(57)【要約】【課題】ａ−Ｓｉ感光体の画像欠陥に対する品質管理を簡便な方法でより正確に実施するとともに、市場で使用を継続していく過程で画像欠陥が出現する球状突起に対しても確実に検出可能とする電子写真感光体の製造方法を提供すること。【解決手段】支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は、予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥数の湿度依存に基づき、該画像欠陥数が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下で実施する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、
感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は、予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥数の湿度依存に基づき、該画像欠陥数が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下で実施されることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、
感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は、予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥数の湿度依存に基づき、該画像欠陥数が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下に常時放置した現像器を用いて実施されることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、
感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は、予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥の直径の湿度依存に基づき、該画像欠陥の直径が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下で実施されることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、
感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥の直径の湿度依存に基づき、該画像欠陥の直径が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下に常時放置した現像器を用いて実施されることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複写機、プリンタ、ファックス等の電子写真プロセスを利用した画像形成装置に適用可能な、アモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体（以下、ａ−Ｓｉ感光体）の検査工程を有する製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ａ−Ｓｉ感光体を用いた画像形成装置においては、ａ−Ｓｉ感光体の球状突起に起因して画像上に白ポチや黒ポチと呼ばれる白点や黒点を生じる画像欠陥が、画像品質上の問題となる場合があった。そこで、ａ−Ｓｉ感光体の検査工程における画像欠陥の検出を目的として、検査方法及び検査装置、検査条件等を規定したものが各種提案されている。
【０００３】
中でも、ａ−Ｓｉ感光体の球状突起に起因して発生する画像欠陥を、予め顕在化させて検出する検査方法及び装置を規定したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
又、通常環境と高温高湿環境で画像形成を行い、画像欠陥を評価することを開示したものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開昭６２−１８９４７７号公報
【特許文献２】特開平４−１２０５４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来例では湿度環境の変化が画像欠陥の出現に及ぼす影響について考慮していないため、以下のような課題があった。
【０００７】
ａ−Ｓｉ感光体は、一般に高周波グロー放電法により、ＳｉＨ4 等の原料ガスを分解し、
導電性基体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法により製造されている。この製造法においては、導電性基体上への堆積膜形成に寄与しない粉体が不可避的に発生する。このような粉体や、導電性基体の切削加工時の切り屑、更には各種のゴミがａ−Ｓｉ堆積膜の形成時にドラム上に付着すると、これらが核となってａ−Ｓｉ堆積膜が部分的に球状に異常成長を起こすことがある。この異常成長部が一般に球状突起と称されている。
【０００８】
ａ−Ｓｉ感光体を用いた画像形成装置によって画像形成した際に現われる画像欠陥の多くは、この球状突起に起因するものであり、
画像品質上許容されるレベルまで、こうした粉体やゴミ等を排除した条件下でａ−Ｓｉ感光体の製造が実施されている。
【０００９】
更に、画像形成装置搭載時に良好な画像形成を可能とするため、ａ−Ｓｉ感光体の製造後に実際に画像形成を行って画像欠陥の評価を実施し、画像品質上許容されるレベルを満たさない感光体に関しては出荷品から除外する検査工程が製造過程において実施されている。
【００１０】
更に、電子写真プロセスを利用した画像形成装置の高画質化に対する要求は年々高まっており、画像欠陥に対しても画像品質上の許容レベルが年々厳しいものとなってきている。このような状況においては、湿度環境の変化が画像欠陥の出現に及ぼす影響について充分に考慮していない上記従来の検査工程では、画像欠陥の評価にばらつきが生じることにより、画像品質上の許容レベルを満たさない感光体が出荷品から除外されない問題が発生する可能性が出てきた。又、市場で使用を継続していく過程で球状突起部の低抵抗化等により、検査時には出現していなかった画像欠陥が出現し、良好な画像形成を維持できない感光体が出荷品から除外されていない問題が発生する可能性が出てきた。
【００１１】
そこで、これらの問題を防ぐためには、検査工程でより厳しい許容レベルを設定しておく必要が生じ、本来は画像品質上の許容レベルを満たす感光体も出荷品から除外されてしまい、不良品を増やしてしまうことがあった。
【００１２】
そこで、本発明の目的とする処は、ａ−Ｓｉ感光体の画像欠陥に対する品質管理を簡便な方法でより正確に実施するとともに、市場で使用を継続していく過程で画像欠陥が出現する球状突起に対しても確実に検出可能とする電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らが、画像欠陥の評価のばらつき及び市場で使用を継続していく過程で画像欠陥が出現する球状突起について鋭意検討した結果、このような球状突起は検査時の湿度環境によって多大な影響を受けることを見出し、
更に画像形成装置本体又は現像器の湿度環境を適切に制御することでより正確な検出が可能となるという知見を得て本発明に到達したものである。
