(57)【要約】  【課題】  表面が平坦で、電子部品の搭載に支障を来すおそれのない多層配線基板を提供し、更に、多層配線基板を構成する配線板間の必要な電気的接続の信頼度を高くし、更には、製造工数の低減を図る。  【解決手段】キャリア膜４上の中間膜６表面に所定パターンの金属からなる配線膜１２、１２ａを形成した部材２の配線膜１２側の表面に選択的にレジスト膜１４ａを形成し、レジスト膜１４ａをマスクとして金属を選択的にメッキすることにより導電性ピラー１８を形成し、ピラー１８形成側の面に、層間絶縁膜２０を形成して配線部材を二つつくり、その二つの配線部材を、導電性ピラー１８の先端面どうしが接するように位置合わせして積層プレスすることにより一体化し、この配線部材の中間膜６及びキャリア膜４を除去する。【選択図】        図１
2006135277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア膜上の中間膜の表面に所定パターンの金属からなる配線膜を形成した部材のその配線膜が形成された側の表面にレジスト膜を形成する工程と、
上記レジスト膜をパターニングすることにより開孔を形成する工程と、
上記レジスト膜をマスクとして金属を選択的にメッキすることにより導電性ピラーを形成する工程と、
上記レジスト膜を除去する工程と、
上記導電性ピラーが形成された側の面に、層間絶縁膜を、導電性ピラーの先端面が露出する状態に形成する工程と、
上記一連の工程でできた部材と上記工程のキャリア膜上の中間膜の表面に所定パターンの金属からなる配線膜を形成した部材を、上記導電性ピラーと前記配線膜が接するように位置合わせして積層プレスすることにより一体化する工程と、
上記一対の部材の上記中間膜及び上記キャリア膜を除去することにより上記層間絶縁膜の両面にその面と表面が面一に埋め込まれた配線膜を有し、且つ、両面に形成された一部の配線膜同士が上記導電性ピラーを介して層間接続され、両面が平坦な配線基板を得る工程と、
を少なくとも有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
配線膜となる金属膜の表面に第１の層を介して第２の層を積層した二つの三層部材とコア材を用意し、該三層部材をその第２の層にて該コア材の配線が形成されないところの最終的に不要となる不要領域に接着する工程と、
上記各三層部材の上記金属膜をパターニングすることにより配線膜を形成する工程と、  上記各金属膜が形成された側の面にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光現像することにより選択的に開孔を形成する工程と、
上記レジスト膜をマスクとしてメッキすることにより上記導電性ピラーを形成する工程と、
上記レジスト膜を除去し、その後、上記導電性ピラーが形成された両面に、層間絶縁膜を、該導電性ピラーの先端面が露出する状態に形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記各層間絶縁膜の形成後において、その表面に上記導電性ピラーと接続された配線膜を形成する工程と、
前記二つの三層部材と前記コア材からなる積層体を、その前記接着された不要領域にて切断分離することによりコア材と、三層部材とを分離する工程と、
上記分離された各三層部材の第２の層及び第１の層を除去することにより片面が平坦な配線基板を得る工程と、
を少なくとも有することを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法
【請求項４】
予め金属層の表面に中間膜を介して配線膜を形成した三層積層用部材を二つ用意する工程と、
前記各層間絶縁膜の形成後において、その表面に、上記三層積層用部材を、これの上記配線膜の一部が前記導電性ピラーと接するように位置合わせし、加圧及び加熱することにより該各三層積層用部材の配線膜が上記各層間絶縁膜にその配線膜の厚さ分埋まるように積層する工程と、
前記二つの三層部材と上記二つの三層積層用部材と前記コア材からなる積層体を、その前記接着された不要領域にて切断分離することにより上記コア材と、上記三層部材及び上記三層積層用部材とを分離する工程と、
上記分離された各三層部材の第２の層及び第１の層と、各三層積層用部材の上記金属層及び中間膜を除去することにより両面が平坦な配線基板を得る工程と、
を少なくとも有することを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
コア配線基板の両面各々に対応して、キャリア膜上に中間膜を介して配線膜を形成し、その配線膜形成面に該配線膜の少なくとも一部と接続された導電性ピラーを形成し、更に該配線膜形成面上に該導電性ピラーの先端面を露出させる状態で層間絶縁膜を形成したピラー付き配線用部材を用意する工程と、
上記コア配線基板の両面に、上記各バンプ付き配線用部材を、該コア配線基板の両面の配線膜とそれに対応するピラー付き配線用部材の導電性ピラーとを位置合わせした上で積層して一体化する工程と、
上記ピラー付き配線基板のキャリア膜及び中間膜を除去して両面が平坦な多層の配線基板を得る工程と、
を少なくとも有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁層の両面に配線膜を形成した配線用部材を複数枚、間に層間絶縁膜を介して重ね、更に両外表面に層間絶縁膜を介して配線膜を形成したコア配線基板を用意する工程と、
上記コア配線基板にスルーホール用の貫通孔を形成する工程と、
上記コア配線基板の表面に、上記貫通孔表面を含めメッキによりスルーホール配線膜形成用金属膜を形成する工程と、
上記コア配線基板の表面の金属膜及びスルーホール用金属膜を選択的にエッチングすることにより、スルーホール配線膜及び普通の配線膜を形成する工程と、
上記コア配線基板の両面各々に、キャリア膜上に中間膜を介して配線膜を形成し、該配線膜形成面上に該配線膜と接続された導電性ピラーを形成し、更に該配線膜形成面上に該導電性ピラーの先端面が露出する状態に層間絶縁膜を形成した最外配線用部材を、その導電性ピラーが上記コア配線基板積層体の表面の配線膜に接するように位置合わせして、加熱、加圧により積層一体化する工程と、
上記各最外配線用部材の上記キャリア膜及び上記中間膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
層間絶縁膜の両面に配線膜が形成された一又は複数枚の中間用配線用部材と、キャリア膜の表面に中間膜を介して金属からなる配線膜を形成した二つの最外層用配線用部材とを用意する工程と、
上記一又は複数枚の中間用配線用部材を重ね、その重ねたものの両面各々に、最外層用配線用部材を、その配線膜形成面が上記中間用配線部材側を向く向きで位置合わせして重ね、その状態で、加熱、加圧により積層して一体化する工程と、
上記一体化により形成された積層体の両面の上記キャリア膜及び上記中間膜を除去する工程と、
上記積層体にスルーホール用の貫通孔を形成する工程と、
上記積層体の表面に、上記貫通孔表面を含めメッキによりスルーホール配線膜形成用金属膜を形成する工程と、
上記スルーホール用金属膜を選択的にエッチングすることにより、スルーホール配線膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法
【請求項８】
前記スルーホール用配線膜形成後、その貫通孔内を金属でメッキにより充填する工程を有する
ことを特徴とする請求項６又は７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁層の少なくとも一方の表面部に、配線膜が、該配線膜の表面と絶縁層の表面が同一平面上に位置するように埋込状に形成され、
上記配線膜の上記表面の一部に、他と電気的に接続される突起導電膜が形成されてなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
絶縁層の両方の表面部に、配線膜が、該配線膜の表面と絶縁層の表面が同一平面上に位置するように埋込状に形成され、
上記配線膜の上記表面の一部に、他と電気的に接続される突起導電膜が形成され、
上記絶縁層に、これを貫通し、該絶縁層の両方の表面部の上記配線膜の一部どうしを電気的に接続する導電膜が形成されてなる
ことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
前記絶縁層の配線膜が形成された表面に、カバーフィルムが、突起導電膜を覆わないように接着されてなる
ことを特徴とする請求項９又は１０記載の配線基板。
【請求項１２】
前記配線膜の突起導電膜が異方性導電膜を介して他と電気的に接続されてなる
ことを特徴とする請求項９、１０又は１１記載の配線基板。
【請求項１３】
