(57)【要約】【課題】  マーク計測用の観察系の一部の移動に関わる時間の短縮化を図り、スループットの向上を図ることが可能な露光方法及び露光装置を提供する。【解決手段】  観察系２２Ａ，２２Ｂは、計測用の計測位置Ｐａと、計測位置から離れた退避位置Ｐｂとの間を移動自在な移動部材３０Ａ，３０Ｂを含み、移動部材３０Ａ，３０Ｂを計測位置Ｐａと退避位置Ｐｂとの間で移動させる。照明光ＩＬの照射により基板上に転写されるべきマスクＲ上での被照射領域に関する情報に基づいて、移動部材３０Ａ，３０Ｂの退避移動時における移動距離を算出する。【選択図】    図６
2006005225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク又は基板上に形成されたマークを観察系を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光方法において、
前記観察系は、前記計測用の計測位置と、該計測位置から離れた退避位置との間を移動自在な移動部材を含み、
前記マスクを前記照明光で照明する前に、前記移動部材を前記計測位置から前記退避位置へ移動させる退避工程を有し、
前記退避工程では、前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記移動部材の移動距離を算出することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記退避工程では、前記移動部材が前記照明光を遮らない位置に達した時点で、前記移動部材を停止させることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記移動部材が前記照明光を遮らない位置に達した時点で、前記移動部材の移動中に前記照明を開始することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記被照射領域を規定する可動ブラインドを備え、
前記移動部材は、前記可動ブラインドの動作に伴う前記被照射領域の変化の方向と同方向に移動自在であることを特徴とする請求項１から請求項３に記載のうちのいずれかに記載の露光方法。
【請求項５】
前記退避工程では、前記可動ブラインドの動作に対して前記移動部材を同期移動させることを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記退避工程の後に、前記移動部材を前記計測位置に挿入する挿入工程を有し、
前記挿入工程では、前記可動ブラインドの動作に対して前記移動部材を同期移動させることを特徴とする請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記退避工程では、前記移動距離の算出結果に基づいて、前記移動部材を前記計測位置から移動させない場合を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項８】
マスク又は基板上に形成されたマークを観察系を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光方法において、
前記観察系は、前記計測用の計測位置と該計測位置から離れた退避位置との間を移動可能な移動部材を含み、
前記マスクを前記照明光で照明する前に、前記移動部材を前記計測位置から前記退避位置へ移動させる退避工程を有し、
前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記退避工程の実行の必要性、該退避工程における前記移動部材の移動すべき距離、該退避工程における前記移動部材の移動が開始されるタイミングのうちの少なくとも１つを決定する決定工程を有することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のうちのいずれか記載の露光方法を用いて、前記マスク上に形成されたデバイスパターンを前記基板上に転写する工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１０】
マスク又は基板上に形成されたマークを観察系を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光装置において、
前記観察系は、前記計測用の計測位置と、該計測位置から離れた退避位置との間を移動自在な移動部材を含み、
前記移動部材を前記計測位置と前記退避位置との間で移動させる駆動系と、
前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記移動部材の移動距離を算出する算出部と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記被照射領域を規定する可動ブラインドを備え、
前記移動部材は、前記可動ブラインドの動作に伴う前記被照射領域の変化の方向と同方向に移動自在であることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記駆動系は、前記可動ブラインドの動作に対して前記移動部材を同期移動させることを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
マスク又は基板上に形成されたマークを観察系を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光装置において、
前記観察系は、前記計測用の計測位置と該計測位置から離れた退避位置との間を移動可能な移動部材を含み、
前記移動部材を前記計測位置から前記退避位置へ退避移動させる駆動系と、
前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記退避移動の必要性、該退避移動における前記移動部材の移動すべき距離、該退避移動における前記移動部材の移動が開始されるタイミングのうちの少なくとも１つを決定する決定部と、を有することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク又は基板上に形成されたマークを観察系を介して計測し、その計測結果に基づいて基板を露光位置に位置決めし、位置決めされた基板上に照明光を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイスの製造工程では、プロセス処理を行いながら、基板（ウエハやガラスプレートなど）上に多数層の回路パターンを所定の位置関係で積み重ねて形成する。そのため、露光装置で２層目以降の回路パターンを基板上に露光する際には、マスク（又はレチクル）のパターンと基板上に形成されているパターンとの位置決め（アライメント）を高精度に行う必要がある。
【０００３】
基板やマスク上には位置決め用のマークが形成されており、このマークの位置に関する位置情報を計測し、その位置情報に基づいて上記位置決めが行われる。
【０００４】
マークに対する位置計測技術としては、基板やマスク上のマークを照明ビームで照射し、その光学像を観察系を介して観察し、その信号を信号処理してマークの位置情報を計測する技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２８９８７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板やマスク上のマークを観察系を介して計測する技術では、露光用の照明光をマスクに照射する前に、照明光が観察系の一部によって遮られるのを回避することを目的として、観察系の一部をマーク計測用の計測位置とは別の位置（退避位置）に移動させる場合がある。
【０００６】
