(57)【要約】【課題】 熱処理装置を提供する。【解決手段】 ヒーターを含む加熱プレートと、加熱プレートの下部に結合されてその内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、チャンバーケースに設けられる、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に液滴エアロゾルを冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備える。これにより、相変化熱伝達方式に加熱プレートを冷却させるので冷却性能に優れ、供給される液滴エアロゾルが損失されることがなく加熱プレートを所望の温度まで急速に冷却することができ、 排気装置を従来の液体冷却方式の熱処理装置より漏水の危険なしで簡単に構成することができ、１つのベークユニットにウェーハベーク工程と冷却工程を順次的に進行することができて半導体生産性を向上できる。【選択図】図２
2006005364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒーターを含む加熱プレートと、
前記加熱プレートの下部に結合されて、その内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、
前記チャンバーケースに設けられ、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段と、
を備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却させることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記噴霧手段は、前記液滴エアロゾルを噴射する部分が前記冷却チャンバーの内側に突設されることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記噴霧手段は、前記冷却用液体を噴射する第１のノズルと、前記気体を噴射する第２のノズルとを含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記第１のノズルは、前記第２のノズルの内部に設けられることを特徴とする請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記チャンバーケースには、前記液滴エアロゾルが蒸発して発生する蒸気を排出する少なくとも１つの排出口が形成されることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記噴霧手段は、噴射される前記液滴エアロゾルを分散させる拡散部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記冷却用液体は、水を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項８】
前記気体は、空気を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項９】
前記加熱プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項１０】
前記加熱プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造が形成されることを特徴とする請求項９に記載の熱処理装置。
【請求項１１】
前記加熱プレートの下面には、多数のグルーブが形成されることを特徴とする請求項９に記載の熱処理装置。
【請求項１２】
上面に基板が積載される上部プレートと、前記上部プレートの下部に設けられる下部プレートと、前記上部プレートと下部プレートとの間に設けられて前記基板を加熱するためのヒーターとを含む加熱プレートと、
前記下部プレートの下部に結合されて、その内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、
前記チャンバーケースに設けられるものであり、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段と、
を備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却させることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１３】
前記噴霧手段は、前記液滴エアロゾルを噴射する部分が前記冷却チャンバーの内側に突設されることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項１４】
前記噴霧手段は、前記チャンバーケースの下部壁に設けられることを特徴とする請求項１３に記載の熱処理装置。
【請求項１５】
前記噴霧手段は、冷却用液体を噴射する第１のノズルと、気体を噴射する第２のノズルとを含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項１６】
前記第１のノズルは、前記第２のノズルの内部に設けられることを特徴とする請求項１５に記載の熱処理装置。
【請求項１７】
前記第１及び第２のノズルは、それぞれ前記冷却用液体を供給する第１の供給管及び前記気体を供給する第２の供給管と連結されることを特徴とする請求項１５に記載の熱処理装置。
【請求項１８】
前記第１及び第２の供給管には、それぞれ流量を制御するための第１及び第２の流量制御装置が設けられることを特徴とする請求項１７に記載の熱処理装置。
【請求項１９】
前記チャンバーケースには、前記液滴エアロゾルが蒸発して発生する蒸気を排出する少なくとも１つの排出口が形成されることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項２０】
