(57)【要約】【課題】レターデーション値が高くかつフィルム面内での光学的な均一性に優れ、かつカールが小さく加工適性に優れたセルロースアシレートフィルム及びその製造方法、上記特性に優れたセルロースアシレートフィルムを支持体とする光学補償フィルム及び偏光板、並びに上記偏光板を用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有するセルロースアシレートフィルムであって、各々の添加剤について、該セルロースアシレートフィルムのバンドまたはドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、存在量の比が下記式を満たすセルロースアシレートフィルムを使用する。  ０．２５＜エア面表面の添加剤存在量／支持体面表面の添加剤存在量＜４【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有するセルロースアシレートフィルムであって、
各々の添加剤について、該セルロースアシレートフィルムのバンドまたはドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．２５＜エア面表面の添加剤存在量／支持体面表面の添加剤存在量＜４
【請求項２】
少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有するセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムのバンドまたはドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、全ての添加剤の存在量を合計した全添加剤存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．５＜エア面表面の全添加剤存在量／支持体面表面の全添加剤存在量＜１．７５
【請求項３】
ソルベントキャスト法によりバンド上に流延するセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
セルロースアシレート１００質量部に対して、分子量が３００以上であるレターデーション上昇剤として安息香酸フェニルエステルを０．０１質量部以上２０質量部以下含むセルロースアシレート溶液を流延する工程、及び
剥ぎ取り前乾燥の前半において１０秒以上９０秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルムであって、
レターデーション上昇剤について、該セルロースアシレートフィルムのバンド面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．２５＜エア面表面のレターデーション上昇剤存在量／支持体面表面のレターデーション上昇剤存在量＜４
【請求項５】
請求項３に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムが、少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有し、
各々の添加剤について、該セルロースアシレートフィルムのバンド面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．２５＜エア面表面の添加剤存在量／支持体面表面の添加剤存在量＜４
【請求項６】
請求項３に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムが、少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有し、
該セルロースアシレートフィルムのバンド面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、全ての添加剤の存在量を合計した全添加剤存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．５＜エア面表面の全添加剤存在量／支持体面表面の全添加剤存在量＜１．７５
【請求項７】
ソルベントキャスト法によりドラム上に流延するセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
セルロースアシレート１００質量部に対して、分子量が３００以上である添加剤を０．１質量部以上３０質量部以下含むセルロースアシレート溶液を流延する工程、及び
剥ぎ取り前乾燥の前半において１秒以上１０秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムが、少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有し、
各々の添加剤について、該セルロースアシレートフィルムのドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．２５＜エア面表面の添加剤存在量／支持体面表面の添加剤存在量＜４
【請求項９】
請求項７に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムが、少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有し、
該セルロースアシレートフィルムのドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、全ての添加剤の存在量を合計した全添加剤存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．５＜エア面表面の全添加剤存在量／支持体面表面の全添加剤存在量＜１．７５
【請求項１０】
ソルベントキャスト法によりバンド上に流延するセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
セルロースアシレート１００質量部に対して、分子量が３００以上である添加剤を０．１質量部以上３０質量部以下含むセルロースアシレート溶液を流延する工程、及び
剥ぎ取り前乾燥の前半において１０秒以上９０秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムが、少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有し、
各々の添加剤について、該セルロースアシレートフィルムのドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．２５＜エア面表面の添加剤存在量／支持体面表面の添加剤存在量＜４
【請求項１２】
請求項１０に記載の製造方法により製造されたセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムが、少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有し、
該セルロースアシレートフィルムのドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、全ての添加剤の存在量を合計した全添加剤存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．５＜エア面表面の全添加剤存在量／支持体面表面の全添加剤存在量＜１．７５
【請求項１３】
添加剤の少なくとも１つがレターデーション低下剤であることを特徴とする請求項１、２、８、９、１１及び１２のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項１４】
請求項１、２、４、５、６、８、９、１１及び１２のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの上に、液晶性分子から形成された光学異方性層が設けられていることを特徴とする光学補償フィルム。
【請求項１５】
透明保護膜、偏光膜、透明支持体、及び液晶性分子から形成された光学異方性層が、この順に積層されている偏光板であって、
該透明支持体が、請求項１、２、４、５、６、８、９、１１及び１２のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
【請求項１６】
液晶セル及びその両側に配置された２枚の偏光板からなる液晶表示装置であって、
該２枚の偏光板のうち少なくとも１枚の偏光板が請求項１５に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
液晶セルが、ＴＮモード、ベンド配向モードまたは垂直配向モードの液晶セルであることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セルロースアシレートフィルム及びその製造方法、該フィルムを支持体に用いた光学補償フィルム及び偏光板、さらには該偏光板を用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置において、視野角の拡大、画像着色の改良、及びコントラストの向上のため光学補償フィルムを使用することは広く知られた技術である。なかでも、セルロースアシレート中に平面性の高い分子構造を有する低分子化合物を添加したフィルムは広い範囲でのレターデーション調節が可能で特に有用であり、例えば、特許文献１（特開２０００−１１１９１４号公報）、特許文献２（特開２０００−１６６１４４号公報）などに具体例が開示されている。しかし、これらの化合物は、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造する際の乾燥工程で、フィルム表面にブリードアウトしてフィルムが光学的に不均一化し、このフィルムからなる光学補償フィルムを使用した液晶表示装置は表示品位が著しく劣るという問題を有していた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、レターデーション値が高くかつフィルム面内での光学的な均一性に優れ、カールが小さく加工適性に優れたセルロースアシレートフィルム及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記特性に優れたセルロースアシレートフィルムを支持体とする光学補償フィルム及び偏光板を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、上記偏光板を用いた表示品質の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは鋭意検討の結果、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造する際の乾燥工程での添加剤のブリードアウトは、溶剤が急速に揮散した結果、取り残された添加剤が析出し、セルロースアシレートフィルム内への再拡散が十分おこなわれないことが原因との結論に至り、乾燥時の溶剤揮散性速度を十分遅くすることにより解決できることを見出し本発明に到った。
さらに、上記方法によりフィルムのバンドあるいはドラム面に接していた支持体面（以下、単に「支持体面」と称する）側表面の添加剤存在量と空気側のエア面（以下、単に「エア面」と称する）側表面の添加剤存在量の均衡を保つことが可能となり、カール等のフィルム物性が著しく改良され、加工適性に優れたセルロールアシレートフィルムが得られることを見出した。
即ち、本発明によれば、下記構成のセルロースアシレートフィルムの製造方法、セルロースアシレートフィルム、光学補償フィルム、偏光板、及び液晶表示装置が提供され、上記本発明の目的が達成される。
【０００５】
１．少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有するセルロースアシレートフィルムであって、
各々の添加剤について、該セルロースアシレートフィルムのバンドまたはドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．２５＜エア面表面の添加剤存在量／支持体面表面の添加剤存在量＜４
２．少なくとも１種類の分子量が３００以上である添加剤をセルロースアシレート１００質量部に対して０．１質量部以上３０質量部以下含有するセルロースアシレートフィルムであって、
該セルロースアシレートフィルムのバンドまたはドラム面に接していた側の支持体面表面と、空気側であったエア面表面とで、全ての添加剤の存在量を合計した全添加剤存在量の比が下記式を満たすことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
０．５＜エア面表面の全添加剤存在量／支持体面表面の全添加剤存在量＜１．７５
３．添加剤の少なくとも１つがレターデーション上昇材である上記１または２に記載のセルロースアシレートフィルム。
４．添加剤の少なくとも１つが可塑剤である上記１〜３のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
５．添加剤の少なくとも１つが紫外線吸収剤である上記１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
６．添加剤の少なくとも１つが疎水化剤である上記１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
７．添加剤の少なくとも１つがレターデーション低下剤である上記１〜６のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
８．添加剤の少なくとも１つが染料である上記１〜７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
９．ソルベントキャスト法によりバンド上に流延するセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
セルロースアシレート１００質量部に対して、分子量が３００以上であるレターデーション上昇剤として安息香酸フェニルエステルを０．０１質量部以上２０質量部以下含むセルロースアシレート溶液を流延する工程、及び
剥ぎ取り前乾燥の前半において１０秒以上９０秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
１０．ソルベントキャスト法によりドラム上に流延するセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
セルロースアシレート１００質量部に対して、分子量が３００以上である添加剤を０．１質量部以上３０質量部以下含むセルロースアシレート溶液を流延する工程、及び
剥ぎ取り前乾燥の前半において１秒以上１０秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
１１．ソルベントキャスト法によりバンド上に流延するセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
セルロースアシレート１００質量部に対して、分子量が３００以上である添加剤を０．１質量部以上３０質量部以下含むセルロースアシレート溶液を流延する工程、及び
剥ぎ取り前乾燥の前半において１０秒以上９０秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
１２．上記９〜１１のいずれかの方法により製造されたことを特徴とする上記１または２に記載のセルロースアシレートフィルム。
１３．添加剤が下記一般式（II）で表される上記１〜８及び１２のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
一般式（II）
【０００６】
【化１】
2006096023.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
１４．上記一般式（II）の電子供与性基がアルコキシ基であることを特徴とする上記１３に記載のセルロースアシレートフィルム。
１５．上記一般式（II）で表される化合物が下記一般式（II−Ｄ）で表される化合物であることを特徴とする上記１３記載のセルロースアシレートフィルム
一般式（II−Ｄ）
【０００８】
【化２】
2006096023.tif 000003
【０００９】
（式中、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は水素原子または置換基を表す。Ｒ２１、Ｒ２２はそれぞれ独立に炭素数炭素数１〜４のアルキル基である。Ｘ１は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、シアノ基である。）
１６．添加剤が１，３，５−トリアジン化合物であることを特徴とする１〜８及び１２のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
１７．厚み方向のレターデーション値Ｒｔｈが７０乃至４００ｎｍの範囲であることを特徴とする上記１〜８及び１２〜１６のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
１８．面内方向のレターデーション値Ｒｅが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、１．０５以上２．００以下の延伸倍率で延伸されていることを特徴とする上記１〜８及び１２〜１７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
１９．Ｒｔｈレターデーション値が−２０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、Ｒｅレターデーション値が５ｎｍ以下の、上記１〜８及び１２〜１６のセルロースアシレートフィルム
２０．上記１〜８及び１２〜１９のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの上に、液晶性分子から形成された光学異方性層が設けられていることを特徴とする光学補償フィルム。
２１．透明保護膜、偏光膜、透明支持体、及び液晶性分子から形成された光学的異方性層がこの順に積層されている偏光板であって、
透明支持体が上記１〜８及び１２〜１９のいずれかのセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
２２．液晶セルおよびその両側に配置された２枚の偏光板からなる偏光板であって、
該２枚の偏光板の内少なくとも１枚の偏光板が上記２１に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
２３．液晶セルが、ＴＮモード、ベンド配向モードまたは垂直配向モードの液晶セルであることを特徴とする上記２２に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の製造方法で得られたセルロースアシレートフィルムは、レターデーション値が高くかつフィルム面内での光学的な均一性に優れている。さらに、本発明のセルロースアシレートフィルムはカールが小さく加工適性に優れる。これらセルロースアシレートフィルムを支持体とする光学補償フィルム及び偏光板を用いた液晶表示装置は表示品質に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。なお、本明細書において、数値が物性値、特性値等を表す場合に、「（数値１）〜（数値２）」及び「（数値１）乃至（数値２）」という記載は「（数値１）以上（数値２）以下」の意味を表す。また、「（メタ）アクリロイル」との記載は、「アクリロイル及びメタクリロイルの少なくともいずれか」の意味を表す。「（メタ）アクリレート」、「（メタ）アクリル酸」等も同様である。
【００１２】
まず、本発明のセルロースアシレートに使用する添加剤について説明する。本発明の添加剤は分子量３００以上の化合物が好ましく、分子量３００以上２０００以下の低分子化合物がより好ましく、３５０以上１５００以下がさらに好ましい。
この範囲の分子量の化合物を用いることにより、乾燥工程における添加剤の拡散を適度に調節でき、エア面表面及び支持対面表面の添加剤存在量比を小さくすることができる。
【００１３】
また、本発明の添加剤は、セルロースアシレート１００質量部に対して、０．１乃至３０質量部、好ましくは１乃至２５質量部用いられる。この範囲で添加剤を用いることにより、その機能（レターデーション制御、可塑化、疎水化、紫外線吸収等）を有効に発揮させることができる。０．１質量部未満の使用では、効果が不足であり、３０質量部を超えての使用は、添加剤がセルロースアシレートと相溶せず、フィルム中で結晶化あるいは相分離してしまう。
一般式（II）で表される化合物など安息香酸フェニルエステルのレターデーション上昇剤は、セルロースエステル１００質量部に対して、０．０１乃至２０質量部、好ましくは０．５乃至１０質量部用いられる。この範囲でレターデーション上昇剤を用いることにより、フィルムのレターデーションを適宜に制御することができる。０．０１質量部未満の使用では、レターデーションの上昇が少なくレターデーションを抑制することができない。２０質量部を超えての使用は、レターデーション上昇剤がセルロースエステルと相溶せず、フィルム中で結晶化してしまう。
また、本発明の添加剤のフィルム表面の存在量はエア面側と支持体面側でできるだけ釣り合いが取れていることが好ましい。バンドまたはドラム上での乾燥が均一に進むことによりブリードアウト等の問題がおきにくくなる、かつフィルムのカールも小さくなる。フィルム表面での存在量は飛行時間型２次イオン質量分析計（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により測定することができる。この方法によれば、気固界面からの１ｎｍ以下の最表面の添加剤存在量を定量することが可能である。さらに、添加剤起因のイオン強度とセルロースアシレート起因のイオン強度の相対比を取ることにより、イオン化効率等測定間のばらつきを補正して評価することが可能である。
【００１４】
本発明のセルロースアシレートフィルムのエア面表面と支持体面表面の各々の添加剤の存在比は、０．２５＜エア面存在量／支持体面存在量＜４．０が好ましく、０．３＜エア面存在量／支持体面存在量＜３．０がさらに好ましく、０．５＜エア面存在量／支持体面存在量＜２．０が最も好ましい。
また、本発明のセルロースアシレートフィルムのエア面表面と支持体面表面の全ての添加剤の存在量を合計したトータル存在量（全添加剤存在量）の比は、０．５＜エア面トータル存在量／支持体面トータル存在量＜１．７５が好ましく、０．７５＜エア面トータル存在量／支持体面トータル存在量＜１．５がさらに好ましい。
【００１５】
エア面表面の添加剤存在量/支持体面表面の添加剤存在量比のコントロールは可塑剤、紫外線吸収剤、疎水化剤等さまざまな機能の添加剤に対して有効であるが、分子の異方性が大きく相対的にセルロースアシレートと相溶しにくいレターデーション上昇剤に対して特に有効である。
次に本発明で用いられるレターデーション上昇剤について説明する。
【００１６】
［レターデーション上昇剤］
本発明では、下記一般式（II）で表される化合物など安息香酸フェニルエステルをレターデーション上昇剤として用いることが好ましい。一般式（II）で表される化合物は、棒状構造で分極率異方性が大きいためレターデーション発現性が高く、かつ安価に製造可能であり、好ましい。後述するセルロースアシレート溶液を流延する工程において、該溶液にセルロースアシレート１００質量部に対して、レターデーション上昇剤として安息香酸フェニルエステルが０．０１乃至２０質量部含まれることが好ましい。
一般式（II）
【００１７】
【化３】
2006096023.tif 000004
【００１８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
【００１９】
一般式（II）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表し、置換基は後述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５のうち少なくとも１つは電子供与性基を表す。好ましくはＲ１、Ｒ３またはＲ５のうちの１つが電子供与性基であり、Ｒ３が電子供与性基であることがより好ましい。
電子供与性基とはＨａｍｍｅｔのσｐ値が０以下のものを表し、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９１，１６５（１９９１）．記載のＨａｍｍｅｔのσｐ値が０以下のものが好ましく適用でき、より好ましくは−０．８５〜０のものが用いられる。例えば、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基などが挙げられる。
電子供与性基として好ましくはアルキル基、アルコキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜12、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４である。）である。
【００２０】
Ｒ１として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、最も好ましくはメトキシ基である。
【００２１】
Ｒ２として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００２２】
Ｒ３として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基であり、特に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜12、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。最も好ましくはｎ−プロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基である。
【００２３】
Ｒ４として好ましくは、水素原子または電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００２４】
Ｒ５として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。
【００２５】
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９およびＲ１０として好ましくは水素原子、炭素数1〜１２のアルキル基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子である。
【００２６】
Ｒ８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表し、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ８として好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２アリールオキシ基であり、より好ましくは、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
【００２７】
一般式（II）のうちより好ましくは下記一般式（II−Ａ）である。
一般式（II−Ａ）
【００２８】
【化４】
2006096023.tif 000005