この場合、観察系の一部を計測位置から退避位置に移動させる動作を行う毎にその動作の分の時間を要し、スループットの向上を図る上で妨げとなりやすい。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、マーク計測用の観察系の一部の移動に関わる時間の短縮化を図り、スループットの向上を図ることが可能な露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、製造されるデバイスの低コスト化を図ることが可能なデバイス製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は、実施の形態を示す図１から図１０に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光方法は、マスク（Ｒ）又は基板（Ｗ）上に形成されたマーク（ＲＭ１，ＲＭ２）を観察系（２２Ａ，２２Ｂ）を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光（ＩＬ）を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光方法において、前記観察系は、前記計測用の計測位置（Ｐａ）と、該計測位置から離れた退避位置（Ｐｂ）との間を移動自在な移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）を含み、前記マスクを前記照明光で照明する前に、前記移動部材を前記計測位置から前記退避位置へ移動させる退避工程を有し、前記退避工程では、前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記移動部材の移動距離を算出することを特徴とする。
【０００９】
この露光方法では、観察系の一部（移動部材）を退避移動させる際に、マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて移動部材の移動距離（照明光が移動部材でけられないために最低限必要な移動部材の退避すべき移動距離）を算出することにより、その算出結果に基づいて、移動部材の移動時間の短縮化や、移動部材の移動開始から照明光の照明に移行するまでの時間の短縮化が可能となる。
【００１０】
例えば、前記退避工程において、前記移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）が前記照明光（ＩＬ）を遮らない位置に達した時点で、前記移動部材を停止させることにより、移動部材の移動時間が短縮される。
【００１１】
また、前記退避工程において、前記移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）が前記照明光（ＩＬ）を遮らない位置に達した時点であれば、前記移動部材がまだ退避中であっても前記照明を開始することにより、移動部材の移動開始から照明光の照明に移行するまでの時間が短縮される。
【００１２】
上記の露光方法において、前記被照射領域を規定する可動ブラインド（１９、ＢＬ１）を備え、前記移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）は、前記可動ブラインドの動作に伴う前記被照射領域の変化の方向と同方向に移動自在であってもよい。
この場合、前記退避工程において、前記可動ブラインドの動作に対して前記移動部材を同期移動させるとよい。
これにより、可動ブラインドの動作に合わせて、移動部材を退避移動させることが可能となる。
【００１３】
またこの場合、前記退避工程の後に、前記移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）を前記計測位置に挿入する挿入工程を有し、前記挿入工程では、前記可動ブラインド（ＢＬ１）の動作に対して前記移動部材を同期移動させてもよい。
これにより、可動ブラインドの動作に合わせて、移動部材を挿入移動させることが可能となる。
【００１４】
なお、上記の露光方法は、前記退避工程において、前記移動距離の算出結果に基づいて、前記移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）を前記計測位置から移動させない場合を含む。
【００１５】
また、本発明の露光方法は、マスク（Ｒ）又は基板（Ｗ）上に形成されたマーク（ＲＭ１，ＲＭ２）を観察系（２２Ａ，２２Ｂ）を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光（ＩＬ）を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光方法において、前記観察系は、前記計測用の計測位置（Ｐａ）と該計測位置から離れた退避位置（Ｐｂ）との間を移動可能な移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）を含み、前記マスクを前記照明光で照明する前に、前記移動部材を前記計測位置から前記退避位置へ移動させる退避工程を有し、前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記退避工程の実行の必要性、該退避工程における前記移動部材の移動すべき距離、該退避工程における前記移動部材の移動が開始されるタイミングのうちの少なくとも１つを決定する決定工程を有することを特徴とする。
【００１６】
この露光方法では、前記退避工程の実行の必要性、該退避工程における前記移動部材の移動すべき距離、該退避工程における前記移動部材の移動が開始されるタイミングのうちの少なくとも１つを決定することにより、移動部材の移動時間の短縮化や、移動部材の移動開始から照明光の照明に移行するまでの時間の短縮化が図られる。
【００１７】
本発明のデバイス製造方法は、上記の露光方法を用いて、前記マスク（Ｒ）上に形成されたデバイスパターンを前記基板（Ｗ）上に転写する工程を含むことを特徴とする。
このデバイス製造方法では、スループットの向上により、デバイスの低コスト化が図られる。
【００１８】
本発明の露光装置（１０）は、マスク（Ｒ）又は基板（Ｗ）上に形成されたマーク（ＲＭ１，ＲＭ２）を観察系（２２Ａ，２２Ｂ）を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光（ＩＬ）を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光装置において、前記観察系は、前記計測用の計測位置（Ｐａ）と、該計測位置から離れた退避位置（Ｐｂ）との間を移動自在な移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）を含み、前記移動部材を前記計測位置と前記退避位置との間で移動させる駆動系（３１）と、前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記移動部材の移動距離を算出する算出部（１３ｂ）と、を有することを特徴とする。
【００１９】
この露光装置では、上記構成により、上記の露光方法を実施することが可能である。したがって、移動部材の移動時間の短縮化や、移動部材の移動開始から照明光の照明に移行するまでの時間の短縮化が可能となる。
【００２０】
上記の露光装置において、前記被照射領域を規定する可動ブラインド（１９、ＢＬ１）を備え、前記移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）は、前記可動ブラインドの動作に伴う前記被照射領域の変化の方向と同方向に移動自在であるとよい。
この場合、前記駆動系は、前記可動ブラインドの動作に対して前記移動部材を同期移動させるのが好ましい。
【００２１】
また、本発明の露光装置（１０）は、マスク（Ｒ）又は基板（Ｗ）上に形成されたマーク（ＲＭ１，ＲＭ２）を観察系（２２Ａ，２２Ｂ）を介して計測し、その計測結果に基づいて前記基板を露光位置に位置決めし、前記位置決めされた前記基板上に照明光（ＩＬ）を用いて前記マスク上のパターンを転写する露光装置において、前記観察系は、前記計測用の計測位置（Ｐａ）と該計測位置から離れた退避位置（Ｐｂ）との間を移動可能な移動部材（３０Ａ，３０Ｂ）を含み、前記移動部材を前記計測位置から前記退避位置へ退避移動させる駆動系（３１）と、前記照明光の照射により前記基板上に転写されるべき前記マスク上での被照射領域に関する情報に基づいて、前記退避移動の必要性、該退避移動における前記移動部材の移動すべき距離、該退避移動における前記移動部材の移動が開始されるタイミングのうちの少なくとも１つを決定する決定部（１３ａ）と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の露光方法及び露光装置によれば、移動部材の移動時間や、移動部材の移動開始から照明光の照明に移行するまでの時間が短縮されることから、スループットの向上を図ることができる。
