(57)【要約】【課題】少ない労力で試料のエッジを検出することができる試料エッジ処理装置及び試料エッジ処理方法を提供する。【解決手段】  この試料エッジ処理装置は、試料２を載置する試料台１０と、試料台１０を平面内で移動させる駆動部１２と、試料台１０上の試料２のエッジ２ａを撮像する撮像部２２と、撮像部２２が撮像した画像内の明度差に基づいて、エッジ２ａを検出する演算部２４と、演算部２４の検出結果を用いて、エッジ２ａの一端から他端までが撮像部２２の撮像エリア内を通るように、駆動部１２に試料台１０を移動させる制御部２４とを具備する。エッジ２ａを研磨する研磨部１４を更に具備してもよい。この場合、演算部２４が検出したエッジ２ａの位置を記憶する記憶部２４ａを更に具備し、制御部２４は、研磨部１４を動作させつつ、記憶部２４ａが記憶したエッジ２ａの位置を用いて、エッジ２ａが研磨部１４に沿って移動するようにしてもよい。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置する試料台と、
前記試料台を平面内で移動させる駆動部と、
前記試料台上の試料のエッジを撮像する撮像部と、
前記撮像部が撮像した画像内の明度差に基づいて、前記エッジを検出する演算部と、
前記演算部の検出結果を用いて、前記エッジの一端から他端までが前記撮像部の撮像エリア内を通るように、前記駆動部に前記試料台を移動させる制御部と、
を具備する試料エッジ処理装置。
【請求項２】
前記演算部は、前記画像内の明度のコントラストが一定値以上の部分を前記エッジと判断する請求項１に記載の試料エッジ処理装置。
【請求項３】
前記エッジを研磨する研磨部を更に具備する請求項１または２に記載の試料エッジ処理装置。
【請求項４】
前記演算部が検出した前記エッジの位置を記憶する記憶部を更に具備し、
前記制御部は、前記研磨部を動作させつつ、前記記憶部が記憶した前記エッジの位置を用いて、前記エッジが前記研磨部に沿って移動するように前記試料台を移動させることにより、前記エッジの全体を研磨する請求項３に記載の試料エッジ処理装置。
【請求項５】
前記画像内において、前記試料は、該試料が存在しない部分に比べて明度が高く、
前記制御部は、前記画像内における、明度が前記試料より低い領域の増加速度が、予め定められた値以上になったときに、前記試料のエッジ端部が前記画像内に入ったと判断する請求項１〜４のいずれか一項に記載の試料エッジ処理装置。
【請求項６】
前記撮像装置の撮像エリアの像を目視で確認させる光学機構を更に具備する請求項１〜５のいずれか一項に記載の試料エッジ処理装置。
【請求項７】
試料台に載置された試料のエッジの一端を、撮像装置の撮像エリア内に位置させる工程と、
演算部に、前記撮像装置が撮像した画像内の明度差に基づいて前記エッジを検出させつつ、前記検出結果に基づいて制御部が、前記エッジの一端から他端までが前記撮像エリア内を通るように、前記試料台を移動させる工程と、
を具備する試料エッジ処理方法。
【請求項８】
前記エッジを検出しつつ前記試料台を移動させる工程において、前記エッジの位置を記憶部に記憶させる請求項７に記載の試料エッジ処理方法。
【請求項９】
前記試料台を前記エッジに沿って移動させた後、前記記憶部が記憶している前記エッジの位置を用いて、前記制御部が、前記試料台を移動させつつ前記エッジの全体を研磨する工程を更に具備する請求項８に記載の試料エッジ処理方法。
【請求項１０】
前記試料は、複数の層が積層されたシリコン基板である請求項７〜９のいずれか一項に記載の試料エッジ処理方法。
【請求項１１】
前記エッジは前記シリコン基板の劈開面である請求項１０に記載の試料エッジ処理方法。
【請求項１２】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に接続孔を形成する工程と、
半導体製造装置を用いて、前記接続孔中に導電体を埋め込む工程と、
前記半導体基板を劈開する工程と、
前記劈開面が、前記接続孔及び前記導電体を通っていることを確認する工程と、
前記劈開面を顕微鏡で観察することにより、前記導電体の埋め込み性を確認する工程と、
前記導電体の埋め込み性が悪い場合に、前記半導体製造装置の動作条件を調整する工程と、
