(57)【要約】【課題】  液体の漏出や残留を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】  露光装置は、投影光学系ＰＬの像面側においてＸＹ平面内で互いに独立して移動可能な第１、第２ステージＳＴ１、ＳＴ２と、第１ステージと第２ステージとを近接又は接触した状態で、一緒に移動する駆動機構と、第１ステージ及び第２ステージの少なくとも一方のステージの上面に液体の液浸領域を形成する液浸機構とを備えており、一方のステージの上面から他方のステージの上面へ液浸領域を移動するとき、一方のステージの上面を他方のステージの上面よりも高くする。【選択図】        図５
2006135165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、
前記投影光学系の像面側においてその像面とほぼ平行な２次元平面内で互いに独立して移動可能な第１ステージ及び第２ステージと、
前記第１ステージと前記第２ステージとを近接又は接触した状態で、前記投影光学系の直下の位置を含む所定領域内で前記第１ステージと前記第２ステージとを一緒に移動する駆動機構と、
前記第１ステージ及び第２ステージの少なくとも一方のステージの上面に液体の液浸領域を形成する液浸機構とを備え、
前記第１ステージと前記第２ステージとを一緒に移動することによって、前記投影光学系と前記少なくとも一方のステージの上面との間に液体を保持した状態で、前記液浸領域を前記第１ステージの上面と前記第２ステージの上面との間で移動可能であり、
前記第１ステージ及び前記第２ステージのうち、一方のステージの上面から他方のステージの上面へ前記液浸領域を移動するとき、前記一方のステージの上面を他方のステージの上面よりも高くすることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１ステージ及び前記第２ステージのうち一方のステージは前記基板を保持して移動し、他方のステージは露光処理に関する計測を行う計測器を搭載して移動する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１ステージ及び前記第２ステージのそれぞれが基板を保持して移動する請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影光学系を介して基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影露光する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影露光するものである。また、このような露光装置には、スループットの向上等を目的として、投影光学系の像面側で互いに独立して移動可能な２つのステージを備えたものもある。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれている。その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献１に開示されているような、投影光学系と基板との間を液体で満たして液浸領域を形成し、その液浸領域の液体を介して露光処理を行う液浸露光装置が案出されている。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液体が漏出したり残留すると、その漏出あるいは残留した液体により、露光装置の置かれている環境（湿度等）が変動し、またはその液体が蒸発する際の気化熱により露光装置を構成する各部材の温度が変動し、露光精度や計測精度に影響を及ぼす虞がある。また、漏出あるいは残留した液体により、露光装置を構成する各種機器が故障したり、錆びが発生したり、その液体が蒸発する際に形成されるウォーターマークによって露光装置を構成する各部材が汚染される等の不都合が生じる虞がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体の漏出や残留を抑制できる露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図１〜図７に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、投影光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、投影光学系（ＰＬ）の像面側においてその像面とほぼ平行な２次元平面内（ＸＹ平面内）で互いに独立して移動可能な第１ステージ（ＳＴ１）及び第２ステージ（ＳＴ２）と、第１ステージ（ＳＴ１）と第２ステージ（ＳＴ２）とを近接又は接触した状態で、投影光学系（ＰＬ）の直下の位置を含む所定領域内で第１ステージ（ＳＴ１）と第２ステージ（ＳＴ２）とを一緒に移動する駆動機構（ＳＤ）と、第１ステージ（ＳＴ１）及び第２ステージ（ＳＴ２）の少なくとも一方のステージの上面（Ｆ１、Ｆ２）に液体（ＬＱ）の液浸領域（ＬＲ）を形成する液浸機構（１）とを備え、第１ステージ（ＳＴ１）と第２ステージ（ＳＴ２）とを一緒に移動することによって、投影光学系（ＰＬ）と少なくとも一方のステージの上面との間に液体（ＬＱ）を保持した状態で、液浸領域（ＬＲ）を第１ステージ（ＳＴ１）の上面（Ｆ１）と第２ステージ（ＳＴ２）の上面（Ｆ２）との間で移動可能であり、第１ステージ（ＳＴ１）及び第２ステージ（ＳＴ２）のうち、一方のステージの上面から他方のステージの上面へ液浸領域（ＬＲ）を移動するとき、一方のステージの上面を他方のステージの上面よりも高くする露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、第１ステージ及び第２ステージのうち、一方のステージの上面から他方のステージの上面へ液浸領域を移動するとき、一方のステージの上面を他方のステージの上面よりも高くすることで、第１ステージと第２ステージとの間から液体が漏出したり、ステージ上に液体が残留することを抑制できる。したがって、良好な露光精度及び計測精度を維持することができる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、露光処理及び計測処理を良好に行うことができるので、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、液体の漏出や残留を抑制できるので、露光精度及び計測精度を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００１２】
＜第１の実施形態＞
