(57)【要約】【課題】  発光素子などの半導体素子を搭載し、高放熱性、薄型化を実現した半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の半導体モジュール１０は金属基板１１の突出部１２を設けることにより、発光素子１５から発生する熱を効率よく金属基板１１に伝達させ、放熱性を向上させることが可能となる。従って、熱による影響を抑制することで、発光素子の駆動能力の維持させることができ、より信頼性の高い半導体モジュールを提供することが可能となる。また、複数の発光素子１５をベアで実装して、一括してガス封止することにより、実装面積の小さくすることが可能となる半導体モジュールの小型化、薄型化を実現することが可能となる。【選択図】図１
2006100753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板上に絶縁膜を介して形成された導電パターンと、
前記導電パターン上に載置された半導体素子とを具備し、
前記金属基板には突出部が形成されており、前記突出部は前記半導体素子が載置された導電パターンの下方に位置することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記半導体素子は、発光素子、受光素子、裏面が電流の流入または流出電極となる半導体素子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記発光素子は発光ダイオードまたは半導体レーザーであることを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記突出部は複数の突起物から構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記金属基板の周囲には接続部が設けられ、前記接続部に透明基板が固着されることにより、前記発光素子が封止されることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記金属基板、前記接続部および前記透明基板からなる空間に、前記半導体素子の劣化および／または前記導電パターンの劣化を防止するガスが封入されていることを特徴とする請求項５記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記半導体素子は、裏面が電流の流入または流出電極となる半導体素子で、前記半導体素子の裏面に接続された放熱板が湾曲して前記半導体素子の表面の電極と実質同程度位置にまで延在され、前記放熱板は前記突出部の上方に位置する導電パターンと電気的に接続されることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。
【請求項８】
金属基板に突出部を形成する工程と、
前記金属基板上に絶縁膜を介して導電パターンを形成する工程と、
前記導電パターン上に半導体素子を載置する工程とを具備し、
前記突出部は前記半導体素子が載置される予定の領域の下方に形成されることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子は発光ダイオード、半導体レーザーまたは裏面が電流の流入または流出電極となる半導体素子であることを特徴とする請求項８記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記金属基板に接続部が設けられ、前記接続部に透明基板を固着することにより前記半導体素子が封止されることを特徴とする請求項８記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記金属基板、前記接続部および前記透明基板からなる空間に、前記半導体素子の劣化および／または前記導電パターンの劣化を防止するガスが封入されることを特徴とする請求項１０記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールおよびその製造方法であり、特に放熱性を向上させた半導体モジュールおよびその製造方法である。
【背景技術】
【０００２】
まず光を大量に照射する必要がある場合、一般には電灯等が用いられている。しかし、軽薄短小および省電力を目的として、図９の様にプリント基板１０１に光素子１０２を実装させる場合がある。
【０００３】
この光素子１０２は、半導体で形成された発光ダイオード（Light Emitting Diode）が主ではある。
【０００４】
この発光素子１０２は、２本のリード１０３，１０４が用意され、一方のリード１０３には、発光ダイオードチップ１０５の裏面（アノードまたはカソード）が半田等で固着され、他方のリード１０４は、前記チップ表面の電極（カソードまたはアノード）と金属細線１０６を介して電気的に接続されている。また前記リード１０３、１０４、発光ダイオードチップ１０５および金属細線１０６を封止する透明な樹脂封止体１０７がレンズも兼ねて形成されている。
