(57)【要約】【課題】  連続鋳造において鋳型内のモールドパウダー層の溶融厚みを多周波渦流式厚み計測器で計測するに当たり、溶鋼湯面に非接触式で且つ精度良く更に塩水を用いた場合などに比較して大幅に危険性を回避して多周波渦流式厚み計測器を校正する方法提供する。【解決手段】  少なくとも２種以上の周波数における位相情報と絶対値情報とを用いて、連続鋳造鋳型内の溶融金属２上に添加されたモールドパウダー４の溶融層５の厚みを計測する多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法であって、前記溶融金属と電気的に性質が近く固体である溶融金属模擬材と、前記モールドパウダーの溶融層と電気的に性質が近く固体である溶融モールドパウダー模擬材とからなる校正板１９を用いて校正する。【選択図】            図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２種以上の周波数における位相情報と絶対値情報とを用いて、連続鋳造鋳型内の溶融金属上に添加されたモールドパウダーの溶融層の厚みを計測する多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法であって、前記溶融金属と電気的に性質が近く固体である溶融金属模擬材と、前記モールドパウダーの溶融層と電気的に性質が近く固体である溶融モールドパウダー模擬材と、を用いて校正することを特徴とする、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法。
【請求項２】
前記溶融金属模擬材及び前記溶融モールドパウダー模擬材を平板状となし、片面が溶融金属模擬材、他の片面が溶融モールドパウダー模擬材となるように重ね合わせ、それぞれの面を用いて校正することを特徴とする、請求項１に記載の多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法。
【請求項３】
少なくとも２種以上の周波数における位相情報と絶対値情報とを用いて、連続鋳造鋳型内の溶融金属上に添加されたモールドパウダーの溶融層の厚みを計測する多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正装置であって、前記溶融金属と電気的に性質が近く固体である溶融金属模擬材と、前記モールドパウダーの溶融層と電気的に性質が近く固体である溶融モールドパウダー模擬材と、が重ね合わされて構成される校正板が、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器のセンサー直下位置で、上下移動可能で且つそれぞれの面が当該センサーに対向するように回転可能に設置されていることを特徴とする、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連続鋳造において潤滑剤などとして用いられているモールドパウダーの溶融層厚みを計測するための多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法及び校正装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
鋼の連続鋳造では、溶鋼を水冷構造の鋳型に注入して冷却し、鋳型との接触面に凝固シェルを生成させながら、この凝固シェルを鋳型下方に連続的に引き抜き、鋳片を製造している。この連続鋳造においては、銅を母材とし、その表面にクロムまたはニッケル若しくはこれら金属の合金が必要に応じてメッキされた鋳型銅板表面と、生成される凝固シェルとの摩擦抵抗を減じるために、潤滑剤としてモールドパウダーが使用されている。
【０００３】
モールドパウダーは、ＣａＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯなどの酸化物を基材とし、これら基材に、基材の物性を調整するためのＮａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、ＣａＦ2 、ＭｇＦ2 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、氷晶石などのアルカリ金属又はアルカリ土類金属の酸化物や弗化物または炭酸化物と、基材の主成分であるＣａＯ、ＳｉＯ2 の成分調整材である炭酸カルシウムや珪藻土と、溶融速度調整材であるカーボンブラック、人造黒鉛などの炭素物質と、が添加されて構成されており、鋳型内の溶鋼上に添加されたモールドパウダーは溶融して鋳型と凝固シェルとの間隙に流入し、潤滑剤としての機能を発揮する。尚、モールドパウダーは、その他に酸化防止剤、保温剤、溶鋼から浮上してくるアルミナなどの酸化物の吸収剤としての機能も有している。
