(57)【要約】【課題】電源のオフ→オン時及びオン→オフ時のボツ音を抑えるためのミュートトランジスタを半導体集積回路に内蔵し、減衰回路がオフした時にミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることがなく、減衰回路オン時の減衰量を確保する。【解決手段】第１トランジスタ１１はベース端子をミュートオン時にはハイ電圧、ミュートオフ時にはロー電圧となるミュート制御信号線（ミュート制御信号１４）に接続し、エミッタ端子を音声増幅器２の出力端子Ａに一方が接続された容量３の他方に接続しており、また、第２トランジスタ１２はベース端子をミュート制御信号線に接続し、エミッタ端子をＧＮＤに接続し、コレクタ端子を第１トランジスタ１１のコレクタ端子に接続し構成する。【選択図】図１
2006005546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース端子をミュート制御信号線に接続し、エミッタ端子を、信号出力回路の出力端に一方が接続された容量の他方に接続した第１のトランジスタと、ベース端子を前記ミュート制御信号線に接続し、エミッタ端子をＧＮＤに接続し、コレクタ端子を前記第１のトランジスタのコレクタ端子と共通に接続した第２のトランジスタとを備えたことを特徴とする音声信号減衰回路。
【請求項２】
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタのコレクタ端子の共通接続部に一方を接続し、他方が基準電圧源に接続した抵抗を備えたことを特徴とする請求項１記載の音声信号減衰回路。
【請求項３】
前記第１のトランジスタのベース端子を取り囲むように濃いＮ型拡散層を挿入して半導体集積回路に内蔵したことを特徴とする請求項１記載の音声信号減衰回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源のオフ→オン時及びオン→オフ時のボツ音を抑えるためのミュートトランジスタを半導体集積回路に内蔵し、減衰回路オフ時にミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることなく、減衰回路オン時の減衰量を確保することができる音声信号減衰回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ポータブルＡＶ機器では、低消費電力化に加えて小型化の要望が強まり、半導体集積回路への外付け部品の取り込みが必須となってきている。
【０００３】
そういった中、電源のオフ→オン時及びオン→オフ時に発生するボツ音は、製品の品位を損なうだけでなく、次段に接続する機器、例えばテレビなどのスピーカーを破損させる恐れがあるため、ボツ音を抑えるための外付けミュートトランジスタが必要であるが、その取り込みが強く要望されてきている。
【０００４】
ライン出力のように、ある一定ＤＣ電圧を基準とする音声増幅器の出力において、出力端子と次段に接続する機器との間に容量を接続することにより、ＤＣ電圧をカットすることは一般的である。
【０００５】
図５は従来の音声信号減衰回路の概略構成を示す回路図であり、１は減衰回路、２は音声増幅器、３は音声増幅器２の出力端子Ａに一端を接続して他端を端子Ｂに接続した容量、４はミュート制御信号、５はミュートトランジスタである。
【０００６】
例えば電源オフ→オン時には、音声増幅器２の動作電圧（出力端子Ａの電圧）が、一定ＤＣ電圧に達するまでの期間（図６の信号ａ参照）、過渡的に端子Ｂの電圧が図６の信号ｂのように変化するため、この電圧変化がボツ音として発生して、次段に接続する機器を破損させる恐れがある。この不具合を抑えるために、ある一定の減衰量をもった減衰（ミュート）回路１を外付けに備えるか、あるいは半導体集積回路に内蔵するという手段をとることもまた一般的である（図６参照）。
【０００７】
以下に従来の音声信号の減衰回路について図５を参照しながら説明する。
図５に示す減衰回路１において、ミュートトランジスタ５のエミッタ端子を端子Ｂに接続し、コレクタ端子を接地し、ベース端子にはミュートオン時にはハイ電圧、ミュートオフ時にはロー電圧となるミュート制御信号４を印加する構成をとることにより、減衰回路１を半導体集積回路に内蔵することを実現させていた。
【０００８】
ミュートトランジスタ５のベース端子にハイ電圧の制御信号を印加することによりミュートトランジスタ５をオンさせ、電源オフ→オン時及びオン→オフ時に過渡的に端子Ｂの電圧が変化することを抑えることが可能となる（図７参照）。
【０００９】
