(57)【要約】    【課題】画像品質を劣化させることなく暗コントラストを向上させることが可能なプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とするも。    【解決手段】各表示セル内に、電子線の照射によって励起されて波長２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けたプラズマディスプレイパネルをサブフィールド法に従って駆動するにあたり、連続するＮ個のサブフィールドの内のＭ個（０＜Ｍ＜Ｎ）のサブフィールドにおいて、全表示セルに対する初期化を行うリセット放電を生起させる。    【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを１フレーム分の画像表示を担うＮ個のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイ装置であって、
前記表示セル各々内において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、
前記サブフィールド各々において前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス手段と、
前記サブフィールド各々において前記行電極対にサスティンパルスを印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティン手段と、
Ｎ個の前記サブフィールドの内のＭ個（０＜Ｍ＜Ｎ）のサブフィールドにおいて前記行電極対にリセットパルスを印加することにより全ての前記表示セルの前記放電空間内においてリセット放電を生起させて全ての前記表示セルを初期化するリセット手段と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記行電極対を構成する行電極各々は、行方向に延びる本体部と、放電ギャップを介して互いに対向するように本体部から列方向に突出する突出部を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記行電極の突出部は、放電ギャップ近傍の幅広部と、この幅広部と本体部を連結する幅狭部とを有することを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記酸化マグネシウム層が、マグネシウムを加熱することによって発生するマグネシウム蒸気が気相酸化して得られる酸化マグネシウム単結晶体を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記酸化マグネシウム層が、粒径２０００オングストローム以上の酸化マグネシウム単結晶体を含んでいることを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記酸化マグネシウム単結晶体が波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行うことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記酸化マグネシウム層が、前記行電極対を被覆する誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記リセットパルスは、時間経過に伴い緩やかに電圧値が変化する区間を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記リセット放電に応じて全ての前記表示セルの前記放電空間内に所定量の壁電荷が形成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記リセット放電は、全ての前記表示セル内に所定量の壁電荷を形成させる第１リセット放電と、全ての前記表示セル内に形成されている壁電荷を消去させる第２リセット放電と、からなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記リセットパルスは、時間経過に伴って緩やかに電圧値が上昇する第１リセットパルスと、時間経過に伴って緩やかに電圧値が減少する第２リセットパルスとからなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記リセット手段は、連続する複数のサブフィールド毎に１回又は連続する複数のフレーム毎に１回の頻度にて前記リセット放電を生起させることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１３】
複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んだ酸化マグネシウム層及び前記酸化マグネシウム層に面する放電空間を備えた表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを１フレーム分の画像表示を担うＮ個のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記サブフィールド各々において前記入力映像信号に基づき前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレスステップと、
前記サブフィールド各々において前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティンステップと、
Ｎ個の前記サブフィールドの内のＭ個（０＜Ｍ＜Ｎ）のサブフィールドにおいて全ての前記表示セルの前記放電空間内においてリセット放電を生起させて全ての前記表示セルを初期化するリセットステップと、を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１４】
