(57)【要約】【課題】  十分な接続信頼性を得るのに最適な半田バンプを有する半導体部品の実装方法および実装装置を提供することを目的とする。【解決手段】  主面に複数の半田バンプ２９ａを有する半導体部品２９を加熱して半田バンプ２９ａを溶融する工程と、複数の接続パッド２８ａを有する基板２８の上方から、溶融半田バンプ２９ａを接続パッド２８に対向させて降下させる工程と、溶融半田バンプ２９ａと接続パッド２８の当接を、接続パッド間の電気特性に基づいて検知する工程と、検知信号により溶融半田バンプ２９ａの降下を停止する工程と、溶融半田バンプ２９ａと接続パッド２８とを接合する工程とを具備する。【選択図】  図２
2006005183.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の半田バンプを有する半導体部品を加熱して前記半田バンプを溶融する工程と、
主面に複数の接続パッドを有する基板の上方から前記溶融半田バンプを前記接続パッドに対向させて降下させる工程と、
前記溶融半田バンプと前記接続パッドの当接を前記接続パッド間の電気特性に基づいて検知する工程と、
前記検知信号により前記溶融半田バンプの降下を停止する工程と、
前記溶融半田バンプと前記接続パッドとを接合する工程と
を具備することを特徴とする半導体部品の実装方法。
【請求項２】
前記溶融半田バンプと前記接続パッドの当接を前記接続パッド間の電気特性に基づいて検知する工程は、電気的に接続された一対の前記半田バンプを有する半田バンプ対と、前記半田バンプ対に当接する一対の前記接続パッドを有する接続パッド対と、前記接続パッド対を外部回路に接続するための配線を具備する回路の電気抵抗を求め、その電気抵抗の変化から当接を検知することを特徴とする請求項１に記載の半導体部品の実装方法。
【請求項３】
前記溶融半田バンプと前記接続パッドの当接を前記接続パッド間の電気特性に基づいて検知する工程は、電気的に絶縁された一対の前記半田バンプを有する半田バンプ対と、電気的に絶縁され、前記半田バンプ対に当接する一対の前記接続パッドを有する接続パッド対と、前記接続パッド対を外部回路に接続するための配線を具備する回路のキャパシタンスを求め、そのキャパシタンスの変化から当接を検知することを特徴とする請求項１に記載の半導体部品の実装方法。
【請求項４】
前記半田バンプ対が、前記半導体部品の内部回路と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体部品の実装方法。
【請求項５】
主面に半田バンプを有する半導体部品を、主面に接続パッドを有する基板に実装する装置であって、
前記半導体部品または前記基板を搬送部に供給する部品供給部と、
前記部品供給部から取り出された前記半導体部品を保持するための保持チャックおよび前記半田バンプを加熱溶融するためのヒータを有する移載ヘッドと、
前記移載ヘッドと対向して配置され、前記部品供給部から取り出された前記基板を保持するための保持チャックおよび加熱するためのヒータを有するステージと、
前記ステージの上方から前記移載ヘッドを降下して前記溶融半田バンプを前記接続パッドに当接させ、前記半導体部品を前記基板に接合する半導体部品搭載部と、
前記溶融半田バンプと前記接続パッドの当接を、前記接続パッド間の電気特性に基づいて検知する電気特性検知手段と
を具備することを特徴とする半導体部品の実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田バンプを有する半導体部品を基板に実装する方法および実装する装置に係り、特に十分な接続信頼性を得るのに最適な半導体部品の実装方法および実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップの基板への実装において、接続確認用部品を用いてチップと基板の接続を確認する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に開示されたフリップチップ接続用部品、フリップチップ接続方法では、接続に用いるチップおよび基板をともに透明な板状部材とし、それぞれに接続精度確認用計測目盛を対応位置に設けている。
【０００４】
また、チップに設けたパッドパターンと基板に設けたパッドパターンを重ね合わせてチップと基板を接続すると、チップの各パッドと基板の各パッドとが基板に設けた２個の電気的導通確認用端子間に接続されてチェーンが形成されるディジーチェーン方式パターンを形成している。
【０００５】
この精度確認用計測目盛およびディジーチェーン方式パターンを有するフリップチップ接続部品またはフリップチップ接続確認用部品を用いてフリップチップ接続をおこない、接続精度および接続状態を確認するとともに、電気的導通の確認をおこなっている。
