(57)【要約】【課題】  透過表示形態と反射表示形態とでの表示の視認性の差を少なくし、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られる半透過反射型の液晶表示装置を提供する。【解決手段】  半透過反射型の液晶表示装置において、透過部３０上の液晶層厚ｄＴと反射部３５上の液晶層厚ｄＲが異なる値とされ、透過部３０と反射部３５とで液晶層５に印加される電圧を揃えるための誘電体層８０が画素電極１１上に形成されている液晶表示装置とする。【選択図】    図１
2006285128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に共通電極が形成され、前記他方の基板の液晶層側に複数のスイッチング素子が形成され、これらのスイッチング素子が絶縁膜に覆われ、該絶縁膜上に前記スイッチング素子と電気的に接続された光反射性の画素電極が複数形成される一方、前記画素電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、該窪部の底部側に少なくとも位置するとともに前記スイッチング素子に電気的に接続された透明電極が、前記他方の基板上に直接位置するように形成され、
前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記画素電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、
前記液晶層に印加される電圧を調整するための誘電体層が前記画素電極上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子が、ソース電極とドレイン電極とゲート電極を具備する薄膜トランジスタからなり、前記ソース電極に前記画素電極と前記透明電極とが前記薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、前記薄膜トランジスタにより前記画素電極と前記透明電極が駆動自在とされていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、前記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、前記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記光透過性の電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、  
前記液晶層に印加される電圧を調整するための誘電体層が前記光反射性の電極上に形成されていることを特徴とする単純マトリクス型の液晶表示装置。
【請求項４】
前記誘電体層が平坦化層を兼ねることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記誘電体層の比誘電率が１．５〜２．８の範囲であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記誘電体層の平均厚さが０．６〜１．３μｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記誘電体層が、有機系化合物、シリコンまたは金属元素のフッ化物、酸化物あるいはカルコゲナイドから選択される薄膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記有機系化合物が、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系  あるいはこれらからなる変性樹脂であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記シリコンまたは金属元素のフッ化物、酸化物あるいはカルコゲナイドが、MgF2, CaF2, SiO2, Al2O3, CeF2, MgO, SiO, ZrO2 から選択されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶が、スーパーツイステッドネマチック液晶であることを特徴とする請求項３ないし９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の液晶表示装置を表示部に備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外光反射を利用しての反射表示とバックライトを利用しての透過表示との両方を行うことができる半透過反射型の液晶表示装置に係わり、詳しくは反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの半透過反射型の液晶表示装置とそれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置にバックライトを併設し、反射型液晶表示装置を部分的に透過表示可能な構成とした半透過反射型の液晶表示装置が広く使用されている。（特許文献１、２参照）
特許文献１および特許文献２に記載の半透過反射型の液晶表示装置では、１つの画素に反射表示領域と透過表示領域を作り込み、反射表示領域のセルギャップ（液晶層厚）を透過表示領域のセルギャップの半分程になるように作り込むデュアルギャップタイプ構造とされる。これは、反射表示領域では外部から入射した光が観察者に到達するまでの間に２回液晶層を通過するのに対して、透過表示領域では光が１回のみ液晶層を通過して観察者に到達するので、反射表示形態で光が液晶層を２回通過する際の光路と、透過表示形態で光が１回液晶層を通過する際の光路とを均一化して、透過表示領域と反射表示領域とで光路差に起因する表示の色付きやコントラスト、色味のバラツキを防止したものである。
【０００３】
しかしながら、デュアルギャップタイプ構造の半透過反射型の液晶表示装置とした場合であっても、透過表示形態のときと反射表示形態のときとでは同一の駆動電圧を印加した場合に、コントラストが異なってしまうため、透過表示形態と反射表示形態とでの表示の視認性の差を少なくすることが要求されていた。
【０００４】
また、バックライトを備えた液晶表示装置において、コントラストを適正に設定する技術として、バックライトの点灯／消灯に応じたコントラスト調整を可能とする技術がある（例えば、特許文献３、４参照）。
【特許文献１】特願２０００−１７１７９４号公報
【特許文献２】特許第３２３５１０２号公報
【特許文献３】特開２００１−３４３９３８号公報
