(57)【要約】【課題】  膜中の窒素の含有量を減らし、暗伝導度の低下を図ることができるアモルファスシリコン層の形成方法と、形成装置を提供する。【解決手段】  少なくとも一方の対向面に固体誘電体１４を設置している対向する電極１１，１２とウェハトレイ２との間に反応ガスＧ１を供給し、対向する電極に電源１７で電圧を印加しプラズマ励起して発生させたプラズマガスを基板１の表面に接触させ、プラズマガスと基板１との接触部の外周部をカーテンガスＧ２で覆いながらアモルファスシリコン層３を堆積させ、該カーテンガスの外周部を排気装置３０で排気する。カーテンガスは希ガスが好ましく、基板１に対して外側に向けて傾斜状態に吹出すことが好ましい。また、反応容器４０内にパージガスとして窒素ガスＧ３を供給し、窒素ガスと反応ガスとの供給量の差より多い供給量でカーテンガスを供給することが好ましい。【選択図】  図１
2006005007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧近傍の圧力下で反応ガスをプラズマ励起して発生させたプラズマガスを被処理物の表面に接触させて堆積させるアモルファスシリコン層の形成方法であって、
前記プラズマガスと被処理物との接触部の外周部をカーテンガスで覆いながらアモルファスシリコン層を形成し、該カーテンガスの外周部から排気することを特徴とするアモルファスシリコン層の形成方法。
【請求項２】
前記カーテンガスは希ガスであり、前記被処理物に対して外側に向けて傾斜状態に吹出すことを特徴とする請求項１に記載のアモルファスシリコン層の形成方法。
【請求項３】
前記アモルファスシリコン層は反応容器内で形成され、該反応容器内にパージガスとして窒素ガスを供給することを特徴とする請求項１または２に記載のアモルファスシリコン層の形成方法。
【請求項４】
前記カーテンガスは、パージガスである窒素ガス供給量から前記反応ガスの供給量を引いた量より多い供給量で供給することを特徴とする請求項３に記載のアモルファスシリコン層の形成方法。
【請求項５】
少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置してある対向する電極と、前記対向する電極間に反応ガスを供給するガス供給源と、前記対向する電極に電圧を印加する電源とを備え、前記対向する電極に電圧を印加して発生させたプラズマガスを被処理物の表面に接触させて堆積させるアモルファスシリコン層の形成装置であって、
前記電極の外周に設置してあり、カーテンガスを吹出して前記プラズマガスと被処理物との接触部を覆うガスカーテン装置と、該ガスカーテン装置の外周に設置した排気装置とを備えることを特徴とするアモルファスシリコン層の形成装置。
【請求項６】
前記装置は、少なくとも前記対向する電極と、ガスカーテン装置および排気装置を内蔵する反応容器を備えており、該反応容器内にパージガスとして窒素ガスを供給することを特徴とする請求項５に記載のアモルファスシリコン層の形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アモルファスシリコン層の形成方法と形成装置に関し、特に、シリコンウェハ等の基板上に大気圧近傍の圧力下でアモルファスシリコンを堆積して成膜する常圧プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン層の形成装置と形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコンは、低コスト太陽電池の主材料として有望視されている。常圧プラズマＣＶＤ法は、大面積の被処理物上にアモルファスシリコン層を堆積して成膜するための技術として注目されている。平行平板型の電極に交流電圧を印加してアモルファスシリコン層を堆積する技術としては、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅの内少なくとも一つからなるガスにより大量に希釈する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平２−２６７２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、前記構造のアモルファスシリコン層の形成方法は、常圧で形成されたアモルファスシリコン層の膜中の窒素の含有量が多くなるという問題点があった。膜中の窒素の含有量が多くなると、暗伝導度（暗所での導電率）が大きくなり、例えば液晶表示装置で使用する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）にアモルファスシリコン層を使用すると、光があたったときにＯＦＦ電流が小さくならず、液晶表示装置のコントラストを下げる原因の一つとなってしまう。
