(57)【要約】【課題】挿入損失の改善を図った弾性表面波素子、およびかかる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、基板２と、基板２上に順に積層された圧電体層３および絶縁層４と、絶縁層４上に設けられた入力用の櫛歯電極５および出力用の櫛歯電極６とを有している。絶縁層４は、圧電体層３と櫛歯電極５、６との間に設けられている。絶縁層４は、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有している。絶縁層４を構成する物質は、圧電体層３を構成する物質の結晶系とほぼ等しい結晶系を有するものである。絶縁層４は、主として、一定の配向性を有する窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムで構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主として圧電材料で構成された圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられ、電気信号を弾性表面波に変換する機能および／または弾性表面波を電気信号に変換する機能を有する櫛歯電極とを備える弾性表面波素子であって、
前記圧電体層と前記櫛歯電極との間に、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有する絶縁層を有することを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
前記絶縁層を構成する物質は、前記圧電体層を構成する物質の結晶系とほぼ等しい結晶系を有するものである請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記絶縁層は、主として、一定の配向性を有する酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムで構成されている請求項１または２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記絶縁層の平均厚さは、６０ｎｍ以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記圧電体層の前記絶縁層と反対側に、基板を有し、
前記基板は、ダイヤモンド、窒化ホウ素、サファイヤ、シリコン、水晶、石英、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
前記圧電体層は、酸化亜鉛、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の弾性表面波素子を製造する弾性表面波素子の製造方法であって、
前記圧電体層上に、金属材料層を形成し、該金属材料層に対してエッチングを施すことにより、前記櫛歯電極を形成するに際し、
前記金属材料層の形成に先立って、前記圧電体層上に、前記エッチングに対する耐性を有する前記絶縁層を、該絶縁層を構成する物質を結晶成長させることにより形成することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通信分野におけるキーデバイスの一つとして、弾性表面波素子（Suface Accoustic Wave Device：ＳＡＷデバイス）がある。
ＳＡＷデバイスとは、圧電材料を利用し、高周波信号を表面弾性波に変換し、再度高周波信号に変換する過程で、特定の周波数が選び出される現象を利用した素子であり、携帯電話に代表される移動体通信機器や、その他、各種センサ、タッチパネル等の通信機器に適用される。
【０００３】
このＳＡＷデバイスとして、基材上に圧電膜、金属材料で構成されたＩＤＴ（Interdigital Tranceducer）（以下、電極）を順次積層した構成のものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
通常、電極は、圧電膜上に金属材料層を形成した後、該金属材料層に対してエッチングを施すことにより形成される。
【０００４】
しかしながら、かかる構成のＳＡＷデバイスでは、電極を形成する際に、圧電膜もエッチングされてしまい、圧電体層の厚さが変化するだけでなく、圧電体層の質が劣化し、弾性表面波の伝搬損失が増大し、弾性表面波素子の挿入損失が増大するという問題があった。
このような問題を解決するため、圧電膜上にＳｉＯ２膜を形成し、圧電膜を保護する試みがなされている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
