(57)【要約】【課題】  比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい薄膜抵抗体を提供する。【解決手段】  薄膜抵抗体を、クロムホウ化物と、珪素炭化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素とから構成し、その各成分の含有量を、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロムホウ化物と、珪素炭化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素とからなり、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％であることを特徴とする薄膜抵抗体。
【請求項２】
比抵抗が５００μΩ・ｃｍ〜１５０００μΩ・ｃｍ、かつ、抵抗温度係数が−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ ｐｐｍ／℃であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜抵抗体。
【請求項３】
クロムホウ化物と、珪素炭化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素とからなり、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％であるスパッタリングターゲットをスパッタリング装置にセットし、該スパッタリング装置の系内を真空引きした後に系内にアルゴンガスを導入して、スパッタリング法により薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理することにより薄膜抵抗体を作製することを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜抵抗体が請求項１または２に記載の薄膜抵抗体であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜抵抗体の製造方法。
【請求項５】
クロムホウ化物からなるスパッタリングターゲット、珪素炭化物からなるスパッタリングターゲット、およびＣｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素からなるスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に配置し、該スパッタリング装置の系内を真空引きした後に系内にアルゴンガスを導入して、スパッタリング法により薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理することにより請求項１または２に記載の薄膜抵抗体を作製することを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理の温度が４００℃以上８００℃以下であることを特徴とする請求項３〜５に記載の薄膜抵抗体の製造方法
【請求項７】
クロムホウ化物および珪素炭化物に加え、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素からなり、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、比抵抗の大きい薄膜抵抗体に関し、特に、精密抵抗器、高抵抗用のチップ抵抗器および混成集積回路等に用いられる高抵抗の薄膜抵抗体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜チップ抵抗器等に用いられている薄膜抵抗体には、高い比抵抗と絶対値の小さい抵抗温度係数（ＴＣＲ）が必要である。薄膜抵抗体としては、ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ系）合金（比抵抗は１００〜１５０μΩ・ｃｍ）やＣｒ−Ｓｉ系合金（比抵抗は最大３００μΩ・ｃｍ）等の金属を、スパッタリング法または真空蒸着法によりセラミック基板上に堆積させて得られる金属薄膜による抵抗体が、従来から薄膜チップ抵抗器に用いられており、フォトリソグラフィー等により所要の形状に加工されて薄膜チップ抵抗器に利用されている。かかる薄膜抵抗体を用いて形成された抵抗器は、３００μΩ・ｃｍ以下の比抵抗において、−２５ｐｐｍ／℃〜＋２５ｐｐｍ／℃という比較的良好な抵抗温度係数等の特性が得られることから、高精度チップ抵抗器として広く各種電子機器に用いられている。
【０００３】
しかし、上記の金属薄膜からなる薄膜抵抗体においては、高い比抵抗領域において抵抗温度係数の絶対値が小さい抵抗体を作製することが難しいという問題がある。すなわち、薄膜抵抗体材料としてニクロム合金を用いた場合、抵抗温度係数が−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ｐｐｍ／℃の範囲内で、かつ、比抵抗が１５０μΩ・ｃｍ以上の抵抗体を形成することは困難である。同様に薄膜抵抗体材料としてＣｒ−Ｓｉ系合金を用いた場合、比抵抗が３００μΩ・ｃｍ程度の薄膜を作製することができるものの、抵抗温度係数が−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ｐｐｍ／℃の範囲内のものを安定して作製することは難しい。
【０００４】
