(57)【要約】【課題】比較的広い範囲にわたってリニアな出力を提供する角度位置センサであって、出力信号の誤差を自動補償する非接触型の角度位置センサを提供する。【解決手段】デバイスの角度位置の検出に用いるリニア変位センサの出力信号を自動補償する電子回路（３００）を含む。電子回路（３００）は、センサから実際の出力信号を受信するＡＤＣ３０２と、 所定の角度位置におけるセンサの出力信号の理論値を格納する電子メモリ（３０６）を含む。電子回路（３００）は、理論値からの実際のセンサ出力信号の偏差に基づいた補償値を生成し、その補償値を電子メモリ（３０６）に格納し、補償値を用いてセンサの実際の出力信号を自動補償し、実際のセンサ出力値を補償値で乗算することでセンサの検出感度に調整させる、あるいは、実際のセンサ出力値を補償値で加算することでセンサのオフセットに調整させる。【選択図】図１８
2006071652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの角度位置の検出に用いるリニア変位センサの出力信号を自動補償する電子回路であって、
前記センサから実際の出力信号を受信する手段と、
所定の角度位置における前記センサの前記出力信号の理論値を格納する手段と、
前記理論値からの前記実際のセンサ出力信号の偏差に基づいた補償値を生成する手段と、
前記補償値を格納する手段と、
前記補償値を用いて前記センサの前記実際の出力信号を自動補償する補償手段と、
を具備し、
前記補償手段は、前記実際のセンサ出力値を前記補償値で乗算することで前記センサの検出感度に調整させることを特徴とする電子回路。
【請求項２】
デバイスの角度位置の検出に用いるリニア変位センサの出力信号を自動補償する電子回路であって、
前記センサから実際の出力信号を受信する手段と、
所定の角度位置における前記センサの前記出力信号の理論値を格納する手段と、
前記理論値からの前記実際のセンサ出力信号の偏差に基づいた補償値を生成する手段と、
前記補償値を格納する手段と、
前記補償値を用いて前記センサの前記実際の出力信号を自動補償する補償手段と、
を具備し、
前記補償手段は、前記実際のセンサ出力値を前記補償値で加算することで前記センサのオフセットに調整させることを特徴とする電子回路。
【請求項３】
デバイスの角度位置の検出に用いるリニア変位センサの出力信号を自動補償する電子回路であって、
前記センサから実際の出力信号を受信する手段と、
所定の角度位置における前記センサの前記出力信号の理論値を格納する手段と、
前記理論値からの前記実際のセンサ出力信号の偏差に基づいた補償値を生成する手段と、
前記補償値を格納する手段と、
前記補償値を用いて前記センサの前記実際の出力信号を自動補償する補償手段と、
を具備し、
前記補償値は第１のタイプの値と第２のタイプの値とを含み、前記補償手段は積で定義する前記実際のセンサ出力値を前記第１のタイプの値で乗算することで前記センサの検出感度に調整させ、前記積に対して前記第２のタイプの値を加算することで前記センサのオフセットに調整させることを特徴とする電子回路。
【請求項４】
センサの出力信号のリニアレンジは複数のサブレンジに分割され、前記補償手段は、それらの中で、現在の実際のセンサ出力信号が含まれ、かつ補償値を利用するサブレンジを決定することを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の電子回路。
【請求項５】
前記補償値は温度の逸脱を起因とする前記出力信号の誤差も自動的に補償することを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の電子回路。
【請求項６】
前記センサはホール効果センサであることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の電子回路。
【請求項７】
前記補償された出力信号はデジタル信号であることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の電子回路。
【請求項８】
前記補償された出力信号はアナログ信号であることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の電子回路。
【請求項９】
前記回路は前記センサと一体にオンチップを形成していることを特徴とする請求項６に記載の電子回路。
【請求項１０】
前記回路は前記センサと一体にオフチップを形成していることを特徴とする請求項６に記載の電子回路。
【請求項１１】
前記センサは回転位置センサであることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスマート角度位置センサに関し、さらに詳しくは、ホール効果集積回路（ＩＣ）などの磁気検出素子と当該磁気検出素子の出力信号の誤差を自動補償する電子回路とを含み、スロットルバルブなどの旋回自在に装着したデバイスの角度位置を検出するためのリニア非接触角度位置センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
角度位置センサは周知のようにスロットル本体のバタフライ弁の角度位置を決定するためのスロットル位置センサを含め各種適用で使用されている。このようなセンサの例は特許文献１や特許文献２に開示されている。このようなセンサは通例、内燃機関の燃焼室へ供給する燃料の量を制御するためにスロットル本体内のバタフライ弁の角度位置を検出するのに使用される。このようなスロットル位置センサ、例えば特許文献１や特許文献２に開示されたセンサなどは、部品間の変動があるのが典型的であり、特許文献１の場合などにはスロットル本体メーカー、また特許文献２の場合ではセンサ・メーカーのいずれかによって、各々のまた全てのセンサを較正する必要がある。特許文献１に開示された実施例では、円形マグネットをバタフライ弁の軸へ動かないように直接固定している。磁性抵抗素子（ＭＲＥ）を円形磁石に対して一定のエアギャップ（空隙）をもって改良スロットル本体内部に装着する。可変利得の増幅回路を使用してポテンショメータまたは可変抵抗によりセンサを較正する。従来技術で知られているように、そのポテンショメータの出力は温度または時間で変動することがある。内燃機関環境で使用されるこのようなセンサの動作温度範囲が比較的広いことから、そのポテンショメータはドリフトを発生し装置の較正全体に影響を及ぼす。特許文献２で開示されたセンサは機械調整式で、特許文献１の場合と同様に、較正がドリフトの影響を受けない。しかし、このような機械式調整法は時間がかかり面倒で、製品を製造するまでの全作業コストを増加させてしまう。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第４，８９３，５０２号
【特許文献２】米国特許第５，３３２，９６５号
【非特許文献１】LTC1286 / LTC1298 MICROPOWER SAMPLING TWELVE BIT A/D CONVERTERS IN SO-8 PACKAGES，by Linear Technology，Inc.， pages 6-140 to 6-162（リニア・テクノロジ社発行「ＬＴＣ１２８６／ＬＴＣ１２９８マイクロパワー・サンプリング１２ビットＡ／ＤコンバータＳＯ−８パッケージ版」６−１４０ページ〜６−１６２ページ）
【非特許文献２】HC05 MC68HC705J2 TECHNICAL DATA，by Motorola，Inc.，copyright 1991（モトローラ社発行「ＨＣ０５ ＭＣ６８ＨＣ７０５Ｊ２テクニカルデータ」（１９９１年発行））
【非特許文献３】MICROCHIP 93C06/46 256BIT/1K 5B CMOS SERIAL EEPROM，BY MICROCHIP TECHNOLOGY，INC.，COPYRIGHT 1994（マイクロチップ・テクノロジ社発行「マイクロチップ９３Ｃ０６／４６型２５６ビット／１Ｋ・５Ｂ・ＣＭＯＳシリアルＥＥＰＲＯＭ」（１９９４年発行））
【非特許文献４】MAXIM 5V，LOW-POWER，VOLTAGE OUTPUT，SERIAL 12-BIT DAC'S MAX531/MAX538/MAX539 by Maxim Integrated Products，Copyright 1994（マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ社発行「マキシム５Ｖ低電力電圧出力シリアル１２ビットＤＡＣ・ＭＡＸ５３１／ＭＡＸ５３８／ＭＡＸ５３９」）
【非特許文献５】KBR-MKS SERIES CERAMIC RESONATORS，P14 BY AVX KYOCERA（ＡＶＸ・ＫＹＯＣＥＲＡ社発行「ＫＢＲ−ＭＫＳシリーズ・セラミック共振器」Ｐ１４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は角度位置センサに関連した既知の各種問題を解決することである。
【０００５】
本発明の別の目的は出力信号の誤差を自動補償する角度位置センサを提供することである。
【０００６】
本発明のさらに別の目的は非接触型角度位置センサを提供することである。
【０００７】
本発明のさらに別の目的は比較的広い温度範囲にわたって通例リニアな出力を提供する角度位置センサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
簡潔に言えば、本発明はセンサの出力信号の誤差を自動補償する電子回路を含むスマート角度位置センサに関する。電子回路は、センサから実際の出力信号を受信する手段と、  所定の角度位置におけるセンサの出力信号の理論値を格納する電子メモリを含む。電子回路は、理論値からの実際のセンサ出力信号の偏差に基づいた補償値を生成し、その補償値を電子メモリに格納し、補償値を用いてセンサの実際の出力信号を自動補償し、その補償のときに、実際のセンサ出力値を補償値で乗算することでセンサの検出感度に調整させる、あるいは、実際のセンサ出力値を補償値で加算することでセンサのオフセットに調整させる。また、補償値は第１のタイプの値と第２のタイプの値とを含み、積で定義する実際のセンサ出力値を第１のタイプの値で乗算することでセンサの検出感度に調整させ、積に対して第２のタイプの値を加算することでセンサのオフセットに調整させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１０】
本発明による角度位置センサは総括参照番号２０で識別される。本発明の重要な形態は較正方法に関連する。図１〜図１７に図示し以下で説明する実施例では、本発明による角度位置センサは機械的に調節される。図８〜図３０に図示した別の実施例では、角度位置センサ２０は出力信号の誤差を自動補償する電子回路を設けてある。
【００１１】
機械調節式角度位置センサ
図１〜図１７を最初に参照すると、角度位置センサ２０の第１実施例は、機械調節するのに適し、例えば特許文献１に開示されている角度位置センサなどの周知の角度位置センサを較正するのに用いるポテンショメータなどの必要がない。前述のように、ポテンショメータなどは温度依存性がある。つまり、比較的厳しい温度環境では、このようなセンサの較正に影響がでる。
【００１２】
当該技術の熟練者には理解されるように、角度位置センサ２０は各種適用で使用するのに適し、ピボット装着した装置の角度位置を表わす信号を提供する。角度位置センサ２０はスロットル位置センサとしての適用で図示し、以下で説明する。しかし、本発明による角度位置センサ２０の適用は他の各種適用でも有用なことは当該技術の熟練者には正しく理解されるはずである。
【００１３】
