(57)【要約】【課題】  小型でありながら、低挿入損失でかつ高アイソレーション特性を同時に満足するフィルタ特性を持つ分波器を提供する。【解決手段】  共通端子１２に接続される送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１と、送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に接続されるリアクタンス回路１８とを有し、リアクタンス回路１８は、絶縁体基板２１と絶縁体基板２１の表面に直接形成された集中定数型の複数のインダクタ２２、２３とキャパシタ２４とを含む分波器。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通端子に接続される送信用フィルタ及び受信用フィルタと、該送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に接続されるリアクタンス回路とを有し、該リアクタンス回路は、絶縁体基板と該絶縁体基板の表面に直接形成された集中定数型の複数のインダクタと少なくとも１つのキャパシタとを含むことを特徴とする分波器。
【請求項２】
共通端子に接続される送信用フィルタ及び受信用フィルタと、該送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に接続される位相整合用のリアクタンス回路とを有し、該リアクタンス回路は、絶縁体基板と該絶縁体基板の表面に直接形成された集中定数型のインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方とを含み、前記リアクタンス回路とは別に、前記送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に設けられるインダクタも前記絶縁体基板の表面に直接形成されていることを特徴とする分波器。
【請求項３】
共通端子に接続される送信用フィルタ及び受信用フィルタと、該送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に接続されるリアクタンス回路とを有し、前記送信用フィルタ、受信用フィルタ及びリアクタンス回路は圧電基板上に形成されていることを特徴とする分波器。
【請求項４】
前記インダクタは、前記絶縁体基板の表面に形成された導体パターンを含むことを特徴とする請求項１又は２記載の分波器。
【請求項５】
前記リアクタンス回路は、前記共通端子と前記受信用フィルタとの間及び／又は受信用フィルタと受信端子との間に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の分波器。
【請求項６】
前記リアクタンス回路は、前記共通端子と前記受信用フィルタとの間及び／又は受信用フィルタと受信端子との間に設けられ、前記インダクタとキャパシタの両方を含んで構成される第１の回路と、共通端子と前記送信用フィルタ及び受信用フィルタとの間、前記受信用フィルタと受信端子との間、及び前記送信用フィルタと送信端子との間のいずれかに少なくとも設けられ、かつ前記インダクタとキャパシタのいずれか一方を少なくとも含んで構成される第２の回路とを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の分波器。
【請求項７】
前記分波器は前記送信用フィルタ、前記受信用フィルタ及び前記絶縁体基板をキャビティ内に収容するパッケージと、前記キャビティを封止するリッドとを含むことを特徴とする請求項１、２及び４から６のいずれか一項記載の分波器。
【請求項８】
前記送信用フィルタは第１の圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含み、前記受信用フィルタは第２の圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含むことを特徴とする請求項１、２及び４から７のいずれか一項記載の分波器。
【請求項９】
前記送信用フィルタは圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含み、前記受信用フィルタは前記圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含むことを特徴とする請求項１、２及び４から７のいずれか一項記載の分波器。
【請求項１０】
前記圧電基板は前記送信用フィルタが形成される第１の圧電基板と、前記受信用フィルタが形成される第２の圧電基板とを有し、前記リアクタンス回路は前記第１及び第２の圧電基板の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする請求項３記載の分波器。
【請求項１１】
前記圧電基板は単一の圧電基板であり、この上に前記送信用フィルタ、前記受信用フィルタ及び前記リアクタンス回路が形成されていることを特徴とする請求項３記載の分波器。
【請求項１２】
前記分波器は、前記圧電基板をキャビティ内に収容するパッケージと、前記キャビティを封止するリッドとを含むことを特徴とする請求項３、１０及び１１のいずれか一項記載の分波器。
【請求項１３】
