(57)【要約】 【課題】  バッチ式であってもウエハの面に対して均一なプラズマ処理を施すことができる処理装置及び処理方法とする。【解決手段】  ウエハ６の積層方向に延びる駆動桿１３と、ウエハ６をボート４から一斉に離反させると共にウエハ６の周方向の異なる部位をボート４に一斉に保持させる状態に駆動桿１３を駆動する駆動手段１４とを備え、プラズマ発生電極によるプラズマ処理中に、駆動手段１４の駆動桿１３により複数枚のウエハ６を回動させてウエハ６とプラズマ発生電極との回転方向の位置関係を変更することにより、複数枚のウエハ６の周方向に対して均一にプラズマ密度を分布させる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に処理室が形成される反応容器を備え、前記処理室内に複数枚のウエハを保持するボートを配置し、前記処理室内の前記ウエハに処理を施す処理手段を設け、複数枚の前記ウエハと前記処理手段との位置関係を相対的に変更する状態変更手段を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
内部に処理室が形成される反応容器を備え、前記処理室内に反応用の処理ガスを供給する処理ガス供給手段を設け、前記処理室内を所定の真空状態に保持するように前記処理室内の排気を行う排気手段を設け、前記処理室内に複数枚のウエハを保持するボートを配置し、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生電極を前記反応容器の周囲に設け、複数枚の前記ウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更する状態変更手段を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、
前記状態変更手段は、
前記ウエハの積層方向に延びる駆動桿と、前記ウエハを前記ボートから一斉に離反させると共に前記ウエハの周方向の異なる部位を前記ボートに一斉に保持させる状態に前記駆動桿を駆動する駆動手段と
を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、
前記状態変更手段は、
前記ウエハの積層方向に延びて前記ウエハの周縁に接触する回動桿と、
前記回動桿を中心軸周りで駆動回転させることにより前記ウエハを一斉に回動させる回動駆動手段と
を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記回動駆動手段は、前記回動桿により前記ウエハを前記ボートから一斉に離反させた後に前記回動桿を駆動回転させる機能
を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項６】
請求項１又は２において、
前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、
前記状態変更手段は、
前記ウエハの積層方向に延びて前記ウエハの周縁に接触する振動桿と、
前記振動桿を振動させることにより前記ウエハを一斉に回動させる振動駆動手段と
を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、
前記状態変更手段は、前記ウエハが積層される方向の前記ウエハの位置を前記処理手段に対して相対的に変更する
ことを特徴とする処理装置。
【請求項８】
請求項２において、
前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、
前記状態変更手段は、前記ウエハが積層される方向の位置を前記プラズマ発生電極に対して相対的に変更する
ことを特徴とする処理装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記状態変更手段は、前記ウエハが積層される方向の前記プラズマ発生電極の位置を変更する往復駆動手段である
ことを特徴とする処理装置。
【請求項１０】
処理室内に複数枚のウエハを保持して処理手段により処理を施すに際し、複数枚の前記ウエハと前記処理手段との位置関係を相対的に変更しながら処理を施すことを特徴とする処理方法。
【請求項１１】
処理室内に複数枚のウエハを保持し、前記処理室内に処理ガスを供給すると共にプラズマ発生電極によりプラズマを発生させ、複数枚の前記ウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更しながらプラズマ処理を施すことを特徴とする処理方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記複数のウエハを一斉に回動させることで前記複数のウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更することを特徴とする処理方法。
【請求項１３】
請求項１１において、
