(57)【要約】【課題】  スプラッシュによる故障を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法の提供。【解決手段】  蒸発源容器から原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成する真空蒸着方法において、原料を該蒸発源容器に入れる前に、前記蒸発源容器を洗浄手段を用いて洗浄液で洗浄し、乾燥した後に前記蒸発源容器に該原料を入れ、前記蒸発源容器を加熱し原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成することを特徴とする真空蒸着方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発源容器から原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成する真空蒸着方法において、原料を前記蒸発源容器に入れる前に、前記蒸発源容器を洗浄手段を用いて洗浄液で洗浄し、乾燥した後に前記蒸発源容器に該原料を入れ、前記蒸発源容器を加熱し原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成することを特徴とする真空蒸着方法。
【請求項２】
前記蒸発源容器が直接通電することにより抵抗加熱されることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着方法。
【請求項３】
前記洗浄手段が超音波洗浄器であることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空蒸着方法。
【請求項４】
前記洗浄液が、純水であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の真空蒸着方法。
【請求項５】
前記洗浄液が、大気圧での沸点が３０〜１００℃の有機溶剤であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の真空蒸着方法。
【請求項６】
前記原料が少なくとも二成分からなることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の真空蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗加熱により蒸発源容器を加熱し、原料を蒸発させ基板上に形成した蒸着膜内の異物付着を防止した真空蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、機能性薄膜を使用した数多くの製品が知られている。例えば、１）投影器や店舗用などに使用されるハロゲン電球用のリフレクタ、２）コンデンサ、圧電素子、電気的光学素子などの種々の機能デバイスに応用されている誘電体膜、不揮発性メモリ、赤外線センサ、光変調器、光スイッチ、ＯＥＩＣ（光・電子集積回路：ｏｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）等の各種電子デバイス、或いは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）プローブ等により強誘電体を分極反転させて情報を記録する記録媒体などに適用される強誘電体薄膜、３）Ｘ線などの放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、そののち可視光線や赤外線などの電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する蓄積性蛍光体（輝尽発光を示す輝尽性蛍光体等）を利用して、この蓄積性蛍光体を含有するシート状の放射線像変換パネルの蛍光体層、４）有機ＥＬ素子、５）食品、医療品及び医薬品などを包装する無機蒸着フィルム等が挙げられる。
【０００３】
これらの製品使用されている機能性薄膜を得るための基本技術の１つとして、真空蒸着法が知られている。この真空蒸着法は、真空槽内で原料と成膜用基板を適当に組み合わせて、薄膜を形成するものである。原料を作る手段も様々考えられており、例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．  ６８（１６），１５  Ａｐｒｉｌ  １９９６  に記載されているような、電気抵抗体に電流を流し、その電気抵抗による発熱により原料を蒸発させるいわゆる抵抗加熱蒸着法が知られている。又、原料に直接電子ビームやレーザービームを照射し、そのエネルギーで原料を蒸発させるいわゆる電子ビーム・レーザービーム蒸着法等も知られている。中でも抵抗加熱を用いた成膜方法（抵抗加熱蒸着法）は、成膜装置の構成が簡便であり、低価格で良質の薄膜形成を実現出来ることから広く普及している。
【０００４】
