(57)【要約】【課題】  被支持部材の主平面が支持基体の主平面に対してなす角度を、安定して高精度に非平行の所定角度に保持する。【解決手段】  薄膜構造体は、支持基体１２ｂと、薄膜で構成され支持基体１２ｂ上に支持されたミラー３１と、ミラー３１に対して固定され支持基体１２ｂに当接する当接部材３４と、を備える。当接部材３４は、湾曲した膜部材３６と連結部材３５を介してミラー３１に対して固定される。当接部材３４が支持基体１２ｂに当接することで、ミラー３１の主平面が支持基体１２ｂの主平面に対してなす角度が９０゜に保持される。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基体と、
薄膜で構成され前記支持基体上に支持された被支持部材と、
前記被支持部材に対して固定され前記支持基体に当接する当接部材と、
を備え、
前記当接部材が前記支持基体に当接するか、あるいは、前記当接部材が前記支持基体に設けられた部材に上側から当接することで、前記被支持部材の主平面が前記支持基体の主平面に対してなす角度が非平行の所定角度に保持されることを特徴とする薄膜構造体。
【請求項２】
前記所定角度が略９０゜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜構造体。
【請求項３】
薄膜で構成され前記被支持部材を支持する支持部を備え、
前記支持部の所定箇所が前記支持基体に固定されるとともに、前記支持部の他の所定箇所が前記被支持部材に固定され、
前記支持部は、前記当接部材が前記支持基体又は前記支持基体に設けられた前記部材に押し付けられるように付勢力を発生することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜構造体。
【請求項４】
前記支持部は、薄膜で構成され一端が前記支持基体に対して固定されるとともに他端が前記被支持部材に対して固定され湾曲した第１の膜部材を含むことを特徴とする請求項３記載の薄膜構造体。
【請求項５】
薄膜で構成され一端が前記被支持部材に対して固定され湾曲した第２の膜部材を備え、
前記当接部材が前記第２の膜部材であるかあるいは前記当接部材が前記第２の膜部材を介して前記被支持部材に対して固定されたことを特徴とする請求項請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜構造体。
【請求項６】
薄膜で構成され一端が前記被支持部材に対して固定され湾曲した第２の膜部材を備え、
前記当接部材が前記第２の膜部材を介して前記被支持部材に対して固定され、
前記当接部材は、前記第２の膜部材の他端側において前記第２の膜部材の側方向に突出したことを特徴とする請求項請求項１乃至４のいずれかに記載の薄膜構造体。
【請求項７】
前記第２の膜部材は、前記被支持部材を構成する少なくとも１つの膜又は前記支持部を構成する少なくとも１つの膜と同時に成膜された膜を含むことを特徴とする請求項５又は６記載の薄膜構造体。
【請求項８】
前記被支持部材は、ヒンジ機構により前記支持基体に取り付けられたことを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜構造体。
【請求項９】
前記当接部材を複数備えたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の薄膜構造体。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の薄膜構造体を備えた光学装置であって、前記被支持部材が光学素子部を含むことを特徴とする光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれかに記載の薄膜構造体を備えた光スイッチであって、前記被支持部材がミラーであることを特徴とする光スイッチ。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれかに記載の薄膜構造体を備えた可変光減衰器であって、前記被支持部材がシャッタであることを特徴とする可変光減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical System）などで用いられる薄膜構造体、並びに、これを用いた光学装置、光スイッチ及び可変光減衰器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１の図２６には、支持基体と、薄膜で構成された被支持部と、薄膜で構成され前記被支持部を前記支持基体上に支持する支持部と、前記支持基体に設けられたストッパと、を備えた薄膜構造体が、開示されている。この薄膜構造体では、前記支持部の所定箇所が前記支持基体に固定されるとともに、前記支持部の他の所定箇所が前記被支持部に固定されている。前記ストッパは、側方に突出した突出部を有している。前記支持部は、前記ストッパの突出部に当接する当接部材を有している。前記支持部は、前記当接部材が前記ストッパの前記突出部に押し付けられるように付勢力を発生している。前記当接部材が前記ストッパの前記突出部に側方から当接することで、前記被支持部の主平面が前記支持基体の主平面に対して垂直をなすように、前記被支持部の前記支持基体に対する姿勢が保持されている。前記当接部材は、前記支持基体の主平面と略平行に直線状に延びている。前記被支持部は、前記当接部材に固定されている。
【０００３】
また、特許文献１には、前記薄膜構造体を用いた光スイッチも開示されている。この光スイッチでは、アクチュエータの可動部の一部が前記支持基体として用いられ、前記被支持部がミラーを含み、前記アクチュエータによりミラーが光路に対して進出及び退出することで、光路を切り替えるようになっている。また、特許文献１には、この光スイッチを可変光減衰器として用いることができる旨も記載されている。
【０００４】
また、下記の特許文献２の図１乃至図３には、半導体表面に対してミラーを垂直に持ち上げたＭＥＭＳミラーアセンブリが開示されている。このミラーアセンブリでは、ミラーの一端側がヒンジ機構によりミラースライダに取り付けられる一方、前記ミラーの他端側が別のヒンジ機構により支持体の一端に取り付けられ、前記支持体の他端が支持スライダに更に別のヒンジ機構により取り付けられている。前記支持スライダは、コームドライブと呼ばれている駆動機構により半導体表面をスライドし得るようになっており、その位置を調整することで、ミラーを半導体表面に対して垂直に調整する。
