(57)【要約】    【課題】浮上量調整用発熱抵抗体と、シールド膜や磁極等の金属膜との間の電気的リークを防止する。    【解決手段】磁気ヘッド・スライダ１の薄膜磁気ヘッド部分１ｂには磁気再生素子２ｂと磁気記録素子２ａとからなる磁気記録再生素子２が形成されている。また、磁気ヘッド・スライダ１の一部を加熱して熱膨張、突出させ、浮上量を調整するための発熱抵抗体１１が基板部分１ａと磁気再生素子２ｂとの間に形成されている。磁気ヘッド・スライダ１の浮上量調整の応答速度をできるだけ早くし、発熱抵抗体１１の発熱による磁気再生素子２ｂへの影響を少なくするために、発熱抵抗体１１を基板部分１ａと磁気再生素子２ｂとの間で、磁気再生素子２ｂから離れた位置に配置する。発熱抵抗体１１と下部シールド膜１８の金属膜との絶縁を確保するために、絶縁膜１２の膜厚を、発熱抵抗体１１の膜厚以上、１０倍以下とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部分と、該基板部分の上部に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有し、前記第２の絶縁膜の膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上であることを特徴とする磁気ヘッド・スライダ。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項３】
前記発熱抵抗体は、前記第１の絶縁膜の上部に薄膜抵抗体を蛇行させたものであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項４】
前記磁気記録再生素子は、磁気再生素子と磁気記録素子が積層されたものであり、前記第２の絶縁膜は前記発熱抵抗体と前記磁気再生素子の間に設けられることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項５】
前記発熱抵抗体の先端部は前記磁気記録再生素子の磁気再生素子よりも後退した位置に設けられることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下であることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜はアルミナを具備し、膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上１０倍以下であることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項８】
前記発熱抵抗体は、前記第１の絶縁膜の上部にＮｉＦｅまたはＮｉＣｒの細線を蛇行させたものであることを特徴とする請求項７記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項９】
空気流入端面と空気流出端面を有するスライダと、該スライダの空気流出端面に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有し、前記第２の絶縁膜の膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上であることを特徴とする磁気ヘッド・スライダ。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下であることを特徴とする請求項９記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項１１】
前記発熱抵抗体の先端部は前記磁気記録再生素子の磁気再生素子よりも後退した位置に設けられることを特徴とする請求項９記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項１２】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下であることを特徴とする請求項１１記載の磁気ヘッド・スライダ。
【請求項１３】
磁気ディスクと、
該磁気ディスクを回転軸に保持し回転させるスピンドル・モータと、
前記磁気ディスクに対し情報の記録再生を行う磁気ヘッド・スライダと、
該磁気ヘッド・スライダを支持するサスペンションと、
該サスペンションを前記磁気ディスクの半径方向に移動させる駆動装置とを有し、
前記磁気ヘッド・スライダは、基板部分と、該基板部分の上部に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成され当該発熱抵抗体の膜厚以上の膜厚を有する第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１４】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下であることを特徴とする請求項１３記載の磁気ディスク装置。
