(57)【要約】【課題】半導体基板上に検知電極を設けた電位測定装置において、検知電極の有する寄生容量を低減することである。【解決手段】測定対象物１０４と対向する位置に設置される誘電率ε１である半導体を用いた基板１００上に絶縁状態で形成された検知電極１０１と、測定対象物１０４と電極１０１間の結合容量を変調する容量変調手段１０２、１０３を有し、半導体基板１００には、誘電率の平均値ε２がε１未満の値を有する領域が設けられ、電極１０１は、誘電率の平均値ε２の領域の測定対象物１０４に対向する面上に形成されている。【選択図】図１
2006029796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象物と対向する位置に設置される誘電率ε１である半導体を用いた基板上に絶縁状態で形成された検知電極と、測定対象物と該電極間の結合容量を変調する容量変調手段を有し、該半導体基板には、誘電率の平均値ε２がε１未満の値を有する領域が設けられ、該電極は、該領域の測定対象物に対向する面上に形成されていることを特徴とする電位測定装置。
【請求項２】
前記半導体基板において、誘電率の平均値ε２の領域が絶縁体で形成されていることを特徴とする請求項１記載の電位測定装置。
【請求項３】
前記半導体基板において、誘電率の平均値ε２の領域が、該半導体基板を構成する半導体材料の酸化物、もしくは窒化物で形成されていることを特徴とする請求項２記載の電位測定装置。
【請求項４】
前記半導体基板において、誘電率の平均値ε２の領域が、有機化合物で形成されていることを特徴とする請求項２記載の電位測定装置。
【請求項５】
前記半導体基板において、誘電率の平均値ε２の領域が、異なる半導体材料で形成されていることを特徴とする請求項１記載の電位測定装置。
【請求項６】
前記半導体基板において、誘電率の平均値ε２の領域が、該半導体基板を構成する材料が多孔質状態になって形成されていることを特徴とする請求項１記載の電位測定装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電位測定装置と画像形成手段を備え、前記電位測定装置の検知電極を形成された面が前記画像形成手段の電位測定の対象となる面と対向して配置され、前記画像形成手段が電位測定装置の信号検出結果を用いて画像形成の制御を行うことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触型の電位測定装置、及びその電位測定装置を有する複写機、プリンタ等に適応可能な画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来における画像形成装置として、例えば、感光ドラムを有し、電子写真式によって画像形成を行う装置においては、常に安定した画質を得るために、どのような環境下でも感光ドラムの電位を均一に帯電しておく必要がある。このため、感光ドラムの帯電電位を電位測定装置を用いて測定し、その結果を利用して感光ドラムの電位を均一に保つようなフィードバック制御を行っている。
【０００３】
以下、従来の電位測定装置の動作について説明する。非接触式電位測定装置の第１の方式として、機械式交流電界誘導型と呼ばれる方法が、しばしば用いられる。この方式では、測定対象の表面の電位は、電位測定装置に内蔵される検知電極から取り出される電流ｉの大きさの関数であり、
ｉ＝ｄＱ／ｄｔ＝ｄ（Ｃ・Ｖ）／ｄｔ・・・・・・式（１）
という式で与えられる。ここで、Ｑは検知電極上に現れる電荷量、Ｃは検知電極と測定対象の間の結合容量、Ｖは測定対象の表面の電圧である。
【０００４】
また、この容量Ｃは
Ｃ＝Ａ・Ｓ／ｘ・・・・・・式（２）
という式で与えられる。ここで、Ａは比例定数、Ｓは検知電極の面積、ｘは検知電極と測定対象間の距離である。
【０００５】
検知電極上に現れる電荷量Ｑは非常に小さな値で、周囲に存在する雑音の影響を受けやすい。このため、微小なＱを正確に測定するために同期検波方式がしばしば用いられる。すなわち、こうした電位測定装置では、適当な手段で検知電極と測定対象間の容量Ｃの大きさを周期的に変調し、測定された信号から同じ周波数成分を検波することによって、必要な信号を得ている。
【０００６】
