(57)【要約】【課題】  識別情報の損傷を困難にした識別コード、識別コード形成方法、液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。【解決手段】  コードパターン１１の外周部近傍に、中心位置近傍の平坦膜厚Ｈ２よりも厚い隆起膜厚Ｈ１からなる隆起部１１ｅを、そのコードパターン１１全周にわたり形成し、同コードパターン１１の裏面２ｂに対する密着性の最も高くなる膜厚比を予め調査して、その膜厚比が、４＜膜厚比Ｒ＜７となるコードパターン１１によって、識別コードを形成するようにした。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一側面に設けられたコード形成領域を分割する複数のデータセルと、前記データセル内に堆積されたコードパターンとを備えた識別コードにおいて、
前記コードパターンの外周部が隆起していることを特徴とする識別コード。
【請求項２】
請求項１に記載の識別コードにおいて、
前記コードパターンは、前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、４＜Ｈ１／Ｈ２を満たすことを特徴とする識別コード。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の識別コードにおいて、
前記コードパターンは、前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、Ｈ１／Ｈ２＜７を満たすことを特徴とする識別コード。
【請求項４】
基板の一側面に設けられたコード形成領域を分割する複数のデータセル内に、パターン形成材料を含む液滴を吐出し、前記データセル内に着弾した液滴を乾燥することによってコードパターンを形成するようにした識別コード形成方法において、
前記液滴が着弾するときの前記基板の温度を、前記コードパターンの外周部が隆起する所定の温度まで昇温するようにしたことを特徴とする識別コード形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の識別コード形成方法において、
前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、４＜Ｈ１／Ｈ２を満たす所定の温度まで前記基板の温度を昇温するようにしたことを特徴とする識別コード形成方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の識別コードにおいて、
前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、Ｈ１／Ｈ２＜７を満たす所定の温度まで前記基板の温度を昇温するようにしたことを特徴とする識別コード形成方法。
【請求項７】
基板の一側面に設けられた識別コードのコード形成領域を分割する複数のデータセル内に、コードパターンを形成するための液滴を吐出する液滴吐出手段を備えた液滴吐出装置において、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記基板の温度を検出する温度検出手段と、
前記液滴が前記データセルに着弾する前に、前記温度検出手段の検出した温度に基づいて前記加熱手段を制御し、前記コードパターンの外周部を隆起させる所定の温度まで、前記基板の温度を昇温する温度制御手段と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液滴吐出装置において、
前記加熱手段は、前記基板を載置する載置台であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項９】
請求項７に記載の液滴吐出装置において、
前記加熱手段は、前記基板に光を照射する光源であることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項１０】
表示用基板の一側面に識別コードを形成するようにした電気光学装置の製造方法において、
前記識別コードを、請求項４〜６のいずれか１つに記載の識別コード形成方法によって形成するようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の電気光学装置の製造方法によって製造した電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、識別コード、識別コード形成方法、液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）等の電気光学装置には、画像を表示するための透明ガラス基板（以下単に、基板という。）が備えられている。この種の基板には、品質管理や製造管理を目的として、その製造元や製品番号等の製造情報をコード化した識別コード（例えば、２次元コード）が形成されている。こうした識別コードは、配列された多数のパターン形成領域（データセル）の一部に、パターンとしてのコードパターン（例えば、有色の薄膜や凹部）を備え、そのコードパターンの有無によって前記製造情報をコード化している。
【０００３】
