(57)【要約】【課題】  レーザ放射角を小さくすることができる面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、デバイス及び電子機器の提供を目的とする。【解決手段】  面発光レーザ１００の共振器の構成要素となるものであって、レンズ形状を有する半導体からなるレンズ層１１５と、レンズ層１１５の上層に配置されている多層反射膜１１９とを有することを特徴とする。【選択図】    図１
2006114753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光レーザの共振器の構成要素となるものであって、レンズ形状を有する半導体からなるレンズ層と、
前記レンズ層の上層に配置されている多層反射膜とを有することを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
分布反射型多層膜ミラーをなす下部ＤＢＲと、
活性層と、
電流の流域を画定する電流狭窄層と、
分布反射型多層膜ミラーをなす上部ＤＢＲと、
レンズ形状を有する半導体からなるレンズ層と、
前記レンズ層の上層に配置されている多層反射膜とを有することを特徴とする面発光レーザ。
【請求項３】
前記多層反射膜は、誘電体の多層膜からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記多層反射膜は、半導体の多層膜からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記レンズ層は、上部ＤＢＲの上層に配置されているとともに、凸レンズ形状を有し、
前記レンズ層における外縁近傍部位上には、該外縁近傍部位と電気的に接続された上部電極が配置されており、
前記多層反射膜は、前記レンズ層の露出部と前記上部電極の少なくとも一部とを覆うように、配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記レンズ層は、上部ＤＢＲの上層に配置されているとともに、凸レンズ形状を有し、
前記多層反射膜は、前記レンズ層の上層に配置されており、
前記多層反射膜における外縁近傍部位上には、該外縁近傍部位と電気的に接続された上部電極が配置されていることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記レンズ層は、頂上部が平坦な凸レンズ形状となっていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項８】
前記レンズ層は、凸レンズ形状を有するとともに、該凸レンズ形状の底面が面発光レーザの共振器の一部をなす柱部の上面よりも小さいことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の面発光レーザ。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の面発光レーザを備えたことを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
半導体基板上に、複数の半導体層を少なくとも形成することにより、面発光レーザの共振器の構成要素となる半導体積層体を形成し、
前記半導体積層体上にレンズ形状のレジスト層を形成し、
前記レジスト層をマスクにして、エッチング処理を行うことにより、前記共振器の一部となる柱部を形成するとともに、前記柱部の上面についてレンズ形状に浮き彫りにし、
前記レンズ形状の柱部の上面に多層反射膜を形成することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング処理で形成されたレンズ形状の柱部の上面における外縁近傍部位上に、リング形状の上部電極を形成し、
次いで、前記レンズ形状の柱部の上面における露出部を少なくとも覆うように、前記多層反射膜を形成することを特徴とする請求項１０に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１２】
前記多層反射膜が形成された後に、該多層反射膜の上面における外縁近傍部位上に、リング形状の上部電極を形成することを特徴とする請求項１０に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１３】
前記エッチング処理は、
前記レジスト層はほとんどエッチングせずに、前記半導体積層体をエッチングすることにより、前記柱部を形成する高選択比のドライエッチングと、
前記レジスト層と半導体積層体とを同時にエッチングすることにより、前記柱部の上面についてレンズ形状に浮き彫りにする低選択比のドライエッチングとを有することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１４】
前記エッチング処理は、前記共振器の一部となる柱部を形成するとともに、前記柱部の上面について前記レジスト層を含めてレンズ形状に浮き彫りにするものであり、
前記エッチング処理の後に、前記レンズ形状の頂上部に残っている前記レジスト層を除去する処理を有することを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項１５】
請求項１から９のいずれか一項に記載の面発光レーザ、又は請求項１０に記載のデバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、デバイス及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザには、半導体基板の端面からレーザ光を放射する端面レーザと、半導体基板の表面からレーザ光を放射する面発光レーザとがある。面発光レーザは、端面レーザに比べて、レーザ放射角が等方向でかつ小さいという特徴をもっている。ところで、例えば面発光レーザを光通信の光源として用いる場合、大きな光出力が必要となる。面発光レーザの出力を増大させるためには、レーザ出射口径を大きくすることが有効である。しかし、レーザ出射口径を大きくするとレーザ放射角が大きくなってしまう。レーザ放射角が大きくなると、例えば面発光レーザと光ファイバーとをレンズなどを介さずに直接に光結合したとき、光結合効率を低下させ、それらの取り付け余裕を減少させてしまう。
【０００３】
従来、面発光レーザのレーザ放射角を小さくする構成手法としては、面発光レーザの共振器がなす柱形状部の上面を凸レンズ形状に形成したもの（レンズ層又はコンタクト層）がある。面発光レーザの放射光は前記レンズ層又はコンタクト層の凸レンズとしての機能により収束され、レーザ放射角が小さくなる（例えば、特許文献１の図１，図７，図８参照）。
