(57)【要約】  【課題】  樹脂封止体からダイパッドの一方の面が露出面となっている半導体装置において、露出面に対する樹脂薄バリの形成を確実に抑制することにより、放熱性を維持しながら吸湿性及び実装信頼性の向上とコストダウンとを実現する。  【解決手段】  半導体装置は、ダイパッド１０１及びダイパッド１０１に搭載された半導体素子１０２を少なくとも備えると共にダイパッド１０１及び半導体素子１０２を封止する樹脂封止体１０７が形成された半導体装置であって、ダイパッド１０１における半導体素子１０２の搭載された素子搭載面の反対側の面が、樹脂封止体１０７から方形状に露出する露出面１０１ａとなっており、露出面１０１ａの周縁部において、露出面１０１ａの外周端に沿う形状の樹脂受溝１０９が形成され、樹脂受溝１０９は、屈曲部分において他の部分よりも幅の広いコーナー部溝１０９ａとなっている。【選択図】      図２
2006135100.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッド及び前記ダイパッドに搭載された半導体素子を少なくとも備えると共に前記ダイパッド及び前記半導体素子を封止する樹脂封止体が形成された半導体装置であって、
前記ダイパッドにおける前記半導体素子の搭載された素子搭載面の反対側の面が、前記樹脂封止体から方形状に露出する露出面となっており、
前記露出面の周縁部において、前記露出面の外周端に沿う形状の樹脂受溝が形成され、
前記樹脂受溝は、屈曲部分の幅が他の部分の幅よりも広くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂受溝の屈曲部分における平面形状は、面取り形状になっていること特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂受溝の屈曲部分における平面形状は、曲線によって構成されていること特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂受溝は、少なくとも２重に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダイパッドの外周端部は、前記露出面の面積が前記素子搭載面の面積よりも大きくなるテーパー形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置
【請求項６】
前記ダイパッドの外周端部の少なくとも一部分が、前記樹脂封止体の内側に埋め込まれるように前記素子搭載面の側に折り曲げられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ダイパッドにおける折り曲げられた箇所には前記ダイパッドを貫通する少なくとも１つの孔が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
ダイパッドを備えるリードフレームを形成する工程と、
前記ダイパッドの一方の面である素子搭載面に半導体素子を搭載する工程と、
前記ダイパッド及び半導体素子を、前記ダイパッドの前記素子搭載面の反対側の面である露出面が露出するように封止樹脂によって封止する工程とを備え、
前記リードフレームを形成する工程は、前記ダイパッドにおける前記露出面の周縁部に、前記露出面の外周端に沿う形状を有し且つ屈曲部分の幅が他の部分幅よりも広くなっている樹脂受溝を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ダイパッドに形成された前記樹脂受溝は、エッチングによって形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面実装用の樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の多機能化と、小型化及び薄型化に伴い、半導体装置においては、薄型であると共に良好な放熱性を有することが要望されて来ている。
【０００３】
以下、そのような従来例として、特許文献１に開示されている半導体装置について、図面を参照して説明する。
【０００４】
図１６（ａ）、（ｂ）は、ダイパッドの一方の面が露出した構成を有する従来の樹脂封止型半導体装置を概略的に示す図である。（ａ）は断面図、（ｂ）は背面図であって、（ｂ）は（ａ）において矢印Ｂの方向に見た様子を示していると共に、（ａ）は（ｂ）におけるXVIa-XVIa'線等による断面を示している。
