(57)【要約】【課題】半導体レーザなどの発光素子の発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図りつつ、発光素子の高速動作が可能な発光素子駆動回路の提供。【解決手段】この発明は、半導体レーザ１１、レーザ駆動回路１２、前置増幅回路１３、バイアス電流回路１５、モニタ回路１６、基準電圧発生回路１７、比較回路１８の他に、補償回路１４を備えている。この補償回路４は、前置増幅回路１３の駆動電流を補償するものであり、定電流源回路から構成される。すなわち、その補償回路４は、前置増幅回路１３を構成する可変電流源であるＭＯＳトランジスタＭ１５に並列に接続され、前置増幅回路１３に所定の補償電流を供給するようになっている。【選択図】  図１
2006100555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生する発光素子と、
差動増幅器から構成され、前記発光素子に駆動電流を流すとともに、その駆動電流を制御可能な駆動回路と、
前記駆動回路に供給すべき差動信号を差動増幅するとともに、自己の駆動電流を制御可能な前置増幅回路と、
前記発光素子にバイアス電流を供給するバイアス電流回路と、
前記発光素子の発光状態を検出し、その検出に応じた電気信号を生成するモニタ回路と、
前記モニタ回路が生成する電気信号の大きさを基準値と比較し、この比較結果に応じた信号を前記駆動回路、前記前置増幅回路、および前記バイアス電流回路に制御信号としてそれぞれ供給する比較回路と、
前記前置増幅回路の駆動電流を補償する補償回路と、
を備えていることを特徴とする発光素子駆動回路。
【請求項２】
前記前置増幅回路は、差動信号を入力する差動対のトランジスタと、前記差動対のトランジスタに直列に接続され、前記比較回路からの出力信号に従って前記差動対のトランジスタに流れる電流を制御する可変電流源とを含み、
前記補償回路は、前記可変電流源に並列に接続され、前記差動対のトランジスタに所定の補償電流を供給するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子駆動回路。
【請求項３】
前記補償回路は、定電流源または定抵抗から構成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子駆動回路。
【請求項４】
前記前置増幅回路は、ＭＯＳトランジスタから構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちのいずれか１の請求項に記載の発光素子駆動回路。
【請求項５】
発光素子駆動回路に使用される前置増幅回路であって、
前記前置増幅回路は、
差動信号を入力する差動対のトランジスタと、
前記差動対のトランジスタに直列に接続され、外部からの制御信号に従って前記差動対のトランジスタに流れる電流を制御する可変電流源と、
前記可変電流源に並列に接続され、前記差動対のトランジスタに所定の補償電流を供給する補償回路と、
を含むことを特徴とする前置増幅回路。
【請求項６】
前記補償回路は、定電流源または定抵抗から構成されることを特徴とする請求項５に記載の前置増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザなどの発光素子を駆動する発光素子駆動回路、およびその発光素子駆動回路に適用される前置増幅回路に関するものである。
そして、本発明は、特に、光通信用における半導体レーザをパルスで駆動する際に、その半導体レーザの発光信号のデューティ比を改善しながら高速動作が可能な発光素子駆動回路、およびその発光素子駆動回路に適用される前置増幅回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体レーザのような発光素子は温度特性を持っている。このため、半導体レーザは、その周囲温度の変化によって光出力（発光強度）が大きく変化する（図５〜図７参照）。
図５は、低温Ｔ１、常温Ｔ２、および高温Ｔ３のうち、常温Ｔ２時における半導体レーザの駆動例を示す特性図（電流−光変換特性）である。図５において、横軸は半導体レーザへの注入電流（駆動電流）であり、縦軸はその光出力である。
【０００３】
常温時には、図５に示すように、その半導体レーザのしきい値電流はＩｔｈ２である。このため、半導体レーザに供給されるバイアス電流は、そのしきい値電流Ｉｔｈ２と等しくなるように設定され、入力データに従った駆動電流（パルス電流）Ｉｐが設定バイアス電流に重畳される。その結果、半導体レーザの光出力は図５に示すようになる。
ここで、ＨレベルとＬレベルとが50：50のデューティ比を持つパルス電流がその半導体レーザに与えられると、図５のような高い消光比（Ｐｍａｘ／Ｐｍｉｎ）を示し、かつ50：50のデューティ比を示す最大光出力Ｐｍａｘおよび最小光出力Ｐｍｉｎが得られる。
