(57)【要約】【課題】  可撓性および耐アルカリ性に優れる配線回路基板を提供すること。【解決手段】  ベース絶縁層２１と、ベース絶縁層２１の上に形成された導体層２２と、導体層２２を被覆するように、ベース絶縁層２１の上に形成されたカバー絶縁層２３とを備え、少なくともベース絶縁層２１を、下記一般式（１）または下記一般式（２）の少なくともいずれかで表される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が０．１×１０5〜１．５×１０5の樹脂から形成する。【化１】2006135022.tif 000015（ｎは、重合度を示す。）【化２】2006135022.tif 000016（ｍは、重合度を示す。）【選択図】      図１
2006135022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の上に積層される導体層とを備え、
前記絶縁層が、下記一般式（１）または下記一般式（２）の少なくともいずれかで表される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が０．１×１０5〜１．５×１０5の樹脂からなることを特徴とする、配線回路基板。
【化１】
2006135022.tif 000011
（ｎは、重合度を示す。）
【化２】
2006135022.tif 000012
（ｍは、重合度を示す。）
【請求項２】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に積層される導体層と、前記第１絶縁層と前記導体層との間に介在される第２絶縁層とを備え、
前記第２絶縁層が、下記一般式（１）または下記一般式（２）の少なくともいずれかで表される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が０．１×１０5〜１．５×１０5の樹脂からなることを特徴とする、配線回路基板。
【化３】
2006135022.tif 000013
（ｎは、重合度を示す。）
【化４】
2006135022.tif 000014
（ｍは、重合度を示す。）
【請求項３】
前記第１絶縁層が、ポリイミドであることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、耐アルカリ性に優れるフレキシブル配線回路基板などの配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板では、通常、ベース絶縁層の上に、銅線などからなる導体パターンが形成され、さらに、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層が形成されている。
そして、フレキシブル配線回路基板には、電子部品を実装して、種々の環境下で用いるために、可撓性以外にも、耐熱性、耐湿性、耐アルカリ性などの物性が要求され、かつ、低コストで製造できることが必要とされる。
【０００３】
このようなフレキシブル配線回路基板において、ベース絶縁層やカバー絶縁層を形成するための絶縁材料としては、一般的には、可撓性および耐熱性に優れるポリイミドが用いられる。また、ポリイミド以外にも、ポリパラバン酸、ポリエステル、ポリエチエレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどの樹脂を用いることが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−２３４１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の樹脂は、いずれも耐アルカリ性が不十分である。一方、例えば、ポリフェニレンサルファイドなどは、耐アルカリ性に優れることが知られているが、加熱冷却により再結晶化を生じて、十分な可撓性を得ることができず、フレキシブル配線回路基板の絶縁材料としては不適当である。
そこで、本発明の目的は、可撓性および耐アルカリ性に優れる配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に積層される導体層とを備え、前記絶縁層が、下記一般式（１）または下記一般式（２）の少なくともいずれかで表される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が０．１×１０5〜１．５×１０5の樹脂からなることを特徴としている。
【０００６】
【化５】
2006135022.tif 000003
【０００７】
（ｎは、重合度を示す。）
【０００８】
【化６】
2006135022.tif 000004
【０００９】
（ｍは、重合度を示す。）
また、本発明の配線回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に積層される導体層と、前記第１絶縁層と前記導体層との間に介在される第２絶縁層とを備え、前記第２絶縁層が、下記一般式（１）または下記一般式（２）の少なくともいずれかで表される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が０．１×１０5〜１．５×１０5の樹脂からなることを特徴としている。
【００１０】
【化７】
