(57)【要約】【課題】  発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することである。【解決手段】  下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。    【化１】2006096934.tif 000173（式中、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表し、Ｂはホウ素原子を表し、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は置換または無置換の芳香族基または複素環基を表す。）【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１】
2006096934.tif 000172
（式中、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表し、Ｂはホウ素原子を表し、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は置換または無置換の芳香族基または複素環基を表す。）
【請求項２】
前記Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3が６員の芳香族環または複素環を形成するのに必要な原子群であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項３】
前記Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3がベンゼン環であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項４】
前記Ａが含窒素複素環化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
リン光性発光材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する正孔阻止層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
青色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
白色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置に関し、詳しくは発光輝度、発光効率及び耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、及びそれらを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。
【０００３】
無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
【０００４】
一方、有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに、自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
【０００５】
今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子の開発としては、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子が望まれているわけであり、例えば、スチルベン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体またはトリススチリルアリーレン誘導体に、微量の蛍光体をドープし、発光輝度の向上、素子の長寿命化を達成する技術（例えば、特許文献１参照。）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これに微量の蛍光体をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献２参照。）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体をホスト化合物として、これにキナクリドン系色素をドープした有機発光層を有する素子（例えば、特許文献３参照。）等が知られている。
【０００６】
上記特許文献に開示されている技術では、励起一重項からの発光を用いる場合、一重項励起子と三重項励起子の生成比が１：３であるため、発光性励起種の生成確率が２５％であることと、光の取り出し効率が約２０％であるため、外部取り出し量子効率（ηｅｘｔ）の限界は５％とされている。
【０００７】
ところが、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告（例えば、非特許文献１参照。）がされて以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、非特許文献２及び特許文献４参照。）。
【０００８】
励起三重項を使用すると、内部量子効率の上限が１００％となるため、励起一重項の場合に比べて原理的に発光効率が４倍となり、冷陰極管とほぼ同等の性能が得られ照明用にも応用可能であり注目されている。
【０００９】
例えば、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討されている（例えば、非特許文献３参照。）。
【００１０】
また、ドーパントとして、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムを用いた検討がされている（例えば、非特許文献２参照。）。
【００１１】
その他、ドーパントとしてＬ2Ｉｒ（ａｃａｃ）、例えば（ｐｐｙ）2Ｉｒ（ａｃａｃ）（例えば、非特許文献４参照。）を、また、ドーパントとしてトリス（２−（ｐ−トリル）ピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｔｐｙ）3）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリン）イリジウム（Ｉｒ（ｂｚｑ）3）、Ｉｒ（ｂｚｑ）2ＣｌＰ（Ｂｕ）3等を用いた検討（例えば、非特許文献５参照。）が行われている。また、高い発光効率を得るために、ホール輸送性の化合物をリン光性化合物のホストとして用いることも行われている（例えば、非特許文献６参照。）。
【００１２】
また、各種電子輸送性材料をリン光性化合物のホストとして、これらに新規なイリジウム錯体をドープして用いている（例えば、非特許文献４参照）。さらに、ホールブロック層の導入により高い発光効率を得ている（例えば、非特許文献５参照。）。
【００１３】
現在、このリン光発光を用いた有機ＥＬ素子のさらなる発光の高効率化、長寿命化が検討されている。
【００１４】
しかし、緑色発光については理論限界である２０％近くの外部取り出し効率が達成されているものの、低電流領域（低輝度領域）のみであり、高電流領域（高輝度領域）では、いまだ理論限界は達成されていない。その他の発光色についてもまだ十分な効率が得られておらず改良が必要であり、また、今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子では、さらに低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。特に青色リン光発光の有機ＥＬ素子において高効率に発光する素子が求められている。
【００１５】
これらの問題を解決するリン光発光の有機ＥＬ素子として、特許文献５には分子内にホウ素原子を含む化合物を発光材料または電子輸送材料として用いる例が記載されているが、発光効率と発光寿命についてはまだ不十分であった。また、特許文献６には８−ヒドロキシキノリン誘導体のホウ素錯体を含む有機ＥＬ素子が記載されているが、耐久性が問題であった。
【特許文献１】特許第３０９３７９６号明細書
【特許文献２】特開昭６３−２６４６９２号公報
【特許文献３】特開平３−２５５１９０号公報
【特許文献４】米国特許第６，０９７，１４７号明細書
【特許文献５】特開２００３−２３４１９２号公報
【特許文献６】特開２０００−１５０１６３号公報
【非特許文献１】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１−１５４頁（１９９８年）
【非特許文献２】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０−７５３頁（２０００年）
【非特許文献３】Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）
【非特許文献４】Ｍ．Ｅ．Ｔｏｍｐｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）
【非特許文献５】Ｍｏｏｎ−Ｊａｅ  Ｙｏｕｎ．０ｇ，Ｔｅｔｓｕｏ  Ｔｓｕｔｓｕｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）
【非特許文献６】Ｉｋａｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｅ  １０ｔｈ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋｓｈｏｐ  ｏｎ  Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ａｎｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ’００、浜松）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の上記目的は下記構成により達成された。
【００１８】
（請求項１）
下記一般式（Ｃ）で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【００１９】
【化１】
2006096934.tif 000002
【００２０】
（式中、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表し、Ｂはホウ素原子を表し、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は置換または無置換の芳香族基または複素環基を表す。）
（請求項２）
前記Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3が６員の芳香族環または複素環を形成するのに必要な原子群であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【００２１】
（請求項３）
前記Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3がベンゼン環であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【００２２】
（請求項４）
前記Ａが含窒素複素環化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【００２３】
（請求項５）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２４】
（請求項６）
リン光性発光材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２５】
（請求項７）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する正孔阻止層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２６】
（請求項８）
請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する発光層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２７】
（請求項９）
青色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２８】
（請求項１０）
白色に発光することを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００２９】
（請求項１１）
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
【００３０】
（請求項１２）
請求項５〜１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。
【００３１】
（請求項１３）
請求項１２に記載の照明装置と、表示手段として液晶素子を有することを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００３２】
本発明により、発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明者は鋭意研究の結果、前記一般式（Ｃ）で表されるホウ素化合物が、発光効率が高く、かつ、長寿命となる有機ＥＬ素子用材料となり、これを用いた有機ＥＬ素子、照明装置及び表示装置を提供できることを見出した。
【００３４】
本発明のホウ素化合物はアミンまたはホスフィンと錯形成することにより、ホウ素化合物が安定化され、発光効率が高く、かつ、長寿命化が達成できたものと推定している。また、本発明のホウ素化合物は、特開２０００−１５０１６３号公報に記載の８−ヒドロキシキノリン誘導体のホウ素錯体より短波長化が可能であることから、開発が望まれている青色リン光発光の有機ＥＬ素子へ適用して高い発光効率が得られた。
【００３５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００３６】
《一般式（Ｃ）で表される化合物》
一般式（Ｃ）において、Ａはアミン化合物またはホスフィン化合物を表す。
【００３７】
Ａで表されるアミン化合物の例としては、オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、３−エチルヘキシルアミン、２，２−ジメチルヘキシルアミン、２，３−ジメチルヘキシルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、アニリン等の一級アミン化合物；ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジオクチルアミン、ベンジルメチルアミン、ジベンジルアミン等の二級アミン化合物；オクチルジメチルアミン、ドデシルメチルアミン、ヘキサデシルジメチルアミン、オクタデシルジメチルアミン、ヤシアルキルジメチルアミン、牛脂アルキルジメチルアミン、硬化牛脂アルキルジメチルアミン、ジドデシルメチルアミン、ジオクタデシルメチルアミン、ジ牛脂アルキルメチルアミン、ジヤシアルキルメチルアミン、ドデシルテトラデシルメチルアミン、ドデシルオクタデシルメチルアミン、テトラデシルヘキサデシルメチルアミン、ドデシルメチルプロピルアミン、ヘキサデシルメチルアミン、牛脂アルキルエチルプロピルアミン、牛脂アルキルジエチルアミン、牛脂アルキルジプロピルアミン、牛脂アルキルジブチルアミン、ヤシアルキルジヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリデシルアミン、β−ヒドロキシドデシルジメチルアミン、β−ヒドロキシヘキサデシルジメチルアミン、β−ヒドロキシオクタデシルジメチルアミン、ジ（β−ヒドロキシヘキサデシル）メチルアミン、ジ（β−ヒドロキシオクタデシル）メチルアミン、牛脂アルキルオキシプロピルジメチルアミン、牛脂アルキルオキシプロピルジエチルアミン、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルジメチルアミン、３−（２−エチルヘキシルオキシ）プロピルジエチルアミン、３−ドデシルオキシエチルジメチルアミン、３−ヤシアルキルオキシプロピルジメチルアミン、３−ヤシアルキルオキシプロピルジエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン、ジベンジルメチルアミン等の三級アミン化合物；ピリジン、メチルピリジン、クロロピリジン、ヒドロキシピリジン、ヒドロキシカルボニルピリジン、アミノカルボニルピリジン、メトキシカルボニルピリジン、ピリミジン、ピリダジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、チアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ビピリジル、α−コリジン、β−コリジン、γ−コリジン、トリエチレンジアミン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピペリジン等の含窒素複素環化合物等が挙げられるが、特に含窒素複素環化合物が好ましい。
【００３８】
Ａで表されるホスフィンの例としては、ビス（ジエチルアミノ）クロロホスフィン、ビス（ジイソプロピルアミノ）クロロホスフィン、ビス（２−ジフェニルホスフィノエチル）フェニルホスフィン、ビス（ペンタフルオロフェニル）フェニルホスフィン、クロロジイソプロピルホスフィン、クロロジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジクロロ（フェニル）ホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジメチル（フェニル）ホスフィン、ジフェニル（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、酸化ジクロロフェニルホスフィン、テトラフェニルジホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−（２−フリル）ホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリメシチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ−ｎ−プロピルホスフィン、トリス（４−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（４−フルオロフェニル）ホスフィン、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、［トリス（トリメチルシリル）］ホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ビニルジフェニルホスフィン、ジクロロフェニルホスフィン、二臭化トリフェニルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジクロロホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、アリルジフェニルホスフィン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルクロロホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の市販のホスフィンが挙げられる。
