(57)【要約】    【課題】低輝度での階調表現能力を向上させることが出来るプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とするものである。    【解決手段】プラズマディスプレイパネルに形成されている表示セル各々内に、電子線の照射によって励起されて波長２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層を設け、輝度重み付けの異なる複数のサブフィールド毎に駆動するにあたり、輝度重み付けが最小のサブフィールド内ではサスティン放電を１回だけ生起させるようにする。    【選択図】  図１
2006053517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、輝度重み付けの異なる複数のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイ装置であって、
前記表示セル各々内において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、
前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス手段と、
前記サブフィールド各々の前記輝度重み付けに対応した回数分だけサスティンパルスを前記行電極対の各々に印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セル内においてサスティン放電を生起させるサスティン手段と、を有し、
前記サスティン手段は、前記サブフィールド各々の内で輝度重み付けの最も小なるサブフィールドにおいては前記サスティンパルスを１回だけ前記行電極対に印加することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記行電極対を構成する行電極各々は、行方向に延びる本体部と、放電ギャップを介して互いに対向するように本体部から列方向に突出する突出部を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記行電極の突出部は、放電ギャップ近傍の幅広部と、この幅広部と本体部を連結する幅狭部とを有することを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記酸化マグネシウム層が、マグネシウムを加熱することによって発生するマグネシウム蒸気が気相酸化して得られる酸化マグネシウム単結晶体を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記酸化マグネシウム層が、粒径２０００オングストローム以上の酸化マグネシウム単結晶体を含んでいることを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記酸化マグネシウム単結晶体が波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行うことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記酸化マグネシウム層が、前記行電極対を被覆する誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
入力映像信号における単位表示期間内において、前記輝度重み付けが小なる順に前記サブフィールド各々が配列されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記アドレス手段は、前記単位表示期間内において先頭のサブフィールドから前記入力映像信号によって表される輝度レベルに対応した数だけ連続したサブフィールド各々にて前記表示セルを前記点灯セル状態に設定することを特徴とする請求項１又は８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んだ酸化マグネシウム層及び前記酸化マグネシウム層に面する放電空間を備えた表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、輝度重み付けの異なる複数のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス行程と、
前記行電極対の各々にサスティンパルスを印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティン行程と、を有し、
前記サスティン行程は、前記サブフィールド各々の内で輝度重み付けの最も小なるサブフィールドにおいては前記サスティンパルスを１回だけ前記行電極対に印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１１】
前記行電極対を構成する行電極各々は、行方向に延びる本体部と、放電ギャップを介して互いに対向するように本体部から列方向に突出する突出部を有することを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１２】
前記行電極の突出部は、放電ギャップ近傍の幅広部と、この幅広部と本体部を連結する幅狭部とを有することを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１３】
前記酸化マグネシウム結晶体が、マグネシウムが加熱されて発生されるマグネシウム蒸気が気相酸化されることによって生成される単結晶体粉末を含んでいることを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１４】
前記単結晶体粉末が、粒径２０００オングストローム以上の単結晶体を含んでいることを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１５】
