(57)【要約】【課題】  電気的特性を劣化させることなく部品の低背化を図ることができる電子部品を提供する。【解決手段】  フィルタ１は、チップ体２と２対の外部電極３−１，〜，３−４を具備し、チップ体２は、第１の磁性基板５上に、積層体４を形成し、この積層体４上に、接着層６１，６２を介して第２の磁性基板６を貼り合わせた構成となっている。具体的には、積層体４内に、第１及び第２のコイル部８，９が積層形成され、第２の磁性基板６の厚さＴ２が、第１の磁性基板５の厚さＴ１の０．５倍以上１倍未満に設定されている。好ましくは、第１の磁性基板５の下面と第２の磁性基板６の上面の表面粗さを大きくして、外部電極３−１，〜，３−４と第１及び第２の磁性基板５，６との密着性を高める。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁基板と、この第１の絶縁基板上に絶縁層と回路パターンとが交互に複数積層されて絶縁層で被覆された内部回路を有する積層体と、この積層体上に取り付けられた第２の絶縁基板と、上記内部回路の入出力端に接続される外部電極とを備える電子部品であって、
上記第１の絶縁基板に対する第２の絶縁基板の厚みの比が、０．５以上１未満である、
ことを特徴とする電子部品。  
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品において、
上記第１及び第２の絶縁基板の外側表面及び内側表面のうち、外部に露出する当該外側表面の表面粗さを、上記積層体に接する当該内側表面の表面粗さよりも大きく設定し、
上記外部電極を、これら第１及び第２の絶縁基板の上記外側表面に接触させた状態で、取り付けた、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品において、
上記第１及び第２の絶縁基板における上記外側表面の表面粗さは、３．０μｍ以下であり、上記内側表面の表面粗さは、１．５μｍ以下である、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品において、
上記第１及び第２の絶縁基板は、磁性基板である、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品において、
上記内部回路は、軸心を一致させて対向する１対のコイルであり、
上記外部電極は、２対設けられ、一方対の外部電極が上記１対のコイルにおける一方のコイルの入出力端に接続され、他方対の外部電極が上記１対のコイルにおける他方のコイルの入出力端に接続されている、
ことを特徴とする電子部品。
【請求項６】
請求項５に記載の電子部品において、
上記１対のコイルは、スパイラル状コイル又はミアンダ状コイルである、
ことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フィルタやトランスなどの電子部品に関し、特に積層型の電子部品の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フィルタなどの積層型電子部品としては、絶縁層と導体層を磁性体基板の上に複数回積上げて、コイル等の内部回路を絶縁層で覆った積層体を形成し、この積層体の上に別体の磁性基板または磁性体層を設けた構造のものがある（例えば、特許文献１及び特許文献２参照)。また、第1のコイルを第１の絶縁基板上に積層形成すると共に、第２のコイルを第２の絶縁基板上に積層形成し、これら第１及び第２のコイルが互いに対向するように接合することで、絶縁体層に覆われた第１及び第２のコイルを第１及び第２の絶縁基板で挟み込んだ構造ものも存在する（例えば、特許文献３参照)。
【０００３】
【特許文献１】特開平０８−２０３７３７号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９１１５号公報
【特許文献３】特開２００２−３５９１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の電子部品では、次のような問題がある。
近年、携帯電話などの電子機器では、小型化及び薄型化が著しく加速している。このため、これらの電子機器に実装される電子部品にも低背化が強く求められるようになってきている。
