(57)【要約】【課題】  検査工程によってチップを破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することを目的とするものである。【解決手段】  本スクライブ領域１４に１または２以上の被検査用電極パッド３と、各被検査用電極パッド３の下層に設けられた配線４と電気的に接続された検査用電極パッド２を備え、プローブ検査時に、チップ領域内の電極パッド１３に加えて、この被検査用電極パッド３および検査用電極パッド２にもプローブ針をコンタクトし、プローブ針の圧力を徐々に加えて、被検査用電極パッド３と検査用電極パッド２が導通することにより被検査用電極パッド３の破壊を検出し、被検査用電極パッド３の特性をあらかじめ調整しておくことにより、チップ領域内の電極パッド１３が破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。【選択図】  図１
2006005180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または２以上の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域に設けられ前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線と
をスクライブ領域に備え、前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトし、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を検出することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線と
をスクライブ領域に備え、前記各被検査用電極パッドの厚さがそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線と
をスクライブ領域に備え、前記各被検査用電極パッドの硬度がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
複数の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線と
をスクライブ領域に備え、前記各被検査用電極パッドを形成する合金材料がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
複数の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
対応する前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された複数の配線と
をスクライブ領域に備え、前記各配線と対応する前記被検査用電極パッドの距離がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
対応する前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された複数の配線と
をスクライブ領域に備え、前記各配線の硬度がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
対応する前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された複数の配線と
をスクライブ領域に備え、前記各配線を形成する合金材料がそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
複数の被検査用電極パッドと、
検査用電極パッドと、
全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された下層配線と、
対応する前記被検査用電極パッドとビアを介して接続された複数の上層配線と
をスクライブ領域に備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記各ビアの充填率が接続されている被検査用電極パッド毎にそれぞれ異なることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記各ビアの個数が接続されている被検査用電極パッド毎にそれぞれ異なることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記各ビアの形状が接続されている被検査用電極パッド毎にそれぞれ異なることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１３】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
前記各被検査用電極パッドに対応して長さの異なるプローブを備えるプローブカードを用い、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１４】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
前記各被検査用電極パッドに対応して太さの異なるプローブを備えるプローブカードを用い、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１５】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
前記各被検査用電極パッドに対応して凹凸により接触面積の異なるプローブを備えるプローブカードを用い、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１６】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
前記各被検査用電極パッドに対応して先端径の異なるプローブを備えるプローブカードを用い、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１７】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
前記各被検査用電極パッドに対応してプローブ固定位置からプローブ先端までの距離が異なるプローブを備えるプローブカードを用い、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１８】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