ところが、このように結晶性のないアモルファス状のＳｉＯ２やＳｉＮなどを形成した場合、圧電膜の結晶情報が電極材料の結晶系に十分に伝達されないため、電極の金属材料の結晶性をコントロールできない問題があった。その結果、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションにより、容易に電極が断線し、ＳＡＷデバイスの挿入損失が大きくなり、寿命や耐電力性が著しく低下するといった問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−０５１２４８号公報
【特許文献２】特開平１１−２７４８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の弾性表面波素子は、主として圧電材料で構成された圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられ、電気信号を弾性表面波に変換する機能および／または弾性表面波を電気信号に変換する機能を有する櫛歯電極とを備える弾性表面波素子であって、
前記圧電体層と前記櫛歯電極との間に、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有する絶縁層を有することを特徴とする。
これにより、櫛歯電極を形成する際に、圧電体層がエッチングされるのを防止することができ、その結果、圧電体層の品質が維持され、低い挿入損失を実現することができる。さらに、一定の配向性を有する櫛歯電極を容易に形成することができる。このような一定の配向性を有する櫛歯電極は、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに強いため、電力を大きく印加したときの、周波数ずれや挿入損失が大きくなることがなくなる。
【０００９】
本発明の弾性表面波素子では、前記絶縁層を構成する物質は、前記圧電体層を構成する物質の結晶系とほぼ等しい結晶系を有するものであることが好ましい。
これにより、圧電体層の結晶情報をより効果的に櫛歯電極の結晶系に伝達することができ、櫛歯電極の結晶の配向性を容易に所望のものとすることができる。
本発明の弾性表面波素子では、前記絶縁層は、主として、一定の配向性を有する酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムで構成されていることが好ましい。
これにより、絶縁層は、高い絶縁性を有するとともに、高い結晶性を持つものとなる。その結果、絶縁層上の櫛歯電極の結晶の配向性をより容易に所望のものとすることができる。
【００１０】
本発明の弾性表面波素子では、前記絶縁層の平均厚さは、本来は波長に対して規定されるべきものであるが、２．５ＧＨｚにて弾性表面波素子の波長は４μｍ、それに対して、１／２０以下の大きさであれば十分である。絶対値なら６０ｎｍ以下であればよい。
これにより、櫛歯電極を形成する際に、圧電体層がエッチングされるのをより確実に防止することができ、その結果、圧電体層の品質が維持され、低い挿入損失を実現することができる。
【００１１】
本発明の弾性表面波素子では、前記圧電体層の前記絶縁層と反対側に、基板を有し、
前記基板は、ダイヤモンド、窒化ホウ素、サファイヤ、シリコン、水晶、石英、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、弾性表面波の伝搬速度を向上させることができる。
【００１２】
本発明の弾性表面波素子では、前記圧電体層は、酸化亜鉛、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、弾性表面波素子の電気機械結合係数をより高いものとすることができる。その結果、損失の少ない良好な弾性表面波素子を提供することができる。
【００１３】
本発明の弾性は表面素子の製造方法は、本発明の弾性表面波素子を製造する弾性表面波素子の製造方法であって、
前記圧電体層上に、金属材料層を形成し、該金属材料層に対してエッチングを施すことにより、前記櫛歯電極を形成するに際し、
前記金属材料層の形成に先立って、前記圧電体層上に、前記エッチングに対する耐性を有する前記絶縁層を、該絶縁層を構成する物質を結晶成長させることにより形成することを特徴とする。
これにより、櫛歯電極を形成する際に、圧電体層がエッチングされるのを防止することができ、その結果、圧電体層の品質が維持され、低い挿入損失を実現することができる。さらに、一定の配向性を有する櫛歯電極を容易に形成することができる。このような一定の配向性を有する櫛歯電極は、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに強いため、電力を大きく印加したときの、周波数ずれや挿入損失が大きくなることがなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の弾性表面波素子の好適な実施形態について説明する。
図１は、本発明の弾性表面波素子を示す平面図、図２は、図１に示す弾性表面波素子の断面図である。
各図に示す弾性表面波素子１は、トランスバーサル型構造の弾性表面波素子であり、基板２と、基板２上に順に積層された圧電体層３および絶縁層４と、絶縁層４上に設けられた入力用の櫛歯電極（ＩＤＴ）５および出力用の櫛歯電極（ＩＤＴ）６とを有している。
