(57)【要約】【課題】表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  各画素において独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、を備え、第２電極６６は、透明導電酸化物からなる複数の電極層６６Ａ及び６６Ｂを積層することによって形成され、第２電極６６における有機活性層６４側に配置された第１電極層６６Ａは、第２電極６６における第１電極層６６Ａの有機活性層６４から離間する側に配置された第２電極層６６Ｂより小さな粒径の透明導電酸化物からなることを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素において独立島状に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、を備え、
前記第２電極は、透明導電酸化物からなる複数の電極層を積層することによって形成され、
前記第２電極における前記有機活性層側に配置された第１電極層は、前記第２電極における第１電極層の前記有機活性層から離間する側に配置された第２電極層より小さな粒径の透明導電酸化物からなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１電極層の透過率は、前記第２電極層より低いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１電極層のシート抵抗は、前記第２電極層より高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２電極層は、前記第１電極層より高い成膜レートで形成したことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２電極層は、前記第１電極層を形成する工程より高い酸素導入量で形成したことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
基板上の表示エリアにおいて、各画素において独立島状の第１電極を形成する工程と、
各画素の前記第１電極上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に全画素に共通の透明導電酸化物からなる第２電極を形成する工程と、を備え、
前記第２電極を形成する工程では、
前記有機活性層に接する第１電極層を形成したのに続いて、前記第１電極層とは異なる条件で前記第１電極層上に第２電極層を形成し、
前記第１電極層は、前記第２電極層より小さな粒径の透明導電酸化物からなることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、複数の自発光性素子によって構成された表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板として陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成される。
【０００４】
有機活性層上に配置された上部電極（すなわち有機活性層より後の工程で形成した電極）側からＥＬ発光を取り出すいわゆる上面発光方式においては、良好な特性を有する（例えば低抵抗、高透過率などの特性を有する）透明導電酸化物からなる上部電極を形成することが望まれる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−０３１３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、有機ＥＬ素子の形成過程において、有機活性層より後の工程で良好な特性を有する上部電極を形成しようとする条件次第では、直下の有機活性層を劣化させてしまうおそれがある。このため、有機ＥＬ素子の発光効率が低下し、表示性能の劣化を招くとともに、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００６】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明の第１の様態による表示装置は、
各画素において独立島状に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、を備え、
前記第２電極は、透明導電酸化物からなる複数の電極層を積層することによって形成され、
前記第２電極における前記有機活性層側に配置された第１電極層は、前記第２電極における第１電極層の前記有機活性層から離間する側に配置された第２電極層より小さな粒径の透明導電酸化物からなることを特徴とする。
【０００８】
この発明の第２の様態による表示装置の製造方法は、
基板上の表示エリアにおいて、各画素において独立島状の第１電極を形成する工程と、
各画素の前記第１電極上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に全画素に共通の透明導電酸化物からなる第２電極を形成する工程と、を備え、
前記第２電極を形成する工程では、
前記有機活性層に接する第１電極層を形成したのに続いて、前記第１電極層とは異なる条件で前記第１電極層上に第２電極層を形成し、
前記第１電極層は、前記第２電極層より小さな粒径の透明導電酸化物からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１１】
図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００を備えている。アレイ基板１００の表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。
【００１２】
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。
【００１３】
さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７と、信号線Ｘｎのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００１４】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを備えている。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここではそれらの半導体層にポリシリコンを用いている。
【００１５】
また、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、表示素子としての有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１６】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の構成は、基本的に同一であって、有機ＥＬ素子４０は、マトリクス状に配置され画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、によって構成されている。
【００１７】
画素スイッチ１０は、ここでは走査線Ｙｍと信号線Ｘｎとの交差部近傍に配置されている。画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍに接続され、ソース電極は信号線Ｘｎに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ２０のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極は蓄積容量素子３０を構成する他方の電極及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極は有機ＥＬ素子４０の第１電極６０に接続されている。
【００１８】
図２に示すように、アレイ基板１００は、配線基板１２０上に配置された複数の有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００１９】
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置され、陽極として機能する。
【００２０】
有機活性層６２は、発光層を含んでいる。この有機活性層６２は、発光層以外の層を含むことができ、例えば、各色共通に形成される正孔輸送層、及び各色画素に形成される発光層の２層構造で構成されても良いし、正孔注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含むこともでき、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。有機活性層６２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。
【００２１】
第２電極６６は、有機活性層６４上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置される。この第２電極６６は、透明導電酸化物によって形成され、ここでは例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム・ティン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）などの電子注入機能を有する光透過性導電部材によって形成され、陰極として機能している。
【００２２】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、少なくとも隣接する色毎に画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）間を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、ここでは、隔壁７０は、各第１電極６０の周縁に沿って格子状に配置され、第１電極６０を露出する隔壁の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁７０は、樹脂材料によって形成される。
【００２３】
このように構成された有機ＥＬ素子４０では、第１電極６０と第２電極６６との間に挟持された有機活性層６４にホール及び電子を注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このＥＬ発光は、アレイ基板１００の上面側すなわち第２電極６６側から出射され、表示画面を構成する。
【００２４】
このような上面発光方式においては、良好な特性を有する（例えば低抵抗、高透過率などの特性を有する）第２電極を形成することが望まれる。しかしながら、有機活性層６４より後の工程で良好な特性を有する第２電極６６を形成しようとする条件次第では、直下の有機活性層６４を劣化させてしまうおそれがある。
【００２５】
そこで、この実施の形態では、第２電極６６は、複数の電極層を積層することによって形成し、有機活性層６４に接する電極層は、有機活性層６４へのダメージの小さい条件で成膜して有機活性層６４の保護膜として機能させ、さらにこの保護膜上に実質的に陰極として機能する電極層を良好な特性が得られるような条件で成膜している。
【００２６】
例えば、図２に示すように、第２電極６６は、有機活性層６４側に配置された第１電極層６６Ａと、第１電極層６６Ａの有機活性層６４から離間する側に配置された第２電極層６６Ｂとを積層した多層構造を有している。これら第１電極層６６Ａ及び第２電極層６６Ｂは、同一の透明導電酸化物によって異なる条件で連続して成膜される。
【００２７】