【００３９】
一般式（Ｃ）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3は各々独立に芳香族基または複素環基で表される。Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3は６員の芳香族環または複素環を形成するのに必要な原子群であることが好ましい。
【００４０】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3で表される芳香族基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、アズレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、ペリレン環、ペンタセン環、ヘキサセン環が挙げられ、これらは置換基を有してもよい。これらのうちで好ましいのは、ベンゼン環、ナフタレン環であり、さらに好ましいのはベンゼン環である。
【００４１】
Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3で表される複素環基の例としては、カルバゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、チオフェン環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、イソオキサゾール、イソチアゾール環、インドール環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、キノリン環、オキサジアゾール環が挙げられ、これらは置換基を有してもよい。これらのうちで好ましいのは、カルバゾール環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアゾール環、オキサジアゾール環であり、さらに好ましくは、カルバゾール環、ピリジン環である。
【００４２】
置換基の例としては、脂肪族基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キナゾリル基、フタラジル基、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基等が挙げられる。
【００４３】
以下に本発明の前記一般式（Ｃ）で表されるホウ素化合物の例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
【化２】
2006096934.tif 000003
【００４５】
【化３】
2006096934.tif 000004
【００４６】
【化４】
2006096934.tif 000005
【００４７】
【化５】
2006096934.tif 000006
【００４８】
【化６】
2006096934.tif 000007
【００４９】
【化７】
2006096934.tif 000008
【００５０】
【化８】
2006096934.tif 000009
【００５１】
【化９】
2006096934.tif 000010
【００５２】
【化１０】
2006096934.tif 000011
【００５３】
以下、本発明に係る一般式（Ｃ）で表される化合物の合成例を示す。
【００５４】
合成例１：例示化合物１３の合成
下記合成スキームで合成した。
【００５５】
【化１１】
2006096934.tif 000012
【００５６】
２００ｍｌ三頭フラスコにブロモベンゼン１．６８ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）を入れた後、窒素置換した。これにジエチルエーテル６０ｍｌを加え、−７８℃に冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ６．８１ｍｌ（１０．８ｍｍｏｌ）を滴下し３０分攪拌した。この後、ＢＦ3・ＯＥｔ2０．４５ｍｌ（３．５９ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃で１時間、室温に昇温してさらに２時間攪拌した。その後反応液を攪拌しながら、ピリジン０．２８９ｍｌを室温で３０分かけて滴下した。滴下後、さらに２時間室温で攪拌を続け、熟成した。熟成後、これを分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍｌを加えて、３回水洗した。この後、減圧下有機溶媒を除去して、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて分離精製し、例示化合物１３を０．９０ｇ得た。化合物の構造は1Ｈ−ＮＭＲにより同定した。
【００５７】
合成例２：例示化合物１４の合成
２００ｍｌ三頭フラスコにｐ−フェニルブロモベンゼン２．５１ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）を入れた後、窒素置換した。これにジエチルエーテル６０ｍｌを加え、−７８℃に冷却した後、ｎ−ＢｕＬｉ６．８１ｍｌ（１０．８ｍｍｏｌ）を滴下し３０分攪拌した。この後、ＢＦ3・ＯＥｔ2０．４５ｍｌ（３．５９ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃で１時間、室温に昇温してさらに２時間攪拌した。その後反応液を攪拌しながら、ピリジン０．２８９ｍｌを室温で３０分かけて滴下した。滴下後、さらに２時間室温で攪拌を続け、熟成した。熟成後、これを分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍｌを加えて、３回水洗した。この後、減圧下有機溶媒を除去して、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて分離精製し、例示化合物１４を１．３１ｇ得た。化合物の構造は1Ｈ−ＮＭＲにより同定した。
【００５８】
その他の化合物も同様の方法により得ることができる。
【００５９】
《一般式（Ｃ）で表される化合物の有機ＥＬ素子への適用》
一般式（Ｃ）で表される化合物を用いて、有機ＥＬ素子を作製する場合、有機ＥＬ素子の構成層（詳細は後述する）の中で、正孔阻止層に用いることが好ましい。
【００６０】
本発明の有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００６１】
Ｉ：陽極／発光層／陰極
II：陽極／発光層／電子輸送層／陰極
III：陽極／陽極バッファー層／発光層／陰極
IV：陽極／陽極バッファー層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
Ｖ：陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
VI：陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
VII：陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
VIII：陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
《発光層》
本発明に係る発光層は、発光材料を含有し、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【００６２】
本発明で発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（ミノルタ製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
【００６３】
発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらのリン光性化合物やホスト化合物が１種または２種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【００６４】
（発光ホストと発光ドーパント）
発光層中の主成分であるホスト化合物である発光ホストに対する発光ドーパント（因みに、後述する、本発明に係るリン光性化合物は発光ドーパントの一種である。）との混合比は好ましくは０．１〜３０質量％未満の範囲に調整することである。
【００６５】
発光ホスト（単にホストともいう）とは、２種以上の化合物で構成される発光層中にて混合比（質量）の最も多い化合物のことを意味し、それ以外の化合物については「ドーパント化合物（単に、ドーパントともいう）」という。例えば、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂという２種で構成し、その混合比がＡ：Ｂ＝１０：９０であれば化合物Ａがドーパント化合物であり、化合物Ｂがホスト化合物である。さらに、発光層を化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃの３種から構成し、その混合比がＡ：Ｂ：Ｃ＝５：１０：８５であれば、化合物Ａ、化合物Ｂがドーパント化合物であり、化合物Ｃがホスト化合物である。
【００６６】
本発明において、ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を用いることができる。公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【００６７】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
【００６８】
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。
【００６９】
本発明に係る発光層は、ドーパントを含有することが好ましい。さらにドーパント化合物としてはリン光性化合物を用いることが好ましい。これにより、高い発光輝度と発光効率を得ることができる。リン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。
【００７０】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒の何れかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【００７１】
リン光性化合物の発光は、原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こり、リン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００７２】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【００７３】
本発明で用いられるリン光性化合物としては、好ましくは元素周期表で８〜１０属に属するいずれか１種の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００７４】
これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。
【００７５】
このほかにも、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３巻４３０４〜４３１２頁（２００１年）、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、同第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、同２００１−３４５１８３号公報、同２００２−１１７９７８号公報、同２００２−１７０６８４号公報、同２００２−２０３６７８号公報、同２００２−２３５０７６号公報、同２００２−３０２６７１号公報、同２００２−３２４６７９号公報、同２００２−３３２２９１号公報、同２００２−３３２２９２号公報、同２００２−３３８５８８号公報等に記載の一般式で挙げられるイリジウム錯体、あるいは、具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開２００２−８８６０号公報記載の式（IV）で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。
【００７６】
本発明に係るリン光性化合物は、溶液中のリン光量子収率が２５℃において０．００１以上であることが好ましく、さらに好ましくは０．０１以上であり、特に好ましくは０．１以上である。
【００７７】
リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法で測定することができる。
【００７８】
以下に、リン光発光性を示す有機金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００７９】
【化１２】
2006096934.tif 000013
【００８０】
【化１３】
2006096934.tif 000014
【００８１】
【化１４】
2006096934.tif 000015
【００８２】
また、上記ＰＬ−１〜ＰＬ−３３の各有機金属錯体は、単独で用いてもよく、２種以上の化合物を併用して用いてもよい。なお、これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等を参照することにより合成可能である。
【００８３】
本発明でりん光発光を示す有機金属錯体としては、励起三重項からの発光が青色である、いわゆる、青色発光ドーパントとして下記のような青色発光性オルトメタル錯体が好ましく用いられる。
【００８４】
《青色発光性オルトメタル錯体》
本発明に用いられる青色発光性オルトメタル錯体について説明する。
【００８５】
本発明に係る青色発光性オルトメタル錯体とは、発光極大波長が４００〜５００ｎｍの範囲にある、遷移金属を中心金属とするオルトメタル錯体であり、その最も短波な発光極大波長が４５５ｎｍ以下であることが好ましい。
【００８６】
本発明に係る青色発光性オルトメタル錯体として用いられるものとしては、下記に示す７種の態様に分類される錯体が好ましく用いられる。ここでは、前記７種の態様を（ａ）〜（ｈ）に分類し、各７種の態様について、各々具体的に説明する。
【００８７】
《態様（ａ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（１）〜（６）で表される部分構造の少なくとも１種、または一般式（１）〜（６）で表される部分構造の各々の互変異性体の少なくとも１種を部分構造として有する場合。
【００８８】
【化１５】
2006096934.tif 000016
【００８９】
（式中、Ｚ１１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13は、各々水素原子または置換基を表す。Ｍ11は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）
【００９０】
【化１６】
2006096934.tif 000017
【００９１】
（式中、Ｚ２１は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23は、各々水素原子または置換基を表す。Ｍ21は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）
【００９２】
【化１７】
2006096934.tif 000018
【００９３】
（式中、Ｚ３１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ31、Ｘ32、Ｘ33は、各々炭素原子、−Ｃ（Ｒ3）−、窒素原子または−Ｎ（Ｒ3）−（ここで、Ｒ3は、水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｃ31は炭素原子を表す。Ｍ31は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。Ｃ31とＮとの間の結合、ＮとＸ33との間の結合、Ｘ32とＸ33との間の結合、Ｘ31とＸ32との間の結合、Ｃ31とＸ31との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）
【００９４】
【化１８】
2006096934.tif 000019
【００９５】
（式中、Ｚ４１は、芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ41、Ｘ42の少なくとも１つは、窒素原子または−Ｎ（Ｒ4）−（ここで、Ｒ4は、水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｍ41は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。Ｃ41、Ｃ42、Ｃ43は、各々炭素原子を表す。Ｍ41は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。Ｃ41とＣ42との間の結合、Ｃ41とＸ42との間の結合、Ｘ41とＸ42との間の結合、Ｘ41とＣ43との間の結合、Ｃ42とＣ43との間の結合は、単結合または二重結合を表す。）
【００９６】
【化１９】
2006096934.tif 000020
【００９７】
（式中、Ｚ５１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ51は、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ51、Ｒ52は、水素原子または置換基を表す。Ｍ51は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）