前記各被検査用電極パッドに対応して材質の異なるプローブを備えるプローブカードを用い、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１９】
前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、
前記各被検査用電極パッドに対応してばね定数の異なるばねを設けたプローブを備えるプローブカードを用い、
チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブをコンタクトする工程と、
前記プローブの圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、
前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極パッド直下に層間絶縁膜を介して配線層を有する半導体装置及びその検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電極パッドを有する半導体装置について、図１８を用いて説明する。
図１８（ａ）は従来の半導体装置を形成するウエハを示す図，図１８（ｂ）は従来の半導体装置の構成図，図１８（ｃ）は従来の半導体装置における電極パッドを説明する断面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）における点線でかこまれたＥ部を拡大した図、図１８（ｃ）は図１８（ｂ）におけるＦ−Ｆ’断面図である。
【０００３】
半導体素子表面には、通常、半導体素子外部から半導体素子内部に電力や信号を供給し、半導体内部の電気信号を半導体外部に取り出すために、図１８（ｂ）に示すように外部接続用電極である電極パッド１３が半導体素子上に複数存在する。現在、この電極パッド１３直下に、図１８（ｃ）のような層間絶縁膜１５を介して配線４を形成した構造を有した半導体装置が実用化されている。
【特許文献１】特開平６−２１６２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置製造工程の中のプローブ検査工程において、プローバーのバラツキやプローブカードのバラツキ、プローバ−の設定ミスなどの要因によりプローブ針から電極パッドへの応力が量産条件にくらべ過度にかかる場合がある（以下、プローブの不具合と称す）。図１８（ｃ）に示すように電極パッド１３直下に層間絶縁膜１５を介して配線４を有する半導体装置において、プローブ検査工程の際プローブ針６５からチップ深さ方向へ過度の応力がかかると、電極パッド１３を通じて層間絶縁膜１５にストレスがかかり、その結果、電極パッド１３とその電極パッド直下の配線４間の層間絶縁膜１５に欠陥８が生じることが懸念されている。このようにして、電極パッド１３直下の層間絶縁膜１５に欠陥８が発生した状態で、電極パッド１３と配線４に電位差が生じると、リーク電流が欠陥８を通して流れるため、半導体装置は正常動作を示さない。
【０００５】
従来、このようにプローブ検査工程において、半導体チップの層間絶縁膜に欠陥が生じるため、検査工程にて欠陥をスクリーニングすることができたとしても、すでにチップが破壊されており、プローブ検査工程での一つのミスで工程歩留まりを下げてしまう危険性がある。
【０００６】
上記問題点を解決するために、本発明の半導体装置及び半導体装置の検査方法は、検査工程によってチップを破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体装置は、１または２以上の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域に設けられ前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線とをスクライブ領域に備え、前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトし、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を検出することを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の半導体装置は、複数の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線とをスクライブ領域に備え、前記各被検査用電極パッドの厚さがそれぞれ異なることを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の半導体装置は、複数の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線とをスクライブ領域に備え、前記各被検査用電極パッドの硬度がそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載の半導体装置は、複数の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された配線とをスクライブ領域に備え、前記各被検査用電極パッドを形成する合金材料がそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載の半導体装置は、複数の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、対応する前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された複数の配線とをスクライブ領域に備え、前記各配線と対応する前記被検査用電極パッドの距離がそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１２】
請求項６記載の半導体装置は、複数の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、対応する前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された複数の配線とをスクライブ領域に備え、前記各配線の硬度がそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１３】