【００１４】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は、予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥数の湿度依存に基づき、該画像欠陥数が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下で実施されることを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の発明は、支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は、予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥数の湿度依存に基づき、該画像欠陥数が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下に常時放置した現像器を用いて実施されることを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の発明は、支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は、予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥の直径の湿度依存に基づき、該画像欠陥の直径が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下で実施されることを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の発明は、支持体上に少なくともアモルファスシリコン系の光導電層を形成した電子写真感光体の製造方法において、感光体の画像欠陥の評価を実施する検査工程を有し、該検査工程は予め湿度環境を変化させて画像形成を行って評価した画像欠陥の直径の湿度依存に基づき、該画像欠陥の直径が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度環境下に常時放置した現像器を用いて実施されることを特徴とする。
【００１８】
本発明者らは、画像形成装置本体又は現像器の湿度環境の変化が、画像欠陥の出現に影響を及ぼすメカニズムを以下のように推察している。
【００１９】
現像器中のトナーの帯電特性は、湿度環境により影響を受け易く、低湿環境下では帯電量が高く、逆に高湿環境下では帯電量が低くなる傾向がある。その結果、ａ−Ｓｉ感光体を用いた高速複写機に多く用いられる一成分現像方式においては、低湿環境下では画像濃度が増加し、逆に高湿環境下では画像濃度が低下する現象が現われる場合がある。そこで、本体に設置される環境センサーによって、本体設置環境の空気中の水分量を随時測定し、現像特性の環境依存性に応じて電位設定を補正する対策を実施している。
【００２０】
しかしながら、こうした対策は画像濃度を合わせることを目的に、一般に一次帯電器電流及び現像バイアスの制御が成されている。そのため、湿度環境による電位条件の違いが、球状突起の画像欠陥としての出現に影響を及ぼしていると考えられる。
【００２１】
そこで、本発明者らは、画像欠陥数の湿度依存を予め評価し、画像欠陥数が増加し始める臨界湿度よりも高い湿度環境下で画像形成を行い、画像欠陥の評価を実施することで、電位条件の違いによる球状突起の画像欠陥としての出現に対する影響を排除し、画像欠陥の評価をより正確に実施可能とするものと推察している。
【００２２】
更に、従来の検査工程では充分に検出できず、市場で使用を継続していく過程で画像欠陥が出現していた球状突起に対しても、臨界湿度よりも高い湿度環境下で画像欠陥の評価を実施することで確実に検出し、検査工程での画像欠陥数と市場で継続使用後の画像欠陥数の差を実用上問題のないレベルまで低減できるものと推察している。
【００２３】
又、本発明者らは、画像欠陥数が増加し始める臨界湿度よりも高い湿度環境下に常時放置した現像器を用いて画像形成を行い、画像欠陥の評価を実施することにより、現像特性の環境依存性を排除し、ほぼ同一の電位条件で同等の画像濃度を得ることができ、電位条件の違いが球状突起の画像欠陥としての出現に及ぼす影響を排除し、画像欠陥の評価を簡便な検査工程でより正確に実施できるものと推察している。
【００２４】
又、本発明者らは、画像欠陥の直径についても同様に、画像形成装置本体又は現像器の湿度環境の変化が影響を及ぼすことを見出し、
画像欠陥の直径が増加し始める臨界湿度を用いても、上記と同様の評価を実施することで、画像欠陥の評価を簡便な検査工程でより正確に実施可能とするものと推察している。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ａ−Ｓｉ感光体の製造方法において、ａ−Ｓｉ感光体の画像欠陥に対する品質管理を簡便な方法でより正確に実施するとともに、市場で使用を継続していく過程で画像欠陥が出現する球状突起に対しても確実に検出可能とする検査工程を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
「本発明に係るａ−Ｓi 感光体」
最初に、一般的なａ−Ｓｉ感光体の構成について説明する。図１は本発明に係るａ−Ｓｉ感光体の層構成を模式的に示す概略断面図である。
【００２８】
図１（ａ）に示す電子写真感光体１００は、導電性基体１０１の上に、光受容層１０２が設けられている。光受容層１０２は導電性基体１０１の側から順にａ−Ｓｉ系下部電荷注入阻止層１０５と、ａ−Ｓｉ：Ｈ又はａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）から成り光導電性を有する光導電層１０３と、ａ−ＳｉＣ系表面層１０４とから構成されている。
【００２９】
図１（ｂ）に示す電子写真感光体１００は、同じく導電性基体１０１の上に、光受容層１０２である、下部電荷注入阻止層１０５と光導電層１０３と表面層１０４が順に設けられている。更に、光導電層１０３は第１の層領域１０３１と第２の層領域１０３２とから構成され、機能分離が成されている。又、光導電層１０３と表面層１０４の界面を連続的に変化させ界面反射を抑制する界面制御が成されている。
【００３０】
図１（ｃ）に示す電子写真感光体１００は、同じく導電性基体１０１の上に、光受容層１０２である、下部電荷注入阻止層１０５と光導電層１０３とａ−ＳｉＣ系上部電荷注入阻止層１０６と表面層１０４が順に設けられている。更に、光導電層１０３と上部電荷注入阻止層１０６及び上部電荷注入阻止層１０６と表面層１０４の界面を連続的に変化させ界面反射を抑制する界面制御が成されている。
【００３１】
尚、これらの各層に含有させる不純物原子を、ｐ型伝導特性を与える周期表第１３族に属する原子（以後第１３族原子と略記する）や、ｎ型伝導特性を与える周期表第１５族に属する原子（以後第１５族原子と略記する）等のうちから選択することにより、正帯電や負帯電等の帯電極性の制御が可能となる。
【００３２】
又、表面層１０４を、必要に応じて水素原子及びハロゲン原子を含有させたａ−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）、シリコン原子を母体とし窒素原子と必要に応じて水素原子及びハロゲン原子を含有させたａ−ＳｉＮ（Ｈ，Ｘ）、炭素原子を母体とし必要に応じて水素原子及びハロゲン原子を含有させたａ−Ｃ（Ｈ，Ｘ）等、により形成しても良い。
【００３３】
以下、ａ−Ｓｉ感光体を構成する導電性基体及び各機能層について更に詳細に説明する。
【００３４】
＜導電性基体＞
本発明において使用される導電性基体の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｆe 等の金属及びこれらの合金、例えばステンレス等が挙げられる。
【００３５】
又、基体の材料として、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性材料を用いて基体の少なくとも光受容層を作製する側の表面を導電処理し、導電性基体として用いることができる。
【００３６】
使用される導電性基体の形状は平滑表面或は微小な凹凸表面を有する円筒型又は無端ベルト型とすることができ、その厚さは、所望通りの電子写真感光体を形成し得るように適宜決定する。電子写真感光体としての可撓性が要求される場合には、導電性基体としての機能が十分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができる。しかしながら、導電性基体は、製造上及び取り扱い上、機械的強度等の点から、通常１０μｍ以上とすることが好ましい。
