(57)【要約】【課題】  基板に回路部品を搭載して樹脂封止した半導体装置製品について、実装時に電極間の電気的短絡やパッケージの剥離といった問題が生じさせずに実装可能とする。【解決手段】  回路部品２０が回路基板２５に設けられたパッド１１ａ、１１ｂにはんだ接合されて回路基板に搭載されるとともに、前記回路部品が樹脂２２により封止されて形成された半導体装置製品３０であって、前記回路基板２５の表面に、前記パッド１１ａ、１１ｂ上に前記回路部品２０をパッドにはんだ接合するための、内周側面１３ａがオーバーハング形状となる開口穴１３を形成して保護膜１２が被覆され、前記回路部品２０が、前記半導体装置製品３０を実装基板に実装する際のはんだの熱膨張量を吸収する隙間部分を前記開口穴１３の内周側面１３ｂの近傍に形成して、前記回路基板２５に搭載されている。【選択図】          図２
2006005112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部品が回路基板に設けられたパッドにはんだ接合されて回路基板に搭載されるとともに、前記回路部品が樹脂により封止されて形成された半導体装置であって、
前記回路基板の表面に、前記回路部品を前記パッドにはんだ接合するための、内周側面がオーバーハング形状となる開口穴をパッド上に形成して保護膜が被覆され、
前記回路部品が、前記半導体装置を実装基板に実装する際のはんだの熱膨張量を吸収する隙間部分を前記開口穴の内周側面の近傍に形成して、前記回路基板に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置に用いられる回路基板であって、回路基板の表面に、内周側面がオーバーハング形状となる開口穴がパッド上に形成されて、保護膜が被覆されていることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
回路部品が回路基板に設けられたパッドにはんだ接合されて回路基板に搭載されるとともに、前記回路部品が樹脂により封止されて形成された半導体装置であって、
前記回路基板の表面に、前記回路部品を前記パッドにはんだ接合するための開口穴をパッド上に形成して保護膜が被覆されるとともに、前記パッド上の前記開口穴の領域内に溝部が形成され、
前記回路部品が、前記溝部を、前記半導体装置を実装基板に実装する際のはんだの熱膨張量を吸収する隙間部分として、前記回路基板に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記開口穴は、内周側面がオーバーハング形状に形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置に用いられる回路基板であって、回路基板の表面に、開口穴がパッド上に形成されて保護膜が被覆されているとともに、前記パッド上の前記開口穴の領域内に溝部が形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
前記開口穴は、内周側面がオーバーハング形状に形成されていることを特徴とする請求項５記載の回路基板。
【請求項７】
回路部品が回路基板に設けられたパッドにはんだ接合されて回路基板に搭載されるとともに、前記回路部品が樹脂により封止されて形成された半導体装置であって、
前記回路基板の表面に、前記回路部品を前記パッドにはんだ接合するための開口穴をパッド上に形成して保護膜が被覆されるとともに、前記パッドが前記保護膜の表面よりも突出して形成され、
少なくとも一対のパッド間に搭載される回路部品と回路基板との間が離間され、回路部品と回路基板との間に前記樹脂が充填されて回路部品が回路基板に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