【００１５】
基板２の構成材料としては、ダイヤモンド、窒化ホウ素、サファイヤ、シリコン、水晶、石英、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種または２種以上を用いることができる。これにより、弾性表面波の伝搬速度を向上させることができる。
また、基板２は、複数の層の積層体で構成されたものでもよく、この場合、各層は、前述したような材料で構成することができる。
【００１６】
圧電体層３は、主として圧電材料で構成されている。
この圧電材料としては、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）のうちの少なくとも１種を主とするものを用いるのが好ましい。このような材料で圧電体層３を構成することにより、弾性表面波素子１の電気機械結合係数をより高いものとすることができる。その結果、損失の少ない良好な弾性表面波素子１とすることができる。
【００１７】
絶縁層４は、圧電体層３と後述するＩＤＴ５、６との間に設けられている。
絶縁層４は、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有している。
ところで、後述するようなＩＤＴ（電極）は、通常、圧電体層上に金属材料層を形成した後、該金属材料層に対してエッチングを施すことにより形成される。しかしながら、かかる構成の弾性表面波素子では、ＩＤＴを形成する際に、圧電体層もエッチングされてしまい、圧電体層の厚さが変化するだけでなく、圧電体層の品質が劣化し、弾性表面波の伝搬損失が増大し、弾性表面波素子の挿入損失が増大するという問題があった。
【００１８】
このような問題を解決するため、圧電体層上にＳｉＯ２膜を形成し、圧電体層を保護する試みがなされているが、このように結晶性のないアモルファス状のＳｉＯ２やＳｉＮなどを形成した場合、圧電体層の結晶情報が電極材料の結晶系に十分に伝達されないため、電極を構成する金属材料の結晶性をコントロールできない問題があった。その結果、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションにより、容易に電極が断線し、弾性表面波素子の挿入損失が大きくなり、寿命や耐電力性が著しく低下するといった問題があった。
【００１９】
本発明では、このように圧電体層と櫛歯電極との間に、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有する絶縁層を設けることにより、後述するようにＩＤＴをエッチングにより形成する際に、圧電体層がエッチングされるのを防止することができ、その結果、圧電体層の品質が維持され、低い挿入損失を実現することができることがわかった。さらに、一定の配向性を有する櫛歯電極を容易に形成することができることがわかった。また、このような一定の配向性を有する櫛歯電極は、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに強いため、電力を大きく印加したときの、周波数ずれや挿入損失が大きくなることがなくなることがわかった。また、このような絶縁層を設けることにより、櫛歯電極を、所望の線幅のものとすることができ、その結果、従来より低い挿入損失かつ高寿命な電極を持つ弾性表面波素子を高歩留まりで実現することができる。
このような絶縁層４を構成する材料（物質）は、圧電体層３を構成する材料の結晶系とほぼ等しい結晶系を有しているのが好ましい。これにより、圧電体層３の結晶情報をより効果的にＩＤＴの結晶系に伝達することができ、ＩＤＴ５、６の結晶の配向性を容易に所望のものとすることができる。
【００２０】
また、絶縁層４を構成する材料としては、一定の配向性を有する酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを用いるのが好ましい。これにより、絶縁層４は、高い絶縁性を有するとともに、高い結晶性を持つものとなる。その結果、絶縁層４上のＩＤＴ５、６の結晶の配向性をより容易に所望のものとすることができる。また、例えば、圧電体層３を構成する材料として酸化亜鉛を用いた場合、酸化亜鉛と窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウム、点群というと６ｍｍ、つまり、同じ結晶系（六方晶）であるため、圧電体層３の結晶情報をより確実にＩＤＴ５、６の結晶系に伝達することができる。
【００２１】
絶縁層４の平均厚さは、６０ｎｍ以下であるのが好ましく、５〜１０ｎｍであるのがより好ましい。これにより、ＩＤＴ５、６を形成する際に、圧電体層３がエッチングされるのをより確実に防止することができ、その結果、圧電体層３の品質が維持され、低い挿入損失を容易に実現することができる。
