(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の劣化特性や画素の欠陥検出を従来装置に比して効果的かつ効率的に実施できるエージング装置が求められる。【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式で発光制御される自発光装置のエージング処理の実行に際し、（ａ）自発光装置に対するアクティブマトリクス駆動用のデータ信号及びライン選択信号の印加と並行して、（ｂ）各発光素子と電源電圧ラインとの間に直列に接続されたトランジスタに交流駆動用の制御信号を印加し、（ｃ）各発光素子をフィールド周期内に点滅駆動する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス駆動方式で発光制御される自発光装置のエージング方法であって、
自発光装置に対するアクティブマトリクス駆動用のデータ信号及びライン選択信号の印加と並行して、
各発光素子と電源電圧ラインとの間に直列に接続されたトランジスタに交流駆動用の制御信号を印加し、
各発光素子をフィールド周期内に点滅駆動する
ことを特徴とする自発光装置のエージング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のエージング方法において、
前記交流駆動用の制御信号の周波数は任意に可変できる
ことを特徴とする自発光装置のエージング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のエージング方法において、
前記交流駆動用の制御信号のデューティ比は任意に可変できる
ことを特徴とする自発光装置のエージング方法。
【請求項４】
請求項１に記載のエージング方法において、
前記データ信号のピーク値は任意に可変できる
ことを特徴とする自発光装置のエージング方法。
【請求項５】
請求項１に記載のエージング方法において、
前記交流駆動用の制御信号のデューティ比と前記データ信号のピーク値は、各発光素子に流れる平均駆動電流が通常駆動時と同じになるように設定される
ことを特徴とする自発光装置のエージング方法。
【請求項６】
アクティブマトリクス駆動方式で発光制御される自発光装置の製造方法であって、
エージング処理の実行時、
自発光装置にアクティブマトリクス駆動用のデータ信号及びライン選択信号を印加する処理と、
各発光素子と電源電圧ラインとの間に直列に接続されたトランジスタに交流駆動用の制御信号を印加し、各発光素子をフィールド周期内に点滅駆動する処理と
を実行することを特徴とする自発光装置の製造方法。
【請求項７】
アクティブマトリクス駆動方式で発光制御される自発光装置を被処理対象とするエージング装置であって、
アクティブマトリクス駆動用のデータ信号及びライン選択信号を画素回路に印加するのに必要な駆動信号を発生する第１の駆動信号発生部と、
各発光素子と電源電圧ラインとの間に直列に接続されたトランジスタに交流駆動用の制御信号を印加するのに必要な駆動信号を発生する第２の駆動信号発生部と
を有し、各発光素子をフィールド周期内に点滅駆動させることを特徴とする自発光装置のエージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の一つの形態は、自発光装置のエージング方法に関する。発明の他の形態は、自発光装置のエージング工程を有する製造方法に関する。発明の他の形態は、自発光装置のエージング処理に使用されるエージング装置に関する。
ここでの自発光装置は、例えば、有機ＥＬ(Electro Luminescence)パネルその他の電流駆動型の発光デバイスをいう。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬパネルの駆動方式の一つに、アクティブマトリックス駆動方式がある。
この駆動方式を採用する有機ＥＬパネルは、スイッチング素子として動作する複数の薄膜トランジスタと、容量素子と、有機ＥＬ素子とからなる画素回路がマトリックス状に複数配列されて構成される。
この構造を有する有機ＥＬパネルは、例えば以下のプロセスにより形成される。まず、一方のパネル上に各画素に対応した複数の薄膜トランジスタが形成される。各薄膜トランジスタの一方の主電極上には有機ＥＬ層が形成される。各薄膜トランジスタのゲート電極には走査線が接続される。また、各薄膜トランジスタの一方の主電極には信号線が接続される。
