(57)【要約】【課題】基体表面にレジストパターンを精度よく形成するフォトレジスト塗布方法およびそのフォトレジスト塗布方法を用いたレジストパターン形成方法、さらにマスター情報担体において情報信号に対応した強磁性薄膜からなるパターンを精度よく形成することが可能なマスター情報担体の製造方法を提供する。【解決手段】基体１１の表面上にあらかじめ設定した形状の薄膜パターンを形成するための方法であって、薄膜パターンを形成するパターン形成領域１２１のフォトレジスト膜１２の膜厚を、薄膜パターンを形成しない非形成領域１２２に比べて厚く、かつ、この非形成領域１２２を基体１１の中心部から外周部に向かって連続して形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面上にあらかじめ設定した形状の薄膜パターンを形成するためのフォトレジスト塗布方法であって、
前記薄膜パターンを形成するパターン形成領域のフォトレジスト膜の膜厚を、前記薄膜パターンを形成しない非形成領域に比べて厚く、かつ前記非形成領域を前記基体の中心部から外周部に向かって連続して形成することを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
【請求項２】
前記基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを定量吐出させるとともに、前記基体および前記吐出ノズルを相対的に移動させて前記基体の表面上に前記フォトレジストを塗布することを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト塗布方法。
【請求項３】
前記吐出ノズルにより一定量の前記フォトレジストを吐出して前記フォトレジスト膜を形成するときに、前記パターン形成領域における吐出時間を前記非形成領域における吐出時間より長くすることを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト塗布方法。
【請求項４】
前記吐出ノズルにより一定量の前記フォトレジストを吐出して前記フォトレジスト膜を形成するときに、前記パターン形成領域における吐出回数を前記非形成領域における吐出回数より多くすることを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト塗布方法。
【請求項５】
前記吐出ノズルを用いて前記フォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、前記パターン形成領域では粘度の大きな前記フォトレジストを吐出し、前記非形成領域では粘度の小さな前記フォトレジストを吐出することを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト塗布方法。
【請求項６】
前記吐出ノズルを用いて前記フォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、前記基体の表面上に粘度の小さな前記フォトレジストを吐出して薄いフォトレジスト膜を形成した後、前記パターン形成領域に粘度の大きな前記フォトレジストを吐出することを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト塗布方法。
【請求項７】
前記基体を回転させながら前記フォトレジストを前記基体表面全体に均一に塗布する工程と、
前記基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルから前記フォトレジストを吐出させるとともに、前記基体および前記吐出ノズルを相対的に移動させて前記基体の前記パターン形成領域にさらに前記フォトレジストを塗布することを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト塗布方法。
【請求項８】
フォトマスクとフォトレジスト膜が形成された基体とを密着させて露光して前記フォトマスクに対応したレジストパターンを形成する方法であって、
請求項１から請求項７までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって前記基体の表面に前記フォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、
前記基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項９】
磁気記録媒体に接触させた状態で前記磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法であって、
請求項１から請求項７までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面に前記フォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、
前記ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを前記非磁性基体の表面に配置するとともに、前記非磁性基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより前記ディジタル信号に対応するレジストパターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記フォトレジスト膜を含む前記非磁性基体の表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記フォトレジスト膜とともに前記フォトレジスト膜の表面に堆積した前記強磁性薄膜を除去し、前記非磁性基体表面に前記ディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１０】
磁気記録媒体に接触させた状態で前記磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法であって、
請求項１から請求項７までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面に前記フォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、
前記ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを前記非磁性基体の表面に配置するとともに、前記非磁性基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより前記ディジタル信号に対応するレジストパターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記フォトレジスト膜をマスクにして前記非磁性基体をエッチングし、前記パターン形成領域の前記非磁性基体に前記ディジタル信号に対応するパターン形状の埋め込み溝を形成する工程と、
前記埋め込み溝を形成後、前記フォトレジスト膜を含む前記非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、
前記フォトレジスト膜とともに前記フォトレジスト膜の表面に堆積した前記強磁性薄膜を除去し、前記非磁性基体の前記埋め込み溝に前記ディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【請求項１１】