前記酸化マグネシウム層が波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行うことを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１６】
前記酸化マグネシウム層が、前記行電極対を被覆する誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１７】
入力映像信号における単位表示期間内において、前記輝度重み付けが小なる順に前記サブフィールド各々が配列されていることを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１８】
前記アドレス行程は、前記単位表示期間内において先頭のサブフィールドから前記入力映像信号によって表される輝度レベルに対応した数だけ連続したサブフィールド各々にて前記表示セルを前記点灯セル状態に設定することを特徴とする請求項１０又は１７記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
画像を表示するプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、薄型の画像表示装置として、ＡＣ型(交流放電型)のプラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置が製品化されている（例えば特許文献１の図１参照）。かかるプラズマディスプレイ装置に搭載されているプラズマディスプレイパネルは、画面の各表示ラインを担う複数の走査電極及び維持電極が形成されている前面基板と、複数のデータ電極が形成されている背面基板とを備える。これら前面基板及び背面基板は互いに平行に配置されており、両基板間にはネオン及びキセノン等からなる放電ガスが封入された放電空間が形成されている。放電空間内において、走査電極及び維持電極と、データ電極とは交叉するように配置されており、その各交叉部に画素を担う放電セルが形成されている。
【０００３】
このようなプラズマディスプレイパネルに対して、入力映像信号に対応した中間調の表示輝度を得るべく、サブフィールド法を用いた階調駆動を実施する（例えば特許文献１の図２参照）。かかる階調駆動では、１フィールドを、初期化期間とそれに続く８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８とで構成する。各サブフィールドはそれぞれ書き込み期間、維持期間及び消去初期化期間で構成されている。各サブフィールドにおける書き込み期間では、走査電極の各々に順に走査パルスを印加しつつデータ電極の各々に対して選択的にデータパルスを印加する。この際、走査パルスが印加された走査電極とデータパルスが印加されたデータ電極との交叉部の放電セルにおいて放電が生起され、各放電セルは、発光可能な状態又は発光不可な状態のいずれか一方に設定される。維持期間においては、各サブフィールドの輝度重み付けに対応した回数分だけ走査電極及び維持電極に維持パルスを印加することにより、発光可能な状態に設定されている放電セルのみを繰り返し維持放電させる。例えば、最小の輝度重み付けを有するサブフィールドＳＦ１の維持期間では走査電極及び維持電極に対してそれぞれ１つの維持パルスを印加する。この際、維持パルスが印加される度に走査電極と維持電極との間で維持放電が２回生起される。又、ＳＦ１よりも輝度重み付けが１段階だけ大なるサブフィールドＳＦ２では、維持期間において走査電極及び維持電極に夫々４つの維持パルスが印加されるので、維持放電が８回生起される。
【０００４】
かかる駆動によれば、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に亘って生起された維持放電の合計回数に対応した中間輝度を表現できるのである。例えば、全てのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８において一切、上記維持放電を生起させなければ、輝度レベル「０」、つまり最低輝度レベルを表現できる。又、この最低輝度レベルよりも１段階だけ高輝度な画像を表現する場合には、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の内のＳＦ１のみで維持放電を生起させる。つまり、この際、サブフィールドＳＦ１による維持放電の回数「２」に対応した輝度レベル「２」が表現される。
【０００５】
しかしながら、かかる駆動方法によると、最低の輝度レベル「０」と、これよりも１段階だけ高輝度な輝度レベル「２」とでは、輝度差が「２」もある為、低輝度な画像中の輝度変化を滑らかに表現することができないという問題があった。
【特許文献１】特開２００３−３０２９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、低輝度での階調表現能力を向上させることが出来るプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載によるプラズマディスプレイ装置は、複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、輝度重み付けの異なる複数のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイ装置であって、前記表示セル各々内において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス手段と、前記サブフィールド各々の前記輝度重み付けに対応した回数分だけサスティンパルスを前記行電極対の各々に印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セル内においてサスティン放電を生起させるサスティン手段と、を有し、前記サスティン手段は、前記サブフィールド各々の内で輝度重み付けの最も小なるサブフィールドにおいては前記サスティンパルスを１回だけ前記行電極対に印加する。
【０００８】
