(57)【要約】【目的】  マスク全体の剛性を高めることを目的とする。【構成】  本発明のマスクは、露光パタンが複数の所定の領域毎に形成されたメンブレン１７と、前記メンブレン１７を前記所定の領域毎に囲うように支持する支持梁１９と、を備え、前記メンブレン１７の複数の所定の領域の一部の領域に、前記露光パタンとマスクアライメントマーク２０とが形成されたことを特徴とする。前記支持梁１９で囲まれたマスクアライメントマーク２０専用の領域を設けずに、前記露光パタンとマスクアライメントマーク２０とが形成された領域にすることにより、マスクアライメントマーク２０専用の領域よりもメンブレン１７の面積を小さくすることができる。【選択図】        図１
2006135046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光パタンが複数の所定の領域毎に形成された薄膜と、
前記薄膜を前記所定の領域毎に囲うように支持する支持梁と、
を備え、
前記薄膜の複数の所定の領域の一部の領域に前記露光パタンと位置合わせマークとが形成されたことを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記複数の所定の領域において、最外周に位置する領域の少なくとも一部に前記露光パタンと位置合わせマークとが形成されたことを特徴とする請求項１記載のマスク。
【請求項３】
前記露光パタンと位置合わせマークとが形成された領域が、他の領域より大きな面積で前記支持梁に囲まれていることを特徴とする請求項１又は２記載のマスク。
【請求項４】
露光パタンと位置合わせマークとが形成されたサブフィールドを照射して、照射された露光パタンと位置合わせマークとのうち、前記位置合わせマークを用いてマスクのアライメントを行なうアライメント工程と、
露光パタンと位置合わせマークとが形成されたサブフィールドの前記露光パタンが形成された領域を照射して、照射された前記露光パタンを用いて基板にパタンを露光する露光工程と、
を備えたことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク及び露光方法に係り、半導体装置製造プロセス等、基板上にパタン形状を転写するリソグラフィプロセスのうち、特に、電子線等の荷電粒子線を用いるリソグラフィにおいて使用されるパタン転写用マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置などの製造においては装置構造の微細化が進むに伴い、従来の光を用いたリソグラフィ技術ではパタン形成が困難な状況となりつつあるため、光に代わる光源を用いたリソグラフィ技術が開発されている。電子線などの荷電粒子線を光源としマスクを用いた一括転写型のリソグラフィ技術もこれらの新しいリソグラフィ技術のひとつであり、中でもＥＰＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）と呼ばれる電子線縮小投影露光方式は現在注目を浴びる方式の一つである。
【０００３】
図５は、ステンシルマスクの一部を示す図である。
上述したＥＰＬに用いるマスクは、図５に示すように、シリコンなどを２μｍ乃至それ以下の薄板化したものであるメンブレン２に、電子ビーム１を透過させるための開口部３を設けたもの（ステンシルマスク）を用いる。ステンシルマスクに照射された電子ビーム１は、開口部３では、電子ビーム４で示すようにそのまま透過し、非開口部は電子ビーム５で示すようにメンブレン２により散乱される。
【０００４】
図６は、ＥＰＬの原理を説明するための概念図である。
ステンシルマスク１０に設けられる開口部３は所望の露光パタン形状に対応したものである。ステンシルマスク１０に照射された電子ビーム１は、開口部３ではそのまま透過し、非開口部はメンブレン２により散乱される。メンブレン２で散乱された電子ビームは、散乱電子ビーム５となってマスク像をウェハ９面へ投影する投影レンズ６等で構成される投影光学系内のクロスオーバー面（電子線収束面）近傍に設けられた絞りとなる制限アパーチャ７によってそのほとんどが遮断され、ウェハ９面ではマスク１０の開口部３を透過した電子ビームは、非散乱電子ビーム４となって、非散乱電子ビーム４のみでパタンをウェハ９面上に塗布されたレジスト８に結像させる。
【０００５】
図７は、連続メンブレンマスクの一部を示す図である。
