(57)【要約】      （修正有）【課題】  マスクの回転補正値及びマスクステージの非走査方向の走り補正値を正確に算出することができる走査型投影露光装置を提供する。【解決手段】  基板ステージに配置された基準マーク８２と、基準マークとマスク上の走査方向の一端部に配置された第１マスクマーク８０との第１相対位置及び基準マークとマスク上の走査方向の他端部に配置された第２マスクマーク８１との第２相対位置を計測する計測手段と、計測手段により計測された第１相対位置及び第２相対位置に基づいて、マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を求める補正値算出手段と、補正値算出手段により算出された補正値に基づいてマスクステージの走り位置制御を行ないながらマスクステージを走査させる。【選択図】  図３
2006100585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを載置し走査するためのマスクステージと、外径が５００ｍｍ以上の基板を載置し走査するための基板ステージとを有し、前記マスクステージと前記基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記基板に前記マスクのパターンを投影露光する走査型投影露光装置において、
前記基板ステージに配置された基準マークと、
前記基準マークと前記マスク上に配置された第１マスクマークとの第１相対位置及び前記基準マークと前記マスク上の前記第１マスクマークの位置とは異なる位置に配置された第２マスクマークとの第２相対位置を計測する計測手段と、
前記計測手段により計測された前記第１相対位置及び前記第２相対位置に基づいて、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を求める補正値算出手段と、
前記補正値算出手段により算出された補正値に基づいて、前記マスクステージまたは前記基板ステージを走査させることを特徴とする走査型投影露光装置。
【請求項２】
前記補正値算出手段は、前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出することを特徴とする請求項１記載の走査型投影露光装置。
【請求項３】
前記計測手段は、前記基準マークと前記第１マスクマークとの少なくとも２つの相対位置及び、前記基準マークと前記第２マスクマークとの少なくとも２つの相対位置を計測することを特徴とする請求項１または請求項２記載の走査型投影露光装置。
【請求項４】
前記補正値算出手段は、前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の２次以上の走り補正値を算出することを特徴とする請求項３記載の走査型投影露光装置。
【請求項５】
マスクを載置し走査するためのマスクステージと、外径が５００ｍｍ以上の基板を載置し走査するための基板ステージとを有し、前記マスクステージと前記基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記基板に前記マスクのパターンを投影露光する走査型投影露光装置の前記マスクステージの走り補正方法において、
前記基板ステージに配置された基準マークと前記マスク上に配置された第１マスクマークとの相対位置を計測する第１計測工程と、
前記基準マークと前記マスク上の前記第１マスクマークとは異なる位置に配置された第２マスクマークとの相対位置を計測する第２計測工程と、
前記第１計測工程及び前記第２計測工程により計測された計測値に基づいて、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出する補正値算出工程と、
前記補正値算出工程により算出された補正値に基づいて、前記マスクステージまたは前記基板ステージを走査させる走査工程と、
を含むことを特徴とするマスクステージの走り補正方法。
【請求項６】
前記補正値算出工程は、前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出する工程を含むことを特徴とする請求項５記載のマスクステージの走り補正方法。
【請求項７】
マスクを載置し走査するためのマスクステージと、外径が５００ｍｍ以上の基板を載置し走査するための基板ステージとを有し、前記マスクステージと前記基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記基板に前記マスクのパターンを投影露光する走査型投影露光装置の前記マスクステージの走り補正方法において、
前記基板ステージに配置された基準マークと前記マスク上に配置された第１マスクマークとの相対位置を計測する第１計測工程と、
前記第１計測工程により計測された前記相対位置における前記マスクステージの位置と異なる前記マスクステージの位置において、前記基準マークと前記第１マスクマークとの相対位置を計測する第２計測工程と、
前記基準マークと前記マスク上の前記第１マスクマークとは異なる位置に配置された第２マスクマークとの相対位置を計測する第３計測工程と、
前記第３計測工程により計測された前記相対位置における前記マスクステージの位置と異なる前記マスクステージの位置において、前記基準マークと前記第２マスクマークとの相対位置を計測する第４計測工程と、
前記第１計測工程、前記第２計測工程、前記第３計測工程及び前記第４計測工程により計測された計測値に基づいて、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出する補正値算出工程と、
前記補正値算出工程により算出された補正値に基づいて、前記マスクステージまたは前記基板ステージを走査させる走査工程と、
を含むことを特徴とするマスクステージの走り補正方法。
【請求項８】
前記補正値算出工程は、前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の２次以上の走り補正値を算出する工程を含むことを特徴とする請求項７記載のマスクステージの走り補正方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の走査型投影露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項８の何れか一項に記載のマスクステージの走り補正方法により補正された走査型投影露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための走査型投影露光装置及び該走査型投影露光装置を用いたマスクステージの走り補正方法及びマイクロデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロデバイスの一つである半導体素子又は液晶表示素子等を製造する場合において、マスク（レチクル、フォトマスク等）のパターンを、投影光学系を介してフォトレジスト等の感光剤が塗布された基板（ガラスプレート、半導体ウエハ等）上に投影露光する投影露光装置が用いられている。
【０００３】
近年、液晶表示デバイスを製造する際に基板として大型のガラス基板が用いられ、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつマスクのパターンを連続的に基板上に転写する走査型露光装置が用いられている。この走査型投影露光装置においては、１つの大型の投影光学系を使用する代わりに、複数の小型の部分投影光学系を走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、各部分投影光学系においてそれぞれのマスクのパターンを基板上に露光する。
【０００４】
この種の走査型投影露光装置において、マスクのパターン像を基板上の正確な位置に露光するためには、マスクステージに対するマスクの回転を補正する必要がある。マスクステージに対するマスクの回転を補正するために、基板ステージに配置されている複数の基準マークとマスクの走査方向の両端に配置されている複数のマスクマークとの位置ずれを計測し、計測された位置ずれに基づいてマスクステージの走査方向に対するマスクの回転補正量を算出することによりマスクの回転を補正する方法が提案されている（特許文献1参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平２００１−２９６６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、マスクの大型化に伴い、マスクステージを走査方向へ駆動するためのリニアモータ、マスクステージを走査方向と直交する方向（以下、非走査方向という）へ駆動するためのボイスコイルモータも大型化し、マスクステージを駆動させることにより発生する熱がマスクステージの変形の要因となっている。また、基板サイズが大型化した場合であってもスループットを低下させないために露光光の照度を向上させる必要があり、露光光の照度を向上させることにより発熱量も増大し、マスクステージを変形させる要因となっている。
【０００７】
従来マスクステージの走りの非走査方向の位置は固定値と考えられていたが、上述のマスクステージの変形等によりマスクステージの走りの非走査方向の位置が弓なりに変化することが判明した。従来の走査型投影露光装置においては、マスクステージの変形が露光に悪影響を与えるようになったときにテスト露光を行い補正量を算出していたため生産性が低下していた。また、マスクを交換するたびにマスクステージに対するマスクの回転量を計測補正しているが、マスクステージの走りの非走査方向の位置が弓なりに変化している場合、計測されるマスクの回転量はマスクステージの走り精度が加味されたものとなり、正確なマスクの回転量を計測することができないという問題が生じている。従って、マスクの位置を正確に補正することができず、マスクパターンの重ね合わせ精度や、走査型投影露光装置を構成する光学部材の配列精度を向上させることができなかった。
