(57)【要約】【課題】  ＰＤＰの放電特性を改善する。【解決手段】  放電空間を介して対向する前面ガラス基板１および背面ガラス基板６と、前面ガラス基板１の背面に形成された行電極対（Ｘ，Ｙ）と、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層３とを有し、放電空間内に放電セルＣが形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層５が、行電極対（Ｘ，Ｙ）が形成されている前面ガラス基板１側の放電空間Ｓに対向する部分の一部に形成されている。【選択図】      図１
2006114484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の何れかに形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層とを有し、放電空間内に単位発光領域が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層が、前記放電電極が形成されている基板側の放電空間に対向する部分の一部に形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
蒸着またはスパッタリングによって形成されて前記誘電体層を被覆する薄膜酸化マグネシウム層をさらに備え、この薄膜酸化マグネシウム層上の放電空間に対向する部分の一部に、結晶酸化マグネシウム層が形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記結晶酸化マグネシウム層が、誘電体層上の放電空間に対向する部分の一部に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記結晶酸化マグネシウム層が、放電電極に対向する位置にパターン化されて形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記放電電極が、一対の行電極が放電ギャップを挟んで対向される行電極対であり、この行電極対のそれぞれの行電極が、行方向に延びる電極本体部とこの電極本体部から対になっている他の行電極の方向に突出して放電ギャップを介して互いに対向される電極突出部とを有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記結晶酸化マグネシウム層が、行電極の突出電極部に対向する位置に形成されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記結晶酸化マグネシウム層が、行電極対の放電ギャップとこの放電ギャップを介して互いに対向される突出電極部のそれぞれの先端部分に対向する位置に形成されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記突出電極部が、対になっている他の突出電極部と放電ギャップを介して対向される幅広の先端部と、この幅広の先端部と電極本体部を接続する幅狭の基端部とを有し、結晶酸化マグネシウム層が、突出電極部の幅広の先端部の一部に対向されている請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記結晶酸化マグネシウム層が、各単位発光領域ごとに個別に形成されている請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記結晶酸化マグネシウム層が、隣接する単位発光領域間で連続する形状に形成されている請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記結晶酸化マグネシウム層が、放電ギャップを介して互いに対向される突出電極部のそれぞれの先端部分を除いた中間部分に対向する位置に形成されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記突出電極部が、対になっている他の突出電極部と放電ギャップを介して対向される幅広の先端部と、この幅広の先端部と電極本体部を接続する幅狭の基端部とを有し、結晶酸化マグネシウム層が、突出電極部の幅広の先端部と幅狭の基端部の接続部分に対向されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記結晶酸化マグネシウム層が、各単位発光領域ごとに個別に形成されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記結晶酸化マグネシウム層が、隣接する単位発光領域間で連続する形状に形成されている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記突出電極部が、対になっている他の突出電極部と放電ギャップを介して対向される幅広の先端部と、この幅広の先端部と電極本体部を接続する幅狭の基端部とを有し、結晶酸化マグネシウム層が、突出電極部の幅広の先端部に対向する位置に形成されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記結晶酸化マグネシウム層が、電極本体部と突出電極部に対向する位置に形成されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記結晶酸化マグネシウム層が、５００オングストローム以上の粒径を有する酸化マグネシウム結晶体を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記結晶酸化マグネシウム層が、２０００オングストローム以上の粒径を有する酸化マグネシウム結晶体を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記酸化マグネシウム結晶体が、マグネシウムが加熱されて発生されたマグネシウム蒸気が気相酸化されることにより生成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記酸化マグネシウム結晶体が、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体である請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記酸化マグネシウム結晶体が、立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体である請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記結晶酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
前記結晶酸化マグネシウム層が、電子線によって励起されて波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２４】
前記行電極対の放電ギャップとこの放電ギャップを介して互いに対向する突出電極部のそれぞれの先端部分を含む領域部分に対向する部分の誘電体層の放電空間側に、凹部が形成されて、この凹部内に結晶酸化マグネシウム層が形成されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、一般的に、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向される二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板に行方向に延びる行電極対が列方向に並設され、他方のガラス基板に列方向に延びる列電極が行方向に並設されていて、放電空間の行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分に、マトリックス状に単位発光領域（放電セル）が形成されている。
【０００３】
そして、このＰＤＰには、行電極や列電極を被覆するために形成された誘電体層上の単位発光領域内に面する位置に、誘電体層の保護機能と単位発光領域内への２次電子放出機能とを有する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜が形成されている。
