(57)【要約】【課題】本発明は、液晶表示装置に関し、特に、高画質を具現する横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の構造とその製造方法に関する。【解決手段】本発明は、横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板に、画素電極と共通電極を透明電極で形成する時に発生する真空装備のチャック染みを防ぐことを目的とする。前述した目的を達成するための本発明は、画素電極と共通電極を不透明な金属を利用した単層または、多層で構成する。前記画素電極と共通電極を多層に構成する時、不透明な金属層と酸化膜が積層された第１構成と、透明電極と不透明な金属と酸化膜が積層された第２構成で形成する。この時、前記酸化膜は、前記不透明な金属層の表面に紫外線を照射する工程によって形成することを特徴とする。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部に、ゲート配線と、前記ゲート配線と離隔される共通配線を形成する段階と；
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；
前記ゲート配線とデータ配線に連結される薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記画素領域に、各々が不透明な金属層を含む画素電極と共通電極を形成する段階と；
前記不透明な金属層に紫外線を照射して、前記不透明な金属層の上部に金属酸化膜を形成する段階とを含むことを特徴とする横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２】
前記不透明な金属層と前記金属酸化膜の総厚さは、１００Å〜２０００Åであることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３】
前記ゲート配線の一端にゲートパッドを形成する段階と；
前記データ配線の一端にデータパッドを形成する段階と；
前記ゲートパッドと接触するゲートパッド電極と、前記データパッドと接触するデータパッド電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項４】
前記不透明な金属層に紫外線を照射する前に、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の上部に遮蔽手段を配置する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項５】
前記ゲートパッド電極とデータパッド電極は、前記不透明な金属層を含むことを特徴とする請求項３に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項６】
基板の上部に形成されたゲート配線と；
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と；
前記ゲート配線と離隔された共通配線と；
前記ゲート配線とデータ配線に連結された薄膜トランジスタと；
前記画素領域に位置して、各々は、透明な導電層と、前記透明な導電層の上部の不透明な金属層と、前記不透明な金属層上部に金属酸化層を備えた画素電極及び共通電極とを含む横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項７】
前記画素電極及び共通電極は、前記薄膜トランジスタ及び共通配線と相互に異なる層であることを特徴とする請求項６に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項８】
前記画素電極及び共通電極各々は、前記薄膜トランジスタ及び共通配線に連結されることを特徴とする請求項６に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項９】
前記透明な導電層と不透明な金属層と金属酸化層の総厚さは、１００Å〜２０００Åであることを特徴とする請求項６に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項１０】
前記ゲート配線の一端に構成されたゲートパッドと；
前記データ配線の一端に構成されたデータパッドと；
前記ゲートパッドと接触するゲートパッド電極と、前記データパッドと接触するデータパッド電極をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項１１】
前記ゲートパッド電極とデータパッド電極は、各々前記透明な導電層と不透明な金属層で構成されることを特徴とする請求項１０に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項１２】
前記ゲートパッド電極とデータパッド電極は、各々前記透明な導電層で構成されることを特徴とする請求項１０に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項１３】
基板の上部に、相互に離隔されるゲート配線及び共通配線を形成する段階と；
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；
前記ゲート配線とデータ配線に連結される薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記画素領域に位置して、各々が透明な導電層と不透明な金属層を備える画素電極及び共通電極を形成する段階と；
