(57)【要約】      （修正有）【課題】ガラスセラミックスから成る配線基板の貫通導体の端面に活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材を介してリードピンを接合した場合、貫通導体に含まれる銀や銅などの低融点金属が活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材中に拡散し、貫通導体内にボイドが発生し貫通導体の導通抵抗値が上昇する。【解決手段】ガラスセラミックスから成る絶縁基体５と、絶縁基体５に形成された銅または銀を主成分とする貫通導体７と、貫通導体７の一端面に接合に接合された鉄，ニッケルおよびコバルトの少なくとも一種を含有するリードピン１とを具備し、リードピン１は、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも一種を含むＡｇ−Ｃｕ合金ろう材から成る接続パッド２を介して貫通導体７に接合されており、貫通導体７は、一端面にＮｉ層もしくはＡｕ層の少なくとも一方から成る拡散防止層１０が形成されている。【選択図】図２
2006100447.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスから成る絶縁基体と、該絶縁基体の表面に形成された配線導体と、前記絶縁基体を貫通して形成された銅または銀を主成分とする貫通導体と、前記貫通導体の一端面に接合に接合された鉄，ニッケルおよびコバルトの少なくとも一種を含有するリードピンとを具備しており、該リードピンは、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも一種を含むＡｇ−Ｃｕ合金ろう材から成る接続パッドを介して前記貫通導体に接合されているリードピン付き配線基板において、前記貫通導体は、前記一端面にＮｉ層もしくはＡｕ層の少なくとも一方から成る拡散防止層が形成されていることを特徴とするリードピン付き配線基板。
【請求項２】
前記拡散防止層は、厚みが１μｍ乃至２０μｍであることを特徴とする請求項１記載のリードピン付き配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージや回路基板、電子回路モジュール等に使用される、入出力端子用のリードピンが立設された、所謂ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）用のリードピン付き配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路素子等の半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージや、高周波回路や電力回路等を構成する回路基板あるいは電子回路モジュール等には、セラミックスから成る絶縁基体の表面および内部の少なくとも一方に配線導体を有する配線基板が使用されている。この配線基板には、一般的に、リードピン、ボール端子等の端子部材、放熱板，放熱フィン等の放熱部材、また配線基板と蓋体とから成る容器の内部に半導体素子を気密に収容するために金属製の蓋体を取着するためのシールリング等のシール部材といった金属部材が、配線基板の表面のメタライズ層から成る配線導体にろう材を介して接合されている。
【０００３】
上記の配線基板においては、高周波信号を高速で伝送する上で、配線導体を形成する導体の抵抗が低いことが要求され、絶縁基体にもより低い誘電率が要求されている。
【０００４】
例えば、誘電率が低く高周波用の絶縁基体として好適であるガラスセラミックスを絶縁基体に用い、銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ）等の低抵抗金属のメタライズ層を配線導体として形成した配線基板が多用されている。
【０００５】
しかしながら、このような高周波用の配線基板においては、低誘電率のガラスセラミックスはガラス成分を多量に含有することから、その磁器強度は従来のアルミナセラミックス等に比べて低く、また配線導体である銅，銀等の低抵抗金属は低融点金属でもあることから、低温で焼結させる必要があるので、メタライズ層から成る配線導体のガラスセラミックスへの接合強度も低いものとなっている。
【０００６】
このため、このような配線基板のメタライズを用いて作製された電極パッドに、ろう材を介してリードピンを接合しピングリッドアレイ型のリードピン付き配線基板とした場合、外部電気回路に配線基板を装着するためにリードピンを外部電気回路のソケットに差し込んだり、外部電気回路に配線基板を装着した後に故障や交換等のメンテナンス等が必要となりリードピンを引き抜いたりした際に、リードピンに垂直方向や斜め方向からの外力が働くと、絶縁基体であるガラスセラミックスと電極パッドとの界面に破壊応力が発生して、電極パッドに剥がれが生じ接合信頼性が低下するという問題点があった。
【０００７】
そこで、磁器強度の弱いガラスセラミックス等の絶縁基体と電極パッドとの界面における破壊を回避する手法として、活性金属としてＴｉ，ＺｒおよびＨｆの少なくとも１種を含有するＡｇ−Ｃｕ合金ろう材を用いて、リードピン接合用の電極パッドを配線基板に形成せずに、配線基板の内部から下面に導出された配線導体としての貫通導体（ビア導体）が絶縁基体の表面に露出した部位を含む領域に、リードピンを直接接合する構成が提案されている。
【０００８】
