(57)【要約】【課題】  波長４０５ｎｍのレーザーを用いてもダイナミックレンジが大きくとれ、多値記録特性が向上し、しかも信頼性の向上した光記録媒体の提供。【解決手段】  基板上に、少なくとも、下部保護層、光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化に伴う光学定数の変化を利用した相変化記録層、上部保護層、反射層を有し、相変化記録層が、ＧｅαＳｂβＳｎγＭｎδＸε〔５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０．５≦δ≦２０、０≦ε≦１５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００（原子％）、ＸはＩｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一つの元素〕からなることを特徴とする光記録媒体。【選択図】        図５
2006192876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも、下部保護層、光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化に伴う光学定数の変化を利用した相変化記録層、上部保護層、反射層を有し、相変化記録層が、ＧｅαＳｂβＳｎγＭｎδＸε〔５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０．５≦δ≦２０、０≦ε≦１５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００（原子％）、ＸはＩｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一つの元素〕からなることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
相変化記録層が更にＧａを７原子％以下含有することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
基板上に、Ａｇ又はＡｇ合金反射層、下部保護層、相変化記録層、上部保護層、接着層、カバー基板をこの順に有するか、或いは、Ａｇ又はＡｇ合金反射層、硫化防止層、下部保護層、相変化記録層、上部保護層、接着層、カバー基板をこの順に有することを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
下部保護層と相変化記録層の間に膜厚１〜１０ｎｍの界面層を有し、界面層がＺｒＯ２とＹ２Ｏ３とＴｉＯ２の混合物、ＳｉＯ２とＮｂ２Ｏ５の混合物、又はＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５の混合物からなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
相変化記録層と上部保護層の間に界面層を有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項６】
光入射側の保護層材料が、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝６０〜８５：４０〜１５（モル％）からなり、反射層側の保護層材料が、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝３０〜８５：７０〜１５（モル％）からなることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相変化型光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在実用化されている光記録媒体として結晶状態と非晶質（アモルファス）状態の可逆的相変化を利用した、いわゆる相変化型光記録媒体がある。その記録材料としてはＳｂ、Ｔｅを母体としＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ等を添加したＡｇＩｎＳｂＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ系材料がある。これらはＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ媒体に用いられる。これらの相変化型光記録媒体は、何れも螺旋状又は同心円状の溝を有するプラスチック基板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層を基本とする積層構造を有し、２値情報の記録・再生を行うものである。そして高密度、大容量化のため、媒体に照射する光の波長を、ＤＶＤで用いられている６５０〜６６０ｎｍから、青紫色領域である４０５ｎｍのＬＤに変えたり、ＮＡ０．８５の高ＮＡレンズを用いることにより、片面２０ＧＢ以上の容量が可能になっている。
一方、ＤＶＤを記録再生可能とするために、ＮＡを同じ０．６５とする方式も考えられる。しかし、容量がＮＡ０．８５の場合より小さくなるため、本出願人は、アモルファス記録マークの周辺結晶部に対する占有率の違いで多値情報を記録し、記録容量２０ＧＢ以上を達成する方法について既に提案している（非特許文献１、特許文献１〜２）。
【０００３】
この非特許文献１の技術について説明する。
図１に、マーク占有率とＲｆ信号の概念図を示す。記録マークは各セルの略中心に位置している。記録マークが書換え可能な相変化材料の相状態或いは基板の凹凸形状として記録された位相ピットでも同じ関係となる。記録マークが基板の凹凸形状として記録された位相ピットの場合は、Ｒｆ信号の信号利得が最大となるように位相ピットの光学的溝深さをλ／４（λは記録再生レーザの波長）とする必要がある。Ｒｆ信号値は、記録再生用の集光ビームがセルの中心に位置する場合の値で与えられ、１つのセルに占める記録マークの占有率の大小によって変化する。一般的にＲｆ信号値は、記録マークが存在しないときに最大となり、記録マークの占有率が最も高いときに最小となる。
このような面積変調方式により、例えば、記録マークパタン数（多値レベル数）＝６で多値記録を行うと、各記録マークパタンからのＲｆ信号値は図２のような分布を示す。Ｒｆ信号値は、その最大値と最小値の幅（ダイナミックレンジ、ＤＲ）を１として正規化された数値で表記されている。記録再生は、λ＝６５０ｎｍ、ＮＡ＝０．６５（集光ビーム径＝約０．８μｍ）の光学系を用いて行い、セルの円周方向長さ（以下、セル長と記す）を約０．６μｍとした。このような多値記録マークは、図３のような記録ストラテジで、記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、ボトムパワーＰｂのパワー及びその開始時間をパラメータとしてレーザ変調することにより形成できる。
