(57)【要約】【課題】他に専用の表示領域を新たに設けることなく額縁領域において表示を行うことができる表示装置を提供する。【解決手段】本表示装置は、ＴＦＴ基板４０とＣＦ基板４１との間に液晶層４２を挟持する構造であり、主たる表示部を構成する画素形成部の一部を示す領域Ａ内において、透過表示領域ａ２の透明導電膜７０および反射表示領域ａ１の反射導電膜７２と、透明導電膜７１との間に所定の電圧を印加することにより液晶層４２の光透過率を変化させて反射表示および透過表示を行い、かつ額縁領域である領域Ｂにおいても、表示すべき形状の複数の開口部を有する遮光樹脂層６６と反射導電膜７２である複数の反射電極と上記透明導電膜７１との間にセグメント方式で所定の電圧を印加する。このことにより額縁領域において反射表示が行われる。【選択図】図２
2006220786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するための表示部において複数の映像信号線と複数の走査信号線との交差部にそれぞれ対応してマトリクス状に配置された複数の画素形成部および前記画素形成部に設けられた画素電極を含む基板と、前記画素電極との間に電圧を印加しまたは電流を流すために前記画素電極に対応して設けられた共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、前記電圧または前記電流に応じて前記画像を表示する第１の電気光学素子と、前記画像とは異なる画像を表示する第２の電気光学素子とを備えるアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記基板は、周囲近傍の表面に所定の導電領域を含み、
前記第２の電気光学素子は、前記導電領域と前記共通電極との間に配置され、前記導電領域と前記共通電極との間に印加される電圧または流される電流に応じて前記画像とは異なる画像を表示することを特徴とする、アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記基板は、前記画像を表す画像信号を受け取り前記画像信号に応じて前記複数の映像信号線に電圧を印加する映像信号線駆動回路と、前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路との少なくとも一方からなる周辺回路の全部または一部を一体的に含み、
前記基板は、前記周辺回路が形成される所定領域から基板面に対して略垂直方向近傍に前記導電領域を含むことを特徴とする、請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記第２の電気光学素子への光および前記第２の電気光学素子からの光のうち少なくとも一方を部分的に遮断することにより、前記第２の電気光学素子において表示されるべき前記画像を形成する遮光部をさらに備えることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記遮光部は、表示されるべき前記画像に対応した形状に開口されていることを特徴とする、請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記第２の電気光学素子は液晶であり、
前記導電領域は反射表示のための電極であることを特徴とする、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記第１の電気光学素子は、前記第２の電気光学素子と同一の液晶層であることを特徴とする、請求項５に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
前記導電領域は、表示されるべき前記画像に対応した形状を有していることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
前記基板は、前記周辺回路が形成される所定領域から基板面に対して略垂直方向近傍に導電性の遮光領域を含み、
前記導電領域は、前記遮光領域の所定部分を前記遮光領域の前記所定部分を除く部分から電気的に切り離すように形成されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
前記遮光領域の前記所定部分を除く部分は、前記共通電極との間に電圧が印加されずまたは電流が流れないように、前記共通電極と電気的に接続されることを特徴とする、請求項８に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置に関するものであり、更に詳しくは、そのような表示装置においてマトリクス状に配置された複数の画素形成部からなる表示領域と、この表示領域の周囲等に位置する額縁領域とを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、液晶層を挟持する２枚の基板を含む表示部を備えており、当該２枚の基板のうち一方の基板には、映像信号線としての複数のデータ線と走査信号線としての複数のゲート線とが格子状に配置され、それら複数のデータ線とゲート線との交差点にそれぞれ対応してマトリクス状に配置された複数の画素形成部が設けられている。各画素形成部は、装置の表示部（表示領域）を構成しており、ゲート線にゲート端子が接続されデータ線にソース端子が接続されたスイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）と、そのＴＦＴのドレイン端子に接続された画素電極とを含む。これら画素形成部を含む上記基板は、ＴＦＴ基板と呼ばれる。
【０００３】
また、上記２枚の基板のうちＴＦＴ基板に対向する他方の基板には、上記複数の画素形成部に共通的に設けられた対向電極である共通電極と、加法混色により所望する色を表示するための所定の少なくとも２色以上の色を形成するためのカラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）とが設けられている。この基板はＣＦ基板と呼ばれる。
【０００４】
このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置は、その表示部のデータ線を駆動するデータドライバと、その表示部のゲート線を駆動するゲートドライバと、データドライバおよびゲートドライバを制御するための表示制御回路とを有しており、これらを含む表示部の回路以外の各種回路群は周辺回路と呼ばれる。近年では、この周辺回路全てと上記複数の画素形成部を構成する複数の画素回路とをともに１枚のＴＦＴ基板上に形成する、いわゆるドライバ（フル）モノリシック型の表示装置や、周辺回路の一部を含む部分的ドライバモノリシック型の表示装置が増えつつある。
【０００５】
ここで、一般的に周辺回路または各種配線は、表示部周囲の領域であるいわゆる額縁領域に配置されており、この額縁領域では表示が行われない。この額縁領域は、上記周辺回路や各種配線が配置されない場合であっても、製造時において、上記ＴＦＴ基板をＣＦ基板と貼り合わせるためのシール剤を塗布する領域として使用され、また複数のＴＦＴ基板を含む基板から各ＴＦＴ基板を１つずつ切り離すための領域として使用されることが多い。そのため、この額縁領域は、周辺回路や各種配線が配置されるか否かにかかわらず必要とされる。
【０００６】
