(57)【要約】【課題】同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置において、受光素子上の反射防止膜の膜厚バラツキにより光電変換効率が低下する問題がある。【解決手段】同一の半導体基板１に集積回路を構成するトランジスタ２、受光素子３およびマイクロミラー５を搭載する光半導体装置であって、受光素子３上に形成された反射防止膜１６と、反射防止膜１６上に形成され、反射防止膜１６を露出する状態に開口された第１絶縁膜１８と、第１絶縁膜１８上に形成され、反射防止膜１６上の第１絶縁膜１８の開口の周辺部およびマイクロミラー５上の周辺部に残存されたエッチングストップ膜１９とを有する。この構成によると、所望の膜厚に制御された反射防止膜１６が受光素子３上に形成されるので、受光素子３の高感度化が図られる。【選択図】  図１５
2006005126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置であって、
前記受光素子上に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成され、前記反射防止膜を露出する状態に開口された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記反射防止膜上の前記絶縁膜の前記開口の周辺部および前記マイクロミラー上の周辺部に残存されたエッチングストップ膜と
を有している光半導体装置。
【請求項２】
前記受光素子上の周辺部に残存している前記エッチングストップ膜が、前記受光素子端に対する入射光の反射膜に構成されている請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記反射防止膜および前記エッチングストップ膜はシリコン窒化膜から構成され、前記絶縁膜はＢＰＳＧ膜から構成されている請求項１または請求項２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
さらに、前記同一基板に容量素子を備え、
前記エッチングストップ膜は、前記容量素子の容量絶縁膜に兼用されている請求項１から請求項３までのいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項５】
同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置の製造方法であって、
前記受光素子上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にエッチングストップ膜を形成する工程と
を含む光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
さらに、
前記エッチングストップ膜をエッチング除去して受光素子形成領域およびマイクロミラー形成領域に残存させる工程と、
前記の残存したエッチングストップ膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記受光素子形成領域および前記マイクロミラー形成領域において、前記層間絶縁膜に第１の開口部を前記エッチングストップ膜まで形成する工程と、
前記層間絶縁膜および露出している前記エッチングストップ膜の上に第１の保護膜を形成する工程と、
前記第１の開口部内において、前記第１の保護膜および前記エッチングストップ膜に第２の開口部を形成する工程と
を含む請求項５に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の開口部を形成する工程において、前記第２の開口部の周辺部に前記エッチングストップ膜を残存させる請求項６に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
さらに、
前記マイクロミラー形成領域に設けた前記第２の開口部内の前記絶縁膜に第３の開口部を形成する工程と、
前記第３の開口部内の前記基板をエッチングして前記マイクロミラーを形成する工程と、
前記基板の前記マイクロミラー形成部分に第２の保護膜を形成する工程と、
前記受光素子上に設けた前記第２の開口部内の前記第２の保護膜に第４の開口部を形成する工程と、
前記第４の開口部内の前記絶縁膜をエッチングして前記反射防止膜を露出する工程と
