(57)【要約】【課題】  従来技術の問題点を解消し、アニールウエーハ、特に、その表面に作られる無欠陥層の厚さを簡便に精度よく評価することのできるアニールウエーハの評価方法及びこの評価方法を利用したアニールウエーハの品質保証方法を提供する。【解決手段】  アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層の厚さとして評価するようにした。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層の厚さとして評価することを特徴とするアニールウエーハの評価方法。
【請求項２】
前記アニールウエーハの表面をエッチング液により一定のエッチング代でエッチングし、エッチング終了後、その表面の欠陥を観察し、ウエーハ表面に欠陥が観察されない場合この操作を繰返し行ない、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでエッチング処理を行なうことを特徴とする請求項１記載のアニールウエーハの評価方法。
【請求項３】
前記ウエーハ表面に観察される欠陥が、さざ波模様の欠陥であることを特徴とする請求項１又は２記載のアニールウエーハの評価方法。
【請求項４】
前記エッチング液が、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水の混合液からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のアニールウエーハの評価方法。
【請求項５】
アニールウエーハの表面無欠陥層の厚さを保証する方法であって、アニールウエーハの表面をエッチング液により一定のエッチング代でエッチングし、該エッチング後のウエーハ表面を観察し、欠陥が観察された場合には不合格、観察されない場合には合格として表面無欠陥層の厚さを保証することを特徴とするアニールウエーハの品質保証方法。
【請求項６】
上記エッチング液が、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水の混合液であることを特徴とする請求項５記載のアニールウエーハの品質保証方法。
【請求項７】
前記ウエーハ表面に観察される欠陥が、さざ波模様の欠陥であることを特徴とする請求項５記載のアニールウエーハの品質保証方法。
【請求項８】
前記エッチング代を、仕様で決められている表面無欠陥層の厚さ以上に設定することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項記載のアニールウエーハの品質保証方法。
【請求項９】
前記アニールウエーハが、ウエーハ内部に窒素がドーピングされているアニールウエーハであることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項記載のアニールウエーハの品質保証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン半導体ウエーハ等のウエーハに熱処理を施して作製されたアニールウエーハのウエーハ表層に無欠陥層を形成した際の表面品質を定量的に評価する方法及びその品質の保証方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等のデバイスを作製するためのウエーハとしては、主にチョクラルスキー法（ＣＺ法）によって育成されたシリコン単結晶ウエーハが用いられている。このようなシリコン単結晶ウエーハに結晶欠陥が存在すると、半導体デバイス作製時にパターン不良などを引き起こしてしまう。特に、近年の高度に集積化されたデバイスにおけるパターン幅は、０．１μｍといった非常に微細なものとなっているため、このようなパターン形成時には、０．０５μｍサイズの結晶欠陥の存在でもパターン不良等の原因になり、デバイスの生産歩留あるいは品質特性を著しく低下させてしまう。従って、シリコン単結晶ウエーハに存在する結晶欠陥は存在しないか、極力サイズを小さくしなければならない。
【０００３】
特にＣＺ法により育成されたシリコン単結晶中には、Ｇｒｏｗｎ-ｉｎ欠陥と呼ばれる、結晶成長中に導入された結晶欠陥が存在する。このような結晶欠陥の主な発生原因は、単結晶製造中に凝集する原子空孔のクラスタあるいは石英ルツボから混入する酸素原子の凝集体である酸素析出物であると考えられている。これらの結晶欠陥はデバイスが形成されるウエーハの表層部に存在すると、デバイス特性を劣化させる有害な欠陥となるので、このような結晶欠陥を低減し、十分な深さを有する無欠陥層（ＤＺ）を表層部に有するウエーハを作製することが望ましい。