【０００４】
上記のような多値記録方式においては、記録線密度を上げていく（＝セル長を短くしていく）と、次第に集光ビーム径に対してセル長の方が短くなり、対象となるセルを再生するとき、集光ビームが前後のセルにはみ出すようになる。そのため対象となるセルのマーク占有率が同じでも、前後のセルのマーク占有率の組合せにより、対象となるセルから再生されるＲｆ信号値が影響を受ける。即ち、前後のマークとの符号間干渉が起こるようになる。この影響で、図２に示すように、各パタンにおけるＲｆ信号値は偏差を持った分布になる。即ち、対象となるセルがどの記録マークのパタンであるかを判定するためには、各記録マークから再生されるＲｆ信号値の間隔が、前記偏差以上に離れている必要がある。図２の場合、各パターン番号の記録マークのＲｆ信号値の間隔と偏差はほぼ同等であり、記録マークパタンの判定ができる限界になっている。
【０００５】
この限界を打破する技術として提案されたのが、非特許文献１に開示された、連続する３つのデータセルを用いた多値判定技術である。この技術は、連続する３つのデータセルの組み合わせパターン（８値記録時、８３＝５１２通り）からなる多値信号分布を学習し、そのパターンテーブルを作成するステップと、未知データの再生信号結果から３連続マークパターンを予測した後、前記パターンテーブルを参照して再生対象となる未知信号を多値判定するステップとからなる。これにより、再生時に符号間干渉が生じるような従来のセル密度或いはＳＤＲ値においても、多値信号判定のエラー率を低くすることが可能になった。ここでＳＤＲ値とは、多値階調数をｎとした時の各多値信号の標準偏差σｉの平均値と、多値Ｒｆ信号のダイナミックレンジ（ＤＲ）との比＝Σσｉ／（ｎ×ＤＲ）で表され、２値記録におけるジッターに相当する信号品質である。一般に、多値階調数ｎを一定とすると、多値信号の標準偏差σｉが小さいほど、且つダイナミックレンジ（ＤＲ）が大きいほどＳＤＲ値は小さくなり、多値信号の分別性が良くなってエラー率は低くなる。逆に、多値階調数ｎを大きくすると、ＳＤＲ値は大きくなりエラー率は高くなる。
このような多値判定技術を用いると、例えば多値階調数を８に増やして、各Ｒｆ信号値の分布が重なり合ってしまう図４のような場合でも、８値の多値判定が可能となる。
【０００６】
上記多値記録方式においても、前述の相変化記録材料を用いることができる。しかし、今後は、書き換え可能或いは１回記録可能なＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ、ＤＶＤ＋Ｒ／ＲＷ媒体、青色ＬＤにより記録再生する書き換え可能な相変化媒体（Ｂｌｕ−ｒａｙ規格）、多値記録用相変化媒体おいて高速記録再生が要求される。これを可能にするためには、相変化記録材料の結晶化速度の高速化とマークの長期保存性の両立が課題となってくる。これまで用いられてきたＳｂ７０Ｔｅ３０共晶組成を母体とするＡｇＩｎＳｂＴｅ系では限界がある。実際にＤＶＤでは、８倍速相当乃至それ以上の記録線速ではマークの長期保存性が問題となり用いることができない。そこで、Ｓｂ、Ｔｅを母体とする材料ではなく、Ｓｂを含む他の材料系を用いることで高速化及び保存安定性の両立が模索されている。これらの材料系としては、ＧａＳｂ系、ＧｅＳｂ系がある。例えば特許文献３には、ＧｅＳｂ系にＩｎを加えた材料が開示されており、添加元素として、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｇａ等を１０原子％以下添加すると良いことも記載されている。このような材料としては、ＧａＳｂ系、ＧｅＳｂ系がある。その他にＧｅＳｂＳｎＩｎ系（特許文献４）、ＧｅＭｎＳｂ系（特許文献５）、ＧｅＳｂＳｎにＴｅ、Ｉｎ、Ｇａを添加する（特許文献６）が挙げられるが、本発明の課題を解決するに足る材料ではない。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２１８７００号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２４１６号公報
【特許文献３】特開２００１−３９３０１号公報
【特許文献４】特開２００２−１１９５８号公報
【特許文献５】特開２００３−３４１２４０号公報
【特許文献６】特開２００４−２０３０１１号公報
【非特許文献１】Ｄａｔａ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ｕｓｉｎｇ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｒｅｃｏｇｎｉｔｉｏｎ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｅｍｏｒｙ  ２００１，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ  ２００１，Ｐｄ−２７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
任意の長さのマーク長を制御よく記録でき、高線速記録が可能でしかも長期保存性の優れた相変化記録材料が、今後、高速化、大容量化の要求に伴って必要になってくる。特に、大容量になればなるほど高速記録再生の要求が高くなる。非晶質相であるマークの長さが０．１μｍ付近で、しかもこの長さ近傍でマーク長をより制御良く記録することは、２値及び多値記録に必須である。特に、多値記録では最短マークと最長マークの長さの差が小さく、しかもその間を細かくマーク長制御しなければならない。
また、多値記録方式においては、記録される溝の中でマークの面積を変化させ、そこから再生される反射信号電圧を等間隔に分割して情報を読み取るため、高温高湿環境下でのマークの消失やマーク長の変化だけでなく、マーク間の結晶状態の変化による反射率変動があっても、再生された信号のエラーが増大し情報が読めなくなってしまう。更に、光の波長が６５０ｎｍと青紫色の４０５ｎｍの両方の領域において、非晶質相と結晶相の光学定数の差が大きく取れる材料であることも、２値及び多値記録に要求される。特に、多値記録は反射信号のレベルで情報を読み取るため、未記録状態である０レベルの反射率が高く、レベル間の反射信号電圧差が大きく、かつ最大レベル（例えば８値目の信号）と０レベルの信号差（いわゆる変調度）が大きいほど良い。
