(57)【要約】【課題】固体撮像装置のカバーガラスを洗浄するにあたり、高い洗浄性能で、かつ、低コストとなる洗浄方法を提供する。【解決手段】表面に固体撮像素子が形成された固体撮像素子チップと、固体撮像素子チップに接合されるカバーガラスとが、固体撮像素子チップとカバーガラスとの間に設けられ、固体撮像素子を囲む形状の所定厚さのスペーサにより封止されてなる固体撮像装置を製造する際のカバーガラスの洗浄方法。表面にスペーサが形成されたカバーガラスを純水で洗浄する第１ウェット洗浄工程と、カバーガラスを酸素プラズマによりアッシングするドライ洗浄工程と、カバーガラスをＡＰＭ液で洗浄する第２ウェット洗浄工程と、を備える。【選択図】      図３
2006100735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの上面に多数の固体撮像素子を形成する工程と、
前記ウェーハに接合されるカバーガラス下面の前記固体撮像素子に対応する箇所に、個々の固体撮像素子を囲む形状の所定厚さの枠状のスペーサを形成する工程と、
前記ウェーハと前記カバーガラスとを位置合わせして前記スペーサを介して接合する工程と、
接合された前記ウェーハと前記カバーガラスとを個々の固体撮像素子に分割する工程と、
により製造される固体撮像装置の前記カバーガラスの洗浄方法において、
表面に前記スペーサが形成された前記カバーガラスを純水で洗浄する第１ウェット洗浄工程と、
ウェット洗浄後の前記カバーガラスを酸素プラズマによりアッシングするドライ洗浄工程と、
ドライ洗浄後の前記カバーガラスをＡＰＭ液で洗浄する第２ウェット洗浄工程と、
を備えることを特徴とするカバーガラスの洗浄方法。
【請求項２】
表面に固体撮像素子が形成された固体撮像素子チップと、
前記固体撮像素子チップに接合されるカバーガラスとが、
前記固体撮像素子チップと前記カバーガラスとの間に設けられ、前記固体撮像素子を囲む形状の所定厚さのスペーサにより封止されてなる固体撮像装置を製造する際の前記カバーガラスの洗浄方法において、
表面に前記スペーサが形成された前記カバーガラスを純水で洗浄する第１ウェット洗浄工程と、
ウェット洗浄後の前記カバーガラスを酸素プラズマによりアッシングするドライ洗浄工程と、
ドライ洗浄後の前記カバーガラスをＡＰＭ液で洗浄する第２ウェット洗浄工程と、
を備えることを特徴とするカバーガラスの洗浄方法。
【請求項３】
前記第１ウェット洗浄工程において、５０ｋＨｚ以下の超音波振動を印加する請求項１又は２に記載のカバーガラスの洗浄方法。
【請求項４】
前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液を４０〜９０°Ｃに管理し、９５０ｋＨｚ以上の超音波振動を印加する請求項１〜３のいずれか１項に記載のカバーガラスの洗浄方法。
【請求項５】
前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液のアンモニアと過酸化水素との容積配合比を０．１０〜０．３４とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のカバーガラスの洗浄方法。
【請求項６】
前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液の過酸化水素と水との容積配合比を０．０５〜０．３４とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のカバーガラスの洗浄方法。
【請求項７】