その識別コードの形成方法には、金属箔にレーザ光を照射してコードパターンをスパッタ成膜するレーザスパッタ法や、研磨材を含んだ水を基板等に噴射してコードパターンを刻印するウォータージェット法が提案されている（特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
しかし、上記レーザスパッタ法では、所望するサイズのコードパターンを得るために、金属箔と基板の間隙を、数〜数十μｍに調整しなければならない。つまり、基板と金属箔の表面に対して非常に高い平坦性が要求され、しかも、これらの間隙をμｍオーダの精度で調整しなければならない。その結果、識別コードを形成できる対象基板が制限されて、その汎用性を損なう問題を招いていた。また、ウォータジェット法では、基板の刻印時に、水や塵埃、研磨剤等が飛散するため、同基板を汚染する問題があった。
【０００５】
近年、こうした生産上の問題を解消する識別コードの形成方法として、インクジェット法が注目されている。インクジェット法は、金属微粒子を含む微小液滴を液滴吐出装置から吐出し、その液滴を乾燥させることによってコードパターンを形成する。そのため、識別コードを形成する基板の対象範囲を拡大することができ、同基板の汚染等を回避して識別コードを形成することができる。
【特許文献１】特開平１１−７７３４０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２７５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、インクジェット法で形成したコードパターンは、基板に対する密着力が弱く剥離し易かった。そのため、識別コードが搬送ステージ等の表面に接触して擦れると、コードパターンが剥離し、基板の製造情報を損なう問題があった。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、その目的は、識別情報の損傷を困難にする識別コード、識別コード形成方法、液滴吐出装置、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の識別コードは、基板の一側面に設けられたコード形成領域を分割する複数のデータセルと、前記データセル内に堆積されたコードパターンとを備えた識別コードにおいて、前記コードパターンの外周部が隆起している。
【０００９】
本発明の識別コードによれば、コードパターンが物等に接触して擦れるときに、同コードパターンの外周部が、中心位置側よりも優先的に擦れる。そのため、中心位置近傍の剥離を抑制することができ、外周部及び中心位置近傍の双方、すなわちコードパターン全体をデータセル内に残すことができる。その結果、外周部が隆起する分だけ、データセルに対するコードパターンの面積比率を維持することができる。従って、識別情報の損失を困難にすることができる。
【００１０】
この識別コードにおいて、前記コードパターンは、前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、４＜Ｈ１／Ｈ２を満たす。
【００１１】
この識別コードによれば、コードパターンが４＜Ｈ１／Ｈ２を満たす分だけ、データセルに対するコードパターンの面積比率を確実に維持することができる。
この識別コードにおいて、前記コードパターンは、前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、Ｈ１／Ｈ２＜７を満たす。
【００１２】
この識別コードによれば、コードパターンがＨ１／Ｈ２＜７を満たす分だけ、外周部の過剰な厚膜化、すなわち過剰な隆起を抑制することができる。その結果、過剰な隆起による外周部の倒れ（倒壊）等を回避することができ、その倒壊によるコードパターンの剥がれを回避することができる。ひいては、データセルに対するコードパターンの面積比率を、より確実に維持することができる。
【００１３】
本発明の識別コード形成方法は、基板の一側面に設けられたコード形成領域を分割する複数のデータセル内に、パターン形成材料を含む液滴を吐出し、前記データセル内に着弾した液滴を乾燥することによってコードパターンを形成するようにした識別コード形成方法において、前記コードパターンの外周部が隆起するように、前記液滴が着弾するときの前記基板の温度を、所定の温度まで昇温するようにした。
【００１４】
本発明の識別コード形成方法によれば、基板の温度を所定の温度まで昇温することによって、コードパターンの外周部を隆起させることができる。その結果、コードパターンを形成した後に、同コードパターンの外周部を厚くする、あるいは同コードパターンの中心位置を薄くする工程を要することなく、外周部の隆起するコードパターンを形成することができる。そして、コードパターンが物等に接触して擦れるときに、隆起した外周部が、中心位置近傍よりも優先的に擦れるため、中心位置近傍の剥離を抑制することができ、外周部及び中心位置近傍の双方、すなわちコードパターン全体をデータセル内に残すことができる。従って、識別コードの製造工程数を増加させることなく、識別情報の損失を困難にすることができる。
【００１５】
この識別コード形成方法において、前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、４＜Ｈ１／Ｈ２を満たすように、前記基板の温度を所定の温度まで昇温するようにした。
