(57)【要約】      （修正有）【課題】基板処理室の開口部を閉塞する閉塞手段に流体を供給または排出する金属配管同士や金属配管とその周囲の金属部品との干渉に起因する金属パーティクルを低減し歩留まりを向上することのできる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理炉２０２と、処理炉の開口部を閉塞する閉塞手段２４４と閉塞手段２４４に設けられた流体を流通させるための流路２８１と、流路２８１に接続され流路に対して流体を供給または排出する金属配管２８０とを有し、金属配管２８０の少なくとも一部を金属配管２８０よりも硬度の小さい部材で覆っている。【選択図】図１
2006100354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室の開口部を閉塞する閉塞手段と
前記閉塞手段に設けられた流体を流通させるための流路と、
前記流路に接続され前記流路に対して前記流体を供給または排出する金属配管と、を有し、
前記金属配管の少なくとも一部を前記金属配管よりも硬度の小さい部材で覆ったことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、
前記処理室の開口部を閉塞する閉塞手段と
前記閉塞手段に設けられた流体を流通させるための流路と、
前記流路に接続され前記流路に対して前記流体を供給または排出する金属配管と、を有し、
隣接する前記金属配管の間に前記金属配管同士の接触を防止する部材を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、
前記処理室の開口部を閉塞する閉塞手段と
前記閉塞手段に設けられた流体を流通させるための流路と、
前記流路に接続され前記流路に対して前記流体を供給または排出する金属配管と、
前記金属配管と隣接して設けられた金属部品とを有し、
前記金属配管と前記金属部品との間に前記金属配管と前記金属部品との接触を防止する部材を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、処理炉とロードロック室とこれらの間に設けられるゲートバルブとを備え、半導体シリコン基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板処理装置には、ゲートバルブを冷却する目的でフレキシブル金属配管の冷却水ラインが取りつけられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来では、ゲートバルブの冷却水ラインはフレキシブル金属配管が剥き出しになっており、これが振動または共振すると、ＩＮ側の冷却水ラインとＯＵＴ側の冷却水ラインのフレキシブル金属配管同士、および冷却水ラインのフレキシブル金属配管と周囲の金属部分とが干渉し金属パーティクルの発生源因となっていた。金属パーティクルは、歩留まり低下に直結するため、重大な問題であった。
【０００４】
冷却水ライン同士が干渉しないように、また、冷却水ラインと周囲の金属部品とが干渉しないようにお互いを離間させるようにすると、冷却ラインを設置する領域が広くなってしまう。そうすると、冷却水ラインが炉口ゲートバルブの厚さの範囲内に納まらなくなり、炉口ゲートバルブの退避室とぶつかる可能性が生じるので、このような方法を採ることはできない。
【０００５】
従って、本発明の主な目的は、基板処理室の開口部を閉塞するゲートバルブ等の閉塞手段に流体を供給または排出する金属配管同士や金属配管とその周囲の金属部品との干渉に起因する金属パーティクルを低減し歩留まりを向上することのできる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室の開口部を閉塞する閉塞手段と
前記閉塞手段に設けられた流体を流通させるための流路と、
前記流路に接続され前記流路に対して前記流体を供給または排出する金属配管と、を有し、
前記金属配管の少なくとも一部を前記金属配管よりも硬度の小さい部材で覆ったことを特徴とする第１の基板処理装置が提供される。
【０００７】
また、本発明によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室の開口部を閉塞する閉塞手段と
前記閉塞手段に設けられた流体を流通させるための流路と、
前記流路に接続され前記流路に対して前記流体を供給または排出する金属配管と、を有し、
隣接する前記金属配管の間に前記金属配管同士の接触を防止する部材を設けたことを特徴とする第２の基板処理装置が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室の開口部を閉塞する閉塞手段と
