(57)【要約】      （修正有）【課題】アルミニウムを主成分とするベース板を有する半導体装置において、ベース板に装着されるネジの締着力の劣化を抑制する。【解決手段】半導体装置は、アルミニウムを主成分とするベース板１およびその上に形成された絶縁基板とを備えている。ベース板１は、該ベース板１を放熱フィン１３に固定するための固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０と、当該貫通孔２０に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とする平ブッシュ２とを備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミを主成分とするベース板と、
前記ベース板上に形成された絶縁基板と、
前記絶縁基板上に搭載された半導体素子とを備え、
前記ベース板は、
該ベース板を所定の冷却装置に固定するためのネジを受け入れ可能な貫通孔と、
前記貫通孔に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とするブッシュとを備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、前記ベース板の上面に露出している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置であって、
前記ブッシュの上面の高さは、その周囲の前記ベース板の上面の高さよりも高い
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、当該ベース板を貫通している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、少なくとも一端にフランジを有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、前記ベース板のコーナー部近傍に配設されており、
前記ベース板の前記コーナー部は、前記フランジの側面の一部が露出するように、局所的に薄く形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ブッシュは、側面に凹凸を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項２のいずれか記載の半導体装置であって、
前記ベース板は、銅あるいは鉄を主成分とする補強板を内部に有しており、
前記ブッシュは、前記補強板の一部に属している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置であって、
前記補強板は、少なくとも一つの開口を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９記載の半導体装置であって、
前記補強板は、外縁部にフランジを有している
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース板上に形成される半導体装置に関し、特に、当該ベース板を冷却装置へ固定するための構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球環境保護への関心の高まりから、電子部品の製造に鉛半田を使用しない、いわゆる「鉛フリー」の取り組みが半導体業界および電子機器業界で広まりつつある。例えば、半導体素子を搭載する絶縁基板をヒートシンクとしてのベース板に固定するのに、従来は半田が用いられていたが、それに代わる技術として、溶湯接合法により絶縁基板にベース板を直接接合する技術が提案されている。即ち、ベース板の材料を溶湯の状態にし、鋳型内で絶縁基板と接触させて冷却することで、ベース板と絶縁基板とを一体的に形成するのである（例えば特許文献１）。
【０００３】
また、下記の特許文献２のように、セラミックスから成る絶縁基板にネジを通すための貫通孔を設け、当該絶縁基板とベース板とをネジ止めする技術も提案されている（例えば特許文献２）。特許文献２ではさらに、ネジの締着力による絶縁基板の破損を防止するために、絶縁基板の貫通孔に補強部材を設けている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−７６５５１号公報
【特許文献２】特開２００３−１９７８２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、ベース板の材料としては、主に銅（Ｃｕ）や鉄（Ｆｅ）が使用されてきたが、溶湯接合法で形成されるベース板の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）（以下、単に「アルミ」と称す）あるいはアルミニウム合金（以下、単に「アルミ合金」と称す）が用いられる。そのようなアルミを主成分とする材料は、比較的融点が低いため溶湯接合法に適用可能であり、且つ、熱伝導率が高くヒートシンクに適していることがその理由である。
