(57)【要約】      （修正有）【課題】  フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することが可能な磁性層パターンの形成方法を提供する。【解決手段】  フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データに基づいて、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さに各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに差異を設けることにより、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さが各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに異なるようにフォトレジストパターン１０４を形成したのち、そのフォトレジストパターン１０４のうちの各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３に選択的にめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターン１０５を形成する。一連の磁性層パターン１０５の形成厚さがばらつきにくくなり、すなわち一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが均一化される。【選択図】  図４
2006124729.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口部を画定する複数のフレーム部を有するフォトレジストパターンを使用して、そのフォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより、複数の磁性層パターンを形成する方法であって、
前記フォトレジストパターンのうちの前記フレーム部の厚さと前記めっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを取得する第１の工程と、
基体上に、前記相関データに基づいて各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設けることにより、各フレーム部の厚さが各開口部ごとに異なるように前記フォトレジストパターンを形成する第２の工程と、
前記フォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより、前記基体上に前記複数の磁性層パターンを形成する第３の工程と、を含む
ことを特徴とする磁性層パターンの形成方法。
【請求項２】
前記第２の工程において、前記第３の工程において前記めっき膜を成長させた際に各めっき膜間の厚さの差異が解消されるように、各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設ける
ことを特徴とする請求項１記載の磁性層パターンの形成方法。
【請求項３】
前記めっき膜の厚さが、前記基体の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に大きくなる傾向にある場合に、
前記第２の工程において、前記フレーム部の厚さが前記基体の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に大きくなるように、各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設ける
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁性層パターンの形成方法。
【請求項４】
前記めっき膜の厚さが、前記基体の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に小さくなる傾向にある場合に、
前記第２の工程において、前記フレーム部の厚さが前記基体の中心から周辺へ向かうに近づくにしたがって次第に小さくなるように、各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設ける
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁性層パターンの形成方法。
【請求項５】
前記第２の工程が、
前記基体上に、前記相関データに基づいて、前記フォトレジストパターンを形成した際に各フレーム部の厚さが各開口部ごとに異なるように厚さに位置ごとに差異を設けることにより、その厚さが位置ごとに異なるようにフォトレジスト膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ処理を使用して前記フォトレジスト膜をパターニングして、そのフォトレジスト膜に前記複数のフレーム部により画定された前記複数の開口部を設けることにより、前記フォトレジストパターンを形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の磁性層パターンの形成方法。
【請求項６】
前記フォトレジストパターンを形成する工程において、前記フォトレジスト膜の厚さに位置ごとに設けられた差異に対応して、そのフォトレジスト膜の露光量に位置ごとに差異を設ける
ことを特徴とする請求項５記載の磁性層パターンの形成方法。
【請求項７】
磁束を発生させる薄膜コイルと、その薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体を磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、を備えた複数の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載した磁性層パターンの形成方法を使用して、基体上に複数の磁性層パターンとして複数の前記磁極層を形成する工程を含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレームめっき法を使用して複数の磁性層パターンを形成する磁性層パターンの形成方法、ならびに磁性層パターンの形成方法を使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種製造分野において、めっき処理が広く使用されている。このめっき処理としては、例えば、フォトレジストパターンをフレーム（パターン形成用の枠）として使用して選択的にめっき膜を成長させることにより各種機能膜をパターン形成する手法が知られており、この手法は、一般的に「フレームめっき法」と呼ばれている。
【０００３】
このフレームめっき法では、フォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、上記したフォトレジストパターンを形成している。より具体的には、フォトレジストパターンを形成する際には、フォトレジスト膜を選択的に露光したのち、その露光済みのフォトレジスト膜を現像し、すなわちフォトレジスト膜に選択的にめっき膜を成長させるための開口部を設けることにより、フォトレジストパターンを形成している。
【０００４】
このフレームめっき法を使用した製造技術としては、既にいくつかの技術例が知られている。具体的には、例えば、フレームめっき法を使用して選択的にめっき膜を成長させることにより磁性層パターンを形成する技術が知られており、詳細には、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドのうちの磁極層をパターン形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この薄膜磁気ヘッドの製造工程では、一般的に、ウェハ上において複数の薄膜磁気ヘッドを一括して製造しており、すなわちフレームめっき法を使用して複数の磁極層を並列的に形成している。
【特許文献１】特開２００４−０８５６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フレームめっき法を使用して磁極層に代表される複数の磁性層パターンを並列的に形成する場合には、その複数の磁性層パターンを製造プロセス上において安定に形成するために、一連の磁性層パターンの形成厚さを可能な限り均一化する必要がある。より具体的には、フレームめっき法を使用して磁性層パターンとして複数の磁極層を並列的に形成する場合には、一連の磁極層の形成厚さがばらつくと、その磁極層の形成厚さのばらつきに起因して一連の薄膜磁気ヘッド間において記録性能がばらついてしまうため、可能な限り均一な記録性能を有するように複数の薄膜磁気ヘッドを製造する上で、可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁極層を形成することが重要である。
【０００６】
しかしながら、フレームめっき法を使用した従来の磁性層パターンの形成方法では、主に、めっき処理時におけるアノード〜カソード間の電界分布などの要因に起因して、そのめっき膜の形成厚さがばらつきやすいため、可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することが困難であるという問題があった。この結果、従来の磁性層パターンの形成方法を使用して磁極層を形成した場合には、可能な限り均一な記録性能を有するように複数の薄膜磁気ヘッドを安定に製造することも困難であった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することが可能な磁性層パターンの形成方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の第２の目的は、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な記録性能を有するように複数の薄膜磁気ヘッドを安定に製造することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る磁性層パターンの形成方法は、複数の開口部を画定する複数のフレーム部を有するフォトレジストパターンを使用して、そのフォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターンを形成する方法であり、フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを取得する第１の工程と、基体上に、相関データに基づいて各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設けることにより、各フレーム部の厚さが各開口部ごとに異なるようにフォトレジストパターンを形成する第２の工程と、フォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより、基体上に複数の磁性層パターンを形成する第３の工程とを含むものである。
