(57)【要約】【課題】  スループットおよびクリーニング性能の観点で有利な、原版のクリーニング技術を提供することを例示的目的とする。【解決手段】  原版を保持し走査方向に移動する原版ステージと、露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、基板を保持し走査方向に移動する基板ステージと、前記原版上のパターンを前記基板に投影するための投影光学系とを有する走査露光装置を、クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射手段を有するものとする。【選択図】  図１
2006114650.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版を保持する原版ステージと、
露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、
前記原版上のパターンを基板に投影するための投影光学系と
を有する露光装置において、
クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射手段
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
原版を保持し走査方向に移動する原版ステージと、
露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、
基板を保持し走査方向に移動する基板ステージと、
前記原版上のパターンを前記基板に投影するための投影光学系と
を有する走査露光装置において、
クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射手段
を有することを特徴とする走査露光装置。
【請求項３】
前記照射手段は、クリーニング用光源と、前記クリーニング用光源からの光を前記原版ステージに保持された原版に照射するための照射光学系とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の走査露光装置。
【請求項４】
前記照射手段は、走査方向に移動している前記原版ステージに保持された原版に光を照射することを特徴とする請求項２に記載の走査露光装置。
【請求項５】
前記照射手段は、前記露光用光源からの光により走査露光している期間に、前記照明光学系による照明領域とは異なる領域に光を照射することを特徴とする請求項４に記載の走査露光装置。
【請求項６】
前記照射手段は、前記基板ステージに保持された基板の被露光領域の位置を計測している期間に、光を照射することを特徴とする請求項４に記載の走査露光装置。
【請求項７】
前記照射手段は、パルスレーザー光をシート状ビームに整形するビーム整形手段を有し、前記シート状ビームの幅の方向は前記原版ステージの走査方向と直交し、前記シート状ビームの幅は該幅の方向における前記原版上のパターンのサイズ以上であり、前記シート状ビームの厚さは前記原版のクリーニングに必要なエネルギー密度に応じた厚さであることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の走査露光装置。
【請求項８】
前記原版ステージの移動速度Ｖｓ、前記シート状ビームの厚さＷ、前記パルスレーザー光の発振周波数Ｆ、および前記クリーニングに必要な照射パルス数Ｎは、
（Ｖｓ＊Ｎ）／Ｗ＜Ｆ
なる関係式を満たすように設定されていることを特徴とする請求項７に記載の走査露光装置。
【請求項９】
前記照射手段は、パルスレーザー光を前記原版ステージに保持された原版上においてスポットになるように整形するビーム整形手段と、前記スポットを前記原版ステージの走査方向と直交する方向に走査する走査手段とを有し、前記スポットのサイズは前記原版のクリーニングに必要なエネルギー密度に応じたサイズであることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の走査露光装置。
【請求項１０】
前記原版ステージの移動速度Ｖｓ、前記スポットサイズＷ×Ｗ、前記パルスレーザー光の発振周波数Ｆ、前記クリーニングに必要な照射パルス数Ｎ、前記スポットの走査長Ｄ、前記スポットの走査周波数ｆは、
（Ｄ＊ｆ＊Ｎ）／Ｗ＜Ｆ
Ｗ＞Ｖｓ＊ｆ
なる２つの関係式を満たすことを特徴とする請求項９に記載の走査露光装置。
【請求項１１】
前記照射手段が前記原版に光を照射する位置は、前記原版ステージの加速期間および減速期間の少なくとも一方に対応した位置であることを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の走査露光装置。
【請求項１２】
前記照射手段が前記原版に光を照射する位置は、前記照明光学系による照明領域を挟む２つの位置であることを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の走査露光装置。
【請求項１３】
前記露光用光源による露光光が通過する開口を有する冷却板を含み前記原版ステージに保持された原版を輻射冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項４〜１２のいずれかに記載の走査露光装置。
【請求項１４】
前記原版ステージに保持された原版に前記照射手段により照射される光を挟むように配置された２つの電極を含み、前記２つの電極の間に電場を生成する電場生成手段を有することを特徴とする請求項４〜１２のいずれかに記載の走査露光装置。
【請求項１５】
前記露光用光源は、極端紫外域光を発生する光源であることを特徴とする請求項２〜１４のいずれかに記載の走査露光装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の露光装置および請求項２〜１４に記載の走査露光装置のいずれかを用いて原版上のパターンを基板に投影する投影工程と、
前記投影工程において前記パターンが投影された基板を現像する現像工程と
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１７】
原版を保持する原版ステージと、露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、前記原版上のパターンを基板に投影するための投影光学系とを有する露光装置における原版のクリーニング方法であって、
クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射工程
を有することを特徴とする原版のクリーニング方法。