動作条件が調整された前記半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する工程と、
を具備し、
前記劈開面を確認する工程は、
平面内で移動可能な試料台に、前記半導体基板を載置し、前記劈開面の一端を、撮像装置の撮像エリア内に位置させる工程と、
演算部に、前記撮像装置が撮像した画像内の明度差に基づいて前記劈開面を検出させつつ、前記検出結果に基づいて制御部が、前記劈開面の一端から他端までが前記撮像エリア内を通るように、前記試料台を移動させる工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料のエッジを検出して処理する試料エッジ処理装置及び試料エッジ処理方法、ならびに半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、少ない労力で試料のエッジを検出することができる試料エッジ処理装置及び試料エッジ処理方法に関する。また、少ない労力で試料のエッジを正確に研磨することができる試料エッジ処理装置及び試料エッジ処理方法に関する。また、本発明は、半導体製造装置の動作条件が適切であることを確認しやすくした半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、トランジスタ等の半導体素子の上には、複数の配線層が形成されている。配線層それぞれの間には層間絶縁膜が形成されているが、各々の配線層は、一部が層間絶縁膜の接続孔に埋め込まれたり、層間絶縁膜の接続孔に埋め込まれたＷプラグ等を介したりすることにより、上または下に位置する配線層や半導体素子と接続している。
【０００３】
半導体装置の歩留まりを上げ、また信頼性を上げるためには、配線層又はＷプラグ等が十分に層間絶縁膜中の接続孔に埋め込まれる必要がある。また、配線層を形成する配線の寸法が規定通りになっている必要がある。
【０００４】
図６に示すように、接続孔に対する配線層又はＷプラグ等の埋め込み性を確認したり、配線の寸法を確認する方法として、シリコン基板１００上に、配線及び接続孔それぞれのＴＥＧ（Test Element Group）１０１，１０２を形成し、シリコン基板１００を劈開し、劈開面１００ａを直接ＳＥＭで確認する方法がある。
【非特許文献１】小林稔、中島蕃 著「VLSIフ゜ロセス技術」日刊工業新聞社、1993年06月30日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線層やＷプラグ等の埋め込み性、及び配線の寸法それぞれをＳＥＭで確認するためには、劈開面が、配線及び接続孔それぞれのＴＥＧを通っている必要がある。これを確認するためには、ＳＥＭで観察する前に、まず、光学顕微鏡を用いて劈開面のほぼ全体を観察し、劈開面がＴＥＧを通っていることを確認することが望ましい。光学顕微鏡の試料ステージに対して劈開面が斜めに位置している場合、劈開面の全体を検出するためには、劈開面を観察しつつ、手動で試料をＸ軸方向及びＹ軸方向に交互に動かす必要があり（例えば図７（Ａ）参照）、労力を要していた。
【０００６】
また、劈開面がＴＥＧを通っていない場合、劈開面を研磨し、ＴＥＧの断面を露出させる必要がある。この研磨を行うためには、ワックスを用いて試料ホルダに試料を固定する必要がある。
【０００７】
図７（Ｂ）に示すように、試料（例えばシリコン基板１００）が試料ホルダ１１０に対して斜めに固定されていると、研磨面（例えば劈開面１００ａ）も斜めになってしまい、配線の正確な寸法（例えば幅）を測定することができなくなる。研磨面が斜めになってしまった場合、再度研磨を行い、断面が斜めになっていないことを光学顕微鏡で確認する必要がある。このように、試料の研磨を正確に行うことは難しく、また労力を要していた。
【０００８】
