(57)【要約】【課題】感度の低下及びブルーミングを抑制した固体撮像素子を提供する。【解決手段】一画素を構成する転送電極３２−１〜３２−３の組のうち少なくとも１つを選択電極として、選択電極が設けられる領域下におけるＮウェル２４は、他の領域下におけるＮウェル２４よりも選択的に半導体基板の深部方向に深く形成されることにより上記課題を解決できる。【選択図】図３
2006135172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一主面の表面領域に形成された第１の半導体領域と、
前記半導体基板の一主面の表面領域に形成され、前記第１の半導体領域よりも深く形成された前記第１の半導体領域と逆導電型の第２の半導体領域と、
前記半導体基板の一主面の表面領域に所定の間隔を隔てて互いに略平行に配置され、前記第１の半導体領域と逆導電型の複数の分離領域と、
前記半導体基板上に前記分離領域と交差する方向に延在して互いに略平行に配置される複数の転送電極と、を備える固体撮像素子であって、
一画素を構成する前記転送電極の組のうち少なくとも１つを選択電極として、
前記選択電極が設けられる領域下における前記第１の半導体領域は、他の領域下における前記第１の半導体領域よりも選択的に半導体基板の深部方向に深く形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子において、
前記選択電極が設けられる領域下における前記半導体基板の一主面の表面領域に前記第１の半導体領域と同導電型であり前記第１の半導体領域よりも高濃度の第３の半導体領域が設けられていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項３】
半導体基板の一主面の表面領域に形成された前記半導体基板と同一導電型の第１の半導体領域と、
前記半導体基板の一主面の表面領域に所定の間隔を隔てて互いに略平行に配置され、前記半導体基板と逆導電型の複数の分離領域と、
前記半導体基板上に前記分離領域と交差する方向に延在して互いに略平行に配置される複数の転送電極と、を備える固体撮像素子であって、
一画素を構成する前記転送電極の組のうち少なくとも１つを選択電極として、
前記選択電極が設けられる領域下における前記第１の半導体領域は、他の領域下における前記第１の半導体領域よりも選択的に半導体基板の深部方向に深く形成されていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項４】
請求項３に記載の固体撮像素子において、
前記選択電極が設けられる領域下における前記半導体基板の一主面の表面領域に前記第１の半導体領域と同導電型であり前記第１の半導体領域よりも高濃度の第２の半導体領域が設けられていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の固体撮像素子において、
前記分離領域は、前記半導体基板と前記第１の半導体領域との境界面よりも深く形成されることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項６】
半導体基板の一主面に不純物を注入して第１の半導体領域を形成する第１の工程と、
前記半導体基板の一主面に前記第１の半導体領域と逆導電型の不純物を所定の間隔を隔てて互いに略平行に注入して複数の分離領域を形成すると共に、隣接する前記分離領域の間にチャネル領域を規定する第２の工程と、
前記複数の分離領域と交差し、互いに略平行に配列される複数の転送電極を前記半導体基板上に形成する第３の工程と、を有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記第１の工程では、一画素を構成する前記転送電極の組のうち少なくとも１つを選択電極として、前記選択電極が設けられる領域下における前記第１の半導体領域を他の領域下における前記第１の半導体領域よりも選択的に半導体基板の深部方向に深く形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記第１の工程の前に、前記第１の半導体領域の一主面に前記第１の半導体領域と逆導電型の不純物を注入して前記第１の半導体領域よりも深く第２の半導体領域を形成する工程を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記半導体基板の一主面の表面領域の一部に前記第１の半導体領域よりも高い不純物濃度で前記第１の半導体領域と同導電型の不純物を注入して第３の半導体領域を形成する工程を備えることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載の固体撮像素子の製造方法において、
