(57)【要約】【課題】  高周波帯域で優れた透磁率特性を安定して得ることのできる電磁波吸収シートを提供する。【解決手段】  表面に絶縁膜を有する扁平状軟磁性金属粉が、その厚さ方向に積層されることで所定の厚さに形成された軟磁性層１０と、軟磁性層１０の表面を覆う電気絶縁層２０と、を備え、扁平状軟磁性金属粉の４０ｗｔ％以上が４５〜１２５μｍの粒径を有することを特徴とする電磁波吸収シート１である。さらに、３２μｍ以下の粒径を有する扁平状軟磁性金属粉が３０ｗｔ％以下であり、３２〜４５μｍの粒径を有する扁平状軟磁性金属粉が２５ｗｔ％以下であることが好ましい。【選択図】図１
2006135137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁膜を有する扁平状軟磁性金属粉が、その厚さ方向に積層されることで所定の厚さに形成された軟磁性層と、
前記軟磁性層の表面を覆う電気絶縁層と、を備え、
前記扁平状軟磁性金属粉の４０ｗｔ％以上が４５〜１２５μｍの粒径を有することを特徴とする電磁波吸収シート。
【請求項２】
３２μｍ以下の粒径を有する前記扁平状軟磁性金属粉が３０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波吸収シート。
【請求項３】
３２〜４５μｍの粒径を有する前記扁平状軟磁性金属粉が２５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁波吸収シート。
【請求項４】
前記扁平状軟磁性金属粉の厚さが０．１〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
【請求項５】
前記扁平状軟磁性金属粉の保磁力（Ｈｃ）が６．５Ｏｅ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電磁波吸収シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波領域の電磁ノイズ対策部品に用いる電磁波吸収シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコン、ゲーム機器あるいは携帯情報端末に代表されるデジタル電子機器をはじめとする電子装置は、回路の高周波化、高性能化に伴い高密度化が進行しており、受動素子が半導体素子などノイズを放射する能動素子の影響を受けやすくなっている。従来、この対策として、フェライトコアや準マイクロ波帯に対応する電波吸収体が利用されているが、電子機器の小型化に伴い、ノイズ対策部品の小型化、薄型化、高性能化が要求されている。
一方、ＥＭＣ（Electro-Magnetic Compatibility）規格を満たすために、１００ＭＨｚ近傍の比較的低い周波数でのノイズ規格を満たすことが重要課題となっており、この帯域に対応した電波吸収体や小型ＥＭＩ対策部品の需要が拡大している。
【０００３】
以上の要求に対して本発明者等は、特開２００４−３９７０３号公報（特許文献１）に、軟磁性層１０と、軟磁性層１０の表面を覆う電気絶縁層２０と、を備えた電磁波吸収シート１を提案している（図１（ａ）参照）。軟磁性層１０は、図２に示すように、多数の磁性粉末１１が塑性変形して密に絡み合うことで形成されている。個々の磁性粉末１１は、扁平状軟磁性金属粉からなる軟磁性金属相１２と、軟磁性金属相１２の表面に形成された絶縁膜からなる絶縁相１３と、から形成される複合磁性体である。
【０００４】
特許文献１の電磁波吸収シート１は、軟磁性層１０が５〜１００μｍの厚さを有し、また電気絶縁層２０は全体として５０μｍ以下の厚さを有することが好ましいことを開示している。また、磁性粉末１１を構成する扁平状磁性金属粉は、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、スーパーパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、 Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金等から構成され、そのアスペクト比は１０〜２００、より望ましくは１０〜１５０、厚さは０．１〜１μｍであることが開示されている。
