(57)【要約】  【課題】  本発明の目的は、ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する場合においても、ウェハの位置、水平姿勢を保持することができ、処理を均一に行うことができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。  【解決手段】  基板処理装置は、ウェハＷを処理する処理室１と、処理室１内に処理ガスを供給するガス供給口３と、処理室１内を排気する排気口４と、処理室１内でウェハＷを浮上させるためにウェハ下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口９と、ウェハ浮上時にウェハの水平姿勢を保持するためのホルダ１１と、ホルダ１１の垂直位置を制限するストッパ１２と、を有する。 【選択図】  図１
2006005143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給口と、
前記処理室内を排気する排気口と、
前記処理室内で基板を浮上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹
き出し口と、
基板浮上時に基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給口と、
前記処理室内を排気する排気口と、
前記処理室内で基板を浮上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹
き出し口と、
基板浮上時に基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、
前記ホルダと接触し前記ホルダを基板処理位置に位置決めする位置決め手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給口と、
前記処理室内を排気する排気口と、
前記処理室内で基板を浮上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹
き出し口と、
基板浮上時に基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、
基板浮上時に前記ホルダ上面をパージするために前記ガス吹き出し口から基板下面に対し
て供給されたガスをホルダ上面に導くパージガイドと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給口と、
前記処理室内を排気する排気口と、
前記処理室内で基板を浮上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹
き出し口と、
基板浮上時に基板を支持して基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、
基板浮上時に前記ホルダ上面に対して上方からガスを噴出することにより浮上させた基板
を基板処理位置に位置決めする位置決め手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給口と、
前記処理室内を排気する排気口と、
前記処理室内で基板を浮上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹
き出し口と、
基板浮上時に基板を支持して基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、
基板浮上時に前記ホルダ側面に対して側方からガスを噴出することにより前記ホルダと前
記処理室内壁との接触を防止する接触防止手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板を処理室内に搬入するステップと、
基板の水平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、
前記処理室内で前記ホルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すこ
とにより、基板の水平姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと基板処理位置まで浮上させ
るステップと、
基板を前記基板処理位置まで浮上させた状態で基板に対して処理を施すステップと、
処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、
降下させた処理後の基板を前記処理室より搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板を処理室内に搬入するステップと、
基板の水平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、
前記処理室内で前記ホルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すこ
とにより、基板の水平姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと浮上させるステップと、
浮上させたホルダを位置決め手段と接触させることにより基板を支持したホルダを基板処
理位置に位置決めするステップと、
基板を前記基板処理位置まで浮上させた状態で基板に対して処理を施すステップと、
処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、
降下させた処理後の基板を前記処理室より搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板を処理室内に搬入するステップと、
基板の水平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、
前記処理室内で前記ホルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すこ
とにより、基板の水平姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと基板処理位置まで浮上させ
るステップと、
基板を前記基板処理位置まで浮上させた状態で、基板の下面に対して供給したガスをパー
ジガイドによりホルダ上面に導きホルダ上面をパージしつつ基板に対して処理を施すステ
ップと、
処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、
降下させた処理後の基板を前記処理室より搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板を処理室内に搬入するステップと、
基板の水平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、