【特許文献１】国際公開第０３／０６０５９２号パンフレット
【特許文献２】特表２００１−５１１２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記特許文献２の図１乃至図３に開示されたＭＥＭＳミラーアセンブリでは、ミラーの両端ともにヒンジ機構を利用してミラースライダや支持体に取り付けられているので、ヒンジ機構には必然的にいわゆる遊びが存することから、ミラーの角度を高い精度で安定して垂直にすることができなかった。
【０００６】
また、前記特許文献１に開示された薄膜構造体によれば、支持基体に設けられたストッパに対する部材の側方からの当接を利用してミラー角度を保持しているので、前記ＭＥＭＳミラーアセンブリに比べると、ミラーの角度をはるかに高い精度で垂直にすることができる。
【０００７】
しかしながら、本発明者の研究の結果、前記特許文献１の図２６に開示された薄膜構造体では、何らかの原因で前記支持部に意図しない力が加わると、前記ストッパの突出部に側方から当接していた前記当接部材が、その当接状態から外れて、ストッパの突出部の下側に潜り込んでしまう現象が生ずる場合があることが判明した。この潜り込みを伴う構造体の変形は、不可逆的な作用であるので、前記当接部材が前記ストッパの突出部の下側に一旦潜り込んでしまうと、何か別の力を所定の方向に加えない限り元には戻らない。この力を加える復帰操作は、例えばマイクロメートルの寸法の制御が必要になる微小な構造体では、非常に困難である。
【０００８】
前記特許文献１の図２６に開示された薄膜構造体では、前記当接部材が前記ストッパの突出部に側方から当接することで、前記被支持部の姿勢が所望の姿勢や位置に保持されるため、前記当接部材がストッパの突出部の下側に潜り込んでしまうと、前記被支持部の姿勢や位置を所望の姿勢や位置にすることができなくなってしまう。
【０００９】
このような潜り込み現象の様子を図２５に示す。図２５は、前記特許文献１の図２６に開示された薄膜構造体を模式的に示す一部切欠き概略側面図である。
【００１０】
図２５において、１１２は支持基体となるミラー部搭載板、１３２は一端が脚部１３２ｃを介してミラー部搭載板１１２に固定され湾曲した第１の膜部材、１３３は一端が接続部１３４を介して第１の膜部材１３２の他端に固定され第１の膜部材１３２に対して逆向きに湾曲した第２の膜部材である。また、１３５は、図２５中の紙面と垂直な方向に延びた支持バーであり、この支持バー１３５には第２の膜部材１３３の他端が固定されている。ミラー部搭載板１１２に設けられたストッパ１５０は、積み重なった４段の単位構造部材１５１〜１５４から構成されている。膜部材１３２，１３３の内部応力による付勢力によって、支持バー１３５が、最上段の単位構造部材１５４の突出部１５４ａに対して側方から押し付けられる。図２５には示していないが、支持バー１３５にはミラーが固定されており、図２５中の実線で示すように支持バー１３５がストッパ１５０の突出部１５４ａに側方から当接しているときに、前記ミラーの主平面がミラー部搭載板１１２の主平面に対して垂直になるようになっている。
【００１１】
今、図２５中の実線で示す通常状態において、例えば接続部１３４に比較的大きい下方向の力が加わったとすると、支持バー１３５は下方向へ移動して下方向に過度に位置ズレを起こす。その結果、支持バー１３５の上縁がストッパ１５０の突出部１５４ａよりも下まで位置ズレし、図２５中に破線で示すように、支持バー１３５が突出部１５４ａの下側に潜り込んでしまう。その後、一旦加わった力が加えられなくなっても、膜部材１３２，１３３の応力によって支持バー１３５の上縁が突出部１５４ａの下側に係合した状態に保持されてしまう。すなわち、支持バー３５の潜り込みを伴う構造体の変形は、不可逆的な作用である。よって、支持バー１３５が突出部１５４ａの下側に一旦潜り込んでしまうと、前記係合を取り外すような力を加える復帰操作を行わない限り、図２５中の実線で示す状態に復帰させることができない。この復帰操作は、例えばマイクロメートルの寸法の制御が必要になる微小な構造体では、非常に困難である。
【００１２】
このように、前記特許文献１の図２６に開示された薄膜構造体では、潜り込み現象が生ずる場合があるので、ミラーの角度を高い精度で安定して垂直に保持することができなかった。
【００１３】
ミラーの角度を安定して高い精度で非平行の所定角度（例えば、９０゜）にすることができなければ、そのような薄膜構造体を用いた光学装置やその他の装置では、不都合が生ずる。例えば、前記薄膜構造体を光スイッチに用いる場合には、光の反射方向が所望の方向からずれてしまい、適切に光路を切り替えることができなくなるおそれがある。
【００１４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、被支持部材の主平面が支持基体の主平面に対してなす角度を、安定して高精度に非平行の所定角度に保持することができる薄膜構造体、及び、これを用いた光学装置及び光スイッチを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による薄膜構造体は、支持基体と、薄膜で構成され前記支持基体上に支持された被支持部材と、前記被支持部材に対して固定され前記支持基体に当接する当接部材と、を備え、前記当接部材が前記支持基体に当接するか、あるいは、前記当接部材が前記支持基体に設けられた部材に上側から当接することで、前記被支持部材の主平面が前記支持基体の主平面に対してなす角度が非平行の所定角度に保持されるものである。
【００１６】
なお、前記「上側」は、前記被支持部材の配置される側において前記支持基体から遠い側の意味である。
【００１７】
本発明の第２の態様による薄膜構造体は、前記第１の態様において、前記所定角度が略９０゜であるものである。
【００１８】
本発明の第３の態様による薄膜構造体は、前記第１又は第２の態様において、薄膜で構成され前記被支持部材を支持する支持部を備え、前記支持部の所定箇所が前記支持基体に固定されるとともに、前記支持部の他の所定箇所が前記被支持部材に固定され、前記支持部は、前記当接部材が前記支持基体又は前記支持基体に設けられた前記部材に押し付けられるように付勢力を発生するものである。
【００１９】