前記閉塞手段に設けられた流体を流通させるための流路と、
前記流路に接続され前記流路に対して前記流体を供給または排出する金属配管と、
前記金属配管と隣接して設けられた金属部品とを有し、
前記金属配管と前記金属部品との間に前記金属配管と前記金属部品との接触を防止する部材を設けたことを特徴とする第３の基板処理装置が提供される。
【０００９】
好ましくは、上記第１〜第３の基板処理装置において、金属配管よりも硬度の小さい部材とは非金属部材であり、接触防止部材とは非金属部材である。
【００１０】
好ましくは、上記第１〜第３の基板処理装置において、金属配管よりも硬度の小さい部材とは耐熱部材であり、接触防止部材とは耐熱部材である。
【００１１】
好ましくは、上記第１〜第３の基板処理装置において、金属配管よりも硬度の小さい部材／接触防止部材とはフッ素樹脂からなる部材である。
【００１２】
好ましくは、上記第１〜第３の基板処理装置において、金属配管よりも硬度の小さい部材／接触防止部材とはポリテトラフルオロエチレン（四フッ化エチレン樹脂）である。
【００１３】
好ましくは、上記第１の基板処理装置において、金属配管よりも硬度の小さい部材は、スパイラル状である。
【００１４】
好ましくは、上記第１の基板処理装置において、金属配管は複数設けられ、それぞれの金属配管を一本ずつ金属配管よりも硬度の小さい部材で覆っている。
【００１５】
好ましくは、上記第１〜第３の基板処理装置において、金属配管はフレキシブル配管からなる。
【００１６】
好ましくは、上記第１〜第３の基板処理装置において、流体とは、冷却剤（冷却ガスまたは冷却水）である。
【００１７】
好ましくは、上記第１〜第３の基板処理装置において、前記基板処理装置は、さらに処理室に連通する気密室と、気密室に連通する閉塞手段退避スペースとを有する。この場合に、好ましくは、気密室は減圧可能に構成される。また、好ましくは、金属配管は閉塞手段と共に、閉塞位置と退避位置との間を移動可能に構成される。
【００１８】
また、本発明によれば、
処理室の開口部を閉塞する閉塞手段に設けられた流路に、表面の少なくとも一部を、それよりも硬度の小さい部材で覆った金属配管を用いて流体を流通させるステップと、
流体を流通させた閉塞手段を閉塞位置から退避位置に移動させ、処理室の開口部を開くステップと、
開口部を介して処理室内に基板を搬入するステップと、
処理室内で基板を処理するステップと、
開口部を介して処理後の基板を処理室から搬出するステップと、
流体を流通させた閉塞手段を退避位置から閉塞位置に移動させ、処理室の開口部を閉じるステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板処理室の開口部を閉塞するゲートバルブ等の閉塞手段に流体を供給または排出する金属配管同士や金属配管とその周囲の金属部品との干渉に起因する金属パーティクルを低減し歩留まりを向上することのできる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、本発明の好ましい実施の形態について説明する。
本発明の好ましい実施の形態では、縦型半導体製造装置の炉口部には、ゲートバルブを冷却する目的でフレキシブル金属配管の冷却水ラインが取りつけられている。この冷却水ラインにテフロン製のスパイラルチューブを巻き付ける。これにより、冷却水ラインが振動あるいは共振し、ＩＮ側とＯＵＴ側の冷却水ライン同士の干渉、あるいは冷却水ラインと周囲の金属部品との干渉に至った場合においても、テフロン製スパイラルチューブによって金属同士の干渉を防ぐことができるので、冷却水ラインの施行範囲を広げることなく、冷却水ライン同士や冷却水ラインが周囲の金属部分と干渉した際に発生する金属パーティクルを低減することができる。
【００２１】
なお、テフロンとは、デュポン社（米国）の登録商標であり、フッ素樹脂の一つであるポリテトラフルオロエチレン（四フッ化エチレン樹脂）（Ｐｏｌｙ  Ｔｅｔｒａ  Ｆｌｏｅｒａ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）をいい、ＰＴＦＥと略されることもある。
【００２２】
また、スパイラルチューブを使用することにより、フレキシブル金属配管に巻き付けやすくなる。なお、スパイラルチューブの間隔（すきま）は、金属配管同士がぶつからないような間隔となっている。
【００２３】
次に、図面を参照して、本発明の一実施例を説明する。
図１および図２は、それぞれ本発明の一実施例の基板処理装置を説明するための概略縦断面図および概略横断面図であり、図３は、図２のＡＡ線矢視図であり、図４は、本発明の一実施例の基板処理装置を説明するための概略部分縦断面図である。
【００２４】