複数枚の前記ウエハが所定の間隔で積層状態に保持され、
複数枚の前記ウエハの積層方向に沿って前記プラズマ発生電極を往復動させることで前記複数のウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更することを特徴とする処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ウエハ面に残るレジストを除去するための処理を行うバッチ式の処理装置に関し、バッチ式であってもウエハの面に対して均一な処理が施されるように企図したものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程、例えば、ピエゾ素子をウエハに製造する工程では、レジスト膜を用いてエッチングによりイオンミーリングが行われている。所望のエッチングが終了した後にレジスト膜を除去するようになっている。一般にレジスト膜の除去は、薬品を用いてレジスト膜を剥離させている。ピエゾ素子は薬品に対する耐性が低いため、酸素プラズマによりアッシングを行ってレジスト膜を除去している。
【０００３】
酸素プラズマによるレジスト膜の除去を実施する場合、処理室内のボートに複数枚のウエハを保持し、処理室に酸素ガスを供給すると共にプラズマ電極により酸素プラズマを発生させ、酸素プラズマによるバッチ処理によりレジスト膜が除去される。しかし、バッチ処理のため、複数枚のウエハの間のプラズマ密度が不均一になったり、処理室内の位置によってプラズマ密度が不均一になったりすることが考えられる。処理室内のプラズマが複数のウエハに対して不均一になると、アッシングが不十分なウエハが存在したりアッシング過多になるウエハが存在してしまう。
【０００４】
このため、バッチ処理におけるプラズマ処理装置では、処理室内のボートに保持するウエハの間隔を広くして、複数のウエハに対するプラズマ密度の均一化を図ることが従来から提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３２９７６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ウエハの間隔を広くすることにより、プラズマ密度が拡散されて均一化される。しかし、バッチ処理におけるウエハの処理枚数が大幅に減少し、効率よく多数のウエハの処理が行える、といったバッチ処理の効果が得られなくなってしまう。また、ウエハの間隔を広くしても、周方向に対して均一にプラズマ密度を分布させることは困難であり、処理ムラをなくすことは困難であった。ウエハを回転させることも考えられるが、プラズマを停止して温度を低下させた後にウエハを回転させる必要があり、不必要な温度低下を招くと共にウエハに汚れが付着する問題も生じてしまう。
【０００７】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、バッチ式であってもウエハの面に対して均一な処理を施すことができる処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明の第１の態様は、内部に処理室が形成される反応容器を備え、前記処理室内に複数枚のウエハを保持するボートを配置し、前記処理室内の前記ウエハに処理を施す処理手段を設け、複数枚の前記ウエハと前記処理手段との位置関係を相対的に変更する状態変更手段を備えたことを特徴とする処理装置にある。
かかる第１の態様では、処理手段による処理中に、状態変更手段により複数枚のウエハと処理手段との位置関係を相対的に変更することにより、複数枚のウエハに対して均一に処理を施すことができ、バッチ式であってもウエハの面に対して均一な処理を施すことができる処理装置となる。
【０００９】
上記目的を達成するための本発明の本発明の第２の態様は、内部に処理室が形成される反応容器を備え、前記処理室内に反応用の処理ガスを供給する処理ガス供給手段を設け、前記処理室内を所定の真空状態に保持するように前記処理室内の排気を行う排気手段を設け、前記処理室内に複数枚のウエハを保持するボートを配置し、前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生電極を前記反応容器の周囲に設け、複数枚の前記ウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更する状態変更手段を備えたことを特徴とする処理装置にある。
かかる第２の態様では、プラズマ発生電極によるプラズマ処理中に、状態変更手段により複数枚のウエハとプラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更することにより、複数枚のウエハに対して均一にプラズマ密度を分布させることができ、バッチ式であってもウエハの面に対して均一なプラズマ処理を施すことができる処理装置となる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様において、前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、前記状態変更手段は、前記ウエハの積層方向に延びる駆動桿と、前記ウエハを前記ボートから一斉に離反させると共に前記ウエハの周方向の異なる部位を前記ボートに一斉に保持させる状態に前記駆動桿を駆動する駆動手段とを備えたことを特徴とする処理装置にある。
