(57)【要約】【課題】被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置１は、被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を噴出する開口２３および２４をそれぞれ有するガス供給管４および５と、処理ガスＧ１を活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる上部電極２および下部電極３と、拡散防止用ガスＧＳを噴出することにより、処理空間ＳをエアカーテンＡＳで囲んで、処理ガスＧ１が拡散するのを防止するエアカーテン生成部１５、１６とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体に向けて処理ガスを噴出する開口を有する処理ガス噴出部と、前記処理ガスを活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる一対の電極とを備えたプラズマ処理装置であって、
拡散防止用ガスを噴出することにより、前記被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分を気流で囲んで、プラズマが拡散するのを防止する拡散防止用ガス噴出部を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記噴出された拡散防止用ガスを回収する拡散防止用ガス回収手段を備えた請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記噴出された処理ガスを回収する処理ガス回収手段を備えた請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記回収された処理ガスは、プラズマ処理に再利用される請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記噴出された処理ガスの噴出量は、前記回収された処理ガスの吸引量よりも多い請求項３または４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記拡散防止用ガスを加熱する加熱手段を備えた請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記拡散防止用ガスは、不活性ガスである請求項１ないし６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記一対の電極は、前記被処理体を介して、互いに対向して配置される請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記一対の電極における互いに対向する面には、それぞれ、前記処理ガス噴出部の開口が設けられている請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いて、前記被処理体をプラズマ処理する方法であって、
前記被処理体を設置し、
次に、前記拡散防止用ガス噴出部から前記拡散防止用ガスを噴出した状態で、前記処理ガス噴出部の開口から前記被処理体に向けて前記処理ガスを噴出しつつ、前記一対の電極間に電界を生じさせて、プラズマを発生させ、該発生したプラズマにより前記被処理体を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１１】
被処理体に向けて処理ガスを噴出する開口を有する処理ガス噴出部と、前記処理ガスを活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる一対の電極との近傍を前記被処理体を通過させて、該被処理体をプラズマ処理するに際し、
拡散防止用ガスを噴出して、プラズマが拡散するのを防止した状態で、前記被処理体を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大気圧下において、被処理体の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置としては、図４に示すような、平行平板型プラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。なお、図４では、説明の都合上、図４中の上側を「上方」、下側を「下方」という。
図４に示すプラズマ処理装置４０は、被処理体Ｗを図中の矢印方向に搬送するコロコンベア（ローラ）４１と、搬送される被処理体Ｗを挟んで（介して）上方および下方にそれぞれ配置された上部電極４２および下部電極４３とを備えている。
【０００３】
