(57)【要約】【課題】  個々のパーツへの分割の際には容易に切断することができ、且つ、通常の取り扱い時には不用意に割れ難くすることが可能なブレイクパターン形成方法、及び、液体噴射ヘッドを提供する。【解決手段】  表面３７を（１１０）面としたシリコンウェハーに、（１１０）面上であって、該（１１０）面に直交する第１の（１１１）面４２の面方向に横切断線Ｌ１を設定し、エッチングによって、第１の（１１１）面４２を長辺とし、この第１の（１１１）面４２に交差すると共に（１１０）面に直交する第２の（１１１）面４３を短辺とした貫通孔４０を横切断線Ｌ１上に開設し、貫通孔の形成過程において、シリコンウェハーの厚さ方向の貫通後、（１１０）面に対して傾斜した第３の（１１１）面４４の縁が貫通孔の鋭角部４６の頂点Ｖに至る前に、エッチングによる浸食を停止させることにより、貫通孔の鋭角部に第３の（１１１）面４４で構成される残存部４７を形成した。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を（１１０）面としたシリコンウェハーに、（１１０）面上であって、該（１１０）面に直交する第１の（１１１）面の面方向に切断予定線を設定し、
エッチングによって、前記第１の（１１１）面を長辺とし、該第１の（１１１）面に交差すると共に前記（１１０）面に直交する第２の（１１１）面を短辺とした貫通孔を前記切断予定線上に開設して、ブレイクパターンを形成するブレイクパターン形成方法であって、
前記貫通孔の形成過程において、シリコンウェハーの厚さ方向の貫通後、前記（１１０）面に対して傾斜した第３の（１１１）面の縁が貫通孔の鋭角部の頂点に至る前に、エッチングによる浸食を停止させることにより、貫通孔の鋭角部に前記第３の（１１１）面で構成される残存部を形成したことを特徴とするブレイクパターン形成方法。
【請求項２】
隣り合う貫通孔における鋭角部頂点間の切断予定線方向の距離と前記残存部の切断予定線方向の幅との総和の、切断予定線の総延長に対する比が、１０〜１２％となるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のブレイクパターン形成方法。
【請求項３】
共通液体室液体を吐出するノズル開口に通ずる圧力発生室の少なくとも一方の液体流路となる部分が形成されると共に、請求項１又は請求項２に記載のブレイクパターン形成方法でシリコンウェハーに形成されたブレイクパターンを切断予定線で切断して得られる流路形成部材と、前記圧力発生室の液体をノズル開口から吐出させるための駆動源となる圧力発生素子と、を備えることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェハー等の結晶性を有する基材の切断予定線上に、エッチングによりブレイクパターンを形成するブレイクパターン形成方法、及び、液体噴射ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧力発生室内の液体に圧力変動を生じさせることでノズル開口から液滴として吐出させる液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられるインクジェット式記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドという）、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等がある。
【０００３】
上記記録ヘッドの場合を例に挙げると、複数のノズル開口が開設されたノズル形成部材、ノズル開口に通じる圧力発生室を含む液体流路を形成する流路形成部材、圧力発生室の液体に圧力変動を付与するための圧力発生素子を具備したアクチュエータユニット等を備えて構成されている。これらの構成部材、特に、上記流路形成部材は、記録画像の高密度化や記録動作の高速化に対応すべく、加工密度や加工精度の向上が要求される。そのため、この流路形成部材の材料としては、エッチングによって微細な形状を寸法精度良く形成可能なシリコン等の結晶性を有する基材が好適に用いられる。
【０００４】