前記不透明な導電層に紫外線を照射して、前記不透明な導電層の上部に、金属酸化層を形成する段階とを含む横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記透明な導電層と不透明な金属層と金属酸化層の総厚さは、１００Å〜２０００Åであることを特徴とする請求項１０に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ゲート配線の一端にゲートパッドを形成する段階と；
前記データ配線の一端にデータパッドを形成する段階と；
前記ゲートパッドと接触するゲートパッド電極と、前記データパッドと接触するデータパッド電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記不透明な金属層に紫外線を照射する前に、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の上部に遮蔽手段を配置する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極各々は、前記透明な導電層と不透明な金属層で構成されることを特徴とする請求項１５に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極各々は、前記透明な導電層で構成されることを特徴とする請求項１５に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極を形成する段階は、
前記ゲートパッド及びデータパッドの上部に、透明な導電物質層を形成する段階と；
前記ゲートパッド及びデータパッドの上部に配置された遮蔽手段を利用して、前記透明な導電物質層の上部に不透明な金属物質層を形成する段階と；
前記不透明な金属物質層及び透明な導電物質層を順にエッチングして、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１８に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極を形成する段階は、
前記ゲートパッド及びデータパッドの上部に、透明な導電物質層と不透明な金属物質層を順に形成する段階と；
前記不透明な金属物質層及び透明な導電物質層を順にエッチングして、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極を形成する段階と；
前記ゲートパッド及びデータパッドの上部の前記透明な導電物質層と不透明な金属物質層をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項１８に記載の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、染み現象のない高画質の横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的な液晶表示装置の駆動原理は、液晶の光学的異方性と分極性質を利用する。前記液晶は、構造が細く長いために、分子の配列において方向性を有しており、液晶に電圧を印加して、分子配列の方向が制御できる。
【０００３】
従って、液晶の分子配列の方向を任意に調節すると、液晶の分子配列が変わり、光学的異方性により液晶の分子配列の方向に光が屈折して画像情報を表現する。
【０００４】
現在は、薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに連結された画素電極とが行列方式に配列されたアクティブマトリックス型の液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ：Active Matrix LCD 以下、液晶表示装置と略称する。）が解像度及び動画像の表現能力に優れて、最も注目を浴びている。
【０００５】
液晶表示装置は、共通電極が形成されたカラーフィルター基板（上部基板）と画素電極が形成されたアレイ基板（下部基板）と、上部基板と下部基板との間に充填された液晶とで構成されるが、このような液晶表示装置は、共通電極と画素電極とを介して、上／下方向に印加される電場により液晶を駆動するものであって、透過率と開口率等の特性が優れている。
【０００６】
以下、図１を参照して、一般的な横電界方式の液晶表示装置を詳しく説明する。
【０００７】
図１は、一般的な横電界方式の液晶表示装置の断面を図示した拡大断面図である。
図１に示すように、従来の横電界方式の液晶表示装置は、カラーフィルター基板とアレイ基板が向かい合うように構成されて、カラーフィルター基板及びアレイ基板間には、液晶層ＬＣが介されている。
【０００８】
前記アレイ基板は、透明な絶縁基板５０に定義された多数の画素Ｐ１、Ｐ２ごとに薄膜トランジスタＴと共通電極５８と画素電極７２とが構成される。
【０００９】
前記薄膜トランジスタＴは、ゲート電極５２と、ゲート電極５２の上部に絶縁膜６０を介して構成された半導体層６２と、半導体層６２の上部に相互に離隔して構成されたソース電極６４及びドレイン電極６６を含む。
【００１０】
前述した構成において、前記共通電極５８と画素電極７２は、同一基板上に相互に平行に離隔して構成される。
【００１１】
前記共通電極５８は、前記ソース電極６４及びドレイン電極６６と同一層、同一物質で構成されて、前記画素電極７２は、透明電極で形成される。
【００１２】
図示してはないが、前記画素の一側に沿って延長されたゲート配線（図示せず）と、これとは垂直な方向に延長されたデータ配線（図示せず）が構成されて、前記共通電極５８に電圧を印加する共通配線（図示せず）が構成される。
【００１３】
前記カラーフィルター基板は、透明な絶縁基板３０上に前記ゲート配線（図示せず）とデータ配線（図示せず）と薄膜トランジスタＴに対応する部分にブラックマトリックス３２が構成されて、前記画素に対応してカラーフィルター３４ａ、３４ｂが構成される。
【００１４】
前記液晶層ＬＣは、前記共通電極５８と画素電極７２の水平電界９５によって動作される。
【００１５】