図１および図２を参照すると、本実施例の基板処理装置は、処理炉２０２と、処理炉の下側に設けられたロードロック室１０２と、ロードロック室１０２の側面に設けられた移載室１３０とを備えている。反応炉２０２の下部にはマニホールド２０９が設けられている。マニホールド２０９は、ロードロック室１０２上に設けられたベースフランジ２７０上に設けられている。ベースフランジ２７０の下側には炉口ゲートバルブ２４４が水平方向に回転自在に設けられている。ゲートバルブ駆動部回転軸２７３がベースフランジ２７０を上下方向に貫通して設けられている。ゲートバルブ駆動部回転軸２７３には
回転用アーム２７４が取り付けられ、回転用アーム２７４に炉口ゲートバルブ２４４が取り付けられている。炉口ゲートバルブ２４４は、このゲートバルブ駆動部回転軸２７３を中心に水平方向に回転する。ゲートバルブ駆動部回転軸２７３の上部には炉口ゲートバルブ回転機構２７２が設けられている。ロードロック室１０２の側面上部には炉口ゲートバルブ待避室２７１がロードロック室１０２と連通して設けられている。ロードロック室１０２と移載室１３０との間には、ロードロックドア１２３が設けられている。移載室１３０にはウエハ移載機１１２が設けられている。
【００２５】
炉口ゲートバルブ用冷却水ライン２８０は、炉口ゲートバルブ駆動部回転軸２７３付近から、回転用アーム２７４の側面に沿った金属製のフレキシブル配管を通り、炉口ゲートバルブ２４４内の冷却水通路２８１に接続される。冷却水は冷却水通路２８１によって炉口ゲートバルブ２４４内部の全体を流れ、出た後は同様に回転用アーム２７４に沿ったフレキシブル配管からなる冷却水ライン２８０を通り、炉口ゲートバルブ駆動部回転軸２７３付近より装置外へ排水される。
【００２６】
冷却水ライン２８０のフレキシブル配管は、テフロン製のスパイラルチューブ２９１で覆われている（スパイラルチューブ使用箇所２９０）。冷却水ライン２８０のフレキシブル配管は、留め具２９６によって回転用アーム２７４の側面に固定されている。
スパイラルチューブ２９１は、厚さ０．５ｍｍ程度、幅５〜６ｍｍ程度であり、端部は、留め具２９６の中に入れて固定されている。なお、スパイラルチューブ２９１は、金属製のフレキシブル配管よりも硬度の小さい材質とするのが好ましく、非金属性とするのがより好ましく、本実施形態ではテフロン製としている。これによりスパイラルチューブ２９１自体とフレキシブル配管との接触により金属パーティクルが発生するのを防止することができる。またスパイラルチューブ２９１は、耐熱性の材質とするのが更に好ましい。
【００２７】
駆動用エアライン２８７も回転用アーム２７４の側面に沿ったフレキシブル配管を通って設けられている。駆動用エアライン２８７のフレキシブル配管も留め具２９６によって回転用アーム２７４の側面に固定されている。
【００２８】
冷却水ライン２８０の近くには、回転用アーム２７４、炉口ゲートバルブ２４４、駆動用エアライン２８７、冷却水ライン２８０の金属部品２９５があるが、冷却水ライン２８０のフレキシブル配管は、テフロン製のスパイラルチューブ２９１で覆われているので、冷却水ライン２８０のフレキシブル配管同士や、冷却水ライン２８０のフレキシブル配管と周囲の金属部品２９５と干渉した際に発生する金属パーティクルを低減することができる。
【００２９】
なお、冷却水通路は、炉口ゲートバルブ２４４の他に、マニホールド２０９に具備しており（冷却水通路２８３）、またベースフランジ２７０に具備する場合もある（冷却水通路２８２）が、これらは、ロードロック室１０２外にあるため、これら冷却水通路にフレキシブル配管が接続され振動により配管同士がぶつかり、パーティクルが発生したとしてもパーティクルがウエハ２００に付着することはない。
【００３０】
図７は、テフロン製スパイラルチューブ２９１の有無によるパーティクルの状態を示す図である。テフロン製スパイラルチューブ２９１を設けることによって、パーティクルが顕著に減少していることがわかる。
【００３１】
冷却水ライン２８０のフレキシブル配管は、冷却水を流すことにより振動する。冷却水の供給量は１〜１．５Ｌ／ｍｉｎ程度である。冷却水の供給流量を小さくし、ゆっくり流すようにすれば振動しないと考えられるが、その場合、冷却が十分に行われなくなる。十分な冷却を行うには、ある程度の流量で冷却水を流す必要がある。なお、冷却水は装置稼働中、常に流れる。
【００３２】
冷却水ライン２８０の根元の部分は炉口ゲートバルブ２４４の開閉に伴い動くため、少なくとも根元の可動部分についてはフレキシブル配管としなければならない。根元の可動部分のみフレキシブル配管とし、その他の部分をストレート配管として配管の振動を抑制し、配管同士の衝突を避けるようにする事も考えられるが、フレキシブル配管とストレート配管との接合は難しく、手間もかかり、コストアップとなる。よって、冷却水ライン全体をフレキシブル配管とするのが好ましい。
