(57)【要約】  【課題】  プリント配線板上に形成された導体回路の角部を覆う永久パターンの被膜が良好であり、永久パターン全面の平坦度が高く、高精細であり、かつ生産効率の優れた感光性永久レジストフィルム及び永久パターン形成方法の提供。  【解決手段】  支持体上に、第１の感光性層及び第２の感光性層を有してなり、前記第１の感光性層が、アルカリ可溶性光架橋性樹脂、重合性化合物、光重合開始剤、エポキシ硬化剤及び無機微粒子（Ａ）を含む第１の感光性組成物からなり、前記第２の感光性層が、アルカリ可溶性光架橋性樹脂、重合性化合物、光重合開始剤、エポキシ硬化剤及び無機微粒子（Ｂ）を含み、該無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）が、前記無機微粒子（Ａ）の含有率（質量％）の１／３以下である第２の感光性組成物からなる感光性永久レジストフィルムである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、第１の感光性層及び第２の感光性層を有してなり、前記第１の感光性層が無機微粒子（Ａ）を少なくとも含む第１の感光性組成物からなり、前記第２の感光性層が無機微粒子（Ｂ）を少なくとも含み、該無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）が、前記無機微粒子（Ａ）の含有率（質量％）の１／３以下である第２の感光性組成物からなることを特徴とする感光性永久レジストフィルム。
【請求項２】
無機微粒子（Ａ）及び無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）のみが異なり、第１の感光性組成物及び第２の感光性組成物における他の成分は、互いに同一である請求項１に記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項３】
第１の感光性組成物及び第２の感光性組成物が、アルカリ可溶性光架橋性樹脂、重合性化合物、光重合開始剤及びエポキシ硬化剤を含む請求項１から２のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項４】
支持体上に、第１の感光性層、第２の感光性層をこの順に有し、基板上にラミネートする際のラミネート温度における、第１の感光性層の溶融粘度をη１、第２の感光性層の溶融粘度をη２としたとき、次式、η１＞η２、を満たす請求項１から３のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項５】
溶融粘度η１が、ラミネート温度７０〜１００℃において、４００〜５，０００Ｐａ・ｓであり、溶融粘度η２が、ラミネート温度７０〜１００℃において、５０〜３００Ｐａ・ｓであり、第１の感光性層及び第２の感光性層の室温における溶融粘度η３が、１×１０５Ｐａ・ｓ以上である請求項１から４のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項６】
第１の感光性層の厚みが、１〜５０μｍであり、第２の感光性層の厚みが、１〜５０μｍである請求項１から５のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項７】
第１の感光性層の厚みをＳ１とし、第２の感光性層厚みをＳ２としたとき、次式、Ｓ１／Ｓ２が、１／９〜９／１である請求項１から６のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項８】
支持体上に、溶融粘度の異なる３層以上の感光性層を有し、最外層の溶融粘度がη２である請求項４から５のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項９】
支持体上に保護フィルムを有する請求項１から８のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルム。
【請求項１０】
請求項１に記載の第１の感光性組成物及び第２の感光性組成物を、基体の表面に塗布し、乾燥して感光性層積層体を形成した後、露光し、現像することを特徴とする永久パターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１から８のいずれかに記載の感光性永久レジストフィルムを、凸状部位を有する基体の該凸状部位が露出する面上に積層して感光性層積層体を形成した後、露光し、現像することを特徴とする永久パターン形成方法。
【請求項１２】
凸状部位の基体面からの高さをＴ１（μｍ）とし、第１の感光性層及び第２の感光性層の厚みをＴ２（μｍ）とすると、次式、Ｔ１＜Ｔ２、を満たす感光性層積層体に対して、露光し、現像する請求項１０から１１のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
【請求項１３】
凸状部位がプリント配線板における導体回路である請求項１０から１２のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
【請求項１４】
基体が、スルーホール及びビアホールの少なくともいずれかを有するプリント配線板である請求項１０から１３のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
【請求項１５】
露光が、レーザ光により行われる請求項１０から１４のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
【請求項１６】
露光が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をｎ個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後に、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイを通過させた光によって行われる請求項１０から１５のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
【請求項１７】
非球面が、トーリック面である請求項１６に記載の永久パターン形成方法。
【請求項１８】
光変調手段が、ｎ個の描素部の中から連続的に配置された任意のｎ個未満の前記描素部をパターン情報に応じて制御可能である請求項１６から１７のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
【請求項１９】
プリント配線板が永久パターンを有してなり、該永久パターンが請求項１０から１８
のいずれかの永久パターン形成方法により形成されたことを特徴とするプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上の凸状部位が露出する面上への永久パターンの形成、及び多層基板における層間絶縁膜の形成に用いる感光性永久レジストフィルム（以下、「感光性ソルダーレジストフィルム」という。）及び永久パターンの形成方法に関し、特に、導体回路等を有するプリント配線板の該導体回路側の面上や多層基板の層間に、感光性層（以下、「感光性ソルダーレジスト層」という。）を有する前記感光性ソルダーレジストフィルムを用いて前記感光性ソルダーレジスト層を積層するか、又は、感光性組成物（以下、「感光性ソルダーレジスト組成物」という。）溶液を塗布して前記感光性ソルダーレジスト層を積層し、露光硬化させて永久パターンや層間絶縁層膜を形成する方法、及び該永久パターン形成方法により形成した永久パターンや層間絶縁層膜を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、導体回路を有するプリント配線板は、該導体回路を酸化や剥離から保護するために、前記プリント配線板の導体回路を有する面上にソルダーレジストや層間絶縁膜などの永久パターンが形成されている。
近年のプリント配線板では、電子機器の小型軽量化及び高性能化に伴ない、導体回路等の高密度化の必要が増しており、要求される部分のみソルダーレジストを形成したり、高精細なソルダーレジストを形成したり、また多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層の形成などに高精細な永久パターンが必要となっている。このような永久パターンの形成方法として、感光性ソルダーレジスト組成物溶液を塗布して前記感光性ソルダーレジスト層を積層する液状フォトソルダーレジストによる永久パターン形成方法が多く用いられている。
【０００３】
この液状フォトソルダーレジストを用いた永久パターン形成方法として、プリント配線板の導体回路面側に液状フォトソルダーレジストを直接塗布し感光性ソルダーレジスト層を有する積層体を形成し、フォトマスクなどを介して露光した後に前記感光性ソルダーレジスト層を現像し、次いでこの感光性ソルダーレジスト層を硬化させることによりソルダーレジストなどの永久パターンを形成する方法がある。
このような永久パターンの形成を連続的かつ生産的に行う方法として、カーテン塗装による塗布方法が提案された（特許文献１参照）。しかし、前記カーテン塗装方法の場合、以下の問題が指摘されている。
【０００４】
即ち、このカーテン塗装で使用することができる液状フォトソルダーレジストの粘度は、一般に１０，０００ｃｐｓ以下で、通常は１０〜２，０００ｃｐｓの非常に粘度の低い範囲での使用が好適とされていが、粘度の低い塗布液を用いた場合、当該液状フォトソルダーレジストが細かな導体回路の隅角部に入ることが可能ではあるものの、前記導体回路の角部では、当該液状フォトソルダーレジストを乾燥硬化するまでの間に前記感光性ソルダーレジスト層が極端に薄くなったり、連続性が損なわれたりして、前記導体回路の角部においては充分な厚みの永久パターンが得られないという問題がある。
図７に示すように、プリント配線板５の導体回路４の面側に塗布形成された永久パターンにおける矢印Ａで示す角部の厚みが薄くなり、厚みを均一に形成することができないという問題がある。
前記カーテン塗装における厚みの問題は、液状フォトソルダーレジストの粘性が低すぎるということに起因しており、特許文献２及び３に記載されている「印刷配線板の製造方法」においても同様の問題が生ずる。
【０００５】
このように、導体回路の角部の厚みが極めて薄いか、露出してしまった場合、永久パターンの本来の機能が損なわれ、導体回路の電気的絶縁性が低く、製品としてのプリント配線板の信頼性が損なわれるという問題が生ずる。
【０００６】
また、前記カーテン塗装方法の場合、前記導体回路と、これらの間に形成した永久パターンの高さが異なるため、前記プリント配線板上に、例えば、高密度化されてピン数の非常に多くなった微小電子部品を搭載した場合に、その各導体回路に対する接合を良好に行えなくなるという問題がある。即ち、永久パターンの高さが導体回路より高いと、チップ部分がうまく実装できず、逆に永久パターンの高さが低いと半田付け不良が発生してしまうという問題がある。
【０００７】
このような感光性ソルダーレジスト層の厚みの均一性や平坦性の問題を改善するため、液状フォトソルダーレジストをスクリーン印刷法などにより多数回塗布して感光性ソルダーレジスト層を形成する塗装方法が提案されている（特許文献４参照）。しかし、多数回塗布する前記塗布方法の場合、１回の塗布に比べ塗装工程が多く必要となり生産効率が低下してしまう。また、各塗布の際に、パターンずれが起きないように、正確な位置決めが必要となり、作業効率にも欠けるという問題がある。
【０００８】
他方、永久パターン形成方法として、図１に示すように、永久パターンを形成するための第１の感光性ソルダーレジスト層２ａ、第２の感光性ソルダーレジスト層２ｂからなる感光性ソルダーレジスト層２を支持体１に積層し、更に保護フィルム３を積層した感光性ソルダーレジストフィルムを用いる永久パターン形成方法（特許文献５及び６参照）も知られている。
前記永久パターン形成方法は、図８に示すように、導体回路４が形成されたプリント配線板５の導体回路４側に、前記感光性ソルダーレジストフィルムを当接させて積層し、光照射して感光性ソルダーレジスト層を硬化させて永久パターンを形成する方法である。前記感光性ソルダーレジスト層を２層積層するのは、特許文献５の場合、導体回路４側に当接させる最外層の感光性ソルダーレジスト層により流動性を持たせ、積層の際の気泡の発生の防止、密着性の向上を図るものであり、特許文献６の場合、２層が異なる性質を有することにより、生産時から感光性ソルダーレジストフィルムを使用するまでの貯蔵安定性の向上を図るものである。これらの永久パターン形成方法の場合、矢印Ｂのように厚みは維持され、前記角部の厚みの問題は改善されるが、導体回路４を覆う部分は高く、導体回路４以外を覆う部分は、低くなり前記塗装方法と比べて永久パターンに大きな凹凸が生じてしまう。これら感光性ソルダーレジスト層を２層有する感光性ソルダーレジストフィルム(特許文献５及び６参照)では、永久パターンの平坦化については、開示も示唆も全くされていない。
更に、前記永久パターン形成方法の場合、図９に示すように、電子部品実装のため、導体回路４の領域にビアホール用の開口部６を設けるものや、図１０に示すように、導体回路４が２０μｍ程度の極めて幅の細いパターンなどの場合には、永久パターンを導体回路上に形成できないため、前記パターン自体を露出させるものもあり、この場合、開口部６の周囲、導体回路４の周囲部分が高くなってしまう。このため、前記開口部に電子部品を装着する際などに障害となり、前記電子部品と導体回路４との良好な接合が得られないという問題がある。このため、前記突起部分を平坦化する必要があり、前記電子部品などを装着する前に研磨、洗浄、仕上処理などにより除去しなければならず、生産効率が低下する。
【０００９】
【特許文献１】特開昭５４−８２０７３号公報
【特許文献２】特開昭６３−２５２４９８号公報
【特許文献３】特開昭６３−２００５９４号公報
【特許文献４】特開平５−１９１０２０号公報
【特許文献５】特開昭６１−８０２３６号公報
【特許文献６】特許第２６９１１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、以上の諸問題を改善するため、プリント配線板上に形成された導体回路の角部を覆う永久パターンの被膜が良好であり、ビアホールなどの周囲部分及び導体回路以外の部分などを覆う永久パターン全面の平坦度が高く、高精細であり、かつ生産効率の優れた感光性ソルダーレジストフィルム及び永久パターン形成方法を提供し、該永久パターン形成方法を用いた永久パターンを有するプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  支持体上に、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層を有してなり、前記第１の感光性ソルダーレジスト層が無機微粒子（Ａ）を少なくとも含む第１の感光性ソルダーレジスト組成物からなり、前記第２の感光性ソルダーレジスト層が無機微粒子（Ｂ）を少なくとも含み、該無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）が、前記無機微粒子（Ａ）の含有率（質量％）の１／３以下である第２の感光性ソルダーレジスト組成物からなることを特徴とする感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜２＞  無機微粒子（Ａ）及び無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）のみが異なり、第１の感光性ソルダーレジスト組成物及び第２の感光性ソルダーレジスト組成物における他の成分は、互いに同一である前記＜１＞に記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜３＞  第１の感光性ソルダーレジスト組成物及び第２の感光性ソルダーレジスト組成物が、アルカリ可溶性光架橋性樹脂、重合性化合物、光重合開始剤及びエポキシ硬化剤を含む前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜４＞  支持体上に、第１の感光性ソルダーレジスト層、第２の感光性ソルダーレジスト層をこの順に有し、基板上にラミネートする際のラミネート温度における、第１の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度をη１、第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度をη２としたとき、次式、η１＞η２、を満たす前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜５＞  溶融粘度η１が、ラミネート温度７０〜１００℃において、４００〜５，０００Ｐａ・ｓであり、溶融粘度η２が、ラミネート温度７０〜１００℃において、５０〜３００Ｐａ・ｓであり、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の室温における溶融粘度η３が、１×１０５Ｐａ・ｓ以上である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜６＞  第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みが、１〜５０μｍであり、かつ第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みが、１〜５０μｍである前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜７＞  第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みをＳ１とし、第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みをＳ２としたとき、次式、Ｓ１／Ｓ２が、１／９〜９／１である前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜８＞  支持体上に、溶融粘度の異なる３層以上の感光性ソルダーレジスト層を有し、最外層の溶融粘度がη２である前記＜４＞から＜５＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
＜９＞  支持体上に保護フィルムを有する前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムである。
【００１２】
＜１０＞  前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の第１の感光性ソルダーレジスト組成物及び第２の感光性ソルダーレジスト組成物を、基体の表面に塗布し、乾燥して感光性ソルダーレジスト層積層体を形成した後、露光し、現像することを特徴とする永久パターン形成方法である。
＜１１＞  前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の感光性ソルダーレジストフィルムを、凸状部位を有する基体の該凸状部位が露出する面上に積層して感光性ソルダーレジスト層積層体を形成した後、露光し、現像することを特徴とする永久パターン形成方法である。
＜１２＞  凸状部位の基体面からの高さをＴ１（μｍ）とし、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みをＴ２（μｍ）とすると、次式、Ｔ１＜Ｔ２、を満たす感光性ソルダーレジスト層積層体に対して、露光し、現像する前記＜１０＞から＜１１＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜１３＞  凸状部位がプリント配線板における導体回路である前記＜１０＞から＜１２＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜１４＞  基体が、スルーホール及びビアホールの少なくともいずれかを有するプリント配線板である前記＜１０＞から＜１３＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜１５＞  露光が、レーザ光により行われる前記＜１０＞から＜１４＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜１６＞  露光が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をｎ個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後に、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイを通過させた光によって行われる前記＜１０＞から＜１５＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜１７＞  非球面が、トーリック面である前記＜１６＞に記載の永久パターン形成方法である。
＜１８＞  光変調手段が、ｎ個の描素部の中から連続的に配置された任意のｎ個未満の前記描素部をパターン情報に応じて制御可能である前記＜１６＞から＜１７＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜１９＞  光変調手段が、空間光変調素子である前記＜１６＞から＜１８＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜２０＞  空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）である前記＜１９＞に記載の永久パターン形成方法である。
＜２１＞  露光が、アパーチャアレイを通して行われる前記＜１０＞から＜２０＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜２２＞  露光が、露光光と感光性ソルダーレジスト層とを相対的に移動させながら行われる前記＜１０＞から＜２１＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜２３＞  光照射手段が、２以上の光を合成して照射可能である前記＜１０＞から＜２２＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜２４＞  光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザビームを集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを備える前記＜１０＞から＜２３＞のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
＜２５＞  レーザビームの波長が、３９５〜４１５ｎｍである前記＜２４＞に記載の永久パターン形成方法である。
＜２６＞  プリント配線板が、永久パターンを有してなり、該永久パターンが前記＜１０＞から＜２５＞のいずれかの永久パターン形成方法により形成されたことを特徴とするプリント配線板である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、プリント配線板上に形成された導体回路の角部を覆うソルダーレジストの被膜が良好であり、ビアホールなどの周囲部分及び導体回路以外の部分などを覆う永久パターン全面の平坦度が高く、高精細であり、かつ生産効率の優れた感光性ソルダーレジストフィルム及び永久パターン形成方法を提供し、該永久パターン形成方法を用いた永久パターンを有するプリント配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、永久パターン形成用の感光性ソルダーレジストフィルム、永久パターン形成方法及び該永久パターン形成方法により形成された永久パターンを有するプリント配線板からなる。
前記感光性ソルダーレジストフィルムは、支持体上に、第１の感光性ソルダーレジスト層、第２の感光性ソルダーレジスト層、保護フィルム及び必要に応じて適宜選択したその他の層を有するフィルムである。
前記感光性ソルダーレジストフィルムの層構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、支持体上に、第１の感光性ソルダーレジスト層、第２の感光性ソルダーレジスト層及び保護フィルムがこの順に積層された構成、前記支持体上に、第１の感光性ソルダーレジスト層、第２の感光性ソルダーレジスト層、第３の感光性ソルダーレジスト層及び保護フィルムなどのように３層以上の感光性ソルダーレジスト層を積層する構成などが挙げられる。
本発明の感光性ソルダーレジストフィルムでは、感光性ソルダーレジスト層を２層積層した場合、前記第１の感光性ソルダーレジスト層の硬度を第２の感光性ソルダーレジスト層より硬くし、逆に前記第２の感光性ソルダーレジスト層の硬度を第１の感光性ソルダーレジスト層より軟らかくして流動性を持たせ、前記感光性ソルダーレジストフィルムを基板上に積層して、前記基板上に永久パターンを形成する際に、該永久パターンの厚みの均一性を確保しつつ、前記基板との密着性を向上させ、前記基板に形成された凸状部位の凸部を、前記第２の感光性ソルダーレジスト層が直接吸収し、前記感光性ソルダーレジストフィルムを基板に積層した際の積層体の表面を平坦化することができる。
感光性ソルダーレジスト層を３層以上積層した場合、最外層の感光性ソルダーレジスト層の硬度を他の感光性ソルダーレジスト層よりも軟らかくすることにより、同様に前記積層体の表面を平坦化することができる。
本発明の永久パターン形成方法は、前記感光性ソルダーレジストフィルムを基板に積層し、感光性ソルダーレジスト層積層体を形成した後、露光し、現像する方法、前記第１の感光性ソルダーレジスト層及び前記第２の感光性ソルダーレジスト層を基板の表面に直接塗布し、乾燥して、露光し、現像する方法などが挙げられる。
【００１５】
―感光性ソルダーレジストフィルム―
本発明の感光性ソルダーレジストフィルムは、支持体上に、第１の感光性ソルダーレジスト層、第２の感光性ソルダーレジスト層、保護フィルム及び必要に応じて適宜選択したその他の層を有する。
【００１６】
―第１の感光性ソルダーレジスト層―
前記第１の感光性ソルダーレジスト層は、支持体上に直接積層され、第２の感光性ソルダーレジスト層より硬度を硬くし、弾力性のある感光性ソルダーレジスト層とすることにより、基板上に形成される永久パターンの厚みの均一性を確保する機能がある。
前記第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みとしては、第２の感光性ソルダーレジスト層と下記の関係にあれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１〜５００μｍが好ましく、２〜５０μｍがより好ましく、４〜３０μｍが特に好ましい。
【００１７】
前記第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みをＳ１とし、第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みをＳ２としたとき、Ｓ１／Ｓ２が１／９〜９／１であることが好ましく、１／６〜６／１であることがより好ましい。１／９未満であると、第１の感光性ソルダーレジスト層の弾性が弱くなり、全体的に均一な永久パターンを得られなくことがあり、９／１を超えると、第１の感光性ソルダーレジスト層の弾性が強く、流動性が弱まり凸状部位の高さを第２の感光性ソルダーレジスト層が吸収することができないことがあり永久パターンの平坦化が得られないことがある。
【００１８】
前記第１の感光性ソルダーレジスト層は、アルカリ可溶性光架橋性樹脂、重合性化合物、光重合開始剤、エポキシ硬化剤及び無機微粒子（Ａ）を含み、該無機微粒子（Ａ）の含有率（質量％）が、第２の感光性ソルダーレジスト層に含まれる無機微粒子（Ｂ）含有率（質量％）の３倍以上有し、必要に応じて適宜選択したその他の成分を含む第１の感光性ソルダーレジスト組成物からなる。
【００１９】
―無機微粒子（Ａ）―
前記無機微粒子（Ａ）は、無機フィラーともいい、前記第１の感光性ソルダーレジスト層の硬度を高め弾力性のある感光性ソルダーレジスト層にする機能がある。前記無機微粒子（Ａ）の第１の感光性ソルダーレジスト組成物に対する含有率（質量％）は、前記無機微粒子（Ｂ）の第２の感光性ソルダーレジスト組成物に対する含有率（質量％）の３倍以上であることが好ましい。前記含有率（質量％）が３倍以下であると、前記第１の感光性ソルダーレジスト層の前記硬度を好適に高めることができないことがあり、弾力性のある感光性ソルダーレジスト層を得られないことがある。
前記無機微粒子（Ａ）の含有率（質量％）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、第１の感光性ソルダーレジスト層に対しての含有率は２０〜７０質量％であることが好ましい。
前記無機微粒子（Ａ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機酸化物の微粒子や官能基を有する無機微粒子などが挙げられる。
【００２０】
前記無機微粒子には、無機パターンの機能に応じて種々の微粒子、例えば、無機酸化物、金属単体、無機炭酸塩、無機硫酸塩、リン酸塩などが使用できる。無機酸化物としては、シリカ（コロイダルシリカ，アエロジルなど）、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、ニオブ酸リチウム、酸化錫、酸化インジウム、Ｉｎ２  Ｏ−ＳｎＯなどが挙げられ、炭酸塩には、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられ、硫酸塩には、硫酸バリウム、硫酸カルシウムなどが挙げられる。前記リン酸塩には、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウムなどが含まれる。
【００２１】
前記無機微粒子の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、球状に限らず、楕円形状、偏平状、ロッド状又は繊維状であってもよい。前記無機微粒子の体積平均粒子径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機パターンの微細化の程度などに応じて、１ｎｍ〜１０μｍ、５ｎｍ〜５μｍから選択できる。
前記微粒子の体積平均粒子径は、コールター原理（電気抵抗法）によるコールターカウンターによって、測定することができる。 
微細な無機パターンを形成するには、粉体粒子表面に吸着占有面積の判った分子を液体窒素の温度で吸着させ，その量から試料の比表面積を求めるＢＥＴ法（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ  Ｍｅｔｈｏｄ）による体積平均粒子径２〜１００ｎｍ（５〜５０ｎｍが好ましく、７〜３０ｎｍがより好ましい。）程度の単分散した無機微粒子（特にコロイダルシリカ）を用いるのが有利である。単分散した無機微粒子（特にコロイダルシリカ）はオルガノゾル（オルガノシリカゾル）として市販されており、例えば、「スノーテックス  コロイダルシリカ」、特に「メタノールシリカゾル」として日産化学工業（株）などから入手できる。
【００２２】
前記官能基を有する無機微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機微粒子と、この無機微粒子に導入された官能基とで構成することもできる。前記官能基としては、反応性基又は感光性基（特に重合性の感光性基）を有するのが好ましい。前記反応性基又は感光性基としては、前記と同様の加水分解重合性基や感光性基が例示できる。前記官能基は、前記無機微粒子と前記加水分解重合性基及び感光性基を少なくとも有する有機金属化合物（特に前記加水分解重合性有機金属化合物、中でもシランカップリング剤やチタンカップリング剤など）との反応、表面グラフト重合法、ＣＶＤ法などを利用して前記無機微粒子に導入できる。
【００２３】
前記加水分解重合性基及び感光性基を少なくとも有する有機金属化合物としては、前記加水分解重合性金属化合物又はその縮合物（特にケイ素含有有機化合物）などが使用でき、前記例示の感光性基を有する加水分解重合性有機金属化合物（特に重合性基を有するシラン化合物）が好ましい。
【００２４】
前記無機微粒子（Ａ）において、前記無機微粒子に対する前記官能基の導入量は、官能基を有する化合物換算で、前記無機微粒子１００質量％に対して０．１〜１００質量％であり、０．５〜５０質量％が好ましく、１〜２０質量％がより好ましい。
【００２５】
前記無機微粒子の使用方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、乾燥状態で使用することができるし、あるいは水もしくは有機溶媒に分散した状態で使用することもできる。
また、無機微粒子の凝集、沈降を抑制する目的で、分散安定化剤を併用することも好ましい。分散安定化剤としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、セルロース誘導体、ポリアミド、リン酸エステル、ポリエーテル、界面活性剤およびシランカップリング剤、チタンカップリング剤等を使用することができる。特にシランカップリング剤が硬化後の皮膜が強いため好ましい。分散安定化剤としてのシランカップリング剤の添加量は特に制限されるものではないが、例えば、無機微粒子１００質量％に対して、１質量％以上の値とするのが好ましい。また、分散安定化剤の添加方法も特に制限されるものではないが、予め加水分解したものを添加することもできるし、あるいは、分散安定化剤であるシランカップリング剤と無機微粒子とを混合後、さらに加水分解および縮合する方法を採ることができるが、後者の方がより好ましい。
【００２６】
−アルカリ可溶性光架橋性樹脂−
前記アルカリ可溶性光架橋性樹脂は、バインダーとしての機能があり、前記第１の感光性ソルダーレジスト層の硬度を高め、弾性体としての性質を付加する機能がある。
前記アルカリ可溶性とは、それを含む感光性ソルダーレジスト組成物がアルカリ性現像液によって溶解する性質をいい、具体的には、目的とする現像処理が遂行される程度に溶解性を有していればよい。アルカリ性現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物や、ヒドロキシエチルアミン、トリエチルアミンのようなアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドのような４級アンモニウムヒドロキシド類の水溶液やそれらと混和性の有機溶剤との混合物が用いられる。ｐＨは、８〜１４であり、これらアルカリ剤の０．０１〜１０質量％水溶液が好ましい。これらのアルカリ性現像液のうち、プリント配線板業界では、一般的に、０．２〜２質量％の炭酸ナトリウム水溶液が用いられ、１質量％炭酸ナトリウム水溶液が最も一般的である。
現像方法の一例を示すと、表面を整面し、乾燥した銅張積層板の表面に、感光性ソルダーレジストフィルムの保護フィルムを剥がしながら、感光性ソルダーレジスト層を、ラミネーターを用いて圧着して、銅張り積層板、感光性ソルダーレジスト層、そして支持体フィルムからなる積層体を作製する。圧着条件は、積層板温度７０℃、圧着ロール温度１０５℃、圧着ロール圧力３ｋｇ／ｃｍ２そして圧着速度１．２ｍ／分とする。
積層体から支持体フィルムを剥がし取り、銅張り積層板上の感光性ソルダーレジスト層の全面に３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１ＭＰａの圧力にてスプレーする。少なくとも６０秒間のスプレーの後で銅張り積層板上の感光性ソルダーレジスト層が除去された場合、現像されことになる。
このようなアルカリ可溶性を示す樹脂としては、例えば、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液中に１質量％以上の溶解度を示すものから、好適に選ぶことができる。
前記光架橋性とは、光化学反応により、線状のポリマー分子を網状の三次元構造となる分子に変わる性質をいい、具体的には、光重合開始剤の光分解により、発生する遊離ラジカルの作用により、重合反応をして網状化しうるポリマーをいう。
【００２７】
前記アルカリ可溶性光架橋性樹脂は、分子中にアルカリ可溶基と光重合に関与する架橋性基を含有する１％炭酸ソーダ水溶液（ｐＨ＝１０）に可溶性の樹脂である。