【０００８】
この発明の課題は、マスクの回転補正値及びマスクステージの非走査方向の走り補正値を正確に算出することができる走査型投影露光装置、該走査型投影露光装置を用いたマスクステージの走り補正方法及びマイクロデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の走査型投影露光装置は、マスクを載置し走査するためのマスクステージと、外径が５００ｍｍ以上の基板を載置し走査するための基板ステージとを有し、前記マスクステージと前記基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記基板に前記マスクのパターンを投影露光する走査型投影露光装置において、前記基板ステージに配置された基準マークと、前記基準マークと前記マスク上に配置された第１マスクマークとの第１相対位置及び前記基準マークと前記マスク上の前記第１マスクマーク位置とは異なる位置に配置された第２マスクマークとの第２相対位置を計測する計測手段と、前記計測手段により計測された前記第１相対位置及び前記第２相対位置に基づいて、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を求める補正値算出手段と、前記補正値算出手段により算出された補正値に基づいて、前記マスクステージまたは前記基板ステージを走査させることを特徴とする。
【００１０】
この請求項１記載の走査型投影露光装置によれば、計測手段により計測された第１相対位置及び第２相対位置に基づいてマスクステージの非走査方向における走り補正値を正確に算出することができるため、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージでの走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００１１】
また、請求項２記載の走査型投影露光装置は、前記補正値算出手段が前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出することを特徴とする。
【００１２】
この請求項２記載の走査型投影露光装置によれば、マスクステージに対するマスクの回転補正値とマスクステージの非走査方向の走り補正値とを別々に算出することができ、かつ計測手段により計測された計測値に基づいて同時に算出することができる。従って、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００１３】
また、請求項３記載の走査型投影露光装置は、前記計測手段が前記基準マークと前記第１マスクマークとの少なくとも２つの相対位置及び、前記基準マークと前記第２マスクマークとの少なくとも２つの相対位置を計測することを特徴とする。
【００１４】
この請求項３記載の走査型投影露光装置によれば、計測手段により計測された少なくとも４つの相対位置に基づいてマスクステージの非走査方向の走り補正値を正確に算出することができるため、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が弓なりに変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００１５】
また、請求項４記載の走査型投影露光装置は、前記補正値算出手段が前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の２次以上の走り補正値を算出することを特徴とする。
【００１６】
この請求項４記載の走査型投影露光装置によれば、マスクステージに対するマスクの回転補正値とマスクステージの非走査方向の２次以上の走り補正値とを別々に算出することができ、かつ計測手段により計測された計測値に基づいて同時に算出することができる。従って、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が非線形的に変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００１７】
また、請求項５記載のマスクステージの走り補正方法は、マスクを載置し走査するためのマスクステージと、外径が５００ｍｍ以上の基板を載置し走査するための基板ステージとを有し、前記マスクステージと前記基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記基板に前記マスクのパターンを投影露光する走査型投影露光装置の前記マスクステージの走り補正方法において、前記基板ステージに配置された基準マークと前記マスク上に配置された第１マスクマークとの相対位置を計測する第１計測工程と、前記基準マークと前記マスク上の前記第１マスクマーク位置とは異なる位置に配置された第２マスクマークとの相対位置を計測する第２計測工程と、前記第１計測工程及び前記第２計測工程により計測された計測値に基づいて、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出する補正値算出工程と、前記補正値算出工程により算出された補正値に基づいて、前記マスクステージまたは前記基板ステージを走査させる走査工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
この請求項５記載のマスクステージの走り補正方法によれば、第１計測工程及び第２計測工程により計測された相対位置に基づいてマスクステージの非走査方向の走り補正値を正確に算出することができるため、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージでの走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００１９】
また、請求項６記載のマスクステージの走り補正方法は、前記補正値算出工程が前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出する工程を含むことを特徴とする。
【００２０】
この請求項６記載のマスクステージの走り補正方法によれば、マスクステージに対するマスクの回転補正値とマスクステージの非走査方向の走り補正値とを別々に算出することができ、かつ第１計測工程及び第２計測工程により計測された計測値に基づいて同時に算出することができる。従って、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００２１】
また、請求項７記載のマスクステージの走り補正方法は、マスクを載置し走査するためのマスクステージと、外径が５００ｍｍ以上の基板を載置し走査するための基板ステージとを有し、前記マスクステージと前記基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記基板に前記マスクのパターンを投影露光する走査型投影露光装置の前記マスクステージの走り補正方法において、前記基板ステージに配置された基準マークと前記マスク上に配置された第１マスクマークとの相対位置を計測する第１計測工程と、前記第１計測工程により計測された前記相対位置における前記マスクステージの位置と異なる前記マスクステージの位置において、前記基準マークと前記第１マスクマークとの相対位置を計測する第２計測工程と、前記基準マークと前記マスク上の前記第１マスクマークとは異なる位置に配置された第２マスクマークとの相対位置を計測する第３計測工程と、前記第３計測工程により計測された前記相対位置における前記マスクステージの位置と異なる前記マスクステージの位置において、前記基準マークと前記第２マスクマークとの相対位置を計測する第４計測工程と、前記第１計測工程、前記第２計測工程、前記第３計測工程及び前記第４計測工程により計測された計測値に基づいて、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の走り補正値を算出する補正値算出工程と、前記補正値算出工程により算出された補正値に基づいて、前記マスクステージまたは前記基板ステージを走査させる走査工程とを含むことを特徴とする。
【００２２】
この請求項７記載のマスクステージの走り補正方法によれば、第１計測工程、第２計測工程、第３計測工程及び第４計測工程により計測された４つの相対位置に基づいてマスクステージの非走査方向の走り補正値を正確に算出することができるため、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が弓なりに変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージでの走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００２３】
また、請求項８記載のマスクステージの走り補正方法は、前記補正値算出工程が前記マスクステージに対するマスクの回転補正値及び、前記マスクステージの走査方向と交差する方向の２次以上の走り補正値を算出する工程を含むことを特徴とする。
【００２４】