を含む請求項６または請求項７に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記受光素子上の周辺部に設けたエッチングストップ膜を、前記受光素子端に対する入射光の反射膜に用いる請求項６から請求項８までのいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記反射防止膜および前記エッチングストップ膜をシリコン窒化膜で形成し、前記絶縁膜をＢＰＳＧ膜で形成する請求項５から請求項９までのいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記エッチングストップ膜を容量絶縁膜に兼用する状態で、前記同一基板に容量素子を形成する請求項５から請求項１０までのいずれかに記載の光半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置は、半導体基板等の基板上にトランジスタからなる集積回路と共に受光素子、マイクロミラー等の光学素子を形成したデバイスであり、ＤＶＤやＣＤの光ピックアップ部に用いられている。ＤＶＤやＣＤの高倍速化に対応するため、受光素子の高感度化および高速化が望まれている。このような光半導体装置を構成する場合、通常の半導体装置と同様に、素子の表面保護や配線保護のために絶縁膜が基板表面に形成される。
【０００３】
ところが、同一基板上に形成される受光素子に同様の絶縁膜を形成した場合では、光の干渉による光電変換効率の低下やばらつきが問題となる。そこで、従来の光半導体装置では受光素子上に反射防止膜を形成することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載される従来例では、受光素子上に反射防止膜が形成され、光電変換効率の高効率化が企図されている。受光素子上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜からなる反射防止膜を形成し、次いで、トランジスタの配線を形成し、保護膜として全面を厚いプラズマシリコン窒化膜で覆った後に、受光素子上のプラズマシリコン窒化膜を除去する。しかしこの方法では、トランジスタ上に形成された層間絶縁膜等の絶縁膜は反射防止膜の上には形成されておらず、受光素子上には反射防止膜だけとなっている。そのため、プラズマシリコン窒化膜を選択的に除去する際のエッチングによって、反射防止膜自体もエッチングされることがあり、その膜厚を一定に保つのが困難である。このように反射防止膜の膜厚がばらついた場合では、反射率が高くなり、光電変換効率が低下する問題がある。すなわち、上記従来例では、その製造方法上、反射防止膜の膜厚を制御するのが困難であるという問題を有する。
【０００５】
上記の問題を解決するため、反射防止膜上にＣＦ4系ではエッチングされないアルミニウム膜などのエッチングストップ膜を形成し、反射防止膜の膜厚を精密に制御する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１―２０５４６２号公報（第２頁、第１図）
【特許文献２】特開平５―７５０９２号公報（第２−３頁、第１−５図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２では、受光素子上の反射防止膜の膜厚は精密に制御されている。しかしながら、エッチングストップ膜に用いるアルミニウム膜は酸やアルカリで容易にエッチングされてしまう。そのため、シリコン基板を水酸化カリウム溶液にてエッチングしてマイクロミラーを形成するとき、エッチングストップ膜が水酸化カリウムによって腐食する問題がある。
【０００７】
そこで、エッチングストップ膜の腐食を防ぐため、エッチングストップ膜を酸やアルカリでエッチングされない材料に変更すると、今度は下地の反射防止膜との選択比が小さくなって、エッチングストップ膜だけを選択的に除去することができない。このため、特許文献１に記載される従来例と同様に、反射防止膜自体もエッチングされて、その膜厚を一定に保つのが困難になってしまう。
【０００８】
上記の課題を鑑み、本発明では、光電変換効率の向上のために反射防止膜の膜厚を精密に制御することができるとともに、エッチングストップ膜の腐食が発生しないような光半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を講じる。
【００１０】
