(57)【要約】【課題】  基板の裏面全体を洗浄するとともに、周縁エッチング幅を正確に、しかも周面全体にわたって均一に制御しながら基板の表面周縁部から不要物をエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。【解決手段】  処理容器５の同一空間内において、ベベルエッチング部１を裏面洗浄部２の上方に配置されている。未処理基板Ｗの表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま基板Ｗの裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置Ｐ1で基板Ｗを位置決めしながら、基板表面側から基板表面の周縁部に処理液を直接供給して不要物をエッチング除去する。そして、該基板Ｗを裏面洗浄部２の裏面洗浄位置Ｐ2に搬送して位置決めした後、裏面洗浄位置Ｐ2に位置決めされる基板Ｗの表面に向けて窒素ガスを吐出することで該基板Ｗを浮上させたまま、基板Ｗの裏面に処理液を供給して洗浄する。【選択図】  図９
2006100368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま前記基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で前記基板を位置決めしながら、前記基板表面側から前記基板表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング部と、
フェースダウン姿勢のまま基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させて前記ベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置で前記基板を位置決めしながら、前記基板の裏面に第２処理液を供給して洗浄する裏面洗浄部とを備え、
前記ベベルエッチング部により不要物がエッチング除去された基板をフェースダウン姿勢のまま前記ベベルエッチング位置から前記裏面洗浄位置に搬送して該基板の裏面洗浄を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ベベルエッチング部と前記裏面洗浄部とを同一空間内に収容する処理容器をさらに備え、
前記空間内で、前記ベベルエッチング部が前記裏面洗浄部の上方に配置されるとともに、
前記裏面洗浄部は、
前記基板表面に対向する支持面を有し、該支持面に設けられた吐出口から前記基板表面に向けて気体を吐出させて前記基板を略水平状態で浮上させて保持する基板浮上ヘッドと、
前記基板浮上ヘッドを上下方向に相対的に昇降駆動させることで前記基板浮上ヘッドにより浮上される前記基板を前記ベベルエッチング位置と前記裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部と
を備えた請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ベベルエッチング部と前記裏面洗浄部とを同一空間内に収容する処理容器をさらに備え、
前記ベベルエッチング部は、
基板の裏面の略中央部を吸引して保持する真空チャックと、
前記真空チャックを上下方向に相対的に昇降移動させることで前記基板を前記ベベルエッチング位置と前記裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部と
を備えた請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記昇降駆動部は前記基板浮上ヘッドにより浮上される前記基板を前記処理容器に対する基板の搬出入を行う搬出入位置に対応する基板受渡し位置に位置決め可能となっている請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板浮上ヘッドは、前記基板表面に向けて前記気体を上向きかつ前記基板の端縁側に向けて前記吐出口から吐出させることでベルヌーイ効果により前記基板を前記支持面に近接状態で吸着させながら浮上させる請求項２または４記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま前記基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で前記基板を位置決めしながら、前記基板表面側から前記基板表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング工程と、
前記ベベルエッチング工程を受けた基板をフェースダウン姿勢のまま前記ベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置に搬送して位置決めする搬送工程と、
前記裏面洗浄位置に位置決めされる基板の表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させたまま、前記基板の裏面に第２処理液を供給して洗浄する裏面洗浄工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に、エッチング液やリンス液などの処理液を供給して基板に所定の処理を行う基板処理装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板の裏面あるいは表面端部にも成膜されることがある。しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板の表面のみであり、基板の裏面あるいは表面周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板の裏面あるい表面端部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。  
【０００３】
そこで、基板の裏面および表面周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された装置が提案されている。この装置では、その表面に薄膜が形成された基板を基板保持手段によって保持するとともに、該基板保持手段を回転させる。また、回転している基板の裏面に対してエッチング液を供給する。このとき、基板の表面に対向する対向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた回転部材を回転させると、基板の回転および回転部材の回転によって、エッチング液は基板裏面全体に広がって基板裏面の不要物をエッチング除去するのみならず、基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込み、該周縁部の不要物をもエッチング除去する。こうして、基板の裏面および基板の表面周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２３５９４８号公報（第２−３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した基板処理は基板表面の略中央部に形成された非処理部の周辺から一定範囲の薄膜を除去するために行われるが、この除去範囲、つまり端面から内側に向かってエッチング除去される幅（以下「周縁エッチング幅」という）を正確にコントロールするのが望まれる。特に、薄膜として銅などのメタル層が基板表面に形成された場合には、上記基板処理では端面（べベル）近傍でのメタル除去を目的とするため、周縁エッチング幅を周面全体にわたって均一化することが非常に重要となっている。
【０００６】
従来装置では、周縁エッチング幅をエッチング液の回り込み量で制御していた。つまり、基板の回転数を変更することでエッチング液の回り込み量が変化し、それに応じて周縁エッチング幅が調整される。しかしながら、基板の回転数により回り込み量を安定化することが困難であり、十分な均一性で周縁エッチング幅をコントロールすることは事実上できなかった。また、周縁エッチング幅を所望値に制御するために基板の回転数を高めると、基板から飛散したエッチング液が基板周辺に配置された部材、例えば飛散処理液の捕集用カップなどに衝突し、それにより跳ね返ったエッチング液が非処理部に付着してしまうことがあった。
【０００７】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の裏面全体を洗浄するとともに、周縁エッチング幅を正確に、しかも周面全体にわたって均一に制御しながら基板の表面周縁部から不要物をエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で基板を位置決めしながら、基板表面側から基板表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング部と、フェースダウン姿勢のまま基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させてベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置で基板を位置決めしながら、基板の裏面に第２処理液を供給して洗浄する裏面洗浄部とを備え、ベベルエッチング部により不要物がエッチング除去された基板をフェースダウン姿勢のままベベルエッチング位置から裏面洗浄位置に搬送して該基板の裏面洗浄を行うことを特徴としている。
【０００９】
また、この発明にかかる基板処理方法は、基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で基板を位置決めしながら、基板表面側から基板表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング工程と、ベベルエッチング工程を受けた基板をフェースダウン姿勢のままベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置に搬送して位置決めする搬送工程と、裏面洗浄位置に位置決めされる基板の表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させたまま、基板の裏面に第２処理液を供給して洗浄する裏面洗浄工程とを備えたことを特徴としている。