図１は第１の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージＳＴ１と、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載して移動可能な計測ステージＳＴ２と、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＳＴ１に保持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２のそれぞれは、ベース部材ＢＰ上に移動可能に支持され、互いに独立して移動可能となっている。基板ステージＳＴ１の下面Ｕ１には、ベース部材ＢＰの上面ＢＴに対して基板ステージＳＴ１を非接触支持するための気体軸受４１が設けられている。同様に、計測ステージＳＴ２の下面Ｕ２にも、ベース部材ＢＰの上面ＢＴに対して計測ステージＳＴ２を非接触支持するための気体軸受４２が設けられている。基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２のそれぞれは、投影光学系ＰＬの像面側において、その像面とほぼ平行な２次元平面内（ＸＹ平面内）で互いに独立して移動可能となっている。
【００１３】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成するための液浸機構１を備えている。液浸機構１は、投影光学系ＰＬの像面側近傍に設けられ、液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有するノズル部材７０と、ノズル部材７０に設けられた供給口１２を介して投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱを供給する液体供給機構１０と、ノズル部材７０に設けられた回収口２２を介して投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱを回収する液体回収機構２０とを備えている。ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬの像面側先端部を囲むように環状に形成されている。露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に転写している間、液体供給機構１０から供給した液体ＬＱにより投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。具体的には、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１と、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板Ｐ表面の一部との間の光路空間を液体ＬＱで満たす局所液浸方式を採用し、この投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐに照射することによってマスクＭのパターンを基板Ｐに投影露光する。
【００１４】
本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
【００１５】
基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２のそれぞれは、リニアモータ等を含む駆動機構ＳＤの駆動によって移動可能となっている。制御装置ＣＯＮＴは、駆動機構ＳＤを制御することで、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを近接又は接触した状態で、投影光学系ＰＬの直下を含む所定領域内で基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを、ＸＹ平面内で一緒に移動することができる。制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを一緒に移動することによって、投影光学系ＰＬと基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１及び計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２のうち少なくとも一方との間に液体ＬＱを保持した状態で、液浸領域ＬＲを基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と第２ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間で移動可能となっている。
【００１６】
本実施形態においては、基板ステージＳＴ１の側面のうち、上部の領域（上面Ｆ１を含む領域）は、上面Ｆ１の中央部より外側に向かって突出したオーバーハング部Ｈ１となっている。同様に、計測ステージＳＴ２の側面のうち、上部の領域（上面Ｆ２を含む領域）は、上面Ｆ２の中央部より外側に向かって突出したオーバーハング部Ｈ２となっている。そして、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１のうち＋Ｙ側の領域と、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２のうち−Ｙ側の領域とが近接又は接触するようになっている。
【００１７】
ここで、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とが「近接した状態」とは、液浸領域ＬＲを基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と第２ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間で移動したときに、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２との間から液体ＬＱが漏れ出ない程度に近接した状態を言い、両ステージＳＴ１、ＳＴ２の間隔の許容値は、両ステージの材質や表面処理、あるいは液体ＬＱの種類等により異なる。
【００１８】
また、露光装置ＥＸは、基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２の一方の上面Ｆ１（Ｆ２）から他方の上面Ｆ２（Ｆ１）へ液浸領域ＬＲを移動するときに、一方のステージＳＴ１（ＳＴ２）の上面Ｆ１（Ｆ２）を、他方のステージＳＴ２（ＳＴ１）の上面Ｆ２（Ｆ１）よりも高くするようになっている。
【００１９】
照明光学系ＩＬは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００２０】
本実施形態においては、液体ＬＱとして純水が用いられている。純水は、ＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。
【００２１】
