(57)【要約】      （修正有）【課題】複数積み重ねての使用が可能な電子部品内蔵モジュールを製造することができる電子部品内蔵ウエハを提供する。【解決手段】電子部品内蔵ウエハを、所定の幅のダイシングエリア１２により多面付けに区画され、各面付け毎に電子部品内蔵用の凹部２２を備えるウエハ基板２１と、各凹部に内蔵された電子部品３１と、各面付け毎に電子部品の端子部３２と接続するように絶縁層２４を介してウエハ基板上に配設された複数の配線２５とを備えたものとし、これらの配線はバンプパッド２６またはワイヤボンディングパッドを有し、かつ、先端部に表裏導通用パッド２７を有し、この表裏導通用パッドはダイシングエリア内に位置するとともに略中央に微細開口部２７ａを有し、この微細開口部にはウエハ基板が露出したものとする。【選択図】図２
2006005053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の幅のダイシングエリアにより多面付けに区画され、各面付け毎に電子部品内蔵用の凹部を備えるウエハ基板と、前記凹部に内蔵された電子部品と、各面付け毎に前記電子部品の端子部と接続するように絶縁層を介して前記ウエハ基板上に配設された複数の配線とを備え、該配線はバンプパッドまたはワイヤボンディングパッドを有し、かつ、先端部に表裏導通用パッドを有し、該表裏導通用パッドは前記ダイシングエリア内に位置するとともに略中央に微細開口部を有し、該微細開口部にはウエハ基板が露出していることを特徴とする電子部品内蔵ウエハ。
【請求項２】
前記絶縁層は二酸化珪素膜であり、前記配線はアルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵ウエハ。
【請求項３】
前記バンプパッドまたは前記ワイヤボンディングパッドと、前記表裏導通用パッドのみを露出露出し、かつ、前記配線層を被覆した絶縁被覆層を前記ウエハ基板上に備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵ウエハ。
【請求項４】
前記ウエハ基板は、ＸＹ方向の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品内蔵ウエハ。
【請求項５】
前記電子部品は、ＬＳＩチップ、ＩＣチップ、ＬＣＲ回路部品、センサ部品のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品内蔵ウエハ。
【請求項６】
前記配線は、絶縁樹脂層を介して対向する上下電極からなるキャパシタを有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電子部品内蔵ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多面付けでＬＳＩチップ等の電子部品を内蔵した電子部品内蔵ウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の多層配線基板は、例えば、サブトラクティブ法等で作製した低密度配線を有する両面基板をコア基板とし、このコア基板の両面にビルドアップ法により高密度配線を形成して作製されたものである。また、最近では、ＬＳＩチップ等を多層配線基板上に直接実装するベアチップ実装法が提案されている。ベアチップ実装法では、予め多層配線基板上に形成された配線の接続パッド部に、ボンディング・ワイヤ、ハンダや金属球等からなるバンプ、異方性導電膜、導電性接着剤、光収縮性樹脂等の接続手段を用いて半導体チップが実装される。また、作製する半導体装置にキャパシターやインダクター等のＬＣＲ回路部品が必要な場合は、半導体チップと同様に、多層配線基板に外付けで実装されている。
【０００３】
しかし、多層配線基板上に形成された配線の接続パッド部は、半導体チップ等の電子部品の実装部位とは別の部位に設けられるため、多層配線基板の面方向の広がりが必要であった。このため、多層配線基板の小型化には限界があり、実装される電子部品の数が増えるにしたがって、小型化は更に困難となる傾向にあった。
