(57)【要約】【課題】  ラビングすじの発生を抑えた導電パターンを備えた液晶装置、液晶装置の製造方法、及びそのような液晶装置を備えた電子機器並びにラビングすじの発生を検査する検査方法を提供する。【解決手段】  配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、一対の基板間に狭持された液晶材料とを含む液晶装置において、一対の基板は、それぞれ表面を所定方向からラビング処理してあり、一対の基板のうちのいずれか一方の基板における、配向膜を形成していない配向膜非形成領域にある導電パターンを導電パターンの延在方向と直交する面で切断した断面形状が、一方の基板と対向している第１の辺と、第１の辺の両端部からそれぞれ立ち上がる第２の辺及び第３の辺とを含む所定形状であるとともに、第２の辺は所定方向側にあり、第１の辺と第２の辺とのなす角度（θ１）を、第１の辺と第３の辺とのなす角度（θ２）よりも小さくする。【選択図】  図４
2006243318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に狭持された液晶材料と、を含む液晶装置において、
前記一対の基板は、それぞれ表面を所定方向からラビング処理してあり、
前記一対の基板のうちのいずれか一方の基板における、前記配向膜を形成していない配向膜非形成領域にある導電パターンを当該導電パターンの延在方向と直交する面で切断した断面形状が、前記一方の基板と対向している第１の辺と、当該第１の辺の両端部からそれぞれ立ち上がる第２の辺及び第３の辺と、を含む所定形状であるとともに、前記第２の辺は前記所定方向側にあり、
前記第１の辺と第２の辺とのなす角度（θ１）を、前記第１の辺と第３の辺とのなす角度（θ２）よりも小さくしてあることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記所定形状が、台形形状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記ラビング処理はラビングローラによるラビング処理であって、前記ラビングローラの回転軸と前記導電パターンの延在方向とのなす角度が、０°〜６０°の範囲内の値であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記導電パターンの厚さが０．０１〜１μｍの範囲内の値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記導電パターンの幅が１〜３０μｍの範囲内の値であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記導電パターンが、タンタル、タンタル合金、クロム又はＩＴＯのうち少なくとも一つの導電性材料から構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記導電パターンと接する前記基板の表面には、酸化タンタル層が形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に狭持された液晶材料と、を含む液晶装置の製造方法において、
前記導電パターンにおける第１の層として、前記基板における前記配向膜が形成されない配向膜非形成領域に、前記第１の層をパターニングして形成する第１の層形成工程と、
前記導電パターンにおける第２の層として、前記第１の層の形成位置に対して、所定方向にずらした位置に、前記第２の層をパターニングして形成する第２の層形成工程と、
前記基板に対してラビング部材を前記所定方向側から当接させて前記配向膜をラビングするラビング処理工程と、
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、当該一対の基板間に狭持された液晶材料と、を含む液晶装置の製造方法において、
前記基板上に導電性材料を積層して導電層を形成する工程と、
前記導電層に対して、第１のレジストパターンを形成した後、第１のドライエッチングにより、前記導電パターンの一方のエッジを形成する第１のドライエッチング工程と、
前記導電層に対して、第２のレジストパターンを形成した後、エッチングガスと酸素との流量比を前記第１のドライエッチングと異ならせた第２のドライエッチングにより、前記導電パターンの他方のエッジを形成する第２のドライエッチング工程と、
前記基板に対して、酸素流量比が大きい方の条件で形成したエッジ側からラビング部材を当接させて前記配向膜をラビングするラビング処理工程と、
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ラビング処理工程後に、前記ラビング処理に起因して発生するラビングすじの有無を検査する検査工程を含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか一つに記載された液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器に関する。特に、ラビングすじの発生を少なくすることができる液晶装置、液晶装置の製造方法及びそのような液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様として、一対の基板と、その間隙に狭持された液晶材料とからなる液晶装置が知られている。かかる液晶装置は、基板上に配置された電極に電圧を印加し液晶材料を配向させ、通過する光に変調を与えることで画像表示するものであって、基板表面上には、液晶材料を配向させるために配向膜が形成されている。配向膜とは、ポリイミド樹脂等で形成した樹脂膜であり、当該配向膜の表面には、液晶の配向方向を制御するために、ラビング処理による物理的凹凸が形成される場合がある。この凹凸は直接接触する液晶材料に対して配向方向を規定する効果をもたらし、電圧印加時における効率的な液晶配向制御が可能となる。
【０００３】
しかしながら、かかるラビング処理は、基板全面に対して処理する作業であるため、基板上であって配向膜が形成されていない配向膜非形成領域（例えばドライバＩＣ実装領域近傍）にある配線パターンとラビング部材とが直接接触してしまう。このとき、配線パターンの断面形状によっては配線パターンとラビング部材との接触時の衝撃が大きくなり、ラビング部材の表面に歪みが生じる場合が見られた。具体的には、ラビング部材が先に当接する側の側面の傾斜角が所定角度以上となったような場合に、ラビングローラ表面に歪みが生じ、画像表示領域内にラビングすじと呼ばれる表示ムラが発生していた。
そこで、配線パターンの間隙にダミーパターンを配置することにより、配線パターンを擬似的に均一配置してラビングすじの発生を抑制する方法が提案されている。
より具体的には、図１８に示すように、基板６１２上であって、配線パターン６３０やドライバＩＣ６１６が配置されていない領域６１５ａ、６１５ｂに、ダミーパターン６１８ａ、６１８ｂを配置する方法である（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１１７５７６号公報（特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されたダミーパターンは、配線パターンとの短絡を防ぐために一定間隔を開けて配置する必要があった。そのため、ラビング部材と配線パターンの側面とが接触することを防ぐことはできず、かかる配線パターンの断面形状において、ラビング部材が先に当接する側の側面の傾斜角が所定角度以上であった場合には、やはり上述したような問題が生じる場合があった。
【０００５】
