(57)【要約】【課題】加工の信頼性および穴の品質を向上させると共に、穴底に膜が残らないように加工してデスミア工程を不要とするプリント基板の穴明け方法に好適な加工装置を提供する。【解決手段】一つの紫外レーザ源から放射されたビームを光偏向器によって二つの方向に分配し、それぞれのエネルギ密度、エネルギ空間分布、ビーム径を個別の設定手段により設定できるようにした基板加工装置を用いて、第１のＵＶレーザ光のエネルギ密度を、導体層の分解エネルギしきい値よりも高くして目的とする導体層の直前の絶縁層まで穴をあけ、次に、エネルギ密度を導体層の分解エネルギしきい値よりも低くかつ絶縁層の分解エネルギしきい値よりも高くした第２のＵＶレーザ光に切り替えて残った絶縁層を除去する。【選択図】図１
2006205261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの紫外レーザ源から放射されたビームを光偏向器によって二つの方向に分配し、それぞれのエネルギ密度、エネルギ空間分布、ビーム径を個別の設定手段により設定し、その後両者のビームが同じ光路を進むようにしたことを特徴とするプリント基板加工装置。
【請求項２】
一つの紫外レーザ源から放射されたビームを光偏向器によって二つの方向に分配し、その偏向光の側はビーム径の調整手段により絞って高エネルギの第１の紫外レーザ光とし、その透過光の側はビーム径の調整手段により広げて低エネルギの第２の紫外レーザ光とし、その後両者のビームが同じ光路を進むようにしたことを特徴とする請求項１に記載のプリント基板加工装置。
【請求項３】
一つのレーザ源から放射されたビームを光偏向器によって二つの方向に分配し、それぞれのエネルギ密度、エネルギ空間分布、ビーム径を個別の設定手段により設定し、その後両者のビームが同じ光路を進むようにしたことを特徴とするプリント基板加工装置。
【請求項４】
一つのレーザ源から放射されたビームを光偏向器によって二つの方向に分配し、その偏向光の側はビーム径の調整手段により絞って高エネルギの第１のレーザ光とし、その透過光の側はビーム径の調整手段により広げて低エネルギの第２のレーザ光とし、その後両者のビームが同じ光路を進むようにしたことを特徴とする請求項３に記載のプリント基板加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板の加工装置に係り、特にレーザ光を用いて上層と下層の導体層を接続するための底付穴（ブラインドホール）を加工するのに好適なプリント基板の加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１７は、従来のレーザ加工装置の構成図である。このレーザ加工装置では、レーザ発振器１から出力されたレーザ光２は、コリメータ３により直径をＭ倍に拡大あるいは縮小され、アパーチャ４により加工に適した直径に整形される。整形されたレーザ光はコーナーミラー５および加工ヘッドＺ内のミラー１４、第１および第２の２つのガルバノミラー１５ａ，１５ｂを介してｆθレンズ１６に入射し、ガルバノミラー１５ａおよびガルバノミラー１５ｂにより位置決めされ、ｆθレンズ１６から加工面の所定の位置に垂直に入射する。加工は、ｆθレンズ１６に対応する加工領域1８毎に行われ，図示を省略するＸＹワークテーブルにより、図中の１８１…１８Ｎの順に領域が移動する。
【０００３】
図１８（ａ）は、コリメータ３及びアパーチャ４の作用を示す図である。下方の各分布は縦軸がレーザ光のエネルギ、横軸がビーム径である。レーザ発振器からの出射口でのエネルギ空間分布は一般にガウス分布であるため、コリメータ３を通過したビームのエネルギ空間分布もガウス分布となる。レーザ光はコリメータ３の拡大率Ｍを変えることにより、エネルギ空間分布を変えることができる。すなわち、たとえば拡大率Ｍを小さくすると、「ａ’分布（点線）」に示すように、ビーム径が小さく、高エネルギ密度（高出力密度）のエネルギ空間分布が、また、拡大率Ｍを大きくすると、「ｂ’分布（点線）」に示すように、ビーム径が大きくなり、低エネルギ密度（低出力密度）のエネルギ空間分布が得られる。
【０００４】
アパーチャ４の直径をビーム径に対して大きくするとエネルギが中央部に集中し、加工した穴底（すなわち、内層の導体層）が損傷することがある。そこで、アパーチャ４によりビーム中央部のエネルギ分布が比較的均一な部分を切り取ることにより、加工部におけるエネルギの大きさがほぼ均一の「Ａ’分布（点線）」又は「Ｂ’分布（実線）」になるようにして、ブラインドホールの穴底を損傷しないようにしている。ここで、アパーチャ４を光軸から外しコリメータ３のみにしたときの、フル出力のエネルギ空間分布を、以下「Ｃ’分布」と呼ぶ。
【０００５】
一方、レーザ光２の光路にビーム整形ユニット３０を入れた場合のエネルギ空間分布を図１８（ｂ）に示す。レーザ光２の光路にビーム整形ユニット３０を入れることによりエネルギ空間分布が矩形化され、それをコリメータ３で拡大又は縮小し（図中点線のａ分布、ｂ分布）、さらにアパーチャ４により切り取ることにより、加工部におけるエネルギの大きさの均一性を格段に向上させることができる（図中実線：「Ａ分布」、「Ｂ分布」）。以下、この矩形状の分布を「トップハット形」と呼ぶ。ビーム整形ユニット３０には、非球面レンズを組み合わせ、または回折形光学素子を組み合わせたもの等の市販のものを使用することができる。ここで、アパーチャ４を光軸から外した場合のフル出力のエネルギ空間分布を、以下「分布Ｃ」という。
【０００６】
プリント基板の構成は、表面が導体層で、導体層とガラス繊維を含む絶縁層とが交互に配置されたＦＲ−４ガラス繊維入り基板（以下、「ガラス入り基板」という）、導体層の裏に絶縁層と導体層の積層板を張り付けた樹脂付きの銅箔（以下、「ＲＣＣ基板」という）、導体層の表面に樹脂フィルムまたは樹脂コーティングされた基板（以下、「樹脂ダイレクト基板」という）などがある。絶縁層は、主としてエポキシ系、ポリイミド系樹脂の有機材料が使用される。絶縁層の強化材としてガラス繊維の代わりにセラミックスなどの無機材料がフィラとして使用されることもある。
