(57)【要約】【課題】  スペーサを用いず、平坦な表示面かつ軽量化した平面型ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】  有縁浅曲底皿状の前面基板ＳＵＢ１を用い、この前面基板の外面に、真空封止以前では、その中央部から外周部にかけて漸次傾斜する凸形状となる初期突き出し量ｂを有せしめ、真空封止した後の外面の平坦度を１ｍｍ以下とした。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に電子源アレイを備えた背面基板と、内面に前記電子源アレイに対応した配列を有する蛍光体パターンを備えて外面を表示面とする前面基板とからなり、前記背面基板と前記前面基板の各内面を対向させて両基板の周縁で真空封止してなる真空容器を有する平板型ディスプレイ装置であって、
前記前面基板と前記背面機板とは、前記周縁でのみ連結部を有し、
前記前面基板は、前記真空封止以前では、その外面の中央部から外周部にかけて漸次傾斜する凸形状となる初期突き出し量を有すると共に、前記真空封止した後の前記外面の平坦度が１ｍｍ以下であることを特徴とする平板型ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記前面基板が、酸化珪素（ＳｉＯ2）を主成分とし、Ｌａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕより選ばれた少なくとも一種の希土類酸化物（Ｌｎ2Ｏ3）を１〜２０重量％含有するガラス材からなることを特徴とする請求項１に記載の平板型ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記希土類含有率が表面に近づくに従って高くなることを特徴とする請求項２に記載の平板型ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記前面基板の厚みは、前記真空封止部分が最も厚く、前記表示面の中央部にかけて漸次薄いことを特徴とする請求項１〜３に何れかに記載の平板型ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記前面基板は、その前記表示面の中央部内面に凸形状を有することを特徴とする請求項１〜４に何れかに記載の平板型ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記前面基板を構成するガラス材は、
密度が２．６ｇ/ｃｍ3、ヤング率が８０ＧＰａ以上、ヤング率を密度で除した比ヤング率が３０ＧＰａ／（ｇ/ｃｍ3）以上、当該ガラス材の転移点が４５０℃以上、熱膨張係数が７０〜９０×１０-7／℃であることを特徴とする請求項１〜５に何れかに記載の平板型ディスプレイ装置。
【請求項７】
内面に電子源アレイを備えた背面基板と、内面に前記電子源アレイに対応した配列を有する蛍光体パターンを備えて外面を表示面とする前面基板とからなり、前記背面基板と前記前面基板の各内面を対向させて両基板の周縁で真空封止してなる真空容器を有する平板型ディスプレイ装置であって、
前記前面基板と前記背面機板とは、前記周縁に連結部を有し、
前記前面基板は、前記真空封止以前では、その外面の中央部から外周部にかけて漸次傾斜する凸形状となる初期突き出し量を有すると共に、前記真空封止した後の前記外面の平坦度が１ｍｍ以下であり、
かつ、前記前面基板が、酸化珪素（ＳｉＯ2）を主成分とし、Ｌａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕより選ばれた少なくとも一種の希土類酸化物（Ｌｎ2Ｏ3）を１〜２０重量％含有するガラス材からなることを特徴とする平板型ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高強度のガラス材を用いてスペーサレスの平面型ディスプレイ装置を実現した軽量かつ平坦な表示面を有する平面型ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板状の背面基板および前面基板を貼り合わせた、所謂平板型ディスプレイ装置として多様な形式が知られている。例えば、マトリクス状に配置した電子源を有する平板型ディスプレイ装置（フラットパネルディスプレイ:ＦＰＤ）が注目されており、その一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示装置が知られている。これらの冷陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ  ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
