(57)【要約】【課題】  第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができるＥＢ描画装置を提供すること。【解決手段】  ＥＢ描画装置は、ＥＢを成形するための第１アパーチャを含む第１成形アパーチャマスク、第１アパーチャにより成形され、第１アパーチャの像を含むＥＢを偏向する偏向手段、偏向されたＥＢを成形する第２成形アパーチマスク、第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に結像する投影レンズ、第２成形アパーチャマスクに設けられ、偏向されたＥＢにより走査され、第２成形アパーチャマスク上に結像される第１アパーチャの像の偏向焦点、偏向非点を検査する検査用マーク、検査用マークを走査したＥＢの強度プロファイルを検出する検出手段、強度プロファイルに基づいて偏向焦点量、偏向非点量を算出する算出手段、偏向焦点量、偏向非点量に基づいて、偏向焦点、偏向非点の補正を行うための補正手段を備えている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電ビームを放射する荷電ビーム源と、
前記荷電ビームを成形するための第１アパーチャを含む第１成形アパーチャマスクと、
前記第１アパーチャにより成形され、前記第１アパーチャの像を含む前記荷電ビームを偏向するための偏向手段と、
前記偏向手段により偏向された前記荷電ビームを成形するための第２アパーチャを含む第２成形アパーチマスクと、
前記偏向手段と前記第２成形アパーチャマスクとの間に設けられ、前記第１アパーチャの像を前記第２成形アパーチャマスク上に結像するための焦点位置が可変の投影レンズと、
前記第２成形アパーチャマスクに設けられ、前記偏向手段により偏向された前記荷電ビームにより走査される検査用マークであって、前記第２成形アパーチャマスク上に結像された前記第１アパーチャの像の焦点および非点を検査するための検査用マークと、
前記検査用マークを走査した前記荷電ビームの強度プロファイルを検出するための検出手段と、
前記強度プロファイルに基づいて、前記第１アパーチャの像の焦点量および非点量を算出する算出手段と、
前記焦点量および前記非点量に基づいて、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の焦点および非点の補正を行うための補正手段と
を具備してなることを特徴とする荷電ビーム描画装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記焦点量に基づいて前記投影レンズの焦点位置を制御するための焦点位置手段と、前記投影レンズの周囲に設けられ、前記非点量に基づいて前記第１アパーチャにより成形された前記荷電ビームの非点収差を補正するための非点補正手段とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項３】
前記検査用マークは、前記第２成形アパーチャ上に設けられ、格子状に配置された複数の部材、または、前記第２成形アパーチャ内に開口され、格子状に配置された複数の開口部であり、前記検査用マークを走査した前記荷電ビームの強度プロファイルは、前記検査用マークが前記複数の部材の場合には、前記複数の部材で反射した荷電ビームの強度プロファイル、前記検査用マークが前記複数の開口部の場合には、前記開口部を通過した荷電ビームの強度プロファイルであることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項４】
前記第２成形アパーチャマスクに、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の成型偏向位置歪みを検査するための検査用マークがさらに設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項５】
第１アパーチャを含む第１成形アパーチャマスク上に荷電ビームを照射する工程と、
前記第１アパーチャを通過し、前記第１アパーチャの像を含む荷電ビームを偏向させることによって、前記荷電ビームにより検査用マークを走査する工程であって、前記検査用マークが、前記偏向された前記荷電ビームを成形するための第２アパーチャを含む第２成形アパーチャマスクに設けられ、かつ、前記検査用マークが、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の偏向焦点および偏向非点を検査するためのものである工程と、