また、本発明のデバイス製造方法によれば、露光工程におけるスループットの向上により、製造されるデバイスの低コスト化が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図１は、本発明に好ましく適用される半導体デバイス製造用の縮小投影型露光装置１０の構成を概略的に示している。この投影露光装置１０は、マスクとしてのレチクルＲと基板としてのウエハＷとを１次元方向に同期移動させつつ、レチクルＲに形成された回路パターンを、ウエハＷ上の各ショット領域に転写する、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、いわゆるスキャニング・ステッパである。
【００２４】
投影露光装置１０は、光源１２を含む照明系１１、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲに形成されたパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬ、ウエハＷを保持する基板ステージとしてのウエハステージＷＳＴ、一対の観察手段としてのレチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂ、ウエハアライメントセンサ２７、メインフォーカス検出系（６０ａ，６０ｂ）、及び制御系等を備えている。
【００２５】
照明系１１は、例えばエキシマレーザから成る光源１２、ビーム整形用レンズ、及びオプチカルインテグレータ（フライアイレンズ）等を含む照度均一化光学系１６の他に、照明系開口絞り板（レボルバ）１８、リレー光学系２０、ブラインド１９、折り曲げミラー３７、及び不図示のコンデンサレンズ系等を含む。照明系１１の構成各部についてその作用とともに説明すると、光源１２から射出された照明ビームＩＬ（エキシマレーザ光（ＫｒＦ、ＡｒＦ）等）は、照度均一化光学系１６によって光束の一様化や、スペックルの低減化等が行われる。光源１２のレーザパルスの発光は後述する主制御装置１３によって制御される。なお、光源１２として、超高圧水銀ランプを用いても良く、この場合には、ｇ線、ｉ線等の紫外域の輝線が照明ビームとして用いられるとともに、不図示のシャッタの開閉が主制御装置１３によって制御される。
【００２６】
照度均一化光学系１６の出口部分には、円板状部材からなる照明系開口絞り板１８が配置されている、この照明系開口絞り板１８には、ほぼ等角度間隔で、例えば通常の円形開口よりなる開口絞り、小さな円形開口よりなりコヒーレンスファクタであるσ値を小さくするための開口絞り、輪帯照明用の輪帯状の開口絞り、及び変形光源法用に複数の開口を偏心させて配置してなる変形開口絞り（いずれも図示省略）等が配置されている。この照明系開口絞り板１８は、主制御装置１３により制御されるモータ等の駆動系２４により回転駆動されるようになっており、これによりいずれかの開口絞りが照明ビームＩＬの光路上に選択的に配置される。
【００２７】
照明系開口絞り板１８の後方の照明ビームＩＬの光路上には、ブラインド１９を介在してリレー光学系２０が設置されている。ブラインド１９の設置面はレチクルＲと共役関係にある。また、ブラインド１９は、駆動系１７によって移動される可動ブレードを含み、可動ブレードのエッジによって、開口ＡＰの形状を任意に変更可能に構成されている。ブラインド１９の開口ＡＰの形状により、照明ビームＩＬの照射によりウエハＷ上に転写されるべきレチクルＲ上での被照射領域が規定される。
【００２８】
リレー光学系２０後方の照明ビームＩＬの光路上には、このリレー光学系２０を通過した照明ビームＩＬをレチクルＲに向けて反射する折り曲げミラー３７が配置され、このミラー３７後方の照明ビームＩＬの光路上には不図示のコンデンサレンズが配置されている。照明ビームＩＬは、リレー光学系２０を通過する際に、ブラインド１９によって照明領域（レチクルＲ上での被照射領域）が規定（制限）された後、ミラー３７で垂直下方に折り曲げられ、不図示のコンデンサレンズを介してレチクルＲの上記被照射領域内のパターン領域ＰＡを均一な照度で照明する。
【００２９】
レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴ上に、不図示のバキュームチャック等を介して吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、水平面（ＸＹ平面）内で２次元移動可能に構成されており、レチクルＲがレチクルステージＲＳＴに載置された後、レチクルＲのパターン領域ＰＡの中心点が光軸ＡＸと一致するように位置決めが行なわれる。こうしたレチクルステージＲＳＴの位置決め動作は、主制御装置１３によって不図示の駆動系が制御されることにより行われる。なお、レチクルＲの初期設定のためのレチクルアライメントについては、後に詳述する。また、レチクルＲは図示しないレチクル交換装置により適宜交換されて使用される。
【００３０】
投影光学系ＰＬは、両側テレセントリックな光学配置になるように配置された共通のＺ軸方向の光軸ＡＸを有する複数枚のレンズエレメントから構成されている。また、この投影光学系ＰＬとしては、投影倍率が例えば１／４又は１／５のものが使用されている。このため、上述したように、照明ビームＩＬによりレチクルＲ上の被照射領域が照明されると、そのレチクルＲのパターン面に形成されたパターンが投影光学系ＰＬによって表面にレジスト（感光材）が塗布されたウエハＷ上に縮小投影され、ウエハＷ上の一つのショット領域にレチクルＲの回路パターンの縮小像が転写される。
【００３１】
ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方に配設された定盤（ステージ定盤ＢＳ）上に載置されている。このウエハステージＷＳＴは、実際には水平面（ＸＹ面）内を２次元移動可能なＸＹステージと、このＸＹステージ上に搭載され光軸方向（Ｚ方向）に微動可能なＺステージ等から構成されるが、図１ではこれらが代表的にウエハステージＷＳＴとして示されている。以下の説明中では、このウエハステージＷＳＴは、駆動系２５によってステージ定盤ＢＳの上面に沿ってＸＹ２次元方向に駆動されるとともに微小範囲（例えば１００μｍ程度）内で光軸ＡＸ方向にも駆動されるようになっているものとする。なお、ステージ定盤ＢＳの表面は、平坦に加工されており、且つ低反射率の物質（黒クロム等）により一様にめっき加工が施されている。
【００３２】
また、ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハホルダ５２を介してウエハＷが真空吸着等によって保持されている。ウエハステージＷＳＴの２次元的な位置は、ウエハステージＷＳＴ上に固定された移動鏡５３を介してレーザ干渉計５６によって所定の分解能（例えば１ｎｍ程度）で常時検出される。このレーザ干渉計５６の出力は主制御装置１３に与えられ、その情報に基づいて、主制御装置１３によって駆動系２５が制御される。このような閉ループの制御系により、例えば、ウエハステージＷＳＴはウエハＷ上の１つのショット領域に対するレチクルＲのパターンの転写露光（スキャン露光）が終了すると、次のショットに対する露光開始位置までステッピングされる。また、すべてのショット位置に対する露光が終了すると、ウエハＷは不図示のウエハ交換装置によって他のウエハＷに交換される。なお、ウエハ交換装置は、ウエハステージＷＳＴから外れた位置に配置され、ウエハＷの受け渡しを行うウエハローダ等のウエハ搬送系を備えて構成されている。
【００３３】
また、ウエハＷ面のＺ方向の位置は、メインフォーカス検出系により測定される。メインフォーカス検出系としては、投影光学系ＰＬの結像面に向けてピンホールまたはスリットの像を形成するための結像光束もしくは平行光束を、光軸ＡＸに対して斜め方向より照射する照射光学系６０ａと、その結像光束もしくは平行光束のウエハＷ表面（又は後述する基準板ＷＦＢ表面）での反射光束を受光する受光光学系６０ｂとから成る斜入射光式の焦点検出系が用いられており、受光光学系６０ｂからの信号が主制御装置１３に供給されている。主制御装置１３では受光光学系６０ｂからの信号に基づき、常に投影光学系ＰＬの最良結像面にウエハＷの面が来るように駆動系２５を介してウエハＷのＺ位置を制御する。
【００３４】