【特許文献４】特開平１０−９６８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、デュアルギャップタイプ構造の半透過反射型の液晶表示装置は、一般に、透過表示領域と反射表示領域とで表示電極が相互接続されて同一電圧とされているので、駆動電圧を個別に設定することができない。このため、特許文献３および特許文献４に記載の技術は、デュアルギャップタイプ構造の半透過反射型の液晶表示装置に適用できなかった。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みて創案されたもので、反射表示領域のセルギャップと透過表示領域のセルギャップとが異なるマルチギャップタイプ（デュアルギャップタイプ）の半透過反射型の液晶表示装置において、透過表示形態と反射表示形態とでの表示の視認性の差を少なくし、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られる半透過反射型の液晶表置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶表示装置は、対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に共通電極が形成され、前記他方の基板の液晶層側に複数のスイッチング素子が形成され、これらのスイッチング素子が絶縁膜に覆われ、該絶縁膜上に前記スイッチング素子と電気的に接続された光反射性の画素電極が複数形成される一方、前記画素電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、該窪部の底部側に少なくとも位置するとともに前記スイッチング素子に電気的に接続された透明電極が、前記他方の基板上に直接位置するように形成され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記画素電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、前記液晶層に印加される電圧を調整するための誘電体層が前記画素電極上に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、上記の液晶表示装置では、前記スイッチング素子が、ソース電極とドレイン電極とゲート電極を具備する薄膜トランジスタからなり、前記ソース電極に前記画素電極と前記透明電極とが、前記薄膜トランジスタを介して電気的に接続され、前記薄膜トランジスタにより前記画素電極と前記透明電極が駆動自在とされているものとすることができる。
【０００９】
また、本発明の液晶表示装置は、対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、前記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、前記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記光透過性の電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、前記液晶層に印加される電圧を調整するための誘電体層が前記光反射性の電極上に形成されている単純マトリクス型液晶表示素子であることを特徴とする。
【００１０】
また、上記のいずれかに記載の液晶表示装置では、前記誘電体層が平坦化層を兼ねるものとすることができる。
【００１１】
また、上記のいずれかに記載の液晶表示装置では、誘電体層の比誘電率が１．５〜２．８の範囲であるものとすることができる。
【００１２】
また、上記のいずれかに記載の液晶表示装置では、誘電体層の平均厚さが０．６〜１．３μｍの範囲であるものとすることができる。
【００１３】
また、上記のいずれかに記載の液晶表示装置では、誘電体層が、有機系化合物、シリコンまたは金属元素のフッ化物、酸化物あるいはカルコゲナイドから選択される薄膜であるものとすることができる。また、上記の液晶表示装置では、前記有機系化合物が、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系  あるいはこれらからなる変性樹脂であるものとすることができる。また、上記の液晶表示装置では、シリコンまたは金属元素のフッ化物、酸化物あるいはカルコゲナイドが、MgF2, CaF2, SiO2, Al2O3, CeF2, MgO, SiO, ZrO2 から選択されるものとすることができる。であるものとすることができる。
【００１４】
また、上記の単純マトリクス型の液晶表示装置では、前記液晶が、スーパーツイステッドネマチック（Super-Twisted Nematic）液晶であるものとすることができる。
【００１５】
また、本発明の電子機器は、上記いずれかに記載の液晶表示装置を表示部に備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、反射表示領域のセルギャップと透過表示領域のセルギャップとが異なるマルチギャップタイプの半透過反射型の液晶表示装置において、液晶層に印加される電圧を調整するための誘電体層が形成されているので、基板間に同じ大きさの駆動電圧を印加した場合に、反射部を構成する画素電極（あるいは光反射性の電極）から液晶に印加される電圧が小さくなり、透過部と反射部とにおける液晶層へ印加される電圧実効値を揃えることができ、透過表示形態と反射表示形態のいずれの表示状態においても、同一画素領域内で透過部上の液晶層（透過表示領域の液晶層）と反射部上の液晶層（反射表示領域の液晶層）の駆動電圧印加時の透過度および反射度、あるいは透過率および反射率の電圧依存性を略同じに揃えることができる。
よって、従来の液晶表示表置と比較して、透過表示形態と反射表示形態とでの表示の視認性の差が少なく、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られるアクティブマトリクス方式あるいは単純マトリクス方式の半透過反射型の液晶表示表置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面により本発明の一実施形態としての半透過反射型の液晶表示装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせて示してある。