【０００４】
鋳型内に添加されたモールドパウダーは、溶鋼の熱によって加熱され、溶鋼と接触する側が溶融する。モールドパウダーの潤滑剤としての機能或いは酸化物吸収剤としての機能などは、モールドパウダーの溶融層の厚みに依存することから、鋳造中にモールドパウダーの溶融層厚みを計測し、その厚みを調整することは連続鋳造操業の安定化につながる。そのため、正確に且つ迅速にモールドパウダーの溶融層厚みを計測する手段が切望されていた。
【０００５】
従来、モールドパウダーの溶融層厚みを計測する手段としては、金属製の検知棒を鋳型内の溶鋼湯面に浸漬させた後に引き上げ、検知棒に固化付着したモールドパウダー層の厚みから溶融厚みを推定する方法が主として行われていたが、測定者による測定誤差が生じたり、溶鋼中に浸漬させることから品質上の問題が発生したりする場合もあった。
【０００６】
本発明者等は、これらの問題を解決するために、複数の周波数を用い、各周波数における位相と絶対値の双方を用いてモールドパウダーの溶融厚みを計測する多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器を提案した（特許文献１参照）。この計測器を用いることで、極めて容易に且つ連続してモールドパウダーの溶融厚みを計測することが可能となった。但し、この多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器は、溶鋼湯面位置の実測値やモールドパウダーの溶融厚みの実測値に基づいて当該計測器の出力を校正しないと、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の出力から求めた溶融厚みの絶対値が確認できないという問題がある。
【０００７】
従来、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法は提案されていないが、１つの周波数のみを用いて鋳型内の溶鋼湯面位置を計測する渦流式湯面計測器の校正方法は多数提案されている。例えば、特許文献２には、冷間模擬材を用いて冷間校正曲線を作成し、熱間での計測時には、或る基準点に冷間校正曲線を平行移動させて熱間の校正曲線を得る方法が提案されている。但し、この方法で対象とする渦流信号は絶対値（電圧）のみである。特許文献３には、鋳型銅板内に埋設した複数の測温素子による鋳型銅板温度に基づき溶鋼湯面位置を計測し、この計測値によって渦流式湯面計測器を校正する方法が提案されている。また、特許文献４には、鋼製の検知棒を溶鋼湯面に浸漬させた後に引き上げ、検知棒の付着物から溶鋼湯面位置を定め、求めた溶鋼湯面位置を用いて渦流式湯面計測器を校正する方法が提案されている。
【特許文献１】特願２００４−２７５３１
【特許文献２】特開平３−２９１５３１号公報
【特許文献３】特開平２−１４０６２１号公報
【特許文献４】特開平８−１６８８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、これらの校正方法を多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正に適用する際には以下の問題点がある。
【０００９】
即ち、特許文献２は、溶鋼レベルを計測するための校正方法であり、換言すれば１種類の導電率の物質までの距離を計測するための校正方法である。モールドパウダー層の溶融厚みを渦流方式により計測するためには、溶鋼湯面位置に対する変化と異なる特性を有するモールドパウダー溶融層の厚みに対する変化も校正する必要があり、つまり、溶鋼並びに溶融したモールドパウダーの両者への影響を校正する必要があり、冷間模擬材としての導電率が１種のみでは多周波渦流式には適用不可能である。
【００１０】