【００１０】
このように構成された発明（基板処理装置および方法）では、基板表面の周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング処理と、基板裏面を洗浄する裏面洗浄処理とを分離する、いわゆる２ステップ処理を実行している。すなわち、基板表面側から基板表面の周縁部に第１処理液が供給されて該周縁部から不要物がエッチング除去される。このように、基板表面の周縁部に直接第１処理液が供給されてエッチング処理が実行されるため、回込方式の従来装置に比べて周縁エッチング幅を正確に、しかも優れた均一性でコントロールすることができる。
【００１１】
また、ベベルエッチング処理後に、基板裏面に対して裏面洗浄処理が実行される。このとき、基板表面に向けて気体が吐出されて該基板は裏面洗浄位置で浮上位置決めされている。このように基板を非接触状態で位置決めしながら裏面洗浄が行われるため、基板表面が汚染されるなどの不具合を発生させることなく、裏面洗浄を行うことができる。
【００１２】
さらに、２ステップ処理を行う際、各処理において基板の位置決め方式が同一であると、基板の位置決め支持による汚染蓄積が問題となる場合がある。これに対し、本発明では、ベベルエッチング処理では基板の裏面の略中央部を吸引して基板を位置決めするのに対し、裏面洗浄処理では基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させて位置決めしているため、基板の位置決めに伴う汚染蓄積が発生するのを効果的に防止することができる。
【００１３】
ここで、ベベルエッチング部と裏面洗浄部との配置レイアウトを考えると、例えば両者をそれぞれ個別の処理容器に収容するとともに、従来より周知の搬送機構によってベベルエッチング部から裏面洗浄部に基板を搬送するようにしてもよい。しかしながら、このような配置レイアウトを採用した場合には、(1)処理容器が２個必要となる、(2)基板の搬送距離が必然的に長くなる、等の問題が発生する。そこで、このような問題を解消するためには、例えば次のように構成するのが望ましい。すなわち、処理容器の同一空間内において、ベベルエッチング部を裏面洗浄部の上方に配置するとともに、裏面洗浄部が、基板表面に対向する支持面を有し、該支持面に設けられた吐出口から基板表面に向けて気体を吐出させて基板を略水平状態で浮上させて保持する基板浮上ヘッドと、基板浮上ヘッドを上下方向に相対的に昇降駆動させることで基板浮上ヘッドにより浮上される基板をベベルエッチング位置と裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部とを備えるように構成してもよい。また、ベベルエッチング部と裏面洗浄部とを処理容器の同一空間内に収容するとともに、ベベルエッチング部が、基板の裏面の略中央部を吸引して保持する真空チャックと、真空チャックを上下方向に相対的に昇降移動させることで基板をベベルエッチング位置と裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部とを備えるように構成してもよい。これらのように構成することで、単一の処理容器内でベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とを実行することができ、基板処理装置の小型化および低フットプリント化が可能となる。また、ベベルエッチング部と裏面洗浄部の間での基板の搬送距離が短くなり、スループットの向上を図ることができる。さらに、基板搬送を非接触状態で行うことができ、基板搬送に伴う汚染などを確実に防止することができる。
【００１４】
また、基板浮上ヘッドにより浮上される基板を処理容器に対する基板の搬出入を行う搬出入位置に対応する基板受渡し位置に位置決めすることができるように構成してもよい。このように構成することによって、基板搬入から基板搬出までの間、基板は非接触状態で搬送されることとなる。しかも、本発明にかかる基板処理装置に対して基板の搬出入を行う搬送ロボットなどの基板搬送装置の構成に合わせて搬出入位置を設定することができ、種々の基板搬送装置や基板処理システムに対して柔軟に対応することができる。
【００１５】
さらに、基板浮上ヘッドは、基板表面に向けて気体を上向きかつ基板の端縁側に向けて吐出口から吐出させることでベルヌーイ効果により基板を支持面に近接状態で吸着させながら浮上させるように構成してもよい。このように基板浮上ヘッドから基板表面に向けて気体を上向きかつ基板の端縁側に吐出させると、ベルヌーイ効果により基板を支持面へと吸着しようとする力が作用する。これにより、基板は基板浮上ヘッドの支持面に近接状態で浮上させられる。したがって、基板を基板浮上ヘッドに非接触で吸着させた状態で安定してベベルエッチング位置と裏面洗浄位置とに位置決めさせることができる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、基板表面側から基板表面の周縁部に第１処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去しているので、周縁エッチング幅を正確に、しかも優れた均一性でベベルエッチングを行うことができる。また、ベベルエッチング処理後に、基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を裏面洗浄位置で浮上位置決めしながら裏面洗浄を行うため、基板表面が汚染されるなどの不具合を発生させることなく、基板裏面全体を洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜基板処理装置＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す平面レイアウト図である。この基板処理装置では、基板表面の周縁部からメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去するベベルエッチング部１と、基板裏面を洗浄する裏面洗浄部２とが一定距離だけ離間して配置されるとともに、それらの間に基板搬送部３が配置されている。そして、ベベルエッチング部１によりベベルエッチング処理を受けた基板が基板搬送部３により裏面洗浄部２に搬送されて裏面洗浄処理が行われる。このように、本実施形態では、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とは相互に分離されており、いわゆる２ステップ処理が実行される。以下、ベベルエッチング部１と裏面洗浄部２との構成および動作について図面を参照しつつ詳述する。なお、基板搬送部３は従来より多用されている搬送ロボットを用いているため、ここでは構成および動作の説明は省略する。
【００１８】
図２はベベルエッチング部の構成を示す図である。また、図３はベベルエッチング部の部分拡大図である。このベベルエッチング部１では、真空チャック１１が設けられており、基板Ｗの表面Ｗfを下方に向けたフェースダウン姿勢のまま基板Ｗの裏面Ｗbの略中央部が真空チャック１１により吸引保持される。これにより、基板表面Ｗfに例えばメタル層やフォトレジスト層などの薄膜ＴＦを形成してなる基板Ｗがフェースダウン姿勢で、かつ略水平姿勢でベベルエッチング位置Ｐ1に位置決めされる。また、真空チャック１１の後端部には、モータ１２が連結されており、装置全体を制御する制御ユニット４からの動作指令に応じて回転駆動される。このモータ駆動により真空チャック１１が基板Ｗを保持したまま回転し、その結果、ベベルエッチング位置Ｐ1で基板Ｗが回転される。
【００１９】
また、真空チャック１１に保持された基板Ｗの外周方向には、水平方向に伸びるガイド１３Ａ，１３Ｂに沿って処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂがそれぞれ移動自在に設けられている。また、処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂにはアクチュエータ１５Ａ，１５Ｂがそれぞれ連結されており、制御ユニット４からの動作指令に応じてアクチュエータ１５Ａ，１５Ｂが作動することで処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂが基板Ｗの周縁部に近接したり（図２の実線位置）、逆に離間する（図２の破線位置）ように構成されている。なお、この実施形態では、アクチュエータ１５Ａ，１５Ｂは水平方向における処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂの移動量を連続的に設定することができるように構成されている。
【００２０】
２つの処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂはともに同一構成を有しており、薬液供給ユニット１６からエッチング処理に適した薬液の供給を受けて後述するようにエッチング処理を実行したり、リンス液供給ユニット１７から純水やＤＩＷなどのリンス液の供給を受けて後述するようにリンス処理を実行する。また、ガス供給ユニット１８が処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂのガスノズルに接続されており、各ノズルに窒素ガスを供給する。より詳しくは、処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂは以下のように構成されている。なお、両処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂは同一構成であるため、処理ヘッド１４Ａの構成のみを説明し、処理ヘッド１４Ｂの構成説明は省略する。
【００２１】
