(57)【要約】 【課題】  被露光基板に転写されるパターンのボケを防止してコントラスト及びパターン解像度の向上を図った液晶マスク及び露光装置を提供する。を提供する。【解決手段】  本発明の液晶マスク８は、第１基板１０と、第１基板１０に対向配置された第２基板１６と、第１基板１０の内面側に設けられた第１電１２極と、第２基板１６の内面側に設けられた第２電極１８と、第１基板１０と第２基板１６とに挟持された液晶層と、第１基板１０及び第２基板１６において規定された複数の画素２４と、複数の画素２４を区画する第１遮光膜２０と、を備える。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光基板の感光材上に所定パターンの光を照射させる為の液晶マスクであって、
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板の内面側に設けられた第１電極と、
前記第２基板の内面側に設けられた第２電極と、
前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、
前記第１基板及び前記第２基板において規定された複数の画素と、
前記複数の画素を区画する第１遮光膜と、
を備えることを特徴とすることを特徴とする液晶マスク。
【請求項２】
前記第２電極が、前記第１電極と交差して設けられ、
前記画素が、前記第１電極と前記第２電極とが交差した領域によってなることを特徴とする請求項１に記載の液晶マスク。
【請求項３】
前記第１電極又は前記第２電極に電気的に接続してスイッチング素子が設けられ、
前記第１遮光膜が、前記スイッチング素子が電気的に接続された電極の周辺部に対応して設けられたことを備えることを特徴とする請求項１に記載の液晶マスク。
【請求項４】
前記第１基板は、前記光が入射する側に設けられ、
前記第１遮光膜は、前記第２基板の外面側に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶マスク。
【請求項５】
前記スイッチング素子に対応して前記光が入射する側に、第２遮光膜が設けられたことを特徴とする請求項３に記載の液晶マスク。
【請求項６】
前記第２基板の内面側の領域に第３遮光膜が設けられたことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の液晶マスク。
【請求項７】
前記第１遮光膜、前記第２遮光膜、前記第３遮光膜のうちの少なくとも１つの遮光膜又は組み合わされた２つの遮光膜が、前記画素をマトリクス状に区画するようにして設けられたことを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載の液晶マスク。
【請求項８】
前記第２基板の外面側に凹レンズが設けられ、
前記凹レンズが、前記第２基板側から出射された露光光を拡大させることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の液晶マスク。
【請求項９】
液晶マスクを用いて光源から出射し露光光を所定パターンの光にして被露光基板に照射する露光装置であって、
前記液晶マスクが、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の液晶マスクであることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の前記液晶マスクを用いて、前記被露光基板の前記感光材上に所定パターンを形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶マスク、露光装置及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、被露光基板に所定パターンを形成する場合には、所定パターンが描画されたレチクル又はフォトマスク（以下、レチクルと称する）を用いて、露光装置により被露光基板上にパターンを転写する方法が広く利用されている。このレチクルは、高い平坦度に研磨された低膨張係数ガラス、石英等の透明基板上に、クロム（Ｃｒ）又は酸化クロム等からなる所定パターンの遮光膜が形成されたものである。露光時には、上記レチクルを用いて、等倍露光又は縮小投影露光により、レチクル上に描画されたパターンを被露光基板に塗布されたフォトレジストに転写していた。
【０００３】
しかしながら、上記方法では、被露光基板に形成するパターンごとに、複雑な加工を有するレチクルを形成する必要があった。さらに、特に複雑な集積回路を形成する場合には、多数のレチクルを用意しなければならないため、レチクルの形成に時間を要するとともに、高コストとなるという問題があった。さらには、集積回路に僅かな設計変更が発生した場合でもレチクルを再度形成しなければならなかった。
【０００４】
