(57)【要約】【課題】レーザ光線の幅を精密に制御しなくても，微細な転写層パターンを精密に形成することができるドナー基板ならびに該ドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のドナー基板Ｄ１は，ベース基板１０と，ベース基板１０上に配される転写層１９と，ベース基板１０と転写層１９との間に介在され，光熱変換により発熱する発熱領域および発熱領域に隣接する非発熱領域を有する選択的発熱構造体Ｓ１とを備える。かかる構成によれば，ベース基板１０に照射されたレーザ光線の一部は，選択的発熱構造体Ｓ１の発熱領域に吸収されて熱に変換され，選択的に発熱を生じさせることができる。そして，発熱領域に相当する転写層１９が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。【選択図】図２ｂ
2006123546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と；
前記ベース基板上に配される転写層と；
前記ベース基板と前記転写層との間に介在され，光熱変換により発熱する発熱領域と前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体と；
を備えることを特徴とするドナー基板。
【請求項２】
前記選択的発熱構造体は，前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンを有することを特徴とする，請求項１に記載のドナー基板。
【請求項３】
前記選択的発熱構造体は，前記光熱変換層パターンの側部を覆いながら前記ベース基板に接触されて配される反射層を有することを特徴とする，請求項２に記載のドナー基板。
【請求項４】
前記反射層は，前記光熱変換層パターンを覆うことを特徴とする，請求項３に記載のドナー基板。
【請求項５】
前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする，請求項２に記載のドナー基板。
【請求項６】
前記選択的発熱構造体は，前記光熱変換層パターンを覆う反射層をさらに有することを特徴とする，請求項５に記載のドナー基板。
【請求項７】
前記ベース基板は，陥凹部を有し，
前記選択的発熱構造体は，前記陥凹部内に選択的に配され，かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンを有することを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載のドナー基板。
【請求項８】
前記選択的発熱構造体は，前記光熱変換層パターンと前記ベース基板との上に配される反射層をさらに有することを特徴とする，請求項７に記載のドナー基板。
【請求項９】
前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする，請求項７に記載のドナー基板。
【請求項１０】
前記選択的発熱構造体は，前記光熱変換層パターンと前記ベース基板との上に配される反射層をさらに有し，
前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする，請求項７に記載のドナー基板。
【請求項１１】
前記選択的発熱構造体は，
前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ前記非発熱領域を定める反射層パターンと；
前記反射層パターンを覆う光熱変換層と；
を有することを特徴とする，請求項１に記載のドナー基板。
【請求項１２】
前記選択的発熱構造体は，前記光熱変換層上に配される反射層をさらに有することを特徴とする，請求項１１に記載のドナー基板。
【請求項１３】
前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする，請求項１１に記載のドナー基板。
【請求項１４】
前記選択的発熱構造体は，前記光熱変換層上に配される反射層をさらに有し，
前記選択的発熱構造体と前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする，請求項１１に記載のドナー基板。
【請求項１５】
ベース基板と；
前記ベース基板の一部の領域に選択的に配される光熱変換層パターンと；
前記光熱変換層パターン上に配される転写層と；
を備えることを特徴とするドナー基板。
【請求項１６】
前記光熱変換層パターンの側部を覆いながら前記ベース基板に接触されて配される反射層を備えることを特徴とする，請求項１５に記載のドナー基板。
【請求項１７】
前記反射層は，前記光熱変換層パターンを覆うことを特徴とする，請求項１６に記載のドナー基板。
【請求項１８】
前記光熱変換層パターンと前記転写層との間に介在される中間層をさらに含むことを特徴とする，請求項１５に記載のドナー基板。
【請求項１９】
前記光熱変換層パターンを覆う反射層と；
前記反射層と前記転写層との間に介在される中間層と；
をさらに含むことを特徴とする，請求項１５に記載のドナー基板。
【請求項２０】
前記ベース基板は，陥凹部を有し，
前記光熱変換層パターンは，前記陥凹部内に選択的に配されることを特徴とする，請求項１５に記載のドナー基板。
