(57)【要約】【課題】歩留まりに影響する製造条件の不良判定が可能な不良判定方法を提供する。【解決手段】  複数の製品の製造工程をそれぞれの製造条件で実施した製造装置の製造条件に対応する状態変数データを取得し、複数の製品のそれぞれに関して状態変数データに対応する第１の特徴量の第１のデータ列の波形を作成し、波形間の相関に基づいて互いに類似する第１のデータ列を類似グループに分類し、類似グループのそれぞれで第１の特徴量の大小関係を可視化した第１の図形パターンにより表示する第１の可視化データ表を作成し、複数の製品の計測及び検査結果を表わす出来映えデータを取得し、類似グループに第２の特徴量の第２のデータ列を追加し、類似グループのそれぞれで出来映えデータに対応する第２の特徴量の大小関係を可視化した第２の図形パターンにより表示する第２の可視化データ表を作成する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の製品の製造工程をそれぞれの製造条件で実施した製造装置の前記製造条件に対応する状態変数データを取得し、
前記複数の製品のそれぞれに関して前記状態変数データに対応する第１の特徴量の第１のデータ列の波形を作成し、
前記波形間の相関に基づいて互いに類似する前記第１のデータ列を類似グループに分類し、
前記類似グループのそれぞれで前記第１の特徴量の大小関係を可視化した第１の図形パターンにより表示する第１の可視化データ表を作成し、
前記複数の製品の計測及び検査結果を表わす出来映えデータを取得し、
前記類似グループに前記出来映えデータに対応する第２の特徴量の第２のデータ列を追加し、
前記類似グループのそれぞれで前記第２の特徴量の大小関係を可視化した第２の図形パターンにより表示する第２の可視化データ表を作成する
ことを含むことにより、前記製造条件の不良を判定することを特徴とする不良判定方法。
【請求項２】
前記第１の特徴量が、前記状態変数の平均値に対する偏差であることを特徴とする請求項１に記載の不良判定方法。
【請求項３】
前記類似グループが、前記製品の組についての相関係数に基づいて分類されることを特徴とする請求項１又は２に記載の不良判定方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の図形パターンが、マーカーの寸法、棒の長短、及びグレースケールの濃淡のいずれかにより大小関係を表わすことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の不良判定方法。
【請求項５】
複数の製品の製造工程をそれぞれの製造条件で実施する製造装置と、
前記製造装置の前記製造条件に対応する状態変数データ、及び前記複数の製品の計測及び検査結果を表わす出来映えデータを取得する入力部と、
前記複数の製品のそれぞれに関して前記状態変数データに対応する第１の特徴量の第１のデータ列の波形を作成する波形作成部と、
前記波形間の相関に基づいて互いに類似する前記第１のデータ列を類似グループに分類する分類部と、
前記類似グループのそれぞれで可視化した図形パターンにより前記第１の特徴量の大小関係を表示する第１の可視化データ表を作成し、前記類似グループに前記出来映えデータに対応する第２の特徴量の第２のデータ列を追加して前記類似グループのそれぞれで前記図形パターンにより前記第２の特徴量の大小関係を表示する第２の可視化データ表を作成する図表作成部と、
前記状態変数データ、前記出来映えデータ、前記第１及び第２のデータ列、前記類似グループ、並びに前記第１及び第２の可視化データ表を格納する内部メモリ
とを備えることにより、前記製造条件の不良を判定することを特徴とする不良判定システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造における不良判定方法、及び不良判定システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等の半導体装置の多機能化に伴い、半導体装置はパターンサイズの縮小化、大規模集積化の要求が常になされている。このような半導体装置を、半導体基板の多数のチップ領域に、均一な性能で歩留まり良く製造する必要がある。半導体装置の製造には多種多様な製造工程が用いられている。半導体装置の製造歩留まりを向上させるためには、個々の製造工程の歩留まりの向上が要求される。したがって、製造工程の歩留まりに影響する製造条件の不良判定は重要となる。
【０００３】
製造条件の不良判定では、様々な製造装置の状態変数を表す特徴量データの相関解析が行われる。従来は特徴量データの挙動が似かよっている製品をまとめてグループ分けをおこない、グループ毎に特徴量データを重ね書きして視覚的に相関を判定する手法が取られている。このような方法では、グループのそれぞれに特徴的な製造装置の状態変数をつかむことはできるが、グループのそれぞれで評価される出来映えと各状態変数との相関関係を理解することは困難である。