前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタは、弾性表面波フィルタであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項記載の分波器。
【請求項１４】
前記送信用フィルタはラダー型弾性表面波フィルタであり、前記受信用フィルタは多重モード型弾性表面波フィルタであることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項記載の分波器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は分波器に関し、特に弾性表面波（ＳＡＷ）を用いた分波器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、多くの携帯電話端末には、送受信信号を切り分けるために、弾性表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)フィルタを用いたアンテナ分波器が搭載されている。この弾性表面波分波器は、送信用弾性表面波フィルタと、受信用弾性表面波フィルタと、送受信用フィルタの接続点と受信用フィルタ間に挿入される整合回路から構成されている。この整合回路は、送信用フィルタを通過した送信信号が、受信用フィルタに流れることなく、アンテナ端子に出力するために挿入されるものである。通常、整合回路は、図１に示したように、マイクロストリップラインや、ストリップラインなどの分布定数線路が使われる。マイクロストリップラインやストリップラインは、弾性表面波フィルタを搭載するパッケージ内に組み込まれたり、弾性表面波フィルタを搭載するプリント基板上に形成されたりする。携帯電話端末の高機能化に伴い、デバイスの小型化・低背化が要求されている一方、分布定数線路を用いた従来の分波器は、非常に長い線路が必要で、デバイスの小型化・低背化ができなかった。
【０００３】
この問題を解決する１つの手段として、整合回路を、分布定数線路から、集中定数回路に置き換える手法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。図２のように、送受信用フィルタの接続点と受信用フィルタの間に、例えば並列キャパシタ−直列インダクタ−並列キャパシタのπ型回路を線路の代わりに挿入するものである。このような構成にすることにより、長い線路が不要となり、大幅なデバイスの小型化・低背化が実現できる。
【特許文献１】特許第３４８７６９２号
【特許文献２】特開２００４−２２８９１１
【特許文献３】米国特許第５１７５５１８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の集中定数回路を整合回路として用いる手法では、インダクタやキャパシタなどのリアクタンス素子は、バルク部品（チップインダクタやコンデンサ）を使ったり、弾性表面波フィルタを収容するパッケージ内に作り込んだりすることで実現されており、デバイスを極限まで小型・低背化するには不十分であった。これに対し、特許文献３には、アルミナなどの絶縁体基板上に誘電体膜を形成し、その上にパターンを形成した集中定数型のインダクタや、絶縁体基板上の誘電体膜を電極で挟み込むことで形成されたキャパシタが提案されている。しかしながら、絶縁体基板上に誘電体膜を形成しているので、誘電体膜の大きな誘電率により誘電体膜上の隣り合うインダクタ間の容量結合が大きく、隣り合うインダクタ間で共振が生じて損失が増加したり、隣り合うインダクタどうしがカップリングしてアイソレーションが悪化したりするため、帯域内の低挿入損失と高いアイソレーション特性が同時に要求される弾性表面波フィルタの位相整合回路を構成するには不適切である。この結果、良好なフィルタ特性の分波器を実現することができないという課題がある。
【０００５】
本発明は、上述のような事情を考慮してなされたものであり、小型でありながら帯域内の低挿入損失と高いアイソレーション特性を同時に満足するフィルタ特性を持つ分波器を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、共通端子に接続される送信用フィルタ及び受信用フィルタと、該送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に接続されるリアクタンス回路とを有し、該リアクタンス回路は、絶縁体基板と該絶縁体基板の表面に直接形成された集中定数型の複数のインダクタと少なくとも１つのキャパシタとを含む分波器である。該絶縁体基板の表面に集中定数型の複数のインダクタと少なくとも１つのキャパシタとが直接形成されているので、リアクタンス素子間の容量結合による干渉を抑制することができ、低損失で高アイソレーションが実現できるとともに、リアクタンス素子が絶縁基板に集積化されているので小型化が可能になる。
【０００７】