この処理ヘッド１４Ａは、２つの本体部材１４１、１４２を連結してなるヘッド本体を有している。このヘッド本体では、本体部材１４１、１４２の間に基板Ｗの厚みよりも若干広い隙間ＳＰが形成されており、アクチュエータ１５Ａの作動により処理ヘッド１４Ａが基板Ｗの周縁部に近接すると、基板Ｗの端面が処理ヘッド１４Ａの内部に入り込み、基板裏面Ｗbおよび基板表面Ｗfの周縁部がそれぞれ本体部材１４１、１４２と対向する。
【００２２】
これらの本体部材１４１、１４２のうち基板裏面Ｗbと対向する上方側本体部材１４１には、ガスノズル１４３が設けられている。このガスノズル１４３は上記したようにガス供給ユニット１８と接続されており、基板裏面Ｗb側から周縁部に向けて窒素ガスを吐出する。これによって、後述するようにしてベベルエッチング処理（エッチング処理＋リンス処理）中に処理液（薬液やリンス液）が基板裏面Ｗbに飛散して付着するのを防止している。なお、この実施形態では、ガスノズル１４３に窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。
【００２３】
もう一方の下方側本体部材１４２には、ガスノズル１４４および処理液ノズル１４５が設けられている。ガスノズル１４４は、ガスノズル１４３と同様に、ガス供給ユニット１８と接続されており、基板表面Ｗf側から周縁部に向けて窒素ガスを吐出する。これによって、ベルヌーイ効果を発揮させて基板表面Ｗfを下方側本体部材１４２に近接状態で吸着させながら浮上させ、基板表面Ｗfと下方側本体部材１４２との離間距離を一定に保っている。
【００２４】
また、処理液ノズル１４５はガスノズル１４４よりも基板外周側（図３の左手側）に設けられている。この処理液ノズル１４５は薬液供給ユニット１６およびリンス液供給ユニット１７と接続されており、薬液またはリンス液が本発明の「第１処理液」として供給される。また、処理液ノズル１４５の先端には、断面形状が台形形状を有する処理規定部材１４６が取り付けられており、基板表面Ｗfの周縁部と近接配置される。このため、例えば制御ユニット４からの動作指令に応じて薬液供給ユニット１６から薬液が圧送されると、処理液ノズル１４５から薬液が吐出され、処理規定部材１４６と基板表面Ｗfの周縁部との間で薬液が液密状態となるとともに、薬液の一部は処理規定部材１４６よりも基板外周側に広がる。したがって、処理規定部材１４６よりも基板内周側（図３の右手側）には薬液は供給されず、その結果、薬液によるエッチング範囲、つまり周縁エッチング幅ＥＨは処理規定部材１４６の位置により決定される。さらに言えば、上記したように処理ヘッド１４Ａの移動量を連続的に設定することができるため、処理ヘッド１４Ａの移動量を制御することで処理規定部材１４６の位置を変更させて周縁エッチング幅ＥＨを任意の値に調整することができる。
【００２５】
上記においては薬液を処理液ノズル１４５に圧送する場合について説明したが、薬液に代えてリンス液を圧送する場合も上記と同様である。つまり、制御ユニット４からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット１７からリンス液が圧送されると、処理液ノズル１４５からリンス液が吐出され、処理規定部材１４６と基板表面Ｗfの周縁部との間でリンス液が液密状態となるとともに、リンス液の一部は処理規定部材１４６よりも基板外周側に広がる。これによって、リンス液が供給される範囲をコントロールすることが可能となっている。
【００２６】
次に、裏面洗浄部２の構成について図４および図５を参照しつつ説明する。図４は裏面洗浄部の構成を示す図である。また、図５は図４の裏面洗浄部を上方から見た平面図である。この裏面洗浄部２はベベルエッチング部１によりベベルエッチング処理が施された基板Ｗの裏面Ｗbを洗浄するものである。この裏面洗浄部２は、中空の回転軸２１がモータ２２の回転軸に駆動伝達機構を介して連結されており、このモータ２２の駆動により鉛直軸Ｊ（図５）周りに回転可能となっている。この回転軸２１の上端部には、基板Ｗよりも若干大きな平面サイズを有するスピンベース２３が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、モータ２２の駆動によりスピンベース２３が鉛直軸Ｊ周りに回転可能となっている。なお、スピンベース２３の構成および特徴点については後で詳述する。
【００２７】
また、この裏面洗浄部２には、その上面から基板Ｗの表面Ｗfに向けて窒素ガスを吐出することで基板Ｗを非接触に略水平状態で支持する基板浮上ヘッド２４が設けられるとともに、該基板浮上ヘッド２４を昇降させる基板昇降機構２５が設けられている。この基板昇降機構２５は基板搬送部３による基板Ｗの搬入出を可能としながらも、基板Ｗとスピンベース２３とを近接配置させることを可能としている。すなわち、基板Ｗとスピンベース２３とを近接配置させると、その隙間に基板搬送部３の搬送アーム等を挿入することができない。そこで、基板昇降機構２５は、スピンベース２３から上方に十分に離れた位置を基板受渡し位置Ｐ3として、基板受渡し位置Ｐ3にて基板搬送部３と基板Ｗの受け渡しを行いながら、基板Ｗとスピンベース２３とを近接配置させた位置を裏面洗浄位置Ｐ2として、裏面洗浄位置Ｐ2に基板Ｗを搬送している。より具体的には、基板昇降機構２５は、
・基板受渡し位置Ｐ3でベベルエッチング処理済の基板Ｗを基板搬送部３から基板浮上ヘッド２４に受け取り、
・基板浮上ヘッド２４を下降させて受け取った基板Ｗを裏面洗浄位置Ｐ2に位置決めし、
・基板浮上ヘッド２４を上昇させて裏面洗浄済の基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ3に位置決めし、
・裏面洗浄済基板Ｗを基板浮上ヘッド２４から基板搬送部３に引渡している。
【００２８】
この基板昇降機構２５は、基板浮上ヘッド２４の下方に取付けられてヘッドを支持する内部が中空の筒状のヘッド支持アーム２５１と、ヘッド支持アーム２５１の中空部に接続され、ヘッド支持アーム２５１を介して基板浮上ヘッド２４に窒素ガスを供給可能なガス供給ユニット２５２と、基板浮上ヘッド２４およびヘッド支持アーム２５１を一体的に上下方向に移動させるエアシリンダ等のアクチュエータ２５３とを備えている。
【００２９】
また、基板浮上ヘッド２４は、後端部（底部）の中央部がヘッド支持アーム２５１の上端部と一体的に固着されて、ヘッド支持アーム２５１により水平姿勢で支持されている。ヘッド支持アーム２５１は回転軸２１の中空部に鉛直軸Ｊの軸方向に同軸に貫通して配置されるとともに、昇降自在に構成されている。ヘッド支持アーム２５１は、アクチュエータ２５３と連結されており、制御ユニット４がアクチュエータ２５３を駆動させることにより、基板浮上ヘッド２４とヘッド支持アーム２５１とを一体的に昇降可能となっている。このように、この実施形態では、アクチュエータ２５３が基板浮上ヘッド２４を昇降駆動させる、本発明の「昇降駆動部」として機能している。
【００３０】
基板浮上ヘッド２４の先端部（上方部）は基板Ｗの表面Ｗfの略中央部に対向しており、基板浮上ヘッド２４の先端部から吐出される不活性ガスにより基板Ｗが浮上することで、基板Ｗは裏面Ｗbを上方に向けた状態で基板浮上ヘッド２４に非接触で支持される。この基板浮上ヘッド２４は、基板Ｗの平面サイズより小さな平面サイズＤ２を有する円盤形状をしており、その先端部に設けられた上面２４１が支持面として基板Ｗの表面Ｗfと平行して（水平に）対向配置されている。この基板浮上ヘッド２４の上面２４１の周縁部には複数のガス吐出口２４２が開口しており、各ガス吐出口２４２から基板Ｗの表面Ｗfに向けて上向きかつ基板Ｗの端縁側に窒素ガスを吐出可能となっている。図５に示すように、複数のガス吐出口２４２は上面２４１において径方向外側に長い楕円形状をしている。また、ガス吐出口２４２は上面２４１に対して所定の角度（好ましくは、２０°〜４０°）をなして基板Ｗの端縁側に向けて窒素ガスを吐出するように形成されている。これにより、基板浮上ヘッド２４から基板Ｗの下面に向けて窒素ガスを吐出させることでベルヌーイ効果によって基板Ｗを上面２４１に吸着させながら略水平状態で浮上させることができる。
【００３１】
図４に戻って説明を続ける。基板浮上ヘッド２４の上面２４１に設けられた複数のガス吐出口２４２はそれぞれ、基板浮上ヘッド２４の内部に形成されたガス流通空間２４３に連通している。このような基板浮上ヘッド２４は、例えば、内方に凹部を有する皿形状の受け部材と、上面が基板Ｗの下面と対向する支持面（上面）２４１となっている円盤状の蓋部材とを備えることにより、受け部材に蓋部材を嵌め込むことにより、基板浮上ヘッド２４の内部にガス流通空間２４３が形成される。また、ヘッド支持アーム２５１の内部にはガス供給路２５４が鉛直軸Ｊの軸線方向に沿って設けられており、その上方側がガス流通空間２４３に連通している。さらに、ガス供給路２５４の下方側はガス供給ユニット２５２に接続されている。
【００３２】
また、回転軸２１の内壁面とヘッド支持アーム２５１の外壁面との間の隙間は、円筒状のガス供給路２５５を形成している。このガス供給路２５５もガス供給ユニット２５２に連続接続されていてガス供給路２５５を介して基板Ｗの表面Ｗfとスピンベース２３の上面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。
【００３３】
また、基板浮上ヘッド２４により支持される基板Ｗが水平方向に移動するのを防止するために、６つのチャック２６ａ〜２６ｆがスピンベース２３の周縁に設けられている（図５）。これら６つのチャック２６ａ〜２６ｆのうちチャック２６ａ、２６ｃ，２６ｅは同一タイミングで制御ユニット４からの動作信号に応じて基板Ｗの外周端面に対して離当接する一方、残りのチャック２６ｂ、２６ｄ，２６ｆは同一タイミングで制御ユニット４からの動作信号に応じて基板Ｗの外周端面に対して離当接する。そして、制御ユニット４はチャック２６ａ〜２６ｆを基板Ｗの外周端面から離間させた状態で基板浮上ヘッド２４に対する基板Ｗの搬入出を行う。そして、基板浮上ヘッド２４に支持される基板Ｗが裏面洗浄位置Ｐ2に位置決めされた後、チャック２６ａ〜２６ｆを基板Ｗの外周端面と当接して水平方向に保持する。このように、この実施形態では、基板浮上ヘッド２４により基板Ｗを略水平状態に支持するとともに、６つのチャック２６ａ〜２６ｆで基板Ｗの水平方向の移動を規制している。また、後述するようにして処理液（薬液＋リンス液）による裏面洗浄処理を行っている間、例えばチャック２６ａ、２６ｃ，２６ｅからなるチャック群と、チャック２６ｂ、２６ｄ，２６ｆからなるチャック群とを交互に基板Ｗの外周端面に当接させる。これによって、処理液が基板Ｗの全周にわたって均一に供給されて処理の均一化を図っている。なお、チャックの個数、配置については任意であり、例えば、チャックを４つとして、裏面洗浄処理中に４つのチャックが順番に基板Ｗの外周端面から一時的に離間するように制御ユニット４がチャックの離当接動作を制御するようにしてもよい。