そこで、上記問題を解決する技術としてレチクルに代替する液晶マスクを用いた露光装置により、被露光基板等に所定パターンを転写する方法が開示されている。液晶マスクは、液晶を縦方向と横方向の互いに直交する平行帯状透明電極に挟持された構造となっている。この液晶マスクは、電極間に電圧を印加すると、電圧が印加された液晶セル中の液晶分子の配向が揃って、光を透過する開口部となり、液晶セルの光透過性を選択的に制御することができる。従って、上記液晶マスクを露光装置に使用することにより、１枚の液晶マスクを用いるだけで、マスクの交換を行うことなく、電気的に液晶マスクのパターンを書き換えることができる。
【特許文献１】特開平６−３０１１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示の液晶マスクでは以下のような問題があった。つまり、液晶マスクは、一対の透明基板により液晶層が挟持された構造を採用している。露光装置の光源から出射された露光光は、液晶マスクの一方の透明基板側に入射し、液晶層を通過して他方の透明基板側から出射される。ここで、一対の透明基板はガラス等から形成され、所定の屈折率を有する。また、液晶マスクとパターンを転写する被露光基板とは、所定間隔離れた状態で互いに設置されている。そのため、他方の透明基板から出射される露光光は、透明基板の屈折率により、入射角に対して分散して出射される。これにより、分散された露光光が、被露光基板上の隣接する画素に対応する領域にまで照射され、パターンボケが発生する。従って、上記の液晶マスクでは、パターンのコントラストが低下するとともに、パターンの解像度が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、被露光基板に転写されるパターンのボケを防止してコントラスト及びパターン解像度の向上を図った液晶マスク及び露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、被露光基板の感光材上に所定パターンの光を照射させる為の液晶マスクであって、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板の内面側に設けられた第１電極と、前記第２基板の内面側に設けられた第２電極と、前記第１基板と前記第２基板とに挟持された液晶層と、前記第１基板及び前記第２基板において規定された複数の画素と、前記複数の画素を区画する第１遮光膜と、
を備えることを特徴とすることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、画素を区画して第１遮光膜が設けられているため、上記基板の屈折率により第１基板又は第２基板側から大きく屈折して出射された露光光は、第１遮光膜により反射又は吸収される。これにより、露光光の分散が回避され、光漏洩を防止することができる。従って、被露光基板上に転写するパターンボケを回避して、パターンのコントラスト及びパターンの解像度の向上を図ることができる。
【０００９】
また本発明の液晶マスクは、前記第２電極が、前記第１電極と交差して設けられ、前記画素が、前記第１電極と前記第２電極とが交差した領域によってなることも好ましい。
【００１０】
本発明は、第１電極と第２電極とが互いに交差して設けられたパッシブマトリクス方式
を採用した液晶マスクである。この構成によれば、パッシブマトリクス方式の液晶マスクにおいても、第１基板又は第２基板側から大きく屈折して出射された露光光を第１遮光膜により反射又は吸収することで、露光光の分散が回避され、光漏洩を防止することができる。従って、被露光基板上に転写するパターンボケを回避して、パターンのコントラスト及びパターンの解像度の向上を図ることができる。
【００１１】
また本発明の液晶マスクは、前記第１電極又は前記第２電極に電気的に接続してスイッチング素子が設けられ、前記第１遮光膜が、前記スイッチング素子が電気的に接続された電極の周辺部に対応して設けられたことも好ましい。
【００１２】
本発明は、第１電極と第２電極から構成される画素をスイッチング素子により駆動する
アクティブマトリクス方式を採用した液晶マスクである。この構成によれば、第１電極又
は第２電極の周辺部に対応して設けられた第１遮光膜により、第１基板又は第２基板側か
ら大きく屈折して出射された露光光を反射又は吸収することができる。これにより、露光
光の分散が回避され、光漏洩を防止することができる。従って、被露光基板上に転写する
パターンボケを回避して、パターンのコントラスト及びパターンの解像度の向上を図るこ
とができる。
【００１３】
また本発明の液晶マスクは、前記第１基板が、前記光が入射する側に設けられ、前記第１遮光膜は、前記第２基板の外面側に設けられることも好ましい。
【００１４】
本発明によれば、第２基板の外面側に第１遮光膜が設けられているため、第２基板の屈
折率により第２基板側から大きく屈折して出射された露光光は、第１遮光膜により反射又
は吸収される。これにより、露光光の分散が回避され、光漏洩を防止することができる。
従って、転写するパターンボケを回避して、パターンのコントラスト及びパターンの解像
度の向上を図ることができる。