【００２９】
（式中、Ｒ１１はアルキル基を表す。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表す。Ｒ８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
一般式（II−Ａ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ一般式（II）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００３０】
一般式（II−Ａ）中、Ｒ１１は炭素数1〜１２のアルキル基を表し、Ｒ１１で表されるアルキル基は直鎖でも分岐があってもよく、また更に置換基を有してもよいが、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜８アルキル基、更に好ましくは炭素数１〜６アルキル基、特に好ましくは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などが挙げられる）を表す。
【００３１】
一般式（II）のうちより好ましくは下記一般式（II−Ｂ）である。
一般式（II−Ｂ）
【００３２】
【化５】
2006096023.tif 000006
【００３３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９およびＲ１０はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表す。Ｒ１１は炭素数１〜１２のアルキル基を表す。Ｘは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数1〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。）
【００３４】
一般式（II−Ｂ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１０は一般式（II）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
一般式（II−Ｂ）中、Ｒ１１は一般式（II−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００３５】
一般式（II−Ｂ）中、Ｘは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜１２のアシルアミノ基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５がすべて水素原子の場合には、Ｘとして好ましくはアルキル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、より好ましくは、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４である。）であり、特に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
【００３６】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５のうち少なくとも１つが置換基の場合にはＸとして好ましくはアルキニル基、アリール基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、であり、より好ましくはアリール基（好ましくは炭素数６〜１２）、シアノ基、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１２）であり、更に好ましくはアリール基（好ましくは炭素数６〜１２のアリール基であり、より好ましくはフェニル基、p−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニルである。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素２〜１２、より好ましくは炭素数２〜６、更に好ましくは炭素数２〜４、特に好ましくはメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニルである。）、シアノ基であり、特に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
【００３７】
一般式（II）のうち更に好ましくは下記一般式（１−Ｃ）である。
一般式（II−Ｃ）
【００３８】
【化６】
2006096023.tif 000007
【００３９】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１１およびＸは、一般式（II−Ｂ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【００４０】
一般式（II）で表される化合物の中で好ましいのは下記一般式（II−Ｄ）で表される化合物である。
一般式（II−Ｄ）
【００４１】
【化７】
2006096023.tif 000008
【００４２】
（式中、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は一般式（II−Ｃ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。Ｒ２１、Ｒ２２はそれぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基である。Ｘ１は炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基、又はシアノ基である。）
【００４３】
Ｒ２１、は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基である。
Ｒ２２は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【００４４】
Ｘ１は炭素数６〜１２のアリール基、炭素２〜１２アルコキシカルボニル基、又はシアノ基であり、好ましくは炭素数６〜１０のアリール基、炭素数２〜６アルコキシカルボニル基、シアノ基であり、より好ましくはフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロポキシカルボニル、シアノ基であり、更に好ましくは、フェニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、シアノ基である。
【００４５】
一般式（II）のうち最も好ましくは下記一般式（II−Ｅ）である。
一般式（II−Ｅ）
【００４６】
【化８】
2006096023.tif 000009
【００４７】
（式中、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は一般式（II−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様だが、いずれか１つは−ＯＲ１３で表される基である（Ｒ１３は炭素数１〜４のアルキル基である。）。Ｒ２１、Ｒ２２、Ｘ１は一般式（II−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【００４８】
一般式（II−Ｅ）中、Ｒ２、Ｒ４およびＲ５は一般式（１−Ｄ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様だが、いずれか１つは−ＯＲ１３で表される基であり（Ｒ１３は炭素数１〜４のアルキル基である。）、好ましくはＲ４、Ｒ５が−ＯＲ１３で表される基であり、より好ましくはＲ４が−ＯＲ１３で表される基である。
Ｒ１３は炭素数１〜４のアルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくはエチル基、メチル基であり、更に好ましくはメチル基である。
【００４９】
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
【００５０】
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００５１】
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００５２】
以下に一般式（II）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【００５３】
【化９】
2006096023.tif 000010
【００５４】
【化１０】
2006096023.tif 000011
【００５５】
【化１１】
2006096023.tif 000012
【００５６】
【化１２】
2006096023.tif 000013
【００５７】
【化１３】
2006096023.tif 000014
【００５８】
本発明の一般式（II）で表される化合物は置換安息香酸とフェノール誘導体の一般的なエステル反応によって合成でき、エステル結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体を脱水縮合する方法などがあげられる。
製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノールと縮合する方法が好ましい。
【００５９】
反応溶媒として炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、反応溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。
【００６０】
反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
本反応には塩基を用いないのが好ましく、塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。
【００６１】
以下に本発明の化合物の合成法に関して具体的に記載するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【００６２】
［合成例１：例示化合物Ａ−1の合成］
３，４，５−トリメトキシ安息香酸２４．６ｇ（０．１１６モル）、トルエン１００ｍＬ、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．２ｇ（０．１２７モル）をゆっくりと滴下し、２時間６０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．１ｇ（０．１２７モル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、６０℃で３時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、得られた固形物に、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。アセトニトリル溶液を室温まで冷却し、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．０ｇ（収率１１％）得た。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【００６３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【００６４】
［合成例２：例示化合物Ａ−２の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１０６．１ｇ（０．５モル）、トルエン３４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル６５．４ｇ（０.５５モル）をゆっくりと滴下し、２時間６５〜７０℃で加熱した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール７１．５ｇ（０．６モル）をアセトニトリル１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル（１Ｌ）、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸マグネシウムで水分を除去した後、約５００ｍＬの溶媒を減圧留去し、メタノール１Ｌを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２５．４ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【００６５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９８（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．３５（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１１６℃であった。
【００６６】
［合成例３：例示化合物Ａ−３の合成］
２，３，４−トリメトキシ安息香酸１０．１ｇ（４７．５ミリモル）、トルエン４０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを８０℃に加熱した後、塩化チオニル６．２２ｇ（５２．３ミリモル）をゆっくりと滴下し、８０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール６．２ｇ（５２．３ミリモル）をアセトニトリル２０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で２時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５０ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１１．９ｇ（収率８０％）得た。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【００６７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ３．５０（ｂｒ，９Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｓ，２Ｈ），７．７７（ｓ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【００６８】
［合成例４：例示化合物Ａ−４の合成］
２，４，６−トリメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１１８ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１５．４ｇ（１２９ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１５．４ｇ（１２９ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、８０〜８５℃で４．５時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、メタノール５００ｍＬ、アセトニトリル１００ｍＬを加え、再結晶操作を行った。析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１０．０ｇ（収率２７％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１７２〜１７３℃であった。
【００６９】
［合成例５：例示化合物Ａ−５の合成］
２，３−ジメトキシ安息香酸１５．０ｇ（８２．３ミリモル）、トルエン６０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．５ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１０．７（９０．５ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１０．８ｇ（９０．５ミリモル）をアセトニトリル３０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、イソプロピルアルコール９０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を１２．３ｇ（収率５３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルで行った。
【００７０】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１０４℃であった。
【００７１】
［合成例６：例示化合物Ａ−６の合成］
Ａ−５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，４−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１３４〜１３６℃であった。
【００７２】
［合成例７：例示化合物Ａ−７の合成］
２，５−ジメトキシ安息香酸２５．０ｇ（１３７ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．０ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１８．０（１５１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−シアノフェノール１８．０ｇ（１５１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと滴下し、滴下終了後、７０〜８０℃で７．５時間加熱攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、酢酸エチル、飽和食塩水で分液操作を行い、得られた有機相を硫酸ナトリウムで水分を除去した後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル（９／１、Ｖ／Ｖ））で精製操作を行い、白色の結晶として目的化合物を１８．８ｇ（収率４８％）得た。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
【００７３】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は７９〜８０℃であった。
【００７４】
［合成例８：例示化合物Ａ−８の合成］
Ａ−５における２，３−ジメトキシ安息香酸を２，６−ジメトキシ安息香酸に変更する以外は同様の方法で合成した。また化合物の同定はマススペクトルで行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８４（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１３０〜１３１℃であった。
【００７５】
［合成例９：例示化合物Ａ−１１の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−クロロフェノール７６．９ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。また化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルで行った。
【００７６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．９０（ｓ，３Ｈ），３．９４（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），７．５６（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３２３（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１２７〜１２９℃であった。
【００７７】
［合成例１０：例示化合物Ａ−１２の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸４５．０ｇ（２１２ミリモル）、トルエン１８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２７．８ｇ（２３３ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−ヒドロキシ安息香酸メチル３５．４ｇ（２３３ミリモル）をジメチルホルムアミド２７ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２７０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を６４．５ｇ（収率８８％）得た。また化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【００７８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．９５（ｍ，９Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５７（ｓ，１Ｈ），７．２８（ｄ，２Ｈ），７．５７（ｓ，１Ｈ）８．１１（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３４７（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１２１〜１２３℃であった。
【００７９】
［合成例１１：例示化合物Ａ−１３の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸２０．０ｇ（９４．３ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１２．３ｇ（１０４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をトルエン１５０ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール２５０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．２ｇ（収率６２％）得た。また化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【００８０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９６（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５９（ｓ，１Ｈ），７．２６−７．７５（ｍ，１０Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３６５（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１３１−１３２℃であった。
【００８１】
［合成例１２：例示化合物Ａ−１４の合成］
２，４，５−トリメトキシ安息香酸１２．９ｇ（６１ミリモル）、トルエン５０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．６ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル８．０ｇ（６７ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール１７．７ｇ（１０４ミリモル）をアセトニトリル２５ｍＬに溶解させた液をゆっくりと添加し、８０℃で３時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却し、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２１．６ｇ（収率９３％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３８１（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は９１〜９２℃であった。
【００８２】
［合成例１３：例示化合物Ａ−１５の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇをフェノール５６．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
【００８３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．９１（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），７．１９−７．２７（ｍ，３Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
得られた化合物の融点は１０５〜１０８℃であった。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８９（Ｍ＋Ｈ）＋
【００８４】
［合成例１４：例示化合物Ａ−１６の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−メトキシフェノール７４．４ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得ることができる。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲおよびマススペクトルにより行った。
【００８５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．８４（ｓ，３Ｈ），３．９２（ｓ，３Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），３．９９（ｓ，３Ｈ），６．５８（ｓ，１Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，２Ｈ），７．５８（ｓ，１Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１９（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１０２〜１０３℃であった。
【００８６】
［合成例１５：例示化合物Ａ−１７の合成］
Ａ−２における４−シアノフェノール７１．５ｇを４−エチルフェノール７３．３ｇに変更する以外は同様の方法で目的化合物を得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は７０〜７１℃であった。
【００８７】
［合成例１６：例示化合物Ａ−２４の合成］