以下、図２を参照して、横電界方式の液晶表示装置を構成するアレイ基板の構成を説明する。（図１の構成とは異なり画素電極と共通電極を全て透明な導電性材質で形成した場合を例えて説明する。）
【００１６】
図２は、従来の一例による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の構成を概略的に示した平面図である。（図１の構成とは異なり画素電極と共通電極を全て透明電極に形成した例えを説明する。）
【００１７】
図示したように、基板５０上に一方向に延長されたゲート配線５４と、ゲート配線５４とは垂直に交差して画素領域Ｐを定義するデータ配線６８が構成される。
【００１８】
また、前記ゲート配線５４とは平行に離隔して画素領域Ｐを横切る共通配線５６が構成される。
【００１９】
前記ゲート配線５４とデータ配線６８の交差地点には、前記ゲート配線に連結されたゲート電極５２と、ゲート電極５２の上部の半導体層６２と、半導体層６２の上部のソース電極とドレイン電極６６を含む薄膜ランジスタＴが構成される。
【００２０】
前記画素領域Ｐには、前記共通配線５６と接触しながら画素領域Ｐへと垂直に延長された共通電極９０が構成され、前記ドレイン電極６６と接触しながら前記共通電極９０と平行に離隔された位置に延長され画素電極９２が構成される。
【００２１】
ところが、前記画素電極９２と共通電極９０のうちの１つを透明な導電性材質を使用して形成すると、露光装備のチャックによってＣＤ偏差（critical dimension）が発生する問題がある。
【００２２】
これを図３を参照して説明する。
図３Ａと図３Ｂは、図２のIII-III線に添って切断して、共通電極及び画素電極を形成するためのマスク工程を示した図面である。
【００２３】
図３Ａに示したように、透明な導電性物質で、前述した共通電極（図２の９０）と画素電極（図２の９２）を形成する工程は、先ず、基板５０上にゲート絶縁膜ＧＬと、ゲート絶縁膜ＧＬの上部にデータ配線６８と、データ配線６８の上部に保護膜ＰＬを形成して、前記保護膜ＰＬが形成された基板５０全面に対して、透明な導電性金属を蒸着して金属層９６を形成する。
【００２４】
前記金属層９６の上部には、フォトレジストを塗布して感光層９８を形成する。
【００２５】
前記感光層９８の離隔された上部には、透過部Ｆ１と遮断部Ｆ２で構成されたマスクＭを位置させて、前記マスクの上部に光Ｌを照射して、下部の感光層９８を露光する工程を行う。
【００２６】
前記遮断部Ｆ２は、画素電極と共通電極にパターンされる部分に対応して位置する。
【００２７】
露光工程を行うために、前記基板５０を金属材質のチャック（ＣＫ）表面に置いてから光Ｌを照射するが、図示したように、照射された光Ｌは、前記マスクＭと感光層９８と透明な材質の絶縁膜ＧＬ、ＰＧを通過して下部のチャックＣＫによって反射される。
【００２８】
この時、前記反射された光によって、前記マスクＭの遮断部Ｆ２に対応する 感光層９８の一部が露光される問題が発生する。
【００２９】
この場合、前記露光工程の後に現像工程を行うと、図３Ｂに示したように、チャックＣＫが位置した領域に対応して、チャックＣＫによって反射された光Ｌが当たった部分Ｋの共通電極９０及び画素電極９２は、元々の設計値ｄ２よりは小さい幅ｄ１でパターンされる。
【００３０】
このような不良を、普通は、ＣＤ偏差と称する。このようなＣＤ偏差は、液晶パネル全体に、染みを誘発する原因となる。
【００３１】
これは、ＣＤ偏差が発生した領域と、発生してない領域間の輝度差が染みとして観察されるためであって、これを前述したように、チャック染みと称する。
【００３２】
図４は、従来のまた他の例による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の断面を示した図面である。
【００３３】
図４の構成は、共通電極９０を不透明電極で形成して、画素電極９２を透明電極で形成する場合を示した図面であって、前述したように、画素電極９２を形成する工程で、チャックが位置した部分ＫでＣＤ偏差が発生して、チャックが位置した部分Ｋの画素電極９２の幅ｄ１が、チャックが位置してなかった部分の画素電極の幅ｄ２より小さくパターンされた形状になる。
【００３４】
前記図４に提示した構成は、共通電極を形成する時、ゲート配線と同一な工程でパターンするが、ゲート配線（及びデータ配線）は、低い抵抗を必要とするために、抵抗の低い金属を使用するが、厚く形成して抵抗をさらに低く設計される。
【００３５】
従って、前記共通電極も必要以上に厚く形成されるので、大きい段差を有して、このような問題によって前記チャック染みだけでなく段差による染みが発生する問題がある。
【００３６】
このような段差による染みは、透明電極で共通電極と画素電極を形成した場合にも発生する問題である。
【００３７】
また、前記共通電極と画素電極を透明電極で使用する場合、透明電極の抵抗が大変高いために、大型画面になるほど微細抵抗が問題になるので、設計の自由度を低める結果になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
本発明は、前述した問題を解決するためになされたものであって、前記共通電極と画素電極を多層に構成する場合、不透明な金属層と酸化膜が積層された第１構成と、透明電極と不透明金属と酸化膜が積層された第２構成を提案する。
【００３９】
前記酸化膜を形成する時、前記不透明電極を紫外線に露出する方式で、前記不透明電極の表面に酸化膜を形成することを特徴とする。
また、前記不透明電極の下部に、透明電極が形成できる。
【００４０】
本発明は、前述した構成によって、チャック染み及び段差による染みの不良を防いで、高画質の液晶表示装置を提供することを第１目的として、前記共通電極及び画素電極の抵抗を低めて、液晶パネルの動作の特性を改善することを第２目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４１】