磁気記録媒体に接触させた状態で前記磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法であって、
非磁性基体表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、
請求項１から請求項７までのいずれかに記載のフォトレジスト塗布方法によって前記非磁性基体の前記強磁性薄膜表面に前記フォトレジスト膜を形成する工程と、
前記ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを前記非磁性基体の表面に配置するとともに、前記非磁性基体を保持する保持台と前記フォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、前記非形成領域を排気経路として真空排気することにより前記パターン形成領域と前記フォトマスクとを密着させ露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより前記ディジタル信号に対応するレジストパターンを前記パターン形成領域に形成する工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクにして前記強磁性薄膜をエッチングして前記ディジタル信号に対応した薄膜パターンを形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程とを有することを特徴とするマスター情報担体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空排気して密着露光を行うフォトレジスト塗布方法、レジストパターン形成方法およびディジタル信号を磁気記録媒体に転写記録するために使用するマスター情報担体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気記録再生装置は、小型でかつ大容量を実現するために、高記録密度化の開発が積極的に行われている。代表的な磁気記録再生装置であるハードディスクドライブの分野においては、すでに面記録密度が３０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２（４６．５Ｍｂｉｔ／ｍｍ２）を超える装置が商品化されており、数年後には、面記録密度が１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２（１５５Ｍｂｉｔ／ｍｍ２）の装置の実用化が予測されるほど急激に技術が進歩している。
【０００３】
このような高記録密度化を実現するための技術として、記録再生ヘッドのトラッキングサーボ技術も重要な役割を果たしている。現在の磁気記録媒体のトラッキングサーボ技術では、磁気記録媒体に一定の角度間隔でトラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等が記録（以下、「プリフォーマット記録」という）された領域を設け、磁気ヘッドが、一定間隔でこれらの信号を再生することによって、磁気ヘッドの位置を確認し、位置を修正しながらトラック上を走査している（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
トラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等は、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査するための基準信号となるものであるので、その記録時には正確な位置決め精度が要求される。このため、従来は、磁気記録媒体を専用のサーボ記録装置にセットし、厳密に位置制御された磁気ヘッドによりプリフォーマット記録を行っていた（例えば、非特許文献２参照）。
【０００５】
しかしながら、専用のサーボ記録装置を用いてプリフォーマット記録を行う従来の方法においては、以下のような課題がある。第１に、磁気ヘッドによる記録は、基本的に磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対移動に基づく線記録であるため、プリフォーマット記録に多くの時間を要する。このため、高価な専用のサーボ記録装置を多数必要とし、プリフォーマット記録のためのコストアップの要因となっていた。第２に、ヘッドと媒体との間のスペーシングや記録ヘッドのポール形状による記録磁界の広がりのため、プリフォーマット記録されたトラック端部の磁化遷移の急峻性がよくないという問題があった。磁化遷移が急峻性に欠ける場合には、正確なトラッキングサーボを行うことが困難になる。
【０００６】
磁気ヘッドを用いた上記従来のプリフォーマット記録の課題を解決する方法として、基体の表面にプリフォーマット記録の情報信号に対応する強磁性薄膜パターンが形成されているマスター情報担体を用いて一括転写する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、マスター情報担体の表面を磁気記録媒体の表面に接触させた状態で、マスター情報担体に形成された強磁性薄膜を磁化することによって、磁気記録媒体に一括してプリフォーマット記録を行う。この方法によれば、記録媒体のＳ／Ｎ比、インターフェース性能等の他の重要性能を犠牲にすることなく、良好なプリフォーマット記録が効率的に行われる。
【０００７】
マスター情報担体を用いる上記方法では、マスター情報担体に形成されたディジタル信号に対応する強磁性薄膜の形状およびパターン配列が磁気記録媒体にプリフォーマット記録される。したがって、良好な磁気信号特性を得るためにはマスター情報担体に形成された強磁性薄膜のパターンが精度よく形成されることが重要である。このパターンを精度よく形成するためには、マスター情報担体上に形成するレジストパターンの精度が非常に重要となる。
【０００８】
図９は、従来のマスター情報担体において、レジストパターンを形成する工程を示す断面図である。以下、この方法について図面にしたがって説明する。
【０００９】
図９（ａ）に示すように、非磁性基体１１００上にポジ型のフォトレジスト膜１２００を塗布する。次に、図９（ｂ）に示すように、抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスク１３００をフォトレジスト膜１２００上に配置し、紫外光１４００を照射して露光する。これにより、フォトレジスト膜１２００の抜気用凹溝となる領域部が感光する。このときの紫外光１４００の照射量は、フォトレジスト膜１２００の厚みの一部までが露光される程度としている。
【００１０】
次に、図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１２００を現像処理する。このとき、感光領域はフォトレジスト膜１２００の厚みの一部までであるため、非磁性基体１１００までは達しない状態に現像することが可能となり、フォトレジスト膜１２００に図示するような抜気用凹溝１２１０が形成される。
【００１１】
