(57)【要約】      （修正有）【課題】クロスライトが発生する記録パワー以下の記録パワーでパルス幅が変化しない磁壁移動光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】少なくとも移動層１、移動層２、制御層、スイッチング層、メモリ層、アシスト層からなる磁壁移動検出方式の磁性層からなり、メモリ層がＴｂa（ＦｅＣｏ）(1-a)からなり該膜厚をＸ（ｎｍ）、アシスト層がＧｄb（ＦｅＣｏ）(1-b)からなり該膜厚をＹ（ｎｍ）とした場合、式（１）におけるＺの値が、Ｚ≦０．２２２であることを特徴とする。            Ｚ＝（ａ×Ｘ＋ｂ×Ｙ）／（Ｘ＋Ｙ）・・・（１）【選択図】図１
2006172603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録トラック、及びトラック間に記録不可領域が併設された情報記録媒体の記録層が少なくとも移動層１、移動層２、制御層、スイッチング層、メモリ層、アシスト層からなる磁壁移動検出方式の光ディスクにおいて、
該移動層１が、Ｇｄm（ＦｅＣｏ）1-mからなり、且つＧｄ副格子磁化優勢となる組成でｍが０．２７以下で、
移動層２が、Ｇｄn（Ｆｅ(1-p)Ｍp）(1-n)からなり且つＦｅ副格子磁化優勢となる組成でｎが、０．１７以下であり、
前記Ｍが、Ｃｒあるいは、Ａｌからなり、
メモリ層がＴｂa（ＦｅＣｏ）(1-a)からなり該膜厚をＸ（ｎｍ）、アシスト層がＧｄb（ＦｅＣｏ）(1-b)からなり該膜厚をＹ（ｎｍ）とした場合、式（１）におけるＺの値が、Ｚ≦０．２２２であることを特徴とする磁壁移動光磁気記録媒体。
Ｚ＝（ａ×Ｘ＋ｂ×Ｙ）／（Ｘ＋Ｙ）・・・（１）
（但し、ａ、ｂ、ｍ、ｎ、ｐは、それぞれ０より大きく、１より小さい値である。２０＜Ｘ≦５０、５＜Ｙ≦２０である）
【請求項２】
前記記録不可領域が、レーザーアニール処理により形成されていることを特徴とする請求項１に記載された情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報の記録または再生に用いられる磁壁移動光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
書き換え可能な記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。近年、動画像のデジタル化の動きとあいまって、これらの磁性記録媒体の記録密度を高めて、さらに大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
一般に、光記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザ波長および対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まると、ビームウェストでの径が決まるため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が限界となってしまう。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザ波長を短くするか、対物レンズの開口数を大きくする必要がある。
【０００４】
しかしながら、レーザ波長を短くするのは素子の効率、発熱等の問題で容易ではなく、また、対物レンズの開口数を大きくすると、焦点深度が浅くなるなどのために、機械的精度に対する要求が厳しくなるという問題が生じる。
【０００５】
このため、レーザ波長や対物レンズの開口数を変えずに、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記録密度を改善する、いわゆる超解像技術が種々開発されている。
【０００６】