【請求項１８】
原版を保持し走査方向に移動する原版ステージと、露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、基板を保持し走査方向に移動する基板ステージと、前記原版上のパターンを前記基板に投影するための投影光学系とを有する走査露光装置における原版のクリーニング方法であって、
クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射工程
を有することを特徴とする原版のクリーニング方法。
【請求項１９】
露光光を反射する多層膜と、キャップ層とを有し、前記露光光によりパターンを基板に転写するための原版であって、
前記多層膜と前記キャップ層との間に、前記露光光に関してよりも前記原版をクリーニングするための光に関して吸収係数が大きい層
を有することを特徴とする原版。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原版上のパターンを基板に転写する露光技術に関する。また、特に、当該原版をクリーニングするための技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＤＲＡＭ、ＭＰＵ、等の半導体デバイス製造に関して、デザインルールで１００ｎｍ以下の線幅を有するデバイスの実現に向けて精力的に研究開発がなされている。この世代に用いられる露光装置として、極端紫外域光（ＥＵＶ）を用いた露光装置が有力視されている。
一般に半導体露光装置は、回路パターンが描画されているレチクル（マスクともいう）に照明光を照射し、その回路パターン像を、投影光学系を用いて、例えば１／４に縮小して、感光体（レジスト）が塗布されているウエハーに投影露光するという構成となっている。従って、実際の露光では、レチクルの回路パターン面にパーティクルが付着すると、各ショットの全く同じ位置にパーティクル像が転写されることになる。このため半導体デバイス製造の歩留まりや、半導体デバイス自体の信頼性が大幅に低下するという致命的な問題があった。
【０００３】
この問題に対し、従来のｇ線、ｉ線、ＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、等を光源に持つ露光装置では、レチクルにペリクルという透明保護膜を、回路パターン面から数ｍｍ間隔を空けて配置することで、回路パターンをパーティクル付着から保護していた。このペリクルに付着したパーティクルは回路パターン面である物体平面からかデフォーカスしているため、通常所定の大きさ以下のパーティクルであれば、ウエハー上には欠陥像として転写されない。
【０００４】
しかし、本発明が適用されるＥＵＶ露光装置では、ＥＵＶ光に対して透明なペリクルが存在しないのが現実である。要求される透過率を満たすためには、ペリクルの厚さを数１０ｎｍ程度にせざるを得ず、このような厚さでは、レチクルを搬送する際、大気圧から真空環境下へ、逆に真空環境下から大気圧へというように雰囲気圧力変化に対する機械的側面、あるいは、ＥＵＶ露光光が吸収され温度が上昇することによる熱的側面、の両方において、十分な強度で構成することが不可能であることがわかっている。
【０００５】
従って、ＥＵＶ露光装置では、レチクルはペリクルレスとならざるを得ず、露光装置内でパーティクルが発生した場合、レチクル回路パターン面へのパーティクル付着が懸念される。
【０００６】
例えば、デザインルール３５ｎｍのデバイス製造を考えた場合、投影光学系の縮小倍率が４：１で、仮に０．１μｍのパーティクルがレチクル回路パターンに付着するとウエハー上では、２５ｎｍとなるため、デバイス製造は不可能になる。実際には、管理すべき粒径はさらに小さくなり、数十ｎｍ以下の極めて微小なパーティクルとなる。
【０００７】
このように装置内で発生するナノメートルサイズのパーティクルは、その発生原因、その挙動に対し十分解明されているとは言えないが、想定される発生原因としては、レチクルステージ、ロボットハンド、ゲートバルブの動作等、摺動、摩擦により発生するパーティクル、光源側からわずかながら飛翔してくるデブリ、などが予想される。
【０００８】
また、ＥＵＶ露光装置の露光は真空中で行うため、必然的にレチクルの搬入、搬出にはロードロックチャンバーを介して行うことになるが、ここでもパーティクルの付着が懸念される。その原因としては、ロードロック内が真空排気される際に、チャンバー内に存在しているパーティクルが気流の発生により、剥離し、レチクルパターン面に付着するとされている。
【０００９】
また、パーティクルの真空中で想定される挙動は、ガス分子がほとんど存在しないため、発生したパーティクルは流体抵抗を受けず、重力のみの力が作用する。このような場合、パーティクルが、チャンバー内壁と弾性衝突に近い衝突をすると、パーティクルはチャンバー内を跳ね回っているような挙動を示すという報告もある。あるいは、摩擦によって生じたパーティクルは電荷をもっていると予測されるため、０Ｖに接地された部材でも、パーティクルと部材間に電気映像効果とよばれる力が働き、付着すると考えられている。いずれにせよ、パーティクルの発生原因、及びその真空中での挙動に対し十分解明されているとは言えず、それに対する対策手段も非常に困難なものとなっている。
【００１０】
このような露光チャンバー内でのレチクル回路パターン面へのパーティクル付着の問題に対し、二つのアプローチ方法が考えられている。すなわち、パーティクルが発生しレチクル近傍に飛散してきても付着を抑制する方法と、パーティクルが付着したらそれを除去する方法である。
【００１１】
後者のアプローチ法に対しては、露光チャンバー内で、真空環境を維持した状態でパーティクルを効果的に除去する手段として、従来より、パルスレーザー照射除去法が提案されている。これは、ｎｓオーダーのパルス光を照射することによって、付着パーティクルや基板の表面にｎｓオーダーの短時間に熱膨張が生じ、それにより発生する加速度が、パーティクルの付着力より大きくなると、パーティクルが基板より離脱し、除去されるというメカニズムで説明される。この技術を用いた例としては、特公平６−９５５１０号公報（特許文献１）では、マスク表面を損傷せずに除去可能なパワー密度でレーザー照射するレーザー手段と、レーザー照射を行うことを可能にするためにマスクを露光時の位置からたたみ上げる手段とを設けている。また、特開２０００−０８８９９９号公報（特許文献２）では、露光装置内に、Ｘ線光学素子（レチクル含む）にパルス状のレーザー光（ＫｒＦエキシマレーザー）を入射させる機構を設け、一定期間が経過した後に、真空チャンバー内に不活性ガスを導入しレチクルの表面にレーザー光を照射する、等の方法が提案されている。