図１を参照すると、角度位置センサ２０は自身のハウジング２２内に配置されて、ハウジング２２に対して回転できるように取り付けてある駆動アーム２４を含み、このアームによって角度位置センサ２０を旋回自在に装着された装置の出力軸へ機械的に結合できるようになっている。例えばスロットル位置センサなどに適用した場合、駆動アーム２４はスロットル本体２７によって担持されるバタフライ弁軸２６に機械的に接続される。さらに詳しくは、そのような適ようにおいて、バタフライ弁２８は旋回自在に取り付けられた軸２６に対して適当な締結具３０またはスポット溶接によって動かないように固定される。軸２６は適当なベアリング３４を用いてスロットル本体２７へ回転自在に取り付けてある。
【００１４】
バタフライ弁２８は内燃機関（図示していない）への気流を閉じるかまたは絞るように形成してある。角度位置センサ２０をバタフライ弁軸２６に接続することで、角度位置センサ２０は内燃機関の燃焼室へ供給される燃料の量を制御する際に使用するバタフライ弁２８の角度位置を表わす信号を提供するのに適応される。
【００１５】
軸２６と駆動アーム２４が相互に回転しないように図っている。このような回転を防止するには様々な手段を使用できる。その全てが本発明の広い範囲内に含まれることを意図している。図示してあるように、バタフライ弁軸２６はスロットル本体２７の一側から外向きに延出して駆動アーム２４と係合できるようにするための断面積の小さくなっている部分または舌３６を備えて形成されている。
【００１６】
駆動アーム２４に対する舌３６の回転を防止するため、舌３６は駆動アーム２４に設けてある協働する凹部３８と嵌合するのに適した非円形の断面に形成することができる。
【００１７】
角度位置センサ２０の別の重要な形態は、例えば適当な締結具４０を用いてスロットル本体２７とかなり迅速にかつ簡単に固定されるような独立ユニットとして形成されることである。角度位置センサ２０を独立したユニットとして提供することにより、角度位置センサ２０の較正はセンサ・メーカーが工場で行なえる。これと対照的に、幾つかの既知の角度位置センサは、例えば特許文献１に開示されているように、スロットル本体内に直接組み込まれる。このような実例では、センサの較正はスロットル本体メーカーによって行なわれるのが普通で、当該センサに関する経験はセンサ・メーカーより当然少ない。
【００１８】
図２および図３は本発明による角度位置センサ２０の基本原理を示す。特に、角度位置センサ２０は磁石４２望ましくは対向する北磁極と南磁極を有する標準的な棒磁石と、磁気検出素子４３、通例Ｌ字状の磁束コンセントレータ４４と４６の対、および調節に使用する追加の（補助）磁束コンセントレータ４８を含む。以下でさらに詳細に説明するように、磁石４２は図１に図示してあるように対向する南北磁極を相互連結する磁軸５２に対して通例直交する軸５０（図１）の周りを回転できるように駆動アーム２４に取り付けるのに適応している。以下でさらに詳細に説明するように、磁石４２は磁石の回転軸５０がバタフライ弁軸２６と同軸となるように駆動アーム２４内部に装着され、バタフライ弁軸２６の回転によってその回転に対応する量だけ磁石４２が回転軸５０の周りを回転するように、磁軸５２に対し通例直角に取り付けられる。
【００１９】
磁気検出素子４３はオンチップ増幅回路を備えたホール効果ＩＣ例えばアレグロ型番３５０６番（Allegro Model No．3506）などが望ましい。角度位置センサ２０は機械式に調節されるので、センサ２０を電気的に調節するための外部回路は必要としない。このようにすることで、磁気検出素子４３の出力は内燃機関の燃料制御回路（図示していない）へ直接接続するのに適することとなる。外部ポテンショメータまたは可変抵抗の必要がなくなることで、プリント回路基板から磁気検出素子４３をこのようなポテンショメータまたは可変抵抗へ接続するためのプリント回路基板上の導体線（conductive tracings）の必要が無くなる。前述のように、このような適ようにおける導体線はアンテナとして機能することがあり、センサを各種の電磁干渉に曝すことになる。例えば特許文献１に開示されているような、調節ようにこのような外部ポテンショメータまたは可変抵抗を内蔵しているセンサでは、回路を電磁干渉に対して遮蔽しなければならず、センサにコストが増える。このような外部ポテンショメータまたは可変抵抗は温度にも影響される。つまり、比較的厳しい環境、例えば内燃機関のボンネット内環境（under-hood environment）などでは、温度変化で較正がドリフトする。本発明による角度位置センサ２０は外部ポテンショメータ等を必要としないセンサで機械的な調節を用いることにより、これらの問題を解決する。
【００２０】
図１３に最も良く図示してあるように、磁気検出素子４３は磁軸５２に対して通例平行な磁石４２の表面５８に対して一定のエアギャップ（空隙）５４をおいてハウジング２２に対して固定的に取り付けてある。通例Ｌ字状の磁束コンセントレータ４４および４６は磁気検出素子４３に対して堅固に配置されてアセンブリ６０を形成する。特に、磁気検出素子４３は通例Ｌ字状の磁束コンセントレータ４４および４６の間にサンドイッチされてアセンブリ６０を形成する。このアセンブリ６０は磁気検出素子４３によって画定される検出平面６２が磁石４２の回転軸５０と通例平行になるように配置される。図示したように、磁気検出素子４３としてホール効果ＩＣを使用する。このような実施例では、検出平面６２は図４に図示してある対向する表面６４および６６に対して通例平行な平面として形成される。
【００２１】
図２に図示してあるように、アセンブリ６０は磁石４２の回転軸５０が磁気検出素子４３の中点を通って検出平面６２と平行になるように配置してある。しかし、回転軸５０が検出平面６２に通例平行な軸にそって磁気検出素子４３の中点からオフセットするようにアセンブリ６０を配置できることも意図されている。
【００２２】
図４の図示では、角度位置センサ２０は静止状態にある。この状態で参照番号６８で識別される矢印で表わしてある磁束密度Ｂは磁気検出素子４３の検出平面６２に対して通例平行である。この状態で磁気検出素子４３は静止電圧を出力する。アレグロ型番３５０６のホール効果ＩＣでは、静止出力電圧がＤＣ約２．５ボルトとなるのが典型的である。図５または図６に図示してあるように磁石４２を反時計回りに回転させるか、時計回りに（図示していない）回転させると、磁束密度６８のさらに増加する量が磁気検出素子４３の検出平面６２に加えられるので、検出平面６２に平行な軸６３と軸６５の間で定まる角度θの関数として磁気検出素子４３の出力電圧が変化する。アレグロ型番３５０６のホール効果ＩＣでは、出力電圧振幅は角度回転の方向に依存するＤＣ±約２．０ボルトである。
【００２３】
本発明の重要な形態によれば、軸６３と軸６５の関係は角度位置センサ２０のオフセット電圧を調節するために変化できる。さらに詳しくは、アセンブリ６０を静止状態で磁石４２に対して回転させてセンサ・オフセット電圧を調節する。
【００２４】
このような適用では、センサは静止状態において図４に図示してあるように軸６３と軸６５の間に小さい角度θを有するように作られる。
【００２５】
以下でさらに詳細に説明するように、本発明の重要な形態は、角度位置センサ２０の出力電圧が磁石４２の角度回転の関数としてリニアに変化する事実に関係する。つまり追加の高価な外部回路を必要とせずに内燃機関の燃料消費回路へ角度位置センサ２０の出力電圧を直接印加されることができる。特に、出力電圧のリニア化のために既知の角度位置センサはマイクロプロセッサを含む各種回路を使用しており、これがセンサを複雑にし、コストを増加していた。本発明による角度位置センサ２０は当該外部回路を必要としない。さらに詳しくは、磁束を配向して磁束密度の密度と極性を調節するばかりでなく出力信号をほぼ直線状にリニア化する通例Ｌ字状またはブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６を用いることで、出力信号がリニアになる。このようにすることで、本発明による角度位置センサ２０は、寿命が有限の接触型装置であるポテンショメータ式スロットル位置センサと置き換えるのに適応する。さらに詳しくは、図７に回転角度の関数として角度位置センサ２０の出力電圧のグラフを図示してある。実線７２はブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６を持たない角度位置センサ２０の出力を表わす。図示してあるように、この例の出力電圧は回転角度に対して比較的非直線的に変化する。ブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６を組み込むと、角度位置センサ２０の出力電圧はほぼ直線的になる。さらに詳しくは、実線７４が角度位置センサ２０の出力電圧と磁石４２の回転角度の間の望ましい関係を表わしている。破線７６はブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６を組み込んである角度位置センサ２０の出力電圧を表わす。図示のように、破線７６は想定されるセンサ動作範囲、例えば１１０°回転にわたり相当にリニア（線形）になっている。
【００２６】
ブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６は磁気的軟性材料から−−残留磁気を保持しないような透磁性材料から形成する。ブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６の、例えば図８および図９に図示してあるような様々な形態が意図される。図８を参照すると、ブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６は２つの付随する脚部分７８と８０を備えた通例Ｌ字状に形成される。付属の脚７８と８０の外側の交点がヒール部分８２を構成する。付属の脚７８と８０の内側の交点が通例円弧状の内側部分８４を構成する。内側部分８４は付属の脚部分７８と８０が交点で実質的に直交するようにまたは図８に図示してあるように所定の曲率半径を有するように形成されることも意図している。図９に図示した好適実施例において、ブックエンド状の磁束コンセントレータ４４および４６は図８に図示した磁束コンセントレータと同様の方法で形成されるが、ヒール部分８２が切除されており、内側部分８４に比較的大きな曲率半径を有している。
【００２７】
本発明の別の重要な形態において、角度位置センサ２０ではセンサ２０の感度（例えば電圧／回転角）を機械的に調節できる。前述のように、既知の各種々のセンサはポテンショメータまたは可変抵抗などを使用してセンサ感度を変化させている。しかし、このようなセンサは比較的に温度依存性がある。つまり、温度が比較的広い範囲にわたって変化すると予想される比較的厳しい環境では、このようなセンサの較正ではドリフトを発生することが知られている。本発明による角度位置センサ２０はポテンショメータその他を必要とすることなくセンサの感度を機械的に調節する方法を提供することによりこの問題を解決する。詳しくは、追加の磁束コンセントレータ４８を設けている。磁束コンセントレータ４８は例えば図２に示してあるような光輪またはワッシャの形状を有すると説明し図示してあるが、磁束コンセントレータ４８の様々な形状が意図されることを理解すべきである。例えば、図１５で参照番号４８’として図示してあり識別されるように磁束コンセントレータに長方形の形状を用いることができる。このような実施例では、従来の通常の技術の各種手段が磁束コンセントレータ４８を磁石４２に対して支持するために想定される。
【００２８】