【請求項１５】
磁気ディスクと、
該磁気ディスクを回転軸に保持し回転させるスピンドル・モータと、
前記磁気ディスクに対し情報の記録再生を行う磁気ヘッド・スライダと、
該磁気ヘッド・スライダを支持するサスペンションと、
該サスペンションを前記磁気ディスクの半径方向に移動させる駆動装置とを有し、
前記磁気ヘッド・スライダは、基板部分と、該基板部分の上部に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有し、前記発熱抵抗体の先端部は前記磁気記録再生素子の磁気再生素子よりも後退した位置に設けられ、前記第２の絶縁膜の膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上であることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１６】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下であることを特徴とする請求項１５記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッド・スライダ構造に係わり、特に磁気ディスクと磁気ヘッドの距離を調整する機能を持った浮上量調整スライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、磁気ヘッドを構成する磁気記録再生素子を搭載しサスペンションによって支持されたスライダを有し、スライダが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気ディスクに対して磁気情報の読み書きを行う。スライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置の高記録密度化とそれによる装置の大容量化、あるいは小型化を実現するためには、スライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
【０００３】
従来からスライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差等による浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダとディスクが接触しないように、浮上量マージンを設けてきた。ヘッド個体毎に、または使用環境に応じて浮上量を調整する機能を有するスライダを実現すれば上記マージンを廃することができ、スライダとディスクの接触は防ぎつつ磁気記録再生素子の浮上量を大幅に縮めることができる。
【０００４】
特許文献１には、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部磁極と上部磁極の間に薄膜抵抗体を設け、必要に応じて通電して発熱させることにより磁極先端部を熱膨張させて突出させ、磁極先端部と磁気ディスク面との間隙を小さくする技術が開示されている。特許文献２には、書込みヘッド素子及び読出しヘッド素子の後部に発熱手段を設け、マグネティック・スペーシングを制御する技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報
【特許文献２】特開２００３−１６８２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
スライダの浮上量を大幅に縮めるためには、磁気記録素子のコイルに流す電流並みの大電流を発熱抵抗体に流す必要がある。そのため、発熱抵抗体とその近傍に位置する磁極等の金属膜との絶縁を確保するための絶縁膜の膜厚が十分な厚さでないと、発熱抵抗体と磁極等の金属膜との間に電気的リークが生じるという問題が発生する。特に高記録密度化のためにスライダおよび磁気記録再生素子が小型化されると、この問題は顕著になる。また、発熱抵抗体の発熱による磁気記録再生素子への影響を少なくし、スライダの浮上量調整の応答速度をできるだけ早くすることが重要であり、そのためには、発熱抵抗体の配置を検討する必要がある。
【０００７】
本発明の目的は、発熱抵抗体とその近傍の金属膜との間の電気的リークを防止した磁気ヘッド・スライダを提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、発熱抵抗体とその近傍の金属膜との間の電気的リークを防止し、磁気抵抗効果型素子の温度を上昇させることなく浮上量調整の応答速度を改善した磁気ヘッド・スライダを提供することである。
【０００９】
本発明のさらに他の目的は、装置内部の温度や外気温等の環境温度の変化に対しても、正常な磁気記録再生が可能な磁気ディスク装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッド・スライダにおいては、基板部分と、該基板部分の上部に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有し、前記第２の絶縁膜の膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上であることを特徴とする。