請求項７記載の半導体装置は、複数の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、対応する前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された複数の配線とをスクライブ領域に備え、前記各配線を形成する合金材料がそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１４】
請求項８記載の半導体装置は、複数の被検査用電極パッドと、検査用電極パッドと、全ての前記被検査用電極パッド直下の配線層領域を通り前記検査用電極パッドと電気的に接続された下層配線と、対応する前記被検査用電極パッドとビアを介して接続された複数の上層配線とをスクライブ領域に備えることを特徴とする。
【００１５】
請求項９記載の半導体装置は、請求項８記載の半導体装置において、前記各ビアの充填率が接続されている被検査用電極パッド毎にそれぞれ異なることを特徴とする。
請求項１０記載の半導体装置は、請求項８記載の半導体装置において、前記各ビアの個数が接続されている被検査用電極パッド毎にそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１６】
請求項１１記載の半導体装置は、請求項８記載の半導体装置において、前記各ビアの形状が接続されている被検査用電極パッド毎にそれぞれ異なることを特徴とする。
請求項１２記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
請求項１３記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、前記各被検査用電極パッドに対応して長さの異なるプローブ針を備えるプローブカードを用い、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
請求項１４記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、前記各被検査用電極パッドに対応して太さの異なるプローブ針を備えるプローブカードを用い、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
請求項１５記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、前記各被検査用電極パッドに対応して凹凸により接触面積の異なるプローブ針を備えるプローブカードを用い、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
請求項１６記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、前記各被検査用電極パッドに対応して先端径の異なるプローブ針を備えるプローブカードを用い、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
請求項１７記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、前記各被検査用電極パッドに対応してプローブ針固定位置からプローブ針先端までの距離が異なるプローブ針を備えるプローブカードを用い、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００２２】
請求項１８記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、前記各被検査用電極パッドに対応して材質の異なるプローブ針を備えるプローブカードを用い、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
請求項１９記載の半導体装置の検査方法は、前記請求項１乃至請求項１１の半導体装置の検査方法であって、前記各被検査用電極パッドに対応してばね定数の異なるばねを設けたプローブ針を備えるプローブカードを用い、チップ領域の電極パッドと同時に全ての前記被検査用電極パッドおよび前記検査用電極パッドにプローブ針をコンタクトする工程と、前記プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく工程と、前記配線を介する前記被検査用電極パッドと前記検査用電極パッド間の導通よりコンタクトによる前記被検査用電極パッドの破壊を段階的に検出する工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
以上により、検査工程によってチップが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブ針の不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体装置及び半導体装置の検査方法によると、スクライブ領域に１または２以上の被検査用電極パッドと、各被検査用電極パッドの下層に設けられた配線と電気的に接続された検査用電極パッドを備え、プローブ検査時に、チップ領域内の電極パッドに加えて、この被検査用電極パッドおよび検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、プローブ針の圧力を徐々に加えて、被検査用電極パッドと検査用電極パッドが導通することにより被検査用電極パッドの破壊を検出し、被検査用電極パッドの特性をあらかじめ調整しておくことにより、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の半導体装置の基本的な構成を説明する。
複数の半導体装置が形成されたウエハのスクライブ領域に、検査用の電極パッドと１または２以上の被検査用電極パッドを形成する。そして、被検査用電極パッドの直下の配線層に共通する１本の配線を施し、この配線と検査用電極パッドを電気的に接続し、いずれかの被検査用電極パッドが破壊した時には、検査用電極パッドと導通する構成とし、被検査用電極パッドのコンタクトによる破壊を被検査用電極パッドと検査用電極パッド間での導通によって検出することができる。このとき、被検査用電極パッドの応力による破壊しやすさをチップ領域の電極パッドに対して同じ、またはより破壊しやすい構造にする。
【００２７】