また、高抵抗用のチップ抵抗器および混成集積回路等に用いられる高抵抗の薄膜抵抗体としては、金属と絶縁物の複合体からなる薄膜、すなわちサーメット皮膜（例えば、Ｃｒ−ＳｉＯ、ＺｒＢ2−ＳｉＣ等からなる）が用いられている。かかるＺｒＢ2とＳｉＣからなるサーメット皮膜を薄膜抵抗体として用いた場合、ＳｉＣの質量比を調整することで容易に高抵抗の薄膜抵抗体が得られる（特許文献１、特許文献２参照）。しかし、抵抗温度係数は−１５０ｐｐｍ／℃と負に大きく、かつ、この抵抗温度係数は前記皮膜を比較的高温の６５０℃で熱処理しても、ほとんど変わらないことが示されている。一方、ＣｒとＳｉを含むターゲットを用いて、窒素を反応性ガスとして用いた反応性スパッタリングによって作製されるＣｒ−Ｓｉ−Ｎ薄膜は抵抗温度係数を０にすることができることが示されている（特許文献３参照）。しかし、一般に窒素による反応性スパッタリングで成膜した薄膜抵抗体は、その組成の制御が難しいという問題がある。また、水素の使用は炉の安全対策を厳重に行うことが必要となるなどの問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特公平６-４０５２１号公報
【０００６】
【特許文献２】特開昭６２-５４４０２号公報
【０００７】
【特許文献３】特公平６-６６１６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さい薄膜抵抗体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る薄膜抵抗体は、クロムホウ化物と、珪素炭化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素とからなり、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％であることを特徴とする。
【００１０】
前記薄膜抵抗体は、比抵抗が５００μΩ・ｃｍ〜１５０００μΩ・ｃｍ、かつ、抵抗温度係数が−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ ｐｐｍ／℃であることが好ましい。
【００１１】
本発明に係る薄膜抵抗体の製造方法の第１の態様は、クロムホウ化物と、珪素炭化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素とからなり、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％であるスパッタリングターゲットをスパッタリング装置にセットし、該スパッタリング装置の系内を真空引きした後に系内にアルゴンガスを導入して、スパッタリング法により薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理することにより薄膜抵抗体を作製することを特徴とする。
【００１２】
前記作製する薄膜抵抗体は、例えば請求項１または２に記載の薄膜抵抗体である。
【００１３】
本発明に係る薄膜抵抗体の製造方法の第２の態様は、クロムホウ化物からなるスパッタリングターゲット、珪素炭化物からなるスパッタリングターゲット、およびＣｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素からなるスパッタリングターゲットの各々をスパッタリング装置に配置し、該スパッタリング装置の系内を真空引きした後に系内にアルゴンガスを導入して、スパッタリング法により薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理することにより請求項１または２に記載の薄膜抵抗体を作製することを特徴とする。
【００１４】
前記熱処理の温度は４００℃以上８００℃以下であることが好ましい。
【００１５】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、クロムホウ化物と、珪素炭化物と、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素とからなり、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による薄膜抵抗体は、比抵抗が大きく、かつ、抵抗温度係数の絶対値が小さいので、精密抵抗器、高抵抗用のチップ抵抗器および混成集積回路等に用いられる高抵抗の薄膜抵抗体として好適に用いることができる。また、本発明による薄膜抵抗体の製造方法は、アルゴンスパッタリング法により成膜し、その後所定温度で熱処理をするという簡易な工程からなるので、本発明に係る薄膜抵抗体を安定して製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る薄膜抵抗体、薄膜抵抗体の製造方法および薄膜抵抗体製造用のスパッタリングターゲットの各構成要件における数値限定理由等について説明する。
【００１８】
「薄膜抵抗体」
本発明に係る薄膜抵抗体は、クロムホウ化物および珪素炭化物に加え、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素からなる。クロムホウ化物は高比抵抗の導電性成分であり、珪素炭化物は絶縁性成分であるが、本発明の薄膜抵抗体では、該珪素炭化物は、それぞれの成分が明瞭に分離した混合体となっているわけではない。珪素炭化物のＣ／Ｓｉ比は０．９〜１．３程度の範囲を持つ。また、本発明の薄膜抵抗体中のクロムホウ化物は、化学量論組成のＣｒＢ2ではなく、Ｂ／Ｃｒ比は１．９〜２．１程度の範囲をもつ。さらに、本発明の薄膜抵抗体はＣｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属成分を含有する。