【０００５】
一方、プリント基板１０１には、発光素子１０２に電源を供給するための電極１０８，１０９が設けられ、ここに設けられたスルーホールに前記リードが挿入され、半田等を介して発光素子１０２が実装されている（特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平９−２５２６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述した発光素子１０２は、樹脂封止体１０７、リード１０３，１０４等が組み込まれたパッケージで成るため、実装されたプリント基板１０１のサイズ、重量が大きくなる。また、基板自身の放熱性が劣るため、全体として温度上昇をきたす問題があった。そのため、半導体チップ自身も温度上昇し、駆動能力が低下する問題があった。
【０００７】
本発明は上記した問題を鑑みて成されたものである。本発明の主な目的は、放熱性を向上させた半導体モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体モジュールでは、金属基板と、前記金属基板上に絶縁膜を介して形成された導電パターンと、前記導電パターン上に載置された半導体素子とを具備し、前記金属基板には突出部が形成されており、前記突出部は前記半導体素子が載置された導電パターンの下方に位置することを特徴とする。従って、半導体素子から発生した熱を金属基板を介して外部に放出することができ、放熱性の向上を実現した回路装置を提供することが可能となる。
【０００９】
また、本発明の半導体モジュールでは、金属基板、接続部および透明基板からなる空間に、半導体素子の劣化および／または導電パターンの劣化を防止するガスが封入されているとこを特徴とする。従って、酸化による半導体素子および／または導電パターンの劣化を抑止することが可能となる。
【００１０】
本発明の半導体モジュールの製造方法では、金属基板に突出部を形成する工程と、前記金属基板上に絶縁膜を介して導電パターンを形成する工程と、前記導電パターン上に半導体素子を載置する工程とを具備し、前記突出部は前記半導体素子が載置される予定の領域の下方に形成されることを特徴とする。従って、高放熱性が実現された半導体モジュールを提供することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体モジュールによれば、金属基板の突出部を設けることにより、半導体素子から発生する熱を効率よく金属基板に伝導させることが可能となる。従って、半導体素子から発生した熱による半導体素子の駆動能力の低下を抑制することができ、半導体モジュールの信頼性を向上させることが可能となる。
【００１２】
また、本発明の半導体モジュールによれば、金属基板の周囲に接続部が設けられ、透明基板を接続部に固着することにより空間を形成している。そして、この空間内にガスを充填させることにより、半導体素子をガス封止している。従って、半導体素子および／または導電パターンの酸化による劣化を抑制することができ、半導体モジュールの製品寿命を向上させることが可能となる。更に、発光素子のベア実装が可能となるため、半導体モジュールの小型化と薄型化を実現することができる。
【００１３】
本発明の半導体モジュールの製造方法によれば、金属基板に突出部を形成しており、突出部は半導体素子の載置される予定の領域の下方に位置している。従って、半導体素子から発生する熱を効率的に金属基板に伝達することができ、放熱性および信頼性の向上を実現した半導体モジュールを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、放熱が必要な半導体素子が実装された半導体モジュールであり、特に絶縁層を介して下層に凹凸のある基板が貼りあわされ、これを介してパワーデバイスの放熱を向上させたものである。図１からも判るように、突出部１２、突起物１２Ａが突出しているため、この部分の熱抵抗が低くなり、放熱性が向上するものである。
【００１５】
半導体素子としては、発光素子、受動素子、裏面が電流の流入または流出電極となる半導体素子が挙げられる。第１の実施例、第２の実施例および第３の実施例では、放熱性を向上して駆動能力を高める目的で発光素子を採用して説明する。また、第４の実施例では放熱板で封止されたパワー系半導体素子を採用して説明する。
【００１６】
〈第１の実施形態〉
図１および図２を参照して、本形態の半導体モジュールを説明する。
【００１７】
金属基板１１の表面には突出部１２が形成されており、突出部１２が被覆されるように金属基板１１の表面には絶縁性樹脂１３の膜が被着されている。そして、絶縁性樹脂１３の上面に導電パターン１４が形成されており、突出部１２と導電パターン１４とは絶縁性樹脂１３によって絶縁されている。導電パターン１４には複数の発光素子１５が電気的に接続されており、発光素子１５はそれぞれが光透過性の樹脂１６によって封止されている。また、金属基板１１の周辺に接続部１７が設けられており、接続部１７には透明基板１８が固着されている。従って、金属基板１１、接続部１７および透明基板１８によって空間が形成され、この空間内に発光素子１５が封止され、また導電パターン１５も実質封止される。更に、この空間には発光素子１５および／または導電パターンの劣化を防止するガスが封入されている。