本発明は、これらの要求を満たす相変化記録材料及び最適な構成の相変化光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、次の１）〜６）の発明によって解決される。
１）  基板上に、少なくとも、下部保護層、光照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化に伴う光学定数の変化を利用した相変化記録層、上部保護層、反射層を有し、相変化記録層が、ＧｅαＳｂβＳｎγＭｎδＸε〔５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０．５≦δ≦２０、０≦ε≦１５、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００（原子％）、ＸはＩｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一つの元素〕からなることを特徴とする光記録媒体。
２）  相変化記録層が更にＧａを７原子％以下含有することを特徴とする１）記載の光記録媒体。
３）  基板上に、Ａｇ又はＡｇ合金反射層、下部保護層、相変化記録層、上部保護層、接着層、カバー基板をこの順に有するか、或いは、Ａｇ又はＡｇ合金反射層、硫化防止層、下部保護層、相変化記録層、上部保護層、接着層、カバー基板をこの順に有することを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４）  下部保護層と相変化記録層の間に膜厚１〜１０ｎｍの界面層を有し、界面層がＺｒＯ２とＹ２Ｏ３とＴｉＯ２の混合物、ＳｉＯ２とＮｂ２Ｏ５の混合物、又はＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５の混合物からなることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）  相変化記録層と上部保護層の間に界面層を有することを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。
６）  光入射側の保護層材料が、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝６０〜８５：４０〜１５（モル％）からなり、反射層側の保護層材料が、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝３０〜８５：７０〜１５（モル％）からなることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の光記録媒体。
【００１０】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は２値及び多値記録が可能であるが、多値記録には、前述した非特許文献１の多値記録方法を採用することができる。
光記録媒体の構成例としては、図５に示すように、透明基板上に下部保護層、レーザー光の照射による非晶質相と結晶相の可逆的相変化に伴う光学定数の変化を利用した相変化記録層、上部保護層、反射層の順に積層したものが挙げられる。
透明基板は、レーザー光の波長帯域である少なくとも４００〜８００ｎｍの範囲で透明であり、複屈折がより小さいことが望ましい。また、基板成形過程においても基板の半径位置毎に複屈折の分布を生じることがあるため、材料の複屈折がより小さく成形後の分布も小さいことが要求される。複屈折が無いということではガラス基板が好ましいが、より安価なポリカーカーボネート製基板を用いることが多い。
また、基板には、一般に、溝深さ２０〜３５ｎｍ、溝幅０．２〜０．３μｍ、溝ピッチ０．４０〜０．５０μｍの案内溝を設ける。
【００１１】
下部保護層材料としては、酸化物、窒化物、炭化物、及びこれらの混合物が挙げられるが、波長４００ｎｍ付近での透過率がより高い材料が適している。ＳｉＣなどの炭化物で光吸収が大きいものは適さないが、数ｎｍの薄い膜厚とし、酸化物、窒化物の保護層と組み合わせて光吸収機能を持たせるための層として用いることはできる。中でも、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（ＺｎＳＳｉＯ２）であって、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝３０〜９０：７０〜１０（モル％）のものが好ましく、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝６０〜８５：４０〜１５がより好ましい。この材料を用いれば、繰り返し記録、高温環境下での膜自身の結晶化が抑制され、高い記録感度を維持でき、繰り返し記録時の膜変形も抑えられる。
また、下部保護層を２層又は多層にする場合もある。繰り返し記録を行なった場合に、記録回数が増えるにつれて、記録層と下部保護層の間で保護層を構成する元素の記録層内への拡散が起きるため、図６に示すように、下部保護層と記録層の間に界面層を設けてもよい。更に記録層と上部保護層の間にも界面層を設けることができる（図示せず）。
【００１２】
更に別の構成としては、基板上にＺｎＳＳｉＯ２以外の酸化物、窒化物、又はそれらの混合物を用いて、その上にＺｎＳＳｉＯ２層、記録層の順に積層する構成がある。この層構成は、繰り返し記録時のレーザー光の放熱、つまり、熱が基板に到達する前に溝周辺部に放熱させることを目的とする。また界面層を敷く場合は、繰り返し記録特性の向上以外の目的として、用いる記録層材料によって、消去特性を向上させるための結晶化促進補助層の働きを持たせることもある。この場合は界面層が結晶状態（多結晶状態）にあって、記録層の核形成・成長を助ける作用がある。材料としては酸化物、炭化物、窒化物を用いるが、高温高湿下の長期保存性（アーカイバル保存）を損なわないようにするためには、膜厚は数ｎｍの厚さが良い。
本発明では界面層は主に繰り返し記録特性を劣化させないことを目的として用い、特に青紫色レーザーを使用し、ＺｎＳＳｉＯ２の膜厚が３０〜１００ｎｍの範囲にあるときに用いる。下部保護層と記録層の間に界面層を設けることにより、下部保護層が記録時の高温の熱により劣化し、屈折率の減少による反射率の低下及び記録特性の劣化が起こることを防止できる。
【００１３】
