(57)【要約】【課題】磁気転写を行う際の、転写用磁界の印加方向の許容範囲を規定して正確な磁化パターンの転写を行う。【解決手段】初期直流磁化された被転写用ディスクと、磁性層４８の厚さｔと突起状パターンの円周方向長さｂとの比ｔ／ｂが０．５〜４．０である磁性層パターンを有するマスターディスク４６とを密着させ、被転写用ディスクとマスターディスクの円周方向に磁界を加え、マスターディスクの磁気パターンを被転写用ディスクに転写させる際に、円周方向の磁界のディスク表面に対し垂直な磁界強度Ｈｖとディスク表面に対し水平な磁界強度Ｈｈとの比Ｈｖ／Ｈｈが０．６２９−０．０５７１×ｔ／ｂ以下になるようにして磁気転写を行う。【選択図】  図２
2006114104.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写用ディスクの円周方向に磁界を加え、該被転写用ディスクを円周方向に初期直流磁化させる初期磁化工程と、
初期直流磁化された前記被転写用ディスクと、その表面に形成された多数の突起状磁性層パターンであって、該磁性層の厚さｔと該突起状パターンの円周方向長さｂとの比ｔ／ｂが０．５〜４．０である磁性層パターンを有するマスターディスクとを密着させる密着工程と、
磁界生成手段を設け、前記被転写用ディスクと前記マスターディスクの円周方向に磁界を加え、前記マスターディスクの磁気パターンを前記被転写用ディスクに転写させる際に、前記円周方向の磁界のディスク表面に対し垂直な磁界強度Ｈｖとディスク表面に対し水平な磁界強度Ｈｈとの比Ｈｖ／Ｈｈが０．６２９−０．０５７１×ｔ／ｂ以下になるようにして磁気転写を行う磁気転写工程と、
を備えることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項２】
前記磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用ディスクと前記マスターディスクとを相対移動させながら磁気転写を行う請求項１に記載の磁気転写方法。
【請求項３】
前記円周方向の磁界による、密着状態にある前記被転写用ディスクと前記マスターディスクとへの磁界印加を円周方向に１周以上行った後に、磁界強度を所定値まで減少させ、その後に前記磁界生成手段に対する密着状態にある前記被転写用ディスクと前記マスターディスクとの相対移動を停止させる請求項２に記載の磁気転写方法。
【請求項４】
前記請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気転写方法によってサーボ情報を記録したことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
反強磁性結合を生じる磁性層を有することを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記請求項４又は５に記載の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置に係り、特に、ハードディスク装置等に用いられる磁気ディスクに、マスターディスクからフォーマット情報等の磁気情報パターンを転写するのに好適な磁気転写方法、該方法により製造される磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を備える磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に普及しているハードディスクドライブに使用される磁気ディスク（ハードディスク）は、磁気ディスクメーカーよりドライブメーカーに納入された後、ドライブに組み込まれる前に、フォーマット情報やアドレス情報が書き込まれるのが一般的である。この書き込みは、磁気ヘッドにより行うこともできるが、これらのフォーマット情報やアドレス情報が書き込まれているマスターディスクより一括転写する方法が効率的であり、好ましい。
【０００３】
この磁気転写技術は、マスターディスクと被転写ディスク（スレーブディスク）とを密着させた状態で、片側又は両側に電磁石装置、永久磁石装置等の磁界生成手段を配設して転写用磁界を印加し、マスターディスクの有する情報（たとえばサーボ信号）に対応する磁化パターンの転写を行うものである。
【０００４】