前記処理室内で前記ホルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すこ
とにより、基板の水平姿勢を保持しつつ基板をホルダごと浮上させるステップと、
浮上させたホルダの上面に対して上方からガスを噴出することにより浮上させた基板を基
板処理位置に位置決めするステップと、
基板を前記基板処理位置に浮上させた状態で基板に対して処理を施すステップと、
処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、
降下させた処理後の基板を前記処理室より搬出するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板を処理室内に搬入するステップと、
基板の水平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、
前記処理室内で前記ホルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すこ
とにより、基板の水平姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと基板処理位置まで浮上させ
るステップと、
基板を前記基板処理位置に浮上させた状態で基板に対して処理を施すステップと、
処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、
降下させた処理後の基板を前記処理室より搬出するステップとを有し、
少なくとも前記基板浮上ステップ、前記基板処理ステップおよび前記基板降下ステップは
、処理室内壁よりホルダ側面に対してガスを噴出しつつ行うことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ等の基板を空中に浮上させた状態で基板に対してＣＶＤ、酸化、拡散
、アニール等の処理を行う基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程においては、ウェハへのスリップ（結晶欠陥）の発
生を防止するために、ウェハの下面からガスを吹き付け、その風圧によりウェハを空中に
浮上させた状態で、酸化、拡散等の処理を行う方法がある（特許文献1参照）。
【特許文献１】特開平１１−５４４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、ウェハをガスの風圧により浮上させた状態で処理する場合、ウェハが小刻
みに振動し、ウェハの位置、水平姿勢を保持するのが難しく、そのため処理が不均一にな
るという問題があった。
【０００４】
本発明の目的は、上記問題点を解決し、ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する
場合においても、ウェハの位置、水平姿勢を保持でき、処理を均一に行うことができる基
板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。  
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガ
スを供給するガス供給口と、前記処理室内を排気する排気口と、前記処理室内で基板を浮
上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口と、基板浮上時
に基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、を有することを特徴とする基板処理装置に
ある。
【０００６】
本発明の第２の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガ
スを供給するガス供給口と、前記処理室内を排気する排気口と、前記処理室内で基板を浮
上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口と、基板浮上時
に基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、前記ホルダと接触し前記ホルダを基板処理
位置に位置決めする位置決め手段と、を有することを特徴とする基板処理装置にある。
【０００７】
本発明の第３の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガ
スを供給するガス供給口と、前記処理室内を排気する排気口と、前記処理室内で基板を浮
上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口と、基板浮上時
に基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、基板浮上時に前記ホルダ上面をパージする
ために前記ガス吹き出し口から基板下面に対して供給されたガスをホルダ上面に導くパー
ジガイドと、を有することを特徴とする基板処理装置にある。
【０００８】
本発明の第４の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガ
スを供給するガス供給口と、前記処理室内を排気する排気口と、前記処理室内で基板を浮
上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口と、基板浮上時
に基板を支持して基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、基板浮上時に前記ホルダ上
面に対して上方からガスを噴出することにより浮上させた基板を基板処理位置に位置決め
する位置決め手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置にある。
【０００９】
本発明の第５の特徴とするところは、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガ
スを供給するガス供給口と、前記処理室内を排気する排気口と、前記処理室内で基板を浮
上させるために基板下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口と、基板浮上時
に基板を支持して基板の水平姿勢を保持するためのホルダと、基板浮上時に前記ホルダ側
面に対して側方からガスを噴出することにより前記ホルダと前記処理室内壁との接触を防
止する接触防止手段と、を有することを特徴とする基板処理装置にある。
【００１０】
本発明の第６の特徴とするところは、基板を処理室内に搬入するステップと、基板の水
平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、前記処理室内で前記ホ
ルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すことにより、基板の水平
姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと基板処理位置まで浮上させるステップと、基板を
