(57)【要約】      （修正有）【課題】ＭＥＭＳ装置を外部環境から保護した電子装置を提供する。【解決手段】  干渉変調器であるＭＥＭＳ装置７６をその上に有する基板７２と、空洞７９を隔てて設けた乾燥剤８０およびバックプレーン７４と、バックプレーンと基板をシールする主要シール７８を具備し、さらに、少なくともバックプレーンおよび基板に接触する二次的シール８２を有する。これによってＭＥＭＳ装置を外部環境からカプセル化して密封する。【選択図】  図９
2006123160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたＭＥＭＳ装置と、
バックプレーンと、
前記ＭＥＭＳ装置の近くに位置し、前記基板及びバックプレーンに接触する主要シールと、
前記主要シールの外周の近くに位置し、前記基板及びバックプレーンに接触する二次的シールと
を具備する電子装置。
【請求項２】
前記主要シールは、連続的シール及び非連続的シールのうちの１つであることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記二次的シールは、連続的シール及び非連続的シールのうちの１つである請求項１記載の電子装置。
【請求項４】
前記二次的シールは、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を有する請求項１記載の電子装置。
【請求項５】
前記ＡＣＦは、前記主要シールの外周の近くの調整された密封部を有する請求項４記載の電子装置。
【請求項６】
前記二次的シールは、前記主要シールに接触している請求項１記載の電子装置。
【請求項７】
前記二次的シールは、異方性材料を有する請求項１記載の電子装置。
【請求項８】
前記二次的シールは、粘着剤或いは金属を有する請求項１記載の電子装置。
【請求項９】
前記ＭＥＭＳ装置は、干渉変調器アレイを有する請求項１記載の電子装置。
【請求項１０】
ＭＥＭＳ装置と電気的通信を行ない、画像データを処理するように構成されているプロセッサと、
前記プロセッサと電気的通信を行なうメモリ装置と
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの信号をＭＥＭＳ装置に送るように構成された駆動回路をさらに具備する請求項１０記載の電子装置。
【請求項１２】
少なくとも画像データの一部を前記駆動回路に送るように構成されたコントローラをさらに具備する請求項１１記載の電子装置。
【請求項１３】
前記画像データを前記プロセッサに送るように構成された画像ソースモジュールをさらに具備する請求項１０記載の電子装置。
【請求項１４】
前記画像ソースモジュールは、受信器、トランシーバ及び送信器のいずれか１つを含む請求項１３記載の電子装置。
【請求項１５】
入力データを受信し、前記入力データを前記プロセッサと通信するように構成された入力装置をさらに有する請求項１０記載の電子装置。
【請求項１６】
バックプレーン及び基板を有し、前記基板上に形成されたＭＥＭＳ装置と、
前記バックプレーンと基板との間に形成され、ＭＥＭＳ装置の周囲の近くに密封成形された主要シールを提供し、
前記基板及びバックプレーンに接触し、前記主要シールの外周の近くの二次的シールを形成する電子ディスプレイを製造する方法。
【請求項１７】
前記主要シールは、前記バックプレーン及び基板の少なくとも１つの上に形成されている請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記主要シールの外周近くにはんだ予備成形を置き、前記基板及びバックプレーンに接触するように前記はんだ予備成形を溶かす請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記バックプレーン、主要シール及び基板が組み立てられる前に前記置くことが起こり、前記組み立ての前に前記溶かすことが起こる請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記二次的シールは、前記主要シールに接触している請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
前記二次的シールは、連続的シール及び非連続的シールのうちの１つである請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
前記二次的シールは、異方性導電フィルムを有する請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
前記二次的シールは、異方性材料を有する請求項１６記載の方法。
【請求項２４】
前記二次的シールは、粘着剤或いは金属を有する請求項１６記載の方法。
【請求項２５】
前記ＭＥＭＳ装置は、干渉変調器アレイを有する請求項１６記載の方法。
【請求項２６】
請求項１６の方法によって形成された電子ディスプレイ。
【請求項２７】
その中を通過する光を伝送する伝送手段と、
前記伝送手段を通過して伝送された光を変調する変調手段と、
前記変調手段を前記伝送手段及び変調手段によって形成されたパッケージに封入するカバー手段と、
前記カバー手段及び伝送手段の間であって、前記変調手段の周囲の近くに形成された主要シール手段と、
前記主要シール手段の外周を密封し、前記伝送手段及びカバー手段に接触する二次的シール手段と
を具備するマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項２８】
前記伝送手段は、透明な基板を有する請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項２９】
前記変調手段は、干渉変調器アレイを有する請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３０】
前記カバー手段は、バックプレーンを有する請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３１】
前記主要シール手段は、粘着性シールを有する請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３２】
前記二次的シール手段は、前記主要シール手段の外周の近くに置かれたはんだ予備成形を有する請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３３】
前記二次的シール手段は、前記主要シール手段に接触している請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３４】
前記主要シール手段は、非連続シールである請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３５】
前記二次的シールは、異方性導電フィルムを有する請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３６】
