(57)【要約】 【課題】  エッチング精度を容易に向上させることができ、特性のばらつきを抑えることのできる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】  少なくともｎ型クラッド層１４、活性層１５、ｐ型第１クラッド層１６、ｐ型エッチングストップ層１７、ｐ型第２クラッド層１８、ｐ型中間層１９およびｐ型キャップ層２０が積層されて成る積層体２６を、ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングし、リッジ部２１を形成する。これによって、チャンバ内の温度を厳密に制御することなく、リッジ部２１を形成するためのドライエッチングの精度を容易に向上させることができるので、半導体レーザ素子の特性のばらつきを抑えることができる。また、ドライエッチング時のチャンバ内の温度を低く設定することができるので、エッチングマスク２８をレジストで形成してエッチングマスク作製工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。【選択図】      図２Ｂ
2006005317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面部に、少なくとも第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層が積層されて成る積層体を形成する積層工程と、
前記積層体を構成する層のうち、前記基板から最も離隔した層の表面部に、予め定める形状のエッチングマスクを形成するエッチングマスク作製工程と、
ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用い、前記エッチングマスクが形成された積層体をドライエッチングし、リッジ部を形成するリッジ部形成工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
ヨウ素系ガスが、ヨウ化水素であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
エッチングガスは、塩素系ガスをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
エッチングガスは、希ガスをさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
希ガスが、アルゴンであることを特徴とする請求項４記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記エッチングマスク作製工程は、
前記積層体を構成する層のうち、前記基板から最も離隔した層の表面部に、レジスト層を形成する工程と、
形成されたレジスト層を露光される部分が予め定める形状になるように露光する工程と、
露光されたレジスト層を現像する工程とを含むことを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
前記積層体を構成する層であって前記リッジ部形成工程でドライエッチングされる層のうち、少なくとも１つの層には、インジウムが含まれることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの層は、第２導電型クラッド層であることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子の製造方法に関し、より詳細には、リッジ部を有する半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子は、コンパクトディスク（Compact Disk；略称ＣＤ）およびデジタルバーサタイルディスク（Digital Versatile Disk；略称ＤＶＤ）などの光記録装置における書込みおよび読取りなどの情報処理用光源として広範に利用されている。特に、リッジ部を有する半導体レーザ素子（以下、リッジ型半導体レーザ素子とも称する）は、たとえば最大光出力が３０ｍＷ以上と高出力であり、光記録装置における情報処理速度の高速化を実現可能なことから、好適に用いられている。
【０００３】
図３は、リッジ型半導体レーザ素子の一例である半導体レーザ素子５の構成を簡略化して示す概略断面図である。半導体レーザ素子５は、ｎ型半導体基板５２と、ｎ型半導体基板５２の一方の表面部に順次積層されるｎ型中間層５３、ｎ型クラッド層５４、活性層５５、ｐ型第１クラッド層５６およびｐ型エッチングストップ層５７と、ｐ型エッチングストップ層５７の表面部に、ｐ型エッチングストップ層５７の厚み方向に垂直な方向に延びるように設けられる帯状のリッジ部６１と、リッジ部６１の長手方向側面部およびｐ型エッチングストップ層５７の表面部に設けられる絶縁膜６２と、リッジ部６１の上面部に設けられるＰ側オーミック電極６３と、リッジ部６１、絶縁膜６２およびＰ側オーミック電極６３を覆うように設けられる厚膜電極６４と、ｎ型半導体基板５２の他方の表面部に設けられるＮ側電極５１とを含んで構成される。Ｐ側オーミック電極６３および厚膜電極６４は、Ｐ側電極６５を構成する。リッジ部６１は、ｐ型エッチングストップ層５７の表面部に設けられるｐ型第２クラッド層５８と、ｐ型第２クラッド層５８の表面部に順次積層されるｐ型中間層５９およびｐ型キャップ層６０とを含む。
【０００４】
半導体レーザ素子５は、たとえば以下のようにして製造される（たとえば、特許文献１参照）。図４は、従来技術による半導体レーザ素子５の製造における各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【０００５】
図４Ａ（ａ）は、ｎ型半導体基板５２の一表面部に、積層体６６を形成した状態を示す図である。まず、ｎ型半導体基板５２の一方の表面部に、ｎ型中間層５３、ｎ型クラッド層５４、活性層５５、ｐ型第１クラッド層５６、ｐ型エッチングストップ層５７、ｐ型第２クラッド層５８、ｐ型中間層５９およびｐ型キャップ層６０を順次積層して積層体６６を形成する。（以下、このようにｎ型半導体基板５２の表面部に積層される積層体６６などの層とｎ型半導体基板５２とを合わせてウエハ７０と称する。）
半導体レーザ素子５が、たとえばアルミニウム−ガリウム−インジウム−リン（以下、単にＡｌＧａＩｎＰと称する）系のリッジ型半導体レーザ素子である場合、ｎ型半導体基板５２およびｐ型キャップ層６０は、ガリウム−ヒ素（ＧａＡｓ）などで形成される。またｎ型中間層５３、ｐ型中間層５９およびｐ型エッチングストップ層５７は、ガリウム−インジウム−リン（ＧａＩｎＰ）などで形成される。またｎ型クラッド層５４、ｐ型第１クラッド層５６およびｐ型第２クラッド層５８は、ＡｌＧａＩｎＰなどで形成される。また活性層５５は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＰなどで形成される。