【０００４】
また、シリコン単結晶ウエーハの表層部にＦｅやＣｕ等の重金属不純物が存在すると、デバイス作製時にデバイス特性の劣化を生じる。そのため、シリコンウエーハのバルク部にゲッタリングサイトとして、内部微小欠陥（ＢＭＤ）を析出させ、重金属不純物を除去するイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）が重要となる。このイントリンシックゲッタリングを効果的なものとするには、ウエーハのバルク部に充分な密度の内部微小欠陥を形成させることが必要となる。なお、ここでいう内部微小欠陥とは、バルク中に存在する酸素析出物および酸素析出に誘起されて発生する転位、積層欠陥等の微小欠陥を指す。
【０００５】
以上の点から、シリコン半導体ウエーハの製造にあたっては、このような無欠陥層及びゲッタリングサイトを形成する為に熱処理が行われることがある。
【０００６】
無欠陥層及びゲッタリングサイトを形成するための熱処理は、水素やアルゴン等の還元性または不活性雰囲気中で高温にて行われるのが一般的である。このような熱処理により、ウエーハ表層のＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）やＢＭＤなどのＧｒｏｗｎ-ｉｎ欠陥を消滅させてウエーハ表層部に無欠陥層を形成し、ウエーハのバルク中には酸素析出物を形成させる。このような鏡面研磨後に特別な熱処理が施されたウエーハは、一般的にアニールウエーハと呼ばれている。
【０００７】
無欠陥層の厚さ（ＤＺ幅）および酸素析出物密度は、主にシリコン単結晶の引き上げ条件、結晶中酸素濃度、そして鏡面研磨後に行う熱処理条件に依存する。一般にＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の中でもＣＯＰは消滅させにくい欠陥であるため、無欠陥層の厚さを拡大するにはＣＯＰをウエーハ表面からより深い領域まで消滅させる必要がある。そのためには、熱処理温度をより高く、熱処理時間をより長くする方法があるが、これらの条件は熱処理炉の性能によって限定される上、製造コストアップの方向に進むため、あまり好ましい方法ではない。そこで、現在は結晶のＣＯＰサイズを縮小化させる方法を用いている。一般には、引き上げ速度を遅くすることにより、ＣＯＰサイズの縮小化を図ることができる。それとは逆に、引き上げ速度を著しく速くすることにより、ＣＯＰ形成温度領域の滞在時間を短縮し、ＣＯＰサイズを縮小化させる方法もある。また、シリコン単結晶に窒素をドープすると、ＣＯＰサイズが小さくなることも知られている。窒素ドープには、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ酸素析出物サイズを大きくする効果もあるため、近年アニールウエーハの原料として窒素ドープ結晶が多く用いられるようになってきた。
【０００８】
従来、アニールウエーハにおける無欠陥層厚さの測定は、ウエーハを劈開し、その断面を選択エッチングすることによって行っていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
しかし、劈開面を選択エッチングする方法では観察面積が限定されるため、ウエーハ全面における無欠陥層厚さを厳密に評価できないという問題があった。そこで、アニールウエーハの表層に残留したＣＯＰなどの結晶欠陥をウエーハ全面において評価するためには、表層を研磨にてポリッシュオフし、ＧＯＩ（Ｇａｔｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）法にて評価する方法が用いられている。このような方法を用いれば、アニールウエーハに残留した非常に微小なＣＯＰも検出することができ、高い精度で無欠陥層厚さを決定することができる。
【特許文献１】特開昭５６−４９５３２号公報
【特許文献２】特開昭５５−９６６４１号公報
【特許文献３】特開２００３−２０９１５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献１に開示された、ライト液等による選択エッチング後のアニールウエーハの劈開面に発生したエッチピットの観察によって測定されたアニールウエーハの無欠陥層の厚さが半導体装置を作る上で十分なものであっても、実際に半導体装置を作製した場合に異常を発生するもの、例えば接合ダイオードを作製した場合にダイオード逆方向リーク電流が大きいものがあった。また、特許文献２に開示されたＭＯＳ  Ｃ−ｔ法による少数キャリア発生寿命測定の結果、ＤＺ層の品質が良好なものであっても、実際に半導体装置、例えば、接合ダイオードを作製した場合にダイオード逆方向リーク電流が大きいなどの異常を発生するものがあった。
