(57)【要約】【課題】  蛍光体層を除去もしくは補修する際に、蛍光体保護層をセンサーパネルもしくは支持基板から剥離が困難であった。【解決手段】  ２次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルの少なくとも画素領域上に配された放射線を光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層と、少なくとも画素領域外におけるセンサーパネルの表面の一部もしくは支持部材の表面の一部と蛍光体層の表面及び側面を一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護部材と、画素領域外におけるセンサーパネルの表面の一部もしくは支持部材の表面の一部と蛍光体保護部材との間に配された接着部材と、を有する放射線検出装置。【選択図】  図２
2006220439.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、
該センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層と、
少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面を一括で被覆する、非接着性表面を有する蛍光体保護部材と、
前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材との間に配された接着部材と、
を有する放射線検出装置。
【請求項２】
前記センサーパネルは、基板上に形成された前記複数の光電変換素子とからなる前記画素領域と、前記光電変換素子に接続された配線部と、少なくとも該画素領域及び前記配線部の一部を被覆する保護層と、を有し、前記蛍光体保護部材は、前記画素領域外における前記保護層の一部と前記接着部材によって接着される請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記蛍光体層は、少なくとも前記画素領域の前記保護層上に直接配された、柱状結晶構造を有する蛍光体層である請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記蛍光体保護部材は、ポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体、の物質からなる群より選ばれた一の物質により構成され、且つ、少なくとも前記画素領域外における前記保護層の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面を一括で被覆する蛍光体保護層を有する請求項２または３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記蛍光体保護部材は、前記蛍光体保護層と、該蛍光体保護層上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた反射層保護層と、を有する請求項４に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記接着部材は、熱可塑性の接着性樹脂または粘着剤である請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
２次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、
支持部材上に形成された蛍光体層と、少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、を有するシンチレータパネルと、
を有する放射線検出装置。
【請求項８】
前記支持部材は、支持基板と、該支持基板と前記蛍光体層との間に配された反射層と、該反射層と前記蛍光体層との間に配された蛍光体下地層と、を有し、前記蛍光体保護層は少なくとも前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆し、前記接着部材は前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配される請求項７に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記蛍光体層は、柱状結晶構造を有する請求項７または８に記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記蛍光体保護層は、ポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体、の物質からなる群より選ばれた一の物質により構成される請求項７から９のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
前記接着部材は、熱可塑性の接着性樹脂または粘着剤である請求項７から１０のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
支持部材上に形成された蛍光体層と、
少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、
前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、
を有するシンチレータパネル。
【請求項１３】
前記支持部材は、支持基板と、該支持基板と前記蛍光体層との間に配された反射層と、該反射層と前記蛍光体層との間に配された蛍光体下地層と、を有し、前記蛍光体保護層は少なくとも前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆し、前記接着部材は前記蛍光体下地層の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配される請求項１２に記載のシンチレータパネル。
【請求項１４】
前記蛍光体層は、柱状結晶構造を有する請求項１２または１３に記載のシンチレータパネル。
【請求項１５】
前記蛍光体保護層は、ポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体、の物質からなる群より選ばれた一の物質により構成される請求項１２から１４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項１６】
前記接着部材は、熱可塑性の接着性樹脂または粘着剤である請求項１２から１５のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項１７】
２次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルを準備する工程と、
前記センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、
少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護部材を用いて一括で被覆し、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材とを接着部材で接着する工程と、