2006135022.tif 000005
【００１１】
（ｎは、重合度を示す。）
【００１２】
【化８】
2006135022.tif 000006
【００１３】
（ｍは、重合度を示す。）
また、上記の配線回路基板においては、前記第１絶縁層が、ポリイミドであることが好適である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線回路基板によれば、第２絶縁層を含む絶縁層が、下記上記一般式（１）または上記一般式（２）の少なくともいずれかで表される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が０．１×１０5〜１．５×１０5の樹脂からなるので、可撓性および耐アルカリ性に優れる配線回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１および図２は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。
図１において、この配線回路基板１は、導体層２２がベース絶縁層２１の片面のみに形成されている片面フレキシブル配線回路基板である。より具体的には、この配線回路基板１は、帯板状をなし、絶縁層としてのベース絶縁層２１と、ベース絶縁層２１の表面（一方面）に、配線回路パターンとして形成された導体層２２と、導体層２２を被覆するように、ベース絶縁層２１の表面に形成された絶縁層としてのカバー絶縁層２３とを備えている。
【００１６】
また、図２において、この配線回路基板２は、導体層２２がベース絶縁層２１の両面に形成されている両面フレキシブル配線回路基板である。より具体的には、帯板状をなし、ベース絶縁層２１と、ベース絶縁層２１の表面および裏面（他方面）に、配線回路パターンとしてそれぞれ形成された導体層２２と、各導体層２２を被覆するように、ベース絶縁層２１の表面および裏面にそれぞれ形成されたカバー絶縁層２３とを備えている。
【００１７】
そして、図１に示す配線回路基板および図２に示す配線回路基板において、ベース絶縁層２１およびカバー絶縁層２３のうち少なくともいずれか一方は、下記一般式（１）、下記一般式（２）および下記一般式（３）のいずれかで表される繰り返し単位を有するポリフタルアジノン系樹脂から、形成されている。
【００１８】
【化９】
2006135022.tif 000007
【００１９】
（ｎは、重合度を示す。）
【００２０】
【化１０】
2006135022.tif 000008
【００２１】
（ｍは、重合度を示す。）
【００２２】
【化１１】
2006135022.tif 000009
【００２３】
（ｎおよびｍは、重合度を示す。）
より具体的には、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂は、ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン：Ｐｏｌｙ（Ｐｈｔｈａｌａｚｉｎｏｎｅ  Ｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ））であり、上記一般式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂は、ポリ（フタルアジノンエーテルケトン：Ｐｏｌｙ（Ｐｈｔｈａｌａｚｉｎｏｎｅ  Ｅｔｈｅｒ  Ｋｅｔｏｎｅ））である。また、上記一般式（３）で表される繰り返し単位を有する樹脂は、上記一般式（１）で表される繰り返し単位と、上記一般式（２）で表される繰り返し単位とのブロックコポリマーまたはランダムコポリマーからなるポリ（フタルアジノンエーテルスルホンケトン：Ｐｏｌｙ（Ｐｈｔｈａｌａｚｉｎｏｎｅ  Ｅｔｈｅｒ  Ｓｕｌｆｏｎｅ  Ｋｅｔｏｎｅ））である。
【００２４】
これらポリフタルアジノン系樹脂は、その重量平均分子量が、通常、０．１×１０5〜１．５×１０5であり、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する樹脂の重量平均分子量は、好ましくは、０．３×１０5〜１．３×１０5であり、上記一般式（２）で表される繰り返し単位を有する樹脂の重量平均分子量は、好ましくは、０．５×１０5〜１．５×１０5であり、上記一般式（３）で表される繰り返し単位を有する樹脂の重量平均分子量は、０．１×１０5〜１．０×１０5である。また、これらポリフタルアジノン系樹脂は、市販品として入手可能である。
【００２５】
そして、ポリフタルアジノン系樹脂は、好ましくは、ベース絶縁層に用いられ、さらに好ましくは、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の両方に用いられる。
また、ポリフタルアジノン系樹脂が、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４のいずれか一方にのみ用いられる場合には、他方には、ポリフタルアジノン系樹脂以外の樹脂（以下、他の樹脂という。）として、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミドなどが用いられる。好ましくは、ポリイミドが用いられる。
【００２６】
また、ベース絶縁層２１およびカバー絶縁層２３の厚みは、好ましくは、１２．５〜５０μｍである。
