(57)【要約】【課題】  表面弾性波素子から漏れ出した表面弾性波の反射を抑制しつつ、その表面弾性波を減衰させる。【解決手段】  複数の表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄが形成された圧電体基板１上に表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体５を表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの間に所定間隔で離散的に配置し、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を打ち消し合わせることにより、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収体に効率よく吸収させるようにする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、
前記表面弾性波素子の間に所定間隔で離散的に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体とを備えることを特徴とする表面弾性波装置。
【請求項２】
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、
前記表面弾性波素子の間に所定間隔で離散的に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体とを備えることを特徴とする表面弾性波装置。
【請求項３】
前記吸収体は、前記表面弾性波素子のＩＤＴ電極を形成するために用いられた導体層の一部から構成されることを特徴とする請求項１または２記載の表面弾性波装置。
【請求項４】
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、
前記薄膜圧電体と前記半導体チップとの間に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体とを備えることを特徴とする表面弾性波装置。
【請求項５】
前記吸収体は、前記半導体チップのパッド電極を形成するために用いられた導体層の一部から構成されることを特徴とする請求項４記載の表面弾性波装置。
【請求項６】
前記吸収体は、前記半導体チップ上に形成された保護膜の一部から構成されることを特徴とする請求項４記載の表面弾性波装置。
【請求項７】
前記吸収体は格子点状に規則的に配列されるかまたは市松状にずらして配列されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の表面弾性波装置。
【請求項８】
前記表面弾性波の波長をλとすると、前記吸収体のサイズはλ／４以上であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の表面弾性波装置。
【請求項９】
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、
前記薄膜圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、
前記表面弾性波素子の間に所定間隔で離散的に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波がそれぞれ打ち消し合うように前記薄膜圧電体に形成された凹部とを備えることを特徴とする表面弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表面弾性波装置に関し、特に、表面弾性波装置から周囲に漏れ出す表面弾性波を減衰させる方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
表面弾性波装置では、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子を同一基板上に形成し、表面弾性波素子の帯域を切り替えられるようにしたものがある。ここで、複数の表面弾性波素子を同一基板上に形成すると、これらの表面弾性波素子から漏れ出した表面弾性波が互いに干渉し合い、他の表面弾性波素子の動作に悪影響を及ぼすようになる。このため、同一基板上に形成された表面弾性波素子を音響的に分離する方法が求められる。
【０００３】
ここで、同一基板上に形成された表面弾性波素子を音響的に分離する方法として、例えば、特許文献１には、表面弾性波素子の周囲に吸音材を配置し、表面弾性波素子から周囲に漏れ出した表面弾性波を減衰させる方法が開示されている。
【特許文献１】特開昭６１−９４４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された方法では、表面弾性波素子の周囲に配置された吸音材の端面は不規則な形状であるため、表面弾性波素子から周囲に漏れ出した表面弾性波が吸音材との界面で反射し、その反射波が表面弾性波素子の動作に悪影響を及ぼすという問題があった。
そこで、本発明の目的は、表面弾性波素子から漏れ出した表面弾性波の反射を抑制しつつ、その表面弾性波を減衰させることが可能な表面弾性波装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、前記表面弾性波素子の間に所定間隔で離散的に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体とを備えることを特徴とする。
これにより、表面弾性波を吸収する吸収体を表面弾性波素子の間に規則的に配置することが可能となり、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収させることができる。このため、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子を同一基板上に形成した場合においても、それらの表面弾性波素子を音響的に分離することが可能となり、それらの表面弾性波素子が互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することができる。
【０００６】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、前記表面弾性波素子の間に所定間隔で離散的に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体とを備えることを特徴とする。
