(57)【要約】【課題】  鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を、型からの剥離工程でエッチングを必要としない、作製した電極に補強のための支持基板を接着する必要がない等、簡単な製造方法で提供できるようにすることを目的とする。【解決手段】  支持基板と４つの側面が凹面である四角錐構造とを有した事を特徴とする電子放出電極。シリコン基板を異方性エッチングして四角錐形状の凹部を有した型を作製し、これを熱酸化することにより０．８μｍ以上の酸化膜を形成し、四角錐形状の凹部の各面を凸面とすることにより、凹部の先端形状を鋭利にする。この型に電鋳を施すことにより電子放出電極を形成する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に四角錐構造の突起部位を有する電子放出電極であって、前記四角錐構造の４つの側面が、前記四角錐構造の内方に湾曲した凹面であることを特徴とする電子放出電極。
【請求項２】
前記支持基板上に前記四角錐構造の突起部位を複数個有することを特徴とする請求項１に記載の電子放出電極。
【請求項３】
前記支持基板は、厚さが０．３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出電極。
【請求項４】
電子放出電極の製造方法であって、
（１００）結晶面を有するシリコン基板に、異方性エッチングを用いて四角錐形状の凹部を有する型を作製する工程と、
前記四角錐形状の凹部を有する型に、熱酸化膜を形成する工程と、
前記熱酸化膜を形成された型に、メッキ処理を行って金属製の支持基板を形成する工程と、
前記支持基板を前記型から分離する工程とを有することを特徴とする電子放出電極の製造方法。
【請求項５】
前記熱酸化膜は、厚さが０．８μｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の電子放出電極の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板を前記四角錐形状の凹部を有する型から分離する工程は、機械的に分離する工程であることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子放出電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型Ｘ線発生装置、その他電子放出を利用する機器に用いられる電子放出電極およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線管は治療、レントゲン撮影、工業用の分析装置など様々な分野で利用されている。従来のＸ線管用の電子放出素子としては熱陰極管を用いたものがその主流をなしていたが、電子放出源にフィラメントを用いるため、電子放出源のサイズが大きくなり、結果として電子をターゲットに当ててＸ線を発生させるときに電子ビーム径（焦点径）が小さくできなかった。昨今では女性の乳がんを早期発見するためにＸ線マンモグラフィ検査の導入の必要性がたびたび議論されているが、Ｘ線マンモグラフィに使用されるＸ線発生装置としては高分解能の画像を得るために０．１ｍｍ以下の焦点径サイズが必要とされている。Ｘ線は従来から診断用、治療用と多くの医療現場で使用されてきたが、熱陰極管を用いている限りはその大きさからＸ線マンモグラフィへの使用には限界があった。
【０００３】
以上の事情に鑑み、最近では熱電子放出源を持たない冷陰極を用いるＸ線管の開発が進められて来ている。これらは電子放出性に優れたカーボンナノチューブを用いるもの、突起を形成し、その先端部に電界を集中させて電子放出を行うもの（Ｓｐｉｎｄｔ型）などがある。
【０００４】
従来技術として例えば図８に示すような方法がある。まず、ＮｉＦｅ合金（アンバー）基板３１にエッチングにより凹部３２を形成する（図８（ａ））。その後、ＮｉＦｅ合金基板３１表面に酸化膜３３を形成する。その酸化膜３３の上にモリブデン層３４をスパッタリング法、蒸着法、印刷法、電気メッキ法などで形成する。更にその上に導電層３５を形成する（図８（ｂ））。次にその上に、背面にＡｌ（アルミニウム）層３７をコートされたガラスの支持基板３６を静電接着法により接着する（図８（ｃ））。Ａｌ層をエッチングで除去した後、塩酸などのエッチング液でＮｉＦｅ合金基板３１を及び酸化膜３３を除去して、突起３８を有した電子放出電極を得る。（特許文献１参照）