【０００４】
このような従来のＰＤＰの酸化マグネシウム膜の形成は、スクリーン印刷法によって酸化マグネシウム粉末を混入したペーストを誘電体層上に塗布することにより行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、この従来の酸化マグネシウム膜は、水酸化マグネシウムが熱処理されて精製された多結晶片葉形の酸化マグネシウムが混入されたペーストがスクリーン印刷法によって塗布されることにより形成されるものであって、ＰＤＰの放電特性を、蒸着法によって形成された酸化マグネシウム膜とほとんど同じかまたは僅かに向上させる程度に過ぎないものである。
【０００６】
このため、放電特性をより一層向上させることが出来る保護膜をＰＤＰに形成するようにすることが強く要望されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−３２５６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明は、上記のような従来の酸化マグネシウム膜が形成されるＰＤＰにおける問題点を解決することをその解決課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明（請求項１に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルは、上記課題を達成するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の何れかに形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層とを有し、放電空間内に単位発光領域が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層が、前記放電電極が形成されている基板側の放電空間に対向する部分の一部に形成されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この発明によるＰＤＰは、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に、行方向に延びる行電極対と、列方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に放電セルを形成する列電極が設けられ、この行電極対または列電極を被覆する誘電体層の放電セルに対向する側の少なくとも行電極または列電極に対向する部分を含む一部に、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層が形成されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００１１】
この実施形態におけるＰＤＰは、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層が、誘電体層側の放電セルに対向する部分のうち、少なくとも行電極または列電極に対向する部分を含む一部に形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００１２】
そして、この結晶酸化マグネシウム層が、行電極または列電極に対向する部分を含む任意の位置に形成されることによって、放電遅れ時間を短縮する効果が非常に大きくなるとともに、結晶酸化マグネシウム層が形成されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【００１３】
上記ＰＤＰにおいて、結晶酸化マグネシウム層は、誘電体層を被覆する薄膜酸化マグネシウム層に部分的に積層されて形成されてもよく、または、薄膜酸化マグネシウム層が形成されることなく、誘電体層上の所要の部分に直接形成されるようにしても良い。
【００１４】
結晶酸化マグネシウム層が誘電体層上に部分的に直接形成される場合には、この結晶酸化マグネシウム層によって放電エリアが制限されて、電界強度が強い部分でのみ放電を発生させることが出来るようになり、これによって、高い発光効率を得ることが可能になる。
【実施例１】
【００１５】
図１ないし３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第１の実施例を示しており、図１はこの実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図２は図１のＶ１−Ｖ１線における断面図、図３は図１のＷ１−Ｗ１線における断面図である。
【００１６】
この図１ないし３に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に配列されている。
【００１７】
行電極Ｘは、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｘａの幅狭の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂとによって構成されている。
【００１８】
行電極Ｙも同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙａと、前面ガラス基板１の行方向に延びて透明電極Ｙａの幅狭の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙｂとによって構成されている。
【００１９】
この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。
【００２０】
前面ガラス基板１の背面には、列方向において隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに背中合わせになったバス電極ＸｂとＹｂの間に、このバス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）２が形成されている。
【００２１】
さらに、前面ガラス基板１の背面には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層３が形成されており、この誘電体層３の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに隣り合うバス電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置およびこの隣り合うバス電極ＸｂとＹｂの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層３の背面側に突出する嵩上げ誘電体層３Ａが、バス電極Ｘｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。
【００２２】
この誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面側には、蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層（以下、薄膜酸化マグネシウム層という）４が形成されていて、誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面の全面が被覆されている。
【００２３】
そして、この薄膜酸化マグネシウム層４の背面側において、透明電極ＸａとＹａの互いに対向する部分（透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１の一部）、および、この透明電極ＸａとＹａ間の放電ギャップｇに対向する方形の部分に、後で詳述するような、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層（以下、結晶酸化マグネシウム層という）５が積層されて、それぞれ島状に形成されている。
【００２４】