又、請求項１０記載によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んだ酸化マグネシウム層及び前記酸化マグネシウム層に面する放電空間を備えた表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを、輝度重み付けの異なる複数のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス行程と、前記行電極対の各々にサスティンパルスを印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティン行程と、を有し、前記サスティン行程は、前記サブフィールド各々の内で輝度重み付けの最も小なるサブフィールドにおいては前記サスティンパルスを１回だけ前記行電極対に印加する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
立方体の多重結晶構造の酸化マグネシウム単結晶体粉末を含む酸化マグネシウム層が形成されている表示セルの複数を備えたプラズマディスプレイパネルを、輝度重み付けの異なる複数のサブフィールド毎に駆動するにあたり、輝度重み付けが最小のサブフィールド内ではサスティン放電を１回だけ生起させる。
【実施例】
【００１０】
図１は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【００１１】
図１に示す如く、かかるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとしてのＰＤＰ５０、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、アドレスドライバ５５、及び駆動制御回路５６から構成される。
【００１２】
ＰＤＰ５０には、２次元表示画面の縦方向（垂直方向）に夫々伸張して配列された列電極Ｄ1〜Ｄm、横方向（水平方向）に夫々伸張して配列された行電極Ｘ1〜Ｘn及び行電極Ｙ1〜Ｙnが形成されている。この際、互いに隣接するもの同士で対を為す行電極対（Ｙ1，Ｘ1）、（Ｙ2，Ｘ2）、（Ｙ3，Ｘ3）、・・・、（Ｙn，Ｘn）が夫々、ＰＤＰ５０における第１表示ライン〜第ｎ表示ラインを担う。各表示ラインと列電極Ｄ1〜Ｄm各々との各交叉部(図１中の一点鎖線にて囲まれた領域)には、画素を担う表示セルＰＣが形成されている。すなわち、ＰＤＰ５０には、第１表示ラインに属する表示セルＰＣ1,1〜ＰＣ1,m、第２表示ラインに属する表示セルＰＣ2,1〜ＰＣ2,m、・・・・、第ｎ表示ラインに属する表示セルＰＣn,1〜ＰＣn,mの各々がマトリクス状に配列されているのである。
【００１３】
図２は、表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。尚、図２においては、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ1〜Ｄ3各々と、第１表示ライン（Ｙ1，Ｘ1）及び第２表示ライン（Ｙ2，Ｘ2）との各交叉部を抜粋して示すものである。又、図３は、図２のＶ３−Ｖ３線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図であり、図４は、図２のＷ２−Ｗ２線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図である。
【００１４】
図２に示すように、各行電極Ｘは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｘｂと、かかるバス電極Ｘｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｘａと、から構成される。各行電極Ｙは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｙｂと、かかるバス電極Ｙｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｙａと、から構成される。透明電極Ｘａ及びＹａは例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなり、バス電極Ｘｂ及びＹｂは例えば金属膜からなる。透明電極Ｘａ及バス電極Ｘｂからなる行電極Ｘ、並びに透明電極Ｙａ及バス電極Ｙｂからなる行電極Ｙは、図３に示す如く、その前面側がＰＤＰ５０の表示面となる前面透明基板１０の背面側に形成されている。この際、各行電極対（Ｘ、Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａは、互いに対となる相手の行電極側に伸張しており、その幅広部の頂辺同士が所定幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向している。又、前面透明基板１０の背面側には、１対の行電極対（Ｘ1、Ｙ1）とこの行電極対に隣接する行電極対（Ｘ2、Ｙ2）との間に、２次元表示画面の水平方向に伸張する黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。さらに、前面透明基板１０の背面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１２が形成されている。この誘電体層１２の背面側（行電極対が接触する面とは反対側の面）には、図３に示す如く、光吸収層１１とこの光吸収層１１に隣接するバス電極Ｘｂ及びＹｂとが形成されている領域に対応した部分に、嵩上げ誘電体層１２Ａが形成されている。この誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面上には、電子線の照射によって励起されて波長２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層１３が形成されている。この酸化マグネシウム結晶体は、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られる気相法酸化マグネシウム結晶体を含んでいる。