かかる第３の態様では、駆動手段による駆動桿の駆動によりボートからウエハを離反させて一斉に回動させることができ、ウエハを傷付けることなくウエハの状態を変更して周方向におけるウエハに対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１又は第２の態様において、前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、前記状態変更手段は、前記ウエハの積層方向に延びて前記ウエハの周縁に接触する回動桿と、前記回動桿を中心軸周りで駆動回転させることにより前記ウエハを一斉に回動させる回動駆動手段とを備えたことを特徴とする処理装置にある。
かかる第４の態様では、回動駆動手段による回動桿の駆動回転によりウエハを一斉に回動させることができ、確実にウエハの状態を変更して周方向におけるウエハに対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第４の態様において、前記回動駆動手段は、前記回動桿により前記ウエハを前記ボートから一斉に離反させた後に前記回動桿を駆動回転させる機能を備えたことを特徴とする処理装置にある。
かかる第５の態様では、ウエハを傷付けることなく確実にウエハの状態を変更して周方向におけるウエハに対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、第１又は第２の態様において、前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、前記状態変更手段は、前記ウエハの積層方向に延びて前記ウエハの周縁に接触する振動桿と、前記振動桿を振動させることにより前記ウエハを一斉に回動させる振動駆動手段とを備えたことを特徴とする処理装置にある。
かかる第６の態様では、振動駆動手段による振動桿の振動によりウエハを一斉に回動させることができ、簡単な機構でウエハの状態を変更して周方向におけるウエハに対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００１４】
本発明の第７の態様は、第１の態様において、前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、前記状態変更手段は、前記ウエハが積層される方向の前記ウエハの位置を前記処理手段に対して相対的に変更することを特徴とする処理装置にある。
かかる第７の態様では、ウエハが積層される方向に対して均一に処理を施すことができる。
【００１５】
本発明の第８の態様は、第２の態様において、前記ボートは、複数枚の前記ウエハを所定の間隔で積層状態に保持するものであり、前記状態変更手段は、前記ウエハが積層される方向の位置を前記プラズマ発生電極に対して相対的に変更することを特徴とする処理装置にある。
かかる第８の態様では、ウエハが積層される方向に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００１６】
本発明の第９の態様は、第８の態様において、前記状態変更手段は、前記ウエハが積層される方向の前記プラズマ発生電極の位置を変更する往復駆動手段であることを特徴とする処理装置にある。
かかる第９の態様では、往復駆動手段によりプラズマ発生電極の位置を変更することで、処理室内の構成を複雑にすることなくウエハが積層される方向に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。尚、ボートの位置を往復移動させてウエハが積層される方向に対して均一にプラズマ密度を分布させることも可能である。
【００１７】
上記目的を達成するための本発明の第１０の態様は、処理室内に複数枚のウエハを保持して処理手段により処理を施すに際し、複数枚の前記ウエハと前記処理手段との位置関係を相対的に変更しながら処理を施すことを特徴とする処理方法にある。
かかる第１０の態様では、処理手段による処理中に、状態変更手段により複数枚のウエハと処理手段との位置関係を相対的に変更することにより、複数枚のウエハに対して均一に処理を施すことができ、バッチ式であってもウエハの面に対して均一な処理を施すことができる処理方法となる。
【００１８】
上記目的を達成するための本発明の第１１の態様は、処理室内に複数枚のウエハを保持し、前記処理室内に処理ガスを供給すると共にプラズマ発生電極によりプラズマを発生させ、複数枚の前記ウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更しながらプラズマ処理を施すことを特徴とする処理方法にある。