本発明は、共通端子に接続される送信用フィルタ及び受信用フィルタと、該送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に接続される位相整合用のリアクタンス回路とを有し、該リアクタンス回路は、絶縁体基板と該絶縁体基板の表面に直接形成された集中定数型のインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方とを含み、前記リアクタンス回路とは別に、前記送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に設けられるインダクタも前記絶縁体基板の表面に直接形成されている分波器を含む。集中定数型の複数のインダクタと少なくとも１つのキャパシタとが直接形成されており、更に位相整合用のリアクタンス回路とは別のインダクタをも絶縁体基板の表面に設けた構成のため、分波器に含まれる様々なリアクタンス素子間の容量結合による干渉を抑制することができ、低挿入損失と高いアイソレーション特性が実現できるとともに、リアクタンス素子が絶縁基板に集積化されているので小型化が可能になる。
【０００８】
本発明はまた、共通端子に接続される送信用フィルタ及び受信用フィルタと、該送信用フィルタ及び受信用フィルタの少なくとも一方に接続されるリアクタンス回路とを有し、前記送信用フィルタ、受信用フィルタ及びリアクタンス回路は圧電基板上に形成されている分波器を含む。圧電基板上にリアクタンス回路を集積したので、さらに小型の分波器を実現することができる。
【０００９】
上記分波器において、前記インダクタは例えば、前記絶縁体基板の表面に形成された導体パターンで形成される。前記リアクタンス回路は、前記共通端子と前記受信用フィルタとの間及び／又は受信用フィルタと受信端子との間に設けられている構成とすることができる。また、前記リアクタンス回路は、前記共通端子と前記受信用フィルタとの間及び／又は受信用フィルタと受信端子との間に設けられ、前記インダクタとキャパシタの両方を含んで構成される第１の回路と、共通端子と前記送信用フィルタ及び受信用フィルタとの間、前記受信用フィルタと受信端子との間、及び前記送信用フィルタと送信端子との間のいずれかに少なくとも設けられ、かつ前記インダクタとキャパシタのいずれか一方を少なくとも含んで構成される第２の回路とを有する構成とすることもできる。前記分波器は前記送信用フィルタ、前記受信用フィルタ及び前記絶縁体基板をキャビティ内に収容するパッケージと、前記キャビティを封止するリッドとを含む構成とすることができる。前記送信用フィルタは第１の圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含み、前記受信用フィルタは第２の圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含む構成とすることができる。また、前記送信用フィルタは圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含み、前記受信用フィルタは前記圧電基板と、この上に形成されたインターディジタルトランスデューサとを含む構成とすることもできる。リアクタンス回路を圧電基板上に形成した場合、この圧電基板は前記送信用フィルタが形成される第１の圧電基板と、前記受信用フィルタが形成される第２の圧電基板とを有し、前記リアクタンス回路は前記第１及び第２の圧電基板の少なくとも一方に形成されている構成とすることもできる。また、前記圧電基板は単一の圧電基板であり、この上に前記送信用フィルタ、前記受信用フィルタ及び前記リアクタンス回路が形成されている構成とすることもできる。圧電基板上にリアクタンス回路を形成した場合、前記分波器は、前記圧電基板をキャビティ内に収容するパッケージと、前記キャビティを封止するリッドとを含む構成とすることもできる。前記送信用フィルタ及び前記受信用フィルタは、弾性表面波フィルタである。この場合、前記送信用フィルタはラダー型弾性表面波フィルタであり、前記受信用フィルタは多重モード型弾性表面波フィルタとすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
小型でありながら低挿入損失かつ高アイソレーション特性を同時に満足するフィルタ特性を持つ分波器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１２】
図３は、本発明の実施例１に係る分波器のブロック図である。分波器は、送信用フィルタ１０、受信用フィルタ１１、アンテナ端子（共通端子）１２、送信端子１３及び受信端子１４を有する。送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１はそれぞれ弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタである。以下の説明では、送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１をそれぞれ、送信用ＳＡＷフィルタ１０及び受信用ＳＡＷフィルタ１１と言うこともある。分波器はまた、位相整合回路１５〜１９を有している。本発明の分波器はこれらの位相整合回路１５〜１９を全て備えている必要はなく、所望の特性が得られる範囲内で任意に選択的に設けることができる。例えば、整合回路１８のみを設けてもよい。分波器内の整合回路は、集中定数型リアクタンス素子で形成されるリアクタンス回路である。
【００１３】