また、配線層がＡｌ合金膜で形成されている場合、劈開時に配線層が変形することがあるため、そのままでは正確な仕上がり形状を確認できない。この場合も、劈開面を研磨する必要があるため、上記した研磨に付随する問題が生じる。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、少ない労力で試料のエッジを検出することができる試料エッジ処理装置、試料エッジ処理方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、少ない労力で試料のエッジを正確に研磨することができる試料エッジ処理装置及び試料エッジ処理方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、半導体製造装置の動作条件が適切であることを確認しやすくした半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係る試料エッジ処理装置は、試料を載置する試料台と、
前記試料台を平面内で移動させる駆動部と、
前記試料台上の試料のエッジを撮像する撮像部と、
前記撮像部が撮像した画像内の明度差に基づいて、前記エッジを検出する演算部と、
前記演算部の検出結果を用いて、前記エッジの一端から他端までが前記撮像部の撮像エリア内を通るように、前記駆動部に前記試料台を移動させる制御部と、
を具備する。
【００１１】
この試料エッジ処理装置によれば、演算部が画像を処理することにより、試料のエッジを検出し、この検出結果を用いて制御部が、エッジの一端から他端までが前記撮像部の撮像エリア内を通るように、前記駆動部に前記試料台を移動させる。このため、試料のエッジを検出するときの労力は小さくなる。
【００１２】
演算部は、画像内の明度のコントラストが一定値以上の部分をエッジと判断してもよい。この場合、エッジを検出するために必要な演算量は少なくてすむ。
【００１３】
エッジを研磨する研磨部を更に具備してもよい。この場合、演算部が検出したエッジの位置を記憶する記憶部を更に具備し、制御部は、研磨部を動作させつつ、記憶部が記憶したエッジの位置を用いて、エッジが研磨部に沿って移動するように試料台を移動させることにより、エッジの全体を研磨するのが好ましい。このようにすると、少ない労力でエッジを正確に研磨することができる。
【００１４】
画像内において、試料は、該試料が存在しない部分に比べて明度が高い場合、制御部は、画像内における、明度が試料より低い領域の増加速度が、予め定められた値以上になったときに、試料のエッジ端部が画像内に入ったと判断することができる。
【００１５】
撮像装置の撮像エリアの像を目視で確認させる光学機構を更に具備してもよい。光学機構の例は、ハーフミラー、レンズ系、又はこれらの組み合わせである。
【００１６】
本発明に係る試料エッジ処理方法は、試料台に載置された試料のエッジの一端を、撮像装置の撮像エリア内に位置させる工程と、
演算部に、前記撮像装置が撮像した画像内の明度差に基づいて前記エッジを検出させつつ、前記検出結果に基づいて制御部が、前記エッジの一端から他端までが前記撮像エリア内を通るように、前記試料台を移動させる工程と、
を具備する。
【００１７】
エッジを検出しつつ試料台を移動させる工程において、エッジの位置を記憶部に記憶させてもよい。この場合、試料台をエッジに沿って移動させた後、記憶部が記憶しているエッジの位置を用いて、制御部が、試料台を移動させつつエッジの全体を研磨する工程を更に具備してもよい。
【００１８】
試料は、例えば複数の層が積層されたシリコン基板である。この場合、エッジはシリコン基板の劈開面であってもよい。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に接続孔を形成する工程と、
半導体製造装置を用いて、前記接続孔中に導電体を埋め込む工程と、
前記半導体基板を劈開する工程と、
前記劈開面が、前記接続孔及び前記導電体を通っていることを確認する工程と、
前記断面を顕微鏡で観察することにより、前記導電体の埋め込み性を確認する工程と、
前記導電体の埋め込み性が悪い場合に、前記半導体製造装置の動作条件を調整する工程と、
動作条件が調整された前記半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する工程と、
を具備し、
前記劈開面を確認する工程は、
平面内で移動可能な試料台に、前記半導体基板を載置し、前記劈開面の一端を、撮像装置の撮像エリア内に位置させる工程と、