【０００５】
扁平状軟磁性金属粉は、原料となるアトマイズ粉をトルエン等の有機溶媒中、例えば撹拌ミルを用いて粉砕することにより得られること、得られた扁平状軟磁性金属粉の粒度分布は、必ずしもシャープである必要はなく、２山の分布を有していてもよいこと、が特許文献１に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３９７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示された電磁波吸収シート１は、高周波帯域で優れた透磁率特性を有することを特徴としているが、その製造を検討する過程で、所望の透磁率特性を安定して得ることができない場合があった。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、高周波帯域で優れた透磁率特性を安定して得ることのできる電磁波吸収シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、所望の透磁率特性が得られない原因について検討したところ、扁平状軟磁性金属粉の粒径（長径）によって透磁率特性が変動することが判明した。そして、高い透磁率を得るためには、粒径が４５〜１２５μｍの範囲にあることが望ましいこと、さらに粒径がこの範囲にある扁平状軟磁性金属粉が、扁平状軟磁性金属粉全体の４０ｗｔ％以上を占めていれば所望する透磁率特性が得られることを知見した。
本発明は以上の知見に基づくものであり、表面に絶縁膜を有する扁平状軟磁性金属粉が、その厚さ方向に積層されることで所定の厚さに形成された軟磁性層と、軟磁性層の表面を覆う電気絶縁層と、を備え、扁平状軟磁性金属粉の４０ｗｔ％以上、好ましくは５０ｗｔ％以上、さらに好ましくは７０ｗｔ％以上が４５〜１２５μｍの粒径を有することを特徴とする電磁波吸収シートである。最も好ましくは、扁平状軟磁性金属粉の全てが４５〜１２５μｍの粒径を有することである。このような扁平状軟磁性金属粉は、保磁力（Ｈｃ）が６．５Ｏｅ以下であることが好ましい。
【０００９】
４５μｍ以下の粒径を有する扁平状軟磁性金属粉末の比率は小さいことが好ましく、特に３２μｍ以下の粒径を有する扁平状軟磁性金属粉末は３０ｗｔ％以下、好ましくは２０ｗｔ％以下、さらに好ましくは１０ｗｔ％以下とすべきである。
また、３２〜４５μｍの範囲の粒径を有する扁平状軟磁性金属粉末は２５ｗｔ％以下、好ましくは１５ｗｔ％以下、さらに好ましくは１０ｗｔ％以下とすべきである。
【００１０】
本発明の電磁波吸収シートにおいて、軟磁性層を形成する扁平状軟磁性金属粉の厚さは、例えば０．１〜１．０μｍとされる。
本発明の電磁波吸収シートにおいて、軟磁性層は、扁平状軟磁性金属粉がほぼ一定の方向に配向されているのが好ましい。また、軟磁性層の厚さは５〜１００μｍ、電気絶縁層の厚さは５０μｍ以下とすることができる。
扁平状軟磁性金属粉を覆う絶縁膜は、無機ポリマーまたは窒化物を含むことができる。また、絶縁膜は、無機ポリマーであるポリシラザン系、有機絶縁材料であるカップリング剤、 無機絶縁材料であるシリカゾル、チタニアゾル、マグネシアゾル、アルミナゾル、粉末ガラスおよびボロンナイトライド、セリサイトのうちの１種以上により形成することもできる。
【００１１】
本発明は、長径が４５〜１２５μｍの範囲にある層状の軟磁性金属相と軟磁性金属相の間に介在する絶縁相を有し、厚さが５〜１００μｍである磁性層と、磁性層の両面に形成された厚さ５０μｍ以下の絶縁層と、を備えることを特徴とする電磁波吸収シートとして捉えることもできる。
