(57)【要約】【課題】  配線基板に内蔵でき、配線基板に搭載されるＣＰＵ等の半導体チップの近くに配置することが可能な薄型の固体電解キャパシタとその製造方法を提供すること。【解決手段】  陽極接合で接続した二つの絶縁性部材１１、２１で形成された絶縁性の本体１０の片面にキャパシタの第一の電極３８、他面に第二の電極２５を有し、誘電体層１５ａ’が本体内部に位置していて、誘電体層１５ａ’と第一の電極３８との間の本体の領域内に固体電解質３１ａ、誘電体層１５ａ’と第二の電極２５との間の本体の領域内に導電性部材１５あがそれぞれ位置する固体電解キャパシタ４０とする。【選択図】      図１（ｎ）
2006005243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極接合で接続した二つの絶縁性部材で形成された絶縁性の本体の片面にキャパシタの第一の電極、他面に第二の電極を有し、誘電体層が本体内部に位置していて、誘電体層と第一の電極との間の本体の領域内に固体電解質、誘電体層と第二の電極との間の本体の領域内に導電性部材がそれぞれ位置していることを特徴とする固体電解キャパシタ。
【請求項２】
前記二つの絶縁性部材が表面に絶縁処理を施したシリコン製であり、それらの間に配置したガラス層を利用して陽極接合されている、請求項１記載の固体電解キャパシタ。
【請求項３】
前記絶縁性部材の一方が表面に絶縁処理を施したシリコン製であり、他方がガラス製である、請求項１記載の固体電解キャパシタ。
【請求項４】
前記導電性部材の材料がアルミニウムである、請求項１から３までのいずれか一つに記載の固体電解キャパシタ。
【請求項５】
前記誘電体層が前記導電性部材のアルミニウムの陽極酸化により形成されている、請求項４記載の固体電解キャパシタ。
【請求項６】
前記固体電解質が、導電性高分子、無機固体電解質、ＴＣＮＱ錯体、あるいは導電性高分子と無機固体電解質との組み合わせである、請求項１から５までのいずれか一つに記載の固体電解キャパシタ。
【請求項７】
前記導電性高分子がポリピロール、ポリチオフェン又はポリアニリンである、請求項６記載の固体電解キャパシタ。
【請求項８】
前記無機固体電解質がＭｎＯ2である、請求項６記載の固体電解キャパシタ。
【請求項９】
陽極接合で接続した二つの絶縁性部材で形成された絶縁性の本体の片面にキャパシタの第一の電極、他面に第二の電極を有し、誘電体層が本体内部に位置していて、誘電体層と第一の電極との間の本体の領域内に固体電解質、誘電体層と第二の電極との間の本体の領域内に導電性部材がそれぞれ位置している固体電解キャパシタの製造方法であって、
第一の絶縁性部材に貫通孔と絶縁性部材の片面で貫通孔の開口部を取り囲む凹部とを形成すること、
第二の絶縁性部材の第一の絶縁性部材における孔に対応する位置に、一方の開口部の周囲にアルミニウム膜を備えた貫通孔を形成すること、
第一の絶縁性部材の凹部内の貫通孔の開口部にアルミニウム材料を配置すること、
第二の絶縁性部材を、その貫通孔の一方の開口部の周囲のアルミニウム膜が上記アルミニウム材料と接触するように、第一の絶縁性部材に重ねて、当該アルミニウム膜と当該アルミニウム材料とを接合させること、
高温でプレスしながら第一及び第二の絶縁性部材を陽極接合して、その際に上記アルミニウム材料で第一の絶縁性部材の凹部を埋め、且つ第一及び第二の絶縁性部材のうちの一方のものの貫通孔を完全に又は部分的に埋めるとともに他方のものの貫通孔を部分的に埋めるようにそれぞれの貫通孔にアルミニウム材料を充填して導電性部材を形成すること、
上記一方の絶縁性部材の表面に上記導電性部材に接続する電極を形成すること、
上記他方の絶縁性部材の貫通孔を部分的に埋めて当該貫通孔内に表面が露出している導電性部材を陽極酸化して、その表面に誘電体層を形成すること、
上記貫通孔内の誘電体層の表面に固体電解質を形成すること、
上記他方の絶縁性部材の表面に上記固体電解質に接続する電極を形成すること、
を含む固体電解キャパシタ製造方法。
【請求項１０】
第一の絶縁性部材の凹部内の貫通孔の開口部に配置する前記アルミニウム材料としてボール状のアルミニウム材料を使用する、請求項９記載の固体電解キャパシタ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載する配線基板あるいは半導体パッケージに内蔵できる薄型の固体電解キャパシタとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＰＵ等の半導体チップを搭載する配線基板あるいは半導体パッケージには、半導体チップに供給する電源電圧の変動を抑えるためのキャパシタ（デカップリングキャパシタ）が搭載される。例えば、現在市販されているＣＰＵのパッケージには、セラミックチップキャパシタが外付けされている。