【０００６】
またヒートシンクとしてのベース板は、さらに放熱性を高める目的で、冷却装置としての放熱フィンにネジを用いて固定される。そのため、ベース板にはネジを通すための貫通孔が設けられる。しかしベース板がアルミを主成分とする場合、アルミは耐力が比較的低いため、ネジの締着力による応力や、ベース板自身の熱膨張による応力に起因して、塑性変形が生じやすい。従来のアルミベース板の耐力は３６〜４０ＭＰａであり、ネジの締着力による応力（例えばＭ５ネジ（呼び径５ｍｍ）の場合で約４３ＭＰａ）と同程度しかない。因みに、従来のベース板に用いられていた銅ベース板の耐力は、２４０〜３００ＭＰａであった。
【０００７】
ベース板が塑性変形すると、ネジの締着力が大きく低下して該ネジが緩み、ベース板と放熱フィンとの間の密着性が損なわれてしまう。ベース板と放熱フィンとの間の密着性が低下すると、半導体装置の放熱機能が劣化し、場合によっては半導体素子の破損を招いてしまう。通常、ベース板と放熱フィンとの間には、熱伝導性を高める目的で両者間の微小な隙間を埋めるよう放熱グリスが塗布されてはいるが、ネジの緩みが増大することによる放熱性の劣化は避けられない。
【０００８】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、アルミニウムを主成分とするベース板を有する半導体装置において、ベース板に装着されるネジの締着力の劣化を抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、アルミを主成分とするベース板と、前記ベース板上に形成された絶縁基板と、前記絶縁基板上に搭載された半導体素子とを備え、前記ベース板は、該ベース板を所定の冷却装置に固定するためのネジを受け入れ可能な貫通孔と、前記貫通孔に対応して配設され、銅あるいは鉄を主成分とするブッシュとを備えるものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ベース板が、ネジを受け入れる貫通孔に銅あるいは鉄を主成分とするブッシュとを備えるので、ネジの締め付けによりベース板に印加される応力は該ブッシュに吸収され、ベース板に発生する応力は抑制される。従って、ベース板を放熱フィンに固定するための固定ネジの緩みを抑え、半導体装置の放熱性の劣化を抑制することができる。なお且つ、ベース板がアルミを主成分とする材料であるので、溶湯接合法によりベース板を形成でき、半導体装置製造の鉛フリー化にも寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
＜実施の形態１＞
図１〜図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。図１は当該半導体装置の断面図である。当該半導体装置は、図１に示すように、厚さ３〜５ｍｍｔのアルミベース板１上に設けられた厚さ０.３〜１.５ｍｍｔの絶縁基板２の上に形成される。アルミベース板１は、アルミを主成分とする材料、即ちアルミまたはアルミ合金から成っており、絶縁基板２は、窒化アルミ（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）あるいは窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）などから成る。絶縁基板２は、溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成されることで、アルミベース板１に直接接合している。即ち、アルミベース板１は、溶湯の状態のアルミまたはアルミ合金を鋳型内で絶縁基板２と接触させ、それを冷却することで形成される。
【００１２】
絶縁基板２の上には、厚さ０．３〜１ｍｍｔのアルミまたはアルミ合金から成る回路パターン３が形成されている。この回路パターン３も溶湯接合法により絶縁基板２と一体的に形成されている。回路パターン３の上には、半導体素子４が半田５を介して接合される。また、半導体素子４と回路パターン３とは、アルミワイヤ６を介しても電気的に接続している。さらに回路パターン３には、外部の他の回路との接続端子として機能する電極端子７が、半田８を介して接合される。
【００１３】
また、アルミベース板１の外周部には、当該半導体装置の外壁となるパッケージケース９が接着剤１０を介して接着される。パッケージケース９の内部には、半導体素子４やアルミワイヤ６などを覆うようにシリコンゲル１１が充填されており、封止樹脂１２によって封止される。
【００１４】
アルミベース板１は、半導体素子４などで発生した熱を放熱するためのヒートシンクとして機能するが、通常は放熱性をさらに高めるために、図１の如くアルミベース板１の下に冷却装置としての放熱フィン１３が装着される。アルミベース板１と放熱フィン１３との間には、両者間の微小な隙間を埋めるように放熱グリス（不図示）が１００μｍ程度塗布され、それによりアルミベース板１と放熱フィン１３との間の熱伝導性を高めている。