前記ＭＥＭＳ装置は、異方性導電フィルムに接触するフレキシブル回路を有する請求項３５記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３７】
前記二次的シールは、疎水性材料を有する請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【請求項３８】
前記二次的シールは、粘着剤及び金属のうちの１つである請求項２７記載のＭＥＭＳ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の分野は、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関し、特に、ＭＥＭＳ装置のパッケージングのための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微少機械要素、アクチュエータ及び電子機器を含む。微少機械要素は、蒸着、エッチングおよびまたは、基板および／または堆積材料層の部分をエッチング除去し、あるいは、層を加えて電気及び電気機械装置を形成する他のマイクロ電気機械加工プロセスを用いて生成することができる。ＭＥＭＳ装置の１つのタイプは、干渉変調器と呼ばれる。干渉変調器は、その一方または両方が、その全体または一部が透過性および／または反射性であってもよく、かつ適当な電気信号を印加したときに相対運動が可能な、１組の導電性プレートを備えてもよい。一方のプレートは、基板上に付着された固定層を備えてもよく、他方のプレートは、前記固定層からエアギャップ分だけ離された金属膜を備えてもよい。そのような装置は、広範囲の用途を有しており、それらのタイプの装置の特徴を利用しおよび／または変更する技術分野において有益であるため、既存の製品を改良する際、およびまだ開発されていない新しい製品を考案する際に、それらの特徴を利用することができる。
【発明の開示】
【０００３】
電子装置における本発明の一実施の形態は、基板と、前記基板上に形成されたＭＥＭＳ装置と、バックプレーンと、ＭＥＭＳ装置の周囲の近くに位置し、前記基板及びバックプレーンに接触する主要シールと、前記主要シールの外周の近くに位置し、前記基板及びバックプレーンに接触する二次的シールとを有する。
【０００４】
本発明の他の実施の形態は電子ディスプレイを製造するための方法は、バックプレーン及び基板を有するＭＥＭＳ装置パッケージを提供し、この場合において、ＭＥＭＳ装置は前記基板上に形成され、前記ＭＥＭＳ装置の周囲の近くであって、前記バックプレーン及び前記基板間に形成された主要シールを提供し、前記主要シールの外周の近くであって、前記基板及び前記バックプレートに接触する二次的シールを形成することを含む。
【０００５】
さらに、本発明の他の実施の形態は、バックプレーン及び基板を有するＭＥＭＳ装置パッケージを提供し、この場合において、ＭＥＭＳ装置は前記基板上に形成され、前記ＭＥＭＳ装置の周囲の近くであって、前記バックプレーン及び前記基板間に形成された主要シールを提供し、前記主要シールの外周の近くであって、前記基板及び前記バックプレートに接触する二次的シールを形成することを含む方法によって製造された電子ディスプレイである。
【０００６】
さらに、本発明の一つの実施の形態は、そこを通過する光を伝送する伝送手段と、前記伝送手段を通過する光を変調する変調手段と、前記変調手段を前記伝送手段及びカバー手段によって形成されたパッケージで囲むカバー手段と、前記変調手段の周囲の近くであって、前記カバー手段と前記伝送手段との間に形成された主要シール手段と、前記主要シール手段の外周を密封する二次的シール手段とを具備し、前記二次的シール手段は、前記伝送手段及び前記カバー手段に接触している電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下の詳細な説明は、本発明のある特定の実施形態に注力する。しかし、本発明は、多くの異なる方法で実施することができる。この説明においては、図面を参照し、同様の部分は、全体を通して、同じ数字を用いて表わすことにする。以下の説明から容易に理解できるように、本発明は、動いていようと（例えば、ビデオ）、静止していようと（例えば、静止画像）、およびテキストであろうと写真であろうと、画像を表示するように構成されているいかなる装置でも実施することができる。より具体的には、本発明を、限定するものではないが、移動電話、無線装置、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、ハンドヘルドコンピュータまたはポータブルコンピュータ、ＧＰＳレシーバ／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カメラ一体型ＶＴＲ、ゲームコンソール、腕時計、時計、計算機、テレビモニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニタ、オートディスプレイ（例えば、走行距離計等）、コックピット制御部および／またはディスプレイ、カメラビューのディスプレイ（例えば、自動車のリアビューカメラのディスプレイ）、電子写真、電子掲示板または電子サイン、プロジェクタ、建築構造物、パッケージング及び審美的構造（例えば、１つの宝石に関する画像の表示）等の様々な電子装置で、または前記様々な電子装置に付随して実施してもよいことが意図されている。また、本明細書中で説明したのと同様の構造のＭＥＭＳ装置は、電子スイッチング装置等における非表示用途で用いることもできる。
【０００８】
改良された密封構造を有する複数のＭＥＭＳ装置パッケージ構造が以下に述べられる。ある実施の形態においては、ＭＥＭＳ装置は主要シールによって保持されたバックプレーンと基板との間に実装される。ＭＥＭＳ装置パッケージ構造は、さらに、主要シールび周囲の周辺に位置する二次的シールを有し、少なくとも基板及びバックプレーンに接触してもよい。いくつかの実施の形態においては、二次的シールはさらに主要シールに接触している。二次的シールを有するＭＥＭＳ装置パッケージを密封する１つの実施の形態の方法は、異方性導電フィルムを有する二次的シールを形成することを含む。この場合において、異方性導電フィルムは、フレキシブル回路及びパッケージ基板の周囲上の導電リードの間の電気的接続をも形成する。フレキシブル回路及び異方性導電フィルムの基板への取り付け或いは接触の間、力が異方性導電フィルムがバックプレーンに接触するように加えられ、これにより、二次的シールが形成される。この実施の形態については、図７乃至図１１を参照して、以下、詳細に説明される。
【０００９】
