(57)【要約】【課題】絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板の評価を行う際に、基板表面に分離酸化膜や金属配線等を形成する必要が無く、半導体基板の品質を簡便にかつ短時間で精度高く評価できる方法及び半導体基板評価用素子を提供する。【解決手段】絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板を評価する方法であって、前記半導体層上にゲート酸化膜を形成し、該形成したゲート酸化膜上にゲート導電膜を形成し、該形成したゲート導電膜から、少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを形成した後、少なくとも前記絶縁破壊用電極間に位置する前記半導体層に低抵抗層を形成する工程と前記絶縁破壊用電極間に電界を印加して前記ゲート酸化膜の一部を絶縁破壊する工程とを含む工程を行い、その後、前記絶縁破壊用電極と前記評価用電極との間の前記ゲート酸化膜の電気特性を評価する半導体基板の評価方法。【選択図】図１
2006135097.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板を評価する方法であって、前記半導体層上にゲート酸化膜を形成し、該形成したゲート酸化膜上にゲート導電膜を形成し、該形成したゲート導電膜から、少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを形成した後、少なくとも前記絶縁破壊用電極間に位置する前記半導体層に低抵抗層を形成する工程と前記絶縁破壊用電極間に電界を印加して前記ゲート酸化膜の一部を絶縁破壊する工程とを含む工程を行い、その後、前記絶縁破壊用電極と前記評価用電極との間の前記ゲート酸化膜の電気特性を評価することを特徴とする半導体基板の評価方法。
【請求項２】
前記形成する低抵抗層の抵抗値を５ｋΩ以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の評価方法。
【請求項３】
前記半導体層の厚さが５μｍ以下の半導体基板を用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体基板の評価方法。
【請求項４】
前記半導体層がシリコンからなる半導体基板を評価することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板の評価方法。
【請求項５】
前記低抵抗層を熱拡散法を用いて形成することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体基板の評価方法。
【請求項６】
半導体基板評価用素子であって、絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板と、前記半導体層上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成された、導電膜からなる少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを具備し、前記半導体層は少なくとも前記絶縁破壊用電極間に低抵抗層が形成されたものであることを特徴とする半導体基板評価用素子。
【請求項７】
前記低抵抗層は、抵抗値が５ｋΩ以下のものであることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板評価用素子。
【請求項８】
前記電極は、ポリシリコンからなるものであることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体基板評価用素子。
【請求項９】
前記半導体層は、厚さが５μｍ以下のものであることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体基板評価用素子。
【請求項１０】
前記半導体層は、シリコンからなるものであることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板評価用素子。
【請求項１１】
