(57)【要約】【課題】  窒化ガリウム系紫外光検出器の提供。【解決手段】  窒化ガリウム系紫外光検出器は、基板に上向きにｎ型コンタクト層、光吸収層、光透過層、ｐ型コンタクト層が設けられている。これらの半導体層はいずれも窒化アルミニウムガリウムインジウムの四元化合物半導体材料で構成される。これらの材料のアルミニウム、ガリウム、インジウムの成分組成を改変することで、これらの半導体層が一方で必要なバンドギャップを具え、これにより特定波長の紫外光にに対する反応が特別に敏感となり、また一方で、これらの半導体層がマッチングした格子定数を具備し、これにより応力過大に関係する問題を回避でき、また高品質の格子構造の紫外光検出器を得られる。この構造は更にｐ型コンタクト層の上の正電極、光透過オームコンタクト層、反射防止層、及びｎ型コンタクト層の上の負電極を具える。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム系紫外光検出器において、
サファイヤ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、或いは格子定数が窒化物半導体に接近する単結晶酸化物のいずれかで形成された基板と、
該基板の一側面に位置し、ｎ型ドープされ特定組成の窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌa Ｇａb Ｉｎ1-a-b Ｎ，０≦ａ，ｂ＜１，ａ＋ｂ≦１）で構成され、厚さが３０００Å〜４００００Åの間であるｎ型コンタクト層と、
このｎ型コンタクト層の上に位置し、ｎ型コンタクト層の一部の上表面を被覆し、窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ，０≦ｘ，ｙ＜１，ｘ＋ｙ≦１）で構成され、厚さが１００Å〜１００００Åの間であり、３．４電子ボルトより大きいバンドギャップを具えた光吸収層と、
該ｎ型コンタクト層の、光吸収層に未被覆の上表面に位置し、ＴｉとＡｌの合金で構成された負電極と、
該光吸収層の上に位置し、複数層の積層で構成された超格子構造であり、該光吸収層より大きなバンドギャップを具え、各一つの積層が２層を具え、その単層の厚さはいずれも５０Å〜２００Åの間であり、それぞれ特定組成のｐ型ドープのＡｌe Ｇａf Ｉｎ1-e-fＮとＡｌg Ｇａh Ｉｎ1-g-h Ｎ（０≦ｅ，ｆ，ｇ，ｈ≦１，ｅ＋ｆ≦１，ｇ＋ｈ≦１）を具えた、光透過層と、
該光吸収層の上に位置し、ｐ型ドープで、特定組成のＡｌi Ｇａj Ｉｎ1-i-j Ｎ（０≦ｉ，ｊ≦１，ｉ＋ｊ≦１）で構成され、厚さが２０Å〜２０００Åであるｐ型コンタクト層と、
該ｐ型コンタクト層の上に位置し且つその一部表面を被覆し、厚さが２０Å〜２００Åの間の金属導電層と、厚さが２００Å〜３０００Åの間の透明導電酸化層のいずれかとされる、光透過オームコンタクト層と、
該ｐ型コンタクト層の上面の光透過オームコンタクト層で未被覆の部分に位置し、ＮｉとＡｕの合金で形成された、正電極と、
該光透過オームコンタクト層の上に位置し、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＴｉＯ2 ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の分散式ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ；ＤＢＲ）のいずれかで形成された反射防止層と、
を具えたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器。
【請求項２】
請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、光吸収層が、アンドープで、特定組成を有するＡｌc Ｇａd Ｉｎ1-c-d Ｎ（０≦ｃ，ｄ≦１，ｃ＋ｄ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器。
【請求項３】
請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、光吸収層が、特定組成のＡｌmＧａ1-m Ｎ，０≦ｍ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器。
【請求項４】
請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、複数の積層で構成された超格子構造であり、各積層は２層の単層を具え、この単層の厚さはいずれも５０Å〜２００Åの間で、アンドープの特定組成のＡｌu Ｇａ1-u ＮとＡｌw Ｇａ1-w Ｎ（０≦ｕ，ｗ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器。
【請求項５】
