(57)【要約】      （修正有）【課題】  簡易な構成で表示品位および視野角が改善されたＩＰＳ型液晶表示装置を提供する。【解決手段】第１偏光膜と、第１と第２位相差領域と、液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、第１位相差領域の面内レターデーション（Ｒｅ）が70ｎｍ〜330ｎｍ、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いてＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋0.5で定義されるＮｚ値が0を超え0.4未満であり、第２位相差領域のＲｅが50ｎｍ以下で光学軸が面内に含まれずＲｔｈが10ｎｍ〜140ｎｍであり、第１位相差領域の遅相軸が第１偏光膜の透過軸に直交かつ第１偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行で、第1および第2偏光膜は液晶層に近い側の面に下記式（Ｉ）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムを有する。（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５【選択図】  図２
2006178226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、液晶層および該液晶層を挟持する一対の基板からなる液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、黒表示時に前記液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１位相差領域の面内レターデーション（Ｒｅ）が７０ｎｍ〜３３０ｎｍであり、前記面内レターデーション（Ｒｅ）と、前記第１位相差領域の厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いてＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義される第１位相差領域のＮｚ値が０を超え０．４未満であり、  前記第２位相差領域の面内のレターデーションが５０ｎｍ以下であり、かつ、光学軸が前記第２位相差領域の面内に含まれておらず、前記第２位相差領域の厚み方向の位相差レターデーションが１０ｎｍ〜１４０ｎｍであり、前記第１位相差領域の遅相軸が、前記第１偏光膜の透過軸に直交、かつ、前記第１偏光膜の透過軸が、黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行であり、前記第１偏光膜および第２偏光膜は、それぞれ、少なくとも前記液晶層に近い側の面に保護膜を有し（但し、該保護膜は、他の膜と兼ねる構成であってもよい）、該保護膜が下記式（Ｉ）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムである液晶表示装置。
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（式（I）、（II）中、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。）
【請求項２】
少なくとも、第１偏光膜と、第２位相差領域と、第１位相差領域と、液晶層および該液晶層を挟持する一対の基板からなる液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、黒表示時に前記液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１位相差領域の面内レターデーション（Ｒｅ）が８０ｎｍ〜２３０ｎｍであり、前記面内レターデーション（Ｒｅ）と、前記第１位相差領域の厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いてＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義される第１位相差領域のＮｚ値が０を超え０．４未満であり、  前記第２位相差領域の面内のレターデーションが５０ｎｍ以下であり、かつ、光学軸が前記第２位相差領域の面内に含まれておらず、第２位相差領域の厚み方向のレターデーションが２０ｎｍ〜１２０ｎｍであり、前記第１位相差領域の遅相軸が、第１偏光膜の透過軸に平行、かつ、前記第１偏光膜の透過軸が、黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行であり、前記第１偏光膜および第２偏光膜は、それぞれ、少なくとも前記液晶層に近い側の面に保護膜を有し（但し、該保護膜は、他の膜と兼ねる構成であってもよい）、該保護膜が下記式（Ｉ）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムである液晶表示装置。
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（式（I）、（II）中、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。）
【請求項３】
前記セルロースアシレートフィルムが該セルロースアシレートフィルムのＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（III）、（IV）を満たすような範囲で少なくとも１種含有する、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
（III）（Ｒｔｈ(A)−Ｒｔｈ(0)）／Ａ≦−１．０
（IV）０．０１≦Ａ≦３０
（式（III）および（IV）中、Ｒｔｈ(A)は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(0)は、該セルロースアシレートフィルムであって、Ｒｔｈ(λ)を低下させる化合物を含有しないセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、セルロースアシレートフィルム原料ポリマーに対する、Ｒｔｈ(λ)を低下させる化合物の重量（％）を表す。）
【請求項４】
前記セルロースアシレートフィルムが、アシル置換度が２.８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｔｈを低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含む、請求項１〜３いずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記セルロースアシレートフィルムが、前記セルロースアシレートフィルムの｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含む、請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記セルロースアシレートフィルムの膜厚が１０〜１２０μｍである、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記セルロースアシレートフィルムが、Ｒｔｈを低下させ、かつ、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含む、請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記Ｒｔｈを低下させ、かつ、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物が、下記一般式（１３）および／または一般式（１８）で表される化合物である、請求項７に記載の液晶表示装置。
【化１】
2006178226.tif 000037
（一般式（１３）中、Ｒ11はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
【化２】
2006178226.tif 000038
（一般式（１８）中、Ｒ14はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
【請求項９】
前記セルロースアシレートフィルムは、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５〜９５％であり、かつ、波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下である、請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記セルロースアシレートフィルムを、６０℃、９０％ＲＨに２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下である、請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記セルロースアシレートフィルムを、８０℃、２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下である、請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記セルロースアシレートフィルムは、フィルム面内の正面レターデーションが下記式を満たす、請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
｜Ｒｅ(n)−Ｒｅ(0)｜／ｎ≦１．０
（式中、Ｒｅ(n)は、ｎ（％）延伸したフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｅ(0)は、延伸していないフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表す。）
【請求項１３】
前記セルロースアシレートフィルムは、該フィルム面内に、該フィルムを製造する機械の該フィルムの搬送方向（ＭＤ方向）に対して垂直な方向（ＴＤ方向）に遅相軸を有する、請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記セルロースアシレートフィルムの該フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記液晶セルの一対の基板のうち視認側と反対側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている、請求項１〜１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記液晶セルの一対の基板のうち視認側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている、請求項１〜１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に有用なセルロースアシレートフィルムを用いた液晶表示装置に関し、強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置および水平方向に配向したネマチック液晶に横方向の電界を印加することにより表示を行うインプレーンスイッチングモードの液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置としては、２枚の直交した偏光板の間に、ネマチック液晶をツイスト配列させた液晶層を挟み、電界を基板に対して垂直な方向にかける方式、いわゆるＴＮモードが広く用いられている。この方式では、黒表示時に液晶が基板に対して立ち上がるために、斜めから見ると液晶分子による複屈折が発生し、光漏れが起こる。この問題に対して、液晶性分子がハイブリッド配向したフィルムを用いることで、液晶セルを光学的に補償し、この光漏れを防止する方式が実用化されている。しかし、液晶性分子を用いても液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しく、画面下方向での諧調反転が抑えきれないという問題を生じていた。
【０００３】
かかる問題を解決するため、横電界を液晶に対して印加する、いわゆるインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードによる液晶表示装置や、誘電率異方性が負の液晶を垂直配向してパネル内に形成した突起やスリット電極によって配向分割した垂直配向（ＶＡ）モードが提案され、実用化されている。近年、これらのパネルはモニター用途に留まらず、ＴＶ用途として開発が進められており、それに伴って画面の輝度が大きく向上してきている。このため、これらの動作モードで従来問題とされていなっかった、黒表示時の対角位斜め入射方向での僅かな光漏れが表示品質の低下の原因として顕在化してきた。
【０００４】
この色調や黒表示の視野角を改善する手段の一つとして、液晶層と偏光板の間に複屈折特性を有する光学補償材料を配置することがＩＰＳモードにおいても検討されている。例えば、傾斜時の液晶層のレターデーションの増減を補償する作用を有する光軸を互いに直交した複屈折媒体を基板と偏光板との間に配置することで、白表示または中間調表示を斜め方向から直視した場合の色付きが改善できることが開示されている（特許文献１参照）。また、負の固有複屈折を有するスチレン系ポリマーやディスコティック液晶性化合物からなる光学補償フィルムを使用した方法（特許文献２、３、４参照）や、光学補償フィルムとして複屈折が正で光学軸がフィルムの面内にある膜と複屈折が正で光学軸がフィルムの法線方向にある膜とを組み合わせる方法（特許文献５参照）、レターデーションが二分の一波長の二軸性の光学補償シートを使用する方法（特許文献６参照）、偏光板の保護膜として負のレターデーションを有する膜を使い、この表面に正のレターデーションを有する光学補償層を設ける方式（特許文献７参照）が提案されている。
【０００５】
しかし、提案された方式の多くは、液晶セル中の液晶の複屈折の異方性を打ち消して視野角を改善する方式であるために、直交偏光板を斜めから見た場合の偏光軸交差角度の直交からのズレに基づく光漏れを十分に解決できないという問題がある。
【０００６】
また、この光漏れを補償できるとされる方式でも、液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しい。この主な原因は偏光板の保護膜の光学異方性であり、これを含めた光学補償を行うためには、位相差膜の異方性を極端に大きくしたり更なる光学異方性層を付加する必要があった。
【０００７】
保護膜の位相差値を小さくする方法として、ノルボルネン系樹脂を含有するフィルムやイミド基を有する樹脂とフェニル基、ニトリル基を有する樹脂を含有するフィルムを保護膜に使用する試みがある（特許文献８、９参照）。しかし、これら合成樹脂は一般に疎水的であり、偏光膜との接着に問題があり剥離しやすい。また、偏光膜の両側に保護膜を積層する工程において偏光膜からの水分の透過が期待できないため内部に水分が残存し、偏光性能の劣化をもたらす問題点があった。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−８０４２４号公報
【特許文献２】特開平１０−５４９８２号公報
【特許文献３】特開平１１−２０２３２３号公報
【特許文献４】特開平９−２９２５２２号公報
【特許文献５】特開平１１−１３３４０８号公報
【特許文献６】特開平１１−３０５２１７号公報
【特許文献７】特開平１０−３０７２９１号公報
【特許文献８】特開２００４−４６４１号公報
【特許文献９】特開２００４−４６４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、簡易な構成で、表示品位のみならず、視野角が著しく改善されたＩＰＳ型液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段は以下の通りである。すなわち本発明は、