【００１５】
図２は、図１の当該半導体装置の上面図であり、図１は図２に示すＡ−Ａ線に沿った断面に相当する。また図３は、図２に示すＢ−Ｂ線に沿った断面であり、アルミベース板１における放熱フィン１３との固定構造を示している。アルミベース板１は、固定ネジ１４、平ワッシャ１５およびスプリングワッシャ１６を用いて放熱フィン１３に固定される。つまり図２および図３に示すように、固定ネジ１４がアルミベース板１に設けられた貫通孔２０を通り、放熱フィン１３に設けられたネジ穴１３１に螺入されることでアルミベース板１が固定される。このとき、固定ネジ１４のネジ頭とアルミベース板１との間に固定ネジ１４および平ワッシャ１５が入れられる。
【００１６】
本実施の形態に係るアルミベース板１は、図３の如く、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０の上部に、厚さ０．３〜２ｍｍの平ブッシュ２１を有している。平ブッシュ２１の外径は、それに接する平ワッシャ１５の外径よりも大きくなっている。当該平ブッシュ２１は、銅よりも耐力が高い銅あるいは銅合金、または、鉄あるいは鉄合金から成っている。平ブッシュ２１は溶湯接合法を用いてアルミベース板１と一体的に形成する。即ち、溶湯のアルミまたはアルミ合金を用いてアルミベース板１を形成する際に、絶縁基板２と共に平ブッシュ２１も鋳型内に入れておくことで、アルミベース板１は平ブッシュ２１に接合して形成される。
【００１７】
本実施の形態のように、アルミベース板１が、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０の上部に、耐力の高い銅あるいは鉄を主成分とする平ブッシュ２１を有することにより、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力は平ブッシュ２１に吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。例えば、平ブッシュ２１の外径が平ワッシャ１５の外径よりも約１ｍｍ大きい場合には、固定ネジ１４の締め付けに起因してアルミベース板１に発生する応力が約３０％減少し、同じく約２ｍｍ大きい場合には約４０％減少することが、本発明者等により確認された。
【００１８】
また図４は、本発明の効果を示すための実験結果を示すグラフである。当該実験では、半導体装置のベース板を放熱フィンに４本の固定ネジで一定のトルクをもって固定したものに対し、−４０〜１２５℃のヒートサイクルの熱履歴を与え、該固定ネジの緩みトルクの変化を測定した。図４のグラフにおいて、緩みトルク低下率（％）は「（熱履歴後の緩みトルク／初期の緩みトルク−１）×１００」として算出されている。
【００１９】
図４のように、従来のアルミベース板（固定ネジを受け入れる貫通孔にブッシュを有していないもの）では、１００ヒートサイクル後には緩みトルクが約３０％低下した。また従来の銅ベース板では、１００ヒートサイクル後にも緩みトルクの低下は約１０％程度であった。一方、図１〜図３に示した平ブッシュ２１を有するアルミベース板１の場合には、１００ヒートサイクル後の緩みトルクの低下は、銅ベース板とほぼ同じ約１０％程度であった。つまり本実施の形態によれば、ベース板の材料としてアルミおよびアルミ合金を使用しつつ、銅のベース板と同程度に固定ネジの締着力の低下を抑制できる。
【００２０】
従って、本実施の形態によれば、アルミを主成分とする材料を用いた溶湯接合法によりベース板を形成することで半導体装置製造の鉛フリー化に寄与しつつ、ベース板を放熱フィンに固定するための固定ネジの緩みを銅のベース板と同じ程度に抑えて半導体装置の放熱性の劣化を抑制することが可能である。
【００２１】
本実施の形態においては、図３のように平ブッシュ２１はアルミベース板１の上面に露出するように設けられている。また、平ブッシュ２１はアルミベース板１と溶湯接合法により一体的に形成されているので、該平ブッシュ２１はアルミベース板１に固定されている。よって、例えば固定ネジ１４の締め付け時に平ワッシャ１５が共回りしても、平ブッシュ２１がアルミベース板１の上面を平ワッシャ１５から保護するので、平ワッシャ１５がアルミベース板１の上面を損傷させることは防止される。それによっても、固定ネジ１４の緩みを抑制する効果が得られる。
【００２２】
＜実施の形態２＞
図５は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態１の平ブッシュ２１に代えて、鍔（フランジ）を有するフランジブッシュ２２を適用する。その他の構造は、実施の形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、図５において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付してある。
