(57)【要約】【課題】  走査によってパターン内部に境界ラインを生じさせず、精度が高く視認性の優れたパターンを形成する。【解決手段】  副走査方向（Ｙ方向）に沿って走査ラインパターン間の中心位置に、走査バンドすなわち露光エリアの境界ラインＢｙｍ（ｍ＝０、１、２、・・）を定め、順次算出する。そして、走査バンドＳＢｍのバンド幅より大きいデータ幅をもつ分割ラスタデータＤＢｍから、境界ラインＢｙｍ−１〜Ｂｙｍまでの範囲にあるラスタデータＤＢ’ｍを抽出する。ＤＭＤ制御部では、このラスタデータＤＢ’ｍに基づき、ＤＭＤ全体のうち一部領域である描画領域内にあるマイクロミラーを制御してパターンを形成する。【選択図】        図１１
2006053325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
複数の光変調素子が規則的に配列され、前記光源からの光を基板へ選択的に導く光変調ユニットと、
前記光変調ユニットによる露光エリアを、前記基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに沿って相対移動させる走査手段と、
パターンデータから走査バンドごとに分割描画データを生成するとともに、生成された各分割描画データに基づいて前記複数の光変調素子をそれぞれ制御する描画手段とを備え、
前記走査手段が、前記光変調ユニットの全描画エリアに応じた投影エリアを互いにオーバラップさせながら前記露光エリアを相対移動させ、
前記描画手段が、前記露光エリアの境界ラインを、隣接するパターン間の非パターン領域に定め、境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
パターンデータが、規則的に基準パターンが所定間隔で繰り返されるパターンのデータであり、
前記描画手段が、
前記基準パターンの配列間隔に基づき、前記境界ラインの位置を隣接する基準パターンの間に定めて算出する境界ライン算出手段と、
前記パターンデータに基づき、前記投影エリア以上のデータ幅サイズをもつ分割描画データを生成する分割描画データ生成手段と、
生成された分割描画データから境界ライン外にある描画データを除去する描画データ抽出手段と
を有することを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
複数の光変調素子が規則的に配列される光変調ユニットに光源からの光を当て、前記光源からの光を選択的に基板へ選択的に導き、
前記光変調ユニットによる露光エリアを、前記基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに沿って相対移動させ、
パターンデータから走査バンドごとに分割描画データを生成するとともに、生成された各分割描画データに基づいて前記複数の光変調素子をそれぞれ制御する描画方法であって、
前記光変調ユニットの全描画エリアに応じた投影エリアを互いにオーバラップさせながら前記露光エリアを相対移動させ、
前記露光エリアの境界ラインを、隣接するパターン間の非パターン領域に定め、境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画することを特徴とする描画方法。
【請求項４】
前記基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに対し、隣接する走査バンドの境界ラインの位置をパターン外にある非描画領域に定めて算出する境界ライン算出手段と、
パターンデータから、前記投影エリア以上のデータ幅サイズをもつ分割描画データを生成する分割描画データ生成手段と、
生成された分割描画データから、算出された境界ライン外にある描画データを除去する描画データ抽出手段とを備え、
境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画処理が行われることを特徴とする描画データ処理装置。
【請求項５】
前記基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに対し、隣接する走査バンドの境界ラインの位置をパターン外にある非描画領域に定めて算出する境界ライン算出手段と、
