(57)【要約】【課題】発光特性（量子収率、駆動電圧）、耐久性、蒸着性が良好な発光素子を提供する。【解決手段】一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（I）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有する有機電界発光素子。    【化１】2006114889.tif 000037（式中、Q１は炭素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。Q２およびQ３は窒素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。Q１、Q２、Q３を構成する原子群において、さらに置換可能な場合、水素原子または置換基を有していてもよい。L１、L２は置換基を有していてもよい連結基を表す。ｎは０または１を表す。A１は白金と結合する原子を含有する部分構造を表す。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（I）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（I）
【化１】
2006114889.tif 000031
（式中、Q１は炭素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。Q２およびQ３は窒素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。Q１、Q２、Q３を構成する原子群において、さらに置換可能な場合、水素原子または置換基を有していてもよい。L１、L２は置換基を有していてもよい連結基を表す。ｎは０または１を表す。A１は白金と結合する原子を含有する部分構造を表す。
【請求項２】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（II）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（II）
【化２】
2006114889.tif 000032
式中、Q１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるQ１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表す。
【請求項３】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（III）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（III）
【化３】
2006114889.tif 000033
式中、Q１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるQ１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表す。
【請求項４】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（IV）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（IV）
【化４】
2006114889.tif 000034
式中、Q１、Q２、L１、L２およびｎは一般式（I）におけるQ１、Q２、L１、L２およびｎと同じ意味を表す。Q４はQ１と同じ意味を表す。A２は白金と結合する原子を含有する部分構造を表す。
【請求項５】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（V）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（V）
【化５】
2006114889.tif 000035
式中、Q１、Q２、Q４、L１、L２、A２およびｎは一般式（IV）におけるQ１、Q２、Q４、L１、L２およびｎと同じ意味を表す。
【請求項６】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（VI）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴
とする有機電界発光素子。
一般式（VI）
【化６】
2006114889.tif 000036
式中、Q１、Q２、Q４、L１、L２、A２およびｎは一般式（IV）におけるQ１、Q２、Q４、L１、L２およびｎと同じ意味を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機白金錯体、およびそれを含む素子、特に有機電界発光素子（ＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の有機ＥＬ素子開発においては、外部量子効率向上の研究が種々行われており、中でも、イリジウムや白金といった重金属を用いたりん光発光材料を含有する素子が高い効率を達し、着目されている。白金を使用した発光材料の開発においては、アリール基を三連結した三座配位子が報告されている。（特許文献１、２、３、非特許文献１、２）これらの白金錯体は従来報告されていたオクタエチルポルフィリン白金錯体などの４座配位白金錯体（特許文献４、５）より、発光波長の短波化が可能となっている点が挙げられる。しかしながら、残る単座配位子とした場合、特に塩素原子のようなハロゲン原子を用いた場合、それを含む発光材料では、素子の耐久性に改良が望まれていた。
【特許文献１】国際公開第０４／０３９７８１号パンフレット
【特許文献２】国際公開第０４／０３９９１４号パンフレット
【特許文献３】特開２００２−３６３５５２号明細書
【特許文献４】米国特許第６，３０３，２３８（Ｂ１）号明細書
【特許文献５】米国特許第６，６５３，５６４（Ｂ１）号明細書
【非特許文献１】ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティー（Journal of The American Chemical Society, ２００４年，126巻, 4958-4971頁.