これに対応するために、半導体チップを実装した薄い基板と、上下導通ビアを備えた穴明き枠基板を、それぞれ複数個作製しておき、多層配線基板の作製時に、この実装基板と枠基板とを１つのモジュールとして一括で積層する方法が開示されている（特許文献１）。この方法では、複数のモジュールを積層しても、多層配線基板の面方向の広がりは必要がないため、多層配線基板の小型化が可能であった。
【特許文献１】特開２００２−２７１０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のような実装基板と枠基板とからなるモジュールでは、個々の電子部品を基板の所定の位置に実装するための位置合せを正確に行なう必要があり、工程管理が煩雑であるとともに、実装位置のズレを生じた場合、多層配線基板の信頼性が低下するという問題がある
この問題を解消するために、電子部品を載置するための凹部を基板の所定位置に形成することにより、電子部品の実装を容易、確実なものとすることが考えられる。この場合、多面付けのウエハ基板に上記のような電子部品を内蔵させ、その後、所望の多層配線をウエハ基板上に形成した後、ダイシングすることにより個々の電子部品内蔵モジュールが得られる。このような電子部品内蔵モジュールを複数重ねて使用する場合、重ねられた各電子部品内蔵モジュール間の接続、すなわち、電子部品モジュールにおける表裏導通が必要となる。しかし、内蔵されている電子部品の内部構造は非常に密であり、表裏導通のための貫通孔を形成するようなスペースの余裕はなく、また、電子部品の周囲にワイヤボンディング用のパッドが設けられている場合もあるが、ワイヤボンディング用のパッドは、一般に面積が小さく、表裏導通のための貫通孔を形成することは困難であった。
【０００５】
さらに、所望の電子部品を組み込みながら多層配線基板を作製することも考えられるが、配線の端子上にバンプを介して電子部品を載置するための精密な位置合せが必要であり、また、電気絶縁層、導通ビア、配線層等を形成する工程が繰り返され、このため工程が複雑で長いものとなり、製造歩留まりの低下を来たし易いという問題があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、複数積み重ねての使用が可能な電子部品内蔵モジュールを製造することができる電子部品内蔵ウエハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的を達成するために、本発明の電子部品内蔵ウエハは、所定の幅のダイシングエリアにより多面付けに区画され、各面付け毎に電子部品内蔵用の凹部を備えるウエハ基板と、前記凹部に内蔵された電子部品と、各面付け毎に前記電子部品の端子部と接続するように絶縁層を介して前記ウエハ基板上に配設された複数の配線とを備え、該配線はバンプパッドまたはワイヤボンディングパッドを有し、かつ、先端部に表裏導通用パッドを有し、該表裏導通用パッドは前記ダイシングエリア内に位置するとともに略中央に微細開口部を有し、該微細開口部にはウエハ基板が露出しているような構成とした。
【０００７】
本発明の他の態様として、前記絶縁層は二酸化珪素膜であり、前記配線はアルミニウムであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記バンプパッドまたは前記ワイヤボンディングパッドと、前記表裏導通用パッドのみを露出露出し、かつ、前記配線層を被覆した絶縁被覆層を前記ウエハ基板上に備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ウエハ基板は、ＸＹ方向の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍの範囲内であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記電子部品は、ＬＳＩチップ、ＩＣチップ、ＬＣＲ回路部品、センサ部品のいずれかであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記配線は、絶縁樹脂層を介して対向する上下電極からなるキャパシタを有するような構成とした。
【発明の効果】
【０００８】