【請求項２１】
前記光熱変換層パターンおよび前記ベース基板と，前記転写層との間に介在される反射層をさらに備えることを特徴とする，請求項２０に記載のドナー基板。
【請求項２２】
前記光熱変換層パターンおよび前記ベース基板と，前記転写層との間に介在される中間層をさらに備えることを特徴とする，請求項２０に記載のドナー基板。
【請求項２３】
前記光熱変換層パターンおよび前記ベース基板上に配される反射層と；
前記反射層と前記転写層との間に介在される中間層と；
をさらに含むことを特徴とする，請求項２０に記載のドナー基板。
【請求項２４】
ベース基板と；
前記ベース基板の一部の領域に選択的に配される反射層パターンと；
前記反射層パターンを覆う光熱変換層と；
前記光熱変換層上に配される転写層と；
を備えることを特徴とするドナー基板。
【請求項２５】
前記光熱変換層と前記転写層との間に介在される反射層をさらに含むことを特徴とする，請求項２４に記載のドナー基板。
【請求項２６】
前記光熱変換層と前記転写層との間に介在される中間層をさらに含むことを特徴とする，請求項２４に記載のドナー基板。
【請求項２７】
前記光熱変換層上に配される反射層と；
前記反射層と前記転写層との間に介在される中間層と；
をさらに含むことを特徴とする，請求項２４に記載のドナー基板。
【請求項２８】
ベース基板と，前記ベース基板上に配される転写層と，前記ベース基板と前記転写層との間に介在され，光熱変換により発熱する発熱領域および前記発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体とを備えるドナー基板を準備し，
少なくとも一つの画素電極を有するアクセプタ基板上に，前記ドナー基板の前記転写層が前記アクセプタ基板に対向するように，前記ドナー基板を配し，
前記ドナー基板上に，前記発熱領域の幅より大きい幅を有するレーザ光線を照射し，前記アクセプタ基板の画素電極上に転写層パターンを形成することを特徴とする，有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記選択的発熱構造体は，前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンを有することを特徴とする，請求項２８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記ベース基板は，陥凹部を有し，
前記選択的発熱構造体は，前記陥凹部内に選択的に配され，かつ前記発熱領域を定める光熱変換層パターンを有することを特徴とする，請求項２８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記選択的発熱構造体は，前記ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ前記非発熱領域を定める反射層パターンと，前記反射層パターンを覆う光熱変換層とを有することを特徴とする，請求項２８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記転写層パターンは，有機発光層であることを特徴とする，請求項２８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記転写層パターンは，正孔輸送層，正孔注入層，正孔抑制層，電子輸送層および電子注入層のいずれか一つ以上を含むことを特徴とする，請求項３２に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ドナー基板，有機電界発光表示装置の製造方法に係り，特に，レーザ熱転写用のドナー基板，有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，レーザ熱転写は，少なくともレーザ光線，アクセプタ基板およびドナーフィルムを要し，ドナーフィルムは，基材フィルム，基材フィルムの全面に積層された光熱変換層，および光熱変換層の全面に積層された転写層を備える。レーザ熱転写に際して，ドナーフィルムは，転写層がアクセプタ基板に対向するように，アクセプタ基板上に積層される。そして，レーザ光線がドナーフィルム上に照射され，転写層パターンがアクセプタ基板上に形成される。本技術は，特許文献１，特許文献２および特許文献３に開示されている。
【０００３】
基材フィルムにレーザ光線を照射することにより，アクセプタ基板上に転写層パターンを形成する仕組みについて，以下に詳しく説明する。レーザ光線は，基材フィルムの一部の領域に照射される。この際，レーザ光線が照射された領域の光熱変換層は，レーザ光線を吸収し，吸収したレーザ光線を熱エネルギーに変換する。熱エネルギーを発生させる光熱変換層の領域に相当する領域の転写層は，アクセプタ基板に熱エネルギーにより選択的に転写されることにより，転写層パターンを形成する。この場合，転写層パターンの幅は，レーザ光線の幅に対応する。よって，転写層パターンを微細に形成したい場合，レーザ光線の幅は，精密に調整されるべきである。一方，レーザ光線の光線幅の精密な調整は，高精度のレーザ装置を要する。このような高精度のレーザ装置は高価であるため，有機電界発光表示装置の製造費を増加させる。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５９９８０８５号明細書