界面層の材料としては、透明でしかも屈折率がＺｎＳＳｉＯ２と同じ２．３前後（波長４０５ｎｍにおいて）が良い。その原材料としてはＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＮなどが挙げられるが、融点が高く、屈折率が約２．３のＺｒＯ２とＴｉＯ２の混合物、これに更にＹ２Ｏ３を加えたもの、ＳｉＯ２とＮｂ２Ｏ５の混合物、ＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５の混合物が良い。スパッタ法で成膜する場合のターゲット材として用いるには、ＺｒＯ２にＹ２Ｏ３を３〜８原子％混合すれば大面積のターゲットを用いても割れないようにできる。ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２の混合物における各酸化物の割合（モル％）は、〔（ＺｒＯ２）１−ｘ（Ｙ２Ｏ３）ｘ〕１−ｙ（ＴｉＯ２）ｙとして、２≦ｘ≦８、１０≦ｙ≦７０の範囲が良い。Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯの混合物やＩｎ２Ｏ３とＭｇＯの混合物も光透過性、放熱性の面で好ましい。
界面層の膜厚は１〜１０ｎｍが良い。１ｎｍ未満の膜を製膜することは難しく、１０ｎｍを超えると、熱伝導率が高くなって周辺に熱が広がり易くなり、記録感度が低下し記録特性が劣化する。更に、高温環境下に放置しておくと、結晶核生成・成長により記録マークが小さくなり、材料によっては消えてしまうことがある。
【００１４】
上部保護層も下部保護層と同じＺｎＳＳｉＯ２を用いるのが良い。但し、下部保護層よりも熱伝導率が低い方が記録感度が向上するので、混合割合としてはＺｎＳ：ＳｉＯ２＝３０〜８５：７０〜１５（モル％）が好ましい。例えば、下部保護層側をＺｎＳ：ＳｉＯ２＝７０：３０、上部保護層側をＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０とすることが好ましい。
なお、ここで言う下部保護層とは、光入射面側の保護層のことであり、反射層側の保護層を上部保護層と呼ぶ。
【００１５】
反射層にはＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｉｎ及びこれらの合金を用いる。高線速記録を行うためには、より熱伝導率が高い材料が適している。中でもＡｇが良いが、Ａｇ９５原子％以上の合金でも良い。Ａｇ合金の場合はＡｇと熱伝導率が近い材料との合金が良く、Ｎｄ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎの少なくとも１種を用い、添加量は高々２原子％、好ましくは１原子％以下が良い。また、構造的にもレーザー光の波長が短くなると、膜表面の凹凸が反射信号の減少や信号のノイズの原因になることから、Ａｇ合金にした方が良い。
上部保護層にＺｎＳＳｉＯ２を用い、その上にＡｇ又はＡｇ合金反射層を設けると、高温環境下でＡｇとＳの化合物が形成され易く、特性が劣化してしまうので、両層の間に酸化物、窒化物、炭化物層を硫化防止層として設ける必要がある。
硫化防止層は、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２、ＴｉＯ２とＴｉＣの混合物、ＺｒＯ２とＺｒＣの混合物、Ｔａ２Ｏ５とＴａＣ、Ｎｂ２Ｏ５とＳｉＯ２の混合物が適している。或いは、前述した界面層材料をそのまま用いても良い。
下部保護層、上部保護層、硫化防止層、反射層の膜厚は、各々４０〜２５０ｎｍ、５〜２０ｎｍ、１〜５ｎｍ、１００〜１８０ｎｍが良い。
【００１６】
記録層材料としては、Ｓｂ、Ｔｅからなり、Ｓｂ：Ｔｅ＝７０：３０（原子％）近傍の共晶組成を元にして、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｚｎ、希土類元素を添加した系として、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｚｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｓｂ−Ｔｅがある。何れも組成は、６０≦Ｓｂ≦８０（原子％）、１０≦Ｔｅ≦３０（原子％）、添加元素が５〜１５原子％である。
記録線速が低い場合は、これらの材料で十分な特性が得られるが、高い記録線速になってくると、初期の特性が良くても、高温環境下の保存特性が悪くなってしまう。この現象は、ＤＶＤの場合には記録線速１４ｍ／ｓよりも線速が高くなると現れるが、ＤＶＤに限らず、青色レーザーを用いた記録媒体でも同じである。
【００１７】
一方、多値記録の場合は、反射率の階調を利用して記録再生する方式であり、最低レベルの反射信号と最高レベルの反射率の差、即ちダイナミックレンジが大きいことが要求される。上記ＳｂＴｅ系の材料は、青色波長帯域では、赤色波長帯域に比べてダイナミックレンジが小さくなるため、青色レーザーを用いて多値記録する場合は、この値を大きくする材料が必要になってくる。従って、ダイナミックレンジと信頼性の向上が要求される。ダイナミックレンジを大きくするには、基本的に記録材料の結晶相とアモルファス相の光学定数（屈折率）の差が大きいほど良い。これに適した記録材料としてＳｂをベースとしたＧａＳｂ、ＧｅＳｂ、ＩｎＳｂ、ＳｎＳｂ、ＺｎＳｂ等がある。
光学定数に屈折率ｎと吸収係数ｋがあるが、Ｇａ：Ｓｂ＝１４：８６の場合の波長６５０ｎｍ付近の光学定数は、結晶状態のｎ、ｋをｎｃ、ｋｃとし、アモルファス状態のｎ、ｋをｎａ、ｋａとすると、各々、ｎｃ＝３．４１、ｋｃ＝４．６７、ｎａ＝４．３６、ｋａ＝２．８１である。一方、波長４０５ｎｍ付近ではｎｃ＝１．３８、ｋｃ＝３．２８、ｎａ＝２．６３、ｋａ＝３．１２である。従って、６５０ｎｍ付近でのΔｎ＝（ｎａ−ｎｃ）は０．９５、４０５ｎｍ付近でのΔｎ＝（ｎａ−ｎｃ）は１．２５である。４０５ｎｍでは、ｋａ、ｋｃの差は０．１６と小さい。
【００１８】
また、Ｇｅ：Ｓｂ＝５０：５０の場合は、６５０ｎｍ付近では、ｎｃ＝３．４８、ｋｃ＝４．５３、ｎａ＝４．３１、ｋａ＝２．６１、４０５ｎｍ付近では、ｎｃ＝１．３７、ｋｃ＝３．２９、ｎａ＝２．５３、ｋａ＝２．９８である。Δｎは６５０ｎｍ付近で０．８３、４０５ｎｍ付近で１．１６である。
従って、最大記録線速３５ｍ／ｓ程度までであれば、ＧａＳｂ、ＧｅＳｂは好ましい材料である。Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅの組成は、５０≦Ｓｂ≦９５（原子％）、Ｇａ≦５（原子％）又はＧｅ≦５０（原子％）の範囲が良い。