この構成では、電極パッドを介さずに、配線導体の一部である貫通導体の絶縁基体の表面に露出した部位とリードピンとを、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材から成るろう材パッドを介して直接接続することによって電気的な接続を行なうことができる。また、貫通導体の露出部は通常は配線の高密度化が進んでいるために直径が約１００μｍ以下と小さいことから、リードピンは実質的には絶縁基体とろう材パッドを介して接合されるため、電極パッドと絶縁基体との接合強度に依存することなくリードピンを接合することができ、絶縁基体と電極パッドとの間の界面における破壊を回避することができる。
【０００９】
上記の電極パッドを介さずに、配線導体の一部である貫通導体の絶縁基体の表面に露出した部位とリードピンとを、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材から成るろう材パッドを介して直接接続することによって電気的な接続を行なう接合手法においては、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材を配線基板表面に露出した貫通導体を覆うようにスクリーン印刷法等で印刷形成し、この印刷された活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材上にリードピンを立設し、その後に８００〜１０００℃の加熱処理を行いリードピンを配線基板に接合する。
【特許文献１】特開平８−１６２５６３号公報
【特許文献２】特開平８−２９８３８１号公報
【特許文献３】特開平９−１８１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材のろう材パッドは、銅と銀との合金であるため、貫通導体を形成している単組成の銅や銀と比較すると融点が低い。そのため、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材が加熱され溶融する際、貫通導体を形成している単組成の銅や銀は、固相のまま存在している。その結果、固相が液相に溶融する形で、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材と貫通導体との界面において、貫通導体から活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材側へと拡散、移動する。その結果、貫通導体の銅や銀が拡散、移動した部分にはボイドが発生する。
【００１１】
また、このように貫通導体を形成している単組成の銅や銀が接続パッド中に拡散すると、接続パッドにおいて貫通導体近傍とそれ以外の部分で、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材の銅と銀の組成比が異なってくる。例えば、貫通導体が銅の場合、接続パッドの貫通導体近傍では他の部分に比べて活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材の銅の割合が大きくなる。その結果、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材の銀と銅の組成が共晶組成から銅側にずれる。そのため、溶融後の冷却過程で初晶として銅リッチな固溶体（Ｃｕ相）が形成され、共晶温度になるまではこのＣｕ相が成長し粗大化する。
【００１２】
このような理由で、接続パッドの貫通導体近傍では、初晶が粗大化していない他の部分と比べて、Ｃｕ相とＡｇ相との接触面積が小さくなり、銀と銅との間の結合エネルギーが小さくなる。このため、ろう材パッドの貫通導体近傍では、Ｃｕ相とＡｇ相との界面が脆弱になるという問題があった。
【００１３】
また、上記の理由によって、形成される脆弱な界面では、外部から加わる応力によって容易に界面がすべりを起こし、このすべり面を起点としてクラックが発生する。
【００１４】
以上の理由で発生する貫通導体内部のボイドや接続パッド内部のクラックが原因となって、導通抵抗が増加し、顕著になると貫通導体とリードピンとが絶縁するという問題点が発生していた。
【００１５】
本発明は、上記の問題点を解決するために完成されたものであり、その目的は、例えば貫通導体を形成している単組成の銅や銀の低抵抗金属が、ろう付けの際に活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材中へ拡散することがなく、貫通導体の導通抵抗値が上昇したり、長期の使用で活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材にクラックが生じ、貫通導体とリードピンとが絶縁することを防止することができる高信頼性のリードピン付き配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の配線基板は、ガラスセラミックスから成る絶縁基体と、該絶縁基体の表面に形成された配線導体と、前記絶縁基体を貫通して形成された銅または銀を主成分とする貫通導体と、前記貫通導体の一端面に接合に接合された鉄，ニッケルおよびコバルトの少なくとも一種を含有するリードピンとを具備しており、該リードピンは、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも一種を含むＡｇ−Ｃｕ合金ろう材から成るろう材パッドを介して前記貫通導体に接合されているリードピン付き配線基板において、前記貫通導体は、前記一端面にＮｉ層もしくはＡｕ層の少なくとも一方から成る拡散防止層が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の配線基板は好ましくは、拡散防止層は、厚みが１μｍ乃至２０μｍであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のリードピン付き配線基板によれば、リードピンは、Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆのうちの少なくとも一種を含むＡｇ−Ｃｕ合金ろう材から成る接続パッドを介して貫通導体に接合されており、貫通導体は、一端面にＮｉ層もしくはＡｕ層の少なくとも一方から成る拡散防止層が形成されていることから、リードピンを立設および接合するための加熱処理の際に、貫通導体は拡散防止層によって活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材と構造的に遮断されているので、貫通導体を形成している単組成の銅や銀が活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材中へ拡散することがなく、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材の貫通導体近傍に粗大なＣｕ相やＡｇ相が発生することで銀と銅との界面が脆弱になることを抑えることができる。その結果、貫通導体にボイドができて貫通導体の導通抵抗値が上昇したり、大きな外力が加わった際に活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材にクラックが生じ、貫通導体とリードピンとが絶縁することを防止することができる。
【００１９】
本発明のリードピン付き配線基板は好ましくは、拡散防止層は、厚みが１μｍ乃至２０μｍであることから、より一層効果的に貫通導体とリードピンとの間で導通抵抗が増大すること、および両者が絶縁することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のリードピン付き配線基板について以下に詳細に説明する。図１は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに本発明のリードピン付き配線基板を適用した場合の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１はリードピン、２は接続パッドとしての活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材パッド（以下、ろう材パッドともいう）、３はリードピン付き配線基板（以下、配線基板ともいう）、４は半導体素子である。配線基板３のガラスセラミックスから成る絶縁基体５は、上面の中央部に半導体素子４を搭載するための搭載部８を有している。１０は貫通導体と接続パッドとの間の拡散防止層である。
【００２１】
絶縁基体５は、ガラスセラミックス焼結体から成る、例えば四角形状の板状体であり、その表面および内部の少なくとも一方に配線導体６を有している。
【００２２】
このような配線基板３におけるガラスセラミックスより成る絶縁基体５は、例えば以下のようにして製作される。まず、ガラス成分としてＳｉＯ２−Ｂ２０３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は同じまたは異なっていて、Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は上記と同じである）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ，ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は上記と同じである）、ＰＢ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等から成るガラス粉末と、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（スピネル，ムライト，コージェライト等）のフィラー粉末とを、質量比で４０：６０〜９９：１の割合で混合し、さらに適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状となし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得る。
【００２３】
次に、このセラミックグリーンシートに、導体材料の粉末をペースト化した導体ペーストをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷するか、または所定パターン形状の金属箔を転写する等の方法を用いて、配線導体６を形成する。導体ペーストの導体材料としては、ガラスセラミックス焼結体に対しては、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ等が好適に用いられる。
【００２４】
なお、この配線導体６には、絶縁基体５の上面と下面とにそれぞれ配置された導体パターン同士を絶縁基体５の内部で接続するためのビア導体やスルーホール導体等といった貫通導体７も含まれる。この貫通導体７は、例えば、パンチング加工等によりセラミックグリーンシートに形成した貫通孔に導体ペーストを充填することによって形成される。
【００２５】
また、配線導体６は、主に絶縁基体１の表面に形成され、その一部が半導体素子４の電極を電気的に接続させるための電極パッド９として機能する。
【００２６】
次に、配線導体６および貫通導体７となる導体ペーストを形成したセラミックグリーンシートを複数枚積層し、所定の温度（ガラスセラミックスの場合であれば約９００℃）で焼成することによって、配線基板３における絶縁基体５および配線導体６の部分が製作される。