かかる気相法酸化マグネシウム結晶体は、例えば図５ＡのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造、あるいは図５ＢのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の単結晶構造を有するものであり、その平均粒径は、５００オングストローム以上、好ましくは２０００オングストローム以上（ＢＥＴ法による測定結果）である。そして、図６に示すように、スプレー法や静電塗布法等により、気相法酸化マグネシウム単結晶体１３Ｂを誘電体層１２の表面に付着させることにより酸化マグネシウム層１３を形成させるのである。尚、誘電体層１２の表面に蒸着又はスパッタ法により薄膜酸化マグネシウム層を形成し、その上に気相法酸化マグネシウム単結晶体を付着させて酸化マグネシウム層１３を形成するようにしても良い。
【００１５】
一方、前面透明基板１０と平行に配置された背面基板１４上には、列電極Ｄの各々が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に伸張して形成されている。背面基板１４上には、更に列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層１５が形成されている。この列電極保護層１５上には隔壁１６が形成されている。隔壁１６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘｂ及びＹｂに対応した位置において夫々２次元表示画面の横方向に伸張している横壁１６Ａと、互いに隣接する列電極Ｄ間の各中間位置において２次元表示画面の縦方向に伸張している縦壁１６Ｂとによって梯子形状に形成されている。尚、ＰＤＰ５０の各表示ライン毎に、図２に示す如き梯子形状の隔壁１６が夫々形成されており、互いに隣接する隔壁１６の間には、図２に示す如き隙間ＳＬが存在する。又、梯子状の隔壁１６によって、夫々独立した放電空間Ｓ、透明電極Ｘａ及びＹａを含む表示セルＰＣが区画されている。放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。各表示セルＰＣ内における横壁１６Ａの側面、縦壁１６Ｂの側面、及び列電極保護層１５の表面には、図３に示す如くこれらの面を全て覆うように蛍光体層１７が形成されている。この蛍光体層１７は、実際には、赤色発光を為す蛍光体、緑色発光を為す蛍光体、及び青色発光を為す蛍光体の３種類からなる。各表示セルＰＣの放電空間Ｓと隙間ＳＬとの間は、図３に示す如く酸化マグネシウム層１３が横壁１６Ａに当接されることによって互いに閉じられている。一方、図４に示す如く、縦壁１６Ｂは酸化マグネシウム層１３に当接されていないので、その間に隙間ｒ１が存在する。すなわち、２次元表示画面の横方向において互いに隣接する表示セルＰＣ各々の放電空間Ｓは、この隙間ｒ１を介して互いに連通しているのである。
【００１６】
駆動制御回路５６は、上記構造を有するＰＤＰ５０を図７に示す如きサブフィールド法を採用した発光駆動シーケンスに従って駆動させるべき各種制御信号をＸ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、及びアドレスドライバ５５の各々に供給する。
【００１７】
図７に示す発光駆動シーケンスでは、入力映像信号における各フィールド（フレーム）の表示期間内、つまり１画面分の画像を表示するのに費やされる単位表示期間内において、夫々がアドレス行程Ｗ、サスティン行程Ｉ及び消去行程Ｅを含むＮ個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）を実行する。尚、先頭のサブフィールドＳＦ１に限り、リセット行程Ｒを含んでいる。これらサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々は、各フィールド内において輝度重み付けが小なる順に配列されている。すなわち、先頭のサブフィールドＳＦ１が最も輝度重み付けが小であり、最後尾のサブフィールドＳＦ（Ｎ）が最も輝度重み付けが大である。Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、及びアドレスドライバ５５は、かかる発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０を駆動すべき各種駆動パルス（後述する）を生成してＰＤＰ５０に供給する。
【００１８】
図８は、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）の内からＳＦ１及びＳＦ２を抜粋して、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに印加される各種駆動パルスの印加タイミングを示す図である。
【００１９】
先ず、先頭のサブフィールドＳＦ１のみで実施されるリセット行程Ｒでは、Ｘ電極ドライバ５１が図８に示す如き負極性のリセットパルスＲＰXを行電極Ｘ1〜Ｘnに一斉に印加する。更に、かかるリセットパルスＲＰXの印加と同時に、Ｙ電極ドライバ５３は、図８に示す如き、時間経過に伴い緩やかに電圧値が上昇してピーク電圧値に到るパルス波形を有する正極性の第１リセットパルスＲＰY1を行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。尚、第１リセットパルスＲＰY1のピーク電圧値は、上記サスティンパルスＩＰX及びＩＰYのピーク電圧値よりも大である。上記第１リセットパルスＲＰY1及び負極性のリセットパルスＲＰxの同時印加により、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において第１リセット放電が生起される。かかる第１リセット放電の終息後、各表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３の表面に所定量の壁電荷が形成される。