(57)【要約】【課題】  基板の表面へ配線となる微細なパターンが形成できるパターン形成方法、配線形成方法、半導体装置、ＴＦＴデバイス、電気光学装置および電子機器を提供する。【解決手段】  液滴吐出装置４０を用いて形成するＴＦＴ１のゲート配線３およびゲート電極５は、Ｍｎからなるゲート中間層１０と、Ａｇからなるゲート導電層１１と、Ｎｉからなるゲート被覆層１２とを有する。配線の形成工程は、ＴＦＴ基板２との密着性を有し、且つゲート導電層１１を形成する液滴３２に対して親液性を有する中間層を設けるために、ゲート配線領域３ａおよびゲート電極領域５ａに対して中間層形成機能液の液滴３１を吐出する工程と、ゲート中間層１０に重ねてゲート導電層１１を形成するために、ゲート配線領域３ａに対して液滴３２を吐出する工程と、液滴３２をゲート中間層１０との親液性によってゲート電極領域５ａへ自己流動させる工程とを有することを特徴とする。【選択図】      図５
2006114527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴吐出装置を用いて機能液の液滴を吐出する方法により、基板表面に機能層のパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記パターンが形成されるパターン領域は境界層によって縁取られていて、第一の領域と、前記第一の領域に連続し前記第一の領域より狭い幅を有する第二の領域とを有しており、
前記第一の領域および前記第二の領域に、前記基板との密着性を有すると共に前記機能液に対して親液性を有する中間層を形成する工程と、
前記第一の領域に対して前記機能液の液滴を吐出する工程と、
前記第一の領域へ吐出された前記機能液の液滴を、前記中間層との親液性によって前記第二の領域へ自己流動させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
液滴吐出装置を用いて機能液の液滴を吐出する方法により、基板表面に導電性機能液によって形成される導電層を含む配線を形成する配線形成方法であって、
前記配線が形成される領域は境界層によって縁取られていて、第一の領域と、前記第一の領域に連続し前記第一の領域より狭い幅を有する第二の領域とを有しており、
前記第一の領域および前記第二の領域に、前記基板との密着性を有すると共に前記導電性機能液に対して親液性を有する中間層を形成する工程と、
前記第一の領域に対して前記導電性機能液の液滴を吐出する工程と、
前記第一の領域へ吐出された前記導電性機能液の液滴を、前記中間層との親液性によって前記第二の領域へ自己流動させる工程と、
前記導電層の全面を覆うように被覆層を形成する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線形成方法において、
前記中間層を形成する工程は、前記基板との密着性を有すると共に前記導電性機能液に対して親液性を有する中間層形成機能液の液滴を、前記第一の領域および前記第二の領域に対して吐出する工程であることを特徴とする配線形成方法。
【請求項４】
請求項２に記載の配線形成方法において、
前記被覆層を形成する工程は、前記第一の領域に対して被覆層形成機能液の液滴を吐出する工程と、
前記第一の領域へ吐出された前記被覆層形成機能液の液滴を、前記導電層との親液性によって前記第二の領域へ自己流動させる工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか一項に記載の配線形成方法において、
前記中間層に対する前記導電性機能液の液滴の接触角および前記導電層に対する前記被覆層形成機能液の液滴の接触角は、それぞれ２０度以下であることを特徴とする配線形成方法。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか一項に記載の配線形成方法において、
前記液滴に対して、前記基板は親液性を有し、前記境界層は撥液性を有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項７】
請求項２から６のいずれか一項に記載の配線形成方法において、
前記導電性材料液の液滴は、銀または銀の合金の微粒子を含有していることを特徴とする配線形成方法。
【請求項８】
請求項３から７のいずれか一項に記載の配線形成方法において、
前記中間層形成機能液の液滴はマンガンまたはマンガンの合金の微粒子を含有していることを特徴とする配線形成方法。
【請求項９】
請求項４から８のいずれか一項に記載の配線形成方法において、
前記被覆層形成機能液の液滴は、ニッケルまたはニッケルの合金の微粒子を含有していることを特徴とする配線形成方法。
【請求項１０】
請求項２から９のいずれか一項に記載の配線形成方法において、
前記液滴は前記液滴吐出装置からそれぞれ吐出された後、少なくとも乾燥あるいは焼成されてそれぞれが対応する中間層、導電層、被覆層を形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項１１】
請求項２から１０のいずれか一項に記載の配線形成方法で形成された配線を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項２から１０のいずれか一項に記載の配線形成方法で形成された配線を有するＴＦＴデバイスであって、
前記ＴＦＴデバイスのゲート配線領域は前記第一の領域であり、
ゲート電極領域は前記第二の領域であることを特徴とするＴＦＴデバイス。
【請求項１３】
請求項２から１０のいずれか一項に記載の配線形成方法で形成された配線を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載のＴＦＴデバイスを搭載したことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出方式により微細なパターンを形成するパターン形成方法、配線形成方法、半導体装置、ＴＦＴデバイス、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液滴吐出方式によって、基板の表面に対して密着性を有し、且つ細線化された配線を形成する方法として、特許文献１に開示されている方法がある。この方法によれば、基板へ導電性機能液を吐出して配線を形成する前に、まず、基板の表面を撥液化処理する。次いで、基板の表面へ、基板および導電性機能液に対して密着性を有する中間層を形成するための材料液を吐出する。材料液は、基板が撥液性のため、吐出後の広がりを抑えることができ、細線の形成が可能である。こうして形成された中間層の上に導電性機能液を吐出すれば、基板との密着性の良い細線の配線が形成できる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３１５８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の技術では、基板の撥液性によって材料液の広がりを抑えて、配線の細線化を図っている。そのため、さらなる細線化を図るために、基板の撥液性を高めると、材料液と基板との密着性が低下する。また、基板の撥液性に頼った配線の形成は、細線化に限界があるとともに、配線幅のバラツキを抑えた形成が困難である。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされており、基板の表面へ配線となるより微細なパターンが形成できるパターン形成方法、配線形成方法、半導体装置、ＴＦＴデバイス、電気光学装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のパターン形成方法は、液滴吐出装置を用いて機能液の液滴を吐出する方法により、基板表面に機能層のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記パターンが形成されるパターン領域は境界層によって縁取られていて、第一の領域と、前記第一の領域に連続し前記第一の領域より狭い幅を有する第二の領域とを有しており、前記第一の領域および前記第二の領域に、前記基板との密着性を有すると共に前記機能液に対して親液性を有する中間層を形成する工程と、前記第一の領域に対して前記機能液の液滴を吐出する工程と、前記第一の領域へ吐出された前記機能液の液滴を、前記中間層との親液性によって前記第二の領域へ自己流動させる工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