上記第１の従来例に係る電子機器において、かかる低背化を実現するためには、上下に配置される磁性基板として、薄いものを使用する必要がある。しかし、かかる電子部品を製造する際には、フォトリソグラフィ技術を用いて、下の基板上に絶縁体層と導体層を多数積上げていくので、薄い基板を使用すると、絶縁層や導体層の収縮によりストレスが発生し、このストレスによって下の薄い基板が大きく反ってしまう。かかる基板の反りは、基板の割れの原因になったり、また、フォトリソグラフィ工程時に、フォトマスクと基板上の膜との密着性を悪化させ、パターン精度を低下させてしまうおそれがある。このため、基板上に多数の層を積層する構造の電子部品においては、基板を薄くして低背化することは困難であった。かといって、特許文献２に開示の電子部品のように、下の基板の厚さを保持した状態で、上の基板の代わりに単に薄い磁性体層を設けることにより、電子部品の低背化を図ろうとすると、電気特性を劣化させるおそれがある。
【０００５】
これに対して、上記第２の従来例に係る電子部品においては、第１及び第２コイルを上下の第１及び第２の絶縁基板上に分けて積層形成するので、上記第１の従来例に係る電子部品に比べて、各基板にかかるストレスは低減し、基板反りによる不具合は発生しにくい。しかし、第１のコイルが形成された第１の基板と、第２のコイルが形成された第２の基板の双方を貼り合せる際に、貼り合せずれを起こし易い。この貼り合わせずれが生じると、第１及び第２のコイルに位置ずれが発生し、これらのコイル間の結合が弱くなって大きな損失が生じ、コイルの電気特性が劣化するおそれがある。
【０００６】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、電気的特性を劣化させることなく部品の低背化を図ることができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、第１の絶縁基板と、この第１の絶縁基板上に絶縁層と回路パターンとが交互に複数積層されて絶縁層で被覆された内部回路を有する積層体と、この積層体上に取り付けられた第２の絶縁基板と、内部回路の入出力端に接続される外部電極とを備える電子部品であって、第１の絶縁基板に対する第２の絶縁基板の厚みの比が、０．５以上１未満である構成とした。
かかる構成により、第１の絶縁基板に対する第２の絶縁基板の厚みの比が、０．５以上１未満であるので、電子部品が低背化されている。したがってこの低背化された電子部品は、薄型の携帯電話機などに容易に実装することができる。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の電子部品において、第１及び第２の絶縁基板の外側表面及び内側表面のうち、外部に露出する当該外側表面の表面粗さを、積層体に接する当該内側表面の表面粗さよりも大きく設定し、外部電極を、これら第１及び第２の絶縁基板の外側表面に接触させた状態で、取り付けた構成としてある。
かかる構成により、第１及び第２の絶縁基板の外側表面の表面粗さを、内側表面の表面粗さよりも大きく設定してあるので、外部電極は、高い密着力をもって第１及び第２の絶縁基板の外側表面に取り付けられる。
【０００９】
表面粗さの好例として、請求項３の発明は、請求項２に記載の電子部品において、第１及び第２の絶縁基板における外側表面の表面粗さは、３．０μｍ以下であり、内側表面の表面粗さは、１．５μｍ以下である構成とした。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品において、第１及び第２の絶縁基板は、磁性基板である構成とした。
【００１１】
さらに、請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品において、内部回路は、軸心を一致させて対向する１対のコイルであり、外部電極は、２対設けられ、一方対の外部電極が１対にコイルにおける一方のコイルの入出力端に接続され、他方対の外部電極が１対にコイルにおける他方のコイルの入出力端に接続されている構成とした。
【００１２】
特に、請求項６の発明は、請求項５に記載の電子部品において、上記１対のコイルは、スパイラル状コイル又はミアンダ状コイルである構成とした。
【発明の効果】
【００１３】
以上詳しく説明したように、請求項１〜請求項６の発明に係る電子部品によれば、第１の絶縁基板に対する第２の絶縁基板の厚みの比を、０．５以上１未満に設定して、電子部品の低背化を実現すると共に、第１の絶縁基板上の厚さを確保して、第１の絶縁基板に反り発生を防止しているので、高精度な内部回路が第１の絶縁基板上に形成される。この結果、電子部品は、挿入損失の少ない優れた電気特性を示す。すなわち、この発明の電子部品よれば、電気特性を劣化させることなく、部品全体の低背化が可能となる。
【００１４】
特に、請求項２及び請求項３の発明によれば、外部電極が、高い密着力をもって第１及び第２の絶縁基板の表面に取り付けられているので、外部電極の耐久性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、この発明の第１実施例に係る電子部品の分解斜視図であり、図２は、電子部品の外観図であり、図３は、図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
