(57)【要約】【課題】金属層に付着した有機物を、金属層の腐食を抑制しつつ、効率よく分解・除去することができる有機物除去方法を提供すること。【解決手段】本発明の有機物除去方法は、金属層２に付着した有機物３を分解・除去するものである。この有機物除去方法では、有機物３を分解・除去する際に、金属層２を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位に処理液を調整する。また、この際に、処理液は、金属層２に接触した際に、金属層の表面に処理液に対して不溶性の金属化合物が形成されるように、そのｐＨおよび／または酸化還元電位が調整されているのが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層に付着した有機物を分解・除去する有機物除去方法であって、
前記有機物に、オゾンを含有する処理液を接触させることにより、前記有機物を分解・除去する際に、
前記金属層を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位に前記処理液を調整することを特徴とする有機物除去方法。
【請求項２】
前記処理液は、前記金属層に接触した際に、前記金属層の表面に前記処理液に対して不溶性の金属化合物が形成されるように、そのｐＨおよび／または酸化還元電位が調整されている請求項１に記載の有機物除去方法。
【請求項３】
前記処理液は、オゾンガスと、該オゾンガスを溶解し得る第１の液体とを、前記金属層に供給することにより生成したものである請求項１または２に記載の有機物除去方法。
【請求項４】
前記第１の液体として、生成する前記処理液が、前記金属層を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位となるものを選択する請求項３に記載の有機物除去方法。
【請求項５】
前記処理液は、オゾンガスと、そのｐＨおよび／または酸化還元電位を調整する調整用のガスと、これらのガスを溶解し得る第２の液体とを、前記金属層に供給することにより生成したものである請求項１または２に記載の有機物除去方法。
【請求項６】
前記調整用のガスとして、生成する前記処理液が、前記金属層を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位となるものを選択する請求項５に記載の有機物除去方法。
【請求項７】
前記第２の液体は、水を主成分とするものである請求項５または６に記載の有機物除去方法。
【請求項８】
前記金属層に供給するオゾンガスの濃度は、５０〜３００ｇ／ｍ３である請求項３ないし７のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項９】
前記処理液は、水を含有している請求項１ないし８のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１０】
大気圧以上の雰囲気圧で行われる請求項１ないし９のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１１】
前記金属層は、複数の層を有する積層体で構成され、
該積層体は、第１金属層と、該第１金属層に接触し、前記第１金属層を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属で構成された第２金属層とを有する請求項１ないし１０のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１２】
前記第１金属層は、主としてＣｒで構成され、前記第２金属層は、主としてＡｕで構成されている請求項１１に記載の有機物除去方法。
【請求項１３】
前記金属層は、基材上に設けられており、前記第１金属層は、前記第２金属層より前記基材側に位置している請求項１１または１２に記載の有機物除去方法。
【請求項１４】
平面視において、前記第１金属層は、前記第２金属層から露出している請求項１１ないし１３のいずれかに記載の有機物除去方法。
【請求項１５】
前記有機物は、前記第２金属層をパターニングする際に用いたレジスト層である請求項１１ないし１４のいずれかに記載の有機物除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機物除去方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体、実装基板などに配線などの所定パターンの膜を形成する際に、フォトレジストや電子線レジスト等の各種有機膜が用いられる。
そして、配線等を形成した後には、これらの有機膜は不要となり、不要になった有機膜をそれらの基板から除去することが必要となる。
このような有機膜を除去する方法としては、オゾンガスと水蒸気とを用いた方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
かかる方法では、有機膜上でオゾンを含有する水が生成して有機膜を除去するが、このものを金属層に付着した有機膜の除去に適用した場合では以下のような問題が生じる。
すなわち、金属層が単層で構成される場合には、この金属層に水分等が付着することにより、金属層を構成する金属の種類によっては、金属層から金属が溶出し、その腐食が促進するという問題がある。
また、Ｃｒ等のイオン化傾向の大きい金属層と、Ａｕ等のイオン化傾向が小さい金属層が積層された積層体で金属層が構成される場合には、この金属層に水分等が付着することにより生じる局部電位作用（電池効果）により、イオン化傾向の大きい金属層から金属が溶出し、その腐食が促進するという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１１０７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、金属層に付着した有機物を、金属層の腐食を抑制しつつ、効率よく分解・除去することができる有機物除去方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機物除去方法は、金属層に付着した有機物を分解・除去する有機物除去方法であって、
前記有機物に、オゾンを含有する処理液を接触させることにより、前記有機物を分解・除去する際に、
前記金属層を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位に前記処理液を調整することを特徴とする。
これにより、金属層に付着する有機物を、金属層の腐食を抑制しつつ、効率よく分解・除去することができる。
【０００７】
本発明の有機物除去方法では、前記処理液は、前記金属層に接触した際に、前記金属層の表面に前記処理液に対して不溶性の金属化合物が形成されるように、そのｐＨおよび／または酸化還元電位が調整されていることが好ましい。
これにより、金属層の表面には、不溶性の金属化合物による層が形成される。そして、この層が金属層の保護層として機能することにより、金属層の処理液への溶解をより確実に防止することができる。その結果、金属層の特性の低下をより確実に防止することができる。
【０００８】
本発明の有機物除去方法では、前記処理液は、オゾンガスと、該オゾンガスを溶解し得る第１の液体とを、前記金属層に供給することにより生成したものであることが好ましい。