【００１８】
ここで樹脂１６は、透明であるため、一般に密着性が悪い。そのため透明基板１８で封止した方が良い。ただ密着性が良好な場合、接続部１７や透明基板１８は、不要である。
【００１９】
金属基板１１としてはＡｌ、ＣｕやＦｅなどが用いることができるが、本形態では放熱性を考慮してＣｕが採用されている。金属基板１１は、発光素子１５から発生する熱を効率よく外部に放出すること、発光素子の温度上昇を防止することにより、駆動能力を上昇させることなどの役割を有する。また、金属基板１１の平坦性から上方に向かって発光される光以外の光を効率よく反射させて上方に向かわせること、また実装上のビス止め孔加工、放物面などの湾曲加工性に優れることなどの利点が挙げられる。
【００２０】
図１（Ｂ）に示すように、金属基板１１に突出部１２が形成されることにより、導電パターン１４と突出部１２とを絶縁が保たれた状態で近接させることができる。従って、発光素子１５から発生する熱を金属基板１１へ効率よく逃すことが可能となる。この突出部１２は、発光素子１５が載置された導電パターンの下方に形成されることが好ましい。
【００２１】
絶縁性樹脂１３は、発光素子から発生する熱を金属基板１１に伝達させる場合に於いては、熱抵抗素材となる。そのため、その熱抵抗を下げるためにＳｉ酸化膜、酸化アルミニウムなどのフィラーを混入させた絶縁性樹脂１３を採用することも可能である。しかし、フィラーの粒径によっては、フィラーが突出部１２の上部と導電パターン１４との間に挟まれてしまい、導電パターン１４を傷つけたり、平坦性を損なう恐れがある。このような場合には図１（Ｃ）に示すように、突出部１２を突起物１２Ａの集合から形成することで、フィラーが突起物１２Ａの間に入り込むスペースが確保され、導電パターン１４に影響を与えることなく、放熱性の向上を実現することが可能となる。
【００２２】
導電パターン１４は銅箔から形成されており、チップのランド、ボンディングパッド、および外部リード用の固着パッドなどとして機能する。本形態では、導電パターン１４と突出部１２は絶縁が保たれた状態で近接しているが、場合によっては熱的または電気的に接続されても良い。
【００２３】
発光素子１５としては発光ダイオード、半導体レーザーなどが採用される。ベアの発光ダイオードはチップの裏面はカソードタイプをアノードタイプの２種類があり、本形態ではアノードタイプである、これは電源の向きを変えるだけで、カソードタイプも実現できる。
【００２４】
発光素子１５として発光ダイオードを採用した場合、発光ダイオードを封止するように光透過性の樹脂１６が設けられている。これはレンズとして採用するものであり、効率よく基板から上方に光を発射させるために凸状に形成されている。樹脂１６の材料は光に対して透明な樹脂であればよく、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などが採用される。図１（Ａ）ではレンズのサイズにより、金属細線１９の途中から導電パターン１４との接続箇所までを樹脂１６にて封止せずに構成しているが、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）のように完全に覆ってもよい。完全に覆うことにより、光集光能力を向上させると同時に金属細線の接続箇所の信頼性も向上させることができる。
【００２５】
図１（Ｂ）および図１（Ｃ）を参照して、金属基板１１、接続部１７および透明基板１８によって空間が形成され、この空間内に発光素子１５が封止される。通常、発光素子１５がベアで実装される場合、発光素子が空気に触れることにより酸化による劣化が起こり、発光量、発光強度が低下する。しかし、樹脂１６で封止することにより劣化を防止することができる。しかしながら樹脂１６の材料によっては、密着性が弱いものがある。その場合は、同図に示す如く密閉空間を構成することが好ましい。空間内の酸素量が限られているため、酸化量も限られており、時間と共に進む劣化、酸化を抑制できる。また、最初から劣化を止めるには、発光素子の劣化を起こさせないガス、酸化を発生させないガスで空間を充満させ、封止することが好ましい。また、ガス封止によって導電パターン１４の酸化も抑制することができる。これらのガスとして、例えば、窒素ガス、不活性ガスなどが挙げられる。
【００２６】
ここで金属基板１１は、光照射装置として機能させるため、発光素子１５を複数個点在させ、これらの駆動回路は外付けで実現しているが、これらの駆動回路を金属基板１１に実装させても良い。本形態では、放熱性と実装面積を考慮してベアチップの発光素子が実装されたが、パッケージされた素子が実装されても良い。これは、図６、図７にて後述する。また、ガスの充填によって酸化が抑制されているので、ベア実装された発光素子１５を樹脂１６で封止しなくてもよい。従って、実装面積を小さくすることができ、半導体モジュールの小型化、薄型化を実現すること可能となる。
