(57)【要約】  【課題】インナチューブを常に適正に設置できるようにする。  【解決手段】アウタチューブ１２と、アウタチューブ１２内に設置されたインナチューブ１３と、インナチューブ１３が設置されるインナチューブ設置部１７が突設された炉口フランジ１５と、炉口フランジ１５の下面を閉塞するシールキャップ２３と、シールキャップ２３が支持したボート３０を昇降させるボートエレベータ６とを備えているＣＶＤ装置において、インナチューブ１３をインナチューブ設置部１７に設置するための位置合わせ治具４０を装備する。位置合わせ治具４０は固定プレート５４と可動プレート５７とを有するセンタプレート５３を備えており、固定プレート５４と可動プレート５７とをスプリング５９によって連結する。センタプレートをインナチューブにスプリングの弾発力で嵌入できるので、インナチューブを予め設定された一定のセット位置に設置できる。  【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱するヒータユニットと、前記ヒータユニット内に設置されたアウタチューブと、前記アウタチューブ内に設置されたインナチューブと、前記アウタチューブが載置され側面に前記インナチューブが載置されるインナチューブ設置部が突設された炉口フランジと、前記炉口フランジの下面を閉塞し、かつ、ボートが載置されるシールキャップとを備えており、
基部と前記基部に対して弾性体を介して設けられた可動部とからなる位置合わせ治具が、前記シールキャップに設けられ、
前記位置合わせ治具の基部は前記シールキャップに対して相対的に移動しないように設けられ、
前記位置合わせ治具の可動部が前記シールキャップと相対的に移動して、前記インナチューブの内周面を押圧して前記インナチューブの平面方向の位置を合わせてから前記インナチューブ設置部に設置されることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法に使用されるＣＶＤ装置や拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の熱処理装置（furnace ）に利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコンおよびポリシリコン等のＣＶＤ膜を形成するのに、バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に処理ガスとしての成膜ガスを供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、ボートエレベータによって昇降されて処理室の炉口を開閉するシールキャップと、シールキャップの上に垂直に設置されて複数枚のウエハを保持するボートとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入（ボートローディング）され、シールキャップによって炉口が閉塞された状態で、処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積するように構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１５８０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記したＣＶＤ装置においては、インナチューブのセット位置が不適正であると、ウエハ面内均一性が悪化するために、立ち上げ時やメンテナンス時にインナチューブをアウタチューブに常に一定のセット位置に適正に設置する必要がある。
【０００５】
本発明の目的は、インナチューブをアウタチューブに常に適正に設置することができる半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体製造装置は、基板を加熱するヒータユニットと、前記ヒータユニット内に設置されたアウタチューブと、前記アウタチューブ内に設置されたインナチューブと、前記アウタチューブが載置され側面に前記インナチューブが載置されるインナチューブ設置部が突設された炉口フランジと、前記炉口フランジの下面を閉塞し、かつ、ボートが載置されるシールキャップとを備えており、
基部と前記基部に対して弾性体を介して設けられた可動部とからなる位置合わせ治具が、前記シールキャップに設けられ、
前記位置合わせ治具の基部は前記シールキャップに対して相対的に移動しないように設けられ、
前記位置合わせ治具の可動部が前記シールキャップと相対的に移動して、前記インナチューブの内周面を押圧して前記インナチューブの平面方向の位置を合わせてから前記インナチューブ設置部に設置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、位置合わせ治具の可動部がシールキャップと相対的に移動してインナチューブの内周面を押圧してインナチューブの平面方向の位置を合わせてから、インナチューブがインナチューブ設置部に設置されるため、インナチューブを常に一定のセット位置に設置することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００９】