【００９８】
【化２０】
2006096934.tif 000021
【００９９】
（式中、Ｚ６１は、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｘ61、Ｘ62、Ｘ63は、各々炭素原子、−Ｃ（Ｒ6）−、窒素原子または−Ｎ（Ｒ6）−（ここで、Ｒ6は、水素原子または置換基を表す。）を表す。Ｍ61は、元素周期表における８〜１０族の金属を表す。）
前記一般式（１）〜（６）、または一般式（１）〜（６）の各々の互変異性体を部分構造として有する金属錯体の含有層としては、発光層及び／または正孔阻止層が好ましく、また、発光層に含有する場合は、発光層中の発光ドーパントとして用いることにより、本発明の有機ＥＬ素子の外部取り出し量子効率の効率アップ（高輝度化）や発光寿命の長寿命化を達成することができる。
【０１００】
《一般式（１）または該一般式（１）の互変異性体》
一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
【０１０１】
中でも好ましく用いられるのは、ベンゼン環である。さらに、前記芳香族炭化水素環は、後述する、前記一般式（１）においてＲ11、Ｒ12、Ｒ13で各々表される置換基を有してもよい。
【０１０２】
一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。
【０１０３】
中でも好ましいのは、ピリジン環である。さらに、前記芳香族複素環は、後述する前記一般式（１）においてＲ11、Ｒ12、Ｒ13で各々表される置換基を有してもよい。
【０１０４】
一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ11、Ｒ12、Ｒ13で各々表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（ジアザカルバゾリル基とは、該カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の任意に一つが窒素原子で置換されたものを示す。）、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。
【０１０５】
中でも、本発明では、上記Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13で表される基の少なくとも一つは、上記の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１０６】
一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ11は、元素周期表における８〜１０族の金属（金属原子でも、イオンでもよい）を表すが、中でも好ましく用いられるのは、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）である。また、一般式（１）または一般式（１）の互辺異性体を部分構造として有する金属錯体において、Ｍ11は金属でもよく、イオンでもよい。
【０１０７】
本発明では、上記一般式（１）または一般式（１）の互変異性体とＭ11で表される中心金属（金属でもイオンでもよい）との間で配位結合が形成（錯形成ともいう）されて金属錯体が形成される。
【０１０８】
《一般式（２）または一般式（２）の互変異性体》
一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｚ21で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族炭化水素環と同義である。
【０１０９】
一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｚ21で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族複素環と同義である。
【０１１０】
一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23で、各々表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ11、Ｒ12、Ｒ13で各々表される置換基と同義である。
【０１１１】
一般式（２）または一般式（２）の互変異性体において、Ｍ21で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ11で表される元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。
【０１１２】
《一般式（３）または該一般式（３）の互変異性体》
一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｚ31で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族炭化水素環と同義である。
【０１１３】
一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｚ31で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族複素環と同義である。
【０１１４】
一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｘ31、Ｘ32、Ｘ33で各々表される−Ｎ（Ｒ3）−のＲ3で表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ11、Ｒ12、Ｒ13で各々表される置換基と同義である。
【０１１５】
一般式（３）または一般式（３）の互変異性体において、Ｍ31で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ11で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。
【０１１６】
《一般式（４）または一般式（４）の互変異性体》
一般式（４）または一般式（４）の互変異性体において、Ｚ41で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族複素環と同義である。
【０１１７】
一般式（４）または一般式（４）の互変異性体において、Ｘ41、Ｘ42で各々表される−Ｎ（Ｒ4）−のＲ4で表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ11、Ｒ12、Ｒ13で各々表される置換基と同義である。
【０１１８】
一般式（４）または一般式（４）の互変異性体において、Ｍ41で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ11で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。
【０１１９】
《一般式（５）または一般式（５）の互変異性体》
一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｚ51で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族炭化水素環と同義である。
【０１２０】
一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｚ51で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族複素環と同義である。
【０１２１】
一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｒ51、Ｒ52で各々表される置換基は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体においてＲ11、Ｒ12、Ｒ13で各々表される置換基と同義である。
【０１２２】
一般式（５）または一般式（５）の互変異性体において、Ｍ51で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ11で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。
【０１２３】
《一般式（６）または一般式（６）の互変異性体》
一般式（６）または一般式（６）の互変異性体において、Ｚ61で表される芳香族炭化水素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族炭化水素環と同義である。
【０１２４】
一般式（６）または一般式（６）の互変異性体において、Ｚ61で表される芳香族複素環は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｚ11で表される芳香族複素環と同義である。
【０１２５】
一般式（６）または一般式（６）の互変異性体において、Ｍ61で表される、元素周期表における８〜１０族の金属（イオンでもよい）は、一般式（１）または一般式（１）の互変異性体において、Ｍ11で表される、元素周期表における８〜１０族の金属と同義である。
【０１２６】
以下、本発明に係る、前記一般式（１）〜（６）、または一般式（１）〜（６）の各々の互変異性体を部分構造として有する金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１２７】
【化２１】
2006096934.tif 000022
【０１２８】
【化２２】
2006096934.tif 000023
【０１２９】
【化２３】
2006096934.tif 000024
【０１３０】
【化２４】
2006096934.tif 000025
【０１３１】
【化２５】
2006096934.tif 000026
【０１３２】
【化２６】
2006096934.tif 000027
【０１３３】
【化２７】
2006096934.tif 000028
【０１３４】
【化２８】
2006096934.tif 000029
【０１３５】
【化２９】
2006096934.tif 000030
【０１３６】
【化３０】
2006096934.tif 000031
【０１３７】
【化３１】
2006096934.tif 000032
【０１３８】
【化３２】
2006096934.tif 000033
【０１３９】
《態様（ｂ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（７）で表される白金錯体で表される場合。
【０１４０】
【化３３】
2006096934.tif 000034
【０１４１】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7は水素原子または置換基を表すが、その少なくとも一つは必ず置換基である。Ｒａは置換基を表し、Ｘａは酸素原子または硫黄原子を表す。Ｙ1−Ｌ1−Ｙ2は２座の配位子を表し、Ｙ1、Ｙ2は各々独立に酸素原子、窒素原子、炭素原子または硫黄原子を表し、Ｌ1はＹ1、Ｙ2と共に２座の配位子を形成するのに必要な原子群を表す。）
《一般式（７）で表される金属錯体》
前記一般式（７）で表される白金錯体について説明する。
【０１４２】
一般式（７）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7は水素原子または置換基で表されるが、その少なくとも一つは必ず置換基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7の二つ以上が置換基で表される場合でも、それらは互いに結合して環を形成することはない。また、Ｒａは置換基を表し、Ｘａは酸素原子または硫黄原子を表す。
【０１４３】
一般式（７）において、前記Ｒａで表される置換基としては、特に制限はないが、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、２−ナフチル基、２−ピリジル基、２−チエニル基、３−フリル基等）、ヘテロ環基（Ｎ−モルホリル基、２−テトラヒドロフラニル基等）等が挙げられる。
【０１４４】
これらの中、Ｒａは炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましく、Ｒａ−Ｘａ−はアルコキシル基、アルキルチオ基であることが好ましい。
【０１４５】
また、前記Ｒ1〜Ｒ7で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、２−ナフチル基、９−フェナンスリル基、２−ピリジル基、メシチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基、２−チエニル基、３−フリル基等）、ヘテロ環基（Ｎ−モルホリル基、２−テトラヒドロフラニル基等）、アミノ基、アルキルアミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、パーフルオロフェノキシ基等）、アシルアミノ基（例えば、アセトアミド基、ベンゾイルアミド基等）、スルホンアミド基（例えば、メタンスルホンアミド基、ブタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基等）、カルボアルコキシル基（例えば、カルボエトキシ基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基等）、シアノ基、フッ化炭化水素基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロフェニル基等）等が挙げられる。
【０１４６】
一般式（７）において、Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2は２座の配位子を表し、Ｙ1、Ｙ2は、各々独立に酸素原子、窒素原子、炭素原子、または、硫黄原子を表し、Ｌ1は、Ｙ1、Ｙ2と共に２座の配位子の形成するのに必要な原子群を表す。
【０１４７】
Ｙ1−Ｌ2−Ｙ2で表される２座の配位子の具体例としては、特に制限はないが、置換基を有してもよいフェニルピリジン、酢酸、アセチルアセトン、チオカルバミン酸誘導体、２−アシルフェノール、ピコリン酸等の誘導体であることが好ましい。
【０１４８】
また、前記アルコキシル基、アルキルチオ基等と共に、前記構造における３ｐ〜６ｐ位に導入され、かつ、互いに結合して環を形成しないことが好ましい少なくとも一つの置換基としては、前記一般式（７）におけるそれぞれＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4で表される基であり、これらのＲ1〜Ｒ4で表される置換基の少なくとも１つが、前記の置換基の中、電子供与性の置換基であることが好ましい。また、さらに好ましいのは、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4で表される基の中、少なくとも二つが電子供与性の置換基である場合である。
【０１４９】
また、最も好ましいのは、一般式（７）においてＲ2とＲ4が電子供与性の置換基である場合である。
【０１５０】
電子供与性の置換基としては、前記の基の中、最も好ましくはアルキル基、アルコキシル基、アルキルアミノ基が挙げられる。
【０１５１】
次にこれらの置換基として好ましいのは、ハロゲン原子、中でもフッ素原子である。フッ素原子はπドナー性をもっているため、電子供与的に働く場合があり、その効果で好ましい素子性能を付与できるものと考えられる。
【０１５２】
以下に、本発明に用いられる前記一般式（７）で表される白金錯体について、具体的化合物例を挙げるが、本発明は、これらに限定されない。
【０１５３】
【化３４】
2006096934.tif 000035
【０１５４】
【化３５】
2006096934.tif 000036
【０１５５】
【化３６】
2006096934.tif 000037
【０１５６】
【化３７】
2006096934.tif 000038
【０１５７】
【化３８】
2006096934.tif 000039
【０１５８】
【化３９】
2006096934.tif 000040
【０１５９】
【化４０】
2006096934.tif 000041
【０１６０】
【化４１】
2006096934.tif 000042
【０１６１】
【化４２】
2006096934.tif 000043
【０１６２】
【化４３】
2006096934.tif 000044
【０１６３】
【化４４】
2006096934.tif 000045
【０１６４】
《態様（ｃ）》前記青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（８）、（９）で各々で表される白金錯体の場合。
【０１６５】
【化４５】
2006096934.tif 000046
【０１６６】
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃは水素原子または置換基を表し、その少なくとも二つは、−Ｘａ−（Ｒａ）na（Ｒａは置換基を表す。Ｘａは、酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。ｎａは１または２を表す。）で表され、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は水素原子または置換基を表す。Ｍ1は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）
【０１６７】
【化４６】
2006096934.tif 000047
【０１６８】
（式中、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄは置換基を表し、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。ｎｂ、ｎｃ、ｎｄは１または２を表す。Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10は水素原子または置換基を表す。Ｍ2は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）
