(57)【要約】【課題】電子放出の均一性が良好で、高い耐久性と長寿命を有する微小電子源装置の製造方法を提供する。【解決手段】支持基板上にカソード電極を形成する工程と、カーボンナノチューブが結合剤からなる導電性のマトリクス中に埋め込まれた複合層を前記カソード電極上に形成する工程と、前記複合層の上層部の前記マトリクスを除去することにより、前記複合層の表面に前記カーボンナノチューブの一端を突出させて微小電子源層とする工程とを有する微小電子源装置の製造方法において、前記カーボンナノチューブを前記マトリクス中に埋め込む前に被処理粉体１０２として１００Ｐａ以下の減圧下の減圧処理槽１０１で熱処理することにより該カーボンナノチューブに吸着・含有されている不純物を除去し、前記カーボンナノチューブの結晶性を改善する工程を有する。【選択図】図１
2006114265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上にカソード電極を形成する工程と、
カーボンナノチューブが結合剤からなる導電性のマトリクス中に埋め込まれた複合層を前記カソード電極上に形成する工程と、
前記複合層の上層部の前記マトリクスを除去することにより、前記複合層の表面に前記カーボンナノチューブの一端を突出させて微小電子源層とする工程と
を有する微小電子源装置の製造方法において、
前記カーボンナノチューブを前記マトリクス中に埋め込む前に１００Ｐａ以下の減圧下で熱処理することにより該カーボンナノチューブに吸着・含有されている不純物を除去し、前記カーボンナノチューブの結晶性を改善する工程を有することを特徴とする微小電子源装置の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理の温度は、５００℃以上、２０００℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の微小電子源装置の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理が施されたカーボンナノチューブとＩｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｌの少なくとも１つを含有する有機金属化合物を含む結合剤と溶媒とからなるカーボンナノチューブ分散液を塗布して、前記複合層を形成することを特徴とする請求項１に記載の微小電子源装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＦＥＤ等の平面型表示装置に用いられる微小電子源装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
テレビジョン受像機や情報端末機器等の表示措置は、薄型化、軽量化、大画面化、高精細表示化の要求に答えるため、重量や厚みに限界のあるＣＲＴから平面型表示装置（フラットパネル表示装置）への移行する開発が盛んに行われている。情報端末機器のフラットパネル表示装置としては液晶パネルが広く普及しているが、高輝度化、大型化が困難なために家庭用テレビジョン受像器は開発段階に留まっている。
【０００３】
一方、フィールドエミッションディスプレー（以下、ＦＥＤと略す）は、少ない電力消耗で高解像度・高輝度のカラー表示が行えるというメリットから有力な大型のフラットパネル表示装置用賭して開発が進んでいる。ＦＥＤは電子放出を行うチップ型カソードとカソードから放出された電子が衝突することにより蛍光体を励起発光させて所望のパターン、文字、記号を表示する装置である。
【０００４】
公知のＦＥＤの構成は複数本の行配線につながったカソードと複数本の列配線につながったゲートからなるエミッタアレイパネルと蛍光体を塗布されたアノードパネルを絶縁性のスペーサを挟んで積層するものである（例えば、特許文献１，２参照。）。
【０００５】
また、エミッタアレイパネルはガラス等の誘電体板もしくはＳｉ板上にＣＶＤ法、エッチング法、真空蒸着法もしくはスパッタ法及び光リソグラフィー法により所望の画素数に応じたマトリックスをなす行配線・列配線と１画素当り複数のカソードチップ及びカソードチップと誘電体で絶縁されたカソードチップに対応した穴を開口したゲート電極を形成して作成する。
【０００６】
アノードパネルはガラス等の誘電体板にＩＴＯ等の透明電極を堆積させた上に各１画素に対応した赤(R)、緑(G)、青(B)の３色の蛍光体についてそれぞれ遮光格子を介して縞状に塗布して作成する。
【０００７】
