(57)【要約】【課題】レジストパターンが傾いたり又は倒れたりせず、良好な形状を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決手段】半導体基板１０の上に化学増幅型レジストを塗布してレジスト膜１１を形成した後、該レジスト膜１１に対して、マスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ１３を照射して、パターン露光を行ない、その後、パターン露光されたレジスト膜１１に対して加熱（ＰＥＢ）を行なう。次に、レジスト膜１１に対してアルカリ性現像液１４を用いて現像を行なった後、レジスト膜１１に対して、アルカリ性リンス液１７をレジスト膜１１上に供給して、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなるレジストパターンを形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光された前記レジスト膜を現像液にさらす工程と、
前記現像液にさらされた前記レジスト膜に対してリンスを行なって、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記リンスを行なう工程は、前記レジスト膜を揺動させながら前記レジスト膜にリンス液を供給する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
基板上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光された前記レジスト膜を現像液にさらす工程と、
前記現像液にさらされた前記レジスト膜に対してリンスを行なって、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備え、
前記リンスを行なう工程は、前記レジスト膜に霧状のリンス液を散布する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
前記リンス液は、アルカリ性リンス液又は有機溶媒を含むアルカリ性リンス液であることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記アルカリ性リンス液は、希釈されたアルカリ性現像液であることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記リンス液は、有機溶媒を含むリンス液又は有機溶媒を含むアルカリ性リンス液であることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記有機溶媒は、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル又はジグライムであることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置の製造プロセスで用いられ、化学増幅型レジストよりなるレジストパターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置のプロセスにおいては、半導体集積回路の大集積化及び半導体素子の微細化の要求に伴って、リソグラフィ技術を用いて形成されるレジストパターンは一層の微細化が求められている。
【０００３】
ところで、レジストパターンの一層の微細化に対応するためには、高解像度性及び高感度性を有する化学増幅型レジスト材料を用いてレジストパターンを形成することが好ましい。
【０００４】
また、レジストパターンの一層の微細化の要求に伴って、レジストパターンのアスペクト比が高くなっている。
【０００５】
以下、化学増幅型レジスト材料からなりアスペクト比が高いレジストパターンを形成する従来のパターン形成方法について、図９（ａ）〜（ｃ）及び図１０（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【０００６】
まず、図９（ａ）に示すように、半導体基板１の上に市販の化学増幅型レジスト材料（住友化学社製ＰＡＲ−１０１）を塗布して、０．４μｍの厚さを有するレジスト膜２を形成する。
【０００７】
次に、図９（ｂ）に示すように、レジスト膜２に対して、所望のマスクパターンを有するフォトマスク３を介してＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ帯）４を開口数ＮＡ：０．６０の条件で照射してパターン露光を行なう。
【０００８】
次に、図９（ｃ）に示すように、パターン露光されたレジスト膜２に対して、１０５℃の温度下で９０秒間ホットプレートによる加熱（ＰＥＢ）を行なう。このようにすると、レジスト膜２の露光部２ａにおいては、酸発生剤から発生する酸の作用によりアルカリ性現像液に対して可溶性になる一方、レジスト膜２の未露光部２ｂにおいては、酸発生剤から酸が発生しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【０００９】
次に、図１０（ａ）に示すように、レジスト膜２を、例えば２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド液からなるアルカリ性現像液５に６０秒間さらして現像を行なった後、図１０（ｂ）に示すように、純水からなるリンス液７を用いて６０秒間のリンスを行なって、レジスト膜２の未露光部２ｂからなり０．１１μｍのライン幅を有するレジストパターン６を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、アスペクト比が高いレジストパターン６をリンス液７を用いてリンスすると、図１０（ｃ）に示すように、リンス液７の表面張力によりレジストパターン６が傾いたり倒れたりするという問題が発生する。
