(57)【要約】【課題】  温度センサーの不良を感知する温度補償型セルフリフレッシュ半導体メモリ装置、これを用いたメモリ装置の動作方法及びテスト方法を提供する。【解決手段】  本発明のメモリ装置は、メモリ装置の温度に応答して温度検出信号を発生するための温度センサー部、前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置のリフレッシュを制御するためのセルフリフレッシュ制御回路部、及び前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化するための温度検出誤謬感知回路部を含んで構成される。したがって、温度センサーの不良によって電流特性に問題がある半導体メモリ装置を早期に検出することができる。【選択図】  図３
2006114205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ装置の温度に応答して温度検出信号を発生するための温度センサー部と、
前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置のリフレッシュを制御するためのセルフリフレッシュ制御回路部と、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化するための温度検出誤謬感知回路部と、を含むことを特徴とするメモリ装置。
【請求項２】
前記温度検出誤謬感知回路部は、外部装置に連結するための温度検出誤謬感知パッドを通じて前記活性化された温度検出誤謬信号を提供するためのものであることを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記温度センサー部は、第１温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第１温度検出信号を活性化し、前記第１温度より高い第２温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第２温度検出信号を活性化し、
前記温度検出誤謬感知回路部は、前記第１及び第２温度検出信号に応答して前記温度検出誤謬信号を発生するためのものであることを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記温度検出誤謬感知回路部は、前記第１及び第２温度検出信号の逆転現象に応答して前記温度検出誤謬信号を活性化するためのものであることを特徴とする請求項３記載のメモリ装置。
【請求項５】
前記温度検出誤謬感知回路部は、前記温度センサー部の動作誤謬に相応する第１及び第２温度検出信号の組み合わせに応答して前記温度検出誤謬信号を活性化するためのものであることを特徴とする請求項３記載のメモリ装置。
【請求項６】
前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御するための温度センサー制御回路部を更に含むことを特徴とする請求項１記載のメモリ装置。
【請求項７】
前記温度センサー制御回路部は、前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を遮断するためのものであることを特徴とする請求項６記載のメモリ装置。
【請求項８】
前記温度センサー部は、第１温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第１温度検出信号を活性化し、前記第１温度より高い第２温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第２温度検出信号を活性化し、
前記温度検出誤謬感知回路部は、前記第１及び第２温度検出信号に応答して前記温度検出誤謬信号を発生するためのものであることを特徴とする請求項６記載のメモリ装置。
【請求項９】
前記温度検出誤謬感知回路部は、前記第１及び第２温度検出信号の逆転現象に応答して前記温度検出誤謬信号を活性化するためのものであることを特徴とする請求項８記載のメモリ装置。
【請求項１０】
前記温度検出誤謬回路部は、前記温度センサー部の動作誤謬に相応する第１及び第２温度検出信号の組み合わせに応答して前記温度検出誤謬信号を活性化するためのものであることを特徴とする請求項８記載のメモリ装置。
【請求項１１】
前記温度センサー制御回路部は、前記温度検出誤謬信号の活性化に応答して前記温度検出信号を遮断するためのスイッチング素子を含むことを特徴とする請求項６記載のメモリ装置。
【請求項１２】
前記温度センサー制御回路部は、前記温度検出誤謬信号の活性化に応答して前記スイッチング素子の制御電極の入力をラッチするためのラッチ部を含むことを特徴とする請求項１１記載のメモリ装置。
【請求項１３】
メモリ装置の温度に応答して温度検出信号を発生する段階と、
前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置のリフレッシュを制御する段階と、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階と、を含むことを特徴とするメモリ装置の動作方法。