【０００３】
ＭＩＭ型電子放出素子については、例えば特許文献１、特許文献２に開示されたものが知られている。また、金属―絶縁体―半導体型電子源については非特許文献１で報告されたＭＯＳ型、金属―絶縁体―半導体−金属型電子源に関しては、非特許文献２などで報告されたＨＥＥＤ型電子源、非特許文献３などで報告されたＥＬ型電子源、非特許文献４などで報告されたポーラスシリコン型電子源などが知られている。
【０００４】
自発光型ＦＰＤは、上記のような電子源を備えた背面基板と、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧を形成する陽極を備えた前面基板とを貼り合わせて両パネルの対向する内部空間を所定の真空状態に封止する。背面基板にはマトリクス配列した多数の電子源を有し、前面基板は蛍光体層と電子源から放出された電子を蛍光体層に射突させる電界を形成するための加速電圧を形成する陽極を有する。
【０００５】
個々の電子源は、対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００６】
背面基板と前面基板の間隔は、表示領域内に両基板を支えるように配置される隔壁と称する部材（スペーサ）で所定間隔に保持される。このスペーサはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【０００７】
また、補強板で表した背面基板と前面基板を用いたもの、枠ガラスで高真空雰囲気を形成するものが特許文献３に開示されている。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【特許文献３】特開２０００−２０６９０５号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｏｎｏｌ．Ｂ１１（２）ｐ．４２９−４３２（１９９３）
【非特許文献２】ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｄｅｖｉｃｅ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ３６、ｐＬ９３９
【非特許文献３】Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、応用物理  第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
スペーサで背面基板と前面基板の間を所定の間隔で保持するものでは組み立てが困難で、かつ重量が大きくなり、枠ガラスで両基板の間を所定の間隔で保持するものでは表示面の中央部が凹状となって平坦な表示面（画面）を実現することが難しい。
【０００９】
本発明の目的は、スペーサを用いず、平坦な表示面かつ軽量化した平面型ディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、次のような構成とガラス材を用いることに特徴を有する。すなわち、
（１）内面に電子源アレイを備えた背面基板と、同じく内面に電子源アレイに対応した配列を有する蛍光体パターンを備えて外面を表示面とする前面基板とから構成し、
背面基板と前面基板の各内面を対向させて両基板の周縁で真空封止してなる真空容器を構成し、
前面基板と背面基板の周縁に連結部を有しており、該連結部は枠（枠ガラス）を介在させて前面基板と背面基板を連結する構成、又は枠が一体形成された形状の前面基板に背面基板を連結する構成とし、
真空封止以前では、前面基板の外面に、その中央部から外周部にかけて漸次傾斜する凸形状となる初期突き出し量を有せしめと共に、真空封止した後の外面の平坦度を１ｍｍ以下とした。
