(57)【要約】      （修正有）【課題】エレクトロクロミック（ＥＣ）装置用の制御システムにおいて、外部の温度モニタリング素子を必要とせずにＥＣ装置温度をモニタすることができ、その読取り値に基づいてＥＣ装置のある程度の制御を行う。【解決手段】この制御システムは、装置を流れる電流を用いてＥＣ装置を加熱する方法、並びに装置を加熱すること及び装置の透過率のレベルを変更することを同時に行う方法も提供する。このコントローラは、ＥＣ装置の高周波インピーダンス測定によりガラスの破損を検出することによって、安全性のフィードバックも提供する。コントローラは、ＥＣ装置の脱色／着色の履歴を決定する方法、ＥＣ装置の透過率の状態を測定する方法、及びＥＣ装置の透過率の状態を維持するために保持電圧を加える方法も提供する。【選択図】  図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサと通信するドライバと、前記ドライバ及び前記マイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路とを含むエレクトロクロミック装置を加熱する方法であって、
前記エレクトロクロミック装置を通ってある方向に流れる電流を発生するために、前記エレクトロクロミック装置に少なくとも５ボルトを加えるステップと、
前記少なくとも５ボルトを加えるステップの間に、前記エレクトロクロミック装置を通って流れる電流の方向を少なくとも１００Ｈｚで変化させるステップと、を含み、
前記エレクトロクロミック装置を通って電流が流れるときに生成される電力が熱を発生することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するために、前記電流が時間の５０％を第１の方向に、また時間の５０％を第２の方向に流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するため及び前記エレクトロクロミック装置の透過率を変化させるために、前記電流が５０％を超える時間に第１の方向に流れ、５０％未満の時間に第２の方向に流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２ボルト以上の電圧を加えるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２〜２４ボルトを加えるステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２〜２４ボルトを１〜１０ｋＨｚで加えるステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ドライバがＨ形ブリッジ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記Ｈ形ブリッジ回路が少なくとも４つのトランジスタを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｈ形ブリッジ回路が少なくとも４つのＭＯＳＦＥＴトランジスタを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｈ形ブリッジ回路が前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタのそれぞれと結び付いたドライバ回路を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
別個の加熱素子を必要とせずに、マイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサと通信するドライバと、前記ドライバ及び前記マイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路とを含むエレクトロクロミック装置を加熱する方法であって、
前記エレクトロクロミック装置を通ってある方向に流れる電流を発生するために、前記エレクトロクロミック装置に少なくとも１２ボルトを加えるステップと、
前記少なくとも１２ボルトを加えるステップの間に、前記エレクトロクロミック装置を通って流れる電流の方向を１〜１０ｋＨｚで変化させるステップと、を含み、
前記方向を変化させるステップの間に生成される電力が熱を発生することを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するために、前記電流が時間の５０％を第１の方向に、また時間の５０％を第２の方向に流れることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するため及び前記エレクトロクロミック装置の透過率を変化させるために、前記電流が５０％を超える時間に第１の方向に流れ、５０％未満の時間に第２の方向に流れることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ドライバがＨ形ブリッジ回路を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記Ｈ形ブリッジ回路が少なくとも４つのＭＯＳＦＥＴトランジスタ及び前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタのそれぞれと結び付いたドライバ回路を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記フィードバック回路が前記マイクロプロセッサに対して電圧及び電流の情報を提供することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
マイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサと通信するドライバと、前記ドライバ及び前記マイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路とを含むエレクトロクロミック（エレクトロクロミック）装置の加熱及び透過率レベルの変更を同時に行う方法であって、
前記エレクトロクロミック装置を通ってある方向に流れる電流を発生するために、前記エレクトロクロミック装置に少なくとも５ボルトを加えるステップと、
前記少なくとも５ボルトを加えるステップの間に、前記エレクトロクロミック装置を通って流れる電流の方向を少なくとも１００Ｈｚで変化させるステップと、を含み、
電流が前記エレクトロクロミック装置を通って流れるときに生成される電力が熱を発生し、前記エレクトロクロミック装置の透過率レベルを変更するために、前記電流が５０％を超える時間に第１の方向に流れ、５０％未満の時間に第２の方向に流れることを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２〜２４ボルトを１〜１０ｋＨｚで加えるステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ドライバが、少なくとも４つのＭＯＳＦＥＴトランジスタ及び前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタのそれぞれと結び付いたドライバ回路から構成するＨ形ブリッジ回路を備えることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記フィードバック回路が前記マイクロプロセッサに対して電圧及び電流の情報を提供することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
エレクトロクロミック装置を用いて安全性をモニタする方法であって、
第１の表面を有する基板を提供するステップと、
前記基板上に前記エレクトロクロミック装置を設けるステップと、
前記エレクトロクロミック装置の少なくとも１つの電気的特性をモニタするステップと、
前記エレクトロクロミック装置の前記少なくとも１つの電気的特性が所定の範囲から外れる場合には警報信号を発生するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの電気的特性をモニタするステップが、前記エレクトロクロミック装置のインピーダンスを測定するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの電気的特性をモニタするステップが、
前記エレクトロクロミック装置に対して交流電圧を加えるステップと、
前記インピーダンスを測定するために、前記エレクトロクロミック装置を通る電流を測定するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記交流電圧が、前記エレクトロクロミック装置の前記インピーダンスがほぼ純粋な抵抗となるような所定の周波数であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記交流電圧の所定の周波数が約０．１〜１００ｋＨｚの間であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記交流電圧の所定の周波数が約１〜１０ｋＨｚの間であることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの電気的特性をモニタするステップが、
前記エレクトロクロミック装置を流れる交流電流を加えるステップと、
前記インピーダンスを測定するために、前記エレクトロクロミック装置に加わる電圧を測定するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記基板がほぼ透明な基板であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記ほぼ透明な基板がウィンドウペインであることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記エレクトロクロミック装置が絶縁されたガラスユニットのウィンドウペインの間に配置されることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項３１】
