(57)【要約】【課題】カーボンファイバーの支持体の酸化を抑制し、カーボンファイバーとカーボンファイバーの支持体との電気的な接続を改善する。【解決手段】カーボンファイバー４が支持体５上に配置される。支持体５は、ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも１種と、窒素と、を含む。好ましくは、ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種が、Ｔｉであり、さらに好ましくは、支持体５中にＡｌまたはＳｉが含まれ、Ｔｉに対する、ＡｌまたはＳｉの割合が、１０ａｔｍ％以上３０ａｔｍ％以下である。【選択図】図１
2006114307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーとを備える構造体であって、
前記支持体は、
ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、
Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも１種と、
窒素と、
を含むことを特徴とする構造体。
【請求項２】
支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーとを備える構造体であって、
前記支持体は、
ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、
ＡｌまたはＳｉと、
窒素と、
を含むことを特徴とする構造体。
【請求項３】
前記ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種が、Ｔｉであることを特徴とする請求項１または２に記載の構造体。
【請求項４】
前記支持体中にＡｌまたはＳｉが含まれ、Ｔｉに対する、ＡｌまたはＳｉの割合が、１０ａｔｍ％以上３０ａｔｍ％以下であることを特徴とする請求項３に記載の構造体。
【請求項５】
カソード電極と、該カソード電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーとを備える電子放出素子であって、
前記支持体は、
ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、
ＡｌまたはＳｉと、
窒素と、
を含むことを特徴とする電子放出素子。
【請求項６】
カソード電極と、該カソード電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーと、陽極とを備える２次電池であって、
前記支持体は、
ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、
ＡｌまたはＳｉと、
窒素と、
を含むことを特徴とする２次電池。
【請求項７】
複数の電子放出素子を備える電子源であって、
前記複数の電子放出素子の各々が請求項５に記載の電子放出素子であることを特徴とする電子源。
【請求項８】
電子源と、該電子源から放出される電子の照射により発光する発光体とを備える画像表示装置であって、
前記電子源が請求項７に記載の電子源であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
受信した信号に含まれる映像情報、文字情報及び音声情報の少なくとも１つを出力する受信器と、前記受信器に接続された画像表示装置とを少なくとも備える情報表示再生装置であって、
前記画像表示装置が、請求項８に記載の画像表示装置であることを特徴とする情報表示
再生装置。
【請求項１０】
触媒を備える支持体上に、前記触媒を用いて気相成長法によりカーボンファイバーを成長させる工程を備えるカーボンファイバーの製造方法であって、
前記支持体は、
ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、
Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも１種と、
窒素と、
を含むことを特徴とするカーボンファイバーの製造方法。
【請求項１１】
触媒を備える支持体上に、前記触媒を用いて気相成長法によりカーボンファイバーを成長させる工程を備えるカーボンファイバーの製造方法であって、
前記支持体は、
ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、
ＡｌまたはＳｉと、
窒素と、
を含むことを特徴とするカーボンファイバーの製造方法。
【請求項１２】
前記ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種は、Ｔｉであることを特徴とする請求項１０または１１に記載のカーボンファイバーの製造方法。
【請求項１３】
前記支持体はＡｌまたはＳｉを含み、Ｔｉに対する、ＡｌまたはＳｉの割合が１０ａｔｍ％以上３０ａｔｍ％以下であることを特徴とする請求項１２に記載のカーボンファイバーの製造方法。
【請求項１４】
前記触媒は、Ｐｄ、Ｎｉ、ＦｅまたはＣｏから選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載のカーボンファイバーの製造方法。
【請求項１５】
前記触媒は、ＣｏとＰｄとを含むことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載のカーボンファイバーの製造方法。
【請求項１６】
第１電極と、該第１電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーとを備える電子放出素子の製造方法であって、
前記カーボンファイバーが請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項１７】
複数の電子放出素子を備える電子源の製造方法であって、
前記複数の電子放出素子の各々が請求項１６に記載の製造方法により製造されることを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項１８】
電子源と、該電子源から放出される電子の照射により発光する発光体とを備える画像表示装置の製造方法であって、
前記電子源が請求項１７に記載の製造方法により製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１９】
受信した信号に含まれる映像情報、文字情報及び音声情報の少なくとも１つを出力する受信器と、前記受信器に接続された画像表示装置とを接続する工程を備える情報表示再生装置の製造方法であって、
前記画像表示装置が請求項１８に記載の製造方法により製造されることを特徴とする情報表示再生装置の製造方法。
【請求項２０】
カソード電極と、該カソード電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーと、陽極とを備える２次電池の製造方法であって、
前記カーボンファイバーが請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする２次電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンファイバーを用いた構造体、電子放出素子、２次電池、電子源、画像表示装置ならびにそれらの製造方法に関する。また、上記画像表示装置を用いたフラットテレビやコンピュータなどの情報表示再生装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電界放出型電子放出素子において、電子放出体としてカーボンファイバーを用いるものがある。電子放出体にカーボンファイバーを用いることで、形状による電界増倍効果により、膜状（平面状）のカーボン等からなる電子放出体に比べて、より低い電界強度で電子放出体から電子を放出させることが可能となる。
【０００３】
電子放出体に用いるカーボンファイバーを形成する方法としては、予め用意しておいたカーボンファイバーを電極（カソード電極）の表面に塗布する方法や、触媒粒子をその表面に備える電極（カソード電極）を用いてカーボンファイバーを気相成長させる方法等がある。カーボンファイバーを気相成長法で形成する場合には、カーボンファイバーと電極（カソード電極）との電気的および物理的な接続を考慮する必要がある。また、電極（カソード電極）としては導電性の高い材料を用いることが好ましいため、電極（カソード電極）上に電極（カソード電極）とは異なる別の導電体（支持体）を配置し、さらに、この支持体上に触媒粒子を配置して気相成長法によりカーボンファイバーを形成する方法がある。
【０００４】
特許文献１では、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうち１種類以上からなる金属を含有する触媒超微粒子を、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｒのうち１種類以上からなる金属が主成分である材料に分散せた膜をＳｉなどの基体上に配置し、そして上記触媒粒子を用いてカーボンナノチューブを気相成長させることが開示されている。
【０００５】
また、特許文献２では、電極（カソード電極）上に支持体を配置し、この支持体上に、触媒粒子を用いてカーボンファイバーを気相成長法により成長させる手法が開示されている。カーボンファイバーの支持体としては、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の窒化物、あるいはＴｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の酸化物、あるいは前記窒化物と前記酸化物の混合物を用いることが開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１３９８１５号公報
