(57)【要約】【課題】  絶縁性セラミックと導電性材料との複合焼結体の比抵抗値分布を制御する方法及び、所望の比抵抗値分布を有する複合抵抗体の製法の提供。【解決手段】  前記複合性焼結体の所望部分に電圧を印加して当該部分の比抵抗値を低下させて比抵抗値分布を制御し、またそれによって、所望の比抵抗値分布を有する複合抵抗体（例えばほゞ均一な比抵抗値分布を有するもの、或は、高及び低比抵抗値領域が所望のパターンで分布しているもの）を製造する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性セラミックス粒子と導電性材料粒子との混合物を成型・焼結して得られる複合焼結体の所望部分に電圧を印加し、当該電圧印加部分の比抵抗値を低下させることを特徴とする、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体の比抵抗値分布の制御方法。
【請求項２】
前記複合焼結体中の前記導電性材料粒子の含有量が、前記複合焼結体の全体積に対して５体積％以上であり、この導電性材料粒子の１０体積％以上が、０．２μｍ以下の粒径を有する、請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記複合焼結体中の前記絶縁性セラミックス粒子が、酸化アルミニウム粒子であり、かつ前記導電性材料粒子が炭化珪素粒子である、請求項１又は２に記載の制御方法。
【請求項４】
前記複合焼結体中の前記酸化アルミニウム粒子及び前記炭化珪素粒子の平均粒径がそれぞれ２μｍ以下及び０．５μｍ以下である、請求項３に記載の制御方法。
【請求項５】
絶縁性セラミックス粒子と導電性材料粒子との混合物を成型・焼結して得られる複合焼結体の所望部分に、室温において、前記複合焼結体の予定使用電圧以上の電圧を印加して、当該部分の比抵抗値を低下させることを特徴とする、比抵抗値分布のほゞ均一な複合抵抗体の製造方法。
【請求項６】
前記電圧印加のために用いられる電圧印加用電極の位置を調整することによって、得られる複合抵抗体の比抵抗値分布を制御する、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記複合焼結体の電圧印加部分の比抵抗値を測定し、その測定値に対応して、前記部分に印加する電圧を調節する、請求項５又は６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記複合焼結体中の前記導電性材料粒子の含有量が、前記複合焼結体の全体積に対して５体積％以上であり、この導電性材料粒子の１０体積％以上が、０．２μｍ以下の粒径を有する、請求項５〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記複合焼結体中の前記絶縁性セラミック粒子が、酸化アルミニウム粒子であり、かつ前記導電性材料粒子が炭化珪素粒子である、請求項５〜８のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記複合焼結体中の前記酸化アルミニウム粒子及び前記炭化珪素粒子の平均粒径がそれぞれ２μｍ以下及び０．５μｍ以下である、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記複合抵抗体がほぼ均一な比抵抗値分布を有する、請求項５〜１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記複合抵抗値において、高比抵抗値領域と、低比抵抗値領域が、所望のパターンで分布している、請求項５〜１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性セラミックス及び導電性材料を含む複合焼結体の比抵抗値分布の制御方法、及び絶縁性セラミックス−導電性材料を含む複合抵抗体の製造方法に関する。更に詳しく述べるならば、本発明は前記複合焼結体の比抵抗値分布を簡単な操作で制御する方法及び所望の比抵抗値分布、例えば１×１０6〜１×１０13Ωcm程度の、ほぼ均一な比抵抗値分布を有する複合抵抗体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば１×１０6〜１×１０13Ωcm程度の比抵抗値を有する抵抗体の製造方法としては、例えば、特開平９−２８３６０６号公報（特許文献１）及び特開平９−２８３６０７号公報（特許文献２）に示されるように、絶縁性セラミックス粉末に特定量の耐熱性導電材料粉末を添加した混合粉末を成型・焼結して焼結体とし、この複合焼結体を複合抵抗体として使用する方法（第１の方法）が従来から知られている。
【０００３】