前記ゲート酸化膜は、前記絶縁破壊用電極間に絶縁破壊部が形成されたものであることを特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれか１項に記載の半導体基板評価用素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板を評価するための基板評価用素子を作製して評価する方法及び半導体基板評価用素子に関するものであり、具体的には半導体層の電気特性評価方法及び評価用素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば集積回路として汎用的に使用されている半導体基板としてシリコン基板があるが、システムの高速化・高集積化や携帯端末の発展に伴い、半導体デバイスには高速かつ低消費電力のものがより一層求められている。このような中で、絶縁物又は絶縁層上にシリコン層が形成されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造を有するＳＯＩウェーハは、デバイスの高速化・低消費電力化に対応するものであり、しかもＳＯＩウェーハを用いれば、ＳＯＩ構造を有さないバルクウエーハ用デバイスプロセスの既設の設備や工程等をそれほど大きな変更をすることなくデバイスの作製を行なうことができることから、デバイスの高速化・低消費電力化が容易に可能になるものとして注目されている。
【０００３】
一方、ＳＯＩ構造を有さない通常のシリコン基板（バルクウェーハ）の品質評価法として、ＧＯＩ（Ｇａｔｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）法が広く一般的に用いられている。ＧＯＩ法とは、例えば図４に平面図と断面図とを示すように、評価対象となるシリコン基板１１の表面を酸化してゲート酸化膜１２を形成し、このゲート酸化膜１２上に金属電極１３（またはポリシリコン電極）を形成し、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造を有するＭＯＳキャパシタを評価用素子として作製する。こうして作製したＭＯＳキャパシタに対して、シリコン基板１１の裏面をグラウンドに接続し、シリコン基板１１が蓄積側になるように金属電極１３に電圧を印加する。例えばシリコン基板１１の導電型がＰ型の場合は、負電圧を印加することでシリコン基板１１が蓄積側となる。このように電圧を印加してゲート酸化膜１２の絶縁破壊挙動を測定する。
【０００４】
このとき、シリコン基板にＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）のような結晶欠陥ないしは不純物等が存在しなければ、ゲート酸化膜の絶縁破壊は酸化膜そのものが本来有する真性破壊特性を示す。しかし基板に結晶欠陥等が存在している場合は、本来の絶縁膜としての絶縁性は劣化するので、ゲート酸化膜の絶縁破壊特性を測定した際に酸化膜破壊電界強度が低下してしまう。従って、ゲート酸化膜１２の絶縁破壊特性を測定することによりシリコン基板１１の品質を評価できる。
【０００５】
一方、従来ＧＯＩ法によりＳＯＩウェーハを評価する場合には、例えば図５に示すように、ＳＯＩウェーハ１９は支持基板１８とシリコン層１６との間に絶縁体である埋め込み酸化膜（ＢＯＸ酸化膜）１７が存在しているために、ウェーハ裏面から電気的コンタクトを取ることができず、ウェーハ表面側に電気的コンタクトを取るためのグラウンドを別途形成しなければならない。このような問題を解決するために、図５に示すように、シリコン層１６の表面にゲート酸化膜１２’及び金属電極１３’の他に、ウエーハ表面側で電気的コンタクトを可能にするための金属配線１４及びこれらの金属配線同士を絶縁する分離酸化膜１５を形成して、ＭＯＳキャパシタを評価用素子として作製する方法が開示されている（例えば特許文献１及び非特許文献１参照）。しかし、このＭＯＳキャパシタは図４に示すバルクウェーハ評価用のＭＯＳキャパシタと比較して、非常に複雑な構造をしている。
【０００６】
また、別の解決法として、部分的にＢＯＸ酸化膜をエッチングにより除去し、このＢＯＸ酸化膜を除去した部分に、ドーパントをドープして抵抗値を低減したポリシリコン層を埋設して支持基板と電気的に接続を行い、基板裏面からも電気的コンタクトを可能とした方法があるが（特許文献２参照）、この方法においては、部分的にＢＯＸ酸化層をエッチングするという複雑な工程が必要である。
