(57)【要約】【課題】表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  基板上において、画素毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、第１電極６０及び有機活性層６４を含む導波層１３０と基板１０１との間に配置され各画素を区画する隔壁１１６と、隔壁１１６で囲まれた内側に配置され導波層１３０より高い屈折率を有する高屈折率材料を含む高屈折率層１１５と、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
2006100043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において、画素毎に独立島状に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、
前記第１電極及び前記有機活性層を含む導波層と前記基板との間に配置され、各画素を区画する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた内側に配置され、前記導波層より高い屈折率を有する高屈折率材料を含む高屈折率層と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記高屈折率層は、第１屈折率を有する樹脂材料と、この樹脂材料に分散され第１屈折率よりも高い第２屈折率を有する微粒子と、からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記高屈折率層に含まれる前記微粒子の粒径は、前記隔壁の高さと実質的に同等であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記隔壁は、前記導波層と前記基板との間に配置された絶縁層と一体的に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
画素毎に表示素子を備えた表示装置の製造方法であって、
絶縁層を備えた基板を用意する工程と、
前記絶縁層の表面に各画素を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で囲まれた内側に高屈折率材料を含む高屈折率層を形成する工程と、
前記高屈折率層上に前記高屈折率材料より低い屈折率を有する導波層を含む表示素子を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記高屈折率層は、高屈折率材料をインクジェット方式により塗布することによって形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記高屈折率層は、第１屈折率を有する樹脂材料と、この樹脂材料に分散され第１屈折率よりも高い第２屈折率を有する微粒子と、からなることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記隔壁は、絶縁性を有した無機系材料によって形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記隔壁は、樹脂材料によって形成することを特徴とする請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記隔壁は、前記絶縁層の表面をパターン化することによって形成する請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、複数の自発光性素子によって構成された表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板として陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成される。
【０００４】
カラー表示可能な有機ＥＬ表示装置を実現するための代表的な方法として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色にそれぞれ発光する色画素を配置する方法が挙げられる。しかしながら、有機ＥＬ素子内で発生した光のうち、２０％程度の光しか外部に取り出すことができないといった問題がある。このため、十分な輝度を得ようとするならば、有機ＥＬ素子内に大電流を供給する必要があり、有機ＥＬ素子の劣化を早めてしまうことにつながる。
【０００５】
そこで、有機ＥＬ素子内で発生した光の取出効率を向上するために、光散乱層を配置する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１２７９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した特許文献１によれば、光散乱層は、スピン塗布、ブレード塗布、スクリーン印刷などの塗布技術を用いて形成される。しかしながら、光散乱層のパターンを形成する通常のフォトリソグラフィプロセスにおいて、塗布した直後から硬化するまでの間に周囲に拡散してしまう、あるいは、現像時に膜厚が減少してしまう、などの理由により所望する膜厚の光拡散層を得ることが困難である。このため、光取出効率を十分に向上することができないといった課題が生じ得る。
【０００７】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の第１の様態による表示装置は、
基板上において、画素毎に独立島状に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された有機活性層と、
前記第１電極及び前記有機活性層を含む導波層と前記基板との間に配置され、各画素を区画する隔壁と、
前記隔壁で囲まれた内側に配置され、前記導波層より高い屈折率を有する高屈折率材料を含む高屈折率層と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この発明の第２の様態による表示装置の製造方法は、