【０００７】
従来から波長が１０．６μｍのＣＯ２レーザを用いた加工方法は広く知られている。例えば、樹脂ダイレクト基板の絶縁層にブラインドホールを加工する方法は、１９８２年に米国ＩＰＣレビューにより紹介され、ＣＯ２樹脂ダイレクト法として実用化されている。また、ガラス入り基板にブラインドホール穴明けする方法としては、特許文献１や特許文献２には、ケミカルエッチングやドリルで穴径に相当する導体層を予め除去してウィンドーを形成した後、ＣＯ２レーザにより絶縁層を加工する方法が開示されている。
【０００８】
さらに、特許文献３には、複数の導体層と絶縁層が積層されたに加工する方法として、金属を効率よく加工できる紫外線（以下、ＵＶという）レーザ光を用いて、その円周動作による導体層のウィンドー加工とＣＯ２レーザによる絶縁層の除去を繰り返してブラインドホールあるいはスルーホールを加工するＵＶ＋ＣＯ２レーザ法が開示されている。
【０００９】
しかし、このＣＯ２レーザによる樹脂層の穴明けの場合、穴底（導体層の直上）に厚さｔＣ（０．２〜３μｍ）の「スミア」と呼ばれる膜が残ることが知られている。しかも、これはＣＯ２レーザーパルスのエネルギ密度とショット数を増しても残膜厚ｔＣの厚さはほとんど変わらないことが、発明者の実験によりわかった。
【００１０】
このように膜が残る理由は、下記のように推定できる。ＣＯ２レーザ加工は、絶縁層がレーザ光を吸収することにより樹脂の温度を上昇させて熱分解させる方法である。従って、内層導体である銅の熱伝導率は樹脂に比べて約３桁大きいため、絶縁層が薄くなると熱が内層導体に流れる結果、樹脂の温度が分解温度に達することができず、その結果穴底に厚さ０．２〜３μｍの膜が残存する、というものである。
【００１１】
このように膜が残ると、穴底に残った膜を除去するためのケミカルデスミア工程（コンディショニング、水洗、煮沸、冷却、水洗、膨潤、水洗、酸化デスミア、水洗、中和、水洗、乾燥等の工程からなる）が必要である。また、穴径が１００μｍ以下になると、処理液の濡れ性が低下するため（処理液が加工した穴に入りにくくなる）、デスミアプロセスの信頼性が低下する。また、デスミア処理は本来穴底の樹脂残膜の除去を目的とする処理であるが、穴底の残膜を除去する際に、穴壁が３〜５μｍ除去されてしまい、通常、穴径が直径で最大１０μｍ大きくなってしまうという問題もあった。
【００１２】
一方、ＵＶレーザを用いて樹脂ダイレクト基板にブラインドホール加工する方法は、１９８７年に米国ＩＰＣレビューにより紹介され、ＵＶ樹脂ダイレクト法として実用化されている。また、特許文献４には、複数の導体層と絶縁層が積層されたに加工する方法として、ＵＶレーザだけで導体層と絶縁層を加工するＵＶダイレクト法が開示されている。
【００１３】
ＵＶレーザを用いた場合、前記ＣＯ２レーザの場合のように、穴底に絶縁層が残ることはない。しかし、実用的な加工速度を得ようとして加工に十分なパルスエネルギを用いると、エネルギ密度過多であるため、穴底の導体層まで削られてしまい、めっき強度を確保するために設けられている導体層表面の凹凸が溶融分解してなくなってしまう。特に非線型光学素子等を用いて波長を変換する波長変換方式のＵＶレーザの場合はＣＯ２レーザのようにパルス巾やパルス周波数によりパルスエネルギを加工途中で変えることができなく、絶縁層材料の厚さが６５μｍに対して厚さのばらつきが約２０μｍと大きいため、結果として穴底導体層を損傷してしまう。また、絶縁層のエネルギ吸収率が低い場合、穴底に到達するエネルギ量が増加し、これによって穴底導体層のエネルギ蓄積が増加する。このため、導体層上面の樹脂が分解気化することがあり、この際、気化エネルギにより絶縁層が引き剥がされて、穴底コーナー周辺の絶縁層がリング状に剥離することがある。しかし、パルスエネルギを小さくすると、穴底の損傷を軽減することはできるが、パルスショット数が増えるため、加工速度が低下する。
【００１４】
また、ガラス入り基板の加工を行った場合、エネルギ過多により、導体層が削られるだけでなく、穴の側壁にガラスが突き出し、絶縁層がバレル状に穴の側面がえぐられる。
【００１５】
絶縁層がエネルギ過多になる理由は、以下のように推定できる。ＵＶレーザ光に関するエネルギ吸収率は、たとえば波長３５５ｎｍの場合、エポキシ系材約３０〜８０％、銅約７０〜７５％以上、ガラス約２０％（７０％透過、１０％反射）であり、差が大きい。また熱伝導率の差、すなわちエポキシ系材０．８〜０．８５Ｗｍ−１Ｋ−１、銅３８６Ｗｍ−１Ｋ−１、ガラス１．０４〜１．０９Ｗｍ−１Ｋ−１であり、差が大きい。そのため、ガラス入り基板の場合、ガラス繊維により、約８０％のエネルギが穴内部に反射拡散されて蓄積されるため、パルス周期を０.００３３ｍｓ以下（パルス周波数３ｋＨｚ以上）にすると穴側壁の樹脂がバレル状にえぐられ、ガラス繊維の突き出しが大きくなり穴品質が低下するというものである。
【００１６】
また、この加工法では、絶縁層にガラス繊維が入っていない場合でも、導体層を除去するため、エネルギ密度３Ｊ／ｃｍ２以上で加工をする。このため、ＵＶ光に対する前記材料物性値の違いにより、熱の制御が困難となり、穴底の導体層を損傷してしまう。したがって、実用可能な穴品質を得ることは困難である。
【００１７】
さらにこのＵＶ光を用いた場合、図１８（ａ）に示したような、穴の途中まではＡ’又はＣ’分布での加工となるため、穴底に凹凸が発生し、後の残膜除去工程に要する時間が長くなる場合や凹部底部の導体層が部分的に損傷する場合がある。
【００１８】