前記第１の方法により得られた抵抗体の比抵抗値は、主として耐熱性導電材料の添加量により定まるものであるけれども、閾値前後で抵抗体の比抵抗値が急激に変化する。従って、この抵抗体の第１の製造方法では、室温における比抵抗値が例えば１×１０6〜１×１０13Ωcmの範囲内の所望の比抵抗値を有する抵抗体を実験室的に製造することは可能であるけれども、工業的規模で製造することは困難である。
また、この第１の抵抗体製造方法では、耐熱性導電材料の焼結体中における分布を制御することにより、室温における比抵抗値が例えば１×１０6〜１×１０13Ωcm程度であって、抵抗体中における比抵抗分布が任意に制御された抵抗体を製造することは容易でははく、これを工業的規模で製造することは実質的に不可能である。
【０００４】
一方、抵抗体中の比抵抗分布が任意に制御された抵抗体を製造する第２の方法としては、例えば、特開平７−６９７５６号公報（特許文献３）には、酸素含有雰囲気中で、室温における比抵抗が２×１０-4〜１Ωcmの炭素−セラミックス複合材料に通電し、かつ通電用電極の位置を調整することにより炭素−セラミックス複合材料の比抵抗分布を制御することが知られている。
【０００５】
この第２の抵抗体製造方法では、炭素−セラミックス複合材料中の炭素を通電加熱により酸化除去し、この炭素が酸化除去された部分の比抵抗値を高めることにより抵抗体の比抵抗分布を制御するものである。そのため、用いる複合材料は、室温における比抵抗が２×１０-4〜１Ωcmの範囲内にあることが必須である。用いられる複合材料の抵抗値が１Ωcmを超えると、複合材料に流れる電気量が少なくなって発熱が充分に行われないので、炭素を十分に酸化除去できず、従って、この方法は、室温における比抵抗値を、例えば１×１０6〜１×１０13Ωcm程度に制御することはできないものである。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２８３６０６号公報
【特許文献２】特開平９−２８３６０７号公報
【特許文献３】特開平７−６９７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体の比抵抗値分布を、簡便かつ高い効率をもって、制御する方法を提供しようとするものである。
また、本発明は、使用条件下で所望の比抵抗値分布を有する複合抵抗体を工業的規模で安価に製造することができる複合抵抗体の製造方法を提供しようとするものである。
本発明は、前記本発明の製造方法によって、複合抵抗体の比抵抗値分布をほぼ均一にすることができる方法、或は、得られる複合抵抗体中に互に異なる比抵抗値を有する領域を分布させることができる方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は前記の課題を解決するため鋭意検討した結果、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体に電圧を印加すると、電圧印加部近傍の比抵抗値が低下し、比抵抗値の低下量は印加する電圧値、印加時間等に依存することを見出し、この知見に基いて本発明を完成した。
【０００９】
即ち、本発明の絶縁性セラミックス粒子と導電性材料粒子との複合焼結体の比抵抗値分布の制御方法は、絶縁性セラミックス粒子と導電性材料粒子との混合物を成型・焼結して得られる複合焼結体の所望部分に電圧を印加し、当該電圧印加部分の比抵抗値を低下させることを特徴とするものである。
本発明の制御方法において、前記複合焼結体中の前記導電性材料粒子の含有量が、前記複合焼結体の全体積に対して５体積％以上であり、この導電性材料粒子の１０体積％以上が、０．２μｍ以下の粒径を有することが好ましい。
本発明の制御方法において、前記複合焼結体中の前記絶縁性セラミック粒子が、酸化アルミニウム粒子であり、かつ前記導電性材料粒子が炭化珪素粒子であることが好ましい。
本発明の制御方法において、前記複合焼結体中の前記酸化アルミニウム粒子及び前記炭化珪素粒子の平均粒径がそれぞれ２μｍ以下及び０．５μｍ以下であることが好ましい。
本発明の比抵抗値分布のほゞ均一な複合抵抗体製造方法は、絶縁性セラミックス粒子と導電性材料粒子との混合物を成型・焼結して得られる複合焼結体の、所望部分に、室温において、前記複合焼結体の予定使用電圧以上の電圧を印加して、当該部分の比抵抗値を低下させることを特徴とするものである。
本発明の製造方法において、前記電圧印加のために用いられる電圧印加用電極の位置を調整することによって、得られる複合抵抗体の比抵抗値分布を制御することが好ましい。
本発明の製造方法において、前記複合焼結体の電圧印加部分の比抵抗値を測定し、その測定値に対応して、前記部分に印加する電圧を調節することが好ましい。