つまり、酸化マグネシウム層１３の表面上における行電極Ｘの近傍には正極性の電荷が形成され、行電極Ｙの近傍には負極性の電荷が形成される、いわゆる壁電荷の形成された状態となる。その後、Ｙ電極ドライバ５３は、図８に示す如き、立ち下がり時の電圧変化が緩やかな負極性の第２リセットパルスＲＰY2を生成し、これを全ての行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。尚、第２リセットパルスＲＰY2のピーク電圧値は、上記アドレス行程Ｗにおいて走査パルスＳＰが印加されていない時の行電極Ｙ上の電圧値から走査パルスＳＰのピーク電圧値までの電圧範囲内において設定される。かかる第２リセットパルスＲＰY2の印加に応じて、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において第２リセット放電が生起される。かかる第２リセット放電により、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内に形成されていた壁電荷が消滅する。すなわち、リセット行程Ｒにより、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,mは、所定量の壁電荷の存在しない消灯セル状態に初期化されるのである。尚、アドレス放電前に行われる第１及び第２リセット放電時、各表示セルＰＣ内において放電が生じ、表示セルＰＣ内に上記酸化マグネシウム層１３が形成されているため、リセット放電によるプライミング効果が長く持続し、アドレスの高速化が可能となる。又、上記リセット行程Ｒでは、立ち上がり時の電圧変化が緩やかな第１リセットパルスＲＰY1を行電極Ｙに印加することにより、Ｔ字状の透明電極Ｙａ及びＸａ間において弱い第１リセット放電を生起させて、コントラストの向上を図るようにしている。
【００２０】
次に、各サブフィールドのアドレス行程Ｗでは、アドレスドライバ５５が、入力映像信号に基づきそのサブフィールドで各表示セルＰＣを発光させるか否かを設定する為の画素データパルスを生成する。例えば、アドレスドライバ５５は、表示セルＰＣを発光させる場合には高電圧、発光させない場合には低電圧の画素データパルスを各表示セルＰＣ毎に生成する。そして、アドレスドライバ５５は、図８に示す如く、かかる画素データパルスを１表示ライン分（ｍ個）ずつ、画素データパルス群ＤＰ1、ＤＰ2、・・・、ＤＰnとして順次、列電極Ｄ1〜Ｄmに印加して行く。この間、Ｙ電極ドライバ５３は、上記画素データパルス群ＤＰ1〜ＤＰn各々のタイミングに同期させて負極性の走査パルスＳＰを行電極Ｙ1〜Ｙnに順次印加して行く。この際、走査パルスＳＰが印加され且つ高電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣのみに放電（選択放電）が生起され、その表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７各々の表面に所定量の壁電荷が形成される。尚、走査パルスＳＰが印加されたものの低電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣ内では上記の如き選択放電は生起されないので、その直前までの壁電荷の形成状態が維持される。
【００２１】
すなわち、アドレス行程Ｗの実行により、各表示セルＰＣは、入力映像信号に基づき、所定量の壁電荷が存在する点灯セル状態、又は壁電荷が存在しない消灯セル状態のいずれか一方に設定されるのである。
【００２２】
次に、各サブフィールドのサスティン行程Ｉでは、Ｘ電極ドライバ５１及びＹ電極ドライバ５３の各々が、そのサブフィールドの輝度重み付けに対応した回数（期間）分だけ正極性のサスティンパルスＩＰX及びＩＰYを行電極Ｘ1〜Ｘn及びＹ1〜Ｙnに印加する。ただし、輝度重み付けが最も小なるサブフィールドＳＦ１のサスティン行程Ｉでは、図８に示す如く、Ｘ電極ドライバ５１は、サスティンパルスＩＰXの印加を実施せず、Ｙ電極ドライバ５３がサスティンパルスＩＰYを１回、行電極Ｙ1〜Ｙnに印加するだけである。サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々のサスティン行程Ｉでは、上記サスティンパルスＩＰX又はＩＰYが印加される度に上述した如き点灯セル状態にある表示セルＰＣのみがサスティン放電し、この放電に伴い蛍光体層１７が発光してパネル面に画像が形成される。
【００２３】
そして、各サブフィールドの消去行程Ｅでは、Ｙ電極ドライバ５３が、図８に示す如き負極性の消去パルスＥＰを行電極Ｙ1〜Ｙnに印加する。消去パルスＥＰの印加に応じて、その直前のサスティン行程Ｉにてサスティン放電が生起された表示セルＰＣにおいて消去放電が生起される。かかる消去放電により、表示セルＰＣ内に形成されていた壁電荷が消滅し、消灯セル状態に推移する。
【００２４】
図９は、図７及び図８に示す駆動によって為される発光駆動パターンの一例を示す図である。
【００２５】
すなわち、入力映像信号によって表される輝度レベルに応じて、図９に示す如き第１〜第２N階調駆動の内のいずれか１が実行される。尚、図９中の白丸印は、そのサブフィールドのアドレス行程Ｗにて表示セルＰＣを点灯セル状態に設定して、サスティン行程Ｉにてサスティン放電を生起させることを示す。この際、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）に亘って生起されたサスティン放電の合計回数に対応した輝度が視覚されることになる。つまり、図９に示す如き第１〜第２N階調駆動による２N通りの発光パターンによれば、入力映像信号によって表される輝度レベルを２N階調にて表現することが可能になる。
【００２６】