このような底部導体を損傷するという問題点を解決する手段として、例えば非特許文献１にあるように、レーザ光のエネルギ密度を樹脂層の分解エネルギしきい値より高く、かつ導体層の分解エネルギしきい値より低く設定することにより樹脂層部のみを選択的にエッチングする方法が提案されている。
【００１９】
ここで、分解エネルギしきい値とは、レーザ光の照射パワー密度とパルス幅の積であるエネルギー密度（フルエンスと呼ばれる。）がある一定値以上でなければワーク表面の溶融蒸発等による加工（アブレーション加工と呼ばれる。）が始まらないことが知られているが、その値のことである。
【００２０】
また、特許文献５には、穴底や周辺部の残渣物やスミアを除去するために、エキシマレーザのＵＶ光をビーム整形光学素子でビームの断面形状をライン状又は矩形状の均一な分布にしたのち、照射して複数の穴を同時にクリーニングする方法が開示されている。しかし、これを樹脂層が最表層のものに適用すると、樹脂層の表面が損傷を受けることになる。
【特許文献１】特開昭５８−６４０９７号公報
【特許文献２】米国特許第５，０１０，２３２号公報
【特許文献３】特開平１−２６６９８３号公報
【特許文献４】米国特許第５，５９３，６０６号公報
【特許文献５】特許２９８３４８１号公報
【非特許文献１】「レーザアブレーションとその応用」、コロナ社、（１９９９年）、第１４６頁、第６行目から第１３行目
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明の課題は、上記した樹脂や導体層についての分解エネルギしきい値の具体的な値を明らかにして、その違いを利用して穴底の残膜を選択的に除去できるようにレーザ光のエネルギ密度を切り替えて、穴開け加工から穴底の残膜除去までを一貫して行い、デスミア工程を不要にできる装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
発明者らの実験によれば、波長３５５ｎｍのＵＶレーザの場合の分解エネルギしきい値は、エポキシ系材０．３〜０．５Ｊ／ｃｍ２、銅０．８〜１．０Ｊ／ｃｍ２、ガラス５〜６Ｊ／ｃｍ２であることがわかった。本発明は、この分解エネルギしきい値がエポキシ系材料と銅でわずかな差があることを見出し、これを利用して第2のＵＶレーザ光のエネルギ密度を絶縁層の分解エネルギしきい値よりも高く、導体層の分解エネルギしきい値よりも低いエネルギ密度にして、前記の残りの絶縁層を加工することにより目的とする導体層を露出させることに成功したものである。
【００２３】
さらに、本発明においては、第2のＵＶレーザ光による仕上げ加工を行う前のステップにおいて、第1のＵＶレーザ光を用いて加工を施す際に、第1のＵＶレーザ光のエネルギ空間分布をトップハット形にして、穴底を平坦化しておく必要があることがわかった。
【００２４】
そこで、上記の課題を解決するためには、少なくともＵＶレーザ光源を２系統用意し、ビーム整形ユニットによりエネルギ空間分布をトップハット形にして、その２系統のビーム径及びエネルギ密度を独立に設定できるようにすればよい。このとき、一つのＵＶレーザ光源から発射されたビームを音響光学素子等で２系統に切り替えるように構成した場合、装置寸法が小さくなるためさらによい。また、2系統のビームを、ワークに照射するときには同一の光軸にすると、レーザ光を切り替える際にＸ−Ｙステージの移動をしなくてすむため、加工時間が短縮化される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、導体層と絶縁層とが交互に積層されたプリント基板の内部に設けられた導体層へのブラインドホールの加工方法において、第１のＵＶレーザ光のエネルギ密度を、導体層と絶縁層の分解エネルギしきい値よりも高いエネルギ密度にして内部導体層の直前の絶縁層の途中まで加工し、第２のＵＶレーザ光のエネルギ密度を、前記内部導体層の分解エネルギしきい値よりも低く、前記絶縁層の分解エネルギしきい値よりも高いエネルギ密度にして前記絶縁層の残りの膜厚を除去するので、内部導体層を損傷がほとんどない状態で露出させることができる。
【００２６】
すなわち、穴底の絶縁層の残膜を除去できるので、デスミア処理工程が不要あるいは、処理時間を短縮することができる。
【００２７】
また、穴底コーナー部の剥離が発生しないので、穴品質が向上する。
【００２８】
さらに、レーザ光を偏向器を用いて分配するように構成したことにより、１台のＵＶレーザ源で、導体層を加工するためのレーザ光と絶縁層の残膜を除去するためのＵＶレーザ光の両者を供給できるので、装置の小型化、低コスト化を実現することができる。
【００２９】
また、レーザ光の分配手段と組み合わせてＵＶレーザ光とＵＶレーザ光を同軸化するように構成すると、２ヘッド構成でＵＶレーザ光２ｉによるＵＶ加工とＵＶレーザ光２ｋによる穴底仕上げを同軸で連続して行うことができるため、テ−ブル移動回数を減らすことができ、加工時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について実施例を用いて具体的に説明する。