前記エレクトロクロミック装置がポリマーのエレクトロクロミック装置であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項３２】
前記エレクトロクロミック装置が固体のエレクトロクロミック装置であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項３３】
前記エレクトロクロミック装置が、前記基板上に第１のほぼ透明な導電性フィルムと、前記第１のほぼ透明な導電性フィルム上に少なくとも１つのエレクトロクロミックフィルムと、前記少なくとも１つのエレクトロクロミックフィルム上に第２のほぼ透明な導電性フィルムとを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項３４】
エレクトロクロミック装置を用いて安全性をモニタする方法であって、
第１の表面を有する基板を提供するステップと、
前記基板上に前記エレクトロクロミック装置を設けるステップと、
前記エレクトロクロミック装置に光を通すステップと、
前記エレクトロクロミック装置を通る光の少なくとも１つの光学的特性をモニタするステップと、
前記エレクトロクロミック装置を通る前記光の前記少なくとも１つの光学的特性が所定の範囲から外れる場合には警報信号を発生するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３５】
前記少なくとも１つの光学的特性をモニタするステップが、前記エレクトロクロミック装置の光の透過率レベルをモニタするために、前記エレクトロクロミック装置と光通信を行う光センサを設けるステップを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記光センサが可視又は赤外の範囲の光をモニタするように適合されることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記光センサが赤外の範囲の光をモニタするように適合されることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
前記エレクトロクロミック装置の着色を制御するために、前記エレクトロクロミック装置と信号を送信及び受信するコントローラを設けるステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３９】
前記基板がほぼ透明な基板であることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項４０】
前記エレクトロクロミック装置の光の透過率レベルを調整するために、前記エレクトロクロミック装置に直流電流を加えるステップをさらに含むことを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項４１】
エレクトロクロミック装置の透過率の状態を決定する方法であって、
前記エレクトロクロミック装置に対して電圧を加えるステップと、
前記エレクトロクロミック装置の漏洩電流を計算するために、印加される電圧及び電流を使用するステップと、
前記印加される電流と漏洩電流との間の差としてイオン電流を測定するステップと、
前記エレクトロクロミック装置の透過率の状態を決定するために前記イオン電流を使用するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４２】
前記漏洩電流を計算するステップが、下記のアルゴリズム、
Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉapp
を用いて前記エレクトロクロミック装置の内部電圧を計算するステップを含むことを特徴とする請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記漏洩電流を計算するステップが、下記のアルゴリズム、
Ｖint＜ＶTの場合、Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1
それ以外の場合、  Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1＋（Ｖint−ＶT）／Ｒ2
を用いるステップをさらに含むことを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記透過率の状態を決定するステップが、転送された電荷を求めるためにイオン電流を積分するステップ
【数１】
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及び式％Ｔ＝ｆ（Ｑ）を用いて、前記積分された電荷を前記装置の光学的な状態と相関するステップを含むことを特徴とする請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記エレクトロクロミック装置を望ましい透過率レベルに維持するために保持電圧を加えるステップをさらに含み、
前記保持電圧は、前記装置が中間の状態に着色される前に十分に脱色される場合はより大きくなり、前記装置が同じ中間の状態に脱色される前に十分に着色される場合はより小さくなる、
ことを特徴とする請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記保持電圧を加えるステップが、
前記装置の脱色／着色履歴を用いて前記装置に対する内部保持電圧を計算するステップと、
前記計算された内部電圧Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉappが必要な値に一致するまで、前記装置に加えられる外部電圧を調整するステップと、
を含むことを特徴とする請求項４５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、エレクトロクロミック装置に関し、より詳細にはエレクトロクロミック装置用の制御システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロクロミック装置には、電流又は電位を加えることに呼応して自身の光学特性を変化させるエレクトロクロミック材料が含まれる。エレクトロクロミック装置には、一般に、従来のガラス又はプラスチックで作られたウィンドウのような透明な基板の表面上に直接蒸着された一連の薄膜が含まれる。エレクトロクロミック装置は、主として、建築及び輸送用のウィンドウの用途、ディスプレイウィンドウ及びキャビネット、又は変更可能な着色ガラスを必要とする任意の用途の中に取り入れられる。これらのウィンドウ、特にビルディング及び車両を通過する光学エネルギーの透過を選択的に制御することによって、加熱及び冷却の点から極めて大きな節約を実現することができる。
【０００３】
エレクトロクロミック装置を制御するための多数の従来技術は存在するが、大きな電子漏洩電流を用いて、固体のイオン導体で作られた装置を含むエレクトロクロミック装置を制御するために有用な技術は、ほとんど存在しない。さらに、エレクトロクロミック装置を電気的に加熱するための従来のシステムは、２バスバー電極配列（two-bus bar electrode arrangement）を容易に製造するには変更を必要とする。最後に、安全な動作電圧が温度に依存する状況では、温度測定を一体化する解決策は困難である。
【０００４】
今日まで開発されてきたエレクトロクロミック装置のほとんどは、ポリマーの電解質層を使用する。残念なことに、ポリマー装置に関しては、多数の不都合が存在する。例えば、ポリマー装置の重量と厚さは相当大きく、ポリマー装置を一緒に積層するには、２つの透明な基板（例えば、ガラス）が必要である。さらに、ポリマーの電解質層を紫外光及び温度にさらすと不安定になるため、グレージング用途（glazing application）にポリマー方式を用いる場合の耐久性は疑わしい。
【０００５】
上記の問題は、エレクトロクロミック装置のポリマーの電解質層を固体で無機の電解質層で置き換えることによって避けられることが最近確定されている。固体で無機の電解質を有するエレクトロクロミック装置は、ポリマーを有する装置よりも軽量で薄く、また紫外光及び温度に曝される場合の耐久性は高い。しかしながら、固体で無機の電解質層は、電解質を通過する電子的漏洩電流を発生する。この電子的な漏洩現象は、装置が定常状態に保持されている場合、スイッチング速度を遅くする、スイッチング時間を長くする、また帯電状態の損失を遅くする原因になる可能性があり、このことは、装置内の電気化学的な電位に基づいて自然発生的な着色又は脱色をもたらすことがある。
【０００６】
ウィンドウの中に組み込まれた多数の安全装置が存在する。Vallanceへの米国特許第４，９７２，１７６号は、一体化された侵入検出器が付いたポリマー形安全ウィンドウを開示している。この安全ウィンドウは、間に挟まれた導電性のロッドを有する積層された一対のポリマーパネルを含む。導電性のコーティングがなされたガラスファイバーが、ウィンドウ領域のほぼ全体をカバーし、プラスチックのウィンドウパネルの端から端まで延び、ロッドの中に分布される。コーティングされたガラスファイバーの屈折率は、周りのプラスチックの屈折率と同様であり、このため導電性のロッドをほとんど見えなくする。導電性のロッドは直列に接続され、電流源は回路を通って一定の電流を供給する。ロッドが切断又は破壊されると、回路の抵抗が増加する。回路の中の電流を一定に維持するために必要な電圧の大きさが変化することにより、ウィンドウパネル及び少なくとも幾つかのガラスファイバーが損傷を受けたことが示される。