パターンデータから、前記投影エリア以上のデータ幅サイズをもつ分割描画データを生成する分割描画データ生成手段と、
生成された分割描画データから、算出された境界ライン外にある描画データを除去する描画データ抽出手段と
を機能させることを特徴とする描画データ処理プログラム。
【請求項６】
１）ブランクスである基板に感光材料を塗布し、
２）塗布された基板に描画し、
３）描画処理された基板に対して現像し、
４）現状処理された基板に対してエッチングし、
５）エッチング処理された基板に対して感光材料を剥離する
工程を含む基板の製造方法であって、
描画において、
複数の光変調素子が規則的に配列される光変調ユニットに光源からの光を当て、前記光源からの光を選択的に基板へ選択的に導き、
前記光変調ユニットによる露光エリアを、前記基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに沿って相対移動させ、
パターンデータから走査バンドごとに分割描画データを生成するとともに、生成された各分割描画データに基づいて前記複数の光変調素子をそれぞれ制御するものであって、
前記光変調ユニットの全描画エリアに応じた投影エリアを互いにオーバラップさせながら前記露光エリアを相対移動させ、
前記露光エリアの境界ラインを、隣接するパターン間の非パターン領域に定め、境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された製造方法により製造された基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク（レチクル）や基板へ回路パターンなどパターンを描画する描画装置および描画装置を使用した基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
描画装置では、フォトレジスト等の感光性材料を塗布したブランクスに対して描画処理が実行され、現像処理、エッチング、レジスト剥離等の工程を経て、基板にパターンが形成される。マイクロミラーを２次元配列させたＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）やＬＣＤなどの光変調ユニットを使用する露光方式では、パターンに応じた光を基板に照射させるため、光変調ユニットの光変調素子がそれぞれ独立してＯＮ／ＯＦＦ制御される（例えば、特許文献１参照）。ラスタ走査方式の場合、照射スポットである露光エリアを主走査方向に沿って規定される走査バンドに対し相対移動させ、描画する。（特許文献２、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００３−５７８３７号公報
【特許文献２】特開２００２−６５１１号公報
【特許文献３】特開２０００−１２２３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液晶パネルやプラズマディスプレイパネル等を製造する場合、画素パターンあるいは走査ラインに応じたパターンを規則的に繰り返し形成するように描画処理が行われる。ＤＭＤなどの光変調ユニットによる露光エリアのサイズは、各画素パターンあるいは各ラインパターンのサイズと一致せず、また、画素パターンあるいはラインパターンのサイズはＤＭＤ光変調ユニットのサイズに合わせて定められない。そのため、走査バンドの境界ライン、すなわち副走査方向に沿って隣接する露光エリアの境界ラインは、画素パターン内部あるいはラインパターン内部に位置する場合が生じる。このように境界ラインが規定されたＬＣＤ、プラズマディスプレイを製造して画像を表示させた場合、露光エリアの境界ラインに沿って露光のつなぎ目部分がラインとして現われ、視認されてしまう。また、リードフレームなどの同一パターンを１枚の基板に対して繰り返し形成する場合、パターン内部に境界ラインに応じたつなぎ目部分が生じ、配線パターンの精度が低下する恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の描画装置は、光源と、光変調ユニットと、走査手段と、描画手段とを備えた描画装置であり、ＤＭＤなどの光変調ユニットを走査させてパターニングする描画装置であり。