【特許文献２】米国特許第６２１４５２０号明細書
【特許文献３】米国特許第６１１４０８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，その目的は，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても，微細な転写層パターンを精密に形成することができる，新規かつ改良されたドナー基板，ならびに該ドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため，本発明のある観点によれば，ベース基板と，ベース基板上に配される転写層と，ベース基板と転写層との間に介在され，光熱変換により発熱する発熱領域と発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体とを備えるドナー基板が提供される。
【０００７】
かかる構成によれば，ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は，選択的発熱構造体の発熱領域に吸収されて熱に変換され，選択的に発熱を生じさせることができる。そして，発熱領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
【０００８】
上記選択的発熱構造体は，ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
【０００９】
また，上記選択的発熱構造体は，光熱変換層パターンの側部の領域でベース基板に接触されて配される反射層を有するようにしてもよい。
【００１０】
上記反射層は，光熱変換層パターンを覆うようにしてもよい。
【００１１】
上記ドナー基板は，選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
【００１２】
上記選択的発熱構造体は，光熱変換層パターンを覆う反射層をさらに有するようにしてもよい。
【００１３】
上記ベース基板は，陥凹部を有し，選択的発熱構造体は，陥凹部内に選択的に配され，かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
【００１４】
上記選択的発熱構造体は，光熱変換層パターンとベース基板との上に配される反射層をさらに有するようにしてもよい。
【００１５】
上記ドナー基板は，選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
【００１６】
上記選択的発熱構造体は，光熱変換層パターンとベース基板との上に配される反射層をさらに有するようにし，選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
【００１７】
また，上記選択的発熱構造体は，ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ非発熱領域を定める反射層パターンと，反射層パターンを覆う光熱変換層とを有するようにしてもよい。
【００１８】
また，上記選択的発熱構造体は，光熱変換層上に配される反射層をさらに有するようにしてもよい。
【００１９】
上記ドナー基板は，選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
【００２０】
上記選択的発熱構造体は，光熱変換層上に配される反射層をさらに有し，選択的発熱構造体と転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
【００２１】
また，本発明の他の観点によれば，ベース基板と，ベース基板の一部の領域に選択的に配される光熱変換（ＬＴＨＣ）層パターンと，光熱変換層パターン上に配される転写層とを備えるドナー基板が提供される。
【００２２】
かかる構成によれば，ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は，光熱変換層パターンに吸収されて熱に変換され，選択的に発熱を生じさせることができる。そして，光熱変換層パターンの発熱領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
【００２３】
上記ドナー基板は，光熱変換層パターンの側部の領域でベース基板に接触されて配される反射層を備えるようにしてもよい。
【００２４】
上記反射層は，光熱変換層パターンを覆うようにしてもよい。
【００２５】
上記ドナー基板は，光熱変換層パターンと転写層との間に介在される中間層をさらに含むようにしてもよい。
【００２６】
また，上記ドナー基板は，光熱変換層パターンを覆う反射層と，反射層と転写層との間に介在される中間層とをさらに含むようにしてもよい。
【００２７】
また，上記ベース基板は，陥凹部を有し，光熱変換層パターンは，陥凹部内に選択的に配されるようにしてもよい。
【００２８】
また，上記ドナー基板は，光熱変換層パターンおよびベース基板と，転写層との間に介在される反射層をさらに備えるようにしてもよい。
【００２９】
また，上記ドナー基板は，光熱変換層パターンおよびベース基板と，転写層との間に介在される中間層をさらに備えるようにしてもよい。