この構造のパネルに対向し、各有機ＥＬ層の上面に対接するように共通の対向電極が設けられる。
これらのプロセスを経て、アクティブマトリックス型の有機ＥＬパネルが製造される。なお、有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層とその上下面を挟持する電極とで構成される。
【０００３】
ところで、有機材料を用いた発光素子である有機ＥＬ素子では、経年劣化による発光量の低下が問題となる。
もっとも昨今では、発光量の半減期も飛躍的に伸びており、有機ＥＬ素子は十分に実用可能な範囲になっている。
しかし、さらに長時間の安定した発光特性を実現するには、適切な条件でのエージング処理が重要となる。これは、有機ＥＬ素子の劣化（発光輝度の低下特性）が、総電荷注入量に対して単純な比例関係となっていないためである。例えば図１に示すように、有機ＥＬ素子の劣化は、総電荷注入量の発光初期に大きく進む低下特性が認められる。このため、製品出荷前に初期劣化を効果的に実行し、出荷後の発光特性を安定化させることが重要になる。
【０００４】
また、有機ＥＬパネルには、他の問題も指摘されている。すなわち、多数の画素を形成する過程で発生する滅点画素の問題である。滅点画素は製造段階で確認されるものと、使用中に確認されるものとがある。
前者の滅点画素は、多数の画素を形成する過程で付着した微小なパーティクルその他の原因により薄い有機ＥＬ層（１００〔nm〕未満）にピンホール等が生じ、画素を形成する有機ＥＬ素子がショートすることで発生する。
一方、後者の滅点画素は、隠れた欠陥を原因として生じる。この場合、長時間の使用中に欠陥を有する画素が急に発光しなくなる。
従って、エージング処理により、欠陥要素を有する画素を製品出荷前に検出する必要がある。
【特許文献１】特開２００３−２８２２５３号公報
【特許文献２】特開２００２−２０３６７２号公報
【特許文献３】特開２００３−２９７５６０号公報
【特許文献４】特開２００３−３２３９７９号公報
【特許文献５】特開２００３−２６４０７３号公報
【特許文献６】特開２００３−３３２０６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、パネル製造工程における長時間のエージング処理は、生産性を悪化させる大きな要因となる。このため、有機ＥＬ素子の劣化特性や画素の欠陥検出を効果的かつ効率的に実施できるエージング装置が求められている。
なお、エージング処理や検査処理はパネル製造工程の最後に実施される。このため、ここでのエージング装置には、完成品としての有機ＥＬパネルを駆動するシステムと同様の駆動能力を有する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者らは、以上の技術的課題に着目し、以下の技術手法を提案する。
すなわち、アクティブマトリクス駆動方式で発光制御される自発光装置のエージング処理の実行時、
（ａ）自発光装置に対するアクティブマトリクス駆動用のデータ信号及びライン選択信号の印加と並行して、
（ｂ）各発光素子と電源電圧ラインとの間に直列に接続されたトランジスタに交流駆動用の制御信号を印加し、
（ｃ）各発光素子をフィールド周期内に点滅駆動する手法を提案する。
【発明の効果】
【０００７】
この技術手法の採用により、常時点灯によるエージング処理に比べ、エージング効果を加速できる。これにより、従来技術に比して短時間で初期特性を安定化できる。従って、製品出荷後の発光特性を安定させることができる。また、エージング効果が加速されることで、隠れた欠陥を有する画素の存在を製品出荷前に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、発明に係る技術手法を採用するエージング処理の実施形態例を説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。
【０００９】
（Ａ）初期劣化の加速条件
まず、初期劣化を加速するための条件について説明する。
図２に、有機ＥＬ素子を常時一定の電流で駆動する場合と、パルス的な電流で駆動する場合の実験結果例を示す。なお、図２は、常時点灯時と間欠点灯時（点滅駆動時）とで、平均電流値が同一になる条件下での実験結果である。因みに、縦軸は実験開始時の発光量を“１”として表した発光輝度の相対値である。横軸は実験時間である。
