(57)【要約】【課題】  特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を簡略化する。【解決手段】  表示装置に用いられるＴＦＴ基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Ａｌゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、Ａｌソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Ａｌゲート電極及び／又は前記Ａｌソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするＴＦＴ基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。【選択図】  図１
2006195086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置に用いられるＴＦＴ基板であって、
透明基板と、
前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、
前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、
を備え、
前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Ａｌゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、Ａｌソース・ドレイン電極と、を含み、
前記画素電極は、前記Ａｌゲート電極及び／又は前記Ａｌソース・ドレイン電極と直接接合し、
当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするＴＦＴ基板。
【請求項２】
前記画素電極が、さらに酸化スズを含有し、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とする請求項１記載のＴＦＴ基板。
【請求項３】
前記酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする酸化物中の亜鉛の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）が０．５〜０．８５であることを特徴とする請求項２記載のＴＦＴ基板。ここで、［Ｚｎ］は、亜鉛原子の数を表し、［Ｓｎ］は、スズ原子の数を表す。
【請求項４】
前記酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする酸化物からなる前記画素電極の端部のテーパー角が３０〜８９度であることを特徴とする請求項２又は３に記載のＴＦＴ基板。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載のＴＦＴ基板を製造する方法において、
酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする透明導電膜をパターニングして電極端部のテーパー角が３０〜８９度である前記画素電極を形成するパターニング工程、
を備え、
前記パターニング工程は、エッチング液として蓚酸の濃度が１ｗｔ％〜１０ｗｔ％である水溶液を用い、このエッチング液の温度を２０〜５０℃の範囲に設定して前記透明導電膜をエッチングするエッチング工程、を含み、
酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする前記酸化物中の亜鉛の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）が０．５〜０．８５であることを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。ここで、［Ｚｎ］は、亜鉛原子の数を表し、［Ｓｎ］は、スズ原子の数を表す。
【請求項６】
請求項２〜４のいずれかに記載のＴＦＴ基板の製造方法において、
酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする前記透明導電膜をパターニングして電極端部のテーパー角が３０〜８９度である前記画素電極を形成するパターニング工程、
を備え、前記パターニング工程は、
前記透明導電膜上に塗布されたレジストを、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの１〜５ｗｔ％水溶液をレジスト現像液として用いて現像する現像工程と、
エッチング液として蓚酸の濃度が１ｗｔ％〜１０ｗｔ％である水溶液を用い、このエッチング液の温度を２０〜５０℃の範囲に設定して前記透明導電膜をエッチングするエッチング工程と、
エタノールアミンを含む剥離液を用いて前記レジストを剥離する剥離工程と、
を含み、
酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする前記酸化物中の亜鉛の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）が０．５〜０．８５であることを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。ここで、［Ｚｎ］は、亜鉛原子の数を表し、［Ｓｎ］は、スズ原子の数を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ａｌ金属配線と、透明導電膜と、が設けられている基板、特に、薄膜トランジスタのＡｌ金属配線を備えた透明導電膜積層基板、すなわちＴＦＴ基板に関する。また、このＴＦＴ基板の製造方法に関する。
【０００２】
Ａｌ金属配線を備えた透明導電膜積層基板の典型的な例の一つに、ＴＦＴ基板が知られている。  アモルファスシリコン薄膜トランジスタ（α−ＳｉＴＦＴ）又はポリシリコン薄膜トランジスタ（ｐ−ＳｉＴＦＴ）を用いた液晶表示装置や有機ＥＬを駆動するために、駆動用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）を載置したいわゆるＴＦＴ基板が広く利用されている。本発明は、このＴＦＴ基板及びその製造方法に関する。なお、ＴＦＴ基板は、一般に複数のＴＦＴが基板上に設けられることが多いので、ＴＦＴアレイ基板と呼ばれることが多い。
【０００３】
さらに詳しく言えば、本発明は、画素電極パターンとＡｌソース・ドレイン配線との接触抵抗、及びＡｌゲート配線取り出し部、Ａｌソース・ドレイン電極取り出し部のＡｌ配線金属と透明電極とが直接接触しても抵抗を低減できる液晶表示装置や有機ＥＬ用ＴＦＴ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置は、低消費電力でフルカラー化が容易である等の特徴を有することから薄型ディスプレイの中で有望視されている。特に、近年では、これらの装置の表示画面の大型化に関する開発が活発である。
【０００５】
特に、各画素毎にα−ＳｉＴＦＴ又はｐ−ＳｉＴＦＴをスイッチング素子としてマトリックス状に配列し、各画素を駆動するアクティブマトリックス方式が広く利用され、開発も活発である。この方式を液晶表示装置に用いたアクティブマトリックス方式液晶平面ディスプレイは、８００×６００画素以上の高精細化を行っても、コントラスト比が劣化せず、高性能カラー表示ディスプレイとして注目されている。
【０００６】
このようなアクティブマトリックス方式液晶平面ディスプレイでは、画素電極として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明電極を用い、トランジスタ（ＦＥＴ）のソース電極としては、Ａｌ系合金薄膜を用いることが多い。この理由は、ＩＴＯはシート抵抗が低く且つ透過率が高いこと、及び、Ａｌは容易にパターニングでき且つ低抵抗で密着性が高いこと、である。