好適実施例において、磁束コンセントレータ４８は中央部に開口８６を設けた通例円形または光輪状に形成する。磁束コンセントレータ４８は開口８６の中点が磁石４２の回転軸５０と通例同軸となるように配置されるのに適応する。センサ感度は、矢印８８（図２）で示してあるように、回転軸５０に対して軸方向に磁束コンセントレータ４８と磁石４２の間の距離を変化させることで調節する。
【００２９】
磁束コンセントレータ４８の面が磁石４２の面と通例平行になることを意図している。光輪状の磁束コンセントレータ４８は、比較的廉価でこれまではしばしば非実用的とされたリニアＩＣのクラスを用いたセンサ２０の感度を調節するための機械的でかつ比較的安定した方法を提供する。この非実用的と言うのは、オフセット電圧とガウス単位あたり感度の部品間電気出力値の範囲が比較的広いことに由来する。
【００３０】
図１０に図示した本発明の別の実施例において、磁束コンセントレータ４８は温度自己補償形となるように形成されることを意図している。この実施例において、磁束コンセントレータ４８は複数の層で形成できる。一例として３層が図示してある。外層９０は第１の材料例えば約２９％〜３３％のニッケルを含む鉄ニッケル合金から形成する。内層９２は低炭素鋼、例えばＣ１００８低炭素鋼から形成する。このような実施例では、外層９０に使用されるニッケル合金の特性が温度上昇により外層９０の透磁性を減少させ、温度の関数として磁束コンセントレータ４８が磁束を集中させる能力を減少させる。つまり、温度が上昇すると、磁束コンセントレータ４８は取り込める磁場が少なくなり、磁場の比較的大部分がこのような条件の下で磁気検出素子４３に印加されるようになる。つまり、既知の磁石の磁場強度が温度の関数として弱くなると認められるので、図１０に示した磁束コンセントレータ４８は磁束密度６８の大きな割合を比較的高い温度条件の間に磁気検出素子４３へ印加させることができ、これにより、温度自己補償が行われる。
【００３１】
図１１および図１２は磁気検出素子４３並びに磁束コンセントレータ４４、４６と光輪状の磁束コンセントレータ４８を担持するためのキャリア・アセンブリ９４を示す。さらに詳しくは、図１１では光輪状の磁束コンセントレータ４８を除去してキャリア・アセンブリ９４を示してある。キャリア・アセンブリ９４はディスク状基部９６と通例Ｔ字状のフレーム部分９８とを含む。通例Ｔ字状のフレーム部分９８は付属する一対の脚１００と１０１とが形成され、これら脚は基部９６の面に対して通例直角に配置されて、接続部材１０２で相互に接続される。スタッド部分１０４は接続部材１０２から外向きに延出するように形成される。スタッド部分１０４は、さらに詳細に以下で説明するが、光輪状の磁束コンセントレータ４８と磁石４２の間の距離を調節するために使用する。光輪状の形状以外の構成例えば図１５に図示してあるような長方形の形状を追加の磁束コンセントレータに使用するような本発明の別の実施例では、スタッド部分１０４は不必要であるから除去、して磁石４２に対する磁束コンセントレータ４８’などを支持するための適当な構造に置き換える。
【００３２】
好適実施例をまた参照すると、光輪状の磁束コンセントレータ４８は通例星状の開口８６を備えるように図示してある。このような適用では、スタッド１０４の径部は不整形開口８６と一緒に摩擦嵌合を供するように形成されてセンサ２０の感度を磁石４２に対する磁束コンセントレータ４８の軸方向の移動で調節できるようにしている。本発明の別の実施例において、スタッド１０４と開口８６とをねじ切りして磁束コンセントレータ４８と磁石４２の間の距離が磁束コンセントレータ４８の回転で変化できるようにすることを意図している。
【００３３】
ブックエンド形磁束コンセントレータ４４および４６はＴ字状フレーム９８の付属脚の中間に配置して磁気検出素子４３をこれらの間にサンドイッチできるようにする。図１４に図示してあるように、磁気検出素子４３は３線式ホール効果ＩＣである。この磁気検出素子４３はフレキシブル・プリント配線基板１０６（図１２）に接続するのに適し図１２に最も良く図示してあるように、まわりをフレーム９８に包み込まれる。対向するフィンガ１０５も従属脚部分１００および１０１内に形成されて、図示してあるようにプリント回路基板１０６の一部を捕獲することができる。端子構造体１０７をプリント回路基板に結合してセンサ２０が外部電気導線（図示していない）と接続できるようにする。端子構造体１０７はブリッジ部材１０９付きで図１２に図示してあるが、これらブリッジ部材を除去することで３個の電気端子１１１、１１３、１１５を形成する。プリント回路基板１０６を伴って完成するキャリア・アセンブリ９４を図１３に図示してあるようにハウジング２２へ組み付ける。
【００３４】
センサの別の実施例が図１４に図示してあり、参照番号２０′で識別される。
【００３５】
本実施例において、類似の部材は同一の参照番号で表わされ、プライム符号付きで区別される。ハウジング２２′は駆動アーム２４を受け入れるための中心開口１０８を設けた不整形のハウジングとして形成される。図１に最も良く図示してあるように、駆動アーム２４は、駆動アーム部分１２３（図１４）を形成するバタフライ弁軸２６を回転させるように固定されるか、または適合された一方の端部（図１）上の中央部に配置された開口１１０を伴って形成される。駆動アーム２４の他端には通例長方形の開口１１２を設けて磁石４２を受け入れるための磁石ホルダ部分１２１を構成する。駆動アーム２４はハウジング２２′に形成した中心開口１０８内に収納されるようにしてある。駆動アーム２４は延出する舌１１６と一体のワッシャ１１４と共に形成してもよい。舌１１６はハウジング２２′に対して駆動アーム２４の回転を制限するように半径方向に配置されて開口中心開口１０８内部に形成された止め具１１８と協働する。当該技術の通常の熟練者（当業者）には理解されるように、開口１０８内部の止め具１１８の位置は角度位置を検出しようとする装置の予想される角度回転と一致するように設けてある。前述のように、本発明による角度位置センサ２０をスロットル位置センサとして使用する場合、止め具１１８は約１１０°の回転ができるように設けておく。本発明の別の実施例においては、ハウジング２２は角度位置センサ２０に対して全３６０°の分離（isolation）ができるように止め具１１８なしで形成してもよい。
【００３６】
駆動アーム２４は飛び出た端部１２２を有するねじりばね１２０で片寄らせることができる。ねじりばねの底端部（図示していない）は中心開口１０８に形成したスロット（すり割り）１２４に収納するのに適応している。上端部１２２は駆動アーム２４に形成したこれに対応するスロット１２６に収納される。ねじりばね１２０の直径は磁石ホルダ部分１２１より僅かに大きくなるように寸法を合わせて作る。センサが３６０°回転するのに適応した実施例では、ねじりばね１２０が排除されている。
【００３７】
開口１０８は同心の壁１２８、１３０、１３２により形成される。同心の壁１２８だけが開口１０８の円周の一部にわたって前述したような止め具１１８を形成する。駆動アーム部分１２３は開口１０８内部に収納されて部分的に同心の内壁１２８内に形成された止め具１１８に対して舌１１６の回転移動ができるようにする。磁石ホルダ部分１２１はキャリア９４′の下側に形成されている一体形成の円形ガイド（案内部）１３４に収納される。駆動アーム２４とねじりばね１２０が開口１０８の内部に配置されると、キャリア・アセンブリ９４はＯ−リング１５８により開口１０８を閉じ、本発明による角度位置センサを形成する。
【００３８】
図示してあるように、キャリア・アセンブリ９４′とプリント回路基板１０６′は図１１〜図１３に図示した実施例とは異なるように設計されている。
【００３９】
図示したように、プリント回路基板１０６′は磁気検出素子４３からの電気導線１４４に接続するための３本の導体線１３２を含むことができる。表面装着コンデンサが望ましい一対のコンデンサ１３８は導体線１３２に電気的に接続して対接地雑音を抑圧する。３個のめっきスルーホール１４０を設けて磁気検出素子４３の導線１４４をプリント回路基板１０６′に接続する。プリント回路基板１０６′は角度位置センサ２０′を外部の電気導線（図示していない）と接続可能にするハウジング２２′内にインサート成型した対応する端子１４８と接続するためのさらに３個のめっきスルーホール１４２を有する。角度位置センサ２０′の部品を組立てしまうと、角度位置センサ２０′の部品側１４６を適当な注封材料例えばエポキシなどで注封して電気部品を封入する。これによりセンサの電気部品を湿気、汚染物質などから封止でき前述したような動的または静的封止の必要がない。このようにすることで、本発明による封止は実質的に損耗または振動から影響されない。
【００４０】
前述のように、角度位置センサ２０、２０′は締結具（ファスナー）４０によってスロットル本体２７に接続してある。つまり、ハウジング２２、２２′にはインサート成型した一対の取り付けスリーブ１５６を収納するための、対向して配置された一対の開口部１５４を設ける。締結具４０は取り付けスリーブ１５６内に収納されてスロットル本体２７へ角度位置センサ２０、２０′を接続するために使用される。
【００４１】
スロットル位置センサの別の実施例が図１６および図１７に図示してあり総括参照番号２００で識別される。このスロットル位置センサ２００には、磁石２０２、磁気検出素子２０４、この磁気検出素子２０４へ強固に固定された１つまたは２つ以上の磁束コンセントレータ２０６、およびポテンショメータなどを必要とせずに機械的にスロットル位置センサ２００を調節できるようにする移動自在に取り付けられる磁束コンセントレータ２０８が含まれる。本実施例において、磁石２０２は磁気検出素子２０４に対して回転自在に取り付けられた駆動アーム・アセンブリ２１０および固定的に取り付けられた磁束コンセントレータ２０６、２０８によって担持される。矢印２１２の方向で示してあるように、磁石２０２は軸２１４の周りを回転するのに適応している。
【００４２】
磁石２０２は中心開口２１６のある通例円形の素子として形成される。磁石２０２は各々の半円形の部分が磁極を形成するように形成してある。詳しくは、半円形の部分２１８がＳ極を形成し、半円形の部分２２０がＮ極を形成する。
【００４３】
磁気検出素子２０４および固定装着の磁束コンセントレータ２０６はハウジング２２１によって担持される。ハウジング２２１は非磁性導電性材料、例えばプラスチック、真鍮、またはアルミニウムから形成する。詳しくは、図１７に最も良く図示してあるように、ハウジング２２１は一端２２４が閉じられている通例円筒状の部分２２２と円環状のスカート部分２２６とで形成されている。磁気検出素子２０４は一対の固定装着の磁束コンセントレータ２０６の間に狭持され屡ことができ、ハウジング２２１の円筒状部分２２２の閉じられた端部２２４によって担持される。ノッチ（くり抜き部）２２８は閉じた端部２２４に磁気検出素子２０４を捕獲するために形成することができ、ハウジング２２１に対して磁気検出素子２０４を正しい方向に向け易くする。
【００４４】
ハウジング２２１の円筒状部分２２２の外径はリング状磁石２０２の中心部に配置された開口２１６の直径より相対的に小さくなるように形成してよい。このような構成にすれば、スロットル位置センサ２００の軸方向全長を縮小するためにハウジング２２１の円筒状部分２２２が中心開口２１６内部に配置できるようになる。
【００４５】
カバー２３０が設けられており、このカバーは上述したのと同様の方法でスロットル本体２７（図１）に堅固に固定されるのに適応している。カバー２３０は少なくとも部分的に内面側の円環状の肩２３２と口部分２３４を有する通例円筒状の部材として形成する。円環状の肩２３２は第１の内径と第２の内径を具える。第１の内径はハウジング２２１のスカート部分２２６の外径よりも僅かに長くなるように選択する。Ｏ−リング２２７を用いてカバー２３０に対しハウジング２２１を封止して駆動アーム２３５の領域へ注封材料が侵入するのを防止することができる。Ｏ−リング２２７はハウジング２２１に形成した円環状のノッチ（切り込み）２２９に配置できる。
