部の指向性を考慮し、所定の曲
率を有するレンズ部を利用して露光を行うことにより、所望の反射特性を有する反射部を
形成することができる。更に、本発明においては、マスクパターンにおける遮光部及び透
光部の縮尺を調整する必要はなく、レンズ部の曲率のみを異ならせるだけで、所望の指向
性を有する反射膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置の製造方法について説明する。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率な
どは適宜異ならせてある。また、各実施形態において同一構成には、同一符号を付して詳
細な説明を省略している。
【００２４】
（マスクの第１実施形態）
図１は、本発明の電気光学装置の製造方法において利用されるマスクの第１実施形態を
示す斜視図であり、図２は図１におけるＧ−Ｇ’断面におけるマスクの断面図である。
図１に示すように、マスク１０は、マスク本体（透光性部材）１０Ａと、マスクパター
ン１１と、レンズ部１２とによって構成されている。
次に、図２を参照し、マスク１０の構成について詳述する。図２は、マスク１０と電気
光学装置用基板ｄとを対向配置させ、マスク１０を介して露光光ｌを電気光学装置用基板
ｄに露光する状態を示す図である。
図２に示すように、マスク１０においては、その上面（マスクパターンの形成面）１０
ａから下面（レンズ部１２の曲面）１０ｂに向けて、露光光Ｌがマスク本体１０Ａ内を透
過することにより、マスク１０に対向配置された電気光学装置用基板Ｄに、マスクパター
ン１１に対応する露光パターンを露光するようになっている。
【００２５】
ここで、マスク本体１０Ａとは、透光性に優れる材料によって構成されたものであり、
例えば、硬質ガラス等によって構成されたものである。また、マスク本体１０Ａの屈折率
ｎ１は、レンズ部１２から出射される露光光Ｌが透過する気体の屈折率ｎ２よりも大きく
なっている（ｎ１＞ｎ２）。
【００２６】
また、マスクパターン１１は、露光光Ｌを遮る遮光部１１ａと、露光光Ｌを透過させる
透光部１１ｂとによってパターン形成されたものである。これによって、マスクパターン
１１に照射された露光光は、マスクパターン１１と同パターンの露光パターンとなって、
マスク本体１０Ａ内を透過するようになる。このようなマスクパターン１１は、マスク本
体１０の上面１０ａにクロム等の遮光性金属膜を一様に成膜した後に、当該クロム膜をフ
ォトリソグラフィ技術によって部分的に除去して形成されたものである。
【００２７】
また、レンズ部１２は、マスク本体１０Ａの下面１０ｂに設けられた部位であり、露光
光Ｌがマスクパターン１１を通過して形成された露光パターンが、マスク本体１０Ａの下
方に向けて出射されるようになっている。本実施形態におけるレンズ部１２は、露光光の
進行方向、即ち、電気光学装置用基板に向けて凸形状を有する凸レンズである。当該凸レ
ンズは、頂点Ｔ（凸レンズが最も突出している部分）から、マスク１０の右端Ｓ１及び左
端Ｓ２に向けて滑らかな曲面を有している。
ここで、上面１０ａの鉛直方向において、マスク１０の中央を通過する線を中心線ＣＬ
とし、レンズ部１２の頂点Ｔを通過する線を頂線ＴＬとすると、当該中心線ＣＬと当該頂
線ＴＬとは、紙面左右方向において合致しておらず、距離ｄ１の長さ分だけずれている。
これにより、レンズ部１２における右端Ｓ１から頂点Ｔまでの曲線の長さが、左端Ｓ２か
ら頂点Ｔまでの曲線の長さよりも長くなっている。また、頂点Ｔから右端Ｓ１までの曲面
Ｃ１と、頂点Ｔから左端Ｓ２までの曲面Ｃ２と、を比較すると、曲面Ｃ１は曲面Ｃ２より
も曲率が小さい面を少なくとも有すると共に、曲面Ｃ２よりも緩やかな面を有している。
一方、曲面Ｃ２は曲面Ｃ１よりも曲率が大きい面を少なくとも有し、曲面Ｃ１よりも急峻
な面を有している。従って、レンズ部１２の全体としては、同一の曲率で形成されておら
ず、部分的に異なる曲率で曲面Ｃ１，Ｃ２が形成され、また、その曲率が連続的に異なる
ように形成されている。
【００２８】
次に、マスク１０を透過する露光光Ｌの出射角について詳述する。
図３は、マスク１０の断面図であって、露光光Ｌの出射角を説明するための図である。
ここでは、上面１０ａにおいて頂線ＴＬの左右両側に距離ｄ２だけ離れた点Ａ，Ｂの各
々に露光光Ｌが照射された場合について説明する。
【００２９】
まず、点Ａについて説明する。
図３に示すように、上面１０ａの点Ａに照射された露光光Ｌは、マスク本体１０Ａを透
過し、レンズ部１２の曲面上の点Ａ’（第１点）に入射する。ここで、点Ａ’におけるレ
ンズ部１２の接線の法線方向と、点Ａ’に入射する露光光Ｌの進行方向とがなす角度を入
射角θａ１とする。また、レンズ部１２の接線の法線方向と、点Ａ’から出射する露光光
Ｌの進行方向とがなす角度を出射角θａ２とする。また、マスク本体１０Ａの屈折率をｎ
１、露光光Ｌが透過する気体の屈折率ｎ２すると、
【数１】
2006220907.tif 000003
の関係が成立することが知られている。更に、本実施形態では、ｎ１＞ｎ２、また、θａ
１は、０＜θａ１＜π／２であるので、
【数２】
2006220907.tif 000004
の関係が成立する。
【００３０】
次に、点Ｂについて説明する。
上記と同様の関係に、上面１０ａの点Ｂに照射された露光光Ｌは、マスク本体１０Ａを
透過し、レンズ部１２の曲面上の点Ｂ’（第２点）に入射する。ここで、点Ｂ’における
レンズ部１２の接線の法線方向と、点Ｂ’に入射する露光光Ｌの進行方向とがなす角度を
入射角θｂ１とする。また、レンズ部１２の接線の法線方向と、点Ｂ’から出射する露光
光Ｌの進行方向とがなす角度を出射角θｂ２とすると、
【数３】
2006220907.tif 000005
の関係が成立し、従って、
【数４】
2006220907.tif 000006
の関係が成立する。
【００３１】
ここで、上記のようにレンズ部１２は、曲面Ｃ１よりも曲面Ｃ２が急峻な面を有してい
るため、点Ａ’における入射角θａ１は、点Ｂ’における入射角θｂ１よりも大きくなる
（θａ１＞θｂ１）。ここで、（数１）〜（数４）においてｓｉｎ関数は、０＜θ＜π／
２の条件において増加関数であるので、点Ａ’における出射角θａ２は、点Ｂ’における
出射角θｂ２よりも大きくなる（θａ２＞θｂ２）。従って、頂線ＴＬの左右両側に距離
ｄ２で離れた部分（点Ａ，Ｂ）においては、曲面Ｃ２は曲面Ｃ１よりも大きい出射角で露
光光Ｌを屈折させることができる。
【００３２】
更に、頂点Ｔを通る露光光Ｌは、上面１０ａの鉛直方向に向けて屈折することなく出射
される（出射角０°）ので、頂点Ｔから点Ａ’までの曲率勾配は、頂点Ｔから点Ｂ’まで
の曲率勾配よりも大きい。即ち、曲面Ｃ１よりも急峻な曲面Ｃ２においては、より出射角
を大きくして露光光Ｌを電気光学装置用基板Ｄに転写させることとなる。また、曲面Ｃ２
よりも緩やかな曲面Ｃ１においては、より出射角を小さくして露光光Ｌを電気光学装置用
基板Ｄに転写させることとなる。このような出射角の相違が生じることにより、レンズ部
１２を透過して電気光学装置用基板Ｄに転写される露光パターンは、歪みが生じて転写さ
れることとなる。また、その歪みは、連続して生じるものとなる。
【００３３】
また、本実施形態においては、レンズ部１２は凸レンズであるため、レンズ部１２から
出射された露光パターンは、マスクパターンよりも小さいサイズとなり、即ち、集光され
たものとなる。更に、このような凸レンズの場合、露光光Ｌの出射角が大きい程、例えば
、曲面Ｃ２における露光光Ｌはレンズ部１２の頂点Ｔの側に向けて屈折する。また、露光
光Ｌの出射角が小さい程、例えば、曲面Ｃ１における露光光Ｌはレンズ部１２の頂点Ｔの
側に屈折するものの、その出射角は小さく、曲面Ｃ２と比較して屈折し難くなる。従って
、露光パターンの全体としては、出射角が大きい部分程、頂点Ｔの側に向けて歪むことと