同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置を次のように製造する。受光素子形成領域において受光素子上に反射防止膜を形成する。反射防止膜に対するエッチングストップ膜の形成において、反射防止膜上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上にエッチングストップ膜を形成する。マイクロミラー形成領域においても、絶縁膜の上にエッチングストップ膜を形成する。集積回路の上に層間絶縁膜を形成し、受光素子形成領域およびマイクロミラー形成領域では層間絶縁膜を開口してエッチングストップ膜を露出させる。このとき、エッチングストップ膜およびその下の絶縁膜は反射防止膜を保護する。さらに全領域に保護膜を形成する。受光素子形成領域およびマイクロミラー形成領域で保護膜およびエッチングストップ膜をエッチング除去する際に、反射防止膜の上部は絶縁膜で被覆されている。反射防止膜上の絶縁膜の材質とエッチングストップ膜の材質を異ならせておくことにより、反射防止膜上に絶縁膜を残した状態で保護膜およびエッチングストップ膜をエッチング除去することが可能である。すなわち、保護膜およびエッチングストップ膜の除去の際に反射防止膜がエッチングされることを防止し、反射防止膜の膜厚制御を高精度化している。
【００１１】
マイクロミラー形成領域において、エッチングストップ膜およびその下の絶縁膜をエッチングし、さらに、基板をエッチングしてマイクロミラーを形成する。基板を水酸化カリウム溶液等でエッチングしてマイクロミラーを形成する際に、エッチングストップ膜がアルミニウム膜では、腐食されてしまう。腐食されないよう、あらかじめエッチングストップ膜の材質を選択しておく。
【００１２】
エッチングストップ膜がアルミニウム膜であれば、上記の膜厚制御のためには反射防止膜上に絶縁膜を介在させなくてもよいが、エッチングストップ膜をアルミニウム膜とはしないことから、上記のように反射防止膜上に絶縁膜を介在させて膜厚制御を精密化している。
【００１３】
エッチングストップ膜がアルミニウム膜ではないので、マイクロミラー形成の際の水酸化カリウム溶液等による基板エッチングにおいて、エッチングストップ膜が腐食することは免れる。
【００１４】
以上のように、エッチングストップ膜は受光素子形成領域で層間絶縁膜をエッチング除去する際の反射防止膜のエッチング防止の機能を発揮し、反射防止膜上の絶縁膜は受光素子形成領域で保護膜およびエッチングストップ膜をエッチング除去する際の反射防止膜のエッチング防止の機能を発揮し、反射防止膜の膜厚制御を高精度化している。加えて、エッチングストップ膜と反射防止膜上の絶縁膜との２層構造により、マイクロミラー形成領域において基板をエッチングしてマイクロミラーを形成する際にエッチングストップ膜の腐食を回避している。
【００１５】
以上の結果として、本発明による光半導体装置は、同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置であって、
前記受光素子上に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成され、前記反射防止膜を露出する状態に開口された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記反射防止膜上の前記絶縁膜の前記開口の周辺部および前記マイクロミラー上の周辺部に残存されたエッチングストップ膜とを有した構造を伴っている。
【００１６】
この構造の光半導体装置は、その製造過程から、反射防止膜の膜厚制御が精密なものとなっているとともに、エッチングストップ膜の腐食が抑制されたものとなる。
【００１７】
上記の光半導体装置において、前記受光素子上の周辺部に残存している前記エッチングストップ膜を、前記受光素子端に対する入射光の反射膜に構成することが好ましい。反射膜としてのエッチングストップ膜が受光素子端の周辺光の影響を抑制し、受光素子の感度、応答速度が向上する。
【００１８】
上記の光半導体装置において、前記反射防止膜および前記エッチングストップ膜の好ましい材質はシリコン窒化膜であり、前記反射防止膜上の絶縁膜の好ましい材質はＢＰＳＧ膜である。ＢＰＳＧはシリコン酸化膜にボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）を添加したガラスである。
【００１９】
また、上記の光半導体装置において、前記同一基板にさらに容量素子を備えた構造もある。この場合に、前記エッチングストップ膜を、前記容量素子の容量絶縁膜に兼用するのが好ましい。容量絶縁膜の形成と同時にエッチングストップ膜が形成されるため、エッチングストップ膜の形成が簡素化される。
【００２０】
次に、本発明による光半導体装置の製造方法は、
同一基板に集積回路、受光素子およびマイクロミラーを搭載する光半導体装置の製造方法であって、
前記受光素子上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にエッチングストップ膜を形成する工程と
を含むものである。
【００２１】