を有する放射線検出装置の製造方法。
【請求項１８】
前記蛍光体層に欠陥が発見された場合に前記接着部材による前記接着を解消することにより前記蛍光体保護部材を剥離する工程と、前記蛍光体層を修理する工程と、少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、修理された前記蛍光体層の表面及び側面とを、前記蛍光体保護部材を用いて一括で被覆し、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材とを前記接着部材で再度接着する工程と、を更に有する請求項１７に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１９】
支持部材上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、
少なくとも前記支持部材の前記蛍光体層が設けられた表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護層を用いて一括で被覆し、前記支持時部材の前記表面の一部と前記蛍光体保護層とを接着部材で接着する工程と、
を有するシンチレータパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記蛍光体層に欠陥が発見された場合に前記接着部材による前記接着を解消することにより前記蛍光体保護層を剥離する工程と、前記蛍光体層を修理する工程と、少なくとも前記支持部材の前記表面の一部と、修理された前記蛍光体層の表面及び側面とを、前記蛍光体保護層を用いて一括で被覆し、前記支持部材の前記表面の一部と前記蛍光体保護層とを前記接着部材で再度接着する工程と、を更に有する請求項１９に記載のシンチレータパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置、その製造方法、および放射線撮像システムに関し、特に、Ｘ線撮影等に用いられるシンチレータパネル、放射線検出装置および放射線撮像システムに関する。なお、本明細書においては、放射線の範疇に、Ｘ線、γ線などの電磁波も含むものとして説明する。
【背景技術】
【０００２】
近年、少なくとも大面積の平面に形成された光電変換素子の表面にＸ線を照射することによって発光する蛍光体層を積層したデジタル放射線検出装置が商品化されている。
【０００３】
これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許文献１に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器（「センサーパネル」とも言う）上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を直接形成してなる放射線検出装置（「直接蒸着タイプ」又は「直接タイプ」等とも言う）が知られている。
【０００４】
図９に、特許文献１に記載された直接タイプの放射線検出装置の概略断面図を示す。図９において、１０１はガラス基板、１０２はアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴからなる光電変換素子部、１０３は配線部、１０４は電極取り出し部（電極パッド部）、１０５は窒化シリコン等よりなるパッシベーション膜を示し、これら要素によってセンサーパネル１０６が構成される。センサーパネル１０６上には、光電変換素子部１０３に対応するように蛍光体層（シンチレータ層）１０７が形成されている。さらに、シンチレータ層１０７の上面及び側面を被覆し、センサーパネル１０６の表面に接するように蛍光体保護層１０９が形成されている。また更に、蛍光体保護層１０９上に、蛍光体層１０７にて発せられた光を光電変換素子部１０２に向けて反射するよう反射層１１０が設けられ、更に反射層１１０を保護する反射層保護層１１１が設けられている。また、センサーパネル１０６に接し、蛍光体保護層１０９、反射層１１０、反射層保護層１１１からなる保護部材１１２の端面に封止樹脂１１３が設けられている。
【０００５】
また、特許文献２等に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するための蛍光体層を支持基板に形成したシンチレータパネルを貼り合わせてなる放射線検出装置（「貼り合わせタイプ」又は「間接タイプ」等とも言う）が知られている。
【０００６】
図１０に、特許文献２に記載された間接タイプの放射線検出装置の概略断面図を示す。図１０において、反射層１１０、反射層保護層（蛍光体下地層）１１４が設けられた支持基板１１５の反射層１１０が形成された表面側に蛍光体層（シンチレータ層）１０７が設けられて、更に蛍光体層１０７の表面及び側面と、支持基板１１５を被覆して蛍光体保護層１０９が設けられ、シンチレータパネル１１６を構成している。蛍光体層１０７が形成されている側のシンチレータパネル１１６とセンサーパネル１０６とが接着剤（不図示）を介して貼り合わされて、放射線検出装置を構成している。蛍光体保護層１０９は、ポリパラキシリレン製樹脂などの有機膜が好適に用いられる。
【特許文献１】特開２０００−２８４０５３号公報
【特許文献２】特開２０００−３５６６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されているような直接タイプの放射線検出装置において、センサーパネル１０６上に蛍光体層１０７を形成した際に、蛍光体層に欠陥が発生した場合、欠陥不良部分が蛍光体層１１２だけであってもセンサーパネル１００ごとに不良品として処分していた。特に、蒸着によって形成されるＣｓＩ：Ｎａ、およびＣｓＩ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有する蛍光体からなる蛍光体層は、蛍光体層の形成時に異常成長（スプラッシュ）欠陥が発生する場合がある。そのため、放射線検出装置の製造工程における歩留りが低下し、また、放射線検出装置の高コスト化の原因となっている。
【０００８】
また、特許文献２に記載されているような間接タイプの放射線検出装置においては、蛍光体層１０７の欠陥、特に柱状結晶構造を有する蛍光体層１０７に発生する恐れがある異常成長（スプラッシュ）欠陥が発生した場合、欠陥部分が光電変換素子部１０２や配線部１０３を圧迫したり傷つけたりする恐れがあり、更には光電変換素子部１０２を破壊してしまう恐れがあった。
【０００９】
上述の課題を解決するために、異常成長（スプラッシュ）欠陥が発生した蛍光体層１０７を除去もしくは補修することが求められるが、そのためには蛍光体保護層１０９を蛍光体層１０７と、センサーパネル１０６もしくは支持基板１１５から剥離されなければならない。しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載されている蛍光体保護層１０９は、ＣＶＤ法によって形成されたポリパラキシリレン製の有機膜を用いているため、柱状結晶を有する蛍光体層１０７の上面の結晶間に入り込むようにして固着して形成されている。そのため、蛍光体保護層１０９を剥離する際に、蛍光体層１０７が破壊されてしまい、蛍光体保護層１０９の剥離及び蛍光体層１０７の補修に大きな困難を伴っていた。特に、特許文献１に記載されているような直接タイプの放射線検出装置においては、破壊された蛍光体層１０７の結晶が、センサーパネル１０６の周辺領域に設けられた電極取り出し部１０４に付着し、センサーパネル１０６を破壊してしまう恐れがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１１】