【０００３】
近年は、ＣＰＵの動作周波数の高周波化が進んでいるため、より大容量のキャパシタを、よりＣＰＵの近傍に設けることが求められている。キャパシタをＣＰＵに近づけて配置すると、ＣＰＵとキャパシタとを接続する配線のインダクタンスを減少させることができ、配線の電気的特性が向上する。よって、大容量のキャパシタをＣＰＵに近づけて配置することにより、電源電圧の変動を好適に抑えることができる。そこで、キャパシタをＣＰＵの近くに設けるため、配線基板（半導体パッケージ）内部にキャパシタを設けることが考えられている。
【０００４】
例えば、特許文献１、特許文献２には、高容量化が可能な固体電解キャパシタを配線基板内に作り込み、絶縁層内に内蔵した配線基板が開示されている。しかし、固体電解キャパシタを配線基板内に作り込むのは、そのための工程が複雑であり、実際に製品化することは困難である。
【０００５】
特許文献３には、配線基板とは別に形成した単独の電子部品としてのキャパシタを配線基板内に内蔵させることが開示されている。この場合には、キャパシタは、導電性接着ペースト又は導電性接着シートを用いて形成された導電層を介して、基板内部の配線層に接続される。この技術により、電子部品としての固体電解キャパシタを配線基板内に内蔵すれば、工程が複雑で実際に製品化するのが困難であるという、固体電解キャパシタを配線基板内に作り込む上述の技術の難点を克服できると考えられる。
【０００６】
従来の電子部品としての固体電解キャパシタは容量が大きく、実績もあるが、電子部品としてのこれまでの固体電解キャパシタは、例えば特許文献４〜６に記載されたように、キャパシタ素子にリードを取り付け、そしてキャパシタ素子の全体を樹脂封止して製作されるため外形が大きく、厚くなってしまう。そのため、これまでの固体電解キャパシタを薄く形成される配線基板の絶縁層内に内蔵することは難しい。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２４６２７２号公報
【特許文献２】特開２００２−２６０９６０号公報
【特許文献３】特開２００１−２７４０３４号公報
【特許文献４】特開平６−３１０３８７号公報
【特許文献５】特開平７−２２６３３６号公報
【特許文献６】特開平１１−２８８８４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述の従来技術の問題を解決して、配線基板に内蔵でき、配線基板に搭載されるＣＰＵ等の半導体チップの近くに配置することが可能な薄型の固体電解キャパシタとその製造方法を提供することが、本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の固体電解キャパシタは、陽極接合で接続した二つの絶縁性部材で形成された絶縁性の本体の片面にキャパシタの第一の電極、他面に第二の電極を有し、誘電体層が本体内部に位置していて、誘電体層と第一の電極との間の本体の領域内に固体電解質、誘電体層と第二の電極との間の本体の領域内に導電性部材がそれぞれ位置していることを特徴とする。
【００１０】
陽極接合で接続される二つの絶縁性部材は、例えば、表面に絶縁処理を施したシリコン製でよく、この場合の二つのシリコン製絶縁部材は間に配置したガラス層を利用して陽極接合される。あるいは、絶縁性部材の一方は表面に絶縁処理を施したシリコン製、他方はガラス製でもよく、この場合は双方の絶縁性部材は直接陽極接合される。
【００１１】
好ましくは、導電性部材の材料はアルミニウムである。やはり好ましくは、誘電体層はアルミニウムの導電性部材の陽極酸化により形成される。
【００１２】
前記固体電解質は、例えば、導電性高分子、無機固体電解質、ＴＣＮＱ錯体、あるいは導電性高分子と無機固体電解質との組み合わせでよい。好ましくは、導電性高分子はポリピロール、ポリチオフェン又はポリアニリンである。好ましくは、無機固体電解質はＭｎＯ2である。
【００１３】
本発明の固体電解キャパシタは、
第一の絶縁性部材に貫通孔と絶縁性部材の片面で貫通孔の開口部を取り囲む凹部とを形成すること、
第二の絶縁性部材の第一の絶縁性部材における孔に対応する位置に、一方の開口部の周囲にアルミニウム膜を備えた貫通孔を形成すること、
第一の絶縁性部材の凹部内の貫通孔の開口部にアルミニウム材料を配置すること、
第二の絶縁性部材を、その貫通孔の一方の開口部の周囲のアルミニウム膜が上記アルミニウム材料と接触するように、第一の絶縁性部材に重ねて、当該アルミニウム膜と当該アルミニウム材料とを接合させること、