しかし、ＧｅやＧａは結晶化速度を下げる効果があり、更に組成の変化に対する速度変化の範囲が広い。また、Ｓｂ量が８０原子％を超えると、初期化即ち媒体を作成した後に記録層を結晶相に相変化させるプロセスにおいて、媒体全体を均一に結晶化することが難しくなってくるため相が不均一になり、特に多値記録には用いることができない。高温環境下での信頼性もなくなり、書いた記録マークの端部が結晶化し劣化してしまう。
【００１９】
ＧａＳｂは、Ｇａ：Ｓｂ＝１２：８８に共晶組成を持つ。この組成の記録層を下部保護層と上部保護層で挟み、上部保護層の上にＡｇ合金反射層を設けて記録媒体とし、記録層を結晶相にしてから、盤面に１５ｍＷのパワーで６６０ｎｍのレーザー光を照射すると、線速１５ｍ／ｓ付近から部分的にアモルファス相を形成し始める。Ｇａを更に多く入れるとアモルファス相を形成し始める線速が急激に下がり、しかも初期化が更に難しくなる。従って、Ｇａ、Ｓｂの２元だけでは、より低い記録線速である１０ｍ／ｓまで記録するのに十分な記録特性は得られない。
一方、ＧｅＳｂは、Ｇｅ：Ｓｂ＝１６：８４に共晶組成を持っている。先に述べたアモルファス相形成開始線速は２０ｍ／ｓである。しかし、この材料でもＧｅ、Ｓｂの２元だけでは、線速１０ｍ／ｓまで記録するのに十分な記録特性が得られない。
【００２０】
そこで、第３の添加元素により、初期化し易く記録線速が低速から高速まで調整でき、しかも結晶とアモルファル相の光学定数が大きい材料について検討した。
具体的には、Ｇｅ：Ｓｂ＝１６：８４（原子％）、Ｇａ：Ｓｂ＝１２：８８（原子％）を元に、Ｓｎを添加した場合について調べた。
（Ｇｅ１６Ｓｂ８４）１００−ｘＳｎｘ、（Ｇａ１２Ｓｂ８８）１００−ｙＳｎｙとして、ｘ、ｙを変えた。ｘ、ｙ共に、０、５、１０、１５、２０、２５（原子％）と変えたところ、ＧｅＳｎＳｂ系は、Ｓｎ１５原子％まではアモルファス相形成開始速度が２ｍ／ｓ程しか速くならなかったが、２０原子％以上では更に５ｍ／ｓ以上速くなった。一方、ＧａＳｎＳｂ系は、Ｓｎを５原子％添加しただけで、１０ｍ／ｓ以上速くなった。
【００２１】
更に、記録媒体を高温環境下（８０℃、８５％ＲＨ）に２００時間保持して、結晶化後の未記録状態の反射率の変化を調べたところ、Ｓｎの添加量が増えるにつれて反射率が減少し、特にＧａＳｎＳｂ系の減少が大きかった。２０原子％添加した場合は、約５％の反射率低下があった。一方、ＧｅＳｎＳｂ系は、反射率は２％以下であった。
多値記録の場合、情報を反射率の大きさで判別するので、このような変動は特性劣化になるため変化は小さい方が良い。しかしＧｅＳｎＳｂをそのまま用いる場合は、線速１０ｍ／ｓを超える高線速では適しているが、より低い線速では、Ｇｅを２５原子％よりも多く入れないと、良好な記録特性が得られない。一方、結晶相とアモルファス相の光学定数の差は、Ｓｎを添加すると大きくなるので、２値記録及び多値記録にとってダイナミックレンジが大きくなるため好ましい。
【００２２】
そこで、上記知見を元に、各合金の特徴を生かしつつ、より低い記録線速に対応する方策を検討した結果、本発明者等は、ＧｅＳｎＳｂ系にＭｎを添加し、その量を調整すれば広い線速に対応できることを見出した。
即ち、組成式をＧｅαＳｂβＳｎγＭｎδとして、５≦α≦２５、４５≦β≦７５、１０≦γ≦３０、０．５≦δ≦２０（原子％）である材料が好ましいことを見出した。この系では光学定数の差も大きく保たれる。更にＭｎを添加しても反射率は下がらず、しかも高温環境下の保存信頼性を向上させる。
Ｇｅは、２５原子％を超えるとデータの保存信頼性は向上するが、繰り返しオーバーライト回数１０００回以上の特性が悪くなる。また、最適な特性が得られる記録線速が遅くなり高線速化には適さなくなる。一方、５原子％未満になると、高速記録には適するが、データ保存性が悪化する。好ましくは１０原子％以上である。
Ｓｂは、４５原子％未満では高線速記録に適さず、７５原子％を超えると高線速記録には適するが、データ保存性が悪くなる。５０〜７０原子％が好ましい範囲である。
【００２３】
Ｓｎは、１０原子％未満では、高線速記録に適さず結晶状態の反射率も低くなる上に、結晶と非晶質相の光学定数差が小さくなり再生信号のＳＮ比が下がる。３０原子％を超えると、記録材料の融点、結晶化温度が下がり、信頼性が低下する。
Ｍｎは、２０原子％より多くなると、高線速化に適さなくなるし記録感度が悪くなる。好ましくは５原子％以下である。また、線速２０ｍ／ｓを超える高線速記録に用いる場合は、０．５原子％未満では添加効果が明らかでなく、好ましくは０．５原子％以上である。０．５原子％から１原子％の間の効果は、線速３０ｍ／ｓ付近、ＤＶＤの場合では、８倍速にあたる２８ｍ／ｓを超える線速で明らかである。また、Ｍｎは、他の添加元素Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌの金属元素やＢｉ、Ｉｎに比べて、広い線速に適用できることも特徴である。
また、上記組成の材料にＧａを５原子％以下添加することにより、結晶化温度が下がり、相変化記録媒体の製造過程、初期の記録再生評価を行う前に、アモルファス相である記録層を結晶相にする初期化工程において、記録に適した状態によりし易くすることができる。
更に、信頼性の向上、ＤＯＷ向上のために元素Ｘとして、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ａｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一つの元素を添加する。その添加量ε（原子％）は、０≦ε≦１５が良い。その他に、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｓｉの少なくとも１つの元素を添加しても良い。
記録層の膜厚は１０〜２０ｎｍが良い。
【００２４】
本発明の他の媒体構成として、図５、図６の各層の順序を逆にした構成がある。即ち、案内溝が設けられた基板の上に、反射層、上部保護層、記録層、下部保護層の順に積層するか（図５の逆）、或いは反射層、上部保護層、記録層、界面層、下部保護層の順に積層する（図７）。また、反射層にＡｇ合金を用いる場合には、上部保護層との間に硫化防止層を設けてもよい。