【特許文献１】特開２０００−７６６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、実際の面発光レーザでは、レーザ放射角を低減させるメカニズムとしては上記レンズ層の凸レンズ機能とは別のメカニズムの寄与が大きいことが分かってきた。すなわち、上記レンズ層の凸レンズ形状における空気との界面は、面発光レーザ内部から見ると、凹面ミラーとしても機能している。この凹面ミラーからの反射光が活性層における光密度分布に影響を及ぼし、横モードが変化する。この凹面ミラーによってレーザ放射角が狭められる作用の方が凸レンズによる収斂作用よりも大きいことが分かってきた。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、レーザ放射角を小さくすることができる面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、デバイス及び電子機器の提供を目的とする。
また、本発明は、反射率の高い凹面ミラーを有する面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、デバイス及び電子機器の提供を目的とする。
また、本発明は、反射率の高い凹面ミラーによってレーザ放射角を低減でき、さらに容易に製造できる面発光レーザ、面発光レーザの製造方法、デバイス及び電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の面発光レーザは、面発光レーザの共振器の構成要素となるものであって、レンズ形状を有する半導体からなるレンズ層と、前記レンズ層の上層に配置されている多層反射膜とを有することを特徴とする。
本発明によれば、例えばレンズ層を凸レンズ形状として、その凸レンズ形状に多層反射膜が積層された構成とすることができる。すると、面発光レーザ内部から見ると、多層反射膜は凹面ミラー形状に形成されていることとなる。この多層反射膜は、従来の面発光レーザにおけるレンズ層と空気との界面に形成される凹面ミラーよりも、反射率を高くすることができる。そこで、本発明の面発光レーザは、多層反射膜により、活性層における光密度分布について、従来の構成よりも大きな影響を与えることができる。したがって、本発明の面発光レーザは、より効果的に横モードの制御ができ、レーザ放射角を低減することができる。
また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、そのレンズ層についてエッチング処理などを施すことにより簡便にレンズ形状にすることができる。このとき、レンズ形状のレジストマスクを用いて、等方的なエッチングをすることなどにより、共振器をなす柱部の中心（レーザの光軸）とレンズ部（凹面ミラー）の光軸をセルフアラインに一致させることができる。したがって、本発明は、高性能でありながら、容易に製造できる面発光レーザを提供することができる。
また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、そのレンズ層の上面（又は下面）で電極コンタクトをとることができる。したがって、例えばレンズ層の外径と共振器をなす柱部の外径とが一致している構成でも、容易にレンズ層の周縁部にリング状の上部電極を形成できる。そこで、上部電極のコンタクトのためにレンズ層の一部を除去する必要がなく、簡素な製造工程で作れる面発光レーザを提供できる。
また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、そのレンズ層は共振器の柱部と類似の材料になる。そこで、レンズ層とその下層と屈折率差が小さくなり、レンズ層上面の凹面ミラーの効果を大きくすることができる。これは、共振器内部から見た反射はレンズ層上面の凹面ミラーとレンズ層下面の平面ミラーの合成になるので、平面ミラーの寄与が小さいほど凹面ミラーの効果が大きくなるからである。すなわち、レンズ層と共振器の柱部との界面での屈折率差が小さければレンズ層平面（下面）での反射の割合が小さくなり、レンズ層上面に形成される凹面ミラーの効果を高められる。言い換えれば、レンズ層の上面をよりゆるい曲率にしても十分な凹面ミラー効果を得ることができ、十分にレーザ放射角を低減することができる。
【０００７】
また、本発明の面発光レーザは、分布反射型多層膜ミラーをなす下部ＤＢＲと、活性層と、電流の流域を画定する電流狭窄層（酸化狭窄層）と、分布反射型多層膜ミラーをなす上部ＤＢＲと、レンズ形状を有する半導体からなるレンズ層と、前記レンズ層の上層に配置されている多層反射膜とを有することが好ましい。
本発明によれば、下部ＤＢＲ、活性層、電流狭窄層、上部ＤＢＲ、レンズ層及び多層反射膜を順次積層した構造により、共振器を構成することができる。ここで、多層反射膜は従来の面発光レーザにおけるレンズ層と空気との界面に形成される凹面ミラーよりも、反射率の高い凹面ミラーとなることができる。そこで、本発明の面発光レーザは、多層反射膜により、活性層における光密度分布について、従来の面発光レーザよりも大きな影響を与えることができ、より効果的に横モードの制御ができ、レーザ放射角を低減することができる。
また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、高性能でありながら、容易に製造できる面発光レーザを提供することができる。また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、上部電極のコンタクトのためにレンズ層の一部を除去する必要がなく、簡素な製造工程で作れる面発光レーザを提供できる。また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、レンズ層上面に形成される凹面ミラー効果を高めることができ、レンズ層の上面をよりゆるい曲率にしても十分な凹面ミラー効果を得ることができ、十分にレーザ放射角を低減することができる。
また、本発明の面発光レーザは、例えば上部ＤＢＲの層数として０〜２０周期とすることができる。すなわち、上部ＤＢＲを無くし、その上部ＤＢＲの機能をレンズ層及び多層反射膜に持たせた構成とすることができる。
【０００８】
また、本発明の面発光レーザは、前記多層反射膜が誘電体の多層膜からなることが好ましい。