絶縁層の少なくとも一方の表面部に、外面と表面が同一平面上に位置する配線膜が形成されたものの上記絶縁層の表面に全面的に導電膜を形成する工程と、
上記導電膜を選択的にエッチングすることにより上記配線膜の一部上に残存させて他と電気的に接続される突起導電膜とする工程と、
を少なくとも有する配線基板の製造方法。
【請求項１４】
絶縁膜の両方の表面部に、配線膜が、該配線膜の表面と絶縁層の表面が同一平面上に位置するように埋込状に形成されたものの上記絶縁層に、その両方の表面部の上記配線膜の一部どうしを結ぶ貫通孔を形成する工程と、
上記絶縁膜の貫通孔の内周面を含む表面に、全面的に導電膜を形成する工程と、
上記導電膜を選択的にエッチングすることにより、上記貫通孔の内周面上に位置するスルーホール導電膜と、上記絶縁膜の表面部に埋込状に形成された配線膜の一部分上に位置して他と電気的に接続される突起導電膜とを同時に形成する工程と、
を少なくとも有する配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板、特に配線膜が形成された表面が平坦な配線基板と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線基板の配線膜間接続を行なう手法の一つとして、例えば導電性バンプを使用する手法があり、それにより相当に配線層の層数の多い、即ち相当に多層の多層配線基板を作ることができ、配線基板の高集積化に寄与している。
【０００３】
そのような技術は、例えば特開平８−１９５５６１号等により紹介されている。その紹介された多層化技術の一例を示すと、次の通りである。
【０００４】
即ち、一つの金属層の一部の一方の表面に導電性バンプを形成したものと、層間絶縁膜となる絶縁性樹脂と、上記金属層とは別の金属層とを用意し、上記導電性バンプのある金属層を、その導電性バンプで上記絶縁性樹脂を貫通して上記別の金属層に接続されるようにこれらの部材を加圧及び加熱により積層して一体化し、その後、その両面の金属層を選択的エッチングにより所定の形状にパターニングすることにより配線膜を形成した配線板を複数枚つくり、一方の配線板の一方の主表面に導電性バンプを形成し、その導電性バンプが別途用意した層間絶縁膜を貫通して他方の配線板の配線膜に接続されるようにしてその二つの配線板を積層して配線板積層体をつくるというのがその一例である。
また配線板の表面と、配線板上に形成された配線膜の表面とが面一（ツライチ：同一平面上に位置すること）にした基板の提案もなされている。
【０００５】
ここで、そのように、配線板の表面と配線膜の表面とを面一にすることの意義について、従前の一つの技術を示す図１５（Ａ）、（Ｂ）を引用して説明する。図１５（Ａ）は配線板上をカバーフィルムで覆う前の状態を示し、（Ｂ）は覆った後の状態を示す。
この図１５に示す従前の技術は、絶縁板ａの表面上に配線膜ｂ、ｂ、・・・ｂ’を形成し、その表面をカバーフィルムｃで覆うことにより配線基板を形成するというものである。上記配線膜ｂ、ｂ、・・・ｂ’のうち、配線膜ｂ’は他の電子部品、例えば半導体集積回路（以下「ＩＣ」という。）の電極と接続される配線膜であり、カバーフィルムｃの該配線膜ｂ’を覆う部分は開孔ｄが形成されており、カバーフィルムｃで絶縁板ｂを覆った後もその配線膜ｂ’が露出して他の電子部品、例えばＩＣの電極と接続ができるようになっている。
【０００６】
また、そのカバーフィルムｃはポリイミドフィルム（厚さ例えば１２．５μｍ）ｆの裏面に接着剤（厚さ例えば１２．５μｍ）ｇをコーティングしてなる。
このような技術においては、配線膜ｂ、ｂ、・・・ｂ’が絶縁板ａの表面上に突起状に形成されているので、配線膜ｂ・ｂ間或いはｂ・ｂ’間でのブリッジによるショート不良が生じやすい。従って、カバーフィルムによる表面カバーの重要性が高いのである。これは、配線膜ｂ、ｂ、・・・ｂ’の微細化、集積密度の高密度化が進めば進む程、ショート不良が発生しやすくなるので、重要性が高くなる。
しかし、この技術は、カバーフィルムｃで絶縁板ａの配線膜ｂ、ｂ、・・・ｂ’上を覆ったとき、図１５（Ｂ）に示すようにそのカバーフィルムｃは自身にとっての下地の凹凸に沿ってシワシワになり、また、配線膜ｂ、ｂ、・・・ｂ’の角部に当たって傷つき、絶縁不良の生じる可能性があるという問題がある。
【０００７】
というのは、ポリイミドフィルムは、特に良く使用される感光性ポリイミドフィルムの場合、機械的強度が低いから僅かな集中荷重を受けて傷つくということが起きやすいからである。
また、カバーフィルムｃを絶縁板ａ上に貼り付ける場合、配線膜ｂ’を露出させるための上記開孔ｄがその配線膜ｂ’と位置を整合させる必要があるが、凹凸のある下地上に貼り付ける場合、位置合わせが難しく、位置ずれが生じやすい。これも、その従前の技術の欠点である。
【０００８】
従って、配線板の表面と、配線板上に形成された配線膜の表面とを面一することは、配線基板の配線密度を高くする要請に応えようとするには避けることのできない課題となりつつある。
そして、その課題を解決しようとする技術として、例えば特公平６−８４０８５公報により紹介された技術がある。
【０００９】
その製造方法は、銅張の半硬化樹脂積層板を用意し、所要の配線膜をエッチング法などで作成したのち、平坦なプレス板で上下から要すれば加熱して、プレスすることにより、配線膜を、その表面が樹脂基板表面に面一になるように埋め込み、且つ、半硬化樹脂を完全硬化させることにより、配線パターンが埋め込まれた面一の基板が形成する。
また、前記層間接続に導電性バンプを介して接続する方式はスルホールメッキ法に比べ、穴のないことでより高密度基板が製造できること、工程が簡略かできることなど、これからの配線基板の要求に対して多くの好ましい特徴を有する。
また、通常の配線基板表面の配線膜が凸であるが、配線膜を基板を成す樹脂の面と面一にすると、部品実装時におけるハンダブリッジを低減できること、及び配線膜が樹脂に埋め込まれているため、樹脂との密着強度が格段に向上するので、基板表面と絶縁膜表面とを均一にする基板技術は今後ますます進む高密度実装の要求に適応可能な将来性のある技術であるとはいえる。
【特許文献１】特開平０８−１９５５６１号公報
【特許文献２】特公平０６−８４０８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、前記特許文献１の技術においては、導電性バンプが金属でなく、導電性樹脂を主体とした導電性バンプであるため、バンプ部での寄生抵抗が大きくなること、またバンプと接続する上下の導体金属との密着強度が低く、バンプ上の配線層に半田付けにより、部品実装した場合の強度確保に難点があることなどの欠点があった。
また、特許文献２の技術において、配線膜表面と絶縁基板表面とが面一な基板は、配線パターンが太くまた短い場合は、プレス時に配線がよじれたり、断線したりすることはないが、高密度配線板に要求される配線は微細であり、かつその各配線が長く、多様である場合には単に半硬化性樹脂上に形成した配線パターンをプレスで押し込もうとした場合、絶縁基材が流動するため、配線が切れたり、よじれたり、ショートしたりする等の不具合があった。
【００１１】
本発明は、このような問題を解決すべく為されたものであり、配線板の表面が平坦で、電子部品の搭載を容易にし、また半田つげおけるはんたブリッジの問題を低減し、また部品の半田付け強度を改善した多層配線基板を提供し、更に、多層配線基板を構成する配線板間の必要な電気的接続の信頼度を高くし、更には、製造工数の低減を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の配線基板の製造方法は、キャリア膜上の中間膜の表面に所定パターンの金属からなる配線膜を形成した部材のその配線膜が形成された側の表面にレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜をパターニングすることにより開孔を形成する工程と、上記レジスト膜をマスクとして金属を選択的にメッキすることにより導電性ピラーを形成する工程と、上記レジスト膜を除去する工程と、上記導電性ピラーが形成された側の面に、層間絶縁膜を、導電性ピラーの先端面が露出する状態に形成する工程と、上記一連の工程でできた部材と上記工程のキャリア膜上の中間膜の表面に所定パターンの金属からなる配線膜を形成した部材を、上記導電性ピラーと前記配線膜が接するように位置合わせして積層プレスすることにより一体化する工程と、上記二つの部材の上記中間膜及び上記キャリア膜を除去することにより上記層間絶縁膜の両面にその面と表面が面一に埋め込まれた配線膜を有し、且つ、両面に形成された一部の配線膜同士が上記導電性ピラーを介して層間接続され、両面が平坦な配線基板を得る工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１３】