従来、この種の磁気転写技術として各種の提案がなされている（たとえば、特許文献１等。）。この特許文献１の提案は、磁気転写を行う際に、転写用磁界の印加角度がスレーブディスク面に対して垂直方向で±３０度以内とするものである。これにより、トラック方向に正確に転写用磁界を印加できる効果が得られるとされている。
【特許文献１】特開２００２−２５１７２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記磁気転写方法では、マスターディスクの磁性層に形成した磁化パターンを、被転写ディスク（スレーブディスク）の記録面に転写する精度を向上させるために、マスターディスクの情報担持面と被転写ディスクの表面との密着性を確保した状態で、トラック方向に正確に転写用磁界を印加する必要がある。
【０００６】
しかしながら、このような従来技術において、転写用磁界のディスク表面に対し垂直な磁界強度と水平な磁界強度との強度比が空間的に変化するため、磁界生成手段とディスクとの相対移動に伴ってこの強度比が時系列的に変化する。その結果、被転写ディスクの再生信号のＣ／Ｎ比を低下させるという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、磁気転写を行う際の、転写用磁界の印加方向の許容範囲を規定して正確な磁化パターンの転写が行えるようにした磁気転写方法、該方法により製造される磁気記録媒体、及び該磁気記録媒体を備える磁気記録装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は、被転写用ディスクの円周方向に磁界を加え、該被転写用ディスクを円周方向に初期直流磁化させる初期磁化工程と、初期直流磁化された前記被転写用ディスクと、その表面に形成された多数の突起状磁性層パターンであって、該磁性層の厚さｔと該突起状パターンの円周方向長さｂとの比ｔ／ｂが０．５〜４．０である磁性層パターンを有するマスターディスクとを密着させる密着工程と、磁界生成手段を設け、前記被転写用ディスクと前記マスターディスクの円周方向に磁界を加え、前記マスターディスクの磁気パターンを前記被転写用ディスクに転写させる際に、前記円周方向の磁界のディスク表面に対し垂直な磁界強度Ｈｖとディスク表面に対し水平な磁界強度Ｈｈとの比Ｈｖ／Ｈｈが０．６２９−０．０５７１×ｔ／ｂ以下になるようにして磁気転写を行う磁気転写工程と、を備えることを特徴とする磁気転写方法を提供する。
【０００９】
本発明者らは、円周方向の磁界の、ディスク表面に対し垂直な磁界強度Ｈｖとディスク表面に対し水平な磁界強度Ｈｈとの比Ｈｖ／Ｈｈが０．６２９−０．０５７１×ｔ／ｂ以下になるようにして磁気転写を行うことにより、被転写ディスクの再生信号のＣ／Ｎ比を向上させるとともに、再生信号の波形を良好ならしめることを見出した。
【００１０】
したがって、本発明によれば、転写信号のＣ／Ｎ比が向上し、転写信号波形が良好になり、その結果、トラッキング特性が良好になる。
【００１１】
本発明の磁気記録方法において、前記磁界生成手段に対し密着状態にある前記被転写用ディスクと前記マスターディスクとを相対移動させながら磁気転写を行うことが好ましい。このように、磁界生成手段と磁気媒体とを相対移動させることにより、磁気転写効率が向上する。
【００１２】
また、本発明の磁気記録方法において、前記円周方向の磁界による、密着状態にある前記被転写用ディスクと前記マスターディスクとへの磁界印加を円周方向に１周以上行った後に、磁界強度を所定値まで減少させ、その後に前記磁界生成手段に対する密着状態にある前記被転写用ディスクと前記マスターディスクとの相対移動を停止させることが好ましい。
【００１３】
このように、円周方向に１周分の転写後に、磁界強度を所定値まで漸減させ、しかる後に相対移動を停止させるのであれば、転写精度が受ける影響はより少なくなり、再生信号のＣ／Ｎ比は良好になる。
【００１４】
また、本発明は、前記磁気転写方法によってサーボ情報を記録したことを特徴とする磁気記録媒体を提供する。このような磁気転写方法によれば、Ｃ／Ｎ比の良好な磁気記録媒体が得られる。
【００１５】
本発明の磁気記録媒体において、反強磁性結合を生じる磁性層を有することが好ましい。このような反強磁性結合を生じる磁性層を有する磁気記録媒体は、高密度記録が可能であるうえ、熱安定性が高いため、本発明の効果を一層発揮できる。
【００１６】