演算部に、前記撮像装置が撮像した画像内の明度差に基づいて前記劈開面を検出させつつ、前記検出結果に基づいて制御部が、前記劈開面の一端から他端までが前記撮像エリア内を通るように、前記試料台を移動させる工程と、
を具備する。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る試料エッジ処理装置の側面概略図であり、図１（Ｂ）は本試料エッジ処理装置の平面概略図である。この試料エッジ処理装置は、試料台１０に載置されたシリコン基板２の劈開面２ａを観察及び研磨する装置である。試料台１０の上面には、シリコン基板２を押さえるための押さえ治具１０ａが組み付けられている。試料台１０は駆動装置１２上に取り付けられており、この駆動装置１２によって、駆動装置１２の上を、平面内すなわちＸ軸方向及びＹ軸方向それぞれに動かされる。駆動装置１２は、演算制御部２４によって制御されている。なお、駆動装置１２の表面は、例えば黒色である。このため、上方から見た場合、シリコン基板２と駆動装置１２は、劈開面２ａを境に、明度に大きな差が生じる。
【００２１】
なお、シリコン基板２には、配線層やＷプラグ等の埋め込み性を確認するためのＴＥＧ、及び配線の寸法を確認するためのＴＥＧが形成されており、これらのＴＥＧを通るように劈開面２ａは形成されている。
【００２２】
駆動装置１２上には、研磨装置１４が取り付けられている。研磨装置１４は、シリコン基板２の劈開面２ａを研磨する装置であり、演算制御部２４によって制御されている。
【００２３】
駆動装置１２の上方かつシリコン基板２と重ならない位置には、光源１６、ミラー２１
及び撮像装置２２が配置されており、シリコン基板２の劈開面２ａの上方には、ハーフミラー１８、２０がこの順に配置されている。ハーフミラー１８と光源１６は同一の高さに位置しており、ハーフミラー２０とミラー２１は同一の高さに位置している。
【００２４】
光源１６は、ハーフミラー１８を介して撮像装置２２の撮像範囲に光を照射する。撮像装置２２には、ハーフミラー１８，２０、及びミラー２１を介して、シリコン基板２の劈開面２ａを含む所定の範囲の像が送られ、撮像装置２２は、この像を撮像する。なお、ハーフミラー２０からは、劈開面２ａを含む所定の範囲の像が、ミラー２１とは異なる方向（矢印Ａで示す方向）にも送られ、その像を目視で確認できるようになっている。なお、矢印Ａ方向には、像を拡大するためのレンズ系が設けられていてもよい。
【００２５】
撮像装置２２は、撮像した画像を演算制御部２４に出力する。演算制御部２４は、撮像した画像の中から、明度のコントラストが一定値以上の部分を検出し、検出した部分をシリコン基板２の劈開面２ａと認識する。そして、画像内における劈開面２ａの位置、及び駆動装置１２上における試料台１０の位置に基づいて、劈開面２ａ全体の位置を算出し、算出した位置を記憶部２４ａに記憶させる。
【００２６】
図２は、試料エッジ処理装置の動作を示すフローチャートである。まず、シリコン基板２を準備する。シリコン基板２には、下記工程により、予めＴＥＧが形成されている。      
【００２７】
まず、ＣＶＤ装置又はスパッタリング装置を用いて、シリコン基板２上に、ポリシリコン膜又はＡｌ合金膜を形成する。次いで、ポリシリコン膜又はＡｌ合金膜上にレジストパターンを形成しこのレジストパターンをマスクとして、ポリシリコン膜又はＡｌ合金膜を、エッチング装置を用いてエッチングする。これにより、シリコン基板２上には、配線の寸法を確認するためのＴＥＧが形成される。
【００２８】
次いで、ＣＶＤ装置を用いて、形成されたＴＥＧ上及びシリコン基板２上に、酸化シリコン膜を形成する。次いで、この酸化シリコン膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、エッチング装置を用いて酸化シリコン膜をエッチングする。これにより、酸化シリコン膜には複数の接続孔が形成される。次いで、スパッタリング装置を用いて、酸化シリコン膜上及び複数の接続孔それぞれの中に導電体を堆積する。これにより、配線層やＷプラグ等の埋め込み性を確認するためのＴＥＧが形成される。
【００２９】
そして作業者は、劈開面２ａがＴＥＧを通るように、シリコン基板２を劈開し、劈開したシリコン基板２を、押さえ治具１０ａを用いて試料台１０に固定する（Ｓ２）。そして、試料台１０上におけるシリコン基板２の位置を調節し、又は試料台１０を移動させることにより、シリコン基板２の劈開面２ａ（エッジ）の一端を、撮像装置２２の撮像エリア内に位置させる（Ｓ４）。