この後、図９（ｄ）に示すように、ディジタル信号パターンが形成されたフォトマスク１５００をフォトレジスト膜１２００上に配置する。このとき、非磁性基体１１００とフォトマスク１５００との間は、図示しない真空吸引装置により真空吸引する。この真空吸引をするときに、抜気用凹溝１２１０を通じて非磁性基体１１００とフォトマスク１５００との間の空気が吸引される。これにより、非磁性基体１１００の表面に形成されたフォトレジスト膜１２００のパターン形成領域１２２０とフォトマスク１５００とは、全面で強力に密着する。このように真空密着させた後、紫外光１４００を照射して露光を行う。このときに照射する紫外光１４００の露光量は、フォトレジスト膜１２００の厚みがすべて確実に感光する光量とする。
【００１２】
このような方法で露光した後、フォトレジスト膜１２００を現像処理すると、フォトマスク１５００に忠実に、かつ非磁性基体１１００まで達するディジタル信号に対応した信号用レジストパターン１６００が得られる。この状態を図９（ｅ）に示す。
【００１３】
この後、強磁性体薄膜をスパッタリング等により成膜した後、リフトオフプロセスを行い不要な強磁性体薄膜を除去する。これにより、信号用レジストパターン１６００と同じ領域に、ディジタル信号に対応した強磁性体薄膜のパターンが形成され、マスター情報担体が得られる。
【００１４】
この場合のフォトレジスト膜１２００の材料として、ミクロンメータオーダを加工することが可能な特性のレジスト材料の場合には、このような方法でパターン形成が可能である。しかし、高記録密度を実現するためには、サブミクロンメータオーダのパターンを精度よく形成することが要求されている。このような要求を満たすフォトレジスト材料として、化学増幅型のフォトレジストやｉ線フォトレジストがある。
【００１５】
化学増幅型のフォトレジスト材料を用いる場合、上記の方法では以下のような課題がある。すなわち、上記の抜気用凹溝１２１０を形成して密着させた後に露光する方法では、抜気用凹溝１２１０の形成と信号用レジストパターン１６００の形成のために露光および現像処理工程を２度行う必要がある。
【００１６】
図１０は、この化学増幅型のフォトレジストを用いて、露光、現像を２回行う場合の課題を説明するための工程断面図である。図１０（ａ）は、非磁性基体１１００上に化学増幅型レジスト膜２２００を形成した状態を示す図である。次に、図１０（ｂ）に示すように、抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスク１３００を化学増幅型レジスト膜２２００上に配置し、紫外光１４００を照射して化学増幅型レジスト膜２２００の所定の個所を露光する。このときの紫外光１４００の照射量は、化学増幅型レジスト膜２２００の厚みの一部までが露光される程度とする。
【００１７】
この後、図１０（ｃ）に示すように、化学増幅型レジスト膜２２００を現像処理すると、感光領域は化学増幅型レジスト膜２２００の厚みの一部までであるため、非磁性基体１１００までは達しない状態に現像することが可能となり、図示するような抜気用凹溝２２１０が形成され、その他の領域はパターン形成領域２２２０となる。
【００１８】
次に、図１０（ｄ）に示すように、ディジタル信号パターンが形成されたフォトマスク１５００を化学増幅型レジスト膜２２００上に配置し、上記と同じような方法で真空密着させた後、紫外光１４００を照射して露光を行う。このときに照射する紫外光１４００の露光量は、化学増幅型レジスト膜２２００の厚みがすべて確実に感光する光量とする。
【００１９】
このような方法で露光した後、化学増幅型レジスト膜２２００を現像処理すると、パターン形成領域２２２０にはフォトマスク１５００に忠実に、かつ非磁性基体１１００まで達するディジタル信号に対応した信号用レジストパターン２２６０が得られる。しかし、抜気用凹溝２２１０の下部に存在する残留レジスト膜２２４０も、この現像処理時に酸触媒の作用により溶解してしまう。この結果、図１０（ｅ）に示すように、非磁性基体１１００まで達する凹溝２２１５となってしまう。
【００２０】
このように抜気用凹溝２２１０が非磁性基体１１００まで達すると、強磁性薄膜を形成した後、リフトオフプロセスを行うことができなくなる。すなわち、リフトオフを行っても抜気用凹溝２２１０に強磁性体薄膜が残るため、ディジタル信号に対応した強磁性体薄膜パターンを有するマスター情報担体を作製することができなくなる。
【００２１】
さらに、ｉ線フォトレジストを用いた場合、抜気用凹溝の下部に存在する残留レジスト膜の両端部でパターンの異常が生じる。これを図１１および図１２を用いて説明する。
【００２２】
図１１は、抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスク１３００を用いて、ｉ線フォトレジストからなるフォトレジスト膜３２００に紫外光１４００を照射するときに、遮蔽部のエッジで回折と干渉が生じて光強度分布が変化することを説明するための模式図である。また、図１２は、図１１に示すような露光を受けたときに抜気用凹溝の両端部に角状の溝が形成されることを説明するための断面模式図である。
【００２３】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、紫外光１４００は、フォトマスク１３００の遮蔽部（図面中、Ａ〜Ｂの領域およびＣ〜Ｄの領域）と光透過部（図面中、Ｂ〜Ｃの領域）とのエッジ部Ｂ、Ｃでは、光透過部よりも大きな光強度を有する領域が局所的に生じる。
【００２４】
このため、エッジ部Ｂ、Ｃを除く光透過部が、フォトレジスト膜３２００の厚みの一部のみが露光される条件とした場合であっても、このエッジ部Ｂ、Ｃでは露光量が大きくなる。この結果、現像処理すると、抜気用凹溝３２１０の下部のフォトレジスト膜３２００の両端部のみに図１２に示すような角状の溝３２４０が形成される。
【００２５】
図１２（ａ）、（ｂ）は、非磁性基体１１００の表面に形成されたｉ線フォトレジストからなるフォトレジスト膜３２００に対して抜気用凹溝３２１０とパターン形成領域３２２０を形成したときに生じる角状の溝３２４０の発生状態を示す図である。図１２に示すように、抜気用凹溝３２１０のフォトレジスト膜３２００の両端部に鋭く深い角状の溝３２４０が生じる。したがって、より微細なディジタル信号パターンを形成するために、フォトレジスト膜３２００の膜厚を薄くすることができなくなる。膜厚を薄くすると、残留レジスト膜３２６０の両端のエッジ部の角状の溝３２４０が非磁性基体１１００の表面にまで達する。この角状の溝３２４０が非磁性基体１１００の表面まで達すると、強磁性体薄膜を形成した後のリフトオフプロセスができなくなる。すなわち、リフトオフプロセスを行っても、この角状の溝３２４０の部分の強磁性体薄膜が残存してしまい、マスター情報担体を作製できなくなる。
【００２６】
このような理由から、ｉ線フォトレジストを用いた場合にフォトレジスト膜３２００を薄くすることができない。また、通常の厚みで微細なディジタル信号パターンのレジストパターンを形成しようとすると、フォトレジスト膜が厚いために倒れる等のパターン不良が生じやすい。また、このエッジ部の角状の溝３２４０が形成されるために、抜気用凹溝３２１０の深さを大きくすることもできない。したがって、この抜気用凹溝３２１０の排気のコンダクタンスが小さくなり、ディジタル信号パターンが形成されたフォトマスク１３００をフォトレジスト膜３２００に充分に密着させることが困難となるという課題があった。
【００２７】
以上のように、サブミクロンメータオーダのパターンの形成が可能な化学増幅型レジスト等を従来の方法では用いることができず、このために光源の波長とレジスト材料特性との整合がとれず、微細化ができなかった。