回路部品と回路基板とが対向する領域内の保護膜に、保護膜を薄厚に形成するための凹部が設けられていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置に用いられる回路基板であって、回路基板の表面に、開口穴がパッド上に形成されて保護膜が被覆されているとともに、前記保護膜の表面よりも突出してパッドが形成されていることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびこれに用いる回路基板に関し、より詳細には基板に回路部品が搭載され、樹脂封止されて提供される半導体装置およびこれに用いる回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＣＭ等の半導体装置は、複合機能を備え、かつきわめてコンパクトに形成されることから小型の電子製品に多用されている。これらの半導体装置は、回路基板に半導体装置等の回路部品を搭載し、ポッティング法あるいは樹脂封止金型を用いた樹脂封止方法により、回路部品を搭載した回路基板の一方の面を樹脂封止して提供される場合が多い。回路基板の他方の面にははんだボール等の表面実装用の接続端子が設けられ、これらの半導体装置は、実装基板にはんだ付け等によって実装して用いられる。
【０００３】
図１０は、回路基板５に回路部品２０を搭載し、回路基板５の回路部品２０を搭載した面を樹脂によって封止した半導体装置を実装基板に実装した状態を部分的に拡大して示している。
回路基板５は基板１０の表面に所定の配線パターンが設けられ、基板１０の表面がソルダーレジスト等の保護膜１２によって被覆されて形成されている。配線パターンには回路部品２０の電極２１ａ、２１ｂの配置に合わせてパッド１１ａ、１１ｂが設けられ、パッド１１ａ、１１ｂの配置に合わせて保護膜１２に開口穴１３が設けられ、回路部品２０は開口穴１３で電極２１ａ、２１ｂとパッド１１ａ、１１ｂとがはんだ１８により接合されて回路基板５に搭載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した半導体装置を実装基板に実装する際には、リフローにより実装するが、このリフロー工程の際に半導体装置が加熱され、その際に回路基板５に回路部品２０を接合しているはんだ１８が溶融され、はんだ１８が熱膨張することによって、電極２１ａ、２１ｂ間が電気的に短絡したり、回路部品２０が回路基板５から押し上げられて基板１０から封止樹脂６が剥離したりするといった問題が生じる。
【０００５】
図１０では、半導体装置を実装した際に、はんだ１８が熱膨張して回路部品２０と回路基板５との隙間部分に侵入し、電極２１ａ、２１ｂを電気的に短絡させ、封止樹脂２２を回路基板５から剥離させるようにした状態を示す。
このように、パッド１１ａ、１１ｂと電極２１ａ、２１ｂとを接合していたはんだ１８が熱膨張して電気的短絡等の問題を生じさせるのは、回路基板５に搭載された回路部品２０を回路基板５上で樹脂封止したため、実装時にはんだ１８が溶融して熱膨張した際に、はんだ１８の行き場がないためであり、封止樹脂６と回路基板５との間に生じる隙間部分等にはんだ１８が入り込んでしまうためである。
【０００６】
とくに、回路部品２０としてチップキャパシタやチップ抵抗を搭載する場合は、これらの部品が小型で直方体状に形成され、部品本体の両端に電極が設けられていることから、回路基板にこれらの部品をはんだ接合によって搭載した場合には、溶融したはんだが電極の側面に這い上がりメニスカス状となる。このようにメニスカスを形成するため、これらの部品のはんだ接合では、電極間の間隔にくらべてはんだ量が多く必要となり、結果として電極間で電気的短絡が生じやすくなるという問題もある。
【０００７】
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、基板に回路部品を搭載して樹脂封止してなる半導体装置について、実装時に回路部品を回路基板に接合しているはんだが溶融して熱膨張した場合でも、電極間の電気的短絡や封止樹脂の剥離といった問題を発生させずに確実な実装を可能にする半導体装置およびこれに好適に用いられる回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、回路部品が回路基板に設けられたパッドにはんだ接合されて回路基板に搭載されるとともに、前記回路部品が樹脂により封止されて形成された半導体装置であって、前記回路基板の表面に、前記回路部品を前記パッドにはんだ接合するための、内周側面がオーバーハング形状となる開口穴をパッド上に形成して保護膜が被覆され、前記回路部品が、前記半導体装置を実装基板に実装する際のはんだの熱膨張量を吸収する隙間部分を前記開口穴の内周側面の近傍に形成して、前記回路基板に搭載されていることを特徴とする。
