(57)【要約】【課題】  配線ノイズを低減し、センサ感度を向上させることが可能な放射線検出装置を提供する。【解決手段】  複数の光電変換素子１０１と複数のスイッチ素子１０２を有し、スイッチ素子１０２の上に光電変換素子１０１と蛍光体層１３５が積層された積層型の放射線検出装置において、スイッチ素子１０２の信号配線に銅合金を使用する。また、複数の光電変換素子１０１とスイッチ素子１０２を同一プロセスで作製する放射線検出装置において、スイッチ素子１０２の駆動配線に銅合金を使用する。銅合金の配線を用いることにより、配線ノイズを低減し、センサ感度を向上させる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子と複数のスイッチ素子を有し、前記スイッチ素子上に光電変換素子と波長変換部材を積層した放射線検出装置において、前記スイッチ素子の信号配線は銅合金であることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
複数の光電変換素子と複数のスイッチ素子とを同一プロセスにて形成する放射線検出装置において、前記スイッチ素子の駆動配線は銅合金であることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項３】
放射線を電気信号に変換する複数の変換素子と複数のスイッチ素子を有し、前記スイッチ素子上に前記変換素子を積層した放射線検出装置において、前記スイッチ素子の信号配線は銅合金であることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項４】
前記スイッチ素子のゲート配線、前記光電変換素子のセンサ下部電極、信号配線及びバイアス配線を含むすべての金属配線層が銅合金配線であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記銅合金は、固溶限界以上のＭｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉを添加物として、１又は複数の元素を含む合金であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記添加物を０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％含むことを特徴とする請求項５に記載の放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療画像診断装置、非破壊検査装置、分析装置等の分野に使用される放射線検出装置に関し、特に、非単結晶シリコン、例えば、非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記）を用いたセンサ素子とＴＦＴ素子により構成されたセンサアレイと、放射線を可視光等に変換する蛍光体とを組み合わせたフラットパネル検出器（以下、ＦＰＤと略記）に好適な放射線検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の液晶ディスプレイ用ＴＦＴ技術の進歩、情報インフラの整備が充実した現在では、ＦＰＤが提案され、医療画像分野においても大面積、且つ、デジタル化が達成されている。このＦＰＤは、放射線画像を瞬時に読み取り、瞬時にディスプレイ上に表示できるものであり、また、画像はデジタル情報として直接取り出すことが可能であるため、データの保管、或いは、加工、転送等取り扱いが便利であると言った特徴がある。また、感度等の諸特性は、撮影条件に依存するが、従来のスクリーンフィルム系撮影法、コンピューティッドラジオグラフィ撮影法に比較して、同等又はそれ以上である事が確認されている。
【０００３】
また、ＦＰＤの製品化が達成されている一方、更なる感度向上を目指して種々の提案がなされている。例えば、米国特許第５４９８８８０号公報（特許文献１）には、開口率を向上させるため、ＴＦＴ素子上にセンサ素子を積層する構造が示されている。本従来例では、ＴＦＴのソース・ドレイン電極に接続された電極がＴＦＴ素子上を被覆し、且つ、センサ個別電極となっている構造である。ソース・ドレイン電極層としては、金、銀、銅、クロム、チタン、プラチナ、アルミ、ＩＴＯ等が使用されている。