これらの図に示すように、この実施例の電子部品は、コモンモードノイズフィルタ（以下、単に「フィルタ」と記す）であり、このフィルタ１は、チップ体２と２対の外部電極３−１，〜，３−４を具備している。
【００１７】
チップ体２は、図１及び図３に示すように、第１の絶縁基板としての第１の磁性基板５上に、積層体４を形成し、この積層体４上に、接着層６１，６２を介して第２の絶縁基板としての第２の磁性基板６を貼り合わせた構成となっている。
【００１８】
第１の磁性基板５は、厚さＴ１が０．４ｍｍの板体であり、比透磁率４００以上のフェライトなどで形成されている。なお、この実施例では、第１の絶縁基板として磁性基板５を用いているが、基板の材料は磁性体に限定されるものではなく、用途に応じて、誘電体や絶縁体を用いても良い。
【００１９】
積層体４は、この第１の磁性基板５上に絶縁層と回路パターンとしてのコイルパターンを交互に複数積層して形成したもので、絶縁層で被覆された１対のコイル部８，９とを有する。
具体的には、第１のコイル部８は、第１の磁性基板５の上に、絶縁層８１，コイルパターン８２，絶縁層８３，コイルパターン８４，絶縁層８５を順に積み重ね、絶縁層８３に設けられたスルーホール８３ａを通じて、コイルパターン８２，８４を電気的に接続した構造となっている。すなわち、第１のコイル部８内に、コイルパターン８２，８４でなる内部回路としての並列スパイラルコイルが形成され、その引き出し部８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂが積層体４の側面で露出されている。
一方、第２のコイル部９も第１のコイル部８とほぼ同様であり、第１のコイル部８の上に、絶縁層９１，コイルパターン９２，絶縁層９３，コイルパターン９４，絶縁層９５を順に積み重ね、絶縁層９３に設けられたスルーホール９３ａを通じて、コイルパターン９２，９４を電気的に接続した構造となっている。すなわち、第２のコイル部９内に、コイルパターン９２，９４でなる内部回路としての並列スパイラルコイルがその軸心を第１のコイル部８の軸心と一致させた状態で形成され、その引き出し部９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂが積層体４の側面で露出されている。
この実施例では、コイルパターン８２，８４，９２，９４を形成する材料として、Ａｇを用いている。しかし、コイルパターン８２，８４，９２，９４として、導電性に優れたＣｕ，Ｐｄ，Ａｌ等の金属や、これらの合金を用いることができることは勿論である。
また、この実施例では、絶縁層８１，８３，８５，９１，９３，９５として、ポリイミド樹脂を用いているが、絶縁層８３，９３はスルーホール８３ａ，９３ａを形成するため、感光性のポリイミド樹脂を用いる必要がある。また、絶縁層８１，８３，８５，９１，９３，９５として、ポリイミド樹脂以外に、エポキシ樹脂，ベンゾシクロプテン樹脂等の種々の樹脂材料、あるいはＳｉＯ2等のガラス、ガラスセラミクス、誘電体等を用いることができることは勿論である。
【００２０】
第２の磁性基板６は、第１及び第２のコイル部８，９のインダクタ特性の向上と電磁シールドとコイルパターン８２，８４，９２，９４の保護とを目的として用いられる基板であり、接着層６１，６２を介して積層体４上に圧着されている。
この第２の磁性基板６も第１の磁性基板５と同様に、比透磁率４００以上のフェライトなどで形成されているが、その厚さＴ２が第１の磁性基板５の厚さＴ１の０．５倍以上１倍未満に設定され、０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ未満の厚さを有している。
【００２１】
接着層６１，６２は、熱硬化性のポリイミド樹脂を材料とする層であり、そのガラス転移温度がフィルタ１の実装時の半田付け温度以上のものが適用される。この実施例では、ガラス転移温度が２７０℃以上のものを適用する。
なお、ガラス転移温度が２７０℃以上で且つ所定の熱膨張率及び弾性率を有するものであれば、熱硬化性ポリイミド樹脂だけでなく、熱可塑性のポリイミド樹脂、熱可塑性ポリアミドイミド樹脂、エポシキ樹脂などの熱可塑性又は熱硬化性の樹脂を、接着層６１，６２として用いることができる。
【００２２】
チップ体２は、図２に示すように、上記のような構造を有した矩形体であり、その両側に、外部電極３−１，〜，３−４が取り付けられている。