このような本発明の電子部品内蔵ウエハは、ダイシングエリア内に表裏導通用パッドを備えており、この表裏導通用パッドの微細開口部にはウエハ基板が露出しているので、この微細開口部からウエハ基板に貫通孔を形成し、内部に導電材料を充填することにより、容易に表裏導通をとることができ、これにより、ダイシング後の電子部品内蔵モジュールを積層して、多層構造のマルチチップモジュールの製造も可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の電子部品内蔵ウエハの一実施形態を示す平面図であり、図１（Ａ）は電子部品内蔵ウエハ全体を示す平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の円１０１で囲まれた部位の拡大平面図、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）の円１０２で囲まれた部位の拡大平面図である。また、図２は図１（Ｂ）に示される電子部品内蔵ウエハのＡ−Ａ線矢視縦断面図であり、図３は、図２に示される断面図の円１０３で囲まれた部位近傍の平面図である。
【００１０】
図１〜図３において、本発明の電子部品内蔵ウエハ１は、単位エリア１１が多面付けで設定されたウエハ基板２１を備え、各単位エリア１１は、所定の幅のダイシングエリア１２により区画されており、各面付け（単位エリア１１）毎に電子部品内蔵用の凹部２２を備えている。また、ウエハ基板２１は、凹部２２内部を含む全面に絶縁層２３を備えている。図１（Ｂ）では、ダイシングエリア１２に斜線を付し、ダイシングラインを鎖線で示し、凹部２２を一点鎖線で示している。ダイシングエリア１１の幅Ｗは、例えば、０．０５〜０．２ｍｍの範囲で設定することができ、このダイシングエリア１２と凹部２２との距離Ｌは、例えば、５０〜５００μｍの範囲で設定することができる。
【００１１】
上記の凹部２２には電子部品３１が内蔵されており、また、各面付け（単位エリア１１）毎に、絶縁層２３と電子部品３１上に絶縁樹脂層２４が所定のパターンで形成されている。そして、各面付け（単位エリア１１）毎に、電子部品３１の複数の端子部３２と接続するように複数の配線２５が絶縁層２３および絶縁樹脂層２４上に配設されている。これらの配線２５は、バンプパッド２６を介して先端部に表裏導通用パッド２７を有し、この表裏導通用パッド２７は、ダイシングエリア１２内に位置している。各表裏導通用パッド２７は、略中央に微細開口部２７ａを有し、この微細開口部２７ａには絶縁層２３が存在せず、ウエハ基板２１が露出している。図３では、絶縁樹脂層２４に斜線を付して示し、凹部２２（電子部品３１）の境界を一点鎖線で示している。
尚、図示例では、バンプパッド２６は、ダイシングエリア１２と電子部品３１（凹部２２）との間の部位に位置しているが、バンプパッド２６の全部または一部が、絶縁樹脂層２４を介して電子部品３１上に位置するものでもよい。
【００１２】
上記の表裏導通用パッド２７は、例えば、一辺の長さが５〜１５０μｍの範囲であるような方形、直径が５〜１５０μｍの範囲にあるような円形等とすることができ、形状に制限はない。また、表裏導通用パッド２７が有する微細開口部２７ａは、その形状に制限はなく、また、開口幅は５〜１００μｍ程度とすることができる。
また、バンプパッド２６は、例えば、一辺の長さが１０〜２００μｍの範囲であるような方形、直径が１０〜３００μｍの範囲にあるような円形等とすることができ、形状には制限はない。尚、本発明では、バンプパッド２６の代わりに、ワイヤボンディングパッドを備えるものであってもよい。この場合、ワイヤボンディングパッドは、例えば、一辺の長さが１０〜２００μｍの範囲であるような方形、直径が１０〜３００μｍの範囲にあるような円形等とすることができる。
【００１３】
本発明では、電子部品内蔵ウエハは、図４に示されるように、バンプパッド２６を露出する開口部２８ａと、表裏導通用パッド２７を露出する開口部２８ｂを有し、かつ、配線２５を被覆した絶縁被覆層２８を備えるものであってもよい。