また、アクティブマトリクス型液晶表示装置には、上記表示部の近傍に当該表示部とは異なる副表示部（例えば絵文字表示領域）を有するものがある（特許文献１を参照）。この副表示部は、基本的には表示部と同様のアクティブマトリクス方式が採用されているため、一般的な額縁領域が必要とされる。そのため、この副表示部は一般的な額縁領域に対して新たに追加された専用の領域内に設けられている。
【特許文献１】特開２００２−６７８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、上記副表示部を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置には、一般的な額縁領域の他に、副表示部のための専用の領域を新たに設けなければならないので、そのパネル全体の面積が大きくなる。そのため、額縁領域が有効に活用されることなく無駄な領域として残るとともに、小型化が求められる携帯電話などの表示装置として使用することが困難である。特に、上記従来の（部分的または完全な）ドライバモノリシック型のアクティブマトリクス型表示装置では、周辺回路を配置するために額縁領域がより広くなっているので、さらに小型化が困難である。
【０００８】
また、上記従来のドライバモノリシック型のアクティブマトリクス型表示装置には、上記表示部の近傍に異なる副表示部を有するものがない。この理由につき、図８を参照して説明する。
【０００９】
図８は、この従来のドライバモノリシック型の表示装置およびそのＴＦＴ基板を基板面に対して垂直方向の上方から見た模式的な平面図である。図８（ａ）に示すように、表示装置は、その表示領域９１外周に、表示を行わない額縁領域９２を有している。この額縁領域９２に対応する（すなわちその直下に位置する）ＴＦＴ基板には、図８（ｂ）に示すように、データドライバ９０１と、ゲートドライバ９０２と、表示制御回路を含む制御部９２０とからなる周辺回路が配置されている。このように周辺回路が額縁領域９２に配置されるのは、高い集積度が必要となる周辺回路を画素回路と基板面に対して垂直方向に重なる位置に形成することができないからである。そのため、従来のドライバモノリシック型の表示装置では、周辺回路が配置される上記額縁領域９２において、表示領域９１における表示と同様の表示を行うことができない。
【００１０】
そこで本発明は、一般的に必要とされる額縁領域の他に専用の表示領域を新たに設けることなく当該額縁領域において表示を行うことができる表示装置を提供することを目的とする。また、本発明は、周辺回路から基板面に対して垂直方向に位置する額縁領域において表示を行うことができる（部分的または完全な）ドライバモノリシック型の表示装置を提供することをさらなる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
第１の発明は、画像を表示するための表示部において複数の映像信号線と複数の走査信号線との交差部にそれぞれ対応してマトリクス状に配置された複数の画素形成部および前記画素形成部に設けられた画素電極を含む基板と、前記画素電極との間に電圧を印加しまたは電流を流すために前記画素電極に対応して設けられた共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に配置され、前記電圧または前記電流に応じて前記画像を表示する第１の電気光学素子と、前記画像とは異なる画像を表示する第２の電気光学素子とを備えるアクティブマトリクス型の表示装置であって、
前記基板は、周囲近傍の表面に所定の導電領域を含み、
前記第２の電気光学素子は、前記導電領域と前記共通電極との間に配置され、前記導電領域と前記共通電極との間に印加される電圧または流される電流に応じて前記画像とは異なる画像を表示することを特徴とする。
【００１２】
第２の発明は、第１の発明において、
前記基板は、前記画像を表す画像信号を受け取り前記画像信号に応じて前記複数の映像信号線に電圧を印加する映像信号線駆動回路と、前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路との少なくとも一方からなる周辺回路の全部または一部を一体的に含み、
前記基板は、前記周辺回路が形成される所定領域から基板面に対して略垂直方向近傍に前記導電領域を含むことを特徴とする。
【００１３】
第３の発明は、第１または第２の発明において、
前記第２の電気光学素子への光および前記第２の電気光学素子からの光のうち少なくとも一方を部分的に遮断することにより、前記第２の電気光学素子において表示されるべき前記画像を形成する遮光部をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】
第４の発明は、第３の発明において、
前記遮光部は、表示されるべき前記画像に対応した形状に開口されていることを特徴とする。
【００１５】
第５の発明は、第１から第４までのいずれか１つの発明において、
前記第２の電気光学素子は液晶であり、
前記導電領域は反射表示のための電極であることを特徴とする。
【００１６】
第６の発明は、第５の発明において、
前記第１の電気光学素子は、前記第２の電気光学素子と同一の液晶層であることを特徴とする。
【００１７】
第７の発明は、第１または第２の発明において、
前記導電領域は、表示されるべき前記画像に対応した形状を有していることを特徴とする。
【００１８】
第８の発明は、第１または第２の発明において、
前記基板は、前記周辺回路が形成される所定領域から基板面に対して略垂直方向近傍に導電性の遮光領域を含み、
前記導電領域は、前記遮光領域の所定部分を前記遮光領域の前記所定部分を除く部分から電気的に切り離すように形成されることを特徴とする。
【００１９】
第９の発明は、第８の発明において、
前記遮光領域の前記所定部分を除く部分は、前記共通電極との間に電圧が印加されずまたは電流が流れないように、前記共通電極と電気的に接続されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
上記第１の発明によれば、複数の画素形成部を含む基板の周囲近傍表面上に形成される導電領域と共通電極とで、第１の電気光学素子により（マトリクス状に）表示される画像とは異なる画像を第２の電気光学素子に表示させる。例えば、上記基板の周囲近傍である額縁領域内に形成される導電領域および画素電極を含む基板と共通電極を含む別の基板とを対向させ、これらの基板に第１および第２の電気光学素子を挟持させ、それぞれ異なる画像を表示させる。この構成により、一般的に必要とされる額縁領域の他に専用の表示領域を新たに設けることなく当該額縁領域において表示を行うことができる。
【００２１】
上記第２の発明によれば、複数の画素形成部および周辺回路を一体的に含む基板に含まれる導電領域と共通電極とで、第１の電気光学素子により（マトリクス状に）表示される画像とは異なる画像を第２の電気光学素子に表示させる。例えば、周辺回路直上に形成される導電領域および画素電極を含む基板と共通電極を含む別の基板とを対向させ、これらの基板に第１および第２の電気光学素子を挟持させ、それぞれ異なる画像を表示させる。この構成により、周辺回路が形成される所定領域から基板面に対して略垂直方向近傍の額縁領域において表示を行うことができる。
【００２２】