【特許文献１】特公平６−９５５１０号公報
【特許文献２】特開２０００−０８８９９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら前述の背景技術では、次のような点で不十分な点があった。
【００１３】
特公平６−９５５１０では、マスクに付着したパーティクルをパルスレーザー光照射によりクリーニングする際、マスクは露光時の位置とは別の位置に移動して、クリーニングが行われる。従って、マスクがクリーニングされている間は、露光が行われることはなく、大きなスループットの低下を招くことになる。また、マスクが別の位置に移動する際、摺動、摩擦によりパーティクルが発生し、クリーニングした後もパーティクルが付着する懸念がある。
【００１４】
また、特開２０００−０８８９９９では、レチクルをパルスレーザーでクリーニングする際、不活性ガスをチャンバー内に導入するとしている。この理由は、パルスレーザー照射でレチクル表面からパーティクルが離脱した場合、ガスが導入されていると、パーティクルの運動を抑制する流体抗力が作用し、パーティクルがガスにトラップされるため、チャンバー内にガスを一定の流量供給し、回収することで、パーティクルをガスごと空間内から除去することを可能にするためである。しかし、ＥＵＶ露光装置は、前述したが真空チャンバー内は高真空（１０Ｅ−３〜−５Ｐａ）環境であるため、チャンバー内に一旦パーティクル除去用のガスを導入すると、クリーニングが終了してから再び高真空環境に戻すためには、チャンバー容積や真空ポンプの排気速度にもよるが、最低数時間はかかると予測される。従って、この時間は、装置はまったく露光が不可能になり、装置の有効稼働率を著しく落とすことになる。
【００１５】
また、前述の背景技術に共通することとして、問題となる粒径のパーティクルがレチクルに付着しても、それが除去されるまで露光が行われるとすると、付着してから以降のショットはすべてＮＧとなることになり、デバイス製造の歩留まりを大きく低下させることになる。特に、真空チャンバー内でのパーティクルの発生原因や、その挙動に対しては、前述のように十分解明されているものではなく、マスクへのパーティクル付着はまったくランダムな、再現性のない現象であると予想されるため、上述の背景技術のようにパルスレーザークリーニング手段を設けているだけでは、実際の製造現場では、この技術を効果的に適用することは不可能である。このことに対応して、レチクルの微粒子の付着を露光動作中常にモニターする手段があれば、パーティクルが付着したことを検出して、すぐさまクリーニング動作に移ることも可能であるが、実際、高速でスキャン駆動するレチクル表面に付着した、例えば数１０ｎｍの粒子をリアルタイムで検出することは現状の技術ではまったく不可能である。
【００１６】
以上のように、上述の背景技術はレチクル（マスク）に付着したパーティクルを除去することはできても、クリーニングの際は大きなスループットの低下、あるいは装置稼働率の低下をもたらし、また、レチクルにパーティクルが付着した際のデバイス製造の歩留まり低下を完全に防ぐことは不可能であった。
【００１７】
本発明は、上述の背景技術を考慮してなされたもので、スループットおよびクリーニング性能の観点で有利な、原版のクリーニング技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
第１の発明は、原版を保持する原版ステージと、露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、前記原版上のパターンを基板に投影するための投影光学系とを有する露光装置において、クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射手段を有することを特徴とする露光装置である。
【００１９】
第２の発明は、原版を保持し走査方向に移動する原版ステージと、露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、基板を保持し走査方向に移動する基板ステージと、前記原版上のパターンを前記基板に投影するための投影光学系とを有する走査露光装置において、クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射手段を有することを特徴とする走査露光装置である。
【００２０】
第３の発明は、上記第１の発明の露光装置および上記第２の発明の走査露光装置のいずれかを用いて原版上のパターンを基板に投影する投影工程と、前記投影工程において前記パターンが投影された基板を現像する現像工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法である。
【００２１】
第４の発明は、原版を保持する原版ステージと、露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、前記原版上のパターンを基板に投影するための投影光学系とを有する露光装置における原版のクリーニング方法であって、クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射工程を有することを特徴とする原版のクリーニング方法である。
【００２２】
第５の発明は、原版を保持し走査方向に移動する原版ステージと、露光用光源からの光により前記原版ステージに保持された原版を照明するための照明光学系と、基板を保持し走査方向に移動する基板ステージと、前記原版上のパターンを前記基板に投影するための投影光学系とを有する走査露光装置における原版のクリーニング方法であって、クリーニング用の光を前記原版ステージに保持された原版に照射する照射工程を有することを特徴とする原版のクリーニング方法である。
【００２３】
第６の発明は、露光光を反射する多層膜と、キャップ層とを有し、前記露光光によりパターンを基板に転写するための原版であって、前記多層膜と前記キャップ層との間に、前記露光光に関してよりも前記原版をクリーニングするための光に関して吸収係数が大きい層を有することを特徴とする原版である。
【００２４】
他の発明の特徴ならびにそれに対応した目的および優位性は、添付図面を参照してなされた後述の説明で明らかにされている。尚、当該図面において、同一又は類似の符号は複数の図面を通して同一又は類似の構成要素を表す。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、スループットおよびクリーニング性能の観点で有利な、原版のクリーニング技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２７】