導体層２２は、導電性を有するものであれば、特に制限されないが、例えば、銅、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッケル、および、それらの合金などの金属などから、目的に対応した配線回路パターンとして形成される。導体層２２の厚みは、好ましくは、１２〜３５μｍである。
【００２７】
そして、図１に示す配線回路基板では、ベース絶縁層２１およびカバー絶縁層２３の両方に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられる態様、ベース絶縁層２１およびカバー絶縁層２３のいずれか一方に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、他方に、他の樹脂が用いられる態様が例示される。
また、図２に示す配線回路基板では、ベース絶縁層２１および両方のカバー絶縁層２３のすべてに、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられる態様、ベース絶縁層２１およびいずれか一方のカバー絶縁層２３に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、他方のカバー絶縁層２３に、他の樹脂が用いられる態様、両方のカバー絶縁層２３に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、ベース絶縁層２１に、他の樹脂が用いられる態様、いずれか一方のカバー絶縁層２３に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、ベース絶縁層２１および他方のカバー絶縁層２３に、他の樹脂が用いられる態様が例示される。
【００２８】
図１に示す配線回路基板１を製造するには、特に制限されないが、例えば、サブトラクティブ法を用いて、製造することができる。
すなわち、まず、導体層２２を形成するための金属箔を用意して、その金属箔の表面に、ベース絶縁層２１を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、樹脂皮膜からなるベース絶縁層２１を形成する。これによって、ベース絶縁層２１の片面に金属箔が積層された２層基材を得る。
【００２９】
樹脂のワニスは、例えば、上記した樹脂（すなわち、ポリフタルアジノン系樹脂または他の樹脂）を、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミドあるいはそれらの混合溶媒などの有機溶媒に、樹脂濃度が、例えば、１０〜２０重量％となるように溶解することにより、調製することができる。
また、樹脂のワニスを金属箔に塗布するには、例えば、アプリケータを用いる公知の方法が用いられる。また、その後の乾燥は、例えば、１５０〜２００℃で、１０〜２０時間加熱する。乾燥後、必要により、さらに、２００〜３２０℃で、２０〜３０分アフターキュアする。アフターキュアにより、残存溶媒を除去し、積層時の発泡を防止することができる。
【００３０】
次いで、２層基材の金属箔を、サブトラクティブ法により、配線回路パターンに形成して、導体層２２を形成する。サブトラクティブ法では、金属箔の表面に、配線回路パターンに対応するパターンで、エッチングレジストを形成した後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングし、その後、エッチングレジストをエッチングまたは剥離により除去する。エッチングレジストは、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知のパターンニング方法により形成する。
【００３１】
その後、ベース絶縁層２１の表面に、導体層２２を被覆するように、カバー絶縁層２３を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、樹脂皮膜からなるカバー絶縁層２３を形成する。なお、カバー絶縁層２３の形成は、上記したベース絶縁層２１の形成と同様の条件および方法が用いられる。
そして、必要により、端子部などを形成するために、カバー絶縁層２３を適宜公知の方法により穿孔加工して、配線回路基板１を得る。
【００３２】
また、図２に示す配線回路基板２を製造するには、特に制限されないが、例えば、サブトラクティブ法を用いて、製造することができる。
すなわち、まず、図１に示す配線回路基板１の製造方法に準拠して、金属箔にベース絶縁層２１が積層された２つの２層基材を得る。次いで、２つの２層基材のベース絶縁層２１同士を貼り合わせて、ベース絶縁層２１の両面に金属箔が積層された両面基材を得る。
【００３３】
２つの２層基材のベース絶縁層２１同士の貼り合わせは、例えば、熱プレスにてラミネートする。熱プレスの条件は、例えば、プレス温度３００〜３８０℃、プレス圧力１〜３ＭＰａ、プレス時間１５〜３０分である。
その後、両面基材の各金属箔を、上記と同様のサブトラクティブ法により、それぞれ配線回路パターンに形成して、各導体層２２を形成する。
【００３４】
次いで、ベース絶縁層２１の表面および裏面に、カバー絶縁層２３を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、樹脂皮膜からなるカバー絶縁層２３をそれぞれ形成する。なお、カバー絶縁層２３の形成は、上記したベース絶縁層２１の形成と同様の条件および方法が用いられる。