【０００７】
このように、従来、ＳＯＩウェーハのシリコン層をＧＯＩ法により評価するためのＭＯＳキャパシタの作製には長く複雑な工程が必要であり、評価完了までには長時間が掛かる。また設備的にも、バルクウェーハ評価用素子の作製に必要な装置以外に素子分離用の酸化膜（以下、層間絶縁膜という場合がある）をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などで形成するための設備や金属（主にＡｌ）配線技術等が必要になり、より簡便な評価手法が望まれている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３５９３６２号公報
【特許文献２】特開平１０−３３５４０５号公報
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖ．，Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．２，  ｐ３０７（２００１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板の評価を行う際に、基板表面に分離酸化膜や金属配線等を形成する必要が無く、半導体基板の品質を簡便にかつ短時間で精度高く評価できる方法及び半導体基板評価用素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明は、絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板を評価する方法であって、前記半導体層上にゲート酸化膜を形成し、該形成したゲート酸化膜上にゲート導電膜を形成し、該形成したゲート導電膜から、少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを形成した後、少なくとも前記絶縁破壊用電極間に位置する前記半導体層に低抵抗層を形成する工程と前記絶縁破壊用電極間に電界を印加して前記ゲート酸化膜の一部を絶縁破壊する工程とを含む工程を行い、その後、前記絶縁破壊用電極と前記評価用電極との間の前記ゲート酸化膜の電気特性を評価することを特徴とする半導体基板の評価方法を提供する（請求項１）。
【００１１】
このように、半導体基板の評価に際して、まず半導体層上にゲート酸化膜、ゲート導電膜を順次形成し、該ゲート導電膜のパターン化等により少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを形成する。そしてその後に、少なくとも絶縁破壊用電極間に位置する半導体層に低抵抗層を形成する工程と絶縁破壊用電極間に電界を印加して前記ゲート酸化膜の一部を絶縁破壊する工程とを含む工程を行い、その後、絶縁破壊用電極と評価用電極との間のゲート酸化膜の電気特性を評価する。これによって、従来行なわれていた層間絶縁膜やアルミ等の金属配線を形成するための工程及び装置、並びにパターン化に必要な工程が不要となるので、そのための設備導入や維持のためのコストが不要となり、また、評価工程が短縮されるので、低コストで迅速な評価が行なえる。さらに、半導体層に低抵抗層を形成する工程を含むことにより半導体層の抵抗率や厚さにかかわらず電極と電極の間の接続抵抗が下げられるので、精度の高い評価を行なうことができる。
なお、前記の低抵抗層を形成する工程とゲート酸化膜の一部を絶縁破壊する工程については、いずれの工程を先に行なっても本発明の効果を得ることができる。
【００１２】
この場合、前記形成する低抵抗層の抵抗値を５ｋΩ以下とすることが好ましい（請求項２）。
このように、低抵抗層の抵抗値を５ｋΩ以下とすれば、半導体層と電極との接触抵抗のみならず電極と電極との間の接続抵抗も十分小さく、複雑な工程や高価な設備を必要とすることなしに精度の高い評価をより確実に行なうことができる。尚、低抵抗層の抵抗値としては低いほうが望ましいが、あまり低くするとドーパントのドープ量が多くなりすぎて評価用素子そのものの特性に影響を与えるので、例えば１００Ω程度を下限とすることが好ましい。
【００１３】
また、前記半導体層の厚さが５μｍ以下の半導体基板を用いることができる（請求項３）。
