(57)【要約】【課題】  有機材料を半導体層に用いた半導体装置であって、当該半導体装置が適用される用途に拘らず、特にフレキシビリティが要求されるような用途においても好適に用いることができ、クラックや剥離等の不具合の生じ難い半導体装置を安価に提供する。【解決手段】  本発明の電気光学装置用基板は、基板上に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する複数の走査線と、前記複数の交差に応じて形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタに応じて形成される複数の第１の封止層と、を有し、前記各トランジスタはそれぞれ有機半導体層からなるチャネル領域を有し、  前記各第１の封止層は前記各チャネル領域のいずれかひとつを覆うように形成され、前記各第１の封止層は無機材料からなることを特徴とする。【選択図】  図１
2006285045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、トランジスタのチャネル領域を構成する有機半導体層と、
前記有機半導体層上に設けられた無機材料からなる第１の封止層と、を備えることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
基板上に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する複数の走査線と、前記複数の交差に応じて形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタに応じて形成される複数の第１の封止層と、を有し、
前記各トランジスタはそれぞれ有機半導体層からなるチャネル領域を有し、
前記各第１の封止層は前記各チャネル領域のいずれかひとつを覆うように形成され、
前記各第１の封止層は無機材料からなることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置用基板において、
前記基板は可撓性であることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置用基板において、
前記第１の封止層と前記トランジスタとの間に有機材料からなる第２の封止層が形成されてなることを特徴とする
【請求項５】
請求項２に記載の電気光学装置用基板において、
前記基板上に、前記複数の第１の封止層に応じて複数の第２の封止層が形成され、
前記複数の第２の封止層はそれぞれ対応する前記各第１の封止層と前記各トランジスタとの間に形成され、
前記各第２の封止層は有機材料からなることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置用基板において、
前記第１の封止層は、前記有機半導体層を囲み、前記有機半導体層が形成される同一の層に接することを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれかに記載の電気光学装置用基板において、
前記第１の封止層は遮光性の材料を含むことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置用基板を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の電気光学装置用基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
基板上に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する複数の走査線と、前記複数の交差に応じて形成される複数のトランジスタとを形成する工程と、
前記複数のトランジスタ上に、該複数のトランジスタの各チャネル領域を覆うように複数の第１の封止層をそれぞれ形成する工程と、を有し、
前記各チャネル領域はそれぞれ有機半導体層からなり、
前記各第１の封止層は無機材料からなることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、シリコンに代表される無機材料を用いた電界効果型トランジスタ等の半導体装置から置き換え得るデバイスとして、有機材料にて半導体層を形成した半導体装置が注目されている。なかでも、高分子材料により半導体層を形成した半導体装置は、低コスト化が可能な技術として知られており、例えば非特許文献１及び非特許文献２には、半導体層に高分子材料を用いたトランジスタが提案されている。
【０００３】
【非特許文献１】川瀬建夫著、et al.著、「Thin Solid Films」 p279-287, vol438-439,2003
【非特許文献２】川瀬建夫著、「2000 International Electron Device Meeting technical digest」 p623-626
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の有機半導体を用いたトランジスタにおいては、外気から保護する、あるいは後工程のプロセスから保護する封止層が必要とされており、封止層としてスパッタ法を用いてアルミナ層を形成している。しかしながら、この様なスパッタを用いたアルミナ層を保護膜として、有機材料、特に高分子材料を用いたトランジスタに適用しようとする場合には、スパッタ法での成膜時に有機材料である有機トランジスタに対して損傷を与えるおそれがある。あるいはアルミナ層自身の高い膜応力のために剥離あるいはクラックが生じるおそれがあり深刻な問題となる。また、さらには高価なスパッタ装置を用いることでコスト上昇にもつながる。また、プラスティック基板のようなフレキシブルな基板を用いた場合には、撓みが生じた易く、クラック、あるいは剥離等の発生が深刻な課題となる。
【０００５】
そこで、本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであって、有機材料を半導体層に用いた半導体装置であって、当該半導体装置が適用される用途に拘らず、特にフレキシビリティが要求されるような用途において好適に用いることができ、剥離、あるいはクラック等の不具合の生じ難い半導体装置を安価に提供することを目的としている。
【０００６】