また、たとえば図９に示すような方法もある。一部に異方性エッチングにより凹部を形成した単結晶シリコン基板４０に酸化膜４１を０．３μｍ形成して型とし、その型に対してフラーレンを分散したメッキ浴を用いて最初に無電解メッキを行ない、次に電気メッキを行うことより、酸化膜４１との境界近傍にフラーレン４２を沈着させた厚さ数μｍのメッキ層４３を形成する。（図９（ｂ））。次に、ガラス基板４４を静電接着法により接着した後（図９（ｃ））、単結晶シリコン基板４０及び酸化膜４１をエッチングにより除去する。これにより、図９（ｄ）に示すように、表面にフラーレン４２を固定化した突起４５を有した電子放出電極が得られる。（特許文献２参照）
【特許文献１】特許第３４１９６７７号公報
【特許文献２】特開２００１−２８３７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述した特許文献１の方法では、作製した突起３８をＮｉＦｅ合金型から取り出す場合にエッチングの工程が必要であり、製造プロセスが複雑であった。
【０００６】
特許文献２の方法では、酸化膜４１が薄いため、突起４５の鋭利さは単結晶シリコン基板４０を異方性エッチングして作製した凹部の形によって決まり、それ以上鋭利な突起を得ることができない。
【０００７】
また、メッキ部の突起とは反対面にガラス板を静電接着する工程では、一般的にはメッキ内部の応力の作用でメッキ部の表面は平坦ではないために接着時の接着性が悪くなり、後の工程で酸化膜やゲート電極層をスパッタするときに熱の影響で剥離してしまうという問題がある。加えて、メッキ層が薄いためにＸ線発生装置などエミッション電流の多い用途には適していないなどの問題がある。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を提供し、容易に該電子放出電極が製造できる製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（請求項１）
支持基板上に四角錐構造の突起部位を有する電子放出電極であって、前記四角錐構造の４つの側面が、前記四角錐構造の内方に湾曲した凹面であることを特徴とする電子放出電極。
【００１０】
（請求項２）
前記支持基板上に前記四角錐構造の突起部位を複数個有することを特徴とする請求項１に記載の電子放出電極。
【００１１】
（請求項３）
前記支持基板は、厚さが０．３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出電極。
【００１２】
（請求項４）
電子放出電極の製造方法であって、
（１００）結晶面を有するシリコン基板に、異方性エッチングを用いて四角錐形状の凹部を有する型を作製する工程と、
前記四角錐形状の凹部を有する型に、熱酸化膜を形成する工程と、
前記熱酸化膜を形成された型に、メッキ処理を行って金属製の支持基板を形成する工程と、
前記支持基板を前記型から分離する工程とを有することを特徴とする電子放出電極の製造方法。
【００１３】
（請求項５）
前記熱酸化膜は、厚さが０．８μｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の電子放出電極の製造方法。
【００１４】
（請求項６）
前記支持基板を前記四角錐形状の凹部を有する型から分離する工程は、機械的に分離する工程であることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子放出電極の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に係る発明によれば、四角錐構造の４つの側面が凹面であることにより、従来の電子放出電極比べより鋭い突起を有するため、より低いゲート電圧を有する電子放出電極とすることができる。
【００１６】
請求項２に係る発明によれば、上記の突起を平面状に多数配置した構成により、フィラメントを用いた熱電子放出方式に比べてはるかに小型でありながらＸ線用電子放出電極として十分なエミッション電流を安定して得ることが可能になる。
【００１７】