なる。
【００３４】
図２において説明すれば、曲面Ｃ１から出射された露光パターンは、電気光学装置用基
板Ｄの領域Ｄ１上に転写され、曲面Ｃ２から出射された露光パターンは、電気光学装置用
基板Ｄの領域Ｄ２上に転写される。領域Ｄ１に転写された露光パターンは、領域Ｄ２に転
写された露光パターンと比較して出射角が小さい露光光によって転写されたものであるた
め、領域Ｄ２の露光パターンよりも密度が疎になっている。そして、領域Ｄ２に転写され
た露光パターンは、密度が密となっている。そして、そのパターン密度は、連続的に異な
るものとなる。
【００３５】
上述したように、本実施形態のマスクにおいては、レンズ部１２が点Ａ’から点Ｂ’に
向けて曲率勾配を有することにより、曲率勾配に応じた曲面からの出射角で、露光パター
ンを所望に歪ませて電気光学装置用基板Ｄに転写することができる。また、曲率は連続的
に異なっていることから、露光パターンの歪みを連続的に異ならせて転写することができ
る。換言すれば、露光パターンの歪みの疎密を生じさせて、当該露光パターンを電気光学
装置用基板Ｄに転写することができる。
また、このようなマスク１０においては、マスクパターン１１を部分的に縮尺を異なら
せたり、マスクパターン１１を歪ませて形成したりせずに、換言すれば、遮光部及び透光
部の幅の縮尺を調整する必要はなく、レンズ部１２が上記の曲面構造を具備するだけで、
露光パターンを歪ませて電気光学装置用基板Ｄに転写することができる。
【００３６】
（マスクの第２実施形態）
図４は、本発明の電気光学装置の製造方法において利用されるマスクの第２実施形態を
示す断面図である。
本実施形態におけるレンズ部１２は、露光光の進行方向、即ち、電気光学装置用基板に
向けて凹形状を有する凹レンズである。当該凹レンズは、頂点Ｔ（凹レンズが最も凹んで
いる部分）から、マスク１０の右端Ｓ１及び左端Ｓ２に向けて滑らかな曲面を有している
。
【００３７】
ここで、上面１０ａの鉛直方向において、中心線ＣＬと、レンズ部１２の頂点Ｔを通過
する線を頂線ＴＬとは、距離ｄ１の長さ分だけずれている。これにより、レンズ部１２に
おける右端Ｓ１から頂点Ｔまでの曲線の長さが、左端Ｓ２から頂点Ｔまでの曲線の長さよ
りも長くなっている。また、頂点Ｔから右端Ｓ１までの曲面Ｃ１と、頂点Ｔから左端Ｓ２
までの曲面Ｃ２と、を比較すると、曲面Ｃ１は曲面Ｃ２よりも曲率が小さい面を少なくと
も有すると共に、曲面Ｃ２よりも緩やかな面を有している。一方、曲面Ｃ２は曲面Ｃ１よ
りも曲率が大きい面を少なくとも有し、曲面Ｃ１よりも急峻な面を有している。従って、
レンズ部１２の全体としては、同一の曲率で形成されておらず、部分的に異なる曲率で曲
面が形成され、また、その曲率が連続的に異なるように形成されている。
【００３８】
このような凹レンズにおいては、凸レンズの場合と比較して露光光Ｌの出射方向が異な
ると共に、レンズ部１２から出射された露光パターンがマスクパターンよりも大きいサイ
ズとなって電気光学装置用基板Ｄに転写されるものとなる。
具体的には、このような凹レンズの場合、露光光Ｌの出射角が大きい程、例えば、曲面
Ｃ２における露光光Ｌはレンズ部１２の外側に向けて屈折する。また、露光光Ｌの出射角
が小さい程、例えば、曲面Ｃ１における露光光Ｌはレンズ部１２の外側に向けて屈折する
ものの、その出射角は小さく、曲面Ｃ２と比較して屈折し難くなる。従って、露光パター
ンの全体としては、出射角が大きい部分程、レンズ部１２の外側に向けて歪むこととなる
。
【００３９】
図４において説明すれば、曲面Ｃ１から出射された露光パターンは、電気光学装置用基
板Ｄの領域Ｄ１上に転写され、曲面Ｃ２から出射された露光パターンは、電気光学装置用
基板Ｄの領域Ｄ２上に転写される。領域Ｄ１に転写された露光パターンは、領域Ｄ２に転
写された露光パターンと比較して出射角が小さい露光光によって転写されたものであるた
め、領域Ｄ２の露光パターンよりも密度が密になっている。そして、領域Ｄ２に転写され
た露光パターンは、密度が疎となっている。更に、そのパターンの密度は、連続的に異な
るものとなる。
このような凹レンズからなるレンズ部１２においては、曲面Ｃ１よりも曲面Ｃ２が急峻
な面を有しているため、点Ａ’（第１点）から出射する露光光Ｌの角度は、点Ｂ’（第２
点）から出射する角度よりも大きくなる。
【００４０】
上述したように、本実施形態においては、露光光Ｌの出射方向が凸レンズと異なり、か
つ、転写される露光パターンのサイズが異なるものの、第１実施形態と同様の効果を得る
ことができる。また、曲面Ｃ１よりも曲面Ｃ２によって露光光Ｌを大きく屈折させること
ができる。また、曲面Ｃ１と曲面Ｃ２において、出射角の相違が生じることにより、レン
ズ部１２を透過して電気光学装置用基板Ｄに転写される露光パターンを連続的に歪ませて
転写することができる。
【００４１】
また、上記のマスクの第１実施形態及び第２実施形態においては、電気光学装置用基板
Ｄに転写される露光パターンは、互いに反転するものとなる。具体的に説明すると、図２
に示す凸レンズの場合では、急峻な曲面Ｃ２を介して転写される露光パターンは、同図の
曲面Ｃ１と比べて密となっている。これに対して、図４に示す凹レンズの場合では、急峻
な曲面Ｃ２を介して転写される露光パターンは、同図の曲面Ｃ１と比べて疎となっている
。
従って、凸レンズ又は凹レンズを使い分けることにより、マスクパターン１１の疎密を
生じさせる部分を異ならせることができる。
【００４２】
（電気光学装置の製造方法）
次に、図５〜図１８を参照し、上記のマスクを利用した電気光学装置の製造方法につい
て説明する。
本実施形態に示す電気光学装置は、その一例である反射型液晶装置である。また、当該
反射型液晶装置は、素子基板上の画素電極が反射板を兼ねた内蔵反射板タイプのアクティ
ブマトリクス方式の反射型液晶装置である。
【００４３】
まず、本発明の製造方法によって製造される反射型液晶装置の構成について説明する。
図５は本実施形態の反射型液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図
であり、図６は図５のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図７は、反射型液晶装置の画像表
示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回
路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可
能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００４４】
（反射型液晶装置）
図５および図６において、本実施形態の反射型液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板（
電気光学装置用基板）４０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、この
シール材５２によって区画された領域内に液晶（電気光学素子）５０が封入、保持されて
いる。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が
形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１および実装端
子２０２がＴＦＴアレイ基板４０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２
辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板４０の残る一辺に
は、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の