図１〜図９は本発明に係る半透過反射型の液晶表示装置の第１の実施形態を示すものである。図２に示すように、第１実施形態の液晶表示装置Ａは、本体である液晶パネル１と、この液晶パネル１の背面側に配されたバックライト４とを備えて構成されている。液晶パネル１は、図２に示すように、スイッチング素子が形成された側のアクティブマトリクス基板（他方の基板）２と、それに対向して設けられた対向基板（一方の基板）３と、アクティブマトリクス基板２と対向基板３との間に保持されている光変調層としての液晶層５とを備えて構成されている。液晶層５としては、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence），ＶＡ（vertical aligned），ＭＶＡ（multi-domain vertical aligned），ＩＰＳ（in-plane switching），ＨＡＮ(hybrid aligned nematic：垂直と水平の配向の組み合わせ)、ＯＣＢ等のモードが採用される。
【００１８】
アクティブマトリクス基板２は、図１、図３または図４に示すように、ガラスやプラスチック等からなる透明の基板本体６上に、それぞれ行方向（図３、図４のｘ方向）と列方向（図３、図４のｙ方向）に複数の走査線７と信号線８が電気的に絶縁されて形成され、各走査線７、信号線８の交差部の近傍にＴＦＴ（スイッチング素子）１０が形成されている。
上記基板本体６上において、画素電極１１が形成される領域、ＴＦＴ１０が形成される領域、走査線７及び信号８が形成される領域を、それぞれ画素領域、素子領域、配線領域と呼称することができる。
【００１９】
本実施形態のＴＦＴ１０は、逆スタガ型の構造を有し、基板本体６の最下層部から順にゲート電極１３、ゲート絶縁膜１５、ｉ型半導体層１４、ソース電極１８及びドレイン電極１７が形成され、ｉ型半導体層１４の上であってソース電極１８とドレイン電極１７との間にはエッチングストッパ層９が形成されている。
即ち、走査線７の一部が延出されてゲート電極１３が形成され、これを覆ったゲート絶縁膜１５上にゲート電極１３を平面視で跨るようにアイランド状のｉ型半導体層１４が形成され、このｉ型半導体層１４の両端側の一方にｎ型半導体層１６を介してソース電極１８、他方にｎ型半導体層１６を介してドレイン電極１７がそれぞれ形成されている。
【００２０】
また、走査線７と信号線８とが囲む矩形状の各領域の中央部側にＩＴＯなどの透明電極材料からなる透明電極１９が、基板本体６上に直接位置するように形成されている。従って、透明電極１９は、図１に示すように、ゲート電極１３と同一面位置に形成されている。これらの透明電極１９は、その一端１９ａに乗り上がる形で接続された先のソース電極１８の一端の接続部１７ａに直に接続されるとともに平面視短冊状に形成されている。この透明電極１９は、図３に示すように走査線７と信号線８とが囲む矩形状の領域の縦幅より若干短く、先の矩形状の領域の横幅の数分の１程度の大きさに形成されている。
【００２１】
基板本体６はガラスの他、合成樹脂等の絶縁性透明基板からなる。ゲート電極１３は導電性の金属材料からなり、図３に示すように行方向に配設される走査線７と一体に形成されている。ゲート絶縁膜１５は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｙ）等のシリコン系の絶縁膜からなり、走査線７及びゲート電極１３を覆うように、かつ、透明電極１９を覆わないようにして基板上に形成されている。なおここで、ゲート絶縁膜１５を形成する位置は、少なくとも透明電極１９とドレイン電極１７の接続部分を除く位置とする必要があるので、この実施形態では透明電極１９上にゲート絶縁膜１５を形成していないが、透明電極１９においてドレイン電極１７との接続部分のみを除くように透明電極１９上にゲート絶縁層１５を形成しても差し支えない。
【００２２】
ｉ型半導体層１４は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなり、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１３と対向する領域がチャネル領域として構成される。ドレイン電極１７及びソース電極１８は導電材料からなり、ｉ型半導体層１４上に、チャネル領域を挟むように対向して形成されている。また、ソース電極１８は列方向に配設される信号線８から個々に延出されて形成されている。
なお、図１に示すように、ｉ型半導体層１４とドレイン電極１７及びソース電極１８との間で良好なオーミック接触を得るために、半導体層１４と各電極１７、１８との間には、リン（Ｐ）等のＶ族元素を高濃度にドープしたｎ型半導体層（オーミックコンタクト層）１６が設けられている。
【００２３】
また、図１に示すように、基板本体６上には有機材料からなる絶縁膜２０が積層され、絶縁膜２０上にＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料からなる光拡散反射性の画素電極１１が形成されている。
画素電極１１は、図４に示すように、走査線７と信号線８とが囲む矩形状の領域よりも若干小さくなるような平面視矩形状になるように絶縁膜２０上に形成され、平面視した場合に上下左右に並ぶ画素電極１１どうしが短絡しないように所定の間隔をあけてマトリクス状に配置されている。即ち、画素電極１１は、それらの端辺がそれらの下に位置する走査線７及び信号線８に沿うように配置されており、走査線７と信号線８が区画する領域のほぼ全域を画素領域とするように形成されている。なお、この画素領域が液晶パネル１での表示領域に相当する。
【００２４】
絶縁膜２０は、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテンポリマ（ＢＣＢ）等からなる有機絶縁膜とされており、ＴＦＴ１０の保護機能を強化するようになっている。この絶縁膜２０は基板本体６上に比較的厚く積層され、画素電極１１とＴＦＴ１０及び各種配線との絶縁を確実にし、画素電極１１との間に大きな寄生容量が発生するのを防止するとともに、厚膜の絶縁膜２０によりＴＦＴ１０や各種配線によって形成された基板本体６上の段差構造が平坦化されるようになっている。
【００２５】
図１に示すように、絶縁膜２０において各ソース電極１７の一端部１７ａに達するようにコンタクトホール２１が形成されるとともに、各透明電極１９の上に位置するように窪部２２が形成されている。窪部２２の位置に相当する部分の画素電極１１には、図１および図４に示すように、窪部２２の開口部２２ａに合致するような平面形状の透孔２３が形成されている。図１に示すように、これらの窪部２２は、絶縁膜２０をその深さ方向に大部分除去してその底部２２ｂ側に一部分のみを被覆層２０ａとして残すように形成され、窪部２２の平面形状は、透明電極１９の平面形状に対応するように透明電極１９よりも若干短い短冊状に形成されている。