４−エトキシ安息香酸２７．３ｇ（１６４ミリモル）、トルエン１０８ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．５ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−エトキシフェノール２５．０ｇ（１８１ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３０．６ｇ（収率６５％）得た。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【００８８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．４８−１．５９（ｍ，６Ｈ），４．０５（ｑ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ２８７（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１１３〜１１４℃であった。
【００８９】
［合成例１７：例示化合物Ａ−２５の合成］
４−エトキシ安息香酸２４．７ｇ（１４９ミリモル）、トルエン１００ｍＬ、ジメチルホルムアミド１ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１９．５ｇ（１６４ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−プロポキシフェノール２５．０ｇ（１６５ミリモル）をアセトニトリル５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で４時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、得られた固体にメタノール１００ｍＬを加え再結晶操作を行い、得られた結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３３．９ｇ（収率７６％）得た。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
【００９０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．０４（ｔ，３Ｈ），１．４５（ｔ，３Ｈ），１．８２（ｑ，２Ｈ），３．９３（ｑ，２Ｈ），４．０４（ｑ，２Ｈ），６．８９−７．００（ｍ，４Ｈ），７．１０（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ）
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１０７℃であった。
【００９１】
［合成例１８：例示化合物Ａ−２７の合成］
Ａ−２４の合成法における４−エトキシ安息香酸２７．３ｇを４−プロポキシ安息香酸２９．５ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３０１（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は８８〜８９℃であった。
【００９２】
［合成例１９：例示化合物Ａ−２８の合成］
Ａ−２５の合成法における４−エトキシ安息香酸２４．７ｇを４−プロポキシ安息香酸２６．８ｇに変更する以外は同様の方法で合成した。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１５（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は９２℃であった。
【００９３】
［合成例２０：例示化合物Ａ−４０の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸２０．０ｇ（１０９ミリモル）、トルエン８０ｍＬ、ジメチルホルムアミド０．８ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル１４．４ｇ（１２１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で３．５時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フェニルフェノール２０．５ｇ（１２１ミリモル）をジメチルホルムアミド５０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１００ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を３１．７ｇ（収率８６％）得た。なお、化合物の同定はマススペクトルにより行った。
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３３５（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１６１〜１６２℃であった。
【００９４】
［合成例２１：例示化合物Ａ−４２の合成］
２，４−ジメトキシ安息香酸３０．０ｇ（１６５ミリモル）、トルエン１２０ｍＬ、ジメチルホルムアミド１．２ｍＬを６０℃に加熱した後、塩化チオニル２１．６ｇ（１８１ミリモル）をゆっくりと滴下し、６０℃で２時間加熱攪拌した。その後、あらかじめ４−フヒドロキシ安息香酸メチル２７．６ｇ（１８１ミリモル）をジメチルホルムアミド４０ｍＬに溶解させた溶液をゆっくり添加し、８０℃で６時間加熱攪拌した後、反応液を室温まで冷却した後、メタノール１４０ｍＬを加え、析出した結晶をろ過回収し、白色の結晶として目的化合物を２４．４ｇ（収率４７％）得た。なお、化合物の同定は１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）およびマススペクトルにより行った。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ３．９２（ｍ，９Ｈ），６．５６（ｍ，２Ｈ），７．２７（ｍ，２Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ）
【００９５】
マススペクトル：ｍ／ｚ  ３１７（Ｍ＋Ｈ）＋
得られた化合物の融点は１２２〜１２３℃であった。
【００９６】
また、一般式（II）で表される化合物など安息香酸フェニルエステルのレターデーション上昇剤と共にＵＶ吸収剤を併用してもよい。ＵＶ吸収剤の使用量はレターデーション上昇剤に対して質量比で１０％以下が好ましく、３％以下がさらに好ましい。
【００９７】
上記一般式（II）で表される化合物などの安息香酸フェニルエステルの他、レターデーション上昇剤として下記の一般式（Ｉ）で表されるトリアジン化合物を用いることもできる。レターデーション上昇剤として一般式（Ｉ）で表されるトリアジン化合物を用いる場合、該化合物の使用量は、上記一般式（II）で表される化合物などの安息香酸フェニルエステルの場合と同様であってよい。
【００９８】
上記一定のレターデーション上昇剤の存在比のセルロースアシレートフィルムに、レターデーション上昇剤として用いることができるトリアジン化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である。この化合物は、平面性の高い分子構造を有しているためレターデーション発現性が高く、かつ安価に製造可能である。
一般式（Ｉ）
【００９９】
【化１４】
2006096023.tif 000015
【０１００】
上記一般式（Ｉ）中：
Ｒ１２は、各々独立に、オルト位、メタ位およびパラ位の少なくともいずれかに置換基を有する芳香族環または複素環を表す。
Ｘ１１は、各々独立に、単結合または−ＮＲ１３−を表す。ここで、Ｒ１３は、各々独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基または複素環基を表す。
【０１０１】
Ｒ１２が表す芳香族環は、フェニルまたはナフチルであることが好ましく、フェニルであることが特に好ましい。Ｒ１２が表す芳香族環はいずれかの置換位置に少なくとも一つの置換基を有してもよい。前記置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、カルボキシル、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アルキル置換スルファモイル基、アルケニル置換スルファモイル基、アリール置換スルファモイル基、スルオンアミド基、カルバモイル、アルキル置換カルバモイル基、アルケニル置換カルバモイル基、アリール置換カルバモイル基、アミド基、アルキルチオ基、アルケニルチオ基、アリールチオ基およびアシル基が含まれる。
【０１０２】
Ｒ１２が表す複素環基は、芳香族性を有することが好ましい。芳香族性を有する複素環は、一般に不飽和複素環であり、好ましくは最多の二重結合を有する複素環である。複素環は５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましく、６員環であることが最も好ましい。複素環のヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子または酸素原子であることが好ましく、窒素原子であることが特に好ましい。芳香族性を有する複素環としては、ピリジン環（複素環基としては、２−ピリジルまたは４−ピリジル）が特に好ましい。複素環基は、置換基を有していてもよい。複素環基の置換基の例は、上記アリール部分の置換基の例と同様である。
Ｘ１１が単結合である場合の複素環基は、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基であることが好ましい。窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基は、５員環、６員環または７員環であることが好ましく、５員環または６員環であることがさらに好ましく、５員環であることが最も好ましい。複素環基は、複数の窒素原子を有していてもよい。また、複素環基は、窒素原子以外のヘテロ原子（例、Ｏ、Ｓ）を有していてもよい。以下に、窒素原子に遊離原子価をもつ複素環基の例を示す。
【０１０３】
【化１５】
2006096023.tif 000016
【０１０４】
一般式（Ｉ）中、Ｘ１１は単結合または−ＮＲ１３−を表す。Ｒ１３は独立して、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基または複素環基を表す。
Ｒ１３が表すアルキル基は、環状アルキル基であっても鎖状アルキル基であってもよいが、鎖状アルキル基が好ましく、分岐を有する鎖状アルキル基よりも、直鎖状アルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素原子数は、１〜３０であることが好ましく、１〜２０であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましく、１〜８がさらにまた好ましく、１〜６であることが最も好ましい。アルキル基は、置換基を有していてもよい。置換基の例には、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えばメトキシ、エトキシ）およびアシルオキシ基（例、アクリロイルオキシ、メタクリロイルオキシ）が含まれる。
【０１０５】
Ｒ１３が表すアルケニル基は、環状アルケニル基であっても鎖状アルケニル基であってもよいが、鎖状アルケニル基を表すのが好ましく、分岐を有する鎖状アルケニル基よりも、直鎖状アルケニル基を表すのがより好ましい。アルケニル基の炭素原子数は、２〜３０であることが好ましく、２〜２０であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましく、２〜８であることがさらにまた好ましく、２〜６であることが最も好ましい。アルケニル基は置換基を有していてもよい。置換基の例には、前述のアルキル基の置換基と同様である。
Ｒ１３が表す芳香族環基および複素環基は、Ｒ１２が表す芳香族環および複素環と同様であり、好ましい範囲も同様である。芳香族環基および複素環基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例にはＲ１２の芳香族環および複素環の置換基と同様である。
【０１０６】
一般式（Ｉ）で表されるレターデーション上昇剤の分子量は、３００乃至８００であることが好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表されるレターデーション上昇剤と共にＵＶ吸収剤を併用してもよい。ＵＶ吸収剤の使用量は一般式（Ｉ）で表されるレターデーション上昇剤に対して質量比で１０％以下が好ましく、３％以下がさらに好ましい。
【０１０７】
以下に本発明で使用される一般式（Ｉ）で表されるレターデーション上昇剤の具体例を示す。各例に示す複数のＲは、同一の基を意味する。Ｒの定義は具体例番号と共に式の後に示す。
【０１０８】
【化１６】
2006096023.tif 000017
【０１０９】
（１）フェニル
（２）３−エトキシカルボニルフェニル
（３）３−ブトキシフェニル
（４）ｍ−ビフェニリル
（５）３−フェニルチオフェニル
（６）３−クロロフェニル
（７）３−ベンゾイルフェニル
（８）３−アセトキシフェニル
（９）３−ベンゾイルオキシフェニル
（１０）３−フェノキシカルボニルフェニル
（１１）３−メトキシフェニル
（１２）３−アニリノフェニル
（１３）３−イソブチリルアミノフェニル
（１４）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１５）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（１６）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１７）３−メチルフェニル
（１８）３−フェノキシフェニル
（１９）３−ヒドロキシフェニル
【０１１０】
（２０）４−エトキシカルボニルフェニル
（２１）４−ブトキシフェニル
（２２）ｐ−ビフェニリル
（２３）４−フェニルチオフェニル
（２４）４−クロロフェニル
（２５）４−ベンゾイルフェニル
（２６）４−アセトキシフェニル
（２７）４−ベンゾイルオキシフェニル
（２８）４−フェノキシカルボニルフェニル
（２９）４−メトキシフェニル
（３０）４−アニリノフェニル
（３１）４−イソブチリルアミノフェニル
（３２）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（３３）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（３４）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（３５）４−メチルフェニル
（３６）４−フェノキシフェニル
（３７）４−ヒドロキシフェニル
【０１１１】
（３８）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（３９）３，４−ジブトキシフェニル
（４０）３，４−ジフェニルフェニル
（４１）３，４−ジフェニルチオフェニル
（４２）３，４−ジクロロフェニル
（４３）３，４−ジベンゾイルフェニル
（４４）３，４−ジアセトキシフェニル
（４５）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（４６）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（４７）３，４−ジメトキシフェニル
（４８）３，４−ジアニリノフェニル
（４９）３，４−ジメチルフェニル
（５０）３，４−ジフェノキシフェニル
（５１）３，４−ジヒドロキシフェニル
（５２）２−ナフチル
【０１１２】
（５３）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（５４）３，４，５−トリブトキシフェニル
（５５）３，４，５−トリフェニルフェニル
（５６）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（５７）３，４，５−トリクロロフェニル
（５８）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（５９）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（６０）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（６１）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（６２）３，４，５−トリメトキシフェニル
（６３）３，４，５−トリアニリノフェニル
（６４）３，４，５−トリメチルフェニル
（６５）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（６６）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【０１１３】
【化１７】
2006096023.tif 000018
【０１１４】
（６７）フェニル
（６８）３−エトキシカルボニルフェニル
（６９）３−ブトキシフェニル
（７０）ｍ−ビフェニリル
（７１）３−フェニルチオフェニル
（７２）３−クロロフェニル
（７３）３−ベンゾイルフェニル
（７４）３−アセトキシフェニル
（７５）３−ベンゾイルオキシフェニル
（７６）３−フェノキシカルボニルフェニル
（７７）３−メトキシフェニル
（７８）３−アニリノフェニル
（７９）３−イソブチリルアミノフェニル
（８０）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（８１）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（８２）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（８３）３−メチルフェニル
（８４）３−フェノキシフェニル
（８５）３−ヒドロキシフェニル
【０１１５】
（８６）４−エトキシカルボニルフェニル
（８７）４−ブトキシフェニル
（８８）ｐ−ビフェニリル
（８９）４−フェニルチオフェニル
（９０）４−クロロフェニル
（９１）４−ベンゾイルフェニル
（９２）４−アセトキシフェニル
（９３）４−ベンゾイルオキシフェニル
（９４）４−フェノキシカルボニルフェニル
（９５）４−メトキシフェニル
（９６）４−アニリノフェニル
（９７）４−イソブチリルアミノフェニル
（９８）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（９９）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１００）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１０１）４−メチルフェニル
（１０２）４−フェノキシフェニル
（１０３）４−ヒドロキシフェニル
【０１１６】
（１０４）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（１０５）３，４−ジブトキシフェニル
（１０６）３，４−ジフェニルフェニル
（１０７）３，４−ジフェニルチオフェニル
（１０８）３，４−ジクロロフェニル
（１０９）３，４−ジベンゾイルフェニル
（１１０）３，４−ジアセトキシフェニル
（１１１）３，４−ジベンゾイルオキシフェニル
（１１２）３，４−ジフェノキシカルボニルフェニル
（１１３）３，４−ジメトキシフェニル
（１１４）３，４−ジアニリノフェニル
（１１５）３，４−ジメチルフェニル
（１１６）３，４−ジフェノキシフェニル
（１１７）３，４−ジヒドロキシフェニル
（１１８）２−ナフチル
【０１１７】
（１１９）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（１２０）３，４，５−トリブトキシフェニル
（１２１）３，４，５−トリフェニルフェニル
（１２２）３，４，５−トリフェニルチオフェニル
（１２３）３，４，５−トリクロロフェニル
（１２４）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（１２５）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（１２６）３，４，５−トリベンゾイルオキシフェニル
（１２７）３，４，５−トリフェノキシカルボニルフェニル
（１２８）３，４，５−トリメトキシフェニル
（１２９）３，４，５−トリアニリノフェニル
（１３０）３，４，５−トリメチルフェニル
（１３１）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（１３２）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【０１１８】
【化１８】
2006096023.tif 000019
【０１１９】
（１３３）フェニル
（１３４）４−ブチルフェニル
（１３５）４−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（１３６）４−（５−ノネニル）フェニル
（１３７）ｐ−ビフェニリル
（１３８）４−エトキシカルボニルフェニル
（１３９）４−ブトキシフェニル
（１４０）４−メチルフェニル
（１４１）４−クロロフェニル
（１４２）４−フェニルチオフェニル
（１４３）４−ベンゾイルフェニル
（１４４）４−アセトキシフェニル
（１４５）４−ベンゾイルオキシフェニル
（１４６）４−フェノキシカルボニルフェニル
（１４７）４−メトキシフェニル
（１４８）４−アニリノフェニル
（１４９）４−イソブチリルアミノフェニル
（１５０）４−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１５１）４−（３−エチルウレイド）フェニル
（１５２）４−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１５３）４−フェノキシフェニル
（１５４）４−ヒドロキシフェニル
【０１２０】
（１５５）３−ブチルフェニル
（１５６）３−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（１５７）３−（５−ノネニル）フェニル
（１５８）ｍ−ビフェニリル
（１５９）３−エトキシカルボニルフェニル
（１６０）３−ブトキシフェニル
（１６１）３−メチルフェニル
（１６２）３−クロロフェニル
（１６３）３−フェニルチオフェニル
（１６４）３−ベンゾイルフェニル
（１６５）３−アセトキシフェニル
（１６６）３−ベンゾイルオキシフェニル
（１６７）３−フェノキシカルボニルフェニル
（１６８）３−メトキシフェニル
（１６９）３−アニリノフェニル
（１７０）３−イソブチリルアミノフェニル
（１７１）３−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１７２）３−（３−エチルウレイド）フェニル
（１７３）３−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１７４）３−フェノキシフェニル
（１７５）３−ヒドロキシフェニル
【０１２１】
（１７６）２−ブチルフェニル
（１７７）２−（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（１７８）２−（５−ノネニル）フェニル
（１７９）ｏ−ビフェニリル
（１８０）２−エトキシカルボニルフェニル
（１８１）２−ブトキシフェニル
（１８２）２−メチルフェニル
（１８３）２−クロロフェニル
（１８４）２−フェニルチオフェニル
（１８５）２−ベンゾイルフェニル
（１８６）２−アセトキシフェニル
（１８７）２−ベンゾイルオキシフェニル
（１８８）２−フェノキシカルボニルフェニル
（１８９）２−メトキシフェニル
（１９０）２−アニリノフェニル
（１９１）２−イソブチリルアミノフェニル
（１９２）２−フェノキシカルボニルアミノフェニル
（１９３）２−（３−エチルウレイド）フェニル
（１９４）２−（３，３−ジエチルウレイド）フェニル
（１９５）２−フェノキシフェニル
（１９６）２−ヒドロキシフェニル
【０１２２】
（１９７）３，４−ジブチルフェニル
（１９８）３，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（１９９）３，４−ジフェニルフェニル
（２００）３，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（２０１）３，４−ジドデシルオキシフェニル
（２０２）３，４−ジメチルフェニル
（２０３）３，４−ジクロロフェニル
（２０４）３，４−ジベンゾイルフェニル
（２０５）３，４−ジアセトキシフェニル
（２０６）３，４−ジメトキシフェニル
（２０７）３，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２０８）３，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（２０９）３，４−ジフェノキシフェニル
（２１０）３，４−ジヒドロキシフェニル
【０１２３】
（２１１）３，５−ジブチルフェニル
（２１２）３，５−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２１３）３，５−ジフェニルフェニル
（２１４）３，５−ジエトキシカルボニルフェニル
（２１５）３，５−ジドデシルオキシフェニル
（２１６）３，５−ジメチルフェニル
（２１７）３，５−ジクロロフェニル
（２１８）３，５−ジベンゾイルフェニル
（２１９）３，５−ジアセトキシフェニル
（２２０）３，５−ジメトキシフェニル
（２２１）３，５−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２２２）３，５−ジイソブチリルアミノフェニル
（２２３）３，５−ジフェノキシフェニル
（２２４）３，５−ジヒドロキシフェニル
【０１２４】
（２２５）２，４−ジブチルフェニル
（２２６）２，４−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２２７）２，４−ジフェニルフェニル
（２２８）２，４−ジエトキシカルボニルフェニル
（２２９）２，４−ジドデシルオキシフェニル
（２３０）２，４−ジメチルフェニル
（２３１）２，４−ジクロロフェニル
（２３２）２，４−ジベンゾイルフェニル
（２３３）２，４−ジアセトキシフェニル
（２３４）２，４−ジメトキシフェニル
（２３５）２，４−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２３６）２，４−ジイソブチリルアミノフェニル
（２３７）２，４−ジフェノキシフェニル
（２３８）２，４−ジヒドロキシフェニル
【０１２５】
（２３９）２，３−ジブチルフェニル
（２４０）２，３−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２４１）２，３−ジフェニルフェニル
（２４２）２，３−ジエトキシカルボニルフェニル
（２４３）２，３−ジドデシルオキシフェニル
（２４４）２，３−ジメチルフェニル
（２４５）２，３−ジクロロフェニル
（２４６）２，３−ジベンゾイルフェニル
（２４７）２，３−ジアセトキシフェニル
（２４８）２，３−ジメトキシフェニル
（２４９）２，３−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２５０）２，３−ジイソブチリルアミノフェニル