【特許文献１】特開平１０−４０５４４号公報
【非特許文献１】山口：磁気ディスク装置の高精度サーボ技術、日本応用磁気学会誌、Ｖｏｌ．２０，Ｎｏ．３，ｐｐ７７１，１９９６
【非特許文献２】植松、他：メカ・サーボ、ＨＤＩ技術の現状と展望、日本応用磁気学会第９３回研究会資料、９３−５，ｐｐ．３５，１９９６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
上記したように、従来の化学増幅型フォトレジストやｉ線フォトレジストを用いてレジストパターンを形成する場合には、抜気用凹溝が非磁性基体まで到達してしまい、強磁性体薄膜の所定のパターンを形成できなくなる、あるいは抜気用凹溝の両端のエッジ部に角状の溝が形成される等のパターン異常が生じる。このために、微細なレジストパターンを精度よく形成できなかった。
【００２９】
上記課題を解決するために本発明は、基体表面にレジストパターンを精度よく形成するフォトレジスト塗布方法およびそのフォトレジスト塗布方法を用いたレジストパターン形成方法、さらにマスター情報担体において情報信号に対応した強磁性薄膜からなるパターンを精度よく形成することが可能なマスター情報担体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
上記課題を解決するために、本発明のフォトレジスト塗布方法は、基体の表面上にあらかじめ設定した形状の薄膜パターンを形成するための方法であって、薄膜パターンを形成するパターン形成領域のフォトレジスト膜の膜厚を、薄膜パターンを形成しない非形成領域に比べて厚く、かつ、この非形成領域を基体の中心部から外周部に向かって連続して形成する方法からなる。
【００３１】
この方法により、基体の表面には薄膜パターンを形成しない非形成領域が基体の中心部から外周部まで連続して形成されるので、フォトマスクと基体とを真空密着させて露光する場合に、この非形成領域が抜気用凹溝として作用し、フォトマスクと基体の表面に形成されたフォトレジスト膜のパターン形成領域とを全面にわたって均一に密着させることができる。この結果、高精度で、かつ微細な形状のレジストパターンを形成できる。
【００３２】
また、上記方法において、基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを定量吐出させるとともに、基体および吐出ノズルを相対的に移動させて基体の表面上にフォトレジストを塗布してもよい。
【００３３】
さらに、この場合に、吐出ノズルにより一定量のフォトレジストを吐出してフォトレジスト膜を形成するときに、パターン形成領域における吐出時間を非形成領域における吐出時間より長くしてもよい。または、パターン形成領域における吐出回数を非形成領域における吐出回数より多くしてもよい。
【００３４】
さらに、吐出ノズルを用いてフォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、パターン形成領域では粘度の大きなフォトレジストを吐出し、非形成領域では粘度の小さなフォトレジストを吐出する方法としてもよい。
【００３５】
また、吐出ノズルを用いてフォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、基体の表面上に粘度の小さなフォトレジストを吐出して薄いフォトレジスト膜を形成した後、パターン形成領域に粘度の大きなフォトレジストを吐出する方法としてもよい。
【００３６】
あるいは、基体を回転させながらフォトレジストを基体表面全体に均一に塗布する工程と、基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを吐出させるとともに、基体および吐出ノズルを相対的に移動させて基体のパターン形成領域にさらにフォトレジストを塗布する方法としてもよい。
【００３７】
このような方法とすることにより、基体の任意の位置のパターン形成領域に所定の厚みを有するフォトレジスト膜を容易に形成できる。例えば、粘度の異なるフォトレジストを用いれば、粘度の大きなフォトレジストが吐出された領域では厚く、粘度の小さなフォトレジストが吐出された領域では薄いフォトレジスト膜を形成することができる。また、例えば吐出ノズルとしてインクジェットヘッドを用い、インクジェットヘッドからレジスト液を吐出する場合、インクジェットヘッドからのレジスト吐出時間を長くする、あるいは吐出回数を多くする、あるいはフォトレジストの粘度を大きくしてもよい。このようにすれば、所定のパターン形成領域のみに容易に厚く形成することができる。
【００３８】
また、基体の表面に通常のスピンコート法で薄いフォトレジスト膜を形成後、インクジェットヘッドを用いてパターン形成領域となるべき領域にさらにフォトレジストを塗布すれば、パターン形成領域のみ所定の厚みにすることができる。このように、レジスト塗布時に非形成領域を形成するため、種々のフォトレジスト材料を用いることができる。また、フォトレジスト膜厚を精密に制御することもできるため、パターン形成領域の厚みと非形成領域の厚みの制御も容易にできる。さらに、従来のように２度の露光と現像を行わないので、化学増幅型フォトレジストやｉ線フォトレジストを用いても、パターン異常が生じることがなくなる。
【００３９】
また、本発明のレジストパターン形成方法は、フォトマスクとフォトレジスト膜が形成された基体とを密着させて露光してフォトマスクに対応したレジストパターンを形成する方法であって、上記のフォトレジスト塗布方法によって基体の表面にフォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程とを有する方法からなる。
【００４０】
この方法により、フォトレジスト膜のパターン形成領域とフォトマスクとの真空密着露光が容易に可能となる。すなわち、基体の表面に形成したフォトレジスト膜において、非形成領域はパターン形成領域に比べて凹状になっているので、この領域を抜気用凹溝として真空排気することにより、パターン形成領域とフォトマスクとの間を高密着状態にできる。このように、高密着状態としてからパターン形成領域に対してフォトマスクを介して露光を行うと、光の回り込みを防ぐことができる。この結果、光の回折により生じるパターン不良を回避でき、レジストパターンを精度よく形成することができる。
【００４１】
また、本発明の磁気記録媒体に接触させた状態で磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法は、上記のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面にフォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを非磁性基体の表面に配置するとともに、非磁性基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程と、フォトレジスト膜を現像することによりディジタル信号に対応するレジストパターンをパターン形成領域に形成する工程と、レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜を含む非磁性基体の表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、フォトレジスト膜とともにフォトレジスト膜の表面に堆積した強磁性薄膜を除去し、非磁性基体表面にディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有する方法からなる。
