(57)【要約】【課題】  信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  複数の電極１４を有し集積回路１２が形成されてなる半導体基板１０上に、電極１４と重複する領域を避けて、樹脂部２２と樹脂部２２内に分散した複数の導電粒子２４とを含む層２０を形成する。樹脂部２２の一部を除去して、層２０の上端面から導電粒子２４を露出させる。無電解メッキ工程によって、層２０の上端面における導電粒子２４が露出した領域に、電極１４と電気的に接続された配線パターン３０を形成する。【選択図】      図４
2006005068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有し集積回路が形成されてなる半導体基板上に、前記電極と重複する領域を避けて、樹脂部と前記樹脂部内に分散した複数の導電粒子とを含む層を形成すること、
前記樹脂部の一部を除去して、前記層の上端面から前記導電粒子を露出させること、
無電解メッキ工程によって、前記上端面における前記導電粒子が露出した領域に、前記電極と電気的に接続された配線パターンを形成することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記層はパターニングされてなり、
前記配線パターンを、前記層の前記上端面の全面に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記層を形成する前に、前記半導体基板上に、前記電極を避けて下地樹脂層を形成することをさらに含み、
前記層を、前記下地樹脂層上に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板は、それぞれの前記電極を露出させる開口を有するパッシベーション膜を有し、
前記層を、前記電極における前記開口からの露出部の端部からの距離が前記配線パターンの厚み以下になるように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法によって製造された半導体装置。
【請求項６】
複数の電極を有し集積回路が形成されてなる半導体基板と、
前記電極と重複する領域を避けて前記半導体基板上に設けられた、樹脂部と前記樹脂部内に分散した複数の導電粒子とを含有する層と、
前記層の上端面に設けられて、前記電極と電気的に接続された配線パターンと、
を含み、
前記層は、前記配線パターンに沿ってパターニングされてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記半導体基板上に形成された下地樹脂層をさらに含み、
前記層は、前記下地樹脂層上に設けられてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージとして、ＣＳＰ（チップスケール／サイズパッケージ）が注目を集めている。また、パッケージをウエハレベルで製造する技術（ウエハレベルパッケージ）が開発されている。この方法で製造されたパッケージ（例えばウエハレベルＣＳＰ）は、外部寸法が半導体チップ寸法になっているため、従来の半導体パッケージと構造が異なっているが、従来の半導体パッケージと同等あるいはそれ以上の信頼性が求められている。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【特許文献１】特開２００３−２８２７９０号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の電極を有し集積回路が形成されてなる半導体基板上に、前記電極と重複する領域を避けて、樹脂部と前記樹脂部内に分散した複数の導電粒子とを含む層を形成すること、
前記樹脂部の一部を除去して、前記層の上端面から前記導電粒子を露出させること、
無電解メッキ工程によって、前記上端面における前記導電粒子が露出した領域に、前記電極と電気的に接続された配線パターンを形成することを含む。本発明によれば、樹脂部の一部を除去することによって導電粒子を露出させ、該導電粒子を利用して無電解メッキ工程を行って配線パターンを形成する。そのため、半導体基板（集積回路）に電気的な影響を与えることなく配線パターンを形成することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記層はパターニングされてなり、
前記配線パターンを、前記層の前記上端面の全面に形成してもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記層を形成する前に、前記半導体基板上に、前記電極を避けて下地樹脂層を形成することをさらに含み、
前記層を、前記下地樹脂層上に形成してもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板は、それぞれの前記電極を露出させる開口を有するパッシベーション膜を有し、
前記層を、前記電極における前記開口からの露出部の端部からの距離が前記配線パターンの厚み以下になるように形成してもよい。これによれば、容易に電極と電気的に接続された配線パターンを形成することができ、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
（５）本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてなる。
（６）本発明に係る半導体装置は、複数の電極を有し集積回路が形成されてなる半導体基板と、
前記電極と重複する領域を避けて前記半導体基板上に設けられた、樹脂部と前記樹脂部内に分散した複数の導電粒子とを含有する層と、
前記層の上端面に設けられて、前記電極と電気的に接続された配線パターンと、
を含み、
前記層は、前記配線パターンに沿ってパターニングされてなる。本発明によれば、配線パターンが剥離しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（７）この半導体装置において、
前記半導体基板上に形成された下地樹脂層をさらに含み、
前記層は、前記下地樹脂層上に設けられていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００６】
