(57)【要約】【課題】本発明の目的は、高容量の固体電解コンデンサを配線基板に内蔵した配線基板の製造方法を提供することである。【解決手段】表面に酸化アルミニウム層からなる絶縁被膜を設けたアルミニウム箔の片面に、導電性高分子層を形成する工程、前記導電性高分子層上に、部分的にパターン状絶縁性樹脂層を形成する工程、前記アルミニウム箔面、導電性高分子樹脂層およびパターン状絶縁性樹脂層面上に、金属薄膜層を形成する工程、前記金属薄膜層上に電解銅めっき層を形成する工程、前記絶縁性樹脂層上のパターン形状の周縁部を残して、電解銅めっき層を除去し、コンデンサ電極を形成する工程、前記アルミニウム箔の絶縁性樹脂層面に、プリント配線基板を積層することにより解決した。【選択図】図１
2006135132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）     表面に酸化アルミニウム層からなる絶縁被膜を設けたアルミニウム箔の片面に、導電性高分子層を形成する工程、
（２）     前記導電性高分子層上に、部分的にパターン状絶縁性樹脂層を形成する工程、
（３）     前記アルミニウム箔面、導電性高分子樹脂層およびパターン状絶縁性樹脂層面上に、金属薄膜層を形成する工程、
（４）     前記金属薄膜層上に電解銅めっき層を形成する工程、
（５）     前記絶縁性樹脂層上のパターン形状の周縁部を残して、電解銅めっき層を除去し、コンデンサ電極を形成する工程、
（６）     前記アルミニウム箔の絶縁性樹脂層面に、プリント配線基板を積層する工程、
（７）     前記アルミニウム箔の他方の面を、フォトリソ法、エッチングによりコンデンサ電極を形成する工程、
（８）     前記コンデンサ電極形成面に絶縁層を形成する工程、
（９）     前記絶縁層にレーザー加工により、コンデンサ電極の導通路を形成する工程、
（１０）   前記導通路にめっき金属層を形成する工程、
（１１）   前記電解銅めっき層に配線層を形成する工程、
の工程により、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板の製造方法。
【請求項２】
（１）     表面に酸化アルミニウム層からなる絶縁被膜を設けたアルミニウム箔の片面に、部分的に絶縁性樹脂層を形成する工程、
（２）     前記絶縁性樹脂層を形成されていないアルミニウム箔上に、部分的に導電性高分子樹脂層を形成する工程、
（３）     前記アルミニウム箔面、導電性高分子樹脂層およびパターン状絶縁性樹脂層面上に、金属薄膜層を形成する工程、
（４）     前記金属薄膜層上に電解銅めっき層を形成する工程、
（５）     前記絶縁性樹脂層上のパターン形状の周縁部を残して、電解銅めっき層を除去し、コンデンサ電極を形成する工程、
（６）     前記アルミニウム箔の絶縁性樹脂層面に、プリント配線基板を積層する工程、
（７）     前記アルミニウム箔の他方の面を、フォトリソ法、エッチングによりコンデンサ電極を形成する工程、
（８）     前記コンデンサ電極形成面に絶縁層を形成する工程、
（９）     前記絶縁層にレーザー加工により、コンデンサ電極の導通路を形成する工程、
（１０）   前記導通路にめっき金属層を形成する工程、
（１１）   前記電解銅めっき層に配線層を形成する工程、
の工程により、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板の製造方法。
【請求項３】
（１）     表面に酸化アルミニウム層からなる絶縁被膜を設けたアルミニウム箔の片面に、導電性高分子樹脂層を形成する工程、
（２）     前記導電性高分子樹脂層上に、部分的にパターン状導電性高分子樹脂層を形成する工程、
（３）     前記アルミニウム箔面、導電性高分子樹脂層上に、パターン状導電性ペーストからなるコンデンサ電極を形成する工程、
（４）     前記コンデンサ電極が設けられていない導電性高分子樹脂層を除去する工程、
（５）     前記アルミニウム箔の絶縁被膜を除去する工程、
（６）     前記絶縁被膜を除去したアルミニウム箔の、コンデンサ電極が設けられている面側に、パターン状導電性ペースト層からなるコンデンサ電極を形成する工程、
（７）     前記絶縁被膜を除去したアルミニウム箔のコンデンサ電極が形成されていない面に、プリント配線基板を積層する工程、
（８）     前記コンデンサ電極の形成面に絶縁樹脂層を形成する工程、
（９）     前記絶縁層にレーザー加工により、コンデンサ電極の導通路を形成する工程、
（１０）   前記導通路にめっき金属層を形成する工程、