また、本発明では、電子部品内蔵ウエハがキャパシタを有するものであってもよい。図５に示される例では、１層目の配線２５と、絶縁樹脂層２９を介して形成された２層目の配線３０を有している。１層目の配線２５は、電子部品３１の端子部３２に接続され、キャパシタの一方の電極を構成する配線２５ａと、上述のように、バンプパッド２６と表裏導通用パッド２７とを備えた配線２５ｂからなっている。また、２層目の配線３０は、キャパシタの他方の電極を構成し、ビア３０ａを介して１層目の配線２５ｂに接続している。これにより、上下電極２５ａ、３０と、絶縁樹脂層２９とからなるキャパシタ４１が形成されている。
【００１４】
ウエハ基板２１は、ＸＹ方向（基板表面に平行な平面）の熱膨張係数が２〜２０ｐｐｍ、好ましくは２．５〜１７ｐｐｍの範囲内であることが望ましく、例えば、シリコン、セラミック、ガラス、ガラス−エポキシ複合材料等の材質を使用することができる。ウエハ基板２１の厚みは、例えば、５０〜３００μｍの範囲で設定することができ、凹部２２の深さは４０〜４００μｍ、一辺の長さは０．１〜１０ｍｍの範囲で設定することができる。尚、凹部２２の形状は、内蔵する電子部品３１に対応して適宜設定することができ、図示の形状に限定されるものではない。
凹部２２に内蔵された電子部品３１としては、ＬＳＩチップ、ＩＣチップ、ＬＣＲ回路部品、センサ部品のいずれか１種または２種以上とすることができる。
【００１５】
電子部品内蔵ウエハ１を構成する絶縁層２３は、二酸化珪素膜、窒化珪素膜等とすることができ、例えば、ウエハ基板２１の材質がシリコンである場合、ウエハ基板２１を熱酸化することにより絶縁層２３を形成してもよい。
電子部品内蔵ウエハ１を構成する絶縁樹脂層２４、絶縁被覆層２８、絶縁樹脂層２９の材質は、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料、あるいは、これらの有機材料とガラス繊維等を組み合わせたもの等とすることができる。また、絶縁樹脂層２４、絶縁被覆層２８、絶縁樹脂層２９の厚みは、例えば、３〜２０μｍの範囲で設定することができる。
また、配線２４，３０、ビア３０ａの材質は、銅、銀、金、クロム、アルミニウム等の導電材料とすることができ、ウエハ基板２１がシリコンからなる場合、配線をアルミニウムとすることにより、後述するウエハ基板２１への貫通孔形成を、配線をマスクとしたドライエッチングにより容易に行うことができ好適である。
【００１６】
上述のような本発明の電子部品内蔵ウエハ１は、ダイシングエリア１２内に表裏導通用パッド２７を備え、この表裏導通用パッド２７の微細開口部２７ａにはウエハ基板２１が露出しているので、例えば、図６（Ａ）に示すように、微細開口部２７ａからウエハ基板２１に貫通孔５１を形成し、この貫通孔５１内部に導電材料５２を充填（図６（Ｂ））することにより、容易に表裏導通をとることができる。このように表裏導通をとった電子部品内蔵ウエハをダイシングすることにより、電子部品内蔵モジュール６１を得ることができる。そして、この電子部品内蔵モジュール６１において、はんだボール５３をバンプパッド２６に形成（図６（Ｃ））し、その後、他の電子部品内蔵モジュール６１と積層することにより、多層構造のマルチチップモジュール（図６（Ｄ））を製造することが容易である。尚、図示例では、電子部品内蔵モジュール６１を２段積層しているが、３段以上に積層することも可能である。また、表裏導通をとった電子部品内蔵ウエハの状態で積層を行い、その後、ダイシングすることにより、多層構造のマルチチップモジュールを作製してもよい。
【００１７】
上述の電子部品内蔵ウエハの実施形態は例示であり、例えば、多面付けの数、位置、各面付け（単位エリア１１）に内蔵される電子部品の端子数等は任意に設定することができる。
【００１８】
次に、本発明の電子部品内蔵ウエハの製造例について説明する。
図７は、本発明の電子部品内蔵ウエハの製造例の一例を、図１〜図３に示される電子部品内蔵ウエハ１を例として説明する工程図である。