前述したような目的を達成するための本発明の特徴による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板の上部に、ゲート配線と、前記ゲート配線と離隔される共通配線を形成する段階と；前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；前記ゲート配線とデータ配線に連結される薄膜トランジスタを形成する段階と；前記画素領域に、各々が不透明な金属層を含む画素電極と共通電極を形成する段階と；前記不透明な金属層に紫外線を照射して、前記不透明な金属層の上部に金属酸化膜を形成する段階とを含む。
【００４２】
前記不透明な金属層と前記金属酸化膜の総厚さは、１００Å〜２０００Åである。
【００４３】
また、前記ゲート配線の一端にゲートパッドを形成する段階と；前記データ配線の一端にデータパッドを形成する段階と；前記ゲートパッドと接触するゲートパッド電極と、前記データパッドと接触するデータパッド電極を形成する段階を含む。
【００４４】
前記不透明な金属層に紫外線を照射する前に、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の上部に遮蔽手段を配置する段階をさらに含む。
【００４５】
前記ゲートパッド電極とデータパッド電極は、前記不透明な金属層を含む。
【００４６】
一方、本発明のよる横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、基板の上部に形成されたゲート配線と；前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線と；前記ゲート配線と離隔された共通配線と；前記ゲート配線とデータ配線に連結された薄膜トランジスタと；前記画素領域に位置して、各々は、透明な導電層と、前記透明な導電層の上部の不透明な金属層と、前記不透明な金属層上部に金属酸化層を備えた画素電極及び共通電極とを含む。
【００４７】
前記画素電極及び共通電極は、前記薄膜トランジスタ及び共通配線と相互に異なる層であって、前記画素電極及び共通電極各々は、前記薄膜トランジスタ及び共通配線に連結される。
【００４８】
前記透明な導電層と不透明な金属層と金属酸化層の総厚さは、１００Å〜２０００Åである。
【００４９】
また、前記ゲート配線の一端に構成されたゲートパッドと；前記データ配線の一端に構成されたデータパッドと；前記ゲートパッドと接触するゲートパッド電極と、前記データパッドと接触するデータパッド電極をさらに含む。
【００５０】
前記ゲートパッド電極とデータパッド電極は、各々前記透明な導電層と不透明な金属層で構成されたり、前記透明な導電層で構成される。
【００５１】
一方、本発明の更に他の態様における横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板の上部に、相互に離隔されるゲート配線及び共通配線を形成する段階と；前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；前記ゲート配線とデータ配線に連結される薄膜トランジスタを形成する段階と；前記画素領域に位置して、各々が透明な導電層と不透明な金属層を備える画素電極及び共通電極を形成する段階と；前記不透明な導電層に紫外線を照射して、前記不透明な導電層の上部に、金属酸化層を形成する段階とを含む。
【００５２】
前記透明な導電層と不透明な金属層と金属酸化層の総厚さは、１００Å〜２０００Åである。
【００５３】
前記ゲート配線の一端にゲートパッドを形成する段階と；前記データ配線の一端にデータパッドを形成する段階と；前記ゲートパッドと接触するゲートパッド電極と、前記データパッドと接触するデータパッド電極を形成する段階をさらに含む。
【００５４】
前記不透明な金属層に紫外線を照射する前に、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極の上部に遮蔽手段を配置する段階をさらに含む。
【００５５】
前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極各々は、前記透明な導電層と不透明な金属層で構成されたり、前記透明な導電層で構成される。
【００５６】
また、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極を形成する段階は、前記ゲートパッド及びデータパッドの上部に、透明な導電物質層を形成する段階と；前記ゲートパッド及びデータパッドの上部に配置された遮蔽手段を利用して、前記透明な導電物質層の上部に不透明な金属物質層を形成する段階と；前記不透明な金属物質層及び透明な導電物質層を順にエッチングして、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極を形成する段階を含んだり、前記ゲートパッド及びデータパッドの上部に、透明な導電物質層と不透明な金属物質層を順に形成する段階と；前記不透明な金属物質層及び透明な導電物質層を順にエッチングして、前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極を形成する段階と；前記ゲートパッド及びデータパッドの上部の前記透明な導電物質層と不透明な金属物質層をエッチングする段階を含む。
【００５７】
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施例を説明する。
【発明の効果】
【００５８】
横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板を製作すると、共通電極と画素電極を不透明電極で形成するために、チャック染みの不良が発生しなくなって、高画質が具現できる。