（装置例１）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図である。同図において、ＵＶレーザ発振器１は偏光型のＱスイッチＹＶＯ４レーザ光（繰返し周波数１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ）を、非線型光学素子ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ５）を用いて第３高調波（３５５ｎｍ）とした。ここで、レーザ光２の電場ベクトルが紙面平行方向となるようにレーザ発振器１を設置した。（以下、Ｐ偏光という。）音響光学偏向器６は、一般に音響光学素子に圧電素子を張り合わせた構造であり、その圧電素子に動作電圧（ＲＦ電圧）が印加されない場合入射光を直進（透過）させ、動作電圧が印加されると圧電素子を経由して音響光学素子中に発生した超音波により入射光はその超音波面でブラッグ回折し、出射角度が変化して偏向させるものである。この音響光学偏向器６を用いてレーザ光２を直進（２ｋ）又は偏向（２ｉ）させる。偏向されたレーザ光２ｉは、ビーム整形ユニット３０ｉでトップハット形のエネルギ空間分布にされ、コリメータ３ｉにより絞られ、アパーチャ４ｉにより加工に適した直径に整形される。そして、コーナーミラー５ｉによって反射され、１／２波長板１１により偏光方向を電場ベクトルが紙面垂直方向Ｓｉ（以下、Ｓ偏光という。）になるように変換され、Ｐ波を透過させＳ波を反射する偏光ビームコンバイナ（偏光ビームスプリッタ）１０により反射されて、コーナーミラー５ｋを介して加工ヘッドＺに入射し、ヘッド部Ｚ（２個のガルバノミラーとｆθレンズとから構成される。図１７参照）により集光されて加工面に垂直に入射する。
【００３１】
一方、直進させた場合のＵＶレーザ光２ｋは、ビーム整形ユニット３０ｋを通り、コリメータ３ｋにより拡大あるいは縮小され、アパーチャ４ｋにより加工に適した直径に整形される。そして、２ｋはＰ偏光（Ｐｋ）であるから偏光ビームコンバイナ（偏光ビームスプリッタ）１０を透過してコーナーミラー５ｋを介して加工ヘッドＺに入射し、ヘッド部Ｚ（２個のガルバノミラーとｆθレンズとから構成されている）により集光されて加工面に垂直に入射する。ここで、レーザ光２ｉ及び２ｋの光路を同一の光軸上を進むように調整した。
【００３２】
また、アパーチャ径を一定にしたまま、コリメ−タ３ｉ、３ｋの拡大率Ｍｉ、Ｍｋを調節することによって加工に適したエネルギ空間分布Ａｉ、Ｂｋにすることができる。（図１８（ｂ）参照。）また、アパーチャ４ｉを光路から外すと、エネルギ空間分布をフル出力のＣｉ分布とすることができる。
【００３３】
本装置例は、加工用のレーザ光学系を２系統持ち、エネルギ分布をほぼ独立に設定できる装置として非常に簡略化されており、装置を小型化できる。また、従来音響光学素子等を用いた偏向器の場合はビームダンパー等に入力して捨てていた透過光を利用するためエネルギの利用効率が向上する。また、ワークに照射する時点では２系統のレーザ光が同じ光軸にあるため、一貫して加工する場合にステージ移動などを伴わず、加工時間を短縮できる。
【００３４】
本装置例において、音響光学偏向器６として入力光と出力光の偏向方向が９０度変化するものが知られているが、これを用いた場合偏光方向の変換が不要となるため、１／２波長板１１が不要となる。
【００３５】
（加工例１）
図２（ａ）は装置例１を用いた場合のガラス入り基板の加工方法に対するエネルギ分布と穴の形状を示す図であり、図２（ｂ）はこのときの加工のタイミングを示すタイミングチャートである。
【００３６】
ここで、レーザ光２ｉ、２ｋの諸元を本明細書において以下のように定義する。なお、添字のａはレーザ光ｉ、ｋの区分である。
ＥＰａ：パルスエネルギ（＝ＥＰ０ａ×(ｄＡａ／ｄ０ａ／Ｍａ)２）
ＥＰ０ａ：レーザ発振器出射口でのパルスエネルギ
ｄＡａ：アパーチャ径
ｄ０ａ：レーザ光２ａの３０ａに入る前のビーム径
Ｍａ：コリメータの拡大率
ＴＰａ：パルス巾
ＷＰａ：ピ−ク出力（＝ＥＰａ／ＴＰａ）
ＥｄＳａ：エネルギ密度 (＝ＥＰａ／［π(ｄＳａ／２)２］) 
ｄＳａ：加工スポット径（＝ｄＡａ×［（Ｌａ／ｆａ）−１］）
Ｌａ：ｆθレンズからワークまでの距離
ｆａ：ｆθレンズの焦点距離
ＴＰＰａ：パルス周期
ＴＧＣ：ガルバノミラー位置決め周期
ＥＳａ：分解エネルギしきい値
Ｎａ：パルスショット数
Ｖａ：材料除去量
【００３７】
図２（ａ）において、２１は銅からなる外層導体層（厚さ９μｍ）、２２はエポキシ系からなる絶縁層（厚さ５０μｍ）、２４は銅からなる内層導体層、ｔは第1のレーザ光２ｉで加工した後に残す膜厚である。まず、音響光学偏向器６に高周波電圧を印加して偏向させた第１のレーザ光２ｉを得た。ここで、第１のレーザ光２ｉに対する分解エネルギしきい値ＥＳｉは、外層導体層２１（０．８〜１．０Ｊ／ｃｍ２）、絶縁層２２の樹脂（０．３〜０．５Ｊ／ｃｍ２）に対する分解エネルギしきい値の中で高い方の値０．８〜１．０Ｊ／ｃｍ２である。
【００３８】
レーザ光２ｉの導体層の効率的な除去に必要なエネルギ密度は実験から約３．０Ｊ／ｃｍ２以上であるためにビームを絞る必要があり、できるだけ大きなスポット径が得られるようにレーザ光２ｉはＣｉ分布を適用した。パルス巾ＴＰｉを２５ｎｓ、パルス周期ＴＰＰｉを０．０３ｍｓ（周波数３０ｋＨｚ）、ピ−ク出力ＷＰｉを２．４〜４．０ｋＷ、パルスエネルギＥＰｉを０．０６〜０．１０ｍＪとし、加工スポット径ｄＳｉを４０μｍにすると、パルスエネルギ密度ＥｄＳｉを４．８〜８．０Ｊ／ｃｍ２にでき、導体層２１及び絶縁層の大半を除去することができた。また、厚さ９μｍの導体層に穴径１００μｍのウィンドーを加工するには、ビームスポットをいくつかの同心円状に円周運動（図中矢印）させる必要がある。この場合、必要なパルスの総数Ｎｉは１００ショットであった。ここで、絶縁層を残す厚さｔは５〜１０μｍが良い。ここで、第１のレーザ光２ｉのエネルギ空間分布をトップハット形にしているため、残膜厚をほぼ均一にできる。
【００３９】