このパターン形成方法によれば、基板表面に境界層によって形成されている第一の領域と、第一の領域に連続し第一の領域より幅の狭い第二の領域とへ、機能層を形成するために、まず、基板との密着性を有し、且つ機能層を形成する機能液に対して親液性を有する中間層を形成する。次に、液滴吐出装置を用いて、中間層に重ねて、機能液の液滴を第二の領域に連続する第一の領域部分に対してのみ吐出し、第二の領域へは機能液を吐出しない。第一領域へ吐出された機能液の液滴は、中間層との親液性により第一の領域から第二の領域へ濡れ広がる。従って、第二の領域へ機能液の液滴を吐出することなく、細い幅の第二の領域へ機能液を自己流動させて機能層を形成できる。このように、第二の領域のような狭い幅を有し、第二の領域の幅より小さな液滴の吐出が困難な領域に対して、直接、液滴を吐出せずに機能層を形成できる有効なパターン形成方法である。通常、第二の領域へ大きな径の機能液の液滴を吐出すると、境界層へ液滴が掛かって機能液の残渣が生じやすい。このような機能液の残渣は、他層へ拡散して機能不良等を生じさせる場合があり、残渣であっても所定領域以外に残らないようにする必要がある。本発明のパターン形成方法は、このような場合に有効な機能層の形成方法である。一方、中間層は、機能層との密着性および親液性を考慮すればよく、拡散等が生じない材料の選択ができ、境界層へ残渣が残っても機能等への影響がない。従って、種々の形成方法が適用できる。
【０００８】
本発明の配線形成方法は、液滴吐出装置を用いて機能液の液滴を吐出する方法により、基板表面に導電性機能液によって形成される導電層を含む配線を形成する配線形成方法であって、前記配線が形成される領域は境界層によって縁取られていて、第一の領域と、前記第一の領域に連続し前記第一の領域より狭い幅を有する第二の領域とを有しており、前記第一の領域および前記第二の領域に、前記基板との密着性を有すると共に前記導電性機能液に対して親液性を有する中間層を形成する工程と、前記第一の領域に対して前記導電性機能液の液滴を吐出する工程と、前記第一の領域へ吐出された前記導電性機能液の液滴を、前記中間層との親液性によって前記第二の領域へ自己流動させる工程と、前記導電層の全面を覆うように被覆層を形成する工程とを有することを特徴とする。また、望ましい前記中間層を形成する工程は、前記基板との密着性を有すると共に前記導電性機能液に対して親液性を有する中間層形成機能液の液滴を、前記第一の領域および前記第二の領域に対して吐出する工程であり、望ましい前記被覆層を形成する工程は、前記第一の領域に対して被覆層形成機能液の液滴を吐出する工程と、前記第一の領域へ吐出された前記被覆層形成機能液の液滴を、前記導電層との親液性によって前記第二の領域へ自己流動させる工程とを有することを特徴とする。
【０００９】
この配線形成方法によれば、基板表面に境界層によって形成されている第一の領域と、第一の領域に連続し第一の領域より幅の狭い第二の領域とへ、導電性の導電層を含む配線を形成するために、まず、基板との密着性を有し、且つ導電層を形成する導電性機能液に対して親液性を有する中間層を形成する。中間層は、基板表面の第一の領域および第二の領域へ、液滴吐出装置によって中間層形成機能液の液滴を吐出して形成されることが望ましい。次に、中間層に重ねて、導電性機能液の液滴を、第二の領域に連続する第一の領域部分に対して吐出し、第二の領域へは、導電性機能液を吐出しない。第一の領域へ吐出された導電性機能液の液滴は、中間層との親液性により第二の領域へ濡れ広がる。第二の領域へ導電性機能液の液滴を吐出することなく、細い幅の第二の領域へ液滴を自己流動させて、導電層を形成することができる。このように、第二の領域のような狭い幅を有し、第二の領域の幅より小さな液滴の吐出が困難な領域に対して、直接、液滴を吐出することなく、導電層を形成できる配線形成方法である。そして、導電層にさらに重ねて被覆層を形成する望ましい方法として、導電層との密着性を有し、且つ導電層に対して親液性を有する被覆層形成機能液の液滴を、液滴吐出装置によって吐出する。被覆層形成機能液の液滴は、導電性機能液の液滴と同様に、第二の領域に連続する第一の領域部分に対して吐出される。このとき、第二の領域へは被覆層形成機能液が吐出されないが、第一の領域へ吐出された被覆層形成機能液の液滴は、導電層との親液性により第二の領域へも濡れ広がり被覆層を形成する。このように、導電層と同様に被覆層を形成することができる。通常、第二の領域へ大きな径の導電性機能液の液滴を吐出すると、境界層へ液滴が掛かって導電性機能液の残渣が生じやすい。このような導電性の残渣は、他層へ拡散して機能不良等を生じさせる場合があり、残渣であっても所定領域以外に残らないようにする必要がある。一方、中間層は、導電性を考慮することなく拡散等を生じさせない材料の選択ができ、境界層へ残渣が残っても機能等への影響がない。さらに、被覆層が導電層を覆うことにより導電層の保護および導電層のさらなる拡散防止が図れる。
【００１０】
この場合、前記中間層に対する前記導電性機能液の液滴の接触角および前記導電層に対する前記被覆層形成機能液の液滴の接触角は、それぞれ２０度以下であることことが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、導電性機能液および被覆層形成機能液は、第一の領域にのみ吐出され、吐出後にそれぞれ中間層および導電層の上を濡れ広がり、第二の領域まで広がる。導電性機能液および被覆層形成機能液が、第一の領域から第二の領域まで確実に濡れ広がるためには、それぞれの中間層および導電層に対する接触角が２０度以下であれば良い。このような組み合わせを選択することにより、液滴の吐出が困難な細い領域に対しても、所定領域にのみ中間層および被覆層を形成できる。
【００１２】
この場合、前記液滴に対して、前記基板は親液性を有し、前記境界層は撥液性を有することが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、特に中間層を形成する際に、中間層形成機能液の液滴が境界層の部分へかかって吐出された場合でも、液滴は基板の親液性により基盤側へ引き寄せられ、さらに、境界層の撥液性により境界層に残渣として残り難くなる。
【００１４】
この場合、前記中間層形成機能液の液滴はマンガンまたはマンガンの合金の微粒子を含有していることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、中間層形成機能液の液滴は、マンガンまたはマンガンの合金の微粒子を含有している。マンガンまたはマンガンの合金によって形成される中間層は、基板に使用されるガラス等との密着性を有し、且つ導電性機能液の液滴に対して親液性を有する特性を有する。導電性機能液の液滴は、中間層へ吐出されると、中間層との親液性により、中間層の表面を広く濡れ広がることができ、中間層と密着性の良い導電層を形成する。このように、マンガンまたはマンガンの合金は、基板に対して密着性の劣る導電層であっても、基板表面へ間接的に密着性良く形成するための中間層として適している。さらに、マンガンまたはマンガンの合金は、いわゆるキャップメタルとしての特性を有し、基板表面の多少の残渣等をキャップして、残渣による基板不良を防止できる。
【００１６】
この場合、前記導電性材料液の液滴は、銀または銀の合金の微粒子を含有していることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、導電層を形成する導電材料として、銀または銀の合金を用いる。銀または銀の合金の微粒子を含有する液滴は、液の取り扱いおよび液滴吐出が容易であり、しかも比較的低温で焼成等ができるため、液滴吐出法を利用して導電層を形成するには、望ましい材料である。
【００１８】
この場合、前記被覆層形成機能液の液滴は、ニッケルまたはニッケルの合金の微粒子を含有していることが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、導電層を形成する銀または銀の合金は、導電層に接して形成される窒化シリコン（ＳｉＮ）などの材料と拡散等の反応を生じることがある。このような反応を防ぐために、導電層を覆うように被覆層を形成する。被覆層は、特性の安定したニッケルまたはニッケルの合金によって形成されるのが好ましい。
【００２０】
この場合、前記液滴は前記液滴吐出装置からそれぞれ吐出された後、少なくとも乾燥あるいは焼成されてそれぞれが対応する中間層、導電層、被覆層を形成することが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、液滴吐出装置から吐出された液滴は、吐出された基板、中間層あるいは導電層の表面でそれぞれ液状の層をなし、これら液状の層を乾燥、焼成の両工程あるいはどちらかを実施して中間層、導電層、被覆層を形成する。具体的には、液状の層からマンガン、銀、ニッケルあるいはそれらの合金の微粒子を分散する分散媒を除去して、マンガン、銀、ニッケルあるいはそれらの合金である中間層、導電層、被覆層を形成する。
【００２２】
本発明の半導体装置は、本発明の配線形成方法で形成された配線を有することを特徴とする。