前記基板処理位置まで浮上させた状態で基板に対して処理を施すステップと、処理後の基
板を前記ホルダごと降下させるステップと、降下させた処理後の基板を前記処理室より搬
出するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
【００１１】
本発明の第７の特徴とするところは、基板を処理室内に搬入するステップと、基板の水
平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、前記処理室内で前記ホ
ルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すことにより、基板の水平
姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと浮上させるステップと、浮上させたホルダを位置
決め手段と接触させることにより基板を支持したホルダを基板処理位置に位置決めするス
テップと、基板を前記基板処理位置まで浮上させた状態で基板に対して処理を施すステッ
プと、処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、降下させた処理後の基板を
前記処理室より搬出するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法に
ある。
【００１２】
本発明の第８の特徴とするところは、基板を処理室内に搬入するステップと、基板の水
平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、前記処理室内で前記ホ
ルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すことにより、基板の水平
姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと基板処理位置まで浮上させるステップと、基板を
前記基板処理位置まで浮上させた状態で、基板の下面に対して供給したガスをパージガイ
ドによりホルダ上面に導きホルダ上面をパージしつつ基板に対して処理を施すステップと
、処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、降下させた処理後の基板を前記
処理室より搬出するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法にある
。
【００１３】
本発明の第９の特徴とするところは、基板を処理室内に搬入するステップと、基板の水
平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、前記処理室内で前記ホ
ルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すことにより、基板の水平
姿勢を保持しつつ基板をホルダごと浮上させるステップと、浮上させたホルダの上面に対
して上方からガスを噴出することにより浮上させた基板を基板処理位置に位置決めするス
テップと、基板を前記基板処理位置に浮上させた状態で基板に対して処理を施すステップ
と、処理後の基板を前記ホルダごと降下させるステップと、降下させた処理後の基板を前
記処理室より搬出するステップと、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法にあ
る。
【００１４】
本発明の第１０の特徴とするところは、基板を処理室内に搬入するステップと、基板の
水平姿勢を保持するためのホルダにより基板を支持するステップと、前記処理室内で前記
ホルダにより支持した基板の下面に対して下方からガスを吹き出すことにより、基板の水
平姿勢を保持しつつ基板を前記ホルダごと基板処理位置まで浮上させるステップと、基板
を前記基板処理位置に浮上させた状態で基板に対して処理を施すステップと、処理後の基
板を前記ホルダごと降下させるステップと、降下させた処理後の基板を前記処理室より搬
出するステップとを有し、少なくとも前記基板浮上ステップ、前記基板処理ステップおよ
び前記基板降下ステップは、処理室内壁よりホルダ側面に対してガスを噴出しつつ行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する場合に、ウェハが小刻
みに振動するのを防止することができ、ウェハの位置、水平姿勢を保持することができる
。また、それにより処理のバラツキを抑制することができ、高品質な半導体装置（デバイ
ス）を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の第１の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１、図２は第１の実施形態に係る枚葉式基板処理装置の一例を示す概略図である。
【００１７】
図１に示す基板処理装置は、処理室１ と、処理容器２と、ガス供給口３と、排気口４
と、ランプ加熱源５と、ランプカバー６と、透過窓７と、支持台８と、ガス吹き出し口９
と、パイロメータ１０と、ホルダ１１と、ストッパ１２とから主に構成される。
【００１８】
処理室１は、基板としてのＳｉウェハＷに対してＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等の処
理を行う。処理室１は金属、例えばアルミニウムからなる円筒状の処理容器２の内部に形
成される。
【００１９】
ガス供給口３は、処理容器２の一側壁に設けられ、処理容器外部にある処理ガス源（図
示せず）からガスを処理室１に導入する。
【００２０】
排気口４は、ガス供給口３と反対側の処理容器２の他側壁に設けられ、処理室１を排気
する。排気口４は排気配管（図示せず）を介して真空ポンプ（図示せず）に接続される。
なお、ガス供給口３と排気口４は略同じ高さに設けられる。
【００２１】
透過窓７は、ウェハ表面と対向する処理容器２の上壁にＯリング（図示せず）を介して
気密に取り付けられる。透過窓７は、ウェハＷの径よりも大きめに処理容器２の上壁に設
けた開口を塞ぐようにして取り付けられる。透過窓７は石英で構成され、光を透過してウ
ェハ表面を照射できるようになっている。
【００２２】
ランプ加熱源５は、透過窓７の上方に設けられ、赤外光を発光し、透過窓７のほぼ全面
を通して処理室１内のウェハＷを所望の温度にランプ加熱する。ランプ加熱源５としては
、例えばハロゲンランプ等を用いることができる。ランプ光源５の周囲には反射板等を設
けたランプカバー６が設けられ、ランプ５から発生した赤外線を反射することによって効
率よくウェハＷを加熱する構成となっている。
【００２３】
支持台８は、処理室１内下部に設けられ、処理前後において後述するホルダ１１を支持
する。支持台８の上面には複数のガス吹き出し口９が設けられ、均一にガスを吹き出すこ
