(57)【要約】【課題】  マスクと基板との相対的な移動を不要とし、３次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法を提供する。【解決手段】  それぞれ露光感度波長の異なるレジスト層１２，１３を２層形成し、その後、パターンの異なる２枚の露光マスク１１０，１２０を用いて、２層のレジスト層１２，１３の露光を順次行なうことにより、最終的に鋳型となるレジスト層の平面と平行な平面内における露光光の露光量（光エネルギ）分布が連続的に変化するように制御でき、レジスト層１２，１３の各部での露光光の露光量（光エネルギ）分布に応じた深さの露光を可能とする。【選択図】        図２
2006195168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１レジスト層を形成し、さらに、前記第１レジスト層の上に前記１レジスト層とは異なる複数のレジスト層を形成する工程と、
第１露光マスクを用いて、前記第１レジスト層および前記第１レジスト層とは別のレジスト層に所定パターンを露光し、第１露光領域を形成する工程と、
前記第１露光マスクとは異なる露光マスクを用いて、前記第１レジスト層とは異なるレジスト層にのみ所定パターンを露光し、この露光を複数回繰り返して露光領域を形成する工程と、
前記第１レジスト層および前記第１レジスト層とは別のレジスト層から前記第１露光領域および前記第１露光領域とは別の露光領域を除去して、微細構造体を形成する工程と、
を備える、微細構造体の形成方法。
【請求項２】
基板上に第１レジスト層を形成する工程と
第１露光マスクを用いて、前記第１レジスト層に所定パターンを露光し、第１露光領域を形成する工程と、
前記第１レジスト層上に前記第１レジスト層とは別のレジスト層を形成する工程と
前記第１レジスト層の露光と同等に前記第１露光マスクとは別の露光マスクを用いて、前記第１レジスト層とは別のレジスト層に所定パターンを露光し、露光領域を複数回繰返し形成する工程と、
前記第１レジスト層および前記第１レジスト層とは別のレジスト層から前記第１露光領域および前記第１露光領域とは別の露光領域を除去し微細構造体を形成する工程と、
を備える、微細構造体の形成方法。
【請求項３】
前記第１レジスト層と前記第１レジスト層とは別のレジスト層とは、感度波長が異なる材料で形成され、
前記第１レジスト層に照射する露光光と、前記第１レジスト層とは別のレジスト層に照射する露光光との波長が異なる、請求項１または２に記載の微細構造体の形成方法。
【請求項４】
基板上にレジスト層を形成する工程と、
露光マスクを用いて、前記レジスト層に所定パターンを露光し、露光領域を形成する工程と、
前記レジスト層から前記露光領域を除去する工程と、
前記露光領域が除去された前記レジスト層に対して更に切削加工またはレーザ加工を施して微細構造体を形成する工程と、
を備える、微細構造体の形成方法。
【請求項５】
前記微細構造体にめっき処理を行なうことにより金型を形成する工程をさらに有することを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれかに記載の微細構造体の形成方法。
【請求項６】
前記金型に放電加工またはレーザ加工を用いて加工処理をさらに施すことを特徴とする、請求項５に記載の微細構造体の形成方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の微細構造体の形成方法により形成された微細構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は微細構造体に関し、特に、３次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置の製造技術を応用して、極めて微細な構造体を形成する微細加工技術の研究が近年活発になってきている。その中で、Ｘ線を使った深いリソグラフィと電解メッキで高アスペクト比の微細構造体を形成するＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ  Ｇａｌｖａｎｆｏｒｍｕｎｇ  ｕｎｄ  Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）法は、特に注目されているところである。下記特許文献１には、このＬＩＧＡ法に基づいた微細構造体の形成方法の一例が開示されている。
【０００３】