【０００７】
Tweadeyらへの米国特許第５，６４８，７５８号は、電気回路のサブアセンブリーを運ぶように設計されたキャリア基板を有する事前に組み立てられたガラス破壊検出器（glass breakage detector）を開示している。この電気回路のサブアセンブリーは、導電性の脆弱なフィルム及び離れた電気コネクタを含む。グレージングユニットによる安全システムを作る方法には、１つ以上のこうしたガラス破壊検出器のアップリケを事前に組み立てるステップ及び次に電子的サブアセンブリー自身をグレージングペイン（glazing pane）の表面に加えるステップ、及び導通ロスト検出回路からの電気的な要求を電気コネクタに接続するステップが含まれる。自動車の用途では、アップリケを固定の及び／又は移動可能な車両のウィンドウに適用することができ、これは移動可能に取り付けたグレージングペインの隠れた表面積に対して用いる場合は特に好適である。脆弱なフィルムは、下側のグレージングペインが破壊されて分断されると、電子的な導通が失われる。
【０００８】
Gajewskiらへの米国特許第５，６２７，５０９号は、強化ガラスペインの表面に付着された導電性のポリマー材料のストリップを有するグレージングユニットによる安全システムを開示している。安全モニタリング素子が導電性ストリップに電気的に接続されて、導電性ストリップの電気的導通の損失を感知しそれに応答する。導電性ストリップは、下側のガラスパネルが破損する場合は電気的な導通を維持できないように、自己一体化していない（non-self-integral）。強化ガラスパネルが破損すると、結果としてパネルの全体的な破損になるため、導電性ストリップの電気的な導通が失われることになる。安全システムは、導電性ストリップの電気的導通が失われることに対応する警報又は他の装置をさらに備えている。安全システムは、自動車の中に設置される場合、導電性ストリップの電気的な導通が失われた場合には自動車の通常動作をできないようにする禁止手段（disabling means）を含むことができる。
【０００９】
上記の進展にもかかわらず、僅かな追加費用で又はそれを全く必要とせずに、安全モニタリング能力を取り入れたエレクトロクロミック装置用のコントローラに対する要求が依然として存在する。追加の構成部品又は外部の測定計器を用いることなく、エレクトロクロミック装置の温度を測定できるエレクトロクロミック装置用のコントローラに対する要求も存在する。測定された温度に依存するが、安全な動作電圧レベルで装置を動作することができるエレクトロクロミック装置用のコントローラに対する要求も存在する。固体のイオン導体を有する装置の中で発生する電子的漏洩電流を補償する、エレクトロクロミック装置用のコントローラに対する要求もある。特別な又は別個の加熱素子を必要とせずに、装置を加熱することができるエレクトロクロミック装置用のコントローラに対する要求も存在する。装置の透過率の状態をモニタする及び装置の透過レベルを効果的に制御することができるエレクトロクロミック装置用の制御システムに対する要求も存在する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の好ましい実施形態は、外部の温度モニタリング素子を必要とせずにエレクトロクロミック（ＥＣ）装置の温度をモニタすることができ、次に温度の読取り値に基づいてＥＣ装置をある程度制御することができるＥＣ装置用の制御システムを提供する。この制御システムは、好適にも、装置を流れる電流を用いてＥＣ装置を加熱する方法、並びに装置を加熱すること及び装置の透過率のレベルを変更することを同時に行う方法も提供する。このコントローラは、ＥＣ装置の交流インピーダンス測定によりガラスの破損を検出することによって、安全性のフィードバックも提供する。コントローラは、ＥＣ装置の脱色／着色の履歴を決定する方法、ＥＣ装置の透過率の状態を測定する方法、及びＥＣ装置の透過率の状態を維持するために保持電圧を加える方法も提供する。
【００１１】
比較的高い温度（例えば、７０℃）では、エレクトロクロミック装置は２．５Ｖを超える電圧によって損傷を受ける。これにひきかえ、比較的低い温度（例えば、０℃）では、より高い約４．０Ｖの電圧が、妥当な期間にエレクトロクロミック装置を着色するために必要とされる。このため、エレクトロクロミック装置を効果的に制御するためには、装置のおおよその温度を知ることが重要である。本発明の好ましい実施形態では、装置の温度を確定するために、１つ以上の周波数においてインピーダンス測定を使用する制御システムが提供される。本発明はどのような特定の動作理論によっても限定されることはないが、装置を通って流れるイオン電流のレベルは、温度と共に著しく変化することが確定されている。この効果を使用して、装置上に配置される別個の温度センサを使用する必要なく、ＥＣ装置の温度を測定することができる。
【００１２】
幾つかの好ましい実施形態では、本発明は外部の温度測定計器を必要とせずに、装置に対する温度測定値を得ることができるエレクトロクロミック装置用の制御システムを開示する。本発明は、コントローラが測定された装置の温度に依存する安全な温度レベルで装置を動作させるような、エレクトロクロミック装置も提供する。
【００１３】
本発明の別の好ましい実施形態では、ＥＣ装置を加熱するためにコントローラを使用することができる。１つの特定の好ましい実施形態では、マイクロプロセッサ、このマイクロプロセッサと通信するドライバ、並びにこれらのドライバ及びマイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路を有するエレクトロクロミック（ＥＣ）装置を加熱する方法には、少なくとも５ボルトをＥＣ装置に加えて、このＥＣ装置を通ってある方向に流れる電流を発生させ、少なくとも５ボルトを加えている間に、ＥＣ装置を通って流れる電流の方向を少なくとも１００Ｈｚで変化させて、これにより、電流が前記ＥＣ装置を通って流れる時に発生するパワーが熱を発生するステップが含まれる。幾つかの好ましい実施形態では、マイクロプロセッサはＥＣ装置を加熱するために、電流が時間の５０％には第１の方向に、また時間の５０％には第２の方向に流れるように装置を制御する。別の好ましい実施形態では、ＥＣ装置を加熱すること及びＥＣ装置の透過率のレベルを変化させることの両方のために、電流が５０％を超える時間には第１の方向に、また５０％未満の時間には第２の方向に流れるように、マイクロプロセッサが装置を制御する。
【００１４】
一層好ましい実施形態では、少なくとも５ボルトを加えるステップには、１２ボルト以上の電圧を加えるステップを含む。より極めて好ましい実施形態では、少なくとも５ボルトを加えるステップには、１２〜２４ボルトを加えるステップを含む。さらにより極めて好ましい実施形態では、少なくとも５ボルトを加えるステップには、１〜１０ｋＨｚで１２〜２４ボルトを加えるステップを含む。
【００１５】
ドライバは、少なくとも４つのトランジスタを有するようなＨブリッジ回路を含む。幾つかの好ましい実施形態では、このＨブリッジ回路は、少なくとも４つのＭＯＳＦＥＴトランジスタを有する。ドライバ回路は、各ＭＯＳＦＥＴトランジスタに対応付けられる。
【００１６】
本発明の別の好ましい実施形態は、別個の加熱素子を必要とせずにエレクトロクロミック（ＥＣ）装置を加熱する方法を提供する。このＥＣ装置は、マイクロプロセッサ、このマイクロプロセッサと通信するドライバ、並びにこれらのドライバ及びマイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路を含むことが好ましい。この方法は、好ましくは、少なくとも１２ボルトをＥＣ装置に加えて、このＥＣ装置を通ってある方向に流れる電流を発生させ、少なくとも１２ボルトを加えている間に、ＥＣ装置を通って流れる電流の方向を少なくとも１〜１０ｋＨｚで変化させて、これにより、電流が前記ＥＣ装置を通って流れる時に発生するパワーがＥＣ装置を加熱するステップを含む。このフィードバック回路は、電圧及び電流情報をマイクロプロセッサに提供することが望ましい。
【００１７】
本発明の別の好ましい実施形態は、エレクトロクロミック（ＥＣ）装置を加熱し、同時にその透過率のレベルを変更する方法を提供する。このＥＣ装置は、マイクロプロセッサ、このマイクロプロセッサと通信するドライバ、並びにこれらのドライバ及びマイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路を含むことが望ましい。この方法は、好ましくは、少なくとも５ボルトをＥＣ装置に加えて、このＥＣ装置を通ってある方向に流れる電流を発生させ、少なくとも５ボルトを加えている間に、ＥＣ装置を通って流れる電流の方向を少なくとも１００Ｈｚで変化させるステップを含む。ここで、電流がＥＣ装置を通って流れる場合に生成されるパワーが熱を発生し、これにより、電流は５０％を超える時間には第１の方向に、５０％未満の時間では第２の方向に流れて、ＥＣ装置の透過率のレベルを変更する。より好ましい実施形態では、約１２〜２４ボルトが１〜１０ｋＨｚで加えられる。
【００１８】
本発明の別の好ましい実施形態では、コントローラはＥＣ装置の安全性をモニタするために使用される。幾つかの好ましい実施形態では、コントローラは、ＥＣ装置の高周波インピーダンスの測定によりガラスの破損を検出することによって、安全制御のフィードバックを提供する。
【００１９】
本発明の特に好ましい実施形態によれば、エレクトロクロミック装置を使用して安全性をモニタする方法には、第１の表面を有する基板を提供し、この基板上にエレクトロクロミック装置を設け、このエレクトロクロミック装置の少なくとも１つの電気的特性をモニタし、またこのエレクトロクロミック装置の少なくとも１つの電気的特性が所定の範囲から外れる場合には警報信号を発生するステップが含まれる。幾つかの好ましい実施形態では、モニタするステップには、インピーダンスを測定するために交流電圧をエレクトロクロミック装置に加え、このエレクトロクロミック装置を通過する交流電流を測定することによって、エレクトロクロミック装置のインピーダンスを測定するステップが含まれる。