本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置はＣＶＤ装置（バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）として、図１および図２に示されているように構成されている。
図１に示されているように、ＣＶＤ装置はプロセスチューブ設置室３とボート搬入搬出室４とを有する筐体２を備えており、ボート搬入搬出室４にはウエハ移載装置５およびモータ駆動の送りねじ軸装置によって構成されたボートエレベータ６が設置されている。ボートエレベータ６のモータ６ａはメカコントローラ７によって制御されるようになっており、メカコントローラ７は操作部９によって操作可能なメインコントローラ８によって制御されるようになっている。１０はウエハキャリアである。
【００１０】
図１に示されているように、筐体２のプロセスチューブ設置室３には図２に示されたプロセスチューブ１１が、中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に設置されている。図２に示されているように、プロセスチューブ１１は互いに同心円に配置されたアウタチューブ１２とインナチューブ１３とを備えており、アウタチューブ１２は石英ガラスが使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されており、インナチューブ１３は石英ガラスまたは炭化シリコンが使用されて上下両端が開口された円筒形状に形成されている。インナチューブ１３の筒中空部はボート３０によって同心的に整列した状態に保持された複数枚のウエハ１が搬入される処理室１４を形成しており、インナチューブ１３の内径は被処理基板としてのウエハ１の最大外径よりも大きく設定されている。
【００１１】
図１および図２に示されているように、プロセスチューブ１１の下端には上下両端が開口した短尺の円筒形状に形成された炉口フランジ１５が、インナチューブ１３の下端部と同心円に配設されており、処理室１４の炉口１６が炉口フランジ１５の下端開口によって形成されている。炉口フランジ１５の上下両端の外周には各鍔部が径方向外向きにそれぞれ突設されており、炉口フランジ１５が筐体２に支持されることにより、プロセスチューブ１１は垂直に支持された状態になっている。炉口フランジ１５の内周の中間部には円形リング形状のインナチューブ設置部１７が水平に突設されており、インナチューブ設置部１７は炉口フランジ１５の内側空間を上下に仕切っている。
【００１２】
図１および図２に示されているように、ＣＶＤ装置は炉口フランジ１５の炉口１６を開閉する隔離バルブとしての炉口開閉装置２１を備えており、炉口開閉装置２１は炉口フランジ１５の中心線の延長線と同心円に配置されてボートエレベータ６によって昇降されるように構成されている。炉口開閉装置２１はボートエレベータ６によって垂直に昇降されるベース２２と、炉口フランジ１５の外径と略等しい円盤形状に形成されて炉口フランジ１５の下端面に密着して炉口１６をシールするシールキャップ２３とを備えている。シールキャップ２３はベース２２の真上に若干の隙間をとって平行に配置されて、ベース２２に水平に支持されている。シールキャップ２３の上面における周辺部には環状溝２４（図５参照）が上面が開口された状態で同心円に没設されており、環状溝２４の内部には耐熱性樹脂によって形成されたシールリング２５が敷設されている。
【００１３】
図２に示されているように、炉口フランジ１５の側壁には他端が排気装置（図示せず）に接続された排気管１８が、インナチューブ設置部１７が仕切った炉口フランジ１５の内側空間のうち上側の空間に連通するように接続されており、排気管１８はアウタチューブ１２とインナチューブ１３との隙間によって形成された排気路１９を排気するようになっている。炉口開閉装置２１には成膜ガスやクリーニングガスを供給するガス供給管２０が、インナチューブ設置部１７が仕切った炉口フランジ１５の内側空間のうち炉口１６側である下側の空間に連通するように接続されており、ガス供給管２０の他端は原料ガスや窒素ガスおよびクリーニングガスのガスを供給するガス供給装置（図示せず）に接続されている。
【００１４】
シールキャップ２３の中心の上には支持軸２６が固定されており、支持軸２６の上端には支持板２７が水平に固定されている。支持板２７にはボート３０が垂直に立脚されてボート押さえによって固定されるようになっている。
【００１５】
図１および図２に示されているように、ボート３０は上下で一対の端板３１および３２と、両端板３１、３２間に垂直に配設された複数本の保持部材３３とを備えており、各保持部材３３には複数条の保持溝３４が長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設されている。そして、ウエハ１は複数条の保持溝３４間に外周辺部が挿入されることにより、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されてボート３０に保持されるようになっている。
【００１６】
プロセスチューブ１１の外部にはヒータユニット３５がプロセスチューブ１１を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット３５は筐体２に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。ヒータユニット３５はプロセスチューブ１１の内部を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。