図２に示すように、定電流駆動（デューティ比１００％）の特性曲線に比較して、パルス電流駆動（デューティ比５０％）の特性曲線の方が常に下にある。すなわち、有機ＥＬ素子の劣化が早く進んでいる。また、同じ５０％のデューティ比でも、１フィールド内の点滅サイクルが８サイクルの方が１サイクルの場合に比して劣化が早く進むことが分かる。
【００１０】
従って、アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルであれば、各有機ＥＬ素子の駆動電流値を与えるデータ信号をパルス的に制御すれば良いことが分かる。
しかし、有機ＥＬパネルを駆動する見地から検討した場合、このような駆動は現実的でない。
これは、アクティブマトリクス駆動方式の場合、線順次で書き込まれたデータ信号を、選択された水平ラインの画素回路に取り込み、対応する有機ＥＬ素子を発光させる方式を採用するためである。
【００１１】
図３を用いて説明する。画素回路１の場合、データ線のデータ信号はトランジスタＴ１を通じて選択的に入力され、容量素子Ｃ１に１フィールド周期の間保持される。そして、データ信号に対応した電流値の駆動電流がトランジスタＴ２を通じて有機ＥＬ素子３に供給される。
このため、１フィールド＝６０Ｈｚで駆動される有機ＥＬパネルであれば、それ以上の速さで駆動電流をオン・オフ制御することはできない。
そこで、フィールド周波数自体を通常動作時よりも高く設定する方法も考えられる。しかし、フィールド周波数を通常動作時の２倍以上に設定すると、トランジスタＴ１に寄生する容量が無視できなくなり、正しいデータ値を容量素子Ｃ１に保持することができなくなる。
このように、２トランジスタ構成の画素回路の場合、エージング処理を加速することはできない。
【００１２】
（Ｂ）画素回路の構成例
ここでは、アクティブマトリクス駆動とは独立に駆動電流の供給と停止を制御できるトランジスタを有する画素回路例を説明する。
図４に、３トランジスタ構成の画素回路例を示す。なお図には、パネルのドライブ回路も示す。すなわち、データ信号選択回路５、ライン選択回路７、点灯・消灯制御回路１３も示す。
これらのドライブ回路の全部又は一部は、ドライブＩＣとしてパネルに搭載される。もっとも、これらのドライブ回路の全部又は一部は、画素回路と共にパネル上に形成される場合もある。
【００１３】
画素回路１１は、３つのトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３と、容量素子Ｃ１と、有機ＥＬ素子３とで構成される。これら３つのトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３はいずれも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成する。なお、この回路例の場合、トランジスタＴ１にＮチャネル型トランジスタを、トランジスタＴ２、Ｔ３にＰチャネル型トランジスタを用いる。
このうち、トランジスタＴ１は、データ信号の取り込み用である。トランジスタＴ１の制御端子は走査線に接続され、その開閉動作がライン選択回路７により制御される。トランジスタＴ１が閉状態のとき、データ信号選択回路５からデータ線を通じて与えられるデータ信号が容量素子Ｃ１に書き込まれ保持される。
トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子３への駆動電流の供給用である。トランジスタＴ２の制御端子は容量素子Ｃ１の一方の電極と接続されており、有機ＥＬ素子３に供給される駆動電流値を制御する。すなわち、電流密度を制御する。
【００１４】
トランジスタＴ３は、駆動電流の供給と停止（オンとオフ）の制御用である。トランジスタＴ３は、駆動電流の供給経路上に位置する。トランジスタＴ３の制御端子は点灯・消灯制御回路１３と接続されており、供給経路の開閉動作を制御する。この開閉動作に連動し、有機ＥＬ素子３が点灯又は消灯される。
通常動作時、トランジスタＴ３は、点灯時間（発光時間）の抑制に用いられる。例えば消費電力の抑制に用いられる。
一方、エージング処理時、トランジスタＴ３は、加速条件を満たす駆動電流の供給制御に用いられる。このとき、有機ＥＬ素子３は、フィールド周期内に少なくとも１回点滅駆動される。なお、トランジスタＴ３には、制御信号の周波数が高い場合にも追従可能なように、電流駆動能力の大きいものを使用する。
【００１５】
（Ｃ）エージング処理例
続いて、エージング処理時の駆動例を説明する。
（ａ）駆動例１