【００２０】
幾つかの好ましい実施形態では、交流電圧は、エレクトロクロミック装置のインピーダンスがほぼ純粋な抵抗性になるように所定の周波数で与えられる。幾つかの好ましい実施形態では、この交流電圧の所定の周波数は約０．１〜１００ｋＨｚの間である。さらに好ましい実施形態では、この交流電圧の所定の周波数は約１〜１０ｋＨｚの間である。
【００２１】
さらに別の実施形態では、エレクトロクロミック装置を使用して安全性をモニタする方法には、エレクトロクロミック装置を通過する電流を加えて、このエレクトロクロミック装置の両端の電圧を測定してそのインピーダンスを測定するステップが含まれる。
【００２２】
好ましい実施形態では、基板はガラスのウィンドウペインのようなほぼ透明な基板である。別の好ましい実施形態では、エレクトロクロミック装置は絶縁されたガラスユニットの２つのガラスのウィンドウペインの間に配置される。このエレクトロクロミック装置は、ポリマーのエレクトロクロミック装置又は固体のエレクトロクロミック装置とすることができる。
【００２３】
好ましい実施形態では、エレクトロクロミック装置は、基板上に第１のほぼ透明な導電性フィルム、この第１のほぼ透明な導電性フィルム上に少なくとも１つのエレクトロクロミックのフィルム、及びこの少なくとも１つのエレクトロクロミックのフィルム上に第２のほぼ透明な導電性フィルムを含む。
【００２４】
本発明の別の好ましい実施形態では、エレクトロクロミック装置を用いて安全性をモニタする方法には、第１の表面を有する基板を提供するステップ、この基板の上にエレクトロクロミック装置を設けるステップ、このエレクトロクロミック装置に光を通過させるステップ、エレクトロクロミック装置を通過する光の少なくとも１つの光学特性をモニタするステップ、及びこのエレクトロクロミック装置を通過する光の少なくとも１つの光学特性が所定の範囲を外れる場合には警報信号を発生するステップが含まれる。少なくとも１つの光学特性をモニタするステップは、エレクトロクロミック装置の光透過率のレベルをモニタするために、エレクトロクロミック装置と光通信する光センサを設けるステップを含むことが好ましい。この光センサは、可視及び赤外線の範囲の光をモニタするように適合されることが好ましい。
【００２５】
この方法は、エレクトロクロミック装置の光の透過率すなわち着色レベルを制御するために、エレクトロクロミック装置と信号を送信及び受信するコントローラを設けるステップをさらに含むことが好ましい。この方法は、エレクトロクロミック装置の光透過率のレベルを調整するために、エレクトロクロミック装置を通過する直流を加えるステップも含む。
【００２６】
本発明の別の好ましい実施形態では、エレクトロクロミック装置の透過率の状態を判断する方法には、エレクトロクロミック装置に対して電圧を加えるステップ、このエレクトロクロミック装置の漏洩電流を計算するために印加した電圧及び電流を利用するステップ、印加した電流と漏洩電流との間の差としてイオン電流を割り出すステップ、及びエレクトロクロミック装置の透過率の状態を決定するためにこのイオン電流を使用するステップが含まれる。
【００２７】
図３を参照する。漏洩電流を計算するステップは、下記のアルゴリズム、すなわち、
Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉapp
を用いて、エレクトロクロミック装置の内部電圧を計算するステップを含むことが望ましい。
【００２８】
この漏洩電流を計算するステップは、下記のアルゴリズム、すなわち、
Ｖint＜ＶTの場合、Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1
それ以外の場合、      Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1＋（Ｖint−ＶT）／Ｒ2
を用いて実現することが好ましい。
【００２９】
透過率の状態を決定するステップは、転送された電荷を求めるためにイオン電流を積分するステップ
【数１】
2006053551.tif 000003
及び式％Ｔ＝ｆ（Ｑ）を用いて、この積分された電荷をＥＣ装置の光学的な状態と相関するステップを含むことが好ましい。ここで、ｆは数学的な関数又はルックアップテーブルである。
【００３０】
ＥＣ装置を一定の透過率の状態に維持するための好ましい方法には、エレクトロクロミック装置を望ましい透過レベルに維持するための保持電圧を加えるステップが含まれる。ここで、装置が中間の状態に着色される前に十分に脱色される場合は、この保持電圧は大きく、装置が同じ中間の状態に脱色される前に十分に着色される場合は、保持電圧は小さい。
【００３１】
保持電圧を加えるステップは、ＥＣ装置の脱色／着色履歴を用いてＥＣ装置に対する内部保持電圧を計算するステップ、及び計算された内部電圧が必要な値Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉappに一致するまで、この装置に加えられる外部電圧（Ｖapp）を調整するステップを含む。
【００３２】
本発明のこれらの及び他の好ましい実施形態は、以下のように一層詳細に提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の幾つかの好ましい実施形態によるエレクトロクロミック窓１４０を示す。このエレクトロクロミック窓１４０は、第１のガラスペイン１４６及び第２のガラスペイン１４８から成る絶縁されたガラスユニット１４４を固定する窓枠１４２を含む。絶縁されたガラスユニット１４４は、第１及び第２のガラスペイン１４６，１４８の間に気密の仕切りを形成するために、スペーサ１５０及びシール１５２も含む。第１及び第２のガラスペイン１４６，１４８の間の内部空間は、空気又はアルゴンなどの不活性ガスで充填される。
【００３４】
図２Ｂ及び図２Ｃを参照すると、エレクトロクロミック装置１２０が、絶縁されたガラスユニット１４４の第２のガラスペイン１４８上に固定されている。このエレクトロクロミック装置１２０は、第１の透明な導体１２４及び第２のガラスペイン１４８に接触する第２の透明な導体１２６を含む。このエレクトロクロミック装置１２０は、第１の透明な導体１２４と接触する対電極１２８、第２の透明な導体１２６と接触するエレクトロクロミック電極１３０及び対電極層１２８とエレクトロクロミック電極層１３０との間のイオン導体１３２も含む。電源が、電気タブ１５４，１５６によってエレクトロクロミック構造体１２０に印加される。
【００３５】
図３は、本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、図２Ａ〜図２Ｃのエレクトロクロミック装置を動作させるための制御システム２００を示す。この制御システム２００は、監視コントローラ又はユーザーインターフェースからＲＳ−４８５バスのような通信プロトコル２０６を介して命令を受け取るマイクロコントローラ２０２を含む。ユーザーインターフェース２０４から受信した命令に基づいて、マイクロコントローラ２０２は、エレクトロクロミック装置２０８を指定した透過レベルにするため、その装置を電気的に加熱するため、またその装置のおよその温度測定するために、エレクトロクロミック装置２０８に着色電位又は脱色電位を加えることができる。これらの各機能を実現するための好ましい実施形態を、以下のように一層詳細に説明する。
【００３６】
図４は、図３のＥＣ装置２００の電気的特性を詳細に記載する１つの好ましいモデル２２０を示す。このモデル２２０は、装置に加えられる外部電圧２２２（Ｖapp）及び電流２２４（Ｉapp）を示す。モデル２２０は、装置内の電子的漏洩電流２２６（Ｉleak）及びイオン電流２２８（Ｉion）も示す。外部電流（Ｉapp）は、電子的漏洩電流２２６（Ｉleak）及びイオン電流２２８（Ｉion）の合計である。
【００３７】
装置の内部電圧２３０（Ｖint）は、ＥＣスタック全体の両端に実際に現れるおよその電圧である。この電圧は、ＥＣスタックの電圧が位置及びスイッチング履歴に依存して変化する場合の、合成の近似値である。
【００３８】
モデル２２０は、電線、接点及びバスバーから成る線形抵抗２３２（Ｒs）及び上側及び下側の透明な導体層の等価直列抵抗も示す。
【００３９】
Ｃ１は、上側及び下側の透明な導体層の等価のキャパシタンス２３４である。参照番号２３６で示すＤ１が、電子的漏洩は逆方向には極めてゼロに近いため、電子的経路の中に存在する。しかしながら、装置が十分に脱色状態にあり、このため、逆方向の漏洩が順方向の漏洩と同じ大きさになる場合は、これは正しくない。
【００４０】
Ｒ1，Ｖt及びＲ2は、固体の電解質層を有するエレクトロクロミック装置の漏洩動作に極めて良く近似する。電子電流はしきい値電圧までは電圧と共に線形的に増加し、その値を超えると電流ははるかに急速に増加する。参照番号２３８で指定するＶｔは、一般に１．５と２．０Ｖとの間にある。それぞれ参照番号２４０及び２４２で示すＲ1及びＲ2は装置の寸法に依存するが、Ｒ2は一般にＲ1よりも少なくとも１桁小さい。これらの変数の３つ全て（すなわち、Ｒ1，Ｖt及びＲ2）は、温度に依存する。
【００４１】
Ｒionはエレクトロクロミック装置のイオンインピーダンス２４４を示し、装置の透過レベル及び装置の温度の両方の関数である。このイオンインピーダンス２４４は、本発明のエレクトロクロミック装置の動作温度範囲（−４０℃から１００℃）にわたって１桁以上変化することがある。
【００４２】