【特許文献２】特開２００２−２８９０８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１においては、触媒粒子を分散させた金属や、基体のＳｉは、カーボンファイバーを成長させるプロセスを経ることで、表面に酸化膜が形成され易い。酸化シリコンは絶縁体であるので、このような酸化膜が厚くなると、カーボンファイバーとの間の電気的な接続が阻害される場合があった。Ｓｉの他にも、Ａｌなどのｄ軌道電子をもたない原子の電子配置を有する元素の酸化物材料は、絶縁体であるため、これらの材料をカーボンファイバーの支持体の材料として用いる場合には、支持体表面に形成される酸化膜を薄くする必要があった。
【０００７】
また、特許文献２に開示される、カーボンファイバーの支持体としてＴｉＮ、ＺｒＮ、
ＴａＮ、ＮｂＮからなる材料を用いる場合においては、以下の問題が生じる場合があった。即ち、気相成長法で触媒粒子を用いてカーボンファイバーを成長させる際に、触媒として金属を用いると、触媒金属が支持体に拡散する場合があった。この様に支持体に触媒金属が拡散した場合、触媒粒子の粒径が変化することによって、形成されるカーボンファイバーの直径、長さ、結晶構造等が変化する場合があった。また、触媒として、合金触媒を用いた場合においては、合金を組成する元素毎の支持体への拡散速度が異なると、合金触媒中の組成比が変化してしまう。したがって、合金を組成する元素の組成比が初期の所望状態から変化すると、形成されるカーボンファイバーの直径、長さ、結晶構造等が変化し、電子放出特性の劣化やばらつきといった問題を生じてしまう場合がある。
【０００８】
本発明の目的は、カーボンファイバーの支持体の酸化を抑制し、カーボンファイバーとカーボンファイバーの支持体との電気的な接続を改善することにある。また、本発明の別の目的は、触媒材料がカーボンファイバーの支持体内へ拡散することを抑制し、所望形状のカーボンファイバーを支持体表面上に再現性良く形成することで、電気特性の劣化やばらつきの少ない電子放出素子、電子源、画像表示装置、２次電池を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するために以下の構成を採用する。
【００１０】
本発明における第１の発明は、支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーとを備える構造体であって、前記支持体は、（Ａ）ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｂ）Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｃ）窒素と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
上記第１の発明において、「Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも１種がＡｌまたはＳｉであること」が好ましい。また、上記第１の発明においては、「ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種が、Ｔｉであること」も好ましく、「前記支持体中において、Ｔｉに対する、ＡｌまたはＳｉの割合が、１０ａｔｍ％以上３０ａｔｍ％以下であること」がさらに好ましい。
【００１２】
また、本発明の第２の発明は、カソード電極と、該カソード電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーとを備える電子放出素子であって、前記支持体は、（Ａ）ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｂ）ＡｌまたはＳｉと、（Ｃ）窒素と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の第３の発明は、カソード電極と、該カソード電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーと、陽極とを備える２次電池であって、前記支持体は、（Ａ）ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｂ）ＡｌまたはＳｉと、（Ｃ）窒素と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、「上記電子放出素子を複数備える電子源」、「該電子源と、該電子源から放出される電子の照射により発光する発光体とを備える画像表示装置」、「受信した信号に含まれる映像情報、文字情報及び音声情報の少なくとも１つを出力する受信器と、前記受信器に接続された上記画像表示装置とを少なくとも備える情報表示再生装置」をも、その特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の第４の発明は、触媒を備える支持体上に、前記触媒を用いて気相成長法によりカーボンファイバーを成長させる工程を備えるカーボンファイバーの製造方法であって、前記支持体は、（Ａ）ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種と、（Ｂ）Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも
１種と、（Ｃ）窒素と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
上記第４の発明において、「Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒからなる群から選択された少なくとも１種がＡｌまたはＳｉであること」が好ましい。また、上記第４の発明においては、「ＩＶａ族元素とＶａ族元素とからなる群から選択された少なくとも１種が、Ｔｉであること」も好ましく、「前記支持体中において、Ｔｉに対する、ＡｌまたはＳｉの割合が、１０ａｔｍ％以上３０ａｔｍ％以下であること」がさらに好ましい。また、上記第４の発明においては、「前記触媒は、Ｐｄ、Ｎｉ、ＦｅまたはＣｏから選択された少なくとも１種を含むこと」、或いは、「前記触媒は、ＣｏとＰｄとを含むこと」も好ましい。
【００１７】
また、本発明は、さらに、「第１電極と、該第１電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーとを備える電子放出素子の製造方法において、前記カーボンファイバーを上記第４の発明により製造すること」、「複数の電子放出素子を備える電子源の製造方法であって、前記複数の電子放出素子の各々を上記電子放出素子の製造方法により製造すること」、「電子源と、該電子源から放出される電子の照射により発光する発光体とを備える画像表示装置の製造方法であって、前記電子源を上記電子源の製造方法により製造すること」、「受信した信号に含まれる映像情報、文字情報及び音声情報の少なくとも１つを出力する受信器と、前記受信器に接続された画像表示装置とを接続する工程を備える情報表示再生装置の製造方法であって、前記画像表示装置を上記画像表示装置の製造方法により製造すること」、「カソード電極と、該カソード電極上に配置された支持体と、該支持体上に配置されたカーボンファイバーと、陽極とを備える２次電池の製造方法であって、前記カーボンファイバーを上記第４の発明により製造すること」をもその特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、カーボンファイバーと電極との間の電気的な接続を安定に長期に渡って維持することができる。その結果、電子放出特性に優れた電子放出素子や、高輝度でバラツキの少ない画像表示装置やテレビなどの情報表示再生装置や、安定な電流を取り出せる２次電池を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に図面を参照して、本発明の好的な実施の形態を例示的に説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対位置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２０】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明を最も簡略化して示した模式図である。図１Ａ及び図１Ｂにおいて、４はカーボンファイバーである。各々のカーボンファイバー４は、その軸方向（長手方向もしくは成長方向ともいう。）において、２つの端部（両端部）を備えており、一方の端部が支持体５の表面に接続されている。図１Ａは、カーボンファイバーが屈曲した形態を備えている場合であり、図１Ｂはカーボンファイバーがほぼ直線状の形態を備えている場合である。図１Ｂの形態のカーボンファイバーは、一般に、カーボンナノチューブと呼ばれる形態である。そして、本発明においては、上記支持体５が、（Ａ）ＩＶａ族の金属またはＶａ族の金属（以降これらを母材料と呼ぶ）から選択された１種と、（Ｂ）Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒ（以降、これらを添加材料と呼ぶ）から選択された１種と、（Ｃ）窒素とを含むものである。尚、当然ではあるが、支持体５は導電性を有する。
【００２１】
尚、本発明における「カーボンファイバー」とは、カーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバー、アモルファスカーボンファイバー、ダイアモンドファイバーなどを含む。また「カーボンファイバー」は炭素を含むファイバーであり、炭素を主成分とするファイバーであることが好ましい。カーボンファイバーはその軸方向に２つの端部（両端部