【００１１】
このようにレジストパターン６が傾いたり倒れたりすると、該レジストパターン６をマスクとして得られるパターンの形状は不良になるので、半導体デバイスの歩留まりが悪化するという問題がある。
【００１２】
前記に鑑み、本発明は、アスペクト比の高いレジストパターンが傾いたり倒れたりせず、良好な形状を有するレジストパターンが得られるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記の目的を達成するため、本発明に係る第１のパターン形成方法は、基板上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光されたレジスト膜を現像液にさらす工程と、現像液にさらされたレジスト膜に対してリンスを行なって、レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備え、リンスを行なう工程は、アルカリ性リンス液を用いて行なう。
【００１４】
第１のパターン形成方法によると、現像後のレジスト膜に対して、純水よりも表面張力の小さいアルカリ性リンス液を用いてリンスを行なうため、レジストパターンがリンス液から受ける表面張力が低減するので、レジストパターンは傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００１５】
第２のパターン形成方法は、基板上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光されたレジスト膜を現像液にさらす工程と、現像液にさらされたレジスト膜に対してリンスを行なって、レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備え、リンスを行なう工程は、有機溶媒を含むリンス液を用いて行なう。
【００１６】
第２のパターン形成方法によると、現像後のレジスト膜に対して、純水よりも表面張力の小さい、有機溶媒を含むリンス液を用いてリンスを行なうため、レジストパターンがリンス液から受ける表面張力が低減するので、レジストパターンは傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００１７】
第３のパターン形成方法は、基板上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光されたレジスト膜を現像液にさらす工程と、現像液にさらされたレジスト膜に対してリンスを行なって、レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備え、リンスを行なう工程は、有機溶媒を含むアルカリ性リンス液を用いて行なう。
【００１８】
第３のパターン形成方法によると、現像後のレジスト膜に対して、純水よりも表面張力の小さい、有機溶媒を含むアルカリ性リンス液を用いてリンスを行なうため、レジストパターンがリンス液から受ける表面張力が低減するので、レジストパターンは傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。また、有機溶媒を含むアルカリ性リンス液を用いると、レジストパターンがアルカリ物質から受ける悪影響及び環境が有機溶媒から受ける悪影響をそれぞれ抑制することができる。
【００１９】
第４のパターン形成方法は、基板上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光されたレジスト膜を現像液にさらす工程と、現像液にさらされたレジスト膜に対してリンスを行なって、レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備え、リンスを行なう工程は、レジスト膜を揺動させながら該レジスト膜にリンス液を供給する工程を含む。
【００２０】
第４のパターン形成方法によると、レジストパターンに対してリンス液の表面張力が異なる方向から作用するので、レジストパターンに対して一定方向の表面張力が作用する場合に比べて、レジストパターンが受ける表面張力は低減する。このため、レジストパターンは、傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００２１】
第５のパターン形成方法は、基板上に化学増幅型レジストよりなるレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光されたレジスト膜を現像液にさらす工程と、現像液にさらされたレジスト膜に対してリンスを行なって、レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを備え、リンスを行なう工程は、レジスト膜に霧状のリンス液を散布する工程を含む。
【００２２】
第５のパターン形成方法によると、レジスト膜に対して霧状のリンス液を散布するため、リンス液をノズルから供給する場合に比べて、リンス液はレジストパターン同士の間に貯留し難い。このため、レジストパターンに働く表面張力が低減するので、レジストパターンは、傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００２３】
第４又は第５のパターン形成方法において、リンス液は、アルカリ性リンス液又は有機溶媒を含むアルカリ性リンス液であることが好ましい。
【００２４】
このようにすると、リンス液自体の表面張力が小さくなるので、レジストパターンに働く表面張力が大きく低減する。
【００２５】
第１、第３、第４又は第５のパターン形成方法において、リンス液がアルカリ性リンス液又は有機溶媒を含むアルカリ性リンス液である場合、アルカリ性リンス液は希釈されたアルカリ性現像液であることが好ましい。
【００２６】
第４又は第５のパターン形成方法において、リンス液は、有機溶媒を含むリンス液又は有機溶媒を含むアルカリ性リンス液であることが好ましい。