制御系は、図１中、主制御装置１３によって主に構成される。主制御装置１３は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）等から成るいわゆるマイクロコンピュータ（又はミニコンピュータ）によって構成され、露光動作が的確に行われるように、レチクルＲとウエハＷとの位置合わせ（アライメント）、ウエハＷのステッピング、露光タイミング等を統括して制御する。また、主制御装置１３は、レチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂの焦点位置の調整を行なう他、装置全体を統括制御する。
【００３５】
ここで、ウエハアライメントセンサ２７、及びレチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂについて詳しく説明する。
ウエハアライメントセンサ２７としては、検出基準となる指標を備え、その指標を基準としてマークの位置を検出する例えば特開平４−６５６０３号公報等で公知の画像処理方式の結像式センサが用いられる。ウエハステージＷＳＴ上には、後述するレチクルアライメント及びベースライン計測のためのウエハ基準マーク（ウエハフィデューシャルマーク）ＷＦＭ１，ＷＦＭ２，及びＷＦＭ３等の各種の基準マークが形成された基準板ＷＦＢが設けられている。この基準板ＷＦＢの表面位置（Ｚ方向の位置）はウエハＷの表面位置とほぼ同一とされている。ウエハアライメントセンサ２７は、この基準板ＷＦＢ上のウエハ基準マークＷＦＭや、ウエハＷ上のウエハアライメントマークの位置を検出し、その検出結果を主制御装置１３に供給する。なお、ウエハアライメントセンサとして、例えば特開平１０−１４１９１５号公報等で公知のレーザスキャン式センサや、レーザ干渉式センサ等の他の方式のものを用いてもよい。
【００３６】
ウエハアライメントセンサ２７の投影像面側（ウエハ側）における光軸は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと並行に配されており、ウエハアライメントセンサ２７の光軸と投影光学系ＰＬの露光フィールド内の基準位置である光軸ＡＸとの間の距離、いわゆるベースライン量が、ウエハＷ上の各ショット領域を投影光学系ＰＬの視野内に配するときの基準量となる。つまり、ウエハアライメントセンサ２７によってアライメント用のウエハマークＷＭのＸ座標及びＹ座標を計測するとともに、この計測結果に上記ベースライン量を加算して得られる値に基づいて、ウエハステージＷＳＴを駆動し、ウエハＷをＸ方向及びＹ方向にステッピング移動させることにより、ウエハＷの各ショット領域の中心を投影光学系ＰＬの露光フィールド内の基準位置（光軸ＡＸ）に正確にアライメントすることができる。なお、本例では、ウエハステージＷＳＴ上に配置された基準マーク（ＷＦＭ１、ＷＦＭ２、ＷＦＭ３）を、レチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂとウエハアライメントセンサ２７とで同時に観察することにより、上述したベースライン量、すなわちウエハアライメントセンサ２７の光軸と投影光学系ＰＬの露光フィールド内の基準位置との間の距離を計測する、いわゆる同時ベースライン計測を行う。
【００３７】
レチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂはそれぞれ、検出用照明光（ビーム）をレチクルＲに導くアライメント照明系、比較的に粗い検出を実施するためのサーチ観察系、及び比較的に精密な検出を実施するためのファイン観察系等からなる。
図２に、レチクルアライメント顕微鏡２２Ａの構成を代表的に示す。なお、他方のレチクルアライメント顕微鏡２２Ｂも同様の構成及び機能を備えているのでここではその説明を省略する。
【００３８】
図２において、アライメント照明系は、検出用照明として露光光（照明ビームＩＬ；図１参照）を用いる構成からなり、露光光（照明ビームＩＬ）の一部の光束をミラー等で分岐させた後、光ファイバを用いてレチクルアライメント顕微鏡２２Ａ内に導き、さらにその光束を、レチクルＲ上に導く。より具体的には、アライメント照明系は、可動ミラー８２、集光レンズ８３、結像レンズ８４、偏向ミラー８５等を含み、ハーフミラー８６によりファイン観察系及びサーチ観察系に接続されている。
【００３９】
可動ミラー８２は、照明ビームＩＬの光路を切り換えるためのミラーであり、照明ビームＩＬを反射させない第１の位置と照明ビームＩＬを反射させる第２の位置との間で移動可能である。可動ミラー８２が第１の位置にあるときにはウエハ露光用の光路が得られ、可動ミラー８２が第２の位置にあるときには、アライメント用の光路が得られるようになっている。可動ミラー８２は主制御装置１３によりその位置が選択される。
【００４０】
落射ミラー３０Ａは、図２中の矢印Ａ−Ａ’の方向（落射ミラー３０Ｂは矢印Ｂ−Ｂ’の方向に）に、計測位置と退避位置との間を移動自在に配置されている。なお、図２は計測位置Ａ上に落射ミラー３０Ａが存在している状態を示している。主制御装置１３では、レチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂを用いてアライメントを行う際には、駆動系３１を介して落射ミラー３０Ａを矢印Ａ方向に駆動して図２に示される計測位置に位置決めし、アライメントが終了すると、露光の際に邪魔にならないように、駆動系３１を介して落射ミラー３０Ａを矢印Ａ’方向に駆動して所定の退避位置に退避させる。なお、本例では、落射ミラー３０Ａの退避移動動作の短時間化のために、主制御装置１３内の決定部１３ａにおいて、退避移動動作の必要性、落射ミラー３０Ａの移動すべき距離、パターン転写用の照明ビームＩＬの照明を開始するタイミングのうちの少なくとも１つが決定される。また、落射ミラー３０Ａの移動に際しては、落射ミラー３０Ａの移動すべき距離（移動距離）が主制御装置１３内の算出部１３ｂにおいて算出される。なお、落射ミラー３０Ａの退避移動動作については後述する。
【００４１】
アライメント照明系により導かれた照明ビームは落射ミラー３０Ａを介してレチクルマークＲＭ１を照明するとともに、レチクルＲ及び投影光学系ＰＬを介して基準板ＷＦＢ上のウエハ基準マークＷＦＭ１を照明する。レチクルマークＲＭ１、ウエハ基準マークＷＦＭ１からの反射ビームは、落射ミラー３０Ａでそれぞれ反射され、それらの反射ビームは、サーチ観察系及びファイン観察系に入射する。
【００４２】
サーチ観察系は、落射ミラー３０Ａ、第１対物レンズ７２、ハーフミラー７３、偏向ミラー７４及び第２対物レンズ７５等を含むサーチ光学系とサーチ観察用カメラ７６を含んで構成される。ファイン観察系は、落射ミラー３０Ａ、第１対物レンズ７２、第２対物レンズ７７等を含むファイン光学系とファイン観察用カメラ７８を含んで構成される。サーチ観察用カメラ７６及びファイン観察用カメラ７８として、本実施形態では、ＣＣＤ等の撮像素子をそれぞれ用いる。また、サーチ観察用カメラ７６としては低感度のものを、ファイン観察用カメラ７８としては高感度のものを用いている。さらに、サーチ光学系は拡大倍率が低く、開口数（Ｎ.Ａ.）が小さく設定されており、ファイン光学系は拡大倍率が高く、開口数が大きく設定されている。サーチ観察用カメラ７６及びファイン観察用カメラ７８の撮像信号（光電変換信号）は、主制御装置１３に供給される。
【００４３】
レチクルＲの位置決め（アライメント）を行う際には、主制御装置１３により可動ミラー８２を第２の位置に設定し、アライメント照明系を介してレチクルＲのレチクルマークＲＭ１を照明する。レチクルＲ及び基準板ＷＦＢでの反射ビームは、サーチ光学系を介してサーチ観察用カメラ７６に入射し、レチクルマークＲＭ１、及びウエハ基準マークＷＦＭ１の像が同時にサーチ観察用カメラ７６の受光面に結像される。また、レチクルＲ及び基準板ＷＦＢでの反射ビームは、ファイン光学系を介してファイン観察用カメラ７８に入射し、レチクルマークＲＭ、及びウエハ基準マークＷＦＭ１の像が同時にファイン観察用カメラ７８の受光面に結像される。
【００４４】
図３は、レチクルマークＲＭ１，ＲＭ２の構成例を示し、図４は、ウエハ基準マークＷＦＭ１，ＷＦＭ２，及びＷＦＭ３の構成例を示している。これらレチクルマークＲＭやウエハ基準マークＷＦＭの具体的な形状は、特に限定されないが、同図に示すように、二次元方向に位置ずれ量を検知することができるような二次元マークであることが好ましい。
【００４５】