【００１１】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下である。
【００１２】
前記発熱抵抗体は、前記第１の絶縁膜の上部に薄膜抵抗体を蛇行させたものである。
【００１３】
前記磁気記録再生素子は、磁気再生素子と磁気記録素子が積層されたものであり、前記第２の絶縁膜は前記発熱抵抗体と前記磁気再生素子の間に設けられる。
【００１４】
前記発熱抵抗体の先端部は前記磁気記録再生素子の磁気再生素子よりも後退した位置に設けられる。
【００１５】
前記第２の絶縁膜はアルミナを具備し、膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上１０倍以下である。
【００１６】
前記発熱抵抗体は、前記第１の絶縁膜の上部にＮｉＦｅまたはＮｉＣｒの細線を蛇行させて形成する。
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッド・スライダにおいては、空気流入端面と空気流出端面を有するスライダと、該スライダの空気流出端面に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有し、前記第２の絶縁膜の膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上であることを特徴とする。
【００１８】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下である。
【００１９】
前記発熱抵抗体の先端部は前記磁気記録再生素子の磁気再生素子よりも後退した位置に設けられる。
【００２０】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下である。
【００２１】
上記さらに他の目的を達成するために、本発明の磁気ディスク装置おいては、
磁気ディスクと、
該磁気ディスクを回転軸に保持し回転させるスピンドル・モータと、
前記磁気ディスクに対し情報の記録再生を行う磁気ヘッド・スライダと、
該磁気ヘッド・スライダを支持するサスペンションと、
該サスペンションを前記磁気ディスクの半径方向に移動させる駆動装置とを有し、
前記磁気ヘッド・スライダは、基板部分と、該基板部分の上部に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成され当該発熱抵抗体の膜厚以上の膜厚を有する第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有することを特徴とする。
【００２２】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下である。
【００２３】
上記さらに他の目的を達成するために、本発明の磁気ディスク装置においては、
磁気ディスクと、
該磁気ディスクを回転軸に保持し回転させるスピンドル・モータと、
前記磁気ディスクに対し情報の記録再生を行う磁気ヘッド・スライダと、
該磁気ヘッド・スライダを支持するサスペンションと、
該サスペンションを前記磁気ディスクの半径方向に移動させる駆動装置とを有し、
前記磁気ヘッド・スライダは、基板部分と、該基板部分の上部に形成された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上部に形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の間および上部に形成された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上部に形成された磁気記録再生素子とを有し、前記発熱抵抗体の先端部は前記磁気記録再生素子の磁気再生素子よりも後退した位置に設けられ、前記第２の絶縁膜の膜厚は前記発熱抵抗体の膜厚以上であることを特徴とする。
【００２４】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記発熱抵抗体の膜厚の１０倍以下である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、浮上量調整機能を有する磁気ヘッド・スライダにおいて、浮上量調整用の発熱抵抗体とその近傍の金属膜との間の電気的リークを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の一実施例による磁気ヘッド・スライダおよびこれを用いた磁気ディスク装置について、図面を用いて以下に説明する。
【００２７】