【００２７】
第２、第３、第４又は第５のパターン形成方法において、リンス液が有機溶媒を含むリンス液又は有機溶媒を含むアルカリ性リンス液である場合、有機溶媒は、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル又はジグライムであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
第１〜第５のパターン形成方法によると、レジストパターンがリンス液から受ける表面張力が低減するため、レジストパターンは、傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るパターン形成方法について、図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００３０】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１０の上に例えば市販の化学増幅型レジスト材料（住友化学社製ＰＡＲ−１０１）を塗布して、０．４μｍの厚さを有するレジスト膜１１を形成する。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜１１に対して、所望のマスクパターンを有するマスク１２を介してＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ帯）１３を開口数ＮＡ：０．６０の露光条件で照射してパターン露光を行なう。
【００３２】
次に、図１（ｃ）に示すように、パターン露光されたレジスト膜１１に対して、１０５℃の温度下で９０秒間ホットプレートによる加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００３３】
このようにすると、レジスト膜１１の露光部１１ａにおいては、酸発生剤から発生する酸の作用によりベースポリマーの保護基が脱離してアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜１１の未露光部１１ｂにおいては、酸発生剤から酸が発生しないためベースポリマーの保護基が脱離しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【００３４】
次に、図２（ａ）に示すように、レジスト膜１１を、例えば２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド液からなるアルカリ性現像液１４に６０秒間さらして現像を行なう。
【００３５】
次に、図２（ｂ）に示すように、現像後のレジスト膜１１に対して、ノズル１６から、純水に０．１ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドが含まれてなるアルカリ性リンス液（アルカリ性現像液の希釈液）１７を６０秒間供給してリンスを行なって、図２（ｃ）に示すように、レジスト膜１１の未露光部１１ｂからなり０．１１μｍのライン幅を有するレジストパターン１５を形成する。
【００３６】
第１の実施形態によると、現像後のレジスト膜１１に対して、純水よりも表面張力の小さいアルカリ性リンス液を用いてリンスを行なうため、レジストパターン１５がリンス液から受ける表面張力が低減するので、レジストパターン１５は、傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００３７】
尚、第１の実施形態に用いるアルカリ性リンス液１７としては、純水に０．２ｗｔ％のテトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドが含まれてなるアルカリ溶液、純水に０．０７ｗｔ％のトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドが含まれてなるアルカリ溶液、純水に０．５ｗｔ％のテトラーｎープロピルアンモニウムハイドロオキサイドが含まれてなるアルカリ溶液、又は純水に０．１ｗｔ％のコリンが含まれてなるアルカリ溶液等を用いてもよい。
【００３８】
このように、アルカリ性リンス液に含まれるアルカリの含有量は０．０１ｗｔ％以上且つ１ｗｔ％以下に設定することが好ましい。リンス液に含まれるアルカリの含有量が０．０１ｗｔ％以上であるため、アルカリ性リンス液の表面張力は純水の表面張力よりも確実に低減するので、レジストパターン１５が傾いたり又は倒れたりする事態を防止することができる。また、アルカリの含有量が１ｗｔ％以下であるため、レジストパターン１５がアルカリ性リンス液に溶解されてしまう事態を防止することができる。
【００３９】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るパターン形成方法について、図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００４０】
まず、図３（ａ）に示すように、半導体基板２０の上に例えば市販の化学増幅型レジスト材料（住友化学社製ＰＡＲ−１０１）を塗布して、０．４μｍの厚さを有するレジスト膜２１を形成する。
【００４１】
次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜２１に対して、所望のマスクパターンを有するマスク２２を介してＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ帯）２３を開口数ＮＡ：０．６０の露光条件で照射してパターン露光を行なう。
【００４２】
次に、図３（ｃ）に示すように、パターン露光されたレジスト膜２１に対して、１０５℃の温度下で９０秒間ホットプレートによる加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００４３】