レチクルマークＲＭ１，ＲＭ２（以後、必要に応じてまとめてレチクルマークＲＭと総称する）は、レチクルＲの下方に配される面におけるパターン領域の外側に設けられており、例えばパターンジェネレータやＥＢ露光装置といった装置により、設計データを基にしてレチクルＲの母材であるガラス板上に転写され、クロムからなる遮光部として所定の形状に形成されている。図３に示す例では、レチクルマークＲＭ１，ＲＭ２はそれぞれ、十字状のマーク要素と矩形状のマーク要素とを組み合わせた構成からなる。
【００４６】
ウエハ基準マークＷＦＭ１，ＷＦＭ２，及びＷＦＭ３（以後、必要に応じてまとめてウエハ基準マークＷＦＭと総称する）は、ガラスで形成された下地領域上にクロムでマーク要素が形成されている。図４に示す例では、ウエハ基準マークＷＦ１，ＷＦＭ２，及びＷＦＭ３はそれぞれ、Ｙ軸方向に延びた直線状のラインパターンがＸ軸方向に周期的に配列されたマーク要素と、Ｘ軸方向に延びた直線状のラインパターンがＹ軸方向に周期的に配列されたマーク要素とを含む構成からなる。なお、ウエハ基準マークＷＦＭとして、クロムで形成された下地領域上にガラスでマーク要素を形成してもよい。また、本実施形態では、ウエハ基準マークＷＦＭ１，ＷＦＭ２，及びＷＦＭ３が形成された基準板ＷＦＢをウエハステージＷＳＴ（図１参照）上に設けているが、この基準板ＷＦＢは、ステージ定盤ＢＳ上であれば他の位置（例えばウエハホルダ５２上や移動鏡５３上等）にあってもよい。
【００４７】
図５は、サーチ観察用カメラ７６又はファイン観察用カメラ７８の受光面に同時に結像されたレチクルマークＲＭ及びウエハ基準マークＷＦＭの像、並びにファイン観察用カメラ７８で撮像した撮像信号（光電変換信号）を示す図である。なお、ファイン観察用カメラ７８は、Ｘ軸用及びＹ軸用のカメラをそれぞれ有し、Ｘ軸用及びＹ軸用のカメラはそれぞれ、予め規定された撮像領域ＰＦｘ，ＰＦｙ内の像を撮像する。本実施形態では、前述したように、レチクルマークＲＭ及びウエハ基準マークＷＦＭの各マーク要素がクロムで形成されていることから、そのマーク要素で反射したビームの強度が強く、そのマーク要素に対応する部分で信号強度（Ｖｘ，Ｖｙ）が凸形状となる信号波形データとなっている。
【００４８】
レチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂのそれぞれのサーチ観察用カメラ７６又はファイン観察用カメラ７８は、レチクルマークＲＭの像とウエハ基準マークＷＦＭの像とをそれぞれ撮像すると、二次元方向に光電変換信号を検出して、主制御装置１３に供給する。主制御装置１３は、これらレチクルマークＲＭとウエハ基準マークＷＦＭとの相対的な位置関係を所定のアルゴリズムに基づいて算出すると、その算出結果に基づいて、レチクルＲの位置及び姿勢を調整する（レチクルアライメント）。レチクルアライメントでは、サーチ観察系の観察結果に基づいて、ラフにレチクルＲを位置決めした後に、ファイン観察系の観察結果に基づいて、精密な（ファインな）レチクルＲの位置決めを行う。
【００４９】
なお、レチクルマークＲＭとウエハ基準マークＷＦＭとの相対位置関係を求めるためのアルゴリズムとしては、例えば、折り返し自己相関方式を用いることができる。折り返し自己相関方式は、レチクルアライメント顕微鏡２２Ａ，２２Ｂから得られる信号を所定の点にて対称に折り返して両信号のマッチングの度合を求めることによりマークの位置情報を求めるものであり、特開昭５６−２２８４号公報等で公知であるから、ここでは詳細な説明は省略する。
【００５０】
レチクルアライメント及びベースライン計測の後、主制御装置１３では、ウエハＷ上の複数ショット領域に付設されたウエハアライメントマークの位置をウエハアライメントセンサ２７を用いて順次計測し、いわゆるＥＧＡ（エンハンストグローバルアライメント）の手法により、ウエハＷ上の全てのショット配列データを求め、この配列データに従って、ウエハＷ上のショット領域を順次投影光学系ＰＬの真下（露光位置）に順次位置決めしつつ、光源１２のレーザ発光を制御して、いわゆるステップアンドリピート方式で露光を行う。なお、ＥＧＡ等については、特開昭６１−４４４２９号公報等で公知であるから、ここでは詳細な説明は省略する。
【００５１】
図６〜図８は、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動の様子を模式的に示す図である。
なお、ブラインド１９は実際には先の図１に示したように照明系１１内に配置されるが、図６〜図８ではその機能を分かりやすくするためにレチクルＲの近くにブラインド１９を仮想的に描いている。
以下、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動動作について説明する。
なお、以降で述べる制御動作（演算（算出）処理や、判断処理や、動作の指令など）は、主制御装置１３内に設けられた処理プログラムによって実行されるものとする。
【００５２】
落射ミラー３０Ａ，３０Ｂは、計測位置Ｐａと退避位置Ｐｂとの間を移動自在に配置されている。ここで、計測位置Ｐａは、前述したように、レチクルマークＲＭ１，ＲＭ２を観察する際の配置位置である。また、退避位置Ｐｂは、ブラインド１９の開口ＡＰが最大の際に、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮らないように予め定められた位置である。なお、本例において、露光時におけるレチクルＲの走査移動方向（スキャン方向）は紙面直交方向（Ｙ方向）であり、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動方向は紙面左右方向（Ｘ方向）である。
【００５３】
ブラインド１９の開口ＡＰは変化自在であり、この開口ＡＰの形状に基づいて、照明ビームＩＬによるレチクルＲ上での被照射領域が規定される。ブラインド１９の開口ＡＰの形状は、レチクルＲ上のパターン領域の大きさや遮光帯の位置等の情報を含む露光レシピ情報に基づいて適宜定められる。露光レシピ情報は、例えば処理ロットごとに上流の制御装置あるいは処理工程全体を管理するホストコンピュータから主制御装置１３（図２参照）に供給される。
【００５４】
主制御装置１３では、露光レシピ情報に基づいて、ブラインド１９の開口ＡＰの形状を設定すると、その開口ＡＰの形状に関する情報、特に、照明ビームＩＬのレチクルＲ上での被照射領域の形状に関する情報に基づいて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動動作の必要性、落射ミラー３０Ａの移動すべき距離等を決定（算出）する。
【００５５】
図６は、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを必要距離だけ移動させる例を示している。
図６において、主制御装置１３（図２参照）では、ブラインド１９の開口ＡＰの形状を設定すると、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動時における移動距離△Ｘｍを算出する。この距離△Ｘｍは、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが計測位置Ｐａから照明ビームＩＬを遮らない位置に達するまでの距離である。すなわち、主制御装置１３では、照明ビームＩＬのレチクルＲ上での被照射領域の形状や大きさに関する情報に基づいて、計測位置にある落射ミラー３０Ａ，３０Ｂのうちの被照射領域と重なる部分の長さ（Ｘ方向長さ）を算出し、その長さに誤差想定分を加えたものを上記移動距離△Ｘｍとする。
【００５６】
そして、主制御装置１３では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを用いたアライメントが終了すると、計測位置Ｐａから距離△Ｘｍだけ離れた退避位置Ｐｂに向けて、すなわち光軸ＡＸから離れる方向へ、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂをそれぞれ距離△Ｘｍだけ退避移動させる。主制御装置１３では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが距離△Ｘｍを移動すると、その位置Ｐｂで落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを停止させ、照明ビームＩＬを用いた露光動作（露光シーケンス）、すなわちレチクルＲ上のパターンをウエハに転写する動作の実行に移る。なお、比較のため、従来退避位置として設定されていた位置をＰｂ’として図示しておく。