また、絶縁層の平均厚さをｈとし、表面弾性波の波数をｋとしたときに、ｋとｈとの積が０．００３〜０．１であるのが好ましい。これにより、弾性表面波素子１の表面弾性波の伝搬速度、電気機械結合係数および周波数温度特性を良好なものとすることができる。
【００２２】
ＩＤＴ（入力側電極）５は、電気信号印加により圧電体層３に歪みを生じさせ、弾性表面波を発生させる機能を有するものであり、一方、ＩＤＴ（出力側電極）６は、圧電体層３を伝搬する弾性表面波を検出し、弾性表面波を電気信号に変換して外部に出力する機能を有するものである。
各ＩＤＴ５、６は、それぞれ、電極指５１、６１を有する櫛歯形状をなす一対の櫛歯電極で構成されており、櫛歯電極の電極指５１、６１の幅、間隔、厚さ等を調整することにより、弾性表面波の発振周波数の特性を所望のものに設定することができる。
【００２３】
各ＩＤＴ５、６の構成材料としては、それぞれ、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｙ、Ｐｂ、Ｓｃ、Ｃｒまたはこれらを含む合金等の金属材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば積層体として）用いることができる。特に、絶縁層４の構成材料として窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを用いた場合、ＩＤＴ５、６を構成する材料としてＡｌを用いるのが好ましい。これにより、後述するように絶縁層４上にＩＤＴ５、６を形成する際に、絶縁層４上により容易に結晶成長させることができる。また、後に詳述するように、絶縁層４とＩＤＴ５、６とを連続して形成することができ、生産性が向上する。
【００２４】
なお、ＩＤＴ５、６の上面には、温度補償膜が設けられていてもよい。この温度補償膜は、温度特性を改善させる機能を有するものである。この温度補償膜を構成する材料としては、小さい周波数温度係数を有する点から、ＳｉＯ２が好適に用いられる。また、このような温度補償膜は、各ＩＤＴ５、６の上面に異物が付着するのを防止し、異物を介した電極指５１、６１間のショートを防ぐ機能も有している。
以上のような弾性表面波素子１は、次のようにして製造することができる。
図３は、図１および図２に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図（断面図）である。
【００２５】
［１］  圧電体層形成工程
まず、図３（ａ）に示すように、基板２上に圧電体層３を形成する。
圧電体層３の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射、シート状部材の接合等を用いることができる。
【００２６】
［２］  絶縁層形成工程
次に、図３（ｂ）に示すように、圧電体層３上に絶縁層４を形成する。
絶縁層４を形成する方法としては、結晶成長により形成する方法であれば、特に限定されず、例えば、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合等を用いることができる。
【００２７】
［３］  金属材料層工程
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁層４上に、金属材料層５０を形成する。
この金属材料層５０は、後述する工程においてエッチングを施すことにより、櫛歯電極５、７となる層である。
この金属材料層５０は、例えば、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合等を用いて結晶成長させることにより形成することができる。
【００２８】
［４］  ＩＤＴ形成工程
次に、図３（ｄ）に示すように、金属材料層５０上に、ＩＤＴ５、６に対応する形状のマスク７を形成し、このマスク７を用いてエッチングを施すことにより、図１、２に示すようなＩＤＴ５、６を得る。
このとき、圧電体層３とＩＤＴ５、６との間には、前述した耐エッチング性の絶縁層４が存在するため、圧電体層３がエッチングされるのを防止することができる。その結果、圧電体層の品質が維持され、低い挿入損失を実現することができる。さらに、一定の配向性を有する櫛歯電極を容易に形成することができる。また、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに強く、耐電力性に優れた弾性表面波素子１を得ることができる。
なお、マスク７の形成には、フォトリソグラフィ法等いずれのものを用いてもよい。
【００２９】
また、エッチングには、例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチングもしくはウェットエッチング等を用いることができる。
以上のような工程を経て、図３（ｅ）に示すように、本発明の弾性表面波素子１が製造される。この弾性表面波素子１の電気的特性は、例えば、ネットワークアナライザ等を用いることにより確認することができる。
【００３０】