これにより、比較的容易に所望のｐＨと酸化還元電位とを示す処理液を生成することができる。
また、高濃度のオゾンを有機物に供給して、有機物を確実に分解・除去することができる。
【０００９】
本発明の有機物除去方法では、前記第１の液体として、生成する前記処理液が、前記金属層を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位となるものを選択することが好ましい。
この場合には、第１の液体を予め調製しておくので、生成する処理液のｐＨと酸化還元電位とを、より容易かつ確実に所望のものとすることができる。
【００１０】
本発明の有機物除去方法では、前記第１の液体は、ガス状、ミスト状および液状のうちの少なくとも１つの状態で、前記金属層に供給されることが好ましい。
これにより、オゾンガスを第１の液体に確実に溶解することができる。
また、第１の液体をガス状またはミスト状とした場合には、オゾンガスとの接触面積が増大して、第１の液体に効率良くオゾンガスを溶解させることができる。
第１の液体を液状とした場合には、大掛かりな装置等を必要とせず、比較的容易に金属層に第１の液体を供給することができる。
【００１１】
本発明の有機物除去方法では、前記第１の液体は、有機酸、無機酸、塩基および塩のうちの少なくとも１種を含む液体であることが好ましい。
これらのものは、それぞれ固有のｐＨおよび酸化還元電位を有するものであることから、第１の液体に添加する物質を適宜選択することにより、第１の液体および処理液のｐＨと酸化還元電位とを所望のものとすることができる。
【００１２】
本発明の有機物除去方法では、前記処理液は、オゾンガスと、そのｐＨおよび／または酸化還元電位を調整する調整用のガスと、これらのガスを溶解し得る第２の液体とを、前記金属層に供給することにより生成したものであることが好ましい。
これにより、比較的容易に所望のｐＨと酸化還元電位とを示す処理液を生成することができる。
また、高濃度のオゾンを有機物に供給して、有機物を確実に分解・除去することができる。
【００１３】
本発明の有機物除去方法では、前記調整用のガスとして、生成する前記処理液が、前記金属層を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位となるものを選択することが好ましい。
これにより、有機物の除去に装置を用いる場合、処理液を生成するためのガスを装置内に供給するだけでよいので、人体に対する安全性が高いという利点がある。
【００１４】
本発明の有機物除去方法では、前記第２の液体は、ガス状、ミスト状および液状のうちの少なくとも１つの状態で、前記金属層に供給されることが好ましい。
これにより、オゾンガスと調整用のガスとを第２の液体に確実に溶解することができる。
また、第２の液体をガス状またはミスト状とした場合には、オゾンガスと調整用のガスとの接触面積が増大して、オゾンガスと調整用のガスとを第２の液体に効率良く溶解させることができる。
第２の液体を液状とした場合には、大掛かりな装置等を必要とせず、比較的容易に金属層に第２の液体を供給することができる。
【００１５】
本発明の有機物除去方法では、調整用のガスは、窒素ガス、窒素酸化物ガス、硫黄酸化物ガス、炭酸ガス、アンモニアガスおよび塩素ガスのうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。
これらのガスは、液体中に比較的容易に溶解する性質を有することから、処理液のｐＨの調整を確実に行うことができる。
【００１６】
本発明の有機物除去方法では、前記第２の液体は、水を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、処理コストを低減することができる。
また、処理液中で、オゾンよりも酸化力の強い酸素原子ラジカルやヒドロキシラジカルを生成することができ、有機物をより容易かつ迅速に分解・除去できるようになるという利点もある。
【００１７】
本発明の有機物除去方法では、前記金属層に供給するオゾンガスの濃度は、５０〜３００ｇ／ｍ３であることが好ましい。
これにより、金属層に付着した有機物を確実に分解・除去することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記処理液は、水を含有していることが好ましい。
これにより、処理液中の水とオゾンとが反応して、酸素原子ラジカルやヒドロキシラジカルを生成することができる。その結果、有機物の分解・除去を低い温度領域においても効率良くかつ確実に行うことができ、コストの削減を図ることができる。
【００１８】
本発明の有機物除去方法では、大気圧以上の雰囲気圧で行われることが好ましい。
これにより、処理液中におけるオゾン濃度の変化を確実に防止することができることから、有機物をより効率よく分解することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記金属層は、複数の層を有する積層体で構成され、
該積層体は、第１金属層と、該第１金属層に接触し、前記第１金属層を構成する金属よりイオン化傾向が小さい金属で構成された第２金属層とを有することが好ましい。
【００１９】
本発明の有機物除去方法では、前記第１金属層は、主としてＣｒで構成され、前記第２金属層は、主としてＡｕで構成されていることが好ましい。
本発明により処理された金属層を、各種電子デバイスの配線構造等に採用することにより、電子デバイスの信頼性の向上を図ることができる。
本発明の有機物除去方法では、前記金属層は、基材上に設けられており、前記第１金属層は、前記第２金属層より前記基材側に位置していることが好ましい。
かかる構成の金属層においても、金属層に付着する有機物を、金属層の腐食を抑制しつつ、より効率よく分解・除去することができる。
【００２０】
本発明の有機物除去方法では、平面視において、前記第１金属層は、前記第２金属層から露出していることが好ましい。
かかる構成の金属層においても、確実に第１金属層の腐食を防止することができる。
本発明の有機物除去方法では、前記有機物は、前記第２金属層をパターニングする際に用いたレジスト層であることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の有機物除去方法の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の有機物除去方法の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の有機物除去方法により有機物の除去処理が施される被処理部材を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００２２】
図１に示すように、被処理部材１０は、基材１上に所定のパターンで形成されている金属層２を有している。また、本実施形態の金属層２は、単層構造をなしている。
基材１としては、特に限定されず、例えばガラス基板や、半導体装置等に用いられるウェハ、水晶振動子等に用いられる水晶基板等が挙げられる。
金属層２のパターンは、特に限定されず、金属層２の用途に応じて適宜選択される。
【００２３】
ここで、有機物３としては、特に限定されず、金属層２をパターニングする際に用いたレジスト層や、金属層２を形成（成膜）する際に、不純物として付着する有機物等が挙げられる。