【００１５】
また本発明の液晶マスクは、前記スイッチング素子に対応して前記光が入射する側に、第２遮光膜が設けられたことも好ましい。
【００１６】
この構成によれば、スイッチング素子に対応して第２遮光膜が設けられているため、スイッチング素子に露光光が照射されるのを回避することによって、スイッチング素子の漏れ電流（リーク電流）を防止することができる。さらには光漏洩を防止することができる。
【００１７】
また本発明の液晶マスクは、前記第２基板の内面側の領域に第３遮光膜が設けられたことも好ましい。
【００１８】
この構成によれば、液晶層を通過した露光光が分散して第２基板に入射した場合であっても、第２基板にマトリクス状に設けられた第３遮光膜により、大きく屈折した露光光が吸収又は反射される。従って、光漏洩を防止して第２基板に入射させることができる。
【００１９】
また本発明の液晶マスクは、前記第１遮光膜、前記第２遮光膜、前記第３遮光膜のうちの少なくとも１つの遮光膜又は組み合わされた２つの遮光膜が、前記画素をマトリクス状に区画するようにして設けられたことも好ましい。
【００２０】
この構成によれば、第１遮光膜、第２遮光膜、第３遮光膜のうちの少なくとも１つの遮光膜又は組み合わされた２つの遮光膜が、画素を区画するようにして設けられているため、第２基板から出射される露光光の分散をより確実に防止して、ボケのないコントラスト及び高解像度のパターンを転写することができる。
【００２１】
また本発明の液晶マスクは、前記第２基板の外面側に凹レンズが設けられ、前記凹レンズが、前記第２基板側から出射された露光光を拡大させることも好ましい。
【００２２】
パッシブマトリクス方式の液晶マスクの場合は、画素間の領域は、電極が形成されないため、液晶層の配向制御されない。従って、液晶マスクの画素間に対応する被露光基板上の領域には、露光光が照射されず、パターン制御をすることができない。アクティブマトリクス方式の場合にも同様である。これに対し、本発明によれば、液晶マスクの出射側に凹レンズが設けられている。そのため、凹レンズにより露光光を調節して拡大等させることによって、露光光を照射することができない画素間に対応する被露光基板上の感光材に対しても露光光を照射することができる。これにより、ムラのない均一なパターンを被露光基板に対して転写することができるとともに、露光パターンの設計の自由度が向上する。
【００２３】
また本発明の露光装置は、上記液晶マスクを用いて光源から出射し露光光を所定パターンの光にして被露光基板に照射することを特徴とする。
【００２４】
本発明の露光装置によれば、上記液晶マスクを用いて露光処理するため、被露光基板上
の感光材に照射される露光光の分散（漏れ）が回避され、光漏洩を防止することができる
。従って、転写するパターンのボケを回避して、パターンのコントラスト及びパターンの
解像度の向上を図ることができる。
【００２５】
また本発明の電気光学装置の製造方法は、上記液晶マスクを用いて、前記被露光基板の前記感光材上に所定パターンを形成する工程を有することを特徴とする。
【００２６】
この方法によれば、上記液晶マスクを用いて露光処理を行うため、転写するパターンの
ボケを回避して、パターンのコントラスト及びパターンの解像度の向上を図ることができ
る。従って、高精度の電気光学装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２８】
（露光装置）
本実施形態の露光装置の概略構成について図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態の露光装置７０の概略構成を示す斜視図である。図１に示すように、露光装置７０は、光源５と、コンデンサレンズ７と、液晶マスク８と、縮小レンズ９と、ステージ２とを備えている。
【００２９】
光源５は、露光光を液晶マスク８に照射する。光源５としては、例えば水銀ランプから出射される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光及びＦ２レーザ光等の真空紫外光（ＶＵＶ光）を用いることができる。
【００３０】
光源５から出射された露光光は、例えばライドガイド等により一旦集合され均等分配された後、均一に照度分布されて出射される。コンデンサレンズ７は、均一に照度分布された露光光を液晶マスク８に照射させる。そして、液晶マスク８を透過した露光光は、縮小レンズ９を介して被露光基板１上のレジストに照射され、液晶マスク８を透過した所定パターンの露光光が縮小投影露光される。
【００３１】
ステージ２は、駆動モータに接続され、制御装置６によって駆動モータが制御されることにより所定方向に移動及び回転可能となっている。具体的には、駆動モータの駆動により、ステージ２は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能であるとともに、Ｘ軸回り、Ｙ軸回り、及びＺ軸回りに回転可能となっている。また、ステージ２上には、パターンを露光するための被露光基板１が載置され、ステージ２に設けられた真空吸着（又は静電吸着）によりステージ２に固定される。