【００２３】
即ち、本実施の形態に係るアルミベース板１は、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０内に、アルミベース板１を貫通するフランジブッシュ２２を有している。当該フランジブッシュ２２は、アルミベース板１の上面側の端にフランジを有している。該フランジの部分の上面はアルミベース板１の上面に露出しており、その外径は平ワッシャ１５の外径よりも大きくなっている。フランジブッシュ２２も、アルミより耐力の高い銅あるいは鉄を主成分としており、絶縁基板２と共に溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成されている。
【００２４】
アルミベース板１が、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０に、耐力の高い銅あるいは鉄を主成分とするフランジブッシュ２２を有することにより、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力はフランジブッシュ２２に吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。
【００２５】
また、本実施の形態のフランジブッシュ２２は、アルミベース板１を貫通しており、即ちフランジブッシュ２２の長さはアルミベース板１の厚さと同等である。よって、固定ネジ１４の締め付け時の応力や熱履歴による応力はフランジブッシュ２２に直接的に印加されるので、それらはフランジブッシュ２２により効率的に吸収される。よって、本実施の形態によれば実施の形態１よりもさらに、アルミベース板１に発生する応力を抑制し、固定ネジの緩みを抑えて半導体装置の放熱性の劣化を抑制することができる。
【００２６】
なお、フランジブッシュ２２がアルミベース板１を貫通するので、その下側端が放熱フィン１３に接することになるが、通常、放熱フィン１３には約２００ＭＰａ以上の耐力のアルミ合金が使用されるため、そのような放熱フィン１３を使用していれば当該下側端で放熱フィン１３の表面が損傷させることはない。
【００２７】
上記のように、フランジブッシュ２２が有するフランジはアルミベース板１の上面に露出するように設けられている。また、フランジブッシュ２２はアルミベース板１と溶湯接合法により一体的に形成されているので、フランジブッシュ２２はアルミベース板１に固定されている。よって、例えば固定ネジ１４の締め付け時に平ワッシャ１５が共回りしても、フランジブッシュ２２のフランジがアルミベース板１の上面を平ワッシャ１５から保護するので、平ワッシャ１５がアルミベース板１の上面を損傷させることは防止される。それによっても、固定ネジ１４の緩みを抑制する効果が得られる。
【００２８】
＜実施の形態３＞
図６は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態１の平ブッシュ２１に代えて、両端にフランジを有する両端フランジブッシュ２３を適用する。その他の構造は、実施の形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、図６において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付してある。
【００２９】
即ち、本実施の形態に係るアルミベース板１は、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０内に、アルミベース板１を貫通する両端フランジブッシュ２３を有している。当該両端フランジブッシュ２３は、アルミベース板１の上面側の端および下面側の端の両方にフランジを有している。上側端のフランジ部分の上面はアルミベース板１の上面に露出しており、該フランジ部分の外径は、それに接する平ワッシャ１５の外径よりも大きくなっている。両端フランジブッシュ２３も、アルミよりも耐力の高い銅あるいは鉄を主成分とする材料から成っており、絶縁基板２と共に溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成されている。
【００３０】
アルミベース板１が、固定ネジ１４を受け入れる貫通孔２０に、耐力の高い両端フランジブッシュ２３を有することにより、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力は両端フランジブッシュ２３に吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。
【００３１】