【００２７】
図２（Ａ）を参照して、導電パターン１４の酸化による光反射効率の低下を防止するために、導電パターン１４の表面には被膜１４Ａを被着させてもよい。被膜１４Ａとしては、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線とのボンディング性が考慮されて、光沢性のあるＮｉやＡｕが採用することができる。ここでは、コスト面からＮｉが採用され、金属基板全域は実質光沢性のあるＮｉが被着され、光反射板として活用される。またボンディングポイントのみ、ボンディング可能な材料（Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｕ、Ａｕ）が形成され、それ以外を銀や白金でカバーしてもよい。
【００２８】
例えば、被膜１４ＡとしてＮｉが採用された場合、ベアチップの発光ダイオードは導電パターンとのコンタクト抵抗が考慮され、固着領域のＮｉが取り除かれ、銀ペーストやハンダなどの導電性固着材２１を介して導電パターン１４と電気的に接続される。一般に、金属細線としてＡｌが採用された場合は、超音波を使ったボンディングでＮｉと接続することができる。
【００２９】
また、図２（Ｂ）を参照して、金属基板１１上に形成される導電パターンを多層配線とすることも可能である。ここでは、第１の配線層２５と第２の配線層２６から成る二層構造としたが、３層以上の多層構造も可能である。第１の配線層２５と第２の配線層２６とは接続手段２７によって所望の箇所で電気的に接続されている。多層配線構造にすることによって、第１の配線層２５と第２の配線層２６とは、平面的に交差するように形成することができる。従って、搭載する素子の数や種類が増加した場合でも、多層配線構造により、クロスオーバーが可能となり、パターンの引き回しを自由に行うことができる。
【００３０】
図３（Ａ）を参照して、本形態では発光素子１５を直列に接続している。これは、発光素子１５に流れる電流値を一定にさせることで各発光素子１５の発光量を一定にするためである。しかし、発光素子の一つが破損して電流が流れなくなると、すべての発光素子が発光を停止してしまう問題がある。
【００３１】
しかし、発光素子を並列に接続すると、例えば、導電パターンの表面にＮｉを採用してダイボンドした場合では、金属細線のコンタクト抵抗とチップのコンタクト抵抗にばらつきが生じる。従って、複数の発光素子の内、コンタクト抵抗の少ない発光素子に電流が集中し、特定の発光素子が異常に明るくなったり、破損に至ったりする問題がある。
【００３２】
そこで、本形態のように発光素子が直列に接続された複数の半導体モジュール１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを並列に接続した。従って、各半導体モジュールに流れる電流値は同じであり、各発光素子に流れる電流値も同じであるため発光素子の明るさは統一される。また、例えば半導体モジュール１０Ａ内の発光素子のどれかが破損した場合、残りの半導体モジュール１０Ｂ、１０Ｃが並列接続されているので、照射装置としての機能を維持することができる。更に、壊れた回路装置だけを取り替えるだけで修復することができる。
【００３３】
また、図３（Ｂ）に示すように、複数の半導体モジュールを組み合わせて照明装置を構成することによって、個々の回路装置に角度を持たせることができ、より効率的な光の供給が可能となる。
【００３４】
以上述べたように、一般に発光素子は、化合物半導体材料で構成され、しかも熱に弱く、酸化にも弱い。よってこのような構造を取ることにより、特性の向上を図ることができる。また発光素子ではなく、化合物で構成された受光素子でも同様のことが言える。
【００３５】
〈第２の実施形態〉
図４および図５を参照して、本形態の半導体モジュールの製造方法を説明する。
【００３６】
図４（Ａ）を参照して、金属基板１１上にレジスト２３を塗布して、所定の箇所がレジスト２３で被覆されるようにパターニングを行う。金属基板１１としては、Ｃｕ、ＡｌやＦｅなどが採用される。しかし、他の金属や合金でもよく、エッチングが可能な金属であればよい。本形態では放熱性を考慮してＣｕが採用されている。厚みは放熱性および平坦性を考慮して決定される。
【００３７】
図４（Ｂ）を参照して、レジスト２３をマスクにしてウェットエッチングを行うことにより、突出部１２を形成する。本形態では複数の突起物１２Ａから剣山状の突出部１２を構成したが、台地状の凸部を突出部１２としてもよい。突出部１２の高さは耐圧が考慮されて決定され、５０μｍ〜１００μｍ程度が好適である。また、突出部１２は後の工程で配置される発光素子搭載領域の下方に形成されることが好ましい。突出部１２を形成した後、レジスト２３は除去される。
【００３８】