一方、前面ガラス基板１と平行に配置された背面ガラス基板６の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対となった透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
【００２５】
背面ガラス基板６の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）７が形成され、この列電極保護層７上に、隔壁８が形成されている。
【００２６】
この隔壁８は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極ＸｂとＹｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁８Ａと、隣接する列電極Ｄの間の中間位置において一対の横壁８Ａ間を列方向に延びる縦壁８Ｂとによって略梯子形状に形成されており、各隔壁８が、隣接する他の隔壁８の互いに背中合わせに対向する横壁８Ａの間において行方向に延びる隙間ＳＬを挟んで、列方向に並設されている。
【００２７】
この梯子状の隔壁８によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板６の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において互いに対になっている透明電極ＸａとＹａに対向する部分に形成される放電セルＣ毎に、それぞれ方形に区画されている。
【００２８】
そして、この隔壁８の横壁８Ａの表示側の面が、嵩上げ誘電体層３Ａを被覆している薄膜酸化マグネシウム層４に当接されて（図２参照）、放電セルＣと隙間ＳＬの間をそれぞれ閉じているが、縦壁８Ｂの表示側の面には当接されておらず（図３参照）、その間に隙間ｒが形成されて、行方向において隣接する放電セルＣ間がこの隙間ｒを介して互いに連通されている。
【００２９】
放電空間Ｓに面する隔壁８の横壁８Ａおよび縦壁８Ｂの側面と列電極保護層７の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層９が形成されており、この蛍光体層９の色は、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。
【００３０】
上記結晶酸化マグネシウム層５は、前述したような酸化マグネシウム結晶体が、スプレ法や静電塗布法などの方法によって、誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａを被覆している薄膜酸化マグネシウム層４の背面側の表面に付着されることによって形成される。
【００３１】
図４は、誘電体層３の背面に薄膜酸化マグネシウム層４が形成され、この薄膜酸化マグネシウム層４の背面に、酸化マグネシウム結晶体がスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着されて、結晶酸化マグネシウム層５が形成されている状態を示している。
【００３２】
また、図５は、誘電体層３の背面に酸化マグネシウム結晶体がスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着されて結晶酸化マグネシウム層５が形成された後、薄膜酸化マグネシウム層４が形成されている状態を示している。
上記ＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層５は、下記の材料および方法によって形成されている。
【００３３】
すなわち、結晶酸化マグネシウム層５の形成材料となる電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体とは、例えば、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られるマグネシウムの単結晶体（以下、このマグネシウムの単結晶体を気相法酸化マグネシウム単結晶体という）を含み、この気相法酸化マグネシウム単結晶体には、例えば、図６のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体と、図７のＳＥＭ写真像に示されるような、立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ構造（すなわち、立方体の多重結晶構造）を有する酸化マグネシウム単結晶体が含まれる。
【００３４】
この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、後述するように、放電遅れの減少などの放電特性の改善に寄与する。
【００３５】
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって得られる酸化マグネシウムと比較すると、高純度であるとともに微粒子が得られ、さらに、粒子の凝集が少ないなどの特徴を備えている。
【００３６】
この実施例においては、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００オングストローム以上（好ましくは、２０００オングストローム以上）の気相法酸化マグネシウム単結晶体が用いられる。
【００３７】
なお、気相法酸化マグネシウム単結晶体の合成については、『材料』昭和６２年１１月号，第３６巻第４１０号の第１１５７〜１１６１頁の『気相法によるマグネシア粉末の合成とその性質』等に記載されている。
【００３８】
この結晶酸化マグネシウム層５は、前述したように、例えば気相法酸化マグネシウム単結晶体がスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着されることにより形成される。
上記のＰＤＰは、画像形成のためのリセット放電およびアドレス放電，維持放電が放電セルＣ内において行われる。
【００３９】
そして、アドレス放電の前に行われるリセット放電時に、このリセット放電によって放電ガス中のキセノンから真空紫外線が放射されて、この真空紫外線により、放電セルＣに面するように形成されている結晶酸化マグネシウム層５から２次電子（プライミング粒子）が放出されることにより、次のアドレス放電時に、そのアドレス放電開始電圧が低下され、さらに、そのアドレス放電が高速化される。
【００４０】
上記ＰＤＰは、図８および９に示されるように、結晶酸化マグネシウム層５が、上述したような例えば気相法酸化マグネシウム単結晶体によって形成されていることにより、放電によって発生する電子線の照射によって、結晶酸化マグネシウム層５に含まれる粒径の大きな気相法酸化マグネシウム単結晶体から、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起される。
【００４１】
この２３５ｎｍ付近にピークを有するＣＬ発光は、図１０に示されるように、通常の蒸着法によって形成される酸化マグネシウム層（この実施例における薄膜酸化マグネシウム層４）からは励起されず、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光のみが励起される。
【００４２】
また、図８および９から分かるように、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。
【００４３】
この波長域２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光の存在によって、放電特性の改善（放電遅れの減少，放電確率の向上）がさらに図られるものと推測される。
【００４４】
すなわち、この結晶酸化マグネシウム層５による放電特性の改善は、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う気相法酸化マグネシウム単結晶体が、そのピーク波長に対応したエネルギ準位を有し、そのエネルギ準位によって電子を長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップすることができ、この電子が電界によって取り出されることで、放電開始に必要な初期電子が得られことによって為されるものと推測される。
【００４５】
