(57)【要約】【課題】  セルギャップを均一にすることができ、かつ、製造工程が煩雑でなく、製造コストを押さえることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】  オーバーコート層２０ａとスペーサ部２０ｂとを一体的に形成する（オーバーコート部２０）ことにより、オーバーコート層２０ａを形成した後であらためてスペーサ部２０ｂをパターニングする必要が無く、オーバーコート層２０ａとスペーサ２０ｂとを一の工程で形成することができる。これにより、製造工程を簡略化することができ、その分のコストを抑えることができる。また、このように形成されたスペーサ部２０ｂによりセルギャップを均一にすることができる。【選択図】  図２
2006220706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板を貼り合わせてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち一方の基板に、該一方の基板上で少なくとも表示領域に形成され
た絶縁膜からなる保護層と、前記一対の基板を貼り合わせた状態で前記一対の基板のうち
他方の基板側に当接するスペーサとを同一の材料を用いて同時に形成することを特徴とす
る電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記一方の基板上に感光性材料を含んだレジスト層を形成するレジスト形成工程と、
前記レジスト層上にフォトマスクを配置して露光を行う露光工程と、
前記露光されたレジスト層に現像液を供給して現像を行う現像工程と
を具備し、
前記フォトマスクの光透過率が、前記レジスト層のうち前記保護層を形成する部分に平
面的に重なる領域と、前記レジスト層のうち前記スペーサを形成する部分に平面的に重な
る領域の光透過率とで異なっていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製
造方法。
【請求項３】
前記保護層が、前記一方の基板を覆うオーバーコート層であることを特徴とする請求項
１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護層が、前記一方の基板の表面に設けられる下地層であることを特徴とする請求
項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
対向する一対の基板を貼り合わせてなる電気光学装置であって、
前記一対の基板のうち一方の基板に、該一方の基板上で少なくとも表示領域に形成され
た絶縁膜からなる保護層と、前記一対の基板を貼り合わせた状態で前記一対の基板のうち
他方の基板との間隙を保持するスペーサと、を同一の材料を用いて一体的に形成されてい
ることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置のうち例えば液晶装置においては、対向して貼り合わされた一対の基板に
より液晶が挟持されている。このような液晶装置では、例えば画像コントラスト等の表示
特性を高い水準に保つため、液晶層の厚さ（セルギャップ）を均一にすることが要求され
ている。
【０００３】
この要求に対して、例えば一対の基板を貼り合わせる工程で、いずれか一方の基板上に
例えば球状スペーサ等を散布するスペーサ散布方法が知られている。しかし、スペーサ散
布では、散布されたスペーサが基板上に偏って配置されることが多く、スペーサを基板上
に均一に配置するのが困難である。偏って配置されたスペーサの周辺では光漏れ現象が発
生し、表示特性が低下してしまう。
【０００４】
例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）をスイッチング素子として用いたアクティブマ
トリクス型の液晶装置においては、このような表示特性の低下を抑止するため、カラーフ
ィルタが形成される基板又はＴＦＴ素子が形成される基板上に柱状スペーサを形成する技
術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、基板上にカラーフィルタ
を形成し、カラーフィルタ上に保護膜を形成した後、当該保護膜上に柱状スペーサを形成
する工程が開示されている。  
【特許文献１】特開２００３−２０７７８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の記載によれば、基板上にカラーフィルタ及び保護層を形成
した後、保護層上に柱状スペーサをあらためてパターニングする必要があるため、例えば