このような構成の半導体装置に対してプローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトする。そして、プローブ針の圧力を測定時の圧力まで徐々に加えていく。プローブの不具合がなかった場合には、被検査用電極パッドが破壊されないので検査用電極パッドと被検査用電極パッドの間に導通が認められず、そのままプローブ検査を実施することができる。プローブの不具合があった場合には、チップ領域の電極パッドが破壊する前に被検査用電極パッドが破壊され、検査用電極パッドと被検査用電極パッドの間の導通により不具合を検出することができる。このとき、複数の被検査用電極パッドに所定の構造を持たせることによって、プローブの不具合の程度を検証することができる。そして、プローブの不具合が検出された時には、プローブ針の加圧を中止し、不具合を修正してからプローブ検査を行う。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００２８】
以下に半導体装置の構成例について図を用いて説明する。
図１（ａ）は実施例１における半導体装置を形成するウエハを示す図，図１（ｂ）は実施例１における半導体装置の構成図，図１（ｃ）は実施例１の半導体装置における電極パッドを説明する断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）における点線でかこまれたＡ部を拡大した図、図１（ｃ）は図１（ｂ）におけるＢ−Ｂ’断面図である。
【００２９】
半導体ウエハ１１上にはチップ領域１２とスクライブ領域１４が存在している。このスクライブ領域１４上にチップ内電極パッド１３とは独立した検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３を有する。検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３のそれぞれの直下に配線４を有する。この配線４はビア５を通じて検査用電極パッド２にのみ電気的に接続されている。また、被検査用電極パッド３はチップ内電極パッド１３に比べて、圧力を受けた時に破壊しやすい構造をもっている。
【００３０】
以上の構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００３１】
図２（ａ）は実施例２における半導体装置の構成図，図２（ｂ）は実施例２の半導体装置における電極パッドを説明する断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’断面図である。
【００３２】
スクライブ領域１４上にチップ内電極パッド１３とは独立した検査用電極パッド２とビア５で電気的に接続された配線４と２つ以上の被検査用電極パッドを有する。図２の場合は３つの異なる被検査用電極パッド３ａ〜３ｃを有しているが、この被検査用電極パッドの個数は２つ以上あればよい。被検査用電極パッド３ａ、３ｂ、３ｃそれぞれの電極パッドの厚みは異なっている。図２の場合、被検査用電極パッドの厚みが３ｃ＜３ｂ＜３ａとなっているため、深さ方向の応力に対して３ｃ＜３ｂ＜３ａの順で強い構造となる。この構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。被検査用電極パッドのうち最も厚い３ａが同一ウエハ上のチップ内電極パッド１３と同じ厚みがある場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００３３】
図３は実施例３の半導体装置における電極パッドを説明する断面図である。
スクライブ領域１４上にチップ内電極パッド１３とは独立した検査用電極パッド２とビア５で電気的に接続された配線４と２つ以上の被検査用電極パッドを有する。図３では３つの異なる被検査用電極パッド３ａ〜３ｃを有しているが、この被検査用電極パッドの個数は２つ以上あればよい。被検査用電極パッド３ａ、３ｂ、３ｃそれぞれの被検査用電極パッドの材質が異なっている。これは、例えば、混合比の異なる合金材料により形成されていても良い。図３の被検査用電極パッドの硬度が３ａ＜３ｂ＜３ｃの関係がある場合、深さ方向の応力に対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で強い構造となる。この構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。被検査用電極パッドのうち最も硬度の高い３ｃが同一ウエハ上のチップ内電極パッド１３と同じ材質である場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ａ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。例えば、被検査用電極パッドをＡｌとＣｕの合金で形成し、Ｃｕの割合を３ａ＜３ｂ＜３ｃとすることで実現することができる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００３４】
図４は実施例４の半導体装置における電極パッドを説明する断面図である。
スクライブ領域１４上にチップ内電極パッド１３とは独立した検査用電極パッド２と２つ以上の被検査用電極パッドを有する。図４では３つの異なる被検査用電極パッド３ａ〜３ｃを有しているが、この被検査用電極パッドの個数は２つ以上あればよい。また、検査用電極パッド２とビア５で接続された配線４ａ〜４ｃが存在し、配線４ａは被検査用電極パッド３ａの直下、配線４ｂは被検査用電極パッド３ｂの直下、配線４ｃは被検査用電極パッド３ｃの直下を通る構造を有する。図４の場合、被検査用電極パッドと配線間との距離が３ａ−４ａ＜３ｂ−４ｂ＜３ｃ−４ｃとなっているため、深さ方向の応力に対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で強い構造となる。この構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。３ｃ−４ｃの距離が同一ウエハ上のチップ内電極パッド１３と下層配線間距離と同じ場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ａ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００３５】
図５は実施例５の半導体装置における電極パッドを説明する断面図である。