（１１）   前記電解銅めっき層に配線層を形成する工程、
の工程により、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体コンデンサを内蔵した配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高容量のコンデンサを基板内部に埋め込んだ構成とするためには、多層配線基板の一層では形成できず、２層以上の層にわたって設けなければならなかった（特許文献１〜３参照）。
このように高容量のコンデンサを基板内部に埋め込むと、２層以上の層を必要とするため、基板内部の専有面積が大きくなり、配線層を引き回すのことが困難となってくる。
また、２層以上の層を必要とするため、複数のコンデンサを基板内部に埋め込むことは困難であった。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１００８７０号公報
【特許文献２】特開２００２−１００８７５号公報
【特許文献３】特開２００２−２４６７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、高容量の固体電解コンデンサを配線基板に内蔵した配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、請求項１に記載のように、
（１）     表面に酸化アルミニウム層からなる絶縁被膜を設けたアルミニウム箔の片面に、導電性高分子層を形成する工程、
（２）     前記導電性高分子層上に、部分的にパターン状絶縁性樹脂層を形成する工程、
（３）     前記アルミニウム箔面、導電性高分子樹脂層およびパターン状絶縁性樹脂層面上に、金属薄膜層を形成する工程、
（４）     前記金属薄膜層上に電解銅めっき層を形成する工程、
（５）     前記絶縁性樹脂層上のパターン形状の周縁部を残して、電解銅めっき層を除去し、コンデンサ電極を形成する工程、
（６）     前記アルミニウム箔の絶縁性樹脂層面に、プリント配線基板を積層する工程、
（７）     前記アルミニウム箔の他方の面を、フォトリソ法、エッチングによりコンデンサ電極を形成する工程、
（８）     前記コンデンサ電極形成面に絶縁層を形成する工程、
（９）     前記絶縁層にレーザー加工により、コンデンサ電極の導通路を形成する工程、
（１０）   前記導通路にめっき金属層を形成する工程、
（１１）   前記電解銅めっき層に配線層を形成する工程、
の工程により、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板の製造方法である。
【０００６】
本発明は、請求項２に記載のように、
（１）     表面に酸化アルミニウム層からなる絶縁被膜を設けたアルミニウム箔の片面に、部分的に絶縁性樹脂層を形成する工程、
（２）     前記絶縁性樹脂層を形成されていないアルミニウム箔上に、部分的に導電性高分子樹脂層を形成する工程、
（３）     前記アルミニウム箔面、導電性高分子樹脂層およびパターン状絶縁性樹脂層面上に、金属薄膜層を形成する工程、
（４）     前記金属薄膜層上に電解銅めっき層を形成する工程、
（５）     前記絶縁性樹脂層上のパターン形状の周縁部を残して、電解銅めっき層を除去し、コンデンサ電極を形成する工程、
（６）     前記アルミニウム箔の絶縁性樹脂層面に、プリント配線基板を積層する工程、
（７）     前記アルミニウム箔の他方の面を、フォトリソ法、エッチングによりコンデンサ電極を形成する工程、
（８）     前記コンデンサ電極形成面に絶縁層を形成する工程、
（９）     前記絶縁層にレーザー加工により、コンデンサ電極の導通路を形成する工程、
（１０）   前記導通路にめっき金属層を形成する工程、
（１１）   前記電解銅めっき層に配線層を形成する工程、
の工程により、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板の製造方法である。
【０００７】
本発明は、請求項３に記載のように、
（１）     表面に酸化アルミニウム層からなる絶縁被膜を設けたアルミニウム箔の片面に、導電性高分子樹脂層を形成する工程、
（２）     前記導電性高分子樹脂層上に、部分的にパターン状導電性高分子樹脂層を形成する工程、
（３）     前記アルミニウム箔面、導電性高分子樹脂層上に、パターン状導電性ペーストからなるコンデンサ電極を形成する工程、
（４）     前記コンデンサ電極が設けられていない導電性高分子樹脂層を除去する工程、