【００３７】
＜光導電層＞
導電性基体上に形成され、光受容層の少なくとも一部を構成する光導電層は、例えば真空堆積層形成方法によって、所望の特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件が設定され、又、使用される原料ガス等が選択されて作製される。具体的には、グロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法又はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、或は直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の種々の薄膜堆積法によって作製することができる。
【００３８】
これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造規模、作製される電子写真感光体に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を有する電子写真感光体を製造するに当たっての条件の制御が比較的容易であることから、高周波グロー放電法が好適である。
【００３９】
グロー放電法によって光導電層を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスと、ハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、反応容器内にグロー放電を生起させ、予め所定の位置に設置されてある所定の導電性基体上にａ−Ｓｉ：Ｈ又はａ−Ｓｉ：（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成すれば良い。
【００４０】
光導電層中の水素原子、更に必要に応じて添加されるハロゲン原子は、層中のシリコン原子の未結合手を補償し、層品質を向上、特に光導電性及び電荷保持特性を向上させる。水素原子の含有量又はハロゲン原子が添加されている場合は、水素原子及びハロゲン原子の含有量の和は、構成原子の総量に対して、好ましくは１〜４０原子％とされる。
【００４１】
Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、Ｓｉ3 Ｈ8 、Ｓｉ4 Ｈ10等のガス状物質、又はガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。
【００４２】
形成される光導電層中に水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御を図るように、これらのガスに更にＨ2 、Ｈｅ、水素原子を含むケイ素化合物のガス等を所望量混合した雰囲気で層形成する場合もある。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合しても差し支えない。
【００４３】
ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状物質、又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更にはシリコン原子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状物質、又はガス化し得るハロゲン原子を含む水素化ケイ素化合物も有効なものとして挙げることができる。具体的には、フッ素ガス（Ｆ2 ）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3 、ＢｒＦ3 、ＢｒＦ5 、ＩＦ3 、ＩＦ7 等のハロゲン化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含むケイ素化合物、所謂ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えばＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6等のフッ化ケイ素が好ましいものとして挙げることができる。
【００４４】
更に、本発明においては、光導電層に必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層中に均一に分布した状態で含有させても良いし、層厚方向に不均一な分布状態で含有している部分があっても良い。
【００４５】
更に、本発明においては、光導電層の第１、第２の層領域で伝導性を制御する原子の含有量を変化させることにより、機能分離を成すことができる。特に、層厚方向に不均一な分布状態で含有させる場合には、導電性基体側から表面層側に向けて減少した分布状態とすることが好ましく、第１の層領域に比べて第２の層領域の含有量が少なくなるような分布状態で含有させることがより好ましい。又、第２の層領域においてのみ表面側に向けて層厚方向での含有量が少なくなるような分布状態で含有させることも有効である。
【００４６】
伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、所謂不純物原子を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える第１３族原子や、ｎ型伝導特性を与える第１５族原子を用いることができる。
【００４７】
具体的には、第１３族原子としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。又、第１５族原子としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【００４８】
光導電層に含有される伝導性を制御する原子の含有量としては、好ましくは５×１０14〜５×１０18原子／ｃｍ3 、より好ましくは１×１０15〜１×１０18原子／ｃｍ3 、最適には５×１０15〜５×１０17原子／ｃｍ3 とされるのが望ましい。
【００４９】
伝導性を制御する原子を構造的に導入するには、層形成の際に、伝導性を制御する原子供給用ガスの原料物質をガス状態で反応容器中に、光導電層を形成するための他のガスと共に導入すれば良い。伝導性を制御する原子供給用ガスの原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状物質、又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ましい。
【００５０】
そのような第１３族原子導入用の原料物質として具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ2 Ｈ6 、Ｂ4 Ｈ10、Ｂ5 Ｈ9 、Ｂ5  Ｈ11、Ｂ6 Ｈ10、Ｂ6 Ｈ12、Ｂ6 Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3 、ＢＣｌ3 、ＢＢｒ３
等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3 、ＧａＣｌ3 、Ｇａ（ＣＨ3 ）3 、ＩｎＣｌ3 、ＴｌＣｌ3 等も挙げることができる。
【００５１】
又、第１５族原子導入用の原料物質として具体的には、リン原子導入用としては、ＰＨ3 、Ｐ2 Ｈ４ 等の水素化リン、ＰＦ3
、ＰＣｌ3 等のハロゲン化リン等が挙げられる。この他、ＡｓＨ3 、ＡｓＦ3 、ＡｓＦ5  、ＡｓＣｌ3 、ＳｂＨｖ 、ＳｂＦ5  、ＢｉＨ3 等も挙げることができる。
【００５２】
又、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2 及び／又はＨｅにより希釈して使用しても良い。
【００５３】