このように、半導体層の厚さが５μｍ以下と薄く、通常は半導体層と電極との接触抵抗のみならず、電極と電極との間の接続抵抗が高くなる半導体基板を用いても、本発明の評価方法であれば低抵抗層の存在により接続抵抗を低くできるので、複雑な工程や高価な設備を必要とすることなしに精度の高い評価を行なうことができる。
【００１４】
また、前記半導体層がシリコンからなる半導体基板を評価することができる（請求項４）。
このように、半導体素子の形成に汎用的に用いられている素材であるシリコンからなる半導体層を評価できるので、この評価結果を様々な半導体素子の製品品質の調査、保証等に幅広く有効に活用することができる。
【００１５】
また、前記低抵抗層を熱拡散法を用いて形成することが好ましい（請求項５）。
このように、低抵抗層を熱拡散法を用いて形成すれば、電極外周直下の部分にもドーパントがまわり込み、電極と半導体層との接触抵抗を確実に小さくでき、かつ比較的安価でドーパントをドープして低抵抗層を形成できる。
【００１６】
また、本発明は、半導体基板評価用素子であって、絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板と、前記半導体層上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成された、導電膜からなる少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを具備し、前記半導体層は少なくとも前記絶縁破壊用電極間に低抵抗層が形成されたものであることを特徴とする半導体基板評価用素子を提供する（請求項６）。
【００１７】
このように、絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板と、前記半導体層上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成された、導電膜からなる少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極とを具備し、前記半導体層が少なくとも前記絶縁破壊用電極間に低抵抗層が形成された半導体基板評価用素子であれば、従来行なわれていた層間絶縁膜やアルミ等の金属配線の形成するための工程及び装置、並びにパターン化に必要な工程を用いずに作製できるので、そのための設備導入や維持のためのコストが不要であり、また、評価工程を短縮できるので、低コストで迅速な評価が行なえる半導体基板評価用素子となる。しかも、低抵抗層が形成されており、半導体層の抵抗率や厚さにかかわらず電極と電極の間の接続抵抗が低いので、精度の高い評価を行なうことができる半導体基板評価用素子となる。
【００１８】
この場合、前記低抵抗層は、抵抗値が５ｋΩ以下のものであることが好ましい（請求項７）。
このように、低抵抗層の抵抗値が５ｋΩ以下のものであれば、半導体と電極との接触抵抗が十分小さく、精度の高い評価を行なうことができる素子となる。尚、低抵抗層の抵抗値としては低いほうが望ましいが、あまり低くするとドーパントのドープ量が多くなりすぎて評価用素子そのものの特性に影響を与えるので、例えば１００Ω程度を下限とすることが好ましい。
【００１９】
また、前記電極は、ポリシリコンからなるものであることが好ましい（請求項８）。
このように、前記電極がポリシリコンからなるものであれば、加工が容易であり、形成しやすい電極となる。
【００２０】
また、前記半導体層は、厚さが５μｍ以下のものとできる（請求項９）。
このように、半導体層が厚さ５μｍ以下と薄く、通常は電極と電極との接続抵抗が高いものであっても、本発明の半導体基板評価用素子は低抵抗層の存在により接続抵抗が低いので、複雑な工程や高価な設備を必要とすることなしに精度の高い評価が行なえるものとなる。
【００２１】
また、前記半導体層は、シリコンからなるものであることが好ましい（請求項１０）。
このように、半導体素子製造に汎用的に用いられているシリコンからなるものであれば、この評価用素子の評価結果を様々な半導体素子の製品品質の調査、保証等に幅広く有効に活用することができる。
【００２２】
また、前記ゲート酸化膜は、前記絶縁破壊用電極間に絶縁破壊部が形成されたものであることが好ましい（請求項１１）。