【００１１】
また、研磨＋ＧＯＩ法では非常に工数が多く、迅速な評価が行えず、評価する為のコストが高いなどのデメリットがあった。
【００１２】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、アニールウエーハ、特に、その表面に作られる無欠陥層の厚さを簡便に精度よく評価することのできるアニールウエーハの評価方法及びこの評価方法を利用したアニールウエーハの品質保証方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のアニールウエーハの評価方法は、アニールウエーハの表面無欠陥層厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液によりエッチングし、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層厚さとして評価することを特徴とする。
【００１４】
特に、前記アニールウエーハの表面をエッチング液により一定のエッチング代でエッチングし、エッチング終了後、その表面の欠陥を観察し、ウエーハ表面に欠陥が観察されない場合、この操作を繰返し行い、ウエーハ表面に欠陥が観察されるまでエッチング処理を行い、欠陥が観察されるまでのエッチング代を求め、このエッチング代を無欠陥層厚さとして評価すると良い。
【００１５】
また、アニールウエーハの表面無欠陥層厚さを評価するに際し、該アニールウエーハの表面をエッチング液中でエッチングし、その表面にさざ波模様の欠陥が観察されるまでのエッチング代を無欠陥層厚さとして評価すると特に好ましい。上記エッチング液としては、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水の混合液が好適に用いられる。
【００１６】
本発明のアニールウエーハの評価方法によれば、欠陥に対し選択性のあるエッチング液を用いエッチング処理することで、従来法、例えば、研磨＋ＧＯＩ法等に比べ、処理時間が短縮できる。本発明の評価方法においては、特に問題となる欠陥としてＣＯＰを精度良く検出することが重要で、上記エッチング液を用いると感度良く評価することができる。
【００１７】
また、本発明の評価方法によれば、比較的広いエリアで欠陥を観察することができるため、正確な無欠陥層厚さの評価が行え、特にウエーハ表面の欠陥がさざ波模様の欠陥として観察される場合は、欠陥の特定が行いやすい。
【００１８】
さらに、本発明のアニールウエーハの品質保証方法は、アニールウエーハの表面無欠陥層厚さを保証する方法であって、アニールウエーハの表面をエッチング液により一定のエッチング代でエッチングし、該エッチング後のウエーハ表面を観察し、欠陥が観察された場合には不合格、観察されない場合には合格として表面無欠陥層厚さを保証する。
【００１９】
特に、上記エッチング液が、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水の混合液であり、表面に観察される欠陥がさざ波模様の欠陥であることが好ましい。
【００２０】
上記エッチング代は、仕様で決められている表面無欠陥層厚さ以上に設定するもので、特に仕様＋数μｍに設定すれば安定した保証が行える。
【００２１】
特に、本発明の品質保証方法は、ウエーハ内部に窒素がドーピングされているアニールウエーハを保証するのに好適に用いられる。アニールウエーハ内部に窒素ドープされた欠陥は、欠陥自体も小さく検出しにくいが、本発明の品質保証方法によれば、小さな欠陥の存在も正確に評価し保証することができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上詳述したように、本発明のアニールウエーハの評価方法によれば、アニールウエーハ、特に、その表面に作られる無欠陥層の厚さを簡便に精度よく評価することができる上、評価自体の工数も激減し、コストも低減し、迅速な評価が行えるため製造現場へのフィードバック等も早く行うことができ、品質保証及びアニール工程自体も安定して管理することができる。本発明のアニールウエーハの品質保証方法によれば、アニールウエーハ、特に窒素ドープされたアニールウエーハの品質保証を良好に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明に係るアニールウエーハの評価方法の実施の形態を添付の図面を参照してさらに詳細に説明するが、図示例は例示的に示されるもので本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変更が可能なことはいうまでもない。図１は、本発明のアニールウエーハの評価方法の工程順の１例を示すフローチャートである。