前記第２の工程では、前記分離領域を前記半導体基板と前記第１の半導体領域との境界面よりも深く形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤ固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１６は、フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す概略図である。フレーム転送方式のＣＣＤ固体撮像素子は、撮像部１０ｉ、蓄積部１０ｓ、水平転送部１０ｈ及び出力部１０ｄから基本的に構成される。撮像部１０ｉには、光電変換素子の画素が行列配置される。複数の光電変換素子が蓄積部１０ｓに向かう方向に延在する列として配置される。各列は垂直シフトレジスタを兼ねており、互いに平行に配置される。撮像部１０ｉに入射した光は、画素毎に光電変換素子によって情報電荷に変換され、画素毎の情報電荷として垂直転送されて蓄積部１０ｓに出力される。蓄積部１０ｓは、撮像部１０ｉの垂直シフトレジスタに連続する遮光された垂直シフトレジスタから構成される。情報電荷は一旦蓄積部１０ｓに保持された後、１行ずつ水平転送部１０ｈへ転送される。水平転送部１０ｈは、出力部１０ｄに向かう方向に延在する１行の水平シフトレジスタから構成される。水平転送部１０ｈは、蓄積部１０ｓから転送された情報電荷を受けて、情報電荷を１画素単位で出力部１０ｄへ転送する。出力部１０ｄは１画素毎の電荷量を電圧値に変換し、その電圧値の変化がＣＣＤ出力として取り出される。
【０００３】
図１７は、従来のＣＣＤ固体撮像素子の撮像部１０ｉの構造を示す平面図である。また、図１８は、図１７に示す撮像部１０ｉをＸ−Ｘ方向に切り取った構造を示す断面図である。
【０００４】
Ｎ型の半導体基板２０に、Ｐ型の不純物が添加されたＰウェル２２が形成される。このＰウェル２２の表面領域に、Ｎ型の不純物が高濃度に添加されたＮウェル２４が形成される。Ｎウェル２４には、所定の間隔Ｗｃをもって互いに平行にＰ型の不純物が添加された分離領域２６が配置される。分離領域２６は幅Ｗｄを有する。Ｎウェル２４は、隣接する分離領域２６によって電気的に区画され、分離領域２６に挟まれた領域が情報電荷の転送経路であるチャネル領域２８となる。
【０００５】
Ｎウェル２４上には絶縁膜３０が設けられる。さらに、この絶縁膜３０を介してチャネル領域２８の延在方向に交差するように複数の転送電極３２が互いに平行に配置される。例えば、隣接する３つの転送電極３２−１，３２−２，３２−３の組合せが１つの画素を構成する。１つの画素を構成する転送電極３２−１，３２−２，３２−３には３相の転送クロックφ１〜φ３が印加される。転送クロックφ１〜φ３をそれぞれ異なる位相で印加することによって、転送電極３２−１，３２−２，３２−３下のチャネル領域２８に形成されるポテンシャル井戸を順次転送方向へ移動させ、情報電荷を垂直転送することができる（例えば、特開２００１−１５６２８４号公報）。
【０００６】
このような構成を有するＣＣＤ固体撮像素子の中には、撮像時において撮像部１０ｉに情報電荷を蓄積する際に、全ての転送電極に負電位を印加してゲートをオフ状態にするＡＧＰ(All  Gates  Pinning)という技術が用いられているものがある。
【０００７】
例えば、１つの画素を構成する転送電極３２−１，３２−２，３２−３のうち１つ（例えば、転送電極３２−２）を選択し、その転送電極下の半導体基板２０の表面領域に高濃度のＮ型不純物が添加されたＮ+領域を選択的に設ける。このような構造とすることによって、撮像部１０ｉに情報電荷を蓄積する際に、全ての転送電極に負電位を印加してゲートをオフ状態とした際にも、図１９に示すように、Ｎ+領域が設けられた転送電極３２−２下には他の転送電極３２−１，３２−３下よりも深いポテンシャル井戸が形成され、情報電荷を蓄積することができる。このとき、チャネル領域２８の表面付近にはホールが集まり半導体基板２０と絶縁膜３０との界面に存在する界面準位にピンニング(pinning)される。