（２５１）２，３−ジフェノキシフェニル
（２５２）２，３−ジヒドロキシフェニル
【０１２６】
（２５３）２，６−ジブチルフェニル
（２５４）２，６−ジ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２５５）２，６−ジフェニルフェニル
（２５６）２，６−ジエトキシカルボニルフェニル
（２５７）２，６−ジドデシルオキシフェニル
（２５８）２，６−ジメチルフェニル
（２５９）２，６−ジクロロフェニル
（２６０）２，６−ジベンゾイルフェニル
（２６１）２，６−ジアセトキシフェニル
（２６２）２，６−ジメトキシフェニル
（２６３）２，６−ジ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２６４）２，６−ジイソブチリルアミノフェニル
（２６５）２，６−ジフェノキシフェニル
（２６６）２，６−ジヒドロキシフェニル
【０１２７】
（２６７）３，４，５−トリブチルフェニル
（２６８）３，４，５−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２６９）３，４，５−トリフェニルフェニル
（２７０）３，４，５−トリエトキシカルボニルフェニル
（２７１）３，４，５−トリドデシルオキシフェニル
（２７２）３，４，５−トリメチルフェニル
（２７３）３，４，５−トリクロロフェニル
（２７４）３，４，５−トリベンゾイルフェニル
（２７５）３，４，５−トリアセトキシフェニル
（２７６）３，４，５−トリメトキシフェニル
（２７７）３，４，５−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２７８）３，４，５−トリイソブチリルアミノフェニル
（２７９）３，４，５−トリフェノキシフェニル
（２８０）３，４，５−トリヒドロキシフェニル
【０１２８】
（２８１）２，４，６−トリブチルフェニル
（２８２）２，４，６−トリ（２−メトキシ−２−エトキシエチル）フェニル
（２８３）２，４，６−トリフェニルフェニル
（２８４）２，４，６−トリエトキシカルボニルフェニル
（２８５）２，４，６−トリドデシルオキシフェニル
（２８６）２，４，６−トリメチルフェニル
（２８７）２，４，６−トリクロロフェニル
（２８８）２，４，６−トリベンゾイルフェニル
（２８９）２，４，６−トリアセトキシフェニル
（２９０）２，４，６−トリメトキシフェニル
（２９１）２，４，６−トリ−Ｎ−メチルアミノフェニル
（２９２）２，４，６−トリイソブチリルアミノフェニル
（２９３）２，４，６−トリフェノキシフェニル
（２９４）２，４，６−トリヒドロキシフェニル
【０１２９】
（２９５）ペンタフルオロフェニル
（２９６）ペンタクロロフェニル
（２９７）ペンタメトキシフェニル
（２９８）６−Ｎ−メチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（２９９）５−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３００）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３０１）５−エトキシ−７−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３０２）３−メトキシ−２−ナフチル
（３０３）１−エトキシ−２−ナフチル
（３０４）６−Ｎ−フェニルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３０５）５−メトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３０６）１−（４−メチルフェニル）−２−ナフチル
（３０７）６，８−ジ−Ｎ−メチルスルファモイル−２−ナフチル
（３０８）６−Ｎ−２−アセトキシエチルスルファモイル−８−メトキシ−２−ナフチル
（３０９）５−アセトキシ−７−Ｎ−フェニルスルファモイル−２−ナフチル
（３１０）３−ベンゾイルオキシ−２−ナフチル
【０１３０】
（３１１）５−アセチルアミノ−１−ナフチル
（３１２）２−メトキシ−１−ナフチル
（３１３）４−フェノキシ−１−ナフチル
（３１４）５−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（３１５）３−Ｎ−メチルカルバモイル−４−ヒドロキシ−１−ナフチル
（３１６）５−メトキシ−６−Ｎ−エチルスルファモイル−１−ナフチル
（３１７）７−テトラデシルオキシ−１−ナフチル
（３１８）４−（４−メチルフェノキシ）−１−ナフチル
（３１９）６−Ｎ−メチルスルファモイル−１−ナフチル
（３２０）３−Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル−４−メトキシ−１−ナフチル
（３２１）５−メトキシ−６−Ｎ−ベンジルスルファモイル−１−ナフチル
（３２２）３，６−ジ−Ｎ−フェニルスルファモイル−１−ナフチル
【０１３１】
（３２３）メチル
（３２４）エチル
（３２５）ブチル
（３２６）オクチル
（３２７）ドデシル
（３２８）２−ブトキシ−２−エトキシエチル
（３２９）ベンジル
（３３０）４−メトキシベンジル
【０１３２】
【化１９】
2006096023.tif 000020
【０１３３】
（３３１）メチル
（３３２）フェニル
（３３３）ブチル
【０１３４】
【化２０】
2006096023.tif 000021
【０１３５】
本発明のレターデーション上昇剤としては、下記一般式（IV）で表される化合物も好ましく用いることができる。
レターデーション上昇剤として、一般式（IV）で表される化合物を用いる場合、該化合物の使用量は上記一般式（II）で表される化合物などの安息香酸フェニルエステルの場合と同様であってよい。
【０１３６】
【化２１】
2006096023.tif 000022
【０１３７】
式中、Ar1、Ar2、Ar3はアリール基または芳香族ヘテロ環を表し、L1、L2は単なる結合、または２価の連結基を表す。nは３以上の整数を表し、それぞれAr2、L2は同一であっても異なっていても良い。
前記一般式（IV）で表される化合物が下記一般式（V）で表される化合物はさらに好ましい。
【０１３８】
【化２２】
2006096023.tif 000023
【０１３９】
式中、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R51、R52、R53およびR54は水素原子または置換基を表す。Ar2はアリール基または芳香族ヘテロ環を表し、L2、L3は単なる結合、または２価の連結基を表す。nは３以上の整数を表し、それぞれAr2、L2は同一であっても異なっていても良い。
まず、本発明一般式（IV）で表される化合物に関して詳細に説明する。
【０１４０】
一般式（IV）中、Ar1、Ar2、Ar3はアリール基または芳香族ヘテロ環を表し、L1、L2は単なる結合、または２価の連結基を表す。nは３以上の整数を表し、それぞれAr2、L2は同一であっても異なっていても良い。
【０１４１】
Ar1、Ar2、Ar3はアリール基または芳香族ヘテロ環を表し、Ar1、Ar2、Ar3で表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。
一般式（IV）中、Ar1、Ar2、Ar3で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。
【０１４２】
一般式（IV）中、Ar1、Ar2、Ar3で表される芳香族ヘテロ環としては酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環であればいずれのヘテロ環でもよいが、好ましくは5ないし6員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Tが適用できる。
【０１４３】
一般式（IV）中、Ar1、Ar2、Ar3で表される芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。
【０１４４】
一般式（１）中、L1、L2は単なる結合、または２価の連結基を表し、２価の連結基の例として好ましくは、−ＮＲ47−（Ｒ47は水素原子、置換基を有していても良いアルキル基またはアリール基を表す）で表される基、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−およびこれらの２価基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ２ＮＲ47−、−ＮＲ47ＳＯ２−、−ＣＯＮＲ47−、−ＮＲ47ＣＯ−、−ＣＯＯ−、および−ＯＣＯ−、アルキニレン基であり、最も好ましくは−ＣＯＮＲ47−、−ＮＲ47ＣＯ−、−ＣＯＯ−、および−ＯＣＯ−、アルキニレン基である。
【０１４５】
本発明の一般式（IV）で表される化合物において、Ar2はL1およびL2と結合するがAr2がフェニレン基である場合、L1-Ar2-L2、およびL2-Ar2-L2は互いにパラ位（1,4-位）の関係にあることが最も好ましい。
【０１４６】
nは３以上の整数を表し、好ましくは３ないし７であり、より好ましくは３ないし５である。
【０１４７】
一般式（IV）のうち好ましくは一般式（V）であり、ここで一般式（V）について詳しく説明する。
【０１４８】
R41、R42、R43、R44、R45、R46、R51、R52、R53およびR54はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ar2はアリール基または芳香族ヘテロ環を表し、L2、L3は単なる結合、または２価の連結基を表す。nは３以上の整数を表し、それぞれAr2、L2は同一であっても異なっていても良い。
【０１４９】
Ar2、L2、およびnは一般式（１）の例と同一であり、L3は単なる結合、または２価の連結基を表し、２価の連結基の例として好ましくは、−ＮＲ47−（Ｒ47は水素原子、置換基を有していても良いアルキル基またはアリール基を表す）で表される基、アルキレン基、置換アルキレン基、−Ｏ−、およびこれらの２価基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＮＲ47−、−ＮＲ47ＳＯ２−、および−ＮＲ47ＣＯ−である。
【０１５０】
R41、R42、R43、R44、R45およびR46はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基など）、炭素数６〜１２のアリール基（例えばフェニル基、ナフチル基）であり、さらに好ましくは炭素数１〜４のアルキル基である。
【０１５１】
R51、R52、R53およびR54はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基）である。
【０１５２】
以下に前述の置換基Tについて説明する。
置換基Ｔとして好ましくはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、２-エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、
【０１５３】
アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル）、ヘテロ環基（好ましくは５または６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、
【０１５４】
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【０１５５】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、N-メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、p-クロロフェノキシカルボニルアミノ、m-ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、
【０１５６】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイルベンゾイル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよびヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【０１５７】
上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていても良い。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。
【０１５８】
また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１５９】
以下に一般式（１）および一般式（２）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０１６０】
【化２３】
2006096023.tif 000024
【０１６１】
【化２４】
2006096023.tif 000025
【０１６２】
【化２５】
2006096023.tif 000026
【０１６３】
【化２６】
2006096023.tif 000027
【０１６４】
【化２７】
2006096023.tif 000028
【０１６５】
【化２８】
2006096023.tif 000029
【０１６６】
【化２９】
2006096023.tif 000030
【０１６７】
【化３０】
2006096023.tif 000031
【０１６８】
エア面表面の添加剤存在量/支持体表面の添加剤存在量比のコントロールのもうひとつの有効な例は、下記一般式（III）で表されるレターデーション低下剤である。
【０１６９】
【化３１】
2006096023.tif 000032
【０１７０】
上記一般式（III）において、Ｒ３１はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ３２およびＲ３３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ３１、Ｒ３２およびＲ３３の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t-ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、t-オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。また、本発明において、一般式（III）で表される化合物の添加量は、セルロースアシレートに対し、０．１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがさらに好ましく、２〜２０質量％であることが特に好ましい。一般式（II）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１７１】
【化３２】
2006096023.tif 000033
【０１７２】
次に本発明の製造の対象であり、かつ光学補償フィルム、偏光板で使用するセルロースアシレートフィルムについて詳しく説明する。
【０１７３】
［セルロースアシレート］
本発明に用いるセルロースアシレートとしては、セルロースの低級脂肪酸エステルが好ましい。低級脂肪酸とは、炭素原子数が６以下の脂肪酸を意味する。炭素原子数は２（セルロースアセテート）、３（セルロースプロピオネート）、４（セルロースブチレート）であることが好ましい。
なかでも、セルロースアセテートが特に好ましい。また、セルロースアセテートプロピオネートとセルロースアセテートブチレートとが混在するような混合脂肪酸のセルロースアシレートを用いてもよい。更には、セルロースベンゾエートのようなセルロース芳香族酸エステルや、セルロースアセテートベンゾエートとセルロースプロピオネートベンゾエートとが混在するような脂肪族酸と芳香族酸との混合酸のセルロースアシレートを用いてもよい。
このうち酢化度が５９．０乃至６１．５％の範囲にあるセルロースアセテートを使用することが特に好ましい。酢化度とは、セルロース単位質量当たりの結合酢酸量を意味する。酢化度は、ＡＳＴＭ  Ｄ−８１７−９１（セルロースアセテート等の試験法）におけるアセチル化度の測定および計算に従う。セルロースアシレートの粘度平均重合度（ＤＰ）は、２５０以上であることが好ましく、２９０以上であることがさらに好ましい。
また、本発明に使用するセルロースアシレートは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）で示される分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値は、１．０乃至１．７の範囲にあることが好ましく、１．３乃至１．６５の範囲にあることがさらに好ましく、１．４乃至１．６の範囲にあることが最も好ましい。
【０１７４】
［セルロースアセテートフィルムの製造］
本発明のセルロースアセテートフィルムは、ソルベントキャスト法により製造する。ソルベントキャスト法では、セルロースアセテートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造する。
有機溶媒は、炭素原子数が３乃至１２のエーテル、炭素原子数が３乃至１２のケトン、炭素原子数が３乃至１２のエステルおよび炭素原子数が１乃至６のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒を含むことが好ましい。
エーテル、ケトンおよびエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトンおよびエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有機溶媒として用いることができる。有機溶媒は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する溶媒の上記した好ましい炭素原子数範囲内であることが好ましい。
【０１７５】
炭素原子数が３乃至１２のエーテル類の例には、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールが含まれる。
炭素原子数が３乃至１２のケトン類の例には、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンが含まれる。
炭素原子数が３乃至１２のエステル類の例には、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテートおよびペンチルアセテートが含まれる。
二種類以上の官能基を有する有機溶媒の例には、２−エトキシエチルアセテート、２−メトキシエタノールおよび２−ブトキシエタノールが含まれる。
ハロゲン化炭化水素の炭素原子数は、１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。ハロゲン化炭化水素のハロゲンは、塩素であることが好ましい。ハロゲン化炭化水素の水素原子が、ハロゲンに置換されている割合は、２５乃至７５モル％であることが好ましく、３０乃至７０モル％であることがより好ましく、３５乃至６５モル％であることがさらに好ましく、４０乃至６０モル％であることが最も好ましい。メチレンクロリドが、代表的なハロゲン化炭化水素である。
二種類以上の有機溶媒を混合して用いてもよい。
【０１７６】
０℃以上の温度（常温または高温）で処理することからなる一般的な方法で、セルロースアセテート溶液を調製することができる。溶液の調製は、通常のソルベントキャスト法におけるドープの調製方法および装置を用いて実施することができる。なお、一般的な方法の場合は、有機溶媒としてハロゲン化炭化水素（特にメチレンクロリド）を用いることが好ましい。
セルロースアセテートの量は、得られる溶液中に１０乃至４０質量％含まれるように調整する。セルロースアセテートの量は、１０乃至３０質量％であることがさらに好ましい。有機溶媒（主溶媒）中には、後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。
溶液は、常温（０乃至４０℃）でセルロースアセテートと有機溶媒とを攪拌することにより調製することができる。高濃度の溶液は、加圧および加熱条件下で攪拌してもよい。具体的には、セルロースアセテートと有機溶媒とを加圧容器に入れて密閉し、加圧下で溶媒の常温における沸点以上、かつ溶媒が沸騰しない範囲の温度に加熱しながら攪拌する。
加熱温度は、通常は４０℃以上であり、好ましくは６０乃至２００℃であり、さらに好ましくは８０乃至１１０℃である。
【０１７７】
各成分は予め粗混合してから容器に入れてもよい。また、順次容器に投入してもよい。容器は攪拌できるように構成されている必要がある。窒素ガス等の不活性気体を注入して容器を加圧することができる。また、加熱による溶媒の蒸気圧の上昇を利用してもよい。あるいは、容器を密閉後、各成分を圧力下で添加してもよい。
加熱する場合、容器の外部より加熱することが好ましい。例えば、ジャケットタイプの加熱装置を用いることができる。また、容器の外部にプレートヒーターを設け、配管して液体を循環させることにより容器全体を加熱することもできる。
容器内部に攪拌翼を設けて、これを用いて攪拌することが好ましい。攪拌翼は、容器の壁付近に達する長さのものが好ましい。攪拌翼の末端には、容器の壁の液膜を更新するため、掻取翼を設けることが好ましい。
容器には、圧力計、温度計等の計器類を設置してもよい。容器内で各成分を溶剤中に溶解する。調製したドープは冷却後容器から取り出すか、あるいは、取り出した後、熱交換器等を用いて冷却する。
【０１７８】
冷却溶解法により、溶液を調製することもできる。冷却溶解法では、通常の溶解方法では溶解させることが困難な有機溶媒中にもセルロースアセテートを溶解させることができる。なお、通常の溶解方法でセルロースアセテートを溶解できる溶媒であっても、冷却溶解法によると迅速に均一な溶液が得られるとの効果がある。
冷却溶解法では最初に、室温で有機溶媒中にセルロースアセテートを撹拌しながら徐々に添加する。
セルロースアセテートの量は、この混合物中に１０乃至４０質量％含まれるように調整することが好ましい。セルロースアセテートの量は、１０乃至３０質量％であることがさらに好ましい。さらに、混合物中には後述する任意の添加剤を添加しておいてもよい。
【０１７９】
次に、混合物を−１００乃至−１０℃（好ましくは−８０乃至−１０℃、さらに好ましくは−５０乃至−２０℃、最も好ましくは−５０乃至−３０℃）に冷却する。冷却は、例えば、ドライアイス・メタノール浴（−７５℃）や冷却したジエチレングリコール溶液（−３０乃至−２０℃）中で実施できる。冷却によりセルロースアセテートと有機溶媒の混合物は固化する。
冷却速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。冷却速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、冷却速度は、冷却を開始する時の温度と最終的な冷却温度との差を冷却を開始してから最終的な冷却温度に達するまでの時間で割った値である。
【０１８０】
さらに、これを０乃至２００℃（好ましくは０乃至１５０℃、さらに好ましくは０乃至１２０℃、最も好ましくは０乃至５０℃）に加温すると、有機溶媒中にセルロースアセテートが溶解する。昇温は、室温中に放置するだけでもよく、温浴中で加温してもよい。
加温速度は、４℃／分以上であることが好ましく、８℃／分以上であることがさらに好ましく、１２℃／分以上であることが最も好ましい。加温速度は、速いほど好ましいが、１００００℃／秒が理論的な上限であり、１０００℃／秒が技術的な上限であり、そして１００℃／秒が実用的な上限である。なお、加温速度は、加温を開始する時の温度と最終的な加温温度との差を加温を開始してから最終的な加温温度に達するまでの時間で割った値である。
以上のようにして、均一な溶液が得られる。なお、溶解が不充分である場合は冷却、加温の操作を繰り返してもよい。溶解が充分であるかどうかは、目視により溶液の外観を観察するだけで判断することができる。
【０１８１】
冷却溶解法においては、冷却時の結露による水分混入を避けるため、密閉容器を用いることが望ましい。また、冷却加温操作において、冷却時に加圧し、加温時の減圧すると、溶解時間を短縮することができる。加圧および減圧を実施するためには、耐圧性容器を用いることが望ましい。
なお、セルロースアセテート（酢化度：６０．９％、粘度平均重合度：２９９）を冷却溶解法によりメチルアセテート中に溶解した２０質量％の溶液は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）による測定によると、３３℃近傍にゾル状態とゲル状態との疑似相転移点が存在し、この温度以下では均一なゲル状態となる。従って、この溶液は疑似相転移温度以上、好ましくはゲル相転移温度プラス１０℃程度の温度で保持する必要がある。ただし、この疑似相転移温度は、セルロースアセテートの酢化度、粘度平均重合度、溶液濃度や使用する有機溶媒により異なる。
【０１８２】
調製したセルロースアセテート溶液（ドープ）から、ソルベントキャスト法によりセルロースアセテートフィルムを製造する。ドープには前記のレターデーション上昇剤を添加することが好ましい。
ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１８乃至３５％となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。ドープは、表面温度が１０℃以下のドラムまたはバンド上に流延することが好ましい。
【０１８３】
本発明では、ドープ（セルロースアシレート溶液）をバンド上に流延する場合、剥ぎ取り前乾燥の前半において１０秒以上９０秒以下、好ましくは１５秒以上９０秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を行う。また、ドラム上に流延する場合、剥ぎ取り前乾燥の前半において１秒以上１０秒以下、好ましくは２秒以上５秒以下の時間、実質的に無風で乾燥する工程を行う。
本発明において、「剥ぎ取り前乾燥」とはバンドもしくはドラム上にドープが塗布されてからフィルムとして剥ぎ取られるまでの乾燥を指すものとする。また、「前半」とはドープ塗布から剥ぎ取りまでに要する全時間の半分より前の工程を指すものとする。「実質的に無風」であるとは、バンド表面もしくはドラム表面から２００ｍｍ以内の距離において０．５ｍ／ｓ以上の風速が検出されない（風速が０．５ｍ／ｓ未満である）ことである。
剥ぎ取り前乾燥の前半は、バンド上の場合通常３０〜３００秒程度の時間であるが、その内の１０秒以上９０秒以下、好ましくは１５秒以上９０秒以下の時間、無風で乾燥する。ドラム上の場合は通常５〜３０秒程度の時間であるが、その内の１秒以上１０秒以下、好ましくは２秒以上５秒以下の時間、無風で乾燥する。雰囲気温度温度は０℃〜１８０℃が好ましく、４０℃〜１５０℃がさらに好ましい。無風で乾燥する操作は剥ぎ取り前乾燥の前半の任意の段階で行うことができるが、好ましくは流延直後から行うことが好ましい。無風で乾燥する時間が、バンド上の場合に１０秒未満（ドラム上の場合に１秒未満）であると、添加剤がフィルム内に均一に分布することが難しく、９０秒を超えると（ドラム上の場合１０秒を超えると）乾燥不十分で剥ぎ取られことになり、フィルムの面状が悪化する。