従来の電界放出型ディスプレイでは、電子放射エミッタを２次元的に配列し、これに引き出し電極とカソード電圧用配線をマトリックス状に配置し、カソード先端から強電界によって放射されてきた電子により蛍光体を光らせる手法が用いられている。
【０００８】
従来のＷを始めとする金属製のエミッタが用いられてきたが、近年になってエミッタ材料の仕事関数を下げることにより低しきい値でのエミッションを可能にする材料としてＤＬＣ（ダイヤモンド状カーボン）を始めとするカーボン材料が注目されている。
【０００９】
また、従来の様にエミッタ構造を作ることなく平面から電子放出させる試みが開示されおり（例えば、非特許文献１参照。）、特にカーボンナノチューブと呼ばれる微細構造を有する炭素系構造体は、その良好な電子放出特性を有することから注目を集めている（例えば、非特許文献２参照。）。さらに、これらのカーボンナノチューブの特徴を生かして導電性材料と混合して微小電子源を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１０】
このような微小電子源としてのカーボンナノチューブは、不活性ガス雰囲気においてお互いに対向する炭素電極間でアーク放電させてカーボンナノチューブを含む堆積物を堆積させる工程と該堆積物中に含有する金属や非結晶の炭素等の不純物を薬液により除去する工程により形成される。また、近年ではアーク放電により該堆積物を生成する工程に代えて、鉄、ニッケル及びコバルト等の金属からなる基材を炭素化合物からなるガスを含有する材料ガス雰囲気中に配置し、外界よりエネルギーを与えて前記材料ガスに化学反応を起こさせることにより前記基材表面にカーボンナノチューブを成長させる工程を用いることも考案されている。
【００１１】
しかし、何れの方法により該堆積物を形成しても、その後の含有する金属や非結晶の炭素等の不純物を薬液により除去する工程を経ることによりカーボンナノチューブの結晶性や表面の官能基の種類や量が変化することが懸念される。特に、微小電子源としてカーボンナノチューブを用いた場合には電子放出の際にカーボンナノチューブ自身の温度が高くなることや微小電子源装置の配置されている雰囲気に残留しているガスとの相互作用が考えられることから寿命の低下が懸念されている。
【００１２】
このため、不活性雰囲気下で８００℃以上３０００℃以下の温度で熱処理を行う方法が提案されており、不活性雰囲気でも特にアルゴン雰囲気が望ましいと考えられている（例えば、特許文献４参照。）。また、酸素濃度が５〜３０体積％の雰囲気で温度５２０〜８５０℃で５〜２０分間加熱処理する方法も提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
【００１３】
【特許文献１】米国特許第４９０８５３９号明細書
【特許文献２】特開昭６１-２２１７８３号公報
【特許文献３】特開２００３-２２９０４４号公報
【特許文献４】特開２０００−１７３４４９号公報
【特許文献５】特開２００３−１２３６２３号公報
【非特許文献１】第６０回応用物理学会学術講演会  講演予稿集p.631（講演番号2P-H-6）
【非特許文献２】第６０回応用物理学会学術講演会  講演予稿集p.632（講演番号2P-H-11）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、不活性雰囲気下における高温の熱処理では、カーボンナノチューブはチューブ同士がバンドル構造形成して焼結するため、次工程で行うカーボンナノチューブの分散工程に著しい影響を与え、分散不良を発生させる懸念がある。更に、酸素雰囲気中での加熱処理の場合には４００℃程度からカーボンナノチューブ表面で酸化反応が発生するために、表面に存在する欠陥の増加、極端な場合には構造が破壊する等の著しい特性劣化が発生することが懸念される。
【００１５】
これからのことから、微小電子源を形成する工程に於いて、簡便な手法によりカーボンナノチューブの分散性を維持して高い寿命を有する微小電子源を安定に形成する方法を確立することが急務になっている。