【００３０】
また，上記ドナー基板は，光熱変換層パターンおよびベース基板上に配される反射層と，反射層と転写層との間に介在される中間層とをさらに含むようにしてもよい。
【００３１】
また，本発明の他の観点によれば，ベース基板と，ベース基板の一部の領域に選択的に配される反射層パターンと，反射層パターンを覆う光熱変換層と，光熱変換層上に配される転写層とを備えるドナー基板が提供される。
【００３２】
かかる構成によれば，ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は，反射層パターンに遮蔽されない領域の光熱変換層に吸収されて熱に変換され，選択的に発熱を生じさせることができる。そして，反射層パターンに遮蔽されない領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたして選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
【００３３】
上記ドナー基板は，光熱変換層と転写層との間に介在される反射層をさらに含むようにしてもよい。
【００３４】
また，上記ドナー基板は，光熱変換層と転写層との間に介在される中間層をさらに含むようにしてもよい。
【００３５】
また，上記ドナー基板は，光熱変換層上に配される反射層と，反射層と転写層との間に介在される中間層とをさらに含むようにしてもよい。
【００３６】
また，本発明の他の観点によれば，ベース基板と，ベース基板上に配される転写層と，ベース基板と転写層との間に介在され，光熱変換により発熱する発熱領域および発熱領域に隣接する非発熱領域とを有する選択的発熱構造体とを備えるドナー基板を準備する段階。そして，少なくとも一つの画素電極を有するアクセプタ基板上に，ドナー基板の転写層がアクセプタ基板に対向するように，ドナー基板を配する段階。さらに，ドナー基板上に，発熱領域の幅より大きい幅を有するレーザ光線を照射し，アクセプタ基板の画素電極上に転写層パターンを形成する段階。上記の３つの段階からなる有機電界発光表示装置の製造方法が提供される。
【００３７】
かかる方法によれば，ベース基板に照射されたレーザ光線の一部は，選択的発熱構造体の発熱領域に吸収されて熱に変換され，選択的に発熱を生じさせることができる。そして，発熱領域に相当する転写層が熱により接着力の低下をきたしてアクセプタ基板に選択的に転写されることにより，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても微細な転写層パターンを精密に形成することができる。
【００３８】
上記選択的発熱構造体は，ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
【００３９】
上記ベース基板は，陥凹部を有し，選択的発熱構造体は，陥凹部内に選択的に配され，かつ発熱領域を定める光熱変換層パターンを有するようにしてもよい。
【００４０】
上記選択的発熱構造体は，ベース基板の一部の領域に選択的に配され，かつ非発熱領域を定める反射層パターンと，反射層パターンを覆う光熱変換層とを有するようにしてもよい。
【００４１】
上記転写層パターンは，有機発光層であるようにしてもよい。
【００４２】
また，上記転写層パターンは，正孔輸送層，正孔注入層，正孔抑制層，電子輸送層および電子注入層のいずれか一つ以上を含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によれば，レーザ光線の幅を精密に制御しなくても，微細な転写層パターンを精密に形成することができる，ドナー基板ならびに該ドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下に，添付した図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図面において，ある層が他の層または基板の上に形成されていれば，ある層が他の層または基板の上に直接形成される場合のみならず，ある層と他の層または基板との間に第３の層が介在される場合も含む。
【００４５】
図１は，本発明の第１および第２の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。
【００４６】
図１に示すとおり，ドナー基板Ｄ１，Ｄ２は，ベース基板１０，２０を備える。ベース基板１０，２０の一部の領域には，光熱変換層パターン１３，２３がそれぞれ配される。本実施形態において，光熱変換層パターン１３，２３は，発熱領域を定めることができる。
【００４７】
ドナー基板Ｄ１，Ｄ２は，有機電界発光表示装置の発光層を形成するために用いられてもよい。この場合，光熱変換層パターン１３，２３は，有機電界発光表示装置の単位画素領域に相当する。有機電界発光表示装置が赤色，緑色および青色のフルカラー画像を表示する際，赤色発光層，緑色発光層および青色発光層が，それぞれにパターン化される。この場合，３枚のドナー基板が必要とされ，３枚のドナー基板は，互いに異なる位置にそれぞれ第１光熱変換層パターン１３，２３，第２光熱変換層パターン１３’，２３’，および第３光熱変換層パターン１３”，２３”を含むことができる。図１はストライプ型の発光層パターンを形成するドナー基板を示すが，本実施形態はこれに限定されるものではなく，ドット型またはデルタ型の発光層パターンを形成するドナー基板に適用されてもよい。