【非特許文献２】ジャーナル・オブ・ジ・ケミカル・ソサイエティー・ダルトン・トランザクションズ（Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions, ２００２年， 3234-3240頁.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、発光特性（量子収率、駆動電圧）、耐久性、蒸着性が良好な有機白金錯体およびそれを含む発光素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この課題は下記手段によって達成された。すなわち
（１）一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（I）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（I）
【０００５】
【化１】
2006114889.tif 000002
【０００６】
（式中、Q１は炭素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。Q２およびQ３は窒素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。Q１、Q２、Q３を構成する原子群において、さらに置換可能な場合、水素原子または置換基を有していてもよい。L１、L２は置換基を有していてもよい連結基を表す。ｎは０または１を表す。A１は白金と結合する原子を含有する部分構造を表す。
（２）一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（II）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（II）
【０００７】
【化２】
2006114889.tif 000003
【０００８】
式中、Q１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるQ１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表す。
（３）一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（III）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（III）
【０００９】
【化３】
2006114889.tif 000004
【００１０】
式中、Q１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるQ１、Q２、Q３、L１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表す。
（４）一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（IV）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（IV）
【００１１】
【化４】
2006114889.tif 000005
【００１２】
式中、Q１、Q２、L１、L２およびｎは一般式（I）におけるQ１、Q２、L１、L２およびｎと同じ意味を表す。Q４はQ１と同じ意味を表す。A２は白金と結合する原子を含有する部分構造を表す。
（５）一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（V）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（V）
【００１３】
【化５】
2006114889.tif 000006
【００１４】
式中、Q１、Q２、Q４、L１、L２、A２およびｎは一般式（IV）におけるQ１、Q２、Q４、L１、L２およびｎと同じ意味を表す。
（６）一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（VI）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（VI）
【００１５】
【化６】
2006114889.tif 000007
【００１６】
式中、Q１、Q２、Q４、L１、L２、A２およびｎは一般式（IV）におけるQ１、Q２、Q４、L１、L２およびｎと同じ意味を表す。
（７）一般式（I）が下記一般式（VII）で表されることを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
一般式（VII）
【００１７】
【化７】
2006114889.tif 000008
【００１８】
式中、R１、R２およびR３はそれぞれ独立に置換基を表す。R１、R２およびR３が置換基を表し、さらに置換可能である場合、置換基を有していてもよい。ｐ１、ｐ２およびｐ３は各々独立に０〜３の整数を表す。ｐ１〜ｐ３がそれぞれ２以上の場合、複数存在するR１、R２、R３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、R１同士、R２同士、R３同士、R１とR２、R２とR３、あるいはR１とR３が互いに結合し環を形成してもよい。ｐ１〜ｐ３が０の場合、水素原子で置換されていることを表す。L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるL１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表す。
（８）一般式（II）が下記一般式（VIII）で表されることを特徴とする（２）に記載の有機電界発光素子。
一般式（VIII）
【００１９】
【化８】
2006114889.tif 000009
【００２０】
式中、R１、R２、R３、ｐ１、ｐ２およびｐ３は一般式（VII）におけるR １、R２、R３、ｐ１、ｐ２およびｐ３と同じ意味を表す。L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるL１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表す。
（９）一般式（III）が下記一般式（IX）で表されることを特徴とする（３）に記載の有機電界発光素子。
一般式（IX）
【００２１】
【化９】
2006114889.tif 000010