この構成の場合の特徴は、基板の溝の角が鋭角ではなく、丸くなっていたり、トラック一周で、この状態が不均一になっていても、その上に積層した反射層を付けることによって、その影響が小さくなり、マークが均一に記録できること、及び上部保護層の上に溝がなく、しかも複屈折の小さなカバー基板を貼ることで、カバー基板側から光を入射しても、複屈折の影響が小さく、特性が改善できる利点がある。ガラス基板を用いれば、機械特性も良くなるのでなお良い。しかし、厚さ０．６ｍｍの基板を用いたとして、貼り合わせる接着層の厚さと基板の厚さを最適にしないと波面収差によりフォーカスがずれてしまう。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、任意の長さのマークを制御よく記録でき、高線速記録が可能でしかも長期保存性の優れた相変化記録材料、更には波長６５０ｎｍと４０５ｎｍの両方の領域において、非晶質相と結晶相の光学定数の差が大きく取れる相変化記録材料を用いることにより、波長４０５ｎｍのレーザーを用いてもダイナミックレンジが大きくとれ、多値記録特性が向上し、しかも信頼性の向上した光記録媒体を提供できる。
また、界面層の採用により繰り返し記録特性が向上した光記録媒体を提供できる。
また、従来と逆の層構成にすることにより記録特性が向上した光記録媒体を提供できる。
また、２値記録においても良好な特性が得られ、信頼性の高い大容量光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００２６】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００２７】
実施例１〜３
溝深さ２１ｎｍ、溝幅０．３０μｍ、溝ピッチ０．４５μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの低複屈折のポリカーボネート基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）の上に、ＺｎＳＳｉＯ２（７０：３０モル％）からなる膜厚４１ｎｍの下部保護層、表１の実施例１〜３に示す各組成の材料からなる膜厚１４ｎｍの記録層、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚６ｎｍの上部保護層、Ｎｂ２Ｏ５：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル％）からなる膜厚４ｎｍの硫化防止層、Ａｇ９９．５Ｂｉ０．５（原子％）からなる膜厚１４０ｎｍの反射層を順次スパッタリングにより積層した。
次いでその上に、膜厚７μｍの紫外線硬化樹脂（大日本インキ製ＳＤ３１８）をスピンコート法で設けて環境保護層とし、更にその上に、膜のない厚さ０．６ｍｍのカバー基板を厚さ１０μｍの紫外線硬化型樹脂（日本化薬ＤＶＤ００３）で貼り合わせ、実施例１〜３の光記録媒体を得た。
これらの光記録媒体の記録層をＬＤ波長８００ｎｍ、ビーム径２００μｍ×１μｍ（半径方向×トラック方向）の大口径ＬＤを用いた初期化装置で結晶化した。ＣＬＶ（ｃｏｎｓｔａｎｔ  ｌｉｎｅａｒ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式を採用し、線速３．０ｍ／ｓで媒体を回転させ、一回転させる毎に３６μｍ送りながら行なった。
別に、記録層の光学定数を測定するために、記録層の上下にＺｎＳＳｉＯ２の保護層を設けたサンプルを作製し、同様に初期化装置で初期化した。実施例１で用いた記録層の初期化前後の光学定数はｎａ＝１．０９、ｋａ＝３．３２、ｎｃ＝２．３６、ｋｃ＝３．１９であった。また、Δｎ＝１．２７であった。
【００２８】
これらの光記録媒体の記録再生は、波長４０５ｎｍのＬＤ（レーザーダイオード）、対物レンズの開口率（ＮＡ）０．６５、ビーム径０．５４μｍのピックアップヘッドが搭載された装置を用いて行った。媒体の盤面に照射される記録パワー（Ｐｗ）は最大１０ｍＷ、消去パワー（Ｐｅ１、Ｐｅ２）は記録パワーの４０〜６０％の大きさとした。ボトムパワー（Ｐｂ）は、信号再生パワー０．６ｍＷより低い０．１ｍＷとした。
基本セル長を０．２４μｍとし、この中に８値の多値記録を行なった。記録線速は６ｍ／ｓとした。記録マークを形成するための記録方法は、図８のように、短いマーク、即ちレベル“１”（以下Ｍ１と呼ぶ。同様にレベル“７”をＭ７と呼ぶ。）のマークを記録する場合は、記録パワーの照射開始を基本セルの先頭からＴｍｓ遅らせて照射した。記録パワー照射時間Ｔｍｐとその後のボトムパワー照射時間Ｔｃｌで調整して、マーク面積を制御した。Ｔｍｐは各レベルとも同じにして、Ｔｃｌをレベル毎に変えた。
表２にＭ１〜Ｍ７の各設定時間を示す。記録パワーＰｗと消去パワーＰｅの比Ｐｅ／Ｐｗは０．６２とした。記録するためのクロック周波数は２５ＭＨｚとした。
Ｍ１〜Ｍ７のマーク及びマークなしのＭ０からなる８値の情報をランダムに記録した。各レベルの反射信号の変動の揺らぎ、即ちＳＤＲを測定するために、３９セクタ（セクタ当り１２２１個のセル数とする）分のデータを取り込んだ。
再生した信号は、フィルターを通して、トラック１周に存在する数ｋＨｚレベル以下の大きな反射信号の変動を除去した後に、先に記録したＭ０〜Ｍ７の連続データを用いてＡＧＣ処理を行なった。このＡＧＣ処理とはＭ０〜Ｍ７の振幅を基準に、その後に記録されているランダム信号の振幅変動差をなくし、一定レベルの振幅を持った信号に加工することである。更にその後、波形等価（ＥＱ）回路を通して、特にＭ１、Ｍ２マークのように振幅の小さな信号を増幅させた。この信号を、取り込んで各レベルの反射電位の標準偏差を求め、ＳＤＲ値を求めた。
図９に、実施例２の光記録媒体の記録層を用いて隣接する３トラックを記録し、中心トラックの記録信号を再生した場合のＳＤＲ及びダイナミックレンジ（ＤＲ）の記録パワー依存性を示す。
実施例１〜３の媒体を８０℃、８５％ＲＨの高温環境下に２００時間放置して、未記録及び記録後の反射率を調べた。試験前と試験後で、変化は何れも１％以下の減少であった。予め最適な記録パワーで記録した場合（Ａｒｃｈｉｖａｌ）、及び保存試験後に記録した場合（Ｓｈｅｌｆ）のＳＤＲ、ダイナミックレンジ（ＤＲ）の変化を表１に示すが、何れも劣化は小さく抑えられていた。
実施例２の媒体について、更に繰り返し再生特性を調べた結果を図１０に示すが、１００万回後も劣化は０．０５％以下であった。
【００２９】
実施例４〜１９、比較例１〜８
溝深さ２２ｎｍ、記録する溝幅０．２０μｍ、溝ピッチ０．３２μｍの案内溝を有する厚さ１．１ｍｍの低複屈折のポリカーボネート基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）の上に、Ａｇ９９．５Ｂｉ０．５（原子％）からなる膜厚１４０ｎｍの反射層、ＳｉＣからなる膜厚２ｎｍの硫化防止層、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚１０ｎｍの上部保護層、表３の実施例４〜１９及び比較例１〜８に示す各組成の材料からなる膜厚１４ｎｍの記録層、ＺｎＳＳｉＯ２（７０：３０モル％）からなる膜厚４０ｎｍの下部保護層を順次スパッタリングにより積層し、その上に、厚さ０．１ｍｍの粘着シートを貼って厚さ１．２ｍｍの光記録媒体を得た。次いで、実施例１と同様にして初期化した。