本発明の第４の態様による薄膜構造体は、前記第３の態様において、前記支持部は、薄膜で構成され一端が前記支持基体に対して固定されるとともに他端が前記被支持部材に対して固定され湾曲した第１の膜部材を含むものである。
【００２０】
本発明の第５の態様による薄膜構造体は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、薄膜で構成され一端が前記被支持部材に対して固定され湾曲した第２の膜部材を備え、前記当接部材が前記第２の膜部材であるかあるいは前記当接部材が前記第２の膜部材を介して前記被支持部材に対して固定されたものである。
【００２１】
本発明の第６の態様による薄膜構造体は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、薄膜で構成され一端が前記被支持部材に対して固定され湾曲した第２の膜部材を備え、前記当接部材が前記第２の膜部材を介して前記被支持部材に対して固定され、前記当接部材は、前記第２の膜部材の他端側において前記第２の膜部材の側方向に突出したものである。
【００２２】
本発明の第７の態様による薄膜構造体は、前記第５又は第６の態様において、前記第２の膜部材は、前記被支持部材を構成する少なくとも１つの膜又は前記支持部を構成する少なくとも１つの膜と同時に成膜された膜を含むものである。
【００２３】
本発明の第８の態様による薄膜構造体は、前記第１又は第２の態様において、前記被支持部材は、ヒンジ機構により前記支持基体に取り付けられたものである。
【００２４】
本発明の第９の態様による薄膜構造体は、前記第１乃至第８のいずれかの態様のいて、前記当接部材を複数備えたものである。
【００２５】
本発明の第１０の態様による光学装置は、前記第１乃至第９のいずれかの態様による薄膜構造体を備えた光学装置であって、前記被支持部材が光学素子を含むものである。
【００２６】
本発明の第１１の態様による光スイッチは、前記第１乃至第９のいずれかの態様による薄膜構造体を備えた光スイッチであって、前記被支持部材がミラーであることを特徴とする光スイッチ。
【００２７】
本発明の第１２の態様による可変光減衰器は、前記第１乃至第９のいずれかの態様による薄膜構造体を備えた可変光減衰器であって、前記被支持部材がシャッタであるものである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、被支持部材の主平面が支持基体の主平面に対してなす角度を、安定して高精度に非平行の所定角度に保持することができる薄膜構造体、及び、これを用いた光学装置及び光スイッチを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明による薄膜構造体、光学装置、光スイッチ及び可変光減衰器について、図面を参照して説明する。
【００３０】
［第１の実施の形態］
【００３１】
図１は、本発明の第１の実施の形態による光学装置としての光スイッチアレー１を用いた光学システム（本実施の形態では、光スイッチシステム）の一例を模式的に示す概略構成図である。説明の便宜上、図１に示すように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する（後述する図についても同様である。）。図１において、Ｘ’軸及びＹ’軸は、Ｘ軸及びＹ軸をそれぞれＺ軸回りに４５゜回転した軸を示す。光スイッチアレー１の基板１１の主平面がＸＹ平面と平行となっている。なお、Ｚ軸方向の＋側を上側、Ｚ軸方向の−側を下側という場合がある。
【００３２】
この光学システムは、図１に示すように、光スイッチアレー１と、ｍ本の光入力用光ファイバ２と、ｍ本の光出力用光ファイバ３と、ｎ本の光出力用光ファイバ４と、光スイッチアレー１に対して後述するように磁界を発生する磁界発生部としての磁石５と、光路切替状態指令信号に応答して、当該光路切替状態指令信号が示す光路切換状態を実現するための制御信号を光スイッチアレー１に供給する制御部としての外部制御回路６と、を備えている。図１に示す例では、ｍ＝３、ｎ＝３となっているが、ｍ及びｎはそれぞれ任意の数でよい。
【００３３】
本実施の形態では、磁石５は、光スイッチアレー１の下側に配置された永久磁石であり、光スイッチアレー１に対して、Ｘ軸方向に沿ってその＋側へ向かう略均一な磁界を発生している。
【００３４】
光スイッチアレー１は、図１に示すように、基板１１と、基板１１上に配置されたｍ×ｎ個の光学素子部としての光スイッチ用ミラー３１とを備えている。ｍ本の光入力用光ファイバ２は、基板１１に対するＹ’軸方向の一方の側からＹ’軸方向に入射光を導くように、ＸＹ平面と平行な面内に配置されている。ｍ本の光出力用光ファイバ３は、ｍ本の光入力用光ファイバ２とそれぞれ対向するように基板１１に対する他方の側に配置され、光スイッチアレー１のいずれのミラー３１によっても反射されずにＹ’軸方向に進行する光が入射するように、ＸＹ平面と平行な面内に配置されている。ｎ本の光出力用光ファイバ４は、光スイッチアレー１のいずれかのミラー３１により反射されて−Ｘ’軸方向に進行する光が入射するように、ＸＹ平面と平行な面内に配置されている。ｍ×ｎ個のミラー３１は、ｍ本の光入力用光ファイバ２の出射光路と光出力用光ファイバ４の入射光路との交差点に対してそれぞれ、後述するマイクロアクチュエータにより進出及び退出可能にＺ軸方向に移動し得るように、２次元マトリクス状に基板１１上に配置されている。なお、本例では、ミラー３１の向きは、その法線がＸＹ平面と平行な面内においてＹ軸’と４５゜をなすＹ軸と平行となるように設定されている。もっとも、その角度は適宜変更することも可能であり、ミラー３１の角度を変更する場合には、その角度に応じて光出力用光ファイバ４の向きを設定すればよい。この光スイッチシステムの光路切替原理自体は、従来の２次元光スイッチの光路切替原理と同様である。
【００３５】
次に、図１中の光スイッチアレー１の単位素子としての１つの光スイッチの構造について、説明する。
【００３６】
図２は、図１中の光スイッチアレー１の単位素子としての１つの光スイッチ（すなわち、１つのマイクロアクチュエータ及びこれにより駆動される１つのミラー３１）を模式的に示す概略斜視図である。図３は、この光スイッチを模式的に示す概略断面図である。図３（ａ）はミラー３１が光路から退出した状態、図３（ｂ）はミラー３１が光路に進出した状態を示している。
【００３７】
