(57)【要約】【課題】  マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機の高周波部を、小型、安価に一体化した電子部品モジュールを提供する。【解決手段】  高周波モジュールにおいて、モジュール基板１２上に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品３０，３１を実装し、ＳＡＷチップ２０は、モジュール基板１２との間に空洞２２を確保するように実装され、このＳＡＷチップ２０と、これを除く他のＲＦ送受信ＬＳＩ１０、チップ部品３０，３１とは、シート状シール材１１により周辺部がモジュール基板１２に接着されて外側から直接覆われている。【選択図】  図１
2006135771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側に配線パターンが形成され、他面側に外部接続端子が形成されている配線基板と、
前記配線基板の一面側に搭載された複数の電子部品素子と、
前記電子部品素子を覆うシート状シール材とを有し、
前記電子部品素子の少なくとも一つは、前記配線基板との間に空洞を確保するように前記配線基板に実装され、
前記空洞が確保された電子部品素子と、前記空洞が確保された電子部品素子を除く他の電子部品素子とは、前記シート状シール材により周辺部が前記配線基板に接着されて外側から直接覆われていることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品モジュールにおいて、
前記空洞が確保された電子部品素子は、前記空洞が確保された電子部品素子と、前記配線基板に設けた配線パターンとを電気的に接続する金属バンプを有することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項３】
請求項１または２記載の電子部品モジュールにおいて、
前記電子部品素子の少なくとも一つは、フェースダウンで前記配線基板に実装されるフリップチップＬＳＩであり、
前記フリップチップＬＳＩと前記配線基板との間隙は、アンダーフィル材により封止されていることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項４】
一面側に配線パターンが形成され、他面側に外部接続端子が形成されている配線基板と、
前記配線基板の一面側に搭載された複数の電子部品素子と、
前記電子部品素子を覆うシート状シール材と、
前記配線基板を封止する外装用樹脂材とを有し、
前記電子部品素子の少なくとも一つは、前記配線基板との間に空洞を確保するように前記配線基板に実装され、
前記空洞が確保された電子部品素子は、前記シート状シール材により周辺部が前記配線基板に接着されて覆われ、
前記覆われて空洞が確保された電子部品素子と、前記覆われて空洞が確保された電子部品素子を除く他の電子部品素子とは、前記外装用樹脂材により外側から覆われていることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項５】
一面側に配線パターンが形成され、他面側に外部接続端子が形成されている配線基板と、
前記配線基板の一面側に搭載された複数の電子部品素子と、
前記電子部品素子を覆うシート状シール材と、
前記配線基板を覆う外装用金属材とを有し、
前記電子部品素子の少なくとも一つは、前記配線基板との間に空洞を確保するように前記配線基板に実装され、
前記空洞が確保された電子部品素子は、前記シート状シール材により周辺部が前記配線基板に接着されて覆われ、
前記覆われて空洞が確保された電子部品素子と、前記覆われて空洞が確保された電子部品素子を除く他の電子部品素子とは、前記外装用金属材により外側から覆われていることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項６】
請求項１または２記載の電子部品モジュールにおいて、
前記電子部品素子と前記配線基板との電気的接続は接着材によって行い、
前記接着材の融点をＴ１（℃）、前記シート状シール材の融点をＴ２（℃）とした場合に、
Ｔ２＜Ｔ１
の関係を満足することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項７】
請求項３記載の電子部品モジュールにおいて、
前記電子部品素子と前記配線基板との電気的接続を接着材によって行い、
前記接着材の融点をＴ１（℃）、前記シート状シール材の融点をＴ２（℃）、前記アンダーフィル材の融点をＴ３（℃）とした場合に、
Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ１
の関係を満足することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項８】
請求項４記載の電子部品モジュールにおいて、
前記電子部品素子と前記配線基板との電気的接続を接着材によって行い、
前記接着材の融点をＴ１（℃）、前記シート状シール材の融点をＴ２（℃）、アンダーフィル材の融点をＴ３（℃）、前記外装用樹脂材の融点をＴ４（℃）とした場合に、
Ｔ４＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ１
の関係を満足することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品モジュールにおいて、
前記空洞が確保された電子部品素子は、弾性表面波フィルタチップであることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品モジュールにおいて、
前記空洞が確保された電子部品素子は、薄膜圧電共振器であることを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品モジュールにおいて、
前記空洞が確保された電子部品素子は、ＳＭＲ型ＢＡＷであることを特徴とする電子部品モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電子部品素子を同一基板に実装して一体化した複合部品（いわゆる電子部品モジュール）に係わり、特に、フィルタ素子や、ＬＳＩなどの異種部品を内蔵するモジュールに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話システムは、第２世代携帯電話システムと呼ばれている、ＧＳＭシステムが実用化されている。標準規格は、ＥＳＴＩの、Ｄｉｇｉｔａｌ  ｃｅｌｌｕｌａｒ  ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  ｓｙｓｔｅｍ（Ｐｈａｓｅ  ２＋）；Ｒａｄｉｏ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ａｎｄ  ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ（ＧＳＭ  ０５．０５  ｖｅｒｓｉｏｎ８．３．０  Ｒｅｌｅａｓｅ  １９９９）、である（インターネットのＵＲＬは、ｗｗｗ．ｅｔｓｉ．ｏｒｇ／ｇｅｔａｓｔａｎｄａｒｄ／ｈｏｍｅ．ｈｔｍ）。
【０００３】
このシステムは、９００ＭＨｚ帯を用いてサービスが始まり、その後、加入者増に応えて、１８００ＭＨｚ帯及び１９００ＭＨｚ帯も使用可能となり、合計３バンドに対応する、いわゆるマルチバンド携帯電話機が普及している。
【０００４】
この様に、周波数帯域の増加につれて、高周波フィルタ、低雑音増幅器などの高周波部品は増加するが、携帯電話機には、小型軽量が要求されている事から、高周波部も小型化して構成しなければならない。しかも、高周波部品の点数の増加に対しても、部品費は抑制し、低コストで携帯電話機を実現しなければならない。
【０００５】
さらに、第３世代携帯電話システムであるＷＣＤＭＡ方式も、２．１ＧＨｚ帯を用いてサービス開始されている。このシステムの標準規格は、３ＧＰＰの、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ  Ｇｒｏｕｐ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋｓ；ＵＥ  Ｒａｄｉｏ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ａｎｄ  Ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ（ＦＤＤ）（Ｒｅｌｅａｓｅ  ５），３ＧＰＰ  ＴＳ  ２５．１０１  ｖ５．３．０（２００２−０６）、である（インターネットのＵＲＬは、ｗｗｗ．３ｇｐｐ．ｏｒｇ／ｓｐｅｃｓ／ｓｐｅｃｓ．ｈｔｍ）。
【０００６】
ＷＣＤＭＡ方式に対応するために、携帯電話機は、ＧＳＭ方式の高周波送受信部、及びＷＣＤＭＡ方式の高周波送受信部の両方を有するデュアルシステムでなくてはならず、周波数帯域は、合計４バンドとなる。
【０００７】
第３世代携帯電話システムでは、静止画伝送、動画伝送、メモリカードインタフェースなどの機能が携帯電話機に求められ、撮像素子、複数の液晶ディスプレイ、動画像符号復号化ＩＣ、画像メモリ、ＩＣカードスロットなどの部品が増加し、このため、高周波送受信部に対する小型化要求はますます厳しくなる。