ＥＰＬに用いるマスクとしては上述のステンシルタイプの他にも図７に示す連続メンブレンと呼ばれるタイプのものもある。連続メンブレンマスクは、照射される電子ビーム１の散乱が比較的小さいメンブレン１３と、電子ビーム１の散乱が大きい散乱体１２の二層を含む多層構造になっており、パタン部１１のみ散乱体１２を除去したマスクとなっている。パタン部１１を完全な開口とするステンシルタイプのマスクに比べ、パタン部１１を透過する電子ビーム１のエネルギー損失がある点や、パタン部１１と非パタン部となる散乱体１２のコントラストが低下するなどの不利な点もあるが、完全な開口を設けないことにより機械的強度が高まると同時にパタンの歪みが低減される点やドーナツ状パタンが脱落する問題を回避できるなどの利点がある。ここでも、連続メンブレンマスクに照射された電子ビーム１は、パタン部１１では、電子ビーム１４で示すように透過し、非パタン部では電子ビーム１５で示すように散乱体１２により散乱される。
【０００６】
図８は、ステンシルマスクの構成を示す図である。
図８（ａ）に示すように、ステンシルマスク１０は、基板１６を用いて、通常、２面形成される。そして、図８（ｂ）に示すように、マスクメンブレン１７は一般的に厚さが数μｍ乃至はそれ以下のシリコン膜や、あるいはその他の材料であっても機械的強度が大変に弱いものを用いるため、マスク全体の機械的強度を保つために支持梁１９を格子状に配置した形となっている。図８（ｃ）ではマスクの断面図を示し、基板１６の支持基盤部１８と支持梁１９とによりメンブレン１７を支持している。メンブレン領域が基板１６外縁と最も近い部分での保持基板の最小幅３６は、従来型マスクでおよそ１１ｍｍとなる。
【０００７】
図９は、マスクパタンの投影概念図である。
図９に示すように、支持梁１９で囲まれた領域は、１つのサブフィールドと呼ばれる小領域である。サブフィールドには、若干小さくした露光パタン領域２１にパタンとなる開口部３を形成する。この支持梁１９となる部分は露光マスクとして用いることが出来ないため、ＥＰＬマスクにおいて露光パタンはサブフィールド毎に分割した上で、かかるサブフィールドに対応する各メンブレン１７に形成される。すなわち、支持梁１９で囲まれるメンブレン１７がそれぞれ個々のサブフィールドに対応しており、露光パタンはこれらサブフィールド単位で分割し、マスク上にはサブフィールド毎に離散させて露光パタンを形成する。ＥＰＬ露光においては個々のメンブレン毎に電子線を照射し、ウェハ上にマスクパタン像を投影していく。
【０００８】
図１０は、ＥＰＬ露光装置の電子光学系概念図である。
電子銃３０から照射された電子ビームをコンデンサレンズ３１を通過させ、マスク１０より上にある偏向器３２を用いて、マスク１０上での電子ビームの照射位置を変えることでマスク１０上の照射サブフィールドを選択し、マスク１０より下側にある偏向器３２を用いて選択されたサブフィールドパタンを投影レンズ６、制限アパーチャ７を介してウェハ９上の所望の位置へ照射することが出来るようになっている。実際の露光に際しては、これら偏向器３２およびマスクステージ３３、ウェハステージ３４それぞれの動きを調節し、マスク１０上で離散的に分割された各サブフィールドパタンが、図９に示したように、照射サブフィールド３５がつなぎ合わされ、ウェハ９上では元の設計パタンと同様の繋ぎ合わさったパタンとなる様に順に照射し、露光パタンを形成していく。
【０００９】
図１１は、アライメントマークが挿入された従来のＥＰＬマスクを説明するための図である。
図１１に示すように、マスク１０には、マスク１０を露光装置のマスクステージ上に設置した後に、その位置を調整するためのアライメントマーク２０が挿入されており、ＥＰＬ用マスク１０では格子状に配置された支持梁１９によって支持されたメンブレンに構成されるサブフィールドの最外周全周にアライメントマーク２０挿入のためのメンブレン２３による領域が用意されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１２４１１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図１１で説明したように、マスク１０には、マスク１０を露光装置のマスクステージ上に設置した後にその位置を調整するためのアライメントマーク２０が、最外周に位置するアライメントマーク２０専用に支持梁１９で囲われたメンブレン２３領域に、全周わたって挿入されている。すなわち、従来のＥＰＬ用マスクでは、左右それぞれのマスク領域において、各々の最外周に露光に用いるのとは別にアライメントマーク挿入用のメンブレンが用意されている。
