(57)【要約】【課題】  ＬＴＣＣ回路基板内に効果的に大容量部品を内蔵できる低温焼成多層回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁セラミックからなる絶縁体グリーンシート１の一部にフェライトペースト６５を充填したビア３を形成したバルクを作製する。これを用いて部品を作製することで、回路基板内に高い複素インピーダンスを示すコイル６０が得られる。また、強誘電体ペースト７５を充填したビア３を形成することで、回路基板内に大容量の強誘電体積層コンデンサ７５を内蔵できる。【選択図】        図６
2006114593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁材料からなる絶縁基体の局所的な位置に複数の貫通ビアを形成し、前記複数の貫通ビアに前記第１の絶縁材料とは異なる第２の絶縁材料を含むペーストを充填して、前記ペーストが充填された貫通ビアの径と数とによって前記絶縁基体の積層体の電磁気特性を制御することを特徴とする低温焼成多層回路基板。
【請求項２】
絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを所定間隔に形成し、前記複数の貫通ビアに絶縁性のある軟磁性フェライトからなるペーストを充填し、前記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコイルとなる内部電極パターンを印刷してなる低温焼成多層回路基板であって、前記積層後の積層体内に積層フェライトコイルを内蔵することを特徴とする低温焼成多層回路基板。
【請求項３】
前記軟磁性フェライトの体積分率ｘが２５≦ｘ≦９０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項２記載の低温焼成多層回路基板。
【請求項４】
絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを所定間隔に形成し、前記複数の貫通ビアに絶縁性のある強誘電体からなるペーストを充填し、前記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコンデンサとなる内部電極パターンを印刷してなる低温焼成多層回路基板であって、前記積層後の積層体内に積層コンデンサを内蔵することを特徴とする低温焼成多層回路基板。
【請求項５】
前記強誘電体の体積分率ｘが１０≦ｘ≦９５ｖｏ１％であることを特徴とする請求項４記載の低温焼成多層回路基板。
【請求項６】
前記貫通ビアの径が５０乃至５００μｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の低温焼成多層回路基板。
【請求項７】
前記絶縁基体が絶縁セラミックからなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の低温焼成多層回路基板。
【請求項８】
絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを所定の間隔に形成するステップと、
前記複数の貫通ビアに絶縁性のある軟磁性フェライトからなるペーストを充填するステップと、
前記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコイルとなる内部電極パターンを印刷するステップと、
前記絶縁基体を積層するステップとを備え、
前記積層後の積層体内に積層フェライトコイルが内蔵されることを特徴とする低温焼成多層回路基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを等間隔に形成するステップと、
前記複数の貫通ビアに絶縁性のある強誘電体からなるペーストを充填するステップと、
前記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコンデンサとなる内部電極パターンを印刷するステップと、
前記絶縁基体を積層するステップとを備え、
前記積層後の積層体内に積層コンデンサが内蔵されることを特徴とする低温焼成多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、携帯端末の無線通信モジュール等に使用する低温焼成多層回路基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化、軽薄短小化の進展に伴い、それに使用する回路基板に対しても高機能化が求められている。高機能化に必要となる高密度、高集積モジュールに対する要求に応える基板として、低温焼結型同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）多層回路基板がある。