【００２３】
この半導体装置によれば、本発明の配線形成方法による配線を用いることにより、より小型化、高密度化が図れ、コンパクトで高性能な半導体装置を提供できる。
【００２４】
本発明のＴＦＴデバイスは、本発明の配線形成方法を用いて形成され、前記ＴＦＴデバイスのゲート配線領域は前記第一の領域であり、ゲート電極領域は前記第二の領域であることを特徴とする。
【００２５】
このＴＦＴデバイスによれば、ＴＦＴデバイスのゲート配線とゲート電極とが形成される各領域は、それぞれ本発明の配線形成方法によって形成される第一の領域と第二の領域とに相当する。幅の狭いゲート電極は、第二の領域に中間層、導電層、被覆層の３層からなる配線を形成する方法と同様な方法で、ＴＦＴ基板の表面に形成される。従って、ＴＦＴデバイスのゲート電極が微小幅であっても、中間層、導電層、被覆層をゲート電極へ効率良く形成できる。
【００２６】
本発明の電気光学装置は、本発明の配線形成方法によって形成された配線、半導体装置あるいはＴＦＴデバイスを用いたことを特徴とする。
【００２７】
この電気光学装置によれば、本発明の配線形成方法によって形成された微細な配線および高密度な半導体装置を用いて高精度な実装が可能である。また、ＴＦＴデバイスに配線形成方法を適用すれば、幅の狭いゲート電極を容易に形成できる。これらの微細な配線、半導体装置およびＴＦＴデバイスを用いた電気光学装置は、基盤との密着性を有し配線不良が起き難く、しかも小型化が可能である。なお、電気光学装置としては、液晶表示装置などが挙げられる。
【００２８】
本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を搭載したことを特徴とする。
【００２９】
この電子機器によれば、信頼性の高い配線、半導体装置およびＴＦＴデバイスで構成される電気光学装置を搭載しており、高品質な電子機器を提供できる。電子機器としては、携帯電話、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、電子時計などが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（実施形態）
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態では、半導体装置としてのＴＦＴ（Thin  Film  Transistor薄膜トランジスタ）デバイスの製造における配線形成を例に説明する。この場合、配線のパターン形成は、液滴吐出法により、液滴吐出ヘッドからパターン形成用の導電性機能液（機能液）等の液滴を吐出して、基板上に形成される。
【００３１】
図１は、ＴＦＴ（ＴＦＴデバイス）が形成されるＴＦＴ基板の概略構成を示す平面図である。図１に示すように、ＴＦＴ１を有するＴＦＴ基板２の表面には、配線のパターンであるゲート配線３と、ソース配線４とが、それぞれ碁盤の目のように配置されている。ゲート配線３は、Ｘ軸方向に延在して形成されており、その側部からＹ軸方向に延びるようにゲート電極５が形成されている。なお、ゲート電極５は、袋小路状になっていて、その幅Ｗ１は、ゲート配線３の幅Ｗ２よりも狭くなっている。また、Ｙ軸方向に延びるように形成されたソース配線４の側部から、Ｘ軸方向へ延びるソース電極６が、袋小路状に形成されている。ソース電極６は、その一部がゲート電極５と平面的に重なるように形成されている。さらに、ゲート電極５の幅Ｗ１の中心を通るＹ軸線に対して、ソース電極６と対称にドレイン電極７が形成され、ドレイン電極７に電気的に接続して画素電極８が形成されている。このような構成の配線のうち、特にゲート配線３と連続する微小な幅Ｗ１のゲート電極５が、本実施形態の配線形成方法で効果的に形成される。
【００３２】
次に、ＴＦＴ１の構成について説明する。図２は、ＴＦＴの構成を示す断面図である。図２は、図１におけるＴＦＴ１のＡ−Ａ’断面であり、ＴＦＴ基板２の表面にゲート電極５と、ソース配線４と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、画素電極８とが積層されている部分を表している。
【００３３】
ＴＦＴ１の構成は、まず、ＴＦＴ基板２の表面に形成されている一層目バンク（境界層）９と、一層目バンク９によって形成されている袋小路状の溝部に設けられているゲート電極５とを有する。ゲート電極５は、Ｍｎ（マンガン）あるいはＭｎの合金からなるゲート中間層１０と、Ａｇ（銀）あるいはＡｇの合金からなり信号を伝達するゲート導電層１１と、Ｎｉ（ニッケル）あるいはＮｉの合金からなるゲート被覆層１２とを有する。ゲート電極５の各層は、それぞれゲート配線３と連続して形成されている。そして、ゲート電極５および一層目バンク９の上を覆ってゲート絶縁層１３が形成されている。ゲート絶縁層１３は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる。以降の記載では、Ｍｎ、ＡｇおよびＮｉの表記は、それぞれの合金を包含した意味を有する。
【００３４】
ゲート中間層１０を形成するＭｎは、ＴＦＴ基板２およびゲート導電層１１を形成するＡｇとの密着性を有し、且つＡｇを含有する液滴に対して親液性を有する。従って、液滴吐出法により吐出されるＡｇを含有する液滴は、ゲート中間層１０との親液性により、ゲート中間層１０の面を覆うように濡れ広がりやすい。同様に、ゲート被覆層１２を形成するＮｉを含有する液滴は、ゲート導電層１１との親液性により、ゲート導電層１１の面を覆うように濡れ広がる。また、ゲート中間層１０を形成するＭｎは、ゲート導電層１１、ゲート被覆層１２およびゲート絶縁層１３と拡散等をせず、拡散等に起因するＴＦＴ１の機能低下を生じさせることがない。
【００３５】
一方、ゲート導電層１１を形成するＡｇは、ＳｉＮと拡散する。そのため、ＳｉＮで形成されているゲート絶縁層１３とゲート導電層１１とを隔離する目的でゲート被覆層１２が形成されている。ゲート導電層１１にＡｇを使用するとゲート被覆層１２が必要となるが、Ａｇを含有する液滴は、比較的低温で焼成等ができ、しかも液の取り扱いおよび液滴吐出が容易であるため、液滴吐出法を利用してゲート導電層１１を形成する場合には、望ましい材料である。
【００３６】
さらに、ＴＦＴ１は、ゲート絶縁層１３の上に形成されている二層目バンク１４と、二層目バンク１４によって形成されている溝部に、ゲート絶縁層１３を介してゲート電極５の位置と対向するように形成されているアモルファスシリコンの薄膜からなる半導体層１５と、半導体層１５の上に所定の隙間をもって形成されているｎ＋型アモルファスシリコンの薄膜からなる接合層１６ａ、１６ｂとを有する。
【００３７】
半導体層１５および接合層１６ａ、１６ｂは、それぞれＣＶＤ（蒸着Chemical  Vapor  Deposition）によって設けられ、蒸着後、フォトリソグラフィ法でパターン形成される。ゲート絶縁層１３もＣＶＤによって形成される。なお、接合層１６ａは、ソース電極６が設けられる部分に位置し、接合層１６ｂは、ドレイン電極７が設けられる部分に位置する。また、ゲート電極５の位置と対向する半導体層１５はチャネル領域と称される。
【００３８】
さらに、ＴＦＴ１は、チャネル領域を避けて接合層１６ａ、１６ｂおよびゲート絶縁層１３を順に覆うＮｉからなる第一ソース薄膜層１７ａおよび第一ドレイン薄膜層１７ｂと、Ａｇからなる第二ソース薄膜層１８ａおよび第二ドレイン薄膜層１８ｂと、Ｎｉからなる第三ソース薄膜層１９ａおよび第三ドレイン薄膜層１９ｂとを有する。第一ソース薄膜層１７ａ、第二ソース薄膜層１８ａおよび第三ソース薄膜層１９ａは、接合続層１６ａの上を覆いＸ軸の正方向へ延在してソース電極６を構成し、さらに連続してソース配線４を構成する。また、第一ドレイン薄膜層１７ｂ、第二ドレイン薄膜層１８ｂおよび第三ドレイン薄膜層１９ｂは、接合層１６ｂの上を覆いＸ軸の負方向へ延在してドレイン電極７を構成する。そして、ＴＦＴ１は、ソース配線４、ソース電極６、チャネル領域およびドレイン電極７を覆うソース絶縁層２０と、第二ドレイン薄膜層１８ｂからソース絶縁層２０の上面までを貫通する導電ホール２１とを有する。
【００３９】
第一ソース薄膜層１７ａ、第二ソース薄膜層１８ａおよび第三ソース薄膜層１９ａは、液滴吐出法により、それぞれＮｉ、Ａｇ、Ｎｉを含有する液滴を吐出して、吐出後に乾燥、焼成することにより形成される。その際、チャネル領域にチャネルバンク２２を形成することにより、チャネル領域へ液滴が塗布されることを防ぐ。同様にして、第一ドレイン薄膜層１７ｂ、第二ドレイン薄膜層１８ｂおよび第三ドレイン薄膜層１９ｂも形成される。その後、チャネルバンク２２を除去し、ソース配線４、ソース電極６、チャネル領域およびドレイン電極７を覆うソース絶縁層２０を形成する。ソース絶縁層２０の上面は、二層目バンク１４の上面と面一な状態である。ソース絶縁層２０を形成するときに、第二ドレイン薄膜層１８ｂへ画素電極８が導通するための導電ホール２１を形成する。