前記排出口は、前記チャンバーケースの下部壁に形成されることを特徴とする請求項１９に記載の熱処理装置。
【請求項２１】
前記噴霧手段は、噴射される前記液滴エアロゾルを分散させる拡散部材を含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項２２】
前記冷却用液体は、水を含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項２３】
前記気体は、空気を含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項２４】
前記下部プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項２５】
前記下部プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造が形成されることを特徴とする請求項２４に記載の熱処理装置。
【請求項２６】
前記下部プレートの下面には、多数のグルーブが形成されることを特徴とする請求項２４に記載の熱処理装置。
【請求項２７】
前記上部及び下部プレートは、金属、セラミック、ガラス又は耐熱性樹脂より成ることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項２８】
前記下部プレートと前記チャンバーケースとの結合部には、ガスケットが設けられることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
【請求項２９】
加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生した液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する熱処理装置の冷却方法であって、
前記冷却チャンバーの内部に、前記液滴エアロゾルを所定時間中持続的に噴射して前記加熱プレートを冷却する段階と、
前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階と、
を含むことを特徴とする熱処理装置の冷却方法。
【請求項３０】
前記気体は、乾燥空気であることを特徴とする請求項２９に記載の熱処理装置の冷却方法。
【請求項３１】
加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生した液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する熱処理装置の冷却方法であって、
前記冷却チャンバーの内部に、前記液滴エアロゾルを所定時間の間パルス状に噴射して、前記加熱プレートを冷却する段階と、
前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階と、
を含むことを特徴とする熱処理装置の冷却方法。
【請求項３２】
前記液滴エアロゾルをパルス状に噴射する段階は、前記冷却チャンバーの内部に所定時間の間、前記冷却用液体は、パルス状に供給し、前記気体は、持続的に供給する段階を含むことを特徴とする請求項３１に記載の熱処理装置の冷却方法。
【請求項３３】
前記気体は、乾燥空気であることを特徴とする請求項３１に記載の熱処理装置の冷却方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置に係り、より詳しくは、半導体製造のためのフォトリソグラフィ工程で、基板を加熱した後、これを所望の温度に冷却するための冷却手段を備えた熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造のためのフォトリソグラフィ工程では、ウェーハの表面にフォトレジストを塗布した後、これを加熱処理(pre-bake)を行うか、或いはフォトレジストを所定パターンに露光した後加熱処理(post-exposure  bake)を行うなどの加熱工程が成される。
最近では、半導体製造が少品種大量生産から多品種大量生産に変化することによって、半導体種類別に異なるウェーハ熱処理温度が必要になる。従って、例えばウェーハの加熱が150℃で行われた後、次の工程が100℃の温度で行われるべき場合には、前記ウェーハができるだけ早く100℃に冷却されてこそ半導体の生産性を向上させ得る。
【０００３】
従来では、ウェーハを加熱板に加熱させた後、この加熱板を所定温度に冷却するために加熱板を大気中に放置することによって冷却させる自然冷却方式が利用されたが、これは低冷却性能により新たに設定された温度まで加熱板が冷却されるには、長時間が必要になる。
図１に、加熱板70を冷却する冷却手段を備えた従来の熱処理装置を示す。図１に示すように、加熱板70の下部には、冷却チャンバーを形成するケース66が設けられている。ここで、加熱板70の上面には、ウェーハWが置かれ、加熱板70の下面には、ウェーハWを加熱するためのヒーター71が設けられている。一方、冷却チャンバーの内部には、ケース66の通気部72を通じて入った冷却ガスを冷却チャンバーの内部に噴射して、ヒーター71により加熱された加熱板70を冷却するノズル74が設けられる。
【０００４】