光スイッチアレー１の単位素子としての１つの光スイッチは、図２及び図３に示すように、シリコン基板やガラス基板等の基板１１上に設けられ基板１１と共にマイクロアクチュエータを構成する可動部としての可動板１２と、可動板１２に搭載されたミラー部１３とを有している。ミラー部１３は、光学素子部として、光学膜からなるミラー３１を含んでいる。
【００３８】
ここで、可動板１２について、図２及び図３の他に、図４及び図５を参照して説明する。図４（ａ）は図２中の可動板１２を示す概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＭ−Ｍ断面図である。図５は、図２中の可動板１２を上から見たときのＡｌ膜２２のパターン形状を示す図である。理解を容易にするため、図５において、Ａｌ膜２２の部分にハッチングを付している。
【００３９】
可動板１２は、図４及び図５に示すように、可動板１２の平面形状の全体に渡る下側の窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）２１及び上側のＳｉＮ膜２３と、これらの膜２１，２３の間において部分的に形成された中間のＡｌ膜２２とから構成されている。すなわち、可動板１２は、下から順にＳｉＮ膜２１，２３を積層した２層膜からなる部分と、下から順にＳｉＮ膜２１、Ａｌ膜２２及びＳｉＮ膜２３を積層した３層膜からなる部分とを、併有している。Ａｌ膜２２のパターン形状は図５に示す通りであるが、これについては後述する。可動板１２は、ＳｉＮ膜２１，２３とＡｌ膜２２との熱膨張係数の差によって生じる内部応力、並びに、成膜時に生じた内部応力により、図３（ｂ）に示すように基板１１に対して上向き（＋Ｚ方向）に湾曲するように、予め定められた膜厚及び成膜条件によって形成されている。
【００４０】
可動板１２は、図２及び図４（ａ）に示すように、ミラー部１３を搭載するための搭載部（すなわち、ミラー部１３用の支持基体）としての長方形状のミラー部搭載板１２ｂと、ミラー部搭載板１２ｂの端部に接続された２本の帯状の支持板１２ｃとを含む。支持板１２ｃは、それぞれの端部に脚部１２ａ及び脚部１２ｄを有している。脚部１２ａ及び１２ｄは、いずれも基板１１に固定されており、可動板１２は、脚部１２ａ及び１２ｄを固定端として、図３（ｂ）に示すように、ミラー部搭載板１２ｂ側が持ち上がるようになっている。
【００４１】
可動板１２には、図２及び図４（ａ）に示すように、可動板１２のミラー部１３を搭載している部分を取り囲むように、凸部２４が設けられている。凸部２４は、図４（ｂ）に示すように、可動板１２を構成する複層膜を凸型にすることにより形成されている。この凸部２４は、可動板１２の支持板１２ｃの一部の領域にも設けられている。このように凸部２４を設けることにより、段差が生じるため、可動板１２のうち、凸部２４で囲まれた領域及び凸部２４が設けられた領域は、内部応力による湾曲が抑制され、平面性を維持することができる。このため、可動板１２は、図３（ａ）のように内部応力による湾曲によりミラー部１３を上側の位置に持ち上げた状態であっても、ミラー部１３を搭載している部分は平面であるため、搭載されているミラー部１３の形状を一定に保つことができる。これにより、ミラー部１３のミラー３１の向きを精度良く一定に維持することができる。
【００４２】
このように、可動板１２は、凸部２４が設けられている領域は湾曲が抑制されるが、支持板１２ｃの脚部１２ｄに近い領域は、凸部２４が設けられていない。これにより、凸部２４が設けられていない支持板１２ｃの領域の湾曲によって、可動板１２は、脚部１２ａ，１２ｄを固定端として、図３（ｂ）のように、ミラー部搭載板１２ｂ側が持ち上がるようになっている。
【００４３】
ここで、可動板１２のＡｌ膜２２の形状について、図５を参照して説明する。本実施の形態では、ローレンツ力と静電力の両方を用いて可動板１２を駆動するために、図５に示すような形状に、Ａｌ膜２２をパターニングしている。
【００４４】
Ａｌ膜２２のうちパターン２２ａは、２つの脚部１２ｄのうちの一方から、可動板１２の外周の縁に沿って延びて可動板１２の先端まで到達した後、可動板１２の反対側の縁に沿って他方の脚部１２ｄに達するパターンである。このパターン２２ａは、ローレンツ力により可動板１２を駆動する際に、ローレンツ力を生じさせるための電流を流す配線として用いられる。パターン２２ａは、脚部１２ｄにおいて基板１１に設けられた配線（図示せず）と接続され、脚部１２ｄを介して基板１１からローレンツ力用駆動信号としての電流が供給される。パターン２２ａのうち、可動板１２の先端の一辺１２ｅに沿ってＹ軸方向に延びた直線部分が、磁界内に配置されて通電によりローレンツ力を生じる電流路（ローレンツ力用電流路）を構成している。図１に示す磁石５によってローレンツ力用電流路がＸ軸方向の磁界内に置かれている。したがって、パターン２２ａに電流を供給すると、ローレンツ力用電流路に、その電流の向きに応じて、＋Ｚ方向又は−Ｚ方向のローレンツ力が生ずる。
【００４５】
また、Ａｌ膜２２のうちパターン２２ｂは、２つの脚部１２ａのそれぞれから、可動板１２の内側の縁に沿って可動板１２の先端部まで延び、先端部に配置された長方形状のパターン２２ｄに接続されている。パターン２２ｄもＡｌ膜２２のうちのパターンである。パターン２２ｂは、脚部１２ａにおいて基板１１に設けられた配線（図示せず）と接続され、基板１１内に設けられた固定電極（図示せず）との間に電圧（静電力用電圧）が印加される。これにより、パターン２２ｂ及び２２ｄと基板１１の固定電極との間に静電力が生じ、この静電力により可動板１２は基板１１に引き寄せられる。
【００４６】
本実施の形態では、前記静電力用電圧及びローレンツ力用電流を制御することで、ミラー３１が上側（基板１１と反対側）に保持された状態（図３（ｂ））及びミラー３１が下側（基板１１側）に保持された状態（図３（ａ））にすることができる。本実施の形態では、外部制御回路６によってこのような制御が行われるようになっている。図３において、Ｋは、ミラー３１の進出位置に対する入射光の光路の断面を示している。
【００４７】
図３（ｂ）に示すように、前記静電力及び前記ローレンツ力が印加されていない状態では、凸部２４が設けられていない支持板１２ｃの領域の膜の応力によって＋Ｚ方向に湾曲した状態に復帰し、ミラー３１が上側に保持される。これにより、ミラー３１が光路Ｋに進出して、当該光路Ｋに入射した光を反射させる。この状態から、光路に入射した光をミラー３１で反射させずにそのまま通過させる状態（図３（ａ））に切り替える場合には、例えば、まず、前記ローレンツ力を印加して、凸部２４が設けられていない支持板１２ｃの領域の膜の応力に抗してミラー３１を下方へ移動させ、ミラー３１が基板１１側に保持された後、前記静電力を印加してその保持を維持し、前記ローレンツ力の印加を停止させればよい。
