(57)【要約】【課題】  ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，スライス工程においてウェハに生じたうねりを除去でき，ウェハ製造時間を短縮することが可能なウェハの製造方法を提供する。【解決手段】  単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と，スライス工程によって得られたウェハを面取りする面取り工程と，面取り工程において面取りされたウェハの表面と裏面を，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を行うことなく，研削砥石によって各々順番に研削する研削工程と，研削工程において研削されたウェハＷの両面を，固定砥粒研磨パッドと，研磨材を含まない研磨液とによって研磨する研磨工程と，を含む。【選択図】  図１
2006100786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と，
前記スライス工程によって得られたウェハを面取りする面取り工程と，
前記面取り工程において面取りされたウェハの表面と裏面を，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を行うことなく，研削砥石によって各々順番に片面研削する研削工程と，
前記研削工程において研削されたウェハの両面を，固定砥粒研磨パッドと，研磨材を含まない研磨液とによって研磨する研磨工程と，
を含む，ことを特徴とするウェハの製造方法。
【請求項２】
前記研磨工程は，前記ウェハの表面と裏面を各々順番に片面研磨する工程，あるいは前記ウェハの表面と裏面とを同時に両面研磨する工程である，ことを特徴とする請求項１に記載のウェハの製造方法。
【請求項３】
前記固定砥粒研磨パッドの弾性値は，測定雰囲気の温度が２０〜８０℃の温度範囲において，５×１０７Ｐａ以上である，ことを特徴とする請求項１または２に記載のウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ウェハの製造方法に関し，さらに詳細には，単結晶ウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来においては，ウェハは，例えば，図９に示す製造プロセスにより製造される。即ち，ステップＳ２０２で，例えば単結晶引き上げ法によって製造された単結晶インゴットの外周研削を行った後，結晶方向の位置決めのための例えばオリエンテーションフラット加工やノッチ加工を施して，内周刃ソーあるいはワイヤソーにより単結晶インゴットをスライシングする（ステップＳ２０２：スライス工程）。次いで，ステップＳ２０４で，研削砥石により，スライスされたウェハの外周部を面取り（ベベリング）した後（ステップＳ２０４：面取り工程），ステップＳ２０６で，ラッピング工程あるいは両頭研削工程により均一な厚みにすると共に，スライスによって発生したウェハのうねりを除去する（ステップＳ２０６：ラッピング工程又は両頭研削工程）。
【０００３】
その後，ステップＳ２０８で，研削砥石により，ウェハ表面を片面毎にあるいは両面を同時に研削（グラインディング）してウェハ両面を平坦化する（ステップＳ２０８：研削工程）。このとき，グラインダによりウェハ両面を研削すると，ウェハ表面に加工変質層が発生するので，ステップＳ２１０で，酸やアルカリによりエッチングあるいはＣＭＰなどの研磨によって加工変質層を除去する（ステップＳ２１０：研磨工程）。
【０００４】
従来においては，上記工程によりウェハを製造していたが，単結晶インゴットからウェハを製造するまでの工程数が多いことから，ウェハ製造工程を簡略化することが求められていた。
【０００５】
このような事情から，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略することが検討された。しかしながら，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を行わないと，単結晶インゴットのスライス時に発生したウェハ表面のうねりを除去することができない，という問題が残された。
【０００６】
かかる問題を解決するため，特許文献１には，単結晶インゴットからスライスされたウェハを，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略して，遊離砥粒を含んだ研磨材と硬い研磨布を使用してウェハの両面を同時に研磨する方法が開示されている。
【０００７】
