(57)【要約】【課題】  半導体ウエハの周縁部が欠けてしまう不具合を抑制した半導体装置の製造方法及び半導体ウエハを提供することにある。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、第１の面４に複数の集積回路１０が形成された半導体ウエハ２の、第１の面４とは反対の第２の面６を研削すること、及び、その後、半導体ウエハ２の周縁部８に樹脂層１２を形成すること、を含む。樹脂層１２は、半導体ウエハ２を複数の半導体チップに切断するための領域を避けてもよい。周縁部８は、第１及び第２の面４，６を接続する外周面が、第１及び第２の面４，６に対する傾斜面を有するように面取りされてもよい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面に複数の集積回路が形成された半導体ウエハの、前記第１の面とは反対の第２の面を研削すること、及び、その後、
前記半導体ウエハの周縁部に樹脂層を形成すること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層は、前記半導体ウエハを複数の半導体チップに切断するための領域を避けてなる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記周縁部は、前記第１及び第２の面を接続する外周面が、前記第１及び第２の面に対する傾斜面を有するように面取りされてなる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
集積回路が形成され、電極を有する半導体ウエハと、
前記半導体ウエハ上に形成された絶縁層と、
前記電極に電気的に接続されてなる配線層と、
前記半導体ウエハの周縁部に形成された樹脂層と、
を含む半導体ウエハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体ウエハに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯機器の小型化に伴い、携帯機器に搭載される半導体装置の小型化が要求されている。この要求にこたえるため、半導体チップの外形寸法とほぼ同じ外形寸法を有するＣＳＰ（Chip Size Package）などの半導体装置が開発されている。また、近年では、半導体ウエハ状態のままパッケージングまでを行い、その後、ダイシング工程を行って個々の半導体装置を製造するＷＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package）技術も広く知られている。
【０００３】
ＷＣＳＰは、ウエハレベル（ウエハの状態）のＳｉ基板表面にチップ毎に構成されたパッドからパターン配線を引きアセンブリ用のバンプを施してデバイス化し、さらにバンプに実装用の半田ボールを形成した後、分割個片化してチップサイズにしたものである。この半田ボールによって、パッド、パターン配線及びバンプが電気的に接続され、通常のＢＧＡ（Ball Grid Array）やＣＳＰ等のパッケージと同様に組立工程で扱うことができる。このような、ＷＣＳＰは、チップサイズレベルのみならず、ウエハレベルで商品取引される場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、通常、半導体ウエハの周縁部は、半導体ウエハの周縁部と治具等が接触しても半導体ウエハの周縁部に傷、欠け、クラックが生じないように、半導体ウエハの周縁部を面取りと呼ばれる角を取った形状に形成している。このため、この面取りを周縁部に有する半導体ウエハの裏面を研削して薄く平坦に形成すると、後工程において半導体ウエハの取扱及び搬送時に加わる衝撃によって、薄く平坦に形成された半導体ウエハの周縁部を破損させないことが難しかった。
【０００５】
本発明の目的は、半導体ウエハの周縁部が欠けてしまう不具合を抑制した半導体装置の製造方法及び半導体ウエハを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の面に複数の集積回路が形成された半導体ウエハの、前記第１の面とは反対の第２の面を研削すること、及び、その後、
前記半導体ウエハの周縁部に樹脂層を形成すること、
を含む。本発明によれば、半導体ウエハの周縁部に樹脂層を形成することで、後工程における半導体ウエハの取扱及び搬送において、半導体ウエハの周縁部に加わる衝撃をやわらげることができる。これにより、半導体ウエハの周縁部が欠けてしまう不具合を抑制した半導体装置の製造方法を提供することができる。
（２）この半導体装置の製造方法は、
前記樹脂層は、前記半導体ウエハを複数の半導体チップに切断するための領域を避けてもよい。
（３）この半導体装置の製造方法は、
前記周縁部は、前記第１及び第２の面を接続する外周面が、前記第１及び第２の面に対する傾斜面を有するように面取りされてもよい。
（４）本発明に係る半導体ウエハは、集積回路が形成され、電極を有する半導体ウエハと、
前記半導体ウエハ上に形成された絶縁層と、
前記電極に電気的に接続されてなる配線層と、
前記半導体ウエハの周縁部に形成された樹脂層と、