これにより、集積回路が形成された半導体チップ上に表面弾性波素子を作り込むことが可能となるとともに、表面弾性波を吸収する吸収体を表面弾性波素子の間に規則的に配置することが可能となり、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収させることができる。このため、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子を同一基板上に形成した場合においても、それらの表面弾性波素子が互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することが可能となるとともに、表面弾性波装置の小型・低価格化を図ることができる。
【０００７】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、前記吸収体は、前記表面弾性波素子のＩＤＴ電極を形成するために用いられた導体層の一部から構成されることを特徴とする。
これにより、ＩＤＴ電極を形成する時に表面弾性波を吸収する吸収体を一括形成することが可能となり、製造工程の増大を伴うことなく、表面弾性波素子の間に吸収体を規則的に配置することができる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、前記薄膜圧電体と前記半導体チップとの間に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体とを備えることを特徴とする。
これにより、集積回路が形成された半導体チップ上に表面弾性波素子を作り込むことが可能となるとともに、表面弾性波を吸収する吸収体を薄膜圧電体と半導体チップとの間に配置することが可能となり、表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を吸収体に吸収させることができる。このため、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子を同一基板上に形成した場合においても、それらの表面弾性波素子が互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することが可能となるとともに、表面弾性波装置の小型・低価格化を図ることができる。
【０００９】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、前記吸収体は、前記半導体チップのパッド電極を形成するために用いられた導体層の一部から構成されることを特徴とする。
これにより、パッド電極を形成する時に表面弾性波を吸収する吸収体を一括形成することが可能となるとともに、吸収体を形成するために半導体製造プロセスを利用することが可能となる。このため、製造工程の増大を伴うことなく、表面弾性波素子の間に吸収体を規則的に配置することが可能となるとともに、吸収体のサイズや配置の精度を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、前記吸収体は、前記半導体チップ上に形成された保護膜の一部から構成されることを特徴とする。
これにより、保護膜を形成する時に表面弾性波を吸収する吸収体を一括形成することが可能となるとともに、吸収体の材質としてポリイミドなどの柔らかい材料を用いることができる。このため、製造工程の増大を伴うことなく、表面弾性波素子の間に吸収体を規則的に配置することが可能となるとともに、表面弾性波を吸収体に効率よく吸収させることができ、表面弾性波の減衰作用を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、前記吸収体は格子点状に規則的に配列されるかまたは市松状にずらして配列されていることを特徴とする。
これにより、表面弾性波素子の間に吸収体を所定間隔で離散的に配置することが可能となる、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収体に効率よく吸収させることができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、前記表面弾性波の波長をλとすると、前記吸収体のサイズはλ／４以上であることを特徴とする。
これにより、表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を打ち消し合わせることが可能となり、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収体に効率よく吸収させることができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る表面弾性波装置によれば、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップ上に積層された薄膜圧電体と、前記薄膜圧電体上に形成された複数の表面弾性波素子と、前記表面弾性波素子の間に所定間隔で離散的に配置され、前記表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波がそれぞれ打ち消し合うように前記薄膜圧電体に形成された凹部とを備えることを特徴とする。
【００１４】
これにより、集積回路が形成された半導体チップ上に表面弾性波素子を作り込むことが可能となるとともに、表面弾性波素子の間に凹部を規則的に配置することが可能となり、表面弾性波素子から漏洩した表面弾性波を打ち消し合わせることが可能となる。このため、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子を同一基板上に形成した場合においても、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収させることができ、それらの表面弾性波素子が互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することが可能となるとともに、表面弾性波装置の小型・低価格化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係る表面弾性波装置について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ´線で切断した断面図である。