例えば、基板に回路パターンを形成し、あるいはパターンをハードコピー可能である。光変調ユニットでは、マイクロミラーなどの複数の光変調素子が規則的に配列され、パターンに応じた光変調素子の位置に基づき、光源からの光が基板へ選択的に導かれる。走査手段は、光変調ユニットによる露光エリアを、基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに沿って相対移動させる。例えば、基板の搭載されたテーブルを移動させながら、順に主走査方向に沿って露光エリアを移動させる。描画手段は、パターンデータから走査バンドごとに分割描画データを生成するとともに、生成された各分割描画データに基づいて複数の光変調素子をそれぞれ制御する。例えばベクタデータであるパターンデータに基づいて、ラスタデータなどの描画データが走査バンドに応じた分割描画データとして生成される。そして、描画データに基づいて光変調素子が制御され、パターンに応じた光が基板に照射する。
【０００５】
本発明の描画装置では、走査手段が、光変調ユニットの全描画エリアによる投影エリアを互いにオーバラップさせながら露光エリアを相対移動させる。これにより、光変調ユニットの全描画エリアに応じた投影エリアよりも走査バンド幅は短く、全描画エリアよりもエリアサイズの小さい描画領域に基づいて描画処理が行われる。描画手段は、露光エリアの境界ラインを隣接するパターン間の領域に定める。ここで非パターン領域は、主走査方向に沿って画素パターンなどのパターンが形成されない領域を示す。例えば、ＰＤＰの走査ラインパターンやＬＣＤなどの画素パターン、あるいは同一基板に多面付けされるリードフレームなど同一パターンが繰り返される場合、そのパターン間に境界ラインが定められる。そして描画手段は、境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画する。
【０００６】
例えば、パターンデータが、規則的に基準パターンが所定間隔で繰り返されるパターンのデータである場合、描画手段は、基準パターンの配列間隔に基づき、境界ラインの位置を隣接する基準パターンの間に定めて算出する境界ライン算出手段と、パターンデータに基づき、走査バンドの幅より大きいデータ幅サイズをもつ分割描画データを生成する分割描画データ生成手段と、生成された分割描画データから算出される境界ライン外にある照射外描画データを除去する描画データ抽出手段とを有する。
【０００７】
本発明の描画方法は、複数の光変調素子が規則的に配列される光変調ユニットに光源からの光を当て、光源からの光を選択的に基板へ選択的に導き、光変調ユニットによる露光エリアを、基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに沿って相対移動させ、パターンデータから走査バンドごとに分割描画データを生成するとともに、生成された各分割描画データに基づいて複数の光変調素子をそれぞれ制御する描画方法であって、光変調ユニットの全描画エリアに応じた投影エリアを互いにオーバラップさせながら露光エリアを相対移動させ、露光エリアの境界ラインを、隣接するパターン間の非パターン領域に定め、境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画することを特徴とする。
【０００８】
本発明の描画データ処理装置は、基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに対し、隣接する走査バンドの境界ラインの位置をパターン外にある非描画領域に定めて算出する境界ライン算出手段と、パターンデータから、投影エリア以上のデータ幅サイズをもつ分割描画データを生成する分割描画データ生成手段と、生成された分割描画データから、算出された境界ライン外にある描画データを除去する描画データ抽出手段とを備え、境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画処理が行われることを特徴とする。