前記アルカリ可溶性光架橋性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニルポリマー型光架橋性樹脂、エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂などが挙げられる。
【００２８】
−−ビニルポリマー型光架橋性樹脂−−
前記ビニルポリマー型光架橋性樹脂としては、下記タイプ（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）に分類され、少なくともいずれかのタイプから選ばれる。
タイプ（Ａ−１）：（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂と、（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物との反応により製造される。
タイプ（Ａ−２）：（ｃ）エポキシ基含有共重合樹脂と、（ｄ）カルボキシル基含有不飽和化合物を付加反応しさらに得られる生成物のヒドロキシル基への（ｅ）多塩基酸無水物の付加反応により製造される。
タイプ（Ａ−３）：（ｆ）酸無水物基含有共重合樹脂と、（ｇ）分子中に１個のヒドロキシル基及び少なくとも１個の（メタ）アクリロイル基を有する化合物の付加反応により製造される。
なお、本明細書中において、（メタ）アクリレートとは、アクリレート、メタアクリレート及びそれらの混合物を総称する用語であり、他の類似の表現についても同様である。
【００２９】
＜タイプ（Ａ−１）＞
前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の製造に用いられる、（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂は、１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物と、（メタ）アクリル酸エステル及びスチレン類の少なくともいずれかとを共重合させて得られる。
【００３０】
前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂を構成単位とする１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物とは、（メタ）アクリル酸、さらにはマレイン酸、イタコン酸等のカルボキシル基を分子中に２個以上含むものが挙げられる。また、マレイン酸、イタコン酸のモノエステル、又はモノアミドも含まれる。また、ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレートと飽和あるいは不飽和二塩基酸無水物との反応生成物である半エステル化合物が挙げられる。これら半エステル化合物は、ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレートと飽和あるいは不飽和二塩基酸無水物とを等モル比で反応させることで得られる。
【００３１】
前記半エステル化合物の合成に用いられるヒドロキシル基含有アクリレートとしては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンダエリスルトールトリ（メタ）アクリレート、ジベンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００３２】
前記半エステル化合物の合成に用いられる飽和あるいは不飽和二塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、メチルナドラヒドロ無水フタル酸、エチルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水イタコン酸等が挙げられる。これらの中で、（メタ）アクリル酸が好ましい。
これら１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂の構成単位となる（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｔ−オクチル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、アセトキシエチル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、β−フェノキシエトキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、オクタフロロペンチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニルオキシエチル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００３４】
また、前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂の構成単位となるスチレン類としては、例えば、スチレン、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヒドロキシスチレン、メトキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、酸性物質により脱保護可能な基（例えば、ｔ−Ｂｏｃ等）で保護されたヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレンなどが挙げられる。
前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂は、これら１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基、又は、酸無水物基を有する化合物と（メタ）アクリル酸エステルモノマーとスチレン類の少なくともいずれかとの通常の共重合法、例えば、溶液重合法により共重合して得られる。
また、前記（ａ）カルボキシル基含有共重合樹脂に包含される、マレイン酸モノエステル／スチレン類共重合体、マレイン酸モノアミド／スチレン類共重合体、イタコン酸モノエステル／スチレン類共重合体やイタコン酸モノアミド／スチレン類共重合体の場合は、それぞれ無水マレイン酸／スチレン類共重合体や無水イタコン酸／スチレン類共重合体のアルコール類又は一級又は二級アミン類との高分子反応により得ることができる。
【００３５】
前記マレイン酸無水物との高分子反応に使用する前記アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシプロパノールなどを好適に挙げることができる。
また、前記一級アミン類としては、例えば、ベンジルアミン、フェネチルアミン、３−フェニル−１−プロピルアミン、４−フェニル−１−ブチルアミン、５−フェニル−１−ペンチルアミン、６−フェニル−１−ヘキシルアミン、α−メチルベンジルアミン、２−メチルベンジルアミン、３−メチルベンジルアミン、４−メチルベンジルアミン、２−（ｐ−トリル）エチルアミン、β―メチルフェネチルアミン、１−メチル−３−フェニルプロピルアミン、２−クロロベンジルアミン、３−クロロベンジルアミン、４−クロロベンジルアミン、２−フロロベンジルアミン、３−フロロベンジルアミン、４−フロロベンジルアミン、４−ブロモフェネチルアミン、２−（２−クロロフェニル）エチルアミン、２−（３−クロロフェニル）エチルアミン、２−（４−クロロフェニル）エチルアミン、２−（２−フロロフェニル）エチルアミン、２−（３−フロロフェニル）エチルアミン、２−（４−フロロフェニル）エチルアミン、４−フロロ−α，α−ジメチルフェネチルアミン、２−メトキシベンジルアミン、３−メトキシベンジルアミン、４−メトキシベンジルアミン、２−エトキシベンジルアミン、２−メトキシフェネチルアミン、３−メトキシフェネチルアミン、４−メトキシフェネチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ラウリルアミン、フェニルアミン、１−ナフチルアミン、メトキシメチルアミン、２−メトキシエチルアミン、２−エトキシエチルアミン、３−メトキシプロピルアミン、２−ブトキシエチルアミン、２−シクロへキシルオキシエチルアミン、３−エトキシプロピルアミン、３−プロポキシプロピルアミン、３−イソプロポキシプロピルアミンなどが好適に挙げられる。
さらに、前記二級アミン類としては、例えば、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルエチルアミン、メチルプロピルアミン、ジエチルアミン、エチルプロピルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、Ｎ，Ｎ−メチルベンジルアミンなどを好適に挙げることができる。
【００３６】
−（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物−
前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の製造に用いられる（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物としては、１分子中に１個のラジカル重合性の不飽和基とエポキシ基とを有する化合物であればよく、例えば、下記一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）で示される化合物などが挙げられる。
【００３７】
【化１】
2006285179.tif 000003
【００３８】
【化２】
2006285179.tif 000004
【００３９】
【化３】
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【００４０】
【化４】
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【００４１】
【化５】
2006285179.tif 000007
【００４２】
【化６】
2006285179.tif 000008
【００４３】
【化７】
2006285179.tif 000009
【００４４】
【化８】
2006285179.tif 000010
【００４５】
【化９】
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【００４６】
【化１０】
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【００４７】
【化１１】
2006285179.tif 000013
【００４８】
【化１２】
2006285179.tif 000014
【００４９】
【化１３】
2006285179.tif 000015
【００５０】
【化１４】
2006285179.tif 000016
ただし、一般式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）において、Ｒ１４は水素原子又はメチル基、Ｒ１５は炭素数１〜１０のアルキレン基、Ｒ１６は炭素数１〜１０の炭化水素基、ｐは０又は１〜１０の整数を表す。
これら（ｂ）エポキシ基含有不飽和化合物は、単独で用いても２種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、グリシジル（メタ）アクリレートや３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレートが好ましい。
【００５１】
＜タイプ（Ａ−２）＞
前記タイプ（Ａ−２）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の製造に用いられるエポキシ基含有共重合樹脂（ｃ）は、エポキシ基含有モノマーとそれ以外のエポキシ基と非反応性の（メタ）アクリルエステル及び／又はスチレン類との共重合により得られる。
エポキシ基含有モノマーとしては、前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の説明において既述の化合物が好適に用いられる。
エポキシ基と非反応性の（メタ）アクリル酸エステル及びスチレン類の少なくともいずれかは、前記タイプ（Ａ−１）の光架橋性樹脂において既述のもののうち、カルボキシル基、アルコール性ヒドロキシル基、フェノール性ヒドロキシル基、アミノ基などを含まないものが好適に用いられる。
製造法としては、エポキシ基含有モノマーとそれ以外のエポキシ基と非反応性の（メタ）アクリル酸エステル、スチレン類を常法、例えば、溶液重合法等により共重合して得られる。
ここでエポキシ基含有モノマーとそれ以外のエポキシ基と非反応性の（メタ）アクリルエステル及びはスチレン類の少なくともいずれかとのモル比は６０：４０〜２０：８０が好適である。なお、エポキシ基含有モノマーの配合量が少な過ぎてこのモル比が２０：８０より大きいと、次の不飽和カルボン酸、更に多塩基酸無水物の前記共重合体への付加量が少なくなる結果、紫外線硬化性及び希アルカリ水溶液による現像性が悪くなり、また逆にエポキシ基含有モノマーの配合量が多過ぎて前記モル比が６０：４０より小さいと、軟化点が低くなり過ぎる傾向がある。
また、カルボキシル基含有不飽和化合物（ｄ）は、タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の説明中で１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物として既述の各化合物が好適に使用できる。
また、多塩基酸無水物（ｅ）としては、マレイン酸無水物、コハク酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、３−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、４−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、３−エチルヘキサヒドロフタル酸無水物、４−エチルヘキサヒドロフタル酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、３−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、４−メチルテトラヒドロフタル酸無水物、３−エチルテトラヒドロフタル酸無水物、４−エチルテトラヒドロフタル酸無水物、フタル酸無水物などの、分子中に１個の酸無水物基を有する飽和又は不飽和の脂肪族、脂環族又は芳香族化合物が好ましい。これらの中でも、テトラヒドロフタル酸無水物が特に好ましい。
前記エポキシ基含有共重合体とカルボキシル基含有不飽和化合物と引き続く多塩基酸無水物との反応は次のように実施するのが好ましい。前記エポキシ基含有モノマーの共重合体に対し、この共重合体の１エポキシ基当量当り０．８〜１．２モルの不飽和カルボン酸を付加反応した後、更に得られる生成物のヒドロキシル基に多塩基酸無水物を付加反応する。
【００５２】
＜タイプ（Ａ−３）＞
前記タイプ（Ａ−３）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の製造に用いられる酸無水物基含有共重合樹脂（ｆ）は、マレイン酸無水物とスチレン類の共重合又はイタコン酸無水物とスチレン類の共重合により得られる。
共重合成分であるスチレン類は、前記タイプ（Ａ−１）の光架橋性樹脂の説明中で既述のものが好適に用いられる。マレイン酸無水物またはイタコン酸無水物とスチレン類の共重合組成比は９０：１０〜１０：９０が好ましく、８０：２０〜２０：８０が更に好ましく、７０：３０〜３０：７０が特に好ましい。９０：１０以上では硬化部の耐現像性が劣り、１０：９０以下では現像性が劣る。
前記無水マレイン酸１モルに対してスチレンを１モルから３モルの割合で共重合させて得られる質量平均分子量が、１，０００から５，０００程度の共重合体が好ましく、例えば、ＡＲＣＯ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製ＳＭＡレンジ１０００、２０００、３０００などが挙げられる。
【００５３】
分子中に１個のヒドロキシル基及び少なくとも１個の（メタ）アクリロイル基を有する化合物（ｇ）としては、例えば２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、ペンダエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールモノ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールモノ（メタ）アクリレート、モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）アシッドホスフェート、ジ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）アシッドホスフェート、グリセロールジ（メタ）アクリレートが挙げられる。
【００５４】
前記酸無水物共重合体樹脂と、分子中に１個のヒドロキシル基及び少なくとも１個の（メタ）アクリロイル基を有するモノマーの開環付加反応は、活性水素を含まない有機溶剤中で行うという公知の方法で製造できる。溶剤として好ましいものは、酢酸エチル、メトキシプロピルアセテート、メチルエチルケトン等が好ましい。その際の前記モノマー中ヒドロキシル基／前記共重合体中酸無水物基のモル比は０．８〜１．２が好ましい
上記開環付加反応は通常５０℃から２００℃で行なうがジエステルの生成及びゲル化を防止するために８０℃から１５０℃程度が好ましい。なお、反応促進剤としてトリエチルアミン、トリエタノールアミン、モリホリン、ペンダメチルジエチレントリアミンなどの第三級アミン類または第四級アンモニウム塩などを使用することができる。一方反応中に重合物が生成するのを防止するためにヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ｔ−ブチルヒドロキノン、ｔ−ブチルカテコール、ベンゾキノン、フェノチアジンなどの公知の重合禁止剤を添加使用することもできる。
【００５５】
以上のように、得られた前記タイプ（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）の少なくともいずれかからなるビニルポリマー型光架橋性樹脂は、その酸価が、５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲にあることが必要である。
前記酸価は、７０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、９０〜１８０ｍｇＫＯＨ／ｇが特に好ましい。前記酸価が、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、弱アルカリ水溶液である現像液での未露光部の除去が難しく、一方、２５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、硬化被膜の耐水性、電気特性が劣るなどの弊害がある。また、ビニルポリマー型光架橋性ポリマー（Ａ）は、質量平均分子量が５，０００〜２００，０００の範囲にあるものが好ましい。また、質量平均分子量は１０，０００〜１００，０００がより好ましく、３０，０００〜８０，０００が特に好ましい。質量平均分子量が５，０００未満であると、指触乾燥性が著しく劣り、支持体との剥離性が劣る。一方、質量平均分子量が２００，０００を超えると、アルカリ現像液による未露光部の除去性、貯蔵安定性が著しく悪くなる等の問題を生じるので好ましくない。
感光性ソルダーレジスト層の全固形分中のアルカリ可溶性光架橋性樹脂の固形分含有量は１５〜７０質量％が好ましい。１５質量％未満であると、硬化膜の強靱性が劣り、７０質量％を越えると信頼性の低下など、性能バランスが劣化する。
特に前記タイプ（Ａ−１）〜（Ａ−３）からの１種と後述のエポキシ樹脂エステル型光架橋性オリゴマーからの１種の混合物はバランスのとれた性能を付与することができるので好ましい。その場合の混合比は質量で１０：９０〜９０：１０である。２０：８０〜８０：２０がより好ましく、３０：７０〜７０：３０が殊に好ましい。
【００５６】
−エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂
前記エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｈ）エポキシ樹脂と（ｉ）１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物とのエステル化反応生成物に、さらに（ｊ）多塩基酸無水物を反応することにより生成する。
前記エポキシ樹脂（ｈ）としては、東都化成（株）製ＹＤＣＮ−７０１，ＹＤＣＮ−７０４；大日本インキ化学工業（株）製Ｎ−６６５，Ｎ−６８０，Ｎ−６９５；日本化薬（株）製ＥＯＣＮ−１０２，ＥＯＣＮ−１０４；旭化成工業（株）製ＥＣＮ−２６５，ＥＣＮ−２９３，ＥＣＮ−２８５，ＥＣＮ−２９９などのクレゾールノボラック型エポキシ樹脂や、東都化成（株）製ＹＤＰＮ−６３８，ＹＤＰＮ−６０２；ダウ・ケミカル日本（株）製  ＤＥＮ−４３１，ＤＥＮ−４３８，ＤＥＮ−４３９；チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製  ＥＰＮ−１１３８，ＥＰＮ−１２３５，ＥＰＮ−１２９９；大日本インキ化学工業（株）製  Ｎ−７３０，Ｎ−７７０などのフェノールノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、ノボラック型エポキシ樹脂の一部を、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂も有利に使用できる。
【００５７】
次に、１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）は、前記タイプ（Ａ−１）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の説明中で既述の各化合物が好適に使用できる。
また、前記多塩基酸無水物（ｊ）は同様にタイプ前記（Ａ−２）のビニルポリマー型光架橋性樹脂の説明中で成分（ｅ）として既述の化合物を使用することができる。
【００５８】
−−エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂の製造方法−−
前記エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、製造の際のエポキシ樹脂（ｈ）と１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）との反応において、エポキシ樹脂（ｈ）のエポキシ基１当量に対して、１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）が０．８〜１．０５当量となる比率で反応させることが好ましく、０．９〜１．０当量がより好ましい。
前記エポキシ樹脂（ｈ）と１分子中に１個の不飽和基と少なくとも１個のカルボキシル基又は酸無水物基を有する化合物（ｉ）は有機溶剤に溶かして反応させられ、有機溶剤としては、例えば、エチルメチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等のエステル類、オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類、石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサ等の石油系溶剤などが挙げられる。
【００５９】
更に、反応を促進させるために触媒を用いるのが好ましい。用いられる触媒としては、例えば、トリエチルアミン、ベンジルメチルアミン、メチルトリエチルアンモニウムクロライト、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライト、ベンジルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチルメチルアンモニウムアイオタイド、トリフェニルホスフィンなどが挙げられる。触媒の使用量は、エポキシ樹脂とビニル基含有モノカルボン酸（ｂ）の合計１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１０質量部である。
また、反応中の重合を防止する日的で、重合防止剤を使用するのが好ましい。重合禁止剤としては、例えば、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、カテコール、ピロガロール等が挙げられ、その使用量は、エポキシ樹脂（ａ）とビニル基含有モノカルボン酸（ｂ）の合計１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１質量部である。反応温度は、好ましくは６０〜１５０℃、更に好ましくは８０〜１２０℃である。
【００６０】
前記のエポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂は、こうして得られた反応生成物に多塩基酸無水物（ｊ）を反応させて得られる。前記反応生成物と多塩基酸無水物（ｊ）との反応温度は、６０〜１２０℃が好ましい。
【００６１】
前記反応生成物中のヒドロキシル基１当量に対して、多塩基酸無水物（ｊ）を０．１〜１．０当量反応させることで、前記エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂の酸価を調整できる。前記エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂の酸価は３０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、５０〜１２０ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。酸価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると、光硬化性樹脂組成物の希アルカリ溶液への溶解性が低下し、１５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると硬化膜の電気特性が低下する傾向がある。
前記エポキシ樹脂エステル型光架橋性樹脂の質量平均分子量は５００〜５，０００が好ましく、１，０００〜４，０００がより好ましく、１，５００〜３，５００が特に好ましい。５００以下であると、粘着性が高すぎ保護フィルムの剥離が困難になり、５，０００を越えると該樹脂の製造が困難になる。
【００６２】
―重合性化合物―
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマー又はオリゴマーが好適に挙げられる。また、これらは、重合性基を２種以上有することが好ましい。
【００６３】
前記重合性基としては、例えば、エチレン性不飽和結合（例えば、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基など）、重合可能な環状エーテル基（例えば、エポキシ基、オキセタン基等）などが挙げられ、これらの中でもエチレン性不飽和結合が好ましい。
【００６４】
−−ウレタン基を有するモノマー−−
前記ウレタン基を有するモノマーとしては、ウレタン基を有する限り、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特公昭４８−４１７０８号公報、特開昭５１−３７１９３号公報、特公平５−５０７３７号公報、特公平７−７２０８号公報、特開２００１−１５４３４６号公報、特開２００１−３５６４７６号公報等に記載されている化合物などが挙げられ、例えば、分子中に２個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物と分子中に水酸基を有するビニルモノマーとの付加物などが挙げられる。
【００６５】
前記分子中に２個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネート、ジフェニルジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、３，３’−ジメチル−４，４’−ジフェニルジイソシアネート等のジイソシアネート；該ジイソシアネートを更に２官能アルコールとの重付加物（この場合も両末端はイソシアネート基）；該ジイソシアネートのビュレット体やイソシアヌレート等の３量体；該ジイソシアネート若しくはジイソシアネート類と、トリメチロールプロパン、ペンタエリスルトール、グリセリン等の多官能アルコール、又はこれらのエチレンオキシド付加物等の得られる他官能アルコールとの付加体などが挙げられる。
【００６６】
前記分子中に水酸基を有するビニルモノマーとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オクタエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オクタプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ジブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、テトラブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オクタブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。また、エチレンオキシドとプロピレンオキシドの共重合体（ランダム、ブロック等）などの異なるアルキレンオキシド部を有するジオール体の片末端（メタ）アクリレート体などが挙げられる。
【００６７】
また、前記ウレタン基を有するモノマーとしては、トリ（（メタ）アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、ジ（メタ）アクリル化イソシアヌレート、エチレンオキシド変性イソシアヌル酸のトリ（メタ）アクリレート等のイソシアヌレート環を有する化合物が挙げられる。これらの中でも、下記構造式（１３）、又は構造式（１４）で表される化合物が好ましく、テント性の観点から、前記構造式（１４）で示される化合物を少なくとも含むことが特に好ましい。また、これらの化合物は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６８】
【化１５】
2006285179.tif 000017
【００６９】
【化１６】
2006285179.tif 000018
【００７０】
前記構造式（１３）及び（１４）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ水素原子又はメチル基を表す。Ｘ１〜Ｘ３は、アルキレンオキサイドを表し、１種単独でもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７１】
前記アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基（ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい）などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらの組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。
【００７２】
前記構造式（１３）及び（１４）中、ｍ１〜ｍ３は、１〜６０の整数を表し、２〜３０が好ましく、４〜１５がより好ましい。
【００７３】
前記構造式（１３）及び（１４）中、Ｙ１及びＹ２は、炭素原子数２〜３０の２価の有機基を表し、例えば、アルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基（−ＣＯ−）、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、イミノ基（−ＮＨ−）、イミノ基の水素原子が１価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、スルホニル基（−ＳＯ２−）又はこれらを組み合わせた基などが好適に挙げられ、これらの中でも、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基が好ましい。
【００７４】
前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ネオペンチレン基、ヘキシレン基、トリメチルヘキシレン基、シクロへキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、２−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基、オクタデシレン基、又は下記に示すいずれかの基などが挙げられる。
【００７５】
【化１７】
2006285179.tif 000019
【００７６】
前記アリーレン基としては、炭化水素基で置換されていてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ジフェニレン基、ナフチレン基、又は下記に示す基などが好適に挙げられる。
【００７７】
【化１８】
2006285179.tif 000020
【００７８】
前記これらを組み合わせた基としては、例えば、キシリレン基などが挙げられる。
【００７９】
前記アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基としては、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アリール基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、２−エトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基）、アシル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基）、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基）などが挙げられる。
【００８０】
前記構造式（１３）及び（１４）中、ｎは３〜６の整数を表し、重合性化合物を合成するための原料供給性などの観点から、３、４又は６が好ましい。
【００８１】
前記構造式（１３）及び（１４）中、Ｚはｎ価（３価〜６価）の連結基を表し、例えば、下記に示すいずれかの基などが挙げられる。
【００８２】
【化１９】
2006285179.tif 000021
ただし、Ｘ４はアルキレンオキサイドを表す。ｍ４は、１〜２０の整数を表す。ｎは、３〜６の整数を表す。Ａは、ｎ価（３価〜６価）の有機基を表す。
【００８３】
前記Ａとしては、例えば、ｎ価の脂肪族基、ｎ価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、イミノ基の水素原子が１価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、又はスルホニル基とを組み合わせた基が好ましく、ｎ価の脂肪族基、ｎ価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、酸素原子とを組み合わせた基がより好ましく、ｎ価の脂肪族基、ｎ価の脂肪族基とアルキレン基、酸素原子とを組み合わせた基が特に好ましい。
【００８４】
前記Ａの炭素原子数としては、例えば、１〜１００の整数が好ましく、１〜５０の整数がより好ましく、３〜３０の整数が特に好ましい。
【００８５】
前記ｎ価の脂肪族基としては、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記脂肪族基の炭素原子数としては、例えば、１〜３０の整数が好ましく、１〜２０の整数がより好ましく、３〜１０の整数が特に好ましい。
前記芳香族基の炭素原子数としては、６〜１００の整数が好ましく、６〜５０の整数がより好ましく、６〜３０の整数が特に好ましい。
【００８６】
前記ｎ価の脂肪族基、又は芳香族基は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アリール基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、２−エトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基）、アシル基（例えば、アセチル基、プロピオニル基）、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基）などが挙げられる。