【０００７】
図１には、Ａｌ金属配線を備えた透明導電膜積層基板を作成している途中の様子を示す断面図が示されている。この図１自体は、本発明の図でもあると共に従来技術の図でもある。
【０００８】
この図１は、液晶平面ディスプレイの製造工程において、画素電極のパターン形成が終了した段階のα−ＳｉＴＦＴ近傍の断面を示したものである。従来の液晶ディスプレイも画素電極の素材を除いて、基本的構造は同様であるので、この図１を用いて従来技術の説明を行う。
【０００９】
この図１においては、透光性ガラス基板１上にゲート電極パターン２を形成し、次にプラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮゲート絶縁膜３、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４、チャンネル保護膜５及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６を連続的に形成し、所望の形状にパターン化する。さらに、Ａｌを主体とする金属膜を真空蒸着法或いはスパッタ法により堆積し、フォトリソグラフィ技術により所定のパターンのソース電極７及び所定のパターンのドレイン電極８を形成し、α−ＳｉＴＦＴ素子部分が完成する。この上に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法にて堆積し、フォトリソグラフィ技術によりソース電極７と電気的に接続した画素電極パターン９を形成する。
【００１０】
ＩＴＯ膜をＡｌ膜の後に堆積する理由は、α−Ｓｉ：Ｈ膜とソース及びドレイン電極との電気的なコンタクト特性を劣化させないためである。また、Ａｌは安価で比抵抗が低く、ゲート及びソース・ドレイン電極配線の抵抗増大による液晶ディスプレイの表示性能の低下を防ぐ意味で優れた材料の一つである。
【００１１】
上記の製造工程において、Ａｌを主体とするソース・ドレイン電極パターンを形成した後、ＩＴＯ画素電極パターンをＨＣｌ−ＨＮＯ３−Ｈ２Ｏ系エッチング液で加工すると、しばしば、加工終了時点でＡｌパターンが溶出してしまうという現象が観察された。
【００１２】
これは、本来、ＡｌもＩＴＯエッチング液であるＨＣｌ−ＨＮＯ３−Ｈ２Ｏ系エッチング液に溶解する性質を持っていることに起因するものと考えられる。エッチング液中のＨＮＯ３はＡｌ表面に薄いＡｌ酸化膜を形成し、Ａｌの溶出を防止する意味で添加されている。しかし、実際には、ＩＴＯ膜のエッチング時間が長かったり、Ａｌを堆積している最中にＡｌ膜中に混入した不純物、異物などの欠陥部分が存在すると、局部電池反応により、上記のＡｌの酸化効果が十分に作用しない場合があると考えられる。
【００１３】
このようなＡｌの溶出を防止するために、ＩＴＯ膜を非晶質にすることで、ＨＣｌ−ＨＮＯ３−Ｈ２Ｏ系エッチング液に対するＩＴＯ／Ａｌエッチングレート比を大きくする技術が下記特許文献１に記載されている。なお、エッチングレートとは、エッチングの速度である。すなわち、エッチングレート比とは、エッチングする速度の比を意味する。
【００１４】
しかしながら、ＩＴＯ膜を非晶質にしてもＨＣｌ−ＨＮＯ３−Ｈ２Ｏ系エッチング液を用いるため、Ａｌの溶出は完全には防止されておらず、高精細な液晶ディスプレイを実現することは困難な場合もあった。
【００１５】
このような問題に鑑み、例えば下記特許文献２においては、Ａｌゲート、ソース・ドレイン電極パターン上での透明電極、画素電極のパターン化を蓚酸系のエッチング液を用いたエッチングによって実行し、パターン化を容易にすることが開示されている。また、この特許文献２においては、高精細な液晶ディスプレイの製造方法を提供することを目的とし、酸化インジウム−酸化亜鉛からなる組成の透明電極を用いることが提案されている。
【００１６】
そして、この特許文献２に記載されているような構成では、Ａｌゲート線／透明電極、Ａｌソース・ドレイン電極／画素電極との間で発生する接触抵抗が無視できない大きさになることが知られている。そのため、通常は、Ａｌ線をＴｉ、Ｃｒ、Ｍｏなどのバリヤーメタルで覆う手法が採用されている。このような手法は、下記特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６に記載されている。
【００１７】
このように、従来の改良された技術においては、Ａｌ配線を利用する場合、バリヤーメタルを使用せざるを得ないことからそのバリヤーメタルの成膜、エッチングが必要であり、製造工程を複雑にしていた。
【００１８】
また、Ａｌに各種金属を添加した合金が報告されているが、上記接触抵抗を小さくすることは非常に困難であると考えられる。これは、Ａｌ自体表面に酸化皮膜を形成し、この酸化皮膜は絶縁体であり、この絶縁体が接触抵抗を大きくしていると考えられるためである。このように、Ａｌに各種金属を添加した合金は、下記特許文献７、特許文献８、特許文献９等に記載されている。
【００１９】
この酸化皮膜による接触抵抗を低減するために、Ａｌ薄膜上にＩｎ、Ｚｎなどの金属の薄膜を設置する方法等が考案されている。このような手法によれば、接触抵抗は小さくなるが、これらの薄膜を成膜する必要があり、さらに、画素電極の透過率が低下するなどの問題が見られた。このような金属皮膜については、下記特許文献１０に記載されている。
【００２０】
一方、Ａｌに特殊な金属成分を添加することにより、ＩＴＯとの接触抵抗が低減できると報告があるが、Ａｌに特殊な金属成分を添加することにより、電池反応が起きやすくなり、画素の黒化や、配線の腐食や線細りの問題が出ている。このような技術は下記特許文献１１に記載されている。
【００２１】
ところで、酸化亜鉛−酸化スズ系の透明導電膜としては、過去より数多くの報告があり、非晶質膜等も報告されている。このような非晶質膜については、例えば、下記特許文献１２、特許文献１３、特許文献１４等に記載がある。
【００２２】
しかし、酸化スズは化学的な安定性に優れるために、エッチングが難しいことが知られている。
【００２３】
【特許文献１】特開昭６３−１８４７２６号公報
【特許文献２】特開平１１−２６４９９５号公報
【特許文献３】特開平１０−６５１７４号公報
【特許文献４】特開平１１−１８４１９５号公報
【特許文献５】特開平１１−２５８６２５号公報
【特許文献６】特開平１１−２５３９７６号公報
【特許文献７】特開平７−４５５５５号公報
【特許文献８】特開平７−３０１７０５号公報
【特許文献９】特開平１−２８９１４０号公報
【特許文献１０】特開２００３−０１７７０６号公開公報（特願２００１−２００７１０）
【特許文献１１】特開２００４−２１４６０６号公報
【特許文献１２】特開昭６０−０６８５０８号公報
【特許文献１３】特開平０８−１７１８２４号公報
【特許文献１４】特開平０９−０３５５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本願発明者らは、このような背景の下、特定の組成のスパッタリングターゲット、特に酸化亜鉛中にＺｎ２ＳｎＯ４なる化合物を分散させたスパッタリングターゲットを用いて成膜することにより、室温から３００℃までの基板温度でも結晶化せず、安定な非晶質構造を保ち、しかも弱酸である蓚酸で容易にエッチングできることを見出した。
【００２５】
また、このようにして得られた電極のテーパー角は３０度から８９度であり、良好なテーパー角が得られることを見出した。さらに、エッチング工程で使用するＴＭＡＨ中、Ａｌと本発明の透明導電膜が電気的に接続された状態においても電池反応が生じず、Ａｌ配線の溶融や腐食による断線が発生しないことを見いだした。
【００２６】
しかも、上記特定の組成範囲では、Ａｌと直接接触させても大きな接触抵抗が発生せず、安定した導電性が得られることも見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００２７】