【００１６】
この識別コード形成方法によれば、コードパターンの厚さ分布が４＜Ｈ１／Ｈ２を満たすように基板を昇温するため、識別コードの製造工程数を増加させることなく、識別情報の損失を、さらに困難にすることができる。
【００１７】
この識別コード形成方法において、前記コードパターンの外周部の厚さをＨ１とし、前記コードパターンの中心位置近傍の厚さをＨ２とすると、Ｈ１／Ｈ２＜７を満たすように
、前記基板の温度を所定の温度まで昇温するようにした。
【００１８】
この識別コード形成方法によれば、コードパターンの厚さ分布がＨ１／Ｈ２＜７を満たすように基板を昇温するため、識別コードの製造工程数を増加させることなく、識別情報の損失を、さらに困難にすることができる。
【００１９】
本発明の液滴吐出装置は、基板の一側面に設けられた識別コードのコード形成領域を分割する複数のデータセル内に、コードパターンを形成するための液滴を吐出する液滴吐出手段を備えた液滴吐出装置において、前記基板を加熱する加熱手段と、前記基板の温度を検出する温度検出手段と、前記液滴が前記データセルに着弾する前に、前記温度検出手段の検出した温度に基づいて前記加熱手段を制御し、前記コードパターンの外周部を隆起させる所定の温度まで、前記基板の温度を昇温する温度制御手段と、を備えた。
【００２０】
本発明の液滴吐出装置によれば、温度制御手段が加熱手段を制御し、基板の温度を所定の温度に昇温することによって、コードパターンの外周部を隆起させることができる。その結果、液滴を吐出する工程で、コードパターンの外周部を隆起させることができる。従って、識別コードの製造工程数を増加させることなく、識別情報の損失を困難にすることができる。
【００２１】
この液滴吐出装置において、前記加熱手段は、前記基板を載置する載置台である。
この液滴吐出装置によれば、基板を載置する載置台を加熱するため、液滴が着弾するときに、確実に基板を加熱することができる。その結果、識別コードの製造工程数を増加させることなく、識別情報の損失を確実に困難にすることができる。
【００２２】
この液滴吐出装置において、前記加熱手段は、前記基板に光を照射する光源である。
この液滴吐出装置によれば、光を照射することによって基板を加熱するため、加熱源を基板に接触させることなく加熱することができる。その結果、基板の形状に依存することなく、同基板を、所定の温度まで、確実に加熱することができる。従って、識別コードの製造工程数を増加させることなく、確実に識別情報の損失を困難にすることができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法は、表示用基板の一側面に識別コードを形成するようにした電気光学装置の製造方法において、前記識別コードを、上記識別コード形成方法によって形成するようにした。
【００２４】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、表示用基板の有する識別情報の損失を困難にした電気光学装置を製造することができる。
本発明の電気光学装置は、上記電気光学装置の製造方法によって製造した。
【００２５】
本発明の電気光学装置によれば、電気光学装置に備えられた表示用基板の識別情報の損失を困難にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
まず、本発明を具体化した電気光学装置としての液晶表示装置について説明する。図１は、液晶表示装置を示す正面図である。
図１に示すように、液晶表示装置１は、表示用基板としての透明ガラス基板（以下単に、基板２という。）を備えている。基板２の表面２ａには、液晶分子を封入した四角形状の表示部３が形成され、その表示部３の外側には、走査線駆動回路４及びデータ線駆動回路５が形成されている。そして、液晶表示装置１は、走査線駆動回路４の供給する走査信号とデータ線駆動回路５の供給するデータ信号に基づいて前記液晶分子の配向状態を制御し、図示しない照明装置から照射された平面光を、前記液晶分子の配向状態で変調するこ
とによって、表示部３に、所望の画像を表示するようになっている。
【００２７】
次に、前記基板２に形成される前記基板２の識別コードについて説明する。図２及び図３は、液晶表示装置の裏面に形成された識別コードを示す正面図及び側断面図であって、図４は、同識別コードの構成を説明するための説明図である。
【００２８】
図１に示すように、基板２の裏面２ｂの右側上端には、該液晶表示装置１の製造元や製造番号等の製造情報をコード化した識別コード１０が形成されている。図２に示すように、識別コード１０は、コード形成領域Ｚ内に形成された複数のコードパターン１１によって構成されている。
【００２９】
コード形成領域Ｚは、図４に示すように、正方形の領域であって、１６行×１６列のパターン形成領域（データセルＣ）に、均等に仮想分割されている。そのコード形成領域Ｚのサイズは、１．１２ｍｍ×１．１２ｍｍであって、データセルＣのサイズは、７０μｍ×７０μｍで形成されている。尚、本実施形態では、各データセルＣに対して、図４の上側から順に、１行目のデータセルＣ、２行目のデータセルＣ、・・・、１６行目のデータセルＣとする。
