(57)【要約】【課題】  耐半田リフロー性、難燃性、高温での信頼性の全てに優れた半導体装置を提供すること。【解決手段】  （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂を含むフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）一般式（３）で示される化合物及び／又は一般式（４）で示される化合物、（Ｅ）（Ｄ）成分を除く無機充填材、並びに（Ｆ）酸化防止剤を必須成分として含有し、かつ全樹脂組成物中に含有される臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子がいずれも０．０１重量％未満であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂を含むフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）一般式（３）で示される化合物及び／又は一般式（４）で示される化合物、（Ｅ）（Ｄ）成分を除く無機充填材、並びに（Ｆ）酸化防止剤を必須成分として含有し、かつ全樹脂組成物中に含有される臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子がいずれも０．０１重量％未満であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2006124418.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数。）
【化２】
2006124418.tif 000012
（式中、Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数。）
ＭｇａＡｌｂ（ＯＨ）２ａ＋３ｂ−２ｃ（ＣＯ３）ｃ            （３）
（式中、０＜ｂ／ａ≦１、０≦ｃ／ｂ＜１．５）
ＭｇｘＡｌｙＯｘ＋１．５ｙ                                （４）
（式中、０＜Ｙ／Ｘ≦１）
【請求項２】
半導体素子と外部端子とがアルミパッド及び金ワイヤを介して接合され、少なくとも前記半導体素子、アルミパッド、及び金ワイヤを、請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐半田リフロー性、難燃性、高温での信頼性に優れた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は半導体素子の微細な配線と外部端子を接続するために、アルミの薄膜パッドを介して金ワイヤを用いて接合するのが主流である。これは、金が展延性に富み加工性がよく、かつ化学的に安定であるために空気中での酸化等に強い性質を利用したものである。
近年、半導体装置の適用範囲は拡大の一途をたどり、車載用途など高温環境下での使用が珍しくなくなってきており、半導体装置に対する高温環境下での信頼性の要求が急速に高まってきている。
【０００３】
一方、アルミパッドと金ワイヤの接合部では、１２５℃以上の高温で長時間放置すると金とアルミの間に合金層が形成され、この合金層にカーケンダルボイドと呼ばれる空隙が発生し、接合部の強度が低下したり、合金層がハロゲン化合物などにより酸化腐食され接合部の強度が低下したりすることが知られている。また新たに１２５℃以上の高温でかつ半導体装置を動作させた状態での信頼性の要求が増加してきた。これらの問題に対し、これまでに種々の研究がなされ、ハロゲン化合物を含まない封止樹脂を用いる方法（例えば、非特許文献１参照。）や、ハロゲン化合物以外の難燃剤を使用する方法（例えば、特許文献１参照。）などが提唱され、効果が報告されているが、車載用途に代表されるような最近の半導体装置に対する市場の高度な要求を満足するには至っていない。
更に、近年の環境問題に対して、半導体装置の実装に用いる半田に含まれる鉛を無くす方向になってきており、それに伴い、半田リフロー処理の温度が上昇することが確実視されており、要求される耐半田リフロー性はより厳しくなると考えられる。この耐半田リフロー性の向上のために、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は無機充填材を多量に配合することにより、これを用いて得られる半導体装置の低吸湿化、低熱膨張化、高強度化を図ってきている。このためエポキシ樹脂としては成型時に低粘度で高流動を維持するために、結晶性エポキシ樹脂などの溶融粘度の低い樹脂を使用して、無機充填材の配合量の増加に伴うエポキシ樹脂組成物の成形時の流動性の低下を防止する手法（例えば、特許文献２参照。）などが一般的にとられている。しかしながら、結晶性エポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物はガラス転移温度が低いため、高温環境下での信頼性が低下する傾向にあり、これを向上させる必要があった。また結晶性エポキシ樹脂は低粘度であるがために硬化性が低く、成形時の離型性を向上して生産性を上げるためには、エポキシ樹脂の硬化阻害を起こすような難燃剤の使用は難しいという問題があった。即ち、ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を使用しないで難燃性を維持し、成形性、耐半田リフロー性、高温環境下での信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物が求められている。
【０００４】
【非特許文献１】Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ  ４２、２００２、ｐ１５２３−１５２８
【特許文献１】特開２００１−０８１２８７号公報（第２〜５項）
【特許文献２】特開平７−１３０９１９号公報（第２〜１０項）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来の半導体封止用樹脂組成物のこのような問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは耐半田リフロー性、難燃性、高温での信頼性の全てに優れた半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
［１］  （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂を含むフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）一般式（３）で示される化合物及び／又は一般式（４）で示される化合物、（Ｅ）（Ｄ）成分を除く無機充填材、並びに（Ｆ）酸化防止剤を必須成分として含有し、かつ全樹脂組成物中に含有される臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子がいずれも０．０１重量％未満であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【０００７】