このプラズマ処理装置４０では、上部電極４２および下部電極４３を貫通して設けられたガス導入管４４ａ、４４ｂから処理ガスが上部電極４２および下部電極４３の間（以下「処理空間Ｓ」という）に導入され、処理空間Ｓに発生する高周波電界Ｅによって、前記処理ガスが活性化される。該活性化された処理ガス（以下、「活性化ガス」という）は、プラズマとなり、処理空間Ｓを通過する被処理体Ｗの表面に接触して当該表面にプラズマ処理を施す。
【０００４】
プラズマ処理装置４０では、処理空間Ｓから外部へ拡散する余剰の活性化ガスやプラズマ処理による副生成物が、上部電極４２および下部電極４３のそれぞれを２重に囲んで配置されたガス排気管４５ａ、４５ｂによって吸引される。ここで、外側のガス排気管４５ｂは、余剰の活性化ガスなどが外部へ拡散するのを確実に防止するために、処理空間Ｓから離れて配置される。
【０００５】
しかしながら、前述したように外側のガス排気管４５ｂが処理空間Ｓから離れて配置されるため、プラズマ処理中では、処理空間Ｓから外部へ向けたガス流（気流）が発生する。このガス流は、処理空間Ｓにおける処理ガスを巻き込むように作用するため、処理空間Ｓにおける処理ガスの濃度の低下を引き起こすという問題があった。
また、この濃度低下により、電極間の放電が不安定となり、被処理体Ｗにおけるプラズマ処理する箇所にムラが生じるおそれがあった。
また、濃度低下を回避するために、例えば、多量の処理ガスを処理空間Ｓへ供給する必要があった。このため、処理ガスの消費量（使用量）が多くなるという問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特開平７−２１１６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のプラズマ処理装置は、被処理体に向けて処理ガスを噴出する開口を有する処理ガス噴出部と、前記処理ガスを活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる一対の電極とを備えたプラズマ処理装置であって、
拡散防止用ガスを噴出することにより、前記被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分を気流で囲んで、プラズマが拡散するのを防止する拡散防止用ガス噴出部を備えたことを特徴とする。
これにより、被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができる。
【０００９】
本発明のプラズマ処理装置では、前記噴出された拡散防止用ガスを回収する拡散防止用ガス回収手段を備えたことが好ましい。
これにより、拡散防止用ガスを確実に回収することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記噴出された処理ガスを回収する処理ガス回収手段を備えたことが好ましい。
これにより、処理ガスを確実に回収することができる。
【００１０】
本発明のプラズマ処理装置では、前記回収された処理ガスは、プラズマ処理に再利用されることが好ましい。
これにより、処理ガスの消費量（使用量）を削減することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記噴出された処理ガスの噴出量は、前記回収された処理ガスの吸引量よりも多いことが好ましい。
これにより、回収された処理ガスの濃度の低下を防止することができ、よって、処理ガスの再利用の効率を高めることができる。
【００１１】
本発明のプラズマ処理装置では、前記拡散防止用ガスを加熱する加熱手段を備えたことが好ましい。
これにより、被処理体に対するプラズマ処理が促進される。
本発明のプラズマ処理装置では、前記拡散防止用ガスは、不活性ガスであることが好ましい。
これにより、被処理体に高純度なプラズマ処理を施すことができる。
【００１２】
本発明のプラズマ処理装置では、前記一対の電極は、前記被処理体を介して、互いに対向して配置されることが好ましい。
これにより、被処理体の片面または両面をプラズマ処理することができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記一対の電極における互いに対向する面には、それぞれ、前記処理ガス噴出部の開口が設けられていることが好ましい。
これにより、被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分に処理ガスを確実に供給することができる。
【００１３】
本発明のプラズマ処理方法は、本発明のプラズマ処理装置を用いて、前記被処理体をプラズマ処理する方法であって、
前記被処理体を設置し、