干渉ＭＥＭＳディスプレイ要素を備える１つの干渉変調器ディスプレイの実施形態を、図１に示す。これらの装置においては、画素は、明るい状態または暗い状態のいずれかにある。前記明るい（「オン」または「オープン」）状態において、前記ディスプレイ要素は、入射可視光の大部分をユーザに対して反射させる。前記暗い（「オフ」または「クローズド」）状態の場合、前記ディスプレイ要素は、わずかな入射可視光を前記ユーザに対して反射させる。実施形態によっては、前記「オン」及び「オフ」状態の光反射特性は、逆にしてもよい。ＭＥＭＳ画素は、選択された色で主に反射するように構成することができ、黒及び白に加えてカラー表示を可能にする。
【００１０】
図１は、ビジュアルディスプレイの一連の画素における２つの隣接する画素を示す等角図であり、各画素は、ＭＥＭＳ干渉変調器を備える。いくつかの実施形態においては、干渉変調器ディスプレイは、それらの干渉変調器からなる行／列アレイを備える。各干渉変調器は、互いに可変かつ制御可能な距離をおいて配置され、少なくとも１つの可変寸法を有する光空洞共振器を形成する、１組の反射層を含む。一実施形態において、前記反射層の一方は、２つの位置の間で移動してもよい。本明細書において解放状態と呼ばれる第１の位置においては、前記移動可能な層は、固定された部分的反射層から比較的大きな距離をおいて配置されている。第２の位置においては、前記移動可能な層は、前記部分的反射層により近接して配置されている。上記２つの層から反射する入射光は、前記移動可能な反射層の位置により、建設的にまたは破壊的に干渉し、各画素に対して全体的反射状態または非反射状態のいずれかをもたらす。
【００１１】
図１の画素アレイの図示した部分は、２つの隣接する干渉変調器１２ａ及び１２ｂを含む。左側の干渉変調器１２ａにおいては、移動可能な高反射層１４ａが、固定された部分的反射層１６ａから所定の距離の解放位置に示されている。右側の干渉変調器１２ｂにおいては、移動可能な高反射層１４ｂが、固定された部分的反射層１６ｂに隣接する作動位置に示されている。
【００１２】
固定された層１６ａ、１６ｂは導電性で、部分的に透過性で部分的に反射性であり、例えば、各々がクロム及びインジウムスズ酸化物からなる１つ以上の層を透明基板２０上に付着させることにより、製造することができる。これらの層は、平行なストリップにパターン化され、以下にさらに説明するように、表示装置に行電極を形成することが可能である。可動層１４ａ、１４ｂは、ポスト１８の上部に付着させた（行電極１６ａ、１６ｂと直交する）付着金属層と、ポスト１８の間に付着させた介在犠牲材とからなる一連の平行なストリップとして形成することができる。前記犠牲材がエッチング除去されると、前記変形可能な金属層は、画定されたエアギャップ１９により、前記固定された金属層から分離される。前記変形可能層には、アルミニウム等の高導電性の反射材を用いることができ、また、それらのストリップは、表示装置内に列電極を形成してもよい。
【００１３】
電圧を印加しない場合、空洞１９は、層１４ａと層１６ａとの間に存続し、かつ上記変形可能層は、図１の画素１２ａによって示すように、物理的に弛緩した状態になっている。しかし、選択した行及び列に対して電位差を加えると、対応する画素における上記行及び列電極の交差部に形成されたコンデンサが充電されて、静電力が前記電極を一緒に引っ張る。前記電圧が充分高い場合、前記移動可能な層は、図１の右側の画素１２ｂによって示すように、変形し、かつ上記固定された層に押し込まれる（短絡を防ぎ、分離された距離を制御するために、この図には示されていない誘電体材料が固定層の上に付着される）。この作用は、印加した電位差の極性に関係なく同じである。このように、反射性対非反射性の画素状態を制御することができる行／列動作は、従来のＬＣＤ及び他の表示技術で用いられるものと多くの点で似ている。
【００１４】
図２から図５Ｂは、表示用途において、干渉変調器からなるアレイを用いる１つの例示的なプロセス及びシステムを示す。
【００１５】
図２は、本発明の態様を組み込んでもよい電子装置の一実施形態を示すシステムブロック図である。例示的な実施形態において、前記電子装置は、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＩＩ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  ＩＶ（登録商標）、ＰｅｎｔｉｕｍＰｒｏ（登録商標）、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）等のどのような汎用の単一またはマルチチップマイクロプロセッサ、あるいは、ディジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラまたはプログラマブルゲートアレイ等のどのような専用マイクロプロセッサであってもよい、プロセッサ２１を含む。従来技術と同様に、プロセッサ２１は、１つ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。前記プロセッサは、オペレーティングシステムを実行するのに加えて、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、電子メールプログラム、または他のソフトウェアアプリケーションを含む、１つ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成することができる。
【００１６】
一実施形態においては、プロセッサ２１も、アレイコントローラ２２と通信するように構成されている。一実施形態において、アレイコントローラ２２は、信号を画素アレイ３０へ供給する行駆動回路２４及び列駆動回路２６を含む。図１に示す前記アレイの断面は、図２の線１−１によって示されている。ＭＥＭＳ干渉変調器の場合、前記行／列作動プロトコルは、図３に示すそれらの装置のヒステリシス特性を利用してもよい。例えば、移動可能な層を、上記解放状態から作動状態に変形させるために、１０Ｖの電位差を要求してもよい。しかし、前記電圧が前記値から低下した場合、前記移動可能な層は、前記電圧が１０Ｖ以下に低下したときにその状態を維持する。図３の例示的な実施形態において、前記移動可能な層は、前記電圧が２Ｖ未満に低下するまで、完全に解放しない。それに伴って、図３に示した実施例には、約３Ｖから７Ｖの電圧範囲があり、この場合、その範囲内で前記装置が、上記解放状態または作動状態のいずれかで安定している印加電圧のウィンドウが存在する。本明細書では、これを「ヒステリシスウィンドウ」または「安定ウィンドウ」と呼ぶ。図３のヒステリシス特性を有する表示アレイの場合、上記行／列作動プロトコルは、行ストロービングの間、作動されるべき前記ストローブされた行の画素が、約１０Ｖの電圧差にさらされ、かつ解放されるべき画素が、０Ｖに近い電圧差にさらされるように設計することができる。前記ストローブの後、前記画素は、どのような状態においても、行ストローブのままであるように、約５Ｖの定常電圧差にさらされる。書き込まれた後、各画素は、この実施例において３Ｖから７Ｖの「安定ウィンドウ」内の電位差を参照する。この特徴は、図１に示す画素設計を、作動または解放先在状態のいずれかにおける同じ印加電圧条件の下で安定させる。上記干渉変調器の各画素は、作動状態または解放状態であろうとなかろうと、本質的に、固定された反射層と移動可能な反射層とによって形成されたコンデンサであるため、この安定状態は、ほとんど電力消失を伴わずに、上記ヒステリシスウィンドウ内の電圧で保持することができる。前記印加電位が固定されている場合、本質的に、電流は前記画素へは流れない。