【００３２】
（液晶マスク）
次に、本実施形態の上記露光装置に設置する液晶マスク８について図面を参照して説明する。
図２は液晶マスク８の概略構成を示した斜視図であり、図３は図２の液晶マスク８のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。なお、本実施形態の液晶マスク８は、画素の駆動方式としてパッシブマトリクス方式を採用している。また、液晶マスク８の一面側及び他面側のそれぞれには偏光板が配置されるが本実施形態においては省略して説明する。また、図２においては配向膜を省略して説明する。
【００３３】
図２及び図３に示すように、液晶マスク８は、第１基板１０と、この第１基板１０に対向配置される第２基板１６と、第１基板１０と第２基板１６とに挟持される液晶層とを備えている。なお、本実施形態において、液晶層２６が配置された側の第１基板１０及び第２基板１６面を内面と呼び、これと反対側の第１基板１０及び第２基板１６の面を外面と呼ぶ。また、光源５は、第１基板１０の外面側の上方に設置されているものとし、光源５から出射された露光光は、第１基板１０の外面側から入射することとする。
【００３４】
第１基板１０は、ガラス、石英、又はプラスティック等の光透過性を有する透明材料から形成され、光源５から出射される光が透過されるようになっている。なお、第１基板１０を半透明材料からなる材料により形成することもできる。
【００３５】
複数の第１電極１２は、図２に示すように、第１基板１０の内面側のＸ軸方向に延在してストライプ状に形成されている。第１電極１２は、例えば透明材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を材料として蒸着法等により形成される。
【００３６】
配向膜１４は、図３に示すように、上記複数の第１電極１２の全面を覆うようにして、第１基板１０の内面側に形成されている。この配向膜１４はポリイミド等の有機薄膜から形成され、配向膜１４表面には電圧が印加されていないときの液晶層２６の配向方向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００３７】
液晶層２６は、図３に示すように、第１基板１０とこの第１基板１０に対向配置される第２基板１６との間に挟持されて配置されている。液晶層２６は、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モード等の動作モード、ＩＰＳ（In-Plane Switching Nematic）の種々の液晶を採用することが可能である。
【００３８】
第２基板１６は、第１基板１０と同様に、ガラス、石英、又はプラスティック等の光透過性を有する透明材料から形成され、液晶層２６を通過した露光光を透過させて第２基板１６の外面側に出射されることができるようになっている。
【００３９】
複数の第２電極１８は、図２に示すように、第２基板１６の内面側のＹ軸方向に延在してストライプ状に形成されている。つまり、複数の第２電極１８のそれぞれは、第１基板１０の内面側に形成される第１電極１２のそれぞれと互いに交差するように配置され、第１電極１２と第２電極１８とが交差してなる領域は画素２４となっている。また、第２電極１８は、例えば透明材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を材料として蒸着法等により形成される。
【００４０】
配向膜２２は、図３に示すように、上記複数の第２電極１８の全面を覆うようにして、第２基板１６の内面側に形成されている。この配向膜２２はポリイミド等の有機薄膜から形成され、配向膜２２表面には電圧が印加されていないときの液晶層２６の配向方向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００４１】
本実施形態では、第２基板１６の外面側に遮光膜２０（第１遮光膜）が形成されている。遮光膜２０は、第１電極１２と第２電極１８とが交差してなる画素２４を区画するようにしてマトリクス状に形成されている。つまり、遮光膜２０は、露光光透過（出射）領域となる画素２４以外の非露光光透過領域に形成されている。従って、画素２４に対応する第２基板１６の外面側の開口部２０ａが形成された領域は、第２基板１６が露出した状態となっている。遮光膜２０は、例えばアクリル樹脂やポリイミド等を材料としてフォトリソグラフィー処理及びエッチング処理によって、マトリクス状にパターニングして形成される。
【００４２】
また、遮光膜２０は、例えばクロム（Ｃｒ）等の金属材料、又は酸化クロム等の金属酸化物材料により形成することもできる。さらには、アルミニウムとクロム等の積層膜により形成することもできる。酸化クロムにより遮光膜２０を形成した場合には、第２基板１６から出射された光を吸収することができるため、露光光の分散を回避することができる。
【００４３】