【０００９】
本発明の描画データ処理プログラムは、基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに対し、隣接する走査バンドの境界ラインの位置をパターン外にある非描画領域に定めて算出する境界ライン算出手段と、パターンデータから、投影エリア以上のデータ幅サイズをもつ分割描画データを生成する分割描画データ生成手段と、生成された分割描画データから、算出された境界ライン外にある描画データを除去する描画データ抽出手段とを機能させることを特徴とする。
【００１０】
本発明の基板の製造方法は、１）ブランクスである基板に感光材料を塗布し、２）塗布された基板に描画し、３）描画処理された基板に対して現像し、４）現状処理された基板に対してエッチングし、５）エッチング処理された基板に対して感光材料を剥離する工程を含む基板の製造方法であって、描画において、複数の光変調素子が規則的に配列される光変調ユニットに光源からの光を当て、光源からの光を選択的に基板へ選択的に導き、光変調ユニットによる露光エリアを、基板の走査方向に沿って規定される複数の走査バンドに沿って相対移動させ、パターンデータから走査バンドごとに分割描画データを生成するとともに、生成された各分割描画データに基づいて複数の光変調素子をそれぞれ制御するものであって、光変調ユニットの全描画エリアに応じた投影エリアを互いにオーバラップさせながら露光エリアを相対移動させ、露光エリアの境界ラインを、隣接するパターン間の非パターン領域に定め、境界ラインに従って規定される各走査バンドの幅に応じた描画データに基づいて描画することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、走査によってパターン内部に境界ラインが生じず、精度が高く視認性の優れたパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下では、図面を参照して本発明の実施形態である描画装置について説明する。
【００１３】
図１は、本実施形態である描画装置を概略的に示した斜視図である。図２は、描画装置の露光ヘッドの構成を模式的に示した図である。図３は、プラズマディスプレイ用のパターンを示した図である。
【００１４】
描画装置１０は、描画テーブル１８を連続移動させながら描画する装置であり、ゲート状構造体１２と基台１４とを備える。基板ＳＷを搭載させる描画テーブル１８は、基台１４に搭載されたガイドレール１９Ｘにより支持され、描画テーブル１８はガイドレール１９Ｘに沿って移動可能である。露光ユニット２０を支持するガイドレール１９Ｙはゲート状構造体１２に搭載されており、露光ユニット２０はガイドレール１９Ｙに沿って移動可能である。ここでは、描画テーブル１８の移動方向（以下では、Ｘ方向という）と露光ユニット２０の移動方向（以下、Ｙ方向という）は互いに直交し、Ｘ方向を主走査方向、Ｙ方向を副走査方向と定める。
【００１５】
基板ＳＷはプラズマディスプレイ用ガラス基板によって構成されており、プリペーグ処理、感光性材料であるフォトレジストの塗布等の処理が事前に施され、ブランクスとして描画テーブル１８に搭載される。描画装置１０は描画制御部３０に接続され、描画制御部３０によって描画処理が実行制御される。
【００１６】
図２に示すように、露光ユニット２０には光源２１および露光ヘッド２５が設けられている。露光ヘッド２５は、照明光学系２４、ＤＭＤ２２、結像光学系２６とを備え、光源２１とＤＭＤ２２との間に照明光学系２４が配置されている。光源である半導体レーザ２１から放出された光は照明光学系２４に入射し、ＤＭＤ２２を照射する。照明光学系２４は、ビーム形状を整形し、平行光として光をＤＭＤ２２へ導く。
【００１７】