請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、複数の積層で構成された超格子構造であり、各積層は２層の単層を具え、この単層の厚さはいずれも５０Å〜２００Åの間で、インジウムドープの特定組成のＡｌu Ｇａ1-u ＮとＡｌw Ｇａ1-w Ｎ（０≦ｕ，ｗ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器。
【請求項６】
請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、金属導電層は、Ｎｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｎｉ／Ｃｏ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｓｎ／Ａｕ合金、Ｔａ／Ａｕ合金、ＴｉＮ、ＴｉＷＮx （Ｘ≧０）、Ｗｓｉy （ｙ≧０）のいずれで形成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器。
【請求項７】
請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、透明導電酸化層はＩＴＯ、ＣＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＧａ2 Ｏ4 、ＳｎＯ2 ：Ｓｂ、Ｇａ2 Ｏ3 ：Ｓｎ、ＡｇＩｎＯ2：Ｓｎ、Ｉｎ2 Ｏ3 ：Ｚｎ、ＣｕＡｌＯ2 、ＬａＣｕＯＳ、ＮｉＯ、ＣｕＧａＯ2 、ＳｒＣｕ2 Ｏ2 のいずれかとされることを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は紫外光検出器に係り、特に、窒化ガリウム系半導体を使用した紫外光検出器の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、光信号を電気信号に変換する光検出器（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）には、真空管を採用した光電子倍増管（Ｐｈｏｔｏ  Ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ；ＰＭＴ）、シリコン材料を使用した光検出器、及び窒化ガリウム系半導体を使用した光検出器の三種類がある。
【０００３】
このような三種類の光検出器のうち、光電子倍増管の製造コストは高く、高い操作電圧を必要とし、且つ真空管は破損しやすい。シリコン光検出器は製作が容易で、製造コストが低く、操作電圧が低い特性を有している。しかしシリコン光検出器は大きな波長の可視光と赤外光の検出には相当に優良な性能を有するものの、短波長の紫外光に対しては感度が低い。これに対して、窒化ガリウム系化合物を材料とする光検出器は、材料が比較的大きなバンドギャップを有するため紫外光の検出に非常に適している。且つ窒化ガリウム系化合物の組成を制御することによりそのバンドギャップを改変でき、特定波長範囲の紫外光に対する光検出器を製作できる。
【０００４】
図１は窒化ガリウム系紫外光検出器の反応曲線図である。窒化ガリウム系紫外光検出器は特に３００〜３７０ｎｍの紫外光波長範囲にあって相当に急速な反応を有し、これは周知のシリコン光検出器では達成し得ないことである。これにより急速反応を要求される応用環境にあって、窒化ガリウム系紫外光検出器は優れた表現を提供することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
周知の窒化ガリウム系半導体装置によくみられる問題の一つに、隣り合う半導体層の間の格子定数の差異が大き過ぎることがある。このためこの格子構造の違いにより過大な応力が形成され、半導体装置のエピタキシャル構造を不良とし、これによりその性能表現に影響が生じる。このほか、窒化ガリウム系紫外光検出器は一方で大きなバンドギャップを有して特定波長範囲の紫外光に反応する必要があるが、それと電極接触部分のバンドギャップが大き過ぎると良好なオームコンタクトを得られない。このため如何に紫外光の窒化ガリウム系紫外光検出器の表面での反射を減らし、如何にその光電変換特性を向上するかが、窒化ガリウム系紫外光検出器が実用価値を有するために解決しなければならない問題である。
【０００６】
本発明は一種の窒化ガリウム系紫外光検出器を提供し、前述の関係技術中の制限と欠点を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、窒化ガリウム系紫外光検出器において、
サファイヤ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、或いは格子定数が窒化物半導体に接近する単結晶酸化物のいずれかで形成された基板と、