図２に磁気ディスク装置５０の構成を示す。ベース５１に固定されたスピンドル・モータの回転軸５２に磁気ディスク５３が装着され、回転駆動される。ピボット５４にアクチュエータ・アーム５５が軸支され、アクチュエータ・アーム５５の一端にはサスペンション５６が取り付けられ、他端には、駆動装置（ボイス・コイル・モータ）５７を構成するコイル（図示せず）が取り付けられている。サスペンション５６の先端には磁気ヘッド・スライダ１が取り付けられている。ベース５１にはランプ機構５８が設けられており、磁気ディスク５３の外周側に位置している。ランプ機構５８は磁気ヘッド・スライダ１のアンロード時に、リフト・タブ５９が乗り上げるスロープが形成されている。
【００２８】
ボイス・コイル・モータ５７のコイルに通電することによりアクチュエータ・アーム５５に回転トルクが発生し、アクチュエータ・アーム５５に取り付けられているサスペンション５６が磁気ディスク５３の半径方向に移動される。この回転動作によりサスペンション５６の先端に取り付けられている磁気ヘッド・スライダ１が、磁気ディスク５３の半径方向位置の任意の位置に移動され、データの記録、再生を行う。磁気ヘッド・スライダ１のアンロード時には、リフト・タブ５９がランプ機構５８のスロープに乗り上げるように移動され、ロード時は、ランプ機構５８に待機中の状態から、磁気ディスク５３の記録面にロードされる。
【００２９】
磁気ヘッド・スライダ１は空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスク５３と磁気ヘッド・スライダ１が直接は固体接触しないようになっている。磁気ヘッド・スライダ１の浮上量は１０ｎｍ程度あるいは１０ｎｍ以下である。なお、ここではロード・アンロード機構を備えた装置を示したが、装置停止中は磁気ヘッド・スライダ１が磁気ディスク５３のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置でも良い。また磁気記録方式は、面内記録でも垂直記録でもどちらでも良い。
【００３０】
図２における磁気ヘッド・スライダ１のみを拡大して図３に示す。磁気ヘッド・スライダ１は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（以下アルチックと略す）に代表される材料の基板部分（スライダ）１ａと、薄膜磁気ヘッド部分１ｂからなる。スライダ１ａは、長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面６、空気流入端面７、空気流出端面８、両側の側面、背面の計６面から構成される（ピコ・スライダ）。スライダの寸法は、質量減による位置決め精度の向上や低コスト化等のため、長さ０．８５ｍｍ、幅０．７ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍとすることもできる（フェムト・スライダ）。浮上面６にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差で構成されるステップ軸受が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。
【００３１】
浮上面６には、実質的に平行な３種類の段差が形成される。最もディスクに近いレール面６ａ、レール面６ａより約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面６ｂ、レール面６ａより約１μｍ深くなっている深溝面６ｃの３種類である。ディスクが回転することで生じる空気流が、空気流入端面７側のステップ軸受である浅溝面６ｂからレール面６ａへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面６ａや浅溝面６ｂから深溝面６ｃへ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。なお、図３では溝の深さを強調して示してある。
【００３２】
磁気ヘッド・スライダ１は空気流入端面７側の浮上量が空気流出端面８側の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って流出端近傍の浮上面がディスクに最も接近する。流出端近傍では、レール面６ａが周囲の浅溝面６ｂ、深溝面６ｃに対して突出しているので、スライダ・ピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面６ａが最もディスクに近づくことになる。磁気記録再生素子２は、レール面６ａの薄膜ヘッド部分１ｂに属する部分に形成されている。サスペンションから押し付けられる荷重と、浮上面６で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録再生素子２からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度の適切な値に保つよう、浮上面６の形状が設計されている。なお、ここでは浮上面６が実質的に平行な３種類の面６ａ、６ｂ、６ｃから構成される二段ステップ軸受浮上面のスライダについて説明したが、４種類以上の平行な面から構成されるステップ軸受浮上面のスライダでも良い。
