(57)【要約】【課題】積層板表面の導体層を厚くすることなくビア内が完全にめっき金属によって穴埋めされたフィルドビアを形成し、ファインな導体回路パターン形成を可能にすること。【解決手段】有底ビア１８内をめっき金属１９によって埋めるビアフィルめっき時には、有底ビア１８の底面に露呈している銅箔１３のみを有効なめっき電極として機能させ、有底ビア部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく有底ビア１８内をめっき金属１９で充填する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板に、前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、
前記第２の導体層を前記第１の導体層とは電気的に分離されためっき電極として電解めっきを行い、
当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記有底ビア内がめっき金属によって埋められた後も引き続き電解めっきを行い、前記有底ビアのめっき金属上と前記第１の導体層上に電解めっき層を形成する請求項１記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板に、前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、
前記第１の導体層を第１のめっき電極とし、前記第２の導体層を前記第１のめっき電極とは電気的に分離された第２のめっき電極とし、前記第２のめっき電極の電流密度を第１のめっき電極の電流密度より高くした電解めっきを行い、
当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板の前記絶縁層の前記導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、
前記導電シード層と前記絶縁層を貫通して前記導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、
前記第導体層を前記導電シード層とは電気的に分離されためっき電極として電解めっきを行い、
当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成し、当該めっき金属によって前記導体層と前記導電シード層とが電気的に接続された後も引き続き電解めっきを行い、前記有底ビアのめっき金属上と前記導電シード層上に電解めっき層を形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板の前記絶縁層の前記導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、
前記導電シード層と前記絶縁層を貫通して前記導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、
前記導電シード層を第１のめっき電極とし、前記導体層を前記第１のめっき電極とは電気的に分離された第２のめっき電極とし、前記第２のめっき電極の電流密度を第１のめっき電極の電流密度より高くした電解めっきを行い、
当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成すると共に前記有底ビアのめっき金属上と前記導電シード層上に電解めっき層を形成するプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プリント配線板の製造方法に関し、特に、層間導通をフィルドビアにより行う両面あるいは多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
両面あるいは多層プリント配線板の層間導通を行うビア形成法として、絶縁層の片面に銅箔等による導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板の絶縁層に、導体層がビア底面に露呈した有底ビアをあけ、絶縁層の導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、有底ビア内が電解めっきによるめっき金属、例えば、電解めっき銅によって埋められたフィルドビアを形成し、更に電解めっきを続けて、導電シード層とフィルドビア上に電解めっき層、つまり、もう一方の導体層を形成するビアフィルめっき法がある（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ビアフィルめっきは、硫酸銅めっき浴等のめっき浴中に、めっき成長を抑制する電析抑制剤を添加することにより、抑制剤が効果的に働いている積層板表面（基板表面）では、めっきがあまり成長せず、抑制剤が行き届いていないビア（有底ビア）内では、めっき成長が促進されることを利用して、ビアホール内部がめっき金属によってソリッドに埋められるビアフィル構造を形成する。