図１において、圧電体基板１上には、複数の表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄが設けられ、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄには、表面弾性波を励振するＩＤＴ（インターデジタルトランスデューサ）電極２ａ〜２ｄがそれぞれ設けられるとともに、表面弾性波を反射する反射器電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄがそれぞれ設けられている。なお、圧電体基板１の材料としては、例えば、水晶や四ほう酸リチウムなどを用いることができる。また、ＩＤＴ電極２ａ〜２ｄおよび反射器電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）などを用いることができる。また、ＩＤＴ電極２ａ〜２ｄは、互いにかみ合うように配置された１組の櫛形電極にて構成することができる。ここで、ＩＤＴ電極２ａ〜２ｄおよび反射器電極３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄは、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの表面弾性波の波長がそれぞれλ1〜λ4になるように配置することができる。
【００１６】
また、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの間には、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体５が所定間隔で離散的に配置されている。例えば、吸収体５は、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの間に格子点状に規則的に配列することができる。
これにより、表面弾性波を吸収する吸収体を表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの間に規則的に配置することが可能となり、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収させることができる。このため、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄを同一圧電体基板１上に形成した場合においても、それらの表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄを音響的に分離することが可能となり、それらの表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄが互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することができる。
【００１７】
なお、表面弾性波Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの波長をそれぞれλ1〜λ4とすると、各表面弾性波Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの周囲に配置される吸収体５のサイズはそれぞれ、λ1／４以上、λ2／４以上、λ3／４以上、λ4／４以上であることが好ましい。
これにより、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄから漏洩した表面弾性波を打ち消し合わせることが可能となり、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収体に効率よく吸収させることができる。
【００１８】
また、吸収体５は、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄのＩＤＴ電極２ａ〜２ｄを形成するために用いられた導体層の一部から構成することができる。例えば、ＩＤＴ電極２ａ〜２ｄがＡｌ材から形成されている場合、そのＩＤＴ電極２ａ〜２ｄを形成するために用いられたＡｌ材から吸収体５を構成することができる。
これにより、ＩＤＴ電極２ａ〜２ｄを形成する時に表面弾性波を吸収する吸収体５を一括形成することが可能となり、製造工程の増大を伴うことなく、表面弾性波素子Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄの間に吸収体５を規則的に配置することができる。
【００１９】
図２（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ´線で切断した断面図である。
図２において、圧電体基板１１上には、複数の表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄが設けられ、表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄには、表面弾性波を励振するＩＤＴ電極１２ａ〜１２ｄがそれぞれ設けられるとともに、表面弾性波を反射する反射器電極１３ａ〜１３ｄ、１４ａ〜１４ｄがそれぞれ設けられている。ここで、ＩＤＴ電極１２ａ〜１２ｄおよび反射器電極１３ａ〜１３ｄ、１４ａ〜１４ｄは、表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄの表面弾性波の波長がそれぞれλ1〜λ4になるように配置することができる。
【００２０】
また、表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄの間には、表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体１５が所定間隔で離散的に配置されている。例えば、吸収体１５は、表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄの間に市松状にずらして配列することができる。
これにより、表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄから漏洩した表面弾性波を効率よく打ち消し合わせることが可能となり、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄを同一圧電体基板１１上に形成した場合においても、それらの表面弾性波素子Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄが互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することができる。
【００２１】
図３は、本発明の第３実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図である。