配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所にお
いては、ＴＦＴアレイ基板４０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導
通材２０６が配設されている。
【００４５】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板４０の
上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bon
ding）基板とＴＦＴアレイ基板４０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介し
て電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
なお、反射型液晶装置１００においては、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ
（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや
、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等
が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００４６】
また、反射型液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０に
おいて、ＴＦＴアレイ基板４０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ
）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００４７】
このような構造を有する反射型液晶装置１００の画像表示領域においては、図７に示す
ように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１
００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、
Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている
。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給して
もよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにして
もよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタ
イミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で
印加するように構成されている。画素電極（反射部）９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気
的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とする
ことにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定
のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レ
ベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図６に示す対向基板２０の対向電極２１との間
で一定期間保持される。
【００４８】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電
極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例
えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積
容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の
高い反射型液晶装置１００を実現することができる。なお、蓄積容量６０を形成する方法
としては、図７に示すように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの
間に形成する場合、または前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよ
い。
【００４９】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図８は、本実施形態に用いたＴＦＴアレイ基板の一つの画素を示す平面図である。図９
は、図８のＡ−Ａ’線における画素の断面図である。なお、図８及び図９においては、感
光性樹脂を用いて複数の凸部を形成する場合を例として図示している。
図８において、ＴＦＴアレイ基板４０上には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合
金、または上記の金属膜とチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜との積
層膜から構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９に
対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ電気的に接続されている。また、画素
電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線
３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａおよび走査線３ａに対して接続されている。
すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域
１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール４５およびドレイン電極６ｂ
を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ
３０のチャネル形成用領域１ａ'に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積
容量６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１
ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極１ｆに、走査線３ａと同層の容量線３ｂが
上電極として重なった構造になっている。図８に示すように、このように構成した各画素
１００ａ毎に画素電極９が形成され、それらの表面は平坦ではなく、後述する平面視円形
の複数の反射凸部パターン９ｇがランダムに形成されている。
【００５０】
図９に示すように、この反射領域のＡ−Ａ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ
基板４０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板４０’の表面に、厚さが
１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜４１が形成され
、この下地保護膜４１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形
成されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜から
なるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが１００ｎｍ〜８０
０ｎｍの走査線３ａがゲート電極として形成されている。半導体膜１のうち、走査線３ａ
に対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ'になっている
。このチャネル形成用領域１ａ'に対して一方側には、低濃度領域１ｂおよび高濃度ソー
ス領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度領域１ｂおよび高濃度ドレ
イン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成され、その中間には、ソース、ドレインのどち
らの領域にも属さない高濃度領域１ｃが形成されている。
【００５１】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリ
コン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン
窒化膜からなる第２層間絶縁膜５が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には厚さが
１００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁
膜４に形成されたコンタクトホール８を介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され
ている。
【００５２】
第２層間絶縁膜５の上層には、凸部形成層（感光性部材、凹凸部材）７と画素電極（光
反射部材）９とが順次積層されている。
ここで、凸部形成層７は、例えば、アクリル樹脂等に代表される有機系樹脂等の感光性
樹脂からなるものであり、その表面には、曲面を有する複数の樹脂凸部が形成されている
。当該複数の樹脂凸部は、凸部形成層７の平面視において全面に形成されており、樹脂凸
部パターン（凸部パターン）７ｇを構成するものである。このような樹脂凸部パターン７
ｇは、後述する製造方法によって形成される。
【００５３】
また、画素電極９は、凸部形成層７の上層に形成された反射性導電膜である。このよう
な材料としては、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金を採用したり、或いは、これ
らの金属膜とチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜との積層膜を採用し
たりすることができる。
そして、画素電極９には、凸部形成層７の表面上に樹脂凸部に倣って形成された複数の
反射凸部が形成されている。当該複数の反射凸部は、画素電極９の平面視において全面に
形成されており、反射凸部パターン９ｇを構成するものである。
【００５４】
また、画素電極９の表面側にはポリイミド膜からなる配向膜４２が形成されている。当
該配向膜４２の表面側には、液晶分子のモードに応じたラビング処理や垂直配向処理が施
されている。例えば、液晶分子が、ＴＮモード、ＳＴＮである場合には配向膜４２にはラ
ビング処理が施されており、また、誘電異方性が負の液晶分子を有するＶＡ（Vertical A
lignment）モードである場合には、垂直配向処理が施されている。
なお、配向膜４２が垂直配向膜である場合には、ポリイミド膜以外にも、無機膜を採用
してもよい。
【００５５】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造（Lightly Doped Drain構造
）を持つが、低濃度領域１ｂに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセ
ット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）を
マスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレ
イン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００５６】
また、本実施形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領
域の間に２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）構造としたが、１個配置したシン
グルゲート構造であってもよく、また、これらの間に３個以上のゲート電極を配置したト
リプルゲート以上の構造であってもよい。ゲート電極を複数個配置した場合、各々のゲー
ト電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲー
ト）、またはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイ
ン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これ
らのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造またはオフセット構造にすれば、さらにオ
フ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００５７】
図８、図９において、ＴＦＴアレイ基板４０における画素電極９の表面のうち、ＴＦＴ
３０の形成領域およびコンタクトホール４５から外れた領域には、前述のように反射凸部
パターン９ｇが形成されている。
【００５８】
（対向基板の構成）
図９に示すように、対向基板２０においては、対向基板側のガラス基板２０’上の、Ｔ
ＦＴアレイ基板４０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、またはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側にはＩＴ
Ｏ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイ
ミド膜からなる配向膜２２が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板４０と対向基板
２０との間には、液晶層５０が封入されている。
【００５９】
（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
上記構成の反射型液晶装置（電気光学装置）１００を製造する方法を、図１０〜図１８
を参照しつつ具体的に説明する。図１０〜図１４は、本実施形態のＴＦＴアレイ基板４０
の製造方法を工程順に示す断面図である。図１５は、凸部形成層７を形成するため工程を
示す工程フロー図である。図１６は、上記のマスクを利用した露光方法を説明するための
模式断面図である。図１７は、画素電極の反射光の指向性を説明するための模式断面図で
ある。図１８は、反射型液晶装置の指向性を説明するための模式断面図である。
【００６０】
まず、図１０（Ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したＴＦＴアレイ基板用
のガラス基板４０’を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、ＴＦ
Ｔアレイ基板用のガラス基板４０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護膜４１を
プラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガス
としては、例えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合ガスやＴＥＯＳ（テ
トラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）と酸素、またはジシランとアンモニアを用
いることができる。
【００６１】
次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基
板４０’の全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０
ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えばジシランやモ
ノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレーザア
ニールを施す。その結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経
て結晶化する。
【００６２】
次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５１を介
して半導体膜１をエッチングすることにより、図１０（Ｂ）に示すように、島状の半導体
膜１を形成するための半導体膜を各々分離した状態に形成する。
【００６３】
次に、３５０℃以下の温度条件下で、半導体膜１の表面を含むＴＦＴアレイ基板用のガ
ラス基板４０’の全面に、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２を
５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えばＴＥＯＳと酸素
ガスとの混合ガスを用いることができる。このゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代え
て、シリコン窒化膜であってもよい。
【００６４】
次に、図示を省略するが、所定のレジストマスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに
不純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構成するための下電極を
形成する（図８および図９参照）。
【００６５】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、スパッタ法等により、ＴＦＴアレイ基板用のガラス
基板４０’の全面に、走査線３ａ等を形成するためのアルミニウム、タンタル、モリブデ
ン等からなる金属膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電
膜３を１００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレ
ジストマスク５５２を形成する。
【００６６】
次に、レジストマスクを介して導電膜３をドライエッチングし、図１０（Ｄ）に示すよ
うに、走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。
【００６７】
次に、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査
線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２〜約１０×１０１３／
ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対
して自己整合的に低濃度領域１ｂを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置し、不純
物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル形成用領域１ａ'となる
。
【００６８】
次に、図１１（Ａ）に示すように、画素ＴＦＴ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より
幅の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．
１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース
領域１ａ、高濃度領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｄを形成する。
【００６９】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極よ
り幅の広いレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、
オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａを
マスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域およびドレ
イン領域を形成してもよい。
【００７０】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、走査線３ａの表面側に、ＣＶＤ法等により、シリコ
ン酸化膜等からなる層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このとき
の原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。次に、
フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成する。
【００７１】
次に、レジストマスク５５４を介して層間絶縁膜４のドライエッチングを行い、図１１
（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜４においてソース領域およびドレイン領域に対応する部
分等にコンタクトホールをそれぞれ形成する。
【００７２】
次に、図１１（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電
極）等を構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン膜、タンタル膜、モリブ
デン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜、または積層膜からなる金
属膜６をスパッタ法等で１００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。
【００７３】
次に、レジストマスク５５５を介して金属膜６にドライエッチングを行い、図１２（Ａ
）に示すように、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。
【００７４】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、シリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５を、デー
タ線６ａおよびドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法等により１００ｎｍ〜８００ｎｍの
膜厚に形成する。
【００７５】
次に、図１５に示す工程フロー図に基づき、図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）に示すように
第２層間絶縁膜５上に凸部形成層７を形成する。
まず、第２層間絶縁膜５が形成されたＴＦＴアレイ基板４０の表面を洗浄する（ステッ
プＳ１）。
次に、第２層間絶縁膜５上に感光性樹脂（感光性部材）７ｂをスピンコート法で塗布形