この請求項８記載のマスクステージの走り補正方法によれば、マスクステージに対するマスクの回転補正値とマスクステージの非走査方向の２次以上の走り補正値とを別々に算出することができ、かつ第１計測工程、第２計測工程、第３計測工程、第４計測工程により計測された計測値に基づいて同時に算出することができる。従って、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が非線形的に変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００２５】
また、請求項９記載のマイクロデバイスの製造方法は、請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の走査型投影露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
【００２６】
この請求項９記載のマイクロデバイスの製造方法によれば、マスクステージに対するマスクの回転補正及びマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージの走り補正が正確に行われた走査型投影露光装置を用いて露光を行うため、高スループットかつ高精度にマイクロデバイスの製造を行うことができる。
【００２７】
また、請求項１０記載のマイクロデバイスの製造方法は、請求項５乃至請求項８の何れか一項に記載のマスクステージの走り補正方法により補正された走査型投影露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
【００２８】
この請求項１０記載のマイクロデバイスの製造方法によれば、マスクステージに対するマスクの回転補正及びマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージでの走り補正を正確に行うマスクステージの走り補正方法により補正された走査型投影露光装置を用いて露光を行うため、高スループットかつ高精度にマイクロデバイスの製造を行うことができる。
【発明の効果】
【００２９】
この発明の走査型投影露光装置によれば、計測手段により計測された第１相対位置及び第２相対位置に基づいてマスクステージの非走査方向における走り補正値を正確に算出することができる。また、マスクステージに対するマスクの回転補正値とマスクステージの非走査方向の２次以上の走り補正値とを別々に、かつ同時に算出することができる。従って、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が非線形的に変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージでの走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００３０】
また、この発明のマスクステージの走り補正方法によれば、第１計測工程及び第２計測工程により計測された相対位置に基づいてマスクステージの非走査方向における走り補正値を正確に算出することができる。また、マスクステージに対するマスクの回転補正値とマスクステージの非走査方向の２次以上の走り補正値とを別々に、かつ同時に算出することができる。従って、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が非線形的に変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージでの走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００３１】
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、この発明の走査型投影露光装置またはこの発明のマスクステージの走り補正方法によりマスクステージに対するマスクの回転補正及びマスクステージの非走査方向の走り補正または基板ステージでの走り補正が行われた走査型投影露光装置を用いて露光を行うため、高スループットかつ高精度にマイクロデバイスの製造を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。この実施の形態においては、マスクＭのパターンの一部を感光性基板としてのプレートＰに対して部分的に投影する複数の反射屈折型の部分投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７からなる投影光学系ＰＬに対してマスクＭとプレートＰとを走査方向に同期移動させてマスクＭに形成されたパターンの像をプレートＰ上に走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置ＥＸを例に挙げて説明する。ここで感光性基板としては、外径が５００ｍｍ以上（感光性基板の１辺または対角線が５００ｍｍ以上）の液晶パネル等の表示素子用の感光性基板を用いる。なお、以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な方向でマスクＭ及びプレートＰの同期移動方向をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりのそれぞれの方向をθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００３３】
図１は、この実施の形態にかかる走査型投影露光装置の全体の概略構成を示す斜視図である。この実施の形態にかかる走査型投影露光装置は、例えば超高圧水銀ランプ光源からなる光源２を備えている。光源２より射出した光束は楕円鏡４及びダイクロイックミラー６により反射され、コリメートレンズ８に入射する。即ち、楕円鏡４の反射膜及びダイクロイックミラー６の反射膜によりｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）及びｉ線（波長３６５ｎｍ）の光を含む波長域の光が取り出され、ｇ、ｈ、ｉ線の光を含む波長域の光がコリメートレンズ８に入射する。また、ｇ、ｈ、ｉ線の光を含む波長域の光は、光源２が楕円鏡４の第１焦点位置に配置されているため、楕円鏡４の第２焦点位置に光源像を形成する。楕円鏡４の第２焦点位置に形成された光源像からの発散光束は、コリメートレンズ８により平行光となり、所定の露光波長域の光束のみを透過させる波長選択フィルタ１０ａまたは１０ｂを透過する。
【００３４】
波長選択フィルタ１０ａまたは１０ｂを通過した光束は、集光レンズ１２によりライトガイドファイバ１４の入射口１４ａに集光される。ここで、ライトガイドファイバ１４は、例えば多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガイドファイバであって、入射口１４ａ、５つの射出口１４ｂ、１４ｄ、１４ｆ、１４ｇ、１４ｈ、更に不図示の２つの射出口を備えている。ライトガイドファイバ１４の入射口１４ａに入射した光束は、ライトガイドファイバ１４の内部を伝播した後、５つの射出口１４ｂ、１４ｄ、１４ｆ、１４ｇ、１４ｈ、及び不図示の２つの射出口より分割されて射出し、マスクＭを部分的に照明する複数の部分照明光学系（この実施の形態においては、７つの部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７）にそれぞれ入射する。
【００３５】
なお、波長選択フィルタ１０ａまたは１０ｂと集光レンズ１２との間には、露光するプレートＰに塗布されるレジストの感度をダイナミックに可変するための減光フィルタ機構１８が配置されている。減光フィルタ機構１８は、Ｃｒ等の遮光材により微小なパターンを形成しているガラス板で構成されており、光軸と直交する方向に駆動することによりパターン密度を線形的に可変し、通過する光の照度を調整する。
【００３６】
また、この実施の形態においては、１つの光源を用いているが、各照明視野に応じてそれぞれ光源を有するようにしてもよい。また、多数の光源を有し、その多数の光源からの光束をランダム性の良い光ファイバ等のライトガイドファイバにより各照明視野に分割するようにしてもよい。また、光源として、紫外線放射型のＬＥＤ、紫外線放射型のＬＤを用いてもよい。この実施の形態においては、光源から射出された光束をライトガイドファイバ１４に導く光学部材（ダイクロイックミラー６、コリメートレンズ８、波長選択フィルタ１０ａ（１０ｂ）、集光レンズ１２、減光フィルタ１８）及び部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７が照明光学系ＩＬを構成する。
【００３７】
図２は、この実施の形態にかかる走査型投影露光装置の部分照明光学系ＩＬ１（ライトガイドファイバ１４の射出口１４ｂ〜コンデンサーレンズ２４ｂ）及び部分投影光学系ＰＬ１の概略構成を示す図である。なお、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ７の構成は部分照明光学系ＩＬ１と同一であり、部分投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ７の構成は、部分投影光学系ＰＬ１の構成と同一である。
【００３８】