したがって、製品の出来映えに影響する製造装置の状態変数を視覚的に判定することは困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、製品の出来映えに影響する製造装置の状態変数を視覚的に認識でき、製造工程の歩留まりに影響する製造条件の不良判定が可能な不良判定方法、及び不良判定システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様によれば、（イ）複数の製品の製造工程をそれぞれの製造条件で実施した製造装置の製造条件に対応する状態変数データを取得し、（ロ）複数の製品のそれぞれに関して状態変数データに対応する第１の特徴量の第１のデータ列の波形を作成し、（ハ）波形間の相関に基づいて互いに類似する第１のデータ列を類似グループに分類し、（ニ）類似グループのそれぞれで可視化した図形パターンにより第１の特徴量の大小関係を表示する第１の可視化データ表を作成し、（ホ）複数の製品の計測及び検査結果を表わす出来映えデータを取得し、（ヘ）類似グループに第２の特徴量の第２のデータ列を追加し、（ト）類似グループのそれぞれで図形パターンにより出来映えデータに対応する第２の特徴量の大小関係を表示する第２の可視化データ表を作成することを含むことにより、製造条件の不良を判定する不良判定方法が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様によれば、（イ）複数の製品の製造工程をそれぞれの製造条件で実施する製造装置と、（ロ）製造装置の製造条件に対応する状態変数データ、及び複数の製品の計測及び検査結果を表わす出来映えデータを取得する入力部と、（ハ）複数の製品のそれぞれに関して状態変数データに対応する第１の特徴量の第１のデータ列の波形を作成する波形作成部と、（ニ）波形間の相関に基づいて互いに類似する第１のデータ列を類似グループに分類する分類部と、（ホ）類似グループのそれぞれで可視化した図形パターンにより第１の特徴量の大小関係を表示する第１の可視化データ表を作成し、類似グループに出来映えデータに対応する第２の特徴量の第２のデータ列を追加して類似グループのそれぞれで図形パターンにより複数の第２の特徴量の大小関係を表示する第２の可視化データ表を作成する図表作成部とを備えることにより、製造条件の不良を判定する不良判定システムが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、製品の出来映えに影響する製造装置の状態変数を視覚的に認識でき、製造工程の歩留まりに影響する製造条件の不良判定が可能な不良判定方法、及び不良判定システムを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下図面を参照して、本発明の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、装置やシステムの構成等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な構成は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの構成等が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【０００９】
本発明の実施の形態に係る不良判定システムは、図１に示すように、可視化処理ユニット３０、入力装置５０、出力装置５２、外部メモリ５４、製造管理システム６０、製造情報データベース６２、複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎ、複数のモニタユニット６６ａ、６６ｂ、・・・、６６ｎ、及び検査部６８等を備える。また、可視化処理ユニット３０は、入力部３２、波形作成部３４、分類部３６、図表作成部３８、出力部４０、及び内部メモリ４２等を備えている。
【００１０】
可視化処理ユニット３０は、複数の製品の製造工程を実施する製造装置の製造条件に対応する状態変数データ、及び複数の製品の計測及び検査結果を表わす出来映えデータを取得する。そして、複数の製品のそれぞれに関して状態変数データに対応する第１の特徴量の第１のデータ列の波形を作成し、波形間の相関に基づいて互いに類似する第１のデータ列を類似グループに分類する。類似グループのそれぞれで可視化した図形パターンにより第１の特徴量の大小関係を表示する第１の可視化データ表を作成する。また、類似グループに出来映えデータに対応する第２の特徴量の第２のデータ列を追加して類似グループのそれぞれで図形パターンにより第２の特徴量の大小関係を表示する第２の可視化データ表を作成する。
【００１１】
可視化処理ユニット３０には、製造管理システム６０及び製造情報データベース６２がローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）７０を介して接続されている。製造管理システム６０には、複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎ、及び複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎのそれぞれに付属する複数のモニタユニット６６ａ、６６ｂ、・・・、６６ｎがＬＡＮ７０を介して接続されている。例えば、複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎを用いて製品である半導体装置の製造工程がそれぞれの製造条件で実施される。複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎのそれぞれに設置された各種のセンサにより、製造条件に対応した処理中の状態変数がモニタされる。製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎには、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）装置、蒸着装置、ドライエッチング装置、イオン注入装置、フォトリソグラフィシステム等が含まれる。例えば、ＣＶＤ装置の場合、センサには、圧力計、流量計、温度計、高周波（ＲＦ）電力計等が含まれる。