上記第１の方法の代表的な例としては、測定対象と検知電極間にフォーク形状のシャッターを挿入し、このシャッターを測定対象の表面と平行な方向に周期的に動かすことで、検知電極上に到達する測定対象からの電気力線を周期的に変調する態様で遮り、実効的に検知電極の面積Ｓを変化させることで、測定対象と検知電極間の静電容量Ｃの変調を実現しているものや、測定対象と対向する位置に開口部を有した金属のシールド材を配置し、フォークの形状をした振動素子の先端に検知電極を設け、検知電極の位置を上記開口部直下で平行に変化させて検知電極に達する測定対象からの電気力線の数を変調することで、静電容量の変調を行うものなどがある。
【０００７】
他方、近年、電子写真式画像形成装置を小型化するために、感光ドラムの小径化、ドラム周りの高密度化が必要とされ、電位測定装置も小型化、薄型化が求められている。しかしながら、前述の現状の機械式交流電界誘導型のセンサでは、センサ構造体の内部体積は、その殆どがフォーク状シャッター或いはフォーク状振動素子を振動させるための駆動機構等の組み立て部品によって占められている。従って、電位測定装置の小型化には、これら駆動機構の小型化が必須である。
【０００８】
そこで、Micro  Electro  Mechanical  System（ＭＥＭＳ）技術と呼ばれる半導体加工技術を利用して微細な機械構造を半導体基板上に形成する試みが報告されており、該技術を用いた機械式交流電界誘導型電位測定装置の報告もなされている。その典型的な例として、半導体加工技術で作製した微細な開口部を有するシャッター構造を検知電極の直上で振動させて、測定対象の電位の測定を試みるものがある（特許文献１参照）。
【０００９】
ＭＥＭＳ技術を用いて電位測定装置を作製した場合、電位を検出するための電極は、金属薄膜を半導体基板上に薄い絶縁膜を介して形成したものを用いる。この場合、この検知電極と半導体基板は、金属−絶縁体−半導体（ＭIＳ）接合を形成し、検知電極の面積、絶縁体の厚さ、及び半導体中の担体（キャリア）密度に応じて、容量成分を有するようになる。一般に半導体基板は電気的にアースに接地されているため、検知電極とアースの間に寄生容量成分が生じることとなる。
【００１０】
従来の機械式交流電界誘導型電位測定装置の概念的な概略図を、図８に示す。測定対象物５０５から放出される電気力線５０７は、チョッパー５０２の振動により変調を受けた後、検知電極５０１に到達する。この電気力線により、検知電極５０１上に誘導される電荷量が変調され、微小な交流電流が発生する。そして、この電流をアースに接地された高抵抗５０３で電圧に変換し、増幅器５０４で増幅した信号を測定に用いる。
【００１１】
また、後述する本発明の実施例の説明で用いる図１は、外観上、ＭＥＭＳ技術を用いて半導体基板上に作製された機械式交流電界誘導型電位測定装置の概略図でもある。図１において、平板状の半導体基板１００の表面上には信号検知電極１０１が形成されている。信号検知電極１０１の上部には、測定対象物１０４が設置されているが、検知電極１０１と測定対象物１０４の間に、周期的に振動するチョッパー１０２とチョッパーを振動させるための駆動機構１０３が、基板１００上に設置されている。そして、検知電極１０１からの信号は、電気配線１０５を通じて、回路１０６に送られる。
【００１２】
図２は、上で説明した図１の電位測定装置の検知電極１０１付近の断面詳細図である。半導体基板１００と検知電極１０１の間には、絶縁膜層２０１が形成されている（これは、Ｓｉなどの半導体の表面に半ば自然に形成される酸化膜である場合もある）。検知電極１０１は、電気配線２０２を通じて、信号増幅器２０４に接続されているが、電気配線２０２には、アースに接地された高抵抗２０３も接続されており、さらに、増幅器２０４の出力は信号検出回路２０５に接続されている。また、一般的に半導体基板を用いた素子ないし装置においては、素子を装着するための容器等を介して接地されており、図２の２０６の配線は、この働きを表すものである。
【００１３】
しかし、上述したように、検知電極１０１がアースとの間に寄生容量を有すると、検知電極１０１とアースの間には次式で表されるインピーダンスＺが生じる。
【００１４】
【数３】
2006029796.tif 000003