【０００４】
こういったビアフィルめっきによるビアフィル構造は、スルーホールめっきによるものに比して高いめっき接続信頼性を示し、ビア直上にビアを配置する設計が可能になると共に、ビア直上に電子部品等を実装することができるため、高密度多層プリント配線板への応用が検討されている。
【０００５】
ビアフィルめっき法では、ビア内においては、めっき成長が促進され、積層板表面においては抑制剤が作用しているため、めっきはあまり成長しないが、ビア内がめっき金属によって完全に充填されるころには、積層板表面においても、めっきはある程度成長している。このため、積層板表面で、もう一方の導体層をなすめっき層の厚さを薄くするには限界がある。
【０００６】
積層板表面のめっき厚が厚くなると、導体回路パターン形成におけるエッチング量が多くなるため、パターンの精度は低くなり、ファインな導体回路パターン形成が難しくなるといった問題点が生じる。
【０００７】
例えば、ビア直径１００μｍ、ビア深さ５０μｍのビアをビアフィルめっき法で完全に充填すると、積層板表面におけるめっき厚は２０〜２５μｍとなり、ファインパターン形成は、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０μｍ程度が限界となる。よって、ファインな導体回路を形成するには、ビア内を完全にめっきで充填でき、さらに積層板表面のめっき厚（導体層の厚さ）を薄くすることが可能なビアフィルめっき法が求められる。
【特許文献１】特開２００１−２９１９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明が解決しようとする課題は、積層板表面の導体層を厚くすることなくビア内が完全にめっき金属によって穴埋めされたフィルドビアを形成し、ファインな導体回路パターン形成を可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板に、前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、前記第２の導体層を前記第１の導体層とは電気的に分離されためっき電極として電解めっきを行い、当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成する。
【００１０】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、さらに、前記有底ビア内がめっき金属によって埋められた後も引き続き電解めっきを行い、前記有底ビアのめっき金属上と前記第１の導体層上に電解めっき層を形成する。
【００１１】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の一方の面に第１の導体層を、前記絶縁層の他方の面に第２の導体層を有するプリント配線板用両面導体層付き積層板に、前記第１の導体層と前記絶縁層とを貫通して前記第２の導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、前記第１の導体層を第１のめっき電極とし、前記第２の導体層を前記第１のめっき電極とは電気的に分離された第２のめっき電極とし、前記第２のめっき電極の電流密度を第１のめっき電極の電流密度より高くした電解めっきを行い、当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成する。
【００１２】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板の前記絶縁層の前記導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、前記導電シード層と前記絶縁層を貫通して前記導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、前記導体層を前記導電シード層とは電気的に分離されためっき電極として電解めっきを行い、当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成し、当該めっき金属によって前記導体層と前記導電シード層とが電気的に接続された後も引き続き電解めっきを行い、前記有底ビアのめっき金属上と前記導電シード層上に電解めっき層を形成する。