【００１２】
複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎに対応する複数のモニタユニット６６ａ、６６ｂ、・・・、６６ｎのそれぞれは、モニタされた状態変数データを取得し、製造管理システム６０に伝送する。状態変数データには、例えばＣＶＤ装置のプロセスチャンバ内の圧力やガス流量、温度、投入ＲＦ電力等が含まれている。製造管理システム６０は、複数のモニタユニット６６ａ、６６ｂ、・・・、６６ｎのそれぞれから伝達された状態変数データを収集する。製造管理システム６０は、複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎので処理された複数の製品の製品番号と、各製品に対応する状態変数データを製造情報データベース６２に格納する。
【００１３】
また、製造管理システム６０には、検査部６８がＬＡＮ７０を介して接続されている。検査部６８では、複数の製品のそれぞれに対して、各製造工程の終了後の品質管理特性や、全製造工程終了後の電気特性等が計測される。品質管理特性には、例えばＣＶＤ装置で成膜された絶縁膜等の膜厚、面内均一性、屈折率、パーティクル数、成膜速度等が含まれる。電気特性には、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等の閾値電圧、オン電流、相互コンダクタンス等が含まれる。検査部６８で計測された品質管理特性及び電気特性等を含む出来映えデータは製造管理システム６０により、製品番号と共に、製造情報データベース６２に格納される。
【００１４】
可視化処理ユニット３０の入力部３２は、製造情報データベース６２から複数の製品について、製造工程を実施した複数の製造装置６４ａ、６４ｂ、・・・、６４ｎの状態変数データを取得する。また、入力部３２は、製造情報データベース６２から、複数の製品についての計測及び検査結果を表わす出来映えデータを取得する。
【００１５】
波形作成部３４は、図２に示すように、製品番号毎に状態変数データに対応する第１の特徴量ＰＦａ、ＰＦｂ、ＰＦｃ、ＰＦｄ、ＰＦｅの数値を記載した第１のデータ列を作成する。例えば、第１の特徴量ＰＦａ〜ＰＦｅのそれぞれは、全製品の平均値からの偏差として算出される。更に、波形作成部３４は、図３に示すように、複数の製品のそれぞれに関して第１のデータ列を折れ線グラフで表示して、第１のデータ列の波形を作成する。
【００１６】
分類部３６は、図４に示すように、各製品の第１のデータ列の波形間の相関に基づいて、互いに類似する第１のデータ列波形を複数の類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９に分類する。例えば、作成した第１のデータ列の波形により、全ての製品の組について相関係数を求める。相関係数が予め設定した閾値以上である製品の組の第１のデータ列の波形は互いに類似と判定する。例えば、相関係数の閾値を０．８に設定し、第１のデータ列の波形を分類する。このように、複数の製品が、第１のデータ列の波形により類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９に分類される。
【００１７】
図表作成部３８は、図５に示すように、複数の類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９のそれぞれで大小関係を可視化した図形パターンのマーカーにより複数の第１の特徴量ＰＦａ〜ＰＦｅを表示する第１の可視化データ表を作成する。本発明の実施の形態では、図形パターンのマーカーとして円を用い、円の寸法で第１の特徴量ＰＦａ〜ＰＦｅの大きさを表示する。例えば、第１の特徴量ＰＦａ〜ＰＦｅのそれぞれについて、各類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９での偏差の平均値の最大値及び最小値間を４段階に区分し、偏差の平均値の大小に対応する大小の円が割り付けられる。また、図６に示すように、第１のデータ列に、入力部３２で取得された出来映えデータに対応する第２の特徴量ＲＦａ、ＲＦｂ、ＲＦｃ、ＲＦｄ、ＲＦｅの数値を記載した第２のデータ列が製品番号毎に追加される。図表作成部３８は、図７に示すように、類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９のそれぞれで、図形パターンとして円を用いて複数の第２の特徴量ＲＦａ〜ＲＦｅの大きさを円の大きさで表示する第２の可視化データ表を作成する。例えば、各類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９について、第２の特徴量ＲＦａ〜ＲＦｅのそれぞれの最大値及び最小値間を４段階に区分して偏差の大小に対応する大小の円が割り付けられる。
【００１８】
出力部４０は、第１及び第２の可視化データ表を伝送して出力装置５２に表示させる。第１及び第２の可視化データ表では、第１及び第２の特徴量ＰＦａ〜ＰＦｅ、ＲＦａ〜ＲＦｅのそれぞれの大小関係がマーカーの寸法により視覚的に表示されている。したがって、複数の類似グループのそれぞれで、出来映えデータと製造装置の状態変数データとの関係を視覚的に比較することができる。
【００１９】
内部メモリ４２は、入力部３２で取得された状態変数データ及び出来映えデータ、波形作成部３４及び分類部３６で作成された第１及び第２のデータ列、並びに類似グループ、図表作成部３８で作成された第１及び第２の可視化データ表等を格納する。
