(57)【要約】【課題】放熱用突起電極を用いることなく、簡単な構成で放熱効率がよくかつ薄型化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】  貫通穴１１を有するフレキシブル基板３と、フレキシブル基板３に接続された液晶ドライバ１と、液晶ドライバ１に設けられた放熱部品１０とを備える。上記フレキシブル基板３の貫通穴１１から液晶ドライバ１の放熱部品１０が露出するように、液晶ドライバ１をフレキシブル基板３に接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴を有するフレキシブル基板と、
上記フレキシブル基板に接続された半導体チップと、
上記半導体チップに設けられた放熱部品と
を備え、
上記貫通穴から上記半導体チップの上記放熱部品が露出するように、上記半導体チップが上記フレキシブル基板に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記放熱部品が上記半導体チップの素子面に設けられ、
上記半導体チップが上記フレキシブル基板にフェイスダウン実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
上記放熱部品の露出面は、上記フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
上記フレキシブル基板の裏面から突出した上記放熱部品の露出面に、第２の放熱部品を密着させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
上記放熱部品の露出面は、上記フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面と略同一面にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
上記貫通穴から露出した上記放熱部品の露出面は、上記フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出せずに上記貫通穴内にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
上記貫通穴内に充填された熱伝導接着剤を介して上記放熱部品と第２の放熱部品を密着させたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関し、詳しくは半導体チップをフレキシブル基板に接続する半導体装置に関し、特に放熱性を向上した構造の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置としては、図７に示すように、ＴＦＴ液晶ディスプレイを駆動させるための液晶ドライバがある。この液晶ドライバには、ゲートドライバとソースドライバがあり、図７に示す液晶ドライバはソースドライバである。
【０００３】
図８は図７の液晶ドライバ１０１が液晶パネル１１４と外部回路基板１１５に接続され、液晶パネル１１４の表示面の裏側にフレキシブル基板１０３が折り曲げられ、実際に筐体に組み込まれた状態の断面図である。
【０００４】
上記液晶ドライバ１０１は通常、大きく分けて半導体チップである液晶ドライバチップ１０２とフレキシブル基板１０３で構成されている。
【０００５】
その液晶ドライバ１０１の構造は以下の通りである。
【０００６】
厚さ３８μｍtのポリイミドフィルムから成るフレキシブル基板１０３に、厚さ８μｍtのＣu配線１０４がパターニングされ、そのＣu配線１０４の表面は無電解Ｓnメッキ(図示せず)されている。このＣu配線１０４は、電気的接続のための電極となる部分以外がソルダレジスト１０８により保護されている。
【０００７】
電気的接続のための電極としては３つあり、液晶ドライバチップ１０２との接続のためのインナーリード１０５、ＴＦＴ液晶パネルとの接続のための出力アウターリード１０７、外部回路基板との接続のための入力アウターリード１０６がある。
【０００８】
上記フレキシブル基板１０３に接続された液晶ドライバチップ１０２は、高さ１０μｍtのＡu突起電極１０９を有している。上記フレキシブル基板１０３への接続は、チップ面内に均等に熱と荷重を与えることでＣu配線１０４に無電解メッキされたＳnとＡu突起電極１０９のＡuによりＡｎ−Ｓn共晶接続により成る。このときの熱圧着条件は、圧力：１５０〜２５０Ｎ、温度：３８０〜４６０℃、時間：０.５〜２秒で良好な共晶接続ができる。
