(57)【要約】【課題】封止部材と基板との接着力を高めることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】本発明によれば，発光領域Ａ及び非発光領域Ｂを有する基板２００上に設けられた薄膜トランジスタＥ及び配線２３０ｃと；発光領域Ａ及び非発光領域Ｂ上に設けられた第１の絶縁膜２４０と；第１の絶縁膜２４０上に設けられた画素電極２４５を部分的に露出させるよう，第１の絶縁膜２４０上に設けられた無機膜からなる第２の絶縁膜２５０と；非発光領域Ｂにおける第２の絶縁膜２５０上に設けられた封止部材２７０と；を備える有機ＥＬ表示装置が提供される。このように画素定義膜を無機膜２５０で形成し，非発光領域Ｂにまで無機膜２５０を形成することにより，非発光領域Ａの平坦化膜２４０と封止部材２７０との間に無機膜を介在させて，封止部材２７０の接着力を向上できる。【選択図】図２Ｂ
2006114499.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域及び非発光領域を有する基板上に設けられた薄膜トランジスタ及び配線と；
前記基板の前記発光領域及び前記非発光領域上に設けられた第１の絶縁膜と；
前記発光領域における前記第１の絶縁膜上に設けられた画素電極と；
前記画素電極を部分的に露出させるよう，少なくとも前記非発光領域における前記第１の絶縁膜上に設けられ，無機膜からなる第２の絶縁膜と；
前記画素電極上に設けられた発光層と；
前記非発光領域における前記第２の絶縁膜上に設けられた封止部材と；
を備えることを特徴とする，有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記非発光領域上の前記第１の絶縁膜は，少なくとも１つの溝を備え，
前記第２の絶縁膜は，前記溝を満たすことを特徴とする，請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されることを特徴とする，請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記溝は，前記第１の絶縁膜の下部に位置する前記配線を露出させ，前記露出された配線は，前記第２の絶縁膜と接することを特徴とする，請求項２または３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜と前記第１の絶縁膜の下部に位置する前記配線との間に介在する無機保護層を更に備えることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
前記非発光領域上の前記第１の絶縁膜は，少なくとも１つの溝を備え，
前記溝は，前記第１の絶縁膜の下部に位置する前記無機保護膜を露出させ，前記露出された無機保護膜は，前記第２の絶縁膜と接することを特徴とする，請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
前記溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されることを特徴とする，請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜は，シリコン酸化膜の単一膜，シリコン窒化膜の単一膜，及びシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜は，有機膜であることを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
前記有機膜は，ポリアクリル系樹脂，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ポリアミド系樹脂，ポリイミド系樹脂，不飽和ポリエステル系樹脂，ポリフェニレン系樹脂，ポリフェニレンサルファイド系樹脂，及びベンゾシクロブテンからなる群より選択された少なくとも一つの物質からなることを特徴とする，請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
発光領域及び非発光領域を備える基板上に薄膜トランジスタ及び配線を形成する段階と；
前記基板の前記発光領域及び前記非発光領域上に第１の絶縁膜を形成する段階と；
前記発光領域の前記第１の絶縁膜にビアホールを形成する段階と；
前記ビアホールを介して下部の前記薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階と；
前記基板上の前記第１の絶縁膜上に無機絶縁膜を形成し，前記画素電極を露出させるように当該無機絶縁膜をパターニングして，少なくとも前記非発光領域に積層される第２の絶縁膜を形成する段階と；
前記発光領域において露出された前記画素電極上に発光層を形成した後，前記基板を封止する段階と；
を含むことを特徴とする，有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記発光領域上の前記第１の絶縁膜上にビアホールを形成すると共に，前記非発光領域上の前記第１の絶縁膜に少なくとも１つの溝を形成する段階
