(57)【要約】【課題】 発光効率の向上と画質低下の減少とができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。【解決手段】有機電界発光表示装置は、表示領域と非表示領域とを備え、表示領域に互いに交差される方向に形成されたデータライン及びスキャンラインと、非表示領域に形成された前記データラインが伸張されたデータリンク及び前記スキャンラインと接続されたスキャンリンクを形成する。非表示領域の基板５２上に、透明導電層６４、第１金属層６６、アルミニウム層６８及び第２金属層７０を順次に積層し、データリンク及びスキャンリンクを形成する。データリンク及びスキャンリンクが透明導電物質を含むことによる高い抵抗は、低い抵抗のアルミニウムを含むように、データリンク及びスキャンリンクを形成することによって補償される。従って、有機ＥＬ表示装置の発光効率は向上されると共に画質の低下は減少する。【選択図】図６
2006114504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置において、
前記表示領域に互いに交差される方向に形成されたデータライン及びスキャンラインと、
前記非表示領域に形成された前記データラインから伸張するデータリンク及び前記スキャンラインと接続されたスキャンリンクと、
前記非表示領域に形成された前記データリンクの末端に前記データリンクの幅より広い幅で延長され接続されたデータパッド及び前記スキャンリンクの末端に前記スキャンリンクの幅より広い幅で延長され接続されたスキャンパッドを備え、前記データリンク、データパッド、スキャンリンク及びスキャンパッドの中の少なくとも一つは、複数の導電層で形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記データリンク、データパッド及びスキャンリンク、スキャンパッドは、透明導電層を含む複数の導電層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記複数の導電層は、基板上に形成された前記透明導電層と、
前記透明導電層上に形成されたアルミニウム層と、
前記透明導電層と前記アルミニウム層の間に形成された第１金属層と、
前記アルミニウム層上に形成された第２金属層とを備えることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第１金属層は、前記アルミニウム層が前記透明導電層と結合の際に酸化されることを防ぐことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第２金属層は、前記アルミニウム層が空気中に露出の際に酸化されることを防ぐことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記第１及び第２金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記データリンク及びデータパッドは、単一導電層のみで形成され、前記スキャンリンク及びスキャンパッドは、複数の導電層で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記単一導電層は、透明導電層であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記複数の導電層は、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記複数の導電層は、基板上にアルミニウム層と、
前記アルミニウム層上に前記アルミニウム層を覆う金属層とを備えることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記金属層は、前記アルミニウム層に酸素が接触することを防ぐことを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記データリンク、データパッド、スキャンリンク及びスキャンパッドの各々は、アルミニウム層と前記アルミニウム層上に積層される金属層とを含み、前記データリンクは前記金属層上に積層される透明導電層を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記金属層は、前記アルミニウム層に酸素が接触することを防ぐことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置において、
前記表示領域に透明導電層で形成されたデータラインと、
前記表示領域で有機発光層を間に置いて前記データラインと交差するスキャンラインと、
前記非表示領域にアルミニウム層で形成され、前記データラインの長さ方向に前記データラインと一定間隔で離隔されたデータリンク、及び前記データリンクの長さ方向の末端に前記データリンクの幅より広い幅に延長され接続されたデータパッドと、
前記非表示領域にアルミニウム層で形成され、前記スキャンラインと接続されたスキャンリンク及び前記スキャンリンクの長さ方向の末端に前記スキャンリンクの幅より広い幅に延長され接続されたスキャンパッドと、
前記非表示領域に金属層から形成され、前記データリンク及び前記データパッドを覆って前記データラインと前記データリンクを電気的に接続する補助データリンクとを備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記非表示領域に前記金属層で形成され、前記スキャンリンク及び前記スキャンパッドを覆う補助スキャンリンクを更に備えることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記スキャンリンク、スキャンパッド、データリンク及びデータパッドは、同一物質であることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記補助スキャンリンクと前記補助データリンクは、同一物質であることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記補助データリンク及び補助スキャンリンクは、前記データリンク、データパッド、スキャンリンク及びスキャンパッドに酸素が接触することを防ぐことを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記表示領域にデータライン、前記非表示領域で前記データラインが延長されるデータリンク、前記データリンクの長さ方向の末端に前記データリンクの幅より広い幅に延長され接続されるデータパッド及び前記非表示領域でスキャンリンク、前記スキャンリンクの長さ方向の末端に前記スキャンリンクの幅より広い幅に延長され接続されるスキャンパッドの透明導電層を形成する段階と、
前記データリンク、データパッド、スキャンリンク及びスキャンパッドの透明導電層上に複数の導電層を形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続されて前記データラインと交差するスキャンラインを前記表示領域に形成する段階とを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記複数の導電層を形成する段階は、
前記透明導電パターン上に第１金属層を形成する段階と、
前記第１金属層上にアルミニウム層を形成する段階と、
前記アルミニウム層上に第２金属層を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項２２に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１金属層は、前記アルミニウム層が前記透明導電層と結合の際に酸化されることを防ぐことを特徴とする請求項２３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２金属層は、前記アルミニウム層が空気中に露出の際に酸化されることを防ぐことを特徴とする請求項２３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第１及び第２金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項２３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２７】