このような技術の一つとして、特開平６−２９０４９６号公報では、光磁気記録媒体を用いて、温度勾配による磁壁移動現象を利用した磁壁移動検出方式（以下ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）と称す。）と呼ぶ再生方式が提案され、スポット径に対して一桁程度小さな記録マークからなる高密度記録信号の再生が可能なことを実用レベルで確認した旨の内容が開示されている。
【０００７】
ＤＷＤＤ方式の光ディスクでは、隣接する記録トラック間で磁気的な結合を弱める必要がある。このため、ＤＷＤＤ方式の光ディスクを製造する場合には、情報信号の記録を行う前に、隣接する記録トラック間の磁気的な結合を弱める熱処理を行う。このような熱処理の方法については、特開平６−２９０４９６号公報や特開平１０−３４０４９３号公報等に、従来から提案されている。
【０００８】
近年さらなる高密度化を図るため、トラック方向の密度を上げる手段として、上記隣接記録トラック間のアニール処理（以下前述の熱処理をアニール処理と称す）領域を狭くするため、アニール処理を行う際に基板側からでなく膜面側から行い、且つ波長の短い光を用いて行う方法が特開２００２−２０３３４３号公報に提案されている。
【０００９】
ＤＷＤＤ光ディスクの構造について、一例を図１に示す。図１（ａ）に示すように、光ディスク１は、基板２と、基板２上に順次積層された第１の誘電体層３、記録層４、第２の誘電体層５および保護コート層６とを備える。
【００１０】
基板２の記録層４側の表面には、レーザ光を誘導するための溝が基板上に刻まれている。溝が刻まれている部分がグルーブ、刻まれていない(その結果盛り上がっている)部分がランドと呼ばれる。
【００１１】
径方向に隣接する２つのグルーブ部間は、ランド部と呼ばれる部分である。このような溝付きディスクではグルーブ部にデータを記録する場合（グルーブ記録と称す）とランド部にデータを記録する（ランド記録と称す）場合の２通りがある。溝付き基板を用いたＤＷＤＤディスクでもグルーブ記録とランド記録があるが、ここではグルーブ記録の場合で説明する。
【００１２】
記録層は、図１（ｂ）に示すように、光入射側（ここでは基板側入射）から、移動層１、移動層２、制御層、スイッチング層、メモリ層、アシスト層から成っている。図１（ｂ）の移動層１、移動層２の順序が逆になっています。訂正を御願いします。移動層１に用いられている材料の組成は、ＧｄＦｅＣｏでＧｄ副格子磁化優勢となる組成を用い、移動層２に用いられている材料の組成は、Ｆｅ副格子磁化優勢となる組成で移動層１と移動層２とを積層した膜の磁化が小さくなる組成を用いていた。この積層膜の飽和磁化の温度依存性を図４に示す。
【００１３】
このような組み合わせにすることにより、再生時の磁壁移動がスムースに行われ、ディスク特性としてのジッター値がよいものが得られていた。移動層以外の制御層、スイッチング層、メモリ層、アシスト層は、ディスクとしての特性が良くなるようにそれぞれ組成および膜厚が調整されていた。
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開平１０−３４０４９３号公報
【特許文献３】特開２００２−２０３３４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
この従来の媒体のランド部をアニール処理した記録媒体に、種々の大きさの磁区をオーバーライトして再生を行うと、ジッターが悪い状態となってしまう場合があった。
【００１５】
発明者等は、記録パワーを変化させて書き込みを行なった。
磁区の大きさは、情報処理上８種類の長さの磁区の組み合わせが必要であるということに由来しています。従って、この磁区の大きさは記録パワーで変えるのではなく磁界変調を行う際に印加する磁界をこの磁区の大きさに対応するように時間を変えて記録します。記録パワーは、ドライブのパワー制御マージン、環境温度が変化した場合の最適記録パワーマージンが広く方が使いやすい媒体です。
