(57)【要約】【課題】  リフロー処理におけるレジストのサイズバラツキを抑制し、形状的及び特性的に安定したマイクロレンズの製造方法を提供する。【解決手段】  半導体基板に形成されるマイクロレンズを製造する方法であって、半導体基板を準備するステップと、半導体基板上に半導体基板とのエッチング選択性に優れる絶縁膜を形成するステップと、絶縁膜上に絶縁膜の一部を露出する開口部を有する第１レジスト層を形成するステップと、第１レジスト層をマスクとして絶縁膜の一部を除去してレンズ形成部を形成するステップと、周囲を絶縁膜によって囲まれたレンズ形成部に略円柱形状の第２レジスト層を形成するステップと、熱処理により第２レジスト層をリフローして略半球形状の第３レジスト層に変形するステップと、異方性エッチングにより第３レジスト層、半導体基板及び絶縁膜を同時にエッチングして半導体基板にレンズを形成するステップと、を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成されるマイクロレンズを製造する方法であって、
前記半導体基板を準備するステップと、
前記半導体基板上に前記半導体基板とのエッチング選択性に優れる絶縁膜を形成するステップと、
前記絶縁膜上に前記絶縁膜の一部を露出する開口部を有する第１レジスト層を形成するステップと、
前記第１レジスト層をマスクとして前記絶縁膜の一部を除去してレンズ形成部を形成するステップと、
周囲を前記絶縁膜によって囲まれた前記レンズ形成部に略円柱形状の第２レジスト層を形成するステップと、
熱処理により前記第２レジスト層をリフローして略半球形状の第３レジスト層に変形するステップと、
異方性エッチングにより前記第３レジスト層、前記半導体基板及び前記絶縁膜を同時にエッチングして前記半導体基板にレンズを形成するステップと、
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板は、シリコンであることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮ）であることを特徴とする、請求項２に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項４】
前記異方性エッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であることを特徴とする、請求項３に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項５】
前記異方性エッチングは、前記第３レジスト層と前記半導体基板とのエッチング選択比に比べ、前記絶縁膜と前記半導体基板とのエッチング選択比が大きいことを特徴とする、請求項４に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項６】
前記異方性エッチングは、ＣＦ４（テトラフルオロメタン）とＯ２との混合ガスを使用することを特徴とする、請求項５に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項７】
前記第１レジスト層と、前記第２レジスト層及び前記第３レジスト層とはレジストのタイプが反対であることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項８】
前記第１レジスト層を形成するためのホトマスクと、前記第２レジスト層を形成するためのホトマスクは同一であることを特徴とする、請求項７に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板は、シリコンであることを特徴とする請求項８に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮ）であることを特徴とする、請求項９に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項１１】
前記異方性エッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であることを特徴とする、請求項１０に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項１２】