実施例１の詳細について説明する前に、本発明が適用されるＥＵＶ露光装置を例に挙げ、その構成を図３を用いて簡単に説明する。
【００２８】
同図で、１はウエハー、２は電子回路パターンが形成されている反射型レチクルで、３はその反射型レチクルを保持し、スキャン方向に粗微動させるためのレチクルステージである。５はレチクルからのＥＵＶ反射光２９をウエハー１に投影露光するための光学系である。６はウエハーを保持して６軸方向に粗動、微動可能なウエハーステージであり、そのｘｙ位置は不図示のレーザー干渉計によって常にモニターされている。通常、レチクルステージ３とウエハーステージ６のスキャン動作は、投影光学系の縮小倍率を１／βとし、レチクルステージの走査速度をＶｒ、ウエハーステージの走査速度をＶｗとすると、両者の走査速度の間には、Ｖｒ／Ｖｗ＝βの関係が成立するように同期制御される。露光は真空環境下で行われるため、前述したそれぞれのユニットは露光装置チャンバー４の中に入っており、７は露光チャンバー内を真空排気するための真空ポンプである。
【００２９】
１５はウエハーロードロックチャンバーであり、８はウエハーロードロックチャンバー１５とウエハーステージ６との間でウエハーを搬入、搬出する搬送ハンドである。９はウエハーロードロック内を真空排気するための真空ポンプで、真空状態を大気圧に戻す際のドライＮ２，ドライエア、等のベント用ガス供給源とともに用いられる。１１は装置チャンバーとウエハーロードロックチャンバーとの間を仕切る装置側ゲートバルブ、１２はロードロックチャンバーと後述するウエハー交換室との間を仕切る交換室側ゲートバルブである。１４はウエハーを大気圧下で一時保管するウエハー交換室であり、１３はロードロックとの間でウエハーを搬入、搬出する搬送ハンドである。
【００３０】
２３はレチクルロードロックチャンバーであり、２２はレチクルロードロックチャンバー２３とレチクルステージ３との間でウエハーを搬入、搬出する搬送ハンドである。１０はレチクルロードロック内を真空排気するための真空ポンプで、真空状態を大気圧に戻す際のドライＮ２，ドライエア、等のベント用ガス供給源とともに用いられる。１６は装置チャンバーとレチクルロードロックチャンバーとの間を仕切る装置側ゲートバルブ、１７はロードロックチャンバーと後述するレチクル交換室との間を仕切る交換室側ゲートバルブである。１９はレチクルを大気圧下で一時保管するレチクル交換室であり、１３はロードロックとの間でウエハーを搬入、搬出する搬送ハンドである。
【００３１】
２０は本発明で用いるパルスレーザー光源であり、光源から射出したパルス光はチャンバーのレーザー光導入窓２１を介して、真空チャンバー内に導入され、不図示の光学系によりビームが整形され、角度可変な反射ミラー２２によりレチクル上に跳ね上げられ、レチクル回路パターンに照射される。以上が本発明を適用したＥＵＶ露光装置の説明である。
【００３２】
次に本発明の第１の実施例について図１を用いて説明する。図１は本発明の構成の正面図である。２はレチクルであり、回路パターン面が下面に形成されている。照明光学系から出射してきたＥＵＶ光２９は下方からレチクルに入射し、回路パターン面で反射し、その反射光が投影光学系に入射する構成となっている。２４はレチクルを吸着保持するためのチャックホルダーであり、これはレチクルのスキャンステージ２５に微動機構を介して設けられている。露光中、レチクルステージは、同図のＹ軸方向に加速、等速、減速を繰り返し、スキャン運動をする。
【００３３】
２０はパーティクル除去用のパルスレーザー光源であり、主にＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ、他）などが用いられる。７０は射出ビームを平行光にするための整形光学系、２１は露光チャンバー隔壁に設けられたパルスレーザー導入窓で石英ガラスなど、入射波長に対して吸収の少ない光学材料で構成されている。２６は、入射パルスビームを、パーティクルを除去するために適切なビーム形状に集光するための光学系であり、集光されたビームは２２のミラーで跳ね上げられ、レチクルパターン面に照射される。本実施例では照射されたパルスレーザーはスキャン方向と直行する方向（同図でＸ方向）に長いシート状のビームに整形されている。
【００３４】
図２に、レチクル位置と、パーティクル除去用パルスレーザー照射位置と、ＥＵＶ露光光照射位置との相対位置関係を示す。３０はレチクル上のパーティクル除去範囲であり、３１はレチクルスキャン方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）に、光学系によりシート状に整形されたパルスレーザー光断面で、パーティクル除去範囲３０を十分に覆う長さを有している。３２はＥＵＶ露光光で、図ではＥＵＶ露光光は長方形の形状としているが、これは照明光学系の特性により、円弧状の場合も考えられる。このように、除去用パルスレーザーをスキャン方向とは直交する方向（Ｘ方向）に長いシート状のビームに形成し、ＥＵＶ露光光照射位置の近傍で、それと平行な位置で除去ビームを照射することで、レチクルステージが露光時に往復運動することを利用し、パーティクル除去範囲全域に常にパルスレーザー照射が可能になる。
【００３５】
次に、パルスレーザーを照射して、パーティクルを除去する際、有効な除去率を得るために、ステージスキャン速度Ｖｓ、パルスレーザーのパルス繰り返し周波数Ｆ、照射パルス数Ｎ、シートビーム幅Ｗについて説明する。
【００３６】
パルスレーザー照射法において、本発明者が行った実験では、基板上に付着したパーティクルは、パルスをより多く当てることでその除去率が向上した。図４はこれの概略を示したもので、例えば粒径０．１μｍのパーティクルに対し、ある特定のレーザー照射条件で、１パルスでは１０％程度の除去率しか望めないものの、パルス数を多くすると除去率は次第に向上し、この例では、８０パルス程度照射するとほぼ１００％の除去率となる。一般的に、粒子が基板に付着した際の付着力は、主に分子間力（Ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ力）、液架橋力、静電気力とされているが、通常の環境下では、分子間力（Ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ力）が主なものである。実験結果は、パルスを多く当てることで、パーティクルが基板に付着している際の付着力が徐々に弱くなって除去されると考えられる。また、パルスレーザーを照射した際の表面ダメージは、パルスエネルギーの積分値ではなく、１パルスあたりのエネルギー密度であるとの報告もあり、この事実は発明者が行った実験でも同様な結果が得られている。