【００１９】
クロムホウ化物は、高比抵抗の導電性成分であるので、高比抵抗の薄膜抵抗体の構成成分として適する材料である。クロムホウ化物の含有量が１０質量％未満では、珪素炭化物の含有量が多くなりすぎて、熱処理をしてもＴＣＲが−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ｐｐｍ／℃の範囲に入らない。また、クロムホウ化物の含有量が９０質量％を上回ると、他の必須構成要素である珪素炭化物およびＣｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属のいずれかについて最低必要含有量を満たすことができなくなる。
【００２０】
珪素炭化物は、絶縁性成分であるので、含有させることで薄膜抵抗体の比抵抗を大きくする働きがある。珪素炭化物の含有量が５質量％未満では、比抵抗が低くなりすぎ、高抵抗の薄膜抵抗体として用いることはできない。また、珪素炭化物の含有量が５０質量％を越えた場合には高い比抵抗が得られるが、負の抵抗温度係数の絶対値が大きくなり精密抵抗として適さない。
【００２１】
Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属は抵抗温度係数の絶対値を小さくする働きがあり、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属を添加しておけば、熱処理をすることにより薄膜抵抗体の抵抗温度係数の絶対値を小さくすることができる。しかし、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属の含有量が５質量％未満だと、熱処理を行っても抵抗温度係数の絶対値は数１００ ｐｐｍ／℃程度までしか小さくならず、抵抗温度係数を−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ｐｐｍ／℃の範囲にすることができない。逆にＣｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属の含有量が５５質量%を超えた場合には、比抵抗が大きく低下してしまい、高抵抗の薄膜抵抗体として用いることはできない。
【００２２】
「薄膜抵抗体の製造方法、スパッタリングターゲット」
本発明に係る薄膜抵抗体の製造においては、薄膜を形成する手段としてスパッタリング法を用いることが好ましい。スパッタリング法は、高融点材料を用いた場合であっても設計通りの組成の膜を作製できる方法であるので、ＴＣＲの小さい高性能な薄膜抵抗体の製造に用いることに適しているからである。スパッタリングターゲットとしては、クロムホウ化物および珪素炭化物に加え、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素からなり、クロムホウ化物の含有量：１０〜９０質量％、珪素炭化物の含有量：５〜５０質量％、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉのうちから選択された少なくとも一種の金属元素の合計含有量：５〜５５質量％であるスパッタリングターゲットを用いることができる。なお、かかるスパッタリングターゲットは、まず、クロムホウ化物および珪素炭化物からなるスパッタリングターゲットを作製し、その後、該スパッタリングターゲットに埋め込み用の溝部を形成しＣｕチップを埋め込むことにより作製してもよい。
【００２３】
また、前記スパッタリングターゲットではなく、複数のスパッタリングターゲット、すなわちＣｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種の金属からなるスパッタリングターゲット、珪素炭化物からなるスパッタリングターゲット、およびクロムホウ化物からなるスパッタリングターゲットを用いて、同時スパッタにより本発明の薄膜抵抗体を形成することも可能である。
【００２４】
純金属ターゲットは室温で圧延し、必要な形に切断して作製することができる。非金属ターゲットはホットプレス、スリップキャスティング、静水圧プレスあるいは常圧焼結法で作製することができる。
【００２５】
本発明においてはスパッタリング法により、薄膜を形成することが好ましい。前述のように、スパッタリング法を用いれば高融点材料を用いた場合であっても所望の組成の膜を形成することができるからである。具体的には、前記組成のスパッタリングターゲット（クロムホウ化物および珪素炭化物からなるスパッタリングターゲットにＣｕチップを埋め込んだものを含む）または各組成のスパッタリングターゲットを用い、該スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に配置し、該スパッタリング装置の系内を２．０×１０-3Ｐａ以下の真空度まで真空引きした後に、系内にアルゴンガス（純度：９９．９９９％）を１.０〜２０.０ｓｃｃｍの流量で導入して、基板上にスパッタリングにより薄膜を形成する。
【００２６】
次に、熱処理について説明する。通常、薄膜抵抗体では膜を形成したのち、抵抗値を安定させるとともに抵抗温度係数を調整するために熱処理を行うが、抵抗温度係数が負の値でその絶対値が大きいＣｒＢ2−ＳｉＣ系薄膜抵抗体の場合、５００℃で熱処理を行っても、抵抗温度係数は−５５０ｐｐｍ／℃程度までしかその絶対値が小さくならない。
【００２７】
