(57)【要約】【課題】マスク洗浄方法を提供する。【解決手段】マスクに付着された物質にレーザビームを照射するステップと、マスクに付着された物質を除去するステップと、を含むことを特徴とするマスク洗浄方法である。これにより、マスクに付着された物質を迅速かつ効率的に除去できる。また、マスクに付着された物質を除去するステップは、マスクを超純水に浸漬するステップと、マスクを有機溶剤に浸漬するステップと、を含むものであることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに付着された物質にレーザビームを照射するステップと、
前記マスクに付着された物質を除去するステップと、を含むことを特徴とするマスク洗浄方法。
【請求項２】
前記マスクに付着された物質を除去するステップは、
前記マスクを超純水に浸漬するステップと、
前記マスクを有機溶剤に浸漬するステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載のマスク洗浄方法。
【請求項３】
前記マスクを超純水に浸漬するステップは、前記マスクを超純水に浸漬した状態で前記超純水に超音波を照射するステップであることを特徴とする請求項２に記載のマスク洗浄方法。
【請求項４】
前記マスクを超純水に浸漬した状態で前記超純水に超音波を照射するステップは、前記超音波が前記超純水の表面で焦点が結ばれるように超音波を照射するステップであることを特徴とする請求項３に記載のマスク洗浄方法。
【請求項５】
前記マスクを超純水に浸漬するステップは、前記マスクを超純水に浸漬した状態で前記超純水に超音波を照射する工程を少なくとも２回以上行うステップであることを特徴とする請求項２に記載のマスク洗浄方法。
【請求項６】
前記マスクを有機溶剤に浸漬するステップは、前記マスクに付着された物質を除去するステップであることを特徴とする請求項２に記載のマスク洗浄方法。
【請求項７】
前記マスクに付着された物質を除去するステップは、前記マスクを有機溶剤に少なくとも１分間浸漬することを特徴とする請求項６に記載のマスク洗浄方法。
【請求項８】
前記マスクを乾燥させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のマスク洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク洗浄方法に係り、さらに詳細には、マスクに付着された物質を迅速かつ効率的に除去するマスク洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光ディスプレイ装置は、自発光型ディスプレイ装置であって、視野角が広く、コントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所を有していて、次世代ディスプレイ装置として注目されている。
【０００３】
電界発光ディスプレイ装置は、発光層（ＥＭＬ：ＥＭｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）形成物質によって、無機電界発光ディスプレイ装置と有機電界発光ディスプレイ装置とに区分され、このうち、有機電界発光ディスプレイ装置は、無機電界発光ディスプレイ装置に比べて、輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れ、多色化が可能であるという長所を有している。
【０００４】
一般的な有機電界発光ディスプレイ装置に備えられる有機電界発光素子には、互いに対向した電極の間に少なくともＥＭＬを備える中間層となる。前記中間層には、多様な層が備えられるところ、例えば、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、ＥＭＬ、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）または電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が挙げられる。有機電界発光素子の場合、このような中間層は、有機物で形成された有機薄膜である。
【０００５】
前記のような構成を有する有機電界発光素子の製造過程で、基板上に形成されるＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬまたはＥＩＬなどの有機薄膜は、蒸着装置を利用して蒸着の方法によって形成される。
【０００６】
前記蒸着方法は、一般的に、真空チャンバ内に基板を装着した後、蒸着される物質を入れた加熱容器を加熱して、その内部の蒸着される物質を蒸発または昇華させることによって薄膜を製作する。
【０００７】
有機電界発光素子の薄膜をなす前記有機物は、１０−６ないし１０−７ｔｏｒｒの真空度に２５０〜４５０℃ほどの温度範囲で蒸発または昇華する。
一方、前記のような電界発光素子には、互いに対向する電極が備えられ、特に、能動駆動型の電界発光素子の場合には、金属で形成される電極を備えた薄膜トランジスターが備えられるところ、前記のような電極も蒸着などの方法を通じて形成される。
