(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ装置において高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性の有機ＥＬ装置を製造する。【解決手段】  基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上に、画素毎に第１電極を形成する工程と、第１電極を形成した後に、機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、基板を保持する工程と、処理室で基板を保持した後に、第１電極上に機能層を成膜する工程とを備える。【選択図】  図４
2006100090.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する工程と、
前記第１電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、
前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第１電極上に前記機能層を成膜する工程と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する工程と、
前記第１電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、
前記第１電極上に前記機能層を成膜する工程と、
前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に保持する工程と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１電極を形成する工程の後であって、前記機能層を成膜する前で且つ前記基板を保持する工程の前に、前記基板に対してプラズマ処理をインク塗布前処理として行う工程を更に備え、
前記機能層を成膜する工程は、インク塗布によって前記機能層を成膜することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１電極上に前記機能層を成膜する工程と、
前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板を保持する工程では、前記所定の圧力が、前記溶媒の飽和蒸気圧の８０［％］以上の値となるように調整すること
を特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として発光層を成膜すること
を特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として正孔注入層又は正孔輸送層を成膜すること
を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として電子注入層又は電子輸送層を成膜すること
を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬ装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造装置であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する手段と、
前記第１電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、
前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第１電極上に前記機能層を成膜する手段と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造装置。
【請求項１２】
基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造装置であって、
前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する手段と、
前記第１電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、
前記第１電極上に前記機能層を成膜する手段と
を備えており、
前記基板を保持する手段は、前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に再び保持すること
を特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造装置であって、
前記第１電極上に前記機能層を成膜する手段と、
前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)装置の製造方法及び製造装置、並びに該製造方法によって製造された有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置を備えた各種電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置は、基板上において、画素毎に、第１及び第２電極間に挟持される、発光層や電子注入層等の機能層を備えている。特許文献１に開示されているように、例えば機能層として発光層を成膜する際、発光材料を液体化して、画素電極である陽極上に塗布する。
【０００３】
また特許文献２又は３によれば、液晶パネルや半導体ウェハ等のワークをイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気により洗浄処理するための装置が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２４９３７５号公報
【特許文献２】特開平１１−３５１７４７号公報
【特許文献３】特開平５−１６６７９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、成膜時における各製造工程の処理状況のばらつきに起因して、画素電極の表面における発光材料に対する濡れ性が、画素内や基板面内の各画素又は基板毎で、不均一になるという問題が生じる。例えば、機能層の形成領域を規定するバンク層における機能層と接することになる一部や画素電極の表面における、発光材料に対する濡れ性を制御するために、プラズマ処理が行われることがあるが、この処理状況が、画素内や基板面内の各画素又は基板毎でばらつくと、上述したように濡れ性が不均一となる。その結果、画素内や基板面内の各画素又は基板毎で、発光材料の塗布ムラが生じて、発光層の膜厚が不均一となると共に平坦性が悪化する。
【０００６】
また、前述したような塗布ムラが発生しなかった場合でも、液体化した発光材料を塗布後乾燥させる際に、乾燥速度の違い等により、画素内や基板における各画素又は基板毎に、発光層の表面の平坦性が不均一となる恐れがある。前述の発光材料の乾燥速度の違いは、基板面内における画素の配置、基板面内の温度分布、基板表面の気体の流れ等の影響により生じ、乾燥速度を均一に制御するのは、通常の製造方法によれば困難である。
【０００７】