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能である。マスクステージＭＳＴは、マスクＭを真空吸着（又は静電吸着）により保持する。マスクステージＭＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含む駆動機構ＭＤの駆動により、マスクＭを保持した状態で、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微少回転可能である。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡３１が設けられている。また、移動鏡３１に対向する位置にはレーザ干渉計３２が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及びθＺ方向の回転角（場合によってはθＸ、θＹ方向の回転角も含む）はレーザ干渉計３２によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計３２の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計３２の計測結果に基づいて駆動機構ＭＤを駆動し、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００２２】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４、１／５、あるいは１／８の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１は、鏡筒ＰＫより露出している。
【００２３】
基板ステージＳＴ１は、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有し、その基板ホルダＰＨを投影光学系ＰＬの像面側で移動可能である。基板ホルダＰＨは、例えば真空吸着等により基板Ｐを保持する。基板ステージＳＴ１上には凹部３６が設けられており、基板Ｐを保持するための基板ホルダＰＨは凹部３６に配置されている。そして、基板ステージＳＴ１のうち凹部３６以外の上面Ｆ１は、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面（平坦部）となっている。
【００２４】
基板ステージＳＴ１は、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含む駆動機構ＳＤの駆動により、基板Ｐを基板ホルダＰＨを介して保持した状態で、投影光学系ＰＬの像面側において、投影光学系ＰＬの像面とほぼ平行なＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。更に基板ステージＳＴ１は、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向にも移動可能である。したがって、基板ステージＳＴ１に支持された基板Ｐの表面は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージＳＴ１の側面には移動鏡３３が設けられている。また、移動鏡３３に対向する位置にはレーザ干渉計３４が設けられている。基板ステージＳＴ１上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計３４によりリアルタイムで計測される。また、露光装置ＥＸは、例えば特開平８−３７１４９号公報に開示されているような、基板ステージＳＴ１に支持されている基板Ｐ表面の面位置情報を検出する斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系（不図示）を備えている。フォーカス・レベリング検出系は、基板Ｐ表面の面位置情報（Ｚ軸方向の位置情報、及び基板ＰのθＸ及びθＹ方向の傾斜情報）を検出する。なお、フォーカス・レベリング検出系は、静電容量型センサを使った方式のものを採用してもよい。レーザ干渉計３４の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。フォーカス・レベリング検出系の検出結果も制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、駆動機構ＳＤを駆動し、基板Ｐのフォーカス位置（Ｚ位置）及び傾斜角（θＸ、θＹ）を制御して基板Ｐ表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計３４の計測結果に基づいて、基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向における位置制御を行う。
【００２５】
計測ステージＳＴ２は、露光処理に関する計測を行う各種計測器（計測用部材を含む）を搭載して投影光学系ＰＬの像面側で移動可能である。この計測器としては、例えば特開平５−２１３１４号公報などに開示されているような、複数の基準マークが形成された基準マーク板、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報に開示されているように照度ムラを計測したり、特開２００１−２６７２３９号公報に開示されているように投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するためのムラセンサ、特開２００２−１４００５号公報に開示されているような空間像計測センサ、及び特開平１１−１６８１６号公報に開示されているような照射量センサ（照度センサ）が挙げられる。計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２は、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と同様、平坦面（平坦部）となっている。
【００２６】
本実施形態では、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して露光光ＥＬによる基板Ｐを露光する液浸露光が行われるのに対応して、露光光ＥＬを用いる計測に使用される上記のムラセンサ、空間像計測センサ、照射量センサなどでは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して露光光ＥＬを受光することとなる。また、各センサは、例えば光学系の一部だけが計測ステージＳＴ２に搭載されていてもよいし、センサ全体が計測ステージＳＴ２に配置されるようにしてもよい。
【００２７】
計測ステージＳＴ２は、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含む駆動機構ＳＤの駆動により、計測器を搭載した状態で、投影光学系ＰＬの像面側において、投影光学系ＰＬの像面とほぼ平行なＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。更に計測ステージＳＴ２は、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向にも移動可能である。すなわち、計測ステージＳＴ２も、基板ステージＳＴ１と同様、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。計測ステージＳＴ２の側面には移動鏡３７が設けられている。また、移動鏡３７に対向する位置にはレーザ干渉計３８が設けられている。計測ステージＳＴ２の２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計３８によりリアルタイムで計測される。