【００４０】
そして、ＴＦＴ１は、二層目バンク１４およびソース絶縁層２０の上にＩＴＯ（インジュウム錫酸化物Indium  Tin  Oxide）からなる画素電極８を有する。この画素電極８は、ＩＴＯで充填された導電ホール２１を介して、ドレイン電極７の第二ドレイン薄膜層１８ｂと導通している。画素電極８は、ＣＶＤとフォトリソグラフィ法とにより所定のパターンに形成される。
【００４１】
次に、本発明の配線形成方法（パターン形成方法）について図３、図４、図５および図６を用いて説明する。図３は、配線のパターン形成方法を示すフローチャートである。本実施形態に係るゲート配線３およびゲート電極５の形成方法は、上述した配線のパターン形成用の各液滴を基板上に配置し、基板上に配線のパターンを形成するものである。形成方法は、基板上に配線のパターンに応じたバンクを突設するバンク形成工程（工程１）と、基板に親液性を付与する親液化処理工程（工程２）と、バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程（工程３）と、撥液性を付与されたバンク間に中間層を形成する中間層形成機能液の液滴を配置する中間層材料配置工程（工程４）と、配置された液滴の液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程（工程５）および焼成工程（工程６）とを有している。さらに、中間層に重ねて導電層を形成する導電性機能液の液滴を配置する導電層材料配置工程（工程７）と、配置された液滴の液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程（工程８）および焼成工程（工程９）と、導電層に重ねて被覆層を形成する被覆層形成機能液の液滴を配置する被覆層材料配置工程（工程１０）と、配置された液滴の液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程（工程１１）および焼成工程（工程１２）とを有している。
【００４２】
以下、工程毎に詳細に説明する。説明に用いる図４は、ゲート配線およびゲート電極の製造工程を断面で順に示す工程図、図５は、ゲート配線およびゲート電極の製造工程を平面で順に示す工程図、図６は、ゲート電極のゲート被覆層の形成方法を示す断面図である。図４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の各断面図と、図５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の各平面図とは、同じ状態時を断面と平面とでそれぞれ表している図である。なお、本実施形態ではＴＦＴ基板２としてガラス基板が用いられる。各工程の説明は、ゲート中間層１０の形成を例に説明する。
【００４３】
＜バンク形成工程（工程１）＞
まず、ＴＦＴ基板２に対して、表面改質処理としてＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、一層目バンク９とＴＦＴ基板２との密着性を向上させることができる。
【００４４】
一層目バンク９は、仕切部材として機能する部材であり、フォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等の所定の方法で、ＨＭＤＳ処理されたＴＦＴ基板２の上に、一層目バンク９の高さに合わせて有機系感光性材料を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、一層目バンク９の形状に合わせてマスクを施し、レジストを露光・現像することにより一層目バンク９の形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分の有機系感光性材料を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上で一層目バンク９を形成してもよい。これにより、図４（ａ）の断面図に示されるように、ゲート配線３およびゲート電極５の形成予定領域であるゲート配線領域３ａおよびゲート電極領域５ａの周辺を囲むように一層目バンク９が突設される。図５（ａ）は、図４（ａ）の部分の平面図である。Ｂ−Ｂ’の断面が図４（ａ）で表されている。
【００４５】
一層目バンク９を形成する有機材料としては、各液滴に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で、ＴＦＴ基板２との密着性が良く、フォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。あるいは、無機骨格（シロキサン結合）を主鎖に有機基を持った材料でもよい。
【００４６】
ＴＦＴ基板２上に一層目バンク９が形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことで、ＨＭＤＳ処理による層を除去する処理である。フッ酸処理では、一層目バンク９がマスクとして機能し、図４（ａ）に示すように、一層目バンク９間に形成された溝部の底部３４にある有機物であるＨＭＤＳの層が除去され、ＴＦＴ基板２が露出する。
【００４７】
＜親液化処理工程（工程２）＞
次に、一層目バンク９間の底部３４（ＴＦＴ基板２の露出部）に親液性を付与する親液化処理工程が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ2プラズマ処理等を選択できる。ここではＯ2プラズマ処理を実施する。
【００４８】
Ｏ2プラズマ処理は、ＴＦＴ基板２に対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ2プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対するＴＦＴ基板２の相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。
【００４９】
そして、ＴＦＴ基板２がガラス基板の場合、その表面はゲート中間層１０を形成する中間層形成機能液に対して親液性を有しているが、本実施形態のようにＯ2プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、一層目バンク９間で露出するＴＦＴ基板２の表面（底部３４）の親液性を更に高めることができる。ここで、底部３４の中間層形成機能液に対する接触角が２０度以下となるように、Ｏ2プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。
【００５０】
なお、ここでは、フッ酸処理を行うことでＨＭＤＳの層を除去するように説明したが、Ｏ2プラズマ処理あるいは紫外線照射処理により底部３４のＨＭＤＳの層を十分に除去すれば、フッ酸処理は行わなくてもよい。また、ここでは、親液化処理としてＯ2プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、Ｏ2プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。
【００５１】
＜撥液化処理工程（工程３）＞
続いて、一層目バンク９に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ6、ＳＦ5、ＣＦ3などのガスも用いることができる。ＣＦ4プラズマ処理には、後述するプラズマ処理装置を用いることができる。
【００５２】
このような撥液化処理を行うことにより、一層目バンク９には、一層目バンク９を構成する樹脂中にフッ素基が導入され、高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ2プラズマ処理は、一層目バンク９の形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の高分子材料は、Ｏ2プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、一層目バンク９を形成した後にＯ2プラズマ処理することが好ましい。
【００５３】
なお、一層目バンク９に対する撥液化処理により、先に親液化処理した一層目バンク９間のＴＦＴ基板２の露出部（底部３４）に対し多少の影響があるものの、特にＴＦＴ基板２がガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、ＴＦＴ基板２の底部３４は、その親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
【００５４】
＜中間層材料配置工程（工程４）＞