ライトガイドファイバ１４の射出口１４ｂから射出した光束は、コリメートレンズ１６ｂに入射し、コリメートレンズ１６ｂにより平行光に変換される。コリメートレンズ１６ｂにより集光された光束は、オプティカルインテグレータであるフライアイレンズ２２ｂに入射する。ここで、フライアイレンズ２２ｂは、多数の正レンズエレメントをその中心軸線が光軸に沿って伸びるように縦横に且つ稠密に配列することにより構成されている。従って、フライアイレンズ２２ｂに入射した光束は、多数のレンズエレメントにより波面分割され、その後側焦点面（射出面近傍）にレンズエレメントの数と同数の光源像からなる二次光源を形成する。即ち、フライアイレンズ２２ｂの後側焦点面には、実質的な面光源が形成される。フライアイレンズ２２ｂの後側焦点面に形成された多数の二次光源からの光束は、コンデンサーレンズ２４ｂによりマスクＭをほぼ均一に照明する。
【００３９】
マスクＭの照明領域、即ち部分照明光学系ＩＬ１に対応する照明領域からの光は、各照明領域に対応するように配列されマスクＭのパターンの一部の像をプレートＰ上にそれぞれ投影する複数の部分投影光学系（この実施の形態においては、７つの部分投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７）のうち、部分投影光学系ＰＬ１に入射する。即ち、プリズムミラー３２ｂ、屈折レンズ系３４ｂを透過し、光学系の瞳面に配置された凹面鏡３６ｂにより反射され、再び屈折レンズ系３４ｂを透過し、プリズムミラー３２ｂで反射され、視野絞り３８ｂ上に部分投影光学系ＰＬ１の中間像を形成する。ここで、プリズムミラー３２ｂ、屈折レンズ系３４ｂ及び凹面鏡３６ｂが１組目の反射屈折型光学系を構成する。更に、中間像までの光学系とほぼ同一の光学系を有する下側の光学系へと進み、プリズムミラー４０ｂ、屈折レンズ系４２ｂ、凹面鏡４４ｂ、屈折レンズ系４２ｂ、プリズムミラー４０ｂを介して、プレートＰ上にマスクＭのパターン像を結像する。ここで、プリズムミラー４０ｂ、屈折レンズ系４２ｂ及び凹面鏡４４ｂが２組目の反射屈折光学系を構成する。この時の像は正立正像である。
【００４０】
なお、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ７を通過した光は、各部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ７のそれぞれに設けられているコンデンサーレンズによりマスクＭをほぼ均一に照明し、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ７に対応して設けられている部分投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ７に入射する。それぞれの部分投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ７を透過した光は、プレートＰ上にマスクＭのパターン像をそれぞれ結像する。
【００４１】
ここで、マスクＭはマスクホルダ（図示せず）にて固定されており、マスクステージＭＳＴ（図３参照）上に載置されている。また、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴには、マスクステージＭＳＴのＸ軸方向における位置を検出するＸレーザ干渉計５１ｘと、マスクステージＭＳＴのＹ軸方向における位置を検出するＹレーザ干渉計（図示せず）とが備えられている。マスクステージＭＳＴの＋Ｘ側の端縁にはＹ軸方向に延在するＸ移動鏡５１が設けられ、＋Ｙ側の端縁にはＸ移動鏡５１に直交するようにＸ軸方向に延在するＹ移動鏡（図示せず）が設けられている。Ｘ移動鏡５１にはＸレーザ干渉計５１ｘが対向して配置されており、Ｙ移動鏡にはＹレーザ干渉計が対向して配置されている。Ｘレーザ干渉計５１ｘはＸ移動鏡５１にレーザ光を照射しＸ移動鏡５１との距離を検出する。Ｙレーザ干渉計はＹ移動鏡にレーザ光を照射しＹ移動鏡との距離を検出する。レーザ干渉計の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力され、制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計の検出結果に基づいて、マスクステージＭＳＴ（ひいてはマスクＭ）のＸ軸及びＹ軸方向における位置を求める。また、Ｘレーザ干渉計（もしくはＹレーザ干渉計）を複数設けておくことにより、マスクステージＭＳＴのθＺ方向の回転量を求めることができる。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計の出力からマスクステージＭＳＴの位置（姿勢）をモニタし、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤを制御することでマスクステージＭＳＴを所望の位置（姿勢）に設定する。
【００４２】
また、プレートＰはプレートホルダ（図示せず）にて固定されており、基板ステージＰＴＳ（図３参照）に載置されている。また、プレートＰを支持する基板ステージＰＳＴには、基板ステージＰＳＴのＸ軸方向における位置を検出するＸレーザ干渉計５０ｘと、基板ステージＰＳＴのＹ軸方向における位置を検出するＹレーザ干渉計（図示せず）とが備えられている。基板ステージＰＳＴの＋Ｘ側の端縁にはＹ軸方向に延在するＸ移動鏡５０が設けられ、＋Ｙ側の端縁にはＸ移動鏡５０に直交するようにＸ軸方向に延在するＹ移動鏡（図示せず）が設けられている。Ｘ移動鏡５０にはＸレーザ干渉計５０ｘが対向して配置されており、Ｙ移動鏡にはＹレーザ干渉計が対向して配置されている。Ｘレーザ干渉計５０ｘはＸ移動鏡５０にレーザ光を照射しＸ移動鏡５０との距離を検出する。Ｙレーザ干渉計はＹ移動鏡にレーザ光を照射しＹ移動鏡との距離を検出する。レーザ干渉計の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力され、制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計の検出結果に基づいて、基板ステージＰＳＴ（ひいてはプレートＰ）のＸ軸及びＹ軸方向における位置を求める。また、Ｘレーザ干渉計（もしくはＹレーザ干渉計）を複数設けておくことにより、基板ステージＰＳＴのθＺ方向の回転量を求めることができる。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計の出力から基板ステージＰＳＴの位置（姿勢）をモニタし、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを制御することで基板ステージＰＳＴを所望の位置（姿勢）に設定する。
【００４３】
上述の部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ３、ＩＬ５、ＩＬ７は、走査方向と直交する方向（走査方向を横切る方向）に所定間隔をもって第１列として配置されており、部分照明光学系ＩＬ１、ＩＬ３、ＩＬ５、ＩＬ７に対応して設けられている部分投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７（第１投影光学ユニット）も同様に走査方向と直交する方向に所定間隔をもって第１列として配置されている。また、部分照明光学系ＩＬ２、ＩＬ４、ＩＬ６は、走査方向と直交する方向に所定間隔をもって第２列として配置されており、部分照明光学系ＩＬ２、ＩＬ４、ＩＬ６に対応して設けられている部分投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６（第２投影光学ユニット）も同様に走査方向と直交する方向に所定間隔をもって第２列として配置されている。
【００４４】
ここで、第１投影光学ユニットを構成する部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７と、第２投影光学ユニットを構成する部分投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６は、第１投影光学ユニットを構成する部分投影光学系の間に第２投影光学ユニットを構成する部分投影光学系が位置するように千鳥状に配置されている。第１投影光学ユニットと第２投影光学ユニットとの間には、プレートＰの位置合わせを行うために、オフアクシスのアライメント系５２が配置されている。また、第１投影光学ユニットと第２投影光学ユニットとの間には、フォーカス位置を調整するためのオートフォーカス系５４が配置されている。
【００４５】
また、基板ステージＰＳＴの走査方向の端部（−Ｘ側）の所定位置にはＹ軸方向に沿って延在する基準部材７２が設けられており、基準部材７２にはＹ軸方向に所定間隔で並ぶ基準マーク８２（８２ａ〜８２ｈ）が形成されている（図４参照）。なお、以下の説明において、基板ステージＰＳＴに形成されたマーク８２を適宜「基板側ＡＩＳマーク（基準マーク）」と称する。
【００４６】
図３に示すように、基準部材７２に形成された基板側ＡＩＳマーク８２のＺ軸方向における形成位置（高さ）はプレートＰの表面（露光面）と略一致するように設定されている。基準部材７２の下方には、基板ステージＰＳＴに埋設されるように、基準部材７２を通過した光を受光可能なＡＩＳ受光系（計測装置）６０が設けられている。ＡＩＳ受光系６０は、レンズ系６１と、レンズ系６１を介した光を受光するＣＣＤからなる撮像素子６２とを備えている。ＡＩＳ受光系６０（撮像素子６２）の受光結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。
【００４７】
また、基板ステージＰＴＳ上には部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７及び部分投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７を通過した光の光量及び照度を計測する複数の光電センサ（この実施の形態においては、６つの照度センサＩ１〜Ｉ６）が配置されている。照度センサＩ１〜Ｉ６のそれぞれは、プレートＰに対してほぼ共役位置に配置されたφ０．０１ｍｍ〜φ１ｍｍ程度のピンホールと、このピンホールを介した光を受光する光電センサと、ピンホールと光電センサとの間に配置される色選択フィルタとから構成されている。この６つの照度センサＩ１〜Ｉ６は、走査方向を横切る方向に略等ピッチで配列されている。照度センサＩ１〜Ｉ６の配置ピッチは、部分投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の視野絞りの間隔と同一ピッチである。照度センサＩ１〜Ｉ６により計測された照度計測値に基づいて、減光フィルタ１８等を用いて、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７及び部分投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７を通過する光の照度を調整する。
【００４８】
図３に示すように、部分投影光学系ＰＬ６は、シフト調整機構９０と、二組の反射屈折型光学系と、像面調整機構９１と、視野絞り（図２参照）と、スケーリング調整機構９２とを備えている。なお、他の部分投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２、ＰＬ３、ＰＬ４、ＰＬ５、ＰＬ７も部分投影光学系ＰＬ６と同様の構成である。
【００４９】
マスクＭを透過した光束は、シフト調整機構９０に入射する。シフト調整機構９０は、Ｙ軸まわりに回転可能に設けられた平行平面ガラス板９０Ａと、Ｘ軸まわりに回転可能に設けられた平行平面ガラス板９０Ｂと有している。平行平面ガラス板９０Ａはモータなどの駆動装置９０ＡｄによりＹ軸まわりに回転し、平行平面ガラス板９０Ｂはモータなどの駆動装置９０ＢｄによりＸ軸まわりに回転する。平行平面ガラス板９０ＡがＹ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるマスクＭのパターンの像はＸ軸方向にシフトし、平行平面ガラス板９０ＢがＸ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるマスクＭのパターンの像はＹ軸方向にシフトする。駆動装置９０Ａｄ，９０Ｂｄの駆動速度及び駆動量は制御装置ＣＯＮＴによりそれぞれ独立して制御される。駆動装置９０Ａｄ，９０Ｂｄのそれぞれは制御装置ＣＯＮＴの制御に基づいて、平行平面ガラス板９０Ａ，９０Ｂのそれぞれを所定速度で所定量（所定角度）回転する。なお、駆動装置９０Ａｄ、９０Ｂｄの実際の駆動位置は所定の検出装置により検出されて制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。シフト調整機構９０を透過した光束は、１組目の反射屈折型光学系に入射する。
【００５０】
１組目の反射屈折型光学系は、マスクＭのパターンの中間像を形成するものであって、直角プリズムと、レンズと、凹面鏡とを備えている。直角プリズムはＺ軸まわりに回転可能に設けられており、モータなどの駆動装置９３ｄによりＺ軸まわりに回転する。直角プリズムがＺ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるマスクＭのパターンの像はＺ軸まわりに回転する。すなわち、直角プリズムはローテーション調整機構としての機能を有している。駆動装置９３ｄの駆動速度及び駆動量は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。駆動装置９３ｄは制御装置ＣＯＮＴの制御に基づいて、直角プリズムを所定速度で所定量（所定角度）回転させる。なお、駆動装置９３ｄの実際の駆動位置は所定の検出装置により検出されて制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。１組目の反射屈折型光学系により形成されるパターンの中間像位置には視野絞りが配置されている。視野絞りは、プレートＰ上における投影領域を設定するものである。この実施の形態において、視野絞りは台形状の開口を有し、この視野絞りによりプレートＰ上の投影領域１００ａ〜１００ｇが台形状に規定される。視野絞りを透過した光束は、２組目の反射屈折型光学系に入射する。
【００５１】
２組目の反射屈折型光学系は、１組目の反射屈折型光学系と同様に、ローテーション調整機構としての直角プリズムと、レンズと、凹面鏡とを備えている。直角プリズムはモータなどの駆動装置９４ｄの駆動によりＺ軸まわりに回転するようになっており、回転することでプレートＰ上におけるマスクＭのパターンの像をＺ軸まわりに回転する。駆動装置９４ｄの駆動速度及び駆動量は制御装置ＣＯＮＴにより制御されるようになっており、駆動装置９４ｄは制御装置ＣＯＮＴの制御に基づいて、直角プリズムを所定速度で所定量（所定角度）回転させる。なお、駆動装置９４ｄの実際の駆動位置は所定の検出装置により検出されて制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。
【００５２】
２組目の反射屈折型光学系から射出した光束は、スケーリング調整機構９２を通り、プレートＰ上にマスクＭのパターンの像を正立等倍で結像する。スケーリング調整機構９２は、図３のようにレンズをＺ軸方向に移動させることにより、又は３枚のレンズ（例えば、凹レンズ、凸レンズ、凹レンズ）から構成され、凹レンズと凹レンズとの間に位置する凸レンズをＺ軸方向に移動させることにより、マスクＭのパターンの像の倍率（スケーリング）調整を行うようになっている。図３の場合、凸レンズは駆動装置９２ｄにより移動するようになっており、駆動装置９２ｄは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。駆動装置９２ｄは制御装置ＣＯＮＴの制御に基づいて、凸レンズを所定速度で所定量移動させる。なお、駆動装置９２ｄの実際の駆動位置は所定の検出装置により検出されて制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。また、凸レンズは、両凸レンズでも平凸レンズでもよい。
【００５３】
二組の反射屈折型光学系の間の光路上には、部分投影光学系ＰＬ６の結像位置及び像面の傾斜を調整する像面調整機構９１が設けられている。像面調整機構９１は１組目の反射屈折型光学系による中間像が形成される位置近傍に設けられている。すなわち、像面調整機構９１はマスクＭ及びプレートＰに対してほぼ共役な位置に設けられている。像面調整機構９１は、第１光学部材９１Ａと、第２光学部材９１Ｂと、第１光学部材９１Ａ及び第２光学部材９１Ｂを非接触状態に支持する不図示のエアベアリングと、第２光学部材９１Ｂに対して第１光学部材９１Ａを移動する駆動装置９１Ａｄ、９１Ｂｄとを備えている。第１光学部材９１Ａ及び第２光学部材９１Ｂのそれぞれはくさび状に形成され露光光ＥＬを透過可能なガラス板であり、一対のくさび型光学部材を構成している。露光光ＥＬはこの第１光学部材９１Ａ及び第２光学部材９１Ｂのそれぞれを通過する。駆動装置９１Ａｄ、９１Ｂｄの駆動量及び駆動速度、すなわち第１光学部材９１Ａと第２光学部材９１Ｂとの相対的な移動量及び移動速度は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。第２光学部材９１Ｂに対して第１光学部材９１ＡがＸ軸方向にスライドするように移動することにより投影光学系ＰＬ６の像面位置がＺ軸方向に移動し、第２光学部材９１Ｂに対して第１光学部材９１ＡがθＺ方向に回転することにより部分投影光学系ＰＬ６の像面が傾斜する。なお駆動装置９１Ａｄ、９１Ｂｄの実際の駆動位置は所定の検出装置により検出されて制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。
【００５４】
上記シフト調整機構９０、ローテーション調整機構９３、９４、スケーリング調整機構９２、及び像面調整機構９１により、投影光学系ＰＬの結像特性を補正する結像特性補正機構（制御装置）が構成される。なお、結像特性補正機構としては、一部の光学素子（レンズ）間を密封して内部圧力を調整する機構であってもよい。
【００５５】
図４に示すように、マスクＭの走査方向両側（±Ｘ側）には複数のマーク（マーク群）を有するマーク形成領域７０、７１が設けられている。−Ｘ側のマーク形成領域７０にはＹ軸方向に所定間隔で並ぶ複数の第１マスクマーク８０（８０ａ〜８０ｈ）が形成されている。一方、＋Ｘ側のマーク形成領域７１にはＹ軸方向に所定間隔で並ぶ複数の第２マスクマーク８１（８１ａ〜８１ｈ）が形成されている。なお、以下の説明において、マスクＭに形成された第１マスクマーク８０、第２マスクマーク８１を適宜「マスク側ＡＩＳマーク」と称する。
【００５６】
図４はマスク側ＡＩＳマーク８０、８１及び基板側ＡＩＳマーク８２と部分投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７との位置関係を説明するための模式図である。図４において、プレートＰ上での部分投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の投影領域１００ａ〜１００ｇのそれぞれは、所定形状（この実施の形態においては台形形状）に設定され、投影領域１００ａ、１００ｃ、１００ｅ、１００ｇと、投影領域１００ｂ、１００ｄ、１００ｆとがＸ軸方向に対向して配置されている。さらに、投影領域１００ａ〜１００ｅは隣り合う投影領域の継ぎ部がＹ軸方向に重なり合うように並列配置される。ここで、継ぎ部とは、台形状の各投影領域１００ａ〜１００ｇの三角形状の領域ｐａ〜ｐｎである。そして、投影領域１００ａ〜１００ｇの継ぎ部ｐａ〜ｐｎをＹ軸方向に重なり合うように並列配置することにより、Ｘ軸方向の投影領域の幅の総計がほぼ等しくなるように設定されている。こうすることにより、Ｘ軸方向に走査露光したときの露光量が等しくなるようになっている。