そのために、媒体の評価を行う際に記録パワーを変えて記録パワーマージンを測定します。
【００１６】
尚、記録は情報をマークのエッジに持たせるエッジ記録方式を採用した。ジッター値は、アニール時のパワーにより異なっておりジッター値がもっとも良くなる最適なアニールパワー（Ｐａｏｐｔ）が存在する。この最適なアニールパワーにおいて、記録再生特性を評価した。ジッター値が最もよくなる最適な再生パワーに固定してビットエラーレート（ｂＥＲ）を測定するとｂＥＲが最もよくなる記録パワー（以下Ｐｗｏｐｔと称す）からクロスライトが発生する記録パワー（以下Ｐｗｘと称す）の間で、ｂＥＲが悪くなる状態になる場合があることがわかった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、以下の発明を見出すに至った。前記目的を達成するために、本発明は複数の記録トラック、及びトラック間に記録不可領域が併設された情報記録媒体の記録層が少なくとも移動層１、移動層２、制御層、スイッチング層、メモリ層、アシスト層からなる磁壁移動検出方式の磁性層からなり、該移動層１が、Ｇｄm（ＦｅＣｏ）1-mからなり、且つＧｄ副格子磁化優勢となる組成でｍが０．２７以下で、移動層２が、Ｇｄn（Ｆｅ(1-p)Ｍp）(1-n)からなり且つＦｅ副格子磁化優勢となる組成でｎが、０．１７以下であり、メモリ層がＴｂa（ＦｅＣｏ）(1-a)からなり該膜厚をＸ（ｎｍ）、アシスト層がＧｄb（ＦｅＣｏ）(1-b)からなり該膜厚をＹ（ｎｍ）とした場合、式（１）におけるＺの値が、Ｚ≦０．２２２であることを特徴とする。
【００１８】
Ｚ＝（ａ×Ｘ＋ｂ×Ｙ）／（Ｘ＋Ｙ）・・・（１）
（但し、ａ、ｂ、ｍ、ｎ、ｐは、それぞれ０より大きく、１より小さい値である。）
また、前記Ｍが、Ｃｒあるいは、Ａｌからなることを特徴とする。
【００１９】
また、前記記録不可領域が、レーザーアニール処理により形成されていることを特徴とする
【発明の効果】
【００２０】
最後にあった方がよいと思いますが。
以上説明したように、磁壁移動光磁気記録媒体は、記録層が移動層１、移動層２、制御層、スイッチング層、メモリ層、アシスト層からなる磁性層からなり、該移動層１が、Ｇｄm（ＦｅＣｏ）1-mからなり、且つＧｄ副格子磁化優勢となる組成でｍが０．２７以下で、移動層２が、Ｇｄn（Ｆｅ(1-p)Ｍp）(1-n)からなり且つＦｅ副格子磁化優勢となる組成でｎが、０．１７以下であり、メモリ層がＴｂa（ＦｅＣｏ）(1-a)からなり該膜厚をＸ（ｎｍ）、アシスト層がＧｄb（ＦｅＣｏ）(1-b)からなり該膜厚をＹ（ｎｍ）とした場合、式（１）におけるＺの値が、Ｚ≦０．２２２となるように組成、及び膜厚を選ぶことにより、クロスライトが発生する記録パワー以下の記録パワーでパルス幅が変化しない磁壁移動光磁気記録媒体を提供することができる。
【００２１】
Ｚ＝（ａ×Ｘ＋ｂ×Ｙ）／（Ｘ＋Ｙ）・・・（１）
（但し、ａ、ｂ、ｍ、ｎ、ｐは、それぞれ１より小さい値である。）
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、ｂＥＲが悪くなる原因が、記録パワーを増大した際にあるパワーで記録パルス幅が変化するためであることがわかった。そのため、記録されるマークの長さが変化し、それを再生した場合エッジを検出しているためジッター値が悪くなることを見出した。
【００２３】
図２は、この現象の模式説明図である。図２は、トーン信号を記録再生したときの再生信号波形におけるパルス幅ＰＷ、及び、ジッターσの記録パワー依存性を示した模式説明図である。ここでのパルス幅、及び、ジッターは、再生波形の立ち上がりから次の立下りまでの間隔を複数波形について測定し、統計的に処理して求められた平均パルス幅、及び、パルス幅ジッターのことをさしている。また、これらの特性は、記録前の初期状態として記録トラックとその両側の隣接トラックを同一極性に一方向に着磁した状態にしてから、記録・再生して求めた時の特性を示している。ジッターが悪くなった結果としてｂＥＲが悪くなる。