前記異方性エッチングは、前記第３レジスト層と前記半導体基板とのエッチング選択比に比べ、前記絶縁膜と前記半導体基板とのエッチング選択比が大きいことを特徴とする、請求項１１に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項１３】
前記異方性エッチングは、ＣＦ４（テトラフルオロメタン）とＯ２との混合ガスを使用することを特徴とする、請求項１２に記載のマイクロレンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に形成されるマイクロレンズの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信コネクタやＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）撮像素子などの光学デバイスにはマイクロレンズが多用されている。マイクロレンズは形状が微小であることから、通常のレンズ製作に用いられる研磨やモールドとは異なる製造方法、例えば、リフロー法やグレースケールマスク法などが一般的に利用される。ここで、リフロー法について簡単に説明すると、まず、下地基板上にホトリソグラフィーにより略円柱形状のレジストパターンを形成した後、基板を加熱してレジストを流動化させ、表面張力により略半球形状のレジストパターンを形成する。続いて、この略半球形状のレジストパターンを異方性ドライエッチングにより下地基板と同時にエッチングし、下地基板に略半球形状のパターンを転写してマイクロレンズを作製する。
【０００３】
マイクロレンズの製造方法に関する発明が、例えば、特許文献１及び２に記載されている。
【０００４】
特許文献１に記載のマイクロレンズの製造方法は、下地基板（ＧａＡｓ）上にポッティングにより形成した略半球形状のレジストパターンをエッチングマスクとし、このレジストパターンと下地基板とを同時にエッチングしてマイクロレンズを作製している。（第２実施形態）
特許文献２に記載のマイクロレンズの製造方法は、基本的に従来のリフロー法を用いてマイクロレンズを作製している。ただし、構造面では、マイクロレンズの周辺部をレンズの頂点より高く形成し、外的要因によりレンズが損傷することを抑制している。この発明に係るマイクロレンズの製造方法を簡単に説明すると、まず、下地基板（ＩｎＰ）のマイクロレンズが形成される面の周辺部にネガレジストの土台を形成し、続いて、そのネガレジストの土台上と、マイクロレンズが形成される中央部とにポジレジストを形成し、熱処理によりポジレジストを流動化してスムーズなお椀型にする。続いて、このレジストパターンを異方性ドライエッチングにより下地基板と同時にエッチングしてマイクロレンズを形成する。この時、ポジレジストと下地基板との選択比が約１で、ネガレジストと下地基板との選択比が約３とすると、マイクロレンズの頂点より周辺部が高く形成されることになる。
【特許文献１】特開平５−１３６４６０号公報（第４頁、第２図）
【特許文献２】特開平６−１０４４８０号公報（第３−５頁、第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
リフロー法では、ホトリソグラフィーで形成した略円柱形状のレジストパターンを、高温の熱処理（リフロー）によって流動化させて略半球形状のレジストパターンに変形させている。このリフロー処理において、使用するレジストの材質、膜厚、そして熱処理温度の組み合わせによってはリフロー後のレジストパターンのサイズが変化することがある。特に、熱ダレによってレジストパターンが所望のサイズよりも大きくなることが多く、この場合、レンズ特性にバラツキを生じるばかりでなく、微細化の妨げとなってしまう虞がある。
【０００６】