【００５７】
このように、図６の例では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを退避移動させる際に、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮らない位置に達した時点で、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを停止させることから、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動時間が短縮される。すなわち、被照射領域の変化に応じて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動時間が最短となるように制御されるので、被照射領域の変化によらず常に落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動距離が一定（計測位置Ｐａ〜退避位置Ｐｂ’）の場合に比べて、処理時間の短縮化が図られる。
【００５８】
図７は、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動中に露光処理を開始する例を示している。
図７において、主制御装置１３（図２参照）では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを用いたアライメントが終了すると、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを計測位置Ｐａから予め設定されている退避位置Ｐｂまで移動させる。但し、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮らない位置（Ｐａから△Ｘｍだけ離れた位置）に達した時点で、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動中に、照明ビームＩＬを用いた露光動作、すなわちパターン転写用の照明ビームＩＬの照射を開始する。
【００５９】
落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮らない位置に達するタイミングは、上記した距離△Ｘｍから求めることができる。例えば、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの現在位置に関する情報を落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの駆動系から受け取り、その情報に基づいて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの計測位置Ｐａからの移動距離が上記ΔＸｍに達したことを判断する。あるいは、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動開始のタイミングと移動速度とから、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動距離が上記ΔＸｍに達するタイミングを算出する。
【００６０】
このように、図７の例では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮らない位置に達した時点で、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動中に、パターン転写用の照明ビームＩＬの照明を開始する。そのため、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが退避位置Ｐｂまで移動した後に露光動作を開始する場合に比べて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動開始から露光動作に移行するまでの時間が短縮される。すなわち、本例では、被照射領域の変化に応じて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動開始から露光動作に移行するまでの時間が最短となるように制御される。
【００６１】
なお、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮らない位置に達した時点で、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを停止させるか（図６）、退避位置Ｐｂまで移動させるか（図７）のシーケンスの選択は、オペレータやホストコンピュータからの指示に基づいて行われる。落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを停止させた後に露光動作を開始する場合には、露光中にミラー３０Ａ，３０Ｂは停止しているので、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動に伴う振動の影響が回避されるとともに、計測位置Ｐａに落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを戻す際の時間も短くて済むという効果が期待できる。
【００６２】
図８は、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避が不要の例を示している。
図８において、主制御装置１３（図２参照）では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避の必要性がないと判断すると、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを用いたアライメント終了後、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを計測位置Ｐａに停止させたままにしておく。すなわち、主制御装置１３では、照明ビームＩＬのレチクルＲ上での被照射領域の形状や大きさに関する情報に基づいて、計測位置Ｐａにある落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮るか否かを求め、その結果、遮る場合は、先の図６または図７で示した落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避動作を実行し、遮らない場合は、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避の必要性がないと判断し、アライメント終了後も、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを計測位置Ｐａに停止させておく。計測位置Ｐａにある落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮るか否かの判断は、例えば、上記した退避移動すべき距離△Ｘｍに基づいて行うことができる。
【００６３】
このように、図８の例では、アライメント終了後、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを計測位置に停止させておくので、被照射領域の変化によらず常に落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを退避移動させる場合に比べて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動に係る時間が省略される。すなわち、被照射領域の変化に応じて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動の必要性が判断されることにより、処理時間の短縮化が図られる。また、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの不要な動作が省略されることにより、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの配置ずれや光学的なずれが生じにくいという利点がある。