また、前記半導体装置に用いられる回路基板であって、回路基板の表面に、内周側面がオーバーハング形状となる開口穴がパッド上に形成されて、保護膜が被覆されていることを特徴とする。
【０００９】
また、回路部品が回路基板に設けられたパッドにはんだ接合されて回路基板に搭載されるとともに、前記回路部品が樹脂により封止されて形成された半導体装置であって、前記回路基板の表面に、前記回路部品をパッドにはんだ接合するための開口穴をパッド上に形成して保護膜が被覆されるとともに、前記パッド上の前記開口穴の領域内に溝部が形成され、前記回路部品が、前記溝部を、前記半導体装置を実装基板に実装する際のはんだの熱膨張量を吸収する隙間部分として、前記回路基板に搭載されていることを特徴とする。
また、前記開口穴は、内周側面がオーバーハング形状に形成されていることを特徴とする。
また、前記半導体装置に用いられる回路基板であって、回路基板の表面に、開口穴がパッド上に形成されて保護膜が被覆されているとともに、前記パッド上の前記開口穴の領域内に溝部が形成されていることを特徴とする。
また、前記開口穴は、内周側面がオーバーハング形状に形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、回路部品が回路基板に設けられたパッドにはんだ接合されて回路基板に搭載されるとともに、前記回路部品が樹脂により封止されて形成された半導体装置であって、前記回路基板の表面に、前記回路部品をパッドにはんだ接合するための開口穴をパッド上に形成して保護膜が被覆されるとともに、前記パッドが前記保護膜の表面よりも突出して形成され、少なくとも一対のパッド間に搭載される回路部品と回路基板との間が離間され、回路部品と回路基板との間に前記樹脂が充填されて回路部品が回路基板に搭載されていることを特徴とする。
また、前記回路部品と回路基板とが対向する領域内の保護膜に、保護膜を薄厚に形成するための凹部が設けられていることを特徴とする。
また、前記半導体装置に用いられる回路基板であって、回路基板の表面に、開口穴がパッド上に形成されて保護膜が被覆されているとともに、前記保護膜の表面よりも突出してパッドが形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体装置およびこれに用いる回路基板によれば、半導体装置を実装基板に実装する際に、回路基板に回路部品を搭載する際に使用したはんだが熱膨張しても、はんだの熱膨張量を吸収する隙間部分が設けられていることにより、回路部品の電極間で電気的短絡が生じたり、封止樹脂が回路基板から剥離するといった問題を回避することが可能となり、信頼性の高い半導体装置として提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面にしたがって詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、半導体装置に用いる回路基板２５の構成を示す断面図である。本実施形態の回路基板２５は、図１０に示した従来の半導体装置に用いられている回路基板５と同様に、回路基板２５に搭載されるチップキャパシタやチップ抵抗といった回路部品２０の電極２１ａ、２１ｂの配置に合わせて基板１０の表面にパッド１１ａ、１１ｂが設けられ、電極２１ａ、２１ｂの配置に合わせて、各々のパッド１１ａ、１１ｂ上で保護膜１２に開口穴１３が設けられたものである。
【００１３】
本実施形態の回路基板２５において特徴とする点は、開口穴１３の形状が、開口側から内底面（パッドの表面）に向けて徐々に拡径する（開口領域が広がる）形状、いいかえれば開口穴１３の内周側面１３ａがオーバーハング形状に形成されていることである。
このように、保護膜１２の内周側面１３ａをオーバーハング形状に形成するには、ソルダーレジスト等の保護膜材を露光および現像して開口穴１３を形成する際に、通常の露光時間よりも長く露光して、露光時に光がマスクの開口部から側方に拡散する作用を利用するといった方法して行うことができる。
なお、図１０に示す従来の回路基板５では開口穴の内周側面は、パッド面に対し直立した形状（直状）となっている。このように、従来一般に用いられている回路基板では、開口穴の内周側面は直立した形状となっている。
【００１４】