【０００８】
この様な、マルチバンド、マルチシステムの携帯電話機の実現手段として、高周波部を一体化した部品である、いわゆる高周波モジュールを用いる事が行なわれている。
【０００９】
この種の高周波モジュールの従来例は、例えば特許文献１に記載されており、携帯電話機に用いられるＳＡＷフィルタ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｆｉｌｔｅｒ，弾性表面波フィルタ）と、高周波ＬＳＩとを同一配線基板上へ実装し、樹脂封止してモジュール化している。この従来例において、ＳＡＷ端子と配線基板との電気的接続、および高周波ＬＳＩと配線基板との電気的接続は、共にワイヤボンディングにより行なわれている。
【００１０】
また、ＳＡＷフィルタの従来例としては、例えば特許文献２が挙げられ、圧電基板に作られた電極を、配線基板側へ向けて実装した、いわゆるフリップチップ構成のＳＡＷフィルタが示されている。
【００１１】
この種のフィルタは、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）フィルタとも呼ばれる。この従来例のように、ＳＡＷ端子と、フィルタ配線基板との接続はワイヤボンディングによらないため、部品面積をＳＡＷチップ面積に近づけられ、小型化できる長所がある。
【００１２】
しかしながら、これら特許文献１，２では、ＣＳＰのＳＡＷフィルタを、高周波ＬＳＩと共にモジュール化する最適な技術については述べられていない。
【００１３】
また、携帯電話機に用いられる高周波フィルタの一種として、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ，薄膜圧電共振器）が、例えば特許文献３に示されている。
【００１４】
しかしながら、この特許文献３では、ＦＢＡＲと、高周波ＬＳＩを混在させたモジュールの詳細な実現技術も示されていない。
【特許文献１】特開２００４−９５６３３号公報
【特許文献２】特開２００４−２１５２１８号公報
【特許文献３】特開２００４−２２２２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、前記のような特許文献１〜３の技術に関して、本発明者が検討した結果、これらの技術を組み合わせると、以下のような構造となることが考えられる。すなわち、高周波ＬＳＩとは別に、予めＳＡＷフィルタ（ＦＢＡＲ）はフリップチップ構成として形成され、その後、このフリップチップ構成のＳＡＷフィルタ（ＦＢＡＲ）と、高周波ＬＳＩとを同一配線基板上に実装し、樹脂封止することによって高周波モジュールとして完成される。
【００１６】
しかしながら、この構造では、予めフリップチップ構成のＳＡＷフィルタ（ＦＢＡＲ）を形成する必要があるため、プロセス工程が増える上に、配線基板上にＳＡＷチップをフリップチップ構成で実装して樹脂封止しフィルタを構成するために小型化、低コスト化の要求には十分とは言えないものとなっており、マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機における、小型、安価な高周波部品モジュールが求められている。
【００１７】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機の高周波部を、小型、安価に一体化した電子部品モジュールを提供することを目的とするものである。
【００１８】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２０】
本発明の電子部品モジュールは、一面側に配線パターンが形成され、他面側に外部接続端子が形成されている配線基板と、配線基板の一面側に搭載された複数の電子部品素子と、電子部品素子を覆うシート状シール材とを有する。電子部品素子の少なくとも一つは、配線基板との間に空洞を確保するように配線基板に実装される。空洞が確保された電子部品素子と、これを除く他の電子部品素子とは、シート状シール材により周辺部が配線基板に接着されて外側から直接覆われている。
【００２１】
また、本発明の電子部品モジュールは、一面側に配線パターンが形成され、他面側に外部接続端子が形成されている配線基板と、配線基板の一面側に搭載された複数の電子部品素子と、電子部品素子を覆うシート状シール材と、配線基板を封止する外装用樹脂材とを有する。電子部品素子の少なくとも一つは、配線基板との間に空洞を確保するように配線基板に実装される。空洞が確保された電子部品素子は、シート状シール材により周辺部が配線基板に接着されて覆われる。覆われて空洞が確保された電子部品素子と、これを除く他の電子部品素子とは、外装用樹脂材により外側から覆われている。あるいは、外装用樹脂材の代わりに、配線基板を覆う外装用金属材を有し、これにより電子部品素子が外側から覆われている。
