(57)【要約】【課題】  絶縁性基板と対向基板との間隙に発生した異物による表示不良の発生を抑制し、表示品質の高い表示装置を得る。【解決手段】  絶縁性基板上に形成された走査線３、補助容量線４及び信号線８と、走査線に接続されるゲート電極２、信号線に接続されるソース電極７及び該ソース電極と対向して形成されたドレイン電極９により形成されるスイッチング素子１と、スイッチング素子と接続された反射電極１０及び透過電極１３とを備えた表示装置であって、反射電極から形成される反射領域における信号線の近傍部に、走査線及び補助容量線と同一の導電膜からなる独立パターンを形成し、該独立パターンはドレイン電極と接続されている。【選択図】  図１
2006195273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された走査線と、
前記走査線と並行に形成された補助容量線と、
前記走査線及び前記補助容量線上に絶縁膜を介して交差する信号線と、
前記走査線に接続されるゲート電極、前記信号線に接続されるソース電極及び該ソース電極と対向して形成されたドレイン電極により形成されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された反射電極及び透過電極から形成される反射領域及び透過領域と、
前記絶縁性基板と対向して配置された対向基板と、
を備えた表示装置であって、
前記反射領域における前記信号線の近傍部に、前記走査線及び前記補助容量線と同一の導電膜からなる独立パターンを形成し、該独立パターンは、前記ドレイン電極と接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記独立パターンは、一画素内の反射領域において、対応する画素の信号線と隣接する画素の信号線との両方の近傍部に形成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記独立パターンと前記ドレイン電極とは、コンタクトホールにより接続され、該コンタクトホールは反射光を散乱させるべく前記反射領域に複数個形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素の欠陥の修復が可能な表示装置に関するものであり、とくに液晶表示装置に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話に例えられるように、携帯型の情報端末機器が急速に発達しており、これらの携帯型端末機器において必要とされることは、いかにコンパクトで長時間駆動可能であるかということである。ここで、最も消費電力を必要としている表示装置部において、暗環境では通常通りバックライトを用いて表示を行うが、明環境においてはバックライトを用いずに周辺環境の光を利用して表示し、消費電力を節約することができる、所謂半透過型表示装置が注目されている。半透過型の液晶表示装置としては、有機樹脂膜からなる層間絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてドレインコンタクトホール等の層間絶縁膜の不要部分を削除し、次に透過電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて透過電極材料をパターニングし透過電極を形成する。その後、反射電極材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術によって反射電極材料をパターニングし、反射電極を形成するものであった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２８１９９２号公報（図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来の半透過型液晶表示装置においては、反射電極がその他の信号線とは別の層により形成されるものであるが、製造効率向上のため、反射電極をその他信号線（例えばソース線）と同一層の導電膜で形成する場合もある。そのような表示装置の場合、一画素内において、ソース線と反射電極が同一層の導電膜で形成されていることから、その間隙を所定の値以上大きく設定する必要がある。このような従来の表示装置においては、特に反射電極から構成される反射領域において、反射光による表示を行う際、ソース線と反射電極との間（ドレイン電圧の加わっていない領域、以下無効領域と称す）に存在する液晶が、所望の電圧が印加されないことによる配向異常に起因する、バックライトからの光漏れが発生し、コントラストを低下させたり、意図していない電圧が印加されることによる表示不良を起こしたりなど、表示品質を低下させてしまうという問題があった。このような表示品質低下を防ぐ為に、例えば光漏れ等の原因となる、反射領域におけるソース線の近傍（無効領域）に、透過領域の透過電極を延長して配置することで対応していた。
【０００５】
しかしながら、前記透過電極の延長部は、一般に絶縁性基板の最上層に配設される場合が多く、その場合反射領域にも配設されることにより、絶縁性基板と液晶層を挟持し対向して配置される対向基板（カラーフィルター基板）を貼り付けた際、前記反射領域における透過電極の延長部分における対向基板との間隙が他部分に比べて狭くなる。従って、絶縁性基板と対向基板との間に異物等を挟み込んだ場合、異物により絶縁性基板上の反射領域における最上層の透過電極と対向基板とが短絡し、点欠陥不良となる確率が高くなるという問題点を有していた。
【０００６】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、絶縁性基板と対向基板との間隙に発生した異物による表示不良の発生を抑制し、表示品質の高い表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、絶縁性基板上に形成された走査線と、前記走査線と並行に形成された補助容量線と、前記走査線及び前記補助容量線上に絶縁膜を介して交差する信号線と、前記走査線に接続されるゲート電極、前記信号線に接続されるソース電極及び該ソース電極と対向して形成されたドレイン電極により形成されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された反射電極及び透過電極から形成される反射領域及び透過領域と、前記絶縁性基板と対向して配置された対向基板とを備えた表示装置であって、前記反射領域における前記信号線の近傍部に、前記走査線及び前記補助容量線と同一の導電膜からなる独立パターンを形成し、該独立パターンは、前記ドレイン電極を延長して形成された上記反射電極と接続されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、絶縁性基板と対向基板との間隙に発生した異物による点欠陥などの表示不良の発生を抑制し、表示品質の高い表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１を図１〜図２により説明する。図１は本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置の略１画素の平面図であり、図２は図１のＡ−Ｂ断面図である。