スクライブ領域１４上にチップ内電極パッド１３とは独立した検査用電極パッド２と２つ以上の被検査用電極パッドを有する。図５では３つの異なる被検査用電極パッド３ａ〜３ｃを有しているが、この被検査用電極パッドの個数は２つ以上あればよい。また、検査用電極パッド２とビア５で接続された配線４ａ〜４ｃが存在し、配線４ａは被検査用電極パッド３ａの直下、配線４ｂは被検査用電極パッド３ｂの直下、配線４ｃは被検査用電極パッド３ｃの直下を通る構造を有する。被検査用電極パッド３ａ、３ｂ、３ｃそれぞれの直下に存在する配線４ａ、４ｂ、４ｃの材質は異なっている。これは、例えば、混合比の異なる合金材料により形成されていても良い。図５の配線４ａ、４ｂ、４ｃの硬度が４ａ＜４ｂ＜４ｃの関係がある場合、深さ方向の応力に対して４ａ＜４ｂ＜４ｃの順で強い構造となる。この構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。配線のうち最も硬度の高い４ｃが同一ウエハ上のチップ内の配線と同じ材質である場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ａ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。例えば、配線をＡｌとＣｕの合金で形成し、Ｃｕの割合を４ａ＜４ｂ＜４ｃとすることで実現することができる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００３６】
図６は実施例６の半導体装置における電極パッドを説明する断面図である。
スクライブ領域１４に検査用電極パッド２と、検査用電極パッド２にビア５を介して電気的に接続される下層配線４２と、２つ以上の被検査用電極パッドを有する。図６では３つの異なる被検査用電極パッド３ａ〜３ｃを有しているが、この被検査用電極パッドの個数は２つ以上あればよい。それぞれの被検査用電極パッド３ａ〜３ｃはビア５ａ〜５ｃを介して上層配線４１ａ〜４１ｃに接続されている。この構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。図６の被検査パッドに接続しているビアの充填率が５ａ＞５ｂ＞５ｃの関係がある場合、深さ方向の応力に対して被検査用電極パッド３ａ＞３ｂ＞３ｃの順で強い構造となる。被検査パッド３ａと同一ウエハ上のチップ内パッドが同じ構造を持ちビアの充填率が等しい場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００３７】
図７は実施例７の半導体装置における電極パッドを説明する断面図である。
スクライブ領域１４に検査用電極パッド２と、検査用電極パッド２にビア５を介して電気的に接続される下層配線４２と、２つ以上の被検査用電極パッドを有する。図７では３つの異なる被検査用電極パッド３ａ〜３ｃを有しているが、この被検査用電極パッドの個数は２つ以上あればよい。それぞれの被検査用電極パッド３ａ〜３ｃはビア５ａ〜５ｃを介して上層配線４１ａ〜４１ｃに接続されている。この構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。図７の被検査パッドに接続しているビアの個数が５ａ＞５ｂ＞５ｃの関係がある場合、深さ方向の応力に対して被検査用電極パッド３ａ＞３ｂ＞３ｃの順で強い構造となる。被検査パッド３ａと同一ウエハ上のチップ内パッドが同じ構造を持ちビアの個数が等しい場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００３８】
図８は実施例８の半導体装置における電極パッドを説明する断面図である。
スクライブ領域１４に検査用電極パッド２と、検査用電極パッド２にビア５を介して電気的に接続される下層配線４２と、２つ以上の被検査用電極パッドを有する。図８では３つの異なる被検査用電極パッド３ａ〜３ｃを有しているが、この被検査用電極パッドの個数は２つ以上あればよい。それぞれの被検査用電極パッド３ａ〜３ｃはビア５ａ〜５ｃを介して上層配線４１ａ〜４１ｃに接続されており、各ビア５ａ〜５ｃはそれぞれ異なる形状を備えている。この構成の半導体装置において、プローブ検査を行う際に、チップ領域の電極パッドに加えて、検査用電極パッドおよび被検査用電極パッドにもプローブ針をコンタクトし、測定時の圧力になるまで徐々に圧力を加えていって、チップ内電極パッドを破壊することなくプローブに不具合がないかを検証する。図８の場合の被検査パッドに接続しているビア４１ｃはドット状に形成されており、ビア４１ｂはライン状に形成されており、ビア４１ａは正六角形を並べたような形状をしている。この場合、深さ方向の応力に対して被検査用電極パッド３ａ＞３ｂ＞３ｃの順で強い構造となる。被検査パッド３aと同一ウエハ上のチップ内パッドが同じ構造を持ちビア形状も同じ場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。ここで、各ビアの形状は３ａ＞３ｂ＞３ｃの関係が満たされれば任意の構造をとることが可能である。
【００３９】
以下、上記実施例で示した半導体装置に対する検査方法の例について図を用いて説明する。
図９は実施例９の半導体装置における電極パッドとプローブ針の関係を説明する図、図１０は実施例９における半導体装置の検査方法を説明する図である。
【００４０】
図１０のようにプローブカード基板７１上にチップ内パッド用プローブ針６５とは別に検査用電極パッド用プローブ針６０及び被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃを配置することで、チップ領域１２内の電極パッド１３の検査と同時に、上記実施例で示されたような検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃにそれぞれプローブ針６０、６ａ〜６ｃをコンタクトさせることが可能となる。検査の際、図９に示すように検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃにそれぞれプローブ針６０、６ａ〜６ｃをコンタクトさせ検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃ間にそれぞれ定電圧を印加する。そこで、検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃ間の電流値Ｉａ〜Ｉｃをそれぞれ測定し、規格値より大きい場合その被検査用電極パッドをＦＡＩＬと判定する。例えば、電圧を５Ｖ印加した場合規格値を１μＡ程度に設定すればよい。このように、検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃ間の導通を測定することにより、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００４１】