図１および図４に示すように、各画素領域において、窪部２２の形成部分が基板２側からの入射光（バックライト４から出射された光）を透過する透過部３０とされており、画素電極１１の非透孔部（透孔２３が形成されていない部分）が基板３側からの入射光を反射する反射部３５とされている。
【００２６】
また、画素電極１１の１つが、ほぼ１つの画素領域に対応し、透孔２３の面積が透過表示の際の光通過領域に対応するので、先の画素電極１１の面積に占める透孔２３の面積割合を２０〜５０％の範囲とすることが好ましい。更に、この実施形態では画素電極１１に透孔２３を１つのみ形成したが、画素電極１１に複数の透孔を形成しても良い。その場合に複数の透孔を合わせた総面積を画素電極１１の面積の２０〜５０％の範囲とする。勿論その場合に複数の透孔の形成位置に合わせて各透孔の下にそれぞれ凹部を設けることとなる。
【００２７】
図１に示すように、コンタクトホール２１には、導電材料からなる導電部２５が形成され、この導通部２５を介して、画素電極１１と、絶縁膜２０の下層側に配置されたドレイン電極１７とが電気的に接続されている。従って、ドレイン電極１７は、画素電極１１と透明電極１９の両方に電気的に接続されている。
【００２８】
ところで、絶縁膜２０の表面には、画素領域に対応する位置に、所定の凹凸形状を有する押圧ツール、例えば転写型を絶縁膜２０の表面に圧着する等して形成された複数の凹部２６が設けられている。この絶縁膜２０の表面に形成された複数の凹部２６は、図５に示すように画素電極１１に所定の表面凹部形状２８を付与し、画素電極１１に形成された複数の凹部２７によって液晶パネルに入射した光は一部散乱され、より広い観察範囲でより明るい表示が得られるような拡散反射機能が付与されている。また、図５に示すように各凹部２７は左右に隣接したものが互いにそれらの開口部側の内面の一部を連続させて隣接するように密接配置されている。
【００２９】
凹部２７の内面は、この実施形態では球面状に形成され、画素電極１１に所定角度（例えば３０°）で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として広い範囲で略対称となるようになっている。具体的には、図６に示すように凹部２７の内面の傾斜角θｇは、例えば−１８°〜＋１８°の範囲に設定されている。また、隣接する凹部２７のピッチはランダムとなるように配置されており、凹部２７の配列に起因するモアレの発生を防止できるようになっている。
また、製造の容易性から凹部２７の直径は５μｍ〜１００μｍに設定されている。さらに、凹部２７の深さは０.１μｍ〜３μｍの範囲に形成されている。
なお、図４に示す画素電極１１の平面形状では図面の簡略化のために画素電極１１上の凹部２７を略しているが、画素電極１１は通常の液晶パネルでは縦１００〜２００μｍ程度、横幅３０〜９０μｍ程度の大きさであるので、先の凹部２７の画素電極１１に対する相対的な大きさの一例を図４の１つの画素上に鎖線で示しておく。
【００３０】
ここで、「凹部２７の深さ」とは、凹部２７が形成されていない部分の画素電極１１の表面から凹部２７の底部までの距離をいい、「隣接する凹部２７のピッチ」とは、平面視したときに円形形状を有する凹部２７の中心間距離をいう。また、「凹部２７の内面の傾斜角」とは、図６に示すように、凹部２７の内面の任意の箇所において、微小な区間例えば０.５μｍ幅の微小な範囲をとったときに、その微小範囲内における斜面の水平面（基板本体６の表面）に対する角度θｇのことである。この角度θｇの正負は、凹部２７が形成されていない部分の画素電極１１の表面に立てた法線に対し、例えば図６における右側の斜面を正、左側の斜面を負と定義する。
【００３１】
また、図１に示すように、画素電極１１を覆うように、液晶層５に印加される電圧を調整するための誘電体層８０が形成されている。誘電体層８０は、画素電極１１上の段差構造を平坦化する平坦化層を兼ねている。
誘電体層８０としては、可視光領域に顕著な吸収・着色のないもので、密な膜質を有する薄膜、例えば、硬質安定な有機系化合物（アクリル系、エポキシ系、スチレン系、ポリイミド系、ウレタン系  あるいはこれらの変性樹脂類）が好適に利用できるが、シリコンあるいは金属元素のフッ化物、酸化物あるいはカルコゲナイド等も必要な厚みで均一な膜が得られる場合には使用可能である。シリコンあるいは金属元素のフッ化物、酸化物あるいはカルコゲナイドとしては、例えば、MgF2、CaF2、  SiO2、  Al2O3、  CeF3、  MgO、  SiO、  ZrO2、TiO2、CeO2等を用いることができる。
これらの材料、例えば有機系化合物の樹脂類では、ロールコータやスピンコータ塗布の後、フォトリソグラフィを用いる方法、あるいはフレキソ印刷法やインクジェット印刷法等を用いて所定パターンで膜形成することが可能である。
一方シリコンあるいは金属元素のフッ化物、酸化物あるいはカルコゲナイドの薄膜を使用する場合には、それらのシリコンあるいは金属元素の中間有機化合物を用いて、いわゆる紫外線を併用した「ゾル・ゲル法」、ＣＶＤ法等で成膜することができる。
また、基板上に形成された機能性膜（アクティブ素子、配線等）への化学的・熱的ダメージを低減する意味では、公知の物理的成膜法、例えば、熱または電子ビーム蒸着、スパッタリング法、反応性スパッタリング法等も利用できる。
これらの方法では、基板の加熱温度、アニール温度・時間、あるいは成膜時の各種条件（減圧度、温度、成膜材料蒸着源またはターゲットへの印加エネルギー、雰囲気  等）により、得られる膜の物性が調整可能である。
【００３２】
ここで、誘電体層８０を設けることにより液晶層５に印加される電圧を調整する原理について説明する。
本実施形態の液晶表示装置Ａでは、図１に示すように、透過部３０上の液晶層５（透過表示領域の液晶層と呼ぶこともある。）の厚さｄＴは、反射部３５上の液晶層５（反射表示領域の液晶層と呼ぶこともある。）の厚さｄＲより大きい値とされている。
本実施形態の液晶表示装置Ａにおいて、透過部３０の液晶による容量ＣＴは、下記の数式で示される。
【００３３】
【数１】
2006285128.tif 000003
【００３４】
反射部３５の液晶による容量ＣＲは、下記の数式で示される。
【００３５】
【数２】