【００２２】
式中、R１、R２、R３、ｐ１、ｐ２およびｐ３は一般式（VII）におけるR １、R２、R３、ｐ１、ｐ２およびｐ３と同じ意味を表す。L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるL１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表す。
（１０）一般式（IV）が下記一般式（X）で表されることを特徴とする（４）に記載の有機電界発光素子。
一般式（X）
【００２３】
【化１０】
2006114889.tif 000011
【００２４】
式中、R１、R２およびR４はそれぞれ独立に置換基を表す。R１、R２およびR４が置換基を表し、さらに置換可能である場合、置換基を有していてもよい。ｐ１、ｐ２およびｐ４は各々独立に０〜３の整数を表す。ｐ１、ｐ２およびｐ４がそれぞれ２以上の場合、複数存在するR１、R２、R３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、R１同士、R２同士、R４同士、R１とR２、R２とR３、あるいはR１とR４が互いに結合し環を形成してもよい。ｐ１、ｐ２およびｐ４が０の場合、水素原子で置換されていることを表す。L１、L２およびｎは一般式（I）におけるL １、L２およびｎと同じ意味を表す。A２は一般式（IV）におけるA２と同じ意味を表す。
（１１）一般式（V）が下記一般式（XI）で表されることを特徴とする（５）に記載の有機電界発光素子。
一般式（XI）
【００２５】
【化１１】
2006114889.tif 000012
【００２６】
式中、R１、R２、R４、ｐ１、ｐ２およびｐ４は一般式（X）におけるR１、R２、R４、ｐ１、ｐ２およびｐ４と同じ意味を表す。L１、L２およびｎは一般式（I）におけるL１、L２およびｎと同じ意味を表す。A２は一般式（X ）におけるA２と同じ意味を表す。
（１２）一般式（VI）が下記一般式（XII）で表されることを特徴とする（６）に記載の有機電界発光素子。
一般式（XII）
【００２７】
【化１２】
2006114889.tif 000013
【００２８】
式中、R１、R２、R４、ｐ１、ｐ２およびｐ４は一般式（XIII）におけるR １、R２、R４、ｐ１、ｐ２およびｐ４と同じ意味を表す。L１、L２およびｎは一般式（I）におけるL１、L２およびｎと同じ意味を表す。A２は一般式（X）におけるA２と同じ意味を表す。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の白金錯体およびそれを含む発光素子は、耐久性が良好である。本発明の発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。また、本発明の化合物は、医療用途、蛍光増白剤、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザー色素、記録メディア用材料、インクジェット用顔料、カラーフィルター用染料、色変換フィルター、分析用途等にも適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
一般式（I）〜一般式（XII）について説明する。
【００３１】
Q１およびQ４は各々独立に、炭素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。Q２およびQ３は各々独立に、窒素原子とともに不飽和の環を形成するのに必要な原子群を表す。その原子群は、炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素、ゲルマニウム、リンから選択される原子より選択される。不飽和の環を形成する原子間の結合は、単結合、二重結合、三重結合のいかなる組み合わせでもよい。Q１、Q２、Q３およびQ４は、好ましくは、
炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素から形成される場合であり、より好ましくは、炭素、窒素、珪素から形成される場合であり、さらに好ましくは炭素または窒素原子により形成される場合であり、特に好ましくは、Q１、Q２、Q３およびQ４はいずれも炭素からなり、Q１およびQ４は置換ベンゼン環を形成する場合であり、Q２およびQ３は置換ピリジン環を形成する場合である。Q１、Q２、Q３およびQ４を構成する原子群において、さらに置換可能な場合、置換基を有していてもよい。
【００３２】
その置換基としては例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１０であり、例えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【００３３】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ環アミノ基を含み、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【００３４】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、
【００３５】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３
０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
【００３６】
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【００３７】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、
【００３８】
シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、例えば上記のアルキル基は置換アルキル基を含む。
【００３９】
A１は白金と結合する原子を含有する部分構造を表す。A１の部分構造としては、炭素原子で結合する基、窒素原子で結合する基、珪素原子で結合する基、リン原子で結合する基、酸素原子で結合する基、硫黄原子で結合する基が好ましく、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子で結合する基がより好ましく、炭素原子、窒素原子、酸素原子で結合する基がさらに好ましく、炭素原子または酸素原子で結合する基が特に好ましい。