請求項３に係る発明によれば、前記支持基板は十分な厚さを有しているので、機械的な強度は十分あり、前記支持基板に補強のために別の部材を貼り合わせる必要がなくなる。また、Ｘ線発生装置など大きなエミッション電流が必要な用途に対しても十分な電流が供給できるようになる。また、機械的強度が十分にあるため、型から剥離する工程においてエッチングにより型を溶解する必要がなく、機械的に剥離することが可能である。したがって簡単な製造工程により、電子放出電極を安価に製造することが可能になる。
【００１８】
請求項４に係る発明によれば、型の凹部をエッチングにより作製するので非常に微細な突起が容易に再現性良く作製できる。また、型に剥離性の良い酸化膜を形成するので、後の工程で支持基板を型から機械的に剥離するのが非常に容易である。したがって、電子放出電極を簡単な製造工程で安価に製造することが可能となる。
【００１９】
請求項５に係る発明によれば、型に形成した酸化膜が十分厚いので、酸化膜を形成しないかまたは薄い酸化膜を形成した場合よりも、先端が非常に鋭利な突起を容易に再現性良く作製することができる。したがって、ゲート電圧が低く、大電流でも安定な電子放出電極を簡単な製造工程で安価に製造することが可能となる。
【００２０】
請求項６に係る発明によれば、エッチング等の複雑な工程を経ることなく電子放出電極を型から取り出すことができるので、電子放出電極を簡単な製造工程で安価に製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明に係る実施の形態の一例を図に基づいて説明する。なお、各部のサイズや材料、処理条件等を具体的に挙げて説明しているがこれらはあくまでも一例であり、本発明がこれに限定されるものではない。
【００２２】
図１は本発明の一実施形態に係る電子放出電極６の断面図である。
【００２３】
１は例えばＮｉ（ニッケル）等の金属でできた支持基板。２はその表面に支持基板１と同じ材料で形成された四角錐構造の突起であり、複数個の突起２が集積されている。
【００２４】
突起２のＢの部分の拡大図を図４（ａ）に示す。後で説明するように、突起２の各側面は平面ではなく、前記四角錐の内方に湾曲した凹面になっている。そのため突起２の先端は４つの凹面が交差して、平面で構成された四角錐の場合よりも鋭くなっている。
【００２５】
次に電子放出電極６の作製方法を図２に基づいて説明する。電子放出電極６は四角錐形状の凹部を持つ型に、電鋳を施して製作する。
【００２６】
まず型となる基板として（１００）結晶面のシリコン基板１０を用いる。図２（ａ）はシリコン基板１０を熱酸化することにより、その表面に厚さ約０．５μｍの酸化膜（ＳｉＯ2）１１を形成した図である。酸化膜１１の形成方法としては熱酸化法以外にもＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相蒸着法）、スパッタ法、スピンコート法等の方法を用いることができる。
【００２７】
図２（ｂ）は前記のシリコン基板１０の酸化膜１１表面にレジスト層１２をスピンコートした図である。レジスト層１２の形成にはスピンコート法以外、スプレー法、塗布法などを用いることができる。
【００２８】
図２（ｃ）は前記フォトレジスト層１２にフォトリソグラフィを用いて、正方形の開口部１３を形成した図である。開口部１３はその一辺が数μｍ程度である。
【００２９】
図２（ｄ）は前記シリコン基板１０をフッ酸（ＨＦ）中でエッチングし、酸化膜１１に開口部１４を形成した図である。
【００３０】
図２（ｅ）は前記シリコン基板１０のフォトレジスト層１２を剥離した後に異方性エッチングを施した図である。すなわちシリコン基板１０をＫＯＨ溶液中でエッチングすると、エッチングはシリコン基板１０の結晶面にしたがって進行し、最終的に開口部１４を基底とする逆四角錐形状の凹部１５が形成される。このとき凹部１５の各側面は凹凸の無い平面となっている。
【００３１】
図２（ｆ）は前記シリコン基板１０の酸化膜１１をフッ酸中でエッチングして除去した図である。
【００３２】
図２（ｇ）は上記シリコン基板１０を熱酸化し、厚さ約１μｍの酸化膜１６を形成した図である。
【００３３】
図中Ａの部分を拡大したのが図３（ａ）である。図中、図２と同じ要素は同じ符号を付けてある。酸化膜１６は熱酸化で形成しているため、シリコン基板１０の表面全体にわたってに均一に形成されているのではなく、凹部１５の先端部及び面と面の交線に近づくにつれて厚さが薄くなっている。Ｃの部分を拡大した図を図３（ｂ）に示す。１７は酸化膜が無いときのシリコン基板１０の表面、１８は酸化膜１６とシリコン基板１０の境界、１９は酸化膜１６の表面である。ａは凹部１５の先端の角度で７０．６°である。酸化膜１６は１μｍの厚さに形成されているため、そのうちの５５％の０．５５μｍが厚さｃ、残りの０．４５μｍが厚さｂになっている。このとき、凹部１５先端部の酸化膜の厚さｄはおよそ０．５５〜０．９５μｍ、厚さｅはおよそ０．３〜０．５μｍの範囲で変動する。