また、本発明は、前記の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録装置を提供する。このような磁気記録媒体を使用すれば、Ｃ／Ｎ比の良好な磁気記録装置（ハードディスクドライブ等）が得られる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、転写信号のＣ／Ｎ比が向上し、転写信号波形が良好になり、その結果、トラッキング特性が良好になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面に従って、本発明に係る磁気転写方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置の好ましい実施の形態について詳説する。図１は、本発明に係る磁気転写方法を実施するための磁気転写装置１０の要部斜視図である。図２は、マスターディスク４６の表面の微細な突起状パターンを示す部分拡大斜視図である。
【００１９】
磁気転写装置１０において、磁気転写時には、図６（ａ）に示される後述する初期直流磁化を行った後の、スレーブディスク（被転写用ディスク）４０のスレーブ面（磁気記録面）を、マスターディスク４６の情報担持面に接触させ、所定の押圧力で密着させることができるようになっている。そして、このスレーブディスク４０とマスターディスク４６との密着状態で、磁界生成手段３０により転写用磁界を印加してサーボ信号等の磁化パターンを転写記録することができるようになっている。
【００２０】
マスターディスク４６は円盤状に形成され、図２に示されるように、基板４７の片面に磁性層４８による微細な突起状パターンが形成された転写情報担持面が形成されており、基板４７の反対側の面が不図示の密着手段に保持されている。この微細な突起状パターンの形成は、後述するフォトファブリケーション法等によりなされる。このマスターディスク４６の片面（転写情報担持面）は、スレーブディスク４０と密着される。
【００２１】
微細な突起状パターンは、平面視で長方形であり、厚さｔの磁性層４８が形成された状態で、トラック方向（図中の太矢印方向）の長さｂと、半径方向の長さｌとよりなる。この長さｂとｌの最適値は、記録密度や記録信号波形等により異なるが、たとえば、長さｂを８０ｎｍに、長さｌを２００ｎｍにできる。
【００２２】
この微細な突起状パターンはサーボ信号の場合は、半径方向に長く形成される。この場合、たとえば、半径方向の長さｌが０．０５〜２０μｍ、トラック方向（円周方向）の長さが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲で半径方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。
【００２３】
基板２７表面の微細な突起状パターンの深さ（突起の高さ）は、８０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００２４】
一方、磁性層４８の厚さｔと突起状パターンのトラック方向長さｂとの比ｔ／ｂは、０．５〜４．０の範囲にすることが求められる。比ｔ／ｂがこの範囲を外れると、再生信号のＣ／Ｎ比が低下するからである。この詳細は、後述する実施例で示される。
【００２５】
マスターディスク４６において、基板４７がＮｉ等を主体とした強磁性体の場合には、この基板４７のみで磁気転写が可能であり、磁性層４８は被覆しなくてもよいが、転写特性のよい磁性層４８を設けることにより、より良好な磁気転写が行える。基板４７が非磁性体の場合には、磁性層４８を設けることが必要である。マスターディスク４６の磁性層４８は、保磁力Ｈｃが４８ｋＡ／ｍ（≒６００Ｏｅ）以下の軟磁性層であることが好ましい。
【００２６】
マスターディスク４６の基板４７としては、ニッケル、シリコン、石英ガラス等各種組成のガラス、アルミニウム、合金、各種組成のセラミックス、合成樹脂等が使用できる。この基板４７表面の凹凸パターンの形成は、フォトファブリケーション法や、フォトファブリケーション法等で形成した原盤によるスタンパー法、等によって行える。
【００２７】