【００３０】
次いで、演算制御部２４は、駆動装置１２に試料台１０を移動させつつ、撮像装置２２が撮像した画像を解析することにより、劈開面２ａ全体の位置を検出し、検出した位置を記憶部２４ａに記憶させる（Ｓ６）。このとき、作業者は、目視で劈開面２ａを観察し、劈開面２ａが目的の部位を通っているか否かを確認する。
【００３１】
次いで、作業者は、キーボード又はタッチパネル等の入力部（図示せず）を介して、劈開面２ａの研磨量を演算制御部２４に入力する。この研磨量は、劈開面２ａの全体にわたって均一であってもよいし、劈開面２ａの角度が変わるように徐々に変化してもよい。次いで、演算制御部２４は、入力された研磨量、及び記憶部２４ａに記憶されている劈開面２ａの位置それぞれを用いて、研磨時に試料台１０をどのように移動させるかを示す移動チャートを算出する（Ｓ８）。次いで、演算制御部２４は、算出した移動チャートに従って試料台１０を移動させつつ、研磨装置１４を駆動させる。これにより、劈開面２ａは研磨される（図２のＳ１０）。
【００３２】
作業者は、目視で、劈開面２ａが目的の部位を通っていることを確認する。なお、劈開面２ａが目的の部位を通っていないと判断した場合、作業者は、試料エッジ処理装置を用いて上記した処理（Ｓ４〜Ｓ１０）を再度行う。
【００３３】
その後、作業者は、劈開面２ａをＳＥＭで観察し、接続孔に対する導電体の埋め込み性がよいか否か、及び配線の寸法が規定どおりであるか否かを確認する。埋め込み性がよく、かつ、配線の寸法が規定どおりの場合、ＣＶＤ装置又はスパッタリング装置の導電体堆積条件、ならびにエッチング装置のエッチング条件をそのまま維持し、半導体装置の製造を行う。埋め込み性が悪い場合、ＣＶＤ装置又はスパッタリング装置の状態確認を行うか、又は導電体の堆積条件を変更し、その後上記した作業を再び行う。また、配線の寸法が規定外である場合、露光装置やエッチング装置の状態を確認するか、又は露光装置やエッチング装置のエッチング条件を変更し、その後上記した作業を再び行う。
【００３４】
図３の各図は、演算制御部２４が劈開面２ａの位置を検出する方法（図２のＳ６）を詳細に説明する為の図である。まず、演算制御部２４は、撮像装置２２が撮像した画像のうち、明度のコントラストが一定値以上の部分をエッジとして検出する。そして、エッジの角部を認識し、この角部を劈開面２ａの一端部と判断する。そして、画像内における一端部の位置、及び駆動装置１２上における試料台１０の位置それぞれを用いて、劈開面２ａの一端部の位置を算出し、記憶部２４ａに記憶させる（図３（Ａ））。また、Ｙ軸方向に延伸しているエッジを劈開面２ａと判断する。
【００３５】
次いで、演算制御部２４は、明度のコントラストが一定値以上の部分を、引き続き劈開面２ａとして検出しつつ、試料台１０をＹ軸方向に移動させる（図３（Ａ））。そして、画像内における劈開面２ａの位置、及び駆動装置１２上における試料台１０の移動量それぞれを用いて、劈開面２ａの位置を算出しつづけ、また、算出した位置を記憶部２４ａに記憶しつづける。
【００３６】
このとき、劈開面２ａが傾いている場合、劈開面２ａは、撮像装置２２による画像の中心からずれていく（図３（Ｂ）の点線）。演算制御部２４は、劈開面２ａが画像の中心からずれていくことを検出すると、試料台１０をＸ軸方向にも移動させ（点線の矢印で示す）、劈開面２ａが画像の略中心に位置するようにする（図３（Ｂ）の実線）。
【００３７】
図３（Ｂ）を用いて説明した動作を繰り返していくうちに、画像内には、劈開面２ａの他端部が現れる（図３（Ｃ））。演算制御部２４は、明度が一定値以上の領域をシリコン基板２と判断し、明度が一定値以下の領域をシリコン基板２が存在しない領域と判断している。画像内に、劈開面２ａの他端部が現れた場合、シリコン基板２が存在しない領域の増加速度は、試料台１０のＹ軸方向の移動速度と、画像のＸ軸方向の幅との積に等しくなる。このため、演算制御部２４は、シリコン基板２が存在しない領域の増加速度を検出し、その値が、上記した積に等しくなったか否かを判断することにより、画像内に劈開面２ａの他端部が現れたことを検出できる。