【００１６】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、電子放出の均一性が良好で、高い耐久性と長寿命を有する微小電子源装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を解決するために提供する本発明は、支持基板上にカソード電極を形成する工程と、カーボンナノチューブが結合剤からなる導電性のマトリクス中に埋め込まれた複合層を前記カソード電極上に形成する工程と、前記複合層の上層部の前記マトリクスを除去することにより、前記複合層の表面に前記カーボンナノチューブの一端を突出させて微小電子源層とする工程とを有する微小電子源装置の製造方法において、前記カーボンナノチューブを前記マトリクス中に埋め込む前に１００Ｐａ以下の減圧下で熱処理することにより該カーボンナノチューブに吸着・含有されている不純物を除去し、前記カーボンナノチューブの結晶性を改善する工程を有することを特徴とする微小電子源装置の製造方法である。
【００１８】
ここで、前記熱処理の温度は、５００℃以上、２０００℃以下であることが好ましい。
【００１９】
また、前記熱処理が施されたカーボンナノチューブとＩｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｌの少なくとも１つを含有する有機金属化合物を含む結合剤と溶媒とからなるカーボンナノチューブ分散液を塗布して、前記複合層を形成することが好適である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の微小電子源装置の製造方法によれば、カーボンナノチューブについて予め熱処理を行い、その後は従来の微小電子源装置の製造工程に準拠して行うという簡便な手法で電子放出均一性が高く、寿命の長い微小電子源装置を製造することができる。
また本発明のように、予め減圧下の熱処理でカーボンナノチューブ表面に吸着及び含有されている不純物を除去することにより、電子放出時に予想される温度上昇に際して発生する酸素、一酸化炭素、二酸化炭素または水に起因する酸化性ガスの発生を抑制することができ、電子放出時のカーボンナノチューブの劣化を抑制することが可能である。さらに結合剤溶液中での分散性も改善できる。
また、減圧下では前述の不純物の蒸気圧も高く、加熱することにより効率的に排出することが可能でありその後に発生するカーボンナノチューブの結晶化が円滑に進行して結晶性の向上を図ることができる。結晶性が向上することで酸化性ガスとの反応性が抑えられることやカーボンナノチューブ自体の昇華反応等を抑制することができるために、前述の電子放出時に発生するカーボンナノチューブの劣化を抑制することができる。
また、一度本発明の減圧下熱処理を行うことでカーボンナノチューブの結晶性は向上しているので、その後の不純物等の再付着が抑止される。更に、本発明の減圧下熱処理条件は市販の装置で実現できる条件であり、容易に達成できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明に係る微小電子源装置の製造方法の実施の形態について説明する。
本発明の微小電子源装置はつぎの手順で作製する。
（Ｓ１）複数のカーボンナノチューブを１００Ｐａ以下の減圧下で熱処理することにより該カーボンナノチューブに吸着・含有されている不純物を除去し、前記カーボンナノチューブの結晶性を改善する。減圧下の熱処理方法の詳細は次の通りである。
【００２２】
（減圧下の熱処理方法）
本発明のカーボンナノチューブの減圧下熱処理方法に採用する減圧処理装置の一例を、図１に示す。
減圧処理装置１００は、減圧処理槽１０１と排気装置１１０とに大別される。減圧処理槽１０１は実質的に密封された閉鎖内部空間を有し、カーボンナノチューブである被処理粉体１０２を導入する導入管１０３が接続され、その内部には被処理粉体１０２を載置するステージ１０４がある。また、ステージ１０４には被処理粉体１０２を加熱するヒーター１０５が設置され、ステージ１０４上の被処理粉体１０２を所望の温度に加熱することが可能である。このヒーター１０５は減圧処理槽１０１の周囲に設けるようにしてもよい。さらに、減圧処理槽１０１は排気装置１１０と接続されており、減圧処理槽１０１内の空気等を排気することにより槽内部を所望の圧力に減圧制御することができる。
以上が減圧処理装置１００の基本的な構成であるが、種々の変更が可能である。例えば、被処理粉体１０２を不図示の連続搬送装置等により連続的に減圧処理槽１０１内に搬送してもよい。
【００２３】
この減圧処理装置１００を用いて減圧下熱処理をつぎのように行う。
すなわち、カーボンナノチューブを導入管１０３により減圧処理槽１０１内に導入し被処理粉体１０２としてステージ１０４にセッティングする。ついで、排気装置１１０を用いて減圧処理槽１０１内を１００Ｐａ以下に減圧した後、ヒーター１０５に通電して発熱させ被処理粉体１０２を所定時間加熱する。その後、ヒーター１０５加熱を停止し、減圧状態を保持したまま被処理粉体１０２を室温付近まで冷却する。冷却後、減圧処理槽１０１内部を常圧に戻して、被処理粉体１０２であるカーボンナノチューブを導入管１０３から外部に取り出し減圧下熱処理は終了する。