請求項２の配線基板の製造方法は、配線膜となる金属膜の表面に第１の層を介して第２の層を積層した二つの三層部材とコア材を用意し、該三層部材をその第２の層にて該コア材の配線が形成されないところの最終的に不要となる不要領域に接着する工程と、上記各三層部材の上記金属膜をパターニングすることにより配線膜を形成する工程と、上記各金属膜が形成された側の面にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光現像することにより選択的に開孔を形成する工程と、上記レジスト膜をマスクとしてメッキすることにより上記導電性ピラーを形成する工程と、上記レジスト膜を除去し、その後、上記導電性ピラーが形成された両面に、層間絶縁膜を、該導電性ピラーの先端面が露出する状態に形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１４】
請求項３の配線基板の製造方法は、請求項２記載の配線基板の製造方法において、前記各層間絶縁膜の形成後において、その表面に上記導電性ピラーと接続された配線膜を形成する工程と、前記二つの三層部材と前記コア材からなる積層体を、その前記接着された不要領域にて切断分離することによりコア材と、三層部材とを分離する工程と、上記分離された各三層部材の第２の層及び第１の層を除去することにより片面が平坦な配線基板を得る工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１５】
請求項４の配線基板の製造方法は、請求項２記載の配線基板の製造方法において、予め金属層の表面に中間膜を介して配線膜を形成した三層積層用部材を二つ用意する工程と、前記各層間絶縁膜の形成後において、その表面に、上記三層積層用部材を、これの上記配線膜の一部が前記導電性ピラーと接するように位置合わせし、加熱及び加圧することにより該各三層積層用部材の配線膜が上記各層間絶縁膜にその配線膜の厚さ分埋まるように積層する工程と、前記二つの三層部材と上記二つの三層積層用部材と前記コア材からなる積層体を、その前記接着された不要領域にて切断分離することにより上記コア材と、上記三層部材及び上記三層積層用部材とを分離する工程と、上記分離された各三層部材の第２の層及び第１の層と、各三層積層用部材の上記金属層及び中間膜を除去することにより両面が平坦な配線基板を得る工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１６】
請求項５の配線基板の製造方法は、コア配線基板の両面各々に対応して、キャリア膜上に中間膜を介して配線膜を形成し、その配線膜形成面に該配線膜の少なくとも一部と接続された導電性ピラーを形成し、更に該配線膜形成面上に該導電性ピラーの先端面を露出させる状態で層間絶縁膜を形成したピラー付き配線用部材を用意する工程と、上記コア配線基板の両面に、上記各バンプ付き配線用部材を、該コア配線基板の両面の配線膜とそれに対応するピラー付き配線用部材の導電性ピラーとを位置合わせした上で積層して一体化する工程と、上記ピラー付き配線基板のキャリア膜及び中間膜を除去して両面が平坦な多層の配線基板を得る工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１７】
請求項６の配線基板の製造方法は、絶縁層の両面に配線膜を形成した配線用部材を複数枚、間に層間絶縁膜を介して重ね、更に両外表面に層間絶縁膜を介して配線膜を形成したコア配線基板を用意する工程と、上記コア配線基板にスルーホール用の貫通孔を形成する工程と、上記コア配線基板の表面に、上記貫通孔表面を含めメッキによりスルーホール配線膜形成用金属膜を形成する工程と、上記コア配線基板の表面の金属膜及びスルーホール用金属膜を選択的にエッチングすることにより、スルーホール配線膜及び普通の配線膜を形成する工程と、上記コア配線基板の両面各々に、キャリア膜上に中間膜を介して配線膜を形成し、該配線膜形成面上に該配線膜と接続された導電性ピラーを形成し、更に該配線膜形成面上に該導電性ピラーの先端面が露出する状態に層間絶縁膜を形成した最外配線用部材を、その導電性ピラーが上記コア配線基板積層体の表面の配線膜に接するように位置合わせして、加熱、加圧により積層一体化する工程と、上記各最外配線用部材の上記キャリア膜及び上記中間膜を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項７の配線基板の製造方法は、 層間絶縁膜の両面に配線膜が形成された一又は複数枚の中間用配線用部材と、キャリア膜の表面に中間膜を介して金属からなる配線膜を形成した二つの最外層用配線用部材とを用意する工程と、上記一又は複数枚の中間用配線用部材を重ね、その重ねたものの両面各々に、最外層用配線用部材を、その配線膜形成面が上記中間用配線部材側を向く向きで位置合わせして重ね、その状態で、加熱、加圧により積層して一体化する工程と、上記一体化により形成された積層体の両面の上記キャリア膜及び上記中間膜を除去する工程と、上記積層体にスルーホール用の貫通孔を形成する工程と、上記積層体の表面に、上記貫通孔表面を含めメッキによりスルーホール配線膜形成用金属膜を形成する工程と、上記スルーホール用金属膜を選択的にエッチングすることにより、スルーホール配線膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
請求項８の配線基板の製造方法は、請求項６又は７記載の配線基板の製造方法において、前記スルーホール用配線膜形成後、その貫通孔内を金属でメッキにより充填する工程を有することを特徴とする。
【００１９】
請求項９の配線基板は、絶縁層の少なくとも一方の表面部に、配線膜が、該配線膜の表面と絶縁層の表面が同一平面上に位置するように埋込状に形成され、上記配線膜の上記表面の一部に、他と電気的に接続される突起導電膜が形成されてなることを特徴とする。
請求項１０の配線基板は、絶縁層の両方の表面部に、配線膜が、該配線膜の表面と絶縁層の表面が同一平面上に位置するように埋込状に形成され、上記配線膜の上記表面の一部に、他と電気的に接続される突起導電膜が形成され、上記絶縁層に、これを貫通し、該絶縁層の両方の表面部の上記配線膜の一部どうしを電気的に接続する導電膜が形成されてなることを特徴とする。
【００２０】
請求項１１の配線基板は、請求項９又は１０記載の配線基板は、記絶縁層の配線膜が形成された表面に、カバーフィルムが、突起導電膜を覆わないように接着されてなることを特徴とする。
請求項１２の配線基板は、請求項９、１１又は１０記載の配線基板において、前記配線膜の突起導電膜が異方性導電膜を介して他と電気的に接続されてなることを特徴とする。
【００２１】
請求項１３の配線基板の製造方法は、絶縁層の少なくとも一方の表面部に、外面と表面が同一平面上に位置する配線膜が形成されたものの上記絶縁層の表面に全面的に導電膜を形成する工程と、上記導電膜を選択的にエッチングすることにより上記配線膜の一部上に残存させて他と電気的に接続される突起導電膜とする工程と、を少なくとも有する。
請求項１４の配線基板の製造方法は、絶縁膜の両方の表面部に、配線膜が、該配線膜の表面と絶縁層の表面が同一平面上に位置するように埋込状に形成されたものの上記絶縁層に、その両方の表面部の上記配線膜の一部どうしを結ぶ貫通孔を形成する工程と、上記絶縁膜の貫通孔の内周面を含む表面に、全面的に導電膜を形成する工程と、上記導電膜を選択的にエッチングすることにより、上記貫通孔の内周面上に位置するスルーホール導電膜と、上記絶縁膜の表面部に埋込状に形成された配線膜の一部分上に位置して他と電気的に接続される突起導電膜とを同時に形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１の配線基板の製造方法によれば、キャリア膜上の中間膜の表面に所定パターンの金属からなる配線膜を形成した部材の配線膜が形成された側の表面に選択的にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜をマスクとして金属を選択的にメッキすることにより導電性ピラーを形成し、そのピラー形成側の面に、上記一連の工程でできた部材と上記工程のキャリア膜上の中間膜の表面に所定パターンの金属からなる配線膜を形成した部材を、上記導電性ピラーと前記配線膜が接するように位置合わせして積層プレスすることにより一体化し、この配線用部材の上記中間膜及び上記キャリア膜を除去するので、両面が平坦で、導電性ピラーを層間接続手段とする配線基板を得ることができる。
また、配線膜は丈夫なキャリア膜に保持されているので、積層プレス時においても断線、ショート、よじれなどは起きず、キャリア膜に形成された配線模様はそのまま絶縁樹脂に埋め込まれる。
【００２３】