図２は、図１に示す回路基板２５に回路部品２０を搭載し、回路部品２０が搭載された回路基板２５の一方の面側を樹脂２２によって封止した半導体装置３０を示す。図２(a)は断面部、図２(b)は平面図である。
回路基板２５に回路部品２０をはんだ接合する際には、回路基板２５に設けられた開口穴１３の配置に合わせてはんだペーストを印刷し、回路部品２０を回路基板２５にセットしてリフローする。回路部品２０はパッド１１ａ、１１ｂ上で露出する開口穴１３の部分で、電極２１ａ、２１ｂとパッド１１ａ、１１ｂとがはんだ１８によって接合され、回路基板２５と電気的に接続されて搭載される。
本実施形態の半導体装置３０で使用している回路基板２５は、開口穴１３の内周側面１３ａがオーバーハング形状となっているから、回路部品２０を回路基板２５にはんだ接合した際には、はんだ１８が開口穴１３の内部全体に充填されず、開口穴１３の内周側面１３ａの近傍部分は隙間が生じた状態となる。
【００１５】
図２(b)は、パッド１１ａ、１１ｂ上に形成された開口穴１３の部分で、はんだ１８によって回路部品２０が接合されている状態の各部の平面配置を示す。破線Ａは、開口穴１３のパッド１１ａ、１１ｂ上における外形線を示す。開口穴１３は内周側面１３ａがオーバーハング形状となっているから、内底面側で徐々に開口領域が広がり、パッド１１ａ、１１ｂ上ではんだ１８が接合している領域（図の破線の斜線部分）と開口穴１３の内周側面１３ａとの間に隙間部分１３ｂが形成されて回路部品２０がはんだ接合される。
【００１６】
図３は、図２に示す半導体装置３０を実装基板に実装した状態を示す。なお、図３は実装状態の半導体装置３０を拡大して示したもので、実装基板については示していない。
前述したように、半導体装置３０を実装する際には、リフローにより、回路部品２０を回路基板２５に接合しているはんだ１８が溶融し、その際にはんだ１８が熱膨張する。本実施形態の半導体装置３０の場合は、開口穴１３の内周側面１３ａの近傍領域に隙間部分１３ｂが形成された状態ではんだ接合されているから、実装時にはんだ１８が溶融して熱膨張した際には、この隙間部分１３ｂにはんだ１８が入り込んで実装される。図３は、はんだ１８が開口穴１３内に充填されて実装されている状態を示す。
【００１７】
本実施形態の半導体装置３０の場合は、上述したように、回路基板２５のパッド１１ａ、１１ｂに設ける開口穴１３の内周側面１３ａをオーバーハング形状としたことにより、実装時に、はんだ１８が熱膨張しても、開口穴１３内の隙間部分１３ｂがはんだ１８の膨張分を吸収する領域となり、はんだ１８が回路基板２５と回路部品２０との隙間部分に侵入して電気的な短絡を生じさせたり、回路基板２５から回路部品２０を押し上げたりすることを防止することが可能になり、半導体装置３０を確実に実装することが可能になる。
【００１８】
（第２の実施の形態）
図４(a)は、半導体装置に用いる回路基板の第２の実施形態の構成を示す断面図であり、図４(b)は回路基板２６の基板１０上に形成されるパッド１１ａ、１１ｂの平面図を示す。
本実施形態の回路基板２６も、第１の実施形態においては説明した回路基板２５と同様に、基板１０上に回路部品２０の電極２１ａ、２１ｂの配置に合わせてパッド１１ａ、１１ｂが設けられ、パッド１１ａ、１１ｂ上で開口穴１３を開口させてソルダーレジスト等の保護膜１２により基板１０の表面が被覆されたものである。なお、基板１０には貫通孔が設けられ、貫通孔の内面に導体層１４が設けられ、導体層１４を介して基板１０の一方の面に設けられたパッド１１ａ、１１ｂと基板１０の他方の面に設けられたランド（不図示）とが電気的に接続されている。１５は電気的絶縁層である。
【００１９】
本実施形態の回路基板２６においても開口穴１３の内周側面１３ａがオーバーハング形状となるように形成されているが、本実施形態の回路基板２６において特徴的な構成は、パッド１１ａ、１１ｂに溝部１６を形成したことにある。図４(b)に示すように、溝部１６はパッド１１ａ、１１ｂの幅方向を長手方向として、開口穴１３の略全幅にわたって細長の形状に形成されている。なお、溝部１６は、開口穴１３内に設けるものであれば、その形状、配置位置、配置数がとくに限定されるものではない。
【００２０】