【請求項１４】
前記活性化された温度検出誤謬信号を前記メモリ装置の外部装置に提供する段階を更に含むことを特徴とする請求項１３記載のメモリ装置の動作方法。
【請求項１５】
前記メモリ装置の温度に応答して温度検出信号を発生する段階は、
第１温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第１温度検出信号を活性化する段階と、
前記第１温度より高い第２温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第２温度検出信号を活性化する段階と、を含み、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号に応答して前記温度検出誤謬信号を発生する段階を含むことを特徴とする請求項１３記載のメモリ装置の動作方法。
【請求項１６】
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号の逆転現象に応答して前記温度検出誤謬信号を活性化する段階を含むことを特徴とする請求項１５記載のメモリ装置の動作方法。
【請求項１７】
前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御する段階を更に含むことを特徴とする請求項１３記載のメモリ装置の動作方法。
【請求項１８】
前記メモリ装置の温度に応答して温度検出信号を発生する段階は、
第１温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第１温度検出信号を活性化する段階と、
前記第１温度より高い第２温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第２温度検出信号を活性化する段階と、を含み、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号に応答して前記温度検出誤謬信号を発生する段階を含むことを特徴とする請求項１７記載のメモリ装置の動作方法。
【請求項１９】
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号の逆転現象に応答して前記温度検出誤謬信号を活性化する段階を更に含むことを特徴とする請求項１８記載のメモリ装置の動作方法。
【請求項２０】
メモリ装置のリフレッシュ制御に用いられる温度センサー部のテスト方法において、
前記メモリ装置の温度を所定温度に変化させる段階と、
前記所定温度に応じて温度検出信号を発生する段階と、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階と、
前記メモリ装置の温度検出誤謬感知パッドを通じて前記活性化された温度検出誤謬信号を外部装置に提供する段階と、
前記温度検出誤謬感知パッドの前記温度検出誤謬信号に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階と、を含むことを特徴とする温度センサー部のテスト方法。
【請求項２１】
前記所定温度によって温度検出信号を発生する段階は、
第１温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第１温度検出信号を活性化する段階と、
前記第１温度より高い第２温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第２温度検出信号を活性化する段階と、を含み、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号に応答して前記温度検出誤謬信号を発生する段階を含むことを特徴とする請求項２０記載の温度センサー部のテスト方法。
【請求項２２】
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号の逆転現象に応答して前記温度検出誤謬信号を活性化する段階を含むことを特徴とする請求項２１記載の温度センサー部のテスト方法。
【請求項２３】
メモリ装置のリフレッシュ制御に用いられる温度センサー部のテスト方法において、
前記メモリ装置の温度を所定温度に変化させる段階と、
前記所定温度に応じて温度検出信号を発生する段階と、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階と、
前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御する段階と、
前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階と、を含むことを特徴とする温度センサー部のテスト方法。
【請求項２４】
前記所定温度によって温度検出信号を発生する段階は、
第１温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第１温度検出信号を活性化する段階と、