抵抗加熱蒸着法の中でも蒸発源容器が直接通電することにより抵抗加熱される方法が広く用いられている。融点の高いタングステン、タンタル、モリブデン等の金属材料を薄板状に加工した金属板から蒸発源容器（金属ボート）を作製し、その両端から直流電流を流し、その発熱を用いて原料を蒸発させ、蒸発ガスを供給している。発散したガスの一部が基板上に堆積し、薄膜が形成される。蒸発原料として使用出来るものは、蒸発源容器よりもかなり融点の低い物質に限られ、蒸発源容器と容易に化学反応するものは避ける必要があることが知られている。
【０００５】
しかしながら、抵抗加熱方式、電子ビーム・レーザービーム加熱方式では、通常蒸発源容器に仕込んだ原料をほぼ全量飛ばしきるのが通常であり、蒸着終了後の蒸発源容器にはほぼ原料は入っていない状態となる。従って、そのまま蒸発源容器に再び原料を入れ、蒸着を行うのが通常である。
【０００６】
抵抗加熱蒸着法、電子ビーム・レーザービーム蒸着法での問題点としてスプラッシュ（加熱時に原料が飛散する）が挙げられる。このスプラッシュが成膜対象物に付着すると、成膜面にスポット状欠陥を生じる。この様なスポット状欠陥が形成されると、肉眼で観察出来て薄膜を形成した製品の美観を損ねたり、薄膜の機能を低下させたりするので、問題となっていた。例えば、有機ＥＬ素子を構成している電子注入電極等の機能性薄膜を積層する際に不純物が混入した場合、輝度ムラ、ドット欠陥、リーク電流の発生等の不良や品質のバラツキを生じる場合がある。又、放射線像変換パネルを構成している輝尽性蛍光体層内に異物が混入した場合、放射線や励起光の拡散が減少し鮮鋭性が優れた画像が得られなくなる場合がある。包装材料に使用される無機蒸着フィルムでは、スプラッシュが付着した箇所がピンホールとなり、高信頼度のガスバリア性が得られなくなる場合がある。
【０００７】
このスプラッシュの発生を防止するために、抵抗加熱蒸発源においてはゆっくり加熱する方法、電子ビーム蒸発源においては蒸着材料の温度分布を測定し、温度が低い部分に対する電子ビーム照射時間を長くして温度分布の均一化を図る方法などが知られているが、生産性が落ちるため充分な対応とはなっていない。
【０００８】
このため、生産性を落とさずスプラッシュの発生を防止する方法として、原料容器（金属ボート）と被蒸着基板との間に、スプラッシュを捕捉するフィルター部材を有する蒸着装置が知られている（特許文献１を参照。）。
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載の蒸着装置では、確かにスプラッシュによる故障の防止には効果はあるが、やはりフィルター部材への原料の付着があり、基板への原料付着効率が低下する。又、ワイヤブラシによりフィルター部材から除去する方法が記載されているが原料の微粉の飛散による付着が発生する危険があり、充分な対策とはなっていない。
【００１０】
又、原料容器（金属ボート）と被蒸着基板との間に、スプラッシュ粒子捕捉用メッシュを配置し、蒸着薄膜形成用材料の溶解、蒸発時に飛散するスプラッシュ粒子をスプラッシュ粒子捕捉用メッシュで捕捉すると共に、スプラッシュ粒子捕捉用メッシュを加熱してそこに捕捉されているスプラッシュ粒子を溶解せしめて蒸着薄膜形成用材料の溶解・貯留槽中に順次還流する蒸着装置が知られている（特許文献２を参照。）。
【００１１】
しかしながら、特許文献２に記載の蒸着装置では、確かにスプラッシュによる故障の防止には効果はあるが、原料容器（金属ボート）から発せられる蒸気をスプラッシュ粒子捕捉用メッシュで遮ることになり、膜厚不均一、基板以外への原料付着量の増加などの問題点があり、より高精度の膜形成が要求される機能性薄膜形成には不十分である。
【００１２】
この様な状況から、スプラッシュによる故障を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法の開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００３−３２８１１０号公報
【特許文献２】特開２００４−２３１９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は、スプラッシュによる故障を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【００１５】
（請求項１）
蒸発源容器から原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成する真空蒸着方法において、原料を前記蒸発源容器に入れる前に、前記蒸発源容器を洗浄手段を用いて洗浄液で洗浄し、乾燥した後に前記蒸発源容器に該原料を入れ、前記蒸発源容器を加熱し原料を蒸発させ、基板上に蒸着膜を形成することを特徴とする真空蒸着方法。
【００１６】
（請求項２）
前記蒸発源容器が直接通電することにより抵抗加熱されることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着方法。
【００１７】
（請求項３）
前記洗浄手段が超音波洗浄器であることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空蒸着方法。
【００１８】
（請求項４）
前記洗浄液が、純水であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の真空蒸着方法。