剥ぎ取り前乾燥における無風で乾燥する以外の時間は、は不活性ガスを送風することにより乾燥を行なうことができる。このときの風温は０℃〜１８０℃が好ましく、４０℃〜１５０℃がさらに好ましい。
【０１８４】
ソルベントキャスト法における乾燥方法については、米国特許２３３６３１０号、同２３６７６０３号、同２４９２０７８号、同２４９２９７７号、同２４９２９７８号、同２６０７７０４号、同２７３９０６９号、同２７３９０７０号、英国特許６４０７３１号、同７３６８９２号の各明細書、特公昭４５−４５５４号、同４９−５６１４号、特開昭６０−１７６８３４号、同６０−２０３４３０号、同６２−１１５０３５号の各公報に記載がある。バンドまたはドラム上での乾燥は空気、窒素などの不活性ガスを送風することにより行なうことができる。
【０１８５】
得られたフィルムをドラムまたはバンドから剥ぎ取り、さらに１００から１６０℃まで逐次温度を変えた高温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることもできる。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載がある。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することが可能である。この方法を実施するためには、流延時のドラムまたはバンドの表面温度においてドープがゲル化することが必要である。
【０１８６】
調整したセルロースアセテート溶液（ドープ）を用いて二層以上の流延を行いフィルム化することもできる。この場合、ソルベントキャスト法によりセルロースアセテートフィルムを作製することが好ましい。ドープは、ドラムまたはバンド上に流延し、溶媒を蒸発させてフィルムを形成する。流延前のドープは、固形分量が１０乃至４０％の範囲となるように濃度を調整することが好ましい。ドラムまたはバンドの表面は、鏡面状態に仕上げておくことが好ましい。
【０１８７】
二層以上の複数のセルロースアセテート液を流延する場合、複数のセルロースアセテート溶液を流延することが可能で、支持体の進行方向に間隔をおいて設けられた複数の流延口からセルロースアセテートを含む溶液をそれぞれ流延させて積層させながらフィルムを作製してもよい。例えば、特開昭６１−１５８４１４号、特開平１−１２２４１９号、および、特開平１１−１９８２８５号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、２つの流延口からセルロースアセテート溶液を流延することによってもフィルム化することもできる。例えば、特公昭６０−２７５６２号、特開昭６１−９４７２４号、特開昭６１−９４７２４５号、特開昭６１−１０４８１３号、特開昭６１−１５８４１３号、および、特開平６−１３４９３３号の各公報に記載の方法を用いることができる。また、特開昭５６−１６２６１７号公報に記載の高粘度セルロースアセテート溶液の流れを低粘度のセルロースアセテート溶液で包み込み、その高、低粘度のセルロースアセテート溶液を同時に押し出すセルロースアセテートフィルムの流延方法を用いることもできる。
【０１８８】
また、二個の流延口を用いて、第一の流延口により支持体に成形したフィルムを剥ぎ取り、支持体面に接していた側に第二の流延を行うことにより、フィルムを作製することもできる。例えば、特公昭４４−２０２３５号公報に記載の方法を挙げることができる。
流延するセルロースアセテート溶液は同一の溶液を用いてもよいし、異なるセルロースアセテート溶液を用いてもよい。複数のセルロースアセテート層に機能をもたせるために、その機能に応じたセルロースアセテート溶液を、それぞれの流延口から押し出せばよい。さらに本発明のセルロースアセテート溶液は、他の機能層（例えば、接着層、染料層、帯電防止層、アンチハレーション層、紫外線吸収層、偏光層など）と同時に流延することもできる。
【０１８９】
従来の単層液では、必要なフィルムの厚さにするためには高濃度で高粘度のセルロースアセテート溶液を押し出すことが必要である。その場合セルロースアセテート溶液の安定性が悪くて固形物が発生し、ブツ故障となったり、平面性が不良となったりして問題となることが多かった。この問題の解決方法として、複数のセルロースアセテート溶液を流延口から流延することにより、高粘度の溶液を同時に支持体上に押し出すことができ、平面性も良化し優れた面状のフィルムが作製できるばかりでなく、濃厚なセルロースアセテート溶液を用いることで乾燥負荷の低減化が達成でき、フィルムの生産スピードを高めることができる。
【０１９０】
セルロースアセテートフィルムには機械的物性を改良するために、以下の可塑剤を用いることができる。可塑剤としては、リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）およびトリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）が含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステルおよびクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）およびジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。クエン酸エステルの例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）が含まれる。その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。フタル酸エステル系可塑剤（ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、ＤＯＰ、ＤＰＰ、ＤＥＨＰ）が好ましく用いられる。ＤＥＰおよびＤＰＰが特に好ましい。
可塑剤の添加量は、セルロースアシレートの量の０．１乃至２５質量％であることが好ましく、１乃至２０質量％であることがさらに好ましく、３乃至１５質量％であることが最も好ましい。
【０１９１】
セルロースアセテートフィルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）を添加してもよい。劣化防止剤については、特開平３−１９９２０１号、同５−１９０７０７３号、同５−１９４７８９号、同５−２７１４７１号、同６−１０７８５４号の各公報に記載がある。劣化防止剤の添加量は、効果の発現及びフィルム表面への劣化防止剤のブリードアウト（滲み出し）の抑制の観点から、調製する溶液（ドープ）の０．０１乃至１質量％であることが好ましく、０．０１乃至０．２質量％であることがさらに好ましい。
特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、トリベンジルアミン（ＴＢＡ）を挙げることができる。
【０１９２】
［二軸延伸］
セルロースアセテートフィルムは、仮想歪みを低減させるために、延伸処理しても構わない。延伸することにより、延伸方向の仮想歪みが低減できるので、面内すべての方向で歪みを低減するために二軸延伸をおこなってもよい。
二軸延伸には、同時二軸延伸法と逐次二軸延伸法があるが、連続製造の観点から逐次二軸延伸方法が好ましく、ドープを流延した後、バンドもしくはドラムよりフィルムを剥ぎ取り、幅方向（長手方法）に延伸した後、長手方向（幅方向）に延伸される。
幅方向に延伸する方法は、例えば、特開昭６２−１１５０３５号、特開平４−１５２１２５号、同４−２８４２１１号、同４−２９８３１０号、同１１−４８２７１号などの各公報に記載されている。フィルムの延伸は、常温または加熱条件下で実施する。加熱温度は、フィルムのガラス転移温度以下であることが好ましい。フィルムは、乾燥中の処理で延伸することができ、特に溶媒が残存する場合は有効である。長手方向の延伸の場合、例えば、フィルムの搬送ローラーの速度を調節して、フィルムの剥ぎ取り速度よりもフィルムの巻き取り速度の方を速くするとフィルムは延伸される。幅方向の延伸の場合、フィルムの巾をテンターで保持しながら搬送して、テンターの巾を徐々に広げることによってもフィルムを延伸できる。フィルムの乾燥後に、延伸機を用いて延伸すること（好ましくはロング延伸機を用いる一軸延伸）もできる。フィルムの延伸倍率（元の長さに対する延伸による増加分の比率）は、５乃至５０％の範囲にあることが好ましく、１０乃至４０％の範囲にあることがさらに好ましく、１５乃至３５％の範囲にあることが最も好ましい。
【０１９３】
これら流延から後乾燥までの工程は、空気雰囲気下でもよいし窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下でもよい。本発明に用いるセルロースアセテートフィルムの製造に用いる巻き取り機は一般的に使用されているものでよく、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法などの巻き取り方法で巻き取ることができる。
【０１９４】
［セルロースアセテートフィルムの表面処理］
セルロースアセテートフィルムは、表面処理を施すことが好ましい。具体的方法としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理または紫外線照射処理が挙げられる。また、特開平７−３３３４３３号公報に記載のように、下塗り層を設けることも好ましい。
フィルムの平面性を保持する観点から、これら処理においてセルロースアセテートフィルムの温度をＴｇ（ガラス転移温度）以下、具体的には１５０℃以下とすることが好ましい。
偏光板の透明保護膜として使用する場合、偏光子との接着性の観点から、酸処理またはアルカリ処理、すなわちセルロースアセテートに対するケン化処理を実施することが特に好ましい。
表面エネルギーは５５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、６０ｍＮ／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下であることが更に好ましい。
【０１９５】
以下、アルカリ鹸化処理を例に、具体的に説明する。
セルロースアセテートフィルムのアルカリ鹸化処理は、フィルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。
アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられ、水酸化イオン濃度は０．１乃至３．０モル／リットルの範囲にあることが好ましく、０．５乃至２．０モル／リットルの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温乃至９０℃の範囲にあることが好ましく、４０乃至７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。
【０１９６】
固体の表面エネルギーは、「ぬれの基礎と応用」（リアライズ社  １９８９．１２．１０発行）に記載のように接触角法、湿潤熱法、および吸着法により求めることができる。本発明のセルロースアセテートフィルムの場合、接触角法を用いることが好ましい。
具体的には、表面エネルギーが既知である２種の溶液をセルロースアセテートフィルムに滴下し、液滴の表面とフィルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフィルム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義し、計算によりフィルムの表面エネルギーを算出できる。
【０１９７】
［フィルムのレターデーション］
本明細書において、Ｒｅ、Ｒｔｈは各々、波長λにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを表す。ＲｅはＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈは前記Ｒｅ、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨが算出する。ここで平均屈折率の仮定値は  ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ，ｎｙ，ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）が更に算出される。
【０１９８】
本発明のセルロースアシレートフィルムは偏光板の保護フィルムとして用いられ、特に、様々な液晶モードに対応した位相差フィルムとしても好ましく用いることができる。
本発明のセルロースアシレートフィルムを位相差フィルムとして用いる場合、セルロースアシレートフィルムの好ましい光学特性は液晶モードによって異なる。
ＯＣＢモード用としては、Ｒｅは１０〜１００のものが好ましく、２０〜７０のものがさらに好ましい。Ｒｔｈは５０〜３００のものが好ましく１００〜２５０のものがさらに好ましい。
ＶＡモード用としてはＲｅは２０〜１５０のものが好ましく、３０〜１２０のものがさらに好ましい。Ｒｔｈは５０〜３００のものが好ましく１２０〜２５０のものがさらに好ましい。
また、ＴＮ用としてはＲｅは０〜５０のものが好ましく、２〜３０のものがさらに好ましい。Ｒｔｈは１０〜２００のものが好ましく３０〜１５０のものがさらに好ましい。
また、ＩＰＳ用としてはＲｅは０〜５のものが好ましく、０〜２のものがさらに好ましい。Ｒｔｈは−２０〜２０のものが好ましく−１０〜１０のものがさらに好ましい。
ＯＣＢ用モード及びＴＮ用モードでは前記レターデーション値を有するセルロースアシレートフィルム上に光学異方性層を塗布して光学補償フィルムとして使用できる。
【０１９９】
なお、セルロースアシレートフィルムの複屈折率（Δｎ：ｎｘ−ｎｙ）は、０．００乃至〜０．００２μｍの範囲にあることが好ましい。また、支持体フィルムおよび対向フィルムの厚み方向の複屈折率｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝は、０．００乃至〜０．０４の範囲にあることが好ましい。
【０２００】
［光弾性］
本発明のセルロースアシレートの光弾性係数は６０×１０−８ｃｍ２／Ｎ以下が好ましく、２０×１０−８ｃｍ２／Ｎ以下がさらに好ましい。光弾性係数はエリプソメーターにより求めることができる。
【０２０１】
［ガラス転移温度］
本発明のセルロースアシレートのガラス転移温度は１２０℃以上が好ましく、更に１４０℃以上が好ましい。ガラス転移温度は、示差走査型熱量計（ＤＳＣ）を用いて昇温速度１０℃／分で測定したときにフィルムのガラス転移に由来するベースラインが変化しはじめる温度と再びベースラインに戻る温度との平均値として求めたものである。
【０２０２】
次に本発明の偏光板について詳しく説明する。
（偏光板の構成）
まず、本発明の偏光板を構成する保護フィルム、偏光子について説明する。
本発明の偏光板は、偏光子や保護フィルム以外にも、粘着剤層、セパレートフィルム、保護フィルムを構成要素として有していても構わない。
【０２０３】
（１）保護フィルム
本発明の偏光板は偏光子の両側に１ずつ合計２枚の保護フィルムを有し、少なくとも１枚は本発明のセルロースアシレートフィルムである。また、２枚の保護フィルムのうち、少なくとも一枚は位相差フィルムとしての機能を合わせてもつことが好ましい。液晶表示装置に本発明の偏光板を用いる場合、液晶セルの両側に配置される二枚の偏光板の少なくとも一方が、本発明の偏光板であることが好ましい。
本発明において用いられる保護フィルムはノルボルネン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアリレート、ポリスルフォン、セルロースアシレートなどから製造されたポリマーフィルムであることが好ましく、セルロースアシレートフィルムであることが最も好ましい。
【０２０４】
（２）偏光子
本発明の偏光子は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）と二色性分子から構成することが好ましいが、特開平１１−２４８９３７に記載されているようにＰＶＡやポリ塩化ビニルを脱水、脱塩素することによりポリエン構造を生成し、これを配向させたポリビニレン系偏光子も使用することができる。
【０２０５】
ＰＶＡは、ポリ酢酸ビニルをケン化したポリマー素材であるが、例えば不飽和カルボン酸、不飽和スルホン酸、オレフィン類、ビニルエーテル類のような酢酸ビニルと共重合可能な成分を含有しても構わない。また、アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等を含有する変性ＰＶＡも用いることができる。
ＰＶＡのケン化度は特に限定されないが、溶解性等の観点から８０〜１００ｍｏｌ％が好ましく、９０〜１００ｍｏｌ％が特に好ましい。またＰＶＡの重合度は特に限定されないが、１０００〜１００００が好ましく、１５００〜５０００が特に好ましい。
ＰＶＡのシンジオタクティシティーは特許２９７８２１９号に記載されているように耐久性を改良するため５５％以上が好ましいが、特許第３３１７４９４号公報に記載されている４５〜５２．５％も好ましく用いることができる。
【０２０６】
ＰＶＡはフィルム化した後、二色性分子を導入して偏光子を構成することが好ましい。ＰＶＡフィルムの製造方法は、ＰＶＡ系樹脂を水又は有機溶媒に溶解した原液を流延して成膜する方法が一般に好ましく用いられる。原液中のポリビニルアルコール系樹脂の濃度は、通常５〜２０質量％であり、この原液を流延法により製膜することによって、膜厚１０〜２００μｍのＰＶＡフィルムを製造できる。ＰＶＡフィルムの製造は、特許第３３４２５１６号、特開平０９−３２８５９３号、特開２００１−３０２８１７号、特開２００２−１４４４０１号を参考にして行うことができる。
ＰＶＡフィルムの結晶化度は、特に限定されないが、特許第３２５１０７３号公報に記載されている平均結晶化度（Ｘｃ）５０〜７５質量％や、面内の色相バラツキを低減させるため、特開２００２−２３６２１４号公報に記載されている結晶化度３８％以下のＰＶＡフィルムを用いることができる。
【０２０７】
ＰＶＡフィルムの複屈折（Δｎ）は小さいことが好ましく、特許第３３４２５１６号公報に記載されている複屈折が１．０×１０−３以下のＰＶＡフィルムを好ましく用いることができる。但し、特開２００２−２２８８３５号公報に記載されているように、ＰＶＡフィルムの延伸時の切断を回避しながら高偏光度を得るため、ＰＶＡフィルムの複屈折を０.０２以上０.０１以下としてもよいし、特開２００２−０６０５０５号公報に記載されているように（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚの値を０．０００３以上０．０１以下としてもよい。ＰＶＡフィルムのレターデーション（面内）は０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上５０ｎｍ以下がさらに好ましい。また、ＰＶＡフィルムのＲｔｈ（膜厚方向）は０ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、０ｎｍ以上３００ｎｍ以下がさらに好ましい。
【０２０８】
この他、本発明の偏光板には、特許３０２１４９４号公報に記載されている１、２−グリコール結合量が１.５モル％以下のＰＶＡフィルム、特開２００１−３１６４９２号公報に記載されている５μｍ以上の光学的異物が１００ｃｍ２当たり５００個以下であるＰＶＡフィルム、特開２００２−０３０１６３号公報に記載されているフィルムのＴＤ方向の熱水切断温度範囲が１．５℃以下であるＰＶＡフィルム、さらにグリセリンなどの３〜６価の多価アルコ−ルを１〜１００質量部したり、特開平０６−２８９２２５号公報に記載されている可塑剤を１５質量％以上混合した溶液から製膜したＰＶＡフィルムを好ましく用いることができる。
【０２０９】
ＰＶＡフィルムの延伸前のフィルム膜厚は特に限定されないが、フィルム保持の安定性、延伸の均質性の観点から、１μｍ〜１ｍｍが好ましく、２０〜２００μｍが特に好ましい。特開２００２−２３６２１２号公報に記載されているように水中において４倍から６倍の延伸を行った時に発生する応力が１０Ｎ以下となるような薄いＰＶＡフィルムを使用してもよい。
【０２１０】
二色性分子は、Ｉ３−やＩ５−などの高次のヨウ素イオンもしくは二色性染料を好ましく使用することができる。本発明では高次のヨウ素イオンが特に好ましく使用される。高次のヨウ素イオンは、「偏光板の応用」永田良編、ＣＭＣ出版や工業材料、第２８巻、第７号、p．３９〜ｐ．４５に記載されているように、ヨウ素をヨウ化カリウム水溶液に溶解した液およびホウ酸水溶液の少なくともいずれかの液にＰＶＡを浸漬し、ＰＶＡに吸着・配向した状態で生成することができる。
【０２１１】
二色性分子として二色性染料を用いる場合は、アゾ系色素が好ましく、特にビスアゾ系とトリスアゾ系色素が好ましい。二色性染料は水溶性のものが好ましく、このため二色性分子にスルホン酸基、アミノ基、水酸基などの親水性置換基が導入され、遊離酸、あるいはアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン類の塩として好ましく用いられる。
【０２１２】
このような二色性染料の具体例としては、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ３７、  Ｃｏｎｇｏ  Ｒｅｄ（Ｃ．Ｉ．  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２８）、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  １２、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ９０、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２２、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １５１、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｇｒｅｅｎ  １等のベンジジン系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ４４、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２３、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ７９等のジフェニル尿素系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １２等のスチルベン系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ３１等のジナフチルアミン系、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ８１、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ９、  Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ７８等のＪ酸系を挙げることができる。
これ以外にも、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ８６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ８７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  １４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ２６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ３９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ７２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  １０６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  １０７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ３９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ８３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ８９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２４０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ２４７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ４８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ５１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ９８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ６７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ７１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ９８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  １６８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２０２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２３６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２４９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ２７０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｇｒｅｅｎ  ５９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｇｒｅｅｎ  ８５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  ４４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  １０６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  １９５、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  ２１０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  ２２３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｒｏｗｎ  ２２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  １、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  １７、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  １９、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌａｃｋ  ５４等が、さらに特開昭６２−７０８０２号、特開平１−１６１２０２号、特開平１−１７２９０６号、特開平１−１７２９０７号、特開平１−１８３６０２号、特開平１−２４８１０５号、特開平１−２６５２０５号、特開平７−２６１０２４号、の各公報記載の二色性染料等も好ましく使用することができる。各種の色相を有する二色性分子を製造するため、これらの二色性染料は２種以上を配合してもかまわない。二色性染料を用いる場合、特開２００２−０８２２２２号に記載されているように吸着厚みが４μｍ以上であってもよい。