前記第１温度より高い第２温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第２温度検出信号を活性化する段階と、を含み、
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号に応答して前記温度検出誤謬信号を発生する段階を含むことを特徴とする請求項２３記載の温度センサー部のテスト方法。
【請求項２５】
前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階は、前記第１及び第２温度検出信号の逆転現象に応答して前記温度検出誤謬信号を活性化する段階を更に含むことを特徴とする請求項２４記載の温度センサー部のテスト方法。
【請求項２６】
前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御する段階は、前記温度検出信号の活性化に応答して前記温度検出信号を遮断する段階を含み、
前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階は、前記メモリ装置の温度が変化するとき、実質的に変化しないメモリ装置のセルフリフレッシュ電流に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階を含むことを特徴とする請求項２３記載の温度センサー部のテスト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ装置とそれの動作方法及びテスト方法に係わり、特に温度補償型セルフリフレッシュ半導体メモリ装置に用いられる温度センサーの不良を感知することができようにする半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置のテスト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の半導体メモリ装置のうち、ＤＲＡＭのメモリセルは、セルキャパシタに保存された電荷によってデータを記録する方式で動作する。
【０００３】
しかし、セルキャパシタは完全でなく、漏洩電流が発生され、読んで書く動作がない期間にも時間が経つことによりセルキャパシタに保存された電荷が消滅する。したがって、前記のような構造では、所定時間の間隔でセルキャパシタに電荷の形態で記録されたデータを読み出して再び書くことを繰り返す過程が必要である。前記過程をリフレッシュ動作という。
【０００４】
このようなリフレッシュ動作が必要な前記所定時間間隔をリフレッシュ周期（ｔＲＥＦｍａｘ）と定義するものの、リフレッシュ周期は、一般的にＤＲＡＭの容量が増加することにより共に増加するしかないので、リフレッシュ周期の増加によるデータの消滅を防止するためにはセルキャパシタからの漏洩電流を減少させるための多様な努力が必要である。
【０００５】
一方、前記リフレッシュ周期は長くなるほど半導体メモリ装置が消耗する電流量が減少するようになる。
そういうのは、携帯用装置の場合には、メモリ装置を除いた内部の装置が全てターンオフされた状態でも半導体メモリ装置にはリフレッシュ周期ごとにセルフリフレッシュを行うためにセルフリフレッシュ電流が流れるようになるためである。
【０００６】
これのために、最近の半導体メモリ装置は、内部に具備されている温度センサーを用いてチップの内部温度を検出し、検出された温度に合うようにセルフリフレッシュ周期を変更する方式で可能である限り前記セルフリフレッシュ周期を長くするための温度補償型セルフリフレッシュ（ＴＣＳＲ）を行っている。セルキャパシタの漏洩電流は温度依存性が強いので、温度が高いほど漏洩電流が急激に増加する反面、温度が低い場合には漏洩電流が減少する特性を用いることである。これを用いると、温度センサーで低い温度を検出したときには長いリフレッシュ周期を維持して消耗電流量を減少させることができる。
【０００７】
半導体メモリ装置に用いられる温度センサーは、ダイオード段と抵抗段を並列で連結してそれぞれに流れる電流の温度特性が互いに反対である点を用いて、一定温度にて二つの段に流れる電流値が一致するように抵抗値を合わせておくことで予め設計された温度を検出する方式で動作する。
【０００８】
したがって、温度センサーは予め設計された温度を検出すると、これに相応した信号を出力するようになるものの、言及したようにダイオード段と抵抗段に流れる電流の温度特性を用いることによって工程変数による抵抗段とダイオード段の電流特性の偏差に敏感に反応するしかなくなるので、誤動作の可能性がある。
このような誤動作を防止するために、実際動作の前に前記温度検出特性を補正する過程が必ず必要である。
【０００９】
図１は、従来技術による半導体メモリ装置の温度センサー補正回路を示したブロック図である。
【００１０】
従来技術によると、半導体メモリ装置に温度センサー部１０１を動作させるための温度センサー駆動モードレジスタセット（ＭＲＳ）コマンド（ＴＳＥＭＲＳ）を具備し、このＭＲＳコマンド（ＴＳＥＭＲＳ）を印加して温度センサー部１０１を駆動させる。