Ｃstoreは、ＥＣシステムの内部記憶バッテリー２４６である。このバッテリー２４６上の電圧は、一般に−１．０Ｖと＋２．０Ｖとの間に低下する。幾つかの好ましい実施形態では、装置の着色及び脱色は０．０Ｖと１．５Ｖとの間で発生する。
【００４３】
図５を参照する。制御システム２００は、制御装置２０２及びＥＣ装置２０８を含むことが好ましい。ＥＣ装置を制御する方法は、２つの大まかなカテゴリー、すなわち、フィードバック方法と制御方法に分けることができる。フィードバック方法は、制御装置２０２を指し示す矢印２５０によって示され、装置の透過率、温度及び光のレベルを測定する方法を含む。フィードバック方法２５０は、装置の現在の状態を決定するためのリアルタイムフィードバック及び、コントローラがオフラインの場合、装置のパラメータを決定するためのキャリブレーションフィードバックも含む。ＥＣ装置２０８を指す矢印２５２によって示される制御方法は、フィードバック方法を用いて計算され、受信されたフィードバックの測定値に基づいて、十分な制御を実現するために必要な電力を計算及び印加する方法を含むことが好ましい。
【００４４】
図６を参照すると、本発明の１つの好ましい実施形態では、エレクトロクロミック装置の透過率の状態を測定するために、開回路の電圧がリアルタイムフィードバックとして使用される。本願で使用されるように、「透過率の状態（transmission state）」という用語は、透過レベル又は透過率を意味することもできる。
【００４５】
開回路の電圧（Ｖoc）という用語は、電流が装置を流れないときの、ＥＣ装置の端子間の電圧を意味する。図６のグラフで示すように、ＶocはＥＣ装置の着色状態に大いに依存する関数であり、このため、ＥＣ装置の透過率の状態を決定するために使用することができる。
【００４６】
ＥＣ装置の透過率の状態を計算する１つの好ましい方法には、
１．Ｖocと透過率又は他の要因（例えば、温度、装置の寸法）との間の関係を決定するステップ、
２．Ｖocをオンラインで測定するステップ、
３．この情報を使用して、装置の透過率の状態を計算するステップ、
が含まれる。
【００４７】
Ｖocをオンラインで測定する１つの好ましい方法は、ＥＣ装置を全ての制御電位から切断し、２つの端子間の電圧を測定し、次いで制御電位を再度接続することである。このＶocを測定する好ましい方法は、デューティサイクル変調制御方式と組み合わせることができる。この方式では、固定した制御電圧が繰り返し装置に接続され、また装置から切断される。この方法を使用すると、電圧が切断される間にＶocの測定値が得られ、制御電圧が接続される時間の割合を変えることによって、制御が実行される。別の方法では、Ｖocの測定が行われる場合を除いて、制御電圧は常に接続され、印加電圧を変えることによって制御を実行することができる。
【００４８】
図６を参照すると、Ｖocを決定するための別の好ましい方法では、２つの異なる電位がＥＣ装置に加えられて、電流がこれらの２つの電位において測定される。次に、Ｖocが２つの電位で測定された電流から推定される。ＥＣ装置が測定の所要時間の間に状態を大きく変えないように、測定を迅速に行うことが好ましい。
【００４９】
Ｖocの測定値を得るための別の好ましい方法は、望ましい開回路の電位をＥＣ装置の端子に加えることである。電流が装置に流れ込む場合、Ｖocは望ましいレベルよりも低い。電流が装置から流出する場合は、Ｖocは望ましいレベルよりも上にあると理解される。同様な意味合いで、印加される電圧を、装置に流入する電流がゼロになるまで変化することができる。この電流がゼロになる時点で、Ｖocは印加電圧に等しくなる。この方法は、ソフトウェアの管理のもとで電源を有するＥＣ装置を動作させるデータ収集及び制御システムの中で使用することもできる。
【００５０】
Ｖocを測定する上述した方法のいずれも、別の周知の困難を克服することができる。着色する間のＶocの測定は脱色する間のＶocの測定とは異なっていることが確定されている。この理由は、Ｖoc対透過率の状態のキャリブレーション曲線がヒステリシスを含んでいるためである。さらに、このヒステリシスは、いかに迅速に装置が着色又は脱色されるか、又はいかに深くそれが着色又は脱色されるかに明らかに依存している。典型的なヒステリシスのプロットが、図７に示されている。このヒステリシスの少なくとも一部が、加えられた電位が除かれるときに急速に変化するため、測定はタイミングに大いに依存する。
【００５１】
本願はどのような特定の動作理論にも限定されることはないが、ＥＣ装置内のヒステリシスについて少なくとも２つの別個の原因及び種類があると考えられている。第１の種類のヒステリシスＡは、装置を通る電流の履歴に依存するように思われ、（温度などに依存して）分で測定された整定時間を有する開回路の条件ではゼロに落ち着く。ヒステリシスＡの効果を補償するモデルを図８に示す。着色の場合、Ｖoc'として測定されるＣ１にかかる電圧は、Ｃ２に加わる電圧よりも大きい。脱色の場合は、Ｃ１にかかる電圧は、Ｃ２にかかる電圧よりも小さい。装置内の電流が大きければ、差はそれだけ大きくなる。
【００５２】
オンライン及びオフラインの両方のキャリブレーション測定を使用して、モデルをパラメータ化する。次に、ヒステリシスＡに対する補償要因を計算するために、このモデルが電圧及び／又は電流の測定にリアルタイムで適用される。それは、次に、反復可能な透過率の状態を実現及び維持するために、制御アルゴリズムによってＶocと一緒に使用される。ヒステリシスＡは、脱色する場合は開回路の電圧に加えられ、着色する場合はＶocから差し引かれる一定のオフセット電圧であり、電位が加えられない場合は、オフセットが加算又は減算されることはない（すなわち、装置が放置されて自己脱色する場合）。この好ましい方法は、Ｖoc測定時において、加えられた着色電圧から加えられた脱色電圧まで変化する場合、又はその逆の場合も同様に、突然の変化を著しく減少させる。
【００５３】
ヒステリシスＡの効果は、本願で説明される１つ以上の好ましい制御方法によって大部分を取り除くことができる。ヒステリシスＡは、小さな脱色電流が加えられると、かなり急速に着実なレベルまで減少するように思われる。このため、測定する前に５〜１５秒間小さな脱色電流を加えることにより、開回路の電位はヒステリシスのこの部分を大きく取り除くことができる。
【００５４】
第２の種類のヒステリシスであるヒステリシスＢは、第１の種類よりも持続的であり、大抵の加えられた電圧及び電流の条件のもとで、ヒステリシスＡよりも極めて長い整定時間（少なくとも時間）を有しているように思われる。しかしながら、ヒステリシスＢは、ＥＣ装置が十分に着色された状態又は十分に脱色された状態に接近するときはいつでも、急速に変化するように思われる。装置が十分に脱色される場合、ヒステリシスＢは１つの極値に来る。十分に着色される場合は、それは別の極値に到達する。
【００５５】
ヒステリシスＢは、ヒステリシスレベルのルックアップテーブル対最も最近到達した極値に基づいたモデルのような、異なるモデルにも適用できることが好ましい。１つの特に好ましい実施形態では、装置が５％まで着色され、次に３０％まで脱色される場合、ルックアップテーブルは補償値を提供する。３％まで着色されて次に適度に脱色される場合は、ルックアップテーブルからの別の補償値が使用される。好ましい実施形態では、モデルを装置の現在の状態に適用し、結果として生ずるヒステリシスのレベルを透過率を計算する場合の補償要因として用いることによって、ヒステリシスＡ及びヒステリシスＢを同様の方法で計算することができる。メモリ装置の中に記憶された制御アルゴリズム又はコントローラは、ヒステリシスＡ及びＢのモデルを同時に使用して、両方の種類の効果に対する補償を提供することが好ましい。
【００５６】
モデル情報を装置から引き出し、次にモデルをリアルタイムで動作させることは簡単ではない。しかしながら、プロセスの性質が遅いことを考えると（制御アルゴリズムは、大きな装置に対して数秒に１回の更新しか必要としない）、高価でないマイクロプロセッサでさえもその仕事を行うことができる。実際に、制御装置の中のそれほど高価でないプロセッサが、複数の装置に対して同時にこれらの計算を実行することが好ましい。
【００５７】
ヒステリシスＢを補償する第２の好ましい方法には、装置の状態に関連付けられ、次に数学的に状態をヒステリシスのレベルから分離する少なくとも２つの独立したパラメータを測定するステップが含まれる。装置の容量性アドミタンスは、装置の状態の第２のインジケータとして使用することができる別のパラメータである。
【００５８】
透過及びヒステリシスのレベルは、正確に解くためには二次元の測定を必要とする二次元空間とみなすことができる。モデル化することは、二次元の測定を行うために、開回路の電圧に加えて履歴情報を使用する。別の好ましい方法は、透過を正確に計算するために使用される２つの個別の測定を確認する。
【００５９】
図９Ａは、透過率の状態に対する着色電流の関係を示すグラフである。図９Ｂは、透過率の状態に対する脱色電流の関係を示すグラフである。ヒステリシスが、脱色サイクルの全体を通して見られる。言い換えると、ほとんど全ての脱色サイクルでは、一定電圧における電流−透過率の関係は異なっている。しかしながら、このことは、図９Ａの着色電流のグラフでは見られない。図９Ａに示すように、初期のヒステリシス領域の後は、全ての着色サイクルは比較的一定した電流−透過率の関係に収束する。このため、最小の着色期間（例えば、１分かそこら）の後では、着色電流は所定の温度における透過率の状態の良好なインジケータであることは明らかである。
【００６０】
着色が短い期間の場合、ｄＩ／ｄｔはＩ／Ｔ関係が良好な相関領域からどの程度離れているかを示す優れたインジケータであることが確定されている。このため、ｄＩ／ｄｔは正確に透過率を決定するために着色する場合、Ｉと共に使用することができる。脱色の場合は、装置の状態を決定するために、ほんの短期間（すなわち、透過率の状態をかなり変化させるほど長くない期間）着色する必要がある。