（１）少なくとも、第１偏光膜と、第１位相差領域と、第２位相差領域と、液晶層および該液晶層を挟持する一対の基板からなる液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、黒表示時に前記液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１位相差領域の面内レターデーション（Ｒｅ）が７０ｎｍ〜３３０ｎｍであり、前記面内レターデーション（Ｒｅ）と、前記第１位相差領域の厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いてＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義される第１位相差領域のＮｚ値が０を超え０．５未満であり、  前記第２位相差領域の面内のレターデーションが５０ｎｍ以下であり、かつ、光学軸が前記第２位相差領域の面内に含まれておらず、前記第２位相差領域の厚み方向の位相差レターデーションが１０ｎｍ〜１４０ｎｍであり、前記第１位相差領域の遅相軸が、前記第１偏光膜の透過軸に直交、かつ、前記第１偏光膜の透過軸が、黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行であり、前記第１偏光膜および第２偏光膜は、それぞれ、少なくとも前記液晶層に近い側の面に保護膜を有し（但し、該保護膜は、他の膜と兼ねる構成であってもよい）、該保護膜が下記式（Ｉ）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムである液晶表示装置。
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（式（I）、（II）中、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。）
（２）少なくとも、第１偏光膜と、第２位相差領域と、第１位相差領域と、液晶層および該液晶層を挟持する一対の基板からなる液晶セルと、第２偏光膜とがこの順序で配置され、黒表示時に前記液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１位相差領域の面内レターデーション（Ｒｅ）が８０ｎｍ〜２３０ｎｍであり、前記面内レターデーション（Ｒｅ）と、前記第１位相差領域の厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いてＮｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義される第１位相差領域のＮｚ値が０を超え０．４未満であり、  前記第２位相差領域の面内のレターデーションが５０ｎｍ以下であり、かつ、光学軸が前記第２位相差領域の面内に含まれておらず、第２位相差領域の厚み方向のレターデーションが２０ｎｍ〜１２０ｎｍであり、前記第１位相差領域の遅相軸が、第１偏光膜の透過軸に平行、かつ、前記第１偏光膜の透過軸が、黒表示時の液晶分子の遅相軸方向に平行であり、前記第１偏光膜および第２偏光膜は、それぞれ、少なくとも前記液晶層に近い側の面に保護膜を有し（但し、該保護膜は、他の膜と兼ねる構成であってもよい）、該保護膜が下記式（Ｉ）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムである液晶表示装置。
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（式（I）、（II）中、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける面内レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション（ｎｍ）を表す。）
（３）前記セルロースアシレートフィルムが該セルロースアシレートフィルムの膜厚方向のＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（III）、（IV）を満たすような範囲で少なくとも１種含有する、（１）または（２）に記載の液晶表示装置。
（III）（Ｒｔｈ(A)−Ｒｔｈ(0)）／Ａ≦−１．０
（IV）０．０１≦Ａ≦３０
（式（III）および（IV）中、Ｒｔｈ(A)は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(0)は、該セルロースアシレートフィルムであって、Ｒｔｈ(λ)を低下させる化合物を含有しないセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、セルロースアシレートフィルム原料ポリマーに対する、Ｒｔｈ(λ)を低下させる化合物の重量（％）を表す。）
（４）前記セルロースアシレートフィルムが、アシル置換度が２.８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｔｈを低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含む、（１）〜（３）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（５）前記セルロースアシレートフィルムが、前記セルロースアシレートフィルムの｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含む、（１）〜（４）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（６）前記セルロースアシレートフィルムの膜厚が１０〜１２０μｍである、（１）〜（５）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（７）前記セルロースアシレートフィルムが、Ｒｔｈを低下させ、かつ、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物の少なくとも１種を、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含む、該セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含む、（１）〜（６）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（８）前記Ｒｔｈを低下させ、かつ、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である化合物が、下記一般式（１３）および／または一般式（１８）で表される化合物である、（７）に記載の液晶表示装置。
【化１】
2006178226.tif 000003
（一般式（１３）中、Ｒ11はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
【化２】
2006178226.tif 000004
（一般式（１８）中、Ｒ14はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。）
（９）前記セルロースアシレートフィルムは、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５〜９５％であり、かつ、波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下である、（１）〜（８）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１０）前記セルロースアシレートフィルムを、６０℃、９０％ＲＨに２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下である、（１）〜（９）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１１）前記セルロースアシレートフィルムを、８０℃、２４０時間処理した後のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下である、（１）〜（１０）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１２）前記セルロースアシレートフィルムは、フィルム面内の正面レターデーションが下記式を満たす、（１）〜（１１）のいずれかに記載の液晶表示装置。
｜Ｒｅ(n)−Ｒｅ(0)｜／ｎ≦１．０
（式中、Ｒｅ(n)は、ｎ（％）延伸したフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表し、Ｒｅ(0)は、延伸していないフィルムの面内正面レターデーション（ｎｍ）を表す。）
（１３）前記セルロースアシレートフィルムは、該フィルム面内に、該フィルムを製造する機械の該フィルムの搬送方向（ＭＤ方向）に対して垂直な方向（ＴＤ方向）に遅相軸を有する、（１）〜（１２）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１４）前記セルロースアシレートフィルムの該フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなることを特徴とする、（１）〜（１３）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１５）前記液晶セルの一対の基板のうち視認側と反対側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている、（１）〜（１４）のいずれかに記載の液晶表示装置。
（１６）前記液晶セルの一対の基板のうち視認側の基板により近い位置に、前記第１位相差領域および前記第２位相差領域が配置されている、（１）〜（１４）のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の実施の形態】
【００１１】
以下において、本発明の液晶表示装置の一実施形態およびその構成部材について順次説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１２】
本明細書において、Ｒｅ、Ｒｔｈは各々、波長５５０ｎｍにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。ＲｅはKOBRA  21ADH（王子計測機器（株）製）において波長５５０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈは前記Ｒｅ、面内の遅相軸（KOBRA  21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長５５０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長５５０nｍの光を入射させて測定したレターデーションの計３つの方向で測定したレターデーションを基にKOBRA  21ADHが算出する。
【００１３】
ここで平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（JOHN  WILEY＆SONS，INC）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA  21ADHはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。
【００１４】
また、Ｒｔｈの符号は面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋２０°傾斜した方向から波長５５０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーションがＲｅを超える場合を正とし、Ｒｅを下回る場合を負とする。但し、｜Ｒｔｈ／Ｒｅ｜が９以上の試料では、回転自由台座付きの偏光顕微鏡を用いて、面内の進相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した状態で、偏光板の検板を用いて決定できる試料の遅相軸がフィルム平面に平行にある場合を正とし、また遅相軸がフィルムの厚み方向にある場合を負とする。
【００１５】
本明細書において、「平行」、「直交」とは、厳密な角度±１０°未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±５°未満であることが好ましく、±２°未満であることがより好ましい。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。さらに屈折率および位相差の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ＝５５０ｎｍでの値である。
【００１６】
本明細書において「偏光板」とは、特に断らない限り、長尺の偏光板および液晶装置に組み込まれる大きさに裁断された（本明細書において、「裁断」には「打ち抜き」および「切り出し」等も含むものとする）偏光板の両者を含む意味で用いられる。また、本明細書では、「偏光膜」および「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体を意味するものとする。また、保護膜が他の膜を兼ねる構成であってもよいとは、例えば、該保護膜が、位相差領域を兼ねる構成であることをいう。
【００１７】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す模式図である。図２および図３は、本発明の液晶表示装置の一実施形態の模式図である。
［液晶表示装置］
図２に示す液晶表示装置は、偏光膜８、２０と、第１位相差領域１０と、第２位相差領域１２と、一対の基板１３、１７およびこれに挟持される液晶層１５からなる液晶セルとを有する。偏光膜８および２０は、それぞれ保護膜７ａと７ｂおよび１９ａと１９ｂによって挟持されている。
【００１８】
図２の液晶表示装置では、液晶セルは、基板１３および１７と、これらに挟持される液晶層１５からなる。液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは透過モードにおいて、ねじれ構造を持たないＩＰＳ型では０．２〜０．４μｍの範囲が最適値となる。この範囲では白表示輝度が高く、黒表示輝度が小さいことから、明るくコントラストの高い表示装置が得られる。基板１３および１７の液晶層１５に接触する表面には、配向膜（不図示）が形成されていて、液晶分子を基板の表面に対して略平行に配向させるとともに配向膜上に施されたラビング処理方向１４および１８等により、電圧無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子配向方向が制御されていて、遅相軸１６の方向が決定されている。なお、図２ではラビング方向が平行の状態を表しているが、反平行であっても良い。基板での配向方向が図の関係であれば、液晶配向制御に光配向膜やイオンビーム法を用いても良い。また、視野角を広げるためには、この配向膜での液晶のチルト角は低角度であることが好ましい。また、基板１３または１７の内面には、液晶分子に電圧印加可能な電極（図２中不図示）が形成されている。
【００１９】
図１に、液晶層１５の１画素領域中の液晶分子の配向を模式的に示す。図１は、液晶層１５の１画素に相当する程度の極めて小さい面積の領域中の液晶分子の配向を、基板１３および１７の内面に形成された配向膜のラビング方向４、および基板１３および１７の内面に形成された液晶分子に電圧印加可能な電極２および３とともに示した模式図である。電界効果型液晶として正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いてアクティブ駆動を行った場合の、電圧無印加状態若しくは低印加状態での液晶分子配向方向は５ａおよび５ｂであり、この時に黒表示が得られる。電極２および３間に印加されると、電圧に応じて液晶分子は６ａおよび６ｂ方向へとその配向方向を変える。通常、この状態で明表示を行なう。
また、本発明に用いられる液晶セルはＩＰＳモードに限定されることなく、黒表示時に液晶分子が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であれば、いずれも好適に用いることができる。この例としては強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置、ＥＣＢ型液晶表示装置がある。
【００２０】
再び図２において、偏光膜８の透過軸９と、偏光膜２０の透過軸２１は直交して配置される。また、第１位相差領域１０は、その遅相軸１１が偏光膜８の透過軸９と直交に配置される。さらに、偏光膜８の透過軸９と、黒表示時の液晶層１４中の液晶分子の遅相軸１６とは平行であり、即ち、第１位相差領域１０の遅相軸１１と液晶黒表示時の液晶層１４の遅相軸１６とは直交である。本態様では、後述する特定の光学特性を示す第１位相差領域１０を、この様に配置するとともに、後述する特定の光学特性を有する第２位相差領域を第１位相差領域１０と液晶セルとの間に配置することで、液晶セルの視野角特性を改善している。
【００２１】
図２に示す液晶表示装置では、偏光膜８が２枚の保護膜７ａおよび７ｂに挟持された構成を示しているが、保護膜７ｂはなくてもよい。但し、保護膜７ｂを配置しない場合は、第１位相差領域１０は後述する特定の光学特性を有するとともに、偏光膜８を保護する機能も兼ね備えている必要がある。