【００３４】
したがって、凹部１５の各側面は凸面になっており、凹部１５の先端部の形状は、酸化膜１６がない場合あるいは酸化膜が薄い場合に比べ、より鋭利になっている。この凹部１５の先端部をより鋭利にする効果が得られるためには酸化膜１６の膜厚が０．８μｍ以上かつ凹部１５が埋まらない程度の厚みであることが好ましい。
【００３５】
図２（ｈ）は上記シリコン基板１０に、Ｎｉをスパッタすることにより０．５μｍの厚さのＮｉ膜による下引き層を形成し、その下引き層が形成されたシリコン基板に対して電鋳を行ない、約１ｍｍのＮｉを堆積させ支持基板１を形成したものである。ここで、電鋳とは電気鋳造、エレクトロフォーミングとも呼ばれるもので、母型表面にメッキを行って所要厚の金属層（電着層ともいう）を形成し、形成された金属層を母型より剥離することにより金属層を製造する方法であり、下引き層とは電鋳を行う場合に片方の電極として働く金属層のことである。電鋳を行うと一般的にはメッキ層に応力が発生し、メッキ層の粒状性や平面性が悪化する。しかし、この応力は直流電流を適当に調節することにより制御することができるため、これを調節してメッキ層の粒状性や平面度を保つようにする。金属層の厚さは、後述する剥離工程で必要とされる機械的強度から、０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３６】
図２（ｉ）は電鋳により形成した支持基板１を機械的に剥離する工程を模式的に示した図である。実際にはピンセットなどの冶工具を用い、シリコン基板１０及び支持基板１に剥離応力を加えることによって、両者を剥離する。本実施の形態によれば支持基板１は十分な厚さを有しているため機械的強度が十分である。また酸化膜１６は剥離性が良いので、支持基板１をシリコン基板１０から剥離するのに、エッチングによりシリコン基板１０及び酸化膜１６を溶解する必要はなく、両者は機械的に剥離することができる。
【００３７】
図２（ｊ）は上記により形成した電子放出電極６の図であり、支持基板１の表面に四角錐構造の突起２を有している。図中Ｂの部分を拡大したのが図４（ａ）である。突起２はシリコン基板１０上に形成された凹部を型として電鋳されており、凹部１５の側面が凸面になっていることから、突起２の側面は内方に湾曲した凹面になっている。したがってその先端は、酸化膜１６が無いかまたは酸化膜１６が薄くて凹部１５の側面が平面になっている場合より、鋭いものに仕上がっている。
【００３８】
この凹面の湾曲の程度を、図４（ａ）のＤ部分を拡大した図４（ｂ）を用いて説明する。突起２は図３（ａ）、図３（ｂ）に示した凹部１５を型として電鋳により作製されているので、四角錐構造の先端及び稜線付近を除いてほぼ平面で構成されている。図４（ｂ）の２０は、突起２の先端を含み、側面の平面部分に平行な面を示している。この面２０と突起の側面の平面部分との距離ｆは図３（ｂ）で説明した厚さｃ、ｅを用いて、ｆ＝ｃ−ｅとあらわすことができて、ｆ＝０．０５〜０．２５μｍとなっている。
【００３９】
上記のように本発明の一実施形態によれば、（１００）結晶面のシリコン基板に異方性エッチングを施して作製した四角錐形状の凹部に十分に厚い熱酸化膜を成長させたものを型として、電鋳法により四角錐構造の突起を持つ電子放出電極を作製しているので、酸化膜がない場合あるいは薄い場合に比べて、より鋭利な先端の形状を持つ四角錐構造の部位を得ることができる。また、電子放出電極は、電鋳法により十分な厚さに作製されているため、別の支持基板を貼り合わせて補強する必要がなく、また大きなエミッション電流の必要なＸ線放射装置などに用いた場合にも十分な電流を安定して供給することができる。加えて、型となるシリコン基板の表面に剥離性の良い熱酸化膜を作製しているので、支持基板に十分な厚さがあって機械的強度が十分なこととあわせて、型からの剥離工程でエッチングなどの処理を必要とせず、機械的に剥離することが可能となっている。
【００４０】