【０２１３】
フィルム中の該二色性分子の含有量は、偏光度及び単板透過率を高く維持する観点から、通常、フィルムのマトリックスを構成するポリビニルアルコール系重合体に対して、０.０１質量％から５質量％の範囲に調整される。
偏光子の好ましい膜厚としては、５μｍ乃至〜４０μｍが好ましく、さらに好ましくは１０μｍ乃至〜３０μｍである。偏光子の厚さと後述する保護フィルムの厚さの比を、特開２００２−１７４７２７号公報に記載されている０．０１≦Ａ（偏光子膜厚）／Ｂ(保護フィルム膜厚)≦０．１６の範囲とすることも好ましい。
保護フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸の交差角は、任意の値でよいが、平行もしくは４５±２０゜の方位角であることが好ましい。
【０２１４】
（偏光板の製造工程）
次に、本発明の偏光板の製造工程について説明する。
本発明における偏光板の製造工程は、膨潤工程、染色工程、硬膜工程、延伸工程、乾燥工程、保護フィルム貼り合わせ工程、貼り合わせ後乾燥工程から構成されることが好ましい。染色工程、硬膜工程、延伸工程の順序を任意に変えること、また、いくつかの工程を組み合わせて同時に行っても構わない。また、特許第３３３１６１５に記載されているように、硬膜工程の後に水洗することも好ましく行うことができる。
【０２１５】
本発明では、膨潤工程、染色工程、硬膜工程、延伸工程、乾燥工程、保護フィルム貼り合わせ工程、貼り合わせ後乾燥工程を記載の順序で遂次行うことが特に好ましい。また、前述の工程中あるいは後にオンライン面状検査工程を設けても構わない。
【０２１６】
膨潤工程は、水のみで行うことが好ましいが、特開平１０−１５３７０９号公報に記載されているように、光学性能の安定化及び、製造ラインでの偏光板基材のシワ発生回避のために、偏光板基材をホウ酸水溶液により膨潤させて、偏光板基材の膨潤度を管理することもできる。
また、膨潤工程の温度、時間は、任意に定めることができるが、１０℃以上６０℃以下、５秒以上２０００秒以下が好ましい。
染色工程は、特開２００２−８６５５４号公報に記載の方法を用いることができる。また、染色方法としては浸漬だけでなく、ヨウ素あるいは染料溶液の塗布あるいは噴霧等、任意の手段が可能である。また、特開２００２−２９００２５号公報に記載されているように、ヨウ素の濃度、染色浴温度、浴中の延伸倍率、および浴中の浴液を攪拌させながら染色させる方法を用いてもよい。
【０２１７】
二色性分子として高次のヨウ素イオンを用いる場合、高コントラストな偏光板を得るためには、染色工程はヨウ素をヨウ化カリウム水溶液に溶解した液を用いることが好ましい。この場合のヨウ素−ヨウ化カリウム水溶液のヨウ素は０．０５〜２０ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは３〜２００ｇ／ｌ、ヨウ素とヨウ化カリウムの質量比は１〜２０００が好ましい範囲である。染色時間は１０〜１２００秒が好ましく、液温度は１０〜６０℃が好ましい。さらに好ましくは、ヨウ素は０．５〜２ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは３０〜１２０ｇ／ｌ、ヨウ素とヨウ化カリウムの質量比は３０〜１２０がよく、染色時間は３０〜６００秒、液温度は２０〜５０℃がよい。
また、特許第３１４５７４７号公報に記載されているように、染色液にホウ酸、ホウ砂等のホウ素系化合物を添加しても良い。
【０２１８】
硬膜工程は、架橋剤溶液に浸漬、または溶液を塗布して架橋剤を含ませるのが好ましい。また、特開平１１−５２１３０号公報に記載されているように、硬膜工程を数回に分けて行うこともできる。
【０２１９】
架橋剤としては米国再発行特許第２３２８９７号明細書に記載のものが使用でき、特許第３３５７１０９号公報に記載されているように、寸法安定性を向上させるため、架橋剤として多価アルデヒドを使用することもできるが、ホウ酸類が最も好ましく用いられる。
硬膜工程に用いる架橋剤としてホウ酸を用いる場合には、ホウ酸−ヨウ化カリウム水溶液に金属イオンを添加しても良い。金属イオンとしては塩化亜鉛が好ましいが、特開２０００−３５５１２号公報に記載されているように、塩化亜鉛の変わりに、ヨウ化亜鉛などのハロゲン化亜鉛、硫酸亜鉛、酢酸亜鉛などの亜鉛塩を用いることもできる。
【０２２０】
本発明では、塩化亜鉛を添加したホウ酸−ヨウ化カリウム水溶液を作製し、ＰＶＡフィルムを浸漬させて硬膜を行うことが好ましく行われる。ホウ酸は１〜１００ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは１〜１２０ｇ／ｌ、塩化亜鉛は０．０１〜１０ｇ／ｌ、硬膜時間は１０〜１２００秒が好ましく、液温度は１０〜６０℃が好ましい。さらに好ましくは、ホウ酸は１０〜８０ｇ／ｌ、ヨウ化カリウムは５〜１００ｇ／ｌ、塩化亜鉛は０．０２〜８ｇ／ｌ、硬膜時間は３０〜６００秒がよく、液温度は２０〜５０℃がよい。
【０２２１】
延伸工程は、米国特許２、４５４、５１５号明細書などに記載されているような、縦一軸延伸方式、もしくは特開２００２−８６５５４号公報に記載されているようなテンター方式を好ましく用いることができる。好ましい延伸倍率は２倍以上１２倍以下であり、さらに好ましくは３倍以上１０倍以下である。また、延伸倍率と原反厚さと偏光子厚さの関係は特開２００２−０４０２５６号公報に記載されている（保護フィルム貼合後の偏光子膜厚／原反膜厚）×（全延伸倍率）＞０．１７としたり、最終浴を出た時の偏光子の幅と保護フィルム貼合時の偏光子幅の関係は特開２００２−０４０２４７号公報に記載されている０．８０≦（保護フィルム貼合時の偏光子幅/最終浴を出た時の偏光子の幅）≦０．９５とすることも好ましく行うことができる。
【０２２２】
乾燥工程は、特開２００２−８６５５４号公報で公知の方法を使用できるが、好ましい温度範囲は３０℃〜１００℃であり、好ましい乾燥時間は３０秒〜６０分である。また、特許第３１４８５１３号公報に記載されているように、水中退色温度を５０℃以上とするような熱処理を行ったり、特開平０７−３２５２１５号公報や特開平０７−３２５２１８号公報に記載されているように温湿度管理した雰囲気でエージングすることも好ましく行うことができる。
【０２２３】
保護フィルム貼り合わせ工程は、乾燥工程を出た前述の偏光子の両面を２枚の保護フィルムで貼合する工程である。貼合直前に接着液を供給し、偏光子と保護フィルムを重ね合わせるように、一対のロールで貼り合わせる方法が好ましく使用される。また、特開２００１−２９６４２６号公報及び特開２００２−８６５５４号公報に記載されているように、偏光子の延伸に起因するレコードの溝状の凹凸を抑制するため、貼り合わせ時の偏光子の水分率を調整することが好ましい。本発明では０．１％〜３０％の水分率が好ましく用いられる。
【０２２４】
偏光子と保護フィルムとの接着剤は特に限定されないが、ＰＶＡ系樹脂（アセトアセチル基、スルホン酸基、カルボキシル基、オキシアルキレン基等の変性ＰＶＡを含む）やホウ素化合物水溶液等が挙げられ、中でもＰＶＡ系樹脂が好ましい。接着剤層厚みは乾燥後に０．０１乃至〜５μｍが好ましく、０．０５乃至〜３μｍが特に好ましい。
【０２２５】
また、偏光子と保護フィルムの接着力を向上させるために、保護フィルムを表面処理して親水化してから接着することが好ましく行われる。表面処理の方法は特に制限は無いが、アルカリ溶液を用いてケン化する方法、コロナ処理法など公知の方法を用いることができる。また、表面処理後にゼラチン下塗り層等の易接着層を設けても良い。特開２００２−２６７８３９号に記載されているように保護フィルム表面の水との接触角は５０°以下が好ましい。
貼り合わせ後乾燥条件は、特開２００２−８６５５４号公報に記載の方法に従うが、好ましい温度範囲は３０℃〜１００℃であり、好ましい乾燥時間は３０秒〜６０分である。また、特開平０７−３２５２２０号公報に記載されているように温湿度管理をした雰囲気でエージングすることも好ましい。
【０２２６】
偏光子中の元素含有量は、ヨウ素０.１〜３.０ｇ／ｍ２、ホウ素０.１〜５.０g/ｍ２、カリウム０.１〜２.００ｇ／ｍ２、亜鉛０〜２.００ｇ／ｍ２であることが好ましい。また、カリウム含有量は特開２００１−１６６１４３号に記載されているように０．２質量％以下であってもよいし、偏光子中の亜鉛含有量を特開２０００−０３５５１２号公報に記載されている０．０４質量％〜０．５質量％としてもよい。
【０２２７】
特許第３３２３２５５号公報に記載されているように、偏光板の寸法安定性をあげるために、染色工程、延伸工程および硬膜工程のいずれかの工程において有機チタン化合物および／または有機ジルコニウム化合物を添加使用し、有機チタン化合物および有機ジルコニウム化合物から選ばれた少なくとも一種の化合物を含有することもできる。また、偏光板の色相を調整するために二色性染料を添加しても良い。
【０２２８】
（偏光板の特性）
（１）透過率および偏光度
本発明の偏光板の好ましい単板透過率は４２．５％以上４９．５％以下であるが、さらに好ましくは４２．８％以上４９．０％以下である。式１で定義される偏光度の好ましい範囲は９９．９００％以上９９．９９９％以下であり、さらに好ましくは９９．９４０％以上９９．９９５％以下である。平行透過率の好ましい範囲は３６％以上４２％以下であり、直交透過率の好ましい範囲は、０．００１％以上０．０５％以下である。式２で定義される二色性比の好ましい範囲は４８以上１２１５以下であるが、さらに好ましくは５３以上５２５以下である。
【０２２９】
【数１】
2006096023.tif 000034
【０２３０】
【数２】
2006096023.tif 000035
【０２３１】
上述の透過率はＪＩＳＺ８７０１に基づいて、下記数式３で定義される。
【０２３２】
【数３】
2006096023.tif 000036
【０２３３】
ここで、Ｋ、Ｓ（λ）、ｙ（λ）、τ（λ）は以下の通りである。
【０２３４】
【数４】
2006096023.tif 000037
【０２３５】
Ｓ（λ）：色の表示に用いる標準光の分光分布
ｙ（λ）：ＸＹＺ系における等色関数
τ（λ）：分光透過率
【０２３６】
ヨウ素濃度と単板透過率は特開２００２−２５８０５１号公報に記載されている範囲であってもよい。
平行透過率は、特開２００１−０８３３２８号公報や特開２００２−０２２９５０号公報に記載されているように波長依存性が小さくてもよい。偏光板をクロスニコルに配置した場合の光学特性は、特開２００１−０９１７３６号公報に記載されている範囲であってもよく、平行透過率と直交透過率の関係は、特開２００２−１７４７２８号公報に記載されている範囲内であってもよい。
【０２３７】
特開２００２−２２１６１８号公報に記載されているように、光の波長が４２０〜７００ｎｍの間での１０ｎｍ毎の平行透過率の標準偏差が３以下で、且つ、光の波長が４２０〜７００ｎｍの間での１０ｎｍ毎の（平行透過率／直交透過率）の最小値が３００以上であってもよい。
【０２３８】
偏光板の波長４４０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率、平行透過率、波長５５０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率、波長６１０ｎｍにおける平行透過率と直交透過率が、特開２００２−２５８０４２号公報や特開２００２−２５８０４３号公報に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
【０２３９】
（２）色相
本発明の偏光板の色相は、ＣＩＥ均等知覚空間として推奨されているＬ＊ａ＊ｂ＊表色系における明度指数Ｌ＊およびクロマティクネス指数ａ＊とｂ＊を用いて好ましく評価される。
Ｌ＊、ａ＊、ｂ＊は、上述のＸ、Ｙ、Ｚを用い使って式５で定義される。
【０２４０】
【数５】
2006096023.tif 000038
【０２４１】
ここでＸ０、Ｙ０、Ｚ０は、照明光源の三刺激値を表し、標準光Ｃの場合、Ｘ０＝９８．０７２、Ｙ０＝１００、Ｚ０＝１１８．２２５であり、標準光Ｄ６５の場合、Ｘ０＝９５．０４５、Ｙ０＝１００、Ｚ０＝１０８．８９２である。
【０２４２】
偏光板単枚の好ましいａ＊の範囲は−２.５以上０.２以下であり、さらに好ましくは−２.０以上０以下である。偏光板単枚の好ましいｂ＊の範囲は１.５以上５以下であり、さらに好ましくは２以上４.５以下である。２枚の偏光板の平行透過光のａ＊の好ましい範囲は−４.０以上０以下であり、さらに好ましくは−３.５以上−０.５以下である。２枚の偏光板の平行透過光のｂ＊の好ましい範囲は２.０以上８以下であり、さらに好ましくは２.５以上７以下である。２枚の偏光板の直交透過光のａ＊の好ましい範囲は−０.５以上１.０以下であり、さらに好ましくは０以上２以下である。２枚の偏光板の直交透過光のｂ＊の好ましい範囲は−２.０以上２以下であり、さらに好ましくは−１.５以上０.５以下である。
【０２４３】
色相は、前述のＸ、Ｙ、Ｚから算出される色度座標(ｘ，ｙ)で評価しても良く、例えば、２枚の偏光板の平行透過光の色度（ｘｐ、ｙｐ）と直交透過光の色度（ｘｃ、ｙｃ）は、特開２００２−２１４４３６号公報、特開２００１−１６６１３６号公報や特開２００２−１６９０２４号公報に記載されている範囲にしたり、色相と吸光度の関係を特開２００１−３１１８２７号公報に記載されている範囲内にすることも好ましく行うことができる。
【０２４４】
（３）視野角特性
偏光板をクロスニコルに配置して波長５５０ｎｍの光を入射させる場合の、垂直光を入射させた場合と、偏光軸に対して４５度の方位から法線に対し４０度の角度で入射させた場合の、透過率比やｘｙ色度差を特開２００１−１６６１３５号公報や特開２００１−１６６１３７号公報に記載された範囲とすることも好ましい。また、特開平１０−０６８８１７号公報に記載されているように、クロスニコル配置した偏光板積層体の垂直方向の光透過率（Ｔ０）と、積層体の法線から６０°傾斜方向の光透過率（Ｔ６０）との比（Ｔ６０／Ｔ０）を１００００以下としたり、特開２００２−１３９６２５号公報に記載されているように、偏光板に法線から仰角８０度までの任意な角度で自然光を入射させた場合に、その透過スペクトルの５２０〜６４０ｎｍの波長範囲において波長域２０ｎｍ以内における透過光の透過率差を６％以下としたり、特開平０８−２４８２０１号公報に記載されている、フィルム上の任意の１ｃｍ離れた場所における透過光の輝度差が３０％以内とすることも好ましい。
【０２４５】
（４）耐久性
（４−１）湿熱耐久性
６０℃、９５％ＲＨの雰囲気に５００時間放置した場合のその前後における光透過率及び偏光度の変化率が絶対値に基づいて３％以下であることが好ましい。特に光透過率の変化率は２％以下、また、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１．０％以下であることが好ましい。また、特開平０７−０７７６０８号公報に記載されているように８０℃、９０％ＲＨ、５００時間放置後の偏光度が９５％以上、単体透過率が３８％以上であることも好ましい。
【０２４６】
（４−２）ドライ耐久性
８０℃、ドライ雰囲気下に５００時間放置した場合のその前後における光透過率及び偏光度の変化率も絶対値に基づいて３％以下であることが好ましい。特に、光透過率の変化率は２％以下、また、偏光度の変化率は絶対値に基づいて１．０％以下、更には０．１％以下であることが好ましい。
【０２４７】
（４−３）その他の耐久性
さらに、特開平０６−１６７６１１号公報に記載されているように８０℃で２時間放置した後の収縮率が０．５％以下としたり、ガラス板の両面にクロスニコル配置した偏光板積層体を６９℃の雰囲気中で７５０時間放置した後のｘ値及びｙ値が特開平１０−０６８８１８号公報に記載されている範囲内としたり、８０℃、９０％ＲＨの雰囲気中で２００時間放置処理後のラマン分光法による１０５ｃｍ−１及び１５７ｃｍ−１のスペクトル強度比の変化を、特開平０８−０９４８３４号公報や特開平０９−１９７１２７号公報に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
【０２４８】
（５）配向度
ＰＶＡの配向度は高い程良好な偏光性能が得られるが、偏光ラマン散乱や偏光ＦＴ−ＩＲ等の手段によって算出されるオーダーパラメーター値として０．２乃至〜１．０が好ましい範囲である。また、特開昭５９−１３３５０９号公報に記載されているように、偏光子の全非晶領域の高分子セグメントの配向係数と染料分子の配向係数（０.７５以上）との差を少なくとも０.１５としたり、特開平０４−２０４９０７号公報に記載されているように偏光子の非晶領域の配向係数が０．６５〜０．８５としたり、Ｉ３−やＩ5−の高次ヨウ素イオンの配向度を、オーダーパラメーター値として０．８乃至〜１．０と１．０とすることも好ましく行うことができる。
【０２４９】
（６）その他の特性
特開２００２−００６１３３号公報に記載されているように、８０℃３０分加熱したときの単位幅あたりの吸収軸方向の収縮力が４．０Ｎ／ｃｍ以下としたり、特開２００２−２３６２１３号公報に記載されているように、偏光板を７０℃の加熱条件下に１２０時間置いた場合に、偏光板の吸収軸方向の寸法変化率及び偏光軸方向の寸法変化率を、共に±０．６％以内としたり、偏光板の水分率を特開２００２−０９０５４６号公報に記載されているように３質量％以下とすることも好ましく行うことができる。さらに、特開２０００−２４９８３２号公報に記載されているように延伸軸に垂直な方向の表面粗さが中心線平均粗さに基づいて０．０４μｍ以下としたり、特開平１０−２６８２９４号公報に記載されているように透過軸方向の屈折率ｎ０を１．６より大きくしたり、偏光板の厚みと保護フィルムの厚みの関係を特開平１０−１１１４１１号公報に記載された範囲とすることも好ましく行うことができる。
【０２５０】
（偏光板の機能化）
本発明の偏光板は、ＬＣＤの視野角拡大フィルム、反射型ＬＣＤに適用するためのλ／４板等の位相差フィルム、ディスプレイの視認性向上のための反射防止フィルム、輝度向上フィルムや、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層等の機能層を有する光学フィルムと複合した機能化偏光板として好ましく使用される。
本発明の偏光板と上述の機能性光学フィルムを複合した構成例を図１に示した。偏光板５の片側の保護フィルムとして機能性光学フィルム３と偏光子２を粘着層を介して接着しても良いし（図１（Ａ））、偏光子２の両面に保護フィルム１ａ、１ｂを設けた偏光板５に粘着層４を介して機能性光学フィルム３を接着しても良い（図１（Ｂ））。前者の場合、もう一方の保護フィルム１には任意の透明保護フィルムを使用してもよい。また、本発明の偏光板においては、保護フィルムに光学機能層を粘着層を介して貼り合わせ、機能性光学フィルム３として、図１（Ａ）の構成とすることも好ましい。機能層や保護フィルム等の各層間の剥離強度は特開２００２−３１１２３８号公報に記載されている４．０Ｎ／２５ｍｍ以上とすることも好ましい。機能性光学フィルムは、目的とする機能に応じて液晶モジュール側に配置したり、液晶モジュールとは反対側、すなわち表示側もしくはバックライト側に配置することが好ましい。
【０２５１】
以下に本発明の偏光板と複合して使用される機能性光学フィルムについて説明する。
（１）視野角拡大フィルム
本発明の偏光板は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードに提案されている視野角拡大フィルムと組み合わせて使用することができる。
【０２５２】
ＴＮモード用の視野角拡大フィルムとしては、日本印刷学会誌第３６巻第３号（１９９９）ｐ．４０〜４４、月刊ディスプレイ８月号（２００２）ｐ．２０〜２４、特開平４−２２９８２８、特開平６−７５１１５、特開平６−２１４１１６号、特開平８−５０２０６等に記載されたＷＶフィルム（富士写真フィルム（株）製）を好ましく組み合わせて使用される。
ＴＮモード用の視野角拡大フィルムの好ましい構成は、前述の透明なポリマーフィルム上に配向層と光学異方性層をこの順に有したものである。視野角拡大フィルムは粘着剤を介して偏光板と貼合され、用いられてよいが、ＳＩＤ’００  Ｄｉｇ．、ｐ．５５１(２０００)に記載されているように、前記偏光子の保護フィルムの一方も兼ねて使用されることが薄手化の観点から特に好ましい。
【０２５３】
配向層は、有機化合物（好ましくはポリマー）のラビング処理、無機化合物の斜方蒸着、マイクログループを有する層の形成のような手段で設けることができる。さらに電場の付与、磁場の付与あるいは光照射により配向機能が生じる配向層も知られているが、ポリマーのラビング処理により形成する配向層が特に好ましい。ラビング処理はポリマー層の表面を紙や布で一定方向に数回こすることにより好ましく実施される。偏光子の吸収軸方向とラビング方向は実質的に平行であることが好ましい。配向層に使用するポリマーの種類は、ポリイミド、ポリビニルアルコール、特開平９−１５２５０９号公報に記載された重合性基を有するポリマー等を好ましく使用することができる。配向層の厚さは０．０１乃至〜５μｍであることが好ましく、０．０５乃至〜２μｍであることがさらに好ましい。
【０２５４】
光学異方性層は液晶性化合物を含有していることが好ましい。本発明に使用される液晶性化合物はディスコティック化合物（ディスコティック液晶）を有していることが特に好ましい。ディスコティック液晶分子は、Ｄ−１のトリフェニレン誘導体のように円盤状のコア部を有し、そこから放射状に側鎖が伸びた構造を有している。また、経時安定性を付与するため、熱、光等で反応する基をさらに導入することも好ましく行われる。上記ディスコティック液晶の好ましい例は特開平８−５０２０６号公報に記載されている。
【０２５５】
【化３３】
2006096023.tif 000039
【０２５６】
ディスコティック液晶分子は、配向層付近ではラビング方向にプレチルト角を持ってほぼフィルム平面に平行に配向しており、反対の空気面側ではディスコティック液晶分子が面に垂直に近い形で立って配向している。ディスコティック液晶層全体としては、ハイブリッド配向を取っており、この層構造によってＴＮモードのＴＦＴ−ＬＣＤの視野角拡大を実現することができる。
【０２５７】
上記光学異方性層は、一般にディスコティック化合物及び他の化合物（更に、例えば重合性モノマー、光重合開始剤）を溶剤に溶解した溶液を配向層上に塗布し、乾燥し、次いでディスコティックネマチック相形成温度まで加熱した後、ＵＶ光の照射等により重合させ、さらに冷却することにより得られる。本発明に用いるディスコティック液晶性化合物のディスコティックネマティック液晶相−固相転移温度としては、７０〜３００℃が好ましく、特に７０〜１７０℃が好ましい。
【０２５８】
また、上記光学異方性層に添加するディスコティック化合物以外の化合物としては、ディスコティック化合物と相溶性を有し、液晶性ディスコティック化合物に好ましい傾斜角の変化を与えられるか、あるいは配向を阻害しない限り、どのような化合物も使用することができる。これらの中で、重合性モノマー（例、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル基及びメタクリロイル基を有する化合物）、含フッ素トリアジン化合物等の空気界面側の配向制御用添加剤が、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、ヒドロキシプロピルセルロース及びセルロースアセテートブチレート等のポリマーを挙げることができる。これらの化合物は、ディスコティック化合物に対して一般に０．１〜５０質量％、好ましくは０．１〜３０質量％の添加量にて使用される。
光学異方性層の厚さは、０．１乃至〜１０μｍであることが好ましく、０．５乃至〜５μｍであることがさらに好ましい
【０２５９】
視野角拡大フィルムの好ましい態様は、透明基材フィルムとしてのセルロースアシレートフィルム、その上に設けられた配向層、および該配向層上に形成されたディスコティック液晶からなる光学異方性層から構成され、かつ光学異方性層がＵＶ光照射により架橋されている。
【０２６０】
また、上記以外にも視野角拡大フィルムと本発明の偏光板を組み合わせる場合、例えば、特開平０７−１９８９４２号公報に記載されているように板面に対し交差する方向に光軸を有して複屈折に異方性を示す位相差板と積層したり、特開２００２−２５８０５２号公報に記載されているように保護フィルムと光学異方性層の寸法変化率が実質的に同等とすることも好ましく行うことができる。また、特開平１２−２５８６３２号公報に記載されているように視野角拡大フィルムと貼合される偏光板の水分率を２．４％以下としたり、特開２００２−２６７８３９号公報に記載されているように視野角拡大フィルム表面の水との接触角を７０°以下とすることも好ましく行うことができる。
【０２６１】
ＩＰＳモード液晶セル用視野角拡大フィルムは、電界無印状態の黒表示時において、基板面に平行配向した液晶分子の光学補償および偏光板の直交透過率の視野角特性向上に用いる。ＩＰＳモードは電界無印加状態で黒表示となり、上下一対の偏光板の透過軸は直交している。しかし斜めから観察した場合は、透過軸の交差角が９０°ではなくなり、漏れ光が生じてコントラストが低下する。本発明の偏光板をＩＰＳモード液晶セルに用いる場合は、漏れ光を低下するため特開平１０−５４９８２号公報に記載されているような面内の位相差が０に近く、かつ厚さ方向に位相差を有する視野角拡大フィルムと好ましく組み合わせて用いられる。
【０２６２】
ＯＣＢモードの液晶セル用視野角拡大フィルムは、電界印加により液晶層中央部で垂直配向し、基板界面付近で傾斜配向した液晶層の光学補償を行い、黒表示の視野角特性を改善するために使用される。本発明の偏光板をＯＣＢモード液晶セルに用いる場合は、米国特許５８０５２５３号明細書に記載されたような円盤状の液晶性化合物をハイブリット配向させた視野角拡大フィルムと好ましく組み合わせて用いられる。
【０２６３】
ＶＡモードの液晶セル用視野角拡大フィルムは、電界無印加状態で液晶分子が基板面に対して垂直配向した状態の黒表示の視野角特性を改善する。このような視野角拡大フィルムしては特許番号第２８６６３７２号公報に記載されているような面内の位相差が０に近く、かつ厚さ方向に位相差を有するフィルムや、円盤状の化合物が基板に平行に配列したフィルムや、同じ面内レターデーション値を有する延伸フィルムを遅相軸が直交になるように積層配置したフィルムや、偏光板の斜め方向の直交透過率悪化防止のために液晶分子のような棒状化合物からなるフィルムを積層したものと好ましく組み合わせて用いられる。