（第１の実施の形態）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１（Ａ）〜図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１０を用意することを含んでいてもよい。なお、図１（Ａ）は、半導体基板１０の全体形状を示す図であり、図１（Ｂ）は、半導体基板１０の断面図の一部拡大図である。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０は、ウエハ状をなしていてもよい（図１（Ａ）参照）。ウエハ状の半導体基板１０は、複数の半導体装置となる領域１１を含んでいてもよい。ただし、半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい。半導体基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路１２を有する。集積回路１２は、領域１１毎に形成されていてもよい。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、複数の電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていないパッドを含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。さらに、半導体基板１０は、パッシベーション膜１６を有してもよい。パッシベーション膜１６はそれぞれの電極１４（例えば、電極１４の中央部であってもよい）を露出させる開口１７を有する。電極１４の、パッシベーション膜１６の開口１７から露出した部分を、露出部１８と称してもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂等で形成してもよい。
【０００８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、半導体基板１０上に、電極１４と重複する領域を避けて、層２０を形成することを含む。なお、図２（Ａ）は、半導体基板１０の平面の一部（領域１１）を拡大した図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のIIB−IIB線断面の一部拡大図である。層２０は、応力緩和機能を有してもよい。半導体基板１０をウエハ状態で用意した場合、層２０を、それぞれの集積回路１２に対応して形成してもよい。言い換えると、図２（Ａ）に示すように、領域１１毎に層２０を形成してもよい。層２０は、図２（Ｂ）に示すように、樹脂部２２と、樹脂部２２内に分散した複数の導電粒子２４とを含む。樹脂部２２及び導電粒子２４の材料は、特に限定されるものではない。例えば、樹脂部２２としてポリイミドを利用してもよい。また、導電粒子２４として、１つの無電解メッキ液によって、電極１４と同時に無電解メッキ処理が可能な材料を利用してもよい。例えば、導電粒子２４として、電極１４と同じ材料（例えばアルミニウム）の金属粒子を利用してもよい。なお、導電粒子２４は、複数層からなる粒子であってもよく、最表層はチタンナイトライドによって被覆されていてもよい。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、層２０を、電極１４の露出部１８の端部からの距離が、配線パターン３０（後述）の厚み以下になるように形成してもよい。
【０００９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３に示すように、樹脂部２２の一部を除去して、層２０の上端面から導電粒子２４を露出させることを含む。樹脂部２２を除去する方法は特に限定されない。例えば、エッチングによって、樹脂部２２を除去してもよい。このとき、エッチャントについても特に限定されず、例えばＯ２プラズマを利用してもよい。なお、本実施の形態では、層２０の上端面とは、層２０の中央領域の表面のみならず層２０の周縁部の表面を含んでいてもよい。層２０の周縁部の表面から導電粒子２４を露出させることで、配線パターン３０（後述）を、電極１４と電気的に接続させることが容易となる。本工程では、層２０の上端面の全面をエッチングしてもよい。すなわち、層２０の上端面の全面（言い換えると、層２０の上端面のうち配線パターン３０を形成する領域及びそれ以外の領域）から導電粒子２４を露出させてもよい。ただし、これとは別に、配線パターン３０を形成するための領域のみをエッチングして、導電粒子２４を露出させてもよい。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、本工程後に、層２０と電極１４における露出部１８の端部との距離が配線パターン３０（後述）の厚み以下となるように、層２０を形成してもよい。すなわち、層２０と電極１４における露出部１８の端部との距離が配線パターン３０（後述）の厚み以下となるように、本工程を行ってもよい。
【００１０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、無電解メッキ工程によって、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、層２０の上端面における導電粒子２４が露出した領域に、電極１４と電気的に接続された配線パターン３０を形成することを含む。なお、図４（Ａ）は、半導体基板１０の平面の一部（領域１１）拡大図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のIVB−IVB線断面の一部拡大図である。本実施の形態では、導電粒子２４を利用して無電解メッキ工程を行う。そのため、本工程は、層２０の上端面から導電粒子２４を露出させる工程の後に行ってもよい。配線パターン３０の材料、構造は特に限定されない。例えば、配線パターン３０は１層の金属層によって形成されていてもよい。あるいは、配線パターン３０は、複数の金属層によって形成されていてもよい。無電解メッキ工程は、例えば、層２０の上端面にレジストを形成することを含んでいてもよい。レジストは、配線パターン３０を形成する領域を避けるようにパターニングされてなる。レジストは、例えば露光現像処理によってパターニングしてもよい。このとき、導電粒子２４がチタンナイトライドで被覆されていれば、露光処理の際の光の乱反射を防止することができるため、レジストを正確にパターニングすることができる。