(57)【要約】【課題】  拘束シートの除去性が十分で導体パターンの損傷、剥離の無い多層セラミック基板を提供する。【解決手段】  低温焼成のセラミックでなる複数のグリーンシートを準備する工程と、前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を主とするセラミックスラリーをキャリアフィルム上に所定厚みで塗布し、乾燥して拘束シートを準備する工程と、所望のグリーンシートに導体ペーストで導体パターンやビア導体を作製する工程と、ビア導体及び／または導体パターンを形成した複数のグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、前記拘束シートをグリーンシート積層体の両面または片面に積層したまま焼成する工程と、焼成後のグリーンシート積層体から拘束シートを除去する工程とを具備し、上記焼成工程においてセラミック中のガラス成分を結晶化させる多層セラミック基板の製造方法である。【選択図】        図２
2006135012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温焼成可能なガラスセラミックよりなるグリーンシートを準備する工程と、
前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を主とするセラミックスラリーを用いて拘束シートを準備する工程と、
前記グリーンシートのうち、所望のグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを作製する工程と、
前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、
前記拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、
前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、
焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程と、
を具備する多層セラミック基板の製造方法であって、
前記焼成工程において少なくともグリーンシート積層体を構成するセラミック中のガラス成分の少なくとも一部を結晶化させることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記焼成工程において、グリーンシート積層体に含有されるガラス成分を前記拘束シートに浸透させることを特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
セラミックの成分としてAl, Siを含有し、さらにSr, Ca, Na, Kのうちの少なくとも１種類を含有し、セラミック中のガラス成分の少なくとも一部が結晶化しており、X線回折パターンにおいて、当該成分の結晶のピーク強度がAl2O3のピーク強度の５０％以上であり、請求項１又は２のいずれか１項に記載の多層セラミック基板の製造方法により作製されたことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項４】
セラミックの成分として少なくともAl, Siを含有し、さらにSr, Ca, Na, Kのうちの少なくとも１種類を含有し、セラミック中のガラス成分の少なくとも一部が結晶化しており、X線回折パターンにおいて、長石族のピーク強度がAl2O3のピーク強度の５０％以上であり、請求項１又は２のいずれか１項に記載の多層セラミック基板の製造方法により作製されたことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項５】
前記長石族がCa長石であることを特徴とする請求項４に記載の多層セラミック基板。
【請求項６】
前記長石族がSr長石であることを特徴とする請求項４に記載の多層セラミック基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度多層配線基板に用いる高精度で高度な平坦性を有する低温同時焼成（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）の多層セラミック基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩ・チップ部品等は小型化・軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も小型化・軽量化が望まれている。このような要求に対して、基板内に内部電極等を配した多層セラミック基板は、要求される高密度配線が可能となり、かつ薄型化が可能なことから、今日のエレクトロニクス業界において重視されている。
【０００３】
多層セラミック基板は、ガラスセラミックス粒子に有機バインダ・可塑剤・溶剤等を加えてスラリーとし、ドクターブレード法によりグリーンシートを成形した後、銀などの低抵抗金属の粉末を含有する導体ペーストを印刷法によりガラスセラミックグリーンシート上に配線導体のパターンを形成し、次いで複数枚のグリーンシートを積層して、８００〜１０００℃の温度で同時焼成して得られる。
【０００４】
ところが、多層セラミック基板は、焼成工程において焼結に伴う収縮を生じるという問題がある。このような収縮は一様ではなく、使用する基板用の無機材料、グリーンシートの組成、原料である粉体粒度のバラツキ、配線導体のパターン、基板内部に配置される配線導体の材料等により収縮率や収縮方向が異なる。