以上説明したような、発光層における膜厚の均一性や平坦性の悪化は、電子注入層等にも同様に生じ得る。このように機能層の膜厚が不均一となったり、機能層の表面における平坦性が確保できないと、有機ＥＬ装置における表示画像において輝度ムラ等の表示不良が発生することにより、高品質な画像表示を行うことができなくなる恐れがある。また、同一の製造プロセスによって製造された有機ＥＬ装置について、均一な表示特性が得られない、という問題点も生じる。
【０００８】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、有機ＥＬ装置において高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性の有機ＥＬ装置を製造することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法及び製造装置、並びに該製造方法によって製造された有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の有機ＥＬ装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する工程と、前記第１電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第１電極上に前記機能層を成膜する工程とを備える。
【００１０】
本発明の第１の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置は、画素毎に、第１及び第２電極間に少なくとも一層の機能層を挟持してなる有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子において、機能層として、発光層や正孔注入層、正孔輸送層、又は電子注入層や電子輸送層が形成される。発光層に加えて、このように正孔注入層や正孔輸送層又は電子注入層や電子輸送層を形成することで、有機ＥＬ素子を効率良く発光させると共に、各画素で高輝度で画像表示を行うことが可能となる。
【００１１】
本発明の第１の製造方法では、先ず、画素毎に第１電極として、有機ＥＬ素子の陽極若しくは陰極を形成する。ここで、予め基板上に画素毎に第１電極を駆動するための各種配線や薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、”ＴＦＴ”と称する）等の駆動素子を形成しておいてもよい。或いは、有機ＥＬ素子を形成する基板とは別の基板に、各種配線や駆動素子を形成しておいて、この別の基板を有機ＥＬ素子を形成した基板に電気的に接続して貼り合せるようにしてもよい。
【００１２】
続いて、画素毎に第１電極が形成された基板を、後述する処理室内で保持した後、第１電極上に機能層の材料を例えばインクジェット法により塗布して、塗布した材料を乾燥させる。この際、機能層の材料、例えば正孔注入層や正孔輸送層、或いは発光層の材料を、該材料が可溶な溶媒に溶解させて得られる液状の混合物を、インクジェット法により、第１電極上に塗布する。これにより第１電極上に機能層が成膜される。尚、複数層の機能層を成膜させる場合には、各機能層を成膜させる際に、予め処理室に基板を保持する工程を行うようにするとよい。
【００１３】
ここで、処理室に基板を保持する工程では、予め、機能層として形成される、発光層や正孔注入層、正孔輸送層、又は電子注入層や電子輸送層の材料が可溶な溶媒を気化させて、これにより得られた蒸気を、密閉した処理室内で、所定の圧力例えば飽和蒸気圧となるように、供給する。このように蒸気が処理室内に供給されている状態で、基板を保持する。尚、この際、溶媒は、機能層の材料が可溶であれば、極性溶媒を用いてもよいし、非極性溶媒を用いるようにしてもよい。
【００１４】
処理室内では、基板の表面は全体的に溶媒の蒸気と接触すると共に、基板の表面におけるいずれの個所も所定の圧力の蒸気と接触することとなる。そして、基板上では、各画素内において、第１電極若しくは既に成膜された機能層の表面に溶媒が液化して付着する。よって、画素内で濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することができる。また、基板における各画素で、濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。
【００１５】
尚、複数の基板を夫々、画素毎に第１電極が形成された状態で、処理室において順次保持する場合には、各基板を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板において、画素内又は各画素で濡れ性を均一にすることができる。
【００１６】
よって、各基板において、画素内で均一に機能層の材料を塗布すると共に、各画素でも均一に機能層の材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。その結果、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で膜厚が均一な機能層を得ることができる。
【００１７】
従って、以上説明したような本発明の第１の製造方法によれば、歩留まりを向上させることが可能となる。また、本発明の第１の製造方法により製造された有機ＥＬ装置では夫々、画素内又は各画素で均一な発光状態を得ることが可能となり、輝度ムラ等の表示不良が発生するのを防止することができる。その結果、各有機ＥＬ装置において、高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性を得ることが可能となる。
【００１８】
本発明の第２の有機ＥＬ装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する工程と、前記第１電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程と、前記第１電極上に前記機能層を成膜する工程と、前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に保持する工程とを備える。
【００１９】
本発明の第２の有機ＥＬ装置の製造方法では、上述した本発明の第１の製造方法と同様に、第１電極を形成した後であって、機能層を成膜する前に、処理室に基板を保持して、成膜される機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気と、基板とを接触させる。よって、各基板において、画素内や各画素で、均一に機能層の材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。
【００２０】
また、機能層を成膜した後、再び基板を処理室に保持する。この際、処理室には、成膜された機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を、当該処理室において所定の圧力となるように供給する。これにより、再び基板と溶媒の蒸気とが接触することで、各画素内において機能層の表面に溶媒が液化して付着する。そして、機能層の表面付近では、機能層の材料が溶媒に再溶解する。よって、機能層の成膜時、機能層の材料を塗布後乾燥させる際に、画素内又は基板における各画素で乾燥速度が不均一となったとしても、前述したように機能層の材料を再溶解させることで、機能層の表面に生じた段差を緩和して、機能層の表面を平坦化することが可能となる。従って、基板における各画素で、機能層の平坦性を改善することができる。