前記行電極対を構成する行電極各々は、行方向に延びる本体部と、放電ギャップを介して互いに対向するように本体部から列方向に突出する突出部を有することを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１５】
前記行電極の突出部は、放電ギャップ近傍の幅広部と、この幅広部と本体部を連結する幅狭部とを有することを特徴とする請求項１４記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１６】
前記酸化マグネシウム層が、マグネシウムが加熱されて発生されるマグネシウム蒸気が気相酸化されることによって生成される酸化マグネシウム単結晶体を含んでいることを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１７】
前記酸化マグネシウム層が、粒径２０００オングストローム以上の酸化マグネシウム単結晶体を含んでいることを特徴とする請求項１４記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１８】
前記酸化マグネシウム単結晶体が波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行うことを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１９】
前記酸化マグネシウム層が、前記行電極対を被覆する誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２０】
前記リセット放電に応じて全ての前記表示セルの前記放電空間内に所定量の壁電荷が形成されることを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２１】
前記リセット放電は、全ての前記表示セル内に所定量の壁電荷を形成させる第１リセット放電と、全ての前記表示セル内に形成されている壁電荷を消去させる第２リセット放電と、からなることを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２２】
前記リセットステップは、連続する複数のサブフィールド毎に１回又は連続する複数のフレーム毎に１回の頻度にて前記リセット放電を生起させることを特徴とする請求項１３載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の大画面化にともなって薄型のものが要求され、各種の薄型表示デバイスが実用化されている。交流放電型のプラズマディスプレイパネル(以下、ＰＤＰと称する)は、この薄型表示デバイスの１つとして着目されている。  ＰＤＰは、表示画面を担う前面透明基板と背面基板とを備えている。前面透明基板には複数の行電極が形成されており、各行電極に交叉するように複数の列電極が背面基板上に形成されている。これら前面透明基板と背面基板との間には放電ガスが封入された放電空間が形成されており、この放電空間を含む各行電極及び列電極の交叉部に画素を担う画素セルが形成される構造を採る。
【０００３】
かかるＰＤＰにて中間調の輝度表示を行わせるべく、サブフィールド法に基づく階調駆動が実施される。例えば、入力映像信号における各フレームを８つのサブフィールドに分割し、各サブフィールド内において全面書込期間、全面消去期間、アドレス期間、維持放電期間を設けてＰＤＰを階調駆動する方法が提案された（例えば、特許文献１の図５参照）。この際、全面書込期間内では、全ての画素セルを強制的に書込放電させて全画素セル内に所定量の壁電荷を形成させる。更に、かかる書込放電により、全ての画素セル内には、後述するアドレス期間にて放電を生起させる際に必要となる量のプライミング粒子が形成される。すなわち、全面書込期間内において生起される書込放電は、各アドレス期間にて確実に放電を生起させる為のプライミング粒子を形成させ、且つ全ての画素セル内に残留する壁電荷の量を均一にする初期化放電といえる。次に、全面消去期間内では、全ての画素セルを消去放電させて全画素セル内に形成されていた壁電荷を消去する。次のアドレス期間内では、表示データに応じて各画素セルに対して選択的に書込放電を生起させ、点灯させるべき画素セルのみに壁電荷の形成を行う。そして、維持放電期間内では、壁電荷の形成されている画素セルのみを各サブフィールドに割り当てられている回数分だけ繰り返し維持放電させる。以上の如き駆動により、８つのサブフィールド各々において生起された維持放電の合計回数に対応した中間輝度が視覚される。
【０００４】
ところが、全面書込期間において生起される初期化放電（書込放電）に伴う発光は実際の表示画像には関与していない為、比較的暗画像を表示する際のコントラスト、いわゆる暗コントラストの低下を招いてしまう。そこで、かかる暗コントラストの低下を抑制すべく、８つのサブフィールド各々の内の先頭のサブフィールドのみに全面書込期間を設けて初期化放電（書込放電）を生起させるようにした駆動方法が提案された（例えば、特許文献１の図２参照）。
【０００５】
しかしながら、１フィールド（フレーム）の表示期間内に実施する初期化放電の回数を単純に減らすと、各画素セル内に残留するプライミング粒子の量が不足する。よって、アドレス期間内において上記選択放電が確実に為されなくなる場合が生じ、画像品質が劣化するという問題が発生した。