【０００９】
上記液晶ドライバチップ１０２のフレキシブル基板１０３への接続後は、フレキシブル基板１０３と液晶ドライバチップ１０２の隙間に樹脂１１３を充填して、この樹脂１１３が硬化することで接続構造、および、液晶ドライバチップ１０２の素子面を環境から保護する。
【００１０】
この液晶ドライバチップのような半導体チップのフレキシブル基板への接続方法は、ＣＯＦ(Chip On Film：チップ・オン・フィルム)と呼ばれている。
【００１１】
ソースドライバは、最終的にアナログ信号を液晶パネルのＴＦＴ(Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ)に供給するものであるが、近年の液晶パネル表示サイズの大型化によりソース配線を含めアナログ信号系の容量が大きくなることがアナログ信号供給時の電流を増大させている。また、画質の高品位化のためにゲート周期が高速化していることがソースドライバを高速化させ、これによりさらにアナログ系の電流を増大させている。
【００１２】
よって、電流が増大することで自ずと電力とともに発熱量が増え、これが液晶ドライバチップにおける近年の大きな問題となっている。
【００１３】
このように液晶ディスプレイの大型化、高速化駆動化により液晶ドライバチップの放熱対策が迫られている。このため、今後の液晶ドライバは、放熱に特化した構造を採る必要がある。
【００１４】
そこでまずは、放熱部品を液晶ドライバに備え、これによる放熱という考え方ができるが、フレキシブル基板に半導体チップを接続した半導体装置の放熱構造を有する先行技術として特開２００１−１１０９５１号公報(特許文献１)がある。
【００１５】
この特許文献１の用途としては、磁気ディスク装置に搭載される半導体装置の放熱性向上とあるが、フレキシブル基板に半導体装置を接続し、同時に放熱構造を採る構造としてはこの発明の従来例として通じる構造である。
【００１６】
上記特許文献１のフレキシブル基板の放熱構造に関する主要部分を抜粋すれば、「半導体チップをフリップチップにより支持し放熱用突起状端子を介して半導体チップに接合される放熱用導体層を備えた薄膜絶縁部材を有する」とあり、この構造を図９,図１０に示している。なお、図９,図１０では、１０２は半導体チップである。
【００１７】
図９はフレキシブル基板１０３に貫通穴１１１が開いている部分に放熱部品１１０であるベタパターンが図示しないリードにより中空で支えられている。また、無理に中空で支える必要も無く、例えば、図１０に示すように、放熱部品１１０であるベタパターンの裏面にフレキシブル基板１０３の貫通穴１１１を設け、放熱部品１１０としてのベタパターンが露出できるようにしてそこから熱経路をとることもできる。
【００１８】
ここで、半導体チップ１０２を液晶ドライバに置き換えるなら、液晶ドライバチップをフレキシブル基板へＣＯＦ接続と同時に放熱用突起電極１１８がフレキシブル基板に備えられたベタパターンである放熱部品と接合されるものと解釈できる。
【００１９】
また、別の先行技術としては、ＴＣＰ（Tape Carrier Package:テープ・キャリア・パッケージ）の事例ではあるが、特開平５−１６０１９４号公報(特許文献２)がある。この事例では、放熱板を半導体チップの裏面に搭載している。
【００２０】
本発明者は、先行技術として説明した特開２００１−１１０９５１号公報(特許文献１)においてフレキシブル基板に放熱部品がなければならない部分に改良の必要性があると考え、その問題点を以下のようにまとめた。
【００２１】
まず、フレキシブル基板は貫通穴を設けて、その貫通穴に位置する放熱部品をフレキシブル基板自身がもっている必要がある。それは片面には半導体チップをフェイスダウンで接続し、もう１つの面は放熱用に露出する必要があり、放熱部品は初期にはその両面が露出していることが必要なためである。
【００２２】
よって自ずとフレキシブル基板を持っている放熱部品と半導体チップの放熱用突起電極とがＣＯＦ接続時に一括同時に接続されることになる。
【００２３】