【００４２】
また、本発明の磁気記録媒体に接触させた状態で磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法は、上記のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の表面にフォトレジスト膜を形成するためのレジスト塗布工程と、ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを非磁性基体の表面に配置するとともに、非磁性基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程と、フォトレジスト膜を現像することによりディジタル信号に対応するレジストパターンをパターン形成領域に形成する工程と、レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクにして非磁性基体をエッチングし、パターン形成領域の非磁性基体にディジタル信号に対応するパターン形状の埋め込み溝を形成する工程と、埋め込み溝を形成後、フォトレジスト膜を含む非磁性基体の表面に強磁性薄膜を堆積する工程と、フォトレジスト膜とともにフォトレジスト膜の表面に堆積した強磁性薄膜を除去し、非磁性基体の埋め込み溝にディジタル信号に対応した強磁性薄膜パターンを形成する工程とを有する方法からなる。
【００４３】
さらに、本発明の磁気記録媒体に接触させた状態で磁気記録媒体にディジタル信号を記録するマスター情報担体の製造方法は、非磁性基体表面上に強磁性薄膜を堆積する工程と、上記のフォトレジスト塗布方法によって非磁性基体の強磁性薄膜表面にフォトレジスト膜を形成する工程と、ディジタル信号に対応するパターンが形成されたフォトマスクを非磁性基体の表面に配置するとともに、非磁性基体を保持する保持台とフォトマスクとで形成される空間を気密状態とした後、非形成領域を排気経路として真空排気することによりパターン形成領域とフォトマスクとを密着させ露光する工程と、フォトレジスト膜を現像することによりディジタル信号に対応するレジストパターンをパターン形成領域に形成する工程と、フォトレジスト膜をマスクにして強磁性薄膜をエッチングしてディジタル信号に対応した薄膜パターンを形成する工程と、フォトレジスト膜を除去する工程とを有する方法からなる。
【００４４】
このような方法により、強磁性薄膜からなる薄膜パターンをリフトオフプロセスやエッチングプロセスにより高精度で形成することができる。さらに、非磁性基体に薄膜パターンを埋め込むこともできる。
【００４５】
なお、非磁性基体の面上に強磁性薄膜を堆積させる方法としては、例えばスパッタリング法や蒸着法等を用いることができる。また、強磁性薄膜のエッチングとしては、リアクティブイオンエッチング法やイオンミリング法を用いることが好適である。
【００４６】
また、本発明のフォトレジスト塗布方法によれば、種々のレジスト材料を用いることができ、かつフォトレジスト膜厚を精密に制御することができる。このため、パターン形成領域と非形成領域との厚みの高精度の制御も可能となり、したがってレジストパターンを精度よく形成することができる。さらに、高密着状態でのパターン露光が可能となり、光の回り込みを防ぐことができ、パターン不良を回避でき、レジストパターンを精度よく形成することができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明のフォトレジスト塗布方法およびレジストパターン形成方法を用いれば、フォトマスクとフォトレジスト膜のパターン形成領域との密着を非常に高めることができるので、例えばサブミクロンの形状の情報信号を表すレジストパターンであっても高精度に形成することができる。したがって、高記録密度が要求されるマスター情報担体も容易に製造することができる。このように、サブミクロンが要求されるレジストパターンを高精度で、かつ容易に形成できるという大きな効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００４９】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかるフォトレジスト塗布方法において用いる塗布装置の構成例を模式的に示す図である。フォトレジスト塗布装置は、基体１１を保持する保持台２、基体移動機構（図示せず）、吐出ノズル３、吐出ノズル３にフォトレジスト５を供給するレジスト供給部４、基体１１や吐出ノズル３およびレジスト供給部４等の動作を制御する制御部（図示せず）により構成されている。
【００５０】
基体１１および吐出ノズル３を移動させる駆動手段としては、種々のものを用いることが可能であり、例えば、ステッピングモータ等を用いた駆動機構でもよい。また、吐出ノズル３としては、インクジェットヘッドや描画用のノズル等、フォトレジストのような液体を定量吐出できる構成を有するものであれば、特に制約なく使用することができる。なお、インクジェットヘッドを用いる場合には、例えばＰＺＴからなる圧電体素子が振動板を振動させ、その振動によりレジストを吐出させる圧電体方式を用いてもよい。この方法では、基体１１としては、図１に示すような円盤状には限定されず四角形状等であってもよい。
【００５１】
図２は、図１に示すフォトレジスト塗布装置を用いて円盤状の基体１１の表面にフォトレジスト膜１２を形成した状態を模式的に示す部分斜視図である。図１、図２に示すように、図示しない基体移動機構により保持台２に固定された円盤状の基体１１を矢印９０に示すように移動させるとともに吐出ノズル３を矢印９２に示すように移動させる。この移動中にレジスト供給部４からフォトレジスト５を供給し、吐出ノズル３からフォトレジスト５を吐出させると、基体１１の表面のあらかじめ設定したパターン形成領域１２１が厚く、それらではさまれた非形成領域１２２が薄いフォトレジスト膜１２が得られる。
【００５２】
この場合、フォトレジスト５を吐出するタイミングや吐出量は、図示しない制御部で制御される。例えば、図２に示すパターン形成領域１２１を形成するときのフォトレジスト吐出回数を非形成領域１２２での吐出回数より多くする、あるいは、吐出時間を長くすれば、この領域のフォトレジストを厚くすることができる。
【００５３】
なお、吐出ノズルを用いてフォトレジストを定量吐出する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、パターン形成領域では粘度の大きなフォトレジストを吐出し、非形成領域では粘度の小さなフォトレジストを吐出するようにしてもよい。この場合には、高粘度のフォトレジストと低粘度のフォトレジストとで、それぞれ異なる吐出ノズルを用いることが望ましい。
【００５４】
また、吐出ノズルを用いてフォトレジストを塗布する場合に、それぞれ異なる粘度に調整されたフォトレジストを用いて、基体の表面上に粘度の小さなフォトレジストを吐出して薄いフォトレジスト膜を形成した後、パターン形成領域に粘度の大きなフォトレジストを吐出するようにしてもよい。
【００５５】