上記第３の発明によれば、第２の電気光学素子への光および第２の電気光学素子からの光のうち少なくとも一方を遮光部で部分的に遮断することにより、表示されるべき画像を形成する。この構成により、導電領域等の形状にかかわらず、表示されるべき画像の形状を遮光部の形状により容易に規定することができるので、簡単かつ低コストに額縁領域において表示を行うことができる。ここで例えば、この遮光部が樹脂製である場合には、特に安価で容易に所望の形状に加工することができる。
【００２３】
上記第４の発明によれば、遮光部が表示されるべき前記画像に対応した形状に開口されている。この構成により、導電領域等の形状にかかわらず、表示されるべき画像の形状を開口部の形状により非常に容易に規定することができるので、さらに簡単かつ低コストに額縁領域において表示を行うことができる。
【００２４】
上記第５の発明によれば、液晶である第２の電気光学素子に電圧を印加する導電領域は反射表示のための電極であるので、基板の周囲近傍の額縁領域において他に専用の表示領域を新たに設けることなく反射表示を行うことができる。また、この構成において、例えば上記基板内に周辺回路が形成される場合であっても、上記反射電極によって当該周辺回路が形成される所定領域から基板面に対して略垂直方向近傍の額縁領域において反射表示を行うことができる。
【００２５】
上記第６の発明によれば、第１の電気光学素子と第２の電気光学素子とは同一の液晶層であるので、工程を新たに追加することなく同一の工程において低コストで表示装置を製造することができる。
【００２６】
上記第７の発明によれば、導電領域は表示されるべき画像に対応した形状を有しているので、この導電領域の形状に応じた表示（例えばセグメント表示など）を行うことができる。
【００２７】
上記第８の発明によれば、導電領域は、遮光領域の所定部分を残りの遮光領域部分から電気的に切り離すように形成されるので、例えばエッチング処理などにより、既に形成された遮光領域から導電領域を簡単かつ低コストで作成することができる。
【００２８】
上記第９の発明によれば、遮光領域の導電領域を除く部分は、共通電極との間に電圧が印加されずまたは電流が流れないように共通電極と電気的に接続されるので、当該部分で不要な表示が行われることを防止することができ、また例えば黒表示を行わせることにより、迷光などの不要な光を遮断することができるので、遮光領域の機能を補助することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照して本発明の各実施形態について説明する。
＜１．    第１の実施形態＞
＜１．１  全体的な構成および動作＞
まず、本発明における第１の実施形態に係る液晶表示装置の全体的な構成および動作について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、図８に示す従来のドライバモノリシック型の表示装置における画素回路と同様の回路を含むが、周辺回路に相当する回路は液晶パネルの外部に設けられているので、ドライバモノリシック型の表示装置ではない。また、従来の表示装置とは異なり、額縁領域内で表示を行うための後述する構成を新たに含んでいる。
【００３０】
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の構成をその表示部の等価回路と共に示すブロック図である。この液晶表示装置は、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置と同様、映像信号線駆動回路としてのデータドライバ１０１と、走査信号線駆動回路としてのゲートドライバ１０２と、アクティブマトリクス型の主表示部１０３と、データドライバ１０１およびゲートドライバ１０２を制御するための主表示制御回路２１０とを備えている。また、この液晶表示装置は、副表示領域３０における表示を行うための副表示部３００と、この副表示部３００における表示を制御するための副表示制御回路２２０とをさらに備えている。
【００３１】
主表示部１０３は、従来の表示部と同様の構成となっている。すなわち、主表示部１０３は、複数本（ｍ本）の走査信号線としてのゲート線ＧＬ１〜ＧＬｍと、それらのゲート線ＧＬ１〜ＧＬｍのそれぞれと交差する複数本（ｎ本）の映像信号線としてのデータ線ＳＬ１〜ＳＬｎと、それらのゲート線ＧＬ１〜ＧＬｍとデータ線ＳＬ１〜ＳＬｎとの交差点にそれぞれ対応して設けられた複数個（ｍ×ｎ個）の画素形成部とを含む。
【００３２】
これらの画素形成部はマトリクス状に配置されて画素アレイを構成し、各画素形成部は、対応する交差点を通過するゲート線ＧＬｊにゲート端子が接続される共に当該交差点を通過するデータ線ＳＬｋにソース端子が接続されたスイッチング素子であるＴＦＴ１１と、そのＴＦＴ１１のドレイン端子に接続された画素電極と、上記複数の画素形成部に共通的に設けられた対向電極である共通電極Ｅｃと、上記複数の画素形成部に共通的に設けられ画素電極と共通電極Ｅｃとの間に挟持された液晶層とからなり、必要に応じ、画素電極と共通電極Ｅｃとによって形成される容量に並列に補助容量が付加される。そして、これら画素電極と共通電極Ｅｃとにより形成される容量（補助容量が付加されている場合にはこれに補助容量を加えた容量）により、画素容量Ｃｐが構成される。なお、説明の便宜上、上記ＴＦＴ１１を含む画素回路を画素形成部とも呼ぶ。
【００３３】
なお、本実施形態に係る表示装置はドライバモノリシック型ではないので、上記データドライバ１０１と、ゲートドライバ１０２と、表示制御回路を含む制御部２００とからなる周辺回路は、液晶パネルの外部に設けられている。以下、画素形成部および額縁領域の具体的な構造について図２を参照して説明する。
【００３４】
図２は、画素形成部の上記ＴＦＴ１１近傍および額縁領域近傍の構造例を示す基板面に対して垂直方向の断面図である。これらのＴＦＴには通常の多結晶シリコン（Poly Silicon）よりも結晶性の高い多結晶シリコンである連続粒界結晶シリコン（Continuous Grain Silicon：以下「ＣＧシリコン」と略する）が使用されている。なお、このＣＧシリコンに代えて、他の多結晶シリコンや非晶シリコンが使用されてもよい。
【００３５】
ここで、図２に示す領域Ａは画素形成部の一部が形成される領域であり、領域Ｂは一般的な額縁領域である。また、領域Ａ内の領域ａ１は後述する反射表示を行う反射表示領域を示し、領域Ａ内の領域ａ２は後述する透過表示を行う透過表示領域を示している。
【００３６】
本表示装置は、ＴＦＴ基板４０と、ＣＦ基板４１と、これらの基板間に挟まれるように設けられた液晶層４２とを備えている。この液晶層４２は、領域Ａのみならず領域Ｂにも同一の工程で備えられるように構成されるため、装置の製造が容易となる。また、従来より、この液晶層４２は、領域Ａのみならず領域Ｂにも備えられることが多いため、本実施形態の構成では従来の表示装置をそのまま利用することができる。なお、領域Ａに備えられる液晶層と、領域Ｂに備えられる液晶層とは異なっていてもよい。
【００３７】
この表示装置は、ＴＦＴ基板４０に対向する位置であってＣＦ基板４１とは逆側の位置に設けられる図示されないバックライト照明装置からの透過光を利用した表示（以下「透過表示」という）と、装置外部からＣＦ基板４１を通して入射する外光を利用した表示（以下「反射表示」という）とを同時に行う、いわゆる半透過表示型の表示装置である。この半透過表示型の表示装置は、暗い場所では主として透過表示により、明るい場所では主として反射表示により、それぞれ見やすい表示を提供することができる。