画素毎に表示素子を備えた表示装置の製造方法であって、
絶縁層を備えた基板を用意する工程と、
前記絶縁層の表面に各画素を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁で囲まれた内側に高屈折率材料を含む高屈折率層を形成する工程と、
前記高屈折率層上に前記高屈折率材料より低い屈折率を有する導波層を含む表示素子を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、表示性能を向上することができ、しかも、製造歩留まりの良好な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１２】
有機ＥＬ表示装置は、図１及び図２に示すように、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００と、アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２を密封する封止体２００とを備えて構成されている。表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。
【００１３】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０とを備えている。これら画素スイッチ１０及び駆動トランジスタ２０は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
【００１４】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、表示素子としての有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）をそれぞれ備えている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１５】
各種有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、画素毎ＰＸに独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極６６と、これら第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、によって構成される。
【００１６】
また、アレイ基板１００は、画素ＰＸの行方向（すなわち図１のＹ方向）に沿って配置された複数の走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）と、走査線Ｙｍと略直交する方向（すなわち図１のＸ方向）に沿って配置された複数の信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）と、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０側に電源を供給するための電源供給線Ｐと、を備えている。さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７と、信号線Ｘｎに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８と、を備えている。
【００１７】
すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。画素スイッチ１０は、ここでは走査線Ｙｍと信号線Ｘｎとの交差部近傍に配置されている。駆動トランジスタ２０は、有機ＥＬ素子４０と直列に接続されている。蓄積容量素子３０は、画素スイッチ１０と直列に、且つ駆動トランジスタ２０と並列に接続されており、蓄積容量素子３０の両電極は、駆動トランジスタ２０のゲート電極及びソース電極にそれぞれ接続されている。
【００１８】
電源供給線Ｐは、表示エリア１０２の周囲に配置された図示しない第１電極電源線に接続されている。有機ＥＬ素子４０の第２電極６６側端は、表示エリア１０２の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。
【００１９】
また、画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍに接続され、ソース電極は信号線Ｘｎに接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０の一端及び駆動トランジスタ２０のゲート電極２０Ｇに接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極２０Ｓは蓄積容量素子３０の他端及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極２０Ｄは有機ＥＬ素子４０の第１電極６０に接続されている。
【００２０】
アレイ基板１００は、図２に示すように、配線基板１２０上に配置された有機ＥＬ素子４０を備えている。なお、配線基板１２０は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性支持基板上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、各種配線（走査線、信号線、電源供給線等）などを備えて構成されたものとする。
【００２１】
有機ＥＬ素子４０を構成する第１電極６０は、配線基板１２０表面の絶縁膜上に配置される。この第１電極６０は、ここではＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム・ティン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）などの光透過性を有する導電部材によって形成され、陽極として機能する。
【００２２】