【０２６４】
（２）位相差フィルム
本発明の偏光板は、位相差層を有することが好ましい。本発明における位相差層としてはλ／４板が好ましく、本発明の偏光板とλ／４板とを積層させることで、円偏光板として使用することができる。円偏光板は入射した光を円偏光に変換する機能を有しており、反射型液晶表示装置やＥＣＢモードなどの半透過型液晶表示装置、あるいは有機EL素子等に好ましく利用されている。
【０２６５】
本発明に用いるλ／４板は、可視光の波長の範囲においてほぼ完全な円偏光を得るため、可視光の波長の範囲において概ね波長の１／４のレターデーション（Ｒｅ）を有する位相差フィルムであることが好ましい。「可視光の波長の範囲において概ね１／４のレターデーション」とは、波長４００から７００ｎｍにおいて長波長ほどレターデーションが大きく、波長４５０ｎｍで測定したレターデーション値（Ｒｅ４５０）が８０乃至〜１２５ｎｍであり、かつ波長５９０ｎｍで測定したレターデーション値（Ｒｅ５９０）が１２０乃至〜１６０ｎｍである関係を満足する範囲を示す。Ｒｅ５９０−Ｒｅ４５０≧５ｎｍであることがさらに好ましく、Ｒｅ５９０−Ｒｅ４５０≧１０ｎｍであることが特に好ましい。
【０２６６】
本発明で用いるλ／４板は上記の条件を満たしていれば特に制限はないが、例えば、特開平５−２７１１８号公報、特開平１０−６８８１６号公報、特開平１０−９０５２１号公報に記載された複数のポリマーフィルムを積層したλ／４板、ＷＯ００／６５３８４号公報、ＷＯ００／２６７０５号公報に記載された１枚のポリマーフィルムを延伸したλ／４板、特開２０００−２８４１２６号公報、特開２００２−３１７１７号公報に記載されたポリマーフィルム上に少なくとも１層以上の光学異方性層を設けたλ／４板など公知のλ／４板を用いることができる。また、ポリマーフィルムの遅相軸の方向や光学異方性層の配向方向は液晶セルに合わせて任意の方向に配置することができる。
【０２６７】
円偏光板において、λ／４板の遅相軸と上記偏光子の透過軸は、任意の角度で交差できるが、４５゜±２０°の範囲で交差されることが好ましい。但し、λ／４板の遅相軸と上記偏光子の透過軸は上記以外の範囲で交差されても構わない。
【０２６８】
λ／４板をλ／４板およびλ／２板を積層して構成する場合は、特許番号第３２３６３０４号公報や特開平１０−６８８１６号公報に記載されているように、λ／４板およびλ／２板の面内の遅相軸と偏光板の透過軸とがなす角度が実質的に７５°および１５゜となるように貼り合わせることが好ましい。
【０２６９】
（３）反射防止フィルム
本発明の偏光板は反射防止フィルムと組み合わせて使用することができる。反射防止フィルムは、フッ素系ポリマー等の低屈折率素材を単層付与しただけの反射率１.５％程度のフィルム、もしくは薄膜の多層干渉を利用した反射率１％以下のフィルムのいずれも使用できる。本発明では、透明支持体上に低屈折率層、及び低屈折率層より高い屈折率を有する少なくとも一層の層（即ち、高屈折率層、中屈折率層）を積層した構成が好ましく使用される。また、日東技報, ｖｏｌ．３８, Ｎｏ．１，ｍａｙ，２０００，２６頁〜２８頁や特開２００２−３０１７８３号公報などに記載された反射防止フィルムも好ましく使用できる。
各層の屈折率は以下の関係を満足する。
【０２７０】
高屈折率層の屈折率＞中屈折率層の屈折率＞透明支持体の屈折率＞低屈折率層の屈折率
反射防止フィルムに用いる透明支持体は、前述の偏光子の保護フィルムに使用する透明ポリマーフィルムを好ましく使用することができる。
【０２７１】
低屈折率層の屈折率は１．２０〜１．５５であり、好ましくは１．３０〜１．５０である。低屈折率層は、耐擦傷性、防汚性を有する最外層として使用することが好ましい。耐擦傷性向上のため、シリコーン基や、フッ素の含有する素材を用い表面への滑り性付与することも好ましく行われる。
【０２７２】
含フッ素化合物としては、例えば、特開平９−２２２５０３号公報明細書段落番号［００１８］〜［００２６］、同１１−３８２０２号公報明細書段落番号［００１９］〜［００３０］、特開２００１−４０２８４号公報明細書段落番号［００２７］〜［００２８］、特開２０００−２８４１０２号公報等に記載の化合物を好ましく使用することができる。
【０２７３】
含シリコーン化合物はポリシロキサン構造を有する化合物が好ましいが、反応性シリコーン（例、サイラプレーン（チッソ（株）製）や両末端にシラノール基含有のポリシロキサン（特開平１１−２５８４０３号公報）等を使用することもできる。シランカップリング剤等の有機金属化合物と特定のフッ素含有炭化水素基含有のシランカップリング剤とを触媒共存下に縮合反応で硬化させてもよい（特開昭５８−１４２９５８号公報、同５８−１４７４８３号公報、同５８−１４７４８４号公報、特開平９−１５７５８２号公報、同１１−１０６７０４号公報、特開２０００−１１７９０２号公報、同２００１−４８５９０号公報、同２００２−５３８０４号公報記載の化合物等）。
低屈折率層には、上記以外の添加剤として充填剤（例えば、二酸化珪素（シリカ）、含フッ素粒子（フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム）等の一次粒子平均径が１〜１５０ｎｍの低屈折率無機化合物、特開平１１−３８２０公報の段落番号[００２０]〜[００３８]に記載の有機微粒子等）、シランカップリング剤、滑り剤、界面活性剤等を含有させることも好ましく行うことができる。
【０２７４】
低屈折率層は、気相法（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等）により形成されても良いが、安価に製造できる点で、塗布法で形成することが好ましい。塗布法としては、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート、マイクログラビア法を好ましく使用することができる。
低屈折率層の膜厚は、３０〜２００ｎｍであることが好ましく、５０〜１５０ｎｍであることがさらに好ましく、６０〜１２０ｎｍであることが最も好ましい。
【０２７５】
中屈折率層および高屈折率層は、平均粒径１００ｎｍ以下の高屈折率の無機化合物超微粒子をマトリックス用材料に分散した構成とすることが好ましい。高屈折率の無機化合物微粒子としては、屈折率１．６５以上の無機化合物、例えば、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｌａ、Ｉｎ等の酸化物、これらの金属原子を含む複合酸化物等を好ましく使用できる。
このような超微粒子は、粒子表面を表面処理剤で処理したり（シランカップリング剤等：特開平１１−２９５５０３号公報、同１１−１５３７０３号公報、特開２０００−９９０８号公報、アニオン性化合物或は有機金属カップリング剤：特開２００１−３１０４３２号公報等）、高屈折率粒子をコアとしたコアシェル構造としたり（特開２００１−１６６１０４号公報等）、特定の分散剤併用する（例、特開平１１−１５３７０３号公報、特許番号ＵＳ６２１０８５８Ｂ１、特開２００２−２７７６０６９号公報等）等の態様で使用することができる。
【０２７６】
マトリックス用材料としては、従来公知の熱可塑性樹脂、硬化性樹脂皮膜等を使用できるが、特開２０００−４７００４号公報、同２００１−３１５２４２号公報、同２００１−３１８７１号公報、同２００１−２９６４０１号公報等に記載の多官能性材料や、特開２００１−２９３８１８号公報等に記載の金属アルコキシド組成物から得られる硬化性膜を使用することもできる。
高屈折率層の屈折率は、１．７０〜２．２０であることが好ましい。高屈折率層の厚さは、５ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、１０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。
中屈折率層の屈折率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の屈折率との間の値となるように調整する。中屈折率層の屈折率は、１．５０〜１．７０であることが好ましい。
【０２７７】
反射防止フィルムのヘイズは、５％以下あることが好ましく、３％以下がさらに好ましい。又膜の強度は、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験でＨ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。
【０２７８】
（４）輝度向上フィルム
本発明の偏光板は、輝度向上フィルムと組み合わせて使用することができる。輝度向上フィルムは、円偏光もしくは直線偏光の分離機能を有しており、偏光板とバックライトの間に配置され、一方の円偏光もしくは直線偏光をバックライト側に後方反射もしくは後方散乱する。バックライト部からの再反射光は、部分的に偏光状態を変化させ、輝度向上フィルムおよび偏光板に再入射する際、部分的に透過するため、この過程を繰り返すことにより光利用率が向上し、正面輝度が１．４倍程度に向上する。輝度向上フィルムとしては異方性反射方式および異方性散乱方式が知られており、いずれも本発明の偏光板と組み合わせることができる。
【０２７９】
異方性反射方式では、一軸延伸フィルムと未延伸フィルムを多重に積層して、延伸方向の屈折率差を大きくすることにより反射率ならびに透過率の異方性を有する輝度向上フィルムが知られており、誘電体ミラーの原理を用いた多層膜方式（ＷＯ９５／１７６９１号、ＷＯ９５／１７６９２号、ＷＯ９５／１７６９９号の各明細書記載）やコレステリック液晶方式（欧州特許６０６９４０Ａ２号明細書、特開平８−２７１７３１号公報記載）が知られている。誘電体ミラーの原理を用いた多層方式の輝度向上フィルムとしてはＤＢＥＦ−Ｅ、ＤＢＥＦ−Ｄ、ＤＢＥＦ−Ｍ（いずれも３Ｍ社製）、コレステリック液晶方式の輝度向上フィルムとしてはＮＩＰＯＣＳ（日東電工（株）製）が本発明で好ましく使用される。ＮＩＰＯＣＳについては、日東技報，ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．１，ｍａｙ，２０００，１９頁〜２１頁などを参考にすることができる。
【０２８０】
また、本発明ではＷＯ９７／３２２２３号、ＷＯ９７／３２２２４号、ＷＯ９７／３２２２５号、ＷＯ９７／３２２２６号の各明細書および特開平９−２７４１０８号、同１１−１７４２３１号の各公報に記載された正の固有複屈折性ポリマーと負の固有複屈折性ポリマーをブレンドして一軸延伸した異方性散乱方式の輝度向上フィルムとを組み合わせて使用することも好ましい。異方性散乱方式輝度向上フィルムとしては、ＤＲＰＦ−Ｈ（３Ｍ社製）が好ましい。
本発明の偏光板と輝度向上フィルムは、粘着剤を介して貼合された形態、もしくは偏光板の保護フィルムの一方を輝度向上フィルムとした一体型として使用することが好ましい。
【０２８１】
（５）他の機能性光学フィルム
本発明の偏光板は、さらに、ハードコート層、前方散乱層、アンチグレア（防眩）層、ガスバリア層、滑り層、帯電防止層、下塗り層や保護層等を設けた機能性光学フィルムと組み合わせて使用することも好ましい。また、これらの機能層は、前述の反射防止フィルムにおける反射防止層、あるいは視野角補償フィルムにおける光学異方性層等と同一層内で相互に複合して使用することも好ましい。これらの機能層は、偏光子側および偏光子と反対面（より空気側の面）のどちらか片面、もしくは両面の設けて使用できる。
【０２８２】
（５−１）ハードコート層
本発明の偏光板は耐擦傷性等の力学的強度を付与するため、ハードコート層を透明支持体の表面に設けた機能性光学フィルムと組み合わせることが好ましく行われる。ハードコート層を、前述の反射防止フィルムに適用して用いる場合は、特に、透明支持体と高屈折率層の間に設けることが好ましい。
ハードコート層は、光及び熱の少なくともいずれかの手段による硬化性化合物の架橋反応、又は、重合反応により形成されることが好ましい。ハードコート層の具体的な構成組成物としては、例えば、特開２００２−１４４９１３号公報、同２０００−９９０８号公報、ＷＯ００／４６６１７号公報等記載のものを好ましく使用することができる。
ハードコート層の膜厚は、０．２〜１００μｍであることが好ましい。
ハードコート層の強度は、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従う鉛筆硬度試験で、Ｈ以上であることが好ましく、２Ｈ以上であることがさらに好ましく、３Ｈ以上であることが最も好ましい。又、ＪＩＳ  Ｋ５４００に従うテーバー試験で、試験前後の試験片の摩耗量が少ないほど好ましい。
【０２８３】
ハードコート層を形成する材料は、エチレン性不飽和基を含む化合物、開環重合性基を含む化合物を用いることができ、これらの化合物は単独あるいは組み合わせて用いることができる。エチレン性不飽和基を含む化合物の好ましい例としては、エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等のポリオールのポリアクリレート類；ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのジアクリレート、ヘキサンジオールジグリシジルエーテルのジアクリレート等のエポキシアクリレート類；ポリイソシナネートとヒドロキシエチルアクリレート等の水酸基含有アクリレートの反応によって得られるウレタンアクリレート等を好ましい化合物として挙げることができる。また、市販化合物としては、ＥＢ−６００、ＥＢ−４０、ＥＢ−１４０、ＥＢ−１１５０、ＥＢ−１２９０Ｋ、ＩＲＲ２１４、ＥＢ−２２２０、ＴＭＰＴＡ、ＴＭＰＴＭＡ（以上、ダイセル・ユーシービー（株）製）、ＵＶ−６３００、ＵＶ−１７００Ｂ（以上、日本合成化学工業（株）製）等が挙げられる。
【０２８４】
また、開環重合性基を含む化合物の好ましい例としては、グリシジルエーテル類としてエチレングリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールトリグリシジルエーテル、トリグリシジルトリスヒドロキシエチルイソシアヌレート、ソルビトールテトラグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のポリグリシジルエーテルなど、脂環式エポキシ類としてセロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、エポリードＧＴ−３０１、エポリードＧＴ−４０１、ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ（以上、ダイセル化学工業（株）製）、フェノールノボラック樹脂のポリシクロヘキシルエポキシメチルエーテルなど、オキセタン類としてＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ−１００９（以上、東亞合成（株）製）などが挙げられる。その他にグリシジル（メタ）アクリレートの重合体、或いはグリシジル（メタ）アクリレートと共重合できるモノマーとの共重合体をハードコート層に使用することもできる。
【０２８５】
ハードコート層には、ハードコート層の硬化収縮の低減、基材との密着性の向上、本発明のハードコート処理物品のカールを低減するため、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム等の酸化物微粒子やポリエチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸エステル類、ポリジメチルシロキサン等の架橋粒子、ＳＢＲ、ＮＢＲなどの架橋ゴム微粒子等の有機微粒子等の架橋微粒子を添加することも好ましく行われる。これらの架橋微粒子の平均粒径は、１ｎｍないし２００００ｎｍであることが好ましい。また、架橋微粒子の形状は、球状、棒状、針状、板状など特に制限無く使用できる。微粒子の添加量は硬化後のハードコート層の６０体積％以下であることが好ましく、４０体積％以下がより好ましい。
【０２８６】
上記で記載した無機微粒子を添加する場合、一般にバインダーポリマーとの親和性が悪いため、ケイ素、アルミニウム、チタニウム等の金属を含有し、かつアルコキシド基、カルボン酸基、スルホン酸基、ホスホン酸基等の官能基を有する表面処理剤を用いて表面処理を行うことも好ましく行われる。
【０２８７】
ハードコート層は、熱または活性エネルギー線を用いて硬化することが好ましく、その中でも放射線、ガンマー線、アルファー線、電子線、紫外線等の活性エネルギー線を用いることがより好ましく、安全性、生産性を考えると電子線、紫外線を用いることが特に好ましい。熱で硬化させる場合は、プラスチック自身の耐熱性を考えて、加熱温度は１４０℃以下が好ましく、より好ましくは１００℃以下である。
【０２８８】
（５−２）前方散乱層
前方散乱層は、本発明の偏光板を液晶表示装置に適用した際の、上下左右方向の視野角特性（色相と輝度分布）改良するために使用される。本発明では、屈折率の異なる微粒子をバインダー分散した構成が好ましく、例えば、前方散乱係数を特定化した特開１１−３８２０８号公報、透明樹脂と微粒子の相対屈折率を特定範囲とした特開２０００−１９９８０９号公報、ヘイズ値を４０％以上と規定した特開２００２−１０７５１２号公報等の構成を使用することができる。また、本発明の偏光板をヘイズの視野角特性を制御するため、住友化学の技術レポート「光機能性フィルム」３１頁〜３９頁に記載された「ルミスティ」と組み合わせて使用することも好ましく行うことができる。
【０２８９】
（５−３）アンチグレア層
アンチグレア（防眩）層は、反射光を散乱させ映り込みを防止するために使用される。アンチグレア機能は、液晶表示装置の最表面（表示側）に凹凸を形成することにより得られる。アンチグレア機能を有する光学フィルムのヘイズは、３〜３０％であることが好ましく、５〜２０％であることがさらに好ましく、７〜２０％であることが最も好ましい。
フィルム表面に凹凸を形成する方法は、例えば、微粒子を添加して膜表面に凹凸を形成する方法（例えば、特開２０００−２７１８７８号公報等）、比較的大きな粒子（粒径０．０５〜２μｍ）を少量（０．１〜５０質量％）添加して表面凹凸膜を形成する方法（例えば、特開２０００−２８１４１０号公報、同２０００−９５８９３号公報、同２００１−１００００４号公報、同２００１−２８１４０７号公報等）、フィルム表面に物理的に凹凸形状を転写する方法（例えば、エンボス加工方法として、特開昭６３−２７８８３９号公報、特開平１１−１８３７１０号公報、特開２０００−２７５４０１号公報等記載）等を好ましく使用することができる。
【０２９０】
５．（偏光板を使用する液晶表示装置）
次に本発明の偏光板が使用される液晶表示装置について説明する。
図２は、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置の一例である。
【０２９１】
図２に示す液晶表示装置は、液晶セル（１０〜１３）、および液晶セル（１０〜１３）を挟持して配置された上側偏光板６と下側偏光板１７とを有する。偏光板は偏光子および一対の透明保護フィルムによって挟持されているが、図２中では一体化された偏光板として示し、詳細構造は省略する。液晶セルは、上側基板１０および下側基板１３と、これらに挟持される液晶分子１２から形成される液晶層からなる。液晶セルは、ＯＮ・ＯＦＦ表示を行う液晶分子の配向状態の違いで、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードに分類されるが、本発明の偏光板は透過および反射型によらず、いずれの表示モードにも使用できる。
【０２９２】
基板１０および１３の液晶分子１２に接触する表面（以下、「内面」という場合がある）には、配向膜（不図示）が形成されていて、配向膜上に施されたラビング処理等により、電界無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子１２の配向が制御されている。また、基板１０および１３の内面には、液晶分子１２からなる液晶層に電界を印加可能な透明電極（不図示）が形成されている。
【０２９３】
ＴＮモードのラビング方向は上下基板で互いに直交する方向に施し、その強さとラビング回数などでチルト角の大きさが制御できる。配向膜はポリイミド膜を塗布後焼成して形成する。液晶層のねじれ角（ツイスト角）の大きさは、上下基板のラビング方向の交差角と液晶材料に添加するカイラル剤により決まる。ここではツイスト角が９０°になるようにするためピッチ６０μｍ程度のカイラル剤を添加する。
なお、ツイスト角は、ノートパソコンやパソコンモニタ、テレビ用の液晶表示装置の場合は９０°近傍（８５から９５°）に、携帯電話などの反射型表示装置として使用する場合は０から７０°に設定する。またＩＰＳモードやＥＣＢモードでは、ツイスト角が０°となる。ＩＰＳモードでは電極が下側基板８のみに配置され、基板面に平行な電界が印加される。また、ＯＣＢモードでは、ツイスト角がなく、チルト角を大きくされ、ＶＡモードでは液晶分子１２が上下基板に垂直に配向する。
【０２９４】
ここで液晶層の厚さｄと屈折率異方性Δｎの積Δｎｄの大きさは白表示時の明るさを変化させる。このため最大の明るさを得るために表示モード毎にその範囲を設定する。
上側偏光板６の吸収軸７と下側偏光板１７の板１７の吸収軸１８の交差角は一般に概略直交に積層することで高コントラストが得られる。液晶セルの上側偏光板６の吸収軸７と上側基板１０のラビング方向の交差角は液晶表示モードによってことなるが、ＴＮ、ＩＰＳモードでは一般に平行か垂直に設定する。ＯＣＢ、ＥＣＢモードでは４５°に設定することが多い。ただし、表示色の色調や視野角の調整のために各表示モードで最適値が異なり、この範囲に限定されるわけではない。
【０２９５】
本発明の偏光板が使用される液晶表示装置は、図２の構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶セルと偏光子との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、液晶セルと偏光板との間に、別途、前述した視野角拡大フィルム８、１５を配置することもできる。偏光板６、１７と視野角拡大フィルム８、１５は粘着剤で貼合した積層形態で配置されてもよいし、液晶セル側保護フィルムの一方を視野角拡大に使用した、いわゆる一体型楕円偏光板として配置されてもよい。
【０２９６】
また、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置を透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置できる。また、本発明の偏光板が使用される液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を設置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けてもよい。
【実施例】
【０２９７】
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明する。しかしながら、本発明は実施例に限定されることはない。
＜レターデーションの測定＞
Ｒｅ、及びＲｔｈは下記方法により２５℃６０％ＲＨで測定した。
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用い、面内レターデーションＲｅ（０）を測定した。また面内の遅相軸をあおり軸として４０°および−４０°あおってレターデーションＲｅ（４０）およびＲｅ（−４０）を測った。膜厚および遅相軸方向の屈折率ｎｘをパラメータとし、これらの測定値Ｒｅ（０）、Ｒｅ（４０）、Ｒｅ（−４０）にフィッティングするように進相軸方向の屈折率ｎｙおよび厚み方向の屈折率ｎｚを計算で求め、Ｒｔｈレターデーション値を決定した。測定波長は５９０ｎｍとした。
【０２９８】
実施例１
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ａを調製した。
＜セルロースアセテート溶液Ａ組成＞
リンターセルロースから製造された酢化度６０．９％のセルロースアセテート
８０．０質量部
リンターセルロースから製造された酢化度６１．２％のセルロースアセテート
２０．０質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                      ７．０質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）              ４．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                      ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                                ６０．０質量部
【０２９９】
（マット剤溶液の調製）
下記の組成物を分散機に投入し、攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
＜マット剤溶液組成＞
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子                            ２．０質量部
（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ｒ９７２、日本アエロジル（株）製
メチレンクロライド（第１溶媒）                        ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）                                １１．４質量部
セルロースアセテート溶液Ａ                            １０．３質量部
なお、シリカ粒子の調液後の二次粒径は０．３μｍであった。
【０３００】
（レターデーション上昇剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
＜レターデーション上昇剤溶液組成＞
レターデーション上昇剤（例示番号１４４）              １９．８質量部
下記ＵＶ吸収剤（Ａ）                                  ０．０７質量部
下記ＵＶ吸収剤（Ｂ）                                  ０．１３質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                        ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                                  ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ａ                            １２．８質量部
【０３０１】
【化３４】
2006096023.tif 000040
【０３０２】
（セルロースアセテートフィルムの作製）
