(57)【要約】【課題】  フォトスペーサを設けることによって電気光学装置に光学的な特性不良が発生する場合でも、それが外部から視認されないようにする。【解決手段】  基板１２ａ上に形成された電極２１と、電極２１上に形成された液晶層１６と、電極２１に印加する電圧を切換えるスイッチング素子１８と、液晶層１６の層厚を規制するフォトスペーサ２２と、フォトスペーサ２２と基板１２ａとの間に設けられたスペーサ遮光膜１９とを有する電気光学装置１である。スペーサ遮光膜１９はスイッチング素子１８を構成する複数の要素の少なくとも１つと同じ材料、例えばタンタル、クロム等によって形成される。フォトスペーサ２２の周辺で配向不良が発生しても、スペーサ遮光膜１９がその不良を外部から視認できないようにする。【選択図】        図２
2006053378.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された電極と、
前記電極に接続されてなるスイッチング素子と、
該電極及び前記スイッチング素子上に位置する電気光学物質の層と、
前記電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサと、
該フォトスペーサと前記基板との間に設けられたスペーサ遮光膜と
を有し、
前記スペーサ遮光膜は前記スイッチング素子を構成する複数の要素の少なくとも１つと同じ材料によって形成される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、
表示の単位である複数の表示ドット領域と、それらの表示ドット領域の間に設けられたドット間遮光領域とをさらに有し、
前記フォトスペーサは前記表示ドット領域内に設けられる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２記載の電気光学装置において、
前記電気光学物質を挟んで前記基板の反対側に配置され、前記ドット領域及び前記ドット間遮光領域に重なるように配置されてなる複数の異なる色の着色要素を有する第２の基板を備え、
前記ドット間遮光領域は前記異なる色の着色要素を重ねることによって形成される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３記載の電気光学装置において、
前記異なる色の着色要素の色は３原色である赤色、緑色、青色であり、
前記フォトスペーサは青色の表示ドット領域に対応して設けられる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記表示ドット領域は光を透過するドット内透過領域と、光を反射するドット内反射領域とを有し、
前記フォトスペーサは前記ドット内反射領域に設けられる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５記載の電気光学装置において、
前記ドット内透過領域に対応する厚さが薄く、前記ドット内反射領域に対応する厚さが厚く、前記ドット内反射領域に対応する表面が平坦である樹脂層をさらに有し、
該樹脂層上に前記電気光学物質の層を形成することにより、前記ドット内透過領域に対応する前記電気光学物質の層の層厚は、前記ドット内反射領域に対応する電気光学物質の層の層厚よりも厚い
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記スイッチング素子は、複数の層から構成された積層構造であり、
前記スペーサ遮光膜は、前記スイッチング素子を構成する前記積層構造の少なくとも２層と同じ材料を積層して形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記スイッチング素子は、前記基板側から順にタンタル／絶縁膜／クロムの積層構造を有する薄膜ダイオードであり、
前記スペーサ遮光膜は、タンタル若しくはクロムの単体によって、又は基板側から順にタンタル／クロムの積層構造によって形成される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記基板の前記液晶層と反対側の面は観察側の面であり、該基板の観察側の面には、該基板側から順に位相差板及び偏光板が設けられる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
一対の基板に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、
一方の前記基板に配置され、前記電気光学物質に電圧を印加する電極と、
該電極上に配置され、前記電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサと、
該フォトスペーサと前記基板との間に設けられたスペーサ遮光膜と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記基板上にスペーサ遮光膜を形成する工程と、
前記スイッチング素子に導電接続するように前記基板上に電極を形成する工程と、
電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサを前記スペーサ遮光膜の上に形成する工程と、
前記電極に重なるように前記基板上に前記電気光学物質の層を位置させる工程と、
を有し、
前記スペーサ遮光膜を形成する工程は、前記スイッチング素子を構成する複数の構成要素の少なくとも１つを形成する工程と同じ工程で同じ材料を用いて行われる
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の電気光学装置の製造方法において、
表示の単位である複数の表示ドット領域を埋めるようにドット間遮光領域を形成する工程をさらに有し、
前記フォトスペーサは前記表示ドット領域内に設けられる
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学物質を挟んで前記基板の反対側に複数の異なる色の着色要素を形成する工程をさらに有し、
前記ドット間遮光領域を形成する工程では、前記異なる色の着色要素を重ねることによって前記ドット間遮光領域が形成される
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１から請求項１３記載の電気光学装置の製造方法において、
前記スイッチング素子を形成する工程は、
前記基板上に第１金属を形成する工程と、
前記第１金属の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に第２金属を形成する工程と
を有し、
前記スペーサ遮光膜を形成する工程は、前記第１金属を形成する工程又は前記第２金属を形成する工程と同時に同じ材料を用いて行われる
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
一対の基板に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上にスペーサ遮光膜を形成する工程と、
前記電気光学物質に電圧を印加する電極を前記スペーサ遮光膜と平面的に重なるように形成する工程と、
前記電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサを前記スペーサ遮光膜上に形成する工程と、
前記電極に重なるように前記基板上に電気光学物質の層を位置させる工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１０のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また本発明は、その電気光学装置の製造方法に関する。また本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器において液晶表示装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を表示するための表示装置として電気光学装置が用いられている。電気光学装置とは、電気的な入力によって光学的な出力状態を制御する装置であり、例えば、液晶表示装置、ＥＬ（Electro Luminescence）装置、プラズマディスプレイ装置、その他の装置が考えられる。
【０００３】
例えば、液晶表示装置では、一対の基板上に電極を形成し、それらの電極で液晶層を挟み、それらの電極に印加する電圧を制御し、この電圧制御により液晶層内の液晶分子の配向を制御し、この配向制御により液晶層に供給される光を変調する。この液晶表示装置において、従来、液晶層の層厚を一定に保持するために一対の基板間に複数のスペーサが設けられている。また、このようなスペーサをフォトリソグラフィ処理を用いて形成するという技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２６５９１２号公報（第３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、フォトリソグラフィ処理によって形成されたスペーサ（以下、フォトスペーサという）に関しては、そのフォトスペーサの周辺で液晶分子の配向不良が発生し易く、その配向不良に起因して光漏れが発生して、液晶表示装置の表示品質が著しく低下することがあった。液晶表示装置以外の電気光学装置においても、フォトスペーサを設けるとその周辺において電気光学物質の物性に乱れが生じ易く、そのため、電気光学装置の光学的特性に乱れが生じるおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、フォトスペーサを設けることによって電気光学装置に光学的な特性不良が発生する場合でも、それが外部から視認されないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板上に形成された電極と、前記電極に接続されてなるスイッチング素子と、該電極及び前記スイッチング素子上に位置する電気光学物質の層と、前記電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサと、該フォトスペーサと前記基板との間に設けられたスペーサ遮光膜とを有し、前記スペーサ遮光膜は前記スイッチング素子を構成する複数の要素の少なくとも１つと同じ材料によって形成されることを特徴とする電気光学装置。