【００３４】
また、基板Ｗの上方位置において、処理液供給用のノズル２７が基板Ｗの直上位置（図４の実線位置）と退避位置（破線位置）との間を移動可能に構成されている。このノズル２７は、裏面洗浄に適した薬液を供給する薬液供給ユニット２８と、リンス液を供給するリンス液供給ユニット２９とに接続されている。そして、制御ユニット４からの動作指令に応じて、ノズル２７が基板Ｗの直上位置に移動するとともに、該ノズル２７に薬液またはリンス液が本発明の「第２処理液」として供給されて裏面洗浄処理が実行される。
【００３５】
次にスピンベース２３の構成について説明する。スピンベース２３は、基板Ｗの表面Ｗfに対向する上面の略中央部に内部に向けて窪んだ窪部２３１を有している。この窪部２３１は、その平面サイズＤ１が基板浮上ヘッド２４の平面サイズＤ２よりも大きく、上下方向における深さが基板浮上ヘッド２４の高さよりも深くなるように、スピンベース２３に形成されている。したがって、基板浮上ヘッド２４を降下させた際に基板浮上ヘッド２４を窪部２３１に退避させることが可能となっている。また、窪部２３１の周囲を取り囲むドーナツ状の円環部位の上面は基板Ｗの表面Ｗfと対向する基板対向面２３２となっている。この対向面２３２は水平に（基板浮上ヘッド２４の上面２４１と平行に）形成されており、基板浮上ヘッド２４に略水平状態で吸着支持される基板Ｗの表面Ｗfの周縁部と平行して対向可能となっている。
【００３６】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図６ないし図８を参照しつつ説明する。図６は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、基板Ｗの表面Ｗfにメタル層やフォトレジスト層などの薄膜ＴＦが形成された基板Ｗがフェースダウン姿勢でベベルエッチング部１に搬入されると、該基板Ｗに対してベベルエッチング処理（エッチング工程＋リンス工程＋乾燥工程）が実行される（ステップＳ１）。より具体的には、図７のフローチャートに示す一連の処理が実行される。
【００３７】
図７はベベルエッチング処理を示すフローチャートである。まずステップＳ１１でベベルエッチング位置Ｐ1にフェースダウン姿勢で搬送されてきた基板Ｗの裏面Ｗbの略中央部を真空チャック１１により吸引保持する。これにより、基板Ｗがフェースダウン姿勢で、かつ略水平姿勢でベベルエッチング位置Ｐ1に位置決めされる。このとき、両処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂは基板Ｗの周縁部から離間しており（図２の破線位置）、基板Ｗとの干渉を防止している。
【００３８】
そして、モータ１２の駆動を開始させて基板Ｗをベベルエッチング位置Ｐ1で回転させる（ステップＳ１２）。また、ステップＳ１２と同時、あるいは前後して、両処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂを基板Ｗの周縁部に近接移動させて薬液による基板表面Ｗfの周縁部に対するエッチング処理が可能な状態に位置決めする（ステップＳ１３）。すなわち、基板処理装置の操作パネル（図示省略）を介してオペレータが基板種類や薄膜種類などに対応するレシピを選択すると、そのレシピで予め設定された移動量だけ処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂがそれぞれガイド１３Ａ，１３Ｂに沿って基板内周側（同図の右手側）に移動されて周縁エッチング幅ＥＨに対応するように処理規定部材１４６が位置決めされる（同図（ａ））。
【００３９】
こうして処理規定部材１４６の位置決めが完了すると、ガスノズル１４３，１４４から基板Ｗに向けて窒素ガスが吐出される。また、薬液供給ユニット１６からエッチング処理に適した薬液がノズル１４５に圧送されて処理規定部材１４６と基板表面Ｗfの周縁部との間で薬液が液密状態となるとともに、薬液の一部は処理規定部材１４６よりも基板外周側に広がる。これによって、周縁エッチング幅ＥＨは処理規定部材１４６の位置により決定される周縁エッチング幅ＥＨで基板表面Ｗfの周縁部から不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去される（ステップＳ１４；エッチング処理）。このエッチング処理が基板回転に伴い連続的に行われて基板表面Ｗfの周縁部を所定の周縁エッチング幅ＥＨで正確に、しかも外周全体にわたって均一にエッチング除去される。
【００４０】
このエッチング処理が完了すると、同図（ｂ）に示すように、処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂがそれぞれガイド１３Ａ，１３Ｂに沿って基板内周側にさらに移動されて処理規定部材１４６がエッチング除去された箇所の端部に対向するように位置決めされる（ステップＳ１５）。そして、薬液の代わりに、リンス液がノズル１４５に圧送されて処理規定部材１４６と基板表面Ｗfの周縁部との間でリンス液が液密状態となるとともに、リンス液の一部は処理規定部材１４６よりも基板外周側に広がる。これによって、薄膜ＴＦの周縁部および外周端部はもちろんのこと、エッチング除去された基板表面Ｗfの周縁部に対してリンス処理が実行される（ステップＳ１６）。
【００４１】
こうして、エッチング処理およびリンス処理が完了すると、モータ１２の回転速度を高めて基板Ｗを高速回転させる。これによって、基板Ｗに付着する液体成分を振り切って基板Ｗを乾燥させた（ステップＳ１７）後、基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１８）。こうしてベベルエッチング処理（エッチング処理＋リンス処理＋乾燥処理）が完了すると、基板搬送部３の搬送アーム等による基板Ｗの受け取りが可能であることを確認した上で真空チャック１１による基板保持を解除する（ステップＳ１９）。これによって、ベベルエッチング処理を受けた基板Ｗを基板搬送部３の搬送アームに受け渡す。
【００４２】
この基板Ｗを受け取った基板搬送部３は、図６に示すように、裏面洗浄部２の基板受渡し位置Ｐ3に該基板Ｗをフェースダウン姿勢のまま搬送する（ステップＳ２）。そして、裏面洗浄部２で裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ３）。より具体的には、図８のフローチャートに示す一連の処理が実行される。
【００４３】
図８は裏面洗浄処理を示すフローチャートである。まずステップＳ３１で制御ユニット４がアクチュエータ２５３を上昇駆動させることで基板浮上ヘッド２４とヘッド支持アーム２５１とを一体的に上昇させる。そして、基板浮上ヘッド２４の上面２４１が、スピンベース２３から上方に離れた基板受渡し位置Ｐ3の直下まで上昇して停止されると、制御ユニット４は基板浮上ヘッド２４のガス吐出口２４２から上向きに窒素ガスを吐出させる（ステップＳ３２）。これにより、基板浮上ヘッド２４は基板搬送部３により搬送されてきた基板Ｗを受け取ることが可能となる。なお、制御ユニット４はガス吐出口２４２から窒素ガスを吐出させた後に、窒素ガスを吐出させた状態で基板浮上ヘッド２４を上昇させるようにしてもよいし、窒素ガスの吐出と同時に基板浮上ヘッド２４を上昇させるようにしてもよい。
【００４４】
続いて、基板搬送部３の搬送アーム等によりベベルエッチング処理済の基板Ｗが裏面洗浄部２内に搬入され、基板受渡し位置Ｐ3に搬送されてくると（ステップＳ３３）、該基板Ｗはその直下位置に位置する基板浮上ヘッド２４から吐出される窒素ガスによるベルヌーイ効果によって基板浮上ヘッド２４の上面２４１に吸着されながら略水平状態で浮上される。そして、基板搬送部３の搬送アームの保持されているベベルエッチング処理済の基板Ｗが基板浮上ヘッド２４へ受渡される（ステップＳ３４）。これにより、該基板Ｗはその表面Ｗfに向けて基板表面Ｗfと基板浮上ヘッド２４の上面２４１との間に形成される空間に供給される窒素ガスにより非接触状態で、かつフェースダウン姿勢で基板浮上ヘッド２４に保持されることとなる。
【００４５】
次に、基板Ｗは基板浮上ヘッド２４により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット４がアクチュエータ２５３を下降駆動させることで降下される（ステップＳ３５）。ここで、基板Ｗは水平方向に移動するのをガイドピン２３３によって規制されながら降下されるので、基板Ｗが基板浮上ヘッド２４から水平方向に飛び出すようなことがなく、スムーズに裏面洗浄位置Ｐ2に向けて案内される。そして、基板Ｗが裏面洗浄位置Ｐ2に達する（ステップＳ３６）と、制御ユニット４がチャック２６ａ〜２６ｆを作動させて基板Ｗの外周端面と当接させる（ステップＳ３７）。これによって、基板Ｗがフェースダウン姿勢で裏面洗浄位置Ｐ2に位置決め保持される。この裏面洗浄位置Ｐ2では、基板浮上ヘッド２４の全体がスピンベース２３の窪部２３１に退避して基板表面Ｗfの周縁部（ベベルエッチング部分）とスピンベース２３の対向面２３２とが近接状態で対向配置される。
【００４６】