さて、本発明は、上記従来の技術が有する課題に鑑みなされたものであり、特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板の製造方法を簡略化することを目的とする。
【００２８】
また、本発明の他の目的は、Ａｌゲート／透明電極、Ａｌソース・ドレイン／画素電極を直接接触させてもその間に大きな接触抵抗を発生させない構成（材料・組成）を実現することである。
【００２９】
また、本発明の他の目的は、各種薬液による電池反応を抑制することができる金属酸化物透明導電膜を与え、これを用いることによって、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置に使用可能なＴＦＴ基板・ＴＦＴアレイ基板を提供することにある。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、ＴＦＴ基板の製造方法を簡略化することができる。
【００３１】
また、本発明によれば、Ａｌゲート／透明電極、Ａｌソース・ドレイン／画素電極を直接接触させてもその間に大きな接触抵抗を発生させることがない。その結果、本発明のＴＦＴ基板、ＴＦＴアレイ基板を表示装置に用いれば、中間調の表示が可能な表示装置（例えば、液晶表示装置）を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明の前記目的は、画素電極として、酸化亜鉛と酸化スズを主成分とする非晶質導電性酸化物からなる透明導電膜を用い、さらに該透明電膜を、蓚酸水溶液であるエッチング液や硝酸・燐酸・酢酸の混酸でパターン化することにより達成される。すなわち、本発明は、下記の通りである。
【００３３】
Ａ．  ＴＦＴ基板に関する発明
（１）上記課題を解決するために、本発明は、表示装置に用いられるＴＦＴ基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Ａｌゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第１の半導体層と、第２の半導体層と、Ａｌソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Ａｌゲート電極及び／又は前記Ａｌソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするＴＦＴ基板である。
【００３４】
このような構成によれば、透明導電膜とＡｌ配線との間にバリヤーメタル等を設けていないので、製造工程が簡略化される。
【００３５】
（２）また、本発明は、前記画素電極が、さらに酸化スズを含有し、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とする（１）のＴＦＴ基板。
【００３６】
このような構成によれば、（１）と同様に透明導電膜とＡｌ配線との間にバリヤーメタル等を設けていないので、製造工程が簡略化される。
【００３７】
また、Ａｌゲート線と画素電極との間、Ａｌソース・ドレイン電極と画素電極との間には、従来技術では無視できない大きな接触抵抗が発生していたが、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする透明電極を用いることにより、接触抵抗の値を従来より低い値に低減することができる。
【００３８】
なお、本特許では、主成分とは、主要な成分をいい、概ね５０％以上の含有率であれば主成分と言える。例えば、酸化亜鉛及び酸化スズが主成分であるとは、これらの含有する金属の比率の合計が体積比や質量比・原子の数の比で概ね５０％以上であることをいう。特に、原子数の比で概ね５０％以上、好ましくは７０％以上、より好ましくは８５％以上である場合を「主成分」と言う。
【００３９】
また、本発明においては、上述した（１）においては酸化亜鉛を主成分として用い、（２）等においては酸化亜鉛及び酸化スズを主成分として用いているが、いずれの場合もその他の成分が含まれていてもよい。例えば、その他の成分としては、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化アルミニウムなどが挙げられる。
【００４０】
Ａｌゲート線、Ａｌソース・ドレイン電極とは、Ａｌその物、Ａｌを主成分とするＡｌ合金等を意味する。Ａｌ合金の場合は、Ａｌの他に適宜他の金属が含まれていてもよい。他の金属としては、周期率表のＩＩＩａからＶＩＩＩａの重金属もしくはランタノイド系金属が挙げられる。
【００４１】
例えば、Ｎｄ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｒなどが好適に用いられる。その含有量は、求められるＡｌゲート線、Ａｌソース・ドレイン電極の性能にもよるが、０．１〜５重量％未満がよい。より好ましくは０．５〜２．０重量％である。含有量が０．１重量％未満では添加効果がほとんどなく、Ａｌ薄膜上にヒロック等の突起が発生する恐れもある。一方、５重量パーセントを超える含有量の場合は、Ａｌ（Ａｌ合金）の抵抗値が大きくなる恐れがある。
【００４２】
なお、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）は、一般に基板上に複数個設けられる場合が多い。したがって、一般にはＴＦＴ「アレイ」基板となる場合が多い。もちろん、ＴＦＴアレイ基板は、本発明のＴＦＴ基板の一例に相当する。
【００４３】
（３）また、本発明は、前記酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする酸化物中の亜鉛の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）が０．５〜０．８５であることを特徴とする（２）のＴＦＴ基板である。ここで、［Ｚｎ］は、亜鉛原子の数を表し、［Ｓｎ］は、スズ原子の数を表す。
【００４４】
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値が０．８５超である場合には、蓚酸水溶液でエッチングする場合、制御不能となってしまう恐れがある。この結果、テーパー角が８９度を越える場合や、サイドエッチングが大きくなりすぎる場合が生じ、さらに、電極の細りや断線の恐れもある。また、電極と外部回路をつなぐ異方導電フィルム（ＡＣＦ）との接触抵抗が大きくなってしまう場合や、耐久試験（高温、高湿）でＡＣＦとの接触抵抗が大きくなる場合も生じる。
【００４５】
そして、［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）が０．５未満では、蓚酸でのエッチング速度が低下し、エッチングできない場合がある。
【００４６】
この値は、好ましくは、（［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．６超０．８未満、であり、より好ましくは、０．７超０．７５未満、である。
【００４７】
なお、［Ｚｎ］は、亜鉛原子の単位質量、単位体積あたりの原子の数を表し、［Ｓｎ］は、亜鉛原子の単位質量、単位体積あたりの原子の数を表す。
【００４８】
（４）また、本発明は、前記酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする酸化物からなる前記画素電極の端部のテーパー角が３０〜８９度であることを特徴とする（２）又は（３）に記載のＴＦＴ基板である。
【００４９】
テーパー角が３０度より小さい場合、電極エッジ部分の距離が長くなり、本発明の基板を用いて液晶や有機ＥＬを駆動させた場合、画素周辺部と画素の内部でコントラストが大きく違ってしまうことがある。また、テーパー角が８９度を超えると、電極エッジ部分の電極割れや剥離が生じる恐れがある。特に液晶を駆動する場合には配向膜の不良を生じる場合もあり、また、有機ＥＬの場合には対向電極の断線を引き起こしてしまう可能性もある。
【００５０】
Ｂ．  製造方法の発明