そして、この気相法酸化マグネシウム単結晶体による放電特性の改善効果が、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光の強度が大きくなるほど大きくなるのは、ＣＬ発光強度と気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径との間にも相関関係があるためである。
【００４６】
すなわち、大きな粒径の気相法酸化マグネシウム単結晶体を形成しようとする場合には、マグネシウム蒸気を発生させる際の加熱温度を高くする必要があるため、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さが長くなり、この火炎と周囲との温度差が大きくなることによって、粒径の大きい気相法酸化マグネシウム単結晶体ほど上述したようなＣＬ発光のピーク波長（例えば、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）に対応したエネルギ準位が多数形成されるものと考えられる。
【００４７】
また、立方体の多重結晶構造の気相法酸化マグネシウム単結晶体については、結晶面欠陥を多く含んでいて、その面欠陥エネルギ準位の存在が放電確率の改善に寄与しているとも推測される。
【００４８】
なお、結晶酸化マグネシウム層５を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体粉末の粒子径（ＤＢＥＴ）は、窒素吸着法によってＢＥＴ比表面積（ｓ）が測定され、この値から次式によって算出される。
【００４９】
ＤＢＥＴ＝Ａ／（ｓ×ρ）
Ａ：形状計数（Ａ＝６）
ρ：マグネシウムの真密度
図１１は、ＣＬ発光強度と放電遅れとの相関関係を示すグラフである。
【００５０】
この図１１から、結晶酸化マグネシウム層５から励起される２３５ｎｍのＣＬ発光によって、ＰＤＰでの放電遅れが短縮されることが分かり、さらに、この２３５ｎｍのＣＬ発光強度が強いほどこの放電遅れが短縮されることが分かる。
【００５１】
図１２は、上記のようにＰＤＰが薄膜酸化マグネシウム層４と結晶酸化マグネシウム層５の二層構造を備えている場合（グラフａ）と、従来のＰＤＰのように蒸着法によって形成された酸化マグネシウム層のみが形成されている場合（グラフｂ）の放電遅れ特性を比較したものである。
【００５２】
この図１２から分かるように、ＰＤＰが薄膜酸化マグネシウム層４と結晶酸化マグネシウム層５の二層構造を備えていることによって、放電遅れ特性が、従来の蒸着法によって形成された薄膜酸化マグネシウム層のみを備えているＰＤＰに比べて、著しく改善されていることが分かる。
【００５３】
以上のように、上記ＰＤＰは、蒸着法等によって形成された従来の薄膜酸化マグネシウム層４に加えて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成された結晶酸化マグネシウム層５が、薄膜酸化マグネシウム層４上の透明電極ＸａとＹａの互いに対向する部分（透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１の一部）、および、この透明電極ＸａとＹａ間の放電ギャップｇに対向する方形の部分に積層して形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００５４】
特に、この結晶酸化マグネシウム層５が、薄膜酸化マグネシウム層の全面ではなく、放電が強く発生する領域部分にのみ形成されていることによって、放電遅れ時間を短縮する効果が非常に大きい。
【００５５】
この結晶酸化マグネシウム層５を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体には、ＢＥＴ法によって測定したその平均粒径が５００オングストローム以上のものが使用され、好ましくは、２０００〜４０００オングストロームのものが使用される。
【００５６】
さらに、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層５が、薄膜酸化マグネシウム層４上の透明電極ＸａとＹａの互いに対向する部分（透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１の一部）、および、この透明電極ＸａとＹａ間の放電ギャップｇに対向する方形の部分に、それぞれ島状にパターン化されて形成されていることによって、薄膜酸化マグネシウム層４と結晶酸化マグネシウム層５が積層されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【００５７】
さらに、結晶酸化マグネシウム層５が上記のように島状にパターン化されて形成されていることにより、放電セルＣ内において繰り返し発生される放電によるイオン衝撃（スパッタ）によって、結晶酸化マグネシウムが飛び散り、これが再堆積して形成される結晶酸化マグネシウムの凝集部分において、放電特性の低下と透過率の低下が発生するのを最小限に抑えることが出来るようになる。
【００５８】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【００５９】
また、上記においては、結晶酸化マグネシウム層５をスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着させることにより形成する例について説明を行ったが、結晶酸化マグネシウム層５は、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含有するペーストを、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法などの方法によって塗布することによって形成するようにしても良い。
【００６０】
さらにまた、上記においては、結晶酸化マグネシウム層５が透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１の一部に対向するように形成されている例が示されているが、この結晶酸化マグネシウム層は、透明電極Ｘａ，Ｙａの先端部分Ｘａ１，Ｙａ１のほぼ全部分に対向するように形成されていても良い。
【実施例２】
【００６１】
図１３は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２の実施例を示す概略構成図である。
【００６２】
前述した第１実施例における結晶酸化マグネシウム層が、薄膜酸化マグネシウム層上の放電ギャップとこの放電ギャップを挟んで対向する対になった透明電極のそれぞれの先端幅広部に対向する方形の部分に島状にパターン形成されているのに対し、この第２実施例におけるＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層１５は、第１実施例の場合と同様に形成された薄膜酸化マグネシウム層の背面側において、放電ギャップｇとこの放電ギャップｇを挟んで対向する対になった透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１の先端部分に対向する部分を含む行方向に延びる帯状部分に、ストライプ状にパターン形成されている。
【００６３】
この図１３において、他の部分の構成は第１実施例の場合と同様であって第１実施例と同一の符号が付されている。
さらに、結晶酸化マグネシウム層１５の構成および形成方法も第１実施例の場合と同様である。
【００６４】
この第２実施例におけるＰＤＰも、蒸着法等によって形成された従来の薄膜酸化マグネシウム層に加えて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成された結晶酸化マグネシウム層１５が、放電ギャップｇと透明電極Ｘａ，Ｙａの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１のそれぞれの先端部分に対向する部分を含むストライプ形状にパターン形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００６５】