上記の光半導体装置の製造方法において、さらに、
前記エッチングストップ膜をエッチング除去して受光素子形成領域およびマイクロミラー形成領域に残存させる工程と、
前記の残存したエッチングストップ膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記受光素子形成領域および前記マイクロミラー形成領域において、前記層間絶縁膜に第１の開口部を前記エッチングストップ膜まで形成する工程と、
前記層間絶縁膜および露出している前記エッチングストップ膜の上に第１の保護膜を形成する工程と、
前記第１の開口部内において、前記第１の保護膜および前記エッチングストップ膜に第２の開口部を形成する工程と
を含むものとする。
【００２２】
上記において、前記第２の開口部を形成する工程において、前記第２の開口部の周辺部に前記エッチングストップ膜を残存させるものとする。
【００２３】
上記の光半導体装置の製造方法において、さらに、
前記マイクロミラー形成領域に設けた前記第２の開口部内の前記絶縁膜に第３の開口部を形成する工程と、
前記第３の開口部内の前記基板をエッチングして前記マイクロミラーを形成する工程と、
前記基板の前記マイクロミラー形成部分に第２の保護膜を形成する工程と、
前記受光素子上に設けた前記第１の開口部内の前記第２の保護膜に第４の開口部を形成する工程と、
前記第４の開口部内の前記絶縁膜をエッチングして前記反射防止膜を露出する工程と
を含むものとする。
【００２４】
上記の構成によると、基板上に配線を被覆する層間絶縁膜を形成した後に、受光素子上の層間絶縁膜のみをエッチングストップ膜が露出するまで除去し、次いでエッチングストップ膜および絶縁膜を除去して受光素子上に反射防止膜のみを残存させることができる。
【００２５】
また、上記の光半導体装置の製造方法において、前記受光素子上の周辺部に設けたエッチングストップ膜を、前記受光素子端に対する入射光の反射膜に用いることが好ましい。
【００２６】
上記の光半導体装置の製造方法において、前記反射防止膜および前記エッチングストップ膜をシリコン窒化膜で形成し、前記絶縁膜をＢＰＳＧ膜で形成することが好ましい。
【００２７】
上記の光半導体装置の製造方法において、前記エッチングストップ膜を容量絶縁膜に兼用する状態で、前記同一基板に容量素子を形成することが好ましい。
【００２８】
上記の構成によると、シリコン窒化膜からなるエッチングストップ膜は酸やアルカリによってエッチングされないため、マイクロミラー形成時のエッチングによって腐食が発生することがない。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の光半導体装置、光半導体装置の製造方法によれば、反射防止膜上の絶縁膜と、さらにその上のエッチングストップ膜との協働作用により、マイクロミラー形成領域において基板をエッチングしてマイクロミラーを形成する際にエッチングストップ膜の腐食を回避できるとともに、反射防止膜の膜厚制御を高精度化し、受光素子の高感度化を図ることができる。
【００３０】
また、エッチングストップ膜の形成により、受光素子形成領域およびマイクロミラー形成領域上の絶縁膜の残膜の制御性を向上し、受光素子およびマイクロミラーの形状ばらつきを低減することができる。
【００３１】
また、受光素子端の周辺部に設けたエッチングストップ膜は反射膜としても作用し、受光素子端の周辺光の影響を抑制し、受光素子の感度、応答速度を向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明にかかわる光半導体装置およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３３】
図１〜図１４は、本発明における光半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図、図１５は完成状態の断面図である。
【００３４】
本実施形態は、図１５に示すように、半導体基板１上にトランジスタ２、受光素子３、容量素子４およびマイクロミラー５が形成された光半導体装置において、受光素子３の反射防止膜１６上に第１絶縁膜１８を挟んでシリコン窒化膜による容量絶縁膜兼用のエッチングストップ膜１９を形成するものである。
【００３５】
（１）まず、図１に示すように、半導体基板１において、トランジスタ形成領域Ａ２、受光素子形成領域Ａ３、容量素子形成領域Ａ４およびマイクロミラー形成領域Ａ５が設定されている。
【００３６】
周知のリソグラフィ技術、エッチング技術、エピタキシー技術およびイオン注入技術などを利用して、半導体基板１表面にトランジスタ２および受光素子３を形成する。