【００２０】
入力装置５０は、キーボード、マウス等の機器を指す。入力装置５０から入力操作が行われると対応するキー情報が可視化処理ユニット３０に伝達される。出力装置５２は、モニタなどの画面を指し、液晶表示装置（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）パネル、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）パネル等が使用可能である。出力装置５２は、可視化処理ユニット３０により処理されるデータ表や得られる図表等を表示する。外部メモリ５４は、取得したデータの図形化、統計的な演算等による分類、あるいは図表化等を可視化処理ユニット３０に実行させるためのプログラムを保存している。また、可視化処理ユニット３０の内部メモリ４２又は外部メモリ５４は、可視化処理ユニット３０における演算において、計算途中や解析途中のデータを一時的に保存する。
【００２１】
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る不良判定システムでは、複数の製品の製造工程を実施する製造装置の状態変数から作成した第１のデータ列波形に基づいて、複数の製品を類似グループに分類している。類似グループのそれぞれで、製造装置の状態変数及び製品の出来映えに対応する第１及び第２の特徴量の大小関係をマーカーを用いて可視化している。したがって、本発明の実施の形態によれば、従来ではその相関が分からなかった出来映えと製造装置の状態変数との関係が視覚的に容易に認識され、出来映えの不良原因となる製造装置の状態変数を判定することが可能となる。
【００２２】
次に、本発明の実施の形態に係る不良判定方法を、図８に示すフローチャートを用いて説明する。
【００２３】
（イ）ステップＳ１００で、複数の製品の製造工程がそれぞれの製造条件により、図１に示した複数の製造装置６４ａ〜６４ｎを用いて実施される。製造工程実施中に製造条件に対応する複数の製造装置６４ａ〜６４ｎの状態変数がモニタユニット６６ａ〜６６ｎによりモニタされ、状態変数データとして製造管理システム６０を介して製造情報データベース６２に格納される。ステップＳ１０１で、製造情報データベース６２から状態変数データが、可視化処理ユニット３０の入力部３２により取得される。
【００２４】
（ロ）ステップＳ１０２で、複数の製品のそれぞれに関して、状態変数データに対応する第１の特徴量の数値を記載した第１のデータ列から第１のデータ列波形が、波形作成部３４により作成される。ステップＳ１０３で、第１のデータ列波形間の相関に基づいて互いに類似する第１のデータ列が、分類部３６により類似グループに分類される。ステップＳ１０４で、類似グループのそれぞれで、第１の図形パターンにより複数の第１の特徴量の大小関係を表示する第１の可視化データ表が、図表作成部３８により作成される。
【００２５】
（ハ）複数の製品のそれぞれについて、各製造工程の終了後の品質管理特性や、全製造工程終了後の電気特性等の出来映えが、検査部６８で計測される。検査部６８で計測された出来映えデータは製造管理システム６０により、製造情報データベース６２に格納される。ステップＳ１０５で、製造情報データベース６２から出来映えデータに対応する第２の特徴量が、入力部３２により取得される。
【００２６】
（ニ）ステップＳ１０６で、類似グループのそれぞれに第２の特徴量の数値を記載した第２のデータ列が追加される。ステップＳ１０７で、類似グループのそれぞれで第２の波形パターンにより複数の第２の特徴量の大小関係を表示する第２の可視化データ表が、図表作成部３８により作成される。
【００２７】
（ホ）ステップＳ１０８で、対象とする第２の特徴量の大小関係により、複数の類似グループから判定対象類似グループが抽出される。判定対象類似グループの出来映えを低下させている第１の特徴量が抽出される。ステップＳ１０９で、抽出された第１の特徴量に対応する製造装置の状態変数から、製造条件の対策が判定される。
【００２８】
例えば、製品としての半導体装置の成膜工程中において、ＣＶＤ装置のモニタユニットにより、ＣＶＤチャンバの圧力、シラン（ＳｉＨ4）ガス流量、水素（Ｈ2）ガス流量、ウェハの温度、ＲＦ電力等が、状態変数データとして取得される。成膜工程の状態変数データに対応する第１の特徴量のデータ列の波形から分類された類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９について、図９に示すように、マーカーの大きさで第１の特徴量の大小関係を表現した第１の可視化データ表が作成される。成膜工程終了後に品質管理工程が実施され、成膜工程の結果（出来映え）が測定される。成膜工程の出来映えデータとして、膜厚、面内均一性、成膜された膜の屈折率、パーティクル数、成膜速度等が測定される。測定された出来映えデータに対応する第２の特徴量は、製品番号に対応する類似グループＧｒ１〜Ｇｒ９に分類され、図１０に示すように、マーカーの大きさで第２の特徴量の大小関係を表現した第２の可視化データ表が作成される。
【００２９】