【００１０】
本発明に係る磁性層パターンの形成方法では、フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データが取得されたのち、その相関データに基づいて、フレームめっき法を使用して基体上に複数の磁性層パターンが形成される。具体的には、相関データに基づいて各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異が設けられることにより、基体上に各フレーム部の厚さが各開口部ごとに異なるようにフォトレジストパターンが形成されたのち、そのフォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜が成長させられることにより、基体上に複数の磁性層パターンが形成される。このフォトレジストパターンが形成される際には、例えば、めっき膜が成長させられた際に各めっき膜間の厚さの差異が解消されるように、各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異が設けられる。この場合には、例えば、めっき膜の厚さが基体の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に大きくなる傾向にある場合に、基体の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に大きくなるように各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設けたり、あるいはめっき膜の厚さが基体の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に小さくなる傾向にある場合に、基体の中心から周辺へ向かうに近づくにしたがって次第に小さくなるように各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設ければ、各フレーム部の厚さに各開口ごとに差異を設けない場合と比較して、一連の磁性層パターンの形成厚さがばらつきにくくなり、すなわち一連の磁性層パターンの形成厚さが可能な限り均一化される。
【００１１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、その薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて記録媒体を磁化させるための磁界を発生させる磁極層とを備えた複数の薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、本発明に係る磁性層パターンの形成方法を使用して、基体上に複数の磁性層パターンとして複数の磁極層を形成する工程を含むものである。
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上記した磁性層パターンの形成方法を使用して、基体上に複数の磁性層パターンとして複数の磁極層が形成されるため、一連の磁極層の形成厚さが可能な限り均一化される結果、一連の薄膜磁気ヘッドの記録性能が可能な限り均一化される。
【００１３】
なお、本発明に係る磁性層パターンの形成方法では、第２の工程が、基体上に、相関データに基づいてフォトレジストパターンを形成した際に各フレーム部の厚さが各開口部ごとに異なるように厚さに位置ごとに差異を設けることにより、その厚さが位置ごとに異なるようにフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングして、そのフォトレジスト膜に複数のフレーム部により画定された複数の開口部を設けることによりフォトレジストパターンを形成する工程とを含むようにしてもよい。この場合には、フォトレジストパターンを形成する工程において、フォトレジスト膜の厚さに位置ごとに設けられた差異に対応して、そのフォトレジスト膜の露光量に位置ごとに差異を設けるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る磁性層パターンの形成方法によれば、フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを取得しておき、その相関データに基づいて各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設けることにより、基体上に各フレーム部の厚さが各開口部ごとに異なるようにフォトレジストパターンを形成したのち、そのフォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより基体上に複数の磁性層パターンを形成する方法的特徴に基づき、フォトレジストパターンのうちの各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設けない場合と比較して、一連の磁性層パターンの形成厚さが可能な限り均一化されるため、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することができる。
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、上記した磁性層パターンの形成方法を使用して、基体上に複数の磁性層パターンとして複数の磁極層を形成する製法的特徴に基づき、一連の磁極層の形成厚さが可能な限り均一化される結果、一連の薄膜磁気ヘッドの記録性能が可能な限り均一化されるため、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な記録性能を有するように複数の薄膜磁気ヘッドを安定に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
まず、図１〜図８を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法について説明する。図１は磁性層パターンの形成方法の流れを説明し、図２〜図６は磁性層パターンの形成工程を説明し、図７は磁性層パターンの形成領域を説明し、図８は相関データを説明するためのものである。
【００１８】
本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法は、図２〜図６に示したように、フレームめっき法を使用してウェハ１０１上に複数の磁性層パターンを形成する方法であり、特に、図７に示したように、ウェハ１０１上に設けられた複数の領域（領域Ｒ１〜領域Ｒ５）に複数の磁性層パターンを並列的に形成する方法である。より具体的には、磁性層パターンの形成方法は、複数の開口部１０４Ｋを画定する複数のフレーム部１０４Ｆを有するフォトレジストパターン１０４を使用して、そのフォトレジストパターン１０４のうちの各開口部１０４Ｋに選択的にめっき膜を成長させることにより、ウェハ１０１上に複数の磁性層パターン１０５を形成する方法である。なお、図２〜図６では、図７に示した複数の領域（領域Ｒ１〜領域Ｒ５）のうち、太線で囲んだ領域（領域Ｒ３，Ｒ２，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）に対応する断面構成を拡大して示している。また、図７では、領域Ｒ１〜Ｒ５を識別しやすくするために、領域Ｒ１，Ｒ３，Ｒ５に淡い網掛を施していると共に、領域Ｒ２，Ｒ４に濃い網掛を施している。
【００１９】
この磁性層パターンの形成方法では、まず、複数の磁性層パターン１０５を実質的に形成する前に、その複数の磁性層パターン１０５を形成するための前準備として、フォトレジストパターン１０４のうちのフレーム部１０４Ｆの厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを取得する（図１；ステップＳ１０１）。
【００２０】
この相関データを取得する際には、フォトレジストパターン１０４のうちのフレーム部１０４Ｆの厚さを変化させながら、フレームめっき法を使用してフォトレジストパターン１０４のうちの開口部１０４Ｋにめっき膜を成長させることにより、そのめっき膜の厚さの変化を調べる。なお、フォトレジストパターン１０４を使用してめっき膜を成長させる工程の詳細に関しては、そのめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターン１０５を形成する工程について後述する。この相関データは、例えば、図８に示したように、「横軸」としてフレーム部１０４Ｆの厚さＴＦを示すと共に「縦軸」としてめっき膜の厚さＴＭを示すことにより、厚さＴＦと厚さＴＭとの間の関係を線分Ｌとして相関づけたものである。図８に示した線分Ｌに基づく相関から判るように、フレーム部１０４Ｆの厚さＴＦとめっき膜の厚さＴＭとの間では、一般に、フレーム部１０４Ｆの厚さＴＦが大きくなるにしたがってめっき膜の厚さＴＭが次第に小さくなり、すなわち厚さＴＦと厚さＴＭとの間には比例関係が成立する。この相関は、主に、フォトレジストパターン１０４を使用してめっき膜を成長させる場合に、開口部１０４Ｋを画定しているフレーム部１０４Ｆの厚さＴＦが大きい箇所ほど、フレーム部１０４Ｆの厚さＴＦが小さい箇所と比較して、その開口部１０４Ｋ内におけるめっき用の金属イオンの濃度が相対的に小さくなり、すなわちめっき膜の成長速度が相対的に遅くなるため、フレーム部１０４Ｆの厚さＴＦが小さい箇所においてめっき膜の厚さＴＭが相対的に小さくなる原理に基づいている。この相関によれば、フレーム部１０４Ｆの厚さＴＦを大きく設定することによりめっき膜の厚さＴＭを小さく設定することが可能であると共に、フレーム部１０４Ｆの厚さＴＦを小さく設定することによりめっき膜の厚さＴＭを大きく設定することが可能であるため、フレーム部１０４Ｆの厚さＴＦに基づいてめっき膜の厚さＴＭを制御することが可能である。もちろん、上記した相関によれば、フォトレジストパターン１０４のうちの各フレーム部１０４Ｆごとに厚さＴＦを設定することにより、各めっき膜ごとに厚さＴＭを設定することが可能である。
【００２１】
特に、相関データを取得する際には、図８に示したように、フォトレジストパターン１０４を使用してめっき膜を成長させる上での基準厚さ、すなわち点Ｊに対応するフレーム部１０４Ｆの基準厚さＴＦＪおよびめっき膜の基準厚さＴＭＪを設定しておく。この基準厚さＴＭＪは、後工程において形成される磁性層パターン１０５の目標形成厚さに対応するものであり、基準厚さＴＦＪは、磁性層パターン１０５の目標形成厚さ（基準厚さＴＭＪ）を実現する上でフレーム部１０４Ｆの目標厚さとなるものである。