【００３８】
ＣＦ用ガラス基板６１には、その外側（ＴＦＴ基板４０と逆の側）に図示されない偏光板が設けられており、その内側（ＴＦＴ基板４０に対面する側）に各画素形成部が形成する画素の色に対応する光を透過する樹脂からなるカラーフィルタ層６５が設けられている。なお、上記偏光板には、例えば位相差フィルムや光学補償フィルムなど偏光フィルム以外の光学機能性フィルムが含まれてもよい。
【００３９】
また、カラーフィルタ層６５の図２に示す領域Ｂにおける内側には、遮光膜として機能する遮光樹脂層６６が設けられている。なお、この遮光樹脂層６６は、金属膜など遮光できる素材に代えてもよい。また、従来より、後述する反射導電膜７２を遮光膜として機能させる構成もあるが、この構成については第２の実施形態において詳しく説明する。一般的に透過表示型または半透過表示型の表示装置では、バックライト照明装置から発せられた光が額縁領域２０から漏れ出しまたは外光が反射しないように、また額縁領域２０内に周辺回路が設けられる場合、外部からの光がＣＦ基板４１および液晶層４２を通過してこの周辺回路にあたることでＴＦＴの電気特性が変化することを防ぐために、額縁領域２０を覆うための遮光膜が設けられている。同様に、カラーフィルタ層６５の図２に示す領域Ａにおける内側にも遮光樹脂層６６が設けられている。この遮光樹脂層６６は画素回路のＴＦＴ等を覆うように設けられるので、領域Ｂの遮光樹脂層６６とは異なり、画素の境界領域近傍にのみ設けられている（すなわち画素となるべき部分は開口されている）。また、反射表示領域ａ１および領域Ｂにおけるさらに内側に透明樹脂層６７が設けられている。
【００４０】
さらに、ＣＦ用ガラス基板６１において、これらの内側の液晶層４２と接する領域Ａおよび領域Ｂのほぼ全面にわたりＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜７１が形成されている。この透明導電膜７１は共通電極Ｅｃとして機能する。
【００４１】
また、図２に示すように、ＴＦＴ用ガラス基板６０の領域Ａには活性層としてＣＧシリコン薄膜５２が形成され、さらにゲート絶縁膜５３を挟んでゲート電極５１および層間絶縁膜５４が形成される。その後、ＣＧシリコン薄膜５２が露出されるように２つのコンタクト部が開口され、これらのコンタクト部にはＴＦＴのドレイン電極およびソース電極を含む配線層５５が形成される。なおこの配線層は、例えばタンタル（Ｔａ）と窒化タンタル（ＴａＮ）とを積層させた金属積層膜である。さらにその上に不動態化のためのパッシベーション膜５６と表面を平坦にするための平坦化膜５７とが形成された後、ドレイン電極に対応する配線層５５が露出されるようにさらなるコンタクト部が開口される。これら（領域Ｂを除く）領域Ａ全体には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜７０が形成される。この透明導電膜７０は画素電極として機能する。なお、領域Ｂ全体にも透明導電膜７０が形成されてもよい。さらに、領域Ａおよび領域Ｂ全体には、光反射率（および遮光性）の高いアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などの導電性素材からなる反射導電膜７２がスパッタリング法などにより形成され、その後、領域Ａにおける反射表示領域ａ１以外の領域に対応する形状にパターニングしたフォトレジストを使用することにより、領域Ｂの反射導電膜７２と領域Ａにおける透過表示領域ａ２の反射導電膜７２とをエッチング除去する。このことにより、反射表示領域ａ１に反射導電膜７２が形成される。
【００４２】
また、図２に示すように、ＴＦＴ用ガラス基板６０の領域Ｂには、上記配線層と同様の金属積層膜からなる配線層７５が形成される。この配線層７５を液晶パネル内に配置するため、特に額縁領域である領域Ｂは不可欠なものとなっている。なお、配線層７５と平坦化膜５７との間にパッシベーション膜５６を設けてもよいし、また必要に応じて透明導電膜７０と反射導電膜７２との間に電蝕防止のための膜が形成されてもよい。
【００４３】
さらに、図２に示すように、透明樹脂層６７が設けられることにより反射表示領域ａ１および領域ＢにおいてＣＦ基板４１の基板面に対する垂直方向の長さ（厚さ）が大きくなっているのは、画素形成部における透過表示と反射表示とのいずれの場合であっても表示（輝度）が変化しないようにするためである。すなわち、透過表示領域ａ２の透明導電膜７０と共通電極である透明導電膜７１との間に印加される電圧あるいは流れる電流は、反射表示領域ａ１の反射導電膜７２と共通電極である透明導電膜７１との間に印加される電圧あるいは流れる電流と等しいため、両表示領域に対応する液晶層を通過する光の光路長を等しくすることにより、液晶層４２を通過する光に生じる液晶層４２に入る直前の光の遅走軸と進走軸との電界成分の位相差と、液晶層４２を通過して出てきた直後の光の遅走軸と進走軸との電界成分の位相差との差が透過表示領域ａ２と反射表示領域ａ１との間で等しくなるように、透過表示領域ａ２における液晶層４２の基板面に対する垂直方向の長さ（厚さ）を、反射表示領域ａ１における厚さの略２倍に設定する。
【００４４】
次に、上記構成の本実施形態の主表示部１０３に対する駆動方法および駆動回路につき、以下に説明する。本実施形態において、表示動作のタイミング等を決めるデータを含む液晶パネルに表示すべき画像を表すデータである画像データＤｖは、外部のコンピュータにおけるＣＰＵ等から主表示制御回路２１０に送られる。
【００４５】
主表示制御回路２１０は、上記画像データＤｖを受け取り、その画像データＤｖの表す画像を主表示部１０３に表示させるための信号として、データドライバ用のスタートパルス信号およびクロック信号と、表示すべき画像を表すデジタル画像信号とを含むデータドライバ制御信号ＣＤと、ゲートドライバ用のスタートパルス信号およびクロック信号等を含むゲートドライバ制御信号ＣＧと、後述する所定の極性切換制御信号φとを生成し出力する。なお、この極性切替制御信号φは、画像データＤｖに含まれる同期信号をそのまま使用してもよい。
【００４６】
データドライバ１０１は、デジタル画像信号を含むデータドライバ制御信号ＣＤに基づき、デジタル画像信号の表す画像の各水平走査線における画素値に相当するアナログ電圧としてデータ信号Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）を１水平走査期間毎に順次生成し、これらのデータ信号Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）をデータ線ＳＬ１〜ＳＬｎにそれぞれ印加する。本実施形態におけるデータドライバ１０１は、液晶層への印加電圧の極性が１フレーム期間毎に反転されると共に各フレーム内において１水平走査線毎にも反転されるようにデータ信号Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）が出力される駆動方式、すなわちライン反転駆動方式が採用される。
【００４７】