このような電磁波吸収シートは、一面側が磁性層に接した絶縁層の他面側に、導電性材料からなる導電層をさらに備えることもできる。この導電層は、絶縁層に接する側とは反対側の面を他の絶縁層で覆うのが好ましい。
【００１２】
この電磁波吸収シートにおいて、絶縁層は、電気絶縁材料から形成されたシート材が磁性層に貼着されることで形成することもできるし、電気絶縁性樹脂によって磁性層をコーティングすることで形成することもできる。後者の場合、磁性層を補強する効果も有し、絶縁層を形成する電気絶縁性樹脂は、磁性層を形成する扁平状軟磁性金属粉の隙間に入り込んでいてもよい。
【００１３】
本発明の電磁波吸収シートは、長径が４５〜１２５μｍの範囲にあり、表面に絶縁膜が形成された扁平状軟磁性金属粉を堆積させる工程と、堆積した扁平状軟磁性金属粉に加圧力を付与することによって扁平状軟磁性金属粉同士を接合し、シート状生成物を生成する工程と、シート状生成物の表面に電気絶縁材料からなる絶縁層を形成する工程と、を経ることにより製造することができる。
ここで、絶縁層を形成する工程では、電気絶縁材料から形成されたシート材をシート状生成物の表面に貼着してもよいし、電気絶縁性樹脂をシート状生成物の表面に塗布してもよい。ここでは、シート状生成物を電気絶縁性樹脂中に含浸することで電気絶縁性樹脂をシート状生成物の表面に付着させることも、塗布という概念に含むものとする。
また、シート状生成物を生成する工程において、扁平状軟磁性金属粉は、圧延により塑性変形させることができる。
扁平状軟磁性金属粉を堆積させる工程では、扁平状軟磁性金属粉を篩から落下させて堆積させてもよいし、扁平状軟磁性金属粉をスプレーで吹き付けることで堆積させてもよい。
【００１４】
本発明は、４５〜１２５μｍの粒径の粒子を４０ｗｔ％以上含む扁平状軟磁性金属粉と絶縁材料を混合絶縁処理する絶縁処理工程と、混合により絶縁を施した扁平状軟磁性金属粉を基板上に堆積させた後に圧延して配向させて、例えば厚さが５〜１００μｍのシート状生成物を得る圧延配向工程と、シート状生成物を熱処理して扁平状軟磁性金属粉の残留歪を緩和する熱処理工程と、シート状生成物の表面に電気絶縁材料からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を備えることを特徴とする電磁波吸収シートの製造方法として捉えることもできる。
絶縁処理工程の前には、扁平状軟磁性金属粉に歪み取り熱処理を施すのがよい。また、シート状生成物の熱処理工程での熱処理温度は、６００〜８００℃とし、熱処理雰囲気が不活性ガス、窒素または水素であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高周波帯域で優れた透磁率特性を安定して得ることのできる電磁波吸収シートを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
＜電磁波吸収シートの構成＞
図１（ａ）に示すように、本実施の形態における電磁波吸収シート１は、軟磁性層１０の両面に、電気絶縁層２０を有した構成となっている。ここで、軟磁性層１０は、全体として５〜１００μｍの厚さを有しているのが好ましい。また、電気絶縁層２０は、全体として５０μｍ以下、さらには１５μｍ以下であることがより好ましい。
また、図１（ｂ） に示すように、電磁波吸収シート１は、軟磁性層１０の両側の電気絶縁層２０の一方に、この電気絶縁層２０が軟磁性層１０と接する側とは反対側の面に接するよう、導電体層３０を設けることも可能である。この導電体層３０は、銅やカーボン等の導電性材料から形成されるもので、電磁波吸収シート１を接地させるためのものである。この場合、導電体層３０は、さらに他の絶縁層としての電気絶縁層２０によって覆われる。
【００１７】
＜軟磁性層１０の構成＞