【００８７】
前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記アルキレン基の炭素原子数としては、例えば、１〜１８の整数が好ましく、１〜１０の整数がより好ましい。
【００８８】
前記アリーレン基は、炭化水素基で更に置換されていてもよい。
前記アリーレン基の炭素原子数としては、６〜１８の整数が好ましく、６〜１０の整数がより好ましい。
【００８９】
前記置換イミノ基の１価の炭化水素基の炭素原子数としては、１〜１８の整数が好ましく、１〜１０の整数がより好ましい。
【００９０】
以下に、前記Ａの好ましい例は以下の通りである。
【００９１】
【化２０】
2006285179.tif 000022
【００９２】
前記構造式（１３）及び（１４）で表される化合物としては、例えば、下記構造式（１５）〜（３４）で表される化合物などが挙げられる。
【００９３】
【化２１】
2006285179.tif 000023
【００９４】
【化２２】
2006285179.tif 000024
【００９５】
【化２３】
2006285179.tif 000025
【００９６】
【化２４】
2006285179.tif 000026
【００９７】
【化２５】
2006285179.tif 000027
【００９８】
【化２６】
2006285179.tif 000028
【００９９】
【化２７】
2006285179.tif 000029
【０１００】
【化２８】
2006285179.tif 000030
【０１０１】
【化２９】
2006285179.tif 000031
【０１０２】
【化３０】
2006285179.tif 000032
【０１０３】
【化３１】
2006285179.tif 000033
【０１０４】
【化３２】
2006285179.tif 000034
【０１０５】
【化３３】
2006285179.tif 000035
【０１０６】
【化３４】
2006285179.tif 000036
【０１０７】
【化３５】
2006285179.tif 000037
【０１０８】
【化３６】
2006285179.tif 000038
【０１０９】
【化３７】
2006285179.tif 000039
【０１１０】
【化３８】
2006285179.tif 000040
【０１１１】
【化３９】
2006285179.tif 000041
【０１１２】
【化４０】
2006285179.tif 000042
【０１１３】
ただし、前記構造式（１５）〜（３４）中、ｎ、ｎ１、ｎ２及びｍは、１〜６０を意味し、ｌは、１〜２０を意味し、Ｒは、水素原子又はメチル基を表す。
【０１１４】
―アリール基を有するモノマー―
前記アリール基を有するモノマーとしては、アリール基を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物及び多価アミノアルコール化合物の少なくともいずれかと不飽和カルボン酸とのエステル又はアミドなどが挙げられる。
【０１１５】
前記アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物又は多価アミノアルコール化合物としては、例えば、ポリスチレンオキサイド、キシリレンジオール、ジ−（β−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，５−ジヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、２、２−ジフェニル−１，３−プロパンジオール、ヒドロキシベンジルアルコール、ヒドロキシエチルレゾルシノール、１−フェニル−１，２−エタンジオール、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−キシレン−α，α’−ジオール、１，１，４，４−テトラフェニル−１，４−ブタンジオール、１，１，４，４−テトラフェニル−２−ブチン−１，４−ジオール、１，１’−ビ−２−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、１，１’−メチレン−ジ−２−ナフトール、１，２，４−ベンゼントリオール、ビフェノール、２，２’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（ヒドロキシフェニル）メタン、カテコール、４−クロルレゾルシノール、ハイドロキノン、ヒドロキシベンジルアルコール、メチルハイドロキノン、メチレン−２，４，６−トリヒドロキシベンゾエート、フロログリシノール、ピロガロール、レゾルシノール、α−（１−アミノエチル）−ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、α−（１−アミノエチル）−ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、３−アミノ−４−ヒドロキシフェニルスルホンなどが挙げられる。また、この他、キシリレンビス（メタ）アクリルアミド、ノボラック型エポキシ樹脂やビスフェノールＡジグリシジルエーテル等のグリシジル化合物にα、β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、フタル酸やトリメリット酸などと分子中に水酸基を含有するビニルモノマーから得られるエステル化物、フタル酸ジアリル、トリメリット酸トリアリル、ベンゼンジスルホン酸ジアリル、重合性化合物としてカチオン重合性のジビニルエーテル類（例えば、ビスフェノールＡジビニルエーテル）、エポキシ化合物（例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル等）、ビニルエステル類（例えば、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルベンゼン−１，３−ジスルホネート等）、スチレン化合物（例えば、ジビニルベンゼン、ｐ−アリルスチレン、ｐ−イソプロペンスチレン等）が挙げられる。これらの中でも下記構造式（３５）で表される化合物が好ましい。
【０１１６】
【化４１】
2006285179.tif 000043
前記構造式（３５）中、Ｒ４、Ｒ５は、水素原子又はアルキル基を表す。
【０１１７】
前記構造式（３５）中、Ｘ５及びＸ６は、アルキレンオキサイド基を表し、１種単独でもよく、２種以上を併用してもよい。該アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基（ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい）、などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらを組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。
【０１１８】
前記構造式（３５）中、ｍ５、ｍ６は、１〜６０の整数が好ましく、２〜３０の整数がより好ましく、４〜１５の整数が特に好ましい。
【０１１９】
前記構造式（３５）中、Ｔは、２価の連結基を表し、例えば、メチレン、エチレン、ＭｅＣＭｅ、ＣＦ３ＣＣＦ３、ＣＯ、ＳＯ２などが挙げられる。
【０１２０】
前記構造式（３５）中、Ａｒ１、Ａｒ２は、置換基を有していてもよいアリール基を表し、例えば、フェニレン、ナフチレンなどが挙げられる。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、又はこれらの組合せなどが挙げられる。
【０１２１】
前記アリール基を有するモノマーの具体例としては、２，２−ビス〔４−（３−（メタ）アクリルオキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（（メタ）アクリルオキシエトキシ）フェニル〕プロパン、フェノール性のＯＨ基１個に置換させたエトキシ基の数が２から２０である２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシポリエトキシ）フェニル）プロパン（例えば、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシジエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシテトラエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシペンタエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシデカエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシペンタデカエトキシ）フェニル）プロパン等）、２，２−ビス〔４−（（メタ）アクリルオキシプロポキシ）フェニル〕プロパン、フェノール性のＯＨ基１個に置換させたエトキシ基の数が２から２０である２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシポリプロポキシ）フェニル）プロパン（例えば、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシジプロポキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシテトラプロポキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシペンタプロポキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシデカプロポキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロイルオキシペンタデカプロポキシ）フェニル）プロパン等）、又はこれらの化合物のポリエーテル部位として同一分子中にポリエチレンオキシド骨格とポリプロピレンオキシド骨格の両方を含む化合物（例えば、ＷＯ０１／９８８３２号公報に記載の化合物等、又は、市販品として、新中村化学工業社製、ＢＰＥ−２００、ＢＰＥ−５００、ＢＰＥ−１０００）、ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物などが挙げられる。なお、これらは、ビスフェノールＡ骨格に由来する部分をビスフェノールＦ又はビスフェノールＳ等に変更した化合物であってもよい。
【０１２２】
前記ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物としては、例えば、ビスフェノールとエチレンオキシド又はプロピレンオキシド等の付加物、重付加物として得られる末端に水酸基を有する化合物にイソシアネート基と重合性基とを有する化合物（例えば、２−イソシアネートエチル（メタ）アクリレート、α、α−ジメチル−ビニルベンジルイソシアネート等）などが挙げられる。
【０１２３】
−−その他の重合性化合物−−
本発明の永久パターン形成方法には、前記感光性ソルダーレジストフィルムとしての特性を悪化させない範囲で、前記ウレタン基を含有するモノマー、アリール基を有するモノマー以外の重合性化合物を併用してもよい。
【０１２４】
前記ウレタン基を含有するモノマー、芳香環を含有するモノマー以外の重合性化合物としては、例えば、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等）と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミドなどが挙げられる。
【０１２５】
前記不飽和カルボン酸と脂肪族多価アルコール化合物とのエステルのモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレン基の数が２〜１８であるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート（例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ドデカエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラデカエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等）、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレン基の数が２から１８であるポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート（例えば、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ドデカプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等）、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（（メタ）アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリ（メタ）アクリレート、１，５−ベンタンジオール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ソルビトールトリ（メタ）アクリレート、ソルビトールテトラ（メタ）アクリレート、ソルビトールペンタ（メタ）アクリレート、ソルビトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、エチレングリコール鎖／プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ（メタ）アクリレート（例えば、ＷＯ０１／９８８３２号公報に記載の化合物等）、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの少なくともいずれかを付加したトリメチロールプロパンのトリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、キシレノールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【０１２６】
前記（メタ）アクリル酸エステル類の中でも、その入手の容易さ等の観点から、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコール鎖／プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、ジグリセリンジ（メタ）アクリレート、１，３−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，２，４−ブタントリオールトリ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５−ペンタンジオール（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド付加したトリメチロールプロパンのトリ（メタ）アクリル酸エステルなどが好ましい。
【０１２７】
前記イタコン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル（イタコン酸エステル）としては、例えば、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、１，３−ブタンジオールジイタコネート、１，４−ブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリスリトールジイタコネート、及びソルビトールテトライタコネートなどが挙げられる。
【０１２８】
前記クロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル（クロトン酸エステル）としては、例えば、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリスリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネートなどが挙げられる。
【０１２９】
前記イソクロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル（イソクロトン酸エステル）としては、例えば、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリスリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネートなどが挙げられる。
【０１３０】
前記マレイン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル（マレイン酸エステル）としては、例えば、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリスリトールジマレート、ソルビトールテトラマレートなどが挙げられる。
【０１３１】
前記多価アミン化合物と前記不飽和カルボン酸類から誘導されるアミドとしては、例えば、メチレンビス（メタ）アクリルアミド、エチレンビス（メタ）アクリルアミド、１，６−ヘキサメチレンビス（メタ）アクリルアミド、オクタメチレンビス（メタ）アクリルアミド、ジエチレントリアミントリス（メタ）アクリルアミド、ジエチレントリアミンビス（メタ）アクリルアミド、などが挙げられる。
【０１３２】
また、上記以外にも、前記重合性化合物として、例えば、ブタンジオール−１，４−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等のグリシジル基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、特開昭４８−６４１８３号公報、特公昭４９−４３１９１号公報、特公昭５２−３０４９０号各公報に記載されているようなポリエステルアクリレートやポリエステル（メタ）アクリレートオリゴマー類、エポキシ化合物（例えば、ブタンジオール−１，４−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルなど）と（メタ）アクリル酸を反応させたエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレート、日本接着協会誌ｖｏｌ．２０、Ｎｏ．７、３００〜３０８ページ（１９８４年）に記載の光硬化性モノマー及びオリゴマー、アリルエステル（例えば、フタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、マロン酸ジアリル、ジアリルアミド（例えば、ジアリルアセトアミド等）、カチオン重合性のジビニルエーテル類（例えば、ブタンジオール−１，４−ジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル等）、エポキシ化合物（例えば、ブタンジオール−１，４−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等）、オキセタン類（例えば、１，４−ビス〔（３−エチルー３−オキセタニルメトキシ）メチル〕ベンゼン等）、エポキシ化合物、オキセタン類（例えば、ＷＯ０１／２２１６５号公報に記載の化合物）、Ｎ−β−ヒドロキシエチル−β−（メタクリルアミド）エチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ビス（β−メタクリロキシエチル）アクリルアミド、アリルメタクリレート等の異なったエチレン性不飽和二重結合を２個以上有する化合物などが挙げられる。
【０１３３】
前記ビニルエステル類としては、例えば、ジビニルサクシネート、ジビニルアジペートなどが挙げられる。
【０１３４】
これらの多官能モノマーは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１３５】
前記重合性化合物は、必要に応じて、分子内に重合性基を１個含有する重合性化合物（単官能モノマー）を併用してもよい。
前記単官能モノマーとしては、例えば、前記バインダーの原料として例示した化合物、特開平６−２３６０３１号公報に記載されている２塩基のモノ（（メタ）アクリロイルオキシアルキルエステル）モノ（ハロヒドロキシアルキルエステル）等の単官能モノマー（例えば、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β´−メタクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート等）、特許２７４４６４３号公報、ＷＯ００／５２５２９号公報、特許２５４８０１６号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【０１３６】
前記感光性ソルダーレジスト層における重合性化合物の含有率としては、例えば、５〜９０質量％が好ましく、１５〜６０質量％がより好ましく、２０〜５０質量％が特に好ましい。
前記含有率が、５質量％となると、テント膜の強度が低下することがあり、９０質量％を超えると、保存時のエッジフュージョン（ロール端部からのしみだし故障）が悪化することがある。
また、重合性化合物中に前記重合性基を２個以上有する多官能モノマーの含有率としては、５〜１００質量％が好ましく、２０〜１００質量％がより好ましく、４０〜１００質量％が特に好ましい。
【０１３７】
―光重合開始剤―
前記光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができ、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。これらの中でも、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましく、波長３９５〜４１５ｎｍのレーザ光による露光に対して高い感度をもつものがより好ましく、ハロゲン化炭化水素誘導体、ホスフィンオキサイド、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩及びケトオキシムエーテルから選択される少なくとも１種を含むことが特に好ましい。
また、前記光重合開始剤は、約３００〜８００ｎｍ（より好ましくは３３０〜５００ｎｍ）の範囲内に少なくとも約５０の分子吸光係数を有する成分を少なくとも１種含有していることが好ましい。
【０１３８】
前記光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等）、ホスフィンオキサイド、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテルなどが好適に挙げられる。
【０１３９】
前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，４２、２９２４（１９６９）記載の化合物、英国特許１３８８４９２号明細書記載の化合物、特開昭５３−１３３４２８号公報記載の化合物、独国特許３３３７０２４号明細書記載の化合物、Ｆ．Ｃ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ等によるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．；２９、１５２７（１９６４）記載の化合物、特開昭６２−５８２４１号公報記載の化合物、特開平５−２８１７２８号公報記載の化合物、特開平５−３４９２０号公報記載化合物、米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物、などが挙げられる。
【０１４０】
前記若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，４２、２９２４（１９６９）記載の化合物としては、例えば、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−クロルフェニル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−トリル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジクロルフェニル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−ｎ−ノニル−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、及び２−（α，α，β−トリクロルエチル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【０１４１】
前記英国特許１３８８４９２号明細書記載の化合物としては、例えば、２−スチリル−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メチルスチリル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシスチリル）−４−アミノ−６−トリクロルメチル−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
前記特開昭５３−１３３４２８号公報記載の化合物としては、例えば、２−（４−メトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−エトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−〔４−（２−エトキシエチル）−ナフト−１−イル〕−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４，７−ジメトキシ−ナフト−１−イル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジン、及び２−（アセナフト−５−イル）−４，６−ビス（トリクロルメチル）−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【０１４２】
前記独国特許３３３７０２４号明細書記載の化合物としては、例えば、２−（４−スチリルフェニル）−４、６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−（４−メトキシスチリル）フェニル）−４、６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（１−ナフチルビニレンフェニル）−４、６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−クロロスチリルフェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−チオフェン−２−ビニレンフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−チオフェン−３−ビニレンフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−フラン−２−ビニレンフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、及び２−（４−ベンゾフラン−２−ビニレンフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【０１４３】
前記Ｆ．Ｃ．Ｓｃｈａｅｆｅｒ等によるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．；２９、１５２７（１９６４）記載の化合物としては、例えば、２−メチル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリブロモメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（ジブロモメチル）−１，３，５−トリアジン、２−アミノ−４−メチル−６−トリ（ブロモメチル）−１，３，５−トリアジン、及び２−メトキシ−４−メチル−６−トリクロロメチル−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【０１４４】
前記特開昭６２−５８２４１号公報記載の化合物としては、例えば、２−（４−フェニルエチニルフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−ナフチル−１−エチニルフェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−（４−トリルエチニル）フェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−（４−メトキシフェニル）エチニルフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−（４−イソプロピルフェニルエチニル）フェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−（４−エチルフェニルエチニル）フェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【０１４５】
前記特開平５−２８１７２８号公報記載の化合物としては、例えば、２−（４−トリフルオロメチルフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，６−ジフルオロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，６−ジクロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，６−ジブロモフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【０１４６】
前記特開平５−３４９２０号公報記載化合物としては、例えば、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［４−（Ｎ，Ｎ−ジエトキシカルボニルメチルアミノ）−３−ブロモフェニル］−１，３，５−トリアジン、米国特許第４２３９８５０号明細書に記載されているトリハロメチル−ｓ−トリアジン化合物、更に２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジンなどが挙げられる。
【０１４７】
前記米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物（例えば、２−トリクロロメチル−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−クロロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリブロモメチル−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリブロモメチル−５−（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール；２−トリクロロメチル−５−スチリル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−クロルスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−メトキシスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−ｎ−ブトキシスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリプロメメチル−５−スチリル−１，３，４−オキサジアゾール等）などが挙げられる。
【０１４８】
本発明で好適に用いられるオキシム誘導体としては、例えば、３−ベンゾイロキシイミノブタン−２−オン、３−アセトキシイミノブタン−２−オン、３−プロピオニルオキシイミノブタン−２−オン、２−アセトキシイミノペンタン−３−オン、２−アセトキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、２−ベンゾイロキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、３−（４−トルエンスルホニルオキシ）イミノブタン−２−オン、及び２−エトキシカルボニルオキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オンなどが挙げられる。
【０１４９】
また、上記以外の光重合開始剤として、アクリジン誘導体（例えば、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９、９’−アクリジニル）ヘプタン等）、Ｎ−フェニルグリシン等、ポリハロゲン化合物（例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトン等）、クマリン類（例えば、３−（２−ベンゾフロイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−ベンゾフロイル）−７−（１−ピロリジニル）クマリン、３−ベンゾイル−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−メトキシベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジメチルアミノベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３，３’−カルボニルビス（５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン）、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３−ベンゾイル−７−メトキシクマリン、３−（２−フロイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジエチルアミノシンナモイル）−７−ジエチルアミノクマリン、７−メトキシ−３−（３−ピリジルカルボニル）クマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジプロポキシクマリン、７−ベンゾトリアゾール−２−イルクマリン、また、特開平５−１９４７５号公報、特開平７−２７１０２８号公報、特開２００２−３６３２０６号公報、特開２００２−３６３２０７号公報、特開２００２−３６３２０８号公報、特開２００２−３６３２０９号公報等に記載のクマリン化合物など）、アミン類（例えば、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸ｎ−ブチル、４−ジメチルアミノ安息香酸フェネチル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−フタルイミドエチル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−メタクリロイルオキシエチル、ペンタメチレンビス（４−ジメチルアミノベンゾエート）、３−ジメチルアミノ安息香酸のフェネチル、ペンタメチレンエステル、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド、２−クロル−４−ジメチルアミノベンズアルデヒド、４−ジメチルアミノベンジルアルコール、エチル（４−ジメチルアミノベンゾイル）アセテート、４−ピペリジノアセトフェノン、４−ジメチルアミノベンゾイン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−フェネチジン、トリベンジルアミン、ジベンジルフェニルアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルベンジルアミン、４−ブロム−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、トリドデシルアミン、アミノフルオラン類（ＯＤＢ，ＯＤＢＩＩ等）、クリスタルバイオレットラクトン、ロイコクリスタルバイオレット等）、アシルホスフィンオキサイド類（例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフェニルホスフィンオキサイド、ＬｕｃｉｒｉｎＴＰＯなど）、メタロセン類（例えば、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフロロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム、η５−シクロペンタジエニル−η６−クメニル−アイアン（１＋）−ヘキサフロロホスフェート（１−）等）、特開昭５３−１３３４２８号公報、特公昭５７−１８１９号公報、同５７−６０９６号公報、及び米国特許第３６１５４５５号明細書に記載された化合物などが挙げられる。