【００２８】
なお図では、移動鏡３３、３７は、ステージＳＴ１、ＳＴ２のうち、オーバーハング部Ｈ１、Ｈ２に設けられているが、オーバーハング部の下側の領域に設けられてもよい。こうすることにより、液体ＬＱが上面Ｆ１、Ｆ２から流出しても、オーバーハング部Ｈ１、Ｈ２によって、移動鏡３３、３７に液体ＬＱが付着することを防止できる。
【００２９】
投影光学系ＰＬの先端近傍には、基板Ｐ上のアライメントマークと基準マーク板上の基準マークとを検出するオフアクシス方式のアライメント系ＡＬＧが設けられている。本実施形態のアライメント系ＡＬＧでは、例えば特開平４−６５６０３号公報に開示されているような、基板Ｐ上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標（アライメント系ＡＬＧ内に設けられた指標板上の指標パターン）の像とを撮像素子（ＣＣＤ等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するＦＩＡ（フィールド・イメージ・アライメント）方式が採用されている。
【００３０】
また、マスクステージＭＳＴの近傍には、投影光学系ＰＬを介してマスクＭ上のアライメントマークと対応する基準マーク板上の基準マークとを同時に観察するための露光波長の光を用いたＴＴＲ方式のアライメント系からなる一対のマスクアライメント系ＲＡａ、ＲＡｂがＹ軸方向に所定距離隔てて設けられている。本実施形態のマスクアライメント系では、例えば特開平７−１７６４６８号公報に開示されているような、マークに対して光を照射し、ＣＣＤカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するＶＲＡ（ビジュアル・レチクル・アライメント）方式が採用されている。
【００３１】
次に、液浸機構１の液体供給機構１０及び液体回収機構２０について説明する。液体供給機構１０は、液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側に供給するためのものであって、液体ＬＱを送出可能な液体供給部１１と、液体供給部１１にその一端部を接続する供給管１３とを備えている。供給管１３の他端部はノズル部材７０に接続されている。ノズル部材７０の内部には、供給管１３の他端部と供給口１２とを接続する内部流路（供給流路）が形成されている。液体供給部１１は、液体ＬＱを収容するタンク、加圧ポンプ、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部１１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３２】
液体回収機構２０は、投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱを回収するためのものであって、液体ＬＱを回収可能な液体回収部２１と、液体回収部２１にその一端部を接続する回収管２３とを備えている。回収管２３の他端部はノズル部材７０に接続されている。ノズル部材７０の内部には、回収管２３の他端部と回収口２２とを接続する内部流路（回収流路）が形成されている。液体回収部２１は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。
【００３３】
液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２はノズル部材７０の下面７０Ａに形成されている。ノズル部材７０の下面７０Ａは、基板Ｐ表面、及びステージＳＴ１、ＳＴ２の上面Ｆ１、Ｆ２と対向する位置に設けられている。ノズル部材７０は、第１光学素子ＬＳ１の側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口１２は、ノズル部材７０の下面７０Ａにおいて、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ）を囲むように複数設けられている。また、回収口２２は、ノズル部材７０の下面７０Ａにおいて、第１光学素子ＬＳ１に対して供給口１２よりも外側に設けられており、第１光学素子ＬＳ１及び供給口１２を囲むように設けられている。
【００３４】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０を使って基板Ｐ上に液体ＬＱを所定量供給するとともに、液体回収機構２０を使って基板Ｐ上の液体ＬＱを所定量回収することで、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する際、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給部１１及び液体回収部２１のそれぞれを駆動する。制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで液体供給部１１から液体ＬＱが送出されると、その液体供給部１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３を流れた後、ノズル部材７０の供給流路を介して、供給口１２より投影光学系ＰＬの像面側に供給される。また、制御装置ＣＯＮＴのもとで液体回収部２１が駆動されると、投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱは回収口２２を介してノズル部材７０の回収流路に流入し、回収管２３を流れた後、液体回収部２１に回収される。
【００３５】
図２は基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２を上方から見た図である。図２において、基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２を駆動するため駆動機構ＳＤは、リニアモータ８０、８１、８２、８３、８４、８５を備えている。駆動機構ＳＤは、Ｙ軸方向に延びる一対のＹ軸リニアガイド９１、９３を備えている。Ｙ軸リニアガイド９１、９３のそれぞれは、Ｘ軸方向に所定間隔を隔てて配置されている。Ｙ軸リニアガイド９１、９３のそれぞれは、例えばＹ軸方向に沿って所定間隔で且つ交互に配置されたＮ極磁石及びＳ極磁石の複数の組からなる永久磁石群を内蔵する磁石ユニットによって構成されている。一方のＹ軸リニアガイド９１上には、２つのスライダ９０、９４が、非接触状態でＹ軸方向に移動可能に支持されている。同様に、他方のＹ軸リニアガイド９３上には、２つのスライダ９２、９５が、非接触状態でＹ軸方向に移動可能に支持されている。スライダ９０、９２、９４、９５のそれぞれは、例えばＹ軸に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵するコイルユニットによって構成されている。すなわち、本実施形態では、コイルユニットからなるスライダ９０、９４と磁石ユニットからなるＹ軸リニアガイド９１とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータ８２、８４のそれぞれが構成されている。同様に、スライダ９２、９５とＹ軸リニアガイド９３とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータ８３、８５のそれぞれが構成されている。