【００２２】
保護膜７ｂをおよび液晶層１５に近い側の保護膜１９ａとしては、後述するセルロールアシレートが好ましい。保護膜に用いられる光学異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さいセルロースアシレートフィルムとしては、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ(630)が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ(630)≦１０）でかつ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ(630)の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍ）である。好ましくは、０≦Ｒｅ(630)≦５、かつ、｜Ｒｔｈ｜≦２０ｎｍであり、より好ましくは、０≦Ｒｅ(630)≦２、かつ、｜Ｒｔｈ｜≦１５ｎｍである。
【００２３】
さらに、本発明で用いられる保護膜は、波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムであり、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５である。｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦５、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦２５が好ましく、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦３、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦１５がより好ましい。
また、保護膜７ｂおよび保護膜１９ａは、１０〜１２０μｍであることが好ましく、３０〜９０μｍであることがより好ましい。
【００２４】
図２の態様では、第１位相差領域１０および第２位相差領域１２は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜８との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜２０との間に配置されていてもよい。いずれの態様においても、第２位相差領域１２が液晶セルにより近くなるように配置する。
【００２５】
本発明の他の実施形態を図３に示す。図３中、図２と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図３に示す液晶表示装置では、第１位相差領域１０と第２位相差領域１２との位置が入れ替わり、第１位相差領域１０が、第２位相差領域１２と比較して偏光膜８からより遠い位置、即ち、より液晶セルに近い位置に配置される。また、図３に示す態様では、第１位相差領域１０は、その遅相軸１１が、偏光膜８の透過軸９と平行にして配置される。さらに、偏光膜８の透過軸９と、黒表示時の液晶層１４中の液晶分子の遅相軸１６とは平行であり、即ち、第１位相差領域１０の遅相軸１１と液晶黒表示時の液晶層１４の遅相軸１６とは平行である。本態様では、後述する特定の光学特性を示す第１位相差領域１０をこの様に配置するとともに、後述する特定の光学特性を有する第２位相差領域を第１位相差領域１０と偏光膜８との間に配置することで、液晶セルの視野角特性を改善している。
【００２６】
図３の液晶表示装置においても、上記と同様、保護膜７ｂはなくてもよい。但し、保護膜７ｂがない場合は、第２位相差領域１２が、後述する特定の光学特性を有するとともに、偏光膜８を保護する機能も兼ね備えている必要がある。
【００２７】
保護膜７ｂや保護膜１９ａとしては、後述するセルロールアシレートが好ましい。保護膜に用いられる光学異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さいセルロースアシレートフィルムとしては、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ(630)が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ(630)≦１０）でかつ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ(630)の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍ）であることが好ましい。より好ましくは、０≦Ｒｅ(630)≦５、かつ、｜Ｒｔｈ｜≦２０ｎｍであり、さらに好ましくは、０≦Ｒｅ(630)≦２、かつ、｜Ｒｔｈ｜≦１５ｎｍである。
【００２８】
さらに、波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムが好ましく、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５であることがより好ましい。さらに好ましくは、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦５かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦２５であり、最も好ましくは、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦３かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦１５である。
また、保護膜７ｂおよび保護膜１９ａは、その厚みが薄い方が好ましく、具体的には８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
なお、図３の態様では、第１位相差領域１０および第２位相差領域１２は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜８との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜２０との間に配置されていてもよい。いずれの態様においても、第１位相差領域１０が液晶セルにより近くなるように配置する。
【００３０】
本発明の液晶表示装置は、図１〜図３に示す構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶層と偏光膜との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、偏光膜の保護膜の表面に反射防止処理やハードコートを施してもよい。また、構成部材に導電性を付与したものを使用してもよい。また、透過型として使用する場合は、冷陰極、熱陰極蛍光管、発光ダイオード、フィールドエミッション素子またはエレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置することができる。この場合、バックライトの配置は図２および図３の上側であっても下側であっても良いが、不良品率がやや高い反射防止や帯電防止処理をした偏光板と組み合わせる必要性が低いため、図でバックライトを下にしたほうがより好ましい。また、液晶層とバックライトとの間に、反射型偏光板や拡散板、プリズムシートや導光板を配置することもできる。また、上述した様に、本発明の液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を配置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けることも可能である。
【００３１】
本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。本発明は、ＴＦＴやＭＩＭのような３端子または２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置に適用した態様が特に有効である。勿論、時分割駆動と呼ばれるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様も有効である。
【００３２】
以下、本発明の液晶表示装置に使用可能な種々の部材の好ましい光学特性や部材に用いられる材料、その製造方法等について、詳細に説明する。
【００３３】
［第１位相差領域］
本発明の液晶表示装置の一態様では、第１位相差領域は、図２に示す様に、第２位相差領域と比較して液晶セルからより離れた位置に配置される。本態様においては、第１位相差領域は、面内のレターデーションが、７０ｎｍ〜３３０ｎｍである。斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第１位相差領域のレターデーションは、９０ｎｍ〜２５０ｎｍであるのがより好ましく、１１０ｎｍ〜１９０ｎｍであるのがさらに好ましい。また、面内レターデーション（Ｒｅ）と、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いて  Ｎｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義されるＮｚが０を超え０．５未満で、斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第１位相差領域のＮｚは、０．１〜０．３５であるのがより好ましい。０．５を超えるとコントラストを向上させるために必要なレターデーションの値が大きくなり、きわめて高精度な偏光板との貼合精度が必要になり、さらに第２位相差領域に必要なレターデーションが大きくなり好ましくない。
【００３４】
なお、本態様の液晶表示装置では、第１位相差領域は、その遅相軸が、第１位相領域により近い位置に配置される偏光膜の透過軸および液晶層の黒表示時の遅相軸と直交にして配置される。
【００３５】
また、本発明の液晶表示装置の他の態様では、第１位相差領域は、図３に示す様に、第２位相差領域と比較して液晶セルからより近い位置に配置される。本態様においては、第１位相差領域は、面内レターデーションＲｅが、８０ｎｍ〜２３０ｎｍである。斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第１位相差領域のレターデーションは、１００ｎｍ〜２１０ｎｍであるのが好ましく、１１０ｎｍ〜１９０ｎｍであるのがより好ましい。また、面内レターデーション（Ｒｅ）と、厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を用いて  Ｎｚ＝Ｒｔｈ／Ｒｅ＋０．５で定義されるＮｚが０を超え０．４未満で、斜め方向の光漏れを効果的に低減するためには、第１位相差領域のＮｚは、０．１〜０．３５であるのがより好ましい。０．４を超えるとコントラストを向上させるために必要なレターデーションの値が大きくなり、きわめて高精度な偏光板との貼合精度が必要になり、さらに第２位相差領域に必要なレターデーションが大きくなり好ましくない。
【００３６】
なお、本態様の液晶表示装置では、第１位相差領域は、その遅相軸が、第１位相領域により近い位置に配置される偏光膜の透過軸および液晶層の黒表示時の遅相軸と平行にして配置される。
【００３７】
本発明において、前記第１位相差領域は、前記光学特性を有する限り、その材料および形態については特に制限されない。例えば、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜、透明支持体上に高分子化合物を塗布後に加熱した膜、および透明支持体上に低分子あるいは高分子液晶性化合物を塗布もしくは転写することによって形成された位相差層を有する位相差膜など、いずれも使用することができる。また、それぞれを積層して使用することもできる。
【００３８】
複屈折ポリマーフィルムとしては、複屈折特性の制御性や透明性、耐熱性に優れるもの、光弾性が小さいものが好ましい。この場合、用いる高分子材料としては均一な二軸配向が達成できる高分子であれば特に制限はないが、溶液流延法や押出し成形方式で製膜できるものが好ましく、ノルボルネン系高分子、ポリカーボネート系高分子、ポリアリレート系高分子、ポリエステル系高分子、ポリサルフォン等の芳香族系高分子、ポリプロピレン等のポリオレフィン、セルロースアシレート、または、それらポリマーの２種または３種以上を混合したポリマーなどがあげられる。
【００３９】
フィルムの二軸配向は、押出し成形方式や流延製膜方式等の適宜な方式で製造した当該フィルムを、例えばロールによる縦延伸方式、テンターによる横延伸方式や二軸延伸方式などにより、延伸処理することにより行うことができる。また、面方向に一軸または二軸に延伸し、厚さ方向にも延伸する方法等により厚さ方向の屈折率を制御することにより得られる。また高分子ポリマーフィルムに熱収縮フィルムを接着して加熱によるその収縮力の作用下にポリマーフィルムを延伸処理または／および収縮処理して配向させる方法等により得られる（例  特開平５−１５７９１１号公報、特開平１１−１２５７１６号公報、特開２００１−１３３２４号公報）。前記のロールによる縦延伸方式では加熱ロールを用いる方法や雰囲気を加熱する方法、それらを併用する方法等の適宜な加熱方法を採ることができる。またテンターによる二軸延伸方式では全テンター方式による同時二軸延伸方法や、ロール・テンター法による逐次二軸延伸方法などの適宜な方法を採ることができる。
また、配向ムラや位相差ムラの少ないものが好ましい。その厚さは、位相差等により適宜に決定しうるが、一般的には薄型化の点より１〜３００μｍが好ましく、１０〜２００μｍがより好ましく、２０〜１５０μｍがさらに好ましい。
【００４０】
液晶性ポリマーとしては、たとえば、液晶配向性を付与する共役性の直線状原子団（メソゲン）がポリマーの主鎖や側鎖に導入された主鎖型や側鎖型の各種のものなどがあげられる。主鎖型の液晶性ポリマーの具体例としては、屈曲性を付与するスペーサ部でメソゲン基を結合した構造の、例えばネマチック配向性のポリエステル系液晶性ポリマー、ディスコティックポリマーやコレステリックポリマーなどがあげられる。側鎖型の液晶性ポリマーの具体例としては、ポリシロキサン、ポリアクリレート、ポリメタクリレートまたはポリマロネートを主鎖骨格とし、側鎖として共役性の原子団からなるスペーサ部を介してネマチック配向付与性のパラ置換環状化合物単位からなるメソゲン部を有するものなどがあげられる。これら液晶性ポリマーの配向フィルムは、たとえば、ガラス板上に形成したポリイミドやポリビニルアルコール等の薄膜の表面をラビング処理したもの、酸化珪素を斜方蒸着したものなどの配向処理面上に液晶性ポリマーの溶液を展開して熱処理することにより、液晶ポリマーを配向させたもの、特に傾斜配向させたものが好ましい。
前記第１位相差膜と、偏光膜または該偏光膜の保護に積層する際は、偏光膜の吸収軸と第１位相差膜の遅相軸とを直交または平行となるように連続して貼り合わせて形成することが軸の貼合精度の点で好ましい。
【００４１】
［第２位相差領域］
本発明の液晶表示装置の一態様では、第２位相差領域は、図２に示す様に、第１位相差領域と比較して液晶セルからより近い位置に配置される。本態様においては、面内のレターデーションが、５０ｎｍ以下であり、２０ｎｍ以下であることが好ましい。また、第２位相差領域のる厚み方向のレターデーションは、１０ｎｍ〜１４０ｎｍであり、３０ｎｍ〜１３０ｎｍであるのが好ましく、６０ｎｍ〜１１０ｎｍであるのがさらに好ましい。
なお、本態様では、第２位相差領域の遅相軸の配置については特に限定されないが、第２位相差領域のＲｅが２０ｎｍを超える場合は、第２位相差領域は、その遅相軸を、より近い位置に配置される偏光膜の透過軸と平行にして配置されるのが好ましい。そのように配置すると、例えば、第１位相差領域の厚みを薄くできる。また、本発明では、光学軸は、第２位相差領域の面内に含まれない構成となっている。
【００４２】
さらに詳細には、第１位相差領域のＮｚ値を０．３以上０．４未満の場合には、第２位相差領域のＲｔｈは３０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、一方、第１位相差領域のＮｚ値を、０を越え０．２以下の場合には、第２位相差領域のＲｔｈは８０〜１２０ｎｍが好ましい。第１位相差領域のＮｚ値がその中間である０．２越え０．３未満の場合は、第２位相差領域のＲｔｈは５０〜１００ｎｍが好ましい。但し、前記好ましい範囲は、本態様の液晶表示装置が、液晶セルと偏光膜との間に偏光膜を保護する少なくとも一枚の保護膜を有し、且つ該保護膜の厚み方向のレターデーションが４０ｎｍ〜−１００ｎｍである場合の好ましい範囲である。
【００４３】
