(57)【要約】【課題】  スピン依存界面散乱の増加とスピン依存バルク散乱の増加を両立させ、磁気抵抗変化を増大させた磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】  磁気抵抗効果素子（１０）は、磁気抵抗効果膜（１３）と、前記磁気抵抗効果膜に対して面直方向にセンス電流を印加する上部電極および下部電極とを備える。磁気抵抗効果膜は、外部磁界により磁化方向が変化する第１の磁性層（２０）、前記外部磁界に対して磁化の方向が固定された第２の磁性層（１６）、および前記第１の磁性層と第２の磁性層を磁気的に分離する非磁性中間層（１８）を含み、第１および第２の磁性層の少なくとも一方は、不純物元素が添加された強磁性材料で構成され、不純物元素の添加量が、非磁性中間層との界面側よりも層内バルク側で高くなるように設定されている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部磁界により磁化方向が変化する第１の磁性層、前記外部磁界に対して磁化の方向が固定された第２の磁性層、および前記第１の磁性層と第２の磁性層を磁気的に分離する非磁性中間層を含む磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜に対して面直方向にセンス電流を印加する上部電極および下部電極と、
を備え、前記第１および第２の磁性層の少なくとも一方は、不純物元素が添加された強磁性材料で構成され、
前記不純物元素の添加量が、非磁性中間層との界面側よりも層内バルク側で高くなるように設定されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
前記不純物元素は、非磁性元素であり、前記界面側での当該非磁性元素の添加量は、５原子％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
前記不純物元素の添加量をバルク側よりも低く設定した領域は、前記非磁性中間層との界面から２ｎｍ以内の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
前記層内バルク側での不純物元素の添加量は、５〜２０原子％であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子と、
前記センス電流により検出される前記磁気抵抗効果素子の磁気抵抗の変化を、誘導電圧に変換する誘導変換素子と
を備える磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子に関し、特に、いわゆるスピンバルブ膜を用い、センス電流を膜厚方向に流すＣＰＰ（Current  Perpendicular  to  Plane）構造の磁気抵抗効果素子と、このような磁気抵抗効果素子を備える磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、２つの強磁性層の間にＣｕなどの非磁性金属層を挟んだ多層構造膜の巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果素子が開発されている。ＧＭＲは、強磁性層内や界面でのスピン依存散乱を利用したものである。すなわち、２つの磁性層の磁化の向きが揃っていると、ある方向のスピンを持った伝導電子は散乱されにくく抵抗が低いが、磁化の向きが反平行になると伝導電子は散乱されやすく、抵抗が高くなるという性質を利用している。
【０００３】
多層構造のスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効果素子では、２つの強磁性層のうち、一方の強磁性層について、反強磁性体を近接させてそのスピンの方向を固定し（ピンド層）、他方の磁性層については、外部磁界に対して容易に磁化方向が変化する（フリー層）ように構成されている。２つの磁性層間の磁化方向の相対角度によって素子抵抗が変化するという性質を利用して、素子抵抗の変化に基づいて、外部磁界の方向、大きさを検出することができる。
【０００４】
このような磁気抵抗効果素子は、磁気センサやハードディスクドライブの再生ヘッドなどに適用され、実用化されている。
【０００５】
スピンバルブ膜を用いた従来の磁気抵抗効果素子では、スピンバルブ膜の膜面内方向にセンス電流を流して、膜面内方向の抵抗変化を検出するＣＩＰ（Current In Plane）構造の磁気抵抗効果素子が知られている。
【０００６】
一方、より高密度、高感度の磁気抵抗効果素子として、スピンバルブ膜の膜厚方向にセンス電流を流して、膜厚方向の抵抗変化を検出するＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子が注目を集めている。ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子は、寸法が小さくなるにつれて素子出力が増大する特徴を有し、高密度磁気記録装置における高感度な再生ヘッドとして有望である。