）を備える。この２つの端部（両端部）は、図１Ｂの形態のようにカーボンファイバーが直線状である場合には、「軸方向において対向する２つの端部」と呼ぶこともできる。また、本発明においては、カーボンファイバーに電流を流すため、カーボンファイバーの直径は、１ｎｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが安定な電流供給を実現する上で更に好ましい。また、カーボンファイバーの長さは直径の１０倍以上であることが好ましい。そして、カーボンファイバーを電界放出型電子放出素子に応用する場合には印加される電界強度を増倍させる効果を得る上で、カーボンファイバーの長さは直径の５０倍以上であることがより好ましく、直径の１００倍以上であることが更に好ましい。
【００２２】
図１Ａ及び図１Ｂに示したカーボンファイバーは、本発明においては、典型的には、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、以下の工程１および工程２によって形成することができる。（工程１）上述した支持体５の表面に触媒粒子６を配置する（図２Ａ）。（工程２）そして、支持体５上に配置された触媒粒子６と、カーボンファイバー４の原料とを反応させて、支持体５上にカーボンファイバー４を成長させる（図２Ｂ）。
【００２３】
本発明者らは、様々な組成の支持体上に触媒粒子を配置し、この触媒粒子を用いて炭素含有ガスを熱分解することによりカーボンファイバーを支持体上に形成することによって、形成されたカーボンファイバーと支持体との安定な電気的接合を形成することのできる支持体の材料について検討した。
【００２４】
本発明者らが、鋭意検討した結果、支持体５の材料として、二元系の窒化物材料よりも、三つの元素からなる三元系の窒化物材料を用いた方が、触媒材料の支持体５への拡散が少なく、且つ支持体５の酸化が少ない傾向が見られた。様々な組成の材料を用いた支持体を検討した結果、カーボンファイバー４が再現性良く成長し、かつ、支持体５とカーボンファイバー４との良好な電気的接続を長期に渡って維持することができる材料としては、（Ａ）ＩＶａ族の金属またはＶａ族の金属（以降これらを「母材料」と呼ぶ）から選択された一つの金属と、（Ｂ）Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒ（以降、これらを「添加材料」と呼ぶ）から選択された１つの元素と、（Ｃ）窒素と、を含む材料であることを本発明者らは見出した。
【００２５】
上記材料としては、より具体的には、
ＴｉｘＣ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴｉｘＡｌ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴｉｘＳｉ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴｉｘＣｒ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴｉｘＺｒ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＺｒｘＣ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＺｒｘＡｌ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＺｒｘＳｉ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＺｒｘＣｒ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＮｂｘＣ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＮｂｘＡｌ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＮｂｘＳｉ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＮｂｘＣｒ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＮｂｘＺｒ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴａｘＣ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴａｘＡｌ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴａｘＳｉ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴａｘＣｒ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＴａｘＺｒ１−ｘＮ（ｘ＜１）で表すことが出来る材料であることが好ましい。
【００２６】
これらの材料を、反応性スパッタにて基板上に成膜する場合は、例えば、基板温度を室温から３００℃程度に加熱した状態で、ＴｉｘＣ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴｉｘＡｌ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴｉｘＳｉ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴｉｘＣｒ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴｉｘＺｒ１−ｘ（ｘ＜１）、ＺｒｘＣ１−ｘ（ｘ＜１）、ＺｒｘＡｌ１−ｘ（ｘ＜１）、ＺｒｘＳｉ１−ｘ（ｘ＜１）、ＺｒｘＣｒ１−ｘ（ｘ＜１）、ＮｂｘＣ１−ｘ（ｘ＜１）、ＮｂｘＡｌ１−ｘ（ｘ＜１）、ＮｂｘＳｉ１−ｘ（ｘ＜１）、ＮｂｘＣｒ１−ｘ（ｘ＜１）、ＮｂｘＺｒ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴａｘＣ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴａｘＡｌ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴａｘＳｉ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴａｘＣｒ１−ｘ（ｘ＜１）、ＴａｘＺｒ１−ｘ（ｘ＜１）等のターゲット材料を用いて、真空装置内にアルゴンと微量の窒素を同時に導入することに
より容易に形成することが出来る。
【００２７】
また、最初から所望の窒化物ターゲットを用いても形成できる。また、上記本発明の材料の形成方法は、反応性スパッタの他に、例えば、熱ＣＶＤ、ＰＶＤ、イオンプレーティング等の手法を採用することも可能である。
【００２８】
なお、ここには列挙しないが、さらに複雑な例としてＴｉｘＺｒｙＡｌｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）、ＴｉｘＺｒｙＳｉｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）のような四元系以上のより複雑な場合も本発明に含まれる。
【００２９】
また、本発明における支持体５には、上記三元系の窒化物材料や四元系の窒化物材料が含まれるが、他の元素が含まれることを除外するものではない。また、上記三元系の窒化物材料や四元系の窒化物材料を構成する各元素間で形成される種々の化合物を含む場合もある（例えば、ＴｉｘＡｌ１−ｘＮの支持体の場合であれば、支持体はＴｉｘＡｌ１−ｘＮからなる三元系窒化物の他に、ＴｉＮおよびＡｌＮからなる二元系窒化物を含む場合もある）。
【００３０】
これらの材料が酸化や拡散を防ぐ効果については以下のように考えられる。
【００３１】
Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒはいずれも窒化物も酸化物も形成可能な材料であり、そのため、外部から進入した酸素原子をトラップするゲッター材料として働くことができる。また、酸化に際して体積膨張を伴い、酸化することで表面の密度が高まり、酸素が進入しづらくなる。形成されるＡｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｚｒの酸化物自身は高温においても安定であり、酸化物単体の場合は酸化に伴う反応の自由エネルギーが大きい傾向がある。さらに、上記添加材料の中でも、ＡｌまたはＳｉは、その効果が大きい。効果の大きいＡｌあるいはＳｉの添加は、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＴａＮの各々の結晶粒界にＡｌＮあるいはＳｉ３Ｎ４として析出する傾向があり、結晶粒界からの酸素拡散を抑制する働きがあることが確認された。従って、スパッタ蒸着法等で形成することで、前記母材料の柱状の結晶の結晶粒界に、ＡｌＮあるいはＳｉ３Ｎ４等を形成することができるので、母材料の結晶粒界を経由して拡散する酸素原子を効果的に抑制されると考えられる。
【００３２】
また、上述した材料からなる支持体をスパッタ蒸着法で形成する場合においては、ターゲット（スパッタ蒸着源）に含まれる酸素原子の濃度は、支持体の導電性、耐酸化性に大きく影響する。本発明においては、ターゲットに含まれる酸素濃度（原子パーセント）は５０００ｐｐｍ以下が望ましく、特に３０００ｐｐｍ以下が望ましい。しかし、全く酸素を取り除くと、かえって拡散や酸化が助長される結果となった。このため、ターゲットに含まれる酸素濃度は１０ｐｐｍ以上であることが望ましい。
【００３３】
一方、母材料への添加材料として炭素を用いた場合は、拡散に対してだけ効果が認められた。この理由として炭素の酸化物は気体であることに起因しているように想像される。炭素は侵入型元素であるため、結晶の欠陥を埋める。このため外部からの原子は拡散のサイトをあらかじめ炭素で占有されていることで拡散しづらくなるものと思われる。