【００３７】
トランジスタ２としてバイポーラトランジスタを例示しているが、これ以外に電界効果型トランジスタ（例えば、ＭＯＳトランジスタ）等でもよい。半導体基板１はＰ型で、６，９はＮ型コレクタ領域、７はＰ型埋込層、１１はＰ型ベース領域、１２はＮ型エミッタ領域である。各領域上にポリシリコン電極１３，１４を形成する。トランジスタ２が受光素子３の駆動回路やその他の信号処理回路を構成する。受光素子３の表面から入射した光は、その受光領域で光電変換され、その入射光に応じた電荷がポリシリコン電極１３，１４に光電流として出力される。  受光素子３としてフォトダイオードを例示しているが、これ以外にフォトトランジスタその他の光電変換素子でもよい。
【００３８】
受光素子３は、アノード領域（１，７，１０）とカソード領域（１７，１５，９）を有している。アノードおよびカソード領域上にポリシリコン電極１３，１４を形成する。なお、受光素子３だけでなく、レーザー等の発光素子を同一基板上に形成してもよい。
【００３９】
容量素子形成領域Ａ４およびマイクロミラー形成領域Ａ５において、８はＬＯＣＯＳ法により形成した分離用絶縁膜８である。分離用絶縁膜８はトランジスタ２と受光素子３の素子間にも存在している。容量素子形成領域Ａ４には下部電極のポリシリコン電極１４が形成されている。
【００４０】
以上のように、トランジスタ２の基本構成、受光素子３の基本構成、分離用絶縁膜８および容量下部電極のポリシリコン電極１４の形成の後に、ＣＶＤ法により全体にわたってシリコン窒化膜による反射防止膜１６を形成する。これが図１の状態である。
【００４１】
（２）次に、図２に示すように、マイクロミラー形成領域Ａ５の反射防止膜１６をフォトエッチング技術により除去し、ＢＰＳＧ（シリコン酸化膜にボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）を添加したガラス）膜による第１絶縁膜１８を形成する。その後、容量素子形成領域Ａ４のポリシリコン電極１４上の第１絶縁膜１８および反射防止膜１６をエッチングにより開口する。
【００４２】
（３）次に、図３に示すように、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜によるエッチングストップ膜１９を形成する。
【００４３】
（４）次に、図４に示すように、受光素子形成領域Ａ３、容量素子形成領域Ａ４およびマイクロミラー形成領域Ａ５においてのみエッチングストップ膜１９が残るように、他の領域のエッチングストップ膜をフォトエッチング技術により除去する。容量素子形成領域Ａ４においてエッチングストップ膜１９を残すのは、容量素子においてエッチングストップ膜１９を容量絶縁膜に兼用するためである。このように、容量絶縁膜の形成と同時にエッチングストップ膜を形成するため、新たな工程を追加することなく、エッチングストップ膜を形成できる。
【００４４】
（５）次に、図５に示すように、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法またはフォトエッチング技術を使用して、第１配線層２０、第２絶縁膜２１、第２配線層２２および第３絶縁膜２３を形成する。本実施例では、第１配線層２０および第２配線層２２にはアルミニウム膜を、第２絶縁膜２１および第３絶縁膜２３にはプラズマＴＥＯＳ膜を用いる。なお、配線層を形成する前に、電極と配線あるいは配線と配線とのコンタクト領域を形成するために絶縁膜を開口する工程が含まれる。なお、本実施形態は３層配線プロセスであるが、３層配線プロセス以外であってもよい。
【００４５】
（６）次に、図６に示すように、受光素子形成領域Ａ３およびマイクロミラー形成領域Ａ５において、フォトエッチング技術によりプラズマＴＥＯＳ膜による第３絶縁膜２３および第２絶縁膜２１を開口して第１の開口部３１を形成し、シリコン窒化膜によるエッチングストップ膜１９の表面を露出させる。上記のエッチングでは、その選択比によってエッチングストップ膜１９がエッチングされることはなく、エッチングがエッチングストップ膜１９の表面で停止する。
【００４６】
（７）次に、図７に示すように、第３絶縁膜２３の上に第３配線層２４を形成し、第３配線層２４の上とエッチングストップ膜１９の上にシリコン窒化膜による第１保護膜２５を形成する。
【００４７】
（８）次に、図８に示すように、受光素子形成領域Ａ３およびマイクロミラー形成領域Ａ５において、第１絶縁膜１８上のエッチングストップ膜１９と第１保護膜２５をエッチングにより開口し、第２の開口部３２を形成する。本実施形態ではエッチングストップ膜１９と第１保護膜２５はどちらもシリコン窒化膜であるため、同時に開口することができる。なお、第１保護膜２５がエッチングストップ膜１９と異なる絶縁膜、例えばシリコン酸窒化膜で形成されていても、エッチング条件を適宜選択することで同時に開口することもできる。