しかし、本発明の薄膜抵抗体では、４００〜８００℃の温度範囲で組成に応じて熱処理温度を選択し、熱処理することで抵抗温度係数の絶対値を著しく小さくすることができる。Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属が所定量含有されているからである。
【００２８】
熱処理温度を４００〜８００℃の温度範囲に限定した理由は、熱処理温度が４００℃以下である場合には、抵抗温度係数が−５０ｐｐｍ／℃より負に大きくなってしまうからであり、８００℃以上である場合には、抵抗温度係数が＋５０ｐｐｍ／℃より正に大きくなってしまうからである。
【００２９】
熱処理をする際の雰囲気は、特殊な雰囲気で行う必要はなく、真空中、アルゴン中、窒素中などの不活性雰囲気で行うことができ、また大気中であっても問題はない。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明する。
【００３１】
（実施例１）
実施例１は、クロムホウ化物：４０．２質量％、珪素炭化物：２８．８質量％、Ｃｕ：３１．０質量％の薄膜抵抗体である。
【００３２】
「スパッタリングターゲットの作製」
まず、ターゲットの原料粉末である二ホウ化物クロム（新日本金属製、規格名：ＣｒＢ2−Ｏ、平均粒径：５．９８μｍ）２４．０ｇ、炭化珪素（昭和電工製、規格名：Ｄｕ  Ａ−３、純度：９９．６％、平均粒径：１．８５μｍ）１６．０ｇを秤量した。そして、これらの粉末を混合し、ホットプレス法で直径６０ｍｍφ、厚さ５ｍｍの焼結体を作製した。ホットプレス条件は、面圧：２４８ｋｇ／ｃｍ2、温度：１４００℃、時間：１時間とし、真空中で行った。得られた焼結体の表面を研磨し、スパッタリングターゲットとして使用した。
【００３３】
「スパッタリングによる成膜」
ＲＦスパッタ装置（日電アネルバ製、型番：ＳＰＦ−２１０Ｈ）に高純度石英基板（東ソー・クォーツ製、規格名：ＥＳ、以下、基板と記す）をセットするとともに、形成される薄膜に３０質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリング用ターゲットとしてセットした。系内を２．０×１０-3Ｐａ以下の真空度にまで真空引きをした後、アルゴンガス（純度：９９．９９９％）を２．５ｓｃｃｍの流量で導入して、基板上にスパッタリングにより成膜した。具体的には、まず、基板上にスパッタリングで成膜する前に、基板前面のシャッターを閉じた状態で１０分以上プレスパッタした。次に、出力９０Ｗで２０分間成膜して１３０ｎｍの厚さの膜を得た。所定の時間スパッタした後にシャッターを閉じ、３０分以上冷却した後、チャンバー内から基板とともに基板上に形成された薄膜を取り出した。
【００３４】
石英基板に形成された薄膜を真空炉に入れ、真空中（６．０Ｐａ）で熱処理を行った。熱処理温度は、３００℃、４００℃、５００℃、６００℃、７００℃、８００℃、９００℃とし、各温度とも熱処理時間は３０分間とした。昇温速度は熱処理温度の１０℃手前までは１０℃／分とし、熱処理温度の１０℃手前から熱処理温度までは１℃／分とした。熱処理時間は、各熱処理温度とも３０分間とした。
【００３５】
炉から取り出した試料について、膜厚ｔ（ｃｍ）、長さＬ（ｃｍ）、幅Ｗ（ｃｍ）および抵抗Ｒ（Ω）を測定した。抵抗Ｒは直流四端子法により測定した。比抵抗ρは下記数式１から求めた。また、試料を恒温槽に入れ、２５℃での抵抗値Ｒ25（Ω）と１００℃での抵抗値Ｒ100（Ω）を測定し、下記数式２より抵抗温度係数（ＴＣＲ）を求めた。
【００３６】
【数１】
2006005104.tif 000002
【００３７】
【数２】
2006005104.tif 000003
【００３８】
（実施例２）
実施例２は、クロムホウ化物：５４．８質量％、珪素炭化物：３９．８質量％、Ｃｕ：５．４質量％の薄膜抵抗体である。
【００３９】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に５質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００４０】
（実施例３）
実施例３は、クロムホウ化物：２７．７質量％、珪素炭化物：１８．１質量％、Ｃｕ：５４．２質量％の薄膜抵抗体である。
【００４１】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に５５質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００４２】
（実施例４）
実施例４は、クロムホウ化物：７１．１質量％、珪素炭化物：７．４質量％、Ｃｕ：２１．５質量％の薄膜抵抗体である。
【００４３】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に２０質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００４４】
（実施例５）
実施例５は、クロムホウ化物：３１．０質量％、珪素炭化物：３６．９質量％、Ｃｕ：３２．１質量％の薄膜抵抗体である。
【００４５】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に３０質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００４６】
（実施例６）
実施例６は、クロムホウ化物：４２．８質量％、珪素炭化物：２７．８質量％、Ｍｎ：２９．４質量％の薄膜抵抗体である。
【００４７】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に３０質量％のＭｎが含まれるようにＭｎチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００４８】