特徴とする。
【０００８】
本明細書において、「電気光学物質」とは、電気的条件の変化に応じて光学的特性が変化する物質のことであり、具体的には、液晶表示装置で用いられる液晶、ＥＬ装置で用いられるＥＬ、プラズマディスプレイ装置で用いられるガス等が考えられる。また、「スイッチング素子」としては、ＴＦＤ（Thin Film Diode）等といった２端子型のスイッチング素子や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型のスイッチング素子等が考えられる。
【０００９】
上記の電気光学装置によれば、フォトスペーサを設けたことにより、そのフォトスペーサの周辺で電気光学物質の物性に乱れ、例えば液晶分子の配向不良、が発生し、その乱れに対応して光学的な乱れ、例えば光漏れが発生するおそれがある。しかしながら、本発明によれば、フォトスペーサと基板との間にスペーサ遮光膜を設けたので、そのような光学的な乱れがスペーサ遮光膜によって遮光されて外部からは視認されないことになる。それ故、電気光学装置の光学的な特性、例えば液晶表示装置の表示品質を高く維持できる。
【００１０】
また、スペーサ遮光膜は、スイッチング素子を構成する要素のうちの少なくとも１つを形成する材料と同じ材料によって形成されるので、スペーサ遮光膜を形成するに際して特別の材料及び専用の工程を設ける必要がなく、それ故、材料コスト及び製造コストの両方を低く抑えることができる。
【００１１】
次に、本発明に係る電気光学装置は、表示の単位である複数の表示ドット領域と、それらの表示ドット領域の間に設けられたドット間遮光領域とを有することができる。そしてその場合、前記フォトスペーサは前記表示ドット領域内に設けられることが望ましい。
【００１２】
一般に、ドット間遮光領域には表示のコントラストを高めるために、いわゆるブラックマスクが形成されることがある。このブラックマスクの幅はかなり狭く、その表面は必ずしも平坦ではない。このようなブラックマスクに対向してフォトスペーサを設けることにすると、ブラックマスクが細くて平坦でないが故に、フォトスペーサによって電気光学物質の層の層厚、例えばセルギャップ内に形成された液晶層の層厚、を均一に維持することが難しくなる。一方、表示ドット領域はドット間遮光領域に比べて平坦である。従って、フォトスペーサをこの表示ドット領域内に設けるようにすれば、液晶層の層厚等といった電気光学物質の層の層厚を均一に保持できる。
【００１３】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記電気光学物質を挟んで前記基板の反対側に配置される第２の基板を有することができ、その第２の基板は前記ドット領域及び前記ドット間遮光領域に重なるように配置されてなる複数の異なる色の着色要素を有することができる。そしてこの場合には、前記ドット間遮光領域は前記異なる色の着色要素を重ねることによって形成されることが望ましい。例えば、着色要素として赤色、緑色、青色の３原色の要素を形成する場合、それらのうちの少なくとも２色を重ね合わせれば遮光領域としてのブラックマスクを形成することができる。
【００１４】
しかしながら、このように着色材料の重ね構造によってドット間遮光領域を形成すると、そのドット間遮光領域は幅が細くて凹凸の多い表面形状となる。このようなドット間遮光領域に対向してフォトスペーサを設けると、フォトスペーサによって電気光学物質の層の層厚を均一に維持しようという機能が不十分となる。これに対し、上記のように、ドット間遮光領域を避けてフォトスペーサを表示ドット領域内に設けるようにすれば、表示ドット領域内は平坦であるので、フォトスペーサによって電気光学物質の層の層厚を均一に維持する機能を十分に発揮できる。
【００１５】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記異なる色の着色要素は３原色である青色、緑色、赤色とすることができる。そしてその場合、前記フォトスペーサは青色の表示ドット領域に対応して設けることが望ましい。青色は、赤色及び緑色に比べて光漏れ等といった光学的な不良が目立たない色である。従って、この青色に対してフォトスペーサを設ければ、仮にフォトスペーサを設けることによって光学的な不良が発生する場合でも、その不良を最も目立たない状態に抑えることができる。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記表示ドット領域は光を透過するドット内透過領域と、光を反射するドット内反射領域とを有することができる。そしてその場合、前記フォトスペーサは前記ドット内反射領域に設けられることが望ましい。この構造の電気光学装置は、いわゆる半透過反射型の電気光学装置であり、ドット内透過領域を通過する光によって透過型の表示が得られ、他方、ドット内反射領域で反射した光によって反射型の表示が得られる。
【００１７】
ドット内反射領域は光を反射するための反射膜が設けられる領域であり、比較的平坦な領域である。他方、ドット内透過領域は反射膜が設けられない領域であるので、ドット内反射領域に対して窪んだ領域である。従って、仮にドット内透過領域に対応してフォトスペーサを設けるようにすると、上記の窪みの影響でフォトスペーサによる間隔維持機能を十分に発揮できないおそれがある。それに対し、フォトスペーサをドット内反射領域に対応して設けるようにすれば、その反射領域は平坦であるが故に、フォトスペーサによって間隔を均一に維持できる。
【００１８】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記ドット内透過領域に対応する厚さが薄く、前記ドット内反射領域に対応する厚さが厚く、前記ドット内反射領域に対応する表面が平坦である樹脂層をさらに有することができる。そして、前記樹脂層上に前記電気光学物質の層を形成することにより、前記ドット内透過領域に対応する前記電気光学物質の層の層厚は、前記ドット内反射領域に対応する電気光学物質の層の層厚よりも厚くすることができる。
【００１９】
この構造は、いわゆるマルチギャップ構造と呼ばれるものである。一般に、ドット内反射領域では、反射膜で反射する光が電気光学物質を２回通過する。一方、ドット内透過領域では、当該領域を通過する光が電気光学物質を１回だけ通過する。従って、ドット内反射領域における電気光学物質の層の層厚がドット内透過領域における電気光学物質の層の層厚と同じであるとすると、反射領域では色が濃く、透過領域では色が薄いという好ましくない表示状態が得られてしまう。この現象を解消できる方法の１つがマルチギャップ構造であり、具体的には、透過領域に対応する電気光学物質の層の層厚を厚くすることにより、透過領域と反射領域との間での光路差を少なくして、透過表示時と反射表示時との間で均一な表示を行うようにしたものである。
【００２０】
このようなマルチギャップ構造の電気光学装置においては、ドット内透過領域には電気光学物質の層の層厚を厚くするための窪みが形成される。従って、この透過領域に対向してフォトスペーサが設けられるものとすると、上記の窪みの影響でフォトスペーサによる間隔維持機能を十分に発揮できないおそれがある。それに対し、フォトスペーサをドット内反射領域に対応して設けるようにすれば、その反射領域は平坦であるが故に、フォトスペーサによって間隔を均一に維持できる。
【００２１】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子は複数の層から構成された積層構造とすることができる。そしてこの場合、前記スペーサ遮光膜は前記スイッチング素子を構成する前記積層構造の少なくとも２層と同じ材料を積層して形成されることが望ましい。
【００２２】
また、本発明に係る電気光学装置において、前記スイッチング素子は、前記基板側から順にタンタル／絶縁膜／クロムの積層構造を有する薄膜ダイオードとすることができる。このダイオードは、いわゆるＴＦＤである。そしてこの場合、前記スペーサ遮光膜は、タンタル若しくはクロムの単体によって形成されるか、又は基板側から順にタンタル／クロムの積層構造によって形成されることが望ましい。こうすれば、ＴＦＤ素子の形成工程においてスペーサ遮光膜を同時に形成できるので、材料コスト及び製造コストの両面で有利である。
【００２３】
次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記基板の前記液晶層と反対側の面を観察側の面とすることができ、そしてその場合、該基板の観察側の面には、該基板側から順に位相差板及び偏光板を設けることが望ましい。このようにスペーサ遮光膜に対して位相差板及び偏光板を設けると、図６に示すように、偏光板１４に自然光Ｌ０が入射したとき、その自然光から直線偏光Ｌ１が選択され、その直線偏光Ｌ１は位相差板１３を通るときに円偏光Ｌ２となる。
【００２４】
この円偏光Ｌ２はスペーサ遮光膜１９で反射して偏光方向の異なった円偏光Ｌ３となり、その円偏光Ｌ３が再び位相差板１３を通過する。このとき、円偏光Ｌ３は異なった偏光軸の直線偏光Ｌ４となり、その直線偏光Ｌ４は再び偏光板１４へ入射する。このとき、偏光板１４の透過軸は直線偏光Ｌ４を透過させない方向に設定されているので、偏光Ｌ４は偏光板１４を透過しない。このように、偏光板１４の外部からはスペーサ遮光膜１９の反射光を視認できない状態になっている。つまり、本発明に従ってフォトスペーサ２２の所にスペーサ遮光膜１９を設けた場合、さらに位相差板１３及び偏光板１４を設ければ、スペーサ遮光膜１９で反射した反射光が外部に出ないので、電気光学装置を外部から観察したとき、スペーサ遮光膜１９が光って見えることを防止できる。そして、これにより、フォトスペーサ２２及びスペーサ遮光膜１９を設けたことによって表示品質が低下することを防止できる。