2006285128.tif 000004
【００３６】
また、反射部３５の誘電体層８０による容量Ｃ１は、下記の数式で示される。
【００３７】
【数３】
2006285128.tif 000005
【００３８】
上記の数式〔数１〕〜〔数３〕において、「ＡＴ」は透過部３０の面積、「ＡＲ」は反射部３５の面積、「ｄＴ」は透過部３０上の液晶層５の厚さ、「ｄＲ」は反射部３５上の液晶層５の厚さ、「ｄ１」は誘電体層８０の平均厚さ、「ｋ」は誘電定数、「ε」は液晶の比誘電率、「ε１」は誘電体層８０の比誘電率を示す。
【００３９】
また、透過部３０の等価回路を図８に示し、反射部３５の等価回路を図９に示す。
図８に示す透過部３０に印加される電圧ＶＴは、透明電極１９から液晶に印加される電圧であり、下記の数式で示される。
【００４０】
【数４】
2006285128.tif 000006
【００４１】
図９に示す反射部３５に印加される電圧ＶＲは、画素電極１１から液晶に印加される電圧Ｖ１と画素電極１１から誘電体層８０に印加される電圧Ｖ２との和であり、画素電極１１から液晶に印加される電圧Ｖ１は、下記の数式で示される。
【００４２】
【数５】
2006285128.tif 000007
【００４３】
画素電極１１から誘電体層８０に印加される電圧Ｖ２は、下記の数式で示される。
【００４４】
【数６】
2006285128.tif 000008
【００４５】
上記の数式〔数４〕〜〔数６〕において、「ＱＴ」は透過部３０の液晶層５の保持する電荷量、「ＱＲ」は反射部３５の液晶層５の保持する電荷量を示す。
【００４６】
電荷量は容量と電圧との積（Ｑ＝ＣＶ）で示されるので、透過部３０の面積ＡＴと反射部３５の面積ＡＲとが同じで、図８に示す電圧ＶＴと図９に示す電圧ＶＲとが同じであると仮定した場合に、透過部３０と反射部３５とにおける液晶層５の保持する電荷量ＱＲ、ＱＴを同じとする、画素電極１１から液晶に印加される電圧Ｖ１は下記の数式で示される。
【００４７】
【数７】
2006285128.tif 000009
【００４８】
また、上記の数式〔数２〕〔数３〕を上記の数式〔数５〕〔数６〕に代入した上で、上記の数式〔数７〕に代入すると、下記の数式となる。
【００４９】
【数８】
2006285128.tif 000010
【００５０】
すなわち、誘電体層８０の比誘電率ε１と平均厚さｄ１との関係が数式〔数８〕を満たすものである場合、反射部３５を構成する画素電極１１から液晶に印加される電圧Ｖ１が数式〔数７〕を満たす値となり、透過部３０と反射部３５とにおける液晶層５の保持する電荷量ＱＲ、ＱＴを同じとすることができ、透過表示形態と反射表示形態のいずれの表示状態においても、同一画素領域内で透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の駆動電圧印加時の電圧依存性を略同じに揃えることができる。
すなわち、数式〔数８〕に示す関係を満たすように、ｄＲ，ｄＴ，ｄ１及びε、ε１を設定することにより、透過部と反射部との駆動電圧をマッチングさせることができる。説明を簡単にするために、ｄＴ，ｄＲをある値に設定した場合について以下に述べる。
【００５１】
例えば、数式〔数８〕に、液晶の比誘電率ε、透過部３０上の液晶層５の厚さｄＴ、反射部３５上の液晶層５の厚さｄＲとして、一般的な値（ε＝４．９、ｄＴ＝４．２５μｍ、ｄＲ＝２μｍ）をそれぞれ代入すると（ｄ/ε１）≒０．４５９となる。（ｄ/ε１）≒０．４５９を満たし、反射部３５上の液晶層５の厚さｄＲと誘電体層８０の平均厚さｄ１との和が、透過部３０上の液晶層５の厚さｄＴよりも小さい（ｄ１+ｄＲ＜ｄＴ）誘電体層８０の比誘電率ε１および平均厚さｄ１の例を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2006285128.tif 000011
【００５３】
表１に示す判定結果は、得られる反射及び透過の表示特性及び実際のパネル形成における製造のしやすさの点で好適である場合を「○」と表し、表示特性（反射及び透過）面では許容しうるものの、パネル形成時にやや困難さを伴う場合を「△」と表し、表示特性（特に反射状態）にばらつきを生じると同時に、パネル形成も困難である場合を「×」で表した。
表１に示すように、誘電体層８０の比誘電率ε１が大きくなると誘電体層８０の平均厚さｄ１も大きくしなければならない。本実施形態の液晶表示装置Ａでは、表１に示す誘電体層８０の例は、すべて実施可能であるが、表１に示す誘電体層８０の例のうち平均厚さｄ１が１．３μｍ（ｄＴ-ｄＲ）以下、比誘電率が２．８以下である例１〜例８のものが望ましく、特に、平均厚さｄ１が１．０μｍ以下、比誘電率ε１が２．０以下で（判定結果が○）であるものが、成膜のしやすさ、得られる膜質の安定性、或いは視認性の良い表示を行うために、必要な反射凹凸形状を付与し得るだけの樹脂膜を安定して形成し得ることや、必要なＯＮ／ＯＦＦ間の液晶層のリターデーション変化量を確保するという点で、より望ましい。
【００５４】
また、表１に示すように、誘電体層８０の比誘電率ε１を小さくすると誘電体層８０の平均厚さｄ１も小さくしなければならない。誘電体層８０の平均厚さｄ１が０．６μｍ未満であると、誘電体層８０が平坦化層を兼ねることが困難となる場合がある。また、誘電体層８０として使用可能な材質が少なくなり、材質を選択する際の自由度が低下する。
なお、本発明の液晶表示素子において、反射部３５の拡散反射特性を良好にするためには、反射部３５に相当する断面凹凸形状を与える絶縁膜２０を、所定の厚みｄ０、例えば１．２〜１．５μｍ以上にすることが望ましく、この意味で、ｄＲ，ｄＴ，ｄ１、ｄ０の間に、
ｄＴ≒ｄ０＋ｄ１＋ｄＲ
の関係を満たすようにするのが良い。（正確には、導通用の金属層、反射層としての金属層等の合計厚みをｄｍとしたとき、
ｄＴ＝ｄ０＋ｄ１＋ｄＲ＋ｄｍ
となる。）
【００５５】
そして、上述のように構成された基板本体６上には、更に誘電体層８０及び絶縁層２０を覆うようにラビング等の所定の配向処理が施されたポリイミド等からなる下基板側配向膜２９が形成されている。この下基板側配向膜２９は、透過部３０上に形成する部分と、反射部３５上に形成する部分とで異なる配向処理が施されたものであり、透過部３０の液晶層側の面に形成された透過部配向膜２９ａと、反射部３５の液晶層側の面に形成された反射部配向膜２９ｂとから構成されている。
【００５６】
一方、図２に示す対向基板３はカラーフィルタアレイ基板として構成され、図１に示すように、ガラスやプラスチック等からなる透光性の基板本体４１の液晶層５側の面に、カラーフィルタ層４２が形成されている。