上記セルロースアセテート溶液Ａを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、レターデーション上昇剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて１０ｍ／ｍｉｎの速度で流延した。レターデーション上昇剤のセルロースアセテートに対する質量比は４．６％であった。露点−１０℃の風で残留溶剤量３０％まで乾燥した後フィルムをバンドから剥離した。さらに、１３０℃の条件で、残留溶剤量が１３質量％のフィルムをテンターを用いて２８％の延伸倍率で横延伸し、延伸後の幅のまま１４０℃で３０秒間保持した。その後、クリップを外して１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。出来あがったセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は９２μｍであった。
本発明において、支持体上形成されたフィルム中の残留溶剤量は次式で表される。
残留溶剤量＝（残存揮発分質量／加熱処理後フィルム質量）×１００％
尚、残存揮発分質量はフィルムを１１５℃で１時間加熱処理したとき、過熱処理前のフィルム質量から加熱処理後のフィルム質量を引いた値である。
流延直後から無風乾燥を行った時間及びレターデーション上昇剤を下記表１に変更した以外は同様にしてセルロースアセテートフィルム１０２〜１２２を作製した。
フィルム表面のレターデーション上昇剤存在量は飛行時間型二次イオン質量分析計（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により測定した。セルロースアシレートの分解物由来の正イオンピークｍ／Ｚ＝１０９（Ｃ６Ｈ５Ｏ２＋）に対してＭレターデーション上昇剤の分子＋Ｈ＋イオンのピークの強度比をとることにより、エア面、支持体面のそれぞれについてＮ＝３で測定し、平均的なエア面存在量／支持体面存在量の比率を求めた。結果を表１に示す
【０３０３】
【表１】
2006096023.tif 000041
【０３０４】
ブリードアウトはフィルム表面を目視で観察し、表面の異物の有無により評価した。また、カールをフィルムを２０ｃｍ×２０ｃｍに切り出し、平坦な台の上に静置した場合の、フィルム端部の水平面からのずれにより評価した。
【０３０５】
表１の結果から、本発明のセルロースアシレートフィルムはブリードアウトがなく、カールが小さく、好ましいことがわかる。
【０３０６】
実施例２
(鹸化処理)
実施例１で作製したセルロースアシレートフィルム１０１上に下記組成の液を５．２ｍｌ／ｍ２塗布し、６０℃で１０秒間乾燥させた。フィルムの表面を流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。
＜鹸化液組成＞
イソプロピルアルコール                                  ８１８質量部
水                                                      １６７質量部
プロピレングリコール                                    １８７質量部
水酸化カリウム                                            ８０質量部
【０３０７】
（配向膜の形成）
ケン化処理したセルロースアシレートフィルム（１０１）のバンド面側に、下記の組成の塗布液を＃１４のワイヤーバーコーターで２４ｍｌ／ｍ2 塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥して配向膜を形成した。
次に、セルロースアシレートフィルム（１０１）の延伸方向（遅相軸と一致）と４５゜の方向に形成した配向膜にラビング処理を実施した。
＜配向膜塗布液組成＞
下記構造の変性ポリビニルアルコール                        ２０質量部
水                                                      ３６０質量部
メタノール                                              １２０質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤）                            １．０質量部
【０３０８】
【化３５】
2006096023.tif 000042
【０３０９】
（光学異方性層の形成及び光学補償フィルムの作製）
上記配向膜上に、下記ディスコティック化合物９１質量部、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）９質量部、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、イーストマンケミカル社製）１．５質量部、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）３質量部、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）１質量部を、２１４．２質量部のメチルエチルケトンに溶解した塗布液を、＃３のワイヤーバーコーターで５．２ｍｌ／ｍ２塗布した。これを金属の枠に貼り付けて、１３０℃の恒温槽中で２分間加熱し、ディスコティック化合物を配向させた。次に、９０℃で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射しディスコティック化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学異方性層を形成すると共に、ハイブリッド型光学補償フィルム（１０１）を作製した。
【０３１０】
【化３６】
2006096023.tif 000043
【０３１１】
（偏光板の作製）
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。
次に、作製した光学補償フィルム（１０１）の透明支持体側を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて偏光膜の片側に貼り付けた。透明支持体の遅相軸および偏光膜の透過軸が平行になるように配置した。
市販のセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）を前記と同様にケン化処理し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の反対側（光学補償フィルムを貼り付けなかった側）に貼り付けた。
このようにして、楕円偏光板（１０１）を作製した。
【０３１２】
（ベンド配向液晶セルの作製）
ＩＴＯ電極付きのガラス基板に、ポリイミド膜を配向膜として設け、配向膜にラビング処理を行った。得られた二枚のガラス基板をラビング方向が平行となる配置で向かい合わせ、セルギャップを５．７μｍに設定した。セルギャップにΔｎが０．１３９６の液晶性化合物（ＺＬＩ１１３２、メルク社製）を注入し、ベンド配向液晶セルを作製した。
【０３１３】
（液晶表示装置の作製）
作製したベンド配向セルを挟むように、作製した楕円偏光板（１０１）を二枚貼り付けた。楕円偏光板の光学異方性層がセル基板に対面し、液晶セルのラビング方向とそれに対面する配向膜のラビング方向とが反平行となるように配置した。
セルロースアシレートフィルム（１０２）〜（１１６）についても同様にして、これを使用した光学補償フィルムつき楕円偏光板を貼り付けた液晶表示装置を作製し、黒表示での点欠陥、しみ等の表示故障を調べた。
本発明のセルロースアシレートフィルムを使用した液晶表示装置は表示上の欠陥が少なく、良好な画像が得られることがわかった。
【０３１４】
実施例３
下記のセルロースアセテート溶液Ｂ組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｂを調製した。
＜セルロースアセテート溶液Ｂ組成＞
リンターセルロースから製造した酢化度６０．７％のセルロースアセテート
５０．０質量部
リンターセルロースから製造した酢化度６１．３％のセルロースアセテート
５０．０質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                      ７．０質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）              ４．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                      ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                                ６０．０質量部
【０３１５】
別のミキシングタンクに、レターデーション上昇剤（１４４）１６質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液Ｄを調製した。
セルロースアセテート溶液Ｂ  ４７４質量部にレターデーション上昇剤溶液Ｄを１１質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、１．６質量部であった。
得られたドープを、流延速度４５ｍ／ｍｉｎでバンド流延機を用いて流延し、露点−２０℃の風で残留溶剤量３０％になるまで乾燥した後バンドからフィルムを剥ぎ取った。次いでフィルムを１４０℃の乾燥風で１０分乾燥し、残留溶剤量が０．３質量％で厚みが５８μｍのセルロースアセテートフィルム２０１を作製した。
流延直後から無風乾燥を行った時間及びレターデーション上昇剤の種類を表２に示すものに変更した以外はセルロースアセテートフィルム２０１と同じ方法によりセルロースアセテートフィルム２０２〜２１１を作成した。
本発明のセルロースアセテートフィルム２０１〜２０４はブリードアウトがなく面状に優れていることがわかった。
また、比較例２０５〜２０８はブリードアウトが認められた。
【０３１６】
【表２】
2006096023.tif 000044
【０３１７】
実施例４
【０３１８】
(鹸化処理)
実施例３で作製したセルロースアセテートフィルム２０１〜２０６上に下記組成の液を５．２ｍｌ／ｍ2塗布し、６０℃で１０秒間乾燥させた。フィルムの表面を流水で１０秒洗浄し、２５℃の空気を吹き付けることでフィルム表面を乾燥させた。
＜鹸化液組成＞
イソプロピルアルコール                                  ８１８質量部
水                                                      １６７質量部
水酸化カリウム                                          ７７７質量部
【０３１９】
（配向膜の形成）
鹸化処理したセルロースアセテートフィルム上に、下記の組成の塗布液を＃１６のワイヤーバーコーターで２８ｍｌ／ｍ2塗布した。６０℃の温風で６０秒、さらに９０℃の温風で１５０秒乾燥した。
次に、セルロースアセテートフィルムの長手方向と平行な方向に、形成した膜にラビング処理を実施した。
【０３２０】
（配向膜塗布液組成）
実施例２で配向膜形成に用いたポリビニルアルコール          １０質量部
水                                                      ３７１質量部
メタノール                                              １１９質量部
グルタルアルデヒド（架橋剤）                            ０．５質量部
【０３２１】
（光学異方性層の形成）
配向膜上に、実施例２で用いたディスコティック液晶性化合物４１．０１ｇ、エチレンオキサイド変成トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｖ＃３６０、大阪有機化学（株）製）４．０６ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５５１−０．２、イーストマンケミカル社製）０．９０ｇ、セルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ５３１−１、イーストマンケミカル社製）０．２３ｇ、光重合開始剤（イルガキュアー９０７、チバガイギー社製）１．３５ｇ、増感剤（カヤキュアーＤＥＴＸ、日本化薬（株）製）０．４５ｇを、１０２ｇのメチルエチルケトンに溶解した塗布液を、＃３．６のワイヤーバーで塗布した。これを１３０℃の恒温ゾーンで２分間加熱し、円盤状化合物を配向させた。次に、６０℃の雰囲気下で１２０Ｗ／ｃｍ高圧水銀灯を用いて、１分間ＵＶ照射し円盤状化合物を重合させた。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学異方性層を形成し、光学補償フィルム（Ｄ−１）を作製した。
波長５４６ｎｍで測定した光学異方性層のＲｅレターデーション値は４３ｎｍであった。また、円盤面と第１透明支持体面との間の角度（傾斜角）は支持体表面から段階的に増加しており、平均で４２゜であった。
【０３２２】
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、本発明のセルロースアセテートフィルムが偏光膜側となるように偏光子の片側に貼り付けた。偏光子の透過軸と光学異方性層の遅相軸とは平行になるように配置した。
さらに市販のセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）を前記と同様にケン化処理し、をポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付けた。
【０３２３】
(液晶表示装置の作製)
ＴＮ型液晶セルを使用した２０インチの液晶表示装置（ＬＣ−２０Ｖ１、シャープ（株）製）に設けられている一対の偏光板を剥がし、代わりに上記で作製した偏光板を、光学補償フィルムが液晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸とバックライト側の偏光板の透過軸が直交するように配置した。
本発明のセルロースアセテートフィルムを用いた液晶表示装置は表示上の欠陥が少なく良好な画像が得られることがわかった。
【０３２４】
実施例５
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｅを調製した。
（セルロースアシレート溶液Ｅ組成）
木材パルプから製造された酢化度６０．０％のセルロースアセテート
１０質量部
木材パルプから製造された酢化度６１．１％のセルロースアセテート
９０質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                      ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）              ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                          ３００質量部
メタノール（第２溶媒）                                    ５４質量部
１−ブタノール                                            １１質量部
【０３２５】
別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、レターデーション上昇剤溶液Ｆを調製した。
＜レターデーション上昇剤溶液Ｆ組成＞
レターデーション上昇剤（１６１）                            ３質量部
メチレンクロライド                                        ８０質量部
メタノール                                                ２０質量部
【０３２６】
セルロースアシレート溶液Ｅ  ４７４質量部に、レターデーション上昇剤溶液Ｆを１５質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、２質量部である。
ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。流延直後から３秒間無風で乾燥後、溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３乃至５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚みが７５iｍ、Ｒｔｈが８２ｎｍ、Ｒｅが８ｎｍのセルロースアセテートフィルムを作製した。
レターデーション上昇剤（１６１）のエア面表面/支持体面表面の存在比は１．２であった。
このセルロースアセテートフィルムを用いて、実施例２と同様にして、鹸化処理、配向膜の形成、光学異方性層の形成、偏光板の作製を行い、ＴＮ型液晶表示装置を作製したところ、本発明の液晶表示装置は表示上の欠陥が少なく、良好な画像が得られることがわかった。
【０３２７】
実施例６
(セルロースアシレートフィルムの作製)
実施例１のセルロースアシレートフィルム（１０３）において、レターデーション上昇剤の添加量を4％にした以外は実施例１と同様にしてセルロースアシレートフィルム（３０１）を作製した。
Ｒｅは３４ｎｍ、Ｒｔｈは１４０ｎｍであった。
(鹸化処理)
作製したセルロースアシレートフィルム３０１を、１．４モル／リットルの水酸化カリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１モル／リットルの硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１１０℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をケン化した。
さらに市販のセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）を同条件で鹸化し、以下の試料作製に供した。
（偏光板の作製）
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光子を作製し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、鹸化処理したセルロースアシレートフィルム１０１を偏光子の片側に貼り付けた。偏光子の透過軸とセルロースアシレートフィルムの遅相軸とは平行になるように配置した。
さらに実施例２で鹸化処理したフジタックＴＤ８０ＵＦをポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光子の反対側に貼り付けた。このようにして偏光板（３０１）を作製した。
〔ＶＡ液晶表示装置の作成と評価１〕
ポリビニルアルコール３重量％水溶液に、オクタデシルジメチルアンモニウムクロライド（カップリング剤）を１重量％添加した。これを、ＩＴＯ電極付のガラス基板上にスピンコートし、１６０℃で熱処理した後、ラビング処理を施して、垂直配向膜を形成した。ラビング処理は、２枚のガラス基板において反対方向となるようにした。セルギャップ（ｄ）が５μｍとなるように２枚のガラス基板を向かい合わせた。セルギャップに、エステル系とエタン系を主成分とする液晶性化合物（Δｎ：０．０８）を注入し、垂直配向液晶セルを作成した。Δｎとｄとの積は４００ｎｍであった。
【０３２８】
実施例３で作製した偏光板（３０１）を２５℃６０％の温湿度条件で事前に調湿した後、防湿処理を施した袋に包装し、３日間放置した。袋はポリエチレンテレフタレート／アルミ／ポリエチレンの積層構造からなる包装材であり、透湿度は１×１０−５ｇ／ｍ２・Ｄａｙ以下であった。
２５℃６０％の環境下で、偏光板２０２を取り出して、作成した垂直配向液晶セルの両面に、粘着シートを用いて貼り付けて、液晶表示装置を作製した。
本発明の偏光板を用いた液晶表示装置は点欠陥が少なく高い表示品位を有していることがわかった。
【０３２９】
実施例７
(セルロースアシレートフィルムの作製)
実施例１のセルロースアシレートフィルム（１０５）においてセルロースアシレートをリンターパルプから製造した、トータルアセチル化度２．７２、６位アセチル化度０．９０、重合度３２０のセルロースアセテートに変更した以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム（４０１）を作製した。
Ｒｅは７８ｎｍ、Ｒｔｈは２１０ｎｍであった。
（偏光板の作製）
実施例６と同様にして、セルロースアシレートフィルム（４０１）を偏光子の片側に有する偏光板（４０１）を作製した。
〔ＶＡ液晶表示装置の作成と評価２〕
図３の液晶表示装置を作製した。即ち、観察方向（上）から上側偏光板３０、ＶＡモード液晶セル３１（上基板、液晶層、下基板）、下側偏光板３２を積層し、さらにバックライト光源を配置した。以下の例では、上側偏光板に市販品の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８）を用いて、下側偏光板に本発明の偏光板を使用している。
【０３３０】
＜液晶セルの作製＞
液晶セルは、基板間のセルギャップを３．６μｍとし、負の誘電率異方性を有する液晶材料（「ＭＬＣ６６０８」、メルク社製）を基板間に滴下注入して封入し、基板間に液晶層を形成して作製した。液晶層のリターデーション（即ち、記液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄ）を３００ｎｍとした。なお、液晶材料は垂直配向するように配向させた。
【０３３１】
上記の垂直配向型液晶セルを使用した液晶表示装置（図３）の上側偏光板に、市販品のスーパーハイコントラスト品（株式会社サンリッツ社製ＨＬＣ２−５６１８）を、下側偏光板に実施例３で作製した偏光板（４０１）を、本発明のセルロースアシレートフィルム（４０１）が液晶セル側となるように粘着剤を介して、観察者側およびバックライト側に一枚ずつ貼り付けた。観察者側の偏光板の透過軸が上下方向に、そして、バックライト側の偏光板の透過軸が左右方向になるように、クロスニコル配置とした。
本発明の液晶表示装置は点欠陥がなく、かつ連続点灯しても光漏れが小さく、優れた表示品位を有していることがわかった。
【０３３２】
実施例８
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｄを調製した。
＜セルロースアセテート溶液Ｄ組成＞
リンターセルロースから製造した酢化度６２．０％のセルロースアセテート
１００．０質量部
レターデーション低下剤（Ａ-１０６）                   １１．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                      ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                                ６０．０質量部
【０３３３】
別のミキシングタンクに、紫外線吸収剤（Ｄ）１６質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液Ｄを調製した。
セルロースアセテート溶液Ｂ  ４７４質量部に紫外線吸収剤溶液Ｄを１１質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、１．６質量部であった。
得られたドープを、流延速度４５ｍ／ｍｉｎでバンド流延機を用いて流延し、露点−２０℃の風で残留溶剤量３０％になるまで乾燥した後バンドからフィルムを剥ぎ取った。次いでフィルムを１３０℃の乾燥風で１０分乾燥し、残留溶剤量が０．３質量％で厚みが８０μｍのセルロースアセテートフィルム５０１を作製した。
【０３３４】
【化３７】
2006096023.tif 000045
【０３３５】
【化３８】
2006096023.tif 000046
【０３３６】
レターデーション低下剤（Ａ）のエア面／支持体面の存在比は０．８５、紫外線吸収剤（Ｄ）のエア面／支持体面の存在比は１．２であった。
また、Ｒｅは１ｎｍ、Ｒｔｈは１ｎｍであった。
本発明のセルロースアセテートフィルム５０１はブリードアウトがなく面状に優れていることがわかった。
さらに、実施例７と同様にして、偏光板（５０１）を作製した。
【０３３７】
（ＩＰＳ液晶表示装置への実装評価）
上記で作製した本発明の偏光板（５０１）に対して、ポリカーボネートを一軸延伸した光学補償フィルムを貼合して光学補償機能を持たせた。この際、光学補償フィルムの面内レタデーションの遅相軸を偏光板の透過軸と直交させることで、正面特性を何ら変えることなく視覚特性を向上させることができる。光学補償フィルムの面内レターデーションＲｅは２7０ｎｍ、厚さ方向のレターデーションＲｔｈは１３5ｎｍのものを用いた。
本発明の偏光板（５０１）と光学補償フィルムの積層体、ＩＰＳ型の液晶セル、本発明の偏光板（５０１）の順番に上から重ね合わせて組み込んだ液晶表示装置を作製した。この際、上下の偏光板の透過軸を直交させ、上側の偏光板の透過軸は液晶セルの分子長軸方向と平行（すなわち光学補償層の遅相軸と液晶セルの分子長軸方向は直交）とした。液晶セルや電極・基板はＩＰＳとして従来から用いられているものがそのまま使用できる。液晶セルの配向は水平配向であり、液晶は正の誘電率異方性を有しており、ＩＰＳ液晶用に開発され市販されているものを用いることができる。液晶セルの物性は、液晶のΔｎ：０．０９９、液晶層のセルギャップ：３．０iｍ、プレチルト角：５度、ラビング方向：基板上下とも７５度とした。
以上のようにして作製した液晶表示装置は黒表示時での点欠陥が少なく好ましいことがわかった。
【図面の簡単な説明】
【０３３８】
【図１】本発明の偏光板と機能性光学フィルムとを複合した構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の偏光板が使用されている液晶表示装置の一例を模式的に示す見取り図である。
【図３】実施例７で作製したＶＡ液晶表示装置の概略断面図である。
【符号の説明】
【０３３９】
１、１ａ、１ｂ  保護フィルム
２              偏光子
３              機能性光学フィルム
４              粘着層
５              偏光板
６              上偏光板
７              上偏光板吸収軸
８              上光学異方性層
９              上光学異方性層配向制御方向
１０              液晶セル上電極基板
１１              上基板配向制御方向
１２              液晶分子
１３              液晶セル下電極基板
１４              下基板配向制御方向
１５              下光学異方性層
１６              下光学異方性層配向制御方向
１７              下偏光板
１８              下偏光板吸収軸
３０              上側偏光板
３１              ＶＡモード液晶セル
３２              下側偏光板
３３              セルロースアシレートフィルム
３４              偏光子
【図１】
2006096023.tif 000047
【図２】
2006096023.tif 000048
【図３】
2006096023.tif 000049