（５）     前記アルミニウム箔の絶縁被膜を除去する工程、
（６）     前記絶縁被膜を除去したアルミニウム箔の、コンデンサ電極が設けられている面側に、パターン状導電性ペースト層からなるコンデンサ電極を形成する工程、
（７）     前記絶縁被膜を除去したアルミニウム箔のコンデンサ電極が形成されていない面に、プリント配線基板を積層する工程、
（８）     前記コンデンサ電極の形成面に絶縁樹脂層を形成する工程、
（９）     前記絶縁層にレーザー加工により、コンデンサ電極の導通路を形成する工程、
（１０）   前記導通路にめっき金属層を形成する工程、
（１１）   前記電解銅めっき層に配線層を形成する工程、
の工程により、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、アルミニウム箔に予めコンデンサを形成し、このアルミニウムを多層配線基板と一体化することで、高容量の固体電解コンデンサを内蔵した配線基板の製造が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の製造方法の例を図１に基づいて説明する。
化成処理により表面に酸化アルミニウム膜からなる絶縁被膜を形成し、粗面化された厚さアルミニウム箔１（図１（ａ）参照）の片面に、例えば、スピンコートにより導電性高分子樹脂をコートし、導電性高分子樹脂層２を形成する（図１（ｂ）参照）。
次に、前記導電性高分子樹脂層２上に、例えば、スクリーン印刷法によりコンデンサ電極部以外の部分の位置に絶縁性樹脂層３を形成する（図１（ｃ）参照）。
次に、前記アルミニウム箔１の全面にスパッタリング法により、金属薄膜４を形成する（図１（ｄ）参照）。
そして、前記金属薄膜４上に、電解めっき法によりめっきし、金属層５を形成する（図１（ｅ）参照）。
この前記導電性高分子樹脂層２を設けた側の金属層５の表面に、前記金属層５をパターニングし、コンデンサ電極６ａを形成する（図１（ｆ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、前記アルミニウム箔１を、多層配線基板７上に、例えば、プリプレグからなる接着層８を用いて積層一体化した（図１（ｇ）参照）。
次に、アルミニウム箔１側の金属層５の表面を、パターニングし、コンデンサ電極４ａ，１ａを形成した（図１（ｈ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、絶縁層９を積層した。そして、コンデンサの電極を絶縁層９の上部に取り出すため、絶縁層９に炭酸ガスレーザー等を用いて穴を形成した（図１（ｉ）参照）。
次に、無電解めっき法により、前記絶縁層９（穴の部分を含む）にめっき膜からなる金属薄膜を形成後、電解めっき法により、めっき膜からなる金属層１０を形成した（図１（ｊ）参照）。
そして、前記金属層１０をパターニングし、配線層１０ａを形成し、配線基板を製造した（図１（ｌ）参照）。
以上の工程を経ることで、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板を製造することができた。
【００１０】
本発明の他の製造方法を図２に基づいて説明する。
化成処理により表面に酸化アルミニウム膜からなる絶縁被膜を形成し、粗面化された厚さ４０μｍのアルミニウム箔１（図２（ａ）参照）の片面に、コンデンサ電極部以外の部分の位置に絶縁性樹脂層３を形成した（図２（ｂ）参照）。
次に、前記絶縁性樹脂層３の開口部に、導電性高分子樹脂をコートし、導電性高分子樹脂層２を形成した（図２（ｃ）参照）。
次に、前記アルミニウム箔１の全面に例えば、スパッタリング法により、金属薄膜４を形成した（図２（ｄ）参照）。
そして、前記金属薄膜４上に、例えば、電解めっき法によりめっきし、厚さ１２μｍの金属層５を形成した（図２（ｅ）参照）。
この前記導電性高分子樹脂層２を設けた側の金属層５をパターニングし、コンデンサ電極６ａを形成した（図２（ｆ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、接着層８を用いて多層配線基板７と積層一体化した（図２（ｇ）参照）。
次に、アルミニウム箔１側の金属層５をパターニングし、コンデンサ電極４ａ，１ａを形成した（図２（ｈ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、絶縁層９を積層した。そして、コンデンサの電極を絶縁層９の上部に取り出すため、絶縁層９に炭酸ガスレーザー等を用いて穴を形成した（図２（ｉ）参照）。