請求項２の配線基板の製造方法によれば、金属膜の表面に第１の層を介して第２の層を積層した二つの三層部材とコア材を用意し、該三層部材をその第２の層にて該コア材の配線が形成されないところの最終的に不要となる不要領域に接着し、上記各三層部材の上記金属膜をパターニングすることにより配線膜を形成し、該配線膜形成面上にレジスト膜を選択的に形成し、該レジスト膜をマスクとしてメッキすることにより上記導電性ピラーを形成し、その後、上記導電性ピラーが形成された両面に、層間絶縁膜を、該導電性ピラーの先端面が露出する状態に形成するので、少なくとも片面に配線膜を有し、また、配線膜は丈夫なキャリア膜に保持されているので、積層プレス時においても断線、ショート、よじれなどは起きず、キャリア膜に形成された配線模様はそのまま絶縁樹脂に埋め込まれる。またその配線膜と層間絶縁膜の表面とが面一の配線膜を有する配線基板を得ることができる。
【００２４】
請求項３の配線基板の製造方法によれば、請求項２の配線基板の製造方法を終えた後、各層間絶縁膜の表面に上記導電性ピラーと接続された配線膜を形成し、前記二つの三層部材と前記コア材からなる積層体を、その前記接着された不要領域にて切断分離することによりコア材と、三層部材とを分離し、その分離された各三層部材の第２の層及び第１の層を除去するので、両面に配線膜を有し、片面が平坦な配線基板を得ることができる。
【００２５】
請求項４の配線基板の製造方法によれば、三層積層用部材を二つ用意する一方で、請求項２記載の配線基板の製造方法を終えた後における層間絶縁膜の表面に、上記三層積層用部材を、該各三層積層用部材の配線膜が上記各層間絶縁膜にその配線膜の厚さ分埋まるように積層し、前記二つの三層部材と上記二つの三層積層用部材と前記コア材からなる積層体を、その前記接着された不要領域にて切断分離することにより上記コア材と、上記三層部材及び上記三層積層用部材とを分離すし、その分離された各三層部材の第２の層及び第１の層と、各三層積層用部材の上記金属層及び中間膜を除去するので、両面が平坦な配線基板を得ることができる。
【００２６】
請求項５の配線基板の製造方法によれば、コア配線基板の両面各々に対応して、キャリア膜上に中間膜を介して配線膜を形成し、その配線膜形成面に導電性ピラーを形成し、更に該配線膜形成面上に該導電性ピラーの先端面を露出させる状態で層間絶縁膜を形成したピラー付き配線用部材を用意し、上記コア配線基板の両面に、該各バンプ付き配線用部材を、上記コア配線基板の両面の配線膜とそれに対応するピラー付き配線用部材の導電性ピラーとを位置合わせした上で積層して一体化し、その後、上記ピラー付き配線基板のキャリア膜及び中間膜を除去するので、両面が平坦な多層の配線基板を得ることができる。
【００２７】
請求項６の配線基板の製造方法によれば、両外表面に層間絶縁膜を介して配線膜を形成したコア配線基板にスルーホール用の貫通孔を形成し、該コア配線基板の表面に、上記貫通孔表面を含めメッキによりスルーホール配線膜形成用金属膜を形成し、上記コア配線基板の表面の金属膜及びスルーホール用金属膜を選択的にエッチングすることにより、スルーホール配線膜及び普通の配線膜を形成し、上記コア配線基板の両面各々に、キャリア膜上に中間膜を介して配線膜を形成し、該配線膜形成面上に該配線膜と接続された導電性ピラーを形成し、更に該配線膜形成面上に該導電性ピラーの先端面が露出する状態に層間絶縁膜を形成した最外配線用部材を、その導電性ピラーが上記コア配線基板積層体の表面の配線膜に接するように位置合わせして、加熱、加圧により積層一体化し、上記各最外配線用部材の上記キャリア膜及び上記中間膜を除去するので、配線膜が形成された最外表面が平坦な多層の配線基板を得ることができる。
【００２８】
請求項７の配線基板の製造方法によれば、両面に配線膜が形成された中間用配線用部材と、二つの最外層用配線用部材とを用意し、中間用配線用部材を重ね、その重ねたものの両面各々に、最外層用配線用部材を、その配線膜形成面が上記中間用は緯線部材側を向く向きで位置合わせして重ね、その状態で、加熱、加圧により積層して一体化し、それによりできた積層体の両面の上記キャリア膜及び上記中間膜を除去し、該積層体にスルーホール用の貫通孔を形成し、該積層体の表面に、上記貫通孔表面を含めメッキによりスルーホール配線膜形成用金属膜を形成し、該スルーホール用金属膜を選択的にエッチングしてスルーホール用配線膜を形成するので、スルーホール配線膜を層間接続手段とし、配線膜が形成された最外表面が平坦な多層の配線基板を得ることができる。
【００２９】
請求項８の配線基板の製造方法によれば、請求項６又は７記載の配線基板の製造方法において、前記スルーホール用配線膜形成後、その貫通孔内を金属でメッキにより充填するので、層間接続の安定性及び層間接続手段の寄生抵抗の低抵抗化を図ることができる。
【００３０】
請求項９の配線基板によれば、絶縁層の表面とそれに埋込状に形成された配線膜の表面とが同一平面上にあるので、上述したことから明らかなように、ブリッジによるショート不良が生じにくい等の利点があるのみならず、配線膜の表面の一部に他と電気的に接続される突起導電膜があるので、配線膜のその一部の実質的高さを絶縁層表面の高さより高くすることができ、該一部と他との接続が、その突起導電膜を介して行うことができ、接続がし易く、また、接続性を良好にすることができる。
請求項１０の配線基板によれば、請求項９の配線基板と同様に、ブリッジによるショート不良が生じにくく、また、配線膜の一部と、他との電気的接続がし易く、また、良好な電気的接続がし易いという利点があるが、それにとどまらず、スルーホールによる上下配線間の層間接続ができる。
【００３１】
請求項１１の配線基板によれば、請求項９又は１０の配線基板において、絶縁膜の表面を、突起導電膜を除きカバーフィルムで覆うので、配線膜をカバーフィルムによって保護することができ、ショート不良等をより確実に保護することができる。
また、カバーフィルムは、突起導電膜の部分を除き、凹凸のない表面を下地面とするので、張り易く、突起導電膜とそれを逃げる逃げ孔との位置が不整合にならないようにするために必要なカバーフィルムの絶縁膜に対する位置合わせをし易い。
更に、カバーフィルムが凹凸のない面に接着されるので、配線膜の角部に当たって傷つき、保護効果が低下するというおそれをなくすことができる。
【００３２】
請求項１２の配線基板によれば、異方性導電膜を用いた電気的技術を駆使することができ、しかも、配線基板の配線膜の他と接続すべき部分は、突起導電膜により高くなっているので、異方性導電膜をその突起導電膜により圧縮してその突起導電膜の部分における導電性を局部的により有効に高めることができ、配線膜と他との接続を簡単且つ確実に行うことができる。
請求項１３の配線基板の製造方法によれば、絶縁層の表面部に配線膜を両者の表面が面一になるようにしたものの表面に、全面的に導電膜を形成した後、その導電膜を選択的にエッチングするので、その導電膜が配線膜の一部上に残存するようにすることによりその残存部分を以て突起導電膜とすることができ、請求項９等の配線基板を得ることができる。
【００３３】
請求項１４の配線基板の製造方法によれば、絶縁層の両面の表面部に配線膜を両者の表面が面一になるようにしたものを用意し、それに貫通孔を形成し、その後、該貫通孔の内周面を含む絶縁層表面に全面的に導電膜を形成し、その導電膜の選択的エッチングにより、スルーホール導電膜と突起導電膜を同時に形成するので、スルーホールによる層間接続技術の工程数を増やすことなく、突起導電膜を有する配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明において、各配線板の層間絶縁膜は、熱硬化性樹脂が好適であるが、熱可塑性樹脂も適用できる 、例えば熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フエノール樹脂など、また熱可塑性樹脂としてはＰＥＥＫ樹脂、ＰＥＳ樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＥＮ樹脂、ＰＥＥＫ−ＰＥＳ樹脂のポリマーブレンド、液晶ポリマーのなど適用できる。
そして、厚さは例えば数十〜百数十μｍが好ましい。
また、配線膜及び層間接続ピラーは、銅、特に純度の高い銅で形成するのが最適である。配線膜の厚さは十数〜数十μｍが、そして、層間接続ピラーの高さは例えば数十〜百数十μｍが好ましい。
【００３５】
なお、配線用部材どうしの積層時の加熱温度は、例えば１５０〜３５０℃が好適であり、また、加圧力は２ＭＰａ〜１０ＭＰａの範囲が好ましい。
また、配線膜の表面にボンディング性を高める金属が形成された配線板を少なくとも多層の配線基板の表裏両面部に配置することとすれば、ＩＣ等の微細ピツチでかつ多端子の電子部品の搭載にきわめて便利である。その金属膜としては、金が好適である。
【実施例１】
【００３６】
以下、本発明の詳細を図示実施例に基いて説明する。