具体的には、３次元構造を有する微細構造体を基板上に形成する場合には、微細構造体の形状に対応したレジスト構造体を、基板上に成膜された被露光材料に対してリソグラフィ技術を用いて形成し、被露光材料からなるレジスト構造体内に電解メッキ技術によりメッキ処理を施し、レジスト構造体を除去することにより、メッキ材料からなる３次元構造を有する微細構造体を基板上に形成している。
【０００４】
下記の特許文献１に開示された微細構造体の形成方法によれば、複雑な形状を有するレジスト構造体を形成するに際しては、Ｘ線マスクを基板に対して相対的に移動させることにより、最終的にレジスト構造体となる被露光材料の平面と平行な平面内におけるＸ線のエネルギ分布が連続的に変化するように制御し、被露光材料の各部でのＸ線のエネルギ分布に応じた深さの加工を可能としている。
【特許文献１】特開２０００−３５５００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示のレジスト構造体の形成方法によれば、Ｘ線マスクを基板に対して相対的に移動させるための機構が必要となる。そのため、装置構成の複雑化、およびＸ線マスクと基板との位置決め制御の煩雑さがともない、微細構造体の形成におけるコスト上昇を避けることができない。
【０００６】
したがって、この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、マスクと基板との相対的な移動を不要とし、３次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明に基づいた微細構造体の形成方法の一つの局面においては、基板上に第１レジスト層を形成し、さらに、上記第１レジスト層の上に上記１レジスト層とは異なる複数のレジスト層を形成する工程と、第１露光マスクを用いて、上記第１レジスト層および上記第１レジスト層とは別のレジスト層に所定パターンを露光し、第１露光領域を形成する工程と、上記第１露光マスクとは異なる露光マスクを用いて、上記第１レジスト層とは異なるレジスト層にのみ所定パターンを露光し、この露光を複数回繰り返して露光領域を形成する工程と、上記第１レジスト層および上記第１レジスト層とは別のレジスト層から上記第１露光領域および上記第１露光領域とは別の露光領域を除去して、微細構造体を形成する工程とを備えている。
【０００８】
また、この発明に基づいた微細構造体の形成方法の他の局面においては、基板上に第１レジスト層を形成する工程と、第１露光マスクを用いて、上記第１レジスト層に所定パターンを露光し、第１露光領域を形成する工程と、上記第１レジスト層上に上記第１レジスト層とは別のレジスト層を形成する工程と、上記第１レジスト層の露光と同等に上記第１露光マスクとは別の露光マスクを用いて、上記第１レジスト層とは別のレジスト層に所定パターンを露光し、露光領域を複数回繰返し形成する工程と、上記第１レジスト層および上記第１レジスト層とは別のレジスト層から上記第１露光領域および上記第１露光領域とは別の露光領域を除去し微細構造体を形成する工程とを備えている。
【０００９】
また、この発明に基づいた微細構造体の形成方法のさらに他の局面においては、基板上にレジスト層を形成する工程と、露光マスクを用いて、上記レジスト層に所定パターンを露光し、露光領域を形成する工程と、上記レジスト層から上記露光領域を除去する工程と、上記露光領域が除去された上記レジスト層に対して更に切削加工またはレーザ加工を施して微細構造体を形成する工程とを備えている。
【００１０】
また、これらの発明に基づいた微細構造体にめっき処理を施すことにより、複雑な形状の微細金型を得ることを可能としている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明に基づいた微細構造体の形成方法によれば、マスクと基板との相対的な移動を行なうことなく、３次元の微細構造体を容易に形成することを可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明に基づいた各実施の形態における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体について、図を参照しながら説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