図２に、電磁波吸収シート１を構成する軟磁性層１０を模式的に示す。軟磁性層１０は、多数の磁性粉末１１が塑性変形して密に絡み合うことで形成されている。個々の磁性粉末１１は、扁平状軟磁性金属粉からなる軟磁性金属相１２と、軟磁性金属相１２の表面に形成された絶縁膜からなる絶縁相１３と、から形成される複合磁性体である。このように、互いに接する軟磁性金属相１２間には絶縁相１３が介在することになる。また、軟磁性層１０は、表面に絶縁膜を有する扁平状軟磁性金属粉が、その厚さ方向に層状に積層されることで所定の厚さに形成された構成となっている。
【００１８】
軟磁性金属相１２を構成する扁平状軟磁性金属粉について説明する。ここで扁平とは、粉体の長径と最小厚みの比が１を超えるものを広く包含するが、そのアスペクト比は、好ましくは１６０〜１２５０、より好ましくは４５０〜１２５０とする。
扁平状軟磁性金属粉は、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、スーパーパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金等から構成することができる。
【００１９】
本発明は、粒径が４５〜１２５μｍの範囲にある扁平状軟磁性金属粉が４０ｗｔ％以上を占める扁平状軟磁性金属粉を用いる。後述する実施例に示すように、高い透磁率特性を得るのに粒径が４５〜１２５μｍの範囲にあることが望ましいためである。ただし、用いる扁平状軟磁性金属粉の全てが４５〜１２５μｍの粒径の範囲にある必要はなく、これまた後述する実施例に示すように、全体の４０ｗｔ％以上を占めていれば所望する透磁率特性を得ることができる。粒径が４５〜１２５μｍの範囲にある扁平状軟磁性金属粉が占める割合は、好ましくは５０ｗｔ％以上、さらに好ましくは７０ｗｔ％以上とする。なお、ここでいう粒径とは、短径と長径を有する扁平状軟磁性金属粉の長径を意味し、短径は厚さとして定義される。また、４０ｗｔ％以上か否かは、粒径が４５〜１２５μｍの範囲にある扁平状軟磁性金属粉が全体に占める重量比で判定することになる。
扁平状軟磁性金属粉の厚さは０．１〜１．０μｍとすることが望ましい。扁平状軟磁性金属粉の厚さを０．１μｍ未満とすることは製造上困難であり、取り扱いも難しくなる。また、扁平状軟磁性金属粉の厚さが １．０μｍを超えると、高周波での磁気特性の低下を招くことになるので好ましくない。
【００２０】
次に、絶縁相１３を構成する絶縁膜について説明する。
図２に示すように、扁平状軟磁性金属粉の全表面に均一に絶縁膜が形成されていることが理想的ではあるが、扁平状軟磁性金属粉の表面に絶縁膜が形成されていない部分があっても後述する圧接接合後に絶縁相１３として機能しうる程度の絶縁膜が形成されていればよい。
扁平状軟磁性金属粉と絶縁材料を混合し、所定の処理を加えることにより、扁平状軟磁性金属粉の表面に絶縁膜が形成される。絶縁材料としては、有機絶縁材料、無機絶縁材料を用いることができる。より詳しくは、無機ポリマー系のペルヒドロポリシラザン等のポリシラザン系の材料が好ましく、シラン系やチタネート系カップリング剤、無機絶縁体であるシリカゾル、チタニアゾル、マグネシアゾル、アルミナゾル、粉末ガラス、ボロンナイトライド等を絶縁材料として用いることもでき、これらをペルヒドロポリシラザンと組み合わせて用いてもよい。
【００２１】
また、図１に示した電気絶縁層２０は、絶縁材料から形成される層であり、例えば樹脂シートを軟磁性層１０に貼り付けたり、あるいは絶縁材料を軟磁性層１０の表面に塗布することで形成される。