【０００４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、アモルファスシリコン層の膜中の窒素の含有量を減らし、暗伝導度の低下を図ることができるアモルファスシリコン層の形成方法を提供することにある。また、膜中の窒素の含有量を減らしたアモルファスシリコン層を常圧プラズマＣＶＤ法で効率良く形成できる装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成すべく、本発明に係るアモルファスシリコン層の形成方法は、大気圧近傍の圧力下で反応ガスをプラズマ励起して発生させたプラズマガスを被処理物の表面に接触させて堆積させるアモルファスシリコン層の形成方法であって、プラズマガスと被処理物との接触部の外周部をカーテンガスで覆いながらアモルファスシリコン層を形成し、該カーテンガスの外周部から排気することを特徴とする。
【０００６】
前記のごとく構成された本発明のアモルファスシリコン層の形成方法は、プラズマガスを被処理物である基板に接触させる接触部をカーテンガスで覆っているため、接触部への窒素の混入を防止することができ、成膜されたアモルファスシリコン層の窒素含有量を減らすことができる。これにより、アモルファスシリコン層の暗伝導度を低下させることができ、例えば高性能のＴＦＴの製造が可能となる。
【０００７】
また、本発明に係るアモルファスシリコン層の形成方法の好ましい具体的な態様としては、前記カーテンガスは希ガスであり、被処理物に対して外側に向けて傾斜状態に吹出すことを特徴としている。この構成によれば、カーテンガスとしてアルゴンガス等の希ガスを使用でき、カーテンガスを基板の外側に向けて吹出させるため、内側のプラズマガスと基板との接触部への雰囲気ガス中の窒素等の進入を防止して接触部を確実に覆うことができ、雰囲気ガスの影響を少なくすることができ、成膜されたアモルファスシリコン層の膜
中の窒素の含有量を減らすことができる。
【０００８】
さらに、本発明に係るアモルファスシリコン層の形成方法の好ましい具体的な他の態様としては、前記アモルファスシリコン層は反応容器内で形成され、該反応容器内にパージガスとして窒素ガスを供給することを特徴としている。そして、前記カーテンガスは、パージガスである窒素ガス供給量から前記反応ガスの供給量を引いた量より多い供給量で供給することが好ましい。このように構成すると、反応容器内に供給される窒素ガスと反応ガスとの差よりカーテンガスを多く供給して、接触部への窒素ガスの進入を妨げ、大気圧近傍下での化学気相成長（ＣＶＤ）法による堆積が安定して行われ、窒素の含有量を減らしてアモルファスシリコン層の暗伝導度を低下させることができる。
【０００９】
本発明に係るアモルファスシリコン層の形成装置は、少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置してある対向する電極と、前記対向する電極間に反応ガスを供給するガス供給源と、前記対向する電極に電圧を印加する電源とを備え、前記対向する電極に電圧を印加して発生させたプラズマガスを被処理物の表面に接触させて堆積させるアモルファスシリコン層の形成装置であって、前記電極の外周に設置してあり、カーテンガスを吹出して前記プラズマガスと被処理物との接触部を覆うガスカーテン装置と、該ガスカーテン装置の外側に設置した排気装置とを備えることを特徴としている。また、前記装置は、少なくとも前記対向する電極と、ガスカーテン装置および排気装置を内蔵する反応容器を備えており、該反応容器内にパージガスとして窒素ガスを供給することが好ましい。
【００１０】