【０００５】
該半導体装置１０はダイパッド１１を備え、ダイパッド１１に塗布された接着剤１２によってダイパッド１１上に半導体素子１３が固着されている。ダイパッド１１の周辺には複数の内部リード１４が配置され、金属細線１５によって内部リード１４のそれぞれと半導体素子１３とが電気的に接続されている。
【０００６】
また、ダイパッド１１、接着剤１２、半導体素子１３、内部リード１４及び金属細線１５は、樹脂封止体１６によって封止されている。更に、樹脂封止体１６の外部に伸びるように、複数の外部リード１７が内部リード１４と個々に連続して形成されている。
【０００７】
また、ダイパッド１１は、半導体素子１３が固着されている面と反対側の面が方形状に樹脂封止体１６から露出し、露出面１１ａとなっている。
【０００８】
また、ダイパッド１１における露出面１１ａの周縁部において、外周端から所定の距離をもって外周端に沿う形状を有する樹脂受溝１８が形成されている。樹脂受溝１８は一繋がりの環状であり、露出面１１ａが方形状であることから、樹脂受溝１８も方形状となっている。
【０００９】
ここで、半導体装置１０の製造工程を簡単に説明する。
【００１０】
まず、ダイパッド１１と、その周囲に配置された内部リード１４と、内部リード１４と個々に接続された外部リード１７と、ダイパッド１１を支持する支持リード（図示せず）とを少なくとも有するリードフレーム（図示せず）を準備する。尚、ダイパッド１１の露出面１１ａには、予め樹脂受溝１８が設けられているものとする。
【００１１】
次に、ダイパッド１１に半導体素子１３を搭載する。
【００１２】
次に、半導体素子１３と内部リード１４とを個々に金属細線１５によって電気的に接続する。
【００１３】
次に、半導体素子１３及び金属細線１５を有するリードフレームを封止金型（図示せず）にセットする。この際、支持リードによって支持されているダイパッド１１は、支持リードが屈曲されていることにより、リードフレームから露出面１１ａの側に突き出している。このことにより、ダイパッド１１は露出面１１ａにおいて封止金型に押し付けられている。
【００１４】
次に、封止金型に樹脂を供給し、ダイパッド１１、半導体素子１３、内部リード１４及び金属細線１５を封止する。この際、ダイパッド１１は露出面１１ａにおいて封止金型に押し付けられているため、露出面１１ａが樹脂封止体１６から外部に露出する構成となる。
【００１５】
ここで、露出面１１ａと封止金型との間に封止樹脂の一部が浸入するため、露出面１１ａ上に、浸入した封止樹脂が硬化して薄い板となった樹脂薄バリが発生する。露出面１１ａ上に樹脂薄バリが存在すると、例えばプリント基板等の実装基板に半導体装置を実装した場合に露出面１１ａが半田付け不良となり、放熱性低下等の原因となる。
【００１６】
しかし、樹脂受溝１８が形成されていることにより、露出面１１ａ上に浸入した封止樹脂を樹脂受溝１８によって受け止め、樹脂受溝１８よりも内側に樹脂薄バリが浸入するのを防ぐようになっている。
【００１７】
次に、リードフレームを所定の位置において切断し、更に所定の工程を経て半導体装置が完成する。
【００１８】
このように、ダイパッド１１は露出面１１ａの周縁部に樹脂受溝１８を有するため、樹脂封止工程においてダイパッド１１の裏面（露出面１１ａ）と封止金型との間に浸入する樹脂を、樹脂受溝１８によって受けることができる。この結果、樹脂受溝１８よりも内側に樹脂が入り込んで樹脂薄バリとなるのを防ぐことができ、プリント基板等に半導体装置１０を実装した際、ダイパッド１１の裏面からプリント基板等に対して安定に放熱することができる。また、実装信頼性も向上している。
【特許文献１】特開平１１−２２００７５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、以上に説明した従来の半導体装置を製造する場合、ダイパッド１１を封止金型に押し当てて樹脂封止を行なう際に、樹脂受溝１８を設けているにもかかわらず、樹脂受溝１８よりも内側に封止樹脂の樹脂薄バリが浸入することがあった。
【００２０】
このように、露出面１１ａ上において樹脂受溝１８よりも内側に樹脂薄バリが形成されると、薬品又はウォータージェット等を用いて樹脂薄バリを除去する工程が必要となる。このような樹脂薄バリの除去工程が存在すると、該工程に必要な費用のために半導体装置のコストアップに繋がる。また、該工程において使用する水又は薬品が樹脂封止体１６に浸透し、耐湿性が劣化するため、信頼性低下の原因となる。