をさらに含むことを特徴とする，請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されることを特徴とする，請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記溝は，前記第１の絶縁膜の下部に位置する前記配線を露出させ，前記第２の絶縁膜と前記配線とが接するように形成されることを特徴とする，請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の絶縁膜を形成する前に，前記発光領域及び前記非発光領域上に無機保護層を形成する段階
をさらに含むことを特徴とする，請求項１１〜１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の絶縁膜の下部に位置する前記無機保護膜を露出させ，前記露出された無機保護膜と前記第２の絶縁膜とが接するように，前記非発光領域上の前記第１の絶縁膜に少なくとも１つの溝を形成する段階
をさらに含むことを特徴とする，請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されることを特徴とする，請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の絶縁膜は，シリコン酸化膜の単一膜，シリコン窒化膜の単一膜，及びシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなる群より選択された少なくとも一つであることを特徴とする，請求項１１〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の絶縁膜は，有機膜であることを特徴とする，請求項１１〜１８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記有機膜は，ポリアクリル系樹脂，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，ポリアミド系樹脂，ポリイミド系樹脂，不飽和ポリエステル系樹脂，ポリフェニレン系樹脂，ポリフェニレンサルファイド系樹脂，及びベンゾシクロブテンからなる群より選択された少なくとも一つの物質であることを特徴とする，請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記発光層は，レーザー熱転写方法で形成されることを特徴とする，請求項１１〜２０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記基板を封止する段階では，前記非発光領域の前記第２の絶縁膜上に封止部材を形成し，当該封止部材上に封止基板を合着することにより，前記基板を封止することを特徴とする，請求項１１〜２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法に関し，より詳細には，封止部の下部に存在する絶縁膜に溝を形成し，その上部に存在する無機膜との接着力を強化させる有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置のうち，有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）は，応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し，消費電力が低く，自発光なので視野角に問題がなく，装置の大きさに拘わらず，動画像表示媒体として長所がある。また，低温で製作可能であり，既存の半導体工程技術を基に製造でき製造工程が簡単である。従って，今後，次世代平板表示装置として注目されている。
【０００３】
この有機エレクトロルミネッセンス表示装置は，絶縁基板上に形成された有機発光素子と，この有機発光素子の上部で下部絶縁基板に対向する封止基板とからなる。
【０００４】
しかし，上記従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では，有機発光素子の発光層材料とカソード電極物質とが，耐湿性及び耐酸化性に劣るため，ディスプレイの動作に劣化を発生させ，この劣化は黒点（Ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）と呼ばれる非発光領域を生成させる原因となっていた。さらに，時間の経過とともに，この黒点領域は周囲に広がり，この結果，素子全体が発光しなくなるという問題点があった。
【０００５】
この問題を解決するため，一般的に，有機発光素子が水分及び酸素に曝されることを防ぐために，封止（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）工程が行われる。この封止工程では，封止基板内に吸湿剤を形成し，その後，当該吸湿剤を封止基板内部に固定した後，窒素（Ｎ２），アルゴン（Ａｒ）などの非活性ガス雰囲気下で，下部絶縁基板と上部絶縁基板とを封止部材を介して相互に合着していた。