成膜工程で、例えばパーティクル数が多く歩留り低下の問題となっている場合、まず第２の可視化データ表によりパーティクル数が多く検出された類似グループを抽出する。図１０に示すように、類似グループＧｒ２及びＧｒ３が、パーティクル数の図形パターンであるマーカーの大きさが大きく判定対象類似グループであることが視覚的に容易に認識される。次に、図９に示した第１の可視化データ表を見ると、類似グループＧｒ２、Ｇｒ３は共に、他の類似グループと比べてＳｉＨ4流量及びＨ2流量の図形パターンであるマーカーの大きさが小さく、温度の図形パターンであるマーカーの大きさが小さいことが視覚的に認識される。その結果、ＳｉＨ4およびＨ2の流量が少なく、ウェハの温度が低い成膜条件ではパーティクル数が増加すると判定される。したがって、パーティクル数を少なくするためには、ＳｉＨ4及びＨ2の流量を多くし、且つ、ウェハ温度を高くすることで対策できることが分かる。
【００３０】
また、膜厚が薄く、面内均一性が良く、且つ、パーティクル数が少ない成膜条件を見つけるために、膜厚、面内均一性、及びパーティクル数の図形パターンであるマーカーの大きさが小さい類似グループが第２の可視化データ表から抽出される。例えば、図１０から、類似グループＧｒ７が判定対象として視覚的に認識される。図９に示した第１の可視化データ表から判定対象類似グループＧｒ７の成膜工程の特徴は、ＳｉＨ4の流量が多く、ウェハ温度が高く、その他が平均値であることが判定される。ＣＶＤ装置の成膜条件設定値を制御することで、膜厚が薄く、面内均一性が小さく、且つ、パーティクル数が少ない成膜工程を実現できる。
【００３１】
本発明の実施の形態に係る不良判定方法によれば、出来映えデータと製造装置の状態変数データとの関係を視覚的に容易に認識することができ、製造工程の歩留まりに影響する製造条件の不良判定が可能となる。
【００３２】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３３】
本発明の実施の形態においては、半導体装置の製造工程について、例示したが、本発明は、自動車、化学薬品、建築部材、液晶装置、磁気記録媒体、光記録媒体、薄膜磁気ヘッド、超伝導素子等の工業製品の製造工程に適用できることは、上記説明から容易に理解できるであろう。
【００３４】
また、本発明の実施の形態では、第１及び第２の可視化データ表の図形パターンとして、円を用いている。しかし、図形パターンは円に限定されない。例えば、図１１及び図１２に示すように、第１及び第２の可視化データ表の図形パターンとして棒を用いてもよい。第１及び第２の特徴量の偏差の大小関係は、図形パターンである棒の長短で表現される。また、図１３及び図１４に示すように、第１及び第２の可視化データ表の図形パターンとしてグレースケールを用いてもよい。第１及び第２の特徴量の偏差の大小関係は、図形パターンであるグレースケールの濃淡で表現される。
【００３５】
このように、本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態に係る不良判定システムの一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態の説明に用いる第１のデータ列の一例を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態の説明に用いる第１のデータ列の波形の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態の説明に用いる類似グループの分類の一例を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る第１の視覚化データ表の一例を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態の説明に用いる第２のデータ列の一例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る第２の視覚化データ表の一例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る不良判定方法の一例を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態に係る第１の視覚化データ表の他の例を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係る第２の視覚化データ表の他の例を示す図である。
【図１１】本発明のその他の実施の形態に係る第１の視覚化データ表の一例を示す図である。
【図１２】本発明のその他の実施の形態に係る第２の視覚化データ表の一例を示す図である。
【図１３】本発明のその他の実施の形態に係る第１の視覚化データ表の他の例を示す図である。
【図１４】本発明のその他の実施の形態に係る第２の視覚化データ表の他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
３０  可視化処理ユニット
３２  入力部
３４  波形作成部
３６  分類部
３８  図表作成部
４０  出力部
４２  内部メモリ
５０  入力装置
５２  出力装置
５４  外部メモリ
６０  製造管理システム
６２  製造情報データベース
６４ａ〜６４ｎ  製造装置
６６ａ〜６６ｎ  モニタユニット
６８  検査部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006100742.tif 000011
【図１０】
2006100742.tif 000012
【図１１】
2006100742.tif 000013
【図１２】
2006100742.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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