次に、前記拡散防止用ガス噴出部から前記拡散防止用ガスを噴出した状態で、前記処理ガス噴出部の開口から前記被処理体に向けて前記処理ガスを噴出しつつ、前記一対の電極間に電界を生じさせて、プラズマを発生させ、該発生したプラズマにより前記被処理体を処理することを特徴とする。
これにより、被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができる。
【００１４】
本発明のプラズマ処理方法は、被処理体に向けて処理ガスを噴出する開口を有する処理ガス噴出部と、前記処理ガスを活性化させてプラズマが発生するように電界を発生させる一対の電極との近傍を前記被処理体を通過させて、該被処理体をプラズマ処理するに際し、
拡散防止用ガスを噴出して、プラズマが拡散するのを防止した状態で、前記被処理体を処理することを特徴とする。
これにより、被処理体におけるプラズマ処理される被処理部分の処理ガスの濃度の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法の好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態の概略構成を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言い、図１中の上下方向を「垂直方向」、左右方向を「水平方向」と言う。
【００１６】
まず、本発明のプラズマ処理装置１について説明する。
図１に示すように、プラズマ処理装置１は、被処理体Ｗに向けて処理ガスＧ１を供給（噴出）するガス供給管（処理ガス噴出部）４、５と、電界を発生させる一対の電極（上部電極２および下部電極３）と、エアカーテンを生成するエアカーテン生成部（拡散防止用ガス噴出部）１５、１６と、被処理体Ｗを搬送するコロコンベア１０とを備えている。
まず、処理ガスＧ１について説明する。
処理ガスＧ１としては、特に限定されないが、例えば、Ｏ２、ＣＦ４、Ｎ２、アルゴン、ＣＨ４などの気体が挙げられる。
【００１７】
以下、プラズマ処理装置１の各部の構成について説明する。
図１に示すように、上部電極２および下部電極３は、被処理体Ｗ（例えばシリコンウエハのような半導体基板等）を介し、互いに対向して平行に配置される。これにより、被処理体Ｗの上面、下面または両面をプラズマ処理することができる。
上部電極２は、導線６を介して高周波電源７に接続されている。また、下部電極３は、導線８を介して接地されている。被処理体Ｗにプラズマ処理を施すとき、高周波電源７が作動して、両電極間に高周波電圧が印加される。このとき、両電極間（処理空間Ｓ）には、高周波電界Ｅが発生する。この高周波電界Ｅによって、上部電極２と下部電極３との間の空間（以下「処理空間Ｓ」という）に供給された処理ガスＧ１が活性化（例えば、励起、電離など）されて、プラズマが生じる。以下、活性化された処理ガスＧ１を「活性化ガス」ということがある。
【００１８】
なお、高周波電源７の周波数は、特に限定されないが、通常、数ｋＨｚ〜５０ＭＨｚで用いられるのが好ましい。
また、上部電極２および下部電極３における互いに対向する面のほぼ中央には、それぞれ、処理空間Ｓに向けて処理ガスＧ１を噴出するガス供給管４の開口２３およびガス供給管５の開口２４が設けられている。このように、開口２３、２４が処理空間Ｓに面していることにより、処理ガスＧ１を処理空間Ｓに確実に供給することができる。
【００１９】
また、上部電極２および下部電極３は、それぞれ、被処理体Ｗから所定距離（図１中、ｈ１、ｈ２で示す長さ）だけ離れた位置に配置される。これらの距離ｈ１、ｈ２は、高周波電源７の出力や、被処理体Ｗに施すプラズマ処理の種類等を考慮して適宜設定されるが、０．５〜２ｍｍ程度であるのが好ましい。これにより、両電極間に高周波電界Ｅを確実に発生させることができる。
なお、上部電極２および下部電極３の材質としては、電導性の高い材質（例えば、アルミニウム、銅、ステンレス、チタン、タングステン等）が用いられる。
【００２０】
また、高周波電界Ｅにおいてアーク放電の発生を防止する観点から、上部電極２の表面を例えばアルミナ、石英、窒化シリコン等の誘電体で被覆するのが好ましい。この誘電体の厚さは、厚すぎるとプラズマ発生に高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがあるため、０．５〜２ｍｍ程度であるのが好ましい。
【００２１】
コロコンベア１０は、水平方向に配列された複数の搬送ローラ９を備えている。このコロコンベア１０は、被処理体Ｗを図１中の白抜き矢印方向に向けて搬送するように作動する。
なお、コロコンベア１０は、被処理体Ｗを水平方向に搬送する搬送ローラ９だけでなく、被処理体Ｗを図１中の奥行き方向に搬送する搬送ローラを備えていてもよい。これにより、被処理体Ｗを水平方向・奥行き方向に自在に移動させることができる。従って、被処理体Ｗの表面Ｗ１、Ｗ２におけるプラズマ処理の施行が所望される領域（被処理部分（以下、「プラズマ処理所望領域」という））の位置に拘わらず、当該プラズマ処理所望領域を高周波電界Ｅ内に位置させることができる。