【００４８】
図２ａは，図１のＩ−Ｉ’線沿いにおける本発明の第１の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。
【００４９】
図２ａに示すとおり，ドナー基板Ｄ１は，ベース基板１０を備える。ベース基板１０は，レーザ光線に対する高い透過性，優れた耐熱性，適度な可撓性および機械的強度を有することが望ましい。よって，ベース基板１０は，ポリエステルフィルム，特に，ポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタレートフィルムで形成されてもよい。ベース基板１０の厚さは，１０〜５００μｍの範囲にあることが好ましい。
【００５０】
転写層１９は，ベース基板１０上に配される。転写層１９は，ベース基板１０の全面に配される。転写層１９は，電界発光性有機層または発光層であるようにしてもよい。また，転写層１９は，正孔注入性有機膜，正孔輸送性有機膜，正孔抑制性有機膜，電子輸送性有機膜および電子注入性有機膜のいずれか一つ以上の膜をさらに備えてもよい。
【００５１】
ベース基板１０と転写層１９との間には，選択的発熱構造体Ｓ１が介在される。選択的発熱構造体Ｓ１は，光熱変換により発熱する発熱領域と，発熱領域に隣接する非発熱領域とを備える。非発熱領域は，まったく発熱しない領域を意味せず，発熱領域に対する相対的な概念として理解されるべきである。
【００５２】
本実施形態において，選択的発熱構造体Ｓ１は，ベース基板１０の一部の領域に選択的に配される光熱変換（ＬＴＨＣ：Light To Heat Conversion）層パターン１３を備える。光熱変換層パターン１３は，発熱領域を定める。光熱変換層パターン１３は，レーザ光線の一部を吸収し，吸収したレーザ光線を熱に変換する。よって，光熱変換層パターン１３において選択的に発熱を生じさせることができる。この際，光熱変換層パターン１３の発熱領域に相当する転写層１９が，熱により接着力の低下をきたし，アクセプタ基板に選択的に転写されることにより，転写層パターンが形成される。結果として，レーザ光線の幅にかかわらずに，微細な転写層パターンを形成することができる。
【００５３】
光熱変換層パターン１３は，例えばカーボンブラック，黒鉛，金属酸化物または金属硫化物などの光吸収性物質を含む。また，光熱変換層パターン１３は，結合剤をさらに含んでもよい。光熱変換層パターン１３の適例としては，有機結合剤中にカーボンブラックを分散させた有機膜や，金属酸化物または金属硫化物を含む金属膜が含まれる。光熱変換層パターン１３が有機膜であれば，スクリーン印刷法により光熱変換層パターン１３が形成される。一方，光熱変換層パターン１３が金属膜であれば，高精度マスクを用いて，真空蒸着法，電子光線蒸着法またはスパッタリング法により，光熱変換層パターン１３が形成される。
【００５４】
選択的発熱構造体Ｓ１は，光熱変換層パターン１３の側部を覆いながらベース基板１０に接触されて配される反射層１５をさらに備えてもよい。反射層１５は，レーザ光線に対する適度な反射特性を有する層であり，ベース基板１０を介して入射するレーザ光線を反射させる。よって，反射層１５は，非発熱領域を定めることができる。反射層１５は，アルミニウム膜，アルミニウム合金膜，銀膜および銀合金膜のいずれか一つ以上の膜からなることが望ましい。
【００５５】
反射層１５は，光熱変換層パターン１３を覆うことが望ましい。この場合，光熱変換層パターン１３を透過したレーザ光線は，反射層１５の光熱変換層パターン１３上の領域１５ａにより反射され，光熱変換層パターン１３内に再び反響（returned into）される。このことにより，光熱変換層パターン１３内の光熱変換率が向上される。
【００５６】
反射層１５を含む選択的発熱構造体Ｓ１と転写層１９との間には，中間層１７が介在されてもよい。中間層１７は，光熱変換層パターン１３に含まれる，例えばカーボンブラックなどの光吸収性物質による転写層１９の汚染を防止するとともに，光熱変換層パターン１３がレーザ光線を熱に変換する際に発生されるアウトガスを遮蔽する。中間層１７は，耐熱性に優れた物質で形成され，転写層１９に対して接着力を有することが望ましい。中間層１７は，有機膜，無機膜，またはこれらの複合体でもよい。有機膜であればアクリル樹脂またはアルキド樹脂からなる高分子フィルム，無機膜であれば金属酸化物膜であるようにしてもよい。
【００５７】
一方，反射層１５は省略されてもよく，この場合，中間層１７は，光熱変換層パターン１３と転写層１９との間，すなわち反射層１５を含まない選択的発熱構造体Ｓ１と転写層１９との間に介在される。具体的には，中間層１７は，光熱変換層パターン１３を覆うことができる。
【００５８】
図２ｂは，図２ａに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００５９】