また、本発明は、上記のような半導体装置を簡便に提供できる製造方法を提供することを目的としている。さらに、本発明は上記半導体装置を備えた電気光学装置と、該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、このようなフレキシビリティのある電気光学装置用基板１０において、本発明の半導体装置は、ＴＦＴ９を主体として構成された半導体装置が、ＴＦＴ９に選択的に形成されている無機封止層７で封止される構造にて構成されていることを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、このように半導体層４、あるいはゲート絶縁層を有機材料にて構成するとともに、封止層として構成されている無機封止層７がＴＦＴ９に選択的に構成されているため、電気光学装置用基板１０に撓みが生じた場合にも、クラック、あるいは剥離等の不具合発生が生じ難いものとなっている。つまり、無機封止層７が電気光学装置用基板１０の全面に形成しないで、ＴＦＴ９に選択的に形成されているために、有機層と比較して相対的に脆い無機封止層７のクラック、あるいは界面での剥離を防止しすることができる。
【０００９】
次に、上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、封止層が少なくとも２層以上で構成であって、前記有機トランジスタに接する側の封止層が有機材料で構成される有機封止層であって、前記有機トランジスタと反対側の封止層が前記有機トランジスタに選択的に無機封止層が構成されていることを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、前記無機封止層のプロセス工程中における前記有機トランジスタの損傷を防止することが可能であり、前記有機半導体をはじめとする前記トランジスタの材料を用いる場合に、損傷を防止できることから、プロセスダメージの少ない材料だけでなく、他のより多くの材料の組み合わせが可能となり容易に性能を向上させることができるという効果を有している。
【００１１】
次に、上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、前記無機封止層が少なくとも酸化ケイ素、あるいは窒化ケイ素を含むことを特徴とする。
【００１２】
上記構成によれば、酸素、水に対して透過係数の小さく、かつ、緻密な酸化ケイ素、あるいは窒化ケイ素を用いることで、無機封止層の膜厚を薄くすることが可能になり、その結果、必要十分な封止性能を有しながら薄くすることで、クラックや剥離を抑制する効果を有している。
【００１３】
次に、上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、前記有機トランジスタの有機半導体層、ゲート絶縁膜がパターニングされており、この前記有機トランジスタに選択的に無機封止層が構成されていることを特徴とする。
【００１４】
上記構成によれば、前記有機トランジスタの上部だけでなく側面も無機封止層で覆うことが可能になり、より封止性能が向上する効果を有している。
【００１５】
次に、上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、前記無機封止層の材料がポリシラザンを用いて、さらに液層プロセスで作製することを特徴とする。
【００１６】
上記構成によれば、ＣＶＤ法やスパッタ法と比較して無機封止層の成膜プロセス工程において、より前記有機トランジスタの損傷を防止することができ、さらには、このような無機封止層を液層プロセスで形成しているため、本発明に係る無機封止層形成工程を簡便に行うことが可能となる。つまり、プラズマ発生装置や真空装置等の大型の装置を用いることなく、また温和な条件（大気圧下）にて当該無機封止層を形成可能であり、製造コスト低減に寄与し、ひいては安価で高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００１７】
次に、上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、前記液相プロセスとして液滴吐出法を用いることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、該液滴吐出法によれば、従来のフォトリソグラフィ法のように材料を全面に形成し、エッチング液を用いて不必要な部分の材料を除去するという工程が不要になり、材料を無駄に使用しないことで製造コストを低減することができ、さらに従来のフォトリソグラフィ法のようにエッチング工程中の前記有機トランジスタの損傷の問題を考慮する必要がなく、無機封止層を、直接形成することが可能である。
【００１９】
次に、上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置、あるいはこの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器は、上記半導体装置を備えることを特徴とする。
【００２０】
上記構成によれば、当該電気光学装置を大型化し、例えばプラスティック基板を用いてフレキシビリティを有する表示装置等として構成した場合にも、非常に信頼性の高いものとなる。また、例えば電子ペーパーのようなフレキシビリティのある電子機器についても十分な信頼性を具備したものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（電気光学装置用基板）
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２２】
図１、図２、図３及び図４を参照し、本発明の一実施の形態である半導体装置を採用した電気光学装置用基板の構成を説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２３】
なお、電気光学装置用基板とは電気光学装置に用いられる基板であり、電気光学装置とは、電気光学効果を利用したものであれば特に限定されるものではなく、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置等、様々な用途を含むものである。
【００２４】
図１は電気光学装置用基板の要部を示す平面図、図２、図３及び図４は電気光学装置用基板に具備された半導体装置近傍の断面構成を示す断面模式図である。
【００２５】
図１に示すように、電気光学装置用基板１０は、複数のデータ線３と、前記複数のデータ線３と交差する複数のゲート線６と、前記複数の交差に応じて設けられる、半導体装置の主体をなすスイッチング素子（アクティブマトリクス素子）としての複数のＴＦＴ（トランジスタ）９と、複数の画素電極２とを主体として構成されている。データ線３及びゲート線６は、ＴＦＴ９に電気的に接続され、該ＴＦＴ９に対して電気的信号を供給する配線である。
【００２６】