ＤＭＤ２２は、Ｍ×Ｎ個の矩形状マイクロミラーをマトリクス状に配列させた光変調ユニットであり、高さＨ、幅Ｗのサイズをもつ各マイクロミラーＸij（１≦ｉ≦ｍ、１≦ｊ≦Ｎ）は、静電界作用によって軸回転（姿勢変化）する。すなわち、基板ＳＷの方向へ光を反射させる第１の姿勢（ＯＮ状態）と、基板ＳＷ外方向へ光を反射する第２の姿勢（ＯＦＦ状態）いずれかの姿勢に位置決めされ、描画制御部３０からの描画信号に基づいて姿勢が切り替えられる。
【００１８】
第１の姿勢の場合、マイクロミラー上で反射した光は結像光学系２６へ導かれ、基板ＳＷの所定場所へ光が照射する。一方、第２の姿勢の場合、マイクロミラー上で反射した光は基板ＳＷの外へ導かれる。各マイクロミラーＸijは独立してＯＮ／ＯＦＦ制御され、ＤＭＤ２２全体を照射した光は、マイクロミラーにより選択的に反射された光として構成される。その結果、露光面ＳＵには、その場所に形成すべきパターンに応じた光が照射する。
【００１９】
露光ユニット２０が停止している状態で描画テーブル１８をＸ方向（主走査方向）に沿って移動させると、ＤＭＤ２２による照射スポットである露光エリアＥＡは、Ｘ方向に沿って基板ＳＷを相対移動する。基板ＳＷには露光エリアＥＡに従って複数の走査バンドが規定され、露光エリアＥＡは走査バンドに沿って相対移動していく。この間、各露光エリアの相対位置に従い、パターンに応じた光が照射する。ここでは、投影倍率は１倍に定められている。
【００２０】
１つの走査バンドの描画処理が終了すると、Ｙ方向（副走査方向）へ露光ユニット２０が所定距離移動し、次の走査バンドを露光エリアＥＡが相対移動していく。露光エリアＥＡが走査バンドを順次移動することにより、基板全体に対して描画処理が施される。描画処理が終了すると、基板ＳＷに対して現像処理、エッチング、レジスト剥離処理などが施され、これにより回路パターンの形成された基板ＳＷが製造される。
【００２１】
図３には、基板ＳＷに形成されたプラズマテレビジョンディスプレイ用のパターンが示されており、走査線となる走査ラインパターンＰＰが所定間隔をおいて副走査方向に沿って配列される。基板を組み込んだテレビジョンを表示させた場合、走査ラインパターンＰＰが走査線となって映像が構成される。
【００２２】
図４は、描画装置１０および描画制御部３０のブロック図である。
【００２３】
基板全体のパターンデータがワークステーション（図示せず）からＣＡＤデータとして描画制御部３０へ送られると、ラスタ変換部４２では、ベクタデータであるパターンデータがラスタデータに変換される。ラスタデータは、回路パターンの２次元ドットパターンデータであり、マイクロミラーのＯＮ／ＯＦＦいずれかを示すように２値化されている。ラスタデータは走査バンドごとに生成されており、順次ラスタデータ抽出部４１へ送られる。
【００２４】
ラスタデータ抽出部４１では、後述するように、パターン照射に必要なラスタデータのみ抽出される。抽出されたラスタデータは、ＤＭＤ制御部３４のビットマップメモリ(図示せず)へ順次格納される。テーブル制御部３８は、モータを備えたＸ方向駆動機構４６、Ｙ方向駆動機構４８を制御し、描画テーブル１８、露光ユニット２０の移動および停止を制御する。位置検出部４０は露光エリアＥＡの相対位置を検出し、ＤＭＤ制御部３４へ描画タイミング信号を出力する。
【００２５】
ＤＭＤ制御部３４では、露光エリアＥＡの相対位置に基づいて、対応するラスタデータがビットマップメモリから読み出される。そして、描画タイミング信号と同期しながらラスタデータが描画信号として出力され、ＤＭＤ２２の各マイクロミラーが対応する描画素信号に基づいてＯＮ／ＯＦＦ制御される。
【００２６】
システムコントロール回路３２は、描画処理を制御し、ＤＭＤ制御部３４、ラスタデータ抽出部４１など各回路へ制御信号を出力する。また、ワークステーションからパターンデータとともに送られてくる描画パターンに関する情報を受信するとともに、あらかじめメモリ（図示せず）に格納されたＤＭＤ２２の情報に基づき、ラスタデータ抽出部４１へ制御信号を出力する。描画処理を制御するプログラムは、あらかじめシステムコントロール回路３２内のＲＯＭ（図示せず）に格納されている。
【００２７】
図５は、システムコントロール回路３２の制御によって実行される描画処理を示したフローチャートである。
【００２８】