本発明の液晶表示装置の図３に示す他の態様では、第２位相差領域は、第１位相差領域と比較して液晶セルからより離れた位置に配置される。第２位相差領域は、面内のレターデーションが、５０ｎｍ以下であり、２０ｎｍ以下であることが好ましい。また、厚み方向のレターデーションは、２０ｎｍ〜１２０ｎｍであり、２５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが好ましく、３０ｎｍ〜８０ｎｍであるのがより好ましい。
なお、本態様では、第２位相差領域の遅相軸の配置については特に限定されないが、第２位相差領域は、その遅相軸を、より近い位置に配置される偏光膜の透過軸と直交にして配置されるのが好ましい。そのように配置すると、例えば、第１位相差領域の厚みを薄くできる。また、本発明では、光学軸は、第２位相差領域の面内に含まれない構成となっている。
【００４４】
さらに詳細には、第１位相差領域のＮｚ値を、例えば、０．３以上０．４未満の場合には、後述する第２位相差領域は３０ｎｍ〜４０ｎｍが好ましく、一方、第１位相差領域のＮｚ値が、０を越え０．２以下の場合には、第２位相差領域のレターデーションは７０〜８０ｎｍが好ましい。第１位相差領域のＮｚ値がその中間である０．２越え０．３未満の場合には、第２位相差領域のレターデーションは５０〜７０ｎｍが好ましい。但し、前記好ましい範囲は、本態様の液晶表示装置が、液晶セルと偏光膜との間に偏光膜を保護する少なくとも一枚の保護膜を有し、且つ該保護膜の厚み方向のレターデーションが４０ｎｍ〜−５０ｎｍである場合の好ましい範囲である。
【００４５】
前記第２位相差領域は、前記光学特性を有する限り、その材料について特に制限はない。例えば、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜、および透明支持体上に低分子あるいは高分子液晶性化合物を塗布もしくは転写することによって形成された位相差層を有する位相差膜など、いずれも使用することができる。また、それぞれを積層して使用することもできる。また、第２位相差領域は、該第２位相差領域と隣接する偏光板の保護膜と兼ねる構成であってもよい。
【００４６】
上記光学特性を有する複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜は、高分子フィルムを一軸および二軸延伸することでも容易に形成できる（例  特開２００２−１３９６２１号公報、特開２００２−１４６０４５号公報）。また、延伸することなしに流延するだけでこの光学特性を発現するセルロースアシレート類を好適に用いることができる。かかるセルロースアシレートとして、特開２０００−２７５４３４号公報、特開２００１−１６６１４４号公報、特開２００２−１６１１４４号公報、特開２００２−９０５４１号公報に記載されているものを用いることができる。高分子フィルムの材料は、一般に合成ポリマー（例、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ノルボルネン樹脂、セルロースアシレート）が用いられる。
【００４７】
上記光学特性を有する液晶性化合物から形成された位相差層は、キラル構造単位を含んだ棒状コレステリック液晶性組成物を、支持体上もしくは仮支持体上に塗布し、その螺旋軸を基板に略垂直に配向させた後、固定化することによって形成することができる。前記位相差層を仮支持体上に形成した場合は、支持体上に転写することで作製することができる。また、複屈折が負のディスコティック液晶性化合物を水平配向（ダイレクターは基板に垂直）させて、固定した位相差層、およびポリイミド高分子を基板上に流延固定した位相差層も、同様に用いることができ。さらに、一枚の位相差層のみならず複数の位相差層を積層して、上記光学特性を示す第２位相差領域を構成することもできる。また、支持体と位相差層との積層体全体で上記光学特性を満たすようにして、第２位相差領域を構成してもよい。
【００４８】
ディスコティック液晶性化合物から形成された位相差層を含む第２位相差領域は、ディスコティック液晶性化合物あるいは重合性開始剤や空気界面水平配向剤（例、特願２００３−３８８３０８号明細書に記載）および前述の他の添加剤を含む塗布液を、支持体の上に形成された水平配向膜の上に塗布することで形成することができる。ディスコティック液晶層を水平に配向させるための配向膜としては有機酸や塩などの固形分含有量が０．１質量％未満のポリビニルアルコールやポリイミド、ポリアミド、アクリルなどの高分子配向膜を使用できる。配向膜を形成後にラビングは行なってもよいが、行なわなくてもよい。
その他、使用可能なディスコティック液晶性化合物の例、塗布液の調製に用いる溶媒の例、塗布方法の例、重合性開始剤および重合性モノマー等の他の材料、および位相差層の形成に用いられる支持体については、特開２００４−３７８３５号公報に記載のものを好ましく用いることができる。
【００４９】
［偏光膜用保護膜］
本発明の液晶表示装置に用いられる偏光板保護膜のうち、液晶層に近い側の保護膜として、セルロースアシレートフィルムが用いられる。すなわち、前記保護膜が、下記（１）（２）のいずれかの条件を満たす。
（１）下記式（Ｉ）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルム
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０、かつ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（上記式（Ｉ）および（II）中、Ｒｅ(λ)は、波長λｎｍにおける正面レターデーション値（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(λ)は、波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（ｎｍ）を表す。）
（２）保護膜の膜厚方向のＲｔｈが下記式（III）および（IV）を満たすようなＲｔｈを低下させる化合物を含有する、保護膜
（III）（Ｒｔｈ(A)−Ｒｔｈ(0)）／Ａ≦−１．０
（IV）０．０１≦Ａ≦３０
（式（III）および（IV）中、Ｒｔｈ(A)は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(0)は、該セルロースアシレートフィルムであって、Ｒｔｈ(λ)を低下させる化合物を含有しないセルロースアシレートフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、セルロースアシレートフィルム原料ポリマーに対する、Ｒｔｈ(λ)を低下させる化合物の重量（％）を表す。）
【００５０】
以下、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートフィルムについて詳細に説明する。
【００５１】
セルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあげられ、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。
【００５２】
セルロースアシレート置換度
本発明で用いることができるセルロースアシレートは、例えば、セルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数２〜２２のアセチル基のいずれも用いることができる。本発明で用いることができるセルロースアシレートのセルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースを水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度が得られる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することができる。
【００５３】
上述のように本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることが好ましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがより好ましく、２．８５〜３．００であることがさらに好ましい。
【００５４】
セルロースの水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく、単一でも２種類以上の混合物でもよい。例えば、セルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステル、芳香族カルボニルエステルおよび芳香族アルキルカルボニルエステル等が挙げられる。これらは、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、へプタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、ｉｓｏ−ブタノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、シクロヘキサンカルボニル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などを挙げることができる。これらの中でも、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などが好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基がより好ましい。
【００５５】
本発明の発明者が鋭意検討した結果、上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基、プロピオニル基およびブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下できることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらに好ましくは２．６５〜３．００である。
【００５６】
セルロースアシレートの重合度
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００がさらに好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が一定以下とすることによりセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になるのをより効果的に防止することができる。重合度を一定以上とすることにより、作製したフィルムの強度が低下してしまうをより効果的に防止できる。平均重合度は、例えば、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。この方法は、特開平９−９５５３８号公報の段落番号００１４〜００１５に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。
【００５７】
低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明で用いることができるセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。
【００５８】
本発明のセルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。
【００５９】
セルロースアシレートへの添加剤
本発明で用いることができるセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学異方性を低下させる化合物（特に、Ｒｔｈを低下させる化合物）、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、膜厚方向のＲｔｈが下記式（III）および（IV）を満たすようなＲｔｈを低下させる化合物を含有することが好ましい。
（III）（Ｒｔｈ(A)−Ｒｔｈ(0)）／Ａ≦−１．０
（IV）０．０１≦Ａ≦３０
（式（III）および（IV）中、Ｒｔｈ(A)は、Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有した保護膜のＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ｒｔｈ(0)は、該保護膜であって、Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）を表し、Ａは、フィルム原料ポリマーの重量を１００としたときのＲｔｈを低下させる化合物の重量（％）を表す。）
上記式（III）、（IV）は
（III-I）（Ｒｔｈ(A)−Ｒｔｈ(0)）／Ａ≦−２．０
（IV-I）０．１≦Ａ≦２０
であることがさらに好ましい。
【００６０】
セルロースアシレートフィルムのＲｔｈを低下させる化合物の構造的特徴
セルロースアシレートフィルムのＲｔｈを低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにした。ここで、ゼロに近くなるとは、例えば、０±２５ｎｍをいう。このためにはＲｔｈを低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。
【００６１】
ｌｏｇＰ値
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制してＲｔｈを低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０〜７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７以下の化合物を採用することにより、セルロースアシレートとの相溶性がより良くなり、フィルムの白濁や粉吹きをより効果的に防止することができる。また、ｌｏｇＰ値が０以上の化合物を採用することにより、親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性が悪化してしまうのをより効果的に防止できる。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法
（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.− Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。
【００６２】
Ｒｔｈを低下させる化合物の物性
Ｒｔｈを低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。またＲｔｈを低下させる化合物は、分子量が１５０〜３０００であることが好ましく、１７０〜２０００であることがより好ましく、２００〜１０００であることがさらに好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でもよい。
Ｒｔｈを低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。またＲｔｈを低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
Ｒｔｈを低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが特に好ましい。
Ｒｔｈを低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
Ｒｔｈを低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【００６３】
Ｒｔｈを低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０〜９９％となるよう存在するのが好ましい。Ｒｔｈを低下させる化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。
【００６４】
以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムのＲｔｈを低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。
【００６５】
Ｒｔｈを低下させる化合物の第一の例は、下記一般式（１３）または一般式（１８）で表される化合物である。
【化３】
2006178226.tif 000005