《一般式（８）で表される金属錯体》
前記一般式（８）で表される金属錯体について説明する。
【０１６９】
一般式（８）において、Ａ、Ｂ、Ｃは水素原子または置換基で表されるが、その少なくとも二つは前記一般式（２）で表され、互いに異なっていてもよい。Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基としては特に制限はないが、好ましくはアルキル基（例えば、メチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロプロピル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、２−ナフチル基、９−フェナンスリル基、２−ピリジル基、２−チエニル基、３−フリル基、メシチル基、カルバゾリル基、フルオレニル基等）、ヘテロ環基（Ｎ−モルホリル基、２−テトラヒドロフラニル基等）、アミノ基（例えば、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、パーフルオロフェノキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、シアノ基、フッ化炭化水素基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シリル基（例えば、トリフェニルシリル基、トリメチルシリル基等）が挙げられる。この中で特に好ましいものは、アミノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリール基である。最も好ましくは、アミノ基、アルコキシル基、アルキルチオ基である。
【０１７０】
一般式（８）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は水素原子または置換基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5で表される置換基としては、前記Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。
【０１７１】
一般式（８）において、Ｍ1は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。第８〜１０族の元素としては、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、最も好ましくはイリジウム、白金である。
【０１７２】
一般式（２）において、Ｒａは置換基を表す。Ｒａで表される置換基としては、前記Ａ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。この中で特に好ましいものは、アルキル基である。
【０１７３】
一般式（８）において、Ｘａは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。ｎａは１または２を表す。
【０１７４】
一般式（８）において、Ａ、Ｂ、Ｃの三つが一般式（２）で表される場合が最も好ましい。
【０１７５】
一般式（８）において、Ａ、Ｂ、Ｃの二つが一般式（２）で表される場合、最も好ましくは一般式（２）が４位と６ｐ位に置換される場合、好ましくは一般式（２）が４位と４ｐ位に置換される場合である。
【０１７６】
《一般式（９）で表される金属錯体》
前記一般式（９）で表される金属錯体について説明する。
【０１７７】
一般式（９）において、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄは置換基を表し、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄで表される置換基としては、前記一般式（８）のＡ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄの置換基としてはアルキル基であることが好ましい。
【０１７８】
一般式（９）において、Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄは酸素原子、硫黄原子または窒素原子を表す。Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄの原子の組み合わせとしては、（１）Ｘｄが窒素原子で、Ｘｂ、Ｘｃが酸素原子、（２）Ｘｄが硫黄原子であり、Ｘｂ、Ｘｃが酸素原子、または（３）Ｘｂ、Ｘｃ、Ｘｄが酸素原子であることが好ましい。
【０１７９】
一般式（９）において、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄは１または２を表す。
【０１８０】
一般式（９）において、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10は水素原子または置換基を表す。Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10で表される置換基としては、前記一般式（８）のＡ、Ｂ、Ｃで表される置換基として説明したものと同義である。
【０１８１】
一般式（９）において、Ｍ2は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。第８〜１０族の元素としては、好ましくはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金であり、最も好ましくはイリジウム、白金である。
【０１８２】
以下に、一般式（８）または（９）で表される錯体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１８３】
【化４７】
2006096934.tif 000048
【０１８４】
【化４８】
2006096934.tif 000049
【０１８５】
【化４９】
2006096934.tif 000050
【０１８６】
【化５０】
2006096934.tif 000051
【０１８７】
【化５１】
2006096934.tif 000052
【０１８８】
【化５２】
2006096934.tif 000053
【０１８９】
【化５３】
2006096934.tif 000054
【０１９０】
【化５４】
2006096934.tif 000055
【０１９１】
【化５５】
2006096934.tif 000056
【０１９２】
【化５６】
2006096934.tif 000057
【０１９３】
【化５７】
2006096934.tif 000058
【０１９４】
【化５８】
2006096934.tif 000059
【０１９５】
【化５９】
2006096934.tif 000060
【０１９６】
【化６０】
2006096934.tif 000061
【０１９７】
【化６１】
2006096934.tif 000062
【０１９８】
【化６２】
2006096934.tif 000063
【０１９９】
【化６３】
2006096934.tif 000064
【０２００】
【化６４】
2006096934.tif 000065
【０２０１】
【化６５】
2006096934.tif 000066
【０２０２】
《態様（ｄ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１１）または（１２）で表される部分構造を有する金属錯体または該一般式（１１）または（１２）で表される部分構造の各々の互変異生体を有する金属錯体である場合。
【０２０３】
【化６６】
2006096934.tif 000067
【０２０４】
（式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4は、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、Ｃ1、Ｃ2は炭素原子を表し、Ｚ１は、Ｃ1、Ｘ1、Ｘ3と共に、Ｚ２は、Ｃ2、Ｘ2、Ｘ4と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ1は窒素原子またはホウ素原子を表し、Ｒ1は置換基を表す。Ｃ1とＸ1との間の結合、Ｃ2とＸ2との間の結合、Ｘ1とＸ3との間の結合、Ｘ2とＸ4との間の結合は単結合または二重結合を表す。）
【０２０５】
【化６７】
2006096934.tif 000068
【０２０６】
（式中、Ｃ3、Ｃ4、Ｃ5、Ｃ6、Ｃ7は、各々炭素原子を表し、Ｚ３は、Ｃ3、Ｃ4、Ｃ5と共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ４は、Ｃ6、Ｃ7、Ｎと共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ2は窒素原子またはホウ素原子を表し、Ｒ2は置換基を表し、Ｍ11は、元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ3とＣ4との間の結合、Ｃ4とＣ5との間の結合、Ｃ6とＣ7との間の結合、Ｃ7とＮとの間の結合は単結合または二重結合を表す。）
【０２０７】
【化６８】
2006096934.tif 000069
【０２０８】
（式中、Ａ3は窒素原子またはホウ素原子を表し、Ｒ3は置換基を表し、Ｒ4、Ｒ5は置換基を表す。ｎ１、ｎ２は、各々０〜３の整数を表す。Ｍ12は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）
《一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体》
一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体について説明する。
【０２０９】
最初に、一般式（１０）で表される配位子について説明する。
【０２１０】
一般式（１０）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に、Ｚ2がＣ2、Ｘ2、Ｘ4と共に、各々形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
【０２１１】
中でも好ましく用いられるのは、ベンゼン環である。さらに、前記芳香族炭化水素環は、後述する、前記一般式（１０）においてＲ1で表される置換基を有してもよい。
【０２１２】
一般式（１０）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に、Ｚ2がＣ2、Ｘ2、Ｘ4と共に、各々形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。
【０２１３】
中でも好ましいのは、ピリジン環である。さらに、前記芳香族複素環は、後述する、前記一般式（１０）においてＲ1で表される置換基を有してもよい。
【０２１４】
一般式（１０）において、Ｒ1で表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。
【０２１５】
中でも、本発明では、上記Ｒ1で表される基の少なくとも一つは、上記の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。
【０２１６】
上記一般式（１０）で表される配位子と中心金属（金属でもイオンでもよい）との間で配位結合が形成（錯形成ともいう）されて金属錯体が形成される。
【０２１７】
ここで、前記配位子と中心金属（後述する）との間で配位結合が形成されるのは、前記一般式（１０）で表される配位子を構成する原子の中で、Ｘ3及び／またはＸ4との間で配位結合または共有結合が形成されることが好ましい。
【０２１８】
《一般式（１１）またはその互変異生体を部分構造として有する金属錯体》
一般式（１１）またはその互変異生体を部分構造として有する金属錯体について説明する。
【０２１９】
一般式（１１）において、Ｚ3がＣ3、Ｃ4、Ｃ5と共に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１０）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。
【０２２０】
一般式（１１）において、Ｚ3がＣ3、Ｃ4、Ｃ5と共に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１０）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族複素環と同義である。
【０２２１】
一般式（１１）において、Ｚ4がＣ6、Ｃ7、Ｎと共に形成する芳香族複素環は、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１０）においてＲ1で表される置換基を有してもよい。
【０２２２】
一般式（１１）において、Ｒ2で表される置換基は、前記一般式（１０）においてＲ1で表される置換基と同義である。
【０２２３】
一般式（１１）において、Ｍ11で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素としては、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等が好ましい。また、一般式（１１）において、Ｍ11は、金属でもよく、イオンでもよい。
【０２２４】
《一般式（１２）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体》
一般式（１２）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体について説明する。
【０２２５】
一般式（１２）において、Ｒ3で表される置換基は、前記一般式（１０）においてＲ1で表される置換基と同義である。
【０２２６】
一般式（１２）において、Ｒ4、Ｒ5で各々表される置換基は、前記一般式（１０）においてＲ1で表される置換基と同義である。
【０２２７】
一般式（１２）において、Ｍ12で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素としては、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等が好ましい。また、一般式（１２）において、Ｍ12は、金属でもよく、イオンでもよい。
【０２２８】
以下に、一般式（１０）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１１）または（１２）で表される部分構造を有する金属錯体または該一般式（１１）または（１２）で表される部分構造の各々の互変異生体を有する金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０２２９】
【化６９】
2006096934.tif 000070
【０２３０】
【化７０】
2006096934.tif 000071
【０２３１】
【化７１】
2006096934.tif 000072
【０２３２】
【化７２】
2006096934.tif 000073
【０２３３】
【化７３】
2006096934.tif 000074
【０２３４】
【化７４】
2006096934.tif 000075
【０２３５】
【化７５】
2006096934.tif 000076
【０２３６】
【化７６】
2006096934.tif 000077
【０２３７】
【化７７】
2006096934.tif 000078
【０２３８】
【化７８】
2006096934.tif 000079
【０２３９】
【化７９】
2006096934.tif 000080
【０２４０】
【化８０】
2006096934.tif 000081
【０２４１】
【化８１】
2006096934.tif 000082
【０２４２】
【化８２】
2006096934.tif 000083
【０２４３】
【化８３】
2006096934.tif 000084
【０２４４】
【化８４】
2006096934.tif 000085
【０２４５】
《態様（ｅ）》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体、下記一般式（１５）で表される部分構造またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体、下記一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体、下記一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体、または下記一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体である場合。
【０２４６】
【化８５】
2006096934.tif 000086
【０２４７】
（式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4は、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、Ｃ1、Ｃ2は、各々炭素原子を表し、Ｚ１は、Ｃ1、Ｘ1、Ｘ3と共に、Ｚ２は、Ｃ2、Ｘ2、Ｘ4と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ1は炭素原子またはケイ素原子を表し、Ｒ1、Ｒ2は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｃ1とＸ1との間の結合、Ｃ2とＸ2との間の結合、Ｘ1とＸ3との間の結合、Ｘ2とＸ4との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）
【０２４８】
【化８６】
2006096934.tif 000087
【０２４９】
（式中、Ｃ3、Ｃ4、Ｃ5、Ｃ6、Ｃ7は、炭素原子を表し、Ｚ３は、Ｃ5、Ｃ3、Ｃ7と共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ４は、Ｃ6、Ｃ4、Ｎと共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ａ2は炭素原子またはケイ素原子を表し、Ｒ3、Ｒ4は、各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｍ11は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ5とＣ3との間の結合、Ｃ3とＣ7との間の結合、Ｃ6とＣ4との間の結合、Ｃ4とＮとの間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）