【０１５０】
前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、２−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、４−メトキシベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン、２−カルボキシベンゾフェノン、２−エトキシカルボニルベンゾルフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はそのテトラメチルエステル、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン類（例えば、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビスジシクロヘキシルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジヒドロキシエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、２−クロル−チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、フルオレノン、２−ベンジル−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−１−ブタノン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノ−１−プロパノン、２−ヒドロキシー２−メチル−〔４−（１−メチルビニル）フェニル〕プロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類（例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール）、アクリドン、クロロアクリドン、Ｎ−メチルアクリドン、Ｎ−ブチルアクリドン、Ｎ−ブチル−クロロアクリドンなどが挙げられる。
【０１５１】
前記光重合開始剤の前記感光性ソルダーレジスト組成物固形成分中の固形分含有率としては、例えば、０．１〜３０質量％が好ましく、０．５〜２０質量％がより好ましく、０．５〜１５質量％が特に好ましい。
【０１５２】
また、前記感光性ソルダーレジスト層への露光における露光感度や感光波長を調整する目的で、前記光重合開始剤に加えて、増感剤を添加することが可能である。
前記増感剤は、後述する光照射手段としての可視光線や紫外光・可視光レーザなどにより適宜選択することができる。
前記増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、他の物質（例えば、ラジカル発生剤、酸発生剤等）と相互作用（例えば、エネルギー移動、電子移動等）することにより、ラジカルや酸等の有用基を発生することが可能である。
【０１５３】
前記増感剤としては、特に制限はなく、公知の増感剤の中から適宜選択することができ、例えば、公知の多核芳香族類（例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン）、キサンテン類（例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンＢ、ローズベンガル）、シアニン類（例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン）、メロシアニン類（例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン）、チアジン類（例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー）、アクリジン類（例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン）、アントラキノン類（例えば、アントラキノン）、スクアリウム類（例えば、スクアリウム）、アクリドン類（例えば、アクリドン、クロロアクリドン、Ｎ−メチルアクリドン、Ｎ−ブチルアクリドン、Ｎ−ブチル−クロロアクリドン等）、クマリン類（例えば、３−（２−ベンゾフロイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−ベンゾフロイル）−７−（１−ピロリジニル）クマリン、３−ベンゾイル−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−メトキシベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジメチルアミノベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３，３’−カルボニルビス（５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン）、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３−ベンゾイル−７−メトキシクマリン、３−（２−フロイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジエチルアミノシンナモイル）−７−ジエチルアミノクマリン、７−メトキシ−３−（３−ピリジルカルボニル）クマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジプロポキシクマリン等が挙げられ、他に特開平５−１９４７５号公報、特開平７−２７１０２８号公報、特開２００２−３６３２０６号公報、特開２００２−３６３２０７号公報、特開２００２−３６３２０８号公報、特開２００２−３６３２０９号公報などに記載のクマリン化合物など）が挙げられる。
【０１５４】
前記光重合開始剤と前記増感剤との組合せとしては、例えば、特開２００１−３０５７３４号公報に記載の電子移動型開始系［（１）電子供与型開始剤及び増感色素、（２）電子受容型開始剤及び増感色素、（３）電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤（三元開始系）］などの組合せが挙げられる。
【０１５５】
前記増感剤の含有率としては、前記感光性ソルダーレジスト組成物中の全成分に対し、０．０５〜３０質量％が好ましく、０．１〜２０質量％がより好ましく、０．２〜１０質量％が特に好ましい。該含有率が、０．０５質量％未満であると、活性エネルギー線への感度が低下し、露光プロセスに時間がかかり、生産性が低下することがあり、３０質量％を超えると、保存時に前記感光性ソルダーレジスト層から前記増感剤が析出することがある。
【０１５６】
前記光重合開始剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
前記光重合開始剤の特に好ましい例としては、後述する露光において、波長が４０５ｎｍのレーザ光に対応可能である、前記ホスフィンオキサイド類、前記α−アミノアルキルケトン類、前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物と後述する増感剤としてのアミン化合物とを組合せた複合光開始剤、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、あるいは、チタノセンなどが挙げられる。
【０１５７】
前記光重合開始剤の前記感光性ソルダーレジスト組成物における含有率としては、０．１〜３０質量％が好ましく、０．５〜２０質量％がより好ましく、０．５〜１５質量％が特に好ましい。
【０１５８】
―その他の成分―
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱架橋剤、熱重合禁止剤、着色剤、体質顔料が挙げられ、更に、これらのその他の成分に、基材表面への密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を併用してもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、前記感光性ソルダーレジストフィルムの安定性、写真性、膜物性などの性質を調整することができる。
【０１５９】
−−熱架橋剤−−
前記熱架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光性ソルダーレジスト組成物を用いて形成される感光性ソルダーレジスト層の硬化後の膜強度を改良するために、現像性等などに悪影響を与えない範囲で、例えば、１分子内に少なくとも２つのオキシラン基を有するエポキシ樹脂化合物、１分子内に少なくとも２つのオキセタニル基を有するオキセタン化合物を用いることができる。
前記エポキシ樹脂化合物としては、例えば、ビキシレノール型若しくはビフェノール型エポキシ樹脂（「ＹＸ４０００；ジャパンエポキシレジン社製」等）又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂（「ＴＥＰＩＣ；日産化学工業社製」、「アラルダイトＰＴ８１０；チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等）、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂（「ＥＳＮ−１９０，ＥＳＮ−３６０；新日鉄化学社製」、「ＨＰ−４０３２，ＥＸＡ−４７５０，ＥＸＡ−４７００；大日本インキ化学工業社製」等）、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（「ＨＰ−７２００，ＨＰ−７２００Ｈ；大日本インキ化学工業社製」等）、グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂（「ＣＰ−５０Ｓ，ＣＰ−５０Ｍ；日本油脂社製」等）、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限られるものではない。これらのエポキシ樹脂は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１６０】
前記オキセタン化合物としては、例えば、ビス［（３−メチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エーテル、ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エーテル、１，４−ビス［（３−メチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、１，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、（３−メチル−３−オキセタニル）メチルアクリレート、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルアクリレート、（３−メチル−３−オキセタニル）メチルメタクリレート、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルメタクリレート又はこれらのオリゴマーあるいは共重合体等の多官能オキセタン類の他、オキセタン基と、ノボラック樹脂、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、カルド型ビスフェノール類、カリックスアレーン類、カリックスレゾルシンアレーン類、シルセスキオキサン等の水酸基を有する樹脂など、とのエーテル化合物が挙げられ、この他、オキセタン環を有する不飽和モノマーとアルキル（メタ）アクリレートとの共重合体なども挙げられる。
【０１６１】
前記エポキシ樹脂化合物又はオキセタン化合物の前記感光性ソルダーレジスト組成物固形分中の固形分含有率は、１〜５０質量％が好ましく、３〜３０質量％がより好ましい。該固形分含有率が１質量％未満であると、硬化膜の吸湿性が高くなり、絶縁性の劣化を生ずる、あるいは、半田耐熱性や耐無電解メッキ性等などが低下することがあり、５０質量％を超えると、現像性の悪化や露光感度の低下が生ずることがあり、好ましくない。
【０１６２】
また、前記エポキシ樹脂化合物や前記オキセタン化合物の熱硬化を促進するため、例えば、ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、４−（ジメチルアミノ）−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、４−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のアミン化合物；トリエチルベンジルアンモニウムクロリド等の４級アンモニウム塩化合物；ジメチルアミン等のブロックイソシアネート化合物；イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体二環式アミジン化合物及びその塩；トリフェニルホスフィン等のリン化合物；メラミン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナミン化合物；２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−Ｓ−トリアジン、２−ビニル−２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２−ビニル−４，６−ジアミノ−Ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−Ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等のＳ−トリアジン誘導体；などを用いることができる。これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。なお、前記エポキシ樹脂化合物や前記オキセタン化合物の硬化触媒、あるいは、これらとカルボキシル基の反応を促進することができるものであれば、特に制限はなく、上記以外の熱硬化を促進可能な化合物を用いてもよい。
前記エポキシ樹脂、前記オキセタン化合物、及びこれらとカルボン酸との熱硬化を促進可能な化合物の前記感光性ソルダーレジスト組成物固形分中の固形分含有率は、通常０．０１〜１５質量％である。
【０１６３】
また、前記熱架橋剤としては、特開平５−９４０７号公報記載のポリイソシアネート化合物を用いることができ、該ポリイソシアネート化合物は、少なくとも２つのイソシアネート基を含む脂肪族、環式脂肪族又は芳香族基置換脂肪族化合物から誘導されていてもよい。
具体的には、１，３−フェニレンジイソシアネートと１，４−フェニレンジイソシアネートとの混合物、２，４−及び２，６−トルエンジイソシアネート、１，３−及び１，４−キシリレンジイソシアネート、ビス（４−イソシアネート−フェニル）メタン、ビス（４−イソシアネートシクロヘキシル）メタン、イソフォロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の２官能イソシアネート；該２官能イソシアネートと、トリメチロールプロパン、ペンタリスルトール、グリセリン等との多官能アルコール；該多官能アルコールのアルキレンオキサイド付加体と、前記２官能イソシアネートとの付加体；ヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−１，６−ジイソシアネート及びその誘導体等の環式三量体；などが挙げられる。
【０１６４】
更に、前記感光性ソルダーレジストフィルムの保存性を向上させることを目的として、前記ポリイソシアネート及びその誘導体のイソシアネート基にブロック剤を反応させて得られる化合物を用いてもよい。
前記イソシアネート基ブロック剤としては、イソプロパノール、ｔｅｒｔ．−ブタノール等のアルコール類；ε−カプロラクタム等のラクタム類、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔｅｒｔ．−ブチルフェノール、ｐ−ｓｅｃ．−ブチルフェノール、ｐ−ｓｅｃ．−アミルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール等のフェノール類；３−ヒドロキシピリジン、８−ヒドロキシキノリン等の複素環式ヒドロキシル化合物；ジアルキルマロネート、メチルエチルケトキシム、アセチルアセトン、アルキルアセトアセテートオキシム、アセトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等の活性メチレン化合物；などが挙げられる。これらの他、特開平６−２９５０６０号公報記載の分子内に少なくとも１つの重合可能な二重結合及び少なくとも１つのブロックイソシアネート基のいずれかを有する化合物などを用いることができる。
【０１６５】
また、アルデヒド縮合生成物、樹脂前駆体などを用いることができる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ジメチロール尿素、Ｎ，Ｎ’−ジメチロールマロンアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチロールスクシンイミド、トリメチロールメラミン、テトラメチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、１，３−Ｎ，Ｎ’−ジメチロールテレフタルアミド、２，４，６−トリメチロールフェノール、２，６−ジメチロール−４−メチロアニソール、１，３−ジメチロール−４，６−ジイソプロピルベンゼンなどが挙げられる。なお、これらのメチロール化合物の代わりに、対応するエチル若しくはブチルエーテル、又は酢酸あるいはプロピオン酸のエステルを使用してもよい。また、メラミンと尿素とのホルムアルデヒド縮合生成物とからなるヘキサメトキシメチルメラミンや、メラミンとホルムアルデヒド縮合生成物のブチルエーテルなどを使用してもよい。
【０１６６】
前記熱架橋剤の前記感光性ソルダーレジスト組成物固形分中の固形分含有率は、１〜４０質量％が好ましく、３〜２０質量％がより好ましく、５〜２５質量％が特に好ましい。該固形分含有率が１質量％未満であると、硬化膜の膜強度の向上が認められず、４０質量％を超えると、現像性の低下や露光感度の低下を生ずることがある。
【０１６７】
−−熱重合禁止剤−−
前記熱重合禁止剤は、前記重合性化合物の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加することが可能である。
前記熱重合禁止剤としては、例えば、４−メトキシフェノール、ハイドロキノン、アルキルまたはアリール置換ハイドロキノン、ｔ−ブチルカテコール、ピロガロール、２−ヒドロキシベンゾフェノン、４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナフチルアミン、β−ナフトール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−クレゾール、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ピクリン酸、４−トルイジン、メチレンブルー、銅と有機キレート剤反応物、サリチル酸メチル、及びフェノチアジン、ニトロソ化合物、ニトロソ化合物とＡｌとのキレート等が挙げられる。
【０１６８】
前記熱重合禁止剤の含有率としては、前記重合性化合物に対して０．００１〜５質量％が好ましく、０．００５〜２質量％がより好ましく、０．０１〜１質量％が特に好ましい。該含有率が、０．００１質量％未満であると、保存時の安定性が低下することがあり、５質量％を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。
【０１６９】
―着色剤―
前記着色剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビクトリア・ピュアーブルーＢＯ（Ｃ．Ｉ．４２５９５）、オーラミン（Ｃ．Ｉ．４１０００）、ファット・ブラックＨＢ（Ｃ．Ｉ．２６１５０）、モノライト・エローＧＴ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・エロー１２）、パーマネント・エローＧＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・エロー１７）、パーマネント・エローＨＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・エロー８３）、パーマネント・カーミンＦＢＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１４６）、ホスターバームレッドＥＳＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・バイオレット１９）、パーマネント・ルビーＦＢＨ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１１）ファステル・ピンクＢスプラ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド８１）モナストラル・ファースト・ブルー（Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５）、モノライト・ファースト・ブラックＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブラック１）、カーボン、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド９７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１２２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１４９、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１６８、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１７７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１８０、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１９２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド２１５、Ｃ．Ｉ．ピグメント・グリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・グリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：４、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー２２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー６０、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー６４などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、必要に応じて、公知の染料の中から、適宜選択した染料を使用することができる。
【０１７０】
前記着色顔料の前記感光性ソルダーレジスト組成物固形分中の固形分含有率は、ソルダーレジストを形成する際の感光性ソルダーレジスト層の露光感度、解像性などを考慮して決めることができ、前記着色顔料の種類により異なるが、一般的には０．０５〜１０質量％が好ましく、０．０７５〜８質量％がより好ましく、０．１〜５質量％が特に好ましい。
【０１７１】
−−体質顔料−−
前記体質顔料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、形成された永久パターンの表面硬度の向上、低熱膨張係数化、硬化膜自体の誘電率及び誘電正接の低減効果の点から、無機顔料や有機微粒子が好適に挙げられる。
前記無機顔料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカなどが挙げられる。
前記無機顔料の平均粒径は、１０μｍ未満が好ましく、３μｍ以下がより好ましい。該平均粒径が１０μｍ以上であると、光錯乱により解像度が劣化することがある。
前記有機微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂などが挙げられる。また、平均粒径１〜５μｍ、吸油量１００〜２００ｍ２／ｇ程度のシリカ、架橋樹脂からなる球状多孔質微粒子などを用いることができる。
【０１７２】
前記体質顔料の前記感光性ソルダーレジスト組成物における含有率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１０〜６０質量％であることが好ましい。前記添加量が１０質量％未満であると、表面硬度の向上、熱膨張係数の低下が十分ではないことがあり、６０質量％を超えると、感光性ソルダーレジスト層表面に硬化膜を形成した場合に、該硬化膜の膜質が脆くなり、永久パターンを用いて配線を形成する場合において、配線の保護膜としての機能が損なわれることがある。
【０１７３】
−−密着促進剤−−
各層間の密着性、又は感光性ソルダーレジスト層と基材との密着性を向上させるために、各層に公知のいわゆる密着促進剤を用いることが可能である。
【０１７４】
前記密着促進剤としては、例えば、特開平５−１１４３９号公報、特開平５−３４１５３２号公報及び特開平６−４３６３８号公報などに記載の密着促進剤が好適挙げられる。具体的には、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンズオキサゾール、２−メルカプトベンズチアゾール、３−モルホリノメチル−１−フェニル−トリアゾール−２−チオン、３−モルホリノメチル−５−フェニル−オキサジアゾール−２−チオン、５−アミノ−３−モルホリノメチル−チアジアゾール−２−チオン、及び２−メルカプト−５−メチルチオ−チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノ基含有ベンゾトリアゾール、シランカップリング剤などが挙げられる。
【０１７５】
前記密着促進剤の含有率としては、前記感光性ソルダーレジスト組成物中の全成分に対して０．００１〜２０質量％が好ましく、０．０１〜１０質量％がより好ましく、０．１〜５質量％が特に好ましい。
前記感光性ソルダーレジスト組成物が、前記密着促進剤を含有することにより、各層間の密着性、又は感光性ソルダーレジスト層と基材との密着性を向上されることが可能となる。
【０１７６】
−−第２の感光性ソルダーレジスト層−−
前記第２の感光性ソルダーレジスト層は、前記第１の感光性ソルダーレジスト層とともに、支持体上に積層され、第１の感光性ソルダーレジスト層より硬度を軟らかくし、流動性を高めることにより、基板上に積層される際、基板面との接着性を向上させるとともに、前記基板上の凸状部位の凸部の高さ方向に対して、塑性変形することにより、吸収し積層体の表面を平坦化する機能がある。
前記第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みとしては、第１の感光性ソルダーレジスト層と下記の関係にあれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１〜５００μｍが好ましく、２〜５０μｍがより好ましく、４〜３０μｍが特に好ましい。
【０１７７】
前記第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みをＳ１とし、第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みをＳ２としたとき、Ｓ１／Ｓ２が１／９〜９／１であることが好ましく、１／６〜６／１であることがより好ましい。１／９未満であると、第１の感光性ソルダーレジスト層の弾性が弱く、より流動的になり、全体的に均一な永久パターンを得られなくことがあり、９／１を超えると、第１の感光性ソルダーレジスト層の弾性が強く、流動性が弱まり凸状部位の高さを第２の感光性ソルダーレジスト層が吸収することができないことがあり永久パターンの平坦化が得られないことがある。
【０１７８】
―感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度―
前記第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板上にラミネートする際のラミネート温度における、第１の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度をη１、第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度をη２としたとき、次式、η１＞η２、を満たす溶融粘度が挙げられる。
前記第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度η２としては、前記第１の感光性ソルダーレジスト層より相対的に軟らかければ、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、基板上にラミネートする際のラミネート温度７０〜１００℃において、５０〜３００Ｐａ・ｓが好ましい。
前記溶融粘度η２が、５０Ｐａ・ｓ未満であると、ラミネートネーション時に流動性が高すぎるために、流出してしまい、十分なラミネート後のレジスト層の厚みが確保できないことがある。他方、この値が３００Ｐａ・sを超えると、基板積層時に追従性が不足し、基板との間に気泡が混入したり、硬化後の基板密着性が劣る。
【０１７９】
感光性ソルダーレジストのような転写用感光材料の場合の基板へのラミネート後の基板との密着性は、積層時の熱ロールの温度（７０〜１００℃）と溶融粘度関係が重要であって、一般的に感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度は、そのラミネート時の感光性ソルダーレジスト層温度（７０〜１００℃）で、１×１０２〜５×１０３Ｐａ・ｓ程度に低下する必要がある。
また一方、平坦性の確保のためには、この溶融粘度は高い方が好ましい。凹凸基板上にラミネートして、平坦性を保つためには、ラミネート温度において、溶融粘度が１×１０２〜５×１０３Ｐａ・ｓであることが好ましい。
更に、室温時（又は保存温度で）、溶融粘度が低すぎると、フィルムロールの端から染み出し（エッジフュージョン）保存性に悪影響するという問題があり、溶融粘度は保存時に１×１０５Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。室温において、保存する場合には、室温で１×１０５Ｐａ・ｓ以上に設計する必要がある。
したがって、第１の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度η１は（７０〜１００℃）において、４×１０２〜５×１０３Ｐａ・ｓが好ましく、室温で１×１０５Ｐａ・ｓ以上であることが好ましい。他方、第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度η２は、その溶融粘度よりも小さい溶融粘度が好ましい。
前記感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度の測定は、バイブロン（ＤＤ−ＩＩＩ型：東洋ボールドウィン株式会社製）などの溶融粘度測定装置を用いて測定することができる。
【０１８０】
前記第２の感光性ソルダーレジスト層は、アルカリ可溶性光架橋性樹脂、重合性化合物、光重合開始剤、エポキシ硬化剤及び無機微粒子（Ｂ）を少なくとも含み、該無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）が、第１の感光性ソルダーレジスト層に含まれる無機微粒子（Ａ）の含有率（質量％）の１／３以下が好ましく、必要に応じて適宜選択したその他の成分を含む第２の感光性ソルダーレジスト組成物からなり、無機微粒子（Ｂ）以外の成分は第１の感光性ソルダーレジスト組成物と同じ成分を用いてもよい。
【０１８１】
−−無機微粒子（Ｂ）−−
前記無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）を、前記第１の感光性ソルダーレジスト組成物に対する無機微粒子（Ａ）の含有率（質量％）に対して、１／３以下に小さくすることにより、前記第２の感光性ソルダーレジスト層の硬度を前記第１の感光性ソルダーレジスト層より比較的軟らかくし、塑性変形的な性質を付与する機能を有する。このような塑性変形により前記第２の感光性ソルダーレジスト層は、基板上に凸状部位があっても高さ方向に吸収でき、前記積層体の表面を平坦化することができる。
【０１８２】
前記無機微粒子（Ｂ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無機微粒子（Ａ）と同じ組成物を用いることができる。
前記無機微粒子（Ｂ）の含有率（質量％）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、第２の感光性ソルダーレジスト層に対して０〜３０質量％であることが好ましい。
【０１８３】
−−支持体−−
前記支持体としては、光の透過性が良好で、表面の平滑性が良好であるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、合成樹脂製などが挙げられる。前記合成樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ポリ（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフロロエチレン、ポリトリフロロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
なお、前記支持体としては、例えば、特開平４−２０８９４０号公報、特開平５−８０５０３号公報、特開平５−１７３３２０号公報、特開平５−７２７２４号公報などに記載の支持体を用いることもできる。
【０１８４】
前記支持体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、４〜３００μｍが好ましく、５〜１７５μｍがより好ましい。
【０１８５】
前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、長尺状が好ましい。前記長尺状の支持体の長さとしては、特に制限はなく、例えば、１０〜２，００００ｍの長さのものが挙げられる。
【０１８６】
−−保護フィルム−−
前記保護フィルムは、輸送時などは、前記感光性ソルダーレジスト層側に貼り付けられて、前記感光性ソルダーレジスト層の汚れ、損傷を防止して保護するとともに、前記感光性ソルダーレジストフィルムを基板上に積層するときには剥離される。
前記保護フィルムとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記支持体と同様のもの、シリコーン紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、ポリオレフィン又はポリテトラフルオルエチレンシート、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５〜１００μｍが好ましく、８〜３０μｍがより好ましい。
前記保護フィルムを用いる場合、前記感光性ソルダーレジスト層及び前記支持体の接着力Ｘと、前記感光性ソルダーレジスト層及び保護フィルムの接着力Ｙとが、接着力Ｘ＞接着力Ｙの関係であることが好ましい。