スタンパー法における原盤の形成は、たとえば、以下のように行える。表面が平滑なガラス板（又は石英ガラス板）の上にスピンコート法等によりフォトレジストの層を形成し、プレベーク後に、このガラス板を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト層の略全面に所定のパターン、たとえば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
【００２８】
その後、フォトレジストの層を現像処理し、露光部分が除去されたフォトレジストの層により形成された凹凸形状を有するガラス原盤を得る。次いで、ガラス原盤の表面の凹凸パターンを基に、この表面にメッキ（電鋳）を施し所定厚さまで形成することにより、表面にポジ状の凹凸パターンを有するＮｉ基板を作成する。そして、この基板をガラス原盤から剥離する。
【００２９】
この基板をそのままプレス原盤とするか、凹凸パターン上に必要に応じて軟磁性層、保護膜等を被覆してプレス原盤とする。
【００３０】
また、ガラス原盤にメッキを施して、電鋳により第２の原盤を作成し、この第２の原盤に更にメッキを施して、電鋳によりネガ状凹凸パターンを有する反転原盤を作成してもよい。更に、第２の原盤にメッキを施して電鋳を行うか、低粘度の樹脂を押し付けて硬化させるかした、第３の原盤を作成し、第３の原盤にメッキを施して電鋳を行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作成してもよい。
【００３１】
基板の材料としては、金属ではＮｉ又はＮｉ合金を使用することができる。この基板を作成するメッキ法としては、無電解メッキ、電鋳、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。
【００３２】
磁性層４８（軟磁性層）の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などにより成膜する。磁性層４８の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ）を用いることができる。特に、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが好ましく用いることができる。磁性層４８の厚さｔは、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましく、１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００３３】
なお、磁性層４８の上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚さが５〜３０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層４８と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けてもよい。潤滑剤は、スレーブディスク４０との接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００３４】
マスターディスク４６として、前記のプレス原盤を用いて樹脂基板を作製し、その表面に磁性層を設けて形成してもよい。樹脂基板の樹脂材料としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体などの塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン及びポリエステルなどが使用できる。
【００３５】
このうち、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネートが好ましい。成形品にばりがある場合は、これをバーニシュ又は研磨加工により除去する。また、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂などを使用して、プレス原盤にスピンコート、バーコート等の塗布によりマスターディスク４６を形成してもよい。樹脂基板のパターン突起の高さは、５０〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、１００〜５００ｎｍの範囲が更に好ましい。
【００３６】
この樹脂基板の表面の微細パターンの上に磁性層４８を被覆しマスターディスク４６を得る。磁性層４８の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方法、メッキ法などによる成膜方法で行える。