電磁波吸収シート１の表面に電気絶縁性を付与するための絶縁材料としては、樹脂が好適であり、その中でも強度と絶縁性、さらには難燃性に優れているものが好ましい。電気絶縁層２０を形成する材料の具体例としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、テフロン（登録商標）、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、難燃ポリエチレン、難燃ポリプロピレン、難燃ポリスチレン、ポリフェニレンスルフィド、難燃ＰＥＴ、難燃ＰＢＴ、難燃ポリオレフィン、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂があり、難燃性を向上させるための難燃剤を添加する場合には、非ハロゲン系の難燃剤を用いるのが好ましい。
【００２２】
＜製造方法＞
以下、上述した電磁波吸収シート１の好適な製造方法を説明する。
図３は、本実施の形態に係る電磁波吸収シート１の製造工程を示すフローチャートである。
＜粉砕工程＞
まず、粉砕工程において、別途用意された軟磁性金属からなるアトマイズ粉をトルエン等の有機溶媒中、例えば撹拌ミルを用いて粉砕し、粒径４５〜１２５μｍ、厚さ０．１〜１．０μｍの扁平状軟磁性金属粉を得る。この扁平状軟磁性金属粉は、その全てが４５〜１２５μｍの範囲にある必要はなく、前述したように４０ｗｔ％以上の扁平状軟磁性金属粉が４５〜１２５μｍの範囲にあればよい。この扁平状軟磁性金属粉は、粉砕によって直接得ることができるが、粉砕後に篩により分級することによって得ることもできる。
【００２３】
＜熱処理工程＞
粉砕工程後、熱処理工程に移る。この熱処理工程では、扁平状軟磁性金属粉に対し不活性ガス（例えば窒素）あるいは水素中で、例えば６００℃で６０分保持する熱処理を行う。この熱処理により、軟磁性金属粉を扁平化するための粉砕工程による歪みが除去されるとともに、粉砕中に軟磁性金属粉中に混入した酸素および炭素が除去される。この熱処理工程は必須のものではないが、扁平状軟磁性金属粉は歪み（磁歪）が小さい方が好ましいため、後述する絶縁処理工程に先立って扁平状軟磁性金属粉に熱処理を施し、扁平状軟磁性金属粉の歪みを除去しておくことが望ましい。
【００２４】
＜絶縁処理工程＞
次いで、絶縁処理工程（絶縁膜形成工程）に移る。この工程では、扁平状軟磁性金属粉と絶縁材料（液状または微細粉）とを混合し、所定の方法で絶縁膜を合成して絶縁処理粉、つまり扁平状軟磁性金属粉表面に絶縁膜が形成された磁性粉末１１を作製する。この絶縁処理工程は、絶縁材料の種類に応じて処理の方法が異なる。以下、絶縁材料が（１）ペルヒドロポリシラザンの場合、（２）カップリング剤（シラン系、チタネート系等）の場合、（３）その他の酸化物ゾル、ＢＮ （ボロンナイトライド）の場合についてそれぞれの処理の方法を述べる。
【００２５】
（１）絶縁材料がペルヒドロポリシラザンの場合には、混合装置を用いて扁平状軟磁性金属粉とペルヒドロポリシラザンを混合する。混合後、例えば大気中または窒素中３００℃、６０分保持で熱処理を行う。ペルヒドロポリシラザンは、大気中で熱処理するとＳｉＯ2へ、窒素中で熱処理するとＳｉ3Ｎ4へ転化する。
（２）絶縁材料がカップリング剤（シラン系、チタネート系等）の場合には、湿式処理法を用いて金属粉表面を被覆する。湿式処理は、溶剤で５０〜１００倍に希釈したカップリング剤の中で扁平状軟磁性金属粉を撹拌混合しながら、溶剤を飛ばして表面処理を行う方法である。
（３）絶縁材料がその他の酸化物ゾル、ＢＮの場合には、混合装置を用いて扁平状軟磁性金属粉と絶縁材料を直接混合（乾式混合）する。
【００２６】
＜圧延配向工程＞
続いて、圧延配向工程に移る。圧延配向工程では、まず、絶縁膜が形成された扁平状軟磁性金属粉（磁性粉末１１）同士が圧接接合される。具体的には、磁性粉末１１を篩でふるいながら落下させてほぼ均等に基板上に堆積させる。またこのとき、篩を用いるのではなく、磁性粉末１１をスプレーで基板上に吹き付けることで、磁性粉末１１を基板上に堆積させることもできる。
次いで、磁性粉末１１が略均一に堆積した基板上を圧延ロールにて圧延し、基板に平行な向きに絶縁処理粉を配向させる。この工程により、厚さ５〜１００μｍの、軟磁性層１０を形成する磁性シートを得ることができる。この磁性シートに対し、必要に応じて打ち抜き加工を施してもよい（打ち抜き加工工程）。