【００３８】
演算制御部２４は、劈開面２ａの他端部を検出すると、その位置を記憶部２４ａに記憶させた後、劈開面２ａの検出動作を終了する。
このようにして、演算制御部２４は、劈開面２ａ全体を自動で検出しつつ、その位置を記憶部２４ａに記憶させる。
【００３９】
図４は、劈開面２ａを研磨しているときの試料台１０の動きを説明する為の図である。演算制御部２４は、研磨装置１４の研磨プレートに劈開面２ａを当接させつつ、試料台１０を劈開面２ａに沿って移動させる。これにより、試料台１０上のシリコン基板２の劈開面２ａは、入力された研磨量ほど研磨され、目的の部位の断面が劈開面２ａに露出するようになる。
【００４０】
以上、本発明の第１の実施形態に係る試料エッジ処理装置によれば、演算制御部２４は、シリコン基板２の劈開面２ａの一端から他端までが撮像装置２２の撮像範囲内に入るように、試料台１０を劈開面２ａに沿って移動させる。このため、作業者は、自分が試料台１０を移動させなくても、劈開面２ａが目的の部位を通っているか否かを確認することができる。
【００４１】
また、演算制御部２４は、試料台１０を劈開面２ａに沿って移動させる時に、劈開面２ａの位置を記憶部２４ａに記憶させる。このため、演算制御部２４は、記憶部２４ａに記憶されている劈開面２ａの位置に沿って試料台１０を移動させつつ、研磨装置１４を駆動させることにより、劈開面２ａの全体を所定の量ほど研磨することができる。従って、少ない労力で正確に劈開面２ａを研磨することができる。
【００４２】
また、演算制御部２４は、明度のコントラストが一定値以上の部分をエッジとして検出するため、エッジ検出に必要な演算量は少なくてよい。
【００４３】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る試料エッジ処理装置の平面図である。この試料エッジ処理装置は、研磨装置１４が複数の研磨プレートを有する点が、第１の実施形態と異なる。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４４】
本実施形態において、研磨装置１４は、荒削り用の研磨プレート１４ａと仕上げ削り用の研磨プレート１４ｂを有している。荒削り用の研磨プレート１４ａはＹ軸方向において仕上げ削り用の研磨プレート１４ｂの上に位置している。研磨装置１４がシリコン基板２の劈開面２ａを研磨するとき、まず荒削り用の研磨プレート１４ａが劈開面２ａを研磨し、その後、仕上げ用の研磨プレート１４ｂが劈開面２ａを研磨する。これ以外の試料エッジ処理装置の動作は、第１の実施形態と同一である。
本実施形態においても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４５】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る試料エッジ処理装置の側面概略図、（Ｂ）は本試料エッジ処理装置の平面概略図。
【図２】試料エッジ処理装置の動作を示すフローチャート。
【図３】各図は、図２のＳ６を詳細に説明する為の図。
【図４】劈開面２ａを研磨しているときの試料台１０の動きを説明する為の図。
【図５】第２の実施形態に係る試料エッジ処理装置の平面図。
【図６】ＴＥＧを有するシリコン基板の平面図。
【図７】（Ａ）は従来の試料の観察方法を説明する為の図、（Ｂ）は試料ホルダに試料を固定する方法を説明する為の図。
【符号の説明】
【００４７】
２，１００…シリコン基板、２ａ，１００ａ…劈開面、１０…試料台、１０ａ…押さえ治具、１２…駆動装置、１４…研磨装置、１４ａ，１４ｂ…研磨プレート、１６…光源、１８，２０…ハーフミラー、２１…ミラー、２２…撮像装置、２４…演算制御部、２４ａ…記憶部、１０１，１０２…ＴＥＧ
【図１】
2006114800.tif 000003
【図２】
2006114800.tif 000004
【図３】
2006114800.tif 000005
【図４】
2006114800.tif 000006
【図５】
2006114800.tif 000007
【図６】
2006114800.tif 000008
【図７】
2006114800.tif 000009