【０２５０】
【化８７】
2006096934.tif 000088
【０２５１】
（式中、Ａ3は炭素原子またはケイ素原子を表し、Ｒ5、Ｒ6は、各々独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ7、Ｒ8は、各々独立に置換基を表す。ｎ１、ｎ２は、各々独立に０〜３の整数を表す。Ｍ12は、元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。）
【０２５２】
【化８８】
2006096934.tif 000089
【０２５３】
（式中、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5、Ｘ6は、各々独立に炭素原子または窒素原子を表し、Ｃ8〜Ｃ13は、各々炭素原子を表し、Ｚ５は、Ｃ8、Ｘ3、Ｘ5と共に、Ｚ６は、Ｃ9、Ｘ4、Ｘ6と共に、Ｚ７は、Ｃ10、Ｃ11と共に、Ｚ８は、Ｃ12、Ｃ13と共に、各々独立に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ4は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｘ3とＸ5との間の結合、Ｘ4とＸ6との間の結合、Ｃ8とＸ3との間の結合、Ｃ9とＸ4との間の結合、Ｃ10とＣ11との間の結合、Ｃ12とＣ13との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）
【０２５４】
【化８９】
2006096934.tif 000090
【０２５５】
（式中、Ｃ14〜Ｃ22は、各々炭素原子を表し、Ｚ９は、Ｃ16、Ｃ14、Ｃ18と共に、Ｚ１１は、Ｃ19、Ｃ20と共に、Ｚ１２は、Ｃ21、Ｃ22と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ１０は、Ｃ17、Ｃ15、Ｎと共に、芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ａ5は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｍ21は、元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ18とＣ14との間の結合、Ｃ14とＣ16との間の結合、Ｃ17とＣ15との間の結合、Ｃ15とＮとの間の結合、Ｃ19とＣ20との間の結合、Ｃ21とＣ22との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）
【０２５６】
【化９０】
2006096934.tif 000091
【０２５７】
（式中、Ｚ１３は、Ｃ23、Ｃ24と共に、Ｚ１４は、Ｃ25、Ｃ26と共に、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ａ6は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｒ9、Ｒ10は各々独立に置換基を表す。ｎ３、ｎ４は、各々独立に０〜３の整数を表す。Ｍ22は元素周期表における第８〜１０族の元素を表す。Ｃ23とＣ24との間の結合、Ｃ25とＣ26との間の結合は、各々単結合または二重結合を表す。）
《一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体》
一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体について説明する。
【０２５８】
最初に、一般式（１３）で表される配位子について説明する。
【０２５９】
一般式（１３）において、Ｚ1とＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
【０２６０】
中でも好ましく用いられるのは、ベンゼン環である。さらに、前記芳香族炭化水素環は、後述する、前記一般式（１３）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基を有してもよい。
【０２６１】
一般式（１３）において、Ｚ1とＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。
【０２６２】
中でも好ましいのは、ピリジン環である。さらに、前記芳香族複素環は、後述する、前記一般式（１３）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基を有してもよい。
【０２６３】
一般式（１３）において、Ｒ1、Ｒ2で各々独立に表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、芳香族炭化水素基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。
【０２６４】
中でも、本発明では、上記Ｒ1、Ｒ2で表される基の少なくとも一つは、上記の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。
【０２６５】
上記一般式（１３）で表される配位子と中心金属（金属でもイオンでもよい）との間で配位結合が形成（錯形成ともいう）されて金属錯体が形成される。
【０２６６】
ここで、前記配位子と中心金属（後述する）との間で配位結合が形成されるのは、前記一般式（１３）で表される配位子を構成する原子の中で、Ｘ3及び／またはＸ4との間で配位結合または共有結合が形成されることが好ましい。
【０２６７】
《一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体について説明する。
【０２６８】
一般式（１４）において、Ｚ3がＣ5、Ｃ3、Ｃ7と共に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。
【０２６９】
一般式（１４）において、Ｚ3がＣ5、Ｃ3、Ｃ7と共に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1とＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族複素環と同義である。
【０２７０】
一般式（１４）において、Ｚ4が、Ｃ6、Ｃ4、Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１３）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基を有してもよい。
【０２７１】
一般式（１４）において、Ｒ3、Ｒ4で、各々独立に表される置換基は、前記一般式（１３）において、Ｒ1、Ｒ2で各々独立に表される置換基と同義である。
【０２７２】
一般式（１４）において、Ｍ11は元素周期表における第８〜１０族の第VIII族の元素を表すが、中でも好ましく用いられるのは、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）である。また、一般式（１４）において、Ｍ11は、金属でもよく、イオンでもよい。
【０２７３】
《一般式（１５）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体》
一般式（１５）またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体について説明する。
【０２７４】
一般式（１５）において、Ｒ5、Ｒ6で各々独立に表される置換基、Ｒ7、Ｒ8で各々独立に表される置換基は、前記一般式（１３）において、Ｒ1、Ｒ2で各々独立に表される置換基と同義である。
【０２７５】
また、一般式（１５）において、Ｒ5、Ｒ6の少なくとも一つは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。
【０２７６】
一般式（１５）において、Ｍ12で表される元素周期表における第８〜１０族の元素は、一般式（１４）において、Ｍ11は元素周期表における第８〜１０族の元素と同義である。
【０２７７】
《一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体》
一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体について説明する。
【０２７８】
一般式（１６）において、Ｚ5が、Ｃ8、Ｘ3、Ｘ5と共に、Ｚ6が、Ｃ9、Ｘ4、Ｘ6と共に、Ｚ7が、Ｃ10、Ｃ11と共に、Ｚ8が、Ｃ12、Ｃ13と共に、各々独立に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。
【０２７９】
一般式（１６）において、Ｚ5が、Ｃ8、Ｘ3、Ｘ5と共に、Ｚ6が、Ｃ9、Ｘ4、Ｘ6と共に、Ｚ7が、Ｃ10、Ｃ11と共に、Ｚ8が、Ｃ12、Ｃ13と共に、各々独立に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族複素環と同義である。
【０２８０】
《一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体について説明する。
【０２８１】
一般式（１７）において、Ｚ9が、Ｃ16、Ｃ14、Ｃ18と共に、Ｚ11が、Ｃ19、Ｃ20と共に、Ｚ12が、Ｃ21、Ｃ22と共に、各々独立に形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。
【０２８２】
一般式（１７）において、Ｚ9が、Ｃ16、Ｃ14、Ｃ18と共に、Ｚ11が、Ｃ19、Ｃ20と共に、Ｚ12が、Ｃ21、Ｃ22と共に、各々独立に形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族複素環と同義である。
【０２８３】
一般式（１７）において、Ｚ10が、Ｃ17、Ｃ15、Ｎと共に形成する、芳香族複素環は、一般式（１４）において、Ｚ4が、Ｃ6、Ｃ4、Ｎと共に形成する芳香族複素環と同義である。
【０２８４】
一般式（１７）において、Ｍ21で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素は、一般式（１４）において、Ｍ11は元素周期表における第８〜１０族の元素と同義である。
【０２８５】
《一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体》
一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体について説明する。
【０２８６】
一般式（１８）において、Ｚ13が、Ｃ23、Ｃ24と共に、Ｚ14が、Ｃ25、Ｃ26と共に、各々形成する芳香族炭化水素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1がＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族炭化水素環と同義である。
【０２８７】
一般式（１８）において、Ｚ13が、Ｃ23、Ｃ24と共に、Ｚ14が、Ｃ25、Ｃ26と共に、各々形成する芳香族複素環は、前記一般式（１３）において、Ｚ1とＣ1、Ｘ1、Ｘ3と共に形成する芳香族複素環と同義である。
【０２８８】
一般式（１８）において、Ｒ9、Ｒ10で、各々独立に表される置換基は、一般式（１３）において、Ｒ1、Ｒ2で各々独立に表される置換基と同義である。
【０２８９】
一般式（１８）において、Ｍ22で表される、元素周期表における第８〜１０族の元素は、一般式（１４）において、Ｍ11は元素周期表における第８〜１０族の元素と同義である。
【０２９０】
以下に、一般式（１３）で表される配位子を有する金属錯体、一般式（１４）で表される部分構造を有する金属錯体、一般式（１５）で表される部分構造またはその互変異性体を部分構造として有する金属錯体、一般式（１６）で表される配位子を有する金属錯体、一般式（１７）で表される部分構造を有する金属錯体、または一般式（１８）で表される部分構造を有する金属錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０２９１】
【化９１】
2006096934.tif 000092
【０２９２】
【化９２】
2006096934.tif 000093
【０２９３】
【化９３】
2006096934.tif 000094
【０２９４】
【化９４】
2006096934.tif 000095
【０２９５】
【化９５】
2006096934.tif 000096
【０２９６】
【化９６】
2006096934.tif 000097
【０２９７】
【化９７】
2006096934.tif 000098
【０２９８】
【化９８】
2006096934.tif 000099
【０２９９】
【化９９】
2006096934.tif 000100
【０３００】
【化１００】
2006096934.tif 000101
【０３０１】
【化１０１】
2006096934.tif 000102
【０３０２】
【化１０２】
2006096934.tif 000103
【０３０３】
【化１０３】
2006096934.tif 000104
【０３０４】
【化１０４】
2006096934.tif 000105
【０３０５】
【化１０５】
2006096934.tif 000106
【０３０６】
【化１０６】
2006096934.tif 000107
【０３０７】
【化１０７】
2006096934.tif 000108
【０３０８】
【化１０８】
2006096934.tif 000109
【０３０９】
【化１０９】
2006096934.tif 000110
【０３１０】
【化１１０】
2006096934.tif 000111
【０３１１】
【化１１１】
2006096934.tif 000112
【０３１２】
【化１１２】
2006096934.tif 000113
【０３１３】
《態様（ｆ）》青色発光性オルトメタル錯体として、下記一般式（１９）〜（２７）からなる群から選択される少なくとも１種の白金錯体を用いる場合。
【０３１４】
【化１１３】
2006096934.tif 000114
【０３１５】
（式中、Ｒ1、Ｒ2は、各々水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ1、Ｒ2の少なくとも一つは該置換基である。Ｘ1、Ｘ2は、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子、または、硫黄原子を表し、Ｚ1、Ｚ2は、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ１は、１または２の整数を表し、ｎ１が１の時、Ｌ１は二座配位子を表す。ｐ１、ｑ１は、各々０〜４の整数を表す。）
【０３１６】
【化１１４】
2006096934.tif 000115
【０３１７】
（式中、Ｒ3、Ｒ4は、各々水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ3、Ｒ4の少なくとも一つは該置換基である。ｎ２は、１または２の整数であり、ｎ２が１の時、Ｌ２は二座配位子を表す。ｐ２、ｑ２は、各々０〜４の整数を表す。）
【０３１８】
【化１１５】
2006096934.tif 000116
【０３１９】
（式中、Ｒ5、Ｒ6は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ3は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ３は、１または２の整数であり、ｎ３が１の時、Ｌ３は、二座配位子を表す。ｐ３は０〜３の整数、ｑ３は０〜４の整数を表す。）
【０３２０】
【化１１６】
2006096934.tif 000117
【０３２１】
（式中、Ｒ7、Ｒ8は、各々水素原子または置換基を表す。Ｒ9〜Ｒ13は、各々水素原子または置換基を表す。ｎ４は、１または２の整数であり、ｎ４が１の時、Ｌ４は二座配位子を表す。ｐ４は０〜３の整数、ｑ４は０〜４の整数を表す。）
【０３２２】
【化１１７】
2006096934.tif 000118
【０３２３】
（式中、Ｒ14、Ｒ15は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ4は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ５は、１または２の整数であり、ｎ５が１の時、Ｌ５は二座配位子を表す。ｐ５は０〜４の整数、ｑ５は０〜３の整数を表す。）
【０３２４】
【化１１８】
2006096934.tif 000119
【０３２５】
（式中、Ｒ16、Ｒ17は、各々水素原子または置換基を表す。Ｒ18〜Ｒ22は、各々水素原子または置換基を表す。ｎ６は、１または２の整数であり、ｎ６が１の時、Ｌ６は二座配位子を表す。ｐ６は０〜３の整数、ｐ７は０〜４の整数を表す。）
【０３２６】
【化１１９】
2006096934.tif 000120
【０３２７】
（式中、Ｒ23、Ｒ24は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ5は、窒素原子と共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ７は、１または２の整数であり、ｎ７が１の時、Ｌ７は二座配位子を表す。ｐ８は０〜３の整数、ｑ６は０〜４の整数を表す。）
【０３２８】
【化１２０】
2006096934.tif 000121
【０３２９】
（式中、Ｒ25、Ｒ26は、各々水素原子または置換基を表す。Ｚ6は、窒素原子と共に芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ８は、１または２の整数であり、ｎ８が１の時、Ｌ８は二座配位子を表す。ｐ９は０〜３の整数、ｑ７は０〜４の整数を表す。）
【０３３０】
【化１２１】
2006096934.tif 000122
【０３３１】