【００１９】
（請求項５）
前記洗浄液が、大気圧での沸点が３０〜１００℃の有機溶剤であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の真空蒸着方法。
【００２０】
（請求項６）
前記原料が少なくとも二成分からなることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の真空蒸着方法。
【００２１】
発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を加えた結果、抵抗加熱方式により蒸発源容器に原料を入れ加熱し、真空条件下で原料を蒸発させ、基板に蒸着膜（機能性薄膜）を形成させる場合、同一蒸発源容器を繰り返し使用していくと、途中より蒸着膜にスポット状欠陥が増加する原因として、繰り返し使用により、蒸発源容器中に蓄積する蒸発残渣及び不純物が何らかの要因となっていると推定した。更に、検討を加えた結果、繰り返し使用により、スプラッシュの発生回数が増加することが判り、スプラッシュの発生回数の増加が蒸着膜の欠陥の増加に繋がっていることが判明した。又、スプラッシュの発生回数の増加は蒸発源容器中に蓄積する蒸発残渣及び不純物と関連していることが判明した。
【００２２】
これらに対して、同一蒸発源容器を繰り返し使用する場合、蒸発源容器に新たに原料を入れる前に蒸発源容器内に蒸発残渣及び不純物がない状態にすることで、同一蒸発源容器を繰り返し使用しても蒸着膜にスポット状欠陥が増加することがなく高品質の蒸着膜の形成が可能となることが判明し、本発明に至った次第である。
【発明の効果】
【００２３】
スプラッシュによる故障を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法を提供することが出来、これらの機能性薄膜を使用した製品の高品質化、高安定化が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施の形態を図１、図２を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２５】
図１は蒸着装置の模式図である。通常、本図に示す様な蒸着装置を使用して、原料を真空蒸着法で基板上に気相堆積させ蒸着層を形成させる場合、次の問題点が知られている。１）蒸発源容器を繰り返し連続して使用した場合、スプラッシュが発生し、高品質の製膜が困難となる。２）蒸発源容器を繰り返し連続して使用した場合、特に蒸発源容器に入れる原料が、少なくとも２種類の成分から成り、各成分で一定の蒸気圧となる温度に差がある場合、単体成分の場合に比べスプラッシュの発生が早くなり連続して使用する回数が短くなる。本発明は、このスプラッシュの発生を防止し、スポット状欠陥の少ない高品質な機能性薄膜形成と、膜厚が安定した機能性薄膜形成が可能な真空蒸着方法に関するものである。
【００２６】
図中、１は蒸着装置を示す。１０１は蒸着室を示し、１０２は排気口を示し減圧手段である排気手段（不図示）に繋がっており、メインバルブ１０３を介して蒸着室１０１を一旦ある値以下の真空度にするようになっている。更に、１０４は蒸着室１０１の真空度を更に低下させて指定値以下にするための調整口を示し、排気手段（不図示）に繋がっており、リークバルブ１０５を介して蒸着室１０１の真空度を指定の真空度以下に保持する様になっている。蒸着室１０１の真空度は原料の種類によっても、機能性薄膜の厚さによっても異なるため、必要に応じて適宜設定することが可能となっている。
【００２７】
１０６は蒸着室１０１の真空度を測定する測定手段である真空度測定計を示す。真空度測定計としては特に限定はなく、例えば電離真空計、ピラニ真空計が挙げられる。
【００２８】
１０７は不活性ガス導入口を示し、必要に応じてガス導入バルブ１０８を介してＮ2、Ａｒ、Ｎｅ、Ｈｅ等の不活性ガスが雰囲気ガスとして導入される。１０９は蒸着室１０１の上部に設けられた基板配置手段を示す。２は基板配置手段１０９に配置された基板を示す。基板２は複数枚配置してもよく、配置手段のいかなる位置に配置することも可能となっている。
【００２９】
基板配置手段（基板ホルダ）１０９は基板２の加熱手段（不図示）と基板２の温度を測定する熱電対、温度センサ等の温度測定手段（不図示）と加熱手段（不図示）とを有していてもよい。１１０は基板配置手段（基板ホルダ）１０９を回転させる回転手段を示す。基板配置手段１０９は回転手段１１０に繋がった回転軸１１１を介して回転可能となっている。１１２は回転手段１１０の電流供給部を示す。回転手段は特に限定はなく、例えば回転モーターでもよいし、プーリーを介してベルトであってもよい。本図は回転モーターの場合を示している。又、基板配置手段（基板ホルダ）１０９は回転させてもよいし、固定であってもよい。本図は回転させる場合を示している。
【００３０】
３は蒸着室１０１の下部に設けられた原料の蒸発手段を示す。蒸発手段３は、加熱手段（不図示）を有する蒸発源容器３０１と、蒸発源容器３０１内の原料４の温度を測定するための原料温度測定手段（不図示）と、電流供給部３０２とを有している。蒸発源容器３０１の加熱方式は、例えば電子ビーム方式、抵抗加熱方式等が挙げられが、抵抗加熱方式が好ましい。