【００２４】
この減圧下熱処理により、カーボンナノチューブに吸着・含有されている不純物は除去され、前記カーボンナノチューブの結晶性が改善される。なお、本処理後にカーボンナノチューブへ不純物が再吸着しないように留意する。
【００２５】
ここで、熱処理温度（加熱温度）としては５００〜２０００℃が好ましく、７００〜１５００℃がより好ましい。熱処理温度が５００℃未満であると、所望の不純物の除去反応と結晶性の向上が見込めず、２０００℃を超えると、カーボンナノチューブ相互の焼結反応が生じるためにバンドル状に強固に結合して結合剤中の分散が困難になる。さらに、反応が進むとカーボンナノチューブの径が粗大化してしまう。
【００２６】
また、除去対象となる不純物は、微小電子源装置使用時に酸化性ガスとなりカーボンナノチューブの自己酸化を誘引する酸素含有物質であり、例えば酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水などが挙げられる。これらは主にカーボンナノチューブの形成時に取り込まれる物質や吸着する物質である。
【００２７】
また、結晶性とは、炭素の結晶格子の不完全性に関係するパラメータであり、例えばラマン散乱法による解析方法を用いて算出されるＧ／Ｄ比で表すことができる。このＧ／Ｄ比とは、炭素の６員環ネットワーク内の格子振動に起因するラマンシフト（Ｇバンド、１５９０ｃｍ−１前後）の信号強度と、炭素の格子欠陥（ディスオーダー）に起因するラマンシフト（Ｄバンド、１３３０ｃｍ−１）の信号強度の比である。
本発明の減圧下熱処理により、例えばＧ／Ｄ比が５程度のカーボンナノチューブの結晶性は、１０程度まで改善することができる。
【００２８】
なお、本発明で使用するカーボンナノチューブは、つぎの製法により形成されたカーボンナノチューブが対象となる。
・アーク放電により形成されたカーボンナノチューブ：主にシングルウォールナノチューブが合成されており、不純物を多量に含有している。
・レーザーアブレーション法で金属触媒を含有した炭素材料にレーザーを照射して形成されたカーボンナノチューブ：シングルウォールナノチューブが合成されており、不純物を多量に含有している。
・炭化水素ガスを用いて熱分解やプラズマ分解反応により形成されたカーボンナノチューブ：比較的高純度のカーボンナノチューブで、触媒金属の粒子径や組成を制御することで所望のカーボンナノチューブを形成することが可能であるが、アーク放電法などに比べて結晶性が低い等の問題点がある。
本発明では上記減圧下熱処理によりこれらのカーボンナノチューブの不純物の除去や結晶性の改善が可能であり、とくに化学的気相成長方法（ＣＣＶＤ法）で形成されたカーボンナノチューブの結晶性を向上することに効果がある。
【００２９】
また、本発明で使用するカーボンナノチューブは形態で分類すると、例えばシングルウォールナノチューブ（単層ナノチューブ）、ダブルウォールナノチューブ（２層ナノチューブ）、トリプルウォールナノチューブ（３層ナノチューブ）、マルチウォールナノチューブ（多層ナノチューブ：通常は４〜５層以上のチューブ）などが挙げられる。
なお、これらのカーボンナノチューブは、例えば平均直径１ｎｍ、平均長さ１μｍといった非常に細長いチューブ構造（繊維状）を有するものを用いるとよい。
【００３０】
（Ｓ２）つぎに、基板１０上に例えば膜厚０．２μｍのＣｒ等からなるカソード電極形成用の導電膜１１Ｌを形成した後、導電膜１１Ｌの所定の位置に常法のフォトリソグラフィによりレジスト層Ｒ１を形成する（図２（ａ））。ついで、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により導電膜１１Ｌをエッチング加工してストライプ状のカソード電極１１とする。この時点で基板１０上には複数本のカソードラインが形成される。
【００３１】
（Ｓ３）ステップＳ１で減圧下熱処理した複数のカーボンナノチューブと、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｌの少なくとも１つを含有する有機金属化合物を含む結合剤と、溶媒とを所定量混合して調製されたカーボンナノチューブ分散液をカソード電極１１及び基板１０上に塗布した後、焼成して複合層１２Ｌを形成する。この複合層１２Ｌは結合剤からなる導電性のマトリクス中に前記カーボンナノチューブが分散して埋め込まれた状態である。