図４（Ｃ）を参照して、金属基板１１の上面に絶縁性樹脂１３と導電箔２４を積層させる。これは、金属基板１１上に塗布された絶縁性樹脂１３の上面に導電箔２４を圧着させてもよいし、絶縁性樹脂１３が塗布された導電箔２４を金属基板１１に圧着させてもよい。このとき、絶縁性樹脂１３に突出部１２が埋め込まれるように圧着され、突出部１２と導電箔は絶縁されている。また、突出部１２にとって金属基板１１に凹凸が形成されることになり、絶縁性樹脂１３との密着性が向上する。
【００３９】
導電箔２４はロウ材に付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されて、その材料が選択される。具体的な材料としては、Ｃｕを主原料とした導電箔、Ａｉを主原料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔などが採用される。また、他の導電材料でも可能である、特にエッチングできる導電材が好ましい。絶縁性樹脂１３には、放熱性が考慮されてフィラーを混入しても良い。
【００４０】
図４（Ｄ）を参照して、導電箔２４をエッチングすることにより導電パターン１４を形成する。導電パターン１４Ａは発光素子１５が載置されるパターンであり、突出部１２の上方に位置する。図示していないが、導電パターン１４にはＮｉが被着されてもよい。このとき、発光素子載置領域にはＮｉが被覆されないことが好ましい。
【００４１】
図５（Ａ）を参照して、導電パターン１４上に発光素子１５を載置する。発光素子１５の裏面は電極となっているので、銀ペーストやハンダなどの導電性固着材にて固着され、発光素子１５の上面電極と導電パターンとは金属細線１９にて電気的に接続される。その後、光透過性の樹脂１６によって発光素子１５は封止される。これはレンズとして用いられ、効率よく基板から上方に光を発射させるため、凸状に形成されている。樹脂１６の材料は光に対して透明な樹脂であればよく、ここではシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などが採用される。本図では、金属細線１９を完全に樹脂１６にて覆うことにより、光集光能力の向上と金属細線１９の接続信頼性の向上させている。しかし、少なくとも発光素子１５が被覆されればよい。
【００４２】
図５（Ｂ）を参照して、金属基板１１の表面に接続部１７と透明基板１８を設置することで空間を形成し、この空間内に発光素子１５および導電パターン１４を封止する。更に、この空間内にガスを封入して発光素子１５の酸化を抑制する。このガスとしては窒素ガス、不活性ガスなどが選択される。
【００４３】
ガスを注入する方法として、接続部１７に一つのガス注入孔を形成する方法、接続部１７に二つのガス注入孔を形成する方法が挙げられる。
【００４４】
前者は、本装置を真空装置内に配置し、空間内も含めて真空にする。その後、ガスを真空装置内に導入し、真空故に空間内にガスが充填される。その後、注入孔を樹脂などで塞ぐ方法である。
【００４５】
後者は、一方の注入孔からガスを導入し、他方の注入孔から空間内に存在していた空気を排出し、空間内がガスで置き換わった後、注入孔を樹脂等で塞ぐ方法である。
【００４６】
前者の方法では、真空排気の際に空間内の空気の排気が遅いため、圧力差から透明基板が反る。また、光の吸収をできるだけ抑制するために透明基板１８はできるだけ薄い方がよい。従って機械的強度が低下する。そのためスペーサを設ける必要がある。このスペーサは、ホトレジストなどでパターニングしても良いし、透明流体を散布しても良い。また、樹脂１６から成るレンズをスペーサとして代用しても良い。
【００４７】
また、ガス封止によって発光素子および導電パターンの酸化などによる劣化を抑制することができるので、レンズを省略して半導体モジュールを構成することも可能である。
【００４８】
接続部１７の形成位置は、基本的には発光素子１５を密封できればよい。また、図示していないが、外部電極は接続部１７の外に位置させなければならない。以上の工程によって、本形態の半導体モジュール１０が完成される。
【００４９】
以上、金属基板１１の上に素子実装、そしてレンズ状の樹脂１６を形成する方法を説明したが、前もってモールドされた発光素子を用いても良い。
【００５０】
〈第３の実施形態〉
前述したように、透明な樹脂でモールドされた発光素子１５を用いても良い。これを図６、図７を参照して説明する。
【００５１】
この場合、リードフレーム等でアノード、カソード電極を用意し、その上に発光素子１５を実装し、トランスファーモールドする方法がある。
【００５２】
またリードフレームを使わず、シートにアノード、カソード電極を配置し、その上に発光素子１５を実装し、トランスファーモールドした後に、シートを剥がす方法も考えられる。また銅板からアノード、カソード電極をハーフエッチングで形成し、その上に発光素子１５を実装し、トランスファーモールドした後に、電極だけが残るようにエッチバックまたは研削しても良い。どちらにしても封止樹脂２８の裏面にアノード、カソード電極が露出する。具体的構造は図７を参照して説明する。