シリコンを基材として流路形成部材を作製する場合には、例えば、略円形状のシリコンウェハー上に、流路形成部材となる複数の領域を区画し、各領域に液体流路となる部分をエッチングによって形成する。また、同じくエッチングによって複数の小さな貫通孔を切断予定線上に穿設してブレイクパターンを形成する。このブレイクパターンでは、隣り合う貫通孔同士の間の部分が脆弱部となり、外力を加えるとこの部分が破断し、複数のパーツに分割される。これにより、１つのシリコンウェハーから複数の流路形成部材を得ることができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このように、シリコンウェハーから記録ヘッドの構成部材を作製する場合には、１つのシリコンウェハーから得られる流路形成部材の数は限られるため、流路形成部材をより多く得ることが可能な表面積のより大きいシリコンウェハーを用いるのが望ましい。例えば、上記の記録ヘッドの例では、直径４インチ（約１０ｃｍ）のシリコンウェハーが主流であったが、最近では、直径６インチ（１５ｃｍ）のものを使用する場合もある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１８１９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、シリコンウェハーの厚さは、そのまま流路形成部材の厚さとなるため、シリコンウェハーの直径の大小に拘らず一定である（例えば、４００μｍ）。しかしながら、シリコンウェハーの厚さを変えずに、その直径を大きくすると、アスペクト比の関係で、ブレイクパターンに作用する力の係り具合が変化してしまう。具体的には、ブレイクパターンに作用する力が大きくなり易くなる。その結果、例えば、ブレイクパターンを作成した後にシリコンウェハーを搬送する際等、シリコンウェハーの取り扱い中に、何らかの外力が作用してブレイクパターンが不用意に破断してしまうといった不具合が生じる場合がある。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、個々のパーツへの分割の際には容易に切断することができ、且つ、通常の取り扱い時には不用意に割れ難くすることが可能なブレイクパターン形成方法、及び、液体噴射ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のブレイクパターン形成方法は、上記目的を達成するために提案されたものであり、表面を（１１０）面としたシリコンウェハーに、（１１０）面上であって、該（１１０）面に直交する第１の（１１１）面の面方向に切断予定線を設定し、
エッチングによって、前記第１の（１１１）面を長辺とし、該第１の（１１１）面に交差すると共に前記（１１０）面に直交する第２の（１１１）面を短辺とした貫通孔を前記切断予定線上に開設して、ブレイクパターンを形成するブレイクパターン形成方法であって、
前記貫通孔の形成過程において、シリコンウェハーの厚さ方向の貫通後、前記（１１０）面に対して傾斜した第３の（１１１）面の縁が貫通孔の鋭角部の頂点に至る前に、エッチングによる浸食を停止させることにより、貫通孔の鋭角部に前記第３の（１１１）面で構成される残存部を形成したことを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、貫通孔の鋭角部に形成された残存部が、ブレイクパターンを補強するので、個々のパーツへの分割の容易性を確保しつつも、通常の取り扱い時には不用意に割れ難くすることが可能となる。
【００１１】
上記構成において、隣り合う貫通孔における鋭角部頂点間の切断予定線方向の距離と前記残存部の切断予定線方向の幅との総和の、切断予定線の総延長に対する比が、１０〜１２％であることが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、切断予定線の総延長に応じて残存部の切断予定線方向の幅が規定されるので、ブレイクパターンをより最適な強度に設定することができる。
【００１３】
また、本発明の液体噴射ヘッドは、共通液体室液体を吐出するノズル開口に通ずる圧力発生室の少なくとも一方の液体流路となる部分が形成されると共に、上記何れかの構成のブレイクパターン形成方法でシリコンウェハーに形成されたブレイクパターンを切断予定線で切断して得られる流路形成部材と、前記圧力発生室の液体をノズル開口から吐出させるための駆動源となる圧力発生素子と、を備えることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、添付図面等を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下の説明は、本発明の液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録装置（液体噴射装置の一種。以下、単にプリンタという）に搭載されるインクジェット式記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドという）を例に挙げて行う。
【００１５】