ＴＦＴ９は画素電極２をスイッチング駆動させる機能を有しており、図２に示すようにソース電極３ａと、半導体層４と、ゲート絶縁層５と、ゲート電極６ａとを主体として構成されている。ここで、ソース電極３ａ及び画素電極２は、ＴＦＴ９との接続付近において櫛歯状に形成されており、これにより当該ＴＦＴ９を形成する際のアライメントを容易化している。なお、本実施の形態においては、データ線３とソース電極３ａ、ゲート線６とゲート電極６ａの各組は同一部材で形成されている。また、半導体層４は有機材料からなり、具体的には高分子半導体材料を用いて構成されている。
【００２７】
一方、図２に示すように、本実施の形態の電気光学装置用基板１０は、基板１上に、画素電極２と、ソース電極３ａと、前記ＴＦＴ９のチャネル領域を構成する半導体層４と、ゲート電極６ａと、前記半導体層４と前記ゲート電極６ａとを絶縁するゲート絶縁層５と、無機封止層７とを有している。
【００２８】
ここで、画素電極２は、ＴＦＴ９に直接接続された構成となっており、この場合、画素電極２がＴＦＴ９のドレイン電極として機能するようになっている。
【００２９】
また、ゲート電極６ａ（ゲート線６）はＴＦＴ９に対する走査信号を供給する配線として機能している。
【００３０】
また、無機封止層７はＴＦＴに対し外部からの酸素、水の侵入を防ぐ封止として機能している。
【００３１】
このように構成された電気光学装置用基板１０において、データ線３がＴＦＴ９に電気的に接続されており、画像信号（データ信号）がデータ線３に対して順次に供給されるか、あるいは互いに隣接する複数のデータ線３に対してグループ毎に供給されるようになっている。
【００３２】
また、ゲート線６がＴＦＴ９に電気的に接続されており、複数のゲート線６に対して走査信号が所定のタイミングでパルス的に線順次で供給されるようになっている。
【００３３】
さらに、画素電極２はＴＦＴ９のドレイン電極として機能し、ゲート電極６ａにパルス電圧を印加してＴＦＴ９を一定期間だけオンすることで、データ線３から供給される画像信号が該画素電極２に対し所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００３４】
ここで、本実施の形態の電気光学装置用基板１０は、基板１が可撓性のある樹脂基板にて構成されており、当該電気光学装置用基板１０全体がフレキシビリティを有して構成されている。したがって、特に電子ペーパー等を構成する電気泳動装置等に好適に用いられるものである。
【００３５】
このようなフレキシビリティのある電気光学装置用基板１０において、本実施の形態では、ＴＦＴ９を主体として構成された半導体装置が、ＴＦＴ９に選択的に形成されている無機封止層７で封止される構造にて構成されている。
【００３６】
このように半導体層４、あるいはゲート絶縁層を有機材料にて構成するとともに、封止層として構成されている無機封止層７がＴＦＴ９に選択的に構成されているため、電気光学装置用基板１０に撓みが生じた場合にも、クラック、あるいは剥離等の不具合発生が生じ難いものとなっている。
【００３７】
つまり、無機封止層７が従来の封止層の様に、電気光学装置用基板１０の全面に形成されているのでなく、ＴＦＴ９に選択的に形成されているために、有機層と比較して相対的に脆い無機封止層７のクラック、あるいは界面での剥離を防止しすることができる。また、無機封止層７が液層プロセス、かつ低温プロセスで形成されているため、無機封止層７の下層にあるゲート線６、あるいはゲート絶縁層５と無機封止層７間の膜応力の差を抑制することができるため、剥離の防止も図ることができるようになっている。
【００３８】
次に、図１及び図２を参照しつつ、電気光学装置用基板１０の製造方法を説明する。
【００３９】
まず、基板１上に、画素電極２、及びデータ線３、ソース電極３ａを形成する。
【００４０】
基板１の材料は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリイミド（ＰＩ）等で構成されるプラスティック基板（樹脂基板）の他、可撓性のあるものであれば、ガラス基板、シリコン基板、金属基板、ガリウム砒素基板等を採用することができる。
【００４１】
また、画素電極２を構成する材料は、公知の電極材料であれば、種類は特に限定されるものではない。具体的には、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ等やそれらの金属を用いた合金、公知のあらゆる金属材料、及びその合金、及びその金属酸化物等を採用することができる。また、導電性粒子を含むポリマー混合物、或いは、導電性有機材料を電極材料として採用してもよい。また、本実施の形態で用いた有機半導体層４との組み合わせでは、該有機半導体層がｐ型半導体であるため、電極材料の仕事関数が大きいものは、正孔（キャリア）を有機半導体に注入するためには適している。なお、画素電極２についても、金属導電層と有機導電層との複合構造を採用しても良い。
【００４２】
また、データ線３及びソース電極３ａは、金属導電層、あるいは有機導電層、あるいは金属導電層と有機導電層との積層構造が採用されている。データ線３を構成する金属導電層としては、公知の導電性金属材料を用いることができ、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｏ等やそれらの金属を用いた合金、公知のあらゆる金属材料、及びその合金、及びその金属酸化物等を採用することができる。また、データ線３を構成する有機導電層としては、公知の導電性有機材料を用いることができ、ここでは導電性高分子材料であるＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を用いている。
【００４３】
データ線３及びソース電極３ａの具体的な形成方法としては、公知のスパッタ法、メッキ法を用いて成膜し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることができる。また、形成材料をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法のような印刷法等の、塗布法にて形成することもできる。メッキ法或いは印刷法を用いることで、真空装置を用いずに安価に製造することが可能である。
【００４４】
この塗布法とは、液相法のひとつであり、目的とする基板上に溶液状の被膜を形成する方法である。
【００４５】
ここで、膜形成技術を２つに大別したとき、一方を気相法、他方を液相法とする。気相法とは、膜原料を蒸発によって気化したのち基材上に堆積させる、スパッタ法、真空蒸着法などのＰＶＤ法と、膜原料となるガスの分解・化学反応・解離などの基板表面付近での化学反応を通じて基材上に堆積させるＣＶＤ法とがある。液相法には前記塗布法のほかにメッキ法、陽極酸化、及びゾル−ゲル法などが含まれる。
【００４６】
次に、ソース電極３ａを覆う形にて半導体層４を形成する。
【００４７】