【００２４】
図２によれば、低い記録パワーＰ３ではパルス幅ＰＷ１を示し、高い記録パワーＰ４ではパルス幅ＰＷ２を示す。そして、記録パワーＰ１でパルス幅がＰＷ１からＰＷ２へと急激に変化しており、ジッターは悪化している。
【００２５】
記録パワーＰ１では、平均パルス幅ＰＷ１の再生信号波形とＰＷ２の再生信号波形が混在しており、その結果、平均パルス幅としておよそ（ＰＷ１＋ＰＷ２）／２を示し、ジッターは悪化してしまう。
【００２６】
また、このようなＤＷＤＤメディアにおいては、図３に示すような現象も確認されている。
【００２７】
すなわち、記録パワーＰ４で記録した後に、Ｐ３と同じ記録パワーＰ３’（＝Ｐ３）でオーバーライトした場合（矢印４のプロセス）、パルス幅はＰＷ１ではなく、ＰＷ２を示す。一方で、Ｐ１以下のＰ３の記録パワーで記録した後に、再度記録パワーＰ３でオーバーライトした場合（矢印１のプロセス）は、パルス幅はＰＷ１を示す。これは、同じ記録パワーＰ３（＝Ｐ３’）で記録したとしても、アニール処理された記録不可領域も含めた記録トラックの記録前の着磁状態によりパルス幅が異なるということを表している。
【００２８】
すなわち、前述の記載においては、同じ記録パワーＰ３（＝Ｐ３’）でオーバーライトする前に記録パワーＰ４で記録した場合と記録パワーＰ３で記録した場合とで、アニール処理された記録不可領域も含めた記録トラックにおける着磁状態が異なってしまう。
【００２９】
その結果、この２つの場合で同じ記録パワーＰ３（＝Ｐ３’）でオーバーライトしたとしても、事前の記録パワーの履歴により、異なるパルス幅を示すということである。尚、図３は、図２と同様に記録前の初期状態として記録トラックとその両側の隣接トラックを同一極性に一方向に着磁した状態にしてから、記録・再生して求めた時の特性を示している。この場合、ジッターは、図２からわかるようにＰ３とＰ４で変わらない。
【００３０】
この現象のメカニズムは以下のように考えられる。クロスライトするパワーＰｗｘより小さい記録パワーにおける記録される領域は、記録するトラック及び隣接するアニール処理された記録不可領域である。Ｐ１より小さいＰ３の記録パワーで記録される領域は、前述したようにオーバーライトしても形成される磁区の大きさ、つまり長さが変わらない。その結果、パルス幅が変わらない領域と考えられる。それに対して、Ｐ１より大きいＰ４の記録パワーで記録される領域は、前述したようにオーバーライトした際に形成される磁区の大きさ、つまり長さが変わる。その結果、パルス幅が変わる領域である。
【００３１】
このように形成される磁区の大きさが異なる理由は、記録時に存在する浮遊磁界の大きさが異なることによるものと考えられる。しかも、一旦Ｐ４という高い記録パワーで記録した後、低い記録パワーＰ３で記録しても磁区の大きさが異なるということは、Ｐ３の記録パワーでは、オーバーライトされる前の磁化状態がオーバーライトされないで残るアニール領域近傍に大きな浮遊磁界が発生するような磁化を有する磁性膜となっているものと考えられる。
【００３２】
以上のような現象が存在するために、実使用上次のような問題があった。実使用時は、クロスライトするパワーＰｗｘより小さいパワーを用いて、複数のトラックに種々の大きさの磁区がオーバーライトされる。そのため、記録パワーＰ３と記録パワーＰ４でのオーバーライトがランダムに行われる。この状態において、再生を行うとパルス幅がＰＷ１とＰＷ２が混在した再生信号となり、前述したようにジッターが悪い状態となっていた。その結果、ｂＥＲが悪くなっていた。このように従来の媒体で、隣接した複数トラックに種々の磁区が存在している場合に、ジッターが悪化しない、即ちパルス幅が一定で混在しない状態となるためには、Ｐ１より小さいパワーであるＰ３の記録パワーしか使用できず、使用可能な記録パワー範囲が狭いという問題があった。
【００３３】