次に、液滴吐出装置による液滴吐出法を用いて、ゲート配線３およびゲート電極５を形成する３層の配線のうち、最初にゲート中間層１０を形成する。ゲート中間層１０の形成は、まず、Ｍｎの微粒子を含有する中間層形成機能液の液滴３１が、ＴＦＴ基板２上の一層目バンク９の間に配置される。中間層形成機能液は、テトラデカンを溶媒（分散媒）としている。材料配置工程では、図４（ｂ）および図５（ｂ）に示すように、液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド４１から中間層形成機能液を液滴３１の状態にして吐出する。中簡層形成機能液の液滴３１の大きさは、ゲート配線領域３ａの幅Ｗ２より小さくゲート電極領域５ａの幅Ｗ１より大きい。
【００５５】
液滴３１の配置は、ゲート配線領域３ａへ一定の間隔Ｐをおいて液滴３１を順に配置する。この場合、液滴３１が吐出されるゲート配線領域３ａは、一層目バンク９に囲まれており、液滴３１の大きさがゲート配線領域３ａの幅Ｗ２より小さいため、液滴が一層目バンク９間以外に拡がることを阻止できる。
【００５６】
一方、ゲート電極領域５ａへ吐出される液滴３１は、図６（ａ）に示すように底部３４に向かって吐出され、図６（ｂ）に示すように親液性を有する底部３４に引き寄せられて、底部３４に濡れ広がる。液滴３１は、ゲート電極領域５ａの幅Ｗ１より大きいため、液滴３１の一部が一層目バンク９の上面に留まる。しかし、一層目バンク９が撥液性を有するため、液滴３１は、親液性を有する底部３４へより強く引き寄せられて、図６（ｃ）に示すように一層目バンク９で形成される溝部へ収容される。Ｍｎは、既に述べたようにＳｉＮなどと拡散しないため、一層目バンク９の上に残渣として残ってもＴＦＴ１の性能に影響がない。また、Ｍｎは、いわゆるキャップメタルとしての機能もあるため、一層目バンク９を形成する際に、ゲート電極５等に残った残渣を除去せずに、ゲート中間層１０を形成することが可能である。
【００５７】
液体材料である中間層形成機能液は、Ｍｎの微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。分散媒のＭｎ含有は、この場合約１％である。Ｍｎの微粒子の粒径は１ｎｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。１．０μｍより大きいと、後で詳述する液滴吐出ヘッド４１の吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。
【００５８】
分散媒としては、Ｍｎの微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。本実施形態では、乾燥の早いテトラデカンを使用している。
【００５９】
上記分散液の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法により中間層形成機能液を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、中間層形成機能液のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると、ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため、吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、中間層形成機能液の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００６０】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて、中間層形成機能液を液滴３１として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が中間層形成機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり、円滑な液滴３１の吐出が困難となる。さらに、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド４１の吐出ノズルが目詰まりすることなく、より安定した液滴吐出を行うことができる。
【００６１】
ＴＦＴ基板２としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板、セラミックなど各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜、絶縁膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００６２】
＜中間乾燥工程（工程５）＞
ＴＦＴ基板２に液滴３１を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えばＴＦＴ基板２を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、およびＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００６３】
＜焼成工程（工程６）＞
ゲート中間層１０に吐出された中間層形成機能液の乾燥後の乾燥膜を、さらに焼成してゲート中間層１０を得る。具体的には、中間層形成機能液の乾燥膜を加熱して、乾燥膜に含まれるＭｎの微粒子を焼成して固化させる。この加熱は、大気中で行われ、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行ってもよい。加熱工程の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、ゲート中間層１０におけるＭｎの微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、Ｍｎの微粒子を覆うコーティング材の有無や量、ＴＦＴ基板２の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
【００６４】
本実施形態の焼成工程は、ゲート中間層１０を、クリーンオーブンを用いて大気中で室温から２００℃以下で加熱することが好ましい。ここでは、ゲート中間層１０を１８０℃で６０分間、焼成（加熱）した。表１に、Ｍｎを含有したゲート中間層１０を、焼成温度を変えてそれぞれ焼成した場合において、図４（ｃ）に示す次工程でゲート中間層１０へ吐出されるＡｇを含有した導電性機能液の液滴３２の着弾径と、液滴３２のゲート中間層１０に対する接触角とを記載してある。焼成時間は、それぞれ６０分である。表１より、接触角は、２．２度から５度であって、Ａｇはゲート中間層１０の上を十分に濡れ広がり、幅の細いゲート電極領域５ａを満たす。ここで、Ａｇが濡れ広がるための接触角としては、２０度以下の条件を満たしていれば良いとの知見が得られた。着弾径は、１８０℃の場合が最も大きく、温度の低い１２０℃が小さいという結果である。２５０℃では、ゲート中間層１０に亀裂が生じた。この結果より、焼成条件は、２００℃以下が好ましく、１８０℃での焼成が最も適しているといえる。
【００６５】
【表１】
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【００６６】
＜導電層材料配置工程（工程７）＞
次に、ゲート中間層１０の上にＡｇを含有するゲート導電層１１を形成する。ゲート導電層１１を形成する工程は、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、ゲート中間層１０へ液滴吐出ヘッド４１からＡｇを含有する導電性機能液の液滴３２を吐出する。液滴３２は、ゲート配線３を形成する部分へ一定の間隔Ｐをおいて順に配置されている。ゲート中間層１０の形成と異なり、ゲート電極領域５ａへは、液滴３２を吐出しない。その理由として、Ａｇは、ＳｉＮ等と拡散してＴＦＴ１の機能を損なうため、細いゲート電極領域５ａ内へ確実にＡｇを配置する必要がある。図６の中間層形成液の液滴３１と同じように、ゲート電極領域５ａへＡｇの液滴３２を吐出すると、一層目バンク９の上にＡｇの残渣が残り、ＳｉＮからなるゲート絶縁層１３へＡｇが拡散してしまう。
【００６７】
このような拡散を防ぎ、ゲート電極領域５ａの細線化のため、ゲート配線領域３ａに吐出されゲート電極領域５ａに直近する液滴３２ａと、ゲート中間層１０との強い親液性を利用して、図５（ｃ）に示すように液滴３２をゲート電極領域５ａの方向へ流動させる。ゲート電極領域５ａは幅が狭いため、毛細管現象の作用が加わり、液滴３２は、ゲート電極領域５ａの全体へ濡れ広がる。従って、液滴３２ａは、図５（ｃ）のように、ゲート電極領域５ａとゲート配線領域３ａとが接続する位置へ、ゲート電極領域５ａの幅Ｗ１の中心線と液滴３２の中心とが一致するように、正確に吐出されることが望ましい。このように、Ａｇを含有する液滴３２と強い親液性を有するＭｎのゲート中間層１０を、ゲート電極領域５ａおよびゲート配線領域３ａへ形成することにより、ゲート電極領域５ａへＡｇを含有する液滴３２を直接吐出することなく、ゲート電極領域５ａへＡｇからなるゲート導電層１１が形成できる。ゲート電極領域５ａの周辺部の一層目バンク９へ、Ａｇの残渣が付着することもない。