特許文献３では、溶鋼湯面位置は計測可能であるが、モールドパウダー層の溶融厚みを推定する手段がなく、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正に適用することはできない。
【００１１】
特許文献４では、検知棒として銅メッキを施した鉄棒を使用することにより、銅メッキ部はモールドパウダーの溶融層で溶け、鉄棒は溶鋼で溶けるので、引き上げた検知棒から溶鋼湯面位置とモールドパウダーの溶融層とを計測することが可能であり、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正に利用することが可能である。しかし、接触式であるため、浸漬中に溶鋼流動によって溶鋼湯面に渦が発生してモールドパウダーが溶鋼に巻き込まれるなど、鋳片品質を悪化させる可能性があり、この点から非接触式の校正方法が望まれている。
【００１２】
また一般的に、従来、溶融したモールドパウダーの冷間模擬材として塩水が用いられているが、連続鋳造の操業中、鋳型上で塩水を用いることは水蒸気爆発などの可能性から危険であり現実的でない。また、塩水は温度によって導電率が大きく変化するので、高温度雰囲気である鋳型上で用いることは適当でない。
【００１３】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、連続鋳造において鋳型内に添加されたモールドパウダーの溶融厚みを多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器で計測するに当たり、溶鋼湯面に非接触式で且つ精度良く、更に塩水を用いた場合などに比較して大幅に危険性を回避して多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器を校正する方法及び校正する装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するための第１の発明に係る多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法は、少なくとも２種以上の周波数における位相情報と絶対値情報とを用いて、連続鋳造鋳型内の溶融金属上に添加されたモールドパウダーの溶融層の厚みを計測する多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法であって、前記溶融金属と電気的に性質が近く固体である溶融金属模擬材と、前記モールドパウダーの溶融層と電気的に性質が近く固体である溶融モールドパウダー模擬材と、を用いて校正することを特徴とするものである。
【００１５】
第２の発明に係る多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正方法は、第１の発明において、前記溶融金属模擬材及び前記溶融モールドパウダー模擬材を平板状となし、片面が溶融金属模擬材、他の片面が溶融モールドパウダー模擬材となるように重ね合わせ、それぞれの面を用いて校正することを特徴とするものである。
【００１６】
第３の発明に係る多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正装置は、少なくとも２種以上の周波数における位相情報と絶対値情報とを用いて、連続鋳造鋳型内の溶融金属上に添加されたモールドパウダーの溶融層の厚みを計測する多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正装置であって、前記溶融金属と電気的に性質が近く固体である溶融金属模擬材と、前記モールドパウダーの溶融層と電気的に性質が近く固体である溶融モールドパウダー模擬材と、が重ね合わされて構成される校正板が、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器のセンサー直下位置で、上下移動可能で且つそれぞれの面が当該センサーに対向するように回転可能に設置されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正を、固体の溶融金属模擬材と固体の溶融モールドパウダー模擬材とを用いて行うので、鋳型内溶鋼湯面の計測とモールドパウダー溶融層厚みの計測の双方の校正を同時に行うことができ、その結果、モールドパウダー溶融層厚みの計測を精度良く行うことが可能になり、また、模擬材として固体の物質を用いているので、鋳型上でも安全に校正することができ、必要ならば操業中でも校正することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を、スラブ連続鋳造機で溶鋼を鋳造する場合に適用した例を用いて具体的に説明する。