そして、必要により、端子部などを形成するために、各カバー絶縁層２３を適宜公知の方法により穿孔加工して、配線回路基板２を得る。
【００３５】
図３および図４は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。
図３に示す配線回路基板３および図４に示す配線回路基板４では、ベース絶縁層２１およびカバー絶縁層２３が、それぞれ２層構造として形成されている。
すなわち、ベース絶縁層２１は、第１絶縁層としての第１ベース絶縁層２４と、第１ベース絶縁層２４と導体層２２との間に介在される第２絶縁層としての第２ベース絶縁層２５とを備えている。
【００３６】
また、カバー絶縁層２３は、第１絶縁層としての第１カバー絶縁層２６と、第１カバー絶縁層２６と導体層２２との間に介在される第２絶縁層としての第２カバー絶縁層２７とを備えている。
そして、図３に示す配線回路基板３は、図１に対応する片面フレキシブル配線回路基板であって、より具体的には、この配線回路基板３は、帯板状をなし、第１ベース絶縁層２４と、第１ベース絶縁層２４の表面に形成された第２ベース絶縁層２５と、第２ベース絶縁層２５の表面に、配線回路パターンとして形成された導体層２２と、導体層２２を被覆するように、第２ベース絶縁層２５の表面に形成された第２カバー絶縁層２７と、第２カバー絶縁層２７の表面に形成された第１カバー絶縁層２６とを備えている。
【００３７】
また、図４に示す配線回路基板４は、図２に対応する両面フレキシブル配線回路基板あって、より具体的には、帯板状をなし、第１ベース絶縁層２４と、第１ベース絶縁層２４の表面および裏面にそれぞれ形成された第２ベース絶縁層２５と、各第２ベース絶縁層２５の表面に、配線回路パターンとしてそれぞれ形成された導体層２２と、各導体層２２を被覆するように、各第２ベース絶縁層２５の表面にそれぞれ形成された第２カバー絶縁層２７と、各第２カバー絶縁層２７の表面にそれぞれ形成された第１カバー絶縁層２６とを備えている。
【００３８】
そして、図３に示す配線回路基板３および図４に示す配線回路基板４では、第１ベース絶縁層２４、第２ベース絶縁層２５、第１カバー絶縁層２６および第２カバー絶縁層２７のうち、少なくとも１つの絶縁層が、ポリフタルアジノン系樹脂から形成されており、その他の絶縁層（すなわち、ポリフタルアジノン系樹脂から形成されている絶縁層以外の絶縁層）が、他の樹脂、好ましくは、ポリイミドから形成されている。
【００３９】
耐アルカリ性の向上を図るためには、好ましくは、導体層２２に接触する第２ベース絶縁層２５および第２カバー絶縁層２７の少なくともいずれか一方が、ポリフタルアジノン系樹脂から形成されている。さらに好ましくは、導体層２２に接触する第２ベース絶縁層２５および第２カバー絶縁層２７の両方が、ポリフタルアジノン系樹脂から形成されている。
【００４０】
一方、好ましくは、導体層２２に接触しない第１ベース絶縁層２４および第１カバー絶縁層２６の少なくともいずれか一方が、ポリイミドから形成されている。さらに好ましくは、導体層２２に接触しない第１ベース絶縁層２４および第１カバー絶縁層２６の両方が、ポリイミドから形成されている。
第１ベース絶縁層２４および第１カバー絶縁層２６の厚みは、好ましくは、１２．５〜２５μｍである。
【００４１】
また、第２ベース絶縁層２５および第２カバー絶縁層２７の厚みは、好ましくは、４〜２５μｍである。
また、導体層２２は、上記と同様に、目的に対応した配線回路パターンとして形成される。導体層２２の厚みは、好ましくは、１２〜３５μｍである。
そして、図３に示す配線回路基板３では、より具体的には、例えば、第２ベース絶縁層２５および第２カバー絶縁層２７のいずれか一方に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、その他の絶縁層に、他の樹脂が用いられる態様、第２ベース絶縁層２５および第２カバー絶縁層２７の両方に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、その他の絶縁層に、他の樹脂が用いられる態様が例示される。また、好ましくは、第２ベース絶縁層２５に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、第１ベース絶縁層２４に、他の樹脂、好ましくは、ポリイミドが用いられる態様が好適である。この態様によれば、寸法安定性を確保しつつ、耐アルカリ性の向上を図ることができる。
【００４２】
また、図４に示す配線回路基板４では、より具体的には、例えば、両方の第２ベース絶縁層２５および両方の第２カバー絶縁層２７のいずれか一方に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、その他の絶縁層に、他の樹脂が用いられる態様、両方の第２ベース絶縁層２５および両方の第２カバー絶縁層２７の両方に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、その他の絶縁層に、他の樹脂が用いられる態様が例示される。また、好ましくは、各第２ベース絶縁層２５に、ポリフタルアジノン系樹脂が用いられ、第１ベース絶縁層２４に、他の樹脂、好ましくは、ポリイミドが用いられる態様が好適である。この態様によれば、寸法安定性を確保しつつ、耐アルカリ性の向上を図ることができる。
