(57)【要約】【課題】放電の発生を抑制し、表示品位の優れた画像表示装置を提供する。【解決手段】画像表示装置は、蛍光体スクリーン５が形成された前面基板１と、前面基板に隙間を置いて対向配置された背面基板２とを有した真空外囲器４を備えている。画像表示装置は、蛍光体スクリーン５に重なった複数の分割部Ｍ１〜Ｍ４を含むメタルバックＭと、複数の第１接続抵抗２１および第２接続抵抗２２と、メタルバックの外側に配置され、第１接続抵抗または第２接続抵抗を介してメタルバックに電気的に接続された共通電極３０と、共通電極に電荷を供給する電源部５０と、共通電極と電源部との間に接続され、電源部から共通電極への電荷の供給を制限する制限抵抗６０とを備えている。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光面が形成された前面基板と、前記前面基板に隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出素子が設けられた背面基板とを有し、内部が真空に維持された真空外囲器と、
前記蛍光面に重なった複数の分割部を含むメタルバックと、
前記分割部にそれぞれ電気的に接続された複数の接続抵抗と、
前記メタルバックの外側に配置され、前記接続抵抗を介して前記メタルバックに電気的に接続された共通電極と、
前記共通電極に電荷を供給する電源部と、
前記共通電極と電源部との間に接続され、前記電源部から共通電極への電荷の供給を制限する制限抵抗とを備えている画像表示装置。
【請求項２】
前記制限抵抗の抵抗値は、１０ｋΩないし１００ｋΩである請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記複数の分割部は、それぞれ第１方向に延びているとともに、前記第１方向と直交する第２方向に間隔を置いて並べられ、互いに電気的に接続された複数のストライプ部をそれぞれ含み、前記第２方向に並べて形成され、
隣接する前記分割部のストライプ部同士は、前記第２方向に互い違いにそれぞれ設けられている請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記複数の分割部は、それぞれほぼＳ字型に形成されている請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記複数の分割部は、第１方向に延びたストライプ状にそれぞれ形成され、前記第１方向と直交する第２方向に間隔を置いて並べられている請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記接続抵抗および共通電極間に電気的に接続された高圧供給端子を備え、
前記共通電極は、第１方向にメタルバックを挟んで前記メタルバックの外側に互いに対向して設けられ、それぞれ前記第１方向と直交する第２方向に延び、前記接続抵抗を介して前記複数の分割部に電気的に接続された一対の第１電極および第２電極と、前記メタルバックの外側で、前記第１方向に延び、一端が前記第２電極と電気的に接続され、他端が前記第１電極と離間して設けられた第３電極と、前記第２方向に前記メタルバックを挟んで前記第３電極と対向し、前記第１方向に延び、前記第１電極および第２電極と電気的に接続された第４電極とを有し、
前記高圧供給端子は、前記第３電極の他端に形成されている請求項１に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画像表示装置、特に分断されたメタルバックを有した画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示装置として、電子放出素子を多数並べ、これら電子放出素子に蛍光面を対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるが、いずれも基本的には電界放出を用いている。例えば、薄型の画像表示装置として、電界放出型の電子放出素子から放出された電子ビームにより蛍光体を発光させるフィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）、および表面伝導型電子放出素子の電子ビームにより蛍光体を発光させる表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）が知られている。
【０００３】
例えば、ＳＥＤは、隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。真空外囲器の内部は、真空度が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数のスペーサが配設されている。
【０００４】
前面基板の内面には、赤、青、緑の蛍光体層を含む蛍光面が形成され、背面基板の内側には、電子を放出し、蛍光体を励起して発光させるための多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線および信号線がマトリクス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。
【０００５】
蛍光面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から出た電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が表示される。このようなＳＥＤでは、前面基板と背面基板との隙間を数ｍｍ以下に設定することができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００６】
上記のように構成されたＳＥＤにおいて、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の複数の蛍光体層を用い、さらに、これら蛍光体層の上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を形成した蛍光面を用いることが必要となる。この場合、蛍光面に印加するアノード電圧は最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。
【０００７】
しかし、前面基板と背面基板との間の隙間は、解像度やスペーサの特性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。したがって、ＳＥＤでは、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となる。
【０００８】
放電が起こると、瞬間的に１００Ａ以上の電流が基板間に流れることがあり、電子放出素子や蛍光面の破壊あるいは劣化、さらには駆動回路の破壊を引き起こす可能性もある。これらをまとめて放電によるダメージと呼ぶことにする。このような不良発生につながる放電は製品としては許容されない。したがって、ＳＥＤを実用化するためには、長期間に渡り、放電によるダメージが発生しないように構成しなければならない。しかしながら、放電を長期間に渡って完全に抑制するのは非常に困難である。
【０００９】
そこで、放電が起きても電子放出素子等への影響を無視できるように、放電の規模を抑制する対策が重要になる。この対策として、メタルバックを複数に分断してＳＥＤを構成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。メタルバックは分断された複数の分割部を有している。さらに、前面基板には共通電極および抵抗が形成され、共通電極および分割部は抵抗を介して接続されている。共通電極の一部に高圧供給端子が形成され、この高圧供給端子に上記したアノード電圧が印加されるようになっている。
【特許文献１】特開２００４−１５２４９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したようにメタルバックが形成されたＳＥＤを用いて画像を表示すると、前面基板および背面基板間で放電が発生することにより、共通電極および分割部間で放電が発生する場合がある。更に共通電極および他の分割部間の放電に発展し、筋状のダメージが発生する。この場合、電子放出素子や蛍光面の破壊または劣化、ひいては回路の破壊を引き起こし、表示品位を低下させてしまう。  
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、放電の発生を抑制し、表示品位の優れた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された前面基板と、前記前面基板に隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出素子が設けられた背面基板とを有し、内部が真空に維持された真空外囲器と、前記蛍光面に重なった複数の分割部を含むメタルバックと、前記分割部にそれぞれ電気的に接続された複数の接続抵抗と、前記メタルバックの外側に配置され、前記接続抵抗を介して前記メタルバックに電気的に接続された共通電極と、前記共通電極に電荷を供給する電源部と、前記共通電極と電源部との間に接続され、前記電源部から共通電極への電荷の供給を制限する制限抵抗とを備えている。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、放電の発生を抑制し、表示品位の優れた画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながらこの発明の画像表示装置をＳＥＤに適用した実施の形態について詳細に説明する。  