ここで、最低の輝度レベルに対応した黒表示を行う場合には、図９に示す如き第１階調駆動が実施される。つまり、この際、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々のアドレス行程Ｗにおいて表示セルＰＣは消灯セル状態に設定されるので、ＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）に亘り一切、サスティン放電が生起されない。よって、表示セルＰＣの発光が一切為されないので輝度レベル０に対応した黒表示が視覚されることになる。
【００２７】
又、かかる第１階調駆動よりも１段階だけ高輝度な表示を実現する第２階調駆動によると、図９中の白丸印にて示されるように、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々の内のＳＦ１のみで表示セルＰＣがサスティン放電する。この際、サブフィールドＳＦ１のサスティン行程Ｉでは、図８に示す如く、サスティンパルスＩＰYが１回だけ行電極Ｙに印加されるので、このサスティンパルスＩＰYに応じた１回分のサスティン放電に対応した輝度レベル「１」の画像が視覚されることになる。
【００２８】
以上の如くサブフィールドＳＦ１のサスティン行程Ｉでは、サスティン放電が１回しか生起されないので、表示セルＰＣの放電空間内でのプライミング粒子量が不十分となる。つまり、次のサブフィールドＳＦ２のアドレス行程Ｗにおいて選択放電に放電遅れが生じ、選択放電の安定性が損なわれる可能性がでてくる。
【００２９】
そこで、ＰＤＰ５０においては、各表示セルＰＣの放電空間Ｓ内に図５Ａ又は図５Ｂに示す如き形状の比較的大なる気相酸化マグネシウム単結晶体を含ませることにより、放電空間Ｓ内での放電確率を高めるようにしている。このような酸化マグネシウム単結晶体は、電子線の照射により、図１０に示す如き波長域３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光と共に、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光が生起されることから、２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有するものであると考えられる。この際、２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光は、図１１に示す如く気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。すなわち、気相酸化マグネシウム結晶体を生成する際に、通常よりも高い温度でマグネシウムを加熱すると、平均粒径５００オングストロームの気相酸化マグネシウム単結晶体と共に、図５Ａ或いは図５Ｂの如き粒径２０００オングストローム以上の比較的大なる単結晶体が形成される。この際、マグネシウムを加熱する際の温度が通常よりも高温であるので、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さも長くなる。従って、かかる火炎と周囲との温度差が大になり、それ故に、粒径が大なる気相酸化マグネシウム単結晶体のグループほど、２００〜３００ｎｍ（特に２３５ｎｍ）に対応したエネルギー準位の高い単結晶体が多く含まれることになると推測される。この気相酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって生成された酸化マグネシウムと比較すると高純度であると共に微粒子であり、粒子の凝集が少ない等の特徴を備えている。
【００３０】
従って、気相酸化マグネシウム単結晶体は、上述した如き２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有することにより、電子を長時間に亘り（数msec）捕捉し、この電子を選択放電時の電界の印加によって放出させることで放電に必要な初期電子を迅速に取得していると推測される。よって、電子の照射によって２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体が図３に示す如き酸化マグネシウム層１３に含まれていると、放電空間Ｓ内には放電を生起させるのに必要十分な量の電子が常時存在することになり、放電空間Ｓ内での放電確率が著しく高くなるのである。
【００３１】
図１２は、表示セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を生起する気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。尚、図１２において横軸は放電の休止時間、つまり放電が生起されてから次の放電が生起されるまでの時間間隔を表すものである。このように、各表示セルＰＣ内に、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を設けると、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合に比して放電確率が高まる。尚、かかる酸化マグネシウム単結晶体としては、図１３に示す如く、電子線を照射した際のＣＬ発光、特に２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光の強度が大なるものほど、放電空間Ｓ内において生起される放電遅れを短縮させることができる。
【００３２】
よって、放電空間Ｓ内に残留するプライミング粒子量が不十分であっても確実に選択放電を生起させることが可能となるので、輝度重み付けが最小のサブフィールドに割り当てるべきサスティン放電の回数を１回だけにして、低輝度な画像中の輝度変化を滑らかに表現できるようにしたのである。
【００３３】
更に、放電空間Ｓ内の放電確率が高まることにより、上記リセット行程Ｒにおいて上記第１リセットパルスＲＰY1のピーク電圧値を高くしても、安定して放電強度の弱い第１リセット放電を生起させることが可能になる。この際、Ｔ字状の透明電極Ｙａ及びＸａを採用している為、放電ギャップ近傍に局所的にリセット放電が生起されるので、行電極全体で放電が生起されてしまうような強い突発的な放電が抑制され、短時間に安定した微弱な第１リセット放電が生起されるようになる。