特に、この結晶酸化マグネシウム層１５が、薄膜酸化マグネシウム層の全面ではなく、放電が強く発生する領域部分に形成されていることによって、放電遅れ時間を短縮する効果が非常に大きい。
【００６６】
そして、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層１５が、放電が強く発生する領域部分にのみ形成されていることによって、薄膜酸化マグネシウム層と結晶酸化マグネシウム層１５が積層されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【００６７】
さらに、結晶酸化マグネシウム層１５が上記のようにパターン化されて形成されていることにより、放電セル内において繰り返し発生される放電によるイオン衝撃（スパッタ）によって、結晶酸化マグネシウムが飛び散り、これが再堆積して形成される結晶酸化マグネシウムの凝集部分において、放電特性の低下と透過率の低下が発生するのを最小限に抑えることが出来るようになる。
【００６８】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【実施例３】
【００６９】
図１４は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第３の実施例を示す概略構成図である。
【００７０】
前述した第１実施例における結晶酸化マグネシウム層が、薄膜酸化マグネシウム層上の放電ギャップおよびこの放電ギャップを挟んで対向する対になった透明電極のそれぞれの先端部分に対向する方形の部分に形成されているのに対し、この第３実施例におけるＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層２５が、第１実施例の場合と同様に形成された薄膜酸化マグネシウム層の背面側において、Ｔ字形状に形成されている透明電極Ｘａ，Ｙａの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１とこの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１を透明電極Ｘｂ，Ｙｂに接続する幅狭の基端部Ｘａ２，Ｙａ２との連結部分を含む方形の部分に対向する位置に、それぞれ島状にパターン形成されている。
【００７１】
そして、この結晶酸化マグネシウム層２５は、第１実施例の結晶酸化マグネシウム層が対向していた放電ギャップおよびこの放電ギャップを挟んで対向する透明電極の先端部分には、対向されていない。
【００７２】
この図１４において、他の部分の構成は第１実施例の場合と同様であって第１実施例と同一の符号が付されている。
さらに、結晶酸化マグネシウム層２５の構成および形成方法も第１実施例の場合と同様である。
【００７３】
この第３実施例におけるＰＤＰも、蒸着法等によって形成された従来の薄膜酸化マグネシウム層に加えて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成された結晶酸化マグネシウム層２５が、透明電極Ｘａ，Ｙａの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１と基端部Ｘａ２，Ｙａ２の連結部分を含む方形の部分に対向する位置に、それぞれ島状にパターン形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００７４】
そして、この結晶酸化マグネシウム層２５が、放電が強く発生する領域部分に隣接する領域部分に形成されていることによって、放電遅れ時間を短縮する大きな効果を得ることが出来るとともに、放電が最も強く発生する領域部分を除いて形成されていることによって、放電発生時のイオン衝撃（スパッタ）による結晶酸化マグネシウムの飛散および再堆積による透過率の低下を抑制することができる。
【００７５】
そして、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層２５が、薄膜酸化マグネシウム層の全面ではなく、放電が発生する領域部分にのみ形成されていることによって、薄膜酸化マグネシウム層と結晶酸化マグネシウム層２５が積層されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【００７６】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【実施例４】
【００７７】
図１５は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第４の実施例を示す概略構成図である。
前述した第３実施例における結晶酸化マグネシウム層が、Ｔ字形状の透明電極の先端幅広部と基端部の連結部分を含む方形の部分に対向する位置にそれぞれ島状にパターン形成されているのに対し、この第４実施例におけるＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層３５は、第１実施例の場合と同様に形成された薄膜酸化マグネシウム層の背面側において、Ｔ字形状の透明電極Ｘａ，Ｙａの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１と基端部Ｘａ２，Ｙａ２の連結部分に対向する部分を含む行方向に延びる帯状部分に、ストライプ状にパターン形成されている。
【００７８】
この図１５において、他の部分の構成は第１実施例の場合と同様であって第１実施例と同一の符号が付されている。
さらに、結晶酸化マグネシウム層３５の構成および形成方法も第１実施例の場合と同様である。
【００７９】
この第４実施例におけるＰＤＰも、蒸着法等によって形成された従来の薄膜酸化マグネシウム層に加えて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成された結晶酸化マグネシウム層３５が、透明電極Ｘａ，Ｙａの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１と基端部Ｘａ２，Ｙａ２の連結部分を含むストライプ形状にパターン形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００８０】
そして、この結晶酸化マグネシウム層３５が、放電が強く発生する領域部分に隣接する領域部分に形成されていることによって、放電遅れ時間を短縮する大きな効果を得ることが出来るとともに、放電が最も強く発生する領域部分を除いて形成されていることによって、放電発生時のイオン衝撃（スパッタ）による結晶酸化マグネシウムの飛散および再堆積による透過率の低下を抑制することができる。
【００８１】
そして、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層３５が、薄膜酸化マグネシウム層の全面ではなく、放電が発生する領域部分にのみ形成されていることによって、薄膜酸化マグネシウム層と結晶酸化マグネシウム層３５が積層されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【００８２】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【実施例５】
【００８３】
図１６は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第５の実施例を示す概略構成図である。
【００８４】
前述した第１実施例における結晶酸化マグネシウム層が、薄膜酸化マグネシウム層上の放電ギャップおよびこの放電ギャップを挟んで対向する対になった透明電極のそれぞれの先端部分に対向する方形の部分に形成されているのに対し、この第５実施例におけるＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層４５が、第１実施例の場合と同様に形成された薄膜酸化マグネシウム層の背面側において、Ｔ字形に形成された各行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１の全面に対向する方形の部分に、それぞれ、先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１とほぼ同じ大きさで島状にパターン形成されている。