【００２５】
次に、本発明に係る電気光学装置は、一対の基板に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置であって、一方の前記基板に配置され、前記電気光学物質に電圧を印加する電極と、該電極上に配置され、前記電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサと、該フォトスペーサと前記基板との間に設けられたスペーサ遮光膜とを有することを特徴とする。
【００２６】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上にスイッチング素子を形成する工程と、前記基板上にスペーサ遮光膜を形成する工程と、前記スイッチング素子に導電接続するように前記基板上に電極を形成する工程と、電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサを前記スペーサ遮光膜の上に形成する工程と、前記電極に重なるように前記基板上に前記電気光学物質の層を位置させる工程とを有し、前記スペーサ遮光膜を形成する工程は、前記スイッチング素子を構成する複数の構成要素の少なくとも１つを形成する工程と同じ工程で同じ材料を用いて行われることを特徴とする。
【００２７】
上記の電気光学装置の製造方法によれば上記の本発明に係る電気光学装置を確実に製造できる。また、フォトスペーサを用いる一般的な電気光学装置では、フォトスペーサを設けることにより、そのフォトスペーサの周辺で電気光学物質の物性に乱れ、例えば液晶分子の配向不良、が発生し、その乱れに対応して光学的な乱れ、例えば光漏れが発生することがある。しかしながら、本発明によれば、フォトスペーサと基板との間にスペーサ遮光膜が形成されるので、そのような光学的な乱れがスペーサ遮光膜によって遮光されて外部からは視認されないことになる。それ故、本発明方法によって製造した電気光学装置は、その光学的な特定、例えば液晶表示装置の表示品質を高く維持できる。
【００２８】
また、スペーサ遮光膜は、スイッチング素子を構成する要素のうちの少なくとも１つを形成する材料と同じ材料によって形成されるので、スペーサ遮光膜を形成するに際して特別の材料及び専用の工程を設ける必要がなく、それ故、材料コスト及び製造コストの両面で有利である。
【００２９】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、表示の単位である複数の表示ドット領域を埋めるようにドット間遮光領域を形成する工程をさらに有することができる。そして、この場合、前記フォトスペーサは前記表示ドット領域内に設けられることが望ましい。
【００３０】
一般に、ドット間遮光領域には表示のコントラストを高めるために、いわゆるブラックマスクが形成されることがある。このブラックマスクの幅はかなり狭く、その表面は必ずしも平坦ではない。このようなブラックマスクに対向してフォトスペーサを設けることにすると、ブラックマスクが細くて平坦でないが故に、フォトスペーサによって電気光学物質の層の層厚、例えばセルギャップ内に形成された液晶層の層厚、を均一に維持することが難しくなる。一方、表示ドット領域はドット間遮光領域に比べて平坦である。従って、フォトスペーサをこの表示ドット領域内に設けるようにすれば、液晶層の層厚等といった電気光学物質の層の層厚を均一に保持できる。
【００３１】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、前記電気光学物質を挟んで前記基板の反対側に複数の異なる色の着色要素を形成する工程をさらに有することができる。そしてこの場合、前記ドット間遮光領域を形成する工程では、前記異なる色の着色要素を重ねることによって前記ドット間遮光領域が形成されることが望ましい。例えば、着色要素として赤色、緑色、青色の３原色の要素を形成する場合、それらのうちの少なくとも２色を重ね合わせれば遮光領域としてのブラックマスクを形成することができる。
【００３２】
しかしながら、このように着色材料の重ね構造によってドット間遮光領域を形成すると、そのドット間遮光領域は幅が細くて凹凸の多い表面形状となる。このようなドット間遮光領域に対向してフォトスペーサを設けると、フォトスペーサによって電気光学物質の層の層厚を均一に維持しようという機能が不十分となる。これに対し、上記のように、ドット間遮光領域を避けてフォトスペーサを表示ドット領域内に設けるようにすれば、表示ドット領域内は平坦であるので、フォトスペーサによって電気光学物質の層の層厚を均一に維持する機能を十分に発揮できる。
【００３３】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記スイッチング素子を形成する工程は、前記基板上に第１金属を形成する工程と、前記第１金属の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に第２金属を形成する工程とを有することができる。そしてこの場合、前記スペーサ遮光膜を形成する工程は、前記第１金属を形成する工程又は前記第２金属を形成する工程と同時に同じ材料を用いて行われることが望ましい。第１金属は、例えばタンタルとすることができる。また、第２金属は、例えばクロムとすることができる。このようにスイッチング素子の一部分の形成工程と同時にスペーサ遮光膜を形成することにすれば、スイッチング素子の形成工程においてスペーサ遮光膜を同時に形成できるので、材料コスト及び製造コストの両方を低く抑えることができる。
【００３４】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板に電気光学物質を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、前記基板上にスペーサ遮光膜を形成する工程と、前記電気光学物質に電圧を印加する電極を前記スペーサ遮光膜と平面的に重なるように形成する工程と、前記電気光学物質の層の層厚を規制するフォトスペーサを前記スペーサ遮光膜上に形成する工程と、前記電極に重なるように前記基板上に電気光学物質の層を位置させる工程とを有することを特徴とする。
【００３５】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。このような電子機器としては、携帯電話機、携帯情報端末機等が考えられる。本発明に係る電気光学装置によれば、フォトスペーサと基板との間にスペーサ遮光膜を設けたので、フォトスペーサの存在に起因して発生する光学的な乱れをスペーサ遮光膜の働きによって外部から視認できない状態にすることができる。それ故、電気光学装置の光学的な特性、例えば液晶表示装置の表示品質を高く維持できる。このため、この電気光学装置を用いて構成される本発明に係る電子機器においても、電気光学装置の光学的な特性を良好な状態に維持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置をその一例である液晶表示装置を例に挙げて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を参照するが、その図面では特徴的な部分を分かり易く説明するために、複数の要素間で寸法比が実際のものと異なっていることに留意すべきである。
【００３７】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。この液晶表示装置は、スイッチング素子として２端子型の非線形素子であるＴＦＤ素子を用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。図２は図１において矢印Ｐで示す画素部分の断面構造を示している。また、図３は図２におけるＢ−Ｂ線に従った平面構造を示している。
【００３８】
図１において、電気光学装置としての液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、その液晶パネル２に実装された駆動用ＩＣ３と、その液晶パネル２に付設された照明装置４と、その液晶パネル２の辺端に接続された配線基板としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）６とを有する。この液晶表示装置１は、矢印Ａが描かれた側が観察側である。照明装置４は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）７と、ＬＥＤ７からの光を内部へ導入して面状の光として液晶パネル２へ出射する導光体８とを有する。照明装置４は、矢印Ａで示す観察方向から見て液晶パネル２の裏側に配置されていて、バックライトとして機能する。
【００３９】
液晶パネル２は、素子基板９ａとカラーフィルタ基板９ｂとを正方形又は長方形で枠状のシール材１１によって貼り合わせることによって形成されている。素子基板９ａとカラーフィルタ基板９ｂとの間には、図２に示すように、間隙、いわゆるセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１６が形成されている。液晶としては、例えばＴＮ（Twisted Nematic）液晶を用いることができる。
【００４０】
図１において、素子基板９ａは、透光性を有する第１の基板１２ａを有し、その第１透光性基板１２ａの外側の表面には、位相差板１３ａが貼着等によって装着され、さらにその上に偏光板１４ａが貼着等によって装着されている。一方、カラーフィルタ基板９ｂは、透光性を有する第２の基板１２ｂを有し、その第２透光性基板１２ｂの外側の表面には、位相差板１３ｂが貼着等によって装着され、さらにその上に偏光板１４ｂが貼着等によって装着されている。第１透光性基板１２ａ及び第２透光性基板１２ｂはガラス、プラスチック等によって形成される。
【００４１】