前記のように構成されたアモルファスシリコン層の形成装置は、大気圧近傍下での常圧プラズマＣＶＤ法により、窒素含有量の少ないアモルファスシリコン層を形成することができる。また、反応容器内にパージガスとして窒素ガスを供給することで、暗伝導度を低下させた品質の安定したアモルファスシリコン層を効率良く形成することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、アモルファスシリコン層中の窒素含有量を減らすことができる。これにより、成膜されたアモルファスシリコン層の暗伝導度を低下させることができ、液晶表示装置等で使用するＴＦＴで用いると、光が照射されたときでもオフ電流が安定した動作が可能となり、動作特性が安定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明に係るアモルファスシリコン層の形成装置の一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施形態に係るアモルファスシリコン層を形成するプラズマＣＶＤ装置の要部構成図、図２は、図１の処理ヘッド部分の平面図である。
【００１３】
図１，２において、本実施形態のアモルファスシリコン層の形成装置Ｍは、例えば、被処理物である基板１に直接プラズマガスを接触させるダイレクトプラズマＣＶＤ装置であり、例えば基板１を置くための凹部を有する第１の電極部を兼ねるウェハトレイ（基板設置部）２と、基板1の表面にプラズマガスを接触させアモルファスシリコン層３を堆積さ
せる処理ヘッド１０とを備えており、処理ヘッド１０は基板上に所定の距離を有して配置されている。処理ヘッド１０の内部には第２の電極部として２つの平行平板型の電極１１，１２が所定の間隙で対向した状態で設置されている。
【００１４】
ウェハトレイ２と処理ヘッド１０とは相対的に移動するように構成され、本実施形態では処理ヘッド１０が固定され、ウェハトレイ２が搬送機構１５により移動されるように構成されている。そして、電極１１，１２の長手方向と搬送機構１５による基板１の搬送方向Ａとが直交するように設定されている。ウェハトレイ２と電極１１，１２とにより、対向する電極が構成され、両者の対向面すなわち、ウェハトレイ２の上面と電極１１，１２
の下面との間隙が放電空間Ｐとなる。
【００１５】
搬送機構１５は、例えば機械的な直動機構や、エアーシリンダ、油圧シリンダ等によりウェハトレイ２を移動させて基板１等の被処理物を処理ヘッド１０の下方に搬送するものであり、一定の搬送速度で基板１を搬送することによりアモルファスシリコン層等の薄膜の形成を均一に行うことができる。搬送機構１５は被処理物を搬送する構成であるが、被処理物を固定しておきプラズマガスを接触させる処理ヘッド１０を搬送するように構成することもできる。搬送機構は前記の構成の他に、ベルトコンベアや、複数のローラで被処理物を搬送するローラコンベア等の他の搬送機構で構成してもよい。
【００１６】
電極１１，１２の中心間隙１３には、反応ガス供給源１６から反応ガスＧ１が供給される。供給された反応ガスは基板１に突き当たり２方向に分流され、放電空間Ｐに進入する。放電空間では進入した反応ガスをプラズマ励起させるべく、第１の電極部であるウェハトレイ２と、第２の電極部を構成する電極１１，１２間に、例えばパルス状の電圧を印加する電源１７が接続されている。ウェハトレイ２は接地電極として機能し、電極１１，１２は印加電極として機能する。
【００１７】
処理ヘッド１０の内部に設置された対向する２つの電極１１，１２は長尺状あるいは長棒状をしており、シリコン基板２の搬送方向Ａに直交する方向に沿って平行に配列されている。２つの電極は所定の幅を有する中心間隙１３を介して対向している。中心間隙１３の幅は１〜３ｍｍ程度が好ましく、この中心間隙が長手方向に沿ってガス流れを一定化させるガス導入路を形成している。各電極１１，１２は、例えば鉄や銅、アルミニウム、チタン等の金属単体、ステンレス、黄銅等の合金、金属間化合物等から構成される。
【００１８】
印加電極である電極１１，１２と、接地電極であるウェハトレイ２との間で安定したグロー放電をさせるために、対向する電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置している。固体誘電体としてはセラミックスや樹脂等の板状物、シート状物、フィルム状のものを用いて電極の外周面を被覆してもよい。本実施形態では、電極１１，１２は固体誘電体からなるケース内に収容され、ケースの下面１４が、電極対向面、具体的には電極１１，１２の下面を覆う固体誘電体となる。また、詳細には図示していないが、少なくとも電極の中心間隙側の角部はアーク放電を防止するためにアール加工することが好ましい。