【００３４】
さらに、電子放出素子や燃料電池や配線回路などの各種の電子デバイスに用いる電極としての特性として重要な、比抵抗（体積抵抗率）と熱伝導率について上記材料の特性を述べる。
【００３５】
ここに挙げた導電性材料としての性質を理解するには、母材料と添加材料の体積抵抗（比抵抗）が重要なパラメータとなる。
【００３６】
以下、母材料のおよその体積抵抗（室温における）、熱伝導率（室温における）を表１に列挙する。
【表１】
2006114307.tif 000003
【００３７】
添加材料のおよその体積抵抗（室温）、熱伝導率（室温）を表２に列挙する。
【表２】
2006114307.tif 000004
【００３８】
上述した三元系窒化物のうちのいくつかの材料について、体積抵抗、熱伝導率を調べた結果、表３に示す結果が得られた。
【表３】
2006114307.tif 000005
【００３９】
これから明らかなように、母材料に絶縁体の添加材料を加えた場合は比抵抗が上昇し、特に添加材料が６０％を超えると比抵抗が指数関数的に急激に上昇することが分かった。
【００４０】
一方、熱伝導率は熱伝導率の大きな材料を添加する割合に応じて緩やかに変化した。
【００４１】
従って、望ましい導電性材料は、熱伝導率、比抵抗、耐酸化性、耐拡散性に関する上記の特性を適宜組み合わせることで達成される。
【００４２】
特に、比抵抗が小さく、熱伝導率が大きく、耐酸化性、耐拡散性の良好な材料としては母材料がＴｉＮ、ＺｒＮであり、添加材料がＡｌＮであり、その割合が３０重量％以下のＴｉｘＡｌ１−ｘＮ（ｘ＜１）、ＺｒｘＡｌ１−ｘＮ（ｘ＜１）が特に望ましい。
【００４３】
次に、支持体５の材料と、触媒の材料の酸化状態とのいくつかの組み合わせについて述べる。
【００４４】
支持体５の材料が上記した三元系の材料であり、かつ触媒粒子６を構成する材料が金属
である（例えばＰｄを主成分とする）場合は、触媒材料を酸化させるプロセスを用いずとも、金属状態の触媒からカーボンファイバーを成長させることが可能であることを見出した。このため、酸化や加熱プロセスに弱い材料をカーボンファイバーを用いた電子デバイスの一部に使用することが可能となり、製造プロセスの選択肢に幅を持たせることが可能となった。
【００４５】
支持体５の材料が炭窒化物材料あるいは三元系の窒化物材料であり、かつ触媒粒子６を構成する材料が酸化物状態である場合（例えば酸化パラジウムを主成分とする場合）は、酸化物触媒に対し減圧下での熱分解還元あるいは水素による還元を行った後において、触媒を用いて安定にカーボンファイバーを成長させることが可能であることを見出した。
【００４６】
また、図１Ａ、図１Ｂなどで示した本発明の支持体５は、基板上に固定されていても良い。そしてまた、本発明の支持体５は、基板と支持体との間に電極などの別の部材を配置することもできる。
【００４７】
支持体５上に配置されるカーボンファイバー４は、支持体５上に配置された触媒を用いて、カーボンファイバーの原料ガスを分解することによって、支持体５上に直接、気相成長させたカーボンファイバーであっても良い。気相成長方法としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法など各種のＣＶＤ法を用いることができる。このような気相成長は、支持体５が、基板上や電極上に積層された構成においても行うことができる。
【００４８】
触媒材料としては、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉやＰｄ、或いはこれらの中から選択された少なくとも１種を含む合金を好ましく用いることができる。特に、ＰｄとＣｏとの合金が、グラファイトナノファイバーを形成する上で好ましく用いられる。ＰｄとＣｏとの合金を用いた場合には、低温で、良好な電子放出特性のカーボンファイバーを得ることができる。特に、後述するグラファイトナノファイバーを形成する際には、ＰｄとＣｏとを含む触媒を用いることが好ましい。そして、触媒に含まれるＰｄに対するＣｏの比率としては、５ａｔｍ％以上８０ａｔｍ％以下であれば、良好な電子放出特性を示すカーボンファイバーを再現性良く得ることができる。
【００４９】
また、気相成長に用いるカーボンファイバーの原料ガスとしては、炭素を含むガスを用いることができる。
【００５０】
本発明に用いられる炭素を含むガスとしては例えばアセチレン、エチレン、メタン、プロパン、プロピレンなどの炭化水素ガスが好ましく用いられる。エタノールやアセトンなどの有機溶剤の蒸気を用いることもできる。また、上記炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスがより好ましく用いられる。炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いた場合には、触媒が、混合ガス中に含まれる水素ガスで還元処理されるので、カーボンファイバーを良好に成長させることができるので好ましい。特に上記炭化水素ガスを、窒素あるいはＡｒ等の不活性ガスにて、希釈した混合ガスをカーボンファイバーの原料ガスとして用いることにより、特別な防爆設備を不要とした簡易な設備で製造することが可能である。
【００５１】
このような気相成長法を用いて、本発明の支持体上に直接カーボンファイバーを形成する方法の具体例としては、例えば以下の方法が挙げられる。まず、例えば、基板上に導電膜（例えばＰｔ）を全面に形成し、さらに導電膜の一部上に本発明の支持体（例えばＴｉｘＣ１−ｘＮ（ｘ＜１））の微小領域を形成し、その後、導電膜および支持体の全面に、触媒（例えばパラジウム）を被覆する。そして、この基板を加熱しながら、カーボンファイバーの原料ガスと触媒とを接触させることにより、カーボンファイバーを支持体５上だけに選択的に安定に成長させることができる。そして、形成されたカーボンファイバーとＰｔからなる導電膜との電気的な接続は、長期に渡って安定に維持することができる。
【００５２】
本発明で用いることのできるカーボンファイバー４は、典型的には、炭素の割合が５０ａｔｍ％以上であるものを指し、また、好ましくは、炭素の割合が７０ａｔｍ％以上のものであり、さらに好ましくは炭素の割合が９０ａｔｍ％以上である。尚、図２を用いて前述したような方法により、カーボンファイバーが触媒（典型的には金属）を用いて成長させたものである場合には、カーボンファイバーが触媒材料を内包したり担持したりする場合が多い。そのため、本発明のカーボンファイバーは、触媒材料を内部に含むカーボンファイバーや触媒材料を担持したカーボンファイバーをも含むものである。そして、このような金属を内包するカーボンファイバーの場合においても、本発明のカーボンファイバーは、炭素の割合が５０ａｔｍ％以上であるものを指し、また、好ましくは、炭素の割合が７０ａｔｍ％以上のものであり、さらに好ましくは炭素の割合が９０ａｔｍ％以上である。また、触媒材料などの炭素とは異なる材料を内包または担持する場合においては、その内包または担持される材料は、カーボンファイバー中に含まれる炭素に比較すると実効的には２０質量％以下であることが好ましい。また、本発明における「カーボンファイバー」としては、より具体的には、カーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバー或いはアモルファスカーボンファイバーなどの導電性のカーボンファイバーを含む。そして、中でも、電子放出特性の観点からグラファイトナノファイバーが最も好ましい。
【００５３】
上記カーボンファイバーの形態の一例を図１３、図１４に示す。図１３Ａ及び図１４Ａは光学顕微鏡レベル（〜１０００倍）で見える形態を示す。図１３Ｂ及び図１４Ｂは走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）レベル（〜３万倍）で見える形態を示し、図１３Ｂは図１３Ａの２０の部分拡大図、図１４Ｂは図１４Ａの２３の部分拡大図である。図１３Ｃ、図１４Ｃ及び図１４Ｄは透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）レベル（〜１００万倍）で見えるカーボンの形態を模式的に示し、図１３Ｃは図１３Ｂの２１の部分拡大図、図１４Ｃと図１４Ｄはそれぞれ図１４Ｂの２４、２５の部分拡大図である。図中、２２，２６はグラフェンである。
【００５４】
図１３Ｃのように、グラフェン２２が円筒形状の形態をとるものは「カーボンナノチューブ」と呼ばれる。そして、円筒形のグラフェン２２が多重構造になった多数の円筒で構成されているものは「マルチウォールナノチューブ」と呼ばれ、１つの円筒で構成されているものは「シングルウォールナノチューブ」と呼ばれる。特にチューブの先端を開放させた構造の時に、電子放出に要するしきい値電界が最も下がる。また、マルチウォールカーボンナノチューブの中空構造の中に、竹の節のような構造を持つ物があるが、これらの多くはファイバーの軸に対する最外周のグラフェンの角度がほぼ０°であり、このような構造もカーボンナノチューブに含まれる。これらのカーボンナノチューブはファイバーの軸方向と円筒形に形成された最外周に形成されるグラフェンの面が略平行（ファイバーの軸（ファイバーの長手方向）とグラフェンとがなす角度がおおよそ０°）であり、チューブ内が中空であるのが特徴である。
【００５５】