【００２２】
なお、相関データを取得する際には、例えば、その相関データの信頼性を確保するために、相関データを取得する際の条件を、後工程において実際にフォトレジストパターン１０４を使用してめっき膜を成長させることにより磁性層パターン１０５を形成する際の条件に一致させるのが好ましい。この「条件」とは、例えば、フォトレジストパターン１０４の仕様条件、めっき処理に使用するめっき浴の浴条件、ならびにめっき処理時の処理条件などである。フォトレジストパターン１０４の仕様条件としては、例えば、開口部１０４Ｋの仕様として開口面積、高さおよびアスペクト比（高さ／幅）などが挙げられる。めっき浴の浴条件としては、例えば、めっき用の金属イオンの濃度および導電率などが挙げられる。処理条件としては、例えば、攪拌速度、電流密度およびめっき浴の温度などが挙げられる。
【００２３】
続いて、図２に示したように、ウェハ１０１を準備したのち、そのウェハ１０１上に、フレームめっき法を実施する際に電極膜として機能するシード層１０２を形成したのち、そのシード層１０２上に、先に取得した相関データに基づいて、後工程においてフォトレジストパターン１０４を形成した際に各フレーム１０４Ｆの厚さが各開口部１０４Ｋごとに異なるように厚さに位置ごとに差異を設けることにより、その厚さが位置ごとに異なるようにフォトレジスト膜１０３を形成する（図１；ステップＳ１０２）。なお、ウェハ１０１は、磁性層パターン１０５を形成するための基体であり、そのウェハ１０１としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）製の基板を使用する。
【００２４】
シード層１０２を形成する際には、例えば、スパッタリングを使用して磁性材料や非磁性材料を成膜すると共に、図２に示したように、領域Ｒ１〜Ｒ３の全ての領域においてウェハ１０１を被覆するようにする。なお、シード層１０２の形成材料や形成厚さは、例えば、成膜精度や磁性層パターン１０５の形成材料との相性等に基づいて適宜設定可能である。
【００２５】
フォトレジスト膜１０３を形成する際には、例えば、シード層１０２の表面にフォトレジストを塗布して膜化させたのち、その被膜を加熱（焼成）することにより定着させる。
【００２６】
このフォトレジスト膜１０３を形成する際には、上記したように、相関データに基づいて意図的に厚さに領域Ｒ１〜Ｒ３ごとに差異を設けるようにし、具体的には、例えば、めっき膜の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に大きくなる傾向にある場合には、フォトレジスト膜１０３の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に大きくなるようにする。この「めっき膜の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かうにしたがって次第に大きくなる」とは、図７を参照すると、フレームめっき法を使用してウェハ１０１上の領域Ｒ１〜Ｒ５にめっき膜を成長させた場合に、めっき処理用の装置の構造的要因やめっき処理時におけるアノード〜カソード間の電界分布などの要因に起因して、めっき膜の厚さが領域Ｒ１において最も小さくなると共に、そのめっき膜の厚さが領域Ｒ１の周囲に同心円状に設けられた領域Ｒ２〜Ｒ５において領域Ｒ１から離れるにしたがって次第に大きくなるように分布する、という意味である。これに伴い、図２に示したように、領域Ｒ１〜Ｒ３におけるフォトレジスト膜１０３の厚さをそれぞれＴ１，Ｔ２，Ｔ３とした場合に、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３がこの順に大きくなるようにフォトレジスト膜１０３を形成する（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）。
【００２７】
特に、フォトレジスト膜１０３を形成する際には、後工程においてウェハ１０１上の領域Ｒ１〜Ｒ３にめっき膜を成長させた際に各めっき膜の厚さの差異が解消されるように、厚さＴ１〜Ｔ３に差異を設ける。なお、「各めっき膜の厚さの差異を解消する」とは、必ずしも各めっき膜の厚さの差異（各めっき膜間の厚さのずれ）をゼロにする場合に限らず、各めっき膜の厚さの差異を所望の範囲内において小さくする場合も含む意である。
【００２８】
この「各めっき膜の厚さの差異が解消されるように、フォトレジスト膜１０３の厚さＴ１〜Ｔ３に差異を設ける」ための具体的な手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、厚さＴ１〜Ｔ３に差異を設けたフォトレジスト膜１０３を形成する前に、厚さＴ１〜Ｔ３に差異を設けない前準備用のフォトレジスト膜（図示せず）として、全体に渡って上記した基準厚さＴＦＪを有するフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用して前準備用のフォトレジスト膜をパターニングすることにより、複数の開口部を有する前準備用のフォトレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、前準備用のフォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより、上記したようにめっき膜の厚さが領域Ｒ１〜Ｒ３においてこの順に大きくなり、より具体的には領域Ｒ１においてめっき膜の厚さが上記した基準厚さＴＭＪに一致する一方で、領域Ｒ２，Ｒ３においてめっき膜の厚さが基準厚さＴＭＪよりも大きくなった場合に、それらの領域Ｒ２，Ｒ３におけるめっき膜の実測厚さの基準厚さＴＭＪに対するずれ量（ずれ厚さ＝実測厚さ−基準厚さＴＭＪ）を算出する。最後に、相関データ、すなわちフレーム部１０４Ｆの厚さ（ここではフォトレジスト膜１０３の厚さ）とめっき膜の厚さとの間の相関を参照しながら、先に算出しためっき膜のずれ厚さが解消されるように厚さＴ１〜Ｔ３を設定することにより、フォトレジスト膜１０３を形成する。ここでは、例えば、上記したように、領域Ｒ１においてめっき膜の厚さが基準厚さＴＭＪに一致する一方で、領域Ｒ２，Ｒ３においてめっき膜の厚さが基準厚さＴＭＪよりも大きくなっているため、フォトレジスト膜１０３の厚さＴ１を基準厚さＴＦＪに一致させたまま（Ｔ１＝ＴＦＪ）、フォトレジスト膜１３の厚さＴ２，Ｔ３を基準厚さＴＦＪよりも大きくする（Ｔ２，Ｔ３＞ＴＦＪ，Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）。
【００２９】
なお、フォトレジスト膜１０３の厚さを領域Ｒ１〜Ｒ３ごとに異ならせる方法は、例えば、以下の通りである。第１に、例えば、スピンコータを使用してフォトレジストをコーティングすることによりフォトレジスト膜１０３を形成する場合に、塗布用カップ内の排気量（排気時間）を調整する方法が挙げられる。この場合には、排気量を大きくすると、ウェハ１０１の中心よりも周辺においてフォトレジストが乾燥しやすくなるため、そのウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に大きくなり、一方、排気量を小さくすると、ウェハ１０１の周辺よりも中心においてフォトレジストが滞留しやすくなるため、そのウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に小さくなる。また、第２に、例えば、ウェハ１０１の中心と周辺との間でスキャンしながらフォトレジストを供給することによりフォトレジスト膜１３を形成する場合に、そのフォトレジストの供給量を調整する方法が挙げられる。この場合には、ウェハ１０１の中心よりも周辺においてフォトレジストの供給量を多くすると、そのウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に大きくなり、一方、ウェハ１０１の中心よりも周辺においてフォトレジストの供給量を少なくすると、ウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に小さくなる。
【００３０】
続いて、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜１０３をパターニングして、そのフォトレジスト膜１０３に複数のフレーム部１０４Ｆにより画定された複数の開口部１０４Ｋを設けることにより、図３に示したように、フォトレジストパターン１０４を形成する（図１；ステップＳ１０３）。このフォトレジストパターン１０４は、上記したように、相関データに基づいて厚さに位置ごとに差異を設けることにより、その厚さが位置ごとに異なるようにフォトレジスト膜１０３を形成したことに伴い、相関データに基づいて各フレーム部１０４Ｆの厚さに各開口部１０４Ｋごとに差異が設けられることにより、各フレーム部１０４Ｆの厚さが各開口部１０４Ｋごとに異なるように形成される。
【００３１】
フォトレジストパターン１０４を形成する際には、露光用のマスク（図示せず）を使用してフォトレジスト膜１０３を選択的に露光したのち、現像液を使用してフォトレジスト膜１０３を露光し、すなわちフォトレジスト膜１０３のうちの露光箇所を選択的に除去することにより、その除去箇所が周辺のフレーム部１０４Ｆにより開口部１０４Ｋとして画定されるようにする。これにより、図３に示したように、フォトレジストパターン１０４に設けられたフレーム部１０４Ｆにより画定された開口部１０４Ｋとして、領域Ｒ１，Ｒ２間を区切るように設けられたフレーム部１０４Ｆ１により領域Ｒ１において開口部１０４Ｋ１が画定され、領域Ｒ２，Ｒ３間を区切るように設けられたフレーム部１０４Ｆ１，１０４Ｆ２により領域Ｒ２において開口部１０４Ｋ２が画定され、領域Ｒ３およびその周辺（図３では図示していない領域Ｒ４）を区切るように設けられたフレーム部１０４Ｆ２，１０４Ｆ３により領域Ｒ３において開口部１０４Ｋ３が画定される。
【００３２】
このフォトレジストパターン１０４を形成するためにフォトレジスト膜１０３を露光する際には、例えば、図２に示したように、フォトレジスト膜１０３の厚さが位置ごとに異なる場合においても、そのフォトレジスト膜１０３を十分に露光することにより開口部１０４Ｋ（１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３）を確実に形成可能とするために、フォトレジスト膜１０３の厚さに位置ごとに設けられた差異に対応して、そのフォトレジスト膜１０３の露光量に位置ごとに差異を設けるのが好ましい。具体的には、例えば、フォトレジスト膜１０３の厚さＴ１〜Ｔ３がこの順に大きくなっている場合には、そのフォトレジスト膜１０３の露光量を領域Ｒ１〜Ｒ３の順に大きくなるように調整するのが好ましい。