（２）前面基板を、酸化珪素（ＳｉＯ2）を主成分として、Ｌａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕより選ばれた少なくとも一種の希土類酸化物（Ｌｎ2Ｏ3）を１〜２０重量％含有したガラス材で形成した。
（３）上記の希土類含有率が、前面基板の表面（表示面、外面）に近づくに従って高くなるガラス材を用いた。
（４）前面基板の厚みを、上記真空封止部分が最も厚く、表示面の中央部にかけて漸次薄くした。
（５）前面基板に、その表示面の中央部内面に凸形状を有せしめた。
（６）前面基板を構成するガラス材を、その密度が２．６ｇ/ｃｍ3、ヤング率が８０ＧＰａ以上、ヤング率を密度で除した比ヤング率が３０ＧＰａ／（ｇ/ｃｍ3）以上、当該ガラス材の転移点が４５０℃以上、熱膨張係数が７０〜９０×１０-7／℃であるものとした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のガラス材を用いることで、スペーサを要しない、所謂スペーサレスの平板型ディスプレイ装置を実現できる。封止容器内部を高真空にした時点で表示面が平坦となるように予め凸形状となる初期突き出し量を有せしめる本発明の構成により、真空引き工程中での封止、つまり前面基板の周縁に回転の自由度がある状態において、内部を真空引きすることで、背面基板との封止部分である周縁への応力集中が回避される。その結果、パネルに発生する最大応力が軽減され、スペーサを用いることなく、前面基板の表示面を平坦にして背面基板と前面基板を真空封止することができる。なお、前面基板と背面基板の周縁に有する連結部は、前面基板と背面基板の周縁に枠を介在させて連結し、又は枠が一体形成された形状の前面基板（枠付前面基板）に背面基板を連結する構成とすることができる。
【００１２】
本発明は、平板型ディスプレイ装置用の前面基板等の構造材に限るものではなく、磁気ディスクの基板などの電子機器用ガラス構造部材などにも適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の最良の実施形態について詳細に説明する。以下の図面を参照した説明中、前面基板をパネルとも称する。
【００１４】
図１は、本発明による前面基板を説明する曲率と応力およびたわみの計算例を実行する説明図である。また、図２は、初期突き出し量に対する応力とたわみの関係を説明する図である。この前面基板ＳＵＢ２は有縁浅曲底皿状であり、表示領域のサイズは６０８ｍｍ、表示領域の外周から縁（背面基板との接合部、以下枠とも言う）の内縁までのサイズが１０ｍｍ、中央部の板厚がt１、表示領域の外周の板厚がt２、縁の内縁間を結ぶ線を基線とし、表示領域の外周から基線までの距離が３ｍｍ、縁の基線方向の幅（枠幅）がfｍｍとする。なお、初期突き出し量はbｍｍとする。
【００１５】
図２において、黒丸は図１のＡ部（上部）発生応力、白四角はＢ部（接合部）発生応力、黒△はＣ部（中央下面）発生応力、×はＣ部（中央）たわみを示す。初期突き出し量ｂが大きいと、各部の応力、中央たわみ量共に小さくなる。
【００１６】
図３は、図１の比較のために示す有縁平板底皿状の前面基板とした場合の曲率と応力およびたわみの計算例（ケース１）を実行する説明図である。また、図４は、図３における板厚に対する応力とたわみの関係を説明する図である。図３において、tは板厚、他のサイズは図１に準じる。
【００１７】
図４は図３における縁の基線方向の幅fを一定とし、板厚tを変化させた場合（ケース１）の板厚に対する応力とたわみ量の関係を示す。板厚が枠幅よりも大きいとＡ点の応力はＢ点の応力より小さい。これに対し、板厚が枠幅よりも小さいとＡ点の応力はＢ点の応力より大きくなる。
【００１８】
図５は、図３における縁の基線方向の幅（枠幅）と板厚を同じとして変化させた場合（ケース２）の板厚＝枠幅に対する応力とたわみ量の関係を示す図である。なお、板厚は１０ｍｍとした。図５は、図３のＡ点、Ｂ点、Ｃ点の応力が一様に低減していることを示す。
【００１９】
図６は、図３における板厚を一定とし、枠幅を同じとして変化させた場合（ケース３）の枠幅に対する応力とたわみ量の関係を示す図である。なお、板厚は１０ｍｍとした。図６は、接合部の強度が極端に低い場合、枠幅を板厚より大きくすれば図３のＢ点の応力を下げることができることを示す。