【００６８】
＜中間乾燥工程（工程８）、焼成工程（工程９）＞
ゲート導電層１１の中間乾燥工程は、ゲート中間層１０の場合と同じであるが、焼成工程について簡単に補足する。導電層材料配置工程後、乾燥された導電性機能液の液滴３２の乾燥膜は、導電性を得るために加熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し、Ａｇの微粒子を残留させる必要がある。加熱処理は、通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行なうこともできる。加熱処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、既に形成されているゲート中間層１０への影響を加味して、大気中クリーンオーブンにて２００℃で３００分間の焼成工程が、行われる。これにより、乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保された導電性のゲート導電層１１となる。
【００６９】
焼成工程は、上記のような加熱工程に代えて、乾燥膜に紫外光を照射する照射工程であってもよい。さらに、焼成工程は、上記のような加熱工程と、紫外光を照射する照射工程とが組み合わせられた工程であってもよい。
【００７０】
＜被覆層材料配置工程（工程１０）＞
次に、ゲート導電層１１の上にＮｉを含有するゲート被覆層１２を形成する。ゲート被覆層１２の形成によって、ゲート導電層１１のＡｇの強度向上および保護と、Ａｇのゲート絶縁層１３のＳｉＮとの拡散を防ぐことができる。ゲート被覆層１２を形成する工程は図４（ｄ）および図５（ｄ）に示すように、ゲート導電層１１へ液滴吐出ヘッド４１からＮｉを含有する被覆層形成機能液の液滴３３を吐出する。液滴３３は、ゲート配線領域３ａへ一定の間隔Ｐをおいて順に配置され、ゲート導電層１１の形成と同様に、ゲート電極領域５ａへは、液滴３３を吐出しない。
【００７１】
しかし、ゲート導電層１１のＡｇの層は、Ｎｉの液滴３３に対して接触角が２０度以下である。従って、ゲート配線領域３ａに吐出されゲート電極領域５ａに直近する液滴３３ａと、ゲート中間層１０との強い親液性を利用することにより、図５（ｄ）に示すように、液滴３３ａをゲート電極領域５ａの方向へ流動させることができる。ゲート電極領域５ａは幅が狭いため、毛細管現象の作用が加わり、液滴３３ａは、ゲート電極領域５ａの全体へ濡れ広がる。このように、Ｎｉの液滴３３とＡｇのゲート導電層１１との親液性を利用して、ゲート電極領域５ａへＮｉの液滴３３を直接吐出することなく、ゲート電極領域５ａへゲート被覆層１２が形成できる。
【００７２】
＜中間乾燥工程（工程１１）、焼成工程（工程１２）＞
ゲート被覆層１２を形成するための被覆層形成機能液の乾燥および焼成は、ゲート導電層１１の処理に準じて行う。
【００７３】
以上のような工程により、図４（ｅ）に示すゲート中間層１０、ゲート導電層１１およびゲート被覆層１２からなるゲート配線３およびゲート電極５が、形成できる。なお、各層の厚さは、Ａｇのゲート導電層１１が約０．７μｍ、Ｍｎのゲート中間層１０およびＮｉのゲート被覆層１２が共に０．２μｍである。
【００７４】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッド４１からＴＦＴ基板２に対して液滴を吐出することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００７５】
図７は液滴吐出装置の構成を示す斜視図である。液滴吐出装置４０は、液滴吐出ヘッド４１と、Ｘ軸方向駆動軸４２と、Ｙ軸方向ガイド軸４３と、制御装置４４と、ステージ４５と、クリーニング機構４６と、基台４７と、ヒータ４８とを備えている。
【００７６】
ステージ４５は、この液滴吐出装置４０により機能液を配置されるＴＦＴ基板２を支持するものであって、ＴＦＴ基板２を基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００７７】
液滴吐出ヘッド４１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド４１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド４１の吐出ノズルからは、ステージ４５に支持されているＴＦＴ基板２に対して、上述したＭｎ、Ａｇ、Ｎｉの微粒子を含む液滴が吐出される。
【００７８】
Ｘ軸方向駆動軸４２にはＸ軸方向駆動モータ４９が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ４９はステッピングモータ等であり、制御装置４４からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４２を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４２が回転すると、液滴吐出ヘッド４１はＸ軸方向に移動する。
【００７９】
Ｙ軸方向ガイド軸４３は基台４７に対して動かないように固定されている。ステージ４５は、Ｙ軸方向駆動モータ５０を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ５０はステッピングモータ等であり、制御装置４４からＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ４５をＹ軸方向に移動する。
【００８０】
制御装置４４は液滴吐出ヘッド４１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。更に、制御装置４４は、Ｘ軸方向駆動モータ４９に対して液滴吐出ヘッド４１のＸ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給するとともに、Ｙ軸方向駆動モータ５０に対してステージ４５のＹ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００８１】
クリーニング機構４６は液滴吐出ヘッド４１をクリーニングするものであって、図示しないＹ軸方向駆動モータを備えている。このＹ軸方向駆動モータの駆動により、クリーニング機構４６はＹ軸方向ガイド軸４３に沿って移動する。クリーニング機構４６の移動も制御装置４４により制御される。
【００８２】
ヒータ４８はここではランプアニールによりＴＦＴ基板２を熱処理する手段であり、ＴＦＴ基板２上に塗布された液滴に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ４８の電源の投入及び遮断も制御装置４４により制御される。
【００８３】
液滴吐出装置４０は、液滴吐出ヘッド４１とＴＦＴ基板２を支持するステージ４５とを相対的に走査しつつＴＦＴ基板２に対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｙ軸方向を走査方向、Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド４１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図７では、液滴吐出ヘッド４１は、ＴＦＴ基板２の進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド４１の角度を調整し、ＴＦＴ基板２の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド４１の角度を調整することでノズル間のピッチを調節することが出来る。また、ＴＦＴ基板２とノズル面との距離を任意に調節可能としてもよい。
【００８４】
図８は、ピエゾ方式による液滴の吐出原理を示す断面図である。図８において、液滴となる液体材料を収容する液体室５１に隣接してピエゾ素子５２が設置されている。液体室５１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系５３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子５２は駆動回路５４に接続されており、この駆動回路５４を介してピエゾ素子５２に電圧を印加し、ピエゾ素子５２を変形させることにより、液体室５１が変形し、吐出ノズル５５から液滴が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子５２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子５２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００８５】