通常、Ａu−Ｓn共晶による電気信号用突起電極とインナーリードの接続は液相化した合金によりインナーリードが突起電極に食い込み、これにより強固な接続を担っている。究極的にはＡｕ突起電極がフレキシブル基板に接触するまでインナーリードをＡｕ突起電極内にさらに食い込ませることも考えられる。
【００２４】
しかし、電極ピッチが３０μｍに近づく昨今のＩＬＢ(Inner Lead Bonding：インナ・リード・ボンディング)は、非常に難易度の高い技術であり、液晶ドライバチップの４辺のエッジ近傍に配列されたＡｕ突起電極へのバランスの取れたインナーリードの沈み込み量のコントロールが難しい。
【００２５】
通常、インナーリードはＡｕ突起電極に食い込むことが理想であるが、接続条件が不十分である場合、インナーリードがＡu突起電極に食い込む前にフレキシブル基板に沈み込み、Ａｕ突起電極への十分な食い込みが得られない場合がある。
【００２６】
また、その他の不具合として熱過剰が原因となって無電解Ｓnメッキ層がより多く溶融してしまい、理想的なＡｕ−Ｓn共晶合金からＳnリッチな脆い合金が形成されてしまう。また、ファインピッチになるほど液晶ドライバとフレキシブル基板との相対的位置ズレによりインナーリードが隣接する突起電極間に跨り、隣接間端子のショートを引き起こしてしまう。このように、ファインピッチ接続は様々なリスクを持っている。
【００２７】
接続時に液晶ドライバとフレキシブル基板の界面に異物が存在したときは、隣接間端子のショートが顕著であり、ゴミやＡｕ突起電極のメッキ異常析出等の不可抗力もあるが、接続に関係しない要因は排除するように設計すべきである。
【００２８】
上記特開２００１−１１０９５１号公報(特許文献１)では、フレキシブル基板に放熱部品を設け、それに一旦半導体チップの放熱用突起電極を接続する必要があるとしており、電極ピッチが粗い場合は問題ないが、ファインピッチになるほど放熱用突起電極がフレキシブル基板と半導体チップの間の異物として、ファインピッチ接続の阻害要因である異物と同等の効果をとる。
【００２９】
また、放熱を考慮して、放熱用突起電極を大きくするほど、また数を増やすほどこの問題は顕著化する。
【００３０】
さらなる問題としては、半導体チップが放熱用突起電極を備えながらも、一旦別の部品(フレキシブル基板に放熱パターン)に接続する必要があり、フレキシブル基板へ放熱パターンを持たせるための材料作製面のリスクや、一旦、別の部品に接続する工程上の仕損のリスクがある。これらのリスクは、半導体装置が持つ放熱部品がフレキシブル基板に備えられた放熱部品に接続させなければいけない煩雑な構造が引き起こすものであり、工程上、放熱性上より構造はシンプルである方が望ましい。
【００３１】
また、特開平５−１６０１９４公報(特許文献２)では、実際に発熱する半導体チップ表面ではなく、半導体チップの裏面に放熱板を取りつけることから放熱効率は悪く、また、放熱板厚を含む全体の厚さも厚くなり、薄型化に不利となる。
【特許文献１】特開２００１−１１０９５１号公報
【特許文献２】特開平５−１６０１９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
そこで、この発明の目的は、放熱用突起電極を用いることなく、簡単な構成で放熱効率がよくかつ薄型化が可能な半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
上記目的を達成するため、この発明の半導体装置は、貫通穴を有するフレキシブル基板と、上記フレキシブル基板に接続された半導体チップと、上記半導体チップに設けられた放熱部品とを備え、上記貫通穴から上記半導体チップの上記放熱部品が露出するように、上記半導体チップが上記フレキシブル基板に接続されていることを特徴とする。
【００３４】
上記構成の半導体装置によれば、フレキシブル基板の貫通穴から半導体チップに設けられた放熱部品が露出するように、半導体チップがフレキシブル基板に接続されていることによって、放熱用突起電極を用いることなく、簡単な構成で放熱効率がよくかつ薄型化が可能な半導体装置を実現できる。
【００３５】
また、一実施形態の半導体装置は、上記放熱部品が上記半導体チップの素子面に設けられ、上記半導体チップが上記フレキシブル基板にフェイスダウン実装されていることを特徴とする。
【００３６】
上記実施形態の半導体装置によれば、放熱部品が半導体チップの素子面に設けられ、半導体チップがフレキシブル基板にフェイスダウン実装されているので、半導体チップの素子面から放熱部品を介して効率よく放熱する構造が簡単に実現できる。
