(57)【要約】【課題】  表面の研磨を容易に行うことができ、またＵやＴｈを含む研磨剤が表面に付着することに起因するカバーガラスのα線放出量の増大を防ぐことが可能な半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  大板ガラスの表面を研磨加工した後、その周縁部を除去すると共に、内側部分を細断加工することによって、α線放出量が０．０１ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下のガラス小片を作製する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大板ガラスの表面を研磨加工した後、その周縁部を除去すると共に、内側部分を細断加工することによって、α線放出量が０．０１ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下のガラス小片を作製することを特徴とする半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項２】
細断加工の前に、大板ガラスの周縁部を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項３】
細断加工時に、大板ガラスの周縁部を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項４】
ガラス小片の表面粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項５】
ガラス小片の寸法が、縦１０ｍｍ以下、横１０ｍｍ以下、厚み１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項６】
ガラス中のＵ含有量が５ｐｐｂ以下、Ｔｈ量が１０ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項７】
切断機を使用して細断加工することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラス。
【請求項８】
大板ガラスの複数枚を積層した後、切断機を使用して細断加工することを特徴とする請求項７記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項９】
スクライブ線を形成した後、折り割ることによって細断加工することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項１０】
質量％で、ＳｉＯ2  ５８〜７５％、Ａｌ2Ｏ3  ０．５〜１５％、Ｂ2Ｏ3  ５〜２５％、アルカリ金属酸化物  １〜２０％、アルカリ土類金属酸化物  ０〜２０％、ＺｎＯ  ０〜１０％の基本組成を含有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項１１】
ガラス小片の端部を面取りすることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項１２】
エッチング処理によって面取りすることを特徴とする請求項１１記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【請求項１３】
固体撮像素子を収納するパッケージに使用されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法に関し、より具体的には、固体撮像素子を収納する半導体パッケージの前面に取り付けられ、固体撮像素子を保護すると共に透光窓として使用するのに適した半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子の前面には、半導体素子の保護のため、平板状の透光面を有するカバーガラスが配設される。このカバーガラスは、アルミナ等のセラミック材料や金属材料、或いは樹脂材料で形成されたパッケージに、各種の有機樹脂や低融点ガラスからなる接着材を用いて封着され、パッケージの内部に収納された固体撮像素子を保護すると共に可視光線等の透光窓として機能する。
【０００３】