【００１１】
ＥＰＬをはじめとする荷電粒子線を用いたリソグラフィ技術で用いられるマスクではメンブレンを用いるものが多いが、メンブレンは機械的強度が非常に低いためこれらのマスクでは基板やフレームなどを用いてメンブレンを支持する構造を持っていることは上述した通りである。また、現在、サブフィールド毎にパタンを分割し、離散的にこれらのパタンを配置したマスクは、現在の代表的なＥＰＬ露光システムにおいてサブフィールドの大きさがマスク上１ｍｍ四方（ウェハ上では、１／４に縮小され、転写サイズは２５０μｍ四方となる）となっている。
【００１２】
ここで、メンブレンの機械的強度が非常に低いため、マスク全体の剛性が弱くなり、露光パタンの位置精度にも直接影響を与えるといった問題がある。
【００１３】
ここで、これらの構造を含めマスク全体の剛性を高めることは露光パタンの位置精度にも直接影響を与えるため、露光精度の向上において重要である。その対策の一つとして機械的強度の低いメンブレン領域そのものを小さくすることは有効な手段であると考えられる。
【００１４】
例えば、ＥＰＬ技術に用いるマスクでは、マスクアライメントなどに用いるマークを挿入するための領域が用意されており、これらの領域を小さくすることは、マスク全体でのメンブレンの領域を小さくすることができるため、マスクの剛性を高めるのに有効であると考えられる。しかし、単純にマスクアライメントマーク用のメンブレンを小さくすることには以下の問題がある。ＥＰＬでは照射する電子ビームのエネルギーが高いためメンブレン化された部分にしか照射することが出来ない。支持基板や支持梁などのメンブレン化されていない部分に電子ビームが照射されると、電子ビームからそれらの部材に与えられるエネルギーが大きく急激に高温になることからマスクが破損する恐れがあるためである。また、ＥＰＬ露光装置ではマスク上に照射する電子ビームの照射領域（矩形）の大きさを任意に変化させることができない。このため、単純にマスクアライメントマークを挿入するメンブレンのみを小さくすることはできない。
【００１５】
さらに、上述したように、現在の代表的なＥＰＬ露光システムにおいてサブフィールドの大きさがマスク上１ｍｍ四方（ウェハ上では、１／４に縮小され、転写サイズは２５０μｍ四方となる）となっているが、このサブフィールドの大きさは今後更に大きくされる可能性がある。一度に投影露光出来る領域であるサブフィールド、すなわちマスク上のメンブレンの寸法を大きくすることは、露光装置の処理能力を向上させる上で有効な手段であるからである。ここで、将来的にメンブレンの寸法を現在のマスク上１ｍｍ四方から拡大する場合には、マスクアライメントマークを挿入するためのメンブレンの面積も増大することになり、マスクの剛性はさらに低下する方向に進むといった問題がある。
【００１６】
本発明は、上述した問題点を克服し、マスク全体の剛性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明のマスクは、
露光パタンが複数の所定の領域毎に形成された薄膜と、
前記薄膜を前記所定の領域毎に囲うように支持する支持梁と、
を備え、
前記薄膜の複数の所定の領域の一部の領域に前記露光パタンと位置合わせマークとが形成されたことを特徴とする。
【００１８】
前記支持梁で囲まれた位置合わせマーク専用の領域を設けずに、前記露光パタンと位置合わせマークとが形成された領域にすることにより、位置合わせマーク専用の領域よりも薄膜の面積を小さくすることができる。
【００１９】
さらに、前記複数の所定の領域において、最外周に位置する領域の少なくとも一部に前記露光パタンと位置合わせマークとが形成されたことを特徴とする。
【００２０】
最外周に位置する領域の少なくとも一部に前記露光パタンと位置合わせマークとが形成されたことにより、位置合わせマーク専用の領域よりも薄膜の面積を小さくすることができることに加え、従来技術のように、最外周全周に位置合わせマークを形成しない場合でも構わない。最外周に位置する領域の一部に前記露光パタンと位置合わせマークとが形成された場合には、さらに、薄膜の面積を小さくすることができる。
【００２１】