次に図５に、上記で形成された電子放出電極６を用いて作製された小型Ｘ線発生装置用の電子放出素子７の一実施形態の平面図を、図６にその作製工程を含む断面図を示す。断面図の切断位置は図５のＣ−Ｃ′である。
【００４１】
図５において符号１、２は図１で説明した支持基板１、四角錐構造の突起２である。４は金属膜層である。図では示されていないが、支持基板１と金属膜層４の間には絶縁膜層３があり、支持基板１と金属膜層４とを電気的に絶縁している。支持基板１及び金属膜層４は電子放出素子７に通電して動作させる場合、それぞれカソード電極及びゲート電極として働く。図に示すように本実施形態の電子放出素子７は突起２を支持基板１の上に二次元状に複数個有している。これはＸ線発生装置用の電子放出素子として大きなエミッション電流を発生させるためである。
【００４２】
図６を用いて、電子放出素子７を作製する工程を説明する。図中で、すでに説明したものと同じ要素には同符号を付し、その説明は省略する。
【００４３】
図６（ａ）は図２で説明した工程にしたがって形成された電子放出電極６の断面図である。突起２の高さは例えば５μｍ程度である。
【００４４】
図６（ｂ）は図２（ａ）の電子放出電極６に例えばＳｉＯ2膜による絶縁膜層３、その上に突起２に電界を印加するためのゲート電極となる金属膜層４を形成した図である。絶縁膜層３はＣＶＤ法などにより形成され厚さは５μｍ程度である。絶縁膜層３はその上の金属膜層４と支持基板１とを電気的に絶縁しており、材料としては抵抗率が１０×１０12Ω・ｃｍ程度以上のものであれば良く、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜、ポリイミド膜などが使用できる。金属膜層４としてはＡｌ、Ｔｉ（チタン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｓｉ（シリコン）などの金属材料を用い、厚みは０．３〜１μｍ程度とする。
【００４５】
図６（ｃ）は図６（ｂ）の支持基板１の金属膜層４の上にレジストフィルムを貼るか、或いはスピンコートや電着等によりレジスト層５をコートした後に、フォトリソエッチングにより開口部８を形成した状態を示す。開口部８はゲート電極の開口径を決定する部分であり、たとえば突起２を中心とする直径を１０〜２０μｍ程度とする円形状にパターンニングされる。
【００４６】
図６（ｄ）は電子放出素子７の完成図であり、図６（ｃ）の金属膜層４及び絶縁膜層３を、レジスト層５をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等によりエッチングして開口部９を形成し、その後レジスト層５を除去したところを示す。
【００４７】
次に、本発明の一実施形態である電子放出電極を用いた電子放出素子の応用例として、小型Ｘ線発生装置の例について図７の構成図を用いて説明する。
【００４８】
１はＮｉ等の電鋳材料により形成された導電性の支持基板であり、その表面にはシリコン基板の型を用いた電鋳処理により形成された四角錐形状の突起２を有しており、支持基板１及び突起２をあわせて電子放出電極をなしている。
【００４９】
３は突起２を囲む様に支持基板１上に形成されたＳｉＯ2等の材料よりなる絶縁層である。４は絶縁層３上に形成されて突起２から電子を引き出すためのゲート電極（引出し電極とも言う）である。１、２、３、４を合わせて電子放出素子を構成している。２１はターゲット電極で突起２から引き出された電子が衝突することによりＸ線を発生させる為のものであり、診断用Ｘ線用としてＷやＭｏ等が一般に用いられている。２５はゲート電極（金属膜層４）にカソード電極（支持基板１）を基準として正方向のパルス電圧を印加する為のパルス電圧発生器、２６は同じくカソード電極（支持基板１）を基準にターゲット電極２１に正方向の高圧直流電圧を印加する為の直流バイアス電源である。２７は各要素を真空状態で密封し保持するためのガラスあるいは金属材料からなるＸ線遮蔽構造を含む容器、２２は内部で発生したＸ線のうち一定角度の範囲のものを外部に通過させるＸ線窓で、Ｘ線通過部は通常Ｂｅ（ベリリウム）などのＸ線通過材料が用いられる。
【００５０】
以上の構成において動作を説明する。まずパルス電圧発生器２５によりカソード電極（支持基板１）を基準に例えば１００Ｖ程度のパルスをゲート電極（金属膜層４）に印加するとゲート電極（金属膜層４）は突起２を中心とした円周上に配置される構造により突起部２の先端に電界が集中する。一般的には真空中において１０8Ｖ／ｃｍ程度以上の電界を与えることによって、突起部２の先端から電子が飛び出す電子放出現象が生じる。