前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液による洗浄の後に、前記カバーガラスを５０ｋＨｚ以下の超音波振動を印加した純水で洗浄する請求項１〜６のいずれか１項に記載のカバーガラスの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カバーガラスの洗浄方法に関し、特に、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）タイプの固体撮像装置を製造する際のカバーガラスの洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラや携帯電話に用いられる、ＣＣＤやＣＭＯＳからなる固体撮像装置は、益々小型化が要求されている。このため、固体撮像素子チップ全体をセラミックス等のパッケージに気密封止した、従来の大型パッケージから、最近では、固体撮像素子チップの大きさと略等しい大きさの、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）タイプに移行しつつある。
【０００３】
このような中で、ウェーハ（半導体基板）上に多数形成された、各固体撮像素子の受光部を包囲する位置に対応させて、透明ガラス板にスペーサを形成するとともに、この透明ガラス板をスペーサ部分でウェーハに接着してウェーハとの間に空隙部を形成し、しかる後に透明ガラス板及びウェーハを、スクライブラインに沿ってダイシングし、個々の固体撮像装置に分離する方法が提案されている（たとえば、特許文献１〜３参照。）。
【０００４】
このような透明ガラス板にスペーサを形成する方法としては、フォトエッチングによるのが一般的である。図６は、このスペーサを形成する工程の断面図である。図６（ａ）において、透明ガラス板に該当するカバーガラス１２の表面にスペーサ１３となるウェーハを接着剤１３Ａを介して貼り合せ、次いで、このウェーハの表面にフォトレジストＲのパターンを形成する。
【０００５】
スペーサ１３となるウェーハとしては、たとえばシリコンウェーハが使用できる。フォトレジストＲのパターンは、レジストコート、フォトマスクを使用した露光、現像、ポストべーク等の工程を経て形成される。
【０００６】
次いで、図６（ｂ）において、ドライエッチングによりスペーサ１３となるウェーハ（シリコンウェーハ）の異方性エッチングを行い、スペーサ１３のパターンを形成する。この際、接着剤１３Ａは、耐エッチング性があるので、除去されていない。
【０００７】
次いで、図６（ｃ）において、アッシングを行い、フォトレジストＲのパターン及び露出している接着剤１３Ａを除去する。このようにして、カバーガラス１２の表面にスペーサ１３のパターンが形成される。
【特許文献１】特開平７−２０２１５２号公報
【特許文献２】特開２００２−２３１９２１号公報
【特許文献３】特開２００４−６８３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このようなスペーサの形成方法では、以下の不具合（欠点１〜欠点３）を生じる確率が高い。
【０００９】
欠点１として、清浄性不足が挙げられる。表面にスペーサ１３のパターンが形成されたカバーガラス１２において、撮像される画像に影響を及ぼす５μｍ以上の異物を全て除去する必要がある。ところが、上記の処理方法では、ドライエッチング残渣、環境に起因する異物等が充分には除去できず、固体撮像装置のカバーガラスとして、清浄性不足となりやすい。
【００１０】
欠点２として、接着剤跡が挙げられる。図７は、このような不具合を生じるメカニズムを説明するフロー図である。この図７は、図６に示されるカバーガラス１２のうち、個々の固体撮像素子チップの部分を拡大して示す部分断面図である。
【００１１】
このうち、図７（ａ）は、図６（ｂ）のスペーサ１３のパターンが形成されていない部分の拡大図である。図７（ａ）において、接着剤１３Ａの層の表面にあるのは、パーティクル等の異物３０、３０である。
【００１２】
図７（ｂ）において、フォトレジストＲ（図６（ｂ）参照）のパターン及び接着剤１３Ａの層の除去のためのアッシング（酸素プラズマアッシング）が行われる。ところが、図７（ｃ）に示されるように、パーティクル等の異物３０、３０があると、この異物３０、３０がアッシングの際のマスクとして作用し、この部分の接着剤１３Ａの除去が不十分となる。
【００１３】
そして、次工程である洗浄を経た後にも、残留した接着剤１３Ａが接着剤跡として残る。この接着剤跡は、固体撮像装置の品質を大きく低下させるので除去する必要があるものの、後で一般的な洗浄方法によって除去することは困難であり、大きな問題となっている。