【００４６】
カバー２３０の第２の内径は第１の内径より相対的に小さくする。カバー２３０の第２の内径の寸法は駆動アーム・アセンブリ２１０が自由に内部で回転できるように選定する。
【００４７】
駆動アーム・アセンブリ２１０は円環状のくぼみ（well）部分２３６と駆動部分２３８とからなる不整形の形状の円環状部材として形成された駆動アーム２３５を含む。円環状のくぼみ（well）部分２３６はハウジング２２１の円筒状部分２２２を収容して前述したような方法でスロットル位置センサ２００の軸方向の全長を減少できるように形成してある。駆動部分２３８は前述のように駆動アーム・アセンブリ２１０がスロットル軸２６といっしょに回転するようにスロットル軸２６に連結されるのに適応されている。
【００４８】
コイルばね２４０を用いて所定位置、例えば図１７に図示した位置に駆動アーム・アセンブリ２１０を片寄らせる。さらに詳しくは、コイルばね２４０は駆動アーム２３５の外径の周囲に配置する。コイルばね２４０の一端（図示していない）は駆動アーム２３５に確実に固定しておく。コイルばね２４０の他端２４２はカバー２３０に確実に固定する。このようにすると、カバー２３０に対する駆動アーム・アセンブリ２１０の回転によりばね２４０の圧縮または伸長が起り駆動アーム・アセンブリ２１０を偏寄させることができる。
【００４９】
駆動アーム２３５のくぼみ部分２３６は内側の環状の肩２４３で形成される。
【００５０】
環状の肩２４３の寸法は円形の磁石２０２が駆動アーム２３５の内側の円環状の壁２４４と同一面になるように選定される。
【００５１】
スロットル位置センサ２００はプリント回路基板（ＰＣＢ）２４５も含む。ＰＣＢ（プリント回路基板）２４５はハウジング２２１の円筒状部分２２２で支持されて、磁気検出素子２０４と一組の外部電気導線（リード）２４６間の電気的パスを提供する。詳しくは、磁気検出素子２０４としてホール効果デバイスを用いる場合、このようなデバイスは複数の電気導線を有しているものである。ＰＣＢ２４５は電気導線２４６と２４８の間で上述のような方法で電気的パスを提供するように形成してある。
【００５２】
本発明の重要な形態は、電子的感度調整によるセンサで見られる前述したような問題点を解消したスロットル位置センサ２００の感度を調節するための機械的方法にある。スロットル位置センサ２００のオフセット電圧は前述したのと同様の方法で調節される。即ち、円筒状の部分２２１と磁気検出素子２０４の検出面を磁石２０２に対して回転させることにより調整される。
【００５３】
スロットル位置センサ２００の感度は磁束コンセントレータ２０８と磁気検出素子２０４の間の軸方向距離を変化させることで調節する。図１７に最も良く図示されているように、磁束コンセントレータ２０８はハウジング２２１の円筒状部分２２２で担持され、僅かな摩擦または干渉で磁気検出素子２０４に対する軸方向の距離を変化できるように嵌合している。さらに詳しくは、磁束コンセントレータ２０８は中心開口２５０をもつ通例円形に形成される。中心開口２５０の直径はハウジング２２１の円筒状部分２２２の外径よりも僅かに小さくなるように選定して、磁束コンセントレータ２０８を担持できるようにし、これによって磁束コンセントレータ２０８と磁気検出素子２０４の間の軸方向距離を変化できるようにする。磁束コンセントレータ２０８の軸方向距離が設定されると、ハウジング２２１の一部を適当な注封材料２４９、例えばエポキシなどで注封して、塵芥、湿気、およびその他の有害な汚染物からアセンブリ（組立体）を封止する。ハウジング２２１の円環状のスカート部分２２６は駆動アーム・アセンブリ２１０が自由回転できるように注封材料２４９から底部（図１７）を保護している。
【００５４】
動作中において、スロットル軸２６の回転によって駆動アーム・アセンブリ２１０の回転が起こる。磁石２０２は駆動アーム・アセンブリ２１０へ動かないように固定してあるので、そのような回転によってＮ極とＳ極２０２の相対的角度位置が磁気検出素子２０４の検出面に対して変化する。このような変化によって磁気検出素子２０４からの出力信号は磁石２０２の角度位置とスロットル軸２６の変化の関数として変化する。
【００５５】
角度位置自動調節式センサ
角度位置センサの較正方法の別の実施例が図１８〜図３０に図示してある。さらに詳しくは、図１８〜図３０に図示した実施例には、磁石の電子的変動、磁石個体間の変動、または温度による出力信号の何らかの誤差を自動補償する電子回路が設けてある。電子回路はセンサの出力信号の補償に使用する所定の補償値を記憶するための電気的に消去・書き込み可能なリード・オンリー・メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）などの電子メモリを含む。補償値は所定の較正角度でのセンサの出力信号と理論値の比較によって決定する。実際の値と理論値の間の偏差を用いてさらに詳細に以下で説明するような補償値を決定する。補償値は電子メモリに記憶されてセンサの出力信号を自動補償するために使用される。以下で詳細に説明するように、出力信号の補償は図１〜図１７に図示した実施例との関連で説明したようなセンサの機械的調節の必要がないソフトウェア制御下で行なわれ、これにより自動較正を提供する。
【００５６】
本発明の重要な形態は、補償値をセンサ・メーカーで決定してＥＥＰＲＯＭに記憶させることができる電子回路であることである。つまり、センサを最終使用者（末端使用者）に出荷してしまえば、最終使用者は単にセンサを取付けるだけで済む。
【００５７】
このようなセンサには幾つかの誤差発生源が関係している。さらに詳しくは、このようなセンサは通例ホール効果デバイス４３を含み、これにオンチップ演算増幅器を含むのが典型的である。このような演算増幅器は部品間で変化することであろうオフセット誤差をしばしば受けやすい。さらに、このようなセンサで使用される磁石の磁束分布における部品間の変動もその磁石に対するホール効果デバイスの感度調節を必要とする。さらに、このようなセンサは温度変化による誤差も発生する。
【００５８】
図１８〜図３０に図示したように、本発明による電子回路はこのような誤差を自動補償するので、機械的調節の必要がない。図１８〜図３０に図示し以下で説明する電子回路は図１〜図１７に図示したセンサと同様に、角度位置センサに関連して説明するが、本発明の原理は実際上どのような角度位置センサにも適用可能であり、そのことから、角度または船型ずれを測定してアナログ出力信号を提供するあらゆるずれ型センサにも適用可能である。
【００５９】
さらに、電子回路は後述するように各種のディスクリート電子部品に関して説明するが、本発明の原理は同じ基本的機能を通例実行するような他の電子部品にも適用可能である。例えば、以下で説明し図示する電子回路の全部または一部をアプリケーション専用集積回路（ＡＳＩＣ）に発展させることもできる。このような実施例の全部は本発明の広い範囲内に含まれるものと見なされる。
【００６０】
図１８を参照すると、総括参照番号３００で識別される電子回路は、アナログ−デジタル・コンバータ（ＡＤＣ）３０２、例えばリニア・テクノロジ社で製造し、本明細書で参照文献に含めている非特許文献１に詳細に記載されている１２ビットシリアルＡＤＣ型番ＬＴＣ１２９８を含む。ＡＤＣ３０２の一方の入力はホール効果デバイスの出力で、例えばホール効果デバイス２０４（図１６）の出力信号２４８である。ホール効果デバイスはリニアデバイス、例えばアレグロ社型番３５０６のホール効果ＩＣで、図１９に図示しまた後述するようにホール効果デバイスの有効出力範囲にわたって比較的リニア（線形）な出力信号を提供するものである。サーミスタ３３０などの温度センサもＡＤＣ３０２に印加できる。アナログ温度およびセンサ信号は、本明細書で参照文献に含めている非特許文献２に詳細に記載されているモトローラ社型番６８ＨＣ７０５Ｊ２型ＨＣＭＯＳマイクロコントローラなどのマイクロコントローラ３０４の制御下でＡＤＣ３０２によりデジタル化される。マイクロコントローラ３０４はＡＤＣ３０２からのデジタル化したセンサ出力信号値と、例えば本明細書で参照文献に含めている非特許文献３に詳細に記載されているマイクロチップ・テクノロジ社型番９３Ｃ４６のＣＭＯＳ・ＥＥＰＲＯＭなどの電子メモリ３０６に記憶された補償値とを比較する。ＡＤＣ３０２からの実際の値と電子メモリ３０４からの記憶してある補償値の間の偏差をマイクロコントローラ３０４で用いて補償出力値を生成し、この補償出力値をデジタル−アナログ・コンバータ（ＤＡＣ）３０８に印加する。ＤＡＣ３０８は、本明細書で参照文献に含めている非特許文献４に詳細に記載されているマキシム社製型番ＭＡＸ５３９の１２ビットＤＡＣなどとすることができる。ＤＡＣ３０８はその後、補償アナログ出力電圧信号Ｖoutを提供する。
【００６１】
電子回路３００は、例えばセンサ・メーカーで補償値を決定でき、また電子メモリ３０６に組み入れることができるようにする試験インタフェース３１０を含む。試験インタフェース３１０は一対のケーブル３１２および３１４に電子回路３００のバランス（平衡）に接続してある。ケーブル３１２は試験インタフェース３１０とマイクロコントローラ３０４の間に接続され、一方ケーブル３１４は試験インタフェース３１０と電子メモリ３０６の間に接続される。これらのケーブル３１０および３１４により電子回路３００と試験インタフェース３１０の間のシリアル通信で補償値を決定できるようにする。さらに詳しくは、さらに詳細に後述するように、較正モードにおいて、角度位置センサを所定数の較正ポイント（即ち角度位置）で試験する。所定の較正ポイントでのセンサからの出力信号を各々の点での理論値と比較して補償値からの実際の値の偏差を決定する。これらの偏差はセンサの各角度位置での補償値を決定するために使用される。この後補償値を電子メモリ３０６に組み込む。補償値を電子メモリ３０６に組み込んでしまえば、試験インタフェース３１０を電子回路３００から切断してかまわない。
【００６２】
図１９は電子回路３００の自動補償を示すグラフである。さらに詳しくは、縦軸にそった電源電圧ＶＳに対する分数としてのセンサの出力信号（ＶＯ／ＶＳ）が典型的な角度動作範囲、例えば９０°の角度動作範囲の関数としてプロットしてある。曲線３１６はセンサの典型的動作範囲にわたり補償なしの場合のセンサ出力を表し、また曲線３１８は本発明による電子回路３００（図１８）を組み込んだセンサの出力を表わす。曲線３１８は理論値に対応する。
【００６３】
典型的なセンサでの出力曲線は図１９に図示してあるように完全にリニアではないが、その曲線は断片的にリニアな部分に近似させることにより曲線３１６にそったセンサ値に応じて理論値３１８を生成できる。このようにすると、電子回路３００はセンサ出力信号の自動補償を提供するのに適するようになる。補償値の決定については詳細に後述する。
【００６４】
図１８に示す電子回路３００の概略回路図が図２０に図示してあり、試験インタフェース３１０の概略回路図が図２１に図示してある。最初に図２０を参照すると、マイクロコントローラ３０４へのオシレータ信号は、本明細書で参照文献に含めている非特許文献５のデータシートに記載されているＡＶＸ・ＫＹＯＳＥＲＡ社製ＫＢＲ−４．００ＭＫＳ ＴＲセラミック共振器（AVX KYOCERA，KBR-4.00-MKSTR Ceramic Resonator）などのオシレータ回路（発振回路）３２０から供給される。オシレータ回路３２０は並列接続した抵抗３２２と一緒にマイクロコントローラ３０４のオシレータ・ピンＯＳＣＩおよびＯＳＣ２に接続され、例えば４メガヘルツ（ｍＨｚ）オシレータ信号をマイクロコントローラ３０４へ提供するための並列共振回路を形成する。