【００２１】
また、例えば溶媒を基板に直接スプレーコートさせるような場合と比較して、基板表面全体を均一に溶媒の蒸気と接触させることができるため、溶媒の塗布ムラを防止して、画素内で均一な平坦性を得ると共に、基板における各画素で、均一な平坦性を得ることが可能となる。
【００２２】
また、本発明の第１の製造方法と同様に、複数の基板を夫々処理室において順次保持する場合には、各基板を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板において、画素内または各画素で均一な平坦性を確保することが可能となる。
【００２３】
よって、各基板において、画素内又は各画素で、表面が平坦で膜厚が均一な機能層を成膜することができる。従って、本発明の第２の製造方法によれば、本発明の第１の製造方法と同様の利益を享受することが可能となる。但し、本発明の第２の製造方法によれば、上述した本発明の第１の製造方法或いは後述する本発明の第３の製造方法と比較して、各基板において、各画素で、より確実に機能層の表面の平坦性を改善することが可能となる。また、各基板において、画素内で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすると共に、各画素で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。
【００２４】
本発明の第１又は第２の有機ＥＬ装置の製造方法の一態様では、前記第１電極を形成する工程の後であって、前記機能層を成膜する前で且つ前記基板を保持する工程の前に、前記基板に対してプラズマ処理をインク塗布前処理として行う工程を更に備え、前記機能層を成膜する工程は、インク塗布によって前記機能層を成膜する。
【００２５】
この態様によれば、各画素において、インク塗布前処理としてのプラズマ処理が行われる。ここに「インク塗布前処理」とは、後工程となるインク塗布に対して、濡れ性を向上させるための、或いは親液性及び撥液性のうち少なくとも一方を示す領域を形成するための前処理を意味する。また、ここでいう”インク”は、前述したような機能層の材料を、該材料が可溶な溶媒に溶解させて得られる液状の混合物に相当する。
【００２６】
よって、この態様では、プラズマ処理により、第１電極の表面の濡れ性を向上させることができる。また、プラズマ処理において、たとえ、同一の基板における画素内や各画素、又は各基板で、処理状況が異ってしまっても、その後に、処理室において基板を保持することで、画素内や各画素又は各基板で、均一な濡れ性を確保することが可能となる。
【００２７】
本発明の第３の有機ＥＬ装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１電極上に前記機能層を成膜する工程と、前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する工程とを備える。
【００２８】
本発明の第３の有機ＥＬ装置の製造方法によれば、画素毎に第１電極上に少なくとも一層の機能層が成膜されている状態で、基板を処理室に保持する。この際、処理室において、上述した本発明の第２の製造方法と同様に、機能層の表面付近では、機能層の材料が溶媒に再溶解する。ここで、複数の機能層を成膜する場合に、処理室内に基板が保持された状態で、この基板上に成膜された機能層のうち最上層に形成された機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気が、処理室内に所定の圧力で供給される。
【００２９】
よって、各基板において、各画素で、機能層の平坦性を改善することができる。また、各基板において、画素内で均一な平坦性を確保すると共に、各画素で均一な平坦性を確保することができる。従って、本発明の第３製造方法によれば、本発明の第１又は第２の製造方法と同様の利益を享受することが可能となる。
【００３０】
本発明の第１から３のいずれかの有機ＥＬ装置の製造方法の他の態様では、前記基板を保持する工程では、前記所定の圧力が、前記溶媒の飽和蒸気圧の８０［％］以上の値となるように調整する。
【００３１】
この態様によれば、処理室内において、基板と蒸気とが接触することで、各画素内において第１電極若しくは機能層の表面に溶媒を液化して付着させることが可能となる。
【００３２】
本発明の第１から３のいずれかの有機ＥＬ装置の製造方法の他の態様では、前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として発光層を成膜する。
【００３３】
この態様によれば、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で且つ膜厚が均一な発光層を得ることができる。
【００３４】
本発明の第１から３のいずれかの有機ＥＬ装置の製造方法の他の態様では、前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として正孔注入層又は正孔輸送層を成膜する。
【００３５】
この態様によれば、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で且つ膜厚が均一な正孔注入層又は正孔輸送層を得ることができる。
【００３６】
本発明の第１から３のいずれかの有機ＥＬ装置の製造方法の他の態様では、前記機能層を成膜する工程では、前記機能層として電子注入層又は電子輸送層を成膜する。
【００３７】
この態様によれば、各基板において、画素内や各画素で、表面が平坦で且つ膜厚が均一な電子注入層又は電子輸送層を得ることができる。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ装置は上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法（但し、その各種態様を含む）により製造される。
【００３９】
本発明の有機ＥＬ装置は、上述した本発明の有機ＥＬ装置の製造方法（但し、その各種態様を含む）によって製造されるため、各有機ＥＬ装置において、高品質な画像表示を行い且つ均一な表示特性を得ることが可能となる。
【００４０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の有機ＥＬ装置を具備する。
【００４１】
本発明の電子機器は、上述した本発明の有機ＥＬ装置を具備してなるので、高品質の画像表示を行い且つ均一な表示特性を得ることが可能なテレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、更には有機ＥＬ装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの各種電子機器を実現できる。
【００４２】