【００３３】
次に、この一実施例においてウエハ２００を処理する方法について説明する。
ウエハ２００を移載室１３０に投入すると、ウエハ移載機１１２によりウエハ２００は、ロードロック室１０２に待機するボート２１７にチャージされる。
すべてのウエハチャージが終了すると、ロードロック室１０２と移載室１３０との間にあるロードロックドア１２３が閉じる。
炉口ゲートバルブ２４４が開き、炉口ゲートバルブ退避室２７１へ収納される。
ウエハ２００を載せたボート２１７が、シールキャップ２１９とともにボートエレベータ１２１によりロードロック室１０２から反応炉２０２へと導入される。
規定の位置までボートエレベータ１２１が上昇したら、シールキャップ２１９によって反応炉２０２は密閉される。
反応炉２０２でウエハ２００の所定の処理が終了すると、シールキャップ２１９とともに、ボートエレベータ１２１によって、ウエハ２００を載せたボート２１７が、反応炉２０２からロードロック室１０２へと下降する。
炉口ゲートバルブ退避室２７１に収納されている炉口ゲートバルブ２４４が閉じ、反応炉２０２は密閉される。
ウエハ移載機１１２により、ボート２１７上のウエハ２００は移載室１３０のカセットに戻される。
すべてのウエハ２００がボート２１７からカセットに戻されると、ロードロック室１０２と移載室１３０の間にあるロードロックドア１２３が閉じる。
【００３４】
図５は、本発明の一実施例の基板処理装置の変形例を説明するための概略部分縦断面図である。
上述した一実施例では、冷却水ライン２８０のフレキシブル配管をテフロン製のスパイラルチューブ２９１で覆っているが、図５に示すように、冷却水ライン２８０のフレキシブル配管間や冷却水ライン２８０のフレキシブル配管と金属部品２９５との間に接触防止部材２９２を設けても、冷却水ライン２８０のフレキシブル配管同士や、冷却水ライン２８０のフレキシブル配管と周囲の金属部品２９５と干渉した際に発生する金属パーティクルを低減することができる。なお、接触防止部材２９２は、スパイラルチューブ２９１と同様の材質とすることができる。
【００３５】
図６は、比較のための基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
図１、２に示すロードロックタイプの装置の場合、ロードロック室１０２の真空排気、窒素ガスパージに要する時間を短縮するため、ロードロック室１０２の容積を極力小さくする必要がある。そのためロードロック室１０２に連通する炉口ゲートバルブの退避室２７１（退避スペース）の容積も極力小さくする必要があり、退避室２７１の高さも制限される。よって、炉口ゲートバルブ２４４と共に退避室２７１に移動する冷却水ライン２８０は、退避室２７１との衝突を防ぐため、炉口ゲートバルブ２４４の厚みの範囲内に納める必要がある。これにより、冷却水ライン２８０同士のクリアランス、冷却水ライン２８０と周囲の金属部品とのクリアランスが狭くなり、冷却水ライン２８０が振動すると干渉が生じることとなる。なお、干渉防止のために、多くの箇所で冷却水ライン２８０を固定具によりしっかりと固定する事も考えられるが、クリアランスが狭すぎ、固定具では固定できない部分がどうしても生じてしまう。
【００３６】
また、冷却水ラインはロードロック室１０２内に設けられるため、真空雰囲気に晒されることとなる。よって、冷却水ライン２０８はその環境に耐え得る強度を有する必要があり、そのため本実施形態では金属製（ステンレス製）としている。なお、金属パーティクル防止のため、冷却水ライン自体をテフロン製とすることも考えられるが、真空雰囲気では強度上の問題でテフロンは使用できない。
【００３７】
これに対し、図６に示すオープンタイプの装置の場合、移載室１３１内は、大気雰囲気に維持され、真空排気や、窒素ガスパージは行わないため、移載室１３１の容積を極力小さくする必要はなく、それゆえ、炉口シャッタ２４８（ロードロックタイプの炉口ゲートバルブ２４４に相当）の退避スペースの容積、高さに制限はない。また、冷却水ライン２８０は真空雰囲気に晒されることもないため強度も要求されない。
以上のことから、本発明は特にロードロックタイプの装置において有効となる。
【００３８】
次に、図９を参照して、本実施例の基板処理装置の一例としての減圧ＣＶＤ処理炉を備える半導体製造装置についての概略を説明する。
【００３９】
筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、該カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、該カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取りつけられている。前記カセットエレベータ１１５の後側には、前記カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられ、該カセット棚１０９はスライドステージ１２２上に横行可能に設けられている。又、前記カセット棚の上方には前記カセット１００の載置手段としてのバッファカセット棚１１０が設けられている。更に、前記バッファカセット棚１１０の後側にはクリーンユニット１１８が設けられ、クリーンエアを前記筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００４０】
前記筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ該処理炉２０２の下側には、半円筒形状の気密室としてのロードロック室１０２が仕切弁としてのゲートバルブ２４４により連接され、該ロードロック室１０２の前面には前記カセット棚１０９と対向する位置に仕切手段としてのロードロックドア１２３が設けられている。前記ロードロック室１０２内には、基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を、前記処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が内設され、該ボートエレベータ１２１には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられ該ボート２１７を垂直に支持している。前記ロードロック室１０２と前記カセット棚１０９との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、該移載エレベータには搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。
【００４１】
以下、基板処理装置における一連の動作を説明する。図示しない外部搬送装置から搬送された前記カセット１００は、前記カセットステージ１０５に載置され、該カセットステージ１０５で該カセット１００の姿勢を９０°変換され、更に、前記カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及び、前記カセット移載機１１４の進退動作の協働により前記カセット棚１０９又は、前記バッファカセット棚１１０に搬送される。
【００４２】
前記ウエハ移載機１１２により前記カセット棚１０９から前記ボート２１７へ前記ウエハ２００が移載される。前記ウエハ２００を移載する準備として、前記ボート２１７が前記ボートエレベータ１２１により降下され、前記ゲートバルブ２４４により前記処理炉２０２が閉塞され、更に前記ロードロック室１０２の内部に前記パージノズル２３４から窒素ガス等のパージガスが導入される。前記ロードロック室１０２が大気圧に復圧された後、前記ロードロックドア１２３が開かれる。
【００４３】
前記水平スライド機構１２２は前記カセット棚１０９を水平移動させ、移載の対象となる前記カセット１００を前記ウェハ移載機１１２に対峙する様に位置決めする。前記ウェハ移載機は昇降動作、回転動作の協働により前記ウェハ２００を前記カセット１００より前記ボート２１７へと移載する。前記ウェハ２００の移載はいくつかの前記カセット１００に対して行われ、前記ボート２１７へ所定枚数ウェハの移載が完了した後、前記ロードロックドア１２３が閉じられ、前記ロードロック室１０２が真空引きされる。
【００４４】
真空引きが完了後に前記ガスパージノズル２３４よりガスが導入され、前記ロードロック室１０２内部が大気圧に復圧されると前記ゲートバルブ２４４が開かれ、前記ボートエレベータ１２１により前記ボート２１７が前記処理炉２０２内に装入され、該ゲートバルブ２４４が閉じられる。尚、真空引き完了後に前記ロードロック１０２内部を大気圧に復圧させず大気圧未満の状態で前記ボート２１７を前記処理炉２０２内に装入しても良い。前記処理炉２０２内で前記ウェハ２００に所定の処理が為された後、前記ゲートバルブ２４４が開かれ、前記ボートエレベータ１２１により前記ボート２１７が引き出され更に、前記ロードロック室１０２内部を大気圧に復圧させた後に前記ロードロックドア１２３が開かれる。
【００４５】
処理後の前記ウェハ２００は上記した作動の逆の手順により前記ボート２１７から前記カセット棚１０９を経て前記カセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
【００４６】