【００１３】
この発明によるプリント配線板の製造方法は、絶縁層の片面に導体層を有するプリント配線板用片面導体層付き積層板の前記絶縁層の前記導体層とは反対側の表面にめっき給電用の導電シード層を形成し、前記導電シード層と前記絶縁層を貫通して前記導体層がビア底面に露呈した有底ビアを形成し、前記導電シード層を第１のめっき電極とし、前記導体層を前記第１のめっき電極とは電気的に分離された第２のめっき電極とし、前記第２のめっき電極の電流密度を第１のめっき電極の電流密度より高くした電解めっきを行い、当該電解めっきによって前記有底ビア内がめっき金属によって埋められたフィルドビアを形成すると共に前記有底ビアのめっき金属上と前記導電シード層上に電解めっき層を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によるプリント配線板の製造方法では、両面導体層付き積層板を出発材として、絶縁層の一方の側にある第１の導体層と、ビア底面に露呈する絶縁層の他方の側にある第２の導体層とが電気的に分離され、ビア底面に露呈した第２の導体層だけがめっき電極として有効に機能した状態で電解めっきが開始されるので、第１の導体層上にめっき層を成長させることなく有底ビア内をめっき金属で充填することができる、あるいは第２の導体層（第２のめっき電極）の電流密度が第１の導体層（第１のめっき電極）の電流密度より高い状態で電解めっきが行われる。よって、第１の導体層上のめっき層の成長に比して有底ビア内をめっき金属によって速く充填することができる。
【００１５】
あるいは、片面導体層付き積層板を出発材として、絶縁層の片側にある導体層が、それとは反対の側に形成される導体層とは電気的に分離され、ビア底面に露呈した導体層だけがめっき電極として有効に機能した状態で電解めっきが開始されるので、導電シード層上にめっき層を成長させることなく有底ビア内をめっき金属で充填することができる、あるいは導体層（第２のめっき電極）の電流密度が導電シード層（第１のめっき電極）の電流密度より高い状態で電解めっきが行われることで、導電シード層上のめっき層の成長に比して有底ビア内をめっき金属によって充填することが速く行われる。
【００１６】
これらのことにより、ビアフィルめっきによってビア（有底ビア）内を完全にめっき金属で充填した上で、積層板表面における導体層を薄くすることができ、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
この発明によるプリント配線板の製造方法の実施形態（第１の実施形態）を、図１（ａ）〜（ｉ）を参照して説明する。
【００１８】
図１（ａ）に示されているように、絶縁層をなすポリイミドフィルム１１の一方の面に第１の導体層としての銅箔１２を、ポリイミドフィルム１１の他方の面に第２の導体層としての銅箔１３を設けてある両面銅箔付きポリイミド基材（積層板）１０を出発材とし、図１（ｂ）に示されているように、両面銅箔付きポリイミド基材１０の銅箔１２上に、感光性樹脂フィルム１４をラミネートし、銅箔１２を感光性樹脂フィルム１４によって被覆する。感光性樹脂フィルム１４は、厚さが２０μｍ程度のアクリル・エポキシ系樹脂製のものであり、銅箔１２を被覆するレジスト層をなす。
【００１９】
なお、両面銅箔付きポリイミド基材１０は、ポリイミドフィルム１１の厚さが２０μｍ程度で、銅箔１２、１３の厚さが５μｍ程度のものであり、ポリイミドフィルム１１の両面に銅箔１２、１３を貼り合わせられている。
【００２０】
レジストは、エポキシ樹脂フィルムなども使用可能であり、また、予めレジストがラミネ−トされている基材を出発材料として用いる場合は、レジストラミネート工程を省略できる。
【００２１】
つぎに、図１（ｃ）に示されているように、マスク１５を用いてレジスト層である感光性樹脂フィルム１４のパターニング露光を行う。感光性樹脂フィルム１４はネガ型レジストであり、パターニング露光は、ビア形成予定部１６をマスク１５によって遮光して紫外線を照射することにより行う。
【００２２】
つぎに、図１（ｄ）に示されているように、パターニング露光後の感光性樹脂フィルム１４の現像処理を行う。この現像処理は、Ｎａ２ＣＯ３水溶液によって感光性樹脂フィルム１４の非露光部を除去する処理である。
【００２３】
これにより、ビア形成予定部１６の感光性樹脂フィルム１４が除去され、ビア形成予定部１６の感光性樹脂フィルム１４に開口１７が形成され、ビア形成予定部１６以外の部分の銅箔１２は感光性樹脂フィルム１４によって引き続き被覆された状態になる。
【００２４】