【００１７】
典型的な用途において、ディスプレイフレームは、第１の行における作動画素の所望のセットに従って、列電極のセットを行使することによって生成することができる。行パルスは、行１電極に印加され、前記行使された列ラインに対応する画素が作動される。次に、列電極の前記行使されたセットは、第２の行の作動画素の所望のセットに対応するため変化する。次いで、パルスが行２電極に印加され、前記行使された列電極に従って、行２の適当な画素が作動される。行１画素は、行２パルスによる影響をうけず、行１パルスに設定された状態のままである。これは、フレームを生成するために、一連の行全体に対して順次繰り返すことができる。一般に、前記フレームは、毎秒所望数のフレームにおいて、このプロセスを連続的に繰り返すことにより、新たな表示データに対してリフレッシュおよび／または更新される。画素アレイの行及び列電極を駆動して、表示フレームを生成する幅広いプロトコルが知られており、本発明と共に用いることができる。
【００１８】
図４、図５Ａ及び図５Ｂは、図２の３×３アレイに表示フレームを生成する１つの可能な作動プロトコルを示す。図４は、図３のヒステリシス曲線を示す画素に用いることができる列及び行電圧レベルの可能なセットを示す。図４の実施形態において、画素を作動させることは、適当な列を−Ｖｂｉａｓに、適当な行を＋ｙ・・Ｖに設定することを含み、これらはそれぞれ、−５Ｖ及び＋５Ｖに相当する。画素を解放することは、適当な列を＋Ｖｂｉａｓに、適当な行を同じく＋ｙ・・Ｖに設定して、前記画素の両端に０Ｖの電位差を生じることにより実現される。行電圧が０Ｖに保持される行においては、前記画素は、前記列が＋Ｖｂｉａｓであるかまたは−Ｖｂｉａｓであるかに関係なく、前記画素が元々どのような状態にあろうとも、安定している。図４にも示されているように、上述のものと逆極性の電圧が使用可能であることは明らかであり、例えば、画素を作動することは、適切な列を＋Ｖｂｉａｓに設定し、適切な行を−Ｖｂｉａｓに設定することを含む。本実施の形態においては、画素を解放することは、適切な列を−Ｖｂｉａｓに設定し、適切な行を同じ−Ｖｂｉａｓに設定して、前記画素の両端に０Ｖの電位差を生じることにより実現される。
【００１９】
図５Ｂは、作動画素が非反射性である、図５Ａに示す表示配列を生じる、図２の３×３アレイに印加される一連の行列信号を示すタイミング図である。図５Ａに示すフレームに書き込む前に、画素は、どのような状態も可能であり、この実施例においては、全ての行が０Ｖであり、全ての列が＋５Ｖである。全ての画素は、これらの印加電圧によって、それらの現在の作動または解放状態において、安定している。
【００２０】
図５Ａのフレームにおいては、画素（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）及び（３，３）が作動している。これを実現するため、行１のための「ラインタイム」の間には、列１及び列２が−５Ｖに設定され、かつ列３が＋５Ｖに設定される。このことは、全ての画素が３Ｖから７Ｖの安定ウィンドウに入ったままであるため、どの画素の状態も変えない。そして、行１は、０Ｖから５Ｖに上昇した後０に戻るパルスによってストローブされる。このことは、（１，１）及び（１，２）画素を作動させ、（１，３）画素を解放する。上記アレイ内の他の画素は影響を受けない。行２を要望通りに設定するため、列２は−５Ｖに設定され、列１及び列３は＋５Ｖに設定される。次いで、行２に印加される同じストローブが画素（２，２）を作動させ、かつ画素（２，１）及び（２，３）を解放する。ここでも、前記アレイの他の画素は影響を受けない。行３は、列２及び列３を−５Ｖに、及び列１を＋５Ｖに設定することにより、同様に設定される。行３のストローブは、行３の画素を図５Ａに示すように設定する。前記フレームを書き込んだ後、前記行電位は０であり、前記列電位は、＋５Ｖまたは−５Ｖのいずれかのままとすることができ、上記ディスプレイは、図５Ａの構成において安定している。数十または数百の行及び列からなるアレイに対して、同じ処理手順を用いることができることが認識されよう。また、行及び列の作動に用いる電圧のタイミング、シーケンス及びレベルを、上述した包括的な原理の範囲内で大きく変化させることができること、及び上記の実施例が、単に例示であり、どのような作動電圧方法もここにおいて述べられるシステム及び方法と共に用いることができることが認識されよう。
【００２１】
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置４０の実施の形態を示すシステムブロック図である。表示装置４０は、例えば、セルラーあるいは移動電話である。しかしながら、表示装置４０或いはこれらのわずかな変更の同じ要素は、テレビ及びポータブルメディアプレイヤーのような種々の種類の表示装置を示している。
【００２２】
表示装置４０は、ハウジング４１と、ディスプレイ３０と、アンテナ４３と、スピーカ４５と、入力装置４８と、マイクロフォン４６とを含む。ハウジング４１は、一般に、射出成形及び真空成形を含む、当業者によく知られているような種々の製造プロセスのうちのいずれかによって形成されている。また、ハウジング４１は、限定するものではないが、プラスチック、金属、ガラス、ゴム及びセラミックまたはそれらの組合せを含む様々な材料のうちのいずれかから形成することができる。一実施形態において、ハウジング４１は、異なる色の、または、異なるロゴ、写真またはシンボルからなる他の取外し可能な部分と交換することができる、取外し可能な部分（図示せず）を含む。
【００２３】
例示的な表示装置４０のディスプレイ３０は、本明細書で説明したようなバイステイブルディスプレイを含む、様々なディスプレイのうちのいずれかであってもよい。他の実施形態においては、ディスプレイ３０は、上述したように、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ及びＴＦＴ  ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ、あるいは、当業者にはよく知られているような、ＣＲＴまたは他のブラウン管装置等の非フラットパネルディスプレイを含む。しかし、本実施形態を説明するため、ディスプレイ３０は、本明細書に記載したように、干渉変調器ディスプレイを含む。
【００２４】