【特許文献１】米国特許第６，５３１，８１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし，全面発光型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合，有機発光素子を製造するために必須の有機平坦化層（ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ），または有機膜からなる画素定義層（ｐｉｘｃｅｌ  ｄｅｆｉｎｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）によって，封止部材と基板との接着力が低下するという問題があった。従って，これは，上記のような劣化，または黒点（Ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）による不良を発生させる原因となっていた。
【０００７】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，封止部材と基板との接着力を高めることが可能な，新規かつ改良された有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，発光領域及び非発光領域を有する基板上に設けられた薄膜トランジスタ及び配線と；基板の発光領域及び非発光領域上に設けられた第１の絶縁膜と；発光領域における第１の絶縁膜上に設けられた画素電極と；画素電極を部分的に露出させるよう，少なくとも非発光領域における第１の絶縁膜上に設けられ，無機膜からなる第２の絶縁膜と；画素電極上に設けられた発光層と；非発光領域における第２の絶縁膜上に設けられた封止部材と；を備えることを特徴とする，有機エレクトロルミネッセンス表示装置が提供される。
【０００９】
また，上記非発光領域上の第１の絶縁膜は，少なくとも１つの溝を備え，第２の絶縁膜は，溝を満たすようにしてもよい。
【００１０】
また，上記溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されるようにしてもよい。
【００１１】
また，上記溝は，第１の絶縁膜の下部に位置する配線を露出させ，露出された配線は，第２の絶縁膜と接するようにしてもよい。
【００１２】
また，上記第１の絶縁膜と第１の絶縁膜の下部に位置する配線との間に介在する無機保護層を更に備えるようにしてもよい。
【００１３】
また，上記非発光領域上の第１の絶縁膜は，少なくとも１つの溝を備え，この溝は，第１の絶縁膜の下部に位置する無機保護膜を露出させ，露出された無機保護膜は，第２の絶縁膜と接するようにしてもよい。また，かかる溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されるようにしてもよい。
【００１４】
また，上記第２の絶縁膜は，シリコン酸化膜の単一膜，シリコン窒化膜の単一膜，及びシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなる群より選択された少なくとも一つであるようにしてもよい。
【００１５】
また，上記第１の絶縁膜は，有機膜であるようにしてもよい。
【００１６】
また，上記有機膜は，ポリアクリル系樹脂（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ），エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ），フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ），ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ），ポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ），不飽和ポリエステル系樹脂（Ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ），ポリフェニレン系樹脂（Ｐｏｌｙ（Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）  ｒｅｓｉｎ）  ，ポリフェニレンサルファイド系樹脂（Ｐｏｌｙ（Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）  ｒｅｓｉｎ）及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）からなる群より選択された少なくとも一つの物質からなるようにしてもよい。
【００１７】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，発光領域及び非発光領域を備える基板上に薄膜トランジスタ及び配線を形成する段階と；基板の発光領域及び非発光領域上に第１の絶縁膜を形成する段階と；発光領域の第１の絶縁膜にビアホールを形成する段階と；ビアホールを介して下部の薄膜トランジスタと接続される画素電極を形成する段階と；基板上の第１の絶縁膜上に無機絶縁膜を形成し，画素電極を露出させるように当該無機絶縁膜をパターニングして，少なくとも非発光領域に積層される第２の絶縁膜を形成する段階と；発光領域において露出された画素電極上に発光層を形成した後，基板を封止する段階と；を含むことを特徴とする，有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法が提供される。
【００１８】