該基板の一側面に位置し、ｎ型ドープされ特定組成の窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌa Ｇａb Ｉｎ1-a-b Ｎ，０≦ａ，ｂ＜１，ａ＋ｂ≦１）で構成され、厚さが３０００Å〜４００００Åの間であるｎ型コンタクト層と、
このｎ型コンタクト層の上に位置し、ｎ型コンタクト層の一部の上表面を被覆し、窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ，０≦ｘ，ｙ＜１，ｘ＋ｙ≦１）で構成され、厚さが１００Å〜１００００Åの間であり、３．４電子ボルトより大きいバンドギャップを具えた光吸収層と、
該ｎ型コンタクト層の、光吸収層に未被覆の上表面に位置し、ＴｉとＡｌの合金で構成された負電極と、
該光吸収層の上に位置し、複数層の積層で構成された超格子構造であり、該光吸収層より大きなバンドギャップを具え、各一つの積層が２層を具え、その単層の厚さはいずれも５０Å〜２００Åの間であり、それぞれ特定組成のｐ型ドープのＡｌe Ｇａf Ｉｎ1-e-fＮとＡｌg Ｇａh Ｉｎ1-g-h Ｎ（０≦ｅ，ｆ，ｇ，ｈ≦１，ｅ＋ｆ≦１，ｇ＋ｈ≦１）を具えた、光透過層と、
該光吸収層の上に位置し、ｐ型ドープで、特定組成のＡｌi Ｇａj Ｉｎ1-i-j Ｎ（０≦ｉ，ｊ≦１，ｉ＋ｊ≦１）で構成され、厚さが２０Å〜２０００Åであるｐ型コンタクト層と、
該ｐ型コンタクト層の上に位置し且つその一部表面を被覆し、厚さが２０Å〜２００Åの間の金属導電層と、厚さが２００Å〜３０００Åの間の透明導電酸化層のいずれかとされる、光透過オームコンタクト層と、
該ｐ型コンタクト層の上面の光透過オームコンタクト層で未被覆の部分に位置し、ＮｉとＡｕの合金で形成された、正電極と、
該光透過オームコンタクト層の上に位置し、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＴｉＯ2 ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の分散式ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ；ＤＢＲ）のいずれかで形成された反射防止層と、を具えたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、光吸収層が、アンドープで、特定組成を有するＡｌc Ｇａd Ｉｎ1-c-d Ｎ（０≦ｃ，ｄ≦１，ｃ＋ｄ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、光吸収層が、特定組成のＡｌm Ｇａ1-m Ｎ，０≦ｍ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、複数の積層で構成された超格子構造であり、各積層は２層の単層を具え、この単層の厚さはいずれも５０Å〜２００Åの間で、アンドープの特定組成のＡｌu Ｇａ1-u ＮとＡｌw Ｇａ1-w Ｎ（０≦ｕ，ｗ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、複数の積層で構成された超格子構造であり、各積層は２層の単層を具え、この単層の厚さはいずれも５０Å〜２００Åの間で、インジウムドープの特定組成のＡｌu Ｇａ1-u ＮとＡｌw Ｇａ1-w Ｎ（０≦ｕ，ｗ≦１）で構成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器としている。
請求項６の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、金属導電層は、Ｎｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｎｉ／Ｃｏ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｓｎ／Ａｕ合金、Ｔａ／Ａｕ合金、ＴｉＮ、ＴｉＷＮx （Ｘ≧０）、Ｗｓｉy （ｙ≧０）のいずれで形成されたことを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器としている。
請求項７の発明は、請求項１記載の窒化ガリウム系紫外光検出器において、透明導電酸化層はＩＴＯ、ＣＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＧａ2 Ｏ4 、ＳｎＯ2 ：Ｓｂ、Ｇａ2 Ｏ3 ：Ｓｎ、ＡｇＩｎＯ2 ：Ｓｎ、Ｉｎ2 Ｏ3 ：Ｚｎ、ＣｕＡｌＯ2 、ＬａＣｕＯＳ、ＮｉＯ、ＣｕＧａＯ2 、ＳｒＣｕ2 Ｏ2 のいずれかとされることを特徴とする、窒化ガリウム系紫外光検出器としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の提出する窒化ガリウム系紫外光検出器は、基板の上に、順にｎ型コンタクト層、光吸収層、光透過層、ｐ型コンタクト層が設けられている。これらの半導体層はいずれも窒化アルミニウムガリウムインジウム（Ａｌa Ｇａb Ｉｎ1-a-b Ｎ，０≦ａ，ｂ≦１，ａ＋ｂ≦１）の四元化合物半導体材料で構成される。これらの材料のアルミニウム、ガリウム、インジウムの成分組成を改変することで、これらの半導体層が必要なバンドギャップを具え、これにより特定波長の紫外光にに対する反応が特別に敏感となり、また一方で、これらの半導体層がマッチングした格子定数を具備し、これにより応力過大に関係する問題を回避でき、また高品質の格子構造の紫外光検出器を得られる。