【００３１】
蒸発源容器３０１は、原料を入れる前に、洗浄手段を用いて洗浄液で洗浄し、乾燥した後に使用する必要がある。本発明において、洗浄とは蒸発源容器３０１中に、原料及び蒸発残渣が実質上残存しない状態にすることを意味し、乾燥するとは、蒸発源容器３０１中に、洗浄液が実質上残っていない状態にすることを意味する。洗浄手段としては、蒸発源容器を傷めないものであれば特に限定はなく、例えば、超音波洗浄機、ジェット液流洗浄機等が挙げられる。洗浄液としては、原料及び蒸発残渣が溶解出来るものが好ましく、例えば純水、有機溶剤が挙げられる。有機溶剤の場合は、乾燥時間を考慮し、大気圧での沸点が３０〜１００℃であることが好ましい。代表的な例としてメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケトンなどの有機溶剤が挙げられる。
【００３２】
蒸発源容器は、通常、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高価な金属が使用されており、連続使用していくと蒸発源容器内に蓄積された不純物、蒸発残渣等により劣化が促進され、蒸発源容器を新品に交換する必要が生じる。蒸発源容器の交換頻度は製品コストにも影響してくる。蒸着毎に蒸発源容器を洗浄することで、蒸発源容器材質の劣化を抑えることが可能になり、蒸発源容器の寿命を延ばすことが出来る。蒸発源容器の形状は特に限定はなく、例えば、ボート状、円筒状等、公知のタイプの適用が可能である。
【００３３】
本図に示される蒸着装置１は、基板配置手段１０９の基板２の温度、基板配置手段１０９を回転速度、蒸発源容器３０１の加熱速度及び加熱温度、蒸着室１０１の真空度を制御手段（不図示）により一元管理が出来る様にすることが好ましい。
【００３４】
図２は本発明の真空蒸着法によって原料として輝尽性蛍光体を使用し、基板上に形成した輝尽性蛍光体層を有するプレートを使用した放射線像変換パネルの一例を示す概略断面図である。
【００３５】
図中、５は放射線画像変換パネルを示す。放射線画像変換パネル５はプレート５ａの上に設けた保護層５ｂを設けた後、カーボン繊維強化樹脂（ＣＦＲＰ）、ガラスエポキシ樹脂等で出来たトレー５ｃ上に接着剤で固定し、プレート５ａの周縁部を接着剤（不図示）で封入して、輝尽性蛍光体層５ａ２が密閉された構造となっている。プレート５ａは、基板５ａ１上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層５ａ２とを有している。
【００３６】
輝尽性蛍光体層５ａ２の層厚は目的とする放射線像変換パネル１の放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０〜１０００μｍが好ましく、２０〜８００μｍがより好ましい。１０μｍ未満の場合は、輝尽性蛍光体の種類によっては輝尽発光の不足により、感度低下となる場合がある。１０００μｍを越える場合は、輝尽性蛍光体の種類によっては放射線や励起光の拡散が増大することにより、粒状性が劣化する場合がある。
【００３７】
輝尽性蛍光体層２ａ２に用いられる輝尽性蛍光体としては、例えば特開昭５９−７５２００号等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ2+系（Ｘ：Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体、同６１−７２０８７号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体、同６１−７３７８６号、６１−７３７８７号等に記載のように、共賦活剤としてＴｌ+及びＣｅ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｙ3+、Ａｇ+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+、Ｉｎ3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体などが挙げられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。又、アルカリハライド蛍光体の中でもＲｂＢｒ及びＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度、高画質である点で好ましく、中でもＣｓＢｒ系蛍光体が特に好ましい。
【００３８】
輝尽性蛍光体層２ａ２は下記一般式（１）で示される輝尽性蛍光体の柱状結晶であることが好ましい。
【００３９】
一般式（１）  ＣｓＸ：ｙＡ
〔式中、ＸはＢｒ又はＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、Ｔｂ又はＣｓを表す。ｙは１×１０-7〜１×１０-1までの数値を表す〕