前記カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【００４７】
次に、図８を参照して、本実施例の基板処理装置の一例である半導体製造装置の減圧ＣＶＤ処理炉についての概略を説明する。
外管（以下アウターチューブ２０５）は例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管（以下インナーチューブ２０４）は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ２０５内に同心円状に配置されている。アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４の間の空間は筒状空間２５０を成す。インナーチューブ２０４の上部開口から上昇したガスは、筒状空間２５０を通過して排気管２３１から排気されるようになっている。
【００４８】
アウターチューブ２０５およびインナーチューブ２０４の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド２０９が係合され、このマニホールド２０９にアウターチューブ２０５およびインナーチューブ２０４が保持されている。このマニホールド２０９は保持手段（以下ヒータベース２５１）に固定される。アウターチューブ２０５の下端部およびマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下Ｏリング２２０）が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【００４９】
マニホールド２０９の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体（以下シールキャップ２１９）がＯリング２２０を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。シールキャップ２１９には、ガスの供給管２３２が貫通するよう設けられている。これらのガスの供給管２３２により、処理用のガスがアウターチューブ２０５内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管２３２はガスの流量制御手段（以下マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１）に連結されており、ＭＦＣ２４１はガス流量制御部１０３に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【００５０】
マニホールド２０９の上部には、圧力調節器（例えばＡＰＣ、Ｎ２バラスト制御器があり、以下ここではＡＰＣ２４２とする）及び、排気装置（以下真空ポンプ２４６）に連結されたガスの排気管２３１が接続されており、アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４との間の筒状空間２５０を流れるガスを排出し、アウターチューブ２０５内をＡＰＣ２４２により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段（以下圧力センサ２４５）により検出し、圧力制御部１０４により制御する。
【００５１】
シールキャップ２１９には、回転手段（以下回転軸２５４）が連結されており、回転軸２５４により、基板保持手段（以下ボート２１７）及びボート２１７上に保持されている基板（以下ウエハ２００）を回転させる。又、シールキャップ２１９は昇降手段（以下ボートエレベータ１２１）に連結されていて、ボート２１７を昇降させる。回転軸２５４、及びボートエレベータ１２１を所定のスピードにするように、駆動制御部１０５により制御する。
【００５２】
アウターチューブ２０５の外周には加熱手段（以下ヒータ２０７）が同心円状に配置されている。ヒータ２０７は、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段（以下熱電対２６３）により温度を検出し、温度制御部１０２により制御する。
【００５３】
図９に示した処理炉による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ１２１によりボート２１７を下降させる。ボート２１７に複数枚のウエハ２００を保持する。次いで、ヒータ２０７により加熱しながら、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管２３２に接続されたＭＦＣ２４１により予めアウターチューブ２０５内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ１２１により、ボート２１７を上昇させてアウターチューブ２０５内に移し、アウターチューブ２０５の内部温度を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ２０５内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウエハ２００を回転させる。同時にガスの供給管２３２から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ２０５内を上昇し、ウエハ２００に対して均等に供給される。