【０００７】
ＣＰＰ構造のスピンバルブ素子は、ＣＩＰ構造と異なり、センス電流が各膜面を通過するため、ＣＩＰ構造素子の抵抗変化の主要因であった磁性・非磁性界面でのスピン依存界面散乱抵抗に加え、スピン依存バルク散乱抵抗が大きい磁性材料を選択し、かつ膜厚を増加することにより、抵抗変化量を増大させることが可能である。
【０００８】
バルク散乱抵抗を大きくして抵抗変化量の増大に適した磁性材料として、一般的なＣｏＦｅ系磁性材料に、銅（Ｃｕ）に代表される非磁性元素を添加した、いわゆる不純物散乱効果を利用した材料が挙げられる。
【０００９】
しかし、このような非磁性元素を含んだ強磁性材料では、非磁性中間層との界面でのスピン依存界面散乱抵抗が小さいといった欠点も有しており、スピン依存バルク散乱の増加と、スピン依存界面散乱の増加の双方を両立させて、素子性能を向上することは困難であった。
【００１０】
このような問題を解決するために、スピン依存界面散乱の大きい材料で形成される薄膜挿入層を、Ｃｕ等の非磁性中間層とフリー層の間、あるいは非磁性中間層とピンド層の間に挿入することによって、抵抗変化量を増大させる構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照。）。
【００１１】
図１は、薄膜挿入層により抵抗変化量を増大させる磁気抵抗効果素子の構成例を示す図である。スピンバルブ型素子は、膜面に垂直な方向にセンス電流を流すための上部電極１５２と下部電極１５４が設けられ、下部電極１５４上に下地層１１２を介して、反強磁性層１１４、磁化固着層（ピンド層）１１６、非磁性中間層１１８、磁化自由層（フリー層）１２０が積層され、保護層１２２を介して上部電極１５２に接続されている。
【００１２】
図１（ａ）に示すように、スピン依存界面散乱が大きい材料で形成される薄膜挿入層１３２、１３４が、非磁性中間層１１８とピンド層１１６との界面、および非磁性中間層１１８とフリー層１２０の界面に挿入されている。
【００１３】
図１（ｂ）に示すように、薄膜挿入層１３２は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも２種の金属を母体元素とし、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ等の不純物を０．１原子％〜３０原子％添加したものである。
【００１４】
この構成では、ピンド層１１６の層内バルク側よりも、非磁性中間層１１８との界面側で、添加不純物濃度が高く設定されている。
【特許文献１】特開２００３−６０２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上述した背景技術に鑑み、スピンバルブ構造のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子において、スピン依存界面散乱の増加と、スピン依存バルク散乱の増加を両立させ、抵抗変化量の大きな磁気抵抗効果素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明では、スピンバルブ素子のピンド層またはフリー層を構成する強磁性層を、非磁性元素などの不純物元素を含む強磁性材料で構成し、かつ、不純物元素の含有量（原子％）が、非磁性中間層との界面側よりも、層内バルク側で大きくなるように、膜厚方向に濃度分布を持たせる。
【００１７】
具体的には、例えば、ＣｏＦｅ系の強磁性層に、Ｃｕなどの非磁性元素を添加した系を用いる場合、ＣｏＦｅ系強磁性層と非磁性中間層との界面付近には、Ｃｕ添加元素が存在せず、界面から一定距離離れた位置から、Ｃｕ添加元素が存在する膜構成とする。あるいは、界面付近にＣｕ添加元素が存在しても、その濃度は、バルク側でのＣｕ添加元素の含有量よりも低くなるように構成する。
【００１８】
本発明の第１の側面として、磁気抵抗変化の大きな磁気抵抗効果素子を提供する。磁気抵抗効果素子は、
外部磁界により磁化方向が変化する第１の磁性層、前記外部磁界に対して磁化の方向が固定された第２の磁性層、および前記第１の磁性層と第２の磁性層を磁気的に分離する非磁性中間層を含む磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜に対して面直方向にセンス電流を印加する上部電極および下部電極と、
を備え、前記第１および第２の磁性層の少なくとも一方は、不純物元素が添加された強磁性材料で構成され、前記不純物元素の添加量が、非磁性中間層との界面側よりも層内バルク側で高くなるように設定される。
【００１９】
このような構成で、ＣＰＰ構造のスピンバルブ素子の磁気抵抗変化を増大させることができる。
【００２０】
良好な構成例では、不純物元素は、非磁性元素であり、界面側での非磁性元素の添加量は、５原子％以下である。
【００２１】
不純物元素の添加量をバルク側よりも低く設定した領域は、非磁性中間層との界面から２ｎｍ以内の範囲であるのが望ましい。