高温でプレスしながら第一及び第二の絶縁性部材を陽極接合して、その際に上記アルミニウム材料で第一の絶縁性部材の凹部を埋め、且つ第一及び第二の絶縁性部材のうちの一方のものの貫通孔を完全に又は部分的に埋めるとともに他方のものの貫通孔を部分的に埋めるようにそれぞれの貫通孔にアルミニウム材料を充填して導電性部材を形成すること、
上記一方の絶縁性部材の表面に上記導電性部材に接続する電極を形成すること、
上記他方の絶縁性部材の貫通孔を部分的に埋めて当該貫通孔内に表面が露出している導電性部材を陽極酸化して、その表面に誘電体層（上記の第二の電極に相当する）を形成すること、
上記貫通孔内の誘電体層の表面に固体電解質を形成すること、
上記他方の絶縁性部材の表面に上記固体電解質に接続する電極（上記の第一の電極に相当する）を形成すること、
を含む方法により製造することができる。
【００１４】
第一の絶縁性部材の凹部内の貫通孔の開口部に配置する前記アルミニウム材料は、ボール状であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、従来の単独の電子部品としての固体電解キャパシタに比べて薄型の、単独電子部品としての個体電解キャパシタの利用が可能になる。本発明による固体電解キャパシタは、薄型であるという特性から、ＣＰＵ等の半導体チップを搭載する配線基板（半導体パッケージ）に容易に内蔵することができる。従って、本発明の固体電解キャパシタは、動作周波数の高周波化が進むＣＰＵの近くに配置して、ＣＰＵにつながる配線インダクタンスを低下させ、電源電圧の変動を抑制するのに効果的に使用することができる。また、本発明による固体電解キャパシタを使用すれば、等価直列インダクタンスの小さい配線回路を構成することも可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図面を参照して本発明を説明する。言うまでもなく、以下の説明は一例であって、本発明はそれに限定されるものではない。
【００１７】
絶縁性本体の一方の部材である下部部品を作製するため、ホトレジストパターンをマスクとして使用する誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）により、シリコン基板（３ｍｍ×３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）に開口径０．２ｍｍ、ピッチ１ｍｍの孔を１列に２個ずつ２列開けて、計４個形成する。このときのエッチング条件は、２５００Ｗ、１５Ｐａで、エッチングガスとしてＳＦ6を使用する。その後、レジストパターンを除去し、別のレジストパターンを形成して、上述の孔の形成時と同じ条件のＩＣＰ−ＲＩＥで各孔の周囲に凹部（開口径０．２８ｍｍ、深さ０．１ｍｍ）を形成する。こうして孔と凹部を形成したシリコン基板を図１（ａ）に示す。この図において、シリコン基板は符号１１で表され、孔は１２、その周囲の凹部は１３で表されている。
【００１８】
レジストパターン（図示せず）を除去後、シリコン基板１１を１０００℃で８時間程度処理して、図１（ｂ）に示したように全面に絶縁膜としての熱酸化膜（ＳｉＯ2膜）１１ａを形成する。この熱酸化膜１１ａは、これからの説明で参照する図１（ｃ）以下では簡単にするため示されていない。
【００１９】
図１（ｃ）に示したように、シリコン基板１１の凹部１３を形成した方の面に、Ｎａ添加の低アルカリホウケイ酸ガラスの厚さ１μｍの層１４をスパッタリング（０．３〜１Ｐａ、１００〜５００Ｗ、Ａｒ雰囲気）により形成する。次いで、凹部１３内の孔１２の部分に直径０．２５μｍのＡｌボール１５（図１（ｄ））を配置する。
【００２０】
続いて、上部部品の作製のため、下部部品の作製時と同様のＩＣＰ−ＲＩＥにより、図１（ｅ）に示したようにシリコン基板２１（３ｍｍ×３ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ）に開口径０．１５ｍｍ、ピッチ１ｍｍの孔２２を計４個、下部部品の孔１２の位置に対応する箇所に形成する。このときのエッチング条件は、２５００Ｗ、１５Ｐａで、エッチングガスとしてＳＦ6を使用する。レジストパターン（図示せず）を除去後、シリコン基板２１を１０００℃で８時間程度処理して、図１（ｆ）に示したように全面に絶縁膜としての熱酸化膜（ＳｉＯ2膜）２１ａを形成する。この熱酸化膜２１ａは、これからの説明で参照する図１（ｇ）以下では簡単にするため示されていない。
【００２１】
次に、シリコン基板２１の片面にスパッタリング（０．３〜１Ｐａ、１００〜５００Ｗ、Ａｒ雰囲気）により厚さ１μｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフィーの手法で、孔２２の周囲だけにＡｌ膜２４（図１（ｇ））を残す。このときのＡｌ膜のエッチングにはスタンフォードエッチング液（リン酸、酢酸、硝酸を含有する水溶液）を使用する。その後、エッチングのマスクに使用したレジストパターン（図示せず）を除去する。