スペーサを散布する方法と比べて製造工程が煩雑であり、コストも高くついてしまう。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、製造工程を簡略化することができ、コスト
を抑えることができる電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供するこ
とにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、対向する一対の基
板を貼り合わせてなる電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基
板に、該一方の基板上で少なくとも表示領域に形成された絶縁膜からなる保護層と、前記
一対の基板を貼り合わせた状態で前記一対の基板のうち他方の基板側に当接するスペーサ
とを同一の材料を用いて同時に形成することを特徴とする。
【０００８】
本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率
を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換す
るもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示
装置、有機ＥＬ(Electro-Luminescence)を用いる有機ＥＬ装置、無機ＥＬを用いる無機Ｅ
Ｌ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある
。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィー
ルドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Displ
ay）等がある。
【０００９】
本発明によれば、保護層とスペーサとを同一の材料を用いて同時に形成することにより
、保護層を形成した後であらためてスペーサをパターニングする必要が無く、保護層とス
ペーサとを１つの工程で形成することができる。これにより、製造工程を簡略化すること
ができ、その分のコストを抑えることができる。
【００１０】
また、前記一方の基板上に感光性材料を含んだレジスト層を形成するレジスト形成工程
と、前記レジスト層上にフォトマスクを配置して露光を行う露光工程と、前記露光された
レジスト層に現像液を供給して現像を行う現像工程とを具備し、前記フォトマスクの光透
過率が、前記レジスト層のうち前記保護層を形成する部分に平面的に重なる領域と、前記
レジスト層のうち前記スペーサを形成する部分に平面的に重なる領域の光透過率とで異な
っていることが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、レジスト層のうち保護層を形成する部分とスペーサを形成する部分と
で露光光の照射量が異なるように露光することができる。例えば、レジスト層がポジ型の
感光性材料を含んでいる場合、現像工程で残す部分（現像液に溶解しない部分。例えば、
スペーサの部分）には露光光が照射されないようにフォトマスクの光透過率を調節する。
また、レジスト層がネガ型の感光性材料を含んでいる場合、現像工程で残す部分に露光光
が照射されるようにフォトマスクの光透過率を調節する。この方法により、高さの異なる
保護層及びスペーサを一の工程で一体的に形成することができる。
【００１２】
また、前記保護層が、前記一方の基板を覆うオーバーコート層であることが好ましい。
例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）がスイッチング素子とし
て用いられるアクティブマトリクス型の電気光学装置の場合、例えば一方の基板上にカラ
ーフィルタ又はＴＦＴ素子が形成され、その上に当該カラーフィルタ又はＴＦＴ素子を保
護するためにオーバーコート層が設けられる。オーバーコート層は、一般的に透明で絶縁
性の高い樹脂等を材料として形成されている。スペーサにおいても透明で絶縁性が高いこ
とが好ましいのは勿論である。本発明では、このオーバーコート層とスペーサとを同じ好
適な材料を用いて一体的に形成することにより、当該オーバーコート層とスペーサとを一
の工程で形成することができる。これにより、製造工程を簡略化することができ、その分
のコストを抑えることができる。
【００１３】
また、前記保護層が、前記一方の基板の表面に設けられる下地層であることが好ましい
。  
下地層は一般的には透明で絶縁性の高い材料（例えばＳｉＯ２等）で形成されている。
このため、下地層及びスペーサについても、同じ好適な材料を用いて一体的に形成するこ