そこで、発明者は鋭意努力し、基板上に形成してある導電パターンの断面形状において、ラビング部材と先に当接する側に位置する辺の傾斜角を、その反対側に位置する辺の傾斜角よりも小さくすることで、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげ、ラビング部材の表面の歪みを緩和してラビングすじの発生が抑えられることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち本発明は、導電パターンの断面形状を所定形状とすることにより、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、一対の基板間に狭持された液晶材料とを含む液晶装置において、一対の基板は、それぞれ表面を所定方向からラビング処理してあり、一対の基板のうちのいずれか一方の基板における、配向膜を形成していない配向膜非形成領域にある導電パターンを導電パターンの延在方向と直交する面で切断した断面形状が、一方の基板と対向している第１の辺と、第１の辺の両端部からそれぞれ立ち上がる第２の辺及び第３の辺と、を含む所定形状であるとともに、第２の辺は所定方向側にあり、第１の辺と第２の辺とのなす角度（θ１）を、第１の辺と第３の辺とのなす角度（θ２）よりも小さくしてあることを特徴とする液晶装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、配向膜非形成領域にある導電パターンの断面形状を上述した所定形状とすることにより、ラビング処理の際に、ラビング部材と導電パターンとの接触時における衝撃を和らげることが可能となる。具体的には、当該断面形状における第２の辺が、前述したラビング部材と最初に接触するようにラビング処理を実施した場合に、上述した効果を得ることができる。
その結果、ラビング部材表面の歪み等に起因するラビングすじを効果的に抑えた液晶装置を提供することができる。
なお、ラビング処理における所定方向とは、相対的に、基板に対して、ラビング部材が進入してくる方向を意味する。すなわち、図６（ａ）において、導電パターン７０が形成された基板に対して、ラビング部材１９０が進入してくる方向Ｘを意味する。また、本発明における側辺と底辺との角度とは、図６（ａ）に示すように、第１の辺８３から第２の辺８４へ向かう方向を正とした鋭角を意味する。
【０００７】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、所定形状が台形形状であることが好ましい。
このように構成することにより、第１の辺と平行となる上辺を設けることができるため、ラビング部材と導電パターンとの衝撃を、より和らげることができる。
【０００８】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、ラビング処理はラビングローラによるラビング処理であって、ラビングローラの回転軸と導電パターンの延在方向とのなす角度が、０°〜６０°の範囲内の値であることが好ましい。
このように構成とすることにより、特に、ラビング部材と導電パターンとが接触する際にラビング部材の表面の歪みが生じやすい導電パターンについて、ラビング部材と導電パターンとの接触時における衝撃を和らげることができる。
【０００９】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、導電パターンの厚さが０．０１〜１μｍの範囲内の値であることが好ましい。
このような構成とすることにより、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を効果的に和らげ、ラビングすじの発生を低減することができる。
【００１０】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、導電パターンの幅が１〜３０μｍの範囲内の値であることが好ましい。
このような構成とすることにより、配線設計が微細化した場合であっても、所定の断面形状を維持したまま配線ピッチを狭小化することができる。
【００１１】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、導電パターンが、タンタル、タンタル合金、クロム又はＩＴＯのうち少なくとも一つの導電性材料から構成されることが好ましい。
このような構成とすることにより、例えば、かかる液晶装置をＴＦＤ素子やＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリックス型の液晶装置とする場合、かかる素子形成と、導電パターン形成とを同時に実施することが可能となることから、工程簡略化に資することができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置を構成するにあたり、導電パターンと接する基板の表面には、酸化タンタル層が形成されることが好ましい。
このような構成とすることにより、導電パターンと基板との密着性を向上させることが可能となり、安定的な導電パターンを形成することができる。
【００１３】
また、本発明の液晶装置の製造方法を実施するにあたり、配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、一対の基板間に狭持された液晶材料とを含む液晶装置の製造方法において、導電パターンにおける第１の層として、基板における配向膜が形成されない配向膜非形成領域に、第１の層をパターニングして形成する第１の層形成工程と、導電パターンにおける第２の層として、第１の層の形成位置に対して、所定方向にずらした位置に、第２の層をパターニングして形成する第２の層形成工程と、基板に対してラビング部材を所定方向側から当接させて配向膜をラビングするラビング処理工程とを含む製造方法とすることが好ましい。
このように実施することにより、例えば、導電パターンが複数の導電性材料からなる積層構造からなるような場合に、第１の辺と第２の辺とのなす角度（θ１）を、第１の辺と第３の辺とのなす角度（θ２）よりも小さくしてある導電パターンを容易に形成することができる。また、第１のパターンに対して第２のパターンをずらした方向からラビング部材を当接させることにより、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげられ、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を効率的に製造することができる。
【００１４】
また、本発明の液晶装置の製造方法を実施するにあたり、配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、一対の基板間に狭持された液晶材料とを含む液晶装置の製造方法において、基板上に導電性材料を積層して導電層を形成する工程と、導電層に対して、第１のレジストパターンを形成した後、第１のドライエッチングにより、導電パターンの一方のエッジを形成する第１のドライエッチング工程と、導電層に対して、第２のレジストパターンを形成した後、エッチングガスと酸素との流量比を第１のドライエッチングと異ならせた第２のドライエッチングにより、導電パターンの他方のエッジを形成する第２のドライエッチング工程と、基板に対して、酸素流量比が大きい方の条件で形成したエッジ側からラビング部材を当接させて配向膜をラビングするラビング処理工程とを含む製造方法とすることが好ましい。
このように構成することにより、導電パターンが単層構造である場合でも、第１の辺と第２の辺とのなす角度（θ１）を第１の辺と第３の辺とのなす角度（θ２）よりも小さくしてある導電パターンを、容易に形成することができる。したがって、ラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげられ、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を効率的に提供することができる。