図１４Ｃ及び図１４Ｄに模式的に示すように、ファイバーの軸と非垂直な方向に積層されたグラフェン２６によって構成されるファイバー（ｃ軸がファイバーの軸方向に対して非垂直になるように配置されたファイバー）は「グラファイトナノファイバー」と呼ばれる。より具体的には、グラファイトナノファイバーは、その長手方向（ファイバーの軸方向あるいは成長方向）にグラフェンが積層されたカーボンファイバーを指し、換言すると、図１４に示す様に、ファイバーの軸方向に対して非平行に配置された複数のグラフェンが積層されてなるカーボンファイバーである。一方のカーボンナノチューブは、その長手方向（ファイバーの軸方向）を囲むよう（円筒形状）にグラフェンが配置されているカーボンファイバーであり、換言すると、グラフェン（複数のグラフェン）がファイバーの軸に対して実質的に平行に配置されるカーボンファイバーである。つまり、前述のカーボンナノチューブにおいては、ｃ軸（複数のグラフェンが積み重なる方向、あるいはグラフェンの面に対して垂直な方向）が、ファイバーの軸方向（ファイバーの長手方向）に対して
実質的に垂直であるのに対し、グラファイトナノファイバーは、ｃ軸（グラフェンの重なる方向、あるいはグラフェンの面に対して垂直方向）が、ファイバーの軸方向（ファイバーの長手方向）と非垂直である（典型的には平行である）。
【００５６】
ファイバーの軸とグラフェンの面とが形成する角度がほぼ９０°である場合には「プレートレット型」のグラファイトナノファイバーと呼ぶ。換言すれば、グラフェンがトランプのように多数枚積み重なった構造をしている。一方、図１４Ｃ及び図１４Ｄに示すように、ファイバーの軸方向に対する、グラフェン２６の面の角度が９０°より小さく０°より大きい角度である形態を「ヘリンボーン型」のグラファイトナノファイバーと呼ぶ。「ヘリンボーン型」の形態には穴のあいたカップ状のグラフェンを積み重ねたような形態もある。また、図１４Ｄのように、開いた本を積み重ねたような形態（Ｖ字状のグラフェンを積み重ねたような形態）も「ヘリンボーン型」に含まれる。
【００５７】
ヘリンボーン型におけるファイバー軸の中心付近は、中空である場合や、アモルファスカーボン（ＴＥＭレベルの電子線回折像で明確な結晶格子に伴うスポットや格子の明暗像が見えず、ブロードなリングパターン程度しか見えないもの）が詰まっている場合等がある。
【００５８】
図１４Ｂには、カーボンファイバーの直線性が悪い状態で成長した場合の概略図を示した。本発明の製造方法により形成されるファイバーが、全てがこのように直線性が悪いわけではない。本発明には、図１３Ｂの様に、直線性の高いカーボンファイバーも含まれる。
【００５９】
尚、グラファイトの１枚面を「グラフェン」或いは「グラフェンシート」と呼ぶ。より具体的には、グラファイトは、炭素原子がｓｐ２混成により共有結合でできた正六角形を敷き詰める様に配置された炭素平面が積層された（理想的には３．３５４Åの距離を保って積層された）ものである。この一枚一枚の炭素平面を「グラフェン」或いは「グラフェンシート」と呼ぶ。
【００６０】
カーボンナノチューブもグラファイトナノファイバーも、電子放出のしきい値が１Ｖ〜１０Ｖ／μｍ程度であり、本発明の電子放出材料として好ましく用いられる。特にグラファイトナノファイバーは、カーボンナノチューブよりも放出電流を得ることができるので好ましい。
【００６１】
カーボンナノチューブとグラファイトナノファイバーは、触媒の種類及び／あるいはカーボンファイバーの原料ガスを熱分解するための温度によって作り分けることが可能である。従って、同一の触媒であっても、カーボンファイバーの原料ガスを熱分解するための温度を選択することによって、所望の構造のカーボンファイバーを選択的に形成することが可能である。
【００６２】
カーボンファイバーを用いて電子放出素子を形成する場合には、１つの電子放出素子は、複数のカーボンファイバーを含む。そして、電子放出材料としては、カーボンファイバーとしてグラファイトナノファイバーを用いることがより好ましい。何故なら、複数のグラファイトナノファイバーを電子放出材料として用いた電子放出素子では、カーボンナノチューブを用いた場合よりも、電子放出電流密度を大きく確保できる為である。
【００６３】
グラファイトナノファイバーは、カーボンナノチューブとは異なり、図１４Ｃなどに示した様に、表面（ファイバーの側面）に微細な凹凸形状を有する。そのため、電界集中が起きやすく、電子を放出しやすいと考えられる。そして、また、ファイバーの中心軸からファイバーの外周（表面）に向かってグラフェンが伸びている形態であるため、電子放出
をし易いのではないかと考えられる。
【００６４】
一方のカーボンナノチューブの側面は、基本的に、グラファイトのｃ面に相当する。そのため、カーボンナノチューブの側面は、化学的に不活性であり、グラファイトナノファイバーの様な凹凸もないため、側面からは電子の放出は生じにくいと考えられる。
【００６５】
グラファイトナノファイバーを用いた電子放出素子では、ファイバーが曲がっているなどしても十分に多い電子放出量を確保することができるので、カーボンナノチューブを用いた電子放出素子よりもグラファイトナノファイバーを用いた電子放出素子の方が好ましい。
【００６６】
以上述べた本発明の支持体５上に配置したカーボンファイバーを用いた電子放出素子について、好ましい実施態様を挙げて詳述する。
【００６７】
本発明の電子放出素子においては、上述した支持体と、支持体上に固定されたカーボンファイバーとを備える。安定な電子放出を得るためには、支持体上に固定されるカーボンファイバーは、複数であることが好ましい。尚、以下の例においては、さらに、カーボンファイバーから電子を引き出す目的あるいはカーボンファイバーから放出された電子を制御する目的で設けられた制御電極と、支持体の導電性が低い場合を想定して配置した陰極（カソード電極）とを更に具備する場合を示す。勿論、本発明の電子放出素子は、制御電極および／または陰極を用いない構成も含む。
【００６８】
図３Ａは本発明の電子放出素子の構成の一例を示す模式図であり、図３Ｂは図３ＡのＡ−Ａ断面図である。図３Ａ、図３Ｂにおいて、１は絶縁性の基板、２は第２電極であるところの制御電極（ゲート電極）、３は第１電極であるところの陰極電極（カソード電極）、４は複数のカーボンファイバー、５は複数のカーボンファイバー４が配置された上述した材料からなる支持体を示している。尚、上記した形態および以下で説明する例においては、支持体５を陰極電極３上に配置した例を示すが、支持体５が十分な導電性を備えている場合においては、陰極電極３を用いず、支持体５自体を第１電極として用いることもできる。この様な場合は、支持体５が陰極電極（カソード電極）として機能することになる。
【００６９】
図３Ａ、図３Ｂの例においては、陰極電極３と制御電極２とを同一の基板表面上に離れて配置した、所謂、横型の電子放出素子の場合を示した。しかしながら、本発明は、図１７に示すような、所謂、縦型の電子放出素子に用いることもできる。図１７において、１は基板、３は陰極電極（カソード電極）、２は制御電極（ゲート電極として用いる場合もある）、４はカーボンファイバー、５は支持体、１０は絶縁層、１１はアノード電極である。
【００７０】
例えば、図８に示す様に、真空容器６０内に配置された上述した電子放出素子の上方にアノード電極６１を設けることで、カーボンファイバー４から放出された電子をアノード電極６１で捕獲する電子放出装置を構成することができる。尚、図８において、１は基板、２はゲート電極などの制御電極、３は陰極電極、４は複数のカーボンファイバー、５は支持体、６０は真空容器、６１はアノード電極、６２は電子線の照射により発光する発光体、６３は、基板１とアノード電極６１との間に形成される等電位線、６４は複数のカーボンファイバー４のうちで最も高い電界強度が印加される部分、６５は排気装置である。陰極電極３と制御電極２との距離ｄは、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下に設定される。また、基板１とアノード電極６１との距離Ｈは、好ましくは５００μｍ以上２０ｍｍ以下に設定され、さらに好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定される。アノード電極６１には１ｋＶ以上３０ｋＶ以下、好ましくは１０ｋＶ以上２５ｋＶ以下の電圧が印加され
る。真空容器６０内は、好ましくは１０-４Ｐａ以上の真空度に維持される。このような
電子放出装置は、３端子構造の電子放出装置である。アノード電極６１の表面に電子の照射によって発光する発光体６２を設ければ、ランプなどの発光装置を形成することができる。そして、このような発光装置を多数並べることで後述するディスプレイなどの画像表示装置を形成することができる。尚、図８に示す構成から、制御電極２を省いた電子放出装置においては、２端子構造の電子放出装置となる。２端子構造の電子放出装置においては、陰極電極３（支持体５）とアノード電極６１との間に印加される電圧によって、電子がカーボンファイバー４から放出される。
【００７１】
図８に示す制御電極２をカーボンファイバー４から電子を放出させるためのゲート電極として用いる場合においては、複数のカーボンファイバー４のうち、より制御電極２に近い位置に配置されたカーボンファイバー４の先端（図８中の符号６４で示される部分）から優先的に電子が放出されると考えられる。
【００７２】
前記絶縁性の基板１としては、その表面を十分に洗浄した、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少させＫなどに一部置換したガラス、青板ガラス或いはシリコン基板等にスパッタ法等により酸化シリコン（ＳｉＯ２）を積層した積層体、アルミナ等のセラミックス、などを用いることができる。
【００７３】
前記制御電極２および陰極電極３は導電性を有しており、蒸着法、スパッタ法等の一般的真空成膜技術、フォトリソグラフィー技術などにより形成することができる。電極２、３の材料は、導電性材料であれば良い。例えば、金属、金属の炭窒化物、金属の炭化物、金属のホウ化物、半導体、半導体の金属化合物から適宜選択することができる。前記陰極（カソード）電極３の厚さとしては、数十ｎｍから数十μｍの範囲で設定される、好ましくは炭素、金属、金属の炭窒化物、金属の炭化物の耐熱性材料が望ましい。支持体５に加えて陰極電極３を用いる場合においては、陰極電極３の抵抗が支持体５の抵抗よりも低くなるようにする。