例えば、レジスト層は、光硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等の各種樹脂材料を主材料として構成される。
【００２４】
本実施形態では、有機物３として、金属層２をパターニングする際に用いたレジスト層、すなわち、図１に示すような金属層２の上面に形成されたレジスト層を分解・除去する場合を一例に説明する。
本発明者は、金属層に付着した有機物に、オゾンを含有する処理液を接触させることにより分解・除去する方法について検討を重ねた。かかる方法によれば、処理液中のオゾンから生成した酸素原子ラジカルやヒロドキシラジカルが有機物を酸化・分解して、カルボン酸、二酸化炭素や水等に変化させて、金属層から効率よく除去することができる。
【００２５】
ところが、金属層を構成する金属の種類によっては、前記処理液と接触することにより、金属層を構成する金属がイオン化（金属イオンや金属化合物イオンに変化）して、金属層に腐食が生じることが分かった。
ここで、金属層を構成する金属がイオン化する原因は、処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせと、金属層を構成する金属の種類との関係にある。
【００２６】
そのため、処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせによっては、金属がイオン化することを好適に阻止することができる。すなわち、金属層を実質的に溶解しないものとして、金属層の腐食を防止または抑制することができる。
そこで、本発明では、金属層２に付着した有機物３に、オゾンを含有する処理液を接触させることにより、有機物３を分解・除去する際に、金属層２を実質的に溶解しないｐＨおよび／または酸化還元電位に処理液を調整する。
【００２７】
これにより、金属層２から有機物３を確実に除去することができるとともに、金属層２の腐食を防止または抑制して、金属層２の特性の低下（劣化）を好適に防止することができる。
また、処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせは、金属層２を構成する金属の種類に応じて、金属がイオン化しないように、それぞれ、例えば、次のように処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位を調整すればよい。以下、処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせの一例を、図２〜図５に基づいて説明する。
【００２８】
金属層２がＷで構成される場合、図２に示すように、Ｗがイオン化しない領域は、ＷやＷＯ２、Ｗ２Ｏ５、ＷＯ３のようなＷの酸化物が形成される領域、すなわち、左上がりの斜線が引かれている領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
金属層２がＡｌで構成される場合、図３に示すように、Ａｌがイオン化しない領域は、ＡｌやＡｌ２Ｏ３のようなＡｌの酸化物が形成される領域、すなわち、左上がりの斜線が引かれている領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
【００２９】
金属層２がＣｕで構成される場合、図４に示すように、Ｃｕがイオン化しない領域は、Ｃｕ、Ｃｕ２ＯのようなＣｕの酸化物およびＣｕ（ＯＨ）のようなＣｕの水酸化物が形成される領域、すなわち、左上がりの斜線が引かれている領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
金属層２がＣｒで構成される場合、図５に示すように、Ｃｒがイオン化しない領域は、ＣｒやＣｒ（ＯＨ）のようなＣｒの水酸化物が形成される領域、すなわち、左上がりの斜線が引かれている領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
【００３０】
処理液のｐＨおよび酸化還元電位は、例えば、処理液の組成、濃度および温度等のうちの任意の１つ以上の条件を適宜設定することにより、比較的容易に調整することができる。
また、金属層２に電圧を印加すること等により、金属層２自体の酸化還元電位を変化させることにより、処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせが前述したような範囲となるように調整してもよい。
【００３１】
さらに、このような処理液は、金属層２に接触した際に、金属層２の表面に処理液に対して不溶性の金属化合物が形成されるように、そのｐＨおよび／または酸化還元電位が調整されているのが好ましい。
ここで、不溶性の金属化合物としては、例えば、金属層２を構成する金属の酸化物や水酸化物等が挙げられる。
【００３２】
このような不溶性の金属化合物が生成することにより、金属層２の表面には、不溶性の金属化合物による層が形成される。そして、この層が金属層２の保護層として機能することにより、金属層２の処理液への溶解をより確実に防止することができる。その結果、金属層２の腐食（特性の低下）をより確実に防止することができる。
このような不溶性の金属化合物が形成される処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせは、金属層２を構成する金属の種類に応じて、前述の金属をイオン化しないようにした場合と同様に、それぞれ、例えば、図２〜図５に示すように設定する。
【００３３】
金属層２がＷで構成される場合、図２に示すように、ＷＯ２、Ｗ２Ｏ５、ＷＯ３のようなＷの酸化物が、不溶性の金属化合物として形成される領域は、前述した左上がりの斜線に右上がりの斜線を加えた領域、すなわち、網掛けで示された領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
金属層２がＡｌで構成される場合、図３に示すように、Ａｌ２Ｏ３のようなＡｌの酸化物が、不溶性の金属化合物として形成される領域は、前述した左上がりの斜線に右上がりの斜線を加えた領域、すなわち、網掛けで示された領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
【００３４】
金属層２がＣｕで構成される場合、図４に示すように、Ｃｕ２ＯのようなＣｕの酸化物およびＣｕ（ＯＨ）のようなＣｕの水酸化物が、不溶性の金属化合物として形成される領域は、前述した左上がりの斜線に右上がりの斜線を加えた領域、すなわち、網掛けで示された領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
【００３５】
金属層２がＣｒで構成される場合、図５に示すように、Ｃｒ（ＯＨ）のようなＣｒの水酸化物が、不溶性の金属化合物として形成される領域は、前述した左上がりの斜線に右上がりの斜線を加えた領域、すなわち、網掛けで示された領域となっている。そのため、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位をこの領域内に入るように調整する。