【００３７】
一方、マスターディスク４６の形成方法の１種であるフォトファブリケーション法は、以下の手順で行う。先ず、たとえば、平板状の基板の平滑な表面にフォトレジストを塗布し、サーボ信号のパターンに応じたフォトマスクを用いた露光、現像処理により、情報に応じたパターンを形成させる。
【００３８】
次いで、エッチング工程により、パターンに応じて基板のエッチングを行い、磁性層４８の厚さに相当する深さの穴を形成する。次いで、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜方法、メッキ法等により、形成した穴に対応した厚さで基板の表面まで磁性材料を成膜する。
【００３９】
次いで、フォトレジストをリフトオフ法で除去し、表面を研磨して、ばりがある場合には、これを取り除くとともに、表面を平滑化する。
【００４０】
次に、スレーブディスク４０について説明する。スレーブディスク４０は、両面又は片面に磁気記録層が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等の円盤状磁気記録媒体であり、マスターディスク４６に密着させる以前に、グライドヘッド、研磨体などにより表面の微小突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシィング等）が必要に応じて施される。また、スレーブディスク４０には予め初期磁化が施される。この詳細は後述する。
【００４１】
スレーブディスク４０としては、ハードディスク、高密度フレキシブルディスク等の円盤状磁気記録媒体が使用できる。スレーブディスク４０の磁気記録層には、塗布型磁気記録層、メッキ型磁気記録層、又は金属薄膜型磁気記録層が採用できる。
【００４２】
金属薄膜型磁気記録層の磁性材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ）を用いることができる。これらは、磁束密度が大きいこと、磁界印加方向と同じ方向（面内記録なら面内方向）の磁気異方性を有していることより、明瞭な転写が行えるため好ましい。
【００４３】
そして磁性材料の下（支持体側）に必要な磁気異方性を付与するために、非磁性の下地層を設けることが好ましい。この下地層には、結晶構造と格子定数を磁性層４８に合わすことが必要である。そのためには、Ｃｒ、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ等を用いることが好ましい。
【００４４】
マスターディスク４６による磁気転写は、図１に示されるように、スレーブディスク４０の片面にマスターディスク４６を密着させて片面に逐次転写を行う場合と、スレーブディスク４０の両面にそれぞれマスターディスク４６、４６を密着させて両面で同時転写を行う場合とがある。なお、マスターディスク４６には、スレーブディスク４０と密着させる前に、付着した塵埃を除去するクリーニング処理が必要に応じて施される。
【００４５】
転写用磁界を印加する磁界生成手段３０は、密着手段に保持されたスレーブディスク４０及びマスターディスク４６の半径方向に延びるギャップ３１を有するコア３２にコイル３３が巻き付けられた電磁石装置３４、３４が上下両側に配設されてなり、上下で同じ方向にトラック方向と平行な磁力線Ｇ（図３、図４参照）を有する転写用磁界を印加できるようになっている。この図３及び図４は、転写用磁界の印加方法を示す図であり、図３は平面図であり、図４は断面図である。
【００４６】
磁界印加時には、スレーブディスク４０及びマスターディスク４６を一体に回転させつつ磁界生成手段３０によって転写用磁界を印加し、マスターディスク４６の転写情報をスレーブディスク４０のスレーブ面に磁気的に転写記録できるように回転手段が設けられている。なお、この構成以外に、磁界生成手段３０を回転移動させるように設ける構成も採用できる。
【００４７】
転写用磁界は、最適転写磁界強度範囲（スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃの０．６〜１．３倍）の最大値を越える磁界強度がトラック方向のいずれにも存在せず、最適転写磁界強度範囲内の磁界強度となる部分が１つのトラック方向で少なくとも１カ所以上存在し、これと逆向きのトラック方向の磁界強度がいずれのトラック方向位置においても最適転写磁界強度範囲の最小値未満である磁界強度分布の磁界をトラック方向の一部分で発生させている。