（実施例７）
実施例７は、クロムホウ化物：４１．７質量％、珪素炭化物：２８．２質量％、Ｆｅ：３０．１質量％の薄膜抵抗体である。
【００４９】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に３０質量％のＦｅが含まれるようにＦｅチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００５０】
（実施例８）
実施例８は、クロムホウ化物：４２．５質量％、珪素炭化物：２６．８質量％、Ｎｉ：３０．７質量％の薄膜抵抗体である。
【００５１】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に３０質量％のＮｉが含まれるようにＮｉチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００５２】
（比較例１）
比較例１は、クロムホウ化物：６３．９質量％、珪素炭化物：３６．１質量％の薄膜抵抗体である。
【００５３】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。比較例１においては、得られた焼結体ターゲットに金属チップを埋め込まず、得られた焼結体ターゲットそのものをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００５４】
（比較例２）
比較例２は、クロムホウ化物：２３．４質量％、珪素炭化物：１６．０質量％、Ｃｕ：６０．６質量％の薄膜抵抗体である。
【００５５】
焼結体ターゲットは実施例１と同様の方法で作製した。そして、形成される薄膜に６０質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００５６】
（比較例３）
比較例３は、クロムホウ化物：７０．０質量％、珪素炭化物：３．５質量％、Ｃｕ：２６．５質量％の薄膜抵抗体である。
【００５７】
ターゲットの原料粉末である二ホウ化物クロム３８．０ｇ、炭化珪素２．０ｇを秤量した後、実施例１と同様の方法で焼結体ターゲットを作製した。そして、形成される薄膜に３０質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００５８】
（比較例４）
比較例４は、クロムホウ化物：１５．３質量％、珪素炭化物：６１．６質量％、Ｃｕ：２３．１質量％の薄膜抵抗体である。
【００５９】
ターゲットの原料粉末である二ホウ化物クロム８．０ｇ、炭化珪素３２．０ｇを秤量した後、実施例１と同様の方法で焼結体ターゲットを作製した。そして、形成される薄膜に２５質量％のＣｕが含まれるようにＣｕチップを埋め込んだ焼結体ターゲットをスパッタリングターゲットとした。以降は、実施例１と同様の方法で薄膜抵抗体を作製した。
【００６０】
（測定結果）
表１は、実施例１の薄膜抵抗体を３００〜９００℃の範囲で１００℃刻みで熱処理温度を変化させて熱処理した場合と、熱処理をしなかった場合の、比抵抗と抵抗温度係数の測定結果を示したものである。表２は、実施例４の薄膜抵抗体を３００〜９００℃の範囲で１００℃刻みで熱処理温度を変化させて熱処理した場合と、熱処理をしなかった場合の、比抵抗と抵抗温度係数の測定結果を示したものである。表３は、実施例１〜８、比較例１〜４の薄膜抵抗体のそれぞれにおいて、比抵抗と抵抗温度係数の最良な結果をそのときの熱処理温度とともに示したものである。比抵抗と抵抗温度係数についての測定結果のうち、ＴＣＲが最も０に近い熱処理温度を最適熱処理温度とした。
【００６１】
【表１】
2006005104.tif 000004
【００６２】
【表２】
2006005104.tif 000005
【００６３】
【表３】
2006005104.tif 000006
【００６４】
比較例１はＣｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属が含まれていないため、抵抗温度係数が−３２４ｐｐｍ／℃となり、抵抗温度係数が−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ ｐｐｍ／℃の範囲内に入らなかった。
【００６５】
比較例２では、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一種からなる金属（比較例２ではＣｕ）の含有量が６０．６質量％であり、本発明の上限値である５５質量％を超えているため、比抵抗が３１０μΩ・ｃｍとなり、比抵抗が５００μΩ・ｃｍを下回った。
【００６６】
比較例３では、珪素炭化物の含有量が３．５質量％であり、本発明の下限値である５質量％を下回っているため、比抵抗が３２０μΩ・ｃｍとなり、比抵抗が５００μΩ・ｃｍを下回った。
【００６７】
比較例４では、珪素炭化物の含有量が６１．６質量％であり、本発明の上限値である５０質量％を超えているため、抵抗温度係数が−２１５ｐｐｍ／℃となり、抵抗温度係数が−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ ｐｐｍ／℃の範囲内に入らなかった。
【００６８】
それに対して、本発明の成分組成の規定値を満足している実施例１から実施例８では、熱処理温度を適切にすることにより、比抵抗を５００μΩ・ｃｍ〜１５０００μΩ・ｃｍの範囲内、かつ、抵抗温度係数を−５０ｐｐｍ／℃〜＋５０ ｐｐｍ／℃の範囲内にすることができた。