【０００４】
また、米国特許第６０３４７２５号公報（特許文献２）、或いは米国特許第５６１９０３３号公報（特許文献３）には、同様に、ＴＦＴ素子上にセンサ素子を積層する構造が示されている。特許文献２のものでは、ソース・ドレイン電極層として、クロム、アルミがｎ＋層上に積層されている。特許文献３のものでは、ソース・ドレイン電極層として、ＴｉＷ、アルミがｎ＋層上に積層されている。
【０００５】
更に、特開２００１−６８６７９号公報（特許文献４）には、信号線としてバリヤメタル（Ｍｏ、Ｔｉ）と銅の積層構造が開示されている。
【特許文献１】米国特許第５４９８８８０号公報
【特許文献２】米国特許第６０３４７２５号公報
【特許文献３】米国特許第５６１９０３３号公報
【特許文献４】特開２００１−６８６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＦＰＤでは、センサ感度を向上させる為、配線ノイズを低減する必要がある。ノイズを低減する為、低抵抗な金属配線材料として、アルミ（Ａｌ）またはＡｌ−Ｎｄ等のアルミ合金がソース・ドレイン電極層及び信号配線、駆動配線等に使用されている。
【０００７】
一方、配線抵抗を下げる為に、配線幅を広げると開口率が低下する。膜厚を厚くすると、段差が大きくなり、上部に積層するセンサ部のリーク電流を増大させ、センサ特性が劣化して歩留まりを低下させる。
【０００８】
そこで、Ａｌより低抵抗な配線材料、例えば、銅（Ｃｕ）を使用すると、加工が難しい、ガラス基板との密着性が悪く剥がれやすい、銅がａ−Ｓｉ中に拡散しＴＦＴ特性を劣化させる等の問題がある。また、銅の拡散を防止する為、Ｍｏ、Ｔｉ等のバリアメタルを使用する方法もあるが、バリアメタル自身の抵抗が高い為、配線抵抗が増加し、低抵抗な銅を使用する効果がなくなってしまう課題があった。
【０００９】
センサ感度を向上させる為、センサ部の絶縁膜（ＳｉＮ）を薄膜化する方法もある。しかし、積層タイプの場合は、下に形成したＴＦＴ部の段差の為、薄膜化には限界がある。平坦化膜を使用し、平坦化してからセンサ部を積層する方法もあるが、工程が増え、コストアップの要因となる。
【００１０】
センサ部とＴＦＴ部を同一プロセスで形成する場合は、配線段差を低減する為、ゲート配線層を薄くするとゲート配線抵抗が増大する、ゲート配線幅を広げると開口率が低下することになる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、複数の光電変換素子と複数のスイッチ素子を有し、前記スイッチ素子上に光電変換素子と波長変換部材を積層した放射線検出装置において、前記スイッチ素子の信号配線は銅合金であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、複数の光電変換素子と複数のスイッチ素子とを同一プロセスにて形成する放射線検出装置において、前記スイッチ素子の駆動配線は銅合金であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、放射線を電気信号に変換する複数の変換素子と複数のスイッチ素子を有し、前記スイッチ素子上に前記変換素子を積層した放射線検出装置において、前記スイッチ素子の信号配線は銅合金であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、銅合金を配線材料として用いることにより、信号配線抵抗を低減できるためノイズの低減が可能となり、センサ感度を向上できる。また、配線段差を低減できる為、その上部に積層されたセンサ部のリーク電流を低減できるので絶縁膜１１６を薄膜化することが可能となり、センサ感度と歩留まりの向上を図ることができる。更に、ゲート配線段差を低減できる為、ゲート絶縁膜を薄く形成することができ、ＴＦＴの高速駆動とセンサ部の高感度化を同時に達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、発明を実施するための最良の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