本発明の第１の有機ＥＬ装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造装置であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する手段と、前記第１電極を形成した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、前記処理室で前記基板を保持した後に、前記第１電極上に前記機能層を成膜する手段とを備える。
【００４３】
本発明の第１の有機ＥＬ装置の製造装置によれば、上述した本発明の第１の製造方法と同様に、有機ＥＬ装置の製造工程における歩留まりを向上させることが可能となる。また、本発明の第１の製造装置により製造された有機ＥＬ装置において、高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性を得ることが可能となる。
【００４４】
本発明の第２の有機ＥＬ装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造装置であって、前記基板上に、前記画素毎に前記第１電極を形成する手段と、前記第１電極を形成した後であって、前記機能層を成膜する前に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段と、前記第１電極上に前記機能層を成膜する手段とを備えており、前記基板を保持する手段は、前記機能層を成膜した後に、前記基板を前記処理室に再び保持する。
【００４５】
本発明の第２の有機ＥＬ装置の製造装置によれば、本発明の第１の製造装置と同様の利益を享受することが可能となる。但し、本発明の第２の製造装置によれば、上述した本発明の第１の製造装置或いは後述する本発明の第３の製造装置と比較して、各基板において、各画素で、より確実に機能層の表面の平坦性を改善することが可能となる。また、各基板において、画素内で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすると共に、各画素で機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。
【００４６】
本発明の第３の有機ＥＬ装置の製造装置は上記課題を解決するために、基板上に、画素毎に、第１及び第２電極と、該第１及び第２電極間に挟持される、少なくとも一層の機能層とを備える有機ＥＬ装置の製造装置であって、前記第１電極上に前記機能層を成膜する手段と、前記機能層を成膜した後に、前記機能層の材料が可溶な溶媒の蒸気を所定の圧力とした処理室に、前記基板を保持する手段とを備える。
【００４７】
本発明の第３の有機ＥＬ装置の製造装置によれば、本発明の第１又は第２の製造装置と同様の利益を享受することが可能となる。
【００４８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。
【００５０】
＜１：第１実施形態＞
本発明の有機ＥＬ装置に係る第１実施形態について、図１から図６を参照して説明する。
【００５１】
＜１−１；有機ＥＬ装置の全体構成＞
先ず、図１を参照して有機ＥＬ装置の全体構成について説明する。図１は、有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。ここでは、駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ装置を例にとる。
【００５２】
有機ＥＬ装置における画像表示領域１１０には、縦横に配線されたデータ線１１４及び走査線１１２が設けられており、それらの交点に対応する各画素部７０はマトリクス状に配列される。更に、画像表示領域１１０には各データ線１１４に対して配列された画素部７０に対応する電源供給線１１７が設けられている。
【００５３】
また、画像表示領域１１０の周辺に位置する周辺領域には、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１５０が設けられている。走査線駆動回路１３０は複数の走査線１１２に走査信号を順次供給する。また、データ線駆動回路１５０は、画像表示領域１１０に配線されたデータ線１１４に画像信号を供給する。尚、２種の走査線駆動回路１３０の動作と、データ線駆動回路１５０の動作とは、外部回路から供給される同期信号１６０によって相互に同期が図られる。また、電源供給線１１７には、外部回路から画素駆動用電源が供給される。
【００５４】
ここで、図１中、一つの画素部７０に着目すれば、画素部７０には、有機ＥＬ素子７２が設けられると共に、例えばＴＦＴを用いて構成されるスイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４、並びに保持容量７８が設けられている。
【００５５】
スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極には走査線１１２が電気的に接続されており、スイッチング用トランジスタ７６のソース電極にはデータ線１１４が電気的に接続され、スイッチング用トランジスタ７６のドレイン電極には駆動用トランジスタ７４のゲート電極が電気的に接続されている。また、駆動用トランジスタ７４のソース電極には、電源供給線１１７が電気的に接続されており、駆動用トランジスタ７４のドレイン電極には有機ＥＬ素子７２の陽極が電気的に接続されている。
【００５６】
尚、図１に例示した画素回路の構成の他にも、電流プログラム方式の画素回路、電圧プログラム方式の画素回路、電圧比較方式の画素回路、サブフレーム方式の画素回路等の各種方式の画素回路を採用することが可能である。
【００５７】
＜１−２：画素部の構成＞
次に、図２及び図３を参照して、画素部７０の更に詳細な構成について説明する。図２は、任意の画素部の平面図であり、図３は図２に示す画素部のＡ−Ａ'断面図である。なお、図２及び図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５８】
例えば透明樹脂やガラス基板等の透明部材により構成される基板１０上には、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４の半導体層３が形成されている。半導体層３は例えば低温ポリシリコン技術を用いて形成される。また、半導体層３上には、半導体層３を埋め込んで、スイッチング用トランジスタ７６及び駆動用トランジスタ７４のゲート絶縁層２が形成されている。更には、ゲート絶縁層２上に、駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａ及び走査線１１２が形成されている。走査線１１２の一部は、スイッチング用トランジスタ７６のゲート電極として形成されている。ゲート電極３ａ及び走査線１１２は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、銅（Ｃｕ）等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成されている。
【００５９】
また、走査線１１２や駆動用トランジスタ７４のゲート電極３ａを埋め込んで、ゲート絶縁層２上には層間絶縁層４１が形成されている。層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２は例えばシリコン酸化膜から構成されている。