【００６５】
マイクロコントローラ３０４は８ビット・ポートＰＡ［７：０］と６ビット・ポートＰＢ［５：０］を含み、全てのビットがマイクロコントローラ３０４に搭載しているデータ方向レジスタ（data direction registers）を用いて入力または出力ポートのどちらかとしてプログラム可能である。較正（CALIBRATE）モード信号は入力ポート・ビットとしてプログラムしたポート・ビットＰＢ［３］に印加する。較正モード信号は検査インタフェース３１０（図２１）を経由して検査装置４０２（図２２）で利用できる。さらに詳細には以下で説明するように、較正モード信号は検査装置４０２を用いてＥＥＰＲＯＭ３０６へ書き込むべき補償値を決定する場合にイネーブルになる。さらに詳しくは、ポート・ビットＰＢ［３］はポート・ビットＰＢ［３］とセンサ５ボルト電源Ｖｃｃの間に接続してあるプルアップ抵抗３２４によって通常は高電位に引き上げられている。通常は、ポート・ビットＰＢ［３］が高電位になる。較正モードの間、較正信号がポート・ビットＰＢ［３］を低電位に引き下げてマイクロコントローラ３０４に対しシステムが較正モードに入っていることを知らせる。
【００６６】
アナログ・ホール効果デバイスからなどのセンサ入力信号はＡＤＣ３０４の１つのチャンネルＣＨ０に印加される。このＡＤＣはピンＣＨ０とＣＨ１に２チャンネル多重化入力を具える。サーミスタ３３０は演算増幅器３２６と直列接続抵抗３２８を経由して他方のチャンネルＣＨ１へ印加される。演算増幅器の出力はＡＤＣ３０４の第２の入力ＣＨ１へ印加される。
【００６７】
ＡＤＣ３０２は２チャンネル・デバイスであって同期半二重４線式シリアル・インタフェースを通じてマイクロコントローラ３０４と通信する。さらに詳しく説明すると、シリアル・インタフェースは、ポート・ビットＰＡ［３］、ＰＡ［１］、ＰＡ［２］、ＰＡ［０］に各々印加されるクロック信号ＣＬＫ、チップ選択信号ＣＳ、デジタルデータ入力信号ＤＩＮ、デジタルデータ出力信号ＤＯＵＴを含む。ポート・ビットＰＡ［３］、ＰＡ［２］、ＰＡ［１］は出力として設定され、一方でポート・ビットＰＡ［０］は入力として設定されている。
【００６８】
マイクロコントローラ３０４とＡＤＣ３０２の間のデータ転送はチップ選択信号ＣＳの立下りエッジで開始される。クロック信号ＣＬＫが双方向でのデータ転送を同期する。チップ選択信号ＣＳが低値（ロー、ｌｏｗ）になった後、ＡＤＣ３０２はデジタルデータ入力信号ＤＩＮ上のスタートビットを待つ。チップ選択信号ＣＳが低値になった後でデータ入力ＤＩＮピンへシフトされる最初の論理値１がスタートビットを表わす。スタートビットの後でシフトインする後続の３ビットを用いてＡＤＣを設定し、ＣＨ０とＣＨ１入力の入力信号の一方を変換ように選択して最上位ビット（ＭＳＢ）または最下位ビット（ＬＳＢ）のどちらかをデータ出力ＤＯＵＴピンへまず最初にシフトアウトするかを指定する。スタートビットと設定３ビット（three configuration bits）がデータ入力ピンＤＩＮにシフトインされた後、変換処理を開始する。データ入力ピンＤＩＮへシフトインされる何らかの追加ビットは次のチップ選択信号ＣＳサイクルまで無視される。
【００６９】
マイクロコントローラ３０４と試験インタフェース３１０の間でのデータ転送は同様の方法で扱われる。さらに詳しく説明すると、４つの信号、即ちデータ出力信号ＣＯＭＰＯＵＴ、データ入力信号ＣＯＭＰＩＮ、クロック信号ＥＸＣＬＫ、チップ選択信号ＥＰＣＳを用いて試験インタフェース３１０とマイクロコントローラ３０４の間のシリアル通信を制御する。信号ＣＯＭＰＯＵＴ、ＥＸＣＬＫ、ＥＰＣＳ、ＣＯＭＰＩＮの各々は各々プルアップ抵抗３２８，３３０，３３２，３３４を用いて高電位に拘束される。
【００７０】
ＣＯＭＰＯＵＴおよびＣＯＭＰＩＮ信号はマイクロコントローラ３０４と試験インタフェース３１０の間のハンドシェークおよびデータ通信に使用される。ＣＯＭＰＩＮ信号は出力として設定したマイクロコントローラ３０４のポート・ビットＰＢ［５］で利用できる。ＣＯＭＰＩＮ信号は、システムが較正モードになっていない場合に、データ出力ピンＤＯからシリアルデータを読み出すためにも使用される。試験インタフェース３１０からのＣＯＭＰＯＵＴ信号はマイクロコントローラ３０４のポート・ビットＰＢ［４］へ、またＥＥＰＲＯＭ３０６のクロック入力へ印加される。ＣＯＭＰＯＵＴ信号はＥＥＰＲＯＭ３０６への書き込みのためとマイクロコントローラ３０４とのハンドシェークのためとに使用される。試験インタフェース３１０からのチップ選択信号ＥＰＣＳはチップ選択信号ＥＰＣＳが選択解除された時の補償値の決定のために、ＡＤＣ３０２からの変換値を検査装置４０２へ転送できるようにするためと、チップ選択信号ＥＰＣＳが選択された時にＥＥＰＲＯＭ３０６へ補償値を書き込みできるようにするために使用される。クロック信号ＥＸＣＬＫはＥＥＰＲＯＭ３０６のデータ入力ピンＤＩへと、マイクロコントローラ３０４のポート・ビットＰＡ［７］へ印加されて、検査装置４０２がデジタル化センサ値およびサーミスタ値をマイクロコントローラ３０４から読み取る際に、ＡＤＣ３０２の１２ビット出力の１ビット単位の転送を制御し、またＥＥＰＲＯＭ３０６への１ビット単位の書き込みを制御する。スタートビットはＥＥＰＲＯＭ３０６上のデータ入力ピンＤＩとチップ選択ピンＣＳがクロック入力ＣＬＫに対して最初に高値（ハイ、high）になった後で決定される。
【００７１】
前述したように、ホール効果でバイスからの値はＥＥＰＲＯＭ３０６に記憶された補償値により補正される。補償値はマイクロコントローラ３０４の制御下でＤＡＣ３０８によりアナログ形式に変換される。さらに詳しくは、ＤＡＣ３０８はチップ選択ピンＣＳ、データ入力ピンＤＩ、データ出力ピンＤＯＵＴ、クロックピンＣＬＫを含み、マイクロコントローラ３０４によって制御される。これらのピンはマイクロコントローラ３０４のポートピンＰＡ［４］、ＰＡ［６］、ＰＡ［５］、ＰＡ［０］に各々接続してあり、全て出力に設定される。ＤＡＣ３０８のデジタルデータ出力ピンＤＯＵＴはＤＡＣ３０８からのデジタルデータをマイクロコントローラ３０４によって読み戻せるようにする。ＤＡＣ３０８のアナログ出力は出力ピンＶoutで利用でき、抵抗３３６を経由して外部回路（図示していない）に接続される。
【００７２】
例えば演算増幅器３３８と分圧回路として構成された一対の直列接続抵抗３４０および３４２とにより発生する基準電圧は、ＤＡＣ３０８の基準入力ＲＥＦＩＮに印加される。基準電圧はＤＡＣ３０８のフルスケール出力をセットするために使用される。
【００７３】
マイクロコントローラ３０４の正しい動作を保証するために、割り込み要求ピンＩＲＱを高電位に保持し、特に、システムが何らかの割り込みをモニタ（監視）する必要がないので、５ボルト電源Ｖｃｃへ直接接続する。マイクロコントローラ３０４は自身のリセットピンＲＥＳＥＴによってリセットされる。ＲＥＳＥＴピンは電源電圧ＶｃｃとＲＥＳＥＴピンの間に接続してあるプルアップ抵抗３４４で通常は高電位に引き上げられている。ＲＥＳＥＴピンに印加される信号のスプリアス動作（疑似動作）を防止するため、コンデンサ３４６をＲＥＳＥＴピンと接地の間に接続する。マイクロコントローラ３０４はＲＥＳＥＴピンと接地の間に接続された押しボタン３４８によりリセットされる。通常は、ＲＥＳＥＴピンは高電位である。ＲＥＳＥＴ押しボタン３４８を押すと、ＲＥＳＥＴピンが低電位になり、これがマイクロコントローラ３０４に強制ＲＥＳＥＴを示す。マイクロコントローラ３０４への電源電圧を安定させるために、５ボルト・センサ電源Ｖｃｃとセンサ接地の間に複数のコンデンサ３５０，３５２，３５４，３５６，３５８，３６０を接続する。
【００７４】
試験インタフェース３１０の概略回路図が図２１に図示してある。試験インタフェース３１０と電子回路３００の間に電気的分離（isolation）を提供するため、複数の光アイソレータ３６２，３６４，３６６，３６８，３７０，３７２を用いて試験インタフェース３１０と電子回路３００の間の接続を分離する。接尾語＿．ＴＳＥＴ付きの信号は検査装置４０２（図２２）への接続を示し、接尾語＿．ＰＣＢ付きの信号は電子回路３００（図２０）への接続を示す。
【００７５】
光アイソレータ３６２，３６４，３６６，３６８，３７０，３７２の各々は発光ダイオード（ＬＥＤ）とフォトトランジスタを含む。ＬＥＤの各々のアノードは限流抵抗３７４，３７６，３７８，３８０，３８２，３８４を通じて電源電圧Ｖｃｃへ接続してある。ＬＥＤの各々のカソード（陰極）は後述するように適当な信号に接続する。動作中において、ＬＥＤのカソードに接続された信号が低値になると、ＬＥＤは光を放射し、これをフォトトランジスタが検出する。フォトトランジスタはエミッタ接地で接続してある。そのコレクタは前述の各種信号に接続してある。さらに詳細には以下で説明するように、コレクタは通常高値に引き上げられておりＬＥＤからの光を検出した時点で低値になる。さらに詳しくは、試験インタフェース３１０からのＣＡＬＩＢＲＡＴＥ＿ＴＳＥＴ信号が光アイソレータ３６２を形成するＬＥＤの光アイソレータのアノードへ印加される。フォトトランジスタのコレクタの信号は前述したようにマイクロコントローラ３０４のポート・ビットＰＢ［３］へ印加される較正信号である。
【００７６】
前述のように、ＣＯＭＰＩＮ、ＣＯＭＰＯＵＴ、ＥＸＣＬＫ、ＥＰＣＳ信号はマイクロコントローラ３０４と図２２および図２３に図示した検査装置４０２の間のシリアル通信インタフェースを形成するために使用する。検査装置４０２（図２２）から利用できる信号ＣＯＭＰＯＵＴ＿ＴＳＥＴ、ＥＸＣＬＫ＿ＴＳＥＴ、ＥＰＣＳ＿ＴＳＥＴはそれぞれ光アイソレータ３６４，３６６，３６８を形成するＬＥＤのカソードに印加される。光アイソレータ３６４，３６６，３６８のコレクタ出力は各々プルアップ抵抗３８２，３８４，３８６によって高電位に保持される。前述したように、光アイソレータ３６４，３６６，３６８の各々に付属するフォトトランジスタの各々のエミッタ端子は接地してある。つまり、通常動作中、光アイソレータ３６４，３６６，３６８に付属するフォトトランジスタのコレクタは高電位となっている。信号ＣＯＭＰＯＵＴ＿ＴＳＥＴ、ＥＸＣＬＫ＿ＴＳＥＴ、ＥＰＣＳ＿ＴＳＥＴが低値になると、光アイソレータ３６４，３６６，３６８に付属するフォトトランジスタのコレクタ出力が低値になる。光アイソレータ３６４，３６６，３６８に付属するフォトトランジスタのコレクタは、光アイソレータ３６４，３６６，３６８に付属するフォトトランジスタの出力をバッファするためのバッファとして作用する例えば７４ＨＣ１４型などのそれぞれ一対の直列接続ＮＯＴ（論理和）ゲート３８８，３９０，３９２，３９４，３９６，３９８へ印加される。
【００７７】
システムが較正モードに入っていない時に電子回路３００のバランス（平衡）から試験インタフェース３１０の分離を提供するためには、信号ＣＯＭＰＯＵＴ＿ＴＳＥＴ、ＥＸＣＬＫ＿ＴＳＥＴ、ＥＰＣＳ＿ＴＳＥＴ、ＣＯＭＰＩＮ＿ＰＣＢを４連３状態デバイス（quad-tristate device）例えば７４Ｃ２４４型に印加する。さらに詳しくは、ＮＯＴゲート３９０の出力に現われるＣＯＭＰＯＵＴ信号を４連３状態デバイス４００の入力１Ａ２に印加し、一方マイクロコントローラ３０４（図２０）のポート・ビットＰＢ［５］に現われるＣＯＭＰＩＮ信号を４連３状態デバイス４００の１Ａ４入力に印加する。同様に、各々ＮＯＴゲート３９４と３９８の出力に現われるＥＸＣＬＫとＥＰＣＳ信号を３状態デバイス４００の１Ａ３入力と２Ａ１入力に印加する。
【００７８】