固体撮像素子として、現在多く用いられている光半導体には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）やＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）がある。ＣＣＤは、高精細な画像を取り込むため、主にビデオカメラに搭載されていたが、近年、画像のデータ処理の利用が加速する中で、急激に利用範囲が拡大している。特にデジタルスチルカメラや携帯電話に搭載され、高精細な画像を電子情報データに変換するために多く用いられるようになってきている。またＣＭＯＳは、相補型金属酸化物半導体とも呼ばれ、ＣＣＤに比較して小型化が可能であり、消費電力も５分の１程度と少なく、さらにマイクロプロセッサの製造工程を利用できるため、設備投資に費用が嵩まず、安価に製造することができる等の利点があり、携帯電話や小型パソコンといった画像入力デバイスに搭載されることが多くなってきている。
【０００４】
ところで固体撮像素子は、カバーガラスから放出されるα線によりソフトエラーを生じるため、カバーガラスには、α線を放出する放射性同位元素の少ないことが要求されている。放射性同位元素の中でも、特にウラン（Ｕ）とトリウム（Ｔｈ）のα線放出量が多く、問題となりやすい。
【０００５】
ガラス中のＵ、Ｔｈは、主にガラス原料や製造工程から混入する。そのためガラス原料としてＵ、Ｔｈの少ない高純度原料を使用したり、ガラスの溶融工程や加工工程において、Ｕ、Ｔｈが混入したり、ガラス表面に付着しないような試みがなされている。（例えば特許文献１、２）
【特許文献１】特開平５−２７５０７４号公報
【特許文献２】特許第３５３２１７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで半導体パッケージ用カバーガラスの表面（両方の透光面）は、平坦で、透明であることが要求されるため、その表面には研磨加工が施される。この研磨加工には、研磨剤（ＣｅＯ2）が使用されるが、ＣｅＯ2は、不純物としてＵやＴｈを含有しており、これがカバーガラスに付着すると、カバーガラスからのα線放出量が多くなる。カバーガラスに付着したＣｅＯ2は、洗浄によって大部分が取り除かれるが、表面（透光面）以外の端部は切断面や荒ズリ面であるため、そこに固着したＣｅＯ2は、洗浄しても残存しやすく、完全に取り除くことは非常に困難である。
【０００７】
近年、固体撮像素子用カバーガラスには、益々平坦性の要求が高くなり、例えば表面粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以下であることが望まれている。そのためカバーガラスの研磨時間を長くする必要が生じ、カバーガラスの端部に固着するＣｅＯ2量が増加する傾向にある。
【０００８】
このような事情から、特許文献２では、カバーガラスの端部の凹凸部を酸処理、エッチングなどのよって事前に平滑化することにより、研磨中にＣｅＯ2が固着するのを防いだり、或いはカバーガラスを研磨した後、端部の表面層を酸処理、エッチング等により除去することが提案されている。
【０００９】
しかしながら現在、市販や試作されている固体撮像素子用カバーガラスは、縦１〜３０ｍｍ、横１〜３０ｍｍ、厚み０．３〜１．５ｍｍ程度のガラス小片であるため、研磨時の作業性が悪く、しかもこのようなカバーガラスを研磨するには、これを固定できる特別な研磨装置が必要となるため、生産コストが上昇するという問題がある。特にカバーガラスが、縦１０ｍｍ以下、横１０ｍｍ以下、厚み１．０ｍｍ以下の超小型薄肉になると、研磨効率が極端に低下するため問題が大きい。
【００１０】
さらにカバーガラスの表面を研磨した後、その端部をエッチングで除去すると、カバーガラスに固着していたＣｅＯ2がエッチング溶液に混入し、それが再度カバーガラスの一部に付着し、α線放出量を増加させる虞れもある。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、表面の研磨を容易に行うことができ、またＵやＴｈを含む研磨剤が表面に付着することに起因するカバーガラスのα線放出量の増大を防ぐことが可能な半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記技術的課題を解決するためになされた本発明の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法は、大板ガラスの表面を研磨加工した後、その周縁部を除去すると共に、内側部分を細断加工することによって、α線放出量が０．０１ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下のガラス小片を作製することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法によると、大板ガラスの表面（両方の透光面）を研磨加工するため、従来のようにカバーガラス（ガラス小片）を作製してから、表面を研磨するのに比べて、ハンドリング性に優れ、また特別な研磨装置が不要であるため、研磨コストの削減を図ることが可能である。