【００６４】
以上の図６〜図８を用いて説明したように、本例の露光装置では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動に係る時間が短縮あるいは省略されたり、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動開始から露光動作に移行するまでの時間が短縮されたりすることから、スループットの向上が図られる。
【００６５】
なお、露光レシピ情報と、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動制御に関する情報（退避の必要性、最低限の移動距離など）とが一対一に対応しているテーブルを予め具備しておくことにより、演算処理（落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動距離の算出など）を省いて、上記した落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動制御をそのテーブルの情報に基づいて行うことができる。
【００６６】
図９は、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの移動機構の変形例を示している。
先の図２に示した例では、露光時におけるレチクルＲの走査移動方向（スキャン方向）と直交方向（Ｘ方向）に落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが移動するのに対し、図９の例では、レチクルＲの走査移動方向（スキャン方向）と同方向（Ｙ方向）に落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが移動する。具体的には、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂは、Ｙ方向に延在するガイド９０，９１に移動自在に支持されている。
【００６７】
また、図９に示す符号ＢＬ１，ＢＬ２は、スリットスキャン用の可動ブレードを仮想的に描いたものである。実露光動作時におおける被照射領域のＹ方向のエッジは、可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２によって規定され、被照射領域のＸ方向のエッジは、ブラインド１９が備える他のブレードによって規定される。
【００６８】
ここで、図１０は、ブラインド１９（図１参照）が備える可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２の動作を示しており、説明の簡単化のために、ここでは、レチクルＲの近くに可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２（ブラインド１９）を図示している。
実露光動作時においては、レチクルＲ上の回路パターン領域ＰＡのみを照明するようにブラインド１９が備える可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２が制御され、これに伴いレチクルＲ上での被照射領域（スリット幅）が変化する。
以下、図１０及び先の図１を参照してその動きを説明する。
【００６９】
まず、主制御装置１３は、レチクルステージＲＳＴの駆動系を介して、レチクルＲをＹ方向の走査開始点に設定し、さらに、ウエハステージＷＳＴの駆動系を介して、ウエハＷ上の１つのショット領域を走査開始点に設定する。また、主制御装置１３は、駆動系１０を介して可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２を駆動し、図１０（Ａ）に示すように、開口ＡＰのＹ方向の中心を光軸ＡＸに対してΔＹｓだけレチクルＲの走査進行方向と逆方向（図１０中の右方向）にずらす。この距離ΔＹｓは、開口ＡＰの最大幅Ｄｍａｘの約半分に設定され、また、開口ＡＰの幅Ｄは、ほぼ零に設定される。なお、レチクルＲの走査開始点は、光軸ＡＸが回路パターン領域ＰＡの外側に位置するように設定される。
【００７０】
次に、主制御装置１３は、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとを投影倍率に比例した速度比で互いに逆方向に移動させる。このとき、図１０（Ｂ）に示すように、可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２のうちのレチクルＲの走査進行方向のブレードＢＬ１のエッジＥ１の像が回路パターン領域ＰＡの外側に常に位置するように、ブレードＢＬ１をレチクルＲに同期して移動させる。そして、レチクルＲの走査が進み、図１０（Ｃ）に示すように、ブレードＢＬ１のエッジＥ１が開口ＡＰの最大幅Ｄｍａｘを規定する位置に達すると、ブレードＢＬ１を停止させる。以後、レチクルＲは、最大幅Ｄｍａｘの開口ＡＰを通った照明ビームＩＬによって照明・走査される。なお、図１に示すブラインド１９の駆動系１７内には、各ブレードの移動量と移動速度とをモニターするエンコーダ、タコジェネレータ等が設けられており、これらの位置情報と速度情報とに基づいて可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２の動きがレチクルステージＲＳＴの走査動作に同調するようになっている。
【００７１】
さらにレチクルＲの走査が進み、図１０（Ｄ）に示すように、可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２のうちのレチクルＲの進行方向と逆方向にあるブレードＢＬ２のエッジＥ２の像がレチクルＲの回路パターン領域ＰＡを外れると、主制御装置１３は、図１０（Ｅ）に示すように、ブレードＢＬ２をレチクルＲと同期して移動させる。そして、ブレードＢＬ１のエッジＥ１が回路パターン領域ＰＡを外れると、主制御装置１３は、レチクルステージＲＳＴと可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２とを停止させる。
【００７２】
図９に戻り、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを用いたアライメント時において、ブラインド１９の開口ＡＰは可動ブレードＢＬ１，ＢＬ２によって閉じた状態にある。また、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂは、可動ブレードＢＬ１の開口規定用のエッジＥ１に対して内側、すなわち被照射領域が形成される側とは逆側（−Ｙ方向）に配置されている（計測位置）。
【００７３】
主制御装置１３（図１参照）では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを用いたアライメントが終了すると、照明ビームＩＬ（図１参照）を用いた露光動作、すなわちパターン転写用の照明ビームＩＬの照射を開始する。このとき、主制御装置１３では、図１０に示した実露光動作時の可動ブレードＢＬ１の動きに合わせて落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを退避移動させる。
【００７４】
すなわち、可動ブレードＢＬ１の−Ｙ方向の移動の開始と同時に、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動を開始する。落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動の方向（−Ｙ方向）は、可動ブレードＢＬ１の移動方向と同じであり、また、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動の速度は、可動ブレードＢＬ１の移動速度と同じである。なお、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂは、退避位置まで移動すると、次のアライメント時までその場に停止される。
【００７５】