本発明において、光導電層の層厚は所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望に従って決定され、好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは２０〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍとされるのが望ましい。層厚が１０μｍより薄くなると、帯電能や感度等の電子写真特性が実用上不充分となる場合があり、５０μｍより厚くなると、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが高くなる場合がある。
【００５４】
又、本発明において、光導電層の第２の層領域の膜厚は、０．５μｍ以上１５μｍ以下とすることが望ましい。
【００５５】
第２の層領域の膜厚が０．５μｍより薄いと、レーザーやＬＥＤの光吸収量が小さくなって、第１の層領域の深い部分まで光が到達し、ゴーストレベルや感度の直線性が低下する場合がある。又、１５μｍより厚くなると、残留電位や暗減衰が大きくなるとともに感度が低下する場合がある。
【００５６】
以上に述べた光導電層を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力並びに導電性基体温度を適宜設定することが必要である。
【００５７】
希釈ガスとして使用するＨ２ 及び／又はＨｅの流量は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ２
及び／又はＨｅを、通常の場合０．５〜２０容量倍、好ましくは１〜１５容量倍、最適には１〜１０容量倍の範囲に制御することが望ましい。
【００５８】
反応容器内のガス圧も同様に層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは１×１０-2〜１×１０3 Ｐａ、より好ましくは５×１０-2〜５×１０2 Ｐａ、最適には１×１０-1〜１×１０2 Ｐａとされる。
【００５９】
放電電力も又同様に層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に対する放電電力［Ｗ］の比を、０．５〜２０、好ましくは１〜１２の範囲に設定することが望ましい。
【００６０】
更に、導電性基体の温度は、層設計に従って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは１６０〜３２０℃、最適には１８０〜３００℃とするのが望ましい。
【００６１】
光導電層を形成するための導電性基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する電子写真感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。
【００６２】
＜表面層＞
本発明においては、導電性基体上に形成された光導電層の上に、ａ−Ｓｉ系の表面層を形成することができる。この表面層は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性において本発明の目的を達成するために設けられる。
【００６３】
又、光受容層を構成する光導電層と表面層とを形成する非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界面において化学的な安定性の確保が十分成されている。
【００６４】
表面層は、ａ−Ｓｉ系の何れの材質でも可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子を含有するａ−Ｓｉ（ａ−ＳｉＣ：（Ｈ，Ｘ）とも表記する）、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含有するａ−Ｓｉ（ａ−ＳｉＮ：（Ｈ，Ｘ）とも表記する）等の材料が好適に用いられる。又、炭素原子を母体とし、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有するａ−Ｃ（ａ−Ｃ：（Ｈ，Ｘ）とも表記する）等の材料も好適に用いられる。
【００６５】
表面層の層厚としては、好ましくは０．０１〜３μｍ、より好ましくは０．０５〜２μｍ、更に好ましくは０．１〜１μｍとされる。層厚が０．０１μｍより薄いと、電子写真感光体を使用中に磨耗等の理由により表面層が失われる場合があり、３μｍを超えると残留電位が増加し、電子写真特性が低下する場合がある。
【００６６】
更に、光導電層と表面層の間に、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の１つ以上の原子の含有量を表面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設けることも帯電能等の特性を更に向上させるためには有効である。
【００６７】
又、表面層と光導電層の界面を、表面層の１つ以上の原子の含有量が光導電層に向かって減少するように連続的に変化させても良い。これにより表面層と光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射による干渉の影響をより少なくすることができる。
【００６８】
＜下部電荷注入阻止層＞
本発明の電子写真感光体においては、導電性基体と光導電層との間に、導電性基体側からの電荷の注入を阻止する働きのある下部電荷注入阻止層を設けるのが一層効果的である。即ち、下部電荷注入阻止層は光受容層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、導電性基体側より光導電層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、所謂極性依存性を有している。
【００６９】
そのような機能を付与するために、下部電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。
【００７０】
下部電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子は、層中に均一に分布されても良く、或は層厚方向に不均一に分布する状態で含有している部分があっても良い。
【００７１】
分布濃度が不均一な場合には、導電性基体側に多く分布するように含有させるのが好適である。
【００７２】
しかしながら、何れの場合にも導電性基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００７３】
下部電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子としては、第１３族原子及び第１５族原子を用いることができる。
【００７４】
更に、下部電荷注入阻止層には、炭素原子、窒素原子及び酸素原子の少なくとも１種を含有させることにより、下部電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他の層との間の密着性を向上できる。
【００７５】
下部電荷注入阻止層に含有される炭素原子、窒素原子及び酸素原子の１つ以上の原子は、層中に均一に分布されても良く、或は不均一に分布する状態で含有している部分があっても良い。しかしながら、何れの場合にも導電性基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で含有されることが面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００７６】
下部電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．３〜５μｍ、更に好ましくは０．５〜３μｍとされる。層厚が０．１μｍより薄くなると、導電性基体からの電荷の注入阻止能が不十分となる場合があり、十分な帯電能が得られない場合がある。一方、５μｍより厚くしても実質的な電子写真特性の向上よりも、作製時間の延長による製造コスト増を招く場合がある。
【００７７】
＜上部電荷注入阻止層＞
本発明の電子写真感光体においては、正帯電や負帯電等の帯電極性に応じて、上部電荷注入阻止層を設けることが有効である。
【００７８】