【００２４】
同図に示すように、本発明のアニールウエーハの評価方法においては、まず、鏡面研磨されたウエーハを熱処理することによってアニールウエーハを準備する（ステップ１００）。ＤＺ層を形成する熱処理としては、例えば、図５に示したような熱処理炉を用いアルゴンや水素雰囲気中において１０００℃以上で１時間以上の熱処理で行われるのが一般的である。図５において、１０はウエーハ、２０は縦型熱処理装置、２２は反応室、２４はヒータ、２６はガス導入管、２８はガス排気管、３０は熱処理用ボートである。
【００２５】
次に、この準備したアニールウエーハの厚さを測定する（ステップ１０２）。さらに、このアニールウエーハをエッチング処理し（ステップ１０４）、エッチング代の測定と欠陥の観察を行う（ステップ１０６）。エッチングは、欠陥の選択性のあるエッチング液を用いることが好ましいが、特にＫ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水の混合液からなるエッチング液中でエッチングすることが好ましい。Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７とフッ酸と水の混合液は、ＳＥＣＣＯ液としてよく知られており、その組成は例えば０.１５ｍｏｌ／ＬのＫ２Ｃｒ２Ｏ７を溶かした水と４９％フッ酸を１：２の体積比となるようにしたものである。このＳＥＣＣＯ液は、熱処理後の酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）を選択エッチングすることにより線状の欠陥像として観察したり、インゴット育成中に入ったスリップ転位を見たりすることにも使われている。
【００２６】
このエッチング液はエッチング速度が適度で扱いやすい上、無攪拌にてエッチングを行うと、図３に示すようにＣＯＰがさざ波模様の欠陥１２（フロー・パターン・ディフェクト：ＦＰＤ等といわれる）として顕在化されるため、欠陥の存在が特定しやすい為である。図３において、１０はウエーハ、１４は欠陥である。また、クロムを使用しないエッチング液として特許文献３に開示されているような、フッ酸、硝酸、酢酸と水の混合液にヨウ素を添加したエッチング液を使用することもできる。
【００２７】
基本的には、上記エッチング液の入った容器に半導体ウエーハを液面に対し垂直に投入し、無攪拌状態で一定量（一定時間）エッチングを行い（ステップ１０４）、そのエッチングされた表面を観察する（ステップ１０６）。このエッチング面の観察は、顕微鏡により面内全面を観察する。この表面観察によって、欠陥が観察されたか否かを判定する（ステップ１０８）。
【００２８】
欠陥が観察されなければ、ステップ１０４に戻りさらにエッチングを繰り返すといった作業を行う。なお、無欠陥層厚さ（ＤＺ幅）が全く予想できない場合は、エッチング代を少なくし、細かく何度か繰返しエッチングすることで無欠陥層厚さを求める。また予め無欠陥層厚さが予想できる場合は、その厚さ近辺まで一気にエッチングを行っても良い。本発明の評価方法において、１回当りのエッチング代は、特に制限的ではなく、予想されるアニールウエーハの無欠陥層厚さによって適宜選択すればよい。また、１回当りのエッチング代は、毎回同一であっても、異なっていてもよい。なお、１回当りのエッチング代の制御は、エッチング時間によって制御しても良い。一般的に一回のエッチングでその取り代を約２μｍ程度とすれば、正確な無欠陥層厚さの評価が行える。
【００２９】
欠陥が観察された場合は、ウエーハの厚さを測定し、ＤＺ幅を決定する（ステップ１１０）。エッチング代は、初めにウエーハ厚さを測定しておき、エッチング処理の済んだ（欠陥が観察された時点での）ウエーハの厚さを再度測定し、その厚さの差から求めれば良い。
【００３０】
なお、劈開面に発生したエッチピットを観察して無欠陥層厚さ（ＤＺ幅）を求める時は、図４に示すように一般的にはじめに欠陥１４が観察される部分ではなく、複数個の欠陥１４が観察される深さまでと定義されている。これらは設計的事項であるが、本発明の評価方法においても、このように複数個の欠陥が観察される深さを無欠陥層厚さと定義しても良いし、もちろんはじめの１個が観察された時のエッチング代を無欠陥層厚さとして定義しても良い。図４において、１０はウエーハ、１０ａはウエーハ表面、１０ｂはウエーハ内部、１４は欠陥であり、αはＤＺ幅を示す。
【００３１】