本実施形態によれば、画素２４に対応する第２基板１６の外面側の領域を区画するよう
に遮光膜２０が設けられているため、第２基板１６の屈折率により画素領域から分散（漏
れ）された露光光は、遮光膜２０によって反射又は吸収される。これにより、隣接する画
素領域への露光光の照射漏れを回避することができる。従って、パターンボケを防止して
、パターンのコントラスト及びパターンの解像度を向上させることができる。
【００４４】
［第２の実施の形態］
次に、本実施形態の液晶マスクについて図面を参照して説明する。
図４は、液晶マスク８の概略構成を示した斜視図であり、図５は、図４の液晶マスク８の主要部を拡大した断面図である。なお、本実施形態の液晶マスク８は、画素の駆動方式としてアクティブマトリクス方式を採用している。また、その他の液晶マスク８の基本構成は、上記第１実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４５】
図４及び図５に示すように、液晶マスク８は、対向配置された第１基板４４と第２基板３２と、これらの第１基板４４と第２基板３２との間に挟持された液晶層６４とを備えている。なお、本実施形態において光源は、第１基板４４の外面側の上方に設置されているものとし、光源５から出射された露光光は、第１基板４４の外面側から入射することとする。また、図４では配向膜等の構成を省略して説明する。
【００４６】
第１基板４４は、ガラス等の光透過性を有する透明材料から形成されている。また、第１基板４４の内面側には、Ｘ軸方向に延在する複数の走査線３８と、Ｙ軸方向に延在する複数のデータ線４０とが互いに交差してマトリクス状に形成されている。そして、走査線３８とデータ線４０と交差領域近傍には、スイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４（Thin Film Transistor、スイッチング素子）が形成されている。そして、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４は、走査線３８とデータ線４０とに区画された領域に形成されたＩＴＯからなる画素電極３６に電気的に接続されている。
【００４７】
第２基板３２は、第１基板４４と同様に、ガラス等の光透過性を有する透明材料から形成されている。また、第２基板３２の内面側には、透明導電膜からなる共通電極４６がその全面にベタ状に形成されている。
【００４８】
第２基板３２の外面側には、図４に示すように、第１遮光膜４８が形成されている。第１遮光膜４８は、第１基板４４に形成される画素電極３６を区画するようにしてマトリクス状に形成されている。つまり、第１遮光膜２０は、露光光透過（出射）領域となる画素電極３６以外の非露光光透過領域に形成されている。従って、画素電極３６に対応する第２基板３２の外面側の開口部４８ａが形成された領域は、第２基板３２が露出した状態となっている。第１遮光膜４８は、例えばアクリル樹脂やポリイミド等を材料としてフォトリソグラフィー処理及びエッチング処理によって、マトリクス状にパターニングして形成される。
【００４９】
また、第１遮光膜は、例えばクロム（Ｃｒ）等の金属材料、又は酸化クロム等の金属酸化物材料により形成することもできる。さらには、アルミニウムとクロム等の積層膜により形成することもできる。酸化クロムにより第１遮光膜を形成した場合には、第２基板３２から大きく屈折して出射された光を吸収することができるため、露光光の大きな分散を抑えることができる。
【００５０】
続けて、液晶マスク８の断面構造を図５を参照して説明する。
図５に示すように、第１基板４４の内面側には画素電極３６が設けられ、各画素電極３６に隣接する位置に、各画素電極３６をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４が設けられている。画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３８、当該走査線３８からの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３８と半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線４０、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００５１】
また、ゲート絶縁膜２及び第２層間絶縁膜４には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５が形成され、さらに第３層間絶縁膜７には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール７２が形成されている。これにより、データ線４０は、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続され、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール７２を介して画素電極３６に電気的に接続されている。