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラスからなる前面基板１および背面基板２を備え、これらの基板は１〜２ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。そして、前面基板１および背面基板２は、矩形枠状の側壁３を介して周縁部同士が接合され、内部が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器４を構成している。
【００１４】
前面基板１の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン５が形成されている。この蛍光体スクリーン５は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光し、第１方向ｄ１に延びているとともに第１方向と直交する第２方向ｄ２に所定の間隔を置いて平行に並んだ複数のストライプ状の蛍光体層６と、これら蛍光体層の隙間に設けられた遮光層７とを有している。蛍光体スクリーン５上には、アノード電極として機能するメタルバックＭが形成されている。
【００１５】
図３および図４に示すように、メタルバックＭは、第２方向ｄ２に並べて形成された複数の分割部Ｍ１〜Ｍ４を有している。ここでは、メタルバックＭの概略を説明するため、メタルバックが４つの分割部を有した場合について示す。各分割部Ｍ１〜Ｍ４は、それぞれ第１方向ｄ１に延びているとともに、第２方向ｄ２に所定の間隔を置いて平行に並べられ、互いに電気的に接続された複数のストライプ部Ｍ１ａ〜Ｍ１ｃ、Ｍ２ａ〜Ｍ２ｃ、Ｍ３ａ〜Ｍ３ｃ、Ｍ４ａ〜Ｍ４ｃをそれぞれ有している。
【００１６】
隣接する分割部のストライプ部同士は、第２方向ｄ２に互い違いにそれぞれ設けられている。この実施の形態において、分割部Ｍ１〜Ｍ４は、ほぼＳ字型に形成されている。各ストライプ部Ｍ１ａ〜Ｍ１ｃ、Ｍ２ａ〜Ｍ２ｃ、Ｍ３ａ〜Ｍ３ｃ、Ｍ４ａ〜Ｍ４ｃは、蛍光体層６に重なって形成されている。
【００１７】
背面基板２の内面上には、蛍光体スクリーン５の蛍光体層６を励起する電子ビームを放出する多数の電子放出素子９が設けられている。これらの電子放出素子９は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子９は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板２の内面には、電子放出素子９に電位を供給する多数本の配線１０がマトリクス状に設けられ、その端部は真空外囲器４の周縁部に引出されている。また、前面基板１および背面基板２間には、大気圧荷重を支えるため、板状あるいは柱状に形成された多数のスペーサ１１が配置されている。
【００１８】
次に、上記した前面基板１について詳細に説明する。  
図４に示すように、前面基板１の内面には、複数の接続抵抗として、例えば複数の第１接続抵抗２１および複数の第２接続抵抗２２と、共通電極３０と、高圧供給端子４０とが形成されている。この実施の形態において、第１接続抵抗２１は分割部Ｍ１、Ｍ３と、第２接続抵抗２２は分割部Ｍ２、Ｍ４と、それぞれ一対一で電気的に接続されている。
【００１９】
共通電極３０は、ほぼ矩形枠状に形成され、メタルバックＭの外側に配置されている。共通電極３０は、一対の第１電極３１および第２電極３２と、第３電極３３と、第４電極３４とが一体となって形成されている。
【００２０】
第１電極３１および第２電極３２は、第１方向ｄ１にメタルバックを挟んで互いに対向して設けられ、それぞれ第２方向ｄ２に延び、第１接続抵抗２１または第２接続抵抗２２を介して複数の分割部Ｍ１〜Ｍ４に電気的に接続されている。この実施の形態において、第１電極３１は第１接続抵抗２１を介して複数の分割部Ｍ１、Ｍ３に電気的に接続され、第２電極３２は第２接続抵抗２２を介して複数の分割部Ｍ２、Ｍ４に電気的に接続されている。
【００２１】