このように異なる条件で形成された第１電極層６６Ａ及び第２電極層６６Ｂは、互いに特性が異なる。すなわち、第１電極層６６Ａは、有機活性層６４へのダメージを軽減するような条件で形成されるため、必ずしも良好な特性を有するとは限らない。これに対して、第２電極層６６Ｂは、良好な特性を得られるような条件が選択される。このため、第１電極層６６Ａは、第２電極層６６Ｂより小さな粒径の導電酸化物からなる。また、各電極層の透過率を比較した場合、第１電極層６６Ａの透過率は、第２電極層６６Ｂより低い。さらに、各電極層のシート抵抗を比較した場合、第１電極層６６Ａのシート抵抗は、第２電極層６６Ｂより高い。
【００２８】
次に、上述したような構成の表示装置の製造方法について説明する。
【００２９】
まず、配線基板１２０上の表示エリア１０２において、画素毎に独立島状の第１電極６０を形成する。すなわち、配線基板１２０の一主面側において陽極として機能する金属膜をパターン化し、第１電極６０を形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。
【００３０】
続いて、各画素内における第１電極６０上に有機活性層６４を形成する。すなわち、ホールバッファ層や有機発光層などを形成するための高分子系材料を使用する場合には、インクジェット方式などの方法により塗布可能である。また、ホールバッファ層や有機発光層などを形成するための低分子系材料を使用する場合には、蒸着などの方法により成膜可能である。
【００３１】
続いて、有機活性層６４上に全画素に共通の透明導電酸化物からなる第２電極６６を形成する。すなわち、有機活性層６４を配置した配線基板１２０の一主面側に陰極として機能するＩＴＯをスパッタ法により成膜して第２電極６６を形成する。
【００３２】
このとき、有機活性層６４に接する第１電極層６６Ａを形成する工程では、有機活性層６４へのダメージを考慮して、低成膜パワー（低成膜レート）及び低酸素導入量の条件が選択される。第１電極層６６Ａの成膜条件は、例えば、図３に示すように、成膜パワーが１５０Ｗであり、酸素導入量が０ｓｃｃｍであり、成膜レートが０．０５ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１０ｎｍの第１電極層６６Ａを形成したのに続いて、第１電極層６６Ａとは異なる成膜条件で第１電極層６６Ａ上に第２電極層６６Ｂを形成する。
【００３３】
第２電極層６６Ｂを形成する工程では、第１電極層６６Ａの成膜条件より高成膜パワー（高成膜レート）及び高酸素導入量の条件が選択される。第２電極層６６Ｂの成膜条件は、例えば、図３に示すように、成膜パワーが４００Ｗであり、酸素導入量が２５ｓｃｃｍであり、成膜レートが１ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１００ｎｍの第２電極層６６Ｂを形成した。
【００３４】
このような工程により、有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００３５】
次に、上述したような製造方法で製造した有機ＥＬ素子の特性を比較した。なお、比較対象の有機ＥＬ素子は、第２電極が単層構造であり、有機活性層上に直接形成されたものであり、第２電極層の成膜条件は、成膜パワーが２００Ｗであり、酸素導入量が１０ｓｃｃｍであり、成膜レートが０．２ｎｍ／ｓとし、１００ｎｍの膜厚に形成した。
【００３６】
この実施形態に係る有機ＥＬ素子４０によれば、第１電極層６６Ａ及び第２電極層６６Ｂを含めた第２電極６６の特性は、透過率が９０％であり、シート抵抗が０．８ｋΩ／□であった。また、このような有機ＥＬ素子４０を備えたカラー表示型アクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置によれば、表示エリア１０２において、上面側での輝度は、１０３ｃｄ／ｃｍ２であった。
【００３７】
一方、比較対象の有機ＥＬ素子によれば、第２電極の特性は、透過率が８５％であり、シート抵抗が１ｋΩ／□であった。また、このような有機ＥＬ素子を備えたカラー表示型アクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置によれば、表示エリアにおいて、上面側での輝度は、７３ｃｄ／ｃｍ２であった。
【００３８】
以上のことから、この実施形態によれば、比較対象よりも良好な成膜条件で成膜した第２電極層６６Ｂを比較対象の第２電極と同等の膜厚に形成したことにより、第２電極６６自体の透過率を向上させることができ、しかも、シート抵抗を低減することができた。また、第１電極層６６Ａを有機活性層６４へのダメージが小さい成膜条件で形成したことにより、第１電極層６６Ａを形成する際の有機活性層６４の劣化を抑制できるとともに、第２電極層６６Ｂを形成する際には第１電極層６６Ａが保護膜として機能するため、高品質の有機ＥＬ素子を得ることができた。このため、この実施形態によれば、比較対照よりも輝度を向上することができた。
【００３９】
次に、他の実施形態について説明する。
【００４０】
上述した実施形態では、第２電極６６が２層構造である場合について説明したが、３層以上の多層構造であっても良い。例えば、図４に示すように、有機活性層６４に接する第１電極層６６Ａを形成する工程では、有機活性層６４へのダメージを考慮して、低成膜パワー（低成膜レート）及び低酸素導入量の条件が選択される。第１電極層６６Ａの成膜条件は、成膜パワーが１５０Ｗであり、酸素導入量が０ｓｃｃｍであり、成膜レートが０．０５ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１０ｎｍの第１電極層６６Ａを形成したのに続いて、第１電極層６６Ａとは異なる成膜条件で第１電極層６６Ａ上に第２電極層６６Ｂを形成する。
【００４１】
第２電極層６６Ｂを形成する工程では、第１電極層６６Ａの成膜条件より高成膜パワー（高成膜レート）及び高酸素導入量の条件が選択される。第２電極層６６Ｂの成膜条件は、成膜パワーが２００Ｗであり、酸素導入量が１０ｓｃｃｍであり、成膜レートが０．２ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１０ｎｍの第２電極層６６Ｂを形成したのに続いて、第２電極層６６Ｂとは異なる成膜条件で第２電極層６６Ｂ上に第３電極層６６Ｃを形成する。