従来のアニールウエーハの表面品質の評価方法では評価エリアが狭い為、精度に問題があった。一方、本発明のアニールウエーハの表面品質の評価方法ではウエーハ全面を処理し広いエリアで欠陥を観察することができるため、正確な無欠陥層厚さ（ＤＺ幅）の評価が行える。
【００３２】
続いて、本発明のアニールウエーハの品質保証方法について説明する。この品質保証方法は、上記した評価方法を利用した品質（無欠陥厚さ）保証方法である。図２は本発明のアニールウエーハの品質保証方法の工程順の１例を示すフローチャートである。同図に示すように、本発明のアニールウエーハの品質保証方法においては、まず、例えば、５０枚程度まとめて熱処理されたアニールウエーハから、被検査用ウエーハを抜き取ることによって被検査用アニールウエーハを準備し（ステップ２００）、この準備したアニールウエーハの厚さを測定する（ステップ２０２）。
【００３３】
次に、前述した本発明の評価方法と同様に、このアニールウエーハに対してエッチング処理を行うが、この品質保証方法の場合は、一定のエッチング代でエッチングを行い（ステップ２０４）、エッチング面を観察する（ステップ２０６）。エッチング面の観察は、同様に、顕微鏡により面内全面を観察し、欠陥が観察されたか否かを判断する（ステップ２０８）。この判断において、欠陥が観察された場合には、合格と判定し（ステップ２１０）、欠陥が観察されない場合には不合格と判定する（ステップ２１２）。
【００３４】
特に、無欠陥層厚さは仕様により決められているため、本発明の品質保証方法においては、一定量（仕様の値）まで、一気にエッチングを行い、その時点で欠陥、例えば、さざ波模様の欠陥が観察されるかどうかで判断すればよい。
【実施例】
【００３５】
以下に、本発明のアニールウエーハの評価方法及び品質保証方法を実施例に基づいて具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００３６】
（実施例１）
最初に、アニールウエーハの評価方法について説明する。まず、直径３００ｍｍのシリコンウエーハの熱処理を行った。この熱処理は無欠陥層を得るのを目的とし図５に示すような従来の縦型熱処理装置２０を用い、４本の支柱を有する縦型熱処理用ボート３０を使用し複数枚（５０枚）のウエーハ１０を同時に熱処理した。反応室２２にアルゴンガスを流通させながら、７００℃から１０００℃までは５℃／ｍｉｎ、１０００℃から１１００℃までは３℃／ｍｉｎ、１１００℃から１２００℃までは２℃／ｍｉｎで昇温し、１２００℃で１時間恒温熱処理を行った。その後、昇温過程と同じ速度で降温し、熱処理用ボート３０を反応室２２からアンロードしてから、室温まで冷却後ウエーハ１０を回収した。
【００３７】
このように熱処理したウエーハから検査用のウエーハを１枚抜き取り、本発明の評価方法で評価した。具体的には、先ずはじめにウエーハの厚さを測定した。その結果７７９μｍであった。
【００３８】
このウエーハを、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水の混合液からなるエッチング液中に浸漬した。その組成は０.１５ｍｏｌ／ＬのＫ２Ｃｒ２Ｏ７を溶かした水と４９％フッ酸を１：２の体積比となるように調整したエッチング液でエッチング温度は２５℃に設定し、３分３０秒間処理した。この時のエッチング代は片面約２μｍである。なお、このエッチングではウエーハは液面に対し垂直に投入し、無攪拌状態で一定量（一定時間）エッチングを行う。これにより欠陥がある場合、図３に示すようなさざ波模様の形態で表れる。
【００３９】
エッチング後、顕微鏡を用いウエーハ全面を観察した。はじめのエッチングでは、欠陥は観察されなかった。したがって、同様なエッチングを再度行った。繰返しエッチングしているうちに、さざ波模様の欠陥が観察された。
【００４０】
この時点で、エッチング代を確認するため、ウエーハ厚さを確認したところ７５１μｍであった。エッチング前のウエーハの厚さの差（２８μｍ）の半分が無欠陥層の厚さであるから、このウエーハの無欠陥層の厚さは１４μｍであることがわかった。このように比較的簡便にまた処理時間も短く精度良く評価することができる。
【００４１】
（比較例１）
実施例１で行ったアニール処理でもう１枚ウエーハを抜き取り、劈開することによって１／４片を用意した。この１／４片をライト液にて選択エッチングし、このときのエッチング代は片面２μｍであった。その後、劈開面をウエーハ中心部から外周部にかけて８箇所、顕微鏡にて観察した。各観察位置での観察面積は、１００μｍ×１００μｍである。その結果、表面無欠陥層の厚さは２１μｍとなり、実施例１よりも厚い結果となった。
【００４２】
（実施例２）