かかる第１１の態様では、プラズマ発生電極によるプラズマ処理中に、状態変更手段により複数枚のウエハとプラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更することにより、複数枚のウエハに対して均一にプラズマ密度を分布させることができ、バッチ式であってもウエハの面に対して均一なプラズマ処理を施すことができる処理方法となる。
【００１９】
本発明の第１２の態様は、第１１の態様において、前記複数のウエハを一斉に回動させることで前記複数のウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更することを特徴とする処理方法にある。
かかる第１２の態様では、ウエハを一斉に回動させることでウエハの状態を変更して周方向におけるウエハに対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００２０】
本発明の第１３の態様は、第１１の態様において、複数枚の前記ウエハが所定の間隔で積層状態に保持され、複数枚の前記ウエハの積層方向に沿って前記プラズマ発生電極を往復動させることで前記複数のウエハと前記プラズマ発生電極との位置関係を相対的に変更することを特徴とする処理方法にある。
かかる第１３の態様では、ウエハが積層される方向に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の処理装置及び処理方法は、バッチ式であってもウエハの面に対して均一な処理を施すことができる処理装置及び処理方法となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態例）
図１には本発明の第１実施形態例に係る処理装置としてのプラズマ処理装置の概略平面視、図２には図１中の側面視、図３には図２中のIII-III線矢視、図４には図２中のIV-IV線矢視、図５にはウエハの回動動作説明を示してある。
【００２３】
図１、図２に示すように、中心軸が水平方向に延びて配される反応容器としての筒状のチャンバ（例えば、セラミックス製）１が備えられ、チャンバ１の左右の開口は蓋部材（例えば、セラミックス製）２で塞がれている。蓋部材２で塞がれたチャンバ１の内部に処理室３が形成される。
【００２４】
処理室３の内部にはボート４（例えば、石英製）が配置され、ボート４には、チャンバ１の中心軸方向（図中左右方向）に延びて配される４本の枠部材５が備えられている。枠部材５には円盤状のウエハ６の外周縁が嵌合する溝部７が多数形成され、溝部７にウエハ６の外周縁を嵌合させることで、ウエハ６が垂直に保持され、ボート４に所定の間隔で左右方向に積層された状態に保持される。
【００２５】
一方（図中左側）の蓋部材２には処理ガス供給手段としての酸素供給ノズル８が設けられ、酸素供給ノズル８からは所定の流量及び濃度に制御された酸素ガスが処理室３内に供給される。他方（図中右側）の蓋部材２には排気手段としての排気ノズル９が設けられ、排気ノズル９には図示しない排気機構及び真空手段が接続されている。排気ノズル９により処理室３内の排気を行うことにより、処理室３の内部が所定の真空状態に保持される。
【００２６】
図２に示すように、チャンバ１の上下にはプラズマ発生電極１１が設けられ、上側のプラズマ発生電極１１には図示しない整合器を介して電源１０が接続され、下側のプラズマ発生電極１１は接地状態にされている。プラズマ発生電極１１には電源１０から高周波が供給され、処理室３内に容量プラズマを発生させる。尚、プラズマ発生電極として、チャンバ１の周囲に配されるコイル状のアンテナを適用し、処理室３内に誘導プラズマを発生させるようにしてもよい。
【００２７】
図１乃至図４に示すように、複数枚のウエハ６とプラズマ発生電極１１との位置関係を相対的に変更する状態変更手段としてのウエハ回動手段１２が設けられている。ウエハ回動手段１２により、ウエハ６を枠部材５から一斉に離反させると共にウエハ６の周方向の異なる部位を枠部材５に一斉に保持させるようになっている。つまり、ウエハ６を一斉に回動させるようになっている。
【００２８】
即ち、ウエハ回動手段１２として、ウエハ６の下部には、ウエハ６の積層方向（図１、図２中左右方向）に延びる２本の駆動桿１３が設けられている。一方（図中左側）の蓋部材２には駆動桿１３を駆動する駆動手段１４が設けられ、駆動手段１４により２本の駆動桿１３が所定状態に駆動される。つまり、駆動手段１４により、２本の駆動桿１３が、斜め上方、真下、元の位置の順に駆動される。２本の駆動桿１３が斜め上方に駆動されたときに複数のウエハ６が斜め上方に持ち上げられて枠部材５から一斉に離反する。２本の駆動桿１３が真下に駆動されたときに複数のウエハ６が真下に降ろされてウエハ６の周方向の異なる部位が枠部材５に一斉に保持される。