有機活性層６４は、各色共通に形成されるホールバッファ層、エレクトロンバッファ層、及び各色画素に形成される有機発光層を含む多層積層で構成されても良く、機能的に複合された２層または単層で構成されても良い。例えば、ホールバッファ層は、陽極および有機発光層間に配置され、芳香族アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの薄膜によって形成される。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。この発光層は、例えば高分子系の発光材料を採用する場合には、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などの薄膜により構成される。
【００２３】
第２電極６６は、有機活性層６４上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置される。この第２電極６６は、例えばＣａ（カルシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｇ（銀）、Ｙｂ（イッテルビウム）などの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第２電極６６は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した２層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。
【００２４】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、各画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、第１電極６０の周縁に沿って格子状またはストライプ状に配置されている。
【００２５】
このように構成された有機ＥＬ素子４０では、第１電極６０と第２電極６６との間に挟持された有機活性層６４に電子及びホールを注入し、これらを再結合させることにより励起子を生成し、この励起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光する。ここでは、このＥＬ発光は、アレイ基板１００の下面側すなわち第１電極６０側から出射される。
【００２６】
ところで、有機ＥＬ素子４０は自発光性素子であるため、ＥＬ発光の出射方向は全方位に及ぶ。ディスプレイデバイスとして、効率よくＥＬ発光を取り出すためには、反射や屈折を利用して観察方向に及ばないＥＬ発光（有機ＥＬ素子内に捕捉されたＥＬ発光も含む）も観察方向に取り出す技術が必要不可欠である。
【００２７】
そこで、この実施の形態では、第１電極６０及び有機活性層６４を含む導波層の上に配置される（換言すると、導波層に接するように積層される）とともに、導波層より高い屈折率を有する高屈折率材料を含む高屈折率層を採用し、ある頻度でＥＬ発光を屈折及び反射させて観察方向に取り出している。この高屈折率層は、いわゆる光散乱層と同等の機能を有している。
【００２８】
この実施の形態では、配線基板１２０は、支持基板１０１上に配置された絶縁層１１０、及び、絶縁層１１０と有機ＥＬ素子４０との間に配置された高屈折率層１１５及び隔壁１１６を備えている。
【００２９】
すなわち、隔壁１１６は、絶縁層１１０上において各画素を区画するように配置されている。この隔壁１１６は、絶縁性を有した材料、例えばシリコン酸化膜などの無機系材料や、熱硬化型、光硬化型などの樹脂材料によって形成されている。高屈折率層１１５は、隔壁１１６によって囲まれた内側に配置されている。図２に示した例では、有機ＥＬ素子４０の第１電極６０及び有機活性層６４が導波層１３０として機能するものとする。つまり、高屈折率層１１５及び隔壁１１６は、導波層１３０と支持基板１０１との間に配置され、しかも、導波層１３０に接するように積層配置されている。
【００３０】
また、この実施の形態では、絶縁層１１０は、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、及び、平坦化層１１４を含むものとする。アンダーコート層１１１は、支持基板１０１上に配置され、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）などで形成されている。ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１上に配置され、駆動トランジスタ２０の半導体層２１を覆う酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）などで形成されている。層間絶縁膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２上に配置され、駆動トランジスタ２０のゲート電極２０Ｇを覆う酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）などで形成されている。平坦化層１１４は、層間絶縁膜１１３上に配置されたハード・レジン・コート（ＨＲＣ）層である。
【００３１】
高屈折率層１１５は、第１屈折率ｎａを有する樹脂材料１１５Ａ、及び、この樹脂材料１１５Ａに分散され第１屈折率ｎａとは異なる第２屈折率ｎｂを有する微粒子１１５Ｂによって形成されている（ｎｂ≠ｎａ）。ここでは、第２屈折率ｎｂは、第１屈折率ｎａよりも高く設定されている（ｎｂ＞ｎａ）。樹脂材料１１５Ａは、熱硬化型、光硬化型などの塗布後に重合して硬化する材料であっても良いし、非感光性の液状のポリマーであっても良い。微粒子１１５Ｂは、チタン酸化物、アンチモン酸化物、カルシウム酸化物、インジウム酸化物などを選択可能である。
【００３２】
微粒子１１５Ｂの第２屈折率ｎｂは、導波層１３０の屈折率よりも高い。ここで、導波層１３０として機能する層の平均屈折率ｎ１３０は１．５乃至２．０である。このとき、微粒子１１５Ｂの屈折率ｎｂは、少なくとも高屈折率層１１５に接する第１電極６０の屈折率ｎ６０より高くなるように設定されていれば良い。また、光取出効率を考慮すると、高屈折率層１１５の屈折率（少なくとも微粒子１１５Ｂの屈折率ｎｂ）が導波層１３０の屈折率（少なくとも高屈折率層に接する層の屈折率）の１．２倍以上であることが望ましい。