【００１４】
また通常、大板ガラスの表面を研磨すると、その周端部に固着した研磨剤は、洗浄しても取り除けないが、本発明では、後工程で、周縁部を除去するため、この部分がカバーガラス（製品）として使用されることはない。つまり本発明では、大板ガラスの周縁部を除く内側部分を細断加工して製品（カバーガラス）を作製するため、カバーガラスの表面や端部には研磨剤が残存せず、研磨剤中のＵ、Ｔｈに起因するα線放出量の増大を完全に防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法は、大板ガラスの表面を研磨加工した後、その周縁部を除く内側部分を細断加工し、α線放出量が０．０１ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下のガラス小片を作製するものである。
【００１６】
本発明においては、まず大板ガラスの表面を研磨加工する。使用する大板ガラスの面積が大きくなるほど、多数枚のカバーガラスを採取でき、生産性が向上するため好ましいが、面積が極端に大きくなると、精密な研磨加工が困難となる。よって大板ガラスの大きさは、縦５０〜１０００ｍｍ（好ましくは１００〜７００ｍｍ）、横５０〜１５００ｍｍ（好ましくは１００〜７００ｍｍ）が適当である。また研磨する前の大板ガラスの厚みは、ガラスの強度や加工性等を考慮すると、０．５〜２ｍｍに設定するのが適当である。
【００１７】
また本発明において、大板ガラスの周縁部の除去や内側部分の細断加工は、切断法によって行えば良い。切断法としては、大板ガラスの周縁部を切断機で切断したり、ダイヤモンドチップやレーザー光線などによってスクライブ線を形成してから折り割る方法が取られる。大板ガラスの細断加工は、碁盤目状に切断すれば良い。つまり大板ガラスを縦方向に所定間隔（例えば１〜３０ｍｍピッチ）で切断した後、さらに横方向に所定間隔（例えば１〜３０ｍｍピッチ）で切断すれば良い。また大板ガラスの周縁部は、できるだけ小さな幅で除去することが望ましい。つまり周縁部の幅が小さくなるほど、製品となる内側部分の面積が増えるからである。よって周縁部の幅は、１〜１５ｍｍ、好ましくは３〜１０ｍｍが適当である。
【００１８】
また大板ガラスの周縁部の除去は、内側部分を細断加工する前に行っても良いし、内側部分を細断加工する時に同時に行っても良い。つまり、予め大板ガラスの周縁部を除去（切断）してから、周縁部以外の部分（内側部分）を所定の寸法に細断加工しても良いし、或いは大板ガラスを細断加工する時に、内側部分のみを製品として使用し、周縁部を除去しても良い。尚、省資源化の観点から、周縁部は、ガラス原料（ガラスカレット）として再利用することが望ましい。
【００１９】
また本発明の半導体パッケージ用カバーガラスは、α線放出量が０．０１ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下であるため、α線に起因する固体撮像素子のソフトエラーを抑えることができる。固体撮像素子は、高画素化、小型化に伴って、ますますα線に起因するソフトエラーが発生しやすくなっているため、カバーガラスのα線放出量は、０．００５ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下、さらには０．００３ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下にすることが好ましい。また、このような低α線を達成するためには、カバーガラスの製造に際し、放射性同位元素（Ｕ、Ｔｈ等）の少ない高純度原料を使用したり、原料を溶融する溶融槽を、放射性同位元素の少ない耐火物や白金から形成する等の対策を採ることが望ましい。また、このようにカバーガラスのα線放出量を減少するためには、ガラス中のＵ量を５ｐｐｂ以下、Ｔｈ量を１０ｐｐｂ以下、さらにはＵ量を２ｐｐｂ以下、Ｔｈ量を８ｐｐｂ以下にすることが望ましい。尚、Ｔｈのα線放出量は、Ｕのα線放出量の約１／１０と言われており、ガラス中のＴｈの許容量は、Ｕの許容量に比べて多くなる。