図１は、本実施形態における記録ヘッド１の概略斜視図、図２は、記録ヘッド１の要部断面図である。例示した記録ヘッド１は、カートリッジ基台２（以下、「基台」という）、駆動用基板５、ケース１０、流路ユニット１１、及び、アクチュエータユニット１３を主な構成要素としている。基台２は、例えば、エポキシ系樹脂等の合成樹脂によって成型されており、その上面にはフィルタ３を介在させた状態でインク導入針４が複数取り付けられている。これらのインク導入針４には、インクを貯留したインクカートリッジ（図示せず）が装着されるようになっている。
【００１６】
駆動用基板５は、図示せぬプリンタ本体側からの駆動信号を圧電振動子１９へ供給するための配線パターンが形成されると共に、プリンタ本体側との接続のためのコネクタ６や抵抗やコンデンサ等の電子部品８等を実装している。コネクタ６にはＦＦＣ（フレキシブルフラットケーブル）等の配線部材が接続され、駆動用基板５は、このＦＦＣを介してプリンタ本体側から駆動信号を受けるようになっている。そして、この駆動用基板５は、パッキンとして機能するシート７を介在させた状態で、インク導入針４とは反対側の基台２の底面側に配置される。
【００１７】
ケース１０は、合成樹脂製の中空箱体状部材であり、先端面（下面）には流路ユニット１１を接合し、内部に形成された収容空部１２内にはアクチュエータユニット１３を収容し、流路ユニット１１側とは反対側の基板取付面１４には駆動用基板５を取り付けるようになっている。また、このケース１０の先端面側には、金属製の薄板部材によって作製されたヘッドカバー１６が、流路ユニット１１の外側からその周縁部を包囲するように取り付けられる。このヘッドカバー１６は、流路ユニット１１やケース１０を保護すると共に、流路ユニット１１のノズルプレート２５を接地電位に調整し、記録紙等から発生する静電気によるノイズ等の障害を防止する機能を果たす。
【００１８】
上記アクチュエータユニット１３は、櫛歯状に列設された複数の圧電振動子１９（圧力発生素子の一種）と、この圧電振動子１９が接合される固定板２０と、駆動用基板５からの駆動信号を圧電振動子１９に伝達するための、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）等の配線部材２１等から構成される。各圧電振動子１９は、固定端部側が固定板２０上に接合され、自由端部側が固定板２０の先端面よりも外側に突出している。即ち、各圧電振動子１９は、所謂片持ち梁の状態で固定板２０上に取り付けられている。また、各圧電振動子１９を支持する固定板２０は、例えば厚さ１ｍｍ程度のステンレス鋼によって構成されている。そして、アクチュエータユニット１３は、固定板２０の背面を、収納空部１２を区画するケース内壁面に接着することで収納空部１２内に収納・固定されている。
【００１９】
流路ユニット１１は、弾性板２３、流路形成基板２４（本発明における流路形成部材に相当）、及びノズルプレート２５を積層した状態で接着剤等で接合して一体化することにより作製されており、共通インク室２７（本発明における共通液体室に相当）からインク供給口２８及び圧力発生室２９を通りノズル開口３０に至るまでの一連のインク流路（本発明における液体流路に相当）が形成された部材である。流路形成基板２４は、インク流路となる部分、具体的には、共通インク室２７となる空部、インク供給口２８となる溝部、及び、圧力発生室２９となる空部を隔壁で区画した状態で、ノズルプレート２５に開設されたノズル開口３０に対応させて複数形成した板状の部材である。本実施形態において、流路形成基板２４は、結晶性を有する基材であるシリコンウェハーをエッチング処理することによって作製されている。
【００２０】
上記の圧力発生室２９は、ノズル開口３０の列設方向（ノズル列方向）に対して直交する方向に細長い室として形成されている。また、共通インク室２７は、インクカートリッジに挿入されたインク導入針４側からのインクが導入される室である。そして、この共通インク室２７に導入されたインクは、インク供給口２８を通じて各圧力発生室２９に供給される。弾性板２３は、ステンレス鋼等の金属製の支持板上に弾性フィルムをラミネート加工した二重構造の複合板材である。この弾性板２３の圧力発生室２９に対応する部分には、圧電振動子１９の自由端部の先端を接合するための島部３２が形成されており、この部分がダイヤフラム部として機能する。また、弾性板２３は、共通インク室２７となる空部の一方の開口面を封止し、コンプライアンス部３３としても機能する。このコンプライアンス部３３に相当する部分については弾性フィルムだけにしている。
【００２１】