図１（Ａ）〜（Ｋ）及び図２（Ｌ）〜（Ｍ）は本発明の第１の実施例の工程（Ａ）〜（Ｍ）を順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、図１（Ａ）に示すように、三層金属層からなる配線用部材２を用意する。該配線用部材２は、例えば銅からなるキャリア膜４の表面に、例えばニッケルからなるエッチングバリア膜（中間膜）６を形成し、該エッチングバリア膜６の表面に例えば銅からなる配線膜形成用の金属膜８を形成した三層構造を有する。
【００３７】
（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、上記キャリア膜４の表面を例えばフォトレジストからなる膜１０でマスクした状態で上記金属膜８を選択的にエッチングすることにより、配線膜１２を形成する。尚、１２ａは配線膜１２のうち導電性ピラーが形成されない方の配線膜である。
（Ｃ）次に、図１（Ｃ）に示すように、上記配線膜１２の形成面上にフォトレジスト膜１４を形成する。
（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、上記フォトレジスト膜１４に対して露光処理を施す。１４ａは露光部分、１４ｂは未露光部分である。
【００３８】
（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、現像処理を施す。１６はこの現像処理により生じた開孔である。
（Ｆ）次に、図１（Ｆ）に示すように、アフター露光処理を施す。露光量は前回の露光よりも大きくする。更にソフトエッチングをし、更には、超音波洗浄を施す。
（Ｇ）次に、図１（Ｇ）に示すように、上記レジスト膜１４ａをマスクとして例えば銅からなる金属膜をメッキすることにより上記開孔１６内に導電性ピラー１８を形成する。このメッキは導電性ピラー１８が上記レジスト膜１４ａの表面を越える厚さまで行う。
【００３９】
（Ｈ）次に、例えばベルトサンダーを用いる等して上記導電性ピラー１８の先端をレジスト膜１４ａの表面と面一（ツライチ：同一平面上に位置すること）になるまで研磨し、図１（Ｈ）に示すように、平坦面になるようにする。
（Ｉ）次に、図１（Ｈ）に示すように、上記フォトレジスト膜１４ａを剥離する等により除去し、それと共に、キャリア膜４表面の上記保護膜１０も除去する。
（Ｊ）次に、樹脂、例えばエポキシプリプレグからなる層間絶縁膜２０を上記導電性ピラー１８形成側の面に圧着するなどの方法で形成し、該層間絶縁膜２０を該導電性ピラー１８の先端面露出するまで研磨する。図１（Ｊ）はその研磨後の状態を示す。
【００４０】
（Ｋ）次に、図１（Ｊ）に示す状態の絶縁層を形成した配線用部材２と図１（Ｂ）に示す状態の配線層のみ形成した配線用部材２を用意し、その二つの配線用部材どうしを、導電性ピラー１８・１８の先端面どうしが重なるように位置合わせし、加圧、加熱により積層して一体化する。図１（Ｋ）はその一体化後の状態を示す。
この積層により、導電性ピラー１８と配線層のみ形成した配線用部材２の配線層とが銅・銅接合により接続されると共に、二つの配線用部材２、２が一体化される。
（Ｌ）次に、図２（Ｌ）に示すように、上記配線用部材２、２の各キャリア膜４、４を例えばエッチングで除去する。
（Ｍ）次に、図２（Ｍ）に示すように、上記ニッケルからなるエッチングバリア膜６、６を例えばエツチングで除去する。
【００４１】
このような製造方法によれば、層間絶縁膜２０の両面に配線膜１２、１２ａが、表面が面一になるように形成された、図２（Ｍ）に示すような配線層と絶縁層が面一の配線基板が形成される。
【実施例２】
【００４２】
図３（Ａ）〜（Ｈ）及び図４（Ｉ）〜（Ｍ）は本発明の第２の実施例の工程（Ａ）〜（Ｍ）を順に示す断面図である。
（Ａ）図３（Ａ）に示すように、例えば樹脂からなるコア材３０と、二つの配線用部材３２、３２を用意し、更に、コア材３０の両面の後で不要領域として除去される部分に例えばエポキシ樹脂からなるプリプレグ等からなる接着シート３４が形成されている。
尚、上記各配線用部材３２は、例えば銅からなるキャリア膜３６の一方の表面に、例えばニッケルからなるエッチングバリア膜（中間膜）３８を介して例えば銅からなる配線膜形成用金属膜４０を形成した三層構造を有し、例えば圧延等により形成することができる。
【００４３】
（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、コア材３０の両面に、キャリアとなる金属膜３６側が該コア材３０の表面を向く向きの上記配線用部材３２、３２を上記接着シート３４により接着する。尚、この接着シート３４は前述のように配線膜が形成される領域（有効領域）には形成されず、不要領域においてのみ形成されていることは前述の通りである。
（Ｃ）次に、図３（Ｃ）に示すように、上記各配線用部材３２、３２の配線膜形成用金属膜４０を選択的にエッチングすることにより、配線膜４２を形成する。
（Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、両方の配線膜４２形成面上にそれぞれフォトレジスト膜４４を形成する。このレジスト膜４４は形成すべき導電性ピラー（４８）の先端面の高さと略同じかそれよりも表面が稍低くなる程度の厚さに形成する。
【００４４】
（Ｅ）次に、図３（Ｅ）に示すように、上記各フォトレジスト膜４４を、それに対する露光、現像によってパターニングし、以て開孔４６を形成する。
（Ｆ）次に、図３（Ｆ）に示すように、上記各レジスト膜４４をマスクとして例えば銅からなる金属をメッキすることにより導電性ピラー４８を形成する。この導電性ピラー４８の形成は、図１、図２に示す実施例におけると同様に層間絶縁膜４４の表面高さを越える程度に適宜オーバーメッキし、その後、研磨して層間絶縁膜４４の表面と導電性ピラー４８の表面が面一になるようにすると良い。
【００４５】
（Ｇ）次に、図３（Ｇ）に示すように、上記各レジスト膜４４を除去する。
（Ｈ）次に、図３（Ｈ）に示すように、配線膜４２及び導電性ピラー４８が形成された各面上に、層間絶縁膜５０を例えば圧着する方法で形成し、その後、該層間絶縁膜５０を研磨することにより上記導電性ピラー４８の先端面を露出させる。
（Ｉ）次に、図４（Ｉ）に示すように、上記各層間絶縁膜５０、５０上に配線用部材５２、５２をあてがう。
該各配線用部材５２、５２は例えば銅からなるキャリア膜５４の一方の表面に例えばニッケルからなるエッチングバリア膜（中間膜）５６を介して例えば銅からなる配線膜６０を形成したものである。そして、該各配線用部材５２、５２はその配線膜６０が形成された側の面がその各層間絶縁膜５０、５０を向く向きで、各導電性ピラー４８と対応する配線膜６０とが整合するように位置合わせしてあてがうのである。
【００４６】
（Ｊ）次に、図４（Ｊ）に示すように、上記配線用部材５２、５２を加熱及び加圧により上記層間絶縁膜５０、５０に積層し、以て、各導電性ピラー４８とそれに対応する配線膜６０とを銅・銅接合により一体的に接続すると共に、層間絶縁膜５０を配線用部材５２と一体化する。
（Ｋ）次に、図４（Ｋ）に示すように、図４（Ｊ）で一体化されたものを上記接着剤３４により接着された部分にてカットし、不要部分を有効領域から分離する。
すると、コア材３０が、その両面に存在していた配線用部材と分離される。
【００４７】
（Ｌ）次に、コア材３０の両面に存在し、図４（Ｋ）に示す工程（Ｋ）でコア材３０から分離された配線用部材の上記各キャリア膜５４、３６を除去する。図４（Ｌ）はそのキャリア膜５４、３６を除去した後の状態を示す。
（Ｍ）次に、図４（Ｍ）に示すように、上記各エッチングバリア膜５８、３８を除去する。
【００４８】
このような製造方法によれば、層間絶縁膜５０の両面に配線膜６０、４２が、表面が面一になるように形成された、図４（Ｍ）に示すような配線基板が形成される。
そして、コア材３０との分離が為されるまでは、その両側に同時に配線基板の形成工程が進行するので、製造効率を向上し、生産性を高めることができる。
（変形例）
【００４９】
図５（Ｈ）〜（Ｊ）は、図３及び図４に示した実施例の変形例を工程順に示す断面図である。
（Ｈ）図３（Ｈ）に示すものと同じものを用意し、その後の工程を図３、図４に示した実施例と変える。図５（Ｈ）はその図３（Ｈ）に示すものと同じものである。
（Ｉ）次に、図５（Ｉ）に示すように、層間絶縁膜５０、５０上に例えば銅からなる配線膜形成用金属膜５９、５９を加熱、加圧により積層する。すると、該金属膜５９、５９の導電性ピラー４８、４８と接する部分は銅・銅接合により良好且つ確実に接続され、金属膜５９、５９のそれ以外の部分は層間絶縁膜５０、５０と良好に接着した状態になる。
【００５０】
（Ｊ）次に、図５（Ｊ）に示すように、上記配線膜形成用金属膜５９、５９を選択的にエッチングすることによりパターニングして配線膜６１、６１を形成する。