前記検査用マークを走査した前記荷電ビームの強度プロファイルを検出する工程と、
前記強度プロファイルに基づいて、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の偏向焦点量および偏向非点量を算出する工程と、
前記偏向焦点量および前記偏向非点量に基づいて、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の偏向焦点および偏向非点の補正を行う工程と
を有することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項６】
前記第２成形アパーチャマスクに、前記第１アパーチャの像の成型偏向位置歪みを検査するための検査用マークを設け、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の成型偏向位置歪みの補正を行う工程をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の荷電ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体プロセスで使用される荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセス中のリソグラフィプロセスの一つとして、電子ビームリソグラフィプロセスがある。電子ビームリソグラフィプロセスは、微細化という観点からは、光リソグラフィプロセスよりも有利である。
【０００３】
電子ビームリソグラフィプロセスで使用される描画装置（EB描画装置）は、電子ビームを放射する電子銃と、電子銃から放射された電子ビームを成形するための第１アパーチャを含む第１整形アパーチャマスクと、第１アパーチャにより成形され、第１アパーチャの像（第１成形アパーチャ像）を含む電子ビームを偏向するための成形偏向器と、成形偏向器により偏向された電子ビームを成形するための第２アパーチャを含む第２成形アパーチマスクと、成形偏向器と第２成形アパーチャマスクとの間に設けられ、第１成形アパーチャ像を第２成形アパーチャマスク上に結像するための焦点位置が可変の投影レンズと、第２アパーチャにより成形された電子ビームを偏向させ、試料上の所望の位置に第２アパーチャにより成形された電子ビーム（ビームパターン）を照射するための対物偏向器とを備えている。
【０００４】
ここで、第１成形アパーチャ像が第２整形アパーチャマスク上に精度良く結像されていないと、描画精度（試料上に描画されるビームパターンの寸法精度や位置精度など）が低下する。
【０００５】
従来、第２整形アパーチャマスク上に結像される第１成形アパーチャ像の精度は、ＥＢ描画装置の電子光学設計および機械設計製作の精度で決められている。そのため、従来のＥＢ描画装置は、電子光学計算誤差、機械製作誤差および機械組み立て誤差によって、第１成形アパーチャ像が第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像されていない可能性がある。
【０００６】
従来のＥＢ描画装置は、第２成形アパーチャマスク上に結合される第１成形アパーチャ像の焦点非点合わせを行う機構を備えていない。そのため、上記電子光学計算等の誤差などが原因で焦点非点合わせ精度が低下している場合、描画精度の低下は避けられない。
【０００７】
なお、第２成形アパーチャマスク上にマークを設け、光学顕微鏡を用いて第２アパーチャ用ステージ上の第２成形アパーチャマスクの位置合わせを行うEB描画装置（特許文献１）が知られているが、これは第２成形アパーチャマスク上に結合される第１成形アパーチャ像の焦点非点合わせを行うものではない。
【特許文献１】特開平９−１３９３３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、第１成形アパーチャマスク中の第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができる荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１０】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る荷電ビーム描画装置は、荷電ビームを放射する荷電ビーム源と、前記荷電ビームを成形するための第１アパーチャを含む第１成形アパーチャマスクと、前記第１アパーチャにより成形され、前記第１アパーチャの像を含む前記荷電ビームを偏向するための偏向手段と、前記偏向手段により偏向された前記荷電ビームを成形するための第２アパーチャを含む第２成形アパーチマスクと、前記偏向手段と前記第２成形アパーチャマスクとの間に設けられ、前記第１アパーチャの像を前記第２成形アパーチャマスク上に結像するための焦点位置が可変の投影レンズと、前記第２成形アパーチャマスクに設けられ、前記偏向手段により偏向された前記荷電ビームにより走査される検査用マークであって、前記第２成形アパーチャマスク上に結像された前記第１アパーチャの像の焦点および非点を検査するための検査用マークと、前記検査用マークを走査した前記荷電ビームの強度プロファイルを検出するための検出手段と、前記強度プロファイルに基づいて、前記第１アパーチャの像の焦点量および非点量を算出する算出手段と、前記焦点量および前記非点量に基づいて、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の焦点および非点の補正を行うための補正手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る荷電ビーム描画方法は、第１アパーチャを含む第１成形アパーチャマスク上に荷電ビームを照射する工程と、前記第１アパーチャを通過し、前記第１アパーチャの像を含む荷電ビームを偏向させることによって、前記荷電ビームにより検査用マークを走査する工程であって、前記検査用マークが、前記偏向された前記荷電ビームを成形するための第２アパーチャを含む第２成形アパーチャマスクに設けられ、かつ、前記検査用マークが、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の焦点および非点を検査するためのものである工程と、前記検査用マークを走査した前記荷電ビームの強度プロファイルを検出する工程と、前記強度プロファイルに基づいて、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の焦点量および非点量を算出する工程と、前記焦点量および前記非点量に基づいて、前記第２成形アパーチャマスク上に結合される前記第１アパーチャの像の焦点および非点の補正を行う工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、第２成形アパーチャマスクに、第１アパーチャの像の焦点および非点を検査するための検査用マークが設けられているので、該検査用マークを利用することによって、第２成形アパーチャ上における第１成形アパーチャ像の焦点非点合わせの補正を行うことが可能となり、これにより、第１成形アパーチャマスク中の第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができるようになる。
【００１３】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１成形アパーチャマスク中の第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができる荷電ビーム描画装置および荷電ビーム描画方法を実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１６】
図１および図２は、本発明の一実施形態に係るＥＢ描画装置の概略構成を示す模式図である。図１はＥＢ描画装置の基本構成を中心に示した模式図であり、図２は第２成形アパーチャ上に結合される第１成形アパーチャ像の焦点・非点・位置歪みの補正機構を中心に示した模式図である。
【００１７】
本実施形態のＥＢ描画装置は、大きく分けて、電子ビームを放射する電子銃１と、電子ビームを成形するための第１成形アパーチャ３を含む第１成形アパーチャマスク２と、第１成形アパーチャ３により成形され、第１成形アパーチャ３の像を含む電子ビームを偏向するための成形偏向器４と、成形偏向器４により偏向された電子ビームを成形するための第２成型アパーチャ９を含む第２成形アパーチマスク８と、成形偏向器４と第２成形アパーチャマスク８との間に設けられ、第１成形アパーチャ３の像を第２成形アパーチャマスク８上に結像するための焦点位置が可変の投影レンズ５と、第２成形アパーチャマスク８に設けられ、成形偏向器４により偏向された荷電ビームにより走査される、第２成形アパーチャマスク８上に結像される第１成形アパーチャ３の像（第１成型アパーチャ像）１３の偏向焦点および偏向非点を検査するための検査用マーク１０と、検査用マーク１０を走査した電子ビームの強度プロファイルを検出するための検出器７と、上記強度プロファイルに基づいて、第１成型アパーチャ像１３の偏向焦点量および偏向非点量を算出するための算出機構を含む主制御器２８と、上記偏向焦点量および上記偏向非点量に基づいて、第１成型アパーチャ像１３の偏向焦点および偏向非点の補正を行うためのアンプおよび電源１９，２０，２２とを備えている。