【００２２】
一方、層内バルク側での不純物元素の添加量は、たとえば５〜２０原子％である。
【００２３】
本発明の第２の側面として、上述した磁気抵抗効果素子と、前記センス電流により検出される磁気抵抗効果素子の磁気抵抗の変化を、誘導電圧に変換する誘導変換素子と、を備える磁気ヘッドを提供する。
【００２４】
本発明の第３の側面として、磁気ディスク装置を提供する。磁気ディスク装置は、磁気記録媒体と、第２の側面で提供される磁気ヘッドと、当該磁気ヘッドを、磁気記録媒体上の所望の位置へ駆動するアクチュエータアームと、を備える。
【発明の効果】
【００２５】
強磁性層内部でのスピン依存バルク散乱抵抗と、非磁性中間層との界面でのスピン依存界面散乱抵抗の双方を高く維持することができる。
【００２６】
スピン依存伝導をする部分での抵抗変化量を大きくすることで、ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の出力を増大できる。
【００２７】
さらに、ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドの高感度化、高出力化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。
【００２９】
図２は、本発明の一実施形態に係るＣＰＰ（Current
Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子１０の概略構成図である。この磁気抵抗効果素子１０は、たとえば磁気ヘッドの磁気センサ（または再生ヘッド素子）の一部として用いられる。
【００３０】
磁気抵抗効果素子１０は、磁気抵抗効果膜１３と、この磁気抵抗効果膜１３に垂直方向にセンス電流を供給する上部電極２４および下部電極１１を含む。磁気抵抗効果膜１３は、下部電極１１上に下地層１２を介して積層され、外部磁界の印加により磁化方向が変化するフリー層（第１の磁性層）２０と、外部磁界に対して磁化の方向が固定されたピンド層（第２の磁性層）１６と、これら２つの磁性層（フリー層２０およびピンド層１６）の間に位置する非磁性中間層１８と、ピンド層１６の磁化の方向を固定するための反強磁性層１４を含む。
【００３１】
なお、図２では簡略化のため、単一のピンド層１６と非磁性中間層１８を積層しているが、フリー層２０の上部に、さらに第２の非磁性中間層と強磁性層を積層してもよい。
【００３２】
フリー層２０は、磁気的に軟磁性を示す強磁性体であり、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉをベースとし、非磁性元素（たとえばＣｕ）などの不純物を添加した材料で構成される。
【００３３】
ピンド層１６も、フリー層２０と同様に、不純物を添加した強磁性材料で構成されるが、磁気的に硬磁性を示すように、反強磁性層１４により、磁化の方向が固定されている。
【００３４】
フリー層２０とピンド層１６は、非磁性中間層１８との界面から所定の膜厚で、磁性層内の磁気抵抗変化に寄与する低不純物添加量層１９、１７をそれぞれ有する。低不純物添加量層１９、１７では、不純物添加元素の量が層内バルク部分よりも低く設定されており、この意味で、磁性層における添加元素低減領域と呼べる。図２の例では、フリー層２０とピンド層１６の双方が、添加元素低減領域を有するが、いずれか一方だけに添加元素低減領域を設定してもよい。
【００３５】
磁性層であるフリー層２０とピンド層１６を、非磁性元素などの不純物を添加した強磁性材料で形成し、非磁性中間層１８との界面側に、層内バルク側よりも添加元素を低減させた領域を設けることで、磁気抵抗変化を高めることができる。
【００３６】
具体的な実施例として、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、以下の構成のスピンバルブ構造膜を作製し、抵抗変化量を測定した。
【００３７】
下地バッファ層１２上に、ＩｒＭｎの反強磁性層１４を形成し、上層の保護キャップ膜２２に到る積層構造として、Buffer／ＩｒＭｎ／ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅＣｕ／ＣｏＦｅ（低不純物添加量層）／Ｃｕ（非磁性中間層）／ＣｏＦｅ／ＣｏＦｅＣｕ／ＣｏＦｅ（フリー層）／Ｃｕ（非磁性中間層）／ＣｏＦｅ／ＣｏＦｅＣｕ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ／ＩｒＭｎ／Capというスピンバルブ構造を形成する。
【００３８】
ピンド層またはフリー層のうち、Ｃｕ非磁性中間に接する界面側のＣｏＦｅの膜厚と、バルク側のＣｏＦｅＣｕの膜厚を変化させる。このとき、ピンド層とフリー層の層膜厚自体は一定である。これにより、膜厚方向で、非磁性Ｃｕ添加元素を含む領域と含まない領域を設定する。
【００３９】
スピンバルブ膜は、磁場中で真空熱処理を行い、ＩｒＭｎ反強磁性層によるピンド層の磁化固定力を増強する。
【００４０】