ここで、液滴吐出法のその他の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、吐出する液体材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に液体材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には液体材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると液体材料間に静電的な反発が起こり、液体材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、既に説明したピエゾ方式である。
【００８６】
また、電気熱変換方式は、液体材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、液体材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の液体材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、液体材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに液体材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから液体材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、液体材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の液体材料の液滴を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液滴の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
【００８７】
次に、図９は、プラズマ処理装置の構成を示す断面図である。図９に示すプラズマ処理装置は、交流電源６１に接続された電極６２と、接地電極である試料テーブル６０とを有している。試料テーブル６０は試料であるＴＦＴ基板２を支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極６２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部６３が突設されているとともに、放電発生部６３を囲むように誘電体部材６４が設けられている。誘電体部材６４は放電発生部６３の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材６４を含む電極６２の下面は略平面状となっており、放電発生部６３及び誘電体部材６４とＴＦＴ基板２との間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極６２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口６５が設けられている。ガス噴出口６５は、電極内部のガス通路６６及び中間チャンバ６７を介してガス導入口６８に接続している。
【００８８】
ガス通路６６を通ってガス噴出口６５から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材６４の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源６１から電極６２に所定の電圧が印加され、放電発生部６３と試料テーブル６０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過するＴＦＴ基板２の表面全体が連続的に処理される。
【００８９】
本実施形態では、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ2）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ2）等の不活性ガスとを混合したものである。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、一層目バンク９の底部におけるバンク形成時の有機物（レジストやＨＭＤＳ）残渣を除去できる。すなわち、一層目バンク９の親液処理工程前のフッ酸処理では、一層目バンク９の底部のＨＭＤＳ（有機物）が完全に除去されない場合がある。あるいは、一層目バンク９の底部にバンク形成時のレジスト（有機物）が残っている場合もある。そこで、Ｏ2プラズマ処理を行うことにより、一層目バンク９の底部の残渣が除去される。
【００９０】
以下では、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。図１０は、本発明に係る液晶表示装置について、液晶表示装置を対向基板側から見た平面図であり、図１１は、図１０の液晶表示装置のＨ−Ｈ'に沿う断面図である。また、図１２は、液晶表示装置の複数の画素における素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００９１】
図１０及び図１１において、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴ基板２と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であるシール材１５２によって貼り合わされ、このシール材１５２によって区画された領域内に液晶１５０が封入、保持されている。シール材１５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【００９２】
シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴ基板２の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴ基板２の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴ基板２と対向基板１２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００９３】
なお、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴ基板２の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape  Automated Bonding）基板とＴＦＴ基板２の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶１５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板１２０において、ＴＦＴ基板２の各画素電極８に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００９４】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１２に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）１が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線１６０ａがＴＦＴ１のソースに電気的に接続されている。データ線１６０ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線１６０ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ１のゲートには走査線１３０ａ、１３０ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３０ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００９５】
