(57)【要約】      （修正有）【課題】 有機膜層パターンを形成において、基板上にラミネーションされるドナー基板と第１の電極との距離を最小化し、素子の効率及び寿命を向上させる有機電界発光素子を提供する。【解決手段】平坦化膜に形成されたビアホールを通じて薄膜トランジスターのソース/ドレーン電極のいずれの一つの電極と連結されている第１の電極と、平坦化膜及び第１の電極上部の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されるようにパターニングされた画素定義膜と、第１の電極の開口部及びパターニングされた画素定義膜の両端部上に形成され、発光層を含む有機膜層パターンと、有機膜層パターン上部に形成されている第２の電極と、を含み、第１の電極が形成されなかった領域での平坦化膜上に形成された画素定義膜の高さが、第１の電極上に形成された画素定義膜の高さより低いか又は同一に形成されることを特徴とする。【選択図】  図３Ａ
2006114470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスターが形成されている基板と、
前記薄膜トランジスターを含んだ前記基板全面に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜上の所定領域に形成されており、前記平坦化膜に形成されたビアホールを通じて前記薄膜トランジスターのソース/ドレーン電極の中でいずれの一つの電極と連結されている第１の電極と、
前記平坦化膜及び前記第１の電極上に形成されており、前記第１の電極上部の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されるようにパターニングされた画素定義膜と、
前記第１の電極の開口部及び前記パターニングされた画素定義膜の両端部上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層パターンと、
前記有機膜層パターン上部に形成されている第２の電極と、を含み、
前記第１の電極が形成されなかった領域での前記平坦化膜上に形成された画素定義膜の高さが、前記第１の電極上に形成された画素定義膜の高さより低いか又は同一に形成されること
を特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第１の電極の高さが、前記第１ 電極が形成されなかった領域での前記平坦化膜の高さより高いか又は同一に形成されること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第１の電極が形成されなかった領域での平坦化膜の高さが、前記第１の電極が形成される領域での平坦化膜の高さより低いか又は同一に形成されること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記第１ 電極が形成されなかった領域での前記平坦化膜の下部には、キャパシターが形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記画素定義膜は、有機物質からなること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記画素定義膜は、無機物質からなること
を特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記画素定義膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化窒化膜よりなる群から選択されたいずれの一つの無機物質からなること
を特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記第１の電極はアノード電極であり、前記第２の電極はカソード電極であること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記第１の電極はカソード電極であり、前記第２の電極はアノード電極であること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記有機電界発光素子は、前面発光であること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記第１の電極はアノード電極であり、前記アノード電極の下部に反射膜が形成されていること
を特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記有機電界発光素子は、背面発光であること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
前記有機膜層パターンは、発光層、正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層よりなる群から選択される１種の単一層又は２種以上の多重層であること
を特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子に関し、より詳しくは、第１の電極が形成されていない領域での平坦化膜上に形成された画素定義膜の高さが、第１の電極上に形成された画素定義膜の高さより低いと又は同一に形成された有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、平板表示素子である有機電界発光素子は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電極とカソード電極との間に介在された有機膜層と、含む。前記有機膜層は、発光層を含み、前記発光層の外にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は、前記有機膜層、特に、前記発光層を形成する物質によって、高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子に分けられる。