このように、本例では、可動ブレードＢＬ１の動作に合わせて落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを同方向に同期移動させることにより、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動中も、可動ブレードＢＬ１に対する落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの位置関係がアライメント時と同じ状態に維持される。すなわち、照明ビームＩＬに対して落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが可動ブレードＢＬ１に常に隠れた状態にあり、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが照明ビームＩＬを遮ることがない。
【００７６】
また、本例では、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが退避移動を開始するタイミングは、可動ブレードＢＬ１の移動開始と同じである。したがって、アライメント動作の終了後、露光動作に移行するまでの時間が短縮され、スループットの向上が図られる。
【００７７】
なお、図９の例において、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動の開始のタイミングは、可動ブレードＢＬ１の移動開始と同時に限らず、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂが可動ブレードＢＬ１のエッジＥ１の内側（−Ｙ側）にある期間内であればよい。また、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの退避移動の速度は、可動ブレードＢＬ１の移動速度と同速度に限らず、可動ブレードＢＬ１の移動速度に比べて大きくてもよい。
【００７８】
また、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを退避位置から再び計測位置に挿入する際、可動ブレードＢＬ１の動作に対して落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを同期移動させてもよい。可動ブレードＢＬ１のの動作に合わせて、落射ミラー３０Ａ，３０Ｂを挿入移動させることにより、スループットの向上が図られる。落射ミラー３０Ａ，３０Ｂの挿入動作は、次のアライメント動作前に行われ、例えば、所定ロットごと、あるいはレチクル交換ごとに行われる。
【００７９】
なお、上述した実施の形態例において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、以下のような変更をも含むものとする。
【００８０】
例えば、上記実施例では、落射ミラーの移動制御について説明したが、照明ビームを遮るおそれがある他の部材についても同様の制御を行ってもよい。
【００８１】
また、上記実施例では、露光用の照明ビームをレチクルアライメント用の照明ビームに兼用しているが、レチクルアライメント用の照明ビームのための光源を別個独立に設けるようにしてもよい。
【００８２】
また、本発明が適用される露光装置は、露光用照明ビームに対してマスク（レチクル）と基板（ウエハ）とをそれぞれ相対移動する走査露光方式（例えば、ステップ・アンド・スキャン方式など）に限られるものではなく、マスクと基板とをほぼ静止させた状態でマスクのパターンを基板上に転写する静止露光方式、例えばステップ・アンド・リピート方式などでもよい。さらに、基板上で周辺部が重なる複数のショット領域にそれぞれパターンを転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置などに対しても本発明を適用することができる。また、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系、及び拡大系のいずれでもよいし、屈折系、反射屈折系、及び反射系のいずれでもよい。さらに、投影光学系を用いない、例えばプロキシミティ方式の露光装置などに対しても本発明を適用できる。
【００８３】
また、本発明が適用される露光装置は、露光用照明光としてｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ２ レーザ光、及びＡｒ２ レーザ光などの紫外光だけでなく、例えばＥＵＶ光、Ｘ線、あるいは電子線やイオンビームなどの荷電粒子線などを用いてもよい。さらに、露光用光源は水銀ランプやエキシマレーザだけでなく、ＹＡＧレーザ又は半導体レーザなどの高調波発生装置、ＳＯＲ、レーザプラズマ光源、電子銃などでもよい。
【００８４】
また、本発明が適用される露光装置は、半導体デバイス製造用に限られるものではなく、液晶表示素子、ディスプレイ装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤなど）、マイクロマシン、及びＤＮＡチップなどのマイクロデバイス（電子デバイス）製造用、露光装置で用いられるフォトマスクやレチクルの製造用などでもよい。
【００８５】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８６】
また、半導体デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行う工程、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作する工程、シリコン材料からウエハを製造する工程、前述した露光装置によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理工程、デバイス組み立て工程（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査工程等を経て製造される。
【００８７】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】半導体デバイス製造用の縮小投影型露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】レチクルアライメント顕微鏡の構成を示す図である。
【図３】レチクルマークの構成例を示す図である。
【図４】ウエハ基準マークの構成例を示す図である。
【図５】観察用カメラの受光面に同時に結像されたレチクルマーク及びウエハ基準マークの像、並びにその撮像信号（光電変換信号）を示す図である。
【図６】落射ミラー（移動部材）の退避移動の様子を模式的に示す図であり、ミラーを必要距離だけ移動させる例を示している。
【図７】落射ミラー（移動部材）の退避移動の様子を模式的に示す図であり、ミラーの移動中に露光処理を開始する例を示している。
【図８】落射ミラー（移動部材）の退避移動の様子を模式的に示す図であり、ミラーの退避移動が不要の例を示している。
【図９】落射ミラーの移動機構の変形例を示している。
【図１０】ブラインドが備える可動ブレードの動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｒ…レチクル（マスク）、Ｗ…ウエハ（基板）、ＰＬ…投影光学系、ＩＬ…照明ビーム、ＲＳＴ…レチクルステージ（マスクステージ）、ＷＳＴ…ウエハステージ（基板ステージ）、ＲＭ１、ＲＭ２…レチクルマーク（マスクマーク）、ＷＦＭ１、ＷＦＭ２、ＷＦＭ３…ウエハ基準マーク、ＷＦＢ…基準板（基準部材）、ＢＬ１，ＢＬ２…可動ブレード（可動ブラインド）、Ｐａ…計測位置、Ｐｂ…退避位置、１０…露光装置、１３…主制御装置、１３ａ…決定部、１３ｂ…算出部、１９…ブラインド（可動ブラインド）、２７…ウエハアライメントセンサ、２２Ａ、２２Ｂ…レチクルアライメント顕微鏡（観察系）、３０Ａ，３０Ｂ…落射ミラー（移動部材）。
【図１】
2006005225.tif 000003
【図２】
2006005225.tif 000004
【図３】
2006005225.tif 000005
【図４】
2006005225.tif 000006
【図５】
2006005225.tif 000007
【図６】
2006005225.tif 000008
【図７】
2006005225.tif 000009
【図８】
2006005225.tif 000010
【図９】
2006005225.tif 000011
【図１０】
2006005225.tif 000012