（５）また、本発明は、上記（２）−（４）のいずれかに記載のＴＦＴ基板を製造する方法において、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする透明導電膜をパターニングして電極端部のテーパー角が３０〜８９度である前記画素電極を形成するパターニング工程、を備え、前記パターニング工程は、エッチング液として蓚酸の濃度が１ｗｔ％〜１０ｗｔ％である水溶液を用い、このエッチング液の温度を２０〜５０℃の範囲に設定して前記透明導電膜をエッチングするエッチング工程、を含み、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする前記酸化物中の亜鉛の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）が０．５〜０．８５であることを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。ここで、［Ｚｎ］は、亜鉛原子の数を表し、［Ｓｎ］は、スズ原子の数を表す。
【００５１】
このような構成によって、簡便な手法で簡略にＴＦＴ基板を製造することができる。
【００５２】
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値が０．８５超である場合には、蓚酸水溶液でエッチングする場合、制御不能となってしまう恐れがある。この結果、テーパー角が８９度を越える場合や、サイドエッチングが大きくなりすぎる場合が生じ、さらに、電極の細りや断線の恐れもある。また、電極と外部回路をつなぐ異方導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotoropic Conductive Film）との接触抵抗が大きくなってしまう場合や、耐久試験（高温、高湿）でＡＣＦとの接触抵抗が大きくなる場合も生じる。
【００５３】
そして、［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値が０．５未満では、蓚酸でのエッチング速度が低下し、エッチングできない場合がある。好ましくは、（［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．６超０．８未満であり、より好ましくはこの値が０．７超０．７５未満、である。
【００５４】
さて、これまで述べてきたように、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする透明導電膜は非晶質膜である。非晶質膜でない場合には、テーパーの制御が困難となり、テーパー角を３０〜８９度の範囲に収めることがかなり困難なものとなる。
【００５５】
テーパー角が３０度より小さい場合、電極エッジ部分の距離が長くなり、本発明の基板を用いて液晶や有機ＥＬを駆動させた場合、画素周辺部と画素の内部でコントラストが大きく違ってしまうことがある。また、テーパー角が８９度を超えると、電極エッジ部分の電極割れや剥離が生じる恐れがある。特に液晶を駆動する場合には配向膜の不良を生じる場合もあり、また、有機ＥＬの場合には対向電極の断線を引き起こしてしまう可能性もある。
【００５６】
エッチング液には蓚酸が好適に用いられる。蓚酸濃度が１ｗｔ％未満では、エッチング速度が遅く実用的ではなく、１０ｗｔ％超では、蓚酸塩の結晶が析出したりする問題がある。蓚酸濃度は、好ましくは２ｗｔ％から７ｗｔ％、より好ましくは２ｗｔ％から５ｗｔ％である。蓚酸以外の酸を用いると、その液中での起電力が大きくなり、Ａｌとの電池反応を引き起こす場合がある。
【００５７】
また、エッチング温度を２０〜５０℃にすることが好ましい。２０℃未満では、エッチング速度が遅く実用的でなく、５０℃超では、水分の蒸発により、蓚酸水溶液の濃度が変動する場合がある。好ましくはエッチング温度は、２５℃〜４５℃、より好ましくは、３０℃〜４５℃である。
【００５８】
この透明電極の移動度は、１０ｃｍ２／Ｖ・ＳＥＣ以上であることが好ましい。より好ましくは２０ｃｍ２／Ｖ・ＳＥＣ以上である。
【００５９】
ＴＦＴ駆動ＬＣＤの場合、１０ｃｍ２／Ｖ・ＳＥＣ未満の移動度では、応答速度が遅くなる恐れがあり、液晶の画質を低下させる場合がある。また、比抵抗の値は、低いほうが望ましいが、ＴＦＴ駆動の場合、ＴＦＴ素子からＬＣＤ駆動電極端部までの距離は非常に短いので１０−２Ωｃｍ台であればほとんど問題は生じない。
【００６０】
また、移動度に影響を与えない範囲で、第三金属を添加することができる。ここで、第三金属としたのは、亜鉛、スズに続く３番目の金属という意味で「第三金属」と呼んでおり、要するに「他の金属」の意味でこの言葉を用いている。
【００６１】
この第三金属の種類としては、透過率を向上させる目的で、屈折率の小さな金属酸化物を添加することが考えられる。このような用途に用いる金属酸化物の代表例としては、ＭｇＯ、Ｂ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２などが挙げられる。
【００６２】
また、比抵抗を下げる目的として、それ自体の比抵抗が小さな金属酸化物を添加することもできる。このような目的に用いる金属酸化物の代表例としては、酸化レニウム、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、等が挙げられる。ただし、これら重金属酸化物は着色する可能性があり、添加する量には注意が必要であり、透過率に影響しない範囲で、添加することも重要な点である。
【００６３】
透明導電層の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、スプレー法、デップ法等が好適に用いられ、なかでも、スパッタ法が好適に用いられる。
【００６４】
（６）また、本発明は、上記（２）〜（４）のいずれかに記載のＴＦＴの製造方法において、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする前記透明導電膜をパターニングして電極端部のテーパー角が３０〜８９度である前記画素電極を形成するパターニング工程、を備え、前記パターニング工程は、前記透明導電膜上に塗布されたレジストを、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの１〜５ｗｔ％水溶液をレジスト現像液として用いて現像する現像工程と、エッチング液として蓚酸の濃度が１ｗｔ％〜１０ｗｔ％である水溶液を用い、このエッチング液の温度を２０〜５０℃の範囲に設定して前記透明導電膜をエッチングするエッチング工程と、エタノールアミンを含む剥離液を用いて前記レジストを剥離する剥離工程と、を含み、酸化亜鉛・酸化スズを主成分とする前記酸化物中の亜鉛の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）が０．５〜０．８５であることを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法である。ここで、［Ｚｎ］は、亜鉛原子の数を表し、［Ｓｎ］は、スズ原子の数を表す。
【００６５】
このように、本発明（５）は、（４）に現像工程と、剥離工程とを付加したものである。
【００６６】
レジストの現像液としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）が好適に用いられる。ＴＭＡＨ以外のアルカリ成分を用いると、Ａｌと透明電極間に電池反応が起こり、Ａｌが溶解したり、レジストパターンのずれや溶解が起こり、エッチング上重大なトラブルを発生することがある。また、ＴＭＡＨの濃度は、１〜５ｗｔ％が好ましい。１ｗｔ％未満では、レジスト現像不良が生じる恐れがあり配線がショートする場合がある。また、５ｗｔ％超の濃度では、レジストパターンの線細りや剥離が生じる可能性があり、電極パターンの線細りや断線が生じてしまう場合がある。より好ましくは、２〜４ｗｔ％の濃度が好適である。