【００５７】
このように、各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７による投影領域１００ａ〜１００ｅのそれぞれが重なり合う重複領域（継ぎ部）を設けることにより、継ぎ部における光学収差の変化や照度変化を滑らかにすることができる。なお、投影領域１００ａの＋Ｙ方向の継ぎ部ｐａ及び投影領域１００ｇの−Ｙ方向の継ぎ部ｐｎは、１回目の走査露光後、Ｙ軸方向にステップ移動して２回目の走査露光を行う際、隣り合う投影領域をつなぎ合わせる際に重複される。そして、マスク側ＡＩＳマーク８０ａ〜８０ｈ、８１ａ〜８１ｈ、基板側ＡＩＳマーク８２ａ〜８２ｈのそれぞれは、投影領域１００ａ〜１００ｇの各継ぎ部ｐａ〜ｐｎに入るように配置されている。つまり、マスク側ＡＩＳマーク８０ａ〜８０ｈ（８１ａ〜８１ｈ）と基板側ＡＩＳマーク８２ａ〜８２ｈとは互いに対をなすように同じ間隔で形成されている。
【００５８】
図５は、ＡＩＳ受光系６０がＡＩＳマーク検出を行っている状態を示す図である。図５に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、いわゆるスルー・ザ・レンズ（ＴＴＬ）方式により、ＡＩＳ受光系６０（撮像素子６２）でマスク側ＡＩＳマーク８０（８１）と基板側ＡＩＳマーク８２とを検出し、この検出結果に基づいてマスクＭと基板ステージＰＳＴとの相対位置を求める。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、撮像素子６２でマスク側ＡＩＳマーク８０（８１）の像と基板側ＡＩＳマーク８２の像とが一致するようにマスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを移動し、照明光学系ＩＬでマスク側ＡＩＳマーク８０（８１）を照明する。マスクＭを通過した照明光（露光光）は投影光学系ＰＬを通過するとともに基板側ＡＩＳマーク８２を通過し撮像素子６２に導かれる。制御装置ＣＯＮＴは投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７を介してマスク側ＡＩＳマーク８０（８１）及び基板側ＡＩＳマーク８２の相対位置（位置ずれ量）を計測することにより、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の各結像特性（シフト、スケーリング、ローテーション）を計測する。制御装置ＣＯＮＴは求めた結像特性の計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の結像特性が精度保証範囲内になるように補正量を求め、求めた補正量に基づいて上記補正機構９０、９１、９２、９３、９４を駆動して結像特性を補正する。
【００５９】
図５には、マスク側ＡＩＳマーク８０と基板側ＡＩＳマーク８２とを同時に検出する状態が示されているが、マスクステージＭＳＴを移動することで、マスク側ＡＩＳマーク８１と基板側ＡＩＳマーク８２とを同時に計測することもできる。そして、マスク側ＡＩＳマーク８０、８１のそれぞれに関する計測結果に基づいて、制御装置ＣＯＮＴはマスクＭのマスクステージＭＳＴ上における所望の位置に対する置き位置ずれ（θＺ方向の位置ずれ）やマスクＭの膨張量に関する情報を求めることができる。
【００６０】
次に、図６に示すフローチャートを参照して、マスクＭの回転及びマスクステージＭＳＴの走り計測、マスクＭの回転補正値及びマスクステージＭＳＴの走り補正値の算出について説明する。なお、図６に示すフローチャートにおいては、部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５、ＰＬ７（第１投影光学ユニット）を「Ｍ１列」、部分投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６（第２投影光学ユニット）を「Ｍ２列」、マスク側ＡＩＳマーク８０を「ＢＣＨＫ１マーク」、マスク側ＡＩＳマーク８１を「ＢＣＨＫ２マーク」と記載する。
【００６１】
まず、不図示のマスクローダによってマスクステージＭＳＴ上のマスクホルダにマスクＭを載置する。そして、マスクステージＭＳＴに載置されたマスクＭに対して、マスクプリアライメントの処理が行われる。即ち、制御装置ＣＯＮＴは、第１投影光学ユニットを用いて、基板側ＡＩＳマーク８２とマスク側ＡＩＳマーク８０との相対位置をＡＩＳ受光系（計測装置）６０により計測し、マスクＭのＸ方向、Ｙ方向の位置と回転量を求める。この時、各部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５、ＰＬ７の回転や倍率の誤差を排除するため、各部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５、ＰＬ７の視野中心にマスク側ＡＩＳマーク８０を配置させて計測を行う。この計測の際には、各部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５、ＰＬ７の視野中心に基板側ＡＩＳマーク８２が位置するように基板ステージＰＳＴをＹ方向に移動させる。このとき各部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５、ＰＬ７が有する補正機構の各駆動装置９０Ａｄ，９０Ｂｄ，９１Ａｄ，９１Ｂｄ，９２ｄ，９３ｄ，９４ｄは、駆動位置が原点に位置するように制御されている。ここで原点とは、基準マスクを用いた露光において位置合わせされた位置であるが、露光光の照射や経時的な変動分が乗るため大まかな位置となる。
【００６２】
次に、マスクＭの回転量の計測及びマスクステージＭＳＴの走り計測が行われる。まず、制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴのそれぞれをマーク計測位置に移動する（ステップＳ２０）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、マスク側ＡＩＳマーク（第１マスクマーク）８０及び基板側ＡＩＳマーク８２が、部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７の投影領域１００ａ，１００ｃ，１００ｅ，１００ｇ内で重なる位置（マーク計測位置）にマスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを移動させる。このとき、両マーク８０、８２を継ぎ部ｐａ，ｐｂ，ｐｅ，ｐｆ，ｐｉ，ｐｊ，ｐｍ，ｐｎに配置させる。
【００６３】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、ＡＩＳ受光系６０を用いて、マスク側ＡＩＳマーク８０と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置（第１相対位置）である位置ずれ量を計測する（ステップＳ２１、第１計測工程）。すなわち、照明光学系ＩＬからの露光光ＥＬによりマスク側ＡＩＳマーク８０を部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７を介して基板側ＡＩＳマーク８２上に結像させ、この結像されたマスク側ＡＩＳマーク８０の投影像と基板側ＡＩＳマーク８２とをＡＩＳ受光系６０（撮像素子６２）で撮像し、マスク側ＡＩＳマーク８０と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置を計測する。ＡＩＳ受光系６０の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。
【００６４】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴのそれぞれを次のマーク計測位置に移動する（ステップＳ２２）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、マスク側ＡＩＳマーク（第１マスクマーク）８０及び基板側ＡＩＳマーク８２が、部分投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６の投影領域１００ｂ，１００ｄ，１００ｆ内で重なる位置（マーク計測位置）にマスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを移動させる。このとき、両マーク８０、８２を継ぎ部ｐｃ，ｐｄ，ｐｇ，ｐｈ，ｐｋ，ｐｌに配置させる。
【００６５】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、ＡＩＳ受光系６０を用いて、マスク側ＡＩＳマーク８０と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置（第１相対位置）である位置ずれ量を計測する（ステップＳ２３、第２計測工程）。すなわち、照明光学系ＩＬからの露光光ＥＬによりマスク側ＡＩＳマーク８０を部分投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６を介して基板側ＡＩＳマーク８２上に結像させ、この結像されたマスク側ＡＩＳマーク８０の投影像と基板側ＡＩＳマーク８２とを、ＡＩＳ受光系６０（撮像素子６２）で撮像し、マスク側ＡＩＳマーク８０と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置を計測する。ＡＩＳ受光系６０の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。