以上、本発明の弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の弾性表面波素子を構成する各層の間には、任意の目的の中間層が設けられていてもよい。ただし、伝播損失や電界などの影響を小さくするために、膜厚は波長の１／２０以下であることが必要である。
【実施例】
【００３１】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
（実施例）
まず、シリコン層（平均厚さ：１０００μｍ）と、多結晶ダイヤモンド層（平均厚さ：２０μｍ）とで構成された基板を用意した。
次に、基板上に、ＲＦスパッタリング法により酸化亜鉛を被着させ、圧電体層（平均厚さ：５２５ｎｍ）を形成した。なお、ＲＦスパッタリングは、ＲＦスパッタリングパワー：１．０ｋＷ、反応ガス：アルゴン（流量：５０ｓｃｃｍ）および酸素（流量：５０ｓｃｃｍ）、ガス圧力（雰囲気圧）：０．５Ｐａ、成膜温度：５００℃の条件で行った。
【００３２】
次に、この圧電体層上に、ＤＣスパッタリング法により窒化アルミニウムを被着させ、絶縁層（平均厚さ：１０ｎｍ）を形成した。なお、ＤＣスパッタリングは、ＤＣスパッタリングパワー：１．０ｋＷ、反応ガス：アルゴン（流量：５０ｓｃｃｍ）および窒素（流量：５０ｓｃｃｍ）、ガス圧力（雰囲気圧）：０．５Ｐａ、成膜温度：５００℃の条件で行った。
【００３３】
次に、この絶縁層上に、ＤＣスパッタリング法によりアルミニウムを被着させ、金属材料層（平均厚さ：４２ｎｍ）を形成した。なお、ＤＣスパッタリングは、ＤＣスパッタリングパワー：１．０ｋＷ、反応ガス：アルゴン（流量：５０ｓｃｃｍ）、ガス圧力（雰囲気圧）：１．０Ｐａ、成膜温度：室温の条件で行った。また、金属材料層は、絶縁層を形成した後、雰囲気ガスを排気し、その後、アルゴンを導入してアルゴン雰囲気にすることにより、同一の装置内で連続して形成した。
【００３４】
次に、金属材料層上に、フォトリソグラフィ法により、図１に示す各ＩＤＴの形状に対応する形状のレジスト層を形成した。このレジスト層をマスクに用いて、リン酸濃度３％のエッチング液を用いてエッチングを施し、金属材料層の不要部分を除去する。これにより、ＩＤＴが形成された。なお、得られたＩＤＴの幅は、０．９２μｍであった。また、顕微鏡で観察したところ、圧電体層にダメージがないことが確認された。
【００３５】
次に、このＩＤＴおよび絶縁層上に、ＲＦスパッタリング法によりＳｉＯ２を被着させ、ＳｉＯ２層（平均厚さ：４５５ｎｍ）を形成した。なお、ＲＦスパッタリングは、ＲＦスパッタリングパワー：１．０ｋＷ、反応ガス：アルゴン（流量：５０ｓｃｃｍ）および酸素（流量：５０ｓｃｃｍ）、ガス圧力（雰囲気圧）：１．０Ｐａ、成膜温度：室温の条件で行った。
以上のようにして、弾性表面波素子が製造された。
【００３６】
（比較例１）
圧電体層上に、絶縁層を設けず、圧電体層と接触して金属材料層を形成した以外は、前記実施例と同様にして弾性表面波素子を製造した。
（比較例２）
圧電体層上に、絶縁層の代わりに、ＲＦスパッタリング法によりＳｉＯ２膜（４００ｎｍ）を形成した以外は、前記実施例と同様にして弾性表面波素子を製造した。なお、ＲＦスパッタリングは、ＲＦスパッタリングパワー：１．０ｋＷ、反応ガス：アルゴン（流量：５０ｓｃｃｍ）および酸素（流量：５０ｓｃｃｍ）、ガス圧力（雰囲気圧）：１．０Ｐａ、成膜温度：室温の条件で行った。
【００３７】
[評価]
実施例および各比較例で作製した弾性表面波素子のフィルタ特性をベクトルネットワークアナライザ（ＨＰ８７５３ｃ）を使って、Ｓパラメータの測定から、挿入損失を評価した。なお、入力側電極に高周波を印加して弾性表面波素子を励起させ、電力の透過特性を示すＳ２１を測定し、Ｓ２１から挿入損失を求めた。また、耐電力についても測定を行い、８０℃の恒温槽内に素子を入れ、２００時間で、挿入損失が０．５ｄＢ悪くなる、入力電力、すなわち、耐電力について試験を行った結果も同時に、表１に示す。
【００３８】
【表１】
2006135443.tif 000003
【００３９】
表１に示すように、実施例の弾性表面波素子（本発明の弾性表面波素子）は、各比較例の弾性表面波素子に比べて、挿入損失の改善が図られた。また、耐電力性についても飛躍的に向上し、本特許の有効性が認められた。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の弾性表面波素子を示す平面図である。
【図２】図１に示す弾性表面波素子の断面図である。
【図３】図１および図２に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図（断面図）である。
【符号の説明】
【００４１】
１……弾性表面波素子  ２……基板  ３……圧電体層  ４……絶縁層  ５、６……櫛歯電極（ＩＤＴ）  ５１、６１……電極指  ７……マスク  ５０……金属材料層
【図１】
2006135443.tif 000004
【図２】
2006135443.tif 000005
【図３】
2006135443.tif 000006