とが可能となっている。このガスをウェハＷの下面に吹き付け、その圧力によりウェハＷ
を処理空間に浮上させる。このとき、ガスの風圧によりウェハＷを全面で支持することが
可能となる。ウェハＷを浮上させるためのガスはＮ２等の不活性ガスであってもよいし、
基板処理用のガスであってもよい。なお、このときガス吹き出し口９から吹き出すガスの
流量または流速を調整することにより、ウェハＷをホルダ１１ごと回転することも可能と
なっている。また、支持台８にはウェハＷの表面温度を非接触でモニタする温度計として
のパイロメータ１０が設けられている。
【００２４】
ホルダ１１は、処理室１内に収容されており、ウェハＷをホールドし、ウェハ浮上時に
ウェハＷの姿勢を水平に保持するよう構成されている。このホルダ１１を図３に基づいて
説明する。図３（ａ）はホルダ１１の平面図、図３（ｂ）はホルダ１１の正面図、図３（
ｃ）は図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３に示すように、ホルダ１１は、中央にウェ
ハＷと略同形状の開口部１１０を有しており（リング形状をしており）、ウェハＷのエッ
ジ（外周部）から５ｍｍ以内、好ましくは３ｍｍ以内の製品とはならない領域（非製品領
域）をウェハ支持部１１１の下テーパ面１１１ａで支持する。なお、上テーパ面１１１ｂ
は、ウェハ浮上時にウェハＷがホルダ１１から離脱するのを防止するために設けられてい
る。このウェハ支持部１１１はホルダ１１の内側面１１２ａ上部からホルダ中心に向かい
突出するよう設けられる。この突出したウェハ支持部１１１の下面１１２ｂとホルダ内側
面１１２ａとからなるホルダ内壁面１１２は、ウェハホールド時にウェハ下面とともにガ
ス受け部を構成する。複数のガス吹き出し口９よりウェハ下面に対してガスを吹き出すと
、ホルダ内壁面１１２とウェハ下面とでガスを受けることにより、ウェハＷがホルダ１１
ごと浮上することとなる。この際、ホルダ１１、ウェハＷともにガスの風圧を受け、それ
ぞれが独立して浮上するため、ホルダ１１にはウェハＷの荷重が殆ど加わることはなく、
またウェハＷにもホルダ１１の荷重が殆ど加わることはない。よって、ウェハＷには、ウ
ェハＷに加わる荷重が原因となるスリップ（結晶欠陥）は発生しない。
【００２５】
ホルダ１１の外側面は円筒状の処理容器２の内壁面に沿う形状となっている。ウェハ浮
上時、処理容器２の内壁面はホルダ１１のガイドとして機能する。ホルダ１１はウェハ浮
上時にホルダ自体が傾かないだけの高さ（厚み）を有している。ホルダ１１の高さが低す
ぎるとホルダが傾いてしまい、ホルダ自体の水平姿勢を保持することができなくなるため
、ホルダ１１にはある程度の高さが必要となる。また、ホルダ外周面と処理容器内壁面と
の間には、ウェハ浮上時にホルダ１１が傾かないだけの隙間が設けられている。この隙間
が大き過ぎるとホルダ自体の水平姿勢を保てなくなるため、ある程度小さい隙間が必要と
なる。ただし、この隙間が小さ過ぎるとホルダ１１が滑らかに浮上しなくなる。よって、
ホルダ外周面と処理容器内壁面との間の隙間は、ウェハ浮上時にホルダ１１自体の水平姿
勢を保持することができるとともに、ホルダ１１が処理容器２の内壁に沿ってスムーズに
移動できる程度の隙間に設定されることとなる。このような構成により、ウェハＷの姿勢
を水平に保持しつつウェハＷをホルダごと滑らかに処理空間に浮上させることが可能とな
る。
【００２６】
また、ホルダ１１の外側面１１３の一部には、ウェハＷが通過可能なスリット１１４が
設けられており、そのスリット１１４の下方には、ウェハ移載機のツィーザが通過できる
切り欠き１１５がスリット１１４と連続的に設けられている。このような構成により、ウ
ェハＷをツィーザによりホルダ側面のスリット１１４を介してホルダ１１に搬送して装填
することが可能となっている。このようにホルダ１１は完全なリング形状ではなく、部分
的にスリットや切り欠き部を有するリング形状となっている。
【００２７】
ストッパ１２は、処理容器２内上部に設けられ、ホルダ１１の垂直方向の動きを制限す
る。ストッパ１２はホルダ１１と接触した際に、ウェハＷ、ホルダ１１に加わる衝撃を吸
収するためにバネ等の弾性体により構成するのが好ましい（接触式）。なお、ストッパ１
２は、ホルダ１１に対してガスを噴出するガス噴出口により構成し、ガス圧により非接触
でホルダ１１の動きを制限するようにしてもよい（非接触式）。
【００２８】
次に、上述したような基板処理装置を用いて半導体装置（デバイス）の製造工程の一工
程として、基板に対してＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等の処理を行う方法について説明
する。
【００２９】
まず、ウェハＷをウェハ移載機（図示せず）により処理容器２に設けられたウェハ搬入
搬出口（図示せず）を介して処理室１内に搬入する（ウェハ搬入ステップ）。
【００３０】
このとき処理室内の支持台８上にはホルダ１１が支持されており、このホルダ１１の側
面に設けられたウェハ挿入用スリット１１４と、処理容器２のウェハ搬入搬出口との位置
を合わせておくことにより、処理室内へのウェハ搬入と同時に、ウェハＷは、ホルダ側面
のスリット１１４を介してホルダ１１に挿入される。その後ツィーザをホルダ側面のスリ
ット１１４下方にスリットと連続的に設けられた切り欠き１１５側へ下降させることによ
りウェハＷはホルダ１１に装填される。これによりウェハＷはホルダ１１により支持され
た状態となる（ウェハ支持ステップ）。図２はこの状態を示している。なお、処理室１外
部でウェハＷをホルダ１１に装填し、ホルダ１１ごとウェハＷを処理室１内に搬入するよ
うにしてもよい。
【００３１】
次に支持台８の上面に設けられた複数のガス吹き出し口９より、ガスをウェハＷの下面
に吹き付け、その風圧により支持台８上に置かれたウェハＷをホルダ１１ごと浮上させて
基板処理位置まで上昇させる（ウェハ浮上ステップ）。このときガスの風圧によりウェハ
Ｗを全面で支持することができる。図１はこの状態を示している。なお、この際ホルダ１
１、ウェハＷともにガスの風圧を受け、それぞれが独立して浮上するため、ホルダ１１に
はウェハＷの荷重が殆ど加わることはなく、またウェハＷにもホルダ１１の荷重が殆ど加
わることはない。ウェハＷを浮上させるためのガスはＮ２等の不活性ガスであってもよい
し、基板処理用のガスであってもよい。このときウェハＷの姿勢はホルダ１１により水平
に保持される。またウェハＷの水平位置はホルダ１１により定められ、ウェハＷの垂直位
置はガス吹き出し口９からのガス流量、流速を調整することにより所定の処理位置に定め
られ、保持される。なお、ウェハＷの垂直方向の位置はストッパ１２により制限されるこ
ととなる。このとき、ウェハＷを基板処理位置にて浮上させた状態で、ガス吹き出し口９
から吹き出すガスの流量または流速を調整することにより、ウェハＷをホルダ１１ごと回
転させるようにしてもよい。
【００３２】
このウェハ浮上ステップでは処理室内の圧力制御も行う。圧力制御は、真空ポンプ（図