このピンニングされたホールで界面準位が満たされることによって露光期間中に生ずる暗電流を低減し、暗電流に伴って発生する情報電荷へのノイズ混入を防ぐことができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１５６２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＣＣＤ固体撮像素子はデジタルカメラやカメラ付き携帯電話に用いられており、カメラの解像度を向上するために画素密度を増加させ、消費電力を低減する等の利点からＣＣＤ固体撮像素子の小型化が求められている。ＣＣＤ固体撮像素子を小型化するためにチャネル領域２８の幅Ｗｃを狭くしていくことが求められているが、このとき、ＣＣＤ固体撮像素子の特性を維持するためには、チャネル領域２８の幅Ｗｃが狭くなるに連れて全体的にＮウェル２４を浅く形成する必要がある。しかしながら、Ｎウェル２４を浅く形成すると、波長の長い光はＮウェル２４を透過し易くなり、量子効率が低下して感度が下がるという問題を生ずる。
【００１０】
また、全体的にＮウェル２４を深く形成すると、転送電極３２によるチャネル領域２８のポテンシャル井戸の制御が困難になり、ポテンシャル井戸に蓄積されている情報電荷が隣の転送電極下に形成されたポテンシャル井戸に溢れ出してしまうブルーミングを起こしてしまう。
【００１１】
本発明は、上記従来技術の問題を鑑み、チャネル領域の狭小化に対応して、感度の低下及びブルーミングを抑制した固体撮像素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、半導体基板の一主面の表面領域に形成された第１の半導体領域と、前記半導体基板の一主面の表面領域に形成され、前記第１の半導体領域よりも深く形成された前記第１の半導体領域と逆導電型の第２の半導体領域と、前記半導体基板の一主面の表面領域に所定の間隔を隔てて互いに略平行に配置され、前記第１の半導体領域と逆導電型の複数の分離領域と、前記半導体基板上に前記分離領域と交差する方向に延在して互いに略平行に配置される複数の転送電極と、を備える固体撮像素子であって、一画素を構成する前記転送電極の組のうち少なくとも１つを選択電極として、前記選択電極が設けられる領域下における前記第１の半導体領域は、他の領域下における前記第１の半導体領域よりも選択的に半導体基板の深部方向に深く形成されていることを特徴とする。
【００１３】
この形態において、前記選択電極が設けられる領域下における前記半導体基板の一主面の表面領域に前記第１の半導体領域と同導電型であり前記第１の半導体領域よりも高濃度の第３の半導体領域が設けられていることが好適である。
【００１４】
また、本発明の別の形態は、半導体基板の一主面の表面領域に形成された前記半導体基板と同一導電型の第１の半導体領域と、前記半導体基板の一主面の表面領域に所定の間隔を隔てて互いに略平行に配置され、前記半導体基板と逆導電型の複数の分離領域と、前記半導体基板上に前記分離領域と交差する方向に延在して互いに略平行に配置される複数の転送電極と、を備える固体撮像素子であって、一画素を構成する前記転送電極の組のうち少なくとも１つを選択電極として、前記選択電極が設けられる領域下における前記第１の半導体領域は、他の領域下における前記第１の半導体領域よりも選択的に半導体基板の深部方向に深く形成されていることを特徴とする。
【００１５】
この形態において、前記選択電極が設けられる領域下における前記半導体基板の一主面の表面領域に前記第１の半導体領域と同導電型であり前記第１の半導体領域よりも高濃度の第２の半導体領域が設けられていることが好適である。
【００１６】
また、前記分離領域は、前記半導体基板と前記第１の半導体領域との境界面よりも深く形成されることがより好適である。
【００１７】
本発明の別の形態は、半導体基板の一主面に不純物を注入して第１の半導体領域を形成する第１の工程と、前記半導体基板の一主面に前記第１の半導体領域と逆導電型の不純物を所定の間隔を隔てて互いに略平行に注入して複数の分離領域を形成すると共に、隣接する前記分離領域の間にチャネル領域を規定する第２の工程と、前記複数の分離領域と交差し、互いに略平行に配列される複数の転送電極を前記半導体基板上に形成する第３の工程と、を有する固体撮像素子の製造方法であって、前記第１の工程では、一画素を構成する前記転送電極の組のうち少なくとも１つを選択電極として、前記選択電極が設けられる領域下における前記第１の半導体領域を他の領域下における前記第１の半導体領域よりも選択的に半導体基板の深部方向に深く形成することを特徴とする。
【００１８】
ここで、前記第１の工程の前に、前記第１の半導体領域の一主面に前記第１の半導体領域と逆導電型の不純物を注入して前記第１の半導体領域よりも深く第２の半導体領域を形成する工程を有するものとしても良い。