そして、電極１４及び導電粒子２４にジンケート処理を施して、アルミニウムの表面を亜鉛に置換する。その後、無電解ニッケルメッキ液中に浸し、亜鉛とニッケルの置換反応を経てニッケルを堆積させて、ニッケル層を形成してもよい。若しくは、アルミニウムを、アルミニウム上のみに選択的に吸着するパラジウム溶液に浸し、その後無電解ニッケルメッキ液に浸し、パラジウムを核としてニッケルを析出させてもよい。配線パターン３０を形成する工程は、ニッケル層にさらに金層を形成することを含んでいてもよい。無電解金メッキ液中に浸すことで、ニッケルの表面に金層を形成してもよい。これにより、あるいはこれらの工程を繰り返すことによって、複数層の配線パターンを形成してもよい。最後に、レジストを除去する工程を経て、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す配線パターン３０を形成してもよい。なお、無電解メッキ工程では、メッキ金属は等方成長する。そのため、層２０を、電極１４の露出部１８の端部からの距離が配線パターン３０の厚み以下になるように形成することで、電極１４と電気的に接続された配線パターン３０を、容易に形成することができる。
【００１１】
そして、開口を有するレジスト５０を形成する工程や、開口を介して配線パターン３０と電気的に接続された外部端子５２を形成する工程、被覆層５４を形成する工程、検査工程などを経て、図５に示す、半導体装置１を形成してもよい。なお、半導体装置１の全体形状は、ウエハ状であってもよい。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、先に説明したように、層２０の樹脂部２２の一部を除去して導電粒子２４を露出させて、その導電粒子２４を利用する無電解メッキ工程によって配線パターン３０を形成する。そのため、半導体基板１０（集積回路１２）に電気的な影響を与えることなく配線パターン３０を形成することができる。また、配線パターン３０を、層２０との密着性が高くなるように形成することができる。このことから、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１２】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図６（Ａ）〜図８は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。なお、本実施の形態でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
【００１３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、半導体基板１０上に、層６０を形成することを含む。なお、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のVIB−VIB線断面図である。層６０は、パターニングされてなる。層６０は、電極１４と重複する領域を避けて形成する。層６０は、配線パターン３０を形成するための領域に形成する。層６０は、樹脂部６２と樹脂部６２内に分散した複数の導電粒子６４とを含む（図７（Ｂ）参照）。層６０は、応力緩和機能を有してもよい。層６０の厚みは特に限定されるものではない。層６０は、インクジェット方式によって形成してもよい。すなわち、インクジェット方式によって、導電粒子６４が分散した樹脂部６２の前駆体を、配線パターン３０を形成する領域のみに設け、その後、該前駆体を重合させて、パターニングされた層６０を形成してもよい。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつ無駄なく経済的に層６０を形成することが可能である。インクジェットヘッドは、例えば、インクジェットプリンタ用に実用化されたもので、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいはエネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェット（登録商標）タイプ等が使用可能であり、吐出面積及び吐出パターンを任意に設定することが可能である。また、インクジェット方式を適用する場合、導電粒子６４として、大きさや密度についてインクジェット方式に適したものを選択してもよい。ただし、層６０を設ける方法はこれに限られず、半導体基板１０上に全面に導電粒子６４が分散した樹脂を設けた後に、一部を除去することによって、パターニングされた層６０を形成してもよい。
【００１４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂部６２の一部を除去して、層６０の上端面から導電粒子６４を露出させることを含む。そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、層６０の上端面の全面に、配線パターン６５を形成することを含む。なお、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のVIIB−VIIB線断面の一部拡大図である。配線パターン６５は、無電解メッキ工程によって形成する。配線パターン６５は、既に説明したいずれかの方法で形成してもよい。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、層６０は既にパターニングされているため、レジストを形成することなく無電解メッキ工程を行うことができ、半導体装置の製造効率を高めることができる。
【００１５】
そして、ソルダレジストを形成する工程や、外部端子を形成する工程、被覆層を形成する工程などを経て、図８に示す、半導体装置２を形成してもよい。この方法でも、上述した内容と同様の効果を奏するため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。半導体装置２は、複数の電極１４を有し集積回路１２が形成されてなる半導体基板１０を含む。半導体装置２は、電極１４と重複する領域を避けて半導体基板１０上に設けられた、樹脂部６２と樹脂部６２内に分散した複数の導電粒子６４とを含有する層６０を含む。半導体装置２は、層６０の上端面に設けられて、電極１４と電気的に接続された配線パターン６５を含む。そして、層６０は、配線パターン６５に沿ってパターニングされてなる（図７（Ａ）及び図７（Ｂ）参照）。上述したように、半導体装置２は、パターニングされた層６０を含む。これによれば、層６０と半導体基板１０との接触面積が小さくなるため、層６０の収縮作用による半導体基板１０（集積回路１２）への影響が小さくなる。すなわち、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１６】