【００６１】
考慮する必要がある別の制御要因は、装置の温度の変動である。小さい温度の変動が装置の電流をかなり変化させる原因となり、これにより、電流−透過率の関係を極めて大きく変化させることは確定されている。装置のＡＣインピーダンス（約０．１〜１Ｈｚ）が、着色から脱色へ又はその逆へ切り替わる場合の電流の変化によって分割された電圧における変化として測定され、またＶmeas（Ｖocに匹敵する）がＶ−ＩＲとして計算される場合、結果は電流測定のみの場合よりも温度に対する感受性がずっと少なくなる。
【００６２】
上記の説明に照らして、ＥＣ装置の透過率を測定する好ましい方法には、下記、すなわち、
・短い脱色；電流を測定する。
・短い着色；電流を測定する。抵抗（Ｒ）を計算する。
・少し長い着色；電流を測定する。ｄＩ／ｄｔを計算する。
・Ｉcomp＝Ｉ＋Ｋ（ｄＩ／ｄｔ）として補償された電流を計算する。
・Ｖmeas＝Ｖ−ＩcompＲを計算する。
・Ｖmeasの関数として透過率を計算する。
【００６３】
透過率を計算するための関数は、Ｋと同様に、温度に依存すると仮定する。さらに、ｄＩ／ｄｔを正確に計算するために必要な時間の長さは、温度が低いと一層長くなる。
【００６４】
図１０は、前記で確認されたアルゴリズムを使用する制御システムの応答を示すグラフである。使用した具体的な時間周期は、５秒の脱色；Ｒを計算するための２．５秒の着色；ｄＩ／ｄｔを計算するための２つの電流値を得るために、２．５秒以上の着色及び電流の測定、及び次に、５秒以上の着色及び電流の測定であった。
【００６５】
低い透過レベルにおける２〜３％のエラーを説明する、単純な比例制御が使用された。しかしながら、積分制御又は完全なＰＩＤを適用することにより、これらのエラーが除かれる。しかしながら、長い脱色の場合は、残余のヒステリシスは次第に消滅する。Ｒを計算するために使用される時間間隔を減らすことによって、これは第１の試みに対して減少された。
【００６６】
従来技術のＥＣ装置は、装置の温度をセンサ用いて測定する。しかしながら、この方式は多くの問題の原因になってきた。例えば、明白な美的な理由のために、センサは装置の端部に配置する必要がある。しかしながら、装置の中心と装置の端部との間には、相当な温度勾配が存在する。さらに、エレクトロクロミック装置の表面に取り付けるどのようなセンサも、ＥＣ装置に損傷を与えないようにという厳しい材料に関する要求事項に適合しなければならない。その上、外部のセンサを使用することは、追加の線材をラミネート又は絶縁されたガラスユニット（ＩＧＵ）のいずれかのシールされた空間から取り出すことが必要であり、このため、かなり複雑になる。さらに、センサはコントローラの価格を増加する。
【００６７】
固体のエレクトロクロミック装置の研究は、イオン電流が温度と共に相当変化することを示している。この決定は、装置上で別個の温度センサを使用する必要なくＥＣ装置の温度を測定するために使用できる。
【００６８】
高温（例えば、７０℃）では、エレクトロクロミック装置は２．５Ｖを超える電圧によって損傷を受ける。しかし、低温（例えば、０℃）では、装置を適度な期間着色するには、より高い電圧（一般に、４．０Ｖ）が必要とされる。このため、ＥＣ装置を適切に制御するためには、そのおよその温度を知ることが不可欠である。
【００６９】
１つの好ましい実施形態では、装置の温度を確定するために、インピーダンス測定が１つ以上の周波数において使用される。この好ましい方法は、２つの電圧を交互に加えて、電流の変化によって分割された電圧における変化として抵抗を計算することによって、約０．０１〜０．１Ｈｚで装置のＡＣ抵抗を測定する。この測定は透明な導体の抵抗、イオン伝導率、及び漏洩電流の組合せによって影響を受けるが、イオン伝導率が最大の温度変化を有していることが知られており、またこの測定は温度との強い相関を有することが示されている。様々な実験の中で、この好ましい方法は、適度な温度（１０〜５０℃）では約３℃以内の正確に予測された温度を有する。２つの装置に対するサンプルの結果は、図１１のグラフに示されている。
【００７０】
ＥＣ装置の試験データを点検すると、温度の測定は装置の状態にほとんど無関係であることが示されている。しかしながら、非常に高い周波数で測定する場合、それは装置が最近着色されたか又は脱色されたかどうかに依存する（周波数の限界は、温度が高くなるにつれて高くなるように思われる）。それは、抵抗を測定するために使用される電圧にも大きく依存する。換言すると、抵抗は著しく非線形である。この効果は、異なる温度範囲で測定の感度を変えるために使用することができる。
【００７１】
別の好ましい実施形態では、装置に対する電圧−電流の伝達関数をパラメータ化するために、測定が複数の周波数で行われ、温度はパラメータの１つ以上の組合せを用いて計算される。
【００７２】
本発明の幾つかの好ましい実施形態では、特定の条件のもとで装置のインピーダンスを計算し、この大きさを装置の温度に相関させることによって、温度が測定される。この好ましい方法は、装置を着色又は脱色するために既に必要とした同じハードウェアを使用するため、価格を増加させることはない。モデル（図４）の中で最も温度に依存する素子はイオンインピーダンス（Ｒion）であるため、これはこの測定に影響を与える主要な要因である。
【００７３】
好ましい装置の中の電流は、印加電圧、装置の透過率の状態、及び最近の制御履歴の組合せに依存する。ＥＣ装置の温度を決定するための１つの好ましい方法には、下記が含まれる。
１．着色電圧Ｖcを一定期間（一般に、１０〜２０秒）加える。
２．この期間の終わりに装置の電流Ｉcを測定する。
３．脱色電圧ＶBを加える。
４．電圧の変化（一般に、０．５〜１．０秒）の後の一定の時間に装置の電流ＩＢを測定する。
５．電流変化に対する電圧変化の比率（Ｖc−ＶB）／（Ｉc−ＩB）としてインピーダンスを計算する。
６．ルックアップテーブルに基づいて、このインピーダンスから温度を計算する。
【００７４】
別の好ましい実施形態では、脱色電圧を先に加え、電圧を印加する持続時間を変更する。
【００７５】
このため、印加する電圧の制御は下記によって実現される。
１．概算の温度を決定するために、前述した温度のアルゴリズムを適用する。
２．方程式又はルックアップテーブルから、概算の温度を求めるために適当な印加電圧を計算する。
【００７６】
本発明の別の好ましい実施形態は、ＥＣ装置を加熱できるようにする。ＥＣ装置を加熱することは、多数の理由、特に結露を除くこと及び低い温度におけるスイッチング速度を向上させることのために有用である。エレクトロクロミック装置を加熱する方法は従来技術では周知であるが、そのような従来技術の方法は、一般に、別のバスバーを使用する必要がある。例えば、２つのバスバーが着色／脱色のために使用され、第３のバスバーが加熱するために使用される。米国特許第５，３５３，１４８号では、４つのバスバーがＥＣ装置を加熱するために使用される。これらの従来技術の方式では、加熱用に使用したバスバーは同じ透明な導体層に取り付けられ、加熱はこの透明な導体層を通って電流を流すことによって行われる。しかしながら、追加のバスバーを加熱するためにエレクトロクロミック装置に加えることは困難である。このことは、１つのガラスペイン上に蒸着された固体のＥＣ装置に対しては特に正しい。
【００７７】
本発明の幾つかの好ましい実施形態によれば、装置に損傷を与えることなく、透明な導体内での電力消費を大きくするために装置の中間層のキャパシタンスを利用することによって、ＥＣ装置を加熱することができる。１つの好ましい方法では、比較的大きなＡＣ電圧（例えば、１０ｋＨｚで２０Ｖ）がＥＣ装置に加えられる。Ｒs及びＣ１から成るローパスフィルタ（図４）により、実際のエレクトロクロミック層は、装置を損傷する可能性がある高い電圧が印加されないようにされる。ＡＣ電力は、そうしないで、２つの透明な導体層の中で熱を発生する。実験データによれば、ＩＧＵの中の１９”ｘ３７”のＥＣ装置を周囲温度よりも１０℃高い温度に加熱するためには、約１００Ｗが必要とされることが示されている。一般的な１９”ｘ３７”の全体が固体のＥＣ装置のＲs値は約５オームであり、１００Ｗの加熱を行うには約２２ＶＡＣが必要である。５分の時間周期で同様に温度を増加させるには、約２５０Ｗが必要である。
【００７８】
ＥＣ装置を加熱するこの好ましい方法は、全固体装置（all-solid-state device）に対して使用することが望ましい。別の好ましい実施形態では、この方法はポリマーのイオン導体を有するＥＣ装置に使用される。
【００７９】
本発明の別の目的は、安全確保の目的のために、ガラス又は線材が損傷されたことを示すことである。ＥＣ装置の高周波インピーダンス測定によりＲs（図４）が生じる。このＲＳは、時間、温度及び装置の状態に関して一定の透明な導体及び線材から構成する抵抗である。この測定値が変化する場合は損傷されたことを示すため、このことは、警報機のインジケータとして使用することができる。
【００８０】
本発明の別の好ましい実施形態では、ＡＣ加熱を行うＥＣ装置のコントローラは、窓が破壊されたことを示すことによって警報機として使用することができる。この好ましい実施形態では、値Ｒsは加えられたＡＣ電圧及び電流から計算することができる。Ｒsは温度又は時間の経過に対して変化しないため、Ｒsに何らかの変化が生じた場合は、窓又は線材が損傷を受けたことを意味する。
【００８１】
他の好ましい実施形態では、図４に示した装置は、下記の２つのステップの工程を用いて、ＥＣ装置を指定された透過レベルに制御するために使用できる。
１．変化する間の装置の状態を決定するために、電荷計数アルゴリズム（charge-counting algorithm）を使用する。
２．望ましい装置の状態を維持するために、電圧保持アルゴリズムを使用する。
【００８２】