ステップＳ１０１では、後述するように、互いに隣接する走査バンド間の境界ライン、すなわち露光エリアの境界ラインが算出される。そしてステップＳ１０２では、走査バンドの順番を示すバンドナンバー「ｍ」が、最初の走査バンドとして０に設定される。
【００２９】
ステップＳ１０３では、描画処理が実行可能であるか否かが判断される。描画処理が実行可能でないと判断されると、ステップＳ１０３が繰り返し実行される。一方、描画処理が実行可能であると判断されると、ステップＳ１０４へ進み、後述するように、ラスタデータ転送処理が実行される。そして、ステップＳ１０５では、ラスタデータに基づいてＤＭＤ２２が制御され、描画処理が行われる。
【００３０】
ステップＳ１０６では、基板上において最後の走査バンドまで描画処理が終了しているか否かが判断され、最後の走査バンドまで到達していないと判断されると、ステップＳ１０７へ進み、バンドナンバー「ｍ」に１がインクリメントされ、ステップＳ１０３へ戻る。すべての走査バンドに対する描画処理が実行されるまで、ステップＳ１０３〜Ｓ１０７が繰り返し実行される。
【００３１】
図６は、システムコントロール回路３２において実行される図５のステップＳ１０１のサブルーチンである。図７は、パターンのピッチを示した図である。図８は、ＤＭＤ２２の投影エリアのオーバラップを示した図である。図９は境界ラインを示した図である。図６〜図９を用いて、バンド境界ラインの演算処理について説明する。
【００３２】
ステップＳ２０１では、バンドナンバー「ｍ」が０に設定され、最初の走査バンドに対する境界ラインの演算処理が設定される。そしてステップＳ２０２では、描画パターン情報が読み出される。基板ＳＷに形成すべきパターンは、走査ラインパターンＰＰが所定間隔で規則的に形成されるパターンであり、描画パターン情報として、パターンピッチＰｐ、パターンシフト距離Ｐｓ、パターン幅Ｐｗが読み出される（図７参照）。パターンシフト距離Ｐｓは、基板ＳＷ上において規定される２次元座標系（Ｘ−Ｙ）において、副走査方向に沿った原点「Ｙ０」から最初の走査ラインパターンＰＰまでの距離を表す。ステップＳ２０２が実行されると、ステップＳ２０３へ進む。
【００３３】
ステップＳ２０３では、ＤＭＤ情報が読み出される。ＤＭＤ情報として、ここでは、ＤＭＤ２２のすべてのマイクロミラーに応じた全描画エリアによる投影エリアＫＡと、上述した副走査方向Ｙの原点Ｙ０からＤＭＤ２２の端片までの距離Ｄｓｍとが読み出される。ただし、Ｄｙｍ、Ｄｓｍは、バンドナンバーｍの走査バンドＳＢｍに応じた投影エリアおよび距離を示す。ステップＳ２０３が実行されると、ステップＳ２０４へ進む。
【００３４】
ステップＳ２０４では、隣接する走査バンドの境界ラインが、走査ラインパターンＰＰに従って定められる。以下に、境界ラインの算出について説明する。
【００３５】
図８には、原点Ｙ０から近い順に走査バンドＳＢｍ（ＳＢ０、ＳＢ１、ＳＢ２、・・）が示されるとともに、走査バンドＳＢｍに沿って露光エリアＥＡが順番に移動する。ＤＭＤ２２上において基板ＳＷへ光を導く描画領域は、ＤＭＤ２２の全描画（全反射）エリアの一部によって構成されており、副走査方向Ｙに沿って両端部分の描画領域は使用されない。ここでは、投影倍率（縮小倍率）が１倍であることから、ＤＭＤ２２の両端部分の描画領域に応じた非描画投影エリアＡＷ１、ＡＷ２に対して光が照射しない。そして、ＤＭＤ２２の全描画エリアによる投影エリアＫＡが互いにオーバラップするように露光ヘッド２５の移動が制御される。ＤＭＤ２２上における描画領域の副走査方向（Ｙ方向）に応じた幅（長さ）は、走査バンドＳＢｍの幅ＳＷｍに対応する。
【００３６】
各走査ラインパターンＰＰのパターン幅Ｐｗが数マイクロメートルであるのに対し、ＤＭＤ２２の投影エリアは数ミリ程度に規定される。そのため、ＤＭＤ２２の露光エリア内には、多数の走査ラインパターンＰＰが収まる。そこで、１つの走査バンドに対してｎ個の走査ラインパターンＰＰが存在する場合、ｎは以下の式を満たす。ただし、最初の走査バンドＳＢ０を対象としている。
Ｐｓ＋Ｐｐ×ｎ＜（Ｄｙ０＋Ｄｓ１）／２＜Ｐｓ＋Ｐｐ×（ｎ＋１）
・・・・・（１）