また，上記発光領域上の第１の絶縁膜上にビアホールを形成すると共に，非発光領域上の第１の絶縁膜に少なくとも１つの溝を形成する段階をさらに含むようにしてもよい。
【００１９】
また，上記溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されるようにしてもよい。
【００２０】
また，上記溝は，第１の絶縁膜の下部に位置する配線を露出させ，第２の絶縁膜と配線とが接するように形成されるようにしてもよい。
【００２１】
また，上記第１の絶縁膜を形成する前に，発光領域及び非発光領域上に無機保護層を形成する段階をさらに含むようにしてもよい。
【００２２】
また，上記第１の絶縁膜の下部に位置する無機保護膜を露出させ，露出された無機保護膜と第２の絶縁膜とが接するように，非発光領域上の第１の絶縁膜に少なくとも１つの溝を形成する段階をさらに含むようにしてもよい。
【００２３】
また，上記溝は，円形または多角形の孔，スリット，又は，トレンチで構成されるようにしてもよい。
【００２４】
また，上記第２の絶縁膜は，シリコン酸化膜の単一膜，シリコン窒化膜の単一膜，及びシリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜からなる群より選択された少なくとも一つであるようにしてもよい。
【００２５】
また，上記第１の絶縁膜は，有機膜であるようにしてもよい。
【００２６】
この有機膜は，ポリアクリル系樹脂（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ），エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ），フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ），ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ），ポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ），不飽和ポリエステル系樹脂（Ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ），ポリフェニレン系樹脂（Ｐｏｌｙ（Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）  ｒｅｓｉｎ）  ，ポリフェニレンサルファイド系樹脂（Ｐｏｌｙ（Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）  ｒｅｓｉｎ）及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）からなる群より選択された少なくとも一つの物質であるようにしてもよい。
【００２７】
また，上記発光層は，レーザー熱転写方法で形成されるようにしてもよい。
【００２８】
また，上記基板を封止する段階では，非発光領域の第２の絶縁膜上に封止部材を形成し，当該封止部材上に封止基板を合着することにより，基板を封止するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように本発明によれば，画素定義膜を無機膜である第２の絶縁膜で形成し，非発光領域にまで第２の絶縁膜を形成する。これにより，非発光領域の平坦化膜である第１の絶縁膜と封止部材との間に，無機膜を介在させることができるので，有機エレクトロルミネッセンス表示装置における封止部材の接着力を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また，図面において，層及び領域の長さ，厚さなどは，説明の便宜上，誇張して表現される場合ある。
【００３１】
（第１の実施形態）
まず，本発明の第１の実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法について説明する。
【００３２】
図１は，本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図である。
【００３３】
図１を参照すれば，発光領域（Ａ）及び非発光領域（Ｂ）を有する基板２００において，例えば，中央部に位置する矩形状の発光領域（Ａ）には，複数個の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）が配置される。複数個の有機エレクトロルミネッセンス素子は，発光領域（Ａ）の外部に存在するスキャンドライバ及びデータドライバ等のドライバ３００により，信号に応じて駆動する。
【００３４】
発光領域（Ａ）の一側面以上（図では４側面）の非発光領域（Ｂ）には，例えば，発光領域（Ａ）を取り囲むようにして封止部材２７０が配設される。さらに，有機エレクトロルミネッセンス素子及び封止部材２７０の上部には，封止基板２８０が配設されている。このように，上記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子は，封止部材２７０及び封止基板２８０によって封止される。
【００３５】