【００２０】
また本発明では、大板ガラスを細断加工することによって得られたガラス小片の端部を面取りすることが好ましい。その理由は、ガラスを細断加工した後の切断面は、非常に荒く、そこからガラスチップが発生し、カバーガラスの表面（透光面）を汚染したり、クラックやカケが発生しやすいからである。このカバーガラスの面取りは、エッチング処理法によって行うと、非常に滑らかな端面（Ｒ面）が得られるため好ましい。エッチング処理法としては、ガラス小片の少なくとも端部を、フッ酸またはこれと同等のガラスに対して侵食性を有する溶液、例えばＨＦ−Ｈ2Ｏ系、ＨＦ−Ｈ2ＳＯ4（又はＨＣｌ、ＨＮＯ3、ＣＨ3ＣＯＯＨ）−Ｈ2Ｏ系、ＮＨ4Ｆ−Ｈ2Ｏ系等の各種溶液に浸漬する方法が採られる。
【００２１】
また本発明の方法によると、大板ガラスの表面を長時間に亘って研磨しても、製品であるカバーガラスに研磨剤が残存することがない。そのため、例えばカバーガラスの透光面の表面粗さ（Ｒａ）が１．０ｎｍ以下となるように長時間研磨しても、研磨剤中のＵ、Ｔｈに起因するα線放出の問題が発生することがない。カバーガラスは、透光面の表面粗さ（Ｒａ）が小さくなるほど、透光面の散乱光に起因する素子の誤動作の発生率が低下し、また異物等を検知する画像検査の精度が向上するため、０．５ｎｍ以下、さらには０．３ｎｍ以下にすることが好ましい。尚、表面粗さ（Ｒａ）は、表面平滑性の品位を表すものであり、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４で定義された算術平均粗さ（ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）に基づく試験方法を適用することによって測定することができる。
【００２２】
また上記したようにＣＣＤやＣＭＯＳに使用される半導体パッケージ用カバーガラスは、透光窓として使用されるため、ガラス内部に泡、脈理、結晶、白金ブツ等が存在しないことが要求される。また、この種のガラスは、長期に亘って表面品位が低下しないように耐候性に優れ、アルカリ溶出量が１．０ｍｇ以下（好ましくは０．１ｍｇ以下、より好ましくは０．０５ｍｇ以下）であることが要求される。すなわちビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の機器は、屋外で使用されることがあるため、安定した耐候性を有し、屋外で過酷な環境下で使用されても表面品位が低下しないといった特性を併せ持つものでなければならない。そのため特にこの用途に使用されるカバーガラスには、アルカリ溶出量を少なくすることによって耐候性を向上することが望まれる。また、この種のガラスは、３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数が３０〜８５×１０-7／℃であり、有機樹脂や低融点ガラスからなる接着材を用いてアルミナパッケージ（約７０×１０-7／℃）や各種樹脂パッケージと封着しても、内部に歪みが発生せず、長期間に亘って良好な封着状態を保つことができることも要求される。カバーガラスの好ましい熱膨張係数は、３５〜８０×１０-7／℃、より好ましい熱膨張係数は５０〜７５×１０-7／℃である。
【００２３】
このような要求特性を満足するため、質量％で、ＳｉＯ2  ５８〜７５％、Ａｌ2Ｏ3  ０．５〜１５％、Ｂ2Ｏ3  ５〜２５％、アルカリ金属酸化物  １〜２０％、アルカリ土類金属酸化物  ０〜２０％、ＺｎＯ  ０〜１０％の基本組成を含有するカバーガラスを採用することが望ましい。
【００２４】
上記のガラスを構成する各成分の限定理由を以下に示す。
【００２５】
ＳｉＯ2は、ガラスを構成する骨格となる主成分であり、ガラスの耐候性を向上するのに効果があるが、多くなりすぎると、ガラスの高温粘度が上昇し、溶融性が悪化する。よってＳｉＯ2の含有量は、５８〜７５％、好ましくは５８〜７２％、より好ましくは６０〜７０％、最も好ましくは６０〜６８．５％である。
【００２６】
Ａｌ2Ｏ3もガラスの耐候性を向上する成分であるが、多くなりすぎると、ガラスの高温粘度が上昇し、溶融性が悪化する傾向がある。よってＡｌ2Ｏ3の含有量は、０．５〜１５％、好ましくは１．１〜１２％、より好ましくは３．５〜１２％、最も好ましくは６〜１１％である。