まず、図１〜図８を参照して、実施の形態１における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体について説明する。なお、図１〜図８は、本実施の形態における微細構造体の形成工程を示す図である。まず、図１を参照して、シリコン等からなる基板１１の上に、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート：poly methyl methacrylate）などからなる第１レジスト層１２を形成する。次に、この第１レジスト層１２の上に、ＭＡＡ（methacrylic acid）／ＭＭＡ（methyl methacrylate）共重合体などからなる第２レジスト層１３を形成する。
【００１４】
次に、所望のパターン（透光パターン１１０ａ，遮光パターン１１０ｂ）が形成された第１Ｘ線露光マスク１１０を用いて、第１レジスト層１２および第２レジスト層１３に所定パターンを露光して第１露光領域ｒ１１を形成する。この際、露光光源Ｒには、高強度で透過性、指向性の良いシンクロトロン放射（ＳＲ）光を発生する光源を用いることが好ましい。
【００１５】
次に、図２を参照して、第１Ｘ線露光マスク１１０とは異なるパターン（透光パターン１２０ａ，遮光パターン１２０ｂ）が形成された第２Ｘ線露光マスク１２０を用いて、第２レジスト層１３にのみ所定パターンを露光して第２露光領域ｒ１２を形成する。ここで、ＭＡＡ／ＭＭＡ共重合体は、ＰＭＭＡに比べ２倍以上の露光感度を有しているため、露光量を調節することで、容易に第２レジスト層１３にのみ所定パターンを露光することが可能である。
【００１６】
次に、図３を参照して、ＧＧ現像液（組成は、２−（２−Butoxyethoxy）ethanolが６０［ｖｏｌ％］、モルホリンが２０［ｖｏｌ％］、2-Aminoethanolが５［ｖｏｌ％］、水が１５［ｖｏｌ％］）、または、ＭｉＢＫ（メチルイソブチルケトン）溶液を用いて、第１レジスト層１２および第２レジスト層１３から第１露光領域ｒ１１および第２露光領域ｒ１２を除去し、開口領域１４ａを有し、第１レジスト層１２および第２レジスト層１３からなるレジスト構造体１４を形成する。これにより、複雑な形状の微細構造体を得ることができる。ここで、図４を参照して、この段階で、基板１１をＫＯＨ水溶液により除去し、レジスト層のみからなる微細構造体としてのレジスト構造体１４を得ることで、このレジスト構造体１４を、ネブライザーやインクジェットプリンタノズルの試作テストモデルとして用いることができる。
【００１７】
次に、図３に示すレジスト構造体１４に対して、図５に示すように、レジスト構造体１４に電解メッキ技術によりメッキ１５を施す。その後、図６を参照して、基板１１をＫＯＨ水溶液を用いて除去し、さらに、図７を参照して、第１レジスト層１２および第２レジスト層１３をアッシングにより除去して、メッキ１５からなる微細構造体としての微細金型１５を完成させる。
【００１８】
なお、本実施の形態における微細金型１５は、高さ（Ｈ）約８０μｍ程度、細い側の直径（Ｄ１）は、約３〜５μｍ、太い側の直径（Ｄ２）は、約６０μｍ程度である。また、第１レジスト層１２および第２レジスト層１３を用いて、微細金型１５を２段構造としているが、理想的には円錐形状に近い形が好ましいため、レジスト層を複数段設け、徐々に直径（Ｄ１）に変化を設けるようにすることも可能である。さらに、図７に示した微細金型１５に対して、放電加工やレーザ加工等の微細加工工具１６を用いて、図８に示すように、テーパ部１５ａを形成して、さらに複雑な微細金型を得ることも可能である。また、図７および図８に示す微細金型１５を用いて、樹脂モールドを実施することで、ノズル状に穴が開いたネブライザーやインクジェットプリンタノズルの樹脂型を形成することができる。（以下の、図１３、図１８に示す各実施の形態においても同様である）。
【００１９】
（作用・効果）
以上、本実施の形態における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体によれば、それぞれ露光感度波長の異なるレジスト膜を２層形成し、その後、パターンの異なる２枚の露光マスクを用いて、２層のレジスト膜の露光を行なうことにより、レジスト層の平面と平行な平面内における露光光の露光量（光エネルギ）分布が連続的に変化するように制御でき、レジスト層の各部での露光光の露光量（光エネルギ）分布に応じた深さの露光を可能としている。その結果、基板と露光マスクとを相対的に移動させるための装置が不要となり、レジスト構造体からなる微細構造体の形成におけるコスト上昇を避けることを可能としている。また、このレジスト構造体にメッキ処理を行ない、微細金型を形成することで、さらに、コスト低下を図ることが可能となる。また、この金型に放電加工やレーザ加工等を施すことで、テーパ形状等の微細構造を得ることができる。