【００２９】
上記構成のプラズマ処理装置の作用を説明する。例えば、レジスト膜を用いてエッチングによりイオンミーリングが行われてピエゾ素子が作製された（所望のエッチングが終了した）多数のウエハ６がボート４に保持され、酸素プラズマによるバッチ処理によりレジスト膜が除去される。
【００３０】
所望のエッチングが終了した多数のウエハ６がボート４に保持される。チャンバ１の内部に酸素供給ノズル８から酸素ガスを供給し、プラズマ発生電極１１から電磁波をチャンバ１の内部に入射する。これにより、酸素ガスをイオン化して酸素ガスプラズマを発生させ、酸素ラジカルを生成する。酸素ラジカルによるアッシングによりウエハ６のレジスト膜が除去される。
【００３１】
酸素ガスプラズマによる処理中に、ウエハ回動手段１２により、ウエハ６を枠部材５から一斉に離反させると共にウエハ６の周方向の異なる部位を枠部材５に一斉に保持させて、ウエハ６を一斉に回動させるようになっている。これにより、ウエハ６を傷付けることなくウエハ６を回動させて周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００３２】
図５に基づいてウエハ６の回動動作を説明する。
【００３３】
図５（a）に示すように、駆動手段１４（図１、２参照）により２本の駆動桿１３が斜め上方に移動され（１）、複数のウエハ６が斜め上方に持ち上げられて枠部材５から一斉に離反する。次に、駆動手段１４（図１、２参照）により２本の駆動桿１３が真下に駆動され（２）、図５（b）に示すように、複数のウエハ６が真下に降ろされてウエハ６の周方向の異なる部位が枠部材５に一斉に保持され、ウエハ６が回動された状態にされる。最後に、図５（c）に示すように、駆動手段１４（図１、２参照）により２本の駆動桿１３が元の位置に戻される（３）。上述した（１）、（２）、（３）のサイクルを繰り返すことにより、酸素ガスプラズマによる処理中にウエハ６が回動され、ウエハ６の周方向におけるプラズマ密度が均一に分布した状態にされる。
【００３４】
このため、ウエハ６を傷付けることなく確実にウエハ６の状態を変更して周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができ、ウエハ６の全周にわたり均一にレジストが除去されると共に、ボート４に対する保持部のレジスト残りをなくすことができる。従って、バッチ式であってもウエハ６の面に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置となる。
【００３５】
（第２実施形態例）
図６に基づいて本発明の第２実施形態例を説明する。図６には本発明の第２実施形態例に係るプラズマ処理装置の要部説明を示してあり、図６（a）は第１実施形態例の図３に相当し、図６（b）は第１実施形態例の図４に相当する。このため、図３、図４に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００３６】
本実施形態例のプラズマ処理装置は、第１実施形態例の駆動桿１３に代えて、状態変更手段として回動桿２１を備えた構成となっている。即ち、ウエハ６の積層方向（図１、図２中の左右方向）に延びて回動桿２１が設けられ、回動桿２１は複数のウエハ６の周縁に接触した状態に配置されている。回動桿２１は回動駆動手段２２により中心軸周りで回動駆動されるようになっている。回動桿２１の回動により、周縁が接触する複数のウエハ６が一斉に回動される。
【００３７】
酸素ガスプラズマによる処理中に、回動駆動手段２２の駆動により、ウエハ６を一斉に回動させることで、複数のウエハ６を確実に回動させて周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００３８】
このため、確実にウエハ６の状態を変更して周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができ、ウエハ６の全周にわたり均一にレジストが除去されると共に、ボート４に対する保持部のレジスト残りをなくすことができる。従って、バッチ式であってもウエハ６の面に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置となる。
【００３９】
尚、回動桿２１を軸方向に交差する方向に移動自在とし、ウエハ６をボートから離反させた状態で回動桿２１を回動駆動させてウエハ６を一斉に回動させることも可能である。これにより、ウエハ６を傷付けることなく、しかも、確実にウエハ６を回動させることが可能になる。
【００４０】
（第３実施形態例）
図７に基づいて本発明の第３実施形態例を説明する。図７には本発明の第３実施形態例に係るプラズマ処理装置の要部説明を示してあり、図７（a）は第１実施形態例の図３に相当し、図７（b）は第１実施形態例の図４に相当する。このため、図３、図４に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００４１】