【０００９】
この構造は更にｐ型コンタクト層の上の正電極、光透過オームコンタクト層、反射防止層、及びｎ型コンタクト層の上の負電極を具える。この反射防止層は紫外光波長範囲（３６５ｎｍより小さい）に対する光の反射率は３０％より小さく、ほとんどの光が光透過オームコンタクト層を透過して窒化ガリウム系紫外光検出器に進入する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図２は本発明の窒化ガリウム系紫外光検出器の第１実施例の表示図である。図２に示されるように、この実施例はＣ−Ｐｈａｎｅ或いはＲ−Ｐｌａｎｅ或いはＡ−Ｐｌａｎｅのサファイヤ或いは炭化シリコン（６Ｈ−ＳｉＣ或いは４Ｈ−ＳｉＣ）が基板１０とされ、基板１０に使用可能なその他の材料としては、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、或いは格子定数が窒化物半導体に接近する単結晶酸化物が包含される。その後、この基板１０の一側面にｎ型コンタクト層２０が形成され、このｎ型コンタクト層２０はｎ型ドープされ、特定組成のＡｌa Ｇａb Ｉｎ1-a-b Ｎ（０≦ａ，ｂ≦１，ａ＋ｂ≦１）で構成され、厚さは３０００Å〜４００００Åの間とされ、成長温度は摂氏７００度から１２００度の間とされる。その後、このｎ型コンタクト層２０の上に光吸収層３２が形成され、この光吸収層３２はアンドープで、特定組成のＡｌc Ｇａd Ｉｎ1-c-d Ｎ（０≦ｃ，ｄ≦１，ｃ＋ｄ≦１）で構成され、厚さは１００Å〜１００００Åの間とされ、成長温度は摂氏７００度から１２００度の間とされ、且つ一部のｎ型コンタクト層２０の表面を被覆する。そのＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの材料組成を調整することにより、光吸収層３２が３．４電子ボルト（ｅＶ）より大きなバンドギャップを具え、これにより紫外光波長範囲（３００ｎｍ≦λ≦３７０ｎｍ）の光線を鋭敏に検出できる。ｎ型コンタクト層２０の表面の未被覆の部分にあって、この実施例ではこのほかにＴｉとＡｌ合金で構成された負電極３０が形成されている。
【００１１】
この実施例では、光吸収層の上に光透過層４０が形成され、この光透過層４０は複数層（≧２）の積層により構成された超格子構造であり、そのうち、各一つの積層は二つの、厚さがいずれも５０Å〜２００Åで、成長温度は摂氏７００度から１２００度の間の単層を具えている。この二つの単層はそれぞれ特定成分とｐ型ドープのＡｌe Ｇａf Ｉｎ1-e-f ＮとＡｌg Ｇａh Ｉｎ1-g-h Ｎ（０≦ｅ，ｆ，ｇ，ｈ≦１，ｅ＋ｆ≦１，ｇ＋ｈ≦１）で構成される。超格子構造は高いキャリア濃度及び高いキャリア移動率を具え、これにより、本発明の窒化ガリウム系紫外光検出器は相当に優れた電気特性を有する。
【００１２】
続いて光透過層４０の上方に、この実施例ではｐ型コンタクト層５０が形成される。このｐ型コンタクト層５０はｐ型ドープの、特定組成のＡｌi Ｇａj Ｉｎ1-i-j Ｎ（０≦ｉ，ｊ≦１，ｉ＋ｊ≦１）で構成され、その成長温度は摂氏７００度から１２００度の間とされる。ｐ型コンタクト層５０のバンドギャップはあまり広くなく電極と良好なオームコンタクトを形成できるものとされ、細いバンドギャップ窒化物材質の吸光の問題が防止され、ｐ型コンタクト層５０の厚さは２０Å〜２０００Åの間とされる。
【００１３】
ｐ型コンタクト層５０の上方に、この実施例では、相互に不重畳の正電極６０と光透過オームコンタクト層６２が形成される。正電極６０はＮｉとＡｕの合金で構成される。光透過オームコンタクト層６２は厚さが２０Å〜２００Åの間の金属導電層、或いは厚さが２００Å〜３０００Åの間の透明導電酸化層とされる。この金属導電層はＮｉ／Ａｕ合金、Ｎｉ／Ｐｔ合金、Ｎｉ／Ｐｄ合金、Ｎｉ／Ｃｏ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｔ／Ａｕ合金、Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｃｒ／Ａｕ合金、Ｓｎ／Ａｕ合金、Ｔａ／Ａｕ合金、ＴｉＮ、ＴｉＷＮx （Ｘ≧０）、Ｗｓｉy （ｙ≧０）のいずれかとされるか、或いはその他の類似する金属材料で構成される。この透明導電酸化層はＩＴＯ、ＣＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＧａ2Ｏ4 、ＳｎＯ2 ：Ｓｂ、Ｇａ2 Ｏ3 ：Ｓｎ、ＡｇＩｎＯ2 ：Ｓｎ、Ｉｎ2 Ｏ3 ：Ｚｎ、ＣｕＡｌＯ2 、ＬａＣｕＯＳ、ＮｉＯ、ＣｕＧａＯ2 、ＳｒＣｕ2 Ｏ2 のいずれかとされるか、その他の類似の金属材料で構成される。