【０００６】
図４Ｂ（ｂ）は、マスク用絶縁膜６７およびレジストマスク６８を形成した状態を示す図である。ｐ型キャップ層６０の表面部に、マスク用絶縁膜６７を形成する。マスク用絶縁膜６７は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの耐熱性に優れる絶縁材料で形成される。形成されたマスク用絶縁膜６７の表面部にレジスト層を形成し、形成されたレジスト層をフォトリソグラフィ技術によって成形し、レジストマスク６８を形成する。レジストマスク６８は、後述する図４Ｃ（ｄ）および図４Ｃ（ｅ）に示すリッジ部形成工程において、積層体６６が前述の図３に示すリッジ部６１の長手方向に垂直な方向の寸法（以下、幅と称する）と同じ幅にエッチングされるように予め定められる幅に形成される。
【０００７】
図４Ｂ（ｃ）は、エッチングマスク６９を形成した状態を示す図である。レジストマスク６８が形成されたマスク用絶縁膜６７を、フロン系ガスなどを用いてドライエッチングし、後述する図４Ｃ（ｄ）に示す、リッジ部６１を形成するためのドライエッチング工程において使用するエッチングマスク６９を形成する。
【０００８】
図４Ｃ（ｄ）は、積層体６６をドライエッチングした状態を示す図である。エッチングマスク６９が形成されたウエハ７０をドライエッチング装置のチャンバと呼ばれる真空槽内に入れ、エッチングガスとして塩素系ガス、メタン系ガスなどを用い、エッチングマスク６９が形成された積層体６６をｐ型エッチングストップ層５７の上方までドライエッチングする。ドライエッチングの方法としては、誘導結合プラズマ（Inductive Coupled
Plasma；略称ＩＣＰ）などの高密度プラズマを用いる高密度プラズマエッチングが好適に用いられる。高密度プラズマエッチングでは、エッチングガスの圧力は、たとえば０．１〜２Ｐａ程度に設定される。
【０００９】
図４Ｃ（ｅ）は、リッジ部６１を形成した状態を示す図である。ドライエッチング後、フッ酸などを用いたウェットエッチングなどによって積層体６６を所望の形状に成形し、リッジ部６１を形成する。次いで、図示しないけれども、前述の図３に示す絶縁膜６２、Ｐ側オーミック電極６３、厚膜電極６４およびＮ側電極５１を形成する。以上のようにして、図３に示す半導体レーザ素子５を得る。
【００１０】
前述の図４Ｃ（ｄ）に示すドライエッチング工程では、エッチングガスがプラズマ放電によって活性化されて活性種となり、積層体６６を構成する材料と反応して揮発性化合物を生成させる。たとえば、前述のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子を製造する場合には、積層体６６の各層はＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料で形成されるので、エッチングガスとしてたとえば塩素系ガスを用いると、揮発性化合物としてＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐなどの塩化物などが生成される。このようにして生成される揮発性化合物が気化して積層体６６から離脱することによって、エッチングが進行する。したがって、エッチング時には、チャンバの内部空間の温度（以下、単にチャンバ内の温度と称する）は、揮発性化合物が気化する温度以上になっている必要がある。
【００１１】
たとえば、Ｉｎの塩化物の気化し始める温度（以下、気化開始温度と称する）は、高密度プラズマエッチングのようにエッチングガスの圧力が０．１〜２Ｐａ程度の場合には、約２００℃以上である。このため、Ｉｎを含む積層体６６を塩素系ガスでドライエッチングする場合には、チャンバ内の温度を約２００℃以上にすることが必要である。
【００１２】
半導体レーザ素子５は、１枚のウエハ７０から複数個が同時に作製されることが多く、またウエハ７０は、複数枚がバッチ方式で一度に処理されることが多い。このため、ドライエッチング工程では、均一な特性を有する半導体レーザ素子５を得るために、チャンバ内の温度分布を均一化する必要がある。
【００１３】
ドライエッチングでは、チャンバ内の温度はプラズマ放電からの輻射熱によって上昇するので、たとえば揮発性化合物の気化開始温度がＩｎの塩化物のように２００℃以上と高温であっても、容易にチャンバ内の温度を揮発性化合物の気化開始温度以上にすることができる。その反面、チャンバ内の温度を制御することは困難であるので、１枚のウエハ７０に対するエッチングの初期と終期との間およびバッチ間で、チャンバ内の温度にばらつきが生じることがある。
【００１４】
チャンバ内の温度のばらつきは、揮発性化合物の気化開始温度がＩｎの塩化物のように２００℃以上と高い場合に大きな問題となる。揮発性化合物の気化開始温度が高いと、チャンバ内の温度にばらつきが生じた際に、チャンバ内の温度が揮発性化合物の気化開始温度を下回りやすい。このようにチャンバ内の温度が揮発性化合物の気化開始温度を下回ると、エッチングが進行しにくくなるので、ウエハ７０の面内およびウエハ７０同士間で、エッチング速度にばらつきが生じ、エッチング精度が低下する。最近では、半導体レーザ素子の高出力化を実現するためにリッジ部６１の更なる微細化が求められており、チャンバ内の温度のばらつきを低減し、エッチング精度を向上させることが強く要求されている。また、素子特性の均一性を向上させるためにもエッチング精度の向上が求められる。
【００１５】
したがって、揮発性化合物としてＩｎの塩化物のように気化開始温度が２００℃以上と高いものが生成される場合には、チャンバ内の温度制御を厳密に行なうことが求められる。しかしながら、チャンバ内の厳密な温度制御を行なうためには、ドライエッチング装置に特殊な恒温機構を設ける必要があり、装置構成が複雑化するという問題がある。
【００１６】
また、このようにドライエッチング時のチャンバ内の温度が２００℃以上の高温になる場合には、エッチングマスク材料として、耐熱性に優れる材料を選択する必要がある。エッチングマスク材料としてはレジストが多用されるけれども、レジストは樹脂などを含み、耐熱性に劣るので、前述のような高温環境下に晒される場合には使用できない。このため、チャンバ内の温度が２００℃以上の高温になる場合には、前述の図４Ｂ（ｂ）および図４Ｂ（ｃ）に示す工程のように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの耐熱性に優れる絶縁材料でエッチングマスク６９を作製する必要がある。
【００１７】