【００３３】
図３に示した磁気ヘッド・スライダ１を空気流出端面８側から見た図を図４に示し、磁気記録再生素子２が形成された薄膜磁気ヘッド部分１ｂの断面拡大図として図４のＸ−Ｘ線断面を図１に示し、発熱抵抗体用中継端子３０の断面拡大図として図４のＹ−Ｙ線断面を図５に示す。発熱抵抗体１１を空気流出端面８側から見た図として図１のＺ−Ｚ線断面を図６に示す。図１、図４、図５、図６を用いて本発明の一実施例による磁気ヘッド・スライダ１の薄膜磁気ヘッド部分１ｂの構成を説明する。図１において、薄膜磁気ヘッド部分１ｂには基板部分（スライダ）１ａ上に薄膜プロセスを用いて磁気再生素子２ｂと磁気記録素子２ａとからなる磁気記録再生素子２が形成されている。また、薄膜磁気ヘッド部分１ｂの一部を加熱して熱膨張、突出させ、磁気記録再生素子２の浮上量を調整するための発熱抵抗体１１が基板部分１ａと磁気再生素子２ｂとの間に形成されている。そして、発熱抵抗体１１および磁気記録再生素子２を覆うように硬質保護膜３１が形成されている。
【００３４】
磁気ヘッド・スライダ１の浮上量調整の応答速度をできるだけ早くし、発熱抵抗体１１の発熱による磁気再生素子２ｂへの影響を少なくするためには、発熱抵抗体１１を基板部分（スライダ）１ａと磁気再生素子２ｂとの間に設け、発熱抵抗体１１の先端部は磁気再生素子２ｂから後退した位置に配置するのが良い。
【００３５】
図４を参照するに、磁気ヘッド・スライダ１の空気流出端面８には、磁気記録素子２ａと導通接触して形成された引出し線３ａ（図４では２本のうち１本だけが見えている）を外部に電気的に接続するための記録用中継端子４、磁気再生素子２ｂの電極と導通接触して形成された引出し線３ｂを外部に電気的に接続するための再生用中継端子５、発熱抵抗体１１と導通接触して形成された引出し線１７（図６参照）を外部に電気的に接続するための発熱抵抗体用中継端子３０が形成されている。なお、磁気記録再生素子２、引出し線３ａ、３ｂの上部には硬質保護膜３１が形成されているが、硬質保護膜３１は透明であるため、図４では磁気記録再生素子２、引出し線３ａ、３ｂが空気流出端面８に見えている。
【００３６】
次に製造工程に従って磁気記録再生素子２および発熱抵抗体１１の構成を説明する。図１において、基板部分（スライダ）１ａ上にアルミナ等からなる下地絶縁膜９を形成し、下地絶縁膜９上に金属膜の薄膜抵抗体からなる発熱抵抗体１１を形成する。図６に発熱抵抗体１１を空気流出端面８側から見た構成を示すが、発熱抵抗体１１は金属膜の薄膜抵抗体１１ａを蛇行させて形成したものである。さらに、図６に示すように、発熱抵抗体１１の導通部１１ｂ、引出し線１７、端子部１７ａを形成する。発熱抵抗体１１の薄膜抵抗体１１ａの材料には、ＮｉＦｅ,ＮｉＣｒ等の金属材料が適している。また、発熱抵抗体１１の発熱部である薄膜抵抗体１１ａと導通部１１ｂとで材料を変えても構わない。発熱抵抗体１１については後で詳細に説明する。続いて、図１に示すように、発熱抵抗体１１の薄膜抵抗体間および上部にアルミナ等からなる絶縁層１２を形成する。
【００３７】
次に、図１に示すように、絶縁層１２上に下部シールド膜１８を形成し、ＣＭＰ加工により下部シールド膜１８の上面を平坦化する。平坦化した下部シールド膜１８の上にアルミナ等からなる下部ギャップ膜１９を形成し、さらに、磁気センサである磁気抵抗効果型素子（以下ＭＲ素子と呼ぶ）２０と、ＭＲ素子２０の磁気信号を電気信号として引き出すための一対の電極（図示せず）を形成する。続いて、アルミナ等からなる上部ギャップ膜２２、上部シールド膜２３を形成し、ＣＭＰ加工により上部シールド膜２３の上面を平坦化する。平坦化した上部シールド膜２３の上にアルミナ等からなる上部シールド絶縁膜２４を形成する。これで発熱抵抗体１１および磁気再生素子２ｂの形成が終了する。
【００３８】
発熱抵抗体１１は、薄膜プロセスを用いて形成する。本実施例では、材質がＮｉＣｒ、厚さが０．１５μｍ、幅が４．５μｍの細線を、奥行き６０μｍ、幅６０μｍの領域に蛇行させ、間隙はアルミナで埋めて発熱体を形成した。抵抗値は約５００Ωである。発熱抵抗体１１と下部シールド膜１８との間の絶縁を確保することは非常に重要である。発熱抵抗体１１に大電流を流すために絶縁が十分に確保されていないと下部シールド膜１８との間で電気的リークを引き起こし、薄膜ヘッドとして機能を果たさないことになるからである。また、発熱抵抗体１１は、ＭＲ素子２０に近づき過ぎると、発熱の影響がＭＲ素子２０に及び、ＭＲ素子２０の特性を劣化させたり、寿命を縮めることになるので、ＭＲ素子２０の後方に形成するのが良い。
【００３９】