【０００３】
低温焼結型同時焼成セラミックス多層回路基板は、現在、そのほとんどが低誘電率絶縁材料により製造されている。そして、大容量のインダクタやキャパシタが必要な場合には、基板上に別途、表面実装部品を実装して対応している、というのが現状である。例えば、基板内に従来の１０倍のインダクタンスを持つコイルが必要な場合、部品サイズ（コイル芯面積、巻数）も１０倍になり、基板の小型化や低背化に対応できない。
【０００４】
そこで、基板内に小型で大容量の部品を内蔵して、基板の小型化と低背化を実現させる手法が望まれる。例えば、絶縁材料で作製したグリーンシートを局所的に磁性体や誘電体に改質したものを、インダクタ、キャパシタ、およびＬＣフィルタ等の所定の部品になるように積層することで、ＬＴＣＣ回路基板内に小型の大容量部品が内蔵できると考えられる。
【０００５】
一方、セラミックスの部分的改質に関する技術として、本件特許出願人は、ある材料でできたグリーンシートに別の材料を含むインクやペーストを吹き付け、塗布することで、グリーンシートを部分改質するものを既に出願している（例えば、特許文献１）。また、ある材料の局所に別の機能性材料を用いて改質するものとして、例えば、特許文献２には、大きなキャビティにスクリーン印刷を用いて、改質材料を含むペーストを充填する技術が開示されている。
【０００６】
さらに、フェライト層と絶縁基体との間に、そのフェライト層が含有するフェライトと同じフェライトと絶縁基体に含まれるガラスと同じガラスを含む絶縁層を介在させて、ＬＴＣＣ回路基板の一部を改質する技術を開示するものに特許文献３がある。
【０００７】
ところで、多結晶強磁性体の持つ透磁率や多結晶強誘電体の持つ誘電率は、材料固有の特性と、結晶粒径や閉気孔等の微細構造にも影響されるバルクの値である。磁性体を例にとると、フェライト粉末にガラス粉末を１０ｗｔ％以上添加した場合、すなわち、フェライトの体積分率が約９０ｖｏｌ％以下になると、図１３に示すように、バルクの透磁率が１（非磁性）となる場合もある。これは、フェライトとガラスが均一に分散した構造では、非磁性体のガラスによって磁気回路が寸断され、バルクの磁気抵抗が顕著に増加するためである。
【０００８】
しかし、図１４に示すように、単純に密度を減少させたフェライトの透磁率が１となるのは、相対密度が約４０％の時である。これは、非磁性体として存在する閉気孔がバルク内部に存在していても、それぞれの結晶粒が局所的にネックでつながっており、細くとも磁気回路が確保されていることによる。このことは、磁性体の体積分率の低下に対して、非磁性への変化が緩やかであることを示している。
【０００９】
つまり、他材料とのコンポジット（複合物）でも、選択的に密度の高いフェライト単相が存在する構造を実現すれば、同じ体積百分率でも初透磁率を大幅に向上させることが可能である。これは、誘電体でも同様のことが考えられる。
【００１０】
【特許文献１】特願２００３−１３０５００
【特許文献２】特表２００４−５００６９３号公報
【特許文献３】特開２００４−３１６２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来の基板製造方法、特に特許文献２に記載の技術では、２つの材料の収縮率および熱膨張係数を合わせることが容易でなく、さらに、コイルの磁芯のみが磁性体であって、閉磁路構造が実現できないという問題がある。また、特許文献２に記載の強磁性コアの場合、その寸法が大きくなり亀裂（クラック）が入りやすい等の問題も考えられる。その上、単純に基板材料と改質材料を混合した系では、効率的に改質材料の電磁気特性を引き出しにくいという問題がある。
【００１２】
一方、異種積層工法では、特に磁性体において同層にある部品どうしのクロストークが問題となる。すなわち、異種積層工法により、ＬＴＣＣ多層回路基板内にフェライトの層を形成する場合、同層内に形成した部品どうしのクロストークが起こる。そして、このクロストークを低滅させるためには、別途、同層の部品を磁気障壁により区切るというプロセスが必要となる。
【００１３】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、ＬＴＣＣ回路基板内に大容量部品を内蔵させることができる低温焼成多層回路基板およびその製造方法を提供することである。
【００１４】
また、本発明の目的は、小型化や低背化に対応可能な低温焼成多層回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明に係る低温焼成多層回路基板は、第１の絶縁材料からなる絶縁基体の局所的な位置に複数の貫通ビアを形成し、上記複数の貫通ビアに上記第１の絶縁材料とは異なる第２の絶縁材料を含むペーストを充填して、上記ペーストが充填された貫通ビアの径と数とによって上記絶縁基体の積層体の電磁気特性を制御することを特徴とする。