【００１９】
電極１１，１２は少なくとも電極対向面が固体誘電体として、アルミナ等のコーティング層（図示せず）で被覆してもよく、コーティング層の厚さは０．０１〜４ｍｍ程度が好ましい。固体誘電体として、アルミナの他に、例えばポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックや、ガラス、二酸化珪素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物や、これらを複層化したもの等、種々のものを用いることができる。
【００２０】
したがって、電源１７から電圧を印加すると、電極１１，１２の下面とウェハトレイ２の上面との間が放電空間Ｐとなり、供給された反応ガスＧ１がプラズマ励起される構成となっている。反応ガスＧ１としては、例えばシラン系の原料ガス（ＳｉＨ４あるいはＳｉ２Ｈ６）と水素ガスとの混合ガスが用いられる。電極１１，１２の下面の固体誘電体１４とウェハトレイ２の上面との間の距離（ＷＤ：ワーキングディスタンス）は、通常数ｍｍ程度であり、搬送機構による安定的な被処理物の搬送のため１ｍｍ以上が好ましく、均一なグロー放電が発生しやすい３ｍｍ以下が好ましい。
【００２１】
本発明のアモルファスシリコンの形成装置Ｍは、プラズマガスを発生させる電極１１，１２の外周にガスカーテン装置２０を備えると共に、さらにその外周に排気装置３０を備えていることを特徴としている。ガスカーテン装置２０はカーテンガス供給源２１から供
給されるアルゴンガス等の希ガスをカーテンガスＧ２として基板１に向けて吹出すことで、電極１１，１２と対向するウェハトレイ２との間で発生させたプラズマガスを被処理物である基板１の表面に吹付けて接触させアモルファスシリコン層３を堆積させる接触部（放電空間Ｐ）を覆う構成となっている。
【００２２】
すなわち、カーテンガスＧ２を通過させる通路部２２は、図２のように平面視で電極１１，１２の外周を水平方向に巻回する形状をしており、カーテンガスは電極１１，１２の外周部から吹出し口２３を通して周回して吹出される。この構成により、プラズマガスと基板１との接触部はカーテンガスＧ２で周囲から仕切られた状態となり、雰囲気ガスの影響を受けないように構成される。また、通路部２２から下方に延出する吹出し口２３は、中央の電極から見て外側に向けて下方に傾斜した形状であり、カーテンガスＧ２を外側に向けて吹出す形状をしている。吹出し口２３はスリット状に形成され、周回していることが好ましい。
【００２３】
ガスカーテン装置２０から吹出されるカーテンガスＧ２としては、希ガスを用いることが好ましい。希ガスとしてはアルゴンガスが最適であるが、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の不活性ガスや、乾燥空気等を用いることもできる。
【００２４】
排気装置３０はガスカーテン装置２０の外周を水平方向に取り囲む形状のダクト３１を備えており、基板１と対向する下面に吸込み口３２が形成されている。吸込み口３２はスリット状に連続することが好ましく、これによりガスカーテン装置２０から外周側に向けて吹出されたカーテンガスＧ２は吸込み口３２から排気ポンプ３３で吸引されて排出される構成となっている。排気装置３０で吸込まれた処理済みの反応ガス、カーテンガス等は、図示していない処理装置で処理される。
【００２５】
ウェハトレイ２の搬送方向Ａと直交する方向の幅Ｗは、排気装置３０の吸込み口３２の同方向の幅とほぼ等しく、あるいは大きく形成されることが好ましい。このようにウェハトレイ２の幅Ｗを設定することで、吹出されたカーテンガスＧ２はウェハトレイ２の表面で突き当たり、外側方向に表面を流れて排気装置３０の吸込み口３２から吸込まれる。この結果、電極１１，１２と基板１との間のプラズマガスの接触部を確実に覆うことができ、雰囲気ガスの接触部への進入を防止することができる。
【００２６】
本実施形態の形成装置Ｍは、装置の主要部が反応容器４０内に設置され、アモルファスシリコン層３は反応容器４０内で基板１上に形成される。反応容器４０内には、少なくとも対向する電極として電極１１，１２及びウェハトレイ２と、ガスカーテン装置２０および排気装置３０が設置されると共に、搬送機構１５および電源１７も内蔵されている。反応容器４０内は減圧状態とする必要はなく、大気圧近傍下の状態でパージガスＧ３が導入されている。反応容器４０はパージガスを導入する導入口４１と、排出する排出口４２とを備えており、導入口４１はパージガス供給源４５と接続されている。パージガスＧ３としては窒素ガスが好ましいが、単なる乾燥空気等でもよい。