しかしながら、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などでエッチングマスク６９を作製するためには、前述のように予め二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などでマスク用絶縁膜６７を形成し、さらにそのマスク用絶縁膜６７上にレジストマスク６８を形成してエッチングを施す必要があり、レジストで形成されるマスク（以下、レジストマスクとも称する）をエッチングマスクに使用する場合に比べ、製造工程が煩雑になるという問題がある。
【００１８】
【特許文献１】特開平５−３２７１１３号公報（第３頁，第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の目的は、エッチング精度を容易に向上させることができ、特性のばらつきを抑えることのできる半導体レーザ素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、基板の表面部に、少なくとも第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層が積層されて成る積層体を形成する積層工程と、
前記積層体を構成する層のうち、前記基板から最も離隔した層の表面部に、予め定める形状のエッチングマスクを形成するエッチングマスク作製工程と、
ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用い、前記エッチングマスクが形成された積層体をドライエッチングし、リッジ部を形成するリッジ部形成工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法である。
【００２１】
また本発明は、ヨウ素系ガスが、ヨウ化水素であることを特徴とする。
また本発明は、エッチングガスは、塩素系ガスをさらに含むことを特徴とする。
【００２２】
また本発明は、エッチングガスは、希ガスをさらに含むことを特徴とする。
また本発明は、希ガスが、アルゴンであることを特徴とする。
【００２３】
また本発明は、前記エッチングマスク作製工程は、
前記積層体を構成する層のうち、前記基板から最も離隔した層の表面部に、レジスト層を形成する工程と、
形成されたレジスト層を露光される部分が予め定める形状になるように露光する工程と、
露光されたレジスト層を現像する工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
また本発明は、前記積層体を構成する層であって前記リッジ部形成工程でドライエッチングされる層のうち、少なくとも１つの層には、インジウムが含まれることを特徴とする。
【００２５】
また本発明は、前記少なくとも１つの層は、第２導電型クラッド層であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、半導体レーザ素子は、基板の表面部に積層体を形成する積層工程と、積層体を構成する層のうち、基板から最も離隔した層の表面部にエッチングマスクを形成するエッチングマスク作製工程と、ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用いて積層体をドライエッチングし、リッジ部を形成するリッジ部形成工程とを経て形成される。このように、リッジ部を形成するためのドライエッチングの際には、ヨウ素系ガスを含むエッチングガスが用いられるので、揮発性化合物として、積層体を構成する材料のヨウ化物が生成する。たとえば、ドライエッチングされる層のいずれかにインジウム（Ｉｎ）が含まれる場合には、インジウムのヨウ化物が生成する。インジウムのヨウ化物は、たとえばエッチングガスの圧力が０．１〜２Ｐａの条件下では、気化開始温度が１００℃以下であり、ドライエッチング時のプラズマ放電からの輻射熱によって容易に気化する。このように、積層体を構成する材料のヨウ化物はプラズマ放電からの輻射熱によって容易に気化するので、積層体は、積層体が形成された基板を収容するチャンバの内部空間の温度（以下、チャンバ内の温度と称する）が低くても速やかにエッチングされる。たとえば、ドライエッチング時に生成される揮発性化合物がインジウム（Ｉｎ）のヨウ化物である場合には、チャンバ内の温度が１００℃以下であっても、積層体のエッチングは速やかに進行する。
【００２７】
このことによって、チャンバ内の温度を厳密に制御することなく、エッチング速度のばらつきを抑え、エッチング精度を容易に向上させることができる。したがって、リッジ部を精度よく形成することができるので、半導体レーザ素子の特性のばらつきを抑え、均一な特性を有する半導体レーザ素子を歩留よく製造することができる。
【００２８】
また、ドライエッチング時のチャンバ内の温度をたとえば１００℃以下と低く設定することができるので、エッチングマスクをレジストで形成してエッチングマスク作製工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
【００２９】
また本発明によれば、ドライエッチング工程において使用されるヨウ素系ガスは、ヨウ化水素であることが好ましい。ヨウ化水素は、積層体を構成する材料たとえばインジウムなどと容易に反応し、気化温度がたとえば１００℃以下と低い揮発性化合物を生成することができるので、ヨウ化水素を用いることによってエッチング速度を高めることができる。
【００３０】
また本発明によれば、ドライエッチング工程において使用されるエッチングガスは、ヨウ素系ガスと共に、塩素系ガスを含むことが好ましい。このことによって、エッチング速度を向上させることができる。
【００３１】
また本発明によれば、ドライエッチング工程において使用されるエッチングガスは、ヨウ素系ガスと共に、希ガスを含むことが好ましい。このことによって、チャンバ内に発生するプラズマを安定させることができるので、ヨウ素系ガスを効率的に活性化させることができる。したがって、ヨウ素系ガスと積層体を構成する材料との反応を促進し、エッチング速度を向上させることができる。
【００３２】
また本発明によれば、エッチングガスに含まれる希ガスには、アルゴンを用いることが好ましい。イオン化されたアルゴンは、ミリング効果を有するので、エッチングガスとしてヨウ素系ガスと共にアルゴンを用いることによって、異方性エッチング効果を高めることができる。
【００３３】
また本発明によれば、エッチングマスクは、積層体を構成する層のうち、基板から最も離隔した層の表面部にレジスト層を形成し、形成されたレジスト層を露光した後現像することによって形成される。本発明の半導体レーザ素子の製造方法では、ドライエッチング時にエッチングガスとしてヨウ素系ガスを含むガスを用いるので、前述のようにドライエッチング時のチャンバ内の温度をたとえば１００℃以下と低く設定することができる。したがって、前述のようにレジストでエッチングマスクを形成することができるので、エッチングマスク作製工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