３状態デバイス４００は試験インタフェース３１０と電子回路３００の間にさらに別の分離インタフェースを提供する。さらに詳しくは、３状態デバイスの１Ｙ２，１Ｙ３，２Ｙ１出力に現われるＣＯＭＰＯＵＴ＿ＰＣＢ、ＥＸＣＬＫ＿ＰＣＢ、ＥＰＣＳ＿ＰＣＢ信号を前述のようにマイクロコントローラ３０４（図２０）に接続する。３状態デバイス４００の２Ｙ１および１Ｙ４出力に現われるＥＰＣＳ＿ＴＳＥＴ信号とＣＯＭＰＩＮ＿ＴＳＥＴ信号は前述したのと同様の方法で光アイソレータ３７０および３７２により分離されて検査装置へ印加される。
【００７９】
３状態デバイス４００は検査装置４０２に現れるバッファ・イネーブル信号ＢＵＦＥＮＩ＿ＴＳＥＴとＢＵＦＥＮ２＿ＴＳＥＴの制御下にある。詳細については以下で説明するように、較正モードの間、３状態デバイス４００はイネーブルになり、検査装置と電子回路３００の間のシリアル通信制御信号を前述の光分離回路で接続する。較正モード以外の条件下では３状態デバイス４００は試験インタフェース３１０からの電子回路３００の電気的分離を提供する。
【００８０】
検査装置は図２２に図示してあり、総括参照番号４０２で識別される。検査装置４０２はセンサように５ボルトＤＣ電圧電源を提供する電源４０４を含む。電源４０４はヒューレットパッカード社製型番Ｅ３６２０Ａでよい。電源電圧は連続適合性テスター４０６（continuing conformance tester）例えばアルテック・コントロールシステムズ社（Altech Control System）製Ｓ／Ｎ９５０１５などでモニタする。連続適合性テスター４０６は電源４０４からの電圧をモニタして適切な限界内にあることを保証する。後述するように、連続適合性テスター４０６は図２３に図示したようにパーソナル・コンピュータと各種周辺機器を含む。較正モードでは、連続適合性テスター４０６は例えばＢＥＩモーション・システムズ・カンパニー、位置制御部門（BEI Motion Systems Company，Positions Controls Division）製の型番Ｍ２５Ｇ−Ｆ１−Ｌ８１９２−Ｇ−ＸＤ２−ＣＲ−Ｅ−Ｃ２５−Ｘ−５などの絶対位置エンコーダ４０８によってモニタすることで所定の較正角度にセンサを配置する。絶対位置エンコーダ４０８をモニタすることにより、連続適合性テスター４０６は要求された角度からはなれた距離に比例して、モータ・コントローラ４１０、例えばパシフィック・サイエンティフィック・モータ＆コントロール・ディヴィジョン（Pacific Scientific Motor & Control Division）製の型番ＳＣ４０２−０１−Ｔ１などへ誤差電圧を生成できる。モータ・コントローラ４１０は例えばパシフィック・サイエンティフィック・モータ＆コントロール・ディヴィジョン製の型番Ｒ２１ＫＥＮＴ−ＴＳ−ＮＳ−ＮＶ−００などのサーボモータ４１２を駆動する。
【００８１】
サーボモータ４１２は続いて、例えばハーモニック・ドライブ・システムズ社（Harmonic Drive Systems）製型番ＲＨ−１００−ＣＣ−ＳＰなどのサーボ・アクチュエータ４１４を駆動する。サーボ・アクチュエータ４１４は続いてセンサを所定の較正ポイントに配置する。センサは全ての較正ポイントで温度が所定の値にセットされているチャンバ内に置かれる。チャンバ４１６はテニー・エンジニアリング社（Tenney Engineering Inc．）製のベルサ１０型オーブン（Versa 10 type oven）でよい。
【００８２】
前述のように、モータ・コントローラ（モータ制御回路）４１０はサーボモータ４１２の動作を制御し、さらにサーボ・アクチュエータ４１４の動作を制御して所定の較正角にセンサを駆動する。連続適合性テスター４０６からの正電圧でサーボモータ４１２を時計回りに移動させ、サーボモータ４１２からの負電圧で反時計回りにサーボモータ４１２を移動させる。センサ電圧は各々の較正ポイントで読み取られる。全ての較正読み値を取取った後で較正ポイントで測定した値（即ち実際の値）と理論値の間の偏差をセンサの各位置で決定する。補償値がその後にＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込まれる。
【００８３】
前述のように、連続適合性テスター４０６にはパーソナル・コンピュータ４１８（図２３）が備えられ、このパーソナルコンピュータは少なくとも８０４８６ＤＸまたは同等のマイクロプロセッサを含むものとする。連続適合性テスターはパーソナル・コンピュータ４１８に加えてセンサ電圧や電源４０４の電圧を測定するためのデジタル電圧計４２０、並びにキーボード４２２とモニタ４２４を含むユーザ・インタフェースを含む。連続適合性テスター４０６にはまたテープ・バックアップ・システム４２６とプリンタ４２８ならびにシステムの状態表示を提供する状態表示盤（status board）４３０も含ませることができる。
【００８４】
前述のように、図２２に図示した検査装置４０２は試験インタフェース３１０を通じてセンサ電子回路３００とインタフェース（接続）する。詳細に以下で説明するように、連続適合性テスター４０６の一部を構成するパーソナル・コンピュータ４１８を含む検査装置４０２は、所定の動作範囲にわたってセンサの補償値を決定するためにマイクロコントローラ３０４と通信するために使用される。パーソナル・コンピュータ４１８用のこのソフトウェア制御が図２６と図２７に図示してある。
【００８５】
本発明のかぎとなる重要な形態は、較正値を決定する方法である。前述のように、検査装置４０２は様々な所定の較正ポイントにセンサ４３を配置して各々のポイントでのセンサ出力値を測定する。所定の温度例えば２５℃で取得したこれらの較正ポイントでの値は次に理論値と比較される。実際の値と偏差値間の偏差を用いてＥＥＰＲＯＭ３０に書き込む補償値を生成する。補償値を決定するための方法は図２４および図２５を参照すると最も良く理解できる。さらに詳しく説明すると、センサ４３の出力電圧は所定数の較正角度で測定される。図２４および図２５に図示してある較正角度ならびにその他の値は例示である。実際に何個の較正角度であってもどのような較正角度値であっても本発明の範囲内にあることは理解されるべきである。図２４を参照すると、センサ出力電圧は８個の較正角度θ0〜θ7で測定されているが、これは説明の目的のため、例えば１４．４°と９２．４°の間で選択してある。特定の較正角度はセンサの用途の違いを関数として変化するものである。次に、較正角度θ0〜θ7の各々でのセンサ出力電圧を測定し図２５に図示したようにＸ軸にそってプロットする。実際の、または測定した値を較正角度θ0〜θ7の各々で理論値と比較して、これを図２５に図示したようにＹ軸にそってプロットする。
【００８６】
前述のように、センサの有効範囲全体で、センサ出力電圧は図１９に図示したようにリニアであると仮定している。つまり、較正角度θ0〜θ7の各々の間で応答がリニアであると仮定している。このような補償値は線分４３２（図２５）の傾きｍとｙ切片ｂを各々の較正角度θ0〜θ7について求めることで決定される。
【００８７】
較正角度θ0〜θ7の各々の間の傾きｍとｙ切片ｂを求め、これをアナログ入力による測定値の自動保証を提供するためＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込む。さらに詳しくは、本システムはセンサ出力の実際の値Ｘを測定する。理論値は実際の値とリニアに相関するものと想定しているので、実際の値を傾きｍに乗算しｙ切片ｂを加算して理論値を発生する。傾きｍとｙ切片ｂの補償値は各々の較正角度の間で変化するので、マイクロコントローラ３０４は使用すべき特定の補正傾きｍとｙ切片ｂを最初に決定する。これは測定した出力電圧を理論電圧と比較して使用すべき特定の補正傾きｍとｙ切片ｂを決定することによって行なう。例えば、図２４を参照すると、１．４０の値をセンサで測定したと仮定する。システムはこの測定値１．４と理論値とを比較して、較正角度が２０．４と３４．８の間であると確かめる。このような状況で、補償値が連続した所定の較正角度の間でリニアであると仮定しているので、角度２０．４に関連する傾き補償値とｙ切片補償値を使用することとする。つまり、この例では、電圧１．４ボルトを（図２４に図示した典型的なデータを用いると）値１．４４８で乗算する。ｙ切片ｂの−０．８６２をその演算結果の値から減算してその範囲での理論電圧を与えることとなる。
【００８８】
検査装置４０２、特に補償値を決定するためのパーソナル・コンピュータ４１８のフローチャートを図２６と図２７に図示してある。マイクロコントローラ３４によりホール効果デバイスの補償出力値を提供するためのフローチャートを図２８〜図３０に図示してある。最初に図２６と図２７を参照すると、ステップ４４０において、システムは較正モードを設定し、特に試験インタフェース３１０の特に光アイソレータ３６２へ印加されるアクティブ・ロー較正信号を生成することから開始する。較正モードがイネーブルになると、検査装置４０２はマイクロコントローラ３０４とのハンドシェークを開始する。さらに詳しくは、ステップ４４２で、ＣＯＭＰＯＵＴ信号が低値にセットされ、ステップ４４２でＢＵＦＥＮ１＿ＴＳＥＴおよびＢＵＦＥＮ２＿ＴＳＥＴ信号をセットすることにより３状態装置４００がイネーブルになる。ＣＯＭＰＯＵＴ信号が光アイソレータ３６４に印加され、検査装置４０２が前述したような補償値の決定を開始できる状態になったことをマイクロコントローラ３０４に対して示す。３状態デバイス４００に対するイネーブル信号ＢＵＦＥＮ１＿ＴＳＥＴおよびＢＵＦＥＮ２＿ＴＳＥＴは３状態デバイス４００の各々１Ｇと２Ｇピンに印加される。これらの信号は３状態デバイス４００をイネーブルにするためにアクティブ・ローとなっている。ＣＯＭＰＯＵＴ信号が低値にセットされて３状態デバイス４００がイネーブルになった後で、システムは所定の時間間隔、例えば１０ミリ秒だけ、ステップ４４４で待機してマイクロコントローラ３０４が準備できた（レディ）か否かを判定する。１０ミリ秒の時間間隔の後で、システムはマイクロコントローラ３０４とパーソナル・コンピュータ４１８の間のハンドシェークの一部として光アイソレータ３７２の出力に現れるＣＯＭＰＩＮ＿ＴＳＥＴ信号を読み取る。ＣＯＭＰＩＮ＿ＴＳＥＴ信号が低値にセットされていない場合、システムはステップ４４６に戻りマイクロコントローラ３０４からのハンドシェークを待つ。ＣＯＭＰＩＮ＿ＰＣＢ信号がマイクロコントローラ３０４によって低値に引き下げられると、ＣＯＭＰＩＮ＿ＴＳＥＴ信号がパーソナル・コンピュータ４１８により光アイソレータ３７２の出力で読み取られる。ＣＯＭＰＩＮ＿ＴＳＥＴ信号が低値の場合、パーソナル・コンピュータ４１８はＣＯＭＰＯＵＴ＿ＴＳＥＴ信号をステップ４４８で高値にセットして所定の時間間隔だけ、例えば１ミリ秒だけ待つ。この後、パーソナル・コンピュータ４１８はＣＯＭＰＯＵＴ信号をステップ４５０で低値に引き下げて１ミリ秒待つ。その後、パーソナル・コンピュータ４１８はマイクロコントローラ３０４からのＣＯＭＰＩＮ信号の状態をチェックする。ＣＯＭＰＩＮ信号が低値の場合、システムはステップ４５０に戻る。ＣＯＭＰＩＮ信号がステップ４５２での確認によりマイクロコントローラ３０４により高値にセットされると、パーソナル・コンピュータ４１８はステップ４５４でＣＯＭＰＯＵＴ信号を高値にセットすることでマイクロコントローラ３０４にハンドシェークが完了したことを知らせる。ハンドシェークが完了した後、システムはステップ４５６に進み、マイクロコントローラ３０４のポート・ビットＰＢ［５］におけるデジタル化センサ出力電圧をＣＯＭＰＩＮ線上で読み取る。さらに詳しくは、センサ出力電圧はマイクロコントローラ３０４の制御下でＡＤＣ３０２によりデジタル化される。デジタル化した１２ビット値は一度に１ビットずつポート・ビットＰＢ［５］で利用できるようになりクロック信号ＥＸＣＬＫの制御下でＰＣ４１８へシリアル通信される。ステップ４５６ではセンサ電圧の測定に加えて、システムはサーミスタ電圧も測定する。さらに詳しくは、デジタル化したセンサ電圧を読み取っている間に、マイクロコントローラ３０４がＡＤＣ３０２を設定（コンフィギュレーション）してチャンネル０（ＣＨ０）のアナログ信号をデジタル化する。サーミスタ電圧を読み取っている時に、マイクロコントローラ３０４はＡＤＣ３０２を設定してチャンネル１（ＣＨ１）のサーミスタ電圧を読み取る。デジタル化したセンサ電圧とサーミスタ電圧をステップ４５６で読み取った後、システムは例えばθ0〜θ7（図２４）の所定の較正角度にわたってセンサ４１３を循環させはじめる。さらに詳しくは、ステップ４５８とそれ以降で、システムは検査装置４０２に対して較正角度θ0〜θ7の各１つずつにおいてセンサを位置決めするように指令する。