この溝部１６は回路部品２０を回路基板２６にはんだ接合した際に、はんだが溝部１６に入り込まないように幅寸法等を設定する。一般に、溝の幅を２００μｍ以下程度とすれば、はんだ接合の際に溝内にはんだが入り込むことはない。したがって、パッド１１ａ、１１ｂに形成する溝部１６の幅を１００〜２００μｍ程度以下に設定して設計すればよい。本実施形態では、溝部１６の幅を５０μｍ、長さを５００μｍ、深さを３０μｍ程度とした。
なお、パッド１１ａ、１１ｂに溝部１６を形成する方法としては、多層配線基板を形成する際に用いられるビルドアップ法でビア穴を形成する方法、レーザ光をパッド１１ａ、１１ｂに照射して溝を形成する方法等が利用できる。
【００２１】
図５は、回路基板２６に回路部品２０をはんだ接合によって搭載し、樹脂２２により回路基板２６の一方の面を封止して半導体装置３１を形成した状態を示す。パッド１１ａ、１１ｂの開口穴１３で回路部品２０の電極２１ａ、２１ｂとパッド１１ａ、１１ｂとがはんだ１８によって接合され、回路部品２０が回路基板２６にはんだ接合されている。開口穴１３の内周側面１３ａがオーバーハング形状に形成されていることにより、はんだ１８と開口穴１３の内周側面１３ａとの間に隙間部分が形成されると同時に、溝部１６にはんだ１８が入り込まないことから、溝部１６が隙間部分として残る。
【００２２】
図６は、図５に示した半導体装置３１を実装基板に実装した状態を示す。実装時に溶融して膨張したはんだ１８が開口穴１３の内周側面に形成されていた隙間部分を充填するとともに、溝部１６に入り込んで実装されている様子を示す。
本実施形態の半導体装置３１では、開口穴１３の内周側面１３ａをオーバーハング形状に形成するとともに、パッド１１ａ、１１ｂに溝部１６を形成したことによって、開口穴１３の内周側面の近傍に形成された隙間部分と溝部１６とが、はんだ１８が熱膨張するときにはんだ１８の膨張を吸収する余裕空間として作用する。
【００２３】
本実施形態の半導体装置３１の場合も、はんだ１８の膨張を余裕空間部分で吸収することにより、リフローの際にはんだ１８が熱膨張しても、回路部品２０が回路基板２６から剥離したり、回路部品２０の電極２１ａ、２１ｂ間の隙間部分にはんだ１８が入り込んで電極２１ａ、２１ｂ間が電気的に短絡するといった問題を回避することができる。
なお、本実施形態の半導体装置３１では、開口穴１３の内周側面１３ａをオーバーハング形状としたが、開口穴１３については通常の開口穴と同様に直状穴とし、パッド１１ａ、１１ｂに溝部１６のみを形成してはんだ１８の膨張を吸収するように構成することも可能である。
【００２４】
（第３の実施の形態）
図７(a)は、半導体装置に用いる回路基板の第３の実施形態の構成を示す断面図である。
本実施形態の回路基板２７も、上述した各実施形態における回路基板２５、２６と同様に基板１０上に回路部品２０の電極２１ａ、２１ｂの配置に合わせてパッド１１ａ、１１ｂを設け、基板１０の表面を保護膜１２によって被覆したものである。
本実施形態の回路基板２７において特徴とする構成は、基板１０の表面を被覆するソルダーレジスト等の保護膜１２の表面位置よりもパッド１１ａ、１１ｂを突出させるように設けること、パッド１１ａ、１１ｂによって挟まれた中間領域の保護膜１２に凹部１２ａを形成したことにある。
【００２５】
図７(a)に示すように、本実施形態の回路基板２７では、基板１０上に配線パターン１７が形成され、配線パターン１７を被覆するようにパッド１１ａ、１１ｂが設けられている。
図７(b)に配線パターン１７およびパッド１１ａ、１１ｂの平面配置を示す。パッド１１ａ、１１ｂは配線パターン１７の線幅よりも幅広に形成され、所定間隔をあけて対向して配置されている。パッド１１ａ、１１ｂを保護膜１２の表面よりも突出させて設けるには、基板１０の表面に配線パターン１７を形成し、開口穴１３を形成して保護膜１２により基板１０の表面を被覆した後、開口穴１３内に所定の厚さにめっきを盛り上げるようにめっきを施せばよい。パッド１１ａ、１１ｂは保護膜１２の表面よりも５〜１０μｍ程度突出するように設ける。
【００２６】
保護膜１２に形成された凹部１２ａは、本実施形態においては、図７(b)に示すように、パッド１１ａ、１１ｂの対向方向に対して長手方向を交差させる向きとして、細長の溝状に形成されている。この凹部１２ａはパッド１１ａ、１１ｂの中間領域で、保護膜１２の厚さを薄くするために設けたものである。