このように、ゲート酸化膜が絶縁破壊用電極間に絶縁破壊部が形成されたものであれば、この絶縁破壊用電極をグラウンドに接続することにより迅速にかつ低コストで特性評価を行なうことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の評価方法によれば、絶縁物又は絶縁層上に半導体層が形成された半導体基板の評価に際して、従来行なわれていた層間絶縁膜やアルミ等の金属配線を形成するための工程及び装置、並びにパターン化に必要な工程が不要となるので、そのための設備導入や維持のためのコストが不要となり、また、評価工程が短縮されるので、低コストで迅速な評価が行なえる。さらに、半導体層に低抵抗層を形成する工程を含むことにより半導体層の抵抗率や厚さにかかわらず半導体層と電極との接触抵抗だけでなく電極と電極の間の接続抵抗も下げられるので、精度の高い評価を行なうことができる。
【００２４】
また、本発明の半導体基板評価用素子は、従来行なわれていた層間絶縁膜やアルミ等の金属配線を形成するための工程及び装置、並びにパターン化に必要な工程を用いずに作製できるので、そのための設備導入や維持のためのコストが不要であり、また、評価工程が短縮されるので、低コストで迅速な評価が行える半導体基板評価用素子となる。しかも、低抵抗層が形成されており、半導体層の抵抗率や厚さにかかわらず半導体層と電極との接触抵抗だけでなく電極と電極の間の接続抵抗も低いので、精度の高い評価を行なうことができる半導体基板評価用素子となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明について詳述する。
前述したように、例えばＳＯＩウェーハのシリコン層をＧＯＩ法で評価するためのＭＯＳキャパシタの作製には長く複雑な工程が必要になり、評価完了までには長時間が掛かる。また設備的にもバルクウェーハ評価用素子の作製に必要な装置以外にも、素子分離用の層間絶縁膜を形成するためのＣＶＤ法の設備や金属配線技術等が必要になる。また別の方法では部分的にＢＯＸ酸化層をエッチングするという複雑な工程が必要である。従ってより簡便な評価手法が望まれている。
【００２６】
そこで本発明者らは、より簡便であり、かつ低コストで迅速な評価方法として、ＳＯＩウェーハにＭＯＳキャパシタを作製した後、隣接する２つのＭＯＳキャパシタの電極間に電界を印加してゲート酸化膜の一部に絶縁破壊を起こした後、この電極の一方をグラウンドに接続し、もう一方の電極と絶縁破壊に用いなかった他のＭＯＳキャパシタの電極との間でゲート酸化膜の電気特性を評価する方法に想到した。
【００２７】
本発明者らがこの方法に関してさらに検討を行なったところ、上記方法では、シリコン層と電極との接触抵抗のみならず電極と電極との間の接続抵抗が大きくなって評価が正しく行なえない場合があることを見出した。例えば、シリコン層の厚さが５μｍ以下のＳＯＩウェーハを評価する際に、ＢＯＸ酸化膜による影響が大きくなるためかシリコン層と電極との接触抵抗のみならず電極と電極との間の接続抵抗が大きくなって精度の高い評価が行なえない場合等があった。
そこで本発明者らは、上記方法において、ＳＯＩウェーハにＭＯＳキャパシタを作製した後にさらに、絶縁破壊を起こす工程の前又は後に、少なくとも絶縁破壊を起こす電極間に位置する半導体層に低抵抗層を形成する工程を施せば、半導体層の厚さやその抵抗率にかかわらず接続抵抗を低くでき、精度の高い評価を行なえることに想到し、本発明を完成させた。
【００２８】
以下では、本発明の実施の形態について、添付した図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１は本発明に従う半導体基板評価用素子の一例を、半導体層がシリコン層（ＳＯＩ層）であるＳＯＩウェーハを用いる場合について示した断面概略説明図である。この半導体基板評価用素子１は、支持基板２のＢＯＸ酸化膜３上にＳＯＩ層４が形成されたＳＯＩウェーハ５と、ＳＯＩウェーハ５上に形成されたゲート酸化膜６と、ゲート酸化膜６の上に形成された、隣接する２つの絶縁破壊用電極７ａ、７ｂと１つの評価用電極８とを少なくとも具備し、ＳＯＩ層４は少なくとも絶縁破壊用電極７ａ、７ｂの間に低抵抗層９が形成されたものである。