とが可能となる。
【００１４】
本発明の別の観点に係る電気光学装置は、対向する一対の基板を貼り合わせてなる電気
光学装置であって、前記一対の基板のうち一方の基板に、該一方の基板上で少なくとも表
示領域に形成された絶縁膜からなる保護層と、前記一対の基板を貼り合わせた状態で前記
一対の基板のうち他方の基板との間隙を保持するスペーサと、を同一の材料を用いて一体
的に形成されていることを特徴とする。  
本発明によれば、保護層とスペーサとが一の工程で形成されているので、低コストで容
易に製造可能な電気光学装置を得ることができる。また、保護層とスペーサとを別々に形
成した場合、一対の基板を貼り合わせた状態で外力が加えられると、スペーサと保護層と
の継ぎ目で剥がれが生じ、保護層上でスペーサが倒れたりする可能性も考えられる。これ
に対して本発明では、保護層とスペーサとが一体的に形成されており、スペーサが保護層
との間に継ぎ目無くしっかりと設けられるため、スペーサが保護層上で倒れる可能性が低
い。これにより、より確実にセルギャップを均一にすることができる。
【００１５】
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の電気光学装置が搭載されていることを特徴
とする。  
本発明によれば、セルギャップを均一にすることができ、低コストで容易に製造可能な
電気光学装置が搭載されているため、画像コントラスト等の表示特性の高い電子機器を得
ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。  
図１は、本実施形態に係る液晶装置１の構成を示す平面図である。以下の図では、各部
材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
【００１７】
同図に示すように、液晶装置１は、液晶パネル２と、バックライト３とを主体として構
成されている。当該液晶装置１は、例えばスイッチング素子としてＴＦＴが形成されたア
クティブマトリクス型の構造となっている。
【００１８】
液晶パネル２は、ＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５とがシール材６を介して
貼り合わされ、当該ＴＦＴアレイ基板４、カラーフィルタ基板５及びシール材６で囲まれ
た領域に液晶７が封入されるように構成されている。液晶パネル２の外側、すなわち、Ｔ
ＦＴアレイ基板４の外側表面及びカラーフィルタ基板５の外側表面には、それぞれ入射光
を偏光させる偏光板や、干渉色を補償するための位相差板等が適宜貼着されている（図示
省略）。液晶パネル２のうち液晶７が封入される領域には、当該領域の周縁部に周辺見切
り１０が設けられている。周辺見切り１０の内側の領域は、画像や動画等を表示可能な表
示領域１１となっている。シール材６は開口部６ａを有しており、当該開口部６ａでは封
止材１２により封止されている。
【００１９】
ＴＦＴアレイ基板４は、例えばガラスや石英、プラスチック等の透明あるいは光透過性
の高い材料からなる矩形の基板である。ＴＦＴアレイ基板４の内側表面（液晶を保持する
面）には、走査線やデータ線等の配線（図示省略）が形成されている。走査線は、主とし
て表示領域１１内にＸ方向に沿って形成されている。データ線は、主として表示領域１１
内にＹ方向に沿って形成されている。走査線とデータ線とで囲まれた領域には、ＩＴＯ（
Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電材料からなる画素電極８や、スイッ
チング素子としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：図示省略）等
が設けられている。
【００２０】
ＴＦＴアレイ基板４の周縁は、カラーフィルタ基板５から張り出した領域（以下、「張
出領域」という。）４ａとなっている。張出領域４ａには、走査線に駆動信号を送出する
走査線駆動回路３０や、データ線に信号を送出するデータ線駆動回路３１、外部（例えば
電源等）に電気的に接続するための接続端子３３等が設けられている。当該接続端子３３
は、例えば張出領域４ａに形成された配線３２により、走査線駆動回路３０及びデータ線
駆動回路３１電気的に接続されている。ここでは、例えば外部の電源から走査線駆動回路
３０及びデータ線駆動回路３１に電力信号が供給され、走査線駆動回路３０及びデータ線
駆動回路３１が当該電力信号に基づいて走査線及びデータ線に駆動信号を送出するように
なっている。
【００２１】
カラーフィルタ基板５は、ＴＦＴアレイ基板４と同様に、ガラスや石英、プラスチック