【００４３】
図３に示す配線回路基板３を製造するには、特に制限されないが、例えば、図１に示す配線回路基板１の製造方法に準拠して製造することができる。すなわち、まず、導体層２２を形成するための金属箔を用意して、その金属箔の表面に、第２ベース絶縁層２５を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、樹脂皮膜からなる第２ベース絶縁層２５を形成する。これによって、第２ベース絶縁層２５の片面に金属箔が積層された２層基材を得る。
【００４４】
次に、第２ベース絶縁層２５の表面に、第１ベース絶縁層２４を形成するための樹脂からなる樹脂フィルムを、熱プレスなどによってラミネートして、第１ベース絶縁層２４を形成するか、あるいは、第２ベース絶縁層２５の表面に、第１ベース絶縁層２４を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、第１ベース絶縁層２４を形成する。
そして、金属箔を、上記と同様のサブトラクティブ法により、配線回路パターンに形成して、導体層２２を形成した後、第２ベース絶縁層２５の表面に、導体層２２を被覆するように、第２カバー絶縁層２７を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、樹脂皮膜からなる第２カバー絶縁層２７を形成する。
【００４５】
その後、第２カバー絶縁層２７の表面に、第１カバー絶縁層２６を形成するための樹脂からなる樹脂フィルムを、熱プレスなどによってラミネートして、第１カバー絶縁層２６を形成するか、あるいは、第２カバー絶縁層２７の表面に、第１カバー絶縁層２６を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、第１カバー絶縁層２６を形成する。
そして、必要により、端子部などを形成するために、第１カバー絶縁層２６および第２カバー絶縁層２７を適宜公知の方法により穿孔加工して、配線回路基板３を得る。
【００４６】
図４に示す配線回路基板４を製造するには、特に制限されないが、例えば、図２に示す配線回路基板２の製造方法に準拠して製造することができる。すなわち、まず、図３に示す配線回路基板３の製造方法に準拠して、金属箔に第２ベース絶縁層２５が積層された２つの２層基材を得る。次いで、２つの２層基材の第２ベース絶縁層２５を、第１ベース絶縁層２４を形成するための樹脂からなる樹脂フィルムを挟んで貼り合わせて、各第２ベース絶縁層２５の表面に金属箔がそれぞれ積層された両面基材を得る。なお、樹脂フィルムを、公知の方法によって、予めプラズマ処理しておけば、各第２ベース絶縁層２５との密着性の向上を図ることができる。
【００４７】
その後、両面基材の各金属箔を、上記と同様のサブトラクティブ法により、それぞれ配線回路パターンに形成して、各導体層２２を形成する。
次いで、各第２ベース絶縁層２５の表面に、各導体層２２を被覆するように、第２カバー絶縁層２７を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、樹脂皮膜からなる第２カバー絶縁層２７をそれぞれ形成する。
【００４８】
その後、各第２カバー絶縁層２７の表面に、第１カバー絶縁層２６を形成するための樹脂からなる樹脂フィルムを、熱プレスなどによってラミネートして、第１カバー絶縁層２６をそれぞれ形成するか、あるいは、各第２カバー絶縁層２７の表面に、第１カバー絶縁層２６を形成するための樹脂のワニスを塗布し、乾燥して、第１カバー絶縁層２６をそれぞれ形成する。
【００４９】
そして、必要により、端子部などを形成するために、各第１カバー絶縁層２６および各第２カバー絶縁層２７を適宜公知の方法により穿孔加工して、配線回路基板４を得る。
そして、上記した各配線回路基板１、２、３および４では、ベース絶縁層２１およびカバー絶縁層２３の少なくともいずれかに、上記したポリフタルアジノン系樹脂が用いられているので、可撓性を確保しつつ、耐アルカリ性の向上を図ることができる。
【００５０】
なお、本発明の配線回路基板は、上記したポリフタルアジノン系樹脂が、絶縁層のいずれかに用いられていれば、層構造や層数などは、特に制限されず、例えば、図３に示す配線回路基板３および図４に示す配線回路基板４において、ベース絶縁層２１またはカバー絶縁層２３のいずれか一方を、２層構造とせずに、１層のみで形成してもよく、さらには、上記した各配線回路基板１、２、３および４において、カバー絶縁層２３を設けなくてもよい。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）（一般式（１）相当、重量平均分子量Ｍｗ＝０．８６×１０5、商品名：ＰＰＥＳ、大連ポリマー社製）を、Ｎ−メチルピロリドン／ジメチルアセトアミド（重量比７／３）の混合溶媒に溶解し、樹脂濃度が２０重量％のワニスを調製した。
【００５２】
電解銅箔（厚み：１８μｍ、ＪＴＣ箔、日鉱マテリアルズ社製）のマット面に、アプリケータを用いて、上記で調製したワニスを塗布し、１５０℃で２０分乾燥することにより、厚み１３μｍの絶縁層を形成した。その後、２２０℃で２０分、続いて、３２０℃で２分アフターキュアして、２層基材を作製した。