示せず）を用いて排気口４より処理室内を排気すると共に、ガス供給口３より処理室内へ
圧力制御用のガスを供給することにより行う。
【００３３】
次に、ランプ加熱源５に電源を印加する。ランプ加熱源５からの光を石英窓７を通して
、処理容器２内に浮上しているウェハＷに照射して、ウェハＷを所望温度に加熱する（ウ
ェハ昇温ステップ）。このとき、パイロメータ１０により、ウェハＷの表面温度を非接触
でモニタする。
【００３４】
ウェハＷの温度が所望の処理温度に到達後、ガス供給口３より処理室１内に処理ガスを
供給しつつ排気口４より排気することにより、処理室１内に浮上しているウェハに対して
ＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等の処理を行う（ウェハ処理ステップ）。このときも、パ
イロメータ１０により、ウェハＷの表面温度を非接触でモニタする。
【００３５】
ウェハＷの処理終了後、ランプ加熱源５の電源を切り、ウェハの加熱を停止する。また
、処理室１内の残留ガスを除去するために処理室１内のガスパージを行う（パージステッ
プ）。ガスパージは、ガス供給口３よりパージガスとしての不活性ガス（Ｎ２等）を処理
室１内に供給しつつ排気口４より排気することにより行う。このガスパージは処理後のウ
ェハＷを冷却する効果もある。
【００３６】
処理室内のパージ終了後、ガス吹き出し口９からのガスの供給を停止し、処理室１内に
浮上させていたウェハＷをホルダ１１ごと支持台８上に降下させる（ウェハ降下ステップ
）。ホルダ１１が支持台８に接触する際にウェハＷ、ホルダ１１に衝撃が加わらないよう
、ガス吹き出し口９からのガスの供給量は徐々に減少させ、ウェハＷ、ホルダ１１はゆっ
くりと降下させる。
【００３７】
その後、処理が施されたウェハＷを移載機（図示せず）によりウェハ搬入搬出口（図示
せず）を介して処理室１から取り出す（ウェハ搬出ステップ）。その後、ウェハＷは次工
程に移送されることとなる。
【００３８】
上記ウェハ処理ステップにおける処理条件としては、例えばウェハ上にＨｉｇｈ−ｋ膜
としてのＨfＯ２膜やＨｆシリケート膜を形成する場合、処理温度３９０〜４５０℃、圧
力１００Ｐａ以下が例示される。
【００３９】
上記実施形態によれば次の効果が得られる。
【００４０】
ガスの風圧によりウェハを全面でホルダごと支持することができ、ウェハにかかる荷重
が原因となるスリップの発生を防止できる。また、それにより、高品質な半導体装置（デ
バイス）を製造することができる。
【００４１】
ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する際、ウェハが小刻みに振動するのを防止
することができ、ウェハの位置、水平姿勢を保持することができる。また、それにより処
理のバラツキを抑制することができ、高品質な半導体装置（デバイス）を製造することが
できる。
【００４２】
次に本発明の第２の実施形態を図面に基づいて説明する。
図４、図５は第２の実施形態に係る枚葉式基板処理装置の一例を示す概略図である。本
実施形態が前記第１の実施形態と構成上異なる点は、ストッパ１２の代わりに位置決め手
段２０を設けた点である。その他の構成については前記第１の実施形態と同一であるので
、前記第１の実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
【００４３】
本実施形態における位置決め手段２０は、処理容器２内上部の基板処理位置に設けられ
、ホルダ１１の垂直方向の動きを制限する（ストッパとしての機能を有する）とともに、
ホルダ１１と接触することによりホルダ１１を基板処理位置に位置決めする。位置決め手
段２０は、中央に開口を有するリング形状をしており、ガス供給口３、排気口４と略同じ
高さに、ガス供給口３、排気口４と隣接して連続的に設けられ、ガス整流板としても機能
するよう構成されている。また、位置決め手段２０の上面は中央にいくにつれて内側に傾
斜しており（テーパ形状をしており）、ウェハＷに対して滑らかにガスを送ることが可能
となっている。位置決め手段２０はホルダ１１と接触した際に、ウェハＷ、ホルダ１１に
加わる衝撃を吸収するために弾性部材により構成するのが好ましい。また位置決め手段２
０のホルダ１１との接触部（位置決め手段２０下面）にはホルダ１１との接着を防止する
為の接着防止層（ＳｉＯ２等）や複数の凹部や凸部（図示せず）が設けられている。なお
、接着防止層（ＳｉＯ２等）や複数の凹部や凸部はホルダ１１の位置決め手段２０との接
触部（ホルダ１１上面）に設けるようにしてもよい。
【００４４】
以下、作用について説明する。本実施形態が前記第１の実施形態と作用上異なる点は、
浮上させたホルダ１１を位置決め手段２０に接触させた状態でウェハＷを処理する点であ
る。これ以外の作用（ウェハＷの処理等）については前記第１の実施形態と同様であるの
で説明を省略する。
【００４５】
ウェハ浮上ステップにおいて、浮上用ガスの風圧により上昇したウェハＷを載せたホル
ダ１１は、位置決め手段２０の下面と接触することにより、基板処理位置で浮上した状態
で停止し、強制的に位置決めがなされる（ウェハ位置決めステップ）。このときウェハＷ
は浮上用ガスの風圧により全面で支持されることとなる。図４はこの状態を示している。
なお、図５はウェハＷを処理室１内に搬入してホルダ１１に装填した状態（ウェハ降下時
）を示している。ホルダ１１が位置決め手段２０と接触する際、ウェハＷ、ホルダ１１に
加わる衝撃を極力少なくする為、少なくとも接触の際は、ウェハＷ、ホルダ１１の上昇速
度を極力低下させるよう、ガス吹き出し口９から供給するガス流量を調整する。
【００４６】
ウェハＷが処理位置にて浮上した状態においては、ホルダ１１、ウェハＷともにガスの
風圧を受け、それぞれが独立して浮上しているため、ホルダ１１にはウェハＷの荷重が殆
ど加わることはなく、またウェハＷにもホルダ１１の荷重が殆ど加わることはない。また
、ホルダ１１は位置決め手段２０と接触するものの、ホルダ１１が浮上しようとする力が
位置決め手段２０に殆どかからないよう、ガス吹き出し口９から供給する浮上用ガスの供
給量を調整している。なお、この状態においては、ガス吹き出し口９から供給されたガス
は、ホルダ１１と位置決め手段２０との間に生じる僅かな隙間から処理室１内に抜けるこ
ととなる。この状態においては、ウェハＷの姿勢はホルダ１１により水平に保持される。
またウェハＷの水平位置はホルダ１１により定められ、垂直位置は位置決め手段２０によ
り正確かつ確実に定められ、ウェハＷは処理位置において位置決め（保持）されて静止し
た状態となる。
【００４７】
この状態でウェハＷに対してＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等の処理を行うこととなる
（ウェハ処理ステップ）。処理ガス供給の際、位置決め手段２０はガス整流板としても機
能し、処理ガスはウェハＷの表面上を滑らかに流れることとなる。このとき、位置決め手