【００１８】
以下、本実施形態のＥＢ描画装置についてさらに説明する。
【００１９】
電子銃１から出射した電子ビームは、第１成形アパーチャマスク２上に照明される。第１成形アパーチャマスク２上に照明された電子ビームは、第１成形アパーチャマスク２内の第１成形アパーチャ３を通過することで成形される。
【００２０】
第１成形アパーチャ３を通過した電子ビームは、成形偏向器４で偏向されて第２成形アパーチャマスク８上に照射される。第２成形アパーチャマスク８上に照明された電子ビームは、第２成形アパーチャマスク８内の第２成形アパーチャ９を通過することで、所定のビーム寸法へ成形される。一方、第１成形アパーチャ３を通過した電子ビーム（成形ビーム）の第１成形アパーチャ像は、投影レンズ５により第２成形アパーチャマスク８上に結像される。
【００２１】
第２整形アパーチャ９を通過した電子ビーム（EBパターン）は、対物偏向器２９で偏向されてステージ３０上に載置された試料３１上の所望の位置に照射される。
【００２２】
次に、第１成形アパーチャ像１３を第２成形アパーチャマスク８上へ精度良く結像させるための投影レンズ５の励磁量を決定する方法（第１成形アパーチャ像１３の偏向焦点の補正方法）について述べる。
【００２３】
第２成形アパーチャマスク８上には、第１成形アパーチャ像１３の寸法よりも十分に小さい寸法を有し、格子状に配置された複数の部材を含む検査用マーク１０が設けられている。上記部材の形状は図では点状であるが他の形状でも構わない。また、上記部材（検査用マーク１０）の材料は、第２成形アパーチャマスク８の材料がシリコンの場合、シリコンよりも十分に電子ビームの反射率が高いタングステンや金などの重金属が使用される。以下、誤解がない場合には上記複数の部材を検査用マーク１０という。
【００２４】
検査用マーク１０が光軸３２上にない場合、図２に示す第２成形アパーチャスライド装置１７を用いて、検査用マーク１０が光軸３２上にあるように第２成形アパーチャマスク８を移動させる。
【００２５】
成形偏向器４あるいは電磁コイル１５を用いて、検査用マーク１０上を第１成型アパーチャ９を通過した電子ビーム（第１成形アパーチャ像）で走査し、検査用マーク１０で反射した電子（反射電子）を検出器７で検出する。成形偏向器４あるいは電磁コイル１５）による電子ビームの偏向量は、成形偏向アンプ１９あるいは偏向コイル電源２１と、主制御器２８とによって制御される。検出器７は検出した電子の数に対応した信号（検出信号）を出力する。
【００２６】
上記検出信号は、図２に示す検出信号増幅器１８により増幅された後、検出信号記憶器２３内に記憶される。
【００２７】
主制御器２８は、検出信号記憶器２３内に記憶された上記検出信号に対応したデータに基づいて上記検出信号を解析して、電子ビームの分解能（ビーム分解能）などを求める。ビーム分解能は、例えば、電子ビーム強度の最大値（ピーク値）の９０％から１０％に下がるまでのビーム幅で定義される。
【００２８】
主制御器２８で求められたビーム分解能などは、投影レンズ５の励磁量にフィードバックされる。例えば、ビーム分解能が最も良くなる励磁量（投影レンズ５の焦点位置）、つまり焦点が合う励磁量（焦点量）が設定され、焦点の補正が行われる。上記励磁量は、例えば、主制御器２８により制御される投影レンズ電源２７内に設けられた励磁量調整機構によって設定される。上記励磁量調整機構は、投影レンズ電源２７から独立していても構わない。上記焦点の補正は周知の方法（例えば特許第２８３５０９７号公報）により行われる。
【００２９】
上記焦点の補正により第１成形アパーチャ像の焦点が第２成形アパーチャマスク８上に合い、第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク８上に精度良く結像することができ、もって、高精度のパターン描画が可能となる。
【００３０】
次に、第１成形アパーチャ像を第２成形アパーチャマスク８上へ結像する際に発生する光軸３２上の非点（軸上非点）の補正方法について述べる。
【００３１】
