(57)【要約】【課題】  転写用原盤基板の型の製造方法において、高精細化に対応しつつ、レジストの露光条件を緩和することを可能とする。【解決手段】  平坦基板２０へのレジスト３１の塗布、露光及び現像を実施して、レジストパターンＲを形成する工程（Ａ）と、平坦基板２０をエッチングし、工程（Ａ）で形成されるレジストパターンＲの開口幅Ｓより大きい幅の凹部２１（幅Ｗ）を形成して、転写する信号パターンに応じた表面凹凸パターンＰ１と補完的な反転パターンＰ２を形成する工程（Ｂ）とを順次実施する。【選択図】  図２
2006172640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなる転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、
平坦基板へのポジ型レジストの塗布、露光及び現像を実施して、レジストパターンを形成する工程（Ａ）と、前記平坦基板をエッチングし、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅より大きい幅の凹部を形成して、前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｂ）とを順次有することを特徴とする転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項２】
前記凹部の幅を、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅の１倍超１．５倍以下とすることを特徴とする請求項１に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項３】
前記工程（Ｂ）を、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅よりも前記平坦基板を大きくエッチングして実施することを特徴とする請求項１又は２に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、前記レジストのエッチングを実施し、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅を拡大させる工程（Ｃ）をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の転写用原盤基板の型の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて、転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とする転写用原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤を構成する転写用原盤基板の型の製造方法、及び該方法により製造された型を用いる転写用原盤の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の製造技術として、所定の表面凹凸パターンを有し、少なくとも表面が磁性を有する転写用原盤（マスタ担体）を用い、該転写用原盤の表面に、被転写体（スレーブ媒体）を密着させて、被転写体に転写用原盤の表面凹凸パターンに応じた信号パターンを磁気転写する技術がある。
【０００３】
転写用原盤としては、表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板（マスタ基板）の上に磁性層が積層されたものが広く使用されている。また、転写用原盤基板は、転写用原盤基板の反転パターンを有する型を用いて効率よく製造される。
【０００４】
特許文献１には、転写用原盤基板の型の製造方法として、平坦基板の表面に、レジストの塗布・露光・現像を実施してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、平坦基板をエッチングし、さらに残存レジストを除去し、エッチングされた部分を凹部とする反転パターンを有する型を製造する方法が開示されている。
【０００５】
また、同文献には、上記型を用いて電鋳により転写用原盤基板を成形し、得られた転写用原盤基板の上に磁性層を成膜して転写用原盤を製造する方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来の転写用原盤基板の型の製造方法において、レジストの露光は、高精細パターンを形成できることから、平坦基板を回動させながら、レジストに対してビーム状のレーザ光又は電子線を照射する「描画」により好ましく実施される。
【０００７】
また、従来は、平坦基板にエッチングにより形成する凹部の幅に合わせて、レジストの露光を実施することが一般的である。すなわち、露光部分が現像により除去されるポジ型レジストを用いる場合、レジストの露光線幅を、平坦基板に形成する凹部の幅と略同一として、現像により現れるレジストパターンの開口幅を、平坦基板に形成する凹部の幅と略同一とし、エッチングを行っている。