【００３０】
コードパターン１１は、図２に示すように、平面視方向からみて略円形に形成されるパターンである。このコードパターン１１は、パターン形成材料としの金属微粒子（例えば、マンガン微粒子）を含む機能液Ｌ（図８参照）の微小液滴３５（図８参照）を、対応するデータセルＣに吐出し、同データセルＣに着弾した微小液滴３５（図８に示す２点鎖線）を乾燥・焼成することによって形成されている。
【００３１】
そして、前記製造情報のコード化に基づいて選択された各データセルＣ内に、所定のサイズ（例えば、データセルＣの面積の７０％以上を占有する大きさ）のコードパターン１１が形成されることによって、前記製造情報を読み取り可能にした識別コード１０が形成されている。つまり、本実施形態における識別コード１０は、コードパターン１１の形成されたデータセルＣ（黒セルＣ１）と、コードパターン１１の形成されないデータセルＣ（白セルＣ０）とからなる、いわゆる２次元コードである。
【００３２】
図３に示すように、このコードパターン１１は、その外周部近傍に、中心位置近傍の平坦部１１ｃの膜厚（平坦膜厚Ｈ２）よりも厚い膜厚（隆起膜厚Ｈ１）からなる隆起部１１ｅを、同コードパターン１１全周にわたり有している。つまり、コードパターン１１（裏面２ｂ）は、物等と接触して擦れるときに、その外側（隆起部１１ｅ）が、内側（平坦部１１ｃ）よりも先に擦れるように形成されている。
【００３３】
これによって、平坦部１１ｃの剥離を隆起部１１ｅによって抑制することができ、コードパターン１１が擦れる場合であっても、隆起部１１ｅ及び平坦部１１ｃの双方を、対応するデータセルＣ内に残すことができる。従って、コードパターン１１全体の密着性を向上することができ、前記製造情報の損失を困難にすることができる。
【００３４】
そして、本発明者は、前記微小液滴３５が着弾するときの基板２の実温度（実基板温度Ｔａ）を所定の温度に昇温する（予備的に乾燥する）ことによって、着弾した微小液滴３５（図８における２点鎖線）の外周部の乾燥速度を増加させ、前記外周部に向かって金属微粒子を流動させることにより、これら隆起膜厚Ｈ１と平坦膜厚Ｈ２の比を所望の値に制御できることを見出した。
【００３５】
表１は、その実基板温度Ｔａと、平坦膜厚Ｈ２に対する隆起膜厚Ｈ１の比（膜厚比Ｒ：Ｈ１／Ｈ２）の関係を示す。尚、表１に示すコードパターン１１は、それぞれ等しい重量
の微小液滴３５を異なる実基板温度Ｔａで予備的に乾燥することによって、総膜厚が等しく、膜厚比Ｒの異なるコードパターン１１を形成している。
【００３６】
表１に示すように、実基板温度Ｔａを増加すると、外周部の乾燥速度を増加した分だけ、隆起膜厚Ｈ１が大きくなり（平坦膜厚Ｈ２が小さくなり）、膜厚比Ｒが増加する。つまり、実基板温度Ｔａを増加する分だけ、平坦膜厚Ｈ２を薄くして、隆起膜厚Ｈ１を厚くすることができる。
【００３７】
そして、本実施形態では、表１に示す各膜厚比Ｒ（２．４〜８．２）のコードパターン１１のスクラッチ試験に基づいて、予め密着性が最も高くなる膜厚比Ｒを調査し、同膜厚比Ｒのコードパターン１１を、対応する実基板温度Ｔａによって形成している。表１における、×印、△印、○印は、それぞれスクラッチ試験の結果に基づく密着性の度合いを示すものであって、×印、△印、○印の順に密着性が高くなる。
【００３８】
表１に示すように、コードパターン１１の密着性は、膜厚比Ｒが２．４から大きくなるに連れて向上し、同膜厚比Ｒが７を超えると、急激に劣化する。つまり、隆起部１１ｅが突出するに連れて密着性が向上し、膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たす範囲において、その密着性が最も高くなる。そして、膜厚比Ｒが７を超えると、平坦膜厚Ｈ２が過剰に薄くなり、隆起部１１ｅが容易に倒れる（倒壊する）ようになる。
【００３９】
そこで、本実施形態では、膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７となるコードパターン１１を、同膜厚比Ｒに対応する実基板温度Ｔａ（目標基板温度Ｔｐ：本実施形態では３０〜５０℃）で形成している。
【００４０】
従って、識別コード１０が擦れる場合であっても、データセルＣ内にコードパターン１１全体を残すことができ、データセルＣに対するコードパターン１１の面積比を保持して、確実に前記製造情報の損失を困難にすることができる。
【００４１】
【表１】
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次に、上記識別コード１０の形成方法について以下に説明する。まず、識別コードを形成するために使用する液滴吐出装置２０の構成について説明する。図５は、液滴吐出装置を示す斜視図であって、図６は、図５のＡ−Ａに沿う概略断面図である。
【００４２】
図５に示すように、液滴吐出装置２０は、支持台２１を有し、この支持台２１には、搬送台２２が設けられている。搬送台２２は、支持台２１の長手方向（図５に示すＹ矢印方向）に、Ｙ軸駆動機構（Ｙ軸モータＭＹ：図９参照）によって往復直線移動するようになっている。その搬送台２２の上面（載置面２２ａ）には、基板２が、その裏面２ｂ、すなわちコード形成領域Ｚを上側にして載置されている。尚、裏面２ｂに形成されたコード形成領域Ｚは、各データセルＣの列方向がＹ矢印方向に沿うように設定され、かつ１行目のデータセルＣが最もＹ矢印方向側となるように配置形成されている。