【００３４】
また本発明によれば、本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、積層体を構成する層であってリッジ部形成工程でドライエッチングされる層のうち、少なくとも１つの層たとえば第２導電型クラッド層にインジウムが含まれる半導体レーザ素子、たとえばＡｌＧａＩｎＰ系などのインジウムを含む化合物半導体材料で形成される半導体レーザ素子の製造に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１は、本発明の実施の一態様である半導体レーザ素子の製造方法によって得られる半導体レーザ素子１の構成を模式的に示す断面図である。本実施の態様において例示する半導体レーザ素子１は、リッジ部２１を有するリッジ型半導体レーザ素子である。
【００３６】
半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１２と、ｎ型半導体基板１２の一方の表面部に順次積層されるｎ型中間層１３、第１導電型クラッド層であるｎ型クラッド層１４、活性層１５、第２導電型クラッド層であるｐ型第１クラッド層１６およびｐ型エッチングストップ層１７と、ｐ型エッチングストップ層１７の表面部に、ｐ型エッチングストップ層１７の表面部から突出して、ｐ型エッチングストップ層１７の厚み方向に垂直な方向に延びるように設けられる帯状のリッジ部２１と、リッジ部２１の長手方向側面部およびｐ型エッチングストップ層１７の表面部に設けられる絶縁膜２２と、リッジ部２１の上面部に設けられるＰ側オーミック電極２３と、リッジ部２１、絶縁膜２２およびＰ側オーミック電極２３を覆うように設けられる厚膜電極２４と、ｎ型半導体基板１２の他方の表面部に設けられるＮ側電極１１とを含んで構成される。Ｐ側オーミック電極２３および厚膜電極２４は、Ｐ側電極２５を構成する。Ｐ側オーミック電極２３は、リッジ部２１と厚膜電極２４とをオーミック接触させるために設けられる。リッジ部２１は、ｐ型エッチングストップ層１７の表面部に設けられる第２導電型クラッド層であるｐ型第２クラッド層１８と、ｐ型第２クラッド層１８の表面部に順次積層されるｐ型中間層１９およびｐ型キャップ層２０とを含む。リッジ部２１は、電流狭窄部として機能する。
【００３７】
図１に示す半導体レーザ素子１は、以下のようにして製造される。図２は、本実施態様の半導体レーザ素子の製造方法による各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。なお、図２Ｂ（ｂ）〜図２Ｄ（ｊ）では、図２Ａ（ａ）に示すｎ型半導体基板１２およびｎ型中間層１３は、記載を省略する。
【００３８】
図２Ａ（ａ）は、ｎ型半導体基板１２の表面部に、積層体２６を形成した状態を示す図である。まず、ｎ型半導体基板１２の厚み方向一方側の表面部全体に、ｎ型中間層１３、ｎ型クラッド層１４、活性層１５、ｐ型第１クラッド層１６、ｐ型エッチングストップ層１７、ｐ型第２クラッド層１８、ｐ型中間層１９およびｐ型キャップ層２０をｎ型半導体基板１２の厚み方向に順次積層して積層体２６を形成する（以下、このようにｎ型半導体基板１２の表面部に積層される積層体２６などの層とｎ型半導体基板１２とを合わせてウエハ２７と称する。）。なお、積層体２６は、ｎ型半導体基板１２の表面部の一部に形成されてもよい。
【００３９】
積層体２６を構成する各層、すなわちｎ型中間層１３、ｎ型クラッド層１４、活性層１５、ｐ型第１クラッド層１６、ｐ型エッチングストップ層１７、ｐ型第２クラッド層１８、ｐ型中間層１９およびｐ型キャップ層２０は、分子線エピタキシ（Molecular Beam
Epitaxy；略称ＭＢＥ）法などを用いてエピタキシャル結晶成長させることによって形成することができる。
【００４０】
積層体２６を構成する各層は、たとえば、インジウム−リン（ＩｎＰ）、ガリウム−リン（ＧａＰ）、インジウム−ヒ素（ＩｎＡｓ）、ガリウム−ヒ素（ＧａＡｓ）などの二元化合物、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｙ≦１）、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）などの３元化合物、（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）などの４元化合物などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体などで形成される。なお、以下では、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｙ≦１）をＧａＩｎＰ、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）をＡｌＧａＡｓ、（ＡｌｚＧａ１−ｚ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）をＡｌＧａＩｎＰと略記する。
【００４１】
具体的には、ｎ型半導体基板１２は、たとえばガリウム−ヒ素（ＧａＡｓ）などで形成される。ｎ型中間層１３は、たとえばガリウム−インジウム−リン（ＧａＩｎＰ）などで形成される。ｎ型クラッド層１４は、たとえばアルミニウム−ガリウム−インジウム−リン（ＡｌＧａＩｎＰ）などで形成される。ｎ型半導体基板１２、ｎ型中間層１３およびｎ型クラッド層１４には、ｎ型の導電性を示すように、たとえばケイ素（Ｓｉ）などのＩＶ族元素、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）などのＶＩ族元素などのｎ型不純物が含有される。
【００４２】
ｐ型第１クラッド層１６は、たとえばＡｌＧａＩｎＰなどで形成される。ｐ型エッチングストップ層１７は、たとえばＧａＩｎＰなどで形成される。ｐ型第２クラッド層１８は、たとえばＡｌＧａＩｎＰなどで形成される。ｐ型中間層１９は、たとえばＧａＩｎＰなどで形成される。本実施態様では、ｐ型中間層１９は、後述する図２Ｂ（ｄ）および図２Ｃ（ｅ）に示すウェットエッチング工程において使用されるエッチング液に対して耐性を有する材料で形成される。ｐ型キャップ層２０は、たとえばＧａＡｓなどで形成される。ｐ型第１クラッド層１６、ｐ型エッチングストップ層１７、ｐ型第２クラッド層１８、ｐ型中間層１９およびｐ型キャップ層２０には、ｐ型の導電性を示すように、たとえば亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などのＩＩ族元素などのｐ型不純物が含有される。
【００４３】