表示領域と非表示領域とを有する有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記表示領域にデータライン及び前記非表示領域で前記単一導電層だけで前記データラインと接続されるデータリンクと、前記データリンクの末端に接続されたデータパッドを形成する段階と、
前記非表示領域に複数の導電層を積層し、スキャンリンクと前記スキャンリンクの末端に連結されるスキャンパッドを形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続され、前記データラインと交差するスキャンラインを前記表示領域に形成する段階とを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記単一導電層は、透明導電層で形成されることを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記複数の導電層は、アルミニウムを含む複数の導電層で形成されることを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記複数の導電層を形成する段階は、
基板上にアルミニウム層を形成する段階と、
前記アルミニウム層上に、前記アルミニウム層を覆う金属層を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記金属層は、前記アルミニウム層に酸素が接触することを防ぐことを特徴とする請求項３０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項３１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３３】
表示領域と非表示領域とを有する有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記非表示領域にアルミニウム層及び前記アルミニウム層上に金属層を積層してデータリンクと前記データリンクの末端に接続されるデータパッド及びスキャンリンクと前記スキャンリンクの末端に連結されるスキャンパッドを形成する段階と、
前記表示領域に前記データラインと接続されるデータラインを形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続されて前記データラインと交差するスキャンラインを前記表示領域に形成する段階とを含み、前記データリンクは前記金属層上に積層される透明導電層を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記金属層は、前記アルミニウム層に酸素が接触することを防ぐことを特徴とする請求項３３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項３４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３６】
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記表示領域にデータラインを形成する段階と、
前記表示領域にアルミニウム層に前記データラインの長さの方向に前記データラインと一定の間隔で離隔されるデータリンク、前記データリンクの長さ方向の末端に前記データリンクの幅より広い幅で延長され接続されるデータパッド及び前記非表示領域にスキャンリンク、前記スキャンリンクの長さ方向の末端に前記スキャンリンクの幅より広い幅で延長され接続されるスキャンパッドとを形成する段階と、
前記非表示領域に金属層に前記データリンク及び前記データパッドを覆いながら前記データラインと前記データリンクを電気的に接続する補助データリンクを形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続され、前記データラインと交差するスキャンラインを前記表示領域に形成する段階とを含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記非表示領域に前記金属層に前記スキャンリンクと前記スキャンパッドを覆う補助スキャンリンクを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項３６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項３６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記補助データリンク及び補助スキャンリンクは、前記データリンク、データパッド、スキャンリンク及びスキャンパッドに酸素が接触することを防ぐことを特徴とする請求項３６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置に関し、特に発光効率の向上と画質低下の減少とができる有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管の欠点である重さと体積とが減らせる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、以下「ＬＣＤ」という。）、電界放出型表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ   Ｄｉｓｐｌａｙ、以下「ＦＥＤ」という。）、プラズマディスプレイパネル（ＰｌａｓｍａＤｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ、以下「ＰＤＰ」という。）及び電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下「ＥＬ」という。）表示装置等がある。
【０００３】
ＰＤＰは構造と製造工程が比較的に単純であるため、大画面化に最も有利ではあるが、発光効率と輝度が低く、消費電力が大きいという問題点がある。ＬＣＤは主にノートブックコンピューターの表示素子として利用されるにつれて需要が増えつつあるが、半導体工程によるので大画面化が困難であり、また、バックライトユニットによって消費電力が大きいという問題点がある。また、ＬＣＤは偏光フィルター、プリズムシート、拡散板等の光学素子による光損失が多く、また、視野角が狭いという問題がある。一方、ＥＬ表示装置は、自発光であり、発光層の材料により、無機ELと有機ＥＬとに大別される。他の表示装置と比較すると、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きいという利点を有する。また、有機ＥＬ表示素子は約１０[Ｖ]電圧で数万[ｃｄ／ｍ２]の高い輝度で画像を表示することができる。
【０００４】
図１は従来の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。
【０００５】
図１に示すように、従来の有機ＥＬ表示装置は、互いに交差するデータラインＤＬとスキャンラインＳＬと、その交差部ごとに形成されるマトリクスで配列されたＥＬセル（未図示）が位置する表示領域Ａとを備え、そこに有機発光の際に画像が現れる。
【０００６】
また、表示領域ＡのデータラインＤＬが伸張されたデータリンクＤＫと、データリンクＤＫの末端にデータリンクＤＫより広い幅を有するデータパッドＤＰが形成されたデータパッド部２４を備え、スキャンラインＳＬと接続されるスキャンリンクＳＫと、スキャンリンクＳＫの末端に、スキャンリンクＳＫの幅より広い幅を有するスキャンパッドＳＰが形成されたスキャンパッド部３２が位置する非表示領域Ｂを備える。
【０００７】
データパッド部２４及びスキャンパッド部３２は、データ信号を生成するデータ駆動部（未図示）及びスキャン信号を生成するスキャン駆動部（未図示）が実装された図示されないＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）と接続される。
【０００８】