さらに、基体を回転させながらフォトレジストを基体表面全体に均一に塗布する工程と、基体の表面に対して一定の距離を保持しながら吐出ノズルからフォトレジストを吐出させるとともに、基体および吐出ノズルを相対的に移動させて基体のパターン形成領域にさらにフォトレジストを塗布することで、パターン形成領域が厚く、非形成領域が薄いフォトレジスト膜を形成することもできる。
【００５６】
このような塗布方法により、基体１１上の局所的な領域に所望のフォトレジスト材料を所望の条件で細密に塗布することが可能となる。また、それぞれの領域にそれぞれに適した膜厚のフォトレジスト膜を形成できる。さらに、この形成に対してフォトレジスト材料の制約がないので、プロセスに最適なレジスト材料を用いることができる。
【００５７】
また、本発明のフォトレジスト塗布方法においては、吐出ノズルは１個に限定されることはなく、複数個の吐出ノズルを用いることも可能である。複数個の吐出ノズルを用いることで、同時に複数の領域にフォトレジストを塗布することや、粘度の異なるフォトレジスト材料の使用も可能となる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、基体を円盤状としたが本発明はこれに限定されない。例えば、四角形の平板でもよく、形状には限定されない。
【００５９】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態にかかるレジストパターン形成方法の概要を説明する断面図である。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明したフォトレジスト塗布方法を用いて図２に示すような円盤状の基体１１の表面にパターン形成領域１２１と非形成領域１２２とを有するフォトレジスト膜１２に対して所定のレジストパターンを形成する場合について説明する。
【００６０】
図３（ａ）は、第１の実施の形態のフォトレジスト塗布方法を用いて、基体１１の表面上に凹凸を有するフォトレジスト膜１２を形成した状態の断面図である。すなわち、本実施の形態では、フォトレジスト膜１２に微細パターンを形成しない非形成領域が凹溝となるようにしてあり、この領域が抜気用凹溝１２２となる。なお、抜気用凹溝１２２の両側は微細なパターンを形成するパターン形成領域１２１であり、フォトレジストは厚く形成されている。なお、抜気用凹溝１２２の下部にはフォトレジスト膜があり、有底の形状とされている。このような形状のフォトレジスト膜１２の作製においては、従来方式と異なりフォトリソプロセスを全く必要としない。
【００６１】
次に、図３（ｂ）に示すように、基体ホルダー７１の上に基体１１を配置し、さらに所定の微細なパターン１５１が形成されているフォトマスク１５を基体１１の表面のフォトレジスト膜１２に接触させる。この場合、フォトマスク１５の微細パターン１５１が形成されている領域が、フォトレジスト膜１２のパターン形成領域１２１上に位置するようにマスク合わせを行う。
【００６２】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク１５の外周領域と基体ホルダー７１の外周領域との間に、例えばシールゴム７２をはさみ、フォトマスク１５と基体ホルダー７１との間の空間を密閉する。このようにした後、基体ホルダー７１に設けた排気孔７１１を介して図示しない真空ポンプにより真空排気する。この真空排気において、フォトレジスト膜１２の抜気用凹溝１２２が空気の流路となるのでフォトレジスト膜１２とフォトマスク１５との間は、全体が均一に真空排気される。この結果、フォトマスク１５とパターン形成領域１２１とは、全面にわたって均一に、かつ良好な密着をさせることができる。このような密着状態とした後に、紫外光１４を照射して露光する。
【００６３】
露光後、基体１１を取り出し、現像すれば、フォトマスク１５に忠実に、かつ微細な形状のレジストパターン１６を形成することができる。このようにしてレジストパターン１６を形成した状態を図３（ｄ）に示す。
【００６４】
このようなレジストパターン形成方法とすることにより、抜気用凹溝１２２により空気の流路ができ、全面にわたって均一な真空引きができるので、パターン形成領域１２１に対するフォトマスク１５の密着性を大きく、かつ均一にすることができる。その結果、紫外光１４を照射したときに、回折等による光の回り込みを防ぐことができ、微細なパターン形状であっても高精度に形成することが可能となる。
【００６５】
（第３の実施の形態）
本実施の形態では、上記のフォトレジスト塗布方法およびレジストパターン形成方法を用いてマスター情報担体を製造する方法について説明する。
【００６６】
初めに、マスター情報担体の概略について説明を行う。図４は、マスター情報担体２０を模式的に示した平面図である。このマスター情報担体２０は、ハードディスクに信号を記録するために用いられるものの一例である。マスター情報担体２０は、非磁性基体２２の一主面に、図示するように中心部から放射状に信号領域２４が形成されている。信号領域２４のパターン形状の模式図を図５に示す。なお、図５は、図４の点線で囲んだ部分Ａの拡大図であり、サーボ信号を記録する場合の一例である。図５に示すように、信号領域２４には、磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号に対応する位置に、マスター情報パターンとしての強磁性薄膜２６が所定の形状に形成されている。このマスター情報パターンとしては、トラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号等がある。図５において、ハッチングを施した部分が強磁性薄膜２６によって形成された部分である。
【００６７】
図５には、マスター情報担体２０の径方向（すなわち、トラック幅方向）に１０トラック分のマスター情報パターンを示している。なお、参考のため、マスター情報パターンが磁気記録媒体に転写記録された後、磁気記録媒体上でデータ領域となるトラック部分を一点鎖線によって示している。
【００６８】
磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号に対応して、マスター情報担体２０の信号領域２４には、周方向において一定角度毎に、かつ径方向には全記録トラック分、図５に示すようなマスター情報パターンが形成されている。
【００６９】
マスター情報パターンがサーボパターンである場合には、例えば図５に示されるように、クロック信号、トラッキング用サーボ信号、アドレス情報信号等の各々の領域をトラック長さ方向に順次配列して構成されている。なお、図４および図５は一例であり、磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号に応じてマスター情報パターンの構成や配置等は適宜変更してもよい。また、マスター情報担体２０に用いる非磁性基体２２としては、例えばガラス基板、プラスチック基板、Ｓｉ基板等を用いることができる。
【００７０】
強磁性薄膜２６は強磁性材料からなり、磁気記録媒体に信号を転写記録できるものであればよい。例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ合金等を用いることができる。上述したように、強磁性薄膜２６は、磁気記録媒体に記録されるディジタル情報信号（例えば、プリフォーマット記録）に対応する位置に形成されている。
【００７１】
次に、上記のマスター情報担体の製造方法の一例について説明する。図６は、上記構成のマスター情報担体の製造方法の一例を説明するための主要工程の断面図である。