【００１７】
ここで、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用してウエハに窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を成膜する場合について説明する。
【００１８】
プロセスチューブ１１の真下のボート搬入搬出室４において、複数枚のウエハ１はボート３０に互いに平行で中心線が揃った状態にウエハ移載装置５によって装填される。複数枚のウエハ１が装填されたボート３０はシールキャップ２３の上にウエハ１群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータ６によって上昇されて、炉口フランジ１５の炉口１６から処理室１４に搬入（ボートローディング）されて行く。
【００１９】
ボート３０が上限に達すると、シールキャップ２３に敷設されたシールリング２５は炉口フランジ１５の下面に押接し、炉口１６を気密シールした状態になる。この状態で、ボート３０はシールキャップ２３に支持されたまま処理室１４に存置される。
【００２０】
プロセスチューブ１１の内部が所定の真空度（例えば、数十〜数万Ｐａ）に排気管１８によって排気される。また、プロセスチューブ１１の内部がヒータユニット３５によって所定の温度（例えば、７００〜８００℃）に全体にわたって均一に加熱される。次いで、プロセスチューブ１１の内部の温度や圧力が安定すると、成膜ガス３９がインナチューブ１３の処理室１４にガス供給管２０によって供給される。図ではガス供給管２０は一本だけであるが、複数本あっても構わない。
【００２１】
成膜ガスとしては、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガスとアンモニア（ＮＨ3 ）ガスとが使用される。供給された成膜ガス３９はインナチューブ１３の処理室１４を上昇し、上端開口からインナチューブ１３とアウタチューブ１２との隙間によって形成された排気路１９に流出して排気管１８から排気される。成膜ガス３９は処理室１４を通過する際にウエハ１の表面に接触する。このウエハ１との接触に伴う成膜ガス３９による熱ＣＶＤ反応により、ウエハ１の表面にはＳｉ3 Ｎ4 膜が堆積（デポジション）する。
【００２２】
Ｓｉ3 Ｎ4 膜が所望の膜厚だけ堆積する予め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ２３がボートエレベータ６によって下降されることにより、炉口１６が開口されるとともに、ウエハ１群がボート３０に保持された状態で炉口１６からプロセスチューブ１１の真下のボート搬入搬出室４に搬出（ボートアンローディング）される。
【００２３】
以上のように構成され作用する本実施の形態に係るＣＶＤ装置には、インナチューブを常に一定のセット位置に設置するための位置合わせ治具４０が装備されている。
【００２４】
次に、本発明の主な特徴である位置合わせ治具を、図３以降について説明する。
図３および図４に示されているように、位置合わせ治具４０は円形リング形状に形成されたベース４１を備えている。ベース４１の外径はインナチューブ設置部１７の内径よりも小径で、かつ、支持板２７の外径よりも大径に設定されており、ベース４１の内径は支持板２７の外径よりも小径に設定されている。
ベース４１の外周の一部には上限ストッパ４３がブラケット４２を介して取り付けられており、上限ストッパ４３は上限位置の高さを調整することができるように構成されている。ベース４１の下面の一部には第一把手４４の一端部が固定されており、第一把手４４は法線上に延在するように径方向外向きに突設されている。
【００２５】
ベース４１の上面には円板形状に形成されたサポートプレート４７が同心円に配置されており、サポートプレート４７はベース４１に対して回動自在に支承されている。すなわち、サポートプレート４７の下面にはガイドリング４５が同心円に配されてボルト４５ａによって固定されており、ガイドリング４５の下端部はベース４１の上面に同心円に没設されたガイド穴４６に周方向に回動自在に嵌入されている。
サポートプレート４７の外径はベース４１の外径と略等しく設定されている。サポートプレート４７の下面における第一把手４４に対応する位置には、第二把手４８の一端部が固定されており、第二把手４８は法線上に延在するように径方向外向きに突設されている。サポートプレート４７の上面における外周縁部には環状溝４９が同心円に座ぐりされており、環状溝４９にはサポートリング５０が嵌め込まれるようになっている。
サポートリング５０の外周には係合爪５１が複数個（図示例では三本）、周方向に等間隔（図示例では１２０度置き）に配されて径方向外向きに突設されている。各係合爪５１はインナチューブ設置部１７の内周縁部に切り欠かれた切欠部１７ａ（図８参照）を潜り抜けた後に、インナチューブ設置部１７の内周縁部に没設された係合部１７ｂ（図８参照）に上から係合するように設定されている。
サポートプレート４７の中央部には円形の保持孔５２が同心円に開設されており、保持孔５２の内径はベース４１の内径よりも小さく設定されている。
【００２６】