【００８５】
この図１６において、他の部分の構成は第１実施例の場合と同様であって第１実施例と同一の符号が付されている。
さらに、結晶酸化マグネシウム層４５の構成および形成方法も第１実施例の場合と同様である。
【００８６】
この第５実施例におけるＰＤＰも、蒸着法等によって形成された従来の薄膜酸化マグネシウム層に加えて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成された結晶酸化マグネシウム層４５が、透明電極Ｘａ，Ｙａの先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１の全面に対向する方形部分に、それぞれ島状にパターン形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００８７】
特に、この結晶酸化マグネシウム層４５が、放電が強く発生する領域部分に形成されていることによって、放電遅れ時間を短縮する効果が非常に大きい。
【００８８】
そして、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層４５が、薄膜酸化マグネシウム層の全面ではなく、放電が発生する領域部分にのみ形成されていることによって、薄膜酸化マグネシウム層と結晶酸化マグネシウム層４５が積層されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【００８９】
さらに、結晶酸化マグネシウム層４５が上記のようにパターン化されて形成されていることにより、放電セル内において繰り返し発生される放電によるイオン衝撃（スパッタ）によって、結晶酸化マグネシウムが飛び散り、これが再堆積して形成される結晶酸化マグネシウムの凝集部分において、放電特性の低下と透過率の低下が発生するのを最小限に抑えることが出来るようになる。
【００９０】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【実施例６】
【００９１】
図１７は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第６の実施例を示す概略構成図である。
前述した第５実施例における結晶酸化マグネシウム層が、Ｔ字形に形成された各行電極の透明電極の先端幅広部の全面に対向する方形の部分にそれぞれ先端幅広部とほぼ同一面積で島状にパターン形成されているのに対し、この第６実施例におけるＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層５５は、第１実施例の場合と同様に形成された薄膜酸化マグネシウム層の背面側において、それぞれ、行電極Ｘ，Ｙの全面、すなわち、透明電極Ｘａ，Ｙａと透明電極Ｘｂ，Ｙｂの全面に対向する部分に、行電極Ｘ，Ｙとほぼ同一形状にパターン形成されている。
【００９２】
この図１７において、他の部分の構成は第１実施例の場合と同様であって第１実施例と同一の符号が付されている。
【００９３】
さらに、結晶酸化マグネシウム層５５の構成および形成方法も第１実施例の場合と同様である。
【００９４】
この第６実施例におけるＰＤＰも、蒸着法等によって形成された従来の薄膜酸化マグネシウム層に加えて、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成された結晶酸化マグネシウム層５５が、行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａおよび透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する位置にパターン形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００９５】
特に、この結晶酸化マグネシウム層５５が、放電が強く発生する領域部分に形成されていることによって、放電遅れ時間を短縮する効果が非常に大きい。
【００９６】
そして、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層５５が、薄膜酸化マグネシウム層の全面ではなく、放電が発生する領域部分にのみ形成されていることによって、薄膜酸化マグネシウム層と結晶酸化マグネシウム層５５が積層されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【００９７】
さらに、結晶酸化マグネシウム層５５が上記のようにパターン化されて形成されていることにより、放電セル内において繰り返し発生される放電によるイオン衝撃（スパッタ）によって、結晶酸化マグネシウムが飛び散り、これが再堆積して形成される結晶酸化マグネシウムの凝集部分において、放電特性の低下と透過率の低下が発生するのを最小限に抑えることが出来るようになる。
【００９８】
なお、この実施例におけるＰＤＰのように、放電空間を区画する隔壁（図１および２における隔壁８）を備えていて、行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘｂ，Ｙｂが隔壁の横壁に対向していることによってこの透明電極Ｘｂ，Ｙｂの部分を被覆している誘電体層が放電空間に対して露出していない場合には、透明電極Ｘｂ，Ｙｂにそれぞれ対向する部分を除いて透明電極Ｘａ，Ｙａに対向する部分にのみ結晶酸化マグネシウム層を形成するようにしても良い。
【００９９】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【実施例７】
【０１００】
図１８ないし２０は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第７の実施例を示しており、図１８はこの実施例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図１９は図１８のＶ２−Ｖ２線における断面図、図２０は図１８のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【０１０１】
なお、以下の説明において、前述した第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図１８ないし２０において図１ないし３と同一の符号を付して説明を行う。
【０１０２】
前述した第１実施例のＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層が薄膜酸化マグネシウム層に積層して形成されていたのに対し、この第７実施例のＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層が行電極対を被覆する誘電体層上に単層で形成されている。
【０１０３】
すなわち、図１８ないし２０において、前面ガラス基板１の背面に、第１実施例と同様に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１８の左右方向）に延びるように平行に配列され、この行電極対（Ｘ，Ｙ）は、前面ガラス基板１の背面に形成された誘電体層３によって被覆されている。
そして、この誘電体層３の背面側には、嵩上げ誘電体層３Ａが形成されている。
【０１０４】
この誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面側において、透明電極ＸａとＹａの互いに対向する部分（透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１のほぼ全部分）、および、この透明電極ＸａとＹａ間の放電ギャップｇに対向する方形の部分に、第１実施例と同様の、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層という）６５が積層されて、それぞれ島状に形成されている。
【０１０５】
背面ガラス基板６側の構成は、第１実施例の場合と同様であり、前面ガラス基板１との間の放電空間Ｓ内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【０１０６】