一般式（１３）中、Ｒ11はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は置換基を有していてもよく、置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基、シアノ基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、アミル基、イソアミル基、t−アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ビシクロオクチル基、ノニル基、アダマンチル基、デシル基、t−オクチル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、ジデシル基）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基、トリフェニルフェニル基）が特に好ましい。
【００６６】
【化４】
2006178226.tif 000006
一般式（１８）中、Ｒ14はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ15およびＲ16はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。
Ｒ14は、フェニル基または、環状アルキル基が好ましい。Ｒ15およびＲ16は、それぞれ、フェニル基またはアルキル基が好ましい。アルキル基としては、環状アルキル基および直鎖のアルキル基のいずれも好ましい。
これらの基は、置換基を有していてもよく、置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。
一般式（１８）で表される化合物は、より好ましくは一般式（１９）で表される化合物である。
【化５】
2006178226.tif 000007
一般式（１９）中、Ｒ114、Ｒ115およびＲ116はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。アルキル基は、環状アルキル基および直鎖のアルキル基のいずれも好ましいく、アリール基はフェニル基が好ましい。
以下に、一般式（１３）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。尚、化合物中、Ｐｒiはイソプロピル基を意味する（以下、同じ）。
【００６７】
【化６】
2006178226.tif 000008
【００６８】
【化７】
2006178226.tif 000009
【００６９】
【化８】
2006178226.tif 000010
【００７０】
以下に、一般式（１８）（および一般式（１９））で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。尚、化合物中、Ｂｕiはイソブチル基を意味する。
【００７１】
【化９】
2006178226.tif 000011
【００７２】
【化１０】
2006178226.tif 000012
【００７３】
【化１１】
2006178226.tif 000013
【００７４】
【化１２】
2006178226.tif 000014
【００７５】
【化１３】
2006178226.tif 000015
【００７６】
【化１４】
2006178226.tif 000016
【００７７】
【化１５】
2006178226.tif 000017
【００７８】
【化１６】
2006178226.tif 000018
【００７９】
波長分散調整剤
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）について説明する。本発明のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（VII）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物を、下記式（V）、（VI）を満たす範囲で少なくとも１種含有することが好ましい。
（VII）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜
（V）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（VI）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（V）、（VI）は
（V-I）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（VI-I）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがより好ましく、
（V-II）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（VI-II）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらに好ましい。
上記要件は、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含ませることによって達成できる。含量は、セルロースアシレートの０．１〜２０重量％であることがより好ましく、０．２〜１０重量％であることが特に好ましい。
【００８０】
セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。
【００８１】
従って上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が、短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。
【００８２】
また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％〜９５％であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることが好ましい。
【００８３】
上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましく、より好ましくは２６０〜８００であり、さらに好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でもよい。
【００８４】
波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
【００８５】
これら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
また、これら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【００８６】
本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。
【００８７】
ベンゾトリアゾール系化合物としては下記一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。
【００８８】
一般式（１０１）
Ｑ11−Ｑ12−ＯＨ
（一般式（１０１）中、Ｑ11は含窒素芳香族ヘテロ環を表し、Ｑ12は芳香族環を表す。）
【００８９】
Ｑ11は含窒素方向芳香族へテロ環を表し、好ましくは５〜７員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５または６員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンゾセレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ナフトチアゾール環、ナフトオキサゾール環、アザベンズイミダゾール環、プリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアザインデン環、テトラザインデン環等があげられ、さらに好ましくは、５員環の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環が好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾール環である。
Ｑ11で表される含窒素芳香族ヘテロ環はさらに置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環してさらに環を形成してもよい。
【００９０】
Ｑ12で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環は、好ましくは炭素数６〜３０の単環または２環の芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜２０の単環または２環の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２の単環または２環の芳香族炭化水素環である。Ｑ12で表される芳香族環は、具体的には、好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、より好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環は、好ましくは窒素原子または硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ12は置換基を有してもよく、置換基としては、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては、例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００９１】
一般式（１０１）は、好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）
【化１７】
2006178226.tif 000019
【００９２】
（一般式（１０１−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【００９３】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ1およびＲ3は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。
【００９４】
Ｒ2およびＲ4は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００９５】
Ｒ5およびＲ8は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００９６】
Ｒ6およびＲ7は、それぞれ、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。
【００９７】
一般式（１０１）は、より好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）
【化１８】
2006178226.tif 000020
一般式（１０１−Ｂ）中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6およびＲ7は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【００９８】
以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【００９９】
【化１９】
2006178226.tif 000021
【０１００】
【化２０】
2006178226.tif 000022
【０１０１】
以上例に挙げたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。
【０１０２】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）
【化２１】
2006178226.tif 000023
（一般式（１０２）中、Ｑ1およびＱ2は、それぞれ、芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）
【０１０３】
Ｑ1またはＱ2で表される芳香族環は、芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ1またはＱ2で表される芳香族環は、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ1またはＱ2は、さらに置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。
【０１０４】
ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては上述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基はさらに置換してもよい。）、または酸素原子であり、特に好ましくは酸素原子である。
【０１０５】
一般式（１０２）は、好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）
【化２２】
2006178226.tif 000024
【０１０６】
（一般式（１０２−Ａ）中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、およびＲ29はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０１０７】
Ｒ21、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ28、およびＲ29はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０１０８】
Ｒ21、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ28、およびＲ29は、好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１０９】
Ｒ22として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。
【０１１０】
Ｒ27として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、さらに好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。
【０１１１】
一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）
【化２３】
2006178226.tif 000025
【０１１２】
（一般式（１０２−Ｂ）中、Ｒ10は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表す。）
【０１１３】
Ｒ10は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、これらは置換基を有していてもよい。置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ10として好ましくは、アルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数５〜１２のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。
【０１１４】
一般式（１０２）で表される化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０１１５】
【化２４】
2006178226.tif 000026
【０１１６】
【化２５】
2006178226.tif 000027
【０１１７】
【化２６】
2006178226.tif 000028
【０１１８】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）
【０１１９】
【化２７】
2006178226.tif 000029
（一般式（１０３）中、Ｑ31およびＱ32はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ31およびＸ32はそれぞれ、水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ31およびＱ32で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
【０１２０】
芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または２環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環であり、最も好ましくはベンゼン環である。
【０１２１】
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【０１２２】