【００２７】
圧延配向工程では、基板表面から３ｍｍ以上上方に位置する篩等の保持容器から絶縁処理粉を自由落下させ、絶縁処理粉を面内配向させた上で圧延を行うことにより、圧延後の配向度を改善することができる。
また、異なるメッシュサイズを有する複数の篩を用いることによって、４０ｗｔ％以上の扁平状軟磁性金属粉を４５〜１２５μｍの範囲に調整することもできる。
【００２８】
軟磁性層１０を形成する磁性シートの厚さを５〜１００μｍとするのは以下の理由に基づく。すなわち、シートの厚さが５μｍよりも薄い場合は、焼結により高周波で充分大きな透磁率が得られるため、複合磁性体の必要性が小さい。一方、シートの厚さが１００μｍを超えると、電気機器の筐体内部の狭い空間に軟磁性層１０を有する電磁波吸収シート１を収めることが困難になるという制約条件からである。
【００２９】
なお、圧延を例にして圧延配向工程（接合工程）を説明したが、この工程は圧延に限られるものではない。扁平状軟磁性金属粉が塑性変形する程度の加圧力を付与するものであれば、プレス加工等、他の加圧成形の方法を用いてもよいが、加圧の点で圧延が最も望ましい。
【００３０】
＜熱処理工程＞
次いで、打ち抜き加工された磁性シートに熱処理を施し、扁平状軟磁性金属粉の塑性変形後の残留歪を緩和する（熱処理工程）。扁平状軟磁性金属粉の著しい酸化を避けるため、熱処理雰囲気をＡｒ等不活性ガス雰囲気中、窒素または水素雰囲気中とすることが好ましい。
また、熱処理温度は４００〜８００℃の範囲とする。熱処理温度が４００℃未満では残留歪の緩和効果が少なく、一方、熱処理温度が８００℃を超えると扁平状軟磁性金属粉表面に形成された絶縁膜の絶縁機能が損なわれる。なお、熱処理時間は１時間程度とすればよい。
以上の工程を経ることにより、本実施の形態に係る、厚さ５〜１００μｍのシート状の軟磁性層１０がシート状生成物として得られる。
【００３１】
＜絶縁層形成工程＞
次いで、軟磁性層１０の両面に、電気絶縁層２０を形成する。
これには、予め所定の厚さのシート状に形成された絶縁シートを軟磁性層１０に貼り付けることで、これを電気絶縁層２０とすることができる。このとき、電気絶縁層２０を形成する絶縁シートは、前記したような材料で形成すればよい。
電気絶縁層２０を形成する絶縁シートを軟磁性層１０に貼り付けるには、単純にはシート状の軟磁性層１０の表面、あるいは電気絶縁層２０を形成する絶縁シートに塗布した接着剤を用いればよい。接着剤としては、絶縁性、耐熱性のあるエポキシ系、シリコーン系が好ましい。さらには、いわゆるラミネートフィルムのように、電気絶縁層２０を形成する絶縁シートの表面に接着剤層を形成しておき、これをシート状の軟磁性層１０に圧着することも可能である。この場合、シート状の軟磁性層１０を電気絶縁層２０に圧着する際に熱を加えることで、電気絶縁層２０の接着剤層を溶融する、いわゆる熱圧着方式を採用することもできる。
【００３２】
この他、電気絶縁層２０を形成するために、前記したような材料を軟磁性層１０の表面に直接塗布し、これを硬化させることも可能である。つまり、絶縁材料によるコーティングによって電気絶縁層２０を形成するのである。
この場合に用いるコーティング剤としては、シリコーンレジン系、シリコーンゴム系、エポキシ系、エポキシとシリコーン複合系、ブチラール系、アクリル系、エチルセルロース系、ポリプロピレン系、スチレン−ブタジエン系、ポリブチレン系等の樹脂が好ましい。また、前述したカップリング剤、接着剤を用いることもできる。
軟磁性層１０を形成する磁性シート表面に電気絶縁層２０として樹脂層を形成するにあたっては、軟磁性層１０を形成する磁性シートを樹脂に含浸し、あるいは軟磁性層１０を形成する磁性シートにスプレーで樹脂を噴霧する等の方法を適宜採用することができる。軟磁性層１０を形成する磁性シートを樹脂に含浸する場合には、樹脂をトルエン、キシレン、エタノール、アセトン等の溶液で希釈して樹脂溶液を調整し、この樹脂溶液中に軟磁性層１０を形成する磁性シートを３〜２０分程度含浸させればよい。