絶縁層２２の残膜ｔは、音響光学素子６への高周波電圧の印加を停止することにより得た第２のレーザ光２ｋにより除去した。レーザ光２ｋの穴底の絶縁層を除去するのに必要なＵＶレーザのエネルギ密度は０．３〜０．５Ｊ／ｃｍ２以上（実用的には０．５Ｊ／ｃｍ２以上）である。このため、絶縁層を均一に除去でき、かつ樹脂の引き剥がし強度を向上するために設けられている内層導体表面の酸化物層を除去でき、かつ導体層素材にほとんど損傷を与えないトップハット形状のＢｋ分布を適用した。第２のレーザ光２ｋのパルスエネルギＥＰｋを分解エネルギしきい値ＥＳｋよりも高く、内層導体層２４の分解エネルギしきい値よりも低ければ内層の導体層２４に損傷を与えることはない。したがって、パルス巾ＴＰｋを２５ｎｓ、パルス周期ＴＰＰｋを０．０３ｍｓ（波数３０ｋＨｚ）、ピ−ク出力ＷＰｋを２．３〜３．６ｋＷ、パルスエネルギＥＰｋを０．０６〜０．０９ｍＪを適用し、加工スポット径ｄＳｋをウィンドー径１００μｍよりも大きい１２０μｍにしてパルスエネルギ密度ＥｄＳｋを０．５〜０．８Ｊ／ｃｍ２とした。この条件は、実用的に必要なエポキシ系絶縁層の分解エネルギ密度０．３〜０．５Ｊ／ｃｍ２より高いため絶縁層の残膜を除去することができ、また、内層導体層の銅に対する分解エネルギ密度０．８〜１．０Ｊ／ｃｍ２より低いため、内層導体層に損傷を与えることがなかった。このときの、絶縁層除去速度は約０．５μｍ／パルスであり、必要なパルス数Ｎｋは３０ショットであった。
【００４０】
図２（ｂ）には、この方法のタイミングチャートが記載されている。第１のレーザ光２ｉを照射している時間にも第２のレーザ光２ｋが弱く重畳されることがわかる。これは音響光学素子の回折効率が１００％ではないために発生するものであるが、樹脂の分解エネルギしきい値より低い値であるため、上記第１のレーザ光２ｉの加工への悪影響はなかった。
【００４１】
この方法によれば、穴底コーナー周辺部で導体層と絶縁層との間に剥離が生じることはなかった。なお、穴明け後に穴底の導体層上にわずかな分解飛散物が残る場合があったが、これはレーザ加工の後工程のメッキ処理の最初の工程であるソフトエッチング工程において、内層導体表面の酸化物層等と共に除去することができるので問題はなかった。
【００４２】
（加工例２）
図３（ａ）は装置例１を用いた場合の樹脂ダイレクト基板の加工方法に対するエネルギ分布と穴の形状を示す図であり、図３（ｂ）はこのときの加工のタイミングを示すタイミングチャートである。図３（ａ）において、２２はエポキシ系からなる絶縁層（厚さ５０μm）、２４は銅からなる内層導体層、ｔは第1のレーザ光２ｉで加工した後に残す膜厚である。ここで、第１のレーザ光２ｉに対する分解エネルギしきい値ＥＳｉは、絶縁層２２の樹脂に対する分解エネルギしきい値の中で決まるので、０．３〜０．５Ｊ／ｃｍ２である。
【００４３】
加工方法としては加工例１とほぼ同様であるので異なる点を説明する。第１のレーザ光２ｉの樹脂層に対して必要なエネルギ密度は、導体層に対するものより低いのでＡｉ分布を適用した。パルス巾ＴＰｉを２５ｎｓ、パルス周期ＴＰＰｉを０．０３ｍｓ（周波数３０ｋＨｚ）、ピ−ク出力ＷＰｉを１．０〜１．６ｋＷ、パルスエネルギＥＰｉを０．０２５〜０．０４０ｍＪとし、加工スポット径ｄＳｉを５０μｍにすると、パルスエネルギ密度ＥｄＳｉを１．３〜２．０Ｊ／ｃｍ２にでき、絶縁層の大半を除去することができた。必要なパルス数Ｎｉは２５ショットであった。絶縁層を残す厚さｔは、絶縁層厚のばらつきを考慮して５〜１０μｍとした。ここで、第１のレーザ光２ｉのエネルギ空間分布をトップハット形にしたため、残膜厚をほぼ均一にできた。
【００４４】
絶縁層２２の残膜ｔは、トップハット形状のＢｋ分布にした第２のレーザ光２ｋにより除去する。パルス巾ＴＰｋを２５ｎｓ、パルス周期ＴＰＰｋを０．０３ｍｓ（波数３０ｋＨｚ）、ピ−ク出力ＷＰｋを０．４〜０．６ｋＷを適用した。ここで、加工例１と異なり、穴底以外の損傷を避けるために加工スポット径ｄＳｋをウィンドー径５０μｍよりも大きくできないので、ウィンドー径と同じ５０μｍにして、パルスエネルギＥＰｋを０．０１０〜０．０１６ｍＪに下げ、パルスエネルギ密度ＥｄＳｋを０．５〜０．８Ｊ／ｃｍ２とした。このときの、絶縁層除去速度は約０．５μｍ／パルスであり、必要なパルス数Ｎｋは１５ショットであった。
【００４５】
（装置例２）
図４は、本発明の第２の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図であり、ＵＶレーザでウィンドーを明けた後にＣＯ２レーザで絶縁層を除去することもできるようにしたものである。同図において、レーザ発振器１ｉから出力されたＵＶレーザ光２ｉは、ビーム整形ユニット３０ｉを通り、コリメータ３ｉにより直径を拡大あるいは縮小され、アパーチャ４ｉにより加工に適した直径に整形される。そして、コーナーミラー５ｉを介して加工ヘッドＺｉに入射し、ヘッド部Ｚｉにより集光されて加工面に垂直に入射する。
【００４６】
レーザ発振器１ｊから出力されたＣＯ２レーザ光２ｊはビーム整形ユニット３０ｊを通り、コリメータ３ｊにより直径を拡大あるいは縮小され、アパーチャ４ｊにより加工に適した直径に整形される。そして、コーナーミラー５ｊを介して加工ヘッドＺｊに入射し、ヘッド部Ｚｊにより集光されて加工面に垂直に入射する。
【００４７】
レーザ発振器１ｋから出力されたＵＶレーザ光２ｋは、ビーム整形ユニット３０ｋを通り、コリメータ３ｋにより直径をＭｋ倍に拡大あるいは縮小され、アパーチャ４ｋにより加工に適した直径に整形される。そして、コーナーミラー５ｋを介して加工ヘッドＺｋに入射し、ヘッド部Ｚｋにより集光されて加工面に垂直に入射する。
【００４８】
レーザ光２ｉ、２ｊ、２ｋのいずれもビーム整形ユニット３０ｉ、３０ｊ、３０ｋを制御することにより、エネルギ空間分布をガウス分布からトップハット形状に整形することができる。
【００４９】
また、アパーチャ径ｄＡｉ、ｄＡｊ、ｄＡｋを変更することにより、ワーク表面において、エネルギ密度一定のまま加工ビーム径ｄＳｉ、ｄＳｊ、ｄＳｋの調整が可能である。
【００５０】
また、アパーチャ径ｄＡｉ、ｄＡｊ、ｄＡｋを一定にしたまま、コリメ−タ３ｉ、３ｊ、３ｋの拡大率Ｍｉ、Ｍｊ、Ｍｋを変えることによって異なるエネルギ空間分布Ａｉ、Ｂｉ、Ａｊ、Ｂｊ、Ａｋ、Ｂｋとすることができる。また、アパーチャを光路から外すと、エネルギ空間分布をフル出力のＣｉ、Ｃｊ、Ｃｋとすることができる。