を含む。本発明によれば、半導体ウエハの周縁部に樹脂層を形成することで、後工程における半導体ウエハの取扱及び搬送において、半導体ウエハの周縁部に加わる衝撃をやわらげることができる。これにより、半導体ウエハの周縁部が欠けてしまう不具合を抑制した半導体ウエハを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００８】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【０００９】
本実施の形態では、図１（Ａ）に示すように、半導体ウエハ２を使用する。半導体ウエハ２には、集積回路１０が形成されている。半導体ウエハ２を複数の半導体チップに切り出す場合、半導体ウエハ２には、複数の集積回路１０が形成され、個々の半導体チップが個々の集積回路１０を有することになる。
【００１０】
半導体ウエハ２の表面には、１層又はそれ以上の層のパッシベーション膜１４，１６が形成されていてもよい。例えば、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等からなるパッシベーション膜１４上に、ポリイミド樹脂等からなるパッシベーション膜１６を形成してもよい。
【００１１】
半導体ウエハ２には、電極１８が形成されている。電極１８は、集積回路１０に電気的に接続された配線の一部（端部）である。パッシベーション膜１６は、電極１８の少なくとも中央部を避けて形成されている。
【００１２】
まず、図１（Ｂ）に示すように、第１の面４に複数の集積回路１０が形成された半導体ウエハ２の、第１の面４とは反対の第２の面６を研削する。その後、半導体ウエハ２の周縁部（切り出す良品半導体チップが無い部分）８に樹脂層１２を形成する。樹脂層１２の形成プロセスは、半導体ウエハ２に樹脂前駆体（例えば、熱硬化性樹脂前駆体）を塗布すること、あるいは、半導体ウエハ２上で樹脂前駆体をスピンコートによって広げて、樹脂前駆体層を形成することを含んでもよい。放射線（光線（紫外線、可視光線）、Ｘ線、電子線）に感応する性質を有する放射線感応性樹脂前駆体を使用して、連続的又は一体的な樹脂前駆体層を形成し、これを樹脂層１２にパターニングしてもよい。パターニングにはリソグラフィを適用する。あるいは、印刷（例えば、スクリーン印刷）によって、樹脂層１２を形成してもよい。樹脂層１２は、複数層になるように形成してもよいし、１層になるように形成してもよい。樹脂層１２は、第１及び第２の面４，６を接続する外周面が、前記第１及び第２の面４，６に対する傾斜面を有するように面取りされた周縁部８に形成される。樹脂層１２は、半導体ウエハ２を複数の半導体チップに切断するための領域である切断領域３２を避けるように形成してもよい。樹脂層１２は、感光性レジストにより形成してもよい。
【００１３】
半導体ウエハ２に絶縁層２０を形成する。絶縁層２０は、半導体ウエハ２の少なくとも端部に形成されている。絶縁層２０は、複数層で形成されてもよいが、１層で形成されていてもよい。絶縁層２０は、応力緩和機能を有してもよい。絶縁層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。絶縁層２０は、切断領域３２を避けて形成してもよい。
【００１４】
半導体ウエハ２に配線層２２を形成する。配線層２２は、電極１８から形成し、絶縁層２０上を通るように形成してもよい。配線層２２の形成は例えば次のようにして行う。半導体ウエハ２に、一層又は複数層の導電膜２４を形成する。例えば、ＴｉＷ膜とその上のＣｕ膜によって導電膜２４を形成してもよい。導電膜２４は、スパッタリングによって形成してもよい。導電膜２４は、少なくとも配線層２２を形成する領域に形成し、半導体ウエハ２の電極１８が形成された面全体に形成してもよい。続いて、導電膜２４上に、配線層２２を形成する領域を除くように、図示しないメッキレジスト層を形成する。導電膜２４上に設けたメッキレジスト層を、フォトリソグラフィなどの工程を経てパターニングしてもよい。そして、導電膜２４を電極として電解メッキによって、導電膜２４上であってメッキレジスト層の開口領域に配線層２２を形成することができる。あるいは、無電解メッキによって、配線層２２を形成してもよい。
【００１５】
次に、図１（Ｃ）に示すように、ソルダレジスト層２６を形成してもよい。例えば、外部端子２８を形成する領域（例えばランドの少なくとも一部）を除いて、配線層２２を覆うようにソルダレジスト層２６を形成してもよい。ソルダレジスト層２６は、切断領域３２を避けて形成してもよい。ソルダレジスト層２６は、切断領域３２から間隔をあけて形成してもよい。
【００１６】
次に、図１（Ｄ）ように、配線層２２に外部端子２８を形成してもよい。外部端子２８は、ろう材（軟ろう又は硬ろう）によって形成してもよい。例えば、外部端子２８は、ハンダボールであってもよい。
【００１７】
次に、半導体ウエハ２を切断領域３２で切断（例えばダイシング）する。すなわち、ソルダレジスト層２６の開口部内から半導体ウエハを切断する。開口部が切断ラインに沿って設けられてもよい。切断には、図示しないブレードを使用してもよい。この場合に、半導体ウエハ２をテープ（図示しない）等に貼り付けて切断してもよい。