特許文献１に記載のマイクロレンズの製造方法は、ポッティングにより略半球形状のレジストパターンを形成しているため、リフロー法よりもさらにサイズバラツキを生じやすいものと思われる。また、特許文献２に記載のマイクロレンズの製造方法は、マイクロレンズの形成に関しては公知のリフロー法を使用しているため、レジストパターンのサイズバラツキを生じやすいものと思われる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るマイクロレンズの製造方法は、半導体基板に形成されるマイクロレンズを製造する方法であって、半導体基板を準備するステップと、半導体基板上に半導体基板とのエッチング選択性に優れる絶縁膜を形成するステップと、絶縁膜上に絶縁膜の一部を露出する開口部を有する第１レジスト層を形成するステップと、第１レジスト層をマスクとして絶縁膜の一部を除去してレンズ形成部を形成するステップと、周囲を絶縁膜によって囲まれたレンズ形成部に略円柱形状の第２レジスト層を形成するステップと、熱処理により第２レジスト層をリフローして略半球形状の第３レジスト層に変形するステップと、異方性エッチングにより第３レジスト層、半導体基板及び絶縁膜を同時にエッチングして半導体基板にレンズを形成するステップと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係るマイクロレンズの製造方法によれば、略円柱形状の第２レジスト層の周囲を絶縁膜で覆った状態でリフローして略半球形状の第３レジスト層を形成するようにしたので、熱ダレによって第３レジスト層のサイズが大きくなったとしても、第３レジスト層のサイズは絶縁膜で囲まれたレンズ形成部の径で規定されるため、第３レジスト層のサイズバラツキを抑制することができる。これにより、形状的及び特性的に安定したマイクロレンズを作製することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（１）第１実施形態
図１乃至２は、本発明の第１実施形態に係るマイクロレンズの製造方法を示す工程断面図である。
【００１０】
まず、図１（ａ）に示すように、マイクロレンズを作製するための半導体基板１０１を準備する。半導体基板１０１は、例えば、シリコン基板である。
【００１１】
次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１０１上に絶縁膜１０２を形成する。絶縁膜１０２の膜厚は、例えば、１μｍである。絶縁膜１０２は、半導体基板１０１の材料であるシリコンとのエッチング選択性がある材料が好ましく、例えば、半導体装置の製造で一般的に使用されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などを使用すればよい。
【００１２】
次に、図１（ｃ）に示すように、公知のホトリソエッチングを用いて絶縁膜１０２に対して半導体基板１０１の表面の一部を露出するレンズ形成部１０２ａを形成する。レンズ形成部１０２ａの径Ｄ１は、後の工程（図１（ｄ））でレンズ形成部１０２ａ内部に形成されるレジストパターン１０３との合わせ精度や寸法バラツキなどを考慮して、レジストパターン１０３の径Ｄ２よりもΔｄだけ大きく形成する。すなわち、レンズ形成部１０２ａの径Ｄ１は、Ｄ１＝Ｄ２＋Δｄ（片側Δｄ／２）となる。なお、Δｄはレジストパターン１０３の径Ｄ２の大きさによって適宜調整するものとする。例えば、レジストパターン１０３の径Ｄ２を１００μｍ程度で形成する場合には、Δｄは１μｍ程度とすればよい。
【００１３】
次に、図１（ｄ）に示すように、公知のホトリソグラフィーを用いてレンズ形成部１０２ａに露出した半導体基板１０１上に略円柱形状のレジストパターン１０３を形成する。レジストパターン１０３の膜厚は、形成するレンズの大きさによって適宜設定されるが、例えば、１００μｍ程度の径を有するレンズを形成する場合には、レジストパターン１０３の膜厚は１０μｍ程度とすればよい。また、レジストパターン１０３の径Ｄ２も形成するレンズの大きさによって適宜設定すればよい。
【００１４】
次に、図２（ｅ）に示すように、レジストのガラス転移温度以上で熱処理を行い、略円柱形状のレジストパターン１０３をリフローして略半球形状のレジストパターン１０４に変形する。熱処理条件は、例えば、１７０〜１９０℃で３０〜３００秒間とし、使用するレジスト材料により適宜変更すればよい。この熱処理工程において、レジストパターン１０３の周囲を絶縁膜１０２が覆っているため、熱ダレによってレジストパターン１０４のサイズが大きくなったとしても、レジストパターン１０４のサイズはレンズ形成部１０２ａの径を越えて大きくなることはない。言い換えると、絶縁膜１０２の障壁によってレジストパターン１０４のサイズが規定されるのである。