【００２２】
図１（ｈ）に示したように、下部部品の基板１１の孔１２と上部部品の基板２１の孔２２の位置を合わせて基板１１の上に基板２１を重ね、下部部品のＡｌボール１５と上部部品のパターニングしたＡｌ膜２４とを接触させ、そしてステージ温度を室温とし、５０〜４００ｇの加重のもとに超音波発振時間１０〜８０ｍｓｅｃの条件で超音波接続処理を行って、下部部品のＡｌボール１５を上部部品のＡｌ膜２４を介してシリコン基板２１に接合する。
【００２３】
続いて、下部部品のシリコン基板１１を陰極、上部部品のシリコン基板２１を陽極として、１ｋｇの加重のもとにプレスしながら２５０℃、２０〜２００Ｖの条件で陽極接合処理を行い、図１（ｉ）に示したように下部部品のシリコン基板１１をその上のガラス層１４を介して上部部品のシリコン基板２１に接合する。Ａｌボール１５、はこのときのプレスで下部部品の孔１２の一部と凹部１３（図１（ｈ））を充填し、且つ上部部品の孔２２（図１（ｈ））を充填して、図１（ｉ）に１５ａで示された導通部材１５ａ（Ａｌボール１５とＡｌ膜２４が合体したもの）を形成する。
【００２４】
上部部品の基板２１の上に、０．３〜１Ｐａ、１００〜５００Ｗ、Ａｒ雰囲気でのスパッタリングによりＴｉ膜（厚さ０．０１μｍ）とその上のＣｕ膜（厚さ０．２μｍ）により構成されるＴｉ／Ｃｕスパッタ層２５を形成する（図１（ｊ））。
【００２５】
次に、下部部品の孔１２内のＡｌ材料の導通部材１５ａがステンレス鋼製の容器（図示せず）内のアジピン酸アンモニウム水溶液（陽極酸化処理液）に浸るようにし、そして上部部品側のＴｉ／Ｃｕ層２５を直流電源の正極に接続し、ステンレス鋼の容器を負極に接続して１０〜８０Ｖの電圧を印加して、Ａｌ材料の導通部材１５ａの表面に陽極酸化膜（Ａｌ2Ｏ5膜）の誘電体層１５ａ’（図１（ｋ））を形成する。こうして、上部部品と下部部品を接合した中間製品２７（図１（ｋ））が得られる。
【００２６】
中間製品２７の下部部品の孔１２が開口する面だけが露出するようにマスキング処理を施し、露出面及び孔１２の内部をエタノールに無水塩化第二鉄を添加した溶液と接触させてそこに酸化剤を定着させ、そしてピロールモノマーとドーパント（過塩素酸イオン又は四フッ化ホウ酸イオン）を含む溶液と接触させて化学重合により厚さ１０μｍのポリピロールの化学重合膜（図示せず）を形成する。続いて、この化学重合膜を形成した中間製品を、ピロールモノマーとドーパント（過塩素酸イオン又は四フッ化ホウ酸イオン）を含むアセトニトリルの溶液中に浸漬して、化学重合膜を陽極とし、溶液中のステンレス鋼の板を陰極とする電解重合を行い、厚さ２０μｍのポリピロールの電解重合膜（図示せず）を形成する。こうして、図１（ｌ）に示したように露出面を覆い孔１２（図１（ｋ））を充填する固体電解質層３１を得る。
【００２７】
中間製品２７上の固体電解質層３１を研磨により除去して、孔１２内の固体電解質３１ａ（図１（ｍ））のみを残す。次いで、図１（ｎ）に示したように、固体電解質層を除去した面にその周囲を除いてカーボンペーストを印刷して１５０℃で３０分間硬化させて、厚さ５〜１０μｍのカーボンペースト層３３を形成する。更にその上に、Ａｇペーストを印刷して１８０℃で６０分間硬化させ、厚さ５〜５０μｍのＡｇペースト層３４を形成する。続いて、カーボンペースト層３３とＡｇペースト層３４の外側に、封止及び接着用のエポキシ樹脂層３６を印刷し、このエポキシ樹脂層３６とＡｇペースト層３４を覆うＣｕ箔３８（厚さ０．１ｍｍ）を貼り付ける。こうして、本発明の固体電解キャパシタ４０が得られる。
【００２８】
本発明の固体電解キャパシタ４０は、図１（ｎ）に示したように、絶縁性の本体１０（全面に熱酸化膜を形成する絶縁処理を施すことにより絶縁性にされ、且つガラス層１４を利用する陽極接合により一体化されたシリコン基板１１、２１から構成されている）の内部に、誘電体層１５ａ’を有し、この誘電体層１５ａ’は固体電解質３１ａを介して本体１０の片側のＣｕ箔３８の一方の電極に接続し、また導電部材１５ａを介して本体１０のもう一方の側の、Ｔｉ膜とその上に形成したＣｕ膜から構成されるＴｉ／Ｃｕ層２５のもう一方の電極に接続している。これらの電極の少なくとも一方（例えばＴｉ／Ｃｕ層２５の上部電極）をパターニングしてもよい。図１（ｏ）に、パターニングした上部電極２５ａを備えた固体電解キャパシタ４０ａを示す。
【００２９】