また，特許文献２には，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略して，単結晶インゴットからスライスされたウェハの裏面をプラズマエッチングしてうねりを除去し，その後，ウェハの表面を研削し，さらにウェハの表面を研磨する方法が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−９７７７５号公報
【特許文献２】特開２００４−６３８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら，上記特許文献１の方法では，研削工程と研磨工程という２つの工程が，１つの研磨工程，即ち，ＣＭＰ（化学的機械的研磨）工程のみにより行なわれることから，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を実施する方法と比較して，ウェハの製造時間が過度に長くなる，という問題がある。
【００１０】
また，上記特許文献２に記載されているような，スライスによって生じたウェハ裏面のうねりをプラズマエッチングにより除去する方法でも，プラズマエッチングに時間がかかるため，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を実行する方法と比較して，ウェハの製造時間が過度に長くなる，という問題がある。
【００１１】
したがって，本発明の目的は，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，スライス時に生じたウェハ表面のうねりを除去でき，かつ，ウェハ製造時間を従来よりも短縮することが可能な新規かつ改良されたウェハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点においては，単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と，前記スライス工程によって得られたウェハを面取りする面取り工程と，前記面取り工程において面取りされたウェハの表面と裏面を，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を行うことなく，研削砥石によって各々順番に片面研削する研削工程と，前記研削工程によって研削されたウェハの両面を固定砥粒研磨パッドと，研磨材を含まない研磨液とによって研磨する研磨工程と，を含む，ことを特徴とするウェハの製造方法が提供される。
【００１３】
上記記載の発明では，スライスされたウェハの両面を片面ずつ研削した後，固定砥粒研磨パッドを使用してＣＭＰにより研磨を行うので，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，スライスによってウェハに生じたうねりを除去でき，ウェハを短時間で製造できる。
【００１４】
また，前記研磨工程は，ウェハの表面と裏面を各々順番に片面研磨する工程，あるいはウェハの表面と裏面とを同時に両面研磨する工程である，如く構成することができる。
【００１５】
また，前記固定砥粒研磨パッドの弾性値は，測定雰囲気中の温度が２０〜８０℃の温度範囲において，５×１０７Ｐａ以上である，如く構成すれば，スライスによって生じたうねりをより迅速に除去することができる。なお，好ましくは，上記固定砥粒研磨パッドの弾性値が，１×１０８Ｐａ以上である場合には，スライスによって生じたうねりをさらに迅速に除去することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，固定砥粒研磨パッドと研磨材を含まない研磨液とにより研磨することで，ウェハの表面に生じたうねりを除去できるとともに，このような研磨工程前に研削砥石によりウェハを研削することで，ウェハを短時間で必要な厚さにすることができるため，ウェハの製造時間を著しく短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
まず，図１に基づいて，本実施形態にかかるウェハの製造方法について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかるウェハの製造方法の各工程を示すフローチャートである。
【００１９】
まず，ステップＳ１０２で，単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得る（ステップＳ１０２：スライス工程）。かかるスライス工程は，単結晶インゴットをワイヤソーあるいは内周刃などの切断手段を用いて，ウェハを切り出すことができる。このとき，ウェハ表面にはうねりが発生している。