カラーフィルタ層４２は、図７に示すように、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の波長の光を透過するカラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂが周期的に配列された構成とされており、各カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂは各画素電極１１に対向する位置に設けられている。
また、カラーフィルタ層４２において、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ，４２Ｂが形成されていない領域には、ブラックマトリクス等の遮光層４２Ｓ、４２Ｔが格子状になるように形成されている。
【００５７】
そして、上述のカラーフィルタ層４２の液晶層側には、ＩＴＯ等の透明な対向電極（共通電極）４３と上基板側配向膜４４が形成されている。上基板側配向膜４４は、ラビング等の所定の配向処理が施されたポリイミド等からなるものである。
【００５８】
そして、上述のように構成されたアクティブマトリクス基板２と対向基板３とは、図２に示すように、スペーサ（図示略）によって互いに一定に離間された状態で保持されるとともに、基板周辺部に矩形枠状に塗布された熱硬化性または光硬化性のシール材４５によって接着一体化されている。そして、アクティブマトリクス基板２と対向基板３とシール材４５とによって密閉された空間に液晶が封入されて光変調層としての液晶層５が形成され、液晶パネル１が構成されている。
【００５９】
なお、図２においては図面の簡略化のために、アクティブマトリクス基板２の液晶側の種々の層と配線並びに対向基板３の液晶側の種々の層を略して記載し、配向膜２９、４４の位置関係のみを示した。
また、基板本体４１及びアクティブ基板２の外面側には図１に示すように偏光板Ｈ１、Ｈ１’、位相差板Ｈ２、Ｈ３,Ｈ２’,Ｈ３’が設けられている。
【００６０】
なお、上基板側配向膜４４、下基板側配向膜２９に用いられる材料としては、上記のような有機材料に限らず、無機配向膜であってもよい。
【００６１】
この実施形態のバックライト４は、図２に示すように、液晶パネル１の背面側に設けられ、平板状の透明なアクリル樹脂などからなる透明導光板５２と光源５３と拡散性反射体５５と保持部材５８とから概略構成されている。バックライト４において、光源５３は、導光板５２に光を導入する端面５２ａ側に配設されており、拡散性反射体５５は導光板５２の出射面（上面、一方の面）５２ｂ側と反対側の面（下面、他方の面）に空気層５６を介して設けられている。
導光板５２は、液晶パネル１の背面側に配置されて光源５３から出射された光を液晶パネル１側に照射するものである。図２に示すように、光源５３から出射される光は端面５２ａを介して導光板５２の内部に導入され、導光板５２の出射面５２ｂから液晶パネル１側に出射されるようになっている。
また、導光板５２の出射面５２ｂと反対側の面５２ｃには段部を形成することで、光源５３から離れるにしたがって漸次厚みが減少するようにされており、すなわち光源５３に遠い側の方が光源５３に近い側よりも薄くされている。
【００６２】
光源５３は、種々のものが使用可能で、無機または有機ＥＬ、冷陰極管或いはＬＥＤ等から適宜選択されて良い。
この図では、冷陰極管の場合を示す。すなわち、長尺の冷陰極管５３ａと、この冷陰極管５３ａの周囲に設けられた反射板５３ｂから構成されている。拡散性反射体５５は、例えば先の液晶パネル１において適用されていた絶縁膜２０とその上に形成されていた複数の凹部２７と画素電極１１と同等の拡散反射構造が適用されている。
即ち、基板５９の上に有機膜６０が形成され、該有機膜６０の表面に微小凹部が複数形成され、その上に光反射性を有するＡｌやＡｇなどの金属製の反射膜６１が形成されてこの反射膜６１の表面に複数の微小凹部６１ｄが形成され、先に図５を基に説明した構造と同様に広い角度範囲で明るい拡散反射性能を発揮し得るものである。
このような構成のバックライト４であるならば、光源５３からの光を導光板５２によって液晶パネル１側に導いて液晶パネル１を裏面側から照明できるとともに、光の進行方向により、導光板５２の背面側からの漏れた光を反射膜６１で再度効率よく反射させて導光板５２側に反射し、導光板５２を介して液晶パネル１側に反射できるので、より明るいバックライト４を得ることができる。
【００６３】
以上説明のごとく構成されたバックライト４を備えた液晶パネル１は、明るい屋外や照明が施された明るい室内において使用する場合は、反射表示形態の液晶パネルとしてバックライト４を点灯することなく利用する。ここで液晶パネル１に入射された外光は基板３側の各層を通過して液晶層５を通過し、光拡散反射性の複数の画素電極１１（反射部３５）により反射され、再度液晶層５を通過して基板３側の各層を通過し、観察者の目に到達する。そして、この間に各画素領域毎の画素電極１１に薄膜トランジスタ１０から通電して画素電極１１上の液晶分子の配向制御を行い、各画素領域毎の表示状態を制御して表示を行うことができる。
また、暗い場所において透過表示形態で使用するには、バックライト４の光源５３を点灯し、光源５３から導光板５２の内部に導かれた光を出射面５２ｂから液晶パネル１側に出射する。ここでバックライト４から液晶パネル１側に出射された光は、窪部２２（透過部３０）を透過し、さらにこの窪部２２に対応して設けられている透孔１１ａを介して透過し、液晶層５を通過し、基板３側の各層を透過して観察者に至る。これにより透過表示状態を得ることができる。
【００６４】
本実施形態によれば、液晶層５に印加される電圧を調整するための誘電体層８０が形成されているので、透過部３０と反射部３５とにおける液晶層５へ印加される駆動電圧の実効値を略同じとすることができ、透過表示形態と反射表示形態のいずれの表示状態においても、同一画素領域内で透過部３０上の液晶層５と反射部３５上の液晶層５の駆動電圧印加時の光透過度あるいは反射度（または光透過率または反射率）の電圧依存性を略同じに揃えることができ、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善できる。
【００６５】
また、本実施形態の液晶表示装置では、スイッチング素子が、ソース電極１８とドレイン電極１７とゲート電極１５を具備するＴＦＴ１０からなり、ドレイン電極１７に画素電極１１と透明電極１９とが電気的に接続され、ＴＦＴ１０により画素電極１１と透明電極１９が駆動自在とされているので、ＴＦＴ１０のドレイン電極１７に画素電極１１と透明電極１９とが接続されることで、ＴＦＴ１０の作動に応じて画素電極１１と透明電極１９の両方を同時駆動して液晶の配向状態を制御することができる。