本発明の電子部品内蔵ウエハの製造方法では、まず、ウエハ基板２１を所定の幅のダイシングエリア１２により多面付けで区画して各単位エリア１１を設定し、ウエハ基板２１の一方の面２１ａに、電子部品内蔵用の凹部２２を各面付け（単位エリア１１）毎に形成する（図７（Ａ））。凹部２２は、例えば、ウエハ基板２１の面２１ａ上にマスクパターンを形成し、この面２１ａに露出しているウエハ基板２１に対して、プラズマを利用したドライエッチング法であるＩＣＰ−ＲＩＥ（Inductively Coupled Plasma − Reactive Ion Etching：誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング）法により凹部２２を形成することができる。また、サンドブラスト法により凹部２２を形成することもできる。この凹部２２の深さ、開口形状、開口寸法は、内蔵する電子部品に応じて適宜設定することができる。
【００１９】
次に、上記の凹部２２の内部を含むウエハ基板２１に絶縁層２３を形成する（図７（Ｂ））。この絶縁層２３は、ダイシングエリア１２内に位置する所定箇所に微細開口部２３ａを備えたものとする。絶縁層２３は、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法を用いて二酸化珪素膜、窒化珪素等の絶縁膜として形成することができる。また、塗布方法により珪素酸化物の懸濁液、あるいはベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂をコア材面に塗布し熱硬化させて形成することができる。さらに、例えば、ウエハ基板２１の材質がシリコンである場合、熱酸化によりウエハ基板２１の表面に二酸化珪素膜を形成して絶縁層２３とすることができる。また、上記の微細開口部２３ａは、後工程において表裏導通用パッド２７の微細開口部２７ａが形成される位置に設けるものである。この微細開口部２３ａは、絶縁層２３の形成時に、該当箇所のウエハ基板２１をマスキングしておくことにより形成することができる。また、絶縁層２３の形成後に、該当箇所のみを露出するマスクパターンを形成し、リフトオフ法により微細開口部２３ａを形成してもよい。
【００２０】
次に、上記の凹部２２に電子部品３１を配設する（図７（Ｃ））。この電子部品３１の配設は、完成された電子部品を接着剤により固着する方法、凹部２２内に電子部品を嵌合する方法のいずれであってもよい。
次に、電子部品３１が配設されたウエハ基板２１の面２１ａ側に感光性の絶縁樹脂材料を用いて絶縁樹脂層２４となる感光性絶縁樹脂層を形成し、この感光性絶縁樹脂層を所定のマスクを介して露光し、現像することにより、端子接続ビア用の孔部２４ａを備えた絶縁樹脂層２４をダイシングエリア１２の内側領域に形成する。そして、洗浄後、ダイシングエリア１２と端子接続ビア用の孔部２４ａの内部と絶縁樹脂層２４上に真空成膜法により下地導電層を形成し、この下地導電層上にレジスト層を形成し、所望のパターン露光、現像を行うことによりレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクとし、下地導電層を給電層として、上記の孔部２４ａを含む露出部に電解めっきにより導電材料を析出させて、バンプパッド２６、表裏導通用パッド２７を含む配線２５を形成し、その後、レジストパターンと不要な下地導電層を除去する（図７（Ｄ））。表裏導通用パッド２７は、絶縁層２３の微細開口部２３ａ形成部位に位置し、表裏導通用パッド２７の微細開口部２７ａは、絶縁層２３の微細開口部２３ａと同位置にあり、ウエハ基板２１が露出したものとなる。
【００２１】
上述の電子部品内蔵ウエハの製造方法は例示であり、これに限定されるものではない。例えば、バンプパッド２６、表裏導通用パッド２７を含む配線２５の形成を以下のように行なってもよい。まず、上記と同様に、端子接続ビア用の孔部２４ａを備えた絶縁樹脂層２４をダイシングエリア１２の内側領域に形成する。次に、ダイシングエリア１２と端子接続ビア用の孔部２４ａの内部と絶縁樹脂層２４上に真空成膜法により導電層を形成し、この導電層上にレジスト層を形成し、所望のパターン露光、現像を行うことによりレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクとし、導電層をパターニングし、その後、レジストパターンを除去することにより、バンプパッド２６、表裏導通用パッド２７を含む配線２５を形成する。
【実施例】