以下、図を用いて上記半導体装置を用いた検査方法を説明する。ここで、それぞれの方法を単独で説明するが、上記各半導体装置との組み合わせは任意である。
図１１は実施例１０における半導体装置の検査方法を説明する図である。
【００４２】
プローブカード基板に固定された被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃの高さはそれぞれ異なっている。図１１の場合、針の高さの関係は６ａ＜６ｂ＜６ｃであるので、チップ領域１２内の電極パッド１３と同時に検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃそれぞれにコンタクトを行う際、被検査用電極パッドに対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で大きな応力が印加されることになる。従って、チップ内パッド用プローブ針６５と被検査用電極パッド用プローブ針６ａが同じ高さである場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００４３】
図１２は実施例１１における半導体装置の検査方法を説明する図である。
プローブカード基板に固定された被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃの太さが異なっている。針が細いほどコンタクトのときのたわみが大きくなるのでコンタクト時の針圧は低くなる。図１２の場合、針の太さの関係は６ａ＜６ｂ＜６ｃであるので、チップ領域１２内の電極パッド１３と同時に検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃそれぞれにコンタクトを行う際、被検査用電極パッドに対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で大きな応力が印加されることになる。従って、チップ内パッド用プローブ針６５と被検査用電極パッド用プローブ針６ａが同じ太さである場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００４４】
図１３は実施例１２における半導体装置の検査方法を説明する図である。
プローブカード基板に固定された被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃに凹凸が存在しており、コンタクト時の針とパッドの接触面積が異なっている。針とパッドの接触面積が小さいほどコンタクト時の単位面積あたりの針圧は大きくなる。図１３の場合、針とパッドの接触面積の関係は６ａ＞６ｂ＞６ｃであるので、チップ領域１２内の電極パッド１３と同時に検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃそれぞれにコンタクトを行う際、被検査用電極パッドに対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で大きな応力が印加されることになる。従って、チップ内パッド用プローブ針６５と被検査用電極パッド用プローブ針６ａが同じ接触面積である場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００４５】
図１４は実施例１３における半導体装置の検査方法を説明する図である。
プローブカード基板に固定された被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃの先端径が異なっている。図１４の場合、先端径の関係は６ａ＞６ｂ＞６ｃであるので、チップ領域１２内の電極パッド１３と同時に検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃそれぞれにコンタクトを行う際、被検査用電極パッドに対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で大きな応力が印加されることになる。従って、チップ内パッド用プローブ針６５と被検査用電極パッド用プローブ針６ａが同じ先端径である場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００４６】
図１５は実施例１４における半導体装置の検査方法を説明する図である。
プローブカード基板に固定された被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃの針固定位置と針先の距離が異なっている。針固定位置と針先の距離が長いほどコンタクト時にたわみやすくなるため、パッドに印加される応力が小さくなる。図１５の場合、針固定位置と針先の距離の関係は６ａ＞６ｂ＞６ｃであるので、チップ領域１２内の電極パッド１３と同時に検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃそれぞれにコンタクトを行う際、被検査用電極パッドに対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で大きな応力が印加されることになる。従って、チップ内パッド用プローブ針６５と被検査用電極パッド用プローブ針６ａの針固定位置と針先の距離が同じである場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００４７】
図１６は実施例１５における半導体装置の検査方法を説明する図である。
プローブカード基板に固定された被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃの針材質が異なっている。針材質の硬度が小さいほど、コンタクトの際のたわみが大きくなるためパッドに印加される応力が小さくなる。図１６において針材質の硬度の関係が６ａ＜６ｂ＜６ｃである場合、チップ領域１２内の電極パッド１３と同時に検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃそれぞれにコンタクトを行う際、被検査用電極パッドに対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で大きな応力が印加されることになる。従って、チップ内パッド用プローブ針６５と被検査用電極パッド用プローブ針６ａが同じ材質である場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【００４８】