ここで、Ｒ’は検知電極１０１が形成されている半導体基板１００を介して発生する、検知電極１０１とアース間の抵抗、Ｃ’は寄生容量、ｆはチョッパーの機械的な振動周波数などである容量変調手段による容量変調周波数である。
【００１５】
図３は、図２の電気的な等価回路を表している。ここで、２０７、２０８はそれぞれ半導体基板１００を介して発生する、検知電極１０１とアース間の抵抗Ｒ’と、寄生容量Ｃ’を表しており、式（３）で記述されているものと同じものである。
【００１６】
一般的な機械式交流電界誘導型電位測定装置においては、用いられているチョッパーなどの変調周波数は、数百ヘルツ程度である。一方、ＭＥＭＳ技術を用いた電位測定装置では、微細加工技術を用いてチョッパーを形成するために、チョッパーを小型化することが可能で、一般的な機械式交流電界誘導型電位測定装置に比べて、チョッパーの振動周波数が高く、数ｋヘルツから数百ｋヘルツ程度のものがしばしば用いられる。
【特許文献１】米国特許第６，１７７，８００号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
この結果、式（３）中において、周波数ｆの値が一般的な従来のものと較べて数十倍から数百倍となり、その結果、検知電極−アース間のインピーダンスＺが低下し、一般的にはＺ＜Ｒとなってしまう。図３で示されるように、このインピーダンスＺは、増幅器２０４の前に設置された電流−電圧変換用の高抵抗Ｒとアースに対して並列の関係にある。このため、合成抵抗は、高抵抗Ｒの値のＺ／（Ｒ＋Ｚ）倍（＜１）となり、本来増幅器２０４に入力される検知信号電圧が減少してしまう。従って、検知電極を担う半導体基板及び測定対象物と検知電極間の結合容量を変調する容量変調手段を用いて電位測定装置を製造する際に、寄生容量Ｃ’を減らすことが重要となる。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題に鑑み、本発明の電位測定装置は、測定対象物と対向する位置に設置される誘電率ε１である半導体を用いた基板上に、該半導体基板と絶縁状態で形成された検知電極と、測定対象物と該電極間の結合容量を変調する容量変調手段を有し、該半導体基板には、誘電率の平均値ε２がε１未満の値を有する領域が設けられ、該電極は、該領域の測定対象物に対向する面上に形成されていることを特徴とする。容量変調手段としては、ねじりバネにより揺動可能に支持された揺動板を測定対象に対して揺動させて揺動板上に設けられた検知電極と測定対象との距離を変調する構成のものや、測定対象と固定基板上の検知電極の間で開口を持つシャッタを移動させて測定対象に対する検知電極の露出面積を変調する構成のものなどがある。
【００１９】
また、上記課題に鑑み、本発明の画像形成装置は、上記の電位測定装置と画像形成手段を備え、電位測定装置の検知電極の面が画像形成手段の電位測定の対象となる面と対向して配置され、画像形成手段が電位測定装置の信号検出結果を用いて画像形成の制御を行うことを特徴とする。画像形成手段は、複写機能、印刷機能、或いはファクシミリ機能などを有し得る。例えば、画像形成手段は、所定軸の回りに回転する感光ドラムを有し、該感光ドラム面上の帯電電位を電位測定装置を用いて測定する様に構成され得る。この画像形成装置でも、上記電位測定装置の特徴が生かされる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、半導体を用いた基板上に、該基板と絶縁状態で形成された検知電極と、測定対象物と電極間の結合容量を変調する容量変調手段を有する電位測定装置において、検知電極の有する寄生容量を低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態を説明する前に、本発明の原理を説明する。一般に、半導体基板上に絶縁されて設けられた検知電極が有する寄生容量Ｃ’は、次の式で与えられる。
【００２２】
【数４】
2006029796.tif 000004
ここで、Ｓは検知電極の面積、ｄｉ、εｉ、εｓ、Ｌ&shy;Ｄは、それぞれ検知電極と半導体基板との間に形成される薄い絶縁膜層の厚さ、薄い絶縁膜層の誘電率、検知電極直下の半導体部の誘電率、デバイ長を、それぞれ表す。デバイ長ＬＤは、半導体の分野では良く知られた数値であり、次式で与えられる。