【０００６】
然しながら、上述した特許文献１に開示されたフリップチップ接続用部品、フリップチップ接続方法では透明な板状部材として透明ガラスを用いているので、接続後の精度を確認することはできるが、実際のチップと基板の接続状態を確認することは難しい。
【０００７】
何故ならば、個々のチップのバンプ高さにはばらつきがあり、個々のチップおよび基板の反りにもそれぞればらつきがあるので、接続状態を確認した条件とのズレが生じるためである。
【０００８】
その結果、接続時の押し込み量が不足の場合にバンプが基板に接続されない不良が生じ、反対に押し込み量が過大の場合にバンプが潰れて広がり、隣接したバンプと短絡する不良が生じる問題がある。
【０００９】
これにより、特にバンプの数が多く、隣接するバンプ間の間隔が狭い半田バンプを有する半導体部品を基板に接続する場合に、十分な接続信頼性が得られない問題がある。
【特許文献１】特開平１１−１９１５７５号公報（３頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、十分な接続信頼性を得るのに最適な半田バンプを有する半導体部品の実装方法および実装装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体部品の実装方法では、主面に複数の半田バンプを有する半導体部品を加熱して前記半田バンプを溶融する工程と、主面に複数の接続パッドを有する基板の上方から前記溶融半田バンプを前記接続パッドに対向させて降下させる工程と、前記溶融半田バンプと前記接続パッドの当接を前記接続パッド間の電気特性に基づいて検知する工程と、前記検知信号により前記溶融半田バンプの降下を停止する工程と、前記溶融半田バンプと前記接続パッドとを接合する工程とを具備することを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の一態様の半導体部品の実装装置では、主面に半田バンプを有する半導体部品を、主面に接続パッドを有する基板に実装する装置であって、前記半導体部品または前記基板を搬送部に供給する部品供給部と、前記部品供給部から取り出された前記半導体部品を保持するための保持チャックおよび前記半田バンプを加熱溶融するためのヒータを有する移載ヘッドと、前記移載ヘッドと対向して配置され、前記部品供給部から取り出された前記基板を保持するための保持チャックおよび加熱するためのヒータを有するステージと、前記ステージの上方から前記移載ヘッドを降下して前記溶融半田バンプを前記接続パッドに当接させ、前記半導体部品を前記基板に接合する半導体部品搭載部と、前記溶融半田バンプと前記接続パッドの当接を、前記接続パッド間の電気特性に基づいて検知する電気特性検知手段とを具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、溶融半田バンプが接続パッドに当接した状態を電気特性の変化によりリアルタイムで検知することができるので、過不足のない押し込み量で半導体部品を基板に接続することができる。
【００１４】
その結果、半田バンプが基板に接続されない不良や、隣接した半田バンプと短絡する不良の発生が防止され、十分な接続信頼性が得られる。従って、信頼性が高く、集積度の高い半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１６】
まず、本発明の実施例１に係る半導体部品の実装装置について、図１および図２を参照して説明する。図１は本発明の実施例１に係る半導体部品の実装装置の構成を示すブロック図、図２は半導体部品搭載部の構成を示すブロック図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体部品の実装装置１０は、基台（図示せず）の一方向に配設された搬送路１１と、搬送路１１の一側に配設された半導体部品供給部１２、基板供給部１３と、搬送路１１の他側に向かって配設されたフラックス塗布部１５、半導体部品搭載部１６、製品収納部１７とを有している。
【００１８】
更に、半導体部品搭載部１６に半田バンプと接続パッドとの当接を電気特性の変化により検知する電気特性検知部１８、電気特性検知部１８からの検知信号により半導体部品搭載部１６を制御する駆動制御部１９とを有している。
【００１９】
半導体部品供給部１２は、マガジンに収納された半田バンプを有する半導体部品、例えばＣＰＵやメモリなどのチップをローダーによりフラックス塗布部１５に供給する。基板供給部１３は、同じくマガジンに収納された接続パッドを有する基板、例えば多層配線基板をローダーによりフラックス塗布部１５に供給する。
【００２０】