【００２０】
次いで，ステップＳ１０４で，スライス工程によって得られたウェハの面取りをおこなう（ステップＳ１０４：面取り工程）。なお，この面取り工程では，スライスされたウェハの外周囲に円筒砥石を接触させることにより面取り加工が行われる。
【００２１】
その後，ステップＳ１０６で，面取り工程で面取りされたウェハの両面（即ち，表面と裏面）を，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を経ることなく，研削砥石によって各々順番に片面研削する（ステップＳ１０６：研削工程）。なお，かかる研削工程では，ウェハの表面と裏面のいずれを先に片面研削してもよい。また，ウェハの各面の研削量は，例えば２０μｍである。
【００２２】
かかる研削工程の終了時には，図２（ａ）に示すように，ウェハ表面に，スライスうねりが残存しているが，かかる研削工程により，ウェハを短時間で必要な厚さに薄くできるので，次工程である研磨工程での研磨量を低減でき，ウェハの製造時間全体を短縮することができる。なお，かかる研削工程においては，ウェハ表面には，比較的浅い深度の加工変質層が発生する。
【００２３】
最後に，ステップＳ１０８で，上記研削工程によって研削されたウェハの両面を，固定砥粒研磨パッドと，研磨材を含まない研磨液とを使用して研磨する（ステップＳ１０８：研磨工程）。なお，かかる研磨工程では，ウェハの表面と裏面を各々順番に片面研磨してもよいし，あるいはウェハの表面と裏面を同時に両面研磨してもよい。また，ウェハの各面の研磨量は，例えば１０μｍである。
【００２４】
かかる研磨工程を行うことによって，図２（ｂ）に示すように片面研磨を行った場合も，図２（ｃ）に示すように両面研磨を行った場合もスライス工程で発生したウェハのうねりが除去されるとともに，ウェハの鏡面化も行われる。また，研削工程において発生した加工変質層も除去することができる。
【００２５】
本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッドは，上述のように，研磨パッド内部に砥粒を保持する必要があることから，硬度の高い例えばウレタン樹脂を使用する必要がある。このように，硬い研磨パッドで研磨するので，図３（ａ）に示すように，ウェハ表面のうねりに追従することがなく，うねりを除去できると考えられる。なお，図３においては，（イ），（ロ）（ハ）の順で，ウェハが研磨される状態を時系列的に示している
【００２６】
一方，従来の遊離砥粒を含んだ研磨液とともに使用される研磨パッドは，一般的に柔らかい。この理由としては，研磨パッド内部に砥粒を保持する必要がないという理由と，遊離砥粒を含んだ研磨液を使用する場合には，研磨パッドが硬いと遊離砥粒が研磨パッド上に滞留している時間が少なくなるので，研磨効率が低下して好ましくないという理由がある。このように柔らかい従来の研磨パッドを用いた場合，本件発明者らの実験によれば，特許文献１に記載の方法では，遊離砥粒を含んだ研磨液とともに使用される従来の研磨パッドが，図３（ｂ）に示すように，ウェハ表面のうねりに追従してしまうことになり，うねりを効果的に除去することができない，という結果が得られている。
【００２７】
本件発明者らの実験では，本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッドと，従来の遊離砥粒を含んだ研磨液とともに使用される一般的な研磨パッドとを比較すると，固定砥粒研磨パッドの弾性値は１０倍以上高いことが認識されている。本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッドの弾性値は，測定雰囲気中の温度が２０〜８０℃の温度範囲において，５×１０７Ｐａ以上であるのが好ましい。このことにより，スライスによって生じたうねりをより迅速に除去することができる。さらに，固定砥粒研磨パッドの弾性値が，１×１０８Ｐａ以上であるものを使用すれば，スライスによって生じたうねりをさらに迅速に除去することができる。
【００２８】
本実施形態においては，スライスされたウェハを研削後に，固定砥粒研磨パッドと研磨材を含まない研磨液とを使用してＣＭＰを行うので，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，スライスによって生じたうねりを効果的に除去することができるとともに，従来と比較して，ウェハの製造時間を約半分に短縮することができる。
【００２９】