【００３３】
微粒子１１５Ｂは、高屈折率層１１５内に規則的または不規則的に凹凸を形成し、ある頻度で視角方向以外の光を反射または屈折させて視角方向に導く機能を有している。効率良く視角方向に光を取り出すためには、凹凸を平坦化し、高屈折率層１１５の表面を滑らかに形成することが望ましい。また、凹凸面と導波層との間に不必要な厚みの平坦化層を配置することは、取出効率の低下を招く。このため、高屈折率層１１５の膜厚は、高屈折率層１１５内に凹凸を形成する微粒子１１５Ｂの粒径と実質的に同一であることが望ましい。つまり、高屈折率層１１５は、樹脂材料１１５Ａの膜厚が微粒子１１５Ｂの粒径と同等になるように形成される。
【００３４】
このような高屈折率層１１５は、例えば、微粒子１１５Ｂを含有した感光性を有する樹脂材料１１５Ａをスピンコートして成膜した後、フォトリソグラフィプロセスを経て形成される。このような高屈折率層１１５の形成過程においては、成膜直後から硬化するまでの間に感光性樹脂材料１１５Ａが周囲に拡散してしまう、あるいは、現像時に感光性樹脂材料１１５Ａの膜厚が減少してしまうことがある。このため、樹脂材料１１５Ａの膜厚が微粒子１１５Ｂの粒径より小さくなってしまい、高屈折率層１１５の表面に凹凸が形成されてしまう。
【００３５】
そこで、この実施の形態においては、成膜した樹脂材料の拡散を防止するために、各画素を区画するように隔壁１１６を配置している。また、この隔壁１１６の高さ１１６Ｈは、微粒子１１５Ｂの粒径と実質的に同等となるように設定され、例えば５０乃至３００ｎｍの範囲に設定される。このような隔壁１１６によって囲まれた内側に、インクジェット方式により微粒子１１５Ｂを含有した樹脂材料１１５Ａを塗布することで高屈折率層を形成することが可能となる。このインクジェット方式では、主に粘度を調整しさえすればどのような材料でもと不可能である。このため、非感光性の材料を塗布しても何ら差し支えない。したがって、現像時に樹脂材料１１５Ａの膜厚が減少するといった課題も解消できる。つまり、樹脂材料１１５Ａの膜厚は、隔壁１１６の高さ１１６Ｈによって規制され、微粒子１１５Ｂの粒径と同等となるため、高屈折率層１１５の表面を平坦化することが可能となる。これにより、光取出効率を改善することができ、表示性能を向上することができる。
【００３６】
ここで、微粒子１１５Ｂを含有した樹脂材料１１５Ａを塗布するためのインクジェット方式の塗布装置について説明する。例えば、図３に示すように、塗布装置１１３０は、ワークＷとしての基板（すなわち絶縁層１１０上に隔壁１１６まで形成済みの配線基板１２０）が載置されるステージ１１３１を備えている。このステージ１１３１の上方には、インクジェットヘッド１１３２が配置されている。ステージ１１３１の下方には、レール１１３３及び１１３４が互いに略直交するように配置されている。ステージ１１３１は、図示しない駆動機構によって、レール１１３３上をそれが延在する方向（Ｘ方向）に沿って移動可能である。また、レール１１３３は、ステージ１１３１とともに、図示しない駆動機構によって、レール１１３４上をそれが延在する方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。このような構成により、ステージ１１３１に載置されたワークＷが、インクジェットヘッド１１３２に対して、互いに略直交するＸ方向及びＹ方向の双方に相対移動可能である。
【００３７】
次に、上述したような構成の表示装置の製造方法について説明する。
【００３８】
まず、図４Ａに示すように、絶縁層１１０を備えた基板５００を用意する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、絶縁性の支持基板１０１上に、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０、蓄積容量素子３０、走査線駆動回路１０７、信号線駆動回路１０８、信号線Ｘｎ、走査線Ｙｍ、電源供給線Ｐ等の各種配線の他に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３、及び、平坦化層１１４を含む絶縁層１１０を形成した、縦４８０画素、横６４０×３（Ｒ、Ｇ、Ｂ）画素の合計９２万画素を有した基板５００を用意する。
【００３９】
続いて、図４Ｂに示すように、絶縁層１１０の表面に各画素を区画する隔壁１１６を形成する。すなわち、基板５００上の一主面すなわち絶縁層１１０上に絶縁膜５０１を成膜する。ここでは、絶縁膜５０１としてスパッタリングにより酸化シリコン膜を成膜する。その後、フォトリソグラフィプロセスにより、高屈折率層１１５を配置すべき領域の周辺を囲むように絶縁膜５０１をパターン化し、隔壁１１６を形成する。
【００４０】
続いて、図４Ｃに示すように、隔壁１１６で囲まれた内側に高屈折率材料を含む高屈折率層１１５を形成する。すなわち、隔壁１１６を備えた基板５００は、塗布装置１１３０のステージ１１３１上に載置される。そして、インクジェットヘッド１１３２を介して、絶縁層１１０上に、微粒子１１５Ｂを含有した樹脂材料１１５Ａをインクジェット方式により塗布する。その後、基板５００を加熱処理する。このようにして形成された高屈折率層１１５の表面を観察したところ、ほとんど凹凸がなく、十分に平坦化されていた。
【００４１】
続いて、図４Ｄに示すように、高屈折率層１１５の上に高屈折率材料よりも低い屈折率を有する導波層を含む表示素子を形成する。
【００４２】
ここでは、まず、各画素に有機ＥＬ素子４０を構成するＩＴＯからなる第１電極６０を高屈折率層１１５の上に形成する。この第１電極６０については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。
【００４３】
その後、隔壁７０を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジスト用いて一般的なフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングすることにより、隔壁７０を形成する。