つぎに、図１（ｅ）に示されているように、ビア形成予定部１６の銅箔１２をエッチングによって除去し、ビア形成予定部１６の銅箔１２を貫通する貫通孔１８Ａを形成する。この銅箔１２のエッチングは、ＦｅＣｌ３の水溶液により行うことができる。
【００２５】
つぎに、図１（ｆ）に示されているように、感光性樹脂フィルム１４を除去する。感光性樹脂フィルム１４の除去は、ＮａＯＨ水溶液等により行うことができる。
【００２６】
つぎに、図１（ｇ）に示されているように、ビア形成予定部１６のポリイミドフィルム１１をＵＶ−ＹＡＧレーザ照射によって除去し、ビア形成予定部１６のポリイミドフィルム１１を貫通する貫通孔１８Ｂを形成する。貫通孔１８Ｂの加工後にデスミア処理を行う。
【００２７】
なお、貫通孔１８Ａと貫通孔１８Ｂの穴あけは、レーザ強度を調節されたレーザ照射によるレーザ加工やドリル加工等によって一括加工することもできる。
【００２８】
銅箔１２の貫通孔１８Ａとポリイミドフィルム１１の貫通孔１８Ｂは、同心整合する同一孔径の孔であり、ビア底面に銅箔１３の裏面１３Ａが露呈した有底ビア１８をなす。この有底ビア１８の孔径（内径）は１００μｍ程度である。
【００２９】
つぎに、図１（ｈ）に示されているように、下側の銅箔１３を上側の銅箔１２とは電気的に分離した状態で、銅箔１３をめっき電極（カソード電極）とし、銅箔１３と銅製の対向電極（アノード電極）１００との間に、直流電源１０１を接続し、電解めっきを行う。
【００３０】
この電解めっきは、ビアフィルめっきであり、硫酸銅と硫酸と塩素イオンを含むめっき浴により行う。めっき浴は、硫酸銅１６０〜２４０ｇ／ｌ、硫酸４０〜８０ｇ／ｌ、塩素イオン３０〜７０ｍｇ／ｌ（３５％塩酸として０．０７５〜０．１７５ｍｌ／ｌ）、ポリマ濃度３〜１５ｍｌ／ｌ、ブライトナ濃度０．５〜３．０ｍｌ／ｌ、レベラ濃度０．３〜１．０ｍｌ／ｌ程度のものを使用できる。
【００３１】
標準のめっき浴は、硫酸銅２００ｇ／ｌ、硫酸５０ｇ／ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／ｌ（３５％塩酸として０．１２５ｍｌ／ｌ）、ポリマ濃度８ｍｌ／ｌ、ブライトナ濃度１．５ｍｌ／ｌ、レベラ濃度０．５ｍｌ／ｌである。
【００３２】
この電解めっき（ビアフィルめっき）工程では、有底ビア１８のビア底面に露呈した銅箔１３だけがめっき電極として有効に機能した状態で電解めっきが開始されるから、有底ビア１８内におけるめっき成長は進行するが、銅箔１２には通電が行われないので、銅箔１２の表面１２Ａにおいては、めっきは成長しない。
【００３３】
これにより、有底ビア１８部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく、有底ビア１８内をめっき金属（銅）１９で充填することができる。
【００３４】
図１（ｈ）に示されているように、有底ビア１８内におけるめっき金属１９の上面１９Ａが上側の銅箔１２とポリイミドフィルム１１との界面部分まで成長し、その後も、引き続き電解めっきを続行すると、有底ビア１８内のめっき金属１９が上側の銅箔１２に接触するようになり、下側の銅箔１３と上側の銅箔１２とが有底ビア１８内のめっき金属１９によって導通するようになり、下側の銅箔１３と上側の銅箔１２にかかる電位がほぼ等しくなる。
【００３５】
これにより、これ以降の電解めっきにおいては、有底ビア１８内のめっき金属１９上に加えて銅箔１２の表面１２Ａにも電解めっきが行われる。よって、図１（ｉ）に示されているように、銅箔１２上にも電解めっき層２０が形成され、有底ビア１８内がめっき金属１９によって完全に埋められたフィルドビアが完成する。
【００３６】
このフィルドビア形成法では、有底ビア１８内の電解めっき（めっき金属１９）がビア表面側の銅箔１２に達するまで、ビア表面の銅箔１２上においては、めっきが成長しないから、有底ビア１８内がめっき金属１９によって完全に埋められたフィルドビアを形成して平滑な電解めっき層２０を得えた上で、銅箔１２上の電解めっき層２０を従来に比して薄くできる。
【００３７】
この手法を用いると、ビア表面の銅箔１２上の電解めっき層２０の厚さを５μｍ程度にとどめることができ、従来法におけるファインパターン形成の限界であったＬ／Ｓ＝５０／５０μｍよりもファインなＬ／Ｓ＝２０／２０μｍの導体回路パターンを形成することができた。
【００３８】
これにより、ビアフィルめっきによって有底ビア１８内を完全にめっき金属１９で充填し、且つ積層板表面における導体層の厚さ、すなわち（銅箔１２＋電解めっき層２０）を薄くすることができるので、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【００３９】