【００１４】
欠点３として、スペーサ１３の剥離が挙げられる。既述の欠点１におけるドライエッチング残渣、環境に起因する異物等は有機物である。これに対し、有機物に作用する従来の一般的なウェット洗浄、たとえばＳＰＭ液（Ｈ2 ＳＯ4 ：Ｈ2 Ｏ2 の比率を４：１とした液）による洗浄を行うと、薬液の作用により有機物よりなるスペーサの接着剤にダメージを与え、スペーサ１３の剥離を生じやすい。
【００１５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）タイプの固体撮像装置のように、固体撮像素子チップ（ウェーハ）とカバーガラスとで構成された固体撮像装置のカバーガラスを洗浄するにあたり、上記の各欠点を排除するとともに、高い洗浄性能で、かつ、低コストとなるカバーガラスの洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明は、ウェーハの上面に多数の固体撮像素子を形成する工程と、前記ウェーハに接合されるカバーガラス下面の前記固体撮像素子に対応する箇所に、個々の固体撮像素子を囲む形状の所定厚さの枠状のスペーサを形成する工程と、前記ウェーハと前記カバーガラスとを位置合わせして前記スペーサを介して接合する工程と、接合された前記ウェーハと前記カバーガラスとを個々の固体撮像素子に分割する工程と、により製造される固体撮像装置の前記カバーガラスの洗浄方法において、表面に前記スペーサが形成された前記カバーガラスを純水で洗浄する第１ウェット洗浄工程と、ウェット洗浄後の前記カバーガラスを酸素プラズマによりアッシングするドライ洗浄工程と、ドライ洗浄後の前記カバーガラスをＡＰＭ液で洗浄する第２ウェット洗浄工程と、を備えることを特徴とするカバーガラスの洗浄方法を提供する。
【００１７】
また、本発明は、表面に固体撮像素子が形成された固体撮像素子チップと、前記固体撮像素子チップに接合されるカバーガラスとが、前記固体撮像素子チップと前記カバーガラスとの間に設けられ、前記固体撮像素子を囲む形状の所定厚さのスペーサにより封止されてなる固体撮像装置を製造する際の前記カバーガラスの洗浄方法において、表面に前記スペーサが形成された前記カバーガラスを純水で洗浄する第１ウェット洗浄工程と、ウェット洗浄後の前記カバーガラスを酸素プラズマによりアッシングするドライ洗浄工程と、ドライ洗浄後の前記カバーガラスをＡＰＭ液で洗浄する第２ウェット洗浄工程と、を備えることを特徴とするカバーガラスの洗浄方法を提供する。
【００１８】
本発明によれば、アッシングの前後にそれぞれ洗浄工程を設けたので、高い洗浄性能が得られる。特に、ＡＰＭ液を使用することにより、ガラス表面のゼータ電位が負の大きな値をとるため、異物の再付着が少ない。
【００１９】
本発明において、前記第１ウェット洗浄工程において、５０ｋＨｚ以下の超音波振動を印加することが好ましい。このような低周波の超音波振動を印加することにより、洗浄性が向上し、本発明の効果を一層発揮できる。
【００２０】
また、本発明において、前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液を４０〜９０°Ｃに管理し、９５０ｋＨｚ以上の超音波振動を印加することが好ましい。ＡＰＭ液をこのような温度に管理し、超音波振動を印加することにより、エッチング速度を大きくでき、洗浄時間の短縮が図れる。
【００２１】
また、本発明において、前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液のアンモニアと過酸化水素との容積配合比を０．１０〜０．３４とすることが好ましい。また、本発明において、前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液の過酸化水素と水との容積配合比を０．０５〜０．３４とすることが好ましい。このような配合比とすることにより、スペーサとしてのシリコンのエッチングレートを低くでき、これによりスペーサのアンダーカットを小さくできる。
【００２２】