【００２３】
【数５】
2006029796.tif 000005
ここで、ｋ、Ｔ，Ｂはそれぞれ、ボルツマン定数、絶対温度、比例定数である。従って、寄生容量Ｃ’は、次式のように表すことができる。
【００２４】
【数６】
2006029796.tif 000006
【００２５】
本発明では寄生容量Ｃ’を小さくするのであるが、その為の方法としての検知電極直下の部分の誘電率の平均値を小さくする方法は次の２通りがある。
(a)半導体部分の誘電率を小さくする。
(b)半導体部の一部を、半導体より小さな誘電率を有する絶縁体で置き換える。
【００２６】
(a)の場合は、式（６）より、検知電極直下の半導体部の誘電率εＳの値を、ε1（半導体基板のもともとの誘電率）からε2（ただし、ε2＜ε1）にすることにより、寄生容量Ｃ’の値は小さくなる。具体的な手法としては、基板を構成する半導体を、誘電率ε2を有する異なる半導体材料で置き換える方法か、後述するように、もとの半導体を多孔質構造にすることで実効的に誘電率を下げる方法がある。
【００２７】
一方、（b）の方法による場合は、検知電極直下の厚さｄ２の領域が誘電率ε2を有する絶縁体材料で置き換えられることになり、式（６）を次式のように変形することで説明できる。
【数７】
2006029796.tif 000007
ここで、ｄｉ’＝ｄｉ＋ｄ２・ε1／ε２であるため、ｄｉ’はｄｉよりも大きな値をとり、この場合でも、寄生容量Ｃ’を小さくすることが可能である。
【００２８】
以上の原理で検知電極の有する寄生容量を低減した本発明の一実施形態では、測定対象物と対向する位置に設置される半導体を用いた基板上に形成された電極と、測定対象物と該電極間の結合容量を変調する変調手段を備える電位測定装置において、例えば、単位体積あたりの誘電率の平均値ε２の値を有する領域を、該半導体基板を構成する半導体材料の酸化物、窒化物、もしくは有機化合物で形成する。さらには、前記半導体基板において、単位体積あたりの誘電率の平均値ε２の値を有する領域を、多孔質構造にすることで形成することも可能である。
【００２９】
酸化物、窒化物を用いる方法、有機化合物を用いる方法、或いは、多孔質構造を導入する方法により、検知電極下の誘電率を下げることができ、検知電極の有する寄生容量を小さくすることが可能となる。この検知電極からの信号は、検出回路にて、前記容量変調手段の変調周波数にて同期検波することになる。したがって、例えば、電位測定装置を小型化して機械的なチョッパー、揺動体などの振動周波数を上昇させたとしても、検知電極―アース間のインピーダンスの低下を抑制することができ、小型で性能の良い電位測定装置及び画像形成装置を実現することが可能となる。
【実施例】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明の具体的な実施例を詳細に説明する。
（実施例１）
本発明の第１の実施例を図１と図４に基づいて説明する。本実施例に係る電位測定装置の外観構成は、図１と同様である。また、図４において、図１乃至図３の符号と同じ符号は同様な部分ないし要素を示す。
【００３１】
図４は、第１の実施例の電位測定装置の基板１００の詳細な構造を示す。基板１００と検知電極１０１の間には、絶縁膜層２０１が形成されており（これは、前述したようにＳｉなどの半導体の表面に半ば自然に形成される酸化膜であってもよい）、さらに絶縁膜層２０１の直下には、一定の深さまで有機化合物が充填された領域３０１が形成されている。検知電極１０１からの接続は前述した通りであり、増幅器２０４の出力が、信号検出回路２０５にてチョッパー１０２の駆動振動数を用いて同期検波される。この信号検出回路２０５は、基板の主材料として、集積回路を形成することが可能な半導体基板を用いる場合には、基板１００上に構成することができる。
【００３２】
領域３０１中の有機化合物の誘電率ε２（厳密には単位体積あたりの誘電率の平均値）は、半導体基板１００の誘電率ε１よりも小さい値を有する為、検知電極１０１の有する寄生容量Ｃ’は、領域３０１が半導体基板のままである場合よりも、小さくすることができる。この結果、アースと検知電極１０１間のインピーダンスの減少を抑制することが可能となる。
【００３３】