活性層１５は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＰなどで形成される。活性層１５は、ノンドープで、量子井戸構造であることが好ましい。これによって、半導体レーザ素子１の出力を高めることができる。量子井戸構造の活性層１５は、障壁層と、障壁層よりもバンドギャップの小さい井戸層とを含んで構成される。この場合、活性層１５は、単量子井戸構造であってもよく、また多重量子井戸構造であってもよい。多重量子井戸構造を有する場合には、活性層１５は、複数の障壁層と複数の井戸層とが交互に積層されて成る。
【００４４】
ｎ型半導体基板５０および積層体２６の各層の厚みは、たとえば以下のように設計される。ｎ型半導体基板１２の厚みは、たとえば１００μｍである。ｎ型中間層１３の厚みは、たとえば０．２５μｍである。ｎ型クラッド層１４の厚みは、たとえば２．２μｍである。活性層１５の厚みは、たとえば０．１μｍである。ｐ型第１クラッド層１６の厚みは、たとえば０．１μｍである。ｐ型エッチングストップ層１７の厚みは、たとえば１０ｎｍ（１００Å）である。ｐ型第２クラッド層１８の厚みは、たとえば１．２μｍである。ｐ型中間層１９の厚みは、たとえば０．０５μｍである。ｐ型キャップ層２０の厚みは、たとえば０．５μｍである。ｎ型半導体基板５０および積層体２６の各層の厚みは、前述の値に限定されず、広い範囲から適宜選択される。
【００４５】
図２Ｂ（ｂ）は、エッチングマスク２８を形成した状態を示す図である。積層体２６を構成する層のうち、図２Ａ（ａ）に示すｎ型半導体基板１２から最も離隔した層であるｐ型キャップ層２０の表面部に、スピンコート法などによってレジストを塗布し、マスク用レジスト層２８ａを形成する。レジストとしては、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれを用いてもよい。マスク用レジスト層２８ａは、たとえば約１μｍの厚みに形成される。
【００４６】
形成されたマスク用レジスト層２８ａを、露光される部分が予め定める形状になるように露光する。本実施態様では、マスク用レジスト層２８ａは、現像後に、少なくとも前述の図１に示すリッジ部２１を形成するべく予め定められる領域を臨むマスク用レジスト層２８ａが残存するように露光される。たとえば、マスク用レジスト層２８ａがポジ型レジストで形成される場合には、少なくともリッジ部２１を形成するべく予め定められる領域を臨む部分に遮光部を有するフォトマスクを用いて、マスク用レジスト層２８ａの露光を行なう。
【００４７】
次いで、露光されたマスク用レジスト層２８ａを現像する。以上のようにして、後述する図２Ｂ（ｃ）に示す、リッジ部２１を形成するためのドライエッチング工程において使用するエッチングマスク２８が形成される。エッチングマスク２８は、図２Ｂ（ｃ）に示すドライエッチング工程、ならびに図２Ｂ（ｄ）および図２Ｃ（ｅ）に示すウェットエッチング工程において、積層体２６が前述の図１に示すリッジ部２１の長手方向に垂直な方向の寸法（以下、幅と称する）と同じ幅にエッチングされるように予め定められる幅に形成される。
【００４８】
図２Ｂ（ｃ）は、積層体２６をドライエッチングした状態を示す図である。ドライエッチング装置のチャンバ内にエッチングマスク２８が形成されたウエハ２７を入れ、ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用いて、積層体２６のｐ型キャップ層２０、ｐ型中間層１９およびｐ型第２クラッド層１８をドライエッチングする。ドライエッチングの方法としては、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）などの高密度プラズマを用いる高密度プラズマエッチングが好適に用いられる。
【００４９】
積層体２６は、ｐ型キャップ層２０の表面部からｎ型半導体基板１２に向かってその厚み方向に、ｐ型第２クラッド層１８の内部の予め定められる位置までエッチングされる。たとえば、ｐ型第２クラッド層１８が１．２μｍの厚みに形成される場合には、積層体２６は、ｐ型第２クラッド層１８の内部であってｐ型第２クラッド層１８とｐ型エッチングストップ層１７との界面から５０〜１５０ｎｍ（５００〜１５００Å）離隔する位置までエッチングされる。
【００５０】
エッチングの終点は、ウエハ２７に対してエッチングマスク２８側からレーザ光を照射し、ウエハ２７で反射されるレーザ光を受光し、エッチングの進行によるレーザ光の反射率の変化を観測することによって検知することができる。具体的には、ウエハ２７で反射されるレーザ光の反射率が、ｐ型キャップ層２０のエッチングマスク２８が形成された表面部から所望の深さすなわち前述の予め定められる位置までエッチングされたことを示す値になった時点をエッチングの終点とし、その時点でエッチングを終了させる。
【００５１】
本実施態様では、前述のようにエッチングガスとして、ヨウ素系ガスを含むガスが用いられる。エッチングガスに含まれるヨウ素系ガスは、積層体２６を構成する材料と反応し、揮発性化合物として、積層体２６を構成する材料のヨウ化物を生成させる。たとえば、積層体２６のエッチングされる層のいずれかにインジウム（Ｉｎ）が含まれる場合には、インジウムのヨウ化物が生成する。
【００５２】
インジウムのヨウ化物は、エッチングガスの圧力がたとえば０．１〜２Ｐａである場合には、１００℃以下で気化する。すなわち、インジウムのヨウ化物は、気化開始温度が１００℃以下であり、ドライエッチング時のプラズマ放電からの輻射熱によって容易に気化する。このように、積層体２６を構成する材料のヨウ化物はプラズマ放電からの輻射熱によって容易に気化するので、積層体２６は、ウエハ２７を収容するチャンバ内の温度が低くても速やかにエッチングされる。たとえば、ドライエッチング時に生成される揮発性化合物がインジウム（Ｉｎ）のヨウ化物である場合には、チャンバ内の温度が１００℃以下であっても、積層体２６のエッチングは速やかに進行する。
【００５３】
このことによって、チャンバ内の温度を厳密に制御することなく、エッチング速度のばらつきを抑え、エッチング精度を容易に向上させることができる。したがって、前述のようにヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用いることによって、リッジ部２１を形成するためのドライエッチングを精度よく行なうことができ、ひいては後述する図２Ｂ（ｄ）および図２Ｃ（ｅ）に示す工程におけるウェットエッチングの精度を向上させることができるので、リッジ部２１を精度よく形成することができる。
【００５４】