【００５１】
また、ヘッドＺｉ、ヘッドＺｊ、ヘッドＺｋはそれぞれ連続的に加工を行うことができ、それぞれプリント基板の全域を加工できる移動量をもっている。そして、ＸＹワークテーブルの移動距離が最小となるように、軸間距離Ｌｉｊ、Ｌｊｋが最小となるように、かつそれぞれがワークテーブル上の同一のプリント基板を加工できるようにして、レーザ加工装置上に直線的に配置されている。
【００５２】
（加工例３）
図５は装置例２を用いて、ガラス入り基板の加工を行う場合のエネルギ分布と穴の形状を加工順に示す図であり、図６はこのときの加工のタイミングを示すタイミングチャートである。これらの図において、図５における（ａ）〜（ｃ）と図６における（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ対応している。
【００５３】
図５（ａ）において、外層導体層２１（厚さ９μm）は、レーザ光２ｉのパルスエネルギＥＰｉが分解エネルギしきい値ＥＳｉよりも高い範囲のエネルギによって除去される。そこで、レーザ光２ｉのパルス巾ＴＰｉを３０ｎｓ、パルス周期ＴＰＰｉを０．０４ｍｓ（周波数２５ｋＨｚ）、ピ−ク出力ＷＰｉを４０００Ｗ、パルスエネルギＥＰｉを０．１２ｍＪのＣｉ分布を適用し、加工スポット径ｄＳｉを６０μｍとして、パルスエネルギ密度ＥｄＳｉを４Ｊ／ｃｍ２とした。この条件は、実用的に必要なエネルギ密度３Ｊ／ｃｍ２以上（実験値である）を満足するので導体層を除去することができる。また、ビーム径より大きい、導体層の穴径１００μｍのウィンドーを加工するために、ビームスポットを円周運動（図中矢印）させた。この場合、必要なパルス数Ｎｉは８０ショットであった。
【００５４】
図５（ｂ）において、絶縁層２２（厚さ５０μm）はレーザ光２ｊによってほとんど除去される。ここで、パルス巾ＴＰｊを１０μｓ、ピ−ク出力ＷＰｊを８００Ｗ、パルスエネルギＥＰｊを８ｍＪのＣｊ分布、加工スポット径ｄＳｊをウィンドー径１００μｍよりも大きい１５０μｍにして、パルスエネルギ密度ＥｄＳｊを４５Ｊ／ｃｍ２にした。パルス数Ｎｊを３ショットとした。この条件は、ほとんどの絶縁層を除去できるが、穴底に厚さｔｃが０．１〜３μｍのスミアが残った。
【００５５】
図５（ｃ）において、絶縁層２２のスミアはレーザ光２ｋによって除去される。したがって、パルス巾ＴＰｋを３０ｎｓ、パルス周期ＴＰＰｋを０．０４ｍｓ（波数２５ｋＨｚ）、ピ−ク出力ＷＰｋを４０００Ｗ、パルスエネルギＥＰｋを０．１２ｍＪのＢｋ分布を適用し、加工スポット径ｄＳｋをウィンドー径１００μｍよりも大きい１５０μｍにした。この場合のパルスエネルギ密度ＥｄＳｋは０．７Ｊ／ｃｍ２である。このときの、絶縁層除去速度は約０．５μｍ／パルスであり、必要なパルス数Ｎｋは１０〜１５ショットであった。
【００５６】
そして、以上の方法によれば、導体層の加工とガラス繊維を含む絶縁層の加工を最も効率よく行うことができる。また、ＵＶレーザ光の穴底に到達するトータルエネルギは約０．５５ｍＪ（≒０．１２ｍＪ×１０ショット×（φ１００／φ１５０）２）であり、絶縁層を直接加工する場合のトータルエネルギ６ｍＪ（０．１２ｍＪ×５０ショット）の約１０％以下であった。したがって、ＵＶレーザ光の吸収率が低い材料であっても、穴底が損傷することも、また、穴底コーナー周辺部で導体層と絶縁層との間に剥離が生じることはなかった。さらに、本加工例の場合、絶縁層の厚さがばらついても、ＣＯ２レーザ光２ｊ加工後の残膜厚（スミア厚）は変わらないので、加工の信頼性が向上した。
【００５７】
（加工例４）
図７は装置例２の装置を用いて、ＲＣＣ基板の加工を行う場合のエネルギ分布と穴の形状を加工手順に示す図であり、図８はこのときの加工のタイミングを示すタイミングチャートある。図７における（ａ）〜（ｃ）と図８における（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ対応している。
【００５８】
ＲＣＣ基板では、導体層２１の加工は、図７（ａ）に示すように、前記図５（ａ）と同様に行なった。図７（ｂ）のＣＯ２レーザ光２ｊによる絶縁層２２の除去加工はガラス入り基板に比べて分解エネルギ密度しきい値が低いので、Ｂｊ分布のパルス巾ＴＰｊが１０mｓ、ピ−ク出力ＷＰｊが５００Ｗ、パルスエネルギＥＰｊが５ｍＪの条件を適用した。そして、加工スポット径ｄＳｊを１５０μｍにすると、３０Ｊ／ｃｍ２のパルスエネルギ密度ＥｄＳｊが得られ、実用パルスエネルギ密度１０Ｊ／ｃｍ２以上を満足する。この条件によれば、１〜２ショットでほとんどの絶縁層を除去できるが、穴底に厚さｔｃが０．１〜３μｍの残膜（スミア）が残るので、図５（ｃ）の場合と同様にして、残膜を除去した。
【００５９】
（加工例５）
図９（ａ），（ｃ）は、装置例２の装置を用いて表面に導体層のないＦＲ−４基板の加工を行う場合のエネルギ分布と穴の形状を示す図であり、（ｂ）、（ｄ）はそのときのタイミングを示すタイミングチャートである。表面に導体層のないＦＲ−４基板加工では、同図（ａ）に示すように、穴入口径が、絶縁層を除去するためのレーザ光２ｊのパルスエネルギＥＰｊと絶縁層の分解エネルギしきい値ＥＳｊにより決まることを除いて、図５（ｂ）の絶縁層の除去加工と同様に行った。また、同図（ｂ）の絶縁層２２のレーザ光２ｋによる穴底の絶縁層残膜の除去は図５（ｃ）の穴底の残膜除去と同様に行った。
【００６０】
（加工例６）
図１０（ａ）、（ｃ）は、装置例２の装置を用いて表面に導体層のない樹脂基板の加工を行う場合のエネルギ分布と穴の形状を示す図であり、（ｂ）、（ｄ）はそのときのタイミングを示すタイミングチャートである。表面に導体層のない樹脂基板では同図（ａ）に示すように、穴入口径が絶縁層を除去するためのレーザ光２ｊのパルスエネルギＥＰｊと絶縁層の分解エネルギしきい値ＥＳｊで決まることを除いて、図７（ｂ）の絶縁層の加工と同様に行った。また、同図（ｃ）の絶縁層２２のレーザ光２ｋによる穴底の絶縁層の残膜除去は、図７（ｃ）の穴底の残膜除去と同様に行った。