半導体材料としては、低分子系有機半導体材料、ポリマー有機半導体材料のいずれも使用することができる。
【００４８】
ポリマー有機半導体材料としては、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ'−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ'−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール）（ＢＴ）、フルオレン−トリアリルアミン共重合体、トリアリルアミン系ポリマー、フルオレンビチオフェン共重合体等が挙げられる。
【００４９】
低分子系有機半導体としては、例えば、Ｃ６０、或いは、金属フタロシアニン、或いは、それらの置換誘導体、或いは、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ルブレン等のアセン分子材料、或いは、α−オリゴチオフェン類、具体的にはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）、オクチチオフェン（８Ｔ）、ジヘキシルクォーターチオフェン（ＤＨ４Ｔ）、ジヘキルセキシチオフェン（ＤＨ６Ｔ）、等が挙げられる。
【００５０】
半導体層４は、気相法、または液相法、特にスピンコート法もしくは印刷法等の、塗布法を用いて形成することが可能である。本実施形態においては、具体的には、スピンコート法、あるいは印刷法を用いて形成する方法を示す。半導体材料を各種溶剤に分散又は溶解するとともに、得られた液体材料をスピンコート法あるいは、インクジェット装置にて吐出することで、半導体層４を形成することができる。
【００５１】
次に、半導体層４及び画素電極２を覆うようにゲート絶縁層５を形成する。
【００５２】
ゲート絶縁層５としては、種類は特に限定されるものではない。ここでは、有機材料を用いるのが良く、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、あるいはポリイソブチレンに代表されるポリオレフィン系ポリマー、あるいはこれらの共重合体等が挙げられる。形成方法としては、例えば、スピンコート法、印刷法等の塗布法を用いて形成することができる。
【００５３】
次に、ゲート絶縁層５上に、ゲート線６及びゲート電極６ａを形成する。
【００５４】
ゲート線６及びゲート電極６ａは、データ線３及びソース電極３ａと同様の材料を用いることができるが、有機材料上に形成することから、インクジェット法に代表される印刷法等の塗布法にて形成することが好ましい。
【００５５】
この場合には、金属微粒子と有機金属化合物の少なくとも一方を含有する溶液を用いた塗布法にてゲート線６及びゲート電極６ａを形成することが可能である。ここでは、溶液として、金属微粒子を分散媒に分散させた分散液、液体の有機金属化合物、有機金属化合物の溶液、又はそれらの混合物を用いることができる。
【００５６】
ここで、金属微粒子を用いる場合には、分散性を向上させるために、その表面に有機物など吸着させて表面を有機物で修飾して使うこともできる。
【００５７】
また、有機金属化合物としては、例えば金、銀、導、パラジウムなどを含有する化合物や錯体で、熱分解により金属が析出する化合物を用いることができる。具体的には、クロロトリエチルホスフィン金（I）、クロロトリメチルホスフィン金（I）、クロロトリフェニルホスフィン金（I）、銀（I）２，４−ペンタンジオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（I）錯体、銅（I）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体などを例示することができる。
【００５８】
使用する分散媒としては、前記の金属微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。また、溶媒としては、前記の有機金属化合物を溶解するものであれば特に限定されない。このような分散媒または溶媒として、具体的には、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示することができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、有機金属化合物の溶解性の点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、さらに好ましい分散媒または溶媒としては、水、炭化水素系化合物を例示することができる。これらの分散媒または溶媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用することができる。
【００５９】
これらの金属微粒子及び有機金属化合物の少なくとも一方を有する溶液を、印刷法を用いて塗布する。溶液塗布後、溶媒を除去し、金属微粒子を用いる場合には、金属微粒子間の電気的接触を向上させる目的で、熱処理を行うこともできる。該熱処理の上限温度は、溶媒の沸点と各材料と金属導電層の熱膨張係数差から生ずるクラックの発生温度により制限される。特に、金属導電層のクラックの発生を抑制するために室温（２５℃）以上２００℃以下程度で行うことが好ましい。次に、熱処理は、通常のホットプレート、電気炉などによる処理のほか、ランプアニールによって行うこともできる。
【００６０】
あるいは導電性高分子材料からなる有機導電材料においても形成することが可能である。導電性高分子材料としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチロスルフォネート）水溶液を用いることができる。このＰＥＤＯＴ（０．５重量％）／ＰＳＳ（０．８重量％）水溶液を前述した印刷法を用いて塗布する。溶液を塗布した後、必要に応じて、後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することもできる。ここで、ＰＳＳは酸性の性質を有するので、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの割合が多いと金属コロイドの分散性が低下することから、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは金属微粒子に対し１％から１０％程度の範囲であることが好ましい。次に導電性高分子材料の耐熱性の制限から、アニール処理を室温以上２００℃以下で行うことが望ましい。
【００６１】
次に、ＴＦＴ９のゲート絶縁層５及びゲート電極６ａ上に無機封止層７を形成する。
【００６２】