【００４８】
次に、ミラー部１３の構造について、図２及び図３の他に、図６乃至図８を参照して説明する。。
【００４９】
図６は、図２中のミラー部１３を示す概略斜視図である。図７は、図２中のミラー部１３を示す概略断面図である。図８は、図７中の一部切欠きＡ矢視図である。なお、図６乃至図８では、ミラー部搭載板１２ｂの主平面がＸＹ平面と平行であるものとしてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記入している。この点は、後述する図１３乃至図２１についても同様である
【００５０】
本実施の形態では、ミラー部１３は、図２、図３、図６乃至図８に示すように、被支持部材としての光学膜からなるミラー３１の他に、２本の支持梁（第１の膜部材）３２と、ミラー３１を直接的に支持する支持バー３３と、ミラー部搭載板１２ｂに当接する当接部材３４と、当接部材３４をミラー３１に対して固定するための第１の連結部材３５及び第２の連結部材（第２の膜部材）３６と、を備えている。これらは薄膜で構成されている。
【００５１】
２本の支持梁３２の一方の端部は、脚部３２ｃによりミラー部搭載板１２ｂに固定されている。支持バー３３は、ミラー部搭載板１２ｂの主平面（ＸＹ平面と平行な面）と平行にＸ軸方向に直線状に延び、２本の支持梁３２の他端間を連結している。ミラー３１は、接続部３１ｂにて支持バー３３に固定されている。２本の支持梁３２は、帯状に形成され、いずれも長手方向に円弧状に湾曲している。本実施の形態では、２本の支持梁３２及び支持バー３３が、支持基体としてのミラー部搭載板１２ｂ上にミラー３１を支持する支持部を構成している。
【００５２】
連結部材３５はＺ軸方向に直線状に延び、その一端が支持バー３３の−Ｚ側の辺部に固定されている。連結部材３５の他端側に、連結部材３６の一端が固定されている。連結部材３６は、帯状に形成され、ＸＹ平面内において長手方向に円弧状に湾曲している。連結部材３６の他端には当接部材３４が設けられている。これにより、当接部材３４は、連結部材３６，３５及び支持バー３３を介してミラー３１に対して固定されている。当接部材３４は、連結部材３６の側方向（−Ｚ方向）に突出しており、その先端の突出部３４ｃがミラー部搭載板１２ｂに当接している。支持梁３２の内部応力による付勢力によって、当接部材３４は、上側から（ミラー部搭載板１２ｂから遠い側から）ミラー部搭載板１２ｂに押し付けられている。当接部材３４がミラー部搭載板１２ｂに当接することで、ミラー部搭載板１２ｂの主平面とミラー３１の主平面とがなす角度が所定角度（本実施の形態では、９０゜）に保持されている。もっとも、本実施の形態では、この保持角度は、９０゜以外の略９０゜でもよいし、その他の非平行の角度にしてもよい。なお、本発明では、当接部材３４を取り除いて、連結部材３６をミラー部搭載板１２ｂに当接させるようにして、連結部材３６を当接部材として用いてもよい。
【００５３】
本実施の形態では、ミラー３１はＡｌ膜４３からなる単層膜である。支持梁３２、支持バー３３、当接部材３４、連結部材３５，３６はそれぞれ、ＳｉＮ膜とＡｌ膜とを積層した２層膜である。支持梁３２のＳｉＮ膜、支持バー３３のＳｉＮ膜、連結部材３５のＳｉＮ膜、連結部材３６のＳｉＮ膜及び当接部材３４のＳｉＮ膜は、同時に成膜された連続する１つのＳｉＮ膜４１となっている。支持梁３２のＡｌ膜、支持バー３３のＡｌ膜、連結部材３５のＡｌ膜、連結部材３６のＡｌ膜及び当接部材３４のＡｌ膜は、同時に成膜された連続する１つのＡｌ膜４２となっている。なお、各部の膜構成はこれに限定されるものではなく、例えば、支持梁３２や連結部材３６は、膜の成膜条件（膜厚、ストレス）などを調整して湾曲形状が得られるならば、その層数は限定されない。例えば、支持梁３２や連結部材３６は、３層以上の膜構成でもよい。
【００５４】
ミラー３１、支持バー３３、当接部材３４及び連結部材３５には、剛性を高めるために、縁に段差（折り返し）３１ａ，３３ａ，３４ａ，３５ａがそれぞれ形成されている。一方、湾曲している支持梁３２及び連結部材３６には、そのような段差は形成されていない。したがって、支持梁３２及び連結部材３６は、いずれも、Ａｌ膜とＳｉＮ膜との熱膨張係数の差異によって生じる応力並びに成膜時に生じる応力によって円弧状に湾曲している。
【００５５】
前述したミラー部１３用の支持基体としてのミラー部搭載板１２ｂ、被支持部材としてのミラー３１、ミラー部１３におけるミラー３１以外の構成要素３２〜３６によって構成された薄膜構造体が、本発明の一実施の形態による薄膜構造体に相当している。
【００５６】
なお、本実施の形態では、図面には示していないが、光スイッチアレー１において、前述した単位素子としての光スイッチが複数、基板１１上に２次元マトリクスに配置されている。もっとも、本発明では、基板１１上に単一の光スイッチのみを搭載した光学装置としてもよい。
【００５７】
次に、前述した光スイッチアレー１の製造方法の一例について、図９乃至図１１を参照して説明する。図９は、犠牲層の除去前の状態における各部のパターン形状を示す概略平面図である。図１０（ａ）（ｂ）及び図１１（ａ）（ｂ）は、この製造工程における各工程の状態を模式的に示す概略断面図であり、図９中のＢ−Ｂ’線に沿った断面を示している。この製造工程では、ミラー３１、支持梁３２、支持バー３３、当接部材３４及び連結部材３５，３６は、図９に示すような配置及び形状にパターニングされる。なお、最終製品において、ウエハ１００は前述した基板１１となる。
【００５８】
まず、可動板１２を駆動するために必要な配線（図示せず）が形成されたウエハ１００上に、犠牲層となるレジスト層を形成し、脚部１２ａ，１２ｄとなる部分に開口（図示せず）を設ける。また、前記レジスト層上に、可動板１２の凸部２４を設ける部分にレジストアイランド（図示せず）を形成する。この上に、ＳｉＮ膜２１を成膜し、脚部１２ａ，１２ｂの開口の底部のＳｉＮ膜２１に孔を形成する。この上にＡｌ膜２２を成膜し、図５のパターン２２ａ，２２ｂ，２２ｄの形状にパターニングする。さらに、ＳｉＮ膜２３を成膜した後、ＳｉＮ膜２１，２３を可動板１２の形状にパターニングする。これにより、可動板１２が形成される。この状態を図１０（ａ）に示すが、図面表記の簡単化のため、ウエハ１００とその上に形成された可動板１２のミラー部搭載板１２ｂのみを示す。なお、Ａｌ膜２２及びＳｉＮ膜２１，２３のパターニングはフォトリソグラフィー及びエッチングの手法により行う。