しかしながら、前述のような構造の熱処理装置は、冷却ガスで加熱板70を強制冷却するため自然冷却方式の熱処理装置に比べて冷却性能は向上するが、より効果的な冷却には限界がある。そして、冷却ガスがヒーターと直接接触するので、電気漏電を防止するために必ず湿気が除去された冷却ガスが使用されるべきであるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の技術的課題は、冷却チャンバーの内部に液滴エアロゾル(liquid  droplet  aerosol)を噴射し、この液滴エアロゾルの蒸発を用いて加熱プレートを冷却することによって、冷却性能に優れ、構造の簡単な熱処理装置を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記技術的課題を達成するために本発明の具現例による熱処理装置は、ヒーターを含む加熱プレートと、前記加熱プレートの下部に結合されてその内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、前記チャンバーケースに設けられ、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却することを特徴とする。
【０００７】
ここで、前記噴霧手段は、前記液滴エアロゾルを噴射する部分が前記冷却チャンバーの内側に突設されることが好ましい。
前記噴霧手段は、前記冷却用液体を噴射する第１のノズルと、前記気体を噴射する第２のノズルとを含むことができ、この際前記第１のノズルは、前記第２のノズルの内部に設けられることが好ましい。
【０００８】
前記チャンバーケースには、前記液滴エアロゾルが蒸発して発生する蒸気を排出する少なくとも１つの排出口が形成されることが好ましい。
前記噴霧手段は、噴射される前記液滴エアロゾルを分散させる拡散部材を含むことができる。
前記冷却用液体は、水を含むことができ、前記気体は、空気を含むことができる。
【０００９】
前記加熱プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることが好ましい。ここで、前記加熱プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造を形成するか、或いは多数のグルーブを形成することが可能である。
前記技術的課題を達成するために本発明の他の具現例による熱処理装置は、上面に基板が積載される上部プレートと、前記上部プレートの下部に設けられる下部プレートと、前記上部プレートと下部プレートとの間に設けられて、前記基板を加熱するためのヒーターとを含む加熱プレートと、前記下部プレートの下部に結合されて、その内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、前記チャンバーケースに設けられるものであり、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却することを特徴とする。
【００１０】
前記噴霧手段は、前記冷却用液体を噴射する第１のノズルと前記気体を噴射する第２のノズルとを含むことができる。この際、前記第１及び第２のノズルは、それぞれ前記冷却用液体を供給する第１の供給管及び前記気体を供給する第２の供給管と連結され、前記第１及び第２の供給管には、それぞれ流量を制御するための第１及び第２の流量制御装置が設けられることが好ましい。
【００１１】
前記下部プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることが好ましい。ここで、前記下部プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造を形成するか、或いは多数のグルーブを形成することが可能である。
前記上部及び下部プレートは、金属、セラミック、ガラス又は耐熱性樹脂より成る。
前記下部プレートと前記チャンバーケースとの結合部には、ガスケットが設けられる。
【００１２】
本発明の実施形態による熱処理装置の冷却方法は、加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生された液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する方法であって、前記冷却チャンバーの内部に前記液滴エアロゾルを所定時間中噴射する段階と、前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階とを含む。
【００１３】
ここで、前記気体は、乾燥空気であることが好ましい。
前記技術的課題を達成するために、本発明の他の実施形態による熱処理装置の冷却方法は、加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生された液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する方法であって、前記冷却チャンバーの内部に前記液滴エアロゾルを所定時間の間パルス状に噴射して、前記加熱プレートを冷却する段階と、前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階とを含む。
【００１４】
ここで、前記液滴エアロゾルをパルス状に噴射する段階は、前記冷却チャンバーの内部に所定時間の間、前記冷却用液体は、パルス状に供給し、前記気体は、持続的に供給する段階を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による熱処理装置によれば次の通りの効果がある。
第一に、液滴エアロゾルが加熱プレートに直接接触して蒸発することによって、相変化熱伝達方式に加熱プレートを冷却するので、冷却性能に優れる。
第二に、チャンバーケースに設けられた噴霧手段が冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、冷却チャンバーの内部に噴射することによって供給される液滴エアロゾルが損失されることがなく、加熱プレートを所望の温度まで急速に冷却することができる。
【００１６】