前記支持体と保護フィルムとの組合せ（支持体／保護フィルム）としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレン、ポリ塩化ビニル／セロフアン、ポリイミド／ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、上述のような接着力の関係を満たすことができる。前記支持体の表面処理は、前記感光性ソルダーレジスト層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。
【０１８７】
また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数としては、０．３〜１．４が好ましく、０．５〜１．２がより好ましい。
前記静摩擦係数が、０．３未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、１．４を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
【０１８８】
前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光性ソルダーレジスト層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、３０〜１５０℃（特に５０〜１２０℃）で１〜３０分間乾燥させることにより形成させることができる。
【０１８９】
前記感光性ソルダーレジストフィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。前記長尺状の感光性ソルダーレジストフィルムの長さとしては、特に制限はなく、例えば、１０〜２０，０００ｍの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、１００〜１，０００ｍの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状の感光性ソルダーレジストフィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター（特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの）を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。
【０１９０】
前記感光性ソルダーレジストフィルムは、表面のタック性が小さく、ラミネート性及び取扱い性が良好で、保存安定性に優れ、現像後に優れた耐薬品性、表面硬度、耐熱性等を発現する感光性ソルダーレジスト組成物が積層された前記感光性ソルダーレジスト層を有してなる。このため、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などのディスプレイ用部材、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの永久パターン形成用としても広く用いることができ、プリント配線板の製造方法に好適に用いることができる。
特に、前記感光性ソルダーレジストフィルムは、該フィルムの厚みが均一であるため、ソルダーレジストの形成に際し、基材への積層がより精細に行われる。
【０１９１】
前記感光性ソルダーレジストフィルムで形成されるソルダーレジスト、保護膜、絶縁膜（層間絶縁膜）であることが好ましい。前記ソルダーレジストは、配線を外部からの衝撃や曲げから保護することができ、また、多層配線基板、ビルドアップ配線基板などの絶縁膜として好適である。
【０１９２】
−−その他の層−−
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、クッション層、酸素遮断層（ＰＣ層）などがあってもよい。
【０１９３】
―永久パターン形成方法―
本発明の永久パターン形成方法は、積層体形成工程、露光工程、現像工程、支持体除去工程、及び必要に応じて適宜選択したその他の工程からなる。
【０１９４】
−−積層体形成工程−−
前記積層体形成工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、支持体上に感光性ソルダーレジスト組成物からなる感光性ソルダーレジスト層を有する感光性ソルダーレジストフィルムを、該感光性ソルダーレジスト層を、凸状部位を有する基体における該凸状部位が露出する面上に当接させて積層する工程でもよく、前記感光性ソルダーレジスト組成物からなる溶液を凸状部位を有する基体における該凸状部位が露出する面上に直接塗布して積層する工程でもよい。
【０１９５】
前記感光性ソルダーレジストフィルムを用いた積層工程の場合、前記積層により、前記基体、前記感光性ソルダーレジスト層及び前記支持体が、この順に積層された積層体が形成され、前記溶液を用いた積層工程の場合、前記基体、前記感光性ソルダーレジスト層がこの順に積層された積層体が形成される。
前記積層体における層構成としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プリント配線板の導体回路側に前記感光性ソルダーレジスト層と前記支持体が積層された層構成、前記感光性ソルダーレジスト層のみが積層された層構成、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層上に前記感光性ソルダーレジスト層及び前記支持体が積層された層構成、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層上に前記感光性ソルダーレジスト層のみが積層された層構成などが挙げられる。
【０１９６】
−−感光性ソルダーレジストフィルムによる感光性ソルダーレジスト層の積層−−
前記感光性ソルダーレジストフィルムによる積層方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記基体上の凸状部位が露出する面上に前記感光性ソルダーレジストフィルムにおける前記感光性ソルダーレジスト層を当接させ、加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら前記感光性ソルダーレジスト層を積層する方法などが挙げられる。
前記加熱温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１５〜１８０℃が好ましく、６０〜１４０℃がより好ましい。
前記加圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．１〜１．０ＭＰａが好ましく、０．２〜０．８ＭＰａがより好ましい。
【０１９７】
前記加熱及び加圧の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター、真空ラミネーターなどが好適に挙げられる。
【０１９８】
前記加熱及び加圧の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラミネーター（例えば、大成ラミネータ社製、ＶＰ−ＩＩ）などが好適に挙げられる。
【０１９９】
−−塗布による感光性ソルダーレジスト層の積層−−
前記塗布による感光性ソルダーレジスト層の積層方法として、感光性ソルダーレジスト組成物を水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性ソルダーレジスト組成物溶液を調製し、該溶液を前記プリント配線板の表面に、直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法などが挙げられる。
【０２００】
前記感光性ソルダーレジスト組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノールなどのエーテル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０２０１】
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコーター、スリットスピンコーター、ロールコーター、ダイコーター、カーテンコーターなどを用いて、前記基材に直接塗布する方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常６０〜１１０℃の温度で３０秒間〜１５分間程度である。
【０２０２】
前記感光性ソルダーレジスト層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、３〜１００μｍが好ましく、５〜７０μｍがより好ましい。
【０２０３】
―基体―
前記基体としては、特に制限はなく、公知の材料の中から表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を有するものまで適宜選択することができるが、板状の基体（基板）が好ましく、具体的には、公知のプリント配線板形成用基板（例えば、銅張積層板）、樹脂板、樹脂の積層体、ガラス板（例えば、ソーダガラス板等）、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられる。これらの中でも、表面に凸状部位を有するプリント配線板形成用基板、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層に凸状部位を有する樹脂の積層体などが好適である。
【０２０４】
―凸状部位―
前記凸状部位としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プリント配線板形成用基板における導体回路部分、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層における導体回路部分、ガラス板における隔壁部分などが挙げられる。
【０２０５】
−−その他の層−−
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、剥離層、光吸収層、表面保護層などが挙げられる。
前記その他の層の前記感光性ソルダーレジストフィルムにおける配置、厚み等は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０２０６】
−−感光性ソルダーレジストフィルムの製造方法−−
前記感光性ソルダーレジストフィルムは、例えば、次のようにして製造することができる。
まず、上述の各種材料を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて第１の感光性樹脂組成物溶液及び第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を調製する。
【０２０７】
前記感光性樹脂組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｎ−ヘキサノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−ｎ−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類；トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、１，１，１−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノールなどのエーテル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。
【０２０８】
前記乳化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドデシルベンゼンスルフォン酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウム、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウム、ジアルキルスルホコハク酸ナトリウム、ナフタレンスルフォン酸のホルマリン縮合物、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルサルフェートアンモニウム塩等のアニオン乳化剤、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノステアレート、ソルビタンモノステアレートなどのノニオン系乳化剤などが挙げられる。
【０２０９】
次に、前記第１の感光性樹脂組成物溶液を前記支持体上に塗布し、前記第１の感光性ソルダーレジスト層を積層し、更に前記第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を前記第１の感光性ソルダーレジスト層上に塗布し、乾燥させることにより第２の感光性ソルダーレジスト層を形成し、感光性ソルダーレジストフィルムを製造することができる。
前記各感光性樹脂組成物溶液の塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法、スリットコート法、エクストルージョンコート法、カーテンコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ワイヤーバーコート法、ナイフコート法等の各種の塗布方法が挙げられる。
【０２１０】
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常６０〜１１０℃の温度で３０秒間〜１５分間程度である。
【０２１１】
前記感光性ソルダーレジストフィルムは、基板への積層前には、例えば、前記感光性ソルダーレジスト層が前記保護フィルムで被覆されていることが好ましい。
【０２１２】
前記感光性ソルダーレジストフィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。前記長尺状の感光性ソルダーレジストフィルムの長さとしては、特に制限はなく、例えば、１０〜２０，０００ｍの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、１００〜１，０００ｍの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状の感光性ソルダーレジストフィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター（特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの）を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。
【０２１３】
前記感光性ソルダーレジストフィルムは、表面のタック性が小さく、ラミネート性及び取扱い性が良好で、保存安定性に優れ、現像後に優れた耐薬品性、表面硬度、耐熱性等を発現する感光性ソルダーレジスト組成物が積層された前記感光性ソルダーレジスト層を有してなる。このため、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などのディスプレイ用部材、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの永久パターン形成用としても広く用いることができ、プリント配線板の製造方法に好適に用いることができる。
特に、前記感光性ソルダーレジストフィルムは、該フィルムの厚みが均一であるため、ソルダーレジストの形成に際し、基材への積層がより精細に行われる。
【０２１４】
前記感光性ソルダーレジストフィルムで形成されるソルダーレジスト、保護膜、絶縁膜（層間絶縁膜）であることが好ましい。前記ソルダーレジストは、配線を外部からの衝撃や曲げから保護することができ、また、多層配線基板、ビルドアップ配線基板などの絶縁膜として好適である。
【０２１５】
−−露光工程−−
前記露光工程は、前記感光性ソルダーレジスト層積層工程において積層された基板上の該第２の感光性ソルダーレジスト層及び第１の感光性ソルダーレジスト層に対し、形成しようとする永久パターンのパターン情報に基づいて、光照射手段から照射される光を変調させ、マイクロレンズアレイを通してレーザ露光を行う工程であり、前記露光を行った前記第２の感光性ソルダーレジスト層及び第１の感光性ソルダーレジスト層は光重合反応により硬化し、更に後述のポストベークにより熱重合反応により完全に硬化する。
【０２１６】
図５は、導体回路４の幅が８０μｍである場合、図６は、導体回路４の幅が２０μｍの場合であり、いずれも前記露光の後、未硬化部分を除去する現像処理を行った状態の積層体の部分断面で、前記現像工程において、加熱・乾燥（ポストベーク）させ、積層体を完全硬化させると、導体回路４の角部の厚みが均一に確保され、表面に凹凸の無い平坦な永久パターンを得ることができる。
【０２１７】
必要に応じて、ビアホールを前記導体回路上に形成する場合には、導体回路の上に位置する感光性ソルダーレジスト層の領域に、露光して硬化させる硬化樹脂領域と、ビヤホール用の開口部を形成するため露光せずに感光性ソルダーレジスト層を硬化させない未硬化樹脂領域とを形成し、該未硬化樹脂領域を、後の現像工程により除去して、前記導体回路を露出させることにより、図６に示すようなビアホール６を有し、かつ導体回路４の角部の厚みが均一に確保され、表面に凹凸の無い平坦な永久パターンを形成することができる。
【０２１８】
―平坦度の測定方法−
前記平坦度の測定方法としては、永久パターン表面の凹凸が測定できる方法であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、接触式、非接触式などが挙げられるが、被測定物に損傷や負荷を与えることがない非接触式が好ましい。
前記非接触式の測定方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、レーザ干渉計、レーザハイトゲージによる測定などが挙げられる。
前記レーザ干渉計では、レーザビームを被測定物に反射させて、３Ｄ形状データから突起部分を認識し、認識した突起部分のピーク値を抽出し各々の座標値と高さ、並びにＰ−Ｐ値（高さのＭＡＸ値とＭＩＮ値の差）を算出し、その差を平坦度として把握することができる。
前記レーザハイトゲージでは、被測定物に照射し、その反射光を顕微鏡用対物レンズで集光してセンサへと導き、該センサで変位置を検出することにより数値化し複数箇所の座標置と高さの差を求めることができる。
前記平坦度としては、測定台などの平面上に、測定するプリント配線板を載置し、プリント配線板の永久パターン表面の導体回路の上に位置する部分、導体回路以外の上に位置する部分など複数箇所において、前記平面からの高さを計測し、低い部分複数個の平均と、高い部分複数個の平均との差を平坦度として測定する方法などが挙げられる。
【０２１９】
前記平坦度としては、２μｍ以下が好ましい。前記平坦度が２μｍを超えると、例えば、高密度化されてピン数の非常に多くなった微小電子部品を搭載しようとした場合に、その各導体回路に対する良好な接合が得られない。即ち、永久パターンの高さが前記導体回路より高すぎると、チップ部分の良好な実装ができないことがあり、永久パターンの高さが前記導体回路より低すぎると、良好な半田付けが得られないことがある。
【０２２０】
−−露光−−
前記露光（以下光照射ともいう。）は、前述のように、前記基体上に前記感光性ソルダーレジストフィルムを用いて形成された積層体に対して行われる。
前記露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、デジタル露光、アナログ露光等が挙げられるが、これらの中でもデジタル露光が好ましい。
【０２２１】
前記デジタル露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、形成するパターン形成情報に基づいて制御信号を生成し、該制御信号に応じて変調させた光を用いて行うことが好ましい。
【０２２２】
前記デジタル露光の手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、光を照射する光照射手段、形成するパターン情報に基づいて該光照射手段から照射される光を変調させる光変調手段などが挙げられる。
【０２２３】
−−光変調手段−−
前記光変調手段としては、光を変調することができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ｎ個の描素部を有することが好ましい。
前記ｎ個の描素部を有する光変調手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、空間光変調素子が好ましい。
【０２２４】
前記空間光変調素子としては、例えば、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子（ＳＬＭ；Ｓｐｅｃｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）、液晶光シャッタ（ＦＬＣ）などが挙げられ、これらの中でもＤＭＤが好適に挙げられる。
【０２２５】
また、前記光変調手段は、形成するパターン情報に基づいて制御信号を生成するパターン信号生成手段を有することが好ましい。この場合、前記光変調手段は、前記パターン信号生成手段が生成した制御信号に応じて光を変調させる。
前記制御信号としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、デジタル信号が好適に挙げられる。
【０２２６】
以下、前記光変調手段の一例について図面を参照しながら説明する。
ＤＭＤ５０は図２２に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）６０上に、各々描素（ピクセル）を構成する多数（例えば、１０２４個×７６８個）の微小ミラー（マイクロミラー）６２が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。各ピクセルにおいて、最上部には支柱に支えられたマイクロミラー６２が設けられており、マイクロミラー６２の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー６２の反射率は９０％以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向とも一例として１３．７μｍである。また、マイクロミラー６２の直下には、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのＳＲＡＭセル６０が配置されており、全体はモノリシックに構成されている。
【０２２７】
ＤＭＤ５０のＳＲＡＭセル６０にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー６２が、対角線を中心としてＤＭＤ５０が配置された基板側に対して±α度（例えば±１２度）の範囲で傾けられる。図２３（Ａ）は、マイクロミラー６２がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図２３（Ｂ）は、マイクロミラー６２がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。したがって、パターン情報に応じて、ＤＭＤ５０の各ピクセルにおけるマイクロミラー６２の傾きを、図２２に示すように制御することによって、ＤＭＤ５０に入射したレーザ光Ｂはそれぞれのマイクロミラー６２の傾き方向へ反射される。
【０２２８】
なお、図２４（Ａ）及び（Ｂ）には、ＤＭＤ５０の一部を拡大し、マイクロミラー６２が＋α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー６２のオンオフ制御は、ＤＭＤ５０に接続されたコントローラ３０２（図３３参照）によって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー６２で反射したレーザ光Ｂが進行する方向には、光吸収体（図示せず）が配置されている。
【０２２９】
また、ＤＭＤ５０は、その短辺が副走査方向と所定角度θ（例えば、０．１〜５°）を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図２４（Ａ）はＤＭＤ５０を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像（露光ビーム）５３の走査軌跡を示し、図２４（Ｂ）は、ＤＭＤ５０を傾斜させた場合の露光ビーム５３の走査軌跡を示している。
【０２３０】
ＤＭＤ５０には、長手方向にマイクロミラーが多数個（例えば、１０２４個）配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組（例えば、７５６組）配列されているが、図２４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０を傾斜させることにより、各マイクロミラーによる露光ビーム５３の走査軌跡（走査線）のピッチＰ２が、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査線のピッチＰ１より狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、ＤＭＤ５０の傾斜角は微小であるので、ＤＭＤ５０を傾斜させた場合の走査幅Ｗ２と、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査幅Ｗ１とは略同一である。
【０２３１】
次に、前記光変調手段における変調速度を速くさせる方法（以下「高速変調」と称する）について説明する。
前記光変調手段は、前記ｎ個の描素の中から連続的に配置された任意のｎ個未満の前記描素部をパターン情報に応じて制御可能であることが好ましい。前記光変調手段のデータ処理速度には限界があり、使用する描素数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、連続的に配列された任意のｎ個未満の描素部だけを使用することで１ライン当りの変調速度が速くなる。
【０２３２】
以下、前記高速変調について図面を参照しながら更に説明する。
ファイバアレイ光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光Ｂが照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系５４、５８により感光性ソルダーレジストフィルム１５０上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光が描素毎にオンオフされて、感光性ソルダーレジストフィルム１５０がＤＭＤ５０の使用描素数と略同数の描素単位（露光エリア１６８）で露光される。また、感光性ソルダーレジストフィルム１５０がステージ１５２と共に一定速度で移動されることにより、感光性ソルダーレジストフィルム１５０がスキャナ１６２により、ステージ移動方向と反対の方向に副走査され、露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。
【０２３３】
なお、本例では、図２５（Ａ）及（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０には、主走査方向にマイクロミラーが１０２４個配列されたマイクロミラー列が副走査方向に７６８組配列されているが、本例では、前記コントローラ３０２（図３３参照）により一部のマイクロミラー列（例えば、１０２４個×２５６列）だけが駆動するように制御がなされる。
【０２３４】
この場合、図２５（Ａ）に示すようにＤＭＤ５０の中央部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよく、図２５（Ｂ）示すように、ＤＭＤ５０の端部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよい。また、一部のマイクロミラーに欠陥が発生した場合は、欠陥が発生していないマイクロミラー列を使用するなど、状況に応じて使用するマイクロミラー列を適宜変更してもよい。
【０２３５】
ＤＭＤ５０のデータ処理速度には限界があり、使用する描素数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで１ライン当りの変調速度が速くなる。一方、連続的に露光ヘッドを露光面に対して相対移動させる露光方式の場合には、副走査方向の描素を全部使用する必要はない。
【０２３６】
スキャナ１６２による感光性ソルダーレジストフィルム１５０の副走査が終了し、センサ１６４で感光性ソルダーレジストフィルム１５０の後端が検出されると、ステージ１５２は、ステージ駆動装置３０４により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。
【０２３７】
例えば、７６８組のマイクロミラー列の内、３８４組だけ使用する場合には、７６８組全部使用する場合と比較すると１ライン当り２倍速く変調することができる。また、７６８組のマイクロミラー列の内、２５６組だけ使用する場合には、７６８組全部使用する場合と比較すると１ライン当り３倍速く変調することができる。
【０２３８】
以上説明した通り、本発明のソルダーレジスト形成方法によれば、主走査方向にマイクロミラーが１，０２４個配列されたマイクロミラー列が、副走査方向に７６８組配列されたＤＭＤを備えているが、コントローラにより一部のマイクロミラー列だけが駆動されるように制御することにより、全部のマイクロミラー列を駆動する場合に比べて、１ライン当りの変調速度が速くなる。
【０２３９】
また、ＤＭＤのマイクロミラーを部分的に駆動する例について説明したが、所定方向に対応する方向の長さが前記所定方向と交差する方向の長さより長い基板上に、各々制御信号に応じて反射面の角度が変更可能な多数のマイクロミラーが２次元状に配列された細長いＤＭＤを用いても、反射面の角度を制御するマイクロミラーの個数が少なくなるので、同様に変調速度を速くすることができる。
【０２４０】
また、前記露光の方法として、露光光と前記感光性ソルダーレジスト層とを相対的に移動しながら行うことが好ましく、この場合、前記高速変調と併用することが好ましい。これにより、短時間で高速の露光を行うことができる。
【０２４１】
その他、図２６に示すように、スキャナ１６２によるＸ方向への１回の走査で感光性ソルダーレジストフィルム１５０の全面を露光してもよく、図２７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、スキャナ１６２により感光性ソルダーレジストフィルム１５０をＸ方向へ走査した後、スキャナ１６２をＹ方向に１ステップ移動し、Ｘ方向へ走査を行うというように、走査と移動を繰り返して、複数回の走査で感光性ソルダーレジストフィルム１５０の全面を露光するようにしてもよい。なお、この例では、スキャナ１６２は１８個の露光ヘッド１６６を備えている。なお、露光ヘッドは、前記光照射手段と前記光変調手段とを少なくとも有する。
【０２４２】
前記露光は、前記感光性ソルダーレジスト層の一部の領域に対してされることにより該一部の領域が硬化され、後述の現像工程において、前記硬化させた一部の領域以外の未硬化領域が除去され、パターンが形成される。
【０２４３】
次に、前記光変調手段を含むソルダーレジストのパターン形成装置の一例について図面を参照しながら説明する。
前記光変調手段を含むパターン形成装置は、図２８に示すように、シート状の感光性ソルダーレジストフィルム１５０を表面に吸着して保持する平板状のステージ１５２を備えている。
４本の脚部１５４に支持された厚い板状の設置台１５６の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド１５８が設置されている。ステージ１５２は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド１５８によって往復移動可能に支持されている。なお、前記パターン形成装置には、ステージ１５２をガイド１５８に沿って駆動するための図示しない駆動装置を有している。
【０２４４】
設置台１５６の中央部には、ステージ１５２の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート１６０が設けられている。コ字状のゲート１６０の端部の各々は、設置台１５６の両側面に固定されている。このゲート１６０を挟んで一方の側にはスキャナ１６２が設けられ、他方の側には感光性ソルダーレジストフィルム１５０の先端及び後端を検知する複数（例えば、２個）の検知センサ１６４が設けられている。スキャナ１６２及び検知センサ１６４は、ゲート１６０に各々取り付けられて、ステージ１５２の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ１６２及び検知センサ１６４は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。
【０２４５】
スキャナ１６２は、図２９及び図３０に示すように、ｍ行ｎ列（例えば、３行５列）の略マトリックス状に配列された複数（例えば、１４個）の露光ヘッド１６６を備えている。この例では、感光性ソルダーレジストフィルム１５０の幅との関係で、３行目には４個の露光ヘッド１６６を配置した。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド１６６ｍｎと表記する。
【０２４６】
露光ヘッド１６６による露光エリア１６８は、副走査方向を短辺とする矩形状である。従って、ステージ１５２の移動に伴い、感光性ソルダーレジストフィルム１５０には露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア１６８ｍｎと表記する。
【０２４７】
また、図３０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、帯状の露光済み領域１７０が副走査方向と直交する方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッドの各々は、配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍、本例では２倍）ずらして配置されている。このため、１行目の露光エリア１６８１１と露光エリア１６８１２との間の露光できない部分は、２行目の露光エリア１６８２１と３行目の露光エリア１６８３１とにより露光することができる。
【０２４８】
露光ヘッド１６６１１〜１６６ｍｎ各々は、図３１及び図３２に示すように、入射された光ビームをパターン情報に応じて前記光変調手段（各描素毎に変調する空間光変調素子）として、米国テキサス・インスツルメンツ社製のデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）５０を備えている。ＤＭＤ５０は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた前記コントローラ３０２（図３３参照）に接続されている。このコントローラ３０２のデータ処理部では、入力されたパターン情報に基づいて、露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。なお、制御すべき領域については後述する。また、ミラー駆動制御部では、パターン情報処理部で生成した制御信号に基づいて、露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御に付いては後述する。
【０２４９】
ＤＭＤ５０の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）が、露光エリア１６８の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源６６、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系６７、レンズ系６７を透過したレーザ光をＤＭＤ５０に向けて反射するミラー６９がこの順に配置されている。なお、図３１では、レンズ系６７を概略的に示してある。
【０２５０】