【００５９】
また、共通電極と画素電極を抵抗の低い不透明金属で構成すると同時に、ゲート配線及びデータ配線とは別に構成するために、光が通過しない程度の最小の厚さでパターンできて、前記共通電極と画素電極の段差による染みの発生が最小化できる。従って、高画質が具現できる。
【００６０】
さらに、単層または、多層で構成された共通電極及び画素電極の表面反射率が１０％未満であるために、ブラック輝度を高めてコントラストが改善される。
【００６１】
また、前記不透明電極の上部に、反射率の低い酸化膜を形成する時、紫外線を照射するだけで形成できるために、工程が単純化される。
【実施例１】
【００６２】
本発明の実施例１は、画素電極と共通電極を同一層に構成するが、抵抗は低く、厚さの薄い不透明電極と、紫外線を利用して前記不透明電極の表面を酸化して形成した酸化層を積層した構成が特徴である。
【００６３】
図５は、本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した平面図である。
【００６４】
図５に示したように、基板１００上に、一方向に延長されて、一端にゲートパッド１１４を含むゲート配線１１２と、前記ゲート配線１１２と交差して画素領域Ｐを定義して、一端にデータパッド１３２を含むデータ配線１４０を構成する。
【００６５】
前記ゲート配線１１２と平行に離隔して共通配線１１８を構成する。
【００６６】
前記ゲート配線１１２とデータ配線１４０の交差地点には、薄膜トランジスタＴを構成して、前記薄膜トランジスタＴは、前記ゲート配線１１２に連結されたゲート電極１１６と、ゲート電極１１６の上部のアクティブ層１２４と、アクティブ層１２４の上部に位置して、前記データ配線１４０に連結されたソース電極１２６と、これとは離隔されたドレイン電極１２８を構成する。
【００６７】
前記画素領域Ｐには、共通電極１４８と画素電極１４６を棒状に構成して、各々は、相互に平行に離隔されて位置するように構成される。
【００６８】
前記共通電極１４８に、共通コンタクトホール１４３を通じて前記共通配線１１８が連結されて、共通信号が印加されるように構成して、前記画素電極１４６に、ドレインコンタクトホール１３６を通じて前記ドレイン電極１２８が連結され、データ信号が印加されるようにする。
【００６９】
また、ゲートパッド電極１５０は、ゲートパッドコンタクトホールを通じてゲートパッド１１４に連結されて、データパッド電極１５２は、ゲートパッドコンタクトホールを通じてデータパッド１３２に連結される。
【００７０】
前述した構成において、前記画素電極１４６と共通電極１４８を抵抗は低くて反射率の高い不透明な導電性材料を使用すると同時に、紫外線を利用して前記不透明な金属層の表面に酸化反応を誘導して形成した酸化膜層を積層した構造であることを特徴とする。
【００７１】
この時、前記ゲートパッド電極１５０とデータパッド電極１５２は、不透明金属だけで形成されるようにする。
【００７２】
前記のように構成すると、前述したチャック染みが発生しなくなって、高画質が具現できて、従来の透明電極に比べて抵抗が低いために、液晶パネルの動作の特性が改善できる長所がある。
【００７３】
前述した構成で、前記共通電極１４８と共通配線１１８を別途の層に構成したが、場合によっては、前記共通電極１４８を共通配線と同一層に形成できる。
【００７４】
以下、工程図面を参照して、本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の形成方法を説明する。
【００７５】
図６Ａないし図１０Ａは、図５のIV−IV線、図６Ｂないし図１０Ｂは、図５のＶ−Ｖ線、図６Ｃないし図１０Ｃは、図５のVI−VI線、図６Ｄないし図１０Ｄは、図５のVII−VIIに沿って切断して、本発明の工程順によって示した工程断面図である。
【００７６】
図６Ａないし図６Ｄに示したように、絶縁基板１００上に、スイッチング領域Ｓを含む画素領域Ｐとゲート領域Ｇとデータ領域Ｄを定義する。
【００７７】
前記多数の領域Ｓ、Ｐ、Ｇ、Ｄが定義された基板１００上に、導電性金属を蒸着してパターンし、一方向に延長され一端にゲートパッド１１４を含むゲート配線１１２と、前記ゲート配線１１２と平行に離隔して共通配線（図５の１１８）を構成する。
【００７８】
一方、前記ゲート配線１１２から延長されたゲート電極１１６を形成して、前記ゲート電極１１６は、前記ゲート配線１１２の一部である場合もある。
【００７９】
前記導電性金属は、アルミニウムＡｌ、アルミニウム合金ＡｌＮｄ、クロムＣｒ、銅Ｃｕ、チタンＴｉ、モリブデンＭｏを含む導電性金属グループのうちの１つまたは、それ以上の物質を選択して、単層または、多層で形成できる。
【００８０】
前記ゲート配線１１２とゲートパッド１１４と、ゲート電極１１６と共通配線１１８が形成された基板１００全面に、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された１つを蒸着してゲート絶縁膜１２０を形成する。
【００８１】
前記ゲート絶縁膜１２０が形成された基板１００全面に、純粋非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と不純物を含む非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着してパターン化し、前記ゲート電極１１６に対応するゲート絶縁膜１２０の上部にアクティブ層１２２とオーミックコンタクト層１２４を形成する。
【００８２】
図７Ａないし図７Ｄに示したように、前記アクティブ層１２２とオーミックコンタクト層１２４が形成された基板１００の全面に、アルミニウムＡｌ、アルミニウム合金ＡｌＮｄ、クロムＣｒ、タングステンＷ、モリブデンＭｏ、チタンＴｉ、モリブデンタングステンＭｏＷ等を含む導電性金属グループのうちの１つまたは、それ以上の物質を蒸着してパターンし、前記オーミックコンタクト層１２４の上部に離隔されたソース電極１２６とドレイン電極１２８を形成する。