【００３７】
以上の実験事実は、パルスレーザーをレチクル多層膜に照射した際の最大の課題である表面ダメージ問題において、ダメージを与えない低エネルギー密度の照射では、１パルスあたりの除去率は低いものの、パルス数を多くすると十分な除去率を達成できる事実を示している。従って、実際の装置に適用した場合、必要とされる照射パルス数Ｎは、付着しているパーティクル材質、パルスエネルギー密度にも依存するため、あらかじめ実験で求めておく必要がある。例えば、この例では９５％以上の除去率が必要な場合は、３０パルス以上照射する必要があるということになる。
【００３８】
図２で、レチクルの等速時の運動速度をＶｓ［ｍ／ｓ］、パルスレーザーのシートビーム厚をＷ［ｍ］、パルスレーザーの繰り返し周波数をＦ［Ｈｚ］、除去に必要なパルス数をＮ［＃］とする。レチクルがビーム厚Ｗを移動するのに要する時間△Ｔｓは、
△Ｔｓ＝Ｗ／Ｖｓ    （１）
である。この時間内に移動する照射エリアに対し、最低Ｎ回のパルス照射が必要だとすると、このときのパルス時間間隔は、
△Ｔｐ＝△Ｔｓ／Ｎ＝Ｗ／（Ｖｓ＊Ｎ）    （２）
となる。一方、パルスレーザー光源のパルス時間間隔△τは、
△τ＝１／Ｆ    （３）
となる。△Ｔｐは、△τよりも大きくなければシステムとして成立しないので、
Ｗ／（Ｖｓ＊Ｎ）＞１／Ｆ    （４）
∴（Ｖｓ＊Ｎ）／Ｗ＜Ｆ    （５）
【００３９】
すなわち所望の除去率（Ｎパルス照射に相当）を得るためには、レチクルの等速時の運動速度Ｖｓ［ｍ／ｓ］、パルスレーザーのシートビーム厚Ｗ［ｍ］、パルスレーザーの繰り返し周波数Ｆ［Ｈｚ］に関し、（５）式のような簡単な関係式が成立するということである。例えば、Ｖｓ＝１００［ｍｍ／ｓ］，Ｆ＝３００［Ｈｚ］，Ｎ＝３０［＃］とすると（５）式より、シートビーム厚Ｗは１０［ｍｍ］以上必要となる。
【００４０】
次に、レチクルにパルスレーザーを照射するタイミングについてフローチャートを使って説明する。図５はレチクルにパルスレーザーを照射するタイミングを露光と同時に行うことを特徴としている。先ず、所望のレイヤーを露光するために、既にレチクルは露光装置にロードされレチクルアライメントも完了しているとする。ウエハーがステージ上にロードされウエハー処理が開始される（１０１）。露光に先立ちウエハーがアライメントされ（１０２）、ショット番号を表す引数ｉが１にセットされる。第１ショットのスキャン動作が開始されると（１０４）、レチクルとウエハーは、例えば４：１の速度比で同期スキャンを行い、それぞれのステージの位置偏差が所定の目標値に入ると露光が行われ（１０５）、かつそれと並行してレチクルの露光光照射位置の近傍にパーティクル除去用のパルスレーザーが照射される（１０６）。これらが終了すると第１番目のショットの露光動作が終了する（１０７）。この時点では、第１ショットの露光が終了したのみなのでステップ１０８はＮｏとなり、ショット番号ｉをインクリメントし（１０９）、再び第２ショットの露光動作に移る（１０４）。以上の動作を繰り返し、１枚のウエハーに所望のショット数、Ｎショット露光すると１枚のウエハー処理が完了し、次のウエハー処理のステップに移る（１１０）。この例では、レチクルにパルスレーザーを照射するタイミングは、露光と同時並行して行われるため、スループットを低下させることなく、常にレチクルを清浄な状態に保つことが可能になる。
【００４１】
図６はパルスレーザーを照射するタイミングを、ウエハー交換、アライメント時に行うことを特徴としている。先ず、所望のレイヤーを露光するために、既にレチクルは露光装置にロードされレチクルアライメントも完了しているとして、ロット処理が開始される（１１１）。ウエハー番号を表す引数ｊが１にセットされ（１１２）、ウエハーステージに１枚目のウエハーがロードされる（１１３）。１枚目のウエハー処理が開始され（１１４）、露光に先立ちウエハーはアライメント計測される（１１６）。一方、ステップ１１３、１１４、１１６と同時並行して、レチクルステージは、パルスレーザー照射のためにダミー動作が開始される（１２１）。次にレチクルに実際にパーティクル除去用のパルスレーザーが照射され（１１５）、照射が終了するとステージのダミー動作も終了する。この一連のパルスレーザー照射動作ステップ１２１、１１５、１２２は、前述のウエハー処理ステップ１１３，１１４，１１６を行っている間に完了すればよいので、レチクルステージのダミー動作と、レーザー照射の回数は１スキャンに制限されることはない。ステップ１１６と１２２が終了すると、１枚目ウエハーの各ショットの露光となり（１１７）、全ショットの露光が完了すると１枚目ウエハー処理が全て完了する（１１８）。この時点では、ウエハー１枚の露光動作が終了したのみなので、ステップ１１９の判断はＮｏとなり、ウエハー番号引数ｊをインクリメントして（１２０）、２枚目のウエハー処理に移行するために、ウエハーがステージ上にロードされる（１１３）。そして、２枚目の処理が開始されるが（１１４）、前述のようにステップ１１３，１１４，１１６と同時並行して、一連のパルスレーザー照射動作１２１，１１５，１２２が行われる。以上の動作を繰り返し、Ｍ枚全てのウエハーに対し一連の露光動作が完了すると（１１９）、次のロット処理へ移行する（１２１）。この例では、レチクルにパルスレーザーを照射するタイミングは、ウエハー交換とアライメント動作と同時並行して行われるため、スループットを低下させることなく、常にレチクルを清浄な状態に保つことが可能になる。
【００４２】
パルスレーザーを照射するタイミングとして、これ以外にも例えば、レチクルロードロックからレチクルが装置内に搬入された時点としても良いし、あるいは前述の例を組み合わせたタイミングで行っても良い。さらには、レチクルに付着するパーティクルが少ない場合は、これらの動作を間引いて行ってもかまわない。
【実施例２】
【００４３】
次に第２の実施例を説明する。前述までの実施例では、図２に示すように、パルスレーザーの照射位置３１はＥＵＶ露光光照射位置３２の−Ｙ方向に隣接していた。この構成では、レチクルが＋Ｙ方向にスキャンする場合は、露光光照射直前にレチクルにパルスレーザーが照射されるので、仮にパーティクルが付着していたとしても、露光直前に除去され、その状態を維持したまま露光が継続される。しかし、レチクルステージが反転し−Ｙ方向にスキャンする場合は、露光直後にパルスレーザーが照射されるため、反転後にパーティクルが付着した場合、除去を行うことができない構成となっている。