【００６６】
次に、本発明に係る半透過反射型の液晶表示装置に適用される光反射性の画素電極に形成する凹部形状の第２の例について、図１０および図１１を用いて説明する。
図１０はこの例に係る画素電極上の一つの凹部を示す斜視図、図１1は該凹部のｙ方向断面図である。
本変形例に係る凹部７０は、先の第１実施形態の液晶パネル１における画素電極１１の凹部２７の内面の球面形状を一部変形したものであり、画素電極１１に所定角度（例えば３０°）で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として非対称となるように構成されている。
具体的には、本凹部７０は曲率の小さい第１曲面と曲率の大きい第２曲面とから構成され、第１曲面及び第２曲面はそれぞれ図１１に示すＹ方向断面において凹部７０の一方の周辺部Ｓ１から最深点Ｄに至る第１曲線Ａ１と、第１曲線Ａ１になだらかに連続して凹部７０の最深点Ｄから他方の周辺部Ｓ２に至る第２曲線Ｂ１とで示される形状を有している。
【００６７】
この最深点Ｄは凹部７０の中心Ｏからｙ方向側にずれた位置にあり、基板６の水平面に対する第１曲線Ａ１の傾斜角及び第２曲線Ｂ１の傾斜角の絶対値の平均値はそれぞれ１°〜８９°、０.５°〜８８°の各範囲で不規則にばらついて設定され、第１曲線Ａ１の傾斜角の平均値は第２曲線Ｂ１のものに比べて大きくなっている。また、最大傾斜角を示す第１曲線Ａ１の周辺部Ｓ１における傾斜角δａは凹部７０において概ね４°〜３５°の範囲内で不規則にばらついている。これにより、各凹部７０の深さｄは０.２５μｍ〜３μｍの範囲内で不規則にばらついて構成されている。
【００６８】
したがって、光反射性の画素電極に形成する凹部形状を図１０および図１1に示した凹部７０にした半透過反射型液晶表示装置においても、第１の実施形態と同様の効果が得られる他、画素電極の凹部を構成する第１曲面と第２曲面とを最深点Ｄに関して非対称に構成し反射光に指向性を持たせているため、特定の観察方向の表示の明るさを更に高めて反射光を有効利用することができる。
【００６９】
図１２は本発明に係る先の実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電話機器（電子機器）の一例を示すもので、この例の携帯電話機器Ｋは偏平型のケース体９０の上部正面側中央に形成した窓部９１から液晶表示装置Ａの液晶パネル１の表示面が露出するように液晶パネル１が設けられ、ケース体９０の下部表面側に操作ボタン９２が複数配列形成されている。
この構成の携帯電話機器は、明るい室内や屋外では反射表示形態で使用し、暗い室内や夜間ではバックライトを点灯して透過表示状態で使用することができる。また、先の実施形態の液晶表示装置Ａを備えているので、反射表示状態と透過表示状態で色合いや色味が異なることがなく、しかも透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも表示品質の高い液晶表示が得られる。
【００７０】
図１３は本発明に係る先の実施形態の液晶表示装置を備えた携帯型情報端末機器（電子機器）の一例を示すもので、この例の携帯型情報端末機器Ｊは偏平型のケース体９５、９６が折り畳み自在にヒンジ結合され、一方のケース体９５に形成された窓部９７から液晶表示装置Ａの液晶パネル１の表示面が露出するように設けられ、他方のケース体９６にキーボードスイッチ９８が設けられて構成されてなる。
この構成の携帯型情報端末機器Ｊは、明るい室内や屋外では反射表示形態で使用し、暗い室内や夜間ではバックライトを点灯して透過表示状態で使用できる。また、先の実施形態の液晶表示装置Ａを備えているので、反射表示状態と透過表示状態で色合いや色味が異なることがなく、しかも透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも表示品質の高い液晶表示が得られる。
【００７１】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記のＴＦＴ１０は逆スタガ型の構造に限定されず、正スタガ型のＴＦＴであってもよい。また、スイッチング素子はＴＦＴに限定されず、メタル層間に絶縁層を挟んでなるＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造の薄膜ダイオードであってもよい。このＭＩＭ構造の場合、対向基板側には短冊状の共通電極が複数形成されるので、共通電極は複数設けられる。
また、カラーフィルタ層４２の形成される基板は対向基板３側に限定されず、基板２側にカラーフィルタ層４２を設けてもよい。これに伴って、遮光層４２Ｓは基板２と対向基板３のいずれかに形成されることになる。勿論、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂと遮光層４２Ｓとを別々の基板に設けてもよい。
さらに、上述の実施形態では遮光層４２Ｓをストライプ状に形成しているが、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂの周囲を囲むように格子状に形成しても良い。更にまた、画素電極１１に形成する透孔２３の形状は、長方形状に限らず円形状や楕円状あるいはその他の形状でも差し支えなく、その大きさや個数も特に制限されるものではない。
【００７２】
上記実施形態においてはアクティブマトリクス方式の半透過反射型の液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプに本発明を適用した場合について説明したが、単純マトリクス方式の半透過反射型の液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプにも本発明を適用できる。
単純マトリクス型の半透過反射型の液晶表示装置としては、対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、前記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、前記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記光透過性の電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、前記液晶層に印加される電圧を調整するための誘電体層が前記光反射性の電極上に形成されている液晶表示装置とすることができる。