成する（ステップＳ２）。
これにより、図１３（Ａ）に示すように第２層間絶縁膜５上の表面形状に倣って感光性
樹脂７ａが塗布形成される。本実施形態においては、感光性樹脂７ａとして、アクリル樹
脂等のポジ型の有機系透光性樹脂が採用される。また、具体的な材料として、本実施形態
においてはＰＣ４０５Ｇ（ＪＳＲ社製）を採用している。また、感光性樹脂７ａの膜厚と
しては、１．２〜２．２μｍ程度となるように、スピンコート法を行う。このような膜厚
を有する感光性樹脂７ａは、例えば７００〜１０００ｒｐｍの回転数で８．５ｓｅｃのス
ピンコート処理を行うことによって形成可能である。
【００７６】
次に、感光性樹脂７ａに対してプリベークを行って予備乾燥させる（ステップＳ３）。
ここで、本実施形態のプリベークは、９０℃で１２０ｓｅｃの処理条件で行う。
次に、感光性樹脂７ａに対して露光処理を施す（ステップＳ４）。
ここで、本実施形態においては、１０００〜３０００ｍｓｅｃの露光時間で処理を行う
。当該露光処理を施すことにより、レンズ部１２を備えたマスク１０を介在させてマスク
パターン１１を感光性樹脂７ａに転写する。これによって、後述する凸部形成層７が形成
される。なお、当該露光処理においては、使用する露光装置が持っている焦点深度を外れ
た領域にフォーカス位置を設定して感光性樹脂７ａの露光を行う。例えば、焦点深度を外
す距離としては数十μｍ程度とするのが望ましい。
【００７７】
次に、凸部形成層７に対して現像処理を施す（ステップＳ５）。
ここで、本実施形態においては、アルカリ濃度０．２〜０．４ｗｔ％（重量％）のＴＭ
ＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）を利用し、５０〜８０ｓｅｃの処理時間
で現像処理を施す。
次に、凸部形成層７に対してブリーチ露光処理を施す（ステップＳ６）。
一般的に、ポジ型の感光性樹脂７ａは、現像処理後に着色（黄色）が残留する特性を有
している。当該ブリーチ露光処理は、このような着色が残留している感光性樹脂７ａに対
してＵＶ光を照射し、感光性樹脂７ａの透明化を図るための処理である。本実施形態では
ＵＶ光の総照射量は３３０ｍＪ程度としている。
次に、凸部形成層７に対して、メルトベーク処理を施す（ステップＳ７）。
当該メルトベーク処理は、凸部形成層７の形状を安定化させるための仮焼きとして行わ
れるものである。当該メルトベーク処理は、１２０℃〜１４０℃、１２０ｓｅｃの条件で
行われる。
次に、凸部形成層７を焼成する（ステップＳ８）。
当該焼成工程は、２２０℃、４０ｍｉｎ〜５０ｍｉｎの条件で行われる。
【００７８】
ここで、図１６を参照して、上記のステップＳ４における感光性樹脂７ａの露光処理に
ついて詳述する。
図１６は、本実施形態における露光処理を説明するための模式断面図であり、上記のマ
スク１０を利用してＴＦＴアレイ基板４０の全面に対して一括露光を行う状態を示す図で
ある。
このような露光処理においては、露光光Ｌがレンズ部１２において屈折し、当該レンズ
部１２から出射される露光パターンに歪みが生じ、当該露光パターンが感光性樹脂７ａに
転写される。具体的に説明すると、マスク１０は、ＴＦＴアレイ基板４０に対向する側の
面に、凸レンズからなるレンズ部１２を有しており、その曲率が連続的に異なるように形
成されている曲面Ｃ１，Ｃ２を有している。そして、曲面Ｃ２を介して露光された感光性
樹脂７ａには密度が大きい露光パターンが転写され、曲面Ｃ１を介して露光された感光性
樹脂７ａには密度が小さい露光パターンが転写されることとなる。更に、曲面Ｃ１，Ｃ２
は連続していることから、感光性樹脂７ａにおける露光パターンの疎密が連続的に生じる
ように形成されることとなる。
なお、本実施形態においては、ポジ型の感光性樹脂７ａに対して露光処理を施している
が、ネガ型を採用してもよい。この場合、感光性樹脂７ａのうち露光光Ｌが照射された部
分のみが凹み、露光光Ｌが遮光された部分のみが凸となる。従って、樹脂凸部パターン７
ｇの個所が透光部となるマスクパターン１１を有するマスクを用いればよい。
【００７９】
更に、露光パターンの疎密が転写された感光性樹脂７ａに対して、ステップＳ５〜Ｓ８
の処理を施すことにより、感光性樹脂７ａにおける感光部分或いは非感光部分が除去され
、樹脂凸部パターン７ｇを有する凸部形成層７が形成される。
ここで、露光パターンの密度が大きい部分では、樹脂凸部パターン７ｇにおける凸部間
の隙間が小さくなり、微細な凸部が形成され、比較的に平坦性が高い樹脂凸部パターン７
ｇが形成される。このような樹脂凸部パターン７ｇにおいては、曲率が小さい曲面を有す
る凸部が形成されることとなる。
一方、露光パターンの密度が小さい部分では、樹脂凸部パターン７ｇにおける凸部間の
隙間が大きくなり、幅広な凸部が形成され、比較的に平坦性が低い樹脂凸部パターン７ｇ
が形成される。このような樹脂凸部パターン７ｇにおいては、曲率が大きい曲面を有する
凸部が形成されることとなる。
また、露光パターンの密度が連続的に変化している部分では、露光パターンの密度が小
さくなるに連れて、連続的に露光パターンの密度が小さくなり、樹脂凸部パターン７ｇに
おける凸部間の隙間が連続的に大きくなり、また、平坦性が連続的に低くなり、曲率が徐
々に大きくなって形成されている。
【００８０】
ここで、再び図１３（Ｃ）に戻り、反射型液晶装置の製造方法について説明する。
図１３（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して感光性樹脂７ａをドレ
イン電極６ｂの表面に達するまで開口させて、コンタクトホール４５を形成する。
【００８１】
次に、図１４（Ａ）に示すように、凸部形成層７およびコンタクトホール４５の表面に
、スパッタリング法等によってアルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、またはチタン
、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜のような反射性を備えた金属膜（反射
部、光反射部材）９ａを形成する。
【００８２】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用
いて、金属膜９ａをパターニングして画素電極９を形成する。このようにして形成した画
素電極９は、ドレイン電極６ｂと電気的に接続されるとともに、その表面は、凸部形成層
７の表面の樹脂凸部パターン７ｇに倣って形成された反射凸部パターン９ｇが形成される
。
このような画素電極９は、凸部形成層７の表面の樹脂凸部パターン７ｇに倣って形成さ
れたものであるから、即ち、樹脂凸部パターン７ｇと同様に反射凸部パターン９ｇの疎密
が形成されたものとなる。このような反射凸部パターン９ｇを有する画素電極９は、所定
の方向に反射光を反射させる指向性を有するものとなる。
【００８３】
ここで、図１７を参照し、反射光の指向性について詳述する。
図１７は、画素電極９の反射光の指向性を説明するための図である。
また、図１７においては、ＴＦＴアレイ基板４０、凸部形成層７、及び画素電極９のみ
を示しており、ＴＦＴアレイ基板４０と凸部形成層７の間に形成される上記の各種層膜や
半導体１は、ＴＦＴアレイ基板４０上に形成されているものとする。
また、図１７においては、画素電極９はマトリクス状の複数の画素毎に、分割されて形
成されているものとする。
【００８４】
図１７に示すように、画素電極９には、樹脂凸部パターン７ｇと同様の疎密を有する反
射凸部パターン９ｇが形成されている。
反射凸部パターン９ｇは、図１６に示した凸部形成層７上に倣って形成されたものであ
るため、露光パターンの密度が大きい部分では、反射凸部パターン９ｇにおける凸部間の
隙間が小さくなり、微細な凸部が形成され、比較的に平坦性が高い反射凸部パターン９ｇ