これらの光記録媒体を用いて、構成元素の組成と記録特性の関係を調べた。
上記各光記録媒体に対し、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップヘッドを用いて、最短マーク長０．１４９μｍ、変調方式（１−７）ＲＬＬ、再生パワー０．３０ｍＷで記録再生した。記録線速は、表３に示すとおりであり、記録パワー／消去パワーは線速９．８ｍ／ｓ、２９．５ｍ／ｓ、３９．４ｍ／ｓに対して各々、５．５ｍＷ／３．２ｍＷ、１２ｍＷ／３ｍＷ、１５ｍＷ／２．５ｍＷで記録した。１トラック１１回記録し、３ｔｒａｃｋ連続記録した後、２番目のトラックを再生した。
２０ｍ／ｓを越える記録線速において、記録時の記録パワー、ボトムパワーの照射時間を最適化して、マーク長ｎＴ（ｎ＝２〜８）に対して、記録パワー照射パルスとボトムパワー照射パルスの組み合わせの数を２Ｔと３Ｔマークは１個、４Ｔと５Ｔマークは２個、６Ｔと７Ｔマークは３個、８Ｔマークは４個で記録した。
再生評価は、４．９ｍ／ｓで再生し、ジッターを測定した。更に、媒体によっては記録後、８０℃８５％ＲＨの高温環境下に放置し、２００時間後に取り出し再評価を行った。評価基準は、初期ジッターについては８．０％以下の場合を許容範囲とし、高温環境下に放置した後のジッターについては、初期ジッターからの変化量（Δジッタ）が２％以下の場合を許容範囲とした。
表３の結果から、本発明で用いる相変化材料ＧｅαＳｂβＳｎγＭｎδＸεのα、β、γについては、本発明１で規定する組成範囲を満足する必要があることが分かる。また、δについては、１〜２０原子％ならば問題ないことが分かる。
【００３０】
実施例２０〜２３、比較例９〜１０
溝深さ２７ｎｍ、記録する溝幅０．２５μｍ、溝ピッチ０．７４μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板の上に、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚５８ｎｍの下部保護層、表３の実施例２０〜２３及び比較例９〜１０に示す各組成の材料からなる膜厚１４ｎｍの記録層、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚１６ｎｍの上部保護層、Ｎｂ２Ｏ５：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル％）からなる膜厚４ｎｍの硫化防止層、Ａｇからなる膜厚１４０ｎｍの反射層を順次スパッタリングにより積層し、その上に、膜厚７μｍの紫外線硬化樹脂（大日本インキ製ＳＤ３１８）をスピンコート法で設けて環境保護層とし、更にその上に、厚さ０．６ｍｍのカバー基板を、膜厚１５μｍの紫外線硬化型樹脂（日本化薬ＤＶＤ００３）で貼り合わせて厚さ１．２ｍｍの光記録媒体を得た。次いで、実施例１と同様にして初期化した。
これらの光記録媒体に対し、記録パワー３５ｍＷ、消去パワー８．３ｍＷ、記録線速２７．９ｍ／ｓとし、マーク長ｎＴ（ｎ＝３〜１４）に対して、記録パワー照射パルスとボトムパワー照射パルスの組み合わせの数を３Ｔマークは１個、４Ｔと５Ｔマークは２個、６Ｔと７Ｔマークは３個、８Ｔと９Ｔマークは４個、１０Ｔと１１Ｔマークは５個、１４Ｔマークは７個で各パルス時間を最適化して記録した。１トラックの記録回数１１回とし、５トラック連続記録した後、再生パワー０．７ｍＷ、線速３．５ｍ／ｓで再生した。
そのときの初期ジッターの測定結果を表３に示すが、Ｍｎについては、実施例２０〜２１と比較例９から、０．５原子％までは許容範囲であることが分かった。また、Ｇａについては、７原子％以下ならば初期ジッタが許容範囲に収まることが分った。
【００３１】
実施例２４〜３５
溝深さ２２ｎｍ、記録する溝幅０．２０μｍ、溝ピッチ０．３２μｍの案内溝を有する厚さ１．１ｍｍの低複屈折のポリカーボネート基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）の上に、Ａｇ９９．５Ｂｉ０．５（原子％）からなる膜厚１６０ｎｍの反射層、ＳｉＣからなる膜厚３ｎｍの硫化防止層、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚５ｎｍの上部保護層、表４の実施例２４〜３５に示す各組成の材料からなる膜厚１４ｎｍの記録層、ＺｎＳＳｉＯ２（７０：３０モル％）からなる膜厚４０ｎｍの下部保護層を順次スパッタリングにより積層し、その上に、厚さ０．１ｍｍの粘着シートを貼って厚さ１．２ｍｍの光記録媒体を得た。次いで、実施例１と同様にして初期化した。
これらの光記録媒体に対し、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップヘッドを用いて、記録線速１９．６ｍ／ｓ、クロック周波数２６４ＭＨｚ、最短マーク長０．１４９μｍ、変調方式（１−７）ＲＬＬ、再生パワー０．３５ｍＷ、記録パワー（Ｐｗ）９ｍＷ、消去パワー（Ｐｅ）３ｍＷで記録した。記録時の記録パワー、ボトムパワーの照射時間を最適化して、マーク長ｎＴ（ｎ＝２〜８）に対して、記録パワー照射パルスとボトムパワー照射パルスの組み合わせの数を２Ｔと３Ｔマークは１個、４Ｔと５Ｔマークは２個、６Ｔと７Ｔマークは３個、８Ｔマークは４個記録した。Ｌｉｍｉｔ  ＥＱにより、各トラックを１１回記録し、３トラックを連続記録した２番目のトラックの記録を４．９ｍ／ｓで再生し、初期ジッタを測定した。
結果を表４に示すが、何れも初期ジッタが８．０％以下であった。
【００３２】
実施例３６
記録層と下部保護層の間に、〔（ＺｒＯ２）９７（Ｙ２Ｏ３）３〕８０（ＴｉＯ２）２０（モル％）からなる膜厚３ｎｍの界面層を設けた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作成し初期化したのち、実施例２と同じ記録再生装置を用いて、記録線速６ｍ／ｓ、記録パワー８ｍＷ、消去パワー５ｍＷでオーバーライトを行った後のＳＤＲの測定結果を図１１に示す。
【００３３】
実施例３７