本発明に係る第１の放射線検出装置は、２次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、該センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に配された、放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層と、少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面を一括で被覆する、非接着性表面を有する蛍光体保護部材と、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材との間に配された接着部材と、を有するものである。
【００１２】
本発明に係る第２の放射線検出装置は、２次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルと、支持部材上に形成された蛍光体層と、少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、を有するシンチレータパネルと、を有するものである。
【００１３】
本発明に係るシンチレータパネルは、支持部材上に形成された蛍光体層と、少なくとも前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体層の表面及び側面とを一括で被覆する非接着性表面を有する蛍光体保護層と、前記支持部材の表面の一部と前記蛍光体保護層との間に配された接着部材と、を有するものである。
【００１４】
本発明に係る放射線検出装置の製造方法は、２次元状に配された複数の光電変換素子からなる画素領域を有するセンサーパネルを準備する工程と、前記センサーパネルの少なくとも前記画素領域上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、少なくとも前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護部材を用いて一括で被覆し、前記画素領域外における前記センサーパネルの表面の一部と前記蛍光体保護部材とを接着部材で接着する工程と、を有するものである。
【００１５】
本発明に係るシンチレータパネルの製造方法は、支持部材上に放射線を前記光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体層を設ける工程と、少なくとも前記支持部材の前記蛍光体層が設けられた表面の一部と、前記蛍光体層の表面及び側面とを、非接着性表面を有する蛍光体保護層を用いて一括で被覆し、前記支持時部材の前記表面の一部と前記蛍光体保護層とを接着部材で接着する工程と、を有するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、非接着性の表面を有する蛍光体保護部材で蛍光体層の表面、側面、及び下地である保護層を被覆し、且つ蛍光体保護部材の周囲の領域に設けられた接着部材によって保護層と接着される構成を用いるため、蛍光体保護部材の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層のリペアが容易な蛍光体保護部材が配置可能となる。また、蛍光体層のリペアの際に蛍光体層を破壊することなく蛍光体保護部材を剥離することが容易となる。よって蛍光体保護部材が設けられた後の蛍光体層の検査や、検査によって発見された蛍光体層のリペアが容易な構成が得られる。
【００１７】
また、本発明によれば、非接着性の表面を有する蛍光体保護層で蛍光体層の表面、側面、及び蛍光体下地層を被覆し、且つ蛍光体保護層の周囲の領域に設けられた接着部材によって蛍光体下地層と接着される構成を用いるため、蛍光体保護層の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層のリペアが容易な蛍光体保護層が配置可能となる。また、蛍光体層のリペアの際に蛍光体層を破壊することなく蛍光体保護層を剥離することが容易となる。よって蛍光体保護層が設けられた後の蛍光体層の検査や、検査によって発見された蛍光体層のリペアが容易な構成が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略平面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を示す概略断面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。図５は、本発明の第２の実施形態に係るシンチレータパネル及び放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。図６は、本発明の第２の実施形態に係るシンチレータパネルの修復方法を示す概略断面図である。図７は、本発明の第１の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。図８は、本発明の第１の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。
【００２０】
＜第１の実施形態＞
図１及び図２を用いて、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置を詳細に説明する。
【００２１】
図１及び図２に示す放射線検出装置において、１はガラス基板などの絶縁性基板、２は絶縁性基板１上に２次元状に配置されて画素領域を形成し且つアモルファスシリコンを用いたフォトセンサーとＴＦＴとからなる画素に対応する光電変換素子部である。３は絶縁性基板１上に形成され且つ光電変換素子部２に接続される配線部、４は配線部３に接続される電極取り出し部（電極パッド部）である。５は光電変換素子部２及び配線部を被覆する窒化シリコンなどからなる保護膜と、保護膜を被覆する有機樹脂などからあるパッシベーション膜と、によって構成された保護層である。これら各要素１から５によってセンサーパネル（「２次元光検出器」、「光電変換パネル」などとも呼ぶ）６が構成される。７はセンサーパネル６の画素領域に対応する保護層５上に配された、放射線を光電変換素子部２が感知可能な光に変換する波長変換体である蛍光体層である。９は蛍光体層７を被覆しして蛍光体層７を外部からの水分や衝撃から保護するための蛍光体保護層、１０は蛍光体層８で発生した光を光電変換素子部２の方へ反射するための反射層、１１は反射層１０を保護するための反射層保護層である。これら各要素９から１１によって蛍光体保護シートが構成される。８は蛍光体保護層９もしくは蛍光体保護シートを、蛍光体層７が形成された下地となる部材（本実施形態では保護層５）における蛍光体層７が形成された領域の周囲の領域に接着させるための接着部材である。これら蛍光体保護シートとその周辺領域に設けられた接着部材８によって蛍光体保護部材１２が構成される。