つぎに、第１の実施形態の変形例について説明する。上述した第１の実施形態では、電解めっき開始時には、上側の銅箔１２には、全く通電を行わないようにしたが、当該変形例は、銅箔１２と１３とを電気的に分離することは同じで、図２（ｈ）に示されているように、上側のを第１のめっき電極（カソード電極）、ビア底面に露呈する下側の銅箔１３を第２のめっき電極（カソード電極）とし、第２のめっき電極の電流密度を第１のめっき電極の電流密度より高くした電解めっきを行う点が特徴である。
【００４０】
電解めっきにおけるめっきの成長（めっき速度）は、めっきの電流密度に比例し、電流密度が高いほど速くなる。したがって、銅箔１３（第２のめっき電極）の電流密度が銅箔１２（第１のめっき電極）の電流密度より高い状態で電解めっきが行われる。よって、銅箔１２上の電解めっき層２０の成長に比して有底ビア１８内をめっき金属１９によって速く充填することができる。
【００４１】
電解めっきにおげる電流密度は、各々の電極間にかかる電圧Ｖ１、Ｖ２を調整することにより、変えることができ、この場合、銅箔１２側の直流電源１０１Ａが電圧Ｖ１、銅箔１３側の直流電源１０１Ｂが電圧Ｖ２で、Ｖ１＜Ｖ２となっている。
【００４２】
これにより、この場合でも、有底ビア１８内がめっき金属１９によって完全に埋められたフィルドビアを形成して平滑な電解めっき層２０を得た上で、銅箔１２上の電解めっき層２０を従来に比して薄くでき、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【００４３】
なお、図２に示されている実施形態が、図１に示されている実施形態と異なる点は、上述した電解めっきの通電の仕方だけであるから、図２（ａ）〜（ｉ）において、図１（ａ）〜（ｉ）に対応する部分は、図１（ａ）〜（ｉ）に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【００４４】
この発明によるプリント配線板の製造方法の第２の実施形態を、図３（ａ）〜（ｅ）を参照して説明する。
【００４５】
図３（ａ）に示されているように、絶縁層をなすポリイミドフィルム３１の片面に下面側の導体層としての銅箔３２を設けてある片面銅箔付きポリイミド基材（積層板）３０を出発材とし、プリント配線板用片面導体層付き積層板３０のポリイミドフィルム３１の銅箔３２とは反対側の表面（上面）３１Ａにめっき給電用の導電シード層３３を形成する。
【００４６】
導電シード層３３の形成は、スパッタリングによって厚さ４０ｎｍ程度のＣｒ層をポリイミドフィルム３１の表面３１Ａに形成し、その上に、無電解めっきによって１５０ｎｍ程度のＣｕ層を形成する。したがって、導電シード層３３は、Ｃｒ層とＣｕ層との２層構造になる。導電シード層３３は、その他、ニッケル、ダングステン、チタン等によって構成することもできる
つぎに、ビア形成予定部３４のポリイミドフィルム３１をＵＶ−ＹＡＧレーザ照射によって除去し、ビア形成予定部３４のポリイミドフィルム３１を貫通する有底ビア３５を形成する。図３（ｃ）に示されているように、有底ビア３５の孔径（内径）は１００μｍ程度であり、有底ビア３５のビア底面には銅箔３２の裏面３２Ａが露呈している。なお、有底ビア３５の加工後にデスミア処理を行う。
【００４７】
なお、片面銅箔付きポリイミド基材３０は、ポリイミドフィルム３１の厚さが２０μｍ程度で、銅箔３２の厚さが５μｍ程度のものであり、ポリイミドフィルム３１の片面に銅箔３２を貼り合わせられている。
【００４８】
つぎに、図３（ｄ）に示されているように、銅箔３２と導電シード層３３とを電気的に分離した状態で、導電シード層３３を第１のめっき電極（カソード電極）、ビア底面に露呈する銅箔３２を第２のめっき電極（カソード電極）とし、これらめっき電極と銅製の対向電極（アノード電極）１００との間に、直流電源１０１Ａ、１０１Ｂを接続し、第２のめっき電極の電流密度を第１のめっき電極の電流密度より高くした電解めっきを行う。
【００４９】
電解めっきにおげる電流密度は、各々の電極間にかかる電圧Ｖ１、Ｖ２を調整することにより、変えることができるから、導電シード層３３側の直流電源１０１Ａが電圧Ｖ１、銅箔３２側の直流電源１０１Ｂが電圧Ｖ２で、Ｖ１＜Ｖ２とする。
【００５０】
電解めっきにおけるめっきの成長（めっき速度）は、めっきの電流密度に比例し、電流密度が高いほど、めっきの成長が速いから、銅箔３２（第２のめっき電極）の電流密度が導電シード層３３（第１のめっき電極）の電流密度より高い状態で電解めっきが行われる。よって、導電シード層３３上の電解めっき層３７の成長に比して有底ビア３５内をめっき金属３６によって速く充填することができる。
【００５１】