段２０下面またはホルダ１１上面に設けた接着防止層（ＳｉＯ２等）や複数の凹部や凸部
により、位置決め手段２０とホルダ１１との接着を防止することができ、ウェハ降下ステ
ップをズムーズに行うことが可能となる。
【００４８】
次に本発明の第３の実施形態を図面に基づいて説明する。
図６、図７は第３の実施形態に係る枚葉式基板処理装置の一例を示す概略図である。本
実施形態が前記第１の実施形態と構成上異なる点は、ストッパ１２の代わりに、パージガ
イド３０と位置決め用突起３０ａを設けた点である。その他の構成については前記第１の
実施形態と同一であるので、前記第１の実施形態と同一の構成要素については同一の符号
を付し、その説明を省略する。
【００４９】
本実施形態におけるパージガイド３０は、処理容器２内上部の基板処理位置付近にホル
ダ上面と対向するよう設けられ、ウェハ浮上時にホルダ上面をカバーして、ガス吹き出し
口９からウェハ下面に対して供給された浮上用のガスをホルダ上面に導くよう構成されて
いる。この構成により、ウェハ浮上時にホルダ１１の上面を浮上用ガスでパージすること
が可能となる。パージガイド３０は、中央に開口を有するリング状のプレートで構成され
、ガス供給口３、排気口４と略同じ高さに、ガス供給口３、排気口４下部と隣接して連続
的に設けられ、処理ガス整流板としても機能するよう構成されている。パージガイド３０
の内側の上面は中央にいくにつれて下方に傾斜しており（テーパ形状をしており）、ウェ
ハＷに対して滑らかにガスを送ることが可能となっている。また、パージガイド３０の下
面には位置決め手段としての複数の突起３０ａが設けられる。この突起３０ａは、浮上し
たホルダ１１の垂直方向の動きを制限する（ストッパとしての機能を有する）とともに、
ホルダ１１と接触することによりホルダ１１を基板処理位置に位置決めするよう構成され
ている。また、パージガスの流路となるパージガイド３０下面とホルダ１１上面との間の
間隔を調整する機能をも有する。突起３０ａはホルダ１１と接触した際に、ウェハＷ、ホ
ルダ１１に加わる衝撃を吸収するために弾性部材により構成するのが好ましい。また突起
３０ａの表面にはホルダ１１との接着を防止する為の接着防止層（ＳｉＯ２等）や複数の
凹部や凸部（図示せず）が設けられている。なお、接着防止層（ＳｉＯ２等）や複数の凹
部や凸部（図示せず）はホルダ１１の突起３０ａとの接触部に設けるようにしてもよい。
【００５０】
以下、作用について説明する。本実施形態が前記第１の実施形態と作用上異なる点は、
浮上させたホルダ１１を位置決め用突起３０ａに接触させた状態でウェハＷを処理する点
と、ホルダ１１の上面をパージしながらウェハＷを処理する点である。これ以外の作用（
ウェハＷの処理等）については前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５１】
ウェハ浮上ステップにおいて、浮上用ガスの風圧により上昇したウェハＷを載せたホル
ダ１１は、パージガイド３０の下面に設けられた位置決め手段としての突起３０ａと接触
することにより基板処理位置で浮上した状態で停止し、強制的に位置決めがなされる（ウ
ェハ位置決めステップ）。このときウェハＷは浮上用ガスの風圧により全面で支持される
こととなる。図６はこの状態を示している。なお、図７はウェハＷを処理室１内に搬入し
てホルダ１１に装填した状態（ウェハ降下時）を示している。ホルダ１１が突起３０ａと
接触する際、ウェハＷ、ホルダ１１に加わる衝撃を極力少なくする為、少なくとも接触の
際は、ウェハＷ、ホルダ１１の上昇速度を極力低下させるよう、ガス吹き出し口９から供
給するガス流量を調整する。
【００５２】
ウェハＷが処理位置において浮上した状態においては、ホルダ１１、ウェハＷともにガ
スの風圧を受け、それぞれが独立して浮上しているため、ホルダ１１にはウェハＷの荷重
が殆ど加わることはなく、またウェハＷにもホルダ１１の荷重が殆ど加わることはない。
また、ホルダ１１は突起３０ａと接触するものの、ホルダ１１が浮上しようとする力が突
起３０ａに殆どかからないよう、ガス吹き出し口９から供給する浮上用ガスの供給量を調
整している。なお、この状態においては、ガス吹き出し口９から供給されたガスは、互い
に近接して対向するホルダ１１とパージガイド３０との間に形成される隙間からパージガ
スとして処理室１内に抜け出ることとなる。すなわち、ガス吹き出し口９から供給された
浮上用ガスは、パージガイド３０により、パージガスとしてホルダ１１の上面に導かれ、
ウェハが処理位置で浮上している際は常に、ホルダ上面をパージすることとなる。ガス吹
き出し口９から供給する浮上用のガスはＮ２等の不活性ガスであってもよいし、それ単独
では成膜反応を生じない基板処理用ガスのうちの一部であってもよいが、パージガスとし
ても使用することを考慮すると不活性ガスが好ましい。またこの状態においては、ウェハ
Ｗの姿勢はホルダ１１により水平に保持される。またウェハＷの水平位置はホルダ１１に
より定められ、垂直位置は突起３０ａにより正確かつ確実に定められ、ウェハＷは処理位
置において位置決め（保持）されて静止した状態となる。
【００５３】
この状態でウェハＷに対してＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等の処理を行うこととなる
（ウェハ処理ステップ）。処理ガス供給の際、パージガイド３０はガス整流板としても機
能し、処理ガスはウェハＷの表面上を滑らかに流れることとなる。このとき、上述のよう
にホルダ１１上面は浮上用ガスにより常にパージされるので、処理ガスがホルダ上面と接
触するのを防止でき、ホルダ上面への膜の付着を防止できる。また、ウェハ裏面への処理
ガスの回り込みも防止でき、ウェハ裏面等、好ましくない部分への膜の付着も防止できる
。また、このとき、突起３０ａ下面またはホルダ１１上面に設けた接着防止層（ＳｉＯ２
等）や複数の凹部や凸部により、突起３０ａとホルダ１１との接着を防止することができ
、ウェハ降下ステップをズムーズに行うことが可能となる。
【００５４】
次に本発明の第４の実施形態を図面に基づいて説明する。
図８、図９は第４の実施形態に係る枚葉式基板処理装置の一例を示す概略図である。本
実施形態が前記第１の実施形態と構成上異なる点は、ストッパ１２の代わりに、ガス噴出
プレート４０を設けた点である。その他の構成については前記第１の実施形態と同一であ
るので、前記第１の実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を
省略する。
【００５５】
本実施形態における位置決め手段としてのガス噴出プレート４０は、処理容器２内上部
の基板処理位置付近に設けられ、ウェハ浮上時にホルダ１１の上面に対して上方からガス
を噴出することにより、ホルダ１１とともに浮上させたウェハＷを基板処理位置に位置決
めするよう構成される。ガス噴出プレート４０の下面には、ホルダ上面に対してガスを噴
出する複数のガス噴出口４０ａがホルダ上面と対向するよう設けられる。これら複数のガ