【００３３】
なお、上記したフォトレジストパターン１０４のうちのフレーム部１０４Ｆの厚さ、すなわち相関データ中においてめっき膜の厚さと相関づけられるフレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さとは、正確には、開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３を画定しているフレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の内壁面のうち、各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに最も大きな高さを有する内壁面の高さに基づいて規定されるフレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さである。具体的には、図３に示したように、領域Ｒ１における厚さＴ１とは、開口部１０４Ｋ１を画定しているフレーム部１０４Ｆ１の内壁面の高さに基づいて規定される厚さであり、領域Ｒ２における厚さＴ２とは、開口部１０４Ｋ２を画定しているフレーム部１０４Ｆ１，１０４Ｆ２のうち、より大きな高さを有するフレーム部１０４Ｆ２の内壁面の高さに基づいて規定される厚さであり、領域Ｒ３における厚さＴ３とは、開口部１０４Ｋ３を画定しているフレーム部１０４Ｆ２，１０４Ｆ３のうち、より大きな高さを有するフレーム部１０４Ｆ３の内壁面の高さに基づいて規定される厚さである。
【００３４】
続いて、先工程において形成したシード層１０２を電極膜として使用して、フォトレジストパターン１０４のうちの各開口部１０４Ｋに選択的にめっき膜を成長させることにより、図４に示したように、複数の磁性層パターン１０５を形成する（図１；ステップＳ１０４）。具体的には、シード層１０２を共用してめっき膜を成長させることにより、フォトレジストパターン１０４に設けられた開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３に、それぞれ磁性層パターン１０５を形成する。
【００３５】
続いて、図５に示したように、使用済みのフォトレジストパターン１０４を除去することにより（図１；ステップＳ１０５）、一連の磁性層パターン１０５の周辺にシード層１０２を露出させる。
【００３６】
最後に、例えばイオンミリングなどのドライエッチング処理を使用して、一連の磁性層パターン１５をマスクとして使用済みのシード層１０２を選択的にエッチングする。このエッチング処理により、図６に示したように、一連の磁性層パターン１０５の周辺に露出していたシード層１０２が選択的に除去される。これにより、ウェハ１０１上に複数の磁性層パターン１０５が形成されるため、その磁性層パターン１０５の形成工程が完了する。
【００３７】
なお、上記では、図７に示したウェハ１０１上の領域Ｒ１〜Ｒ５のうち、領域Ｒ１〜Ｒ３のみを抜粋して図２〜図６に示すことにより、それらの図２〜図６を参照しながら領域Ｒ１〜Ｒ３に複数の磁性層パターン１０５を形成する場合に関して言及したが、領域Ｒ１〜Ｒ３以外の他の領域Ｒ４、Ｒ５に複数の磁性層パターン１０５を形成する工程内容は、領域Ｒ１〜Ｒ３に磁性層パターン１５を形成する工程内容と同様であり、すなわち領域Ｒ１〜Ｒ３に複数の磁性層パターン１０５が形成される際に、領域Ｒ４，Ｒ５にも同様に複数の磁性層パターン１０５が形成される。
【００３８】
本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、フォトレジストパターン１０４のうちのフレーム部１０４Ｆの厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを取得しておき、その相関データに基づいて各フレーム部１０４Ｆ（１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３）の厚さに各開口部１０４Ｋ（１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３）ごとに差異を設けることにより、ウェハ１０１上に各フレーム部１０４Ｆの厚さが各開口部１０４Ｋごとに異なるようにフォトレジストパターン１０４を形成したのち、そのフォトレジストパターン１０４のうちの各開口部１０４Ｋに選択的にめっき膜を成長させることにより、ウェハ１０１上に複数の磁性層パターン１０５を形成するようにしたので、以下の理由により、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターン１０５を安定に形成することができる。
【００３９】
図９〜図１２は、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法に対する比較例としての磁性層パターンの形成方法を説明するためのものであり、それぞれ図２〜図５に対応している。この比較例の磁性層パターンの形成方法は、図９〜図１２に示したように、フォトレジスト膜１０３およびフォトレジストパターン１０４（フレーム部１０４Ｆ（１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３），開口部１０４Ｋ（１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３））にそれぞれ対応するフォトレジスト膜２０３およびフォトレジストパターン２０４（フレーム部２０４Ｆ（２０４Ｆ１〜２０４Ｆ３），開口部２０４Ｋ（２０４Ｋ１〜２０４Ｋ３））を使用して、複数の磁性層パターン１０５に対応する複数の磁性層パターン２０５を形成する方法であり、より具体的には、各フレーム部１０４Ｆの厚さが各開口部１０４Ｋごとに異なるようにフォトレジストパターン１０４を形成する本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法とは異なり、各フレーム部２０４Ｆの厚さが各開口部２０４Ｋごとに等しくなるようにフォトレジストパターン２０４を形成する点を除き、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法と同様の手順を経るものである。詳細には、比較例の磁性層パターンの形成方法では、ウェハ１０１上に、厚さＴ１〜Ｔ３が領域Ｒ１〜Ｒ３間において等しくなるようにフォトレジスト膜２０３を形成し（図９参照）、引き続きフォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜２０３をパターニングすることにより、各フレーム部２０４Ｆ１〜２０４Ｆ３の厚さが各開口部２０４Ｋ１〜２０４Ｋ３ごとに等しくなるようにフォトレジストパターン２０４を形成したのち（図１０参照）、そのフォトレジストパターン２０４のうちの各開口部２０４Ｋ１〜２０４Ｋ３に選択的にめっき膜を成長させることにより、複数の磁性層パターン２０５を形成している（図１１および図１２参照）。
【００４０】
比較例の磁性層パターンの形成方法では、図１０に示したように、各フレーム部２０４Ｆ１〜２０４Ｆ３の厚さが各開口部２０４Ｋ１〜２０４Ｋ３ことに等しくなるようにフォトレジストパターン２０４を形成しているため、そのフォトレジストパターン２０４のうちの各開口部２０４Ｋ１〜２０４Ｋ３に選択的にめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターン２０５を形成すると、図１１に示したように、一連の磁性層パターン２０５の形成厚さがばらつきやすくなる。この場合には、例えば、ウェハ１０１の中心よりも周辺においてめっき処理の電流密度が高くなることに起因して、そのウェハ１０１の中心よりも周辺においてめっき膜の成長速度が相対的に大きくなるため、一連の磁性層パターン２０５の形成厚さが領域Ｒ１〜Ｒ３の順に大きくなる。この一連の磁性層パターン２０５の形成厚さのばらつきは、その磁性層パターン２０５の目標形成厚さが小さいほど顕著になる。これにより、比較例の磁性層パターンの形成方法では、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターン２０５を安定に形成することが困難である。
【００４１】
これに対して、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、図３に示したように、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さが各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３ごとに異なるようにフォトレジストパターン１０４を形成しているため、そのフォトレジストパターン１０４のうちの各開口部１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３に選択的にめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターン１０５を形成すると、図４に示したように、一連の磁性層パターン１０５の形成厚さがばらつきにくくなり、すなわち一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが均一化される。この各磁性層パターン１０５の形成厚さの均一化は、上記したように、開口部１０４Ｋを画定しているフレーム部１０４Ｆの厚さが大きいほど、めっき膜の成長速度が相対的に遅くなる原理に基づいている。しかも、この場合には、あらかじめフォトレジストパターン１０４のうちのフレーム部１０４Ｆの厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを取得しておき、その相関データに基づいて各めっき膜間の厚さの差異が解消されるように各フレーム部１０４Ｆの厚さを設定しながらフォトレジストパターン１０４を形成することにより、一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが高精度に均一化される。もちろん、上記した一連の磁性層パターン１０５の形成厚さの均一化は、その磁性層パターン１０５の目標形成厚さが小さい場合においても同様に得られる。したがって、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターン１０５を安定に形成することができるのである。
【００４２】