図２ｂに示すとおり，図２ａに示すドナー基板Ｄ１は，転写層１９がアクセプタ基板Ａ１に対向するように，一つ以上の画素電極を有するアクセプタ基板Ａ１上に配される。そして，レーザ光線がドナー基板Ｄ１に照射される。レーザ光線は，ライン光線状にパターン化された光線でもよく，パターン化されたレーザ光線は，ドナー基板Ｄ１の発熱領域に照射される。なお，レーザ光線の幅Ｗｌは，発熱領域の幅Ｗｃより大きい。
【００６０】
ドナー基板Ｄ１に照射されたレーザ光線は，ベース基板１０を介して伝達され，光熱変換層パターン１３により部分的に吸収される（Ｌ１１）。また，光熱変換層パターン１３を覆う反射層１５が設けられた場合，光熱変換層パターン１３により吸収されず，伝達されたレーザ光線は，光熱変換層パターン１３上の反射層１５ａにより反射され，光熱変換層パターン１３内に反響される（Ｌ１２）。このことにより，光熱変換層パターン１３内の光熱変換率が向上される。一方，光熱変換層パターン１３の側部の領域に相当する反射層１５に照射されたレーザ光線は，反射層１５により反射される（Ｌ１３）。反射層１５が設けられない場合，レーザ光線は，光熱変換層パターン１３の側部の領域を透過する。結果として，光熱変換層パターン１３が形成された領域において，選択的に発熱を生じさせることができる。
【００６１】
さらに，光熱変換層パターン１３の発熱が中間層１７と転写層１９との間の接着力を低下させることにより，転写層１９がアクセプタ基板Ａ１上に選択的に転写される。よって，アクセプタ基板Ａ１上に転写層パターン１９ａを形成することができる。
【００６２】
本実施形態において，レーザ光線の幅Ｗｌは，アクセプタ基板Ａ１上にパターン化される転写層パターンの幅Ｗｔより大きくすることができる。よって，レーザ光線の幅Ｗｌを精密に制御しなくても，微細な転写層パターンを得ることができる。
【００６３】
図３ａは，図１の切断線Ｉ−Ｉ’沿いにおける本発明の第２の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。本実施形態にかかるドナー基板は，後述する点を除けば，図２ａに示すドナー基板と類似する機能を有するものである。
【００６４】
図３ａに示すとおり，ドナー基板Ｄ２は，ベース基板２０と，ベース基板２０上に配される転写層２９とを備える。
【００６５】
ベース基板２０と転写層２９との間には，選択的発熱構造体Ｓ２が介在される。選択的発熱構造体Ｓ２は，光熱変換により発熱する発熱領域と，発熱領域に隣接する非発熱領域とを備える。
【００６６】
選択的発熱構造体Ｓ２は，ベース基板２０の一部の領域に選択的に配される光熱変換層パターン２３を備える。本実施形態において，ベース基板２０は陥凹部２０ａを有し，光熱変換層パターン２３は陥凹部２０ａ内に選択的に配される。陥凹部２０ａ内に選択的に配される光熱変換層パターン２３は，発熱領域を定める。
【００６７】
陥凹部２０ａを有するベース基板２０は，例えば金型を用いて製造される。光熱変換層パターン２３は，エアナイフコートやブレードコートを用いて，陥凹部２０ａ内に選択的に形成される。
【００６８】
選択的発熱構造体Ｓ２は，光熱変換層パターン２３およびベース基板２０と，転写層２９との間に介在される反射層２５をさらに備えてもよい。反射層２５は，ベース基板２０を介して入射するレーザ光線を反射させる。具体的には，レーザ光線が反射層２５の各光熱変換層パターン２３の側部の領域に相当する領域２５ｂにより反射されるため，反射層２５は非発熱領域を定めることができる。光熱変換層パターン２３を透過したレーザ光線は，反射層２５の光熱変換層パターン２３上の領域２５ａにより反射され，光熱変換層パターン２３内に再び反響される。このことにより，光熱変換層パターン２３内の光熱変換率が向上される。
【００６９】
反射層２５を含む選択的発熱構造体Ｓ２と，転写層２９との間には，中間層２７が介在される。一方，反射層２５は省略されてもよく，この場合，光熱変換層パターン２３およびベース基板２０と，転写層２９との間には，中間層２７が介在される。
【００７０】
図３ｂは，図３ａに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００７１】
図３ｂに示すとおり，図３ａに示すドナー基板Ｄ２は，転写層２９がアクセプタ基板Ａ２に対向するように，アクセプタ基板Ａ２上に配される。そして，レーザ光線がドナー基板Ｄ２に照射される。レーザ光線は，ライン光線状にパターン化された光線でもよく，パターン化されたレーザ光線は，ドナー基板Ｄ２の発熱領域に照射される。なお，レーザ光線の幅Ｗｌは，発熱領域の幅Ｗｃより大きい。
【００７２】
ドナー基板Ｄ２に照射されたレーザ光線は，光熱変換層パターン２３により部分的に吸収される（Ｌ２１）。また，光熱変換層パターン２３上に反射層２５が設けられた場合，光熱変換層パターン２３により吸収されず，伝達されたレーザ光線は，光熱変換層パターン２３上の反射層２５ａにより反射され，光熱変換層パターン２３内に反響される（Ｌ２２）。このことにより，光熱変換層パターン２３内の光熱変換率が向上される。一方，反射層２５の光熱変換層パターン２３の側部の領域に相当する領域２５ｂに照射されたレーザ光線は，反射層２５により反射される（Ｌ２３）。反射層２５が設けられない場合，レーザ光線は，光熱変換層パターン２３の側部の領域を透過する。結果として，光熱変換層パターン２３が形成された領域において，選択的に発熱を生じさせることができる。
【００７３】