【００７４】
制御電極２と陰極電極３（支持体５）の間隔は、カーボンファイバーに印加される横方向電界と縦方向電界とを比較した時に、横方向電界が縦方向電界よりも１倍から５０倍程度の値になるように、制御電極２と陰極電極３との間に印加する駆動電圧との兼ね合いで決めればよい。図８に示す様なアノード電極６１に発光体６２を配置する電子放出装置や画像表示装置の場合には、縦方向電界は、１０−１Ｖ／μｍから１０Ｖ／μｍの範囲が好ましい。例えば、アノード電極６１と陰極電極３との間隔（あるいはアノード電極６１と基板１との間隔Ｈ）を２ｍｍに設定し、アノード電極６１と陰極電極３との間に１０ｋＶを印加する場合においては、縦方向電界は５Ｖ／μｍとなる。この様に、縦方向電界とは、典型的には、カーボンファイバー４が配置された陰極電極３（支持体５）と、アノード電極６１との間の電界と見なすことが出来る。従って、縦方向電界の値は、典型的には、アノード電極６１と陰極電極３との間の電圧を、アノード電極６１と陰極電極３との距離で割ることで得られる値である。また、横方向電界は、典型的には、陰極電極３と制御電極（引き出し電極）２との間の電界と見なすことができる。従って、横方向電界の値は、典型的には、陰極電極３と制御電極２との間の電圧を、制御電極２と陰極電極３との距離ｄで割ることで得られる値である。
【００７５】
このような電子放出装置において、陰極電極３と制御電極２との間に駆動電圧Ｖｆ（１０Ｖ以上１００Ｖ以下）のパルス電圧を印加して、陰極電極３と制御電極２との間に流れる素子電流Ｉｆと電子放出電流Ｉｅを計測すると、図９に示す様な特性が得られる。すなわち駆動電圧Ｖｆの約半分から電子放出電流Ｉｅが急激に立ち上がる。また、素子電流Ｉｆ（不図示）は電子放出電流Ｉｅの特性に類似しているが、その値は電子放出電流Ｉｅと比較して十分に小さな値である。このような電子放出特性は、図１７に示した縦型の電子
放出素子においても同様である。
【００７６】
以下この電子放出特性に基づき、電子放出素子を複数配して得られる電子源について、図１０を用いて説明する。
【００７７】
図１０において、８１は電子源基板、８２はＸ方向配線（Ｄｘ１〜Ｄｘｍ）、８３はＹ方向配線（Ｄｙ１〜Ｄｙｎ）である。８４は上述した本発明の電子放出素子である。なお、ｎ、ｍは共に正の整数である。
【００７８】
ｍ本のＸ方向配線８２は、Ｄｘ１，Ｄｘ２，．．Ｄｘｍからなり、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成された金属膜などで構成することができる。配線の材料、膜厚、巾は、適宜設計される。Ｙ方向配線８３は、Ｄｙ１，Ｄｙ２，．．Ｄｙｎのｎ本の配線よりなり、Ｘ方向配線８２と同様に形成される。これらｍ本のＸ方向配線８２とｎ本のＹ方向配線８３との間には、両配線を電気的に分離するための層間絶縁層（不図示）が設けられている。
【００７９】
層間絶縁層は、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ２等で構成される。例えば、層間絶縁層は、Ｘ方向配線８２を形成した電子源基板８１の全面或は一部に所望の形状で形成され、特に、Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３の交差部の電位差に耐え得るように、膜厚、材料、製法が適宜設定される。Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３のそれぞれの端部は、外部端子として引き出されている。
【００８０】
電子放出素子８４の一対の電極（不図示）は、Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３とに電気的に接続されている。Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３を構成する材料及び一対の素子電極を構成する材料は、その構成元素の一部あるいは全部が同一であっても、またそれぞれ異なってもよい。
【００８１】
Ｘ方向配線８２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子８４の行を選択するための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方向配線８３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子８４の各列からの電子放出量を、走査信号に同期して変調するための不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子８４に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。
【００８２】
上記構成においては、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とすることができる。
【００８３】
このようなマトリクス配置の電子源を用いて構成した画像表示パネルについて、図１１を用いて説明する。図１１は、画像表示パネル（外囲器）の一例を示す模式図である。図１１において、８１は電子放出素子８４を複数配した電子源基板（「リアプレート」と呼ぶ場合もある）、９６はガラス基体９３の内面に蛍光膜９４とメタルバック９５等が形成されたフェースプレートである。９２は支持枠であり、該支持枠９２には、リアプレート８１とフェースプレート９６がフリットガラスやインジウム等の接着材を用いて接続されている。接着材としてフリットガラスを用いた場合には、外囲器９７は、例えば大気中、真空中あるいは、窒素中で、４００〜５００度の温度範囲で１０分以上焼成することで、封着して構成される。また、フェースプレート９６とリアプレート８１の間に、スペーサーとよばれる不図示の支持部材を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器９７を構成することもできる。
【００８４】
また、図１１を用いて説明した本発明の外囲器（画像表示パネル）９７を用いて情報表示再生装置を構成することができる。
【００８５】
具体的には、テレビジョン放送などの放送信号を受信する受信装置と、受信した信号を選局するチューナーと、選曲した信号に含まれる映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも１つを、外囲器（表示パネル）９７に出力して表示および／あるいは再生させる。この構成によりテレビジョンなどの情報表示再生装置を構成することができる。勿論、放送信号がエンコードされている場合には、本発明の情報表示再生装置はデコーダーも含むことができる。また、音声信号については、別途設けたスピーカーなどの音声再生手段に出力して、外囲器（表示パネル）９７に表示される映像情報や文字情報と同期させて再生する。
【００８６】
また、映像情報または文字情報を外囲器（表示パネル）９７に出力して表示および／あるいは再生させる方法としては、例えば以下のように行うことができる。まず、受信した映像情報や文字情報から、外囲器（表示パネル）９７の各画素に対応した画像信号を生成する。そして生成した画像信号を、外囲器（表示パネル）９７の駆動回路に入力する。そして、駆動回路に入力された画像信号に基づいて、駆動回路から外囲器（表示パネル）９７内の各電子放出素子に印加する電圧を制御して、画像を表示する。
【００８７】
図１２は、本発明に係るテレビジョン装置のブロック図である。受信回路７０は、チューナーやデコーダー等からなり、衛星放送や地上波等のテレビ信号、ネットワークを介したデータ放送等を受信し、復号化した映像データをＩ／Ｆ部７１に出力する。Ｉ／Ｆ部７１は、映像データを画像表示装置７２の表示フォーマットに変換して、画像表示装置７２に画像データを出力する。画像表示装置７２は、外囲器（表示パネル）９７、制御回路７３及び駆動回路７４を含む。制御回路７３は、入力された画像データに外囲器（表示パネル）９７に適した補正処理等の画像処理を施すともに、駆動回路７４に画像データ及び各種制御信号を出力する。駆動回路７４は、入力された画像データに基づいて、外囲器（表示パネル）９７の各配線（図１０、図１１のＸ方向配線Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｙ方向配線Ｄｙ１〜Ｄｙｎ参照）に駆動信号を出力する。これにより、テレビ映像が表示される。受信回路７０とＩ／Ｆ部７１は、セットトップボックス（ＳＴＢ）として画像表示装置７２とは別の筐体に収められていてもよいし、また画像表示装置７２と同一の筐体に収められていてもよい。
【００８８】
ここで述べた画像表示装置の構成は、本発明を適用可能な画像表示装置の一例であり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。また、本発明の画像表示装置は、テレビ会議システムやコンピュータ等の表示装置等としても用いることができる。
【００８９】
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００９０】
図３Ａに本実施例により作製した電子放出素子を素子上部から見た様子を示し、図３Ｂは図３ＡのＡ−Ａ断面図を示す。
【００９１】
図３Ａ及び図３Ｂにおいて１は絶縁性の基板、２は制御電極（引き出し電極、ゲート電極ともいう）、３は陰極電極（カソード電極ともいう）、４は複数のカーボンファイバー、５は本発明の支持体材料からなる導電性の支持体を示している。
【００９２】
以下に、図７を用いて本実施例の電子放出素子の製造工程を詳細に説明する。
【００９３】
（工程１：図７Ａ参照）
基板１には石英基板を用いる。基板１を十分洗浄した後、スパッタ法により厚さ５ｎｍ（不図示）のＴｉ及び厚さ３０ｎｍのＰｔを連続的に基板１上に蒸着した。次に、フォトリソグラフィー工程で、ポジ型フォトレジストを用いてレジストパターンを形成した。次