【００３２】
（Ｓ４）ついで、カソード電極１１上の複合層１２Ｌ上に常法のフォトリソグラフィによりカソード電極１１上の複合層１２Ｌのみにレジスト層を形成し、ウェットエッチングにより複合層１２Ｌをエッチング加工してカソード電極１１上の複合層１２Ｌだけを残す。これにより基板１０上にカソード電極１１と複合層１２Ｌとの積層部が形成される。
【００３３】
（Ｓ５）基板１０上において、カソード電極１１、複合層１２Ｌの積層部を覆うように層間絶縁膜１３Ｌを形成し、さらに該層間絶縁膜１３Ｌ上に例えば膜厚０．２μｍのＣｒからなるゲート電極形成用の導電膜１４Ｌを形成する（図２（ｂ））。例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスとして使用するＣＶＤ法により、基板１０の全面に例えばＳｉＯ２からなる厚さ約１μｍの層間絶縁膜１３Ｌを形成し、次いで、層間絶縁膜１３Ｌの上にＣｒからなる導電膜１４Ｌをスパッタリング法によって形成すればよい。
【００３４】
（Ｓ６）導電膜１４Ｌ上にレジストマスク層Ｒ２を形成する（図２（ｃ））。ついで、このレジストマスク層Ｒ２を利用して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により導電膜１４Ｌの所定部位をエッチング加工することにより、層間絶縁膜１３Ｌ上でストライプ形状のゲート電極１４とするとともに、このゲート電極１４を貫通する第１の開口部を形成する。このとき、ゲート電極１４は層間絶縁膜１３Ｌ上でカソード電極１１と略直交する状態のストライプ形状に加工されている。すなわち、上記カソードラインに直交する複数本のゲートラインが形成される。つぎに、ゲート電極１４の第１の開口部を通して層間絶縁膜１３Ｌを反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチング加工により、複合層１２Ｌが露出するように第２の開口部を形成する。これにより、第１，第２の開口部からなる開口部（ゲートホール）１５が得られる（図２（ｆ））。開口部１５は、例えば直径２０μｍの円形に形成されており、１画素当たり複数個（例えば、数十個）形成される。
【００３５】
（Ｓ７）次に、開口部１５を通して複合層１２Ｌの上層部のマトリックスを除去することにより、表面にカーボンナノチューブの一部を露出させる。複合層１２Ｌの上層部でマトリクスを除去する際の手法としては、ウェットエッチングやドライエッチングなどのエッチング法（ハーフエッチング）を好ましく用いることができる。ウェットエッチング、ドライエッチングそれぞれを適用する場合の条件を以下に示す。このエッチングにより複合層１２Ｌの上層部でマトリクス材料を選択的に除去することにより、表面に多数のカーボンナノチューブを露出させることができる。
【００３６】
（ウェットエッチング条件）
・使用エッチング液  ：ＫＭｎＯ4
・エッチング温度    ：８０℃
・エッチング時間    ：１〜１０分
【００３７】
（ドライエッチング条件）
・エッチング装置    ：ＩＣＰ−エッチング装置
・使用ガス          ：ＣＦ4：Ｏ2＝１００：１０（ｓｃｃｍ比）
・エッチング温度    ：室温〜８０℃
・プラズマ励起パワー：１５００Ｗ
・ＲＦバイアス      ：２０〜１００Ｗ
・エッチング時間    ：１〜１０分
【００３８】
（Ｓ８）その後、エッチングされた複合層１２Ｌの表面で各々のカーボンナノチューブが一様にほぼ垂直に起立するように、カーボンナノチューブの配向処理を行う。具体的には、例えば基板１０上で図示しない粘着テープをゲート電極１４の上から貼り付けた後、粘着テープを引き剥がすことにより、基板１０に対してカーボンナノチューブの長手方向をほぼ垂直に配向させる。カーボンナノチューブを配向させる際の方向は、基板１０の面方向に対してほぼ垂直な方向とする。このとき、複合層１２Ｌの表面には多数のカーボンナノチューブが露出した状態となっている。そのため、粘着テープの貼り付け及び引き剥がしを行うことにより、多数のカーボンナノチューブを垂直に配向させることができる。これにより、前記カーボンナノチューブ１２ａが導電性のマトリクス１２ｂ中に埋め込まれ、該カーボンナノチューブ１２ａの一端がマトリクス１２ｂから突出してなる微小電子源層１２となる（図２（ｄ））。
【００３９】