【００４０】
炭素原子で結合する基としては、炭素原子で結合する置換または無置換のアリール基、炭素原子で結合する置換または無置換の五員芳香族へテロ環基、炭素原子で結合する置換または無置換の六員芳香族へテロ環基が好ましく、炭素原子で結合する置換または無置換
のアリール基、炭素原子で結合する置換または無置換の含窒素五員芳香族へテロ環基、炭素原子で結合する含窒素六員芳香族へテロ環基がより好ましく、炭素原子で結合する置換アリール基が特に好ましい。
【００４１】
窒素原子で結合する基としては、置換アミノ基、窒素原子で結合する含窒素芳香族へテロ環基が好ましく、窒素原子で結合する含窒素芳香族へテロ環基がより好ましく、置換カルバゾール、置換ピロール、置換インドールなどが特に好ましい。
【００４２】
リン原子で結合する基としては、置換ホスフィノ基が好ましい。珪素原子で結合する基としては、置換シリル基が好ましい。酸素原子で結合する基としてはオキシ基または置換オキシ基、硫黄原子で結合する基としてはチオール基または置換チオール基が好ましい。
【００４３】
L１、L２は置換基を有していてもよい連結基を表す。その連結基としては、炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素、ゲルマニウム、リン等で構成される連結基であり、より好ましくは、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、酸素原子、硫黄原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、さらに好ましくは単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、置換または無置換のアルキレン基である、二価の連結基としては、例えば以下のものが挙げられるが、下記に限定されるものではない。
【００４４】
【化１３】
2006114889.tif 000014
【００４５】
L１あるいはL２が置換可能である場合、置換基を有していてもよく、その置換基としては、前記Q１、Q２、Q３およびQ４で説明した不飽和環を形成する原子群が、置換基を有する場合で説明した置換基と同じ意味を表す。
【００４６】
ｎは０または１を表す。好ましくはｎは１である。ｎが０の場合、Q１およびQ４は炭素原子とともに形成される不飽和の環、あるいは、Q２およびQ３と窒素原子とともに形成される不飽和の環と、A１とは、結合していないことを意味する。
【００４７】
A２は白金と結合する原子を含有する部分構造を表す。
【００４８】
A２の部分構造としては、窒素原子で配位結合する基、リン原子で配位結合する基、酸素原子で配位結合する基、硫黄原子で配位結合する基が好ましく、窒素原子、リン原子、硫黄原子で配位結合する基がより好ましく、窒素原子、リン原子で配位結合する基がさらに好ましく、窒素原子で配位結合する基が特に好ましい。
【００４９】
窒素原子で配位結合する基としては、置換アミノ基、窒素原子で配位結合する含窒素へテロへテロアリール基が好ましく、窒素原子で配位結合する含窒素へテロ六員環へテロアリール基がより好ましく、特に好ましくは置換ピリジン環である。
【００５０】
リン原子で配位結合する基としては、置換ホスフィノ基が好ましい。酸素原子で配位結合する基としては置換オキシ基、硫黄原子で配位結合する基としては置換スルフィド基が好ましい。
【００５１】
Ａ１と白金、またはＡ２と白金との結合はいかなる結合であっても良い。Ａ１またはＡ２が配位性の分子の場合、白金原子との間の結合は点線で表され、配位結合を表す。Ａ１またはＡ２が配位性の基を表す場合、白金原子との間の結合は実線で表され、配位結合を表す。
【００５２】
配位結合については、例えば、松林玄悦、黒沢英夫、芳賀正明、松下隆之著「錯体・有機金属の化学」３２-３５頁（丸善株式会社）、基礎錯体工学研究会編「新版  錯体化学  基礎と最新の展開」１１頁（講談社サイエンティフィク）等の成書に詳しく解説されている。
【００５３】
次に、一般式（I）の好ましい範囲について説明する。一般式（I）は、好ましくは、一般式（VII）で表される化合物を表す。
【００５４】
一般式（VII）で表される化合物について以下に詳しく説明する。
【００５５】
一般式（VII）において、R１、R２およびR３はそれぞれ独立に置換基を表す。その置換基の例としては、前記一般式（I）の説明において、Q１〜Q４により形成される不飽和環の原子群が置換基を有する場合において、説明した置換基と同じ意味を表す。
【００５６】
R１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、スルフィノ基、ヘテロ環基、またはシリル基である。これらの基の好ましい例としては、置換基で説明した好ましい基と同義であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、またはヘテロ環基であり、最も好ましくは、R１は、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、またはシアノ基である。
【００５７】
R２およびR３は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、スルフィノ基、ヘテロ環基、またはシリル基である。これらの基の好ましい例としては、置換基で説明した好ましい基と同義であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、またはアリールオキシ基であり、特に好ましくは、R２およびR３は、置換もしくは無置換のアルキル基または置換又は無置換のアルコキシ基である。
【００５８】
R１、R２およびR３が置換基を表し、さらに置換可能である場合、置換基を有していてもよく、R１同士、R２同士、R３同士、R１とR２または、R１とR３は互いに結合し環を形成してもよい。
【００５９】
一般式（VII）において、ｐ１、ｐ２およびｐ３は各々独立に０〜３の整数を表し、好ましくはｐ１、ｐ２およびｐ３は０〜２であり、より好ましくは、ｐ１、ｐ２およびｐ３は０〜１である。ｐ１〜ｐ３がそれぞれ２以上の場合、複数存在するR１、R２、R３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、R１同士、R ２同士あるいはR３同士が互いに結合し環を形成してもよい。ｐ１〜ｐ３が０の場合、水素原子で置換されていることを表す。L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるL１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表し、その好ましい例としては、前記一般式（I）において説明した、好ましいL１、L２、ｎおよびA１と同義である。