ここで絶縁破壊用電極とは、ウェーハの評価前にゲート酸化膜の一部を絶縁破壊するための電界を印加するために用いる電極であり、評価用電極とは、ウェーハの評価の際に評価用の電界を印加するために用いる電極である。評価用電極８と一方の絶縁破壊用電極、例えば絶縁破壊用電極７ａには評価用の端子１０ａ、１０ｂが接続され、もう一方の絶縁破壊用電極７ｂはグラウンドと接続される。また絶縁破壊用電極７ｂを評価用端子１０ｂに接続して、絶縁破壊用電極７ａをグラウンドと接続してもよい。低抵抗層９は絶縁破壊用電極７ａ、７ｂの間以外の場所、例えば図１のように絶縁破壊用電極７ｂと評価用電極８との間にも形成されてもよい。絶縁破壊用電極は互いに隣接していれば３つ以上形成されてもよいし、評価用電極も２つ以上形成されてもよい。また、このように半導体素子製造用に汎用的に用いられている素材であるシリコンからなる半導体層を評価できるので、この評価用素子の評価結果を様々な半導体素子の製品品質の調査、保証等に幅広く有効に活用することができる。
【００２９】
低抵抗層９は抵抗値が５ｋΩ以下のものであれば、ＳＯＩ層４と電極７ａ、７ｂ、８との間の接触抵抗が十分小さく、又、絶縁破壊用電極（７ａ、７ｂ）間や評価用電極（８、７ａ）間の接続抵抗も十分小さく、精度の高い評価を行なうことができる素子となる。尚、低抵抗層の抵抗値としてはより低いほうが望ましいが、あまり低くするとドーパントのドープ量が多くなりすぎて評価用素子そのものの特性に影響を与えるので、例えば１００Ω程度を下限とすることが好ましい。
【００３０】
電極７ａ、７ｂ、８は導電膜からなるものであれば特に限定されないが、ポリシリコンからなるものであれば、加工が容易なものとなり、形成しやすい電極となる。
また、ＳＯＩ層４は厚さ５μｍ以下のものとできる。ＳＯＩ層等の半導体層が厚さ５μｍ以下と薄ければ、通常はＢＯＸ酸化膜の影響等により接触抵抗・接続抵抗の高いものとなるが、本発明の半導体基板評価用素子は低抵抗層が形成されており接触抵抗・接続抵抗が低いので、複雑な工程や高価な設備を必要とすることなしに精度の高い評価が行なえるものとなる。
【００３１】
この半導体基板評価用素子１を用いてＳＯＩ層４の評価をする際には、絶縁破壊用電極７ａ、７ｂに電界を印加して電極間のゲート酸化膜の一部を絶縁破壊して図示しない絶縁破壊部を形成されたものとする。こうして絶縁破壊部が形成された素子は、高価な設備や複雑な工程を用いて層間絶縁膜や金属配線を形成しなくても電気的コンタクトが容易に得られるものとなり、迅速にかつ低コストで特性評価を行なうことができる。
【００３２】
次にこのような半導体基板評価用素子を作製してＳＯＩウェーハを評価する方法を説明する。図２（Ａ）〜（Ｆ）は本発明に従うＳＯＩウェーハの評価方法の一例を示す工程図である。
【００３３】
まず、前工程としてＳＯＩウェーハを準備する。このように半導体層がシリコンからなるＳＯＩウェーハを評価できるので、この評価結果を様々な半導体素子の製品品質の調査、保証等に幅広く有効に活用することができる。また、ＳＯＩウェーハについては特に限定されないが、ＳＯＩ層の厚さが５μｍ以下のＳＯＩウェーハを評価するのに用いることができる。このように、厚さが５μｍ以下と薄く、通常はＢＯＸ酸化膜の影響等により電極との接触抵抗・接続抵抗が高くなるＳＯＩウェーハを用いても、本発明の評価方法であれば接触抵抗・接続抵抗を低くできるので、複雑な工程や高価な設備を必要とすることなしに精度の高い評価を行なうことができる。特に近年ＳＯＩ層の厚さはより薄膜化しており、本発明は１μｍ以下といった薄いＳＯＩ層の評価に特に有効である。
【００３４】
次に、図２（Ａ）に示すように、ＳＯＩウェーハを熱酸化等の通常の方法で酸化処理してＳＯＩ層上にゲート酸化膜６を形成する。ゲート酸化膜の厚さは特に限定されず、通常２５ｎｍであるが、特にＳＯＩ層の厚さが１００ｎｍ以下の場合はゲート酸化膜の厚さは８ｎｍ程度である。
次に、図２（Ｂ）に示すように、ゲート酸化膜上にゲート導電膜を形成する。このゲート導電膜は一般にポリシリコン膜が用いられ、例えばＣＶＤ法を用いて堆積される。このポリシリコン膜には抵抗値を下げる為に一般にリンがドープされる。リンのドープ方法は特に限定されず、ポリシリコン膜の堆積後に熱拡散法等により行なってもよいが、ポリシリコン膜の堆積時に同時にリンもドープするＤｏｐｅｄ  Ｐｏｌｙ−Ｓｉ法を用いることができる。