Ｑ31およびＱ32で表される芳香族環は、好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ31およびＱ32はさらに置換基を有してもよく、上述の置換基Ｔが好ましい。
【０１２３】
Ｘ1およびＸ2は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ1およびＸ2で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ1およびＸ2はで表される置換基はさらに他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ1およびＸ2はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。
【０１２４】
Ｘ1およびＸ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０１２５】
一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ａ）
【０１２６】
【化２８】
2006178226.tif 000030
（一般式（１０３−Ａ）中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ38、Ｒ39およびＲ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ31およびＸ32は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０１２７】
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ39およびＲ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０１２８】
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ39およびＲ30は、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１２９】
Ｒ33およびＲ38は、好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【０１３０】
一般式（１０３）は、より好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｂ）
【化２９】
2006178226.tif 000031
【０１３１】
（一般式（１０３−Ｂ）中、Ｒ33およびＲ38は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ33は水素原子、または置換基を表す。）
【０１３２】
Ｘ33は、水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合はさらに置換基で置換されてもよい。Ｘ33は、好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基(−Ｃ(＝Ｏ)ＯＲ301(Ｒ301は、炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）)である。
【０１３３】
一般式（１０３）としてさらに好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｃ）
【化３０】
2006178226.tif 000032
【０１３４】
（一般式（１０３−Ｃ）中、Ｒ33およびＲ38は、一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ302は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【０１３５】
Ｒ302は、好ましくはＲ33およびＲ38の両方が水素原子の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。
【０１３６】
Ｒ302は、好ましくはＲ33およびＲ38が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。
【０１３７】
本発明一般式（１０３）で表される化合物はJounal  of  American Chemical Society ６３巻  ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。
【０１３８】
以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０１３９】
【化３１】
2006178226.tif 000033
【０１４０】
【化３２】
2006178226.tif 000034
【０１４１】
【化３３】
2006178226.tif 000035
【０１４２】
マット剤微粒子
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素（シリカ）、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウムおよびリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
【０１４３】
これらの微粒子は、通常平均粒子サイズが０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子サイズは０．２μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．４μｍ〜１．２μｍがさらに好ましく、０．６μｍ〜１．１μｍが最も好ましい。１次、２次粒子サイズはフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒子サイズとした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子サイズとした。
【０１４４】
二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６およびＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。
【０１４５】
これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０１４６】
本発明において２次平均粒子サイズの小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子がさらに再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がさらに好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ2あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇがさらに好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。
【０１４７】
使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。例えば、炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が挙げられる。溶媒は１種類でもよいし、２種類以上を併用してもよい。
【０１４８】
可塑剤、劣化防止剤、剥離剤
上記のＲｔｈを低下させる化合物、波長分散調整剤の他に、本発明のセルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。さらにまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。
【０１４９】
化合物添加の比率
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることが好ましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらに好ましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、Ｒｔｈを低下させる化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下がさらに好ましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する(フィルムからの泣き出し)などの問題が生じやすくなる。
【０１５０】
セルロースアシレート溶液の有機溶媒
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。
【０１５１】
以上本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。
【０１５２】
その他、本発明のセルロースアシレート溶液およびフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号各公報などに記載されている。これらの特許によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。
【０１５３】
セルロースアシレートフィルムの製造工程
溶解工程
本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。
【０１５４】
ドープ溶液の透明度
本発明で用いるセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。
【０１５５】
流延、乾燥、巻き取り工程
次に、本発明のセルロースアシレート溶液を用いたセルロースアシレートフィルムの製造方法について述べる。本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを製造する方法および設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法および溶液流延製膜装置が用いることができる。例えば、溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。さらに、本発明で用いるセルロースアシレートフィルムは、偏光膜への表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。
【０１５６】
高湿度処理後のセルロースアシレートフィルムの光学性能変化
セルロースアシレートフィルム物性評価
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃、９０％ＲＨに２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
高温度処理後のフィルムの光学性能変化
また、８０℃２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
フィルム加熱処理後の化合物揮散量
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムでは、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したセルロースアシレートフィルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることが好ましい。より好ましくは２５％以下であり、２０％以下であることがさらに好ましい。
なお、セルロースアシレートフィルムからの揮散量は、８０℃、２４０時間処理したフィルムおよび未処理のセルロースアシレートフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝ ｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝/（未処理品中の残存化合物量）×１００
【０１５７】
セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度（Ｔｇ）
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定は、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度（Ｔｇ）を算出することができる。
【０１５８】
セルロースアシレートフィルムのヘイズ
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることが好ましい。より好ましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらに好ましい。ヘイズの測定は、例えば、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで、ヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）を用いてＪＩＳ  Ｋ−６７１４に従って測定することができる。
【０１５９】
セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーション（Ｒｅ）および膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）はともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃、８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。
【０１６０】
セルロースアシレートフィルムの平衡含水率
本発明で用いるセルロースアシレートフィルムは、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃、８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましく、０.１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以下の平衡含水率とすることにより、レターデーションの湿度変化による依存性をより小さくでき好ましい。
本発明の含水率は、セルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定し、水分量（ｇ）を試料重量（ｇ）で除して算出することができる。
【０１６１】
セルロースアシレートフィルムの透湿度
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ2・２４ｈであることが好ましい。５００〜１８００ｇ／ｍ2・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ2・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ2・２４ｈ以下とすることにより、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性の絶対値を０．５ｎｍ／％ＲＨ以下により容易に保つことが可能となり、また、液晶表示装置の色味の変化や視野角の低下をより効果的に抑止できる。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度を４００ｇ／ｍ2・２４ｈ以上とすることにより、セルロースアシレートフィルムの接着剤が乾燥しやすくなり、接着性がよりよくなる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算するとよい。本発明では、膜厚は、８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ、として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性II」（高分子実験講座４  共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨおよび６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ  Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ2）し、透湿度＝調湿後重量−調湿前重量で求めた。
【０１６２】
フィルムの寸度変化
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０.５％以下であることが好ましい。
より好ましくは０.３％以下であり、さらに好ましくは０.１５％以下である。