特に、本実施の形態では、上記したように一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが均一化されることに基づき、以下の観点においても、やはりフレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターン１０５を安定に形成することができる。
【００４３】
すなわち、比較例の磁性層パターンの形成方法では、図１２に示したように、一連の磁性層パターン２０５の形成厚さがばらついた場合に、その一連の磁性層パターン２０５の形成厚さのばらつきを改善するためには、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を使用して一連の磁性層パターン２０５を厚さ方向（Ｚ軸方向）に研磨することにより平坦化すればよい。しかしながら、この場合には、ＣＭＰ法の機械的研磨作用に基づいて、上記した形成厚さのばらつきが解消されるように各磁性層パターン２０５が研磨される一方で、そのＣＭＰ法の化学的研磨作用に基づいて、研磨前のばらついた厚さ分布を反映するように各磁性層パターン２０５が研磨されるため、一連の磁性層パターン２０５の形成厚さのばらつきは小さくなるものの、その一連の磁性層パターン２０５の形成厚さのばらつきは十分に解消されるまでには至らない。これにより、比較例の磁性層パターンの形成方法を使用した場合には、ＣＭＰ法の研磨処理を併せて使用したとしても、やはりフレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターン２０５を安定に形成することが困難である。
【００４４】
これに対して、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、図５に示したように、一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが均一化されるため、フレームめっき法を使用して複数の磁性層パターン１０５を形成することにより、ＣＭＰ法などの研磨処理を使用せずに一連の磁性層パターン１０５の形成厚さを均一化することが可能である。もちろん、この場合には、例えば、一連の磁性層パターン１０５の形成厚さを調整する必要が生じたために、ＣＭＰ法を使用して一連の磁性層パターン１０５を研磨したとしても、研磨前の均一な厚さ分布を再現するように各磁性層パターン１０５が研磨されるため、研磨後の一連の磁性層パターン１０５の厚さはやはり均一化される。したがって、この観点においても、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターン１０５を安定に形成することができるのである。
【００４５】
ここで、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法に関する技術的意義について補足しておく。すなわち、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、上記したように、フォトレジストパターン１０４のうちの各フレーム部１０４Ｆの厚さに各開口部１０４Ｋごとに差異を設けているが、この「各フレーム部１０４Ｆの厚さの差異」は、一般的な形成手順を経ることにより複数の開口部を有するフォトレジストパターンを形成した際に、そのフォトレジストパターンのうちの各フレーム部間に生じる厚さのばらつきとは、明らかに異なるものである。なぜなら、本実施の形態における「各フレーム部１０４Ｆの厚さの差異」とは、複数の磁性層パターン１０５の形成厚さを均一化することを目的として、あらかじめ取得しておいた相関データに基づいて各めっき膜間の厚さが解消されるように設定された「意図的な厚さのばらつき」であり、一般的な形成手順を経ることにより各フレーム部が互いに等しい厚さとなるようにフォトレジストパターンを形成したにもかかわらず、フォトレジストの流動状態のばらつき等の要因に起因して意図せずに各フレーム部間に生じた「偶発的な厚さのばらつき」とは、技術論理上において明らかに異なるからである。
【００４６】
なお、確認までに説明しておくと、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、フォトレジストパターン１０４のうちの各フレーム部１０４Ｆの厚さに差異を設ける上で、「各フレーム部１０４Ｆの厚さに各開口部１０４Ｋごとに差異を設ける」と説明しているが、この説明の意図するところは、必ずしも各フレーム部１０４Ｆの厚さが各開口部１０４Ｋごとに異なる厚さを有している（いかなる２つ以上のフレーム部１０４Ｆも互いに等しい厚さを有していない）という意味に限定されるわけではなく、最終的に一連の磁性層パターン１０５の形成厚さを均一化させることが可能な限りにおいて、複数のフレーム部１０４Ｆのうちの一部（２つ以上）のフレーム部１０４Ｆが互いに等しい厚さを有していてもよいという意味も含んでいる。
【００４７】
なお、本実施の形態では、めっき膜の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かって次第に大きくなる傾向にある場合に、図２に示したように、相関データに基づいてフォトレジスト膜１０３の厚さＴ１〜Ｔ３がウェハ１０１の中心から周辺へ向かって次第に大きくなるようにすることにより（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）、図３に示したように、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かって次第に大きくなるようにフォトレジストパターン１０４を形成したが、必ずしもこれに限られるものではない。具体的には、例えば、めっき膜の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かって次第に小さくなる傾向にある場合には、図１３に示したように、相関データに基づいてフォトレジスト膜１０３の厚さＴ１〜Ｔ３がウェハ１０１の中心から周辺へ向かって次第に小さくなるようにすることにより（Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３）、図１４に示したように、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かって次第に小さくなるようにフォトレジストパターン１０４を形成してもよい。この場合には、例えば、フォトトレジスト膜１０３を十分に露光することにより開口部１０４Ｋ（１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３）を確実に形成可能とするために、そのフォトレジスト膜１０３の露光量を領域Ｒ１〜Ｒ３の順に小さくなるように調整するのが好ましい。この場合においても、各フレーム部１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３の厚さがウェハ１０１の中心から周辺へ向かって次第に大きくなるようにフォトレジストパターン１０４を形成した場合と同様の作用に基づき、図１５に示したように、フォトレジストパターン１０４を使用して複数の磁性層パターン１０５を形成することにより、各フレーム部１０４Ｆ間の厚さの差異に基づいて一連の磁性層パターン１０５の形成厚さが均一化されるため、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターン１０５を安定に形成することができる。
【００４８】
以上をもって、本発明の一実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法についての説明を終了する。
【００４９】
次に、図１６〜図２３を参照して、本発明の磁性層パターンの形成方法を使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図１６および図１７は薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図１８〜図２３は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものである。図１６のうち、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を示している。図１７は、図１６に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の斜視構成を示している。図１８〜図２３は、図１６（Ａ）に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の断面構成を拡大して示している。
【００５０】
ここでは、まず、薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する前に、図１６および図１７を参照して、薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの構成について簡単に説明する。
【００５１】
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、媒体進行方向Ｍに移動するハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に磁気的処理を施すために、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものであり、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型の薄膜磁気ヘッドである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という）などの非磁性絶縁性材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ；Magneto-resistive ）効果を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行する記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されたオーバーコート層１３とがこの順に積層された構成を有している。