【特許文献１】特許２７５６０５３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、画像品質を劣化させることなく暗コントラストを向上させることが可能なプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイパネルの駆動方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載によるプラズマディスプレイ装置は、複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを１フレーム分の画像表示を担うＮ個のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイ装置であって、前記表示セル各々内において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、前記サブフィールド各々において前記行電極対各々の一方の行電極に順次走査パルスを印加すると共に入力映像信号に対応したデータパルスを前記列電極各々に印加することにより前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレス手段と、前記サブフィールド各々において前記行電極対にサスティンパルスを印加することにより前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティン手段と、Ｎ個の前記サブフィールドの内のＭ個（０＜Ｍ＜Ｎ）のサブフィールドにおいて前記行電極対にリセットパルスを印加することにより全ての前記表示セルの前記放電空間内においてリセット放電を生起させて全ての前記表示セルを初期化するリセット手段と、を有する。
【０００８】
又、請求項１３記載によるプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉した方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んだ酸化マグネシウム層及び前記酸化マグネシウム層に面する放電空間を備えた表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを１フレーム分の画像表示を担うＮ個のサブフィールド毎に駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記サブフィールド各々において前記入力映像信号に基づき前記表示セル各々の前記放電空間内において選択的に選択放電を生起させて前記表示セル各々を点灯セル状態又は消灯セル状態に設定するアドレスステップと、前記サブフィールド各々において前記点灯セル状態に設定された前記表示セルの前記放電空間内においてサスティン放電を生起させるサスティンステップと、Ｎ個の前記サブフィールドの内のＭ個（０＜Ｍ＜Ｎ）のサブフィールドにおいて全ての前記表示セルの前記放電空間内においてリセット放電を生起させて全ての前記表示セルを初期化するリセットステップと、を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
プラズマディスプレイパネルの表示セル各々内に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含んだ酸化マグネシウム層を設ける。かかるプラズマディスプレイパネルをサブフィールド法に従って駆動するにあたり、連続するＮ個のサブフィールドの内のＭ個（０＜Ｍ＜Ｎ）のサブフィールドにおいて、全表示セルに対する初期化を行うリセット放電を生起させる。
【実施例】
【００１０】
以下、本発明の実施例を図を参照しつつ説明する。
【００１１】
図１は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【００１２】
図１に示す如く、かかるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとしてのＰＤＰ５０、Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、アドレスドライバ５５、及び駆動制御回路５６から構成される。
【００１３】
ＰＤＰ５０には、２次元表示画面の縦方向（垂直方向）に夫々伸張して配列された列電極Ｄ１〜Ｄｍ、横方向（水平方向）に夫々伸張して配列された行電極Ｘ１〜Ｘｎ及び行電極Ｙ１〜Ｙｎが形成されている。この際、互いに隣接するもの同士で対を為す行電極対（Ｙ１，Ｘ１）、（Ｙ２，Ｘ２）、（Ｙ３，Ｘ３）、・・・、（Ｙｎ，Ｘｎ）が夫々、ＰＤＰ５０における第１表示ライン〜第ｎ表示ラインを担う。各表示ラインと列電極Ｄ１〜Ｄｍ各々との各交叉部(図１中の一点鎖線にて囲まれた領域)には、画素を担う表示セルＰＣが形成されている。すなわち、ＰＤＰ５０には、第１表示ラインに属する表示セルＰＣ1,1〜ＰＣ1,m、第２表示ラインに属する表示セルＰＣ2,1〜ＰＣ2,m、・・・・、第ｎ表示ラインに属する表示セルＰＣn,1〜ＰＣn,mの各々がマトリクス状に配列されているのである。
【００１４】
図２は、表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。尚、図２においては、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ１〜Ｄ３各々と、第１表示ライン（Ｙ１，Ｘ１）及び第２表示ライン（Ｙ２，Ｘ２）との各交叉部を抜粋して示すものである。又、図３は、図２のＶ３−Ｖ３線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図であり、図４は、図２のＷ２−Ｗ２線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図である。