【００１５】
次に、図２（ｆ）に示すように、異方性のドライエッチング、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、レジストパターン１０４、半導体基板１０１及び絶縁膜１０２を同時にエッチングする。ここでのエッチングは、例えば、エッチングガスにＣＦ４（テトラフルオロメタン）とＯ２との混合ガスを使用する。このエッチング工程において、レジストパターン１０４と半導体基板１０１との選択比が約１となるようＣＦ４とＯ２との混合比を調整すれば、レジストパターン１０４と半導体基板１０１はほぼ等しいレートでエッチングされ、半導体基板１０１に略半球形状のレジストパターン１０４が転写されていく。一方、同一のエッチング条件において、シリコンを材料とする半導体基板１０１と、例えば、シリコン酸化膜を材料とする絶縁膜１０２とのエッチング選択比は５〜１０程度となるので、絶縁膜１０２が形成された領域のエッチングはゆっくりと進んでいく。すなわち、絶縁膜１０２は半導体基板１０１に対するエッチングマスクとして機能する。一般に、被エッチング物の加工面積が少ない方がエッチングレートは速くなる傾向がある。従って、半導体基板１０１に対してエッチングマスクとして機能する絶縁膜１０２を用いて半導体基板１０１の表面の一部を覆うことにより、半導体基板１０１の露出面積を少なくすることができるため、半導体基板１０１に対するエッチングレートの低下を抑制することができる。
【００１６】
さらにエッチングが進み、レジストパターン１０４が完全になくなった状態で、図２（ｇ）に示すように、レジストパターン１０４の形状とほぼ同じ曲率を持ったレンズ部１０５が形成される。また、絶縁膜１０２に覆われていた領域では、レンズ側底部１０７よりも高くレンズ周辺部１０６が形成される。なお、このエッチング工程で絶縁膜１０２が完全になくなるように初期膜厚を設定しておけば、絶縁膜１０２を除去する工程は不要となる。このようにしてマイクロレンズ１００が完成する。
【００１７】
〔作用効果〕
第１実施形態に係るマイクロレンズの製造方法によれば、略円柱形状のレジストパターン１０３の周囲を絶縁膜１０２で覆った状態でリフローして略半球形状のレジストパターン１０４を形成するようにしたので、熱ダレによってレジストパターン１０４のサイズが大きくなったとしても、レジストパターン１０４のサイズは絶縁膜１０２で囲まれたレンズ形成部１０２ａの径で規定されるため、レジストパターン１０４のサイズバラツキを抑制することができる。これにより、形状的及び特性的に安定したマイクロレンズを作製することができるようになる。また、半導体基板１０１の表面に絶縁膜１０２を形成することにより、半導体基板１０１をエッチングしてレンズ形状を形成する工程（図２（ｆ））において、半導体基板１０１に対するエッチングレートの低下を防ぎ、エッチングの加工時間を短縮することができる。
【００１８】
（２）第２実施形態
図３乃至４は、本発明の第２実施形態に係るマイクロレンズの製造方法を示す工程断面図である。
【００１９】
まず、図３（ａ）に示すように、マイクロレンズを作製するための半導体基板２０１を準備する。半導体基板２０１は、例えば、シリコン基板である。
【００２０】
次に、図３（ｂ）に示すように、半導体基板２０１上に絶縁膜２０２を形成する。絶縁膜２０２の膜厚は、例えば、１μｍである。絶縁膜２０２は、半導体基板１０１の材料であるシリコンとのエッチング選択性がある材料が好ましく、例えば、半導体装置の製造で一般的に使用されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などを使用すればよい。
【００２１】