ス噴出口４０ａからホルダ上面に対してガスを均一に噴出することにより、浮上させたホ
ルダ１１の垂直位置をガス圧により非接触で制御して、ホルダ１１を基板処理位置に位置
決めする。この構成により、ウェハが基板処理位置で浮上している間は、複数の噴出口４
０ａから噴出される垂直位置制御用のガスによりホルダ上面が常にパージされることとな
る。なお、ウェハＷを基板処理位置で浮上させた状態で、ガス噴出口４０ａから噴出させ
るガスの方向、流量または流速を調整することにより、ウェハＷをホルダ１１ごと回転さ
せることも可能となっている。垂直位置制御用のガスはＮ２等の不活性ガスであってもよ
いし、それ単独では成膜反応を生じない基板処理用ガスのうちの一部であってもよい。ガ
ス噴出プレート４０は、中央に開口を有するリング状のシャワープレートで構成され、ガ
ス供給口３、排気口４と略同じ高さに、ガス供給口３、排気口４下部と隣接して連続的に
設けられ、処理ガス整流板としても機能するよう構成されている。ガス噴出プレート４０
の内側の上面は中央にいくにつれて下方に傾斜しており（テーパ形状をしており）、ウェ
ハＷに対して滑らかにガスを送ることが可能となっている。
【００５６】
以下、作用について説明する。本実施形態が前記第１の実施形態と作用上異なる点は、
浮上させたホルダ１１の垂直位置をガス噴出プレート４０より噴出させたガスのガス圧に
より制御した状態でウェハＷを処理する点である。これ以外の作用（ウェハＷの処理等）
については前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００５７】
ウェハ浮上ステップにおいて、浮上用ガスの風圧により上昇させたウェハＷを載せたホ
ルダ１１の上面に対して、リング状ガスプレート４０下面の複数のガス噴出口４０ａから
位置制御用ガスを均一に噴出することにより、浮上させたウェハＷの垂直位置を非接触で
制御し、ウェハＷを基板処理位置に位置決めする（ウェハ位置決めステップ）。下方から
の浮上用ガスと上方からの位置制御用ガスのバランスをうまくとることにより、ウェハＷ
を処理位置に浮上させた状態で停止させる。このとき、ウェハＷは浮上用ガスの風圧によ
り全面で支持されることとなる。図８はこの状態を示している。なお、図９はウェハＷを
処理室１内に搬入してホルダ１１に装填した状態（ウェハ降下時）を示している。
【００５８】
ウェハＷが処理位置において浮上した状態においては、ホルダ１１、ウェハＷともにガ
スの風圧を受け、それぞれが独立して浮上するため、ホルダ１１にはウェハＷの荷重が殆
ど加わることはなく、またウェハＷにもホルダ１１の荷重が殆ど加わることはない。また
、この状態においては、ガス噴出口４０ａから供給された位置制御用ガスがホルダ１１上
面に噴出されるので、ウェハＷが処理位置で浮上している間は、ホルダ上面は位置制御用
ガスにより常にパージされることとなる。またこの状態においては、ウェハＷの姿勢はホ
ルダ１１により水平に保持される。またウェハＷの水平位置はホルダ１１により定められ
、垂直位置はガス吹き出し口９からの浮上用ガス、ガス噴出口４０ａからの位置制御用ガ
スの流量、流速を調整することにより所定の処理位置に定められ、保持される。このとき
、ウェハＷを基板処理位置にて浮上させた状態で、ガス噴出口４０ａまたはガス吹き出し
口９から供給するガスの方向、流量または流速を調整することにより、ウェハＷをホルダ
１１ごと回転させるようにしてもよい。
【００５９】
この状態でウェハＷに対してＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等の処理を行うこととなる
（ウェハ処理ステップ）。処理ガス供給の際、ガス噴出プレート４０はガス整流板として
も機能し、処理ガスはウェハＷの表面上を滑らかに流れることとなる。このとき、上述の
ようにホルダ１１上面は位置制御用ガスにより常にパージされるので、処理ガスがホルダ
上面と接触するのを防止でき、ホルダ上面等の好ましくない部分への膜の付着を防止でき
る。また、このとき、ガス噴出プレート４０とホルダ１１は接触しないので、それらの接
着を防止することができ、ウェハ降下ステップをズムーズに行うことが可能となる。
【００６０】
次に本発明の第５の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１０、図１１は第５の実施形態に係る枚葉式基板処理装置の一例を示す概略図である
。本実施形態が前記第４の実施形態と異なる点は、処理容器２の壁面に接触防止用ガス導
入口５０、接触防止用ガス供給ユニット６０、ガス逃がし口７０を設けた点である。これ
以外の部分については前記第４の実施形態と同一であるので、前記第４の実施形態と同一
の構成要素については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００６１】
接触防止手段としての接触防止用ガス導入口５０は、処理容器２のウェハ処理空間より
も下方の壁面に複数設けられ、ウェハ浮上時にホルダ１１の外側面１１３に対して側方か
らガスを噴出するよう構成される。この構成により、ウェハ浮上時におけるホルダ１１と
処理容器２の内壁面との接触を防止することができる。また、ウェハが基板処理位置で浮
上している間は、複数のガス導入口５０から噴出される接触防止用ガスによりホルダ外側
面１１３が常にパージされることとなる。なお、ウェハＷを基板処理位置で浮上させた状
態で、ガス導入口５０から噴出させるガスの方向、流量または流速を調整することにより
、ウェハＷをホルダ１１ごと回転させることも可能となっている。接触防止用ガスはＮ２
等の不活性ガスであってもよいし、それ単独では成膜反応を生じない基板処理用ガスのう
ちの一部であってもよい。なお、接触防止用ガス供給ユニット６０は、ガス導入口５０よ
り噴出させる接触防止用ガスを供給するためのユニットであり、処理容器２を覆うよう処
理容器２の周りに設けられる。
【００６２】
本実施形態においては、処理容器２内に供給するトータルガス量が比較的多く（浮上用
ガス、位置制御用ガス、接触防止用ガス等）、ウェハ浮上時にホルダ１１よりも下方の空
間の圧力が必要以上に増大する虞がある。これを防止する為に、本実施形態においては、
処理容器２内に供給されたガスを処理容器外部に逃がすためのガス逃がし口７０を設けて
いる。このガス逃がし口７０はウェハ浮上時におけるホルダ１１よりも下方の空間と連通
するよう処理容器下部に設けられる。この構成により、ウェハ浮上時にホルダ１１よりも
下方の空間の圧力が必要以上に増大することなく、適正な圧力となるよう調整することが
できる。なお、接触防止用ガス供給ユニット６０、接触防止用ガス導入口５０、ガス逃が
し口７０は第１〜第４の実施形態に適用することも可能である。
【００６３】
以下、作用について説明する。本実施形態が前記第４の実施形態と作用上異なる点は、
接触防止用ガス導入口５０よりホルダ１１の側面にガスを噴出しつつ、またガス逃がし口