【００２０】
（実施の形態２）
次に、図９〜図１３を参照して、実施の形態２における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体について説明する。なお、図９〜図１３は、本実施の形態における微細構造体の形成方法を示す図である。まず、図９を参照して、シリコン等からなる基板２１の上に、ＰＭＭＡなどからなる第１レジスト層２２を形成する。その後、所望のパターン（透光パターン２１０ａ，遮光パターン２１０ｂ）が形成された第１Ｘ線露光マスク２１０を用いて、第１レジスト層２２を露光して第１露光領域ｒ２１を形成する。この際、露光光源Ｒには、高強度で透過性、指向性の良いシンクロトロン放射（ＳＲ）光を発生する光源を用いることが好ましい。なお、ＰＭＭＡレジストに代わりＭＡＡ／ＭＭＡ共重合体レジストを用いることも可能である。
【００２１】
次に、図１０を参照して、第１露光領域ｒ２１が形成された第１レジスト層２２の上に、ＰＭＭＡレジストからなる第２レジスト層２３を形成する。その後、所望のパターン（透光パターン２２０ａ，遮光パターン２２０ｂ）が形成された第２Ｘ線露光マスク２２０を用いて、第２レジスト層２３を露光して第２露光領域ｒ２２を形成する。この際、露光光源Ｒには、上述したようにシンクロトロン放射（ＳＲ）光を発生する光源を用いることが好ましい。
【００２２】
次に、図１１を参照して、ＧＧ現像液、または、ＭｉＢＫ溶液を用いて、第１レジスト層２２および第２レジスト層２３から第１露光領域ｒ２１および第２露光領域ｒ２２を除去し、開口領域２４ａを有し、第１レジスト層２２および第２レジスト層２３からなるレジスト構造体２４を形成する。これにより、複雑な形状の微細構造体を得ることができる。なお、実施の形態１の図４に示したように、この段階で、基板２１をＫＯＨ水溶液により除去し、レジスト層のみからなる微細構造体としてのレジスト構造体２４を得ることで、このレジスト構造体２４を、ネブライザーやインクジェットプリンタノズルの試作テストモデルとして用いることも可能である。
【００２３】
次に、図１２に示すように、レジスト構造体２４に電解メッキ技術によりメッキ２５を施す。その後、図１３を参照して、基板２１をＫＯＨ水溶液を用いて除去し、さらに、第１レジスト層２２および第２レジスト層２３をアッシングにより除去して、メッキ２５からなる微細構造体としての微細金型２５を完成させる。
【００２４】
（作用・効果）
以上、本実施の形態における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体によれば、レジスト膜を形成し、その後、露光マスクを用いてレジスト膜の露光を行ない、このレジスト膜形成および露光処理を繰り返し行なうことで、レジスト層の平面と平行な平面内における露光光の露光量（光エネルギ）分布が連続的に変化するように制御でき、レジスト層の各部での露光光の露光量（光エネルギ）分布に応じた深さの露光を可能としている。その結果、基板と露光マスクとを相対的に移動させるための装置が不要となり、レジスト構造体からなる微細構造体の形成におけるコスト上昇を避けることを可能としている。また、このレジスト構造体にメッキ処理を行ない、微細金型を形成することで、さらに、コスト低下を図ることが可能となる。また、この金型に放電加工やレーザ加工等を施すことで、テーパ形状等の微細構造を得ることができる。
【００２５】
（実施の形態３）
次に、図１４〜図１８を参照して、実施の形態３における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体について説明する。なお、図１４〜図１８は、本実施の形態における微細構造体の形成方法を示す図である。まず、図１４を参照して、シリコン等からなる基板３１の上に、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート：poly methyl methacrylate）などからなる第１レジスト層３２を形成する。次に、この第１レジスト層３２の上に、ポジ型のＵＶレジスト層からなる第２レジスト層３３を形成する。
【００２６】
次に、所望のパターン（透光パターン３１０ａ，遮光パターン３１０ｂ）が形成された第１Ｘ線露光マスク３１０を用いて、第１レジスト層３２および第２レジスト層３３に所定パターンを露光して第１露光領域ｒ３１を形成する。この際、露光光源Ｒには、高強度で透過性、指向性の良いシンクロトロン放射（ＳＲ）光を発生する光源を用いることが好ましい。