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜２０２上にネガ型レジストを塗布し、ＭＡＳＫ−Ａを用いて露光、現像を行い、開口部２０３ａを有するレジストパターン２０３を形成する。ここで、ＭＡＳＫ−Ａは、図５（ａ）に示すようにレンズ形成部２０２ａに対応する領域に遮光体を備えたホトマスクである。また、ネガ型レジストは、露光された部分の化学反応を利用して現像液に対して不溶化し、露光部のレジストをパターンとして残すタイプのレジストである。従って、ネガ型レジストに対してＭＡＳＫ−Ａを用いて露光及び現像すると、図３（ｃ）に示すようなレジストパターン２０３が形成されることになる。なお、絶縁膜２０２上にポジ型レジストを塗布し、図５（ｂ）に示すＭＡＳＫ−Ｂを用いてレジストパターン２０３を形成することも可能である。ここで、ＭＡＳＫ−Ｂは、レンズ形成部２０２ａに対応する領域以外に遮光体を備えたホトマスクである。また、ポジ型レジストは、露光された部分の化学反応を利用して現像液に溶かし、未露光部のレジストをパターンとして残すタイプのレジストである。従って、ポジ型レジストに対してＭＡＳＫ−Ｂを用いて露光及び現像すると、図３（ｃ）に示すようなレジストパターン２０３が形成されることになる。
【００２２】
次に、図３（ｄ）に示すように、レジストパターン２０３をエッチングマスクにして絶縁膜２０２を部分的に除去し、半導体基板２０１の表面の一部を露出するレンズ形成部２０２ａを形成する。レンズ形成部２０２ａの径Ｄ１は、後の工程（図４（ｅ））でレンズ形成部２０２ａ内部に形成されるレジストパターン２０４との合わせ精度や寸法バラツキなどを考慮して、レジストパターン２０４の径Ｄ２よりもΔｄだけ大きく形成する。すなわち、レンズ形成部２０２ａの径Ｄ１は、Ｄ１＝Ｄ２＋Δｄ（片側Δｄ／２）となる。なお、Δｄはレジストパターン２０４の径Ｄ２の大きさによって適宜調整する。例えば、レジストパターン２０４の径Ｄ２を１００μｍ程度で形成する場合には、Δｄは１μｍ程度とすればよい。
【００２３】
次に、図４（ｅ）に示すように、半導体基板２０１上及び絶縁膜２０２上にポジ型レジストを塗布し、レジストパターン２０３の形成（図３（ｃ））で使用したＭＡＳＫ−Ａを用いて露光、現像を行い、レンズ形成部２０２ａに露出した半導体基板２０１上に略円柱形状のレジストパターン２０４を形成する。既に述べたが、ＭＡＳＫ−Ａは、図５（ａ）に示すようにレンズ形成部２０２ａに対応する領域に遮光体を備えたホトマスクである。また、ポジ型レジストは、露光された部分の化学反応を利用して現像液に溶かし、未露光部のレジストをパターンとして残すタイプのレジストである。従って、ポジ型レジストに対してＭＡＳＫ−Ａを用いて露光及び現像すると、図４（ｅ）に示すようなレジストパターン２０４が形成されることになる。なお、半導体基板２０１上及び絶縁膜２０２上にネガ型レジストを塗布し、図５（ｂ）に示すＭＡＳＫ−Ｂを用いてレジストパターン２０４を形成することも可能である。既に述べたが、ＭＡＳＫ−Ｂは、レンズ形成部２０２ａに対応する領域以外に遮光体を備えたホトマスクである。また、ネガ型レジストは、露光された部分の化学反応を利用して現像液に対して不溶化し、露光部のレジストをパターンとして残すタイプのレジストである。従って、ネガ型レジストに対してＭＡＳＫ−Ｂを用いて露光及び現像すると、図４（ｅ）に示すようなレジストパターン２０４が形成されることになる。レジストパターン２０４の膜厚は、作製するレンズの大きさによって適宜設定されるが、例えば、１００μｍ程度の径を有するレンズを作製する場合には、レジストパターン２０４の膜厚は１０μｍ程度とすればよい。また、レジストパターン２０４の径Ｄ２も作製するレンズの大きさによって適宜設定すればよい。
【００２４】
次に、図４（ｆ）に示すように、レジストのガラス転移温度以上で熱処理を行い、略円柱形状のレジストパターン２０４をリフローして略半球形状のレジストパターン２０５に変形する。熱処理条件は、例えば、１７０〜１９０℃で３０〜３００秒間とし、使用するレジスト材料により適宜変更すればよい。この熱処理工程において、レジストパターン２０５の周囲を絶縁膜２０２が覆っているため、熱ダレによってレジストパターン２０５のサイズが大きくなったとしても、レジストパターン２０５のサイズはレンズ形成部２０２ａの径を越えて大きくなることはない。言い換えると、絶縁膜２０２の障壁によってレジストパターン２０５のサイズが規定されるのである。
【００２５】