窒素ドープ（窒素濃度：７．０×１０12ａｔｍｓ／ｃｍ3）された直径３００ｍｍのシリコンウエーハを用いることを除いて、実施例１と同様な熱処理及びエッチングを行い無欠陥層の厚さを評価したところ無欠陥層の厚さは１６μｍであった。
【００４３】
（比較例２）
実施例２で行った熱処理で抜き取ったウエーハを比較例１と同様な手法で無欠陥層の厚さを調べたところ、無欠陥の厚さは２４μｍであった。
【００４４】
（実施例３〜５）
次に、アニールウエーハの品質保証方法の例を説明する。無欠陥層厚さの規格（仕様）が１０μｍ以上であるウエーハの品質保証について説明する。
【００４５】
窒素ドープしない直径３００ｍｍのシリコンウエーハの熱処理を行った。この熱処理は無欠陥層を得るのを目的とし図５に示すような従来の縦型熱処理装置２０を用い、４本の支柱を有する縦型熱処理用ボート３０を使用し複数枚（５０枚）のウエーハ１０を同時に熱処理した。反応室２２にアルゴンガスを流通させながら、７００℃から１０００℃までは５℃／ｍｉｎ、１０００℃から１１００℃までは３℃／ｍｉｎ、１１００℃から１２００℃までは２℃／ｍｉｎで昇温し、１２００℃で３０分〜２時間恒温熱処理を行った。その後、昇温過程と同じ速度で降温し、熱処理用ボート３０を反応室２２からアンロードしてから室温まで冷却後、ウエーハ１０を回収した。
【００４６】
このような条件で１２００℃での保持時間（熱処理時間）を変更しウエーハを製造した。
具体的には、１２００℃３０分（実施例３）、１２００℃１時間（実施例４）、１２００℃２時間（実施例５）で熱処理した。
【００４７】
このように熱処理したウエーハからそれぞれ１枚ずつ抜き取り、このウエーハを、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7とフッ酸と水の混合液からなるエッチング液中に液面に対し垂直に投入し、無攪拌状態で浸漬した。このエッチング液の組成は０.１５ｍｏｌ／ＬのＫ２Ｃｒ２Ｏ７を溶かした水と４９％フッ酸を１：２の体積比となるように調整したエッチング液でエッチング温度は２５℃に設定し、２０分３０秒間処理した。この時のエッチング代は片面約１２μｍである。
【００４８】
エッチング後、顕微鏡を用いウエーハ全面を観察した。評価した３種類のアニールウエーハ（実施例３〜５）のうち、１種類のアニールウエーハ（実施例３）でさざ波模様の欠陥が観察された。このウエーハ（実施例３）は不合格とし、その他のウエーハ（実施例４及び５）は合格とした。さざ波模様の現れたアニールウエーハ（実施例３）は熱処理時間が３０分のもので、本ウエーハの場合、仕様を満たす為には３０分より長い、例えば１時間以上の熱処理が必要であることがわかる。
【００４９】
（実施例６〜８）
窒素ドープ（窒素濃度：７．０×１０12ａｔｍｓ／ｃｍ3）された直径３００ｍｍのシリコンウエーハを用いた以外は実施例３〜５と同様の条件（実施例６：１２００℃３０分、実施例７：１２００℃１時間、実施例８：１２００℃２時間）で熱処理し、実施例３〜５と同様にエッチングを行い、顕微鏡を用いてウエーハ全面を観察した。
【００５０】
評価した３種類のアニールウエーハ（実施例６〜８）のうち１種類のアニールウエーハ（実施例６）でさざ波模様の欠陥が観察された。このウエーハ（実施例６）は不合格とし、その他のウエーハ（実施例７及び８）は合格とした。さざ波模様の現れたアニールウエーハ（実施例６）は熱処理時間が３０分のもので、本ウエーハの場合、仕様を満たすためには３０分より長い、例えば１時間以上の熱処理が必要であることがわかる。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明のアニールウエーハの評価方法の工程順の１例を示すフローチャートである。
【図２】本発明のアニールウエーハの品質保証方法の工程順の１例を示すフローチャートである。
【図３】アニールウエーハにエッチングを行った際のさざ波模様の発生の状態を示す説明図である。
【図４】アニールウエーハにおけるＤＺ幅及び欠陥の状態を示す断面的説明図である。
【図５】縦型熱処理装置の一例を示す断面的説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０：ウエーハ、１０ａ：ウエーハ表面、１０ｂ：ウエーハ内部、１２：さざ波模様の欠陥、１４：欠陥、２０：縦型熱処理装置、２２：反応室、２４：ヒータ、２６：ガス導入管、２８：ガス排気管、３０：熱処理用ボート、α：無欠陥層厚さ（ＤＺ幅）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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