【００５２】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された構成を有している。このシールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）２０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００５３】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周囲から磁気的に分離するものであり、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されている。シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）効果またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）効果などを利用して再生処理を実行するものである。
【００５４】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、補助磁極層８と、薄膜コイル１０が埋設されたギャップ層９およびギャップ層９に設けられた開口９ＣＫに設けられた連結部１１と、その連結部１１を介して補助磁極層８に磁気的に連結された主磁極層１２とがこの順に積層された構成を有している。なお、図１７では、主に、主磁極層１２の斜視構成を表している。
【００５５】
補助磁極層８は、主磁極層１２から放出された磁束を記録媒体を経由して環流させるものであり、例えば、パーマロイなどの磁性材料により構成されている。ギャップ層９は、補助磁極層８上に配設され、開口９ＡＫが設けられたギャップ層部分９Ａと、このギャップ層部分９Ａ上に配設され、薄膜コイル１０の各巻線間よびその周辺領域を被覆するギャップ層部分９Ｂと、ギャップ層部分９Ａ，９Ｂを被覆するように配設され、開口９ＣＫが設けられたギャップ層部分９Ｃとを含んで構成されている。ギャップ層部分９Ａ，９Ｃは、例えば、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）などの非磁性絶縁性材料により構成されており、ギャップ層部分９Ｂは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ；Spin On Glass ）などの非磁性絶縁性材料により構成されている。薄膜コイル１０は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、連結部１１を中心としてスパイラル状に巻回された巻線構造を有するように、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。連結部１１は、補助磁極層８と主磁極層１２との間を磁気的に連結させるためのものであり、例えばパーマロイなどの磁性材料により構成されている。主磁極層１２は、薄膜コイル１０において発生した記録用の磁束を収容して記録媒体へ向けて放出することにより、その磁束に基づいて記録媒体を磁化させるための磁界（記録磁界）を発生させるものであり、エアベアリング面２０から後方に向かって延在している。この主磁極層１２は、例えば、ギャップ層部分９Ｃのうちの前方部分上に配設された磁極部分層１２Ａと、この磁極部分層１２Ａの後方部分を周囲から覆うように配設されたヨーク部分層１２Ｂとを含んで構成されている。
【００５６】
なお、主磁極層１２を構成している磁極部分層１２Ａおよびヨーク部分層１２Ｂの詳細な構成は、例えば、以下の通りである。すなわち、磁極部分層１２Ａは、磁束の放出部分として機能するものであり、例えば、パーマロイ、鉄系合金（ＦｅＭ）または鉄コバルト系合金（ＦｅＣｏＭ）などの磁性材料により構成されている。この鉄系合金としては、例えば、窒化鉄（ＦｅＮ）や鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）などが挙げられ、鉄コバルト系鉄合金としては、例えば、鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）や鉄コバルトジルコニウム合金（ＦｅＣｏＺｒ）などが挙げられる。この磁極部分層１２Ａは、例えば、エアベアリング面２０側から順に、実質的な磁束の放出部分として機能し、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗを有する先端部１２Ａ１と、この先端部１２Ａ１の後方に磁気的に連結された後端部１２Ａ２とを含んで構成されている。この後端部１２Ａ２の幅は、例えば、後方において一定（先端部１２Ａ１の幅Ｗよりも大きな一定幅）であり、前方において先端部１２Ａ１に向かって次第に狭まっている。一方、ヨーク部分層１２Ｂは、磁束の収容部分として機能するものであり、例えば、磁極部分層１２Ａの構成材料と同様の磁性材料により構成されている。このヨーク部分層１２Ｂは、エアベアリング面２０に露出しておらず、例えば、エアベアリング面２０から約１．５μｍ以上後退している。
【００５７】
続いて、図１８〜図２３を参照して、図１６および図１７に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。以下では、まず、図１６および図１７を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１８〜図２３を参照して本発明の磁性層パターンの形成方法、すなわちフレームめっき法を使用して磁性層パターンとして磁極部分層１２Ａを形成する工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドを構成する一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴に関しては既に詳述したので、その説明を随時書略する。特に、磁極部分層１２Ａを形成する工程について説明する場合には、本発明の磁性層パターンの形成方法の詳細に関しては既に詳述したので、ここでは説明を簡略化するために、上記した磁性層パターンの形成方法の詳細な手順については随時省略した上で、図７に示した複数の領域（領域Ｒ１〜Ｒ５）のうちの任意の１つの領域に磁性層パターンとして磁極部分層１２Ａを１つだけ形成する場合について言及する。
【００５８】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理やスパッタリングに代表される成膜技術、フォトリソグラフィ処理に代表されるパターニング技術、ならびにドライエッチングやウェットエッチングに代表されるエッチング技術などを含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。特に、薄膜磁気ヘッドが製造される際には、ウェハ１０１上の複数の領域（領域Ｒ１〜Ｒ５）に複数の磁性層パターン１０５を並列的に形成した上記実施の形態（図２〜図７参照）と同様に、そのウェハ１０１に対応する基板１上の複数の領域（領域Ｒ１〜Ｒ５）に各構成要素が順次形成されて積層されることにより、複数の薄膜磁気ヘッドが並列的に製造される。
【００５９】
薄膜磁気ヘッドを製造する際には、図１６および図１７に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、その絶縁層２上に、下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６が埋設されたシールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とをこの順に形成して積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層７を形成したのち、その分離層７上に、補助磁極層８と、薄膜コイル１０が埋設されたギャップ層９（ギャップ層部分９Ａ，９Ｂ，９Ｃ）および連結部１１と、主磁極層１２（磁極部分層１２Ａ，ヨーク部分層１２Ｂ）とをこの順に形成することにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１３を形成したのち、機械加工や研磨加工を使用してエアベアリング面２０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６０】
フレームめっき法を使用して磁極部分層１２Ａを形成する際には、ギャップ層９（ギャップ層部分９Ｃ）を形成したのち、まず、図１８に示したように、例えばスパッタリングを使用して、ギャップ層９上に磁性材料や非磁性材料を成膜することにより、電極膜としてシード層３１を形成する。なお、図１６では、シード層３１の図示を省略している。続いて、シード層３１の表面にフォトレジストを塗布することによりフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、フレーム部３２Ｆにより画定された開口部３２Ｋを有するようにフォトレジストパターン３２を形成する。このフォトレジストパターン３２を形成する際には、開口部３２Ｋの開口パターンが、後工程において形成される磁極部分層１２Ａのパターン形状に対応すると共に、その開口部３２Ｋのうちの先端部１２Ａ１に対応する箇所の開口幅が、その先端部１２Ａ１の幅Ｗに対応するようにする。
【００６１】
続いて、図１８に示したように、フレームめっき法を使用して磁極部分層１２Ａを形成する。具体的には、先工程において形成したシード層３１を電極膜として使用して、フォトレジストパターン３２のうちの開口部３２Ｋに選択的にめっき膜を成長させることにより、その開口部３２Ｋに磁極部分層１２Ａを形成する。この磁極部分層１２Ａが形成される際には、フレーム部３２Ｆにより画定された開口部３２Ｋにおいてめっき膜が成長すると共に、そのフレーム部３２Ｆの周辺においても同様にめっき膜が成長するため、開口部３２Ｋに磁極部分層１２Ａが形成されると共に、フレーム部３２Ｆの周辺にダミー層１２ＡＸも併せて形成される。このダミー層１２ＡＸは、フレームめっき法のプロセス的要因に起因して磁極部分層１２Ａと共に形成されるものであり、後工程において除去されるものである。
【００６２】
続いて、図１９に示したように、使用済みのフォトレジストパターン３２を除去することにより、磁極部分層１２Ａおよびダミー層１２ＡＸの周辺にシード層３１を露出させる。
【００６３】
続いて、例えばイオンミリングなどのドライエッチング処理を使用して、磁極部分層１２Ａおよびダミー層１２ＡＸをマスクとして使用済みのシード層３１を選択的にエッチングすることにより、図２０に示したように、磁極部分層１２Ａおよびダミー層１２ＡＸの周辺に露出していたシード層３１を選択的に除去する。これにより、磁極部分層１２Ａおよびダミー層１２ＡＸの周辺にギャップ層９が露出する。
【００６４】
続いて、磁極部分層１２Ａを覆うようにフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、図２１に示したように、磁極部分層１２Ａおよびその周辺のギャップ層９を被覆するようにマスク３３をパターン形成する。このマスク３３を形成する際には、磁極部分層１２Ａのみを被覆する一方で、ダミー層１２ＡＸを露出させるようにする。