図１７は実施例１６における半導体装置の検査方法を説明する図である。
プローブカード基板に固定された被検査用電極パッド用プローブ針６ａ〜６ｃはそれぞればねの部分をもっておりそのばね定数が異なっている。ばね定数が小さいほどパッドに印加される応力が大きくなる。図１７においてばね定数の関係が６ａ＞６ｂ＞６ｃである場合、チップ領域１２内の電極パッド１３と同時に検査用電極パッド２と被検査用電極パッド３ａ〜３ｃそれぞれにコンタクトを行う際、被検査用電極パッドに対して３ａ＜３ｂ＜３ｃの順で大きな応力が印加されることになる。従って、チップ内パッド用プローブ針６５と被検査用電極パッド用プローブ針６ａが同じばね定数の部分をもつ場合、実際の製品として用いられるチップ内電極パッド１３に絶縁破壊を生じる前に被検査用電極パッド３ｃ、３ｂと段階的に絶縁破壊を発生させることが可能となり、本発明の検査方法によりプローブ針の応力が過剰になっていることを段階的に検知することが可能となる。このように、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明における半導体装置及びその検査方法は、チップ領域内の電極パッドが破壊する前に、絶縁破壊をおよぼすプローブの不具合を検出し、工程歩留まりを向上することができ、電極パッド直下に層間絶縁膜を介して配線層を有する半導体装置及びその検査方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】（ａ）実施例１における半導体装置を形成するウエハを示す図  （ｂ）実施例１における半導体装置の構成図  （ｃ）実施例１の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図２】（ａ）実施例２における半導体装置の構成図  （ｂ）実施例２の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図３】実施例３の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図４】実施例４の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図５】実施例５の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図６】実施例６の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図７】実施例７の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図８】実施例８の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【図９】実施例９の半導体装置における電極パッドとプローブ針の関係を説明する図
【図１０】実施例９における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１１】実施例１０における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１２】実施例１１における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１３】実施例１２における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１４】実施例１３における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１５】実施例１４における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１６】実施例１５における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１７】実施例１６における半導体装置の検査方法を説明する図
【図１８】（ａ）従来の半導体装置を形成するウエハを示す図  （ｂ）従来の半導体装置の構成図  （ｃ）従来の半導体装置における電極パッドを説明する断面図
【符号の説明】
【００５１】
２    検査用電極パッド
３    被検査用電極パッド
３ａ    被検査用電極パッド
３ｂ    被検査用電極パッド
３ｃ    被検査用電極パッド
４    配線
４ａ    配線
４ｂ    配線
４ｃ    配線
５    ビア
５ａ    ビア
５ｂ    ビア
５ｃ    ビア
６ａ    プローブ針
６ｂ    プローブ針
６ｃ    プローブ針
８    欠陥
１１    半導体ウエハ
１２    チップ領域
１３    電極パッド
１４    スクライブ領域
１５    層間絶縁膜
４１ａ    配線
４１ｂ    配線
４１ｃ    配線
４２    下層配線
６０    プローブ針
６５    プローブ針
７１    プローブカード基板
【図１】
2006005180.tif 000003
【図２】
2006005180.tif 000004
【図３】
2006005180.tif 000005
【図４】
2006005180.tif 000006
【図５】
2006005180.tif 000007
【図６】
2006005180.tif 000008
【図７】
2006005180.tif 000009
【図８】
2006005180.tif 000010
【図９】
2006005180.tif 000011
【図１０】
2006005180.tif 000012
【図１１】
2006005180.tif 000013
【図１２】
2006005180.tif 000014
【図１３】
2006005180.tif 000015
【図１４】
2006005180.tif 000016
【図１５】
2006005180.tif 000017
【図１６】
2006005180.tif 000018
【図１７】
2006005180.tif 000019
【図１８】
2006005180.tif 000020