エッチングガスに含まれるヨウ素系ガスとしては、分子内にヨウ素原子を含む気体状物質であれば特に制限されず、公知のものを使用できる。その中でも、ヨウ化水素（ＨＩ）は、積層体２６の各層を構成する材料たとえばインジウムなどと容易に反応し、気化温度がたとえば１００℃以下と低い揮発性化合物を生成することができるので、好適に用いられる。ヨウ化水素を用いることによって、エッチング速度を向上させることができる。ヨウ素系ガスは、１種が単独で使用されてもよく、また２種以上が混合されて使用されてもよい。
【００５５】
エッチングガスには、ヨウ素系ガスと共に、塩素系ガスが含まれることが好ましい。エッチングガスとして、ヨウ素系ガスと塩素系ガスとの混合ガスを用いることによって、エッチング速度を向上させることができる。
【００５６】
塩素系ガスとしては、分子内に塩素原子を含む気体状物質であれば特に制限されず、公知のものを使用でき、たとえば塩素（Ｃｌ２）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）などが挙げられる。
【００５７】
また、エッチングガスには、キャリアガスとして希ガスが含まれることが好ましい。ヨウ素系ガスを含むエッチングガスにキャリアガスとして希ガスを混合することによって、ドライエッチング時にチャンバ内に発生するプラズマを安定させ、エッチングガスに含まれるヨウ素系ガスなどのガスをプラズマによって効率的に活性化させることができる。これによって、エッチングガスに含まれるヨウ素系ガスなどのガスと積層体２６を構成する材料との反応が促進され、エッチング速度が向上される。希ガスとしては、たとえばアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、キセノン（Ｘｅ）などが挙げられ、これらの中でもアルゴン（Ａｒ）が好ましい。イオン化されたアルゴンは、ミリング効果を有するので、エッチングガスとしてヨウ素系ガスと共にアルゴンを用いることによって、異方性エッチング効果を高めることができる。
【００５８】
エッチングガスの圧力は、特に制限されず、エッチングガスに含まれるガスの種類およびその混合比、ならびにエッチングされる積層体２６の各層を構成する材料の種類などの各種条件に応じて適宜選択することができるけれども、好ましくは、０．１０Ｐａ以上、２．０Ｐａ以下の範囲内であり、より好ましくは０．１６Ｐａ以上、１．３Ｐａ以下の範囲内である。
【００５９】
ドライエッチング工程において、ウエハ２７は、プラズマ放電からの輻射熱およびプラズマ放電からの輻射熱で加熱されたチャンバ内の気体の熱によって加熱される。したがって、ドライエッチング時のウエハ２７の温度は、プラズマ源への供給電力によって制御することができる。本実施の態様では、エッチングマスク２８として、レジストで形成されるマスクを用いているので、ドライエッチング時のプラズマ源への供給電力は、ドライエッチング処理中のウエハ２７の温度が１００℃以下になるように選択される。たとえば、プラズマ源としてＩＣＰを用いる場合には、ＩＣＰコイルに供給する高周波電力を１００Ｗ以上、１５０Ｗ以下に設定することによって、ドライエッチング処理中のウエハ２７の温度を１００℃以下にすることができる。
【００６０】
図２Ｂ（ｄ）は、積層体２６に対して１回目のウェットエッチングを施した状態を示す図である。ドライエッチングされた積層体２６を、硫酸および過酸化水素を含む硫酸−過酸化水素系エッチング液、アンモニアおよび過酸化水素を含むアンモニア−過酸化水素系エッチング液などを用いてウェットエッチングする。
【００６１】
このときのエッチング条件は、ｐ型キャップ層２０のｐ型中間層１９に接する表面部の寸法が、後述する図２Ｃ（ｅ）に示すフッ酸によるエッチング後のｐ型第２クラッド層１８のｐ型中間層１９に接する表面部の寸法に等しくまたは略等しくなるように選択される。このような条件でウェットエッチングを施すことは、後述する図２Ｄ（ｈ）に示す工程におけるｐ型中間層１９のウェットエッチング後に、ｐ型エッチングストップ層１７の表面部に対して垂直な側面部を有するリッジ部２１を形成するために必要な処理である。
【００６２】
すなわち、ｐ型中間層１９はフッ酸に対して耐性を有するので、フッ酸を含むエッチング液でｐ型第２クラッド層１８をエッチングすると、ｐ型第２クラッド層１８のｐ型中間層１９との界面近傍部でサイドエッチングが進行する。このため、本実施態様のように、１回目のウェットエッチングによって予めｐ型キャップ層２０のｐ型中間層１９に接する表面部の寸法を、フッ酸によるエッチング後のｐ型第２クラッド層１８のｐ型中間層１９に接する表面部の寸法に等しくまたは略等しくしておく必要がある。このようにすることによって、ｐ型キャップ層２０のｐ型中間層１９に接する表面部の寸法が、フッ酸によるエッチング後のｐ型第２クラッド層１８のｐ型中間層１９に接する表面部の寸法よりも大きくなることを防ぎ、ｐ型エッチングストップ層１７の表面部に対して垂直な側面部を有するリッジ部２１を形成することができる。
【００６３】
図２Ｃ（ｅ）は、積層体２６に対して２回目のウェットエッチングを施した後に、エッチングマスク２８を除去した状態を示す図である。１回目のウェットエッチング後、さらにウエハ２７をフッ酸でウェットエッチングし、リッジ部２１の下部となるｐ型第２クラッド層１８およびリッジ部２１の上部となるｐ型キャップ層２０の形状を調整する。ｐ型エッチングストップ層１７は、フッ酸に対して耐性を有するので、ｐ型第２クラッド層１８の厚み方向のエッチングは、ｐ型エッチングストップ層１７が露出した時点で停止する。ｐ型第２クラッド層１８の厚み方向のエッチングが停止した時点からさらにエッチングを継続すると、ｐ型第２クラッド層１８は、その厚み方向に垂直な方向にのみエッチングされる。したがって、ｐ型第２クラッド層１８の厚み方向のエッチングが停止した時点からのエッチング時間を適宜選択することによって、ｐ型第２クラッド層１８の長手方向に垂直な方向の寸法（以下、幅と称する）を所望の値に調整することができる。
【００６４】
次いで、残存するエッチングマスク２８を除去する。本実施態様では、エッチングマスク２８は、レジストで形成されるので、有機溶剤によるウェットエッチング、オゾンを用いたアッシングなどによって除去することができる。
【００６５】
次いで、ウエハ２７を一方側から見て、ｐ型キャップ層２０よりも幅方向に突出しているｐ型中間層１９の部分（以下、ｐ型中間層１９の庇状部分と称する）を以下の手順で除去する。図２Ｃ（ｆ）は、ポジ型レジスト層２９を形成した状態を示す図である。前述のようにしてエッチングマスク２８を除去した後、ｐ型第２クラッド層１８、ｐ型中間層１９、ｐ型キャップ層２０およびｐ型エッチングストップ層１７の表面部を覆うようにポジ型レジスト層２９を形成する。ポジ型レジスト層２９は、ポジ型レジストをスピンコート法などで塗布することによって形成することができる。形成されたポジ型レジスト層２９に対して、塗布面すなわちポジ型レジスト層２９の露出する表面部側からポジ型レジスト層２９の塗布面全体にわたって露光を施す。