レンズ系６７は、図３２に詳しく示すように、ファイバアレイ光源６６から出射した照明光としてのレーザ光Ｂを集光する集光レンズ７１、集光レンズ７１を通過した光の光路に挿入されたロッド状オプティカルインテグレータ（以下、ロッドインテグレータという）７２、及びロッドインテグレータ７２の前方つまりミラー６９側に配置された結像レンズ７４から構成されている。集光レンズ７１、ロッドインテグレータ７２及び結像レンズ７４は、ファイバアレイ光源６６から出射したレーザ光を、平行光に近くかつビーム断面内強度が均一化された光束としてＤＭＤ５０に入射させる。このロッドインテグレータ７２の形状や作用については、後に詳しく説明する。
【０２５１】
レンズ系６７から出射したレーザ光Ｂは、ミラー６９で反射し、ＴＩＲ（全反射）プリズム７０を介してＤＭＤ５０に照射される。なお、図３２では、このＴＩＲプリズム７０は省略してある。
【０２５２】
また、ＤＭＤ５０の光反射側には、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光Ｂを、感光性ソルダーレジストフィルム１５０上に結像する結像光学系５１が配置されている。この結像光学系５１は、図３１では概略的に示してあるが、図３２に詳細を示すように、レンズ系５２，５４からなる第１結像光学系と、レンズ系５７，５８からなる第２結像光学系と、これらの結像光学系の間に挿入されたマイクロレンズアレイ５５と、アパーチャアレイ５９とから構成されている。
【０２５３】
マイクロレンズアレイ５５は、ＤＭＤ５０の各描素に対応する多数のマイクロレンズ５５ａが２次元状に配列されてなるものである。本例では、後述するようにＤＭＤ５０の１０２４個×７６８列のマイクロミラーのうち１０２４個×２５６列だけが駆動されるので、それに対応させてマイクロレンズ５５ａは１０２４個×２５６列配置されている。またマイクロレンズ５５ａの配置ピッチは縦方向、横方向とも４１μｍである。このマイクロレンズ５５ａは、一例として焦点距離が０．１９ｍｍ、ＮＡ（開口数）が０．１１で、光学ガラスＢＫ７から形成されている。なおマイクロレンズ５５ａの形状については、後に詳しく説明する。そして、各マイクロレンズ５５ａの位置におけるレーザ光Ｂのビーム径は、４１μｍである。
【０２５４】
また、アパーチャアレイ５９は、マイクロレンズアレイ５５の各マイクロレンズ５５ａに対応する多数のアパーチャ（開口）５９ａが形成されてなるものである。アパーチャ５９ａの径は、例えば、１０μｍである。
【０２５５】
前記第１結像光学系は、ＤＭＤ５０による像を３倍に拡大してマイクロレンズアレイ５５上に結像する。そして、前記第２結像光学系は、マイクロレンズアレイ５５を経た像を１．６倍に拡大して感光性ソルダーレジストフィルム１５０上に結像、投影する。したがって全体では、ＤＭＤ５０による像が４．８倍に拡大して感光性ソルダーレジストフィルム１５０上に結像、投影されることになる。
【０２５６】
なお、前記第２結像光学系と感光性ソルダーレジストフィルム１５０との間にプリズムペア７３が配設され、このプリズムペア７３を図３２中で上下方向に移動させることにより、感光性ソルダーレジストフィルム１５０上における像のピントを調節可能となっている。なお同図中において、感光性ソルダーレジストフィルム１５０は矢印Ｆ方向に副走査送りされる。
【０２５７】
前記描素部としては、前記光照射手段からの光を受光し出射することができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明の永久パターン形成方法により形成されるパターンが画像パターンである場合には、画素であり、前記光変調手段がＤＭＤを含む場合にはマイクロミラーである。
前記光変調素子が有する描素部の数（前記ｎ）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記光変調素子における描素部の配列としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、２次元状に配列していることが好ましく、格子状に配列していることがより好ましい。
【０２５８】
−−光照射手段−−
前記光照射手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（超）高圧水銀灯、キセノン灯、カーボンアーク灯、ハロゲンランプ、複写機用などの蛍光管、ＬＥＤ、半導体レーザ等の公知光源、又は２以上の光を合成して照射可能な手段が挙げられ、これらの中でも２以上の光を合成して照射可能な手段が好ましい。
前記光照射手段から照射される光としては、例えば、支持体を介して光照射を行う場合には、該支持体を透過し、かつ用いられる光重合開始剤や増感剤を活性化する電磁波、紫外から可視光線、電子線、Ｘ線、レーザ光などが挙げられ、これらの中でもレーザ光が好ましく、２以上の光を合成したレーザ（以下、「合波レーザ」と称することがある）がより好ましい。また支持体を剥離してから光照射を行う場合でも、同様の光を用いることができる。
【０２５９】
前記紫外から可視光線の波長としては、例えば、３００〜１，５００ｎｍが好ましく、３２０〜８００ｎｍがより好ましく、３３０〜６５０ｎｍが特に好ましい。
前記レーザ光の波長としては、例えば、２００〜１，５００ｎｍが好ましく、３００〜８００ｎｍがより好ましく、３３０〜５００ｎｍが更に好ましく、４００〜４５０ｎｍが特に好ましい。
【０２６０】
前記合波レーザを照射可能な手段としては、例えば、複数のレーザと、マルチモード光ファイバと、該複数のレーザからそれぞれ照射したレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバに結合させる集合光学系とを有する手段が好ましい。
【０２６１】
以下、前記合波レーザを照射可能な手段（ファイバアレイ光源）について図を参照しながら説明する。
【０２６２】
ファイバアレイ光源６６は図４８ａ（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、複数（例えば、１４個）のレーザモジュール６４を備えており、各レーザモジュール６４には、マルチモード光ファイバ３０の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ３０の他端には、コア径がマルチモード光ファイバ３０と同一でかつクラッド径がマルチモード光ファイバ３０より小さい光ファイバ３１が結合されている。図４８ｂに詳しく示すように、マルチモード光ファイバ３１の光ファイバ３０と反対側の端部は副走査方向と直交する主走査方向に沿って７個並べられ、それが２列に配列されてレーザ出射部６８が構成されている。
【０２６３】
マルチモード光ファイバ３１の端部で構成されるレーザ出射部６８は、図４８ｂに示すように、表面が平坦な２枚の支持板６５に挟み込まれて固定されている。また、マルチモード光ファイバ３１の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。マルチモード光ファイバ３１の光出射端面は、光密度が高いため集塵し易く劣化し易いが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。
【０２６４】
この例では、クラッド径が小さい光ファイバ３１の出射端を隙間無く１列に配列するために、クラッド径が大きい部分で隣接する２本のマルチモード光ファイバ３０の間にマルチモード光ファイバ３０を積み重ね、積み重ねられたマルチモード光ファイバ３０に結合された光ファイバ３１の出射端が、クラッド径が大きい部分で隣接する２本のマルチモード光ファイバ３０に結合された光ファイバ３１の２つの出射端の間に挟まれるように配列されている。
【０２６５】
このような光ファイバは、例えば、図４９に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ３０のレーザ光出射側の先端部分に、長さ１〜３０ｃｍのクラッド径が小さい光ファイバ３１を同軸的に結合することにより得ることができる。２本の光ファイバは、光ファイバ３１の入射端面が、マルチモード光ファイバ３０の出射端面に、両光ファイバの中心軸が一致するように融着されて結合されている。上述した通り、光ファイバ３１のコア３１ａの径は、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの径と同じ大きさである。
【０２６６】
また、長さが短くクラッド径が大きい光ファイバにクラッド径が小さい光ファイバを融着させた短尺光ファイバを、フェルールや光コネクタ等を介してマルチモード光ファイバ３０の出射端に結合してもよい。コネクタ等を用いて着脱可能に結合することで、クラッド径が小さい光ファイバが破損した場合等に先端部分の交換が容易になり、露光ヘッドのメンテナンスに要するコストを低減できる。なお、以下では、光ファイバ３１を、マルチモード光ファイバ３０の出射端部と称する場合がある。
【０２６７】
マルチモード光ファイバ３０及び光ファイバ３１としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、及び複合型光ファイバの何れでもよい。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本実施の形態では、マルチモード光ファイバ３０及び光ファイバ３１は、ステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ３０は、クラッド径＝１２５μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２、入射端面コートの透過率＝９９．５％以上であり、光ファイバ３１は、クラッド径＝６０μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２である。
【０２６８】
一般に、赤外領域のレーザ光では、光ファイバのクラッド径を小さくすると伝搬損失が増加する。このため、レーザ光の波長帯域に応じて好適なクラッド径が決定されている。しかしながら、波長が短いほど伝搬損失は少なくなり、ＧａＮ系半導体レーザから出射された波長４０５ｎｍのレーザ光では、クラッドの厚み｛（クラッド径−コア径）／２｝を８００ｎｍの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の１／２程度、通信用の１．５μｍの波長帯域の赤外光を伝搬させる場合の約１／４にしても、伝搬損失は殆ど増加しない。従って、クラッド径を６０μｍと小さくすることができる。
【０２６９】
ただし、光ファイバ３１のクラッド径は６０μｍには限定されない。従来のファイバアレイ光源に使用されている光ファイバのクラッド径は１２５μｍであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、マルチモード光ファイバのクラッド径は８０μｍ以下が好ましく、６０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下が特に好ましい。一方、コア径は少なくとも３〜４μｍ必要であることから、光ファイバ３１のクラッド径は１０μｍ以上が好ましい。
【０２７０】
レーザモジュール６４は、図５０に示す合波レーザ光源（ファイバアレイ光源）によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック１０上に配列固定された複数（例えば、７個）のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのＧａＮ系半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６，及びＬＤ７と、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々に対応して設けられたコリメータレンズ１１，１２，１３，１４，１５，１６，及び１７と、１つの集光レンズ２０と、１本のマルチモード光ファイバ３０と、から構成されている。なお、半導体レーザの個数は７個には限定されない。例えば、クラッド径＝６０μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２のマルチモード光ファイバには、２０個もの半導体レーザ光を入射することが可能であり、露光ヘッドの必要光量を実現して、かつ光ファイバ本数をより減らすことができる。
【０２７１】
ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、発振波長が総て共通（例えば、４０５ｎｍ）であり、最大出力も総て共通（例えば、マルチモードレーザでは１００ｍＷ、シングルモードレーザでは３０ｍＷ）である。なお、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、３５０〜４５０ｎｍの波長範囲で、上記の４０５ｎｍ以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。
【０２７２】
前記合波レーザ光源は、図５１及び図５２に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ４０内に収納されている。パッケージ４０は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋４１を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ４０の開口をパッケージ蓋４１で閉じることにより、パッケージ４０とパッケージ蓋４１とにより形成される閉空間（封止空間）内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。
【０２７３】
パッケージ４０の底面にはベース板４２が固定されており、このベース板４２の上面には、前記ヒートブロック１０と、集光レンズ２０を保持する集光レンズホルダー４５と、マルチモード光ファイバ３０の入射端部を保持するファイバホルダー４６とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ３０の出射端部は、パッケージ４０の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。
【０２７４】
また、ヒートブロック１０の側面にはコリメータレンズホルダー４４が取り付けられており、コリメータレンズ１１〜１７が保持されている。パッケージ４０の横壁面には開口が形成され、この開口を通してＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７に駆動電流を供給する配線４７がパッケージ外に引き出されている。
【０２７５】
なお、図５２においては、図の煩雑化を避けるために、複数のＧａＮ系半導体レーザのうちＧａＮ系半導体レーザＬＤ７にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ１７にのみ番号を付している。
【０２７６】
図５３は、前記コリメータレンズ１１〜１７の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメータレンズ１１〜１７の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ１１〜１７は、長さ方向がＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の発光点の配列方向（図５３の左右方向）と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。
【０２７７】
一方、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、発光幅が２μｍの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々、例えば１０°、３０°の状態で各々レーザ光Ｂ１〜Ｂ７を発するレーザが用いられている。これらＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、活性層と平行な方向に発光点が１列に並ぶように配設されている。
【０２７８】
したがって、各発光点から発せられたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ１１〜１７に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向（長さ方向と直交する方向）と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズ１１〜１７の幅が１．１ｍｍ、長さが４．６ｍｍであり、それらに入射するレーザ光Ｂ１〜Ｂ７の水平方向、垂直方向のビーム径は各々０．９ｍｍ、２．６ｍｍである。また、コリメータレンズ１１〜１７の各々は、焦点距離ｆ１＝３ｍｍ、ＮＡ＝０．６、レンズ配置ピッチ＝１．２５ｍｍである。
【０２７９】
集光レンズ２０は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ１１〜１７の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ２０は、焦点距離ｆ２＝２３ｍｍ、ＮＡ＝０．２である。この集光レンズ２０も、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。
【０２８０】
また、ＤＭＤを照明する光照射手段に、合波レーザ光源の光ファイバの出射端部をアレイ状に配列した高輝度のファイバアレイ光源を用いているので、高出力でかつ深い焦点深度を備えたパターン形成装置を実現することができる。更に、各ファイバアレイ光源の出力が大きくなることで、所望の出力を得るために必要なファイバアレイ光源数が少なくなり、パターン形成装置の低コスト化が図られる。
【０２８１】
また、光ファイバの出射端のクラッド径を入射端のクラッド径よりも小さくしているので、発光部径がより小さくなり、ファイバアレイ光源の高輝度化が図られる。これにより、より深い焦点深度を備えたパターン形成装置を実現することができる。例えば、ビーム径１μｍ以下、解像度０．１μｍ以下の超高解像度露光の場合にも、深い焦点深度を得ることができ、高速かつ高精細な露光が可能となる。したがって、高解像度が必要とされる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の露光工程に好適である。
【０２８２】
また、前記光照射手段としては、前記合波レーザ光源を複数備えたファイバアレイ光源に限定されず、例えば、１個の発光点を有する単一の半導体レーザから入射されたレーザ光を出射する１本の光ファイバを備えたファイバ光源をアレイ化したファイバアレイ光源を用いることができる。
【０２８３】
また、複数の発光点を備えた光照射手段としては、例えば、図５５に示すように、ヒートブロック１００上に、複数（例えば、７個）のチップ状の半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７を配列したレーザアレイを用いることができる。また、図５５に示す、複数（例えば５個）の発光点１１０ａが所定方向に配列されたチップ状のマルチキャビティレーザ１１０が知られている。マルチキャビティレーザ１１０は、チップ状の半導体レーザを配列する場合と比べ、発光点を位置精度良く配列できるので、各発光点から出射されるレーザ光を合波し易い。ただし、発光点が多くなるとレーザ製造時にマルチキャビティレーザ１１０に撓みが発生し易くなるため、発光点１１０ａの個数は５個以下とするのが好ましい。
【０２８４】
前記光照射手段としては、このマルチキャビティレーザ１１０や、図５５に示すように、ヒートブロック１００上に、複数のマルチキャビティレーザ１１０が各チップの発光点１１０ａの配列方向と同じ方向に配列されたマルチキャビティレーザアレイを、レーザ光源として用いることができる。
【０２８５】
また、合波レーザ光源は、複数のチップ状の半導体レーザから出射されたレーザ光を合波するものには限定されない。例えば、図４２に示すように、複数（例えば、３個）の発光点１１０ａを有するチップ状のマルチキャビティレーザ１１０を備えた合波レーザ光源を用いることができる。この合波レーザ光源は、マルチキャビティレーザ１１０と、１本のマルチモード光ファイバ１３０と、集光レンズ１２０と、を備えて構成されている。マルチキャビティレーザ１１０は、例えば、発振波長が４０５ｎｍのＧａＮ系レーザダイオードで構成することができる。
【０２８６】
前記構成では、マルチキャビティレーザ１１０の複数の発光点１１０ａの各々から出射したレーザ光Ｂの各々は、集光レンズ１２０によって集光され、マルチモード光ファイバ１３０のコア１３０ａに入射する。コア１３０ａに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、１本に合波されて出射する。
【０２８７】
マルチキャビティレーザ１１０の複数の発光点１１０ａを、上記マルチモード光ファイバ１３０のコア径と略等しい幅内に並設すると共に、集光レンズ１２０として、マルチモード光ファイバ１３０のコア径と略等しい焦点距離の凸レンズや、マルチキャビティレーザ１１０からの出射ビームをその活性層に垂直な面内のみでコリメートするロッドレンズを用いることにより、レーザ光Ｂのマルチモード光ファイバ１３０への結合効率を上げることができる。
【０２８８】
また、図５６に示すように、複数（例えば、３個）の発光点を備えたマルチキャビティレーザ１１０を用い、ヒートブロック１１１上に複数（例えば、９個）のマルチキャビティレーザ１１０が互いに等間隔で配列されたレーザアレイ１４０を備えた合波レーザ光源を用いることができる。複数のマルチキャビティレーザ１１０は、各チップの発光点１１０ａの配列方向と同じ方向に配列されて固定されている。
【０２８９】
この合波レーザ光源は、レーザアレイ１４０と、各マルチキャビティレーザ１１０に対応させて配置した複数のレンズアレイ１１４と、レーザアレイ１４０と複数のレンズアレイ１１４との間に配置された１本のロッドレンズ１１３と、１本のマルチモード光ファイバ１３０と、集光レンズ１２０と、を備えて構成されている。レンズアレイ１１４は、マルチキャビティレーザ１１０の発光点に対応した複数のマイクロレンズを備えている。
【０２９０】
上記の構成では、複数のマルチキャビティレーザ１１０の複数の発光点１１０ａの各々から出射したレーザ光Ｂの各々は、ロッドレンズ１１３により所定方向に集光された後、レンズアレイ１１４の各マイクロレンズにより平行光化される。平行光化されたレーザ光Ｌは、集光レンズ１２０によって集光され、マルチモード光ファイバ１３０のコア１３０ａに入射する。コア１３０ａに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、１本に合波されて出射する。
【０２９１】
更に他の合波レーザ光源の例を示す。この合波レーザ光源は、図５７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、略矩形状のヒートブロック１８０上に光軸方向の断面がＬ字状のヒートブロック１８２が搭載され、２つのヒートブロック間に収納空間が形成されている。Ｌ字状のヒートブロック１８２の上面には、複数の発光点（例えば、５個）がアレイ状に配列された複数（例えば、２個）のマルチキャビティレーザ１１０が、各チップの発光点１１０ａの配列方向と同じ方向に等間隔で配列されて固定されている。
【０２９２】
略矩形状のヒートブロック１８０には凹部が形成されており、ヒートブロック１８０の空間側上面には、複数の発光点（例えば、５個）がアレイ状に配列された複数（例えば、２個）のマルチキャビティレーザ１１０が、その発光点がヒートブロック１８２の上面に配置されたレーザチップの発光点と同じ鉛直面上に位置するように配置されている。
【０２９３】
マルチキャビティレーザ１１０のレーザ光出射側には、各チップの発光点１１０ａに対応してコリメートレンズが配列されたコリメートレンズアレイ１８４が配置されている。コリメートレンズアレイ１８４は、各コリメートレンズの長さ方向とレーザ光の拡がり角が大きい方向（速軸方向）とが一致し、各コリメートレンズの幅方向が拡がり角が小さい方向（遅軸方向）と一致するように配置されている。このように、コリメートレンズをアレイ化して一体化することで、レーザ光の空間利用効率が向上し合波レーザ光源の高出力化が図られると共に、部品点数が減少し低コスト化することができる。
【０２９４】
また、コリメートレンズアレイ１８４のレーザ光出射側には、１本のマルチモード光ファイバ１３０と、このマルチモード光ファイバ１３０の入射端にレーザ光を集光して結合する集光レンズ１２０と、が配置されている。
【０２９５】
前記構成では、レーザブロック１８０、１８２上に配置された複数のマルチキャビティレーザ１１０の複数の発光点１１０ａの各々から出射したレーザ光Ｂの各々は、コリメートレンズアレイ１８４により平行光化され、集光レンズ１２０によって集光されて、マルチモード光ファイバ１３０のコア１３０ａに入射する。コア１３０ａに入射したレーザ光は、光ファイバ内を伝搬し、１本に合波されて出射する。
【０２９６】
前記合波レーザ光源は、上記の通り、マルチキャビティレーザの多段配置とコリメートレンズのアレイ化とにより、特に高出力化を図ることができる。この合波レーザ光源を用いることにより、より高輝度なファイバアレイ光源やバンドルファイバ光源を構成することができるので、前記パターン形成装置のレーザ光源を構成するファイバ光源として特に好適である。
【０２９７】
なお、前記各合波レーザ光源をケーシング内に収納し、マルチモード光ファイバ１３０の出射端部をそのケーシングから引き出したレーザモジュールを構成することができる。
【０２９８】
また、合波レーザ光源のマルチモード光ファイバの出射端に、コア径がマルチモード光ファイバと同一でかつクラッド径がマルチモード光ファイバより小さい他の光ファイバを結合してファイバアレイ光源の高輝度化を図る例について説明したが、例えば、クラッド径が１２５μｍ、８０μｍ、６０μｍ等のマルチモード光ファイバを、出射端に他の光ファイバを結合せずに使用してもよい。
【０２９９】
ここで、本発明の前記永久パターン形成方法について更に説明する。スキャナ１６２の各露光ヘッド１６６において、ファイバアレイ光源６６の合波レーザ光源を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々から発散光状態で出射したレーザ光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，及びＢ７の各々は、対応するコリメータレンズ１１〜１７によって平行光化される。平行光化されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、集光レンズ２０によって集光され、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの入射端面に収束する。
【０３００】
本例では、コリメータレンズ１１〜１７及び集光レンズ２０によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ３０とによって合波光学系が構成されている。即ち、集光レンズ２０によって上述のように集光されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７が、このマルチモード光ファイバ３０のコア３０ａに入射して光ファイバ内を伝搬し、１本のレーザ光Ｂに合波されてマルチモード光ファイバ３０の出射端部に結合された光ファイバ３１から出射する。
【０３０１】
各レーザモジュールにおいて、レーザ光Ｂ１〜Ｂ７のマルチモード光ファイバ３０への結合効率が０．８５で、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各出力が３０ｍＷの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ３１の各々について、出力１８０ｍＷ（＝３０ｍＷ×０．８５×７）の合波レーザ光Ｂを得ることができる。従って、６本の光ファイバ３１がアレイ状に配列されたレーザ出射部６８での出力は約１Ｗ（＝１８０ｍＷ×６）である。
【０３０２】
ファイバアレイ光源６６のレーザ出射部６８には、この通り高輝度の発光点が主走査方向に沿って一列に配列されている。単一の半導体レーザからのレーザ光を１本の光ファイバに結合させる従来のファイバ光源は低出力であるため、多数列配列しなければ所望の出力を得ることができなかったが、前記合波レーザ光源は高出力であるため、少数列、例えば、１列でも所望の出力を得ることができる。
【０３０３】
例えば、半導体レーザと光ファイバを１対１で結合させた従来のファイバ光源では、通常、半導体レーザとしては出力３０ｍＷ（ミリワット）程度のレーザが使用され、光ファイバとしてはコア径５０μｍ、クラッド径１２５μｍ、ＮＡ（開口数）０．２のマルチモード光ファイバが使用されているので、約１Ｗ（ワット）の出力を得ようとすれば、マルチモード光ファイバを４８本（８×６）束ねなければならず、発光領域の面積は０．６２ｍｍ２（０．６７５ｍｍ×０．９２５ｍｍ）であるから、レーザ出射部６８での輝度は１．６×１０６（Ｗ／ｍ２）、光ファイバ１本当りの輝度は３．２×１０６（Ｗ／ｍ２）である。
【０３０４】
これに対し、前記光照射手段が合波レーザを照射可能な手段である場合には、マルチモード光ファイバ６本で約１Ｗの出力を得ることができ、レーザ出射部６８での発光領域の面積は０．００８１ｍｍ２（０．３２５ｍｍ×０．０２５ｍｍ）であるから、レーザ出射部６８での輝度は１２３×１０６（Ｗ／ｍ２）となり、従来に比べ約８０倍の高輝度化を図ることができる。また、光ファイバ１本当りの輝度は９０×１０６（Ｗ／ｍ２）であり、従来に比べ約２８倍の高輝度化を図ることができる。
【０３０５】
ここで、図５８（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、従来の露光ヘッドと本実施の形態の露光ヘッドとの焦点深度の違いについて説明する。従来の露光ヘッドのバンドル状ファイバ光源の発光領域の副走査方向の径は０．６７５ｍｍであり、露光ヘッドのファイバアレイ光源の発光領域の副走査方向の径は０．０２５ｍｍである。図５８に示すように、従来の露光ヘッドでは、光照射手段（バンドル状ファイバ光源）１の発光領域が大きいので、ＤＭＤ３へ入射する光束の角度が大きくなり、結果として走査面５へ入射する光束の角度が大きくなる。このため、集光方向（ピント方向のずれ）に対してビーム径が太りやすい。
【０３０６】
一方、図５８に示すように、前記パターン形成装置における露光ヘッドでは、ファイバアレイ光源６６の発光領域の副走査方向の径が小さいので、レンズ系６７を通過してＤＭＤ５０へ入射する光束の角度が小さくなり、結果として走査面５６へ入射する光束の角度が小さくなる。即ち、焦点深度が深くなる。この例では、発光領域の副走査方向の径は従来の約３０倍になっており、略回折限界に相当する焦点深度を得ることができる。従って、微小スポットの露光に好適である。この焦点深度への効果は、露光ヘッドの必要光量が大きいほど顕著であり、有効である。この例では、露光面に投影された１描素サイズは１０μｍ×１０μｍである。なお、ＤＭＤは反射型の空間光変調素子であるが、図５８は、光学的な関係を説明するために展開図とした。
【０３０７】
露光パターンに応じたパターン情報が、ＤＭＤ５０に接続された図示しないコントローラに入力され、コントローラ内のフレームメモリに一旦記憶される。このパターン情報は、画像を構成する各描素の濃度を２値（ドットの記録の有無）で表したデータである。
【０３０８】
感光性ソルダーレジストフィルム１５０を表面に吸着したステージ１５２は、図示しない駆動装置により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。ステージ１５２がゲート１６０下を通過する際に、ゲート１６０に取り付けられた検知センサ１６４により感光性ソルダーレジストフィルム１５０の先端が検出されると、フレームメモリに記憶されたパターン情報が複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出されたパターン情報に基づいて各露光ヘッド１６６毎に制御信号が生成される。そして、ミラー駆動制御部により、生成された制御信号に基づいて露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０のマイクロミラーの各々がオンオフ制御される。
【０３０９】
ファイバアレイ光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光が照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系５４、５８により感光性ソルダーレジストフィルム１５０の被露光面５６上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光が描素毎にオンオフされて、感光性ソルダーレジストフィルム１５０がＤＭＤ５０の使用描素数と略同数の描素単位（露光エリア１６８）で露光される。また、感光性ソルダーレジストフィルム１５０がステージ１５２と共に一定速度で移動されることにより、感光性ソルダーレジストフィルム１５０がスキャナ１６２によりステージ移動方向と反対の方向に副走査され、露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。
【０３１０】
−−マイクロレンズアレイ−−
前記露光は、前記変調させた光を、マイクロレンズアレイを通して行うことが好ましく、更にアパーチャアレイ、結像光学系等などを通して行ってもよい。
【０３１１】
前記マイクロレンズアレイとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したものが好適に挙げられる。
【０３１２】
前記非球面としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、トーリック面が好ましい。
【０３１３】
以下、前記マイクロレンズアレイ、前記アパーチャアレイ、及び前記結像光学系等について図面を参照しながら説明する。
【０３１４】
図３４は、ＤＭＤ５０、ＤＭＤ５０にレーザ光を照射する光照射手段１４４、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光を拡大して結像するレンズ系（結像光学系）４５４、４５８、ＤＭＤ５０の各描素部に対応して多数のマイクロレンズ４７４が配置されたマイクロレンズアレイ４７２、マイクロレンズアレイ４７２の各マイクロレンズに対応して多数のアパーチャ４７８が設けられたアパーチャアレイ４７６、アパーチャを通過したレーザ光を被露光面５６に結像するレンズ系（結像光学系）４８０、４８２で構成される露光ヘッドを表す。
ここで図３５に、ＤＭＤ５０を構成するマイクロミラー６２の反射面の平面度を測定した結果を示す。同図においては、反射面の同じ高さ位置を等高線で結んで示してあり、等高線のピッチは５ｎｍである。なお同図に示すｘ方向及びｙ方向は、マイクロミラー６２の２つ対角線方向であり、マイクロミラー６２はｙ方向に延びる回転軸を中心として前述のように回転する。また、図３６の（Ａ）及び（Ｂ）にはそれぞれ、上記ｘ方向、ｙ方向に沿ったマイクロミラー６２の反射面の高さ位置変位を示す。
【０３１５】
図３５及び図３６に示した通り、マイクロミラー６２の反射面には歪みが存在し、そして特にミラー中央部に注目してみると、１つの対角線方向（ｙ方向）の歪みが、別の対角線方向（ｘ方向）の歪みよりも大きくなっている。このため、マイクロレンズアレイ５５のマイクロレンズ５５ａで集光されたレーザ光Ｂの集光位置における形状が歪むという問題が発生し得る。
【０３１６】
本発明の永久パターン形成方法においては前記問題を防止するために、マイクロレンズアレイ５５のマイクロレンズ５５ａが、従来とは異なる特殊な形状とされている。以下、その点について詳しく説明する。
【０３１７】
図３７の（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、マイクロレンズアレイ５５全体の正面形状及び側面形状を詳しく示すものである。これらの図にはマイクロレンズアレイ５５の各部の寸法も記入してあり、それらの単位はｍｍである。本発明の永久パターン形成方法では、先に図２５を参照して説明したようにＤＭＤ５０の１０２４個×２５６列のマイクロミラー６２が駆動されるものであり、それに対応させてマイクロレンズアレイ５５は、横方向に１０２４個並んだマイクロレンズ５５ａの列を縦方向に２５６列並設して構成されている。なお、同図では、マイクロレンズアレイ５５の並び順を横方向についてはｊで、縦方向についてはｋで示している。
【０３１８】