【００６７】
また、剥離液としては、エタノールアミンが含まれているものを用いる。例えば、後述する実施の形態においては、ジエタノールアミン水溶液（４０ｗｔ％）が剥離液として用いられている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６８】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００６９】
実施の形態１
本実施の形態では、種々の構成に係るスパッタリングターゲットを作成し、その特性及びそれを用いて製造した透明導電膜の特性を検査した。
【００７０】
『実施例１』
平均粒径が１μｍ以下の酸化亜鉛粉末、及び平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末を、 ［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．７９の割合となるように調合して、樹脂製ポットに入れ、さらに純水を加えて、硬質ＺｒＯ２ボールミルを用いた湿式ボールミル混合を行った。混合時間は２０時間とした。得られた混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥及び造粒を行った。得られた造粒物を、２９４ＭＰａ（３ｔ／ｃｍ２ ）の圧力を掛けて冷間静水圧プレスで成形した。
【００７１】
次に成形体を以下のように焼結した。まず、焼結炉内に、炉内容積０．１ｍ３当たり５Ｌ／ｍｉｎの割合で、酸素を導入する雰囲気で、１５００℃で５時間焼結した。この際、１０００℃までを１℃／ｍｉｎ、１０００〜１５００℃を３℃／ｍｉｎの昇温した。その後、酸素導入を止め、１５００℃〜１３００℃を１０℃／ｍｉｎで降温した。そして、炉内容積０．１ｍ３当たり１０Ｌ／ｍｉｎの割合でアルゴンガスを導入する雰囲気で、１３００℃を３時間保持した後、放冷した。これにより、相対密度９０％以上酸化亜鉛・酸化スズ含有焼結体が得られた。
【００７２】
次に、このようにして得られた焼結体ターゲットａのスパッタ面とする面をカップ砥石で磨き、直径１００ｍｍ、厚み５ｍｍに加工し、インジウム系合金を用いてバッキングプレートを貼り合わせて、スパッタリングターゲットを構成した。このときの、スパッタリングターゲットの密度は５．７２ｇ／ｃｍ３であった。
【００７３】
酸化スズが、分散していること、特に、酸化亜鉛の亜鉛サイトに置換固溶していることが好ましい。すなわち、前記スズがターゲット内に含まれる形態は、ＳｎＯ２、ＳｎＯなどの酸化スズの形で、酸化亜鉛焼結体中に分散している形態でもよいが、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２ＳｎＯ４などの酸化亜鉛−酸化スズ間の複合酸化物の形で、酸化亜鉛焼結体中に分散している形態でもよい。このように分散させることによって、ＥＰＭＡのＳｎ原子のマッピング画像処理によって求めた結晶粒子の平均直径は、３．８７μｍであった。
【００７４】
好ましくは、スズ原子が酸化亜鉛の亜鉛サイトに置換固溶することにより、スズが酸化亜鉛焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、得られる透明導電性薄膜を低抵抗にするためには有効である。これにより、ターゲットのバルク抵抗は、３６０Ωｃｍとなり、安定したスパッタリングが可能となることが期待される。
【００７５】
得られた上記スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に装着し、到達真空度：５×１０−４Ｐａ、成膜圧力：０．１Ｐａにて、基板温度を２００℃にセットして、成膜を行った。結果が表１、表２に示されている。表１は、用いたスパッタリングの性状を示す表であり、表２は、得られた透明導電膜の物理的計測結果を示す表である。
【００７６】
【表１】
2006195086.tif 000003
【表２】
2006195086.tif 000004
スパッタリングの結果、得られた透明導電性薄膜の比抵抗及び移動度は、ホール測定にて求めた。また、透過率は自記分光光度計にて測定した。
【００７７】
蓚酸の水溶液濃度を変化させた場合のエッチング速度もそれぞれ表２に示されている。また、得られたパターンのテーパー角をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）観察より求めた。この結果は表３に示されている。
【００７８】
【表３】
2006195086.tif 000005
なお、各表１、表２、表３には、実施の形態１だけでなく実施の形態２−５についても記載されている。
【００７９】
このように、実施例１によれば、透明導電膜（透明電極）の比抵抗の値を小さくすることができた。さらに、光透過率の値も従来と比較して高い値を実現したので、より明るい表示画面の表示装置を実現できると考えられる。
【００８０】
なお、このような作用・効果は、以下の実施例２〜実施例５においても同様である。
【００８１】
さらにまた、３．５ｗｔ％蓚酸水溶液によるエッチング速度は、１０５，０００Å／ｍｉｎ（３０℃）、２２０，０００Å／ｍｉｎ（４０℃）、  １８０，０００Å／ｍｉｎ（３５℃）となり、良好なエッチング特性が観察された（表３）。さらに、エッチングの結果、テーパー角は８６度となった（表３）。極端に小さい値や大きな値ではないので、耐久性に優れた透明電極を形成できると考えられる。
【００８２】
また、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）の接続安定性を検証するために、ＡＣＦ（異方性導電フィルム：Anisotoropic Conductive Film）によってＴＣＰ接続を行い、６０℃、９０％ＲＨ（相対湿度：Relative Humidity）の環境下に保存して、接続抵抗の変化を観察した。結果が表４に示されている。
【００８３】
この表４に示すように、接続直後のＴＣＰ接続抵抗は、４．２Ωであり、２４０時間経過後は５．６Ωとなり、４８０時間経過後は６．２Ωとなり、９６時間経過後は、６．５Ωとなった。この結果、時間経過による接触抵抗の増大の程度は微少な値であり、表示装置に用いた場合でも抵抗増大による性能の劣化は非常に小さいものと考えられる。すなわち、本実施例１の透明導電膜を用いた基板を利用すれば耐久性に富む表示装置が構成できると考えられる。
【００８４】
なお、この表４には、実施例１だけでなく、実施例２〜実施例５、比較例１、比較例２についての計測結果も記載されている。
【００８５】
【表４】
2006195086.tif 000006
『実施例２、実施例３、実施例４、実施例５』
平均粒径が１μｍ以下の酸化亜鉛粉末、及び平均粒径が１μｍ以下の酸化スズ粉末を原料粉末とした。酸化亜鉛粉末と酸化スズ粉末を所定の割合で樹脂製ポットに調合して入れ、湿式ボールミルで混合した。その際、硬質ＺｒＯ２ボールを用い、混合時間を２０時間とした。混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥、造粒した。造粒物を円形の型に充填し、冷間静水圧プレスを用い、３ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力を掛けて円盤状に成形した。
【００８６】
次に、成形体を雰囲気調整炉に入れ、焼結した。焼結に際して、炉内容積０．１ｍ３当たり５リットル／分の割合で炉内に酸素を導入しつつ、１５００℃で５時間焼結した。この際、１０００℃まで１℃／分、１０００℃から１５００℃までを３℃／分の昇温速度で昇温した。焼結終了後、酸素の導入を停止し、１５００℃から１３００℃までを１０℃／分の割合で降温した。そして、炉内容積０．１ｍ３当たり１０リットル／分の割合でＡｒを炉内に導入しつつ、１３００℃で３時間保持した後、放冷した。これにより密度９０％以上のＺｎを含有する焼結体ターゲットｂ、ｃ、ｄ、ｅを得た（表１）。このときの、ターゲットの密度を、表１に示した。実施例２は、焼結体ターゲットｂを用いた実施例であり、実施例３は焼結体ターゲットｃを用いた実施例であり、実施例４は、焼結体ターゲットｄを用いた実施例であり、実施例５は焼結体ターゲットｅを用いた実施例である。