【００３７】
また、一実施形態の半導体装置は、上記放熱部品の露出面は、上記フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出していることを特徴とする。
【００３８】
上記実施形態の半導体装置によれば、放熱部品の露出面が、フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出しているので、放熱部品の露出面に熱容量の大きい他の放熱部品を容易に密着させることができる。
【００３９】
また、一実施形態の半導体装置は、上記フレキシブル基板の裏面から突出した上記放熱部品の露出面に、第２の放熱部品を密着させたことを特徴とする。
【００４０】
上記実施形態の半導体装置によれば、フレキシブル基板の裏面から突出した放熱部品の露出面に、第２の放熱部品を密着させることによって、放熱効率を向上できる。
【００４１】
また、一実施形態の半導体装置は、上記放熱部品の露出面が、上記フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面と略同一面にあることを特徴とする。
【００４２】
上記実施形態の半導体装置によれば、放熱部品の露出面を、フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面と略同一面にすることによって、放熱部品の露出面とフレキシブル基板の裏面に熱容量の大きい他の放熱部品の面を密着させることでき、フレキシブル基板の裏面と放熱部品の面との間に隙間ができないので、薄型化できる。
【００４３】
また、一実施形態の半導体装置は、上記貫通穴から露出した上記放熱部品の露出面は、上記フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出せずに上記貫通穴内にあることを特徴とする。
【００４４】
上記実施形態の半導体装置によれば、貫通穴から露出した放熱部品の露出面を、フレキシブル基板の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出せずに貫通穴内にすることによって、例えばＣuメッキによる放熱部品を形成する場合の時間短縮と材料の節約ができる。
【００４５】
また、一実施形態の半導体装置は、上記貫通穴内に充填された熱伝導接着剤を介して上記放熱部品と第２の放熱部品を密着させたことを特徴とする。
【００４６】
上記実施形態の半導体装置によれば、貫通穴内に充填された熱伝導接着剤を介して放熱部品と第２の放熱部品を密着させることによって、放熱部品を形成する場合の時間と材料を節約しつつ放熱効率を向上できる。
【発明の効果】
【００４７】
以上より明らかなように、この発明の半導体装置によれば、フレキシブル基板に貫通穴を開け、その貫通穴を通して半導体チップに設けられた放熱部品が直接露出することにより、構造が単純なうえ効率よく放熱を行うことができる。また、構造や作製プロセスが単純であることにより、故障要因を減らして仕損を低減することができ、これにより歩留まりの向上とコストの低減が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、この発明の半導体装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４９】
(第１実施形態)
図１〜図３はこの発明の第１実施形態の半導体装置の一例としての液晶ドライバの断面図であり、図１は図２,図３のＩ−Ｉ線から見た断面図である。また、図２はこの発明の液晶ドライバの主面の斜視図であり、図３はその液晶ドライバの主面と反対側の裏面の斜視図である。
【００５０】
図１,図２に示すように、液晶ドライバ１は、半導体チップの一例としての液晶ドライバチップ２が厚さ３８μｍtのポリイミドフィルムから成るフレキシブル基板３に接続されている。上記フレキシブル基板３には、Ｓn無電解メッキされたＣu配線４がパターニングされ、それぞれの接続端子となるインナーリード５、入力アウターリード６、出力アウターリード７以外をソルダレジスト８により保護している。
【００５１】
上記フレキシブル基板３と液晶ドライバチップ２の接続は、熱圧着してＡu突起電極９とフレキシブル基板３のＣu配線にメッキされたＳnとの間でＡu−Ｓn共晶接続により成る。