【００６０】
次に、一般式（II）の好ましい範囲について説明する。一般式（II）は、好ましくは、一般式（VIII）で表される化合物を表す。
【００６１】
一般式（VIII）について以下に詳しく説明する。
【００６２】
一般式（VIII）において、R１、R２、R３、p１、p２およびp３は前記一般式（VII）で説明したR１、R２、R３、p１、p２およびp３と同じ意味を表す。その好ましい例としては、前記一般式（VII）で説明した、好ましいR１、R２、R３、p１、p２およびp３の範囲として説明した意味と同義である。
L１、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるL１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表し、その好ましい例としては、前記一般式（I）において説明した、好ましいL１、L２、ｎおよびA１と同義である。
【００６３】
次に、一般式（III）の好ましい範囲について説明する。一般式（III）は、好ましくは、一般式（IX）で表される化合物を表す。
【００６４】
一般式（IX）について以下に詳しく説明する。
【００６５】
一般式（IX）において、R１、R２、R３、p１、p２およびp３は前記一般式（VII）で説明したR１、R２、R３、p１、p２およびp３と同じ意味を表す。その好ましい例としては、前記一般式（VII）で説明した、好ましいR１、R２、R３、p１、p２およびp３の範囲として説明した意味と同義である。L １、L２、ｎおよびA１は一般式（I）におけるL１、L２、ｎおよびA１と同じ意味を表し、その好ましい例としては、前記一般式（I）において説明した、好ましいL１、L２、ｎおよびA１と同義である。
【００６６】
一般式（IV）の好ましい範囲について説明する。一般式（IV）は、好ましくは、一般式（X）で表される化合物を表す。
【００６７】
一般式（X）について以下に詳しく説明する。
【００６８】
一般式（X）において、R１、R２、p１およびp２は前記一般式（VII）で説明したR１、R２、p１、およびp２と同じ意味を表す。その好ましい例としては、前記一般式（VII）で説明した、好ましいR１、R２、p１およびp２の範囲として説明した意味と同義である。R４は置換基を表す。その置換基の例としては、前記一般式（I）の説明において、Q１〜Q４により形成される不飽和環の原子群が置換基を有する場合において、説明した置換基と同じ意味を表す。
【００６９】
R４は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、スルフィノ基、ヘテロ環基、またはシリル基である。これらの基の好ましい例としては、置換基で説明した好ましい基と同義であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、またはヘテロ環基であり、最も好ましくは、R４は、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、またはシアノ基である。
【００７０】
一般式（X）において、ｐ４は０〜３の整数を表し、好ましくはｐ４は０〜２であり、より好ましくは、は０〜１である。一般式（X）においてｐ１、p２およびｐ４がそれぞれ２以上の場合、複数存在するR１、R２、R４はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、R１同士、R２同士あるいはR４同士が互いに結合し環を形成してもよい。ｐ１、p２およびｐ４が０の場合、水素原子で置換されていることを表す。
【００７１】
L１、L２およびｎは一般式（I）におけるL１、L２およびｎと同じ意味を表し、その好ましい例としては、前記一般式（I）において説明した、好ましいL１、L２およびｎと同義である。A２は一般式（IV）において説明したA２と同じ意味を表し、その例も同様である。
【００７２】
一般式（V）の好ましい範囲について説明する。一般式（V）は、好ましくは、一般式（XI）で表される化合物を表す。
【００７３】
一般式（XI）について以下に詳しく説明する。
【００７４】
一般式（XI）において、R１、R２、p１およびp２は前記一般式（VII）で説明したR１、R２、p１、およびp２と同じ意味を表す。その好ましい例としては、前記一般式（VII）で説明した、好ましいR１、R２、p１およびp２の範囲として説明した意味と同義である。R４は置換基を表す。その置換基の例としては、前記一般式（I）の説明において、Q１〜Q４により形成される不飽和環の原子群が置換基を有する場合において、説明した置換基と同じ意味を表す。R４およびｐ４は前記一般式（X）で説明したR４およびｐ４と同じ意味を表し、R４およびｐ４の好ましい範囲は、前記一般式（X）で説明した好ましいR４およびｐ４の範囲と同じ意味を表す。L１、L２およびｎは一般式（I）におけるL１、L２およびｎと同じ意味を表し、その好ましい例としては、前記一般式（I）において説明した、好ましいL１、L２およびｎと同義である。A２は一般式（IV）において説明したA２と同じ意味を表し、その例も同様である。
【００７５】
一般式（VI）の好ましい範囲について説明する。一般式（VI）は、好ましくは、一般式（XII）で表される化合物を表す。
【００７６】
一般式（XII）について以下に詳しく説明する。
【００７７】
一般式（XII）において、R１、R２、p１およびp２は前記一般式（VII）で説明したR１、R２、p１、およびp２と同じ意味を表す。その好ましい例としては、前記一般式（VII）で説明した、好ましいR１、R２、p１およびp２の範囲として説明した意味と同義である。R４は置換基を表す。その置換基の例としては、前記一般式（I）の説明において、Q１〜Q４により形成される不飽和環の原子群が置換基を有する場合において、説明した置換基と同じ意味を表す。R４およびｐ４は前記一般式（X）で説明したR４およびｐ４と同じ意味を表し、R４およびｐ４の好ましい範囲は、前記一般式（X）で説明した好ましいR ４およびｐ４の範囲と同じ意味を表す。L１、L２およびｎは一般式（I）におけるL１、L２およびｎと同じ意味を表し、その好ましい例としては、前記一般式（I）において説明した、好ましいL１、L２およびｎと同義である。A２は一般式（IV）において説明したA２と同じ意味を表し、その例も同様である。