本発明は、上記問題を解決するため、実使用記録パワー範囲内において、再生時のパルス幅が変化しないすなわちｂＥＲが安定した高密度の情報記録媒体を提供することを目的とするものである。
【００３４】
本発明の光ディスクについて図面を用いて詳細に説明する。
【００３５】
光ディスクは、図１（ａ）に示すように、基板と、基板の上方に配置された記録層と、基板と記録層との間に配置された第１の誘電体層と、記録層に対して基板とは反対側に配置された第２の誘電体層と、第２の誘電体層上に配置された保護コート層とを備える。光ディスクは、基板側から入射される光を用いて情報信号の再生を行う光ディスクである。基板は、円板状の基板である。基板には、たとえば、ポリカーボネートやガラス等からなる基板を用いることができ、厚さは、たとえば０．５ｍｍ〜１．２ｍｍ程度である。
【００３６】
第１の誘電体層および第２の誘電体層には、たとえば、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳなどの透明誘電材料が使用できる。保護コート層は、アニールした後に形成され、たとえば、紫外線硬化性樹脂を塗布して硬化させて形成する。記録感度を調整する等熱的観点から場合によっては第２の誘電体層の上に放熱層を設けてもよい。その場合、アニール処理をした後に放熱層を形成することになる。
【００３７】
放熱層には、金属膜を用いることができ、たとえば、アルミニウム、クロム、シリコン、チタン、これらのアルミニウム合金からなる膜を用いることができる。放熱層の厚さは、一般的には、５０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。
【００３８】
記録層は、ＤＷＤＤ方式で再生が可能なように４層以上の磁性体層を含む。記録層は、隣接する情報トラック間の磁気的分断領域を確保するために第２の誘電体層側から入射された波長λの光を用いてアニール処理された層を含むものである。記録層の一例として、図１（ｂ）に示すように、第１の磁性体層（移動層１と称す）、第２の磁性体層（移動層２と称す）、第３の磁性体層（スイッチング層と称す）および第４の磁性体層（メモリ層と称す）が基板側から順に積層されているが、これの例に限られるものではないことは言うまでもない。各層の材料として、以下のものを用いることができる。
【００３９】
移動層１の材料には、小さな磁壁抗磁力を有し、スイッチング層のキュリー温度近傍の温度範囲で飽和磁化が小さな材料で、そのキュリー温度がメモリ層よりも低くスイッチング層よりも高い材料を用いることができる。たとえば、ＧｄＦｅＣｏ合金でキュリー温度が２５０℃〜３００℃程度のものを用いることができる。
【００４０】
移動層２の材料には、小さな磁壁抗磁力を有し、そのキュリー温度が移動層１およびメモリ層よりも低くスイッチング層よりも高い材料を用いることができる。たとえば、ＧｄＦｅ合金でキュリー温度が１８０℃〜２２０℃程度のものを用いることができる。キュリー温度はＣｒやＡｌを添加することにより制御できる。移動層１および移動層２の組成としては、周囲からの浮遊磁界を小さくし、磁壁が移動しやすくなるために小さな飽和磁化が再生時の温度において必要である。そのような組成としては移動層１をＧｄ副格子磁化優勢な組成、移動層２を鉄族副格子磁化優勢な組成とし、これらを積層することにより、より小さな飽和磁化とすることができる。
【００４１】
移動層１のＧｄ量として、２６〜２７ａｔｍ％が好ましい。また、移動層２のＧｄ量として、従来よりＦｅ副格子磁化優勢である１５〜１７ａｔｍ％が好ましい。
【００４２】
本発明の媒体の移動層１と移動層２の積層膜の飽和磁化温度依存性の例として、図５に示す。従来例より広い温度範囲にわたって磁化が小さくなっている。移動層１、移動層２の膜厚は、再生時の信号強度を良くするために、それぞれ１０ｎｍ以上が好ましい。スイッチング層の材料としては、キュリー温度が移動層１、移動層２やメモリ層よりも低いものであり、そのキュリー温度直下まで大きな磁壁抗磁力を有する材料を用いることが好ましい。たとえば、ＤｙＦｅやＴｂＦｅ合金を用いることができ、その典型的なキュリー温度として１４０℃〜１６０℃のものを用いることができる。キュリー温度はＣｒやＡｌを添加することにより制御できる。