このような処理液は、予め所望のオゾンの濃度、ｐＨおよび酸化還元電位となるように調製したものを、有機物３に接触させるようにしてもよいが、例えば、Ａ：オゾンガスと、このオゾンガスを溶解し得る第１の液体とを金属層２に供給する方法、Ｂ：オゾンガスと、得られる処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位を調整する調整用のガスと、これらのガスを溶解し得る第２の液体とを金属層２に供給する方法等により生成したものを接触させるのが好ましい。
【００３６】
これらの方法では、いずれも、金属層２上で処理液を生成することから、高濃度のオゾンを含有する処理液を得ることができる。その結果、処理液中の高濃度のオゾンを有機物３に接触させることができるため、有機物３をより確実に分解・除去することができる。
また、Ａの方法によれば、第１の液体を予め調製しておくので、生成する処理液のｐＨと酸化還元電位とを、より容易かつ確実に所望のものとすることができるという利点がある。
一方、Ｂの方法によれば、有機物３の除去に装置を用いる場合に、処理液を生成するためのガスを装置内に供給するだけでよいので、人体に対する安全性が高いという利点がある。
【００３７】
以下、これらの方法について、それぞれ詳述する。
Ａ：オゾンガスと、第１の液体とを金属層２に供給する場合
第１の液体としては、生成する処理液が、金属層２を実質的に溶解しないｐＨと酸化還元電位との組み合わせとなるようなものを選択する。
なお、選択する第１の液体と、得られる処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせとの関係は、実験的に予め求めておくことができる。
【００３８】
第１の液体を金属層２に供給する方法としては、金属層２に供給した際に、オゾンガスを溶解し得る状態で供給されるものであれば、特に限定されないが、ガス状、ミスト状および液状のうちの少なくとも１つの状態で供給されるものが好ましい。
第１の液体をガス状またはミスト状とした場合、オゾンガスとの接触面積が増大して、第１の液体に効率良くオゾンガスを溶解させることができる。
【００３９】
また、第１の液体を液状とした場合、大掛かりな装置等を必要とせず、比較的容易に金属層２に第１の液体を供給することができる。
また、オゾンガスと第１の液体との供給量の比は、重量比で１：１〜１：１０程度であるのが好ましく、１：１〜１：５程度であるのがより好ましい。なお、第１の液体としてガス状のものを用いる場合には、これらのガスを金属層２に対して、個別に供給するようにしてもよいし、混合ガスとして供給するようにしてもよい。
【００４０】
オゾンガスの濃度は、有機物３の種類等によっても若干異なり、特に限定されないが、５０〜３００ｇ/ｍ3程度であるのが好ましく、１００〜２００ｇ/ｍ3程度であるのがより好ましい。処理液中のオゾン濃度が、前記下限値未満の場合には、処理液の温度等によっては、有機物３の分解・除去効果が十分に得られないおそれがある。また、処理液中のオゾン濃度を、前記上限値を超えて高くしても、それ以上の効果の増加が期待できないばかりか、コストの増大を招き好ましくない。
【００４１】
第１の液体としては、各種物質を含有する液体が用いられるが、例えば、有機酸、無機酸、塩基および塩等のうちの少なくとも１種を含むものを用いるのが好ましい。これらの物質は、それぞれ固有のｐＨおよび酸化還元電位を有するものであることから、第１の液体に添加する物質を適宜選択することにより、第１の液体および処理液のｐＨと酸化還元電位とを所望のものとすることができる。
【００４２】
有機酸としては、特に限定されないが、例えばクエン酸、酒石酸、酢酸、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、フタル酸、マレイン酸、アジピン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸のようなアミノ酸等が挙げられる。
無機酸としては、特に限定されないが、例えば炭酸、ホウ酸、硫酸、硝酸、リン酸等が挙げられる。
【００４３】
塩基としては、特に限定されないが、例えばアンモニア、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、アミノエタノール等が挙げられる。
塩としては、特に限定されないが、例えば硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウムのような硫酸塩、リン酸ナトリウム、リン酸カルシウムのようなリン酸塩、硝酸ナトリウム、硝酸カルシウムのような硝酸塩、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウムのような炭酸塩、シュウ酸カルシウム、シュウ酸ナトリウムのようなシュウ酸塩、テトラヒドロホウ酸セシウム、テトラヒドロホウ酸カリウムのようなホウ酸塩、硝酸アンモニウム、亜硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、炭酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、クエン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウムのようなアンモニウム塩等が挙げられる。
【００４４】
第１の液体に塩を添加することにより、例えば、有機物３が分解する際に発生するカルボン酸や二酸化炭素のような分解物等による処理液のｐＨの変化を、塩が緩衝剤として機能することにより阻止することが可能となる。
なお、処理液に水を添加する方法としては、オゾンガスと、第１の液体とを金属層２に供給する際に、例えば、ガス状、ミスト状または液状のうちの少なくとも１つの状態の水を供給する方法が挙げられる。また、第１の液体を調整する際に、第１の液体中に水を添加するようにしてもよい。
【００４５】
Ｂ：オゾンガスと、調整用のガスと、第２の液体とを金属層２に供給する場合
調整用のガスとしては、生成する処理液が、金属層２を実質的に溶解しないｐＨと酸化還元電位の組み合わせとなるようなものを選択する。
調整用のガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガス、窒素酸化物ガス、硫黄酸化物ガス、炭酸ガス、アンモニアガスおよび塩素ガス等のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが好ましい。これらのガスは、液体中に比較的容易に溶解する性質を有することから、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位の調整を確実に行うことができる。
【００４６】
また、調整用のガスの流量を適宜設定することよっても、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位の調整を行うことができる。
例えば、処理液のｐＨを調整する場合には、窒素酸化物ガスや硫黄酸化物ガスを用いることにより、処理液を酸性に調整することができ、アンモニウムガスを用いることにより、処理液をアルカリ性に調整することができる。さらに、これらのガスを組み合わせて用いることにより所望のｐＨに処理液を調整することができる。
【００４７】
第２の液体を金属層２に供給する方法としては、前述した第１の液体を供給する方法で説明したのと同様の方法を用いることができる。