整合回路１５は、アンテナ端子１２と送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１の接続点２０の間に付加される。整合回路１６は、送信端子１３と送信用フィルタ１０の間に付加される。整合回路１７は、送信用フィルタ１０と接続点２０との間に付加される。整合回路１７は、接続点２０と受信用フィルタ１１の間に付加される。整合回路１８は、受信用フィルタ１１と受信端子１４の間に付加される。整合回路１５は、アンテナ端子１２のインピーダンス整合のために付加される。整合回路１６は、送信端子１３のインピーダンス整合のために付加される。整合回路１７は、アンテナ端子１２から入力した受信信号が、送信用フィルタ１１に流れるのを防ぐために付加される。整合回路１８は、送信端子１３から入力した送信信号が、受信用フィルタ１１に流れるのを防ぐために付加される。整合回路１９は、受信端子１４のインピーダンス整合のために付加される。これらの整合回路は、信号の位相を変化させるものであり、位相整合用のリアクタンス回路である。
【００１４】
整合回路１７と整合回路１８の回路構成としては、例えば図４（ａ）〜（ｄ）に示したような構成が考えられる。図４（ａ）〜（ｄ）の構成は、リアクタンス素子（インダクタ及びキャパシタ）を３つ使用しているが、３素子に限ったものではなく、４素子以上用いても良く、２素子以下であってもよい。具体的には、図４（ａ）は、２つの並列キャパシタと１つの直列インダクタとで構成されるπ型の集中定数型整合回路を示す。図４（ｂ）は、１つの直列キャパシタと２つの並列インダクタとで構成されるπ型の集中定数型整合回路を示す。図４（ｃ）は、１つの並列キャパシタと２つの直列インダクタとで構成されるＴ型の集中定数型整合回路を示す。図４（ｄ）は、２つの直列キャパシタと１つの並列インダクタとで構成されるＴ型の集中定数型整合回路を示す。
【００１５】
本発明は、これらのような集中定数型整合回路を、例えばガラスや石英などの高抵抗のチップ（絶縁体基板）表面に直接形成することにより実現している。図５は、図４（ｂ）の回路構成を、石英のチップ（以下、石英基板という）２１の表面に直接作製した例を示している。図５（ａ）は集中定数型整合回路の平面図、図５（ｂ）は正面図である。インダクタ（図４（ｂ）の構成では、並列インダクタ）は、石英基板２１の表面に直接形成したスパイラルコイル２２、２３で提供されている。スパイラルコイル２２、２３は金属などのパターニングされた導電性部材で形成されており、円形に限らず、楕円形や四角形など、形状は任意である。キャパシタ（図４（ｂ）の構成では直列キャパシタ）２４は、上部電極２４ａと下部電極２４ｃとの間に誘電体膜２４ｂを挟んだ構造が用いられている。誘電体膜２４ｂとしては、例えばＳｉＯ２などを使用する。キャパシタ２４は、この構造に限らず、図６に示すような櫛形電極を用いたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）型のキャパシタ２４Ａとしてもよい。図５に戻り、信号パッド２５、２６とグランドパッド２７、２８とが石英基板２１上に形成されている。スパイラルコイル２２と２３の引き出し線部は、スパイラルコイル２２、２３上に形成された絶縁膜（図示を省略する）上を通り、グランドパッド２７、２８にそれぞれ接続されている。
【００１６】
石英基板２１や他の絶縁体で形成される絶縁体基板の誘電率は小さい。従って、石英基板２１の表面に直接形成されたインダクタであるスパイラルコイル２２と２３との間の容量結合は小さく、これらの干渉を軽減することができる。この結果、低挿入損失で高アイソレーションの集中定数型整合回路を実現することができ、分波器の特性を向上させることができる。分波器は複数のインダクタを含むので、１つの基板上に集積された集中定数型のインダクタ間の干渉を抑制できることは、格別有効である。また、チップ状の石英基板２１の表面に整合回路を形成したことにより、従来よりも大幅に小型・低背化した分波器を実現することができる。
【００１７】
整合回路１５、１６及び１７の回路構成としては、例えば図７（ａ）〜（ｆ）に示したような構成が考えられる。図７（ａ）〜（ｄ）は１つのリアクタンス素子を用いた構成を示し、図７（ｅ）と（ｆ）は２つのリアクタンス素子を用いた構成を示す。しかしながら、整合回路１５、１６及び１７はこれに限らず、３つ以上のリアクタンス素子を用いて回路を構成してもよい。また、図７（ｅ）及び図７（ｆ）の整合回路を付加する際、接続する回路の方向は任意である。
【００１８】
図８は、図７（ｅ）の回路構成を石英基板３１の表面上に作製した例を示している。直列インダクタ３２は、スパイラルコイルが用いられている。スパイラルコイル３２は円形に限らず、楕円形や四角形など、形状は任意である。並列キャパシタ３４は、図５（ｂ）で示したキャパシタ２４の構成と同様に、上部電極と下部電極の間に誘電体膜を挟んだ構造が用いられている。並列キャパシタ３４はこの構造に限らず、図６に示すキャパシタ２４Ａと同様に、櫛形電極を用いたＩＤＴ型としてもよい。スパイラルコイル３２の両端はそれぞれ、石英基板３１上に設けられた信号パッド３５、３６に接続されている。また、並列キャパシタ３４の一端は、石英基板３１上に設けられたグランドパッド３８に接続されている。図８に示す１つのチップ表面に作製した整合回路を用いることにより、従来よりも大幅に小型・低背化した分波器を実現することができる。
【００１９】
図９に、前述した整合回路１５〜１９のうち、整合回路１８のみを備えた分波器の構成を示す。整合回路１８は図４（ｂ）に示す回路構成（便宜上、直列キャパシタをＣ１とし、２つの並列インダクタをＬ１、Ｌ２とする）を有し、具体的には図５（ａ）、（ｂ）に示す構成を持つ。