【００３３】
上記のようにして、電気絶縁層２０として、絶縁シートを軟磁性層１０に貼り付ける場合、この絶縁シートによって、軟磁性層１０を形成する磁性シートの補強を図ることができる。
また、電気絶縁層２０を形成するために樹脂を塗布する場合も、同様に軟磁性層１０を形成するシートの補強を図ることができる。
なお、絶縁シートを貼り付けることで電気絶縁層２０を形成する場合、補強のために、上記のように樹脂を塗布することもできる。さらにこの場合は、樹脂以外のものを用いて軟磁性層１０を形成する磁性シートの強度を高めてもよい。
このような電気絶縁層２０を、軟磁性層１０の両面に順次形成することで、図１に示した電磁波吸収シート１が得られる。
【００３４】
本実施の形態に係る軟磁性層１０を形成する磁性シートは、軟磁性金属相１２、すなわち、扁平状軟磁性金属粉の占積率が７５％以上とすることができる。そうすることにより、良好な磁気特性を得ることができる。
【００３５】
本発明により得られる軟磁性層１０を形成する磁性シートの断面を観察すると、厚さ０．１〜１．０μｍの扁平状軟磁性金属粉が塑性変形していること、扁平状軟磁性金属粉が層状に積層されていることが確認された。また、個々の扁平状軟磁性金属粉は、酸化物あるいは窒化物で絶縁された構造になっていた。つまり、本実施の形態の軟磁性層１０を形成する磁性シートは、層状の軟磁性金属相１２の間に絶縁相１３が介在している構造となっていることが確認された。そして、本実施の形態の軟磁性層１０を形成する磁性シートは、小さな反磁界と小さな渦電流を同時に達成し得る構造となる。
【実施例】
【００３６】
軟磁性金属粉として水アトマイズによる平均粒径約３０μｍの２Ｍｏパーマロイ粉（８０Ｎｉ−２Ｍｏ−ｂａｌ．Ｆｅ（ｍｏｌ％））を、溶媒にトルエンを用いた媒体撹拌ミル中で粉砕扁平化した。粉砕時間を変動させることにより、表１に示す５種類の扁平状軟磁性金属粉（以下、適宜、「扁平状粉」という。）を得た。なお、各扁平状軟磁性金属粉の厚さは０．１〜０．３μｍの範囲にあった。また、表１は、各粒径の範囲における扁平状軟磁性金属粉の重量比（ｗｔ％）を示している。
得られた各扁平状軟磁性金属粉を５６０℃、６０分間熱処理した後に、保磁力（Ｈｃ、以下単にＨｃ）を測定した。その結果を表２に示す。
【００３７】
粉砕、扁平化された扁平状粉を乾燥後、絶縁相１３を形成する絶縁材料としてのペルヒドロポリシラザン（クラリアントジャパン製、ポリシラザンＮＬ１１０Ａ−２０）を用い、扁平状粉に絶縁膜合成処理を施した。このとき、ペルヒドロポリシラザンの扁平状Ｍｏパーマロイ粉に対する添加量を４．５重量％とした。そして、扁平状Ｍｏパーマロイ粉とペルヒドロポリシラザンを、混合機を用い、室温で約６０ｍｉｎ混合した。その後、大気中、３００℃で６０ｍｉｎ保持し、ペルヒドロポリシラザンをＳｉＯ2に転化し、扁平状Ｍｏパーマロイ粉の表面に絶縁膜を形成した。
【００３８】
【表１】
2006135137.tif 000003
【００３９】
次に、絶縁処理された前記扁平状粉をほぼ均等の厚さにステンレス基板上に堆積させた。このステンレス基板をロール径５０ｍｍの２段冷間圧延ロールを通過させて圧延し、各扁平状粉を前記基板に平行な向きに配向させ、厚さ約５０μｍのシート状にした。
続いて、圧延する際の歪みを緩和するため、このシートを窒素中で、５６０℃、６０分間熱処理した。
このようにして得られたシートについて、１０ＭＨｚ、１００ＭＨｚそれぞれにおける複素透磁率の実数部分（μ'、以下単にμ'）を測定した。その結果を表２に示す。また、粒径が４５〜１２５μｍの範囲にある扁平状粉の重量比（ｗｔ％）とμ'の関係を図４及び図５のグラフに示す。