【００２２】
また、コロコンベア１０は、プラズマ処理中においても被処理体Ｗを移動することが可能であるため、たとえ、高周波電界Ｅと表面Ｗ１、Ｗ２との交差領域の大きさがプラズマ処理所望領域の大きさより小さくても、コロコンベア１０の作動により被処理体Ｗを移動させることによって、プラズマ処理所望領域の全面にプラズマ処理を施すことが可能である。
プラズマ処理装置１は、処理空間Ｓに供給された処理ガスＧ１を排出する（回収する）ガス排出管１２、１３を備えている。ガス排出管１２、１３は、上部電極２および下部電極３の外周にそれぞれ配置され、処理空間Ｓに開口する吸引口（回収口）１１を有している。この吸引口１１は、後述するエアカーテンＡＳより内側に設けられている。
【００２３】
これらのガス排出管１２、１３は、排気ポンプ２５に連通している。この排気ポンプ２５が作動すると、ガス排出管１２、１３は、処理空間Ｓの処理ガスＧ１を吸引口１１から吸引する。
また、ガス排出管１２、１３は、排気ポンプ２５を介して、エアタンク（処理ガス精製処理装置）２６に接続されている。吸引口１１（ガス排出管１２、１３）から吸引された処理ガスＧ１は、エアタンク２６に蓄積される（回収される）。
【００２４】
このように、ガス排出管１２、１３と、排気ポンプ２５と、エアタンク２６とは、処理空間Ｓに噴出された処理ガスＧ１を回収する処理ガス回収手段としての機能を発揮している。これにより、簡単な構成で、処理ガスＧ１を確実に回収することができる。
また、回収された処理ガスＧ１は、再度、ガス供給管４から噴出されて、高周波電界Ｅによって活性化される。すなわち、回収された処理ガスＧ１は、プラズマ処理に再利用される。これにより、処理ガスＧ１の消費量（使用量）を削減することができる。
【００２５】
ところで、ガス排出管１２（ガス排出管１３）から吸引される処理ガスＧ１の量が、ガス供給管４（ガス供給管５）から供給される処理ガスＧ１の量より多い場合、ガス排出管１２が吸引する処理ガスＧ１には、当該処理ガスＧ１以外のガスが含まれる（巻き込まれる）。これにより、回収された処理ガスＧ１の濃度が低下して、処理ガスＧ１の再利用の効率が悪化する。
【００２６】
従って、プラズマ処理装置１は、ガス供給管４から供給される処理ガスＧ１の量は、ガス排出管１２から吸引される処理ガスＧ１の量より多くなるよう設定されるのが好ましい。また、エアカーテン生成部１５、１６を水平方向に長くすることで、ガス排出管１２、１３が外部から離され、これにより大気中のガスが巻き込まれるのが防止されて、回収された処理ガスＧ１の濃度の低下を防止することができ、よって、処理ガスＧ１の再利用の効率を高めることができる。
【００２７】
図１に示すように、エアカーテン生成部１５、１６は、それぞれ、ガス排出管１２、１３の外側に配置され、被処理体Ｗに向けて拡散防止用ガスＧＳを噴出する複数の噴出孔１４を有している。
これらのエアカーテン生成部１５、１６は、被処理体Ｗに向けて拡散防止用ガスＧＳを噴出することにより、処理空間Ｓ（被処理体Ｗのプラズマ処理所望領域）を前記噴出した拡散防止用ガスＧＳ、すなわち、エアカーテン（気流）ＡＳで囲むように作用する。このエアカーテンＡＳにより、処理ガスＧ１が外に流れづらくなり、処理空間Ｓに滞留する。よって、放電に必要なガス流量（濃度依存）が削減できる。
【００２８】
これにより、処理空間Ｓの処理ガスＧ１の濃度の低下を防止することができ、よって、上部電極２および下部電極３間の放電を安定させることができるため、被処理体Ｗにプラズマ処理を均一に施すことができる。
また、搬入側（図１中の左側）のエアカーテン生成部１５、１６には、拡散防止用ガスＧＳを加熱するヒータ（加熱手段）２７が設けられている。拡散防止用ガスＧＳは、ヒータ２７を通過することにより加熱されて（昇温されて）、被処理体Ｗへ向って噴出する。
【００２９】
この加熱された拡散防止用ガスＧＳを搬送中の被処理体Ｗに吹き付けることにより、当該被処理体Ｗは、処理空間Ｓに搬入される前に加熱される。このように、被処理体Ｗが加熱されることにより、プラズマ処理が促進される。例えば被処理体Ｗが１５０℃まで加熱された場合、レジストのアッシング処理では、通常、アッシングレートが加熱しない場合の数倍も早くなる。
【００３０】
また、拡散防止用ガスＧＳとしては、特に限定されないが、例えばＮ２ガスなどの不活性ガスが好ましい。例えば、拡散防止用ガスＧＳが空気である場合には、プラズマ処理がエッチング処理やＣＶＤ処理などのとき、Ｈ、Ｏ２が活性化ガスと結合して多種の副生成物が発生する。このような副生成物は、被処理体Ｗの表面Ｗ１、Ｗ２に付着して該表面を汚染する。そこで、拡散防止用ガスＧＳが不活性ガスであると、前述したような副生成物の発生が防止さて、被処理体Ｗに高純度なプラズマ処理を施すことができる。