【００１９】
また、前記半導体基板の一主面の表面領域の一部に前記第１の半導体領域よりも高い不純物濃度で前記第１の半導体領域と同導電型の不純物を注入して第３の半導体領域を形成する工程を備えることが好適である。このとき、前記第１の工程に用いるマスクと同一のパターンを有するマスクを用いることが好適である。
【００２０】
さらに、前記第２の工程では、前記分離領域を前記半導体基板と前記第１の半導体領域との境界面よりも深く形成することが好適である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ＣＣＤ固体撮像素子を小型化する際に、半導体基板に添加される不純物濃度の制御に伴う感度の低下及びブルーミングを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
＜固体撮像素子の構造＞
本発明の実施の形態におけるＣＣＤ固体撮像素子について図を参照して詳細に説明する。本実施の形態におけるＣＣＤ固体撮像素子の全体構成は、図１６と同様に、撮像部１０ｉ、蓄積部１０ｓ、水平転送部１０ｈ及び出力部１０ｄから基本的に構成される。
【００２３】
図１に、本実施の形態におけるＣＣＤ固体撮像素子の撮像部１０ｉの平面図を示す。また、図２及び図３には、撮像部１０ｉをそれぞれＹ−Ｙ方向及びＺ−Ｚ方向に切り取った断面構造を示す。
【００２４】
Ｎ型の半導体基板２０の表面領域に、Ｐ型の不純物が高濃度に添加されたＰウェル２２が形成される。半導体基板２０としては、例えば、シリコン基板、砒化ガリウム基板等の一般的な半導体材料を用いることができる。半導体基板２０に含まれるＮ型の不純物濃度は、１０14／ｃｍ3以上１０16／ｃｍ3以下とすることが好適である。Ｐウェル２２に添加されるＰ型不純物にはボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等を用いることができ、Ｐウェル２２内の不純物濃度は１０14／ｃｍ3以上１０17／ｃｍ3以下とすることが好適であり、さらに５．０×１０14／ｃｍ3以上１０16／ｃｍ3以下とすることがより好適である。
【００２５】
さらに、半導体基板２０の表面領域には、Ｎ型の不純物が高濃度に添加されたＮウェル２４が形成される。Ｎウェル２４に添加されるＮ型不純物には砒素（Ａｓ）、燐（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）等を用いることができ、Ｎウェル２４内の不純物濃度は１０14／ｃｍ3以上１０17／ｃｍ3以下とすることが好適であり、さらに５．０×１０14／ｃｍ3以上１０16／ｃｍ3以下とすることがより好適である。
【００２６】
ここで、後に形成される一画素に対応する一組の転送電極３２−１〜３２−３のうち少なくとも一つ（本実施の形態では転送電極３２−２）を選択電極として、選択電極が設けられる領域下におけるＮウェル２４を選択電極が設けられない領域下におけるＮウェル２４よりも選択的に半導体基板２０の深部方向に深く形成する。すなわち、Ｐウェル２２とＮウェル２４とが接する境界において選択電極が設けられる領域下にＮウェル２４の突出部２５が設けられる。
【００２７】
Ｎウェル２４には、所定の間隔Ｗｃをもって互いに平行にＰ型の不純物が添加された分離領域２６が配置される。分離領域２６は幅Ｗｄを有する。Ｎウェル２４は、隣り合う２つの分離領域２６によって電気的に区画され、この分離領域２６によって区画された領域が情報電荷の転送経路であるチャネル領域２８となる。
【００２８】
分離領域２６に添加されるＰ型不純物はボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）等を用いることができ、分離領域２６内の不純物濃度は１０15／ｃｍ3以上１０19／ｃｍ3以下とすることが好適であり、さらに１０15／ｃｍ3以上１０18／ｃｍ3以下とすることがより好適である。
【００２９】
Ｎウェル２４上には、絶縁膜３０が設けられる。絶縁膜３０としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等のシリコン系材料や酸化チタン系材料等を用いることができる。
【００３０】
チャネル領域２８の延在方向に直交するように、絶縁膜３０上に複数の転送電極３２が互いに平行に配置される。転送電極３２には、金属、多結晶シリコン等の導電性材料を用いることができる。本実施の形態では、チャネル領域２８の延在方向に連続する３つの転送電極３２−１，３２−２，３２−３が１つの画素を構成する。