【００７８】
本発明の化合物は低分子化合物であっても良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。ポリマー化合物の場合、一般式（I）〜一般式（XII）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【００７９】
本発明の化合物は、有機EL素子に適用可能であり、電子輸送材料、正孔ブロック材料、電子ブロック材料、励起子ブロック材料のいずれに用いることも可能であるが、好ましくは正孔注入材料、正孔輸送材料、電子ブロック材料、発光材料であり、より好ましくは正孔注入材料、発光材料であり、さらに好ましくは発光材料である。発光材料として用いる場合、紫外発光、可視光発光、赤外発光であってもよく、また蛍光発光であっても燐光発光であってもよい。
【００８０】
次に本発明の化合物の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００８１】
【化１４】
2006114889.tif 000015
【００８２】
【化１５】
2006114889.tif 000016
【００８３】
【化１６】
2006114889.tif 000017
【００８４】
【化１７】
2006114889.tif 000018
【００８５】
【化１８】
2006114889.tif 000019
【００８６】
【化１９】
2006114889.tif 000020
【００８７】
【化２０】
2006114889.tif 000021
【００８８】
【化２１】
2006114889.tif 000022
【００８９】
【化２２】
2006114889.tif 000023
【００９０】
【化２３】
2006114889.tif 000024
【００９１】
【化２４】
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【００９２】
【化２５】
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【００９３】
【化２６】
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【００９４】
【化２７】
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【００９５】
本発明の一般式（I）〜（VI）で表される化合物はThe Journal of American Chemical Society, 117, 8447,（1995）または、Organometallics, 18, 3337,（1999）に記載の方法等を参照とし合成することができる。
【００９６】
本発明の一般式（I）〜（VI）で表される化合物は種々の手法で合成することができる。例えば、配位子、またはその解離体と金属イオンMを含有する化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、又は溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
【００９７】
本発明の一般式（I）〜（VI）で表される化合物を合成する際の反応時間は反応の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上２４時間以下がさらに好ましい。
【００９８】
本発明の一般式（I）〜（VI）で表される化合物を合成する際の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。
【００９９】
本発明の一般式（I）〜（VI）で表される化合物は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子を金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜１０当量、より好ましくは０．３当量〜６当量、さらに好ましくは０．５当量〜４当量加えて合成することができる。前記の金属化合物としては、金属ハロゲン化物（例えば、塩化白金、塩化白金酸カリウム等）、金属アセテート（例えば、酢酸白金等）、金属アセチルアセトナート（例えば、白金アセチルアセトナート等）、又はそれらの水和物などがあげられる。
【０１００】
次に本発明の前記一般式（I）で表される化合物のうち、例示化合物（I-51）の具体的な合成例を示すが、この方法に限定されるものではない。
【０１０１】
【化２８】
2006114889.tif 000029
【０１０２】
1Ｌの三口フラスコに、2,6-ジブロモピリジン(A)25.0 g(106 mmol)、無水テトラヒドロフラン67 ｍｌ、時エチルエーテル133 mlを加えて、窒素気流下−７８℃で撹拌しているところにn-ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液、６５．５ml、 40.9 mmol）を少しずつ滴下した。その後、−７８℃で５分間撹拌した後、無水N,N-ジメチルホルムアミド16.75 mlを少しずつ滴下した。−７８℃で一時間撹拌した後、−５０℃まで昇温させ、メタノール１２５ｍｌを加えた。さらに室温まで昇温させ撹拌しているところに、水素化ホウ素ナトリウム4.06 g(107 mmol)を加え、室温下で５時間撹拌した。その後、反応混合物にアセトンを加えて反応を停止させたあと、水を加えた。水層を酢酸エチルで抽出し、集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。無機塩を濾別したあと有機層をロータリーエバポレーターで濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、15.3 g(収率77%)の(B)を得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3) δ= 3.22 (br.s, 1H), 4.85 (s, 2H), 7.37 (d, 1H, J = 7.7 Hz), 7.46 (d, 1H, J = 7.7 Hz), 7.56 (t, 1H, J = 7.7 Hz).