その後は、図４（Ｋ）に示すように接着シート３４により接着された不要領域部分におけるカットを行い、その後は、配線膜６１、６１が形成された面をマスクしてキャリア膜３６、３６を除去し、更には、エッチングバリア膜３８を除去する。
すると、片面は層間絶縁膜５０表面に凸部を成すように配線膜６１が形成され、凹凸があるが、もう一方の面は層間絶縁膜５０の表面に、配線膜４２が該膜４２の表面と該層間絶縁膜５０の表面とが面一（ツライチ）になるように、埋め込み状に形成された両面配線タイプの配線板ができる。
該配線板は、コア基板の両面に、配線膜６１によって凹凸のある側の面がコア基板を向く向きで加圧、加熱により積層して、最外表面が平坦な多層の配線基板を製造するのに好適である。
【実施例３】
【００５１】
図６（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第３の実施例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図６（Ａ）に示すように、公知の方法で作成したコア基板７０と、二つの配線部材７２、７２を用意する。
コア基板７０は、本例では、４層の配線膜を有し、７４は層間絶縁膜、７６は内部配線膜、７８は外部配線膜、８０は層間接続用バンプであり、その表面は外部配線膜７８が凸部を成した凹凸がある。
【００５２】
上記各配線部材７２、７２は、例えば銅からなるキャリア膜８２、８２の一方の表面に、例えばニッケルからなるエッチングバリア膜８４を介して例えば銅からなる配線膜８６を形成し、更に例えば銅からなる導電性ピラー８８を少なくとも一部の配線膜８６上に形成し、その部材の配線膜８６、導電性ピラー８８が形成された側の面上に、層間絶縁膜９０を導電性ピラー８８の先端面が露出するように形成したものである。
そして、コア基板７０の両面各々に、配線部材７２、７２を、この導電性ピラー８８、８８の先端面及び層間絶縁膜９０表面がコア基板７０を向く向きにし、各導電性ピラー８８がそれと対応するコア基板７０の各外部配線膜７８、７８と位置が整合するように位置合わせしてあてがう。
【００５３】
（Ｂ）次に、加熱、加圧により上記配線部材７２、７２を上記コア基板７０の両面に積層する。図６（Ｂ）はその積層後の状態を示す。
この積層により、各導電性ピラー８８はそれぞれその先端面にてコア基板７０の外部配線膜７８に銅・銅接合により強固に接続されると共に、層間絶縁膜７４、９０どうしは一体化する。
（Ｃ）次に、図６（Ｃ）に示すように、上記キャリア膜８２、８２を例えば銅だけをエッチングする液でエッチングするなどにより除去する。
（Ｄ）次に、図６（Ｄ）に示すように、上記エッチングバリア膜８４を例えばエッチングなどにより除去する。すると、配線層が絶縁層と面一になった６層の配線層を有する多層の配線基板を得ることができる。
【００５４】
このような配線基板の製造方法によれば、表面に配線膜７８による凹凸のあるコア基板７０をベースとしつつもその両面に上記配線部材７２、７２を、導電性ピラー８８、層間絶縁膜９０がコア基板７０側を向き、配線膜８６、８６が外側を向く向きで積層することにより最外表面が平坦な多層の配線基板を得ることができる。
尚、上記実施例では、コア基板７０の層数は４層であり、できた配線基板の層数は６層であったが、これは飽くまで一例であり、コア基板７０の層数は４層に限定されず、それ以外の層数であっても良く、そのコア基板７０の層数に２を足した層数の多層配線基板を得ることができる。
【実施例４】
【００５５】
図７（Ａ）〜（Ｈ）及び図８（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の第４の実施例を示す断面図であり、図７（Ａ）〜（Ｈ）は最外層用配線部材の製造方法を工程順に示し、図８（Ａ）〜（Ｈ）はコア配線板の加工とそのコア配線板への上記最外層用配線部材の一体化と最外層用配線部材への加工により配線基板を完成させる工程を順に示す。
先ず、図７（Ａ）〜（Ｈ）を参照して最外層用配線部材の製造方法を説明する。
（Ａ）図７（Ａ）に示すように、三層金属材１００を用意する。該三層金属材１００は、例えば銅からなるキャリア膜１０２の一方の表面に例えばニッケルからなるエッチングバリア膜１０４を介して例えば銅からなる配線膜形成用金属膜１０６を積層してなるものであり、例えば圧延により形成される。
【００５６】
（Ｂ）次に、図７（Ｂ）に示すように、上記配線膜形成用金属膜１０６を選択的にエッチングすることにより配線膜１０８を形成する。
（Ｃ）次に、図７（Ｃ）に示すように、導電性ピラー形成用のレジスト膜１１０を上記配線膜１０８形成側の面上に選択的に形成する。１１２は該レジスト膜１１０に形成された開孔で、該開孔１１２内に次に述べる導電性ピラー（１１４）が形成されることになる。（Ｄ）次に、図７（Ｄ）に示すように、上記レジスト膜１１０をマスクとして例えば銅をメッキすることにより導電性ピラー１１４を形成する。この場合、レジスト膜１１０の表面から稍突出するように形成する。このようにするのは、メツキによる導電性ピラー１１４の高さのばらつきを次の研磨工程で一定の高さに揃えることができるようにするためである。
【００５７】
（Ｅ）次に、図７（Ｅ）に示すように、上記導電性ピラー１１４の突出した部分を研磨して、その先端面がレジスト膜１１０の表面と面一（ツライチ：同一平面上に位置すること）になるようにする。
（Ｆ）次に、図７（Ｆ）に示すように、上記レジスト膜１１０を除去する。
（Ｇ）次に、図７（Ｇ）に示すように、上記配線膜１０８及び導電性ピラー１１４が形成された側の面に層間絶縁膜１１６を、導電性ピラー１１４の先端部が露出するように形成する。
（Ｈ）次に、上記導電性ピラー１１４の先端面を研磨してその高さを調整して、図７（Ｈ）のように最外層用配線部材１１８を完成させる。
尚、この最外層用配線部材１１８は２枚用意し、図８に示す工程に供する。
【００５８】
以下に、図８（Ａ）〜（Ｈ）を参照して本実施例の配線基板を得る製造方法の説明をする。
（Ａ）先ず、図８（Ａ）に示すように、コア配線板１２０を用意する。
このコア配線板１２０は、内部に４層の配線膜１２２が層間絶縁膜１２４を層間手段として形成され、最外表面には配線膜形成用金属膜１２６、１２６が全面的に形成されている。
（Ｂ）次に、図８（Ｂ）に示すように、上記コア配線板１２０のスルーホールを形成すべき部分に貫通孔１２８を形成する。
（Ｃ）次に、図８（Ｃ）に示すように、上記貫通孔１２８表面を含めコア配線板１２０の表面に無電解メッキ、電解メッキにより例えば銅等の金属をメッキすることによりスルーホール配線膜１３０を形成する。
【００５９】
（Ｄ）次に、図８（Ｄ）に示すように、上記スルーホール配線膜１３０の内側の孔を導電ペーストないし絶縁ペースト１３２で埋め、その後、その導電ペーストないし絶縁ペースト１３２の上下に食み出した部分を研磨して凹凸をなくす。
（Ｅ）次に、無電解メッキ及び電解メッキにより、図８（Ｅ）に示すように、表面に例えば銅からなる金属膜１３４を形成する。
（Ｆ）次に、図８（Ｆ）に示すように、上記金属膜１３４、スルーホール配線膜１３０及び金属膜１２６を選択的にエッチングすることにより配線膜１３６を形成する。
【００６０】
（Ｇ）次に、図８（Ｇ）に示すように、図７に示す方法で製造された上記最外層用配線部材１１８、１１８を、上記コア配線板１２０の両面に積層する。
その積層は、各最外層用配線部材１１８、１１８を、その導電性ピラー１１４及び層間絶縁膜１１６側の面がコア配線板１２０の表面を向く向きで、各導電性ピラー１１４がそれに対応する配線膜１３６と整合するように位置合わせし、その後、加圧、加熱することにより行う。
（Ｈ）その後、上記各最外層用配線部材１１８、１１８のキャリア膜１０２、１０２を除去し、次に、エッチングバリア膜１０４、１０４を除去する。図８（Ｈ）はそのエッチングバリア膜１０４、１０４除去後の状態を示す。
【００６１】
このような配線基板の製造方法によれば、 最表面が平坦なコア配線板に、スルーホール用の貫通孔１２８を形成し、該貫通孔１２８表面を含め上記コア配線板の表面に、メッキによりスルーホール配線膜形成用金属膜１３０を形成し、その内周面を導電ペーストないし絶縁ペースト１３２で埋め、そのスルーホール用配線膜の最表面上部分及び金属膜１２６、１３４のパターニングにより配線膜１３６を形成し、一方、その最表面各々に対応して、最外層用配線部材１１８、１１８を用意し、その各導電性ピラー１１４が上記コア配線板の配線膜１３６と接するように位置合わせして積層一体化し、その後、上記キャリア膜１０２及び上記中間膜１０４を除去するので、表面が平坦で、スルーホールを層間接続手段として有する多層の配線基板を得ることができる。
【実施例５】
【００６２】