その後、シートの補強、および絶縁性を付加するため、室温硬化型シリコーンレジンのキシレン溶液（２０％）にシートを約２０分間含浸させ、その後乾燥させて、電磁波吸収シート１を形成するシート状物品を得た。
【００４０】
【表２】
2006135137.tif 000004
【００４１】
表２、図４及び図５に示すように、粒径が４５〜１２５μｍの範囲ある扁平状粉の比率が高くなるとμ'が高くなることがわかる。μ'の高い扁平状粉はＨｃが低く、逆にμ'の高い扁平状粉はＨｃが高くなりμ'が劣化する。そこで本発明では、粒径が４５〜１２５μｍの範囲にある扁平状粉の比率を４０ｗｔ％以上とする。粒径が４５〜１２５μｍの範囲ある扁平状粉の好ましい比率は５０ｗｔ％以上、さらに好ましい比率は７０ｗｔ％以上である。
【００４２】
各扁平状粉のＨｃがこのように相違するのは、粉砕による内部ひずみが相違するためと解される。すなわち、各扁平状粉は、前述したように粉砕時間が相違している。本実施例では、歪除去を目的として熱処理を行っているが、この熱処理を施しただけでは内部歪を十分に除去できないために、粉砕時間が長いほどＨｃが大きくなったのである。図６（ａ）に表１のＮｏ．１及び図６（ｂ）にＮｏ．５の扁平状粉の外観を示す顕微鏡写真を示す。Ｎｏ．１の扁平状粉に比べてＮｏ．５の扁平状粉は、各粒子の周囲がちぎれたか、あるいはささくれた異形状となっている。これは、表１のＮｏ．１では適切に扁平化がなされたのに対して、同Ｎｏ．５は扁平化が適切になされた後に各扁平状粉がさらに粉砕されたために、以上のように異形状になったものと解される。
【００４３】
粒径が０〜３２μｍ、３２〜３８μｍ及び３８〜４５μｍの範囲にある扁平状粉の重量比とμ'の関係を図７及び図８に示す。各粒度の扁平状粉の比率が小さくなるにしたがってμ’が高くなる。μ’の最も高いＮｏ．１（表１、２）の場合、粒径が０〜３２μｍの扁平状粉は３０ｗｔ％以下、粒径が３２〜４５μｍの扁平状粉は２５ｗｔ％以下の値となっている。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施の形態における電磁波吸収シートの構成を示す図である。
【図２】電磁波吸収シートを構成する磁性層を示す図であり、扁平状軟磁性金属粉（軟磁性金属相）の表面に絶縁膜（絶縁相）が形成された状態を示す模式図である。
【図３】本実施の形態に係る製造工程図である。
【図４】実施例で得られた電磁波吸収シートにおける、粒径が４５〜１２５μｍの範囲にある扁平状粉の重量比とμ'（１０ＭＨｚ）の関係を示すグラフである。
【図５】実施例で得られた電磁波吸収シートにおける、粒径が４５〜１２５μｍの範囲にある扁平状粉の重量比とμ'（１００ＭＨｚ）の関係を示すグラフである。
【図６】（ａ）がＮｏ．１の扁平状粉、（ｂ）がＮｏ．５の扁平状粉の外観を示す顕微鏡写真である。
【図７】実施例で得られた電磁波吸収シートにおける、粒径が０〜３２μｍ、３２〜３８μｍ及び３８〜４５μｍの範囲にある扁平状粉の重量比とμ'（１０ＭＨｚ）の関係を示すグラフである。
【図８】実施例で得られた電磁波吸収シートにおける、粒径が０〜３２μｍ、３２〜３８μｍ及び３８〜４５μｍの範囲にある扁平状粉の重量比とμ'（１００ＭＨｚ）の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１…電磁波吸収シート、１０…軟磁性層、１１…磁性粉末、１２…軟磁性金属相、１３…絶縁相、２０…電気絶縁層、３０…導電体層
【図１】
2006135137.tif 000005
【図２】
2006135137.tif 000006
【図３】
2006135137.tif 000007
【図４】
2006135137.tif 000008
【図５】
2006135137.tif 000009
【図６】
2006135137.tif 000010
【図７】
2006135137.tif 000011
【図８】
2006135137.tif 000012