【００１９】
鋼の連続鋳造では、溶鋼を水冷構造の鋳型に注入して冷却し、鋳型との接触面に凝固シェルを生成させながら、この凝固シェルを鋳型下方に連続的に引き抜き、連続鋳造鋳片を製造している。鋳型内には、凝固シェルと鋳型との潤滑剤、溶鋼の酸化防止剤、溶鋼の保温剤、及び溶鋼から浮上してくるアルミナなどの酸化物の吸収剤として、モールドパウダーが添加される。添加されたモールドパウダーは、溶鋼を覆い、溶鋼から熱を受け、溶鋼と接触する側は溶融して溶融層を形成する。溶融したモールドパウダーは凝固シェルと鋳型との間隙を流下して消費されるので、この消費量に応じて新たにモールドパウダーが鋳型内に添加される。
【００２０】
モールドパウダーの溶融層の厚みは、流下して消費される量と新たに溶融される量とで決定されるが、鋳造条件が変化するとモールドパウダーの消費量が変化し、それに応じてモールドパウダーの溶融層厚みも変動する。この溶融層厚みが薄くなると、未溶融のモールドパウダーが溶鋼に巻き込まれるなどして鋳片の品質欠陥の原因になるのみならず、鋳型と凝固シェルとの潤滑が不足し、ブレークアウトを発生する恐れもある。そのため、モールドパウダーの溶融層の厚みを計測し、管理することが極めて重要となる。
【００２１】
鋳型内の溶鋼及びモールドパウダーの状態を示す概略図を図１に示す。図１に示すように、溶鋼２の上に添加されたモールドパウダー４は、溶鋼２の熱によって溶融し、溶鋼２と接触する側の溶融層５と、その上の未溶融の粉末層６との２層になっている。図中、符号１は鋳型銅板、符号３は溶鋼２が冷却されて生成した凝固シェルである。尚、図１では凝固シェル３と鋳型銅板１との間隙を流下するモールドパウダー４は省略している。
【００２２】
ここで、本発明において校正の対象とする多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器（以下、「多周波渦流式厚み計測器」とも記す）について説明する。
【００２３】
溶鋼２、溶融層５、粉末層６の導電率を表１に示す。溶融層５の導電率は溶融させたモールドパウダーで計測し、粉末層６の導電率は、粉末状態のモールドパウダーで計測した値である。表１に示すように、溶鋼２の導電率は非常に大きく、それに対して溶融層５の導電率は小さい。一方、粉末層６の導電率は極めて小さくほぼ絶縁体に近い。本発明で校正の対象とする多周波渦流式厚み計測器は、溶鋼２の表面即ち溶鋼湯面位置２ａまでの距離と、モールドパウダー４の溶融層５の厚みと、を計測するための装置である。
【００２４】
【表１】
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【００２５】
渦流法は、図２にその計測方法の原理を示すように、励磁コイルの信号と検出コイルの信号とを検波して、検出コイルのインピーダンス変化を計測する方法であるが、検出コイルのインピーダンスは、設計仕様の他に、検出コイルの周辺状況、例えば検出コイルに対する導電体の距離、導電体の導電率の変化などによっても変化する。ここで、インピーダンスは複素数であり、絶対値（電圧）と位相情報の２つの情報がある。即ち、１つの周波数について２つのデータが得られることになる。これらの絶対値及び位相情報の概念を図３に示す。図３において、実線の波は励磁コイルへの入力、破線の波は検出コイルの出力であり、絶対値とは、検出コイルの出力の最大値と最小値との差であり、位相情報とは、励磁コイルに入力した信号に対する位相差である。
【００２６】
鋳型内の溶鋼湯面位置２ａを計測するための渦流式湯面計測器などのように測定対象が１つならば、１つの周波数で絶対値のみを測定することで計測が可能であるが、モールドパウダー４の溶融層５の厚みを精度良く計測するためには、溶鋼湯面位置２ａ及びモールドパウダー４の粉末層６の影響を加味する必要があり、計測の対象として３種類の対象を計測する必要がある。そのためには、少なくとも３種類の周波数を用いるか、２種類の周波数でそれぞれの絶対値と位相情報とを利用するなどして、とにかく３種類以上のデータが必要である。校正対象である多周波渦流式厚み計測器は、この点を解決しており、複数の周波数における絶対値と位相情報とを利用して計測・解析し、モールドパウダー４の溶融層５の厚みを計測する方法である。