なお、このライン反転駆動方式に代えて、極性が１フレーム期間毎に反転されるフレーム反転方式を採用してもよい。また、表示品位向上の観点からは、ライン反転駆動方式に加えて、１データ線毎（縦ライン毎）にも液晶層への印加電圧の極性を反転させる駆動方式、すなわちドット反転駆動方式を採用してもよい。すなわち、データドライバ１０１は、データ線ＳＬ１〜ＳＬｎへの印加電圧の極性がデータ線毎に反転するようにデータ信号Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）を出力する構成としてもよい。また、データドライバ１０１は、入力されたアナログ画像信号を順次ラッチし、これらをデータ信号Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）としてデータ線ＳＬ１〜ＳＬｎに順次印加する構成であってもよい。
【００４８】
ゲートドライバ１０２は、ゲートドライバ制御信号ＣＧに基づき、デジタル画像信号の各フレーム期間（各垂直走査期間）において、ゲート線ＧＬ１〜ＧＬｍを順次に選択し、選択したゲート線にアクティブなゲート信号（ＴＦＴ１１をオンさせる電圧）を印加する。主表示部１０３において、ゲート線ＧＬ１〜ＧＬｍのそれぞれが各フレーム期間内に選択されると、それぞれの選択期間において、選択されたゲート線ＧＬｊにゲート端子が接続された各ＴＦＴ１１がオン状態となる。これにより、各ＴＦＴ１１のドレイン端子に接続された画素容量Ｃｐに、デジタル画像信号の表す画像における対応画素の値に相当する電圧が保持される。
【００４９】
上記のデータドライバ１０１およびゲートドライバ１０２により、主表示部１０３において、データ線ＳＬ１〜ＳＬｎにはデータ信号Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）がそれぞれ印加され、ゲート線ＧＬ１〜ＧＬｍにはゲート信号Ｇ（１）〜Ｇ（ｍ）がそれぞれ印加される。これにより、主表示部１０３における各画素形成部の画素容量Ｃｐには、デジタル画像信号の表す画像における対応画素の値に相当する電圧が、データ信号Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）により与えられて保持され、液晶層には、デジタル画像信号に応じて画素電極と共通電極Ｅｃとの電位差に相当する電圧が印加される。すなわち、各画素容量Ｃｐに保持された電圧がそれに対応する液晶部分への印加電圧となる。なお、共通電極Ｅｃの電位は、図示されない共通電極駆動回路により与えられており、この共通電極駆動回路は、主表示制御回路２１０からの極性切換制御信号φに応じて、１フレーム（１垂直走査期間）において２種類の基準電圧の間で切り換わる電圧を生成し、これを共通電極Ｅｃの電位としてＣＦ基板の共通電極Ｅｃに供給する。
【００５０】
主表示部１０３は、この印加電圧によって液晶層の光透過率を制御することにより、デジタル画像信号の表す画像すなわち外部の信号源等から受け取ったデジタルビデオ信号の表す画像を表示する。
【００５１】
以上のデータドライバ１０１、ゲートドライバ１０２、および主表示制御回路２１０の構成および動作は、従来の表示装置と同様であるが、前述したように副表示部３００は、領域Ｂの遮光樹脂層６６を従来と同様に遮光膜として利用しつつ、領域Ｂの反射導電膜７２を反射電極とした反射表示に利用する。この副表示部３００および副表示部３００による表示を制御する副表示制御回路２２０の構成および動作について、図３および図４を参照して説明する。
【００５２】
＜１．２  副表示部等の構成および動作＞
図３は、副表示部により副表示領域に表示される表示例を示す平面図である。また、図４は、副表示部において反射表示を行うための構造例を示す図であり、より詳細には、図４（ａ）は、副表示部となる反射導電膜７２の一部を拡大した構造例を示す平面図であり、図４（ｂ）は、副表示部となる遮光樹脂層６６の一部を拡大した構造例を示す平面図である。
【００５３】
ここで図３に示す例は、本表示装置が携帯電話に内蔵される場合の表示例であって、図中の図形は左から順に、受信されるべき電波の電界強度、通話圏外であること、時刻、および電池残量をそれぞれ示すためのものである。例えば、電界強度を示す図形は、電界強度が通話可能な最低段階である時には当該図形を構成する４つの図形要素のうち左側のアンテナを模した図形要素のみが表示され、上記電界強度が増大するにつれて、これらの図形要素のうち表示される図形要素が左側から１つずつ順に増加する。図４は、これら４つの図形要素からなる上記電界強度を示す図形を形成する４つの電極および対応する遮光樹脂層の開口部の構造を示している。
【００５４】
すなわち、図４（ａ）に示す第１の電極７２１は、４つの図形要素のうち左側のアンテナを模した図形要素を表示するための反射電極（反射表示のための電極）であり、第２から第４までの電極７２２〜７２４は、残りの上記図形要素を表示するための反射電極である。
【００５５】
もっとも、これらの電極形状のうち、特に第１の電極７２１の形状では、所望のアンテナを模した図形を表示することができない。そこで、遮光樹脂層６６に上記４つの図形要素に対応した形状の開口部を設け、この開口部を通る光により所望の形状を有する図形を表示する。図４（ｂ）には、これらの開口部である第１から第４までの開口部６６１〜６６４が示されている。なお、図中の点線は、これらの開口部に対応する上記第１から第４までの電極７２１〜７２４を示している。
【００５６】
このように、表示される図形は、遮光樹脂層６６に形成される第１から第４までの開口部６６１〜６６４を含む開口部の形状により規定されるため、これらの図形を表示するための反射電極である第１から第４までの電極７２１〜７２４は、表示に必要な大きさを有し、かつ対応する開口部以外の開口部から所望の表示を妨げる程度の光が漏れない形状であれば、その形状に限定はない。したがって、加工の精度が要求されないので、これらの表示のための反射電極を簡単な構造にすることができる。
【００５７】
なお、これら第１から第４までの電極７２１〜７２４の周囲の反射導電膜７２は、例えばエッチング処理などにより除去されており、これら第１から第４までの電極７２１〜７２４は、副表示制御回路２２０まで図示されない所定の配線によりそれぞれ接続されている。ここで、この配線に相当する反射電極部分は、遮光樹脂層６６により隠されるため表示に寄与しない。よって、これらの配線部分を後述する第２の実施形態の場合のように特別に細く（すなわち面積を小さく）する必要がない。このことからも、反射電極を簡単な構造にすることができる。
【００５８】
副表示制御回路２２０は、装置外部（例えば携帯電話本体の制御部）から、受信電波の電界強度に応じて各図形要素を適宜表示させる指示を含む副表示データＤｓを受け取り、この副表示データＤｓに基づき第１から第４までの電極７２１〜７２４に印加すべきそれぞれの電圧値を決定し、決定された電圧を対応する電極に印加する。これらの電圧値は、主表示制御回路２１０から与えられる極性切換制御信号φに基づき、第１から第４までの電極７２１〜７２４により反射表示を行う場合には、共通電極の電位（透明導電膜７１の電位）を基準として所定の電位差を生じさせる表示のための所定電位（典型的にはノーマリーブラック型の表示装置における白表示のための電位）を与え、反射表示を行わない場合には、共通電極と同電位である非表示のための所定電位（典型的にはノーマリーブラック型の表示装置における黒表示のための電位）を与える。そうすれば、副表示制御回路２２０の制御に応じて、副表示領域３０には図３に示す図形が（白）表示される。
【００５９】