【００４３】
図６に示すように、その載置面２２ａ上であってコード形成領域Ｚの直下には、温度検出手段としての基板温度検出器２３が配設され、基板２（コード形成領域Ｚ）の温度を検出するようになっている。また、搬送台２２の内部には、加熱手段としての加熱ヒータ２４が備えられ、搬送台２２（載置面２２ａ）を介して、載置された基板２（コード形成領域Ｚ）を加熱するようになっている。
【００４４】
そして、この搬送台２２が、基板２を載置した状態で、同基板２（コード形成領域Ｚ）を加熱しながら、Ｙ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送するようになっている。尚、本実施形態では、搬送台２２の配置位置であって、図５に示すように、支持台２１の最も手前側に配置する位置を往動位置とし、最も奥側に配置する位置（図５及び図６に示す２点鎖線）を復動位置とする。
【００４５】
図５に示すように、支持台２１には、門形の支持フレーム２５が、Ｙ矢印方向（反Ｙ矢印方向）に移動する搬送台２２を跨ぐように、Ｙ矢印方向と直交する方向（Ｘ矢印方向）に沿って架設されている。支持フレーム２５には、Ｘ矢印方向に延びる上下一対のガイドレール２６ａ，２６ｂが配設されている。上下一対のガイドレール２６ａ，２６ｂには、キャリッジ２７が摺動可能に設けられ、Ｘ軸駆動機構（Ｘ軸モータＭＸ：図９参照）により、同ガイドレール２６ａ，２６ｂに沿って往復直線移動するようになっている。このキャリッジ２７の下面には、液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド２８が一体的に設けられている。また、支持フレーム２５の上側には、前記金属微粒子を分散媒に分散させた機能液Ｌ（図８参照）を収容する収容タンク２５ｔが配設され、前記液滴吐出ヘッド２８内に機能液Ｌを供給するようになっている。
【００４６】
図７は、前記液滴吐出ヘッド２８の下面を上側にした斜視図であって、図８は、液滴吐出ヘッド２８の概略断面図である。液滴吐出ヘッド２８は、その下側にノズルプレート２９を備え、その下面が、搬送台２２に載置した基板２の裏面２ｂ（コード形成領域Ｚ）に対して平行に対峙するように配設されている。そのノズルプレート２９には、コードパターン１１を形成するための１６個の液滴吐出ノズル３０が長手方向（Ｘ矢印方向：識別コード１０の行方向）に一列となって等間隔に貫通形成されている。
【００４７】
尚、本実施形態の液滴吐出ノズル３０は、そのピッチ幅が、データセルＣの形成ピッチ（本実施形態では７０μｍ）と同じ大きさで形成されている。つまり、各液滴吐出ノズル３０は、基板２（コード形成領域Ｚ）がＹ矢印方向に沿って往復直線移動するときに、それぞれ列方向に沿うコードパターン１１と対峙するように配置形成されている。
【００４８】
図８に示すように、ノズルプレート２９の上側であって各液滴吐出ノズル３０と相対する位置には、前記収容タンク２５ｔに連通して、機能液Ｌを各液滴吐出ノズルに供給可能にするキャビティ３１が形成されている。キャビティ３１の上側には、上下方向に振動してキャビティ３１内の容積を拡大縮小する振動板３２と、上下方向に伸縮して振動板３２を振動させる圧電素子３３が配設されている。
【００４９】
そして、液滴吐出ヘッド２８が圧電素子３３を駆動制御するための信号（吐出信号）を受けると、対応する圧電素子３３が伸張してキャビティ３１内の容積を縮小し、縮小した容積分の機能液Ｌが、対応する液滴吐出ノズル３０から微小液滴３５として吐出される。
【００５０】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図９に従って説明する。
図９において、温度制御手段としての制御部４０は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等を備え、ＲＯＭ等に格納された制御プログラム、識別コード作成プログラムに従って、搬送台２２を移動させて基板２の搬送処理動作及び液滴吐出ヘッド２８（圧電素子３３）を駆動させて液滴吐出処理動作を行う。
【００５１】
ＲＯＭには、基板２に識別コード１０を作成するためのビットマップデータＢＭＤが予め格納されている。このビットマップデータＢＭＤは、製造元や製造番号等の製造情報を、公知の方法で１６行×１６行の２次元コード形式にコード化し、そのコード化したデータを、１６本の液滴吐出ノズル３０に相対させてビットマップ化したデータである。すな
わち、ビットマップデータＢＭＤは、基板２（コード形成領域Ｚ）がＹ矢印方向に移動するときに、各液滴吐出ノズル３０が対峙する列方向１６個のデータセルＣに対して、それぞれ微小液滴３５を吐出するか否かを示すデータである。
【００５２】
ＲＯＭには、前記目標基板温度Ｔｐが予め格納されている。尚、本実施形態の目標基板温度Ｔｐは、コードパターン１１の膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たすように、３０〜５０℃に設定しているが、微小液滴３５の分散媒の沸点等によって異なるため、これに限られるものではない。