その後、処理液供給用のノズル２７からスピンベース２３とともに回転される基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板Ｗの裏面（非デバイス形成面）Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ３８）。なお、処理中に制御ユニット４はガス供給路２５５から基板浮上ヘッド２４の下面と窪部２３１の底面との間に形成される空間を介して基板Ｗの表面Ｗfとスピンベース２３の上面との間に形成される空間全体に窒素ガスを供給することができる。そして、基板表面Ｗfとスピンベース２３の上面との間に形成される空間に供給された窒素ガスは、基板表面Ｗfの周縁部とスピンベース２３の周縁部の対向面２３２との隙間に基板Ｗの径方向外側に向けて流れることで、基板表面Ｗf（デバイス形成面）を基板Ｗの周囲雰囲気から遮断するとともに、基板表面Ｗfに処理液が付着するなどして基板表面Ｗfが汚染されるのが防止される。また、本実施形態では、裏面洗浄処理中においてチャック２６ａ、２６ｃ，２６ｅからなるチャック群と、チャック２６ｂ、２６ｄ，２６ｆからなるチャック群とを交互に基板Ｗの外周端面に当接させて処理の均一化を図っている。
【００４７】
また、裏面洗浄済の基板Ｗの搬出については、裏面洗浄前の基板Ｗの搬入と逆の手順で実行される。基板Ｗに対する裏面洗浄処理が実行された後、チャック２６ａ〜２６ｆが処理済基板Ｗの外周端面と離間する方向に移動することで、基板Ｗの保持が解除される（ステップＳ３９）。続いて、制御ユニット４はアクチュエータ２５３を上昇駆動させることで窪部２３１内に退避されている基板浮上ヘッド２４をガス吐出口２４２から窒素ガスを吐出させた状態で上昇させる（ステップＳ４０）。そして、処理済基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ3まで上昇するとアクチュエータ２５３の駆動を停止させて当該位置で基板Ｗを位置決めさせる（ステップＳ４１）。これにより、基板浮上ヘッド２４は処理済基板Ｗを基板搬送部３に引渡すことが可能となる。こうして、基板搬送部３の搬送アーム等により処理済基板Ｗが装置外に搬出される（ステップＳ４２）。なお、この実施形態では、基板搬送部３により裏面洗浄部２から処理済基板Ｗを搬出しているが、他の基板搬送ロボットなどにより搬出するようにしてもよい。
【００４８】
以上のように、この実施形態によれば、基板表面Ｗfの周縁部から不要物（メタル層やフォトレジスト層などの薄膜ＴＦの一部）をエッチング除去するベベルエッチング部１と、基板裏面Ｗbを洗浄する裏面洗浄部２とを分離して、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理との２ステップ処理を実行している。すなわち、ベベルエッチング部１では、基板表面Ｗf側から基板表面Ｗfの周縁部に第１処理液（薬液およびリンス液）が直接的に供給されて該周縁部から不要物をエッチング除去しているため、回込方式を採用した従来装置に比べて周縁エッチング幅ＥＨの精度を高め、しかも優れた均一性でベベルエッチングを行うことができる。
【００４９】
また、この実施形態では、上記したように基板表面Ｗfの周縁部に第１処理液（薬液およびリンス液）を直接供給するため、基板Ｗの回転数とは無関係に周縁エッチング幅ＥＨが決定される。したがって、エッチング処理およびリンス処理中の基板回転数を低く設定することも可能であり、基板回転数を落とすことで処理液の跳ね返りを効果的に抑制することができる。
【００５０】
また、第１処理液を基板表面Ｗf側から基板表面Ｗfの周縁部に直接的に供給するには、ノズル１４５から第１処理液を基板表面Ｗfの周縁部に吐出するように構成してもよく、このような構成を採用した場合にも上記実施形態と同様の作用効果が得られる。ただし、周縁エッチング幅ＥＨの高精度化を図るためには、上記実施形態で採用した供給方式が望ましい。すなわち、この実施形態では、処理規定部材１４６を用いて基板Ｗへの第１処理液の供給範囲を正確にコントロールするように構成しているので、周縁エッチング幅ＥＨをさらに高めることができる。  
【００５１】
また、ベベルエッチング処理（ステップＳ１）後に、基板裏面Ｗbに対して裏面洗浄処理（ステップＳ３）が実行されるが、このとき、基板表面Ｗfに向けて窒素ガスを吐出させて該基板Ｗを裏面洗浄位置Ｐ2で浮上位置決めしている。つまり、この実施形態では、基板Ｗを非接触状態で位置決めしながら裏面洗浄処理を行っている。したがって、基板表面Ｗfが汚染されるなどの不具合を発生させることなく、裏面洗浄処理を良好に行うことができる。
【００５２】
また、基板浮上ヘッド２４はベルヌーイ効果により基板Ｗを支持面２４１に近接状態で吸着させながら浮上させているため、基板Ｗを基板浮上ヘッド２４に非接触で吸着させた状態で安定して裏面洗浄位置Ｐ2と基板受渡し位置Ｐ3とに位置決めさせることができる。  さらに、上記実施形態では、ベベルエッチング部１では基板Ｗの裏面Ｗbの略中央部を真空チャック１１に吸引して基板Ｗを位置決めするのに対し、裏面洗浄部２では基板表面Ｗfに向けて窒素ガスを吐出することで該基板Ｗを浮上させて位置決めしているため、基板Ｗの位置決めに伴う汚染蓄積が発生するのを効果的に防止することができる。
【００５３】
図９はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。また、図１０は図９の基板処理装置の動作を示す図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、ベベルエッチング部１と裏面洗浄部２とが同一空間内に配置されている点と、裏面洗浄部２の基板浮上ヘッド２４および基板昇降機構２５とが基板搬送部３の機能を担っている点である。なお、その他の構成は基本的に第１実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
【００５４】
この基板処理装置では、処理容器５の内部空間が処理チャンバーとなっており、同図に示すように、内部空間内においてベベルエッチング部１が裏面洗浄部２の上方に配置されている。また、基板浮上ヘッド２４の昇降範囲は第１実施形態でのそれに比べて広がっており、図１０に示すように、基板昇降機構２５によってベベルエッチング位置Ｐ1の直下まで上昇可能となっている。そして、基板昇降機構２５は、
・基板受渡し位置Ｐ3で未処理基板Ｗを外部の基板搬送装置（図示省略）から基板浮上ヘッド２４に受け取り、
・基板浮上ヘッド２４を上昇させて受け取った基板Ｗをベベルエッチング位置Ｐ1に搬送し、
・ベベルエッチング位置Ｐ1でベベルエッチング処理済の基板Ｗを受け取り、
・基板浮上ヘッド２４を下降させて受け取った基板Ｗを裏面洗浄位置Ｐ2に位置決めし、
・基板浮上ヘッド２４を上昇させて裏面洗浄済の基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ3に位置決めし、
・裏面洗浄済基板Ｗを基板浮上ヘッド２４から外部の基板搬送装置（図示省略）に引渡している。
【００５５】
次に、図９の基板処理装置の動作について図１１を参照しつつ説明する。図１１は図９の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、ステップＳ５１で制御ユニット４がアクチュエータ２５３を上昇駆動させることで基板浮上ヘッド２４とヘッド支持アーム２５１とを一体的に上昇させる。そして、基板浮上ヘッド２４の上面２４１が、スピンベース２３から上方に離れた基板受渡し位置Ｐ3の直下まで上昇して停止されると、制御ユニット４は基板浮上ヘッド２４のガス吐出口２４２から上向きに窒素ガスを吐出させる（ステップＳ５２）。これによって、処理容器５の内部空間内に搬送されてくる基板Ｗを受け取ることが可能となる。なお、制御ユニット４はガス吐出口２４２から窒素ガスを吐出させた後に、窒素ガスを吐出させた状態で基板浮上ヘッド２４を上昇させるようにしてもよいし、窒素ガスの吐出と同時に基板浮上ヘッド２４を上昇させるようにしてもよい。
【００５６】
続いて、外部の基板搬送装置の搬送アーム等により未処理基板Ｗが処理容器５の側面開口５１を介してフェースダウン姿勢で処理容器５の内部空間内に搬入され、基板受渡し位置Ｐ3に搬送されてくると（ステップＳ５３）、該基板Ｗはその直下位置に位置する基板浮上ヘッド２４から吐出される窒素ガスによるベルヌーイ効果によって基板浮上ヘッド２４の上面２４１に吸着されながら略水平状態で浮上される。そして、基板搬送装置の搬送アームの保持されている未処理基板Ｗが基板浮上ヘッド２４へ受渡される（ステップＳ５４）。これにより、該基板Ｗはその表面Ｗfに向けて基板表面Ｗfと基板浮上ヘッド２４の上面２４１との間に形成される空間に供給される窒素ガスにより非接触状態で、かつフェースダウン姿勢で基板浮上ヘッド２４に保持されることとなる。
【００５７】
次に、基板Ｗは基板浮上ヘッド２４により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット４がアクチュエータ２５３を上昇駆動させることで上昇される（ステップＳ５５）。そして、基板浮上ヘッド２４に保持された未処理基板Ｗがベベルエッチング位置Ｐ1まで上昇して停止される。また、ベベルエッチング位置Ｐ1に搬送されてきた基板Ｗの裏面Ｗbの略中央部を真空チャック１１が吸引して保持するとともに、基板浮上ヘッド２４による基板保持を解除する。これにより、真空チャック１１によるベベルエッチング位置Ｐ1での基板Ｗの位置決めが完了する（ステップＳ５６）。そして、基板浮上ヘッド２４が下降してベベルエッチング部１から離れると、第１実施形態と同様にしてベベルエッチング処理が位置Ｐ1に位置決めされた基板Ｗに対して実行される（ステップＳ５７）。なお、ベベルエッチング処理の最終段階では、制御ユニット４は基板浮上ヘッド２４をベベルエッチング位置Ｐ1の直下まで上昇させておき、ベベルエッチング処理を受けた基板Ｗを真空チャック１１から基板浮上ヘッド２４に受け渡している。
【００５８】