【００１６】
上述した課題を解決する他の手段として、本発明は、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明に係る低温焼成多層回路基板は、絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを所定間隔に形成し、上記複数の貫通ビアに絶縁性のある軟磁性フェライトからなるペーストを充填し、上記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコイルとなる内部電極パターンを印刷してなる低温焼成多層回路基板であって、上記積層後の積層体内に積層フェライトコイルを内蔵することを特徴とする。
【００１７】
例えば、低温焼成多層回路基板において、上記軟磁性フェライトの体積分率ｘが２５≦ｘ≦９０ｖｏｌ％であることを特徴とする。
【００１８】
さらに、上述した課題を解決する他の手段として、本発明は、絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを所定間隔に形成し、上記複数の貫通ビアに絶縁性のある強誘電体からなるペーストを充填し、上記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコンデンサとなる内部電極パターンを印刷してなる低温焼成多層回路基板であって、上記積層後の積層体内に積層コンデンサを内蔵することを特徴とする。
【００１９】
例えば、低温焼成多層回路基板において、上記強誘電体の体積分率ｘが１０≦ｘ≦９５ｖｏ１％であることを特徴とする。
【００２０】
また、例えば、低温焼成多層回路基板において、上記貫通ビアの径が５０乃至５００μｍであることを特徴とする。例えば、上記絶縁基体が絶縁セラミックからなることを特徴とする。
【００２１】
また、上述した課題を解決する他の手段として、本発明に係る低温焼成多層回路基板の製造方法は、絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを所定の間隔に形成するステップと、上記複数の貫通ビアに絶縁性のある軟磁性フェライトからなるペーストを充填するステップと、上記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコイルとなる内部電極パターンを印刷するステップと、上記絶縁基体を積層するステップとを備え、上記積層後の積層体内に積層フェライトコイルが内蔵されることを特徴とする。
【００２２】
上述した課題を解決する他の手段として、本発明に係る低温焼成多層回路基板の製造方法は、絶縁基体上の特定の面積に所定の径を有する複数の貫通ビアを等間隔に形成するステップと、上記複数の貫通ビアに絶縁性のある強誘電体からなるペーストを充填するステップと、上記絶縁基体上にその絶縁基体の積層後にコンデンサとなる内部電極パターンを印刷するステップと、上記絶縁基体を積層するステップとを備え、上記積層後の積層体内に積層コンデンサが内蔵されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、漏れ磁束によるコイルの実効透磁率の低下を少なくすることができる。一方、キャパシタにおいては、Ｑ値の低下を抑制できる。
【００２４】
また、本発明によれば、コイルの漏れ磁束を気にせずに、多層回路基板内での配線パターン形成を容易に行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。最初に、本実施の形態例に係る積層電子部品（積層体）の製造工程について説明する。図１は、本実施の形態例における積層電子部品の製造工程を示すフローチャートである。図１のステップＳ１では、例えば、ＮｉＣｕＺｎフェライトを用いて、後述する所定粒径のフェライト粉体を作製し、ステップＳ２で、誘電体としてＢａＴｉＯ3を用いて強誘電体粉体を作製する。
【００２６】
ステップＳ３において、上記ステップＳ１で作製したＮｉＣｕＺｎフェライト粉体よりフェライトペーストを作製する。また、ステップＳ４では、上記ステップＳ２で作製されたＢａＴｉＯ3粉末より強誘電体ペーストを作製する。本実施の形態例では、上述した工程で得られたＮｉＣｕＺｎフェライト粉体に、エチルセルロースを主体とする一般的な有機ビヒクルを添加し、三本ロールによって混合してフェライトペーストの作製した。また、強誘電体ペーストは、上述した工程によって得た低温焼結型ＢａＴｉＯ3粉末に、エチルセルロースを主体とする一般的な有機ビヒクルを添加し、三本ロールによって混合して作製した。
【００２７】
ステップＳ５では、後述する工程で絶縁体グリーンシートを作製し、続くステップＳ６において、そのグリーンシートを用いてコンポジット（複合グリーンシート）を作製する。