本発明の寸法変化率は、以下に述べる方法で求めたものである。すなわち、セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ0）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ1）を測定し、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ2）を測定した。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ0−Ｌ1｜／Ｌ0｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ0−Ｌ2｜／Ｌ0｝×１００、として寸度変化率を求めた。
【０１６３】
フィルムの弾性率
（弾性率）
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ/ｍｍ2であることが好ましく、より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ/ｍｍ2であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ/ｍｍ2である。本発明の弾性率は、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ  Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃、７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定して得られる値をいう。
【０１６４】
フィルムの光弾性係数
（光弾性係数）
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０-13ｃｍ2/ｄｙｎｅ以下であることが好ましく、３０×１０-13ｃｍ2/ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０-13ｃｍ2/ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。光弾性係数は、セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から算出することができる。
【０１６５】
延伸前後における正面レターデーション変化、遅相軸の検出
試料１００×１００ｍｍを用意し、固定一軸延伸機を用いて温度１４０℃の条件下で機械搬送方向（ＭＤ方向）または垂直方向（ＴＤ方向）に延伸を行った。延伸前後における各試料の正面レターデーションは自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨを用いて測定した。遅相軸の検出は上記のレターデーション測定の際に得られる配向角から決定した。延伸によってＲｅの変化が小さいことが好ましく、具体的にはＲｅ(n)をｎ(％)延伸したフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)、Ｒｅ(0)を延伸していないフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)としたときに、｜Ｒｅ(n)−Ｒｅ(0)｜／ｎ≦１．０を有することが好ましく、｜Ｒｅ(n)−Ｒｅ(0)｜／ｎ≦０．３以下がさらに好ましい。
【０１６６】
遅相軸を有する方向
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、偏光膜が機械搬送方向（ＭＤ方向）に吸収軸を持つため、セルロースアシレートフィルムは遅相軸がＭＤ方向近傍またはＴＤ近傍にあることが好ましい。遅相軸が偏光膜と平行または直交させることにより光漏れや色味変化を低減できる。近傍とは、例えば、遅相軸とＭＤまたはＴＤ方向が０〜１０°、好ましくは０〜５°の範囲にあることを表す。
【０１６７】
固有複屈折が正であるセルロースアシレートフィルム
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなる。このことは固有複屈折が正であることを示しており、セルロースアシレートフィルム中で発現したレターデーションを打ち消すには遅相軸と垂直方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面レターデーションを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面レターデーションを小さくすることが考えられる。
【０１６８】
固有複屈折が負であるセルロースアシレートフィルム
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションが大きくなる場合もある。このことは固有複屈折が負であることを示しており、フィルム中で発現したレターデーションを打ち消すには遅相軸と同一の方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、セルロースアシレートフィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面レターデーションを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面レターデーションを小さくすることが考えられる。
【０１６９】
セルロースアシレートフィルムの評価方法
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの評価に当たって、後述する本願実施例では、以下の方法で測定して実施した。
（面内のレターデーションＲｅ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、Ｒｅ(λ)は自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。また、Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)と、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向を０°としてサンプルを１０°ごとに５０°まで傾斜させて波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出した。
【０１７０】
（Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散測定）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、エリプソメーターＭ−１５０(日本分光（株）製)において波長７８０ｎｍから３８０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させることにより各波長でのＲｅを求め、Ｒｅの波長分散を測定した。また、Ｒｔｈの波長分散については、前記Ｒｅ、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から７８０〜３８０ｎｍの波長の光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長７８０〜３８０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力して算出した。
【０１７１】
（分子配向軸）
試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＤＨ、王子計測（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出した。
（軸ズレ）
また、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））で軸ズレ角度を測定した。幅方向に全幅にわたって等間隔で２０点測定し、絶対値の平均値を求めた。また、遅相軸角度（軸ズレ）のレンジとは、幅方向全域にわたって等間隔に２０点測定し、軸ズレの絶対値の大きい方から４点の平均と小さい方から４点の平均の差をとったものである。
【０１７２】
（透過率）
試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定した。
（分光特性）
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表した。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価した。
【０１７３】
セルロースアシレートフィルム表面の性状
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく該膜の表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、および最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、および最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。膜表面の凹と凸の形状は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することができる。
【０１７４】
セルロースアシレートフィルムのレターデーションの面内ばらつき
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムは次の式を満たすことが好ましい。
｜Ｒｅ(MAX)−Ｒｅ(MIN)｜≦３、かつ、｜Ｒｔｈ(MAX)−Ｒｔｈ(MIN)｜≦５
式中、Ｒｅ(MAX)、Ｒｔｈ(MAX)−は任意に切り出した１ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ(MIN)、Ｒｔｈ(MIN)は最小値である。
【０１７５】
セルロースアシレートフィルムの保留性
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムにおいては、フィルムに添加した各種化合物の保留性が要求される。具体的には、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムを８０℃、９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましく、より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。
（保留性の評価方法）
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算した。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００
【０１７６】
（フィルムの力学特性）
カール
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムには、貼合などを長尺で行う際に、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値を前述の範囲内とすることにより、フィルムのハンドリングに支障をきたしたり、フィルムの切断が起きるのをより効果的に防ぐことができる。また、フィルムのエッジや中央部などで、フィルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フィルム上への異物付着が多くなり、光学補償フィルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えてしまうのをより効果的に防止できる。さらに、偏光膜との貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができる観点からも好ましい。
カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。
【０１７７】
（引裂き強度）
ＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基づく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）が、本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上であることが好ましい。より好ましくは５〜２５ｇであり、さらに好ましくは６〜２５ｇである。また、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。
【０１７８】
セルロースアシレートフィルムの残留溶剤量
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましく、より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明に用いる偏光膜の残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。
【０１７９】
セルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。
【０１８０】
表面処理
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムとの接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、さらにまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類およびそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号  ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
【０１８１】
アルカリ鹸化処理によるセルロースアシレートフィルム表面の接触角
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が挙げられる。この場合、アルカリ鹸化処理後のセルロースアシレートフィルム表面の接触角が５５°以下であることが好ましい。より好ましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらに好ましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフィルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、セルロースアシレートフィルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。
【０１８２】
耐光性
本発明で用いることができるセルロースアシレートフィルムの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２４０時間照射したセルロースアシレートフィルムの色差ΔＥ＊ａｂが２０以下であることが好ましい。より好ましくは１８以下であり、１５以下であることがさらに好ましい。色差の測定は、例えば、ＵＶ３１００（島津製作所製）を用いて行なうことができる。測定の仕方は、セルロースアシレートフィルムを２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後キセノン光照射前のセルロースアシレートフィルムのカラーを測定し、初期値（Ｌ０*、ａ０*、ｂ０*）を求める。そして、セルロースアシレートフィルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターＳＸ−７５（スガ試験機（株）製）にて、１５０Ｗ/ｍ2、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を２４０時間照射する。所定時間の経過後、セルロースアシレートフィルムを恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（Ｌ１*、ａ１*、ｂ１*）を求めた。これらから、色差ΔＥ*ａｂ＝（（Ｌ０*−Ｌ１*）＾２＋（ａ０*−ａ１*）＾２＋（ｂ０*−ｂ１*）＾２）＾０．５を求めることによって測定できる。
【実施例】
【０１８３】
以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
【０１８４】
＜ＩＰＳモード液晶セル１の作製＞