【００２２】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
ウエハ基板として、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、このウエハ基板の一方の面に感光性ドライフィルムレジスト（東京応化工業（株）製ＢＦ４０５）をラミネートし、凹部形成用のフォトマスクを介して露光、現像することによりマスクパターンを形成した。上記のシリコンウエハのＸＹ方向（シリコンウエハの表面に平行な平面）の熱膨張係数は、４ｐｐｍであった。また、マスクパターンは、一辺５ｍｍである正方形の開口が６ｍｍピッチで形成された多面付けであった。
尚、この多面付けでは、幅が１ｍｍである格子形状（格子ピッチは６ｍｍ、格子形状は正方形）のダイシングエリアを設定した。
【００２３】
次に、このマスクパターンをマスクとしてサンドブラストによりウエハ基板に凹部を形成した。この凹部は、開口が一辺５ｍｍの正方形であり、深さが２００μｍであった。
次に、凹部が形成されたウエハ基板に熱酸化処理（１０５０℃、１２０分間）を施し、凹部の内壁面を含むウエハ基板表面に二酸化珪素膜からなる絶縁層を形成した。その後、凹部を有するウエハ基板面に感光性ドライフィルムレジスト（東京応化工業（株）製ＢＦ４０５）をラミネートし、微細開口部形成用のフォトマスクを介して露光、現像することによりマスクパターンを形成した。マスクパターンは、各面付け毎に、ダイシングエリアの各辺に直径１００μｍの円形開口を２２０μｍピッチで２５個（４辺合計１００個）備えるものであった。次に、このマスクパターンをマスクとしてサンドブラスト法により絶縁層に複数の微細開口部を形成し、マスクパターンをアセトンを用いて除去した。この微細開口部は、ダイシングエリア内に２００μｍ入り込んだ部位に位置するものであった。
【００２４】
次いで、上記の凹部にＬＳＩチップ（４．８ｍｍ×４．８ｍｍ、厚み２５０μｍ、端子数１００個）を接着剤（エイブルスティック（株）製エイブルボンド３２３０）を用いて配設した。
次に、ＬＳＩチップが内蔵されたウエハ基板面に、ＬＳＩチップを被覆するように、ベンゾシクロブテン樹脂組成物（ダウ・ケミカル社製サイクロテン４０２４）をスピンコーターにより塗布、乾燥して、ＬＳＩチップ上の厚みが１０μｍとなるように感光性絶縁樹脂層を形成した。
次に、ビア形成用のマスクを介して上記の感光性絶縁樹脂層を露光し、現像を行った。これにより、各面付けのダイシングエリア内側に、絶縁樹脂層を形成するとともに、ＬＳＩチップの端子部が露出するように端子接続ビア用の孔部（内径３０μｍ）を絶縁樹脂層の所定位置に形成した。尚、ダイシングエリアには絶縁樹脂層は形成せず、上述の二酸化珪素膜からなる絶縁層のみは存在するものとした。
【００２５】
次いで、洗浄後、端子接続ビア用の孔部の内部、絶縁樹脂層上、および二酸化珪素膜からなる絶縁層上に、スパッタリング法によりアルミニウムからなる導電層を形成し、この導電層上に液状レジスト（東京応化工業（株）製ＬＡ９００）を塗布した。次いで、フォトマスクを介し露光、現像して、バンプパッドと表裏導通用パッドを含む配線と、ビアとを形成するためのレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとしてアルミニウム導電層をエッチングによりパターニングし、その後、レジストパターンを除去した。これにより、ＬＳＩチップの端子に接続する端子ビアを絶縁樹脂層に形成し、各端子ビアからバンプパッド（直径１００μｍ）を経由して表裏導通用パッド（一辺が５０μｍの正方形）に至る複数の配線を形成した。この配線は、端子ビアからバンプパッドまでが絶縁樹脂層上に位置し、表裏導通用パッドは絶縁樹脂層よりも外側（ダイシングエリア内）の絶縁層（二酸化珪素膜）上に位置し、かつ、表裏導通用パッドは直径３０μｍの微細開口部を有し、この微細開口部は上記の絶縁層に形成した微細開口部と一致するものであった。これにより、表裏導通用パッドの微細開口部にウエハ基板が露出した電子部品内蔵ウエハを得た。
【００２６】