【００６０】
層間絶縁層４１上には、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を含む導電材料から夫々構成される、データ線１１４及び電源供給線１１７、更には駆動用トランジスタ７４のドレイン電極４２が形成されている。層間絶縁層４１には、層間絶縁層４１の表面から層間絶縁層４１及びゲート絶縁層２を貫通して、駆動用トランジスタ７４の半導体層３に至るコンタクトホール５０１及び５０２が形成されている。図３に示すように、電源供給線１１７及びドレイン電極４２を構成する導電膜は、コンタクトホール５０１及び５０２の各々の内壁に沿って半導体層３の表面に至るように連続的に形成されている。
【００６１】
ここで、保持容量７８の下部容量電極は、走査線１１２と同一の層に、例えば同様の材料を用いて形成され、電源供給線１１７の一部が保持容量７８の上部容量電極として形成されている。層間絶縁層４１は誘電体膜として形成されており、層間絶縁層４１の一部分が下部容量電極及び上部容量電極の間に挟持される。
【００６２】
層間絶縁層４１上には、電源供給線１１７及びドレイン電極４２を埋め込んで、保護層４５として例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）が形成されている。保護層４５上には、例えばシリコン酸化膜よりなる第１バンク層４６が形成され、更に第１バンク層４６上に第２バンク層４７が形成されている。第１バンク層４６及び第２バンク層４７によって、画素部７０における有機ＥＬ層５０の形成領域が規定されている。
【００６３】
有機ＥＬ層５０の形成領域に、その表面が露出するように、保護層４５上に本発明に係る「第１電極」である陽極３４が形成されている。陽極３４は、透明性導電材料としてＩＴＯを用いて、有機ＥＬ層５０の形成領域から延びてドレイン電極４２の一部と重畳するように形成されている。
【００６４】
また、有機ＥＬ層５０の形成領域において、陽極３４上には有機ＥＬ層５０が形成されている。有機ＥＬ層５０は、例えば、発光層５０ａ、正孔注入層又は正孔輸送層（以下適宜、正孔注入／輸送層と称する）５０ｂ、及び電子注入層又は電子輸送層（以下適宜、電子注入／輸送層と称する）５０ｃを含む。有機ＥＬ層５０において、例えば、基板１０上に、正孔注入／輸送層５０ｂ、発光層５０ａ、電子注入／輸送層５０ｃは、この順に順次積層されている。尚、有機ＥＬ層５０は、発光層５０ａのみを含むようにしてもよいし、発光層５０ａに加えて、正孔注入／輸送層５０ｂ及び電子注入／輸送層５０ｃのいずれかを含むようにしてもよい。
【００６５】
有機ＥＬ素子７２は、陽極３４及び陰極４９と、陽極３４及び陰極４９間に挟持される有機ＥＬ層５０を含む。尚、図３には封止基板について図示を省略してある。本発明に係る「第２電極」の一例である陰極４９は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料を用いて形成されるか、又はカルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等のうち少なくとも一つを含む金属材料を用いて形成された導電膜の積層膜として形成されている。
【００６６】
有機ＥＬ装置の駆動時、走査線１１２を介して走査信号が供給されることにより、スイッチング用トランジスタ７６がオン状態になる。スイッチング用トランジスタ７６がオン状態となると、データ線１１４より画像信号が保持容量７８に書き込まれる。この保持容量７８に書き込まれた画像信号の電流に応じて、駆動用トランジスタ７４の電気的な導通状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ７４のチャネルを介して電源供給線１１７より、保持容量７８に書き込まれた画像信号に応じた電流が有機ＥＬ素子７２の陽極３４に供給されると、供給された電流に応じて有機ＥＬ層５０における発光層５０ａが発光する。本実施形態では、図３中、矢印Ｘで示すように、有機ＥＬ素子７２からの発光を基板１０側から表示光として出射させるボトムエミッション型として、有機ＥＬ装置は構成されている。尚、本実施形態では、有機ＥＬ装置を封止基板側から表示光として有機ＥＬ素子７２の発光を出射させるトップエミッション型として構成してもよい。
【００６７】
＜１−３；有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、図１から図３に加えて、図４から図６を参照して、有機ＥＬ装置の製造プロセスについて説明する。図４は、本実施形態における有機ＥＬ装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図であって、図５は、有機ＥＬ装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。また、図６（ａ）及び図６（ｂ）には、第１処理室の構成例を概略的に示してある。
【００６８】
先ず、図４において、基板１０上に、走査線１１２やデータ線１１４等の各種配線や、駆動用トランジスタ７４等の駆動素子を形成し（ステップＳ１０１）、続いて、画素毎に陽極３４を「第１電極」として形成する（ステップＳ１０２）。更に、陽極３４より上層側に、第１及び第２バンク層４６及び４７を形成する。
【００６９】
その後、基板１０において、陽極３４が形成された側の表面に対してプラズマ処理を行って、次のように、画素部７０毎に親液性を示す領域及び撥液性を示す領域を形成する（ステップＳ１０３）。即ち、画素毎に、有機ＥＬ層５０の形成領域において、第２バンク層４７より露出した第１バンク層４６の一部から、連続して、第１及び第２バンク層４６及び４７より露出した陽極３４の表面に、親液性を示す領域が形成される。また、プラズマ処理によって、有機ＥＬ層５０の形成領域を規定する第２バンク層４７の側壁から、第２バンク層４７の上面に連続して撥液性を示す領域が形成される。このように、プラズマ処理を行うことで、特に、有機ＥＬ層５０の各機能層が成膜される陽極３４の表面の一部における濡れ性を向上させることが可能となる。尚、画素部７０毎に撥液性を示す領域を形成することで、有機ＥＬ層５０の形成時に、有機ＥＬ層５０の形成領域からはみ出して、第２バンク層４７の上面に正孔注入／輸送層５０ｂや発光層５０ａが形成されるのを防止することができる。
【００７０】
以上説明したような、ステップＳ１０１からステップＳ１０３の工程は、図５に示す第２処理室Ｊ２において行われる。その後、第２処理室Ｊ２から矢印６０１で示されるように、第１処理室Ｊ１に基板１０を搬送する。そして、第１処理室Ｊ１において基板１０を次のように保持する（ステップＳ１０４）。
【００７１】
図６（ａ）に示すように、第１処理室Ｊ１における扉７０８が開閉されることにより、基板１０は第１処理室Ｊ１内に搬入されて、保持手段７０６によって第１処理室Ｊ１内に保持される。このように基板１０が保持された状態で、第１処理室Ｊ１内には、例えばコンプレッサ７０２により容器７０４内の溶媒がバブリングされて気化され、これにより得られた溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。
【００７２】