【００６１】
（加工例７)
図１１（ａ）、（ｃ）は、装置例２の装置を用いて表面に導体層のない樹脂基板（あるいは導体層のないＦＲ−４基板）の加工を行う場合のエネルギ分布と穴の形状を示す図であり、（ｂ）、（ｄ）はそのときのタイミングを示すタイミングチャートである。表面に導体層のない樹脂基板では、同図（ａ）に示すように、レーザ光２ｊの代わりにＵＶレーザ光２ｉのＢｉ分布を適用し、パルスエネルギＥＰｉと絶縁層の材質により、絶縁層を絶縁層の厚さのばらつき分を考慮して、ｔが５〜１０μｍ残るように加工し、同図（ｃ）に示すように、レーザ光２ｋにより穴底の残膜厚ｔを除去した。
【００６２】
（装置例３）
図１２は、本発明の第３の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図であり、図４と同じものまたは同一機能のものは、同一の符号を付して説明を省略する。
【００６３】
同図において、１０はレーザ光２ｉの光軸上に設置された偏光ビームコンバイナ（偏光ビームスプリッタ）、１１はレーザ光２ｋの光軸上に設置された１／２波長板、１２は全反射コーナーミラーである。全反射コーナーミラー１２はレーザ光２ｋを反射して、偏光ビームコンバイナ１０を透過したレーザ光２ｉと同軸になるように配置された。また、レーザ発振器１ｉとレーザ発振器１ｋは偏光方向と光軸が互いに平行となるように配置された。
【００６４】
この結果、Ｂｉ分布のレーザ光２ｉのＰ波成分Ｐｉと、Ｂｋ分布のレーザ光２ｋのＳ波成分Ｓｋを同軸化したレーザ光が時間軸で同時又は直列的に加算される。すなわち、ヘッドＺｉの出力を一定にした状態で加工部に、異なるエネルギ密度、出力密度、スポット径のビームを供給することができる。また、１／２波長板１１、全反射コーナーミラー１２を光軸から外すことにより、図４の場合と同様に、レーザ光２ｉ、レーザ光２ｋにより同時および個別加工を行うこともできる。
【００６５】
なお、レーザ光２ｉの電場ベクトルが紙面平行方向、レーザ光２ｋの電場ベクトルが紙面垂直方向となるようにレーザ発振器１ｉとレーザ発振器１ｋを設置した場合、レーザ光２ｋの偏光方向はＳ波成分Ｓｋとなるので、図１２における１／２波長板１１を省くことができる。
【００６６】
（加工例８）
図１３は、装置例３の装置によるＲＣＣ基板の加工例を示す図である。
同図において、導体層加工と絶縁層加工とを導体層除去エネルギ密度に設定したＣｉ分布のレーザ光２ｉおよびＢｋ分布の穴底の樹脂残厚は除去できるが導体層に損傷を与えないエネルギ密度のレーザ光２ｋにより、所定の絶縁層厚に対して１０μｍを残し、途中まで同時に加工を行った。引き続きヘッドＺｋによりレーザ光２ｋで樹脂残厚を連続的にショットして穴明けした。これにより、製造工程における絶縁層厚誤差の影響を受けることなく導体層と絶縁層の除去が可能になり、穴底を損傷することなくブラインドホールを加工できるため穴品質が向上した。また、ガルバノミラーの位置決め後のトータルパルスショット時間０．０１２秒（２５ｋＨｚ、３００ショット）は同時加工により変わらなかった。
【００６７】
（加工例９）
図１４は、第３の実施形態の装置による樹脂基板（層厚４０μｍ）の加工例を示す図である。
同図において、絶縁層除去エネルギ密度に設定したＡｉ分布のレーザ光２ｉ、およびＢｋ分布の絶縁層は除去できるが導体層に損傷を与えないエネルギ密度のレーザ光２ｋにより、所定の絶縁層厚に対して１０μｍを残し途中まで同時に加工を行い、引き続きヘッドＺｋでレーザ光２ｋにより連続的にショットして穴明けした。これにより、製造工程における絶縁層厚誤差の影響を受けることなく導体層と絶縁層の除去が可能になり、穴底を損傷することなくブラインドホールを加工できるため穴品質が向上した。また、ガルバノミラーの位置決め後のトータルパルスショット時間０．００１秒（４０ｋＨｚ、４０ショット）は同時加工により単独の場合の０．００２秒（４０ｋＨｚ、８０ショット）を１／２に低減できた。
【００６８】
（装置例４）
図１５は、本発明に係る第４の実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す図であり、図4、１２と同じものまたは同一機能のものは、同一の符号を付して説明を省略する。なお、レーザ源１ｉは、直線偏光であるレーザ光２の電場ベクトルが紙面平行方向のＰ波成分になるように設置された。同図において、６ａ、６ｂは音響光学偏向器であり、電場ベクトルが平行偏光のレーザ光２の光軸上に設置された。８は０次回折光（透過光）用のビームダンパである。
【００６９】
なお、レーザ光２ｉおよびレーザ光２ｋは、音響光学偏向器６ａ、６ｂによるエネルギロスが発生するため、エネルギ密度、出力密度は図4におけるレーザ光２ｉ、レーザ光２ｋに対し、それぞれ約１５％低下する。しかし、エネルギ空間分布などの特性は変化しないので、出力を調整することにより、図4に示した装置例１と実質的に同じ加工を行うことができた。
【００７０】
（加工例１０）
ガラス入り基板を加工する場合には、次のような手順で行った。先ず、エネルギ密度を導体層除去エネルギ密度に設定したＣｉ分布のレーザ光２ｉにより導体層を除去した後、Ａｊ分布のレーザ光２ｊにより絶縁層を除去し、さらに、Ｂｋ分布のレーザ光２ｋにより穴底の残膜を除去して、ブラインドホールを形成した。この場合、ガルバノミラーを位置決めしてから、ショット時間が最も長いのは導体層除去時の０．００１２秒であった。また、絶縁層除去では０．００３秒、穴底の残膜除去は０．０００４秒であった。したがって、穴底の残膜除去を導体層除去のガルバノミラー移動中に行うことができるため、実質的な加工速度は図4に示した装置例１と変わらなかった。この結果、１個のレーザ源１ｉで図4におけるレーザ源１ｉとレーザ源１ｋの動作を兼用することができるので、装置のコストを低減することができた。