このようにすると、レジスト膜２１の露光部２１ａにおいては、酸発生剤から発生する酸の作用によりベースポリマーの保護基が脱離してアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜２１の未露光部２１ｂにおいては、酸発生剤から酸が発生しないためベースポリマーの保護基が脱離しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【００４４】
次に、図４（ａ）に示すように、レジスト膜２１を、例えば２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド液からなるアルカリ性現像液３４に６０秒間さらして現像を行なう。
【００４５】
次に、図４（ｂ）に示すように、ノズル２６から現像後のレジスト膜２１に対して、ノズル２６から有機溶媒を含むリンス液２７、例えば純水に０．３ｗｔ％のプロピレングリコールメチルエーテルアセテートが含まれたリンス液を６０秒間供給してリンスを行なって、図４（ｃ）に示すように、レジスト膜２１の未露光部２１ｂからなり０．１１μｍのライン幅を有するレジストパターン２５を形成する。
【００４６】
第２の実施形態によると、現像後のレジスト膜２１に対して、純水よりも表面張力の小さい、有機溶媒を含むリンス液２７を用いてリンスを行なうため、レジストパターン２５がリンス液から受ける表面張力が低減するので、レジストパターン１５は、傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００４７】
尚、リンス液２７に含まれる有機溶媒として、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートを用いたが、これに代えて、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテル又はジグライム等を用いることができる。この場合、有機溶媒の含有量としては、０．０１ｗｔ％以上且つ１ｗｔ％以下に設定することが好ましい。このようにすると、環境に悪影響を与えることなく、リンス液の表面張力を小さくすることができる。
【００４８】
また、第２の実施形態においては、純水に有機溶媒が含まれてなるリンス液２７を用いたが、これに代えて、純水に０．１ｗｔ％のトリエタノールアミン（アルカリ）と０．５ｗｔ％のイソプロピルアルコール（有機溶媒）とが含まれてなる、有機溶媒を含むアルカリ性リンス液を用いてもよい。
【００４９】
このようにすると、レジストパターン２５及び環境が受ける悪影響を抑制しつつ、リンス液の表面張力を低減することができる。
【００５０】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係るパターン形成方法について、図５（ａ）〜（ｃ）及び図６（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００５１】
まず、図５（ａ）に示すように、半導体基板３０の上に例えば市販の化学増幅型レジスト材料（住友化学社製ＰＡＲ−１０１）を塗布して、０．４μｍの厚さを有するレジスト膜３１を形成する。
【００５２】
次に、図５（ｂ）に示すように、レジスト膜３１に対して、所望のマスクパターンを有するマスク３２を介してＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ帯）３３を開口数ＮＡ：０．６０の露光条件で照射してパターン露光を行なう。
【００５３】
次に、図５（ｃ）に示すように、パターン露光されたレジスト膜３１に対して、１０５℃の温度下で９０秒間ホットプレートによる加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００５４】
このようにすると、レジスト膜３１の露光部３１ａにおいては、酸発生剤から発生する酸の作用によりベースポリマーの保護基が脱離してアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜３１の未露光部３１ｂにおいては、酸発生剤から酸が発生しないためベースポリマーの保護基が脱離しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【００５５】
次に、図６（ａ）に示すように、レジスト膜３１を、例えば２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド液からなるアルカリ性現像液３４に６０秒間さらして現像を行なう。
【００５６】
次に、図６（ｂ）に示すように、半導体基板３０を保持している試料台３８を揺動させながら、現像後のレジスト膜３１に対してノズル３６から純水よりなるリンス液３７を供給するリンス工程を６０秒間行なって、図６（ｃ）に示すように、レジスト膜３１の未露光部３１ｂからなり０．１１μｍのライン幅を有するレジストパターン３５を形成する。
【００５７】
第３の実施形態によると、現像後のレジスト膜３１を揺動させながら該レジスト膜３１にリンス液３７を供給するため、レジストパターン３５に対してリンス液３７の表面張力が異なる方向から作用するので、レジストパターン３５に対して一定方向の表面張力が作用する場合に比べて、レジストパターン３５が受ける表面張力は低減する。このため、レジストパターン３５は、傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００５８】
現像後のレジスト膜３１を揺動させる方向としては、直線方向であってもよいし回転方向であってもよい。レジスト膜３１を揺動させる距離としては５ｃｍ程度が好ましく、揺動の周期としては毎秒１回程度が好ましい。すなわち、秒速１０ｃｍ程度の速度でレジスト膜３１を揺動させることが好ましい。