ここでは、平均的な発光量（平均的な駆動電流量）を通常動作時と同じに設定する場合の駆動例を示す。
図５に、１フィールド周期内の点滅回数を１回とする場合の駆動信号例を示す。図５は、トランジスタＴ３に与える駆動信号のデューティ比を５０％、駆動電流値を与えるデータ信号を通常動作時の２倍とする場合について表している。
【００１６】
ここで、図５（Ａ）は、データ信号レベルを示す。この場合、画素回路を構成する容量素子Ｃ１には、１フィールド（６０Ｈｚ）の間、通常駆動時の２倍の信号レベルを有するデータ信号が保持される。
図５（Ｂ）は、トランジスタＴ３の制御信号レベルを示す。この場合、１フィールド周期の前半にトランジスタＴ３はオン動作する。すなわち、図５（Ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子３は１フィールド周期の前半に点灯する。また、１フィールド周期の後半にトランジスタＴ３はオフ動作する。すなわち、図５（Ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子３は１フィールド周期の後半は消灯する。
【００１７】
結果的に、有機ＥＬ素子３は、エージング処理期間において６０Ｈｚで点滅動作する。なお、この駆動条件の場合、１フィールド周期内の点滅回数は１回であるが、図２に示したように、常時発光の場合に比して劣化速度を加速できる。
また、この駆動条件の場合、有機ＥＬ素子３に流れる瞬間的な駆動電流値は通常動作時の２倍となる。従って、隠れた欠陥に対する負荷を大きくできる。結果的に、隠れた欠陥部分の破壊を促進し、該当画素の存在が製品出荷前に発見される可能性を高めることができる。
【００１８】
その一方で、通常動作時の２倍の駆動電流は正常な有機ＥＬ素子３に対しても作用する。従って、この駆動電流は、正常な有機ＥＬ素子３に対しても過負荷（熱負荷）を与える。しかし、この例の場合、有機ＥＬ素子３に流れる平均電流は通常動作時と同じである。すなわち、エージング処理時の平均電流は通常動作時の平均電流と同じになる。結果的に、正常な有機ＥＬ素子３に対する劣化効果を通常動作時と同じにできる。
なお、正常な有機ＥＬ素子３とは、製造バラツキを考慮して一般的な使用寿命を満足できる素子をいう。
この結果、エージング処理の時間を１／２〜１／４に短縮することができる。
【００１９】
（ｂ）駆動例２
次に、１フィールド周期内の点滅回数を複数回とする場合の駆動例を示す。
図６に、１フィールド周期内の点滅回数を８回とする場合の駆動信号例を示す。図６は、トランジスタＴ３に与える駆動信号の１サイクル内のデューティ比を５０％、駆動電流値を与えるデータ信号を通常動作時の４倍とする場合について表している。なお、エージング時間は４時間とする。
ここで、図６（Ａ）は、データ信号レベルを示す。この場合、画素回路を構成する容量素子Ｃ１には、１フィールド（６０Ｈｚ）の間、通常駆動時の４倍の信号レベルを有するデータ信号が保持される。
【００２０】
図６（Ｂ）は、トランジスタＴ３の制御信号レベルを示す。この場合、１フィールド周期に８回のサイクルでトランジスタＴ３はオン・オフ動作する。すなわち、図６（Ｃ）に示すように、有機ＥＬ素子３は１フィールド周期に８回点灯と消灯を繰り返す。
結果的に、有機ＥＬ素子３は、エージング処理期間において４８０Ｈｚで点滅動作する。なお、この駆動条件の場合、１フィールド周期内の点滅回数は８回であり、図２に示したように、常時発光の場合に比して劣化速度を加速できる。
また、この駆動条件の場合、有機ＥＬ素子３に流れる瞬間的な駆動電流値は通常動作時の４倍となる。従って、隠れた欠陥に対する負荷は、前例の場合に比して更に大きくなる。結果的に、隠れた欠陥部分の破壊を一段と促進することができ、該当画素の存在が製品出荷前に発見される可能性を高めることができる。
【００２１】
ところで、この例の場合、有機ＥＬ素子３には通常動作時の４倍の駆動電流が流れる。なお、デューティ比は５０％である。このため、有機ＥＬ素子３に流れる平均電流は通常動作時の２倍となる。すなわち、この駆動例２の平均電流は、駆動例１の平均電流の２倍となる。
結果的に、この駆動例２のパネル温度は、駆動例１のパネル温度よりも高くなり、初期劣化を一段と加速できる。勿論、エージング処理に要する時間は更に短縮できる。
この効果を、図７に示す。図７は、駆動例２の駆動条件でエージング処理した有機ＥＬパネルについて後発的に現れる欠陥画素数を表す図である。