第１透光性基板１２ａの内側表面、すなわち液晶側表面には、図２に示すように、データ線として機能するライン配線１７と、スイッチング素子としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子１８と、スペーサ遮光膜１９と、ドット電極２１と、フォトスペーサ２２と、配向膜２３ａとが形成される。配向膜２３ａは、例えばポリイミドによって形成され、その表面にラビング処理が施される。このラビング処理により、素子基板９ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。
【００４２】
ライン配線１７は、図４に示すように、第１層１７ａ，第２層１７ｂ，第３層１７ｃを積層することによって形成されている。また、ＴＦＤ素子１８は、互いに直列につなげられた第１ＴＦＤ要素１８ａ及び第２ＴＦＤ要素１８ｂを有する。これらのＴＦＤ要素１８ａ及び１８ｂは、それぞれ、第１金属２６、絶縁膜２７及び第２金属２８を有する。
【００４３】
ＴＦＤ素子１８の第１金属２６及びライン配線１７の第１層１７ａは、例えばタンタル（Ｔａ）によって形成されている。また、ＴＦＤ素子１８の絶縁膜２７及びライン配線１７の第２層１７ａは、例えば陽極酸化処理によって形成された酸化膜である。また、ＴＦＤ素子１８の第２金属２８及びライン配線１７の第３層１７ｃは、例えばクロム（Ｃｒ）によって形成されている。
【００４４】
第１ＴＦＤ要素１８ａの第２金属２８はライン配線１７の第３層１７ｃと同一の材料によって形成されている。また、ドット電極２１は第２ＴＦＤ要素１８ｂの第２金属２８に導電接続するように基板１２ａの上に形成されている。ドット電極２１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった金属酸化物によって形成されている。
【００４５】
図２のスペーサ遮光膜１９は、図３に示すように、ドット電極２１が形成された領域内に形成される。そして、このスペーサ遮光膜１９に重なる領域にあるドット電極２１の上にフォトスペーサ２２が形成されている。フォトスペーサ２２はセルギャップＧの間隔、すなわち液晶層１６の層厚が液晶パネル２の全面にわたって一定となるように機能する。スペーサ遮光膜１９及びフォトスペーサ２２は共に略ひし形の断面形状に形成されている。また、スペーサ遮光膜１９の面積はフォトスペーサ２２の底面の面積よりも広く形成されている。フォトスペーサ２２は、例えばネガ型の感光性樹脂、例えばネガ型のレジスト材料によって形成されている。
【００４６】
また、スペーサ遮光膜１９は、図４のＴＦＤ素子１８を構成する要素である第１金属２６若しくは第２金属２８のいずれか、又は第１金属２６と第２金属２８の積層構造によって形成されている。例えば、第１金属２６をタンタルで形成し、第２金属２８をクロムで形成すれば、スペーサ遮光膜１９はタンタル単体、クロム単体、又はタンタル／クロムの積層構造のいずれかによって形成される。
【００４７】
図２において、カラーフィルタ基板９ｂを構成する第２透光性基板１２ｂの内側表面、すなわち液晶側表面には、樹脂層３１が形成され、その上に反射膜３２が形成され、その上に着色要素３３が形成され、その上に、樹脂層であるオーバーコート層３４が形成され、その上に複数の帯状電極３６が形成され、そしてその上に配向膜２３ｂが形成される。配向膜２３ｂは、例えばポリイミドによって形成され、その表面にラビング処理が施される。このラビング処理により、カラーフィルタ基板９ｂの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。
【００４８】
複数の帯状電極３６の１本ずつは図２の紙面垂直方向、すなわち図３の紙面上下方向、すなわちライン配線１７に直角の方向に延びている。また、複数の帯状電極３６は、図２の左右方向へ一定の間隔で互いに平行に並べられている。これにより、複数の帯状電極３６は矢印Ａ方向から見てストライプ状に形成されている。図３に示すように、ストライプ状に並ぶ帯状電極３６とドットマトリクス状に並ぶドット電極２１とは平面的に重なり合っている。この重なり合った複数の領域Ｄが表示の単位である表示ドット領域を構成する。そして、これら複数の表示ドット領域Ｄは図１において符号Ｖで示す領域内にドットマトリクス状に並べられる。この領域Ｖが液晶表示装置１の有効表示領域であり、この有効表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００４９】
図２において、樹脂層３１の表面には凹凸形状が形成される。このため、樹脂層３１の上に積層される反射膜３２の表面も凹凸形状が形成される。反射膜３２は、例えば光反射性の材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成され、矢印Ａ方向から入射する光を反射する。反射膜３２の表面に凹凸形状を設けたことにより、この反射膜３２で反射する光は散乱光となる。
【００５０】
反射膜３２は個々の表示ドット領域Ｄ内に開口Ｋを有する。この開口Ｋが設けられた領域がドット内透過領域Ｔであり、反射膜３２が設けられた領域がドット内反射領域Ｒである。反射領域Ｒでは、矢印Ａ方向で示す観察側から入射する光Ｌ５が反射膜３２で反射して液晶層１６へ供給される。一方、透過領域Ｔでは、照明装置４から出射した光Ｌ６が開口Ｋを通過して液晶層１６へ供給される。
【００５１】
反射膜３２の上に形成された着色要素３３は、個々の表示ドット領域Ｄに対応して複数設けられている。そして個々の着色要素３３は、３原色である青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）の３色のいずれか１色の光を通過させることができるフィルタとして形成されている。これら各色の着色要素３３の集まりによってカラーフィルタが形成されている。異なる色の複数の着色要素３３の平面的な並べ方としては、従来から、種々提案されているが、本実施形態では図３に示すように、ライン配線１７すなわちデータ線の延在方向にＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、帯状電極３６すなわち走査線の延在方向にＢ，Ｇ，Ｒの各色が表示ドット領域Ｄ毎に順々に並べられる配列、いわゆるストライプ配列が採用されている。もちろん、ストライプ配列以外の配列、例えばデルタ配列、モザイク配列等を採用することもできる。
【００５２】
複数の表示用ドット領域Ｄの間の領域は格子形状の領域Ｓとなっている。この領域Ｓは、表示のコントラストを高くするために遮光領域とされる領域である。本明細書ではこの遮光領域をドット間遮光領域と呼ぶことにする。ドット間遮光領域Ｓは、図２に示すように、異なる３色の着色要素３３を重ねることによって形成されている。本実施形態では、カラーフィルタの形成にあたって、青色、緑色、赤色の順番で各着色要素３３を形成するものとする。従って、ドット間遮光領域Ｓにおける着色要素３３の積層構造は第２基板１２ｂから見て青色、緑色、赤色の順番である。なお、ドット間遮光領域Ｓ内の積層構造は３色重ね構造に限られず、青色、緑色、赤色の３色のうちのいずれか２色の組合せでも良い。
【００５３】
各色の着色要素３３の上に形成されたオーバーコート層３４は、帯状電極２３ｂが形成される面を滑らかな平面にして、帯状電極２３ｂに断線が発生することを防止するためのものである。本実施形態では、このオーバーコート層３４に関して、表示ドット領域Ｄ内の透過領域Ｔに対応して凹部３７を形成してある。従って、セルギャップＧには透過領域Ｔの所に凹部３７に対応する窪みが形成されている。このため、液晶層１６の層厚は、透過領域Ｔで厚く、反射領域Ｒで薄くなっている。なお、本実施形態では凹部３７の所にオーバーコート層３４が全く無い状態になっているが、この凹部３７に反射領域Ｒの部分よりも薄いオーバーコート層３４を形成しても良い。この場合でも、液晶層１６の層厚を、透過領域Ｔで厚く、反射領域Ｒで薄くすることができる。
【００５４】
図２から理解できるように、反射領域Ｒで反射する光Ｌ５は液晶層１６を２回通過する。一方、透過領域Ｔを通過する光Ｌ６は液晶層１６を１回だけ通過する。従って、仮に透過領域Ｔと反射領域Ｒとの間で液晶層１６の層厚が同じであるとすると、それらの領域間で色の見え方に違いが生じ、カラー表示品質が低下する。これに対し、本実施形態のように、透過領域Ｔの液晶層厚を厚くし、反射領域Ｒの液晶層厚を薄くすれば、両領域間での色の見え方を均等にすることができる。このように透過領域Ｔと反射領域Ｒとの間で液晶層１６の層厚に差を持たせる構造は、マルチギャップ構造と呼ばれることがある。
【００５５】
素子基板９ａ上に設けられる複数のフォトスペーサ２２が、個々のスペーサ遮光膜１９に対応する領域あって、個々のドット電極２１上に形成されることは既述した。これらのフォトスペーサ２２は配向膜２３ａ及び２３ｂを介して相手側の基板９ｂに当たることにより、セルギャップＧの間隔を一定に維持するように機能する。これらのフォトスペーサ２２は、ドット間遮光領域Ｓを避けて表示ドット領域Ｄ内に設けられる。また、フォトスペーサ２２は、窪みである透過領域Ｔを避けて反射領域Ｒ内に設けられる。
【００５６】
ドット間遮光領域Ｓは狭くてその表面にでこぼこが生じ易い領域である。これに対し、表示ドット領域Ｄはその表面が平坦である。従って、フォトスペーサ２２をドット間遮光領域Ｓではなくて表示ドット領域Ｄに対応して形成するようにすれば、フォトスペーサ２２によるセルギャップＧに対する間隔維持機能、従って液晶層１６の層厚に対する厚さ維持機能を良好に発揮することができる。
【００５７】
また、本実施形態のようにマルチギャップ構造を採用した場合には、個々の表示ドット領域Ｄ内で透過領域Ｔに対応する部分に窪みが生じる。従って、仮に、透過領域Ｔに対応する部分にフォトスペーサ２２を形成すると、フォトスペーサ２２によってセルギャップＧを一定に維持するということが上記の窪みの影響により難しくなると考えられる。これに対し、本実施形態のように、フォトスペーサ２２を窪みである透過領域Ｔを避けて反射領域Ｒ内に設けることにすれば、反射領域Ｒは平坦であるので、フォトスペーサ２２によってセルギャップＧを極めて正確に一定の間隔に維持できる。