【００４４】
本実施例は、この対策として、図８のように、ＥＵＶ露光光２９を挟んで、２箇所にパルスレーザーを照射することを特徴としている。具体的には、入射したパルスレーザー光をハーフミラー２７ａで５０％反射させ、これを一方のパルスビームとし、透過した残り５０％をミラー２７ｂで反射させ、これをもう一方の除去パルスビームとする。このような構成とすることで、レチクルスキャンの方向に関わらず、露光直前でレチクル表面にパルスビームを照射することが可能となるため、レチクルステージがスキャン動作を行っている最中にパーティクルが付着しても、すぐさまこれを除去し、レチクルは常に清浄な状態を保つことができる。
【００４５】
これとまったく同様に、図９に示すように露光光２９を挟んで、±Ｙ方向から同時にパルスレーザーを導入し、ミラー２７ｃ、２７ｄによって、レチクルにビームを跳ね上げる構成も考えられ、この目的にかなっていれば、どのような構成をとっても構わない。
【実施例３】
【００４６】
次に第３の実施例を説明する。前述までの実施例では、パルスレーザー照射位置は、ＥＵＶ露光光照射位置に隣接した位置として説明してきた。本実施例では、図７のように、レチクルステージの加減速領域でパルスレーザーを照射することを特徴とする。レチクルステージは、露光時に所望のスキャン速度（一定速度）を達成するために、等速領域の前後で加減速領域が存在する。前述の実施例の説明でも明らかなように、本来、所定の回路パターン領域を露光する際は、露光直前、すなわち等速領域でパルスレーザー照射を行うのが効果的である。しかし、ステージスキャン速度Ｖｓ、パルス繰り返し周波数Ｒ、照射パルス数Ｎ、シートビーム厚Ｗには（５）式の関係式があり、それぞれのパラメータは制限を受けるため、所望の除去率を達成したい場合は、レチクルステージ速度を遅くしてパルス数を多くしなければならない可能性もでてくる。この場合、当然スループットが低下してしまうため好ましくない。これの対策として、レチクルステージの加減速領域で、すなわちステージ速度が遅い領域でパルスレーザーを照射することにより、スループットを落とさずにパーティクル除去が可能になる。
【００４７】
例えば、加減速領域ＡもしくはＢのどちらか一方でパルスレーザー照射を行う場合は、照射ビームは３１ａ、もしくは３１ｂで行うことになり、ステージの往復で２スキャン分除去レーザーが照射されることになる。さらに、加減速領域Ａ，Ｂの両方で行う場合はレチクルは４スキャン分照射されるため、パーティクルの除去率を鑑みて、どちらかを選択するとよい。このように、レチクルステージの加減速領域では、その速度は等速領域よりも遅いため、パルスレーザーより多く打つことが可能になり、スループットを落とさずにパーティクル除去を良好に行うことが可能になる。
【実施例４】
【００４８】
次に第４の実施例を説明する。前述までの実施例では、除去パルスレーザーの照射形状はレチクルスキャン方向と直交する方向に長いシート状の光ビームであり、これをレチクルのスキャン動作を利用することにより、レチクル前面をレーザー照射することが可能となっていた。この場合、レーザーの照射面積は、シートビーム厚×シートビーム長（例えば、１０ｍｍ×１５０ｍｍ弱）となり、付着するパーティクルの成分によっては、照射エネルギー密度が低く、所望の除去率を達成できない場合が考えられる。前述のようにパーティクルの付着力は、通常の真空環境下では、Ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｗａａｌｓ力Ｆｖが主なものとされている。この力は、次式でオーダー見積もりが可能である。
Ｆｖ＝（Ａ＊Ｄｐ）／（１２＊Ｚ２）    （６）
【００４９】
この式で、Ｄｐはパーティクルの粒径、Ｚはパーティクル表面と付着平面との距離で通常０．４〜０．５ｎｍとされている。ＡはＨａｍａｋｅｒ定数といわれるもので、パーティクルの材質によって異なっている。樹脂材料では概略（４〜１０）×１Ｅ−２０Ｊ、金属材料では（１５〜５０）×１Ｅ−２０Ｊとなっており、付着するパーティクルの成分によって付着力が異なる。このように、付着力の大きいパーティクルを除去するためには、レチクルのダメージを引き起こさない程度で、照射面積を小さくして、照射エネルギー密度を高くすることが必要になる。
【００５０】
本実施例は、このことに鑑みたもので、照射面積を小さくした場合、除去エリア全面にパルスレーザーを照射するために、図１１に示すようにビームをレチクルスキャン方向（Ｙ方向）と直交する方向（Ｘ方向）にスキャンする必要性が生ずる。図１２はこの目的のために、新たにレーザー光をスキャンするためのポリゴンミラー４０と、ビームを集光し、かつ照射エリアのビームスキャン速度を一定にするためのｆθレンズ４１を設けている。スキャンされたビームはミラー２７ｅで跳ね上げられ、除去エリアに照射される。このときのビームとステージのスキャンの様子を示したものが図１０で、本来ビームは連続的にポリゴンミラーにより連続的にスキャンされるが、後の説明のために不連続に示している。本実施例では、ポリゴンミラーでスキャンするので、１方向のみに走査が行われる。例えばビームがある時刻で５０の位置にあり、矢印の方向にスキャンされ、５１の位置に達すると、すぐさまビームは元の位置に戻る。その間レチクルステージは移動しているので、ビームは５２の位置から再びスキャンを開始し、矢印の方向に５３の位置まで移動する。このように除去エリア上ではレーザーは斜め方向にスキャン動作を繰り返しながら、除去エリア３０をすべてカバーすることになる。
【００５１】
この場合も前述の実施例と同様に、有効な除去率を得るために、パルスレーザースキャン長Ｄ［ｍｍ］、ステージスキャン速度Ｖｓ［ｍｍ／ｓ］、パルス繰り返し周波数Ｆ［Ｈｚ］、照射パルス数Ｎ［＃］、照射エリアＷ［ｍｍ］×Ｗ［ｍｍ］、ビームスキャン周波数ｆ［Ｈｚ］について次のような関係がある。
【００５２】
図１１で、パルスレーザースキャン速度をＶｂとすると、ビームがＷだけレーザースキャン方向に移動するのに要する時間△Ｔｓは、
△Ｔｓ＝Ｗ／Ｖｂ    （７）
である。一方パルスレーザースキャン速度Ｖｂは、除去エリア３０のパルスレーザースキャン長をＤとすると、１スキャン移動するのに１／ｆの時間を要するので、Ｖｂ＝Ｄ＊ｆ、従って、
△Ｔｓ＝Ｗ／Ｖｂ＝Ｗ／（Ｄ＊ｆ）    （８）
この時間内に移動する照射エリアに対し、最低Ｎ回のパルス照射が必要だとすると、このときのパルス時間間隔は、
△Ｔｐ＝△Ｔｓ／Ｎ＝Ｗ／（Ｄ＊ｆ＊Ｎ）    （９）
となる。一方、パルスレーザー光源のパルス時間間隔△τは、
△τ＝１／Ｆ    （１０）