【００５３】
図７を参照して、半導体パッケージ３０は封止樹脂２８と封止された発光素子１５とが密着性に優れているので、接続部１７や透明基板１８は、省略することが可能である。また、封止樹脂２８の上面に発光素子１５から発生する光を効果的に放出するためにレンズ２９を形成しても良い。レンズ２９は光に対して透明な樹脂等で形成される。
【００５４】
効果は、第１の実施例と同様なのでここでは省略する。当然であるが図２（Ｂ）のように多層基板でもよい。
【００５５】
第１の実施例、第３の実施例、どちらにしても以下のメリットがある。発光素子は、蛍光灯と比べ長寿命であり、電力消費の意味でも効果がある。よって今後照明機器等で数多く採用される。その際、プリント基板よりも放熱性が高いため、更に寿命が長くなり、同じ発光量であれば、低電流で駆動でき、同じ電流値であれば、より発光量を増大できる。
【００５６】
〈第４の実施形態〉
本実施の形態は、放熱手段が構成されたパワー系半導体素子３２を例にあげて説明する。
【００５７】
符号３３で示すものは、今まで説明してきた基板であり、突出部１２を有する金属基板１１の上に絶縁性樹脂１３が被覆され、更に導電パターン１４が形成されている。
【００５８】
この上には、放熱手段が一体化されたパワーモジュール３５が実装されている。
【００５９】
パワーモジュール３５は、パワー系半導体素子３２が封止されており、裏面がキャップ状の放熱板３４に固着されている。
【００６０】
パワー系半導体素子３２は、裏面が電流の流入または流出電極となる半導体素子で、半導体素子の裏面に接続された放熱板３４が湾曲して半導体素子の表面の電極と実質同程度位置にまで延在され、放熱板３４は、突出部１２の上方に位置する導電パターン１４に電気的に接続される。
【００６１】
例えば、パワー系半導体素子３２としては、ＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタ、パワーＭＯＳ、ＩＧＢＴ、ＧＴＢＴ等であり、上記したようにチップ裏面が電流の流出または流入電極としてなり、表面は、制御電極および電流の流入または流出電極が設けられているものが挙げられる。更には、ＩＣも可能である。このようなパワー系半導体素子３２は、熱も発生するが、チップの裏面から放熱板３４を介して導電パターン１４、突出部１２を介して金属基板１１へ伝えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の半導体モジュールを説明する（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図２】本発明の半導体モジュールを説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図３】本発明の半導体モジュールを説明する（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図である。
【図４】本発明の半導体モジュールの製造方法を説明する（Ａ）断面図−（Ｄ）断面図である。
【図５】本発明の半導体モジュールの製造方法を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図６】本発明の半導体モジュールを説明する（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図７】本発明の半導体モジュールを説明する断面図である。
【図８】本発明の半導体モジュールを説明する断面図である。
【図９】従来の回路装置を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０          半導体モジュール
１１          金属基板
１２          突出部
１２Ａ        突起物
１３          絶縁性樹脂
１４          導電パターン
１４Ａ        被膜
１５          発光素子
１６          樹脂
１７          接続部
１８          透明基板
１９          金属細線
２０Ａ        外部電極
２０Ｂ        外部電極
２１          導電性固着材
２３          レジスト
２４          導電箔
２５          第１の配線層
２６          第２の配線層
２７          接続手段
２８          封止樹脂
２９          レンズ
３０          半導体パッケージ
３１          電極
３２          半導体素子
３３          基板
３４          放熱板
３５          パワーモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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