次に、上記の配線を被覆するように、ベンゾシクロブテン樹脂組成物（ダウ・ケミカル社製サイクロテン４０２４）をスピンコーターにより塗布、乾燥して、厚み１０μｍの感光性絶縁樹脂層を形成した。次に、マスクを介して上記の感光性絶縁樹脂層を露光し、現像を行った。これにより、バンプパッドと表裏導通用パッドが露出する開口部を備えた絶縁被覆層を形成した。
上述のように作製した電子部品内蔵ウエハにおいて、絶縁被覆層、アルミニウムからなる配線、および絶縁層（二酸化珪素膜）をマスクとして、表裏導通用パッドの微細開口部に露出しているウエハ基板を、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置によりドライエッチングして、貫通孔を形成した。このドライエッチングは、ＣＦ6をエッチングガスとして使用した。
【００２７】
次に、上記の貫通孔内部に、銅粒子を含有する導電性ペーストをスクリーン印刷法により充填し、硬化処理（１７０℃、２０分間）を施した。その後、表面に硬化突出した導電性ペーストを研磨した。次に、電子部品内蔵ウエハの裏面（ＬＳＩチップが内蔵されていない面）側にスパッタリング法によりＴｉ／Ｃｕからなる下地導電層を形成し、この下地導電層上に液状レジスト（東京応化工業（株）製ＬＡ９００）を塗布した。次いで、フォトマスクを介し露光、現像して、バンプパッドを形成するためのレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとして下地導電層上に電解銅めっきにより導電層を形成し、その後、レジストパターンを除去し、露出している下地導電層をソフトエッチングにより除去した。これにより、所望のバンプパッドを電子部品内蔵ウエハの裏面であって、表面にすでに形成されているバンプパッドに対応する位置に形成し、表裏の導通をとった電子部品内蔵ウエハを形成した。
【００２８】
次に、表裏の導通がとられていない電子部品内蔵ウエハのバンプパッドにはんだボールを形成し、この電子部品内蔵ウエハと、上記の表裏の導通をとった電子部品内蔵ウエハとを、はんだボールを介して固着積層した。
次いで、積層状態の多面付けの電子部品内蔵ウエハを、ダイシングエリアの中央部にてダイシングして、一辺が６ｍｍの正方形の電子部品内蔵モジュールを得た。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
小型で高信頼性が要求される半導体装置や各種電子機器への用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の電子部品内蔵ウエハの一実施形態を示す平面図であり、図１（Ａ）は電子部品内蔵ウエハ全体を示す平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の部分拡大平面図、図１（Ｃ）は図１（Ｂ）の部分拡大平面図である。
【図２】図１（Ｂ）に示される電子部品内蔵ウエハのＡ−Ａ線矢視縦断面図である。
【図３】図２に示される断面図の円で囲まれた部位近傍の拡大平面図である。
【図４】本発明の電子部品内蔵ウエハの他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。
【図５】本発明の電子部品内蔵ウエハの他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。
【図６】本発明の電子部品内蔵ウエハを用いた多層構造のマルチチップモジュールの製造例を説明するための図である。
【図７】本発明の電子部品内蔵ウエハの製造例の一例を説明する工程図である。
【符号の説明】
【００３１】
１…電子部品内蔵ウエハ
１１…単位エリア
１２…ダイシングエリア
２１…ウエハ基板
２２…凹部
２３…絶縁層
２４，２９…絶縁樹脂層
２５，３０…配線
２６…バンプパッド２６
２７…表裏導通用パッド
２７ａ…微細開口部
２８…絶縁被膜層
３１…電子部品
４１…キャパシタ
【図１】
2006005053.tif 000003
【図２】
2006005053.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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