（１）式を満たすｎの値は、基板に形成される走査ラインパターンＰＰのピッチに従って変化する。
【００３７】
本実施形態では、図９に示すように、走査バンドの境界ラインは、隣接する走査ラインパターンＰＰの副走査方向（Ｙ方向）に沿った中間位置に定められる。すなわち、走査ラインパターンＰＰの間の非パターン領域に対し、その中間位置に境界ラインが定められる。例えば、走査バンドＳＢ１、ＳＢ２の境界ラインＢｙ０は、図７を参照しながら以下の式によって求められる。ただし、境界ラインＢｙ０は原点Ｙ０からの距離で表される。
Ｂｙ０＝Ｐｓ＋Ｐｐ×（ｎ＋１）―Ｐｗ／２                  ・・・・（２）
【００３８】
（１）式を満たす整数ｎを求め、（２）式に求められたｎを代入することにより、Ｂｙ０が算出される。そして、任意の隣接する走査バンドＳＢｍ、ＳＢｍ＋１に対する境界ラインＢＹｍは、（１）式においてＤｙ０をＤｙｍに置き換え、Ｄｓ１をＤｓｍ＋１に置き換えることにより求められる。ただし、走査バンドＳＢ０の下端となる境界ラインに関しては、あらかじめ値が設定されている。
【００３９】
図６のステップＳ２０４においてバンドナンバー「ｍ」の走査バンドＳＢｍに対する境界ラインＢｙｍが算出されると、ステップＳ２０５へ進む。ステップＳ２０５では、最後の走査バンドに対する演算処理であったか否かが判断され、最後の走査バンドが対象ではなかったと判断されると、ステップＳ２０６へ進み、バンドナンバー「ｍ」に１がインクリメントされる。ステップＳ２０６が実行されるとステップＳ２０３へ戻り、すべての走査バンドに対して境界ラインが算出されるまでステップＳ２０３〜Ｓ２０６が繰り返し実行される。
【００４０】
図１０は、図５のステップＳ１０４のサブルーチンである。図１１は、各走査バンドに対するラスタデータを示した図である。図１０、図１１を用いて、ラスタデータの転送処理について説明する。
【００４１】
ベクタデータであるパターンデータは、各走査バンドに応じて複数の分割パターンデータに変換されており、各分割パターンデータは、描画データとして分割ラスタデータに変換される。分割ラスタデータＲＢｗｍは、図１１に示すようにＤＭＤ２２の投影長Ｄｙｍより大きな幅をもつデータであり、隣接する分割ラスタデータは互いにオーバラップする。ステップＳ３０１では、分割ラスタデータＤＢｍのデータバンド幅ＲＢｗｍの値が読み出される。また、分割ラスタデータＤＢｍの原点Ｙ’０からＹ’方向に沿った距離Ｄ’ｓｍの値が読み出される。なお、分割ラスタデータＤＢｍの座標位置は、図８に示す座標系の原点Ｙ０よりＤｓ０だけシフトし、その位置を副走査方向に関して原点を「Ｙ’０」と定めた座標系に基づいて表される。分割ラスタデータＤＢｍの距離Ｄ’ｓｍは、別々に座標系が独立して定義されていた分割ラスタデータを共通の座標系（原点Ｙ’０）で表すために用いられる。また、図８に示す基板ＳＷを基準とした座標系により表される境界ラインＢｙｍ等の値は、座標変換されて処理される。
【００４２】
ステップＳ３０２では、走査バンドＳＢｍに対応する分割ラスタデータＤＢｍがラスタ変換部４２から読み出される。そしてステップＳ３０３では、読み出された分割ラスタデータＤＢｍに対し、対応する走査バンドＳＢｍの両境界ラインＢｙｍ−１、Ｂｙｍのうち原点Ｙ’０に近い境界ラインＢｙｍ−１よりも下に位置するラスタデータが、走査バンド外に位置するためにクリアされる。例えば走査バンドＳＢ１の場合、境界ラインＢｙ０より原点Ｙ’０側のラスタデータが除去される。さらに、ステップＳ３０４では、演算されたもう一方の（原点Ｙ’０より遠い位置にある）境界ラインＢｙｍよりも上に位置するラスタデータが、走査バンド外に位置するためクリアされる。例えば走査バンドＳＢ１の場合、境界ラインＢｙ１より原点Ｙ’０から遠い位置にあるラスタデータが除去される。これにより、分割ラスタデータＤＢｍは、副走査方向（Ｙ方向）に沿って境界ラインＢｙｍ−１からＢｙｍまでのデータ幅を有するラスタデータＤＢ’ｍに変換される。例えば走査バンドＳＢ１の場合、境界ラインＢｙ０〜Ｂｙ１までのデータ幅を有するラスタデータＤＢ’１が生成され、データ幅が走査バンドＳＢ１の幅ＳＷ１となる。
【００４３】