【０００３】
このような有機電界発光素子においてフルカラー化を具現するためには前記発光層をパターニングしなければならない。前記発光層をパターニングするための方法として、低分子有機電界発光素子の場合には、シャドーマスク(shadow mask)を使用する方法があり、高分子有機電界発光素子の場合には、インクジェットプリンティング(ink-jet printing)又はレーザーによる熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging; 以下、ＬＩＴＩと称する)がある。この中で、前記ＬＩＴＩは、前記有機膜層を微細にパターニングすることができ、大面積に使用することができ、高解像度に有利である長所があるだけではなく、前記インクジェットプリンティングが湿式工程であることに比べてこれは乾式工程という長所がある。
【０００４】
このようなＬＩＴＩによる有機膜層パターンの形成方法は、光源、有機電界発光素子基板及びドナー基板を必要とする。前記基板上に有機膜層をパターニングする工程は、前記光源から出た光が前記ドナー基板の光熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され、前記熱エネルギーにより転写層を形成する物質が前記基板上に転写されながら実行される。それに関する技術は、韓国特許出願第１９９８−５１８４４号公報及びアメリカ特許第５,９９８,０８５号公報、６,２１４,５２０号公報及び６,１１４,０８８号広報に開示されている。
【０００５】
図１は、単位画素を示すレイアウト図である。
【０００６】
図１に示したように、単位画素は、一方向に配列されたスキャンライン１１１と、前記スキャンライン１１１と互いに絶縁されながら交差するデータライン１１２と、前記スキャンライン１１１と互いに絶縁されながら交差し、前記データライン１１２には平行な共通電源ライン１１３と、スイッチング薄膜トランジスター１１４と、キャパシター１４０と、駆動薄膜トランジスター１１５と、有機電界発光ダイオード１１６と、を備える。前記スキャンライン１１１及び前記データライン１１２の交差により単位画素領域が定義される。
【０００７】
前記スイッチング薄膜トランジスター１１４は、ゲート電極が前記スキャンライン１１１に連結され、ソース電極が前記データライン１１２に連結され、前記スキャンライン１１１に印加されたスキャン信号により前記データライン１１２に印加されたデータ信号をスイッチングする。
【０００８】
前記キャパシター１４０は、下部電極が前記スイッチング薄膜トランジスター１１４のドレーン電極に連結され、上部電極が前記共通電源ライン１１３に連結され、前記スイッチング薄膜トランジスター１１４によりスイッチングされたデータ信号と前記共通電源ライン１１３に印加された電圧との差に該当する電圧を充電することにより、前記データ信号を一定期間維持する。
【０００９】
前記駆動薄膜トランジスター１１５は、ゲート電極が前記キャパシター１４０の下部電極に連結され、ソース電極が前記共通電源ライン１１３に連結され、ドレーン電極が前記有機電界発光ダイオード１１６に連結され、前記キャパシター１４０に維持されたデータ信号の大きさに比例する電流を有機電界発光ダイオード１１６に供給する。前記有機電界発光ダイオード１１６は、供給された電流に対応して発光する。
【００１０】
前記有機電界発光ダイオード１１６は、前記駆動薄膜トランジスター１１５、即ち、駆動薄膜トランジスター１１５のドレーン電極１３５とビアホール１６５とを通じて電気的に連結された第１の電極１７０を備える。前記第１の電極１７０は、光を透過される領域である開口領域(Ｐ)を備える。
【００１１】
図２は、従来技術に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成するにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図である。
【００１２】
図２には、図１の切断線Ｉ−Ｉ´に沿って切断した断面構造として画素部とその以外の領域を示している。まず、画素部について説明すれば、基板１００上に層間絶縁膜１２０が形成されており、前記層間絶縁膜１２０上に駆動薄膜トランジスターのドレーン電極１３５が形成されている。前記ドレーン電極１３５上にはパシベーション膜１５０と平坦化膜２６０が順次に形成されており、前記平坦化膜２６０上には前記平坦化膜２６０及びパシベーション膜１５０に形成されたビアホール１６５を通じて前記ドレーン電極１３５と連結される第１の電極２７０が形成されている。前記第１の電極２７０上には画素定義膜２８０が形成されており、前記第１の電極２７０の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されている。
【００１３】