図９（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第５の実施例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）先ず、二つの最外層用配線用部材と、一又は複数の中間用配線部材とを用意する。  先ず、最外層用部材１８２を用意する。図９（Ａ）では、一つの最外層用部材１８２を図示するが、実際に用意するのは、二つである。
この最外層用部材１８２は、例えば銅からなるキャリア膜１８４の一方の表面に例えばニッケルからなるエッチングバリア膜１８６を介して例えば銅からなる配線膜形成用金属膜１８８を形成してなる三層金属材１８０を用意し、その配線膜形成用金属膜１８８を選択的にエッチングすることにより配線膜１９０を形成することによりつくることができる。
【００６３】
一方、中間用配線部材１９４も用意する。図９（Ａ）では一つの中間用配線部材１９４のみを示すが、複数であっても良く、本実施例では３個用意する。各中間用配線部材１９４は、層間絶縁膜１９６の両面に配線膜形成用金属膜１８８を形成した三層材１９２を用意し、その両面の配線膜形成用金属膜１８８を選択的にエッチングすることによりつくることができる。
（Ｂ）次に、上記中間用部材１９４を複数個、本例では３個、その間に層間絶縁膜２０２を介して重ね、更に、その重ねたものの両面に、上記最外層用部材１８２を所定の位置関係で重ね、その後、加熱、加圧により積層することによりこれ等２０２、１９４、１９４、１９４、２０２を一体化する。図９（Ｂ）はその積層により一体化された状態を示す。
【００６４】
（Ｃ）次に、上記一体化された積層体の両面のキャリア膜１８４を除去し、更にエッチングバリア膜１８６を除去し、その後、所定位置にスルーホール配線膜形成用の貫通孔２０４を形成する。図９（Ｃ）はその貫通孔２０４の形成後の状態を示す。
（Ｄ）次に、上記貫通孔２０４内周面を含め上記積層体の表面に無電解メッキにより例えば銅からなる電解メッキ下地膜２０６を形成し、その後、スルーホール形成用マスク膜となるレジスト膜２０８を形成する。図９（Ｄ）はそのレジスト膜２０８形成後の状態を示す。
【００６５】
（Ｅ）次に、図９（Ｅ）に示すように、上記電解メッキ下地膜２０６上に上記レジスト膜２０８をマスクとして例えば銅からなるスルーホール配線膜２１０を形成する。尚、該スルーホール配線膜２１０の内周面を導電ペーストないし絶縁ペースト１３２で埋め留用にしても良いことは図８に示す実施例の場合と同じである。
（Ｆ）次に、上記レジスト膜２０８を除去し、更に、上記電解メッキ下地膜２０６をエッチングにより除去し、配線膜１９０を露出させる。これにより、スルーホール配線膜２１０を層間接続手段とする多層の配線基板を提供することができ、積層する中間用部材１９４の数を増やす程、配線膜の層数を増やし、より配線膜の集積密度を高めることができる。
【実施例６】
【００６６】
図１０（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の第６の実施例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図１０（Ａ）に示すように、三層金属材１４０を用意する。該三層金属材１４０は、例えば銅からなるキャリア膜１４２の一方の表面に例えばニッケルからなるエッチングバリア膜１４４を介して例えば銅からなる配線膜形成用下地金属膜１４６を積層してなるものであり、例えば圧延により形成される。
（Ｂ）次に、図１０（Ｂ）に示すように、上記配線膜形成用金属膜１４６上に配線膜形成用のレジスト膜１４８を選択的に形成する。
【００６７】
（Ｃ）次に、図１０（Ｃ）に示すように、上記レジスト膜１４８をマスクとして金属、例えば銅をメッキすることにより配線膜１５０を形成し、その後、その配線膜１５０の表面を粗面化する粗面化処理を行う。
（Ｄ）次に、図１０（Ｄ）に示すように、導電性ピラー形成用のレジスト膜１５２を選択的に形成する。１５４はそのレジスト膜１５２に形成された開孔で、ここに次に述べる導電性ピラー（１５６）が形成されることになる。
（Ｅ）次に、上記レジスト膜１５２をマスクとして配線膜１５０の露出面を厚さ０．１〜５μｍ程度エッチングする。このエッチングは、導電ピラー（１５６）の形成に先立って粗化面の酸化膜の除去と平面化（上記粗面化により生じた凹凸をなくす）のためである。その後、図１０（Ｅ）に示すように、上記導電性ピラー形成用レジスト膜１５２をマスクとして金属、例えば銅をメッキすることにより導電性ピラー１５６を形成する。この導電性ピラー１５６は配線膜１５０の粗面化された表面に形成されるので、配線膜１５０と導電性ピラー１５６との密着性が良く、その間の接続性を良好にすることができる。
【００６８】
（Ｆ）次に、図１０（Ｆ）に示すように、上記導電性ピラー形成用レジスト膜１５２を除去する。１５８はその除去によりできた配線部材である。
（Ｇ）次に、上記配線部材１５８と、その配線部材１５８から導電性ピラー１５６を取り除いた構造（正確には導電性ピラー１５６を形成しないで済ませた構造の配線部材１５８ａを用意する。
そして、配線部材１５８の導電性ピラー１５６及び配線膜１５０形成側の面と、配線部材１５８ａの配線膜１５０形成側の面とを対向させ、各導電性ピラー１５６とそれに対応する配線膜１５０とが接するように位置合わせし、その配線部材１５８ａと配線部材１５８との間に層間絶縁膜１６０を介在させ、その状態で、加熱及び加圧によりその配線部材１５８ａ及び１５８を積層し一体化する。図１０（Ｇ）はその積層し一体化した後の状態を示す。
【００６９】
（Ｈ）その後、配線部材１５８、１５８ａのキャリア膜１４２、１４２を除去し、更に、エッチングバリア膜１４４、１４４を除去し、しかる後、上記配線膜形成用下地膜１４６、１４６を除去する。
これにより、層間絶縁膜１６０の両面に、それと表面が面一の配線膜１５０が形成された配線基板が出来上がる。図１０（Ｈ）はその配線膜形成用下地膜１４６、１４６除去により出来上がった配線基板を示す。
【００７０】
このような配線基板によれば、導電性ピラー１５６を形成した配線部材１５８と、それから導電性ピラーを取り除いた構造の配線部材１５８ａとを、導電性ピラー１５６の先端面とそれに対応する配線膜１５０とが接する状態で積層して一体化し、上記各配線部材１５８、１５８ａの上記キャリア膜１４２、１４２、上記エッチングバリア膜１４４、１４４及び上記下地金属膜１４６、１４６を順次除去するので、両面が平坦で、導電性ピラー１５６を層間接続手段とする配線基板を得ることができる。
尚、本実施例においては、導電性ピラー１５６を形成した配線部材１５８と、それから導電性ピラーを取り除いた構造の配線部材１５８ａとを、層間絶縁膜１６０を介して積層するが、導電性ピラー１５６を形成した配線部材１５８・１５８を用意し、それ等の導電性ピラー１５６・１５６どうしを接しさせて、その間に層間絶縁膜１６０を介在させて積層し、一体化するようにしても良い。
【実施例７】
【００７１】
図１１（Ａ）〜（Ｆ）及び図１２（Ｇ）〜（Ｉ）は本発明の第７の実施例を工程順（Ａ）〜（Ｉ）に示す断面図である。
（Ａ）図１１（Ａ）に示すように、三層金属板２００を用意する。この三層金属板２００は、例えば銅からなる支持板２０２の表面に例えばニッケルからなり、該支持板２０２よりも顕著に薄いエッチングストップ層２０４を形成し、更に該エッチングストップ層２０４の表面に例えば銅からなる配線膜形成用の金属層２０６を形成したものである。
（Ｂ）次に、図１１（Ｂ）に示すように、上記配線膜形成用の金属層２０６を選択的にエッチングすることにより、配線膜２０８、２０８、・・・２０８’を形成する。配線膜２０８、２０８、・・・２０８’のうち配線膜２０８’は他（例えばＩＣの電極）と接続される配線膜である。
【００７２】
（Ｃ）配線膜２０８、２０８、・・・２０８’を形成した三層金属板２００を一対２００・２００用意し、その三層金属板２００・２００どうしを、その配線膜２０８、２０８、・・・２０８’・２０８、２０８、・・・２０８’どうしが対向する向きで、絶縁層２１０を介して積層する。図１１（Ｃ）はその積層後の状態を示す。この積層は例えば加熱及び加圧をすることにより行う。
（Ｄ）次に、図１１（Ｄ）に示すように、上記支持板２０２を除去する。
（Ｅ）次に、図１１（Ｅ）に示すように、スルーホール用の貫通孔２１２を形成する。
【００７３】
（Ｆ）次に、図１１（Ｆ）に示すように、絶縁層２１０の表面、具体的には、上記貫通孔２１２の内周面及びエッチングストップ層２０２の表面上に、メッキ（無電解メッキ、電解メッキ）により例えば銅からなる導電膜２１４を形成する。
（Ｇ）次に、上記導電膜２１４の表面にレジスト膜２１６を形成し、そのレジスト膜２１６を露光、現像によりパターニングする。図１２（Ｇ）はその露光、現像によるパターニング後の状態を示す。