【００２０】
以上の説明から、枠幅を板厚より大きくすることで、背面基板との接合端である枠の応力を低減することができることがわかった。
【００２１】
図７は、外面に中央部から外周部にかけて漸次傾斜する凸形状となる初期突き出し量を有せしめた前面基板の真空排気前後の形状変化と解析モデルの説明図で、図７（a）は真空排気前後の形状変化を説明する図、図７（b）は解析モデルの説明図である。図７（a）において、前面基板ＳＵＢ２は作業台ＤＧ上に載置した背面基板ＳＵＢ１に乗せ、封止部ＳＬにフリットガラス等の接着剤が塗布される。この状態で熱処理手段に投入され、内部の空気が排気管ＥＸＣから排気される。このとき、図７（b）に示したように、前面基板ＳＵＢ２に大気圧が加わって変形する。図７（b）の解析モデルにおける符号は図１に準じ、次の図８に示す解析結果に対応する。
【００２２】
図８は、図７の前面基板における曲率とたわみの関係を説明する図で、図７における前面基板ＳＵＢ２の中央部の厚みt1を１０ｍｍとし、その周辺部の厚みt2を１０ｍｍと１５ｍｍに、封止部の幅（枠幅）fを１０ｍｍと１５ｍｍに、初期突き出し量bを０ｍｍと５ｍｍおよび１０ｍｍにしたときの上面外周部応力、枠接合部応力、中央部下面応力、中央部たわみ量を計測した結果を示す。
【００２３】
この計算結果から、ガラス素材を希土類含有ガラスとすることによりパネル中央厚みを１０ｍｍ程度まで薄くでき、パネルの初期形状を図７および図８で示される形状にすることにより、真空封着後のパネルは平坦となることが分った。
【００２４】
図９は、前面基板の対角サイズと最大たわみを指定したときの重量比較図である。なお、図中「ナノガラス」は酸化珪素（ＳｉＯ2）を主成分として、Ｌａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕより選ばれた少なくとも一種の希土類酸化物（Ｌｎ2Ｏ3）を１〜２０重量％含有したガラス材で形成した前面基板を示す。以下、これをナノガラスと称する。このナノガラスの最大応力は８５ＭＰａ、またソーダガラスの最大応力は４０ＭＰａとした。
【００２５】
この計算結果から、希土類含有ガラスを用いたパネル重量は、ソーダガラスを用いたパネル重量の半分程度になることが分った。
【００２６】
図１０は、ナノガラスを用いて最適な形状とサイズ（重量）で前面基板を製作した場合の評価結果の説明図であり、前面基板外面（表示面）の平坦度を計算した結果を示す。図１０の構造をＤ構造と称する。また、図１１は、Ｄ構造の制御因子と水準の説明図である。これは、「Ｌ直交表」により各制御因子の影響を評価するものである。なお、このナノガラスの材料定数は、ヤング率が８５ＧＰａ、ポアソン比が０．２５、密度が２．５ｋｇ／ｍ3である。
【００２７】
この評価の項目は、前面基板の重量、外面の平坦度、基板応力、接合端応力、座屈応力である。その評価方法としては、有限要素法を用いた。
【００２８】
図１２は、たわみ量計算位置の説明図であり、画面表示領域（７１６ｍｍ×４００ｍｍ）の中央からｘ方向にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４点をとり、ｙ方向に１，２，３，４の４点をとっている。
【００２９】
図１３は、Ｌ直交表の割付けの説明図であり、表中の項目は図１０の対応符号に対応する。また、図１４は、解析モデルの説明図で、図１２のｘ方向４点とｙ方向の４点とのマトリクスで現される１６点の変形後のｚ方向解析モデルを示す短辺方向断面である。
【００３０】
図１５は、前面基板の外面の解析結果（計算結果）を示す図、図１６は、前面基板の内面の解析結果（計算結果）を示す図、図１７は、前面基板の重量、最大主応力、端部主応力、座屈圧力の解析結果（計算結果）を示す図である。各図における「Ｎｏ．１，２、・・・・１８」は図１３における各制御因子によりシミュレーションした結果を意味する。そして、丸で囲んだ部分は平坦度が良好な結果を示す。この解析結果から、Ｎｏ．１７の特性が最も良好であった。
【００３１】