本発明によれば、誘電体の屈折率が半導体の屈折率よりも高いので、多層反射膜における反射率をより高めることができる。したがって、レーザ放射角をさらに低減することができる。誘電体からなる多層反射膜は、一般的に光学膜として用いられる材料を組み合わせて構成できる。例えば、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、α−ＳｉとＳｉＯ２の組み合わせなどで多層反射膜を構成できる。
【０００９】
また、本発明の面発光レーザは、前記多層反射膜が半導体の多層膜からなることが好ましい。
本発明の多層反射膜は、エッチング処理などを用いて、簡便に形成できる。したがって本発明によれば、高性能でありながら、容易に製造できる面発光レーザを提供することができる。また、本発明によれば、多層反射膜が半導体からなるので、上部電極を多層反射膜にコンタクトさせた構成とすることができる。
【００１０】
また、本発明の面発光レーザは、前記レンズ層が、上部ＤＢＲの上層に配置されているとともに、凸レンズ形状を有し、前記レンズ層における外縁近傍部位上には、該外縁近傍部位と電気的に接続された上部電極が配置されており、前記多層反射膜は、前記レンズ層の露出部と前記上部電極の少なくとも一部とを覆うように、配置されていることが好ましい。
本発明によれば、面発光レーザ内部から見ると、多層反射膜は凹面ミラー形状に形成されている。この多層反射膜により、活性層における光密度分布について、従来の面発光レーザよりも大きな影響を与えることができる。したがって、本発明の面発光レーザは、より効果的に横モードの制御ができ、レーザ放射角を低減することができる。
また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、レンズ層を簡便に所望形状とすることができ、高性能でありながら、容易に製造できる面発光レーザを提供することができる。また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、例えばレンズ層の一部を除去して、上部電極を上部ＤＢＲに接続する構成とする必要がなく、簡便に製造できる面発光レーザを提供できる。また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、レンズ層上面に形成される凹面ミラー効果を高めることができ、レンズ層の上面をゆるい曲率にしても十分な凹面ミラー効果を得ることができ、十分にレーザ放射角を低減することができる。
【００１１】
また、本発明の面発光レーザは、前記レンズ層が、上部ＤＢＲの上層に配置されているとともに、凸レンズ形状を有し、前記多層反射膜は、前記レンズ層の上層に配置されており、前記多層反射膜における外縁近傍部位上には、該外縁近傍部位と電気的に接続された上部電極が配置されていることが好ましい。
本発明によれば、多層反射膜によって効果的に横モードの制御ができ、レーザ放射角を低減することができる。
また、本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、レンズ層を簡便に所望形状とすることができ、高性能でありながら、容易に製造できる面発光レーザを提供することができる。また、本発明によれば、多層反射膜を半導体で構成しているので、その多層反射膜と上部電極とのコンタクトを簡便にとることができ、簡便に製造できる面発光レーザを提供できる。
【００１２】
また、本発明の面発光レーザは、前記レンズ層の頂上部が平坦な凸レンズ形状となっていることが好ましい。
本発明によれば、レンズ層の頂上部は平坦としているので、その頂上部についてはエッチング等の処理をする必要がない。そこで、本発明は、共振器の中心軸における寸法（長さ）を、簡便に高精度化することができる。これにより、本発明は、面発光レーザの機能を発揮するために最も重要な共振器の中心軸での反射率を、簡便に所望値とすることができる。そこで、本発明の面発光レーザは、しきい値及び効率などの基本的なレーザ特性を良好に且つ簡便に得ることができる。
また、本発明によれば、共振器の中心軸から離れた部位からの出射光については、レンズ層の曲面部（凸レンズ形状部分）の上層に積層された多層反射膜の凹面ミラー効果を受けることができる。そこで、本発明は、全体として充分なビーム整形作用を得ることができ、レーザ放射角を充分に小さくすることができる。
【００１３】
また、本発明の面発光レーザは、前記レンズ層が、凸レンズ形状を有するとともに、該凸レンズ形状の底面が面発光レーザの共振器の一部をなす柱部の上面よりも小さいことが好ましい。
本発明によれば、柱部の上面の一部にレンズ形状部（レンズ層）が設けられている。そこで、凸レンズ形状を小さい曲率にすることができる。これにより、レンズ層の上層に配置される多層反射膜のレーザ放射角の低減効果をさらに高めることができる。したがって、本発明は、レンズ層を薄くすることができ、より高性能な面発光レーザを簡便に提供することができる。
また、本発明の面発光レーザは、前記共振器の少なくとも一部をなす柱部の周囲に、絶縁膜（埋め込み層）が配置されていることが好ましい。
本発明によれば、例えば、共振器の出射面に配置した電極（例えば上部電極）が共振器の他の半導体などと短絡することを絶縁膜で回避することができる。また共振器がなす柱部の上面及び側面がなす段差を絶縁膜で無くすことができる。これにより、レンズ層などと接合する上部電極を段差のない滑らかな平面又は曲面上に形成することができ、かかる上部電極を良好にかつ簡便に構成することができる。また、絶縁膜としては、例えばポリイミドで構成することができる。
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明のデバイスは、前記面発光レーザを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、レーザ放射角を充分に小さくすることができ、容易に製造できる面発光レーザを備えたデバイスを提供することができる。
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の面発光レーザの製造方法は、半導体基板上に、複数の半導体層を少なくとも形成することにより、面発光レーザの共振器の構成要素となる半導体積層体を形成し、前記半導体積層体上にレンズ形状のレジスト層を形成し、前記レジスト層をマスクにして、エッチング処理を行うことにより、前記共振器の一部となる柱部を形成するとともに、前記柱部の上面についてレンズ形状に浮き彫りにし、前記レンズ形状の柱部の上面に多層反射膜を形成することを特徴とする。