【００１１】
また、温度センサー部１０１は、温度補償型セルフリフレッシュ回路駆動電圧（ＶＴＣＳＲ）の印加を受けて動作するようになる。
【００１２】
前記温度センサー駆動ＭＲＳコマンド（ＴＳＥＭＲＳ）によって温度センサー部１０１が駆動されると、半導体メモリ装置の温度を制御された方式で増加させながら補正を進めるようになる。半導体メモリ装置に印加された温度に応じて半導体温度センサーに用いられる抵抗段の抵抗個数を調節して設定された温度を検出することができるようにした後、ここで決定された抵抗値に合うようにヒューズトリミングを行うことで工程変数を補正する過程を経る。
【００１３】
温度センサー部１０１は、二つの温度検出信号（ＳＴ４５，ＳＴ７５）を出力するようになるものの、第１温度検出信号（ＳＴ４５）は温度が４５℃以上である場合に活性化し、第２温度検出信号（ＳＴ７５）は温度が７５℃以上である場合に活性化される信号である。
【００１４】
温度センサー部１０１から出力される二つの温度検出信号（ＳＴ４５，ＳＴ７５）は、それぞれ第１温度検出パッド（ＰＡＤＳＴ４５）と第２温度検出パッド（ＰＡＤＳＴ７５）を通じて外部でも確認することができる。前記二つの検出パッド（ＰＡＤＳＴ４５，ＰＡＤＳＴ７５）を通じて温度センサー部１０１の出力を確認しながら、温度センサートリミングアドレス（ＴＲＩＭＡＤＤＲ）を温度センサー部１０１に印加してヒューズトリミングを通じて温度センサー部１０１を補正する。前記温度センサートリミングアドレス（ＴＲＩＭＡＤＤＲ）は、測定された温度センサー部１０１の特性に合わせてヒューズトリミングをするために印加される信号である。
【００１５】
補正が完了すると、実際セルフリフレッシュモードでは温度センサー部１０１が出力する二つの温度検出信号（ＳＴ４５，ＳＴ７５）はセルフリフレッシュ周期制御回路部１０２に入力され、セルフリフレッシュ周期制御回路部１０２にてＳＴ４５及びＳＴ７５に基づいて半導体メモリ装置のセルフリフレッシュ周期を調節するようになる。
【００１６】
前記従来技術のように補正を進行する場合には、温度センサー駆動ＭＲＳコマンド（ＴＳＥＭＲＳ）を印加して半導体メモリ装置がＭＲＳモードにて動作するようにした後に補正を進行するように行われるので、実際にセルフリフレッシュモードで動作する温度センサー部１０１の動作特性が反映され補正されないという問題点がある。
【００１７】
即ち、二つの動作モードの差異に起因した温度センサーの動作条件が異なるようになり、温度センサーの動作に差異が発生する。この差異は、ヒューズトリミング過程での温度センサーのトリップ温度と実際のセルフリフレッシュモードでのトリップ温度とのスキューを発生させ、半導体メモリ装置の動作特性を低下させる要因となる。
【００１８】
したがって、前記の動作モード差に起因した温度センサーの動作特性の差異を減少させるために、最近は温度センサーのトリミング過程を実際動作条件と類似な環境で行うことができるようにする手段を半導体メモリ装置に含ませている。即ち、実際セルフリフレッシュモード環境と類似な環境にて半導体メモリ装置の内部の温度センサーを補正する方式を取ることである。
【００１９】
しかし、このような改善を通じても前記第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）が逆転される現象を防止することができない。
【００２０】
即ち、前記第１温度検出信号（ＳＴ４５）は４５℃以上にて活性化され、前記第２温度検出信号（ＳＴ７５）は７５℃以上にて活性化しなければならないが、温度センサーの不良のため、第１温度検出信号（ＳＴ４５）が非活性化された状態で第２温度検出信号（ＳＴ７５）が先に活性化する現象が発生される。このような温度検出信号の逆転現象は前記の工程変数によって発生することと知られている。
【００２１】
このような温度検出信号の逆転現象が発生した半導体メモリ装置に対しては正確な補正ができないので、半導体メモリ装置の電流特性に問題が発生する。したがって、このような不良が発生した半導体メモリ装置に対して事前に検出するか、前記温度補償型セルフリフレッシュ（ＴＣＳＲ）機能が作動しないようするための手段が必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
前記のような問題点を解決するために、本発明の目的は、温度変化によってリフレッシュ周期を適切に調節する温度補償型セルフリフレッシュ半導体メモリ装置に用いられる温度センサーの不良を感知可能にする半導体メモリ装置の構成を提供することにある。
【００２３】
本発明の他の目的は、温度変化によってリフレッシュ周期を適切に調節する温度補償型セルフリフレッシュ半導体メモリ装置に用いられる温度センサーの不良を感知可能にする半導体メモリ装置の動作方法を提供することにある。
【００２４】
本発明のまた他の目的は、温度変化によってリフレッシュ周期を適切に調節する温度補償型セルフリフレッシュ半導体メモリ装置に用いられる温度センサーの不良を感知可能にする半導体メモリ装置のテスト方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