上部電荷注入阻止層は、特に負帯電電子写真感光体において、上部からの電荷の注入を阻止し、帯電能を向上させると共に、強露光の照射により大量の光キャリアが生成され、この光キャリアが動き易い部分へと集中して流れ込む現象から、文字部分がぼやけてしまう強露光時の画像流れ、所謂ＥＶ流れを阻止する役割も果たしている。
【００７９】
本発明の上部電荷注入阻止層は、炭素原子及びシリコン原子を母体とする非単結晶シリコン膜に、第１３族原子及び第１５族原子を所望の量含有させることで、帯電極性と逆極性のキャリアを通過させつつ横流れしない最適な抵抗値に調整することが好ましい。
【００８０】
上部電荷注入阻止層は、ａ−Ｓｉ系の材料であれば何れの材質でも可能であるが、例えば、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子を含有するａ−ＳｉＣ：（Ｈ，Ｘ）が好ましい。
【００８１】
上部電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。上部電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御する原子は、層中に均一に分布させても良く、或は層厚方向に不均一に分布する状態で含有している部分があっても良い。
【００８２】
分布濃度が不均一な場合には、表面層側に多く分布するように含有させるのが好適である。層厚方向に不均一な分布状態で含有している部分があっても良い。
【００８３】
しかしながら、何れの場合にも導電性基体の表面と平行面内方向においては、均一な分布で含有されること画面内方向における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００８４】
上部電荷注入阻止層の層厚は、光導電層及び表面層の層厚及び求められる電子写真特性によって総合的に判断して決定すれば良い。表面からの電荷注入の阻止能力を十分発揮し、且つ、画像品質に影響を与えないように、通常は０．０１μｍ〜０．５μｍで設計する。
【００８５】
「本発明に係わるａ−Ｓｉ感光体製造装置」
次に、本発明に係る電子写真感光体製造装置及び堆積層形成方法の一例を詳述する。
【００８６】
図３は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（ＲＦ−ＰＣＶＤとも略記する）による電子写真感光体製造装置の一例を示す模式的構成図である。図３に示す製造装置の構成は以下の通りである。
【００８７】
この装置は大別すると、堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、反応容器３１１１内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置３１００中の反応容器３１１１内には円筒形導電性基体３１１２、基体加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１１４が設置され、更に高周波マッチングボックス３１１５が接続されている。
【００８８】
原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ4 、ＮＯ、Ｈ2 、ＣＨ4 、Ｂ2 Ｈ6 、ＰＨ3 等の原料ガスボンベ３２２１〜３２２６と各バルブ３２３１〜３２３６、３２４１〜３２４６、３２５１〜３２５６及びマスフローコントローラー３２１１〜３２１６から構成され、各原料ガスのボンベは補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１１内のガス導入管３１１４に接続されている。
【００８９】
この装置を用いた堆積層の形成は例えば以下のように行うことができる。
【００９０】
先ず、反応容器３１１１内に円筒形導電性基体３１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器３１１１内を排気する。続いて、基体加熱用ヒーター３１１３により円筒形導電性基体３１１２を所望の温度に制御する。
【００９１】
堆積層形成用の原料ガスを反応容器３１１１に流入させるには、原料ガスボンベバルブ３２３１〜３２３６、反応容器リークバルブ３１１７が閉じられていることを確認し、又、ガス流入バルブ３２４１〜３２４６、ガス流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２６０が開かれていることを確認して、先ず、メイン排気バルブ３１１８を開いて反応容器３１１１及びガス配管内３１１６を排気する。
【００９２】
次に、真空計３１１９の読みが約０．１Ｐａ以下になった時点で補助バルブ３２６０、ガス流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。
【００９３】
その後、原料ガスボンベ３２２１〜３２２６より各ガスを原料ガスボンベバルブ３２３１〜３２３６を開いて導入し、圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。次に、ガス流入バルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入する。
【００９４】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。
【００９５】
円筒形導電性基体３１１２が所定の温度になったところでガス流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要なもの及び補助バルブ３２６０を徐々に開き、ガスボンベ３２２１〜３２６６から所定のガスを、ガス導入管３１１４を介して反応容器３１１１内に導入する。
【００９６】
次に、マスフローコントローラー３２１１〜３２１６によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器３１１１内の圧力が１×１０３
Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計３１１９を見ながらメイン排気バルブ３１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス３１１５を通じて反応容器３１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒形導電性基体３１１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積層が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積層の形成を終える。
【００９７】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００９８】
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外のガス流出バルブは全て閉じられていることは言うまでもなく、又、それぞれのガスが反応容器３１１１内、ガス流出バルブ３２５１〜３２５６から反応容器３１１１に至る配管内に残留することを避けるために、ガス流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じ、補助バルブ３２６０を開き、更にメイン排気バルブ３１１８を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【００９９】
又、膜形成の均一化を図るために、層形成を行っている間は、円筒形導電性基体３１１２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。
【０１００】
更に、上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の製造条件に従って変更が加えられることは言うまでもない。
【０１０１】
導電性基体の加熱方法は、真空仕様である発熱体であれば良く、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【０１０２】
それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で導電性基体を搬送する方法が用いられる。
【０１０３】
更に、図４は電源周波数としてＶＨＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（ＶＨＦ−ＰＣＶＤとも略記する）による電子写真感光体製造装置の一例を示す模式的構成図である。このＶＨＦ−ＰＣＶＤにおいては、多数本の感光体の同時製造、製造時間の短縮、ガス利用効率の向上を達成することが可能となり、生産効率を大幅に向上することができる。
【０１０４】
この製造装置は、少なくとも円筒形導電性基体４０１を内包できる減圧可能な反応容器４０２、前記反応容器４０２内に原料ガスを供給するための原料ガス導入管４１７及び前記原料ガスを分解するための電力を導入するカソード４１４から成る堆積装置４００、前記反応容器４０２内に原料ガスを供給する原料ガス供給装置４０４、前記反応容器４０２内を排気する排気システム４０５及び前記カソード４１４に電力を供給する電力供給装置４０６から成る。
【０１０５】
先ず、反応容器４０２内に円筒形導電性基体４０１を設置し、排気ポンプ４０７によって排気口４１９を介して反応容器４０２内を排気し、所望の真空度まで排気が完了した後、不活性ガス、例えばＨｅガスやＡｒガスを原料ガス供給装置４０４内のマスフローコントローラーによって所定の流量で反応容器４０２内に供給する。そして、排気ポンプ４０７の排気速度を調整することによって、反応容器４０２内を所望の圧力に制御する。反応容器４０２の内圧が所望の圧力に設定した後に、基体加熱用ヒーター４０３によって円筒形導電性基体４０１を所望の温度まで加熱を行う。尚、堆積層形成中も堆積層形成に必要な所望の温度に保持し続ける。
【０１０６】
以上の手順により加熱工程が終了した後、続いて堆積層形成工程を行う。反応容器４０２内の不活性ガスを排気ポンプ４０７によって排気した後、排気バルブ４０８を閉じ、メイン排気バルブ４０９を開け、スロットルバルブ４１０の開度を全開にして油拡散ポンプ４１１及びロータリーポンプ４１２によって反応容器４０２内を例えば１×１０-3Ｐａの真空度まで排気を行う。続いて反応容器４０２内に原料ガス供給装置４０４によって、各原料ガスを各供給配管に設置されたマスフローコントローラーによって、所定の流量で供給する。スロットルバルブ４１０の開度を調節し、排気速度を調整することで、反応容器４０２の内圧を所望の圧力に制御する。反応容器４０２の内圧が安定したところで、高周波電力源４１３からカソード４１４にマッチングボックス４１５を介して電力の供給を行い、反応容器４０２内にグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、反応容器４０２内に導入された原料ガスが分解され、円筒形導電性基体４０１上に所定の堆積層が形成される。
【０１０７】
尚、堆積層の基体周方向の均一性を向上させるために、堆積層形成中、駆動部４１８を介してモーター４１６によって基体４０１を所定の速度で回転させる方法が有効であり、この操作によりａ−Ｓｉ感光体の周方向むらは許容可能な範囲内に低減することが容易に可能となる。こうして、堆積層が所望の膜厚に到達したらカソード４１４に印加している電力の供給を停止し、原料ガス供給装置４０４からの原料ガスの供給を停止することで堆積層の形成を終える。
【０１０８】
同様の作業を複数回続けて行うことによって多層構造を持つ堆積層を形成すことが可能になる。
【０１０９】
「本発明に係る電子写真感光体表面研磨装置」
本発明においては、ａ−Ｓｉ感光体の作製後、研磨処理を実施してから検査工程を実施することが、検査時に良好な画像形成を達成する上で、又、市場で良好な画像形成を維持する上でも好ましい。研磨工程を実施することで、異常成長により正常部の表面から出っ張って形成された球状突起を、正常部とほぼ同じ高さに研磨することができる。そうすることで、画像形成装置に搭載時にクリーナー部に設置されるクリーニングブレードの損傷を防止し、クリーニング不良の発生を抑制することができる。
【０１１０】
以下に、本発明に好適な電子写真感光体表面研磨装置の一例を詳述する。
【０１１１】
図６は電子写真感光体表面研磨装置の一例を示す模式的構成図である。図６において、６００はａ−Ｓｉ感光体、６０１は弾性支持機構、具体的には空気圧ホルダーで、本実験ではブリヂストン社製空気圧式ホルダー( 商品名: エアーピック、型番: ＰＯ４５ＴＣＡ＊８２０) を用いた。６０３は研磨テープであり、６０２は研磨テープ６０３を巻回してａ−Ｓｉ感光体６００に押圧させるための加圧弾性ローラー、６０４は送り出しロール、６０５は巻き取りロール、６０６、６０７はそれぞれ定量送り出しロール、キャプスタンローラである。
【０１１２】
加圧弾性ローラー６０２は、芯金上に可撓性部材としてのゴムを形成することにより作成される。ゴムはネオプレン（登録商標）ゴム、シリコンゴム等の材質から成り、ＪＩＳゴム硬度２０〜８０が好適であり、ＪI Ｓゴム硬度３０〜６０が更に好適である。
【０１１３】
又、加圧弾性ローラー６０２の形状は、感光体母線方向に均一な処理を行うために、中央部の直径が両端部より太いものが好ましく、直径差が０．０１〜０．６ｍｍ、更には０．０２〜０．４ｍｍが好適である。
【０１１４】
更に、回転する感光体６００に対して、加圧弾性ローラー６０２を０．５〜２５ｋｇｆ／ｃｍ２
、更に好ましくは１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ2 に加圧しながら、研磨テープ６０３を送り感光体表面の研磨を行う。
【０１１５】
感光体の回転数は、感光体の表面性や研磨傷の発生等を考慮しながら適宜調整すれば良いが、１０〜５００ｒｐｍ、更には２０〜２００ｒｐｍが好適である。
【０１１６】
研磨テープ６０３は、通常ラッピングテープと呼ばれるものが好ましく、砥粒としては炭化珪素（ＳｉＣ）、酸化アルミ（Ａl2Ｏ3 ）、α酸化鉄（Ｆe2Ｏ3 ）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、ダイヤモンド（Ｃ）、シリカ（ＳｉＯ2 ）等が用いられる。又、砥粒の粒径は、所望の感光体表面粗さと研磨処理時間を考慮しながら適宜選択すれば良いが、０．１〜１００μｍ、更には１〜２０μｍが好適である。
【０１１７】
研磨テープ６０３は、一般によく知られた塗布方法、例えばドクターブレード（ナイフエッジ）コート法、デップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法等により塗布することが可能である。
【０１１８】
ここでは、富士写真フィルム社製ラッピングテープＬＴ−Ｃ２０００（砥粒：炭化珪素（ＳｉＣ）、粒径：６μｍ、塗布方法：ドクターブレード（ナイフエッジ）コート法）を用いた。
【０１１９】
研磨テープの送り速度は、感光体の表面性や研磨傷の発生、処理コスト等を考慮しながら適宜調整すれば良いが、１〜５００ｍｍ／ｍｉｎ、更には１０〜１００ｍｍ／ｍｉｎが好適である。
【０１２０】
研磨処理時間は、球状突起の高さが正常部とほぼ同じ高さに研磨することができることを確認して適宜調整すれば良いが、１０秒〜３０分、更には３０秒〜３分間程度が好適である。
【０１２１】
「本発明に係る画像形成装置」
感光体の画像欠陥を評価する検査工程においてａ−Ｓｉ感光体を搭載する、本発明に係る画像形成装置の一例を図５に示す。尚、本例の装置は、円筒状の電子写真感光体を用いる場合に好適なものであるが、本発明の画像形成装置は本例に限定されるものではなく、感光体形状は無端ベルト状等の所望のものであっても良い。又、本例の装置は、デジタル画像形成装置であるが、アナログ画像形成装置であっても良い。
【０１２２】
図５の画像形成装置５００において、５０１は電子写真感光体であり、５０２は感光体５０１に静電潜像形成のための帯電を行う一次帯電器である。５０３は静電潜像形成手段（露光装置）であり、露光Ｌの光源には、ハロゲン光源或いは単一波長を主とする光源を用いる。５０４は静電潜像の形成された感光体５０１に現像材（トナー）を供給するための現像器であり、５０５は感光体表面のトナーを転写材に移行させた上で転写材を分離するための転写・分離帯電器である。