【０００８】
しかしながら、パターンの高精細化に伴って、隣接する露光部分の間隙は狭くなる傾向にある。そのため、微細なピッチでレーザ光や電子線を走査しなければならず、露光条件が厳しくなってきている。
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、高精細化に対応しつつ、レジストの露光条件を緩和することが可能な転写用原盤基板の型の製造方法、及び、該製造方法により得られる転写用原盤基板の型を用いた転写用原盤の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用され、前記信号パターンに応じた表面凹凸パターンを有する転写用原盤基板の上に少なくとも磁性層が積層されてなる転写用原盤の前記転写用原盤基板を成形する型の製造方法において、平坦基板へのポジ型レジストの塗布、露光及び現像を実施して、レジストパターンを形成する工程（Ａ）と、前記平坦基板をエッチングし、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅より大きい幅の凹部を形成して、前記表面凹凸パターンと補完的な反転パターンを形成する工程（Ｂ）とを順次有することを特徴とする。
【００１１】
本明細書において、「反転パターン」とは、信号パターンに応じた表面凹凸パターンの凸部に対応する部分が凹部、同表面凹凸パターンの凹部に対応する部分が凸部のパターンである。
【００１２】
本明細書において、「幅」は、「トラック方向の幅」と定義する。また、レジストパターンの開口部及び平坦基板に形成される凹部は壁面が傾斜する場合があるが、この場合、「レジストパターンの開口幅」、「凹部の幅」はいずれも、「最大幅」を意味するものとする。
【００１３】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法においては、前記凹部の幅を、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅の１倍超１．５倍以下とすることが好ましい。
【００１４】
本発明の転写用原盤基板の型の製造方法においては、前記工程（Ｂ）を、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅よりも前記平坦基板を大きくエッチングして実施することが好ましい。また、本発明の転写用原盤基板の型の製造方法は、かかる構成の代わりに、前記工程（Ａ）と前記工程（Ｂ）との間に、前記レジストのエッチングを実施し、前記工程（Ａ）で形成される前記レジストパターンの開口幅を拡大させる工程（Ｃ）をさらに有する構成としてもよい。
【００１５】
本発明の転写用原盤の製造方法は、上記の本発明の転写用原盤基板の型の製造方法により製造された型を用いて、転写用原盤基板を成形し、該転写用原盤基板の表面に少なくとも磁性層を積層することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の製造方法では、エッチング工程（工程（Ｂ））において、ポジ型レジストの塗布、露光及び現像を実施して形成したレジストパターンの開口幅より大きい幅の凹部を形成する構成としている。したがって、露光線幅を平坦基板に形成する凹部の幅よりも小さくすることができ、同じ幅の凹部を形成する場合、従来よりも隣接する露光部分の間隙を大きくすることができる。その結果、レーザ光や電子線の走査ピッチが広がり、高精細化に対応しつつ、レジストの露光条件を緩和することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、図面を参照し、本発明に係る実施形態について説明する。各図は模式図であり、視認しやすくするため、実際のものとは縮尺やパターンを異ならせてある。
【００１８】
「転写用原盤、及び磁気転写方法」
本発明は特に「転写用原盤基板の型」の製造方法が特徴的であるが、はじめに、本発明の転写用原盤基板の型を用いて製造される転写用原盤の一例、及びこれを用いた磁気転写方法について簡単に説明する。図１は転写用原盤等のトラック方向の厚み方向断面図である。
【００１９】
転写用原盤１０は中心部に開口部を有するディスク状物であり、図１（ｂ）に示すように、被転写体１３に転写する信号パターンに応じた表面凹凸パターンＰ１を有する金属製の転写用原盤基板（マスタ基板）１１と、その表面形状に沿って積層された磁性層１２とを備えている。
【００２０】