【００２７】
次に、図２に断面図で示すように、貫通導体７の絶縁基体５の表面に露出する面に拡散防止層９を形成するために、めっき法、蒸着法およびスパッタリング等によってＮｉ層やＡｕ層を形成する。Ｎｉ層は、ＣｏやＰｔ等の金属と比較すると、銅や銀に対して密着性が良く、拡散しにくいために拡散防止層として有効に機能する。またＡｕは、銅や銀に対してさらに拡散しにくい金属元素であるため、Ａｕ層を一層設けることで銅、銀の拡散をより効果的に防止することができる。
【００２８】
また、拡散防止層１０の厚みは１μｍ乃至２０μｍが好ましい。拡散防止層１０の厚みが１μｍ未満の場合、厚みが薄いためにピンホール部などの欠陥が生じる。このため、リードピン１取付けの加熱処理が行なわれる場合、貫通導体に含まれる銅，銀の低抵抗金属が欠陥部より活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材（ろう材パッド２）中に拡散し、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材中に粗大なＣｕ相やＡｇ相が形成されることで脆弱層が発生する。
【００２９】
また、拡散防止層１０の厚みが２０μｍを超える場合、拡散防止層１０を構成するＮｉ，Ａｕは弾性係数が大きいので、厚みが厚くなった分だけ外力が加わった際に大きな応力が発生する。そのため、比較的小さな外力でも容易に拡散防止層１０が破壊されるという問題点が発生する。
【００３０】
Ｎｉ，Ａｕをめっき法で形成する際の一例を以下に示す。Ｎｉめっき層は、Ｐを４〜１２質量％程度含有する無電解Ｎｉ−Ｐめっき層から成る。このようなＮｉめっき層は、まず、配線導体６および貫通導体７が形成された絶縁基体５を界面活性剤と塩酸水溶液とから成る温度が２５〜５０℃の酸性の洗浄液に１〜５分間浸漬して、貫通導体７の表面に露出する面を清浄し、次にこれを純水で洗浄した後、塩化パラジウム，水酸化カリウム，エチレンジアミンテトラアセティクアシッドから成る温度が２５〜４０℃のパラジウム活性液中に１〜５分間程度浸漬して、貫通導体７の表面に露出する面にパラジウム触媒を付着させ、次にこれを純水で洗浄した後、硫酸ニッケル，クエン酸ナトリウム，酢酸ナトリウム，次亜リン酸ナトリウム，塩化アンモニウムから成る温度が５０〜９０℃の無電解Ｎｉめっき液中に、２〜６０分間浸漬することによって、貫通導体７の表面に露出する面に被着される。
【００３１】
そして、配線基板３の下面の貫通導体７が絶縁基体５表面に露出した部位を含む領域に、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材を含む導体ペーストを、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷し、リードピン１と、配線基板３の貫通導体７の表面に露出する面とその面を含む絶縁基体５とを、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材からなるろう材パッドを介してろう付けする。このろう材パッドと成る活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材は、ＢＡｇ−８（ＪＩＳ  Ｚ−３２６１：７２質量％Ａｇ−２８質量％Ｃｕ）ろう材を始めとして、Ａｇが６０〜８０質量％でＣｕが２０〜４０質量％の組成から成るＡｇ−Ｃｕ合金ろう材に、活性金属であるＴｉ，ＺｒおよびＨｆのうち少なくとも１種を、金属または水素化物の状態で外添加で２〜１０質量％添加したものが好適に用いられる。
【００３２】
このろう材パッド２を介してリードピン１を絶縁基体５に接合するには、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材の粉末に有機溶剤、樹脂バインダおよび溶剤（有機溶剤，水等）を合わせて５〜１５質量％を外添加で混合して得たろう材ペーストを、貫通導体７が露出した端面を含む絶縁基体５の表面に、スクリーン印刷法等によりリードピン１を立設する部位に対応した所定パターンで印刷し、これにリードピン１のヘッド部１ａを載置して、真空中、中性雰囲気中または還元雰囲気中で活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材の溶融温度に合わせた所定温度（例えば約８００℃）で加熱処理し、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材を溶融させて、配線導体６および絶縁基体５とリードピン１とをろう付け接合する。
【００３３】
このとき、活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材の融点およびろう付け後の接合部の外観や反応層および合金層の厚み等を考慮して、ろう材パッド２における活性金属の含有量、ボリューム（体積）、ブレージング最高到達温度、ろう材パッド２の融点以上の温度の保持時間等を決める必要がある。
【００３４】
その一例として、７２質量％Ａｇ−２８質量％Ｃｕの所謂ＢＡｇ−８と呼ばれるろう材に活性金属としてＴｉＨ２を３質量％添加したろう材を用いて、絶縁基体５の表面にろう付け後に直径０．９０ｍｍの接続パッドを形成する場合、ピン径が０．２０ｍｍ、ヘッド部１ａの厚みが０．１５ｍｍ、ヘッド部１ａの直径が０．４５ｍｍのネイルヘッド型のリードピン１を絶縁基体５の所定部位に当接した状態で、真空炉中で最高温度７９５℃乃至８５０℃で５分乃至１時間保持すれば、高い接合強度を有する良好な接合状態が得られる。
【００３５】