【００５３】
制御部４０は、Ｘ軸モータ駆動回路４１が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路４１にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路４１は、制御部４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記キャリッジ２７を往復移動させるＸ軸駆動機構中のＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、キャリッジ２７はＸ矢印方向に移動し、逆転させるとキャリッジ２７は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。
【００５４】
制御部４０は、Ｙ軸モータ駆動回路４２が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路４２にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路４２は、制御部４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記搬送台２２を往復移動させるＹ軸駆動機構中のＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させるようになっている。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、搬送台２２はＹ矢印方向に移動し、逆転させると搬送台２２は反Ｙ矢印方向に移動する。
【００５５】
制御部４０は、ノズル駆動回路４３が接続されている。制御部４０は、微小液滴３５を吐出する所定のタイミングで吐出タイミング信号を生成し、同タイミング信号に基づいて、ノズル駆動回路４３に吐出信号を出力する。ノズル駆動回路４３は、制御部４０からの吐出信号に基づいて、液滴吐出ヘッド２８に設けた各圧電素子３３のうち、吐出信号に応じた圧電素子３３を通電して駆動させる。そして、その圧電素子３３に対応する液滴吐出ノズル３０から微小液滴３５を吐出させる。
【００５６】
制御部４０は、加熱ヒータ駆動回路４４が接続されて、加熱ヒータ駆動回路４４に加熱ヒータ駆動制御信号Ｓｈを出力する。加熱ヒータ駆動回路４４は、制御部４０からの加熱ヒータ駆動制御信号Ｓｈに基づいて、加熱ヒータ２４を通電して駆動させ、搬送台２２（載置面２２ａ）に載置された基板２（コード形成領域Ｚ）を加熱する。
【００５７】
制御部４０には、入力装置４５が接続されている。入力装置４５は、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有し、各スイッチの操作による操作信号を制御部４０に出力する。
【００５８】
制御部４０には、Ｘ軸モータ回転検出器４６が接続されて、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号が入力される。制御部４０は、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド２８に対する基板２のＸ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。
【００５９】
制御部４０には、Ｙ軸モータ回転検出器４７が接続されて、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号が入力される。制御部４０は、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド２８に対する基板２のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。
【００６０】
制御部４０には、基板位置検出器４８が接続されている。基板位置検出器４８は、基板
２の端縁を検出可能な撮像機能等を備え、制御部４０によって液滴吐出ヘッド２８の直下を通過する基板２の位置を算出する際に利用される。
【００６１】
制御部４０は、基板温度検出器２３が接続されて、基板温度検出器２３の検出信号Ｓｔに基づいて基板２（コード形成領域Ｚ）の実基板温度Ｔａを算出する。また、制御部４０は、算出した実基板温度ＴａとＲＯＭに格納する目標基板温度Ｔｐに基づいて、実基板温度Ｔａを目標基板温度Ｔｐにするための前記加熱ヒータ駆動制御信号Ｓｈを生成する。
【００６２】
次に、液滴吐出装置２０を使って識別コード１０を形成する方法について説明する。
まず、図５に示す状態、すなわち搬送台２２が往動位置に位置する状態で、基板２を、その裏面２ｂが上側になるように搬送台２２に配置固定する。この状態から、入力装置４５に識別コード１０を形成するための操作信号を入力すると、制御部４０は、ＲＯＭに格納した識別コード作成プログラムを読み出し、基板温度検出器２３の検出信号Ｓｔに基づいて、基板２の実基板温度Ｔａを算出する。続いて、制御部４０は、ＲＯＭに格納した目標基板温度Ｔｐを読み出し、算出した実基板温度Ｔａと読み出した目標基板温度Ｔｐに基づいて、基板２の温度（実基板温度Ｔａ）を目標基板温度Ｔｐにするための加熱ヒータ駆動制御信号Ｓｈを生成して加熱ヒータ駆動回路４４に出力する。そして、制御部４０は、加熱ヒータ駆動回路４４を介して、基板２の実基板温度Ｔａを目標基板温度Ｔｐにする。