【００１４】
光透過オームコンタクト層６２の上に、この実施例では続いて正電極６０と重畳しない反射防止層６４が形成されて紫外光の入射光がこの検出器の表面で反射されるのを防止する。この反射防止層６４はＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＴｉＯ2 等の材料のいずれかで構成されるか、或いはＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 の分散式ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ；ＤＢＲ）で構成される。この反射防止層６４の紫外光波長範囲の光に対する反射率は３０％より低い。
【００１５】
図３は本発明の窒化ガリウム系紫外光検出器の第２実施例の表示図である。図３に示されるように、この実施例と第１実施例は同じ構造と成長方式を具えている。唯一の違いは光吸収層に使用される材料である。この実施例では、ｎ型コンタクト層２０の上に形成される光吸収層３４は、インジウムドープの、特定組成のＡｌm Ｇａ1-m Ｎ，０≦ｍ≦１）で構成されている。インジウムドープの窒化物は界面が平坦な特性を有するため、この光吸収層３４は第１実施例の長所を有するほかに、そのエピタキシャル結晶品質が更に向上される。
【００１６】
図４は本発明の窒化ガリウム系紫外光検出器の第３実施例の表示図である。図４に示されるように、この実施例と第１、第２実施例は同じ構造と成長方式を有する。唯一の違いは光吸収層の構造、材質及び成長方式である。この実施例中、ｎ型コンタクト層２０の上に形成される光吸収層３６は、複数層の積層で構成された超格子構造であり、そのうち、各積層は２層を包含し、単層の厚さはいずれも５０Å〜２００Åの間、成長温度は摂氏７００度から１２００度の間とされる。この二つの単層はそれぞれ特定組成とアンドープのＡｌp Ｇａq Ｉｎ1-p-q ＮとＡｌr Ｇａs Ｉｎ1-r-s Ｎ（０≦ｑ，ｐ，ｒ，ｓ≦１，ｑ＋ｑ≦１、ｒ＋ｓ≦１）で構成される。この光吸収層３６の全体厚さは１００Å〜１００００Åの間とされる。この実施例で採用される超格子構造の光吸収層３６は、一方で先の二つの実施例で採用した高いアルミニウム含有量の窒化物の単層厚膜のクラックの問題を解決し、また一方で高いアルミニウム含有量の窒化物超格子構造が達成できる更に広いバンドギャップにより、更に短い波長（λ＝３００ｎｍ）の紫外光に対して急速反応の目的を達成できる。
【００１７】
図５は本発明の窒化ガリウム系紫外光検出器の第４実施例の表示図である。図５に示されるように、この実施例と第３実施例は同じ構造と成長方式を有する。唯一の違いは、光吸収層に使用されている材料にある。この実施例では、ｎ型コンタクト層２０の上に形成される光吸収層３８は、複数層の積層で構成された超格子構造であり、そのうち各積層は２層を含有し、特定組成を具えインジウムドープのＡｌu Ｇａ1-u ＮとＡｌw Ｇａ1-w Ｎ（０≦ｕ，ｗ≦１）で構成される。この超格子構造の光吸収層３８は、高いアルミニウム含有量の窒化物の単層厚膜のクラックの問題を回避でき、また一方でインジウムドープ窒化物の界面の平坦化が容易な特性により、この窒化アルミニウムガリウム光吸収層のエピタキシャル結晶品質を向上でき、並びに高いアルミニウム含有量の窒化物半導体材料の広いバンドギャップの特性を利用し、検出器に更に短い波長（λ＝３００ｎｍ）の紫外光に対する反応を快速とすることができる。
【００１８】
以上は本発明の好ましい実施例の説明であって、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】窒化ガリウム系紫外光検出器の反応曲線図である。
【図２】本考案の窒化ガリウム系紫外光検出器の第１実施例の表示図である。
【図３】本考案の窒化ガリウム系紫外光検出器の第２実施例の表示図である。
【図４】本考案の窒化ガリウム系紫外光検出器の第３実施例の表示図である。
【図５】本考案の窒化ガリウム系紫外光検出器の第４実施例の表示図である。
【符号の説明】
【００２０】
１０  基板
２０  ｎ型コンタクト層
３０  負電極
３２  光吸収層
３４  光吸収層
３６  光吸収層
３８  光吸収層
４０  光透過層
５０  ｐ型コンタクト層
６０  正電極
６２  光透過オームコンタクト層
６４  反射防止層
【図１】
2006114564.tif 000003
【図２】
2006114564.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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