また，電源供給ライン２３０ｃは，基板２００の発光領域（Ａ）の一側面以上に配置され，有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電源を供給する配線である。したがって，非発光領域（Ｂ）に位置する電源供給ライン２３０ｃは，封止部材２７０の下部に位置することになる。
【００３６】
図２Ａ及び図２Ｂは，本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の単位画素及び封止部を示す，図１のＩ−Ｉ’線での断面図である。
【００３７】
図２Ａ，Ｂを参照すれば，発光領域（Ａ）及び非発光領域（Ｂ）を有する基板２００は，封止基板２８０及び封止部材２７０によって封止されている。
【００３８】
発光領域（Ａ）及び非発光領域（Ｂ）を有する基板２００上に，薄膜トランジスタ（Ｅ），キャパシタ及び配線２３０Ｃが配設されている。例えば，基板２００の発光領域（Ａ）及び非発光領域（Ｂ）上に，第１の絶縁膜２４０が設けられている
【００３９】
第１の絶縁膜２４０は，例えば有機膜で構成される。具体的には，この第１の絶縁膜２４０は，例えば，ポリアクリル系樹脂（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ），エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ），フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ），ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ），ポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ），不飽和ポリエステル系樹脂（Ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ），ポリフェニレン系樹脂（Ｐｏｌｙ（Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）  ｒｅｓｉｎ），ポリフェニレンサルファイド系樹脂（Ｐｏｌｙ（Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ）  ｒｅｓｉｎ）及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）からなる群より選択された少なくとも一つの物質からなるものであってよい。
【００４０】
また，発光領域（Ａ）の第１の絶縁膜２４０上には，画素電極２４５が設けられている。この画素電極２４５は，第１の絶縁膜２４０に形成されたビアホールを介して，トランジスタ（Ｅ）に接続される。また，発光領域（Ａ）の画素電極２４５を部分的に露出させる，非発光領域（Ｂ）上にも位置する第２の絶縁膜２５０が形成される。この第２の絶縁膜２５０は，例えば無機膜で構成される。
【００４１】
第２の絶縁膜２５０は，例えば，シリコン酸化膜の単一膜，シリコン窒化膜の単一膜，及び，シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜，からなる群より選択された少なくとも一つで形成できる。
【００４２】
露出された画素電極２４５上には，発光層２５５が設けられている。また，非発光領域（Ｂ）の第２の絶縁膜２５０上には，上記封止部材２７０が設けられる。
【００４３】
このように，非発光領域（Ｂ）上において，有機物質からなる第１の絶縁膜２４０と，封止部材２７０との間には，無機物質からなる第２の絶縁膜２５０が介在する構造となっている。したがって，第１の絶縁膜２４０と封止部材２７０との間の接着力の問題を解決することができ，無機物質である第２の絶縁膜２５０によって，当該接着力を強化できる。
【００４４】
また，発光領域（Ａ）において，薄膜の形態で均一な厚さを有する無機物質に第２の絶縁膜２５０，すなわち画素定義膜を使用することにより，薄い厚さを有する画素定義膜を設けることができる。これによって，レーザー熱転写法を用いた発光層のパターニングの際に，パターニング特性を向上できる。
【００４５】
非発光領域（Ｂ）上の第１の絶縁膜２４０は，少なくとも１つ（図では例えば２つ）の溝２４２を備え，第２の絶縁膜２５０は，この溝２４２を埋めるように，溝２４２内に充満している。
【００４６】
非発光領域（Ｂ）上の第１の絶縁膜２４０が上記溝２４２を備えるようにするために，例えば，円形または多角形の孔（ｈｏｌｅ），スリット（ｓｌｉｔ），及びトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ；深い溝）からなる群より選択された少なくとも一つを，第１の絶縁膜２４０に形成するようにしてもよい。
【００４７】
また，溝２４２は，第１の絶縁膜２４０下部の配線２３０ｃを露出し，露出された配線２３０ｃは，第２の絶縁膜２５０と接することができる。
【００４８】
したがって，溝２４２により，第２の絶縁膜２５０と第１の絶縁膜２４０との接触面積が増加し，この溝２４２を介して，下部の配線２３０ｃと第２の絶縁膜２５０とが接することになるので，接着力をより向上することができる。
【００４９】
さらに，第１の絶縁膜２４０と，第１の絶縁膜２４０下部の配線２３０ｃとの間に，無機保護膜２３５を介在させるようにしてもよい。無機保護膜２３５を介在することにより，薄膜トランジスタ（Ｅ）の半導体層を保護することができ，より好ましい。