次いで、熱プレス装置を用いて、２つの２層基材の絶縁層同士を合わせて、３２０℃、２０×９．８Ｐａで１５分間ラミネートした。
【００５３】
その後、各電解銅箔の表面に、配線回路パターンに対応するパターンで、フォトレジストによりエッチングレジストをそれぞれ形成した後、各エッチングレジストから露出する各電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングし、その後、エッチングレジストを剥離により除去することにより、各導体層を形成し、これによって、両面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００５４】
実施例２
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）に代えて、ポリ（フタルアジノンエーテルケトン）（一般式（２）相当、重量平均分子量Ｍｗ＝１．０２×１０5、商品名：ＰＰＥＫ、大連ポリマー社製）を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、両面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００５５】
実施例３
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）に代えて、ポリ（フタルアジノンエーテルスルホンケトン）（一般式（３）相当、ｎ：ｍ＝１：１、重量平均分子量Ｍｗ＝０．３９×１０5、商品名：ＰＰＥＳＫ、大連ポリマー社製）を用いた以外は、実施例１と同様の方法により、両面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００５６】
実施例４
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）（一般式（１）相当、重量平均分子量Ｍｗ＝０．８６×１０5、商品名：ＰＰＥＳ、大連ポリマー社製）を、Ｎ−メチルピロリドン／ジメチルアセトアミド（重量比７／３）の混合溶媒に溶解し、樹脂濃度が２０重量％のワニスを調製した。
【００５７】
電解銅箔（厚み：１８μｍ、ＪＴＣ箔、日鉱マテリアルズ社製）のマット面に、アプリケータを用いて、上記で調製したワニスを塗布し、１５０℃で２０分乾燥することにより、厚み１３μｍの絶縁層を形成した。その後、２２０℃で２０分、続いて、３２０℃で２分アフターキュアして、２層基材を作製した。
その後、電解銅箔の表面に、配線回路パターンに対応するパターンで、フォトレジストによりエッチングレジストを形成した後、エッチングレジストから露出する電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングし、その後、エッチングレジストを剥離により除去することにより、導体層を形成し、これによって、片面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００５８】
実施例５
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）に代えて、ポリ（フタルアジノンエーテルケトン）（一般式（２）相当、重量平均分子量Ｍｗ＝１．０２×１０5、商品名：ＰＰＥＫ、大連ポリマー社製）を用いた以外は、実施例４と同様の方法により、片面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００５９】
実施例６
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）に代えて、ポリ（フタルアジノンエーテルスルホンケトン）（一般式（３）相当、ｎ：ｍ＝１：１、重量平均分子量Ｍｗ＝０．３９×１０5、商品名：ＰＰＥＳＫ、大連ポリマー社製）を用いた以外は、実施例４と同様の方法により、片面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６０】
実施例７
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）（一般式（１）相当、重量平均分子量Ｍｗ＝０．８６×１０5、商品名：ＰＰＥＳ、大連ポリマー社製）を、Ｎ−メチルピロリドン／ジメチルアセトアミド（重量比７／３）の混合溶媒に溶解し、樹脂濃度が２０重量％のワニスを調製した。
【００６１】
電解銅箔（厚み：１８μｍ、ＪＴＣ箔、日鉱マテリアルズ社製）のマット面に、アプリケータを用いて、上記で調製したワニスを塗布し、１５０℃で２０分乾燥することにより、厚み３μｍの第２絶縁層を形成した。その後、２２０℃で２０分、続いて、３２０℃で２分アフターキュアして、２層基材を作製した。
別途、厚み２０μｍのポリイミドフィルム（商品名：ユーピレックス２０Ｓ、宇部興産社製）を用意して、このポリイミドフィルムの両面をプラズマ処理した。プラズマ処理の条件は、酸素濃度３００ｍＬ／分、真空度２７Ｐａ、処理時間２分、処理条件１３．５６ＭＨｚ×１．５ｋＷであった。
【００６２】
次いで、熱プレス装置を用いて、２つの２層基材の第２絶縁層を、ポリイミドフィルムを第１絶縁層として挟んで、３２０℃、２０×９．８Ｐａで１５分間ラミネートし、各第２絶縁層の表面に電解銅箔がそれぞれ積層された両面基材を得た。