また、図３８の（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、マイクロレンズアレイ５５における１つのマイクロレンズ５５ａの正面形状及び側面形状を示すものである。なお同図には、マイクロレンズ５５ａの等高線を併せて示してある。各マイクロレンズ５５ａの光出射側の端面は、マイクロミラー６２の反射面の歪みによる収差を補正する非球面形状とされている。より具体的には、マイクロレンズ５５ａはトーリックレンズとされており、上記ｘ方向に光学的に対応する方向の曲率半径Ｒｘ＝−０．１２５ｍｍ、上記ｙ方向に対応する方向の曲率半径Ｒｙ＝−０．１ｍｍである。
【０３１９】
したがって、上記ｘ方向及びｙ方向に平行な断面内におけるレーザ光Ｂの集光状態は、概略、それぞれ図３９に示す通りとなる。つまり、ｘ方向に平行な断面内とｙ方向に平行な断面内とを比較すると、後者の断面内の方がマイクロレンズ５５ａの曲率半径がより小であって、焦点距離がより短くなっている。
【０３２０】
マイクロレンズ５５ａを前記形状とした場合の、該マイクロレンズ５５ａの集光位置（焦点位置）近傍におけるビーム径を計算機によってシミュレーションした結果を図４０ａ、ｂ、ｃ、及びｄに示す。また比較のために、マイクロレンズ５５ａが曲率半径Ｒｘ＝Ｒｙ＝−０．１ｍｍの球面形状である場合について、同様のシミュレーションを行った結果を図４１ａ、ｂ、ｃ及びｄに示す。なお、各図におけるｚの値は、マイクロレンズ５５ａのピント方向の評価位置を、マイクロレンズ５５ａのビーム出射面からの距離で示している。
【０３２１】
また、前記シミュレーションに用いたマイクロレンズ５５ａの面形状は、下記計算式で計算される。
【数１】
2006285179.tif 000044
【０３２２】
ただし、前記計算式において、Ｃｘは、ｘ方向の曲率（＝１／Ｒｘ）を意味し、Ｃｙは、ｙ方向の曲率（＝１／Ｒｙ）を意味し、Ｘは、ｘ方向に関するレンズ光軸Ｏからの距離を意味し、Ｙは、ｙ方向に関するレンズ光軸Ｏからの距離を意味する。
【０３２３】
図４０ａ〜ｄと図４１ａ〜ｄとを比較すると明らかなように、本発明の永久パターン形成方法ではマイクロレンズ５５ａを、ｙ方向に平行な断面内の焦点距離がｘ方向に平行な断面内の焦点距離よりも小さいトーリックレンズとしたことにより、その集光位置近傍におけるビーム形状の歪みが抑制される。そうであれば、歪みの無い、より高精細な画像を感光性ソルダーレジストフィルム１５０に露光可能となる。また、図４０ａ〜ｄに示す本実施形態の方が、ビーム径の小さい領域がより広い、すなわち焦点深度がより大であることが判る。
【０３２４】
なお、マイクロミラー６２のｘ方向及びｙ方向に関する中央部の歪の大小関係が、上記と逆になっている場合は、ｘ方向に平行な断面内の焦点距離がｙ方向に平行な断面内の焦点距離よりも小さいトーリックレンズからマイクロレンズを構成すれば、同様に、歪みの無い、より高精細な画像を感光性ソルダーレジストフィルム１５０に露光可能となる。
【０３２５】
また、マイクロレンズアレイ５５の集光位置近傍に配置されたアパーチャアレイ５９は、その各アパーチャ５９ａに、それと対応するマイクロレンズ５５ａを経た光のみが入射するように配置されたものである。すなわち、このアパーチャアレイ５９が設けられていることにより、各アパーチャ５９ａに、それと対応しない隣接のマイクロレンズ５５ａからの光が入射することが防止され、消光比が高められる。
【０３２６】
本来、上記目的で設置されるアパーチャアレイ５９のアパーチャ５９ａの径をある程度小さくすれば、マイクロレンズ５５ａの集光位置におけるビーム形状の歪みを抑制する効果も得られる。しかしそのようにした場合は、アパーチャアレイ５９で遮断される光量がより多くなり、光利用効率が低下することになる。それに対してマイクロレンズ５５ａを非球面形状とする場合は、光を遮断することがないので、光利用効率も高く保たれる。
【０３２７】
また、本発明の永久パターン形成方法において、マイクロレンズ５５ａは、２次の非球面形状であってもよく、より高次（４次、６次・・・）の非球面形状であってもよい。前記高次の非球面形状を採用することにより、ビーム形状をさらに高精細にすることができる。
【０３２８】
また、以上説明した実施形態では、マイクロレンズ５５ａの光出射側の端面が非球面（トーリック面）とされているが、２つの光通過端面の一方を球面とし、他方をシリンドリカル面としたマイクロレンズからマイクロレンズアレイを構成して、上記実施形態と同様の効果を得ることもできる。
【０３２９】
さらに、以上説明した実施形態においては、マイクロレンズアレイ５５のマイクロレンズ５５ａが、マイクロミラー６２の反射面の歪みによる収差を補正する非球面形状とされているが、このような非球面形状を採用する代わりに、マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズに、マイクロミラー６２の反射面の歪みによる収差を補正する屈折率分布を持たせても、同様の効果を得ることができる。
【０３３０】
そのようなマイクロレンズ１５５ａの一例を図４３に示す。同図の（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、このマイクロレンズ１５５ａの正面形状及び側面形状を示すものであり、図示の通りこのマイクロレンズ１５５ａの外形形状は平行平板状である。なお、同図におけるｘ、ｙ方向は、既述した通りである。
【０３３１】
また、図４４の（Ａ）及び（Ｂ）は、このマイクロレンズ１５５ａによる上記ｘ方向及びｙ方向に平行な断面内におけるレーザ光Ｂの集光状態を概略的に示している。このマイクロレンズ１５５ａは、光軸Ｏから外方に向かって次第に増大する屈折率分布を有するものであり、同図においてマイクロレンズ１５５ａ内に示す破線は、その屈折率が光軸Ｏから所定の等ピッチで変化した位置を示している。図示の通り、ｘ方向に平行な断面内とｙ方向に平行な断面内とを比較すると、後者の断面内の方がマイクロレンズ１５５ａの屈折率変化の割合がより大であって、焦点距離がより短くなっている。このような屈折率分布型レンズから構成されるマイクロレンズアレイを用いても、前記マイクロレンズアレイ５５を用いる場合と同様の効果を得ることができる。
【０３３２】
なお、先に図３８の（Ａ）及び（Ｂ）に示したマイクロレンズ５５ａのように面形状を非球面としたマイクロレンズにおいて、併せて上述のような屈折率分布を与え、面形状と屈折率分布の双方によって、マイクロミラー６２の反射面の歪みによる収差を補正するようにしてもよい。
【０３３３】
また、上記の実施形態では、ＤＭＤ５０を構成するマイクロミラー６２の反射面の歪みによる収差を補正しているが、ＤＭＤ以外の空間光変調素子を用いる本発明の永久パターン形成方法においても、その空間光変調素子の描素部の面に歪みが存在する場合は、本発明を適用してその歪みによる収差を補正し、ビーム形状に歪みが生じることを防止することができる。
【０３３４】
次に、前記結像光学系について更に説明する。
前記露光ヘッドでは、光照射手段１４４からレーザ光が照射されると、ＤＭＤ５０によりオン方向に反射される光束線の断面積が、レンズ系４５４、４５８により数倍（例えば、２倍）に拡大される。拡大されたレーザ光は、マイクロレンズアレイ４７２の各マイクロレンズによりＤＭＤ５０の各描素部に対応して集光され、アパーチャアレイ４７６の対応するアパーチャを通過する。アパーチャを通過したレーザ光は、レンズ系４８０、４８２により被露光面５６上に結像される。
【０３３５】
この結像光学系では、ＤＭＤ５０により反射されたレーザ光は、拡大レンズ４５４、４５８により数倍に拡大されて被露光面５６に投影されるので、全体の画像領域が広くなる。このとき、マイクロレンズアレイ４７２及びアパーチャアレイ４７６が配置されていなければ、図３４に示すように、被露光面５６に投影される各ビームスポットＢＳの１描素サイズ（スポットサイズ）が露光エリア４６８のサイズに応じて大きなものとなり、露光エリア４６８の鮮鋭度を表すＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）特性が低下する。
【０３３６】
一方、マイクロレンズアレイ４７２及びアパーチャアレイ４７６を配置した場合には、ＤＭＤ５０により反射されたレーザ光は、マイクロレンズアレイ４７２の各マイクロレンズによりＤＭＤ５０の各描素部に対応して集光される。これにより、図３４に示すように、露光エリアが拡大された場合でも、各ビームスポットＢＳのスポットサイズを所望の大きさ（例えば、１０μｍ×１０μｍ）に縮小することができ、ＭＴＦ特性の低下を防止して高精細な露光を行うことができる。なお、露光エリア４６８が傾いているのは、描素間の隙間を無くす為にＤＭＤ５０を傾けて配置しているからである。
【０３３７】
また、マイクロレンズの収差によるビームの太りがあっても、アパーチャアレイによって被露光面５６上でのスポットサイズが一定の大きさになるようにビームを整形することができると共に、各描素に対応して設けられたアパーチャアレイを通過させることにより、隣接する描素間でのクロストークを防止することができる。
【０３３８】
更に、光照射手段１４４に後述する高輝度光源を使用することにより、レンズ４５８からマイクロレンズアレイ４７２の各マイクロレンズに入射する光束の角度が小さくなるので、隣接する描素の光束の一部が入射するのを防止することができる。即ち、高消光比を実現することができる。
【０３３９】
―――その他の光学系―――
本発明の永久パターン形成方法では、公知の光学系の中から適宜選択したその他の光学系と併用してもよく、例えば、１対の組合せレンズからなる光量分布補正光学系などが挙げられる。
前記光量分布補正光学系は、光軸に近い中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比が入射側に比べて出射側の方が小さくなるように各出射位置における光束幅を変化させて、光照射手段からの平行光束をＤＭＤに照射するときに、被照射面での光量分布が略均一になるように補正する。以下、前記光量分布補正光学系について図面を参照しながら説明する。
【０３４０】
まず、図４５に示したように、入射光束と出射光束とで、その全体の光束幅（全光束幅）Ｈ０、Ｈ１が同じである場合について説明する。なお、図４５において、符号５１、５２で示した部分は、前記光量分布補正光学系における入射面及び出射面を仮想的に示したものである。
【０３４１】
前記光量分布補正光学系において、光軸Ｚ１に近い中心部に入射した光束と、周辺部に入射した光束とのそれぞれの光束幅ｈ０、ｈ１が、同一であるものとする（ｈ０＝ｈｌ）。前記光量分布補正光学系は、入射側において同一の光束幅ｈ０，ｈ１であった光に対し、中心部の入射光束については、その光束幅ｈ０を拡大し、逆に、周辺部の入射光束に対してはその光束幅ｈ１を縮小するような作用を施す。すなわち、中心部の出射光束の幅ｈ１０と、周辺部の出射光束の幅ｈ１１とについて、ｈ１１＜ｈ１０となるようにする。光束幅の比率で表すと、出射側における中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比「ｈ１１／ｈ１０」が、入射側における比（ｈ１／ｈ０＝１）に比べて小さくなっている（（ｈ１１／ｈ１０）＜１）。
【０３４２】
このように光束幅を変化させることにより、通常では光量分布が大きくなっている中央部の光束を、光量の不足している周辺部へと生かすことができ、全体として光の利用効率を落とさずに、被照射面での光量分布が略均一化される。均一化の度合いは、例えば、有効領域内における光量ムラが３０％以内、好ましくは２０％以内となるようにする。
【０３４３】
前記光量分布補正光学系による作用、効果は、入射側と出射側とで、全体の光束幅を変える場合（図４５）においても同様である。
【０３４４】
図４５は、入射側の全体の光束幅Ｈ０を、幅Ｈ２に“縮小”して出射する場合（Ｈ０＞Ｈ２）を示している。このような場合においても、前記光量分布補正光学系は、入射側において同一の光束幅ｈ０、ｈ１であった光を、出射側において、中央部の光束幅ｈ１０が周辺部に比べて大きくなり、逆に、周辺部の光束幅ｈ１１が中心部に比べて小さくなるようにする。光束の縮小率で考えると、中心部の入射光束に対する縮小率を周辺部に比べて小さくし、周辺部の入射光束に対する縮小率を中心部に比べて大きくするような作用を施している。この場合にも、中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比「Ｈ１１／Ｈ１０」が、入射側における比（ｈ１／ｈ０＝１）に比べて小さくなる（（ｈ１１／ｈ１０）＜１）。
【０３４５】
図４５は、入射側の全体の光束幅Ｈ０を、幅Η３に“拡大”して出射する場合（Ｈ０＜Ｈ３）を示している。このような場合においても、前記光量分布補正光学系は、入射側において同一の光束幅ｈ０、ｈ１であった光を、出射側において、中央部の光束幅ｈ１０が周辺部に比べて大きくなり、逆に、周辺部の光束幅ｈ１１が中心部に比べて小さくなるようにする。光束の拡大率で考えると、中心部の入射光束に対する拡大率を周辺部に比べて大きくし、周辺部の入射光束に対する拡大率を中心部に比べて小さくするような作用を施している。この場合にも、中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比「ｈ１１／ｈ１０」が、入射側における比（ｈ１／ｈ０＝１）に比べて小さくなる（（ｈ１１／ｈ１０）＜１）。
【０３４６】
このように、前記光量分布補正光学系は、各出射位置における光束幅を変化させ、光軸Ｚ１に近い中心部の光束幅に対する周辺部の光束幅の比を入射側に比べて出射側の方が小さくなるようにしたので、入射側において同一の光束幅であった光が、出射側においては、中央部の光束幅が周辺部に比べて大きくなり、周辺部の光束幅は中心部に比べて小さくなる。これにより、中央部の光束を周辺部へと生かすことができ、光学系全体としての光の利用効率を落とさずに、光量分布の略均一化された光束断面を形成することができる。
【０３４７】
次に、前記光量分布補正光学系として使用する１対の組合せレンズの具体的なレンズデータの１例を示す。この例では、前記光照射手段がレーザアレイ光源である場合のように、出射光束の断面での光量分布がガウス分布である場合のレンズデータを示す。なお、シングルモード光ファイバの入射端に１個の半導体レーザを接続した場合には、光ファイバからの射出光束の光量分布がガウス分布になる。本発明の永久パターン形成方法では、このような場合の適用も可能である。また、マルチモード光ファイバのコア径を小さくしてシングルモード光ファイバの構成に近付ける等により光軸に近い中心部の光量が周辺部の光量よりも大きい場合にも適用可能である。
下記表１に基本レンズデータを示す。
【０３４８】
【表１】
2006285179.tif 000045
【０３４９】
表１から判る。ように、１対の組合せレンズは、回転対称の２つの非球面レンズから構成されている。光入射側に配置された第１のレンズの光入射側の面を第１面、光出射側の面を第２面とすると、第１面は非球面形状である。また、光出射側に配置された第２のレンズの光入射側の面を第３面、光出射側の面を第４面とすると、第４面が非球面形状である。
【０３５０】
表１において、面番号Ｓｉはｉ番目（ｉ＝１〜４）の面の番号を示し、曲率半径ｒｉはｉ番目の面の曲率半径を示し、面間隔ｄｉはｉ番目の面とｉ＋１番目の面との光軸上の面間隔を示す。面間隔ｄｉ値の単位はミリメートル（ｍｍ）である。屈折率Ｎｉはｉ番目の面を備えた光学要素の波長４０５ｎｍに対する屈折率の値を示す。下記表２に、第１面及び第４面の非球面データを示す。
【０３５１】
【表２】
2006285179.tif 000046
【０３５２】
上記の非球面データは、非球面形状を表す下記式における係数で表される。
【０３５３】
【数２】
2006285179.tif 000047
【０３５４】
上記式において各係数を以下の通り定義する。
Ｚ：光軸から高さρの位置にある非球面上の点から、非球面の頂点の接平面（光軸に垂直な平面）に下ろした垂線の長さ（ｍｍ）
ρ：光軸からの距離（ｍｍ）
Ｋ：円錐係数
Ｃ：近軸曲率（１／ｒ、ｒ：近軸曲率半径）
ａｉ：第ｉ次（ｉ＝３〜１０）の非球面係数
表２に示した数値において、記号“Ｅ”は、その次に続く数値が１０を底とした“べき指数″であることを示し、その１０を底とした指数関数で表される数値が“Ｅ”の前の数値に乗算されることを示す。例えば、「１．０Ｅ−０２」であれば、「１．０×１０−２」であることを示す。
【０３５５】
図４７は、前記表１及び表２に示す１対の組合せレンズによって得られる照明光の光量分布を示している。横軸は光軸からの座標を示し、縦軸は光量比（％）を示す。なお、比較のために、図４６に、補正を行わなかった場合の照明光の光量分布（ガウス分布）を示す。図４６及び図４７から判る。ように、光量分布補正光学系で補正を行うことにより、補正を行わなかった場合と比べて、略均一化された光量分布が得られている。これにより、光の利用効率を落とさずに、均一なレーザ光でムラなく露光を行うことができる。
【０３５６】
−−支持体除去工程−−
前記支持体除去工程は、前記感光性ソルダーレジストフィルムを基体上に積層した場合、前記積層体から前記支持体を除去する工程である。前記感光性ソルダーレジスト層の未硬化部分を現像により溶解除去する前に前記支持体が除かれていればよいため、前記積層体形成工程と露光工程との間で除去してもよく、前記露光工程と前記現像工程との間で除去してもよい。
【０３５７】
−−現像工程−−
前記現像工程は、前記露光工程により前記積層体における感光性ソルダーレジスト層を露光して、該感光性ソルダーレジスト層の露光した領域を硬化させた後、前記積層体の未硬化樹脂部分を除去して、前記基板表面の前記未硬化樹脂領域の導体回路などを露出させた後、乾燥する工程である。
【０３５８】
前記現像工程は、例えば、現像手段により好適に実施することができる。前記現像手段としては、現像液を用いて現像することができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記現像液を噴霧する手段、前記現像液を塗布する手段、前記現像液に浸漬させる手段などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。また、前記現像手段は、前記現像液を交換する現像液交換手段、前記現像液を供給する現像液供給手段などを有していてもよい。
【０３５９】
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ性液、水系現像液、有機溶剤などが挙げられ、これらの中でも、弱アルカリ性の水溶液が好ましい。該弱アルカリ性液の塩基成分としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、硼砂などが挙げられる。
【０３６０】
前記弱アルカリ性の水溶液のｐＨとしては、例えば、約８〜１２が好ましく、約９〜１１がより好ましい。前記弱アルカリ性の水溶液としては、例えば、０．１〜５質量％の炭酸ナトリウム水溶液又は炭酸カリウム水溶液などが挙げられる。
前記現像液の温度としては、前記感光性ソルダーレジスト層の現像性に合わせて適宜選択することができ、例えば、約２５℃〜４０℃が好ましい。
【０３６１】
前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基（例えば、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等）や、現像を促進させるため有機溶剤（例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等）などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。
【０３６２】
−−ポストベーク−−
前記ポストベークは、現像により基板上に形成された硬化樹脂部分を更に完全に硬化させるための処理である。前記ポストベークは、一般的には、現像後に、前記積層体を１４０〜１５０℃で約６０分間程度加熱し、乾燥させる処理である。このポストベークにより、永久パターンとなる硬化樹脂部分の厚みは収縮し、平坦化された前記永久パターンの表面が全体的に硬化する。
【０３６３】
―その他の工程―
前記その他の工程としては、特に制限はなく、公知のパターン形成における工程の中から適宜選択することが挙げられ、例えば、エッチング工程、メッキ工程などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０３６４】
−−エッチング工程−−
前記エッチング工程は、露出した前記金属層をエッチング液で溶解して除去する工程である。
前記エッチング工程としては、公知のエッチング処理方法の中から適宜選択した方法により行うことができる。
前記エッチング処理に用いられるエッチング液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記金属層が銅で形成されている場合には、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素系エッチング液などが挙げられ、これらの中でも、エッチングファクターの点から塩化第二鉄溶液が好ましい。
【０３６５】
−−メッキ工程−−
前記メッキ工程としては、公知のメッキ処理の中から適宜選択した適宜選択した方法により行うことができる。
前記メッキ処理としては、例えば、硫酸銅メッキ、ピロリン酸銅メッキ等の銅メッキ、ハイフローはんだメッキ等のはんだメッキ、ワット浴（硫酸ニッケル−塩化ニッケル）メッキ、スルファミン酸ニッケル等のニッケルメッキ、ハード金メッキ、ソフト金メッキ等の金メッキなど処理が挙げられる。
前記メッキ工程によりメッキ処理した後に前記パターンを除去することにより、また更に必要に応じて不要部をエッチング処理等で除去することにより、前記基体の表面に永久パターンを形成することができる。
【０３６６】
本発明の永久パターン形成方法及び前記パターン形成装置は、前記感光性ソルダーレジスト層の感度低下を抑制でき、かつ、高精細なパターンを形成可能な感光性ソルダーレジストフィルムを用いるため、より小さいエネルギー量の光で露光することができ、露光スピードが上がるため、処理スピードが上がる点で有利である。
【０３６７】
本発明の前記永久パターン形成方法は、本発明の前記感光性ソルダーレジストフィルムを用いるため、各種パターンの形成、配線パターン等の永久パターンの形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に高精細な配線パターンの形成に好適に使用することができる。前記パターン形成装置は、本発明の前記感光性ソルダーレジストフィルムを備えているため、各種パターンの形成、配線パターン等の永久パターンの形成、カラーフィルタ、柱材、リブ材、スペーサー、隔壁等の液晶構造部材の製造、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの製造に好適に使用することができ、特に高精細な配線パターンの形成に好適に用いることができる。
【０３６８】
―プリント配線板の製造方法―
本発明の永久パターン形成方法は、プリント配線板の製造、特にスルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造に好適に用いることができる。以下、本発明の永久パターン形成方法を利用したプリント配線板の製造方法について説明する。前記感光性ソルダーレジストフィルムは、配線パターンを有する前記プリント配線板へのソルダーレジストや配線パターンなどの永久パターンを形成する材料として最適である。
【０３６９】
特に、スルーホール又はビアホールなどのホール部を有するプリント配線板の製造方法としては、
（１）前記ホール部を有するプリント配線板形成用基板上に、前記感光性ソルダーレジストフィルムを、その最外層の感光性ソルダーレジスト層が前記基体側となる位置関係にて積層して積層体を形成し、
（２）前記積層体の前記プリント配線板とは反対の側から、配線パターン形成領域及びホール部形成領域に光照射行い感光性ソルダーレジスト層を硬化させ、
（３）前記積層体から前記感光性ソルダーレジストフィルムにおける支持体を除去し、
（４）前記積層体における感光性ソルダーレジスト層を現像して、該積層体中の未硬化部分を除去することにより配線パターンを形成し、
（５）前記配線パターンを有するプリント配線板に、更に前記感光性ソルダーレジストフィルムを、その最外層の感光性ソルダーレジスト層が前記基体側となる位置関係にて積層して積層体を形成し、
（６）前記積層体の前記プリント配線板とは反対の側から、レジスト形成領域に対し、露光する。更に、光照射を行い感光性ソルダーレジスト層を硬化させる硬化領域と、開口部領域には光を照射しない未硬化領域とを形成し、
（７）前記積層体における感光性ソルダーレジスト層を現像して、該積層体中の未硬化部分を除去することによりソルダーレジストを形成し、
（８）その他必要に応じてソルダーレジスト面に文字などの印刷やソルダーレジスト層の改質のためプラズマ処理などを行うことにより、プリント配線板を製造する方法などが挙げられる。
【０３７０】
なお、前記（３）における前記支持体の除去は、前記（２）と前記（４）との間で行う代わりに、前記（１）と前記（２）との間で行ってもよい。
【０３７１】
また、多層プリント配線板を得るには、（７）の工程の後に、前記ソルダーレジストが形成された表面に、無電解銅メッキなどを施し、金属層を形成し、該金属層に感光性ソルダーレジストフィルムを積層して、露光・現像を行い配線パターンを形成し、前記形成したパターンをエッチング処理又はメッキ処理することにより順次積層する方法などが挙げられる。
前記順次積層する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などが挙げられる。これらの中でも、工業的に有利なテンティングでプリント配線板を形成するためには、前記サブトラクティブ法よりもセミアディティブ法が好ましい。サブトラクティブ法は、全面にパネルメッキを施した後、エッチングレジスト越に銅をエッチングすることによりパターンを形成するため、エッチングはレジストに対して垂直方向だけでなく、水平方向にも進行するため、レジストに忠実なパターンを形成することは困難である。前記サブストラクティブ法の場合、このようなアンダーカットが発生するので、ファインパターン形成には限界がある。前記セミアディティブ法では、感光性ソルダーレジストフィルムをラミネートした後、メッキを施してパターンを形成するため、メッキの厚みがそのまま銅箔の厚みとなるため、メッキ厚をコントロールすることによりファインパターンの回路に対応することができる。
【０３７２】
次に、前記感光性ソルダーレジストフィルムを用いたスルーホール及びビアホールを有するプリント配線板の製造方法について、具体的に、図１１〜図２１を用いて説明する。
また、層間絶縁膜は、ビルドアップ多層基板の製造において、コア基板上にビルドアップ層を形成する際に、絶縁膜となりうる層であり、感光性層間絶縁膜を用いた方法（フォトビア法）が知られている。感光性層間絶縁膜の形成を伴うビルドアップ基板の製造方法は、図１３〜図１４に示す。
【０３７３】
―（１）プリント配線板形成用基板―
図１１に示すように、絶縁性の基板５上に金属層５ａが形成されたプリント配線板形成用基板を用意する。前記プリント配線板形成用基板の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスエポキシ板、ポリイミド基板、ビスマレイミドートリアジン樹脂基板、フッ素樹脂基板、セラミック基板、銅張積層基板などが挙げられる。
【０３７４】
―（２）第一回路パターンの形成―
図１２に示すように、まず、このプリント配線板形成用基板に、ドライフィルムレジストを貼り付け、パターン露光、現像、エッチング又ははメッキにより基板上に第一回路パターン４を形成する。
【０３７５】
―（３）感光層間絶縁層の形成―
図１３に示すように、各第一回路パターン４を被覆絶縁すべく、基板５の両面に感光性層間絶縁層９ｂを、液状フォトソルダーレジストであれば塗布乾燥し、感光性フィルムであれば積層する。
【０３７６】
―（４）フォトビアの形成―
図１４に示すように、フォトビアのパターンを露光し、現像により、フォトビア９ｃと感光性層間絶縁層９ｂをする。
【０３７７】
―（５）スルーホール穴開け―
図１５に示すように、ドリルによりスルーホール６のための穴明けを行う。ビアホール、スルーホール及び感光性層間絶縁層上の表面粗化処理を行う。通常、粗化は、層間絶縁層の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を、酸又は酸化剤で除去することにより行う。酸処理などにより形成する粗化面の高さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍが好ましい。導体回路４との密着性を確保するためである。
【０３７８】
―（６）メッキレジストの形成とパターン化―
図１６に示すように、メッキしないところを被覆すべく、メッキレジスト８ａを形成し、パターン化する。
【０３７９】
―（７）無電解銅メッキ―
図１７に示すように、無電解銅メッキを行い、メッキレジスト８ａで被覆されていない部分をメッキ８ｂする。その厚みは１〜５μｍが好ましく、２〜３μｍがより好ましい。
【０３８０】
―（８）繰り返し―
必要により、（３）〜（７）の工程を繰り返し、最上層の導体回路に上記（７）と同様の条件で、無電解メッキなどを施し、最上層の導体回路上に粗化層又は粗化面を形成する。
【０３８１】
―（９）感光性ソルダーレジストフィルムの積層―
図１８に示すように、ハンダの付けたくないところを被服するため、感光性ソルダーレジストフィルムを積層して、ソルダーレジスト層８ｃを形成する。
【０３８２】
―（１０）ソルダーレジストパターンの形成―
図１９に示すように、ソルダーレジストパターンを焼付け、現像することによりソルダーレジスト８ｄを形成する。
【０３８３】
―（１１）ニッケルメッキ／金メッキ―
図２０に示すように、ソルダーレジストで被覆されていない銅部分をニッケルメッキし、その上に金メッキ８ｅを施す。
【０３８４】
―（１２）ハンダペースト塗布―
図２１に示すように、ハンダペースト８ｆを塗布形成し、リフロー処理を行うことにより、固化してハンダ層を形成する。
【実施例】
【０３８５】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例に用いるオリゴマーの組成物について、下記の合成例を調製した。
【０３８６】
＜合成例：オリゴマーＬ１＞
ＥＯＣＮ−１０２Ｓ（日本化薬（株）製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量＝２２０）、２２０質量部、アクリル酸７２質量部、ハイドロキノン１．０質量部、メトキシプロピルアセテート１８０質量部を仕込み、９０℃に加熱、撹件して反応混合物を溶解した。次に、６０℃に冷却し、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム１質量部を仕込み、１００℃に加熱して、固形分酸価が１ｍｇＫＯＨ／ｇになるまで反応した。次に、テトラヒドロフタル酸無水物１５２質量部とメトキシプロピルアセテート１００質量部を仕込み、８０℃に加熱し、約６時間反応し冷却し、固形分濃度が６０質量％になるようにメトキシプロピルアセテートで希釈してアルカリ可溶性光架橋性オリゴマー（オリゴマーＬ１）を得た。オリゴマーＬ１の固形分酸価は１３９ｍｇＫＯＨ／ｇで、質量平均分子量は４，０２０であった。
【０３８７】
（実施例１）
―第１の感光性ソルダーレジスト層に用いる第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の調製―
下記の組成からなる第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を調製した
―――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
オリゴマーＬ１（合成例）・・・・・・・・・・・・・・・・・・４６．７質量部
重合性化合物（ＤＰＨＡ７６（７６質量％））・・・・・・・・・２１．１質量部
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９）・・・・・・・・・・・・６．０質量部
熱架橋剤・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１２．１質量部
無機充填剤（Ｂ３０）／着色剤共分散物（３５質量％）・・・・・８１．４質量部
熱硬化促進剤（ジシアンジアミド）・・・・・・・・・・・・・・・０．６質量部
エラストマー（ＳＥＢＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・９．５質量部
密着促進剤（２ＭＺ−ＡＺＩＮＥ）・・・・・・・・・・・・・・０．４５質量部
塗布助剤（フッ素系界面活性剤３０質量％）・・・・・・・・・・・０．２質量部
溶剤（ＭＥＫ／ＭＦＧＡｃ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
熱架橋剤：エポキシ当量２１４ｇ／ｅｑ．、粘度６２，０００ｍＰａ・ｓの下記構造式。
【０３８８】
【化４２】
2006285179.tif 000048
【０３８９】
−顔料と無機充填剤分散液の調製−
ビクメントブルー１５：３を０．８０質量部、とピクメントイエロー１８０を０．７質量部と、各アルカリ可溶性光架橋性ポリマーの６０質量部、メトキシプロピルアセテート溶液１５質量部を秤量し、ジルコアビーズが充填されたミル型分散機を用いて分散し、緑色顔料分散液（固形分６４質量％）を得た。
引き続き、無機充填剤である硫酸バリウム１８質量部を追加溶剤メトキシプロピレングリコールアセテート４６．９質量部とともに、前記緑色顔料分散液中に混合攪拌し、緑色顔料との共分散液８１．４質量部（固形分濃度３５質量％）を得た。
【０３９０】
―第２の感光性ソルダーレジスト層に用いる第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の調製―
下記の組成からなる第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を調製した
―――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
オリゴマーＬ１（合成例）・・・・・・・・・・・・・・・・・・４６．７質量部
重合性化合物（ＤＰＨＡ７６（７６質量％））・・・・・・・・・２１．１質量部
光重合開始剤（Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９）・・・・・・・・・・・・６．０質量部
熱架橋剤・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１２．１質量部
緑色顔料分散物（６４質量％）・・・・・・・・・・・・・・・・１０．５質量部
熱硬化促進剤（ジシアンジアミド）・・・・・・・・・・・・・・・０．６質量部
エラストマー（ＳＥＢＳ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・９．５質量部
密着促進剤（２ＭＺ−ＡＺＩＮＥ）・・・・・・・・・・・・・・０．４５質量部
塗布助剤（フッ素系界面活性剤３０質量％）・・・・・・・・・・・０．２質量部
溶剤（ＭＥＫ／ＭＦＧＡｃ）・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
熱架橋剤：エポキシ当量２１４ｇ／ｅｑ．、粘度６２，０００ｍＰａ・ｓの下記構造式。
【０３９１】
【化４３】
2006285179.tif 000049
【０３９２】
―感光性ソルダーレジストフィルムの作製―
図１に示すように、支持体１は、厚み２０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、支持体１上に前記第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を塗布し乾燥させて、厚み３０μｍの第１の感光性ソルダーレジスト層２ａを形成し、第１の感光性ソルダーレジスト層２ａ上に前記第２の感光性ソルダーレジスト組成物を塗布して乾燥させ、厚み１０μｍの第２の感光性ソルダーレジスト層を形成し、更に第２の感光性ソルダーレジスト層２ａ上に保護フィルム３を、厚み２０μｍのポリエチレンフィルムを用いて積層し、前記感光性ソルダーレジストフィルムを作製した。
【０３９３】
―積層体の作製―