図３において、半導体チップ２１には素子形成領域２２が設けられ、素子形成領域２２には集積回路が形成されている。また、素子形成領域２２が設けられた半導体チップ２１上には絶縁層２３が形成され、絶縁層２３には、素子形成領域２２に接続された配線層２４が形成されている。また、絶縁層２３には、配線層２４に接続されたパッド電極２５が形成されている。なお、半導体チップ２１の材質としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＳｎ、ＰｂＳ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＺｎＳｅなどを用いることができる。
【００２２】
そして、絶縁層２３上には、パッド電極２５を避けるようにして、薄膜圧電体２６が成膜されている。なお。薄膜圧電体２６としては、例えば、ＺｎＯ層、ＳｉＯ2層またはこれらの積層構造などを用いることができる。そして、薄膜圧電体２６上には、ＩＤＴ電極２７ａ、２７ｂが形成され、複数の表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂが構成されている。また、薄膜圧電体２６上には、表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体２８が所定間隔で離散的に配置されている。例えば、吸収体２８は、表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂの間に格子点状に規則的に配列してもよいし、市松状にずらして配列するようにしてもよい。
【００２３】
また、薄膜圧電体２６上には、ＩＤＴ電極２７ａ、２７ｂにそれぞれ接続された接続電極２９が形成されている。そして、ＩＤＴ電極２７ａ、２７ｂは、接続電極２９をそれぞれ介してパッド電極２５に接続されている。
これにより、集積回路が形成された半導体チップ２１上に表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂを作り込むことが可能となるとともに、表面弾性波を吸収する吸収体２８を表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂの間に規則的に配置することが可能となり、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収させることができる。このため、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂを同一半導体チップ２１上に形成した場合においても、それらの表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂが互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することが可能となるとともに、表面弾性波装置の小型・低価格化を図ることができる。
【００２４】
なお、吸収体２８は、表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂのＩＤＴ電極２７ａ、２７ｂを形成するために用いられた導体層の一部から構成することができる。これにより、ＩＤＴ電極２７ａ、２７ｂを形成する時に表面弾性波を吸収する吸収体２８を一括形成することが可能となり、製造工程の増大を伴うことなく、表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂの間に吸収体２８を規則的に配置することができる。
【００２５】
また、吸収体２８としては、ポリイミドなど柔らかい材料を用いるようにしてもよく、これにより、表面弾性波素子Ｗ３ａ、Ｗ３ｂの間に吸収体２８を規則的に配置した上で、表面弾性波を吸収体２８に効率よく吸収させることができ、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波の減衰作用を向上させることができる。
図４は、本発明の第４実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図である。
【００２６】
図４において、半導体チップ３１には素子形成領域３２が設けられ、素子形成領域３２には集積回路が形成されている。また、素子形成領域３２が設けられた半導体チップ３１上には絶縁層３３が形成され、絶縁層３３には、素子形成領域３２に接続された配線層３４が形成されている。また、絶縁層３３には、配線層３４に接続されたパッド電極３５が形成されている。
【００２７】
そして、絶縁層３３上には、パッド電極３５を避けるようにして、薄膜圧電体３６が成膜されている。そして、薄膜圧電体３６上には、ＩＤＴ電極３７ａ、３７ｂが形成され、複数の表面弾性波素子Ｗ４ａ、Ｗ４ｂが構成されている。また、薄膜圧電体３６上には、ＩＤＴ電極３７ａ、３７ｂにそれぞれ接続された接続電極３９が形成されている。そして、ＩＤＴ電極３７ａ、３７ｂは、接続電極３９をそれぞれ介してパッド電極３５に接続されている。
【００２８】
また、薄膜圧電体３６と絶縁層３３との間には、表面弾性波素子Ｗ４ａ、Ｗ４ｂから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体３８が所定間隔で離散的に配置されている。ここで、吸収体３８は、表面弾性波素子Ｗ４ａ、Ｗ４ｂの間に格子点状に規則的に配列してもよいし、市松状にずらして配列するようにしてもよい。また、吸収体３８は、半導体チップ３１上に形成された保護膜の一部から構成することができる。例えば、半導体チップ３１の保護膜がポリイミドから形成されている場合、その保護膜を形成するために用いられたポリイミドから吸収体３８を構成することができる。
【００２９】
これにより、半導体チップ３１の保護膜を形成する時に表面弾性波を吸収する吸収体３８を一括形成することが可能となるとともに、吸収体３８の材質としてポリイミドなどの柔らかい材料を用いることができる。このため、製造工程の増大を伴うことなく、表面弾性波素子Ｗ４ａ、Ｗ４ｂの間に吸収体３８を規則的に配置することが可能となるとともに、表面弾性波を吸収体３８に効率よく吸収させることができ、表面弾性波の減衰作用を向上させることができる。
【００３０】
図５は、本発明の第５実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図である。
図５において、半導体チップ４１には素子形成領域４２が設けられ、素子形成領域４２には集積回路が形成されている。また、素子形成領域４２が設けられた半導体チップ４１上には絶縁層４３が形成され、絶縁層４３には、素子形成領域４２に接続された配線層４４が形成されている。また、絶縁層４３上には、配線層４４に接続されたパッド電極４５が形成されている。