【００２１】
以上のような課題に鑑み、本発明は、樹脂薄バリが樹脂受溝よりも内側に浸入するのをより確実に防止することにより、実装信頼性が向上していると共に、ダイパッドからプリント基板等に対して安定に放熱することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。また、そのような半導体装置を、樹脂薄バリ除去の必要を排除しながら製造する製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
従来の半導体装置を製造する際に、樹脂受溝よりも内側に封止樹脂の樹脂薄バリが浸入する場合がある理由は、１つには次のように説明される。
【００２３】
樹脂封止体を形成する際、ダイパッドは支持リードによって封止金型に押し付けられている。しかし、樹脂を注入する圧力によって支持リードが押し上げられ、封止金型とダイパッドとの間に浸入する封止樹脂が多くなる場合がある。この結果、樹脂受溝の容量（樹脂受溝が受け容れることができる封止樹脂の量の限度）よりも多くの封止樹脂がダイパッドと封止金型との間に流れ込み、樹脂受溝よりも内側にまで入り込んで樹脂薄バリとなる。このような理由である。
【００２４】
このことに基づいて、本発明の第１の半導体装置は、ダイパッド及びダイパッドに搭載された半導体素子を少なくとも備えると共にダイパッド及び半導体素子を封止する樹脂封止体が形成された半導体装置であって、ダイパッドにおける半導体素子の搭載された素子搭載面の反対側の面が、樹脂封止体から方形状に露出する露出面となっており、露出面の周縁部において、露出面の外周端に沿う形状の樹脂受溝が形成され、樹脂受溝は、屈曲部分の幅が他の部分の幅よりも広くなっている。
【００２５】
第１の半導体装置によると、ダイパッドの露出面の外縁部に、屈曲部の幅が他の部分の幅よりも広くなった樹脂受溝が形成されている。このため、ダイパッドのコーナー付近において、樹脂受溝の容量が大きくなっており、他の部分に比べて多くの樹脂を受け容れることができる。
【００２６】
このことから、樹脂封止を行なう際に、ダイパッドのコーナー付近においてダイパッドと封止金型との間に他の部分よりも多くの封止樹脂が浸入した場合にも、浸入した封止樹脂を樹脂受溝によって受け容れることが確実にできる。この結果、樹脂受溝よりも内側に樹脂薄バリが浸入するのを確実に防止することができ、樹脂薄バリの除去工程が不要となるため、コストダウン及び信頼性の向上が実現できる。
【００２７】
更に、樹脂受溝は、ダイパッド上に浸入する封止樹脂の量が多くなるダイパッドのコーナー付近においてのみ幅を広くしている。これによって、半導体装置を実装基板としてのプリント基板等に対して実装する際に、ダイパッドとプリント基板との半田等による接続面積が大きく減少するのを防いでいる。言い換えると、コーナー付近以外においては樹脂受溝の幅を必要以上に広くすることを避け、ダイパッドとプリント基板とを半田等によって接続する際の面積を確保している。このようにすることにより、放熱性の低下を防止している。
【００２８】
以上のように、本発明の半導体装置によると、樹脂封止体から露出しているダイパッド上に樹脂薄バリが形成されるのを確実に防止すると共に、プリント基板に対する半田等による接続面積の低下を抑えることにより、ダイパッドからプリント基板に対する放熱性を確実に向上できる。更に、樹脂薄バリ除去の工程が不要となるため、コストダウン及び信頼性の向上が実現できる。
【００２９】
ここで、露出面が方形状に露出しているとは、露出形状が厳密に四角形であることは当然に可能であるが、このことが要求されるわけではないことを意味している。例えば、ダイパッドを支持する支持リードがダイパッドに接続されており、その端がダイパッドと共に樹脂封止体から露出しているために四角形に小さな突起の付属したような形状であることなどが考えられる。また、辺が緩やかな曲線となっているようなことも可能である。
【００３０】
尚、樹脂受溝の屈曲部分における平面形状は、面取り形状になっていることが好ましい。
【００３１】
ここで、面取り形状とは、屈曲の角度が緩やかになるように、２回以上の副次的な屈曲によって所定の角度の屈曲を成している形状をいう。例えば、４５度に２回、同じ方向に屈曲することによって、全体として９０度の屈曲を成す等である。
【００３２】