オゾンガスと第２の液体との供給量の比は、重量比で１：１〜１：１０程度であるのが好ましく、１：１〜１：５程度であるのがより好ましい。
オゾンガスの濃度は、Ａの方法と同様のものとすることができる。
【００４８】
また、調整用のガスとしては、処理液が目的とするｐＨと酸化還元電位の組み合わせとなるような量を供給すればよい。
なお、第２の液体としてガス状のものを用いる場合には、これらのガスを金属層２に対して、個別に供給するようにしてもよいし、混合ガスとして供給するようにしてもよい。
なお、選択する調製用のガスの種類および流量と、得られる処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせとの関係は、実験的に予め求めておくことができる。
【００４９】
第２の液体としては、オゾンガスおよび調整用のガスの双方を溶解できるものであればよく、特に限定されないが、水を主成分とするものが好適である。第２の液体として水を主成分とするものを用いることにより、処理コストを低減することができる。
また、生成する処理液が水を含むため、後述するように、処理液中において、オゾンより酸化力の強い酸素原子ラジカルやヒドロキシラジカルを生成させることができ、有機物３をより容易かつ迅速に分解・除去できるようになるという利点もある。
【００５０】
以上説明したような処理液は、水を含有するもの、含有しないもののいずれであってもよいが、水を含有するものが好ましい。これにより、処理液中において水とオゾンとが反応して、オゾンよりも酸化力の強い、酸素原子ラジカルやヒドロキシラジカルを生成させることができる。その結果、有機物３の分解・除去を比較的低い温度領域においても効率良くかつ確実に行うことができ、コストの削減を図ることができる。
【００５１】
この場合、処理液中の水の含有率は、６０〜９０ｗｔ％程度であるのが好ましく、７０〜８０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
また、有機物３を分解・除去する際の温度（処理液の温度）は、特に限定されないが、５０〜１５０℃程度であるのが好ましく、９０〜１１０℃程度であるのがより好ましい。
また、有機物３を分解・除去する際の雰囲気圧は、常圧であってもよいが、大気圧以上であるのが好ましく、１０〜２００ｋＰａ程度であるのがより好ましく、２０〜１５０ｋＰａ程度であるのがさらに好ましい。これにより、処理液中におけるオゾン濃度の変化を確実に防止することができる。その結果、有機物３をより効率よく分解することができる。
【００５２】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の有機物除去方法の第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の有機物除去方法により有機物の除去処理が施される被処理部材を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００５３】
以下、第２実施形態ついて、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態では、被処理部材１０に設けられた金属層２の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、図６に示す金属層２は、第１金属層２１と、第１金属層２１に接触するようにして積層された第２の金属層２２との２層で構成されている。このうち、第２金属層２２は、第１金属層２１を構成する金属よりイオン化傾向が小さい（酸化還元電位が高い）金属で構成されている。
このような構成においては、金属層２に処理液が接触すると、第１金属層２１と第２金属層２２との間に局部電池作用が生じることにより、より卑な金属で構成される第１金属層２１が溶解し易くなる傾向を示す。
【００５４】
一方、第２金属層２２は、イオン化傾向が比較的小さい金属（貴金属）で構成されるので、処理液が付着しても溶解し難く、腐食し難い。
本実施形態では、処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせを、第１金属層２１を実質的に溶解しないものとすることにより、第１金属層２１の溶解を防止することができる。その結果、金属層２の特性の低下を防止することができる。
【００５５】
また、本実施形態では、第１金属層２１の表面に、処理液のｐＨと酸化還元電位との組み合わせが、処理液に対して不溶性の金属化合物が形成されるようになっているのが好ましい。
ここで、卑な金属で構成される第１金属層２１は、貴金属で構成される第２金属層２２が接触することにより、酸化還元電位が低下する傾向を示す。すなわち、図２〜図５に示す各グラフが下方（ｙ軸の負方向）に全体的にズレる（シフトする）傾向を示す。
【００５６】
したがって、本実施形態の場合、かかる現象を考慮して、処理液の酸化還元電位を適宜設定するようにすればよい。
なお、第１金属層２１および第２金属層２２のパターンは、それぞれ、金属層２の用途に応じて適宜選択されるものであり、特に限定されるものではない。すなわち、第１金属層２１は、図６に示すように、平面視において、その一部が第２金属層２２から露出していてもよく、第２金属層２２から露出していなくてもよい。
【００５７】
ここで、金属層２が図６に示すような構成の場合、すなわち、平面視において、その一部が第２金属層２２から露出する場合、第１金属層２１と第２金属層２２との境界部には、段差が形成されている。この段差部には、処理液が付着し易くなる傾向を示すことから、前述した局部電池作用が生じる可能性が高くなるが、本発明によれば、かかる構成の金属層２においても、処理液のｐＨおよび／または酸化還元電位が第１金属層２１（金属層２）を実質的に溶解しないように調整されているので、金属層２の腐食を確実に防止することができる。
【００５８】
特に、第１金属層２１が主としてＣｒで構成され、第２金属層２２が主としてＡｕで構成される金属層２は、各種電子デバイスの配線構造等に広く採用されるものであり、従来の方法で、有機物３を除去しようとした場合、第１金属層２１であるＣｒ層の腐食が問題となっていたが、本発明によれば、Ｃｒ層の腐食を防止しつつ、有機物３の分解・除去を確実に行うことができる。
【００５９】
以上、本発明の有機物除去方法の好適な実施形態について説明したが、本発明の有機物除去方法は、これに限定されるものではない。
例えば、本実施形態では、金属層は、第１金属層と第２金属層との２層で構成される積層体である場合について説明したが、これに限定されるものではなく、３層以上の層を有する積層体であってもよい。
また、金属層は、第２金属層が第１金属層より基材側にある構成のものであってもよい。
また、本発明の有機物除去方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【実施例】
【００６０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
まず、図１および図６に示すような被処理部材Ａ〜Ｅを用意した。