無機封止層７としては、酸化ケイ素、あるいは窒化ケイ素、あるいはこれらの共重合体が挙げられる。原料としてはポリシラザンを用いることができる。本実施例で用いられるポリシラザンは、下図表されるような、公知のポリシラザンの一般式（Ｉ）
【化１】
2006285045.tif 000003
で表される。（Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、またはこれらの基以外でケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基もしくは金属原子を表わす。ただし、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３のうち少なくとも１つは水素原子である。）で表わされる単位からなる主骨格を有する。
【００６３】
用いるポリシラザンは、分子内に少なくともＳｉ−Ｈ結合、あるいはＮ−Ｈ結合を有するポリシラザンであればよく、ポリシラザン単独は勿論のこと、ポリシラザンと他のポリマーとの共重合体やポリシラザンと他の化合物との混合物でも利用できる。
【００６４】
用いるポリシラザンには、鎖状、環状、あるいは架橋構造を有するもの、あるいは分子内にこれら複数の構造を同時に有するものがあり、これら単独でもあるいは混合物でも利用できる。
【００６５】
このようなポリシラザンの代表例としては、例えば上記一般式（１）でＲ１，Ｒ２及びＲ３に水素原子を有する公知のペルヒドロポリシラザンを挙げることができる。このペルヒドロポリシラザンは、繰り返し単位が
−（ＳｉＨ２ＮＣＨ３）−
の鎖状ポリマーと環状ポリマーであり、いずれも架橋構造をもたない。
【００６６】
または、本実施例においては、より低温で酸化ケイ素となるようにポリシラザンにパラジウムを含有させたポリシラザンも使用することが可能である。この場合のパラジウムを含有量としては、１０ｐｐｍから１０重量％が好ましい。
【００６７】
このペルヒドロポリシラザンの溶媒としては、公知の溶媒、例えば、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン化メタン、ハロゲン化エタン、ハロゲン化ベンゼン等のハロゲン化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類を使用することができる。
【００６８】
好ましい溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルム、塩化エチレン、塩化エチリデン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチルエーテル、イソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ブチルエーテル、１，２−ジオキシエタン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類、ペンタンヘキサン、イソヘキサン、メチルペンタン、ヘプタン、イソヘプタン、オクタン、イソオクタン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の炭化水素等を挙げることができる。
ポリシラザンの溶質量としては、後述する印刷法により適宜選択され、好ましくは１〜８０重量％であり、インクジェット法として特に好ましくは１〜５０重量％である。
【００６９】
このペルヒドロポリシラザン溶液をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法のような塗布法を用いてＴＦＴ９の上部のみに選択的に直接形成する。
【００７０】
インクジェット法で形成する場合には、溶剤としてキシレン、あるいはジブチルエーテルを用いることができる。
【００７１】
塗布後、アニール処理を行う。アニール温度は４００℃以上が望ましいが、プラスティック基板１、あるいは、ＴＦＴ９を構成する有機材料の耐熱性の制限から２００℃以下が望ましい。パラジウムを含有するペルヒドロポリシラザン溶液では２００℃以下でもセラミックス化が可能である。大気中でアニールすることで大気中の水蒸気による加水分解が進行し、Ｓｉ−Ｏ結合あるいはＳｉ−Ｎ結合を主体とするネットワークが形成される。
【００７２】
さらに、水蒸気雰囲気中でより長時間アニールすることでより緻密な膜が低温で成膜可能である。相対湿度は５０〜１００％ＲＨが好ましい。アニール温度は常温〜１８０℃が好ましい。処理時間は３０分〜１ヶ月がプロセス工程上好ましい。
【００７３】
あるいは、トリエチルアミンに代表される触媒雰囲気に暴露後、水蒸気雰囲気中でアニールすることで、常温〜100℃以下でセラミックス化が可能である。
【００７４】
このような処理を行うことで酸化ケイ素、窒化ケイ素から構成される膜厚１０ｎｍから１μｍの無機封止層７が成膜可能である。
【００７５】
また、図３で示すように、封止層成膜工程中にさらに無機封止層７の下地層として有機封止層８を形成した後、無機封止層７を形成してもよい。これにより、ＴＦＴ９に対する損傷を防ぐことができる。
【００７６】
有機封止層８に用いられる材料としては、前述したゲート絶縁膜５と同様な材料が用いることが可能であり、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、あるいはポリイソブチレンに代表されるポリオレフィン系ポリマー、あるいはこれらの共重合体等が挙げられる。
【００７７】
また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂に代表されるような遮光性を有するエポキシ樹脂を用いることもできる。これにより、半導体層４に対する光による損傷、電気特性の劣化を防ぐことができる。
【００７８】
形成方法としては、スピンコート法、あるいはスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法のような印刷法等の塗布法を用いて形成することができる。
【００７９】
さらに、無機封止層７の封止性能を向上させる目的では、図４で示すように、半導体層４、ゲート絶縁層５、有機封止層８は印刷法によりパターニングされていて、このパターニングされたＴＦＴ９に無機封止層７を形成することが、封止性能をより向上させるためには好ましい。
【００８０】
以上の工程により、選択的に形成された無機封止層７を含むＴＦＴ９を含む電気光学装置用基板１０が作製される。本実施の形態では、一連の工程において塗布法を採用しているため、その製造工程が非常に簡便なものとなっている。
【００８１】
なお、図では示されていないが、前記無機封止層７と前記有機封止層８とをそれぞれ複数重ねた積層構造とすることも可能である。この場合、積層される封止層の順や材料はどのような組み合わせであっても良い。