大抵のエレクトロクロミック装置のコントローラでは、装置を通過する電荷を計数（積分）することによって、装置の状態が決定される。漏洩が極めて小さいエレクトロクロミック装置（ポリマー電解質使用のエレクトロクロミック装置など）では、外部電流はイオン電流に等しいため、この方式は極めて直接的なものになる。積分された電荷の全体は、装置の光学的な状態と直接相関を取ることができる。
【００８３】
しかしながら、漏洩電流が大きい固体のＥＣ装置については、外部電流はイオン電流とは著しく異なる可能性がある。結果として、装置の状態を決定するために電荷を計数することだけでは十分ではない。
【００８４】
幾つかの好ましい実施形態では、全体が固体のＥＣ装置に対する装置の状態は、下記のアルゴリズムを用いて決定することができる。
１．装置モデル並びに印加された電圧及び電流を用いて、漏洩電流を計算する。
Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉapp  （内部電圧−参照モデルを計算する）
Ｖint＜ＶTの場合、Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1
そうでない場合、Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1＋（Ｖint−ＶT）／Ｒ2
２．印加された電流と漏洩電流との間の差として、イオン電流を計算する。
Ｉion＝Ｉapp−Ｉleak
３．移送された電荷（Ｑ）を決定するためにイオン電流を積分し、この積分された電荷を装置の光学的な状態と相関する。
【数２】
2006053551.tif 000004
％Ｔ＝ｆ（Ｑ）、ここで、ｆは数学的な関数又はルックアップテーブルである。一般に、光の透過率はＱに対数的に関係付けられる。
【００８５】
装置モデルは、温度の関数である。しかしながら、最も温度に依存する特徴のイオンインピーダンスは、上記のアルゴリズムには現れない。残りの素子の温度依存性は中程度に過ぎないため、モデルの温度依存性は、前述した粗い温度測定を用いて、適切な正確さの幾つかの別個の温度範囲のみを用いて実現することができる。
【００８６】
このアルゴリズムを低温で−例えば、０℃以下で−適用することは、漏洩電流がイオン電流を超える、場合によっては著しく超えることがあるため困難である。このことは、急速に蓄積するためにモデルの中に何らかのエラーを引き起こすことになり、その結果イオンの電荷を計数する精度を低下させる。このため、低い温度では、制御の効果を大いに高めるために、装置を加熱することが望ましい。
【００８７】
前述した電荷計数アルゴリズムは、モデル内の何らかのエラーが時間と共に蓄積して、装置の状態にドリフトを発生させるため、装置を所定の状態に保持するために使用することはできない。このため、一旦望ましい状態に到達すると、以下に説明する電圧保持アルゴリズムが使用される。
【００８８】
印加電圧を取り除き、次に開回路電位を時折確認することによって、ポリマーのイオン導体を有するＥＣ装置を一定の透過レベルに維持することができる。この電圧に基づいて、装置の極めてわずかな漏洩電流を補償するために、少量の電荷が注入される。しかしながら、ＥＣ装置の透過レベルを維持するためのこの方法は、固体のイオン導体を有するエレクトロクロミック装置に対しては機能しない。固体のＥＣ装置については、印加された電位が取り除かれると、装置は脱色を開始する。開回路の電位は、装置がかなり大きく脱色される前は平衡状態に到達しない。このため、その着色レベルを維持するには、装置は一定の電力を受け取る必要がある。本発明のＥＣコントローラがこれを実現する工程の概要を、下記のように説明する。
【００８９】
一旦装置が望ましい透過レベルになると、正確なＤＣ電圧を加えることにより、装置はその状態にいつまでも維持される。保持している間の内部電圧（このモデルではＶint）は、温度とは無関係であると判断される。しかしながら、それは装置から装置へと変化すると共にヒステリシス効果を示す、すなわち、それは装置の着色／脱色の履歴に左右される。装置が十分に脱色され、次に中間の状態に着色される場合、必要な保持電圧は、装置が十分に着色され、次にある中間状態に脱色される場合よりも大きくなる。
【００９０】
次に、電圧保持アルゴリズムが、下記のように単純に与えられる。
１．装置の較正された要求事項及び表の着色／脱色履歴に基づいて、必要な内部保持電圧を計算する。
２．計算された内部電圧（Ｖint）が必要な値Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉappに一致するまで、（図４の）外部電圧（Ｖapp）を調整する。
【００９１】
保持電圧対必要な光学濃度のサンプルの曲線が、図１２に示されている。このグラフは、ヒステリシス効果のために、クリアからスイッチングする場合とは相反してダークからスイッチングする場合は異なる保持電圧が必要とされることを示す。
【００９２】
図１３は、本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、エレクトロクロミック装置を制御及び加熱するために使用する回路４２０を示す。図１３に示す回路は、機能的な回路を作るために必要な全ての構成部品は含んでいないが、加熱、制御及び安全機能を実現するために必要な核心となる構成部品を示す。
【００９３】
図１３に示すように、回路４２０は、アナログ入力部４２４、ディジタルＩ／Ｏ ４２６、及び非同期シリアル通信Ｉ／Ｏ ４２８を有するマイクロプロセッサ４２２を含む。回路４２０は３つのモジュール、すなわち、ネットワーク化シリアル通信部４３０、エレクトロクロミックドライバ４３２、及びフィードバック回路４３４を含み、これらのモジュールはマイクロプロセッサ４２２と共に必要な機能を提供する。これら３つのモジュールは後で詳細に説明される。
【００９４】
ネットワーク化シリアル通信部４３０は、ＲＳ−４８５プロトコルのトランシーバＵ８を含むことが好ましい。このトランシーバＵ８は、マイクロプロセッサ４２２が利用可能な論理レベルのシリアル通信信号を、コネクタＪ１ ４３６で利用可能にされる標準的なＲＳ−４８５の信号レベルに変換するように設計されている。この機能性は周知であり、集積回路Ｕ８ ４３０は広い範囲の直ぐに利用可能な製品の中から選択することができる。Ｊ１の接続部４３６は、コンピュータ、コントローラ、ユーザーインターフェースなどと接続することができる。
【００９５】
ドライバ回路４３２は、ドライバ回路Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３及びＵ４と共にＭＯＳＦＥＴのトランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３及びＱ４から成るＭＯＳＦＥＴのｈ−ブリッジを含むことが好ましい。ｈ−ブリッジ回路は、単極の電源から双極の出力電圧を提供する効率的な手段として周知である。マイクロプロセッサ４２２の制御のもとで、ｈ−ブリッジは独立した着色／脱色及び加熱制御を提供するように使用できる。
【００９６】
図１４〜図１７は、それぞれ着色、脱色、加熱、並びに着色及び加熱モードにおける回路４２０の典型的なパルス幅変調（ＰＷＭ）の波形を示す。ＥＣ装置を着色又は脱色するために使用される電圧レベル（図１４及び図１５）は、４Ｖを超える電圧はＥＣ装置を損傷させる可能性があるため、全体的に４Ｖを超えることはない。しかしながら、本発明の好ましい実施形態（図１６及び図１７）では、電圧は１００Ｈｚ以上で加えられるため、印加電圧は１２〜２４Ｖ以上とすることができる。電圧に対するスイッチング速度が早くなると、ＥＣ装置に装置を損傷させずにより高い電圧を加えることができる。
【００９７】
図１３及び図１４を参照する。ＥＣ装置を着色する場合、ＭＯＳＦＥＴトランジスタＱ２及びＱ３はオフ状態のままにまたＱ４はオン状態のままに残され、Ｑ１にはＰＷＭ信号（好ましい実施形態では、１００〜５００ｋＨｚ）が加えられる。Ｑ１がオンに切り替わると、電流がＱ１及びＱ４を通ってＥＣ装置を流れる。Ｑ１がオフになると、電流は流れない。デューティサイクルは、装置を着色するように要求されると、直流２〜３Ｖの平均印加電圧を与えるように変化される。平均電力は、加熱効果を低く保つために十分小さい。平均電力は、さらに、ＥＣ装置を損傷しないように十分小さくされる。
【００９８】
図１３及び図１４を参照すると、ＥＣ装置の脱色は、ＭＯＳＦＥＴトランジスタＱ２及びＱ３がＱ１及びＱ４の代わりをして、電流を逆方向に流すようにすることを除くと、着色する場合とほとんど同じである。具体的に言うと、Ｑ１及びＱ４はオフの状態に、Ｑ２はオンの状態のままにされて、Ｑ３にはＰＷＭ信号（好ましい実施形態では、１００〜５００ｋＨｚ）が与えられる。再度、デューティサイクルは直流１〜２Ｖの平均電圧を供給するように変化され、平均電力は小さくされる。
【００９９】
図１３及び図１６を参照すると、トランジスタ対Ｑ１及びＱ４並びにＱ２及びＱ３のオン及びオフを交互に切り換えることによって、装置の加熱が実現される。周期の５０％に対しては、電流はＱ１及びＱ４を通ってある方向にＥＣ装置を貫流するが、一方、周期の別の５０％の間は、電流はＱ２及びＱ３を通って流れ、ＥＣ装置に逆方向の電流を供給する。その結果、平均の印加電圧（及び電流）はゼロであり、有効なスイッチング電圧はゼロであるが、消費される電力は大きな加熱を行うことができるほど大きい。１つの好ましい実施形態では、１２Ｖが１００Ｈｚ以上で供給される。一般的に、この大きさの電圧を加えると、ＥＣ装置に永久的な損傷を与えることになる。しかしながら、比較的高い周波数（１００Ｈｚ以上）で１２Ｖを交流にすることにより、外部の加熱素子を用いることなく、またＥＣ装置に損傷を与えることなく、ＥＣ装置を加熱することができる。１００Ｈｚ未満で１２Ｖを加えると、ＥＣ装置を損傷させることが観察されている。別の好ましい実施形態では、ＥＣ装置を加熱するために、１２〜２４Ｖが１〜１０ｋＨｚで加えられる。