【００４８】
（９）次に、図９に示すように、マイクロミラー形成領域Ａ５において、第２の開口部３２内で、第１絶縁膜１８と分離用絶縁膜８をエッチングにより開口し、第３の開口部３３を形成する。このエッチングは半導体基板１の表面で停止する。
【００４９】
（１０）次に、図１０に示すように、ＢＰＳＧの第１絶縁膜１８と分離用絶縁膜８をマスクとして、第３の開口部３３において、半導体基板１を水酸化カリウム溶液にてエッチングすることにより、基板表面に対して４５°の角度をもつマイクロミラー５を形成する。水酸化カリウム溶液でのエッチングでは、レジストマスクが溶液中でエッチングされてしまう。そこで、ＢＰＳＧの第１絶縁膜１８と分離用絶縁膜８をマスクとしてマイクロミラー５を形成している。上記のエッチングにおいて、受光素子形成領域Ａ３上およびマイクロミラー形成領域Ａ５上のシリコン窒化膜によるエッチングストップ膜１９は水酸化カリウム溶液によってエッチングされない。すなわち、エッチングストップ膜１９が腐食されることはない。
【００５０】
（１１）次に、図１１に示すように、マイクロミラー５を形成する際にできた第１絶縁膜１８と分離用絶縁膜８の庇をフッ酸溶液にてウェットエッチングにより除去する。庇をドライエッチングにより除去すると、マイクロミラー５の形状が崩れてしまう。そこで、庇のエッチングにはウェットエッチングを用いる。
【００５１】
（１２）次に、図１２に示すように、第１保護膜２５の上と露出している第１絶縁膜１８および半導体基板１の上にＣＶＤ法により第２保護膜２６を形成する。本実施形態では、第２保護膜２６に第１保護膜２５と同じシリコン窒化膜を用いている。なお、他の絶縁膜、例えばシリコン酸窒化膜を用いてもよい。
【００５２】
（１３）次に、図１３に示すように、受光素子形成領域Ａ３において、第２の開口部３２内で、第２保護膜２６をエッチングにより開口し、第４の開口部３４を形成する。このエッチングは第１絶縁膜１８の表面で停止する。
【００５３】
（１４）次に、図１４に示すように、受光素子形成領域Ａ３において、エッチングにより反射防止膜（シリコン窒化膜）１６上の第１絶縁膜（ＢＰＳＧ膜）１８を除去する。このエッチングでは、その選択比によって反射防止膜１６がエッチングされることなく、エッチングが反射防止膜１６の表面で停止し、所望の膜厚に制御された反射防止膜１６が形成することができる。
【００５４】
なお、本実施形態において、反射防止膜はシリコン窒化膜を用いたが、これに代えて他の堆積膜としてシリコン酸窒化膜、シリコン炭化膜等を用いてもよい。
【００５５】
以上のような製造方法によってエッチングストップ膜１９を形成することにより、受光素子形成領域Ａ３における反射防止膜１６を膜減りさせないで形成できるため、受光素子３の光電変換効率を大幅に向上させることができる。
【００５６】
また、マイクロミラー形成領域Ａ５にもエッチングストップ膜１９を形成することで、ウェットエッチによるサイドエッチ量を抑えながら、受光素子形成領域Ａ３およびマイクロミラー５を形成することができるので、形状ばらつきを低減させることができる。
【００５７】
さらに、エッチングストップ膜１９に酸やアルカリによってエッチングされないシリコン窒化膜を用いることでマイクロミラー形成するためのエッチングの際に、エッチングストップ膜が腐食することなくマイクロミラー５を形成することができる。
【００５８】
また、図１４に示すように、受光素子３の端部に残ったエッチングストップ膜１９は反射膜としても作用し、受光素子３の端部の周辺光の影響が抑制され、受光素子３の感度、応答速度が向上される。
【００５９】
図１５に完成状態を示す。
【００６０】
トランジスタ形成領域Ａ２においては、バイポーラ型のトランジスタ２の基本構造の上に、素子間分離と電極間分離のためのＢＰＳＧ膜による第１絶縁膜１８、プラズマＴＥＯＳ膜による第２絶縁膜２１および第３絶縁膜２３、シリコン窒化膜による第１保護膜２５および第２保護膜２６が順次に積層されている。
【００６１】
受光素子形成領域Ａ３においては、Ｐ型半導体基板１よりなるアノード領域１、カソード領域１７，１５の上にシリコン窒化膜による反射防止膜１６が形成され、受光素子３が構成されている。
【００６２】
容量素子形成領域Ａ４においては、分離用絶縁膜８上のポリシリコン電極（下部電極）１４、エッチングストップ膜で兼用された容量絶縁膜１９、アルミニウム電極（上部電極）２０からなる容量素子４に対して、素子間分離と電極間分離のためのＢＰＳＧ膜による第１絶縁膜１８が形成され、さらに、プラズマＴＥＯＳ膜による第２絶縁膜２１および第３絶縁膜２３、シリコン窒化膜による第１保護膜２５および第２保護膜２６が順次に積層されている。