＜被処理部材Ａ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｃｒ層（第１金属層）およびＡｕ層（第２金属層）が順次積層された２層の積層体で金属層が構成され、この金属層上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
【００６１】
＜被処理部材Ｂ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｃｕ層（第１金属層）およびＡｕ層（第２金属層）が順次積層された２層の積層体で金属層が構成され、この金属層上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
＜被処理部材Ｃ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｃｒ層（単層）で金属層が構成され、この金属層上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
【００６２】
＜被処理部材Ｄ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｃｕ層（単層）で金属層が構成され、この金属層上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
＜被処理部材Ｅ＞
ガラス基板（基材）上に、Ｗ層（単層）で金属層が構成され、この金属層上にレジスト層（有機物）が形成された被処理部材である。
【００６３】
なお、被処理部材Ａ、Ｂにおいて、いずれも、第１金属層の平均厚さは、約９０ｎｍ、第２金属層の平均厚さは、約５０ｎｍとし、レジスト層は、電子線硬化性樹脂（ポジ型のレジスト材料）を用いて形成し、平均厚さは、約８００ｎｍとした。
また、第１金属層と第２金属層との境界部の段差の高さは、第２金属層の平均厚さに相当し、約５０ｎｍである。
また、被処理部材Ｃ〜Ｅにおいて、いずれも、金属層の平均厚さは、約９０ｎｍとし、レジスト層は、電子線硬化性樹脂（ポジ型のレジスト材料）を用いて形成し、平均厚さは、約４００ｎｍとした。
【００６４】
１．有機物の除去
以下の各実施例では、それぞれ、１０個の被処理部材に対してレジスト層の除去を行った。
（実施例１）
＜実験Ｎｏ．１Ａ＞
１０個の被処理部材Ａをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状のクエン酸水溶液（第１の液体）とを重量比１：４で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００６５】
なお、生成する処理液により、Ｃｒ層表面にＣｒ（ＯＨ）を形成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：３
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：１３０℃
チャンバ内の圧力    ：５０ｋＰａ
処理時間            ：１５分
次に、各被処理部材Ａを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００６６】
＜実験Ｎｏ．２Ａ＞
１０個の被処理部材Ａをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ガス状のリン酸緩衝液（第１の液体；リン酸とリン酸ナトリウムとで調整）とを重量比１：３で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００６７】
なお、生成する処理液により、Ｃｒ層表面から［ＣｒＯ４］２−が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：８
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：１００℃
チャンバ内の圧力    ：５０ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ａを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００６８】
＜実験Ｎｏ．３Ａ＞
１０個の被処理部材Ａをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状の水酸化ナトリウム水溶液（第１の液体）とを重量比１：５で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００６９】
なお、生成する処理液により、Ｃｒ層表面から［ＣｒＯ４］２−が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：１３
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：８０℃
チャンバ内の圧力    ：５０ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ａを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００７０】
（実施例２）
＜実験Ｎｏ．１Ｂ＞
１０個の被処理部材Ｂをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ガス状の硝酸水溶液（第１の液体）とを重量比１：１で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００７１】
なお、生成する処理液により、Ｃｕ層表面からＣｕ２＋が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：４
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：６０℃
チャンバ内の圧力    ：１００ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ｂを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００７２】
＜実験Ｎｏ．２Ｂ＞
１０個の被処理部材Ｂをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスおよび水蒸気（第２の液体）（重量比１：４）と、所定量のＳＯ２ガス（調整用のガス）とを供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００７３】
なお、生成する処理液により、Ｃｕ層表面からＣｕ２＋が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：６
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：１２０℃
チャンバ内の圧力    ：２０ｋＰａ
処理時間            ：１５分
次に、各被処理部材Ｂを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００７４】
＜実験Ｎｏ．３Ｂ＞
１０個の被処理部材Ｂをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスおよび水蒸気（第２の液体）（重量比１：１）と、所定量のＮＨ３ガス（調整用のガス）とを供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００７５】