具体的には、図１及び図３に示すように、第１のコイル部８の入出力端としての引き出し部８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂがチップ体２の両側面の左下部分に露出し、第２のコイル部９の入出力端としての引き出し部９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂが両側面の右上部分に露出している。したがって、外部電極３−１が引き出し部８２ａ，８４ａに、外部電極３−２が引き出し部８２ｂ，８４ｂに接続するように取り付けられ、外部電極３−３が引き出し部９２ａ，９４ａに、外部電極３−４が引き出し部９２ｂ，９４ｂに接続するように取り付けられている。これにより、第１のコイル部８のスパイラルコイルと外部電極３−１，３−２とが電気的に接続され、第２のコイル部９のスパイラルコイルと外部電極３−３，３−４とが電気的に接続されている。
この実施例では、外部電極３−１，〜，３−４は、薄膜Ａｇの上にＮｉの膜を形成した構成をとっている。勿論、外部電極３−１，〜，３−４として、Ａｂ−Ｐｄ，Ｃｕ，ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕ等の薄膜上にＮｉ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を形成したものを用いても良い。
【００２３】
上記のように、この実施例のフィルタ１においては、第２の磁性基板６の厚さＴ２が第１の磁性基板５の厚さＴ１の０．５倍以上１倍未満に設定されているので、フィルタ１全体が低背化されている。したがって、このフィルタ１を、薄型の携帯電話機などに容易に実装することができる。そして、実装時に外部電極３−１，〜，３−４を外部の電子回路に接続すると、信号を外部電極を介して第１及び第２のコイル部８，９に入力又は内部回路から出力させると共に、ノイズを除去する。
【００２４】
次に、フィルタ１の製造方法の一例について説明する。
図４は、フィルタ１の製造方法を示す工程図であり、図５はダイシング工程と外部電極形成工程を示す概略図である。
図４に示すように、この製造方法は、積層工程Ｓ１と接着工程Ｓ２と圧着工程Ｓ３とダイシング工程Ｓ４と外部電極形成工程Ｓ５とを備えてなる。
【００２５】
まず、積層工程Ｓ１を実行する。
積層工程Ｓ１は、第１の磁性基板５に、上記スパイラルコイルが得られるようにフォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層とコイルパターンを交互に複数回積層して積層体４を形成する工程である。
この工程を実行する際、絶縁層とコイルパターンの形成に支障がないよう、上面及び下面の表面粗さが１．５μｍ以下に研磨された第１の磁性基板５を用いることが望ましい。
積層工程Ｓ１においては、第１の磁性基板５にポリイミド樹脂を用いて絶縁層８１を形成する。そして、絶縁層８１の上に、スパッタリングや蒸着等の薄膜形成法、あるいはスクリーン印刷などの厚膜形成法といった成膜技術によりＡｇ膜層を形成し、しかる後、レジスト塗布，露光及び現像やエッチング等の一連のフォトリソグラフィ技術を用いて、引き出し部８２ａ，８２ｂを有したコイルパターン８２を形成する。続いて、コイルパターン８２上に、感光性ポリイミド樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことで、スルーホール８３ａを有した絶縁層８３を形成する。そして、この絶縁層８３上に、コイルパターン８２及び絶縁層８１と同様に、引き出し部８４ａ，８４ｂを有したコイルパターン８４と絶縁層８５とを順に積層することで、第１のコイル部８（図１参照）を形成する。
しかる後、第１のコイル部８の上に、第１のコイル部８と同様に、絶縁層９１，９３，９５とコイルパターン９２，９４とを交互に積層することで、第２のコイル部９（図１参照）を形成する。
これにより、積層工程Ｓ１が終了し、積層体４が形成される。
【００２６】
次に、接着工程Ｓ２を実行する。
接着工程Ｓ２は、接着層６１，６２を介して、積層体４上に第２の磁性基板６を接着させる工程である。
具体的には、ガラス転移温度が２７０℃以上、熱膨張係数が７１ｐｐｍ（１５０℃〜２５０℃）で弾性係数が２．８ＧＰａの熱硬化性のポリイミド樹脂を、積層体４の絶縁層９５の上面と第２の磁性基板６の下面とにそれぞれ塗布して、接着層６１，６２を形成し、これらを貼り合わせた後、３００℃で１時間乾燥（仮硬化）させる。このように接着層６１，６２を一旦乾燥させることで、不用なガス成分を抜くことができ、接着層６１，６２内の空孔の発生を防止することができる。なお、第２の磁性基板６においても、積層体４との密着性を高めるため、その上面及び下面の表面粗さが１．５μｍ以下に研磨されている。
【００２７】
しかる後、圧着工程Ｓ３を実行する。
圧着工程Ｓ３は、加熱しながら、第２の磁性基板６を第１の磁性基板５側に所定圧力で押圧する工程である。