画素電極８はＴＦＴ１のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線１６０ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極８を介して液晶１５０に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１１に示す対向基板１２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極８と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０が付加されている。例えば、画素電極８の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも長い時間、蓄積容量１７０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００９６】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ１を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ１を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する液体材料を液滴とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【００９７】
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子（ＦＥＤ（Field  Emission  Display）やＳＥＤ（Surface-conduction  Electron-Emitter  Display））等にも適用可能である。
【００９８】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。図１３（ａ）は携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。図１３（ｂ）はワープロ、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）などの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１３（ｂ）において、７００はＰＣ、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理部、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。  図１３（ｃ）は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１３（ｃ）において、８００は電子時計を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。図１３（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置を備えたものであり、良好に細線化された配線のパターンを有している。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。電子機器として、さらに電子辞書、携帯ゲーム機、電卓、小型テレビ、ナビゲーション装置、ＰＯＳ端末などが挙げられる。
【００９９】
以下、実施形態の効果についてまとめて記載する。
【０１００】
（１）ＴＦＴ１のゲート配線領域３ａと連続する微小幅のゲート電極領域５ａへ、配線の主要部であるＡｇのゲート導電層１１を形成するために、Ａｇを含有する導電性機能液の液滴３２との親液性を有するＭｎからなるゲート中間層１０を、ゲート導電層１１の下地として形成する。次に、ゲート配線領域３ａのゲート電極領域５ａ近傍へ、液滴３２を液滴吐出装置４０により吐出する。液滴３２は、ゲート中間層１０との親液性によってゲート電極領域５ａへ自己流動して、ゲート導電層１１を形成する。このように、ゲート電極領域５ａの幅より小さな液滴３２の吐出が困難な微小幅のゲート電極領域５ａに対して、ゲート電極領域５ａへ直接液滴３２を吐出することなく、ゲート導電層１１が形成できる。従って、ゲート電極領域５ａの周辺に、ゲート絶縁層１３へ拡散しやすいＡｇの残渣を生じさせることがない。
【０１０１】
（２）同様に、ゲート導電層１１の形成に準じて、ゲート導電層１１に重ねて、ゲート配線領域３ａへＮｉを含有する被覆層形成機能液の液滴３３を吐出する。液滴３３をゲート電極領域５ａへ自己流動させて、ゲート電極領域５ａへゲート被覆層１２を形成する。ゲート電極領域５ａの幅より小さな液滴３３の吐出が困難な微小幅のゲート電極領域５ａに対して、ゲート電極領域５ａへ直接液滴３３を吐出することなくゲート被覆層１２が形成できる。
【０１０２】
（３）ＴＦＴ基板２の表面である一層目バンク９間の底部３４が親液性を有し、一層目バンク９自体が撥液性を有しているため、Ｍｎを含有しゲート電極領域５ａの幅Ｗ１より大きい直径の液滴３１でも、ゲート電極領域５ａを形成する一層目バンク９上に留まることなく、底部３４へ強く引き寄せられ、一層目バンク９の間へ収容される。このようにして、ゲート電極領域５ａへＭｎのゲート中間層１０が形成できる。Ｍｎは、一層目バンク９に残渣として残っても拡散等の反応をせず、従って、直接ゲート電極領域５ａへ液滴３１を吐出することができる。
【０１０３】
（４）ゲート導電層１１を形成する導電性機能液として、銀または銀の合金を含有する導電性機能液を用いる。銀または銀の合金の微粒子を含有する導電性機能液は、液の取り扱いおよび液滴吐出が容易であり、しかも比較的低温で焼成等ができるため、液滴吐出法を利用して導電層を形成には、望ましい材料である。
【０１０４】
（５）ゲート導電層１１を形成する銀または銀の合金は、ゲート絶縁層１３のＳｉＮへ拡散する。このような拡散を防ぐために、ゲート導電層１１を覆うようにＮｉのゲート被覆層１２を形成する。ニッケルまたはニッケルの合金は、安定した特性を保有しており、ゲート被覆層１２の形成にとって好ましい。
【０１０５】
また、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、次のような変形例が挙げられる。
【０１０６】
（変形例１）中間層材料配置工程において、Ｍｎのゲート中間層１０をゲート電極領域５ａおよびゲート配線領域３のａ全面に形成せずに、ゲート電極領域５ａ全面と、ゲート電極領域５ａに直近する液滴３２ａが配置されるゲート配線領域３ａの一部分とにのみ、Ｍｎのゲート中間層１０を形成しても良い。ゲート中間層１０の形成時間が短縮できる。
【０１０７】
（変形例２）配線の主要部であるゲート導電層１１を、液滴吐出装置４０によって形成し、他のゲート中間層１０およびゲート被覆層１２を、既存方法のＣＶＤによって形成しても良い。こうすれば、既存方法も併行して活用することができる。
【０１０８】
（変形例３）液滴３１、３２、３３の配置間隔Ｐは、一定間隔に限定されず、間隔Ｐをあけずに配置しても良い。ゲート中間層１０、ゲート導電層１１、ゲート被覆層１２の機能を維持して、各層の厚さを調整できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】ＴＦＴが形成されるＴＦＴ基板の概略構成を示す平面図。
【図２】ＴＦＴの構成を示す断面図。
【図３】配線パターンの形成方法を示すフローチャート。
【図４】ゲート配線およびゲート電極の製造工程を断面で順に示す工程図。
【図５】ゲート配線およびゲート電極の製造工程を平面で順に示す工程図。
【図６】ゲート電極のゲート被覆層の形成方法を示す断面図。
【図７】液滴吐出装置の構成を示す斜視図。
【図８】ピエゾ方式による機能液の吐出原理を示す断面図。
【図９】プラズマ処理装置の構成を示す断面図。
【図１０】液晶表示装置を対向基板側から見た平面図。
【図１１】図１０の液晶表示装置のＨ−Ｈ'に沿う断面図。
【図１２】液晶表示装置の複数の画素における素子、配線等の等価回路図。
【図１３】電子機器の一例である携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計の斜視図。
【符号の説明】
【０１１０】
１…ＴＦＴデバイスとしてのＴＦＴ、２…ＴＦＴ基板、３…ゲート配線、３ａ…ゲート配線領域、４…ソース配線、５…ゲート電極、５ａ…ゲート電極領域、６…ソース電極、７…ドレイン電極、８…画素電極、９…一層目バンク、１０…ゲート中間層、１１…ゲート導電層、１２…ゲート被覆層、１３…ゲート絶縁層、１４…二層目バンク、３１…中間層形成機能液の液滴、３２…導電性機能液の液滴、３３…被覆層形成機能液の液滴、３４…底部、４０…液滴吐出装置、４１…液滴吐出ヘッド、５５…吐出ノズル、６０…プラズマ処理装置、１００…電気光学装置としての液晶表示装置、６００…電子機器としての携帯電話、７００…電子機器としてのＰＣ、８００…電子機器としての電子時計。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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