データパッド部２４は、データ駆動部からデータラインＤＬに供給されるデータ信号を、各データパッドＤＰ及びデータリンクＤＫを通じて相応するデータラインＤＬに供給する。スキャンパッド部３２は、スキャン駆動部からスキャンラインＳＬに供給されるスキャン信号を、各スキャンパッドＳＰ及びスキャンリンクＳＫを通じて、相応するスキャンラインＳＬに供給する。
【０００９】
図２は、従来の他の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。
【００１０】
図２に示した有機ＥＬ表示装置は、図１の表示装置に比べると、データパッド部２４及び第１及び第２スキャンパッド部３２a及び３２bを備え、表示装置の実装の目的のために第１及び第２スキャンパッド部３２a及び３２bは、データパッド部２４の両側に分離され有機ＥＬ表示装置の基板（未図示）の下側に共に形成される。   
【００１１】
データパッド部２４及び第１及び第２スキャンパッド部３２a及び３２bを、有機ＥＬ表示装置の基板の下側に共に形成する理由は、駆動部が表示装置に実装される場合、有機ＥＬ表示装置の表示領域Ａを、表示装置の中央に位置させるためである。
【００１２】
図２を参照すると、表示領域ＡのデータラインＤＬから伸張された各データリンクＤＫは、非表示領域Ｂを経由して基板２の下側に形成されたデータパッド部２４の相応するデータパッドＤＰに接続される。表示装置AのスキャンラインＳＬと接続された各スキャンリンクＳＫＡ、ＳＫＢは、非表示領域Ｂを経由して基板２の下側に形成されたスキャンパッド部３２a、３２bの相応するスキャンパッドＳＰＡ、ＳＰＢに各々接続される。
【００１３】
図３は、図２に示した線I−I’及びII−II’に沿って切り取った断面図である。
【００１４】
図３を参照すると、有機ＥＬ表示装置の非表示領域Ｂに形成されるデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫは、透明導電層１４と、透明導電層１４上に形成される金属層１６を備える。
【００１５】
非表示領域Ｂに形成されるデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの透明導電層１４は、表示領域Ａに形成されるデータライン（未図示）と同一の工程で形成される。データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの金属層１６は、導電性物質であるクロムＣｒまたはモリブデンＭｏ等が被覆された後、パターニングされることによって、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの透明導電層１４を覆うように形成される。
【００１６】
透明導電層１４は、高抵抗のＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ)、ＩＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ)、ＩＴＺＯ(Ｉｎｄｉｕｍ    Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ)等で形成されることによって、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫは高い抵抗を有する。このような透明導電層１４によるデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの高い抵抗は、表示装置の発光効率を低下させると共に、データパッド（未図示）及びスキャンパッド（未図示）から各データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫを通じて、相応するデータラインＤＬ及びスキャンラインＳＬに印加される信号を歪ませ、ＥＬセルの駆動の際に画質を低下させる原因になる。
【００１７】
このような理由で、従来のデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの高い抵抗を補償するために、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの透明導電層１４上に、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏを使って金属層１６を形成する。しかし、このようなデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの高い抵抗を補償するための金属層１６は、その材料であるクロムＣｒの抵抗が１２．７Ωｃｍであり、モリブデンＭｏの場合には、その抵抗がＣｒの抵抗より更に高いため、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの透明導電層１４による抵抗の補償は、不十分である。
【００１８】
また、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏより低い抵抗を有するアルミニウムＡｌの使用が提案されたが、アルミニウムＡｌは酸素と接触すると酸化される特性がある。このようなアルミニウムＡｌの特性のため、有機ＥＬ表示装置のデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの金属層１６に、抵抗の低いアルミニウムＡｌの使用ができないという問題点がある。
【００１９】
さらに、データリンクＤＫとは違って、スキャンリンクＳＫの場合、図２に示したように、各スキャンリンクＳＫは相応するスキャンパッドＳＰＡ、ＳＰＢに接続されるために、データリンクＤＫより長い距離の非表示領域Ｂを経由する。従って、長い距離の非表示領域Ｂを経由するスキャンリンクＳＫは、データリンクＤＫより大きい抵抗を有し、このようなスキャンリンクＳＫの大きい抵抗は、有機ＥＬ表示装置の発光効率及び画質を更に低下させる原因になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
従って、本発明の目的は、非表示領域に形成されたスキャンリンク及びデータリンクの抵抗を減少させることによって、発光効率の向上と画質低下の減少とが可能になる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記の目的を達成するために、本発明の有機電界発光表示装置は、 
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置において、前記表示領域に互いに交差される方向に形成されたデータライン及びスキャンラインと、
前記非表示領域に形成された前記データラインが伸張されたデータリンク及び前記スキャンラインと接続されたスキャンリンクと、
前記非表示領域に形成された前記データリンクの末端に前記データリンクの幅より広い幅で延長され接続されたデータパッド、及び前記スキャンリンクの末端に前記スキャンリンクの幅より広い幅で延長され接続されたスキャンパッドを備え、
前記データリンク、データパッド、スキャンリンク及びスキャンパッドの中の少なくとも一つは複数の導電層で形成される。
【００２２】
前記データリンク、データパッド及びスキャンリンク、スキャンパッドは、透明導電層を含む複数の導電層で形成されている。
【００２３】
前記複数の導電層は、基板上に形成された前記透明導電層と、前記透明導電層上に形成されたアルミニウム層と、前記透明導電層と前記アルミニウム層の間に形成された第１金属層と、前記アルミニウム層上に形成された第２金属層とを備える。
【００２４】
前記第１金属層は、前記アルミニウム層が前記透明導電層と結合の際に酸化されることを防ぐ。
【００２５】
前記第２金属層は、前記アルミニウム層が空気中に露出されている時に、酸化されることを防ぐ。
【００２６】
前記第１及び第２金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００２７】
前記データリンク及びデータパッドは、単一の導電層だけに形成され、前記スキャンリンク及びスキャンパッドは、複数の導電層に形成される。
【００２８】