本発明の製造方法において、前記複合焼結体中の前記導電性材料粒子の含有量が、前記複合焼結体の全体積に対して５体積％以上であり、この導電性材料粒子の１０体積％以上が、０．２μｍ以下の粒径を有することが好ましい。
本発明の製造方法において、前記複合焼結体中の前記絶縁性セラミック粒子が、酸化アルミニウム粒子であり、かつ前記導電性材料粒子が炭化珪素粒子であることが好ましい。
本発明の製造方法において、前記複合焼結体中の前記酸化アルミニウム粒子及び前記炭化珪素粒子の平均粒径がそれぞれ２μｍ以下及び０．５μｍ以下であることが好ましい。
本発明の製造方法において、前記複合抵抗体がほぼ均一な比抵抗値分布を有していてもよい。
本発明の製造方法において、前記複合抵抗値において、高比抵抗値領域と、低比抵抗値領域が、所望のパターンで分布していてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の制御方法によれば、電圧を印加するという簡便な方法により、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体の比抵抗値分布を効率よく制御することができる。また、本発明の製造方法により、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体から、比抵抗値分布がほぼ均一な複合抵抗体を、工業的規模で安価に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明においては、絶縁性セラミックス材料粒子と導電性材料粒子とを含む混合粉末を成型し焼結して、複合焼結体を製造する。
絶縁性セラミックス材料粒子には、特に限定はないが、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粒子、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粒子、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）粒子、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）粒子、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）粒子、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）質粒子等が用いられる。これらのなかでも酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粒子は安価で耐熱性に優れ、複合焼結体の機械的特性も良好であるので、本発明において好適に用いられる。
【００１２】
また、導電性材料粒子としては、焼結時の高温に耐え得るものである限り特に限定はなく、例えば、導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子、モリブデン（Ｍｏ）粒子、タングステン（Ｗ）粒子、タンタル（Ｔａ）粒子などの高融点金属粒子、カーボン（Ｃ）粒子等を用いることができ、なかでも導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子は、これを酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粒子と複合化した場合、得られる複合焼結体は、比抵抗値の温度依存性が少なく、ハロゲンガスに対する耐蝕性に優れ、耐熱性、耐熱衝撃性に富み、かつ高温下の使用において熱応力による損傷の危険性が少ないので本発明において好適に用いられる。
【００１３】
前記の絶縁性セラミックス粒子と、前記導電性粒子との混合比には、特に制限はないが、複合焼結体（電圧印加前）の、室温における比抵抗値が１×１０7Ωcm以上となる混合比を用いることが好ましい。
即ち、前記複合焼結体の電圧印加前の、室温における比抵抗値が１×１０7Ωcmを下回る複合焼結体の場合は、複合焼結体に流れる電流量が大きくなり過ぎるために、複合焼結体が完全に破壊されてしまう虞もあり、比抵抗値を効率良く制御することができなくなる。前記複合焼結体の電圧印加前の、室温における比抵抗値の上限は特にないが、通常、実用的な上限は１×１０18Ωcmであり、好ましくは１×１０16Ωcmである。
【００１４】
前記の絶縁性セラミックス粒子の粒径、前記導電性粒子の粒径、及び焼結する際の焼結条件にも特に制限はないが、前記複合焼結体中における前記導電性材料粒子の含有量は前記複合焼結体の体積に対して、５体積％以上であることが好ましく、当該導電性材料粒子の１０体積％以上は０．２μｍ以下の粒径を有していることが好ましい。