【００１５】
図２に示すように、各行電極Ｘは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｘｂと、かかるバス電極Ｘｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｘａと、から構成される。各行電極Ｙは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｙｂと、かかるバス電極Ｙｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に夫々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｙａと、から構成される。透明電極Ｘａ及びＹａは例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなり、バス電極Ｘｂ及びＹｂは例えば金属膜からなる。透明電極Ｘａ及バス電極Ｘｂからなる行電極Ｘ、並びに透明電極Ｙａ及バス電極Ｙｂからなる行電極Ｙは、図３に示す如く、その前面側がＰＤＰ５０の表示面となる前面透明基板１０の背面側に形成されている。この際、各行電極対（Ｘ、Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａは、互いに対となる相手の行電極側に伸張しており、その幅広部の頂辺同士が所定幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向している。又、前面透明基板１０の背面側には、１対の行電極対（Ｘ１、Ｙ１）とこの行電極対に隣接する行電極対（Ｘ２、Ｙ２）との間に、２次元表示画面の水平方向に伸張する黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。さらに、前面透明基板１０の背面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１２が形成されている。この誘電体層１２の背面側（行電極対が接触する面とは反対側の面）には、図３に示す如く、光吸収層１１とこの光吸収層１１に隣接するバス電極Ｘｂ及びＹｂとが形成されている領域に対応した部分に、嵩上げ誘電体層１２Ａが形成されている。
【００１６】
この誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面上には、誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面上には、電子線の照射によって励起されて波長２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層１３が形成されている。この酸化マグネシウム結晶体は、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られる気相法酸化マグネシウム結晶体を含んでいる。かかる気相法酸化マグネシウム結晶体は、例えば図５ＡのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造、あるいは図５ＢのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の単結晶構造を有するものであり、その平均粒径は、５００オングストローム以上、好ましくは２０００オングストローム以上（ＢＥＴ法による測定結果）である。そして、図６に示すように、スプレー法や静電塗布法等により、気相法酸化マグネシウム単結晶体１３Ｂを誘電体層１２の表面に付着させることにより酸化マグネシウム層１３を形成させるのである。尚、誘電体層１２の表面に蒸着又はスパッタ法により薄膜酸化マグネシウム層を形成し、その上に気相法酸化マグネシウム単結晶体を付着させて酸化マグネシウム層１３を形成するようにしても良い。
【００１７】
前面透明基板１０と平行に配置された背面基板１４上には、列電極Ｄの各々が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に伸張して形成されている。背面基板１４上には、更に列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層１５が形成されている。この列電極保護層１５上には隔壁１６が形成されている。隔壁１６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘｂ及びＹｂに対応した位置において夫々２次元表示画面の横方向に伸張している横壁１６Ａと、互いに隣接する列電極Ｄ間の各中間位置において２次元表示画面の縦方向に伸張している縦壁１６Ｂとによって梯子形状に形成されている。尚、ＰＤＰ５０の各表示ライン毎に、図２に示す如き梯子形状の隔壁１６が夫々形成されており、互いに隣接する隔壁１６の間には、図２に示す如き隙間ＳＬが存在する。又、梯子状の隔壁１６によって、夫々独立した放電空間Ｓ、透明電極Ｘａ及びＹａを含む表示セルＰＣが区画されている。放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。各表示セルＰＣ内における横壁１６Ａの側面、縦壁１６Ｂの側面、及び列電極保護層１５の表面には、図３に示す如くこれらの面を全て覆うように蛍光体層１７が形成されている。この蛍光体層１７は、実際には、赤色発光を為す蛍光体、緑色発光を為す蛍光体、及び青色発光を為す蛍光体の３種類からなる。各表示セルＰＣの放電空間Ｓと隙間ＳＬとの間は、図３に示す如く酸化マグネシウム層１３が横壁１６Ａに当接されることによって互いに閉じられている。一方、図４に示す如く、縦壁１６Ｂは酸化マグネシウム層１３に当接されていないので、その間に隙間ｒ１が存在する。すなわち、２次元表示画面の横方向において互いに隣接する表示セルＰＣ各々の放電空間Ｓは、この隙間ｒ１を介して互いに連通しているのである。