【００２７】
このアモルファスシリコン層の形成装置Ｍは、大気圧近傍の圧力下でプラズマＣＶＤ法により処理が行われる。大気圧近傍の圧力とは、１００〜８００Ｔｏｒｒ（約１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａ）の圧力であり、実際には圧力調整が容易で、かつ放電プラズマ処理に使用される装置が簡便となる、７００〜７８０Ｔｏｒｒ（約９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａ）の圧力が好ましい。また、アモルファスシリコン層３が形成される基板１の表面は加熱されていても、冷却されていてもよく、室温に保たれていてもよい。基板１の温度は、基板へのダメージ、成膜速度、カバレージ性、膜厚等を考慮して適宜設定すればよい。
【００２８】
処理ヘッド１０内の２つの電極１１，１２にパルス状の電圧を印加する電源１７は、一方の電極１１，１２にパルス状電圧を印加し、対向する他方の電極であるウェハトレイ２を接地して電極間に放電を立たせるものである。パルス状の電圧は、例えば立上り時間及び立下り時間が１０μｓ以下、パルス継続時間は２００μｓ以下で、電界強度が１〜１０００ｋＶ／ｃｍ、周波数は０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。
【００２９】
なお、電極１１，１２に印加される電圧はパルス状電圧に限らず、連続波の電圧でもよい。パルス状の電圧波形は、インパルス型の他に、方形波型、変調型、あるいは前記の波形を組み合わせた波形等の適宜の波形を用いることができる。また、電圧波形は、電圧印加が正負の繰り返しであるものの他に、正又は負のいずれかの極性側に電圧を印加する、いわゆる片波状の波形を用いてもよい。また、バイポーラ型の波形を用いてもよい。もちろん、一般的なサイン波である交流波形を用いてもよい。
【００３０】
前記の如く構成された本実施形態のアモルファスシリコン層の形成装置Ｍによるアモルファスシリコン層の形成動作について以下に説明する。ウェハトレイ２の凹部に基板１を装着し、パージガス供給源４５からパージガスＧ３として窒素ガスを反応容器４０内に導入する。所定の流量で反応容器４０内に導入された窒素ガスは、反応容器内を充満したあと排出口４２から排出される。ガスカーテン装置２０を作動させ、カーテンガス供給源２１からアルゴンガス等のカーテンガスＧ２を供給し、通路部２２を通して吹出し口２３から吹出させる。また、排気装置３０を作動させ、吹出されたカーテンガスＧ２を吸込み口３２から吸込んで排気する。
【００３１】
処理ヘッド１０の電極１１，１２と、ウェハトレイ２との間にパルス状の高周波電圧を電源１７から印加する。これにより、対向する電極１１，１２と基板１との間隙でグロー放電させて放電空間Ｐを形成し、この放電空間に反応ガス供給源１６から反応ガスＧ１を供給してプラズマガスとし、基板１の表面に吹付けて接触させる。プラズマガスと基板１との接触部（放電空間Ｐ）で、基板１の表面にはアモルファスシリコン層３が堆積され形成される。このようにガスカーテン装置２０と排気装置３０を作動させることにより、プラズマガスと基板１との接触部が周辺の雰囲気ガスと遮断されるため、基板１上に形成されるアモルファスシリコン層３に窒素が触れることが少なくなり、膜中の窒素含有量を減らすことが可能となる。処理済みの反応ガスは排気装置３０の吸込み口３２から吸込まれ排気される。
【００３２】
また、カーテンガスＧ２は基板１の表面に対して外側に向けて傾斜状態に吹出し、吹出されたカーテンガスは基板１の表面に傾斜して吹付けられて外周側に向けて基板の表面を這うように移動する。そして、さらに外周側に配置された排気装置３０で吸込まれて排気されるため、カーテンガスＧ２や反応容器４０内の窒素ガスＧ３がアモルファスシリコン層３を堆積させる内周側に進入することがなくなり、確実に排気装置３０により吸込まれる。このように、雰囲気ガスである窒素ガスＧ３がプラズマガスと基板１との接触部に進入することを確実に防止できるため、形成されるアモルファスシリコン層の膜中の窒素含有量を確実に低下できる。
【００３３】