次に、無電解めっき法により、前記絶縁層９（穴の部分を含む）にめっき膜からなる金属薄膜を形成後、電解めっき法により、めっき膜からなる金属層１０を形成した（図２（ｊ）参照）。
そして、前記金属層１０をパターニングし、配線層１０ａを形成した（図２（ｌ）参照）。
以上の工程を経ることで、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板を製造することができた。
【００１１】
図３は、本発明の製造方法の他の例を示すものである。
まず、図３（ａ）に示すように、アルミニウム箔１を化成処理し、表面に酸化アルミニウムからなる絶縁被膜を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、前記アルミニウム箔１の片面に導電性高分子樹脂層２を形成する。
図３（ｃ）に示すように、前記導電性高分子樹脂層２上に、スクリーン印刷法で部分的に導電性ペースト層を設け、コンデンサ電極６を形成する。そして、前記コンデンサ電極６を硬化後、コンデンサ電極以外の部分の導電性高分子樹脂層、および絶縁被膜を酸処理により除去する。
次に、乾燥後、図３（ｄ）に示すように、前記導電性高分子樹脂層２を除去したアルミニウム箔１面に、導電性ペーストをスクリーン印刷することによりコンデンサ電極２０を形成する。
そして、図３（ｅ）に示すように、このようにして形成した固体電解コンデンサを接着層８を介して多層配線基板７と積層する。この時、前記コンデンサ電極６，２０上に絶縁性樹脂層３０も同時に形成する。
次に、図３（ｆ）に示すように、コンデンサ電極を回路に接続するため、前記絶縁性樹脂層３０にレーザー加工によりコンデンサ電極のある部分に穴開け加工を行い、穴開け加工絶縁樹脂３０ａを形成する。
図３（ｇ）に示すように、この穴開け加工絶縁樹脂３０ａを無電解めっきにより、金属薄膜を形成後、電解めっきにより金属層１０を形成する。
そして、図３（ｈ）に示すように、前記金属層１０を、フォトリソグラフィ工程、エッチングによって、配線層１０ａを形成することで、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板を製造する。
【実施例】
【００１２】
（実施例１）
本発明の実施例を図１に基づいて説明する。
化成処理により表面に酸化アルミニウム膜からなる絶縁被膜を形成し、粗面化された厚さ４０μｍのアルミニウム箔１（図１（ａ）参照）の片面に、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコートにより導電性高分子樹脂をコートし、８０℃のオーブンで乾燥することで、厚さ１μｍの導電性高分子樹脂層２を形成した（図１（ｂ）参照）。
次に、前記導電性高分子樹脂層２上に、プリント配線基板の表面にコーティングされるソルダーレジストをスクリーン印刷法によりコンデンサ電極部以外の部分の位置に印刷、１４０℃で乾燥させることで、厚さ１０μｍの絶縁性樹脂層３を形成した（図１（ｃ）参照）。
次に、前記アルミニウム箔１の全面に銅をスパッタリング法により、厚さ０．３μｍの金属薄膜４を形成した（図１（ｄ）参照）。
そして、前記金属薄膜４上に、銅を電解めっき法によりめっきし、厚さ１２μｍの金属層５を形成した（図１（ｅ）参照）。
この前記導電性高分子樹脂層２を設けた側の金属層５の表面に、ドライレジストフィルム（日立化成工業製  ＲＹ３３１５  厚さ１５μｍ）をラミネート後、露光量４０ｍＪ／ｃｍ２でマスクパターン露光後、１％濃度の炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、さらに、塩化第二鉄液からなるエッチング液で金属層５をパターニングし、コンデンサ電極６ａを形成した（図１（ｆ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、残ったドライレジストフィルムを、５％濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて除去した前記アルミニウム箔１を、多層配線基板７上に、厚さ８０μｍのプリプレグ（日立化成工業製  ＡＳ−５０００ＧＰ）からなる接着層８を用いて真空プレスにより積層一体化した（図１（ｇ）参照）。