さらに、前記露光パタンと位置合わせマークとが形成された領域が、他の領域より大きな面積で前記支持梁に囲まれていることを特徴とする。
【００２２】
前記露光パタンと位置合わせマークとが形成された領域が、通常のサブフィールド領域となる他の領域より大きな面積で前記支持梁に囲まれていることにより、位置合わせマークの領域を通常のサブフィールド領域と同じ大きくにする必要がないため、位置合わせマークの領域を小さくすることができる。
【００２３】
本発明の露光方法は、
露光パタンと位置合わせマークとが形成されたサブフィールドを照射して、照射された露光パタンと位置合わせマークとのうち、前記位置合わせマークを用いてマスクのアライメントを行なうアライメント工程と、
露光パタンと位置合わせマークとが形成されたサブフィールドの前記露光パタンが形成された領域を照射して、照射された前記露光パタンを用いて基板にパタンを露光する露光工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００２４】
マスクのアライメントを行なう場合には、照射された露光パタンと位置合わせマークとのうち、前記位置合わせマークを用いればよく、基板にパタンを露光する場合には、位置合わせマークを照射せずに、露光パタンが形成された領域だけを照射するようにして、露光することにより、位置合わせマークを基板に露光しないようにしながら露光パタンと位置合わせマークとが形成されたサブフィールドを形成することができる。
【発明の効果】
【００２５】
以上説明したように、本発明によれば、機械的強度が非常に低い薄膜の面積を、位置合わせマーク専用の領域よりも小さくすることができるので、マスク全体での剛性を向上させることができる。また、メンブレンの寸法を現在のマスク上１ｍｍ四方から拡大する場合でも、位置合わせマークの大きさを大きくする必要が無いため、従来の手法よりさらに面積割合を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施の形態１．
ＥＰＬに用いる従来のマスクでは格子状に配置されたメンブレン領域の最外周にある個々のメンブレンにマスクアライメント用のマークのみを配置している。すなわち露光パタンを挿入するメンブレンとは別に更にその外周にメンブレンを用意しそれらをレチクルアライメントマーク挿入のためだけに用いている。本実施の形態１では、露光パタンを挿入するメンブレンのうち最外周にあるものの面積を拡張し、本来のパタン投影露光ではビームが照射されないかかる拡張した領域にレチクルアライメントマーク等露光装置で計測するためのマーク挿入領域とすることを特徴とする。このことにより、メンブレン領域全体の面積を小さくすることが可能となり、マスク全体の構造的な剛性を高めることができる。
図１は、実施の形態１におけるマスクの構成を説明するための図である。
図１において、マスク１０は、格子状の支持梁１９によって、複数のサブフィールドに分割されると共にかかる領域に配置されるメンブレン１７を支持している。そして、複数のサブフィールドのうち、最外周のサブフィールドが位置する領域のみ外側に拡張するように、領域を拡大して支持梁１９に囲まれる。パタン露光用領域２６における支持梁１９に囲まれた領域では、メンブレン１７を照射する電子ビームが露光パタン領域２２を確実に照射するための余裕を持たせる領域として余白領域２１が周囲に用意されており、メンブレン１７と露光パタン領域２２とを合わせた領域が一つの領域となって、支持梁１９によって囲まれている。かかる領域にメンブレンが支持梁１９無しで配置される。マスクアライメントマーク領域２５となる最外周の領域では、さらに、マスクアライメントマーク２０を配置する拡張部分も含めて一つの領域となっていて、支持梁１９によって囲まれている。言い換えれば、マスクアライメントマーク２０と露光パタン領域２２との両方が、同一の連続したメンブレン領域上に配置され、支持梁１９によって囲まれた１つの領域を構成する。
本実施の形態ではメンブレンを従来の大きさから拡大し、そのことで新たに得られる露光パタン領域２２と余白領域２１以外の領域をマスクアライメントマーク２０ための領域として利用することを特徴としている。
図１に示すように、最外周のメンブレンのみを外側に拡大することで、最外周にマスクアライメントマーク２０を挿入するための領域を確保することが出来る。この領域にマスクアライメントマーク２０を必要に応じて挿入することにより、所望のマスクアライメントマーク２０を含んだＥＰＬ用マスクを作成することが出来る。