【化３】
2006124418.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数。）
【０００８】
【化４】
2006124418.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数。）
ＭｇａＡｌｂ（ＯＨ）２ａ＋３ｂ−２ｃ（ＣＯ３）ｃ            （３）
（式中、０＜ｂ／ａ≦１、０≦ｃ／ｂ＜１．５）
ＭｇｘＡｌｙＯｘ＋１．５ｙ                                （４）
（式中、０＜Ｙ／Ｘ≦１）
［２］  半導体素子と外部端子とがアルミパッド及び金ワイヤを介して接合され、少なくとも前記半導体素子、アルミパッド、及び金ワイヤを、第［１］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止してなる半導体装置、
である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に従うと、従来技術では得られなかった、耐半田リフロー性、難燃性、高温での信頼性の全てに優れた半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で示されるフェノール樹脂を含むフェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）一般式（３）で示される化合物及び／又は一般式（４）で示される化合物、（Ｅ）（Ｄ）成分を除く無機充填材、並びに（Ｆ）酸化防止剤を必須成分として含有し、かつ全樹脂組成物中に含有される臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子がいずれも０．０１重量％未満であることにより、従来技術では得られなかった、耐半田リフロー性、難燃性、高温での信頼性の全てに優れたエポキシ樹脂組成物、および半導体装置を得ることができるものである。
以下、各成分について説明する。
【００１１】
本発明で用いられる一般式（１）で表されるエポキシ樹脂は、エポキシ基間に疎水性で剛直なビフェニレン骨格を有しており、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、ガラス転移温度（以下、Ｔｇという）を越えた高温域での弾性率が低く、半導体素子、有機基板、及び金属基板との密着性に優れる。また架橋密度が低い割には耐熱性が高いという特徴を有している。
一般式（１）中のｎは平均値で、１〜５の正数、好ましくは１〜３の正数である。ｎが下限値を下回るとエポキシ樹脂組成物の硬化性が低下する可能性があるので好ましくない。ｎが上限値を越えると樹脂粘度が高くなり、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、より一層の低吸湿化、低そり化のための無機充填材の高充填化が不可能となる可能性があるので好ましくない。一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（Ａ）としては、例えばフェノールビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などが挙げられるが、式（１）の構造であれば特に限定するものではない。
【００１２】
【化５】
2006124418.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数。）
【００１３】
本発明では、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いることによる特徴を損なわない範囲で、その他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用できるエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格等を有する）等が挙げられ、これらは単独でも併用しても良い。
併用する場合、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂の全エポキシ樹脂に対する配合比率としては、３０重量％以上が好ましく、５０重量％以上がより好ましく、７０重量％以上が特に好ましい。
【００１４】
本発明で用いられる一般式（２）で示されるフェノール樹脂は、フェノール性水酸基間に疎水性で剛直なビフェニレン骨格を有しており、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は、低反りの特徴を有し、また吸湿率が低く、Ｔｇを越えた高温域での弾性率が低く、半導体素子、有機基板、及び金属基板との密着性に優れる。また架橋密度が低い割には耐熱性が高いという特徴を有している。
一般式（２）中のｎは平均値で、１〜５の正数、好ましくは１〜３の正数である。ｎが下限値を下回るとエポキシ樹脂組成物の硬化性が低下する可能性がある。ｎが上限値を越えると、樹脂粘度が高くなり、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、より一層の低吸湿化のための無機充填材の高充填化が不可能となるので好ましくない。一般式（２）で示されるフェノール樹脂は、１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。一般式（２）で示されるフェノール樹脂としては、例えばフェノールビフェニルアラルキル樹脂などが挙げられるが、式（２）の構造であれば特に限定するものではない。
【００１５】
【化６】
2006124418.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数。）
【００１６】
本発明では、一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用いることによる特徴を損なわない範囲で、その他のフェノール樹脂を併用することができる。併用できるフェノール樹脂としては、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格等を有する）、ナフトールアラルキル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも併用しても良い。
併用する場合、一般式（２）で表されるフェノール樹脂の全フェノール樹脂に対する配合比率としては、３０重量％以上が好ましく、５０重量％以上がより好ましく、７０重量％以上が特に好ましい。
【００１７】