（第３の実施の形態）
以下、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図９（Ａ）〜図１２は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。なお、本実施の形態でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
【００１７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、半導体基板１０上に、電極１４を避けて、下地樹脂層７０を形成することを含む。なお、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のIXB−IXB線断面の一部拡大図である。本工程は、層８０を形成する前に行う。下地樹脂層７０は、パッシベーション膜１６上に設けてもよい（図９（Ｂ）参照）。下地樹脂層７０は、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、電極１４と重複する領域を避けるように形成してもよい。下地樹脂層７０の材料は特に限定されず、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。下地樹脂層７０は、応力緩和機能を有してもよい。
【００１８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１０に示すように、下地樹脂層７０上に層８０を形成することを含む。層８０は、例えば図１０に示すように、パターニングされていてもよい。ただし、本実施の形態では、パターニングされていない層を形成してもよい（図示せず）。この場合、層を、下地樹脂層７０を覆うように形成してもよい。層８０は、電極１４と重複する領域を避けるように形成してもよい。層８０は、樹脂部８２と樹脂部８２内に分散された複数の導電粒子８４とを含む（図１１（Ｂ）参照）。層８０は、応力緩和機能を有してもよい。
【００１９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂部８２の一部を除去して、層８０の上端面から導電粒子８４を露出させることを含む。そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すように、無電解メッキ工程によって、層８０の上端面に配線パターン８５を形成することを含む。なお、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のXIB−XIB線断面の一部拡大図である。配線パターン８５は、電極１４と電気的に接続されるように形成する。無電解メッキ工程は、既に説明したいずれかの方法で行ってもよい。
【００２０】
そして、ソルダレジストを形成する工程や、外部端子を形成する工程、被覆層を形成する工程などを経て、図１２に示す、半導体装置３を形成してもよい。この方法でも、上述した内容と同様の効果を奏するため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。半導体装置３は、半導体基板１０を含む。半導体装置３は、半導体基板１０上に形成された下地樹脂層７０を含む。半導体装置３は、電極１４と重複する領域を避けて半導体基板１０上に設けられた、樹脂部８２と樹脂部８２内に分散した複数の導電粒子８４とを含有する層８０を含む。半導体装置３は、層８０の上端面に設けられて、電極１４と電気的に接続された配線パターン８５を含む。そして、層８０は、下地樹脂層７０上に設けられてなる。このとき、層８０は、配線パターン８５に沿ってパターニングされていてもよい。半導体装置３によれば、層８０と下地樹脂層７０とは共に樹脂によって形成されているため、両者の密着性は高くなる。そして、層８０がパターニングされていることから、層８０の収縮があった場合でも層８０と下地樹脂層７０との剥離が発生しにくくなる。すなわち、配線パターン８５の剥離が発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２１】
最後に、図１３に、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置４が実装された回路基板１０００を示す。図１３に示すように、半導体装置４では、半導体基板は矩形をなしていてもよい。このとき、半導体基板は半導体チップであってもよい。そして、半導体装置４は、そのパッケージサイズが半導体チップにほぼ等しくなり、ＣＳＰに分類することができる。あるいは、半導体装置４は、応力緩和機能を備えるフリップチップであると言うこともできる。半導体装置４は、ウエハ状の半導体装置を切断することによって形成してもよい。また、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図１４にはノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図１５には携帯電話３０００を、それぞれ示す。
【００２２】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００２４】
１０  半導体基板、  １２  集積回路、  １４  電極、  １６  パッシベーション膜、  １７  開口、  １８  露出部、  ２０  層、  ２２  樹脂部、  ２４  導電粒子、      ３０  配線パターン
【図１】
2006005068.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006005068.tif 000012
【図１１】
2006005068.tif 000013
【図１２】
2006005068.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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