【００５８】
なお、図３では、フォトスペーサ２２が青色（Ｂ），緑色（Ｇ），赤色（Ｒ）の各色の表示ドット領域Ｄに対応して形成されることを図示しているが、これに代えて、青色，緑色，赤色の３色のうちの青色だけに対応させてフォトスペーサ２２を設け、他の２色の所にはフォトスペーサ２２を設けないという構成を採用することもできる。
【００５９】
図５は、図１の液晶表示装置１の電気的な等価回路を示している。図５において、複数本の走査線３６’が行方向Ｘに延びるように形成され、さらに、複数本のデータ線１７’が列方向Ｙに延びるように形成されている。走査線３６’は図３の帯状電極３６によって実現され、データ線１７’は図３のライン配線１７によって実現される。表示用ドット領域Ｄは走査線３６’とデータ線１７’との各交差部分に形成される。各表示用ドット領域Ｄにおいては、液晶層１６と、ＴＦＤ素子１８とが直列に接続されている。
【００６０】
本実施形態では、液晶層１６が走査線３６’の側に接続され、ＴＦＤ素子１８がデータ線１７’の側に接続されている。各走査線３６’は、走査線駆動回路３ａによって駆動される。一方、各データ線１７’は、データ線駆動回路３ｂによって駆動される。走査線駆動回路３ａ及びデータ線駆動回路３ｂは図１の駆動用ＩＣ３によって構成される。駆動用ＩＣ３は、共通のＩＣによって両駆動回路３ａ及び３ｂを賄うものであっても良いし、あるいは、両駆動回路３ａ及び３ｂを個別のＩＣに割り当てても良い。
【００６１】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６２】
反射型表示を行う場合、図２において、観察側Ａの方向から素子基板９ａを通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ５は、液晶層１６を通過してカラーフィルタ基板９ｂ内へ入った後、反射部Ｒにおいて反射膜３２で反射して再び液晶層１６へ供給される。他方、透過型表示を行う場合、図１の照明装置４のＬＥＤ７が点灯し、それからの光が導光体８の光入射面８ａから導光体８へ導入され、さらに、光出射面８ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ６で示すように透過部Ｔにおいて開口Ｋを通って液晶層１６へ供給される。
【００６３】
以上のようにして液晶層１６へ光が供給される間、素子基板９ａ側のドット電極２１とカラーフィルタ基板９ｂ側の帯状電極３６との間には、走査信号及びデータ信号によって特定される表示用ドット領域Ｄに所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１６内の液晶分子の配向がＴＮ構造と垂直配向との間で表示用ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１６に供給された光が表示用ドット領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、素子基板９ａ側の偏光板１４ａ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１４ａの偏光特性に従って表示用ドット領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、素子基板９ａの表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６４】
以上に説明した液晶表示装置１においては、フォトスペーサ２２を設けたことにより、そのフォトスペーサ２２の周辺で液晶分子の配向不良が発生するおそれがあり、それに対応して矢印Ａがある観察側へ光漏れが発生するおそれがある。しかしながら、本実施形態によれば、フォトスペーサ２２と第１透光性基板１２ａとの間にスペーサ遮光膜１９を設けたので、そのような光漏れがスペーサ遮光膜１９によって遮光されて外部からは視認されないことになる。それ故、液晶表示装置１の表示品質を高く維持できる。
【００６５】
また、スペーサ遮光膜１９は、スイッチング素子であるＴＦＤ素子１８を構成する要素のうちの少なくとも１つ、具体的には、図４のＴＦＤ素子１８を構成する要素である第１金属２６若しくは第２金属２８のいずれか、又は第１金属２６と第２金属２８の積層構造によって形成されている。従って、スペーサ遮光膜１９を形成するに際して特別の材料及び専用の工程を設ける必要がなく、それ故、材料コスト及び製造コストの両方を低く抑えることができる。
【００６６】
本実施形態において、ドット間遮光領域Ｓには表示のコントラストを高めるために、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色の着色要素３３を重ねて成るブラックマスクが形成されている。このブラックマスクの幅はかなり狭く、その表面は必ずしも平坦ではない。このようなブラックマスクに対向してフォトスペーサ２２を設けることにすると、ブラックマスクが細くて平坦でないが故に、フォトスペーサ２２によって液晶層の層厚を均一に維持することが難しくなる。これに対し、本実施形態では、フォトスペーサ２２を表示ドット領域Ｄ内に設けた。この表示ドット領域Ｄはドット間遮光領域Ｓに比べて平坦であるので、フォトスペーサ２２は液晶層１６の層厚を液晶パネル２の全面にわたって均一に保持できる。
【００６７】
上記のように本実施形態では、異なる色の着色要素３３を重ねることにより、ドット間遮光領域Ｓ内にブラックマスクを形成した。このように着色材料の重ね構造によってドット間遮光領域Ｓを形成すると、そのドット間遮光領域Ｓは幅が細くて凹凸の多い表面形状となる。仮に、このようなドット間遮光領域Ｓに対向してフォトスペーサ２２を設けると、フォトスペーサ２２によって液晶層１６の層厚を均一に維持しようという機能が不十分となるおそれがある。これに対し、本実施形態のように、ドット間遮光領域Ｓを避けてフォトスペーサ２２を表示ドット領域Ｄ内に設けるようにすれば、表示ドット領域Ｄ内は平坦であるので、フォトスペーサ２２によって液晶層１６の層厚を均一に維持する機能を十分に発揮できる。
【００６８】
なお、図３に示した実施形態では、青色、緑色、赤色の３色の着色要素３３を個々に含む全ての表示ドット領域Ｄに対応してフォトスペーサ２２を設けたが、これに代えて、青色の表示ドット領域Ｄのみに対応してフォトスペーサ２２設けるようにしても良い。青色は、赤色及び緑色に比べて光漏れ等といった光学的な不良が目立たない色である。従って、この青色に対してフォトスペーサ２２を設ければ、仮にフォトスペーサ２２を設けることによって液晶層１６に配向不良が発生する場合でも、その不良を最も目立たない状態に抑えることができる。
【００６９】
本実施形態の液晶表示装置１は、半透過反射型の液晶表示装置である。つまり、表示ドット領域Ｄは光を透過するドット内透過領域Ｔと、光を反射するドット内反射領域Ｒとを有する。この条件下において、フォトスペーサ２２はドット内反射領域Ｒに設けられている。ドット内反射領域Ｒは光を反射するための反射膜３２が設けられる領域であり、比較的平坦な領域である。他方、ドット内透過領域Ｔは反射膜３２が設けられない領域であるので、ドット内反射領域３２に対して窪んだ領域である。従って、仮にドット内透過領域Ｔに対応してフォトスペーサ２２を設けるようにすると、上記の窪みの影響でフォトスペーサ２２による間隔維持機能を十分に発揮できないおそれがある。それに対し、フォトスペーサ２２をドット内反射領域Ｒに対応して設けるようにすれば、その反射領域Ｒは平坦であるが故に、フォトスペーサ２２によって間隔を均一に維持できる。
【００７０】
本実施形態の液晶表示装置１は、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置である。つまり、ドット内透過領域Ｔに対応する液晶層１６の層厚は、ドット内反射領域Ｒに対応する液晶層１６の層厚よりも厚く設定されている。このようなマルチギャップ構造の液晶表示装置１においては、ドット内透過領域Ｔには液晶層１６の層厚を厚くするための窪みが形成される。従って、この透過領域Ｔに対向してフォトスペーサ２２が設けられるものとすると、上記の窪みの影響でフォトスペーサ２２による間隔維持機能を十分に発揮できないおそれがある。それに対し、フォトスペーサ２２をドット内反射領域Ｒに対応して設けるようにすれば、その反射領域Ｒは平坦であるが故に、フォトスペーサ２２によって液晶層１６の厚さ、つまりセルギャップＧの間隔を均一に維持できる。
【００７１】
本実施形態においては、素子基板９ａの液晶層１６と反対側の面が観察側の面である。この観察側の面には、図１に示すように、位相差板１３ａ及び偏光板１４ａが設けられている。このようにスペーサ遮光膜１９（図２参照）に対して位相差板１３ａ及び偏光板１４ａが設けられていると、図６に関連して説明したように、スペーサ遮光膜１９の反射光が偏光板１４によってその進行を阻止されるので、その反射光が偏光板１４の外側から視認できない状態となる。つまり、本実施形態でフォトスペーサ２２の所にスペーサ遮光膜１９を設けた場合、さらに位相差板１３及び偏光板１４を設ければ、スペーサ遮光膜１９で反射した反射光が外部に出ないので、液晶表示装置１を外部から観察したとき、スペーサ遮光膜１９が光って見えることを防止できる。これにより、フォトスペーサ２２及びスペーサ遮光膜１９を設けたことによって液晶表示装置１の表示品質が低下することを防止できる。
【００７２】
（電気光学装置の第２実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明で参照する図面では特徴的な部分を分かり易く説明するために、複数の要素間で寸法比が実際のものと異なっていることに留意すべきである。
【００７３】
これから説明する実施形態は、スイッチング素子として３端子型のアクティブ素子であるＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。この液晶表示装置の外観形状は図１に示したものと同じである。但し、本実施形態の液晶表示装置は符号４１によって表わすものとする。図８は図１において矢印Ｐで示す画素部分の断面構造を示している。また、図９は図８におけるＣ−Ｃ線に従った平面構造を示している。