【００６５】
続いて、例えばウェットエッチングを使用して全体にエッチング処理を施すことにより、図２２に示したように、マスク３３により覆われていなかったダミー層１２ＡＸと共にシード層３１を併せて選択的に除去する。
【００６６】
最後に、図２３に示したように、使用済みのマスク３３を除去することにより、ギャップ層９上に磁極部分層１２Ａのみを残存させる。これにより、フレームめっき法を使用した磁極部分層１２Ａの形成工程が完了する。
【００６７】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上記実施の形態において説明した磁性層パターンの形成方法を使用して、その磁性層パターンとして磁極部分層１２Ａを形成するようにしたので、複数の磁極部分層１２Ａを形成すれば、上記実施の形態において複数の磁性層パターン１０５を形成した場合と同様の作用により、一連の磁極部分層１２Ａの形成厚さが可能な限り均一化される結果、一連の薄膜磁気ヘッドの記録性能が可能な限り均一化される。したがって、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な記録性能を有するように複数の薄膜磁気ヘッドを安定に製造することができる。
【００６８】
特に、上記では、本発明の磁性層パターンの形成方法を使用して、可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁極部分層１２Ａを安定に形成することが可能である点に言及したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明の磁性層パターンの形成方法を使用して磁極部分層１２Ａ以外の他の構成要素、具体的には薄膜コイル１０やヨーク部分層１２Ｂなどを形成すれば、それらの他の構成要素も可能な限り均一な厚さとなるように形成することが可能である。したがって、この観点においても、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な記録性能を有するように複数の薄膜磁気ヘッドを安定に製造することができる。
【００６９】
なお、上記では、本発明の磁性層パターンの形成方法を複合型の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドの製造方法や、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することも可能である。もちろん、本発明の磁性層パターンの形成方法を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することも可能である。
【００７０】
また、上記では、本発明の磁性層パターンの形成方法を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、長手記録方式の薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用することも可能である。
【実施例】
【００７１】
次に、本発明に関する実施例について説明する。
【００７２】
上記実施の形態において説明した磁性層パターンの形成方法を使用して複数の磁性層パターンを形成したところ、以下の一連の結果が得られた。
【００７３】
まず、磁性層パターンを形成するための前準備として、フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを調べたところ、図２４に示した結果が得られた。図２４は相関データを表しており、「横軸」はフレーム部の厚さＴＦ（ｎｍ）を示し、「縦軸」はめっき膜の厚さＴＭ（ｎｍ）を示している。
【００７４】
相関データを調べる際には、以下の手順により、フレームめっき法を使用して試験的に複数の磁性層パターンを形成した。すなわち、まず、アルティック製のウェハ（直径＝１５．２４ｃｍ（＝６インチ），厚さ＝２ｍｍ）上に、シード層としてパーマロイ（ＮｉＦｅ；５０ｎｍ厚）／チタン（Ｔｉ；５ｎｍ厚）の積層膜を形成した。続いて、シード層の表面にフォトレジスト（クラリアントジャパン株式会社製AZ5105P ）を塗布することによりフォトレジスト膜を形成したのち、そのフォトレジスト膜に加熱処理（加熱温度＝９０℃、加熱時間＝９０秒間）を施した。続いて、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニングすることにより、複数のフレーム部により画定された複数のスリット状（所定の長さを有する線状）の開口部（開口部の直径＝３００ｎｍ）を有するようにフォトレジストパターン（１０００ｎｍ厚）を形成した。このフォトレジストパターンを形成する際には、露光装置としてNikon 社製のNSR-TFHEX14Cを使用し、露光条件として光学系開口数ＮＡｌ（ＮＡ；Numerical Aperture）＝０．６、照明系開口数ＮＡｉ＝０．２４、レンズ系開口数σ＝０．４、露光量＝１５ｍＪ／ｃｍ2 とすると共に、現像手順として、現像処理前にフォトレジスト膜に加熱処理（加熱温度＝１２０℃、加熱時間＝１２０秒間）を施したのち、現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロキシド）２．３８％水溶液を使用して現像処理（現像時間＝６０秒間）を行った。続いて、めっき浴としてワット浴に鉄イオンを添加したパーマロイ浴を使用して、フォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させることにより複数の磁性層パターンを形成したのち、使用済みのフォトレジストパターンを除去した。この磁性層パターンを形成する際には、パーマロイ浴の浴条件として、硫酸ニッケル濃度＝３００ｇ／Ｌ（リットル），塩化ニッケル濃度＝５０ｇ／Ｌ，硫化第一鉄濃度＝１５ｇ／Ｌ，ホウ酸濃度＝４０ｇ／Ｌ，界面活性剤等の添加剤＝少量，ｐＨ＝３．５，温度＝６０℃，陰極電流密度＝１．５Ａ／ｄｍ2 とすると共に、めっき処理時の処理手順として、カソードに対して平行に配置させたパーマロイ製のアノード（直径＝１５．２４ｃｍ（＝６インチ））を使用し、極間距離＝１００ｍｍとした。なお、相関データを調べる際には、フレームめっき法を使用してめっき膜を成長させる際の基準として、フレーム部の厚さＴＦ＝１０００ｎｍのときにめっき膜の厚さＴＭ＝７５０ｎｍとなるように電流値および処理時間を調整し、すなわち基準厚さＴＦＪ＝１０００ｎｍ，基準厚さＴＭＪ＝７５０ｎｍとした。
【００７５】
図２４に示した結果から判るように、フレーム部の厚さＴＦが大きくなるにしたがってめっき膜の厚さＴＭが次第に小さくなり、すなわち厚さＴＦと厚さＴＭとの間にほぼ比例関係が成立するような相関データが得られた。具体的には、図２４に示した相関データから明らかなように、フレーム部の厚さＴＦを９５０ｎｍ〜１０５０ｎｍの範囲内において変化させたところ、めっき膜の厚さＴＭが７１３ｎｍ〜７９０ｎｍの範囲内において変化した。このことから、本発明の磁性層パターンの形成方法では、相関データに基づいてフォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さＴＦを設定することにより、そのフレーム部の厚さＴＦに基づいてめっき膜の厚さＴＭを制御することが可能であることが確認された。
【００７６】
続いて、フレームめっき法を使用して複数の磁性層パターンを形成することにより、一連の磁性層パターンの形成厚さの分布を調べたところ、図２５、図２６および表１に示した結果が得られた。図２５は、フレーム部の設定厚さの分布を表しており、「横軸」はフレーム部の厚さＴＦを測定した領域、すなわち図７に示した領域（領域Ｒ１〜Ｒ５）を示し、「縦軸」はフレーム部の厚さＴＦ（ｎｍ）を示している。図２６は、めっき膜の成長厚さの分布を表しており、「横軸」はめっき膜の厚さＴＭを測定した領域（領域Ｒ１〜Ｒ５）を示し、「縦軸」はめっき膜の厚さＴＭ（ｎｍ）を示している。表１は、図２５に示したフレーム部の設定厚さ（厚さＴＦ）の膜厚分布ＤＴＦ（％）および図２６に示しためっき膜の成長厚さ（厚さＴＭ）の膜厚分布ＤＴＭ（％）を表している。なお、表１に示した膜厚分布ＤＴＦは、ＤＴＦ（％）＝［（厚さＴＦの最大値（ｎｍ）−厚さＴＦの最小値（ｎｍ））／厚さＴＦの平均値（ｎｍ）］×１００を表しており、膜厚分布ＤＴＭは、ＤＴＭ（％）＝［（厚さＴＭの最大値（ｎｍ）−厚さＴＭの最小値（ｎｍ））／厚さＴＭの平均値（ｎｍ）］×１００を表している。
【００７７】
一連の磁性層パターンの形成厚さの分布を調べる際には、表１に示した６通りのサンプルＳ１（●），Ｓ２（▲），Ｓ３（■），Ｓ４（○），Ｓ５（△），Ｓ６（□）として、図２５に示したように、フレーム部の設定厚さ（厚さＴＦ）が６通りの厚さ分布となるように６種類のフォトレジストパターンを形成したのち、各フォトレジストパターンを使用して６種類のめっき膜群を成長させることにより磁性層パターンを形成した。このときの各めっき膜群の成長厚さ（厚さＴＭ）は、図２６に示したように分布した。なお、図２５および図２６に示した記号●，▲，■，○，△，□は、表１に示した一連のサンプルＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６にそれぞれ対応している。表１に示したように、サンプルＳ１〜Ｓ６では、この順に膜厚分布ＤＴＦが次第に大きくなるようにフレーム部の厚さＴＦを設定しており、すなわち領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かって次第にフレーム部の厚さＴＦが大きくなるとき、各領域Ｒ１〜Ｒ５間におけるフレーム部の厚さＴＦの差異は、サンプルＳ１〜Ｓ６の順に次第に大きくなっている。
【００７８】
【表１】
2006124729.tif 000003
【００７９】