被転写体１３としては、片面又は両面に磁気記録層（図示略）を有するディスク状のスレーブ媒体が使用される。図１（ａ）に示すように、あらかじめ、被転写体１３に対して、トラック方向又は厚み方向に磁界Ｈｉｎを印加し、磁気記録層（図示略）を初期磁化させる（トラック方向に磁界Ｈｉｎを印加した場合について図示してある）。この状態で、被転写体１３を転写用原盤１０の表面に対向させ、両者を密着させる。次に、図１（ｂ）に示すように、密着させた転写用原盤１０及び被転写体１３に対して、初期磁化の方向と略反対方向に転写用磁界Ｈｄｕを印加する。この際、転写用磁界Ｈｄｕは、転写用原盤１０において、被転写体１３と密着した磁性層１２の凸部１２ａにのみ略選択的に吸い込まれる。その結果、面内記録の場合、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化は反転せず、その他の部分の初期磁化が反転する。垂直記録の場合には逆に、被転写体１３の磁気記録層では、凸部１２ａに密着した部分の初期磁化が反転し、その他の部分の初期磁化は反転しない。このようにして、転写用原盤１０の表面凹凸パターンＰ１に応じた磁化パターンが被転写体１３に磁気転写され、磁気記録媒体が製造される。
【００２１】
「転写用原盤基板の型の製造方法、転写用原盤の製造方法」
次に、図２に基づいて、上記転写用原盤１０を製造する場合を例として、本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤の製造方法について説明する。図２は、図１と同様の厚み方向断面図である。
【００２２】
（転写用原盤基板の型の製造方法）
＜工程（Ａ）＞
はじめに、図２（ａ）に示す如く、平坦基板２０を用意し、該平坦基板２０の表面全体に、スピンコート法等により、ポジ型のレジスト３１を塗布する。平坦基板２０としては制限されない。ただし、平坦基板２０としては、以下の工程において、半導体技術で使用される装置をそのまま利用できることから、シリコンウエハが好ましく用いられる。
【００２３】
レジスト３１としては、高感度かつ高解像度を有し、高精細パターンを形成できることから、化学増幅型レジストが好ましく用いられる。化学増幅型レジストは、電子線等による露光で酸が発生し、露光後に熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）することで、発生した酸を触媒としてレジスト反応が進行するものである。
【００２４】
次に、図２（ｂ）に示す如く、レジスト３１の露光を実施する。露光は、高精細パターンが形成できることから、ビーム状のレーザ光又は電子線を照射する描画により、好ましく実施できる。すなわち、平坦基板２０を回動させながら、レジスト３１に対して、転写用原盤基板１１に形成する表面凹凸パターンＰ１に対応して変調した、ビーム状のレーザ光又は電子線を照射し、露光を実施することが好ましい。レーザ光又は電子線は、転写用原盤基板１１の型において凹部となる部分に照射する（図中、露光線幅を符号Ｌで示してある。）。
【００２５】
次に、図２（ｃ）に示す如く、レジスト３１の現像を実施し、転写用原盤基板１１に形成する表面凹凸パターンＰ１に対応した、レジストパターンＲを形成する。ポジ型レジストでは、基本的に露光部分が現像により除去されるので、レジストパターンＲの開口幅Ｓは、露光線幅Ｌに近いものとなる。露光後現像前には、必要に応じて、熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）を実施する。
【００２６】
＜工程（Ｂ）＞
次に、図２（ｄ）に示す如く、レジストパターンＲをマスクとして、平坦基板２０をエッチングし、平坦基板２０に凹部２１を形成する。凹部２１は、製造される型を用いて得られる転写用原盤１０において凸部となる部分である。
【００２７】
この工程では、先の工程（Ａ）で形成されるレジストパターンＲの開口幅Ｓよりも平坦基板２０を大きくエッチングし、レジストパターンＲの開口幅Ｓより大きい幅の凹部２１（幅Ｗ）を形成する（Ｓ＜Ｗ）。この際、マスクであるレジストパターンＲ自体もエッチングされ、開口幅ＳＡ（Ｓ＜ＳＡ）のレジストパターンＲＡとなる。
【００２８】
平坦基板２０のエッチング方法としては、制限されない。ただし、高精細エッチングが可能で、本実施形態のエッチング条件を比較的簡易に制御しやすいことから、ドライエッチングが好ましく、特にＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）が好ましい。例えば、用いるエッチングガスの種類を変更することで、工程（Ａ）で形成されるレジストパターンＲの開口幅Ｓより大きい幅の凹部２１が形成されるよう、エッチングを実施することができる。エッチングガスとしては、ＣＦ４、ＳＦ６等が挙げられ、平坦基板２０とレジスト３１との組み合わせに応じて選定すればよい。
【００２９】
凹部２１の幅Ｗは、露光線幅Ｌの狭小化効果とエッチング条件の制御容易性とのバランスから、工程（Ａ）で形成されるレジストパターンＲの開口幅Ｓの１倍超１．５倍以下とすることが好ましい。
【００３０】
エッチング終了後、図２（ｅ）に示す如く、酸素プラズマアッシング等により、残存するレジスト３１を除去する。工程（Ｂ）終了後、表面凹凸パターンＰ１と補完的な反転パターンＰ２を有する型４０が製造される。反転パターンＰ２は、表面凹凸パターンＰ１の凸部に対応する部分が凹部２１、表面凹凸パターンＰ１の凹部に対応する部分が凸部２２のパターンである。
【００３１】
（転写用原盤の製造方法）