【００２７】
この多周波渦流式厚み計測器を以下のようにして校正する。図４は、本発明の実施の形態の１例を示す図であって、鋳型上に設置された多周波渦流式厚み計測器を校正する状況を示す概略図である。
【００２８】
図４に示すように、連続鋳造されている鋳型内の溶鋼２に対向して多周波渦流式厚み計測器の多周波渦流センサー１１が、上下移動可能な保持台８を介して架台７に設置されている。溶鋼２は、モールドパウダー４の溶融層５で覆われ、溶融層５は、未溶融の粉末層６で覆われている。多周波渦流センサー１１は、空芯或いは絶縁体または非磁性のボビンに巻かれたコイルからなり、励磁コイル１３と検出コイル１４とから構成される。多周波渦流センサー１１は、計測中に冷却できるようにケース１２を外殻とし、外部からケース１２の内部に導入される空気によってエアーパージされる構造である。励磁コイル１３には、発振器１５から出力された基本波形が電源アンプ１６で増幅されて入力される。検出コイル１４にて検出された信号は、差動アンプ１７で増幅された後、ロックインアンプ１８へ入力される。発振器１５から別途基本波形をロックインアンプ１８へ参照波形として入力し、検波出力として絶対値と位相とが得られる。発振器１５からの信号の周波数を変えることにより、多周波での計測が可能な計測器である。
【００２９】
多周波渦流センサー１１とモールドパウダー４との間には、校正板１９が配置されている。校正板１９は保持具１０に保持され、保持具１０は、架台７に取付けられた支持台９に支持されている。校正板１９は保持具１０に対して回転可能に保持され、保持具１０は支持台９に対して上下動可能となっている。校正板１９は、図５に示すように、ステンレス鋼の板２０（以下、「ＳＵＳ板２０」と記す）と、導電率が２０〜５０Ｓ／ｍである、例えば導電性ゴムなどの低導電率材料からなる板２１（以下、「低導電率材料板２１」と記す）とを、貼り合わせたものである。ＳＵＳ板２０は溶鋼２の冷間模擬材であり、低導電率材料板２１は溶融層５の冷間模擬材である。ＳＵＳ板２０の厚みは５ｍｍ程度で十分であり、一方、低導電率材料板２１の厚みは溶融層５の厚みを模したもので、溶融層５の厚みに応じた厚みが必要であるが、５〜３０ｍｍ程度あれば実際の溶融層５の厚み範囲を校正することができ、この範囲で複数の厚みの低導電率材料板２１を備えていれば十分である。この校正板１９を、多周波渦流センサー１１の下端から所定の距離の位置に設置し、溶鋼湯面位置２ａの計測の校正をＳＵＳ板２０の面で行い、一方、校正板１９を回転し、低導電率材料板２１の面で溶融層５の厚み計測の校正を行う。融層５の厚み計測の校正を行う際には、低導電率材料板２１の裏面のＳＵＳ板２０が溶鋼２の模擬材となり、溶融層５の厚み計測の校正が適正に行われる。校正板１９は、保持具１０に取付け、取り外しが可能になっていて、校正時以外には取り外され、計測時の障害にはならない。
【００３０】
具体的な補正方法は以下のとおりである。図６は、周波数を１００ｋＨｚにしたときの信号変化の例を示している。得られた情報のうちから絶対値と位相情報とを、Ｘ軸、Ｙ軸という二次元情報として表示している図である。図６において、Ｌは溶鋼湯面位置までの距離、Ｐは溶融層の厚みを表している。例えば、図６に示す●印は、厚みが１０ｍｍの低導電率材料板２１をＳＵＳ板２０に貼り付けた校正板１９を用い、低導電率材料板２１を多周波渦流センサー１１に向けて、ＳＵＳ板２０までの距離を８０ｍｍとしたときのデータであり、その他のデータもこれに順ずる。同様に、図７は、周波数を１ＭＨｚにしたときの信号変化の例である。
【００３１】
図６及び図７を比較すると、信号変化は、図６では、ほぼ溶鋼湯面位置のみに反応し、一方、図７では、溶融層厚みへの反応が図６の場合に比べて大きくなっていることが分かる。校正板１９の位置を変更する、及び、低導電率材料板２１の厚みを変更することによって、溶鋼湯面位置及び溶融層厚みを数水準に変更し、算出式を導出しておく。
【００３２】