そして、この記録ヘッド１において、上記駆動用基板５から配線部材２１を通じて駆動信号が供給されると、圧電振動子１９が素子長手方向に伸縮し、これに伴い島部３２が圧力発生室２９に近接する方向或いは離隔する方向に移動する。これにより、圧力発生室２９の容積が変化し、圧力発生室２９内のインクに圧力変動が生じる。この圧力変動によってノズル開口３０からインク滴（液滴の一種）が吐出される。
【００２２】
図３は、上記流路形成基板２４の材料となるシリコンウェハー３５の平面図である。このシリコンウェハー３５は、表面３７が結晶方位面（１１０）面に設定され、厚さが流路形成基板２４の厚さに等しい４００μｍに設定されたシリコン単結晶基板である。このシリコンウェハー３５の表面３７上に、流路形成基板２４となる基板領域２４´を複数（本実施形態では１０箇所）区画し、各領域に上記インク流路となる部分をエッチングによって形成する。また、同じくエッチングによって細長く小さな貫通孔４０（図４等参照）を横切断線Ｌ１上に複数穿設すると共に、この横切断線Ｌ１に直交する縦切断線Ｌ２上に貫通孔を複数穿設してブレイクパターンを形成する。図３における横切断線Ｌ１（本発明における切断予定線に相当）は、（１１０）面上であって、この（１１０）面に直交する第１の（１１１）面の面方向に設定されている。また、縦方向の縦切断線Ｌ２は、第１の（１１１）面に垂直な軸方向に設定されている。なお、第１の（１１１）面は、エッチング処理における基準面となるオリエンテーションフラット（所謂オリフラ）ＯＦを構成している。
【００２３】
図４は、シリコンウェハー３５における横切断線Ｌ１上に形成されたブレイクパターンの構成を説明する一部拡大図である。本実施形態においては、ブレイクパターンの周囲を、シリコンウェハー３５の厚さ方向の途中までエッチング（所謂ハーフエッチング）することで、他の部分よりも薄い薄肉部４１を設けている。横切断線Ｌ１では、隣り合う貫通孔４０同士を隔てる部分が脆弱部４８となり、この脆弱部４８と貫通孔４０とを交互に複数配置してブレイクパターンが構成されている。このブレイクパターンにおける貫通孔４０は、第１の（１１１）面４２を長辺とし、該第１の（１１１）面４２に交差すると共に（１１０）面に直交する第２の（１１１）面４３を短辺とした細長い平行四辺形状に形成されている。上記第２の（１１１）面４３は、第１の（１１１）面４２に対して（１１０）面（表面３７）上で約７０°の角度で交差する。なお、この貫通孔４０の形状は一例であって、例示したものには限定されない。
【００２４】
そして、このようなブレイクパターンが形成されたシリコンウェハー３５に外力を加えると、ブレイクパターンにおける脆弱部４８が破断し、個々の流路形成基板２４に分割されるようになっている。本実施形態において、ブレイクパターンで切断してシリコンウェハー３５を分割する方法としては、伸張性を有するシート部材を分割前のシリコンウェハー３５の表面に貼着し、このシート部材をシリコンウェハー３５の面方向に放射状に伸張させることでブレイクパターンを破断させる所謂エキスパンドブレイクが採用されている。このエキスパンドブレイクについては後述する。
【００２５】
このように、エッチングによってシリコンウェハー３５から複数の流路形成基板２４を作製する場合において、ブレイクパターンの作成後エキスパンドブレイクを行うまでの間の通常の取り扱い時には不用意に割れ難くする一方、エキスパンドブレイクによって個々の流路形成基板２４に分割する際には、ブレイクパターンで確実に切断可能とすることが肝要となる。そのため、本実施形態においては、ブレイクパターンにおける貫通孔の形状を工夫することで上記の２つの条件を両立させている。
【００２６】
具体的には、シリコンウェハー３５の表面３７、つまり（１１０）面をエッチングによって浸食させると、この（１１０）面に対して傾斜した第３の（１１１）面４４が出現するが、シリコンウェハー３５の厚さ方向の貫通後、第３の（１１１）面４４の縁が貫通孔４０の鋭角部４６の頂点に至る前に、浸食を途中で停止させることによって、貫通孔４０の鋭角部４６に第３の（１１１）面４４の一部を残存部４７として意図的に残している。この残存部４７の大きさを調整することで、隣り合う貫通孔４０同士の間の脆弱部４８の強度を、上記２つの条件を両立可能な最適な強度に設定することができる。以下、この点について、より詳細に説明する。
【００２７】