【０００４】
図６は、高温Ｔ３時における半導体レーザの駆動例を示す特性図である。高温時には、図６に示すように、その半導体レーザのしきい値電流はＩｔｈ３（＞Ｉｔｈ２）へと変化し、かつ、変換効率は常温時に比べて低くなる。
その為、半導体レーザに常温時と同様のバイアス電流と駆動電流が与えられる場合には、図６の最大光出力Ｐｍａｘ３および最小光出力Ｐｍｉｎ３のように、光出力Ｐの最大値が小さくなってしまい、消光比が劣化する。しかも、光出力Ｐのデューテイ比が大幅に劣化してしまう。
【０００５】
図７は、低温Ｔ１時における半導体レーザの駆動例を示す特性図である。低温時には、図７に示すように、その半導体レーザのしきい値電流はＩｔｈ１（＜Ｉｔｈ２）へと変化し、かつ、変換効率は常温時に比べて高くなる。
ところが、半導体レーザに常温時と同様のバイアス電流と駆動電流が与えられる場合には、図７の最大光出力Ｐｍａｘ１および最小光出力Ｐｍｉｎ１のように、光出力Ｐ自体が大きくなってしまい、消光比も増加する。
【０００６】
そこで、半導体レーザでは、その周囲温度の変化にかかわらず、光出力Ｐおよび消光比が一定になるようにしないと、通信などに支障をきたす原因となる。このため、その不都合を解消するための半導体レーザの駆動回路として、図８および図９に示すＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）方式のものが知られている（例えば、特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００７】
図８に示す従来回路は、半導体レーザ１、レーザ駆動回路２、前置増幅回路３、バイアス電流回路４、受光素子５を含むモニタ回路６、基準電圧発生回路７、比較回路８、および比較回路９からなる。
このような構成からなる従来回路では、半導体レーザ１が発生する光を受光素子5が受けて光-電気変換を行い、この光-電気変換に応じた信号がモニタ回路６から出力される。比較回路８は、モニタ回路６の出力を基準電圧発生回路７から出力される基準値と比較し、その比較結果に応じた信号を生成し、この生成信号によりバイアス電流回路４のバイアス電流が制御される。すなわち、図１０に示す半導体レーザ１のしきい値電流が制御される。
【０００８】
また、比較回路９は、モニタ回路６の出力を基準電圧発生回路７から出力される基準値と比較し、その比較結果に応じた信号を生成し、この生成信号によりレーザ駆動回路４の駆動電流（パルス電流）が制御される。
このような動作により、半導体レーザ１の周囲温度が変化してその特性が変化しても、その変化に応じて半導体レーザ１の駆動電流およびバイアス電流（しきい値電流）が制御され、その光出力Ｐは一定に制御される（図１０参照）。
【０００９】
図９に示す半導体レーザの駆動回路は、図８に示す回路をＭＯＳトランジスタを用いて具体化したものであり、図８に示す比較回路８、９が共通の比較回路１０に置き換えられている点が異なる。
次に、半導体レーザの発光信号のデューティ比を改善するようにした半導体レーザの駆動回路として、図１１および図１２に示すものが知られている（例えば、特許文献２参照）。
【００１０】
この従来回路は、図１１に示すように、図８に示す半導体レーザの駆動回路の構成を基本とし、具体的には図１２に示すような構成からなる。
図１１および図１２に示す従来回路と、図８および図９に示す従来回路との違いは、図示のように、比較回路９または比較回路１０の出力信号を、レーザ駆動回路２の前段に設けた前置増幅回路３に供給するようにした点である。
【００１１】
図１２に示す前置増幅回路３は、具体的には図１３に示すような構成からなる。すなわち、前置増幅回路３は、図１３に示すように、入力用の差動対のＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２と、可変電流源用のＭＯＳトランジスタＭ３と、負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２と、出力用のＭＯＳトランジスタＭ４，Ｍ５と、負荷抵抗Ｒ３，Ｒ４とからなる。
このような構成からなる従来回路では、図12のレーザ駆動回路２の前段に設けた前置増幅回路３の出力信号を、図8の比較回路９また図12の比較回路１０の出力信号、すなわちレーザ駆動回路２の駆動電流の大きさに応じて変更することができ、半導体レーザの発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図ることができる。
【００１２】