次に、ベベルエッチング処理が完了すると、基板Ｗは基板浮上ヘッド２４により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット４がアクチュエータ２５３を下降駆動させることで下降される（ステップＳ５８）。そして、基板Ｗが裏面洗浄位置Ｐ2に達する（ステップＳ５９）と、第１実施形態と同様にして裏面洗浄を行う（ステップＳ６０）。すなわち、ステップＳ６０１で制御ユニット４がチャック２６ａ〜２６ｆを作動させて基板Ｗの外周端面と当接させる。これによって、基板Ｗがフェースダウン姿勢で裏面洗浄位置Ｐ2に位置決め保持される。この裏面洗浄位置Ｐ2では、基板浮上ヘッド２４の全体がスピンベース２３の窪部２３１に退避して基板表面Ｗfの周縁部（ベベルエッチング部分）とスピンベース２３の対向面２３２とが近接状態で対向配置される。その後、処理液供給用のノズル２７からスピンベース２３とともに回転される基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板Ｗの裏面（非デバイス形成面）Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ６０２）。さらに、基板Ｗに対する裏面洗浄処理が実行された後、チャック２６ａ〜２６ｆが処理済基板Ｗの外周端面と離間する方向に移動することで、基板Ｗの保持が解除される（ステップＳ６０３）。
【００５９】
続いて、制御ユニット４はアクチュエータ２５３を上昇駆動させることで窪部２３１内に退避されている基板浮上ヘッド２４をガス吐出口２４２から窒素ガスを吐出させた状態で上昇させる（ステップＳ６１）。そして、処理済基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ3まで上昇するとアクチュエータ２５３の駆動を停止させて当該位置で基板Ｗを位置決めさせる（ステップＳ６２）。これにより、基板浮上ヘッド２４は処理済基板Ｗを外部の基板搬送装置（図示省略）に引渡すことが可能となる。こうして、基板搬送装置の搬送アーム等により処理済基板Ｗが処理容器５の側面開口５１を介して装置外に搬出される（ステップＳ６３）。
【００６０】
以上のように、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、基板表面Ｗfの周縁部から不要物（メタル層やフォトレジスト層などの薄膜ＴＦの一部）をエッチング除去するベベルエッチング部１と、基板裏面Ｗbを洗浄する裏面洗浄部２とを分離して、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理との２ステップ処理を実行しているため、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００６１】
また、第２実施形態では、処理容器５の同一空間内において、ベベルエッチング部１を裏面洗浄部２の上方に配置するとともに、裏面洗浄部２の基板浮上ヘッド２４の昇降移動範囲を拡張し、基板浮上ヘッド２４により基板Ｗをベベルエッチング位置Ｐ1と裏面洗浄位置Ｐ2とに移動して位置決めさせるように構成しているので、次のような作用効果をさらに得ることができる。
【００６２】
まず第１点目に、ベベルエッチング部１と裏面洗浄部２との積層構造を採用しているため、基板処理装置の小型化および低フットプリント化が可能となる。また、単一の処理容器５内でベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とを実行することができるため、ベベルエッチング部１と裏面洗浄部２の間での基板の搬送距離が短くなり、スループットの向上を図ることができる。さらに、処理容器５内での基板搬送を基板浮上ヘッド２４を用いて行っているため、基板搬送を非接触状態で行うことができ、基板搬送に伴う汚染などを確実に防止することができる。
【００６３】
また、上記実施形態では、図９および図１０に示すように、裏面洗浄位置Ｐ2の直上位置に基板受渡し位置Ｐ3を設定しているが、ベベルエッチング位置Ｐ1と裏面洗浄位置Ｐ2との間であれば、基板受渡し位置Ｐ3を任意に設定することができる。例えば処理容器５に対して基板Ｗの搬出入を行う搬出入位置（例えば図９および図１０の側面開口５１）に対応して基板受渡し位置Ｐ3を設定してもよい。このような構成を採用することによって、上記基板処理装置への基板搬送装置（の搬送アーム等）のアクセス位置がそのまま基板受渡し位置Ｐ3となり、基板搬送装置との取り合い等が容易となる。また、種々の基板搬送装置に対して柔軟に対応することができ、装置の汎用性を高めることができる。このような構成を採用することは、特に後で説明する基板処理システムに基板処理装置を組み込む際に非常に有用な構成であるといえる。なお、この点に関しては、次に説明する第3実施形態も同様である。
【００６４】
図１２はこの発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。また、図１３は図１２の基板処理装置の動作を示す図である。この第３実施形態が第２実施形態と大きく相違する点は、ベベルエッチング部１の真空チャック１１、裏面洗浄部２の基板浮上ヘッド２４および基板昇降機構２５が基板搬送部３の機能を担っている点である。なお、その他の構成は基本的に第２実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
【００６５】
この基板処理装置では、処理容器５の内部空間が処理チャンバーとなっており、同図に示すように、内部空間内においてベベルエッチング部１が裏面洗浄部２の上方に配置されている。また、真空チャック１１のモータ１２の支持部位にはアクチュエータ１２０が真空チャック１１を昇降駆動させる、本発明の「昇降駆動部」として機能している。この真空チャック１１の昇降範囲は図１３に示すようにアクチュエータ１２０によって基板受渡し位置Ｐ3まで下降可能となっている。そして、アクチュエータ１２０と基板昇降機構２５は、
・基板受渡し位置Ｐ3で未処理基板Ｗを外部の基板搬送装置（図示省略）から基板浮上ヘッド２４に受け取り、
・真空チャック１１を下降させて基板浮上ヘッド２４から受け取った基板Ｗを真空チャック１１を上昇させてベベルエッチング位置Ｐ1に搬送し、
・基板受渡し位置Ｐ3でベベルエッチング処理済の基板Ｗを基板浮上ヘッド２４が受け取り、
・基板浮上ヘッド２４を下降させて受け取った基板Ｗを裏面洗浄位置Ｐ2に位置決めし、
・基板浮上ヘッド２４を上昇させて裏面洗浄済の基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ3に位置決めし、
・裏面洗浄済基板Ｗを基板浮上ヘッド２４から外部の基板搬送装置（図示省略）に引渡している。
【００６６】
次に、図１２の基板処理装置の動作について図１４を参照しつつ説明する。図１４は図１２の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。この装置では、ステップＳ７１で制御ユニット４がアクチュエータ２５３を上昇駆動させることで基板浮上ヘッド２４とヘッド支持アーム２５１とを一体的に上昇させる。そして、基板浮上ヘッド２４の上面２４１が、スピンベース２３から上方に離れた基板受渡し位置Ｐ3の直下まで上昇して停止されると、制御ユニット４は基板浮上ヘッド２４のガス吐出口２４２から上向きに窒素ガスを吐出させる（ステップＳ７２）。これによって、処理容器５の内部空間内に搬送されてくる基板Ｗを受け取ることが可能となる。なお、制御ユニット４はガス吐出口２４２から窒素ガスを吐出させた後に、窒素ガスを吐出させた状態で基板浮上ヘッド２４を上昇させるようにしてもよいし、窒素ガスの吐出と同時に基板浮上ヘッド２４を上昇させるようにしてもよい。
【００６７】
続いて、外部の基板搬送装置の搬送アーム等により未処理基板Ｗが処理容器５の側面開口５１を介してフェースダウン姿勢で処理容器５の内部空間内に搬入され、基板受渡し位置Ｐ3に搬送されてくると（ステップＳ７３）、該基板Ｗはその直下位置に位置する基板浮上ヘッド２４から吐出される窒素ガスによるベルヌーイ効果によって基板浮上ヘッド２４の上面２４１に吸着されながら略水平状態で浮上される。そして、基板搬送装置の搬送アームの保持されている未処理基板Ｗが基板浮上ヘッド２４へ受渡される（ステップＳ７４）。これにより、該基板Ｗはその表面Ｗfに向けて基板表面Ｗfと基板浮上ヘッド２４の上面２４１との間に形成される空間に供給される窒素ガスにより非接触状態で、かつフェースダウン姿勢で基板浮上ヘッド２４に保持されることとなる。
【００６８】
次に、基板Ｗは基板浮上ヘッド２４により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット４がアクチュエータ１２０を下降駆動させることで真空チャック１１が下降される（ステップＳ７５）。そして、基板浮上ヘッド２４に保持された未処理基板Ｗを吸着できる基板受渡し位置Ｐ3まで真空チャック１１が下降して停止される。そして、基板受渡し位置Ｐ3に搬送されてきた基板Ｗの裏面Ｗbの略中央部を真空チャック１１が吸引して保持するとともに、基板浮上ヘッド２４による基板保持を解除する。こうして真空チャック１１により基板Ｗが吸着保持されると、制御ユニット４がアクチュエータ１２０を上昇駆動させることで真空チャック１１が上昇される。これにより、真空チャック１１によるベベルエッチング位置Ｐ1での基板Ｗの位置決めが完了する（ステップＳ７６）。そして、第１実施形態と同様にしてベベルエッチング処理が位置Ｐ1に位置決めされた基板Ｗに対して実行される（ステップＳ７７）。
【００６９】
次に、ベベルエッチング処理が完了すると、基板Ｗは真空チャック１１により吸着保持された状態で、制御ユニット４がアクチュエータ１２０を下降駆動させることで下降され基板受渡し位置Ｐ3で真空チャック１１から基板浮上ヘッド２４に受け渡している（ステップＳ７８）。そして、真空チャック１１が上昇移動されて元に戻るとともに、制御ユニット４がアクチュエータ２５３を下降駆動させることで基板浮上ヘッド２４が下降されて基板Ｗが裏面洗浄位置Ｐ2に達する（ステップＳ７９）と、第１実施形態と同様にして裏面洗浄を行う（ステップＳ８０）。すなわち、ステップＳ８０１で制御ユニット４がチャック２６ａ〜２６ｆを作動させて基板Ｗの外周端面と当接させる。これによって、基板Ｗがフェースダウン姿勢で裏面洗浄位置Ｐ2に位置決め保持される。この裏面洗浄位置Ｐ2では、基板浮上ヘッド２４の全体がスピンベース２３の窪部２３１に退避して基板表面Ｗfの周縁部（ベベルエッチング部分）とスピンベース２３の対向面２３２とが近接状態で対向配置される。その後、処理液供給用のノズル２７からスピンベース２３とともに回転される基板Ｗの裏面Ｗbに処理液が供給され、基板Ｗの裏面（非デバイス形成面）Ｗbに対して裏面洗浄処理が実行される（ステップＳ８０２）。さらに、基板Ｗに対する裏面洗浄処理が実行された後、チャック２６ａ〜２６ｆが処理済基板Ｗの外周端面と離間する方向に移動することで、基板Ｗの保持が解除される（ステップＳ８０３）。