溝深さ２１ｎｍ、溝幅０．３０μｍ、溝ピッチ０．４５μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの低複屈折のポリカーボネート基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）の上に、Ａｇ９９．５Ｂｉ０．５（原子％）からなる膜厚１４０ｎｍの反射層、Ｎｂ２Ｏ５：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル％）からなる膜厚３ｎｍの硫化防止層、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚１２ｎｍの上部保護層、実施例２と同じ材料からなる膜厚１４ｎｍの記録層、Ｎｂ２Ｏ５：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル％）からなる膜厚３ｎｍの界面層、ＺｎＳＳｉＯ２（７０：３０モル％）からなる膜厚４２ｎｍの下部保護層を順次スパッタリングにより積層し、その上に、溝のない同じ基板（厚さ０．６ｍｍのカバー基板）を膜厚１５μｍの紫外線硬化型樹脂（日本化薬ＤＶＤ００３）で貼り合わせて光記録媒体を得た。次いで実施例１と同様にして初期化した後、実施例１と同様にして記録線速６ｍ／ｓで多値記録を行いＳＤＲを評価した。図１２にＳＤＲの記録パワー依存性を示す。
【００３４】
実施例３８
記録層材料のＧｅを３原子％分Ｇａに置き換えた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作成し評価したところ、記録パワー７．５ｍＷでＳＤＲが２．６％に減少した。
【００３５】
実施例３９
溝深さ２２ｎｍ、記録する溝幅０．２０μｍ、溝ピッチ０．３２μｍの案内溝を有する厚さ１．１ｍｍの低複屈折のポリカーボネート基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）の上に、Ａｇ９９．５Ｂｉ０．５（原子％）からなる膜厚１４０ｎｍの反射層、ＳｉＣからなる膜厚２ｎｍの硫化防止層、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚１０ｎｍの上部保護層、実施例１と同じ材料からなる膜厚１４ｎｍの記録層、ＺｎＳＳｉＯ２（７０：３０モル％）からなる膜厚４０ｎｍの下部保護層を順次スパッタリングにより積層し、その上に、厚さ０．１ｍｍの粘着シートを貼って厚さ１．２ｍｍの光記録媒体を得た。次いで、実施例１と同様にして初期化した。
この光記録媒体に対し、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップヘッドを用いて、記録線速４．９ｍ／ｓ、クロック周波数６６ＭＨｚ、最短マーク長０．１４９μｍ、変調方式（１−７）ＲＬＬ、再生パワー０．３５ｍＷ、記録パワー（Ｐｗ）４．５ｍＷ、消去パワー（Ｐｅ）３．２ｍＷで記録した。記録時の記録パワー、ボトムパワーの照射時間を最適化して、マーク長ｎＴ（ｎ＝２〜８）に対して、記録パワー照射パルスとボトムパワー照射パルスの組み合わせの数を（ｎ−１）個として記録した。
信号再生を行う際に、波形等価方法としてＬｉｍｉｔ  ＥＱにより、ジッターを測定したところ、３トラックを連続記録した２番目のトラックの記録ジッターが４．５％、変調度０．６１、反射率１７％となった。繰り返し記録を行ったところ、１０００回連続オーバーライト後のジッター増加は、２．０％であった。
【００３６】
実施例４０
溝深さ２２ｎｍ、記録する溝幅０．２０μｍ、溝ピッチ０．３２μｍの案内溝を有する厚さ１．１ｍｍの低複屈折のポリカーボネート基板（製品名ＳＴ３０００、帝人バイエルポリテック社製）の上に、Ａｇ９９．５Ｂｉ０．５（原子％）からなる膜厚１４０ｎｍの反射層、ＳｉＣからなる膜厚２ｎｍの硫化防止層、ＺｎＳＳｉＯ２（８０：２０モル％）からなる膜厚１０ｎｍの上部保護層、Ｇｅ：Ｓｂ：Ｓｎ：Ｍｎ：Ｔｅ＝８：６３：２２：５：２の組成、膜厚１４ｎｍの記録層、ＺｎＳＳｉＯ２（７０：３０モル％）からなる膜厚４０ｎｍの下部保護層をスパッタリングにより順次積層し、その上に、厚さ０．１ｍｍの粘着シートを貼って厚さ１．２ｍｍの光記録媒体を得た。次いで、実施例１と同様にして初期化した。
この光記録媒体に対し、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップヘッドを用いて、記録線速１９．６ｍ／ｓ、クロック周波数２６４ＭＨｚ、最短マーク長０．１４９μｍ、変調方式（１−７）ＲＬＬ、再生パワー０．３５ｍＷ、記録パワー（Ｐｗ）９ｍＷ、消去パワー（Ｐｅ）５ｍＷで記録した。記録時の記録パワー、ボトムパワーの照射時間を最適化して、マーク長ｎＴ（ｎ＝２〜８）に対して、記録パワー照射パルスとボトムパワー照射パルスの組み合わせの数を（ｎ−１）個として記録した。
信号再生を４．９ｍ／ｓで行い、Ｌｉｍｉｔ  ＥＱにより、ジッターを測定したところ、３トラックを連続記録した２番目のトラックの記録ジッターが６．０％、変調度０．６１、反射率２０％となった。繰り返し記録を行ったところ、１０００回連続オーバーライト後のジッター増加は、１％であった。
【００３７】
【表１】
2006192876.tif 000003
【表２】
2006192876.tif 000004
【表３】
2006192876.tif 000005
【表４】
2006192876.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】マーク占有率とＲｆ信号の概念図。
【図２】非特許文献１の面積変調方式により、記録マークパタン数（多値レベル数）＝６で多値記録を行った場合の、各記録マークパタンからのＲｆ信号値の分布を示す図。
【図３】図２の多値記録を行うための記録ストラテジを示す図。
【図４】多値階調数を８に増やすことにより、各Ｒｆ信号値の分布が重なり合ってしまう例を示す図。
【図５】本発明の光記録媒体の層構成の一例を示す図。
【図６】本発明の光記録媒体の層構成の他の例を示す図。
【図７】本発明の光記録媒体の層構成の更に他の例を示す図。
【図８】照射パルス波形を示す図。
【図９】実施例２の光記録媒体のＳＤＲ及びダイナミックレンジ（ＤＲ）の記録パワー依存性を示す図。
【図１０】実施例２の光記録媒体の繰り返し再生特性を示す図。
【図１１】実施例３６の光記録媒体のオーバーライト後のＳＤＲを示す図。
【図１２】実施例３７の光記録媒体のＳＤＲの記録パワー依存性を示す図。
【符号の説明】
【００３９】
Ｐｗ  記録パワー
Ｐｅ  消去パワー
Ｐｂ  ボトムパワー
Ｔｍｓ  記録パワー照射開始時間
Ｔｍｐ  記録パワー照射時間
Ｔｃｌ  ボトムパワー照射時間
【図１】
2006192876.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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