サポートプレート４７の上面には弗素樹脂が使用されて形成されたセンタプレート５３が設置されている。センタプレート５３は基部としての固定プレート５４と可動部としての可動プレート５７とを備えており、固定プレート５４と可動プレート５７とは円板を一本の弦で分割した関係に形成されている。固定プレート５４は半円形よりも大きい円弧形の板形状に形成されており、下面には円盤形状の被保持部５５が同心円に突設されている。被保持部５５はサポートプレート４７の保持孔５２に嵌合されており、この状態で、固定プレート５４はサポートプレート４７にボルト５６によって固定されている。
可動プレート５７は半円形よりも小さい円弧形の板形状に形成されており、サポートプレート４７の上面に弦同士が近接するように固定プレート５４に対向して当接されている。固定プレート５４と可動プレート５７との対向面にはスプリング保持穴５８Ａ、５８Ｂが一対ずつ没設されており、スプリング保持穴５８Ａと５８Ｂとの間にはスプリング５９、５９がそれぞれ介設されている。スプリング５９は固定プレート５４に反力をとって可動プレート５７を固定プレート５４から離間させる方向に付勢するように設定されている。固定プレート５４および可動プレート５７との上縁部には、迎え角部を構成する面取り部６０が形成されている。
【００２７】
次に、以上の構成に係る位置合わせ治具４０を使用して、インナチューブ１３をインナチューブ設置部１７に設置する方法を説明する。
【００２８】
図５に示されているように、位置合わせ治具４０はボート３０が外された支持板２７の上に載置されて同心円に固定される。すなわち、支持板２７およびベース４１の位置決め孔６１、６１に位置決めピン６２が嵌入されることにより、位置合わせ治具４０は支持板２７に同心円に固定される。
【００２９】
この際、図５に実線で示されているように、第二把手４８が第一把手４４から離れる位置に操作されて、サポートプレート４７がベース４１に対して回動される。これにより、サポートリング５０の各係合爪５１がインナチューブ設置部１７の内周縁部に切り欠かれた各切欠部１７ａ（図８参照）に整合した状態になる。
【００３０】
次いで、図６に示されているように、インナチューブ１３が位置合わせ治具４０の環状溝４９に嵌め込まれたサポートリング５０の上に同心円に配されて載置される。この際、センタプレート５３がインナチューブ１３の下端開口部に相対的に下から嵌入される。このとき、センタプレート５３の上縁部には迎え角部としての面取り部６０が形成されていることにより、センタプレート５３の可動プレート５７が固定プレート５４にスプリング５９の弾発力に抗して接近するために、センタプレート５３はインナチューブ１３の下端開口部に円滑に嵌入する。
センタプレート５３がインナチューブ１３の下端開口部にスプリング５９の弾発力に抗して嵌入すると、固定プレート５４に反力をとったスプリング５９によって可動プレート５７がインナチューブ１３の下端開口部の内周面を押すことにより、インナチューブ１３の下端開口部の内周面の反対側の部分を固定プレート５４の外周面の反対側の部分に押接させる状態になるために、センタプレート５３はインナチューブ１３を予め設定された一定のセット位置に設置した状態になる。
【００３１】
ところで、センタプレート５３が一枚の円盤に形成されている場合には、センタプレート５３はインナチューブ１３を一定のセット位置に設置することができない。すなわち、センタプレート５３をインナチューブ１３の下端開口部に嵌入させる必要上、センタプレート５３の外径はインナチューブ１３の下端開口部の内径よりも小さめに設定される。例えば、センタプレート５３の半径をインナチューブ１３の下端開口部の半径よりも１ｍｍ小さく設定した場合には、最大で、２ｍｍの誤差が発生することになる。
このように、インナチューブ１３のセット位置が不適正であると、例えば、インナチューブ１３とアウタチューブ１２との同心円の関係にばらつきが発生するために、前述した成膜ガスの流れが周方向において不均一になり、その結果、ウエハ面内の膜厚分布が不均一になってしまう。
しかし、本実施の形態に係る位置合わせ治具４０によれば、インナチューブ１３を予め設定されたセット位置に常に一定に設置することができるので、ウエハ面内の膜厚分布が不均一になる等の弊害が発生するのを未然に防止することができる。
【００３２】
支持板２７に位置合わせ治具４０によって適正に設置されたインナチューブ１３はボートエレベータ６によって上昇されて行き、図７および図８に示されているように、インナチューブ１３が設置されていない炉口フランジ１５に挿入されて行く。
【００３３】
サポートリング５０の各係合爪５１がインナチューブ設置部１７の内周縁部に切り欠かれた各切欠部１７ａに整合した状態になっているために、ボートエレベータ６の上昇が上限に近づくと、図９に示されているように、各係合爪５１は各切欠部１７ａを潜り抜ける。位置合わせ治具４０の上限ストッパ４３がインナチューブ設置部１７の下面に接触すると、ボートエレベータ６の上昇は自動的に停止される。
【００３４】
この状態で、第二把手４８が第一把手４４に重なる位置（図４の想像線を参照）に操作されて、サポートプレート４７がベース４１に対して回動される。これにより、サポートリング５０の各係合爪５１はインナチューブ設置部１７の内周縁部に切り欠かれた各切欠部１７ａから離れて、インナチューブ設置部１７の内周縁部に没設された各係合部１７ｂに上から係合した状態になる。
【００３５】