【００２８】
次に、図１に示す製造工程のうち、ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６における処理内容について詳細に説明する。図２は、フェライト粉体の作製工程を示す詳細フローチャートである。図２のステップＳ１１において、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯ、およびＦｅ2Ｏ3を秤量する。ここでは、これらの原料を単体で十分に緻密化させたときに、初透磁率が６００となるように秤量する。そして、ステップＳ１３では、秤量した原料を鉄球メディァの０．７Ｌ鉄製ボールミルに入れて、純水溶媒において、毎分１３０回転で２４時間、粉砕する。
【００２９】
ステップＳ１５では、このようにして得られた混合粉を、８００℃で３時間、仮焼する。得られた仮焼粉は、ステップＳ１７において、鉄球メディアの０．７Ｌ鉄製ボールミルに入れ、純水溶媒において毎分１３０回転で１２時間、粉砕する。その後、ステップＳ１８で粉砕粉を乾燥する。本実施の形態例では、平均粒径１．１μｍの粉体を得た。また、得られた粉体（ＮｉＣｕＺｎフェライト粉体）は、Ｘ線回折によりスピネル単相となっていることを確認した。
【００３０】
図３は、強誘電体粉体の作製工程を詳細に示すフローチャートである。図３のステップＳ２１において、誘電体としてＢａＴｉＯ3となるように、ＢａＣＯ3およびＴｉＯ2を秤量する。ステップＳ２３では、秤量した原料を湿式ボールミルで、毎分１００回転で６時間、混合する。そして、続くステップＳ２５では、このようにして得られた混合粉を、１３００℃で３時間、仮焼する。
【００３１】
ステップＳ２７では、上記の仮焼粉を粗粉砕し、その後、ステップＳ２８において、それをジルコニアメディアの０．７Ｌ樹脂製ボールミルに入れ、純水溶媒において、毎分１３０回転で２４時間、粉砕する。そして、最終的にステップＳ２９において、スラリーを乾燥する。
【００３２】
本実施の形態例では、上記の工程によって平均粒径１．１μｍの強誘電体粉体を得た。また、その粉体は、Ｘ線回折によりペロブスカイト単相となっていることを確認した。なお、ここでは、粉砕した仮焼粉に、一般的な硼珪酸ガラス粉末２０ｗｔ％を混合して、低温焼結型ＢａＴｉＯ3粉末を得た。
【００３３】
図４は、絶縁体グリーンシートの作製工程の詳細フローチャートである。ここでは、ステップＳ３１において、あらかじめ作製しておいた、アルミナ−ガラス系絶縁セラミックス粉末と、結合剤、可塑剤、溶剤等を含む一般的な有機ビヒクルを混合して、スラリーとする。そして、ステップＳ３３では、このスラリーを用いて、ドクターブレード装置によって、厚さ５０μｍのグリーンシートに製膜する。
【００３４】
図５は、コンポジットの作製工程を示す詳細フローチャートである。図５に示すステップＳ４１において、上述した工程で作製した絶縁体グリーンシート上の特定面積に等間隔で直径５０〜５００μｍのビアを形成する。ここでは、改質材料の体積分率を、任意のビアの間隔および本数によって制御する。そして、続く工程で、これらのビアに、上述した工程で作製したフェライトペースト、または強誘電体ペーストをスクリーン印刷によって充填する。
【００３５】
すなわち、積層後にコイルとする場合には、ステップＳ４２でビアにフェライトペーストを充填し、積層後にキャパシタとなるようにするには、ステップＳ４３においてビアに強誘電体ペーストを充填する。
【００３６】
次のステップＳ４４では、後述するように、複合グリーンシートにフェライトを埋め込んだものはコイルに、強誘電体を埋め込んだものはキャパシタになるよう内部電極パターンを印刷し、続くステップＳ４５で、グリーンシートを積層する。ステップＳ４６では、ダイシングにより切断してチップ化し、それを脱脂する。その後、ステップＳ４７で、チップを９００℃で焼成する。ステップＳ４８において、焼成したチップに外部電極を形成して積層電子部品とする。そして、最後にステップＳ４９で、後述する特性（透磁率、誘電率等）の測定を行う。なお、本実施の形態例では、材料評価のために内部電極を持たない積層体も作製した。
【００３７】
図６は、本実施の形態例に係る積層電子部品のうち、積層コイルの積層構造を示している。本実施の形態例では、上述したように、絶縁セラミックで作製されたグリーンシート１に、直径が５０〜５００μｍのビア３を形成し、それらのビア３へ絶縁性のある軟磁性フェライトで作製したペースト６５を充填する。図６において符号６３で示す部分は、グリーンシート１上においてビア３が形成された部分の一部６１を拡大して示したものである。
【００３８】