【００７１】
（装置例５）
図１６は、本発明に係る第５の実施形態に係るレーザ加工装置の構成を示す図であり、装置例２、装置例３又は装置例４に係る前述の図4、１２、１５と同じものまたは同一機能のものは、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７２】
これは装置例４において、音響光学装置６ａ、６ｂを配置し、１／２波長板１１と全反射コーナーミラー１２および偏光ビームコンバイナ１０を配置することにより、１台のレーザ源１ｉからレーザ光２ｉ、レーザ光２ｋを分離あるいは同軸化するようにしたものである。
【００７３】
また、１／２波長板１１、および全反射コーナーミラー１２を光軸から外すことにより、図１５の場合と同様に、レーザ光２ｉ、レーザ光２ｋ（一点鎖線）を個別に用いて加工を行うこともできる。
【００７４】
（加工例１１）
装置例５に係るレーザ加工装置によって樹脂ダイレクト基板（絶縁層の厚さは４０μｍである。）の加工を、前記装置例３と同様の方法で行った。これにより、装置例３と同様に穴品質が向上した。また、ガルバノミラーの位置決め後のレーザ光２ｉ、レーザ光２ｋをそれぞれ時間をずらせてショットしたが、レーザ光２ｉの出力を増すことにより、ト−タルパルスショット時間０．００１秒（４０ｋＨｚ、４０ショト）を維持できた。
【００７５】
また、レーザ光を同軸化するための１／２波長板１１、および全反射コーナーミラー１２を光軸から外すことにより前記装置例３で示したレーザ加工装置の機能と同等にすることができた。すなわち、１つのレーザ源で装置例３と同じ機能を持たせることができる。その結果、装置コストの低減を図ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図である。
【図２】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状を加工順に示す図である。
【図３】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状を加工順に示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図である。
【図５】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状を加工順に示す図である。
【図６】図５のタイミングチャートを示す図である。
【図７】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状を加工順に示す図である。
【図８】図７のタイミングチャートを示す図である。
【図９】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状およびタイミングチャートである。
【図１０】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状およびタイミングチャートである。
【図１１】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状およびタイミングチャートである。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図である。
【図１３】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状およびタイミングチャートである。
【図１４】本発明に係るレーザ加工装置を用いた加工部のエネルギ分布と穴の形状およびタイミングチャートである。
【図１５】本発明の第４の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図である。
【図１６】本発明の第５の実施形態に係るレーザ加工装置の構成図である。
【図１７】従来のレーザ加工装置の構成図である。
【図１８】ビーム整形ユニット、コリメータ、アパーチャの作用を示す図である。
【符号の説明】
【００７７】
１，１ｉ，１ｊ，１ｋ  レーザ発振器
２  レーザ光
３，３ｉ，３ｊ，３ｋ  コリメータ
４，４ｉ，４ｊ，４ｋ  アパーチャ
５，５ｉ，５ｊ，５ｋ  コーナーミラー
１４  ミラー
１５ａ，１５ｂ  ガルバノミラー
１６  ｆθレンズ
３０，３０ｉ，３０ｊ，３０ｋ  ビーム整形ユニット
２，２ｉ，２ｊ，２ｋ  レーザ光
Ｚ，Ｚｉ，Ｚｊ，Ｚｋ  ヘッド部
【図１】
2006205261.tif 000003
【図２】
2006205261.tif 000004
【図３】
2006205261.tif 000005
【図４】
2006205261.tif 000006
【図５】
2006205261.tif 000007
【図６】
2006205261.tif 000008
【図７】
2006205261.tif 000009
【図８】
2006205261.tif 000010
【図９】
2006205261.tif 000011
【図１０】
2006205261.tif 000012
【図１１】
2006205261.tif 000013
【図１２】
2006205261.tif 000014
【図１３】
2006205261.tif 000015
【図１４】
2006205261.tif 000016
【図１５】
2006205261.tif 000017
【図１６】
2006205261.tif 000018
【図１７】
2006205261.tif 000019
【図１８】
2006205261.tif 000020