保護層２ｂは、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、予め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。或いは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。
【００４０】
保護層２ｂに使用する材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。又、透光性がよく、シート状に形成出来るものを用いることが出来る。例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラスや、ＯＰＰ、ポリ塩化ビニル等の有機高分子が挙げられる。又、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１〜２０００μｍ程度が好ましい。
【００４１】
基板としては各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これら基板の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。又、本発明においては、基板と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて基板の表面に予め接着層を設けてもよい。これら基板の厚みは用いる基板の材質等によって異なるが、一般的には８０〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８０〜１０００μｍである。
【００４２】
図１に示す蒸着装置１を使用し、例えば輝尽性蛍光体（原料）を真空蒸着法で基板上に気相堆積させ輝尽性蛍光体層を形成させる方法に付き説明する。輝尽性蛍光体（原料）を洗浄し乾燥した蒸発源容器に入れ、その蒸発源容器と基板を蒸着装置内に設置したのち、装置内を排気して１×１０-2Ｐａ程度の真空とし、蒸発源容器を抵抗加熱法により加熱蒸発させて基板表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに堆積させることが可能である。蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。蒸着工程では複数の抵抗加熱方式の蒸発源容器を用いて蒸着を行うことも可能である。又、本発明の蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器を用いて蒸着し、基板上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。更に、蒸着時に必要に応じて基板を冷却或いは加熱してもよい。又、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００４３】
原料がＣｓＢｒ：Ｅｕ蛍光体の様な混合物で母体成分と賦活成分とで一定の蒸気圧となる温度に差がある場合、すなわち同一温度であれば蒸気圧に大きな差がある場合、蒸気圧の高い母体成分ＣｓＢｒが先に蒸発し易く、賦活成分Ｅｕが蒸発源容器に残り易く、残った状態の蒸発源容器を用いて蒸着を繰り返すと、蒸発源容器中の残渣が核となりより早くスプラッシュが発生し易いため、本発明は更に効果的である。
【００４４】
又、図１に示される蒸発源容器に入れる原料は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。又、賦活剤は母体（ｂａｓｉｃ  ｓｕｂｓｔａｎｃｅ）に対して賦活剤（ａｃｔｉｂａｔｏｒ）を混合したものを蒸着してもよいし、母体のみを蒸着した後に賦活剤をドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、例えば賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことが出来る。
【００４５】
又、輝尽性蛍光体層中に高光吸収率の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい。これにより輝尽性蛍光体層の補強効果をもたせる他、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散をほぼ完全に防止出来る。
【００４６】
高光反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい、例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属等、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることが出来る。
【００４７】