図２（ｆ）に示す如く、転写用原盤基板の型４０の上に、表面凹凸パターンＰ１を有する転写用原盤基板１１を形成する。転写用原盤基板１１は、型４０の表面全体に金属スパッタリング等により、導電層５１を成膜し、電鋳を実施することで、形成できる。導電層５１は、反転パターンＰ２が壊れないよう、薄く成膜する。導電層５１は、転写用原盤基板１１と同一材質（例えば、ニッケル）で成膜することが好ましい。導電層５１は、電鋳により転写用原盤基板１１の一部となる。
【００３２】
次に、図２（ｇ）に示す如く、転写用原盤基板１１を型４０から剥離し、転写用原盤基板１１が製造される。
【００３３】
本実施形態によれば、図２（ｆ）、（ｇ）に示した工程を繰り返し実施することで、１つの型４０から複数の転写用原盤基板１１を簡易に効率よく製造できる。
【００３４】
最後に、成形された転写用原盤基板１１の表面に磁性材料をスパッタリングするなどして、転写用原盤基板１１の表面形状に沿って磁性層１２を積層し、図１（ｂ）に示した転写用原盤１０が完成する。磁性層１２は、少なくとも転写用原盤基板１１の表面凸部の上に成膜すればよい。
【００３５】
転写用原盤１０の製造にあたっては、磁性層１２の他、必要に応じて他の層を成膜することができる。例えば、転写用原盤基板１１と磁性層１２との間に非磁性層を介在させたり、磁性層１２の上に保護層を設けることができる。
【００３６】
本実施形態の製造方法では、転写用原盤基板の型４０を製造する際の工程（Ｂ）、すなわち平坦基板２０のエッチング工程において、ポジ型レジスト３１の塗布、露光及び現像を実施して形成するレジストパターンＲの開口幅Ｓより大きい幅の凹部２１（幅Ｗ）を形成する構成としている。したがって、露光線幅Ｌを平坦基板２０に形成する凹部２１の幅Ｗよりも狭くすることができ、同じ幅の凹部２１を形成する場合、従来よりも隣接する露光部分の間隙を大きくすることができる。その結果、レーザ光や電子線の走査ピッチが広がり、高精細化に対応しつつ、レジスト３１の露光条件を緩和することができる。すなわち、本実施形態によれば、高精細パターンを精度よく安定的に形成できる。
【００３７】
「他の実施形態」
上記実施形態では、工程（Ａ）で形成されるレジストパターンＲの開口幅Ｓよりも平坦基板２０を大きくエッチングする構成としているが、工程（Ａ）と工程（Ｂ）との間に、レジスト３１を対象とする選択的なエッチング（例えば、酸素プラズマアッシング）を実施し、工程（Ａ）で形成されるレジストパターンＲの開口幅Ｓを拡大させる工程（Ｃ）をさらに実施する構成としてもよい。
【００３８】
すなわち、上記実施形態と同様に工程（Ａ）を実施し、図３（ａ）に示す如く、開口幅ＳのレジストパターンＲを形成した後、該レジストパターンＲに対して、図３（ｂ）に示す如く、上記工程（Ｃ）を実施し、レジスト３１のエッチングにより、工程（Ａ）で形成されるレジストパターンＲの開口幅Ｓを幅ＳＡに拡大させ（Ｓ＜ＳＡ）、レジストパターンＲＡとする。その後、図３（ｃ）に示す如く、エッチング後のレジストパターンＲＡをマスクとし、平坦基板２０のエッチングを実施し、レジストパターンＲＡの開口幅ＳＡと同一幅の凹部２１（Ｓ＜ＳＡ＝Ｗ）、あるいはレジストパターンＲＡの開口幅ＳＡより小さいが、レジストパターンＲの開口幅Ｓより大きい幅の凹部２１（Ｓ＜Ｗ＜ＳＡ）を形成する構成としてもよい（Ｗは上記実施形態と同様、凹部２１の幅を示す。）。
【００３９】
上記工程（Ｃ）を実施した後、さらに、レジストパターンＲＡの開口幅ＳＡよりも平坦基板２０を大きくエッチングし、より幅の大きい凹部２１（Ｓ＜ＳＡ＜Ｗ）を形成する構成としてもよい。
【００４０】
以上のような構成としても、ポジ型レジスト３１の塗布、露光及び現像を実施して形成したレジストパターンＲの開口幅Ｓより大きい幅の凹部２１を有する反転パターンＰ２を形成することができ、上記実施形態と同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明の技術は、被転写体の表面に所定の信号パターンを磁気転写するために使用される転写用原盤の製造に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】転写用原盤の一例と、磁気転写方法を示す図である。
【図２】本発明に係る実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法、及び転写用原盤基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明に係る他の実施形態の転写用原盤基板の型の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０  転写用原盤
１１  転写用原盤基板
１２  磁性層
１３  被転写体
２０  平坦基板
２１  凹部
３１  レジスト
４０  転写用原盤基板の型
Ｐ１  表面凹凸パターン
Ｐ２  反転パターン
Ｒ、ＲＡ  レジストパターン
Ｓ、ＳＡ  レジストパターンの開口幅
Ｗ  凹部の幅
【図１】
2006172640.tif 000003
【図２】
2006172640.tif 000004
【図３】
2006172640.tif 000005