図２１は、誘電体層３の背面に酸化マグネシウム結晶体がスプレ法や静電塗布法などの方法によって付着されて結晶酸化マグネシウム層６５が形成されている状態を示している。
【０１０７】
この結晶酸化マグネシウム層６５を形成する材料およびその形成方法は、第１実施例の結晶酸化マグネシウム層と同様であり、この結晶酸化マグネシウム層６５を形成する気相法酸化マグネシウム単結晶体には、ＢＥＴ法によって測定したその平均粒径が５００オングストローム以上、好ましくは、２０００〜４０００オングストロームのものが使用され、また、スプレ法や静電塗布法，スクリーン印刷法，オフセット印刷法，ディスペンサ法，インクジェット法，ロールコート法などの種々の方法によって形成される。
【０１０８】
上記のＰＤＰは、画像形成のためのリセット放電およびアドレス放電，維持放電が放電セルＣ内において行われ、アドレス放電の前に行われるリセット放電時に、このリセット放電によって放電ガス中のキセノンから真空紫外線が放射されて、この真空紫外線により、放電セルＣに面するように形成されている結晶酸化マグネシウム層６５から２次電子（プライミング粒子）が放出されることにより、次のアドレス放電時に、そのアドレス放電開始電圧が低下されるとともに、そのアドレス放電が高速化される。
【０１０９】
そして、結晶酸化マグネシウム層６５が、例えば気相法酸化マグネシウム単結晶体によって形成されていることにより、放電によって発生する電子線の照射によって、結晶酸化マグネシウム層６５に含まれる粒径の大きな気相法酸化マグネシウム単結晶体から、３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光に加えて、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３５ｎｍ付近，２３０〜２５０ｎｍ内）にピークを有するＣＬ発光が励起され、この波長域２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光の存在によって、ＰＤＰの放電特性の改善（放電遅れの減少，放電確率の向上）がさらに図られる。
【０１１０】
図２２は、気相法酸化マグネシウム単結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層６５を備えたＰＤＰの放電遅れ特性を示すグラフであって、従来の蒸着法によって形成された薄膜酸化マグネシウム層を備えたＰＤＰと比べて、放電遅れ特性が、第１実施例の場合と同様に、著しく改善されていることが分かる。
【０１１１】
そして、前述した第１実施例のＰＤＰでは、誘電体層３の背面の全面に薄膜酸化マグネシウム層が形成されていることによって放電強度の弱い透明電極Ｘａ，Ｙａの基端部分（バス電極Ｘｂ，Ｙｂに接続されている部分）やバス電極Ｘｂ，Ｙｂ間において無駄な放電が発生して発光効率が低下する虞があるが、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層６５のみが、透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１のほぼ全部分と透明電極Ｘａ，Ｙａ間の放電ギャップｇに対向する方形の部分に形成されていることにより、透明電極ＸａとＹａ間で発生されるサステイン放電の放電エリアが制限されて、電界強度が強い透明電極Ｘａ，Ｙａの先端部分のみで放電が発生することにより、高い発光効率を得ることが出来るようになる。
【０１１２】
また、結晶酸化マグネシウム層６５が、単結晶の酸化マグネシウム結晶体によって形成されていることによって、ＰＤＰの超寿命化を図ることが出来るようになる。
【０１１３】
以上のように、上記ＰＤＰは、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成された結晶酸化マグネシウム層６５が、誘電体層３上の透明電極ＸａとＹａの互いに対向する部分、および、この透明電極ＸａとＹａ間の放電ギャップｇに対向する方形の部分に形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【０１１４】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【実施例８】
【０１１５】
図２３は、この発明の実施形態における第８の実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図である。
【０１１６】
前述した第７実施例のＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層が、誘電体層上の透明電極の互いに対向する部分およびこの透明電極間の放電ギャップに対向する方形部分にいわゆる島状に形成されているのに対し、この第８実施例のＰＤＰは、図２３において、結晶酸化マグネシウム層７５が、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層の背面の透明電極ＸａとＹａの互いに対向する部分（透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１）およびこの透明電極ＸａとＹａ間の放電ギャップｇに対向する位置において、行方向に隣接する各放電セルＣ間でそれぞれ連続するように、行方向に延びる帯状に成形されている。
【０１１７】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第７実施例の場合とほぼ同様であり、第７実施例の場合と同一の構成部分については、図２３において図１８と同一の符号が付されている。
【０１１８】
結晶酸化マグネシウム層７５の形成材料および形成方法も、第７実施例の場合とほぼ同様である。
【０１１９】
そして、上記ＰＤＰは、第７実施例の場合とほぼ同様に、結晶酸化マグネシウム層７５によって透明電極ＸａとＹａ間で発生されるサステイン放電の放電エリアが制限されて、電界強度が強い透明電極Ｘａ，Ｙａの先端部分のみで放電が発生することにより、高い発光効率を得ることが出来るようになるとともに、結晶酸化マグネシウム層７５が、単結晶の酸化マグネシウム結晶体によって形成されていることによって、ＰＤＰの超寿命化を図ることが出来るようになる。
【０１２０】
さらに、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層７５が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う酸化マグネシウム結晶体によって形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【０１２１】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【実施例９】
【０１２２】
図２４および２５は、この発明の実施形態における第９の実施例のＰＤＰを模式的に示す正面図である。
【０１２３】
前述した第７実施例のＰＤＰの結晶酸化マグネシウム層が、誘電体層から放電空間側に張り出した状態で形成されているのに対し、この第９実施例のＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層が、行電極対を被覆する第１誘電体層の背面に積層して形成された第２誘電体層の開口部内に形成されている。
【０１２４】
すなわち、図２４および２５において、前面ガラス基板１の背面に形成されて行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する所要の膜厚の第１誘電体層８３の背面に、所要の膜厚の第２誘電体層８４が積層されて形成されている。
【０１２５】
この第２誘電体層８４には、行電極Ｘ，Ｙの透明電極ＸａとＹａの放電ギャップｇを介して互いに対向する部分（透明電極Ｘａ，Ｙａのそれぞれ放電ギャップｇに隣接する先端幅広部Ｘａ１，Ｙａ１）およびこの透明電極ＸａとＹａの間の放電ギャップｇに対向する部分に、方形の開口部８４ａが形成されている。