前記単一の導電層は、透明導電層である。
【００２９】
前記複数の導電層は、アルミニウムを含む。
【００３０】
前記複数の導電層は、基板上のアルミニウム層と、前記アルミニウム層上に前記アルミニウム層を覆う金属層とを備える。
【００３１】
前記金属層は、前記アルミニウム層が酸素に接触することを防ぐ。
【００３２】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００３３】
前記データリンク、データパッド、スキャンリンクおよびスキャンパッドの各々は、アルミニウム層と前記アルミニウム層上に積層される金属層とを含み、前記データリンクは前記金属層上に積層される透明導電層を含む。
【００３４】
前記金属層は、前記アルミニウム層に酸素が接触することを防ぐ。
【００３５】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００３６】
本発明の実施形態による有機電界発光表示装置は、 
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置において、
前記表示領域に透明導電層で形成されたデータラインと、
前記表示領域で有機発光層を間に置いて前記データラインと交差するスキャンラインと、
前記非表示領域にアルミニウム層で形成され、前記データラインの長さ方向に前記データラインと一定間隔で離隔されたデータリンク、及び前記データリンクの長さ方向の末端に接続され、前記データリンクの幅より広い幅に延長されたデータパッドと、
前記非表示領域にアルミニウム層で形成され、前記スキャンラインと接続されたスキャンリンク、及び前記スキャンリンクの長さ方向の末端に接続され、前記スキャンリンクの幅より広い幅に延長されたスキャンパッドと、
前記非表示領域に、前記データリンク及び前記データパッドを金属層で被覆し、前記データラインと前記データリンクを電気的に接続する補助データリンクとを備える。
【００３７】
前記有機電界発光表示装置は、前記非表示領域に前記スキャンリンク及び前記スキャンパッドを覆う前記金属層で形成される補助スキャンリンクを更に備える。
【００３８】
前記スキャンリンク、スキャンパッド、データリンク及びデータパッドは、同一物質から形成される。
【００３９】
前記補助スキャンリンクと前記補助データリンクは、同一物質から形成される。
【００４０】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００４１】
前記補助データリンク及び補助スキャンリンクは、前記データリンク、データパッド、スキャンリンク、およびスキャンパッドが酸素に接触することを防ぐ。
【００４２】
本発明の実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法は、 
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記表示領域にデータライン、前記非表示領域で、前記データラインから延長されるデータリンク、前記データリンクの長さ方向の末端に前記データリンクの幅より広い幅に延長され接続されるデータパッド、及び前記非表示領域で、スキャンリンク、前記スキャンリンクの長さ方向の末端に前記スキャンリンクより広い幅に延長され接続されるスキャンパッドの透明導電層を形成する段階と、
前記データリンク、データパッド、スキャンリンク、およびスキャンパッドの透明導電層上に複数の導電層を形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続され、前記データラインと交差するスキャンラインを、前記表示領域に形成する段階とを含む。
【００４３】
前記複数の導電層を形成する段階は、
前記透明導電パターン上に第１金属層を形成する段階と、
前記第１金属層上にアルミニウム層を形成する段階と、
前記アルミニウム層上に第２金属層を形成する段階とを含む。
【００４４】
前記第１金属層は、前記アルミニウム層が前記透明導電層と接続の際に起こる腐食（酸化）を防ぐ。
【００４５】
前記第２金属層は、前記アルミニウム層が空気中に露出の際に酸化されることを防ぐ。
【００４６】
前記第１及び第２金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００４７】
本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置の製造方法は、 
表示領域と非表示領域とを有する有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記表示領域にデータライン、及び前記非表示領域で前記単一導電層だけで前記データラインと接続されるデータリンクと、前記データリンクの末端に接続されたデータパッドを形成する段階と、
前記非表示領域に複数の導電層を積層してスキャンリンクと前記スキャンリンクの末端に接続されるスキャンパッドを形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続され、前記データラインと交差するスキャンラインを前記表示領域に形成する段階とを含む。
【００４８】
前記単一導電層は、透明導電層から形成される。
【００４９】
前記複数の導電層は、アルミニウムを含む複数の導電層から形成される。
【００５０】
前記複数の導電層を形成する段階は、
基板上にアルミニウム層を形成する段階と、
前記アルミニウム層上に前記アルミニウム層を覆う金属層を形成する段階とを含む。
【００５１】
前記金属層は、前記アルミニウム層に酸素が接触することを防ぐ。
【００５２】
前記金属層はクロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００５３】
本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置の製造方法は、 
表示領域と非表示領域とを有する有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記非表示領域にアルミニウム層及び前記アルミニウム層上に金属層を積層して、データリンクと、前記データリンクの末端に接続されるデータパッドと、スキャンリンク及び前記スキャンリンクの末端に接続されるスキャンパッドを形成する段階と、
前記表示領域に前記データラインと接続されるデータラインを形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続され、前記データラインと交差するスキャンラインを前記表示領域に形成する段階とを含み、前記データリンクは前記金属層上に積層される透明導電層を含む。
【００５４】
前記金属層は、前記アルミニウム層に酸素が接触することを防ぐ。
【００５５】
前記金属層はクロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００５６】
本発明の実施の形態による有機電界発光表示装置の製造方法は、 
表示領域と非表示領域とを備える有機電界発光表示装置の製造方法において、
前記表示領域にデータラインを形成する段階と、
前記表示領域に、アルミニウム層に前記データラインの長さ方向に前記データラインと一定の間隔で離隔されるデータリンク、前記データリンクの長さ方向の末端に前記データリンクの幅より広い幅で延長され接続されるデータパッド、及び前記非表示領域にスキャンリンク、前記スキャンリンクの長さ方向の末端に前記スキャンリンクの幅より広い幅で延長され接続されるスキャンパッドとを形成する段階と、
前記非表示領域に、金属層により、前記データリンク及び前記データパッドを覆うように前記データラインと前記データリンクを電気的に接続させる補助データリンクを形成する段階と、
前記スキャンリンクに接続されて前記データラインと交差するスキャンラインを、前記表示領域に形成する段階とを含む。
【００５７】
前記有機電界発光表示装置の製造方法は、 
前記非表示領域に、前記金属層により、前記スキャンリンクと前記スキャンパッドを覆う補助スキャンリンクを形成する段階を更に含む。
【００５８】
前記金属層は、クロム及びモリブデンの中の少なくとも何れか一つを含む。
【００５９】