図１８は、特性が最も良好なＮｏ．１７の諸元をまとめて説明する図であり、長辺側サイズが７３６ｍｍ、短辺側サイズが４２０ｍｍの前面基板（パネル）での具体例である。図１８に示した板厚t、初期突き出し量ｂ０、図１３に記した制御因子の調整により、若干の特性改善が可能である。影響の小さいＡ（内面枠角度θi）、Ｇ（外面端部曲率ｒ0）、Ｈ（内面端部曲率ｒi）は水準の範囲内であれば自由に決めてよい。
【００３２】
図１９は、ナノガラスを用いて最適な形状とサイズ（重量）で前面基板を製作した他の場合の評価結果の説明図であり、前面基板外面（表示面）の平坦度を計算した結果を示す。図１９に示したように、内面の中央部分に内側に突出する逆凸領域を形成した構造をＭ構造と称する。このような構造とすることにより、平坦度を損なうことなくパネルを軽量化することができる。また、図２０は、Ｍ構造の制御因子と水準の説明図である。これも「Ｌ直交表」により各制御因子の影響を評価するものである。なお、このナノガラスの材料定数は、ヤング率が８５ＧＰａ、ポアソン比が０．２５、密度が２．５ｋｇ／ｍ3である。
【００３３】
この評価の項目は、前面基板の重量、外面の平坦度、基板応力、接合端応力、座屈応力である。そして、この評価方法も、前記と同様に、前面基板の重量については「ソリッド・ワーク（Ｓｏｌｉｄ Ｗｏｒｋ）」、座屈応力は座屈固有値解析（ＡＢＡＱＵＳ）、それ以外は線形弾性解析（ＦＥＸ／Ｓｏｌｖｅｒ）を用いた。
【００３４】
図２１は、Ｌ直交表の割付けの説明図であり、表中の項目は図１９の対応符号に対応する。また、図２２は、前面基板の外面の平坦度の計算結果を示す図、図２３は、前面基板の内面の平坦度の計算結果を示す図、図２４は、前面基板の重量、最大主応力、端部主応力、座屈圧力の解析結果（計算結果）を示す図である。各図における「Ｎｏ．１，２、・・・・９」は図２１における各制御因子によりシミュレーションした結果を意味する。そして、丸で囲んだ部分は平坦度が良好な結果を示す。この解析結果から、Ｎｏ．１の特性が最も良好であった。
【００３５】
図２５は、特性が最も良好なＮｏ．１の諸元をまとめて説明する図であり、長辺側サイズが７３６ｍｍ、短辺側サイズが４２０ｍｍの前面基板（パネル）での具体例である。図２５に示した板厚tなどの検討しなかった因子の調整により、さらなるの特性改善が可能である。
【００３６】
図２６は、本発明の前面基板を用いて構成した平板ディスプレイ装置の背面基板側の構成を主として説明する模式平面図である。背面基板ＳＵＢ１の内面上には画像信号配線ｄ（ｄ１，ｄ２，・・・ｄｎ）が形成され、その上に走査信号配線ｓ（ｓ１，ｓ２，ｓ３，・・・ｓｍ）が交差して形成されている。垂直走査ＶＳの方向下流側に電子源ＥＬＳが設けられ、接続電極ＥＬＣで走査信号配線ｓ（ｓ１，ｓ２，ｓ３，・・・ｓｍ）から給電される。
【００３７】
そして、前面基板ＳＵＢ２の内面上には陽極電極ＡＤが設けられており、蛍光体層ＰＨ（ＰＨ（Ｒ）、ＰＨ（Ｇ）、ＰＨ（Ｂ））が形成されており、この上に陽極電極ＡＤが形成されている。この構成では、蛍光体ＰＨ（ＰＨ（Ｒ）、ＰＨ（Ｇ）、ＰＨ（Ｂ））が遮光層（ブラックマトリクス）ＢＭで区画されている。なお、陽極電極ＡＤはベタ電極として示してあるが、走査信号配線ｓ（ｓ１，ｓ２，ｓ３，・・・ｓｍ）と交差して画素列ごとに分割されたストライプ状電極とすることもできる。電子源ＥＬＳから放射される電子を加速して対応する副画素を構成する蛍光体層ＰＨ（ＰＨ（Ｒ）、ＰＨ（Ｇ）、ＰＨ（Ｂ））に射突させる。これにより、該蛍光体層ＰＨが所定の色光で発光し、他の副画素の蛍光体の発光色と混合されて所定の色のカラー画素を構成する。
【００３８】
図２７は、平板型ディスプレイ装置の全体構造例を示す斜視図、図２８は、図２７のＡ−Ａ’断面図を示す。図２６で説明したように、背面基板ＳＵＢ１の内面には画像信号配線ｄ１，ｄ２，ｄ３，・・・・・ｄｎと、走査信号配線ｓ１，ｓ２，ｓ３，・・・ｓｍのマトリクスで構成された電子源構造を有する。一方、前面基板ＳＵＢ２の内面に陽極ＡＤと蛍光体層ＰＨが成膜されている。陽極ＡＤはアルミニウム層を用いた。
【００３９】