具体的には、第２の磁性基板６が貼り付けられた積層体４を、図示しない真空ホットプレス機にセットし、３００℃〜４５０℃で１時間加熱しながら、第２の磁性基板６を２０００ｋｇｆ／４インチ四方〜５０００ｋｇｆ／４インチ四方の高圧で押圧することで、第２の磁性基板６を積層体４上に熱圧着する。
以上のようにして、第２の磁性基板６と積層体４とを熱圧着した後、冷却して、真空ホットプレス機の圧力を解除することで、圧着工程Ｓ３が終了する。このように、圧着工程Ｓ３が実行されることで、第２の磁性基板６と積層体４とが強固に接着されるので、後工程のダイシング工程Ｓ４や外部電極形成工程Ｓ５において第２の磁性基板６が積層体４から剥がれることはない。
【００２８】
そして、ダイシング工程Ｓ４を実行する。
ダイシング工程Ｓ４は、圧着工程Ｓ３を経て得たウエハを、チップ体２にダイシングする工程である。
具体的には、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、チップ体２をダイシングソウ２００でウエハ２′から切り出して分割する。
しかる後、図示しないバレルによって面取りを施すことにより、チップ体２形成の作業は完了し、内部のスパイラルコイルの引き出し部８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂが側面から露出したチップ体２が得られる。
【００２９】
最後に、外部電極形成工程Ｓ５を実行する。
外部電極形成工程Ｓ５は、コイルパターン８２，８４，及び９２，９４の引き出し部８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂ，及び９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂと接触するように外部電極３−１，〜，３−４をチップ体２の側面に形成する工程である。
具体的には、Ａｇ含む導電性ペーストの塗布や、Ａｇのスパッタリングや蒸着等によって、引き出し部８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂ，及び９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂと対応する部分にＡｇ膜を成膜する。そして、このＡｇ膜上に、湿式電解メッキ等によって、Ｎｉ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を形成する。
これにより、図５（ｃ）に示すように、チップ体２に外部電極３−１，〜，３−４を備えたフィルタ１が製造される。
【００３０】
ところで、上記積層工程Ｓ１において、第１の磁性基板５に、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層８１，８３，８５，９１，９３，９５やコイルパターン８２，８４，９２，９４を交互に積層していくと、各積層過程において、各絶縁層やコイルパターンの収縮によって、第１の磁性基板５がストレスを受けてＵ字状に反るおそれがある。
しかし、この実施例のフィルタ１では、第１の磁性基板５の厚さＴ１を０．４ｍｍに設定し、何ら薄型加工することなく通常の厚さを確保しているので、第１の磁性基板５が上記ストレスによって反るおそれはない。
この結果、フォトリソグラフィ技術により、高精度なコイルパターン８２，８４，９２，９４を形成することができ、また、平坦で厚みのバラツキが少なく絶縁層８１，８３，８５，９１，９３，９５やレジストなども形成することができるので、この面からもさらに高精度なコイルパターン８２，８４，９２，９４を形成することができる。
しかも、第２の磁性基板６の厚さＴ２を第１の磁性基板５の厚さＴ１の０．５倍以上１倍未満に設定したので、低背化した薄型のフィルタ１を製造することができる。
すなわち、この実施例のフィルタ１の製造方法によれば、第１及び第２の磁性基板５，６の材料特性に拘わらず、インダクタンスのバラツキが少ない第１及び第２のコイル部８，９を実現でき、この結果、低背化され、しかも、低損失、高結合、効率の良いインダクタンス取得という優れた電気特性を有するフィルタ１を提供することができる。
【００３１】
発明者等は、かかる効果を実証すべく、第１の磁性基板５と第２の磁性基板６との厚み比を変えたフィルタの特性比較実験を行った。
図６は、各種厚み比のフィルタにおける電気的特性を示す線図である。
実験は、比透磁率が６００，４００，２００，５０の第１及び第２の磁性基板５，６において、第１の磁性基板５に対する第２の磁性基板６の厚みの比を０〜１まで変化させ、そのときのフィルタ１のインダクタンス低下率を測定することで行った。