前記補助データリンク及び補助スキャンリンクは、前記データリンク、データパッド、スキャンリンクおよびスキャンパッドが酸素に接触することを防ぐ。
【発明の効果】
【００６０】
本発明による有機ＥＬ表示装置及びその製造方法は、データリンク及びスキャンリンクにアルミニウムのような抵抗の低い金属物質によって形成される。したがって、非表示領域に形成されたデータリンク及びスキャンリンクの抵抗を減少させることによって、発光効率の向上と画質低下の減少とが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６１】
以下、図４乃至図１９Ｅを参照して本発明の好ましい実施形態に対して説明する。
【００６２】
図４は本発明の実施形態の有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。
【００６３】
図４を参照すると、本発明の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、互いに交差するデータラインＤＬとスキャンラインＳＬと、その交差部ごとに形成されるマトリクスで配列されたＥＬセル（未図示）が位置する表示領域Ａとを備え、そこに有機発光の際に画像が現れる。
【００６４】
また、表示領域ＡのデータラインＤＬが伸張されたデータリンクＤＫと、データリンクＤＫの末端にデータリンクＤＫの幅より広い幅を有するデータパッドＤＰが形成されたデータパッド部７４を備え、スキャンラインＳＬと接続されるスキャンリンクＳＫと、スキャンリンクＳＫの末端に、スキャンリンクＳＫの幅より広い幅を有する第１及び第２スキャンパッドＳＰＡ及びＳＰＢが形成された第１及び第２スキャンパッド部８２a及び８２bが位置する非表示領域Ｂを備える。
【００６５】
第１及び第２スキャンパッド部８２a及び８２bは、実装のためにデータパッド部７４の両側に分離され有機ＥＬ表示装置の基板５２の下側に共に形成される。   
【００６６】
データパッド部７４及び第１及び第２スキャンパッド部８２a及び８２bは、データ信号を生成するデータ駆動部（未図示）及びスキャン信号を生成する第１及び第２スキャン駆動部（未図示）が実装されたＴＣＰと接続される。
【００６７】
データパッド部７４は、データ駆動部からデータラインＤＬに供給されるデータ信号を各データパッドＤＰ及びデータリンクＤＫを通じて相応するデータラインＤＬに供給し、第１及び第２スキャンパッド部８２a及び８２bは、第１及び第２スキャン駆動部からスキャンラインＳＬに供給されるスキャン信号を各スキャンパッドＳＰＡ、ＳＰＢ及びスキャンリンクＳＫＡ、ＳＫＢを通じて相応するスキャンラインＳＬに供給する。   
【００６８】
図５は本発明の実施形態による有機ＥＬ表示装置の一部が形成された平面図であり、図６は図５に示した線III−III’及びIV−IV’に沿って切り取った本発明の第１実施形態の断面図である。
【００６９】
図５及び図６を参照すると、本発明の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置は、非表示領域Ｂに透明導電層６４、第１金属層６６、アルミニウム層６８及び第２金属層７０が順次に積層されたデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫを備える。
【００７０】
データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの透明導電層６４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等の透明導電性物質が基板５２上の全面に被覆された後に、パターニングされることによって、表示領域ＡのデータラインＤＬと同一工程で形成される。
【００７１】
第１金属層６６、アルミニウム層６８及び第２金属層７０は、透明導電層６４が形成された基板５２上に、第１導電性金属物質、アルミニウムＡｌ及び第２導電性金属物質が順次に全面被覆された後にパターニングされることによって、形成される。
【００７２】
従って、非表示領域Ｂを経由するデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫが、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等の透明導電性物質を含むことによる高い抵抗は、低い抵抗を有するアルミニウムＡｌを含むように、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫを形成することによって補償される。従って、有機ＥＬ表示装置の発光効率は向上されると共に画質の低下は減少される。  
【００７３】
この場合、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫのアルミニウム層６８が、透明導電層６４との接触によって起こる酸化は、透明導電層６４とアルミニウム層６８の間に第１金属層６６を形成することによって防止する。また、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫのアルミニウム層６８が空気中に露出され酸化されるのは、第２金属層７０を使用することで防止する。
【００７４】
第１及び第２金属層６６，７０は、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏを含む。
【００７５】
図７は、図４に示した線Ｖ−Ｖ’及びＶＩ−ＶＩ’に沿って切り取った本発明の第１実施形態の断面図である。
【００７６】
図７を参照すると、本発明の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置は、基板５２上の表示領域Ａに一定間隔で離隔されたデータラインＤＬと、基板５２上の非表示領域Ｂに表示領域ＡのデータラインＤＬが伸張されたデータリンクＤＫと、スキャンラインＳＬと接続されるスキャンリンクＳＫとを備える。   
【００７７】
スキャンリンクＳＫ及びデータリンクＤＫは、順次に積層された透明導電層６４、第１金属層６６、アルミニウム層６８及び第２金属層７０で形成される。
【００７８】
また、基板５２上の表示領域ＡにＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、表示領域ＡのスキャンラインＳＬと非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫを接続させるためのコンタクトホール７２を有する絶縁膜５６と、絶縁膜５６上に有機発光層６０及びスキャンラインＳＬの分離のための隔壁５８と、非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫとコンタクトホール７２を通じて接触される表示領域ＡのスキャンラインＳＬとを備える。
【００７９】
以下、図８Ａ乃至図８Ｄを参照して、本発明の第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を段階的に説明すると次のようである。
【００８０】
図８Ａを参照すると、データラインＤＬは基板５２上の表示領域Ａに透明導電性物質、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等が全面被覆された後にパターニングされることによって、一定の間隔で離隔され形成される。
【００８１】
これと同時に、データリンクＤＫの透明導電層６４及び後続工程で形成されるスキャンラインＳＬと接続されるスキャンラインＳＫの透明導電層６４が、同一の工程で基板５２上の非表示領域Ｂに一定の間隔で離隔され形成される。
【００８２】
次に、図８ＢのようにデータラインＤＬ、データリンクの透明導電層及びスキャンリンクＳＫの透明導電層６４が形成された基板５２上に第１金属物質が全面被覆され、第１金属物質が全面被覆された基板５２上にアルミニウムＡｌが全面被覆され、アルミニウムＡｌが全面被覆された基板５２上にまた第２金属物質が全面被覆された後にパターニングされることによって、非表示領域Ｂに透明導電層６４、第１金属層６６、アルミニウム層６８及び第２金属層７０が順次に積層されたデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫが形成される。