【００２０】
図１０は、図９に示す整合回路１８を備えた本実施例の分波器の分解斜視図である。図示する構成では、送信用フィルタ１０（図３）と受信用フィルタ１１とを、それぞれ別のＳＡＷフィルタチップで構成した例である。図１０に示すように、送信用フィルタ１０のチップ（送信用ＳＡＷフィルタチップ）と、受信用フィルタ１１のチップ（受信用ＳＡＷフィルタチップ）と、整合回路１８のチップ（整合回路チップ）とを、セラミック製のパッケージ４１のキャビティ４２内にフリップチップボンディングにより搭載する。セラミックパッケージ４１のキャビティ４２底面にはパッドを含む配線パターンが形成されており、図５（ａ）に示す信号パッド２５、２６及びグランドパッド２７、２８は対応するパッドにボンディングされる。これにより、セラミックパッケージ４１の底面等に設けられたパターンで形成されるアンテナ端子１２、送信端子１３、受信端子及びグランド端子と、送信用フィルタ１０及び受信用フィルタのチップ上の回路及び整合回路１８のチップ上の回路との電気的接続が形成される。キャビティ４２は、メタルリッド４３により気密封止されている。本発明の構成にすることにより、弾性表面波分波器を大幅に小型・低背化することができるとともに、隣接するインダクタ間の容量結合が低減されたことによる特性の向上を図ることができる。なお、整合回路１８に代えて、他の整合回路のチップを備えた分波器も同様に構成することができる。
【実施例２】
【００２１】
図１１（ａ）は、受信用フィルタ１１の入力側の整合回路１８と出力側の整合回路１９とを備えた実施例３の分波器を示す。図１１（ｂ）に示すように、２つの整合回路１８と１９は、絶縁体基板である石英基板２１上に形成されている。図１１（ｂ）に示す石英基板２１を備えたフィルタチップ４４は、図５（ａ）に示す構成に加え、整合回路１９を構成するインダクタＬ３と、その両端に接続された受信信号接続パッドと受信用フィルタ接続パッド４６とを備えている。インダクタＬ３は、インダクタ２２や２３と同様にスパイラル状であって、石英基板２１の表面上に直接形成されている。このため、整合回路１８を構成するインダクタＬ１とＬ２との容量結合のみならず、整合回路１８のインダクタＬ１、Ｌ２と、整合回路１８とは別の整合回路１９のインダクタＬ３との容量結合をも軽減することができる。従って、１つの整合回路内の干渉のみならず、異なる整合回路間での干渉も抑制することができ、小型でありながら高性能な分波器を実現することができる。なお、図１１（ａ）に示す分波器では、受信用フィルタ１１は多重モードＳＡＷフィルタを２段並列に接続した構成が用いられ、送信用フィルタ１０はラダー型ＳＡＷフィルタが用いられている。しかしならが、送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１はこれらの構成に限定されるものではなく、他のタイプのＳＡＷフィルタを用いてもよい。
【００２２】
図１２は、図１１（ａ）、（ｂ）に示す分波器の分解斜視図である。ＳＡＷフィルタチップ４７は単一の圧電基板上に、図１１（ａ）に示す送信用フィルタ１０と受信用フィルタ１１のＩＤＴパターンを形成したものである。このＳＡＷフィルタチップ４７と整合回路チップ４４とを、セラミックパッケージ４１のキャビティ４２内にフリップチップボンディングにより搭載し、キャビティ４１をメタルリッド４３で封止する。なお、送信用フィルタ１０と受信用フィルタ１１とを別々のＳＡＷフィルタチップで構成してもよい。
【実施例３】
【００２３】
図１３は、実施例３の分波器の平面図である。この分波器は、１つの圧電基板５１上に、ＳＡＷフィルタで構成される送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１と、並列インダクタ６２、６３と、直列キャパシタ６４とが形成された構成を有している。並列インダクタ６２、６３と直列キャパシタ６４は、図４（ｂ）の回路構成を有する整合回路１８（図３）を形成する。並列インダクタ６２、６３はスパイラル状であり、直列キャパシタ６４は例えば図５（ｂ）に示す構成である。また、圧電基板５１上には、アンテナ端子接続パッド５２、送信端子接続パッド５３、受信端子接続パッド５４、及びグランドパッド５５、５６が形成されている。このように、送信用フィルタ１０、受信用フィルタ１１とともに整合回路１８とを１つの圧電基板５１上に形成したことにより、使用する部品点数が減り、低背化とともに一層の小型化が可能になる。なお、圧電基板５１上の整合回路は整合回路１８に限定されるものではなく、他の整合回路であってもよい。
【００２４】
図１４は、図１３の圧電基板５１をセラミックパッケージ４１のキャビティ４２内にフリップチップボンディングして、メタルリッド４３で封止した分波器の分解斜視図である。
【００２５】
図１５は、実施例３の変形例である。この変形例では、送信用フィルタ１０と受信用フィルタ１１とをそれぞれ別の圧電基板５１Ｂ及び５１Ａ上に形成するとともに、整合回路１８を圧電基板５１Ａに形成してある。つまり、整合回路１８は、２つの圧電基板５１Ａと５１Ｂの一方に設けられている。圧電基板５１Ａ上には、受信用ＳＡＷフィルタ１１、スパイラルコイルで形成された２つの並列インダクタ６２、６３、直列キャパシタ６４、アンテナ端子接続パッド５２Ａ、受信端子接続パッド５４及びグランドパッド５７が形成されている。圧電基板５１Ｂ上には、送信用ＳＡＷフィルタ１０、アンテナ端子接続パッド５２Ｂ及び送信端子接続パッド５３が設けられている。なお、圧電基板５１Ａ上に形成される整合回路は整合回路１８に限定されるものではなく、他の整合回路であってもよい。また、整合回路によっては圧電基板５１Ｂ上に形成してもよい。