ここで、絶縁基体５が４０乃至４００℃での熱膨張係数が２．３×１０−６／℃〜４．５×１０−６／℃であるガラスセラミックスから成る場合、ヘッド部１ａの側面とろう材パッド２の外周端との間の距離が全周にわたって０．１２５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３６】
なお、本発明の配線基板３に用いられるリードピン１の材質、ピン部の長さ、ヘッド部１ａの厚み等は、外部電気回路のソケットの形状や接続方法等に応じて選択が可能である。例えば、半導体素子収納用パッケージに適用するリードピン１であれば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ合金製のものが使用され、ピン部の長さとしては１〜６ｍｍ程度の範囲のものが使用される。
【００３７】
以上のようにしてリードピン１と絶縁基体５とを接合することにより、リードピン１がろう材パッド２を介して貫通導体７に接合され、貫通導体７とリードピン１の導通抵抗の増大を抑制し、貫通導体７とリードピン１が絶縁することを防止することが可能なリードピン付き配線基板３を得ることができる。
【実施例】
【００３８】
本発明のリードピン付き配線基板の実施例について以下に説明する。
【００３９】
まず、ガラス粉末として平均粒径が２μｍであるＳｉＯ２を用い、フィラー粉末として平均粒径が１〜２μｍであるコーディライトを用い、質量比で４０：６０の割合で混合し、さらに適当な有機溶剤，溶媒を添加混合して泥漿状となし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を作製した。
【００４０】
次に、このセラミックグリーンシートにパンチング加工により貫通孔を形成し、Ｃｕ粉末をペースト化した導体ペーストを充填することによってビア導体を形成した。
【００４１】
次に、Ｃｕ粉末をペースト化した導体ペーストをスクリーン印刷法より印刷して配線導体（配線導体となる導体ペースト層）を形成した。
【００４２】
次に、これらのビア導体と配線導体を形成したセラミックグリーンシートを複数枚積層し、９５０℃の温度で焼成することによってガラスセラミックスから成る絶縁基体を製作した。
【００４３】
次に、貫通導体７の絶縁基体５の表面に露出する面に拡散防止層１０を形成するために、めっき法によってＮｉ層およびＡｕ層を順次積層した。
【００４４】
次に、絶縁基体５の表面に、Ａｇ７２質量％とＣｕ２８質量％とから成るＡｇ−Ｃｕ合金ろう材（ＢＡｇ−８）に活性金属としてのＴｉＨ２を３質量％および樹脂バインダを１０質量％の割合で外添加した活性金属含有Ａｇ−Ｃｕ合金ろう材のペーストを、リードピン１と絶縁基体５との接合用のろう材パッド２としてスクリーン印刷し、ろう付け後の直径が０．９０ｍｍとなるろう材パッド２を形成した。
【００４５】
次に、このろう材パッド２を介して、ピン部の直径が０．２０ｍｍ、ヘッド部１ａの厚みが０．１５ｍｍ、ヘッド部１ａの直径が０.４５ｍｍであるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金製のリードピン１を、真空炉中で最高温度８００℃を１５分保持することにより接合した。
【００４６】
以上のようにして、リードピン１と絶縁基体５とを接合することにより、リードピン１が接続パッド２を介して貫通導体７に接合され、貫通導体７とリードピン１の導通抵抗の増大を抑制し、貫通導体７とリードピン１とが絶縁することを防止することが可能なリードピン付き配線基板３を得た。
【００４７】
なお、上記リードピン付き配線基板３において、リードピン１の全長が２．０ｍｍ、リードピン１間の間隔が２．０ｍｍであり、貫通導体７の直径φが１００μｍ、長さが１．０ｍｍ、また電極パッド９は銅のメタライズ層で形成されており、厚みが１０〜１５μｍ、外形が１．０ｍｍ×２．５ｍｍの長方形から成る評価用サンプルを１０個作製した。
【００４８】
また、比較例として、実施例品と寸法形状は同一であるが、拡散防止層１０を有さないリードピン付き配線基板（比較用サンプル）を同様にして１０個作製した。
【００４９】
これらの配線基板の隣り合うリードピン１間の抵抗をデジタルマルチメーターによって測定し、抵抗値を測定した。測定結果を表１に示す。
【表１】
2006100447.tif 000003
【００５０】
表１より、拡散防止層１０を形成したものは、拡散防止層１０を形成していない評価サンプルと比較すると、平均でリードピン１間の導通抵抗が約６３％と抵抗値が小さくなった。
【００５１】
なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を施すことは何ら差し支えない。例えば、上記の実施の形態では、本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケージに適用した例を示したが、混成集積回路基板等の他の用途に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明のリードピン付き配線基板の実施の形態の例を示す断面図である。
【図２】図１に示すリードピン付き配線基板の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・リードピン
１ａ・・・ヘッド部
２・・・ろう材パッド
３・・・リードピン付き配線基板
４・・・半導体素子
５・・・絶縁基体
６・・・配線導体
７・・・貫通導体
８・・・搭載部
９・・・電極パッド
１０・・・拡散防止層
【図１】
2006100447.tif 000004
【図２】
2006100447.tif 000005