【００７０】
続いて、制御ユニット４はアクチュエータ２５３を上昇駆動させることで窪部２３１内に退避されている基板浮上ヘッド２４をガス吐出口２４２から窒素ガスを吐出させた状態で上昇させる（ステップＳ８１）。そして、処理済基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ3まで上昇するとアクチュエータ２５３の駆動を停止させて当該位置で基板Ｗを位置決めさせる（ステップＳ８２）。これにより、基板浮上ヘッド２４は処理済基板Ｗを外部の基板搬送装置（図示省略）に引渡すことが可能となる。こうして、基板搬送装置の搬送アーム等により処理済基板Ｗが処理容器５の側面開口５１を介して装置外に搬出される（ステップＳ８３）。
【００７１】
以上のように、第３実施形態によれば、第１および第２実施形態と同様に、基板表面Ｗfの周縁部から不要物（メタル層やフォトレジスト層などの薄膜ＴＦの一部）をエッチング除去するベベルエッチング部１と、基板裏面Ｗbを洗浄する裏面洗浄部２とを分離して、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理との２ステップ処理を実行しているため、第１および第２実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００７２】
また、第３実施形態では、処理容器５の同一空間内において、ベベルエッチング部１を裏面洗浄部２の上方に配置するとともに、ベベルエッチング部１の真空チャック１１の昇降移動範囲を拡張し、真空チャック１１により基板Ｗをベベルエッチング位置Ｐ1と基板受渡し位置Ｐ3とに移動して位置決めさせるように構成しているので、次のような作用効果をさらに得ることができる。
【００７３】
まず第１点目に、ベベルエッチング部１と裏面洗浄部２との積層構造を採用しているため、基板処理装置の小型化および低フットプリント化が可能となる。また、単一の処理容器５内でベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とを実行することができるため、ベベルエッチング部１と裏面洗浄部２の間での基板の搬送距離が短くなり、スループットの向上を図ることができる。
【００７４】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第１実施形態では、基板浮上ヘッド２４を昇降させることで基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ3と裏面洗浄位置Ｐ2に位置決めさせているが、基板浮上ヘッド２４とスピンベース２３の双方を昇降させることで基板Ｗを位置決めするようにしてもよい。
【００７５】
また、上記実施形態では、２つの処理ヘッド１４Ａ，１４Ｂを設けてベベルエッチング処理を行っているが、処理ヘッドの個数や配置などはこれに限定されるものではなく、任意である。また、上記実施形態では、窒素ガスを用いているが、窒素ガス以外の不活性ガスや空気などの気体を用いてもよいことは言うまでもない。
【００７６】
＜基板処理システム＞
また、この発明にかかる基板処理装置を単体で使用してもよいが、他の基板処理を実行する基板処理装置、基板Ｗを搬送する基板搬送ユニットやインデクサ部などと組み合わせて基板処理システムを構築してもよい。その一例として、例えば図１５に示す基板処理システムがある。以下、図１５を参照しつつ、この発明にかかる基板処理システムの一実施形態について説明する。
【００７７】
図１５はこの発明にかかる基板処理装置を用いて構成した基板処理システムの一実施形態を示す図である。この基板処理システムは、半導体ウエハ等の基板Ｗに対して処理液や処理ガスなどによる処理を施すための枚葉式の処理システムである。この基板処理システムは、基板Ｗに対して処理を施す基板処理部ＰＰと、この基板処理部ＰＰに結合されたインデクサ部ＩＤと、処理流体（液体または気体）の供給／排出のための構成を収容した処理流体ボックス１１０，１１１とを備えている。
【００７８】
インデクサ部ＩＤは、基板Ｗを収容するためのカセットＣ（複数の基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒ  Ｆａｃｅ）ポッド、ＯＣ（Ｏｐｅｎ  Ｃａｓｓｅｔｔｅ）など）を複数個保持することができるカセット保持部２１０と、このカセット保持部２１０に保持されたカセットＣにアクセスして、未処理の基板ＷをカセットＣから取り出したり、処理済の基板をカセットＣに収納したりするためのインデクサロボット２２０とを備えている。各カセットＣは、複数枚の基板Ｗを微小な間隔をあけて上下方向に積層して保持するための複数段の棚（図示省略）を備えており、各段の棚に１枚ずつ基板Ｗを保持することができるようになっている。各段の棚は、基板Ｗの下面の周縁部に接触し、基板Ｗを下方から保持する構成となっており、基板Ｗは表面（デバイス形成面）を上方に向け、裏面を下方に向けたほぼ水平な姿勢でカセットＣに収容されている。
【００７９】
基板処理部ＰＰは、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット（基板搬送装置）１３０と、この基板搬送ロボット１３０が取付けられたフレーム３００とを有している。このフレーム３００には、基板搬送ロボット１３０を取り囲むように、複数個（この実施形態では４個）のユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０が設けられており、さらに、基板搬送ロボット１３０によるアクセスが可能な位置に、基板反転ユニット１４０が取付けられている。
【００８０】
ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０には、上記実施形態にかかる基板処理装置をユニット化した処理ユニット以外に、(a)基板Ｗを保持して回転させるとともに基板Ｗに薬液ノズルから薬液を供給して基板Ｗを処理する薬液処理ユニットＭＰ、(b)基板Ｗを保持して回転させ、基板Ｗに純水を供給するとともに、基板表面をスクラブブラシでスクラブするスクラブ洗浄ユニットＳＳ、(c)基板Ｗを保持して回転させるとともに基板Ｗにポリマー除去液を供給して基板Ｗ上の残渣物を除去するポリマー除去ユニットＳＲ、および(d)保持された基板Ｗに薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給して基板Ｗを処理する気相洗浄ユニットＶＰから選択した任意の処理ユニットを取付けることができる。すなわち、フレーム３００は、上記の複数種類（この実施形態では５種類）の処理ユニットに対する共通のプラットフォームを提供しており、複数種類（最大で４種類）の処理ユニットを任意に組み合わせて搭載することができるように構成されている。これにより、新材料に対応したプロセスや、微細化に対応したプロセスに容易に対応することができる。また、２種類の処理ユニットを搭載する場合に、処理タクトに合わせて、第１の種類の処理ユニットを１個搭載し、第２の種類の処理ユニットを３個搭載したり、第１の種類の処理ユニットを２個搭載し、第２の種類の処理ユニットを２個搭載したりすることもできる。
【００８１】
この構成により、少なくとも２種類の処理ユニットが基板搬送ユニットとともに１台の基板処理システムに備えられることから、１台の基板処理システムで２種以上の処理を基板Ｗに対して連続的に施すことが可能となる。これにより、多品種少量生産に良好に対応することができる。また、複数の処理が要求される場合において連続的に基板Ｗに対して処理を施すことでスループットを向上させることができる。
【００８２】
また、各処理ユニット（薬液処理ユニットＭＰ、スクラブ洗浄ユニットＳＳ、ポリマー除去ユニットＳＲ、および気相洗浄ユニットＶＰ）は、共通のベースユニットを基本骨格に有しており、ベースユニットは上記実施形態にかかる基板処理装置と同一の構成を備えている。そして、基板受渡し位置Ｐ3において基板搬送ロボット１３０との間で基板Ｗを受渡しするため高さ方向に共通の基板受渡し位置Ｐ3が設定される。したがって、どの処理ユニットを基板処理部ＰＰに配置したとしても基板搬送ロボット１３０からのアクセスが変更なく行われる。
【００８３】
基板搬送ロボット１３０は、インデクサロボット２２０から未処理の基板Ｗを受け取ることができ、かつ処理済の基板Ｗをインデクサロボット２２０に受け渡すことができる。また、基板搬送ロボット１３０は、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット１４０にアクセスすることができ、これらとの間で相互に基板Ｗの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００８４】
より具体的には、例えば、基板搬送ロボット１３０は、当該基板処理部ＰＰのフレーム３００に固定された基台部と、この基台部に対して昇降可能に取付けられた昇降ベースと、この昇降ベースに対して鉛直軸回りの回転が可能であるように取付けられた回転ベースと、この回転ベースに取付けられた一対のハンドとを備えている。一対の基板保持ハンドは、それぞれ、上記回転ベースの回転軸線に対して近接／離反する方向に進退可能に構成されている。このような構成により、基板搬送ロボット１３０は、インデクサロボット２２０、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット１４０のいずれかに対して基板保持ハンドを向け、その状態で基板保持ハンドを進退させることができ、これによって、基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００８５】