本発明に用いられる硬化促進剤としては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものを指し、例えば１、８−ジアザビシクロ（５、４、０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体、トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【００１８】
本発明に用いられる一般式（３）で示される化合物及び一般式（４）で示される化合物は、エポキシ樹脂組成物中に含まれるイオン性不純物を捕捉する作用を有する。一般式（４）で示される化合物は、一般式（３）で示されるハイドロタルサイト類化合物を焼成して得ることもできる。また、一般式（３）で示される化合物、及び一般式（４）で示される化合物は、結晶水を有していてもよい。これらは単独でも２種類以上併用して用いても差し支えない。
ＭｇａＡｌｂ（ＯＨ）２ａ＋３ｂ−２ｃ（ＣＯ３）ｃ            （３）
（式中、０＜ｂ／ａ≦１、０≦ｃ／ｂ＜１．５）
ＭｇｘＡｌｙＯｘ＋１．５ｙ                                （４）
（式中、０＜Ｙ／Ｘ≦１）
【００１９】
一般式（３）で示される化合物及び一般式（４）で示される化合物は、イオン性不純物を捕捉すると自身の中にイオン性不純物を吸収する構造となり、イオン性不純物を捕捉して不活性化させる。従って、これらを配合したエポキシ樹脂組成物は、イオン性不純物による半導体回路の腐食を抑え、耐湿信頼性、高温保管性の向上が得られる。一般式（４）で示される化合物は、一般式（３）で示されるハイドロタルサイト類化合物と比較するとイオン捕捉能が高く、耐湿信頼性や高温保管性の向上には効果が高いが、一方では、その分子構造上、粒子間に隙間がたくさんあるため多湿下では吸湿性が高くなり、耐半田リフロー性を低下させ易いので、配合量には注意を払う必要がある。
また、一般式（３）で示される化合物及び一般式（４）で示される化合物は、若干の難燃性を付与する効果もある。これらの難燃剤としての効果は、従来の難燃剤として使用される水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等には及ばないが、難燃機構は水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等と同様で、燃焼時に燃焼反応を阻害するものである。
一般式（３）で示される化合物及び一般式（４）で示される化合物は、流動性、充填性を考慮すると、最大粒径としては７５μｍ以下が好ましく、平均粒径は０．５〜２５μｍが好ましい。粒度分布の広いものが、成形時のエポキシ樹脂組成物の溶融粘度を低減するために有効である。
また、一般式（３）で示される化合物と一般式（４）で示される化合物との合計量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１重量％が好ましい。下限値を下回ると、イオン捕捉効果が小さいので耐湿信頼性や高温保管性を向上する効果が低い。上限値を越えるとエポキシ樹脂組成物の硬化性が低下し、また、半導体素子を搭載する基板との密着力の低下、更には、一般式（４）で示される化合物ではエポキシ樹脂組成物の吸湿率が大きくなり耐半田リフロー性が低下する可能性がある。
【００２０】
本発明に用いる（Ｄ）成分を除く無機充填材としては、一般に封止材料に使用されているものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。（Ｄ）成分を含めた無機充填材全体の配合量としては、成形性と耐半田リフロー性のバランスから、全エポキシ樹脂組成物中に６５〜９４重量％含有することが好ましく、より好ましくは７５〜９２重量％である。下限値を下回ると、吸湿率の上昇に伴う耐半田リフロー性が低下し、上限値を越えると、ワイヤースィープ及びパッドシフト等の成形性の問題が生じ好ましくない。
【００２１】
本発明に用いる酸化防止剤としては、酸化防止作用のある化合物であれば特に制限はないが、特に、フェノール系酸化防止剤は流動性や成形性の低下させることなくアルミニウムと金ワイヤの接合部の酸化を防止することがでるので好ましい。例えば、ヒドロキノン、カテコール、ピロガロール、ヒドロキシヒドロキノン、ｏ−アミノフェノール等が挙げられ、これらは単独でも併用して使用しても差し支えない。酸化防止剤の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．００５〜３重量％が好ましく、０．０１〜１重量％がより好ましい。下限値を下回ると添加効果が薄いので好ましくない。また、上限値を超えると硬化性が低下するので好ましくない。
【００２２】
また本発明のエポキシ樹脂組成物は、臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子の含有量がいずれも全エポキシ樹脂中に０．０１重量％未満であり、完全に含まれない方が好ましい。いずれも上限値を超えると高温での信頼性の低下が見られ好ましくない。
【００２３】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分し、これ以外に必要に応じてシランカップリング剤、カーボンブラック等の着色剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
【００２４】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
【００２５】
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止する方法は、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を製造する方法は、公知の方法を用いることができる。
【実施例】
【００２６】
以下、本発明を実施例にて具体的に説明するが、本発明を記載する実施例に制限するものではない。
実施例１
【００２７】
エポキシ樹脂１：式（５）で表されるエポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ３０００、軟化点５８℃、エポキシ当量２７４）                            ６．８０重量部
【化７】
2006124418.tif 000006
【００２８】
フェノール樹脂１：式（６）で表されるフェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６５℃、水酸基当量２０３）                  ５．０５重量部
【化８】
2006124418.tif 000007
【００２９】
トリフェニルホスフィン                                        ０．２０重量部