本発明によれば、レンズ層を半導体で構成しているので、そのレンズ層についてエッチング処理などを施すことにより簡便にレンズ形状にすることができる。このとき、レンズ形状のレジストマスクを用いて、等方的なエッチングをすることなどにより、共振器をなす柱部の中心（レーザの光軸）とレンズ部（凹面ミラー）の光軸をセルフアラインに一致させることができる。したがって、本発明によれば、高性能な面発光レーザを容易に製造できる。また、本発明は、レンズ形状にしたレンズ層の上層に多層反射膜を形成するのでレーザ放射角を従来よりも低減できる面発光レーザを容易に製造できる。
また、本発明における前記半導体積層体の形成は、半導体基板に下部ＤＢＲ層を形成する工程と、前記下部ＤＢＲ層の上に活性層を形成する工程と、前記活性層の上に上部ＤＢＲ層を形成する工程とを有することが好ましい。
【００１６】
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記エッチング処理で形成されたレンズ形状の柱部の上面における外縁近傍部位上に、リング形状の上部電極を形成し、次いで、前記レンズ形状の柱部の上面における露出部を少なくとも覆うように、前記多層反射膜を形成することが好ましい。
本発明によれば、半導体（半導体積層体の一部）によってレンズ層を形成でき、そのレンズ層の外縁に上部電極をコンタクトさせることができる。したがって、簡便に上部電極を形成できる。そして、レンズ層の露出部を覆うように多層反射膜を形成することによりレーザ放射角を従来よりも低減できる面発光レーザを容易に製造できる。
【００１７】
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記多層反射膜が形成された後に、該多層反射膜の上面における外縁近傍部位上に、リング形状の上部電極を形成することが好ましい。
本発明によれば、半導体によって多層反射膜を形成でき、その多層反射膜の外縁に上部電極をコンタクトさせることができる。したがって、簡便に上部電極を形成できるとともに、レーザ放射角を従来よりも低減できる面発光レーザを容易に製造できる。
【００１８】
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記エッチング処理が、前記レジスト層はほとんどエッチングせずに、前記半導体積層体をエッチングすることにより、前記柱部を形成する高選択比のドライエッチングと、前記レジスト層と半導体積層体とを同時にエッチングすることにより、前記柱部の上面についてレンズ形状に浮き彫りにする低選択比のドライエッチングとを有することが好ましい。
本発明によれば、高選択比のドライエッチングにより、レジスト層をほとんどそのまま残しながら、大きな側面角度の柱部（共振器の一部）を形成することができる。また、低選択比のドライエッチングにより、柱部の上面（光出射面）についてレジスト層を含めてレンズ形状に浮き彫りにすることができ、柱部の上面に、凸レンズ形状のレンズ層を配置することができる。
【００１９】
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記エッチング処理が、前記共振器の一部となる柱部を形成するとともに、前記柱部の上面について前記レジスト層を含めてレンズ形状に浮き彫りにするものであり、前記エッチング処理の後に、前記レンズ形状の頂上部に残っている前記レジスト層を除去する処理を有することが好ましい。
本発明によれば、レンズ形状の頂上部（すなわちレンズ層の中心軸近傍）についてはエッチングしない。これにより、共振器の中心軸での寸法をなす当初の設計膜厚を保持することができる。したがって、面発光レーザとして最も重要な共振器の中心軸での反射率を簡便に所望値にすることができる。そこで、本発明は、しきい値及び効率などの基本的なレーザ特性を高度に有する面発光レーザを、良好に且つ簡便に製造することができる。
また、本発明によれば、共振器の中心軸から離れた部位からの光については多層反射膜の凹面ミラー部で反射させることができる。したがって、基本的なレーザ特性を高度に有し、レーザ放射角を従来よりも低減できる面発光レーザを容易に製造できる。
また、本発明における前記半導体積層体の形成は、半導体基板に下部ＤＢＲ層を形成する工程と、前記下部ＤＢＲ層の上に活性層を形成する工程と、前記活性層の上に上部ＤＢＲ層を形成する工程とを有することが好ましい。
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、前記面発光レーザ又は前記デバイスを備えることを特徴とする。
本発明によれば、レーザ放射角を従来よりも低減できる面発光レーザを備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態に係る面発光レーザについて、図面を参照しながら説明する。
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る面発光レーザの一例を示す模式断面図である。
図１に示す面発光レーザ１００は、下部ＤＢＲ１１１と、活性層１１２と、上部ＤＢＲ１１３と、レンズ層１１５と、上部電極１１６と、埋め込み層１１７と、酸化狭窄層（電流狭窄層）１１８と、多層反射膜１１９とを有して構成されている。
【００２２】
下部ＤＢＲ１１１は、例えばｎ型ＧａＡｓ基板（図示せず）上に設けられている。そして、下部ＤＢＲ１１１は、例えば「ＧａＡｓ」と「ＡｌＧａＡｓ」とを交互に積層した３０ペア（周期）の分布反射型多層膜ミラー（ＤＢＲミラー）を構成しているものとする。活性層１１２は、下部ＤＢＲ１１１の上に設けられている。そして、活性層１１２は、例えばＩｎＧａＡｓ量子井戸からなるものとする。そして、活性層１１２の発振波長は例えば９７０ｎｍとする。
【００２３】
上部ＤＢＲ１１３は、活性層１１２の上に設けられている。本実施形態の上部ＤＢＲ１１３は、半導体で構成されていることが好ましい。例えば「ＧａＡｓ」と「ＡｌＧａＡｓ」とを交互に積層した１０ペア（周期）の分布反射型多層膜ミラー（ＤＢＲミラー）で上部ＤＢＲを構成する。
また、上部ＤＢＲ１１３のペア（周期）数は、設計によって０〜２０の範囲内で選ぶことができる。この場合、上部ＤＢＲ１１３のペア数に対応させて、多層反射膜１１９の層数（ペア数）を設定することなどにより、共振器全体として所望の反射率を得ることができる。
【００２４】