【０１２６】
そして、この第２誘電体層８４の開口部８４ａ内において、第１誘電体層８３上に結晶酸化マグネシウム層８５が形成されて、この結晶酸化マグネシウム層８５によって、開口部８４ａ内の第１誘電体層８３の全表面が被覆されている。
【０１２７】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第７実施例の場合とほぼ同様であり、第７実施例の場合と同一の構成部分については、図２３において図１８と同一の符号が付されている。
【０１２８】
結晶酸化マグネシウム層８５の形成材料および形成方法も、第７実施例の場合とほぼ同様である。
【０１２９】
そして、上記ＰＤＰは、第７実施例のＰＤＰとほぼ同様に、結晶酸化マグネシウム層８５によって透明電極ＸａとＹａ間で発生されるサステイン放電の放電エリアが制限されて、電界強度が強い透明電極Ｘａ，Ｙａの先端部分のみで放電が発生することにより、高い発光効率を得ることが出来るようになるとともに、この第７実施例のＰＤＰの技術的効果に加えて、結晶酸化マグネシウム層８５が第２誘電体層８４の開口部８４ａ内に形成されることによって、サステイン放電の放電エリアの拡がりをさらに抑制することが出来るようになる。
【０１３０】
さらに、上記ＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層８５が、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ発光を行う単結晶の酸化マグネシウム結晶体によって形成されていることによって、ＰＤＰの超寿命化を図ることが出来るようになるとともに、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【０１３１】
なお、上記においては、この発明を、前面ガラス基板に行電極対を形成して誘電体層によって被覆し背面ガラス基板側に蛍光体層と列電極を形成した反射型交流ＰＤＰに適用した例について説明を行ったが、この発明は、前面ガラス基板側に行電極対と列電極を形成して誘電体層によって被覆し、背面ガラス基板側に蛍光体層を形成した反射型交流ＰＤＰや、前面ガラス基板側に蛍光体層を形成し背面ガラス基板側に行電極対および列電極を形成して誘電体層によって被覆した透過型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極対と列電極の交差部分に放電セルが形成される三電極型交流ＰＤＰ，放電空間の行電極と列電極の交差部分に放電セルが形成される二電極型交流ＰＤＰなどの種々の形式のＰＤＰに適用することが出来る。
【０１３２】
上記各実施例のＰＤＰは、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板の何れかに形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層とを有し、放電空間内に単位発光領域が形成され、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層が、前記放電電極が形成されている基板側の放電空間に対向する部分の一部に形成されているＰＤＰをその上位概念の実施形態としているものである。
【０１３３】
この上位概念を構成するＰＤＰは、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層が、誘電体層側の単位発光領域に対向する部分のうち、少なくとも放電電極に対向する部分を含む一部に形成されていることによって、放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【０１３４】
そして、この結晶酸化マグネシウム層が、放電電極に対向する部分を含む任意の位置に形成されることによって、放電遅れ時間を短縮する効果が非常に大きくなるとともに、結晶酸化マグネシウム層が形成されることによる光の透過率の低下を最小限に抑えることが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図３】図１のＷ１−Ｗ１線における断面図である。
【図４】同実施例において薄膜マグネシウム層上に結晶酸化マグネシウム層が形成されている状態を示す断面図である。
【図５】同実施例において結晶酸化マグネシウム層上に薄膜マグネシウム層が形成されている状態を示す断面図である。
【図６】立方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。
【図７】立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示す図である。
【図８】同実施例において酸化マグネシウム単結晶体粉末の粒径とＣＬ発光の波長との関係を示すグラフである。
【図９】同実施例において酸化マグネシウムの粒径と２３５ｎｍのＣＬ発光の強度との関係を示すグラフである。
【図１０】蒸着法による酸化マグネシウム層からのＣＬ発光の波長の状態を示すグラフである。
【図１１】酸化マグネシウム単結晶体からの２３５ｎｍのＣＬ発光のピーク強度と放電遅れとの関係を示すグラフである。
【図１２】保護層が蒸着法による酸化マグネシウム層のみによって構成されている場合と酸化マグネシウム単結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層と蒸着法による薄膜マグネシウム層の二層構造になっている場合との放電遅れ特性の比較を示す図である。
【図１３】この発明の実施形態の第２実施例を示す正面図である。
【図１４】この発明の実施形態の第３実施例を示す正面図である。
【図１５】この発明の実施形態の第４実施例を示す正面図である。
【図１６】この発明の実施形態の第５実施例を示す正面図である。
【図１７】この発明の実施形態の第６実施例を示す正面図である。
【図１８】この発明の実施形態の第７実施例を示す正面図である。
【図１９】図１８のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図２０】図１８のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【図２１】同実施例において誘電体層上に結晶酸化マグネシウム層が形成されている状態を示す断面図である。
【図２２】保護層が蒸着法による酸化マグネシウム層のみによって構成されている場合と酸化マグネシウム単結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層のみによって構成されている場合との放電遅れ特性の比較を示す図である。
【図２３】この発明の実施形態の第８実施例を示す正面図である。
【図２４】この発明の実施形態の第９実施例を示す側断面図である。
【図２５】同実施例の斜視図である。
【符号の説明】
【０１３６】
１              …前面ガラス基板（前面基板）
３              …誘電体層
４              …薄膜酸化マグネシウム層
５，１５，２５，３５，４５，５５，６５，７５，８５
…結晶酸化マグネシウム層
６              …背面ガラス基板（背面基板）
７              …列電極保護層（誘電体層）
８３            …第１誘電体層
８４            …第２誘電体層
８４ａ          …開口部
Ｃ              …放電セル（単位発光領域）
Ｘ，Ｙ          …行電極（放電電極）
Ｘａ，Ｙａ      …透明電極（突出電極部）
Ｘａ１，Ｙａ１  …先端幅広部（幅広の先端部）
Ｘａ２，Ｙａ２  …基端部（幅狭の基端部）
Ｘｂ，Ｙｂ      …バス電極（電極本体部）
Ｄ              …列電極（放電電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図６】
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【図７】
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