【０００８】
このような電極材料は、有機材料と比較して、一般的に高温で蒸発するが、このような蒸発温度は、材料の種類によって多様である。一般的に利用されるマグネシウム（Ｍｇ）は、５００〜６００℃、銀（Ａｇ）は、１０００℃以上で蒸発する。また、電極材料として利用されるアルミニウム（Ａｌ）は、１０００℃前後で蒸発し、リチウム（Ｌｉ）は、３００℃ほどで蒸発する。
【０００９】
前記のような蒸着によって有機膜または金属膜を形成するにおいて、前記有機膜または金属膜を特定のパターンを有するように形成するためにマスクが利用される。すなわち、有機膜または金属膜を形成する対象に、所定パターンのスリットが形成されたマスクを装着した後に蒸着を行うことによって、前記マスクに形成された所定パターンのスリットを通じて露出された部分にのみ有機膜または金属膜を蒸着させて、所望のパターンで蒸着させる。
【００１０】
前記のように蒸着を行った後、前記マスクを離すが、前記のような蒸着過程で必然的に前記マスク上にも有機膜または金属膜が蒸着されるところ、前記離したマスクを再活用するためには、前記マスクに付着された物質を除去せねばならない。
【００１１】
従来には、蒸着後にマスクに付着された物質を除去するために有機溶剤のみを利用した。すなわち、アセトンなどの有機溶剤にマスクを浸漬してマスクに付着された有機物を除去した。しかし、前記のような方法の場合、マスクに付着された物質を除去するために、有機溶剤にマスクを約４８時間以上浸漬せねばならないなど長時間がかかってしまい、特に量産の場合、多数のマスクを備えた後にこれを交代で使用せねばならないなど、このための施設の増設及びそれによる生産コストの上昇のような問題点が発生した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前記問題点を含んで色々な問題点を解決するためのものであって、マスクに付着された物質を迅速かつ効率的に除去するマスク洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的及びその他の色々な目的を達成するために、本発明は、マスクに付着された物質にレーザビームを照射するステップと、前記マスクに付着された物質を除去するステップと、を含むことを特徴とするマスク洗浄方法を提供する。
【００１４】
このような本発明の他の特徴によれば、前記マスクに付着された物質を除去するステップは、前記マスクを超純水に浸漬するステップと、前記マスクを有機溶剤に浸漬するステップとを含みうる。
【００１５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記マスクを超純水に浸漬するステップは、前記マスクを超純水に浸漬した状態で、前記超純水に超音波を照射するステップでありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記マスクを超純水に浸漬した状態で、前記超純水に超音波を照射するステップは、前記超音波が前記超純水の表面で焦点が結ばれるように超音波を照射するステップでありうる。
【００１６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記マスクを超純水に浸漬するステップは、前記マスクを超純水に浸漬した状態で、前記超純水に超音波を照射する工程を少なくとも２回以上行うステップでありうる。
【００１７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記マスクを有機溶剤に浸漬するステップは、前記マスクに付着された物質を除去するステップでありうる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記マスクに付着された物質を除去するステップは、前記マスクを有機溶剤に少なくとも１分間浸漬できる。
【００１８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記マスクを乾燥させるステップをさらに含みうる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のマスクの洗浄方法によれば、次のような効果が得られる。
第一に、レーザビームを利用してマスクに付着された物質の結合を弱化させた後、有機溶剤を利用して前記付着物質を除去することによって、その除去時間を４８時間以上から５分前後に画期的に短縮させうる。
【００２０】
第二に、レーザビームを照射してマスクに付着された物質の結合を弱化させ、前記マスクを超純水に浸漬した後、前記超純水の表面に焦点が結ばれるように超音波を印加して、前記マスクに付着された物質の結合をさらに弱化させた後、前記マスクに付着された物質を除去するステップを経ることによって、既存の工程をそのまま利用してコスト上昇を最小化しつつも、マスクに付着された物質の除去にかかる時間を４８時間以上から５分前後に画期的に短縮させうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。