【００６６】
図２Ｃ（ｇ）は、ポジ型レジスト層２９を現像した状態を示す図である。露光されたポジ型レジスト層２９を現像する。これによって、ｐ型キャップ層２０の表面部、ｐ型中間層１９の一方側の表面部および長手方向側面部に形成されたポジ型レジスト層２９、ならびにｐ型エッチングストップ層１７の表面部に形成されたポジ型レジスト層２９のうちｐ型エッチングストップ層１７との界面近傍部以外のポジ型レジスト層２９が除去され、ｐ型エッチングストップ層１７との界面近傍部およびｐ型第２クラッド層１８との界面近傍部のポジ型レジスト層２９が残留する。
【００６７】
図２Ｄ（ｈ）は、リッジ部２１を形成した状態を示す図である。ポジ型レジスト層２９の現像後のウエハ２７に対して、塩酸系エッチング液、臭素系エッチング液たとえば飽和臭化水系エッチング液などを用いてウェットエッチングを施す。これによって、ｐ型中間層１９の庇状部分が除去される。次いで、残存するポジ型レジスト層２９を有機溶剤などで除去する。以上のようにして、帯状のリッジ部２１が形成される。
【００６８】
本実施態様において、図２Ｂ（ｃ）に示すドライエッチング工程、図２Ｂ（ｄ）および図２Ｃ（ｅ）に示すウェットエッチング工程、ならびに図２Ｃ（ｆ）〜図２Ｄ（ｈ）に示すｐ型中間層１９の庇状部分を除去する工程は、リッジ部形成工程に相当する。
【００６９】
図２Ｄ（ｉ）は、絶縁膜２２および絶縁膜除去用レジスト層３０を形成した状態を示す図である。リッジ部２１が形成されたウエハ２７の表面部に、リッジ部２１およびｐ型エッチングストップ層１７を被覆するように絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２は、たとえば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成される。絶縁膜２２の形成方法としては、たとえばプラズマ化学気相成長（Plasma−Chemical Vapor Deposition；略称Ｐ−ＣＶＤ）法などが挙げられる。
【００７０】
次いで、電流狭窄部であるリッジ部２１の上面部すなわちｐ型キャップ層２０の表面部に形成された絶縁膜２２を除去するために、リッジ部２１の上面部に形成された絶縁膜２２のみが露出し、絶縁膜２２の残余の部分が被覆されるように、絶縁膜除去用レジスト層３０を形成する。バッファードフッ酸(Buffered Hydrogen Fluoride；略称ＢＨＦ)系エッチング液などを用いて、絶縁膜除去用レジスト層３０が形成されたウエハ２７をウェットエッチングし、リッジ部２１の上面部に形成された絶縁膜２２を除去する。ここで、バッファードフッ酸とは、フッ化水素とフッ化アンモニウムとの混合溶液のことである。
【００７１】
図２Ｄ（ｊ）は、Ｐ側オーミック電極２３を形成した状態を示す図である。前述のようにしてリッジ部２１の上面部に形成された絶縁膜２２が除去されたウエハ２７の表面部に、露出したリッジ部２１の表面部および絶縁膜除去用レジスト層３０の表面部を被覆するように、Ｐ側オーミック電極２３となるオーミック電極膜２３ａを形成する。オーミック電極膜２３ａは、たとえば金−亜鉛（ＡｕＺｎ）合金などの導電性材料を蒸着法などでウエハ２７の表面部に成膜することによって形成することができる。
【００７２】
次いで、リフトオフを行なって絶縁膜除去用レジスト層３０の表面部に形成されたオーミック電極膜２３ａを除去する。すなわち、アセトンやリムーバー等のレジスト剥離液などで絶縁膜除去用レジスト層３０を剥離させ、絶縁膜除去用レジスト層３０の剥離に伴って絶縁膜除去用レジスト層３０の表面部に形成されたオーミック電極膜２３ａを除去し、リッジ部２１の上面部に形成されたオーミック電極膜２３ａのみを残留させる。次いで、ウエハ２７を熱処理することによって、Ｐ側オーミック電極２３を形成する。
【００７３】
次いで、図示しないけれども、リッジ部２１、絶縁膜２２およびＰ側オーミック電極２３を被覆するように、厚膜電極２４を形成する。厚膜電極２４は、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）などの導電性材料で形成される。厚膜電極２４は、単一の膜で形成されてもよく、また複数の膜で形成されてもよい。厚膜電極２４を複数の膜で形成する場合には、たとえば、チタン（Ｔｉ）および金（Ａｕ）などの導電性材料をスパッタ法などで成膜してＴｉ／Ａｕ膜などの導電膜を形成し、形成された導電膜をたとえば金（Ａｕ）などの導電性材料でめっきしてＡｕめっき膜などの被覆膜を形成することによって厚膜電極２４を形成することができる。この場合、導電膜を被覆する被覆膜は、たとえば１〜３μｍの厚みに形成される。被覆膜の厚みは、これに限定されず、厚膜電極２４のパターン形状に応じて選択される。以上のようにして、Ｐ側オーミック電極２３と厚膜電極２４とから成るＰ側電極２５が形成される。
【００７４】
次いで、ｎ型半導体基板１２が所望の厚みになるように、ｎ型半導体基板１２の厚み方向他方側の表面部すなわち前述の図２Ａ（ａ）に示すｎ型半導体基板１２の積層体２６が形成されていない表面部側から、ｎ型半導体基板１２を厚み方向一方に研削するなどしてｎ型半導体基板１２の一部を除去する。次いで、ｎ型半導体基板１２の他方の表面部に、金（Ａｕ）などの導電性材料をスパッタ法などによって成膜した後、熱処理を施すことによって、前述の図１に示すＮ側電極１１を形成する。Ｎ側電極１１が形成されたウエハ２７を予め定める寸法になるようにｎ型半導体基板１２の厚み方向に切断し、図１に示すリッジ部２１を有する半導体レーザ素子１を得る。以上のようにして、半導体レーザ素子１が製造される。
【００７５】
前述のように、本実施態様では、図２Ｂ（ｃ）に示すドライエッチング工程では、ヨウ素系ガスを含むエッチングガスを用いて積層体２６をエッチングするので、ドライエッチング時のチャンバ内の厳格な温度制御を行なうことなく、微細な加工精度が求められるリッジ部２１を精度良く形成することができる。したがって、ウエハ２７の面内および複数のウエハ２７において、均一なリッジ部２１を形成することができるので、半導体レーザ素子１の特性のばらつきを抑え、均一な特性を有する半導体レーザ素子１を歩留良く製造することができる。
【００７６】
また、ヨウ素系ガス、特にヨウ化水素（ＨＩ）ガスは、塩素（Ｃｌ２）ガスなどの塩素系ガスとほぼ同等の性質を有するので、エッチングガスとして塩素系ガスを使用するドライエッチング装置では、恒温機能を付加するような改造を行なうことなく、エッチングガスを、ヨウ素系ガスを含むガスに変更するだけで、リッジ部２１の加工精度を向上させることができる。したがって、恒温機能を付加する場合に比べ、ドライエッチング装置を簡略化し、半導体レーザ素子の製造原価を低減することができる。