例示的なディスプレイ装置４０の一実施形態の構成要素を、図６Ｂに概略的に示す。図示した例示的なディスプレイ装置４０は、ハウジング４１を含み、また、前記ハウジングの中に少なくとも部分的に収容された追加的な構成要素を含むことができる。例えば、一実施形態において、例示的なディスプレイ装置４０は、トランシーバ４７に結合されているアンテナ４３を含むネットワークインタフェース２７を含む。トランシーバ４７はプロセッサ２１に接続されており、前記プロセッサは、調整ハードウェア５２に接続されている。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例えば、信号をフィルタリングする）ように構成されてもよい。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５及びマイクロフォン４６に接続されている。また、プロセッサ２１は、入力装置４８及びドライバコントローラ２９にも接続されている。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８及びアレイドライバ２２に結合されており、前記アレイドライバは、表示アレイ３０にも結合されている。電源５０は、特定の例示的なディスプレイ装置４０の設計に要求される全ての構成要素に電力を供給する。
【００２５】
ネットワークインタフェース２７は、例示的なディスプレイ装置４０が、ネットワークを介して１つ以上の装置と通信することができるように、アンテナ４３及びトランシーバ４７を含む。一実施形態において、ネットワークインタフェース２７は、プロセッサ２１の要求を軽減するためのいくつかの処理能力も有してもよい。アンテナ４３は、当業者に知られている、信号を送受信するいずれかのアンテナである。一実施形態において、前記アンテナは、ＩＥＥＥ８０２．１１（ａ）、（ｂ）または（ｇ）を含むＩＥＥＥ８０２．１１規格に従ってＲＦ信号を送受信する。別の実施形態においては、前記アンテナは、ブルートゥース規格に従って、ＲＦ信号を送受信する。携帯電話の場合、前記アンテナは、ＣＤＭＡ、ＧＳＭ、ＡＭＰＳ、または、無線セル電話ネットワーク内で通信するのに用いられる、他の公知の信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受取った信号を、プロセッサ２１によって受取り、かつ前記プロセッサによってさらに処理できるように、前記信号を前処理する。また、トランシーバ４７は、プロセッサ２１から受取った信号を、アンテナ４３を介して例示的なディスプレイ装置４０から送信できるように、前記信号を処理する。
【００２６】
代替の実施形態においては、トランシーバ４７は、レシーバと置き換えることができる。また別の代替の実施形態においては、ネットワークインタフェース２７は、画像ソースと置き換えることができ、前記画像ソースは、プロセッサ２１へ送るべき画像データを格納または生成することができる。例えば、前記画像ソースは、画像データを含むデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）またはハードディスクドライブ、あるいは、画像データを生成するソフトウェアモジュールとすることができる。
【００２７】
プロセッサ２１は、一般に、例示的なディスプレイ装置４０の全体の動作を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインタフェース２７または画像ソースからの圧縮された画像データ等のデータを受取り、前記データを処理して生画像データに、または生画像データに容易に処理されるフォーマットにする。そして、プロセッサ２１は、前記処理されたデータをドライバコントローラ２９に、または格納のためにフレームバッファ２８へ送る。生データは、典型的には、画像内の各位置における画像特性を識別する情報を指す。例えば、そのような画像特性は、色、飽和及びグレースケールレベルを含むことができる。
【００２８】
一実施形態において、プロセッサ２１は、マイクロコントローラ、ＣＰＵ、または、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御する論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は、一般に、信号をスピーカ４５へ転送し、かつマイクロフォン４６から信号を受取る増幅器及びフィルタを含む。調整ハードウェア５２は、例示的なディスプレイ装置４０内の個別の構成要素であってもよく、あるいは、プロセッサ２１または他の構成要素に組み込んでもよい。
【００２９】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生画像データを、プロセッサ２１から直接、またはフレームバッファ２８から取得して、アレイドライバ２２への高速転送に適した生画像データに再フォーマット化する。具体的には、ドライバコントローラ２９は、表示アレイ３０の全域を走査するのに適した時間順序を有するように、前記生画像データを、ラスタ状フォーマットを有するデータフローに再フォーマット化する。そして、ドライバコントローラ２９は、前記フォーマット化した情報をアレイドライバ２２へ送る。ＬＣＤコントローラ等のドライバコントローラ２９は、独立型集積回路（ＩＣ）としてシステムプロセッサ２１と関連付けられる場合があるが、そのようなコントローラは、多くの方法で実施することができる。前記コントローラは、ハードウェアとしてプロセッサ２１に、ソフトウェアとしてプロセッサ２１に埋め込まれてもよく、または、ハードウェア内で、アレイドライバ２２と完全に一体化してもよい。
【００３０】
典型的には、アレイドライバ２２は、ドライバコントローラ２９から上記フォーマット化された情報を受取って、前記ビデオデータを、上記ディスプレイの画素のｘ−ｙマトリックスからくる何百及び時には何千ものリードに、毎秒何度も印加される波形の並行セットに、再フォーマット化する。
【００３１】
一実施形態において、ドライバコントローラ２９、アレイドライバ２２及び表示アレイ３０は、本明細書に記載したどの種類のディスプレイにも適している。例えば、一実施形態において、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたはバイステイブルディスプレイコントローラ（例えば、干渉変調器コントローラ）である。別の実施形態においては、アレイドライバ２２は、従来のドライバまたはバイステイブルディスプレイドライバ（例えば、干渉変調器ディスプレイ）である。一実施形態において、ドライバコントローラ２９は、アレイドライバ２２と一体化されている。そのような実施形態は、携帯電話、時計及び他の小面積ディスプレイ等の高度に一体化されたシステムにおいては共通である。また別の実施形態においては、表示アレイ３０は、典型的な表示アレイ、またはバイステイブル表示アレイ（例えば、干渉変調器からなるアレイを含むディスプレイ）である。
【００３２】