【００５２】
そして、上記液晶ドライバチップ２の素子面に放熱部品１０を設けている。この放熱部品１０は電解メッキにより形成され、厚さ４８μｍt、サイズ３ｍｍ×１ｍｍの四角柱状のＣuブロックである。
【００５３】
上記フレキシブル基板３に、液晶ドライバチップ２に設けられた放熱部品１０に合わせた貫通穴１１を設け、接続のため液晶ドライバチップ２とフレキシブル基板３を位置合わせすることで、放熱部品１０を自動的にフレキシブル基板３の貫通穴１１に合わせて嵌るようにしている。
【００５４】
このとき、放熱部品１０の公差は±６０μｍ、フレキシブル基板３の穴サイズの公差は±２０μｍ、さらに接続装置の位置合わせ精度が±５μｍであるため、仮に各寸法の仕上がりが、放熱部品１０の公差を＋６０μｍ、フレキシブル基板３の穴サイズの公差を−２０μｍ、接続の位置精度＋５μｍずれた場合でも、放熱部品１０がフレキシブル基板３の貫通穴１１に嵌るように、フレキシブル基板３の貫通穴１１のサイズは３.０９ｍｍ×１.０９ｍｍとした。
【００５５】
また逆に、各寸法の仕上がりが、放熱部品１０の公差を−６０μｍ、フレキシブル基板３の穴サイズの公差を＋２０μｍ、接続の位置精度０μｍとなった場合、放熱部品１０とフレキシブル基板３との間のクリアランス１２は８５μｍとなるが、フリップチップ接続後に樹脂１３をフレキシブル基板３と液晶ドライバチップ２の隙間に充填するのと同時にクリアランス１２を埋めることにより、信頼性を確保できる。
【００５６】
このようなプロセスを経ることで、貫通穴１１が設けられたフレキシブル基板３に、その貫通穴１１を通して液晶ドライバチップ２の放熱部品１０を、信頼性を確保しながら直接外部に露出できる。
【００５７】
上記第１実施形態では、放熱部品をメッキによる金属としたが、別の金属ブロックを後付けしても良いし、金属ではなく、熱伝導ゴムのような非金属物質を接着してもかまわない。
【００５８】
図４は図１〜図３に記載の液晶ドライバ１に液晶パネル１４と外部回路用基板１５が接続され、液晶パネル１４の表示面の裏側に液晶ドライバ１のフレキシブル基板３が折り曲げられ、筐体(図示せず)に組み込まれる状態の断面図である。
【００５９】
上記構成の半導体装置によれば、フレキシブル基板３に設けられた貫通穴１１から液晶ドライバチップ２に設けられた放熱部品１０が露出するように、液晶ドライバチップ２をフレキシブル基板３に接続することによって、放熱用突起電極を用いることなく、簡単な構成で放熱効率がよくかつ薄型化が可能な半導体装置を実現することができる。
【００６０】
また、上記放熱部品１０が液晶ドライバチップ２の素子面に設けられ、液晶ドライバチップ２がフレキシブル基板３にフェイスダウン実装されているので、液晶ドライバチップ２の素子面から放熱部品１０を介して効率よく放熱する構造を簡単に実現することができる。
【００６１】
また、上記放熱部品１０の露出面を、フレキシブル基板３の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面と略同一面にすることによって、放熱部品１０の露出面とフレキシブル基板３の裏面に熱容量の大きい他の放熱部品の面を密着させることでき、フレキシブル基板３の裏面と放熱部品１０の面との間に隙間ができず、薄型化できる。
【００６２】
(第２実施形態)
図５はこの発明の第２実施形態の半導体装置の一例としての液晶ドライバの主要部分の断面図である。この第２実施形態の液晶ドライバは、放熱部品を除いて第１実施形態の液晶ドライバと同一の構成をしており、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略する。
【００６３】
図５ではフレキシブル基板３の貫通穴１１を通して露出した第１の放熱部品２１０にさらに熱容量の大きい別の第２の放熱部品２１６を密着させている。上記第１の放熱部品２１０はフレキシブル基板３をマスクとしたメッキにより成長させ、その形成はメッキがフレキシブル基板３を超えるようにすることで、きのこ状に全方向に成長させ、この露出部分の表面積が大きくなった第１の放熱部品２１０に、熱容量の大きい第２の放熱部品２１６としての熱伝導ゴムをしっかり密着させ、放熱効果を得たものである。
【００６４】