逆に、ミュートトランジスタ５のベース端子にロー電圧の制御信号を印加することによりミュートトランジスタ５がオフし、かつ音声増幅器が動作している通常時において、出力端子Ａでは一定ＤＣを基準として０Ｖ〜電源電圧（ＶＣＣ）付近までの最大振幅を得ることができる。したがって端子Ｂでの動作は接地電圧基準で、最大±１／２ＶＣＣの振幅で動作する。
【特許文献１】特開平１−３１６０３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の音声信号の減衰回路はミュートトランジスタのベース端子にロー電圧が印加され減衰回路がオフした時に音声増幅器から信号が出力され、端子Ｂの電圧がプラス側に振れた場合、ミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることになり、半導体集積回路のプロセスによってはミュートトランジスタの劣化を招くという課題を有していた。
【００１１】
本発明は、前記従来技術の課題を解決することに指向するものであり、電源のオフ→オン時及びオン→オフ時のボツ音を抑えるためのミュートトランジスタを半導体集積回路に内蔵し、かつミュートトランジスタのベースにロー電圧が印加され減衰回路がオフした時にミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることがなく、減衰回路オン時の減衰量を確保することができる音声信号減衰回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的を達成するために、本発明に係る音声信号減衰回路は、ベース端子をミュート制御信号線に接続し、エミッタ端子を、信号出力回路の出力端に一方が接続された容量の他方に接続した第１のトランジスタと、ベース端子をミュート制御信号線に接続し、エミッタ端子をＧＮＤに接続し、コレクタ端子を第１のトランジスタのコレクタ端子と共通に接続した第２のトランジスタとを備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、第１のトランジスタと第２のトランジスタのコレクタ端子の共通接続部に一方を接続し、他方が基準電圧源に接続した抵抗を備えたこと、また、第１のトランジスタのベース端子を取り囲むように濃いＮ型拡散層を挿入して半導体集積回路に内蔵したことを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、ミュートトランジスタのベースにロー電圧が印加され音声信号減衰回路がオフした時に出力信号回路から信号が出力された場合においてミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることがなく、音声信号減衰回路のオン時の減衰量を確保することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、電源のオフ→オン時及びオン→オフ時のボツ音を抑えるためのミュートトランジスタを半導体集積回路に内蔵し、かつ減衰回路がオフした時にミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることなく、減衰回路オン時の減衰量を確保することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の実施の形態１における半導体集積回路に内蔵する音声信号減衰回路の概略構成を示す回路図である。ここで、前記従来例を示す図５において説明した構成要件に対応し実質的に同等機能のものには同一符号を付して示し、以下の各図においても同様とする。
【００１８】
図１において、第１トランジスタ１１はベース端子をミュートオン時にはハイ電圧、ミュートオフ時にはロー電圧となるミュート制御信号線（ミュート制御信号１４）に接続し、エミッタ端子を信号出力回路の音声増幅器２における出力端子Ａに一方が接続された容量３の他方に接続しており、また、第２トランジスタ１２はベース端子をミュート制御信号線に接続し、エミッタ端子をＧＮＤに接続し、コレクタ端子を第１トランジスタ１１のコレクタ端子に接続し構成している。
【００１９】
以上の構成とすることにより、第１トランジスタ１１及び第２トランジスタ１２のベース端子にロー電圧が印加され減衰回路１０がオフした時に音声増幅器２から信号が出力された時ミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることなく、かつ減衰回路オン時の減衰量を確保することができる。
【００２０】