（Ｈ）次に、図１２（Ｈ）に示すように、上記レジスト膜２１６をマスクとして上記導電膜２１４をエッチングし、更に、エッチングストップ層２０２をもエッチングすることにより、スルーホール用導電膜２１８及び突起導電膜２２０を形成する。
【００７４】
（Ｉ）次に、図１２（Ｉ）に示すように、両表面にカバーフィルム２２２を接着する。
この接着により配線基板が完成する。
本実施例によれば、ブリッジによるショート不良が生じにくく、また、配線膜２０８’の一部と、他との電気的接続がし易く、また、良好な電気的接続がし易いという利点があるが、それにとどまらず、スルーホール導電膜２１８による上下配線膜２０８・２０８間の層間接続ができる。
【００７５】
そして、表面を、突起導電膜２２０及びスルーホール導電膜２１８を除きカバーフィルム２２２で覆うので、配線膜２０８、２０８、・・・をカバーフィルム２２２によって保護することができ、ショート不良等をより確実に保護することができる。
また、カバーフィルム２２２は、凹凸のない表面を下地面とするので、張り易く、突起導電膜２２０とそれを逃げる逃げ孔２２４との位置が不整合にならないようにするために必要なカバーフィルム２２２の絶縁層２１０に対する位置合わせをし易い。
更に、カバーフィルムが凹凸のない面に接着されるので、配線膜２０８の角部に当たって傷つき、保護効果が低下するというおそれをなくすことができる。
【００７６】
図１３は図１２に示した配線基板の変形例を示す断面図で、本変形例は、絶縁層１０の同じ側の面に形成された配線膜２０８・２０８どうしを、スルーホール導電膜２１８及び突起導電膜２２０と同時に形成するクロスオーバー導電膜２２６により、電気的に接続した点で相違する。しかし、それ以外の点では共通性を有する。
【００７７】
尚、２２８はリード線が上記スルーホール導電膜２１８に挿入されて接続された電子部品である。
このように、本発明はクロスオーバー導電膜により同じ側の表面部に形成された配線膜どうしを電気的に接続するという態様でも実施することができる。
【００７８】
図１４（Ａ）、（Ｂ）は配線基板へのＩＣの実装例の要部を示す断面図である。
図１４において、２４０はＩＣ、２４２は該ＩＣ２４０がマウンティングされた配線板、２４４はその配線膜で、この配線膜２４４が上記配線基板の配線膜２０８’に突起導電膜２２０及び異方性導電膜２４６を介して接続される。
このように、突起導電膜２２０を形成した配線基板は、異方性導電膜２４６を他（例えばＩＣ２４０）と電気的接続手段として用いる技術に最適である。
というのは、配線基板の配線膜２０８’の他と接続すべき部分は、実質的に、突起導電膜２２０により高くなっているので、異方性導電膜２４６をその突起導電膜２２０により圧縮してその突起導電膜２２０の部分における導電性を局部的により有効に高めることができ、より良好な電気的接続性を有効、確実に得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、最外表面が平坦な配線基板とその製造方法に広く利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】（Ａ）〜（Ｋ）は本発明の第１の実施例の工程（Ａ）〜（Ｍ）のうちの工程（Ａ）〜（Ｋ）を順に示す断面図である。
【図２】（Ｌ）〜（Ｍ）は本発明の第１の実施例の工程（Ａ）〜（Ｍ）のうちの工程（Ｌ）〜（Ｍ）を順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の第２の実施例の工程（Ａ）〜（Ｍ）のうちの工程（Ａ）〜（Ｈ）を順に示す断面図である。
【図４】（Ｉ）〜（Ｍ）は本発明の第２の実施例の工程（Ａ）〜（Ｍ）のうちの工程（Ｉ）〜（Ｍ）を順に示す断面図である。
【図５】（Ｈ）〜（Ｊ）は、図３及び図４に示した本発明の第２の実施例の変形例を工程順に示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明の第３の実施例を工程順に示す断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の第４の実施例の最外層用配線部材の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の第４の実施例のコア配線板の加工とそのコア配線板への最外層用配線部材の一体化と最外層用配線部材への加工により配線基板を完成させる工程を順に示す断面図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第５の実施例を工程順に示す断面図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明の第６の実施例を工程順に示す断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第７の実施例の工程（Ａ）〜（Ｉ）のうちの工程（Ａ）〜（Ｆ）を順に示す断面図である。
【図１２】（Ｇ）〜（Ｉ）は本発明の第７の実施例の工程（Ａ）〜（Ｉ）のうちの工程（Ｇ）〜（Ｉ）を順に示す断面図である。
【図１３】図１１、図１２に示した方法で製造された配線基板の一つの変形例を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る配線基板への電子部品（ＩＣ）の実装例の一つを示す断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は絶縁層と配線層の表面を面一に形成する意義を説明するために従前の技術を示すもので、（Ａ）は配線板上をカバーフィルムで覆う前の状態を示し、（Ｂ）は覆った後の状態を示す。
【符号の説明】
【００８１】
２・・・配線部材  、４・・・キャリア膜、６・・・中間膜（エッチングバリア膜）、
８・・・配線膜形成用金属膜、１２・・・配線膜、
１４ａ・・・レジスト膜（マスク膜）、１６・・・開孔、１８・・・導電性ピラー、
２０・・・層間絶縁膜、３０・・・コア材、３２・・・配線部材、３４・・・接着剤、
４２・・・配線膜、４４・・・レジスト膜（マスク膜）、４６・・・開孔、
４８・・・導電性ピラー、５０・・・層間絶縁膜、５２・・・配線部材、
５４・・・キャリア膜、５８・・・中間膜（エッチングバリア膜）、６０・・・配線膜、
５９・・・配線膜形成用金属膜、６０・・・配線膜、７０・・・コア配線板、
７２・・・配線部材、７４・・・層間絶縁膜、７６・・・内部の配線膜、
７８・・・外部の配線膜、８０・・・層間接続用バンプ、８２・・・キャリア膜、
８４・・・中間膜（エッチングバリア膜）、８６・・・配線膜、８８・・・導電性ピラー、９０・・・層間絶縁膜、１００・・・三層金属材、１０２・・・キャリア膜、
１０４・・・中間膜（エッチングバリア膜）、１０６・・・配線膜形成用金属膜、
１０８・・・配線膜、１１０・・・レジスト膜（マスク膜）、１１４・・・導電性ピラー、
１１６・・・層間絶縁膜、１１８・・・最外層用配線部材、１２２・・・配線膜、
１２４・・・層間絶縁膜、１２６・・・金属膜、１２８・・・貫通孔、
１３０・・・スルーホール配線膜、
１３２・・・スルーホール配線膜内を埋める導電ペーストないし絶縁ペースト、
１３４・・・配線膜形成用金属膜、１３６・・・配線膜、１４０・・・三層金属材、
１４２・・・キャリア膜、１４４・・・中間膜（エッチングバリア膜）、
１４６・・・配線膜形成用下地膜、１４８・・・配線間形成用レジスト膜（マスク膜）、１５０・・・配線膜、１５２・・・導電性ピラー形成用レジスト膜、
１５６・・・導電性ピラー、１５８、１５８ａ・・・配線部材、１６０・・・層間絶縁膜、
２０８・・・配線膜、２０８’・・・他と接続される配線膜、２１０・・・絶縁層、
２１２・・・スルーホール形成用貫通孔、２１８・・・スルーホール導電膜、
２２０・・・突起導電膜、２２２・・・カバーフィルム、
２２６・・・クロスオーバー導電膜、２４０・・・配線基板に実装されるもの（ＩＣ）、
２４６・・・異方性導電膜。
【図１】
2006135277.tif 000003
【図２】
2006135277.tif 000004
【図３】
2006135277.tif 000005
【図４】
2006135277.tif 000006
【図５】
2006135277.tif 000007
【図６】
2006135277.tif 000008
【図７】
2006135277.tif 000009
【図８】
2006135277.tif 000010
【図９】
2006135277.tif 000011
【図１０】
2006135277.tif 000012
【図１１】
2006135277.tif 000013
【図１２】
2006135277.tif 000014
【図１３】
2006135277.tif 000015
【図１４】
2006135277.tif 000016
【図１５】
2006135277.tif 000017