が形成される。このような反射凸部パターン９ｇにおいては、曲率が小さい曲面を有する
凸部が形成されることとなる。
一方、露光パターンの密度が小さい部分では、反射凸部パターン９ｇにおける凸部間の
隙間が大きくなり、幅広な凸部が形成され、比較的に平坦性が低い反射凸部パターン９ｇ
が形成される。このような反射凸部パターン９ｇにおいては、曲率が大きい曲面を有する
凸部が形成されることとなる。
また、露光パターンの密度が連続的に変化している部分では、露光パターンの密度が小
さくなるに連れて、連続的に露光パターンの密度が小さくなり、連続的に反射凸部パター
ン９ｇにおける凸部間の隙間が大きくなり、また、連続的に平坦性が低くなり、曲率が大
きくなっている。従って、反射凸部パターン９ｇの面内における平坦性の分布は凸部形成
層７と同様のものとなる。
そして、反射凸部パターン９ｇの平坦性が高い部分においては、反射光を反射角θｈ１
の角度で反射させ、反射凸部パターン９ｇの平坦性が低い部分においては、反射光を反射
角θｈ２の角度で反射させる。また、平坦性が連続的に変化している部分では、反射角も
連続的に変化するものとなっている。また、反射光は、θｈ１＞θｈ２の関係を満たす反
射角で指向性を有するものとなる。
従って、このような反射凸部パターン９ｇを有する画素電極９は、観察者側に向けて所
定の指向性を持たせて反射光を向かせることが可能となる。
【００８５】
ここで、再び図１４（Ｂ）に戻り、反射型液晶装置の製造方法について説明する。
画素電極９を形成した後には、その表面上にポリイミドからなる配向膜４２を形成する
。更に、液晶分子のモードに応じて当該配向膜４２にラビング処理を施す。例えば、液晶
分子が、ＴＮモード、ＳＴＮである場合には配向膜４２にラビング処理を施す。また、誘
電異方性が負の液晶分子を有するＶＡ（Vertical Alignment）モードである場合には、垂
直配向処理を施す。
以上の工程を経て、ＴＦＴアレイ基板４０が完成する。
【００８６】
一方、対向基板２０については、ガラス等からなる基板本体２０’を用意し、基板本体
２０’表面の画素間に対応する領域に遮光膜２３を形成した後、スパッタリング法等によ
りＩＴＯ等の透明導電性材料を堆積し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする
ことにより、基板本体２０’のほぼ全面に共通電極２１を形成する。さらに、共通電極２
１の全面に、配向膜形成用の塗布液を塗布した後、ラビング処理を施すことにより、配向
膜２２を形成し、対向基板２０が製造される。
【００８７】
上述のようにして製造されたＴＦＴアレイ基板４０と対向基板２０とを、配向膜４２，
２２が互いに対向するようにシール材を介して貼り合わせ、真空注入法などの方法により
両基板間の空間に液晶を注入し、液晶層５０を形成する。最後に、こうしてできた液晶セ
ルの外側に必要に応じて位相差板、偏光板等を貼付し、本実施形態の反射型液晶装置１０
０が完成する。
【００８８】
このように構成された反射型液晶装置１００においては、反射光に指向性を付与する画
素電極９を備えることから、図１８に示すように対向基板２０から入射する外光を観察者
の側に向けて反射させることが可能となる。
【００８９】
上述したように、本実施形態においては、レンズ部１２を備えるマスク１０を利用し、
凸部形成層７の樹脂凸部パターン７ｇを形成しているので、画素電極９は反射光に指向性
を付与することができる。また、当該反射光の指向性は、マスクパターン１１を変えるこ
となく、レンズ部１２の曲率を変えるだけで、所望に設定することができる。
【００９０】
なお、本実施形態においては、レンズ部１２が凸レンズである場合について説明したが
、凹レンズを用いて、露光処理を行ってもよい。
凹レンズを用いる場合では、図４に示したように、露光パターンが密になる部分と、疎
になる部分とが、凸レンズを用いる場合と比べて反転する。また、凸レンズの場合には、
露光光Ｌは集光するので、マスクパターン１１よりも小さいサイズで露光パターンが感光
性樹脂７ａに転写される。一方、凹レンズの場合には、露光光Ｌは広がる方向に作用する
ので、マスクパターン１１よりも大きいサイズで露光パターンが感光性樹脂７ａに転写さ
れる。
【００９１】
（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る反射型液晶装置（電気光学装置）１００を製造する
方法を、図１９を参照しつつ具体的に説明する。図１９は、本実施形態における模式断面
図であり、感光性樹脂７ａの露光処理を説明するための図である。
本実施形態は、上記のＴＦＴアレイ基板４０を複数個取りすることが可能なマザー基板
上に露光処理を施すものである。
【００９２】
図１９に示すように、本実施形態の露光処理は、マスク保持部材２００と、マザー基板
（電気光学装置用基板）３００とを対向配置させ、マスク２００を介してマザー基板３０
０上に露光光Ｌを照射している。
ここで、マスク保持部材２００は、上記のマスク１０を複数備えるものである。従って
、複数のマスクパターン１１とレンズ部１２がマスク１０の各々に設けられたものとなっ
ている。
また、マザー基板３００には、複数のマスク１０に対向する位置に被処理領域（被露光
領域）３１０が形成されている。ここで、被処理領域とは、反射型液晶装置１００のＴＦ
Ｔアレイ基板４０に相当する部位であり、上記のＴＦＴアレイ基板４０上に形成されてい
る各種絶縁膜や半導体層等が既に形成された領域である。更に、マザー基板３００の表面
には、その全面に感光性樹脂７ａが塗布形成されている。
【００９３】
このようにマスク保持部材２００とマザー基板３００とを対向配置させた状態で、露光
処理を施すと、露光光Ｌは複数のマスク１０の各々を透過して、被処理領域３１０が露光
される。ここで、各被処理領域３１０においては、曲率が連続的に異なるレンズ部１２を
透過することから、露光パターンの疎密が生じ、被処理領域３１０が露光される（ステッ
プＳ４）。そして、更に、上記のステップＳ５〜Ｓ８を施すことにより、樹脂凸部パター
ン７ｇの平坦性が高い部分及び低い部分と、連続的に平坦性が変化している部分とが形成
される。また、後の工程で被処理領域３１０の各々に金属膜９ａを成膜することにより、
所定の指向性を有する画素電極９が形成される。
また、上記のように、露光光Ｌを一括して照射するので、１度の露光処理によって複数
の被処理領域３１０の各々に露光パターンが転写される。
上述したように、本実施形態においては、既述の実施形態と同様の効果が得られるだけ
でなく、複数の被処理領域３１０の各々に疎密を有する露光パターンを転写することがで
きる。
【００９４】
（電気光学装置の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る反射型液晶装置（電気光学装置）１００を製造する
方法を、図２０を参照しつつ具体的に説明する。図２０は、本実施形態における模式断面
図であり、感光性樹脂７ａの露光処理を説明するための図である。
本実施形態は、上記のＴＦＴアレイ基板４０を複数個取りすることが可能なマザー基板
上に露光処理を施すものである。
【００９５】
図２０に示すように、本実施形態の露光処理は、マザー基板３００上の一部の被処理領
域３１０に露光した後に、マスク１０とマザー基板３００とを相対移動させ、別の被処理
領域３１０に露光処理を行うものであり、所謂、ステップ露光方法である。
【００９６】
本実施形態においては、マスク１０とマザー基板３００とを相対移動させる移動機構４
００を利用することにより、ステップ露光を実現している。そして、移動機構４００は、
マスク１０を移動させて、第１の被処理領域３１０ａ、第２の被処理領域３１０ｂ、第３
の被処理領域３１０ｃの順にマスク１０と対向配置させるものである。