しかし、半導体レーザ１の駆動電流が微小になったときには、これに応じて前置増幅回路３の駆動電流も小さくなり、前置増幅回路３には後段のレーザ駆動回路やバッファなどを構成するトランジスタをスイッチングさせるのに十分な電流が流れなくなる。この結果、前置増幅回路のスルーレートが小さくなり、例えば半導体レーザ１を通信に使用する場合には十分な高速性を保つことができないという知見を得た。
【特許文献１】特開平１０−３０３４８６号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４８７０号公報
【特許文献３】特開２００４−９６００３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、本発明の第１の目的は、上記の知見に基づき、半導体レーザなどの発光素子の発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図りつつ、発光素子の高速動作が可能な発光素子駆動回路を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は、発光素子駆動回路に適用した場合に、上記の第１の目的を実現できる前置増幅回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決し本発明の目的を達成するために、各発明は、以下のような構成からなる。
すなわち、第１の発明は、光を発生する発光素子と、差動増幅器から構成され、前記発光素子に駆動電流を流すとともに、その駆動電流を制御可能な駆動回路と、前記駆動回路に供給すべき差動信号を差動増幅するとともに、自己の駆動電流を制御可能な前置増幅回路と、前記発光素子にバイアス電流を供給するバイアス電流回路と、前記発光素子の発光状態を検出し、その検出に応じた電気信号を生成するモニタ回路と、前記モニタ回路が生成する電気信号の大きさを基準値と比較し、この比較結果に応じた信号を前記駆動回路、前記前置増幅回路、および前記バイアス電流回路に制御信号としてそれぞれ供給する比較回路と前記前置増幅回路の駆動電流を補償する補償回路と、を備えている。
【００１５】
第２の発明は、第１の発明において、前記前置増幅回路は、差動信号を入力する差動対のトランジスタと、前記差動対のトランジスタに直列に接続され、前記比較回路からの出力信号に従って前記差動対のトランジスタに流れる電流を制御する可変電流源とを含み、前記補償回路は、前記可変電流源に並列に接続され、前記差動対のトランジスタに所定の補償電流を供給するようになっている。
【００１６】
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記補償回路は、定電流源または定抵抗から構成される。
第４の発明は、第１から第３のうちのいずれかの発明において、前記前置増幅回路は、ＭＯＳトランジスタから構成される。
第５の発明は、発光素子駆動回路に使用される前置増幅回路であって、前記前置増幅回路は、差動信号を入力する差動対のトランジスタと、前記差動対のトランジスタに直列に接続され、外部からの制御信号に従って前記差動対のトランジスタに流れる電流を制御する可変電流源と、前記可変電流源に並列に接続され、前記差動対のトランジスタに所定の補償電流を供給する補償回路と、を含んだものである。
【００１７】
第６の発明は、第５の発明において、前記補償回路は、定電流源または定抵抗から構成される。
以上のような構成からなる本発明の発光素子駆動回路によれば、半導体レーザなどの発光素子の発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図りつつ、その発光素子の高速動作が可能となる。
【００１８】
また、本発明の前置増幅回路によれば、発光素子駆動回路に適用した場合に、半導体レーザなどの発光素子の発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図りつつ、その発光素子の高速動作に寄与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
本発明の発光素子駆動回路および前置増幅回路の各実施形態の構成について、図１および図２を参照して説明する。
図１は、本発明の発光素子駆動回路の実施形態の構成を示す回路図である。この実施形態に係る発光素子駆動回路は、半導体レーザ（レーザダイオード）１１と、レーザ駆動回路１２と、前置増幅回路１３と、補償回路１４と、バイアス電流回路１５と、モニタ回路１６と、基準電圧発生回路１７と、比較回路１８とを備えている。
【００２０】
半導体レーザ１１は、光信号を発生する発光素子であって、例えば通信などに使用される発光素子である。この半導体レーザ１１は、その一端側が正の電源に接続され、その他端側がバイアス電流回路１５に直接接続されるとともに、コンデンサＣ１１を介してレーザ駆動回路１２の出力端子と接続されている。