この前面基板ＳＵＢ２と背面基板ＳＵＢ１との各内面を対向させ、両基板に挟まれた内部空間が外部と隔絶された構造となるように図示しないフリットガラスを用いて周縁を固定した。フリットガラスを用いた固着の際には、約４００℃での加熱を行なった。その後、装置内部を約１μＰａまで排気管３０３を通して排気した後に封じ切った。動作の際には、前面基板の陽極ＡＤに約１０ｋＶの電圧を印加した。
【００４０】
この実施例では、電子源にＭＩＭを用いた構造を例としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、前記した各種の電子源を用いた平面方ディスプレイ装置に対しても同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明による前面基板を説明する曲率と応力およびたわみ計算例の実行説明図である。
【図２】初期突き出し量に対する応力とたわみの関係を説明する図である。
【図３】図１の比較のために示す有縁平板底皿状の前面基板とした場合（ケース１）の曲率と応力およびたわみの計算例を実行する説明図である。
【図４】図３における板厚に対する応力とたわみの関係を説明する図である。
【図５】図３における縁の基線方向の幅（枠幅）と板厚を同じとして変化させた場合（ケース２）の板厚＝枠幅に対する応力とたわみ量の関係を示す図である。
【図６】図３における板厚を一定とし、枠幅を同じとして変化させた場合（ケース３）の枠幅に対する応力とたわみ量の関係を示す図である。
【図７】外面に中央部から外周部にかけて漸次傾斜する凸形状となる初期突き出し量を有せしめた前面基板の真空排気前後の形状変化と解析モデルの説明図である。
【図８】図７の前面基板における曲率とたわみの関係を説明する図である。
【図９】前面基板の対角サイズと最大たわみを指定したときの重量比較図である。
【図１０】ナノガラスを用いて最適な形状とサイズ（重量）で前面基板を製作した場合の評価結果の説明図であり、前面基板外面（表示面）の平坦度を計算した結果を示す。
【図１１】Ｄ構造の制御因子と水準の説明図である。
【図１２】たわみ量計算位置の説明図である。
【図１３】Ｌ直交表の割付けの説明図である。
【図１４】解析モデルの説明図である。
【図１５】前面基板の外面の解析結果（計算結果）を示す図である。
【図１６】前面基板の内面の解析結果（計算結果）を示す図である。
【図１７】前面基板の重量、最大主応力、端部主応力、座屈圧力の解析結果（計算結果）を示す図である。
【図１８】特性が最も良好なＮｏ．１７の諸元をまとめて説明する図である。
【図１９】ナノガラスを用いて最適な形状とサイズ（重量）で前面基板を製作した他の場合の評価結果の説明図である。
【図２０】Ｍ構造の制御因子と水準の説明図である。
【図２１】Ｌ直交表の割付けの説明図である。
【図２２】前面基板の外面の平坦度の計算結果を示す図である。
【図２３】前面基板の内面の平坦度の計算結果を示す図である。
【図２４】前面基板の重量、最大主応力、端部主応力、座屈圧力の解析結果（計算結果）を示す図である。
【図２５】特性が最も良好なＮｏ．１の諸元をまとめて説明する図である。
【図２６】本発明の前面基板を用いて構成した平板ディスプレイ装置の背面基板側の構成を主として説明する模式平面図である。
【図２７】平板型ディスプレイ装置の全体構造例を示す斜視図である。
【図２８】図２７のＡ−Ａ’断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
ＳＵＢ１・・・背面基板、ＳＵＢ２・・・前面基板、ｓ（ｓ１，ｓ２，・・・ｓｍ）・・・走査信号配線、ｄ（ｄ１，ｄ２，ｄ３，・・・）・・・画像信号配線、ＥＬＳ・・・電子源、ＥＬＣ・・・接続電極、ＡＤ・・・陽極、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＰＨ（ＰＨ（Ｒ），  ＰＨ（Ｇ），  ＰＨ（Ｂ））・・・蛍光体層、ＳＤＲ・・・走査信号線駆動回路、ＤＤＲ・・・画像信号線駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2006114330.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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