フラックス塗布部１５は、半導体部品の半田バンプをフラックスが薄く塗布されたステージに当接させて、フラックスを半田バンプに転写して塗布する。
【００２１】
半導体部品搭載部１６は、半導体部品の半田バンプを基板の接続パッドに当接させて半導体部品を基板に載置し、半導体部品と基板を接続する。接続された半導体部品と基板は、製品収納部１７のマガジンに収納される。
【００２２】
次に、図２に示すように、半導体部品搭載部１６は、ステージ２１と移載ヘッド２２と、移載ヘッド２２の上下位置を検出するヘッド位置検出部２３とを有している。移載ヘッド２２は、搬送路１１に対して水平移動と昇降可能に配設され、真空チャック２４と、真空チャック２４に内蔵されたヒータ２５を有している。ステージ２１は真空チャック２６と、真空チャック２６に内蔵されたヒータ２７を有している。
【００２３】
基板２８は真空チャック２６により接続パッド２８ａを移載ヘッド２２側に向けて保持され、ヒータ２７により所定の温度、例えば１００℃〜２００℃に加熱される。
【００２４】
半導体部品２９は真空チャック２４により半田バンプ２９ａをステージ２１側に向けて保持され、ヒータ２５により半田バンプ２９ａが融解する所定の温度、例えば２００℃〜３００℃に加熱される。
【００２５】
電気特性検知部１８は、基板２８の電気特性検知用リード端子２８ｂに接続され、電気特性、例えば電気抵抗をモニターして電気抵抗が変化した時点を検知し、制御駆動部１９に通知する。
【００２６】
駆動制御部１９は、ヘッド位置検出部２３からのヘッド位置情報に基づいて移載ヘッド２２を降下させ、電気特性検知部１８からの検知信号に基づいて移載ヘッド２２の降下を停止させる。
【００２７】
即ち、駆動制御部１９の指令により移載ヘッド２２が降下し、半導体部品２９の溶融した半田バンプ２９ａを基板２８の接続パッド２８ａに当接させた後、馴染ませることにより溶融した半田バンプ２９ａと接続パッド２８ｂが接続される。
【００２８】
ヒータ２５、２７は、所定の温度に昇温できるものであれば特に限定されないが、真空チャック２４、２６に埋め込まれた薄膜ヒータなどが望ましい。
【００２９】
また、溶融した半田バンプ２９ａの表面が酸化するのを防止するために、真空チャック２４の近傍を非酸化性雰囲気に制御しておくことが望ましい。
【００３０】
次に、半導体部品の電気特性検知用半田バンプと基板の電気特性検知用接続パッドについて、図３乃至図５を用いて詳しく説明する。図３は半導体部品の電気特性検知用半田バンプを示す図で、図３（ａ）は半導体部品の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図４は基板の電気特性検知用接続パッドを示す図で、図４（ａ）は基板の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
【００３１】
また、図５は電気特性検知用半田バンプと半導体基板の内部回路との関係を示す断面図で、図５（ａ）は半田バンプが内部回路に接続されている場合を示す断面図、図５（ｂ）は半田バンプが内部回路に接続されていない場合を示す断面図である。
【００３２】
図３に示すように、半導体部品２９は主面に格子状に配列された複数の半田バンプ２９ａを有している。半田バンプ２９ａは半導体部品２９の内部回路の入出力端（図示せず）にそれぞれ接続されている。
【００３３】
電気特性検知用半田バンプ対３０は、電気特性検知用の一対の半田バンプ３１、３２が電気特性検知用配線３３で電気的に接続され、半導体部品２９の主面に、例えば中央部に配置されている。
【００３４】
図４に示すように、基板２８は多層配線基板で、主面に格子状に配列された複数の接続パッド２８ａと基板２８の外周側面に櫛歯状に配列された複数のリード端子２８ｂを有している。接続パッド２８ａは多層配線（図示せず）によりリード端子２８ｂにそれぞれ接続されている。
【００３５】
電気特性検知用接続パッド対４０は、電気特性検知用の一対の半田バンプ３１、３２に当接する電気特性検知用の一対の接続パッド４１、４２が電気特性検知用配線４３、４４で電気特性検知用リード端子４５、４６に電気的に接続され、基板２８の中央部に配置されている。
【００３６】
図５（ａ）に示すように、半導体部品２９は主面に形成された内部回路５１、例えばソース・ドレイン拡散層５２、５３と拡散層電極５２ａ、５３ａとゲート電極５４を備えたＭＯＳトランジスタを有している。
【００３７】
電気特性検知用の一対の半田バンプ３１、３２は半導体部品２９の主面上に順次形成された絶縁膜５５、金属配線５６、半田メッキ層５７を有する電気特性検知用配線３３で電気的に接続されている。
【００３８】
ここで、電気特性検知用の半田バンプ３１、３２および接続配線３３は内部回路５１と電気的に絶縁されているので、内部回路５１の影響を受けることなく、半導体部品２９の主面上に自由に配置することが可能である。