このようにすると、ダイパッドと封止金型との間に樹脂が浸入しやすいダイパッドのコーナー付近において、樹脂受溝の外側におけるダイパッドの平坦面の面積を増加することができる。このことから、ダイパッドの外周端から樹脂受溝までの距離が長くなり、この距離の間においてダイパッドと封止金型とが接触している。このため、樹脂封止工程における封止形成圧力（封止樹脂を注入する際の圧力）によってダイパッドと封止金型との間に樹脂が浸入し、樹脂受溝に到達するのを防ぐ効果が高くなる。
【００３３】
以上のことから、ダイパッドの露出面における樹脂薄バリの形成を防ぐ効果をより確実に実現できる。
【００３４】
また、樹脂受溝の屈曲部分における平面形状は、曲線によって構成されていることも好ましい。
【００３５】
このようにすると、屈曲部分を面取り形状に形成した場合と同様に、ダイパッドのコーナー付近において、樹脂受溝の外側におけるダイパッドの平坦面の面積を増加することができる。
【００３６】
更に、樹脂受溝が曲線によって構成されているために角が存在しないことから、封止形成圧力の集中を防ぐことができる。つまり、封止形成圧力の集中が起こると、樹脂の浸入が起こりやすい場所が発生するため、このような封止形成圧力の集中を防ぐことによって、樹脂の浸入を抑制することができる。
【００３７】
以上から、樹脂封止工程における封止形成圧力によってダイパッドの露出面に対する樹脂の浸入が起こるのをより確実に抑制することができる。
【００３８】
また、樹脂受溝は、少なくとも２重に形成されていることが好ましい。
【００３９】
このようにすると、より多くの樹脂を樹脂受溝によって受けることができるため、ダイパッドの露出面において、樹脂受溝の内側に樹脂薄バリが浸入するのを確実に防ぐことができる。
【００４０】
更に、２重の樹脂受溝を設けていることにより、封止樹脂の浸入が特定の位置において集中して多く発生した場合に特に顕著な効果が得られる。これは、次の理由による。
【００４１】
特定の位置から多く浸入した封止樹脂は、外側の樹脂受溝によって一度受け止められた後、２重の樹脂受溝の中間に存在するダイパッドの平坦部分によって、外側の樹脂受溝の内部において拡散される。その後、内側の樹脂受溝によって更に封止樹脂を受け止めることができ、この際には封止形成圧力は分散されている。このように、２重の樹脂受溝を設けることによって封止形成圧力を分散することができるため、１重の幅の広い樹脂受溝を設ける場合よりも顕著に効果が得られる。
【００４２】
また、ダイパッドの外周端部は、露出面の面積が素子搭載面の面積よりも大きくなるテーパー形状に形成されていることが好ましい。
【００４３】
言い換えると、ダイパッドは、露出面の端から素子搭載面の中央寄りの方向に向かって斜めに切り落とされたような形状を有しており、露出面が素子搭載面よりも大きな面積を有している。この結果、例えば、露出面と素子搭載面が平行であるものとすると、露出面に垂直なダイパッドの断面形状は、露出面側が長辺、素子搭載面側が短辺である台形となる。
【００４４】
このようにすると、樹脂封止を行なう際、傾斜している外周端面に加わる封止形成圧力は、ダイパッドを封止金型に押し付ける働きをすることになる。この結果、ダイパッドが封止金型に押し付けられる力が向上するため、ダイパッドの露出面に樹脂薄バリが浸入するのをより確実に防ぐことができる。
【００４５】
また、ダイパッドの外周端部の少なくとも一部分が、樹脂封止体の内側に埋め込まれるように素子搭載面の側に折り曲げられていることが好ましい。
【００４６】
このようにすると、ダイパッドの折り曲げられた部分が樹脂封止体の内部に埋め込まれていることにより、ダイパッドと樹脂封止体との密着性が向上する。このため、半導体装置の耐湿性が向上する。
【００４７】
また、ダイパッドにおける折り曲げられた箇所にはダイパッドを貫通する少なくとも１つの孔が形成されていることが好ましい。
【００４８】
ダイパッドの外周端部の一部分が樹脂封止体の内側に折り曲げられ且つ埋め込まれた構造となっていると、半導体装置内に蓄積された水分が蒸気化した際に、該蒸気が装置の外に排出されにくくなる場合がある。しかし、ダイパッドの折り曲げられた箇所を貫通する孔を形成することにより、半導体装置内から蒸気が逃げる経路が確保されるため、該蒸気を容易に逃がすことができる。このため、蒸気圧によってダイパッドが歪む（膨らむ）のを防ぐことができ、半導体装置をプリント基板に実装する際に、安定して良好な実装性を実現できる。
【００４９】