また、本実施形態においては、マザー基板３００上の複数の被処理領域３１０に対して
、１領域毎（構成単位毎）に露光するものである。
【００９７】
次に、ステップ露光の動作について説明する。
まず、図２０（Ａ）に示すように、移動機構４００は、第１の被処理領域３１０ａとマ
スク１０とを対向させて固定する。その後にすぐに露光光Ｌがマスク１０を介して第１の
被処理領域３１０ａに露光処理が行われる（ステップＳ４）。ここで、被処理領域３１０
ａにおいては、曲率が連続的に異なるレンズ部１２を透過することから、露光パターンの
疎密が生じ、被処理領域３１０ａが露光される。
【００９８】
次に、図２０（Ｂ）に示すように、移動機構４００は、第２の被処理領域３１０ｂとマ
スク１０とを対向させて固定する。その後にすぐに露光光Ｌがマスク１０を介して第１の
被処理領域３１０ａに露光処理が行われる（ステップＳ４）。
以下、同様に、図２０（Ｃ）において、第３の被処理領域３１０ｃに露光処理が施され
る（ステップＳ４）。
そして、更に、第１〜第３の被処理領域３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃに対して一括し
て上記のステップＳ５〜Ｓ８を施すことにより、各領域において樹脂凸部パターン７ｇの
平坦性が高い部分及び低い部分と、連続的に平坦性が変化している部分とが形成される。
また、後の工程で被処理領域３１０の各々に金属膜９ａを成膜することにより、所定の指
向性を有する画素電極９が形成される。
【００９９】
上述したように、本実施形態においては、既述の実施形態と同様の効果が得られるだけ
でなく、一つのマスク１０を用いて、全ての被露光領域に疎密を有する露光パターンを転
写することができる。
【０１００】
なお、上記実施形態においては、被処理領域３１０の一毎に露光処理を施す場合につい
て説明したが、これを限定するものではない。マスク１０を複数備えたマスク保持部材２
００を用いることにより、当該マスク１０の数よりも多い被処理領域３１０を有するマザ
ー基板３００に対して、ステップ露光を行ってもよい。
ここで、例えばマスク１０を２つ備えたマスク保持部材２００を用いることにより、６
つの被処理領域３１０を有するマザー基板３００に対して、ステップ露光を行う場合につ
いて説明する。この場合、６つの被処理領域３１０のうち、２つの領域毎（構成単位毎）
に、３回にわたる露光処理を行うことで、マザー基板３００上の全ての被処理領域３１０
を露光することが可能となる。
また、マスク保持部材２００が、より多くのマスク１０を保持可能であれば、マザー基
板３００上の複数の被処理領域３１０に対して、より効率的に露光処理を行うこと可能と
なる。
【０１０１】
なお、上記の実施形態においては、電気光学装置の一例として反射型液晶装置の製造方
法について説明したが、本発明は反射型液晶装置の製造方法を限定するものではなく、反
射表示と透過表示の両方が実現可能となる半透過反射型液晶装置においても、本発明を適
用することができる。当該半透過反射型液晶装置は、反射表示領域及び透過表示領域を備
える構成となっており、既述の凸部形成層及び金属膜が反射表示領域のみに形成された構
成となっている。
このような半透過反射型液晶装置においても、指向性を有する反射表示を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の製造方法において利用されるマスクの第１実施形態を示す斜視図。
【図２】本発明の製造方法において利用されるマスクの第１実施形態を示す断面図。
【図３】製造方法において利用されるマスクの第１実施形態を示す説明図。
【図４】本発明の製造方法において利用されるマスクの第２実施形態を示す断面図。
【図５】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の平面図。
【図６】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の断面図。
【図７】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の等価回路図。
【図８】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の要部を示す平面図。
【図９】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の要部を示す断面図。
【図１０】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１１】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１２】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１３】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１４】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１５】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法の工程フロー図。
【図１６】本発明の第１実施形態に係る露光方法を説明する模式断面図。
【図１７】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の反射光の指向性を説明する図。
【図１８】本発明の実施形態に係る反射型液晶装置の反射光の指向性を説明する図。
【図１９】本発明の第２実施形態に係る露光方法を説明する模式断面図。
【図２０】本発明の第３実施形態に係る露光方法を説明する模式断面図。
【符号の説明】
【０１０３】
７  凸部形成層（感光性部材）、  ７ａ  感光性樹脂（感光性部材）、  １０  マスク、
１０Ａ  マスク本体（透光性部材）、  １１  マスクパターン、  １２  レンズ部、  
２０  対向基板、  ４０  ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板）、  ５０  液晶層（
電気光学素子）、  １００  反射型液晶装置（電気光学装置）、  ３００  マザー基板（
電気光学装置用基板）、  ３１０，３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃ  被処理領域（被露光
領域）、  Ｄ  電気光学装置用基板、  Ｌ  露光光、  Ｃ１，Ｃ２  曲面、  Ａ’  点（
第１点）、  Ｂ’  点（第２点）
【図１】
2006220907.tif 000007
【図２】
2006220907.tif 000008
【図３】
2006220907.tif 000009
【図４】
2006220907.tif 000010
【図５】
2006220907.tif 000011
【図６】
2006220907.tif 000012
【図７】
2006220907.tif 000013
【図８】
2006220907.tif 000014
【図９】
2006220907.tif 000015
【図１０】
2006220907.tif 000016
【図１１】
2006220907.tif 000017
【図１２】
2006220907.tif 000018
【図１３】
2006220907.tif 000019
【図１４】
2006220907.tif 000020
【図１５】
2006220907.tif 000021
【図１６】
2006220907.tif 000022
【図１７】
2006220907.tif 000023
【図１８】
2006220907.tif 000024
【図１９】
2006220907.tif 000025
【図２０】
2006220907.tif 000026