【００２７】
Ｂ2Ｏ3は、融剤として働き、ガラスの粘性を下げ、溶融性を改善する成分である。しかしＢ2Ｏ3が多くなりすぎると、ガラスの耐候性が低下する傾向がある。よってＢ2Ｏ3の含有量は、５〜２５％、好ましくは９〜２０％、より好ましくは１１〜１８％、最も好ましくは１２〜１８％である。
【００２８】
アルカリ金属酸化物（Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ）は、ガラスの粘性を下げ、溶融性を改善すると共に、熱膨張係数を効果的に調整する成分であるが、多量に含有すると、ガラスの耐候性が著しく悪化する。よってアルカリ金属酸化物の含有量は、１〜２０％、好ましくは５〜１８％、より好ましくは７〜１３％である。
【００２９】
アルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）は、ガラスの耐候性を向上すると共に、ガラスの粘性を下げ、溶融性を改善する成分であるが、多くなりすぎると、ガラスが失透しやすくなると共に密度が上昇する傾向にある。よってアルカリ土類金属酸化物の含有量は０〜２０％、好ましくは０．５〜１８％、より好ましくは１〜１８％である。
【００３０】
特にＣａＯは、比較的容易に高純度原料を入手でき、ガラスの溶融性と耐候性を著しく改善する成分であり、０．５〜１０％、さらには１〜８％含有させることが好ましい。またＢａＯとＳｒＯは、密度を上昇させやすいため、ガラスの軽量化を考慮する場合は、これらの含有量を合量で１３％以下、好ましくは１０％以下、さらに好ましくは７％以下に規制すべきである。またＢａＯとＳｒＯは、原料中に放射性同位元素を含みやすいため、各々３％以下、さらには１．４％以下に規制することが好ましい。
【００３１】
ＺｎＯは、耐候性を向上する効果に優れ、またガラスの溶融性を改善し、溶融ガラスからＢ2Ｏ3やアルカリ金属酸化物が揮発するのを抑制するのに効果がある。特にＡｌ2Ｏ3の含有量が３％以下の場合は、耐候性が著しく低下する傾向にあるため、ＺｎＯを２％以上、さらには４．５％以上含有させることが好ましい。ただしＺｎＯを多量に含有すると、ガラスが失透しやすくなり、また密度が上昇するため、１０％以下、好ましくは９％以下、さらに好ましくは６％以下に抑えるべきである。
【００３２】
さらに本発明では、上記成分以外にも、ガラスの特性を損なわない範囲で、Ｐ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3等の成分を５％以下含有させたり、各種清澄剤を３％まで含有させることができる。清澄剤としては、Ｓｂ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ5、Ｆ2、Ｃｌ2、Ｃ、ＳＯ3、ＳｎＯ2、或いはＡｌ、Ｓｉ等の金属粉末の１種又は２種以上が使用できる。
【００３３】
尚、Ａｓ2Ｏ3は、幅広い温度域（１３００〜１７００℃程度）で清澄ガスを発生するため、従来よりこの種のガラスの清澄剤として広く用いられているが、原料中に放射性同位元素を含みやすい。よってＡｓ2Ｏ3は実質的に含有しないようにすべきである。またＰｂＯ、ＣｄＯは環境負荷物質であるため、使用を避けるべきである。さらにＳｂ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ5も、Ａｓ2Ｏ3と同様、清澄効果に優れた成分であるが、やはり環境負荷物質であるため、できるだけ使用量を少なくし、実質的に含有しないことが望ましい。
【００３４】
現実的な清澄剤の使用量としては、Ｓｂ2Ｏ3とＳｂ2Ｏ5が合量で０．０５〜２．０％、Ｆ2、Ｃｌ2、ＳＯ3、Ｃ、ＳｎＯ2が合量で０．１〜３．０％（特にＣｌ2  ０．００５〜１．０％、ＳｎＯ2  ０．０１〜１．０％）の割合が好適である。
【００３５】
本発明で使用する大板ガラスを作製する方法としては、大きく分けて２通りある。
【００３６】
一つ目の方法は、ガラス原料を溶融槽で溶融し、脱泡・脈理除去を行って均質化した後、ガラス融液を型に入れて鋳込み成形し、或いはガラス融液を延板上に連続的に引き出し、所定の形状に成形する。次いで、得られたガラス成形体を徐冷し、これを一定の厚みに切り出した後、その表面に研磨加工を施すことによって所定の厚みの大板ガラスを形成する方法である。
【００３７】