【００４４】
その後、各画素内に、有機発光層の他にホールバッファ層などを含む有機活性層６４を成膜する。すなわち、ホールバッファ層や有機発光層などを形成する高分子系発光ポリマー材料の２．０ｗｔ％重量溶液を、隔壁７０によって区画された画素内に向けて噴射し、第１電極６０上に塗布する。この溶液の塗布は、ピエゾ式インクジェットノズルを用いて行い、発光ポリマー材料の供給量が０．０５ｍｌ／ｍｉｎの条件下で行われる。
【００４５】
そして、１００℃の高温下で１５秒間の乾燥処理を行うことで、溶液に含まれる溶媒を除去する。このようにして形成された各画素の有機活性層６４は、溶媒除去後に均一な膜厚に形成され、ここでは約１５００オングストロームの膜厚に形成される。このため、後に形成される第２電極６６と第１電極６０との間が確実に電気的に絶縁され、ショートの発生を防止することができる。
【００４６】
その後、有機活性層６４上に第２電極６６を形成する。すなわち、陰極として機能する金属膜としてバリウム（Ｂａ）を１０−７Ｐａの真空度において６００オングストロームの膜厚に蒸着し、続けて、カバーメタルとして機能する金属膜としてアルミニウム（Ａｌ）を１５００乃至３０００オングストロームの膜厚で蒸着する。これにより、有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００４７】
一方で、アレイ基板１００上の表示エリア１０２を封止するために、封止体２００の外周に沿って紫外線硬化型のシール材４００を塗布し、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中において、アレイ基板１００と封止体２００とを貼り合わせる。これにより、有機ＥＬ素子４０は、不活性ガス雰囲気の密閉空間内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール材３００を硬化させる。
【００４８】
このようにして形成したカラー表示型アクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置では、従来方式と比較して４倍近い輝度を得ることができ、良好な表示性能が実現できた。また、輝度を向上するために素子に大電流を供給する必要がなく、素子の劣化を抑制できるため、長期間にわたって製品として十分な性能を維持することが可能となる。
【００４９】
また、高屈折率層１１５１１５を形成するための材料及び有機活性層６４の形成にインクジェット方式を採用しているため、材料の使用効率は８０％程度と高く、材料の供給系に残留したもの以外は全て有効に成膜に用いられたことが確認できた。これにより、製造歩留まりを向上することができる。
【００５０】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００５１】
例えば、この発明において適用可能な有機ＥＬ素子の構造はその機能を発揮するものであればいかなるものでもかまわない。すなわち、低分子系材料を用いて蒸着パターニング方式で有機活性層を形成したデバイスであっても、高分子系材料を用いてインクジェット方式で有機活性層を形成したデバイスであってもかまわない。
【００５２】
また、高屈折率層１１５を囲む隔壁１１６は、絶縁層１１０とは別体に形成したが、絶縁層１１０と一体的に形成しても良い。例えば、図５に示すように、絶縁層１１０の導波層１３０に最も近い表面層（ここでは平坦化層１１４）をパターン化することによって隔壁１１６を形成しても良い。この場合、平坦化層１１４を形成した後に、フォトリソグラフィプロセスなどを適用して、高屈折率層１１５を配置すべき領域にくぼみを形成することにより、その周囲に隔壁１１６として機能する凸部が形成される。このような構造を採用することにより、積層数を減らすことができる。これは、材料使用量の低減及び製造工程数の削減が可能となり、製造歩留まりを向上することが可能となる。
【００５３】
さらに、高屈折率層１１５は、導波層１３０に接するように配置されていれば良く、有機活性層６４、第１電極６０、及び、平坦化層１１４が導波層１３０として機能するものとしたとき、高屈折率層１１５は、層間絶縁膜１１３と平坦化層１１４との間に配置しても良い。また、有機活性層６４、第１電極６０、平坦化層１１４、及び、層間絶縁膜１１３が導波層１３０として機能するものとしたとき、高屈折率層１１５は、層間絶縁膜１１３とゲート絶縁膜１１２との間に配置しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、高屈折率層を形成するためのインクジェット装置の構造を概略的に示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、有機ＥＬ表示装置を形成するための製造工程を説明するための図である。
【図５】図５は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の他の構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子、６０…第１電極、６４…有機活性層、６６…第２電極、７０…隔壁、１００…アレイ基板、１１０…絶縁層、１１５…高屈折率層、１１５Ａ…樹脂材料、１１５Ｂ…微粒子、１１６…隔壁、２００…封止体、ＰＸ…画素、１１３０…インクジェット装置、１１３２…インクジェットヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
2006100043.tif 000006
【図４Ｂ】
2006100043.tif 000007
【図４Ｃ】
2006100043.tif 000008
【図４Ｄ】
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【図５】
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