【００４３】
メモリ層は大きな磁壁抗磁力を有し、移動層１、移動層２やスイッチング層よりも高いキュリー温度を有し、スイッチング層のキュリー温度近傍の温度範囲で飽和磁化が小さな材料を用いることができる。たとえば、ＴｂＦｅＣｏ合金で、キュリー温度が２８０℃〜３３０℃のものを用いることができる。メモリ層の膜厚は、記録磁区を安定に保持するために２５ｎｍより厚い方が好ましい。６０ｎｍ以上では、特性が悪くなるのでこれより薄い方が好ましい。
【００４４】
また、本発明では、磁界感度を向上するためにアシスト層を形成する必要がある。アシスト層は、メモリ層よりキュリー温度が高く、材料としては保磁力の小さなＧｄＦｅＣｏが用いられる。組成および厚さは調整することにより最適な条件が選択される。膜厚は、連続膜となり磁界感度を向上させる機能を有する５ｎｍより厚い方が好ましい。また、２０ｎｍより厚くなると特性が悪くなるのでこれ以下が好ましい。
【００４５】
メモリ層とアシスト層は交換結合しているため、希土類元素の材料は異なっているが、お互いに希土類元素として影響を及ぼしている。このことから、積層膜は、積層膜全体を一つの磁性膜すなわち単層と見なすことができ単層と同じような扱いが可能となる。積層膜全体の希土類元素含有率は、それぞれの積層膜の希土類元素の体積すなわち膜厚に比例した割合で存在するので、式（１）のように示すことができる。
【００４６】
発明者等は、記録時にアニール領域近傍による磁性膜からの浮遊磁界が小さくなるように磁性膜の検討をした結果、移動層１と移動層２に前記組成を用いた場合、メモリ層がＴｂa（ＦｅＣｏ）(1-a)からなり該膜厚をＸ（ｎｍ）、アシスト層がＧｄb（ＦｅＣｏ）(1-b)からなり該膜厚をＹ（ｎｍ）とした場合、式（１）におけるＺの値が、Ｚ≦０．２２２とすることが好ましいことを見出した。
【００４７】
Ｚ＝（ａ×Ｘ＋ｂ×Ｙ）／（Ｘ＋Ｙ）・・・（１）
（但し、ａ、ｂ、ｍ、ｎ、ｐは、それぞれ０より大きく、１より小さい値である。）
また、周知の技術として再生時の光スポット後方からの磁壁の移動を抑制するための制御層を移動層２とスイッチング層の間に設けてもよい。
【００４８】
以下、本発明の実施の形態について具体的実施例を用いて説明する。
【実施例】
【００４９】
（実施例１）
＜サンプル１＞
基板は、ポリカーボネートからなる厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチは０．５５μｍ、グルーブ幅０．４２μｍ、溝深さは０．０３μｍのグルーブ記録用基板である。グルーブ幅は溝深さの半値幅で規定している。
【００５０】
また、本実施例では、溝を形成しているランドの延長線上にサーボ用のピットが形成されており、このサーボピットを利用してサンプルサーボによりトラッキング動作を行っている。
【００５１】
該基板上に、第１の誘電体層３、記録層４、第２の誘電体層５を形成した。
直流マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳｉ、及びＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲットを取り付け、前記ポリカーボネート基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。真空排気をしたままＡｒガスとＮ2ガスをチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、第１誘電体層であるＳｉＮ層を４０ｎｍ成膜した。引き続き、真空を破らないでＡｒガスのみで記録層として、移動層１、移動層２、スイッチング層、メモリ層、アシスト層を形成した。