【００２７】
次に、図１５を参照して、第１Ｘ線露光マスク３１０とは異なるパターン（透光パターン３２０ａ，遮光パターン３２０ｂ）が形成された第２Ｘ線露光マスク３２０を用いて、第２レジスト層３３にのみ所定パターンを露光して第２露光領域ｒ３２を形成する。ここで、露光光源にＵＶ光を用いることにより、第２レジスト層３３のみが露光され、第１レジスト層３２は露光されない。
【００２８】
次に、図１６を参照して、ＵＶ現像液およびＧＧ現像液を用いて、第１レジスト層３２および第２レジスト層３３から第１露光領域ｒ３１および第２露光領域ｒ３２を除去し、開口領域３４ａを有し、第１レジスト層３２および第２レジスト層３３からなるレジスト構造体３４を形成する。これにより、複雑な形状の微細構造体を得ることができる。なお、実施の形態１の図４に示したように、この段階で、基板３１をＫＯＨ水溶液により除去し、レジスト層のみからなる微細構造体としてのレジスト構造体３４を得ることで、このレジスト構造体３４を、ネブライザーやインクジェットプリンタノズルの試作テストモデルとして用いることも可能である。
【００２９】
次に、図１７に示すように、レジスト構造体３４に電解メッキ技術によりメッキ３５を施す。その後、図１８を参照して、基板３１をＫＯＨ水溶液を用いて除去し、さらに、第１レジスト層３２および第２レジスト層３３をアッシングにより除去して、メッキ３５からなる微細構造体としての微細金型３５を完成させる。
【００３０】
（作用・効果）
以上、本実施の形態における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体によれば、それぞれ露光感度波長の異なるレジスト膜を２層形成し、その後、パターンの異なる２枚の露光マスクを用いて、２層のレジスト膜の露光を行なうことにより、レジスト層の平面と平行な平面内における露光光の露光量（光エネルギ）分布が連続的に変化するように制御でき、レジスト層の各部での露光光の露光量（光エネルギ）分布に応じた深さの露光を可能としている。その結果、基板と露光マスクとを相対的に移動させるための装置が不要となり、レジスト構造体からなる微細構造体の形成におけるコスト上昇を避けることを可能としている。また、このレジスト構造体にメッキ処理を行ない、微細金型を形成することで、さらに、コスト低下を図ることが可能となる。また、この金型に放電加工やレーザ加工等を施すことで、テーパ形状等の微細構造を得ることができる。
【００３１】
（実施の形態４）
次に、図１９〜図２５を参照して、実施の形態４における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体について説明する。なお、図１９〜図２５は、本実施の形態における微細構造体の形成方法を示す第１図〜第７図である。まず、図１９を参照して、基板４１の上に、ＰＭＭＡなどからなる第１レジスト層４２を形成する。
【００３２】
次に、所望のパターン（透光パターン４１０ａ，遮光パターン４１０ｂ）が形成された第１Ｘ線露光マスク４１０を用いて、第１レジスト層４２に所定パターンを露光して第１露光領域ｒ４１を形成する。この際、露光光源Ｒには、高強度で透過性、指向性の良いシンクロトロン放射（ＳＲ）光を発生する光源を用いることが好ましい。
【００３３】
次に、図２０を参照して、ＧＧ現像液、または、ＭｉＢＫ溶液を用いて、第１レジスト層４２から第１露光領域ｒ４１を除去し、開口領域４４ａを有し、第１レジスト層４２からなる微細構造体としてのレジスト構造体４４を形成する。その後、図２１を参照して、レジスト構造体４４に対して、マイクロドリル、レーザアブレーション等の微細切削工具１の位置決めを行ない、図２２に示すように、レジスト構造体４４にテーパ加工、ザグリ加工等の微細加工４４ｂを施す。これにより、複雑な形状の微細構造体を得ることができる。
【００３４】
さらに、図２２に示すレジスト構造体４４に対して、図２３に示すように、レジスト構造体４４に電解メッキ技術によりメッキ４５を施す。その後、図２４を参照して、基板４１をＫＯＨ水溶液（４０％）を用いて除去し、さらに、図２５を参照して、第１レジスト層４２をアッシングにより除去して、メッキ４５からなる微細構造体としての微細金型４５を完成させる。なお、本実施の形態における微細金型４５は、高さ（Ｈ）約８０μｍ程度、細い側の直径（Ｄ１）は、約３〜５μｍ、太い側の直径（Ｄ２）は、約６０μｍ程度である。
【００３５】
（作用・効果）