【００５９】
次に、全体にレジスト層１０３を形成し、支持梁３２の脚部３２ｃを形成すべき位置に、開口１０３ａをフォトリソグラフィーにより形成する（図１０（ｂ））。
【００６０】
次いで、支持バー３３、当接部材３４及び連結部材３５を形成すべき位置に、レジストアイランド１０４を形成する。このようにレジストアイランド１０４を形成することにより、支持バー３３、当接部材３４及び連結部材３５の縁に段差を形成することができる。その後、支持バー３３、当接部材３４及び連結部材３５を構成するＳｉＮ膜４１とＡｌ膜４２とを順に成膜して、それらの形状にパターニングする（図１１（ａ））
【００６１】
その後、全面にレジスト層１０５を形成し、ミラー３１の支持バー３３に対する接続部３１ｂとなる位置に、開口を形成する。この上に更に、レジスト層を形成し、ミラー３１の縁３１ａの内側形状部分を残して除去することにより、レジストアイランド１０６を形成する。さらに、レジストアイランド１０６におけるミラー３１の接続部３１ｂとなる位置に開口を形成した後、全面にＡｌ膜４３を成膜して、ミラー３１の形状にパターニングする（図１１（ｂ））。これにより、ミラー３１を形成することができる。これが、図９の状態である。
【００６２】
最後に、アッシングにより、全ての犠牲層のレジスト層１０３〜１０６等を除去する。これにより、光スイッチアレー１が完成する。この光スイッチアレー１では、全ての犠牲層が除去されることにより、支持梁３２が湾曲して立ち上がり、図６及び図７に示すように、ミラー３１がミラー部搭載板１２ｂに対して略々垂直に立ち上がるとともに、当接部材３４がミラー部搭載板１２ｂに当接し、ミラー３１がミラー部搭載板１２ｂに対して垂直に位置決めされる。
【００６３】
また、可動板１２は、脚部１２ａ，１２ｄを固定端として、基板１１から立ち上がる（図３（ｂ））。これにより、ローレンツ力用電流及び静電力用電圧をＡｌ膜２２のパターン２２ａ，２２ｂ，２２ｄに与えることにより、ローレンツ力及び静電力によりミラー部１３を上下動することが可能になる。
【００６４】
本実施の形態によれば、ミラー３１に対して固定された当接部材３４がミラー部搭載板１２ｂに当接するので、図２５に示す薄膜構造体で生じる場合があった潜り込み現象は、生じ得ない。また、支持梁３２による付勢力によって当接部材３４がミラー部搭載板１２ｂに押し付けられるので、ヒンジ機構の遊びに相当するものがない。さらに、ミラー３１の角度を決定する連結部材３５のＺ方向の長さや連結部材３６の形状の調整は高い精度で行うことができる。これらの理由で、本実施の形態によれば、ミラー部搭載板１２ｂに対するミラー３１の角度を所定の角度（本実施の形態では、９０゜）に高い精度で安定して保持することができる。よって、本実施の形態による光スイッチアレー１では、作動不能となるのを回避することができるとともに、光路切り替えに伴う光量の損失を低減することができる。
【００６５】
また、本実施の形態では、湾曲した連結部材３６とは別に、連結部材３６の側方向（−Ｚ方向）に突出した当接部材３４が設けられているので、ミラー部搭載板１２ｂに対する当接領域を点状にすることができる。よって、ミラー部搭載板１２ｂに対するミラー３１の角度を所定の角度に、より一層高い精度で安定して保持することができる。もっとも、本発明では、前述したように、当接部材３４を設けずに、連結部材３６を当接部材として用いてもよい。
【００６６】
なお、湾曲した連結部材３６は、その幅を最適化することにより、十分な強度を得ることができるため、前述した付勢力により連結部材３６が変形してしまうことによりミラー３１の角度が変化してしまうような事態を回避することができる。
【００６７】
さらに、本実施の形態によれば、図２５中の積み重なった４段の単位構造部材１５１〜１５４からなるストッパ１５０は不要となるので、製造が容易となる。また、本実施の形態では、連結部材３５，３６及び当接部材３４は、支持梁３２と同時に形成することができるので、より一層製造が容易となる。
【００６８】
［第２の実施の形態］
【００６９】
図１２は、本発明による第２の実施の形態による光スイッチアレーの可動板１２を示す概略平面図であり、図４に対応している。図１３は、本実施の形態による光スイッチアレーのミラー部１３を示す概略断面図であり、図８に対応している。図１２及び図１３において、図４及び図８中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００７０】
本実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる所は、以下に説明する点のみである。本実施の形態では、図１２に示すように、凸部２４の一部２４ａ，２４ｂが、可動板１２のうちミラー部搭載板１２ｂの中央部に向かって延びている。これにより、凸部２４で囲まれたミラー部搭載板１２ｂの中央部の面積が大きい場合であっても、中央部の領域の平面性を維持することができる。
【００７１】
そして、本実施の形態では、図１３に示すように、支持梁３２の脚部３２ｃが凸部２４の一部２４ｂ上に固定されている。それにも拘わらず、第１の実施の形態と同じく、当接部材３４がミラー部搭載板１２ｂの凸部２４以外の低い領域に当接することで、ミラー部搭載板１２ｂに対するミラー３１の角度が９０゜となるように、本実施の形態では、凸部２４の一部２４ｂの高さの分だけ連結部材３５のＺ軸方向の長さが延ばされている。
【００７２】
本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００７３】
本発明では、当接部材３４は、必ずしもミラー部搭載板１２ｂに直接に当接する必要はなく、例えば、ミラー部搭載板１２ｂに設けた部材に、当接部材３４が上側から当接することで、ミラー３１の角度が所定角度に保持されるようにしてもよい。例えば、本実施の形態のように支持梁３２の脚部３２ｃが凸部２４の一部２４ｂ上に固定された場合において、連結部材３５のＺ軸方向の長さを前記第１の実施の形態と同じ長さとし、当接部材３４に対応する箇所においてミラー部搭載板１２ｂ上に、凸部２４の一部２４ｂと同じ高さを有する任意の薄膜部材を形成してもよい。