【００１５】
また、本発明の液晶装置の製造方法を実施するにあたり、ラビング処理工程後に、ラビングに起因して発生するラビングすじの有無を検査する検査工程を含むことが好ましい。
このように実施することにより、本発明の効果を製造工程の中で確認することが可能となり、結果として、表示特性に優れた液晶装置を効率的に提供することができる。
【００１６】
また、本発明の別の態様は、上述したいずれかの液晶装置を備えた電子機器である。
すなわち、導電パターンの断面形状を所定形状とし、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を備えることにより、表示ムラが少なく、画像表示特性に優れた電子機器を効率的に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明の液晶装置、液晶装置の製造方法、及び液晶装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１８】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態は、配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、一対の基板間に狭持された液晶材料とを含む液晶装置において、一対の基板は、それぞれ表面を所定方向からラビング処理してあり、一対の基板のうちのいずれか一方の基板における、配向膜を形成していない配向膜非形成領域にある導電パターンを導電パターンの延在方向と直交する面で切断した断面形状が、一方の基板と対向している第１の辺と、第１の辺の両端部からそれぞれ立ち上がる第２の辺及び第３の辺とを含む所定形状であるとともに、第２の辺は所定方向側にあり、第１の辺と第２の辺とのなす角度（θ１）を、第１の辺と第３の辺とのなす角度（θ２）よりも小さくしてあることを特徴とする。
以下、図１〜７を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の液晶装置について、ドライバが実装されるとともにスイッチング素子としてのＴＦＤ素子（Thin Film Diode）を備えた素子基板と、対向するカラーフィルタ基板と、を含む液晶装置を例に採って説明する。ただし、本発明の液晶装置は、ＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置に限定されるものではなく、ＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を備えた液晶装置や、パッシブマトリクス型の液晶装置であっても構わない。
なお、それぞれの図において、同じ符号を付したものは同一の部材を示しており、適宜説明を省略する。
【００１９】
１．液晶装置
（１）基本構成
まず、本実施形態に係る液晶装置について説明する。図１は液晶装置に使用される液晶パネル２０の概略断面図であり、図２は、液晶パネル２０の概略斜視図である。
かかる液晶パネル２０は、スイッチング素子として、二端子型非線形素子であるＴＦＤ素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する素子基板６０を備えた液晶パネル２０であって、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを必要に応じて適宜取付けることにより液晶装置となる。
また、液晶パネル２０は、透明なガラス基板を第２の基体６１とする素子基板６０と、透明なガラス基板を第１の基体３１とするカラーフィルタ基板３０と、が対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。また、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部（図示せず）を介して液晶材料２１を注入した後、封止材（図示せず）にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０との間に液晶材料２１が充填されている。
【００２０】
また、第１の基体６１の内面、すなわち、第２の基体３１に対向する表面上に、画素電極６３をマトリクス状に形成し、第２の基体３１の内面、すなわち、第１の基体６１に対向する表面上には、走査電極３３が形成されている。また、画素電極６３は、スイッチング素子６９を介してデータ線６５に対して電気的に接続されるとともに、もう一方の走査電極３３は、導電性粒子を含むシール材２３を介して素子基板６０上の引回し配線６６に対して電気的に接続されている。このように構成された画素電極６３と走査電極３３との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として表示領域を構成することになる。したがって、所望の画素に対して電圧を印加することにより、当該画素領域の液晶材料２１に電界を発生させ、表示領域全体として文字、図形等の画像を表示させることができる。
【００２１】
また、素子基板６０は、カラーフィルタ基板３０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部６０Ｔを有し、この基板張出部６０Ｔ上には、スイッチング素子６９と接続されているデータ線６５、走査電極３３と接続されている引回し配線６６及び、独立して形成された複数の配線からなるドライバ接続配線６７が形成されている。
そして、表示領域側に配置され、データ線６５又は引回し配線６６から延設されたドライバ接続配線６７の端部には、液晶駆動回路等を内蔵した駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されている。さらに、表示領域側とは反対側に配置されたドライバ接続配線６７のうちの一方の端部にも、駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されているとともに、他方の端部には、フレキシブル基板９３が実装されている。
【００２２】
２．素子基板
（１）  基本構成
また、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、素子基板６０は、基本的に、透明なガラス基板等からなる基体６１と、導電パターン７０と、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９と、画素電極６３と、ドライバＩＣ９１と、から構成されている。
図３（ａ）に示すように、素子基板６０は、液晶材料注入領域であって画像表示するための表示エリアＡと、ＩＣ実装領域であって表示に寄与しない非表示エリアＢとの２つのエリアで構成され、かかる表示エリアＡ上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜７５が形成されている。また、導電パターン７０は、ＴＦＤ素子６９とドライバＩＣ９１とを接続するデータ線６５と、カラーフィルタ基板上の走査電極とドライバＩＣ９１とを接続する引回し配線６６とから構成される。ここで本実施形態は、非表示エリアＢにおける導電パターン７０の断面形状を所定形状とした液晶装置である。
また、導電パターン７０は単層で形成することも可能であり、図３（ｂ）に示すように、複数の層からなる積層構造とすることもできる。かかる複数の層は導電性材料からなるものであって、その材料構成は基板設計の態様に合わせて好適に選択することができる。
【００２３】
（２）  導電パターンの断面形状１