下部ＤＢＲ１１１は、ドーピングされることによりｎ型半導体にされている。上部ＤＢＲ１１３は、ドーピングされることによりｐ型半導体にされている。活性層１１２には、不純物がドーピングされていない。これらにより、下部ＤＢＲ１１１、活性層１１２及び上部ＤＢＲ１１３は、ｐｉｎダイオードを構成しており、面発光レーザの共振器を構成している。この共振器における活性層１１２及び上部ＤＢＲ１１３は、半導体基板及び下部ＤＢＲ１１１の上面に凸形状に形成された柱部１５０を構成している。なお、下部ＤＢＲ１１１も凸形状として、その下部ＤＢＲ１１１における上側の一部を柱部１５０の一部としてもよい。この柱部１５０の上面及び下面が面発光レーザ１００のレーザ光出射面となる。
【００２５】
酸化狭窄層１１８は、上部ＤＢＲ１１３の途中にドーナツ形状に形成されている。酸化狭窄層１１８は、例えばＡｌＡｓをドーナツ状に水蒸気酸化して酸化アルミ（絶縁層）としてものである。すなわち、酸化狭窄層１１８の平面形状はドーナツ形状となっており、そのドーナツ形状の中心は面発光レーザ１００の中心軸（発光軸）上に配置されている。そして、酸化狭窄層１１８は、面発光レーザ１００の共振器内で流れる電流の流域を画定する。したがって、酸化狭窄層１１８は、光を放出する活性領域の面積を小さくし、閾値電流の低下や、ビーム幅を狭める作用をする。
【００２６】
レンズ層１１５は、上部ＤＢＲ１１３の上層に設けられている。したがって、レンズ層１１５は、面発光レーザ１００の一方端部位（光出射面）に配置されている。またレンズ層１１５は、上部ＤＢＲ１１３の一部として機能し、柱部１５０の一部を構成している。また、レンズ層１１５は半導体からなる。例えばＧａＡｓでレンズ層１１５を構成する。レンズ層１１５の上面の曲率は例えば３００μｍとする。
【００２７】
埋め込み層（絶縁膜）１１７は、活性層１１２及び上部ＤＢＲ１１３の側面及び下部ＤＢＲ１１１の上面を覆うように配置されている。埋め込み層１１７は、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等で形成することができる。
【００２８】
上部電極１１６は、リング形状をしており、レンズ層１１５における外縁近傍上と埋め込み層１１７の上に配置されている。そして、上部電極１１６は、レンズ層１１５とオーミック接触している。また、面発光レーザ１００は、下部ＤＢＲ１１１にオーミック接触している下部電極（図示せず）を備えている。この下部電極は、例えば下部ＤＢＲ１１１の底面全体に設ける。
【００２９】
多層反射膜１１９は、レンズ層１１５の上層に設けられている。また、多層反射膜１１９は、上部電極１１６の一部も覆うように配置されている。また、多層反射膜１１９は、上部ＤＢＲ１１３の一部として機能し、柱部１５０の一部を構成している。そして、多層反射膜１１９は、例えば誘電体多層膜として構成する。この場合、例えば「ＴｉＯ２」と「ＳｉＯ２」とを交互に積層した４ペア（周期）の分布反射型多層ミラー（ＤＢＲミラー）で、多層反射膜１１９を構成する。
誘電体多層膜は、一般的に光学膜として用いられる材料を組み合わせて構成できる。ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、α-ＳｉとＳｉＯ２、の組み合わせなどで、多層反射膜１１９を構成できる。
【００３０】
このような構成の面発光レーザ１００において、上記ｐｉｎダイオードに順方向電位がかかるように、上部電極１１６及び下部電極に対して電圧を印加する。すると、活性層１１２において、電子と正孔との再結合が起こり、再結合発光が生じる。そこで生じた光が酸化狭窄層１１８の酸化狭窄径（ドーナツ形状の孔）を通って上部ＤＢＲ１１３と下部ＤＢＲ１１１との間を往復するとき、誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。ここで、光利得が光損失を上まわるとレーザ発振が起こり、上部電極１１６の開口部から基板に対して垂直方向にレーザ光が出射される。
【００３１】
また、面発光レーザ１００の内部から見て、多層反射膜１１９は凹面ミラーとして機能する。そこで、面発光レーザ１００内のレーザ光は、大部分が多層反射膜１１９で反射される、残りの一部のレーザ光が多層反射膜１１９から面発光レーザ１００の外部へ出射される。
【００３２】
これらにより、本実施形態の面発光レーザ１００によれば、従来の面発光レーザにおけるレンズ層と空気との界面に形成される凹面ミラーの反射率よりも、多層反射膜１１９の反射率を高くすることができる。そこで、面発光レーザ１００は、多層反射膜１１９により、活性層１１２における光密度分布について、従来の面発光レーザよりも大きな影響を与えることができる。したがって、面発光レーザ１００は、より効果的に横モードの制御ができ、レーザ放射角を低減することができる。
【００３３】
また、本実施形態の面発光レーザ１００は、レンズ層１１５を半導体で構成しているので、そのレンズ層１１５についてエッチング処理などを施すことにより簡便にレンズ形状にすることができる。このとき、レンズ形状のレジストマスクを用いて、等方的なエッチングをすることなどにより、共振器をなす柱部１５０の中心（レーザの光軸）とレンズ部の光軸を、セルフアラインに一致させながら一括して形成できる。したがって、本発明は、高性能でありながら、容易に製造できる面発光レーザ１００を提供できる。
【００３４】
また、面発光レーザ１００によれば、レンズ層１１５を半導体で構成しているので、そのレンズ層１１５の上面（又は下面）で電極コンタクトをとることができる。したがって、例えばレンズ層１１５の外径と共振器をなす柱部１５０の外径とが一致している構成（上部ＤＢＲ１１３が露出していない構成）でも、容易にレンズ層１１５の周縁部にリング状の上部電極１１６を形成できる。そこで、上部電極１１６のコンタクトのためにレンズ層１１５の一部を除去する必要がなく、簡素な製造工程で作れる面発光レーザ１００を提供できる。
【００３５】
また、面発光レーザ１００によれば、レンズ層１１５を半導体で構成しているので、そのレンズ層１１５は共振器の柱部１５０（上部ＤＢＲ１１３など）と類似の材料になる。そこで、レンズ層１１５とその下層の上部ＤＢＲ１１３と屈折率差が小さくなり、レンズ層１１５上面の凹面ミラーの効果を大きくすることができる。これは、共振器内部から見た反射はレンズ層１１５上面の凹面ミラーとレンズ層１１５下面の平面ミラーの合成になるので、平面ミラーの寄与が小さいほど凹面ミラーの効果が大きくなるからである。すなわち、レンズ層１１５と共振器の柱部１５０との界面での屈折率差が小さければレンズ層１１５の下面での反射の割合が小さくなり、レンズ層１１５上面に形成される凹面ミラーの効果を高められる。言い換えれば、レンズ層１１５の上面をよりゆるい曲率にしても十分な凹面ミラー効果を得ることができ、十分にレーザ放射角を低減することができる。
【００３６】