【００８７】
次に、得た焼結体（ターゲットｂ〜ｅ）のスパッタ面とする面をカップ砥石で磨き、直径１５２ｍｍ、厚み５ｍｍに加工してそれぞれスパッタリングターゲットを得た。
【００８８】
酸化スズが、分散していること、特に、酸化亜鉛の亜鉛サイトに置換固溶していることが好ましい。すなわち、前記スズがターゲット内に含まれる形態は、ＳｎＯ２、ＳｎＯなどの酸化スズの形で、酸化亜鉛焼結体中に分散している形態でもよいが、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２ＳｎＯ４などの酸化亜鉛−酸化スズ間の複合酸化物の形で、酸化亜鉛焼結体中に分散している形態でもよい。このように分散させた結果、結晶粒子の平均直径が表１に示されている。表１には、ＥＰＭＡのＳｎ原子のマッピング画像処理によって求めた結晶粒子の平均直径が記載されている。
【００８９】
さて、好ましくは、スズ原子が酸化亜鉛の亜鉛サイトに置換固溶することにより、スズが酸化亜鉛焼結体中に原子レベルで分散している方が、スパッタリングにおいて放電が安定し、得られる透明導電性薄膜を低抵抗にするためには有効である。これにより、ターゲットのバルク抵抗は、全て５００Ωｃｍ未満となり、安定したスパッタリングが可能となる。この測定値も、表１に示されている。
【００９０】
また、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）の接続安定性を検証するために、ＡＣＦ（異方性導電フィルム：Anisotoropic Conductive Film）によってＴＣＰ接続を行い、６０℃、９０％ＲＨ（相対湿度：Relative Humidity）の環境下に保存して、接続抵抗の変化を観察した。結果が表４に示されている。
【００９１】
実施例２
実施例２においては、これらの表に示されているように、［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値は、０．７５である。ターゲット密度は５．８６ｇ／ｃｍ３であり、平均粒径は３．８２μｍであった。また、比抵抗は、３５０Ωｃｍであった（表１）。
【００９２】
このスパッタリングターゲットｂを用いて成膜した透明導電膜の比抵抗は０．０４Ωｃｍであり、移動度は、４５ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。光透過率は、８６．３％（波長５５０ｎｍ）であった（表２）。
【００９３】
このように、比抵抗の値はいずれも十分に低く、且つ、透明度も表示装置に用いるのに十分な値を示した。
【００９４】
また、３．５ｗｔ％蓚酸水溶液によるエッチング速度は、６５，０００Å／ｍｉｎ（３０℃）、１３２，０００Å／ｍｉｎ（４０℃）、９６，０００Å／ｍｉｎ（３５℃）となり、良好なエッチング特性が観察された（表３）。さらに、エッチングの結果、テーパー角は７５度となった（表３）。極端に小さい値や大きな値ではないので、耐久性に優れた透明電極を形成できると考えられる。
【００９５】
また表４に示すように、実施例２においては、接続直後のＴＣＰ接続抵抗は、４．３Ωであり、２４０時間経過後は５．０Ωとなり、４８０時間経過後は５．４Ωとなり、９６０時間経過後は、５．４Ωとなった。この結果、時間経過による接触抵抗の増大の程度は非常に微少な値であり、表示装置に用いた場合でも抵抗増大による性能の劣化は非常に小さいものと考えられる。すなわち、本実施例２の透明導電膜を用いた基板を利用すれば耐久性に富む表示装置が構成できると考えられる。
【００９６】
実施例３
実施例３においては、これらの表に示されているように、［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値は、０．７０である。ターゲット密度は５．８３ｇ／ｃｍ３であり、平均粒径は３．４μｍであった。また、比抵抗は、３７０Ωｃｍであった（表１）。
【００９７】
このスパッタリングターゲットｃを用いて成膜した透明導電膜の比抵抗は０．００９Ωｃｍであり、移動度は、４８ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。光透過率は、８６．５％（波長５５０ｎｍ）であった（表２）。
【００９８】
このように、比抵抗の値はいずれも十分に低く、且つ、透明度も表示装置に用いるのに十分な値を示した。
【００９９】
また、３．５ｗｔ％蓚酸水溶液によるエッチング速度は、５００Å／ｍｉｎ（３０℃）、１，１００Å／ｍｉｎ（４０℃）、  ９５０Å／ｍｉｎ（３５℃）となり、良好なエッチング特性が観察された（表３）。さらに、エッチングの結果、テーパー角は４８度となった（表３）。極端に小さい値や大きな値ではないので、耐久性に優れた透明電極を形成できると考えられる。
【０１００】
また表４に示すように、実施例３においては、接続直後のＴＣＰ接続抵抗は、４．５Ωであり、２４０時間経過後は４．９Ωとなり、４８０時間経過後は５．３Ωとなり、９６０時間経過後は、５．３Ωとなった。この結果、時間経過による接触抵抗の増大の程度は非常に微少な値であり、表示装置に用いた場合でも抵抗増大による性能の劣化は非常に小さいものと考えられる。すなわち、本実施例３の透明導電膜を用いた基板を利用すれば耐久性に富む表示装置が構成できると考えられる。
【０１０１】
実施例４
実施例４においては、これらの表に示されているように、［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値は、０．６７である。ターゲット密度は５．９２ｇ／ｃｍ３であり、平均粒径は３．５μｍであった。また、比抵抗は、４２０Ωｃｍであった（表１）。
【０１０２】
このスパッタリングターゲットｄを用いて成膜した透明導電膜の比抵抗は０．００６Ωｃｍであり、移動度は、４６ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。光透過率は、８６．３％（波長５５０ｎｍ）であった（表２）。
【０１０３】
このように、比抵抗の値はいずれも十分に低く、且つ、透明度も表示装置に用いるのに十分な値を示した。
【０１０４】
また、３．５ｗｔ％蓚酸水溶液によるエッチング速度は、３０Å／ｍｉｎ（３０℃）、７１Å／ｍｉｎ（４０℃）、５５Å／ｍｉｎ（３５℃）となり、良好なエッチング特性が観察された（表３）。さらに、エッチングの結果、テーパー角は４２度となった（表３）。極端に小さい値や大きな値ではないので、耐久性に優れた透明電極を形成できると考えられる。
【０１０５】
また表４に示すように、実施例４においては、接続直後のＴＣＰ接続抵抗は、４．８Ωであり、２４０時間経過後は５．３Ωとなり、４８０時間経過後は５．５Ωとなり、９６０時間経過後は、５．７Ωとなった。この結果、時間経過による接触抵抗の増大の程度は非常に微少な値であり、表示装置に用いた場合でも抵抗増大による性能の劣化は非常に小さいものと考えられる。すなわち、本実施例４の透明導電膜を用いた基板を利用すれば耐久性に富む表示装置が構成できると考えられる。
【０１０６】
実施例５
実施例５においては、これらの表に示されているように、［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値は、０．５５である。ターゲット密度は６．１０ｇ／ｃｍ３であり、平均粒径は測定不能であった。また、比抵抗は、４８０Ωｃｍであった（表１）。
【０１０７】
このスパッタリングターゲットｄを用いて成膜した透明導電膜の比抵抗は０．０３Ωｃｍであり、移動度は、３５ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。光透過率は、８５．９％（波長５５０ｎｍ）であった（表２）。