【００６３】
尚、制御部４０は、コード形成領域Ｚの全黒セルＣ１に微小液滴３５が着弾し終わるまで、上記加熱ヒータ駆動制御信号Ｓｈを生成し、こうした基板２の温度制御によって、実基板温度Ｔａを目標基板温度Ｔｐに維持する。
【００６４】
実基板温度Ｔａが目標基板温度Ｔｐになると、制御部４０は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御し、搬送台２２（基板２）をＹ矢印方向に搬送させる。やがて、基板位置検出器４８が基板２のＹ矢印方向側の端縁を検出すると、制御部４０は、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御し、キャリッジ２７（液滴吐出ノズル３０）をコード形成領域Ｚの移動経路直上（Ｙ矢印方向直上）に配置する。また、制御部４０は、ＲＯＭに格納した当該基板２に対するビットマップデータＢＭＤを読み出し、同ビットマップデータＢＭＤに基づいた吐出信号を出力するためのタイミングを待つ。すなわち、制御部４０は、基板２をＹ矢印方向に搬送させながら、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号に基づいて、コード形成領域Ｚ（１行目のデータセルＣ）が液滴吐出ヘッド２８（液滴吐出ノズル３０）の直下に搬送されたか否かを判断する。
【００６５】
そして、制御部４０は、１行目のデータセルＣが液滴吐出ノズル３０の直下に搬送されるタイミングで吐出タイミング信号を生成し、前記ビットマップデータＢＭＤの中から１行目のデータセルＣに相対するデータを抽出する。そして、黒セルＣ１と対峙する液滴吐出ノズル３０に微小液滴３５を吐出させる吐出信号を生成してノズル駆動回路４３に出力する。これによって、１行目のデータセルＣであって黒セルＣ１にのみ微小液滴３５が吐出される。
【００６６】
このとき、実基板温度Ｔａが目標基板温度Ｔｐに維持されるため、黒セルＣ１に吐出された微小液滴３５は、その膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たすような隆起部１１ｅ及び平坦部１１ｃを有した状態で、予備的に乾燥されて当該黒セルＣ１内に定着する。
【００６７】
以後同様にして、制御部４０は、各行のデータセルＣが液滴吐出ノズル３０の直下に搬送されるタイミングで吐出タイミング信号を生成し、順次各行に相対する吐出信号をノズル駆動回路４３に出力して、全黒セルＣ１に微小液滴３５を吐出する。これによって、全黒セルＣ１内に、隆起部１１ｅを有して予備的に乾燥されたコードパターン１１が形成される。
【００６８】
予備的に乾燥されたコードパターン１１を形成すると、液滴吐出装置２０による識別コード１０を形成するための液滴吐出動作を終了する。そして、制御部４０は、Ｙ軸モータＭＹを制御して、基板２を、液滴吐出ヘッド２８の下方位置から往動位置に退出する。
【００６９】
液滴吐出工程を終了すると、基板２を所定の乾燥・焼成炉等に移載し、コードパターン１１を本乾燥して、金属微粒子を焼成させる。これによって、膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たすような隆起部１１ｅ及び平坦部１１ｃを有したコードパターン１１を黒セルＣ１内に形成することができ、識別コード１０を基板２上に形成することができる。
【００７０】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態では、コードパターン１１の外周部近傍に、中心位置近傍の平坦膜厚Ｈ２よりも厚い隆起膜厚Ｈ１からなる隆起部１１ｅを、そのコードパターン１１全周にわたり形成した。その結果、識別コード１０（コードパターン１１）が物等と接触して擦れるときに、コードパターン１１の隆起部１１ｅが平坦部１１ｃよりも先に擦れるため、平坦部１１ｃの剥離を隆起部１１ｅによって抑制することができる。従って、コードパターン１１が擦れる場合であっても、隆起部１１ｅ及び平坦部１１ｃの双方、すなわちコードパターン１１全体を、対応するデータセルＣ内に残すことができ、基板２の製造情報の損失を困難にすることができる。
【００７１】
（２）上記実施形態では、密着性の最も高くなる膜厚比Ｒを予め調査し、その膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７となるコードパターン１１によって、識別コード１０を形成するようにした。従って、膜厚比Ｒを最適化した分だけ、基板２の製造情報の損失を、さらに困難にすることができる。
【００７２】