以上、本実施の形態における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体によれば、露光現像処理が施されたレジスト膜に対して微細切削工具を用いて切削加工を施すことで、さらに複雑な３次元構造の微細構造体を得ることが可能となる。また、このレジスト構造体にメッキ処理を行ない、微細金型を形成することで、さらに、コスト低下を図ることが可能となる。また、この金型に放電加工やレーザ加工等を施すことで、テーパ形状等の微細構造を得ることができる。
【００３６】
（実施の形態５）
次に、図２６〜図３２を参照して、実施の形態５における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体について説明する。なお、図２６〜図３２は、本実施の形態における微細構造体の形成方法を示す第１〜第７図である。まず、図２６を参照して、基板５１の上に、ＰＭＭＡなどからなる第１レジスト層５２を形成する。次に、この第１レジスト層５２の上に、ＭＡＡ／ＭＭＡ共重合体などからなる第２レジスト層５３を形成する。
【００３７】
次に、所望のパターン（透光パターン５１０ａ，遮光パターン５１０ｂ）が形成された第１Ｘ線露光マスク５１０を用いて、第１レジスト層５２および第２レジスト層５３に所定パターンを露光して第１露光領域ｒ５１を形成する。この際、露光光源Ｒには、高強度で透過性、指向性の良いシンクロトロン放射（ＳＲ）光を発生する光源を用いることが好ましい。
【００３８】
次に、図２７を参照して、第１Ｘ線露光マスク５１０とは異なるパターン（透光パターン５２０ａ，遮光パターン５２０ｂ）が形成された第２Ｘ線露光マスク５２０を用いて、第２レジスト層５３にのみ所定パターンを露光して第２露光領域ｒ５２を形成する。
【００３９】
次に、図２８を参照して、ＧＧ現像液、または、ＭｉＢＫ溶液を用いて、第１レジスト層５２および第２レジスト層５３から第１露光領域ｒ５１および第２露光領域ｒ５２を除去し、開口領域５４ａを有し、第１レジスト層５２および第２レジスト層５３からなるレジスト構造体３４を形成する。これにより、複雑な形状の微細構造体を得ることができる。なお、実施の形態１の図４に示したように、この段階で、基板５１をＫＯＨ水溶液により除去し、レジスト層のみからなる微細構造体としてのレジスト構造体５４を得ることで、このレジスト構造体５４を、ネブライザーやインクジェットプリンタノズルの試作テストモデルとして用いることも可能である。
【００４０】
次に、図２９を参照して、鋳型５４ａに対して、マイクロドリル、レーザアブレーション等の微細切削工具１の位置決めを行ない、図３０に示すように、鋳型５４ａにテーパ加工、ザグリ加工等の微細加工５４ｂを施す。
【００４１】
次に、図３１に示すように、レジスト構造体５４に電解メッキ技術によりメッキ５５を施す。その後、図３２を参照して、基板５１をＫＯＨ水溶液を用いて除去し、さらに、第１レジスト層５２および第２レジスト層５３をアッシングにより除去して、メッキ５５からなる微細構造体としての微細金型５５を完成させる。
【００４２】
（作用・効果）
以上、本実施の形態における微細構造体の形成方法およびその方法で形成された微細構造体によれば、露光現像処理が施されたレジスト膜に対して微細切削工具を用いて切削加工を施すことで、さらに複雑な３次元構造の微細構造体を得ることが可能となる。また、このレジスト構造体にメッキ処理を行ない、微細金型を形成することで、さらに、コスト低下を図ることが可能となる。また、この金型に放電加工やレーザ加工等を施すことで、テーパ形状等の微細構造を得ることができる。
【００４３】
なお、上記実施の形態においては、微細構造体３の断面形状の一例としてきのこ型の場合を示しているが、台形形状、三角形状等様々な形状の微細構造体を形成することが可能である。
【００４４】
したがって、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
この発明における微細構造体の形成方法により、ネブライザー、インクジェットプリンタノズル等に用いられる微細構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第１図（断面図）である。
【図２】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第２図（断面図）である。
【図３】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第３図（断面図）である。