【００２２】
次に各構成要素について詳細に説明する。絶縁性基板１はガラス基板が好適に用いられるが、他の絶縁性基板材料、例えばプラスチック基板などを用いてもよい。光電変換素子部２は、ガラス基板１上に設けられ、フォトセンサー（光電変換素子）とスイッチ素子からなる画素である。フォトセンサーには、アモルファスシリコンなどにより形成されたＰＩＮ型フォトダイオード、ＭＩＳ型フォトセンサーなどが好適に用いられる。また、スイッチ素子には、アモルファスシリコンやポリシリコンなどにより形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などが好適に用いられる。配線部３はＡｌ等の金属材料が好適に用いられる。電極取り出し部４は、配線部３と同様の材料により形成されており、保護層５の除去により露出された配線部３が好適に用いられる。また、電極取り出し部４はセンサーパネル６の周辺領域に設けられることが好ましい。保護層５を構成する保護膜は、光電変換素子部２及び配線部３を被覆して保護するものであり、蛍光体層８から発せられる光を透過する材料が好適に用いられる。例えば、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料により形成される。また、保護層５を構成するパッシベーション膜は、保護膜を被覆して光電変換素子部２及び配線部３に影響される保護膜上の表面形状を平坦にするために用いられるものであり、例えばポリイミド、アクリル、変性アクリル樹脂、ポリスルフォン、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート等の透明な有機樹脂が好適に用いられる。
【００２３】
蛍光体層７は、放射されるＸ線等の放射線により光電変換素子部２で感知可能な光を発光する材料が好ましく、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂに代表される粒子状結晶とバインダー樹脂からなるシンチレータや、ＣｓＩ：Ｔｌに代表される柱状結晶構造を有するシンチレータが好適に用いられる。特に、アモルファスシリコンからなるフォトセンサーが良好に吸収する波長領域の光を発する柱状結晶構造を有するアルカリハライド：付活剤からなるシンチレータが好適に用いられ、ＣｓＩ：Ｔｌの他に、ＣｓＩ：Ｎａ，ＮａＩ：Ｔｌ，ＬｉＩ：Ｅｕ，ＫＩ：Ｔｌ等が好適に用いられる。
【００２４】
接着部材８は、真空状態での接着が可能であることと、リペアするために簡便に剥すことが可能であることと、を満足する材料が好ましい。例えば、ホットメルト型の熱可塑性接着剤、熱硬化性接着剤、ゴム系接着剤等が、また、感圧型（粘着型）のアクリル熱可塑性接着剤、ゴム系接着剤等が好適に用いられる。特に、加熱により接着性を喪失するホットメルト型の熱可塑性接着剤、熱硬化性接着剤、ゴム系接着剤等の接着性樹脂が望ましい。ここで、簡便に剥がすこととは、剥がす際に接着部材８以外の構成要素に不要な破壊を招かない程度の影響で剥がすことが可能であるということである。
【００２５】
蛍光体保護層９は、蛍光体層７の表面７ａ、側面７ｂ、及び蛍光体層７が形成されている下地となる保護層５における蛍光体層７が形成された領域の周囲の領域を一括して被覆して設けられている。しかしながら、蛍光体保護層９の表面は接着性を有しておらず、蛍光体層７及び保護層５とは接着していない。蛍光体保護層９と保護層５との接着は接着部材８によって確保されている。このように、接着性を有さない蛍光体保護層９によって蛍光体層７の表面７ａ、側面７ｂ、及び保護層５における周囲の領域を一括して被覆し、且つ蛍光体保護層９と保護層５を接着部材８によって接着する構成とすることにより、蛍光体層７の耐湿性、耐衝撃性を確保し、且つ、蛍光体保護層９を蛍光体層７から容易に剥離することが可能となる。蛍光体保護層９には、非接着性の表面で且つ蛍光体層７の表面７ａ、側面７ｂ、及び保護層５を被覆できる程度の柔軟性を有するシート状の部材であることが求められる。ここで、柔軟性については、例えば柱状結晶構造を有するＣｓＩ：Ｔｌなどの蛍光体層における柱状結晶間のような蛍光体層７の微小な表面形状に追従する柔軟性を有すると、蛍光体保護層９の剥離の際に蛍光体層７の構造を破壊してしまう恐れがあるため好ましくない。本発明において蛍光体保護層９には、蛍光体層７の表面７ａの微細な凹部を被覆せず、且つ、蛍光体層７の表面７ａの微細な凸部の一部、側面７ｂの一部、及び下地となる保護層５の一部が少なくとも被覆される柔軟性が求められる。上記特性を満たす蛍光体保護層９の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略す）等のポリエステル、アクリル樹脂、アクリルニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（以下ＡＢＳと略す）、セルロース、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、シリコーン、ビニル重合体、ビニル共重合体等が好適に用いられる。また、上記特性を満たす蛍光体保護層９の厚さとしては、１０〜５０μｍが望ましい。
【００２６】
蛍光体保護層９上に、蛍光体層７より発する光をセンサーパネル７へと反射するために設けられる反射層１０は、蛍光体層７からの光を反射し、且つ、外部からの水分の浸入を防止する材料が望ましく、特に金属材料が望ましい。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。蛍光体保護層９とは接着剤（不図示）を用いて貼り合わせてもよいし、蛍光体保護層９上に蒸着により形成してもよい。
【００２７】
反射層１０に剛性保護の目的で積層される反射層保護層１１は、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂材料が好適に用いられる。これら蛍光体保護層９、反射層１０、反射層保護層１１及び接着部材８によって蛍光体保護部材１２が構成される。
【００２８】
ここで、先の記載では、蛍光体保護層９が蛍光体層７の耐湿性及び耐衝撃性を確保すると説明したが、反射層１０が高い耐湿性及び耐衝撃性を有しているため、蛍光体保護部材１２として耐湿性及び耐衝撃性を有していれば、蛍光体保護層９として耐湿性及び耐衝撃性を確保する必要はない。その際には蛍光体保護部材１２として、少なくとも蛍光体保護層９と反射層１０との積層構造の部材において、先に述べた蛍光体保護層９に求められる特性を有していればよい。その場合には、蛍光体保護部材１２の柔軟性に対しては、蛍光体保護層７の材料及び厚さとともに、反射層１０の材料及び厚さが影響する。蛍光体保護部材１２に求められる柔軟性を確保するためには、接着部材８を除く蛍光体保護部材１２全体での厚さが１０〜２００μｍであることが望ましい。
【００２９】
次に、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を詳細に説明する。
【００３０】