【０１０３】
1-ブロモ-2,4-ジフルオロベンゼン (C)17.6 ml (17.4 mmol)、還元鉄0.60 g (10.7 mmol)を1L三口フラスコに入れ、６０℃に加熱撹拌しているところに、臭素24.8 g（18.3 mmol）を３０分以上かけてゆっくりと滴下した。そのまま６０℃でさらに５時間撹拌した。反応終了後、混合物を０℃まで冷却し、さらに無１０％水酸化ナトリウム水溶液を少しずつ滴下した。さらに飽和食塩水を加え、混合物をトルエンで２回抽出した。集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。無機塩を濾別したあと有機層をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、(D)を30.6 g（収率72%）得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3) δ= 6.98 (t, 1H, J = 6.0 Hz), 7.77 (t, 1 H, J = 6.0 Hz).
【０１０４】
300 ml三口フラスコに、(D)を4.90 g(18.0 mmol)、ビスピナコラートジボラン10.1 g(
39.6 mmol)、無水N,N-ジメチルホルムアミド200  ml、酢酸カリウム10.4 ｇ(106 mmol)を加え、窒素気流下、攪拌しているところに、ジフェニルホスフィノフェロセンパラジウムジクロリド0.86 g(1.05 mmol)を加え、８０℃で９時間攪拌した。その後、水を加え、水層を酢酸エチルで抽出した。集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、無機塩を濾別したあと有機層をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、(E)を6.73 gを定量的に得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3) δ= 1.36 (s, 24 H), 6.73 (t, 1H, J = 9.66 Hz), 8.13 (t, 1H, J = 7.44 Hz).
【０１０５】
300 ml三口フラスコに、(B)を 4.11 g(21.9 mmol)、(E)を4.00 g(10.9 mmol)、1,2-ジメトキシエタン80  ml、１Ｍ炭酸水素ナトリウム水溶液60 mlを加え、窒素気流下、攪拌しているところに、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム0.75 g(0.65 mmol)を加え、８０℃で９時間攪拌した。その後、水、酢酸エチルを加え、水層を酢酸エチルで抽出した。集めた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、無機塩を濾別したあと有機層をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し (F)を1.34 g (収率37%)を得た。
1H-NMR (300 MHz, in CDCl3) δ= 3.79 (br.s, 2H, -OH), 4.84 (s, 4H), 7.05 (t, 1H, J = 10.5 Hz), 7.25 (d, 2H, J = 7.5 Hz), 7.69 (br.d, 2H, J = 7.5 Hz), 7.793 (t, 2H, J = 7.8 Hz), 8.58 (t, 1H, J = 9.0 Hz).
【０１０６】
100 ml三口フラスコに、(F)を 200 mg (0.609 mmol)、過ヨウ素酸ナトリウム782 mg (3.67 mmol)、三塩化ルテニウムｎ水和物を一片、アセトニトリル４ｍｌ、四塩化炭素４ｍｌ、水４ｍｌを加え、窒素気流下、室温で３日間攪拌した。その後、反応混合物をアセトニトリルで希釈し、セライトろ過した。得られた残渣をロータリーエバポレーターで濃縮し、さらに粗結晶をクロロホルム−ヘキサンで結晶化させることにより(G)を119 mg（収率57%）を得た。この(G)はこれ以上精製することなく、速やかに次の反応に用いた。
【０１０７】
100 ml三口フラスコに(G)を 84 mg(0.24 mmol)、塩化白金酸カリウム98 mg (0.24 mmol)、アセトニトリル10 ｍｌ、水5 ｍｌを加え、窒素気流下、２日間、加熱還流下で撹拌した。その後、生じた結晶を濾別した。粗結晶を水、アセトニトリル、クロロホルムで洗浄し、難溶性の朱色の結晶(121)34 mg（収率26%）を得た。MS(MALDI-MS, positive), m/z 550 , M+1.