に、パターニングした前記フォトレジストをマスクとして、ＡｒガスによりＰｔ層及びＴｉ層のドライエッチングを行い、制御電極２および陰極電極３を形成した。電極ギャップの距離は、５μｍに設定した。
【００９４】
（工程２：図７Ｂ参照）
スパッタ装置を十分に排気した後、基板温度を２５℃〜３００℃にする。Ａｒ中に窒素を混合させてガスの圧力を０．４〜１０Ｐａ程度に保つ。Ａｌの原子比が３０％以下のＴｉ７Ａｌ３ターゲットを用い、反応性スパッタ法（Ａｒ＋Ｎ２の混合ガスを使用）にてＴｉｘＡｌ（１−ｘ）Ｎを厚さ３００ｎｍの厚さに蒸着し、ＴｉｘＡｌ（１−ｘ）Ｎ層５０を形成した。
【００９５】
（工程３：図７Ｃ参照）
次に、基板を十分に室温に冷却した後、工程２と同一の真空装置を用いてＡｒガスを用いたスパッタ法にてＰｄ−Ｃｏを島状になる程度の量だけ蒸着した。この段階で素子表面には粒子の直径が約３〜１０ｎｍの微粒子６が形成された。この時の粒子の密度は約１０１１〜１０１２個／ｃｍ２と見積もられた。
【００９６】
（工程４：図７Ｄ参照）
次に、フォトリソグラフィー工程で、ポジ型フォトレジストを用いてレジストパターンを形成した。パターニングした前記フォトレジストをマスクとして、ＣＦ４と微量の酸素の混合ガスにより、島状Ｐｄ−Ｃｏ層（触媒粒子６）およびＴｉｘＡｌ（１−ｘ）Ｎ層５０のドライエッチングを行い、一方の電極（陰極電極３）の上にのみ支持体５とＰｄ−Ｃｏ触媒粒子６が形成されるようにした。
【００９７】
（工程５：図７Ｅ参照）
続いて、大気圧で窒素希釈した０．１％エチレン気流中で５００℃、１０分間加熱処理をした。これを走査電子顕微鏡で観察すると、Ｐｄ−Ｃｏ塗布領域に直径５ｎｍ〜２５ｎｍ程度で、屈曲しながら繊維状に伸びた多数のカーボンファイバー４が形成されているのがわかった。このときカーボンファイバー４の層の厚さは約１０００ｎｍとなっていた。
【００９８】
本素子を図８に示すような真空容器６０に設置し、真空排気装置６５によって２×１０-５Ｐａに到達するまで十分に排気した。そして、図８に示すように、素子からＨ＝２ｍ
ｍ離して設置された陽極（アノード電極）６１に、Ｖａ＝１０ｋＶの陽極（アノード）電圧を印加した。このとき素子には駆動電圧Ｖｆ＝２０Ｖからなるパルス電圧を印加し、流れる素子電流Ｉｆと電子放出電流Ｉｅを計測した。
【００９９】
素子のＩｆ−Ｉｅ特性は図９に示すような特性であった。すなわち印加電圧（駆動電圧Ｖｆ）の約半分から電子放出電流Ｉｅが急激に増加し、駆動電圧Ｖｆが１５Ｖでは約１μＡの電子放出電流Ｉｅが測定された。一方、素子電流Ｉｆは電子放出電流Ｉｅの特性に類似していたが、その値は電子放出電流Ｉｅと比較して一桁以上小さな値であった。
【０１００】
本実施例では、陰極電極３の上に支持体５を用いたことでカーボンファイバー４を所望の密度で成長させることが可能となった。また支持体５をカーボンファイバーの電気的接続層として用いたことにより、陰極電極３の上においても安定に電子放出させることが可能となった。
【０１０１】
本手法にて形成した支持体５（ＴｉｘＡｌ（１−ｘ）Ｎ（ｘ＜１））を分析した結果、ＴｉとＡｌの比率はターゲットとほぼ同じ７：３であった。
【０１０２】
また、カーボンファイバー４のラマン分光を行い、全く同じ触媒を用いてＴｉＮ導電層
を用いた場合との比較を行った結果、明らかにＴｉｘＡｌ（１−ｘ）Ｎ層を用いたファイバーの方がＧバンドのピークが高く、かつ半値幅が鋭いピークが見られた。
【０１０３】
この現象を調べるために、導電層に触媒材料を積層後、適当な温度に保持した基板を作製し、Ａｒスパッタ時の原子発光分析（ＧＤＳ分析法）を用いて、触媒材料の導電層への拡散プロファイルを観測した。
【０１０４】
この結果、ＴｉＮ層では明確にＴｉＮ層の内部にＣｏのピークが認められた。しかし、ＴｉｘＡｌ（１−ｘ）Ｎ層ではピークが小さくなるか、界面への僅かな裾引きが見られるだけであり、明らかにＣｏの拡散量が減少したことが確認された。
【０１０５】
この素子のカーボンファイバー４を透過電顕で観察したところ、グラフェンが図１４Ｄに示すように積層された構造であった。グラフェンの積層間隔（ｃ軸方向）は温度が低い５００℃程度では不鮮明であり、その間隔が０．３７ｎｍであった。
【実施例２】
【０１０６】
本発明の実施例２に係る電子放出素子の構成を図４Ａ及び図４Ｂに示す。以下、実施例１の製造方法との相違点について説明する。
【０１０７】
本実施例では、工程１において、陰極電極３の厚さを５００ｎｍ、制御電極２の厚さを３０ｎｍに形成した。また、工程２において、スパッタリング用ターゲットとしてＺｒ７Ａｌ３を用いた。本手法にて形成した支持体５（ＺｒｘＡｌ（１−ｘ）Ｎ（ｘ＜１））を分析した結果、ＺｒとＡｌの比率はターゲットとほぼ同じ７：３であった。また、工程３では、金属ＰｄにＣｏを約２０ａｔｍ％添加した触媒を用いた。
【０１０８】
本実施例の支持体５（ＺｒｘＡｌ（１−ｘ）Ｎ（ｘ＜１））でも、カーボンファイバー４の成長前後でシート抵抗に変化がないことから、安定にコンタクト層が形成されていることが確認された。また合金化した触媒により安定してカーボンファイバー４の成長が可能となった。
【実施例３】
【０１０９】
本発明の実施例３に係る電子放出素子の構成を図５Ａ及び図５Ｂに示す。以下、実施例１の製造方法との相違点について説明する。
【０１１０】
本実施例では、工程４において、支持体５および金属触媒粒子６が電極ギャップと陰極電極３にまたがるように形成される。支持体５は、電極ギャップのほぼ中間位置（ギャップ間距離の約半分）まで形成される。また本実施例では、工程２において、ターゲットにＮｂＣ（ニオブカーバイド）からなるターゲットを用いた。本手法にて形成した支持体５（ＮｂｘＣ（１−ｘ）Ｎ（ｘ＜１））を分析した結果、ＮｂとＣの比率はターゲットとほぼ同じ１：１であった。また、工程３では、金属ＰｄにＦｅを約１０ａｔｍ％添加した触媒を用いた。さらに、工程５では、カーボンファイバーの成長ガスとして窒素希釈した０．１％アセチレンを用いた。
【０１１１】
本実施例の支持体５（ＮｂｘＣ（１−ｘ）Ｎ）でも、カーボンファイバー４の成長前後でシート抵抗に変化がないことから、安定にコンタクト層が形成されていることが確認された。また合金化した触媒により安定してカーボンファイバー４の成長が可能となった。
【０１１２】
本実施例の素子では実施例１と比較してギャップ間距離が小さい分、電界が約２倍程度強い。このため駆動の電圧は８Ｖ程度まで低下させることが可能となった。また支持体５をカーボンファイバーの電気的接続層として用いたことによりギャップ内のカーボンファ
イバーから安定に電子放出させることが可能となった。
【実施例４】
【０１１３】
本発明の実施例４に係る電子放出素子の構成を図６Ａ及び図６Ｂにしめす。本実施例では実施例１で述べた工程１、２、３が以下に示すように変更される。
【０１１４】
（工程１）
基板１には石英基板を用いる。基板１を十分洗浄した後、スパッタ法により厚さ５ｎｍのＣｒ及び厚さ３０ｎｍのＰｔを連続的に基板１上に蒸着した。
【０１１５】
（工程２）
スパッタ装置を十分に排気した後、基板温度を２５℃〜３００℃にする。Ａｒ中に窒素を混合させてガスの圧力を０．４〜１０Ｐａ程度に保つ。Ｓｉの原子比が３０％以下のＴｉ７Ｓｉ３ターゲットを用い、反応性スパッタ法にてＴｉｘＳｉ（１−ｘ）Ｎを厚さ５００ｎｍの厚さに蒸着した。
【０１１６】
（工程３）
次に、基板を十分に室温に冷却した後、工程２と同一の真空装置を用いてＡｒガスを用いたスパッタ法にてＰｄにＮｉを５０ａｔｍ％を含む合金を島状になる程度の量だけ蒸着した。
【０１１７】
次に、フォトリソグラフィー工程で、ポジ型フォトレジストを用いてレジストパターンを形成した。パターニングした前記フォトレジストをマスクとして、ＣＦ４ガスによりＴｉｘＳｉ（１−ｘ）Ｎ層をドライエッチングして支持体５を形成するとともに、続いて、ＡｒガスによりＰｔ層及びＣｒ層をドライエッチングして陰極電極３を形成した。
【０１１８】
次に、陰極電極３をマスクとして用い、フッ酸とフッ化アンモニウムからなる混酸を用いて、約５００ｎｍの深さ、石英基板をエッチングした。
【０１１９】
続いて、制御電極２として再びスパッタ法により厚さ５ｎｍのＣｒ及び厚さ３０ｎｍのＰｔを連続的に蒸着した。陰極電極３のフォトレジストを剥離後、再びポジ型フォトレジストを用いて制御電極形状を形成するためのレジストパターンを形成した。パターニングした前記フォトレジストをマスクとして、ＡｒガスによりＰｔ層及びＣｒ層をドライエッチングし、制御電極２を形成した。
【０１２０】
制御電極２と陰極電極３の間に形成された基板１の段差は、電極ギャップとして作用する。本実施例の方法によれば、より微細なギャップを作ることが可能となり、約６Ｖ程度から電子放出させることが出来るようになった。また電子放出材料の高さ（膜厚）が厚いことに起因して、膜の上部からだけでなく中間位置から電子が出ることで、制御電極２に電子が衝突し、効率の低下や、ビーム径の増大を防ぐことが出来た。
【実施例５】
【０１２１】
本発明の実施例５に係る電子放出膜を図１５及び図１６に示す。本実施例では、本発明の支持体を微粒子状に粉砕し、分散塗布する。図１５及び図１６において、１は基板（支持基体）、３は陰極電極、５は導電性をもつ粒子状の支持体（導電性粒子ともよぶ）、４はカーボンファイバー、６は触媒粒子を示す。本実施例における支持体５は、本発明に係る支持体材料を粉砕して粒子状にしたものである。
【０１２２】
以下、図１６を用いて電子放出膜の製造工程を詳細に説明する。
【０１２３】
（工程１：図１６Ａ参照）
基板１としてステンレス系合金材料を用いる。基板１を十分洗浄した後、Ａｇペーストを厚さ１μｍの厚さに印刷、塗布し、約５００℃に焼成し、有機成分を蒸発させ、陰極電極３を形成した。その後、ＴｉＡｌＮを約１μｍに粉砕することで形成した粒子状の支持体５をアルコール系溶液に混合し、撹拌しながらスプレーノズルから空気と一緒に送り出す手法を用いて、支持体５を陰極電極３上に配置した。