Ｍｇ０．７Ａｌ０．３Ｏ１．１５（平均粒径３μｍ、最大粒径１０μｍ、以下、Ｈ１という。）                                                              ０．１０重量部
球状溶融シリカ（平均粒径３０μｍ）                          ８７．００重量部
ヒドロキノン                                                  ０．０５重量部
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン                        ０．３０重量部
カルナバワックス                                              ０．３０重量部
カーボンブラック                                              ０．２０重量部
をミキサーにて常温混合し、８０〜１００℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。
【００３０】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。
【００３１】
硬化性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で成形した。金型が開いて１０秒後のランナーの表面硬度をバコール硬度計＃９３５で測定した。バコール硬度は硬化性の指標であり、数値が大きい方が硬化性が良好である。
【００３２】
吸湿率：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板を成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、重量変化を測定して吸湿率を求めた。単位は重量％。
【００３３】
難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片（１２７ｍｍ×１２．７ｍｍで厚みは３．２ｍｍ）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化した後、ＵＬ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆmaxを測定し、難燃性を判定した。
【００３４】
耐湿信頼性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で１６ＳＯＰ（厚さ１．９５ｍｍ、チップサイズ３．５ｍｍ×３．０ｍｍ）を成形した。ポストキュアとして１７５℃で８時間処理した。封止したテスト用素子のプレッシャークッカー試験（１２５℃、圧力２．２×１０５Ｐａ）を行い、回路のオープン不良を測定し、不良発生時間で表した。単位は時間。
【００３５】
耐半田リフロー性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力８．３ＭＰａ、硬化時間１２０秒で８０ｐＱＦＰ（２ｍｍ厚、チップサイズ９．０ｍｍ×９．０ｍｍ）を２０個成形し、１７５℃、８時間で後硬化し、８５℃、相対湿度８５％で１６８時間放置し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。顕微鏡で観察し、クラック発生率［（クラック発生率）＝｛（外部クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）｝×１００］を求めた。単位は％。また、半導体素子とエポキシ樹脂組成物硬化物との界面の剥離面積を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離率）＝｛（剥離面積）／（半導体素子面積）｝×１００］を求めた。単位は％。
【００３６】
高温保管特性：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で１６ｐＳＯＰ（厚さ１．９５ｍｍ、チップサイズ３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）を成形した。得られた１６ｐＳＯＰを１７５℃で４時間ポストキュアした後、２００℃のオーブン中で１０００時間熱処理し、処理後に端子間の抵抗値を測定した。処理前にくらべ抵抗値が１．０倍以上、１．２倍以下のものを○（合格）、１．２倍を超え１０倍以下のものを△、１０倍を超えるものを×とした（ｎ＝２０）。
【００３７】
臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子含有量：低圧トランスファー成型機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力７．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板を成形し、得られた成形品を、蛍光Ｘ線分析装置を用いて、全エポキシ樹脂組成物中の臭素原子、アンチモン原子及びビスマス原子の含有量を定量した。単位は重量％
【００３８】
実施例２〜１３、比較例１〜８
表１、表２、表３の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１、表２、表３に示す。実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂２：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５℃、エポキシ当量１９６）
エポキシ樹脂３：ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００、融点１０５℃、エポキシ当量１９５）
フェノール樹脂２：フェノールノボラック樹脂（軟化点８１℃、水酸基当量１０５）
Ｍｇ０．７Ａｌ０．３（ＯＨ）１．２（ＣＯ３）０．６（平均粒径３μｍ、最大粒径１０μｍ、以下、Ｈ２という。）
ピロガロール
カテコール
臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：（軟化点６２℃、エポキシ当量３６５、臭素原子含有率４８重量％）
三酸化二アンチモン
三酸化二ビスマス
【００３９】
【表１】
2006124418.tif 000008
【００４０】
【表２】
2006124418.tif 000009
【００４１】
【表３】
2006124418.tif 000010
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明に従うと、従来技術では得られなかった、耐半田リフロー性、難燃性、高温での信頼性の全てに優れた半導体装置を得ることができるため、車載用途など高温環境下で使用される半導体装置に好適に用いることができる。