第三に、液滴エアロゾルが蒸発して蒸気状態で排出口を通じて排出されるので、排気装置を従来の液体冷却方式の熱処理装置より漏水の危険なしに簡単に構成することができる。
第四に、半導体製造工程で、１つのベークユニットにウェーハベーク工程と冷却工程とを順に進行することができ、半導体生産性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付した図面に基づき、本発明による好適な実施形態を詳細に説明する。図面で同一な参照符号は、同一な構成要素を示すものとする。
図２は、本発明の実施形態による熱処理装置の切開斜視図であり、図３は図２に示された熱処理装置の概略的な断面図である。
図２及び図３に示すように、本発明の実施形態による熱処理装置は、加熱プレート100と、加熱プレート100の下部に結合されるチャンバーケース110と、チャンバーケース110に設けられる少なくとも１つの噴霧手段120とを備える。
【００１８】
加熱プレート100は、上部プレート105及び下部プレート101と、上部プレート105と下部プレート101との間に設けられるヒーター103とを含む。上部プレート105の上面には、基板、例えばウェーハWが積載される。そして、下部プレート101は、後述する冷却チャンバー150の上部壁を成す。ここで、上部プレート105及び下部プレート101は、金属、熱伝導性が良いセラミック、ガラス又は耐熱性樹脂より成る。ヒーター103は、印加された電流により、上部プレート105の上面に積載されたウェーハWを所定温度まで加熱させるためのものであり、発熱抵抗体より成る。
【００１９】
下部プレート101の下面には、チャンバーケース110が結合されて、その内部にはヒーター103により加熱された加熱プレート100を所定温度に冷却させるための冷却チャンバー150が形成される。一方、下部プレート101とチャンバーケース110との結合部には、冷却チャンバー150のシーリングのためのガスケット107が設けられる。
噴霧手段120は、チャンバーケース110の下部壁に設けられて冷却用液体と気体とを混合して、微細なサイズの液滴エアロゾルを発生すると同時に、液滴エアロゾルを冷却チャンバー150の内部に噴射する。このため、噴霧手段120は、液滴エアロゾルを噴射する部分が冷却チャンバー150の内側に突設される。ここで、冷却用液体としては、水が使用され、気体としては空気が使用されうる。
【００２０】
一方、冷却チャンバー150の内部に噴射された液滴エアロゾルは、蒸発により加熱プレート100を冷却する。詳しくは、冷却チャンバー150の内部に噴射された液滴エアロゾルは、下部プレート101の下面に付着し、下部プレート101の下面に付着した液滴エアロゾルは、下部プレート101から熱を取って蒸発するため、加熱プレート101を冷却する。
一定温度で液体1gが完全に蒸発するのに必要な熱量を蒸発熱と言い、例えば水の蒸発熱は2270J/gである。従って、水1gを蒸発させるためには、水1gを1℃高めるのに必要な熱量である約4.2Jより540倍程度の熱量が必要になるため、本発明でのように冷却用液体、例えば水の蒸発を用いて加熱プレート100を冷却することは非常に効果的な冷却方式になる。
【００２１】
チャンバーケース110の下部壁には、少なくとも１つの排出口115が形成され、この排出口115を通じて液滴エアロゾルが蒸発して発生された蒸気が外部に排出される。
一方、図２には、２つの噴霧手段120がチャンバーケース110の下部壁に設けられた場合が示されているが、本実施形態ではこれに限定されず、１つ又は３つの以上の噴霧手段120がチャンバーケース110の下部壁に設けることができ、また噴霧手段120は、チャンバーケース110の側壁に設けることもできる。そして、排出口115は、チャンバーケース110の下部壁又は側壁に２つ以上形成することもできる。
【００２２】
このように、チャンバーケース110に設けられた噴霧手段120により冷却用液体と気体とを混合して、液滴エアロゾルを発生すると同時に、これを冷却チャンバー150の内部に直接噴射すれば、供給される液滴エアロゾルが損失することがなく、相変化を通じて加熱プレート100を冷却させるため、加熱プレート100を所定温度まで急速に冷却することができる。
【００２３】
図４は、図３に示された噴霧手段120を拡大して示した断面図である。図４に示すように、噴霧手段120は、冷却用液体、例えば水を噴射する第１のノズル122と、気体、例えば空気を噴射する第２のノズル121とを含む。ここで、第１のノズル122は、第２のノズル121の内部に位置するように設けられる。前述のような構造で、第１及び第２のノズル122,121を通じてそれぞれ冷却用液体及び気体を同時に噴射すれば、微細な液滴エアロゾルが発生し、このように発生した液滴エアロゾルは、冷却チャンバー150の内部に噴射される。一方、液滴エアロゾルを噴射する部分には、噴射される液滴エアロゾルが冷却チャンバー150の内部に均等に分散するようにするために、拡散部材128を設けるのが好ましい。
【００２４】
第１のノズル122は、冷却用液体を供給する第１の供給管124と連結され、第２のノズル121は、気体を供給する第２の供給管123と連結される。ここで、第１及び第２の供給管124,123には、それぞれ冷却用液体と気体の流量を調節するための第１及び第２の流量制御装置126,125が設けられる。