第１の実施形態では、ＭＩＳ型フォトダイオード（以下、ＰＤと略記）を用いた放射線検出装置について説明する。
【００１７】
図１は第１の実施形態による３×３画素の場合の放射線検出装置の模式的等価回路図、図２はその１画素の模式的平面図である。また、図３、図４は１画素の模式的断面図であり、図３は転送用ＴＦＴソース・ドレイン電極層、センサ下電極層、ゲート電極層等の配線厚さを従来と同じにして低抵抗化をした場合の形態、図４は配線厚さを従来より薄くして抵抗値は同等とし、配線段差を低減した場合の形態を示す。なお、全ての図面において同一部分には同一符号を付している。また、放射線としては、Ｘ線、α線、β線、γ線等が使用される。これは、全ての実施形態において同様である。
【００１８】
図１において、１０１は光電変換素子（センサ素子）であるＭＩＳ型ＰＤ、１０２はスイッチ素子である転送用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、１０３は転送用ＴＦＴ駆動配線（ゲート配線）、１０４は信号線、１０５はセンサバイアス配線である。また、２０１は転送用ＴＦＴ１０２を駆動するＴＦＴ駆動回路、２０２は光電変換素子１０１から読み出した信号を処理する信号処理回路、２０３はＡ／Ｄ変換回路である。
【００１９】
なお、図２のゲート配線１０３、信号線１０４、センサバイアス線１０５は図１のものと同じである。また、図２の１０７は転送用ＴＦＴソース・ドレイン電極層、１０８はコンタクトホール（接続孔）、１０９はセンサ下部電極層、１１７・１１８は第２のアモルファス半導体層及びリンドープされた第２のｎ＋層、１１９は透明電極層（ＩＴＯ・ＳｎＯ２等）である。
【００２０】
また、図３、図４において、１１０はガラス等の絶縁性基板、１１５はゲート電極層、１１１はＳＩＮ・ＳＩＯ２等のゲート絶縁膜、１１２はａ−Ｓｉ等の第１のアモルファス半導体層、１１３はリンドープされた第１のｎ＋層（オ−ミックコンタクト層）、１１４はＳＩＮ・ＳＩＯ２・ＢＣＢ・ＰＩ等の絶縁膜、１０８はコンタクトホール、１０９はセンサ下電極層である。
【００２１】
更に、１１６はＳＩＮ・ＳＩＯ２等の絶縁膜、１１７はａ−Ｓｉ等の第２のアモルファス半導体層、１１８はリンドープされたマイクロクリスタルシリコンまたはリンドープされたａ−Ｓｉ等から成る第２のｎ＋層（ホールブロッキング層）、１１９はＩＴＯ・ＳｎＯ２等の透明電極層、１０５はセンサバイアス電極層、１３２はＳｉＮ・ＰＩ（ポリイミド）等の保護層、１３４は接着層、１３５は波長変換体としての蛍光体層（ＧＯＳ，ＣｓＩ等）、１０６は銅拡散防止用のシリサイド層である。
【００２２】
絶縁膜１１６、ａ−Ｓｉ等のアモルファス半導体層１１７及びｎ＋層１１８はＭＩＳ型ＰＤ１０１の光電変換層を構成している。また、ゲート電極層１１５、ＳＩＮ・ＳＩＯ２等のゲート絶縁膜１１１、ａ−Ｓｉ等のアモルファス半導体層１１２、第１のｎ＋層（オ−ミックコンタクト層）１１３、転送用ＴＦＴソース・ドレイン電極層１０７は、転送用ＴＦＴ１０２を構成している。そして、光電変換素子であるＭＩＳ型ＰＤ１０１は転送用ＴＦＴ１０２の上部に積層された積層型の構成となっている。
【００２３】
また、本実施形態では、ゲート電極層１１５（ゲート配線１０３）、転送用ＴＦＴソース・ドレイン電極層１０７、センサ下電極層１０９、バイアス配線１０５等には、銅合金配線が使用されている。
【００２４】