本実施形態例のプラズマ処理装置は、第１実施形態例の駆動桿１３に代えて、状態変更手段として振動桿２３を備えた構成となっている。即ち、ウエハ６の積層方向（図１、図２中の左右方向）に延びて振動桿２３が設けられ、振動桿２３は複数のウエハ６の周縁に接触した状態に配置されている。振動桿２３は振動駆動手段２４により中心軸に交差する方向（ウエハ６に接近離反する方向）に往復した振動が与えられるようになっている。振動桿２３の振動により、周縁が接触する複数のウエハ６が一斉に振動して回動される。
【００４２】
酸素ガスプラズマによる処理中に、振動駆動手段２４の駆動により、振動桿２３を振動させてウエハ６を一斉に回動させることで、複数のウエハ６を簡単な機構で回動させて周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００４３】
このため、簡単な機構でウエハ６の状態を変更して周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができ、ウエハ６の全周にわたり均一にレジストが除去されると共に、ボート４に対する保持部のレジスト残りをなくすことができる。従って、バッチ式であってもウエハ６の面に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置となる。
【００４４】
（第４実施形態例）
図８、図９に基づいて本発明の第４実施形態例を説明する。図８には本発明の第４実施形態例に係るプラズマ処理装置の概略側面、図９には図８中のIX-IX線矢視を示してある。本実施形態例のプラズマ処理装置は、縦型のチャンバを適用した例を示してある。尚、第１実施形態例と同一部材には同一符号を付してある。
【００４５】
図８に示すように、中心軸が鉛直方向に延びて配される反応容器としての筒状のチャンバ（例えば、セラミックス製）３１が備えられ、チャンバ３１の底部の開口は底板（例えば、セラミックス製）３２で塞がれ、上部の開口は天井板（例えば、セラミックス製）３３で塞がれている。底板３２及び天井板３３で塞がれたチャンバ３１の内部に処理室３４が形成される。
【００４６】
処理室３４の内部にはボート３５（例えば、石英製）が配置され、ボート３５には、チャンバ３１の中心軸方向（図中上下方向）に延びて配される４本の枠部材３６が備えられている。また、枠部材３６に対向して１本の支え枠３７が設けられている。枠部材３６には円盤状のウエハ６の外周縁が嵌合する溝部３８が多数形成され、溝部３８にウエハ６の外周縁を嵌合させることで、ウエハ６が水平状態でボート３５に保持され、ウエハ６は所定の間隔で上下方向に積層された状態に保持される。そして、支え枠３７の溝部３９をウエハ６の周縁に嵌合させることで、ウエハ６が落下することなくボート３５に保持される。
【００４７】
チャンバ３１の上方には処理ガス供給手段としての酸素供給ノズル４１が設けられ、酸素供給ノズル４１からは所定の流量及び濃度に制御された酸素ガスが処理室３４内に供給される。チャンバ３１の下方には排気手段としての排気ノズル４２が設けられ、排気ノズル４２には図示しない排気機構及び真空手段が接続されている。排気ノズル４２により処理室３４内の排気を行うことにより、処理室３４の内部が所定の真空状態に保持される。
【００４８】
チャンバ３１の周囲にはプラズマ発生電極４３が設けられ、一方のプラズマ発生電極４３には図示しない整合器を介して電源１０が接続され、他方のプラズマ発生電極４３は接地状態にされている。プラズマ発生電極４３には電源１０から高周波が供給され、処理室３４内に容量プラズマを発生させる。尚、プラズマ発生電極として、チャンバ３１の周囲に配されるコイル状のアンテナを適用し、処理室３４内に誘導プラズマを発生させるようにしてもよい。
【００４９】
複数枚のウエハ６とプラズマ発生電極４３との位置関係を相対的に変更する状態変更手段としてのウエハ回動手段２２が設けられている。ウエハ回動手段２２により、ウエハ６を一斉に回動させるようになっている。即ち、ウエハ６の積層方向（図８中の上下方向）に延びて回動桿２１が設けられ、回動桿２１は複数のウエハ６の周縁に接触した状態に配置されている。回動桿２１は天井板３３に固定された回動駆動手段２２により中心軸周りで回動駆動されるようになっている。回動桿２１の回動により、周縁が接触する複数のウエハ６が一斉に回動される。
【００５０】
上記構成のプラズマ処理装置の作用を説明する。例えば、レジスト膜を用いてエッチングによりイオンミーリングが行われてピエゾ素子が作製された（所望のエッチングが終了した）多数のウエハ６がボート３５に保持され、酸素プラズマによるバッチ処理によりレジスト膜が除去される。
【００５１】