また、両端フランジブッシュ２３は、アルミベース板１を貫通しており、即ち両端フランジブッシュ２３の長さはアルミベース板１の厚さと同等であるので、実施の形態２と同様に、固定ネジ１４の締め付け時の応力や熱履歴による応力は、両端フランジブッシュ２３により効率的に吸収される。よって、アルミベース板１に発生する応力は、実施の形態１よりもさらに抑制される。両端フランジブッシュ２３はアルミベース板１を貫通しているので、下側端が放熱フィン１３に接することになるが、両端フランジブッシュ２３はその下側端にもフランジを有しているので、仮に、放熱フィン１３の耐力が低い場合でも、当該下側端で放熱フィン１３の表面が損傷させることは抑制される。
【００３２】
また、両端フランジブッシュ２３はその下側端にもフランジを有しているので、両端フランジブッシュ２３がアルミベース板１から脱落してしまうことが防止される。
【００３３】
＜実施の形態４＞
図７は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。本実施の形態では、実施の形態１の平ブッシュ２１に代えて、その側面に凹凸を設けたナーリングブッシュ２４を適用する。その他の構造は、実施の形態１と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、図７において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付してある。
【００３４】
ナーリングブッシュ２４は側面に凹凸を有しているので、当該ナーリングブッシュ２４がアルミベース板１から脱落してしまうことが防止される。また図７のように、ナーリングブッシュ２４は、実施の形態２のフランジブッシュ２２と同様に、アルミベース板１の上面側の端にフランジを有しているので、実施の形態２と同様の効果も奏することは明らかである。
【００３５】
＜実施の形態５＞
本実施の形態では、アルミベース板１と一体形成されるブッシュの上面の高さを、当該アルミベース板１の上面の高さよりも高くする。
【００３６】
図８は、本発明の実施の形態５に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。図８では、実施の形態２のフランジブッシュ２２の上面を、その周囲のアルミベース板１の上面よりも高くした例を示している。但し、本実施の形態の適用はこの構造に限られるものではなく、例えば、実施の形態１，３，４のアルミベース板１が有する各ブッシュ（平ブッシュ２１、フランジブッシュ２２、両端フランジブッシュ２３）の上面を、アルミベース板１の上面よりも高くしてもよい。
【００３７】
実施の形態２で示した図５のように、アルミベース板１の上面とフランジブッシュ２２の上面とを同じに形成しようとした場合、溶湯接合法を用いてアルミベース板１をフランジブッシュ２２と一体的に形成する際に、製造ばらつきによりアルミベース板１の上面がフランジブッシュ２２の上面よりも高く形成されることが懸念される。そして平ワッシャ１５が、フランジブッシュ２２の上面よりも高いアルミベース板１に乗り上げてしまうと、正常にアルミベース板１を放熱フィン１３に固定することが困難になる。
【００３８】
そこで本実施の形態では、図８のように、フランジブッシュ２２の上面をその周囲のアルミベース板１の上面よりも高さｄだけ高く形成している。それにより、平ワッシャ１５がアルミベース板１に乗り上げてしまうことが回避でき、アルミベース板１の放熱フィン１３への固定を確実に行うことができる。従って、アルミベース板１と放熱フィン１３との間の密着性の不備による半導体装置の放熱性の劣化を防止することができる。
【００３９】
＜実施の形態６＞
図９は、本発明の実施の形態６に係る半導体装置における固定ネジを受け入れる貫通孔の構造を示す図である。同図において、図３に示したものと同様の要素には同一符号を付している。
【００４０】
本実施の形態では、実施の形態２で示したフランジブッシュ２２が、図９のようにアルミベース板１のコーナー部に配設されている。その場合、実施の形態２の構成では、フランジブッシュ２２のフランジの側面でアルミベース板１の形状が非常に鋭くなるので、使用者が当該アルミベース板１に触れたときに、指を損傷する危険がある。そこで、本実施の形態では、図９のように、フランジブッシュ２２が配設されるアルミベース板１のコーナー部に、フランジブッシュ２２のフランジの側面の一部が露出するよう局所的に薄くした、いわゆる「肉盗み」した部分３０（以下「肉盗み部３０」）を形成する。
【００４１】
フランジブッシュ２２が配設されるアルミベース板１のコーナー部に肉盗み部３０を設けることで、フランジブッシュ２２のフランジの側面で、アルミベース板１の形状が鋭くなることが防止される。従って、使用者が半導体装置に扱う場合の安全性が向上する。
【００４２】
＜実施の形態７＞