【００１０】
図１〜図２において、絶縁性基板１５上にスイッチング素子１のゲート電極２と接続される走査線（ゲート線）３を形成する。同時に、走査線３と並行に形成される補助容量線４と、走査線３及び補助容量線４とは独立して形成される独立パターン５を形成する。走査線の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる薄膜が用いられる。その後、プラズマＣＶＤなどの成膜装置により、絶縁膜６を形成する。絶縁膜６としては、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙやこれらの積層膜が用いられる。さらに、ソース電極７と接続される信号線（ソース線）８を形成する。同時に、ソース電極７と対向して形成されるドレイン電極９及びドレイン電極から延長して反射電極１０を形成し、該反射電極１０により反射領域が形成される。信号線の導電膜としては、たとえばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｍｏや、これらに他の物質を添加した合金などからなる薄膜、異種の金属膜を積層したもの、または膜厚方向に組成の異なるものを用いることができるが、本実施の形態においては、該導電膜で反射電極を形成するため、反射効率の高いＡｌを含む導電膜を用いるのが好ましい。また信号線を形成する際、絶縁膜６に形成されたコンタクトホール１１により、反射電極１０と独立パターン５とが接続される。これにより、独立パターン５とドレイン電極９が接続されたことになり、独立パターンにドレイン電位が供給される。なお、本明細書において、反射領域とは一画素内において反射電極１０を含めて形成される図１における略右半分の領域を示し、透過領域とは一画素内において透過電極１３を含めて形成され、且つ光を透過する、図１における略左半分の領域を示すものとする。
【００１１】
その後、上記絶縁膜６と同様の材質からなる保護膜１２を形成した後、透過領域を形成する透過電極１３を形成する。透過電極としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ２などの透明金属が用いられる。透過電極１３と反射電極１０とは、保護膜１２に形成されたコンタクトホール１４により接続される。以上により完成した絶縁性基板と、液晶層を挟持して対向して配置された対向基板（図示せず）とを貼り合わせることで、液晶表示装置が完成する。
【００１２】
上記構成とすることで、信号線とは異なる層の導電膜（走査線及び補助容量線と同一層の導電膜）で形成された独立パターンに、ドレイン電位（反射電極、透過電極に印加される電位）を供給することが可能となり、従ってドレイン電位が供給されない領域（図２における無効領域Ｘ）を極力小さくすることが可能となり、液晶の配向異常に起因する光モレを抑制することが可能となる。さらには、上述のように独立パターンを走査線及び補助容量線と同一層の導電膜で形成していることにより、絶縁性基板と対向基板との間隙に発生した異物による、絶縁性基板上の導電膜と対向基板との間の短絡による点欠陥を生じさせることもなく、表示品質の高い表示装置を得ることができる。  
【００１３】
また、本実施の形態においては、独立パターン１１は、一画素内の反射領域において、対応する画素の信号線と隣接する画素の信号線との両方の近傍部に形成される場合、即ち一画素内に２つの独立パターンが形成される場合について説明しているが、それに限定されることなく、特に液晶の配向異常が発生しやすい部分にのみ１つの独立パターンを設けてもよい。
【００１４】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２を図３により説明する。図３は本発明の実施の形態２における半透過型液晶表示装置の略１画素の平面図である。図３において、図１、図２と同じ構成部分については同一の符号を付し、差異について説明する。
【００１５】
本実施の形態は、実施の形態１における走査線及び補助容量線と同一層の導電膜で形成される独立パターン１１を、一画素内の反射領域において一体形成し、コの字状の独立パターン１６としたものである。このような構成とすることで、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００１６】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３を図４により説明する。図４は本発明の実施の形態３における半透過型液晶表示装置の略１画素の平面図である。図４において、図１〜図３と同じ構成部分については同一の符号を付し、差異について説明する。
【００１７】
本実施の形態は、実施の形態１における走査線及び補助容量線と同一層の導電膜で形成される独立パターン１１を、一画素内の反射領域において極力大きく形成し、該独立パターン１７と反射電極１０とを接続するコンタクトホール１１を複数個形成したものである。このような構成とすることで、反射電極上にコンタクトホールの凹凸を形成することができ、反射光を散乱させ、表示装置の視野角の向上が可能となる。コンタクトホール１１としては、反射光の散乱をより効率的にするために、直径５〜２０μｍの大きさのものを、製造プロセス上可能な限り多く形成することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１における半透過型液晶表示装置の略１画素の平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ｂ断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２における半透過型液晶表示装置の略１画素の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態３における半透過型液晶表示装置の略１画素の平面図である。
【符号の説明】
【００１９】
１  スイッチング素子、２  ゲート電極、３  走査線、４  補助容量線、５  独立パターン、６  絶縁膜、７  ソース電極、８  信号線、９  ドレイン電極、１０  反射電極、１１  コンタクトホール、１２  保護膜、１３  透過電極、１４  反射電極と透過電極とを接続するコンタクトホール、１５  絶縁性基板、１６  コの字状独立パターン、１７  独立パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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