【００２２】
さらに、本発明の電子部品モジュールは、空洞が確保された電子部品素子は、空洞が確保された電子部品素子と、配線基板に設けた配線パターンとを電気的に接続する金属バンプを有する。さらに、電子部品素子の少なくとも一つは、フェースダウンで配線基板に実装されるフリップチップＬＳＩである。フリップチップＬＳＩと配線基板との間隙は、アンダーフィル材により封止されている。空洞が確保された電子部品素子は、弾性表面波フィルタチップ、薄膜圧電共振器、ＳＭＲ型ＢＡＷなどである。
【００２３】
そして、本発明の電子部品モジュールは、電子部品素子と配線基板との電気的接続を接着材によって行い、接着材の融点をＴ１（℃）、シート状シール材の融点をＴ２（℃）、アンダーフィル材の融点をＴ３（℃）、外装用樹脂材の融点をＴ４（℃）とした場合に、Ｔ２＜Ｔ１、Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ１、あるいはＴ４＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ１の関係を満足するものである。
【発明の効果】
【００２４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２５】
本発明によれば、マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機の高周波部を、小型、安価に一体化した電子部品モジュールを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２７】
本発明は、電子部品モジュールに適用されるものであるが、その一例としての高周波モジュールを例に、各実施の形態を具体的に説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１及び図２により、本発明の実施の形態１である高周波モジュールの一例を説明する。
【００２９】
図１は、本実施の形態である高周波モジュールの断面図を示す。
【００３０】
本実施の形態である高周波モジュールは、一面側に配線パターンが形成され、他面側に外部接続端子が形成されている配線基板としてのモジュール基板１２と、モジュール基板１２の一面側に搭載された複数の電子部品素子としての、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品（チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗など）３０，３１と、これらのＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品３０，３１を覆うシート状シール材１１などから構成される。
【００３１】
モジュール基板１２には、他面側に外部接続端子としてのモジュール外部電極１３が形成され、一面側に配線パターンとしての、ＬＳＩパターン１７、ＳＡＷ入出力パターン２５が形成されている。また、モジュール基板１２に搭載された、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品３０，３１は、シート状シール材１１により周辺部がモジュール基板１２に接着されて外側から直接覆われている。
【００３２】
ＲＦ送受信ＬＳＩ１０は、フェースダウンでモジュール基板１２に実装されるフリップチップＬＳＩであり、モジュール基板１２上のＬＳＩパターン１７と電気的に接続する金属バンプ１５を有し、この金属バンプ１５がＬＳＩ電極１６に設けられている。また、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０とモジュール基板１２との間隙は、アンダーフィル材１４により封止されている。
【００３３】
ＳＡＷチップ２０は、モジュール基板１２上のＳＡＷ入出力パターン２５と電気的に接続する金属バンプ２３を有し、この金属バンプ２３が入出力電極２４に設けられている。また、ＳＡＷチップ２０は、ＳＡＷ共振子２１を持ち、このＳＡＷ共振子２１の振動面をモジュール基板１２側へ向け、モジュール基板１２との間に空洞２２を確保するように実装されている。
【００３４】