なお，本実施形態においては，固定砥粒研磨パッドと研磨材を含まない研磨液によるＣＭＰの前に，ウェハの両面を研削砥石によってそれぞれ片面ずつ研削する構成を採用している。これは，固定砥粒研磨パッドと研磨材を含まない研磨液によるＣＭＰのみでウェハの両面を研磨すると，ウェハを所望の厚さにするまでの研磨時間が長時間になる，という問題が発生する。このため，本実施形態においては，固定砥粒研磨パッドと研磨材を含まない研磨液によるＣＭＰを実施する前に，ウェハの両面をそれぞれ片面ずつ研削砥石によって研削することにより，スライスされたウェハを短時間で必要な厚さにすることができる。この結果，ウェハ製造時間を従来よりも著しく短縮することができると共に，高い平坦度のウェハを得ることができる。
【００３０】
次に，図４に基づいて，第１の実施形態にかかるウェハの製造方法の研削工程において使用される研削装置の構成について説明する。なお，図４は，本実施形態にかかるウェハの製造方法の研削工程において使用される研削装置３０の構成を示す斜視図である。
【００３１】
図４に示すように，研削装置３０は，例えば，ターンテーブル３１上に配設されてウェハＷを回転可能に保持するチャックテーブル３２と，スピンドル３３の先端に装着された研削ヘッド３４と，スピンドル３３を回転させる回転機構３５と，回転機構３５を垂直方向に昇降させる移動機構３６と，を備える。
【００３２】
チャックテーブル３２は，その上面に載置されたウェハＷを真空吸着して保持し，研削加工時には，ウェハＷを水平面内で回転させる。
【００３３】
研削ヘッド３４は，スピンドル３３の下端に装着され，上記チャックテーブル３２と対向配置される略円盤形状の研削具である。この研削ヘッド３４は，例えば，その下面に，支持部材３４２を介して研削ホイール（研削砥石）３４１が取り付けられており，かかる研削ホイール３４１をウェハＷに作用させて研削することができる。
【００３４】
回転機構３５は，例えば，内部に備えた電動モータ等によって，上記スピンドル３３を回転させることができる。これにより，スピンドル３３を介して研削ヘッド３４を水平面内で回転させることができる。この回転速度は，例えば４０〜２００００ｒｐｍなどであり，上記チャックテーブル３２の回転速度と比して例えば高速である。
【００３５】
移動機構３６は，例えば，回転機構３５を支持する支持基台部３６１と，研削装置３０の壁面３７に取り付けられ，支持基台部３６１の垂直方向の移動をガイドする一対のガイドレール３６２と，支持基台部３６１を垂直方向に移動させる電動モータ等の駆動部（図示せず。）とを備える。この移動機構３６は，研削ヘッド３４を支持する回転機構３５を昇降させて，この結果，研削ヘッド３４をチャックテーブル３２に対して接近／離隔させることができる。これにより，移動機構３６は，下降させた研削ヘッド３４を，チャックテーブル３２に保持されたウェハＷの上面（表面又は裏面）に押圧することができる。
【００３６】
かかる構成の研削装置３０は，上記チャックテーブル３２とともに回転するウェハＷの上面に対して，上記研削ホイール３４を回転させながら押圧して，ウェハＷの上面を研削加工することができる。このように，研削装置３０は，ウェハＷの表面と裏面を片面ずつ順次，研削して薄くする。
【００３７】
次に，図５に基づいて，第１の実施形態にかかるウェハの製造方法の研磨工程において使用される固定砥粒研磨パッドによる研磨装置の構成について説明する。なお，図５は，本実施形態にかかるウェハの製造方法の研磨工程において使用される固定砥粒研磨パッド１６を用いた研磨装置１０の構成を示す斜視図である。この図４に示す研磨装置１０は，上記研削されたウェハＷを研磨する工程において，当該ウェハＷを片面毎に研磨する片面研磨用の研磨装置として構成されている。
【００３８】
本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッド１６が使用される研磨装置１０は，図５に示すように，モータ１２により回転可能な研磨テーブル１４と，研磨テーブル１４上に設けられた固定砥粒研磨パッド１６と，保持したウェハＷの研磨面を固定砥粒研磨パッド１６に押しつける基板保持部２０と，基板保持部２０を回転，加圧駆動させる基板保持部駆動手段１８と，研磨テーブル１４上に研磨液２５を供給する研磨液供給口２４などから構成されている。
【００３９】
研磨テーブル１４は，例えば，ステンレス鋼，セラミックスなどで形成された略円盤状のテーブルであり，上面に例えば平滑な水平面を有する。この研磨テーブル１４は，例えばその下方の装置内に設けられたモータ１２の駆動力がスピンドル２６，変速機（図示せず）等を介して伝達されることにより，図５の太矢印の方向に所定速度（例えば４０ｒｐｍ）で回転する。
【００４０】