移動層１としてＧｄ0.27（ＦｅＣｏ0.19）0.83層を１８ｎｍ、移動層２としてＧｄn（Ｆｅ(1-p)Ｍp）(1-n)のｎを０．１５、ｐを０．０８、ＭをＣｒとしたＧｄ0.15（Ｆｅ0.92Ｃｒ0.08）0.85層を１８ｎｍ、制御層としてＴｂ0.275（ＦｅＣｏ0.08）0.825を１８ｎｍ、スイッチング層としてＴｂ0.23Ｆｅ0.87層を１０ｎｍ、メモリ層としてＴｂ0.205（ＦｅＣｏ0.26）0.795層を４０ｎｍ、アシスト層としてＧｄ0.28（ＦｅＣｏ０．４５）0.72層を１３ｎｍ順次成膜した。さらに、真空を破らないで、第１誘電体層と同様にして第２誘電体層としてＳｉＮ層を４５ｎｍ成膜した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。
【００５２】
尚、磁性層の成膜時に窒素ガスが混入していると磁性層の成膜時に窒化などを起し磁気特性に影響を与えるので、本実施例で用いたスパッタ装置は、２つのチャンバーを持ったチャンバーを用い、誘電体層を形成するチャンバーと磁性層を形成するチャンバーは異なったチャンバーを用いた。
【００５３】
その後、レーザ波長４０５ｎｍのアニール装置を用いて、第２誘電体層側からランド部のアニール処理を行った。アニール時の線速度は、一定の４．５ｍ／ｓで行った。
【００５４】
以下、同様にして、表１のように移動層１と移動層２のＧｄ量組成を変えた以外は、サンプル１と同じ構成のサンプル２〜１２を作成した。
【００５５】
【表１】
2006172603.tif 000003
【００５６】
以上のようにして作製したアニールによる磁壁移動型光磁気記録媒体に対し着磁装置を用いて、全周にわたって一方向に磁化する処理を行った。このときの着磁は、外部磁界Ｈｄ＝１ＫＯｅを垂直方向にＤＣ的に印加した上で、波長λ７８０ｎｍ、スポット径５０μｍ（９０トラック分に相当）のレーザ光を照射して行った。このとき、着磁パワー１００ｍＷ、ディスク回転線速度ＬＶ＝６ｍ／ｓであった。当然、１トラックずつ光スポットを走査して、外部磁界により一方向に着磁しても本発明の効果は得られる。
【００５７】
以上のようにして作製したサンプル１の磁壁移動型光磁気記録媒体を用いて、ｄａｔａ−ｔｏ−ｄａｔａのトーンジッターσ、及び、再生信号波形のパルス幅ＰＷの記録パワー依存性の測定を行った。パルス幅ＰＷは、８０ｎｍ／ｂｉｔ、（１，７）−ＲＬＬにおける最短マーク長のトーン記録再生信号の波形の立ち上がりから次の立ち下りまでの間隔を、最短マーク長の２倍の長さを１００％とした場合の割合として求めた。ディスク回転線速度２．４ｍ／ｓ、磁界強度３００Ｏｅ、記録周波数１１．２５ＭＨｚ、光学系λ＝６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６で、マーク長０．１０７μｍ（８０ｎｍ／ｂｉｔ、（１，７）−ＲＬＬの最短マーク長に相当する）のトーン信号を記録した。情報の再生は、記録と同一の光学系で、ディスク回転線速度２．４ｍ／ｓ、レーザーパワー２．４ｍＷで行った。
【００５８】
測定結果は、図６に示すように、クロスライトする記録パワーＰ２（Ｐｗｘ）（７．４ｍＷ）以下ではパルス幅のデューティーの急激な変化は観測されず、ジッターもこのパワー範囲内では局所的な悪化は見られなかった。
【００５９】
サンプル１以外のサンプル２〜１２までについて評価した結果が、表２である。
【００６０】
ジッターσが、最も良くなるアニールパワーにおいて、クロスライトが生じる記録パワー以下で、デューティー変化があるかないかの結果である。サンプル７が従来用いていた組成で、移動層１と移動層２の積層膜の飽和磁化温度依存性は、図４に示すような特性である。それに対して、本発明の１例であるサンプル１の移動層１と移動層２の積層膜の飽和磁化温度依存性は、図５に示すような特性であった。従来に比べて広い温度範囲で磁化が小さくなっている。
【００６１】
【表２】
2006172603.tif 000004
【００６２】