また、例えば第１から第４までの電極７２１〜７２４の周囲の反射導電膜７２を、これら第１から第４までの電極７２１〜７２４と、（図２に示す領域Ｂの）反射導電膜７２全体とが非常に狭い間隔を空けて分離されるよう、第１から第４までの電極７２１〜７２４の周囲の反射導電膜７２を、例えばエッチング処理などにより部分的に除去してもよい。こうして第１から第４までの電極７２１〜７２４から電気的に切り離された残りの反射導電膜７２と、共通電極である透明導電膜７１とを電気的に接続することにより、反射導電膜７２の電位は共通電極の電位と同電位に設定される。そうすれば、上記残りの反射導電膜７２の領域が（共通電極の電位との電位差により）不要な反射表示を行うことを防止することができる。さらに、反射導電膜７２の電位を共通電極の電位と等しくすることで当該部分に黒表示を行わせることにより、例えば主表示領域１０からの迷光などの不要な光を遮断することができるので、遮光樹脂層６６の遮光膜としての機能を補助することができる。
【００６０】
このように、遮光樹脂層６６に形成される第１から第４までの開口部６６１〜６６４を含む開口部と、第１から第４までの電極７２１〜７２４を含む反射電極と、共通電極である透明導電膜７１とにより、副表示部３００はいわゆるセグメント方式（またはスタティック駆動方式）による反射表示を行う。このセグメント方式の表示では、アクティブマトリクス方式による表示を行う主表示部１０３に含まれる前述の画素回路やマトリクス状の配線は不要となるため、容易に表示を行うことができる。なお、周辺回路の上部およびこれと対応する共通電極部分に液晶層を挟んで（上方から見て）マトリクス状に互いに交差する配線を行うことにより、副表示部３００はいわゆるパッシブマトリクス方式による反射表示を行ってもよい。また、副表示制御回路２２０は、表示のために与える上記所定電位を階調表示が可能なように段階的に変更する階調制御を行ってもよい。
【００６１】
＜１．３  効果＞
以上のように、本実施形態の液晶表示装置は、遮光膜として機能する遮光樹脂層６６に形成される第１から第４までの開口部６６１〜６６４を含む開口部と、第１から第４までの電極７２１〜７２４（すなわち図２に示す領域Ｂにおける反射導電膜７２の一部分）とを使用することにより、一般的に必要とされる額縁領域の他に専用の表示領域を新たに設けることなく、一般的に表示に寄与しない額縁領域２０において（セグメント方式による）反射表示を行うことができる。そのため、一般的には表示に寄与しない額縁領域を有効利用することができ、また新たな表示領域を設ける従来の構成よりも装置を小さくすることができるので、小型化が求められる携帯電話などの表示装置として使用することが容易となる。
【００６２】
また、遮光樹脂層６６に形成される第１から第４までの開口部６６１〜６６４を含む開口部は、所望の形状になるよう容易に形成することができ、かつこの反射表示を行う第５から第８までの電極７２５〜７２８を含む反射電極は簡単な構造ですむので（さらに配線に相当する反射電極部分を細く形成する必要もないので）、副表示部を簡単かつ低コストで作成することができる。
【００６３】
＜２．    第２の実施形態＞
＜２．１  全体的な構成および動作＞
次に、本発明における第２の実施形態に係る液晶表示装置の全体的な構成および動作について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、図８に示す従来のドライバモノリシック型の表示装置における画素回路および周辺回路と同様の回路を含み、かつ額縁領域内で表示を行うための後述する構成を新たに含んでいる。なお、本実施形態に係る液晶表示装置の構成をその表示部の等価回路と共に示すブロック図は、図１と同様であるのでこの図に代えて説明を省略する。
【００６４】
図５は、本実施形態に係るドライバモノリシック型の表示装置およびそのＴＦＴ基板を基板面に対して垂直方向の上方から見た模式的な平面図である。図５（ａ）に示すように、表示装置は、その主表示領域１０外周に額縁領域２０を有しており、この額縁領域２０には、表示を行うための副表示領域３０が含まれている。この副表示領域３０に対応するＴＦＴ基板には、図５（ｂ）に示すように、データドライバ１０１と、ゲートドライバ１０２と、表示制御回路を含む制御部２００とからなる周辺回路が配置されており、図ではこの副表示領域３０の直下に制御部２００が配置される例が示されている。なお、副表示領域３０の直下には周辺回路の一部または全部が配置されていればよく、例えばデータドライバ１０１の一部が配置されてもよい。
【００６５】
図６は、画素形成部のＴＦＴ１１近傍および額縁領域の構造例を示す基板面に対して垂直方向の断面図である。このＴＦＴ１１の構成は、第１の実施形態における画素形成部のＴＦＴ１１の構成と同一であるので詳しい説明を省略する。なお、本実施形態における表示装置のようなドライバモノリシック型の表示装置には、電子移動度の高い上記ＣＧシリコン（特に低温で形成可能な低温ＣＧシリコン）を使用することが好適であるが、他の多結晶シリコンや非晶シリコンが使用されてもよい。
【００６６】
ここで、図６に示す領域Ａは画素形成部の一部が形成される領域であり、領域Ｂは配線が形成される第１の実施形態における領域とは異なり、周辺回路の一部が形成される領域である。また、領域Ａ内の領域ａ１は後述する反射表示を行う反射表示領域を示し、領域Ａ内の領域ａ２は後述する透過表示を行う透過表示領域を示している。
【００６７】
この領域ＢにおけるＣＦ用ガラス基板６１には、図６に示すように、その内側（ＴＦＴ基板４０に対面する側）に遮光膜として機能する遮光樹脂層６６が設けられていない。本実施形態では、後述するように反射導電膜７２が遮光膜として機能する。この反射導電膜７２は、例えば以下のように形成される。すなわち、領域Ａおよび領域Ｂ全体に光反射率（および遮光性）の高いアルミニウム（Ａｌ）または銀（Ａｇ）などの導電性素材からなる反射導電膜７２がスパッタリング法などにより形成され、その後、領域Ａにおいて反射表示領域ａ１以外の領域に対応する形状にパターニングしたフォトレジストを使用することにより、領域Ａにおける透過表示領域ａ２の反射導電膜７２をエッチング除去する。このようにして、反射表示領域ａ１および領域Ｂに反射導電膜７２が形成される。
【００６８】
以上のように、領域Ｂには反射導電膜７２のみが形成されている。この領域Ｂは、図５に示すように額縁領域２０内にあるため、領域Ｂの反射導電膜７２は、主表示部１０３による（反射）表示とは無関係であるが、額縁領域２０の遮光性を確保するための遮光膜として機能する。すなわち、透過表示型または半透過表示型の表示装置では、バックライト照明装置から発せられた光が、周辺回路に含まれる各素子間等の隙間を通して額縁領域２０から漏れ出さないように、また外部からの光がＣＦ基板４１および液晶層４２を通過して周辺回路にあたることでＴＦＴの電気特性が変化することを防ぐために額縁領域２０を覆うための遮光膜が必要となる。この遮光膜として、領域Ａの反射導電膜７２と同時に領域Ｂの反射導電膜７２を形成すれば、新たに別の遮光膜を形成する必要がない。このように、領域Ｂの反射導電膜７２が遮光膜として利用できることは従来より知られている。本表示装置は、この領域Ｂの反射導電膜７２を従来と同様に遮光膜として利用しつつ、副表示領域３０における反射表示のために利用する点に特徴を有する。この詳しい構成については後述する。
【００６９】