また、本発明において、前記第２ウェット洗浄工程において、ＡＰＭ液による洗浄の後に、前記カバーガラスを５０ｋＨｚ以下の超音波振動を印加した純水で洗浄することが好ましい。このような工程を加えることにより、ＡＰＭ液による洗浄で除去しきれなかった異物の除去が容易に行える。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明のカバーガラスの洗浄方法によれば、アッシングの前後にそれぞれ洗浄工程を設けたので、高い洗浄性能が得られる。また、ＡＰＭ液を使用することにより、ガラス表面のゼータ電位が負の大きな値をとるため、異物の再付着が少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面に従って、本発明に係るカバーガラスの洗浄方法の好ましい実施の形態について詳説する。
【００２５】
図１及び図２は、本発明に係るカバーガラスの洗浄方法が適用されるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）タイプの固体撮像装置の外観形状を示す斜視図、及び要部断面図である。
【００２６】
固体撮像装置２１は、固体撮像素子１１Ａ、及び固体撮像素子１１Ａと電気的に接続するための複数の接続端子であるパッド１１Ｂ、１１Ｂ…が設けられた矩形状の固体撮像素子チップ１１Ｃと、固体撮像素子１１Ａを取り囲むように固体撮像素子チップ１１Ｃ上に取り付けられた枠形状のスペーサ１３と、このスペーサ１３の上に取り付けられて固体撮像素子１１Ａを封止するカバーガラス１２とからなる。
【００２７】
なお、固体撮像素子チップ１１Ｃは、後述する半導体基板（ウェーハ）が分割されたものである。また、スペーサ１３は、接着剤１３Ａを介してカバーガラス１２と、接着剤１３Ｂを介して固体撮像素子チップ１１Ｃと、それぞれ接合されている。
【００２８】
固体撮像素子１１Ａの製造には、一般的な半導体素子製造工程が適用される。固体撮像素子１１Ａは、ウェーハ（固体撮像素子チップ１１Ｃ）に形成された受光素子であるフォトダイオード、励起電圧を外部に転送する転送電極、開口部を有する遮光膜、層間絶縁膜、層間絶縁膜の上部に形成されたインナーレンズ、インナーレンズの上部に中間層を介して設けられたカラーフィルタ、カラーフィルタの上部に中間層を介して設けられたマイクロレンズ等で構成されている。
【００２９】
固体撮像素子１１Ａはこのように構成されているため、外部から入射する光がマイクロレンズ及びインナーレンズによって集光されてフォトダイオードに照射され、有効開口率が上がるようになっている。
【００３０】
パッド１１Ｂ、１１Ｂ…は、たとえば、導電性材料を用いて固体撮像素子チップ１１Ｃの上に印刷により形成されている。また、パッド１１Ｂと固体撮像素子１１Ａとの間も同様に印刷によって配線が施されている。
【００３１】
更に、固体撮像素子チップ１１Ｃを貫通する貫通配線２４が設けられており、パッド１１Ｂと外部接続端子２６との導通が取られている。
【００３２】
分割されて多数の固体撮像素子チップ１１Ｃとなるウェーハとしては、単結晶シリコンウェーハを用いるのが一般的である。
【００３３】
スペーサ１３は、無機材料、たとえば、シリコンで形成されている。すなわち、スペーサ１３の材質としては、ウェーハ（固体撮像素子チップ１１Ｃ）及びカバーガラス１２と熱膨張係数等の物性が類似した材質が望ましい。このため、スペーサ１３の材質としては、シリコンが好適である。
【００３４】
カバーガラス１２には、ＣＣＤのフォトダイオードの破壊を防止するために、透明なα線遮蔽ガラスが用いられている。
【００３５】
次に、本発明に係るカバーガラスの洗浄方法について説明する。図６（ｃ）は、既述したように、スペーサ付きカバーガラス１２の断面図である。図３は、本発明に係るカバーガラスの洗浄方法のフロー図、及びその際のカバーガラス１２の断面図であって、図６（ｃ）のスペーサ付きカバーガラス１２のうち、個々の固体撮像素子１１Ａに対応する部分を拡大して示す図である。図４は、ドライ洗浄と第２ウェット洗浄の条件を示す表である。
【００３６】