固定砥粒研磨パッド１６は，研磨テーブル１４上に極力平坦になるように貼り付けられ，研磨テーブル１４の回転に伴ってウェハＷに対して回転運動し，研磨液供給口２４から供給された研磨液２５を介して，ウェハＷの研磨面が研磨される。
【００４１】
なお，固定砥粒研磨パッド１６は，研磨パッド内部に砥粒を保持する必要があることから，硬度の高い例えばウレタン樹脂などが使用される。一方，従来の遊離砥粒を含んだ研磨液に使用される研磨パッドは，砥粒を保持する必要がないため，及び遊離砥粒を研磨パッド上にある程度滞留させる必要があるため，一般的に柔らかいものが使用される。このため，従来のような遊離砥粒を含んだ研磨液に使用される研磨パッドでは，遊離砥粒がウェハＷの表面のうねりに追従してしまうため，うねりを好適に除去することができない，という問題があった。
【００４２】
本実施形態においては，硬度が高い固定砥粒研磨パッド１６を使用してＣＭＰを行うので，ウェハＷ表面のうねりに追従することなく，うねりを効果的に除去することができる。このように，本実施形態においては，固定砥粒研磨パッド１６を使用することによって，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，スライスによって生じたうねりを効果的に除去することができる。
【００４３】
基板保持部駆動手段１８は，ロッド２８を介して基板保持部２０を加圧しながら回転させる機構であり，例えばモータおよびシリンダ（図示せず）等からなる。即ち，例えば，加圧機構であるシリンダにより，ウェハＷを保持した基板保持部２０を固定砥粒研磨パッド１６に対し例えば垂直方向に押しつけるとともに，回転機構であるモータにより基板保持部２０を図１の細矢印の方向に回転させることができる。また，基板保持部２０を任意の略水平方向に揺動させることが可能なように基板保持部駆動手段１８を構成してもよい。
【００４４】
また，基板保持部（研磨ヘッド，キャリアとも呼ばれる）２０は，全体が略円柱形状を有し，研磨テーブル１４の上方に回転可能に設置される。かかる基板保持部２０は，保持部駆動手段１８とロッド２８を介して連結されており，下面にはウェハＷの横ずれを防止するためのリング（リテーナリング）を備えている。
【００４５】
通常の研磨時においては，基板保持部２０は，ウェハＷを保持した状態で回転しながら，ウェハＷの研磨面を固定砥粒研磨パッド１６に押圧する。このように固定砥粒研磨パッド１６に押しつけられたウェハＷは，反対方向に回転する固定砥粒研磨パッド１６と双方向で擦り合わせられて，研磨面全体が均等に研磨される。
【００４６】
研磨液供給ノズル２４は，ウェハＷの研磨時に，回転する固定砥粒研磨パッド１６上に研磨液２５を供給する。研磨液２５は，化学反応性物質を含む溶液であり，研磨中にウェハＷと固定砥粒研磨パッド１６の間に入り込んでウェハＷの研磨面と化学的に反応しながら高精度に平滑化する。
【００４７】
なお，本実施形態にかかる研磨装置には，基板保持部（研磨ヘッド）２０，研磨テーブル１４，研磨液供給ノズル２４には，各々，温調装置（図示せず）が設けられており，上記箇所の温度を適宜好適に設定することにより，より好適な研磨を実行することができる。
【００４８】
また，図６に示すように，本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッド１６の表面には，溝加工１６ａ，１６ｂが施されている。かかる溝加工は，研磨液を，固定砥粒研磨パッド１６の全体（特に中心付近）に効率的に均一に行き渡らせるためである。このことにより，ウェハＷの表面又は裏面内の平坦化，研磨レートの向上，局部的な昇温による熱膨張の防止などを図ることができる。例えば，図６（ａ）に示すような放射状の溝加工や，図６（ｂ）に示すような格子状の溝加工を施すことができる。
【００４９】
また，本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッド１６は，少なくとも多官能イソシアネートと，多官能ポリオールと，水またはカルボン酸からなる発泡剤とからなるポリウレタン結合材に，水酸基を持つ砥粒，あるいは水酸基を付与した砥粒を含有させた構成である。即ち，本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッド１６は，例えば砥粒（シリカ）の水酸基（−ＯＨ）が，結合材（ウレタン）のイソシアネート化合物（−Ｎ＝Ｃ＝０を有する化合物）との共有結合により反応して化学的に結合されている。
【００５０】