【００２７】
図２は、本実施の形態１におけるマスクを用いた場合のパタン露光やあるいはマスクアライメントにおける電子ビームの照射方法を説明する概念図である。
図２（ａ）に示すように、電子ビームを照射する際には、対象となるパタンの周囲にパタンを形成することが禁止される余白領域が必要となる。露光パタン２２に周囲には、上述した余白領域２１が必要となり、同様に、マスクアライメントマーク２０の周囲にも禁止領域２７が必要になる。ここでは、できるだけ、メンブレン面積を小さくするために禁止領域２７と余白領域２１とが重なるように配置することが望ましい。
【００２８】
まず、パタン露光の際（露光工程）は、メンブレンを拡大していない他の従来型のメンブレンを電子ビームで照射する場合と同様に、図２（ｂ）に示すように、電子ビーム照射領域２８は、露光パタン領域２２を中心にその全体を照射する領域となる。マスクアライメントマーク２０を配置する領域分を拡張しただけなので、マスクアライメントマーク２０を含まない領域を照射することができる。照射された前記露光パタンを用いて基板にパタンを露光し、パタン投影を行う。
一方、マスクアライメントマーク２０を読み取る場合（アライメント工程）、図２（ｃ）に示すように、電子ビーム照射領域２８は、マスクアライメントマーク２０が入るような領域となり、かかるマスクアライメントマークと露光パタン領域の一部とが入る領域に設定してマスクアライメントマークと露光パタン領域の一部とを同時に電子ビームで照射する。この場合には、電子ビームの一部が露光パタン領域２２にかかるが、マスクアライメントマーク２０の読み取りに際してはマスクアライメントマーク２０の周辺に設定される禁止領域２７にマスクアライメントマーク２０以外のパタンが入り込んでいなければマーク検出の妨げとなることはない。また、マスクアライメントマーク２０は、５００×３００μｍ以上の大きさのマークを用いることが望ましい。照射された露光パタンと位置合わせマークとのうち、前記位置合わせマークを用いてマスクのアライメントを行なう。
【００２９】
また、マスクアライメントマーク２０の禁止領域２７が露光パタン領域２２周辺の余白領域２１と重なっている場合、その重なっている領域に一切パタンが入っていなければこれらの領域が重なること自体はパタン露光の際もマスクアライメントマーク読み取りの際も問題とならないため許容することができる。
【００３０】
最外周の領域については、支持梁１９で囲まれる１つの領域の面積が大きくなるが、マスクアライメントマーク２０を配置するために支持梁１９で囲まれる領域を１つ増やす場合に比べれば、マスク全体でのメンブレン面積を小さくすることができる。ここで、拡張する大きさとして、１辺の拡張幅を５０％以内とすることが望ましい。すなわち、面積では、約２倍（２．２５倍）以内とすることが望ましい。１辺の拡張幅を５０％以内とすることで、支持梁１９で囲まれるメンブレンを支持することができる。
【００３１】
また、露光パタン領域２２とマスクアライメントマーク２０との間の余白領域は、６５〜１００μｍとすることが望ましい。マスクアライメントマーク２０の検出のために、５０μｍ以上禁止領域を設けることが望ましい。また、露光パタンに影響を与えないようにするために、６５μｍ以上の余白領域２１を設けることが望ましい。よって、両方に好適な６５μｍ以上の領域を設けることが望ましい。また、メンブレンの面積をできるだけ小さくするため、十分な間隔となる１００μｍ以下とすることが望ましい。
【００３２】
本実施の形態を適用することでマスクのメンブレン領域の面積が削減でき、マスク全体の剛性を高めることができる。引いては当該マスクを用いることで露光パタンの位置精度を向上させることが出来る。
現行の単一の露光パタン領域がマスク上で１ｍｍ四方の場合、マスクアライメントマーク用領域として幅６００μｍを確保する場合では、メンブレン領域の面積が従来型マスクに比べておよそ３％削減することができる。また、メンブレン領域が基板外縁と最も近い部分での保持基板の最小幅は従来型マスクでおよそ１１ｍｍであるのに対し、本実施の形態を適用することでおよそ１２．５ｍｍとすることができる。
【００３３】