【００３５】
次に図２（Ｃ）に示すように、このポリシリコン膜からフォトリソグラフィ技術とエッチングとにより電極のパターンを形成する。このとき、少なくとも隣接する２つの絶縁破壊用電極７ａ、７ｂと１つの評価用電極８とを形成する。こうしてＳＯＩ層上にゲート酸化膜とポリシリコン電極が順次積層されたＭＯＳ構造を有するＭＯＳキャパシタが複数形成される。
【００３６】
次に図２（Ｄ）に示すように、形成した電極をマスクとして、少なくとも絶縁破壊用電極間に位置するＳＯＩ層にドーパントをドープして低抵抗層を形成する。この場合、低抵抗層の抵抗値を５ｋΩ以下とすれば、ＳＯＩ層と電極との接触抵抗が十分小さく、電極と電極との間の接続抵抗も十分小さく、複雑な工程や高価な設備を必要とすることなしに精度の高い評価をより確実に行なうことができる。尚、低抵抗層の抵抗値としては、例えば１００Ω程度を下限とすることが好ましい。低抵抗層の形成方法には特に限定はないが、例えばリンガラス（ＰＯＣｌ３）をウェーハ表面に堆積し、窒素ガス雰囲気下でアニールする熱拡散法で行なえば、例えばイオン注入法で行なうよりも安価で生産性も高く好ましい。
尚、ＭＯＳキャパシタ間にはゲート酸化膜が形成されているが、薄い酸化膜であるので、その上にリンガラスを堆積しても十分にＳＯＩ層にドーパントを拡散することが可能である。
【００３７】
ドーパントの拡散後、堆積したリンガラスを例えば２．５％のＨＦ水溶液で除去する。このとき、精度の高い測定を行なうために、電極周辺のゲート酸化膜をエッチングしないように注意が必要である。
【００３８】
次に、図２（Ｅ）に示すように、隣接する２つの絶縁破壊用電極７ａ、７ｂの間に電界を印加してゲート酸化膜６の一部を絶縁破壊して、電気的コンタクトを取る。この電界の印加はゲート酸化膜の一部が絶縁破壊できるものであれば特に限定されず、一定の電圧又は電流をゲート酸化膜の一部が破壊するまで印加する方法を用いれば良い。このコンタクト抵抗は十分下げる必要があり、できるだけ高い電気ストレスを印加した方がより好ましい。そしてこの２つの電極間の抵抗が１ｋΩ以下となるように電気ストレスを印加することが好ましい。このように抵抗を１ｋΩ以下とすることで測定へ与える影響を低減できる。
なお、図２（Ｄ）に示す低抵抗層を形成する工程と、図２（Ｅ）に示すゲート酸化膜を絶縁破壊する工程はいずれを先に行なってもよい。
【００３９】
次に、図２（Ｆ）に示すように、絶縁破壊用電極と評価用電極との間のゲート酸化膜の電気特性を評価する。この評価は、絶縁破壊したＭＯＳキャパシタの一つと、未破壊のＭＯＳキャパシタを用いてＧＯＩ測定を行なうものである。既に破壊したＭＯＳキャパシタは抵抗が十分に低下できており、このＭＯＳキャパシタの一方の電極をグラウンドに接続して精度の高い測定が可能になる。なおＰ型ウェーハの場合は、ウェーハ表面側に正電荷、すなわち空乏、反転側になるように電圧を印加する。
【００４０】
以上説明した評価方法により、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層の品質を精度よく評価できる。しかも、従来行なわれていた層間絶縁膜やアルミ等の金属配線を形成するための工程及び装置、並びにパターン化に必要な工程を不要にできるので、そのための設備導入や維持のためのコストが不要であり、また、評価工程が短縮されるので、低コストで迅速な評価を行なうことができる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明がこれに限定されないことは言うまでもない。
（実施例）
特性評価用試料として、導電型がＰ型で直径２００ｍｍの貼り合わせＳＯＩウェーハを用いた。なお、このＰ型ウェーハのドーパントはボロンである。このときのＳＯＩ層の厚さは７０ｎｍ、ＢＯＸ酸化膜の厚さは１４５ｎｍであった。
【００４２】
次に、このＳＯＩウェーハに９００℃の乾燥酸素雰囲気中でおよそ１０分間の熱酸化処理を行なってＳＯＩ層上に厚さ８ｎｍのゲート酸化膜を形成し、このゲート酸化膜上にＣＶＤ法によりリンをドープしたポリシリコン層を堆積した。この際のポリシリコン層の厚さはおよそ３００ｎｍとし、リンドープ量はシート抵抗にして２５Ω／□程度となるようにした。