図２５、図２６および表１に示した結果から判るように、膜厚分布ＤＴＦがサンプルＳ１〜Ｓ６の順に次第に大きくなるようにフォトレジストパターンを形成したところ、膜厚分布ＤＴＭはサンプルＳ１〜Ｓ６の順に次第に小さくなった。すなわち、図２５に示したように、各領域Ｒ１〜Ｒ５間における各フレーム部の厚さＴＦの差異がサンプルＳ１〜Ｓ６の順に次第に大きくなるようにフォトレジストパターンを形成したところ、図２６に示したように、各領域Ｒ１〜Ｒ５間における各めっき膜の厚さＴＭの差異はサンプルＳ１〜Ｓ６の順に次第に小さくなった。具体的には、表１に示したように、膜厚分布ＤＴＦと膜厚分布ＤＴＭとの間の関係は、サンプルＳ１においてＤＴＦ＝０．５０％のときにＤＴＭ＝８．７０％，サンプルＳ２においてＤＴＦ＝２．００％のときにＤＴＭ＝６．６４％，サンプルＳ３においてＤＴＦ＝３．８０％のときにＤＴＭ＝４．７９％，サンプルＳ４においてＤＴＦ＝５．１９％のときにＤＴＭ＝３．３５％，サンプルＳ５においてＤＴＦ＝７．１０％のときにＤＴＭ＝１．４２％，サンプルＳ６においてＤＴＦ＝８．５０％のときにＤＴＭ＝０．１３％となった。すなわち、各領域Ｒ１〜Ｒ５間におけるフレーム部の厚さＴＦの差異が最も小さいサンプルＳ１（膜厚分布ＤＴＦ＝０．５０％）では、各領域Ｒ１〜Ｒ５間におけるめっき膜の厚さＴＭのばらつきが最も大きくなったが（膜厚分布ＤＴＭ＝８．７０％）、そのめっき膜の厚さＴＭのばらつきは各領域Ｒ１〜Ｒ５間におけるフレーム部の厚さＴＦの差異が大きくなるにしたがって次第に小さくなり、各領域Ｒ１〜Ｒ５間におけるフレーム部の厚さＴＦの差異が最も大きいサンプルＳ６（膜厚分布ＤＴＦ＝８．５０％）では、各領域Ｒ１〜Ｒ５間におけるめっき膜の厚さＴＭのばらつきが最も小さくなった（膜厚分布ＤＴＭ＝０．１５％）。このことから、本発明の磁性層パターンの形成方法では、図２４に示した相関データに基づいてフォトレジストパターンのうちの各フレーム部の厚さＴＦに差異を設けることにより、各めっき膜の厚さＴＭの差異が小さくなるため、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することが可能であることが確認された。
【００８０】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した磁性層パターンの形成手順は、必ずしもこれに限られるものではなく、フォトレジストパターンのうちの各フレーム部の厚さに各開口部ごとに差異を設け、各フレーム部の厚さが各開口部ごとに異なるようにフォトレジストパターンを形成したのち、そのフォトレジストパターンのうちの各開口部に選択的にめっき膜を成長させて複数の磁性層パターンを形成することにより、フレームめっき法を使用して可能な限り均一な厚さとなるように複数の磁性層パターンを安定に形成することが可能な限り、自由に変更可能である。
【００８１】
また、上記では、本発明の磁性層パターンの形成方法を薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、薄膜磁気ヘッド以外の他の磁気デバイスの製造方法に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明に係る磁性層パターンの形成方法は、例えば、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドの製造方法などに適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法の流れを説明するための流れ図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法のうちの一工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】磁性層パターンの形成領域を説明するための平面図である。
【図８】フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを説明するための図である。
【図９】本発明の一実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法に対する比較例としての磁性層パターンの形成方法のうちの一工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法に関する変形例のうちの一工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の一実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法を使用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を使用して製造される薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図１７】図１６に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の斜視構成を表す斜視図である。
【図１８】薄膜磁気ヘッドの製造方法のうちの一工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図である。
【図２４】フォトレジストパターンのうちのフレーム部の厚さとめっき膜の厚さとの間の相関を表す相関データを表す図である。
【図２５】フレーム部の設定厚さの分布を表す図である。
【図２６】めっき膜の成長厚さの分布を表す図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…基板、２…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、９…ギャップ層、９Ａ〜９Ｃ…ギャップ層部分、９ＡＫ，９ＣＫ，３２Ｋ，１０４Ｋ（１０４Ｋ１〜１０４Ｋ３）…開口部、１０…薄膜コイル、１１…連結部、１２…主磁極層、１２Ａ…磁極部分層、１２Ａ１…先端部、１２Ａ２…後端部、１２ＡＸ…ダミー層、１２Ｂ…ヨーク部分層、１３…オーバーコート層、２０…エアベアリング面、３１，１０２…シード層、３２，１０４…フォトレジストパターン、３２Ｆ，１０４Ｆ（１０４Ｆ１〜１０４Ｆ３）…フレーム部、３３…マスク、１０１…ウェハ、１０３…フォトレジスト膜、１０５…磁性層パターン、Ｍ…媒体進行方向、Ｒ１〜Ｒ５…領域、Ｔ１〜Ｔ３…厚さ、Ｗ…幅。
【図１】
2006124729.tif 000004
【図２】
2006124729.tif 000005
【図３】
2006124729.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2006124729.tif 000020
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2006124729.tif 000023
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
2006124729.tif 000028
【図２６】
2006124729.tif 000029
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、フォトレジスト膜１０３の厚さを領域Ｒ１〜Ｒ３ごとに異ならせる方法は、例えば、以下の通りである。第１に、例えば、スピンコータを使用してフォトレジストをコーティングすることによりフォトレジスト膜１０３を形成する場合に、塗布用カップ内の排気量（排気時間）を調整する方法が挙げられる。この場合には、排気量を大きくすると、ウェハ１０１の中心よりも周辺においてフォトレジストが乾燥しやすくなるため、そのウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に大きくなり、一方、排気量を小さくすると、ウェハ１０１の周辺よりも中心においてフォトレジストが滞留しやすくなるため、そのウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に小さくなる。また、第２に、例えば、ウェハ１０１の中心と周辺との間でスキャンしながらフォトレジストを供給することによりフォトレジスト膜１０３を形成する場合に、そのフォトレジストの供給量を調整する方法が挙げられる。この場合には、ウェハ１０１の中心よりも周辺においてフォトレジストの供給量を多くすると、そのウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に大きくなり、一方、ウェハ１０１の中心よりも周辺においてフォトレジストの供給量を少なくすると、ウェハ１０１上の領域Ｒ１から領域Ｒ５へ向かってフォトレジスト膜１０３の厚さが次第に小さくなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ここで、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法に関する技術的意義について補足しておく。すなわち、本実施の形態に係る磁性層パターンの形成方法では、上記したように、フォトレジストパターン１０４のうちの各フレーム部１０４Ｆの厚さに各開口部１０４Ｋごとに差異を設けているが、この「各フレーム部１０４Ｆの厚さの差異」は、一般的な形成手順を経ることにより複数の開口部を有するフォトレジストパターンを形成した際に、そのフォトレジストパターンのうちの各フレーム部間に生じる厚さのばらつきとは、明らかに異なるものである。なぜなら、本実施の形態における「各フレーム部１０４Ｆの厚さの差異」とは、複数の磁性層パターン１０５の形成厚さを均一化することを目的として、あらかじめ取得しておいた相関データに基づいて各めっき膜間の厚さの差異が解消されるように設定された「意図的な厚さのばらつき」であり、一般的な形成手順を経ることにより各フレーム部が互いに等しい厚さとなるようにフォトレジストパターンを形成したにもかかわらず、フォトレジストの流動状態のばらつき等の要因に起因して意図せずに各フレーム部間に生じた「偶発的な厚さのばらつき」とは、技術論理上において明らかに異なるからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
続いて、図１８〜図２３を参照して、図１６および図１７に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。以下では、まず、図１６および図１７を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１８〜図２３を参照して本発明の磁性層パターンの形成方法、すなわちフレームめっき法を使用して磁性層パターンとして磁極部分層１２Ａを形成する工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドを構成する一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴に関しては既に詳述したので、その説明を随時省略する。特に、磁極部分層１２Ａを形成する工程について説明する場合には、本発明の磁性層パターンの形成方法の詳細に関しては既に詳述したので、ここでは説明を簡略化するために、上記した磁性層パターンの形成方法の詳細な手順については随時省略した上で、図７に示した複数の領域（領域Ｒ１〜Ｒ５）のうちの任意の１つの領域に磁性層パターンとして磁極部分層１２Ａを１つだけ形成する場合について言及する。