さらに，光熱変換層パターン２３の発熱が中間層２７と転写層２９との間の接着力を低下させることにより，転写層２９がアクセプタ基板Ａ２上に選択的に転写される。よって，アクセプタ基板Ａ２上に転写層パターン２９ａを形成することができる。
【００７４】
図４は，本発明の第３の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。
【００７５】
図４に示すとおり，ドナー基板Ｄ３は，ベース基板３０を備える。ベース基板３０の一部の領域には，反射層パターン３１が配される。個々の反射層パターン３１は，非発熱領域を定める。光熱変換層３３は，反射層パターン３１の側部でベース基板３０に接触された領域３１ａに配される。すなわち，接触領域３１ａは，発熱領域を定めることができる。
【００７６】
ドナー基板Ｄ３は，有機電界発光表示装置の発光層を形成するために用いられてもよい。この場合，光熱変換層３３がベース基板３０に接触される接触領域３１ａは，有機電界発光表示装置の単位画素領域に相当する。有機電界発光表示装置が赤色，緑色および青色のフルカラー画像を表示する際，３枚のドナー基板が必要とされる。３枚のドナー基板は，互いに異なる位置に第１接触領域３１ａ，第２接触領域３１ａ’および第３接触領域３１ａ”をそれぞれ有する反射層パターン３１を含む。図４はストライプ型の発光層パターンを形成するドナー基板を示すが，本実施形態はこれに限定されるものではなく，ドット型またはデルタ型の発光層パターンを形成するドナー基板に適用されてもよい。さらに，本実施形態は，アクセプタ基板上に様々な異なるパターンを形成するドナー基板に適用されてもよい。
【００７７】
図５ａは，図４の切断線Ｉ−Ｉ’沿いにおける本発明の第３の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。本実施形態にかかるドナー基板は，後述する点を除けば，図２ａに示すドナー基板と類似する機能を有するものである。
【００７８】
図５ａに示すとおり，ドナー基板Ｄ３は，ベース基板３０と，ベース基板３０上に配される転写層３９とを備える。
【００７９】
ベース基板３０と転写層３９との間には，選択的発熱構造体Ｓ３が介在される。選択的発熱構造体Ｓ３は，光熱変換により発熱する発熱領域と，発熱領域に隣接する非発熱領域とを備える。
【００８０】
選択的発熱構造体Ｓ３は，ベース基板３０の一部の領域に選択的に配される反射層パターン３１と，反射層パターン３１を覆う光熱変換層３３とを備える。光熱変換層３３は，反射層パターン３１の上と，反射層パターン３１の側部でベース基板３０に接触された領域３１ａの上とに配される。反射層パターン３１が，ベース基板３０を介して入射するレーザ光線の一部を反射させることにより，非発熱領域を定める。光熱変換層３３がベース基板３０に接する接触領域３１ａは，レーザ光線を吸収し，吸収したレーザ光線を熱に変換することにより，発熱領域を定める。
【００８１】
反射層パターン３１は，レーザ光線に対する適度な反射特性を有する膜であり，アルミニウム膜，アルミニウム合金膜，銀膜および銀合金膜のいずれか一つ以上の膜からなることが望ましい。反射層パターン３１は，高精度マスクを用いて，蒸着法によりベース基板３０上に形成される。
【００８２】
選択的発熱構造体Ｓ３は，光熱変換層３３上に配される反射層３５をさらに備えてもよい。光熱変換層３３を透過したレーザ光線は，反射層３５により反射され，光熱変換層３３内に反響される。このことにより，光熱変換層３３内の光熱変換率が向上される。
【００８３】
反射層３５を含む選択的発熱構造体Ｓ３と転写層３９との間には，中間層３７が介在される。一方，反射層３５は省略されてもよく，この場合，光熱変換層３３と転写層３９との間には，中間層３７が介在される。
【００８４】
図５ｂは，図５ａに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００８５】
図５ｂに示すとおり，図５ａに示すドナー基板Ｄ３は，転写層３９がアクセプタ基板Ａ３に対向するように，アクセプタ基板Ａ３上に配される。そして，レーザ光線がドナー基板Ｄ３に照射される。レーザ光線は，ライン光線状にパターン化された光線でもよく，パターン化されたレーザ光線は，ドナー基板Ｄ３の発熱領域に照射される。なお，レーザ光線の幅Ｗｌは，発熱領域の幅Ｗｃより大きい。
【００８６】
ドナー基板Ｄ３に照射されたレーザ光線は，ベース基板３０を介して伝達され，光熱変換層３３により部分的に吸収される（Ｌ３１）。また，光熱変換層３３の上に反射層３５が設けられた場合，光熱変換層３３により吸収されず，伝達されたレーザ光線は，反射層３５により反射され，光熱変換層３３内に反響される（Ｌ３２）。このことにより，光熱変換層３３内の光熱変換率が向上される。一方，反射層パターン３１に照射されたレーザ光線は，反射層パターン３１により反射される（Ｌ３３）。結果として，光熱変換層３３のベース基板３０に接触された領域において，選択的に発熱を生じさせることができる。
【００８７】
さらに，光熱変換層３３の発熱が中間層３７と転写層３９との間の接着力を低下させることにより，転写層３９がアクセプタ基板Ａ３上に選択的に転写される。よって，アクセプタ基板Ａ３上に転写層パターン３９ａを形成することができる。
【００８８】