また，本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッド１６は，ポリウレタンのハードセグメントの分子量が分子量比で全体の２０％〜６０％となるように調整されているのが好ましい。このように，ポリウレタンのハードセグメントの分子量を，分子量比で全体の２０％以上６０％以下に制御することにより，シリコンウェハ，及び水酸基を持つ砥粒（あるいは水酸基を付与した砥粒）に対して水素結合を促進させることができる。かかる水素結合によって，結合材がシリコンウェハに対して化学研磨機能を発揮してＣＭＰ研磨効率が向上すると共に，固定砥粒研磨パッド１６中の砥粒の離脱も防止される。
【００５１】
次に，図７に基づいて，本実施形態にかかるウェハの製造方法の研磨工程において使用される研磨装置の別の構成例について説明する。なお，図７は，本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッド１６を用いた別の研磨装置４０の構成を示す斜視図である。この図７に示す研磨装置４０は，上記研削されたウェハＷを研磨する工程において，当該ウェハＷの表面と裏面を同時に研磨する両面研磨用の研磨装置として構成されている。
【００５２】
図７に示すように，研磨装置４０は，相互に平行に対向配置された上定盤４１および下定盤４２と，これらの上定盤４１，下定盤４２間に介在されて，軸線回りに回転自在に設けられた小径の太陽ギヤ４３と，この軸線と同じ軸線を中心に回転自在に設けられた大径のインターナルギヤ４４と，太陽ギヤ４３とインターナルギヤ４４との間に周方向に沿って等間隔で配置された例えば４枚の円板形状のキャリアプレート４５とを備える。
【００５３】
各キャリアプレート４５は，それぞれ，例えば４枚のウェハＷを保持する例えば４個のウェハ保持孔４５ａが貫通形成されており，かつ，その外縁部に，太陽ギヤ４３およびインターナルギヤ４４と噛合する外ギヤ４５ｂが形成されている。
【００５４】
また，上定盤４１と下定盤４２との各対向面には，上述したような固定砥粒研磨パッド１６がそれぞれ配設されている。これら固定砥粒研磨パッド１６のウェハＷに対する当接圧力は，例えば２５０ｇｆ／ｃｍ２程度である。上定盤４１と下定盤４２とは同じ方向へ回転し，それぞれの回転速度，すなわち両固定砥粒研磨パッド１６の回転速度は例えば３０ｒｐｍである。また，上定盤４１と下定盤４２の回転に伴い，各キャリアプレート４５は反対方向に回転する。このような回転によって，キャリアプレート４５に保持された各ウェハＷは，その表面と裏面が上記一対の固定砥粒研磨パッド１６に同時に擦りつけられる。また，研磨装置４０は，研磨加工時には，遊離砥粒を含まない研磨液（アルカリ性溶液等）を供給する。
【００５５】
かかる構成の研磨装置４０は，遊離砥粒を含まない研磨液を供給しながら，上記研削工程における研削後のウェハＷの表面と裏面を，上下２枚の固定砥粒研磨パッド１６に擦りつけることによって，当該ウェハＷの表面と裏面を同時に両面研磨することができる。
【００５６】
以上，図４〜図６に基づき，本実施形態にかかる研削装置３０，片面研磨装置１０，両面研磨装置４０の構成例についてそれぞれ説明した。上記図１に示したウェハの製造方法を実現する場合，研削工程（Ｓ１０６）では，上記研削装置３０を使用して，ウェハＷの両面を片面ずつ研削して，ウェハＷの厚みが薄くされ，その後，研磨工程（Ｓ１０８）では，上記片面研磨装置１０又は両面研磨装置４０を使用して，ウェハＷの両面を片面ずつ又は同時に研磨して，ウェハＷ表面のうねりが除去される。
【実施例】
【００５７】
次に，上記実施形態に基づいて，研削されたウェハＷに対して，本発明の実施例にかかる固定砥粒研磨パッド１６及び遊離砥粒を含まない研磨液を使用した研磨と，従来の研磨パッド及び遊離砥粒を含む研磨液を使用した研磨とを行って，双方の研磨後のウェハＷの状態を調査したので，以下に具体的に説明する。
【００５８】
スライスされたウェハＷは，約８５０μｍの厚さのウェハを使用した。また，スライスされたウェハＷの表面及び裏面には，約３０μｍの加工変質層が発生していることが確認された。次いで，ウェハＷの表面と裏面を＃２０００の研削砥石（粒径が４〜６μｍの砥粒が含まれた砥石）を使用して，約３０μｍ程度の研削を行った。
【００５９】
さらに，本実施例においては，このように研削されたウェハＷの表面と裏面とを，固定砥粒研磨パッド１６と研磨材を含まない研磨液により，以下の研磨条件で研磨をおこなった。研磨装置としては，片面研磨装置は「ＬＧＰ−７０８ＸＪ（ラップマスター社製）」を使用し，両面研磨装置は「ＤＳＭ２２Ｂ−６Ｐ（スピードファム社製）」を使用した。また，このときの研磨条件として，ウェハＷの表面と裏面をそれぞれ順次片面研磨したときの条件と，同時に両面研磨したときの条件は，それぞれ次のようである。また，従来例として，上記研削されたウェハＷの表面と裏面を，従来の研磨パッドと遊離砥粒を含む研磨液を使用して，同様の条件で研磨をおこなった。