【００３１】
次に、プラズマ処理装置１を用いて、被処理体Ｗをプラズマ処理する方法（工程）について説明する。
まず、コロコンベア１０を作動させて、処理空間Ｓに被処理体Ｗを搬送する。ここで、被処理体Ｗのプラズマ処理所望領域が処理空間Ｓ内に位置するように、被処理体Ｗを設置する。
【００３２】
次に、エアカーテン生成部１５、１６の各噴出孔１４から拡散防止用ガスＧＳを噴出して、エアカーテンＡＳを処理空間Ｓの周囲に生成する。以下、このエアカーテンＡＳが生成された状態を「エアカーテン生成状態」という。
エアカーテン生成状態で、ガス供給管４の開口２３と、ガス供給管５の開口２４とから処理ガスＧ１を処理空間Ｓへ供給しつつ、高周波電源７を作動させて、両電極間に電圧を印加する。このとき、両電極間には、電界が生じることとなる。これにより、処理空間Ｓ内の処理ガスＧ１が活性化されて、プラズマが発生する。その後、被処理体Ｗがプラズマ処理される。
プラズマ処理終了後には、高周波電源７の作動を停止し、次いで、処理ガスＧ１の供給を停止する。
【００３３】
次に、拡散防止用ガスＧＳの噴出を停止する。
次に、コロコンベア１０を再度作動させて、被処理体Ｗを搬送（搬出）する。
このような工程を経ることにより、プラズマ処理を行うときには、エアカーテンＡＳにより、処理空間Ｓ内の処理ガスＧ１の拡散が防止される。これにより、処理空間Ｓ内の処理ガスＧ１の濃度の低下を防止することができ、よって、上部電極２および下部電極３間の放電を安定させることができるため、被処理体Ｗにプラズマ処理を均一に施すことができる。
【００３４】
また、プラズマ処理装置１では、ガス排出管１２、１３によって処理空間Ｓに存在する処理ガスＧ１を通常、高回収率で吸引することができ、その結果、処理ガス精製処理装置による処理ガスＧ１の再利用の効率を高めることができる。
また、従来のプラズマ処理装置では、処理空間Ｓから離れた外部（位置）にガス排出管を配置していたが、プラズマ処理装置１では、１００％処理ガスを回収することで、２重のガス排出管を必要としないため、装置の製造コストを低減することができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
図２は、本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態の概略構成を示す断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言い、図２中の上下方向を「垂直方向」、左右方向を「水平方向」と言う。
以下、第２実施形態のプラズマ処理装置について、前述した第１実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。本実施形態は、エアカーテン生成部の構成が異なること以外は第１実施形態と同様である。
【００３６】
図２に示すように、プラズマ処理装置１８のエアカーテン生成部１５、１６には、それぞれ、噴出孔１４から噴出された拡散防止用ガスＧＳを回収（吸収）する複数の回収孔２０が設けられている。各回収孔２０は、各噴出孔１４と互いに隣り合うように形成されている。
各回収孔２０は、排気ポンプ２８に連通している（接続されている）。この排気ポンプ２８の作動により、拡散防止用ガスＧＳは、回収孔２０から吸引される。また、回収孔２０は、排気ポンプ２８を介して、エアタンク２９に接続されている。回収孔２０から吸引された拡散防止用ガスＧＳは、エアタンク２９に蓄積される（回収される）。
【００３７】
このように、回収孔２０と、排気ポンプ２８と、エアタンク２９とは、拡散防止用ガスＧＳを回収する拡散防止用ガス回収手段としての機能を発揮している。これにより、簡単な構成で、拡散防止用ガスＧＳを確実に回収することができる。
また、プラズマ処理装置１８（エアカーテン生成部１５、１６）では、噴出孔１４から噴出する拡散防止用ガスＧＳの量と、回収孔２０から回収する拡散防止用ガスＧＳの量とを調整することによって、エアカーテン生成部１５と被処理体Ｗとの間の空間Ｓ１の圧力を、エアカーテン生成部１６と被処理体Ｗとの空間Ｓ２の圧力より小さくすることができる。これにより、上方に向けて被処理体Ｗを吸引する吸引力が発生して、被処理体Ｗを浮上させることができる。
【００３８】
また、エアカーテン生成部１５、１６では、噴出孔１４と回収孔２０とが互いに隣り合うように設けられているため、空間Ｓ１および空間Ｓ２のそれぞれにおいて、噴出孔１４から回収孔２０に向けての拡散防止用ガスＧＳの流れを発生させることができる。この流れ（気流）の方向を制御することによって、水平方向へ被処理体Ｗを移動する（搬送する）ことができる。これにより、前記第１実施形態で挙げたようなコロコンベア１０を設けるのが省略することができる。