以上のような構成において、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０と、ＳＡＷチップ２０、チップ部品３０，３１とは、モジュール基板１２に設けられたパターンにより、相互に電気的接続がなされ、電子回路が構成される。この回路が、モジュール外部電極１３により外部回路と接続し、携帯電話機の高周波部として動作する。
【００３５】
ＲＦ送受信ＬＳＩ１０は、例えば、接続材としてのはんだ（融点Ｔ１℃とする）で作られた金属バンプ１５により、ＬＳＩパターン１７にはんだ付けされる。この時、チップ部品３０，３１も同時にはんだ付けされる。
【００３６】
一方、ＳＡＷチップ２０は、金属バンプ２３が金バンプの場合、ＳＡＷ入出力パターン２５に過熱融着される。金属バンプ２３がはんだバンプならば、上記ＲＦ送受信ＬＳＩ１０と同時にはんだ付けされる。
【００３７】
この後、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０とモジュール基板１２との間隙に、アンダーフィル材１４が挿入される。このアンダーフィル材１４は、例えばシリカがフィラとして含浸された、液状熱硬化性エポキシ樹脂が用いられる。熱硬化温度Ｔ３℃まで加熱硬化される。この時点で、フリップチップ実装された（つまり、ＬＳＩが基板にフェースダウンで実装された）ＲＦ送受信ＬＳＩ１０の樹脂封止は完了する。
【００３８】
次に、ＳＡＷチップ２０に対する気密封止として、シート状シール材１１をモジュール基板１２の上面から被せ、加熱密着させる。このシート状シール材１１は、例えばポリエチレンや、ポリプロピレンなどの熱可塑性樹脂（融点Ｔ２℃）のシートであり、膜厚や粘度を最適化することで、空洞２２を確保する。
【００３９】
このシート状シール材１１による封止は、複数のモジュール基板１２が繋がった全体の基板に対してまとめて被せて加熱しても良い。この場合、固着後に、ダイサーなどを用いて各モジュールに切断する。
【００４０】
ここで、空洞２２について説明すると、電気信号を圧電素子により機械的振動に変換する原理を利用した、ＳＡＷ、ＢＡＲ（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）、ＢＡＲの一種であるＦＢＡＲ、同じくＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型ＢＡＲは、全てこの種の空洞２２を必要とする。
【００４１】
ＳＡＷは、変換された弾性波が伝播する媒質として気体が必要であり、ＦＢＡＲ、ＳＭＲ型ＢＡＲは圧電体が振動できるための自由空間が必要なためである。
【００４２】
上記のようにして高周波モジュールを構成できるが、ここで、各加熱温度は、
Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ１      式（１）
式（１）の条件を満たす。
【００４３】
次に、本実施の形態である高周波モジュールを用いた携帯電話機の主要部を、図２の回路ブロック図を用いて説明する。
【００４４】
本実施の形態である高周波モジュールを用いた携帯電話機の主要部は、前述した高周波モジュール６０と、フロントエンドモジュール６１と、ベースバンド信号の変復調、符号復号化を行なう通信処理部６２と、アンテナ６３などから構成される。
【００４５】
高周波モジュール６０は、ＧＳＭ方式の送受信を行なうＲＦ送受信ＬＳＩ１０、Ｅ−ＧＳＭ帯（９００ＭＨｚ帯）の受信ＳＡＷフィルタ（ＳＡＷチップ）２０、ＤＣＳ帯（１８００ＭＨｚ帯）の受信ＳＡＷフィルタ６４、ＰＣＳ帯（１９００ＭＨｚ帯）の受信ＳＡＷフィルタ６５、各ＳＡＷフィルタとＲＦ送受信ＬＳＩ１０に内蔵された低雑音増幅器との整合回路６９、ＷＣＤＭＡ方式の送受信を行なうＲＦ送受信ＬＳＩ７４、ＷＣＤＭＡ帯（２．１ＧＨｚ帯、ＵＭＴＳ帯とも呼ぶ）の受信ＳＡＷフィルタ７２、ＳＡＷフィルタとＲＦ送受信ＬＳＩ７４に内蔵された低雑音増幅器との整合回路７３などから構成される。
【００４６】
フロントエンドモジュール６１は、ＧＳＭ方式の信号を通過させるローパスフィルタ７０、ＷＣＤＭＡ帯域を通過させるハイパスフィルタ７１、ＧＳＭ方式の送受信号を切替えるＧＳＭ送受スイッチ６７、ＧＳＭ方式の送信帯域を通過させるＧＳＭ送信ローパスフィルタ（このフィルタはバンドパスフィルタでも良い）６８、ＧＳＭ方式の高出力送信増幅器６６、ＧＳＭ送信ローパスフィルタ６８と高出力送信増幅器６６との整合回路７５、ＷＣＤＭＡの送信帯域を通過させるＷＣＤＭＡ送信ローパスフィルタ（このフィルタはバンドパスフィルタでも良い）７６、ＷＣＤＭＡ方式の高出力送信増幅器７７、ＷＣＤＭＡ送信ローパスフィルタ７６と高出力送信増幅器７７との整合回路７８などから構成される。