７０により処理容器内のガスを逃がしつつウェハＷを浮上させて処理する点である。これ
以外の作用（ウェハＷの処理等）については前記第４の実施形態と同様であるので説明を
省略する。
【００６４】
ウェハ浮上ステップにおいて、ウェハＷを載せたホルダ１１を浮上用ガスの風圧により
上昇させる際、処理容器２の壁面に設けられた複数の接触防止用ガス導入口５０よりホル
ダ１１の外側面１１３に対して側方からガスを均一に噴出する。これによりウェハ浮上時
におけるホルダ１１と処理容器２の内壁面との接触を防止することができ、接触に起因す
るパーティクルの発生を防止できる。この状態で、上昇させたウェハＷを載せたホルダ１
１の上面に対して、リング状ガスプレート４０下面の複数のガス噴出口４０ａから位置制
御用ガスを均一に噴出することにより、浮上させたウェハＷの垂直位置を非接触で制御し
、ウェハＷを基板処理位置に位置決めする（ウェハ位置決めステップ）。下方からの浮上
用ガスと上方からの位置制御用ガスと側方からの接触防止用ガスのバランスをうまくとる
ことにより、ウェハＷを処理位置に浮上させた状態で停止させる。このとき、浮上したホ
ルダ１１よりも下方の空間と連通するよう処理容器下部に設けられたガス逃がし口７０よ
り処理容器内のガスを外部に逃がすことにより、ホルダ下方の空間の圧力を適正な圧力と
なるよう調整する。この状態において、ウェハＷは浮上用ガスの風圧により全面で支持さ
れることとなる。図１０はこの状態を示している。なお、図１１はウェハＷを処理室１内
に搬入してホルダ１１に装填した状態（ウェハ降下時）を示している。
【００６５】
ウェハＷが処理位置において浮上した状態においては、ホルダ１１、ウェハＷともにガ
スの風圧を受け、それぞれが独立して浮上するため、ホルダ１１にはウェハＷの荷重が殆
ど加わることはなく、またウェハＷにもホルダ１１の荷重が殆ど加わることはない。また
、この状態においては、ガス噴出口４０ａから供給された位置制御用ガスがホルダ上面に
噴出され、また、接触防止用ガス導入口５０から供給された接触防止用ガスがホルダ側面
に噴出されるので、ウェハＷが処理位置で浮上している間は、ホルダ上面および側面は位
置制御用ガスおよび接触防止用ガスにより常にパージされることとなる。この状態におい
ては、ウェハＷの姿勢はホルダ１１により水平に保持される。またウェハＷの水平位置は
ホルダ１１により定められ、垂直位置はガス吹き出し口９からの浮上用ガス、ガス噴出口
４０ａからの位置制御用ガスの流量、流速を調整することにより所定の処理位置に定めら
れ、保持される。このとき、ウェハＷを基板処理位置にて浮上させた状態で、ガス噴出口
４０ａ、ガス吹き出し口９、または接触防止用ガス導入口５０から供給するガスの方向、
流量または流速を調整することにより、ウェハＷをホルダ１１ごと回転させるようにして
もよい。
【００６６】
この状態でウェハＷに対してＣＶＤ、酸化、拡散、アニール等の処理を行うこととなる
（ウェハ処理ステップ）。処理ガス供給の際、ガス噴出プレート４０はガス整流板として
も機能し、処理ガスはウェハＷの表面上を滑らかに流れる。ウェハ処理中においても、ホ
ルダ１１上面、側面には位置制御用ガス、接触防止用ガスが噴出され続け、ホルダ１１上
面、側面は常にパージされることとなる。これにより、処理ガスがホルダ上面、側面に接
触するのを防止でき、ホルダ上面、側面等の好ましくない部分への膜の付着を防止できる
。また、ガス噴出プレート４０とホルダ１１との接触、処理容器２の内壁とホルダ１１と
の接触を防止することができるので、それらの接着を防止することができ、ウェハ降下ス
テップをズムーズに行うことが可能となる。
【００６７】
なお、ウェハ降下ステップにおいても、ホルダ１１側面には接触防止用ガスが噴出され
続けることとなるので、処理容器２の内壁とホルダ１１との接触を防止することができ、
接触に起因するパーティクルの発生を防止できる。また、ウェハ処理ステップ、ウェハ降
下ステップにおいても、ガス逃がし口７０によるホルダ下方の空間の圧力調整は継続して
行われるので、浮上したホルダ下方の空間の圧力が必要以上に増大することも防止できる
。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ浮上時）を示す概略断面図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ降下時）を示す概略断面図
【図３】本発明の実施形態に係るホルダを示す（ａ）平面図、（ｂ）正面図および（ｃ）断面図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ浮上時）を示す概略断面図
【図５】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ降下時）を示す概略断面図
【図６】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ浮上時）を示す概略断面図
【図７】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ降下時）を示す概略断面図
【図８】本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ浮上時）を示す概略断面図
【図９】本発明の第４の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ降下時）を示す概略断面図
【図１０】本発明の第５の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ浮上時）を示す概略断面図
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る基板処理装置（ウェハ降下時）を示す概略断面図
【符号の説明】
【００６９】
１  処理室
２  処理容器
３  ガス供給口
４  排気口
５  ランプ加熱源
６  ランプカバー
７  透過窓
８  支持台
９  ガス吹き出し口
１０  パイロメータ
１１  ホルダ
１２  ストッパ
２０  位置決め手段
３０  パージガイド
３０ａ  突起
４０  ガス噴出プレート
４０ａ  ガス噴出口
５０  接触防止用ガス導入口
６０  接触防止用ガス供給ユニット
７０  ガス逃がし口
【図１】
2006005143.tif 000003
【図２】
2006005143.tif 000004
【図３】
2006005143.tif 000005
【図４】
2006005143.tif 000006
【図５】
2006005143.tif 000007
【図６】
2006005143.tif 000008
【図７】
2006005143.tif 000009
【図８】
2006005143.tif 000010
【図９】
2006005143.tif 000011
【図１０】
2006005143.tif 000012
【図１１】
2006005143.tif 000013