このスピンバルブ膜の上下に、銅（Ｃｕ）を基本とする低抵抗端子を積層し、フォトリソグラフィ技術を用いて、スピンバルブ膜の接合面積を０．１μｍ2 〜１μｍ2 に変化させた４端子構造素子に形成した。４端子法を用いて、室温でのＣＰＰ素子の抵抗変化特性を±１０００Ｏｅの外部磁場を印加して測定した。
【００４１】
図３は、ＣｏＦｅ系強磁性層内におけるＣｕ中間層界面からの非磁性Ｃｕ添加元素の存在開始位置と、ＣＰＰ素子の磁気抵抗変化量ΔＲＡ（すなわち、磁気抵抗変化量ΔＲと接合面積Ａとの積）との関係を示すグラフである。図３（ｂ）は、図３（ａ）の最初の三点を拡大したものである。
【００４２】
図３（ｂ）のａ点は、強磁性層全体がＣｏＦｅＣｕ材料で構成される場合を示す。図３（ｂ）のｂ点は、Ｃｕ中間層界面から０．５ｎｍの位置から、Ｃｕ添加元素を含むＣｏＦｅＣｕバルク膜が開始する構成、ｃ点は、Ｃｕ中間層界面から１ｎｍの位置から、ＣｏＦｅＣｕバルク膜が開始する構成である。
【００４３】
図４は、これらの３点における膜構成を示す模式図である。図４（ａ）では、Ｃｕ添加元素低減領域としての低不純物添加量層１７を含まず、Ｃｕ中間層１８と、ピンド層１６のバルクを構成するＣｏＦｅＣｕが接している。図４（ｂ）では、Ｃｕ中間層１８との界面側に、Ｃｕ添加元素を含まないＣｏＦｅ低不純物添加量層１７が０．５ｎｍの膜厚で挿入されている。図４（ｃ）では、同じくＣｕ添加元素を含まないＣｏＦｅ低不純物添加量層１７が、１ｎｍの膜厚で挿入されている。
【００４４】
また、バルク側のＣｕ添加元素の含有量は、ＣｏＦｅが９０原子％に対して、１０原子％である。
【００４５】
図３（ａ）のグラフから明らかなように、非磁性Ｃｕ添加元素が存在しない範囲が、Ｃｕ中間層界面から０．１ｎｍ〜２．０ｎｍの範囲で、ΔＲＡが増加している。非磁性Ｃｕ添加元素の開始位置が、さらに強磁性層のバルク側に入り込むと、逆にΔＲＡが減少し、界面にＣｕ添加元素低減領域（低不純物添加量層）を設ける意味がなくなる。
【００４６】
すなわち、Ｃｕ中間層の界面近傍２ｎｍ以下の範囲で、Ｃｕ添加元素を含まないか、含んでもバルク側よりも低い濃度（５原子％以下）で含む添加元素低減領域を設定することにより、磁気抵抗変化を向上することができる。
【００４７】
図３および図４に示す例では、低不純物添加量層（添加元素低減領域）１７でのＣｕ添加元素の量をゼロとしているが、バルク側の非磁性元素の添加量よりも少ない範囲であれば、たとえば５原子％以下の範囲で、低不純物添加量層１７に、Ｃｕ添加元素を添加してもよい。
【００４８】
Ｃｕ中間層１８との界面では、ＣｏＦｅ系強磁性層内での非磁性添加元素の濃度が低いほうが、スピン依存界面散乱抵抗が増大する。一方、ＣｏＦｅ系強磁性層内部（バルク側）では、Ｃｕ添加元素濃度が高く、これによるスピン依存バルク散乱抵抗が増大する効果が得られる。
【００４９】
これらの結果から、Ｃｕ中間層１８との界面から２ｎｍ以内、好ましくは、０．５ｎｍ〜１ｎｍの範囲では、非磁性Ｃｕ添加元素の濃度を低く（５原子％以下に）設定し、これよりもバルク側に入った領域では、非磁性Ｃｕ添加元素の濃度をより高く、たとえば５〜２０原子％に設定することが、高いΔＲＡを得るために望ましいことがわかる。
【００５０】
また、ＣｏＦｅ強磁性材料において、ＣｏとＦｅの原子数比率として、４０〜６０％であることも、高ΔＲＡを得るために望ましい。
【００５１】
上述した例では、ＣｏＦｅ系強磁性層内の膜厚方向に、Ｃｕ添加元素の濃度変化をもたせた例を示したが、この例に限定されず、強磁性層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、これらの合金をベースとする任意の強磁性材料、または磁性半導体と呼ばれる非磁性元素の組み合わせを用いてもよい。また、添加する不純物元素についても、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａなど、任意の非磁性元素を用いても、同様の効果が得られる。
【００５２】
図５は、上述した磁気抵抗効果素子を用いた磁気ディスク装置５０の概略構成図である。磁気ディスク装置５０は、記録媒体である磁気ディスク５１と、磁気ディスク５１を装着して駆動機構（不図示）により回転するスピンドル５２と、磁気ディスク５１の読み取り、書き込みを行なう磁気ヘッドアセンブリ５３を含む。磁気ヘッドアセンブリ５３は、磁気ディスク５１上に発生する磁界を読み取り、あるいは磁気ディスク５１に情報を磁気的に書き込む磁気ヘッド６０と、磁気ヘッド６０を磁気ディスク５１の所望の位置へ駆動するアクチュエータアーム５７と、先端に磁気ヘッド６０を保持するサスペンション５５を有する。
【００５３】
図６は、図５に示す磁気ヘッド６０の概略構成図である。磁気ヘッド６０は、磁気ディスク５１上を、ディスク表面に非常に近接して浮上した状態で走るヘッドスライダ（基体）６１と、ディスク表面に対してエアベアリグ面を構成するレール６２、６３と、コイル６４と、磁気ディスク５１への情報の書き込みを行なう記録ヘッド素子６６と、磁気ディスク５１に記録された情報を読み取る再生ヘッド素子（磁気センサ）６５とを有する。再生ヘッド素子６５の主要部は、図２および３に示す構造となっている。