本実施形態の面発光レーザ１００を実際に制作してその特性を測定した。このとき、最大出力５ｍＷまで基本横モード発振が確認できた。そして、レーザの放射角のＦＷＨＭ（半値全角）は１０度であった。
【００３７】
（製造方法）
次に、上記構成の面発光レーザ１００の製造方法について図２及び図３を参照して説明する。
＜第１工程＞
図２（ａ）は本製造方法の第１工程を示す概略断面図である。先ず、例えばｎ型ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとを交互に積層して、３０ペアの分布反射型多層膜ミラーからなる下部ＤＢＲ層１２１を形成する。ここで下部ＤＢＲ層１２１はドーピングによりｎ型半導体にされる。下部ＤＢＲ層１２１は図１の下部ＤＢＲ１１１に対応するものである。次いで、下部ＤＢＲ層１２１上に、ＩｎＧａＡｓ量子井戸からなる活性層（図示せず）を形成する。この活性層は図１の活性層１１２の元となるものである。活性層の発振波長は例えば９７０ｎｍとする。
【００３８】
さらに、活性層上に、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓとを交互に積層して、１０ペアの分布反射型多層膜ミラーからなる上部ＤＢＲ層１２３を形成する。ここで、上部ＤＢＲ層１２３はドーピングによりｐ型半導体にされる。上部ＤＢＲ層１２３は図１の上部ＤＢＲ１１３の元となるものである。その後、コンタクト層１２４の上に、レンズ層１２５を形成する。レンズ層１２５は、面発光レーザ１００のレーザ光のエネルギーに相当するバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する半導体とする。例えばＧａＡｓでレンズ層１２５を形成する。このレンズ層１２５は、図１のレンズ層１１５の元となるものである。
【００３９】
上記の下部ＤＢＲ層１２１、活性層、上部ＤＢＲ層１２３、コンタクト層１２４及びレンズ層１２５からなるエピタキシャル層１２０は、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Metal-OrganicVapor Phase Epitaxy）法でエピタキシャル成長させることができる。このとき、例えば、成長温度は、７５０℃、成長圧力は、２×１０４Ｐａで、ＩＩＩ族原料にＴＭＧａ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）の有機金属を用い、Ｖ族原料にＡｓＨ３、ｎ型ドーパントにＨ２Ｓｅ、ｐ型ドーパントにＤＥＺｎ（ジメチル亜鉛）を用いることができる。このようなエピタキシャル層１２０は、面発光レーザの共振器の構成要素となる半導体積層体をなすものである。
【００４０】
次いで、レンズ層１２５上に、フォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィーにより、フォトレジストをパターニングする。これにより、図２（ａ）に示すように、所定パターンのレジスト層１３０を形成する。
【００４１】
＜第２工程＞
図２（ｂ）は本製造方法の第２工程を示す概略断面図である。本工程では、レジスト層１３０を凸レンズ形状に形成する。具体的には、レジスト層１３０を加熱、リフロー、すなわち、溶融したレジストを流動させて再形成する。これにより、レジスト層１３０は、表面張力の影響を受けて、図２（ｂ）に示すような凸レンズ状に変形する。加熱方法としては、例えばホットプレートまたは温風循環式オーブンなどを用いて行うことができる。ホットプレートを使用した場合の条件は、レジストの材質により変わるが、１５０℃以上で、２〜１０分、好ましくは５分である。また、温風循環式オーブンの場合は、１６０℃以上で、２０〜３０分が適当である。なお、グレーマスクを用いることにより、加熱などをせずにレジスト層１３０を凸レンズ形状に形成してもよい。
【００４２】
＜第３工程＞
図２（ｃ）は本製造方法の第３工程を示す概略断面図である。本工程では、図２（ｃ）に示すように上部ＤＢＲ層１２３、コンタクト層１２４及びレンズ層１２５からなる柱部１５１を形成する。柱部１５１は共振器の一部をなすものである。なお、下部ＤＢＲ１２１の一部及び活性層についても、柱部１５１の一部としてもよい。柱部１５１を形成するには、凸レンズ形状のレジスト層１３０をマスクとして、高選択比のドライエッチングを行う。すなわち、レジスト層１３０はほとんどそのまま残し、レンズ層１２５、コンタクト層１２４、上部ＤＢＲ１２３、活性層及び下部ＤＢＲ１２１の上側一部までをメサ状にエッチングし、柱部１５１を形成する。このエッチングの選択比は例えば２．０以上であることが好ましい。本工程により、大きな側面角度の柱部１５１を形成できる。
【００４３】
＜第４工程＞
図２（ｄ）は本製造方法の第４工程を示す概略断面図である。本工程では、レジスト層１３０が無くなるまで、柱部１５１及びレジスト層１３０について等方的にエッチングする。すなわち、低選択比条件のドライエッチングを行う。すると、柱部１５１とレジスト層１３０が同時にエッチングされていき、レジスト層１３０のレンズ形状が柱部１５１の上面に浮き彫りにされ、上面（一方端部位）にレンズ形状を有する柱部１５２が形成される。
【００４４】
＜第５工程＞
図３（ａ）は本製造方法の第５工程を示す概略断面図である。本工程では、酸化狭窄層１２８を形成する。例えば、４００℃の水蒸気処理を行うことにより、上部ＤＢＲ層１２３の途中においてＡｌＡｓを、柱部１５２の外側からドーナツ状に水蒸気酸化する。これにより、かかるＡｌＡｓが酸化アルミとなり、ドーナツ状の酸化狭窄層１２８を有する柱部１５３となる。酸化狭窄層１２８は、図１の酸化狭窄層１１８に対応するものである。
【００４５】
＜第６工程＞
図３（ｂ）は本製造方法の第６工程を示す概略断面図である。本工程では、下部ＤＢＲ層１２１の一部、活性層、上部ＤＢＲ層１２３及びコンタクト層１２４の周囲に、埋め込み層（絶縁膜）１２７を形成する。具体的には、上記柱部１５３におけるコンタクト層１２４付近の高さまで、その柱部１５３の周囲に絶縁膜を埋め込み、埋め込み層１２７とする。埋め込み層１２７の構成材料としては、例えばポリイミド又はＢＣＢなどを用いる。例えば、液状体のポリイミドを液滴吐出方式などにより柱部１５３の周囲に塗布し、その後、焼成などによりポリイミドを硬化させる。これにより、簡易に埋め込み層１２７を形成することができる。埋め込み層１２７を形成することにより、後工程で形成する上部電極１２６が余計なところに短絡することを回避できる。また、埋め込み層１２７により、柱部１５３の周囲が平坦化されるので、上部電極１２６の形成が容易になる。埋め込み層１２７は、図１の埋め込み層１１７に対応するものである。