【００７３】
単純マトリクス型の液晶表示装置では、液晶として、スーパーツイステッドネマチック（Super-Twisted Nematic）液晶を用いることが望ましい。
単純マトリクス型の液晶表示装置では、マルチプレクス駆動される為、駆動電圧を印加したときの透過表示形態と反射表示形態とでの表示の視認性の差がより鋭敏に表示特性に表れ易いため、単純マトリクス方式の液晶表示装置における本発明の効果は大きい。
【実施例】
【００７４】
（実験例１）
図１に示すような半透過反射型ＴＦＴ液晶表示装置を作成した。すなわち、ＴＦＴ１０と、ＴＦＴ１０に電気的に接続された透明電極１９とが形成されたアクティブマトリクス２基板上に、膜厚約１．２μｍの感光性アクリル樹脂をスピンコートして所定のパターニングを行い、ＴＦＴ１０を覆い、所定の凹凸形状を有する絶縁膜２０を形成した。さらに、この絶縁膜２０上に、ＴＦＴ１０に電気的に接続された膜厚０．２０μｍからなる画素電極１１を形成し、画素電極１１を覆うようにアクリル系樹脂（ネガ型感光性ＰＭＡシリーズ、チッソ製、硬化後誘電率約２．３）を膜厚１．０３μｍスピンコートしたのちフォトリソグラフィによりパターニングして誘電体層８０を形成した。こうして得たアクティブマトリクス基板２上に下基板側配向膜２９（ポリシリコーンイミド系、チッソ製）を約６００Åの厚みになるようフレキソ印刷し焼成した。
【００７５】
また、対向基板３上に、ＲＧＢの顔料分散型マイクロカラーフィルタ層４２（各色膜厚約１μｍ）を形成し、マイクロカラーフィルタ層４２上に、下基板側配向膜２９と同様の配向膜からなる上基板側配向膜４４を形成した。
【００７６】
そして、アクティブマトリクス基板２と対向基板３とを、樹脂製球状スペーサ（粒径約４．３μｍ）を対向基板３上に散布したのちシール剤で貼りあわせてパネルとし、Δε＝８のネマテイック液晶（チッソ製）を注入し液晶層５を形成した。得られた液晶表示装置における液晶層５のねじれ角は約３０°、反射部のギャップは２．０μｍ、透過部のギャップは４．２３μｍであった。さらに、アクティブマトリクス基板２および対向基板３の外側に、偏光板、位相差板をそれぞれ貼り付けてズ１に示す液晶表示装置を完成させた。
このようにして得られた液晶表示装置を動作させたところ、透過部と反射部とでほぼ等しいしきい電圧値（約１．６Ｖ）を示した。
【００７７】
（実験例２）
実施例１における誘電体層８０をMgF2（比誘電率約１．８６）の平均厚さｄ１＝０．８μｍからなるものとし、絶縁膜２０の厚みを、１．４５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様の液晶表示装置を形成した。
得られた液晶表示装置を動作させたところ、実験例１と同様の結果が得られた。
【００７８】
（実験例３）
実施例１における誘電体層８０をCaF2(比誘電率約１．９１)の平均厚さｄ１＝１．１μｍからなるものとし、絶縁膜２０の厚みを、１．２μｍにしたこと以外は、実施例１と同様の液晶表示装置を形成した。
得られた液晶表示装置を動作させたところ、実験例１と同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
アクティブマトリクス方式又は単純マトリクス方式の半透過反射型の液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプに適用できる。また、このような半透過反射型の液晶表示装置を備えた携帯電話機器や携帯型情報端末機器等の電子機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】図１は本発明に係る液晶表示装置に適用される液晶パネルの第１実施形態の要部断面図である。
【図２】図２は液晶パネルとバックライトを備えた本発明に係る液晶表示装置の第１実施形態の断面略図である。
【図３】図３は同液晶パネルの薄膜トランジスタ部分と透明電極の配置構成の一例を示す平面略図である。
【図４】図４は同液晶パネルの画素電極部分を示す平面略図である。
【図５】図５は同液晶パネルの画素電極部分に形成されている窪部の形状を示す斜視図である。
【図６】図６は同液晶パネルの画素電極部分に形成されている窪部の断面形状を示す説明図である。
【図７】図７は同液晶パネルに備えられるカラーフィルタの一例を示す説明図である。
【図８】図８は、透過部の等価回路を示した図である。
【図９】図９は、反射部の等価回路を示した図である。
【図１０】図１０は同液晶パネルの画素電極部分に形成される凹部の第２の形状例を示す斜視図である。
【図１１】図１１は図１０に示す凹部の断面形状を示す説明図である。
【図１２】図１２は本発明に係る液晶表示装置を備えた携帯電話装置の一例を示す斜視図である。
【図１３】図１３は本発明に係る液晶表示装置を備えた携帯型情報端末機器の他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８１】
Ａ・・・液晶表示装置、１・・・液晶パネル、２・・・アクティブマトリクス基板（他方の基板）、３・・・対向基板（一方の基板）、４・・・バックライト、５・・・液晶層、６・・・基板本体、７・・・走査線、８・・・信号線、１０・・・薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１１・・・画素電極、１３・・・ゲート電極、１５・・・ゲート絶縁膜、１６・・・半導体層、１７・・・ドレイン電極、１８・・・ソース電極、１９・・・透明電極、２０・・・絶縁膜、２０ａ・・・被覆層、２１・・・コンタクトホール、２２・・・窪部、２２ｂ・・・底部、２３・・・透孔、２５・・・導電部、２６・・・凹部、２７・・・凹部、２９・・・下基板側配向膜、２９ａ・・・透過部配向膜、２９ｂ・・・反射部配向膜、３０・・・透過部、３５・・・反射部、４１・・・対向基板、４２・・・カラーフィルタ、４３・・・共通電極、４４・・・上基板側配向膜、４５・・・シール材（封止剤）、５２・・・導光板、５３・・・光源、ｄＴ・・・透過表示領域の液晶層の厚さ、ｄＲ・・・反射表示領域の液晶層の厚さ、８０・・・誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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