図７に発熱抵抗体１１の薄膜抵抗体１１ａと下部シールド膜１８及び絶縁膜１２の断面イメージを示す。この図に示すように薄膜抵抗体１１ａの角部１１ｃに対する絶縁膜１２のつき回りが、薄膜抵抗体１１ａと下部シールド膜１８の金属膜との絶縁を確保するために重要なパラメータである。本発明では薄膜抵抗体１１ａの角部１１ｃに対する絶縁膜１２のつき回りをより良くするために、発熱抵抗体１１と絶縁膜１２の相対的な膜厚に着眼した。このパラメータと発熱抵抗体１１と下部シールド膜１８間の電気的リークの関係を調査した結果を図８に示す。図８の結果より、発熱抵抗体１１と下部シールド膜１８との絶縁を確保するための絶縁膜１２の膜厚を、発熱抵抗体１１の膜厚以上とすることで発熱抵抗体１１と下部シールド膜１８との電気的リークを防止できることがわかった。ただし、絶縁膜１２の膜厚は実質的に下地絶縁膜９に足されることになるため、あまり厚いと磁気記録再生素子２のサーマル・プロトルージョンの原因となる。好ましくは、発熱抵抗体１１の膜厚の１０倍以下が良い。
【００４０】
図１に戻り、磁気記録素子２ａの構成について説明する。上部シールド絶縁膜２４上に下部磁極２５を形成し、その上にアルミナ等から成る磁気ギャップ膜２６を形成する。磁気ギャップ２６上に磁界を発生させるための電流を流すコイル２８及び、有機絶縁膜２９を形成する。続いてバック・ギャップ部で下部磁極２５と接続された上部磁極２７を形成する。次に、以上の素子群を保護絶縁するためのアルミナ等からなる硬質保護膜３１を、成膜した素子全体を覆うように形成する。続いて、図４に示すように、硬質保護膜３１上にコイル２７へ電流を外部より入力するための記録用中継端子４と、磁気信号を外部へ伝達するための再生用中継端子５を形成し、同時に、発熱抵抗体１１へ電流を外部から入力するための発熱抵抗体用中継端子３０を形成する。
【００４１】
発熱抵抗体用中継端子３０はスタッド１７ｂ（図５参照）上に形成する。スタッド１７ｂは、図５に示すように引出し線１７の端子部１７ａ上に銅をめっきして形成する。スタッド１７ｂを形成するための開口は、各絶縁膜の形成時に形成しておく。記録用中継端子４および再生用中継端子５もそれぞれ引出し線３ａ，３ｂの端子部にスタッドを形成し、その上に形成する。
【００４２】
以上の説明のとおり本発明の実施例によれば、磁気記録再生素子部にサーマル・プロトルージョンを発生させることなく、発熱抵抗体と下部シールド膜等の金属膜との間の電気的リークを防止することができる。また、発熱抵抗体の発熱によるＭＲ素子の温度上昇を防止しつつ、磁気ヘッド・スライダの浮上量調整の応答速度を早くすることができる。さらにまた、上記の効果を奏する磁気ヘッド・スライダを磁気ディスク装置に搭載することにより、装置内部の温度や外気温等の環境温度の変化に対しても、正常な記録再生が可能となる。本実施例の効果は、面内記録ヘッドでも垂直記録ヘッドでも発揮される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施例による磁気ヘッド・スライダの部分拡大断面図（図４のＸ―Ｘ断面図）である。
【図２】本発明の実施例による磁気ヘッド・スライダを搭載する磁気ディスク装置の構成を示す外観図である。
【図３】本発明の実施例による磁気ヘッド・スライダの全体構成を示す外観図である。
【図４】図３に示される磁気ヘッド・スライダの空気流出端面側から見た図である。
【図５】図４のＹ―Ｙ断面図である。
【図６】図１のＺ―Ｚ断面図であり、発熱抵抗体を空気流出端面側から見た図である。
【図７】発熱抵抗体と絶縁膜と下部シールド膜との位置関係を示す図である。
【図８】絶縁膜の膜厚と発熱抵抗体の膜厚比に対する電気的リークの相関を示したグラフである。
【符号の説明】
【００４４】
１…磁気ヘッド・スライダ、１ａ…基板部分（スライダ）、１ｂ…薄膜磁気ヘッド部分、２…磁気記録再生素子、２ａ…磁気記録素子、２ｂ…磁気再生素子、３ａ…記録用引出し線、３ｂ…再生用引出し線、４…記録用中継端子、５…再生用中継端子、６…浮上面、６ａ…レール面、６ｂ…浅溝面、６ｃ…深溝面、７…空気流入端面、８…空気流出端面、９…下地絶縁膜、１１…発熱抵抗体、１１ａ…薄膜抵抗体、１１ｂ…導通部、１１ｃ…角部、１２…絶縁層、１７…発熱抵抗体の引出し線、１７ａ…端子部、１７ｂ…スタッド、１８…下部シールド膜、１９…下部ギャップ膜、２０…磁気抵抗効果型素子、２２…上部ギャップ膜、２３…上部シールド膜、２４…上部シールド絶縁膜、２５…下部磁極、２６…磁気ギャップ膜、２７…上部磁極、２８…コイル、２９…有機絶縁膜、３０…発熱抵抗体用中継端子、３１…硬質保護膜、５０…磁気ディスク装置、５１…ベース、５２…回転軸、５３…磁気ディスク、５４…ピボット、５５…アクチュエータ・アーム、５６…サスペンション、５７…ボイス・コイル・モータ、５８…ランプ機構、５９…リフト・タブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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