【００５４】
減圧ＣＶＤ処理中のアウターチューブ２０５内は、排気管２３１を介して排気され、所定の真空になるようＡＰＣ２４２により圧力が制御され、所定時間減圧ＣＶＤ処理を行う。
【００５５】
このようにして減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次のウエハ２００の減圧ＣＶＤ処理に移るべく、アウターチューブ２０５内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ１２１によりボート２１７を下降させて、ボート２１７及び処理済のウエハ２００をアウターチューブ２０５から取出す。アウターチューブ２０５から取出されたボート２１７上の処理済のウエハ２００は、未処理のウエハ２００と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ２０５内に上昇され、減圧ＣＶＤ処理が成される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施例の基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
【図２】本発明の一実施例の基板処理装置を説明するための概略横断面図である。
【図３】図２のＡＡ線矢視図である。
【図４】本発明の一実施例の基板処理装置を説明するための概略部分縦断面図である。
【図５】本発明の一実施例の基板処理装置の変形例を説明するための概略部分縦断面図である。
【図６】比較のための基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
【図７】テフロン製スパイラルチューブの有無によるパーティクルの状態を示す図である。
【図８】本発明の一実施例の基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
【図９】本発明の一実施例の基板処理装置を説明するための概略斜視図である。
【符号の説明】
【００５７】
１００…カセット
１０１…筐体
１０２…ロードロック室
１０５…カセットステージ
１０９…カセット棚
１１０…バッファカセット棚
１１２…ウエハ移載機
１１４…カセット移載機
１１５…カセットエレベータ
１１６…ゲートバルブ
１１８…クリーンユニット
１２１…ボートエレベータ
１２２…スライドステージ
１２３…ロードロックドア
１２４…搬送制御手段
１３０…移載室
１３１…移載室
２００…ウエハ
２０２…処理炉
２０４…インナーチューブ
２０５…アウターチューブ
２０７…ヒータ
２０９…マニホールド
２１７…ボート
２１９…シールキャップ
２２０…Ｏリング
２３１…排気管
２３２…ガス供給管
２４１…マスフローコントローラー
２４２…ＡＰＣ
２４４…ゲートバルブ
２４５…圧力センサ
２４６…真空ポンプ
２４８…炉口シャッタ
２５０…筒状空間
２５１…ヒータベース
２５４…回転軸
２６３…熱電対
２７０…ベースフランジ
２７１…炉口ゲートバルブ退避室
２７２…炉口ゲートバルブ回転機構
２７３…炉口ゲートバルブ駆動部回転軸
２７４…回転用アーム
２７８…炉口シャッタ退避位置
２８０…冷却水ライン
２８１…冷却水通路
２８２…冷却水通路
２８３…冷却水通路
２８７…駆動用エアライン
２９０…スパイラルチューブ使用箇所
２９１…スパイラルチューブ
２９２…接触防止部材
２９５…金属部品
２９６…留め具
２９７…継手
３００…主制御部
３０１…温度制御部
３０２…ガス流量制御部
３０３…圧力制御部
３０４…駆動制御部
【図１】
2006100354.tif 000003
【図２】
2006100354.tif 000004
【図３】
2006100354.tif 000005
【図４】
2006100354.tif 000006
【図５】
2006100354.tif 000007
【図６】
2006100354.tif 000008
【図７】
2006100354.tif 000009
【図８】
2006100354.tif 000010
【図９】
2006100354.tif 000011