【００５９】
尚、第３の実施形態においては、純水よりなるリンス液３７を用いたが、これに代えて、第１の実施形態に示すアルカリ性リンス液、又は第２の実施形態に示す有機溶媒を含むリンス液若しくは有機溶媒を含むアルカリ性リンス液を用いてもよい。
【００６０】
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係るパターン形成方法について、図７（ａ）〜（ｃ）及び図８（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００６１】
まず、図７（ａ）に示すように、半導体基板４０の上に例えば市販の化学増幅型レジスト材料（住友化学社製ＰＡＲ−１０１）を塗布して、０．４μｍの厚さを有するレジスト膜４１を形成する。
【００６２】
次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト膜４１に対して、所望のマスクパターンを有するマスク４２を介してＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ帯）４３を開口数ＮＡ：０．６０の露光条件で照射してパターン露光を行なう。
【００６３】
次に、図７（ｃ）に示すように、パターン露光されたレジスト膜４１に対して、１０５℃の温度下で９０秒間ホットプレートによる加熱（ＰＥＢ）を行なう。
【００６４】
このようにすると、レジスト膜４１の露光部４１ａにおいては、酸発生剤から発生する酸の作用によりベースポリマーの保護基が脱離してアルカリ性現像液に対して可溶性に変化する一方、レジスト膜４１の未露光部４１ｂにおいては、酸発生剤から酸が発生しないためベースポリマーの保護基が脱離しないのでアルカリ性現像液に対して難溶性のままである。
【００６５】
次に、図８（ａ）に示すように、レジスト膜４１を、例えば２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド液からなるアルカリ性現像液４４に６０秒間さらして現像を行なう。
【００６６】
次に、図８（ｂ）に示すように、現像後のレジスト膜４１に対して、スプレーヘッド４６から純水よりなるリンス液４７を霧状に散布するリンス工程を６０秒間行なって、図８（ｃ）に示すように、レジスト膜４１の未露光部４１ｂからなり０．１１μｍのライン幅を有するレジストパターン４５を形成する。
【００６７】
第４の実施形態によると、現像後のレジスト膜４１に対してリンス液４７を霧状に散布するため、リンス液をノズルから供給する場合に比べて、レジストパターン４５同士の間にリンス液４７は貯留し難い。このため、レジストパターン４５に働く表面張力が低減するので、レジストパターン４５は、傾いたり又は倒れたりせず良好な形状を保持することができる。
【００６８】
この場合、レジスト膜４１を回転させながら、該レジスト膜４１にリンス液４７を霧状に散布することが好ましい。このようにすると、レジストパターン４５同士の間に一時的に貯留するリンス液４７は回転力によって速やかに外側に移動するので、レジストパターン４５に働く表面張力は大きく低減する。
【００６９】
尚、第４の実施形態においては、純水よりなるリンス液４７を用いたが、これに代えて、第１の実施形態に示すアルカリ性リンス液、又は第２の実施形態に示す有機溶媒を含むリンス液若しくは有機溶媒を含むアルカリ性リンス液を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第３の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第３の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、従来のパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、従来のパターン形成方法の各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  半導体基板
１１  レジスト膜
１１ａ  露光部
１１ｂ  未露光部
１２  マスク
１３  ＡｒＦエキシマレーザ
１４  アルカリ性現像液
１５  レジストパターン
１６  ノズル
１７  アルカリ性リンス液
２０  半導体基板
２１  レジスト膜
２１ａ  露光部
２１ｂ  未露光部
２２  マスク
２３  ＡｒＦエキシマレーザ
２４  アルカリ性現像液
２５  レジストパターン
２６  ノズル
２７  有機溶媒を含むリンス液
３０  半導体基板
３１  レジスト膜
３１ａ  露光部
３１ｂ  未露光部
３２  マスク
３３  ＡｒＦエキシマレーザ
３４  アルカリ性現像液
３５  レジストパターン
３６  ノズル
３７  リンス液
３８  試料台
４０  半導体基板
４１  レジスト膜
４１ａ  露光部
４１ｂ  未露光部
４２  マスク
４３  ＡｒＦエキシマレーザ
４４  アルカリ性現像液
４５  レジストパターン
４６  スプレーヘッド
４７  リンス液
【図１】
2006178493.tif 000003
【図２】
2006178493.tif 000004
【図３】
2006178493.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006178493.tif 000007
【図６】
2006178493.tif 000008
【図７】
2006178493.tif 000009
【図８】
2006178493.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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