一方、画素部以外の領域について説明すれば、基板１００上にゲートメタル１１０、層間絶縁膜１２０及びソース/ドレーンメタル１３０が順次に形成されており、前記メタルと絶縁膜によりキャパシター１４０が形成されていることが分かる。前記ゲートメタル１１０は、キャパシター１４０の下部電極であり、前記ソース/ドレーンメタル１３０は、キャパシター１４０の上部電極としての役目を担当する。前記キャパシター１４０上にパシベーション膜１５０と平坦化膜２６０が順次に形成されており、前記平坦化膜２６０上に画素定義膜２８０が形成されている。この時、第１の電極が形成されなかった領域での平坦化膜２６０の高さが平坦化膜２６０上に形成された第１の電極２７０より高く形成されることが分かる。基板の段差を克服するために、前記平坦化膜２６０を適用しても共通電源線が形成された部分やキャパシターが形成されている部分の段差が一番高いことが分かる。
【００１４】
前記画素定義膜２８０及び第１の電極２７０上にＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成する。ドナー基板２９０が前記基板１００上にラミネーションされている。前記ドナー基板２９０には有機膜からなった転写層２９１及び光熱変換層などの多様な層が形成できる。この時、前記ドナー基板２９０は、前記基板１００を基準として一番高い領域に密着されるので、キャパシターが形成された領域での画素定義膜２８０上に密着される。したがって、レーザービームが照射されて有機膜層パターンが形成される領域２９５について説明すれば、前記ドナー基板２９０と第１の電極２７０との距離(ｔ)が遠くなって、浮き上がりが激しくて転写のために、多いレーザー転写エネルギーが必要になる。結局、転写される有機膜層が損傷される恐れがあるので、有機発光素子の発光効率及び寿命が減少する問題点が発生する。
【００１５】
これは、第１の電極が形成されなかった領域での画素定義膜の高さ(Ａ)が、第１の電極が形成された領域での画素定義膜の高さ(Ａ’)より高いため、ドナー基板２９０と第１の電極２７０との距離(ｔ)が前記ドナー基板２９０が第１の電極が形成された領域での画素定義膜上に密着される場合よりも第１の電極が形成されなかった領域での画素定義膜上に密着される場合に一層遠くなるからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
したがって、本発明は上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーション(lamination)されるドナー基板と第１の電極との距離を最小化することにより、転写する際に提供されるレーザービームエネルギーを最小化するだけでなく、素子の効率及び寿命を向上させる有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するための本発明による有機電界発光素子は、薄膜トランジスターが形成されている基板と、前記薄膜トランジスターを含んだ前記基板全面に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜上の所定領域に形成されており、前記平坦化膜に形成されたビアホールを通じて前記薄膜トランジスターのソース/ドレーン電極の中でいずれの一つの電極と連結されている第１の電極と、前記平坦化膜及び前記第１の電極上に形成されており、前記第１の電極上部の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されるようにパターニングされた画素定義膜と、前記第１の電極の開口部及び前記パターニングされた画素定義膜の両端部上に形成され、少なくとも発光層を含む有機膜層パターンと、前記有機膜層パターン上部に形成されている第２の電極と、を含み、前記第１の電極が形成されなかった領域での前記平坦化膜上に形成された画素定義膜の高さが、前記第１の電極上に形成された画素定義膜の高さより低いか又は同一に形成されることを特徴とする。
【００１８】
好ましくは、前記第１の電極の高さが、前記第１の電極が形成されなかった領域での前記平坦化膜の高さより高いか又は同一に形成される。
【００１９】
好ましくは、前記第１の電極が形成されなかった領域での平坦化膜の高さが、前記第１の電極が形成される領域での平坦化膜の高さより低いか又は同一に形成される。
【００２０】
好ましくは、前記第１の電極が形成されなかった領域での前記平坦化膜の下部には、キャパシターが形成されている。
【００２１】
好ましくは、前記画素定義膜は、有機物質又は無機物質からなり、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化窒化膜よりなる群から選択されたいずれの一つの無機物質からなる。
【００２２】
好ましくは、前記第１の電極はアノード電極であり、前記第２の電極はカソード電極であるか又は前記第１の電極はカソード電極であり、前記第２の電極はアノード電極である。
【００２３】
好ましくは、前記有機電界発光素子は、前面発光又は背面発光であり、特に、前面発光である場合には、前記第１の電極はアノード電極であり、前記アノード電極下部に反射膜が形成されている。
【００２４】
好ましくは、前記有機膜層パターンは、発光層、正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層よりなる群から選択される１種の単一層又は２種以上の多重層である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、第１の電極が形成されてなかった領域での平坦化膜上に形成された画素定義膜の高さを第１の電極上に形成された画素定義膜の高さより低いか又は同一に形成することにより、有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされるドナー基板と第１の電極との距離を最小化して低いエネルギーを有するレーザービームでも転写が可能である。また、レーザービームのエネルギー効率を向上させることができ、提供される転写エネルギーが低いので素子の効率及び寿命を向上させる利点を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２７】