【００４６】
＜第７工程＞
図３（ｃ）は本製造方法の第７工程を示す概略断面図である。本工程では、レンズ層１２５にオーミック接触する上部電極１２６を形成する。具体的には、レンズ層１２５における外縁近傍上と埋め込み層１２７の上に、リング形状の上部電極１２６を形成する。ここで、上部電極１２６は、レンズ層１２５にオーミック接触させる。このような上部電極１２６は、例えば真空蒸着法によりＡｕ−Ｇｅ合金膜を形成し、その合金膜をエッチングによりパターニングすることで形成できる。上部電極１２６は、図１の上部電極１１６に対応するものである。
【００４７】
＜第８工程＞
図３（ｄ）は本製造方法の第８工程を示す概略断面図である。本工程では、レンズ層１２５の上面に、誘電体多層反射膜１２９を形成する。具体的には、例えばイオンアシスト蒸着装置とマスク蒸着法を用いて、設計波長９７０ｎｍ、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２からなる４周期のＤＢＲを形成し、これを誘電体多層反射膜１２９とする。この誘電体多層反射膜１２９は、図３（ｄ）に示すように、上部電極１２６の一部にも被るよう形成してもよい。誘電体多層反射膜１２９は、図１の多層反射膜１１９に対応するものである。
本工程の後に、下部ＤＢＲ層１２１にオーミック接触する下部電極（図示せず）を形成することにより、図１に示すような面発光レーザ１００が完成する。なお、下部電極は、上部電極１２６と同様にして形成することができる。
【００４８】
これらにより、本製造方法によれば、レンズ層１２５を半導体で構成しているので、そのレンズ層１２５についてエッチング処理などを施すことにより簡便にレンズ形状にすることができる。このとき、レンズ形状のレジストマスクを用いて、等方的なエッチングをすることなどにより、共振器をなす柱部１５３の中心（レーザの光軸）とレンズ部（凹面ミラー）の光軸をセルフアラインに一致させることができる。したがって、本製造方法によれば、高性能な面発光レーザ１００を容易に製造できる。また、本製造方法は、レンズ形状にしたレンズ層１２５の上層に誘電体多層反射膜１２９を形成するので、レーザ放射角を従来よりも低減できる面発光レーザ１００を容易に製造できる。
【００４９】
（第２実施形態）
図４は本発明の第２実施形態に係る面発光レーザの一例を示す模式断面図である。本実施形態の面発光レーザ２００における第１実施形態の面発光レーザ１００との主な相違点は、上部電極２１６が多層反射膜２１９に電気的に接合されている点と、多層反射膜２１９が半導体で構成されている点である。次に、面発光レーザ２００について具体的に説明する。
【００５０】
面発光レーザ２００は、下部ＤＢＲ２１１と、活性層２１２と、上部ＤＢＲ２１３と、レンズ層２１５と、上部電極２１６と、埋め込み層２１７と、酸化狭窄層２１８と、多層反射膜２１９とを有して構成されている。ここで、下部ＤＢＲ２１１は、第１実施形態の下部ＤＢＲ１１１と同一のもので構成できる。活性層２１２は、下部ＤＢＲ２１１の上層に配置されており、活性層１１２と同一のもので構成できる。上部ＤＢＲ２１３は、活性層２１２の上層に配置されており、上部ＤＢＲ１１３と同一のもので構成できる。レンズ層２１５は、上部ＤＢＲ２１３の上層に配置されており、凸レンズ形状をしており、レンズ層１１５と同一のもので構成できる。酸化狭窄層２１８は、上部ＤＢＲ２１３内に形成されており、酸化狭窄層１１８と同一のもので構成できる。
【００５１】
多層反射膜２１９は、半導体からなり、レンズ層２１５の上層に配置されている。例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなる１０周期の半導体多層反射膜で、多層反射膜２１９を構成する。埋め込み層２１７は、活性層２１２、上部ＤＢＲ２１３、レンズ層２１５及び多層反射膜２１９からなる柱部の周囲を埋めるように配置されている。埋め込み層２１７の構成材料は、埋め込み層１１７の構成材料と同一とすることができる。上部電極２１６は、リング形状を有し、多層反射膜２１９における外縁近傍部位に配置されており、その外縁近傍部位と電気的に接合されている。また、上部電極２１６の一部は、埋め込み層２１７上に配置されている。
【００５２】
これらにより、本実施形態の面発光レーザ２００は、第１実施形態の面発光レーザ１００と同様に、多層反射膜２１９によって効果的に横モードの制御ができ、レーザ放射角を低減することができる。また、本実施形態によれば、レンズ層２１５を半導体で構成しているので、そのレンズ層２１５を簡便に所望形状とすることができ、高性能でありながら、容易に製造できる面発光レーザ２００を提供することができる。また、本実施形態によれば、多層反射膜２１９を半導体で構成しているので、その多層反射膜２１９と上部電極２１６とのコンタクトを簡便にとることができ、簡便に製造できる面発光レーザ２００を提供できる。
【００５３】
次に、面発光レーザ２００の製造方法について説明する。先ず、第１実施形態の第１から第５工程と同様にして、下部ＤＢＲ２１１、活性層２１２、上部ＤＢＲ２１３、レンズ層２１５及び酸化狭窄層２１８を形成する。次いで、レンズ層２１５の上層に、半導体からなる多層反射膜２１９を形成する。次いで、活性層２１２、上部ＤＢＲ２１３、レンズ層２１５及び多層反射膜２１９からなる柱部の周囲を埋めるように、埋め込み層２１７を形成する。次いで、多層反射膜２１９における外縁近傍部位に電気的に接合する上部電極２１６を形成する。次いで、下部ＤＢＲ２１１にオーミック接触する下部電極（図示せず）を形成することにより、図４に示すような面発光レーザ２００が完成する。
【００５４】
（第３実施形態）
図５は本発明の第３実施形態に係る面発光レーザの一例を示す模式断面図である。本実施形態の面発光レーザ３００Ａにおける第１実施形態の面発光レーザ１００との主な相違点は、レンズ層３１５は凸レンズ形状を有しているが、その凸レンズ形状の頂上部３１５Ｂが平坦となっている点である。次に面発光レーザ３００Ａについて具体的に説明する。
【００５５】