【００７７】
また、前述のように積層体２６とエッチングガスに含まれるヨウ素系ガスとの反応によって生成する揮発性化合物は、プラズマ放電からの輻射熱によって容易に気化するので、積層体２６は、積層体２６が形成されたウエハ２７を収容するチャンバ内の温度がたとえば１００℃以下と低くても速やかにエッチングされる。このため、本実施態様では、ドライエッチング時のチャンバ内の温度をたとえば１００℃以下と低く設定することができる。
【００７８】
したがって、本実施態様では、図２Ｂ（ｂ）に示すエッチングマスク作製工程において、エッチングマスク２８をレジストで形成することができるので、エッチングマスク２８を二酸化ケイ素などの絶縁材料で形成する場合に比べ、エッチングマスク作製工程を簡略化し、生産性を向上させることができる。
【００７９】
なお、図２Ｂ（ｃ）に示すドライエッチング工程において使用するエッチングマスクは、本実施態様のようにレジストで形成されるものに限定されず、たとえば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの耐熱性に優れる絶縁材料で形成されるものであってもよい。この場合には、前述の図４Ｂ（ｂ）および図４Ｂ（ｃ）に示す工程と同様にして、図２Ｂ（ｂ）に示すエッチングマスク２８と同様のエッチングマスクを作製することができる。具体的には、図２Ｂ（ｂ）に示すｐ型キャップ層２０の表面部にＳｉＯ２などの耐熱性に優れる絶縁材料でマスク用絶縁膜を形成し、形成されたマスク用絶縁膜の表面部に、本実施態様においてレジストでエッチングマスク２８を作製する場合と同様にしてレジストマスクを形成し、レジストマスクが形成されたマスク用絶縁膜をフロン系ガスなどでドライエッチングすることによって、エッチングマスクを作製する。
【００８０】
このようにＳｉＯ２などの耐熱性に優れる絶縁材料でエッチングマスクを形成する場合には、前述の図２Ｂ（ｃ）に示すドライエッチング工程において、ウエハ２７の温度が１００℃以下になるようにプラズマ源への供給電力を調整する必要はない。また、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されるエッチングマスクは、前述の図２Ｃ（ｅ）に示す工程におけるフッ酸によるウェットエッチングによって除去されるので、本実施態様のようにフッ酸によるウェットエッチング工程と別に、エッチングマスクを除去する工程を設ける必要はない。
【００８１】
以上に述べた本実施態様の半導体レーザ素子の製造方法では、第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型としているけれども、第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型としてもよい。この場合には、本実施態様においてｐ型の導電性を有するように形成したものをｎ型の導電性を有するように形成し、ｎ型の導電性を有するように形成したものをｐ型の導電性を有するように形成する。
【００８２】
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、本実施態様のように、ｐ型第２クラッド層１８およびｐ型中間層１９などの、積層体２６を構成する層であって前述の図２Ｂ（ｃ）示す工程でドライエッチングされる層のいずれかの層にインジウムが含まれる半導体レーザ素子の製造に好適である。すなわち、本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、基板の表面部に形成される積層体を構成する層であってリッジ部形成工程でドライエッチングされる層のうち、少なくとも１つの層がインジウムを含む化合物半導体材料で形成されるＡｌＧａＩｎＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系などの半導体レーザ素子を製造する場合に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の一態様である半導体レーザ素子の製造方法によって得られる半導体レーザ素子１の構成を模式的に示す断面図である。
【図２Ａ】本実施態様の半導体レーザ素子の製造方法による各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【図２Ｂ】本実施態様の半導体レーザ素子の製造方法による各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【図２Ｃ】本実施態様の半導体レーザ素子の製造方法による各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【図２Ｄ】本実施態様の半導体レーザ素子の製造方法による各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【図３】リッジ型半導体レーザ素子の一例である半導体レーザ素子５の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図４Ａ】従来技術による半導体レーザ素子５の製造における各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【図４Ｂ】従来技術による半導体レーザ素子５の製造における各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【図４Ｃ】従来技術による半導体レーザ素子５の製造における各工程の状態を模式的に示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  半導体レーザ素子
１１  Ｎ側電極
１２  ｎ型半導体基板
１３  ｎ型中間層
１４  ｎ型クラッド層
１５  活性層
１６  ｐ型第１クラッド層
１７  ｐ型エッチングストップ層
１８  ｐ型第２クラッド層
１９  ｐ型中間層
２０  ｐ型キャップ層
２１  リッジ部
２２  絶縁膜
２３  Ｐ側オーミック電極
２４  厚膜電極
２５  Ｐ側電極
２６  積層体
２７  ウエハ
２８  エッチングマスク
２８ａ  マスク用レジスト層
【図１】
2006005317.tif 000003
【図２Ａ】
2006005317.tif 000004
【図２Ｂ】
2006005317.tif 000005
【図２Ｃ】
2006005317.tif 000006
【図２Ｄ】
2006005317.tif 000007
【図３】
2006005317.tif 000008
【図４Ａ】
2006005317.tif 000009
【図４Ｂ】
2006005317.tif 000010
【図４Ｃ】
2006005317.tif 000011