【００４７】
第３世代携帯電話方式の携帯電話機には、この様に２システムの送受信方式に対応し、かつ周波数は４バンドであることが求められる。図２は、アンテナ６３から通信処理部６２までを図示したが、他に、マイクロプロセッサ、ＲＡＭ、ＲＯＭなどのメモリ、液晶ディスプレイ、液晶ドライバＩＣ、撮像素子、動画像符号復号化ＩＣ、画像ＲＡＭ、ＩＣカードスロットなどの電子部品を用いて携帯電話機が構成される。
【００４８】
図２のように構成することで、携帯電話機の高周波部を高周波モジュール６０と、フロントエンドモジュール６１の２部品により実現できる。
【００４９】
従って、本実施の形態によれば、モジュール基板１２上に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品３０，３１を同じ工程で実装して製造することができるので、製造工程数を減らすことができるとともに、高周波モジュールの高さを含めた外観を小さくすることができる。この結果、マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機における、小型、安価な高周波モジュールを実現することができる。
【００５０】
（実施の形態２）
図３により、本発明の実施の形態２である高周波モジュールの一例を説明する。
【００５１】
図３は、本実施の形態である高周波モジュールの断面図を示す。
【００５２】
本実施の形態である高周波モジュールにおいて、前記実施の形態１と異なる点を述べると、４０はモジュール基板との間に空洞を確保するように実装される電子部品素子としての他の例であるＦＢＡＲチップ、４１は圧電体薄膜共振子、４２は空洞、４３は金属バンプ、４４はＦＢＡＲチップに設けられた入出力電極、４５はモジュール基板表層のＦＢＡＲ入出力パターンである。
【００５３】
本実施の形態である高周波モジュールにおいても、前記実施の形態１と同様に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＦＢＡＲチップ４０などをはんだ付けし、アンダーフィル材１４を用いてＲＦ送受信ＬＳＩ１０を封止する。その後、シート状シール材１１を被せ、圧電体薄膜共振子４１の下方に空洞４２が確保できるようにしながら、加熱密着させ、高周波モジュールを封止する。
【００５４】
ここでは、フィルタ素子がＦＢＡＲの例を示したが、ＳＭＲ型ＢＡＲであっても同様である。
【００５５】
従って、本実施の形態によれば、モジュール基板１２上に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＦＢＡＲチップ４０、およびチップ部品３０，３１を実装する高周波モジュールにおいて、前記実施の形態１と同様に、マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機における、小型、安価な高周波モジュールを実現することができる。
【００５６】
（実施の形態３）
図４により、本発明の実施の形態３である高周波モジュールの一例を説明する。
【００５７】
図４は、本実施の形態である高周波モジュールの断面図を示す。
【００５８】
本実施の形態である高周波モジュールにおいて、前記実施の形態１と異なる点を述べると、５０はモジュール基板を封止する外装用樹脂材としての外装封止材、５１は電子部品素子を覆うシート状シール材としての過熱シール材である。
【００５９】
本実施の形態である高周波モジュールにおいても、前記実施の形態１と同様に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＦＢＡＲチップ４０などをはんだ付けし、アンダーフィル材１４を用いてＲＦ送受信ＬＳＩ１０を封止する。その後、ＳＡＷチップ２０だけを覆う加熱シール材５１を被せ、空洞２２を確保するようにしながら、加熱密着させる（融点Ｔ４℃）。
【００６０】
これにより、ＳＡＷチップ２０の封止は完了し、この後、高周波モジュール全体の外装封止を、外装封止材５０を塗布して行なう。この外装封止材５０の例としては、封止材として一般的に用いられ、安価な、熱硬化性エポキシ樹脂を選ぶことができる。
【００６１】
ここで、前記実施の形態１と同様に、各加熱温度は、
Ｔ４＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ１      式（２）
式（２）の条件を満たす。
【００６２】