次に、本発明の固体電解キャパシタのもう一つの例を説明する。この例の固体電解キャパシタは、表面に絶縁処理を施した２つのシリコン基板の一方をガラス基板（Ｎａ添加の低アルカリホウケイ酸ガラスの基板）に替えることを除いて、先に説明した例のキャパシタと同様である。
【００３０】
具体的に説明すると、この例の場合には、図２（ａ）に示したように、先の例のシリコン基板１１（図１（ａ））と同じ寸法（３ｍｍ×３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ）のガラス基板５１を用意し、その片面に形成したホトレジストパターンをマスクに使用する２段階のサンドブラスト処理（粒子径が＃６００〜＃２５００の研摩材を圧力０．５〜２ＭＰａでガラス基板に吹き付ける）により、孔５２（開口径０．２ｍｍ）と凹部５３（開口径０．２８ｍｍ、深さ０．１ｍｍ）を形成する。続いて、図２（ｂ）に示したように、ガラス基板５１の凹部５３内の孔５２の部分に、先の例で使用したのと同じ直径０．２５ｍｍのＡｌボール１５を配置して、固体電解キャパシタの下部部品を作製する。
【００３１】
ガラス基板５１は、それ自体が絶縁性のため、先の例で使用したシリコン基板のようにその全面に酸化膜を形成するといった絶縁処理を行わずに、固体電解キャパシタの製造に使用することができる。また、ガラス基板５１は、ここで説明する例の上部部品で使用するシリコン基板（このシリコン基板には、先の例で説明した上部部品のシリコン基板と同じように表面に絶縁処理が施される）に直接溶接接合することができる。
【００３２】
その後、先の例で図１（ｅ）〜１（ｎ）を参照して説明した工程に従って、この例の固体電解キャパシタを製造することができる。但し、下部部材のガラス基板５１（図２（ｂ））と上部部材の孔２２の周囲にパターニングしたＡｌ膜２４を備えたシリコン基板２１（図１（ｇ））を接続する陽極接合時には、ガラス基板５１を陰極とする。
【００３３】
図１（ｎ）に示した本発明の固体電解キャパシタ４０あるいは図１（ｏ）に示した本発明の固体電解キャパシタ４０ａは、これまでの単独の電子部品としての固体電解キャパシタのように全体を樹脂封止したキャパシタ素子から引き出したリードを使用しないことから、従来の単品の固体電解キャパシタと比べ特に薄型にすることができ、配線基板に内蔵するのが容易である。図３に、本発明のキャパシタを内蔵した配線基板の一部分を例示する。この図の例では、コア基板６０の上に絶縁層６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄが位置し、コア基板６０上と各絶縁層６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ上に配線６４が形成され、コア基板６０の両面の配線はスルーホール６６で、またコア基板６０の片側の各層の配線はビア６８で相互に接続されている。本発明の固体電解キャパシタ７０は、絶縁層６２ｂの上の絶縁層６２ｃ中に埋め込まれている。このキャパシタ７０の一方の電極（図示せず）は上面、もう一方の電極（図示せず）は下面に露出しており、それぞれ上層及び下層の配線に接続されている。
【００３４】
本発明の固体電解キャパシタでは、既に説明した態様のほかにも様々な態様が可能である。例えば、シリコン基板の孔と凹部の加工では、先に説明したＩＣＰ−ＲＩＥのドライエッチングのほかに、ウェットエッチングを使用してもよく、ガラス基板の孔と凹部の加工では、先に説明したサンドブラストのほかに、ウェットエッチング、超音波加工などを使用してもよい。シリコン基板を絶縁性する表面処理には、例えばＣＶＤ法などで全面に絶縁材料を被着させる方法を使用することも可能である。固体電解質には、先に説明した例で使用したポリピロール以外に、ポリチオフェン、ポリアニリンなどのその他の導電性高分子を使用してもよい。また、固体電解質には、ＭｎＯ2に代表される無機固体電解質、ＴＣＮＱ錯体、あるいはＭｎＯ2等の無機固体電解質と導電性高分子との組み合わせを使用してもよい。例えばＭｎＯ2を使用する場合は、硝酸マンガン水溶液の熱分解を利用することができ、ＭｎＯ2を導電性高分子と組み合わせる場合には、最初に形成したＭｎＯ2層の上に電解重合で導電性高分子の層を形成することができる。キャパシタの側面部の封止及び一方の電極となる金属材料の接着に用いる樹脂材料には、先の例で使用したエポキシ樹脂のほかに、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などを使用することもできる。更に、下部部材の孔と凹部を形成する順序は先の例で説明したのと逆に、最初に凹部を形成してから孔を形成することも可能である。