入力装置４８は、ユーザが例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御できるようにする。一実施形態において、入力装置４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッド、ボタン、スイッチ、タッチスクリーン、感圧または感熱膜等の、キーパッドを含む。一実施形態において、マイクロフォン４６は、例示的なディスプレイ装置４０のための入力装置である。マイクロフォン４６を、前記装置にデータを入力するのに使用する場合、例示的なディスプレイ装置４０の動作を制御するために、ユーザによってボイスコマンドを提供してもよい。
【００３３】
電源５０は、当技術分野において公知の様々なエネルギー蓄積装置を含む。例えば、一実施形態において、電源５０は、ニッケル−カドミウム電池またはリチウムイオン電池等の充電可能な電池である。別の実施形態において、電源５０は、回復可能なエネルギー源、コンデンサ、または、プラスチック太陽電池及び太陽電池ペイントを含む太陽電池である。別の実施形態において、電源５０は、壁コンセントから電力を受取るように構成される。
【００３４】
いくつかの実施においては、制御プログラム性は、上述したように、電子表示システムのいくつかの箇所に配置することができるドライバコントローラに存する。制御プログラム性は、アレイドライバ２２に存する場合もある。当業者は、上述した最適化を、多数のハードウェアおよび／またはソフトウェア構成要素のどれでも、および様々な構成で実施することができることを認識するであろう。
【００３５】
上述した原理に従って作動する干渉変調器の構成の細部は、大きく変更してもよい。例えば、図７Ａから図７Ｃは、上記可動ミラー構造の３つの異なる実施形態を示す。図７Ａは、図１の実施形態の断面であり、金属材料１４のストリップが、直交して伸びる支持体１８上に付着されている。図７Ｂにおいては、可動反射材１４が、その隅においてのみテザー３２上の支持体に取付けられている。図７Ｃにおいては、可動反射材１４が、変形可能な層３４から吊り下げられている。この実施形態は、反射材１４に用いる構造設計及び材料を、光特性に対して最適化することができ、かつ変形可能層３４に用いる構造設計及び材料を、所望の物理特性に対して最適化することができるため、有益である。様々なタイプの干渉装置の製造は、例えば、米国特許出願公開第２００４／００５１９２９号を含む様々な公開文書に記載されている。幅広い公知の技術を、一連の材料付着、パターニング及びエッチング工程を含む上述した構成を製造するのに用いることができる。
【００３６】
干渉変調器アレイのようなＭＥＭＳ装置の可動部分は移動するための保護領域を有する。ＭＥＭＳ装置のためのパッケージング技術を、以下により詳細に説明する。干渉変調器アレイ等のＭＥＭＳ装置のための基本的なパッケージ構造の概略を、図８に示す。図８に示すように、基本的なパッケージ構造７０は、基板７２と、バックプレーンカバーまたは”キャップ”７４とを含み、干渉変調器アレイ７６は、基板７２上に形成されている。このキャップ７４は、「バックプレーン」と呼んでもよい。
【００３７】
基板７２とバックプレーン７４は、シール７８によって接合されてパッケージ構造７０を形成するため、干渉変調器アレイ７６は、基板７２、バックプレーン７４及びシール７８によって封じ込められる。このことは、バックプレーン７４と基板７２との間に空洞７９を形成する。シール７８は、従来のエポキシをベースとする接着剤等の非溶接シールであってもよい。他の実施形態において、シール７８は、ポリイソブチレン（ブチルゴムまたはＰＩＢと呼ぶ場合もある）、Ｏリング、ポリウレタン、薄膜金属溶接、液体スピンオンガラス、はんだ、ポリマーまたはプラスチック、約０．２から４．７ｇ  ｍｍ／ｍ２ｋＰａ  ｄａｙの水蒸気の透過率を有するその他の種類のシールであってもよい。さらに他の実施形態において、シール７８は、溶接密封であってもよく、例えば、金属、溶接及びガラスフリットであってもよい。密封シーリングの方法は、例えば、金属、或いは、はんだ薄膜或いは事前形成、レーザ又は抵抗溶接技術、及び陽極ボンディング技術を含み、この場合において、結果のパッケージ構造は、望まれている内部パッケージ要求を満たす乾燥剤を要求してもしなくてもよい。
【００３８】
シール７８は、閉シール（連続的）或いは開シール（非連続的）として実現され、干渉変調器アレイ７６をパッケージングする方法において、基板７２、バックプレーン７４或いは基板及びバックプレーン７４の双方に形成され、適用される。シール７８は、単純なインラインの製造プロセスを通して適用され、より低温の処理に対して利点を有する。これに対して、パッケージ構造２０にダメージを与える非常に高温の処理を必要とする溶接及びはんだ付け技術は比較的高価である。いくつかの場合においては、ローカライズされた加熱方法は、処理熱を低減するのに使用され、実行可能なプロセスソリューションを生む。
【００３９】
ある実施の形態においては、パッケージ構造７０は空洞７９内の湿気を低減するように構成された乾燥剤８０のようなゲッタを有する。当業者であれば、完全にシールされたパッケージについては乾燥剤は必要とされないが、パッケージ内に残留する湿気を制御するためには乾燥剤が望ましいことは認識できるであろう。１つの実施の形態においては、乾燥剤８０が干渉変調器アレイ７６とバックプレーン７４との間に位置している。乾燥剤は、密封したシール或いは密封していないシールのいずれかを有するパッケージに使用される。密封したシールを有するパッケージにおいては、乾燥剤は典型的にはパッケージの内側内部に残留する湿気を制御するために使用される。密封していないシールを有するパッケージにおいては、乾燥剤は環境からパッケージに移動する湿気を制御するために使用される。一般的に、干渉変調器アレイの光学特性を妨害しない間、湿気を捕らえるいくらかの物質が乾燥剤８０として使用される。好適なゲッタ及び乾燥剤材料は、これに限られるものではないが、沸石、分子ふるい、表面吸収剤、バルク乾燥剤及び化学作用物質を含む。
【００４０】
乾燥剤８０は、異なる形態、形状及びサイズであってもよい。個体形状であることに加えて、乾燥剤８０は択一的に粉末形状であってもよい。これら粉末はパッケージに直接挿入されてもよく、また、応用のために粘着材と混ぜ合わされてもよい。択一的な実施の形態においては、乾燥剤８０は、パッケージ内部に適用される前に、シリンダ、リング、シートのような異なる形状に成形されてもよい。
【００４１】
当業者であれば乾燥剤８０は異なる方法で適用されることができることは理解できるであろう。１つの実施の形態においては、乾燥剤８０は、干渉変調器アレイ７６の一部として堆積される。他の実施の形態においては、乾燥剤８０は、スプレー或いは浸漬被覆としてパッケージ７０の内側に適用される。
【００４２】