【００８３】
この時、前記ドレイン電極１２８は、画素領域Ｐに延長して形成すると同時に、前記ソース電極１２６に連結されて、一端にデータパッド１３２を含むデータ配線１３０を形成する。
【００８４】
図８Ａないし図８Ｄに示したように、前記ソース電極１２６及びドレイン電極１２８とデータ配線１３０が形成された基板１００全面に、ベンゾシクロブテンＢＣＢとアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された１つまたは、それ以上の物質を塗布して保護膜１３４を形成してからパターンして、前記ドレイン電極１２８を露出するドレインコンタクトホール１３６と、前記ゲートパッド１１４を露出するゲートパッドコンタクトホール１３８と、前記データパッド１３２を露出するデータパッドコンタクトホール１４０を形成すると同時に、前記共通配線（図５の１１８）の一部を露出する共通コンタクトホール（図５の１４３）を形成する。
【００８５】
図９Ａないし図９Ｄに示したように、前記多数のコンタクトホールが形成された保護膜１３４の全面に、クロムＣｒ、銅Ｃｕ、チタンＴｉ、アルミニウムＡｌ、アルミニウム合金ＡｌＮｄ等を含む抵抗の低い不透明な導電性金属グループのうちから選択された１つを蒸着してからパターンし、前記ドレイン電極１２８と接触する画素電極１４６と、前記共通配線１１８と接触しながら前記画素電極１４６とは、離隔されるように構成した共通電極１４８を形成する。
【００８６】
また、前記ゲートパッド１１４と接触するゲートパッド電極１５０と、前記データパッド１３２と接触するデータパッド電極１５２を形成する。
【００８７】
前述した工程で、前記画素電極１４６と共通電極１４８を単層で構成する場合、１００Å〜１０００Åの薄い厚さで形成する。
【００８８】
遮蔽手段１６０を利用して、前記ゲートパッド電極１５０とデータパッド電極１５２を遮蔽した状態で、前記基板１００の表面に紫外線を照射する工程を行う。
【００８９】
このようにすると、図１０Ａないし図１０Ｄに示したように、前記共通電極と画素電極の表面にだけ酸化膜ＯＬが薄く形成される。
【００９０】
この時、前記金属がチタンＴｉである場合、金属の表面に、酸化チタンＴｉＯｘが形成される。この方法は、前記チタンＴｉだけでなく、他の導電性金属層に適用できる。
【００９１】
前述した構成の特徴は、前記共通電極１４８と画素電極１４６を構成する不透明電極Ｊは、抵抗が低く、前記不透明電極Ｊの上部の酸化膜ＯＬは、反射率が、１０％未満である。
【００９２】
また、不透明金属層及び酸化膜の厚さは、望ましくは、１００Å〜２０００Åの厚さで形成する。この場合、前記共通電極１４８と画素電極１４６の厚さが薄くなることによって、前記共通電極１４８と画素電極１４６による段差が最小化される。
【００９３】
前述した構成で、前記共通電極と画素電極を形成する不透明な金属層の下部に透明金属層を形成することもできる。
【００９４】
以下、実施例２を参照して説明する。
【実施例２】
【００９５】
本発明の実施例２は、共通電極と画素電極を形成する時、透明電極と不透明電極と酸化膜を積層して構成することを特徴とする。
【００９６】
図１１Ａと図１１Ｂと図１１Ｃは、図５のＶ−Ｖ、VI−VI、VII−VII線に沿って切断した本発明の実施例２による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板を示した断面図である。（薄膜トランジスタの形成工程を省略する。）
【００９７】
図示したように、画素領域Ｐとゲート領域Ｇとデータ領域Ｄが定義された基板２００上に、前記ゲート領域Ｇに対応する一端にゲートパッド２０８を含むゲート配線（図示せず）を形成する。
【００９８】
前記ゲートパッド２０８及びゲート配線（図示せず）が形成された基板２００全面にゲート絶縁膜２０２を形成して、前記データ領域Ｄに対応する絶縁膜２０２の上部に、一端にデータパッド２０９を含むデータ配線２０６を形成する。
【００９９】
前記データ配線２０６が形成された基板２００全面に、前述した物質を塗布して保護膜２１３を形成する。
【０１００】
前記画素領域Ｐに対応する保護膜２１３の上部に、多層で構成された 共通電極２１０及び画素電極２１２を多層に構成する。
【０１０１】
この時、前記共通電極２１０及び画素電極２１２は、透明な導電性金属層ＴＬと不透明な導電性金属層Ｊと、前記不透明な導電性金属層の表面に紫外線を照射して形成した酸化膜ＯＬの三層で構成することを特徴とする。
【０１０２】
このような多層構造は、例えば、インジウムースズーオキサイドＩＴＯ/チタンＴｉ/酸化チタンＴｉＯ２のような層で積層できる。
【０１０３】
この時、前記ゲートパッド電極２５０とデータパッド電極２５２は、前記透明電極層ＴＬと不透明電極層Ｊを積層して構成し、表面に酸化膜が形成されないように、遮蔽手段（図示せず）で遮ってから紫外線を利用して酸化工程を行う。
【０１０４】
前記共通電極２１０と画素電極２１２の表面にだけ酸化膜ＯＬが形成されるようにする。
【０１０５】
この時、ゲートパッド電極２５０とデータパッド電極２５２の露出された部分が不透明電極層Ｊで構成されると、自然状態で酸化し辛い金属を使用しなければならないので、金属を選択する時に、制約がある。
【０１０６】
従って、前記ゲートパッド電極２５０とデータパッド電極２５２に透明電極層ＴＬだけを残して形成できる。
【０１０７】
以下、実施例３を通じて説明する。
【実施例３】
【０１０８】
図１２Ａは、図５のＶ−Ｖ線に沿って切断した本発明による実施例３による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の画素領域を示した断面図である。
【０１０９】