【０００５】
この収縮率や収縮方向の不均一性を小さくするため、ガラスセラミックグリーンシート積層体の両面または片面に、ガラスセラミックス成分の焼成温度では焼結しないアルミナを材料とする拘束シートを積層して焼成し、その後、拘束シートを超音波洗浄やサンドブラスト等で除去する方法、いわゆる無収縮プロセスが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
特許文献１には、積層した未焼成のグリーンシートの上面及び下面に、拘束シートを形成してから焼成し、その後、多層セラミック基板の両面から拘束シートを除去するために、圧縮空気とともに水を吹き付けるか、セラミック粉を吹き付けるか、または水とセラミック粉末を混合したものを吹き付けることにより拘束シートを除去する多層セラミック基板の製造方法が開示される。
【０００７】
【特許文献１】国際公開ＷＯ９９／５６５１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の無収縮プロセスを用いた多層セラミック基板の製造方法では、拘束シートの除去が難しいという問題があった。このため、拘束層の除去には超音波洗浄とサンドブラストを用いるのが一般に知られているが、表層電極を同時焼成した基板に対してサンドブラストを用いると、電極の剥離等の深刻なダメージを表層電極に与えてしまう。これを回避するためにアルミナ除去後に表層電極を印刷し、後から焼き付ける方法が知られている。しかしながら、この方法では印刷と焼成を再度行う必要があるため、工程が煩雑になり、コストが高くなるという問題があった。
【０００９】
そこで本発明は、多層セラミック基板の製造方法において、拘束シートの除去性が実用上問題ない程度に十分であり、多層セラミック基板や、その表面に形成された導体パターンの損傷、剥離の無い、高精度で高度な平坦性を有する低温焼成（ＬＴＣＣ）の多層セラミック基板に係る製造方法を提供し、もって、高精度で高度な平坦性を有する信頼性の高い多層セラミック基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明者は、多層セラミック基板の製造方法における拘束シートの除去性について精査した結果、セラミック中のガラス成分の結晶化の程度が支配的な因子であることを見出し、更にセラミック中のガラス成分を結晶化させると、拘束シートの除去が極めて容易になることを知見した。即ち、本発明は、低温焼成可能なガラスセラミックよりなるグリーンシートを準備する工程と、前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を主とするセラミックスラリーを用いて拘束シートを準備する工程と、前記グリーンシートのうち、所望のグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを作製する工程と、前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、前記拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程とを具備する多層セラミック基板の製造方法であって、前記焼成工程において少なくともグリーンシート積層体を構成するセラミック中のガラス成分の少なくとも一部を結晶化させることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法である。尚、前記導体パターンを作製する工程で、所望のグリーンシートにビアホールを形成し、これに導体ペーストを充填してビア導体を作製する工程を加えても良い。
【００１１】
本発明の多層セラミック基板の製造方法においては、焼成工程でグリーンシート積層体に含有されているガラス成分を拘束シートに浸透する現象が起こり得る。従って、上記においてセラミック中のガラス成分の少なくとも一部を結晶化させると言うことは、前記グリーンシート積層体あるいは当該グリーンシート積層体のガラス成分が浸透した拘束シートについても言えることである。
【００１２】
また、本発明は、セラミックの成分としてAl, Siを含有し、さらにSr, Ca, Na, Kのうちの少なくとも１種類を含有し、セラミック中のガラス成分の少なくとも一部が結晶化しており、X線回折パターンにおいて、当該成分の結晶のピーク強度がAl2O3のピーク強度の５０％以上である上記した多層セラミック基板の製造方法により作製された多層セラミック基板である。
【００１３】
さらに、本発明は、セラミックの成分として少なくともAl, Siを含有し、さらにSr, Ca, Na, Kのうちの少なくとも１種類を含有し、セラミック中のガラス成分の少なくとも一部が結晶化しており、X線回折パターンにおいて、長石族のピーク強度がAl2O3のピーク強度の５０％以上である上記した多層セラミック基板の製造方法により作製された多層セラミック基板である。ここで、前記結晶化成分として長石族が挙げられ、中でもSr長石あるいはCa長石のピーク強度がAl2O3のピーク強度の５０％以上となっていることが望ましい。５０％未満の場合は基板への拘束シートの固着が強力で、除去が容易でないという問題がある。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による多層セラミック基板および多層セラミック基板の製造方法によると、セラミック中のガラス成分が結晶化することにより拘束層の除去性が十分に発揮される。