反応ガス供給源１６から供給される反応ガスＧ１はＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとの混合ガスであり、反応容器４０内にはパージガスとして窒素ガスＧ３が導入され、カーテンガスＧ２としてアルゴンガスが供給されている。そして、アルゴンガスの供給量は窒素ガスの供給量から反応ガスであるＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとの混合ガスの供給量を引いた量より大きくなるように設定されている。すなわち、次の（１）の関係式が成り立つようにアルゴンガスの供給量が設定されている。
Ａｒ＞Ｎ２−（ＳｉＨ４＋Ｈ２）＞０      （１）
【００３４】
アルゴンガスＧ２の供給量を前記（１）式のように、パージガスＧ３と反応ガスＧ１との差より大きく設定することで、窒素ガスＧ３が反応部であるプラズマガスと基板１との接触部（放電空間Ｐ）に進入することが確実に防止され、基板１上に堆積されるアモルファスシリコン層３に窒素が混入することが、より確実に防止される。この結果、アモルファスシリコン層の膜中の窒素含有量をさらに低下させることができる。
【実施例】
【００３５】
被処理物である基板１を素ガラスとし、基板の温度を２００℃に設定した。反応容器４０内の圧力を７０ｋＰａに設定し、基板１と電極１１，１２間の距離ＷＤ（ワーキングディスタンス）を１．０ｍｍに設定した。電源１７からの印加電圧は、周波数３０ｋＨｚ、Ｖｐｐ１０ｋＶとした。カーテンガスとして、アルゴンガスを６０００ｓｃｃｍ供給し、パージガスとして窒素ガスを１００００ｓｃｃｍ供給した。反応ガスは、ＳｉＨ４ガスを１００ｓｃｃｍ、Ｈ２ガスを６０００ｓｃｃｍ供給し、アモルファスシリコン層を形成した。すなわち、前記（１）式が成り立つように反応ガス、アルゴンガス（カーテンガス）および窒素ガス（パージガス）が供給されている。なお、供給された全てのガスは、排気装置３０で排気した。このアモルファスシリコン層の暗伝導度（暗所で測定した導電率）を測定したところ、５．２×１０１０（Ｓ／ｃｍ）であった。
【００３６】
（比較例）
実施例と同様な装置構成において、カーテンガスであるアルゴンガスを供給せず、反応ガスおよび窒素ガスを実施例と同じ流量で供給し、アモルファスシリコン層を形成した。このアモルファスシリコン層の暗伝導度を測定したところ、１．８×１０９（Ｓ／ｃｍ）であった。すなわち、実施例では、プラズマガスと基板との接触部をカーテンガスで覆い、その外周部を排気することにより、形成されたアモルファスシリコン層の暗伝導度は比較例の暗伝導度と比較して１／３以下とすることができた。
【００３７】
以上、本発明の一実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、前記の実施形態では、基板を一方の電極上に載置して処理を行うダイレクト方式の例を示したが、対向する電極間に反応ガスを通してプラズマガスを発生させ、基板の表面に吹付けてアモルファスシリコン層を堆積させるリモート方式にも適用できる。
【００３８】
反応ガスとして、前記したものの他に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等の原料ガスを用いることができる。ウェハトレイ２の凹部に基板１を載置して装着する例を示したが、減圧装置を用いて基板を吸着するように構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係るアモルファスシリコン層の形成装置の一実施形態を示す要部構成図。
【図２】図１の処理ヘッド部分の平面図。
【符号の説明】
【００４０】
１：基板（被処理物）、２：ウェハトレイ（接地電極）、３：アモルファスシリコン層、１０：処理ヘッド、１１，１２：電極（印加電極）、１４：固体誘電体、１５：搬送機構、１６：反応ガス供給源、１７：電源、２０：ガスカーテン装置、２１：カーテンガス供給源、２３：吹出し口、３０：排気装置、３１：ダクト、３２：吸込み口、４０：反応容器、４５：パージガス供給源、Ｍ：アモルファスシリコン層の形成装置（プラズマＣＶＤ装置）、Ｇ１：反応ガス、Ｇ２：アルゴンガス（カーテンガス）、Ｇ３：窒素ガス（パージガス）、Ｐ：放電空間（接触部）
【図１】
2006005007.tif 000003
【図２】
2006005007.tif 000004