所望のエッチングが終了した多数のウエハ６がボート３５に保持される。チャンバ３１の内部に酸素供給ノズル４１から酸素ガスを供給し、プラズマ発生電極４３から電磁波をチャンバ３１の内部に入射する。これにより、酸素ガスをイオン化して酸素ガスプラズマを発生させ、酸素ラジカルを生成する。酸素ラジカルによるアッシングによりウエハ６のレジスト膜が除去される。
【００５２】
酸素ガスプラズマによる処理中に、回動駆動手段２２の駆動により、ウエハ６を一斉に回動させることで、複数のウエハ６を確実に回動させて周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。
【００５３】
このため、確実にウエハ６の状態を変更して周方向におけるウエハ６に対して均一にプラズマ密度を分布させることができ、ウエハ６の全周にわたり均一にレジストが除去されると共に、ボート３５に対する保持部のレジスト残りをなくすことができる。従って、バッチ式であってもウエハ６の面に対して均一なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置となる。
【００５４】
（第５実施形態例）
図１０に基づいて本発明の第５実施形態例を説明する。図１０には本発明の第５実施形態例に係るプラズマ処理装置の概略側面を示してある。第５実施形態例に係るプラズマ処理装置は、第４実施形態例のプラズマ処理装置に対してウエハ回動手段２２に代えてプラズマ発生電極４３を昇降させる往復駆動手段１６が設けられている。このため、図８に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００５５】
図１０に示すように、プラズマ発生電極４３が昇降自在に設けられ、プラズマ発生電極４３には昇降板１８が接続されている。チャンバ３１の下方には昇降アクチュエータ１７が設けられ、昇降板１８には昇降アクチュエータ１７の昇降駆動軸１９の先端が固定されている。つまり、昇降アクチュエータ１７の駆動により昇降駆動軸１９が昇降駆動することにより、昇降板１８を介してプラズマ発生電極４３がチャンバ３１の軸方向（上下方向）、即ち、複数枚のウエハ６の積層方向に沿って往復移動する。
【００５６】
複数枚のウエハ６の積層方向に沿ってプラズマ発生電極４３を往復動させることで複数のウエハ６とプラズマ発生電極４３との位置関係を相対的に変更することができ、ウエハ６が積層される方向に対して均一にプラズマ密度を分布させることができる。このため、バッチ式であってもウエハの面に対して均一な処理を施すことができる。
【００５７】
（その他の実施形態例）
尚、図１０に示した実施形態例では、回動駆動手段２２に代えてプラズマ発生電極４３を昇降させる往復駆動手段１６を設けた例を挙げて説明したが、回動駆動手段２２に加えてプラズマ発生電極４３を昇降させる往復駆動手段１６を設ける構成にすることも可能である。また、図１、図２に示した横型のチャンバに対するプラズマ発生電極をチャンバの軸方向に往復移動させる構成とすることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、バッチ式であってもウエハの面に対して均一な処理を施すことができる処理装置及び処理方法の技術分野で利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１実施形態例に係る処理装置としてのプラズマ処理装置の概略平面図である。
【図２】図１中の側面図である。
【図３】図２中のIII-III線矢視図である。
【図４】図２中のIV-IV線矢視図である。
【図５】ウエハの回動動作説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態例に係るプラズマ処理装置の要部説明図である。
【図７】本発明の第３実施形態例に係るプラズマ処理装置の要部説明図である。
【図８】本発明の第４実施形態例に係るプラズマ処理装置の概略側面図である。
【図９】図８中のIX-IX線矢視図である。
【図１０】本発明の第５実施形態例に係るプラズマ処理装置の概略側面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１、３１  チャンバ、  ２  蓋部材、  ３、３４  処理室、  ４、３５  ボート、  ５、３６  枠部材、  ６  ウエハ、  ７、３８、３９  溝部、  ８、４１  酸素供給ノズル、  ９、４２  排気ノズル、  １０  電源、  １１、４３  プラズマ発生電極、  １２  ウエハ回動手段、  １３  駆動桿、  １４  駆動手段、  １６  往復駆動手段、  １７  昇降アクチュエータ、  １８  昇降板、  ２１  回動桿、  ２２  回動駆動手段、  ２３  振動桿、  ２４  振動駆動手段、  ３２  底板、  ３３  天井板、３７  支え枠
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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