【００５０】
このとき，非発光領域（Ｂ）上の第１の絶縁膜２４０は，少なくとも１つの溝２４２を備えているため，第１の絶縁膜２４０下部の無機保護膜２３５が露出され，露出された無機保護膜２３５は，第２の絶縁膜２５０と接することができる。
【００５１】
また，非発光領域（Ｂ）上の第１の絶縁膜２４０が少なくとも１つの溝２４２を備えるようにするために，例えば，円形または多角形の孔，スリット，及びトレンチからなる群より選択された少なくとも一つを，第１の絶縁膜２４０に形成するようにしてもよい。
【００５２】
上記と同様に，溝２４２により，第２の絶縁膜２５０と第１の絶縁膜２４０との接触面積が増え，溝２４２を介して，下部の無機保護膜２３５と第２の絶縁膜２５０とが接することになるので，接着力をより向上することができる。
【００５３】
以上のように本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置では，画素定義膜を無機膜である第２の絶縁膜２５０で形成し，この第２の絶縁膜２５０を非発光領域（Ｂ）にまで形成する。これにより，非発光領域（Ｂ）の平坦化膜である第１の絶縁膜２４０と封止部材２７０との間に無機膜を介在させて，基板２００に対する封止部材２７０の接着力を高めることができる。
【００５４】
さらに，平坦化膜である第１の絶縁膜２４０に溝２４２を形成して，上部の無機画素定義膜である第１の絶縁膜２５０との接着面積を更に広げ，封止機能をより強化することができる。
【００５５】
次に，上記図２Ａ及び図２Ｂを参照して，本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について説明する。
【００５６】
図２Ａに示すように，まず，発光領域（Ａ）及び非発光領域（Ｂ）を有する基板２００上に，薄膜トランジスタ（Ｅ），キャパシタ及び配線２３０ｃを形成する。
【００５７】
即ち，まず，基板２００上にバッファ層２０５を形成する。バッファ層２０５は，必ずしも形成されなくてもよいが，素子の製造過程の中で基板２００から発生する不純物が素子の内部に流れ込まれることを防止するために，バッファ層２０５を形成することが好ましい。バッファ層２０５は，例えば，シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ），シリコン酸化膜（ＳｉＯ２），及びシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）からなる群より選択される少なくとも一つの膜で形成できる。
【００５８】
次いで，発光領域（Ａ）の上記バッファ層２０５上に半導体層２１０を形成する。半導体層２１０は，例えば，非晶質，あるいは，非晶質シリコン膜を結晶化した結晶質シリコン膜などで形成できる。
【００５９】
さらに，半導体層２１０上にゲート絶縁膜２１５を形成する。ゲート絶縁膜２１５は，通常の絶縁膜，例えば，シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）で形成できる。さらに，ゲート絶縁膜２１５が形成された基板上に，ゲート電極２２０を形成する。
【００６０】
その後，ゲート電極２２０上部に層間絶縁膜２２５を形成する。さらに，層間絶縁膜２２５内に，半導体層２１０のソース領域及びドレイン領域をそれぞれ露出させるためのコンタクトホールを形成する。次いで，層間絶縁膜２２５上に導電膜を積層してパターニングすることにより，発光領域（Ａ）上に，上記露出されたソース領域及びドレイン領域とそれぞれ接するソース電極２３０ａ及びドレイン電極２３０ｂを形成する。一方，非発光領域（Ｂ）上には，配線，例えば電源供給ライン２３０ｃを形成する。
【００６１】
次いで，基板２００の発光領域（Ａ）及び非発光領域（Ｂ）上に第１の絶縁膜２４０を形成する。第１の絶縁膜２４０は，例えば，有機膜で形成される。
【００６２】
発光領域（Ａ）の第１の絶縁膜２４０上にビアホールを形成して，ドレイン電極２３０ｂの一部を露出させる。
【００６３】
このとき，基板２００の発光領域（Ａ）の第１の絶縁膜２４０上にビアホールを形成するとともに，非発光領域（Ｂ）の第１の絶縁膜２４０に，少なくとも１つの溝２４２を形成してもよい。
【００６４】
このように，第１の絶縁膜２４０に少なくとも１つの溝２４２を形成するために，例えば，円形または多角形のホール，スリット，及びトレンチからなる群より選択された少なくとも一つを，第１の絶縁膜２４０に形成するようにしてもよい。
【００６５】
かかる溝２４２は，第１の絶縁膜２４０下部に位置する配線２３０ｃを露出させることができる。
【００６６】
また，上記第１の絶縁膜２４０を形成する前に，半導体層２１０の保護のために，無機保護膜２３５を形成する段階をさらに含むようにしてよい。この時，非発光領域（Ｂ）上の第１の絶縁膜２４０は，少なくとも１つの溝２４２を形成して，第１の絶縁膜２４０下部の無機保護膜２３５を露出することができる。
【００６７】
次いで，図２Ｂに示すように，上記ビアホールを介して下部の薄膜トランジスタ（Ｅ）と接続されるように，画素電極２４５を形成する。
【００６８】