次に、配向膜非形成領域にある導電パターン７０を、配線方向と直交する面で切った断面形状の構造について説明する。
図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、導電パターンの断面形状は、基板と接している第１の辺と、第１の辺の両端部からそれぞれ連なる第２の辺及び第３の辺とを含む所定形状であって、第２の辺は、ラビング処理がなされた方向側にあり、第１の辺と第２の辺とのなす角度（θ１）は、第１の辺と第３の辺とのなす角度（θ２）よりも小さくなっている。
例えば、かかる導電パターンを単層で形成する場合には、図４（ａ）に示すように、断面形状が台形形状であって、その構造を単層とした導電パターン７０ａにおいて、θ１＜θ２とすることができる。このように構成することにより、ラビング部材１９０と、導電パターン７０ａとの接触時に生じるラビング部材の表面の歪みを抑えることが可能となり、ラビングすじの発生を有効に抑えることができる。
また、かかる導電パターンを２層で形成する場合には、図４（ｂ）に示すように、断面形状が台形形状であって、その積層構造を第１の層８０ｂと、第２の層８１ｂとからなる２段積層構造とした導電パターン７０ｂにおいて、θ１＜θ２とすることができる。このように構成することにより、上述した効果に加え、最上層に相当する第２の層８１ｂをＩＴＯやＩＺＯといった透明導電性材料とした場合、その耐食性が向上するため、腐食による抵抗値の変動を抑えつつ、安定的に液晶装置を動作させることが可能となる。
【００２４】
また、かかる導電パターンを３層で形成する場合には、図４（ｃ）に示すように、断面形状が台形形状であって、その積層構造を第１の層８０ｃと、第２の層８１ｃと、第３の層８２ｃとを順次積層した３段積層構造とした導電パターン７０ｃにおいて、θ１＜θ２とすることができる。このように構成することにより、上述した効果に加え、例えば、本発明の液晶装置をＴＦＤ素子やＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリックス構造を有する液晶装置としたような場合、導電パターンの材料を素子電極及び画素電極の材料と一致させることで、これらを同時形成することができる。
より具体的には、ＴＦＤ素子と同時形成することにより、タンタル又はタンタル合金、クロムの順で２層構造とすることができ、更に画素電極と同時形成することにより、ＩＴＯをさらに積層した３層構造とすることができる。
また、図４（ａ）〜（ｃ）に示した断面形状は、台形に限定されるものではなく、第１の側辺８４と、第２の側辺８５とを備えていれば良く、例えば三角形とすることも可能である。
【００２５】
また、図４（ａ）〜（ｃ）に示した導電パターン７０ａ〜７０ｃの断面形状において、導電パターンの厚さｈを０．０１〜１μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、導電パターンの厚さｈを抑えることにより、導電パターン７０とラビング部材１９０とが接触する際に生じるラビング部材の表面の歪みを抑えて、効果的にラビングすじの発生を抑制することができるためである。ただし、導電パターンの配線抵抗値を所望の値とするために、その断面形状を広くする必要性もあることから、導電パターンの厚さを０．０１〜１μｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．０５〜０．５μｍとすることがより好ましい。
また、図４（ａ）〜（ｃ）に示した導電パターン７０ａ〜７０ｃの断面形状において、導電パターンの幅ｗを１〜３０μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、高さｈが設計上制約を受けているような場合でも、幅ｗを大きくとることにより、θ１及びθ２の値を小さくすることが容易となるためである。ただし、隣接する導電パターンと接触しないように考慮する必要もあることから、導電パターンの幅を１〜３０μｍの範囲内の値とすることが好ましく、５〜２０μｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
【００２６】
（３）  導電パターンの断面形状２
また、導電パターンが、少なくとも第１の層と第２の層とを含む複数の層からなる積層構造である場合には、第２の層が、第１の層の形成位置に対してラビング部材が先に当接する側にずらして形成してあることが好ましい。例えば、図５（ａ）に示すように、基体６１上に順次積層された第１の層８０ｄと、第２の層８１ｄとからなる２段積層構造を有する導電パターン７０ｄにおいて、第２の層８１ｄが、第１の層８０ｄに対してラビング部材１９０と先に当接する側にずらして形成してあることが好ましい。
この理由は、第２の層を第１の層に対してずらして形成することで、第２の辺８４ｄの傾斜角θ１を第３の辺８５ｄの傾斜角θ２よりも小さくした形状を、容易に形成することができるためである。
より詳細には、第２の層を形成する際に導電性材料を積層した場合には、すでに形成された第１の層の端部付近において、導電性材料が下方へ流動して積層されるため、当該傾斜部分においては、第１の層の端部の傾斜角よりも、第２の層の傾斜角が緩やかになる。また、第２の層のパターニングをする際に用いるレジストパターンは、第１の層の一方の端部を被覆する斜面領域と、第２の層８１ｄの上辺８６ｄを被覆する平面領域との二つの領域にまたがって形成されることになるが、エッチングマスクは樹脂材料であるため流動性を有しており、その粘度等が影響するものの、平面領域上に比べ斜面領域上において薄く形成される。その結果、後述するドライエッチングの性質から、エッチングマスクの後退量がその両端部で異なることとなり、結果的に、図５（ａ）に示すようなθ１＜θ２なる形状が形成される。
【００２７】
また、図５（ｂ）に示すように、基体６１上に順次積層された第１の層８０ｅと、第２の層８１ｅと、第３の層８２ｅとからなる３段積層構造からなる導電パターン７０ｅの場合には、第３の層８２ｅが、第１の層８０ｅ及び第２の層８１ｅに対してラビング部材１９０と先に当接する側にずらして形成してあることが好ましい。
この理由は、上述した理由に加えて、３種類の導電性材料を積層させることで、導電パターンの配線抵抗を低くした上で、更に所望の断面形状を形成することができるためである。
なお、図６（ａ）に示すように、本発明における側辺と底辺との角度とは、第１の辺８３から第２の辺８４へ向かう方向を正とした鋭角とする。また、第２の辺８４が、図６（ｂ）に示すように曲線である場合は、その両端を結んだ仮想線８４´を用い、図６（ｃ）に示すように、第３の辺８５と連続した曲線である場合は、その頂点を片端とした仮想線８４´´を用いる。
【００２８】
（４）導電パターンの配線方向
また、ラビング部材がラビングローラである場合に、ラビングローラの回転軸と導電パターンとのなす角度を０°〜６０°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、ラビング部材の表面の歪みが最も生じやすい、回転軸Ｚとのなす角度が比較的小さい導電パターンのみを選択して、上述した断面形状を備えた導電パターンとすることができるためである。
より具体的には、図７に示すように、所定の回転軸Ｚを備えたラビングローラ１９０を配置した後、基板６０を図中Ｌの方向に移動させて配向膜７５に凹凸形状を形成するが、その際、基板６０上に配置された導電パターン７０の中で、ラビング部材の回転軸Ｚと導電パターンの配線方向とのなす角度が範囲Ａ及び範囲Ｂで示される０〜６０°の範囲となる導電パターン７０ａが、ラビング部材からの衝撃を受けやすい。そのため、かかる導電パターン７０ａに対して、本発明における断面形状を適用することによりラビング部材と導電パターンとの接触時の衝撃を和らげられ、ラビングすじの発生を抑えることができる。