【００３４】
尚、上記実施例においては、図７及び図８に示す如き発光駆動シーケンスに基づいて、図９に示す如き２N階調分の階調駆動を行うようにしているが、図１４に示す如き（Ｎ＋１）階調駆動を実施するようにしても良い。
【００３５】
図１４に示す（Ｎ＋１）階調駆動では、Ｎ個のサブフィールドを用いて、入力映像信号によって表される輝度レベルを（Ｎ＋１）階調にて表現するものである。かかる（Ｎ＋１）階調駆動では、黒表示を表す場合（第１階調駆動）を除き必ず輝度重み付けが最小となるサブフィールドＳＦ１においてサスティン放電を生起させ（白丸にて示す）、表現すべき輝度レベルに応じた数のサブフィールドにて連続してサスティン放電を生起させる（白丸にて示す）。
【００３６】
又、上記実施例においては、図５Ａ又は図５Ｂに示す如き酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を誘電体層１２の表面に形成するようにしているが、両者の間に図１５及び図１６に示す如く、蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層１３０を設けるようにしても良い。
【００３７】
又、上記実施例においては、ＰＤＰ５０を階調駆動させる駆動方法として、全表示セルを所定量の壁電荷が残留しない状態に初期化し（リセット行程Ｒ）、入力映像信号に基づき選択的に各表示セル内に所定量の壁電荷を形成させる（アドレス行程Ｗ）、いわゆる選択書込アドレス法を採用した場合について説明した。しかしながら、ＰＤＰ５０を階調駆動させる駆動方法としては、全表示セル内に所定量の壁電荷を形成させ（リセット行程Ｒ）、画素データに応じて選択的に各表示セル内に形成されている所定量の壁電荷を消去させる（アドレス行程Ｗ）、いわゆる選択消去アドレス法を採用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図２】表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。
【図３】図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面を示す図である。
【図４】図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面を示す図である。
【図５Ａ】酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。
【図５Ｂ】酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。
【図６】スプレー法や静電塗布法等により気相法酸化マグネシウム単結晶体１３Ｂを誘電体層１２の表面に付着させた場合の形態を模式的に示す図である。
【図７】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの一例を示す図である。
【図８】図７に示す発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスとその印加タイミングを示す図である。
【図９】Ｎ個のサブフィールドによってＮ2階調駆動を実施する際の発光パターンを示す図である。
【図１０】酸化マグネシウム単結晶体に電子線を照射した際に励起されるのＣＬ発光の波長とＣＬ発光強度との対応関係を示すグラフである。
【図１１】酸化マグネシウム単結晶体の粒径と２３５ｎｍでのＣＬ発光強度との関係を示すグラフである。
【図１２】表示セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合の放電確率、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を構築した場合の放電確率、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を励起する酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。
【図１３】２３５ｎｍピークのＣＬ発光強度と放電遅れ時間との対応関係を示す図である。
【図１４】Ｎ個のサブフィールドにて（Ｎ＋１）階調駆動を実施する際の発光パターンを示す図である。
【図１５】図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面の他の一例を示す図である。
【図１６】図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面の他の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１３    酸化マグネシウム層
５０    ＰＤＰ
５１    Ｘ電極ドライバ
５３    Ｙ電極ドライバ
５５    アドレスドライバ
５６    駆動制御回路
【図１】
2006053517.tif 000003
【図２】
2006053517.tif 000004
【図３】
2006053517.tif 000005
【図４】
2006053517.tif 000006
【図６】
2006053517.tif 000007
【図７】
2006053517.tif 000008
【図８】
2006053517.tif 000009
【図９】
2006053517.tif 000010
【図１０】
2006053517.tif 000011
【図１１】
2006053517.tif 000012
【図１２】
2006053517.tif 000013
【図１３】
2006053517.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
2006053517.tif 000016
【図１６】
2006053517.tif 000017
【図５Ａ】
2006053517.tif 000018
【図５Ｂ】
2006053517.tif 000019