第１処理室Ｊ１において、溶媒の蒸気の圧力は、溶媒の飽和蒸気圧の８０［％］以上の値となるように調整するのが好ましい。また、第１処理室Ｊ１内の圧力は、例えば、溶媒の蒸気と空気又は窒素（Ｎ２）とを合わせて大気圧となるように調整している。
【００７３】
更に、容器７０４内には、後述するステップＳ１０５の工程において成膜される機能層が可溶な溶媒が保持される。機能層として正孔注入／輸送層５０ｂを成膜する場合には、例えば、水、又は低級アルコールとして、メタノール、エタノール、プロバノール、ヘキサノール、ブタノール等のうち少なくとも一種の極性溶媒を容器７０４内に保持する。或いは、機能層として発光層５０ａを成膜する場合には、例えば、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、ｎ（ノルマル）−プロピルビフェニル等のうち少なくとも一種の非極性溶媒を容器７０４内に保持する。
【００７４】
尚、図６（ｂ）に示すように、第１処理室Ｊ１の外部に、コンプレッサ７０２及び容器７０４を設置するようにしてもよい。また、そのほか、コンプレッサ７０２から容器７０４への経路にフィルタ７０３を設けたり、容器７０４における溶媒の液面の高さに基づいて、溶媒の量を観測するセンサ（図示せず）を設けたりするようにしてもよい。更に、図６（ｂ）に示すように、第１処理室Ｊ１内の気体をコンプレッサ７０２によって吸気することにより、排気するように構成してもよい。
【００７５】
第１処理室Ｊ１内では、基板１０は陽極３４が形成された側の表面が溶媒の蒸気と接触するように、保持手段７０６によって保持される。そして、基板１０の表面は全体的に溶媒の蒸気と接触すると共に、基板１０の表面におけるいずれの個所も所定の圧力の蒸気と接触することとなる。上述したように、第１処理室Ｊ１における溶媒の蒸気の圧力を調整することにより、基板１０上で、各画素部７０内において、陽極３４の表面に溶媒を液化して付着させることができる。
【００７６】
よって、基板１０上の各画素部７０で濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。また、基板１０における各画素部７０に着目してみれば、画素部７０内においても、濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。従って、従って、ステップＳ１０３におけるプラズマ処理で、基板１０上における画素部７０内や基板１０における各画素部７０で、夫々処理状況が異ってしまっても、その後に、第１処理室Ｊ１において基板１０を保持することで、基板１０上における画素部７０内や基板１０における各画素部７０で、均一な濡れ性を確保することが可能となる。
【００７７】
第１処理室Ｊ１における基板１０の保持時間は例えば１〜３０分程度とし、第１処理室Ｊ１内の温度は、好ましくは２０〜６０［℃］とする。本発明者らの研究によれば、基板１０を第１処理室Ｊ１に１分程度保持するだけで、画素部７０内や各画素部７０で濡れ性を向上させることができ、保持時間を長くしても、３０分程度でその効果は頭打ちとなる。
【００７８】
続いて、図５に示す第１処理室Ｊ１から、基板１０を、矢印６０２で示すように第３処理室Ｊ３に搬送する。そして、第３処理室Ｊ３において、正孔注入／輸送層５０ｂの材料を、例えばインクジェット法により、画素部７０毎に陽極３４上に塗布する。その後、正孔注入／輸送層５０ｂの材料が塗布された基板１０を、図５中の矢印６０３で示すように、第３処理室Ｊ３から第４処理室Ｊ４に搬送する。そして、第４処理室Ｊ４内で、基板１０上に塗布された正孔注入／輸送層５０ｂの材料を、例えば減圧乾燥して、正孔注入／輸送層５０ｂを成膜する（ステップＳ１０５）。
【００７９】
本実施形態では、ステップＳ１０４の工程を行うことにより、第３処理室Ｊ３において、画素部７０内で均一に正孔注入／輸送層５０ｂの材料を塗布させると共に、基板１０上の各画素部７０でも均一に正孔注入／輸送層５０ｂの材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。その結果、基板１０上における画素部７０内や各画素部７０で、表面が平坦で膜厚が均一な正孔注入／輸送層５０ｂを得ることができる。
【００８０】
その後、正孔注入／輸送層５０ｂ上に順次、発光層５０ａ並びに電子注入／輸送層５０ｃを夫々成膜して、有機ＥＬ層５０を形成する。より具体的には、正孔注入／輸送層５０ｂの成膜後、図５中の矢印６０４で示すように、第４処理室Ｊ４から、再び第１処理室Ｊ１に基板１０を搬送する。そして、正孔注入／輸送層５０ｂの成膜時と同様に、基板１０を第１処理室Ｊ１から、第３処理室Ｊ３に搬送し、第３処理室Ｊ３から第４処理室Ｊ４に搬送した後、再び第１処理室Ｊ１に基板１０を搬送する、という手順を繰り返して、発光層５０ａ並びに電子注入／輸送層５０ｃを夫々成膜する。よって、基板１０上における画素部７０内や各画素部７０で、表面が平坦で膜厚が均一な発光層５０ａ及び電子注入／輸送層５０ｂを夫々得ることができる。尚、第１処理室Ｊ１には、発光層５０ａの成膜時には発光層５０ａが可溶な溶媒の蒸気を、電子注入／輸送層５０ｃの成膜時には電子注入／輸送層５０ｃが可溶な溶媒の蒸気を、夫々供給する。
【００８１】
その後、有機ＥＬ層５０上に陰極４９を形成し、有機ＥＬ素子７２を例えば封止基板により封止する。
【００８２】
尚、図５において、有機ＥＬ装置の製造装置で、第１から第４処理室Ｊ１〜Ｊ４で複数の基板１０を処理する場合には、第１処理室Ｊ１において、各基板１０を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板１０において、画素部７０内又は各画素部７０で濡れ性を均一にすることができる。よって、各基板１０において、画素部７０内や各画素部７０で、正孔注入／輸送層５０ｂや発光層５０の表面を平坦にし、且つ膜厚を均一にすることが可能となる。
【００８３】
従って、以上説明したような本実施形態の製造プロセスによれば、有機ＥＬ装置の製造における歩留まりを向上させることが可能となる。また、本実施形態の製造プロセスにより製造された有機ＥＬ装置では夫々、画素部７０内又は各画素部７０で均一な発光状態を得ることが可能となり、輝度ムラ等の表示不良が発生するのを防止することができる。その結果、各有機ＥＬ装置において、高品質な画像表示を行うと共に、均一な表示特性を得ることが可能となる。
【００８４】
＜２：第２実施形態＞
次に、本発明の有機ＥＬ装置に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態では、第１実施形態と有機ＥＬ装置の製造プロセスの一部が異なる。よって、第１実施形態と異なる点についてのみ、図７及び図８を参照して説明する。
【００８５】
図７は、第２実施形態における有機ＥＬ装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図であって、図８は、有機ＥＬ装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。尚、第１実施形態と同様の工程或いは構成については、同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【００８６】