【００７４】
本実施形態の液晶表示装置４１の主要部分を示す図８及び図９において、先の実施形態の説明で用いた図２及び図３に示した要素と同じ要素は同じ符号を用いて示すことにしてそれらの説明は省略する。図８及び図９で示す本実施形態が図２等に示した先の実施形態と大きく異なる点は、スイッチング素子としてＴＦＤ素子１８（図２及び図３参照）に代えてＴＦＴ素子５８を設けたことである。
【００７５】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子５８はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子５８は、図１０に示すように、ゲート電極５１、ゲート絶縁膜５２、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層５３、ソース電極５４、そしてドレイン電極５６を有する。ドレイン電極５６は、その一端が半導体層５３に接続し、その他端がドット電極２１に接続する。ソース電極５４は図１０の紙面垂直方向に延びるソース電極線５４’の一部として形成されている。また、ゲート電極５１は、ソース電極線５４’と直角の方向すなわち図１０の左右方向に延びるゲート電極線５１’から延びている。
【００７６】
ＴＦＴ素子５８を用いた本実施形態では、図８においてカラーフィルタ基板９ｂに形成される電極３６は帯状電極ではなくて基板１２ｂの全面にわたって設けられる共通電極である。また、素子基板９ａ上には、図９に示すように、ソース電極線５４’及びゲート電極線５１’が互いに直角に延びるように形成されている。そして、それらの電極線の各交差部分にＴＦＴ素子５８が形成されている。
【００７７】
本実施形態の場合でも、セルギャップＧの間隔、すなわち液晶層１６の層厚は、フォトスペーサ２２によって保持されている。また、フォトスペーサ２２の根元部分と第１基板１２ａとの間にはスペーサ遮光膜１９が形成されている。このスペーサ遮光膜１９の働きにより、フォトスペーサ２２の周辺で発生するおそれがある光漏れを防止している。スペーサ遮光膜１９は、ＴＦＴ素子５８を構成している上記の各要素のいずれか１つ又は２つ以上と同じ材料によって同じ工程で形成される。これにより、スペーサ遮光膜１９を設けるにあたって材料コストや製造コストが高くなることを防止できる。
【００７８】
図１１は、図８の液晶表示装置４１の電気的な等価回路を示している。図１１において、複数本の走査線５１”が行方向Ｘに延びるように形成される。また、複数本のデータ線５４”が列方向Ｙに延びるように形成されている。走査線５１”は図９のゲート電極線５１’によって実現され、データ線５４”は図９のソース電極線５４’によって実現される。表示用ドット領域Ｄは走査線５１”とデータ線５４”との各交差部分に形成される。各表示用ドット領域Ｄにおいては、ＴＦＴ素子５８とドット電極２１とが直列に接続されている。各走査線５１”は、走査線駆動回路３ａによって駆動される。一方、各データ線５４”は、データ線駆動回路３ｂによって駆動される。走査線駆動回路３ａ及びデータ線駆動回路３ｂは図１の駆動用ＩＣ３によって構成される。駆動用ＩＣ３は、共通のＩＣによって両駆動回路３ａ及び３ｂを賄うものであっても良いし、あるいは、両駆動回路３ａ及び３ｂを個別のＩＣに割り当てても良い。
【００７９】
走査信号はＴＦＴ素子５８のゲートへ送られ、データ信号はＴＦＴ素子５８のソースへ送られる。ＴＦＴ素子５８がＯＮ状態になると、対応するドット電極２１への通電が成されて対応する表示用ドット領域Ｄ内の液晶への書き込みが行われる。また、引き続いてＴＦＴ素子５８がＯＦＦ状態になると、書き込まれた状態が保持される。この一連の書き込み動作及び保持動作により、液晶分子がＴＮ構造と垂直配向との間で制御される。
【００８０】
本実施形態に係る液晶表示装置４１においても、図８に示すように、フォトスペーサ２２の根元部分にスペーサ遮光膜１９を設けたことにより、図２に示した先の実施形態の場合と同じ効果を得ることができる。すなわち、フォトスペーサ２２の周辺では液晶分子の配向不良に起因して光漏れが発生するおそれがあるが、スペーサ遮光膜１９の働きにより、そのような光漏れが外部で視認されることを防止できる。
【００８１】
また、スペーサ遮光膜１９は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子５８を構成する要素のうちの少なくとも１つによって形成されるので、スペーサ遮光膜１９を形成するに際して特別の材料及び専用の工程を設ける必要がなく、それ故、材料コスト及び製造コストの両面で有利である。
【００８２】
（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法を図１に示したＴＦＤ素子を用いた液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図７はその製造方法の一実施形態を示している。図７の工程Ｐ１〜工程Ｐ６に至る工程は図１の素子基板９ａを形成する工程である。また、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１７に至る工程は図１のカラーフィルタ基板９ｂを形成する工程である。また、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２８に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
【００８３】
なお、本実施形態では、図１に示す素子基板９ａ及びカラーフィルタ基板９ｂを１つずつ形成するのではなく、素子基板９ａに関しては、複数の素子基板９ａを形成できる大きさの面積を有する素子基板用マザー透光性基板の上に素子基板９ａの複数個分の膜要素等を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板９ｂに関しては、複数のカラーフィルタ基板９ｂを形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ基板用マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板９ｂの複数個分の膜要素等を同時に形成するものとする。
【００８４】
まず、図７の工程Ｐ１において、大面積である素子基板用マザー透光性基板を用意する。このマザー透光性基板は、透光性を有するガラス、プラスチック等によって形成される。このマザー透光性基板の表面に図４のＴＦＤ素子１８及びライン配線１７を形成する。具体的には、図４において、ライン配線１７の第１層１７ａ及びＴＦＤ素子１８の第１金属２６をタンタルを材料としてフォトエッチング処理によって所定の形状に形成する。次に、ライン配線１７の第２層１７ｂ及びＴＦＤ素子１８の絶縁層２７を陽極酸化処理によって、それぞれ、第１層１７ａ及び第１金属２６を覆うように形成する。次に、ライン配線１７の第３層１７ｃ及びＴＦＤ素子１８の第２金属２８をクロムを材料としてフォトエッチング処理によって、それぞれ、第２層１７ｂ及び絶縁層２７を覆うように形成する。
【００８５】
また、このＴＦＤ素子の形成工程において、図２のスペーサ遮光膜１９を同時に形成する。例えば、ＴＦＤ素子１８の第１金属２６と同じタンタルの単層によって、又は第２金属２８と同じクロムの単層によって、又はタンタルとクロムの積層構造によってスペーサ遮光膜１９を形成する。次に、工程Ｐ２において、図４のＴＦＤ素子１８の第２ＴＦＤ要素１８ｂの第２金属２８に重なるようにドット電極２１をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定の形状に形成する。
【００８６】
次に、工程Ｐ３において、図２のフォトスペーサ２２を感光性樹脂、例えばネガレジスト材を材料としてフォトリソグラフィ処理によって所定の位置に所定の形状で形成する。次に、工程Ｐ４において、図２の配向膜２３ａをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、工程Ｐ５において、その配向膜２３ａにラビング処理を施して配向性を付与する。次に、工程Ｐ６において、図１のシール材１１をエポキシ系樹脂を材料として印刷等によって形成する。以上により、大面積の素子基板用マザー基板の上に素子基板９ａの複数個分の膜要素等が形成されて、素子基板９ａ側の大面積のマザー素子基板が形成される。
【００８７】
他方、図７の工程Ｐ１１において、大面積であるカラーフィルタ基板用マザー透光性基板を用意する。このマザー透光性基板も、透光性を有するガラス、プラスチック等によって形成される。このマザー透光性基板の表面に図２の樹脂層３１を形成する。また、樹脂層３１の表面に凹凸形状を形成する。次に、工程Ｐ１２において、図２の反射膜３２をＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口Ｋを形成する。
【００８８】
次に、工程Ｐ１３において、図２の着色要素３３を青色（Ｂ），緑色（Ｇ），赤色（Ｒ）の順番で所定のパターン、例えばストライプ配列となるように形成してカラーフィルタを作成する。これらの着色要素３３は、例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成できる。なお、カラーフィルタを作成する際、図２のドット間遮光領域Ｓに異なる色の複数の着色要素３３を重ねることにより遮光部材、すなわちブラックマスクを形成する。
【００８９】