【００３９】
このように、プラズマ処理装置１８のエアカーテン生成部１５、１６は、被処理体Ｗを搬送する搬送手段としての機能を有している。
また、プラズマ処理装置１８では、前述したように空間Ｓ１が減圧されるため、処理ガスＧ１のガス分子の平均自由行程が長くなり、処理空間Ｓにおいてグロー放電を容易に発生させることができる。これにより、放電着火電力や放電維持電力を低減することができる。
【００４０】
＜第３実施形態＞
図３は、本発明のプラズマ処理装置の第３実施形態の概略構成を示す断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言い、図３中の上下方向を「垂直方向」、左右方向を「水平方向」と言う。
以下、第３実施形態のプラズマ処理装置について、前述した第２実施形態との違いを中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。本実施形態は、プラズマ処理装置が被処理体の下面をプラズマ処理するよう構成されていること以外は第１実施形態と同様である。
【００４１】
図３に示すように、プラズマ処理装置３０には、被処理体Ｗの下側にのみ、ガス供給管５が設けられている。これにより、被処理体Ｗの下面をプラズマ処理することができる。
また、プラズマ処理装置３０には、被処理体Ｗの下側にのみ、エアカーテン生成部１６が設置されている。これにより、被処理体Ｗに対して下側の処理空間Ｓ内の処理ガスＧ１が拡散するのが防止され、この処理ガスＧ１の濃度の低下を防止することができる。
【００４２】
また、噴出孔１４から噴出する拡散防止用ガスＧＳの量を、回収孔２０から回収する拡散防止用ガスＧＳの量より多く設定することによって、被処理体Ｗを浮上させて搬送することができる。
また、プラズマ処理装置３０は、被処理体Ｗの下面をプラズマ処理するよう構成されているのに限定されず、被処理体Ｗの上面をプラズマ処理するよう構成されていてもよい。このとき、上側の噴出孔１４から噴出する拡散防止用ガスＧＳの量を、上側の回収孔２０から回収する拡散防止用ガスＧＳの量より少なく設定することによって、被処理体Ｗを吸引して浮上させる。
【００４３】
以上、本発明のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。プラズマ処理装置を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
例えば、第２実施形態のプラズマ処理装置に、第１実施形態のプラズマ処理装置におけるコロコンベアを設けてもよい。
また、プラズマ処理装置は、前記各実施形態に示すいわゆる平行平板型であるのに限定されず、例えば、いわゆるリモート型であってもよい。
また、被処理体に施すプラズマ処理としては、特に限定されず、例えば、アッシング処理、エッチング処理、親水処理、撥水処理などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の第１実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置の第２実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置の第３実施形態の概略構成を示す断面図である。
【図４】従来の平行平板型の大気圧プラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１、１８、３０、４０……プラズマ処理装置  ２、４２……上部電極  ３、４３……下部電極  ４、５……ガス供給管  ６、８……導線  ７……高周波電源  ９……搬送ローラ  １０、４１……コロコンベア  １１……吸引口  １２、１３……ガス排出管  １４……噴出孔  １５、１６……エアカーテン生成部  ２０……回収孔  ２３、２４……開口  ２５、２８……排気ポンプ  ２６、２９……エアタンク  ２７……ヒータ  ４４ａ、４４ｂ……ガス導入管  ４５ａ、４５ｂ……ガス排気管  ＡＳ……エアカーテン  Ｅ……高周波電界  ｈ１、ｈ２……距離  Ｓ……処理空間  Ｓ１、Ｓ２……空間  Ｗ……被処理体  Ｗ１、Ｗ２……表面  Ｇ１……処理ガス  ＧＳ……拡散防止用ガス
【図１】
2006005315.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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