さらに，上記画素電極２４５が形成された基板２００の第１の絶縁膜２４０上に，発光領域（Ａ）及び非発光領域（Ｂ）にわたる無機絶縁膜（第２の絶縁膜２５０）を積層し，この無機絶縁膜をパターニングして発光領域（Ａ）上の画素電極２４５を露出させる。このようにして，少なくとも非発光領域（Ｂ）において第１の絶縁膜２４０上に第２の絶縁膜２５０を形成する。
【００６９】
この第２の絶縁膜２５０は，例えば，シリコン酸化膜の単一膜，シリコン窒化膜の単一膜，又は，シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜などの無機膜で形成することができる。
【００７０】
このようにして，非発光領域（Ｂ）上において，有機物質からなる第１の絶縁膜２４０と封止部材２７０との間には，無機物質からなる第２の絶縁膜２５０が形成される。これにより，第１の絶縁膜２４０が有機膜であることに起因する第１の絶縁膜２４０と封止部材２７０との接着力の問題を解決することができ，無機物質である第２の絶縁膜２５０によって封止部材２７０との接着力を強化できる。
【００７１】
そして，上記溝２４２により，第２の絶縁膜２５０と第１の絶縁膜２４０との接触面積が増加し，溝２４２を介して，下部の配線２３０ｃと第２の絶縁膜２５０とが接することになるので，接着力を更に向上することができる。
【００７２】
また，第１の絶縁膜２４０下部に無機保護層２３５を形成した場合でも，溝２４２により露出された無機保護層２３５が第２の絶縁膜２５０と接することになるので，接着力を向上できる。
【００７３】
次いで，発光領域（Ａ）において，薄膜の形態で均一な厚さを有する無機膜で，第２の絶縁膜２５０を形成する。これにより，画素定義膜である第２の絶縁膜２５０も，薄い厚さで形成できる。したがって，レーザー熱転写法を用いた発光層のパターニングの際に，ドナー基板と画素電極との間隔を低減できるので，レーザー転写の特性を向上することができる。
【００７４】
さらに，発光領域（Ａ）の露出された画素電極２４５上に，発光層２５５を形成する。発光層２５５を形成することは，レーザー熱転写方法で形成することであってもよい。
【００７５】
この発光層２５５を形成した後，発光領域（Ａ）の上部に対向電極２６０を形成し，さらに，基板２００を封止する。
【００７６】
この基板２００の封止は，例えば，非発光領域（Ｂ）の第２の絶縁膜２５０上に，上記封止部材２７０を形成し，さらに，上記封止基板２８０を封止部材２７０に合着して封止することでなされる。
【００７７】
以上説明したように，本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法によれば，非発光領域（Ｂ）上において，有機物からなる第１の絶縁膜２４０と，封止部材２７０との間に，無機物からなる第２の絶縁膜２５０を形成することにより，第１の絶縁膜２４０が有機膜であることから発生した封止部材と２７０の接着力の問題を解決することができる。つまり，無機物である第２の絶縁膜２５０を介在させることで，第１の絶縁膜２４０と封止部材２７０との接着力を強化し，双方を強固に接合することができる。
【００７８】
また，発光領域（Ｂ）において，無機物質である第２の絶縁膜２５０を画素定義膜に使用することにより，均一な厚さを有する薄膜の画素定義膜を具現することができる。従って，レーザー熱転写法を用いた発光層のパターニングの際に，転写特性を向上することができるという効果がある。
【００７９】
また，非発光領域（Ｂ）に位置する第１の絶縁膜２４０に溝２４２を形成することにより，第２の絶縁膜２５０と第１の絶縁膜２４０との接触面積が増加するとともに，当該溝２４２を介して，下部の配線２３０ｃまたは下部の無機保護膜２３５と，第２の絶縁膜とが接触可能となる。従って，第２の絶縁膜２５０を介した第１の絶縁膜２４０と封止部材２７０との接着力をより向上することができる。
【００８０】
以上により，無機膜である第２の絶縁膜２５０上に封止部材２７０を形成することにより，封止部材２７０の封止能力を向上することができ，有機エレクトロルミネッセンス表示装置の発光層２５５及び対向電極２４５を，外部の湿気（水分）及び気体（酸素等）から保護して，劣化または黒点（Ｄａｒｋ  ｓｐｏｔ）による不良を防止することができる。
【００８１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を示す平面図である。
【図２Ａ】同実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の単位画素を示す，図１のＩ−Ｉ’線での断面図である。
【図２Ｂ】同実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の封止部を示す，図１のＩ−Ｉ’線での断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
２００  基板，
２０５  バッファ層
２１０  半導体層
２２５  層間絶縁膜
２３０ｃ  配線（電源供給ライン）
２３５  無機保護膜
２４０  第１の絶縁膜
２４２  溝
２４５  画素電極
２５５  発光層
２５０  第２の絶縁膜
２７０  封止部材
２８０  封止基板
３００  ドライバ
【図１】
2006114499.tif 000003
【図２Ａ】
2006114499.tif 000004
【図２Ｂ】
2006114499.tif 000005