図３（ａ）において、ドライエッチングが行われる。このドライエッチング用の装置及び条件は、図４に示されるように、ＩＣＰ型のアッシング方式が採用され、酸素の流量は、９９．０ｓｃｃｍに調整され、プラテンの電力は、１００Ｗに設定される。ドライエッチング後のカバーガラス１２の断面は、（ａ）に示されるように、大きな異物Ｄ、Ｄ…と小さな異物ｄ、ｄ…が混在した状態にある。
【００３７】
次いで、図３（ｂ）において、第１ウェット洗浄が行われる。この第１ウェット洗浄は、接着剤１３Ａの層上の大きな（数十μｍ程度の）異物Ｄ、Ｄ…、すなわち、ドライエッチング残渣、環境に起因する異物等を除去する工程である。そして、図７で説明した、接着剤跡の生成を防止することを図る。
【００３８】
この第１ウェット洗浄は、純水超音波洗浄である。すなわち、洗浄液として常温（室温）の純水（超純水）が使用される。超音波の周波数は、３８ｋＨｚで、超音波の密度は０．５Ｗ／ｃｍ2 以上である。洗浄時間は、２分とする。第１ウェット洗浄後のカバーガラス１２の断面は、大きな異物Ｄ、Ｄ…が除去された状態となる。
【００３９】
次いで、図３（ｃ）において、温水（温純水）により引き上げ乾燥を行う。なお、他の公知の乾燥方法として、溶剤蒸気乾燥方法があるが、溶剤により接着剤１３Ａが溶解しやすいので好ましくない。
【００４０】
次いで、図３（ｄ）において、酸素プラズマによるドライ洗浄（アッシング）を行う。このアッシングは、スペーサ１３上のフォトレジストＲと、カバーガラス１２上の接着剤１３Ａを除去する工程である。カバーガラス１２上の接着剤１３Ａは、後工程（第２ウェット洗浄工程）で除去が困難であることより、このドライ洗浄（アッシング）において、完全に除去する必要がある。
【００４１】
このアッシング用の装置及び条件は、半導体の製造等に適用される公知の各種装置及び条件が採用できる。これにより、フォトレジストＲのパターン及び露出した接着剤１３Ａの層が除去され、カバーガラス１２の断面は、図３（ｄ）に示される状態となる。
【００４２】
次いで、図３（ｅ）において、第２ウェット洗浄工程であるＡＰＭ液を使用した洗浄（ＡＰＭ洗浄）を行う。この第２ウェット洗浄工程は、前工程（ドライ洗浄）で除去できなかったドライエッチング残渣、環境に起因する異物等をカバーガラス１２の表面から浮かせることを目的とする。すなわち、ＡＰＭ液によりカバーガラス１２の表面をライトエッチングする。
【００４３】
ＡＰＭ液（Ａｍｍｏｎｉａ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ  Ｍｉｘｔｕｒｅ）とは、米国ＲＣＡ社が提唱したＳｉウェーハの洗浄法（ＲＣＡ洗浄）に使用される洗浄液であり、アンモニア：過酸化水素：水の容積配合比を所定の値とした液である。この洗浄法は、有機性汚れ、及び付着粒子の除去に優れた洗浄法とされている。
【００４４】
好適な洗浄の条件の例が図４に示されている。すなわち、ＡＰＭ液としてアンモニア：過酸化水素：水の容積配合比＝１：４：２０とし、７０°Ｃ前後に温度管理する。そして印加する超音波の周波数は、９５０ｋＨｚで、超音波の密度は０．３Ｗ／ｃｍ2 である。洗浄時間は、８分とする。
【００４５】
本発明の特徴の一つは、既述したように、ＡＰＭ液のアンモニアと過酸化水素との容積配合比を０．１０〜０．３４（アンモニア：過酸化水素＝１０〜３４：１００）とすることにあり、ＡＰＭ液の過酸化水素と水との容積配合比を０．０５〜０．３４（アンモニア：水＝５〜３４：１００）とすることにある。
【００４６】
通常のＲＣＡ洗浄におけるＡＰＭ液は、アンモニア：過酸化水素：水の容積配合比＝１：１〜２：５〜７とするが、本発明においては、上記の値を採用した。このような配合比とすることにより、スペーサ１３としてのシリコンのエッチングレートを低くでき、これによりスペーサ１３のアンダーカットを小さくできる。この詳細については、後述する。
【００４７】
なお、第２ウェット洗浄工程において、既述したように、超音波を印加することにより、サイズが数μｍ程度の比較的小さな異物ｄを除去する効果も得られる。
【００４８】