よって、セラミック基板や、その表面に形成された導体パターンによる電極の損傷や剥離が無い、高精度で高度な平坦性を有する低温焼成（ＬＴＣＣ）の多層セラミック基板を得ることができ、もって、高精度で高度な平坦性を有する信頼性の高い多層セラミック基板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は無収縮工法の焼成工程において、グリーンシート積層体あるいは拘束層を構成するセラミック中のガラス成分の少なくとも一部を結晶化させることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法であるが、本発明のメカニズムを次のように推測している。すなわち、焼成工程において、セラミック中のガラス成分は拘束層に浸透することによって、多層セラミック基板と拘束層との結合が強化される。更に多層セラミック中のガラス成分および拘束層中に浸透したガラス成分が結晶化すると、前記多層セラミック基板と拘束層との結合を破壊する力が働き、これによって拘束層の除去性が向上すると考えられる。多層セラミック基板と拘束層との結合を破壊する要因としては、結晶化に伴う体積変化、原子の再配列や結晶の成長、結晶化することによって生じるセラミック基板と拘束層の熱膨張係数の差による降温時の応力等のいずれか、あるいはこれらを組合せた複数の要因が考えられる。これによって、拘束層の除去性が向上するという特有の作用効果を呈するのではないかと考えている。よって、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法を用いると、拘束力は十分に保持しつつ、アルミナなどの固着は少ないので拘束層の除去が極めて容易になる。
【００１６】
以下、本発明の実施態様について説明する。図１は、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法を示す工程図である。ここで、下記の工程順序は一例を示しただけで、必ずしも下記の工程順である制約は無く、また複数の工程を同時に実施してもよく、場合によっては、不要となる工程は実施しない場合もある。
図２は、焼成後のセラミック基板のX線回折パターンを示したものであり、図２（A）は実施例１における本発明のセラミック基板のX線回折パターン、図２（B）は比較例１のセラミック基板のX線回折パターンである。
図３は、拘束シート除去後のセラミック基板を示す写真であり、図３（A）は実施例１における本発明のセラミック基板、図３（B）は比較例１のセラミック基板である。
図４は、焼成後のセラミック基板のX線回折パターンを示したものであり、図４（A）は実施例２における本発明のセラミック基板のX線回折パターン、図４（B）は比較例２のセラミック基板のX線回折パターンである。
【００１７】
さて、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法のうち、低温焼成可能なガラスセラミックでなる複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・を準備する工程は、図１（Ａ）、（Ｂ）で例示したドクターブレード法などにより、誘電体、バインダ、及び可塑剤よりなるセラミックスラリーを、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのようなキャリアフィルム上に均一な厚さで塗布し、数十μｍから数百μｍのグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃを作製する。セラミックスラリーには、グリーンシートを形成するに必要なだけのバインダ量を含有させている。最適なバインダ量は、誘電体の粒子サイズや成分などによって異なるため、一義的ではなく、ケースバイケースで決定する。尚、低温焼成可能なセラミックでなる複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃの作製はドクターブレード法に限定されず、例えば印刷法によって作製することもできる。以下、製造工程を順を追って説明する。
【００１８】
図１（Ａ）は、前記複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃの焼成温度では焼結しない無機材料（例えばアルミナ）粒子を主成分とするセラミックスラリー１をドクターブレード法でキャリアフィルム５上に所定厚みで塗布して拘束シート６０ａ、６０ｂを形成する工程を模式的に示す。尚、セラミックスラリー１は、セラミック粒子をバインダと溶剤で泥しょう（スラリー）化したものである。拘束グリーンシート６０ａ、６０ｂは、セラミックのグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃの作製と同様にして、有機バインダ、可塑剤、溶剤等を用いて成形することによって得られる。有機バインダ、可塑剤、溶剤としては、セラミックのグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃで使用したのと同様な材料が使用可能である。ここで、可塑剤を添加するのは、拘束グリーンシートに可撓性を付与し、積層時に拘束グリーンシートとの密着性を高めるためである。それにより拘束力が増強される。この拘束シートは通常長尺のテープ状に形成され、必要に応じて、乾燥後のグリーンシートをキャリアフィルム５が付いたまま所定の寸法に裁断する。