【００１５】
前記電圧を印加する前記複合焼結体中に含まれる導電性材料粒子の含有割合が５体積％以上であって、粒径が０．２μｍの導電性材料粒子の含有量が、導電性材料粒子の合計体積の１０体積％以上であると、電圧印加による比抵抗値の低下が緩やかに起こり、目的の比抵抗値にすることが容易になり、また、電圧印加前に存在していた比抵抗値のばらつきを減少させることができる。
【００１６】
得られた絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体の所望部分に、複数の電圧印加用電極を取り付けて、電圧を印加する。印加される電圧は直流電圧、交流電圧のいずれであってもよいが、作業上の安全性の点から直流電圧を用いることが好ましい。電圧を印加すると電圧印加部近傍領域の比抵抗が低下する。電圧印加する時間は、電圧印加部近傍領域の比抵抗値が所望の値となるに十分な時間に設定する。
【００１７】
具体的な電圧印加条件は、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体の種類、絶縁性セラミックスと耐熱性導電性材料との配合割合、複合焼結体の形状、所望の比抵抗値分布などにより、変わり得るので、一義的には規定し難いが、通常、印加電圧は１kV／mm以上であることが好ましい。印加電圧の上限値に、特に限定はないが、安全性の観点から２０kV／mm程度とすることが好ましい。
電圧印加する際の雰囲気には限定はなく、通常、大気中で電圧印加することが好ましい。
【００１８】
本発明に基づいて、複合抵抗体を製造する際には、印加する電圧は、複合抵抗体の使用電圧以上に設定する。ここに、「抵抗体の使用電圧」とは、本発明の抵抗体の製造方法により製造された複合抵抗体が各種の用途に現に用いられる際に、印加される電圧をいう。印加される電圧が、「抵抗体の使用電圧」以下であっても、前記複合焼結体の比抵抗値は低下するが、最終的に製造された複合抵抗体に製造時の印加電圧以上の電圧が印加されると、抵抗体の比抵抗値が低下し続けることとなり、得られる抵抗体の実用性が失われる。
【００１９】
印加用電極の取付け位置は、電圧印加後に得ようとする所望の比抵抗値の分布に応じて定めればよく、本発明の複合抵抗体の製造方法にあっては、電圧が印加された印加部近傍のみの比抵抗が低下するのであるから、電圧印加用電極の取り付け位置を調整することにより、複合抵抗体中の比抵抗値の分布を制御することができる。
【００２０】
即ち、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体からなり、但し、比抵抗値の分布が均一でない複合抵抗体の高抵抗域に電圧を印加し、この印加部近傍領域の比抵抗値を、電圧を印加しない領域の比抵抗値まで低下せしめることにより、比抵抗分布が複合抵抗体中でほぼ均一化され、ほぼ一定の抵抗値を有する複合抵抗体を、工業的規模で安価に製造することが可能になる。
また、電圧印加用電極の位置を調整することにより、高比抵抗値を有する領域と低比抵抗値を有する領域が任意のパターンで分布する複合抵抗体を工業的規模で安価に製造することもできる。
【００２１】
前記の比抵抗値の制御方法、及び複合抵抗体の製造方法にあっては、前記電圧の印加部の比抵抗値を測定しつつ、または、事前に実験的に求められた電圧印加条件（印加電圧、印加時間）に従って、前記電圧を印加することが好ましい。このように前記複合焼結体の比抵抗値を測定しながら前記電圧を印加するか、または、事前に実験的に求められた電圧印加条件（印加電圧、印加時間）に従って電圧を印加することにより、正確な所望の比抵抗値分布を有する複合抵抗体を工業的規模で安価に製造することができる。
【００２２】
このように、絶縁性セラミックスと導電性材料との複合焼結体に電圧を印加することによって、電圧印加部近傍領域の比抵抗が低下する理由は、必ずしも明確ではないが、電圧が印加された電圧印加部近傍領域の絶縁性に富む組織が、導電性に富む組織に変化するためと考えられる。
【００２３】
以下、絶縁性セラミックスとして酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を用い、かつ耐熱性導電性材料として導電性炭化珪素（ＳｉＣ）を用いて、
（１）得られる複合抵抗体中で比抵抗分布が均一化され、一定の抵抗値を有する複合抵抗体、及び
（２）高比抵抗値領域と低比抵抗値領域が任意のパターンで分布している複合抵抗体と、
を製造する場合を例にとり、本発明を更に詳述する。
【００２４】
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）−炭化珪素（ＳｉＣ）複合焼結体の製造