一枚のガラス基板上に、図１に示す様に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極（図１中２および３）を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。図１中に示す方向４に、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を３．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９および誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。
【０１８５】
＜第１位相差領域１、第１位相差領域２、第１位相差領域３の作製＞
厚さ８０μｍ、Ｒｅが１２０ｎｍのポリカーボネートフィルムの両面に、一軸延伸ポリエステルフィルム製の熱収縮性フィルムをその遅相軸が直交するようにアクリル系粘着層を介して接着し、これを１６０℃に加熱して熱収縮性フィルムを収縮させながら延伸装置を用いて、幅方向の長さをそれぞれ収縮前の８８％、９７％および９３％にした後、熱収縮性のフィルムを剥がして、それぞれ第１位相差領域１、第１位相差領域２、第１位相差領域３を得た。
【０１８６】
自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）社製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定し、これらの光学特性を算出したところ、第１位相差領域１はＲｅが１５０ｎｍ、Ｒｔｈが−６０ｎｍで、Ｎｚが０．１０であり、第１位相差領域２はＲｅが１９０ｎｍ、Ｒｔｈが−２９ｎｍで、Ｎｚが０．３５であり、第１位相差領域３はＲｅが１６０ｎｍ、Ｒｔｈが−４０ｎｍで、Ｎｚが０．２５であることが確認できた。
【０１８７】
＜第２位相差領域１の作製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、下記の組成を有するセルロースアセテート溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液の組成
酢化度６０．９％のセルロースアセテート            １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）        ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                    ３００質量部
メタノール（第２溶媒）                              ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒）                          １１質量部
別のミキシングタンクに、下記のレターデーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。セルロースアセテート溶液４８７質量部にレターデーション上昇剤溶液６質量部を混合し、十分に攪拌してドープを調製した。
【０１８８】
レターデーション上昇剤
【化３４】
2006178226.tif 000036
【０１８９】
得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってから、６０℃の温風で１分間乾燥し、フィルムをバンドから剥ぎ取った。次にフィルムを１４０℃の乾燥風で１０分間乾燥し、厚さ８０μｍのフィルムを作製した。
このフィルムの光学特性は自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定することにより求めたところ、Ｒｅ＝５ｎｍ、Ｒｔｈ＝８０ｎｍであった。このフィルムを第２位相差領域１とした。
【０１９０】
＜偏光板保護膜１の作製＞
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ａを調製した。
【０１９１】
（セルロースアセテート溶液Ａ組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート    １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）          ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                    ６０．０質量部
【０１９２】
（マット剤溶液の調製）
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
【０１９３】
（マット剤溶液組成）
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子分散液  １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒）                      ３．４質量部
セルロースアセテート溶液Ａ                １０．３質量部
【０１９４】
（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。
【０１９５】
（添加剤溶液組成）
Ｒｔｈを低下させる化合物（Ａ−１９）４９．３質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−１０２）              ７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒）                      ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ａ                １２．８質量部
なお、Ａ−１９とＵＶ−１０２の  ＬｏｇＰ値はそれぞれ２.９、５.６である。
【０１９６】
（セルロースアセテートフィルムの作製）
上記セルロースアセテート溶液Ａを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成でＲｔｈを低下させる化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。残留溶剤量３０%でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。得られたセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は４０μｍであった。
【０１９７】
また、この膜のＲｅ(630)は０.３ｎｍ、Ｒｔｈ(630)は３.２ｎｍ、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜は１．２ｎｍ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜は７.５ｎｍ、フィルムのＴｇは１３４.３℃、フィルムのヘイズは０.３４％、ΔＲｔｈ（１０％ＲＨ−８０％ＲＨ）は２４.９ｎｍであった。この膜を保護膜１とした。
【０１９８】
＜偏光板Ａの作製＞
次に延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに偏光膜のもう片側に偏光板保護膜1をそのセルロースアセテートフィルム側が偏光膜側になるようにポリビニルアルコール系接着剤を用いて貼り付け、偏光板Ａを作製した。
【０１９９】
＜偏光板Ｂの作製＞
上記と同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の両面に貼り付け偏光板Ｂを作製した。また、この市販のセルロースアセテートフィルムのＲｅ(630)は４．５ｎｍ、Ｒｔｈ(630)は４７.５ｎｍ、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜は９.４ｎｍ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜は２２.６ｎｍであった。
【０２００】
［実施例１］
偏光板Ａの偏光板保護膜１側にアクリル系接着剤を用いて、作製した第１位相差領域１を、偏光膜の透過軸と第１位相差領域１の遅相軸が直交になるように貼り付けた。さらにこれに第２位相差領域１を、アクリル系接着剤を用いて貼合した。
【０２０１】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、偏光板の透過軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第１位相差領域２の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と直交になるように）、且つ第２位相差領域１面側が液晶セル側になるように貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ａを偏光板保護膜１側が液晶セル側になるように、且つ上記偏光板Ｂとはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光を測定した。測定はまず、暗室内に設置されたシャーカステン上に、偏光板を貼り合わせない状態で液晶セル１を置き、液晶セルのラビング方向を基準として左方向に４５度の方位で、且つ液晶セル法線方向から方向６０°の方向に１ｍ離れたところに設置された輝度計で輝度１を測定した。
次いで、上記と同じシャーカステン上に実施例1の液晶表示パネルを同様に配置して、暗表示の状態で同様に輝度２を測定し、これを輝度1に対する１００分率で表したものを漏れ光とした。測定した漏れ光は０．０８％であった。
【０２０２】
［実施例２］
偏光板Ｂにアクリル系接着剤を用いて、作製した第１位相差領域２を、偏光膜の透過軸と第１位相差領域２の遅相軸が平行になるように貼り付けた。この構成では偏光板Ｂの保護膜であるフジタックＴＤ８０ＵＦ、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍが第２位相差領域に相当する。
【０２０３】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、偏光板の透過軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第１位相差領域１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と平行になるように）、且つ第１位相差領域１面側が液晶セル側になるように貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ａを偏光板保護膜１側が液晶セル側になるように、且つ偏光板Ａとはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０３％であった。
【０２０４】
［実施例３］
偏光板Ｂにアクリル系接着剤を用いて、作製した第１位相差領域３を、偏光膜の透過軸と第１位相差領域３の遅相軸が平行になるように貼り付けた。この構成では偏光板Ｂの保護膜であるフジタックＴＤ８０ＵＦ、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍが第２位相差領域に相当する。
【０２０５】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、偏光板の透過軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第１位相差領域１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と平行になるように）、且つ第１位相差領域１面側が液晶セル側になるように貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ａを偏光板保護膜１側が液晶セル側になるように、且つ偏光板Ａとはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．０４％であった。
【０２０６】
［実施例４］
偏光板Ｂにアクリル系接着剤を用いて、作製した第１位相差領域３を、偏光膜の透過軸と第１位相差領域３の遅相軸が平行になるように貼り付けた。この構成では偏光板Ｂの保護膜であるフジタックＴＤ８０ＵＦ、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４８ｎｍが第２位相差領域に相当する。
【０２０７】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、偏光板の透過軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように（即ち、第１位相差領域１の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と平行になるように）、且つ第１位相差領域１面側が液晶セル側になるように貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に液晶セル側の保護膜のＲｔｈが４８ｎｍの偏光板Ｂを、他方の偏光板Ｂとはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．１９％であった。
即ち、液晶セル側に配置される保護膜のＲｔｈが２５ｎｍ以下である偏光板Ｂ（液晶セル側保護膜のＲｔｈは２ｎｍ）を用いた実施例３のほうが、液晶セル側の保護膜のＲｔｈが２５ｎｍを超える偏光板Ｂ（液晶セル側保護膜のＲｔｈは４８ｎｍ）を用いた実施例４と比較して、漏れ光がより少ないことがわかった。
【０２０８】
［比較例１］
前記作製したＩＰＳモード液晶セル１の両側に市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）を、クロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置を作製した。光学補償フィルムは用いなかった。この市販の偏光板の保護フィルムを湯浴中ではがし、光学特性を測定したところＲｅ(630)は４．７ｎｍ、Ｒｔｈ(630)は４８.５ｎｍ、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜は１０．１ｎｍ、｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜は２３.４ｎｍであった。
上記液晶表示装置では、実施例１と同様に、上側の偏光板の透過軸が液晶セルのラビング方向と平行になるように偏光板を貼り付けた。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．５５％であった。
【０２０９】
［比較例２］
偏光板Ａの偏光板保護膜１側にアクリル系接着剤を用いて、作製した第１位相差領域１を、偏光膜の透過軸と第１位相差領域１の遅相軸が平行になるように貼り付けた。さらにこれに第２位相差領域１を、アクリル系接着剤を用いて貼合した。
【０２１０】
これを、前記で作製したＩＰＳモード液晶セル１の一方に、偏光板の透過軸が液晶セルのラビング方向と直交になるように（即ち、第１位相差領域２の遅相軸が、黒表示時の液晶セルの液晶分子の遅相軸と平行になるように）、且つ第２位相差領域１面側が液晶セル側になるように貼り付けた。
続いて、このＩＰＳモード液晶セル１のもう一方の側に偏光板Ａを偏光板保護膜１側が液晶セル側になるように、且つ上記偏光板Ｂとはクロスニコルの配置になるように貼り付け、液晶表示装置を作製した。このように作製した液晶表示装置の漏れ光は０．９９％であった。
【図面の簡単な説明】
【０２１１】
【図１】本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す概略図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の一例を示す概略図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０２１２】
１    液晶素子画素領域
２    画素電極
３    表示電極
４    ラビング方向
５ａ、５ｂ  黒表示時の液晶化合物のダイレクター
６ａ、６ｂ  白表示時の液晶化合物のダイレクター
７ａ，７ｂ、１９ａ，１９ｂ  偏光膜用保護膜
８、２０    偏光膜
９、２１    偏光膜の偏光透過軸
１０    第１位相差領域
１１    第１位相差領域の遅相軸
１２    第２位相差領域
１３、１７    セル基板
１４、１８    セル基板ラビング方向
１５    液晶層
１６    液晶層の遅相軸方向
【図１】
2006178226.tif 000039
【図２】
2006178226.tif 000040
【図３】
2006178226.tif 000041