【０１０８】
次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を利用する素子である点以外は通常の発光システム、駆動方法、利用形態などに用いることができる。一般式（I）〜（XII）で表される化合物を発光材料または正孔注入材料・正孔輸送材料として利用する物が好ましい。発光材料として用いる場合は、紫外発光であっても赤外発光であっても良く、また蛍光発光であってもりん光発光であっても良い。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【０１０９】
本発明の発光素子は、種々の公知の手法により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【０１１０】
本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式（特開２００３−２０８１０９，２００３−２４８４４１，２００３−２５７６５１，２００３−２８２２６１などに記載）であっても良い。
【０１１１】
本発明の発光素子で用いられる基材は、特に限定されないが、ジルコニア安定化イットリウム、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子量材料であっても良い。
【０１１２】
本発明の有機電界発光素子は、青色蛍光発光化合物を含有しても良いし、また、青色蛍光化合物を含有する青色発光素子と本発明の発光素子を同時に用いて、マルチカラー発光デバイス、フルカラー発光デバイスを作製しても良い。
【０１１３】
本発明の発光素子は、ホスト材料が一種であっても良いし、二種以上有していても良い。ホスト材料としては、アリールアミン（トリフェニルアミン、ベンジジン）およびその誘導体等、芳香族炭化水素化合物（トリフェニルベンゼン、トリフェニレン、フェナンスレン、ナフタレン、テトラフェニレンなど）およびその誘導体等、芳香族含窒素ヘテロ環化合物（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、ピロールなど）およびその誘導体等、金属錯体（亜鉛錯体、アルミニウム錯体、ガリウム錯体など）が好ましい。
【０１１４】
本発明の発光素子は陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、イオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。
【０１１５】
本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スプレーコート法、ディップコート法、含浸法、ロールコート法、グラビアコート法、リバースコート法、ロールブラッシュ法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、スピンコート法、フローコート法、バーコート法、マイクログラビアコート法、エアードクターコート、ブレードコート法、スクイズコート法、トランスファーロールコート法、キスコート法、キャストコート法、エクストルージョンコート法、ワイヤーバーコート法、スクリーンコート法等）、インクジェット法、印刷法、転写法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。上記のいずれかの形成方法によって基板上に本発明の化合物の層を形成するが、その厚さは特に制限するものではない。好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ〜５μｍである。
【０１１６】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【０１１７】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１１８】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０１１９】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１２０】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、本発明の化合物のほか、例えばベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体、及び、白金ポルフィリン錯体に代表される遷移金属錯体、及
び、それらの誘導体等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、またはコーティング法である。
【０１２１】
発光層は単一化合物で形成されても良いし、複数の化合物で形成されても良い。また、発光層は一つであっても複数であっても良く、それぞれの層が異なる発光色で発光して、例えば、白色を発光しても良い。単一の発光層から白色を発光しても良い。発光層が複数の場合は、それぞれの発光層は単一材料で形成されていても良いし、複数の化合物で形成されていても良い。
【０１２２】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、本発明の化合物、及び、それらの誘導体等が挙げられる。正孔注入層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５ｎｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍである。正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１２３】
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１２４】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及び、それらの誘導体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【０１２５】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘＮｙなどの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１２６】
［実施例］
以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
【０１２７】
（比較例１）
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、ＮＰＤを５０ｎｍ蒸着し、この上にＣＢＰ及び1-1’（国際公開第２００４／０３９９１４号に記載の化合物）を１０：１の質量比で４０ｎｍ蒸着し、さらにこの上にＢＡｌｑを１０ｎｍ、さらにこの上にＡｌｑを３０ｎｍ蒸着した。得られた有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を設置し、フッ化リチウムを３ｎｍ蒸着した後アルミニウムを６０ｎｍ蒸着して比較例１の有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子に直流定電圧（５Ｖ）を印加したところ、発光が観測された。輝度３００ｃｄ／ｍ２で１０時間発光させた。
【０１２８】
【化２９】
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【０１２９】
（実施例１）
比較例１において、1-1’の代わりに、本発明の化合物（121）を用いた以外は比較例１と同様にして実施例１の有機ＥＬ素子を作成した。得られた有機ＥＬ素子に直流定電圧（５Ｖ）を印加したところ、発光が観測された。輝度３００ｃｄ／ｍ２で１０時間発光させたところ、比較例１と比較して、輝度半減期が２倍以上であった。
【０１３０】
同様に、他の本発明の化合物を用いても、耐久性の高い発光素子を作製することができる。本発明の化合物は、青〜緑のりん光発光が可能であり、本発明の化合物を有する青〜緑発光素子を作製することができる。