【００８３】
表示領域ＡのデータラインＤＬ、非表示領域ＢのデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫが形成された基板５２上には図８Cのように、絶縁物質が全面被覆された後にパターニングされることによって、データラインＤＬ上にＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、後続工程で形成される表示領域ＡのスキャンラインＳＬと非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫの、接続のためのコンタクトホール７２を有する絶縁膜５６が形成される。続いて、絶縁膜５６が形成された表示領域Ａ上には、有機発光層６０及びスキャンライン６２の分離のための隔壁５８が形成される。隔壁５８はデータラインＤＬを横切る方向に形成される。その後、隔壁５８が形成された基板５２上には図８Ｄのように、有機発光物質がマスクを利用して被覆有機発光層６０が形成され、続いて、電極物質が全面被覆を通じてスキャンラインＳＬが形成される。非表示領域Ｂの各スキャンリンクＳＫと表示領域Ａの相応するスキャンラインＳＬは、スキャンラインＳＬの形成のための、電極物質の全面被覆の際にコンタクトホール７２を通じて接続される。
【００８４】
図９は、図５に示した線III−III’及びIV−IV’に沿って切り取った本発明の第２実施形態の断面図である。
【００８５】
図９を参照すると、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置は、非表示領域ＢにＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等の透明導電性物質で形成されたデータリンクＤＫ及びデータパッドＤＰと、アルミニウム層１６８及び金属層１７０が順次に積層されたスキャンリンクＳＫ及びスキャンパッドＳＰを備える。
【００８６】
データリンクＤＫ及びデータパッドＤＰは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等の透明導電性物質が基板５２上に全面被覆された後にパターニングされることによって、表示領域ＡのデータラインＤＬと同一の工程で形成される。
【００８７】
スキャンリンクＳＫ及びスキャンパッドＳＰは、基板５２上にアルミニウムＡｌ及び導電性金属物質が順次に全面被覆された後にパターニングされることによって、形成される。
【００８８】
従って、非表示領域Ｂに形成されるスキャンリンクＳＫをアルミニウムＡｌで形成することによって、データリンクＤＫより長い距離の非表示領域Ｂを経由するスキャンリンクＳＫの抵抗の減少ができる。従って、有機ＥＬ表示装置の発光効率は向上し、画質の低下は減少される。
【００８９】
この際、スキャンリンクＳＫ及びスキャンパッドＳＰの金属層１７０は、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏを含み、アルミニウムＡｌで形成されるスキャンリンクＳＫ及びスキャンパッドＳＰのアルミニウム層１６８に酸素が接触するのを防ぐ役割をする。
【００９０】
図１０は、図４に示した線Ｖ−Ｖ’及びＶＩ−ＶＩ’に沿って切り取った本発明の第２実施形態の断面図である。
【００９１】
図１０を参照すると、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置は、基板５２上の表示領域Ａに一定間隔で離隔されたデータラインＤＬと、基板５２上の非表示領域Ｂに表示領域ＡのデータラインＤＬが伸張されたデータリンクＤＫと、スキャンラインＳＬと接続されるアルミニウム層１６８と、金属層１７０で形成されるスキャンリンクＳＫとを備える。   
【００９２】
また、基板５２上の表示領域ＡにＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、表示領域ＡのスキャンラインＳＬと非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫを接続させるためのコンタクトホール７２を有する絶縁膜５６と、絶縁膜５６上に有機発光層６０及びスキャンラインＳＬの分離のための隔壁５８と、非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫとコンタクトホール７２を通じて接触される表示領域ＡのスキャンラインＳＬとを備える。
【００９３】
以下、図１１Ａ乃至図１１Ｄを参照して、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を段階的に説明すると次のようである。   
【００９４】
図１１Ａを参照すると、表示領域ＡのデータラインＤＬ、非表示領域ＢのデータリンクＤＫは基板５２上に透明導電性物質、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等が全面被覆された後にパターニングされることによって、一定の間隔で離隔され形成される。
【００９５】
次に、図１１Ｂのように表示領域Ａに、データラインＤＬ及び非表示領域ＢにデータリンクＤＫが形成された基板５２上にアルミニウムＡｌが全面被覆され、アルミニウムＡｌが全面被覆された基板５２上に、またクロムＣｒまたはモリブデンＭｏが全面被覆された後にパターニングされることによって、非表示領域Ｂにアルミニウム層１６８及び金属層１７０が順次に積層されたスキャンリンクＳＫが形成される。
【００９６】
表示領域ＡのデータラインＤＬ、非表示領域ＢのデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫが形成された基板５２上には図１１Ｃのように、絶縁物質が全面被覆された後にパターニングされることによって、データラインＤＬ上にＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、後続工程で形成される表示領域ＡのスキャンラインＳＬと、非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫの接続のための、コンタクトホール７２を有する絶縁膜５６が形成される。続いて、絶縁膜５６が形成された表示領域Ａ上には、有機発光層６０及びスキャンライン６２の分離のための隔壁５８が形成される。隔壁５８は、データラインＤＬを横切る方向に形成される。その後、隔壁５８が形成された基板５２上には図１１Ｄのように、有機発光物質がマスクを利用して被覆されて、有機発光層６０が形成され、続いて、電極物質が全面被覆を通じてスキャンラインＳＬが形成される。非表示領域Ｂの各スキャンリンクＳＫと表示領域Ａの相応するスキャンラインＳＬは、スキャンラインＳＬの形成のための電極物質の全面被覆の際に、コンタクトホール７２を通じて接続される。
【００９７】
図１２は図５に示した線III−III’及びIV−IV’に沿って切り取った本発明の第３実施形態の断面図である。
【００９８】
図１２を参照すると、本発明の第３実施形態の有機ＥＬ表示装置は、非表示領域Ｂにアルミニウム層２６８及び金属層２７０が順次に積層されたデータリンクＤＫとスキャンリンクＳＬとを備える。
【００９９】
データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫは、アルミニウムＡｌ及び導電性金属物質が順次に全面被覆された後にパターニングされることによって、形成される。
【０１００】
従って、非表示領域Ｂを経由するデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫを、アルミニウムＡｌを利用して形成することによって、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの抵抗の減少が可能になる。従って、有機ＥＬ表示装置の発光効率は向上されるし、画質の低下は減少される。  
【０１０１】