【００４８】
磁界生成手段３０は、図１の構成と異なり、スレーブディスク４０の片側にのみ配設するように構成してもよい。また、磁界生成手段３０としては、他の実施の形態として、図５（ａ）〜（ｃ）に示されるような転写用磁界を生成する電磁石装置又は永久磁石装置を、スレーブディスク４０の両側又は片側に配設してもよい。
【００４９】
図５（ａ）の磁界生成手段２２は、スレーブディスク４０の半径方向に延びる１つの電磁石９０（又は永久磁石）のスレーブ面と平行な両側部が反対磁極に構成され、トラック方向に磁界を生成する。
【００５０】
図５（ｂ）の磁界生成手段２４は、所定間隔でスレーブディスク４０の半径方向に延びる２つの平行電磁石９２、９３（又は永久磁石）のスレーブ面に向かう端面が反対磁極に構成され、トラック方向に磁界を生成する。
【００５１】
図５（ｃ）の磁界生成手段２６は、断面Ｕ字状で半径方向に延びる永久磁石９４（又は電磁石）のスレーブ面に向かう２つの平行端面が反対磁極に構成され、トラック方向に磁界を生成する。
【００５２】
次に、上記のように構成された磁気転写装置１０による磁気転写方法について説明する。
【００５３】
図６は、磁気転写方法の基本工程を示す図である。図６のうち（ａ）は、磁場を一方向に印加してスレーブディスク４０を初期直流磁化する工程を、（ｂ）は、マスターディスク４６とスレーブディスク４０とを密着して反対方向に磁界を印加する工程を、（ｃ）は、は磁気転写後の状態をそれぞれ示す。また、図７は、図６（ｂ）における磁気転写の状態を説明する斜視図である。なお、各図は模式図であり各部の寸法は実際とは異なる比率で示している。
【００５４】
先ず、図６（ａ）に示されるように、スレーブディスク４０に初期磁界Ｈｉをトラック方向（円周方向）の一方向に印加して予め初期磁化（直流消磁）を行う。この初期磁化は、スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃ以上の磁界強度部分をトラック方向位置で少なくとも１カ所以上有する磁界、好ましくは、スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃ以上の磁界強度部分をトラック方向位置で一方向のみで有しており、逆方向の磁界強度はいずれのトラック方向位置でのスレーブディスク４０の保磁力未満である磁界強度分布の磁界を使用する。この磁界を、トラック方向の一部分で発生させ、スレーブディスク４０又は磁界をトラック方向に回転させることにより、全トラックの初期磁化（直流消磁）を行う。
【００５５】
次いで、図６（ｂ）及び図７に示されるように、このスレーブディスク４０のスレーブ面（磁気記録面）とマスターディスク４６の基板４７の微細凹凸パターンに磁性層４８が被覆されてなる情報担持面とを密着させ、スレーブディスク４０のトラック方向に初期磁界Ｈｉとは逆方向に転写用磁界Ｈｄを印加して磁気転写を行う。
【００５６】
その結果、図６（ｃ）に示されるように、スレーブディスク４０のスレーブ面（トラック）にはマスターディスク４６の情報担持面の磁性層４８の密着凸部と凹部空間との形成パターンに応じた磁化パターンが転写記録される。
【００５７】
なお、マスターディスク４６の基板４７の凹凸パターンが、図６のポジパターンと逆の凹凸形状のネガパターンの場合であっても、初期磁界Ｈｉの方向及び転写用磁界Ｈｄの方向をこれと逆方向にすることによって、同様の磁化パターンが転写記録できる。
【００５８】
磁気転写の際に、重要であるのは、円周方向の転写用磁界Ｈｄのうち、ディスク表面に対し垂直な磁界強度Ｈｄｖとディスク表面に対し水平な磁界強度Ｈｄｈとの比Ｈｄｖ／Ｈｄｈを０．６２９−０．０５７１×ｔ／ｂ以下になるようにして磁気転写を行うことである。なお、ｔ／ｂは既述したように、磁性層４８の厚さｔと突起状パターンのトラック方向（円周方向）長さｂとの比であり、０．５〜４．０の範囲にあることが求められる。
【００５９】