【００３９】
また、図５（ｂ）に示すように、金属配線５６を、接続部５８を介して金属電極５２ａと電気的に接続することにより、内部回路５１のＭＯＳトランジスタの出力が半田バンプ３１、３２と基板２８の接続パッド４１、４２を介してリード端子４５、４６から外部に出力される。これによれば、電気特性検出用の半田バンプ、接続パッド、リード端子の数を減らすことが可能である。
【００４０】
次に、半導体部品２９を基板２８に実装する方法について詳しく説明する。図６は半導体部品２９を基板２８に実装する工程を示すフローチャートである。
【００４１】
図６に示すように、トレイに収納された基板２８は移載ヘッド２２により取り出された後、搬送路１１に沿って搬送され、ステージ２１上に載置される。基板２８は真空チャック２６により接続パッド２８ａを移載ヘッド２２側に向けて保持され、ヒータ２７により半田バンプ２９ａが所定の温度、例えば１００℃〜２００℃に加熱される（ステップＳ０１）。
【００４２】
次に、トレイに収納された半導体部品２９は移載ヘッド２２により取り出された後、搬送路１１に沿って搬送され、基板２８と対向した位置に保持される。半導体部品２９は真空チャック２４により半田バンプ２９ａをステージ２１側に向けて保持され、ヒータ２５により半田バンプ２９ａが融解する所定の温度、例えば２００℃〜３００℃に加熱される（ステップＳ０２）。
【００４３】
次に、駆動制御部１９の指令により移載ヘッド２２が降下を開始し（ステップＳ０３）、電気特性検知部１８が電気特性検知用リード端子４５、４６間に所定の電圧を印加して電気抵抗を測定する（ステップＳ０４）。
【００４４】
電気抵抗は電気特性検知用半田バンプ３１、３２が電気特性検知用接続パッド４１、４２に当接するまでは高い抵抗値を示し、当接すると急激に低下して低い抵抗値を示すので、導通により当接したか否かが判断される。
【００４５】
次に、導通していなければステップＳ０４へ戻ってチェックを繰り返す（ステップＳ０５のＮＯ）。一方、導通していれば（ステップＳ０５のＹＥＳ）、移載ヘッド２２の降下を停止する（ステップＳ０６）。
【００４６】
次に、半田バンプ２９ａと接続パッド２８ａを当接した状態で馴染ませることにより、半田バンプ２７ａと接続パッド２８ｂが接続され、半導体部品２９の基板２８への実装が完了する（ステップＳ０７）。
【００４７】
次に、トレイに収納された全ての半導体部品２９が基板２８に実装された否かがチェックされ、実装が完了していなければステップＳ０１へ戻って次の実装をおこなう（ステップＳ０８のＮＯ）。一方、完了していれば（ステップＳ０８のＹＥＳ）、実装を終了する。
【００４８】
以上説明したように、実施例１に係る半導体部品の実装方法および実装装置によれは、溶融半田バンプが接続パッドに当接した状態を電気特性の変化によりリアルタイムで検知することができるので、過不足のない押し込み量で半導体部品を基板に接続することができる。
【００４９】
その結果、半田バンプが基板に接続されない不良や、隣接した半田バンプと短絡する不良の発生が防止できるので、十分な接続信頼性が得られる。従って、信頼性が高く、集積度の高い半導体装置を提供することができる。
【００５０】
ここでは、電気特性検知用半田バンプ３１、３２が電気特性検知用接続パッド４１、４２に当接した時点で、移載ヘッド２２の降下を停止する場合について説明したが、所定の距離だけ降下させて、更に半田バンプ２９ａと接続パッド２８ａを馴染み易くしても構わない。
【００５１】
また、電気特性検知用半田バンプ３１、３２が半導体部品の主面の中央部に隣接して設けられた場合について説明したが、内部回路のレイアウトに影響を及ぼさない範囲内で主面の任意の場所であっても構わなく、隣接していなくても構わない。
【実施例２】
【００５２】
図７および図８は本発明の実施例２に係る半導体部品の電気特性検知用半田バンプと基板の電気特性検知用接続パッドを示す図である。図７は半導体部品の電気特性検知用半田バンプを示す図で、図７（ａ）は半導体部品の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図８は基板の電気特性検知用接続パッドを示す図、図８は基板の電気特性検知用接続パッドを示す図で、図８（ａ）は基板の平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
【００５３】
本実施例において上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、複数の電気特性検知用半田バンプ対と接続パッド対を主面内に分散配置して、所謂ディジーチェーン方式のパターンとしたことにある。
【００５４】