となる。△Ｔｐは、△τよりも大きくなければシステムとして成立しないので、
Ｗ／（Ｄ＊ｆ＊Ｎ）＞１／Ｆ    （１１）
∴（Ｄ＊ｆ＊Ｎ）／Ｗ＜Ｆ    （１２）
というように、パルスレーザーのスキャン方向（Ｘ方向）には（１２）式の制限がある。
【００５３】
また、前述したように、１スキャン終了した後の次のスキャンは、前のスキャンの隣接した位置か、それ以下の位置から始めないと、未照射エリアが生じてしまう。つまり、Ｘ方向の１スキャンに要する時間は１／ｆで、この時間でレチクルステージの移動距離はビームサイズＷ以内でなければならない。従って、
Ｗ＞Ｖｓ＊（１／ｆ）    （１２）
∴Ｗ＞Ｖｓ＊ｆ    （１３）
というように、レチクルステージのスキャン方向（Ｙ方向）には（１３）式の制限がある。
【００５４】
以上のように、本実施例では、有効な除去率を得るためには、パルスレーザースキャン長Ｄ［ｍｍ］、ステージスキャン速度Ｖｓ［ｍｍ／ｓ］、パルス繰り返し周波数Ｆ［Ｈｚ］、照射パルス数Ｎ［＃］、照射エリアＷ［ｍｍ］×Ｗ［ｍｍ］、ビームスキャン周波数ｆ［Ｈｚ］について、（１１）式、（１３）式を同時に満たす必要がある。レーザーのエネルギー密度を大きくするために、照射面積を小さくした場合でも、このようにビームをスキャンする手段を用いることでパーティクルは除去可能になる。なお本実施例では、パルスレーザーのスキャン手段をポリゴンミラーとしたが、ほかのスキャニング手段でも一向に構わない。
【実施例５】
【００５５】
次に、第５の実施例について説明する。本発明のパルスレーザー照射によるパーティクル除去法は、パーティクル検査装置でその付着箇所を特定して、その場所にパルスレーザーを照射する方法ではなく、露光装置の露光動作に並行してレチクルの除去エリア全面に除去レーザーを照射する方法をとる。通常、レチクルにはその母材としてゼロデュアなどの超低熱膨張材（例えば熱膨張率０．０５Ｅ−６／Ｋ）が用いられるが、レーザーの長時間に渡る照射によって次第に温度が上昇すると予想される。仮に１℃上昇すると、レチクル全面では約７．５ｎｍの熱膨張となるため、照射エネルギーによっては、レチクルはその場合何らかの発熱対策が必要となる。
【００５６】
本実施例は、このことに鑑みたもので、図１２にその構成の一例を示す。同図で前述の実施例と比較して新たに加えられた構成が、６０ａ、ｂのペルチェ素子などの電子冷却手段と、それに接続されている冷却板６１ａ、ｂである。本実施例では、レチクルの冷却方法として冷却板による輻射冷却を用いる。冷却板としては熱伝導率の高い部材で、輻射率が１に近い大きいもの用いるほうがより効果的である。またサイズと配置に関しては、レチクル全面を覆う大きさに構成し、図のようにレチクル近傍に近接して配置させることで、輻射による冷却方式で重要となる熱源と冷却板との間の形態係数をほぼ１にすることができるため、パルスレーザー照射によって加えられたエネルギーを効率良く回収することが可能となる。本実施例では、冷却方法にペルチェ素子と冷却板を用いた方法について説明したが、ほかの手段、例えば冷却板に冷却水を流して冷却する方法でも良く、効果的に冷却できる方法であればいかなる手段でも構わない。
【実施例６】
【００５７】
次に、第６の実施例について説明する。前述までの実施例では、パルスレーザー照射によって除去されたパーティクルは、除去後、真空チャンバー内を自由落下して、ほかの部材に衝突、付着すると考えられる。レチクルの下方には投影光学系があるので、反射ミラーなど光学部材の表面に再付着することは反射率の低下や表面の汚染を招く懸念があるため、これを防ぐことが望ましい。本実施例はこのことに鑑みたもので、図１３のようにレチクルに入射するパルスレーザーを挟み、かつレチクル近傍に、その間に電場を形成し、パーティクルを捕集する電極２８ａ、ｂを設けていることを特徴としている。
【００５８】
パルスレーザーにより除去されたパーティクルが帯電しているかどうかは、明確ではなく、それを測定することも非常に困難であるが、微粒子の帯電に関し、一般的に比較的急激な反応によって生じたものは、帯電粒子を多く含み、穏やかな反応によって作られたものは、帯電していないことが多い、とされている。このことから推察すると、レーザーによって除去されたパーティクルも、ある程度帯電している可能性が高い。そしてその極性は、一般的には、非金属または非金属酸化物の微粒子は正に帯電し、金属または金属酸化物の微粒子は負に帯電するとされている。従って、本実施例のように、２８ａを＋電極、２８ｂを−電極とすることで、パーティクルの材質により帯電極性が異なっていても、電極により捕集可能と考えられる。仮にパーティクルが帯電していない場合でも、電場をかけることで導体の場合は、静電誘導により表面に電荷が生じ、同様に不導体の場合も、誘電分極により表面に電荷が生じ、電場による捕集はある程度可能と考えられる。
【実施例７】
【００５９】
次に、第７の実施例について説明する。本実施例では、パーティクル除去を効果的に行うために、レチクル多層膜構造に、ＥＵＶ露光光に対しては透過性があり、パルスレーザー光の波長に対しては吸収する層を１層設けることを特徴とする。パルスレーザー照射により、パーティクルが除去されるメカニズムの一例として、前述もしたがパーティクルと付着表面のｎｓオーダーの急激な温度上昇による熱膨張によって生ずる加速度が、付着力よりも大きくなるとパーティクルが除去されるとされている。一般的に物質に光が入ったときの透過光量Ｉは下記のＢｅｅｒの法則に従う。
Ｉ／Ｉ０＝ｅｘｐ（−α＊Ｚ）    （１４）
【００６０】
ここでＩ０は入射光強度、αは入射光の波長に対する物質吸収係数、Ｚは物質の厚さである。従って（１４）式より吸収係数αが大きいとＩ／Ｉ０は小さくなり、それゆえ物質に吸収される光も多くなり温度が急激に上昇する。一方、吸収係数αが小さいとＩ／Ｉ０は大きくなり、それゆえ吸収される光も小さくなりほとんど温度は上昇しない。
【００６１】
本発明のレチクル多層膜は、図１４，１５に示すように母材であるゼロデュア６０の上層にＭｏ／Ｓｉの多層膜６１、その上層にＥＵＶ露光光は良好に透過し、パルスレーザー光は吸収する熱膨張層６２を設ける。除去レーザーをＫｒＦレーザーとすると、この目的にかなった熱膨張層としてＳｉが挙げられる。この場合、ＥＵＶ露光光に対してはα＝１．７／μｍ、ＫｒＦレーザーに対してはα＝１６６．７／μｍとなり、パルスレーザーの入射光を良好に吸収することが可能になる。６３は酸化防止用のキャップ層でＳｉＯ２等、その上層にバッファー層であるＲｕ層６４、その上層にＥＵＶ光の吸収層としてＣｒ層６５で構成されている。Ｃｒ層にパーティクルが付着した場合は、ＣｒはＫｒＦレーザーに対しても吸収を持つので、パーティクルは良好に除去可能である。本実施例では、除去パルスレーザーをＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）としたため、それに吸収を持つ物質であるＳｉを熱膨張層としたが、これ以外にも可能であり、さらにいえば、除去パルスレーザーの波長が異なれば、最適な熱膨張層は他の物質になることは当然である。