【００２９】
３．カラーフィルタ基板
図１に示すように、素子基板６０と対向するカラーフィルタ基板３０は、一例として、透明なガラス基板等からなる第２の基体３１と、遮光膜３９と、着色層３７と、表面保護層４１と、走査電極３３と、から構成されている。また、走査電極３３上には、液晶材料の配向性を制御するための第２の配向膜４５を備えるとともに、走査電極３３等が形成されている面とは反対側の面に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）４７及び偏光板４９が配置されている。
また、カラーフィルタ基板３０に形成された遮光膜３９は、隣接する画素間において色材が混色することを防止して、コントラストに優れた画像表示を得るための膜である。このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を重ね合わせることにより、遮光膜を形成することもできる。
【００３０】
また、着色層３７は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層３７の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
【００３１】
また、着色層３７や遮光膜３９上には、基板表面の平坦化を図るとともに、遮光膜３９等の導電性の材料からなる部材と、走査電極３３との電気絶縁性を図るために、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料からなる表面保護層４１が形成されている。
また、表面保護層４１の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査電極３３が形成されている。かかる走査電極３３は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されている。そして、この走査電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜４５が形成されている。
【００３２】
［第２実施形態］
第２実施形態は、配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、一対の基板間に狭持された液晶材料とを含む液晶装置の製造方法において、導電パターンにおける第１の層として、基板における配向膜が形成されない配向膜非形成領域に、第１の層をパターニングして形成する第１の層形成工程と、導電パターンにおける第２の層として、第１の層の形成位置に対して、所定方向にずらした位置に、第２の層をパターニングして形成する第２の層形成工程と、基板に対してラビング部材を前記所定方向側から当接させて前記配向膜をラビングするラビング処理工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
以下、図８〜図１３を適宜参照しながら、第２実施形態について詳細に説明する。また、本実施形態における液晶装置は、スイッチング素子として二端子型非線形素子であるＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリックス構造を有する素子基板と、カラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板とから構成され、素子基板上に設けられた導電パターンは、タンタル、クロムを順次積層した２段積層構造である場合を例に採って説明する。
【００３３】
１．素子基板の製造工程
（１）第１の層形成工程
第１の層形成工程は、図８に示すフロー図中Ｓ１〜Ｓ２で表される工程である。
まず、図９（ａ）に示すように、基体６１上に、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて、タンタル層８０を形成する。このとき、タンタル層８０は、タングステン等を混合させることによりタンタル合金層とすることができる。
また、かかるタンタル層８０を形成する前に、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁層８０´を形成することも好ましい。この理由は、密着性を著しく向上させるとともに、基体６１からの不純物拡散を効率的に抑制することが可能となるためである。
【００３４】
次いで、図９（ｂ）に示すように、基体６１上のタンタル層８０に対して、感光性樹脂材料をスピンコータ等の塗布装置を用いて均一に塗布し、樹脂層１２５ｘを形成する。この場合、スピンコータを用いた場合の条件としては、６００〜２、０００ｒｐｍの回転数で、５〜２０秒の塗布時間とし、厚さ１〜１０μｍの樹脂層とすることが好ましい。
また、図示しないものの、解像度や密着性を向上させるために、樹脂層１２５ａをプリベークする。この場合、例えば、ホットプレートを用いて、８０〜１２０℃、１〜１０分のプリベーク条件とすることが好ましい。
ここで、樹脂層を構成する感光性材料の種類は特に制限されるものではないが、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、フェノール系樹脂、オキセタン系樹脂等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、感光性材料としては、光透過部を透過した光が照射された箇所が光分解して、現像剤に対して可溶化するポジ型と、光透過部を透過した光が照射された箇所が硬化し、現像剤に対して不溶化するネガ型とがあるが、いずれも好適に使用することができる。
なお、以下の説明では、ポジ型の感光性材料を使用した場合を例に採って説明する。
【００３５】
次いで、図９（ｃ）に示すように、樹脂層１２５ｘに対して、フォトマスク１０９を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。
その後、現像液を滴下して樹脂層硬化部分を除去することで、所定形状にパターニングされたレジストパターンとしての樹脂層１２５ａとすることができる。
次いで、タンタル層８０に対して、例えば、ドライエッチング処理を実施することにより、樹脂層１２５ａに形成した開口部分１２５´の直下にあるタンタル層が選択的にエッチングされ、パターニングされた第１の層を形成することができる。
【００３６】
（２）第２の層形成工程
第２の層形成工程は、図８に示すフロー図中Ｓ３〜Ｓ４で表される工程である。
まず、図１０（ｂ）に示すように、基体６１上にスパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いてクロム層８１を形成する。このとき、クロム層８１は、すでに形成された第１の層上に形成されることから、第１の層８０の斜面領域８０´付近に形成されるクロム層８１の斜面領域８１´は、その流動性に起因して、第１の層８０の斜面領域８０´よりも、傾斜が緩やかに形成される。
【００３７】
次いで、クロム層上に、レジストパターンとしての樹脂層を形成する。ここで、塗布条件等については第１の層と同様にすることができるが、第２の層形成工程においては、すでに形成された第１の層上に樹脂層１２５Ｙを形成するため、樹脂層１２５Ｙの材料の流動性により、図１０（ｃ）に示すように、斜面領域上に形成される樹脂層１２５Ｙ´の厚さが、平面領域上に形成される樹脂層１２５Ｙ´´の厚さよりも薄く形成される。
【００３８】
次いで、かかる樹脂層１２５Ｙに対して、図１１（ａ）に示すように、フォトマスク１０９´を介して記号Ｌで示されるｉ線等のエネルギー線を照射して、パターン露光を実施する。