第３電極３３は、メタルバックＭの外側で、第１方向ｄ１に延びている。第３電極３３は、その一端３３ａが第２電極３２と電気的に接続されているとともに、その他端３３ｂが第１電極３１と離間して設けられている。第４電極３４は、第２方向ｄ２にメタルバックＭを挟んで第３電極３３と対向し、第１方向ｄ１に延びている。第４電極３４は、第１電極３１および第２電極３２と電気的に接続されている。
【００２２】
高圧供給端子４０は、第１電極３１と離間し、第３電極３３の他端３３ｂに形成され、共通電極３０に電気的に接続されている。この実施の形態において、導電材料としての銀を印刷することにより、共通電極３０および高圧供給端子４０は一体に形成されている。
【００２３】
また、ＳＥＤは、高圧供給端子４０に電荷を供給する電源部５０と、高圧供給端子と電源部との間に接続され、電源部から高圧供給端子への電荷の供給を制限する制限抵抗６０とを有している。この実施の形態において、制限抵抗６０の抵抗値は、１０ｋΩである。
【００２４】
電源部５０は、電源５１と、この電源の陽極および制限抵抗６０にそれぞれ電気的に接続された静電容量部５２とを有している。静電容量部５２は、例えばコンデンサ５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄを有している。なお、電源５１の陰極および前面基板１は、それぞれ接地されている。
【００２５】
上記したようなＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、電源５１は駆動電圧としてアノード電圧Ｖａを出力する。これにより、出力されたアノード電圧Ｖａは静電容量部５２に蓄電され、この静電容量部から制限抵抗６０を介して高圧供給端子４０に印加される。これにより、高圧供給端子４０に電荷が供給され、この電荷は共通電極３０と、第１接続抵抗２１または第２接続抵抗２２とを介して分割部Ｍａ〜Ｍｄにもそれぞれ供給される。
【００２６】
この実施の形態において、アノード電圧Ｖａは、１０ｋＶである。このため、制限抵抗６０によって高圧供給端子４０への電荷の供給は抑制されるものの、前面基板１および背面基板２間に高輝度表示に必要な電位差が生じる。そして、電子放出素子９から放出された電子ビームを上記基板間の電位差により加速して蛍光体スクリーン５へ衝突させる。これにより、対応する蛍光体層６が励起されて発光し、カラー画像を表示する。
【００２７】
次に、前面基板１および背面基板２間で放電が発生した場合について説明する。  
図４および図５に示すように、例えば、ストライプ部Ｍ２ｂおよび背面基板２間で放電が発生した場合について説明する。ここで、図５は、ｘ軸に第２方向ｄ２に並んだストライプ部をとり、ｙ軸に各ストライプ部の電圧の値を示した図である。放電が発生すると、ストライプ部Ｍ２ｂの電圧は急激に低下し０Ｖとなる。そして、ストライプ部Ｍ２ｂおよび共通電極３０間に電位差が生じ、そのストライプ部Ｍ２ｂと共通電極３０との間で放電が発生する。これにより、真空外囲器４内部にはストライプ部Ｍ２ｂに沿った筋状のダメージが与えられてしまう。ストライプ部Ｍ２ｂが０Ｖになるとストライプ部Ｍ２ａおよびストライプ部Ｍ２ｃも０Ｖとなり、ストライプ部Ｍ２ａおよびストライプ部Ｍ２ｃと共通電極３０との間にも放電が発生する。そして、真空外囲器４内部にはストライプ部Ｍ２ａおよびストライプ部Ｍ２ｃに沿った筋状のダメージも与えられてしまう。
【００２８】
上記した際、共通電極３０には電源部５０から電荷の供給が続けられるが、制限抵抗６０により、共通電極への電荷の供給は制限される。これにより、共通電極３０において、放電時の電圧は、放電前の電圧からある程度降下することになる。
【００２９】
また、ストライプ部Ｍ１ｃおよびストライプ部Ｍ３ａの電圧は、０Ｖまで低下しないものの、ストライプ部Ｍ２ｂ−ストライプ部Ｍ１ｃ、ストライプ部Ｍ２ｂ−ストライプ部Ｍ３ａとの狭い間隔に起因し、０Ｖ付近まで低下する。そして、ストライプ部Ｍ１ｃおよびストライプ部Ｍｃ１と同時にストライプ部Ｍ１ａ、Ｍ１ｂ、Ｍ３ｂの他、ストライプ部Ｍ３ｃも０Ｖ付近まで低下する。また、上記した際、ストライプ部Ｍ４ａの電圧の他、ストライプ部Ｍ４ｂ、Ｍ４ｃの電圧は、ストライプ部Ｍ３ｂ−ストライプ部Ｍ４ａ等の狭い間隔に起因し、低下するものの、ストライプ部Ｍ３ｂより高い値に維持される。上記したことから、ストライプ部Ｍ２ｂを有した分割部Ｍ２から離れた分割部ほど電圧の値が高い状態に維持されていることが判る。
【００３０】