その後、各電解銅箔の表面に、配線回路パターンに対応するパターンで、フォトレジストによりエッチングレジストをそれぞれ形成した後、各エッチングレジストから露出する各電解銅箔を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングし、その後、エッチングレジストを剥離により除去することにより、各導体層を形成し、これによって、両面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６３】
実施例８
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）に代えて、ポリ（フタルアジノンエーテルケトン）（一般式（２）相当、重量平均分子量Ｍｗ＝１．０２×１０5、商品名：ＰＰＥＫ、大連ポリマー社製）を用いた以外は、実施例７と同様の方法により、両面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６４】
実施例９
ポリ（フタルアジノンエーテルスルホン）に代えて、ポリ（フタルアジノンエーテルスルホンケトン）（一般式（３）相当、ｎ：ｍ＝１：１、重量平均分子量Ｍｗ＝０．３９×１０5、商品名：ＰＰＥＳＫ、大連ポリマー社製）を用いた以外は、実施例７と同様の方法により、両面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６５】
比較例１
厚み２５μｍの絶縁層としてのポリイミドフィルムの両面に、厚み１８μｍの銅箔が積層された両面基材（商品名：エスパネックス、新日鐵化学社製）を用意して、各銅箔の表面に、配線回路パターンに対応するパターンで、フォトレジストによりエッチングレジストをそれぞれ形成した後、各エッチングレジストから露出する各銅箔を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングし、その後、エッチングレジストを剥離により除去することにより、各導体層を形成し、これによって、両面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６６】
比較例２
厚み２５μｍの絶縁層としてのポリイミドフィルムの片面に、厚み１８μｍの銅箔が積層された２層基材（商品名：エスパネックス、新日鐵化学社製）を用意して、銅箔の表面に、配線回路パターンに対応するパターンで、フォトレジストによりエッチングレジストを形成した後、エッチングレジストから露出する銅箔を、塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングし、その後、エッチングレジストを剥離により除去することにより、導体層を形成し、これによって、片面フレキシブル配線回路基板を得た。
【００６７】
評価
上記により得られた各実施例および各比較例の配線回路基板について、以下のようにして、耐アルカリ性および寸法安定性を評価した。
１）耐アルカリ性の評価
ｐＨ１０の水酸化ナトリウム水溶液に、６０℃で５時間浸漬後、下記の基準で外観評価した。その結果を表１に示す。
○：特に異常は観察されなかった。
×：絶縁層が溶解し、導体層の剥離が観察された。
２）寸法安定性の評価
ＩＰＣ−ＴＭ−６５０に準拠して、エッチング前後での導体層の配線回路パターンの長さの収縮率を測定した。その結果を表１に示す。
【００６８】
【表１】
2006135022.tif 000010
【００６９】
表１に示すように、各実施例は、各比較例と比較して、耐アルカリ性および寸法安定性が良好であった。また、各実施例において、ポリイミドフィルムが第１絶縁層として各第２絶縁層の間に介在されている実施例７〜９は、他の実施例１〜６と比較して、エッチング時の寸法安定性が良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態（片面フレキシブル配線回路基板）を示す要部断面図である。
【図２】本発明の配線回路基板の一実施形態（両面フレキシブル配線回路基板）を示す要部断面図である。
【図３】本発明の配線回路基板の一実施形態（片面フレキシブル配線回路基板であって、ベース絶縁層およびカバー絶縁層が２層構造である態様）を示す要部断面図である。
【図４】本発明の配線回路基板の一実施形態（両面フレキシブル配線回路基板であって、ベース絶縁層およびカバー絶縁層が２層構造である態様）を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１      配線回路基板
２      配線回路基板
３      配線回路基板
４      配線回路基板
２１    ベース絶縁層
２２    導体層
２３    カバー絶縁層
２４    第１ベース絶縁層
２５    第２ベース絶縁層
２６    第１カバー絶縁層
２７    第２カバー絶縁層
【図１】
2006135022.tif 000017
【図２】
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【図３】
2006135022.tif 000019
【図４】
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