基板７２は、薄膜を有することが可能な半透明或いは透明の物質であってもよく、ＭＥＭＳ装置は、この上に形成される。このような透明物質は、これに限られるものではないが、ガラス、プラスチック及び透明ポリマーであってもよい。干渉変調器アレイ７６は、薄膜変調器或いは分離可能な種類の変調器を有してもよい。当業者であれば、バックプレーン７４はガラス、金属、ホイル、ポリマー、プラスチック、セラミック或いは半導体材料（例えば、シリコン）のようないくつかの好適な材料によって形成されることが可能であることが認識できるであろう。
【００４３】
パッケージングプロセスは、真空、周囲の圧力を含む真空から通常の気圧までの間、或いは周囲の気圧よりも高い圧力において行われる。パッケージングプロセスは、シーリングプロセスの間、変化し、制御された高圧或いは低圧の環境においても行われる。完全に乾燥した環境における干渉変調器アレイ７６のパッケージングは利点ではあるが必ずしも必要とされない。同様に、パッケージング環境は、周囲の環境の挿入されたガスであってもよい。周囲の状況でのパッケージングは、より低いコストの処理を可能とし、装置の選択の汎用性についてより大きなポテンシャルを可能とする。何故ならば、装置は、装置の動作への影響なしに周囲の環境を通して運ばれるからである。
【００４４】
一般に、パッケージ構造７０への水蒸気の浸透を最小限にすることが望ましく、したがってパッケージ構造７０の空洞７９における環境を制御し、環境が一定となることを保証するためにそれを完全に密封する。パッケージにおける湿気及び水蒸気レベルが、水蒸気からの表面張力が干渉変調器アレイ７６における移動可能要素（図示せず）の回復力よりも高くなるレベルを超える場合、移動可能要素は永久に表面にくっつく。
【００４５】
干渉変調器ディスプレイのようなＭＥＭＳ装置は、少なくとも一部は装置がさらされている水蒸気の量に基づくライフタイムを有する。したがって、干渉変調器ディスプレイのライフタイムは、少なくとも一部はパッケージ構造内の乾燥剤によって提供される水蒸気のレベル及びバックプレーン及び基板間のシールの浸透性に基づく。表示装置のライフタイムは、乾燥剤が水で飽和する時間として定義されることができる。乾燥剤を飽和する水は、シールを通して自然にパッケージ構造に入り、乾燥剤に吸収される水蒸気を含む。この値は、ライフタイムが１０年以上のオーダとなるように、０．０００１グラム／日のように非常に低く設計されることが可能である。シール素材は、干渉変調器ディスプレイの期待されるライフタイムに依存するその水蒸気浸透特性にしたがって選択されることができる。例えば、安価及び／或いは使い捨ての装置において使用されることが意図されている干渉変調器ディスプレイ、例えば、子供のおもちゃ、使い捨てカメラは、長時間のライフタイムが意図された装置よりも高い水蒸気浸透レートを有するシールを具備している。
【００４６】
図９は、二次的シール８２を有するパッケージ構造７０の１つの実施の形態を示す側面図である。二次的シール８２は、基板７２に接触し、バックプレーン７４の周囲及び主要シール４８の外周付近に実質的に形成され、或いは位置され、これにより、バックプレーン７４、主要シール４８及び基板７２の接合を周囲の状況から密封する。二次的シール８２は、フィレットとして形成され、或いは円形、卵型、長方形のような複数の異なる断面形状を有する。二次的シール８２は、従来のエポキシベースの粘着剤或いはシリコンベースの粘着剤のような非密封シールを有している。ある実施の形態においては、二次的シール８２はＰＩＢ（ポリイソブチレン）、ＵＶ硬化性粘着剤、１つ以上のｏリング、ポリウレタン、薄膜金属溶接、ガラス上での液体の回転、はんだ（例えば、はんだの予備成形）、ポリマー、プラスチック、疎水性フィルム、液体、或いはこれらの組み合わせを有する。他の実施の形態においては、二次的シール８２は、密封シールである。上述のように、外側シールは主要シールの外周を密封する手段を提供する。
【００４７】
当業者にとって認識されるように、二次的シール８２が形成され、或いは複数の方法を介してパッケージ構造に応用される。この複数の方法は、例えば、液体、或いは半液体状態における応用、大気への露出を通したキュアリング（硬化）、上昇された温度、ＵＶ光、及び／又は実装である。例示的な二次的シールの形成及び実装方法は、図９乃至図１１を参照して述べられる。
【００４８】
ある実施の形態においては、二次的シール８２及び主要シール７８を組み合わされた水蒸気浸透性は、パッケージ構造７０についての所望の合計水蒸気浸透性と一致する。ある実施の形態においては、高水蒸気浸透性係数及び主要シールよりも低い有効ライフタイムを有する材料が二次的シール８２について使用される。二次的シール８２の追加は、主要シール７８の特性のリラックスされた制約を提供し、これにより、主要シール７８の最適化におけるテスト手続及びコストを低減する。例えば、安価な及び／又は使い捨て装置におけるような短期的な使用を意図した干渉変調器ディスプレイのパッケージ構造は、材料信頼性制約を低減するように変更される。パッケージ構造のシールの特性のリラックスした制約は、パッケージ構造のコストを低減し、これにより、短期的使用の装置における干渉変調器ディスプレイの実施のコストを有効なものとすることができる。
【００４９】
上述のように、従来知られている複数の方法によって二次的シール８２が形成され、適用され、或いは実装される。図１０は、二次的シールを有する干渉変調器装置パッケージのようなＭＥＭＳ装置パッケージのシーリング方法９００の１つの実施の形態のフロー図である。ステップ９０２において方法９００が始まり、ステップ９０４に進む。ステップ９０４においては、はんだ予備成形が基板上に形成されたＭＥＭＳ装置の略周囲の基板上に配置される。このはんだ予備成形は、例えば、リード或いはスズを含む。ステップ９０４におけるはんだ予備成形の配置に続いて、方法はステップ９０６にすすむ。このステップ９０６においては、主要シール、基板及びバックプレーンは周囲の状況からＭＥＭＳ装置を密封するように接合されている。主要シールは、好ましくは基板上に形成されたＭＥＭＳ装置と、はんだ予備成形との間に基板に接合し、主要シールは最初に基板、バックプレーン或いはこれら双方の上に位置する。方法９００は、ステップ９０８に進む。ステップ９０８においては、はんだ予備成形はバックプレーンに接合され、基板及びバックプレーンに接合する二次的シールを形成するように溶かされる。はんだは、主要シールに接合するようにも溶かされる。方法はステップ９１０において終了する。ある実施の形態の方法９００においては、はんだ予備成形は、主要シール、基板及びバックプレーンが接合された後、基板上に置かれる。
【００５０】
ある実施の形態においては、ステップ９０６における主要シール、基板及びバックプレーンの接合は、主に基板に対してバックプレーンの位置合せ及び／又は貼り付けとして機能し、この場合において、例えば、主要シールは粘着剤を有する。はんだ予備成形から形成された二次的シールは、次に、装置パッケージのための主要な環境シールとして機能することが可能である。この場合において、主要シールは、小さな密封属性を装置パッケージに提供する。