【００１８】
駆動制御回路５６は、上記構造を有するＰＤＰ５０を図７に示す如きサブフィールド法を採用した発光駆動シーケンスに従って駆動させるべき各種制御信号をＸ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、及びアドレスドライバ５５の各々に供給する。Ｘ電極ドライバ５１、Ｙ電極ドライバ５３、及びアドレスドライバ５５は、図７に示す発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０を駆動すべき各種駆動パルス（後述する）を生成してＰＤＰ５０に供給する。
【００１９】
図７に示す発光駆動シーケンスにおいては、１フィールド（１フレーム）の表示期間内のＮ個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々は、アドレス期間Ｗ、サスティン期間Ｉ、及び消去期間Ｅからなる。尚、先頭のサブフィールドＳＦ１に限り、アドレス期間Ｗに先立ち、リセット期間Ｒが設けられている。
【００２０】
図８は、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）の内からＳＦ１及びＳＦ２を抜粋して、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに印加される各種駆動パルスの印加タイミングを示す図である。
【００２１】
先ず、各サブフィールドのアドレス期間Ｗでは、アドレスドライバ５５が、入力映像信号に基づきそのサブフィールドで各表示セルＰＣを発光させるか否かを設定する為の画素データパルスを生成する。例えば、アドレスドライバ５５は、表示セルＰＣを発光させる場合には高電圧、発光させない場合には低電圧の画素データパルスを各表示セルＰＣ毎に生成する。そして、アドレスドライバ５５は、かかる画素データパルスを１表示ライン分（ｍ個）ずつ、画素データパルス群ＤＰ１、ＤＰ２、・・・、ＤＰｎとして順次、列電極Ｄ1〜Ｄmに印加して行く。この間、Ｙ電極ドライバ５３は、上記画素データパルス群ＤＰ１〜ＤＰn各々のタイミングに同期させて負極性の走査パルスＳＰを行電極Ｙ1〜Ｙnに順次印加して行く。この際、走査パルスＳＰが印加され且つ高電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣのみに放電（選択放電）が生起され、その表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７各々の表面に所定量の壁電荷が形成される。尚、走査パルスＳＰが印加されたものの低電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣ内では上記の如き選択放電は生起されないので、その直前までの壁電荷の形成状態が維持される。
【００２２】
すなわち、アドレス期間Ｗにおいて、各表示セルＰＣは、入力映像信号に基づいて所定量の壁電荷が残留する点灯セル状態、又は壁電荷が所定量に満たない消灯セル状態のいずれか一方に設定されるのである。
【００２３】
次に、各サブフィールドのサスティン期間Ｉでは、Ｘ電極ドライバ５１及びＹ電極ドライバ５３の各々が、交互に繰り返し正極性のサスティンパルスＩＰＸ及びＩＰＹを行電極Ｘ1〜Ｘn及びＹ1〜Ｙnに印加する。尚、サスティンパルスＩＰＸ及びＩＰＹを印加する回数は、各サブフィールドにおける輝度の重み付けに依存する。この際、これらサスティンパルスＩＰＸ及びＩＰＹが印加される度に、所定量の壁電荷が形成されている上記点灯セル状態にある表示セルＰＣのみがサスティン放電し、この放電に伴い蛍光体層１７が発光してパネル面に画像が形成される。
【００２４】
先頭のサブフィールドＳＦ１のみに設けられたリセット期間Ｒは、全面書込期間ＲＷ及び全面消去期間ＲＥからなる。
【００２５】
先ず、全面書込期間ＲＷでは、Ｘ電極ドライバ５１が図８に示す如き負極性のリセットパルスＲＰＸを行電極Ｘ1〜Ｘnに一斉に印加する。更に、かかるリセットパルスＲＰＸの印加と同時に、Ｙ電極ドライバ５３は、図８に示す如き、時間経過に伴い緩やかに電圧値が上昇してピーク電圧値に到るパルス波形を有する正極性の第１リセットパルスＲＰＹ１を行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。尚、第１リセットパルスＲＰＹ１のピーク電圧値は、上記サスティンパルスＩＰＸ及びＩＰＹのピーク電圧値よりも大である。上記第１リセットパルスＲＰＹ１及び負極性のリセットパルスＲＰxの同時印加により、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において第１リセット放電が生起される。かかる第１リセット放電の終息後、全ての表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３の表面には所定量の壁電荷が形成される。つまり、酸化マグネシウム層１３の表面上における行電極Ｘの近傍には正極性の電荷が形成され、行電極Ｙの近傍には負極性の電荷が形成される、いわゆる壁電荷の形成された状態となる。
【００２６】