このとき、フォトマスク１０９´のマスクパターンが、既に形成してある第１の層８０に対して、所定方向にずらして配置されるように、フォトマスク１０９´を載置する。その際にずらす方向は、後述するラビング工程において、導電パターンに対して、ラビング部材が先に当接する方向と一致させておく必要がある。
その後、所定の現像処理を実施することで、図１１（ｂ）に示すように、斜面領域上の樹脂層１２５ｂ´の厚さが、平面領域上の樹脂層１２５ｂ´´の厚さよりも薄くなった樹脂層１２５ｂを形成することができる。
【００３９】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、クロム層に対してエッチング処理を実施することにより、樹脂層１２５ｂに形成した開口部分の直下にあるクロム層が選択的にエッチングされ、第１の層に対して所定方向にずらした位置に、第２の層を形成することができる。例えば、容器１７７内のフッ酸液等のエッチング液１７８に、基板６１を浸漬させるウェットエッチング法を用いることで、傾斜角θ１となる第２の辺８４ｎを形成することができる。
【００４０】
ここで、かかるエッチング処理における断面形状の詳細図を、図１２（ａ）〜（ｂ）に示す。図１２（ａ）は、樹脂層パターニング終了後であって、エッチング前の状態を表しており、図１２（ｂ）はエッチング後の状態を表している。
図１２（ａ）において、樹脂層１２５ｂは、上述したとおり、斜辺領域上の樹脂層１２５ｂ´の厚さｈ２が、平面領域上の樹脂層１２５ｂ´´の厚さｈ１よりも薄くなっている。そして、かかる状態の基板に対して、図１２（ｂ）に示すようにエッチング処理を実施した場合、クロム層８１のエッチングが進行するとともに、エッチング液による樹脂層１２５ｂの横方向の後退もまた生じる。このとき、かかる後退量は、樹脂層厚さに起因しており、樹脂層厚さが薄い領域ほど、後退量は大きくなる。すなわち、厚さｈ２の樹脂層領域１２５ｂ´に対応する後退量ｄ１は、厚さｈ１の樹脂層領域１２５ｂ´´に対応する後退量ｄ１´よりも大きくなる。
【００４１】
このように、第２の層を第１の層に対して所定方向にずらして形成することにより、クロム層の流動性やエッチング時の後退量の違いから、第２の辺８４ｎの傾斜角θ１は、第３の辺８５ｎの傾斜角よりも緩やかな傾斜となる。したがって、例えば、第１の層８０と第２の層８１とを同一条件で形成したような場合でも、第２の辺８４ｎの傾斜角θ１を、第３の辺８５ｎの傾斜角θ２よりも小さくすることができる。
その後、硫酸等により樹脂層を除去することにより、図１１（ｄ）に示すように、θ１＜θ２となる断面形状を有する導電パターン７０を形成することができる。
【００４２】
（３）画素電極等の形成工程
画素電極等の形成は、図８に示すフロー図中、Ｓ５で示される工程である。例えば、基板６１上に対して、ＴＦＤで形成されたスイッチング素子６９、画素電極６３、配向膜７５等を形成する。画素電極６３は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜により形成することができる。
なお、かかるスイッチング素子６９は、タンタル、酸化タンタル、クロムを順次積層して形成したＴＦＤ素子であることから、上述した導電パターン７０におけるタンタル層と、スイッチング素子６９におけるタンタル層は同時形成することができる。
【００４３】
（４）ラビング工程
次いで実施するラビング工程は、図８に示すフロー図中Ｓ６で表される工程である。例えば、図７に示すように、ラビング部材１９０に対して、矢印Ｌの方向に基板６０を挿入することにより、両者が接触し、かかる配向膜上に凹凸形状を形成する。
このとき、本実施形態においては、第２の層を形成する際に、第１の層に対してずらした方向側からラビング部材を当接させるように、基板を挿入する。このように実施することにより、導電パターンにおける、ラビング部材が先に当接する側の辺（第２の辺）の傾斜角が、より緩やかに形成されているために、ラビングローラが導電パターンに接触する際の衝撃を和らげることができる。したがって、ラビングローラ表面の歪みを少なくして、表示領域内においてラビングすじが発生することを防止することができる。
【００４４】
２．カラーフィルタ基板の製造工程
（１）電極等の形成
次に、カラーフィルタ基板３０の製造方法について説明する。
カラーフィルタ基板３０は、図１に示すように、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等からなる基体３１上に、それぞれの画素領域に対応する複数の開口部を備えた遮光膜３９を形成する。
このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。ただし、膜厚が薄い場合であっても遮光性を確保することができるとともに、遮光膜３９による段差を小さくすることができることから、クロム等の金属膜を遮光膜として使用することが好ましい。
かかる金属膜を用いて遮光膜３９を形成する場合には、例えば、クロム（Ｃｒ）等の金属材料を蒸着法等により第１の基体３１上に積層した後、所定のパターンに合わせてエッチング処理することにより形成することができる。
【００４５】
（２）カラーフィルタ等の形成
次いで、遮光膜３９が形成された基板３１上に、着色層３７を形成する。
かかる着色層３７は、例えば、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、遮光膜３９が形成された基板３１上に、スピンコータやスリットコータを用いて塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成することができる。そして、色毎に上記工程を繰り返すことにより、複数色の着色層３７ｒ、３７ｇ、３７ｂを配列形成する。
なお、着色層３７の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００４６】
次いで、基板３１上に全面的に光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料を塗布するとともに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、少なくとも表示領域に相当する領域に表面保護層４１を形成する。すなわち、基板表面を平坦化することにより、当該表面保護層上に形成される第１の電極３３を平坦化したり、セルギャップの均一化を図ったりできるために、表示ムラの発生を低減することができるためである。
かかる樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコータやスリットコータなどを用いて塗布することができる。
【００４７】
（３）走査電極の形成
次いで、表面保護層４１上に全面的にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体材料からなる透明導電層を、一例として、スパッタリング法により形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを施し、走査電極３３を形成する。
最後に、走査電極３３を形成した基板上に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５を形成する。
【００４８】
（４）ラビング処理
次いで実施するラビング処理工程は、図８に示すフロー図中Ｓ４´で表される工程である。かかる工程は、素子基板の製造工程におけるＳ６に示されるラビング工程と同様の条件で実施することができる。
【００４９】
３．組立工程
次いで、カラーフィルタ基板又は素子基板のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板及び素子基板を貼り合わせて、セル構造を形成する。