【０１０８】
このように、比抵抗の値はいずれも十分に低く、且つ、透明度も表示装置に用いるのに十分な値を示した。
【０１０９】
また、３．５ｗｔ％蓚酸水溶液によるエッチング速度は、１０Å／ｍｉｎ（３０℃）、２５Å／ｍｉｎ（４０℃）、２２Å／ｍｉｎ（３５℃）となり、良好なエッチング特性が観察された（表３）。さらに、エッチングの結果、テーパー角は３８度となった（表３）。極端に小さい値や大きな値ではないので、耐久性に優れた透明電極を形成できると考えられる。
【０１１０】
また表４に示すように、実施例５においては、接続直後のＴＣＰ接続抵抗は、４．８Ωであり、２４０時間経過後は５．３Ωとなり、４８０時間経過後は５．５Ωとなり、９６０時間経過後は、５．７Ωとなった。この結果、時間経過による接触抵抗の増大の程度は非常に微少な値であり、表示装置に用いた場合でも抵抗増大による性能の劣化は非常に小さいものと考えられる。すなわち、本実施例５の透明導電膜を用いた基板を利用すれば耐久性に富む表示装置が構成できると考えられる。
【０１１１】
また、以上述べたような実施例１〜実施例５における透明導電膜は、Ａｌとの接触抵抗を従来に比べて小さくすることができるため、液晶等を駆動する能力に優れている。その結果、液晶等を駆動する画素電極として用いた場合、中間調を良好に表示することができる表示装置を構成することができる。
【０１１２】
『比較例１、比較例２』
上記実施例１−５と、組成が異なる例を比較例１、２として挙げる。この比較例１、２の結果も表１、表２、表３、表４に示されている。
【０１１３】
比較例１
比較例１は、亜鉛の原子数の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値が０．９７の場合である。この比較例１の測定値は表１〜４に示す通りである。この表に示すように、ターゲットの比抵抗は２８０Ωｃｍと低い値を示すが、成膜した透明導電膜の比抵抗は０．８６Ωｃｍと上記実施例１〜５のいずれよりも高い値となっている。また、移動度は１５ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃと低い値であり、光透過率も７９．８％（波長：５５０ｎｍ）と低い値を示しており、表示装置に用いた場合の性能は、上記実施例１−５に比べて劣ると考えられる。
【０１１４】
また、３．５ｗｔ％蓚酸水溶液によるエッチング速度は、実施例１−５より高い値を示したが、その結果、テーパー角は１３４度となってしまい、得られた透明電極に線細りや断線等が生じる恐れがある。
【０１１５】
比較例２
比較例２は、亜鉛の原子数の組成比率［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）の値が０．４０の場合である。この比較例２の測定値は表１〜４に示す通りである。この表に示すように、ターゲットの比抵抗は４４００Ωｃｍであり、成膜した透明導電膜の比抵抗は０．０８Ωｃｍであった。また、移動度は８ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃと低い値であり、光透過率も７９．８％（波長：５５０ｎｍ）と低い値を示しており、表示装置に用いた場合の性能は、上記実施例１−５に比べて劣ると考えられる。
【０１１６】
また、３．５ｗｔ％蓚酸水溶液によるエッチングは不可能であった。
【０１１７】
実施の形態３
以下、上述した実施例１〜５の透明導電膜に関し、種々の測定結果について説明する（実施例６、実施例７、実施例８）。
【０１１８】
実施例６
純Ａｌスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に装着し、到達真空度：５×１０−４Ｐａ、成膜圧力：０．１Ｐａにて、基板温度を室温にセットしてスパッタリングを行い、厚さ２００ｎｍのＡｌの薄膜３２を、所定のスライドガラス３０上に成膜した。
【０１１９】
同様のスライドガラスを８個用意し、各スライドガラス３０に対して同様の上述した成膜処理を行った。
【０１２０】
このようにして得られた各スライドガラス３０の面積の１割をカプトンテープにてシールした。
【０１２１】
シールをした７個のスライドガラスに対して、今度は、異なるターゲットを用いたスパッタリングを行う。具体的には、上記実施例１〜５のターゲット及び上記比較例１〜２のターゲットを用いたスパッタリングを行った。この結果、７種類の透明導電膜３４をＡｌの薄膜３２上に積層させた。
【０１２２】
このスパッタリングは、上記透明導電膜３４が厚み１００ｎｍになるようにスパッタリングを行った。温度は室温で行った。残り１個のスライドガラス３０に対しては、参考例としてＩＴＯを同様に積層した。
【０１２３】
その後、カプトンテープを剥がして、８種の積層膜付スライドガラスを得た。この積層膜付スライドガラスの斜視図が図２に示されている。このような形態の積層膜付スライドガラスをＴＭＡＨ２．４ｗｔ％の水溶液２０℃中に２分間浸漬し、Ａｌ膜の溶解を観察した。この結果が表５に示されている。
【０１２４】
表５に示されているように、実施例１〜５による透明導電膜３４をＡｌ薄膜３２上に積層した例では、いずれも特段の変化は見られず、Ａｌの溶出は観察されなかった。
【０１２５】
一方、比較例１の透明導電膜３４をＡｌ薄膜３２上に積層した例では透明導電膜３４の溶解が観察された。また、比較例２を用いた例では、透明導電膜３４に着色が発生してしまった。さらに、参考例として作成したＩＴＯを成膜した積層膜付スライドガラスでは、Ａｌ薄膜が完全に溶解してしまった。
【０１２６】
なお、純Ａｌのみを成膜した基板を、２０度のＴＭＡＨ２．４ｗｔ％水溶液中に浸漬し、Ａｌ膜の溶解を観察したが、Ａｌの溶解は確認できなかった。このように、Ａｌ単独膜では溶解しないことから、「Ａｌ／透明導電膜」の積層構成であるＡｌ／ＩＴＯ積層膜においてＡｌの溶解が確認されたことは、Ａｌ／ＩＴＯ積層膜においては電池反応が起きていることを実質的に確認したことに等しい。
【０１２７】
このように、本実施の形態２によれば、実施例１〜５の透明導電膜を用いればＴＭＡＨによるエッチング中にＡｌ薄膜が溶解してしまうことがないので、円滑に積層回路基板の製造を行えることが理解される。
【０１２８】
【表５】
2006195086.tif 000007
実施例７
剥離剤に対する耐性に関して、実験を行った。
【０１２９】
耐性を調査する対象としては、上述した実施例１で得られた厚さ１００ｎｍの薄膜付ガラス基板を用いた。
【０１３０】
また、剥離剤としては、レジスト剥離剤であるジエタノールアミン３０ｖｏｌ％、ＤＭＳＯ（ジメチルスルフォキサイド）７０ｖｏｌ％溶液に１０ｖｏｌ％の水を添加した水溶液を用いた。
【０１３１】
上述した実施例１で作成した薄膜付ガラス基板を、４５℃の上記剥離剤の水溶液に、５分間浸漬した。そして、浸漬後の上記薄膜付ガラス基板の表面ＳＥＭを観察し、凹凸及び表面の荒れを観察したが、凹凸や荒れは観察されなかった。
【０１３２】
比較のために、上述した比較例１で得られた厚さ１００ｎｍの薄膜付ガラス基板についても同様の浸漬処理を行い、表面ＳＥＭ観察を行った結果、表面の凹凸及び表面の荒れが観察され、液晶用、有機ＥＬ用電極としては不適であることが確認された。
【０１３３】
実施例８
Ａｌ及び透明導電膜の積層膜において、線幅を５０μｍとし、Ａｌ細線と透明導電膜を直交するように配置し、積層界面の接触抵抗の測定（ケルビンプローブ法）を行った。すなわち、所定の基板上にＡｌ配線の細線と透明導電膜の細線が直交するように（十字型に）積層させ、両者の接触抵抗をケルビンプローブ法により測定する。線幅は双方とも５０μｍである。
【０１３４】
ここでは、透明導電膜は、上述した実施例１〜実施例５で用いた透明導電膜と、上述した比較例１〜比較例２で用いた透明導電膜とを用いた。また、参考として、従来のＩＴＯを透明導電膜として用いた例についても測定を行った。このように８種類の透明導電膜をＡｌ薄膜（の細線と直交させ接触抵抗の測定を行った。その測定結果が表６に示されている。