次に、アルミニウム箔１側の金属層５の表面に、ドライレジストフィルム（日立化成工業製  ＲＹ３３１５  厚さ１５μｍ）をラミネート後、露光量４０ｍＪ／ｃｍ２でマスクパターン露光後、１％濃度の炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、さらに、塩化第二鉄液からなるエッチング液で金属層５をパターニングし、コンデンサ電極４ａ，１ａを形成した（図１（ｈ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、残ったドライレジストフィルムを、５％濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて除去し、再度、コンデンサ電極４ａ，１ａ上に、厚さ８０μｍのプリプレグ（日立化成工業製  ＡＳ−５０００ＧＰ）からなる絶縁層９を積層した。そして、コンデンサの電極を絶縁層９の上部に取り出すため、絶縁層９に炭酸ガスレーザーを用いて直径８０μｍの穴を形成した（図１（ｉ）参照）。
次に、無電解銅めっき法により、前記絶縁層９（穴の部分を含む）に銅めっき膜からなる１μｍの金属薄膜を形成後、電解銅めっき法により、厚さ１２μｍの銅めっき膜からなる金属層１０を形成した（図１（ｊ）参照）。
そして、前記金属層１０の表面に、ドライレジストフィルム（日立化成工業製  ＲＹ３３１５  厚さ１５μｍ）をラミネート後、露光量４０ｍＪ／ｃｍ２でマスクパターン露光後、１％濃度の炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、さらに、塩化第二鉄液からなるエッチング液で金属層１０をパターニングし、配線層１０ａを形成した。続いて、前記配線層形成後、残ったドライレジストフィルムを、５％濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて除去し、配線基板を製造した（図１（ｌ）参照）。
以上の工程を経ることで、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板を製造することができた。
【００１３】
（実施例２）
本発明の実施例を図２に基づいて説明する。
化成処理により表面に酸化アルミニウム膜からなる絶縁被膜を形成し、粗面化された厚さ４０μｍのアルミニウム箔１（図２（ａ）参照）の片面に、プリント配線基板の表面にコーティングされるソルダーレジストをスクリーン印刷法によりコンデンサ電極部以外の部分の位置に印刷、１４０℃で乾燥させることで、厚さ１０μｍの絶縁性樹脂層３を形成した（図２（ｂ）参照）。
次に、前記絶縁性樹脂層３の開口部に、スクリーン印刷法により導電性高分子樹脂をコートし、８０℃のオーブンで乾燥することで、厚さ１μｍの導電性高分子樹脂層２を形成した（図２（ｃ）参照）。
次に、前記アルミニウム箔１の全面に銅をスパッタリング法により、厚さ０．３μｍの金属薄膜４を形成した（図２（ｄ）参照）。
そして、前記金属薄膜４上に、銅を電解めっき法によりめっきし、厚さ１２μｍの金属層５を形成した（図２（ｅ）参照）。
この前記導電性高分子樹脂層２を設けた側の金属層５の表面に、ドライレジストフィルム（日立化成工業製  ＲＹ３３１５  厚さ１５μｍ）をラミネート後、露光量４０ｍＪ／ｃｍ２でマスクパターン露光後、１％濃度の炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、さらに、塩化第二鉄液からなるエッチング液で金属層５をパターニングし、コンデンサ電極６ａを形成した（図２（ｆ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、残ったドライレジストフィルムを、５％濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて除去した前記アルミニウム箔１を、多層配線基板７上に、厚さ８０μｍのプリプレグ（日立化成工業製  ＡＳ−５０００ＧＰ）からなる接着層８を用いて真空プレスにより積層一体化した（図２（ｇ）参照）。
次に、アルミニウム箔１側の金属層５の表面に、ドライレジストフィルム（日立化成工業製  ＲＹ３３１５  厚さ１５μｍ）をラミネート後、露光量４０ｍＪ／ｃｍ２でマスクパターン露光後、１％濃度の炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、さらに、塩化第二鉄液からなるエッチング液で金属層５をパターニングし、コンデンサ電極４ａ，１ａを形成した（図２（ｈ）参照）。
前記コンデンサ電極形成後、残ったドライレジストフィルムを、５％濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて除去し、再度、コンデンサ電極４ａ，１ａ上に、厚さ８０μｍのプリプレグ（日立化成工業製  ＡＳ−５０００ＧＰ）からなる絶縁層９を積層した。そして、コンデンサの電極を絶縁層９の上部に取り出すため、絶縁層９に炭酸ガスレーザーを用いて直径８０μｍの穴を形成した（図２（ｉ）参照）。