絶縁性基板１の表面に、光電変換素子部２が２次元状に複数個形成されて画素領域を構成し、また、配線部３が形成される。次に、光電変換素子部２及び配線部３を被覆して保護膜を形成し、更に保護膜上にパッシベーション膜を形成して保護層５を形成し、電極取り出し部４となる領域上の保護層５を除去して電極取り出し部４を設ける。以上の工程によりセンサーパネル６が形成される。上記形成されたセンサーパネル６の画素領域を含む領域上に、周知の蒸着法により柱状結晶構造を有するＣｓＩ：Ｔｌからなる蛍光体層７が堆積形成される。そして、シート状に形成された蛍光体保護層９、反射層１０、反射層保護層１１からなる蛍光体保護シートと、その周辺領域に設けられた接着部材８とによって構成された蛍光体保護部材１２を準備する（図３（ａ））。
【００３１】
次に、準備した蛍光体保護部材１２を蛍光体層７の表面７ａ全体を被覆するようにセンサーパネル６及び蛍光体層７上に配置する（図３（ｂ））。
【００３２】
次に、上記状態のパネルを、貼り合わせ用装置である真空チャンバー２０の真空室２６内の下部支持台２５上に配置し、真空室２６を真空状態とする。ここで、真空チャンバー２０は、下部チャンバー２１、上部チャンバー２２、ダイアフラム２３、Ｏリングシール２４、下部支持台２５、真空室２６、加圧室２７によって構成されている（図３（ｃ））。
【００３３】
次に、上記状態において、加圧室２７の圧力を上昇させることによりダイアフラム２３が蛍光体保護部材１２の反射層保護層１１側の表面を押圧し、蛍光体保護層９と蛍光体層７の表面７ａ、側面７ｂ、及び保護層５を被覆し、更に接着部材８を保護層５に接着させる。これにより、蛍光体層７が外気から遮断された状態を得ることができる（図３（ｄ））。その後、加圧室２７の加圧をやめ、真空室２６を開放して取り出し、放射線検出装置が得られる。ここで、接着部材８にホットメルト型の熱可塑性接着剤の接着性樹脂を用いた場合には、加熱手段を設けることが好ましい。その場合には、下部支持台２５が加熱手段を有していてもよい。
【００３４】
ここで、本実施の形態では、貼り合わせ用装置として真空チャンバー２０を用いた説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、蛍光体保護部材１２に全体的に加圧できるものであればよい。例えば、真空室内に加圧用ローラーを備えた真空チャンバーを用いてもよい。加熱手段が必要な接着部材８を用いる場合には、加圧用ローラーに加熱手段を設けて加熱加圧ローラーを用いてもよい。このように、発明に使用されうる貼り合わせ用装置は、蛍光体層７を被覆する蛍光体保護部材１２と保護層５である蛍光体層７の下地との間を真空にした状態で蛍光体保護部材１２に圧力をかけ、その状態で固着手段８を下地に接着できるものであれば好適に用いられる。
【００３５】
次に、図４（ａ）〜（ｄ）を用いて、本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の蛍光体層修理（リペア）方法を詳細に説明する。ここでは、３１に示される異物が蛍光体層７表面に存在することが検査により確認された状況を例に説明する。
【００３６】
検査により異物３１が蛍光体層７表面に存在することが確認されると、異物３１が大きいものであれば画像欠陥の原因となりうるため除去する必要性が生じる（図４（ａ））。そこで、接着部材８と下地である保護層５との接着を解消し、蛍光体層７を被覆している蛍光体保護部材１２を剥離する（図４（ｂ））。ここで、接着部材８は保護層５と画素領域外において接着しているので、多少の損傷は取得される画像には影響を及ぼさない。また、上記説明のように、接着部材８は、簡便に剥がすことが可能な材料が用いられているため、剥離に大きな力は加わらないため、保護層５及び蛍光体層７の破壊が防止される。また更に、蛍光体保護層９が接着性を有さない材料を用いて構成されているため、蛍光体保護層９と蛍光体層７の接触面が接着されておらず、蛍光体保護部材１２が剥離される際の蛍光体層７の破壊が防止される。
【００３７】
次に、露出された蛍光体層７から画素欠陥の原因となりうる異物３１を除去する（図４（ｃ））。その後、先に説明した方法により蛍光体保護部材１２を用いて蛍光体層７及び保護層５を被覆し、放射線検出装置を取得する（図４（ｄ））。
【００３８】
上記説明のように、非接着性の表面を有する蛍光体保護層９で蛍光体層７の表面７ａ、側面７ｂ、及び下地である保護層５を被覆し、且つ蛍光体保護層９の周囲の領域に設けられた接着部材８によって保護層５と接着される構成を用いるため、蛍光体保護層９の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層７の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層７のリペアが容易な蛍光体保護層９が配置可能となる。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて、本発明の第２の実施形態に係る放射線検出装置を詳細に説明する。ここで、第１の実施形態において説明された構成要素については同じ番号を付与し、説明を割愛する。
【００４０】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す放射線検出装置において、６１は支持基板、６２は絶縁層、６３は反射層、６４は蛍光体下地層であり、これら各要素６１から６４によって支持部材が構成される。これら支持部材上に、蛍光体層７と、蛍光体層７の表面、側面、及び蛍光体下地層６４を一括して被覆する蛍光体保護層９と、蛍光体保護層９の周囲の領域に設けられ、蛍光体保護層９と蛍光体下地層６４を接着する接着部材８とが設けられ、これら各要素７から９、６１から６４によってシンチレータパネル６０が構成される。６５は接着剤、６６は封止部材である。シンチレータパネル６０の蛍光体層７が設けられた側の表面と、センサーパネル６の光電変換素子部２が設けられた側の表面とを、接着剤６５及び封止部材６６とを用いて貼り合わせることにより、放射線検出装置が得られる。
【００４１】
次に各構成要素について詳細に説明する。支持基板６１は蛍光体層７を支持するための基板であり、放射線が良好に透過する材料によって構成されることが望ましい。支持基板６１に用いられる材料としては、放射線透過性が良好なガラス、アモルファスカーボン（以下ａ−Ｃと示す）、炭素繊維強化樹脂（以下ＣＦＲＰ：Ｃａｒｂｏｎ  Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓと示す）などが好適に用いられる。絶縁層６２は支持基板６１に導電性の材料が用いられた場合に、蛍光体層７と支持基板６１との間で電気的化学的腐食が発生することを防止するための部材であり、支持基板６１が非導電性の材料により構成されている場合には設ける必要はない。絶縁層６２はポリイミド、ポリパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロポリパラキシリレン等の有機膜、エチレンやスチレンをモノマーとするプラズマ重合法によって形成される有機膜、などの光透過性が高く且つ透湿性が低い有機膜等の有機絶縁性樹脂を用いることが好ましい。また、ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＴｉＯ２，ＭｇＦ２などの光透過性が高く且つ透湿性が低い無機膜を用いることが可能である。