図５（ａ）〜（ｅ）は、図４のブレイクパターンにおける貫通孔４０の形成過程を説明する状態遷移図、図６（ａ）〜（ｅ）は、図５の各状態におけるＡ−Ａ´線断面図である。上記ブレイクパターンを作製するためには、まず、熱酸化処理によって、シリコンウェハー３５の表面３７（表側と裏側の（１１０）面）に、厚さ１μｍ〜２μｍ程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）４９（以下、単に酸化膜４９という。）を形成する。酸化膜４９を形成する方法としては、例示したものには限らず、他の方法、例えば、ＣＶＤ（化学蒸着法）やイオン注入法などを採用することもできる。また、シリコン酸化膜には限らず、ホウ素やガリウム原子を添加した所謂ｐ型シリコン膜や、ヒ素やアンチモン原子を添加したｎ型シリコン膜などを形成しても良い。その後、樹脂レジストを用いて、貫通孔４０に対応する部分が開口したレジストパターンを設け、フッ化水素酸（所謂フッ酸）水溶液などのエッチング溶液によって、開口部に露出した酸化膜４９を除去することで、図５（ａ）、図６（ａ）に示すように、エッチングに対するマスクパターンを形成する。
【００２８】
酸化膜４９によるマスクパターンを形成したならば、例えば、温度７８℃、濃度２０重量％に調整された水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液からなるエッチング溶液を用いて、シリコンウェハー３５の表面３７（表側と裏側の（１１０）面）を異方性エッチングする（第１エッチング工程）。この第１エッチング工程を開始すると、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、表面３７（（１１０）面）に対して約３０度傾斜した第３の（１１１）面４４が出現する。エッチングの浸食は、この第３の（１１１）面４４に垂直な方向に、表側と裏側から同時に進行していき、しばらくするとシリコンウェハー３５の厚さ方向を貫通する（図５（ｃ）、図６（ｃ））。本実施形態において、この第１エッチング工程は、１６０〜１８０分間行われる。
【００２９】
次に、貫通孔４０の周囲に薄肉部４１を、貫通孔４０の形成と同時進行で形成する。そのため、図５（ｄ）、図６（ｄ）に示すように、薄肉部４１を形成する部分の酸化膜４９を除去した後、さらにエッチングを進める（第２エッチング工程）。この第２エッチング工程では、温度７８℃、濃度３７重量％に調整された水酸化カリウム水溶液が用いられ、薄肉部４１における表面３７からの深さが８０μｍになるまで行われる。そして、このタイミングでエッチングを停止させると、図５（ｅ）、図６（ｅ）に示すように、第３の（１１１）面４４の縁ＥＧが貫通孔４０の鋭角部４６の頂点Ｖに至る前に浸食が止まる。これにより、鋭角部４６には、第３の（１１１）面４４から成る残存部４７が形成される。
【００３０】
この残存部４７は、ブレイクパターンにおける脆弱部４８を補強する役目を果たす。この残存部４７の大きさを、横切断線Ｌ１の総延長Ｌｔ（図３参照）に応じて調整することで、ブレイクパターンを最適な強度に設定することができる。具体的には、図４に示すように、隣り合う貫通孔４０における鋭角部頂点Ｖ間の、横切断線Ｌ１方向の距離（脆弱部４８の幅）をＬａ、残存部４７の横切断線Ｌ１方向の幅をＬｂ、横切断線Ｌ１内の脆弱部４８の個数をｎとすると、横切断線Ｌ１における脆弱部４８の幅Ｌａと残存部４７の幅Ｌｂの総和の、総延長Ｌｔに対する比が、１０〜１２％となるように残存部４７の幅Ｌｂを調整している。つまり、以下の式（１）を満たすように、上記第１エッチング工程のエッチング時間を設定している。
｛Ｌａ＋（Ｌｂ×２）｝×ｎ＝０．１〜０．１２  …（１）
実際には、総延長Ｌｔの長さが１２６００μｍの場合、残存部４７の幅Ｌｂは、１０〜３０μｍとなる。なお、残存部４７の大きさは、時間のみに限らず、勿論、エッチング溶液の濃度や温度を変更することによっても調整することができる。
【００３１】
このようにして、総延長Ｌｔに応じて残存部４７の幅Ｌｂを規定すると、総延長Ｌｔが比較的短い横切断線Ｌ１では、残存部４７の幅Ｌｂがより小さくなり、一方、総延長Ｌｔが比較的長い横切断線Ｌ１では、残存部４７の幅Ｌｂはより大きくなる。
ここで、シリコンウェハー３５に外力が加えられたときに脆弱部４８に作用する力は、横切断線Ｌ１の総延長Ｌｔの長短に応じて異なり、総延長Ｌｔが長いほど個々の脆弱部４８に作用する力は大きく、総延長Ｌｔが短いほど個々の脆弱部４８に作用する力は小さい傾向にある。そのため、総延長Ｌｔに基づいて残存部４７の幅Ｌｂを調整すると、ブレイクパターン（脆弱部４８）をより最適な強度に設定することが可能となる。つまり、横切断線Ｌ１の総延長Ｌｔの長短に拘らず、ブレイクパターンにおける脆弱部４８の強度を一定に揃えることができる。
【００３２】
以上の工程を経てブレイクパターンを形成したならば、次にエキスパンドブレイクによってシリコンウェハー３５をブレイクパターンで切断し、個々のパーツ（流路形成基板２４）に分割する（エキスパンドブレイク工程）。