【０１２３】
５０６は感光体表面の浄化を図るクリーナーである。本例では感光体表面の均一削除を有効に行うため、前述のような弾性ローラー５０６１とクリーニングブレード５０６２を用いて感光体表面の浄化を行っているが、何れか一方のみでも差し支えない。
【０１２４】
５０７は次回の複写動作にそなえて感光体表面の除電を行うための除電光源であり、５１０は紙等の転写材、５０９は転写材を送り出すレジストローラーである。
【０１２５】
このような装置を用い、複写画像の形成は、例えば以下のように行われる。先ず、電子写真感光体５０１を所定の速度で矢印の方向Ｘへ回転させ、一次帯電器５０２を用いて感光体５０１の表面を一様に帯電させる。次に、帯電された感光体５０１の表面に画像露光Ｌを行い、画像の静電潜像を感光体５０１の表面に形成させる。そして、感光体５０１の表面の静電潜像が形成された部分に現像器５０４の設置部を通過する際に、現像器５０４によってトナーが感光体５０１の表面に供給され、静電潜像がトナーによる画像として顕像化（現像）され、更にこのトナー画像は感光体５０１の回転とともに転写・分離帯電器５０５の設置部に到達し、ここでレジストローラー５０９によって送られてくる転写材５１０に転写される。
【０１２６】
転写終了後、次の複写工程に備えるために電子写真感光体５０１の表面から残留トナーがクリーナー５０６によって除去され、更に該表面の電位がゼロ若しくは殆どゼロとなるように除電光源５０７により除電され、１回の複写工程を終了する。
【０１２７】
更に、本発明に係るａ−Ｓｉ感光体の製造方法においては、画像形成装置本体又は現像器の湿度環境を適切に制御して検査工程を実施するため、図７に示すように湿度制御用空調装置７０１を接続ダクト７０３で接続した空調用ブース７０２内に画像形成装置７００を設置することが好ましい。このような空調ブースを用いることで、湿度環境の外乱要因となる画像形成装置自身の発熱に対しても、簡便に高精度で湿度制御することが可能となり、本発明の効果を得ることが可能となる。
【０１２８】
又、本発明の別の形態においては、画像形成装置から取り外し可能な現像器５０４のみを、より小型で湿度制御が容易な空調ブース内に放置しておいて、検査工程時のみ取り出して画像形成装置に設置して検査を実施することが好ましい。そうすることで、より簡便に本発明の効果を得ることが可能となる。
【０１２９】
以下、本発明を実施例及び比較例に基づき詳細に説明する。
【０１３０】
下記の実施例は、本発明の最良な実施形態の一例であるものの、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【実施例１】
【０１３１】
図４に示したプラズマ処理装置を用いて前記の手順に従い、表１に示す製造条件で、図１（ｂ）に示した電荷注入阻止層、第１及び第２の光導電層、表面層から成るφ８０ｍｍの正帯電ａ−Ｓｉ感光体を３０本作製した。
【０１３２】
表１に示す製造条件中の「２００→３０」はガス流量を２００ｍＬ／ｍｉｎ（normal）から３０ｍｌ／ｍｉｎ（normal）まで連続的に変化させることを表す。
【０１３３】
【表１】
2006071779.tif 000003
作製したａ−Ｓｉ感光体を、図６に示した電子写真感光体表面研磨装置を用いて研磨処理を実施した。
【０１３４】
その後、図７に示した湿度制御用空調装置を接続した空調用ブース内で、図５に示した画像形成装置を用いて、作製したａ−Ｓｉ感光体のうち３本を抜き取って画像形成を行い、評価を実施した。
【０１３５】
具体的には、キヤノン製デジタル画像形成装置ｉＲ−６０００（前露光６６０ｎｍＬＥＤアレイ、画像露光６５５ｎｍレーザー、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ）を用い、ベタ黒画像を出力し、球状突起に起因する画像欠陥の評価を以下の方法で行った。
【０１３６】
先ず、現像器位置における暗部電位が所定の値となるように主帯電器電流を調整した後、現像器位置での明部電位が所定の値となるように像露光強度を調整した。次いで、現像バイアスを調整して平均透過濃度が２．０のベタ黒画像をＡ３用紙で出力し、約２５１ｍｍの長さ（感光体１回転分に相当する画像域）の範囲に認められる直径０．０５ｍｍ以上の白点の個数を数え、その個数により評価した。
【０１３７】
更に、空調用ブースの湿度環境を適宜制御して、温度を２５℃一定、湿度を５〜９０％の範囲で変化させた。図２（ａ）に、３本のａ−Ｓｉ感光体の画像欠陥数の湿度依存評価結果を示す。
【０１３８】
ここで、画像欠陥数は湿度９０％のときの値を１００として規格化した値で表した。図２（ａ）の結果より、画像欠陥数が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲は２０〜６０％であることが分かった。
【０１３９】
次に、作製したａ−Ｓｉ感光体３０本の初期評価として、臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度７０％に制御した空調用ブース内でベタ黒画像を出力し、感光体の画像欠陥を評価を実施した。画像欠陥の評価は、Ａ３のベタ黒画像全域の画像欠陥数及び直径に応じて、良好、やや良好、実用上問題なし、実用上問題あり、で評価した。初期評価結果を表２に示す。
【０１４０】
更に、この３０本の感光体をｉＲ−６０００に搭載し、３０℃・８０％の高温・高湿環境下において、印字率７％のテストチャートを用いて２５万枚の通紙耐久を行った。この通紙耐久後、初期評価と同じく、湿度７０％に制御した空調用ブース内でベタ黒画像を出力し、感光体の画像欠陥を評価した。耐久後評価結果を表２に併せて示す。
【０１４１】
【表２】
2006071779.tif 000004
表２において、耐久後評価で実用上問題ありと評価された３本の感光体は、初期評価で実用上問題ありと評価された感光体と同一であった。従って、感光体の検査工程においては、
初期評価で実用上問題ありと評価された３本の感光体のみを出荷品から除外しておけば充分であることが判明した。
【０１４２】
＜比較例１＞
実施例１と同じ３０本の感光体をｉＲ−６０００に搭載し、初期評価として空調用ブースの湿度環境を制御せずにベタ黒画像を出力し、画像欠陥を評価した。このとき空調用ブース内の湿度は４０％であった。初期評価結果を表３に示す。
【０１４３】
更に、実施例１で実施した耐久後評価結果を表３に併せて示す。
【０１４４】
【表３】
2006071779.tif 000005
表３において、耐久後評価で実用上問題ありと評価された３本の感光体の内の２本は、初期評価で実用上問題ありと評価された感光体と同一でなく、実用上問題なしに含まれていた。従って、検査工程における画像品質上の許容レベルをやや良好以上に設定しなければならないことが分かり、初期評価で実用上問題あり及び実用上問題なしと評価された６本の感光体を出荷品から除外しておく必要があることが判明した。実施例１及び比較例１の結果により、本発明による検査工程を実施することにより、検査工程での不良品数を最小にする効果があることが判った。
【実施例２】
【０１４５】
次に、実施例１で実施した図２（ａ）の画像欠陥数の湿度依存評価結果に基づき、画像欠陥数が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い７０％の湿度環境下に常時放置した現像器を用い、実施例１と同じ３０本の感光体をｉＲ−６０００に搭載し、初期評価として画像欠陥を評価した。ここで、空調用ブースの湿度環境は制御せずに、現像器のみを湿度７０％に制御した小型の空調ブース内に常時放置して、画像形成時のみ取り出して用いた。このとき、空調用ブース内の湿度は４０％であった。初期評価結果を表４に示す。
【０１４６】
更に、実施例１で実施した耐久後評価結果を表４に併せて示す。
【０１４７】
【表４】
2006071779.tif 000006