反射層６３は蛍光体層７で発生した光を反射するための部材であり、特に金属材料が望ましい。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。蛍光体下地層６４は、蛍光体層７が形成されるため表面の平坦性を有することが望ましい。また、反射層６３として導電性の材料が用いられた場合には、蛍光体層７と反射層６３との間での電気的化学的腐食の発生を防止するために絶縁性であることが望ましい。蛍光体下地層６４を構成する材料としては、高い平坦性と絶縁性を有する材料が望ましく、ポリイミド、ポリパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロポリパラキシリレン等の有機膜、エチレンやスチレンをモノマーとするプラズマ重合法によって形成される有機膜、などの光透過性が高く且つ透湿性が低い有機膜等の有機絶縁性樹脂を用いることが好ましい。また、ＳｉＯ２，ＳｉＮ，ＴｉＯ２，ＭｇＦ２などの光透過性が高く且つ透湿性が低い無機膜を用いることが可能である。接着剤６５は、シンチレータパネル６０の蛍光体層７が設けられた側の表面と、センサーパネル６の光電変換素子部２が設けられた側の表面とを貼り合わせるための部材であり、アクリル樹脂接着剤やシリコン系樹脂接着剤、またはホットメルト樹脂などが好適に用いられる。封止部材６６はシンチレータパネル６０とセンサーパネル６との接着界面の周囲を被覆し、接着界面に水分の侵入を防止する部材である。封止部材６６を構成する材料としては、シリコーン系樹脂、アクリル樹脂等が好適に用いられる。
【００４２】
次に、本発明の第２の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を説明する。
【００４３】
第１の実施形態と同様な方法により、センサーパネル６を準備する。
【００４４】
支持基板６１、絶縁層６２、反射層６３、及び蛍光体下地層６４が積層された蛍光体支持部材を準備し、蛍光体支持部材の蛍光体下地層６４における任意の領域に、周知の蒸着法により柱状結晶構造を有するＣｓＩ：Ｔｌからなる蛍光体層７を堆積形成する。そして、シート状に形成された蛍光体保護層９と、その周辺領域に設けられた接着部材８とを準備する。
【００４５】
次に、準備した蛍光体保護層９を蛍光体層７の表面全体を被覆するように支持部材及び蛍光体層７上に配置する。
【００４６】
次に、上記状態のパネルを、第１の実施形態で説明した真空チャンバー２０の真空室２６内の下部支持台２５上に配置し、真空室２６を真空状態とする。
【００４７】
次に、上記状態において、加圧室２７の圧力を上昇させることによりダイアフラム２３が蛍光体保護層９の表面を押圧し、蛍光体保護層９と蛍光体層７の表面、側面、及び蛍光体下地層６４を被覆し、更に接着部材８を蛍光体下地層６４に接着させる。これにより、蛍光体層７が外気から遮断された状態を得ることができる。その後、加圧室２７の加圧をやめ、真空室２６を開放して取り出し、シンチレータパネル６０が得られる。
【００４８】
得られたシンチレータパネル６０の蛍光体層７が設けられた側の表面と、先に準備されたセンサーパネル６の光電変換素子部２が設けられた側の表面とを接着剤６５を用いて接着固定する。更にシンチレータパネル６０とセンサーパネル６との接着界面を被覆するよう周囲を封止部材６６で封止して、図５（ｂ）に示される放射線検出装置が得られる。
【００４９】
次に、図６（ａ）〜（ｅ）を用いて、本発明の第２の実施形態に係るシンチレータパネルの蛍光体層修理（リペア）方法を詳細に説明する。ここでは、３４に示される異物が蛍光体層７内部に存在し、異物突起領域３３が形成されていることが検査により確認された状況を例に説明する。
【００５０】
検査により異物３４が蛍光体層７内に存在することが確認されると、異物３４が大きいものであれば画像欠陥の原因となりうるため、また異物突起領域３３が貼り合わせの際に光電変換素子部２を破壊する恐れが生じるため、除去する必要性が生じる（図６（ａ））。そこで、接着部材８と蛍光体下地層６４との接着を解消し、蛍光体層７を被覆している蛍光体保護層９を剥離する（図６（ｂ））。ここで、接着部材８は、蛍光体下地層６４から簡便に剥がすことが可能な材料が用いられており、剥離に大きな力は加わらないため、蛍光体下地層６４及び蛍光体層７の破壊が防止される。また更に、蛍光体保護層９が接着性を有さない材料を用いて構成されているため、蛍光体保護層９と蛍光体層７の接触面が接着されておらず、蛍光体保護層９が剥離される際の蛍光体層７の破壊が防止される。
【００５１】
次に、露出された蛍光体層７の内部に異物３４が存在するため、蛍光体層７を全て支持部材上から除去する（図６（ｃ））。蛍光体層７が除去された支持部材上に上記製造方法の説明と同様の方法により、新たな蛍光体層７を再度形成する（図６（ｄ））。その後、先に説明した方法により蛍光体保護層９を用いて蛍光体層７及び蛍光体下地層６４を被覆し、シンチレータパネル６０を取得する（図６（ｅ））。
【００５２】
上記説明のように、非接着性の表面を有する蛍光体保護層９で蛍光体層７の表面、側面、及び蛍光体下地層６４を被覆し、且つ蛍光体保護層９の周囲の領域に設けられた接着部材８によって蛍光体下地層６４と接着される構成を用いるため、蛍光体保護層９の設置及び剥離が容易となる。このことにより、蛍光体層７の耐湿性、及び耐衝撃性を確保しつつ、且つ、蛍光体層７のリペアが容易な蛍光体保護層９が配置可能となる。
【実施例】
【００５３】
＜実施例１＞
以下に、図１から４に基づく第１の実施形態に示された放射線検出装置の実施例を具体的に示す。
【００５４】
厚さ０．７ｍｍのガラス基板１の表面における４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるＭＩＳ型フォトセンサーとＴＦＴによって構成される画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの光電変換素子部２が２次元状に複数個形成されて画素領域が設けられ、また、ＭＩＳ型フォトセンサーにバイアスを印加するバイアス配線、ＴＦＴに駆動信号を印加する駆動配線、ＴＦＴによって転送された信号電荷を出力する信号配線などのＡｌからなる配線部３が形成される。次に、光電変換素子部２及び配線部３を被覆して窒化シリコンからなる保護膜を形成し、更に保護膜上にポリイミドからなるパッシベーション膜を形成して保護層５を形成し、電極取り出し部４となる領域上の保護層５を除去して電極取り出し部４を設ける。以上の工程によりセンサーパネル６が形成される。
【００５５】
次に、形成された保護層５の画素領域上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成する。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％とした。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、蛍光体層７が得られる。そして、シート状に形成された厚さ５０μｍのＰＥＴからなる蛍光体保護層９、厚さ４０μｍのＡｌからなる反射層１０、厚さ５０μｍのＰＥＴからなる反射層保護層１１によって形成された蛍光体保護シートと、その周辺領域に設けられたホットメルト樹脂の接着部材８とによって構成された蛍光体保護部材１２を準備する（図３（ａ））。