次に、無電解銅めっき法により、前記絶縁層９（穴の部分を含む）に銅めっき膜からなる１μｍの金属薄膜を形成後、電解銅めっき法により、厚さ１２μｍの銅めっき膜からなる金属層１０を形成した（図２（ｊ）参照）。
そして、前記金属層１０の表面に、ドライレジストフィルム（日立化成工業製  ＲＹ３３１５  厚さ１５μｍ）をラミネート後、露光量４０ｍＪ／ｃｍ２でマスクパターン露光後、１％濃度の炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、さらに、塩化第二鉄液からなるエッチング液で金属層１０をパターニングし、配線層１０ａを形成した。続いて、前記配線層形成後、残ったドライレジストフィルムを、５％濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて除去し、配線基板を製造した（図２（ｌ）参照）。
以上の工程を経ることで、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板を製造することができた。
【００１４】
（実施例３）
本発明の実施例を図３に基づいて説明する。
化成処理により表面に酸化アルミニウム膜からなる絶縁被膜を形成し、粗面化された厚さ４０μｍのアルミニウム箔１（図３（ａ）参照）の片面に、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコートにより導電性高分子樹脂をコートし、８０℃のオーブンで乾燥することで、厚さ１μｍの導電性高分子樹脂層２を形成した。
次に、前記導電性高分子樹脂層２上に、銅ペースト、銀ペーストからなる導電性ペーストをスクリーン印刷法によりコンデンサ電極６を形成した（図３（ｂ）参照）。
ここで、コンデンサ電極６は、導電性ペーストを１５〜２０μｍの厚さの設けた後、８０℃、３０分仮乾燥し、１５０℃、１時間ベーキングし形成した。
次に、電極部以外の導電性高分子樹脂層２と絶縁被膜を、１０％の塩酸溶液に浸漬することにより除去した（図３（ｃ）参照）。
そして、前記導電性ペーストをスクリーン印刷法により、コンデンサ電極２０を、前記コンデンサ電極間に形成した（図３（ｄ）参照）。
前記アルミニウム箔１を、多層配線基板７上に、厚さ８０μｍのプリプレグ（日立化成工業製  ＡＳ−５０００ＧＰ）からなる接着層８を用いて真空プレスにより積層一体化した。また、コンデンサ電極６ａ，２０上に、厚さ８０μｍのプリプレグ（日立化成工業製  ＡＳ−５０００ＧＰ）からなる絶縁層３０を積層した（図３（ｅ）参照）。
次に、コンデンサの電極を絶縁層２０の上部に取り出すため、絶縁層２０に炭酸ガスレーザーを用いて直径８０μｍの穴を形成した絶縁層２０ａとした（図３（ｆ）参照）。
次に、無電解銅めっき法により、前記絶縁層２０ａ（穴の部分を含む）に銅めっき膜からなる１μｍの金属薄膜を形成後、電解銅めっき法により、厚さ１２μｍの銅めっき膜からなる金属層１０を形成した（図３（Ｇ）参照）。
そして、前記金属層１０の表面に、ドライレジストフィルム（日立化成工業製  ＲＹ３２１５  厚さ１５μｍ）をラミネート後、露光量４０ｍＪ／ｃｍ２でマスクパターン露光後、１％濃度の炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、さらに、塩化第二鉄液からなるエッチング液で金属層１０をパターニングし、配線層１０ａを形成した。続いて、前記配線層形成後、残ったドライレジストフィルムを、５％濃度の水酸化ナトリウム溶液を用いて除去し、配線基板を製造した（図３（Ｈ）参照）。
以上の工程を経ることで、固体電解コンデンサを内蔵した配線基板を製造することができた。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の電解コンデンサ内蔵配線基板の製造方法の一例を示す説明図。
【図２】本発明の電解コンデンサ内蔵配線基板の製造方法の他の例を示す説明図。
【図３】本発明の電解コンデンサ内蔵配線基板の製造方法の他の例を示す説明図。
【符号の説明】
【００１６】
１………アルミニウム箔
２………導電性高分子樹脂層
２ａ………パターニング導電性高分子樹脂層
３、９、３０………絶縁性樹脂層
４………金属薄膜
５、１０………金属層
６、６ａ、２０………コンデンサ電極
７………多層配線基板
８………接着層
１０ａ………配線層
３０ａ………穴開け加工された絶縁層
【図１】
2006135132.tif 000003
【図２】
2006135132.tif 000004
【図３】
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