【００８２】
また、上記実施形態で示した電気光学装置用基板１０のＴＦＴ９はトップゲート構造を示しているが、これに限られるものではなく、基板１上に、ゲート電極６ａと、ゲート絶縁層５と、半導体層４とがこの順に重なるボトムゲート構造であってもよい。さらに、半導体層４と、ソース電極３ａ及びドレイン電極（画素電極）２との重なる順も、いずれが先であっても構わない。
【００８３】
（電気光学装置）
次に、図５から図７を参照し、本発明の一実施形態に相当する電気光学装置を説明する。ここでは、電気光学装置として、上述した電気光学装置用基板１０を用いて構成した電気泳動表示装置について説明する。
【００８４】
図５から図７の各々は、電気泳動表示装置の各実施形態の構成を示す断面図、部分平面図ある。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００８５】
図５に示すように、第１実施形態の電気泳動表示装置ＥＰＤ１は、上述した電気光学装置用基板１０と、対向基板２０と、電気泳動層（電気光学層）１５を備えて構成されている。対向基板２０は、例えば樹脂フィルム基板等の可撓性を有した透明性材料からなり、対向基板２０の電気泳動層１５が配置される側には共通電極３０が形成されている。また、電気泳動層１５は、電気光学装置用基板１０と対向基板２０の間に挟持されている。また、電気光学装置用基板１０と対向基板２０とは、表示領域の周囲を囲むように枠状に形成された封止部材（図示略）によって貼り合わされ、スペーサ（図示略）により一定に離間された状態で保持されている。そして、本実施形態の電気泳動表示装置ＥＰＤ１では、基板１０、２０と封止部材とにより形成された閉空間に、分散媒４１、電気泳動粒子４２等を有する電気泳動分散液４０が封入され、電気泳動層１５が形成されている。
【００８６】
次に、分散媒４１、電気泳動粒子４２を有する電気泳動分散液４０について説明する。電気泳動分散液４０は、染料によって染色された分散媒４１中に電気泳動粒子４２を分散させた構成となっている。電気泳動粒子４２は、無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径０．０１μｍ〜１０μｍ程度の略球状の微粒子であり、上記分散媒４１と異なる色相（白色及び黒色を含む）を有している。このように酸化物又は水酸化物からなる電気泳動粒子４２には固有の表面等電点が存在し、分散媒４１の水素イオン指数ｐＨによってその表面電荷密度（帯電量）が変化する。
【００８７】
ここで、表面等電点とは、水溶液中における両性電解質の電荷の代数和がゼロとなる状態を水素イオン指数ｐＨによって示したものである。例えば、分散媒４１のｐＨが電気泳動粒子４２の表面等電点に等しい場合には、粒子の実効電荷はゼロとなり、粒子は外部電界に対して無反応な状態となる。また、分散媒４１のｐＨが粒子の表面等電点よりも低い場合には、粒子の表面は下式（１）によりプラスの電荷を帯びる。逆に、分散媒４１のｐＨが粒子の表面等電点よりも高い場合には、粒子の表面は下式（２）によりマイナスの電荷を帯びる。
【００８８】
ｐＨ低：Ｍ−ＯＨ＋Ｈ+（過剰）＋ＯＨ-→Ｍ−ＯＨ2+＋ＯＨ-  ・・・（１）
ｐＨ高：Ｍ−ＯＨ＋Ｈ+＋ＯＨ-（過剰）→Ｍ−ＯＨ―＋Ｈ+  ・・・（２）
【００８９】
なお、分散媒４１のｐＨと粒子の表面等電点との差を大きくしていった場合、反応式（１）又は（２）にしたがって粒子の帯電量は増加していくが、この差が所定値以上となると略飽和し、ｐＨをそれ以上変化させても帯電量は変化しない。この差の値は、粒子の種類、大きさ、形状等によって異なるものの、概ね１以上であればどのような粒子においても帯電量は略飽和すると考えられる。
【００９０】
上述の電気泳動粒子４２としては、例えば、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ベンガラ、酸化アルミニウム、黒色低次酸化チタン、酸化クロム、ベーマイト、ＦｅＯＯＨ、二酸化珪素、水酸化マグネシウム、水酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化銅等が用いられている。
【００９１】
また、このような電気泳動粒子４２は、単独の微粒子としてだけでなく、各種表面改質を施した状態でも用いることが可能である。このような表面改質の方法としては、例えば、粒子表面をアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のポリマーでコーティング処理する方法や、シラン系、チタネート系、アルミニウム系、弗素系等のカップリング剤でカップリング処理する方法や、アクリル系モノマー、スチレンモノマー、エポキシ系モノマー、イソシアネート系モノマー等とグラフト重合処理する方法等があり、これらの処理を単独又は二種類以上組み合わせて行うことができる。
【００９２】
分散媒４１には、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の非水系有機溶媒が用いられており、スピリトブラック、オイルイエロー、オイルブルー、オイルグリーン、バリファーストブルー、マクロレックスブルー、オイルブラウン、スーダンブラック、ファーストオレンジ等の染料によって染色されて、電気泳動粒子４２と異なる色相を呈している。
【００９３】
例えば、上述の炭化水素としては、ヘキサン等のアルカン、石油エーテル、石油ベンジン、石油ナフサ、リグロイン、ドデシルベンゼン等のアルキルベンゼン類、工業ガソリン、灯油、ソルベントナフサ、１−オクテン等の不飽和炭化水素類、ビフェニル誘導体、ビシクロヘキシル誘導体、デカリン誘導体、シクロヘキシルベンゼン誘導体、テトラリン誘導体等の各種誘導体等が用いられている。
【００９４】
また、ハロゲン化炭化水素としては、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、ジクロロプロパン、トリクロロプロパン、モノクロロアルカン類、クロロフルオロアルカン類、パーフルオロアルカン類、パーフルオロデカリン誘導体、パーフルオロアルキルベンゼン類等が用いられている。
【００９５】
エーテルとしては、ジヘキシルエーテル等のジアルキルエーテル類、フェネトール等のアルコキシベンゼン類、ジオキサン等の環状エーテル類、ジメトキシエタン等のエチレングリコール誘導体、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のジエチレングリコール誘導体、グリセリンエーテル類、アセタール類等が用いられている。
【００９６】