次に、工程Ｐ１４において、ブラックマスク及び着色要素３３の上にオーバーコート層３４をアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、工程Ｐ１５において、図２の帯状電極３６をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。次に、工程Ｐ１６において、配向膜２３ｂをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成し、さらに、工程Ｐ１７において、その配向膜２３ｂに対して配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、大面積のカラーフィルタ基板用マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板９ｂの複数個分の膜要素等が形成されて、カラーフィルタ基板９ｂ側の大面積のマザーカラーフィルタ基板が形成される。
【００９０】
以上のようにして２つのマザー基板、すなわち、マザー素子基板とマザーカラーフィルタ基板とが形成されると、その後、図７の工程Ｐ２１において、それら両方のマザー基板をアライメント、すなわち位置合わせして、さらに両者を貼り合わせる。次に、工程Ｐ２２において、図１のシール材１１を加熱又は紫外線照射によって硬化させて、両マザー基板を接着する。これにより、図１の液晶パネル２であって未だ液晶が封止されていない状態の液晶パネル２を複数個含む状態の大面積のパネル構造体が形成される。
【００９１】
次に、上記の大面積のパネル構造体を、工程Ｐ２３において１回目の切断、すなわち１次ブレイクを行って、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数、形成する。シール材１１には、予め、その適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１１の開口が外部へ露出する。次に、工程Ｐ２４において、上記のシール材１１の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶、本実施形態の場合はＴＮ液晶を注入する。その注入の完了後、シール材の開口を樹脂によって封止する。
【００９２】
次に、工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。次に、工程Ｐ２６において、図１の駆動用ＩＣ３を素子基板９ａの張出し部２９に実装する。次に、工程Ｐ２７において、素子基板９ａ及びカラーフィルタ基板９ｂの外側の表面に位相差板１３ａ，１３ｂ及び偏光板１４ａ，１４ｂを貼着する。次に、工程Ｐ２８において、照明装置４を液晶パネル２に取り付ける。これにより、ＴＦＤ型の液晶表示装置１が完成する。
【００９３】
以上に説明した液晶表示装置の製造方法によれば、図２のようにフォトスペーサ２２及びスペーサ遮光膜１９を有する液晶表示装置１を確実に製造できる。また、スペーサ遮光膜１９はＴＦＤ素子１８の構成要素と同じ工程で同じ材料によって形成されるので、部品コスト及び製造コストの両面でコストを低く抑えることができる。
【００９４】
（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を図１に示したＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置４１を製造する場合を例に挙げて説明する。図１２はその製造方法の一実施形態を示している。図１２の工程Ｐ３１〜工程Ｐ３６に至る工程は図１の素子基板９ａを形成する工程である。また、工程Ｐ４１〜工程Ｐ４７に至る工程は図１のカラーフィルタ基板９ｂを形成する工程である。また、工程Ｐ５１〜工程Ｐ５８に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
【００９５】
なお、本実施形態では、図１に示す素子基板９ａ及びカラーフィルタ基板９ｂを１つずつ形成するのではなく、素子基板９ａに関しては、複数の素子基板９ａを形成できる大きさの面積を有する素子基板用マザー透光性基板の上に素子基板９ａの複数個分の膜要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板９ｂに関しては、複数のカラーフィルタ基板９ｂを形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ基板用マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板９ｂの複数個分の膜要素等を同時に形成するものとする。
【００９６】
まず、図１２の工程Ｐ３１において、大面積である素子基板用マザー透光性基板を用意する。このマザー透光性基板は、透光性を有するガラス、プラスチック等によって形成される。このマザー透光性基板の表面に図１０のＴＦＴ素子５８をフォトエッチング処理等を用いて所定の積層構造に形成する。また、同時に、図９のゲート電極線５１’及びソース電極線５４’を形成する。また、このＴＦＴ素子の形成工程において、図８のスペーサ遮光膜１９を同時に形成する。例えば、ＴＦＴ素子５８のゲート電極５１、ソース電極５４及びドレイン電極５６のいずれか１つ又はいくつかの組合せによってスペーサ遮光膜１９を形成する。
【００９７】
次に、工程Ｐ３２において、図１０のＴＦＤ素子５８のドレイン電極５６に重なるようにドット電極２１をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定の形状に形成する。次に、工程Ｐ３３において、図１０のフォトスペーサ２２を感光性樹脂、例えばネガレジスト材を材料としてフォトリソグラフィ処理によって所定の位置に所定の形状で形成する。次に、工程Ｐ３４において、図１０の配向膜２３ａをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、工程Ｐ３５において、その配向膜２３ａにラビング処理を施して配向性を付与する。次に、工程Ｐ３６において、図１のシール材１１をエポキシ系樹脂を材料として印刷等によって形成する。以上により、大面積の素子基板用マザー透光性基板の上に素子基板９ａの複数個分の膜要素等が形成されて、素子基板９ａ側の大面積のマザー素子基板が形成される。
【００９８】
他方、図１２の工程Ｐ４１において、大面積であるカラーフィルタ基板用マザー透光性基板を用意する。このマザー透光性基板も、透光性を有するガラス、プラスチック等によって形成される。このマザー透光性基板の表面に図８の樹脂層３１を形成する。また、樹脂層３１の表面に凹凸形状を形成する。次に、工程Ｐ１２において、図２の反射膜３２をＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口Ｋを形成する。
【００９９】
次に、工程Ｐ４３において、図８の着色要素３３を青色（Ｂ），緑色（Ｇ），赤色（Ｒ）の順番で所定のパターン、例えばストライプ配列となるように形成してカラーフィルタを作成する。これらの着色要素３３は、例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成できる。なお、カラーフィルタを作成する際、図８のドット間遮光領域Ｓに異なる色の複数の着色要素３３を重ねることにより遮光部材、すなわちブラックマスクを形成する。
【０１００】
次に、工程Ｐ４４において、ブラックマスク及び着色要素３３の上にオーバーコート層３４をアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、工程Ｐ４５において、図８の共通電極３６をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。次に、工程Ｐ４６において、配向膜２３ｂをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成し、さらに、工程Ｐ４７において、その配向膜２３ｂに対して配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、大面積のカラーフィルタ基板用マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板９ｂの複数個分の膜要素等が形成されて、カラーフィルタ基板９ｂ側の大面積のマザーカラーフィルタ基板が形成される。
【０１０１】
以上のようにして２つのマザー基板、すなわち、マザー素子基板とマザーカラーフィルタ基板とが形成されると、その後、図１２の工程Ｐ５１において、それら両方のマザー基板をアライメント、すなわち位置合わせして、さらに両者を貼り合わせる。次に、工程Ｐ５２において、図１のシール材１１を加熱又は紫外線照射によって硬化させて、両マザー基板を接着する。これにより、図１の液晶パネル２であって未だ液晶が封止されていない状態の液晶パネル２を複数個含む状態の大面積のパネル構造体が形成される。
【０１０２】
次に、上記の大面積のパネル構造体に対して、工程Ｐ５３において１回目の切断、すなわち１次ブレイクを行って、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数、形成する。シール材１１には、予め、その適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１１の開口が外部へ露出する。次に、工程Ｐ５４において、上記のシール材１１の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶、本実施形態の場合はＴＮ液晶を注入する。その注入の完了後、シール材の開口を樹脂によって封止する。
【０１０３】
次に、工程Ｐ５５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。次に、工程Ｐ５６において、図１の駆動用ＩＣ３を素子基板９ａの張出し部２９に実装する。次に、工程Ｐ５７において、素子基板９ａ及びカラーフィルタ基板９ｂの外側の表面に位相差板１３ａ，１３ｂ及び偏光板１４ａ，１４ｂを貼着する。次に、工程Ｐ５８において、照明装置４を液晶パネル２に取り付ける。これにより、ＴＦＴ型の液晶表示装置４１が完成する。
【０１０４】