【００３６】
Ｙ軸リニアモータ８２、８３を構成するスライダ９０、９２は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸リニアガイド８７の長手方向の一端部及び他端部のそれぞれに固定されている。また、Ｙ軸リニアモータ８４、８５を構成するスライダ９４、９５は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸リニアガイド８９の長手方向の一端部及び他端部のそれぞれに固定されている。したがって、Ｘ軸リニアガイド８７は、Ｙ軸リニアモータ８２、８３によってＹ軸方向に移動可能であり、Ｘ軸リニアガイド８９は、Ｙ軸リニアモータ８４、８５によってＹ軸方向に移動可能である。
【００３７】
Ｘ軸リニアガイド８７、８９のそれぞれは、例えばＸ軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルを内蔵するコイルユニットによって構成されている。Ｘ軸リニアガイド８９は、基板ステージＳＴ１に形成された開口部に挿入状態で設けられている。この基板ステージＳＴ１の開口部の内部には、例えばＸ軸方向に沿って所定間隔で且つ交互に配置されたＮ極磁石及びＳ極磁石の複数の組からなる永久磁石群を有する磁石ユニット８８が設けられている。この磁石ユニット８８とＸ軸リニアガイド８９とによって、基板ステージＳＴ１をＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ８１が構成されている。同様に、Ｘ軸リニアガイド８７は、計測ステージＳＴ２に形成された開口部に挿入状態で設けられている。この計測ステージＳＴ２の開口部には、磁石ユニット８６が設けられている。この磁石ユニット８６とＸ軸リニアガイド８７とによって、計測ステージＳＴ２をＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ８０が構成されている。
【００３８】
そして、一対のＹ軸リニアモータ８４、８５（又は８２、８３）のそれぞれが発生する推力を僅かに異ならせることで、基板ステージＳＴ１（又は計測ステージＳＴ２）のθＺ方向の制御が可能である。また、図では、基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２のそれぞれは単一のステージとして示されているが、実際には、Ｙ軸リニアモータによってそれぞれ駆動されるＸＹステージと、そのＸＹステージの上部にＺレベリング駆動機構（例えばボイスコイルモータなど）を介して搭載され、ＸＹステージに対してＺ軸方向及びθＸ、θＹ方向に相対的に微小駆動されるＺチルトステージとを備えている。そして、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨ（図１参照）は、Ｚチルトステージに支持される。
【００３９】
以下、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを用いた並行処理動作について、図２〜図４を参照しながら説明する。
【００４０】
図２に示すように、基板Ｐの液浸露光を行うとき、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２を、基板ステージＳＴ１と衝突しない所定の待機位置にて待機させる。そして、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを離した状態で、基板ステージＳＴ１に支持されている基板Ｐに対するステップ・アンド・スキャン方式の液浸露光を行う。基板Ｐの液浸露光を行うとき、制御装置ＣＯＮＴは、液浸機構１を使って、基板ステージＳＴ１上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する。
【００４１】
制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１において所定枚数の基板Ｐに対する液浸露光を終了した後、駆動機構ＳＤを使って計測ステージＳＴ２を移動し、図３（Ａ）に示すように、基板ステージＳＴ１に対して計測ステージＳＴ２を接触（又は近接）させる。
【００４２】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とのＹ軸方向における相対的な位置関係を維持しつつ、駆動機構ＳＤを使って、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを−Ｙ方向に同時に移動する。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触（又は近接）した状態で、投影光学系ＰＬの直下の位置を含む所定領域内で、−Ｙ方向に一緒に移動する。
【００４３】
制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを一緒に移動することによって、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間に保持されている液体ＬＱを、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１から計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２へ移動する。投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間に形成されていた液体ＬＱの液浸領域ＬＲは、基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２の−Ｙ方向への移動に伴って、基板Ｐ表面、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２の順に移動する。そして、液体ＬＱの液浸領域ＬＲが、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１から計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２で移動する途中においては、図３（Ｂ）に示すように、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とに跨るようにして同時に配置される。