図３Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図であり、図３Ｂは、本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構造図である。
【００２８】
図３Ａには、図１の切断線Ｉ−Ｉ´に沿って切断した断面構造として画素部とその以外の領域を示している。まず、画素部について説明すれば、基板１００上に層間絶縁膜１２０が形成されており、前記層間絶縁膜１２０上に駆動薄膜トランジスターのドレーン電極１３５が形成されている。前記ドレーン電極１３５上には、パシベーション膜１５０と平坦化膜３６０が順次に形成されていおり、前記平坦化膜３６０上には、前記平坦化膜３６０及びパシベーション膜１５０に形成されたビアホール１６５を通じて前記ドレーン電極１３５と連結される第１の電極３７０が形成されている。前記第１の電極３７０上には、画素定義膜３８０が形成されており、前記第１の電極３７０の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されている。
【００２９】
一方、画素部以外の領域について説明すれば、基板１００上にゲートメタル１１０、層間絶縁膜１２０及びソース/ドレーンメタル１３０が順次に形成されており、前記メタルと絶縁膜によりキャパシター１４０が形成されていることが分かる。前記ゲートメタル１１０は、キャパシター１４０の下部電極であり、前記ソース/ドレーンメタル１３０は、キャパシター１４０の上部電極としての役目を担当する。前記キャパシター１４０上にパシベーション膜１５０と平坦化膜３６０が順次に形成されており、前記平坦化膜３６０上に画素定義膜３８０が形成されている。
【００３０】
前記平坦化膜３６０は、所定の素子が形成された基板を平坦化するために形成するものとして、通常有機膜に形成され、ポリアミド、ベンゾサイクロブテン系樹脂又はポリアクリル樹脂等が使用できる。しかし、前記平坦化膜３６０の平坦化性能が優秀であっても前記平坦化膜３６０の下部構造により凹凸構造が生ずるようになる。したがって、前記平坦化膜３６０の下部構造が高く形成されている場合は、前記平坦化膜３６０の高さも高く形成され、結局、画素定義膜も高く形成される。
【００３１】
図３Ａのように、第１の電極が形成されなかった領域での平坦化膜３６０の高さが平坦化膜３６０上に形成された第１の電極の高くより高く形成されることが分かる。現在使われている有機電界発光素子に前記平坦化膜を適用しても共通電源線が形成された部分やキャパシターが形成されている部分の段差が一番高いことが分かる。
【００３２】
前記画素定義膜３８０は、画素領域を定義する膜として、第１の電極を含んだ基板全面に形成され、前記第１の電極の少なくとも一部を露出させる開口部を形成するためにパターニングされる。
【００３３】
この時, 前記画素定義膜３８０は、ハーフトーンマスクを用いてパターニングできる。即ち、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域は、ハーフトーン(half tone)マスクを利用し、前記第１の電極３７０が形成された領域では、ハーフトーンではないマスクを用いることにより、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域で前記平坦化膜３６０上に形成される前記画素定義膜の高さ(Ａ)が、前記第１の電極３７０が形成された領域で形成される前記画素定義膜の高さ(Ａ’)と同一であるか又はそれより低く形成される。
【００３４】
また、前記画素定義膜３８０は、少なくとも二つ以上のマスクを用いてパターニングすることができる。即ち、一つのマスクを用いて前記第１の電極３７０上に開口部が具備されるように前記画素定義膜３８０をパターニングし、その以後、また他のマスクを用いて前記第１の電極３７０が形成されなかった領域に形成された前記画素定義膜３８０をパターニングする。この時、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域に形成された前記画素定義膜の高さ(Ａ)が、前記第１の電極３７０が形成された領域で形成される前記画素定義膜の高さ(Ａ’)より低いか又は少なくとも同一になるように前記画素定義膜３８０をパターニングする。また、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域に形成された前記画素定義膜３８０を二つ以上のマスクを用いてパターニングすることによりその高さを低めることができる。
【００３５】
前記画素定義膜３８０は、ドライエッチングを用いて形成できる。即ち、画素定義膜３８０が形成された後、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域に形成された前記画素定義膜をドライエッチングを用いて蝕刻することにより、前記第１の電極３７０が形成された領域で形成される前記画素定義膜の高さ(Ａ’)より低いか又は少なくとも同一形成することができる。
【００３６】
したがって、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域に形成された前記平坦化膜３６０の高さが前記平坦化膜３６０上に形成された第１の電極の高さより高くても、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域に形成された前記画素定義膜の高さ(Ａ)は、前記第１の電極３７０が形成された領域で形成される前記画素定義膜の高さ(Ａ’)より低いか又は少なくとも同一に形成される。