前記目的を達成するために本発明の一形態は、メモリ装置の温度に応答して温度検出信号を発生するための温度センサー部と、前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置のリフレッシュを制御するためのセルフリフレッシュ制御回路部と、前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化するための温度検出誤謬感知回路部と、を含むことを特徴とするメモリ装置を提供する。
【００２６】
前記温度検出誤謬感知回路部は、外部装置に連結するための温度検出誤謬感知パッドを通じて前記活性化された温度検出誤謬信号を提供するためのものであることを特徴とする。
【００２７】
また、前記温度センサー部は、第１温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第１温度検出信号を活性化し、前記第１温度より高い第２温度を超過する前記メモリ装置の温度に応答して第２温度検出信号を活性化し、前記温度検出誤謬感知回路部は、前記第１及び第２温度検出信号に応答して前記温度検出誤謬信号を発生するためのものであり、特に、前記温度検出誤謬感知回路部は、前記第１及び第２温度検出信号の逆転現象に応答して前記温度検出誤謬信号を活性化するためのものであることを特徴とする。
【００２８】
なお、前記メモリ装置は、前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御するための温度センサー制御回路部を更に含むことを特徴とする。前記温度センサー制御回路部は、前記温度検出誤謬信号の活性化に応答して前記温度検出信号を遮断するためのスイッチング素子を含むことを特徴とし、または前記温度検出誤謬信号の活性化に応答して前記スイッチング素子の制御電極の入力をラッチするためのラッチ部を含むことを特徴とする。
【００２９】
前記他の目的を達成するための本発明の一形態は、前記メモリ装置の温度に応答して温度検出信号を発生する段階と、前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置のリフレッシュを制御する段階と、  前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階と、を含むことを特徴とするメモリ装置の動作方法を提供する。
【００３０】
ここで、前記メモリ装置の動作方法は、前記活性化された温度検出誤謬信号を前記メモリ装置の外部装置に提供する段階を更に含むことができ、前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御する段階を更に含むことを特徴とする。
【００３１】
前記また他の目的を達成するために本発明の一形態は、メモリ装置のリフレッシュ制御に用いられる温度センサー部のテスト方法において、前記メモリ装置の温度を所定温度に変化させる段階と、  前記所定温度に応じて温度検出信号を発生する段階と、前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階と、  前記メモリ装置の温度検出誤謬感知パッドを通じて前記活性化された温度検出誤謬信号を外部装置に提供する段階と、前記温度検出誤謬感知パッドの前記温度検出誤謬信号に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階と、を含むことを特徴とする温度センサー部のテスト方法を提供する。
【００３２】
前記また他の目的を達成するために本発明の一形態は、メモリ装置のリフレッシュ制御に用いられる温度センサー部のテスト方法において、前記メモリ装置の温度を所定温度に変化させる段階と、前記所定温度に応じて温度検出信号を発生する段階と、前記温度検出信号の誤謬に応答して温度検出誤謬信号を活性化する段階と、  前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御する段階と、前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階と、を含むことを特徴とする温度センサー部のテスト方法を提供する。
【００３３】
ここで、前記温度検出誤謬信号に応答して前記温度検出信号を制御する段階は、前記温度検出誤謬信号の活性化に応答して前記温度検出信号を遮断する段階を含み、前記温度検出信号に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階は、前記メモリ装置の温度が変化するとき実質的に変化しないメモリ装置のセルフリフレッシュ電流に応答して前記メモリ装置を不良と判断する段階を含むことを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明による望ましい実施例を添付した図面を参照して詳細に説明する。
図２は、温度センサーの温度特性と半導体メモリ装置のセルフリフレッシュ周期の関係を示した図表である。