（式中、Ｒ27、Ｒ28は、各々水素原子または置換基を表す。Ｒ27、Ｒ28の少なくとも一つは該置換基である。Ｌ０は二価の連結基を表す。Ｘ3、Ｘ4は、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｚ7、Ｚ8は、各々芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。ｎ９は、１または２の整数であり、ｎ９が１の時、Ｌ９は二座配位子を表す。ｐ１０、ｑ８は、各々０〜４の整数を表す。）
《一般式（１９）で表される白金錯体》
一般式（１９）で表される白金錯体について説明する。本発明では、前記一般式（１９）の互変異生体で表されるものも含むものとする。
【０３３２】
一般式（１９）において、Ｒ1、Ｒ2で、各々表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えば、ベンジル基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、フタラジニル基等）、アルコキシル基（例えば、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、シアノ基、水酸基、アルケニル基（例えば、ビニル基等）、スチリル基、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子等）等が挙げられる。これらの基は、さらに置換されていてもよい。
【０３３３】
一般式（１９）において、Ｚ1が形成する芳香族炭化水素環または芳香族複素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。中でも好ましいのは、ベンゼン環である。
【０３３４】
一般式（１９）において、Ｚ2が形成する芳香族炭化水素環または芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キナゾリン環、フタラジン環等が挙げられる。中でも好ましいのは、ピリジン環である。
【０３３５】
一般式（１９）において、ｎ１は、１または２の整数であり、ｎ１が１の時、Ｌ１は二座配位子を表す。Ｌ１で表される２座の配位子としては、オキシカルボン酸、オキシアルデヒド及びその誘導体（例えば、サリチルアルデヒダト、オキシアセトフェノナト等）、ジオキシ化合物（例えば、ビフェノラト等）、ジケトン類（例えば、アセチルアセトナト、ジベンゾイルメタナト、ジエチルマロナト、エチルアセトアセタト等）、オキシキノン類（例えば、ピロメコナト、オキシナフトキノナト、オキシアントラキノナト等）、トロポロン類（例えば、トロポナト、ヒノキチオラト等）、Ｎ−オキシド化合物、アミノカルボン酸及び類似化合物（例えば、グリシナト、アラニナト、アントラニラト、ピコリナト等）、ヒドロキシルアミン類（例えば、アミノフェノラト、エタノールアミナト、メルカプトエチルアミナト等）、オキシン類（例えば、８−オキシキノリナト等）、アルジミン類（例えば、サリチルアルジミナト等）、オキシオキシム類（例えば、ベンゾインオキシマト、サリチルアルドキシマト等）、オキシアゾ化合物（例えば、オキシアゾベンゾナト、フェニルアゾナフトラト等）、ニトロソナフトール類（例えば、β−ニトロソ−α−ナフトラト等）、トリアゼン類（例えば、ジアゾアミノベンゼナト等）、ビウレット類（例えば、ビウレタト、ポリペプチド基等）、ホルマゼン類及びジチゾン類（例えば、ジフェニルカルバゾナト、ジフェニルチオカルバゾナト等）、ピグアニド類（例えば、ピグアニダト等）、グリオキシム類（例えば、ジメチルグリオキシマト等）等が挙げられる。
【０３３６】
以下に、本発明に好ましく用いられる、二座配位子の一般式及び具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０３３７】
【化１２２】
2006096934.tif 000123
【０３３８】
上記の二座配位子の一般式において、Ｒａ〜Ｒｖは、各々アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等）またはハロゲン化アルキル基（例えば、前記アルキル基の水素原子の少なくとも一つがフッ素原子、塩素原子、臭素原子または沃素原子等により置換されたものが挙げられる。）を表す。
【０３３９】
上記の二座配位子の一般式において、Ａｒａ〜Ａｒｃは、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等）または芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（ここで、ジアザカルバゾリル基とは、前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置換されたものを示す。）、フタラジニル基等）を表す。
【０３４０】
《一般式（２０）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２）で表される白金錯体について説明する。
【０３４１】
一般式（２０）において、Ｒ3、Ｒ4で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３４２】
一般式（２０）において、Ｌ２で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３４３】
《一般式（２１）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２１）で表される白金錯体について説明する。
【０３４４】
一般式（２１）において、Ｒ5、Ｒ6で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３４５】
一般式（２１）において、Ｌ３で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３４６】
一般式（２１）において、Ｚ3とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。さらに、前記芳香族炭化水素環は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基を有してもよい。
【０３４７】
一般式（２１）において、Ｚ3とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基を有してもよい。
【０３４８】
《一般式（２２）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２２）で表される白金錯体について説明する。
【０３４９】
一般式（２２）において、Ｒ7〜Ｒ13で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３５０】
一般式（２２）において、Ｌ４で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３５１】
《一般式（２３）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２３）で表される白金錯体について説明する。
【０３５２】
一般式（２３）において、Ｒ14、Ｒ15で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３５３】
一般式（２３）において、Ｌ５で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３５４】
一般式（２３）において、Ｚ4とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族炭化水素環は、一般式（２１）において、Ｚ3とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族炭化水素環と同義である。
【０３５５】
一般式（２３）において、Ｚ4とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族複素環は、一般式（２１）において、Ｚ3とＣ（炭素原子）とで形成される芳香族複素環と同義である。
【０３５６】
《一般式（２４）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２４）で表される白金錯体について説明する。
【０３５７】
一般式（２４）において、Ｒ16〜Ｒ22で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３５８】
一般式（２４）において、Ｌ６で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３５９】
《一般式（２５）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２５）で表される白金錯体について説明する。
【０３６０】
一般式（２５）において、Ｒ23、Ｒ24で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３６１】
一般式（２５）において、Ｌ７で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３６２】
一般式（２５）において、Ｚ5とＮ（窒素原子）とで形成される芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基を有してもよい。
【０３６３】
《一般式（２６）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２６）で表される白金錯体について説明する。
【０３６４】
一般式（２６）において、Ｒ25、Ｒ26で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３６５】
一般式（２６）において、Ｌ８で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３６６】
一般式（２６）において、Ｚ6とＮ（窒素原子）とで形成される芳香族複素環としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の少なくとも一つがさらに窒素原子で置換されている環等が挙げられる。さらに、前記芳香族複素環は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基を有してもよい。
【０３６７】
《一般式（２７）で表される白金錯体》
本発明に係る一般式（２７）で表される白金錯体について説明する。
【０３６８】
一般式（２７）において、Ｒ27、Ｒ28で各々表される置換基は、前記一般式（１９）においてＲ1、Ｒ2で各々表される置換基と同義である。
【０３６９】
一般式（２７）において、Ｌ９で表される二座配位子は、前記一般式（１９）において、Ｌ１で表される二座配位子と同義である。
【０３７０】
一般式（２７）において、Ｚ7が形成する５員または６員の環は、前記一般式（１９）において、Ｚ1が形成する５員または６員の環と同義である。
【０３７１】
一般式（２７）において、Ｚ8が形成する５員または６員の環は、前記一般式（１９）において、Ｚ2が形成する５員または６員の環と同義である。
【０３７２】
一般式（２７）において、Ｌ０で表される二価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基等）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、３−ペンチニレン基等）、アリーレン基等の炭化水素基のほか、ヘテロ原子を含む基（例えば、−Ｏ−、−Ｓ−等のカルコゲン原子を含む２価の基、−Ｎ（Ｒ）−基、ここで、Ｒは、水素原子またはアルキル基を表し、該アルキル基は、前記一般式（１９）において、Ｒ1、Ｒ2で各々表される置換基に記載のアルキル基等）が用いられる。
【０３７３】
以下に、本発明の有機ＥＬ素子材料として用いられる白金錯体化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、以下に示す具体例において、自由回転できないアリール基または自由回転できない芳香族複素環基の周囲を各々点線で表示した。
【０３７４】
《自由回転できないアリール基、自由回転できない芳香族複素環基》
本発明において、「自由回転できないアリール基、自由回転できない芳香族複素環基」とは、立体障害により結合の自由回転ができない置換基を表す。
【０３７５】
但し、自由回転できないという状態としては、前記アリール基、前記芳香族複素環基が周囲に配置されている他の置換基等とが近接していることにより、物理的に自由回転不可能な場合は当然であるが、アリール基の結合軸、または芳香族複素環基の結合軸を通して結合生成している置換基との配座エネルギーに由来する結合回転障壁が存在する場合も、自由回転できないアリール基、自由回転できない芳香族複素環基として定義できる。
【０３７６】
ここで、結合回転障壁を生成させる、配座エネルギーとしては、２５ｋｃａｌ／モル以上であることが好ましい。
【０３７７】
また、本発明では、各々物理的に自由回転不可能な状態である、アリール基、芳香族複素環基であることが好ましい。
【０３７８】
自由回転できないアリール基として用いることの可能なアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。
【０３７９】
自由回転できない芳香族複素環基として用いることの可能な芳香族複素環基としては、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。
【０３８０】
【化１２３】
2006096934.tif 000124
【０３８１】
【化１２４】
2006096934.tif 000125
【０３８２】
【化１２５】
2006096934.tif 000126
【０３８３】
【化１２６】
2006096934.tif 000127
【０３８４】
【化１２７】
2006096934.tif 000128
【０３８５】
【化１２８】
2006096934.tif 000129
【０３８６】
【化１２９】
2006096934.tif 000130
【０３８７】
【化１３０】
2006096934.tif 000131
【０３８８】
【化１３１】
2006096934.tif 000132
【０３８９】
【化１３２】
2006096934.tif 000133
【０３９０】
【化１３３】
2006096934.tif 000134
【０３９１】
【化１３４】
2006096934.tif 000135
【０３９２】
【化１３５】
2006096934.tif 000136
【０３９３】
【化１３６】
2006096934.tif 000137
【０３９４】
《態様ｇ》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（２８）〜（３２）からなる群から選択される少なくとも１種の部分構造または該部分構造の互変異生体を含む場合。
【０３９５】
【化１３７】
2006096934.tif 000138
【０３９６】
（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ11は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ12は炭素原子とともに非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。）
【０３９７】
【化１３８】
2006096934.tif 000139
【０３９８】
（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ21及びＺ22は、それぞれ炭素原子及び窒素原子とともに芳香環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。）
【０３９９】
【化１３９】
2006096934.tif 000140
【０４００】
（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ31は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ32は炭素原子とともに５員または６員の芳香族複素環を形成するのに必要な炭素原子、窒素原子または酸素原子により構成される原子群を表し、Ｍは金属を表す。）
【０４０１】
【化１４０】
2006096934.tif 000141
【０４０２】
（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ41は炭素原子及び窒素原子とともに環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ42は炭素原子とともに環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。）
【０４０３】
【化１４１】
2006096934.tif 000142
【０４０４】
（式中、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表し、Ｚ51は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ52は炭素原子とともにアズレン環を形成する原子群を表し、Ｍは金属を表す。）
一般式（２８）〜（３２）で各々表される特定構造を有する金属錯体化合物について説明する。
【０４０５】
前記一般式（２８）において、Ｚ11は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ12は炭素原子とともに非芳香族環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ11で形成される芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キナゾリン環、フタラジン環等が挙げられる。Ｚ12で形成される非芳香族環としては、例えば、以下に記載の環が挙げられる。
【０４０６】
【化１４２】
2006096934.tif 000143
【０４０７】
一般式（２８）において、好ましくはＺ12で表される非芳香環が、Ｒ−２またはＲ−６である。
【０４０８】
次に、一般式（２９）について説明する。
【０４０９】