以上に説明した液晶表示装置の製造方法によれば、図８のようにフォトスペーサ２２及びスペーサ遮光膜１９を有する液晶表示装置４１を確実に製造できる。また、スペーサ遮光膜１９はＴＦＴ素子５８の構成要素と同じ工程で同じ材料によって形成されるので、部品コスト及び製造コストの両面でコストを低く抑えることができる。
【０１０５】
（電気光学装置及びその製造方法に関するその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明に係る電気光学装置及びその製造方法を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１０６】
例えば、上記実施形態ではＴＮ型の液晶を用いたが、本発明は、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型の液晶を用いた液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、ＢＴＮ（Bi-stable Twisted Nematic）型、強誘電型等といったメモリ性を有する双安定型の液晶や、高分子分散型の液晶を用いた液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（いわゆる、ゲスト）を一定の分子配列の液晶（いわゆる、ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたＧＨ（ゲストホスト）型の液晶を用いた液晶表示装置にも適用できる。
【０１０７】
また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向（いわゆる、ホメオトロピック配向）の液晶を用いた液晶表示装置にも本発明は適用できる。また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平行配向又は水平配向（いわゆる、ホモジニアス配向）の液晶を用い液晶表示装置にも本発明は適用できる。
【０１０８】
また、上記実施形態では、スイッチング素子であるＴＦＴ素子をアモルファスシリコンを用いて形成したが、ポリシリコンを用いてＴＦＴ素子を形成することもできる。
【０１０９】
また、上記実施形態では電気光学装置として液晶表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールドエミッションディスプレイ装置（すなわち、電界放出表示装置）等といった各種の電気光学装置にも適用できる。
【０１１０】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１１１】
図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７１、表示情報処理回路７２、電源回路７３、タイミングジェネレータ７４及び液晶表示装置７５によって構成される。そして、液晶表示装置７５は液晶パネル７６及び駆動回路７７を有する。
【０１１２】
表示情報出力源７１は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７４により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７２に供給する。
【０１１３】
次に、表示情報処理回路７２は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７７へ供給する。ここで、駆動回路７７は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７３は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１１４】
液晶表示装置７５は、例えば、図１に示した液晶表示装置１又は液晶表示装置４１を用いて構成できる。液晶表示装置１や液晶表示装置４１では、フォトスペーサ２２（図２、図８等参照）を設けたことにより、そのフォトスペーサ２２の周辺で液晶分子の配向不良が発生し、それに対応して光漏れが発生するおそれがある。しかしながら、本発明によれば、フォトスペーサ２２と透光性基板１２ａとの間にスペーサ遮光膜１９を設けたので、そのような光漏れがスペーサ遮光膜１９によって遮光されて外部からは視認されないことになり、液晶表示装置１，４１の表示品質を高く維持できるようになった。従って、この液晶表示装置１，４１を用いた本電子機器においても、表示品質が高く見易い表示を行うことができる。
【０１１５】
また、液晶表示装置１，４１において、スペーサ遮光膜１９は、ＴＦＤ素子１８やＴＦＴ素子５８等といったスイッチング素子を構成する複数の要素のうちの少なくとも１つと同じ材料によって形成するようにしたので、スペーサ遮光膜１９を形成するに際して特別の材料及び専用の工程を設ける必要がなく、それ故、コストを低く抑えることができた。従って、この液晶表示装置１，４１を用いた本電子機器においても、コストを低く抑えることができる。
【０１１６】
図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機８０は、ヒンジ８１を中心として折り畳み可能な第１ボディ８２ａと第２ボディ８２ｂとを有する。そして、第１ボディ８２ａには、液晶表示装置８３と、受話口８４と、アンテナ８６とが設けられる。また、第２ボディ８２ｂには、複数の操作ボタン８７と、送話口８８とが設けられる。液晶表示装置８３を、図１の液晶表示装置１や、液晶表示装置４１を用いて構成すれば、光漏れ等といった不良を発生することが無くて表示品質が高い表示部を低いコストで作ることができる。
【０１１７】
（電子機器に関するその他の実施形態）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機、携帯情報端末機、その他の電子機器で各種の表示を行う際に表示用の機器として好適に用いられる。また、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、フォトスペーサによってセルギャップを維持する構造の気光学装置を製造する際に好適に用いられる。また、本発明に係る電子機器は携帯電話機、携帯情報端末機等といった民生機器や、計測器その他の工業用機器等として用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１の矢印Ｐで示す画素部分の断面図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ線に従った平面図である。
【図４】ＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
【図５】図１に示す電気光学装置の等価回路を示す図である。
【図６】スペーサ遮光膜の光学的特性を説明するための図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置の他の実施形態の主要部を示す断面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線に従った平面図である。
【図１０】ＴＦＴ素子の一例を示す断面図である。
【図１１】図８に示す電気光学装置の等価回路を示す図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１２０】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル（電気光学パネル）、
３．駆動用ＩＣ、  ４．照明装置、  ６．ＦＰＣ、  ７．ＬＥＤ、  ８．導光体、
８ａ．光入射面、  ８ｂ．光出射面、  ９ａ．素子基板、  ９ｂ．カラーフィルタ基板、
１１．シール材、  １２ａ．第１透光性基板、  １２ｂ．第２透光性基板、
１３ａ，１３ｂ．位相差板、  １４ａ，１４ｂ．偏光板、  １６．液晶層、
１７．ライン配線、  １７’．データ線、  １８．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、
１８ａ．第１ＴＦＤ要素、  １８ｂ．第２ＴＦＤ要素、  １９．スペーサ遮光膜、
２１．ドット電極、  ２２．フォトスペーサ、  ２３ａ，２３ｂ．配向膜、
２６．第１金属、  ２７．絶縁膜、  ２８．第２金属、  ２９．張出し部、
３１．樹脂層、  ３２．反射膜、  ３３．着色要素、  ３４．オーバーコート層、
３６．電極、  ３６’．走査線、  ３７．凹部、
４１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ５１．ゲート電極、  ５１’．ゲート電極線、
５１”．走査線、  ５２．ゲート絶縁膜、  ５３．半導体層、  ５４．ソース電極、
５４’．ソース電極線、  ５４”．データ線、  ５６．ドレイン電極、
５８．ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、  ８０．携帯電話機（電子機器）、
Ｄ．表示ドット領域、  Ｇ．セルギャップ、  Ｋ．開口、  Ｐ．画素部分、
Ｒ．ドット内反射領域、  Ｔ．ドット内透過領域、  Ｖ．有効表示領域、
Ｓ．ドット間遮光領域
【図１】
2006053378.tif 000003
【図２】
2006053378.tif 000004
【図３】
2006053378.tif 000005
【図４】
2006053378.tif 000006
【図５】
2006053378.tif 000007
【図６】
2006053378.tif 000008
【図７】
2006053378.tif 000009
【図８】
2006053378.tif 000010
【図９】
2006053378.tif 000011
【図１０】
2006053378.tif 000012
【図１１】
2006053378.tif 000013
【図１２】
2006053378.tif 000014
【図１３】
2006053378.tif 000015
【図１４】
2006053378.tif 000016