まず、前述したように検査用マーク１０が光軸３２上にない場合には、第２成形アパーチャマスク８を図２に示した第２成形アパーチャスライド装置１７などを利用して移動させ、検査用マーク１０を光軸３２上へ移動させる。
【００３２】
次に、上記焦点合わせと同様にして、検査用マーク１０上を第２成型アパーチャ９を通過した電子ビーム（第１成形アパーチャ像）で走査し、検査用マーク１０からの反射電子を検出器７で検出し、検出信号を検出信号増幅器１８で増幅し、増幅した検出信号を検出信号記憶器２３内に記憶させる。
【００３３】
主制御器２８は、検出信号記憶器２３内に記憶された上記検出信号に対応したデータに基づいて上記検出信号を解析して、軸上非点量を求める。該軸上非点量は非点補正コイル１６にフィードバックされ、軸上非点の補正が行われる。非点補正コイル１６は、投影レンズ５の周囲に設けられている。上記軸上非点の補正は周知の方法（例えば特許第２８３５０９７号公報）によって行われる。
【００３４】
本実施形態では、上記軸上非点の補正は、軸上非点補正演算回路２５、非点補正コイル電源２０および非点補正コイル１６によって行われる。
【００３５】
すなわち、軸上非点補正演算回路２５が主制御器２８で求められた軸上非点量に対応した電圧を算出し、非点補正コイル電源２０が軸上非点補正演算回路２５で算出された電圧を非点補正コイル１６に印加することにより、軸上非点の補正が行われる。これにより、第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク８上に精度良く結像することができ、もって、高精度のパターン描画が可能となる。
【００３６】
次に、第１成形アパーチャ像１３の偏向非点の補正について述べる。
【００３７】
まず、成形偏向器４を用いて、検査用マーク１０上を第２成型アパーチャ９を通過した電子ビーム（第１成形アパーチャ像）で走査し、続いて、上記焦点合わせと同様にして、検査用マーク１０で反射した電子（反射電子）を検出器７で検出し、検出信号を検出信号増幅器１８で増幅し、増幅した検出信号を検出信号記憶器２３内に記憶させる。
【００３８】
主制御器２８は、検出信号記憶器２３内に記憶された上記検出信号に対応したデータに基づいて上記検出信号を解析して、第２成形アパーチャマスク８の面内における電子ビームの強度のプロファイル（ビームプロファイル）を算出する。
【００３９】
上記ビームプロファイルは、第２成形アパーチャマスク８の面内の位置を特定するためのＸ−Ｙ座標と、該Ｘ−Ｙ座標上における電子ビームの強度とで規定される。また、ビームプロファイルの算出は、主制御器２８から独立した機構によって行っても構わない。
【００４０】
次に、第２成形アパーチャマスク８を移動させずに各検査用マーク１０（格子状に配置された複数の部材）の位置における非点補正量を求める。
【００４１】
次に、主制御器２８は、各検査用マーク１０における成形偏向量と非点補正量との関係に基づいて、成形偏向量を変数とする成形偏向非点補正量の関数を算出する。該関数の算出は、主制御器２８から独立した機構によって行っても構わない。
【００４２】
そして、上記関数に基づいて、偏向非点補正演算回路２６が成形偏向量に対応した非点補正に係る補正データを算出し、非点補正偏向アンプ２２が該補正データに対応した電圧を非点補正偏向器６に印加することにより、上記偏向非点（成形ビームの非点収差）の補正が周知の方法（例えば特開２０００−７７２９１号公報）により行われる。
【００４３】
次に、成形偏向位置歪みの補正について述べる。この補正では、格子線マーク（複数の格子点）を含む検査用マーク１２が用いられる。検査用マーク１２は、検査用マーク１０と同様に、第２成形アパーチャマスク８上に設けられている。また、検査用マーク１２の材料は検査用マーク１０の材料と同じである。図では、検査用マーク１２は、検査用マーク１０の外側に設けられているが、検査用マーク１０内に混在していても構わない。
【００４４】
まず、検査用マーク１２内の各格子の交差点の位置が高精度に予め測定される。
【００４５】
検査用マーク１２が光軸３２上にない場合、第２成形アパーチャスライド装置１７などを用いて、検査用マーク１２が光軸３２上にあるように第２成形アパーチャマスク８を移動させる。
【００４６】
次に、成形偏向器４を用いて、検査用マーク１２中の各格子点（格子線マークの各交差点）へ第１成形アパーチャ像１３を偏向させ、さらに、各格子点付近を中心にした領域を第２成型アパーチャ９を通過した電子ビーム（第１成形アパーチャ像）で走査し、該領域からの反射電子を検出器７で検出する。