（実施例２）
実施例１のサンプル１の移動層１のＧｄ量を０．１６（１６ａｔｍ％）とし、メモリ層とアシスト層の組成を表３のようにした以外は、実施例１と同じ構成のサンプル１３〜２５を作成した。
【００６３】
実施例１と同様にして評価した。結果は、表４に示すような結果であった。
（実施例３）
実施例２のメモリ層とアシスト層の膜厚をそれぞれ５０ｎｍ、２０ｎｍとした以外は、実施例２と同じ構成のサンプルを表５のように作成した。
【００６４】
実施例１と同様な評価を行った結果、デューティー変化がないのは、サンプル３８のみであった。
（実施例４）
実施例２のメモリ層とアシスト層の膜厚をそれぞれ５０ｎｍ、１０ｎｍとした以外は、実施例２と同じ構成のサンプルを表６のように作成した。
【００６５】
実施例１と同様な評価を行った結果、デューティー変化がないのは、サンプル４３〜４５、４７〜５１であった。
（実施例５）
実施例２のメモリ層とアシスト層の膜厚をそれぞれ３０ｎｍ、１０ｎｍとした以外は、実施例２と同じ構成のサンプルを表７のように作成した。
【００６６】
実施例１と同様な評価を行った結果、デューティー変化がないのは、サンプル５６、６０、６１、６４であった。
（比較例１）
実施例１において、メモリ層の厚さを１９．５及び２０nmとした以外は実施例１と同様な構成のサンプルを作成した。実施例1と同様の評価を行った結果、アシスト層の膜厚によらず短いマークが記録・保持できないため評価に値しない特性であった。
（比較例２）
実施例１において、メモリ層の厚さを５２nmとした以外は実施例１と同様な構成のサンプルを作成した。実施例1と同様の評価を行った結果、メモリ層及びアシスト層の組成を調整しても磁界感度及びジッター−が実用レベルでない特性であった。
（比較例３）
実施例１において、アシスト層の厚さを４．５nmおよび５．０nmとした以外は実施例１と同様な構成のサンプルを作成した。実施例１と同様の評価を行った結果、アシスト層の組成を調整しても実用レベルの磁界感度が得られなかった。
（比較例４）
実施例１において、アシスト層の厚さを２２nmとした以外は実施例１と同様な構成のサンプルを作成した。実施例1と同様の評価を行った結果、アシスト層の組成を調整しても実用レベルの磁界感度が得られなかった。
【００６７】
【表３】
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【００６８】
【表４】
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【００６９】
【表５】
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【００７０】
【表６】
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【００７１】
【表７】
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【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明及び従来例で用いた磁壁移動型光磁気記録媒体の模式構成図
【図２】従来の磁壁移動型光磁気記録媒体のパルス幅、及び、ジッターの記録パワー依存性を示す模式説明図
【図３】従来の磁壁移動型光磁気記録媒体のパルス幅が記録パワーによりヒステリシスを有することを示す模式図
【図４】従来例で用いていた移動層１と移動層２の積層膜の飽和磁化温度依存性
【図５】本発明で用いた移動層１と移動層２の積層膜の飽和磁化温度依存性
【図６】本発明の磁壁移動型光磁気記録媒体のパルス幅、及び、ジッターの記録パワー依存性を示す模式説明図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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