【００６２】
（応用例）
次に、上記の露光装置を利用したデバイス製造方法の一例として、半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１５は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ５によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００６３】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００６４】
以上説明したように、上述の実施例によれば、通常の露光装置の動作シーケンスと同時並行して、パルスレーザー照射によるレチクル上のパーティクル除去を行うため、スループットを低下させることなく、常にレチクル表面を清浄な状態に保った状態で露光を行うことが可能になる。
【００６５】
また、上述の実施例によれば、パルスレーザーをシート状に整形し、そのシート幅をレチクルと同程度とし、その方向をレチクルの駆動方向とは直交する方向とすることで、レチクル全面にパルスレーザーを照射することが可能になる。
【００６６】
また、上述の実施例によれば、パルスレーザーをスポット状に整形し、そのサイズをパーティクル除去するために必要なエネルギー密度に応じたサイズまで小さくし、なおかつ、レチクルスキャン方向と直交する方向にスポットをスキャンすることで、パーティクル除去に必要なエネルギー密度まで高くして、パルスレーザーをレチクル全面に照射することが可能になる。
【００６７】
また、上述の実施例によれば、パルスレーザー照射をレチクルステージが等速運動する前後の加減速運動する領域で行うことで、ステージが低速で駆動しているときに照射が可能になるため、パーティクル除去に必要なパルス数を確保することが可能になる。
【００６８】
また、上述の実施例によれば、露光光を挟むように、２箇所でパルスレーザー照射することにより、レチクルの駆動方向に左右されず、露光の直前でパーティクルの除去が可能になる。
【００６９】
また、上述の実施例によれば、レチクルの近傍に輻射冷却手段を設けることで、パーティクル除去用に照射したパルスレーザーによるレチクルの温度上昇を抑えることが可能になる。
【００７０】
また、上述の実施例によれば、レチクルに入射するパルスレーザー光を挟む位置かつレチクルの近傍位置に電極を設け電場を生成することで、除去されたパーティクルが電場により捕集可能になる。
【００７１】
また、上述の実施例によれば、レチクルを構成している多層膜に、露光光には透過率が高く（吸収係数が小さく）、パルスレーザー光には透過率が低い（吸収係数が大きい）層を有することで、パルスレーザー照射時の表面の温度上昇を大きくさせ、それに伴う熱膨張を大きくさせることで、パーティクルの除去率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第一実施例のパルスレーザー除去手段の正面図
【図２】第一実施例のパルスレーザー照射位置とＥＵＶ露光光照射位置とパーティクル除去除去エリアの相対位置関係を表す図
【図３】本発明が適用される露光装置システム
【図４】第一実施例の除去率の照射パルス数依存性を表す図
【図５】第一実施例の露光時にパルスレーザー照射するフローチャート
【図６】第一実施例のアライメント時にパルスレーザー照射するフローチャート
【図７】第三実施例のパルスレーザー照射位置
【図８】第二実施例のパルスレーザー照射位置
【図９】第二実施例のパルスレーザー照射位置
【図１０】第四実施例のパルスレーザーをＸ方向にスキャン可能な手段を表す図
【図１１】第四実施例のパルスレーザースキャン方法
【図１２】第五実施例のレチクル冷却手段
【図１３】第六実施例の除去されたパーティクルを電極で捕集する手段
【図１４】第七実施例のレチクル多層膜に除去用の熱膨張層を設けた図
【図１５】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図
【符号の説明】
【００７３】
１  ウエハー
２  レチクル
３、２５  レチクルステージ
４  装置チャンバー
５  投影光学系
６  ウエハーステージ
７  装置チャンバー真空ポンプ
８、１３  ウエハー搬送ハンド
９  ウエハーロードロックチャンバー真空ポンプ
１０  レチクルロードロックチャンバー真空ポンプ
１１、１６  装置側ゲートバルブ
１２、１７  ロードロック側ゲートバルブ
１８，２２  レチクル搬送ハンド
１４  ウエハー交換室
１９  レチクル交換室
２０  パルスレーザー光源
２１  パルスレーザー入射窓
２２、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ  パルスレーザー跳ね上げミラー
２４  レチクルホルダー
２６  集光光学系
２９  ＥＵＶ露光光
７０  整形光学系
３０  パーティクル除去エリア
３１、３１ａ、３１ｂ  シート状パルスレーザー光
３２  ＥＵＶ露光光
２７ａ  パルスレーザー跳ね上げハーフミラー
４０  ポリゴンミラー
４１  ｆθレンズ
５０、５１、５２、５３、５４、５５  パルスレーザースポット
６０ａ，６０ｂ  ペルチェ素子
６１ａ，６１ｂ  輻射冷却板
２８ａ、２８ｂ  捕集用電極
６０  ゼロデュア
６１  Ｍｏ／Ｓｉ多層膜
６２  熱膨張層
６３  キャップ層
６４  バッファー層
６５  Ｃｒ吸収層
【図１】
2006114650.tif 000003
【図２】
2006114650.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006114650.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006114650.tif 000012
【図１１】
2006114650.tif 000013
【図１２】
2006114650.tif 000014
【図１３】
2006114650.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2006114650.tif 000017