従来技術に言及したように、半導体メモリ装置の温度補償型セルフリフレッシュのために適用される温度センサー部１０１は、一般的に二つの温度検出信号（ＳＴ４５，ＳＴ７５）を有する。
【００３５】
第１温度検出信号（ＳＴ４５）は４５℃以上で活性化され、第２温度検出信号（ＳＴ７５）は７５℃以上で活性化される特性を有する。
したがって、４５℃以下の温度では第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）が全て非活性化された状態にあるようになる（２１１）。この場合のセルフリフレッシュ周期はセルキャパシタの漏洩電流の温度特性によって最も長い周期（×３）を有するようになる。
【００３６】
その後、４５℃〜７５℃の温度では、第１温度検出信号（ＳＴ４５）は活性化され、第２温度検出信号（ＳＴ７５）は非活性化された状態にあるようになる（２２１）。この場合のセルフリフレッシュ周期は中間段階の周期（×１）を有するようになる。
【００３７】
最後に、７５℃以上の温度では、第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）が全て活性化された状態にあるようになる（２３１）。この場合のセルフリフレッシュ周期はセルキャパシタの漏洩電流の温度特性によって最も短い周期（×０．５）を有するようになる。
【００３８】
しかし、前記温度との関係なく、第１温度検出信号（ＳＴ４５）は非活性化され、第２温度検出信号（ＳＴ７５）は活性化された状態にあるようになる温度検出信号の逆転２４１が行われるものの、これは温度センサーの不良に起因する。
したがって、本発明のこのような温度センサーの不良状態２４１を検出することができる半導体メモリ装置の構成と動作方法及びテスト方法に関する。
【００３９】
図３は、本発明によって温度センサーの温度検出信号の誤謬を検出することができる半導体メモリ装置の温度センサー補正回路を示したブロック図である。
より詳細には、図３は図１で示した従来技術の半導体メモリ装置の温度センサー補正回路に前記温度検出信号逆転を検出するための温度検出誤謬感知回路部３００を追加したブロック図である。
【００４０】
半導体メモリ装置の温度センサー部１０１は、温度センサー駆動ＭＲＳコマンド（ＴＳＥＭＲＳ）が印加されると、駆動を始める。従来技術と同様に温度センサー部１０１は、温度補償型セルフリフレッシュ回路駆動電圧（ＶＴＣＳＲ）の印加を受けて動作をする。
【００４１】
前記温度センサー駆動ＭＲＳコマンド（ＴＳＥＭＲＳ）によって温度センサー部１０１が駆動されると、半導体メモリ装置に一定の温度を加えながらヒューズトリミングをすることによって工程変数を補正する過程を経るようになることは従来技術と同一である。
【００４２】
温度センサー部１０１から出力される第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）はそれぞれ第１温度検出パッド（ＰＡＤＳＴ４５）と第２温度検出パッド（ＰＡＤＳＴ７５）を通じて外部でも確認することができる。
【００４３】
前記第１温度検出パッド（ＰＡＤＳＴ４５）と第２温度検出パッド（ＰＡＤＳＴ７５）を通じて温度センサー部１０１が出力する第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）を確認しながらトリミングアドレス（ＴＲＩＭＡＤＤＲ）を入力してヒューズトリミングに通じて温度センサー部１０１の補正を行う過程は同一に進行される。
【００４４】
図２で示したように、第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）の逆転現象は第１温度検出信号（ＳＴ４５）が非活性化された状態にて第２温度検出信号（ＳＴ７５）が活性化された状態２４１を意味する。
【００４５】
したがって、温度検出誤謬感知回路部３００は、第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）の入力を受けて前記の図２に示した信号組み合わせ２４１を検出する所定の論理ゲートの組み合わせで構成することができる。
【００４６】
図４は、本発明の温度センサー補正回路に用いられる温度検出誤謬感知回路部の構成例を示した回路図である。
温度検出誤謬感知回路部３００は、温度センサー部１０１が出力した第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）の入力を受けて論理演算を行う所定の論理ゲートの組み合わせで構成される。
【００４７】
インバータ３０１は、第１温度検出信号（ＳＴ４５）を反転させ、反転された第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）はナンドゲート３０２を経るようになる。ナンドゲート３０２を経た信号は再びインバータ３０３を経るようになる。
【００４８】
したがって、インバータ３０３を経た温度検出誤謬信号は第１温度検出信号（ＳＴ４５）が非活性化され、第２温度検出信号（ＳＴ７５）が活性化された温度検出信号逆転状態２４１で活性化されるようになる。