図６に示すように、メタルバックＭが図４に示した分割部の数を超える分割部Ｍ１、Ｍ２、…、Ｍｎ、…を有した実用的なＳＥＤを例に放電時のストライプ部Ｍ１ａ、…、Ｍｎａ、…、Ｍｎ＋１ａ、…の電圧を示す。表示画面のサイズが３６インチの実用的なＳＥＤのメタルバックＭは、例えば２５６つの分割部Ｍ１〜Ｍ２５６を有している。放電が発生したストライプ部Ｍｎｂから離れたストライプ部、すなわち、放電が発生した分割部から離れた分割部ほど電圧の値が高い状態に維持されていることが判る。そして、隣接したストライプ部の電圧の値を結んだ線の形は波形である。
【００３１】
以上のように構成された、ＳＥＤによれば、制限抵抗６０は、電源部５０から共通電極３０への電荷の供給を制限する。ストライプ部Ｍ２ｂで放電が発生すると、共通電極３０への電荷の供給は制限されるため、共通電極の電圧が降下する。これにより、共通電極−ストライプ部Ｍ２ｂ間の電位差は低減される。上記したことから、共通電極３０−ストライプ部Ｍ２ｂ間に放電が起きなくなり、すなわち、長期の放電を抑制することができ、結果、放電によるダメージを抑制できる。
【００３２】
制限抵抗６０の抵抗値は、１０ｋΩに限らず、１０ｋΩないし１００ｋΩの範囲内であれば、放電によるダメージの抑制と、高輝度表示とが可能である。制限抵抗６０の抵抗値が１０ｋΩ未満では、共通電極３０への電荷の供給は制限されにくくなるため、放電時においても、共通電極の電圧は降下しにくくなってしまう。すなわち、放電の長期化および放電の規模の拡大を招いてしまう。
【００３３】
制限抵抗６０の抵抗値が１００ｋΩを超えた場合、共通電極３０の電圧が下がり、放電によるダメージを抑制できるものの、前面基板１−背面基板２間の電位差は低減し、高輝度表示可能な電位差は得られなくなる。このため、表示画像の輝度が低下してしまう。
【００３４】
各分割部Ｍ１〜Ｍ４は、複数のストライプ部Ｍ１ａ〜Ｍ１ｃ、Ｍ２ａ〜Ｍ２ｃ、Ｍ３ａ〜Ｍ３ｃ、Ｍ４ａ〜Ｍ４ｃを含み、ほぼＳ字型に形成されている。隣接する分割部のストライプ部同士は第２方向ｄ２に互い違いにそれぞれ設けられている。上記したように分割部がＭ１〜Ｍ４が形成されているため、放電が発生した場合、放電が発生した分割部から離れた分割部ほど電圧の値が高くなり、かつ、隣接したストライプ部の電圧の値を結んだ線の形が波形となる。このため、放電の規模の拡大を抑制することができる。
【００３５】
ここで、本願発明者等は、メタルバックＭが単にストライプ状に形成された複数の分割部で形成されている場合の放電の規模について調査した。調査したところ、放電が発生すると、放電が発生した分割部と隣接する分割部への放電へと次々に発展し、放電規模の拡大を抑制できなかった。ただし、単にメタルバックＭがストライプ状であると抑制できないと言っているわけではなく、調査時の条件では抑制できなかっただけである。単なるストライプ状であってもメタルバックＭの大きさを変えたり、分割部に適度な抵抗を付加する等、適切な条件にすることで制限抵抗６０が必要となってくる。
【００３６】
その他、分割部を単にストライプ状に形成した場合、各分割部は、この両端に電気的に接続された接続抵抗を介して共通電極３０にそれぞれ接続される。このため、共通電極３０に多数の接続抵抗が並列に接続される。並列回路において、抵抗が並列に多く並ぶほど抵抗値は低下するため、分割部に放電が発生すると、共通電極３０の電圧の大幅な低下、ひいては他の分割部の電圧の低下を招いてしまい、放電電流の増大、輝度の低下等、表示画像に不具合が生じてしまう。
【００３７】
上記した点、この実施の形態に係る第１接続抵抗２１および第２接続抵抗２２の数は大幅に削減され、第１接続抵抗および第２接続抵抗に一定の抵抗が存在することになるため、共通電極３０の電圧の大幅な低下を抑制することができ、良好な表示品位を保つことができる。
【００３８】
電源部５０は、電源５１および静電容量部５２を有している。低リップル化等で静電容量部５２の容量を大きくしたとしても、制限抵抗６０を設けることにより、共通電極への電荷の供給を抑制することができる。
【００３９】
高圧供給端子４０は第１電極３１と離間し、第３電極３３の他端３３ｂに形成されている。高圧供給端子４０と分割部Ｍ１〜Ｍ４との電気的な接続距離は、高圧供給端子または第３電極３３の他端３３ｂと、第１電極３１とを直接接続した場合に比べ、第３電極３３の分長い。
【００４０】
前面基板１−背面基板２間で放電が発生した場合、共通電極３０とメタルバックＭ間に電位差が発生し、共通電極３０とメタルバックＭ間で放電が発生する。更に、共通電極３０−背面基板２間の放電に発展し、真空外囲器４内部に筋状のダメージが与えられる。この時のトリガとなる放電は、メタルバックＭと接続抵抗付近で発生するが、この放電は電流が多く流れることによって発生する。