【０１２４】
このとき、支持体５の粒子間の距離が、その平均粒径よりも大きくなるように、アルコール系溶液と粒子の量、スプレー時の送り出し空気量、塗布時のノズル−基体間距離を調整した。
【０１２５】
（工程２：図１６Ｂ参照）
支持体５が、Ａｇとよくなじむように窒素雰囲気で約３００℃の加熱を行なった。次に、Ｐｄ−Ｃｏ（５０ａｔｍ％）からなる触媒粒子６を含むアルコール系溶液をインクジェットによる手法を用いて支持体５上および陰極電極３上に塗布した。尚、本発明において、触媒粒子６の配置方法は、インクジェット法に限るものではない。溶液中の触媒粒子６は互いに凝集しないように処理されており、触媒粒子６の平均的な直径は１０ｎｍ〜３０ｎｍからなる。
【０１２６】
（工程３：図１６Ｃ参照）
続いて、大気圧で水素２％と０．０１％アセチレンを窒素で希釈した気流中で５００℃、１０分間加熱処理をすることで、粒子状の支持体５の上に複数のカーボンファイバー４を形成した。
【０１２７】
これを走査電子顕微鏡で観察すると、支持体５上に直径５ｎｍ〜２５ｎｍ程度で、屈曲しながら繊維状に伸びた多数のカーボンファイバー４が形成されているのがわかった。このときカーボンファイバー４の膜の厚さは約１０００ｎｍとなっていた。さらに、このカーボンファイバー４はＡｇからなる陰極電極３の上には見出されず、支持体５上にのみ形成されていた。
【０１２８】
本実施例では、支持体５の形成工程とは異なる工程で触媒粒子６を形成したが、支持体５の溶液中に触媒粒子６を混合して陰極電極３上に配置することで、上記触媒の形成工程（工程２）を省略し、一回の工程で支持体５と触媒粒子６の形成を同時に行うことも可能である。
【実施例６】
【０１２９】
本発明の実施例６では、図１０、図１１、図１２を参照して、上記実施例１で述べた電子放出素子を用いたテレビジョンの構成を説明する。
【０１３０】
図１０において、８１は電子源基板（リアプレート）、８２はＸ方向配線、８３はＹ方向配線である。８４は実施例１の電子放出素子である。
【０１３１】
ｍ本のＸ方向配線８２はＤｘ１，Ｄｘ２，．．Ｄｘｍからなり、真空蒸着法にて形成された厚さ約１μｍ、幅３００μｍのアルミニウム系配線材料で構成されている。ｎ本のＹ方向配線８３はＤｙ１，Ｄｙ２，．．Ｄｙｎからなり、真空蒸着法にて形成された厚さ０．５μｍ、幅１００μｍのアルミニウム系配線材料で構成されている。これらｍ本のＸ方向配線８２とｎ本のＹ方向配線８３との間には、両配線を電気的に分離するための層間絶縁層（不図示）が設けられている。
【０１３２】
層間絶縁層は、スパッタ法を用いて厚さ約０．８μｍのＳｉＯ２で構成される。層間絶
縁層は、Ｘ方向配線８２を形成した電子源基板８１の全面或は一部に所望の形状で形成される。本実施例では、Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３の交差部の電位差に耐え得るように、１素子当たりの素子容量が１ｐＦ以下、素子耐圧３０Ｖになるように層間絶縁層の厚さが決められた。Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３のそれぞれの端部は、外部端子として引き出されている。
【０１３３】
電子放出素子８４の一対の電極（不図示）は、Ｘ方向配線８２とＹ方向配線８３とに電気的に接続されている。
【０１３４】
Ｘ方向配線８２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子８４の行を選択するための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方向配線８３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子８４の各列からの電子放出量を、走査信号に同期して変調するための不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子８４に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。本実施例では、Ｙ方向配線８３が高電位、Ｘ方向配線８２が低電位になるように、走査信号及び変調信号が生成される。
【０１３５】
図１１は、上述したマトリクス配置の電子源を用いて構成した画像表示パネル（外囲器）を示している。図１１において、８１は電子放出素子８４を複数配した電子源基板（リアプレート）、９６はガラス基体９３の内面に蛍光膜９４とメタルバック９５等が形成されたフェースプレートである。本実施例では、電子源基板８１の材料としてソーダライムガラスを用いた。９２は支持枠であり、該支持枠９２には、リアプレート８１とフェースプレート９６がインジウムを用いて接続されている。
【０１３６】
外囲器（画像表示パネル）９７は、上述の如く、フェースプレート９６、支持枠９２、リアプレート８１で構成される。フェースプレート９６とリアプレート８１の間に、スペーサーとよばれる不図示の支持部材を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもたせた。
【０１３７】
メタルバック９５（アノード電極に相当する）は、蛍光膜作製後、蛍光膜９４の内面側表面の平滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれる。）を行い、その後Ａｌを真空蒸着等にて堆積させることで作られた。フェースプレート９６には、更に蛍光膜９４の導電性を高めるため、蛍光膜９４の外面側に透明電極（不図示）を設けた。
【０１３８】
本実施例では、カーボンファイバーからの電子放出は、制御電極（ゲート電極）側に向けて行われるので、アノード電圧を１０ｋＶ、アノードとリアプレートとの間の距離を２ｍｍに設定し、蛍光体をカーボンファイバーの直上から、ゲート側に２００μｍオフセットして配置した。
【０１３９】
このように形成した本実施例の外囲器（画像表示パネル）９７に、図１２に示す様にＴＶチューナーを有する受信回路７０と、インターフェース部７１と、γ補正を行う制御回路７３と、各電子放出素子８４に接続されるＸ方向配線およびＹ方向配線のそれぞれに印加する電圧を出力する駆動回路７４を接続した。そして、ＴＶ信号を受信し、本実施例で作成した画像表示パネルに表示させたところ、鮮明で輝度の高い画像を長期に渡って安定に表示することができた。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは本発明の構成を簡略化して示した模式図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは図１Ａ及び図１Ｂに示したカーボンファイバーの製造工程を示す図である。
【図３】図３Ａは本発明の実施例１に係る電子放出素子の上視図であり、図３Ｂは図３ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図４】図４Ａは本発明の実施例２に係る電子放出素子の上視図であり、図４Ｂは図４ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図５】図５Ａは本発明の実施例３に係る電子放出素子の上視図であり、図５Ｂは図５ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図６】図６Ａは本発明の実施例４に係る電子放出素子の上視図であり、図６Ｂは図６ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｅは実施例１に係る電子放出素子の製造工程を示す図である。
【図８】図８は電子放出素子を動作させるための電子放出装置の構成例を示す図である。
【図９】図９は電子放出素子の動作特性の一例を示す図である。
【図１０】図１０は複数の電子放出素子から構成される電子源の構成例を示す図である。
【図１１】図１１は電子源を用いた外囲器（表示パネル）の構成例を示す図である。
【図１２】図１２は外囲器（表示パネル）を用いたテレビジョン装置の構成例を示す図である。
【図１３】図１３Ａ〜図１３Ｃはカーボンナノチューブの構造を示す図である。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｄはグラファイトナノファイバーの構造を示す図である。
【図１５】図１５は本発明の実施例５に係る電子放出膜の断面図である。
【図１６】図１６Ａ〜図１６Ｃは実施例５に係る電子放出膜の製造工程を示す図である。
【図１７】図１７は縦型の電子放出素子の一構成例を示す図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１  基板
２  制御電極
３  陰極電極
４  カーボンファイバー
５  支持体
６  触媒粒子
【図１】
2006114307.tif 000006
【図２】
2006114307.tif 000007
【図３】
2006114307.tif 000008
【図４】
2006114307.tif 000009
【図５】
2006114307.tif 000010
【図６】
2006114307.tif 000011
【図７】
2006114307.tif 000012
【図８】
2006114307.tif 000013
【図９】
2006114307.tif 000014
【図１０】
2006114307.tif 000015
【図１１】
2006114307.tif 000016
【図１２】
2006114307.tif 000017
【図１３】
2006114307.tif 000018
【図１４】
2006114307.tif 000019
【図１５】
2006114307.tif 000020
【図１６】
2006114307.tif 000021
【図１７】
2006114307.tif 000022