その後、図１に示すように、セル内に、シール材２３の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入した後、封止材２５等により封止する。
【００５０】
４．後工程
次いで、カラーフィルタ基板及び素子基板それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）４７、７７及び偏光板４９、７９を配置したり、ドライバ９１を実装したりすることにより、液晶装置を製造することができる。
【００５１】
５．検査工程
次いで、ドライバ９１に所定信号を入力し、画像表示させることにより、ラビング処理に起因して発生するラビングすじの有無を検査する検査工程を実施する。
かかる検査工程は、基本的には視覚による官能検査であり、例えば、５段階の基準を設けて、その品質を評価する。その結果、ラビングすじが視認された液晶装置については、不良品と判定することができるため、電子機器等への組み込みを中止することができる。
【００５２】
［第３実施形態］
第３実施形態は、配向膜及び導電パターンを備えるとともに対向配置された一対の基板と、一対の基板間に狭持された液晶材料とを含む液晶装置の製造方法において、基板上に導電性材料を積層して導電層を形成する工程と、導電層に対して、第１のレジストパターンを形成した後、第１のドライエッチングにより、導電パターンの一方のエッジを形成する第１のドライエッチング工程と、導電層に対して、第２のレジストパターンを形成した後、エッチングガスと酸素との流量比を第１のドライエッチングと異ならせた第２のドライエッチングにより他方のエッジを形成する第２のドライエッチング工程と、基板に対して、酸素流量比が大きい方の条件で形成したエッジ側からラビング部材を当接させて配向膜をラビングするラビング処理工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
以下、図１３〜図１６を適宜参照しながら、第３実施形態について詳細に説明する。
また、本実施形態における液晶装置は、スイッチング素子として二端子型非線形素子であるＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリックス構造を有する素子基板と、カラーフィルタを備えたカラーフィルタ基板とから構成されている。また、素子基板上に設けられた導電パターンとして、タンタルからなる単層構造の導電パターンを例に採って説明する。
【００５３】
１．素子基板の製造工程
（１）タンタル層形成工程
まず、図１４（ａ）に示すように、基体６１上に、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて、タンタル層８０ｐ形成する。かかる工程は、上述した第２実施形態におけるタンタル層の形成と同条件で実施可能であるため、詳細な説明は省略する。
【００５４】
（２）第１のレジストパターン形成工程
次いで、タンタル層８０ｐ上に樹脂層を形成した後、所定のフォトマスクを介して露光した後、現像することで、図１４（ｂ）に示すように、パターニングされたレジストパターンとしての樹脂層１２５ｐを形成する。
なお、かかる第１のレジストパターン形成工程は、第２実施形態における条件と同条件で実施することが可能となることから、ここでの詳細な説明は省略する。
【００５５】
（３）第１のドライエッチング工程
次いで、図１４（ａ）〜（ｂ）に示すように、樹脂層１２５ｐに形成した開口部分の直下にあるタンタル層を選択的にエッチングして、タンタル層８０ｐに所定のパターンを形成する。かかる工程を実施することで、基板６１上には辺８４ｐ及び８５ｐを含むパターニングされたタンタル層８０ｐ´が形成される。
ここで、辺８５ｐは、後述の第２のドライエッチング工程では、レジストマスクによって被覆される箇所であるため、本工程において、第３の辺８５ｐとして形成される。
【００５６】
ここで、ドライエッチング処理の概略について説明する。かかる第１のドライエッチング工程は、図１４（ｃ）に示すようにＳＦ４、ＳＦ６等の反応性ガスを主成分としたエッチングガスに酸素を混合させた混合ガス１７４によって、タンタル層をエッチングする工程である。
まず、減圧したチャンバー１７１内に、基体６１と、基体６１に対向する位置に電極１７０を配置するとともに、電極１７０と基体６１との間に所定周波数の交流電圧１７３を印加する。次いで、チャンバー１７１内にＳＦ６、ＳＦ４等の反応性ガス１７４を流入させることにより、電極１７０と基板６１との間隙に、フッ素ラジカル及び酸素イオンを含むプラズマ領域１７５が形成される。このとき、フッ素ラジカル及び酸素イオンは、交流電圧によって生じた電界の影響により、電極１７０と基体６１の間を振動し、その一部が基板６０表面に衝突する。
かかる衝突の際、フッ素ラジカルはタンタル層８０ｐと反応して５フッ化タンタル（ＴａＦ5）を生成し、一方、酸素イオンは樹脂層１２５ｐ内の炭素と反応して二酸化炭素（ＣＯ2）を生成することにより、タンタル層８０ｐと樹脂層１２５ｐは、それぞれ反応性ガスと酸素の混合比に対応したエッチングレートでエッチングされることになる。
【００５７】
そして、図１６（ａ）に示すように、タンタル層８０のエッチング速度が、樹脂層１２５のエッチング速度に比べて十分速い場合、樹脂層の水平方向のエッチング量ｄ２に比べ、タンタル層の深さ方向のエッチング量Ｌが十分大きくなるため、第２の辺８４ｋ及び第３の辺８５ｋは、ほぼ垂直な辺を形成することができる。
一方、図１６（ａ）に比べ酸素ガス流量を優位に混合させた場合は、図１６（ｂ）に示すように、樹脂層の水平方向のエッチング量ｄ３がある程度進行するため、第２の辺８４ｍ及び第３の辺８５ｍは、図１６(ａ)の条件に比べて、より緩やかに傾斜することになる。
すなわち、ドライエッチング法においては、エッチングガスにおける反応性ガスと酸素との混合比もしくは酸素流量の絶対量を変更することにより、導電パターンの傾斜角を任意に調整することができる。
【００５８】
次いで、アッシング又は濃硫酸を用いてレジスト除去を行うことで、図１４（ｄ）に示すように、パターニングされたタンタル層８０ｐ´を形成することができる。
【００５９】
（４）第２のレジストパターンの形成工程
次いで、パターニングされたタンタル層８０ｐ´上に、第２のレジストパターンを形成する。かかる第２のレジストパターン形成は、基本的に、第１のレジストパターン形成と同様の条件で実施することができるが、ここでは、第１のレジストパターンに対して、ラビング部材１９０と先に当接する側に所定量ずらした位置に形成する。
より具体的には、図１５（ａ）に示すように、第３の辺８５ｐ上にのみ樹脂層１２５ｑが残るように、第２のレジストパターンを形成する。
なお、ここでは第３の辺８５ｐ上を被覆するようにずらした場合を例に採って説明するが、辺８４ｐ上のみを被覆するようにずらした場合であっても、後述する第２のドライエッチング条件を調整することで、同様の効果を得ることができる。
【００６０】
（５）第２のドライエッチング工程
次いで、第２のレジストパターンに対して、第２のドライエッチングを行う。ここでのドライエッチング条件は、第１のドライエッチング条件と比較して、エッチングガスと酸素との流量比を変更した条件で実施する必要がある。
より具体的には、図１５（ｂ）に示すように、辺８４ｐが、第３の辺８５ｐの傾斜角θ２とは異なる傾斜角θ１となる第３の辺８４ｑとなるように、ドライエッチング条件を決定する。例えば、第１のドライエッチング条件に比べて酸素流量比を大きくすることにより、上述した図１６（ａ）〜（ｂ）に示すように、θ１＜θ２とすることができる。
これらの処理の後、樹脂層１２５ｑを除去することで、図１５（ｃ）に示すように、θ１＜θ２となる断面形状を有する導電パターン７０ｑを形成することができる。