レーザ駆動回路１２は、差動増幅器から構成され、半導体レーザ１１に駆動電流（例えば、通信に応じたパルス電流）を流すとともに、その駆動電流の大きさが制御可能に構成される。
【００２１】
このために、レーザ駆動回路１２は、図１に示すように、差動対からなるＮ型のＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２と、可変電流源としてのＮ型のＭＯＳトランジスタＭ１３と、ＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２の負荷となる負荷抵抗Ｒ１１，Ｒ１２とからなり、これらが差動増幅器を形成している。
さらに詳述すると、ＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２は、その各ゲートに前段の前置増幅回路１３からの非反転出力信号および反転出力信号が入力されるようになっている。ＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２の各ソースは共通接続され、その共通接続部がＭＯＳトランジスタＭ１３を介して接地されている。また、ＭＯＳトランジスタＭ１１，Ｍ１２の各ドレインは、対応する負荷抵抗Ｒ１１，Ｒ１２を介して正の電源に接続されている。さらに、ＭＯＳトランジスタＭ１３のゲートは、比較回路１８の出力信号が供給されるように比較回路１８の出力端子に接続されている。
【００２２】
前置増幅回路１３は、レーザ駆動回路１２に供給すべき差動信号を増幅するとともに、自己の駆動電流を制御できるようになっている。すなわち、前置増幅回路１３は、図２に示すように、外部から自己の駆動電流が制御可能な差動増幅器１３１と、ソースフォロワからなるバッファ回路１３２、１３３とから構成される。
差動増幅器１３１は、図２に示すように、差動対からなるＮ型のＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２と、可変電流源としてのＮ型のＭＯＳトランジスタＭ１５と、ＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２の負荷となる負荷抵抗Ｒ２１，Ｒ２２とからなる。
【００２３】
さらに詳述すると、ＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２は、その各ゲートに所定の非反転入力信号および反転入力信号が入力されるようになっている。ＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２の各ソースは共通接続され、その共通接続部がＭＯＳトランジスタＭ１５を介して接地されている。また、ＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２の各ドレインは、対応する負荷抵抗Ｒ２１，Ｒ２２を介して正の電源に接続されている。さらに、ＭＯＳトランジスタＭ１５のゲートは、比較回路１８の出力信号が供給されるようにその出力端子に接続されている。
【００２４】
補償回路１４は、前置増幅回路１３の駆動電流（動作電流）を補償するために、前置増幅回路１３の動作中に所定の補償電流を供給する回路である。すなわち、補償回路１４は、図１および図２に示すような定電流回路からなり、可変定電流源であるＭＯＳトランジスタＭ１５に並列に接続されている。
さらに詳述すると、補償回路１４は、図２に示すように、ＭＯＳトランジスタＭ１５に並列に接続されるＮ型のＭＯＳトランジスタＭ１６と、このＭＯＳトランジスタＭ１６のゲートに固定のバイアス電圧を供給する定電圧源１４１とからなり、これらが定電流源回路を構成している。
【００２５】
ここで、定電圧源１４１は、生成するバイアス電圧が温度依存性がないものが好ましく、また、そのバイアス電圧が可変できる上に任意の値に設定できる可変型の定電圧源に代えるようにしても良い。
バッファ回路１３２は、Ｎ型のＭＯＳトランジスタＭ２３と負荷抵抗Ｒ２３とからなり、これらでソースフォロワを構成している。また、バッファ回路１３３は、Ｎ型のＭＯＳトランジスタＭ２４と負荷抵抗Ｒ２４とからなり、これらでソースフォロワを構成している。
【００２６】
さらに詳述すると、図２に示すように、ＭＯＳトランジスタＭ２３と負荷抵抗Ｒ２３とは直列に接続され、その一端側が正の電源に接続され、その他端側が接地され、その共通接続部がレーザ駆動回路１２のＭＯＳトランジスタＭ１１のゲートに接続されている。また、ＭＯＳトランジスタ２３のゲートは、ＭＯＳトランジスタＭ２１のドレインに接続されている。
【００２７】