ここで、従来は、代表的な配線構成として、Ｍｏ／Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の積層構造等が使用されているが、本実施形態によれば、積層構造にする必要がなく銅合金の単層配線が可能となる。また、固溶限界以上に銅合金層の中に含まれる添加物がａ−Ｓｉやｎ＋層との間でシリサイド層１０６を形成し、銅合金中の銅がａ−Ｓｉ層１１２中に拡散するのを防止する。この際、銅合金は固溶限界以上のＭｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ等を添加物とする合金であり、これらの添加物を１ｗｔ％以上含んでいる。
【００２５】
Ｘ線等の放射線は図２の紙面上部より入射し、蛍光体層１３５により可視光に変換される。変換光はＭＩＳ型ＰＤ１０１により電荷に変換され、ＭＩＳ型ＰＤ１０１内に蓄積される。その後、ＴＦＴ駆動回路２０１の駆動により転送用ＴＦＴ駆動配線１０３を介して転送用ＴＦＴ１０２を動作させ、この蓄積電荷を転送用ＴＦＴ１０２のソース・ドレイン電極の一方と接続された信号線１０４に転送する。そして、信号処理回路２０２にて処理され、更に、Ａ／Ｄ変換回路２０３にてＡ／Ｄ変換され出力される。
【００２６】
次に、本実施形態のＭＩＳ型ＰＤを用いたＦＰＤの製造方法について説明する。第１工程は、絶縁性基板１１０上に、第１の金属層（銅合金層等）をスパッタ法により成膜する。この時、ウエットエッチングにより転送用ＴＦＴ駆動配線１０３、ＴＦＴゲート電極１１５を形成する。
【００２７】
第２工程は、ゲート絶縁膜１１１、ａ−Ｓｉ等の第１のアモルファス半導体層１１２、第１のオーミックコンタクト層１１３をプラズマＣＶＤ法により順次積層する。アモルファス半導体層は５００Å以上積層する。オーミックコンタクト層（ｎ＋層）は5００Å成膜する。また、オーミックコンタクト層（ｎ＋層）、ａ−Ｓｉ膜をドライエッチングし、ＴＦＴの島状領域を形成する。
【００２８】
第３工程は、第２の金属層（銅合金層）をスパッタ法により積層し、スイッチＴＦＴのＳＤ電極１０７、信号線１０４をウエットエッチングにより形成する。この時、銅合金用のエッチャントとしては、従来Ｃｒエッチャントとして使用される硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液が使用される。
【００２９】
次いで、同一レジストによりｎ＋半導体層を除去する。即ち、スイッチＴＦＴのＳＤ電極間のギャップ部が形成される。この時、第１のアモルファス半導体層も２００〜６００Å程度エッチングされる。
【００３０】
第４工程は、ＳＩＮ・ＳＩＯ２・ＢＣＢ・ＰＩ等の絶縁膜１１４を形成し、センサ下電極１０９と接合するためのコンタクトホール（接続孔）１０８を形成する。
【００３１】
第５工程は、第３の金属層（銅合金層等）をスパッタ法により積層し、ウエットエッチング法によりセンサ下電極１０９を形成する。
【００３２】
第６工程は、絶縁膜１１６、a-Ｓｉ等の第２のアモルファス半導体層１１７、及び第２のｎ＋層１１８をプラズマＣＶＤ法により順次積層する。
【００３３】
第７工程は、第４の金属層（銅合金層等）をスパッタ法により積層し、ウエットエッチング法によりバイアス配線１０５を形成する。
【００３４】
第８工程は、ＩＴＯ・ＳｎＯ２等の透明電極層をスパッタ法により積層し、ウエットエッチング法によりセンサ上電極を形成する。
【００３５】
第９工程は、a-Ｓｉ等の第２のアモルファス半導体層１１７、及び第２のｎ＋層１１８をドライエッチングし、素子間分離を行う。
【００３６】
第１０工程は、保護層１３２を積層し、配線引き出し部等必要な領域を除去する。その後、ＧＯＳ、ＣｓＩ等の蛍光体１３５を有機樹脂等の接着層１３４で貼り合わせる。
【００３７】
このような構成にすると、オーミックコンタクト層（ｎ＋層）１１３とソース・ドレイン電極１０７間のシリサイド層１０６により銅の拡散を防止することができる為、バリアメタルが不要となる。また、信号配線抵抗の低減によりノイズ低減が可能となり、センサ感度が向上できる。更には、配線段差を低減できる為、その上部に積層されたセンサ部のリーク電流を低減できるので絶縁膜１１６を薄膜化することが可能となり、センサ感度と歩留まりの向上を図ることができる。
【００３８】