実施例１を構成するのに好適な材料及び製造方法について説明する。半導体基板としては、シリコンを用いることが一般的である。この基板に、検知電極１０１の直下に相当する領域、すなわち３０１の領域を、ウェットエッチもしくはドライエッチといわれる方法で、孔を明け、その部分に、有機材料としてポリイミドを充填し、硬化させ、さらにその表面に、絶縁膜２０１及び検知電極１０１を成膜することで、所望の構成が得られる。
【００３４】
シリコンの誘電率は１１．９程度であるが、ポリイミドは３．２程度の誘電率を持つ。この結果、検知電極１０１に生じる寄生容量を低減することが可能である。シリコン基板を部分的に酸化させる方法を用いて、領域２０１にＳｉＯ２を形成することも可能である。動作については、前述した図１乃至図３を用いて説明した動作と本質的に同じである。
【００３５】
（実施例２）
本発明の第２の実施の形態を図５に基づいて説明する。第２の実施例では、半導体基板１００において、検知電極１０１及び絶縁膜２０１の直下の部分４０１を多孔質構造にすることを特徴としている。この場合、領域４０１の部分の誘電率の体積平均値ε２’は、次の式で表すことができる。
ε２’＝ε1・Ｐ・・・・・（式５）
ここで、ε１は半導体基板の誘電率、Ｐは領域４０１の充填率である。ただし、充填率Ｐとは、領域４０１全体の体積に対する、多孔質構造における空隙の部分を除いた材料の存在する部分の体積の割合を示している。
【００３６】
この場合、Ｐは１よりも小さい値を有するので、ε２’の値はε１よりも小さくなり、検知電極１０１の寄生容量の値の低減に効果がある。
【００３７】
実施例２を構成する材料としては、陽極酸化法を用いたシリコン基板が好適である。この場合、シリコン基板の所望の部分を陽極酸化法を用いて多孔質構造に加工し、その領域の上部に絶縁層薄膜２０１と検知電極１０１を形成すればよい。
【００３８】
（実施例３）
上記実施例ではチョッパーを用いて検知電極に到達する電気力線の数を変調していたが（上記式（２）でＳを変化させるのにあたる）、測定対象物と検知電極間の距離ｘを変調させても、上記式（２）から分かるように、結合容量を変化させられる。本発明の第３の実施例は、こうした方式を採用する実施例である。図６は、本実施例に係る電位測定装置の構成を示す。
【００３９】
図６は、電位センサを測定対象表面１２０１に対して配置した状態を表している。図６において、１２０２は電位測定装置を収めるケースであり、検知電極部分を除いて揺動体１１０４の上部を覆っている。これは導電性の材料で形成され、アースに接地されている。揺動体１１０４を支える支持基板１１００は、適切な装着冶具１２０３と１２０４によって、ケース１２０２に固定されている。この設置されたケース１２０２の存在により、揺動体１１０４とほぼ真正面で対向する測定対象表面１２０１の部分からのみ電気力線が検知電極１１１１と１１１２に達することになり、雑音成分を抑制できて精度良く電位測定ができる。また、支持基板１１００の中央部には開口部が形成され、開口部の中央中空部分には、平板状の揺動体１１０４の紙面垂直方向の手前と向こう側にある２本のねじりバネにより、揺動体１１０４が中心軸線Ｃの回りで揺動可能に支持されている。揺動体１１０４及び支持基板１１００は、半導体からなっている。
【００４０】
さらに、揺動体１１０４の上面には、絶縁膜（不図示）を介して、２個の同一形状の平板状の検知電極１１１１、１１１２が中心軸線Ｃに対して線対称に配置されていて、各検知電極の紙面垂直方向の手前と向こう側には電極用配線（これらも不図示）がそれぞれ設けられている。こうした検知電極の下に誘電率の小さくなった領域１２１１、１２１２が形成されており、この部分の構成は上記実施例で説明した通りである。揺動体１１０４が中心軸線Ｃの回りで揺動するとき、この上の検知電極１１１１、１１１２は逆相で測定対象表面１２０１に周期的に近づいたり遠ざかることになり、これにより後述の検知電極からの変調電流の差動増幅が可能となる。各検知電極は、ねじりバネの上に形成された電極用配線によって、支持基板１１００上に形成された取り出し電極とそれぞれ接続されており、例えば、支持基板１１００外部に設置された差動増幅器の反転入力接点と非反転入力接点に接続されている。これにより、検知電極からの変調電流が差動増幅されて、検出回路で上記実施例と同様に同期検波される。勿論、１つの検知電極のみを揺動体１１０４の上面に設けて（すなわち図６においてどちらかの検知電極を取り除く）、検知電極からの変調電流を差動増幅しないで上記実施例と同様に検知する構成にしてもよい。