【００１８】
以下、本実施の形態に係る半導体ウエハを説明する。図２は、本実施の形態に係る半導体ウエハを説明する図である。
【００１９】
本実施の形態に係る半導体ウエハは、樹脂層１２を有する。樹脂層１２は、半導体ウエハ２の周縁部８に形成されている。周縁部８は、第１の面４の端部と、第２の面６の端部と、第１及び第２の面４，６の周縁を接続する外周面と、を含む。周縁部８は、第１及び第２の面４，６を接続する外周面が、第１及び第２の面４，６に対する傾斜面を有するように面取りされていてもよい。傾斜面は、平坦面であってもよいし、曲面であってもよい。外周面の全体が第１及び第２の面４，６に対して斜めになっていてもよいし、外周面の一部が、第１及び第２の面４，６に対して直角になっていてもよい。例えば、外周面は、第１の面４から斜めに接続される面と、第２の面６から直角に接続される面と、を含んでもよい。樹脂層１２は、第１の面４の端部のみに形成されてもよいし、第１の面４の端部及び外周面に形成されてもよい。樹脂層１２は、半導体ウエハ２を複数の半導体チップに切断するための領域である切断領域３２を避けるように形成してもよい。樹脂層１２は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。
【００２０】
本実施の形態に係る半導体ウエハは、図１（Ｄ）に示すように、パッシベーション膜１４，１６を有してもよい。半導体ウエハ２の表面には、１層又はそれ以上の層のパッシベーション膜１４，１６が形成されていてもよい。例えば、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等からなるパッシベーション膜１４上に、ポリイミド樹脂等からなるパッシベーション膜１６を形成してもよい。
【００２１】
本実施の形態に係る半導体ウエハは、電極１８を有する。電極１８は、集積回路１０に電気的に接続された配線の一部（端部）である。パッシベーション膜１６は、電極１８の少なくとも中央部を避けて形成されている。
【００２２】
本実施の形態に係る半導体ウエハは、絶縁層２０を有する。絶縁層２０は、半導体ウエハ２の少なくとも端部に形成されている。絶縁層２０は、複数層で形成されてもよいが、１層で形成されていてもよい。絶縁層２０は、応力緩和機能を有してもよい。絶縁層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。絶縁層２０は、切断領域３２を避けて形成してもよい。
【００２３】
本実施の形態に係る半導体ウエハは、配線層２２を有する。配線層２２は、電極１８から形成し、絶縁層２０上を通るように形成してもよい。
【００２４】
半導体ウエハ２の周縁部８に樹脂層１２を形成しておくことによって、半導体ウエハ２を加工する場合に搬送装置や加工装置の爪で半導体ウエハ２が直接把持されることによる破損や傷が付くことを防止できる。
【００２５】
なお、所定位置に半導体ウエハ２を配置した後、あるいは加工後に樹脂層１２を半導体ウエハ２の周縁部８から取り外してもよい。
【００２６】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。本実施の形態では、半導体ウエハ４２の周縁部４８の一部を容器５０に入った樹脂５２に浸し、順次、半導体ウエハ４２の周縁部４８に樹脂５２を設ける。これにより、図４に示すように、第１及び第２の面４４，４６を接続する外周面が、第１及び第２の面４４，４６に対する傾斜面を有するように面取りされた周縁部４８に樹脂層５４を形成する。本実施の形態では、樹脂層５４は、第１及び第２の面４４，４６並びに外周面に形成されている。その他の製造方法及び構成については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００２７】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。さらに、本発明は、実施の形態で説明した技術的事項のいずれかを限定的に除外した内容を含む。あるいは、本発明は、上述した実施の形態から公知技術を限定的に除外した内容を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体ウエハの平面図である。
【図３】第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係る半導体ウエハの断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
２…半導体ウエハ  ４…第１の面  ６…第２の面  ８…周縁部  １０…集積回路  １２…樹脂層  １４，１６…パッシベーション膜  １８…電極  ２０…絶縁層  ２２…配線層  ２４…導電膜  ２６…ソルダレジスト層  ２８…外部端子  ３２…切断領域  ４２…半導体ウエハ  ４４…第１の面  ４６…第２の面  ４８…周縁部  ５０…容器  ５２…樹脂  ５４…樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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