【００７４】
［第３の実施の形態］
【００７５】
図１４は、本発明による第３の実施の形態による光スイッチアレーのミラー部１３を示す概略斜視図であり、図６に対応している。図１５は、図１４に示すミラー部１３の概略断面図であり、図７に対応している。図１６は、図１５中の一部切欠きＣ矢視図であり、図８に対応している。図１４乃至図１６において、図６乃至図８中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００７６】
本実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる所は、以下に説明する点のみである。本実施の形態では、連結部材３５の直接的に固定されている箇所が、支持バー３３ではなくミラー３１である。これに伴い、各部材の層構造自体（すなわち、Ａｌ膜の単層膜であるかＳｉＮ膜とＡｌ膜との２層膜であるか）は本実施の形態も前記第１の実施の形態と同じであるが、本実施の形態では、各部材の膜の連続性が前記第１の実施の形態と異なる。すなわち、本実施の形態では、ミラー３１はＡｌ膜４３からなる単層膜である。支持梁３２のＳｉＮ膜及び支持バー３３のＳｉＮ膜は、同時に成膜された連続する１つのＳｉＮ膜４１となっている。支持梁３２のＡｌ膜及び支持バー３３のＡｌ膜は、同時に成膜された連続する１つのＡｌ膜４２となっている。連結部材３５のＳｉＮ膜、連結部材３６のＳｉＮ膜及び当接部材３４のＳｉＮ膜は、同時に成膜された連続する１つのＳｉＮ膜（ＳｉＮ膜４１とは別に成膜されたＳｉＮ膜）４４となっている。連結部材３５のＡｌ膜、連結部材３６のＡｌ膜、当接部材３４のＡｌ膜及びミラー３１のＡｌ膜は、同時に成膜された連続する１つのＡｌ膜（Ａｌ膜４２とは別に成膜されたＡｌ膜）４３となっている。
【００７７】
本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００７８】
なお、本実施の形態による光スイッチアレーも、前記第１の実施の形態に光スイッチアレーと同様に、膜の形成及びパターニング、エッチング、犠牲層の形成などの半導体製造技術を利用して製造することができる。
【００７９】
［第４の実施の形態］
【００８０】
図１７は、本発明による第４の実施の形態による光スイッチアレーのミラー部１３を示す概略斜視図であり、図６に対応している。図１８は、図１７に示すミラー部１３の概略断面図であり、図７に対応している。図１９は、図１８中の一部切欠きＤ矢視図であり、図８に対応している。図１７乃至図１９において、図６乃至図８中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００８１】
本実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる所は、以下に説明する点である。本実施の形態では、当接部材３４、連結部材３５，３６が、２組設けられ、これらが＋Ｘ側と−Ｘ側とに対称的に配置されている。また、本実施の形態では、支持バー３３の代わりに、ミラー３１の−Ｚ側にミラー３１と一体に支持バー１３３が設けられている。支持バー１３３の両端部はそれぞれ各接続部１３３ｂによって各連結部材３５に固定されている。支持バー１３３は、ミラー３１のＡｌ膜４３がそのまま延びることで構成されている。各連結部材３５の上部がＸ軸方向に若干延びて各支持梁３２の端部に固定されている。支持バー１３３にも、剛性を高めるために、縁に段差１３３ａが形成されている。
【００８２】
本実施の形態によれば、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。また、本実施の形態では、当接部材３４が２つ設けられているため、ミラー部搭載板１２ｂに対するミラー３１の角度を所定の角度（本実施の形態では、９０゜）に、より一層高い精度で安定して保持することができる。なお、本発明では、当接部材３４の数は３つ以上にしてもよい。
【００８３】
なお、本実施の形態による光スイッチアレーも、前記第１の実施の形態に光スイッチアレーと同様に、膜の形成及びパターニング、エッチング、犠牲層の形成などの半導体製造技術を利用して製造することができる。
【００８４】
［第５の実施の形態］
【００８５】
前述した第１乃至第４の実施の形態は、本発明による薄膜構造体の支持基体をマイクロアクチュエータの可動板１２とした例であったが、前述した第１乃至第４の実施の形態で用いられている薄膜構造体は、用途（例えばマイクロ光学ベンチなど）によっては、支持基体を固定基板などの固定部としてもよい。
【００８６】
次に、例えばマイクロ光学ベンチなどに用いることができる薄膜構造体として、本発明による第５の実施の形態による薄膜構造体６１について、図２０及び図２１を参照して説明する。図２０は、本実施の形態による薄膜構造体６０を示す概略斜視図である。図２１は、図２０に示す薄膜構造体６０を示す概略側面図である。
【００８７】
本実施の形態による薄膜構造体６０は、支持基体としての固定基板６１と、その上に支持された被支持部材としてのミラー６２と、ミラー６２に対して固定され固定基板６１に当接する当接部材６３と、を備えている。
【００８８】
ミラー６２の下辺部の両側にそれぞれ、ロッド６４が一体に設けられている。これらロッド６４は、ロッド６４に係合し薄膜で構成された留め具６５と共に、ヒンジ機構を構成している。このヒンジ機構によって、ミラー６２は、基板６１に対して回転可能に取り付けられている。
【００８９】
ミラー６２及びロッド６４は、反射面となる金層６６と、中間層としてのポリシリコン層６７と、ニッケル等の磁性層６８とからなる３層構造の薄膜で構成されている。留め具６５は、ポリシリコンからなる薄膜で構成されている。
【００９０】
ミラー６２を図２０及び図２１に示すように基板６１に起立した状態に引き起こす際には、ミラー６２が磁性層６８を有していることから、外部磁場の方向を適宜設定することにより、その引き起こしが可能となっている。もっとも、本発明では、そのような引き起こし方法は、任意の方法を採用し得る。
【００９１】
本実施の形態では、当接部材６３は略々直方体状に形成され、図２０及び図２１に示すように、当接部材６３の一面の全体が基板６１に当接することで、ミラー６２の主平面が基板６１の主平面に対してなす角度が９０゜となる位置に、ミラー６２に固定されている。その固定位置を図示の位置より＋Ｚ側にずらすことで、前記角度を９０゜以外の任意の角度に設定することが可能である。