【００１９】
図１（Ｂ）は、乾燥した後、キャリアフィルム５を剥離して拘束シート６０ａ、６０ｂを準備する工程を示す。
図１（Ｃ）は、複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃを準備する工程を示している。但し、ここでは３層としているが、積層数は特定できず、回路構成によって異なり１０層以上積層する場合もある。
図１（Ｄ）は複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃ（この例では全てのグリーンシートとした）にビアホール２０ａ、２０ｂを作製する工程を示す。
図１（Ｅ）は、前記複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃのうち、所望のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃのビアホール２０ａ、２０ｂに導体ペーストでビア導体３０ａ、３０ｂを作製する工程と、所望のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃの表面に導体ペーストで導体パターン４０ａ、４０ｂを作製する工程とを示す。
ここで、所望のグリーンシートとは、多層セラミック基板の回路設計の必要に応じてビア導体３０ａ、３０ｂや導体パターン４０ａ、４０ｂを形成するグリーンシートをいう。図１（Ｅ）の例では、全てのグリーンシートにビア導体３０ａ、３０ｂや導体パターン４０ａ、４０ｂを形成した。
図１（Ｆ）は、プレスによる圧着、キャリアフィルムの剥離工程を繰り返して、前記ビア導体３０ａ及び／または導体パターン４０ａを形成した複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層してグリーンシート積層体５０を作製する工程を示す。
【００２０】
グリーンシート積層体５０を作製する工程を、更に詳しく説明する。
先ず、多層セラミック基板の表層となるグリーンシート１０ａを、キャリアフィルム５上にセットし、上側の金型で所定の圧力、温度、時間だけプレスし圧着する。上下の金型はヒーターを内蔵した単純な平板形状でよい。
プレスによる圧着が終わると、キャリアフィルム５ｂを剥離する。グリーンシート１０ａの両面にキャリアフィルムがあり、５ａは、１０ａとプレスの間の側のフィルムで、５ｂはその反対側のフィルムである。この時、グリーンシートはキャリアフィルム５ａに強固に固定されており、キャリアフィルム５ｂの剥離に際して一緒に剥離されることはない。
次に、第２層目のグリーンシート１０ｂを積層する。グリーンシートには、内層に所定パターンの内部回路を構成する導体パターン４０ｃ、４０ｄが印刷されている。グリーンシート１０ｂを、主面が第１層のグリーンシート１０ａに当接するようにセットし、グリーンシート１０ａと１０ｂを共に、第１層のグリーンシート１０ａの場合と同様にプレスし圧着する。この時、プレス温度を印刷ペースト内の粘着剤が軟化固着する温度とすれば、加圧力により印刷部が相手側のグリーンシートと接合する。従って、グリーンシート１０ａ、１０ｂ同士は、印刷ペーストを介して結合される。また、電極が無くセラミック層同士が直接接触するところも、電極を介する場合と同様に軟化して固着し、結合する。プレス温度は粘着剤の種類にもよるが、通常４０〜９０℃程度の低温でよく、接合強度は加圧力を変えることにより調整できる。
圧着後、キャリアフィルムを剥離する。第３層の１０ｃ以降は、第２層目の１０ｂの積層で述べたと同様な一連の作業を繰り返し、グリーンシート積層体を得る。その後、積層ブロックの底面に底面側電極を印刷し、更に必要に応じて、上面またもしくは下面に溝入れ加工を施した後、拘束シート６０ａ、６０ｂを圧着する。
【００２１】
図１（Ｇ）は、前記複数のグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃの焼成温度では焼結しない無機材料として、アルミナ粒子をバインダで結合した拘束シート６０ａ、６０ｂを前記グリーンシート積層体５０の両面に積層した状態を示す図である。その後、拘束シート６０ａ、６０ｂを積層し拘束層を形成したグリーンシート積層体５０を８００〜１０００℃の比較的低温で一体に焼成する。尚、この際に重要なことは、拘束シート６０ａ、６０ｂのグリーンシート積層体５０に対向する面を、キャリアフィルム５との接触面１５Ａとすることである。なぜならば、キャリアフィルムとの接触面側はバインダが濃縮し易いために、バインダ量が多く、拘束シートの主材料であるアルミナ等の固着を和らげるクッション作用が働き、拘束するけれども、固着が少ないという作用が働くものと考えられるからである。
図１（Ｈ）は、焼成後の多層セラミック基板１００から焼結しない拘束シート６０ａ、６０ｂによる拘束層を除去した工程を示す。拘束層の働きにより焼成によって積層方向に収縮しているが、表層面内ではほとんど収縮していない高精度な多層セラミック基板となすことが出来る。このようにして、所望層同士の配線パターンが接続され、三次元回路を形成することができる。
【００２２】
本発明に係る多層セラミック基板の製造方法においてグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃに用いるセラミックの材料組成は、銀などの導体ペーストと同時焼成できる低温焼成セラミックス材料のガラスセラミックなら何でも使用できる。