【００３７】
前記開口部を備えた第１の電極及び画素定義膜上に有機膜層パターンが形成される。フィルムを用いた転写法を使用して前記有機膜層パターンが形成でき、特に、ＬＩＴＩを用いて形成できる。
【００３８】
前記ＬＩＴＩを用いて前記有機膜層パターンが形成する際に、転写層３９１が形成されているドナー基板３９０が基板１００上にラミネーションされる。以後、前記ドナー基板３９０の所定領域にレーザービームが照射されて前記基板上に有機膜層パターンが形成される。
【００３９】
この時、レーザービームが照射されて有機膜層パターンを形成される領域３９５について説明すれば、前記ドナー基板３９０と第１の電極３７０との距離(ｔ)が従来より減って浮き上がりが減少したことが分かる。したがって、前記有機膜層パターンを形成する際、低いエネルギーを有するレーザービームにより転写が可能なので、レーザービームの効率を向上させることができる。また、転写に低いレーザービームが要求されることにより素子の効率及び寿命も向上される。
【００４０】
前記画素定義膜３８０は、フェノール系樹脂、アクリル又はポリイミドなどの有機物質からなることができる。
【００４１】
また、ＬＩＴＩを適用することにおいては、前記画素定義膜３８０の段差が低いほど素子の効率及び寿命を向上させることができるので、無機物質を用いて形成できる。即ち、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸化窒化膜などのような無機物質を用いることにより、薄い画素定義膜３８０が形成できる。
【００４２】
図３Ｂを参照すれば、前記第１の電極３７０が形成されなかった領域に形成された前記画素定義膜の高さ(Ａ)が、前記第１の電極３７０が形成された領域で形成される前記画素定義膜の高さ(Ａ’)より低いか又は少なくとも同一に形成されたことが分かる。
【００４３】
前記開口部を備えた第１の電極３７０及び画素定義膜３８０上に有機膜層パターン３９６が形成されている。前記有機膜層パターン３９６は、少なくとも発光層を含んでいる。また、前記有機膜層パターン３９６は、発光層よりなる１種の単一層又は前記発光層とともに正孔注入層、正孔伝達層、電子伝達層及び電子注入層よりなる群から選択された２種以上の多重層から形成することができる。
【００４４】
前記有機膜層パターン３９６上部には、第２の電極３９７が形成されることにより有機電界発光素子が完成される。
【００４５】
前記第２の電極３９７は、第１の電極３７０がアノード電極、即ち、透明電極や反射膜を含む透明電極である場合には、仕事関数(work  function)が低い導電性金属として、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ａｇ及びこれらの合金よりなる群から選択された一つの物質として反射電極、即ち、カソード電極に形成され、前記第１の電極３７０がカソード電極である場合には、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明電極、即ち、アノード電極に形成できる。
【００４６】
前記有機電界発光素子は、前面発光又は背面発光として作用できる。前面発光として作用する場合には、前記第１の電極３７０は、仕事関数が高い物質を用いたアノード電極に形成することが一般的であり、前記アノード電極下部に反射膜を形成して素子内に投入される光を反射させる。前記反射膜は、アルミニウム(Ａｌ)膜、アルミニウム合金膜、銀(Ａｇ)膜及び銀合金膜よりなる群から選択される一つの膜で形成することができ、望ましくは、銀合金膜で形成することができる。
【００４７】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図である。
【００４８】
図４には、図１の切断線Ｉ−Ｉ´に沿って切断した断面構造として画素部とその以外の領域を示している。基板１００の全面にかけて平坦化膜４６０が形成されている。前記平坦化膜４６０上に第１の電極４７０が形成されており、前記第１の電極４７０は、前記平坦化膜４６０に形成されたビアホール１６５を通じて駆動トランジスターのドレーン電極１３５と連結されている。
【００４９】
前記第１の電極４７０は、ＩＴＯ(indium tin oxide)膜又はＩＺＯ(indium zinc oxide)膜により形成できる。前記第１の電極４７０は、スパッターリング(Sputtering)又はイオンプレーティング(ion plating)方法により蒸着でき、より好ましくは、前記スパッターリング方法により蒸着した後、写真工程でパターニングされたフォトレジスト(PR;Photo Resist)をマスクとして湿式蝕刻(Wet Etching)を通じて選択的にパターニングして形成することができる。
【００５０】
この時、前記平坦化膜４６０上に形成される第１の電極４７０の高さ(Ｂ’)が、前記第１の電極４７０が形成されなかった領域に形成された平坦化膜の高さ(Ｂ)より高いか又は少なくとも同一になるように前記第１の電極４７０が形成される。
【００５１】
前記第１の電極４７０及び平坦化膜４６０上に画素定義膜４８０が形成される。前記平坦化膜４６０上に形成される第１の電極の高さ(Ｂ’)が、前記第１の電極４７０が形成されなかった領域に形成された平坦化膜の高さ(Ｂ)より高いか又は少なくとも同一なので、前記第１の電極４７０が形成されなかった領域に形成された前記画素定義膜の高さ(Ａ)が、前記第１の電極４７０が形成された領域で形成される前記画素定義膜の高さ(Ａ’)より低いか又は少なくとも同一に形成されることが分かる。