駆動例２を適用した場合、４０００時間後も滅点画素は１個程度しか出現しないことが分かる。一方、常時点灯の場合、同じ時間で５個程度の欠陥画素が出現する可能性がある。
【００２２】
（ｃ）駆動例３
駆動例１及び駆動例２の場合、デューティ比を５０％に設定した。しかし、デューティ比は、他の値に設定することができる。ここで、デューティ比の可変範囲は、他の駆動条件（データ信号レベル、点滅サイクル（周波数）、パネルの材料や回路構成など）も加味して設定する。例えば、１サイクル内の４０％〜８０％の範囲で設定する。
図８に、１フィールド周期内の点滅回数を１回、その点灯期間の１フィールド周期に対するデューティ比を８０％とする場合の駆動信号例を示す。なお、データ信号は通常動作時の４倍とする。
この場合、瞬間的に加わる電流負荷は駆動例２と同じであるが、有機ＥＬ素子３に流れる平均駆動電流は通常動作時の３．２倍となる。このため、パネル温度はより高くなり、エージング効果はより高くなる。
【００２３】
ただし、パネルの温度が上昇しすぎると、正常な有機ＥＬ素子にまで大きなダメージを与える可能性がある。従って、パネル温度が適当な範囲に収まる範囲でデューティ比を任意に調整できることが望ましい。例えば、デューティ比を４０％に調整すれば、有機Ｅｌ素子３に流れる瞬間的な電流値は通常時の４倍のまま、平均電流だけを半減できる。すなわち、平均電流値を通常時の１．６倍に低減できる。
このような手法により、エージング対象とするパネルに応じた適切な条件を選択すれば良い。
なお、このデューティ比の可変は、エージング処理中に実行しても良い。勿論、予め適当なデューティ比を確定した後は、エージング処理中は同じ値に固定しても良い。
いずれにしても、デューティ比を任意に可変できれば、エージング効果の加速効果を最適化できる。
【００２４】
（ｄ）駆動例４
駆動例１では、有機ＥＬ素子３を６０Ｈｚで点滅駆動する場合について説明し、駆動例２では、有機ＥＬ素子３を４８０Ｈｚで点滅駆動する場合について説明した。しかし、点滅周期を与える制御信号の周波数はこれらに限らない。ここでの周波数の可変範囲も、他の駆動条件（データ信号レベル、デューティ比、パネルの材料や回路構成など）も加味して設定すれば良い。例えば、６０Ｈ〜７００Ｈｚ、好ましくは３００Ｈｚ〜７００Ｈｚの範囲で設定すれば良い。
【００２５】
図９に、駆動周波数の違いによるエージング効果を示す。なお、駆動電流のピーク電流値は、通常動作時の２倍とする。また、図９の縦軸は実験開始時の発光量を“１”として表した発光輝度の相対値であり、横軸は実験時間である。
図９に示すように、有機ＥＬ素子３を３００Ｈｚで点滅駆動する場合に比して、７００Ｈｚで点滅動作する場合の劣化速度が高いことが分かる。一般に、周波数が高くなるほど劣化速度が高くなる傾向がある。
従って、駆動電流のピーク電流値やデューティ比が固定の場合、周波数の可変により劣化速度を調整できる。
【００２６】
この効果を、図１０に示す。図１０は、駆動例４の駆動条件でエージング処理した有機ＥＬパネルについて後発的に現れる欠陥画素数を表す図である。
例えば、駆動電流を３００Ｈｚで交流駆動する場合、４０００時間後も滅点画素は２個程度しか出現しないことが分かる。また例えば、駆動電流を７００Ｈｚで交流駆動する場合、４０００時間後も滅点画素は１個程度しか出現しないことが分かる。
一方、常時点灯による既存の駆動条件の場合には、同じ時間で５個程度の欠陥画素が出現する可能性がある。
【００２７】
なお、この周波数の可変は、エージング処理中に実行しても良い。例えば、１フィールド周期を単位に周波数を切換制御しても良い。もっとも、１フィールド周期内に２つの周波数を切換制御しても良い。
勿論、予め適当な周波数を確定した後は、エージング処理中は同じ周波数値に固定しても良い。
いずれにしても、周波数を任意に可変できれば、エージング効果の加速効果を最適化できる。
【００２８】
（Ｄ）エージング装置
図１１に、エージング処理に使用されるエージング装置の構成例を示す。エージング装置２１は、有機ＥＬパネル２３と接続ケーブル２５を通じて接続され、有機ＥＬパネル２３の発光制御に必要な駆動信号や各種の電源電圧を供給する。
ここでの電源電圧には、画素回路の駆動に必要な電源電圧Ｖｃｃ（１５Ｖ）やカソード電源（０Ｖ）の他、ドライブ回路の駆動に必要な電源電圧が含まれる。
ここでの駆動信号には、ドライブ回路を構成するシフトレジスタのクロック信号やスタートパルス信号の他、エージング用のデータ信号も含まれる。