【００６６】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴのそれぞれを次のマーク計測位置に移動する（ステップＳ２４）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、マスク側ＡＩＳマーク（第２マスクマーク）８１及び基板側ＡＩＳマーク８２が、部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７の投影領域１００ａ，１００ｃ，１００ｅ，１００ｇ内で重なる位置（マーク計測位置）にマスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを移動させる。このとき、両マーク８１、８２を継ぎ部ｐａ，ｐｂ，ｐｅ，ｐｆ，ｐｉ，ｐｊ，ｐｍ，ｐｎに配置させる。
【００６７】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、ＡＩＳ受光系６０を用いて、マスク側ＡＩＳマーク８１と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置（第２相対位置）である位置ずれ量を計測する（ステップＳ２５、第３計測工程）。すなわち、照明光学系ＩＬからの露光光ＥＬによりマスク側ＡＩＳマーク８１を部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７を介して基板側ＡＩＳマーク８２上に結像させ、この結像されたマスク側ＡＩＳマーク８１の投影像と基板側ＡＩＳマーク８２とを、ＡＩＳ受光系６０（撮像素子６２）で撮像し、マスク側ＡＩＳマーク８１と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置を計測する。ＡＩＳ受光系６０の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。
【００６８】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴのそれぞれを次のマーク計測位置に移動する（ステップＳ２６）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、マスク側ＡＩＳマーク（第２マスクマーク）８１及び基板側ＡＩＳマーク８２が、部分投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６の投影領域１００ｂ，１００ｄ，１００ｆ内で重なる位置（マーク計測位置）にマスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを移動させる。このとき、両マーク８１、８２を継ぎ部ｐｃ，ｐｄ，ｐｇ，ｐｈ，ｐｋ，ｐｌに配置させる。
【００６９】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、ＡＩＳ受光系６０を用いて、マスク側ＡＩＳマーク８１と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置（第２相対位置）である位置ずれ量を計測する（ステップＳ２７、第４計測工程）。すなわち、照明光学系ＩＬからの露光光ＥＬによりマスク側ＡＩＳマーク８１を部分投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６を介して基板側ＡＩＳマーク８２上に結像させ、この結像されたマスク側ＡＩＳマーク８１の投影像と基板側ＡＩＳマーク８２とを、ＡＩＳ受光系６０（撮像素子６２）で撮像し、マスク側ＡＩＳマーク８１と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置を計測する。ＡＩＳ受光系６０の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。
【００７０】
なお、ステップＳ２１、Ｓ２３、Ｓ２５、Ｓ２７においては、部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７が備える補正機構の駆動装置９０Ａｄ，９０Ｂｄ，９１Ａｄ，９１Ｂｄ，９２ｄ，９３ｄ，９４ｄにより部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７を整列させる前の状態で計測を行う。
【００７１】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２１において計測された部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７でのマスク側ＡＩＳマーク８０と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置、ステップＳ２３において計測された部分投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４，ＰＬ６でのマスク側ＡＩＳマーク８０と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置、ステップＳ２５において計測された部分投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７でのマスク側ＡＩＳマーク８１と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置、ステップＳ２７において計測された部分投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６でのマスク側ＡＩＳマーク８１と基板側ＡＩＳマーク８２との相対位置に基づいて、マスクステージＭＳＴに対するマスクＭの回転補正値及びマスクステージのＹ方向における２次の走り補正値を算出する（ステップＳ２８、補正値算出工程）。即ち、ステップＳ２１、ステップＳ２３、ステップＳ２５、ステップＳ２７において計測されたそれぞれの計測値を用いて、マスクステージＭＳＴのＹ方向の走り補正値ｙ＝ＡＸ２＋ＢＸ＋Ｃの係数Ａ，Ｂ，Ｃと走り補正値にフィッティングさせるためのオフセットαとを算出する。
【００７２】
具体的には、ステップＳ２１において計測されたマスク側ＡＩＳマーク８０ａ〜８０ｈと基板側ＡＩＳマーク８２ａ〜８２ｈとのＹ方向の相対位置の計測値の平均値（以下、Ｂ１Ｍ１平均値という）を算出する。同様に、ステップＳ２３において計測されたマスク側ＡＩＳマーク８０ａ〜８０ｈと基板側ＡＩＳマーク８２ａ〜８２ｈとのＹ方向の相対位置の計測値の平均値（以下、Ｂ１Ｍ２平均値という）、ステップＳ２５において計測されたマスク側ＡＩＳマーク８１ａ〜８１ｈと基板側ＡＩＳマーク８２ａ〜８２ｈとのＹ方向の相対位置の計測値の平均値（以下、Ｂ２Ｍ１平均値という）、ステップＳ２７において計測されたマスク側ＡＩＳマーク８１ａ〜８１ｈと基板側ＡＩＳマーク８２ａ〜８２ｈとのＹ方向の相対位置の計測値の平均値（以下、Ｂ２Ｍ２平均値という）を算出する。
【００７３】
なお、ステップＳ２１における計測時のマスクステージＭＳＴのＸ座標をＸ１１、ステップＳ２３における計測時のマスクステージＭＳＴのＸ座標をＸ１２、ステップＳ２５における計測時のマスクステージＭＳＴのＸ座標をＸ２１、ステップＳ２７における計測時のマスクステージＭＳＴのＸ座標をＸ２２とする。
【００７４】
ここで、マスク側ＡＩＳマーク８０側の第１投影光学ユニットと第２投影光学ユニット間のマスクステージＭＳＴの走りを基準とするために、Ｂ１Ｍ１平均値の値を０（ゼロ）とし（以下、Ｂ１Ｍ１基準値という）、Ｂ１Ｍ２平均値の値を０（ゼロ）とする（以下、Ｂ１Ｍ２基準値という）。この場合に、Ｂ２Ｍ１平均値は、Ｂ２Ｍ１基準値（Ｂ２Ｍ１平均値−Ｂ１Ｍ１平均値）となり、Ｂ２Ｍ２平均値は、Ｂ２Ｍ２基準値（Ｂ２Ｍ２平均値−Ｂ１Ｍ２平均値）となる。
【００７５】
図７は、Ｂ１Ｍ１基準値２００、Ｂ１Ｍ２基準値２０１、Ｂ２Ｍ１基準値２０２、Ｂ２Ｍ２基準値２０２を示すグラフである。図７に示すように、Ｂ２Ｍ１基準値２０２及びＢ２Ｍ２基準値２０３をマスクステージＭＳＴのＹ方向の走り補正値ｙ＝ＡＸ２＋ＢＸ＋Ｃにフィッティングさせるために、Ｂ２Ｍ１基準値２０２及びＢ２Ｍ２基準値２０３に含まれているマスクステージＭＳＴに対するマスクＭの回転成分のオフセット量であるαを、Ｂ２Ｍ１基準値２０２及びＢ２Ｍ２基準値２０３に加算する（図７参照）。
【００７６】
オフセットαを加算した場合におけるＢ１Ｍ１基準値２００、Ｂ１Ｍ２基準値２０１、Ｂ２Ｍ１基準値２０２、Ｂ２Ｍ２基準値２０３のＸ方向の値（マスクステージ座標）及びＹ方向の値は以下のようになる。
【００７７】
Ｂ１Ｍ１基準値    Ｘ＝Ｘ１１    Ｙ＝０
Ｂ１Ｍ２基準値    Ｘ＝Ｘ１２    Ｙ＝０
Ｂ２Ｍ１基準値    Ｘ＝Ｘ２１    Ｙ＝Ｂ２Ｍ１平均値−Ｂ１Ｍ１平均値＋α
Ｂ２Ｍ２基準値    Ｘ＝Ｘ２２    Ｙ＝Ｂ２Ｍ２平均値−Ｂ１Ｍ２平均値＋α