【００７２】
図６（ａ）に示すように、円盤状の非磁性基体２２の表面上に第１の実施の形態で説明したフォトレジスト塗布方法により、フォトレジスト膜２８を塗布する。この場合、信号領域２４となるパターン形成領域２８１のフォトレジスト膜２８の厚みは抜気用凹溝２８２より厚く形成する。この抜気用凹溝２８２は、図４からわかるように非磁性基体２２の中心部から外周部にかけて連続的に形成されており、真空密着するときの空気の流路となる。なお、この抜気用凹溝２８２は非形成領域である。
【００７３】
次に、図６（ｂ）に示すように、ディジタル信号に対応するパターン３０２が形成されたフォトマスク３０を非磁性基体２２のフォトレジスト膜２８上に配置し、ディジタル信号に対応するパターン３０２をフォトレジスト膜２８のパターン形成領域２８１に位置合わせする。なお、このパターン３０２は、ディスク状磁気記録媒体（ハードディスク）に磁気転写すべきトラッキングサーボ等のための情報信号等のディジタル信号に対応したパターンからなる。
【００７４】
このように配置した後、第２の実施の形態で説明したレジストパターン形成方法に基づき、フォトマスク３０の外周部と図示しない基体ホルダーの外周部とを、例えばシールゴムではさみ、フォトマスク３０と基体ホルダーとの間の空間を密閉する。このようにした後、基体ホルダーに設けた排気孔を介して図示しない真空ポンプにより真空排気する。この真空排気において、フォトレジスト膜２８の抜気用凹溝２８２が空気の流路となるのでフォトレジスト膜２８とフォトマスク３０との間は、全体が均一に真空排気される。この結果、フォトマスク３０とパターン形成領域２８１とは、全面にわたって均一に、かつ良好な密着をさせることができる。このような密着状態とした後に、紫外光３２を照射して露光する。
【００７５】
露光後、非磁性基体２２を取り出し、現像すれば、フォトマスク３０に忠実に、かつ微細な形状のレジストパターン２８４を形成することができる。このようにしてレジストパターン２８４を形成した状態を図６（ｃ）に示す。
【００７６】
このようなレジストパターン形成方法とすることにより、抜気用凹溝２８２により空気の流路ができ、全面にわたって均一な真空引きができるので、パターン形成領域２８１に対するフォトマスク３０の密着性を大きく、かつ均一にすることができる。その結果、紫外光３２を照射したときに、回折等による光の回り込みを防ぐことができ、微細なパターン形状であっても高精度に形成することが可能となる。なお、レジストパターン２８４は、図５に示す強磁性薄膜２６のパターンが形成される領域においては、非磁性基体２２の表面が露出している。
【００７７】
次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜２８を含め非磁性基体２２の表面に強磁性薄膜２６を堆積する。
【００７８】
この後、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜２８を有機溶剤等の現像液あるいは溶解液を用いて溶解することで、フォトレジスト膜２８の表面に付着した強磁性薄膜２６が除去される。この方法は一般的にリフトオフとよばれる方法である。
【００７９】
以上により、非磁性基体２２の信号領域２４に強磁性薄膜２６からなる情報信号に対応したパターン形状を有するマスター情報担体２０が得られる。
【００８０】
本実施の形態によれば、抜気用凹溝２８２を介しての真空引きにより、パターン形成領域２８１とフォトマスク３０との密着を強力なものとした状態で、フォトレジスト膜２８を紫外光３２で露光するので、露光における光の回り込みを確実に防止することができる。この結果、レジストパターン２８４は、側壁テーパー等が発生せず、フォトマスク３０のディジタル信号に対応するパターン３０２に忠実な形状を得ることができる。したがって、微細で、かつ高精度な強磁性薄膜２６のパターンが得られ、従来に比べて高密度記録に対応可能なマスター情報担体を製造することができる。
【００８１】
図７は、本実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第１の変形例の方法を説明する主要工程の断面図である。
【００８２】
図７（ａ）に示すように、円盤状の非磁性基体２２の表面上に強磁性薄膜２６を堆積する。
【００８３】
次に、図７（ｂ）に示すように、この強磁性薄膜２６の表面上に第１の実施の形態のフォトレジスト塗布方法により、パターン形成領域３４１が厚く、抜気用凹溝３４２が薄いフォトレジスト膜３４を形成する。この抜気用凹溝３４２は非形成領域である。
【００８４】
次に、図７（ｃ）に示すように、ディジタル信号に対応するパターン３６１が形成されたフォトマスク３６を非磁性基体２２のフォトレジスト膜３４上に配置し、ディジタル信号に対応するパターン３６１をフォトレジスト膜３４のパターン形成領域３４１に位置合わせする。なお、この第１の変形例の場合には、フォトマスク３６のディジタル信号に対応するパターン３６１は、図６で説明したフォトマスク３０とは逆パターンの関係となる。
【００８５】
このように配置してから、本実施の形態と同様にフォトレジスト膜３４の外周部から抜気用凹溝３４２を介して真空引きを行う。これにより、フォトマスク３６とフォトレジスト膜３４のパターン形成領域３４１との密着性を充分に大きくする。この強力な密着状態で、露光する。
【００８６】
露光後、非磁性基体２２を取り出し、現像すれば、フォトマスク３６に忠実に、かつ微細な形状のレジストパターン３４４を形成することができる。このようにしてレジストパターン３４４を形成した状態を図７（ｄ）に示す。フォトマスク３６のパターン３６１に対応した位置にレジストパターン３４４が形成されている。
【００８７】
次に、図７（ｅ）に示すように、レジストパターン３４４をマスクとして強磁性薄膜２６をエッチングする。エッチング方法としては、例えば、イオンミリング法やリアクティブイオンエッチング法等を用いることができる。
【００８８】
次いで、図７（ｆ）に示すように、レジストパターン３４４を、有機溶剤等の現像液や溶解液を用いて溶解し除去する。これにより、非磁性基体２２の信号領域２４に強磁性薄膜２６からなる情報信号に対応したパターン形状を有するマスター情報担体が得られる。
【００８９】
この第１の変形例によれば、抜気用凹溝３４２を介しての真空引きにより、パターン形成領域３４１とフォトマスク３６との密着を強力なものとした状態で露光するので、露光における光の回り込みを確実に防止することができる。この結果、レジストパターン３４４には、側壁テーパー等が発生せず、フォトマスク３６のディジタル信号に対応するパターン３６１に忠実な形状を得ることができる。したがって、微細で、かつ高精度な強磁性薄膜２６のパターンが得られ、従来に比べて高密度記録に対応可能なマスター情報担体を製造することができる。
【００９０】
図８は、本実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第２の変形例の方法を説明する主要工程の断面図である。
【００９１】
図８（ａ）から図８（ｃ）までは、図６（ａ）から図６（ｃ）までと同じであるので説明を省略する。
【００９２】
図８（ｃ）に示すように、ディジタル信号に対応したレジストパターン２８４を形成後、非磁性基体２２をエッチング装置に配置し、図８（ｄ）に示すようにレジストパターン２８４をマスクにして、非磁性基体２２を所定量エッチングする。このエッチングにより、非磁性基体２２には情報信号に対応したパターンを有する埋め込み用凹部２２１が形成される。