以下では、第１実施形態と同様に、陽極３４上に、正孔注入／輸送層５０ｂ、発光層５０ａ及び電子注入／輸送層５０ｃを順次成膜することで、有機ＥＬ層５０を形成するものとする。
【００８７】
先ず、図７において、第１実施形態と同様に、図８に示す第２処理室Ｊ２において、ステップＳ１０１からステップＳ１０３の工程を行う。その後、第２処理室Ｊ２から矢印６１１で示されるように、第３処理室Ｊ３に基板１０を搬送する。そして、第３処理室Ｊ３において、正孔注入／輸送層５０ｂの材料を、画素部７０毎に陽極３４上に塗布する。その後、正孔注入／輸送層５０ｂの材料が塗布された基板１０を、図８中の矢印６１２で示すように、第３処理室Ｊ３から第４処理室Ｊ４に搬送する。そして、第４処理室Ｊ４内で、基板１０上に塗布された正孔注入／輸送層５０ｂの材料を乾燥して、正孔注入／輸送層５０ｂを成膜する（ステップＳ２０４）。
【００８８】
続いて、基板１０を、図８中の矢印６１３で示すように、第４処理室Ｊ４から第１処理室Ｊ１に搬送する。そして、第１処理室Ｊ１に基板１０を保持する（ステップＳ２０５）。ここで、第１処理室Ｊ１内には、正孔注入／輸送層５０ｂが可溶な溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。
【００８９】
第１処理室Ｊ１内では、基板１０と溶媒の蒸気とが接触することで、各画素部７０内において正孔注入／輸送層５０ｂの表面に溶媒が液化して付着する。そして、正孔注入／輸送層５０ｂの表面付近では、正孔注入／輸送層５０ｂの材料が溶媒に再溶解する。よって、第１処理室Ｊ１へ基板１０を搬送する前に、第４処理室Ｊ４で、基板１０上に塗布された正孔注入／輸送層５０ｂの材料を乾燥させる際に、画素部７０内又は基板１０における各画素部７０間で乾燥速度が不均一になったとしても、前述したように正孔注入／輸送層５０ｂの材料を再溶解させることで、正孔注入／輸送層５０ｂの表面に生じた段差を緩和して、正孔注入／輸送層５０ｂの表面を平坦化することが可能となる。従って、基板１０上の各画素部７０で正孔注入／輸送層５０ｂの平坦性を改善することができる。また、基板１０における各画素部７０に着目してみれば、画素部７０内においても、正孔注入／輸送層５０ｂの平坦性を改善することができる。
【００９０】
更に、例えば溶媒を基板１０に直接スプレーコートさせるような場合と比較して、基板１０の表面を全体的に均一に溶媒の蒸気と接触させることができるため、溶媒の塗布ムラを防止して、基板１０上における画素部７０内で均一な平坦性を得ると共に、基板１０における各画素部７０でも均一な平坦性を得ることが可能となる。加えて、後述するように、有機ＥＬ装置の製造装置で、第１から第４処理室Ｊ１〜Ｊ４で複数の基板１０を処理する場合に、第１処理室Ｊ１における保持時間等を所定値に調整することで、容易に各基板１０に対して再現性の高い処理を行うことが可能となる。
【００９１】
続いて、基板１０を、図８中の矢印６１４で示すように、第１処理室Ｊ１から第４処理室Ｊ４に搬送する。そして、第４処理室Ｊ４において、再溶解させた正孔注入／輸送層５０ｂの材料を、再び、例えば減圧乾燥させる（ステップＳ２０６）。
【００９２】
その後、正孔注入／輸送層５０ｂ上に順次、発光層５０ａ並びに電子注入／輸送層５０ｃを夫々成膜して、有機ＥＬ層５０を形成する。より具体的には、正孔注入／輸送層５０ｂの材料を再乾燥させた後、図８中の矢印６１５で示すように、第４処理室Ｊ４から、再び第３処理室Ｊ３に基板１０を搬送する。そして、正孔注入／輸送層５０ｂの成膜時と同様に、基板１０を第３処理室Ｊ３から、第４処理室Ｊ４に搬送した後に第１処理室Ｊ１に搬送し、再び第４処理室Ｊ４に基板１０を搬送する、という手順を繰り返して、発光層５０ａ並びに電子注入／輸送層５０ｃを夫々成膜する。よって、基板１０上の画素部７０内又は各画素部７０で、発光層５０ａ及び電子注入／輸送層５０ｃの各々の平坦性を改善することができる。尚、第１処理室Ｊ１には、発光層５０ａの成膜時には発光層５０ａが可溶な溶媒の蒸気を、電子注入／輸送層５０ｃの成膜時には電子注入／輸送層５０ｃが可溶な溶媒の蒸気を、夫々供給する。
【００９３】
また、第１実施形態と同様に、有機ＥＬ装置の製造装置で、第１から第４処理室Ｊ１〜Ｊ４で複数の基板１０を処理する場合には、各基板１０を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板１０において、画素部７０内または各画素部７０で均一な平坦性を確保することが可能となる。
【００９４】
よって、第２実施形態では、第１実施形態と同様の利益を享受することが可能となる。
【００９５】
＜３：第３実施形態＞
次に、本発明の有機ＥＬ装置に係る第３実施形態について説明する。第３実施形態では、第１又は第２実施形態と有機ＥＬ装置の製造プロセスの一部が異なる。よって、第１又は第２実施形態と異なる点についてのみ、図９及び図１０を参照して説明する。
【００９６】
図９は、第３実施形態における有機ＥＬ装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図であって、図１０は、有機ＥＬ装置の製造に用いられる製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。尚、第１又は第２実施形態と同様の工程或いは構成については、同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【００９７】
以下では、第１又は第２実施形態と同様に、陽極３４上に、正孔注入／輸送層５０ｂ、発光層５０ａ及び電子注入／輸送層５０ｃを順次成膜することで、有機ＥＬ層５０を形成するものとする。
【００９８】
先ず、図９において、第１又は第２実施形態と同様に、図１０に示す第２処理室Ｊ２において、ステップＳ１０１からステップＳ１０３の工程を行う。その後、第２処理室Ｊ２から矢印６２１で示されるように、第１処理室Ｊ１に基板１０を搬送する。そして、第１処理室Ｊ１において基板１０を保持する（ステップＳ３０４）。
【００９９】
ここで、第１処理室Ｊ１内には、正孔注入／輸送層５０ｂが可溶な溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。第１処理室Ｊ１内では、基板１０と溶媒の蒸気とが接触することで、各画素部７０内において陽極３４の表面に溶媒が液化して付着する。よって、基板１０上の各画素部７０で濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。また、基板１０における各画素部７０に着目してみれば、画素部７０内においても、濡れ性を向上させると共に、均一な濡れ性を確保することが可能となる。。
【０１００】
続いて、図１０に示す第１処理室Ｊ１から、基板１０を、矢印６２２で示すように第３処理室Ｊ３に搬送する。そして、第３処理室Ｊ３において、正孔注入／輸送層５０ｂの材料を、画素部７０毎に陽極３４上に塗布する。その後、正孔注入／輸送層５０ｂの材料が塗布された基板１０を、図１０中の矢印６２３で示すように、第３処理室Ｊ３から第４処理室Ｊ４に搬送する。そして、第４処理室Ｊ４内で、基板１０上に塗布された正孔注入／輸送層５０ｂの材料を乾燥して、正孔注入／輸送層５０ｂを成膜する（ステップＳ３０５）。