この条件を図により説明する。図８は、比Ｈｄｖ／Ｈｄｈと比ｔ／ｂの最適範囲を説明するグラフであり、比ｔ／ｂをｘ軸に、比Ｈｄｖ／Ｈｄｈ（単位：％）をｙ軸にとってある。このグラフにおいて、比Ｈｄｖ／Ｈｄｈと比ｔ／ｂの最適範囲は、比ｔ／ｂが０．５で比Ｈｄｖ／Ｈｄｈが６０％の点と比ｔ／ｂが４で比Ｈｄｖ／Ｈｄｈが４０％の点とを結ぶ直線、すなわち、ｙ＝０．６２９−０．０５７１ｘの直線と、比ｔ／ｂが０．５の直線と、比ｔ／ｂが４の直線と、ｘ軸（ｙ＝０の直線）の４本の直線で囲まれた斜線の範囲である。
【００６０】
すなわち、転写用磁界Ｈｄのディスク表面に対し垂直な磁界強度Ｈｄｖとディスク表面に対し水平な磁界強度Ｈｄｈは、電磁石装置３４のコア３２のギャップ３１との相対位置によって変化する。既述の図４において、水平位置Ｃ（中央の円内）においてはＨｄｖ／Ｈｄｈは０であり、水平位置Ｒ（右の円内）及び水平位置Ｌ（左の円内）においてはＨｄｖ／Ｈｄｈは≠０である。
【００６１】
このように、磁石のＮ極とＳ極との中間位置では、水平磁界強度Ｈｄｈが最大であり、垂直磁界強度Ｈｄｖが０となる。これに対し、磁石のＮ極とＳ極との中間位置より離れるにしたがって、水平磁界強度Ｈｄｈが減少するとともに、垂直磁界強度Ｈｄｖが増加していく。
【００６２】
したがって、円周方向の転写用磁界Ｈｄの比Ｈｄｖ／Ｈｄｈをマスターディスク４６の比ｔ／ｂに対応させて、図８の斜線範囲に入るように磁界生成手段３０の各構成（電磁石装置３４のギャップ３１、コア３２、コイル３３）や、磁界生成手段３０とディスク表面の距離等を最適に設定する必要がある。
【００６３】
以上の構成によれば、磁界生成手段３０とディスクとの相対移動に伴ってこの垂直と水平との強度比が時系列的に変化しても、転写精度が受ける影響は少ない。その結果、スレーブディスク４０の再生信号のＣ／Ｎ比を低下させるということもない。
【００６４】
このスレーブディスク４０は、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）に組み込んで好適に使用できる。これに使用されるハードディスクドライブとしては、各ドライブメーカーより販売されている公知の各種装置を使用すればよい。
【００６５】
以上、本発明に係る磁気転写方法、磁気記録媒体、及び磁気記録装置の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００６６】
たとえば、上記実施形態においては、スレーブディスク４０（密着したマスターディスク４６も）を連続回転させながら、磁界生成手段３０によりスレーブディスク４０に磁気転写を行っているが、スレーブディスク４０及びマスターディスク４６への磁界印加を円周方向に１周以上行った後に、磁界強度を所定値まで減少させ、その後にスレーブディスク４０及びマスターディスク４６の回転を停止させる構成も採用できる。
【００６７】
このように、円周方向に１周分の転写後に、磁界強度を所定値まで漸減させ、しかる後に回転を停止させるのであれば、転写精度が受ける影響は非常に少なくなり、再生信号のＣ／Ｎ比は良好になる。
【実施例】
【００６８】
以下に説明する条件でスレーブディスク４０及びマスターディスク４６を作製し、磁界生成手段３０を使用して磁気転写を行い、転写時の条件での垂直磁界強度Ｈｄｖと水平磁界強度Ｈｄｈとの比率を測定するとともに、各条件における転写後のスレーブディスク４０の再生信号のＣ／Ｎ比を評価した。
【００６９】
マスターディスク４６は、Ｎｉスタンパー法により作製した。先ず、円盤中心から半径方向２０〜４０ｍｍの位置まで、幅０．５μｍの等間隔放射状ラインで、ライン間隔が半径方向２０ｍｍの最内周位置で０．５μｍ間隔であるような、深さ０．２μｍの円盤状パターンを有するＮｉ基板を作成した。
【００７０】
この際、成膜後の磁性層４８の厚さｔと突起状パターンのトラック方向長さｂとの比ｔ／ｂが０．３〜５．０の範囲となるもの５種のＮｉ基板を作成した。
【００７１】
真空成膜装置を使用して、室温下で１．３３×１０-5Ｐａ（１０-7Ｔｏｒｒ）まで減圧した後に、アルゴンガスを導入して０．４Ｐａ（３×１０-3Ｔｏｒｒ）とした条件下で、Ｎｉ基盤上に厚さ２００ｎｍのＦｅＣｏ膜（軟磁性層）を形成し、マスターディスク４６とした。このマスターディスク４６の保磁力Ｈｃは８ｋＡ／ｍ（１００Ｏｅ）、磁束密度Ｍｓは２８．９Ｔ（２３０００Ｇａｕｓｓ）であった。
【００７２】