等の透明あるいは光透過性の高い材料から形成されている。カラーフィルタ基板５には、
表示領域１１の各画素（ピクセル）ごとに、赤色（１５Ｒ）、緑色（１５Ｇ）及び青色（
１５Ｂ）の３色のカラーフィルタ１５が形成されている。
【００２２】
図２は、図１におけるＡ−Ａ断面の一部を示した断面図である。  
ＴＦＴアレイ基板４の面４ｂ上には、画素毎に画素電極８が形成されている。この画素
電極８を覆うようにオーバーコート層１６が形成されており、オーバーコート層１６上に
は、配向膜１７が形成されている。
【００２３】
カラーフィルタ基板５の面５ｂ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１８が形成
されている。下地絶縁層１８上には、例えばアルミニウム等からなる反射膜１９が例えば
画素毎に設けられている。反射膜１９は、各画素を覆うように設けられており、画素のほ
ぼ中央には開口部１９ａが形成されている。
【００２４】
この反射膜１９により、ＴＦＴアレイ基板４から入射した光を当該ＴＦＴアレイ基板４
へと反射し、バックライト３から射出されてカラーフィルタ基板５を透過した光が開口部
１９ａからＴＦＴアレイ基板４側へ抜けるようになっている。また、バックライト３から
射出されて反射膜１９で反射された光については、再利用できるようになっている。
【００２５】
各反射膜１９上にはカラーフィルタ１５（赤色：１５Ｒ、緑色：１５Ｇ、青色：１５Ｂ
）が形成されている。カラーフィルタ１５の一部が隣接するカラーフィルタ１５の上に一
部重なるように形成されている。例えば、カラーフィルタ１５Ｒの右端部（図２中）には
、カラーフィルタ１５Ｇの一部が重ねられている。当該カラーフィルタ１５Ｇの重なり部
分の上には、さらにカラーフィルタ１５Ｂが別途形成されている。このように、カラーフ
ィルタ１５Ｒとカラーフィルタ１５Ｇとカラーフィルタ１５Ｂとを重ねることで、光を遮
光するブラックマトリクスとしての役割を果たしている（いわゆる「重ねブラックマトリ
クス」。図２中、符号１５ａで示している）。
【００２６】
各カラーフィルタ１５上には、当該カラーフィルタ１５及び下地絶縁層１８を覆うよう
にオーバーコート部２０が形成されている。オーバーコート部２０は、例えばＮＮ８０３
（商品名、ＪＳＲ製）等の感光性樹脂から構成されており、保護層としてのオーバーコー
ト層２０ａと、スペーサとしてのスペーサ部２０ｂとを有している。
【００２７】
オーバーコート層２０ａは、各カラーフィルタ１５（１５Ｒ、１５Ｇ及び１５Ｂ）の間
を埋めるように設けられており、カラーフィルタ１５や下地絶縁層１８を覆って保護する
と共に、カラーフィルタ１５が設けられている領域とカラーフィルタ１５が設けられてい
ない領域とを平坦化している。オーバーコート層２０ａの層厚ｔ２は、２．０μｍ程度で
ある。
【００２８】
スペーサ部２０ｂは、オーバーコート層２０ａと一体的に形成されており、オーバーコ
ート層２０ａのうちカラーフィルタ１５が設けられていない領域からＴＦＴアレイ基板４
側に向けて、柱状に突出するように形成されている。また、当該スペーサ部２０ｂは、例
えば各スペーサ部２０ｂの先端の面２０ｃが面一状態になるように形成されている。面一
になっている各面２０ｃがＴＦＴアレイ基板４上の配向膜１７に当接することにより、Ｔ
ＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５とで形成されるセルギャップを均一に保ってい
る。スペーサ部２０ｂの長さｔ１は、２．５μｍ程度である。
【００２９】
オーバーコート部２０のうちオーバーコート層２０ａ上には、共通電極２１が形成され
ている。共通電極２１は、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料からなり、表示領域１１内の
各画素を跨ぐように形成されている。当該共通電極２１上には、配向膜２２が形成されて
いる。配向膜２２は、液晶７の各液晶分子を所定の方向に配向させるように、当該液晶７
に接する面にラビング処理が施されている。
【００３０】
図３は、液晶７が封入されている領域からカラーフィルタ基板５側を見たときの平面構
成の一部を示したものである（液晶７の図示は省略）。反射膜１９、カラーフィルタ１５
（図３ではカラーフィルタ１５Ｒ及びカラーフィルタ１５Ｇ）、オーバーコート部２０、
共通電極２１及び配向膜２２の平面的な位置関係を示している。
【００３１】
同図に示すように、オーバーコート部２０のうちスペーサ部２０ｂが、カラーフィルタ
１５Ｒとカラーフィルタ１５Ｇとの間の領域に設けられている。また、共通電極２１及び