図２に示す基板５上に導体回路４が形成されたプリント配線板（スルーホールなし、銅厚み１２μｍ）の表面に、前記感光性ソルダーレジストフィルムの保護フィルム３を剥がしながら、該感光性ソルダーレジストフィルムの第２の感光性ソルダーレジスト層２ｂが導体回路４に接するようにしてラミネーター（ＭＯＤＥＬ８Ｂ−７２０−ＰＨ、大成ラミネーター（株）製）を用いて圧着させ、前記プリント配線板と、第２の感光性ソルダーレジスト層２ｂ、第１の感光性ソルダーレジスト層２ａ、ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体１）とがこの順に積層された図３に示す積層体を作製した。
圧着条件は、圧着ロール温度  １０５℃、圧着ロール圧力  ０．３ＭＰａ、ラミネート速度  １ｍ／分とした。
【０３９４】
―露光―
図４に示すように、前記積層体の支持体１側から、導体回路４の中央部分に設ける開口部となる直径４０μｍの領域を除き、レーザ露光した。
【０３９５】
―現像―
その後、前記積層体における光照射のない未硬化樹脂部分を、現像液としてアルカリ性液を用い、スプレー噴霧により除去して、図５に示すように、導体回路４上にビアホール用の開口部６を形成した。
【０３９６】
―ポストベーク―
現像後、加熱時間６０分間、温度１４０℃で、加熱し、前記積層体を乾燥して完全硬化させた。前記乾燥後、図５に示すように、導体回路４の角部及び導体回路の上に位置する各感光性ソルダーレジスト層、導体回路以外の上に位置する各感光性ソルダーレジスト層の表面が平坦な永久パターン有するプリント配線板が得られた。
【０３９７】
―評価―
実施例１の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の硬度、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を以下の方法により行った。結果を表４に示す。
【０３９８】
＜解像度＞
（１）最短現像時間の測定方法
前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取り、銅張積層板上の前記各感光性ソルダーレジスト層の全面に３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１５ＭＰａの圧力にてスプレーし、炭酸ナトリウム水溶液のスプレー開始から銅張積層板上の各感光性ソルダーレジスト層が溶解除去されるまでに要した時間を測定し、これを最短現像時間とした。
この結果、前記最短現像時間は、１０秒であった。
【０３９９】
（２）感度の測定
前記調製した積層体における感光性ソルダーレジストフィルムの各感光性ソルダーレジスト層に対し、ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）側から、露光装置を用いて、０．１ｍＪ／ｃｍ２から２１／２倍間隔で１００ｍＪ／ｃｍ２までの露光量の異なる光を照射して露光し、前記各感光性ソルダーレジスト層の一部の領域を硬化させた。室温にて１０分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取り、銅張積層板上の各感光性ソルダーレジスト層の全面に、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧０．１５ＭＰａにて前記（１）で求めた最短現像時間の２倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、残った硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得る。こうして得た感度曲線から硬化領域の厚さが１５μｍとなった時の露光量を、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量とした。
この結果、前記各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は、３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４００】
（３）解像度の測定
前記（１）の最短現像時間の評価方法と同じ方法及び条件で前記積層体を作成し、室温（２３℃、５５％ＲＨ）にて１０分間静置した。得られた積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン／スペース＝１／１でライン幅１０〜５０μｍまで５μｍ刻みで各線幅の露光を行う。この際の露光量は、前記（２）で測定した前記感光性ソルダーレジストフィルムの各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量である。室温にて１０分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）を剥がし取る。銅張積層板上の各感光性ソルダーレジスト層の全面に３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液をスプレー圧０．１５ＭＰａにて前記（１）で求めた最短現像時間の２倍の時間スプレーし、未硬化領域を溶解除去する。この様にして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常のない最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は数値が小さいほど良好である。
【０４０１】
＜露光速度＞
前記露光装置を用いて、露光光と前記各感光性ソルダーレジスト層とを相対的に移動させる速度を変更し、一般的な配線パターンが形成される速度を求めた。露光は、前記調製した積層体における感光性ソルダーレジストフィルムの各感光性ソルダーレジスト層に対して、ポリエチレンテレフタレートフィルム（支持体）側から行った。なお、この設定速度が速い方が効率的なパターン形成が可能となる。
【０４０２】
＜溶融粘度の測定＞
前記溶融粘度は、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層をラミネートする際の各感光性ソルダーレジスト層の温度が８０℃において、バイブロン（ＤＤ−ＩＩＩ型：東洋ボールドウィン株式会社製）を用いて測定した。
【０４０３】
＜ラミネーションの評価＞
前記ラミネーションについて、第２の感光性ソルダーレジスト層と基板とが密着しているかを、回路基板上に前記第２の感光性ソルダーレジスト層を積層後、顕微鏡で該第２の感光性ソルダーレジスト層と基板の間に微小な気泡があるか否かを評価した。
○・・・・・・・・気泡が認められない。
×・・・・・・・・気泡が認められる。
【０４０４】
＜平坦度の評価＞
前記平坦度は、触針式膜厚計サーフコム（東京精密（株）製）を用い、前記プリント配線板の永久パターンの表面を上向きにして、測定台（基準面）に載置し、前記永久パターンの表面において、導体回路を覆う永久パターンの部分３箇所の高さを計測し、それらの平均値を求め、前記導体回路以外を覆う永久パターンの部分３箇所の高さを計測し、それらの平均値を求め、各平均値の差を平坦度として測定した。前記平坦度は、１．６μｍであった。
【０４０５】
＜導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価＞
前記永久パターンの角部における厚みの均一性について、得られたプリント配線板の前記導体回路部分を、該導体回路の上面に垂直に切断し、該導体回路の角部における永久パターンの厚みを目視で観察し、保護膜、絶縁膜として良好か否かを以下のように評価した。前記角部の厚みは、２１．２μｍであった。
−−評価基準−−
○  ・・・永久パターンの厚みが均一である。
×  ・・・永久パターンの厚みが均一でなく、角部に薄い部分がある。
【０４０６】
（実施例２）
実施例１において、第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の無機微粒子（Ａ）の含有率を４０質量％にした以外は実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４０７】
−−評価−−
実施例２の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４０８】
（実施例３）
実施例１において、第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の無機微粒子（Ａ）の含有率を２０質量％にした以外は実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４０９】
−−評価−−
実施例３の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４１０】
（実施例４）
実施例１において、第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みを１０μｍ、第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の無機微粒子（Ｂ）の含有率を１０質量％、第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みを３０μｍにした以外は実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４１１】
−−評価−−
実施例４の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４１２】
（実施例５）
実施例４において、第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の無機微粒子（Ａ）の含有率を４０質量％にした以外は実施例４と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４１３】
−−評価−−
実施例５の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４１４】
（実施例６）
実施例４において、第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の無機微粒子（Ａ）の含有率を２０質量％にした以外は実施例４と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４１５】
−−評価−−
実施例６の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４１６】
（実施例７）
実施例１において、露光装置を前述のレーザ露光によるパターン形成装置を用いた以外は実施例１と同様にして永久パターンを有するプリント配線板を作製した。
【０４１７】
−−評価−−
実施例７の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４１８】
（比較例１）
実施例１において、第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の無機微粒子（Ａ）の含有率を４０質量％とし、第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みを４０μｍとして、第２の感光性ソルダーレジスト層を形成しなかった以外は実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４１９】
−−評価−−
比較例１の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４２０】
（比較例２）
実施例１において、第１の感光性ソルダーレジスト層を形成せず、第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みを４０μｍとした以外は実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４２１】
−−評価−−
比較例２の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は１０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は３０ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４２２】
（比較例３）
実施例１において、第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を下記の組成物を用い、第１の感光性ソルダーレジスト層の厚みを２μｍとし、第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を下記の組成物を用い、第２の感光性ソルダーレジスト層の厚みを７３μｍとした以外は実施例１と同様にしてプリント配線板を作製した。
【０４２３】
−−第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の調製−−
下記の感光性ソルダーレジスト組成物からなり、表３に示す第１の感光性ソルダーレジスト組成物を８％メタノール／９２％塩化メチレン溶媒系溶液に溶解して第１の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を調製した
【０４２４】
−−第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液の調製−−
下記の感光性ソルダーレジスト組成物からなり、表３に示す第２の感光性ソルダーレジスト組成物を８％メタノール／９２％塩化メチレン溶媒系溶液に溶解して第２の感光性ソルダーレジスト組成物溶液を調製した
【０４２５】
−−感光性ソルダーレジスト組成物−−
（バインダー及びコバインダー）
「ＨｙｃａｒＲ  １４７２ｘ２６」  Ｚｅｏｎ−Ｎｉｐｐｏｎ，Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ，ＯＨからのメタクリル酸／ブタジエン／アクリロニトリル（５／７０／２５）
「Ｃａｒｂｏｓｅｔ  ＲｅｓｉｎＲＩ」  Ｂ．Ｆ．Ｇｏｏｄｒｉｃｈ，Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ，ＯＨからのＭｗ＝１５０，０００、酸価＝８０及びＴｇ＝３５°のエチルアクリレート／エチルメタクリレート／メタクリル酸（６０／２９／１１）
「Ｃａｒｂｏｓｅｔ  ＲｅｓｉｎＲＩＩ」  Ｂ．Ｆ．ＧｏｏｄｒｉｃｈからのＭｗ＝２１７，０００、酸価＝５９、Ｔｇ＝５９℃のエチルアクリレート／エチルメタクリレート／メタクリル酸（２５／６７．５／７．５）
【０４２６】
（モノマー）
「ＴＭＰＴＡ」  トリメチロールプロパントリアクリレート
「ＰＥＴＡ」    ペンタエリトリトールトリアクリレート
【０４２７】
（開始剤）
「ＥＭＫ」  エチルミヒラーケトン
【０４２８】
（熱架橋剤）
「ＣｙｍｅｌＲ  ３０３」  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｙａｎａｍｉｄｅ，Ｗａｙｎｅ，ＮＪからのヘキサメトキシメチル−メラミン
【０４２９】
（フィラー）
「ＣｙｐｒｕｂｏｎｄＲ」  Ｃｙｐｒｕｓ  Ｍｉｎｅｒａｌｓ，Ｅｎｇｌｅｗｏｏｄ，ＣＯからの１％アミノシラン処理されたシリケート
【０４３０】
（接着促進剤）
「３−ＭＴ」  ３−メルカプト−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール
【０４３１】
（その他の成分）
「ＤＥＨＡ」  Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン
「ＤａｙｇｌｏＲ  １２２−９６５５」  Ｄａｙｇｌｏ  Ｃｏｒｐ．，Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ，ＯＨからの担体中の緑及び黄色色素
「ＡｍｐｈｏｍｅｒＲ  」  Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｔａｒｃｈ，Ｂｒｉｄｇｅｗａｔｅｒ，ＮＪからのメチルメタクリレート／ｔ−オクチルアクリルアミド／アクリル酸／ヒドロキシプロピルメタクリレート／ｔ−ブチルアミノメタクリレート（３５／４０／１６／５／４）
「ＰＶＰ−Ｋ−９０」ＧＡＦ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ  Ｃｏｒｐ．，Ｔｅｘａｓ  Ｃｉｔｙ，ＴＸからのポリビニルピロリドン
溶液：８％メタノール／９２％塩化メチレン溶媒系
【０４３２】
【表３】
2006285179.tif 000050
【０４３３】
−−評価−−
比較例３の感光性ソルダーレジストフィルム及び積層体について、以下の条件で、感度、解像度、露光速度、第１の感光性ソルダーレジスト層及び第２の感光性ソルダーレジスト層の溶融粘度、ラミネーション、永久パターンの表面の平坦度、導体回路の角部における永久パターンの厚みの均一性の評価を実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
なお、最短現像時間は６０秒であり、各感光性ソルダーレジスト層を硬化させるために必要な露光量は２００ｍＪ／ｃｍ２であった。
【０４３４】
【表４】
2006285179.tif 000051
【０４３５】
表４の結果より、比較例１〜４と比較して、実施例１〜６の永久パターン面の平坦度は、極めて良好で、かつ、導体回路の角部における永久パターンの厚みは均一であり、優れた永久パターンが形成できることが認められた。本発明に用いる感光性ソルダーレジストフィルムは、高感度、高解像度に優れ、効率的に永久パターンの形成ができることが認められた。
実施例７は、露光装置として前記パターン形成装置を用いたもので、他の実施例より、露光速度が速く、解像度に極めて優れていることが認められた。
【産業上の利用可能性】
【０４３６】
本発明の永久パターン形成方法は、プリント配線板上に形成された導体回路の角部の永久パターンの厚みが均一であり、永久パターン全面の平坦度が高く、高精細であり、かつ生産効率の優れた永久パターン形成方法であるため、配線基板分野におけるバンプ用の開口部を有するソルダーレジスト、多層基板における層間絶縁層などを高精細に、かつ、効率よく形成可能であるため、高精細な露光が必要とされる各種パターンの形成などに好適に使用することができる。
特に、高精細かつ平坦性の優れた永久パターン形成に好適に使用することができる。また、本発明の永久パターン形成方法を用いたプリント配線板の製造方法は、永久パターン、ソルダーレジストを高精細に、かつ、効率よく形成可能であるため、高精細な露光が必要とされる各種パターンの形成などに好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０４３７】
【図１】図１は、感光性ソルダーレジストフィルムの部分断面図である。
【図２】図２は、プリント配線板の部分断面図である。
【図３】図３は、プリント配線板に感光性ソルダーレジストフィルムを積層した部分断面図である。
【図４】図４は、プリント配線板の積層体にレーザ露光する部分断面図である。
【図５】図５は、ソルダーレジストが形成されたプリント配線板の部分断面図である。
【図６】図６は、ソルダーレジストが形成されたプリント配線板の部分断面図である。
【図７】図７は、従来のソルダーレジストが形成されたプリント配線板の部分断面図である。
【図８】図８は、従来のソルダーレジストが形成されたプリント配線板の部分断面図である。
【図９】図９は、従来のソルダーレジストが形成されたプリント配線板の部分断面図である。
【図１０】図１０は、従来のソルダーレジストが形成されたプリント配線板の部分断面図である。
【図１１】図１１は、両面銅張り積層板の部分断面図である。
【図１２】図１２は、第一回路パターン形成後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図１３】図１３は、感光性層間絶縁層の形成後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図１４】図１４は、フォトビアの形成後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図１５】図１５は、スルーホール穴開け後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図１６】図１６は、メッキレジストパターン形成後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図１７】図１７は、無電解メッキによる第２回路パターン計後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図１８】図１８は、感光性ソルダーレジストフィルム積層後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図１９】図１９は、ソルダーレジストパターン形成後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図２０】図２０は、ニッケルメッキ、金メッキ後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図２１】図２１は、ハンダペースト塗布後の銅張り積層板の部分断面図である。
【図２２】図２２は、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図の一例である。
【図２３】図２３（Ａ）及び（Ｂ）は、ＤＭＤの動作を説明するための説明図の一例である。
【図２４】図２４（Ａ）及び（Ｂ）は、ＤＭＤを傾斜配置しない場合と傾斜配置する場合とで、露光ビームの配置及び走査線を比較して示した平面図の一例である。
【図２５】図２５（Ａ）及び（Ｂ）は、ＤＭＤの使用領域の例を示す図の一例である。
【図２６】図２６は、スキャナによる１回の走査で感光性ソルダーレジストフィルムを露光する露光方式を説明するための平面図の一例である。
【図２７】図２７（Ａ）及び（Ｂ）は、スキャナによる複数回の走査で感光性ソルダーレジストフィルムを露光する露光方式を説明するための平面図の一例である。
【図２８】図２８は、パターン形成装置の一例の外観を示す概略斜視図の一例である。
【図２９】図２９は、パターン形成装置のスキャナの構成を示す概略斜視図の一例である。
【図３０】図３０（Ａ）は、感光性ソルダーレジストフィルムに形成される露光済み領域を示す平面図の一例であり、図３０（Ｂ）は、各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す図の一例である。
【図３１】図３１は、光変調手段を含む露光ヘッドの概略構成を示す斜視図の一例である。
【図３２】図３２は、図２４に示す露光ヘッドの構成を示す光軸に沿った副走査方向の断面図の一例である。
【図３３】図３３は、パターン情報に基づいて、ＤＭＤの制御をするコントローラの一例である。
【図３４】図３４（Ａ）は、結合光学系の異なる他の露光ヘッドの構成を示す光軸に沿った断面図の一例であり、図３４（Ｂ）は、マイクロレンズアレイ等を使用しない場合に被露光面に投影される光像を示す平面図の一例であり、図３４（Ｃ）は、マイクロレンズアレイ等を使用した場合に被露光面に投影される光像を示す平面図の一例である。
【図３５】図３５は、ＤＭＤを構成するマイクロミラーの反射面の歪みを等高線で示す図の一例である。
【図３６】図３６（Ａ）、（Ｂ）は、前記マイクロミラーの反射面の歪みを、該ミラーの２つの対角線方向について示すグラフの一例である。
【図３７】図３７は、パターン形成装置に用いられたマイクロレンズアレイの正面図と側面図の一例である。
【図３８】図３８は、マイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズの正面図と側面図の一例である。
【図３９】図３９は、マイクロレンズによる集光状態を１つの断面内と別の断面内について示す概略図の一例である。
【図４０ａ】図４０ａは、本発明のマイクロレンズの集光位置近傍におけるビーム径をシミュレーションした結果を示す図の一例である。
【図４０ｂ】図４０ｂは、図４０ａと同様のシミュレーション結果を、別の位置について示す図の一例である。
【図４０ｃ】図４０ｃは、図４０ａと同様のシミュレーション結果を、別の位置について示す図の一例である。
【図４０ｄ】図４０ｄは、図４０ａと同様のシミュレーション結果を、別の位置について示す図の一例である。
【図４１ａ】図４１ａは、従来の永久パターン形成方法において、マイクロレンズの集光位置近傍におけるビーム径をシミュレーションした結果を示す図の一例である。
【図４１ｂ】図４１ｂは、図４１ａと同様のシミュレーション結果を、別の位置について示す図の一例である。
【図４１ｃ】図４１ｃは、図４１ａと同様のシミュレーション結果を、別の位置について示す図の一例である。
【図４１ｄ】図４１ｄは、図４１ａと同様のシミュレーション結果を、別の位置について示す図の一例である。
【図４２】図４２は、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例である。
【図４３】図４３は、マイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズの正面図の一例と側面図の一例である。
【図４４】図４４は、図４２のマイクロレンズによる集光状態を１つの断面内の一例と別の断面内について示す概略図の一例である。
【図４５】図４５は、光量分布補正光学系による補正の概念についての説明図の一例である。
【図４６】図４６は、光照射手段がガウス分布で且つ光量分布の補正を行わない場合の光量分布を示すグラフの一例である。
【図４７】図４７は、光量分布補正光学系による補正後の光量分布を示すグラフの一例である。
【図４８ａ】図４８ａ（Ａ）は、ファイバアレイ光源の構成を示す斜視図であり、図４８ａ（Ｂ）は、図４８ａ（Ａ）の部分拡大図の一例であり、図４８ａ（Ｃ）及び（Ｄ）は、レーザ出射部における発光点の配列を示す平面図の一例である。
【図４８ｂ】図４８ｂは、ファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列を示す正面図の一例である。
【図４９】図４９は、マルチモード光ファイバの構成を示す図の一例である。
【図５０】図５０は、合波レーザ光源の構成を示す平面図の一例である。
【図５１】図５１は、レーザモジュールの構成を示す平面図の一例である。
【図５２】図５２は、図５１に示すレーザモジュールの構成を示す側面図の一例である。
【図５３】図５３は、図５１に示すレーザモジュールの構成を示す部分側面図である。
【図５４】図５４は、レーザアレイの構成を示す斜視図の一例である。
【図５５】図５５は、マルチキャビティレーザの構成を示す斜視図の一例であり、図５５は、に示すマルチキャビティレーザをアレイ状に配列したマルチキャビティレーザアレイの斜視図の一例である。
【図５６】図５６は、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例である。
【図５７】図５７は、合波レーザ光源の他の構成を示す平面図の一例であり、図５７は、の光軸に沿った断面図の一例である。
【図５８】図５８は、従来の露光装置における焦点深度と、本発明の永久パターン形成方法（パターン形成装置）による焦点深度との相違を示す光軸に沿った断面図の一例である。
【符号の説明】
【０４３８】
１                    支持体
２                    感光性ソルダーレジスト層
２ａ                  第１の感光性ソルダーレジスト層
２ｂ                  第２の感光性ソルダーレジスト層
２ｃ                  永久パターン
３                    保護フィルム
４                    導体回路
５                    基板
５ａ                  金属層
６                    開口部
７                    スルーホール
８                    フォトビア
８ａ                  メッキレジスト
８ｂ                  メッキ
８ｃ                  ソルダーレジスト層
８ｄ                  ソルダーレジスト
８ｅ                  金メッキ
８ｆ                  ハンダペースト
９                    永久パターン
９ａ                  弱レーザ露光
９ｂ                  感光性フィルム
ＬＤ１〜ＬＤ７        ＧａＮ系半導体レーザ
１０                  ヒートブロック
１１〜１７            コリメータレンズ
２０                  集光レンズ
３０〜３１            マルチモード光ファイバ
４４                  コリメータレンズホルダー
４５                  集光レンズホルダー
４６                  ファイバホルダー
５０                  デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
５２                  レンズ系
５３                  反射光像（露光ビーム）
５４                  第２結像光学系のレンズ
５５                  マイクロレンズアレイ
５５ａ                マイクロレンズ
５６                  被露光面（走査面）
５７                  第２結像光学系のレンズ
５８                  第２結像光学系のレンズ
５９                  アパーチャアレイ
６４                  レーザモジュール
６６                  ファイバアレイ光源
６７                  レンズ系
６８                  レーザ出射部
６９                  ミラー
７０                  プリズム
７１                  集光レンズ
７２                  ロッドインテグレータ
７３                  組合せレンズ
７４                  結像レンズ
１００                ヒートブロック
１１０                マルチキャビティレーザ
１１１                ヒートブロック
１１３                ロッドレンズ
１２０                集光レンズ
１３０                マルチモード光ファイバ
１３０ａ              コア
１４０                レーザアレイ
１４４                光照射手段
１５０                感光性ソルダーレジストフィルム
１５２                ステージ
１５５ａ              マイクロレンズ
１５６                設置台
１５８                ガイド
１６０                ゲート
１６２                スキャナ
１６４                センサ
１６６                露光ヘッド
１６８                露光エリア
１７０                露光済み領域
１８０                ヒートブロック
１８４                コリメートレンズアレイ
３０２                コントローラ
３０４                ステージ駆動装置
４５４                レンズ系
４６８                露光エリア
４７２                マイクロレンズアレイ
４７４                マイクロレンズ
４７６                アパーチャアレイ
４７８                アパーチャ
４８０                レンズ系
【図１】
2006285179.tif 000052
【図２】
2006285179.tif 000053
【図３】
2006285179.tif 000054
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006285179.tif 000058
【図８】
2006285179.tif 000059
【図９】
2006285179.tif 000060
【図１０】
2006285179.tif 000061
【図１１】
2006285179.tif 000062
【図１２】
2006285179.tif 000063
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2006285179.tif 000066
【図１６】
2006285179.tif 000067
【図１７】
2006285179.tif 000068
【図１８】
2006285179.tif 000069
【図１９】
2006285179.tif 000070
【図２０】
2006285179.tif 000071
【図２１】
2006285179.tif 000072
【図２２】
2006285179.tif 000073
【図２３】
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【図２４】
2006285179.tif 000075
【図２６】
2006285179.tif 000076
【図２７】
2006285179.tif 000077
【図２８】
2006285179.tif 000078
【図２９】
2006285179.tif 000079
【図３０】
2006285179.tif 000080
【図３１】
2006285179.tif 000081
【図３２】
2006285179.tif 000082
【図３４】
2006285179.tif 000083
【図４２】
2006285179.tif 000084
【図４５】
2006285179.tif 000085
【図４６】
2006285179.tif 000086
【図４７】
2006285179.tif 000087
【図４８ａ】
2006285179.tif 000088
【図５０】
2006285179.tif 000089
【図５１】
2006285179.tif 000090
【図５２】
2006285179.tif 000091
【図５３】
2006285179.tif 000092
【図５４】
2006285179.tif 000093
【図５５】
2006285179.tif 000094
【図５６】
2006285179.tif 000095
【図５７】
2006285179.tif 000096
【図５８】
2006285179.tif 000097
【図２５】
2006285179.tif 000098
【図３３】
2006285179.tif 000099
【図３５】
2006285179.tif 000100
【図３６】
2006285179.tif 000101
【図３７】
2006285179.tif 000102
【図３８】
2006285179.tif 000103
【図３９】
2006285179.tif 000104
【図４０ａ】
2006285179.tif 000105
【図４０ｂ】
2006285179.tif 000106
【図４０ｃ】
2006285179.tif 000107
【図４０ｄ】
2006285179.tif 000108
【図４１ａ】
2006285179.tif 000109
【図４１ｂ】
2006285179.tif 000110
【図４１ｃ】
2006285179.tif 000111
【図４１ｄ】
2006285179.tif 000112
【図４３】
2006285179.tif 000113
【図４４】
2006285179.tif 000114
【図４８ｂ】
2006285179.tif 000115
【図４９】
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