各層には、積層後にコイルとなるようなパターン１１，１２，１３，１４を、例えば、銀ペーストによって印刷する。これにより、ＬＴＣＣ多層回路基板には、積層後、絶縁セラミックスのバルク内に積層フェライトコイル６０が内蔵されることになる。なお、ここでは、フェライトの体積分率ｘを、２５≦ｘ≦９０ｖｏｌ％としている。また、コイルの磁路全体が磁性を持つことから、閉磁路構造を実現できる。
【００３９】
図７は、本実施の形態例に係る積層電子部品のうち、積層キャパシタの積層構造を示している。この場合においても、上記の積層コイルと同様、絶縁セラミックで作製されたグリーンシート１に、直径が５０〜５００μｍのビア３を形成し、それらのビア３へ絶縁性のある強誘電体で作製したペースト７５を充填する。なお、図７において符号７３で示す部分は、グリーンシート１上のビア３が形成された部分の一部７１を拡大したものである。
【００４０】
各層には、積層後にコンデンサとなるようなパターン２１，２２，２３，２４を、例えば、銀ペーストによって印刷する。このようにすることで、ＬＴＣＣ多層回路基板には、積層後、絶縁セラミックスのバルク内に強誘電体積層コンデンサ７０が内蔵されることになる。また、本実施の形態例では、強誘電体の体積分率ｘを、１０≦ｘ≦９５ｖｏ１％とした。
【００４１】
次に、本実施の形態例に係る積層電子部品の技術的な効果（測定結果）を、データやグラフ等を参照して詳細に説明する。表１は、本実施の形態例に係る積層電子部品の実施例について得られた結果である。
【００４２】
本実施の形態例では、基板材料に絶縁材料を使用し、改質材料にフェライトを使用したものと強誘電体を使用したものそれぞれについて、その電磁気特性を測定した。なお、ここでは、内部電極を持たない積層体について、フェライトを充填した試料は、外径７ｍｍ、内径３ｍｍ、厚さ１ｍｍのトロイダルコアに加工し、強誘電体を充填した試料は、直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍのペレットに加工し、その両面に銀電極を焼き付けた。
【００４３】
フェライトを充填した試料は、ネットワークアナライザを用いて複素透磁率μを測定した。一方、強誘電体を充填した試料については、ＬＣＲメータによって誘電率εを測定した。
【００４４】
【表１】
2006114593.tif 000003
【００４５】
実施例において、５０〜５００μｍのビア径でコンポジットを作製できた。また、ビア径が５００μｍであっても、改質材料の体積分率が小さい場合には、良好な改質がなされることが判明した。より具体的には、改質材料の体積分率ｘが、フェライトの場合、２５≦ｘ≦９０［ｖｏｌ％］において、また、強誘電体の場合、１０≦ｘ≦９５［ｖｏｌ％］において、それぞれ基材よりも透磁率、および誘電率が大きくなった。
【００４６】
なお、表１において、＊印を付した実施例９，１４，２６，３１については、電磁気特性が小さかったため除外した。また、これらの実施例９，１４，２６，３１以外のものについては、改質セラミックスが得られた。また、表１では、「判定」として、透磁率μが１以上、または、誘電率εが絶縁材料以上であった実施例に○印を付し、そうでないものには×印を付してある。
【００４７】
図８は、本実施の形態例に係る絶縁体グリーンシートにおいて、単体の多結晶バルクが持つ初透磁率が６００のフェライトの体積分率が５０％となるように、直径１００μｍのフェライトビアを形成した場合、その焼結体が示す透磁率スペクトルである。図８では、横軸が周波数（ＧＨｚ）、縦軸が複素透磁率（μ＝μ’−ｊμ’’）であり、初透磁率が約９である。このことから、絶縁体グリーンシートの焼結体が強磁性を示していることがわかる。なお、ここでは、複素透磁率（μ）を、インピーダンスアナライザおよびネットワークアナライザを使用して測定した。
【００４８】
図９は、上述した方法で作製した試料において、フェライトの体積分率（ｖｏｌ％）と初透磁率との関係を示している。従来は、図１３に示すようにフェライトの体積分率が約９０ｖｏｌ％以下になると、バルクの透磁率が１（非磁性）となっていたものが、本実施の形態例の場合、図９に示すように、透磁率が１となるのが、体積分率２５％程度であり、体積分率の下限が下がっていることがわかる。また、同じフェライトの体積分率で、より大きな初透磁率を発生していることもわかる。
【００４９】
一方、図１０は、上述した方法で作製した試料において、強誘電体の体積分率（ｖｏｌ％）と誘電率（１ＭＨｚにおける値）との関係を示している。図１０からわかることは、誘電率が、絶縁材料と同じ約８となるのが、体積分率１０％程度のときである。
【００５０】
表２は、本実施の形態例に係る絶縁体グリーンシートにおいて、単体の多結晶バルクが持つ誘電率が３０００の誘電体の体積分率が５０％となるように、直径１００μｍの強誘電体ビアを形成した場合、その焼結体が示す誘電率スペクトルである。絶縁材料のみの場合の誘電率が８であるのに対して、コンポジットの誘電率が６２であり、強誘電性を示していることがわかる。