【００３１】
ここで、チャネル領域２８のうち、一画素を構成する転送電極３２−１，３２−２，３２−３のうち選択電極とした転送電極（本実施の形態では転送電極３２−２）が設けられた領域下の半導体基板２０の表面領域にＮ型不純物を高濃度に添加したＮ+領域２９を選択的に設けることが好ましい。Ｎ+領域２９の不純物濃度は１０16／ｃｍ3以上１０18／ｃｍ3以下とすることが好ましい。
【００３２】
転送電極３２−１，３２−２，３２−３には、３相の転送クロックφ１〜φ３が印加される。これによって、転送電極３２−１，３２−２，３２−３の下にあるチャネル領域２８のポテンシャルが制御されて情報電荷の蓄積・転送が行われる。
【００３３】
＜ポテンシャル分布＞
図４及び図５は、ＡＧＰによる撮像時における半導体基板２０の表面から深部へ向けてのポテンシャルの状態を模式的に示す図である。図４は、図３において、Ｎ+領域２９が形成された転送電極３２−２下におけるＡ−Ａラインに沿ったポテンシャル分布である。図５は、図３において、Ｎ+領域２９が形成されていない転送電極３２−１と転送電極３２−３との間におけるＢ−Ｂラインに沿ったポテンシャル分布である。横軸は半導体基板２０の表面からの深さを示し、また縦軸は各位置でのポテンシャルを示し、下が正電位側、上が負電位側となる。なお、図４及び図５は、転送電極３２−１，３２−３を−４Ｖの電位、転送電極３２−２を−１０Ｖの電位、半導体基板２０を７Ｖの電位にした場合のポテンシャル分布である。
【００３４】
転送電極３２−２下では、Ｎ+領域２９の影響によりＮウェル２４内にポテンシャル井戸が形成される。すなわち、図４に示すように、半導体基板２０の表面からポテンシャルが低下してＮウェル２４内で極小値をとり、再びＮウェル２４とＰウェル２２の界面に向かってポテンシャルが上昇して界面付近で極大値をとり、半導体基板２０の深部に向かってポテンシャルがなだらかに低下するものとなる。
【００３５】
このとき、Ｎウェル２４が転送電極３２−２下の領域でのみ深く形成されていることによって、Ｎウェル２４とＰウェル２２との界面付近のポテンシャルの極大位置は深くなる。これに伴って、従来のようにＮウェル２４を全領域に亘って浅く形成した構成よりも半導体基板２０の深部においてポテンシャル障壁を形成することができ、波長の長い光の透過を防止して感度を高くすることができる。
【００３６】
一方、転送電極３２−１と転送電極３２−３との間では、Ｎ+領域２９の影響が及ばないのでＮウェル２４内にポテンシャル井戸は形成されない。すなわち、図５に示すように、半導体基板２０の表面から基板深部へ向かってポテンシャルが徐々に低下する。
【００３７】
以上のように、本実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子によれば、転送電極３２の総てに負電位を印加するＡＧＰ駆動を行った場合において、Ｎウェル２４内にポテンシャル井戸を形成することができる。撮像時において、このポテンシャル井戸には情報電荷を蓄積することが可能である。なお、ポテンシャル井戸の蓄積許容量を超える情報電荷が発生した場合には、過剰な電荷はＮウェル２４とＰウェル２２との間のポテンシャル障壁を越えて半導体基板２０の深部に排出される。
【００３８】
また、連続する３つの転送電極３２−１，３２−２，３２−３の組合せ毎に異なる位相を有する３相の転送クロックφ１〜φ３を印加することによって、転送電極３２−１，３２−２，３２−３の下にあるチャネル領域２８のポテンシャル井戸の深さを制御して情報電荷を順次転送することができる。
【００３９】
また、半導体基板２０の電位をさらに高くすることによって電荷を排出させる電子シャッタ動作を行うことができる。図６及び図７は、電子シャッタ時における半導体基板２０の表面から深部へ向けてのポテンシャルの状態を模式的に示す図である。図６は、図３において、Ｎ+領域２９が形成された転送電極３２−２下におけるＡ−Ａラインに沿ったポテンシャル分布である。図７は、図３において、Ｎ+領域２９が形成されていない転送電極３２−１と転送電極３２−３との間におけるＢ−Ｂラインに沿ったポテンシャル分布である。なお、図６及び図７は、転送電極３２を数Ｖの負の電位、半導体基板２０を数十Ｖの正の電位にした場合のポテンシャル分布である。
【００４０】