図１２Ｂは、図５のVI−VI線に沿って切断した本発明による実施例３による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板のゲートパッド部を示した断面図である。
【０１１０】
図１２Ｃは、図５のVII−VII線に沿って切断した本発明による実施例３による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板のデータパッド部を示した断面図である。
【０１１１】
図示したように、画素領域Ｐに構成された共通電極２１０とが画素電極２１２とは異なり、ゲートパッド電極２５０とデータパッド電極２５２は、透明電極層ＴＬだけで形成できる。
【０１１２】
この場合、後述するような２つの方法で製作できる。
【０１１３】
その第１方法は、画素電極２１２と共通電極２１０を形成するための工程において、基板２００全面に透明金属層（図示せず）を形成した後、前記ゲートパッド部Ｇとデータパッド部Ｄだけをシャドーマスクのような遮蔽手段で遮蔽したまま不透明金属層を蒸着する方法である。
【０１１４】
このようにすると、前記ゲートパッド部Ｇとデータパッド部Ｄには、透明な電極層ＴＬだけが形成されて、前記画素領域（アクティブ領域）には、透明電極層と不透明電極層が積層された構造になる。
【０１１５】
この状態でマスク工程によって、前記透明電極層と不透明電極層を同時にパターンし、透明電極層ＴＬと不透明電極層Ｊが積層された画素電極２１２と共通電極２１０を形成して、透明電極層ＴＬだけで構成されたゲートパッド電極２５０とデータパッド電極２５２を形成する。
【０１１６】
この後、紫外線を利用した酸化工程を行って、前記画素電極２１２と共通電極２１０の表面に酸化膜ＯＬを形成する。
【０１１７】
第２方法は、最初から基板２００全面に透明電極層ＴＬと不透明電極層Ｊを積層してからパターンして、画素電極２１２と共通電極２１０と、ゲートパッド電極２５０とデータパッド電極２５２を形成した後、マスク工程によって前記画素領域Ｐを遮ってから前記ゲートパッド電極２５０とデータパッド電極２５２を構成する上部の不透明電極層（図示せず）を除去して、下部の透明電極層ＴＬだけを残す方法である。
【０１１８】
この場合、前記不透明電極層だけ除去するエッチング溶液を選択しなければならない。
【０１１９】
前述した工程によって本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板が製作できる。
【０１２０】
前述した構成の特徴は、前記画素電極２１２と共通電極２１０を構成する不透明電極Ｊは、抵抗が低くて、前記不透明電極Ｊの上部の酸化膜は、反射率が１０％未満である。
【０１２１】
また、前記透明電極層と不透明電極層と酸化膜層の厚さが、１００Å〜２０００Åの厚さで形成する。
【０１２２】
このような場合、前記画素電極２１２と共通電極２１０の厚さが低くなることによって、前記画素電極２１２と共通電極２１０による段差が最小化できる。
【０１２３】
前述したように構成された画素電極２１２と共通電極２１０は、抵抗が低く厚さが最小化できるので、場合によっては、前記画素電極２１２と共通電極２１０が別途の層に構成されることもある。
【０１２４】
すなわち、前記共通電極２１０を前記共通配線と同一層に構成することもできる。
【０１２５】
前述した実施例１及び実施例２で提案したように、本発明による横電界方式の液晶表示装置が製作できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】一般的な横電界方式の液晶表示装置の一部を概略的に示した断面図である。
【図２】従来の一例による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の一画素を示した平面図である。
【図３Ａ】図２のIII-III線に添って切断した断面図であって、従来による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の共通電極及び画素電極を形成する工程を示した図面である。
【図３Ｂ】図３Ａに続く製造工程を示す断面図である
【図４】図２のIII−III線に沿って切断した断面図であって、従来のまた他の例による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の一部の拡大断面図である。
【図５】本発明による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図６Ａ】図５のIV−IV線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図６Ｂ】図５のＶ−Ｖ線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図６Ｃ】図５のVI−VI線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図６Ｄ】図５のVII−VII線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図７Ａ】図５のIV−IV線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図７Ｂ】図５のＶ−Ｖ線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図７Ｃ】図５のVI−VI線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図７Ｄ】図５のVII−VII線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図８Ａ】図５のIV−IV線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