このようにして、平面型表示装置においてカソードパネル１のベースとなる絶縁性の基板（例えば、ガラス基板）１０と、この基板１０上に積層状態で順に形成されたカソード電極１１、絶縁層１３及びゲート電極１４と、ゲート電極１４及び絶縁層１３に形成された開口部（ゲートホール）１５と、この開口部１５の底部に形成された微小電子源層１２とによって構成される微小電子源装置が完成する。
【００４０】
なお、カーボンナノチューブの配向処理方法としては、上述した粘着テープの貼り付け及び引き剥がしによる方法以外にも、例えば、カソード電極１１に電圧を印加することにより、カソード電極１１とカーボンナノチューブを同じ極性で帯電させ、これに伴う反発力により各々のカーボンナノチューブを互いに分離した状態で垂直に配向させることも可能である。
【００４１】
その後、平面型表示装置の組み立てを行う。具体的には、蛍光体層２２と微小電子源装置とが対向するようにアノードパネル２とカソードパネル１とを配置し、アノードパネル２とカソードパネル１（より具体的には、基板２１と基板１０）とを、枠体３を介して、周縁部において接合する。接合に際しては、枠体３とアノードパネル２との接合部位、及び枠体３とカソードパネル１との接合部位にフリットガラスを塗布し、アノードパネル２とカソードパネル１と枠体３とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、約４５０℃で１０〜３０分の本焼成を行う。その後、アノードパネル２とカソードパネル１と枠体３とフリットガラスとによって囲まれた空間を、貫通孔及びチップ管を通じて排気し、空間の圧力が１０-4Ｐａ程度に達した時点でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネル２とカソードパネル１と枠体３とに囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必要な外部回路との配線を行い、図３に示す平面型表示装置を完成させる。
【００４２】
図３は本発明に係る平面型表示装置のパネル構造の一例を示す断面図である。
図３に示すように、カソードパネル（カソード基板）１とアノードパネル（アノード基板）２とを所定の間隙を介して対向状態に配置するとともに、それらのパネル１，２を枠体３によって一体的に組み付けることにより、画像表示のための一つのパネル構体（表示パネル）が構成されている。
【００４３】
カソードパネル１上には本発明の微小電子源装置が複数形成されている。これら複数の微小電子源装置は、カソードパネル１の有効領域（実際に表示部分として機能する領域）に２次元マトリックス状に多数形成されている。
【００４４】
図４に示すように、カソード電極１１は、複数のカソードラインを形成するようにストライプ状に形成されている。ゲート電極１４は、各々のカソードラインと交差（直交）する複数のゲートラインを形成するようにストライプ状に形成されている。
【００４５】
一方、アノードパネル２は、ベースとなる透明基板２１と、この透明基板２１上に形成された蛍光体層２２及びブラックマトリックス２３と、これら蛍光体層２２及びブラックマトリックス２３を覆う状態で透明基板２１上に形成されたアノード電極２４とを備えて構成されている。蛍光体層２２は、赤色発光用の蛍光体層２２Ｒと、緑色発光用の蛍光体層２２Ｇと、青色発光用の蛍光体層２２Ｂとから構成されている。ブラックマトリックス２３は、各色発光用の蛍光体層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの間に形成されている。アノード電極２４は、カソードパネル１の電子放出素子と対向するように、アノードパネル２の有効領域の全域に積層状態で形成されている。
【００４６】
これらのカソードパネル１とアノードパネル２とは、それぞれの外周部（周縁部）で枠体３を介して接合されている。また、カソードパネル１の無効領域（有効領域の外側の領域で、実際に表示部分として機能しない領域）には真空排気用の貫通孔１６が設けられている。貫通孔１６には、真空排気後に封じ切られるチップ管１７が接続されている。ただし、図３は表示装置の組み立て完了状態を示しているため、チップ管１７は既に封じ切られた状態となっている。また、図３、図４においては、各々のパネル１，２間のギャップ部分に介装される耐圧用の基板（スペーサ）の表示を省略している。
【００４７】