【００９３】
次に、図８（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜２８を含む非磁性基体２２の表面に強磁性薄膜２６を堆積する。
【００９４】
次に、図８（ｆ）に示すように、リフトオフプロセスにより不要な強磁性薄膜を除去する。すなわち、フォトレジスト膜２８を有機溶剤等の現像液あるいは溶解液を用いて溶解することで、フォトレジスト膜２８の表面に付着した強磁性薄膜２６を同時に除去する。
【００９５】
以上により、非磁性基体２２の信号領域２４に強磁性薄膜２６からなる情報信号に対応したパターン形状が埋め込まれたマスター情報担体が得られる。
【００９６】
この第２の変形例の製造方法によれば、抜気用凹溝２８２を介しての真空引きにより、パターン形成領域２８１とフォトマスク３０との密着を強力なものとした状態で露光するので、露光における光の回り込みを確実に防止することができる。この結果、レジストパターン２８４には、側壁テーパー等が発生せず、フォトマスク３０のディジタル信号に対応するパターン３０２に忠実な形状を得ることができる。したがって、微細で、かつ高精度な強磁性薄膜２６のパターンが得られ、従来に比べて高密度記録に対応可能なマスター情報担体を製造することができる。しかも、この方法においては、情報信号に対応したパターン形状の強磁性薄膜２６は、非磁性基体２２に埋め込んだ状態で形成できるので、長寿命のマスター情報担体を実現することもできる。
【００９７】
上記の製造方法で作製したマスター情報担体を用いて磁気記録媒体にプリフォーマット記録した後、磁気記録媒体に記録された信号をヘッドにより読み取り、信号の評価を行った。その結果、強磁性薄膜のパターンの線幅が０．３μｍまで設計通りの信号が記録されていることを確認した。一方、従来方法で作製したマスター情報担体の場合には、パターンの線幅を０．５μｍとすると設計通りの再生信号が得られなかった。
【００９８】
以上、本発明の実施の形態の製造方法について変形例を含めて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づいた他の実施の形態に適用することができる。
【００９９】
例えば、上記実施の形態では、主にハードディスクドライブ等に搭載される磁気記録媒体にディジタル情報信号を転写記録するためのマスター情報担体について説明したが、本発明のマスター情報担体はフレキシブル磁気ディスク、磁気カードおよび磁気テープ等の磁気記録媒体に対して応用することもできる。
【０１００】
また、上記実施の形態では、磁気記録媒体に記録される情報信号が、トラッキング用サーボ信号やアドレス情報信号、再生クロック信号等からなるプリフォーマット信号である場合について説明したが、他の情報信号の記録にも本発明のマスター情報担体を用いることができる。例えば、本発明のマスター情報担体を用いて様々なデータ信号やオーディオ、ビデオ信号の記録を行うことも可能である。この場合には、本発明のマスター情報担体と、これを用いた磁気記録媒体への記録技術によって、ソフトディスク媒体の大量複写生産を行うことができ、ソフトディスク媒体を安価に提供することが可能である。
【０１０１】
また、半導体や光ディスク等のパターン形成方法のプロセスとしても適用が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明のフォトレジスト塗布方法、レジストパターン形成方法およびそれを用いたマスター情報担体の製造方法は、基体表面にレジストパターンを精度よく形成することが可能で、かつこのフォトレジスト塗布方法を用いたレジストパターン形成方法により情報信号に対応した強磁性薄膜のパターンを精度よく形成することが可能であり、磁気記録分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるフォトレジスト塗布方法において用いる塗布装置の構成例を模式的に示す図
【図２】同実施の形態において、円盤状の基体の表面にフォトレジスト膜を形成した状態を模式的に示す部分斜視図
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかるレジストパターン形成方法の概要を説明する断面図
【図４】本発明の第３の実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法におけるマスター情報担体を模式的に示した平面図
【図５】同実施の形態において、信号領域のパターン形状の模式図
【図６】同実施の形態におけるマスター情報担体の製造方法の一例を説明するための主要工程の断面図
【図７】同実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第１の変形例の方法を説明する主要工程の断面図
【図８】同実施の形態にかかるマスター情報担体の製造方法の第２の変形例の方法を説明する主要工程の断面図
【図９】従来のマスター情報担体において、レジストパターンを形成する工程を示す断面図
【図１０】化学増幅型のフォトレジストを用いて、露光、現像を２回行う場合の課題を説明するため工程断面図
【図１１】抜気用凹溝を形成するためのパターンが形成されたフォトマスクを用いて、ｉ線フォトレジストからなるフォトレジスト膜に紫外光を照射するときに、遮蔽部のエッジで回折と干渉が生じて光強度分布が変化することを説明するための模式図
【図１２】図１１に示すような露光を受けたときに抜気用凹溝の両端部に角状の溝が形成されることを説明するための断面模式図
【符号の説明】
【０１０４】
２    保持台
３    吐出ノズル
４    レジスト供給部
５    フォトレジスト
１１    基体
１２，２８，３４，１２００，３２００    フォトレジスト膜
１４，３２，１４００    紫外光
１５，３０，３６，１３００，１５００    フォトマスク
１６，２８４，３４４    レジストパターン
２０    マスター情報担体
２２，１１００    非磁性基体
２４    信号領域
２６    強磁性薄膜
７１    基体ホルダー
７２    シールゴム
１２１，２８１，３４１，１２２０，２２２０，３２２０    パターン形成領域
１２２，２８２，３４２，１２１０，２２１０，３２１０    抜気用凹溝（非形成領域）
１５１，３０２，３６１    パターン
２２１    埋め込み用凹部
７１１    排気孔
１６００，２２６０    信号用レジストパターン
２２００    化学増幅型レジスト膜
２２１５    凹溝
２２４０，３２６０    残留レジスト膜
３２４０    角状の溝
【図１】
2006192399.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006192399.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006192399.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2006192399.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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