【００５６】
次に、準備した蛍光体保護部材１２を蛍光体層７の表面７ａ全体を被覆するようにセンサーパネル６及び蛍光体層７上に配置する（図３（ｂ））。
【００５７】
次に、上記状態のパネルを、真空チャンバー２０の真空室２６内の下部支持台２５上に配置し、真空室２６を−７００ｍｍＨｇ程度に排気して真空状態とする。（図３（ｃ））。
【００５８】
次に、上記状態において、加圧室２７の圧力を上昇させることによりダイアフラム２３が蛍光体保護部材１２の反射層保護層１１側の表面を加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ２で押圧し、さらに加熱手段を有する下部支持台２５を１２０℃に加温して保持する。これにより蛍光体保護層９と蛍光体層７の表面７ａ、側面７ｂ、及び保護層５を被覆し、更に接着部材８を保護層５に接着され、蛍光体層７が外気から遮断された状態を得ることができる（図３（ｄ））。その後、加圧室２７の加圧をやめ、加温をとめて４０℃まで冷却し真空室２６を開放して取り出し、図４（ａ）に示される放射線検出装置が得られる。
【００５９】
得られた放射線検出装置を検査したところ、３１に示される異物が蛍光体層７表面に存在することが確認された。異物３１があらかじめ定められた規定値より大きく、画像欠陥の原因となりうるため除去する必要性が生じた。
【００６０】
放射線検出装置を１２０℃に加熱して、ホットメルト樹脂からなる接着部材８を溶融して保護層５との接着を解消し、蛍光体層７を被覆している蛍光体保護部材１２を剥離する（図４（ｂ））。
【００６１】
次に、露出された蛍光体層７から画素欠陥の原因となりうる異物３１を除去する（図４（ｃ））。その後、先に説明した方法により蛍光体保護部材１２を用いて蛍光体層７及び保護層５を被覆し、放射線検出装置が取得される（図４（ｄ））。得られた放射線検出装置を検査したところ、画素欠陥の原因となりうる異物は確認されなかった。検査の後、センサーパネル６上の電極取り出し部４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着し、放射線検出装置が得られた。
【００６２】
＜実施例２＞
以下に、図５から６に基づく第２の実施形態に示された放射線検出装置の実施例を具体的に示す。
【００６３】
厚さ０．７ｍｍのガラス基板１の表面における４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるＭＩＳ型フォトセンサーとＴＦＴによって構成される画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの光電変換素子部２が２次元状に複数個形成されて画素領域が設けられ、また、ＭＩＳ型フォトセンサーにバイアスを印加するバイアス配線、ＴＦＴに駆動信号を印加する駆動配線、ＴＦＴによって転送された信号電荷を出力する信号配線などのＡｌからなる配線部３が形成される。次に、光電変換素子部２及び配線部３を被覆して窒化シリコンからなる保護膜を形成し、更に保護膜上にポリイミドからなるパッシベーション膜を形成して保護層５を形成し、電極取り出し部４となる領域上の保護層５を除去して電極取り出し部４を設ける。以上の工程によりセンサーパネル６が準備される。
【００６４】
次に、厚さ１ｍｍのａ−Ｃからなる支持基板６１上に、厚さ８μｍのポリイミドからなる絶縁層６２、厚さ０．３μｍのＡｌからなる反射層６３、及び厚さ８μｍのポリイミドからなる蛍光体下地層６４が積層された蛍光体支持部材を準備し、蛍光体支持部材の蛍光体下地層６４における任意の領域に、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成する。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％とした。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、蛍光体層７が得られる。そして、シート状に形成された厚さ１５μｍのＰＥＴからなる蛍光体保護層９と、その周辺領域に設けられた粘着材からなる接着部材８とを準備する。
【００６５】
次に、準備した蛍光体保護層９を蛍光体層７の表面全体を被覆するように支持部材及び蛍光体層７上に配置する。
【００６６】
次に、上記状態のパネルを、真空チャンバー２０の真空室２６内の下部支持台２５上に配置し、真空室２６を−７００ｍｍＨｇ程度に排気して真空状態とする。を真空状態とする。
【００６７】
次に、上記状態において、加圧室２７の圧力を上昇させることによりダイアフラム２３が蛍光体保護層９の表面を加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ２で押圧し、蛍光体保護層９と蛍光体層７の表面、側面、及び蛍光体下地層６４を被覆し、更に接着部材８を蛍光体下地層６４に接着させる。これにより、蛍光体層７が外気から遮断された状態を得ることができる。その後、加圧室２７の加圧をやめ、真空室２６を開放して取り出し、図６（ａ）に示されるシンチレータパネル６０が得られた。
【００６８】
得られたシンチレータパネル６０を検査したところ、３４に示される異物が蛍光体層７内部に存在し、異物突起領域３３が存在することが確認された。異物３４及び異物突起領域３３があらかじめ定められた規定値より大きく、画像欠陥の原因及び光電変換素子部２の破壊の原因となりうるため除去する必要性が生じた。
【００６９】
そこで、接着部材８と蛍光体下地層６４との接着を解消し、蛍光体層７を被覆している蛍光体保護層９を剥離する（図６（ｂ））。
【００７０】
次に、露出された蛍光体層７の内部に異物３４が存在するため、蛍光体層７を全て支持部材上から除去する（図６（ｃ））。蛍光体層７が除去された支持部材上に上記製造方法の説明と同様の方法により、新たな蛍光体層７を再度形成する（図６（ｄ））。その後、先に説明した方法により蛍光体保護層９を用いて蛍光体層７及び蛍光体下地層６４を被覆し、シンチレータパネル６０を取得する（図６（ｅ））。
【００７１】
得られたシンチレータパネル６０を検査したところ、異物及び異物突起領域３３が存在しないことが確認された。確認されたシンチレータパネル６０の蛍光体層７が設けられた側の表面と、先に準備されたセンサーパネル６の光電変換素子部２が設けられた側の表面とを、アクリル製樹脂からなる接着剤６５を用いて接着固定する。更にシンチレータパネル６０とセンサーパネル６との接着界面を被覆するよう周囲を、アクリル樹脂からなる封止部材６６で封止した。更に、センサーパネル６上の電極取り出し部４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着し、図５（ｂ）に示される放射線検出装置が得られた。
【００７２】
＜実施例３＞
以下に、図７から８に基づく第１の実施形態に示された放射線検出装置の実施例を具体的に示す。
【００７３】