半導体基板２０に高い正の電位を印加した場合、図６及び図７のいずれの場合においても、チャネル領域２８内にポテンシャル井戸は形成されず、半導体基板２０の表面から基板深部へ向かってポテンシャルが徐々に低下する。従って、半導体基板２０に高い正の電位を印加することによって、チャネル領域２８のポテンシャル井戸に蓄積されていた情報電荷が半導体基板２０の深部へ排出する電子シャッタを実現することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態では撮像部１０ｉの構造について説明を行ったが、同様の構造を蓄積部１０ｓの垂直シフトレジスタに適用することも可能である。
【００４２】
＜固体撮像素子の製造方法＞
図８は、本実施の形態におけるＣＣＤ固体撮像素子の製造方法のプロセスフロー図である。ここでは、ＣＣＤ固体撮像素子の撮像部１０ｉのみの製造方法を説明するが、他の構成部分については一般的なＣＣＤ固体撮像素子の製造方法を適用することができる。
【００４３】
半導体基板２０の表面における素子を形成する領域にＰ型の不純物を拡散させてＰウェル２２を形成する。例えば、半導体基板２０としてはシリコン基板を用い、Ｐ型不純物にはボロン（Ｂ）を用いることができる。さらに、Ｐウェル２２の表面領域にＮ型の不純物を拡散させてＮウェル２４を形成する。Ｎ型不純物には、例えば、燐（Ｐ）を用いることができる。この不純物導入工程により、半導体基板２０の表面領域にＰウェル２２及びＮウェル２４が形成される（図８（ａ））。ここで、Ｐウェル２２及びＮウェル２４の実効的な不純物濃度が１０14／ｃｍ3以上１０16／ｃｍ3以下となるようにすることが好適である。
【００４４】
さらに、チャネル領域２８のうち選択電極となる転送電極３２−２が後に設けられる領域に沿って開口を有するレジストパターン４０で半導体基板２０の表面を覆い、このレジストパターン４２をマスクとしてＮ型不純物を導入する（図８（ｂ））。
【００４５】
まず、Ｐウェル２２とＮウェル２４との境界面からＰウェル２２側に突出するようにＮウェル２４と同程度の不純物濃度となるようにＮ型の不純物をイオン注入する。これにより、Ｎウェル２４の突出部２５が形成される。さらに、Ｎウェル２４の表面領域にＮウェル２４よりも高濃度となるようにＮ型不純物をイオン注入する。これの導入工程により、高不純物濃度のＮ+領域２９が形成される。ここで、Ｎ+領域２９の不純物濃度は１０16／ｃｍ3以上１０18／ｃｍ3以下とすることが好ましい。
【００４６】
このとき、質量が異なる複数種の不純物イオンを同時にイオン注入することによって、そのイオン侵入長の違いを利用して、Ｎ+領域２９とＮウェルの突出部２５とを同時に形成することもできる。
【００４７】
次に、レジストパターン４０を除去し、続いて、Ｎ+領域２９に直交するように互いに間隔Ｗｃを隔てて幅Ｗｄを有する開口を有するレジストパターン４２で半導体基板２０の表面を覆い、このレジストパターン４２をマスクとしてＰ型不純物を導入する（図８（ｃ））。例えば、Ｐ型不純物にはボロン（Ｂ）を用いることができる。このＰ型不純物導入工程により、Ｎウェル２４内に幅Ｗｄを有する分離領域２６と、これらの分離領域２６の間に幅Ｗｃを有するチャネル領域２８が形成される。また、分離領域２６内のＰ型不純物濃度は、１０15／ｃｍ3以上１０19／ｃｍ3以下とすることが好適である。
【００４８】
次に、レジストパターン４０を取り除いた後に、分離領域２６及びチャネル領域２８を覆うように絶縁膜３０として酸化シリコン膜を形成する。この絶縁膜３０の上に多結晶シリコン膜を積層し、この多結晶シリコン膜をパターンニングすることによって転送電極３２を形成する（図８（ｄ））。このとき、Ｎ+領域２９上に転送電極３２−２が重なるように転送電極３２−１〜３２−３を配置する。
【００４９】
＜変形例＞
次に、実施の形態の変形例について図を参照して詳細に説明する。この変形例は、チャネル領域の幅が狭くなった場合に狭チャネル効果によりポテンシャル井戸を形成するものである。
【００５０】
図９に、変形例におけるＣＣＤ固体撮像素子の撮像部１０ｉの平面図を示す。また、図１０及び図１１には、撮像部１０ｉをそれぞれＵ−Ｕ方向及びＶ−Ｖ方向に切り取った断面構造を示す。
【００５１】
Ｎ型の半導体基板２０の表面領域にはＰウェル２２は形成されず、Ｎ型の不純物が高濃度に添加されたＮウェル２４が形成される。Ｎウェル２４に添加されるＮ型不純物には砒素（Ａｓ）、燐（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）等を用いることができ、Ｎウェル２４内の不純物濃度は１０14／ｃｍ3以上１０17／ｃｍ3以下とすることが好適であり、さらに５．０×１０14／ｃｍ3以上１０16／ｃｍ3以下とすることがより好適である。