【００５２】
また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３８に対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００５３】
また、第１基板４４と画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４との間には、第２遮光膜６６が形成されている。この第２遮光膜６６は、クロム、酸化クロム又は樹脂のいずれかの材料により形成されている。これにより、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４への露光光の照射を遮断して、露光光によるスイッチング素子の漏れ電流（リーク電流）を防止することができるととともに、漏洩を防止することができる。
【００５４】
第２遮光膜６６と画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４を構成する半導体層１ａを第２遮光膜６６から電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａが、前段或いは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００５５】
また、第１基板４４の液晶層６４側最表面、すなわち、画素電極３６及び第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層６４内の液晶分子の配向を制御する配向膜（配向層）４０が形成されている。この配向膜４２は、液晶分子を当該膜面に対して垂直方向に配向させる機能を有している。
【００５６】
他方、第２基板３２の内面側には、第１基板４４に形成されるデータ線４０、走査線３８、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４の形成領域に対向する領域、すなわち非開口領域に第３遮光膜６８が形成されている。これにより、液晶層６４を通過した露光光が分散して第２基板３２に入射する場合であっても、第３遮光膜６８により、分散した露光光を吸収又は反射し、光漏洩を防止することができる。また、第３遮光膜６８を含む第２基板３２には、ベタ状にＩＴＯ等からなる共通電極４６が形成され、さらに液晶層６４側には、電圧無印加時における液晶層６４内の液晶分子の配向を制御する配向膜（配向層）５０が形成されている。なお、第３遮光膜６８は、第１遮光膜４８と同様に、第１基板４４に形成される画素電極３６を区画するようにしてマトリクス状に形成することも好ましい。
【００５７】
本実施形態によれば、第２基板３２の外面側の画素電極３６に対応する領域を区画して
第１遮光膜４８が形成されているため、第２基板３２の屈折率により大きく屈折した露光
光は、第１遮光膜４８によって反射又は吸収される。これにより、隣接する画素領域への
露光光の照射漏れを回避することができる。従って、パターンケを防止して、パターンの
コントラスト及びパターンの解像度を向上させることができる。なお、本実施形態では、光源側に画素スイッチング用ＴＦＴ素子３４、画素電極３６等が形成された第１基板４４を配置しているが、第１基板４４を光源とは反対側に配置し、第２基板３２を光源側に配置することも可能である。この場合に第１遮光膜４８は、第１基板４４の外面側に形成される。また、第１遮光膜４８、第２遮光膜６６、第３遮光膜６８のうちの少なくとも１つの遮光膜又は組み合わされた２つの遮光膜を、第２基板３２の外面側の画素電極３６に対応する領域をマトリクス状に区画するようにして形成しても良い。
【００５８】
［第３の実施の形態］
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
本実施形態は、液晶マスクの構成要件として凹レンズが設けられている点において上記実施形態と異なる。なお、本実施形態の液晶マスクは、画素の駆動方式としてパッシブマトリクス方式を採用している。また、その他の液晶マスクの基本構成は、上記第１実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５９】
図６は、本実施形態の液晶マスク８の概略構成を示す断面図である。
図６に示すように、液晶マスク８を構成する第２基板１６の外面側には、第２基板１６と一定の間隔をあけて凹レンズ２８が配置されている。この凹レンズ２８は、例えばガラス又は水晶等の材料から形成され、液晶マスク８の構成要素の一つを構成している。なお、凹レンズ２８は、第２基板１６の外面側（第１遮光膜）に接触させて配置することも好ましい。
【００６０】
次に、被露光基板１に照射される露光光の照射領域について図６を参照して説明する。ここで、図６に示すように、液晶マスク８の画素領域をＴ１，Ｔ２とし、これに対応する被露光基板１上の領域を画素領域Ｔ１’，Ｔ２’とする。また、画素領域Ｔ１と画素領域Ｔ２との間の領域をＴ３とし、これに対応する被露光基板１上の領域をＴ３’とする。