図７は、このエキスパンドブレイク工程を説明する模式図である。エキスパンドブレイク工程では、まず、ブレイクパターンが形成されたシリコンウェハー３５の表面に、伸張性を有するシート部材５１（ダイシングテープ）を貼着する。このシート部材５１の周縁部には、内径がシリコンウェハー３５の外径（例えば、１５０ｍｍ）よりも大きく（例えば、１８０ｍｍ）設定された輪状の保持リング５２が取り付けられている。
【００３３】
そして、シート部材５１が貼着された状態のシリコンウェハー３５は、図７（ａ）に示すように、テーブル５３の上に載置され、その上方には、内径が保持リング５２と揃えられたエキスパンドリング５４が配置される。この状態でエキスパンドリング５４を下方に降下させると、エキスパンドリング５４が保持リング５２に当接する。その後、エキスパンドリング５４をさらに降下させると、これに伴って、図７（ｂ）に示すように、シート部材５１が伸張し、シリコンウェハー３５は、中心から放射状に引っ張られる。その結果、シリコンウェハー３５は、ブレイクパターンで切断され、個々の流路形成基板２４に分割される。
【００３４】
以上のように、ブレイクパターンにおける貫通孔４０の鋭角部４６に残存部４７を設けると、残存部４７がブレイクパターンを補強するので、エキスパンドブレイク工程において個々のパーツへの分割の容易性を確保しつつも、エキスパンドブレイク工程以外の通常の取り扱い時にはシリコンウェハー３５が不用意に割れるのを防止することが可能となる。また、残存部４７の大きさ（幅Ｌｂ）を、横切断線Ｌ１の総延長Ｌｔに応じて調整するようにしたので、ブレイクパターンをより最適な強度に設定することが可能となる。
【００３５】
ところで、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて種々の変形が可能である。
【００３６】
以上においては、シリコンウェハー３５を用いて記録ヘッド１の流路形成基板２４を作製する例を示したが、これには限らず、例えば、シリコンウェハーを用いて半導体素子等を作製する場合においても、本発明を適用することができる。
また、流路形成基板２４の基材としては、シリコンウェハー３５に限らず、結晶性を有する他の基材を用いることも可能である。
【００３７】
また、以上では、液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録ヘッド１を例に挙げて説明したが、本発明は他の液体噴射ヘッドにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】記録ヘッドの構成を説明する分解斜視図である。
【図２】記録ヘッドの構成を説明する要部断面図である。
【図３】流路形成基板の材料となるシリコンウェハーの平面図である。
【図４】シリコンウェハーにおける横切断線上に形成されたブレイクパターンの構成を説明する一部拡大図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、図４のブレイクパターンにおける貫通孔の形成過程を説明する状態遷移図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、図５の各状態におけるＡ−Ａ´線断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、エキスパンドブレイク工程を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  記録ヘッド，２  カートリッジ基台，３  フィルタ，４  インク導入針，５  駆動用基板，６  コネクタ，７  シート，８  電子部品，１０  ケース，１１  流路ユニット，１２  収容空部，１３  アクチュエータユニット，１４  基板取付面，１６  ヘッドカバー，１９  圧電振動子，２０  固定板，２１  フレキシブルケーブル，２３  弾性板，２４  流路形成基板，２５  ノズルプレート，２７  共通インク室２８  インク供給口，２９  圧力発生室，３０  ノズル開口，３２  島部，３５  シリコンウェハー，３７  シリコンウェハーの表面，４０  貫通孔，４２  第１の（１１１）面，４３  第２の（１１１）面，４４  第３の（１１１）面，４６  鋭角部，４７  残存部，４８  脆弱部，４９  酸化膜，５１  シート部材，５２  保持リング，５３  テーブル，５４  エキスパンドリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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