【００５２】
ここで、後に形成される一画素に対応する一組の転送電極３２−１〜３２−３のうち少なくとも一つ（本実施の形態では転送電極３２−２）を選択電極として、選択電極が設けられる領域下におけるＮウェル２４を選択電極が設けられない領域下におけるＮウェル２４よりも選択的に半導体基板２０の深部方向に深く形成する。すなわち、半導体基板２０とＮウェル２４とが接する境界において、選択電極が設けられる領域下にＮウェル２４の突出部２５が設けられる。
【００５３】
以下、上記実施の形態と同様に分離領域２６（チャネル領域２８）、絶縁膜３０、転送電極３２が設けられる。分離領域２６の幅Ｗｄは、ＣＣＤ固体撮像素子を小型化するためには素子分離能力のある範囲内でできるだけ狭い方が良い。一方、チャネル領域２８の幅Ｗｃは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好適である。この場合は、分離領域２６は、半導体基板２０とＮウェル２４との境界面よりも深く形成することが好適である。
【００５４】
また、チャネル領域２８のうち、選択電極とした転送電極（本実施の形態では転送電極３２−２）が設けられた領域下の半導体基板２０の表面領域にＮ型不純物を高濃度に添加したＮ+領域２９を選択的に設けることが好ましい。Ｎ+領域２９の不純物濃度は１０16／ｃｍ3以上１０18／ｃｍ3以下とすることが好ましい。
【００５５】
図１２及び図１３は、ＡＧＰによる撮像時における半導体基板２０の表面から深部へ向けてのポテンシャルの状態を模式的に示す図である。図１２は、図１１において、Ｎ+領域２９が形成された転送電極３２−２下におけるＣ−Ｃラインに沿ったポテンシャル分布である。図１３は、図１１において、Ｎ+領域２９が形成されていない転送電極３２−１と転送電極３２−３との間におけるＤ−Ｄラインに沿ったポテンシャル分布である。横軸は半導体基板２０の表面からの深さを示し、また縦軸は各位置でのポテンシャルを示し、下が正電位側、上が負電位側となる。なお、図１２及び図１３は、転送電極３２−１，３２−３を−４Ｖの電位、転送電極３２−２を−１０Ｖの電位、半導体基板２０を７Ｖの電位にした場合のポテンシャル分布である。
【００５６】
転送電極３２−２下では、分離領域２６のＰ型不純物濃度とチャネル領域２８のＮ型不純物濃度との濃度差によってチャネル領域２８側に電位分布が広がる。このとき、チャネル領域２８の幅Ｗｃが半導体基板２０の深さ方向に対してポテンシャル障壁を形成させるに十分な程度に狭いため、隣接する分離領域２６からの影響が大きくなり、チャネル領域２８のＡ−Ａライン付近に対して支配的となる。従って、Ｎ+領域２９の影響によりＮウェル２４内にポテンシャル井戸が形成される。すなわち、図１２に示すように、半導体基板２０の表面からポテンシャルが低下してＮウェル２４内で極小値をとり、再びＮウェル２４と半導体基板２０の界面に向かってポテンシャルが上昇して界面付近で極大値をとり、半導体基板２０の深部に向かってポテンシャルがなだらかに低下するものとなる。
【００５７】
このとき、上記実施の形態と同様に、Ｎウェル２４が転送電極３２−２下の領域でのみ深く形成されていることによって、Ｎウェル２４とＰウェル２２との界面付近のポテンシャルの極大位置は深くなる。これに伴って、従来のようにＮウェル２４を全領域に亘って浅く形成した構成よりも半導体基板２０の深部においてポテンシャル障壁を形成することができ、波長の長い光の透過を防止して感度を高くすることができる。
【００５８】
一方、転送電極３２−１と転送電極３２−３との間では、Ｎ+領域２９の影響が及ばないのでＮウェル２４内にポテンシャル井戸は形成されない。すなわち、図１３に示すように、半導体基板２０の表面から基板深部へ向かってポテンシャルが徐々に低下する。
【００５９】
以上のように、本変形例のＣＣＤ固体撮像素子によれば、チャネル領域の幅Ｗｃを小さくした場合においても、転送電極３２の総てに負電位を印加するＡＧＰによりＮウェル２４内にポテンシャル井戸を形成することができる。撮像時において、このポテンシャル井戸には情報電荷を蓄積することが可能である。なお、ポテンシャル井戸の蓄積許容量を超える情報電荷が発生した場合には、過剰な電荷はＮウェル２４と半導体基板２０との間のポテンシャル障壁を越えて半導体基板２０の深部に排出される。
【００６０】