さらに、上述の炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテルの他にも、酢酸ブチル等のエステル類、メチルエチルケトン等のケトン類、カルボン酸類、アルキルアミン類、ドデカメチルペンタシロキサン等のシロキサン類、ＤＭＦ、ＤＭＡ、ＮＭＰ、ＤＭＳＯ、シリコーンオイル、液晶化合物、液晶混合物等を用いることができる。
【００９７】
そして、分散媒４１には、上述の有機化合物を単独又は二種類以上混合したものが用いられている。
【００９８】
また、分散媒４１にはｐＨを調整するためのｐＨ調整剤が配合されており、分散媒４１のｐＨが電気泳動粒子４２の表面等電点と異なる値となるように調整されている。この際、分散媒４１のｐＨを７以上（即ち、分散媒４１がアルカリ性を示す状態）とすると、水酸化物の水酸基の持つ凝集作用により、粒子同士が凝集し易くなるため、分散媒４１のｐＨは７以下（即ち、分散媒４１が酸性を示す状態）とすることが望ましい。また、分散媒４１のｐＨは粒子の帯電量が飽和するように調整することが好ましく、例えば分散媒４１のｐＨと粒子の表面等電点との差が１以上となるようにすることで粒子の帯電量を飽和させることができる。
【００９９】
具体的には、電気泳動粒子４２として、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等の表面等電点が６以上の材料を用いる場合には、分散媒４１のｐＨが粒子の表面等電点よりも１以上低いことが好ましい条件となる。この場合、粒子は分散媒４１中でプラスに帯電した状態となる。一方、電気泳動粒子４２として、二酸化珪素等の表面等電点が６以下の材料を用いた場合には、分散媒４１のｐＨが粒子の表面等電点よりも１以上低いこと、或いは、ｐＨが粒子の表面等電点よりも１以上高く且つ７以下であることが好ましい条件となる。
【０１００】
上述のｐＨ調整剤としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸等の有機モノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸等の有機ジカルボン酸、塩酸、硫酸等の無機酸等及びアンモニア水、メチルアミン等のアルキルアミン、アニリン、ジエチルアニリン、ヒドロキシルアミン類、水酸化ナトリウム等の無機塩基が用いられている。
【０１０１】
また、この分散媒４１には高分子界面活性剤が添加されている。高分子界面活性剤は、電気泳動粒子４２に吸着して粒子表面に吸着層を形成し、浸透圧効果とエントロピー効果により、界面活性剤に低分子のものを用いた場合に比べて、粒子の分散安定化に大きく寄与すると考えられる。
【０１０２】
このような高分子界面活性剤としては、以下に示すようなアニオン系、カチオン系、非イオン系の高分子界面活性剤を例として挙げることができる。
【０１０３】
例えば、アニオン系高分子界面活性剤としては、スチレン無水マレイン酸共重合体等の含カルボン酸共重合体類、ポリアクリル酸等のポリカルボン酸類等が用いられている。また、カチオン系高分子界面活性剤としては、ポリエチレンイミン類、ポリビニルイミダゾリン類、ポリビニルピリジン類等が用いられている。さらに、非イオン系界面活性剤としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ヒドロキシ脂肪酸のオリゴマー、ポリエチレングリコールジステアラート、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリスチレン、ポリ（１−ビニルピロリドン−ｃｏ−ビニルアセタート）等が用いられている。
【０１０４】
そして、高分子界面活性剤には、上述の高分子材料を単独又は二種類以上混合したものが用いられている。
【０１０５】
また、上述の高分子界面活性剤に、以下に示すようなアニオン系、カチオン系、非イオン系、弗素系の低分子界面活性剤を併用して用いてもよい。
【０１０６】
例えば、アニオン系低分子界面活性剤としては、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等のアルキルベンゼンスルホン酸塩類、ラウリル酸ナトリウム等のカルボン酸塩類、ラウリル硫酸ナトリウム等の硫酸塩類、ラウリル燐酸ナトリウム等の燐酸塩類等が用いられている。また、カチオン系低分子界面活性剤としては、塩化セチルトリメチルアンモニウム等の四級アンモニウム塩類、ドデシルピリジニウムブロミド等のピリジニウム塩類、ラウリルアミン塩酸塩等のアミン塩類等が用いられている。非イオン系低分子界面活性剤としては、ソルビタントリオリエート等の多価アルコールの脂肪酸エステル類等が用いられている。さらに、弗素系低分子界面活性剤としては、パーフルオロデカン酸ナトリウム等のパーフルオロカルボン酸塩、パーフルオロノニルアルコール等のパーフルオロアルコール類等が用いられている。
【０１０７】
なお、重力による粒子の沈降を避けるために、分散媒４１の比重と粒子の比重とはほぼ等しく設定されることが好ましい。
【０１０８】
上述したように、電気泳動表示装置ＥＰＤ１においては、上述の電気光学装置用基板１０を備えているので、当該電気泳動表示装置ＥＰＤ１をフレキシブルな表示装置として用いる場合にも、ＴＦＴ９を構成する電極ないし該ＴＦＴに電気的に接続される配線において断線等が生じ難いものとなる。
【０１０９】
一方、図６に示すように、第２実施形態の電気泳動表示装置ＥＰＤ２は、上記の電気泳動表示装置ＥＰＤ１の構成において、対向する電気光学装置用基板１０と対向基板２０との間に一定の厚みを有する平面視格子状の隔壁４３が設けられた構成となっている。また、隔壁４３、４３の間には、上述の電気泳動分散液４０が封入されている。そして、これ以外の構成は、上記第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。このような電気泳動表示装置ＥＰＤ２でも、上記電気泳動表示装置ＥＰＤ１と同様の効果が得られる。
【０１１０】
さらに、図７に示すように、第３実施形態の電気泳動表示装置ＥＰＤ３は、電気泳動分散液４０をカプセル状の樹脂皮膜で覆ってマイクロカプセル化し、マイクロカプセル６０を電気光学装置用基板１０と対向基板２０との間に配置した構成となっている。なお、実際には隣接するマイクロカプセル６０同士が密着するため、表示領域はマイクロカプセル６０によって隙間がなく覆われる。これ以外の構成については、上記第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。このような電気泳動表示装置ＥＰＤ３でも、上記電気泳動表示装置ＥＰＤ１、ＥＰＤ２と同様の効果が得られる。
【０１１１】