【００８９】
最初に第１の較正角度θ0についての検査装置４０２はステップ４６０で角度θ0にセンサを配置するように設定し、ＣＯＭＰＯＵＴ信号を低値にセットする。続けてステップ４６２で、マイクロコントローラ３０４がＣＯＭＰＩＮ信号を高値に引き上げたかどうかを判定することによって、初期較正角度θ0でホール効果デバイスが較正されているかどうかをマイクロコントローラ３０４が認識したか否かをシステムが確認する。否定判定の場合は、システムはステップ４６２にループバックしてマイクロコントローラ３０４によってＣＯＭＰＩＮ信号が高値に引き上げられるまで待機する。ＣＯＭＰＩＮ信号が高値になると、パーソナル・コンピュータ４１８はステップ４６４でＣＯＭＰＯＵＴ信号を高値にセットする。ステップ４６４でＣＯＭＰＯＵＴ信号をセットした後、システムはステップ４６６でＣＯＭＰＩＮ信号が低値にセットされたかどうかを判定することによりマイクロコントローラ３０４による肯定応答を待つ。否定判定の場合は、システムはステップ４６６にループバックしてマイクロコントローラ３０４による肯定応答を待つ。ＣＯＭＰＩＮ信号が低値にセットされると、パーソナル・コンピュータ４１８はステップ４６８でＣＯＭＰＯＵＴ信号を低値にセットする。ＣＯＭＰＯＵＴ信号を低値にセットした後、システムはＣＯＭＰＩＮ線が高値にセットされたか否かをステップ４７０で判定することによりマイクロコントローラ３０４による肯定応答を待つ。否定判定の場合は、システムはマイクロコントローラ３０４による肯定応答の待機に戻り、即ちステップ４６８に戻る。マイクロコントローラ３０４がＣＯＭＰＩＮ信号を高値にセットすることでパーソナル・コンピュータ４１８に肯定応答を返すと、パーソナル・コンピュータ４１８はＣＯＭＰＯＵＴ信号をステップ４７２で高値にセットする。続くステップ４７４で、実際のセンサ値がステップ４７４と４７６で読み取られる。最初の時だけループＩをゼロにセットしてから、この後ステップ４７８でインクリメントされる。ステップ４８０では、Ｉが必要な読み値の総数よりも少ないか否をシステムが判定する。前述のように、８個の例示の読み値を較正角度θ0〜θ7でとることができる。読み値の全部の数がI 以下を取った場合、システムは図２７に進み、すでに説明したように実際の測定値に対する理論値の傾きと切片をステップ４８２，４８４，４８６，４８８で計算する。ステップ４６０から４８８は較正角度θ0〜θ7の全部についての傾きｍとｙ切片ｂが決まるまで繰り返される。
【００９０】
特定のセンサに関する全ての計算値が決まると、システムはステップ４９０に進み、ＥＥＰＲＯＭ３０６への補償値の書き込みを開始する（図２０）。さらに詳しく説明すると、ステップ４９０でＣＯＭＰＯＵＴ信号を高値にセットする。この信号はＥＥＰＲＯＭ３０６のデータ入力ＤＩＮに接続されており、前述したような方法でＥＥＰＲＯＭ３０６への書き込みを開始するために使用する。次いで、システムはＥＥＰＲＯＭ３０６のチップ選択ピンＣＳに接続したＥＰＣＳ信号を高値に設定することでＥＥＰＲＯＭ３０６を選択する。さらに、較正信号を高値に引き上げることによって較正モードをディスエィブル（機能抑止、実行不能）にする。続くステップ４９２では、システムは、ＥＥＰＲＯＭ３０６のチップ選択ピンＣＳがセットされたか否かを判定するチェックをするが、これは、このピンもマイクロコントローラ３０４の、特にポート・ビットＰＢ［０］の制御下にあるためである。ＥＥＰＲＯＭのチップ選択信号が高値になっていない場合は、ＥＥＰＲＯＭ３０６のチップ選択信号が高値になるまでステップ４９０でシステムは待機する。ＥＥＰＲＯＭ３０６に対するチップ選択信号ＥＰＣＳが高値に移行すると、ステップ４９４で較正信号を低値に引き下げることによって較正モードをイネーブル（有効化、使用可能）にする。これに加えて、前述したように、ＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込みの準備をする。ステップ４９６，４９８，５００，５０２で、システムは全ての較正ポイントを書き込み、さらに詳しくは、ＥＥＰＲＯＭ３０６へ較正ポイントθ0〜θ7の各々についての傾きｍとｙ切片ｂを書き込む。すでに説明したように、ＥＥＰＲＯＭ３０６への通信はシリアルで、クロック信号ＥＸＣＬＫの制御下で一度に１ビットずつでビットがクロックされる。全ての補償値をＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込んだ後、システムはステップ５０４でＥＥＰＲＯＭ３０６の書き込みモードをディスエィブルにする。ＥＥＰＲＯＭ３０６への書き込みモードがディスエィブルになってから、ＥＥＰＲＯＭ３０６の内容をステップ５０６と５０８でエラーについて検証する。ＥＥＰＲＯＭ３０６の内容にエラーが見付からない場合、システムはステップ５１０に進み、較正モードをディスエィブルにし、またバッファ・イネーブル信号ＢＵＦＥＮＩ＿ＴＳＥＴおよびＢＵＦＥＮ２＿ＴＳＥＴで３状態デバイス４００をディスエィブルにして、これにより本質的に試験インタフェース３１０から検査装置４０２を切り離す。ステップ５０８でエラーが検出されると、ステップ５１２でモニタ（図２３）を用いてユーザにエラーを通知しシステムは続けてステップ５１０に進む。較正モードとバッファ・イネーブル信号がディスエィブルになった後、３状態デバイス４００がディスエィブルになる。システムはステップ５１４に進みＥＥＰＲＯＭ３０６のプログラミングが完了し成功したことをモニタ４２４上にメッセージで表示する。
【００９１】
マイクロコントローラ３０４のフローチャートを図２８〜図３０に図示してある。最初に、システムはステップ５１６で、較正モード動作が選択されたかどうか判定する。選択されていない場合、システムはステップ５１８に進み、通常モードが選択されていると想定して通常モードについての図３０に図示したコードを実行する。マイクロコントローラ３０４のポート・ビットＰＢ［３］に印加された較正信号を読み取ることでシステムが較正モードに入っていると判定した場合には、システムはステップ５２０に進み、補償値をＥＥＰＲＯＭ３０６にプログラムする必要があるかどうかを判定する。もし必要がなければ、システムは較正モードと想定してステップ５２２と図２９に図示してあるソフトウェアに進む。必要がある場合は、ステップ５２４で補正係数がＥＥＰＲＯＭ３０６に書き込まれ検証される。
【００９２】
較正モードはステップ５２６で開始する。最初に、ステップ５２８で、シリアル・インタフェースが初期化される。シリアル・インタフェースを初期化した後、読み取りが要求されているか否かをステップ５３０でマイクロコントローラ３０４が判定する。要求されていない場合、システムは当該要求をステップ５３０で待機する。較正読みが要求されると、ステップ５３２でセンサ電圧またはサーミスタ電圧を読み取り、読み取り値をシリアル・インタフェースを通じて検査装置４０２へ送信する。次にシステムはステップ５３４で全ての読み値を受け取ったか否かを判定する。もし受け取っていない場合は、システムはステップ５３０に戻る。全て読み取った場合、システムはステップ５３６に進みＥＥＰＲＯＭ３０６へプログラム（組み込み）すべき補正値を決定する。
【００９３】
通常モードは図３０に図示してあり、これはステップ５３８で開始される。まず最初に、ステップ５４０で、較正信号の論理レベルをモニタすることによりシステムが通常モードにあるかどうかをシステムが確かめる。較正信号が高値の場合、通常モードが指示されセンサ電圧が測定される。センサ電圧を読み取った後、ＥＥＰＲＯＭ３０６からの適正な補正係数をステップ５４２で決定する。続くステップ５４４では、測定値をステップ５４４の傾きｍ補正係数で乗算する。次に、ステップ５４６で、ｙ切片ｂをステップ５４４で得られた乗算結果に加算する。最後にステップ５４８で、調節した出力電圧をＤＡＣ３０８に印加し、これにより補正済みのセンサ出力電圧Ｖoutを提供する。
【００９４】
本システムは熱補償も提供する。前述のように、補償値は特定の温度、例えば２５℃で決定される。その読み値は、例えばヤゲオ（yageo）１％金属膜固定抵抗などのサーミスタ３３０により提供される。温度補償は、例えばセンサが熱い時に温度による出力信号の１５０℃での−３％偏差と、センサが冷たい時に出力信号の−４０℃での＋１％偏差とを想定することで成し遂げられる。センサが熱いか冷たいかは、サーミスタ電圧ＶTHMと、補償値を取った温度でのサーミスタ電圧ＶAMBとを比較することで決定する。補償値が２５℃環境で決定された場合、ＶAMBは２５℃でのサーミスタ電圧である。つまり、サーミスタ電圧ＶTHM＞ＶAMBなら、システムは熱いと想定して３％の許容範囲を想定する。サーミスタ電圧ＶTHM＜ＶAMBなら、システムは冷たいと仮定して１％の許容範囲を仮定する。
【００９５】
５ボルトのシステムでは、センサのヌル点電圧ＶCROSSOVER（即ち出力信号が０ガウスを示す出力電圧）において、温度偏差による出力電圧のシフトはないと想定する。偏差は次の式で決定する。
【００９６】
【数１】
2006071652.tif 000003
システムが熱い場合、偏差は測定電圧に加算される。システムが冷たい場合、偏差は測定電圧から減算される。
【００９７】
温度許容差（tolerance ；許容範囲）ならびにサーミスタ電圧読み値を線形化してさらに正確な出力を提供する。またサーミスタと同じ値の抵抗（図示していない）をサーミスタと並列に接続しても良い。３％の総合許容差では、許容差が合計３％の許容差と温度範囲にわたって直線的に変化すると仮定することで許容差（許容値）を直線化することができる。許容差が通例ｙ＝ｍｘ＋ｂの形になっていると仮定すると、１２５℃以上の温度範囲（即ち１５０℃−２５℃）にわたる３％の許容差では、傾きｍが０．０００２４、またｙ切片ｂは−０．００６である。
【００９８】
サーミスタ電圧ＶTHM値を線形化するためには、電圧を温度範囲両端、２５℃と１５０℃で読み取る。ＶTHMが一般的なｙ＝ｍｘ＋ｂの形になっていると仮定すると、傾きｍとｙ切片ｂを決定できる。例えば２５℃でＶTHMは２．３８３２２１２ボルトであり、１５０℃でＶTHM＝０．１５９１４３３ボルトであるので、その傾きｍは−５６．２０３１またｙ切片ｂは１５８．９４４４となる。つまり温度は−５６．２０３１ＶTHM＋１５８．９４４４に等しい。３％許容差では、許容差は０．０００２４＊ＴＥＭＰ（温度）−０．００６に等しい。温度の値を代入すると−０．０３４８８７４４ＶTHM＋０．０３２１４６５６の許容差が得られる。許容差を偏差ＤＥＶについて上記の式に代入すると温度補償の量が決定される。
【００９９】
同様の方法で、許容差サーミスタ電圧ＶTHMを１％許容範囲について線形化する。これらの値は前述したように偏差を求めるために使用する。