この際、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの金属層２７０は、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏを含み、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫのアルミニウム層２６８に酸素が接触するのを防ぐ役割をする。また、データリンクＤＫのアルミニウム層２６８上に形成されたデータリンクＤＫの金属層１７０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等の透明導電性物質で形成されるデータラインＤＬが、データリンクＤＫのアルミニウム層２６８に接触するのを防ぐ役割をする。
【０１０２】
図１３は、図４に示した線Ｖ−Ｖ’及びＶＩ−ＶＩ’に沿って切り取った本発明の第３実施形態の断面図である。 
【０１０３】
図１３を参照すると、本発明の第３実施形態の有機ＥＬ表示装置は、基板５２上の表示領域Ａに一定間隔で離隔されたデータラインＤＬと、基板５２上の非表示領域Ｂに表示領域Ａから伸張されたデータラインＤＬと接続されるアルミニウム層２６８及び金属層２７０が順次に積層されたデータリンクＤＫと、スキャンラインＳＬと接続されるアルミニウム層２６８及び金属層２７０が順次に積層されたスキャンリンクＳＫとを備える。
【０１０４】
また、基板５２上の表示領域ＡにＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、表示領域ＡのスキャンラインＳＬと非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫを接続させるためのコンタクトホール７２を有する絶縁膜５６と、絶縁膜５６上に有機発光層６０及びスキャンラインＳＬの分離のための隔壁５８と、非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫとコンタクトホール７２を通じて接触される表示領域ＡのスキャンラインＳＬとを備える。
【０１０５】
以下、図１４Ａ乃至図１４Ｄを参照して本発明の第３実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を段階的に説明すると次のようである。   
【０１０６】
図１４Ａを参照すると、基板５２上にアルミニウムＡｌが全面被覆され、アルミニウムＡｌが全面被覆された基板５２上に、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏが全面被覆された後にパターニングされることによって、アルミニウム層２６８及び金属層２７０が順次に積層されたデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫが、非表示領域Ｂに形成される。
【０１０７】
次に、図１４Ｂのように、基板５２上に透明導電性物質、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等が全面被覆された後にパターニングされることによって、データラインＤＬが表示領域Ａに形成される。この際、データラインＤＬは、非表示領域Ｂに形成されたデータリンクＤＫと接続されるように、データリンクＤＫの金属層２７０まで延長され、形成される。
【０１０８】
表示領域ＡのデータラインＤＬ、非表示領域ＢのデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫが形成された基板５２上には、図１４Ｃのように、絶縁物質が全面被覆された後にパターニングされることによって、データラインＤＬ上にＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、後続工程で形成される表示領域ＡのスキャンラインＳＬと非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫの接続のための、コンタクトホール７２を有する絶縁膜５６が形成される。続いて、絶縁膜５６が形成された表示領域Ａ上には、有機発光層６０及びスキャンライン６２の分離のための隔壁５８が形成される。隔壁５８はデータライン５４を横切る方向に形成され、隔壁５８が形成された基板５２上には、図１４Ｄのように、有機発光物質がマスクを利用して被覆されて、有機発光層６０が形成され、続いて、電極物質が全面被覆された後にパターニングされることによって、スキャンラインＳＬが形成される。非表示領域Ｂの各スキャンリンクＳＫと表示領域Ａの相応するスキャンラインＳＬは、スキャンラインＳＬの形成のための電極物質の全面被覆の際にコンタクトホール７２を通じて接続される。
【０１０９】
図１５は本発明の第４実施形態の有機ＥＬ表示装置の一部が形成された平面図であり、図１６は図１５に示した線VII−VII’及びVIII−VIII’に沿って切り取った断面図である。
【０１１０】
図１５及び図１６を参照すると、本発明の第２実施形態の有機ＥＬ表示装置は、表示領域ＡにＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等の透明導電性物質で形成されるデータラインＤＬ及び非表示領域ＢにアルミニウムＡｌで形成されるデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫを備える。
【０１１１】
アルミニウムＡｌで形成されるデータリンクＤＫは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等で形成されるデータラインＤＬと接触の際に酸化されることを防ぐために、データラインＤＬと接続されないように形成する。このような理由で、有機ＥＬ表示装置は、表示領域ＡのデータラインＤＬ及び非表示領域ＢのデータリンクＤＫを、電気的に接続させるための補助データリンク３７０を更に備える。
【０１１２】
補助データリンク３７０は、非表示領域ＢにデータリンクＤＫ及びデータパッドＤＰを覆うように形成され、この際、非表示領域ＢにスキャンリンクＳＫ及びスキャンパッドＳＰを覆う補助スキャンリンク３７１も共に形成される。
【０１１３】
補助データリンク３７０及び補助スキャンリンク３７１は、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏで形成され、アルミニウムＡｌで形成されるデータリンクＤＫ、データパッドＤＰ及びスキャンリンクＳＫ、スキャンパッドＳＰに酸素が接触するのを防ぐ役割をする。
【０１１４】
このように、非表示領域Ｂに形成されるデータリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫをアルミニウムＡｌで形成することによって、データリンクＤＫ及びスキャンリンクＳＫの抵抗の減少が可能になる。従って、有機ＥＬ表示装置の発光効率は向上されるし、画質低下は減少される。
【０１１５】
図１７は図４に示した線V−V’及びVI−VI’に沿って切り取った本発明の第４実施形態の断面図である。
【０１１６】
図１７を参照すると、本発明の第４実施形態の有機ＥＬ表示装置は、基板５２上の表示領域Ａに一定間隔で離隔されたデータラインＤＬと、基板５２上の非表示領域ＢにデータリンクＤＫ、データパッドＤＰ及びスキャンリンクＳＫ、スキャンパッドＳＰを備える。
【０１１７】
データリンクＤＫは、表示領域Ａに形成されたデータラインＤＬと接続されないように形成される。
【０１１８】
有機ＥＬ表示装置は、データリンクＤＫ、データパッドＤＰ及びスキャンリンクＳＫ、スキャンパッドＳＰを覆う補助データリンク３７０及び補助スキャンリンク３７１を更に備える。補助データリンク３７０は、接続されない表示領域ＡのデータラインＤＬと、データリンクＤＫを接続させるように形成される。
【０１１９】
また、基板５２上の表示領域ＡにＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、表示領域ＡのスキャンラインＳＬと非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫを接続させるためのコンタクトホール７２を有する絶縁膜５６と、絶縁膜５６上に有機発光層６０及びスキャンラインＳＬの分離のための隔壁５８と、非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫとコンタクトホール７２を通じて接触される表示領域ＡのスキャンラインＳＬとを備える。