図８Ｂ】図５のＶ−Ｖ線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図８Ｃ】図５のVI−VI線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図８Ｄ】図５のVII−VII線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図９Ａ】図５のIV−IV線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図９Ｂ】図５のＶ−Ｖ線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図９Ｃ】図５のVI−VI線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図９Ｄ】図５のVII−VII線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図１０Ａ】図５のIV−IV線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図１０Ｂ】図５のＶ−Ｖ線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図１０Ｃ】図５のVI−VI線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図１０Ｄ】図５のVII−VII線に沿って切断して、本発明の実施例１の工程順に示した工程断面図である。
【図１１Ａ】図５のＶ−Ｖ線に沿って切断して、本発明の実施例２による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の断面図である。
【図１１Ｂ】図５のVI−VI線に沿って切断した本発明の実施例２による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の断面図である。
【図１１Ｃ】図５のVII−VII線に沿って切断した本発明の実施例２による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の断面図である。
【図１２Ａ】図５のＶ−Ｖ線に沿って切断した本発明の実施例３による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板の画素領域を示した断面図である。
【図１２Ｂ】図５のVI−VI線に沿って切断した本発明の実施例３による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板のゲートパッド部を示した断面図である。
【図１２Ｃ】図５のVII−VII線に沿って切断した本発明の実施例３による横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板のデータパッド部を示した断面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１００：基板                          
１１２：ゲート配線
１１４：ゲートパッド                  
１１６：ゲート電極
１１８：共通配線                      
１２４：アクティブ層
１２６：ソース電極                    
１２８：ドレイン電極
１４０：データ配線                    
１４２：データパッド
１４６：画素電極                      
１４８：共通電極
１５０：ゲートパッド電極              
１５２：データパッド電極
【図１】
2006285257.tif 000003
【図２】
2006285257.tif 000004
【図３Ａ】
2006285257.tif 000005
【図３Ｂ】
2006285257.tif 000006
【図４】
2006285257.tif 000007
【図５】
2006285257.tif 000008
【図６Ａ】
2006285257.tif 000009
【図６Ｂ】
2006285257.tif 000010
【図６Ｃ】
2006285257.tif 000011
【図６Ｄ】
2006285257.tif 000012
【図７Ａ】
2006285257.tif 000013
【図７Ｂ】
2006285257.tif 000014
【図７Ｃ】
2006285257.tif 000015
【図７Ｄ】
2006285257.tif 000016
【図８Ａ】
2006285257.tif 000017
【図８Ｂ】
2006285257.tif 000018
【図８Ｃ】
2006285257.tif 000019
【図８Ｄ】
2006285257.tif 000020
【図９Ａ】
2006285257.tif 000021
【図９Ｂ】
2006285257.tif 000022
【図９Ｃ】
2006285257.tif 000023
【図９Ｄ】
2006285257.tif 000024
【図１０Ａ】
2006285257.tif 000025
【図１０Ｂ】
2006285257.tif 000026
【図１０Ｃ】
2006285257.tif 000027
【図１０Ｄ】
2006285257.tif 000028
【図１１Ａ】
2006285257.tif 000029
【図１１Ｂ】
2006285257.tif 000030
【図１１Ｃ】
2006285257.tif 000031
【図１２Ａ】
2006285257.tif 000032
【図１２Ｂ】
2006285257.tif 000033
【図１２Ｃ】
2006285257.tif 000034