【００２６】
図１６は、実施例３の別の変形例である。この変形例では、送信用フィルタ１０と受信用フィルタ１１とをそれぞれ別の圧電基板５１Ｂ及び５１Ａ上に形成するとともに、整合回路１８が分割されて圧電基板５１Ａと５１Ｂ上に配置されている。具体的には、整合回路１８の構成部品のうち、並列インダクタ６２を圧電基板５１Ｂ上に形成し、並列インダクタ６３及びキャパシタ６４を圧電基板５１Ａ上に形成している。並列インダクタ６２の一端に接続されるパッド５８Ｂを圧電基板５１Ｂ上に設け、キャパシタ６４及び並列インダクタ６３の一端に接続されるパッド５８Ａを圧電基板５１Ａ上に設け、これらをセラミックパッケージに形成された配線パターンで接続することにより、整合回路１８が形成される。また、並列インダクタ６３の他端に接続されるグランドパッド５７Ｂが圧電基板５１Ｂ上に形成され、並列インダクタ６３の多端に接続されるグランドパッド５７Ａが圧電基板５１Ａに形成されている。図１５の構成では圧電基板５１Ａと５１Ｂとの大きさが異なるのに対し、図１６の構成では略同じ大きさにすることができる。なお、整合回路１８の分割方法は図１６に示す例に限定されるものではなく、他の組み合わせであってもよい。また、整合回路１８以外の整合回路も同様に、圧電基板５１Ａと５１Ｂ上に分割配置することもできる。図１５と図１６の分波器の構成からわかるように、リアクタンス回路である整合回路を２つの圧電基板の少なくとも一方に形成することができる。なお、図１５や図１６に示す構成又はこれらの変形例を、前述したように１つのパッケージ内に気密封止することができる。
【実施例４】
【００２７】
図１７は、図１１（Ａ）に示す回路構成を、１つの圧電基板５１上に実現した分波器の平面図である。図１７に示す分波器は、図１３に示す圧電基板５１上に、整合回路１９を構成する直列インダクタ６５を設けた構成を有する。直列インダクタ６５はスパイラル状であって、一端が受信端子接続パッド６６に接続され、他端は受信用ＳＡＷフィルタ１１に接続されている。一つの圧電基板５１上に送信用ＳＡＷフィルタ１０と受信用ＳＡＷフィルタ１１とを形成するとともに、複数の整合回路を形成する構成のため、分波器を大幅に小型・低背化することができる。なお、分波器１８と１９に代えて、又はこれらに加えて、他の整合回路を圧電基板５１上に形成することもできる。
【実施例５】
【００２８】
図１８は、前述した整合回路１５〜１９以外にリアクタンス素子が付加される可能性のある位置を示した分波器の図である。送信用フィルタ付加回路７１は、送信用フィルタ１０の入出力端子間に設けられる。送信用フィルタグランドインダクタンス回路７２は、送信用フィルタ１０のグランド側電極とグランドとの間に設けられる。受信用フィルタ付加回路７３は、受信用フィルタ１１の入出力端子間に設けられる。受信用フィルタグランドインダクタンス回路７４は、受信用フィルタ１１のグランド側電極とグランドとの間に設けられる。
【００２９】
図１９は、上記付加される可能性の有るリアクタンス素子のうち、送信用フィルタグランドインダクタンス回路７２と、受信用フィルタ付加回路７３と、受信用フィルタグランドインダクタンス回路７４とを備えた分波器を示す。この分波器は、整合回路１８と１９とを備える。送信用フィルタグランドインダクタンス回路７２は、インダクタＬｔ１、Ｌｔ２及びＬｔ３を含む。インダクタＬｔ１とＬｔ２は、送信用フィルタ１０に設けられる２つの並列共振器のグランド側電極にそれぞれ接続され、インダクタＬｔ３を介して接地されている。受信用フィルタ付加回路７３は、キャパシタＣｒ１とＣｒ２とを含む。図１９の構成では、受信用フィルタ１１を模式的に示してあり、実際には例えば、図１１（Ａ）のように構成される。前段のＩＤＴの入出力端子間にはキャパシタＣｒ１が接続され、後ろ段のＩＤＴの入出力端子間にはキャパシタＣｒ２が接続されている。また、前段及び後段のＩＤＴのグランド側電極にはそれぞれインダクタＬｒ１及びＬｒ２が接続され、インダクタＬｒ３を介してグランドに接続されている。
【００３０】
実施例５では、上記付加的（任意）に使用されるリアクタンス素子を集中定数型回路素子で構成する。この構成の一例を図２０に示す。石英ガラスのような絶縁体基板８１の表面に直接インダクタＬｔ１〜Ｌｔ３及びＬｒ１〜Ｌｒ３と、キャパシタＣｒ１、Ｃｒ２が形成されたチップである。また、外部との接続を形成するために、パッド８２が絶縁体基板８１上に複数個設けられている。このような付加回路のチップをＳＡＷフィルタチップや整合回路のチップとともに、パッケージ内に気密封止される。
【実施例６】
【００３１】
図２１は、付加的に使用されるリアクタンス素子を、整合回路と一緒に同一絶縁体基板の表面上に直接形成した構成のチップを示す図である。実施例６に係る分波器が有する絶縁体基板９１上には、図１１（ｂ）に示すリアクタンス素子と、図２０に示すリアクタンス素子とが形成されている。このようなチップを用いることにより、分波器の一層の小型化が可能になるとともに、製造コストを抑制することができる。