ここで、仮にこのようにして校正したときに、図８に示すような結果が得られたとする。図８は、１ＭＨｚの校正時のデータ例を示す図であって、図８において、Ｌは溶鋼湯面位置までの距離、Ｐは溶融層の厚みを表している。また、図８においてはＬ及びＰが同一の条件におけるデータをそれぞれ２データづつ示しており、それらをＸ軸及びＹ軸で位置が異なる位置に表示しているが、これは分かりやすくするために表示したもので、この場合にＸ軸及びＹ軸の絶対値は関係なく、そのベクトルの方向及び大きさが校正に関係する。図８に示す結果では、２つのデータが、ともに溶融層厚みの変化に対してよりも、溶鋼湯面位置の変化に対して大きく変化していることが分かる。また、溶融層厚みの変化に対しては２つのデータが若干異なる方向に向いていることも分かる。
【００３３】
図８示すような結果が得られたなら、これを図９に示すようにして補正する。即ち、図８で得られたそれぞれのベクトルの原点を図９に示すように一致させた際に、そのベクトルの方向及び大きさに差が生じたなら、両者のベクトルが一致するように補正し、補正した上で図６及び図７から求められていた溶融層５の厚みを算出するための算出式を校正する。補正する際には、ベクトルの溶鋼湯面に対する変化と、溶融層厚みに対する変化とをそれぞれ別々に補正する。このようにすることで、溶鋼湯面位置２ａ及び溶融層５の厚みを精度良く計測することが可能となる。
【００３４】
以上説明したように、本発明によれば、多周波渦流式モールドパウダー溶融厚み計測器の校正を、固体の溶融金属模擬材と固体の溶融モールドパウダー模擬材とを用いて行うので、鋳型内溶鋼湯面位置の計測とモールドパウダー溶融層厚みの計測の双方の校正を同時に行うことができ、モールドパウダー溶融層厚みの計測を精度良く行うことが可能になる。また、模擬材として固体の物質を用いているので、鋳型上でも安全に校正することができ、必要ならば操業中でも校正を行うことが可能となる。
【００３５】
尚、上記説明では、導電率が２０〜５０Ｓ／ｍである低導電率材料として導電性ゴムを使用しているが、これに限るものではなく、導電率が溶融したモールドパウダーの導電率に近く且つ比誘電率が小さい（＜１０）固体であれば、溶融したモールドパウダーの模擬材として使用することができる。この材料としては、例えば、炭素金属複合材、導電性ガラスなどがある。また、図５に示した校正板は、表裏回転方式であるが、図１０に示すように、半分をＳＵＳ板２０のみとし、他の半分に低導電率材料板２１を貼り付けた校正板を回転させる方法であってもよく、また、ＳＵＳ板２０の上に厚みの異なる低導電率材料板２１を取り替えて設置するようにしてもよい。更に、多周波渦流センサー１１としては差分方式のセンサーもあるが、多周波渦流式である限り本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】鋳型内の溶鋼及びモールドパウダーの状態を示す概略図である。
【図２】渦流法の計測方法の原理を示す図である。
【図３】励磁コイルに対する検出コイルのインピーダンス変化を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の１例を示す図であって、鋳型上に設置された多周波渦流式厚み計測器を校正する状況を示す概略図である。
【図５】図４に示す校正板の例を示す概略図である。
【図６】周波数を１００ｋＨｚにしたときの信号変化の例を示す図である。
【図７】周波数を１ＭＨｚにしたときの信号変化の例を示す図である。
【図８】校正によって得られたデータの例を示す図である。
【図９】校正の補正例を示す図である。
【図１０】図４に示す校正板の他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  鋳型銅板
２  溶鋼
２ａ  溶鋼湯面位置
３  凝固シェル
４  モールドパウダー
５  溶融層
６  粉末層
７  架台
８  保持台
９  支持台
１０  保持具
１１  多周波渦流センサー
１２  ケース
１３  励磁コイル
１４  検出コイル
１５  発振器
１６  電源アンプ
１７  差動アンプ
１８  ロックインアンプ
１９  校正板
２０  ＳＵＳ板
２１  低導電率材料板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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