図5A及び図5Bは、下部プレート101の下面を示した断面図である。図5Aに示すように、下部プレート101の下面には、毛細管構造101aを形成することができる。こうした毛細管構造は、下部プレート101の下面に所定の粉末を播いた後、これを溶かして成型する工程である焼結処理により形成されうる。このように下部プレート101の下面に毛細管構造101aを形成すれば、下部プレート101の下面全体に液滴エアロゾルが均一に分布された状態で蒸発が誘導され、また液滴エアロゾルが接触する表面積が増大して加熱プレート100をより効果的に冷却することができる。そして、図5Bに示すように、下部プレート101の下面には、微細な多数のグルーブ101bを形成することができる。こうしたグルーブ101bは、下部プレート101の下面を加工することによって形成されうる。そして、こうしたグルーブ101bも前述したように、下部プレート101の下面に液滴エアロゾルを均一に分布させ、液滴エアロゾルと接触する表面積を増大する役割を果たす。
【００２５】
前述のような構造の熱処理装置で、噴霧手段120を通じて冷却チャンバー150の内部に液滴エアロゾルを噴射すれば、液滴エアロゾルは、下部プレート101の下面を含んで冷却チャンバー150の内壁に付着する。そして、冷却チャンバー150の内壁に付着した液滴エアロゾルは、周辺の熱を取って蒸発して、蒸気状態で排出口115を通じて排出される。この際、加熱プレート100は所望の設定温度まで早く冷却される。
【００２６】
このように、冷却チャンバー150の内部に噴射された液滴エアロゾルの相変化を用いて加熱プレート100を冷却すれば、高速冷却が可能となる。例えば、加熱プレート100を150℃から100℃に冷却する場合、既存の自然冷却方式では、ほぼ50分所要するのに対して、本発明による熱処理装置では、液滴エアロゾルの噴射量を100ml/minとしたときほぼ90秒以内で完了できる。
【００２７】
以下では、図6A及び図6Bを参照して前記の熱処理装置の冷却方法について説明する。
図6Aは、本発明の１実施形態による熱処理装置の冷却方法を説明するために示したものである。図6Aに示すように、先ず所定時間t1の間噴霧手段120により冷却チャンバー150の内部に液滴エアロゾルを持続的に噴射する。この過程では、冷却用液体及び気体をそれぞれ第１及び第２のノズル122,121を通じて持続的に冷却チャンバー150の内部に供給する。これにより、加熱プレート100は、噴射された液滴エアロゾルの蒸発により所望の温度まで冷却される。
【００２８】
次に、加熱プレート100の冷却後、一定時間の間噴霧手段120により冷却チャンバー150の内部に気体のみを噴射する。この過程では、気体のみを第２のノズル121を通じて冷却チャンバー150の内部に供給する。ここで、気体としては、水分を含有しない乾燥空気を使用するのが好ましい。このように、冷却チャンバー150の内部に乾燥空気のような気体のみを噴射すれば、加熱プレート100の冷却後に、冷却チャンバー150内に残っている蒸気が除去される。
【００２９】
図6Bは、本発明の他の実施形態による熱処理装置の冷却方法を説明するために示したものである。図6Bに示すように、先ず、所定時間t2の間噴霧手段120により冷却チャンバーの内部に液滴エアロゾルをパルス状に噴射する。この過程では、第１のノズル122を通じて冷却用液体をパルス状で間歇的に冷却チャンバー150に供給し、第２のノズル121を通じて気体を持続的に冷却チャンバー150の内部に供給する。これにより、加熱プレート100は、噴射された液滴エアロゾルの蒸発により所望の温度まで冷却される。
【００３０】
次に、加熱プレート100の冷却後、冷却チャンバー150に残っている蒸気を除去するために一定時間の間噴霧手段120により冷却チャンバー150の内部に気体のみを噴射する。この過程では、乾燥空気のような気体のみを第２のノズル121を通じて冷却チャンバー150の内部に供給する。
以上、本発明による好適な実施形態を説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲により決められるものである。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明は、半導体製造のためのフォトリソグラフィ工程に使用される熱処理装置に関し、例えば、半導体製造の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来の熱処理装置を示した図面である。
【図２】本発明の実施形態による熱処理装置の切開斜視図である。
【図３】本発明の実施形態による熱処理装置の概略的な断面図である。
【図４】図３に示されたノズルを示した断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態による熱処理装置の下部プレートの下面に焼結処理により毛細管構造が形成された状態を示した図面である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態による熱処理装置の下部プレートの下面に加工により多数のグルーブが形成された状態を示した図面である。
【図６Ａ】本発明の実施形態による熱処理装置の冷却方法を説明するための図面である。
【図６Ｂ】本発明の他の実施形態による熱処理装置の冷却方法を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００３３】
１００    加熱プレート
１０１    下部プレート
１０３    ヒーター
１０５    上部プレート
１０７    ガスケット
１１０    チャンバーケース
１１５    排出口
１２０    噴霧手段
１２３    第1の供給管
１２４    第2の供給管
１５０    冷却チャンバー
【図１】
2006005364.tif 000003
【図２】
2006005364.tif 000004
【図３】
2006005364.tif 000005
【図４】
2006005364.tif 000006
【図５Ａ】
2006005364.tif 000007
【図５Ｂ】
2006005364.tif 000008
【図６Ａ】
2006005364.tif 000009
【図６Ｂ】
2006005364.tif 000010