【００３２】
以上、本発明の実施例を説明した。本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内において他の実施例や変形例が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来の弾性表面波分波器の一例を示す図である。
【図２】従来の弾性表面波分波器の別の例を示す図である。
【図３】分波器の構成を示す図である。
【図４】図３に示す整合回路１７と整合回路１８とに用いる集中定数回路の構成例を示す図である。
【図５】本発明の分波器で用いられる集中定数型整合回路の構成例を示す平面図（ａ）及び正面図（ｂ）である。
【図６】本発明の分波器で用いられる集中定数型整合回路の別の構成例を示す平面図である。
【図７】図３に示す整合回路１５、１６及び１９に用いる集中定数回路の構成例を示す平面図である。
【図８】本発明の分波器で用いられる集中定数型整合回路の更に別の構成例を示す平面図である。
【図９】図３に示す整合回路１８のみを備えた本発明の分波器の一構成例の回路図である。
【図１０】実施例１に係る分波器の分解斜視図である。
【図１１】実施例２に係る分波器の回路図（ａ）及び集中定数型整合回路の平面図である。
【図１２】実施例２に係る分波器の分解斜視図である。
【図１３】実施例３に係る分波器で使用されるチップの平面図である。
【図１４】実施例３に係る分波器の分解斜視図である。
【図１５】実施例３の変形例で使用される圧電基板のチップの平面図である。
【図１６】実施例３の別の変形例で使用される圧電基板のチップの平面図である。
【図１７】実施例４に係る分波器で使用される圧電基板のチップの平面図である。
【図１８】リアクタンス素子が付加される可能性のある位置を説明するための図である。
【図１９】実施例５に係る分波器の回路図である。
【図２０】図１９でフィルタに付加されるリアクタンス素子を絶縁基板表面に形成した例を示す図である。
【図２１】実施例６の分波器で使用される圧電基板のチップの平面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０    送信用フィルタ            １１    受信用フィルタ
１２    アンテナ端子              １３    送信端子
１４    受信端子                  １５〜１９    整合回路
２０    送信用フィルタと受信用フィルタの接続点
２１、３１、８１、９１    石英基板（絶縁体基板）
２２、２３  並列インダクタ（スパイラルコイル）
２４、２４Ａ    直列キャパシタ      ２５、２６    信号パッド
２７、２８    グランドパッド
４１    セラミックパッケージ        ４２    キャビティ
４３    メタルリッド
５１、５１Ａ、５１Ｂ    圧電基板
【図１】
2006135447.tif 000003
【図２】
2006135447.tif 000004
【図３】
2006135447.tif 000005
【図４】
2006135447.tif 000006
【図５】
2006135447.tif 000007
【図６】
2006135447.tif 000008
【図７】
2006135447.tif 000009
【図８】
2006135447.tif 000010
【図９】
2006135447.tif 000011
【図１０】
2006135447.tif 000012
【図１１】
2006135447.tif 000013
【図１２】
2006135447.tif 000014
【図１３】
2006135447.tif 000015
【図１４】
2006135447.tif 000016
【図１５】
2006135447.tif 000017
【図１６】
2006135447.tif 000018
【図１７】
2006135447.tif 000019
【図１８】
2006135447.tif 000020
【図１９】
2006135447.tif 000021
【図２０】
2006135447.tif 000022
【図２１】
2006135447.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
整合回路１５は、アンテナ端子１２と送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１の接続点２０の間に付加される。整合回路１６は、送信端子１３と送信用フィルタ１０の間に付加される。整合回路１７は、送信用フィルタ１０と接続点２０との間に付加される。整合回路１８は、接続点２０と受信用フィルタ１１の間に付加される。整合回路１９は、受信用フィルタ１１と受信端子１４の間に付加される。整合回路１５は、アンテナ端子１２のインピーダンス整合のために付加される。整合回路１６は、送信端子１３のインピーダンス整合のために付加される。整合回路１７は、アンテナ端子１２から入力した受信信号が、送信用フィルタ１０に流れるのを防ぐために付加される。整合回路１８は、送信端子１３から入力した送信信号が、受信用フィルタ１１に流れるのを防ぐために付加される。整合回路１９は、受信端子１４のインピーダンス整合のために付加される。