図６は，図２ｂ，図３ｂおよび図５ｂの領域Ｐを示す拡大断面図であり，アクセプタ基板Ａ１，Ａ２，Ａ３が有機電界発光素子基板である場合を示す。
【００８９】
図６に示すとおり，半導体層１２０は，基板１００上の所定の領域に配される。半導体層１２０は，非晶質シリコン膜，または非晶質シリコン膜を結晶化した多結晶シリコン膜からなるようにしてもよい。ゲート絶縁膜１２５は，半導体層１２０上に配される。半導体層１２０に重畳されるゲート電極１３０は，ゲート絶縁膜１２５上に配される。半導体層１２０およびゲート電極１３０を覆う第１層間絶縁膜１３５は，ゲート電極１３０上に配される。第１層間絶縁膜１３５およびゲート絶縁膜１２５を貫通し，半導体層１２０の両端に連結されるドレイン電極１４１およびソース電極１４３は，第１層間絶縁膜１３５上に配される。半導体層１２０，ゲート電極１３０およびソース／ドレイン電極１４１，１４３は，薄膜トランジスタＴを構成する。
【００９０】
ソース／ドレイン電極１４１，１４３を覆う第２層間絶縁膜１５０は，ソース／ドレイン電極１４１，１４３上に配される。第２層間絶縁膜１５０は，薄膜トランジスタＴを保護する保護膜，および／または薄膜トランジスタによる段差を緩和する平坦化膜を含むようにしてもよい。第２層間絶縁膜１５０を貫通し，ドレイン電極１４１に連結される画素電極１５５は，第２層間絶縁膜１５０上に配される。画素電極１５５は，例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）膜または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）膜でもよい。画素電極１５５の一部を接触させる開口部１６０ａを有する画素定義膜（pixel defining layer）１６０ａは，画素電極１５５上に配されてもよい。
【００９１】
ドナー基板（図２ｂのＤ１，図３ｂのＤ２，図５ｂのＤ３）から転写された転写層パターン１９ａ，２９ａ，３９ａは，開口部１６０ａに接触された画素電極１５５上に配される。転写層パターン１９ａ，２９ａ，３９ａは，有機発光層であるようにしてもよい。また，転写層パターン１９ａ，２９ａ，３９ａは，正孔注入膜，正孔輸送膜，正孔抑制膜，電子輸送膜および電子注入膜のいずれか一つ以上の膜をさらに含んでもよい。
【００９２】
以上で，本発明の好ましい実施例について説明したが，本発明はこれに限定されず，特許請求の範囲，発明の詳細な説明，および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり，これも当然本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の第１および第２の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。
【図２ａ】図１のＩ−Ｉ’線沿いにおける本発明の第１の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。
【図２ｂ】図２ａに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図３ａ】図１の切断線Ｉ−Ｉ’沿いにおける本発明の第２の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。
【図３ｂ】図３ａに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態にかかるドナー基板を示す平面図である。
【図５ａ】図４の切断線Ｉ−Ｉ’沿いにおける本発明の第３の実施形態にかかるドナー基板の断面を示す断面図である。
【図５ｂ】図５ａに示すドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図２ｂ，図３ｂおよび図５ｂの領域Ｐを示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０,２０,３０      ベース基板
１３，２３          光熱変換層パターン
１５，２５，３５    反射層
１７，２７，３７    中間層
１９，２９，３９    転写層
２０ａ              陥凹部
３１                反射層パターン
３３                光熱変換層
Ａ１，Ａ２，Ａ３    アクセプタ基板
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３    ドナー基板
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３    選択的発熱構造体
【図１】
2006123546.tif 000003
【図２ａ】
2006123546.tif 000004
【図２ｂ】
2006123546.tif 000005
【図３ａ】
2006123546.tif 000006
【図３ｂ】
2006123546.tif 000007
【図４】
2006123546.tif 000008
【図５ａ】
2006123546.tif 000009
【図５ｂ】
2006123546.tif 000010
【図６】
2006123546.tif 000011