次いで、図３（ｆ）において、純水超音波洗浄が行われるこの純水超音波洗浄は、ＡＰＭ液による洗浄で除去しきれなかった小さな異物ｄの除去する工程である。
【００４９】
この好適な洗浄の条件の例が図４に示される。すなわち、洗浄液として常温（室温）の純水（超純水）が使用される。超音波の周波数は、３８ｋＨｚで、超音波の密度は０．９Ｗ／ｃｍ2 である。洗浄時間は、２分とする。このような低周波数の超音波振動は、付着力が強い小さな異物ｄの除去に効果的である。また、純水（超純水）を使用することにより、この後にリンス工程を不要にできる。
【００５０】
このような工程を加えることにより、ＡＰＭ液による洗浄で除去しきれなかった小さな異物ｄの除去が容易に行える。
【００５１】
次いで、図３（ｇ）において、温純水乾燥による引き上げ乾燥が行われる。洗浄終了時の状態が図３（ｈ）に示されている。この状態では各種の異物Ｄ、Ｄ…、ｄ、ｄ…が完全に除去されている。
【００５２】
次に、本発明に係るカバーガラスの洗浄方法の作用について説明する。特に、ＡＰＭ液としてのアンモニア：過酸化水素：水の容積配合比、及び、ＡＰＭ洗浄後の純水超音波洗浄（図３（ｆ））の有無が及ぼす、異物Ｄ、Ｄ…、ｄ、ｄ…の除去性及びスペーサ１３の接着強度の関係について説明する。
【００５３】
図５は、乾燥工程を終了した後の、図３（ｈ）に示されるカバーガラス１２の拡大断面図であり、既述の図６（ｃ）に相当する。
【００５４】
このうち、図５（ａ）は、ＡＰＭ液としてアンモニア：過酸化水素：水の容積配合比＝１：１：５とし、ＡＰＭ洗浄後の純水超音波洗浄（図３（ｆ））を割愛した条件のものである。
【００５５】
図５（ｂ）は、ＡＰＭ液としてアンモニア：過酸化水素：水の容積配合比＝１：４：２０とし、ＡＰＭ洗浄後の純水超音波洗浄（図３（ｆ））を行った図３のフロー及び図４の条件のとおりのものである。
【００５６】
図５（ａ）においては、ＡＰＭ液によるスペーサ１３（シリコン）のエッチングレートが大きいので、スペーサ１３のアンダーカットの量も大きい。また、ＡＰＭ液によるカバーガラス１２のエッチングレートは、シリコン程ではないが、所定量あり、カバーガラス１２には所定量のアンダーカットが生じている。
【００５７】
その結果、スペーサ側実質接着剤幅と、ガラス側実質接着剤幅は、図（ａ）の矢印に示される幅になっている。したがって、このようなスペーサ１３のアンダーカットにより、スペーサ１３と接着剤１３Ａとの接着面積が減少し、スペーサ１３の剥離による欠損を生じやすい。
【００５８】
なお、ＡＰＭ液によるカバーガラス１２のエッチング量（エッチングレート×処理時間）が所定量あることにより、異物ｄ、ｄ…がカバーガラス１２の表面より除去（リフトオフ）されることになる。
【００５９】
図５（ｂ）においては、ＡＰＭ液によるスペーサ１３（シリコン）のエッチングレートが小さくなり、スペーサ１３のアンダーカットの量も小さくなる。また、ＡＰＭ液によるカバーガラス１２のエッチングレートは、図５（ａ）の条件より小さくなるが、その分、処理時間が長く採られており、エッチング量は図５（ａ）の条件と略同等である。したがって、カバーガラス１２のアンダーカットの量も図５（ａ）の条件と略同等である。
【００６０】
その結果、スペーサ側実質接着剤幅と、ガラス側実質接着剤幅は、図（ｂ）の矢印に示される幅になっており、図５（ａ）の条件より広幅になっている。したがって、スペーサ１３のアンダーカットにより、スペーサ１３と接着剤１３Ａとの接着面積が減少し、スペーサ１３の剥離による欠損を生じやすいという問題は生じない。この、スペーサ１３と接着剤１３Ａとの実質接着剤幅が、ガラス側実質接着剤幅より大きくとれることが重要である。
【００６１】
なお、ＡＰＭ液によるカバーガラス１２のエッチング量が図５（ａ）の条件と同等であることにより、異物ｄ、ｄ…がカバーガラス１２の表面より除去（リフトオフ）される効果のレベルも同等である。
【００６２】
更に、図５（ｂ）の条件では、ＡＰＭ洗浄後の純水超音波洗浄（図３（ｆ））を導入することにより、異物ｄ、ｄ…がカバーガラス１２の表面より除去（リフトオフ）される効果のレベルは向上している。
【００６３】