配向膜２２は、スペーサ部２０ｂを取り囲むようにオーバーコート部２０のオーバーコー
ト層２０ａ上に形成されている。
【００３２】
なお、図３においては、スペーサ部２０ｂが、図中横方向に隣接するカラーフィルタ１
５の間の領域に形成されることとしたが、これに限られるものではなく、例えば図中上下
方向に隣接するカラーフィルタ１５の間の領域（２０ｄ）に形成しても良いし、図中斜め
方向に隣接するカラーフィルタ１５の間の領域（２０ｅ）に形成しても良い。
【００３３】
次に、上記のように構成された液晶装置１の製造方法を説明する。  
本実施形態では、大面積のマザー基板を用いて複数の液晶セルを一括して形成し、当該
マザー基板を切断することによって個々の液晶装置１に分離する方法を例に挙げて説明す
る。
【００３４】
図４は、液晶装置１の製造工程を示すフローチャートである。  
当該製造工程では、カラーフィルタ１５が形成されるカラーフィルタ側マザー基板とＴ
ＦＴが形成されるＴＦＴ側マザー基板とを別個に形成し、形成した画素電極側マザー基板
と共通電極側マザー基板とを貼り合わせ、貼り合わせた各マザー基板の間に液晶を注入す
ることによって液晶装置１を製造する。以下、各工程について順に説明する。
【００３５】
まず、カラーフィルタ側マザー基板を形成する工程（ＳＴ１〜ＳＴ６）について説明す
る。  
ガラスや石英、プラスチック等の透明な材料からなる基材のうちカラーフィルタ基板５
の表示領域１１となる複数の領域に下地絶縁層１８を形成する（ＳＴ１）。下地絶縁層１
８を形成したら、当該下地絶縁層１８の上に、各画素に対応する位置にアルミニウム等に
よって反射膜１９を形成し、各反射膜１９上にカラーフィルタ１５を形成する（ＳＴ２）
。
【００３６】
カラーフィルタ１５を形成したら、当該カラーフィルタ１５上にオーバーコート部２０
を形成する（ＳＴ３）。ここで、当該オーバーコート部２０の形成について具体的に説明
する。
【００３７】
図５に示すように、カラーフィルタ１５の上から、例えばＮＮ８０３等、ネガ型レジス
トを含んだ感光性樹脂からなるレジスト層３０を形成する。カラーフィルタ側マザー基板
を、例えば７００〜１０００ｒｐｍで回転させながら、液状のＮＮ８０３をおよそ８．５
秒間滴下し続ける。レジスト層３０を形成したら、当該レジスト層３０を、約８０℃〜１
００℃の温度で約１２０秒間プリベークする。プリベーク後は、レジスト層３０を露光す
る。
【００３８】
図６は、レジスト層３０を露光する際に用いるフォトマスクの構成を示す図である。  
同図に示すように、フォトマスク４０は、領域によって露光光の透過率が段階的に異な
っている。具体的には、露光光を透過させない領域４０ａと、露光光をほぼ５０％透過さ
せる領域４０ｂと、ほぼ１００％透過させる領域４０ｃとに区画されている。ここでは、
レジスト層３０のうち、オーバーコート部２０を形成しない領域（領域１）が領域４０ａ
で覆われ、オーバーコート部２０のうちオーバーコート層２０ａを形成する領域（領域２
）が領域４０ｂで覆われ、オーバーコート部２０のうちスペーサ部２０ｂを形成する領域
（領域３）が領域４０ｃで覆われるように区画されている。
【００３９】
レジスト層３０にこのフォトマスク４０を被せて図７に示すように露光光を照射すると
、フォトマスク４０の領域４０ａに到達した露光光は、当該領域４０ａを完全に遮光する
。そのためレジスト層３０の領域１では、感光しない。フォトマスク４０の領域４０ｂに
到達した露光光は、そのうちのほぼ５０％が領域４０ｂを透過する。当該露光光により、
レジスト層３０の領域２では、表面からほぼ半分の高さの部分まで感光する。フォトマス
ク４０の領域４０ｃに到達した露光光は、当該領域４０ｃほぼ１００％透過する。
【００４０】
このように露光されたレジスト層３０を、アルカリ濃度が約０．２％〜０．４％の現像
液で約５０秒〜８０秒間現像し、約２２０℃で約４０分〜５０分間焼成すると、図８に示
すように、オーバーコート層２０ａとスペーサ部２０ｂを有するオーバーコート部２０が
形成される。
【００４１】
オーバーコート部２０を形成したら、当該オーバーコート部２０上にＩＴＯ等により共
通電極２１を形成し（ＳＴ４）、当該共通電極２１の上に配向膜を形成して（ＳＴ５）、
当該配向膜２２に対してラビング処理を行う（ＳＴ６）。配向膜２２は、例えばポリイミ
ドを塗布又は印刷することによって形成することができる。  
以上、ＳＴ１〜ＳＴ６の工程によって、カラーフィルタが設けられたカラーフィルタ側
マザー基板が形成される。
【００４２】
次に、ＴＦＴ側マザー基板の形成工程（ＳＴ１１〜ＳＴ１６）について簡単に説明する
。  