【００３１】
そして、絶縁層４３上には、パッド電極４５を避けるようにして、薄膜圧電体４６が成膜されている。そして、薄膜圧電体４６上には、ＩＤＴ電極４７ａ、４７ｂが形成され、複数の表面弾性波素子Ｗ５ａ、Ｗ５ｂが構成されている。また、薄膜圧電体４６上には、ＩＤＴ電極４７ａ、４７ｂにそれぞれ接続された接続電極４９が形成されている。そして、ＩＤＴ電極４７ａ、４７ｂは、接続電極４９をそれぞれ介してパッド電極４５に接続されている。
【００３２】
また、絶縁層４３上には、表面弾性波素子Ｗ５ａ、Ｗ５ｂから漏洩した表面弾性波を吸収する吸収体４８が所定間隔で離散的に配置されている。ここで、吸収体４８は、表面弾性波素子Ｗ５ａ、Ｗ５ｂの間に格子点状に規則的に配列してもよいし、市松状にずらして配列するようにしてもよい。また、吸収体４８は、半導体チップ４１のパッド電極４５を形成するために用いられた導体層の一部から構成することができる。例えば、パッド電極４５がＡｌ材から形成されている場合、そのパッド電極４５を形成するために用いられたＡｌ材から吸収体４８を構成することができる。
【００３３】
これにより、パッド電極４５を形成する時に表面弾性波を吸収する吸収体４８を一括形成することが可能となるとともに、吸収体４８を形成するために半導体製造プロセスを利用することが可能となる。このため、製造工程の増大を伴うことなく、表面弾性波素子Ｗ５ａ、Ｗ５ｂの間に吸収体４８を規則的に配置することが可能となるとともに、吸収体４８のサイズや配置の精度を向上させることができ、表面弾性波を効率よく減衰させることが可能となる。
【００３４】
図６は、本発明の第６実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図である。
図６において、半導体チップ５１には素子形成領域５２が設けられ、素子形成領域５２には集積回路が形成されている。また、素子形成領域５２が設けられた半導体チップ５１上には絶縁層５３が形成され、絶縁層５３には、素子形成領域５２に接続された配線層５４が形成されている。また、絶縁層５３上には、配線層５４に接続されたパッド電極５５が形成されている。
【００３５】
そして、絶縁層５３上には、パッド電極５５を避けるようにして、薄膜圧電体５６が成膜されている。そして、薄膜圧電体５６上には、ＩＤＴ電極５７ａ、５７ｂが形成され、複数の表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂが構成されている。また、薄膜圧電体５６上には、表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂから漏洩した表面弾性波をそれぞれ打ち消し合わせる凹部５８が所定間隔で離散的に配置されている。例えば、凹部５８は、表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂの間に格子点状に規則的に配列してもよいし、市松状にずらして配列するようにしてもよい。また、凹部５８は、薄膜圧電体５６を貫通するように構成してもよいし、薄膜圧電体５６が窪むように構成してもよい。
【００３６】
また、薄膜圧電体５６上には、ＩＤＴ電極５７ａ、５７ｂにそれぞれ接続された接続電極５９が形成されている。そして、ＩＤＴ電極５７ａ、５７ｂは、接続電極５９をそれぞれ介してパッド電極５５に接続されている。
これにより、集積回路が形成された半導体チップ５１上に表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂを作り込むことが可能となるとともに、表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂの間に凹部５８を規則的に配置することが可能となり、表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂから漏洩した表面弾性波を打ち消し合わせることが可能となる。このため、共振周波数の異なる複数の表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂを同半導体チップ５１上に形成した場合においても、表面弾性波の反射を抑制しつつ、表面弾性波を吸収させることができ、それらの表面弾性波素子Ｗ６ａ、Ｗ６ｂが互いに悪影響を及ぼし合うことを防止することが可能となるとともに、表面弾性波装置の小型・低価格化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す図。
【図２】本発明の第２実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す図。
【図３】本発明の第３実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図。
【図４】本発明の第４実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図。
【図５】本発明の第５実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図。
【図６】本発明の第６実施形態に係る表面弾性波装置の概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００３８】
Ｗ１ａ〜Ｗ１ｄ、Ｗ２ａ〜Ｗ２ｄ、Ｗ３ａ、Ｗ３ｂ、Ｗ４ａ、Ｗ４ｂ、Ｗ５ａ、Ｗ５ｂ、Ｗ６ａ、Ｗ６ｂ  表面弾性波素子、１、１１  圧電体基板、２ａ〜２ｄ、１２２ａ〜１２ｄ、２７ａ、２７ｂ  ＩＤＴ電極、３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄ、１３ａ〜１３ｄ、１４ａ〜１４ｄ  反射器電極、５、１５、２８、３８、４８  吸収体、２１、３１、４１、５１  半導体チップ、２２、３２、４２、５２  素子形成領域、２３、３３、４３、５３  絶縁層、２４、２９、３４、３９、４４、４９、５４、５９  配線層、２５、３５、４５、５５  パッド電極、２６、３６、４６、５６  薄膜圧電体  ５８  凹部
【図１】
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【図２】
2006197290.tif 000004
【図３】
2006197290.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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