下部部材と上部部材も、先の例で説明したのと逆の順序で製作しても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１（ａ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｂ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｃ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｄ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｅ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｆ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｇ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｈ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｉ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｊ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｋ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｌ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｍ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｎ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図１（ｏ）】本発明の固体電解キャパシタとその製造を説明する図である。
【図２（ａ）】本発明のもう一つの例の固体電解キャパシタの製造で使用する上部部材の製作を説明する図である。
【図２（ｂ）】本発明のもう一つの例の固体電解キャパシタの製造で使用する上部部材の製作を説明する図である。
【図３】本発明の固体電解キャパシタを内蔵した配線基板の例を説明する図である。
【符号の説明】
【００３６】
１１、２１    シリコン基板
１１ａ、２１ａ    熱酸化膜
１２、２２、５２    孔
１３、５３    凹部
１４    ガラス層
１５    Ａｌボール
１５ａ    導通部材
１５ａ’    誘電体層
２４    Ａｌ膜
２５    Ｔｉ／Ｃｕ層
３１    固体電解質層
３１ａ    固体電解質
３３    カーボンペースト層
３４    Ａｇペースト層
３６    エポキシ樹脂層
３８    Ｃｕ箔
４０、４０ａ、７０    固体電解キャパシタ
５１    ガラス基板
【図１（ａ）】
2006005243.tif 000003
【図１（ｂ）】
2006005243.tif 000004
【図１（ｃ）】
2006005243.tif 000005
【図１（ｄ）】
2006005243.tif 000006
【図１（ｅ）】
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【図１（ｆ）】
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【図１（ｇ）】
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【図１（ｈ）】
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【図１（ｉ）】
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【図１（ｊ）】
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【図１（ｋ）】
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【図１（ｌ）】
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【図１（ｍ）】
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【図１（ｎ）】
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【図１（ｏ）】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図３】
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