【０１３５】
この表に示すように、実施例１〜実施例５で用いた透明導電膜の場合は、接触抵抗は、順にそれぞれ０．４Ω、０．６Ω、０．７Ω、１．２Ω。１．５Ωとなり、いずれも２Ω未満の低抵抗を示した。また、比較例１で用いた透明導電膜の場合は、０．４Ωであったが、比較例２で用いた透明導電膜の場合は、１２Ωと高い値を示した。さらに、透明導電膜としてＩＴＯを用いた例では、１４０Ωと高い接触抵抗を示した。
【０１３６】
【表６】
2006195086.tif 000008
【０１３７】
実施の形態４
実施例９
本発明の実施例９においては、本発明に係るＴＦＴ基板の製造の様子を図１に基づき説明する。
【０１３８】
まず、透光性のガラス基板１上に金属Ａｌ（９９％Ａｌ，１％Ｎｄ）を高周波スパッタにより膜厚１５００オングストロームに堆積する。これを燐酸−酢酸−硝酸系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法により所望の形状のゲート電極２及びゲート電極配線とする。
【０１３９】
なお、ガラス基板１は、請求の範囲の透明基板の好適な一例に相当する。
【０１４０】
次にグロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜となるゲート絶縁膜３を膜厚３０００オングストローム堆積する。続いてα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４を膜厚３５００オングストローム、さらにチャンネル保護層となる窒化シリコン（ＳｉＮ）膜５を３０００オングストローム堆積する。この時、放電ガスとして、ＳｉＮ膜３と５はＳｉＮ４−ＮＨ３−Ｎ２系混合ガスを用い、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４は、ＳｉＨ４−Ｎ２系の混合ガスをそれぞれ用いる。このＳｉＮ膜５はＣＨＦガスを用いたドライエッチングにより所望のチャンネル保護層を形成した。続いてα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６をＳｉＨ４−Ｈ２−ＰＨ３系の混合ガスを用いて膜厚３０００オングストローム堆積する。
【０１４１】
次にこの上に、Ｃｒ／Ａｌ二層膜を膜厚０．１μｍのＣｒ、０．３μｍのＡｌの順に真空蒸着法、或いはスパッタリング法により堆積する。この二層をＡｌはＨ３ＰＯ４−ＣＨ３ＣＯＯＨ−ＨＮＯ３−Ｈ２Ｏ系エッチング液、Ｃｒは硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液を用いてホトエッチング法を用いてエッチングする。この結果、所望のソース電極７のパターン及びドレイン電極８のパターンを形成し、ソース電極７及びドレイン電極８が形成される。
【０１４２】
なお、Ｃｒは、図１に示すように、ソース電極７やドレイン電極８の下面に設けられており、非晶質透明導電膜９と接する面には設けられていない。すなわち、後述するように、ソース電極７やドレイン電極８を構成するＡｌ部分が、直接に非晶質透明導電膜９に接合している。
【０１４３】
さらにα−Ｓｉ：Ｈ膜をＣＨＦガスを用いたドライエッチング及びヒドラジン（ＮＨ２ＮＨ２・Ｈ２Ｏ）水溶液を用いたウェットエッチングを併用することにより、所望のパターンのα−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４のパターン、α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６のパターンを形成する。これによって、α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜４及びα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜６が形成される。
【０１４４】
なお、ソース電極７の下部に位置するα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）６は、請求の範囲の第１の半導体層の好適な一例に相当し、ドレイン電極８の下部に位置するα−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）６、請求の範囲の第２の半導体層の好適な一例に相当する。なお、対応は逆でもかまわない。以上のようなプロセスでα−ＳｉＴＦＴ部分が完成する。
【０１４５】
次に、グロー放電ＣＶＤ法により、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜となる絶縁膜１０を所定の膜厚で堆積する。そして、この後、ＣＨＦガスを用いたドライエッチング法にて、ソース及びドレイン電極間と透明電極、画素電極とのコンタクトホールを形成する。
【０１４６】
この金属 Ａｌからなるソース電極７及びドレイン電極８のパターンが形成された基板上に、実施例１で得られた酸化亜鉛と酸化スズを主成分とする非晶質透明導電膜９をスパッタリング法で堆積する。この非晶質透明導電膜９は、コンタクトホールを通じて、ソース電極７等と接続する（図１参照）。
【０１４７】
非晶質透明導電膜９の成膜時に用いる放電ガスは、純アルゴン又は１ｖｏｌ％程度の微量のＯ２ガスを混入させたＡｒガスを用いる方法で非晶質透明導電膜９を膜厚１２００オングストローム堆積した。この非晶質透明導電膜９は、上記実施例３で用いた透明導電膜である。この非晶質透明導電膜９はＸ線回析法で分析するとピークは観察されず非晶質膜であることが確認できた。
【０１４８】
また、この非晶質透明導電膜９の比抵抗は０．００９Ω・ｃｍ程度であり、十分電極として使用できる膜である。この非晶質透明導電膜９を蓚酸３．５重量％の水溶液をエッチャントに用いてホトエッチング法により、所望の電極パターンとなるようにエッチングした。この電極パターンは、少なくともソース電極７のパターンと電気的に接続するような「画素電極パターン」である。この時、Ａｌからなるソース電極７及びドレイン電極８がエッチング液で溶出することはなかった。なお、図１に示すように、また、ゲート線１２、ソース・ドレイン線の電極取り出し部も非晶質透明導電膜９と同様の導電膜からなる透明電極で覆われている。
【０１４９】
このように電極パターンを形成した後、遮光膜パターンをこの上に形成して、α−ＳｉＴＦＴアクティブマトリックス基板が完成する。この基板を用いてＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイを製造した。このＴＦＴ−ＬＣＤ方式平面ディスプレイは、中間調の表示（階調表示）も良好に行うことができた。
【０１５０】
以上述べたように、本実施の形態によれば、簡易な製造方法でいわゆるＴＦＴ基板を製造することが可能である。また、係るＴＦＴ基板は、透明導電膜とＡｌ配線との間に大きな接触抵抗が生じない。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本実施の形態に係る液晶表示装置を説明するためのα−ＳｉＴＦＴ部分を中心とする断面図である。
【図２】スライドガラス上に積層膜を形成した様子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１  ガラス基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁膜（ＳｉＮ膜）
４  α−Ｓｉ：Ｈ（ｉ）膜
５  ＳｉＮ膜
６  α−Ｓｉ：Ｈ（ｎ）膜
７  ソース電極
８  ドレイン電極
９  非晶質透明導電膜（画素電極パターン）
１０  絶縁膜
１２  ゲート線
３０  スライドガラス
３２  Ａｌの薄膜
３４  透明導電膜
【図１】
2006195086.tif 000009
【図２】
2006195086.tif 000010