【００６１】
図６に示すように、光源５から出射された露光光は液晶マスク８によって配向制御され、画素領域Ｔ１を透過する。そして、液晶マスク８の画素領域Ｔ１を透過した露光光は、画素領域Ｔ１を区画する遮光膜２０によって分散が防止され、光幅ｄ１で凹レンズ２８に入射する。凹レンズ２８に入射した露光光は、凹レンズの屈折率θ１により、光幅ｄ２に拡大されて出射される。このように、凹レンズ２８を透過した露光光の光幅は、凹レンズ２８の屈折率により、凹レンズ２８に入射した露光光の光幅ｄ１から出射時には光幅ｄ２に拡大される。これにより、光幅ｄ２の露光光が、被露光基板１上の画素領域Ｔ１’と画素領域Ｔ２’との間の間隙部Ｔ３’まで拡大されて領域Ｔ４’に照射される。
【００６２】
一般的に、パッシブマトリクス方式の液晶マスク８の場合は、画素領域Ｔ１，Ｔ２間の領域は、電極が形成されておらず、液晶層の配向制御されないため、露光光を透過させない。従って、画素領域Ｔ１，Ｔ２間に対応する被露光基板１上の領域には、露光光が照射されず、パターン制御をすることができない。これに対し、本実施形態によれば、液晶マスク８の出射側に凹レンズ２８が設けられている。そのため、凹レンズ２８により露光光を拡大等させることにより、露光光を照射することができない被露光基板１上の画素領域Ｔ１’，Ｔ２’間の領域Ｔ３’に対しても露光光を照射することができる。これにより、ムラのない均一なパターンを被露光基板１上の感光材に対して転写することができるとともに、露光パターンの設計の自由度が向上する。
【００６３】
（電気光学装置の製造方法）
次に、上記液晶マスク８を備えた露光装置７０により、液晶装置（電気光学装置）を製造する方法について説明する。なお、以下の説明においては、液晶装置の製造工程の一工程である画素電極の形成工程についてのみ説明する。
まず、ガラス等の透明基板上にスイッチング素子であるＴＦＴ及び走査線等を形成した後、透明基板上に透明材料からなるＩＴＯを成膜し、このＩＴＯ上に感光材を塗布する。次に、本実施形態の液晶マスク８を備えた露光装置７０により、感光材にフォトリソグラフィー処理を施する。具体的には、液晶マスク８を介して感光材上に所定パターンの露光光を照射して露光処理を行った後、現像処理を施して感光材を所定形状にパターニングする。次に、所定形状にパターニングした感光材をマスクとして、ＩＴＯをエッチング処理してＴＦＴに接続される画素電極を形成する。このようにして、本実施形態の液晶マスク８を備えた露光装置７０を用いて、ＴＦＴ、走査線等を形成し、液晶装置を製造する。本実施形態によれば、上記液晶マスク８を用いて露光処理を行うため、転写するパターンの
ボケを回避して、パターンのコントラスト及びパターンの解像度の向上を図ることができ
る。従って、高精度の電気光学装置を製造することができる。
【００６４】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において上述した各例を組み合わせても良い。
上記実施形態では、第２基板の外面側に形成する遮光膜を、画素又は画素電極に対応する第２基板上の領域を区画するようにマトリクス状に形成していたがこれに限定されることはない。例えば、画素又は画素電極に対応する第２基板の外面の周辺部の一部に遮光膜を形成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】露光装置の概略構成を示した斜視図である。
【図２】第１実施形態に係るパッシブマトリクス方式の液晶マスクの概略構成を示した斜視図である。
【図３】同、図２に示す液晶マスクのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図４】第２実施形態に係るアクティブマトリクス方式の液晶マスクの概略構成を示した斜視図である。
【図５】同、図４に示す液晶マスクの主要部を拡大した断面図である。
【図６】第３実施形態に係るパッシブマトリクス方式の液晶マスクの概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…被露光基板、  ５…光源、  ８…液晶マスク、  １０…第１基板、  １２…第１電極、  １６…第２基板、  １８…第２電極、  ２０…第１遮光膜（遮光膜）、  ２４…画素、  ２６…液晶層、  ２８…凹レンズ、  ３２…第２基板、  ３４…画素スイッチング用ＴＦＴ素子（スイッチング素子）、  ３６…画素電極（第１電極又は第２電極）、  ４４…第１基板、  ４６…共通電極（第１電極又は第２電極）、  ４８…第１遮光膜、  ６４…液晶層、  ６６…第２遮光膜、  ６８…第３遮光膜、  ７０…露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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