面発光レーザ３００Ａは、下部ＤＢＲ３１１と、活性層３１２と、上部ＤＢＲ３１３と、レンズ層３１５と、上部電極３１６と、埋め込み層３１７と、酸化狭窄層３１８と、多層反射膜３１９とを有して構成されている。ここで、下部ＤＢＲ３１１は、第１実施形態の下部ＤＢＲ１１１と同一のもので構成できる。活性層３１２は、下部ＤＢＲ３１１の上層に配置されており、活性層１１２と同一のもので構成できる。上部ＤＢＲ３１３は、活性層３１２の上層に配置されており、上部ＤＢＲ１１３と同一のもので構成できる。レンズ層３１５は、上部ＤＢＲ１１３の上層に配置されており、レンズ層１１５とは形状が異なるが、レンズ層１１５と同一のもので構成できる。酸化狭窄層３１８は、上部ＤＢＲ３１３内に形成されており、酸化狭窄層１１８と同一のもので構成できる。また、酸化狭窄層３１８における酸化狭窄径、すなわち電流が流れる流域は、直径ｄＯＸとなっている。多層反射膜３１９は、レンズ層３１５の上層に配置されており、多層反射膜１１９と同一のもので構成できる。
【００５６】
レンズ層３１５は、図５に示すように、頂上部が平坦な凸レンズ形状をしている。すなわち、レンズ層３１５は、凸レンズをなす曲面部３１５Ａと、平坦な頂上部３１５Ｂとを有する。頂上部３１５Ｂの中心は、面発光レーザ３００Ａの中心軸３１０上に配置されている。そして、頂上部３１５Ｂの平面形状は円形であり、曲面部３１５Ａの平面形状はドーナツ形状である。平坦な頂上部３１５の大きさは、直径ｄtopとなっている。そして、頂上部１１５はなるべく小さいことが好ましく、
直径ｄtop＜直径ｄＯＸ
という関係になることが好ましい。
【００５７】
これらにより、本実施形態の面発光レーザ３００Ａによれば、レンズ層３１５の頂上部３１５Ｂを平坦としているので、そのレンズ層３１５を形成するときに、頂上部３１５Ｂについてはエッチング等の処理をする必要がない。そこで、面発光レーザ３００Ａは、共振器の中心軸３１０におけるレンズ層１１５の厚さを、簡便に高精度化することができる。これにより、面発光レーザ３００Ａは、面発光レーザの機能を発揮するために最も重要な共振器の中心軸３１０での反射率を、簡便に所望値とすることができる。そこで、面発光レーザ３００Ａは、しきい値及び効率などの基本的なレーザ特性を良好に且つ簡便に得ることができる。
【００５８】
また、面発光レーザ３００Ａによれば、共振器の中心軸３１０から離れた部位からの出射光については、レンズ層３１５の曲面部３１５Ａの上層に積層された多層反射膜の凹面ミラー効果を受けることができる。そこで、面発光レーザ３００Ａは、全体として充分なビーム整形作用を得ることができ、レーザ放射角を充分に小さくすることができる。
【００５９】
（第４実施形態）
図６は本発明の第４実施形態に係る面発光レーザの一例を示す模式断面図である。本実施形態の面発光レーザ３００Ｂにおける第１実施形態の面発光レーザ１００との主な相違点は、レンズ層３６５の凸レンズ形状の底面が上部ＤＢＲ３６３の上面よりも小さい点である。換言すれば、レンズ層３６５の底面が共振器の一部をなす柱部（活性層３６２及び上部ＤＢＲ３６３）の上面よりも小さくなっている。ただし、レンズ層３６５の形状は、第３実施形態のレンズ層３１５と相似しており、凸レンズをなす曲面部３６５Ａと、平坦な頂上部３６５Ｂとを有する。次に、面発光レーザ３００Ｂについて具体的に説明する。
【００６０】
面発光レーザ３００Ｂは、下部ＤＢＲ３６１と、活性層３６２と、上部ＤＢＲ３６３と、レンズ層３６５と、上部電極３６６と、埋め込み層３６７と、酸化狭窄層３６８と、多層反射膜３６９とを有して構成されている。ここで、下部ＤＢＲ３６１は、第１実施形態の下部ＤＢＲ１１１と同一構成とすることができる。活性層３６２は、活性層１１２と同一構成とすることができる。上部ＤＢＲ３６３は、上部ＤＢＲ１１３と同一構成とすることができる。上部電極３６６は、上部電極１１６とは形状が異なるが、上部電極１１６と同一のもので構成できる。上部電極３６６は、ドーナツ形状をしており、レンズ層３６５における外縁近傍部位と電気的に接合されている。埋め込み層３６７は、埋め込み層１１７と同一構成とすることができる。酸化狭窄層３１８は、酸化狭窄層１１８と同一構成とすることができる。多層反射膜３６９は、レンズ層３６５の露出部を覆うように配置されており、多層反射膜１１９と同一のもので構成できる。また、多層反射膜３６９は、上部電極３６６の一部をも覆うように配置してもよい。
【００６１】
これらにより、本実施形態の面発光レーザ３００Ｂは、上部ＤＢＲ３６３の上面の一部にレンズ層３６５によるレンズ形状部が設けられているので、その凸レンズ形状を小さい曲率にすることができる。そこで、面発光レーザ３００Ｂは、レンズ層３６５の上層に配置された多層反射膜３６９によるレーザ放射角の低減効果をさらに高めることができる。
【００６２】
＜電子機器＞
上記実施形態の面発光レーザを備えた電子機器の例について説明する。
本実施形態の面発光レーザは、光ファイバ通信モジュール、あるいは、機器内又は基板内などで光信号を送受信する光インターコネクション、光ディスクヘッド、レーザプリンタ、レーザビーム投射器、レーザビームスキャナ、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ、変位センサ、圧力センサ、ガスセンサ、液体センサ、血液血流センサ、光インターカプラ、並列光プロセッサなどに適用することができる。
【００６３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る面発光レーザの模式断面図である。
【図２】同上の面発光レーザの製造方法を示す断面図である。
【図３】同上の面発光レーザの製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る面発光レーザの模式断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る面発光レーザの模式断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る面発光レーザの模式断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００，２００，３００Ａ，３００Ｂ…面発光レーザ、１１１，２１１，３１１，３６１…下部ＤＢＲ、１１２，２１２，３１２，３６２…活性層、１１３，２１３，３１３，３６３…上部ＤＢＲ、１１５，２１５，３１５，３６５…レンズ層、３１５Ａ，３６５Ａ…曲面部、３１５Ｂ，３６５Ｂ…頂上部、１１６，２１６，３１６，３６６…上部電極、１１７，２１７，３１７，３６７…埋め込み層、１１８，２１８，３１８，３６８…酸化狭窄層（電流狭窄層）、１１９，２１９，３１９，３６９…多層反射膜、１５０…柱部
【図１】
2006114753.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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