なお、本実施形態では、銅合金配線をゲート電極層１１５、センサ下電極層１０９、ＴＦＴソース・ドレイン電極層１０７等に使用すると説明したが、本発明は、これに限ることなく、センサバイアス電極層１０５等を含む全ての配線に適用することも可能である。そうすることにより、配線構造をＭｏ／Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の積層構造にする必要がなく、銅合金単層配線層で形成できる為、プロセスの簡略化が可能となる。
【００３９】
また、本発明は、ＭＩＳ型ＰＤだけでなく、ＰＩＮ型ＰＤについても適用可能である。更に、本実施形態では間接型蛍光体について示したが、ａ−Ｓｅ等の放射線を直接電気信号に変換する変換素子を用いた直接型の放射線検出装置にも使用可能である。また、図１では説明の便宜上３×３画素の場合の構成を示したが、それ以上の画素を２次元に配列しても良いことは勿論である。
【００４０】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、同様にＭＩＳ型フォトダイオード（以下、ＰＤと略記）を用いた放射線検出装置について説明する。第２の実施形態の３×３画素の模式的等価回路図は図１と同一である。図５は第２の実施形態の１画素の模式的断面図であり、ＴＦＴ(薄膜トランジスタ)とセンサ部を同一プロセスで形成する場合を示している。
【００４１】
図５において、１１０はガラス等の絶縁性基板、１１５はゲート電極層、１０９はセンサ下電極層、１１１はＳＩＮ・ＳＩＯ２等のゲート絶縁膜、１１２、１１７はａ−Ｓｉ等のアモルファス半導体層、１１３、１１８はリンドープされたｎ＋層（オ−ミックコンタクト層）、１０８はコンタクトホールである。また、１１９はＩＴＯ・ＳｎＯ２等の透明電極層、１０５はセンサバイアス電極層、１０７は転送用ＴＦＴソース・ドレイン電極層、１０４は信号線、１３２はＳｉＮ・ＰＩ（ポリイミド）等の保護層、１３４は接着層、１３５は波長変換体としての蛍光体層（ＧＯＳ，ＣｓＩ等）である。
【００４２】
また、本実施形態では、ゲート電極層１１５（ゲート配線１０３）、ＴＦＴソース・ドレイン電極層１０７、センサ下電極層１０９等には、銅合金配線が使用されている。銅合金は固溶限界以上のＭｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉを添加物として、１又は複数の元素を含む合金であり、これらの添加物を０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％含んでいる。
【００４３】
ここで、従来は、代表的な配線構成としては、Ｍｏ／Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層構造等が使用されているが、本実施形態によれば、配線を積層構造にする必要がなく銅合金の単層配線が可能となる。
【００４４】
Ｘ線等の放射線は図面上部より入射し、蛍光体層１３５により可視光に変換される。変換光はＭＩＳ型ＰＤ１０１により電荷に変換され、ＭＩＳ型ＰＤ１０１内に蓄積される。その後、ＴＦＴ駆動回路２０１により転送用ＴＦＴ駆動配線１０３を介して転送用ＴＦＴ１０２を動作させ、この蓄積電荷を転送用ＴＦＴ１０２のソース・ドレイン電極の一方と接続された信号線１０４に転送する。そして、信号処理回路２０２にて処理され、更に、Ａ／Ｄ変換回路２０３にてＡ／Ｄ変換され出力される。
【００４５】
次に、第２の実施形態におけるＭＩＳ型ＰＤを用いたＦＰＤの製造方法について説明する。第１工程は、絶縁性基板１１０上に、第１の金属層（銅合金層）をスパッタ法により成膜する。この時、ウエットエッチングによりスイッチＴＦＴ駆動配線１０３、スイッチＴＦＴゲート電極１１５、センサ下電極層１０９を形成する。エッチャントとしては、従来Ｃｒエッチャントとして使用される硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液が使用される。
【００４６】
第２工程は、ゲート絶縁膜１１１、ａ−Ｓｉ等のアモルファス半導体層１１２、１１７、オーミックコンタクト層１１３、１１８をプラズマＣＶＤ法により順次積層する。アモルファス半導体層は１０００Å以上積層する。オーミックコンタクト層（ｎ＋層）は5００Å成膜する。