また、上記実施の形態と同様に、半導体基板２０の電位をさらに高くすることによって電荷を排出させる電子シャッタ動作を行うことができる。図１４及び図１５は、ＡＧＰによる撮像時における半導体基板２０の表面から深部へ向けてのポテンシャルの状態を模式的に示す図である。図１４は、図１１において、Ｎ+領域２９が形成された転送電極３２−２下におけるＡ−Ａラインに沿ったポテンシャル分布である。図１５は、図１１において、Ｎ+領域２９が形成されていない転送電極３２−１と転送電極３２−３との間におけるＢ−Ｂラインに沿ったポテンシャル分布である。なお、図１４及び図１５は、転送電極３２を数Ｖの負の電位、半導体基板２０を数十Ｖの正の電位にした場合のポテンシャル分布である。
【００６１】
半導体基板２０に高い正の電位を印加した場合、図１４及び図１５のいずれの場合においても、チャネル領域２８内にポテンシャル井戸は形成されず、半導体基板２０の表面から基板深部へ向かってポテンシャルが徐々に低下する。従って、半導体基板２０に高い正の電位を印加することによって、チャネル領域２８のポテンシャル井戸に蓄積されていた情報電荷が半導体基板２０の深部へ排出される。
【００６２】
なお、本変形例では撮像部１０ｉの構造について説明を行ったが、同様の構造を蓄積部１０ｓの垂直シフトレジスタに適用することも可能である。
【００６３】
本変形例のＣＣＤ固体撮像素子の構成とすることにより、チャネル領域２８の幅Ｗｃが狭くなった場合においてＰウェル２２を形成する必要がなくなる。また、上記実施の形態と同様に、ＡＧＰによる情報電荷の蓄積量を維持しつつ、電子シャッタによる不要な電荷の排出を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態における固体撮像素子の撮像部の構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態における固体撮像素子の撮像部の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における固体撮像素子の撮像部の構成を示す断面図である。
【図４】ＡＧＰを適用した撮像時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図５】ＡＧＰを適用した撮像時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図６】電子シャッタ時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図７】電子シャッタ時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態における固体撮像素子の製造方法のプロセスフローを示す図である。
【図９】変形例における固体撮像素子の撮像部の構成を示す平面図である。
【図１０】変形例における固体撮像素子の撮像部の構成を示す断面図である。
【図１１】変形例における固体撮像素子の撮像部の構成を示す断面図である。
【図１２】ＡＧＰを適用した撮像時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図１３】ＡＧＰを適用した撮像時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図１４】電子シャッタ時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図１５】電子シャッタ時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【図１６】ＣＣＤ固体撮像素子の構成を示す概略図である。
【図１７】従来の固体撮像素子の撮像部の構成を示す平面図である。
【図１８】従来の固体撮像素子の撮像部の構成を示す断面図である。
【図１９】ＡＧＰを適用した撮像時におけるＮウェル深さ方向へのポテンシャルの変化を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１０ｉ  撮像部、１０ｓ  蓄積部、１０ｈ  水平転送部、１０ｄ  出力部、２０  半導体基板、２２  Ｐウェル、２４  Ｎウェル、２５  突出部、２６  分離領域、２８  チャネル領域、２９  Ｎ+領域、３０  絶縁膜、３２  転送電極、４０，４２  レジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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