従って、本実施の形態によれば、モジュール基板１２上に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品３０，３１を実装し、ＳＡＷチップ２０だけを加熱シール材５１で覆い、モジュール全体を外装封止材５０で封止する高周波モジュールにおいて、前記実施の形態１と同様に、マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機における、小型、安価な高周波モジュールを実現することができる。
【００６３】
（実施の形態４）
図５により、本発明の実施の形態４である高周波モジュールの一例を説明する。
【００６４】
図５は、本実施の形態である高周波モジュールの断面図を示す。
【００６５】
本実施の形態である高周波モジュールにおいて、前記実施の形態３と異なる点を述べると、８０は高周波モジュールの上面を覆う外装用金属材としての金属ケース、８１は金属ケース８０を固定するために切り欠き（スリット）を設けたモジュール基板である。
【００６６】
本実施の形態である高周波モジュールにおいても、前記実施の形態３と同様に、ＳＡＷチップ２０だけを覆う加熱シール材５１を被せ、空洞２２を確保するようにしながら、加熱密着させる。モジュール基板８１は四隅に切り欠きを持ち、金属ケース８０の対応する箇所は、板状の突起を形成しておく。金属ケース８０をモジュール基板８１に被せ、切り欠き箇所の板状突起をかしめることで固着する。
【００６７】
または、モジュール基板８１の四隅に銅箔パターンを設けておき、金属ケース８０の対応する箇所をはんだ付けすることで固着しても良い。
【００６８】
従って、本実施の形態によれば、モジュール基板１２上に、ＲＦ送受信ＬＳＩ１０、ＳＡＷチップ２０、およびチップ部品３０，３１を実装し、ＳＡＷチップ２０だけを加熱シール材５１で覆い、モジュール上面を金属ケース８０で覆う高周波モジュールにおいて、前記実施の形態３と同様に、マルチバンド、マルチシステムに対応した携帯電話機における、小型、安価な高周波モジュールを実現することができるとともに、この様に構成することで、高周波モジュール内の電子部品は外部に対して電磁シールドがなされるため、電磁波妨害特性を向上させることができる。
【００６９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、携帯電話機を始めとする無線通信機器に用いられる、高周波モジュールなどの電子部品モジュールに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施の形態１である高周波モジュールを示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１である高周波モジュールを用いた携帯電話機の主要部を示す回路ブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態２である高周波モジュールを示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３である高周波モジュールを示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４である高周波モジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０…ＲＦ送受信ＬＳＩ、１１…シート状シール材、１２…モジュール基板、１３…モジュール外部電極、１４…アンダーフィル材、１５…金属バンプ、１６…ＬＳＩ電極、１７…ＬＳＩパターン、２０…ＳＡＷチップ、２１…ＳＡＷ共振子、２２…空洞、２３…金属バンプ、２４…入出力電極、２５…ＳＡＷ入出力パターン、３０，３１…チップ部品、４０…ＦＢＡＲチップ、４１…圧電体薄膜共振子、４２…空洞、４３…金属バンプ、４４…入出力電極、４５…ＦＢＡＲ入出力パターン、５０…外装封止材、５１…過熱シール材、６０…高周波モジュール、６１…フロントエンドモジュール、６２…通信処理部、６３…アンテナ、６４…受信ＳＡＷフィルタ、６５…受信ＳＡＷフィルタ、６６…高出力送信増幅器、６７…ＧＳＭ送受スイッチ、６８…ＧＳＭ送信ローパスフィルタ、６９…整合回路、７０…ローパスフィルタ、７１…ハイパスフィルタ、７２…受信ＳＡＷフィルタ、７３…整合回路、７４…ＲＦ送受信ＬＳＩ、７５…整合回路、７６…ＷＣＤＭＡ送信ローパスフィルタ、７７…高出力送信増幅器、７８…整合回路、８０…金属ケース、８１…モジュール基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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