ガラスや石英、プラスチック等の透明な材料からなる基材に下地絶縁層１８を形成し（
ＳＴ１１）、当該下地絶縁層１８の上に画素電極８やＴＦＴ素子、走査線、データ線、駆
動回路等を形成し（ＳＴ１２）、その後これら画素電極８、ＴＦＴ素子、走査線及びデー
タ線の上にオーバーコート層１６を形成する（ＳＴ１３）。
【００４３】
走査線やデータ線については、例えば基材の表面にＩＴＯ等の透光性導電膜をスパッタ
し、これをエッチングすることによって一括的に形成することができる。平坦化層を形成
したら、各画素領域内にポリイミド等からなる配向膜を形成し（ＳＴ１４）、この配向膜
に対してラビング処理を行う（ＳＴ１５）。
【００４４】
配向膜にラビング処理がなされたら、シール材６を形成する（ＳＴ１６）。ＴＦＴアレ
イ基板４のうち表示領域１１となる部分を囲むように、エポキシ樹脂等からなるシール材
６を矩形枠状に形成する。シール材の一部に、液晶を注入するための開口部６ａが形成さ
れるようにする。  
以上、ＳＴ１１〜ＳＴ１５の工程によって、画素電極８や配線、スイッチング素子等が
設けられたＴＦＴ側マザー基板が形成される。
【００４５】
次に、カラーフィルタ側マザー基板とＴＦＴ側マザー基板との位置合わせをする（ＳＴ
２１）。例えば、画像処理を使用した自動アライメント装置等を用い、カラーフィルタ側
マザー基板及びＴＦＴ側マザー基板に予め形成しておいたアライメントマークの位置を合
わせるようにすることができる。
【００４６】
位置合わせを行った後、カラーフィルタ側マザー基板とＴＦＴ側マザー基板とを貼り合
わせて液晶パネルを形成する（ＳＴ２２）。位置を合わせた状態で、ＴＦＴ側マザー基板
がカラーフィルタ側マザー基板上のシール材に接着するように両基板を近接させる。
【００４７】
また、カラーフィルタ側マザー基板とＴＦＴ側マザー基板とが貼り合わされると同時に
、図２に示すように、各スペーサ部２０ｂの面２０ｃがＴＦＴアレイ基板４の配向膜１７
に当接し、ＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５とのセルギャップを均一に維持し
ている。
【００４８】
カラーフィルタ側マザー基板とＴＦＴ側マザー基板とを貼り合わせたら、両マザー基板
の列方向にスクライブ溝を形成し、貼り合わせたままの状態でスクライブ溝に沿って両マ
ザー基板を切断して、短冊状のパネルを形成する（ＳＴ２３）。この短冊状のパネルは、
液晶注入口がすべて一方の露出した状態になっている。短冊状のパネルを形成したら、液
晶注入口が露出した切断片側から液晶を注入する（ＳＴ２４）。液晶注入後、各液晶注入
口をエポキシ樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ２５）。
【００４９】
液晶を注入し、液晶注入口を封止したら、短冊状のパネルの行方向にスクライブ溝を形
成し、当該スクライブ溝に沿って短冊状のパネルを切断し、個々のパネルに分離する（Ｓ
Ｔ２６）。短冊状のパネルを分離したら、分離した各パネルの洗浄を行い、各パネルの両
表面に偏光板を貼り付ける（ＳＴ２７）。  
以上により、液晶装置が完成する。
【００５０】
このように、本実施形態によれば、オーバーコート層２０ａとスペーサ部２０ｂとを同
一の材料を用いて同時に形成する（オーバーコート部２０）ことにより、オーバーコート
層２０ａを形成した後であらためてスペーサ部２０ｂをパターニングする必要が無く、オ
ーバーコート層２０ａとスペーサ２０ｂとを一の工程で形成することができる。これによ
り、製造工程を簡略化することができ、その分のコストを抑えることができる。
【００５１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材
を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の
構成要素についてはその説明を省略する。本実施形態では、主としてスペーサ部の構成が
第１実施形態と異なっているため、この点を中心に説明する。
【００５２】
図９は、本実施形態に係る液晶装置１０１の構成を示す断面図である。  
ＴＦＴアレイ基板１０４の面１０４ｂ上には、画素毎に画素電極１０８が形成されてい
る。この画素電極１０８を覆うようにオーバーコート層１１６が形成されており、オーバ
ーコート層１１６上には、配向膜１１７が形成されている。
【００５３】
カラーフィルタ基板１０５の面１０５ｂ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁部１
１８が形成されている。下地絶縁部１１８は、保護層としての下地絶縁層１１８ａと、ス