【００４４】
図３（Ｂ）の状態から、更に基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２が一緒に−Ｙ方向に所定距離移動すると、図４（Ａ）に示すように、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と計測ステージＳＴ２との間に液体ＬＱが保持された状態となる。すなわち、液体ＬＱの液浸領域ＬＲが計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２に配置される。
【００４５】
次いで、制御装置ＣＯＮＴは、駆動機構ＳＤを使って基板ステージＳＴ１を所定の基板交換位置に移動するとともに、基板Ｐの交換を行い、これと並行して、計測ステージＳＴ２を使った所定の計測処理を必要に応じて実行する。この計測としては、例えばマスクステージＭＳＴ上の交換後に行われる、アライメント系ＡＬＧのベースライン計測が一例として挙げられる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴでは、計測ステージＳＴ２上に設けられた基準マーク板ＦＭ上の一対の第１基準マークとそれに対応するマスクＭ上のマスクアライメントマークとを上述のマスクアライメント系ＲＡａ、ＲＡｂを用いて同時に検出し、第１基準マークとそれに対応するマスクアライメントマークとの位置関係を検出する。これと同時に、制御装置ＣＯＮＴは、基準マーク板ＦＭ上の第２基準マークをアライメント系ＡＬＧで検出することで、アライメント系ＡＬＧの検出基準位置と第２基準マークとの位置関係を検出する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、上記第１基準マークとそれに対応するマスクアライメントマークとの位置関係と、アライメント系ＡＬＧの検出基準位置と第２基準マークとの位置関係と、既知の第１基準マークと第２基準マークとの位置関係とに基づいて、投影光学系ＰＬによるマスクパターンの投影中心とアライメント系ＡＬＧの検出基準位置との距離、すなわち、アライメント系ＡＬＧのベースラインを求める。図４（Ｂ）には、このときの状態が示されている。
【００４６】
そして、上述した両ステージＳＴ１、ＳＴ２上における処理が終了した後、制御装置ＣＯＮＴは、例えば計測ステージＳＴ２と基板ステージＳＴ１とを接触（又は近接）させ、その相対的な位置関係を維持した状態で、ＸＹ平面内で移動し、交換後の基板Ｐに対してアライメント処理を行う。ここで、基板Ｐ上には複数のショット領域が設けられており、それら複数のショット領域のそれぞれに付随してアライメントマークが設けられている。制御装置ＣＯＮＴは、アライメント系ＡＬＧによって交換後の基板Ｐ上のアライメントマークの検出を行い、基板Ｐ上に設けられた複数のショット領域それぞれのアライメント系ＡＬＧの検出基準位置に対する位置座標を算出する。
【００４７】
その後、制御装置ＣＯＮＴは、先ほどとは逆に、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とのＹ軸方向の相対的な位置関係を維持しつつ、両ステージＳＴ１、ＳＴ２を＋Ｙ方向に一緒に移動して、基板ステージＳＴ１（基板Ｐ）を投影光学系ＰＬの下方に移動した後、計測ステージＳＴ２を所定の位置に退避させる。これにより、液浸領域ＬＲが基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１に配置される。計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２から基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１へ液体ＬＱの液浸領域ＬＲを移動するときにも、液浸領域ＬＲは、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とに跨るようにして同時に配置される。
【００４８】
その後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐに対してステップ・アンド・スキャン方式の液浸露光動作を実行し、基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれにマスクＭのパターンを順次転写する。なお、基板Ｐ上の各ショット領域の露光のための加速開始位置への基板ステージＳＴ１の移動は、上述の基板アライメントの結果得られた基板Ｐ上の複数のショット領域の位置座標と、直前に計測したベースラインとに基づいて行われる。
【００４９】
なお、計測動作としては、上述のベースライン計測に限らず、計測ステージＳＴ２を使って、照度計測、照度ムラ計測、空間像計測などを、例えば基板交換と並行して行い、その計測結果に基づいて、例えば投影光学系ＰＬのキャリブレーション処理を行う等、その後に行われる基板Ｐの露光に反映させるようにしてもよい。
【００５０】
本実施形態においては、液体ＬＱの全回収、再度の供給といった工程を経ることなく、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間で移動することができるので、基板ステージＳＴ１における露光動作の終了から計測ステージＳＴ２における計測動作開始までの時間、及び計測ステージＳＴ２における計測終了から基板ステージＳＴ１における露光動作の開示までの時間を短縮して、スループットの向上を図ることができる。また、投影光学系ＰＬの像面側には、液体ＬＱが常に存在するので、液体ＬＱの付着跡（所謂ウォーターマーク）が発生することを効果的に防止できる。
【００５１】
上述のように、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１から計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２へ移動する途中、あるいは計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２から基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１へ移動する途中においては、液浸領域ＬＲは、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とに跨るようにして同時に配置される状態となる。
【００５２】