【００５１】
図１１は、二次的シールを有する干渉変調器ディスプレイパッケージ構造７０の他の実施の形態の側面図である。図１を参照した上述のように、干渉変調器アレイの各要素の移動可能層の位置は、空洞を形成する２つの層を横切る電圧の印加によって制御される。電圧を加えるために、各干渉変調器アレイ要素は基板７２上で導電性リード１００２に結合されており、導電性リード１００２は駆動回路１００４に結合されている。この駆動回路１００４はアレイドライバ２２のような各干渉変調器アレイ要素に印加される電圧を制御するように構成されている。特定の実施の形態においては、ドライバ回路１００４は、フレキシブル回路或いは導電性テープ１００６及び異方導電性フィルム（ＡＣＦ）１００８を介して基板７２の周囲で導電性リード１００４と結合されている。従来知られているように、ＡＣＦは熱硬化性の粘着性接合剤及び導電性粒子或いは球１０１０の行列を有している。フレキシブル回路１００６は、典型的にはＡＣＦ１００８における導電性粒子１０１０を介して基板７２上の導電性リード１００２に電気的に結合されている複数の導電性リードを含む。
【００５２】
フレキシブル回路１００６及びＡＣＦ１００８の基板７２への取り付けの間、ＡＣＦ粘着剤は固体状態（半固体状態）にあり、テープ形状で応用される。ある実施の形態においては、ＡＣＦは、上昇した温度の応用で溶け、次に、室温に冷却したときに固体化する。したがって、ＡＣＦの最終的な位置は、ＡＣＦ１００８の量或いは位置をバックプレーン７４に強制的に接触させるように、圧力をフレキシブル回路１００６に加えることにより、操作され、これにより、バックプレーン７４及び基板７２に接触する二次的シールを形成する。ある実施の形態においては、ＡＣＦ１００８は、主要シールにも接触する。図１１の二次的シールされた干渉変調器装置パッケージ構造は、第２のシールについての追加的な材料コスト或いは組み立て／製造プロセスなしに、改良されたシール特性を有利に含む。
【００５３】
二次的シールを有する干渉変調器アレイパッケージ構造を密封する方法１１００の１つの実施の形態が図１２のフロー図に示されている。図１２に示されているように、方法１１００はステップ１１０２において始まり、ステップ１１０４に進む。ステップ１１０４においては、主要シールはバックプレーンと基板との間に設けられ、干渉変調器アレイのようなＭＥＭＳ装置は基板上に形成されている。この方法は、さらに、ステップ１１０６におけるＡＣＦの基板上の導電性リードへのコンタクトすることを含む、この場合において、ＡＣＦは基板上の導電性リードとフレキシブル回路との間の電気的接続を提供する。フレキシブル回路は、例えば、アレイ駆動回路への接続のために構成される。ステップ１１０６に続いて、方法はステップ１１０８に進む。ステップ１１０８においては、力がＡＣＦの部分をパッケージバックプレーン及び主要シールに強制的に接触するのに十分なフレキシブル回路に加えられる。ある実施の形態においては、ＡＣＦは、基板及びバックプレーンにのみ接触し、主要シールには接触しない。特定の実施の形態においては、方法１１００は、さらにＡＣＦ上に疎水性のシールのような第３のシール或いはバリアを形成することを含み、これにより、さらにパッケージ構造の水浸透性を低減する。
【００５４】
他の実施の形態においては、ＡＣＦは、ＡＣＦの一部が特にシールのために適合されている領域を密封することを含む。例えば、ＡＣＦのシーリング領域での材料は、樹脂及び導電性粒子の双方を含む。この場合において、樹脂は二次的シールとしての具体化について、疎水特性或いは高水不浸透性バリアとともに構成される。
【００５５】
当業者に認識されるように、上述し、図示された方法及び装置は本来は例示であり、他の実施の形態は本発明の観点に含まれる。例えば、二次的シールは種々の形状及び構成を有してもよく、複数の材料を有してもよい。加えて、二次的シールの形成の方法はより多くの或いはより少ないステップのものを含み、例えば、パッケージ構造内のＭＥＭＳ装置のカプセル封じの前、その間或いは後に行われる。
【００５６】
前述した記述は本発明のある実施の形態の詳細である。しかしながら、例えテキストにおいて前述した詳細を明らかにしたとしても、本発明は多くの方法で実施されることができるものである。上述したように、本発明のある特徴或いは観点を述べるときの特定の用語の使用は、用語が、用語が関連付けられた本発明の特徴或いは観点のいくつかの特定の特徴を含むことに限定されるべきとここで再度定義されるものと暗に示しているととるべきではない。本発明の観点は、したがって、添付された請求の範囲及びこれらと等価ないくつかのものにしたがって構築される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１の干渉変調器の可動反射層が解放位置にあり、かつ第２の干渉変調器の可動反射層が作動位置にある、干渉変調器ディスプレイの一実施形態の一部を示す等角図である。
【図２】３×３干渉変調器ディスプレイを含む電子装置の一実施形態を示す、システムブロック図である。
【図３】図１の干渉変調器の１つの例示的な実施形態の場合の可動ミラー位置対印加電圧の図である。
【図４】干渉変調器ディスプレイを駆動するのに用いることができる、行及び列電圧のセットの図である。
【図５Ａ】図２の３×３干渉変調器ディスプレイにおける表示データの１つの例示的なフレームを示す図である。
【図５Ｂ】図５Ａのフレームを書き込むために使用される行及び列信号の１つの例示的なタイミング図である。
【図６Ａ】複数の干渉変調器を有する視覚的表示装置の実施の形態を示すシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数の干渉変調器を有する視覚的表示装置の実施の形態を示すシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１の装置の断面図である。
【図７Ｂ】干渉変調器の択一的な実施の形態の断面図である。
【図７Ｃ】干渉変調器の他の択一的な実施の形態の断面図である。
【図８】干渉変調器装置の基本パッケージ構造の断面図である。
【図９】主要シールと二次的シールとを有する干渉変調器装置のパッケージ構造の１つの実施の形態の断面図である。
【図１０】干渉変調器装置パッケージを密封する方法の一つの実施の形態のフロー図である。
【図１１】主要シールと二次的シールとを有する干渉変調器装置のパッケージ構造の１つの実施の形態の断面図であり、二次的シールが駆動回路の電気的接続とともに干渉変調器装置に集積されているものである。
【図１２】干渉変調器装置パッケージを密封する方法の一つの実施の形態のフロー図である。
【図１】
2006123160.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【外国語明細書】
2006123160000001.pdf