【００５２】
前記第１の電極４７０及び画素定義膜４８０を備えた基板１００上に転写層４９１を備えたドナー基板４９０がラミネーションされている。
【００５３】
この時、レーザービームが照射されて有機膜層パターンが形成される領域４９５について説明すれば、前記ドナー基板４９０と第１の電極４７０との距離(ｔ)が減って浮き上がりが減少したことが分かる。
【００５４】
上述のことの以外には、本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示した断面構造及び本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子と同一である。
【００５５】
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図である。
【００５６】
図５には、図１の切断線Ｉ−Ｉ´に沿って切断した断面構造として画素部とその以外の領域を示している。所定の素子が形成された基板１００の全面にパシベーション膜１５０が形成されている。前記パシベーション膜１５０上に平坦化膜５６０が形成されている。
【００５７】
この時、前記平坦化膜５６０は、ハーフトーンマスクを用いてパターニングすることができる。即ち、前記第１の電極５７０が形成されなかった領域は、ハーフトーンマスクを用いて、前記第１の電極５７０が形成された領域では、ハーフトーンではないマスクを用いることにより、前記第１の電極５７０が形成されなかった領域での前記平坦化膜の高さ(Ｂ)が、前記第１の電極５７０が形成された領域で形成される前記平坦化膜の高さ(Ｂ’)と同一であるか又はそれより低く形成される。
【００５８】
また、前記平坦化膜５６０は、少なくとも二つ以上のマスクを用いて形成できる。即ち、一つのマスクを用いて前記第１の電極５７０上に平坦化膜を形成し、その後、また他のマスクを用いて前記第１の電極５７０が形成されなかった領域に形成された前記平坦化膜の高さ(Ｂ)が、前記第１の電極５７０が形成される領域に形成される前記平坦化膜の高さ(Ｂ’)より低いか又は少なくとも同一になるように前記平坦化膜５６０を形成する。また、前記第１の電極５７０が形成されなかった領域に形成された前記平坦化膜５６０を二つ以上のマスクを用いてパターニングすることによりその高さを低めることができる。
【００５９】
また、前記平坦化膜５６０は、ドライエッチングを用いて形成できる。即ち、平坦化膜５６０が形成された後、前記第１の電極５７０が形成されなかった領域に形成された前記平坦化膜をドライエッチングを用いて蝕刻されることにより、前記第１の電極５７０が形成されなかった領域に形成された平坦化膜の高さ(Ｂ)が、前記第１の電極５７０が形成された領域で形成される前記平坦化膜の高さ(Ｂ’)より低いか又は少なくとも同一に形成される。
【００６０】
前記第１の電極５７０及び平坦化膜５６０上に画素定義膜５８０が形成されパターニングされて開口部が形成される。前記第１の電極５７０及び画素定義膜５８０を備えた基板１００上に転写層５９１を備えたドナー基板５９０がラミネーションされている。
【００６１】
レーザービームが照射されて有機膜層パターンが形成される領域５９５について説明すれば、前記ドナー基板５９０と第１の電極５７０との距離(ｔ)が減って浮き上がりが減少したことが分かる。
【００６２】
上述のことを以外には、本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示した断面構造及び本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光素子と同一である。
【００６３】
以上、添付の図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】単位画素を示すレイアウト図である。
【図２】従来技術に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図である。
【図３Ａ】本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図である。
【図３Ｂ】本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構造図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る有機電界発光素子の有機膜層パターンを形成することにおいて、基板上にラミネーションされているドナー基板を示す断面構造図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００  基板
１１０  ゲートメタル
１２０  層間絶縁膜
１３０  ソース/ドレーンメタル
１３５  ドレーン電極
１４０  キャパシター
１５０  パシベーション膜
２６０、３６０、４６０、５６０  平坦化膜
２７０、３７０、４７０、５７０  第１の電極
２８０、３８０、４８０、５８０  画素定義膜 
２９０、３９０、４９０、５９０  ドナー基板
２９１、３９１、４９１、５９１  転写層
３９６  有機膜層パターン
３９７  第２の電極
【図１】
2006114470.tif 000003
【図２】
2006114470.tif 000004
【図３Ａ】
2006114470.tif 000005
【図３Ｂ】
2006114470.tif 000006
【図４】
2006114470.tif 000007
【図５】
2006114470.tif 000008