【００５１】
【表２】
2006114593.tif 000004
【００５２】
図１１、および図１２は、磁性体に改質した絶縁体グリーンシートで作製したコイルのインピーダンス（実数部）、およびインダクタンス（ｎＨ）のスペクトルを示している。すなわち、図１１は、改質しない場合（絶縁材料のみ）のコイルのインピーダンス、およびインダクタンスであり、それと比べて、図１２に示すコンポジットの場合、同じ構造のコイルであるにもかかわらず、典型的な大容量フェライトコイルの特性を示していることがわかる。なお、図１１、図１２において、△印にてプロットしたものがインピーダンスの周波数特性、○印でプロットしたものがインダクタンスの周波数特性である。
【００５３】
表３は、強誘電体に改質した、本実施の形態例に係る絶縁体グリーンシートで作製した、キャパシタの静電容量である。コンポジットの場合、改質しないもの（絶縁材料のみ）と比べて、同じ構造のキャパシタであるにもかかわらず静電容量が極めて大きくなることがわかる。
【００５４】
【表３】
2006114593.tif 000005
【００５５】
以上説明したように、本実施の形態例によれば、ある絶縁材料からなるグリーンシート上の局所的な位置に複数の貫通ビアを形成し、その貫通ビアへ他の絶縁材料を含むペーストを充填することで、それらペースト充填後のビアの径と数とによって、積層した絶縁材料からなる積層体の電磁気特性を制御することができる。その結果、効果的にＬＴＣＣ回路基板内に大容量部品を内蔵させることが可能となる。
【００５６】
例えば、絶縁セラミックからなる絶縁体グリーンシートの一部にフェライトペーストを充填したビアを形成したバルクを作製することで、磁性体の磁気抵抗の増加を最小限に抑えることが可能となり、これを用いて部品を作製した場合、最小限のフェライト量でＬＴＣＣ回路基板内部に高い複素インピーダンスを示すコイルを得ることができる。また、コイルの磁路全体が磁性を持つことから、閉磁路構造を実現することができる。
【００５７】
さらに、フェライトペーストの場合と同様、絶縁体グリーンシートの一部に強誘電体ペーストを充填したビアを形成することで、回路基板内に大容量の強誘電体積層コンデンサを内蔵できる。
【００５８】
また、本実施の形態例によれば、ＬＴＣＣ回路基板内に大容量の部品（インダクタ、キャパシタ）を内蔵させることができるため、同層内でのクロストークを防止しつつ、小型化や低背化に対応可能な低温焼成多層回路基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施の形態例に係る積層電子部品の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】実施の形態例に係るフェライト粉体の作製工程を示す詳細フローチャートである。
【図３】実施の形態例に係る強誘電体粉体の作製工程を詳細に示すフローチャートである。
【図４】実施の形態例に係る絶縁体グリーンシートの作製工程の詳細フローチャートである。
【図５】実施の形態例に係るコンポジットの作製工程を示す詳細フローチャートである。
【図６】実施の形態例に係る積層コイルの積層構造を示す図である。
【図７】実施の形態例に係る積層キャパシタの積層構造を示す図である。
【図８】実施の形態例に係る絶縁体グリーンシートの焼結体の透磁率スペクトルを示す図である。
【図９】実施の形態例に係るフェライトの体積分率と初透磁率との関係を示す図である。
【図１０】実施の形態例に係る強誘電体の体積分率と誘電率との関係を示す図である。
【図１１】改質しない場合のコイルのインピーダンス、およびインダクタンスを示す図である。
【図１２】磁性体に改質した絶縁体グリーンシートで作製したコイルのインピーダンス、およびインダクタンスのスペクトルを示す図である。
【図１３】従来の回路基板におけるバルク内のフェライトの体積分率とバルクの透磁率との関係を示す図である。
【図１４】従来のフェライトの相対密度と透磁率との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１    グリーンシート
３    ビア
１１，１２，１３，１４    コイルのパターン
２１，２２，２３，２４    コンデンサのパターン
６０    積層フェライトコイル
６５    フェライトペースト
７０    強誘電体積層コンデンサ
７５    強誘電体ペースト
【図１】
2006114593.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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