【００４７】
第３工程は、オーミックコンタクト層（ｎ＋層）、ａ−Ｓｉ膜をドライエッチングし、ＴＦＴの島状領域及びセンサ部を形成する。
【００４８】
第４工程は、第２の金属層をスパッタ法により積層し、スイッチＴＦＴのＳＤ電極１０７、信号線１０４、バイアス配線１０５をウエットエッチングにより形成する。次いで、同一レジストによりｎ＋半導体層を除去する。即ち、スイッチＴＦＴのＳＤ電極間のギャップ部が形成される。この時、アモルファス半導体層も２００〜６００Å程度エッチングされる。
【００４９】
第５工程は、ＩＴＯ・ＳｎＯ２等の透明電極層をスパッタ法により積層し、ウエットエッチング法によりセンサ上電極を形成する。
【００５０】
第６工程は、保護層１３２を積層し、配線引き出し部等、必要な領域を除去する。その後、ＧＯＳ、ＣｓＩ等の蛍光体１３５を有機樹脂等の接着層１３４で貼り合わせる。
【００５１】
このような構成にすると、ゲート配線（駆動配線）抵抗の低減によりノイズ低減が可能となる。また、ゲート配線段差を低減できる為、ゲート絶縁膜１１１を薄く形成することができ、ＴＦＴの高速駆動とセンサ部の高感度化を同時に達成できる。
【００５２】
なお、本実施形態では、銅合金配線をゲート電極層１１５（ゲート配線１０３）、センサ下電極層１０９等に使用する場合を示したが、信号配線１０４やセンサバイアス電極層１０５、ＴＦＴソース・ドレイン電極層１０７等を含む全ての配線に使用することも可能である。そうすることにより、配線構造をＭｏ／Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等の積層構造にする必要がなく、銅合金単層膜で形成できる為、プロセスの簡略化が可能となる。
【００５３】
また、センサバイアス電極層１０５やＴＦＴソース・ドレイン電極層１０７等に銅合金配線を適用した場合、固溶限界以上に銅合金層の中に含まれる添加物がａ−Ｓｉやｎ＋層との間でシリサイド層（図示せず）を形成し、銅合金中の銅がａ−Ｓｉ層１１２中に拡散するのを防止する。この際、銅合金は固溶限界以上のＭｏ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ等を添加物とする合金であり、これらの添加物を０．１ｗｔ％〜３．０ｗｔ％含んでいる。
【００５４】
また、本実施形態ではＭＩＳ型ＰＤを用いた例を示したが、本発明は、ＰＩＮ型ＰＤを用いた場合にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す模式的等価回路図である。
【図２】第１の実施形態の１画素の模式的平面図である。
【図３】第１の実施形態の１画素の模式的断面図である。
【図４】第１の実施形態の１画素の模式的断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０１  光電変換素子（ＭＩＳ型ＰＤ）
１０２  転送用ＴＦＴ
１０３  転送用ＴＦＴ駆動配線（ゲート配線）
１０４  信号線
１０５  センサバイアス配線
１０６  銅拡散防止用シリサイド層
１０７  転送用ＴＦＴソース・ドレイン電極層
１０８  コンタクトホール
１０９  センサ下部電極層
１１０  絶縁性基板
１１１  ゲート絶縁膜
１１２  第１のアモルファス半導体層
１１３  第１のｎ＋層
１１４  絶縁膜
１１６  絶縁膜
１１７  第２のアモルファス半導体層
１１８  第２のｎ＋層
１１９  透明電極層
１３２  保護層
１３４  接着層
１３５  蛍光体層
２０１  ＴＦＴ駆動回路
２０２  信号処理回路
２０３  Ａ／Ｄ変換回路
【図１】
2006005077.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006005077.tif 000005
【図４】
2006005077.tif 000006
【図５】
2006005077.tif 000007