【００６０】
［研磨条件］
（片面研磨）
定盤回転数：５０ｒｐｍ
研磨圧    ：２００ｇ／ｃｍ２
研磨液流量：２００ｍｌ／ｍｉｎ
（両面研磨）
定盤回転数：２５ｒｐｍ
研磨圧    ：２００ｇ／ｃｍ２
研磨液流量：３０００ｍｌ／ｍｉｎ
【００６１】
［実験結果］
上記条件により実験を行った結果を図８に示す。なお，図８は，上記条件により実験を行った結果を示す写真図である。
【００６２】
本実施例にかかる固定砥粒研磨パッド１６を使用して，上記研削後のウェハＷの表面と裏面を，片面ずつ或いは両面同時に研磨した結果，図８（ａ）に示すように，１１．８μｍの研磨量で研磨した場合には，スライスうねりは完全に除去されていることが分かる。また，研磨量を１６．２μｍとした場合においてもスライスうねりは完全に除去されていることが分かる。また，固定砥粒研磨パッド１６を使用した場合には，従来の研磨パッドを使用した場合と比べて，約半分の時間でウェハＷのスライスによるうねりを除去して，最終ウェハを製造可能なことが確認された。
【００６３】
一方，従来の研磨パッドと遊離砥粒を使用して，上記研削後のウェハＷを研磨した結果，図８（ｂ）に示すように，１２．４μｍの研磨量で研磨した場合には，スライスうねりが残存することが確認された。また，研磨量を１７．７μｍまで増やした場合においても，スライスうねりを完全に除去することができないことが確認された。
【００６４】
かかる結果により，本実施形態にかかる固定砥粒研磨パッド１６と，遊離砥粒を含まない研磨液とを用いた研磨が，従来の研磨パッドと遊離砥粒とを用いた研磨よりも，スライスうねりを好適に除去できることが実証された。
【００６５】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は，ウェハの製造方法に適用可能であり，特に単結晶インゴットをスライスした際に発生したウェハのうねりを除去するウェハの製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】第１の実施の形態にかかるウェハ製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図２】第１の実施の形態にかかる片面研削後のウェハ表面の状態（ａ），片面研磨後のウェハ表面の状態（ｂ），両面研磨後のウェハ表面の状態（ｃ）を示す写真図である。
【図３】第１の実施の形態にかかる固定砥粒研磨パッドにより研磨されたウェハの状態（ａ）と，従来における遊離砥粒と研磨パッドにより研磨されたウェハの状態（ｂ）を示す模式図である。
【図４】第１の実施形態にかかるウェハ製造方法の研削工程において使用される研削装置の概要を示す斜視図である。
【図５】第１の実施形態にかかるウェハ製造方法の研磨工程において使用される，固定砥粒研磨パッドを用いた片面研磨用の研磨装置の概要を示す斜視図である。
【図６】第１の実施の形態にかかる固定砥粒研磨パッドの構成を示す斜視図である。
【図７】第１の実施形態にかかるウェハ製造方法の研磨工程において使用される，固定砥粒研磨パッドを用いた両面研磨用の研磨装置の概要を示す斜視図である。
【図８】第１の実施の形態にかかる固定砥粒研磨パッドによる研磨後のウェハ状態と，従来の研磨パッド及び遊離砥粒による研磨後のウェハ状態とを，比較して説明するための説明図である。
【図９】従来におけるウェハ製造方法の工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６８】
１０  片面研磨用の研磨装置
１４  研磨テーブル
１６  固定砥粒研磨パッド
２０  基板保持部
２２  リング
２５  研磨液
３０  片面研削用の研削装置
３２  チャックテーブル
３３  スピンドル３３
３４  研削ヘッド
３５  回転機構
３６  移動機構
４０  両面研磨用の研磨装置
４１  上定盤
４２  下定盤
４３  太陽ギヤ
４４  インターナルギヤ
４５  キャリアプレート
Ｗ  ウェハ
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図２】
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【図８】
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