即ち、図７に示すように、半導体部品２９の主面の中央部には半田バンプ３１、３２が配線３３で電気的に接続された電気特性検知用半田バンプ対６１が配置され、外周角部には同じく電気特性検知用半田バンプ対６２、６３、６４、６５が配置されている。
【００５５】
図８に示すように、基板２８の主面の中央部には電気特性検知用半田バンプ対６１に当接する電気特性検知用接続パッド対７１が配置され、外周角部には同じく電気特性検知用半田バンプ対６２、６３、６４、６５に当接する電気特性検知用接続パッド対７２、７３、７４、７５が配置されている。
【００５６】
電気特性検知用接続パッド対７１〜７５と電気特性検知用配線８１〜８６は交互に直列接続され、電気特性検知用配線８１、８６の一端は電気特性検知用リード端子７６、７７にそれぞれ接続されている。
【００５７】
即ち、電気特性検知用リード端子７６は電気特性検知用配線８１を介して電気特性検知用接続パッド対７２に接続され、電気特性検知用接続パッド対７２は電気特性検知用配線８２を介して電気特性検知用接続パッド対７１に接続され、電気特性検知用接続パッド対７１は電気特性検知用配線８３を介して電気特性検知用接続パッド対７３に接続され、電気特性検知用接続パッド対７３は電気特性検知用配線８４を介して電気特性検知用接続パッド対７４に接続され、電気特性検知用接続パッド対７４は電気特性検知用配線８５を介して電気特性検知用接続パッド対７５に接続され、電気特性検知用接続パッド対７５は電気特性検知用配線８６を介して電気特性検知用リード端子７７に接続されている。
【００５８】
半導体部品２９と基板２８を重ね合わせ、電気特性検知用半田バンプ対６１、６２、６３、６４、６５と電気特性検知用接続パッド対７１、７２、７３、７４、７５が全て当接すると電気特性検知用リード端子７６、７７間が導通する。これにより中央部から外周部にかけて全面均一に当接したか否かを知ることが可能である。
【００５９】
以上説明したように、実施例２に係る半導体部品の実装方法によれば、複数の電気特性検知用半田バンプ対と接続パッド対を主面内に分散配置して、ディジーチェーン方式のパターンとしたので、半導体部品２９の半田バンプ２９ａと基板２８の接続パッド２８ａを全面均一に接続することができる。
【実施例３】
【００６０】
図９はおよび図１０は本発明の実施例３に係る半導体部品の電気特性検知用半田バンプと基板の電気特性検知用接続パッドの構成を示す図で、図９は半導体部品の電気特性検知用半田バンプの構成を示す平面図、図１０は基板の電気特性検知用接続パッドの構成を示す平面図である。
【００６１】
本実施例において上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、接続パッド間の電気特性としてキャパシタンスを測定するようにしたことである。
【００６２】
即ち、図９に示すように、半導体部品２９の主面の外周部に、半導体部品２９の接地配線９１に接続された接地用半田バンプ９２と、ダミー配線９３に接続された電気特性検知用半田バンプ９４が配置されている。
【００６３】
接地用半田バンプ９２と電気特性検知用半田バンプ９４は電気的に絶縁されているので、接地配線９１とダミー配線９３間には浮遊容量Ｃｓ１が存在する。この浮遊容量Ｃｓ１は接地配線９１とダミー配線９３間の浮遊容量、接地配線９１の近傍の半田バンプ２９ａ間の浮遊容量、およびダミー配線９３の近傍の半田バンプ２９ａ間の浮遊容量などを含んでいる。
【００６４】
図１０に示すように、基板２８の主面の外周部に半導体部品２９の接地用半田バンプ９２が接続される接地用接続パッド９５と、電気特性検知用半田バンプ９４が接続される電気特性検知用接続パッド９６が配置されている。
【００６５】
接地用接続パッド９５は接地配線９５ａを介して接地用リード端子９７と、基板２８の接地線９５ｂに接続されている。電気特性検知用半田バンプ９６は電気特性検知用配線９６ａを介して電気特性検知用リード端子９８に接続されている。
【００６６】
接地用接続パッド９５と電気特性検知用接続パッド９６は電気的に絶縁されているので、接地用接続パッド９５と電気特性検知用接続パッド９６間には浮遊容量Ｃｓ０が存在する。この浮遊容量Ｃｓ０は接地配線９５ａ、電気特性検知用配線９６ａ間の浮遊容量、接地配線９５ｂの近傍の接続パッド２８ａ間の浮遊容量、および電気特性検知用配線９６ａの近傍の接続パッド２８ａ間の浮遊容量などを含んでいる。
【００６７】
半導体基板２９の接地用半田バンプ９２と電気特性検知用半田バンプ９４が基板２８の接地用接続パッド９５と電気特性検知用接続パッド９６が当接すると、接地用接続パッド９５と電気特性検知用接続パッド９６間の浮遊容量Ｃｓ０に接地用半田バンプ９２と電気特性検知用半田バンプ９４間の浮遊容量Ｃｓ１が並列接続される。
【００６８】