スレーブディスク４０は、薄膜のガラスハードディスクとした。真空成膜装置を使用して、室温下で１．３３×１０-5Ｐａ（１０-7Ｔｏｒｒ）まで減圧した後に、アルゴンガスを導入して０．４Ｐａ（３×１０-3Ｔｏｒｒ）とした条件下で、ガラス板を２００℃に加熱し、ＣｒＴｉ６０ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔ２５ｎｍ、磁束密度Ｍｓが５．７Ｔ（４５００Ｇａｕｓｓ）、保磁力Ｈｃが１９９ｋＡ／ｍ（２５００Ｏｅ）の外径９５ｍｍ（３．５インチ型）のハードディスクを作製した。
【００７３】
磁気転写は、図１に示される構成で行った。先ず、ピーク磁界強度がスレーブディスク４０の表面において、スレーブディスク４０の保磁力Ｈｃの２倍の３９８ｋＡ／ｍ（５０００Ｏｅ）となるように、リング型ヘッド電磁石装置３４を配置して、スレーブディスク４０の初期直流磁化を行った。
【００７４】
次に、初期直流磁化したスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを密着させて、ピーク磁界強度がスレーブディスク４０の表面において２０７ｋＡ／ｍ（２６００Ｏｅ）となるように、電磁石装置３４の電流を調整して配置した。
【００７５】
このとき、垂直磁界強度Ｈｄｖと水平磁界強度Ｈｄｈとの比率が０．１〜０．９まで変化するように、密着状態のスレーブディスク４０とマスターディスク４６とを移動させて、電磁石装置３４とのクリアランスを数段階に変化させた。そして、電磁石装置３４により、初期直流磁化とは逆向きに転写磁界を印加して磁気転写を行った。なお、スレーブディスク４０とマスターディスク４６との密着は、ゴム板を挟んでアルミニウム板上から加圧した。
【００７６】
電磁変換特性測定装置（協同電子社製ＬＳ−９０）によりスレーブディスク４０の転写信号の評価を行った。ヘッドには、再生ヘッドギャップが０．０６μｍ、再生トラック幅が０．１４μｍ、記録ヘッドギャップが０．４μｍ、記録トラック幅が２．４μｍであるＭＲヘッドを使用した。読み込んだ信号をスペクトロアナライザーで周波数分解し、１次信号のピーク強度Ｃと外挿した媒体ノイズＮの差（Ｃ／Ｎ）を測定した。
【００７７】
また、スレーブディスク４０とマスターディスク４６を取り外し、磁場測定端子を挿入し、端子と電磁石装置３４とのクリアランスを数段階に変化させて、各条件における垂直磁界強度Ｈｄｖと水平磁界強度Ｈｄｈとをそれぞれ測定した。
【００７８】
実施例の結果を図９の表に示す。このＣ／Ｎ比（単位：ｄＢ）は、比ｔ／ｂが０．５で比Ｈｄｖ／Ｈｄｈが０．５のものの値を基準値０ｄＢとして比較した結果である。
【００７９】
更に、図９の表（実施例の結果）を既述の図８の比Ｈｄｖ／Ｈｄｈと比ｔ／ｂの最適範囲を説明するグラフにプロットして図１０とした。このグラフにおいて、各円内の数値がＣ／Ｎ比である。
【００８０】
図１０に示されるように、本発明で規定する最適範囲（斜線の範囲）のＣ／Ｎ比は、いずれも良好な値を示しており、これ以外の範囲のＣ／Ｎ比は、いずれも劣っていることが読み取れる。これにより、本発明の効果が確認できた。
【００８１】
なお、本発明の範囲にある上記のスレーブディスク４０を、ドライブメーカより販売されている磁気記録装置（ハードディスクドライブ）に組み込んで（既存のハードディスクと置き換えて）特性を評価したところ、良好なトラッキング特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明に係る磁気転写方法を実施するための磁気転写装置の要部斜視図
【図２】マスターディスクの表面の微細凹凸パターンを示す部分拡大斜視図
【図３】転写用磁界の印加方法を示す平面図
【図４】転写用磁界の印加方法を示す断面図
【図５】磁界生成手段の他の構成を示す図
【図６】磁気転写方法の基本工程を示す図
【図７】図６（ｂ）における磁気転写の状態を説明する斜視図
【図８】比Ｈｄｖ／Ｈｄｈと比ｔ／ｂの最適範囲を説明するグラフ
【図９】実施例の結果を示す表
【図１０】実施例の結果を示すグラフ
【符号の説明】
【００８３】
１０…磁気転写装置、２２、２４、２６…磁界生成手段、３０…磁界生成手段、３１…ギャップ、３２…コア、３３…コイル、３４…電磁石装置、４０…スレーブディスク（被転写用ディスク）、４６…マスターディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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