【０１００】
図１３及び図１７を参照すると、加熱周期のデューティサイクルを変えることによって、加熱及び着色を同時に行う動作又は加熱及び脱色を同時に行う動作を実現することができる。デューティサイクルが５０％よりも大きい（すなわち、より多くの時間が負極性ではなく正極性で使用される）場合は、平均印加電圧は正であり、装置は着色動作を行う。この特定の周期は、図１７に示される。デューティサイクルが５０％未満の場合は、平均印加電圧は負であり、装置は脱色動作を行う。
【０１０１】
図１３を参照する。回路４２０は、マイクロプロセッサ４２２がＥＣ装置に印加された電圧及び電流をサンプリングすることが可能にされるフィードバック回路４３４も含む。このフィードバック回路は、抵抗Ｒ1及びＲ2並びにコンデンサＣ１から構成するローパスフィルタを含み、このローパスフィルタは、出力電圧の高周波成分を取り除く。次に、残りの低周波信号は、マイクロプロセッサのアナログ入力部が受け入れ可能な電圧範囲（好ましくは、直流の０〜５Ｖ）に増幅及びレベルシフトされる。電流感知抵抗Ｒ５は、出力電流を電圧に変換する。この電圧の高周波成分は、抵抗Ｒ３及びＲ４並びにコンデンサＣ２から構成するローパスフィルタによって取り除かれる。このフィードバック回路は、差動増幅器Ｕ７も含む。この差動増幅器Ｕ７は、小さい電圧信号をマイクロプロセッサのアナログ入力部４２４が受け入れ可能な電圧範囲（好ましくは、直流の０〜５Ｖ）に増幅増幅する。
【０１０２】
図１８は、本発明の幾つかの好ましい実施形態による、エレクトロクロミック安全ガラスのアセンブリーを示す。このアセンブリーは、ほぼ透明なガラスペインなどの基板５４８を含む。エレクトロクロミック構造体５２０は、この基板５４８の頂上に形成される。このエレクトロクロミック構造体５２０は、第１の透明な導電層５２４、基板５４８と接触する第２の透明な導電層５２６、及びこれら第１及び第２の透明な導電層の間の少なくとも１つのエレクトロクロミックフィルム５３０を含むことが好ましい。このエレクトロクロミック構造体は、第１の透明な導電層５２４と電気通信する第１の導電性のバスバー５６０及び第２の透明な導電層５２６と電気通信する第２の導電性のバスバー５６２も含む。このアセンブリーは、第１及び第２のバスバー５６０，５６２を電源５２２に接続する回路５６４を含む。このアセンブリーは、エレクトロクロミック構造体５２０の電気的特性を連続的にモニタするように適合されたコントローラ５６６も含む。
【０１０３】
１つの特に好ましい実施形態では、約０．１〜１００ｋＨｚの周波数で、より好ましくは約１〜１０ｋＨｚの周波数で、交流の電流がエレクトロクロミック構造体を通過する。本発明は何らかの特定の動作理論に限定されることはないが、この周波数では、容量性インピーダンスは抵抗に比べて極めて小さいと信じられているため、直列抵抗Ｒsが唯一の測定される変数とされる。抵抗はほとんど完全に装置の温度及び装置の状態に無関係であるため、コントローラ５６６は交流電流の抵抗における何らかの変化をモニタすることができる。その結果、ＡＣ抵抗における何らかの大きな変化は装置の故障を示し、これは安全への侵害を知らせている可能性がある。そのような場合、コントローラは警報信号を発生し、この信号は電気信号又はオーディオ信号を発生する警報ユニット５６８に転送される。
【０１０４】
図１９を参照する。本発明の別の好ましい実施形態では、エレクトロクロミック安全ガラスのアセンブリーは、基板６４８上に組み立てられたエレクトロクロミック構造体６２０を含む。このエレクトロクロミック構造体は、第１のほぼ透明な導電層６２４、第２の透明な導電層６２６及びそれらの間に確保された少なくとも１つのエレクトロクロミックフィルム６３０を含む。このエレクトロクロミック装置６２０は、第１の透明な導電層６２４と電気通信する第１のバスバー６６０及び第２の透明な導電層６２６と電気通信する第２のバスバー６６２も含む。このアセンブリーは、エレクトロクロミック装置に電流を送るために電源６２２に接続された回路６６４も含む。このアセンブリーは、コントローラ６６６及びこのコントローラ６６６と通信する光センサ６６７も含む。エレクトロクロミック安全ガラスのアセンブリーは、コントローラ６６６からの命令に応答して電子信号又はオーディオ信号を発生するように適合された警報６６８も含む。
【０１０５】
動作に当たっては、可視及び近赤外の範囲の光６７０が、エレクトロクロミック構造体６２０及び基板６４８を通過する。アセンブリーを通過することができる光量６７０は、エレクトロクロミック構造体６２０に対して直流を加えることによって連続的かつ可逆的に変化させることができる。エレクトロクロミック構造体は、光透過率のレベルを変えるために電流が再度加えられるまで、長期間望ましい透過レベルに留まる。光センサ６６７は、ユーザの好みに基づいて、エレクトロクロミック構造体の着色の程度をモニタ及び制御するように適合される。エレクトロクロミック構造体の完全性が損なわれて、安全への侵害を示す場合は、アセンブリーの光学特性が大きく変化する。そのような場合は、コントローラ６６６は、警報を発生するために警報ユニット６６８に送信される警報信号を発生する。
【０１０６】
さらに別の好ましい実施形態では、全面的に固体のエレクトロクロミック装置は、固有の漏洩電流又は第１及び第２の透明な導電層の間の抵抗を感知することができるコントローラを含む。この抵抗は装置が隣接する領域に正比例するため、エレクトロクロミック装置のどのような破損も隣接領域を縮小させ、これにより、漏洩電流の変化が検出される。装置の抵抗は装置の面積に逆比例するため、活性領域のどのような損失も抵抗の増加又は漏洩電流の減少をもたらす。感知回路はそのような変化を検出するとこうした変化を検査し、警報信号を発生するように適合される。
【０１０７】
本願の発明を特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施形態は本発明の原理及び用途を単に例証するものであることは理解されよう。このため、これらの例証となる実施形態に対して多数の変形例を作ることができ、また添付した特許請求の範囲によって定義された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、別の装置を発明することができることは理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】基板に固定されたエレクトロクロミック構造体を示す図である。
【図２Ａ】本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、窓に組み立てられたエレクトロクロミック構造体の破断図を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ａの窓及びエレクトロクロミック構造体の断面図を示す図である。
【図２Ｃ】固体のエレクトロクロミック装置のスタックの薄膜の層の拡大図を示す図である。
【図３】本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、エレクトロクロミック装置を制御するシステムを示す図である。
【図４】本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、装置の性能のモデルを表す電気回路を示す図である。
【図５】本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、エレクトロクロミック装置用の制御システムを示す図である。
【図６】暗黙の開回路電圧の測定値のグラフである。
【図７】着色及び脱色する場合のヒステリシス効果を示すグラフである。
【図８】エレクトロクロミック装置の中でヒステリシスＡ効果を作る回路を示す図である。
【図９Ａ】透過率の状態に対する着色電流の関係を示すグラフである。
【図９Ｂ】透過率の状態に対する脱色電流の関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、エレクトロクロミック装置の透過レベルを測定する場合の制御システムの応答を示すグラフである。
【図１１】種々の温度における２つのエレクトロクロミック装置のイオン伝導率を示すグラフである。
【図１２】ダークからスイッチングする場合及びクリアからスイッチングする場合の保持電圧対必要な光学濃度の曲線を示すグラフである。
【図１３】図３の回路の一層詳細なバージョンであり、本発明の別の好ましい実施形態による、マイクロプロセッサ及びドライバ回路を含むエレクトロクロミック（ＥＣ）装置用の制御回路を示す図である。
【図１４】ＥＣ装置を着色するための、図１３のドライバ回路に対するサンプルのパルス幅変調（ＰＷＭ）波形を示す図である。
【図１５】ＥＣ装置を脱色するための、図１３のドライバ回路に対するサンプルのＰＷＭを示す図である。
【図１６】ＥＣ装置を加熱するための、図１３のドライバ回路に対するサンプルのＰＷＭを示す図である。
【図１７】ＥＣ装置を同時に加熱及び着色するための、図１３のドライバ回路に対するサンプルのＰＷＭを示す図である。
【図１８】本発明の幾つかの好ましい実施形態に基づいて、基板に組み立てられたエレクトロクロミック構造体を示す図である。
【図１９】本発明の別の好ましい実施形態に基づいて、基板に組み立てられたエレクトロクロミック構造体を示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
Ｑ１〜Ｑ４  ＭＯＳＦＥＴトランジスタ
４２０  回路
４２２  マイクロプロセッサ
４３２  エレクトロクロミックドライバ
４３４  フィードバック回路
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【外国語明細書】
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