なお、生成する処理液により、Ｃｕ層表面にＣｕ（ＯＨ）を形成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：１１
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：６０℃
チャンバ内の圧力    ：２０ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ｂを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００７６】
（実施例３）
＜実験Ｎｏ．１Ｃ＞
１０個の被処理部材Ｃをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状のクエン酸水溶液（第１の液体）とを重量比１：２で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００７７】
なお、生成する処理液により、Ｃｒ層表面にＣｒ（ＯＨ）を形成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：３
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：１５０℃
チャンバ内の圧力    ：１００ｋＰａ
処理時間            ：１０分
次に、各被処理部材Ｃを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００７８】
＜実験Ｎｏ．２Ｃ＞
１０個の被処理部材Ｃをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状のリン酸緩衝液（第１の液体；リン酸とリン酸ナトリウムとで調整）とを重量比１：３で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００７９】
なお、生成する処理液により、Ｃｒ層表面にＣｒ（ＯＨ）を形成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：５
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：８０℃
チャンバ内の圧力    ：５０ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ｃを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００８０】
＜実験Ｎｏ．３Ｃ＞
１０個の被処理部材Ｃをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状の水酸化カリウム水溶液（第１の液体）とを重量比１：５で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００８１】
なお、生成する処理液により、Ｃｒ層表面から［ＣｒＯ４］２−が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：１１
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：８０℃
チャンバ内の圧力    ：５０ｋＰａ
処理時間            ：２０分
次に、各被処理部材Ｃを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００８２】
（実施例４）
＜実験Ｎｏ．１Ｄ＞
１０個の被処理部材Ｄをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ガス状の硝酸水溶液（第１の液体）とを重量比５：１で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００８３】
なお、生成する処理液により、Ｃｕ層表面からＣｕ２＋が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：４
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：６０℃
チャンバ内の圧力    ：１００ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ｄを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００８４】
＜実験Ｎｏ．２Ｄ＞
１０個の被処理部材Ｄをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスおよび水蒸気（第２の液体）（重量比５：１）と、所定量のＳＯ２ガス（調整用のガス）とを供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００８５】
なお、生成する処理液により、Ｃｕ層表面からＣｕ２＋が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：６
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：１５０℃
チャンバ内の圧力    ：２０ｋＰａ
処理時間            ：１５分
次に、各被処理部材Ｄを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００８６】
＜実験Ｎｏ．３Ｄ＞
１０個の被処理部材Ｄをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスおよび水蒸気（第２の液体）（重量比１：５）と、所定量のＮＨ３ガス（調整用のガス）とを供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００８７】
なお、生成する処理液により、Ｃｕ層表面にＣｕ（ＯＨ）を形成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：１１
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：１００℃
チャンバ内の圧力    ：２０ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ｄを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００８８】
（実施例５）
＜実験Ｎｏ．１Ｅ＞
１０個の被処理部材Ｅをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状の酒石酸水溶液（第１の液体）とを重量比１：４で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００８９】
なお、生成する処理液により、Ｗ層表面にＷＯ３を形成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：３
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