【００５４】
再生ヘッド素子６５は、磁気ヘッド６０に対して相対的に移動する磁気ディスク５１から漏れ出る磁界の時間変化を磁気抵抗効果素子１０（図２）により検出し、抵抗変化を電圧に誘導変換して出力を得る。
【００５５】
記録ヘッド素子６６は、書き込みコイル６４に電流を印加して、信号に対応する向きと強さを持つ磁束を発生させ、磁気ディスク５１のトラック（不図示）上に信号に対応する磁区を形成することによって書き込みを行なう。
【００５６】
本実施形態に係る磁気ヘッド６０は、磁気抵抗変化の大きな磁気抵抗効果素子を用いているので、ヘッドの出力を高めることができる。
【００５７】
最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
（付記１）  外部磁界により磁化方向が変化する第１の磁性層、前記外部磁界に対して磁化の方向が固定された第２の磁性層、および前記第１の磁性層と第２の磁性層を磁気的に分離する非磁性中間層を含む磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜に対して面直方向にセンス電流を印加する上部電極および下部電極と、
を備え、前記第１および第２の磁性層の少なくとも一方は、不純物元素が添加された強磁性材料で構成され、
前記不純物元素の添加量が、非磁性中間層との界面側よりも層内バルク側で高くなるように設定されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
（付記２）  前記不純物元素は、非磁性元素であり、前記界面側での当該非磁性元素の添加量は、５原子％以下であることを特徴とする付記１に記載の磁気抵抗効果素子。
（付記３）  前記不純物元素の添加量をバルク側よりも低く設定した領域は、前記非磁性中間層との界面から２ｎｍ以内の範囲であることを特徴とする付記１に記載の磁気抵抗効果素子。
（付記４）  前記層内バルク側での不純物元素の添加量は、５〜２０原子％であることを特徴とする付記１に記載の磁気抵抗効果素子。
（付記５）  前記第１および第２の磁性層は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉおよびこれらの合金をベースとする材料に、非磁性添加元素を添加した材料で構成されることを特徴とする付記１に記載の磁気抵抗効果素子。
（付記６）  付記１〜５のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子と、
前記センス電流により検出される前記磁気抵抗効果素子の磁気抵抗の変化を、誘導電圧に変換する誘導変換素子と
を備える磁気ヘッド。
（付記７）  入力信号に応じた強さと方向の磁束を発生する記録ヘッド素子をさらに備えることを特徴とする付記６に記載の磁気ヘッド。
（付記８）  磁気記録媒体と、
付記６または７に記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを、前記磁気記録媒体上の所望の位置へ駆動するアクチュエータアームと、を備える磁気ディスク装置。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】抵抗変化量を増大させる公知の磁気抵抗効果素子の構成例を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子の概略構成図である。
【図３】抵抗変化量と、強磁性層内において非磁性添加元素が存在し始めるＣｕ中間層界面からの位置との関係を示すグラフである。
【図４】図３（ｂ）の３点における膜構成例を示す図である。
【図５】図２に示す磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを備える磁気ディスク装置の概略構成図である。
【図６】図５の磁気ヘッドの概略図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  磁気抵抗効果素子
１１  下部電極
１２  下地層
１３  磁気抵抗効果膜（スピンバルブ膜）
１４  反強磁性層
１６  ピンド層（第２の磁性層）
１７、１９  低不純物添加量層
１８  非磁性中間層
２０  フリー層（第１の磁性層）
２２  保護層
２４  上部電極
５０  磁気ディスク装置
６０  磁気ヘッド
６５  再生ヘッド素子（磁気センサ）
６６  記録ヘッド素子
【図１】
2006277807.tif 000003
【図２】
2006277807.tif 000004
【図３】
2006277807.tif 000005
【図４】
2006277807.tif 000006
【図５】
2006277807.tif 000007
【図６】
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