【００６１】
（６）画素電極等の形成
次いで、基板６１上に対して、ＴＦＤで形成されたスイッチング素子６９、画素電極
６３、配向膜７５等を形成する。画素電極６３は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜により形成することができる。
なお、かかるスイッチング素子６９は、タンタル、酸化タンタル、クロムを順次積層して形成したＴＦＤ素子であることから、上述した導電パターン７０におけるタンタル層と、スイッチング素子６９におけるタンタル層は同時形成することができる。
【００６２】
（７）ラビング工程
次いで、ラビング工程は図１３に示すフロー図中Ｓ７で表される工程で、上述した導電パターンを形成した基板上に配向膜を形成した後、図７に示すように、所定方向Ｍに回転したラビング部材１９０に対して、矢印Ｌの方向に基板６０を挿入することにより、両者が接触し、かかる配向膜上に凹凸形状を形成するものである。
このとき、本実施形態においては、導電パターンを形成する際に、酸素流量比が大きい方の条件で形成した辺側からラビング部材を当接させるように、基板を挿入する。このように実施することにより、導電パターンにおける、ラビング部材が先に当接する側の辺（第２の辺）の傾斜角が、より緩やかに形成されているために、ラビングローラが導電パターンに接触する際の衝撃を和らげることができる。したがって、ラビングローラ表面の歪みを少なくして、表示領域内においてラビングすじが発生することを防止することができる。
【００６３】
２．カラーフィルタ基板の製造工程
かかるカラーフィルタ基板の製造工程は、図１３に示すフロー図中、Ｓ１´〜Ｓ４´で示される工程で、第２実施形態におけるカラーフィルタ基板の製造工程と同様に実施することが可能であるため、ここでの説明は省略する。
【００６４】
３．組立、後工程及び検査工程
かかる工程は、図１３に示すフロー図中、Ｓ８〜Ｓ１０で示される工程であり、これらは第２実施形態における組立、後工程及び検査工程と同様に実施することが可能であるため、ここでの説明は省略する。
【００６５】
［第４実施形態］
本発明に係る第４実施形態として、第１実施形態の液晶装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
図１７は、本発明の電子光学装置を備えた電子機器３００の概略構成図である。この電子機器３００の例では、液晶装置等の電子光学装置３１０と、これを制御するための制御手段３２０と有している。そして、電子光学装置３１０を、パネル構造体３１０ａと、半導体素子（半導体素子）等で構成される駆動回路３１０ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段３２０は、表示情報出力源３３１と、表示情報処理回路３３２と、電源回路３３３と、タイミングジェネレータ３３４とから構成してある。
さらに、表示情報出力源３３１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ３３４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路３３２に供給するように構成されている。
【００６６】
また、表示情報処理回路３３２は、シリアルーパラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３１０ｂへ供給するように構成してある。さらに、駆動回路３１０ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含み、電源回路３３３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
よって、本実施形態の電子機器は、導電パターンの断面形状を所定形状とし、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を備えているために、画像表示特性に優れた電子機器とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明の液晶装置によれば、導電パターンの断面形状を所定形状とし、ラビングすじの発生を抑えた液晶装置を備えることにより、画像表示特性に優れた液晶装置を効率的に提供することができる。したがって、電子機器として、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の液晶装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の液晶装置を示す概略斜視図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ素子基板の平面図及び断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、所定の断面形状を備えた導電パターンの積層構造及び傾斜角の関係を説明するために供する図である。
【図５】（ａ）〜（ｂ）は、所定の断面形状を備えた導電パターンの積層構造及び各層毎の位置関係を説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、断面形状の傾斜角について説明するために供する図である。
【図７】は、ラビング部材と導電パターンとの平面方向の位置関係を説明するために供する図である。
【図８】本発明の第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明するフロー図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である。（その１）
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である。（その２）
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である。（その３）
【図１２】（ａ）〜（ｂ）は、第１の層と第２の層をずらして形成した場合の断面形状を説明するために供する図である。
【図１３】本発明の第３実施形態における液晶装置の製造方法を説明するフロー図である。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である（その１）。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３実施形態における液晶装置の製造方法を説明する図である（その２）。
【図１６】（ａ）〜（ｂ）は、ドライエッチング条件と導電パターンの断面形状の関係を説明するために供する図である。
【図１７】本発明の液晶装置を備えた電子機器の概略構成を説明するために供するブロック図である。
【図１８】従来の液晶装置を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００６９】
２０：液晶装置、２３：シール材、２３ａ：注入口、３０：カラーフィルタ基板、３１：ガラス基板、３３：走査電極、３５：光反射膜、３５ａ：開口部、８０：第１の層、８１：第２の層、８２：第３の層、８３：第１の辺、８４：第２の辺、８５：第３の辺、１０９：フォトマスク、１２５：感光性樹脂材料層、４５：配向膜、６０：素子基板、６１：ガラス基板、６３：画素電極、６５：データ線、６９：ＴＦＤ素子、７０:導電パターン、７５：配向膜、１９０：ラビング部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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