図２は本発明の実施の形態２における半導体集積回路に内蔵する音声信号減衰回路の概略構成を示す回路図である。
【００２１】
図２に示すように、本実施の形態２の構成は前述の実施の形態１の構成に抵抗１５を設けて構成した点以外は同一である。図２において、抵抗１５は一端を第１トランジスタ１１のコレクタ端子と第２トランジスタ１２のコレクタ端子とに接続し、他端をバイアス電源に接続している。
【００２２】
ミュートオフ時に音声増幅器２から信号が出力されることにより端子Ｂの電圧が−０.７Ｖ以下に振れようとした際に半導体集積回路のレイアウトによっては、図３に示すようにエミッタがサブストレイト層、ベースが第１トランジスタ１１のコレクタ端子あるいはエピタキシャル層、コレクタが第１トランジスタ１１のベース端子とする寄生ＰＮＰトランジスタが発生し、第１トランジスタ１１にベース電流を供給して、第１トランジスタ１１をオンさせてしまうことによって、端子Ｂの電圧が−０.７Ｖ以下には動作せずクランプがかかってしまうという不具合が考えられる。
【００２３】
本実施の形態２の第１トランジスタ１１のコレクタ端子と第２トランジスタ１２のコレクタ端子との接続点に抵抗１５を設けた構成によれば、端子Ｂの電圧が−０.７Ｖ以下に振れても寄生ＰＮＰトランジスタのベースにバイアスをかけることになり、寄生ＰＮＰトランジスタの発生を抑え、半導体集積回路のレイアウトによる不具合が発生することを防止できる。また、最大振幅時の端子Ｂが１／２ＶＣＣになることを考慮すると、このバイアス電源は逆バイアスがかからないよう１／２ＶＣＣ以上とすることが好ましい。
【００２４】
図４は本実施の形態３における音声信号減衰回路のミュートトランジスタの（ａ）は半導体集積回路のレイアウト平面図、（ｂ）は（ａ）に示すｄ−ｄ’線の断面図を示したものである。前述の実施の形態２で説明したように、ミュートオフ時に音声増幅器２から信号が出力され、端子Ｂの電圧が−０.７Ｖ以下に振れようとした際、その半導体集積回路のレイアウトによっては寄生ＰＮＰトランジスタが発生し−０.７Ｖ以下には動作せずクランプがかかってしまうという不具合が考えられる。
【００２５】
そこで、本実施の形態３においては、図４に示すようにミュートトランジスタ（第１トランジスタ１１）のベース端子を取り囲むように濃いＮ型拡散層１６を挿入することにより、発生する寄生ＰＮＰトランジスタのｈｆｅ（直流電流増幅率）を下げ、第１トランジスタ１１及び第２トランジスタ１２のベース端子にロー電圧が印加され減衰回路１０がオフした時に、寄生ＰＮＰトランジスタの発生によってミュートトランジスタ（第１トランジスタ１１）がオンすることに起因する信号出力回路からの出力信号歪悪化を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明に係る音声信号減衰回路は、電源のオフ→オン時及びオン→オフ時のボツ音を抑えるミュートトランジスタを半導体集積回路に内蔵し、かつ減衰回路がオフした時にミュートトランジスタのエミッタ−コレクタ間に逆バイアスがかかることなく、減衰回路オン時の減衰量を確保でき、音声信号の減衰回路等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体集積回路に内蔵する音声信号減衰回路の概略構成を示す回路図
【図２】本発明の実施の形態２における半導体集積回路に内蔵する音声信号減衰回路の概略構成を示す回路図
【図３】本実施の形態２における第１のトランジスタに発生する寄生ＰＮＰトランジスタを説明する図
【図４】本発明の実施の形態３における第１のトランジスタを示す（ａ）は半導体集積回路のレイアウト平面図、（ｂ）は（ａ）に示すｄ−ｄ’線の断面図
【図５】従来の音声信号減衰回路の概略構成を示す回路図
【図６】従来の減衰回路なしの場合の電源オン時の出力波形を示す図
【図７】従来の減衰回路ありの場合の電源オン時の出力波形を示す図
【符号の説明】
【００２８】
１，１０  減衰回路
２  音声増幅器
３  容量
４，１４  ミュート制御信号
５  ミュートトランジスタ
１１  第１トランジスタ
１２  第２トランジスタ
１５  抵抗
１６  濃いＮ型拡散層
【図１】
2006005546.tif 000003
【図２】
2006005546.tif 000004
【図３】
2006005546.tif 000005
【図４】
2006005546.tif 000006
【図５】
2006005546.tif 000007
【図６】
2006005546.tif 000008
【図７】
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