図１０および図１１は、本発明の実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す図である。同図において、図１〜図３に示したものには、同様の要素には同一符号を付している。本実施の形態においても、半導体装置の上面図は実施の形態１で示した図２のとおりであり、図１０はそのＡ−Ａ線に沿った断面に相当し、図１１はそのＢ−Ｂ線に沿った断面に相当している。
【００４３】
本実施の形態に係るアルミベース板１は、銅あるいは鉄を主成分とする図１２に示す補強板２５を内部に有している。図１０の如く、補強板２５はアルミベース板１の厚さのほぼ中央に位置し、アルミベース板１の大半の領域に配設されている。補強板２５は、アルミベース板１に設けられる貫通孔２０に対応した位置（本実施の形態では補強板２５の四隅）に、平ブッシュ部２５ａを有している。つまり図１１のように、アルミベース板１の貫通孔２０に、補強板２５の一部分である平ブッシュ部２５ａが配設されることになる。補強板２５は、絶縁基板２と共に溶湯接合法によりアルミベース板１と一体的に形成される。
【００４４】
アルミベース板１の材料として純度の高いアルミを使用した場合、その剛性が低いため溶湯成形される際に、アルミベース板１の反りや変形が懸念されるが、本実施の形態によればアルミベース板１の内部に比較的剛性の高い補強板２５が配設されるので、その問題を抑制することができる。
【００４５】
また、補強板２５の一部である平ブッシュ部２５ａが、実施の形態１の平ブッシュ２１と同様に機能するので、固定ネジ１４の締め付けにより平ワッシャ１５を介してアルミベース板１に印加される応力は平ブッシュ部２５ａに吸収され、アルミベース板１に発生する応力は抑制される。よって、固定ネジ１４の緩みを抑えて半導体装置の放熱性の劣化を抑制することができる。
【００４６】
図１３および図１４は、補強板２５の構成の例を示す図である。例えば図１３の如く、補強板２５に開口部２５ｂを設けてもよい。この場合は開口部２５ｂ内にもアルミベース板１の一部が充填されることになるので、アルミベース板１と補強板２５とが剥がれ難くなるという利点がある。さらに、補強板２５の材料として鉄を用いる場合、鉄はアルミよりも熱伝導率が低いので放熱性が劣化する恐れがあるが、補強板２５に開口部２５ｂを設けることにより、その問題が軽減される。
【００４７】
また、図１４の如く補強板２５の外縁部を折り曲げ、フランジ部２５ｃを形成してもよい。フランジ部２５ｃを設けることにより補強板２５の強度が増すので、アルミベース板１の反りや変形を抑制する効果がさらに向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。
【図４】本発明の効果を示すための実験結果を示すグラフである。
【図５】実施の形態２に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。
【図６】実施の形態３に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。
【図７】実施の形態４に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。
【図８】実施の形態５に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。
【図９】実施の形態６に係る半導体装置における固定ネジを受け入れる貫通孔の構造を示す図である。
【図１０】実施の形態７に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図１１】実施の形態７に係る半導体装置における放熱フィンとの固定構造を示す図である。
【図１２】実施の形態７の補強板の構成の一例を示す図である。
【図１３】実施の形態７の補強板の構成の一例を示す図である。
【図１４】実施の形態７の補強板の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  アルミベース板、２  絶縁基板、１３  放熱フィン、１４  固定ネジ、１５  平ワッシャ、１６  スプリングワッシャ、２０  貫通孔、２１  平ブッシュ、２２  フランジブッシュ、２３  両端フランジブッシュ、２４  ナーリングブッシュ、２５  補強板、２５ａ  平ブッシュ部、２５ｂ  開口部、２５ｃ  フランジ部、３０  肉盗み部。
【図１】
2006114641.tif 000003
【図２】
2006114641.tif 000004
【図３】
2006114641.tif 000005
【図４】
2006114641.tif 000006
【図５】
2006114641.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006114641.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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