【００５１】
このようにして放出された電子は、直流バイアス電源２６で例えば３０ｋＶ程度にバイアスされたターゲット電極２１による電界により矢印２４で示す方向に加速され、最後にはターゲット電極２１表面に衝突し、その金属材料と加速電圧に応じた波長をもつＸ線を発生させる。
【００５２】
ターゲット電極２１表面から発生したＸ線については、そのうちの一部、つまりＸ線窓２２により撮影に必要な焦点径サイズに対応した範囲に規制されたＸ線２３がＸ線窓２２を通して図示しない被照射体に照射される。このときの焦点径サイズが小さい程撮影されるＸ線画像の解像度が良くなり、高解像度が必要とされるマンモグラフィ用Ｘ線発生装置では焦点径サイズとして０．１ｍｍ程度が求められている。
【００５３】
図７では小型Ｘ線発生装置の原理説明のために、突起２を１個だけ有した電子放出素子を描いてあるが、実際のＸ線発生装置での電子放出素子は、大きなエミッション電流を得るために図５のように、絶縁層３（不図示）、ゲート電極（金属膜層４）、突起２が支持基板１上に多数個、並列電気接続で平面的に配置された構成となっている。
【００５４】
本実施の形態の特徴とするところは突起２の製作工程において、シリコン基板の型の表面に十分な厚さの熱酸化膜を形成することにより、凹部１５の先端部を酸化膜がない場合または酸化膜が薄い場合に比べて、より先鋭にすることである。そのため本実施の形態による電子放出電極を用いた場合には、突起の先端部への電界集中度が極めて高くなり、結果としてゲート印加電圧の非常に低い電子放出素子の実現が可能になる。
【００５５】
上述した本実施の形態に係る電子放出電極の製造方法は、シリコン基板の結晶面に依存した異方性エッチングを用いることで逆四角錐形状の凹型を容易に再現性良く形成することが可能であり、前記の型に電鋳を行うことで電子放出電極の突起を同時に多数個再現性良く形成することが可能となり、突起形状の製造バラツキが少ないという、シリコン基板の型と電鋳プロセスを用いたことによる利点がある。
【００５６】
また、実施の形態では小型Ｘ線発生装置への適用例で説明したが、同様の電子放出源を持つディスプレイその他の電子放出電極を有する機器への適用も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る電子放出電極の断面図である。
【図２】図１に示した電子放出電極の製造プロセスを示す断面図である。
【図３】図２に示した電子放出電極の製造プロセスを説明するための一部拡大図である。
【図４】図１に示した電子放出電極の一部拡大図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る電子放出素子の平面図である。
【図６】図５に示した電子放出素子の製造プロセスを示す断面図である。
【図７】本発明に係る電子放出電極を適用した小型Ｘ線発生装置の構成図である。
【図８】従来技術に係る電子放出電極及びその製造プロセスを示す断面図である。
【図９】従来技術に係る電子放出電極及びその製造プロセスを示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  支持基板
２  突起
３  絶縁層
４  金属膜層
５、１２  レジスト層
６  電子放出電極
７  電子放出素子
８、９、１３、１４  開口部
１０  シリコン基板
１１、１６  酸化膜
１５  凹部
２１  ターゲット電極
２２  Ｘ線窓
２３  Ｘ線
２４  電子の加速方向
２５  パルス電圧発生器
２６  直流バイアス電源
２７  容器
【図１】
2006100184.tif 000003
【図２】
2006100184.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006100184.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006100184.tif 000008
【図７】
2006100184.tif 000009
【図８】
2006100184.tif 000010
【図９】
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