【００４９】
インバータ３０３を経た温度検出誤謬信号は、温度検出誤謬感知パッド（ＰＡＤＭＯＮ）を通じて半導体メモリ装置の外部に出力されたり、インバータ３０４にて再び反転され、温度センサー制御回路部５００に対して入力される温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）になることができる。
【００５０】
半導体メモリ装置に別途のパッドを具備することができる設計上の余裕がある場合には、前記温度検出誤謬感知パッド（ＰＡＤＭＯＮ）を用いた半導体メモリ装置を構成することができる。しかし、半導体メモリ装置に別途のパッドを具備することができる設計上の余裕がない場合には、下記の温度センサー制御回路部を用いた半導体メモリ装置を構成することができる。
【００５１】
図５は、本発明による温度センサー制御回路部の構成例を示した回路図である。
図４で示した温度検出誤謬感知回路部３００で出力された温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）は、温度センサー制御回路部５００に入力される。
温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）は、インバータ５０１とインバータ５０２を経て、伝送ゲート５０４を経てラッチ５０６によってラッチされる。
【００５２】
一方、温度センサー制御回路部５００の活性化の可否を決定する温度センサー制御回路部活性化信号（ＶＣＣＨＢ）はラッチ５０６に対する圧力を電源電圧（ＶＤＤ）で維持して前記温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）による温度センサー回路部５００に対する制御を調節する役割を果たす。
【００５３】
したがって、前記温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）が非活性化状態で印加され、温度センサー制御回路部活性化信号（ＶＣＣＨＢ）が非活性化状態になると、ラッチ５０６は前記温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）をラッチするようになる。
【００５４】
インバータ５０７は、前記ラッチ５０６がラッチしている前記温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）を反転して温度センサー部１０１が出力する第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）を遮断するためのスイッチング素子（５０８，５０９）に入力する。本実施例で、前記スイッチング素子（５０８，５０９）は、それぞれＮタイプトランジスタで構成され、ゲート電極に入力された前記温度センサー非活性化信号（ＩＴＣＳＲＤＳＢ）によって温度センサー部１０１の温度検出信号出力を遮断する。
【００５５】
図６は、本発明によって温度センサー不良を検出するための温度検出誤謬感知パッドを用いた不良半導体メモリ装置のテスト方法を示した流れ図である。
半導体メモリ装置の温度を設定された温度に変化させる段階（Ｓ６１０）では、半導体メモリ装置の温度センサーをトリミングするために半導体メモリ装置の温度を適切な方法で必要な温度に上昇させる。
【００５６】
半導体メモリ装置の温度センサーは、前記設定された温度に相応する温度検出信号を出力する（Ｓ６２０）。前記温度検出信号は、第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）で構成することができることは前述したことと同様である。
前記第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）は、温度検出誤謬感知回路部３００にも入力され、温度検出信号の逆転現象が発生したかを確認する段階（Ｓ６３０）を経るようになる。
【００５７】
温度検出誤謬感知回路部３００で、温度検出信号の逆転現象が発生されない場合には、温度センサーのトリミングを進行する段階（Ｓ６３５）を経て再び半導体メモリ装置に設定された温度を印加させる段階（Ｓ６１０）に進行してトリミング過程を繰り返すようになる。すなわち、ステップＳ６１０〜Ｓ６３０とステップＳ６３５が繰り返される。
【００５８】
温度検出誤謬感知回路部３００にて温度検出信号の逆転現象が発生されたことを感知する場合には温度検出誤謬感知パッド（ＰＡＤＭＯＮ）に温度検出誤謬情報を出力する（Ｓ６４０）。
【００５９】
半導体メモリ装置の外部のテスト装備では、前記温度検出誤謬感知パッド（ＰＡＤＭＯＮ）を通じてテスト対象半導体メモリ装置の温度センサーの不良を把握し、テスト対象半導体メモリ装置を不良製品でスクリーンするようになる（Ｓ６５０）。
【００６０】