上記第２実施形態では、第１の放熱部品２１０の露出面が、フレキシブル基板３の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出しているので、放熱部品２１０の露出面に熱容量の大きい第２の放熱部品２１６を密着させることが容易にできる。
【００６５】
また、上記フレキシブル基板３の裏面から突出した第１の放熱部品２１０の露出面に、第２の放熱部品２１６を密着させたことによって、放熱効率を向上できる。
【００６６】
(第３実施形態)
図６は第３実施形態の半導体装置の一例としての液晶ドライバの主要部分の断面図である。この第３実施形態の液晶ドライバは、放熱部品と熱伝導接着剤を除いて第１実施形態の液晶ドライバと同一の構成をしており、同一構成部は同一参照番号を付して説明を省略する。
【００６７】
図１では第１の放熱部品３１０の露出面はフレキシブル基板３の裏面と略同一面までの高さを有しているが、必ずしもその必要は無く、図６に示すようにフレキシブル基板３の裏面より低くてもかまわない。
【００６８】
第１の放熱部品３１０はメッキにより形成されたＣuブロックであり、その高さはフレキシブル基板３に液晶ドライバチップ２を接続した際、第１の放熱部品３１０の露出面がフレキシブル基板３の厚さ内にとどまっている。
【００６９】
上記フレキシブル基板３の貫通穴１１は、その貫通穴１１の側壁と第１の放熱部品３１０の露出面を底面としたキャビティが形成され、そこに熱伝導接着剤１７が充填しつつ、さらに熱容量の第２の放熱部品１６に接着することで、より熱容量の大きい放熱部品への熱経路を設けることができる。
【００７０】
このようにすればＣuメッキによる放熱部品の形成に関する費用を節約することができる。
【００７１】
また、上記貫通穴１１から露出した放熱部品の露出面を、フレキシブル基板３の半導体チップ搭載面とは反対側の裏面から突出せずに貫通穴１１内にすることによって、例えばＣuメッキによる放熱部品を形成する場合の時間短縮と材料の節約ができる。
【００７２】
また、上記貫通穴１１内に充填された熱伝導接着剤１７を介して第２の放熱部品３１０と第２の放熱部品１６を密着させることによって、放熱部品を形成する場合の時間と材料を節約しつつ放熱効率を向上できる。
【００７３】
以上、説明したように、フレキシブル基板に貫通穴を開けて、そこから液晶ドライバチップの放熱部品が露出する形態、要するにこの発明の特徴を踏襲する形態であれば上記第１〜第３実施形態に制限されることはない。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】図１はこの発明の第１実施形態の半導体装置の一例としての液晶ドライバの断面図である。
【図２】図２は上記液晶ドライバのチップ搭載面側から見た斜視図である。
【図３】図３は上記液晶ドライバを裏面側から見た斜視図である。
【図４】図４は上記液晶ドライバに液晶パネルと他の回路基板を実装し、筐体に組んだ場合の断面図である。
【図５】図５はこの発明の第２実施形態の半導体装置の一例としての液晶ドライバの主要部分の断面図である。
【図６】図６はこの発明の第３実施形態の半導体装置の一例としての液晶ドライバの主要部分の断面図である。
【図７】図７は従来の液晶ドライバの断面図である。
【図８】図８は従来の第１の半導体装置としての液晶ドライバが液晶パネルと外部回路基板に接続された状態を示す断面図である。
【図９】図９は従来の第２の半導体装置の断面図である。
【図１０】図１０は従来の第３の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１,１０１…液晶ドライバ
２,１０２…液晶ドライバチップ
３,１０３…フレキシブル基板
４,１０４…Ｃu配線
５,１０５…インナーリード
６,１０６…入力アウターリード
７,１０７…出力アウターリード
８,１０８…ソルダレジスト
９,１０９…Ａu突起電極
１０,１１０,２１０,３１０…放熱部品
１１,１１１…貫通穴
１２,１１２…クリアランス
１３,１１３…樹脂
１４,１１４…液晶パネル
１５,１１５…外部回路用基板
１６,１１６,２１６…第２の放熱部品
１７,１１７…熱伝導接着剤
１１８…放熱用突起電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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