一般式（２９）において、Ｚ21及びＺ22は、各々炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ21で形成される芳香環は、前記Ｚ11と同様の芳香族複素環が挙げられ、Ｚ22で形成される芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環等が挙げられる。好ましくは、ピロール環、トリアゾール環の時である。
【０４１０】
次に、一般式（３０）について説明する。
【０４１１】
一般式（３０）において、Ｚ31は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ32は炭素原子とともに芳香族５員環を形成するのに必要な、炭素、窒素または酸素原子により構成される原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ31で形成される芳香族複素環としては前記Ｚ11と同様の芳香族複素環が挙げられ、Ｚ32で形成される芳香族５員環としては、例えば、ピロール環、フラン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環等を挙げることができ、好ましくは含窒素芳香族複素環であり、より好ましくは窒素または酸素原子が複数個含まれる含窒素芳香族複素環である。
【０４１２】
次に、一般式（３１）について説明する。
【０４１３】
一般式（３１）において、Ｚ41は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ42は炭素原子とともに環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ41で形成される芳香族複素環は、前記Ｚ11と同様の芳香族複素環が挙げられ、Ｚ42で形成される環は、芳香環でも非芳香環でもかまわないが、好ましくは非芳香環である。
【０４１４】
次に、一般式（３２）について説明する。
【０４１５】
一般式（３２）において、Ｚ51は炭素原子及び窒素原子とともに芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｚ52は炭素原子とともにアズレン環を形成するのに必要な原子群を表し、Ｍは金属を表す。Ｚ51で形成される芳香族複素環はＺ11と同様の芳香族複素環が挙げられる。
【０４１６】
上記説明した一般式（２８）〜（３２）において、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ21、Ｚ22、Ｚ31、Ｚ32、Ｚ41、Ｚ42、Ｚ51及びＺ52によって形成される環は、さらに置換基を有していても良く、また、置換基同士が結合して、さらに環を形成してもよい。また、一般式（２８）〜（３２）において、Ｍは元素周期表で８〜１０族の金属であることが好ましく、より好ましくはＭがイリジウム、オスミウムまたは白金であり、最も好ましくはＭがイリジウムである。
【０４１７】
以下に、一般式（２８）〜（３２）のいずれかで表される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０４１８】
【化１４３】
2006096934.tif 000144
【０４１９】
【化１４４】
2006096934.tif 000145
【０４２０】
【化１４５】
2006096934.tif 000146
【０４２１】
【化１４６】
2006096934.tif 000147
【０４２２】
【化１４７】
2006096934.tif 000148
【０４２３】
【化１４８】
2006096934.tif 000149
【０４２４】
【化１４９】
2006096934.tif 000150
【０４２５】
【化１５０】
2006096934.tif 000151
【０４２６】
【化１５１】
2006096934.tif 000152
【０４２７】
【化１５２】
2006096934.tif 000153
【０４２８】
《態様ｈ》青色発光性オルトメタル錯体が、下記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される部分構造を有する白金錯体で表される場合。
【０４２９】
【化１５３】
2006096934.tif 000154
【０４３０】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7は、各々水素原子または置換基を表すが、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4の少なくとも一つは電子供与性基である。Ｒａ、Ｒｂは、各々置換基を表す。）
【０４３１】
【化１５４】
2006096934.tif 000155
【０４３２】
（式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17は、各々水素原子または置換基を表すが、Ｒ11、Ｒ13の少なくとも一つは電子吸引性基である。Ｒｃ，Ｒｄは置換基を表す。）
一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される少なくとも１種の白金錯体について説明する。
【０４３３】
《一般式（Ａ）で表される部分構造を有する白金錯体》
一般式（Ａ）で表される部分構造を有する白金錯体について説明する。
【０４３４】
一般式（Ａ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7で、各々表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、フェナントリル基、メシチル基、フルオレニル基等）、複素環基（例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、フリル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、セレナゾリル基、スルホラニル基、ピペリジニル基、ピラゾリル基、テトラゾリル基、カルバゾリル基等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボ��ルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ニトロ基、シアノ基、シリル基（トリメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等）等が挙げられる。
【０４３５】
本発明では、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4で表される基の少なくとも一つは電子供与性基であることが好ましく、さらに好ましくは、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4で表される基の少なくとも二つが電子供与性基であり、また、前記電子供与性基の少なくとも一つのσｐが、−０．２０以下のものが用いられることであるが、最も好ましいのは、前記電子供与性基が、一般式（Ａ）のＲ2またはＲ4に導入されることである。
【０４３６】
《σｐが−０．２０以下の電子供与性基》
ここで、σｐが−０．２０以下の電子供与性基としては、例えば、シクロプロビル基（−０．２１）、シクロヘキシル基（−０．２２）、ｔｅｒｔ−ブチル基（−０．２０）、−ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）3（−０．２１）、アミノ基（−０．６６）、ヒドロキシルアミノ基（−０．３４）、−ＮＨＮＨ2（−０．５５）、−ＮＨＣＯＮＨ2（−０．２４）、−ＮＨＣＨ3（−０．８４）、−ＮＨＣ2Ｈ5（−０．６１）、−ＮＨＣＯＮＨＣ2Ｈ5（−０．２６）、−ＮＨＣ4Ｈ9（−０．５１）、−ＮＨＣ6Ｈ5（−０．４０）、−Ｎ＝ＣＨＣ6Ｈ5（−０．５５）、−ＯＨ（−０．３７）、−ＯＣＨ3（−０．２７）、−ＯＣＨ2ＣＯＯＨ（−０．３３）、−ＯＣ2Ｈ5（−０．２４）、−ＯＣ3Ｈ7（−０．２５）、−ＯＣＨ（ＣＨ3）2（−０．４５）、−ＯＣ5Ｈ11（−０．３４）、−ＯＣＨ2Ｃ6Ｈ5（−０．４２）等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０４３７】
一般式（Ａ）において、Ｒａ、Ｒｂで、各々表される置換基は、一般式（Ａ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7で、各々表される置換基と同義であるが、好ましくは、Ｒａ、Ｒｂが、共にアルキル基の場合である。
【０４３８】
《一般式（Ｂ）で表される配位子を有する白金錯体》
一般式（Ｂ）で表される部分構造を有する白金錯体について説明する。
【０４３９】
一般式（Ｂ）において、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17は、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7で、各々表される置換基と同義である。但し、Ｒ11、Ｒ13の少なくとも一つは電子吸引性基であり、Ｒ11、Ｒ13が共に電子吸引性基であることが好ましく、さらに好ましくは、前記電子吸引性基のσｐが０．１０以上である。
【０４４０】
《σｐが０．１０以上の電子吸引性基》
ここで、σｐが０．１０以上の電子吸引性基としては、例えば、−Ｂ（ＯＨ）2（０．１２）、臭素原子（０．２３）、塩素原子（０．２３）、沃素原子（０．１８）、−ＣＢｒ3（−０．２９）、−ＣＣｌ3（０．３３）、−ＣＣＦ3（０．５４）、−ＣＮ（０．６６）、−ＣＨＯ（０．４２）、−ＣＯＯＨ（０．４５）、ＣＯＮＨ2（０．３６）、−ＣＨ2ＳＯ2ＣＦ3（０．３１）、−ＣＯＣＨ3（０．４５）、３−バレニル基（０．１９）、−ＣＦ（ＣＦ3）2（０．５３）、−ＣＯ2Ｃ2Ｈ5（０．４５）、−ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3（０．５２）、−Ｃ6Ｆ5（０．４１）、２−ベンゾオキサゾリル基（０．３３）、２−ベンゾチアサゾリル基（０．２９）、−Ｃ＝Ｏ（Ｃ6Ｈ5）（０．４３）、−ＯＣＦ3（０．３５）、−ＯＳＯ2ＣＨ3（０．３６）、−ＳＯ2（ＮＨ2）（０．５７）、−ＳＯ2ＣＨ3（０．７２）、−ＣＯＣＨ2ＣＨ3（０．４８）、−ＣＯＣＨ（ＣＨ3）2（０．４７）、−ＣＯＣ（ＣＨ3）3（０．３２）等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０４４１】
一般式（Ｂ）において、Ｒｃ、Ｒｄで、各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7で、各々表される置換基と同義であるが、好ましくは、Ｒｃ、Ｒｄが、共にアルキル基の場合である。
【０４４２】
以下に、本発明に係る一般式（Ａ）または（Ｂ）で表される部分構造を有する白金錯体の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０４４３】
【化１５５】
2006096934.tif 000156
【０４４４】
【化１５６】
2006096934.tif 000157
【０４４５】
【化１５７】
2006096934.tif 000158
【０４４６】
【化１５８】
2006096934.tif 000159
【０４４７】
【化１５９】
2006096934.tif 000160
【０４４８】
【化１６０】
2006096934.tif 000161
【０４４９】
【化１６１】
2006096934.tif 000162
【０４５０】
【化１６２】
2006096934.tif 000163
【０４５１】
【化１６３】
2006096934.tif 000164
【０４５２】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【０４５３】
正孔阻止層は、正孔輸送層から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物により形成される。正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、及び正孔を効率的に発光層内に閉じこめるために、発光層のイオン化ポテンシャルより大きいイオン化ポテンシャルの値を有するか、発光層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有することが好ましい。
【０４５４】
本発明の一般式（Ｃ）で表される化合物を正孔阻止材料として用いることが好ましい。また公知の正孔阻止材料としては、スチリル化合物、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ボロン誘導体の少なくとも１種を用いることも本発明の効果を得る上で有効である。
【０４５５】
その他の化合物例として、特開２００３−３１３６７号公報、同２００３−３１３６８号公報、特許第２７２１４４１号公報等に記載の例示化合物が挙げられる。
【０４５６】
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
【０４５７】
この正孔阻止層、電子阻止層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
【０４５８】
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。
【０４５９】
例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等の従来公知の材料を用いてもよい。
【０４６０】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０４６１】
芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０４６２】
さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０４６３】
正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０４６４】
《電子輸送層》
本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０４６５】
この電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０４６６】
さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０４６７】
または、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０４６８】
その他、メタルフリーまたはメタルフタロシアニン、さらには、それらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。または、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０４６９】
この電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができる。
【０４７０】
電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は、上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０４７１】
《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０４７２】
《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０４７３】
陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０４７４】
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【０４７５】
《バッファ層：陽極バッファ層、陰極バッファ層》
注入層は必要に応じて設け、陰極バッファ層（電子注入層）と陽極バッファ層（正孔注入層）があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【０４７６】
バッファ層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、陽極バッファ層と陰極バッファ層とがある。
【０４７７】
陽極バッファ層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファ層、アモルファスカーボンバッファ層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ層等が挙げられる。
【０４７８】
陰極バッファ層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【０４７９】
《基体（基板、基材、支持体等ともいう）》
本発明の有機ＥＬ素子は基体上に形成されているのが好ましい。
【０４８０】
基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０４８１】
樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等を有するフィルム等が挙げられる。また、樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。
【０４８２】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０４８３】
また、カラーフィルタ等の色相改良フィルタ等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルタを併用してもよい。色変換フィルタを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【０４８４】
《有機ＥＬ素子の作製方法》
本発明の有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／陽極バッファ層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファ層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。
【０４８５】
まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質ＩＴＯからなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機ＥＬ素子材料である陽極バッファ層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファ層の有機化合物薄膜を形成させる。
【０４８６】
この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０-6〜１０-2Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【０４８７】
これらの層を形成後、その上に陰極用物質、例えばＡｌからなる薄膜を、１μｍ以下好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０４８８】
本発明の多色の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
【０４８９】
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。
【０４９０】
また作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファ層、電子輸送層、正孔輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファ層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０４９１】
本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。
【０４９２】
表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。
【０４９３】
本発明の照明装置は、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。
【０４９４】
また、本発明に係る有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよい。
【０４９５】
このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。
【０４９６】
《表示装置》
本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような１種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を３種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。または、一色の発光色、例えば白色発光をカラーフィルタを用いてＢＧＲにし、フルカラー化することも可能である。さらに、有機ＥＬの発光色を色変換フィルタを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機ＥＬ発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０４９７】
本発明の有機ＥＬ素子を構成として有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
【０４９８】
図１は、有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
【０４９９】
ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
【０５００】
制御部Ｂは、表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
【０５０１】
図２は、表示部Ａの模式図を表す。
【０５０２】
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。図２においては、画素３の発光した光が、白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
【０５０３】
配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、各々導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。
【０５０４】
画素３は、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０５０５】
次に、画素の発光プロセスを説明する。
【０５０６】
図３は、画素の模式図を表す。
【０５０７】
画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
【０５０８】
図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
【０５０９】
画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
【０５１０】
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
【０５１１】
すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【０５１２】
ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。
【０５１３】
また、コンデンサ１３の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
【０５１４】
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
【０５１５】
図４は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
【０５１６】
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。
【実施例】
【０５１７】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【０５１８】
実施例１
（有機ＥＬ素子の作製）
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、３０ｎｍの第１の正孔輸送層を設けた。この第１の正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第２の正孔輸送層としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として化合物１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＩｒ−１２を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＢＡｌｑを２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ3を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。
【０５１９】
次いで、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着しての第二の正孔輸送層を設けた。さらに、化合物１とＩｒ−１２の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１２ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。さらに、ＢＡｌｑの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａｌｑ3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記電子輸送層の上に蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
【０５２０】
引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。
【０５２１】
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のホスト化合物として用いた化合物１を表１に示す化合物に置き換えた以外は有機ＥＬ素子１−１と同じ方法で有機ＥＬ素子１−２〜１−１３を作製した。上記で使用した各化合物の構造を以下に示す。
【０５２２】
【化１６４】
2006096934.tif 000165
【０５２３】
【化１６５】
2006096934.tif 000166
【０５２４】
（有機ＥＬ素子の評価）
作製した有機ＥＬ素子１−１〜１−１３の評価を下記のようにして行い、その結果を表１に示す。
【０５２５】
〈外部取り出し量子効率〉
有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で１０ｍＡ／ｃｍ2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。なお測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用いた。
【０５２６】
表１の外部取り出し量子効率の測定結果は、有機ＥＬ素子１−１２の測定値を１００とした時の相対値で表した。
【０５２７】
【表１】
2006096934.tif 000167
【０５２８】
表１から、本発明の有機ＥＬ素子は、外部取り出し量子効率に非常に優れていることが分かった。
【０５２９】
実施例２
（有機ＥＬ素子の作製）
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。この透明支持基板上にポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、３０ｎｍの第１の正孔輸送層を設けた。この第１の正孔輸送層を設けた透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに第２の正孔輸送層としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＩｒ−１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに正孔阻止材料として化合物１を２００ｍｇ入れ、さらに別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ3を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取付けた。
【０５３０】
次いで、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着して膜厚２５ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。さらに、ＣＢＰとＩｒ−１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１２ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。さらに、化合物１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記発光層の上に蒸着して膜厚１０ｎｍの正孔阻止層の役割も兼ねた電子輸送層を設けた。その上に、さらに、Ａｌｑ3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記電子輸送層の上に蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を設けた。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
【０５３１】
引き続きフッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。
【０５３２】
有機ＥＬ素子２−１の作製において、正孔阻止材料として用いた化合物１を表２に示す化合物に置き換えた以外は有機ＥＬ素子２−１と同じ方法で有機ＥＬ素子２−１〜２−１３を作製した。上記で使用した化合物の構造を以下に示す。
【０５３３】
【化１６６】
2006096934.tif 000168
【０５３４】
（有機ＥＬ素子の評価）
実施例１と同様にして有機ＥＬ素子２−１〜２−１３の外部取り出し量子効率の評価を行った。さらに下記に示す測定法に従って寿命の評価を行った。
【０５３５】
（寿命）
１０ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（τ０．５）として寿命の指標とした。なお測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用いた。
【０５３６】
表２の外部取り出し量子効率、寿命の測定結果は、有機ＥＬ素子２−１２を１００とした時の相対値で表した。
【０５３７】
【表２】
2006096934.tif 000169
【０５３８】
表２から、本発明の有機ＥＬ素子は、長寿命化が達成されていることが分かった。
【０５３９】
実施例３
実施例１で作製した本発明の有機ＥＬ素子１−４と、実施例２で作製した本発明の有機ＥＬ素子２−５と、本発明の有機ＥＬ素子２−５のリン光性化合物を下記Ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）に置き換えた以外は同様にして作製した赤色発光有機ＥＬ素子を同一基板上に並置し、図１に示すアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図２には作製したフルカラー表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。即ち同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。前記複数の画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。このように各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０５４０】
【化１６７】
2006096934.tif 000170
【０５４１】
フルカラー表示装置を駆動することにより、外部取り出し量子効率が高く耐久性の良好な、鮮明なフルカラー動画表示が得られた。
【０５４２】
実施例４
実施例１の透明電極基板の電極を２０ｍｍ×２０ｍｍにパターニングし、その上に実施例１と同様に正孔注入／輸送層としてポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）及びα−ＮＰＤを５０ｎｍの厚さで成膜し、さらに本発明の化合物１の入った前記加熱ボートとＩｒ−１２の入ったボート及びＢｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるＰＶＫと発光ドーパントであるＩｒ−１２及びＢｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）の蒸着速度が１００：５：０．６になるように調節し、３０ｎｍの厚さになるように蒸着し発光層を設けた。
【０５４３】
次いで、化合物１３を１０ｎｍ成膜して電子輸送層を設けた。さらに、Ａｌｑ3を４０ｎｍで成膜し電子注入層を設けた。
【０５４４】
次に、真空槽を開け、電子注入層の上にステンレス鋼製の透明電極とほぼ同じ形状の正方形穴あきマスクを設置し、陰極バッファー層として弗化リチウム０．５ｎｍ及び陰極としてアルミニウム１１０ｎｍを蒸着成膜した。
【０５４５】
最後に厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図５及び６で示す平面ランプを作製した。図５は照明装置の概略図で、図６は照明装置の断面図である。有機ＥＬ素子１００は、ガラスカバー１０２で覆われ、透明電極付きガラス基板１０１とガラスカバー１０２とは封止剤１０７で封止され、電源線（陽極）１０３と、電源線（陰極）１０４が接続されている。１０５は陰極で１０６は有機ＥＬ層である。なおガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、補水剤１０９が設けられている。
【０５４６】
【化１６８】
2006096934.tif 000171
【０５４７】
この平面ランプに通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、発光ホストを本発明の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。
【０５４８】
実施例５
実施例４における化合物１をＣＢＰに、ＢＡｌｑを化合物１４に置き換えた他は同様に平面ランプを作製したところ、実施例４と同様に、ほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが分かった。なお、発光ホストを本発明の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０５４９】
【図１】アクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を示す。
【図２】フルカラー表示装置の表示部Ａの模式図を示す。
【図３】画素の模式図を表す。
【図４】パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
【図５】照明装置の概略図である。
【図６】照明装置の断面図である。
【符号の説明】
【０５５０】
１  ディスプレイ
３  画素
５  走査線
６  データ線
Ａ  表示部
Ｂ  制御部
１００  有機ＥＬ素子
１０１  透明電極付きガラス基板
１０２  ガラスカバー
１０３  電源線（陽極）
１０４  電源線（陰極）
１０５  陰極
１０６  有機ＥＬ層
１０７  封止剤
１０８  窒素ガス
１０９  捕水剤
【図１】
2006096934.tif 000174
【図２】
2006096934.tif 000175
【図３】
2006096934.tif 000176
【図４】
2006096934.tif 000177
【図５】
2006096934.tif 000178
【図６】
2006096934.tif 000179