次に、全面消去期間ＲＥでは、Ｙ電極ドライバ５３が、図８に示す如き立ち下がり時の電圧変化が緩やかな負極性の第２リセットパルスＲＰＹ２を生成し、これを全ての行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。尚、第２リセットパルスＲＰＹ２のピーク電圧値は、上記アドレス行程Ｗにおいて走査パルスＳＰが印加されていない時の行電極Ｙ上の電圧値から走査パルスＳＰのピーク電圧値までの電圧範囲内において設定される。かかる第２リセットパルスＲＰＹ２の印加に応じて、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において第２リセット放電が生起される。かかる第２リセット放電により、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内に形成されていた壁電荷が消滅する。
【００２７】
すなわち、リセット期間Ｒにて、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,mは、壁電荷の存在しない消灯セル状態に初期化されるのである。
【００２８】
ここで、上記リセット期間Ｒでは、立ち上がり時の電圧変化が緩やかな第１リセットパルスＲＰＹ１を行電極Ｙに印加することにより、Ｔ字状の透明電極Ｙａ及びＸａ間において弱い第１リセット放電を生起させて、コントラストの低下を抑制させるようにしている。
【００２９】
また、第１及び第２リセット放電時、各表示セルＰＣ内において放電が生じ、表示セルＰＣ内に上記酸化マグネシウム層１３が形成されているため、リセット放電によるプライミング効果が長く持続し、アドレスの高速化が可能となる。
【００３０】
すなわち、かかる酸化マグネシウム層１３には、図５Ａ又は図５Ｂに示す如き形状の比較的大なる気相酸化マグネシウム単結晶体が含まれている。このような単結晶体は電子線を照射すると、図９に示す如く、波長域３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光と共に、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光が生起されることから、２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有するものであると考えられる。尚、図１０に示す如く、２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光は、気相法酸化マグネシウム単結晶体の粒径が大きくなるほどそのピーク強度が大きくなる。すなわち、気相酸化マグネシウム結晶体を生成する際に、通常よりも高い温度でマグネシウムを加熱すると、平均粒径５００オングストロームの気相酸化マグネシウム単結晶体と共に、図５Ａ或いは図５Ｂの如き粒径２０００オングストローム以上の比較的大なる単結晶体が形成される。この際、マグネシウムを加熱する際の温度が通常よりも高温であるので、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さも長くなる。従って、かかる火炎と周囲との温度差が大になり、それ故に、粒径が大なる気相酸化マグネシウム単結晶体のグループほど、２００〜３００ｎｍ（特に２３５ｎｍ）に対応したエネルギー準位の高い単結晶体が多く含まれることになると推測される。この気相酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって生成された酸化マグネシウムと比較すると高純度であると共に微粒子であり、粒子の凝集が少ない等の特徴を備えている。
【００３１】
従って、気相酸化マグネシウム単結晶体は、上述した如き２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有することにより、電子を長時間に亘り（数msec）捕捉し、この電子を選択放電時の電界の印加によって放出させることで放電に必要な初期電子を迅速に取得していると推測される。よって、電子の照射によって２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体が図３に示す如き酸化マグネシウム層１３に含まれていると、放電空間Ｓ内には放電を生起させるのに必要十分な量の電子が常時存在することになり、放電空間Ｓ内での放電確率が著しく高くなる。
【００３２】
図１１は、表示セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を生起する気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。
【００３３】
図１１中において横軸は放電の休止時間、つまり放電が生起されてから次の放電が生起されるまでの時間間隔を表すものである。このように、各表示セルＰＣ内に、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を設けると、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合に比して放電確率が高まる。尚、図１２に示す如く、上記気相酸化マグネシウム単結晶体としては、電子線を照射した際のＣＬ発光、特に２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光の強度が大なるものほど、放電空間Ｓ内において生起される放電遅れを短縮させることができる。
【００３４】
このように、放電空間Ｓ内での放電確率が著しく高まることから、第１リセット放電の１フィールド（フレーム）表示期間あたりの生起回数がサブフィールドＳＦ１のリセット期間Ｒでの１回だけであっても、各サブフィールドのアドレス期間Ｗにて確実に選択放電を生起させることが可能になるのである。
【００３５】
尚、図７に示す一例においては、Ｎ個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）の内のＳＦ１のみで第１リセット放電を生起させるようにしているが、その他のサブフィールドにおいても同様にアドレス期間Ｗの直前に第１リセット放電を生起させるようにしても良い。