一対の基板保持ハンドは、一方を未処理の基板Ｗを保持するために用い、他方を処理済の基板Ｗを保持するために用いるように使い分けてもよい。また、一対の基板保持ハンドは、インデクサロボット２２０、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット１４０との基板Ｗの受け渡しの際に、一方の基板保持ハンドで基板Ｗを相手から受け取り、次いで、他方の基板保持ハンドで基板Ｗを相手側に受け渡すように作動させるようにしてもよい。
【００８６】
インデクサロボット２２０は、いずれかのカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出して基板搬送ロボット１３０に受け渡すとともに、基板搬送ロボット１３０から処理済の基板Ｗを受け取ってカセットＣに収容するように動作する。処理済の基板Ｗは、当該基板Ｗが未処理の状態のときに収容されていたカセットＣに収容されてもよいし、未処理の基板Ｗを収容するカセットＣと処理済の基板Ｗを収容するカセットＣとを分けておいて、未処理の状態のときに収容されていたカセットＣとは別のカセットＣに処理済の基板Ｗが収容されるようにしてもよい。
【００８７】
基板搬送ロボット１３０によって、基板反転ユニット１４０に基板Ｗを搬入し、この基板Ｗの表裏を反転させることができるから、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットにおいて、基板Ｗのデバイス形成面（本発明の「基板表面」に相当）および非デバイス形成面（本発明の「基板裏面」に相当）のいずれに対しても処理を行わせることができる。
【００８８】
この構成により、２種の処理ユニット間で基板Ｗの表裏を反転することができるので、基板Ｗの表裏それぞれの面に対して、２種の処理ユニットによる異なる処理を施すことができる。これにより、基板Ｗの両面それぞれに対して最適な処理を施すことができる。さらに詳しくは、ある処理ユニットに搬入して基板Ｗを反転させ、反転後の基板Ｗを別の処理ユニットに搬入して処理することで、基板Ｗの他方面に対する処理を行うことができる。これにより、基板Ｗの各面に適した処理を施すことができ、基板Ｗの両面を良好に処理することができる。
【００８９】
このように構成された基板処理システムに対して、基板Ｗの表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で複数枚の基板Ｗを収容したカセットＣがインデクサロボット２２０によりインデクサ部ＩＤに搬送されてくると、以下のようにして各基板Ｗに対して処理を行う。ここでは、例えば、ユニット配置部３１０に上記実施形態にかかる基板処理装置の処理ユニットを配置して該処理ユニットにより基板の裏面（非デバイス形成面）および／または基板Ｗの表面（デバイス形成面）の周縁部を処理する場合における該システムの動作について説明する。
【００９０】
まず、インデクサロボット２２０がカセットＣからフェースアップ状態のまま基板Ｗを取出し、基板搬送ロボット１３０に受け渡した後、この基板搬送ロボット１３０が基板Ｗを基板反転ユニット１４０に搬送する（ローディング）。そして、この基板Ｗを受けた基板反転ユニット１４０は、基板Ｗを反転させた後、フェースダウン状態で、すなわちデバイス形成面を下方に向けた状態にして基板搬送ロボット１３０に受け渡す。この基板搬送ロボット１３０はユニット配置部３１０に配置された処理ユニット（例えば図９の基板処理装置の同一構成の処理ユニット）に搬入する。
【００９１】
この処理ユニットでは、基板搬送ロボット１３０から未処理基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ3で受け取るべく、予め基板浮上ヘッド２４が上昇して窒素ガスを吐出させた状態で基板Ｗの受け取りの準備が整えられる。そして、基板受渡し位置Ｐ3で基板搬送ロボット１３０から未処理基板Ｗを受け取ると、処理ユニットは、上記した第２実施形態にかかる基板処理装置と同一動作を実行して基板表面（デバイス形成面）Ｗfの周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング処理および基板裏面（非デバイス形成面）Ｗbの裏面洗浄処理を実行する。
【００９２】
一連の処理が完了すると、基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ3に位置決めさせる。そして、この基板受渡し位置Ｐ3から基板搬送ロボット１３０が処理済基板Ｗを受け取り、基板反転ユニット１４０に搬送する。そして、この基板反転ユニット１４０により基板Ｗをフェースアップ状態にした後、この基板Ｗを基板搬送ロボット１３０が受け取り、さらにインデクサロボット２２０に受け渡した後、このインデクサロボット２２０がカセットＣに戻す（アンローディング）。なお、処理ユニットによる処理後、引き続き別の処理を実行させる場合は、処理内容に応じて基板搬送ロボット１３０は基板Ｗをそのままフェースダウン状態で、あるいは基板反転ユニット１４０に搬送することで基板Ｗをフェースアップ状態にした後に他の処理ユニット（薬液処理ユニットＭＰ、スクラブ洗浄ユニットＳＳ、ポリマー除去ユニットＳＲ、および気相洗浄ユニットＶＰ）に搬送する。
【００９３】
以上のように、上記実施形態にかかる基板処理装置では、基板Ｗは基板処理システムに対応して設定される基板受渡し位置Ｐ3で受渡しされるので、基板搬送ロボット１３０との基板Ｗの受渡しが容易である。しかも、基板受渡し位置Ｐ3で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板Ｗを所望の基板処理位置（ベベルエッチング位置Ｐ1や裏面洗浄位置Ｐ2）に位置決めさせることができるので、相異なる数種の処理を施す処理ユニットとして好適である。すなわち、上記実施形態にかかる基板処理装置は処理ユニットとしての汎用性が高く、各種の処理ユニットを配置可能なユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に組込み易いという利点を有している。さらに、基板Ｗを非接触でベース部材に近接する基板処理位置に位置決めさせることができるので、基板裏面が損傷したり汚染されるなどの不具合が効果的に防止される。このため、基板Ｗの処理精度を高めることができる。
【００９４】
なお、この実施形態にかかる基板処理システムでは、処理ユニットとして４つの処理ユニットを装備しているが、その個数や配置などについては任意である。また、基板処理システムとしては、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、該処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットとを少なくとも設けているものであれば、上記作用効果が得られる。したがって、処理ユニットおよび搬送ユニット以外に、他のユニットを追加して基板処理システムを構築するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対してベベルエッチング処理などの処理を施す基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す平面レイアウト図である。
【図２】ベベルエッチング部の構成を示す図である。
【図３】ベベルエッチング部の部分拡大図である。
【図４】裏面洗浄部の構成を示す図である。
【図５】図４の裏面洗浄部を上方から見た平面図である。
【図６】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】ベベルエッチング処理を示すフローチャートである。
【図８】裏面洗浄処理を示すフローチャートである。
【図９】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図１０】図９の基板処理装置の動作を示す図である。
【図１１】図９の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１２】この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【図１３】図１２の基板処理装置の動作を示す図である。
【図１４】図１２の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１５】この発明にかかる基板処理装置を用いて構成した基板処理システムの一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００９７】
１…ベベルエッチング部
２…裏面洗浄部
５…処理容器
１１…真空チャック
２４…基板浮上ヘッド
２５…基板昇降機構
５１…側面開口（搬出入位置）
１２０…アクチュエータ（昇降駆動部）
２４１…支持面
２４２…ガス吐出口
Ｐ1…ベベルエッチング位置
Ｐ2…裏面洗浄位置
Ｐ3…基板受渡し位置
Ｗb…基板裏面
Ｗf…基板表面
Ｗ…基板
【図１】
2006100368.tif 000003
【図２】
2006100368.tif 000004
【図３】
2006100368.tif 000005
【図４】
2006100368.tif 000006
【図５】
2006100368.tif 000007
【図６】
2006100368.tif 000008
【図７】
2006100368.tif 000009
【図８】
2006100368.tif 000010
【図９】
2006100368.tif 000011
【図１０】
2006100368.tif 000012
【図１１】
2006100368.tif 000013
【図１２】
2006100368.tif 000014
【図１３】
2006100368.tif 000015
【図１４】
2006100368.tif 000016
【図１５】
2006100368.tif 000017