次に、Ｂ１Ｍ１基準値、Ｂ１Ｍ２基準値、Ｂ２Ｍ１基準値、Ｂ２Ｍ２基準値のＸ、Ｙの値を走り補正値ｙ＝ＡＸ２＋ＢＸ＋Ｃにそれぞれ代入し、走り補正値ｙ＝ＡＸ２＋ＢＸ＋Ｃの係数Ａ，Ｂ，Ｃ及びオフセットαを算出する。また、マスクステージＭＳＴに対するマスクＭの回転量θは、θ＝α／（Ｘ１１−Ｘ２１）であり、算出されたオフセットαを代入することにより算出することができ、マスクＭの回転量θに基づいてマスクＭの回転補正値を算出することができる。
【００７８】
次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２８において算出されたマスクＭの回転補正値及びマスクステージＭＳＴのＹ方向の走り補正値に基づいて、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤを介してマスクステージＭＳＴの走り位置制御を行ないながらマスクステージＭＳＴを走査させる（走査工程）。
【００７９】
この実施の形態にかかる走査型投影露光装置によれば、マスクステージに対するマスクの回転補正値とマスクステージの非走査方向の２次以上の走り補正値とを別々に算出することができ、かつ計測手段により計測された計測値に基づいて同時に算出することができる。従って、熱等によりマスクステージが変形しマスクステージの非走査方向の走りの位置が非線形的に変化した場合においてもマスクステージの非走査方向の走り補正を正確に行うことができ、高スループットかつ高精度に露光を行うことができる。
【００８０】
なお、上述の実施の形態においては、マスクステージの走りをマスクステージの制御で補正するものを示しているが、マスクステージの走りの計測結果に基づいて基板ステージの走りの制御で補正するようにしてもよい。
【００８１】
また、上述の実施の形態においては、マスクの両端部に配置されているマスク側ＡＩＳマーク８０，８１の計測を行っているが、２分割したマスクを用いる場合には、マスクの中央部に更にマスクマークを形成することができるため、このマスクマークも計測することにより、５次式までの関数式を用いた補正が可能になる。また、マスクマークの走査方向の点数を多くしたテストマスクを用いることにより、より高次の補正を行うことが可能となる。なお、本発明の露光装置は、外径が５００ｍｍ以上の感光性基板に特に有効である。高精細のパターンや大型のデバイスを製造する際に、走りや真直度の精度が要求され、複数の投影光学系を用いる場合においても真直度の精度が要求されるため、本発明は有効である。
【００８２】
また、上述の実施の形態においては、平均化処理を施すことによる計測精度の向上を目的としてマスクマークのＹ方向の計測値として各マスクマークの計測値の平均値を用いているが、例えば、１箇所の継ぎ部におけるＹ方向の計測値を用いてもよい。
【００８３】
また、上述の実施の形態の露光装置ＥＸの用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【００８４】
本実施の形態の露光装置ＥＸの光源は、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）のみならず、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）を用いることもできる。
【００８５】
また、投影光学系ＰＬの倍率は、等倍系のみならず縮小系および拡大系のいずれでもよい。投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザやＸ線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。
【００８６】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【００８７】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【００８８】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【００８９】
マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【００９０】
以上のように、本願実施の形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００９１】
上述の実施の形態にかかる露光装置では、照明光学系によってレチクル（マスク）を照明し、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板（ウエハ）に露光することにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図８のフローチャートを参照して説明する。
【００９２】
まず、図８のステップＳ３０１において、１ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、その１ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスク上のパターン像が投影光学系を介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、その１ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行なわれた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行なうことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。
【００９３】
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述のマイクロデバイス製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行うため、極めて微細な回路パターンを有するマイクロデバイスの製造を高スループットかつ高精度に行うことができる。なお、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０５では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
【００９４】
また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図９のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図９において、パターン形成工程Ｓ４０１では、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２へ移行する。
【００９５】
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００９６】
その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行うため、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスの製造を高スループットかつ高精度に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】この実施の形態にかかる走査型投影光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】この実施の形態にかかる部分照明光学系、部分投影光学系の構成を示す図である。
【図３】この実施の形態にかかる走査型投影光装置の概略構成を示す図である。
【図４】この実施の形態にかかるマスク及び基板ステージに設けられたマーク群と投影領域との位置関係を示す模式図である。
【図５】この実施の形態にかかるマーク計測動作を示す模式図である。
【図６】この実施の形態にかかるマスクの回転補正量及びマスクステージの非走査方向の走り補正値を算出するマスクステージの走り補正方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】この実施の形態にかかる計測値に基づき、マスクステージの走り補正値を求める方法を説明するための図である。
【図８】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９８】
２…光源、４…楕円鏡、６…ダイクロイックミラー、８…コリメートレンズ、１０ａ、１０ｂ…波長選択フィルタ、１２…集光レンズ、１４…ライトガイドファイバ、１６ｂ…コリメートレンズ、１８…減光フィルタ機構、２２ｂ…フライアイレンズ、２４ｂ…コンデンサーレンズ、ＩＬ１〜ＩＬ７…部分照明光学系、ＰＬ１〜ＰＬ７…部分投影光学系、Ｉ１〜Ｉ６…照度センサ、Ｍ…マスク、Ｐ…プレート、５０…移動鏡、５２…アライメント系、５４…オートフォーカス系、ＣＯＮＴ…制御装置、８０，８１…マスク側ＡＩＳマーク、８２…基板側ＡＩＳマーク。
【図１】
2006100585.tif 000003
【図２】
2006100585.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006100585.tif 000006
【図５】
2006100585.tif 000007
【図６】
2006100585.tif 000008
【図７】
2006100585.tif 000009
【図８】
2006100585.tif 000010
【図９】
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