次いで、ボートエレベータ６が下降されると、図１０に示されているように、サポートリング５０の各係合爪５１がインナチューブ設置部１７の各係合部１７ｂに上から係合した状態になることにより、サポートリング５０は位置合わせ治具４０の環状溝４９の上からインナチューブ設置部１７の上に乗り移ることになるために、インナチューブ１３はインナチューブ設置部１７の上にサポートリング５０を介して設置された状態になる。この際、インナチューブ１３はサポートリング５０の予め設定されたセット位置に設置されているので、インナチューブ設置部１７の上に予め設定された一定のセット位置に適正に設置された状態になる。
【００３６】
他方、インナチューブ１３およびサポートリング５０をインナチューブ設置部１７に受け渡した位置合わせ治具４０は、ボートエレベータ６の下降に伴って炉口フランジ１５から離脱して行く。ボートエレベータ６が所定の位置まで下降したところで、位置合わせ治具４０は支持板２７から外される。
その後、支持板２７にはボート３０が適宜に設置される。
【００３７】
なお、インナチューブ１３がインナチューブ設置部１７から取り外される場合には、前述したインナチューブ１３をインナチューブ設置部１７に設置する手順と逆の手順が実施されることになる。
【００３８】
前記した実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３９】
1)  位置合わせ治具のセンタプレートを固定プレートと可動プレートとに分割してスプリングによって連結することにより、センタプレートをインナチューブにスプリングの弾発力をもって嵌入させることができるので、位置合わせ治具はインナチューブを予め設定された一定のセット位置に設置することができる。
【００４０】
2)  位置合わせ治具のセンタプレートの上縁部に迎え角部としての面取り部を形成することにより、スプリングの弾性をもって可動プレートを固定プレートに対して進退させることができるので、センタプレートをインナチューブの下端開口部に円滑に嵌入させることができる。
【００４１】
3)  インナチューブを予め設定されたセット位置に常に一定に設置することにより、ウエハ面内の膜厚分布が不均一になる等の弊害が発生するのを未然に防止することができる。
【００４２】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４３】
例えば、位置合わせ治具の可動部は二つ以上設定してもよい。
図１１は可動部である可動プレート５７を二つ設けた場合を示している。
図１２は可動部である可動プレート５７を四つ設けた場合を示している。
【００４４】
また、センタプレートの分割線は、法線と直角方向（弦）に設定するに限らず、法線の方向に設定してもよい。
【００４５】
本発明はＣＶＤ装置に限らず、拡散装置、酸化装置およびアニール装置等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す側面断面図である。
【図２】その主要部の一部省略正面断面図である。
【図３】インナチューブの設置方法を示す分解斜視図である。
【図４】位置合わせ治具を示しており、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は縦断面図である。
【図５】支持板に位置合わせ治具を装着した状態を示す縦断面図である。
【図６】位置合わせ治具にインナチューブを設置した状態を示す縦断面図である。
【図７】インナチューブ設置部を示す縦断面図である。
【図８】その平面断面図である。
【図９】位置合わせ治具のインナチューブ移載前を示す縦断面図である。
【図１０】位置合わせ治具のインナチューブ移載後を示す縦断面図である。
【図１１】可動プレートを二つ設けた実施の形態を示す平面図である。
【図１２】可動プレートを四つ設けた実施の形態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…ウエハ（被処理基板）、２…筐体、３…プロセスチューブ設置室、４…ボート搬入搬出室、５…ウエハ移載装置、６…ボートエレベータ、７…メカコントローラ、８…メインコントローラ、９…操作部、１０…ウエハキャリア、１１…プロセスチューブ、１２…アウタチューブ、１３…インナチューブ、１４…処理室、１５…炉口フランジ、１６…炉口、１７…インナチューブ設置部、１７ａ…切欠部、１７ｂ…係合部、１８…排気管、１９…排気路、２０…ガス供給管、２１…炉口開閉装置、２２…ベース、２３…シールキャップ、２４…環状溝、２５…シールリング、２６…支持軸、２７…支持板、３０…ボート、３１、３２…端板、３３…保持部材、３４…保持溝、３５…ヒータユニット、３９…成膜ガス、４０…位置合わせ治具、４１…ベース、４２…ブラケット、４３…上限ストッパ、４４…第一把手、４５…ガイドリング、４５ａ…ボルト、４６…ガイド穴、４７…サポートプレート、４８…第二把手、４９…環状溝、５０…サポートリング、５１…係合爪、５２…保持孔、５３…センタプレート、５４…固定プレート、５５…被保持部、５６…ボルト、５７…可動プレート、５８Ａ、５８Ｂ…スプリング保持穴、５９…スプリング、６０…面取り部（迎え角部）、６１…位置決め孔、６２…位置決めピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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