【００９２】
本実施の形態によれば、ヒンジ機構によりミラー６２が基板６１に取り付けられいるが、起立した後のミラー６２の角度は、当接部材６３のみによって決定されるため、ミラー６２主平面が支持基体の主平面に対してなす角度を、安定して高精度に非平行の所定角度に保持することができる。
【００９３】
ここで、本実施の形態による薄膜構造体の製造方法の一例について、図２２乃至図２４を参照して説明する。図２２は、犠牲層の除去前の状態における各部のパターン形状を示す概略平面図である。図２３（ａ）〜（ｄ）及び図２４（ａ）（ｂ）は、この製造工程における各工程の状態を模式的に示す概略断面図であり、図２２中のＥ−Ｅ’線に沿った断面を示している。この製造工程では、ミラー６２、当接部材６３、ロッド６４、留め具６５は、図２２に示すような配置及び形状にパターニングされる。
【００９４】
まず、基板６１上に、第１の犠牲層としてＳｉＯ２層７１を成膜する。次いで、その上に、金層６６、ポリシリコン層６７及びＮｉ等の磁性層６８を順次成膜し、これらをミラー６２及びロッド６４の形状にパターニングする（図２３（ａ））。更にその上に、第２の犠牲層として、ＳｉＯ２層７２を成膜する（図２３（ｂ））。
【００９５】
次に、ＳｉＯ２層７１，７２の一部を除去した（図２３（ｃ））後、ポリシリコン膜を成膜し、これを留め具６５の形状にパターニングする（図２３（ｄ））。
【００９６】
次いで、第３の犠牲層として、当接部材６３の長さに相当する厚いレジスト７３を塗布し、当接部材６３に相当する部分をフォトリソグラフィにより除去する（図２４（ａ））。
【００９７】
その後、メッキ法により当接部材６３となる金属層を形成する。（図２４（ｂ））。最後に、犠牲層７１〜７３を除去する。これにより、図２０及び図２１に示す薄膜構造体が完成する。
【００９８】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【００９９】
例えば、前述した実施の形態は本発明を光スイッチに適用した例であったが、本発明は、ミラー３１に代えて、光の反射率の低い遮光膜や、偏光特性を有する偏光膜や、光波長フィルタ特性を有する光学薄膜などを搭載することにより、光減衰器、偏光器、波長選択器等の種々の光学装置に適用することができる。例えば、ミラー３１はそのままシャッタとして用いることができるので、前記第１乃至第４の実施の形態による光スイッチは、そのまま可変光減衰器として用いることができる。この場合、前記静電力用電圧又はローレンツ力用電流の大きさを制御することで、ミラー３１を光路の途中の所望の位置で停止させて、光路を通過する光を所望の量だけ減衰させることができる。この場合、静電力及びローレンツ力の一方のみを用いるように構成してもよい。なお、可変光減衰器の場合、ミラー３１に代えて光の反射率の低いシャッタを用いてもよい。
【０１００】
また、前述した実施の形態では、基板１１上に設けられた薄膜からなるミラー部搭載板１２ｂが支持基体とされ、単位素子毎に支持基体が設けられているが、本発明による薄膜構造体では、基板自体を支持基体としてもよい。
【０１０１】
さらに、前述した実施の形態は、本発明の薄膜構造体を、ミラー部搭載板１２ｂに搭載されたミラー部１３に適用した例であったが、本発明による薄膜構造体は、前述したような他の光学装置や、ＲＦＭＥＭＳや、マイクロ光学ベンチや、その他の種々の用途に用いることができる。
【０１０２】
さらにまた、本発明の薄膜構造体は、前記実施の形態で採用されているような２組の支持梁３２を用いた構造に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の第１の実施の形態による光スイッチアレーを用いた光学システムの一例を模式的に示す概略構成図である。
【図２】図１中の光スイッチアレーの単位素子としての１つの光スイッチを模式的に示す概略斜視図である。
【図３】図２に示す光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図４】図２中の可動板を示す図である。
【図５】図２中の可動板を上から見たときのＡｌ膜のパターン形状を示す図である。
【図６】図２中のミラー部を示す概略斜視図である。
【図７】図２中のミラー部１３を示す概略断面図である。
【図８】図７中の一部切欠きＡ矢視図である。
【図９】犠牲層の除去前の状態における各部のパターン形状を示す概略平面図である。
【図１０】図１中の光スイッチアレーの製造方法の各工程を示す図である。
【図１１】図１０に示す工程に引き続く各工程を示す図である。
【図１２】本発明による第２の実施の形態による光スイッチアレーの可動板を示す概略平面図である。
【図１３】本発明による第２の実施の形態による光スイッチアレーのミラー部を示す概略断面図である。
【図１４】本発明による第３の実施の形態による光スイッチアレーのミラー部を示す概略斜視図である。
【図１５】図１４に示すミラー部の概略断面図である。
【図１６】図１５中の一部切欠きＣ矢視図である。
【図１７】本発明による第４の実施の形態による光スイッチアレーのミラー部を示す概略斜視図である。
【図１８】図１７に示すミラー部１３の概略断面図である。
【図１９】図１８中の一部切欠きＤ矢視図である。
【図２０】本発明の第５の実施の形態による薄膜構造体を示す概略斜視図である。
【図２１】図２０に示す薄膜構造体を示す概略側面図である。
【図２２】犠牲層の除去前の状態における各部のパターン形状を示す概略平面図である。
【図２３】図２０に示す薄膜構造体の製造方法の各工程を示す図である。
【図２４】図２２に示す工程に引き続く各工程を示す図である。
【図２５】従来の薄膜構造体を模式的に示す一部切欠き概略側面図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１  光スイッチアレー
１１  基板
１２  可動板
１２ｂ  ミラー部搭載板（支持基体）
１３  ミラー部
３１，６１  ミラー（被支持部材）
３２  支持梁（第１の膜部材）
３４，６３  当接部材
３５  連結部材
３６  連結部材（第２の膜部材）
【図１】
2006175563.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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