【０１０１】
第１処理室Ｊ１内での処理により、第３処理室Ｊ３では、基板１０上の各画素部７０で均一に正孔注入／輸送層５０ｂの材料を塗布させると共に、画素部７０内でも均一に正孔注入／輸送層５０ｂの材料を塗布させることが可能となり、塗布ムラが発生するのを防止することができる。
【０１０２】
続いて、基板１０を、図１０中の矢印６２４で示すように、第４処理室Ｊ４から第１処理室Ｊ１に搬送する。そして、第１処理室Ｊ１に基板１０を保持する（ステップＳ３０６）。この際も、第１処理室Ｊ１内には、正孔注入／輸送層５０ｂが可溶な溶媒の蒸気が所定の圧力となるように供給されている。
【０１０３】
第１処理室Ｊ１内では、各画素部７０内において正孔注入／輸送層５０ｂの表面に液化して付着した溶媒に、正孔注入／輸送層５０ｂの材料が再溶解する。よって、基板１０上の各画素部７０で正孔注入／輸送層５０ｂの平坦性を改善することができる。また、基板１０における各画素部７０に着目してみれば、画素部７０内においても、正孔注入／輸送層５０ｂの平坦性を改善することができる。
【０１０４】
続いて、基板１０を、図１０中の矢印６２５で示すように、第１処理室Ｊ１から第４処理室Ｊ４に搬送する。そして、第４処理室Ｊ４において、再溶解させた正孔注入／輸送層５０ｂの材料を、再乾燥させる（ステップＳ３０７）。
【０１０５】
その後、正孔注入／輸送層５０ｂ上に順次、発光層５０ａ並びに電子注入／輸送層５０ｃを夫々成膜して、有機ＥＬ層５０を形成する。より具体的には、正孔注入／輸送層５０ｂの材料を再乾燥させた後、図１０中の矢印６２４で示すように、第４処理室Ｊ４から、再び第１処理室Ｊ１に基板１０を搬送する。そして、正孔注入／輸送層５０ｂの成膜時と同様に、基板１０を第１処理室Ｊ１から第３処理室Ｊ３に搬送した後、第４処理室Ｊ４に搬送し、再び第１処理室Ｊ１に基板１０を搬送した後、第４処理室Ｊ４において再乾燥させるという手順を繰り返して、発光層５０ａ並びに電子注入／輸送層５０ｃを夫々成膜する。尚、第１処理室Ｊ１には、発光層５０ａの成膜時には発光層５０ａが可溶な溶媒の蒸気を、電子注入／輸送層５０ｃの成膜時には電子注入／輸送層５０ｃが可溶な溶媒の蒸気を、夫々供給する。
【０１０６】
また、第１又は第２実施形態と同様に、有機ＥＬ装置の製造装置で、第１から第４処理室Ｊ１〜Ｊ４で複数の基板１０を処理する場合には、各基板１０を、所定時間で所定温度で且つ溶媒の蒸気を所定の圧力に調整して、保持するのが好ましい。このようにすれば、各基板１０において、画素部７０内又は各画素部７０で、正孔注入／輸送層５０ｂや発光層５０の各々の形状を均一にすることができる。従って、第３実施形態によれば、第１又は第２実施形態と同様の利益を享受することが可能となる。
【０１０７】
また、第３実施形態では、第１又は第２実施形態と比較して、基板１０上の各画素部７０で、より確実に、発光層５０ａ等の機能層の表面の平坦性を改善すると共に、機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。
また、基板１０における各画素部７０に着目してみれば、画素部７０内においても、より確実に、発光層５０ａ等の機能層の表面の平坦性を改善すると共に、機能層の表面の平坦性及び機能層の膜厚を均一にすることが可能となる。
【０１０８】
＜４：電子機器＞
次に、上述した有機ＥＬ装置が各種の電子機器に適用される場合について説明する。
【０１０９】
＜４−１：モバイル型コンピュータ＞
先ず、この有機ＥＬ装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、有機ＥＬ装置を用いて構成された表示ユニット１２０６とを備えている。
【０１１０】
＜４−２；携帯電話＞
さらに、この有機ＥＬ装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１２は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに有機ＥＬ装置を備えるものである。
【０１１１】
この他にも、有機ＥＬ装置は、ノート型のパーソナルコンピュータ、ＰＤＡ、テレビ、ビューファインダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、更には有機ＥＬ装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置などの装置等に適用することができる。
【０１１２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置の製造方法及び製造装置、並びに該製造方法によって製造された有機ＥＬ装置及びそのような有機ＥＬ装置を備えた各種電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】有機ＥＬ装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】任意の画素部の平面図である。
【図３】図２に示す画素部のＡ−Ａ'断面図である。
【図４】有機ＥＬ装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図である。
【図５】有機ＥＬ装置の製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１処理室の構成例を概略的に示し図である。
【図７】第２実施形態における、有機ＥＬ装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図である。
【図８】第２実施形態における、有機ＥＬ装置の製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。
【図９】第３実施形態における、有機ＥＬ装置の製造プロセスに係る各工程を説明するためのフローチャートを示す図である。
【図１０】第３実施形態における、有機ＥＬ装置の製造装置における各工程の流れを模式的に説明するための模式図である。
【図１１】有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１２】有機ＥＬ装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１０…基板、３４…陽極、４９…陰極、５０…有機ＥＬ層、７０…画素部、Ｊ１…第１処理室、Ｊ２…第２処理室、Ｊ３…第３処理室、Ｊ４…第４処理室
【図１】
2006100090.tif 000003
【図２】
2006100090.tif 000004
【図３】
2006100090.tif 000005
【図４】
2006100090.tif 000006
【図５】
2006100090.tif 000007
【図６】
2006100090.tif 000008
【図７】
2006100090.tif 000009
【図８】
2006100090.tif 000010
【図９】
2006100090.tif 000011
【図１０】
2006100090.tif 000012
【図１１】
2006100090.tif 000013
【図１２】
2006100090.tif 000014