【００４３】
次にこのポリシリコン層にフォトリソグラフィを行なった後、フッ硝酸を用いてウェットエッチングを行い、隣接する２つの絶縁破壊用電極と１つの評価用電極を形成し、ＭＯＳキャパシタを作製した。いずれの電極も電極面積を８ｍｍ２とした。そしてＳＯＩウェーハの裏面に形成されている酸化膜を除去するために、ＳＯＩウェーハの表面側のゲート酸化膜及び電極にレジストを塗布して保護し、ウェーハ裏面に希ＨＦ水溶液によるウェットエッチングにて裏面処理を行った。
【００４４】
この後、ＳＯＩウェーハ表面にリンガラスの堆積を７５０℃で３０分間行い、引き続き窒素ガス雰囲気下１０００℃にて１時間アニールを行い、ＳＯＩ層にリンの熱拡散を行なって低抵抗層を形成した。形成した低抵抗層の抵抗値は約５００Ωであった。
次に、２．５％のＨＦ水溶液を用いて堆積したリンガラスを除去した。このときのエッチングレートは０．３ｎｍ／ｓｅｃであり、電極周辺のゲート酸化膜はエッチングされないようにモニタウェーハを用いて注意深くエッチングを行った。
【００４５】
次に、フルオートプローバに接続したテスタを用いて、絶縁破壊用電極間にストレス電流を印加してゲート酸化膜の絶縁破壊を行なった。ストレス電流は５０ｍＡで一定とし、印加時間は３秒であった。また、いずれの電極も電極面積は８ｍｍ２であり、電極間の抵抗は約４００Ωであった。尚、プローバ及び配線はノイズ対策を施したものを使用した。
【００４６】
最後に、絶縁破壊用電極の一方をグラウンドに接続し、評価用電極と絶縁破壊用電極のもう一方との間に電圧を印加し、ＳＯＩ層をＧＯＩ法により評価した。このときの電圧の印加は、電圧ランプアップ法を用いたが、そのときの印加条件は、アベレージング時間が２０ｍｓｅｃ、ステップ電圧高さは０．２５ＭＶ／ｃｍであり、電圧ステップ上昇後のアベレージング時間は２００ｍｓｅｃとした。
このような測定を、同一条件で作製した１６枚のＳＯＩウェーハに行なった。このとき得られたＩ−Ｖ特性のグラフを図３に示す。いずれのウェーハのＩ−Ｖ特性曲線もほぼ一致しており、精度の高い特性評価が行なわれていることが確認された。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
例えば、上記実施例ではＳＯＩウェーハについて説明したが、その他の絶縁体上に半導体層が形成された半導体基板、例えばＳＧＯＩ（ＳｉＧｅ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハやＧＯＩ（Ｇｅ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハ等であっても本発明の評価方法及び評価素子を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に従う半導体基板評価用素子の一例を、半導体層がシリコン層（ＳＯＩ層）であるＳＯＩウェーハを用いる場合について示した断面概略説明図である。
【図２】本発明に従うＳＯＩウェーハの評価方法の一例を示す工程図である。
【図３】実施例におけるＳＯＩウェーハのＩ−Ｖ特性を示すグラブである。
【図４】ＧＯＩ法を説明する説明概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図を示す。
【図５】従来ＧＯＩ法によりＳＯＩウェーハを評価する方法を説明する断面概略図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…半導体基板評価用素子、  ２…支持基板、  ３…ＢＯＸ酸化膜、  ４…ＳＯＩ層、
５…ＳＯＩウェーハ、  ６…ゲート酸化膜、  ７ａ、７ｂ…絶縁破壊用電極、
８…評価用電極、  ９…低抵抗層、  １０ａ、１０ｂ…評価用端子、
１１…シリコン基板、  １２、１２’…ゲート酸化膜、  １３、１３’…金属電極、
１４…金属配線、  １５…分離酸化膜、  １６…シリコン層、
１７…埋め込み酸化膜（ＢＯＸ酸化膜）、  １８…支持基板、
１９…ＳＯＩウェーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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