【００４７】
次に、検出器７で検出された検出信号は検出信号増幅器１８で増幅された後、検出信号記憶器２３内に記憶される。
【００４８】
主制御器２８は、検出信号記憶器２３内に記憶された上記検出信号に対応したデータに基づいて上記検出信号を解析して、ビームプロファイルを求め、さらに、ビームプロファイルを解析して、各交差点の位置へ偏向するための偏向量を精密に求める。これらの動作を主制御器２８から独立した機構によって行っても構わない。
【００４９】
次に、主制御器２８は、上記偏向量と、予め測定した交差点の位置に対応した偏向量との差に基づいて、成形偏向位置歪み量を算出する。成形偏向位置歪み量の算出は、主制御器２８から独立した機構によって行っても構わない。
【００５０】
次に、次に主制御器２８は、上記成形偏向位置歪み量と成形偏向量との関係に基づいて、成形偏向量を変数とする成形偏向位置歪み補正量の関数を算出する。該関数の算出は、主制御器２８から独立した機構によって行っても構わない。
【００５１】
そして、上記関数に基づいて、成形偏向位置補正演算回路２４は、成形偏向量に対応した成形偏向位置歪み補正に係る補正データを算出し、該補正データに対応した電圧を成形偏向アンプ１９が成形偏向器４に印加することにより、成形偏向位置歪みの補正が周知の方法により行われる。これにより、第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク８上に精度良く結像することができ、もって、高精度のパターン描画が可能となる。
【００５２】
以上述べた焦点・非点・位置歪みの補正（調整）は、描画中あるいはビーム調整中に行われ、その後、通常通りに、試料上にパターンが描画される。また、位置歪みの補正（調整）を省き、焦点・非点の補正（調整）だけを行っても構わない。
【００５３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、電子が反射する検査用マーク１０を用いたが、図３および図４に示すように、格子状に配置された複数のホール（開口部）を含む検査用マーク（電子が通過するマーク）１１として利用しても構わない。この場合、検出器７は、図３および図４に示すように、第２成形アパーチャマスク８の下方に配置される。
【００５５】
また、上記実施形態では、格子線マークを含む検査用マーク１２を用いたが、図５に示すように、格子状に配置された複数のＬ字パターンを含むＬ字状検査用マーク１２’を用いても構わない。
【００５６】
また、本実施形態では本発明を電子ビームを用いた荷電ビーム描画装置に適用した場合について説明したが、本発明はイオンビーム等の他の荷電ビームを用いた荷電ビーム描画装置にも適用できる。
【００５７】
さらに、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００５８】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態に係るＥＢ描画装置の基本構成を中心に示した概略構成を示す模式図。
【図２】本発明の一実施形態に係るＥＢ描画装置の補正機構を中心に示した概略構成を示す模式図。
【図３】実施形態の変形例に係るＥＢ描画装置の基本構成を中心にした概略構成を示す模式図。
【図４】実施形態の変形例に係るＥＢ描画装置の補正機構を中心にした概略構成を示す模式図。
【図５】実施形態の変形例に係るＥＢ描画装置の第２成形アパーチャマスク上の検査用マークの変形例を示す平面図。
【符号の説明】
【００６０】
１…電子銃、２…第１成形アパーチャマスク、３…第１成形アパーチャ、４…成形偏向器、５…投影レンズ、６…、７…検出器、８…第２成形アパーチャマスク、９…第２成形アパーチャ、１０，１１，１２…検査用マーク、１３…第１成形アパーチャ像、１４…、１５…電磁コイル、１６…非点補正コイル、１７…第２成形アパーチャスライド装置、１８…検出信号増幅器、１９…成形偏向アンプ、２０…非点補正コイル電源、２１…偏向コイル電源、２２…非点補正偏向アンプ、２３…検出信号記憶器、２４…成形偏向位置補正演算回路、２５…、軸上非点補正演算回路２６…偏向非点補正演算回路、２７…投影レンズ電源、２８…主制御器、２９…対物偏向器、３０…ステージ、３１…試料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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