二つ目の方法は、ガラス原料を溶融槽で溶融し、脱泡・脈理除去を行って均質化した後、ガラス融液をダウンドロー法やフロート法で所定の形状の大板ガラスを成形し、その表面を研磨する方法である。ダウンドロー法やフロート法によって成形した大板ガラスの表面は、表面平滑性に優れているため、研磨時間を短縮し、生産性を向上できるという利点がある。
【００３８】
また本発明では、大板ガラスの表面を研磨した後、所定の寸法に細断加工するため、例えば縦１０ｍｍ以下、横１０ｍｍ以下、厚み１．０ｍｍ以下の超小型薄肉のカバーガラスであっても容易に生産することができる。特にカバーガラスの厚みは、特性に影響しやすく、厚みが大きくなるほど、透過率が低下し、また機器の軽量化、薄型化が困難となるため好ましくない。また厚みが薄くなりすぎると、実用強度が不足したり、大板ガラスのたわみが大きくなってハンドリングが困難となるため、０．０５〜１．０ｍｍ、さらには０．１〜０．５ｍｍであることが好ましい。
【００３９】
次に本発明の半導体パッケージ用カバーガラスの製造方法の一例を説明する。
【００４０】
まず所望の組成を有するガラスとなるようにガラス原料調合物を準備する。ガラス原料は、Ｕ、Ｔｈ等の不純物が少ない高純度原料を使用する。より具体的には、ＵとＴｈの含有量が各々５ｐｐｂ以下の高純度原料を使用する。次いでガラス原料を溶融槽に投入して溶融する。溶融槽としては、Ｕ、Ｔｈの含有量の少ない白金（白金ロジウム容器を含む）や耐火物（例えばアルミナ系耐火物、石英系耐火物）からなる容器が好ましい。次に、溶融ガラスの均質化（脱泡・脈理除去）を清澄槽で行う。この清澄槽も、Ｕ、Ｔｈの含有量の少ない白金や耐火物から作製すれば良い。
【００４１】
その後、均質化された溶融ガラスを、型枠に流し込み、鋳込み成形してガラス塊（ガラスインゴット）を作製する。次に、このガラスインゴットを切断機で所定の厚みに切断（スライス切断）し、複数枚の大板ガラスを作製する。この大板ガラスの厚みは、最終製品の厚みよりも若干大きくすれば良い。次に、大板ガラスの両面を研磨することによって平滑面とする。この研磨工程は、研磨剤（ＣｅＯ2）を水等に分散させたスラリーを供給しながら行うため、大板ガラスの表面には、研磨剤が付着することになる。この研磨剤の大部分は、大板ガラスを洗浄することによって取り除くことができるが、大板ガラスの周端部は凹凸面であるため、洗浄した後も研磨剤が固着しやすい。
【００４２】
その後、大板ガラスを切断機で所定の寸法に細断加工することによってガラス小片を作製する。この際、大板ガラスの周端部は除去し、周縁部以外の内側部分のみを細断加工して多数枚のガラス小片を作製する。次に各ガラス小片の周端部をエッチング処理して面取りを行った後、洗浄し、乾燥することによってカバーガラスを作製する。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例に基づいて本発明を説明する。
【００４４】
図１は、本発明において細断加工される大板ガラス１０を示す斜視図であり、縦２００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚み０．５ｍｍの大きさを有している。この大板ガラス１０は、製品（カバーガラス）として使用される内側部分１０ａと、製品として使用されない周縁部１０ｂから構成されている。
【００４５】
次に、図１の大板ガラス１０を作製する方法、及びこの大板ガラス１０からカバーガラスを作製する方法について説明する。
【００４６】
まず質量％で、ＳｉＯ2  ６８％、Ａｌ2Ｏ3  ５％、Ｂ2Ｏ3  １０％、Ｎａ2Ｏ  １２％、ＣａＯ  ４％、ＺｎＯ  ０．９％、Ｓｂ2Ｏ3  ０．１％の組成となるように調製した高純度ガラス原料を、白金製容器内で１５５０℃、６時間の条件で溶融した後、白金製容器内で均質化したガラスを金型に流し込み、８００×３００×２００ｍｍに鋳込み成形した。こうして得られたガラスインゴットを、ワイヤーソー等を使用することによってスライス切断し、縦２００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚み１．５ｍｍの寸法を有する大板ガラスを複数枚作製した。次に、これらの大板ガラスの両面を、回転研磨加工機を用いて研磨加工することによって、図１に示すように、縦２００ｍｍ、横３００ｍｍ、厚み０．５ｍｍの寸法を有し、両面の表面粗さ（Ｒａ）を０．３ｎｍ以下の大板ガラス１０を複数枚作製した。