ステップＳ３０５では、分割ラスタデータＤＢｍから抽出されたラスタデータＤＢ’ｍが、ＤＭＤ制御部３４へ転送される。ステップＳ３０５が実行されると、図５のステップＳ１０５へ戻る。そしてステップＳ１０５では、定められたデータ幅、すなわち走査バンドＳＢｍの幅ＳＷｍを有するラスタデータに基づいて描画処理が行われる。このとき、クリアされたラスタデータに対応するＤＭＤ２２上の描画領域に位置するマイクロミラーは、ＯＦＦ状態に設定される。
【００４４】
境界ラインＢｙｍの位置は走査ラインパターンＰＰのパターンピッチＰｐによって定められるため、走査バンドＳＢｍごとに走査バンド幅ＳＷｍが求められる。したがって、非描画投影エリアＡＷ１、ＡＷ２（図８参照）の副走査方向（Ｙ方向）に沿った幅（長さ）は、走査バンドＳＢｍによって異なる。
【００４５】
以上のように本実施形態によれば、副走査方向（Ｙ方向）に沿って走査ラインパターンＰＰ間の中心位置に、走査バンドすなわち露光エリアの境界ラインＢｙｍ（ｍ＝０、１、２、・・）が順次算出される。そして、走査バンドＳＢｍのバンド幅ＳＷｍより大きいデータ幅をもつ分割ラスタデータＤＢｍから境界ラインＢｙｍ−１〜Ｂｙｍまでの範囲にあるラスタデータＤＢ’ｍが抽出され、ＤＭＤ制御部３４へ転送される。このラスタデータＤＢ’ｍに基づき、ＤＭＤ２２全体のうち一部領域が描画領域として規定され、その描画領域内にあるマイクロミラーによってパターンが形成される。
【００４６】
なお、ＬＣＤなど画素パターンが主走査方向、副走査方向に沿って繰り返し規則的に形成される場合にも適用可能である（図１２（Ａ）参照）。さらには、リードフレームなどのパターンを１つの基板に繰り返し形成する（多面付けする）場合においても適用可能である（図１２（Ｂ）参照）。ＤＭＤ以外にＬＣＤなどの光変調素子が規則的に配列させて選択的に光を基板へ導く光変調ユニットを適用すればよい。なお、分割ラスタデータのデータ幅は、ＤＭＤの全エリアに合わせて生成してもよい。パターンは、略同一あるいは類似するパターンの繰り返し配列するものもよい。あるいは、主走査方向に沿って並ぶ一連のパターン（文字情報、キャラクタなど）が所定間隔で副走査方向（Ｙ方向）に沿って配列するものであってもよい。パターンデータのデータ内容は任意であり、また、ＤＭＤ２２のサイズ、投影倍率、パターンのサイズも任意である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本実施形態である描画装置を概略的に示した斜視図である。
【図２】描画装置の露光ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【図３】プラズマディスプレイ用のパターンを示した図である。
【図４】描画装置および描画制御部のブロック図である。
【図５】描画処理を示したフローチャートである。
【図６】図５のステップＳ１０１のサブルーチンである。
【図７】パターンのピッチを示した図である。
【図８】ＤＭＤの投影エリアのオーバラップを示した図である。
【図９】境界ラインを示した図である。
【図１０】図５のステップＳ１０４のサブルーチンである。
【図１１】各走査バンドに対するラスタデータを示した図である。
【図１２】その他のパターン配列を示した図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  描画装置
１８  描画テーブル
２１  半導体レーザ（光源）
２２  ＤＭＤ（光変調ユニット）
３０  描画制御部
３２  システムコントロール回路
３４  ＤＭＤ制御部
４１  ラスタデータ抽出部
４２  ラスタ変換部
ＳＷ  基板
ＤＢ１  分割ラスタデータ（分割描画データ）
ＤＢ’１  ラスタデータ
Ｂｙｍ  境界ライン
ＰＰ  走査ラインパターン（基準パターン）
ＫＡ  投影エリア
Ｘij  マイクロミラー  （光変調素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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