曲線Ｖ１は、比透磁率が６００の第１及び第２の磁性基板５，６を有したフィルタ１における厚みの比とインダクタンス低下率との相関を示す曲線であり、曲線Ｖ２は、比透磁率が４００の第１及び第２の磁性基板５，６を有したフィルタ１における厚みの比とインダクタンス低下率との相関を示す曲線であり、曲線Ｖ３は、比透磁率が２００の第１及び第２の磁性基板５，６を有したフィルタ１における厚みの比とインダクタンス低下率との相関を示す曲線であり、曲線Ｖ４は、比透磁率が５０の第１及び第２の磁性基板５，６を有したフィルタ１における厚みの比とインダクタンス低下率との相関を示す曲線である。
実験の結果、曲線Ｖ１〜Ｖ４が示すように、厚み比が０．５以上１未満の範囲で、全てのフィルタ１のインダクタンス低下率が「３％以下」になり、良好な電気特性を示すことが判明した。すなわち、第１の磁性基板５に対する第２の磁性基板６の厚みの比が
０．５以上１未満の範囲内である限りにおいて、第１及び第２の磁性基板５，６の厚さや比透磁率の大きさに拘わらず、良好なインダクタ特性を得ることが確認された。
【実施例２】
【００３２】
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図７は、第２実施例に係る電子部品の要部を示す部分断面図である。
上記第１実施例では、第１及び第２の磁性基板５，６の双方について、その上下面の表面粗さを１．５μｍ以下に設定した。しかし、この実施例では、図７に示すように、第１及び第２の磁性基板５，６の外側表面５ａ，６ａ及び内側表面５ｂ，６ｂのうち、外部に露出する外側表面５ａ，６ａの表面粗さを、積層体４に接する内側表面５ｂ，６ｂの表面粗さよりも大きく設定した。
具体的には、第１の磁性基板５の下面５ａと第２の磁性基板６の上面６ａの表面粗さとを３．０μｍ以下に設定し、第１及び第２の磁性基板５，６の上，下面５ｂ，６ｂの表面粗さを１．５μｍ以下に設定した。
【００３３】
かかる構成により、外部電極３−１（３−２，〜，３−４）の折り返し部３ａ，３ｂと、第１及び第２の磁性基板５，６の下，上面５ａ，６ａとが強固に密着し、外部電極３−１，〜，３−４の耐久性が向上する。
その他の構成、作用及び効果は上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００３４】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲において種々の変形及び変更が可能である。
例えば、上記実施例では、内部回路として、コイルパターン８２，８４で構成される第１のコイル部８とコイルパターン９２，９４に構成される第２のコイル部９というコイル回路を有するコモンモードノイズフィルタについて、説明したが、内部回路として、一次側コイルと二次側コイルとで構成されるトランス回路を有した電子部品も発明の範囲に含まれることは勿論である。
また、上記実施例では、スパイラル状のコイルパターン８２，８４，９２，９４を例にして説明したが、これらのコイルパターンはミアンダ状のものでも良いことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の第１実施例に係る電子部品の分解斜視図である。
【図２】第１実施例の電子部品の外観図である。
【図３】図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図４】フィルタの製造方法を示す工程図である。
【図５】ダイシング工程と外部電極形成工程を示す概略図である。
【図６】第１の磁性基板と第２の磁性基板との各種厚み比のフィルタにおける電気的特性を示す線図である。
【図７】この発明の第２実施例に係る電子部品の要部を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…コモンモードノイズフィルタ、  ２…チップ体、  ３−１，〜，３−４…外部電極、  ４…積層体、  ５…第１の磁性基板、  ６…第２の磁性基板、  ８，９…コイル部、  ６１，６２…接着層、  ８１，８３，８５，９１，９３，９５…絶縁層、  ８２，８４，９２，９４…コイルパターン、  ８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂ，９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂ…引き出し部、  ８３ａ，９３ａ…スルーホール、  Ｓ１…積層工程、  Ｓ２…接着工程、  Ｓ３…圧着工程、  Ｓ４…ダイシング工程、  Ｓ５…外部電極形成工程、  Ｔ１，Ｔ２…厚さ、  Ｖ１〜Ｖ４…曲線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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