これにより、図３（ｅ）に示されているように、有底ビア３５内がめっき金属３６によって完全に埋められたフィルドビアを形成して平滑な電解めっき層３７を得えた上で、導電シード層３３上の電解めっき層３７を従来に比して薄くでき、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【００５２】
この実施形態では、電解めっき層３７の厚さを、ビアフィルめっきの条件に拘わらず、自由に設定でき、たとえば、電解めっき層３７の厚さを５μｍに設定することで、従来法におけるファインパターン形成の限界であったＬ／Ｓ＝５０／５０μｍよりもファインなＬ／Ｓ＝２０／２０μｍ程度の導体回路パターンを形成することができる。
【００５３】
これにより、ビアフィルめっきによって有底ビア３５内を完全にめっき金属３６で充填した上で、積層板表面における導体層の厚さ、すなわち電解めっき層３７を薄くすることができ、フィルドビアによるプリント配線板においてファインな導体回路パターン形成が可能になる。
【００５４】
次に、第２の実施形態の変形例について図４により説明する。上述した第２の実施形態では、電解めっき開始時から、銅箔３２と導電シード層３３の両方に通電を行ったが、当該変形例では、図４（ｄ）に示されているように、電解めっき開始時には、導電シード層３３には、全く通電を行わない。
【００５５】
この場合は、有底ビア３５内の電解めっき（めっき金属３６）がビア表面側の導電シード層３３に達するまで、ビア表面の導電シード層３３上においては、めっきが成長せず、有底ビア３５内のめっき金属３６が導電シード層３３に達し、めっき金属３６が導電シード層３３と導通接触することにより、それ以降の電解めっきにおいて、導電シード層３３上に電解めっき層３７が形成される。
【００５６】
これにより、この実施形態でも、有底ビア３５内がめっき金属３６によって完全に埋められたフィルドビアを形成して平滑な電解めっき層３７を得えた上で、導電シード層３３上の電解めっき層３７を従来に比して薄くできる。
【００５７】
なお、図４に示されている実施形態が、図３に示されている実施形態と異なる点は、上述した電解めっきの通電の仕方だけであるから、図４（ａ）〜（ｅ）において、図３（ａ）〜（ｅ）に対応する部分は、図３（ａ）〜（ｅ）に付した符号と同一の符号を付けて、その説明を省略する。
【００５８】
なお、この発明を用いるプリント配線板の製造方法は、液晶ポリマなどを絶縁層に用いたフレキシブルプリント基板、エポキシ樹脂などのプリプレグを絶縁層として使用したリジットプリント基板に適用できる。
【００５９】
また、この発明により製造したプリント配線板を複数積層することにより、多層プリント配線板の製造方法に適用できる。
【００６０】
電解めっき液としては、各種金属（金、ニッケル、はんだなど）のめっき液が使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の第１の実施形態を示す工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｉ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の第１の実施形態１の変形例を示す工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の第２の実施形態２を示す工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、この発明によるプリント配線板の製造方法の第２の実施形態２の変形例を示す工程図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０  両面銅箔付きポリイミド基材
１１  ポリイミドフィルム
１２、１３  銅箔
１４  感光性樹脂フィルム
１５  マスク
１６  ビア形成予定部
１７  開口
１８  有底ビア
１９  めっき金属
２０  電解めっき層
３０  片面銅箔付きポリイミド基材
３１  ポリイミドフィルム
３２  銅箔
３３  導電シード層
３４  ビア形成予定部
３５  有底ビア
３６  めっき金属
３７  電解めっき層
１００  対向電極
１０１  直流電源
【図１】
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【図２】
2006135163.tif 000004
【図３】
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【図４】
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