厚さ０．７ｍｍのガラス基板１の表面における４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるＭＩＳ型フォトセンサーとＴＦＴによって構成される画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの光電変換素子部２が２次元状に複数個形成されて画素領域が設けられ、また、ＭＩＳ型フォトセンサーにバイアスを印加するバイアス配線、ＴＦＴに駆動信号を印加する駆動配線、ＴＦＴによって転送された信号電荷を出力する信号配線などのＡｌからなる配線部３が形成される。次に、光電変換素子部２及び配線部３を被覆して窒化シリコンからなる保護膜を形成し、更に保護膜上にポリイミドからなるパッシベーション膜を形成して保護層５を形成し、電極取り出し部４となる領域上の保護層５を除去して電極取り出し部４を設ける。以上の工程によりセンサーパネル６が形成される。
【００７４】
次に、形成された保護層５の画素領域上に、厚さ５μｍのＰＥＴからなる第１保護層４１、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ２：Ｔｂからなる厚さ１６０μｍの粒子状蛍光体４２、厚さ１８８μｍのＰＥＴからなる第２保護層４３、とが積層されて構成されたシート状の蛍光体層４０が準備される。そして、シート状に形成された厚さ５０μｍのＰＥＴからなる蛍光体保護層９、厚さ４０μｍのＡｌからなる反射層１０、厚さ５０μｍのＰＥＴからなる反射層保護層１１によって形成された蛍光体保護シートと、その周辺領域に設けられたホットメルト樹脂の接着部材８とによって構成された蛍光体保護部材１２を準備する（図３（ａ））。
【００７５】
次に、準備した蛍光体保護部材１２を蛍光体層４０の表面４３ａ全体を被覆するようにセンサーパネル６及び蛍光体層４０上に配置する。
【００７６】
次に、上記状態のパネルを、真空チャンバー２０の真空室２６内の下部支持台２５上に配置し、真空室２６を−７００ｍｍＨｇ程度に排気して真空状態とする。
【００７７】
次に、上記状態において、加圧室２７の圧力を上昇させることによりダイアフラム２３が蛍光体保護部材１２の反射層保護層１１側の表面を加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ２で押圧し、さらに加熱手段を有する下部支持台２５を１２０℃に加温して保持する。これにより蛍光体保護層９と蛍光体層４０の表面４３ａ、側面４１ｂ、４２ｂ、４３ｂ、及び保護層５を被覆し、更に接着部材８を保護層５に接着され、蛍光体層４０が外気から遮断された状態を得ることができる。その後、加圧室２７の加圧をやめ、加温をとめて４０℃まで冷却し真空室２６を開放して取り出し、図８（ａ）に示される放射線検出装置が得られる。
【００７８】
得られた放射線検出装置を検査したところ、５１に示される異物が蛍光体層４０内部に存在することが確認された。異物３１があらかじめ定められた規定値より大きく、画像欠陥の原因となりうるため除去する必要性が生じた。
【００７９】
放射線検出装置を１２０℃に加熱して、ホットメルト樹脂からなる接着部材８を溶融して保護層５との接着を解消し、蛍光体層４０を被覆している蛍光体保護部材１２を剥離する（図８（ｂ））。
【００８０】
次に、露出された蛍光体層４０を保護層５上から剥離する（図８（ｃ））。蛍光体層４０が除去された保護層５上に上記製造方法の説明と同様の方法により、新たな蛍光体層４０を再度形成する（図８（ｄ））。その後、先に説明した方法により蛍光体保護部材１２を用いて蛍光体層４０及び保護層５を被覆し、放射線検出装置が取得される（図８（ｅ））。得られた放射線検出装置を検査したところ、画素欠陥の原因となりうる異物は確認されなかった。検査の後、センサーパネル６上の電極取り出し部４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着し、放射線検出装置が得られた。
【００８１】
＜応用例＞
図１１は、本発明による放射線検出装置を用いたＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００８２】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレータ（蛍光体）を上部に実装した放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００８３】
また、イメージプロセッサ６０７０は、イメージセンサ６０４０から出力された電気信号を電話回線６０９０等の伝送処理手段を介して遠隔地へ転送し、ドクタールーム等の別の場所にある表示手段（ディスプレイ）６０８１に表示することもできる。また、イメージセンサ６０４０から出力された電気信号を光ディスク等の記録手段に保存し、この記録手段を用いて遠隔地の医師が診断することも可能である。また、記録手段となるフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる、放射線検出装置やシンチレータパネルに用いられるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るシンチレータパネル及び放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るシンチレータパネルの修復方法を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態における他の実施例に係る放射線検出装置の修復方法を示す概略断面図である。
【図９】従来の放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。
【図１０】従来の放射線検出装置の要部構成を示す概略断面図である。
【図１１】本発明に係る放射線検出装置を用いた放射線検出システムへの応用を説明する図である。
【符号の説明】
【００８６】
１，１０１  絶縁性基板
２，１０２  光電変換素子部
３，１０３  配線部
４，１０４  電極取り出し部
５，１０５  保護層
６，１０６  センサーパネル
７，１０７  蛍光体層
８  接着部材
９，１０９  蛍光体保護層
１０，１１０  反射層
１１，１１１  反射層保護層
１２，１１２  蛍光体保護部材
２０  真空チャンバー
２１  下部チャンバー
２２  上部チャンバー
２３  ダイアフラム
２４  Ｏリングシール
２５  下部支持台
２６  真空室
２７  加圧室
３１，３４，５１  異物
３２  異物除去されたくぼみ
３３  異物突起領域
４０  蛍光体層
４１  第１保護層
４２  粒子状蛍光体
４３  第２保護層
６０  シンチレータパネル
６１  支持基板
６２  絶縁層
６３  反射層
６４  蛍光体下地層
６５  接着剤
６６  封止部材
６０４０  イメージセンサ
６０５０  Ｘ線チューブ
６０６０  Ｘ線
６０６１  被験者
６０７０  イメージプロセッサ
６０８０  ディスプレイ
６０８１  ディスプレイ
６１００  フィルムプロセッサ
６１１０  フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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