図１は、本発明の望ましい一実施形態によるマスク洗浄方法のステップを概略的に示すフローチャートである。
【００２２】
図１を参照すれば、本実施形態によるマスク洗浄方法は、マスクに付着された物質にレーザビームを照射するステップと、前記マスクに付着された物質を除去するステップと、を含む。
【００２３】
前述したように、従来には、蒸着後にマスクに付着された物質を除去するために有機溶剤のみを利用した。すなわち、アセトンのような有機溶剤にマスクを浸漬してマスクに付着された有機物を除去した。しかし、前記のような方法の場合、マスクに付着された物質を除去するために、有機溶剤にマスクを約４８時間以上浸漬せねばならないなど、長時間がかかるという問題点があった。
【００２４】
したがって、本実施形態によるマスクの洗浄方法では、まず、マスクに付着された物質にレーザビームを照射するステップを経る。マスクに付着された物質にレーザビームを照射する場合、前記レーザビームによって発生したプラズマが膨脹しつつ衝撃波を作り、前記衝撃波が四方に伝播されつつ、前記マスクに付着された物質の結合及び前記物質とマスクとの結合を弱化させる。その結果、前記のように、レーザビームを利用して前記マスクに付着された物質の結合及び前記物質とマスクとの結合を弱化させた後、有機溶剤を利用して前記付着物質を除去する場合、その除去時間が短縮される。
【００２５】
マスクに付着された物質に何らの処理も施さず、前記マスクに付着された物質を除去するために有機溶剤に浸漬する場合、前記マスクを約４８時間以上浸漬して始めて、前記マスクに付着された物質が除去された。しかし、本実施形態によるマスクの洗浄方法によって、前記マスクを有機溶剤に浸漬する前にマスクに付着された物質にレーザビームを照射して前記物質の結合を弱化させる場合、有機溶剤に約５分だけ浸漬しても前記マスクに付着された物質が除去された。このとき、前記有機溶剤としては、アセトンを使用でき、これは後述する実施形態においても同様である。
【００２６】
このとき、マスクに付着された物質にレーザビームを照射して前記マスクに付着された物質の結合を弱化させた後になされる前記マスクに付着された物質を除去するステップの場合、既存の工程をそのまま利用できるので、付加的な施設投資をしなくても良い。
一方、マスクに付着された物質にさらに強いレーザビームを照射して、有機溶剤を使用してマスクに付着された物質を除去するステップを経ずとも、前記マスクに付着された物質を除去できる。しかし、このような場合、照射されたレーザビームによって発生した熱が前記マスクの変形をもたらし、したがって、前記マスクに形成されているスリットが変形されて前記マスクを再活用できないという問題点がある。したがって、レーザビームを前記マスクの変形をもたらさないほどの強度で照射して前記マスクに付着された物質の結合のみを弱化させた後、既存の有機溶剤に前記マスクを浸漬して前記マスクに付着された物質を除去することが望ましい。
【００２７】
前記のようなステップを経た後、前記基板を乾燥するステップをさらに経て、この場合、エアーナイフを利用することもある。
前記のように、マスクに付着された物質にレーザビームを照射して、前記マスクに付着された物質の結合及び前記物質と前記マスクとの結合を弱化させた後、前記マスクに付着された物質を除去するステップを経ることによって、既存の工程をそのまま利用してコスト上昇を最小化しつつ、マスクに付着された物質の除去にかかる時間を４８時間以上から５分前後に画期的に短縮させうる。
【００２８】
図２及び図３は、本発明の望ましいさらに他の実施形態によるマスク洗浄方法のステップを概略的に示すフローチャートである。
前記図面を参照すれば、本実施形態によるマスク洗浄方法は、まず、マスクに付着された物質にレーザビームを照射するステップと、前記マスクを超純水に浸漬するステップと、前記マスクを有機溶剤に浸漬するステップと、を含む。このとき、前記マスクを超純水に浸漬するステップは、前記マスクを超純水に浸漬した状態で、前記超純水に超音波を照射するステップでありうる。
【００２９】
本実施形態によるマスクの洗浄方法でも、まず、マスクに付着された物質にレーザビームを照射するステップを経る。マスクに付着された物質にレーザビームを照射する場合、前述したように、前記レーザビームによって発生したプラズマが膨脹しつつ衝撃波を作り、前記衝撃波が四方に伝播されつつ前記マスクに付着された物質の結合を弱化させる。その後、本実施形態によるマスクの洗浄方法では、前記マスクを超純水に浸漬し、必要に応じて前記マスクを前記超純水に浸漬した状態で、前記超純水に超音波を照射する。このとき、前記超音波が前記超純水の表面で焦点が結ばれるように超音波を照射させうる。
【００３０】
超音波が超純水の表面で焦点が結ばれるように超音波を照射する場合、やはり、前記超音波によって前記超純水の内部に衝撃波が発生し、前記衝撃波が前記マスクに付着された物質に加えられつつ、前記物質の結合及び前記物質とマスクとの結合をさらに弱化させる。したがって、前記のような過程を経た後、有機溶剤で前記マスクに付着された物質を除去する場合、さらに効果的に除去できる。
【００３１】