白色顔料は輝尽発光も反射することが出来る。白色顔料として、ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも１種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒの内の少なくとも１種である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸鉛、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウム等が挙げられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線画像変換パネルの感度を顕著に向上させ得る。
【００４８】
又、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄等及び青の色材が用いられる。この内、カーボンは輝尽発光も吸収する。
【００４９】
又、色材は、有機又は無機系色材の何れでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。又カラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材も挙げられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料が挙げられる。
【００５０】
本図に示す蒸着装置２を使用し、輝尽性蛍光体（原料）を蒸発源容器に入れる前に、蒸発源容器を洗浄手段を用いて洗浄液で洗浄し、乾燥した後に蒸発源容器に該原料を入れ、蒸発源容器を加熱し原料を蒸発させる真空蒸着法により次の効果が得られる。
１）多成分系の輝尽性蛍光体（原料）でも、単一成分系の輝尽性蛍光体（原料）と同じようにスプラッシュの発生を防止することが出来、高品質の輝尽性蛍光体層（機能性薄膜）の形成が可能となった。
２）従来の様に蒸発源容器に遮蔽板、スプラッシュ防止網等のスプラッシュ防止対策を取らないため、遮蔽板、スプラッシュ防止網等の基板以外の原料付着の増加はなく、高品質の輝尽性蛍光体層（機能性薄膜）の形成が可能となった。
３）蒸着装置に特別なスプラッシュ防止対策を施さないため、設備の改造をすることなしに従来の蒸着装置の使用が可能となった。
４）蒸発源容器の寿命を延ばすことが出来、製品コストを抑えることが可能となった。
【００５１】
以下実施例により本発明を説明するが本発明はこれにより限定されるものではない。
【実施例】
【００５２】
実施例１
（蒸着装置の準備）
図２に示す蒸着装置を準備した。基板配置手段（基板ホルダ）は回転可能とした。蒸発源容器は直接通電出来る抵抗加熱方式を用いた。使用材質はタンタル製で、開口部が細長いスリット形状を有し、容量２００ｃｍ3の円筒形状とし、内部の原料温度を測定しながら蒸着するため、蒸発源容器内部には熱電対を取りた。
【００５３】
（基板の準備）
大きさ３００ｍｍ×３００ｍｍの正方形の厚さ１ｍｍのアルミニウム板を準備した。
【００５４】
（原料の準備）
ＣｓＢｒ：０．００１Ｅｕからなる原料を準備した。
【００５５】
（基板への蒸着）
準備した蒸着装置の基板配置手段（基板ホルダ）に、準備した基板を取り付け、予め純水にて超音波洗浄器を用いて１０分間洗浄し、１００℃の乾燥器にて２時間乾燥した。その後、乾燥した蒸発源容器に準備した原料３００ｇを充填した後、蒸着装置内に設置し、電極を蒸発源容器に接続し、蒸着時蒸発源容器内部の温度が８００℃となる様に電流値を調節し、蒸発源容器内部をほぼ一定温度に維持し、蒸着時の真空度は１０-2Ｐａとし基板への蒸着を行った。蒸着終了は、原料が全て蒸発したとき、蒸発源容器内の温度が急激に上昇を始めるので、この点を終点とした。この操作を１サイクルとして、１サイクルが終了する毎に洗浄液として純水を使用し超音波洗浄器を用いて１０分間洗浄し、１００℃の乾燥器にて２時間乾燥した。この、洗浄・乾燥までの操作を１０サイクル行い試料を作製しＮｏ．１０１とした。洗浄液をエタノールに変えた他は全て同じ条件で試料を作製しＮｏ．１０２とした。尚、比較試料として、洗浄を行わない他は全て同じ条件で試料を作製しＮｏ．１０３とした。
【００５６】
評価
作製した試料１０１〜１０３に付き、蒸着膜のスポット状欠陥を目視でカウントした結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
2006241491.tif 000003
【００５８】
本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】蒸着装置の模式図である。
【図２】本発明の真空蒸着法によって原料として輝尽性蛍光体を使用し、基板上に形成した輝尽性蛍光体層を有するプレートを使用した放射線像変換パネルの一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  蒸着装置
１０１  蒸着室
１０２  排気口
１０３  メインバルブ
１０４  調整口
１０９  基板配置手段（基板ホルダ）
１１０  回転手段
２  基板
３  蒸発手段
３０１  蒸発源容器
４  原料
５  放射線画像変換パネル
５ａ  プレート
５ａ１  基板
５ａ２  輝尽性蛍光体層
５ｂ  保護層
５ｃ  トレー
【図１】
2006241491.tif 000004
【図２】
2006241491.tif 000005