これらの整合回路は、信号の位相を変化させるものであり、位相整合用のリアクタンス回路である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１１（ａ）は、受信用フィルタ１１の入力側の整合回路１８と出力側の整合回路１９とを備えた実施例２の分波器を示す。図１１（ｂ）に示すように、２つの整合回路１８と１９は、絶縁体基板である石英基板２１上に形成されている。図１１（ｂ）に示す石英基板２１を備えたフィルタチップ４４は、図５（ａ）に示す構成に加え、整合回路１９を構成するインダクタＬ３と、その両端に接続された受信端子接続パッド４５と受信用フィルタ接続パッド４６とを備えている。インダクタＬ３は、インダクタ２２や２３と同様にスパイラル状であって、石英基板２１の表面上に直接形成されている。このため、整合回路１８を構成するインダクタＬ１とＬ２との容量結合のみならず、整合回路１８のインダクタＬ１、Ｌ２と、整合回路１８とは別の整合回路１９のインダクタＬ３との容量結合をも軽減することができる。従って、１つの整合回路内の干渉のみならず、異なる整合回路間での干渉も抑制することができ、小型でありながら高性能な分波器を実現することができる。なお、図１１（ａ）に示す分波器では、受信用フィルタ１１は多重モードＳＡＷフィルタを２段並列に接続した構成が用いられ、送信用フィルタ１０はラダー型ＳＡＷフィルタが用いられている。しかしならが、送信用フィルタ１０及び受信用フィルタ１１はこれらの構成に限定されるものではなく、他のタイプのＳＡＷフィルタを用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１２は、図１１（ａ）、（ｂ）に示す分波器の分解斜視図である。ＳＡＷフィルタチップ４７は単一の圧電基板上に、図１１（ａ）に示す送信用フィルタ１０と受信用フィルタ１１のＩＤＴパターンを形成したものである。このＳＡＷフィルタチップ４７と整合回路チップ４４とを、セラミックパッケージ４１のキャビティ４２内にフリップチップボンディングにより搭載し、キャビティ４２をメタルリッド４３で封止する。なお、送信用フィルタ１０と受信用フィルタ１１とを別々のＳＡＷフィルタチップで構成してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１６は、実施例３の別の変形例である。この変形例では、送信用フィルタ１０と受信用フィルタ１１とをそれぞれ別の圧電基板５１Ｂ及び５１Ａ上に形成するとともに、整合回路１８が分割されて圧電基板５１Ａと５１Ｂ上に配置されている。具体的には、整合回路１８の構成部品のうち、並列インダクタ６２を圧電基板５１Ｂ上に形成し、並列インダクタ６３及びキャパシタ６４を圧電基板５１Ａ上に形成している。並列インダクタ６２の一端に接続されるパッド５８Ｂを圧電基板５１Ｂ上に設け、キャパシタ６４及び並列インダクタ６３の一端に接続されるパッド５８Ａを圧電基板５１Ａ上に設け、これらをセラミックパッケージに形成された配線パターンで接続することにより、整合回路１８が形成される。また、並列インダクタ６３の他端に接続されるグランドパッド５７Ｂが圧電基板５１Ｂ上に形成され、並列インダクタ６２の他端に接続されるグランドパッド５７Ａが圧電基板５１Ａに形成されている。図１５の構成では圧電基板５１Ａと５１Ｂとの大きさが異なるのに対し、図１６の構成では略同じ大きさにすることができる。なお、整合回路１８の分割方法は図１６に示す例に限定されるものではなく、他の組み合わせであってもよい。また、整合回路１８以外の整合回路も同様に、圧電基板５１Ａと５１Ｂ上に分割配置することもできる。図１５と図１６の分波器の構成からわかるように、リアクタンス回路である整合回路を２つの圧電基板の少なくとも一方に形成することができる。なお、図１５や図１６に示す構成又はこれらの変形例を、前述したように１つのパッケージ内に気密封止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１７は、図１１（Ａ）に示す回路構成を、１つの圧電基板５１上に実現した分波器の平面図である。図１７に示す分波器は、図１３に示す圧電基板５１上に、整合回路１９を構成する直列インダクタ６５を設けた構成を有する。直列インダクタ６５はスパイラル状であって、一端が受信端子接続パッド６６に接続され、他端は受信用ＳＡＷフィルタ１１に接続されている。一つの圧電基板５１上に送信用ＳＡＷフィルタ１０と受信用ＳＡＷフィルタ１１とを形成するとともに、複数の整合回路を形成する構成のため、分波器を大幅に小型・低背化することができる。なお、整合回路１８と１９に代えて、又はこれらに加えて、他の整合回路を圧電基板５１上に形成することもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2006135447.tif 000024
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2006135447.tif 000025
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2006135447.tif 000026
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2006135447.tif 000027