上記構成のパネル構造を有する表示装置においては、カソード電極１１に相対的な負電圧がカソード電極制御回路１８から印加され、ゲート電極１４には相対的な正電圧がゲート電極制御回路１９から印加され、アノード電極２４にはゲート電極１１よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路２０から印加される。かかる表示装置において、実際に画像の表示を行う場合は、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路１８から走査信号を入力し、ゲート電極１４にゲート電極制御回路１９からビデオ信号を入力する。あるいは又、カソード電極１１にカソード電極制御回路１８からビデオ信号を入力し、ゲート電極１４にゲート電極制御回路１９から走査信号を入力する。
【００４８】
これにより、カソード電極１１とゲート電極１４との間に電圧が印加され、これによって微小電子源層１２の先鋭部（カーボンナノチューブ１２ａの先端部）に電界が集中することにより、量子トンネル効果によって電子がエネルギー障壁を突き抜けて微小電子源層１２から真空中へと放出される。こうして放出された電子はアノード電極２４に引き付けられてアノードパネル２側に移動し、透明基板２１上の蛍光体層２２（２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ）に衝突する。その結果、蛍光体層２２が電子の衝突により励起されて発光するため、この発光位置を画素単位で制御することにより、表示パネル上に所望の画像を表示することができる。
【実施例】
【００４９】
本発明の実施例を以下に示す。なお、本実施例は例示であり、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。
【００５０】
（実施例１）
つぎの手順で微小電子源装置を作製した。
（Ｓ１１）減圧下熱処理
図１に示す減圧処理装置において、被処理粉体１０２であるダブルウォールカーボンナノチューブをステージ１０４上にセッティングし、排気装置１１０を用いて減圧処理槽１０１を減圧状態（１ｘ１０−３Ｐａ）まで減圧した後、ヒーター１０５を用いて減圧処理槽１０１を加熱して被処理粉体１０２を１３００℃まで加熱した。その後、その温度を維持して３時間加熱して減圧状態を保持したまま室温付近まで冷却を行った。冷却後、減圧処理槽１０２を常圧に戻して、被処理粉体１０２であるカーボンナノチューブを導入管１０３から取り出した。取り出したカーボンナノチューブを前述のラマン散乱法によりＧ／Ｄ比を測定したところ、Ｇ／Ｄ＝９．５が得られた。
【００５１】
（Ｓ１２）図２（ａ）に示したようにガラスからなる基板１０上にＣｒからなるカソード電極形成用の導電膜１１Ｌを形成した後、導電膜１１Ｌの所定の位置に常法のフォトリソグラフィによりレジスト層Ｒ１を形成する。ついで、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により導電膜１１Ｌをエッチング加工してカソード電極１１とした。
（Ｓ１３）ステップＳ１１で減圧下熱処理した複数のカーボンナノチューブを用いて以下の組成のカーボンナノチューブ分散液を調製した。
＜カーボンナノチューブ分散液（１）＞
・減圧下熱処理済みダブルウォールカーボンナノチューブ      １重量部
・有機錫化合物及び有機インジウム化合物                    １重量部
・酢酸ブチル                                              残余
ついで、このカーボンナノチューブ分散液を用いて、回転塗布法（塗布条件：２０００回転／分、３０秒）によりカソード電極１１及び基板１０上に塗布した後、空気中で３００℃、１時間の焼成を行い複合層１２Ｌを形成した。
【００５２】
（Ｓ１４）ついで、複合層１２Ｌについて常法のフォトリソグラフィ及びエッチング加工を行い、カソード電極１１上の複合層１２Ｌだけを残し、基板１０上にカソード電極１１と複合層１２Ｌとの積層部を形成した。
（Ｓ１５）基板１０上において、カソード電極１１、複合層１２Ｌの積層部を覆うように層間絶縁膜１３Ｌとしてシリコン酸化膜を形成し、さらに該層間絶縁膜１３Ｌ上にＣｒからなる導電膜１４Ｌを形成した（図２（ｂ））。
（Ｓ１６）導電膜１４Ｌ上にレジストマスク層Ｒ２を形成し（図２（ｃ））、ついで反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により導電膜１４Ｌ、層間絶縁膜１３Ｌを貫通するエッチング加工を行い、開口部（ゲートホール）１５を形成した。