【００４２】
第３電極層６６Ｃを形成する工程では、第２電極層６６Ｂの成膜条件より高成膜パワー（高成膜レート）及び高酸素導入量の条件が選択される。第３電極層６６Ｃの成膜条件は、成膜パワーが４００Ｗであり、酸素導入量が２５ｓｃｃｍであり、成膜レートが１ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１００ｎｍの第３電極層６６Ｃを形成した。
【００４３】
このような製造方法で製造した有機ＥＬ素子４０によれば、第１電極層６６Ａ、第２電極層６６Ｂ、及び、第３電極層６６Ｃを含めた第２電極６６の特性は、透過率が９０％であり、シート抵抗が０．６ｋΩ／□であった。また、このような有機ＥＬ素子４０を備えたカラー表示型アクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置によれば、表示エリア１０２において、上面側での輝度は、１２６ｃｄ／ｃｍ２であった。
【００４４】
このような構成の第２電極６６では、先に説明した実施形態と比較して、第１電極層６６Ａ及び第２電極層６６Ｂが保護膜としての機能を有するため、実質的に陰極として機能する第３電極層６６Ｃを形成する際に高成膜パワーを選択しても有機活性層６４へのダメージを抑制することができ、さらに輝度を向上することができた。
【００４５】
次に、他の実施形態について説明する。
【００４６】
上述した実施形態では、有機活性層６４に接する第２電極６６の電極層を形成する工程のみ酸素導入量をゼロとしたが、実質的に陰極として機能する第２電極６６の最上層に位置する電極層を形成する工程以外では酸素導入量をゼロとしても良い。例えば、図５に示すように、有機活性層６４に接する第１電極層６６Ａを形成する工程では、有機活性層６４へのダメージを考慮して、低成膜パワー（低成膜レート）及び低酸素導入量の条件が選択される。第１電極層６６Ａの成膜条件は、成膜パワーが１５０Ｗであり、酸素導入量が０ｓｃｃｍであり、成膜レートが０．０５ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１０ｎｍの第１電極層６６Ａを形成したのに続いて、第１電極層６６Ａとは異なる成膜条件で第１電極層６６Ａ上に第２電極層６６Ｂを形成する。
【００４７】
第２電極層６６Ｂを形成する工程では、第１電極層６６Ａの成膜条件より高成膜パワー（高成膜レート）及び高酸素導入量の条件が選択される。第２電極層６６Ｂの成膜条件は、成膜パワーが２００Ｗであり、酸素導入量が０ｓｃｃｍであり、成膜レートが０．２ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１０ｎｍの第２電極層６６Ｂを形成したのに続いて、第２電極層６６Ｂとは異なる成膜条件で第２電極層６６Ｂ上に第３電極層６６Ｃを形成する。
【００４８】
第３電極層６６Ｃを形成する工程では、第２電極層６６Ｂの成膜条件より高成膜パワー（高成膜レート）及び高酸素導入量の条件が選択される。第３電極層６６Ｃの成膜条件は、成膜パワーが４００Ｗであり、酸素導入量が２５ｓｃｃｍであり、成膜レートが１ｎｍ／ｓとした。このような成膜条件で膜厚１００ｎｍの第３電極層６６Ｃを形成した。
【００４９】
このような製造方法で製造した有機ＥＬ素子４０によれば、第１電極層６６Ａ、第２電極層６６Ｂ、及び、第３電極層６６Ｃを含めた第２電極６６の特性は、透過率が８８％であり、シート抵抗が０．７ｋΩ／□であった。また、このような有機ＥＬ素子４０を備えたカラー表示型アクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置によれば、表示エリア１０２において、上面側での輝度は、１０８ｃｄ／ｃｍ２であった。
【００５０】
このような構成の第２電極６６では、先に説明した比較対象の有機ＥＬ素子における第２電極と比較して、良好な特性が得られた。
【００５１】
以上説明したように、この実施の形態によれば、上面発光方式の表示装置において、ＥＬ発光を主に取り出す光取出側の電極は、透明導電酸化物からなる複数の電極層を積層することによって形成され、しかも、有機活性層側に配置された電極層は有機活性層へのダメージが小さい成膜条件で形成し、有機活性層から離間する側に配置された電極層は良好な特性が得られるような成膜条件で形成している。このため、有機活性層へのダメージを軽減できるとともに、光取出側に良好な特性を有する電極を形成することができ、高品質な有機ＥＬ素子を構成することが可能となる。したがって、このような有機ＥＬ素子を備えた表示装置においては、表示品位を向上することが可能となるとともに、製造歩留まりを改善することが可能となる。
【００５２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、実施形態及び比較対象の有機ＥＬ素子における第２電極の成膜条件及びその特性を示す図である。
【図４】図４は、他の実施形態の有機ＥＬ素子における第２電極の成膜条件及びその特性を示す図である。
【図５】図５は、他の実施形態の有機ＥＬ素子における第２電極の成膜条件及びその特性を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６４…有機活性層、６６…第２電極、６６Ａ…第１電極層、６６Ｂ…第２電極層、６６Ｃ…第３電極層、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１２０…配線基板、ＰＸ…画素
【図１】
2006172886.tif 000003
【図２】
2006172886.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006172886.tif 000006
【図５】
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