図５は、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１から計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２へ液浸領域ＬＲが移動するときの様子を示す側面図である。図５（Ａ）に示すように、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１から計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２へ液浸領域ＬＲを移動するとき、制御装置ＣＯＮＴは、駆動機構ＳＤを使って、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１を計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２よりもＺ軸方向に関して高くする。そして、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とのＺ軸方向に関する相対的な位置関係を維持した状態で、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを、更に−Ｙ方向に一緒に移動する。こうすることにより、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１やオーバーハング部Ｈ１の側面、あるいは計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２やオーバーハング部Ｈ２の側面に、液浸領域ＬＲから分離した液体ＬＱの一部が液滴（水滴）となって残留したり、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間のギャップＧから液体ＬＱが漏出する等の不都合の発生を防止しつつ、液浸領域ＬＲを計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２に移動できる。液体ＬＱの残留や漏出が防止されることで、露光装置ＥＸの置かれている環境の変動や、残留した液体ＬＱの気化熱による露光装置を構成する各部材の温度変動や、ステージ上に液体（液滴）の付着跡（所謂ウォーターマーク）が形成される不都合を防止でき、精度良く露光処理及び計測処理を行うことができる。なお、図５（Ｂ）には、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１から計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２への移動が完了し、その計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２に液浸領域ＬＲが配置されている状態が示されている。
【００５３】
同様に、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２から基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１へ液浸領域ＬＲを移動するとき、制御装置ＣＯＮＴは、駆動機構ＳＤを使って、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２を基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１よりもＺ軸方向に関して高くすることにより、液浸領域ＬＲから分離した液体ＬＱの一部が液滴（水滴）となって残留したり、液体ＬＱが漏出する不都合の発生を防止できる。
【００５４】
＜第２の実施形態＞
図６は、第２の実施形態に係る露光装置ＥＸ’を示す図である。図６に示す露光装置ＥＸ’は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な２つの基板ステージＳＴ１’、ＳＴ２’を有する、所謂ツインステージ型の露光装置である。図６に示す露光装置ＥＸ’においても、液浸領域ＬＲを、第１基板ステージＳＴ１’の上面Ｆ１’と第２基板ステージＳＴ２’の上面Ｆ２’との間で移動することができる。そして、上述の実施形態と同様、第１基板ステージＳＴ１’及び第２基板ステージＳＴ２’のうち、一方のステージの上面から他方のステージの上面へ液浸領域ＬＲを移動するときに、一方のステージの上面を他方のステージの上面よりも高くすることで、液体ＬＱの残留や漏出を防止することができる。
【００５５】
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。
【００５６】
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
【００５７】
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体ＬＱの極性に応じて行われる。
【００５８】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００５９】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００６０】
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００６１】
また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置にも適用可能である。
【００６２】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６３】
本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６４】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
【図２】基板ステージ及び計測ステージを上方から見た平面図である。
【図３】基板ステージ及び計測ステージの動作を説明するための図である。
【図４】基板ステージ及び計測ステージの動作を説明するための図である。
【図５】液浸領域を移動している状態を説明するための図である。
【図６】第２の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…液浸機構、ＣＯＮＴ…制御装置、ＥＸ…露光装置、Ｆ１…上面、Ｆ２…上面、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸領域、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系、ＳＤ…駆動機構、ＳＴ１…基板ステージ（第１ステージ）、ＳＴ２…計測ステージ（第２ステージ）
【図１】
2006135165.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006135165.tif 000005
【図４】
2006135165.tif 000006
【図５】
2006135165.tif 000007
【図６】
2006135165.tif 000008
【図７】
2006135165.tif 000009