（Ｓ１７）次に、開口部１５を通して複合層１２Ｌの上層部のマトリックスを除去することにより、表面にカーボンナノチューブの一部を露出させた。
（Ｓ１８）その後、エッチングされた複合層１２Ｌの表面で各々のカーボンナノチューブが一様にほぼ垂直に起立するように、カーボンナノチューブの配向処理を行い、微小電子源装置とした（図２（ｄ））。
【００５３】
得られた微小電子源装置サンプルの電子放出特性としてつぎの評価を行った。
（１）電子放出均一性
微小電子源装置サンプルと蛍光体を塗布したアノード電極を真空中で対向させて、５ｖ/μｍ程度の高電界を印加し、この時の蛍光体上に設定した１００個程度の１μｍ角の画素領域について輝度を測定した。ついで各画素の輝度の平均偏差を算術平均して算出し、この蛍光体上の輝度の均一性を電子放出均一性として評価した。
（２）寿命
上記電界値条件で連続的電子放出させた場合に電流が半分になる時間を微小電子源装置の寿命と定義して評価した。
【００５４】
（実施例２）
実施例１のステップＳ１１において、被処理粉体１０２としてシングルウォールカーボンナノチューブを用い、１ｘ１０−３Ｐａの減圧下で１０００℃、２時間の熱処理を行った。取り出したカーボンナノチューブを前述のラマン散乱法によりＧ／Ｄ比を測定したところ、Ｇ／Ｄ＝８が得られた。
さらに、実施例１のステップＳ１２以降のうち、ステップＳ１３におけるカーボンナノチューブ分散液を本実施例で得られた減圧下熱処理済みシングルウォールカーボンナノチューブを用いて以下の組成とし、該分散液塗膜の焼成条件を空気中３５０℃、１時間加熱として、それ以外は実施例１と同じ条件で微小電子源装置を作製した。
＜カーボンナノチューブ分散液（２）＞
・減圧下熱処理済みシングルウォールカーボンナノチューブ      １重量部
・有機亜鉛化合物及び有機インジウム化合物                    １重量部
・酢酸ブチル                                                残余
【００５５】
（比較例１，２）
実施例１，２それぞれにおいて、減圧下熱処理を省略して未処理のカーボンナノチューブを用い、それ以外は実施例１，２それぞれと同じ条件で微小電子源装置を作製した。なお、このときのカーボンナノチューブのＧ／Ｄ比は２〜３であった。
【００５６】
以上の結果を表１に示す。
実施例１，２の電子放出均一性は、未処理（比較例１，２）のそれぞれよりも良好な結果が得られた。また、寿命についても、比較例よりも大幅に改善されていた。
また、実施例１，２の微小電子源装置を用いたカソードパネルと、アノードパネルとを組み合わせて平面型表示装置を作製したところ、それぞれの平面型表示装置は表示性能に優れ、寿命も改善されていた。
【００５７】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明で使用する減圧処理装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の微小電子源装置の製造工程図である。
【図３】本発明に係る平面型表示装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明に係る平面型表示装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・カソードパネル、２・・・アノードパネル、１０・・・基板、１１・・・カソード電極、１１Ｌ，１４Ｌ・・・導電層、１２・・・微小電子源層、１２ａ・・・カーボンナノチューブ、１２ｂ・・・マトリクス、１３・・・絶縁層、１３Ｌ・・・層間絶縁膜、１４・・・ゲート電極、１５・・・開口部（ゲートホール）、１６・・・貫通孔、１７・・・チップ管、１８・・・カソード電極制御回路、１９・・・ゲート電極制御回路、２０・・・アノード電極制御回路、Ｒ１，Ｒ２・・・レジスト層、２１・・・透明基板、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体層、２３・・・ブラックマトリクス、２４・・・アノード電極、１００・・・減圧処理装置、１０１・・・減圧処理槽、１０２・・・被処理粉体、１０３・・・導入管、１０４・・・ステージ、１０５・・・ヒーター、１１０・・・排気装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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