これにより、接地用リード端子９７と電気特性検知用リード端子９８間のキャパシタンスＣｓが、Ｃｓ０からＣｓ０＋Ｃｓ１になるので、キャパシタンスＣｓを測定することにより半田バンプ２９ａと接続配線２８ａとの当接を検知することが可能である。
【００６９】
以上説明したように、実施例３に係る半導体部品の実装方法によれば、キャパシタンスの測定に接地用半田バンプ９２と接地用接続パッド９５を利用しているので、電気特性検知用半田バンプ９４と電気特性検知用接続パッド９６がそれぞれ１つで済む利点がある。
【００７０】
ここでは、ダミー配線９３が接続された電気特性検知用半田バンプ９４と電気特性検知用接続パッド９６をそれぞれ専用に設けた場合について説明したが、必要な浮遊容量Ｃｓ１が得られる範囲において、入出力用半田バンプと入出力用接続パッドを使用しても構わない。
【００７１】
また、半導体部品２９内にキャパシタンス回路を形成し、キャパシタンス回路をダミー配線９３に接続して浮遊容量Ｃｓ１を増加させても構わない。これによれば、キャパシタンスＣｓを測定する際に、ノイズによる影響を未然に防ぐことが可能である。
【００７２】
上述した実施例では、低融点金属バンプによる溶融接続の場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、熱圧着や超音波接続される金属バンプに適用しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施例１に係る半田バンプを有する半導体部品の実装装置の構成を示すブロック図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体部品搭載部の構成を示す断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体部品の電気特性検出用半田バンプの構成を示す図で、図３（ａ）はその平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る基板の電気特性検出用接続パッドの構成を示す図で、図４（ａ）はその平面図、図4（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体部品の電気特性検出用半田バンプと内部回路の接続関係を示す図で、図５（ａ）は電気特性検出用半田バンプと内部回路が接続されていない状態を示す断面図、図５（ｂ）は電気特性検出用半田バンプと内部回路が接続された状態を示す断面図。
【図６】本発明の実施例１に係る半田バンプを有する半導体部品の実装工程を示すフローチャート。
【図７】本発明の実施例２に係る半導体部品の電気特性検出用半田バンプの構成を示す図で、図７（ａ）はその平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。
【図８】本発明の実施例１に係る基板の電気特性検出用接続パッドの構成を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。
【図９】本発明の実施例３に係る半導体部品の電気特性検出用半田バンプの構成を示す平面図。
【図１０】本発明の実施例３に係る基板の電気特性検出用接続パッドの構成を示す平面図。
【符号の説明】
【００７４】
１０  実装装置
１１  搬送路
１２  半導体部品供給部
１３  基板供給部
１５  フラックス塗布部
１６  半導体部品搭載部
１７  製品収納部
１８  電気特性検知部
１９  駆動制御部
２１  移載ヘッド
２２  ステージ
２３  ヘッド位置検出部
２４、２６  真空チャック
２５、２７  ヒータ
２８  基板
２８ａ  接続パッド
２８ｂ  リード端子
２９  半導体部品
２９ａ  半田バンプ
３０、６１、６２、６３、６４、６５  電気特性検知用半田バンプ対
３１、３２、９４  電気特性検知用半田バンプ
３３、４３、４４、８１、８２、８３、８４、８５、８６、９６ａ  電気特性検知用配線
４０、７１、７２、７３、７４、７５  電気特性検知用接続パッド対
４１、４２、９６  電気特性検知用接続パッド
４５、４６、７６、７７、９８  電気特性検知用リード端子
５１  内部回路
５２、５３  拡散層
５２ａ、５３ａ  拡散層電極
５４  ゲート電極
５５  絶縁膜
５６  金属配線
５７  半田メッキ層
５８  接続部
９１、９５ａ、９５ｂ  接地配線
９２  接地用半田バンプ
９３  ダミー配線
９５  接地用接続パッド
９７  接地用リード端子
Ｃｓ０、Ｃｓ１  浮遊容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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