ペーサとしてのスペーサ部１１８ｂとを有している。
【００５４】
下地絶縁層１１８ａは、カラーフィルタ基板１０５の面１０５ａを覆うように設けられ
ており、当該面１０５ａを保護している。  
スペーサ部１１８ｂは、下地絶縁層１１８ａと一体的に形成されており、下地絶縁層１
１８ａのうち平面視して画素が形成されない部分からＴＦＴアレイ基板１０４側に向けて
、柱状に突出するように形成されている。また、当該スペーサ部１１８ｂは、各スペーサ
部１１８ｂの先端の面１１８ｃが面一状態になるように形成されており、面一になってい
る各面１１８ｃがＴＦＴアレイ基板１０４上の配向膜１１７に当接することにより、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０４とカラーフィルタ基板１０５とで形成されるセルギャップが均一に保
たれるようになっている。
【００５５】
下地絶縁層１１８上には、例えばアルミニウム等からなる反射膜１１９が画素毎に設け
られている。反射膜１１９は、各画素の周縁部分を覆うように設けられており、画素のほ
ぼ中央には開口部１１９ａが形成されている。また、各反射膜１１９上にはカラーフィル
タ１１５が形成されている。カラーフィルタ１１５の間の領域には、カラーフィルタ１５
Ｒ、カラーフィルタ１５Ｇ及びカラーフィルタ１５Ｂにより、重ねブラックマトリクス１
１５ａが形成されている。カラーフィルタ１１５上には、当該カラーフィルタ１１５及び
下地絶縁層１１８を覆うようにオーバーコート層１２０が形成されている。
【００５６】
オーバーコート層１２０上には、共通電極１２１が形成されている。共通電極１２１は
、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料からなり、表示領域内の各画素に跨って形成されてい
る。当該共通電極１２１上には、配向膜１２２が形成されている。配向膜１２２は、液晶
に接する面にラビング処理が施されている。
【００５７】
このように、本実施形態では、前記下地絶縁層１１８ａとスペーサ部１１８ｂとが一体
的に形成されている。下地絶縁層１１８を構成する材料は、一般的には透明で絶縁性の高
い材料（例えばＳｉＯ２等）である。このため、下地絶縁層１１８ａ及びスペーサ部１１
８ｂについて、同じ好適な材料を用いて一体的に形成することが可能となる。これにより
、製造工程を簡略化することができ、その分のコストを抑えることができる。
【００５８】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。  
図１０は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。  
携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や
動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。表示部３０３には、本発明に係る液晶装
置１又は液晶装置１０１が搭載される。
【００５９】
このように、セルギャップを均一にすることができ、低コストで容易に製造可能な液晶
装置１又は液晶装置１０１が搭載されているため、画像コントラスト等の表示特性の高い
電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】本実施形態に係る液晶装置の製造の様子を示す図（その１）である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の製造に用いるフォトマスクを示す図である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の製造の様子を示す図（その２）である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の製造の様子を示す図（その３）である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１、１０１…液晶装置  ５、１０５…カラーフィルタ基板  ２０…オーバーコート部  
２０ａ…オーバーコート層  ２０ｂ、１１８ｂ…スペーサ部  ２０ｃ、１１８ｃ…面  ４
０…フォトマスク  ４０ａ…領域  ４０ｂ…領域  ４０ｃ…領域  １１８…下地絶縁部  
１１８ａ…下地絶縁層  ３００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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