【００６３】
マイクロミラー形成領域Ａ５においては、半導体基板１の凹所の基板表面に対して４５°の角度をもつミラー面の上にシリコン窒化膜による第２保護膜２６が形成され、マイクロミラー５が構成されている。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の光半導体装置は、集積回路と受光素子とマイクロミラーを同一基板に有するもので、ＤＶＤやＣＤの光ピックアップ部等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における反射防止膜を形成するまでの工程断面図
【図２】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における容量素子の電極と絶縁膜のコンタクト部分を開口するまでの工程断面図
【図３】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法におけるエッチングストップ膜（容量絶縁膜兼用）を形成するまでの工程断面図
【図４】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における受光素子、容量素子、およびマイクロミラー形成領域以外の容量絶縁膜を開口するまでの工程断面図
【図５】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における第３絶縁膜を形成するまでの工程断面図
【図６】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における受光素子およびマイクロミラー上の第２絶縁膜および第３絶縁膜を除去し、エッチングストップ膜を露出するまでの工程断面図
【図７】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における第１保護膜を形成するまでの工程断面図
【図８】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における第１保護膜形成後、受光素子およびマイクロミラー上の第１保護膜およびエッチングストップ膜を除去する工程までの工程断面図
【図９】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法におけるマイクロミラー形成領域の第１絶縁膜および分離用絶縁膜を開口するまでの工程断面図
【図１０】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における水酸化カリウム溶液によりマイクロミラーを形成するまでの工程断面図
【図１１】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法におけるマイクロミラーを形成時にできた第１絶縁膜と分離用絶縁膜の庇を除去するまでの工程断面図
【図１２】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における第２保護膜を形成するまでの工程断面図
【図１３】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における受光素子上の第２保護膜をエッチングするまでの工程断面図
【図１４】本発明の実施の形態の光半導体装置の製造方法における受光素子の反射防止膜を露出するまでの工程断面図
【図１５】本発明の実施の形態における光半導体装置の断面図
【符号の説明】
【００６６】
１…半導体基板
２…トランジスタ
３…受光素子
４…容量素子
５…マイクロミラー
６…Ｎ型埋込層
７…Ｐ型埋込層
８…分離用絶縁膜
９…Ｎ型拡散層
１０…Ｐ型拡散層
１１…Ｐ型拡散層
１２…Ｎ型拡散層
１３…ポリシリコン電極
１４…ポリシリコン電極
１５…Ｎ型拡散層
１６…反射防止膜
１７…Ｎ型エピタキシャル成長層
１８…第１絶縁膜
１９…エッチングストップ膜（容量絶縁膜）
２０…第１配線層
２１…第２絶縁膜
２２…第２配線層
２３…第３絶縁膜
２４…第３配線層
２５…第１保護膜
２６…第２保護膜
３１…第１の開口部
３２…第２の開口部
３３…第３の開口部
３４…第４の開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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