例えば、主成分であるＡｌ，Ｓｉ，Ｓｒ，ＴｉをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算したとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下（０を含む）であり、その主成分１００質量％に対して、副成分として、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｏの群のうちの少なくとも１種をＢｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％含有し、更に、Ｃｕ、Ｍｎ、Ａｇの群のうちの少なくとも１種をＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％、Ａｇを０．０１〜５質量％含有し、その他不可避不純物を含有している混合物を７００℃〜８５０℃で仮焼し、これを粉砕して平均粒径０．６〜２μm、望ましくは１μｍの微粉砕粒子からなるセラミック材料を使用することが出来る。これにより、銀や銅、金といった高い導電率を有する金属材料を内部電極として用いて、一体焼結を行うことができる。誘電体材料の有する高いＱ値を用い、しかも電気抵抗による損失を抑えた内部電極を用い、極めて損失の小さい電子部品を構成することができる。
【００２３】
上記のセラミック材料は、低温焼成セラミックス材料の混合粉を仮焼きした後、微粉砕した粒子を用いたが、別の手段としては、仮焼きせずに、ガラス粉末とセラミックス粉末を混合したものを用いることができる。即ち、上記と同じ低温焼成セラミック材料を用いたとして、Ａｌ２Ｏ３以外の酸化物と炭酸塩をらいかい機で混合し、混合物をアルミナ坩堝に入れて、電気炉で１４００℃で２時間の熱処理を行う。熱処理後、坩堝の中に生成したガラス塊をスライサーで切り出し、ガラス塊をクラッシャーとボールミルを用いて粉砕し、この平均粒径１μｍのガラス粉末と同じく平均粒径１μｍのアルミナ粉末、有機バインダ、可塑剤をボールミルで混合してセラミック材料となすことが出来る。
【００２４】
また、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法において、拘束シート６０ａ，６０ｂに用いるセラミックの材料組成は、グリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃに用いるＬＴＣＣセラミックの焼成温度（８００〜１０００℃程度）では焼成しないものであれば使用できるが、様々な種類のアルミナが安価に入手できるのでアルミナ粒子を用いることが一般的である。
【００２５】
（実施例１と比較例１）
以下、具体例を通して、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法を説明する。
図１に例示した製造方法を基に、基体用グリーンシートのセラミック材料として上記仮焼き粉砕粉による低温焼成可能なセラミック材料を用いてグリーンシート積層体を形成した。また、拘束シート６０ａ、６０ｂを構成する無機材料の粒子としてアルミナ粒子を用いた。
拘束シート６０ａ、６０ｂをグリーンシート積層体５０の上下面に積層してから焼成した。尚、本発明は、未焼成のセラミックグリーンシート積層体上面の外部電極の有無に関係なく適用可能である。
実施例１では、焼成工程において８７５〜９２５℃で、１５分〜２時間の保持を行うことによって結晶化を促進した。表１において、試料番号に＊印のないものが本発明の実施例であり、試料番号に＊印を付記したものは本発明の範囲外の比較例である。
試料番号1、２、３の比較例は、実施例１と同様のグリーンシート積層体５０を用いて、焼成工程を８５０〜９００℃で０分〜２時間の保持を行ったものである。
焼成後の多層セラミック基板を５分間の超音波洗浄した後に残留アルミナを目視にて比較した。図３に実施例（Ａ）（試料番号５）と比較例（Ｂ）（試料番号１）の基板の写真を示す。評価は概ね、
多層セラミック基板上にアルミナが占める面積率が１％以下：良好
多層セラミック基板上にアルミナが占める面積率が１％以上：不良
【００２６】
次に、CuのKα線を用いてX線回折測定を行い、長石族の結晶化度を確認した。ここで、長石族のSr長石とアルミナのピーク強度比は、SrAl２Si２O８（ストロンチウム長石）の（００２）面のピークとAl2O3（アルミナ）の（１１３）面のピークの強度比より求めた。その結果を目視による残留アルミナ量の比較と共に表１に示す。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
図３より明らかなように、実施例１（試料番号５）の基板上の残留アルミナは、比較例１（試料番号１）の場合よりも遥かに少なくなることが分かった。実際、比較例１（試料番号１）においては、アルミナが強力に固着しているため５分間の超音波洗浄ではほとんど除去できず、残留アルミナで覆われていた。このことは、比較例においてはセラミック中のガラス成分が拘束層シートに浸透し、ガラス成分を結晶化させないため、セラミックと拘束層がガラス成分を介して物理的に強固に結合した状態であるためアルミナの除去性が悪く、その結果、大量のアルミナ残留が見られると考えられる。これに対して、実施例においては、ガラス成分が結晶化しており、結晶化によって拘束層シートとセラミックの界面におけるガラスを介した結合が破壊されるため、アルミナの除去性が向上し、これによってアルミナ残留量も減少すると考えている。また、図２よりSrAl２Si２O８のX線回折パターンのSrAl２Si２O８のピーク強度においてAl2O3のピーク強度の５０％以上にあるものが本発明の実施例であり、この場合は、アルミナ残量が少なく、拘束層の除去性に優れている。一方、SrAl２Si２O８のピーク強度がAl2O3のピーク強度の５０％未満であるものは比較例であることが分かった。この場合は、上記したようにアルミナの残留量が極めて多い。