なお、図５（ｂ）の条件では、カバーガラス１２のアンダーカットが図５（ａ）の条件と同等であるが、ＡＰＭ液によるカバーガラス１２のエッチング量を減らすことにより、カバーガラス１２のアンダーカットの量を図５（ａ）の条件より減少させることもできる。これにより、カバーガラス１２と接着剤１３Ａとの接着面積が減少することはない。したがって、スペーサ１３の剥離による欠損を生じやすいという問題も生じない。
【００６４】
なお、この場合、ＡＰＭ液によるカバーガラス１２のエッチングレートが図５（ａ）の条件より小さくなることにより、異物ｄ、ｄ…がカバーガラス１２の表面より除去（リフトオフ）される効果のレベルも低下するが、ＡＰＭ洗浄後の純水超音波洗浄（図３（ｆ））が導入されており、異物ｄ、ｄ…がカバーガラス１２の表面より除去（リフトオフ）される効果のレベルを、図５（ａ）の条件と略同等とできる。
【００６５】
以上で説明した図５（ｂ）の条件（図３のフロー及び図４の条件）によれば、洗浄性能の維持と、スペーサ１３の接着強度の維持の両立が図れることとなる。
【００６６】
以上説明したように、本発明のカバーガラスの洗浄方法によれば、ドライ洗浄（アッシング工程）の前に、表面にスペーサ１３が形成されたカバーガラス１２を超音波を印加した純水で洗浄するので、接着剤１３Ａの表面の異物Ｄ、Ｄ…が除去できる。また、ドライ洗浄（アッシング工程）の後に、ＡＰＭ洗浄を行うので、異物ｄ、ｄ…がカバーガラス１２の表面より除去（リフトオフ）される。更に、ＡＰＭ洗浄の後に、カバーガラス１２を超音波を印加した純水で洗浄するので、ＡＰＭ洗浄で除去できなかった異物ｄ、ｄ…がカバーガラス１２の表面より除去される。
【００６７】
また、本発明のカバーガラスの洗浄方法によれば、ドライエッチング時に発生するスペーサ１３の側壁の針状の突起の除去も容易になるいう効果も得られる。これにより、スペーサ１３の側壁の形状が良好になるとともに、スペーサ１３からの発塵防止効果も得られる。
【００６８】
以上、本発明に係るカバーガラスの洗浄方法の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各種の態様が採り得る。
【００６９】
たとえば、上記実施形態において、ＡＰＭ液としてアンモニア：過酸化水素：水の容積配合比＝１：４：２０としているが、これ以外の配合比を採用しても、所定の効果が得られる。
【００７０】
すなわち、既述したように、ＡＰＭ液のアンモニアと過酸化水素との容積配合比を０．１０〜０．３４とし、ＡＰＭ液の過酸化水素と水との容積配合比を０．０５〜０．３４とすることにより、スペーサ１３のアンダーカットを小さくできる。
【００７１】
また、超音波印加の条件は、図４に示される値に限定されるものではなく、これ以外の各種条件（周波数、超音波密度、洗浄時間、等）が採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明に係るカバーガラスの洗浄方法が適用される固体撮像装置の斜視図
【図２】本発明に係るカバーガラスの洗浄方法が適用される固体撮像装置の要部断面図
【図３】本発明に係るカバーガラスの洗浄方法のフロー図、及びその際のカバーガラスの断面図
【図４】第１ウェット洗浄とアッシング後洗浄の条件を示す表
【図５】ＡＰＭ液の配合率等の影響を示すカバーガラスの断面図
【図６】スペーサを形成する工程の断面図
【図７】スペーサの形成において不具合を生じるメカニズムを説明するフロー図
【符号の説明】
【００７３】
１１…ウェーハ（基板）、１１Ａ…固体撮像素子、１１Ｂ…パッド、１１Ｃ…固体撮像素子チップ、１２…カバーガラス、１３…スペーサ、１３Ａ…接着剤、２１…固体撮像装置、３０、Ｄ、ｄ…異物、Ｒ…フォトレジスト
【図１】
2006100735.tif 000003
【図２】
2006100735.tif 000004
【図３】
2006100735.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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