（３）上記実施形態では、実基板温度Ｔａを昇温し、微小液滴３５を予備的に乾燥することによって、膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たすようにした。その結果、コードパターン１１を形成した後に、同コードパターン１１の外周部を厚くする、あるいは同コードパターン１１の中心位置近傍を薄くする工程を要することなく、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たす隆起部１１ｅ及び平坦部１１ｃを形成することができる。従って、識別コード１０の製造工程数を増加させることなく、基板２の製造情報の損失を困難にすることができる。
【００７３】
（４）上記実施形態では、搬送台２２に加熱ヒータ２４を設けることによって、基板２（コード形成領域Ｚ）を目標基板温度Ｔｐするようにした。その結果、微小液滴３５が着弾するときに、確実にコード形成領域Ｚを目標基板温度Ｔｐすることができ、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たす隆起部１１ｅ及び平坦部１１ｃを、より確実に形成することができる。
【００７４】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、膜厚比Ｒが、４＜膜厚比Ｒ＜７を満たす構成にした。これに限らず、密着性を最も高くする膜厚比Ｒは、例えばコードパターン１１の構成材料や形状等によって変動するため、隆起部１１ｅを有して密着性を向上可能な範囲の膜厚比Ｒであればよい。
【００７５】
・上記実施形態では、加熱手段を加熱ヒータ２４に具体化した。これに限らず、例えば、基板２によって光熱変換可能な波長の光（例えば、赤外波長領域の光）を、ランプ（例えば、赤外線ランプ）やレーザ光源（例えば、赤外線レーザ）によってコード形成領域Ｚに照射するようにしてもよい。
【００７６】
これによれば、コード形成領域Ｚを非接触で加熱することができるため、基板２の形状（例えば、裏面２ｂや表面２ａの凹凸形状）に依存することなく、コード形成領域Ｚを、
目標基板温度Ｔｐまで、確実に昇温することができる。従って、黒セルＣ１に整合したコードパターン１１を、より確実に形成することができる。
【００７７】
・上記実施形態では、液滴吐出動作を終了した後に、基板２を所定の乾燥・焼成炉等に移載して、微小液滴３５の本乾燥と、金属微粒子の焼成を行うようにした。
これを変更し、微小液滴３５を乾燥して金属微粒子を焼成可能なレーザ光（例えば、波長が８００ｎｍ近傍のレーザ光）を照射するレーザ光源をキャリッジ２７に搭載し、同レーザ光を、１行目の黒セルＣ１（微小液滴３５）から１６行目の黒セルＣ１に対して順次照射し、コードパターン１１を形成するようにしてもよい。
【００７８】
これによれば、基板２を移載する時間等を省くことができ、識別コード１０の生産性を、さらに向上することができる。
・上記実施形態では、コードパターン１１を金属微粒子で構成するようにしたが、これに限らず、例えば顔料で形成してもよく、コードリーダで読み取ることができるものであればよい。
【００７９】
・上記実施形態では、各コードパターン１１を一滴の微小液滴３５で形成する構成にしたが、これに限らず、複数滴の微小液滴３５で形成するようにしてもよい。
・上記実施形態では、コードパターン１１を平面視方向から見て円形状に形成したが、これに限らず、例えば楕円形状や線状であってもよく、外周部近傍が隆起する形状であればよい。
【００８０】
・上記実施形態では、識別コード１０を２次元コードに具体化したが、これに限らず、例えばバーコード、文字、数字、記号等であってもよい。
・上記実施形態では、液滴吐出動作の前に裏面２ｂの表面処理を施さない構成にしたが、これに限らず、例えばコードパターン１１と裏面２ｂの密着性を向上させる表面処理（酸素プラズマ等による洗浄処理等）を施すようにしてもよい。これによれば、コードパターン１１の密着性を、より確実に向上することができる。
【００８１】
・上記実施形態では、識別コード１０を形成するための基板を透明ガラス基板２に具体化したが、これに限らず、例えば液晶表示装置１に使用するフレキシブル基板やリジッド回路基板等であってもよい。
【００８２】
・上記実施形態では、電気光学装置を液晶表示装置１に具体化した。これに限らず、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置であってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた電気光学装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】液晶表示装置を示す正面図。
【図２】識別コードを示す正面図。
【図３】識別コードを示す側断面図。
【図４】識別コードの構成を説明する説明図。
【図５】液滴吐出装置を示す概略斜視図。
【図６】液滴吐出装置を示す概略断面図。
【図７】液滴吐出ヘッドを示す概略斜視図。
【図８】液滴吐出ヘッドを示す概略断面図。
【図９】液滴吐出装置の電気的構成を説明するブロック図。
【符号の説明】
【００８４】
１…液晶表示装置、２…基板、１０…識別コード、１１…コードパターン、２０…液滴吐出噴射装置、Ｃ…データセル、Ｚ…コード形成領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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