このようなテスト方法では、半導体メモリ装置の外部のテスト装備を前記温度検出誤謬感知パッド（ＰＡＤＭＯＮ）に連結して、半導体メモリ装置の温度センサーの不良を把握すべきである。したがって、半導体メモリ装置の外部のテスト装備を前記温度検出誤謬感知パッドに連結して、半導体メモリ装置の温度センサーの不良を把握することができない場合には、温度センサー制御回路部５００を用いたテスト方法を用いることができる。
【００６１】
図５で説明したような温度センサー制御回路部５００によって温度センサーの出力が非活性化されると、セルフリフレッシュ周期制御回路１０２が正常的に動作不可能である。したがって、メモリ装置のセルフリフレッシュの変化がなくなり、外部から温度の変化を与えても半導体メモリ装置のセルフリフレッシュ周期の変化がなくなる。半導体メモリ装置の外部テスト装備では、前記セルフリフレッシュ電流の変化がなしを検出して該当半導体メモリ装置の不良を把握して不良半導体メモリ装置をスクリーンすることができる。
【００６２】
図７は、本発明によって温度センサー不良を検出するための温度センサー制御回路部を用いた不良半導体メモリ装置のテスト方法を示した流れ図である。
図６で説明されたテスト方法と同様に半導体メモリ装置の温度を設定された温度に変化させる段階（Ｓ７１０）では、半導体メモリ装置の温度センサーをトリミングするために半導体メモリ装置の温度を適切な方法で必要な温度に上昇させる。
【００６３】
同様に、半導体メモリ装置の温度センサーは、前記設定された温度に相応する第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）を出力する（Ｓ７２０）。
前記第１温度検出信号（ＳＴ４５）と第２温度検出信号（ＳＴ７５）は、温度検出誤謬感知回路部３００にも入力され、温度検出信号の逆転現象の発生可否を確認する段階（Ｓ７３０）を経るようになる。
【００６４】
温度検出誤謬感知回路部３００で温度検出信号の逆転現象が発生しない場合には、温度センサーのトリミングを進行する段階（Ｓ７３５）を経て再び半導体メモリ装置に温度を印加する段階（Ｓ７１０）に進行してトリミング過程を繰り返すようになることは図６で説明したテスト過程と同一である。
【００６５】
温度検出感知回路部３００で、温度検出信号の逆転現象が発生したことを感知した場合には、前記半導体メモリ装置の内部温度センサーの前記温度検出信号の出力を遮断する段階（Ｓ７４０）を経る。
【００６６】
したがって、温度センサーの出力が非活性化されると、セルフリフレッシュ周期制御回路１０２でセルフリフレッシュ周期を変更することができなくなって、外部から温度の変化を与えても半導体メモリ装置のセルフリフレッシュ電流の変化がなくなる。半導体メモリ装置の外部のテスト装備では、前記セルフリフレッシュ電流の変化なしを検出して該当半導体メモリ装置の不良を把握して不良半導体メモリ装置をスクリーンすることができる（Ｓ７５０）。
【００６７】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
前記のような本発明によると、温度補償型セルフリフレッシュ半導体メモリ装置に用いられる温度センサーの不良を感知することができようにする半導体メモリ装置の構成と動作方法を提供し、これを用いた半導体メモリ装置のテスト方法を提供することで、温度検出信号を正常的に出力できない温度センサーの不良を早期感知することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】従来技術によるメモリ装置の温度センサー補正回路を示したブロック図である。
【図２】温度センサーの温度特性と半導体メモリ装置のセルフリフレッシュ周期の関係を示した図表である。
【図３】本発明による半導体メモリ装置の温度センサー補正回路を示したブロック図である。
【図４】本発明の温度センサー補正回路に用いることができる温度検出誤謬感知回路部の構成例を示した回路図である。
【図５】本発明による温度センサー制御回路部の構成例を示した回路図である。
【図６】本発明によって温度センサー不良を検出するための温度検出誤謬感知パッドを用いた不良半導体メモリ装置のテスト方法を示した流れ図である。
【図７】本発明によって温度センサー不良を検出するための温度センサー制御回路部を用いた不良半導体メモリ装置のテスト方法を示した流れ図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０１  温度センサー部
１０２  セルフリフレッシュ周期制御回路部
３００  温度検出誤謬感知回路部
ＴＳＥＭＲＳ  温度センサー駆動モードレジスタセットコマンド
ＴＲＩＭＡＤＤＥＲ  温度センサートリミングアドレス
ＶＣＴＣＳＲ  温度補償型セルフリフレッシュ回路駆動電圧
ＳＴ４５  第１温度検出信号
ＳＴ７５  第２温度検出信号
ＰＡＤＳＴ４５  第１温度検出パッド
ＰＡＤＳＴ７５  第２温度検出パッド
ＰＡＤＭＯＮ  温度検出誤謬感知パッド
ＩＴＣＳＲＤＳＢ  温度センサー非活性化信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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