【００４７】
次に図２に示すように、複数枚の大板ガラス１０の間隙に仮止め接着剤１１を充填し、固定することによって積層体１２を作製してから基台１３上に載置した。尚、大板ガラス１０を積層する際には、間隔が一定（例えば０．２〜０．５ｍｍ程度）となるようにビーズ等の離間材を介在させても良い。また仮止め接着剤１１としては、後工程で使用するエッチング溶液に侵食されないような耐酸性を有する樹脂（例えば松脂、コールタールピッチ等）を使用する。
【００４８】
次に、図３に示すように、回転駆動軸１４ａに複数の回転する切断刃（幅２ｍｍ）１４ｂを１０ｍｍピッチで備えたマルチブレード切断機１４を使用して大板ガラス１０の周縁部１０ｂを除く内側部分１０ａを縦横方向に碁盤目状に細断加工した。尚、この細断加工は、まず大板ガラス１０の縦方向（２００ｍｍ）の両端（周縁部）の幅が各４ｍｍとなるように設定し、内側部分１０ａを１６枚に分割した。次に大板ガラス１０の横方向（３００ｍｍ）の両端（周縁部）の幅が各６ｍｍとなるように設定し、内側部分１０ａを２４枚に分割した。こうして１０×１０×０．５ｍｍの寸法を有するガラス小片の積層体を３８４個作製した。
【００４９】
次に、このガラス小片の積層体を角取りした後、フッ酸等のエッチング溶液に浸漬することによって、各ガラス小片の端部を面取加工（表面処理と糸面取り）してから、水洗浄によってエッチング溶液を除去した。その後、この積層体を溶媒（例えばアセトン、クロロホルム、パークロルエチレン等）に浸漬し、仮止め接着剤１１を溶媒に溶かして各ガラス小片を分離してから、これらを洗浄、乾燥することによってカバーガラスを作製した。
【００５０】
こうして得られたカバーガラスは、縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの寸法を有し、その周端部は滑らかな曲面（Ｒ面）であり、研磨剤の付着も全く認められなかった。またガラス中のＵ、Ｔｈ量とα線放出量を測定したところ、Ｕ量が２ｐｐｂ以下、Ｔｈ量が２ｐｐｂ以下であり、α線放出量が０．００２ｃ／ｃｍ2・ｈｒ以下であった。また熱膨張係数は６６×１０-7／℃であり、アルカリ溶出量は０．０６ｍｇであった。また１０2.5ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が１３５０℃以下であるため溶融性に優れていた。
【００５１】
尚、上記の表面粗さ（Ｒａ）は、触針式表面粗さ測定機タリステップ（ｔａｙｌｅｒ−Ｈｏｂｓｏｎ社製）を用いて測定した。Ｕ、Ｔｈの含有量は、ＩＣＰ−ＭＡＳＳにより測定し、α線放出量は、超低レベルα線測定装置（住友化学社製ＬＡＣＳ−４０００Ｍ）を用いて測定した。熱膨張係数は、ディラトメーターを用いて、３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を測定した。アルカリ溶出量は、ＪＩＳ  Ｒ３５０２に基づいて測定した。１０2.5Ｐａ・ｓ温度は、高温粘度である１０2.5ポイズに相当する温度を測定したものであり、この値が低いほど溶融性に優れていることになる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の製造方法によると、大板ガラスを研磨するため、生産性に優れ、しかもＵ、Ｔｈを含む研磨剤（ＣｅＯ2）の付着を完全に防止することができるため、α線放出量の少ない半導体パッケージ用カバーガラスを安価に作製することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明で使用する大板ガラスを示す斜視図である。
【図２】本発明の製造方法において、大板ガラスの積層体を基台上に載置した状態を示す斜視図である。
【図３】本発明の製造方法において、大板ガラスの積層体を細断加工する工程を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  大板ガラス
１０ａ  内側部分
１０ｂ  周縁部
１１  仮止め接着剤
１２  大板ガラスの積層体
１３  基台
１４  マルチブレード切断機
【図１】
2006096575.tif 000003
【図２】
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【図３】
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