【００４１】
前面基板１−背面基板２間の放電は、１００Ａ相当の電流が流れるため、放電が起きていない定常時は、第３電極３３は低インピーダンスになっているが、放電発生時はインダクダンスが働くことによりインピーダンスが高くなり、放電電流が少なくなる。よって、メタルバックＭと接続抵抗付近で発生する放電を抑制することができ、共通電極３０−メタルバックＭ間の放電を抑制することができる。
【００４２】
放電電流が流れた場合、高圧供給端子４０と第１電極３１の高圧供給端子側の一端との間には電位差が発生するため、両者の間には適度な間隔を与える必要があり、その間隔は大きいほど良い。
【００４３】
上記したことから、共通電極３０−メタルバックＭ間に生じる放電を緩和することができ、筋状のダメージを抑制することができる。このため、電子放出素子９や蛍光体スクリーン５の破壊または劣化や、回路の破壊を防止できる。これにより、表示品位に優れたＳＥＤを得ることができる。
【００４４】
なお、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、図７に示すように、各分割部Ｍ１〜Ｍ４は、それぞれ第１方向ｄ１に延びているとともに、第２方向ｄ２に間隔を置いて並べられ、互いに電気的に接続された複数のストライプ部Ｍ１ａ〜Ｍ１ｃ、Ｍ２ａ〜Ｍ２ｃ、Ｍ３ａ〜Ｍ３ｃ、Ｍ４ａ〜Ｍ４ｃを含み、第２方向に並べて形成されていれば良い。この場合、隣接する分割部のストライプ部同士は、第２方向ｄ２に互い違いにそれぞれ設けられていれば良い。すなわち、分割部Ｍ１〜Ｍ４の形状は、Ｓ字型に限らず、Ｅ字型等、他の形状であっても良い。上記したように分割部Ｍ１〜Ｍ４が形成された場合でも、上述した実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
また、図８に示すように、メタルバックＭは、複数の分割部Ｍ１〜Ｍ１２を有していても良い。分割部Ｍ１〜Ｍ１２は、第１方向ｄ１に延びたストライプ状にそれぞれ形成され、第２方向ｄ２に間隔を置いて並べられていても良い。各分割部Ｍ１〜Ｍ１２は、その分割部両端に電気的に接続された第１接続抵抗２１および第２接続抵抗２２を介して共通電極３０に電気的に接続されている。上記したように分割部Ｍ１〜Ｍ１２が形成された場合でも、制限抵抗６０により共通電極３０への電荷の供給は制限されるため、放電の規模の拡大を抑制することができる。
【００４６】
共通電極３０は、一部分断されて形成されているが、分断されることなく繋がった枠状に形成されていても良い。この発明は、ＳＥＤに限定されることなく、画像表示装置としてのＦＥＤにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明の形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った上記ＳＥＤの断面図。
【図３】図２に示した前面基板を拡大して示す図。
【図４】上記ＳＥＤの前面基板の概略平面図。
【図５】放電が発生した場合における各ストライプ部の電圧の変化を示す図。
【図６】実用的なメタルバックの任意のストライプ部に放電が発生した場合における各ストライプ部の電圧の変化を示す図。
【図７】上記ＳＥＤの前面基板の変形例を示す概略平面図。
【図８】上記ＳＥＤの前面基板の他の変形例を示す概略平面図。
【符号の説明】
【００４８】
１…前面基板、２…背面基板、３…側壁、４…真空外囲器、５…蛍光体スクリーン、６…蛍光体層、７…遮光層、９…電子放出素子、１０…配線、１１…スペーサ、２１…第１接続抵抗、２２…第２接続抵抗、３０…共通電極、３１…第１電極、３２…第２電極、３３…第３電極、３４…第４電極、４０…高圧供給端子、５０…電源部、５１…電源、５２…静電容量部、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ…コンデンサ、６０…制限抵抗、ｄ１，ｄ２…方向、Ｍ…メタルバック、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍｎ…分割部、Ｍ１ａ，Ｍ１ｂ，Ｍ１ｃ，Ｍｎａ，Ｍｎｂ，Ｍｎｃ…ストライプ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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