【図４】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第４図（断面図）である。
【図５】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第５図（断面図）である。
【図６】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第６図（断面図）である。
【図７】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第７図（斜視図）である。
【図８】この発明に基づいた実施の形態１における微細構造体の形成方法を示す第８図（断面図）である。
【図９】この発明に基づいた実施の形態２における微細構造体の形成方法を示す第１図（断面図）である。
【図１０】この発明に基づいた実施の形態２における微細構造体の形成方法を示す第２図（断面図）である。
【図１１】この発明に基づいた実施の形態２における微細構造体の形成方法を示す第３図（断面図）である。
【図１２】この発明に基づいた実施の形態２における微細構造体の形成方法を示す第４図（断面図）である。
【図１３】この発明に基づいた実施の形態２における微細構造体の形成方法を示す第５図（斜視図）である。
【図１４】この発明に基づいた実施の形態３における微細構造体の形成方法を示す第１図（断面図）である。
【図１５】この発明に基づいた実施の形態３における微細構造体の形成方法を示す第２図（断面図）である。
【図１６】この発明に基づいた実施の形態３における微細構造体の形成方法を示す第３図（断面図）である。
【図１７】この発明に基づいた実施の形態３における微細構造体の形成方法を示す第４図（断面図）である。
【図１８】この発明に基づいた実施の形態３における微細構造体の形成方法を示す第５図（斜視図）である。
【図１９】この発明に基づいた実施の形態４における微細構造体の形成方法を示す第１図（断面図）である。
【図２０】この発明に基づいた実施の形態４における微細構造体の形成方法を示す第２図（断面図）である。
【図２１】この発明に基づいた実施の形態４における微細構造体の形成方法を示す第３図（断面図）である。
【図２２】この発明に基づいた実施の形態４における微細構造体の形成方法を示す第４図（断面図）である。
【図２３】この発明に基づいた実施の形態４における微細構造体の形成方法を示す第５図（断面図）である。
【図２４】この発明に基づいた実施の形態４における微細構造体の形成方法を示す第６図（断面図）である。
【図２５】この発明に基づいた実施の形態４における微細構造体の形成方法を示す第７図（斜視図）である。
【図２６】この発明に基づいた実施の形態５における微細構造体の形成方法を示す第１図（断面図）である。
【図２７】この発明に基づいた実施の形態５における微細構造体の形成方法を示す第２図（断面図）である。
【図２８】この発明に基づいた実施の形態５における微細構造体の形成方法を示す第３図（断面図）である。
【図２９】この発明に基づいた実施の形態５における微細構造体の形成方法を示す第４図（断面図）である。
【図３０】この発明に基づいた実施の形態５における微細構造体の形成方法を示す第５図（断面図）である。
【図３１】この発明に基づいた実施の形態５における微細構造体の形成方法を示す第６図（断面図）である。
【図３２】この発明に基づいた実施の形態５における微細構造体の形成方法を示す第７図（斜視図）である。
【符号の説明】
【００４７】
１１，２１，３１，４１，５１  基板、１２，２２，３２，４２，５２  第１レジスト層、１３，２３，３３，５３  第２レジスト層、１１０ａ，１２０ａ，２１０ａ，２２０ａ，３１０ａ，３２０ａ，４１０ａ，５１０ａ，５２０ａ  透光パターン、１１０ｂ，１２０ｂ，２１０ｂ，２２０ｂ，３１０ｂ，３２０ｂ，４１０ｂ，５１０ｂ，５２０ｂ  遮光パターン、１１０，２１０，３１０，４１０，５１０  第１Ｘ線露光マスク、１２０，２２０，３２０，５２０  第２Ｘ線露光マスク、１４ａ，２４ａ，３４ａ，４４ａ，４４ｂ，５４ａ，５４ｂ  開口部、１４，２４，３４，４４，５４  レジスト構造体、１５，２５，３５，４５，５５  微細金型（メッキ）、ｒ１１，ｒ２１，ｒ３１，ｒ４１，ｒ５１  第１露光領域、ｒ１２，ｒ２２，ｒ３２，ｒ５２  第２露光領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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