【００３６】
要するに、１フィールド（フレーム）表示期間内の全てのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）の内のＭ個（Ｍ＜Ｎ）のサブフィールドにおいて、表示セルＰＣ各々の壁電荷の形成状態を初期化する第１リセット放電を生起させれば良いのである。
【００３７】
よって、本発明によれば、１フィールド（フレーム）表示期間内において生起させるべきリセット放電の回数を少なくしても各サブフィールドのアドレス期間Ｗにおいて選択放電を確実に生起させることができるので、画像品質を劣化させることなく暗コントラストを向上させた良好な画像表示が為されるようになる。
【００３８】
尚、上記実施例においては、図５Ａ又は図５Ｂに示す如き酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を誘電体層１２の表面に形成するようにしているが、両者の間に図１３及び図１４に示す如く、蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層１３０を設けるようにしても良い。
【００３９】
又、図７に示す如き発光駆動シーケンスに基づく駆動を複数回実施する度に、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）のいずれにもリセット期間Ｒが含まれていない図１５に示す如き発光駆動シーケンスに基づく駆動を、少なくとも１回だけ実行するようにしても良い。これにより、単位時間あたりに実施される第１リセット放電の回数が更に低減されるので、暗コントラストをより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図２】表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。
【図３】図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面を示す図である。
【図４】図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面を示す図である。
【図５Ａ】酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。
【図５Ｂ】酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。
【図６】スプレー法や静電塗布法等により気相法酸化マグネシウム単結晶体１３Ｂを誘電体層１２の表面に付着させた場合の形態を模式的に示す図である。
【図７】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの一例を示す図である。
【図８】図７に示す発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスとその印加タイミングを示す図である。
【図９】酸化マグネシウム単結晶体に電子線を照射した際に励起されるＣＬ発光の波長とＣＬ発光強度との対応関係を示すグラフである。
【図１０】酸化マグネシウム単結晶体の粒径と２３５ｎｍでのＣＬ発光強度との関係を示すグラフである。
【図１１】表示セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合の放電確率、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を構築した場合の放電確率、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を励起する酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。
【図１２】２３５ｎｍピークのＣＬ発光強度と放電遅れ時間との対応関係を示す図である。
【図１３】図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面の他の一例を示す図である。
【図１４】図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面の他の一例を示す図である。
【図１５】図７に示される発光駆動シーケンスと混在して用いる発光駆動シーケンスの一例を示す図である。
【主要部分の符号の説明】
【００４１】
１３    酸化マグネシウム層
５０    ＰＤＰ
５１    Ｘ電極ドライバ
５３    Ｙ電極ドライバ
５５    アドレスドライバ  
５６    駆動制御回路
【図１】
2006053516.tif 000003
【図２】
2006053516.tif 000004
【図３】
2006053516.tif 000005
【図４】
2006053516.tif 000006
【図６】
2006053516.tif 000007
【図７】
2006053516.tif 000008
【図８】
2006053516.tif 000009
【図９】
2006053516.tif 000010
【図１０】
2006053516.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2006053516.tif 000016
【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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