図では、これらアクティブマトリクス駆動に必要な信号や電源電圧を発生する回路を駆動信号発生回路２１Ａと示す。
【００２９】
また、有機ＥＬパネル２３の発光制御に必要な駆動信号には、駆動電流の交流駆動に必要なタイミング信号も含まれる。点灯・消灯制御回路１３は、このタイミング信号によってトランジスタＴ３の開閉を制御する制御信号を生成する。すなわち、このタイミング信号により、トランジスタＴ３の開閉タイミング（駆動電流のデューティ比、サイクル数）が制御される。
図では、１フィールド周期内に１回以上の点滅動作を実現するタイミング信号を発生する回路を駆動信号発生回路２１Ｂと示す。
これら２つの駆動信号発生回路２１Ａ及びＢの搭載により、前述したエージング処理が実現される。
なお、ドライブ回路を搭載する前にパネルをエージング処理する場合、駆動信号発生回路２１Ａは、データ信号やライン選択信号を直接印加する。またこの場合、駆動信号発生回路２１Ｂは、トランジスタＴ３を交流駆動する制御信号を直接印加する。
【００３０】
（Ｅ）他の形態例
（ａ）前述の形態例は、図４に示す画素回路を前提に説明した。しかし、これと等価な画素回路だけでなく、図１２に示すような画素回路にも適用できる。図１２に示す画素回路は、トランジスタＴ３をトランジスタＴ２と有機ＥＬ素子３との間に接続する点で異なっている。この構成を採用する場合にもエージング効果の加速を実現できる。
（ｂ）前述の形態例では、エージング処理時に印加されるデータ信号のピーク電流値を、通常動作時の２倍又は４倍に設定する場合について説明した。
しかし、ピーク電流値はこれらに限る必要はなく、任意の値に設定できる。
（ｃ）前述の形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。特に、エージング処理条件に関する数値（例えば、周波数、駆動電流のピーク値、電源電圧、エージング時間）は、画素回路の構造（材料を含む）や回路構成に応じた最適値を選択すれば良い。また、本明細書の記載に基づいて創作される各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】初期劣化特性を説明する図である。
【図２】駆動電流を定電流駆動する場合と交流駆動する場合との初期劣化特性の違いを説明する図である。
【図３】アクティブマトリクス駆動方式の画素回路例（２トランジスタ型）を示す図である。
【図４】アクティブマトリクス駆動方式の画素回路例（３トランジスタ型）を示す図である。
【図５】１フィールド周期内に１回点滅駆動させるエージング駆動例を説明する図である。
【図６】１フィールド周期内に８回点滅駆動させるエージング駆動例を説明する図である。
【図７】エージング処理後における欠陥画素の出現特性を示す図である。
【図８】点灯期間を１フィールド周期内の８０％とする場合のエージング駆動例を説明する図である。
【図９】駆動周波数に応じた初期劣化特性の違いを説明する図である。
【図１０】エージング処理後における欠陥画素の出現特性を示す図である。
【図１１】エージング装置の構成例を示す図である。
【図１２】アクティブマトリクス駆動方式の他の画素回路例（３トランジスタ型）を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１、１１  画素回路
３        有機ＥＬ素子
５        データ信号選択回路
７        ライン選択回路
１３      点灯・消灯制御回路
２１      エージング装置
２１Ａ    駆動信号発生回路
２１Ｂ    駆動信号発生回路
２３      有機ＥＬパネル
【図１】
2006195030.tif 000003
【図２】
2006195030.tif 000004
【図３】
2006195030.tif 000005
【図４】
2006195030.tif 000006
【図５】
2006195030.tif 000007
【図６】
2006195030.tif 000008
【図７】
2006195030.tif 000009
【図８】
2006195030.tif 000010
【図９】
2006195030.tif 000011
【図１０】
2006195030.tif 000012
【図１１】
2006195030.tif 000013
【図１２】
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