よって、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法によると、拘束シートの除去性が十分であり、多層セラミック基板や、その表面に形成された導体パターンの損傷、剥離の無い、高精度で高度な平坦性を有する低温焼成（ＬＴＣＣ）の多層セラミック基板を提供できる。その結果、高精度で高度な平坦性を有する信頼性の高い多層セラミック基板を得られた。
【００２９】
（実施例２）
図１に例示した製造方法を基に、基体用グリーンシートのセラミック材料は主成分としてAl、Siを含み、さらにＢ、Ca、Na、K、Pbを含有する低温焼成可能なセラミック材料の微粉末を用いてグリーンシート積層体を形成した。また、拘束シート６０ａ，６０ｂを構成する無機材料の粒子としてアルミナ粒子を用いた。
拘束シート６０ａ、６０ｂをグリーンシート積層体５０の上下面に積層してから焼成した。このとき、実施例２では、焼成工程において９２５℃で、３０分間の保持を行うことによって結晶化を促進した。表２において、試料番号に＊印のないものが本発明の実施例であり、試料番号に＊印を付記したものは本発明の範囲外の比較例である。評価は上記実施例と同様である。
【００３０】
一方、比較例２は、実施例２と同様のグリーンシート積層体５０を用いているが、焼成工程を８００〜９００℃で、３０分間の保持を行ったものとした。（同上。表２に条件を記入できないか）
焼成後の多層セラミック基板を４分間の超音波洗浄した後に残留アルミナを目視にて比較した。
次に、CuのKα線を用いてX線回折測定を行い、長石族の結晶化度を確認した。ここで、長石族のCa長石とアルミナのピーク強度比は、CaAl2Si2O8（灰長石）の（００４）面のピークとAl2O3（アルミナ）の（１１３）面のピークの強度比より求めた。その結果を目視による残留アルミナ量の比較と共に表２に示す。
【００３１】
【表２】
2006135012.tif 000004
【００３２】
以上の結果は、上記実施例のSr長石の場合と同様に実施例２(試料番号11)の基板上の残留アルミナは、比較例２（試料番号8、9、10）の場合よりも遥かに少なくなることが分かった。その理由は上記した理由と同様と考える。また、CaAl2Si2O8のピークにおいてAl2O3のピーク強度の５０％以上にあるものがアルミナ除去性に優れており、CaAl2Si2O8のピーク強度がAl2O3のピーク強度の５０％未満であるものはアルミナ残留量が多く不都合であることが分かった。
以上、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法によると、拘束シートの除去性が格段に改良され、拘束層の除去に際して従来のように強度のブラスト処理を施す必要は無く、超音波洗浄を施すだけの簡単なブラスト処理で拘束シートを除去できる、あるいはブラスト処理を施すことなくアルミナを除去できる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明に係る多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板によると、高性能で信頼性の高い電子機器、例えば携帯電話が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係る多層セラミック基板の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図２】実施例１における本発明による多層セラミック基板と、比較例１の多層セラミック基板のX線回折パターンを示した図である。
【図３】（Ａ）は実施例１における５分間の超音波洗浄後の本発明の多層セラミック基板、（Ｂ）は５分間の超音波洗浄後の比較例の多層セラミック基板の写真である。
【図４】実施例２における本発明による多層セラミック基板と、比較例２の多層セラミック基板のX線回折パターンを示した図である。
【符号の説明】
【００３５】
１：セラミックスラリー
５：キャリアフィルム
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ：グリーンシート
１５Ａ：グリーンシートのキャリアフィルムとの接触面
１５Ｂ：グリーンシートの自由面
２０ａ・・・：ビアホール
３０ａ・・・：ビア導体（焼成前）
４０ａ・・・：導体パターン（焼成前）
５０：グリーンシート積層体
６０ａ、６０ｂ：拘束シート
７０ａ、７０ｂ、７０ｃ：セラミック層
８０ａ・・・：ビア導体（焼成後）
９０ａ・・・：導体パターン（焼成後）
１００：多層セラミック基板
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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