凹部１２ａを形成する方法としては、ソルダーレジスト等の保護膜１２をパターニングする際に、凹部１２ａを形成する位置に合わせて開口穴を形成して凹部１２ａとする方法、保護膜１２を所定の厚さに形成した後、レーザ加工によって凹部１２ａを形成する方法等によることができる。
【００２７】
図８は、回路基板２７に回路部品２０をはんだ接合し、樹脂２２によって樹脂封止した半導体装置３２を示す。回路部品２０の電極２１ａ、２１ｂとパッド１１ａ、１１ｂとがはんだ１８によって接合され、回路部品２０はパッド１１ａ、１１ｂの間をかけ渡すようにして搭載される。
パッド１１ａ、１１ｂが保護膜１２の表面よりも突出して形成されたことにより、回路基板２７の表面から回路部品２０が離間して支持されること、パッド１１ａ、１１ｂの中間に凹部１２ａが形成されていることにより、パッド１１ａ、１１ｂの中間位置で回路部品２０と保護膜１２との離間間隔を広く確保することが可能になることにより、回路基板２７に回路部品２０を搭載して樹脂２２により封止した際に、回路部品２０と回路基板２７とで挟まれた部位が確実に樹脂２２によって充填することが可能となる。
【００２８】
図９は、比較例として、従来の回路基板７に回路部品２０を搭載した例を示す。従来の回路基板７は、配線パターン１７に形成されたパッド１１ａ、１１ｂ部分で保護膜１２が開口し、回路基板７に回路部品２０をはんだ接合した際に、パッド１１ａ、１１ｂによって挟まれた中間領域で、回路基板７と回路部品２０との間にわずかに隙間１９が生じる。したがって、回路基板７に回路部品２０を搭載して樹脂２２により封止した場合に、隙間１９に樹脂２２が充填されにく、回路基板７と回路部品２０との間に隙間１９がそのまま残留した状態になる。この結果、半導体装置を実装基板に実装した際に、熱膨張したはんだ１８が隙間１９に侵入し、電極２１ａ、２１ｂがはんだ１８によって電気的に短絡するといった問題が生じることになる。
【００２９】
これに対して、本実施形態の半導体装置３２の場合は、回路部品２０と回路基板２７との間が広く確保されることによりパッド１１ａ、１１ｂに挟まれた領域部分についても確実に樹脂２２が充填され、パッド１１ａ、１１ｂの間に連通空間が生じるといったことを防止することが可能となる。なお、凹部１２ａを長手方向に長く延出させておくことにより、回路部品２０の側面方向から回路部品２０と回路基板２７との隙間部分に樹脂２２が充填されやすくなって、さらに確実にパッド１１ａ、１１ｂ間で電気的な短絡が生じることを防止することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】回路基板の第１の実施形態の構成を示す断面図である。
【図２】半導体装置の第１の実施形態の構成を示す断面図（ａ）、および平面図(b)である。
【図３】第１の実施形態の半導体装置を実装した状態を示す断面図である。
【図４】回路基板の第２の実施形態の構成を示す断面図(a)、および平面図(b)である。
【図５】半導体装置の第２の実施形態の構成を示す断面図である。
【図６】第２の実施形態の半導体装置を実装した状態を示す断面図である。
【図７】回路基板の第３の実施形態の構成を示す断面図(a)、および平面部(b)である。
【図８】半導体装置の第３の実施形態の構成を示す断面図である。
【図９】半導体装置の従来の構成を示す断面図である。
【図１０】従来の半導体装置を実装した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０  基板
１１ａ、１１ｂ  パッド
１２  保護膜
１２ａ  凹部
１３    口穴
１３ａ  内周側面
１３ｂ  隙間部分
１６  溝部
１７  配線パターン
１８  はんだ
１９  隙間
２０  回路部品
２１ａ、２１ｂ  電極
２２  樹脂
２５、２６、２７  回路基板
３０、３１、３２  半導体装置
【図１】
2006005112.tif 000003
【図２】
2006005112.tif 000004
【図３】
2006005112.tif 000005
【図４】
2006005112.tif 000006
【図５】
2006005112.tif 000007
【図６】
2006005112.tif 000008
【図７】
2006005112.tif 000009
【図８】
2006005112.tif 000010
【図９】
2006005112.tif 000011
【図１０】
2006005112.tif 000012