使用する導電性炭化珪素（ＳｉＣ）粒子としては、プラズマＣＶＤ法によって得た粒子を用いることが好ましい。特に、非酸化性雰囲気のプラズマ中に、シラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素との原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧未満から０．１torrの範囲で制御しつつ気相反応させて得られ、平均粒子径０．１μｍ以下の導電性炭化珪素（ＳｉＣ）超微細粒子が、焼結性に優れており、高純度であり、粒子形状が球状であるために成形時の分散性が良好である。
【００２５】
一方、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粉末には、特段の限定はなく、高純度のものであればよい。また、焼結時の雰囲気を非酸化性雰囲気とすることによって、焼結時における炭化珪素（ＳｉＣ）の過度の酸化を抑制することができる。
なお、前記複合焼結体の作製時における成形法、焼結法に関しては、格別の限定はなく、例えばホットプレス法等の従来の手段を採用することができる。また複合焼結体の寸法形状についても限定はない。
【００２６】
比抵抗分布が抵抗体中で均一化され、一定の抵抗値を有する複合抵抗体の製造
前記の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）−炭化珪素（ＳｉＣ）複合焼結体における比抵抗値の分布を測定する。例えば、複合焼結体の上下面の所望部分に微小電極をそれぞれ配置し、この電極間に１００Ｖ／mm程度の直流電圧を印加して、流れる電流値を測定し、オームの法則から当該部分の比抵抗値を算出することにより測定する。
【００２７】
そして、図１に示されるように、前記複合焼結体１の表面１ａ上（図１においては上面）の比抵抗値の高い領域に電圧印加用電極２を配設し、更に、前記複合焼結体１の裏面１ｂ上（図１においては下面）に対極の電圧印加用電極３を配設する。なお、電圧印加中の電圧印加部の比抵抗値は、例えば、前記の低抵抗化のための電圧の印加を一時的に中断し、別途、電極間に１００Ｖ／mm程度の直流電圧を印加し、流れる電流値を測定し、オームの法則から比抵抗値を算出することにより測定する。
【００２８】
図１に示されているように配設された電圧印加用電極２，３間に、最終的に得られる複合抵抗体の使用電圧以上の電圧を印加しながら、前記電圧の印加部の比抵抗値を測定しつつ、前記複合焼結体の低抵抗領域における比抵抗値が得られたときに前記電圧の印加を中止すると、比抵抗値の分布が複合抵抗体中でほぼ均一化され、略一定の抵抗値分布を有する複合抵抗体が得られる。
【００２９】
高比抵抗値領域と低比抵抗値領域が所望のパターンで分布している複合抵抗体の製造
例えば、図２（ａ），（ｂ）に示されるパターン形状の電圧印加用電極１２ａ，１２ｂを、前記の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）−炭化珪素（ＳｉＣ）複合焼結体１０の表面１０ａ上（図２においては上面）に配設し、更に、前記複合焼結体１０の裏面１０ｂ上（図２においては下面）に、対極の平板状電圧印加用電極１３を配設する。なお、電圧印加中の電圧印加部の比抵抗値は、例えば、前記の低抵抗化のための電圧の印加を一時的に中断し、別途、電極間に１００Ｖ／mm程度の直流電圧を印加し、流れる電流値を測定し、オームの法則から比抵抗値を算出することにより測定する。
【００３０】
このように配設された電圧印加用電極１２ａ及び１２ｂと電圧印加用電極１３との間に、最終的に得られる複合抵抗体の使用電圧以上の電圧を印加しながら、前記電圧の印加部の比抵抗値を測定しつつ、所望の比抵抗値が得られたときに前記電圧の印加を中止すると、低比抵抗値領域のパターン形状が前記電圧印加用電極の配置パターン形状に対応する、高比抵抗値領域と低比抵抗値領域が所望パターンで分布している複合抵抗体が得られる。
【実施例】
【００３１】
実施例を掲げ、本発明を更に説明する。
実施例１
平均粒子径０．０５μｍの導電性炭化珪素（ＳｉＣ）超微細粒子を、プラズマＣＶＤ法により気相合成した。この炭化珪素（ＳｉＣ）超微細粒子１０体積％と、平均粒子径０．５μｍの市販の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粒子９０体積％とを、超音波分散機を用いて５時間混合し、この混合粉末を、乾燥、成形し、アルゴン雰囲気、温度１７００℃の条件下で３時間焼結することにより、半径２００mm、厚さ２mmの円板状の複合焼結体を作製した。
そして、この複合焼結体中の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子の粒度分布をＳＥＭ観察法により測定した。その結果を表１に示す。