【０１００】
本発明は図面に図示した実施例の詳細を参照して説明したが、これらの詳細は添付の請求項に記載されている本発明の範囲を制限することを意図したものではない。
【０１０１】
他の実施の形態
上記では、本発明の好適な実施形態を例示して説明したが、本発明の実施形態は上記例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内であれば、その構成部材等の置換、変更、追加、個数の増減、形状の設計変更等の各種変形は、全て本発明の実施形態に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明による角度位置センサを装着したスロットル本体の部分切欠断面図である。
【図２】本発明による角度位置センサの略斜視図である。
【図３】図２に図示した角度位置センサの平面図である。
【図４】本発明による角度位置センサの略平面図で角度位置センサと静止位置での磁束との関連性を示す図である。
【図５】図４と同様の図面で角度位置センサと各種動作位置での磁束との間の関連性を示す図である。
【図６】図４と同様の図面で角度位置センサと各種動作位置での磁束との間の関連性を示す図である。
【図７】角度位置センサの出力電圧に対する破線で示した回転角度の関連を示す典型的なグラフで、本発明による磁束コンセントレータの効果を示す曲線を重ね合せてある図である。
【図８】本発明の一部を構成する磁束コンセントレータの対の斜視図である。
【図９】図８に図示した磁束コンセントレータの別の実施例の立面図である。
【図１０】本発明の一部を構成する光輪形状の磁束コンセントレータの立面図である。
【図１１】本発明によるキャリア・アセンブリの１つの実施例の斜視図で、磁束コンセントレータを除去した状態を示す図である。
【図１２】図１１に図示したアセンブリのさらに進んだ段階の斜視図である。
【図１３】図１１および図１２に図示したキャリア・アセンブリを内蔵する角度位置センサの断面図である。
【図１４】本発明による角度位置センサの別の実施例の分解斜視図である。
【図１５】本発明による磁束コンセントレータの斜視図である。
【図１６】図１に図示した角度位置センサの別の実施例の斜視図である。
【図１７】図１６に図示した角度位置センサの立面断面図である。
【図１８】本発明による角度位置センサの出力信号を自動補償する電子回路のブロック図である。
【図１９】角度位置の関数として角度位置センサの出力電圧を示すグラフであって、図１８に図示した電子回路に付属するセンナおよび付属しないセンサの出力電圧を示すグラフである。
【図２０】図１８に図示した電子回路の概略回路図である。
【図２１】本発明による試験インタフェースの略図である。
【図２２】本発明による補償値を決定するための検査装置のブロック図である。
【図２３】図２２に図示した検査装置の一部を構成するパーソナル・コンピュータ・インタフェースのブロック図である。
【図２４】複数の所定の較正値にある測定値と理論値の典型的な値のテーブル図である。
【図２５】図２４に図示した理論値の関数としての測定値を示すグラフである。
【図２６】本発明による検査装置のソフトウェアのフローチャートである。
【図２７】本発明による検査装置のソフトウェアのフローチャートである。
【図２８】本発明による電子回路のソフトウェアのフローチャートである。
【図２９】本発明による電子回路のソフトウェアのフローチャートである。
【図３０】本発明による電子回路のソフトウェアのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１０３】
２０、２０´  角度位置センサ
２２、２２´  ハウジング
２４  駆動アーム
２６  バタフライ弁軸
２７  スロットル本体
２８  バタフライ弁
３０、４０  締結具
３４  ベアリング
３６  舌
３８  凹部
４２  磁石
４３  磁気検出素子（ホール素子デバイス）
４４、４６，４８，４８´  磁束コンセントレータ
５０  回転軸
５２  磁軸
５４  エアギャップ（空隙）
５８、６４、６６  表面
６０  アッセンブリ
６２  検出平面
６３，６５  軸
６８  磁束密度
７８，８０  脚部分
８２  ヒール部分
８４  内側部分
８６，１００，１１２  開口
９０  外層
９２  内層
９４，９４´  キャリア・アッセンブリ
９８  Ｔ字状のフレーム部分
１００，１０１  従属脚部分
１０４  スタッド部分
１０５  フィンガ
１０６、１０６´  プリント配線基板
１０７  端子構造体
１０８  中心開口
１０９  ブリッジ部材
１１１，１１３，１１５，１４８  電気端子
１１４  ワッシャ
１１６  舌
１１８  止め具
１２０  ねじりばね
１２１  磁石ホルダ部分
１２２  上端部
１２３  駆動アーム部分
１２４、１２６  スロット
１２８，１３０，１３２  壁
１３２，１４４  電気導線
１３４  円形ガイド
１３８  コンデンサ
１４０  スルーホール
１５６  取り付けスリーブ
２００  コントロール位置センサ
２０２  磁石
２０４  磁気検出素子
２０６、２０８  磁束コンセントレータ
２１０  駆動アームアッセンブリ
２１０  軸
２１６  開口
２１８，２２０  半円形の部分
２２１  ハウジング
２２２  円筒状部分
２２４  一端
２２６  スカート部分
２２７  Ｏ―リング
２２８，２２９  ノッチ
２３０  カバー
２３２，２４２  肩
２３４  口部分
２３５  駆動アーム
２３６  くぼみ部分
２３８  駆動部分
２４０  コイルばね
２４２  他端
２４５  回路基板（ＰＣＢ）
２４６  電気導線
２４９  注封材料
２５０  中心開口
３００  電子回路
３０２  アナログ・デジタル・コンバータ（ＡＤＣ）
３０４  マイクロコントローラ
３０６  電子メモリ（ＥＰＰＲＯＭ）
３０８  デジタル・アナログ・コンバータ（ＤＡＣ）
３１０  試験インタフェース
３１２，３１４  ケーブル
３２０  オシレータ回路（発振回路）
３２４，３２８，３３２，３３４、３８２，３８４，３８６  プルアップ抵抗
３２６，３３８  演算増幅器
３３０  サーミスタ
３４４  プリアス動作（擬似動作）
３４６  コンデンサ
３４８  押しボタン
３６２，３６４，３６６，３６８，３７０，３７２  光アイソレータ
３７４，３７６，３７８，３８０  抵抗
３８８、３９０、３９２，３９４，３９６、３９８  直列抵抗ＮＯＴ（論理和）ゲート
４００  ４連３状態デバイス
４０４  電源
４０６  連続適合性テスター
４０８  絶対位置エンコーダ
４１０  モータ・コントローラ
４１２  サーボモータ
４１４  サーボアクチュエータ
４１６  チャンバ
４１８  パーソナル・コンピュータ（ＰＣ）
４２０  デジタル電圧計
４２２  キーボード
４２４  モニタ
４２６  テープ・バックアップ・システム
４２８  プリンタ
４３０  状態表示盤
【図１】
2006071652.tif 000004
【図２】
2006071652.tif 000005
【図３】
2006071652.tif 000006
【図４】
2006071652.tif 000007
【図５】
2006071652.tif 000008
【図６】
2006071652.tif 000009
【図７】
2006071652.tif 000010
【図８】
2006071652.tif 000011
【図９】
2006071652.tif 000012
【図１０】
2006071652.tif 000013
【図１１】
2006071652.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2006071652.tif 000019
【図１７】
2006071652.tif 000020
【図１８】
2006071652.tif 000021
【図１９】
2006071652.tif 000022
【図２０】
2006071652.tif 000023
【図２１】
2006071652.tif 000024
【図２２】
2006071652.tif 000025
【図２３】
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【図２４】
2006071652.tif 000027
【図２５】
2006071652.tif 000028
【図２６】
2006071652.tif 000029
【図２７】
2006071652.tif 000030
【図２８】
2006071652.tif 000031
【図２９】
2006071652.tif 000032
【図３０】
2006071652.tif 000033
【手続補正書】
【提出日】平成17年12月16日(2005.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの角度位置の検出に用いるリニア変位センサの出力信号を自動補償する電子回路であって、
前記センサから実際の出力信号を受信する手段と、
所定の角度位置における前記センサの前記出力信号の理論値を格納する手段と、
前記理論値からの前記実際のセンサ出力信号の偏差に基づいた補償値を生成する手段と、
前記補償値を格納する手段と、
前記補償値を用いて前記センサの前記実際の出力信号を自動補償する補償手段と、
を具備し、
前記補償手段は、前記実際のセンサ出力値を前記補償値で乗算することで前記センサの検出感度に調整させることを特徴とする電子回路。
【請求項２】
前記補償手段は、前記実際のセンサ出力値を前記補償値で加算することで前記センサのオフセットに調整させることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
【請求項３】
前記補償値は第１のタイプの値と第２のタイプの値とを含み、前記補償手段は積で定義する前記実際のセンサ出力値を前記第１のタイプの値で乗算することで前記センサの検出感度に調整させ、前記積に対して前記第２のタイプの値を加算することで前記センサのオフセットに調整させることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
【請求項４】
センサの出力信号のリニアレンジは複数のサブレンジに分割され、前記補償手段は、それらの中で、現在の実際のセンサ出力信号が含まれ、かつ補償値を利用するサブレンジを決定することを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
【請求項５】
前記補償値は温度の逸脱を起因とする前記出力信号の誤差も自動的に補償することを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
【請求項６】
前記センサはホール効果センサであることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
【請求項７】
前記補償された出力信号はデジタル信号であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
【請求項８】
前記補償された出力信号はアナログ信号であることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。
【請求項９】
前記回路は前記センサと一体にオンチップを形成していることを特徴とする請求項６に記載の電子回路。
【請求項１０】
前記回路は前記センサと一体にオフチップを形成していることを特徴とする請求項６に記載の電子回路。
【請求項１１】
前記センサは回転位置センサであることを特徴とする請求項１に記載の電子回路。