【０１２０】
図１８A乃至図１８Eは、本発明の第４実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【０１２１】
図１８Aを参照すると、データラインＤＬは基板５２上に透明導電性物質、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等が全面被覆された後にパターニングされることによって、表示領域Ａに一定の間隔で離隔され形成される。
【０１２２】
次に、図１８Ｂのように、データラインＤＬが形成された基板５２上にアルミニウムＡｌが全面被覆された後にパターニングされることによって、非表示領域ＢにデータリンクＤＫ、データパッドＤＰ及びスキャンリンクＳＫ、スキャンパッドＳＰが形成される。この際、データリンクＤＫは、表示領域Ａに形成されたデータラインＤＬと接続されないように形成される。
【０１２３】
データリンクＤＫ、データパッドＤＰ、スキャンリンクＳＫおよびスキャンパッドＳＰが形成された基板５２上に、クロムＣｒまたはモリブデンＭｏ等が全面被覆された後にパターニングされることによって、図１８ＣのようにデータリンクＤＫ、データパッドＤＰ及びスキャンリンクＳＫ、スキャンパッドＳＰを覆う補助データリンク３７０及び補助スキャンリンク３７１が形成される。補助データリンク３７０は電気的に接続されない表示領域ＡのデータラインＤＬと非表示領域ＢのデータリンクＤＫとを接続させるように形成される。
【０１２４】
表示領域ＡのデータラインＤＬ、非表示領域Ｂの補助データリンク３７０及び補助スキャンリンク３７１が形成された基板５２上には、図１８Ｄのように絶縁物質が全面被覆された後にパターニングされることによって、データラインＤＬ上にＥＬセル（未図示）領域ごとに開口部を有し、後続工程で形成される表示領域ＡのスキャンラインＳＬと非表示領域ＢのスキャンリンクＳＫの接続のためのコンタクトホール７２を有する絶縁膜５６が形成される。続いて、絶縁膜５６が形成された表示領域Ａ上には有機発光層６０及びスキャンライン６２の分離のための隔壁５８が形成される。隔壁５８はデータライン５４を横切る方向に形成されるし、隔壁５８が形成された基板５２上には図１８Ｅのように、有機発光物質がマスクを利用して被覆されて、有機発光層６０が形成され、続いて、電極物質が全面被覆された後にパターニングされることによって、スキャンラインＳＬが形成される。非表示領域Ｂの各スキャンリンクＳＫと表示領域Ａの相応するスキャンラインＳＬは、スキャンラインＳＬの形成のための電極物質の全面被覆の際にコンタクトホール７２を通じて接続される。
【０１２５】
以上、説明した内容を通じて、当業者なら本発明の技術思想を逸脱しない範囲内に、多様な変更及び修正ができることが分かる。従って、本発明の技術的範囲は明細書の詳しい説明に記載された内容に限られるのでなく、特許請求の範囲によって決められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】従来の有機電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図２】従来の他の有機電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図３】図２に示した線I−I’及びII−II’に沿って切り取った断面図である。
【図４】本発明の第１乃至第３実施形態の有機電界発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図５】本発明の第１乃至第３実施形態の有機電界発光表示装置の一部が形成された平面図である。
【図６】図５に示した線III−III’及びIV−IV’に沿って切り取った本発明の第１実施形態の断面図である。
【図７】図４に示した線V−V’及びVI−VI’に沿って切り取った本発明の第１実施形態の断面図である。
【図８Ａ】本発明の第１実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の第１実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第１実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図８Ｄ】本発明の第１実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図９】図５に示した線III−III’及びIV−IV’に沿って切り取った本発明の第２実施形態の断面図である。
【図１０】図４に示した線V−V’及びVI−VI’に沿って切り取った本発明の第２実施形態の断面図である。
【図１１Ａ】本発明の第２実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１１Ｂ】本発明の第２実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１１Ｃ】本発明の第２実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１１Ｄ】本発明の第２実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１２】図５に示した線III−III’及びIV−IV’に沿って切り取った本発明の第３実施形態の断面図である。
【図１３】図４に示した線V−V’及びVI−VI’に沿って切り取った本発明の第３実施形態の断面図である。
【図１４Ａ】本発明の第３実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１４Ｂ】本発明の第３実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の第３実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１４Ｄ】本発明の第３実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１５】本発明の第４実施形態の有機電界発光表示装置の一部が形成された平面図である。
【図１６】図１５に示した線VII−VII’及びVIII−VIII’に沿って切り取った断面図である。
【図１７】図４に示した線V−V’及びVI−VI’に沿って切り取った本発明の第４実施形態の断面図である。
【図１８Ａ】本発明の第４実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１８Ｂ】本発明の第４実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１８Ｃ】本発明の第４実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１８Ｄ】本発明の第４実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図１８Ｅ】本発明の第４実施形態の有機電界発光表示装置の製造方法を段階的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
２、５２：基板                  １４．６４：透明導電層
５６：絶縁膜                    １６，１７０，２７０：金属層
２４，７４：データパッド部      ３２，８２：スキャンパッド部
６６：第１金属層                ６８，１６８，２６８：アルミニウム層
７０：第２金属層                ７２：コンタクトホール
３７０：補助データリンク        ３７１：補助スキャンリンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１８Ｅ】
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