ＭＯＳトランジスタＭ２４と負荷抵抗Ｒ２４とは直列に接続され、その一端側が正の電源に接続され、その他端側が接地され、その共通接続部がレーザ駆動回路１２のＭＯＳトランジスタＭ１２のゲートに接続されている。また、ＭＯＳトランジスタＭ２４のゲートは、ＭＯＳトランジスタＭ２２のドレインに接続されている。
図１のバイアス電流回路１５は、半導体レーザ１１に供給するバイアス電流を生成するとともに、そのバイアス電流が制御可能な回路である。このため、バイアス電流回路１５は、Ｎ型のＭＯＳトランジスタＭ１４から構成され、そのゲート電圧が比較回路１８の出力信号によって制御されるようになっている。さらに詳述すると、ＭＯＳトランジスタＭ１４は、ゲートが比較回路１８の出力端子に接続され、ドレインが半導体レーザ１１に接続され、ソースが接地されている。
【００２８】
モニタ回路１６は、半導体レーザ１の発光状態を監視し、その発光量に応じた電気信号を生成するための回路である。このため、モニタ回路１６は、半導体レーザ１が発生する光信号を受け、この受けた光信号に応じた電流を生成する受光素子１６１と、この受光素子１６１により生成される電流に応じた電圧を生成する抵抗Ｒ１３とからなる。さらに詳述すると、受光素子１６１と抵抗Ｒ１３とが直列に接続され、その一端側が正の電源に接続され、その他端側が接地され、かつその共通接続部が比較回路１８の−入力端子に接続されている。
【００２９】
基準電圧発生回路１７は、比較回路１８に供給するための基準電圧Ｖｒｅｆを発生する回路であり、温度変化にかかわらず所定の電圧を発生するようになっている。
比較回路１８は、モニタ回路１６で得られる電圧を基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、その比較結果に応じた出力信号を生成して出力する回路である。この比較回路１８の出力信号は、図１に示すように、前置増幅回路１３のＭＯＳトランジスタＭ１５、レーザ駆動回路１２のＭＯＳトランジスタＭ１３、およびバイアス電流回路１５のＭＯＳトランジスタＭ１４の各ゲートに供給されるようになっている。
【００３０】
次に、このような構成からなる実施形態の動作について、図１、図２などを参照して説明する。
いま、半導体レーザ１が発光しているものとすると、モニタ回路１６は、半導体レーザ１の発光状態を監視し、その発光量に応じた電圧を抵抗Ｒ１３の両端に発生させる。比較回路１８は、モニタ回路１６で得られる電圧を基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、その比較結果に応じた出力信号を生成する。
【００３１】
この比較回路１８の出力信号は、前置増幅回路１３のＭＯＳトランジスタＭ１５、レーザ駆動回路１２のＭＯＳトランジスタＭ１３、およびバイアス電流回路１５のＭＯＳトランジスタＭ１４の各ゲートに供給される。
この結果、比較回路１８の出力信号の大小に応じて、前置増幅回路１３の動作電流（駆動電流）、レーザ駆動回路１２の駆動電流、およびバイアス電流回路１５のバイアス電流がそれぞれ変化するので、半導体レーザ１１からの光出力は、その周囲温度が変化しても一定に制御される。
【００３２】
このような制御により、この実施形態では、前置増幅回路１３の駆動電流の大小にかかわらず、その前置増幅回路１３からの出力信号のデューティ比やリンギングを改善することができる。
次に、図２に示す前置増幅回路１３の動作の詳細について説明する。
まず、図２において、補償回路１４を備えていない場合を想定して説明する。この場合に、前置増幅回路１３の駆動電流、すなわち差動増幅器１３１の駆動電流Ｉは、上記のようにＭＯＳトランジスタＭ１５のゲートに印加されるバイアス電圧で制御される。しかし、その駆動電流が小さくなりすぎると、差動対を構成するＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２には、バッファ回路１３２、１３３を構成するＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２４をスイッチングさせるための十分な駆動電流が与えられなくなる。
【００３３】
ここで、ＭＯＳトランジスタＭ２１，Ｍ２２のゲートを容量成分とみなしたときに、その容量値をＣｐとすると、ＭＯＳトランジスタＭ２３，Ｍ２４のスイッチング速度を決める差動増幅器１３１（前置増幅回路１３）のスルーレートＳＲは、次の（１）式のようになる。
ＳＲ＝Ｉ／Ｃｐ・・・（１）
（１）式によれば、前置増幅回路１３のスルーレートＳＲは、差動増幅器１３１の駆動電流Ｉが小さくなるとそれに応じて小さくなる。このため、例えば、この実施形態を通信に使用する場合には、差動増幅器１３１の出力波形における立上がり時間の例とすると図３の実線で示す程度のものが要求される。しかし、差動増幅器１３１の駆動電流Ｉが小さくなると、その出力はスルーレートＳＲの低下により図３の破線で示すような波形なる。したがって、この実施形態を通信に使用する場合には、十分な高速性を保つことができなくなる。