個々のメンブレンの大きさが比較的小さい現行のマスクへの適用に比べ、将来的に可能性のあるメンブレンの大型化に対しては本実施の形態の効果がより顕著となる。例えば単一の露光パタン領域がマスク上で現行の１ｍｍから４ｍｍに拡大された場合においては、本実施の形態適用時のメンブレン領域面積は非適用時に比べておよそ１８％削減することができる。また、保持基板の最小幅も非適用時におよそ１７ｍｍであるのに対し適用時にはおよそ２５ｍｍ確保することができる。このように、特にメンブレンの大型化に対して本実施の形態を適用することによりマスクの剛性を高める効果が得られる。
【００３４】
図３は、マスクを示す図である。
図１では、マスク領域の最外周全周の領域について、マスクアライメントマークを挿入するために領域を拡張しているが、これに限るものではない。マスクアライメントマーク２０は、数が多い方が、位置精度は向上するが、例えば、最外周の領域の上部と下部のみに配置してもよい。或いは、さらに少なくしても構わない。図３に示すようなＡ〜Ｄの少なくとも４点にマスクアライメントマークを挿入するようにしてもよい。
図４は、図３に示すＡ〜Ｄの領域を構成を示す図である。
図４（ａ）では、図３に示すＡ部を示している。ここでは、マスクアライメントマーク２０をサブフィールド上部にのみ配置している。図４（ｂ）では、図３に示すＢ部を示している。ここでは、マスクアライメントマーク２０をサブフィールド上部にのみ配置している。図４（ｃ）では、図３に示すＣ部を示している。ここでは、マスクアライメントマーク２０をサブフィールド下部にのみ配置している。図４（ｄ）では、図３に示すＤ部を示している。ここでは、マスクアライメントマーク２０をサブフィールド下部にのみ配置している。
【００３５】
マスクアライメントマーク２０を配置する箇所を減らすことで、さらに、メンブレン領域の面積を小さくすることができる。
【００３６】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００３７】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマスク或いは露光方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施の形態１におけるマスクの構成を説明するための図である。
【図２】本実施の形態１におけるマスクを用いた場合のパタン露光やあるいはマスクアライメントにおける電子ビームの照射方法を説明する概念図である。
【図３】マスクを示す図である。
【図４】図３に示すＡ〜Ｄの領域を構成を示す図である。
【図５】ステンシルマスクの一部を示す図である。
【図６】ＥＰＬの原理を説明するための概念図である。
【図７】連続メンブレンマスクの一部を示す図である。
【図８】ステンシルマスクの構成を示す図である。
【図９】マスクパタンの投影概念図である。
【図１０】ＥＰＬ露光装置の電子光学系概念図である。
【図１１】アライメントマークが挿入された従来のＥＰＬマスクを説明するための図である。
【符号の説明】
【００３９】
１，４，５，１４，１５  電子ビーム
２，１３，１７，２３，２４  メンブレン
３  開口部
６  投影レンズ
７  制限アパーチャ
８  レジスト
９  ウェハ
１０  マスク
１１  投影パタン部
１２  散乱体
１６  基板
１８  支持基板部
１９  支持梁
２０  マスクアライメントマーク
２１  露光パタン領域
２２  余白領域
２５  マスクアライメント用領域
２６  パタン露光用領域
２７  禁止領域
２８  電子ビーム照射領域
３０  電子銃
３１  コンデンサレンズ
３２  偏向器
３３  マスクステージ
３４  ウェハステージ
３５  サブフィールド
３６  保持基板の最小幅
【図１】
2006135046.tif 000003
【図２】
2006135046.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006135046.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006135046.tif 000008
【図７】
2006135046.tif 000009
【図８】
2006135046.tif 000010
【図９】
2006135046.tif 000011
【図１０】
2006135046.tif 000012
【図１１】
2006135046.tif 000013