このとき、前記マスクを超純水に浸漬した状態で、前記超純水に超音波を照射する工程は、必要に応じて２回以上実施してもよい。
前記のように、マスクに付着された物質にレーザビームを照射して前記マスクに付着された物質の結合を弱化させ、前記マスクを超純水に浸漬した後、前記超純水の表面に焦点が結ばれるように超音波を印加して前記マスクに付着された物質の結合をさらに弱化させた後、前記マスクに付着された物質を除去するステップを経ることによって、既存の工程をそのまま利用してコスト上昇を最小化しつつも、マスクに付着された物質の除去にかかる時間を４８時間以上から５分前後に画期的に短縮させうる。
【００３２】
図４は、前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄されたマスクの写真の一部であって、本実験のために、５４個のマスクセルを製作してレーザビームを利用した洗浄時間の短縮の再現性を確認した。
前記写真を参照すれば、マスクに形成されたスリットが変形されずに、前記マスクに付着されていた物質が清潔に除去されたことが分かる。
【００３３】
図５は、前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄する前のマスクのトータルピッチデータであり、図６及び図７は、前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄した後のマスクのトータルピッチデータである。
【００３４】
前述したように、マスクに付着された物質にレーザビームをさらに強く照射するほど前記マスクに付着された物質を除去できるが、このような場合、照射されたレーザビームによって発生した熱が前記マスクの変形をもたらし、したがって、前記マスクに形成されているスリットが変形されて前記マスクを再活用できないという問題点がある。したがって、本発明によるマスクの洗浄方法では、レーザビームを前記マスクの変形をもたらさないほどの強度で照射して、前記マスクに付着された物質の結合のみを弱化させた後、既存の有機溶剤に前記マスクを浸漬して前記マスクに付着された物質を除去している。
【００３５】
図５は、前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄する前のマスクの変形程度であるトータルピッチデータを示すグラフであり、これによれば、トータルピッチエラー率は、３.９８であった。図６及び図７は、前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄した後、２回にわたって測定したトータルピッチデータを示すグラフである。
【００３６】
本測定のために実施したマスクの洗浄条件を参照すれば、まず、マスクに付着された物質にレーザを照射した後、５分間超純水に浸漬し、前記超純水に浸漬した状態で１分間１００kHzの超音波を照射し、その後、１分間アセトンに浸漬して前記マスクに付着された物質を除去した。
【００３７】
前記のような洗浄条件下で洗浄を実施した後、２回にわたって測定したマスクのトータルピッチエラー率は、それぞれ４.１２及び３.８４であり、洗浄前のトータルピッチエラー率と大きい差がなく、したがって、本発明によるマスク洗浄方法によって洗浄する場合、マスクの損傷なしでも洗浄時間を４８時間から５分前後に画期的に短縮させうる。
【００３８】
本発明は、図面に示した実施形態を参考として説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であることが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、電界発光ディスプレイ装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の望ましい一実施形態によるマスク洗浄方法のステップを概略的に示すフローチャートである。
【図２】本発明の望ましい他の一実施形態によるマスク洗浄方法のステップを概略的に示すフローチャートである。
【図３】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるマスク洗浄方法のステップを概略的に示すフローチャートである。
【図４】前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄されたマスクの写真である。
【図５】前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄する前のマスクのトータルピッチデータを示す図面である。
【図６】前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄した後のマスクのトータルピッチデータを示す図面である。
【図７】前記実施形態によるマスク洗浄方法によって洗浄した後のマスクのトータルピッチデータを示す図面である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図４】
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