表４において、耐久後評価で実用上問題ありと評価された３本の感光体は、初期評価で実用上問題ありと評価された感光体と同一であった。従って、感光体の検査工程においては、
初期評価で実用上問題ありと評価された３本の感光体のみを出荷品から除外しておけば充分であることが判明し、本発明による検査工程を実施することにより、検査工程での不良品数を最小にする効果があることが判った。
【実施例３】
【０１４８】
次に、表５に示す製造条件を用いた以外は、実施例１と同様にして作製した１８本のａ−Ｓｉ感光体に対し研磨処理を実施した後、作製したａ−Ｓｉ感光体うち３本を抜き取って球状突起に起因する画像欠陥の評価を実施した。
【０１４９】
【表５】
2006071779.tif 000007
実施例１と同じくｉＲ−６０００を用い、平均透過濃度が２．０のベタ黒画像をＡ３用紙で出力し、約２５１ｍｍの長さ（感光体１回転分に相当する画像域）の範囲に認められる白点を任意にピックアップし、その画像欠陥の直径の平均値により評価した。
【０１５０】
更に、空調用ブースの湿度環境を適宜制御して、温度を２５℃一定、湿度を５〜９０％の範囲で変化させた。図２（ｂ）に、３本のａ−Ｓｉ感光体の画像欠陥直径の湿度依存評価結果を示す。
【０１５１】
ここで、画像欠陥直径は湿度９０％のときの値を１００として規格化した値で表した。図２（ｂ）の結果より、画像欠陥直径が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲は２０〜５５％であることが分かった。
【０１５２】
次に、作製したａ−Ｓｉ感光体１８本の初期評価として、臨界領域の湿度範囲よりも高い湿度６０％に制御した空調用ブース内でベタ黒画像を出力し、感光体の画像欠陥を評価した。画像欠陥の評価は、Ａ３のベタ黒画像全域の画像欠陥数及び直径に応じて、良好、やや良好、実用上問題なし、実用上問題あり、で評価した。初期評価結果を表６に示す。
【０１５３】
更に、この１８本の感光体をｉＲ−６０００に搭載し、３０℃・８０％の高温・高湿環境下において、印字率7%のテストチャートを用いて２５万枚の通紙耐久を行った。この通紙耐久後、初期評価と同じく、湿度７０％に制御した空調用ブース内でベタ黒画像を出力し、感光体の画像欠陥を評価した。耐久後評価結果を表６に併せて示す。
【０１５４】
【表６】
2006071779.tif 000008
表６において、耐久後評価で実用上問題ありと評価された２本の感光体は、初期評価で実用上問題ありと評価された感光体と同一であった。従って、感光体の検査工程においては、
初期評価で実用上問題ありと評価された２本の感光体のみを出荷品から除外しておけば充分であることが判明した。
【０１５５】
＜比較例２＞
実施例３と同じ１８本の感光体をｉＲ−６０００に搭載し、初期評価として空調用ブースの湿度環境を制御せずにベタ黒画像を出力し、画像欠陥を評価した。このとき空調用ブース内の湿度は４０％であった。初期評価結果を表７に示す。
【０１５６】
更に、実施例３で実施した耐久後評価結果を表７に併せて示す。
【０１５７】
【表７】
2006071779.tif 000009
表７において、耐久後評価で実用上問題ありと評価された２本の感光体の内の１本は、初期評価で実用上問題ありと評価された感光体と同一でなく、実用上問題なしに含まれていた。従って、検査工程における画像品質上の許容レベルをやや良好以上に設定しなければならないことが分かり、初期評価で実用上問題あり及び実用上問題なしと評価された５本の感光体を出荷品から除外しておく必要があることが判明した。実施例３及び比較例２の結果により、本発明による検査工程を実施することにより、検査工程での不良品数を最小にする効果が有ることが判った。
【実施例４】
【０１５８】
次に、実施例３で実施した図２（ｂ）の画像欠陥直径の湿度依存評価結果に基づき、画像欠陥直径が湿度に依存して増加する臨界領域の湿度範囲よりも高い６０％の湿度環境下に常時放置した現像器を用い、実施例３と同じ１８本の感光体をｉＲ−６０００に搭載し、初期評価として画像欠陥を評価した。ここで、空調用ブースの湿度環境は制御せずに、現像器のみを湿度６０％に制御した小型の空調ブース内に常時放置して、画像形成時のみ取り出して用いた。このとき、空調用ブース内の湿度は３０％であった。初期評価結果を表８に示す。
【０１５９】
更に、実施例３で実施した耐久後評価結果を表８に併せて示す。
【０１６０】
【表８】
2006071779.tif 000010
表８において、耐久後評価で実用上問題ありと評価された２本の感光体は、初期評価で実用上問題ありと評価された感光体と同一であった。従って感光体の検査工程においては、
初期評価で実用上問題ありと評価された２本の感光体のみを出荷品から除外しておけば充分であることが判明し、本発明による検査工程を実施することにより、検査工程での不良品数を最小にする効果があることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明に係る電子写真感光体の層構成を模式的に示す概略断面図である。
【図２】（ａ）は本発明に係る画像欠陥数の湿度依存評価結果の一例を示す図、（ｂ）は本発明に係る画像欠陥直径の湿度依存評価結果の一例を示す図である。
【図３】本発明に係るＲＦ−ＰＣＶＤによる電子写真感光体製造装置の一例を示す模式的構成図である。
【図４】本発明に係るＶＨＦ−ＰＣＶＤによる電子写真感光体製造装置の一例を示す模式的構成図である。
【図５】本発明に係る電子写真感光体を搭載したデジタル画像形成装置の一例を示す模式的構成図である。
【図６】本発明に係る電子写真感光体表面研磨装置の一例を示す模式的構成図である。
【図７】本発明に係る湿度制御用空調装置を接続した空調用ブースの一例を示す模式的構成図である。
【符号の説明】
【０１６２】
１００  電子写真感光体
１０１  導電性基体
１０２  光受容層
１０３  光導電層
１０３１  第１の層領域
１０３２  第２の層領域
１０４  表面層
１０５  下部電荷注入阻止層
１０６  上部電荷注入阻止層
３１００  堆積装置
３１１１  反応容器
３１１２  円筒形導電性基体
３１１３  基体加熱用ヒーター
３１１４  原料ガス導入管
３１１５  マッチングボックス
３１１６  原料ガス配管
３１１７  反応容器リークバルブ
３１１８  メイン排気バルブ
３１１９  真空計
３２００  原料ガス供給装置
３２１１〜３２１６  マスフローコントローラー
３２２１〜３２２６  原料ガスボンベ
３２３１〜３２３６  原料ガスボンベバルブ
３２４１〜３２４６  ガス流入バルブ
３２５１〜３２５６  ガス流出バルブ
３２６０  補助バルブ
３２６１〜３２６６  圧力調整器
４００  堆積装置
４０１  円筒形導電性基体
４０２  反応容器
４０３  基体加熱用ヒーター
４０４  原料ガス供給装置
４０５  排気システム
４０６  電力供給装置
４０７  排気ポンプ
４０８  排気バルブ
４０９  メイン排気バルブ
４１０  スロットルバルブ
４１１  油拡散ポンプ
４１２  ロータリーポンプ
４１３  高周波電力源
４１４  カソード
４１５  マッチングボックス
４１６  モーター
４１７  原料ガス導入管
４１８  駆動部
４１９  排気口
５００  画像形成装置
５０１  電子写真感光体
５０２  一次帯電器
５０３  静電潜像形成手段（露光装置）
５０４  現像器
５０５  転写・分離帯電器
５０６  クリーナー
５０６１  弾性ローラ
５０６２  クリーニングブレード
５０７  除電光源
５０８  定着器
５０９  レジストローラ
５１０  転写材
６００  ａ−Ｓｉ感光体
６０１  弾性支持機構
６０２  加圧弾性ローラ
６０３  研磨テープ
６０４  送り出しロール
６０５  巻き取りロール
６０６  定量送り出しロール
６０７  キャプスタンローラ
７００  画像形成装置
７０１  湿度制御用空調装置
７０２  空調用ブース
７０３  接続ダクト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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