なお、上記の電気泳動表示装置は図５乃至図７に示されるような、電気光学装置用基板１０に設けられた画素電極２と、対向基板２０に設けられた共通電極３０との間を、電気泳動粒子４２が上下に移動することによって表示が変化する電気泳動表示装置に限られるものではなく、電気光学装置用基板１０上に画素電極２と共通電極３０とが設けられ、その間を電気泳動粒子４２が前記電気光学装置用基板１０に対して水平方向に移動することで表示が変化する電気泳動表示装置であってもよい（図示せず）。
【０１１２】
さらに、本発明に係る電気光学装置は上記の電気泳動表示装置に限られるものではなく、本発明の電気光学装置用基板を用いるものであれば、液晶表示装置、有機ＥＬ装置など、様々な用途に適用することができる。
（電子機器）
上述した本発明に係る電気光学装置は、表示部を備えた様々な電子機器に適用することができる。以下、その電子機器の例について説明する。
【０１１３】
まず、本発明の電気光学装置をフレキシブルな電子ペーパーに適用した例について説明する。図８はこの電子ペーパーの構成を示す斜視図であり、電子ペーパー１４００は、本発明の電気光学装置を表示部１４０１として備える。電子ペーパー１４００は、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。
【０１１４】
また、図９は、電子ノートの構成を示す斜視図であり、電子ノート１５００は、図７で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する不図示の表示データ入力手段を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容を変更したり更新したりできる。
【０１１５】
また、上述した例に加えて、他の例として、パソコン用モニタ、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明に係るの電気光学装置は、こうした電子機器の表示部として用いることができる。
【０１１６】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【実施例】
【０１１７】
以下の実施例、及び比較例１において無機封止層７を除いて基本的に図１と同様の構造のＴＦＴ素子を作製した。また比較例２において無機封止層としてＣＶＤ法を用いて窒化ケイ素層を全面に形成したＴＦＴ素子を作製した。
【０１１８】
（実施例１）
厚さ２００μｍのポリカーボネート基板１上に真空蒸着、あるいはスパッタ法等の気相法で金を形成し、フォトリソグラフィ法で画素電極２、データ線３、ソース電極３ａを形成した。半導体層４をフルオレンビチオフェン共重合体Ｆ８Ｔ２を用いてスピンコート法で形成した。半導体層４上にゲート絶縁層５としてＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）をスピンコート法で形成した。さらに、インクジェット法を用いてＰＥＤＯＴ水溶液、あるいは、銀コロイド分散液をゲート絶縁膜５上に塗布してゲート電極６ａを形成してＴＦＴ９を完成させた。
【０１１９】
次にパラジウム触媒添加型ペルヒドロポリシラザン１０％ブチルエーテル溶液（ジャパンクラリアント社製）をインクジェット法でＴＦＴ９を覆うように塗布した。次に大気雰囲気で１２０℃１時間アニール処理を行ってから、次いで９５℃湿度８０％ＲＨ中で３時間アニール処理をすることで、セラミックス化を行い無機封止層７を形成した。
【０１２０】
（実施例２）
実施例１と同様であるが、ＴＦＴ９を完成後、ポリビニルアルコール溶液を、スピンコート法を用いて有機封止層８を形成した。その有機封止層８上に実施例１と同様な方法でＴＦＴ９を覆うように無機封止層７を形成した。
【０１２１】
（実施例３）
実施例１と同様であるが、インクジェット法を用いて半導体層４のパターニングを行った。同様にインクジェット法を用いてゲート絶縁層５のＰＭＭＡもパターニングを行った。次いで、ゲート電極６ａを形成後、有機封止層８であるポリビニルアルコール水溶液もインクジェットで吐出させることで、有機封止層８のパターニングも行った。最後に実施例１と同様にポリシラザン溶液をインクジェット法で吐出させ、アニール処理を行うことで、無機封止層７を形成した。
【０１２２】
（比較例１）
ＴＦＴ９は実施例１と同様であるが、有機、無機いずれの封止層も形成しなかった。
【０１２３】
（比較例２）
ＴＦＴ９は実施例１と同様であるが、無機封止層７として、ＣＶＤ法を用いて窒化ケイ素層を全面に形成した。
【０１２４】
（結果）
これらの試料を６０℃、９０％ＲＨ、２４時間の加速試験を行い、ＴＦＴのゲート電圧−４０Ｖ、ドレイン電圧−４０Ｖにおけるオン電流、並びにオンオフ比を測定した。
オン電流        オンオフ比
実施例１      −４０ｎＡ      １×１０4
実施例２      −８０ｎＡ      ２×１０4
実施例３      −８０ｎＡ      ５×１０4
比較例１      −８ｎＡ        １×１０2
比較例２      無機封止層全面形成後、剥離が発生し測定不可
【０１２５】
本発明のＴＦＴ９の上方のみに無機封止層７が存在する構成によれば、剥離、あるいはクラックを防止しながら封止することが可能であることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明に係る電気光学装置用基板について要部を示す平面模式図。
【図２】図１の電気光学装置用基板の要部を示すゲート線と平行方向の断面模式図。
【図３】本発明に係る半導体装置について一変形例を示すゲート線と平行方向の断面模式図。
【図４】本発明に係る半導体装置について一変形例を示すゲート線と垂直方向の断面模式図。
【図５】本発明に係る電気光学装置について一実施形態を示す断面模式図。
【図６】本発明に係る電気光学装置について一変形例を示す断面模式図。
【図７】本発明に係る電気光学装置について一変形例を示す断面模式図。
【図８】本発明の電子機器の一例を模式的に示す斜視図。
【図９】本発明の電子機器の一例を模式的に示す斜視図。
【符号の説明】
【０１２７】
１…基板、３…データ線（配線）、３ａ…ソース電極（配線）、４…半導体層（有機半導体層）、６…ゲート線（配線）、６ａ…ゲート電極（配線）、９…ＴＦＴ（半導体装置）、８…無機封止層、７…有機封止層、１０…電気光学装置用基板。
【図１】
2006285045.tif 000004
【図２】
2006285045.tif 000005
【図３】
2006285045.tif 000006
【図４】
2006285045.tif 000007
【図５】
2006285045.tif 000008
【図６】
2006285045.tif 000009
【図７】
2006285045.tif 000010
【図８】
2006285045.tif 000011
【図９】
2006285045.tif 000012