次に、図４（ｇ）に示すように、異方性のドライエッチング、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、レジストパターン２０５、半導体基板２０１及び絶縁膜２０２を同時にエッチングする。ここでのエッチングは、例えば、エッチングガスにＣＦ４とＯ２との混合ガスを使用する。このエッチング工程において、レジストパターン２０５と半導体基板２０１との選択比が約１となるようＣＦ４とＯ２との混合比を調整すれば、レジストパターン２０５と半導体基板２０１はほぼ等しいレートでエッチングされ、半導体基板２０１に略半球形状のレジストパターン２０５が転写されていく。一方、同一のエッチング条件において、シリコンを材料とする半導体基板２０１と、例えば、シリコン酸化膜を材料とする絶縁膜２０２とのエッチング選択比は５〜１０程度となるので、絶縁膜２０２が形成された領域のエッチングはゆっくりと進んでいく。すなわち、絶縁膜２０２は半導体基板２０１に対するエッチングマスクとして機能する。一般に、被エッチング物の加工面積が少ない方がエッチングレートは速くなる傾向がある。従って、半導体基板２０１に対してエッチングマスクとして機能する絶縁膜２０２を用いて半導体基板２０１の表面の一部を覆うことにより、半導体基板２０１の露出面積を少なくすることができるため、半導体基板２０１に対するエッチングレートの低下を抑制することができる。
【００２６】
さらにエッチングが進み、レジストパターン２０４が完全になくなった状態で、図４（ｈ）に示すように、レジストパターン２０５の形状とほぼ同じ曲率を持ったレンズ部２０６が形成される。また、絶縁膜２０２に覆われていた領域では、レンズ側底部２０８よりも高く周辺部２０７が形成される。なお、このエッチング工程で絶縁膜２０２が完全になくなるように初期膜厚を設定しておけば、絶縁膜２０２を除去する工程は不要となる。このようにしてマイクロレンズ２００が完成する。
【００２７】
〔作用効果〕
第２実施形態に係るマイクロレンズの製造方法によれば、略円柱形状のレジストパターン２０４の周囲を絶縁膜２０２で覆った状態でリフローして略半球形状のレジストパターン２０５を形成するようにしたので、熱ダレによってレジストパターン２０５のサイズが大きくなったとしても、レジストパターン２０５のサイズは絶縁膜２０２で囲まれたレンズ形成部２０２ａの径で規定されるため、レジストパターン２０５のサイズバラツキを抑制することができる。これにより、形状的及び特性的に安定したマイクロレンズを作製することができるようになる。また、半導体基板２０１の表面に絶縁膜２０２を形成することにより、半導体基板２０１をエッチングしてレンズ形状を形成する工程（図４（ｇ））において、半導体基板２０１に対するエッチングレートの低下を防ぎ、エッチングの加工時間を短縮することができる。さらに、絶縁膜２０２をパターン加工する工程（図３（ｃ））と、略円柱形状のレジストパターン２０４を形成する工程（図４（ｅ））とで異なるタイプのレジストを使用する、例えば、絶縁膜２０２の加工にネガ型レジストを使用した場合はレジストパターン２０４の形成にポジ型レジストを使用することにより、同一のホトマスクを使用することができるようになる。これにより、ホトマスクの枚数を削減し、製造コストを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１実施形態に係るマイクロレンズの製造工程図。
【図２】第１実施形態に係るマイクロレンズの製造工程図。
【図３】第２実施形態に係るマイクロレンズの製造工程図。
【図４】第２実施形態に係るマイクロレンズの製造工程図。
【図５】ホトマスクの種類。
【符号の説明】
【００２９】
１００、２００・・・マイクロレンズ
１０１、２０１・・・半導体基板
１０２、２０２・・・絶縁膜
１０２ａ、２０２ａ・・・レンズ形成部
２０３ａ・・・開口部
１０３、１０４、２０３、２０４、２０５・・・レジストパターン
１０５、２０６・・・レンズ部
１０６、２０７・・・レンズ周辺部
１０７、２０８・・・レンズ側底部
【図１】
2006114594.tif 000003
【図２】
2006114594.tif 000004
【図３】
2006114594.tif 000005
【図４】
2006114594.tif 000006
【図５】
2006114594.tif 000007