第１の液体の供給状態：ガス状
被処理部材の加熱温度：１５０℃
チャンバ内の圧力    ：１５０ｋＰａ
処理時間            ：１５分
次に、各被処理部材Ｅを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００９０】
＜実験Ｎｏ．２Ｅ＞
１０個の被処理部材Ｅをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状のクエン酸緩衝液（第１の液体；クエン酸とリン酸ナトリウムとで調整）とを重量比１：４で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００９１】
なお、生成する処理液により、Ｗ層表面から［ＷＯ４］２−が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：６
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
第１の液体の供給状態：ガス状
被処理部材の加熱温度：１３０℃
チャンバ内の圧力    ：５０ｋＰａ
処理時間            ：１５分
次に、各被処理部材Ｅを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００９２】
＜実験Ｎｏ．３Ｅ＞
１０個の被処理部材Ｅをチャンバ内にセットし、被処理部材を加熱しつつ、チャンバ内（被処理部材）に、オゾンガスと、ミスト状の水酸化カリウム水溶液（第１の液体）とを重量比１：１で供給して、金属層上で処理液を生成することによりレジスト層の除去を行った。
【００９３】
なお、生成する処理液により、Ｗ層表面から［ＷＯ４］２−が生成するように各条件を設定した。この各条件は、以下に示す通りである。
処理液のｐＨ        ：１２
オゾンガス濃度      ：２００ｇ/ｍ3
被処理部材の加熱温度：６０℃
チャンバ内の圧力    ：１００ｋＰａ
処理時間            ：５分
次に、各被処理部材Ｅを、チャンバ内から取り出し、それぞれ、純水で洗浄して後、Ｎ２ブローにより乾燥した。
【００９４】
２．評価
実施例１および実施例２において処理が行われた各被処理部材について、それぞれ、第１金属層と第２金属層との境界部の段差の高さ（寸法）、および、第１金属層の第２金属層から露出している露出部分の平均厚さを段差計により測定した。
そして、これらの測定結果を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【００９５】
＜段差の高さ＞
◎：レジスト層除去処理後において、処理前の１．０５倍未満
○：レジスト層除去処理後において、処理前の１．０５倍以上、１．１倍未満
△：レジスト層除去処理後において、処理前の１．１倍以上、１．２倍未満
×：レジスト層除去処理後において、処理前の１．２倍以上
【００９６】
＜露出部分の平均厚さ＞
◎：レジスト層除去処理後において、処理前の０．９５倍以上
○：レジスト層除去処理後において、処理前の０．９倍以上、０．９５倍未満
△：レジスト層除去処理後において、処理前の０．８倍以上、０．９倍未満
×：レジスト層除去処理後において、処理前の０．８倍未満
この結果を、表１および表２に示す。
【００９７】
【表１】
2006005259.tif 000003
【００９８】
【表２】
2006005259.tif 000004
【００９９】
表１および表２に示すように、本発明（実験Ｎｏ．１Ａ、３Ｂ）、すなわち、金属層を実質的に溶解しないｐＨの範囲内で処理が行われた被処理部材は、いずれも、境界部の段差の高さ、および、露出部分の平均厚さが、レジスト層除去処理前とほぼ等しいものであった。このことから、本発明で処理が行われた被処理部材は、第１金属層の腐食が抑えられていることが明らかとなった。
これに対して、比較例（実験Ｎｏ．２Ａ、３Ａ、１Ｂ、２Ｂ）、すなわち、金属層を実質的に溶解しないｐＨの範囲外で処理が行われた被処理部材は、特に境界部の段差の高さが極端に大きくなり、第１金属層の腐食が生じていることが明らかとなった。
【０１００】
次に、実施例３〜５において処理が行われた各被処理部材について、それぞれ、金属層の平均厚さを段差計により測定した。
そして、これらの測定結果を、それぞれ、前述した露出部分の平均厚さの基準に従って評価した。
この結果を、表３〜５に示す。
【０１０１】
【表３】
2006005259.tif 000005
【０１０２】
【表４】
2006005259.tif 000006
【０１０３】
【表５】
2006005259.tif 000007
【０１０４】
表３〜５に示すように、本発明（実験Ｎｏ．１Ｃ、２Ｃ、３Ｄ、１Ｅ）で処理が行われた被処理部材は、いずれも、金属層の平均厚さが、レジスト層除去処理前とほぼ等しいものであった。このことから、本発明で処理が行われた被処理部材は、金属層の腐食が抑えられていることが明らかとなった。
これに対して、比較例（実験Ｎｏ．３Ｃ、１Ｄ、２Ｄ、２Ｅ、３Ｅ）で処理が行われた被処理部材は、金属層の平均厚さが、レジスト層除去処理前から減少しており、金属層の腐食が生じていることが明らかとなった。
【０１０５】
なお、積層体で構成される金属層と単層で構成される金属層とを、金属層が溶出する条件で処理した場合（例えば、実験Ｎｏ．２Ｂと実験Ｎｏ．２Ｄとを比較）には、局部電池作用により積層体で構成される金属層の卑金属がより激しく腐食される傾向を示した。
また、二次イオン質量分析法により、本発明および比較例で処理が行われた被処理部材の金属層の表面に存在する構成材料の分析を行った。その結果、本発明により処理が行われた被処理部材の金属層の表面には、いずれも処理液に溶解しない金属化合物の形成が認められた。これに対して、比較例により処理が行われた被処理部材の金属層の表面には、いずれも処理液に溶解しない金属化合物の形成が認められなかった。
また、実施例１〜５で用いた金属の他、各種金属について同様の実験を行ったが、各種金属が溶解しないｐＨと酸化還元電位との組み合わせの範囲内において、金属層の腐食は、認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の有機物除去方法により有機物の除去処理が施される被処理部材を示す縦断面図である。
【図２】タングステンの酸化還元電位とｐＨとの関係を示すグラフである。
【図３】アルミニウムの酸化還元電位とｐＨとの関係を示すグラフである。
【図４】銅の酸化還元電位とｐＨとの関係を示すグラフである。
【図５】クロムの酸化還元電位とｐＨとの関係を示すグラフである。
【図６】本発明の有機物除去方法により有機物の除去処理が施される被処理部材を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１……基材  １０……被処理部材  ２……金属層  ２１……第１金属層  ２２……第２金属層  ３……有機物
【図１】
2006005259.tif 000008
【図２】
2006005259.tif 000009
【図３】
2006005259.tif 000010
【図４】
2006005259.tif 000011
【図５】
2006005259.tif 000012
【図６】
2006005259.tif 000013