【００３４】
しかし、この実施形態では、図２に示すように、ＭＯＳトランジスタＭ１５に並列に接続される補償回路１４を備えている。そして、補償回路１４は、半導体レーザ１１の発光強度の有無にかかわらず、補償電流ＩＡを前置増幅回路１３に供給するようにしているので、前置増幅回路１３は、高速通信ができるようにするために必要なスルーレートを実現できる。
【００３５】
次に、この実施形態の前置増幅回路１３の出力信号のシミュレーションの結果の一例を図４（Ａ）に示す。また、図９の従来回路の前置増幅回路３の出力信号のシミュレーションの結果の一例を図４（Ｂ）に示す。さらに、図１２の従来回路の前置増幅回路３の出力信号のシミュレーションの結果の一例を図４（Ｃ）に示す。
これらの結果を検討すると、まず、図４（Ｂ）に示す図９の従来回路の場合には、図４（Ａ）に比べて、デューティ比がずれていることがわかる。また、図４（Ｃ）に示す図１２の従来回路の場合には、デューティ比は改善されるが、図４（Ａ）に比べて立ち上がり／立ち下がり時間が長くなり、高速化ができないといえる。
【００３６】
これに対して、実施形態では、図４（Ａ）に示すように半導体レーザを駆動する信号のデューティ比が改善される上に、立ち上がり／立ち下がり時間が短くて、高速動作も可能となっている。
以上説明したように、この実施形態によれば、半導体レーザの発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図りつつ、半導体レーザなどの高速動作が可能な発光素子駆動回路が得られる。
【００３７】
また、図２に示す前置増幅回路は、図１に示す発光素子駆動回路に適用した場合に、半導体レーザの発光信号のデューティ比やリンギングの改善を図りつつ、半導体レーザなどの高速動作に寄与できる。
なお、図２に示す本発明に係る前置増幅回路は、半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動回路２の前段の回路として説明したが、これに代えて、レーザ駆動回路２のように高速駆動される他の駆動回路の前段の回路と組み合わせて使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態の構成を示す回路図である。
【図２】前置増幅回路と補償回路の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３】前置増幅回路のスルーレートを説明する図である。
【図４】シミュレーションによる前置増幅回路の各出力波形を示す図であり、（Ａ）は実施形態によるもの、（Ｂ）は図９に示す従来回路によるもの、（Ｃ）は図１２に示す従来回路によるものである。
【図５】常温時における半導体レーザの駆動例を示す特性図である。
【図６】高温時における半導体レーザの駆動例を示す特性図である。
【図７】低温時における半導体レーザの駆動例を示す特性図である。
【図８】従来の半導体レーザの駆動回路の一例を示すブロック図である。
【図９】その回路の具体的な構成を示す回路図である。
【図１０】その回路の動作を説明する半導体レーザの駆動例の特性図である。
【図１１】従来の他の半導体レーザの駆動回路の一例を示すブロック図である。
【図１２】その他の回路の具体的な構成を示す回路図である。
【図１３】従来の前置増幅回路の一例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１・・・半導体レーザ、１２・・・レーザ駆動回路、１３・・・前置増幅回路、１４・・・補償回路、１５・・・バイアス電流回路、１６・・・モニタ回路、１７・・・基準電圧発生回路１７、１８・・・比較回路。
【図１】
2006100555.tif 000003
【図２】
2006100555.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006100555.tif 000006
【図５】
2006100555.tif 000007
【図６】
2006100555.tif 000008
【図７】
2006100555.tif 000009
【図８】
2006100555.tif 000010
【図９】
2006100555.tif 000011
【図１０】
2006100555.tif 000012
【図１１】
2006100555.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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