また、この複合焼結体の、室温（２５℃）での比抵抗値の分布を測定した。その結果を図３に示す。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
図４から明らかなようにこの複合焼結体の電圧印加前の比抵抗値分布は、中心部において低く、その外周部において高いものであった。
そこで、図３に示されるように、前記複合焼結体３０の比抵抗値が高い外周部領域３０ａ，３０ｂの表面上に、リング状の電圧印加用電極３１を配設し、更に、前記複合焼結体の前記外周領域の裏面上に対極の平板状の電圧印加用電極３２を配設し、このように配設された電圧印加用電極３１，３２間に、最終的に得られる抵抗体の使用電圧以上の電圧として直流電圧９kV、即ち４．５kV／mmを１０分間印加し、このように電圧印加処理された前記複合焼結体の室温（２５℃）における比抵抗値の分布を同様にして測定したところ、図４に示されているように、比抵抗値の高い領域の比抵抗値の比抵抗値の低い領域の比抵抗値に対する比は、電圧印加前において１００倍以上であったものが、電圧印加後には５倍以下に低下していた。
【００３４】
実施例２
実施例１と同様にして長さ、幅：３００mm、厚さ２mmの正方形板状の複合焼結体を作製した。ただし、炭化珪素（ＳｉＣ）超微細粒子の使用量を９体積％に変更し、また酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）粒子の使用量を９１体積％に変更し、焼結温度を１８００℃に変更した。
【００３５】
この複合焼結体中の炭化珪素（ＳｉＣ）粒子の粒度分布をＳＥＭ観察法により測定した。その結果を表２に示す。
【００３６】
【表２】
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【００３７】
図２（ａ），（ｂ）に示すように、前記複合焼結体１０の表面１０ａ上に、図２（ａ）に示されたパターン形状の電圧印加用電極１２ａ，１２ｂを配設し、更に、前記複合焼結体１０の裏面１２ｂ上に対極の電圧印加用電極１３を配設した。このように配設された電圧印加用電極間１２ａ及び１２ｂと、電圧印加用電極１３との間に、最終的に得られる抵抗体の使用電圧以上の電圧として直流電圧２４kV、即ち１２kV／mmを１０分間印加した。
このようにして得られた抵抗体は、前記電圧を印加した領域の比抵抗値は１×１０11Ωcm〜１×１０12Ωcmであり、前記電圧を印加しなかった領域の比抵抗値は１０14Ωcm以上であった。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明方法は、絶縁性セラミックスと導電性材料とを含む複合焼結体の比抵抗値分布を、簡便な方法により、効率よく制御することができ、また、所望の比抵抗値分布を有する複合抵抗体（均一な分布を有するもの、又は高比抵抗値領域と低比抵抗値領域とが、所望のパターンで分布しているものなど）を効率よく、簡便な操作で製造することができ、その実用的効果は、極めて高いものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の複合焼結体の比抵抗値分布の制御方法の一態様の説明図。
【図２】図２（ａ）は、本発明の複合抵抗体の製造方法に用いられる装置の一例の平面説明図、図２（ｂ）は図２（ａ）の装置のＹ−Ｙ線に沿う断面説明図。
【図３】本発明の複合抵抗体の製造方法に用いられる装置の他の例の断面説明図。
【図４】図３に記載の装置により製造された複合抵抗体及びその原料複合焼結体における、高比抵抗値領域の比抵抗値の低比抵抗値領域の比抵抗値に対する比を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４０】
１，１０    複合焼結体
１ａ，１０ａ    複合焼結体の表面
１ｂ，１０ｂ    複合焼結体の裏面
２，３    電圧印加用電極
１２ａ，１２ｂ    電圧印加用電極（表面側）
１３    電圧印加用電極（裏面側）
３０    円盤状複合焼結体
３０ａ，３０ｂ    複合焼結体の外周部（比抵抗値の高い領域）
３１    表面側リング状電圧印加用電極
３２    裏面側電圧印加用電極
【図１】
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【図２】
2006096632.tif 000006
【図３】
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【図４】
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