なお、上記領域Ｂには反射導電膜７２が積層されるだけでなく、さらにその上に（またはその下に）透明導電膜７０が積層されていてもよい。また、画素回路のＴＦＴ等を覆うため、当該部分を遮光するようなパターンを有するカラーフィルタ層６５を使用してもよいし、第１の実施形態と同様の遮光樹脂層６６を設けてもよい。
【００７０】
以上のように副表示部３００は、額縁領域２０の遮光膜として利用される図６に示す領域Ｂの反射導電膜７２を反射表示に利用する。この副表示部３００および副表示部３００による表示を制御する副表示制御回路２２０の構成および動作について、図７を参照して説明する。
【００７１】
＜２．２  副表示部等の構成および動作＞
図７は、副表示部となる反射導電膜７２の一部を拡大した構造例を示す平面図である。この副表示部により副表示領域に表示される表示例は、図３に示す例、すなわち本表示装置が携帯電話に内蔵される場合の表示例である。図７は、この電界強度を示す図形を構成する４つの図形要素からなる上記電界強度を示す図形を形成する４つの電極の構造を示している。
【００７２】
すなわち、図７に示す第５の電極７２５は、４つの図形要素のうち左側のアンテナを模した図形要素を表示するための反射電極（反射表示のための電極）であり、第６から第８までの電極７２６〜７２８は、残りの上記図形要素を表示するための反射電極である。これら第５から第８までの電極７２５〜７２８と、（図６に示す領域Ｂの）反射導電膜７２全体とが非常に狭い間隔を空けて分離されるよう、第５から第８までの電極７２５〜７２８の周囲の反射導電膜７２は、例えばエッチング処理などにより部分的に除去されている。この除去の結果形成される非常に細い帯状の非導電領域により、これら第５から第８までの電極７２５〜７２８は、反射導電膜７２全体から電気的に切り離されている。したがって、第５から第８までの電極７２５〜７２８は、反射導電膜７２とは異なる所望の電位に設定することができる。
【００７３】
具体的には、これら第５から第８までの電極７２５〜７２８のうち、図の下方へ延びる（肉眼では判別しにくい程度に）非常に細く形成された各電極部分は、副表示制御回路２２０まで図示されない所定の配線によりそれぞれ接続されている。なお、この下方へ延びる電極部分は、非常に細い（すなわち面積が小さい）ため反射表示を行うことはなく、上記図形の表示形状を損なうことがない。また、上記非導電領域は非常に細い（面積が小さい）ため、反射導電膜７２の遮光膜としての機能を損なうことがない。
【００７４】
また、上記のように第５から第８までの電極７２５〜７２８の下部を非常に細く形成する構成に代えて、これらの各電極部分に対応する（すなわち垂直方向に対向する）ＣＦ基板４１の透明導電膜７１が設けられない（例えば部分的に除去される）構成であってもよい。この構成では、上記各電極部分に接する液晶層に電圧が印加されないので、反射表示が行われることがなく、上記図形の表示形状を損なうことがない。また、反射導電膜７２の遮光膜としての機能が損なわれることもない。
【００７５】
また、例えば反射導電膜７２と、共通電極である透明導電膜７１とを電気的に接続することにより、反射導電膜７２の電位は共通電極の電位と同電位に設定される。そうすれば、図７に示す反射導電膜７２の領域が（共通電極の電位との電位差により）不要な反射表示を行うことを防止することができる。さらに、反射導電膜７２の電位を共通電極の電位と等しくすることで当該部分に黒表示を行わせることにより、例えば主表示領域１０からの迷光などの不要な光を遮断することができるので、反射導電膜７２の遮光膜としての機能を補助することができる。なお、図７に示す第５の電極７２５に周囲を囲まれている反射導電膜７２の２つの領域は、図示されない非常に細い電極により他の反射導電膜７２全体と電気的に接続される。ここで、上記アンテナを模した図形要素の形状を変更することにより、反射導電膜７２全体が電気的に接続されているように構成してもよい。
【００７６】
このように、第５から第８までの電極７２５〜７２８を含む反射電極と共通電極である透明導電膜７１とにより、副表示部３００はいわゆるセグメント方式（またはスタティック駆動方式）による反射表示を行う。このセグメント方式の表示では、アクティブマトリクス方式による表示を行う主表示部１０３に含まれる前述の画素回路やマトリクス状の配線は不要となるため、周辺回路の直上の極めて薄い部分を使用することにより容易に表示を行うことができる。なお、周辺回路の上部およびこれと対応する共通電極部分に液晶層を挟んで（上方から見て）マトリクス状に互いに交差する配線を行うことにより、副表示部３００はいわゆるパッシブマトリクス方式による反射表示を行ってもよい。また、副表示制御回路２２０は、表示のために与える上記所定電位を階調表示が可能なように段階的に変更する階調制御を行ってもよい。
【００７７】
＜２．３  効果＞
以上のように、第２の実施形態に係るドライバモノリシック型の液晶表示装置は、遮光膜として機能する図６に示す領域Ｂの反射導電膜７２の一部を、図７に示す反射表示のための電極である第５から第８までの電極７２５〜７２８として使用することにより、周辺回路から基板面に対して垂直方向に位置する額縁領域２０において（セグメント方式による）反射表示を行うことができる。また、この反射表示を行う第５から第８までの電極７２５〜７２８は、例えばエッチング処理などにより、既に形成された反射導電膜７２から簡単かつ低コストで作成することができる。
【００７８】
＜３．  変形例＞
上記第１の実施形態における表示装置において、周辺回路に相当する回路は、例えばＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）方式や、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）方式などにより液晶パネルの外部に設けられているが、画素回路とともに一体的にＴＦＴ基板上に形成することなく（すなわちドライバモノリシック型でなく）基板上に配置する構成、例えばＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式の構成であってもよい。
【００７９】
上記第１の実施形態における表示装置は、遮光膜として機能する遮光樹脂層６６に第１から第４までの開口部６６１〜６６４のような開口部が形成されている。しかし、これらの開口部に相当する遮光樹脂層６６の部分を残し、その周囲の遮光樹脂層６６を除去することにより、残された遮光樹脂層６６の部分を暗く表示しその周囲を明るく表示してもよい。また、上記開口部またはその周囲に相当する領域に所定の色を透過する樹脂層を設けることにより、当該部分を所定の色で表示してもよい。
【００８０】
上記第２の実施形態における表示装置に含まれる周辺回路全ては、ＴＦＴ基板４０内に形成されているが、その一部が液晶パネルの外部に設けられていてもよい。例えば、主表示制御回路２１０の全てまたはこれを構成する回路の一部分のみが外部に設けられる構成であってもよい。また、上記第２の実施形態における表示装置に含まれる副表示制御回路２２０は、周辺回路に含まれＴＦＴ基板４０内に形成されているが、液晶パネルの外部に設けられていてもよい。この構成では、例えば図７に示す第１から第４までの電極７２１〜７２４のうち、図の下方へ延びる非常に細く形成された各電極部分がＴＦＴ基板４０の外延近傍まで延ばされ、そこから外部の副表示制御回路２２０に接続される。したがってこの構成によれば、従来のＴＦＴ基板に対して副表示部３００を（エッチング処理などにより）形成するだけで上記ＴＦＴ基板４０を簡単に作成することができる。