【００４１】
この電位測定装置に、適切な揺動体駆動機構を加え、揺動体１１０４とねじりバネの形状、材料などを適切に選ぶことで、揺動体１１０４をねじりバネの中心軸線Ｃを回転中心として周期的に揺動させ、揺動体１１０４上の検知電極と測定対象表面１２０１の距離を周期的に変化させる。こうして、検知電極からの電流を変調させて、この電流を検出回路にて揺動体１１０４の揺動周波数にて同期検波することで、上記実施例と同様に、測定対象物１２０１の電位を検出することができる。揺動体１１０４を揺動させる揺動体駆動機構は、例えば、揺動体裏面に設けられる磁石と、交流電流を流すことで磁界を発生する外部のコイルである。
【００４２】
（実施例４）
図７は実施例４の画像形成装置を説明する図である。図７は、本発明による電位測定装置を用いた電子写真現像装置の感光ドラム周辺の模式図である。感光ドラム２１０８の周辺に、帯電器２１０２、電位センサ２１０１、露光機２１０５、トナー供給機２１０６が設置されている。帯電器２１０２で、ドラム２１０８の表面を帯電し、露光機２１０５を用いて感光ドラム２１０８表面を露光することで潜像が得られる。この潜像にトナー供給機２１０６によりトナーを付着させ、トナー像を得る。そして、このトナー像を転写物送りローラー２１０７と感光ドラム２１０８で挟まれた転写物２１０９に転写し、転写物上のトナーを固着させる。これらの工程を経て画像形成が達成される。
【００４３】
この構成において、ドラム２１０８の帯電状態を本発明の小型で高性能の電位センサ２１０１で測定し、信号処理装置２１０３で信号を処理し、例えば、高電圧発生器２１０４にフィードバックをかけて帯電器２１０２を制御することで、安定したドラム帯電が実現され、安定した画像形成が実現される。この際、感光ドラム２１０８の回転に同期して電位センサ２１０１の出力をモニタすることで、感光ドラム上の電位分布を計測でき、この計測された電位分布に基づき、感光ドラム２１０８に露光する光の量を制御するか、帯電器２１０２を制御することで、画像のムラを少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施例等における電位測定装置と測定対象との位置関係を示す斜視図である。
【図２】本発明を適用しない場合の、電位測定装置を構成する半導体基板上の検知電極の詳細を示した図である。
【図３】本発明を適用しない場合の、電位測定装置を構成する半導体基板上の検知電極の周りの等価回路図である。
【図４】本発明の第１の実施例において電位測定装置を構成する半導体基板上の検知電極の詳細を示した図である。
【図５】本発明の第２の実施例において電位測定装置を構成する半導体基板上の検知電極の詳細を示した図である。
【図６】本発明の第３の実施例における電位測定装置と測定対象との位置関係を示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施例の画像形成装置を説明する図である。
【図８】従来用いられている機械式交流電界誘導型電位測定装置の概念的な概略図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００、１１０４・・・・・・・・・半導体基板
１０１、１１１１、１１１２・・・・・・・・・検知電極
１０２、１０３・・・・・・・・・・容量変調手段（チョッパー、チョッパー駆動機構）
１０４、１２０１・・・・・・・・・・測定対象物
２０１・・・・・・・・・・絶縁膜
３０１、４０１、１２１１、１２１２・・・・・・・・・・誘電率を下げた領域
【図１】
2006029796.tif 000008
【図２】
2006029796.tif 000009
【図３】
2006029796.tif 000010
【図４】
2006029796.tif 000011
【図５】
2006029796.tif 000012
【図６】
2006029796.tif 000013
【図７】
2006029796.tif 000014
【図８】
2006029796.tif 000015