【００８１】
上記第２の実施形態における表示装置は、表示されるべき図形の形状を有する第５から第８までの電極７２５〜７２８を含む反射電極により反射表示を行い、上記第１の実施形態における表示装置は、表示されるべき図形の形状を有する第１から第４までの開口部６６１〜６６４を含む開口部を介して反射表示を行う。しかし、上記第２の実施形態における表示装置において、第１の実施形態の場合のように、表示されるべき図形の形状を有する開口部を介して反射表示を行ってもよい。また、上記第１の実施形態における表示装置において、第２の実施形態の場合のように、表示されるべき図形の形状を有する反射電極により反射表示を行ってもよい。
【００８２】
上記第１および第２の実施形態における表示装置は、半透過表示型の液晶表示装置であるが、反射表示型の液晶表示装置であってもよく、また透過表示型の液晶表示装置にも適用可能である。なお、透過表示型の液晶表示装置に適用する場合、反射導電膜７２に相当する導電性膜の一部を図２に示すような反射電極として使用することにより、額縁領域２０において反射表示を行うことは可能である。この構成では、副表示領域３０の表示輝度が主表示部１０３の表示輝度よりも非常に暗くならないよう当該部分の液晶層を薄くするための構造、具体的には当該部分の液晶層４２の基板面に対する垂直方向の長さ（厚さ）が透過表示領域における厚さの略半分になるよう、図６に示すように領域ＢにおいてＣＦ基板４１の基板面に対する厚さを大きくすることが好適である。なお、このようにＣＦ基板４１の基板面に対する厚さを大きくするには、当該厚さを大きくすべき部分に透明樹脂６７を付加する構成のほか、周知のどのような構成が使用されてもよい。
【００８３】
上記第１および第２の実施形態における表示装置は、共通電極であるＣＦ基板４１に含まれる透明導電膜７１と、ＴＦＴ基板４０に含まれる透明導電膜７０または反射導電膜７２との間に液晶層を挟持する構成であるが、ＣＦ基板４１に含まれる透明導電膜７１を省略し、これに代えてＴＦＴ基板４０上に共通電極を形成する、いわゆるＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の表示装置であってもよい。
【００８４】
上記第１および第２の実施形態における表示装置は、画素形成部に液晶を使用しているが、画素形成部全体（または副表示部に対応する部分以外）に液晶以外の電気光学素子を使用してもよい。ここで電気光学素子とは、有機ＥＬ（Eelectro Luminescence ）素子、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＬＥＤ（light emitting diode）、電荷駆動素子、液晶、Ｅインク（Electronic Ink）など、電気を与えることにより光学的な特性が変化する全ての素子をいうものとする。この構成では、液晶層に代えて、例えば電流を与えられることにより光を放つ発光層（電気光学層）が使用され、この発光層を典型的には上記と同様に２枚の電極で挟持する。なお、上記ＩＰＳ方式のように、この発光層は必ずしも挟持されなくてよい。
【００８５】
ここで、この発光層が有機ＥＬ素子として機能する場合には、図６に示す透明導電膜７０（および反射導電膜７２）に代えて、有機ＥＬ素子の陽極（アノード電極）となる金属製導電層が形成され、透明導電膜７１は有機ＥＬ素子の陰極（カソード電極）となる。この構造では、上記金属製導電層によりＴＦＴ用ガラス基板６０を光が通過せず、ＣＦ用ガラス基板６１の方向へ光が放たれる。なお、このような構造はトップ・エミッション構造と呼ばれるが、上記アノード電極となる金属製導電層とカソード電極となる透明導電膜７１とを入れ替えたボトム・エミッション構造では、ＴＦＴ用ガラス基板６０の方向へ光を放つ。そのため、第２の実施形態の構成では周辺回路を含む額縁領域２０における表示が困難となるので、上記トップ・エミッション構造が好適である。なお、第１の実施形態の構成ではボトム・エミッション構造であっても特に問題とはならない。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明における第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成をその表示部の等価回路と共に示すブロック図である。
【図２】上記実施形態における画素形成部のＴＦＴ近傍および額縁領域の構造例を示す基板面に対して垂直方向の断面図である。
【図３】上記実施形態における副表示部の表示例および反射表示を行うための構造例を示す図である。
【図４】上記実施形態における副表示部の表示例および反射表示を行うための構造例を示す図である。
【図５】本発明における第２の実施形態に係るドライバモノリシック型の表示装置およびそのＴＦＴ基板を基板面に対して垂直方向から見た模式的な平面図である。
【図６】上記実施形態における画素形成部のＴＦＴ近傍および周辺回路のＴＦＴ近傍の構造例を示す基板面に対して垂直方向の断面図である。
【図７】上記実施形態における副表示部の反射表示を行うための構造例を示す図である。
【図８】従来のドライバモノリシック型の表示装置およびそのＴＦＴ基板を基板面に対して垂直方向の上方から見た模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０  …主表示領域
１１  …薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
２０  …額縁領域
３０  …副表示領域
４０  …ＴＦＴ基板
４１  …ＣＦ基板
４２  …液晶層
５１  …ゲート電極
５２  …シリコン薄膜
５３  …ゲート絶縁膜
５４  …層間絶縁膜
５５  …配線層
５６  …パッシベーション膜
５７  …平坦化膜
６０  …ＴＦＴ用ガラス基板
６１  …ＣＦ用ガラス基板
６５  …カラーフィルタ層
６６  …遮光樹脂層
６７  …透明樹脂層
７０，７１  …透明導電膜
７２  …反射導電膜
１０１  …データドライバ
１０２  …ゲートドライバ
１０３  …主表示部
２００  …制御部
２１０  …主表示制御回路
２２０  …副表示制御回路
３００  …副表示部
６６１〜６６４…第１〜第４の開口部
７２１〜７２８…第１〜第８の（反射）電極
ＣＤ  …データドライバ制御信号
ＣＧ  …ゲートドライバ制御信号
φ    …極性切換制御信号
Ｃｐ  …画素容量
Ｄｓ  …副表示データ
Ｄｖ  …画像データ
Ｅｃ  …共通電極
ＧＬ１〜ＧＬｍ    …ゲート線（走査信号線）
Ｇ（１）〜Ｇ（ｍ）…ゲート信号（走査信号）
ＳＬ１〜ＳＬｎ    …データ線（映像信号線）
Ｓ（１）〜Ｓ（ｎ）…データ信号（映像信号）
【図１】
2006220786.tif 000003
【図２】
2006220786.tif 000004
【図３】
2006220786.tif 000005
【図４】
2006220786.tif 000006
【図５】
2006220786.tif 000007
【図６】
2006220786.tif 000008
【図７】
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【図８】
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