前記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、ダイパッドを備えるリードフレームを形成する工程と、ダイパッドの一方の面である素子搭載面に半導体素子を搭載する工程と、ダイパッド及び半導体素子を、ダイパッドの素子搭載面の反対側の面である露出面が露出するように封止樹脂によって封止する工程とを備え、リードフレームを形成する工程は、ダイパッドにおける露出面の周縁部に、露出面の外周端に沿う形状を有し且つ屈曲部分の幅が他の部分幅よりも広くなっている樹脂受溝を形成する工程を含む。
【００５０】
本発明の半導体装置の製造方法によると、ダイパッドの露出面の周縁部において、外周端に沿う形状を有し且つ屈曲部における幅が他の部分よりも広くなっている樹脂受溝が形成されているリードフレームを用いている。このため、半導体装置を製造する工程の１つである樹脂封止工程において、ダイパッドの露出面と封止金型との間に封止樹脂が浸入し、ダイパッドの露出面に樹脂薄バリが形成されるのを防ぐことができる。特に、封止樹脂の浸入が発生しやすいダイパッドのコーナー付近において、他の部分よりも樹脂受溝の幅を広くしていることにより、コーナー付近から樹脂が樹脂受溝より内側に浸入して樹脂薄バリが発生するのを確実に防ぐことができる。
【００５１】
このことから、樹脂薄バリの除去を行なう工程を排除できるため、該工程に必要なコストを削減できると共に、該工程における薬品又は水分等による半導体装置の品質劣化（耐湿性等の劣化）を防ぐことができる。
【００５２】
また、樹脂受溝の幅はコーナー付近においてのみ広くなっているため、露出面とプリント基板等の接触面積の減少は最小限に抑えられており、露出面からプリント基板等に対する放熱性の低下が抑えられている。
【００５３】
以上の結果、半導体装置の実装性及び信頼性を向上できると共に、製造コストの低減が実現できる。
【００５４】
尚、ダイパッドに形成された樹脂受溝は、エッチングによって形成されることが好ましい。
【００５５】
エッチングを用いると、望ましい構成を有する樹脂受溝を確実に形成することができる。
【発明の効果】
【００５６】
本発明によると、ダイパッドの露出面における周縁部に樹脂受溝が形成されており、特に、ダイパッドのコーナー付近においては他の部分よりも幅が広い樹脂受溝としている。このため、ダイパッドを封止金型に押し付けるための支持リードが封止形成圧力によって押し上げられ、露出面に対する樹脂の浸入が発生しやすいコーナー付近においても、樹脂の浸入を確実に防ぐことができる。また、半導体装置をプリント基板に実装した際のダイパッドとプリント基板との半田等による接続面積の減少を最小限に抑えることができる。
【００５７】
以上から、ダイパッドの露出面における樹脂薄バリの発生を確実に防ぐことができ、半導体装置の実装信頼性及び実装時の放熱性が向上している。
【００５８】
また、薬品又はウォータージェット等を用いる樹脂薄バリ除去工程が不要となるため、コストダウンが実現すると共に、耐湿性に優れた半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００６０】
（第１の実施形態）
図１及び図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第一の実施形態に係る半導体装置を説明する図である。
【００６１】
図１は、本実施形態の半導体装置の平面構成を示す図であり、切り開いて内部の構成を示している。以下に具体的に説明する。
【００６２】
半導体装置は、ダイパッド１０１と、ダイパッド１０１上に搭載された半導体素子１０２と、ダイパッド１０１をコーナー付近において支持する支持リード１０３と、ダイパッド１０１の周辺に配置された内部リード１０４と、内部リード１０４と連続して形成された外部リード１０５を備える。また、半導体素子１０２と内部リード１０４とは金属細線１０６（図１においては図示を省略しているため、後に説明する図２（ａ）を参照）によってそれぞれ電気的に接続されている。
【００６３】
更に、ダイパッド１０１、半導体素子１０２、支持リード１０３、内部リード１０４及び金属細線１０６は、樹脂封止体１０７によって封止されている。但し、図１においては樹脂封止体１０７は内部の構造を示すために切り開いて示されている。
【００６４】
尚、ダイパッド１０１、支持リード１０３、内部リード１０４及び外部リード１０５は、いずれもＣｕ合金によって形成されている。また、外部リード１０５は、ガルウイング形状に屈曲されている（図２（ａ）を参照）。
【００６５】
次に、図２（ａ）は、図１のa-a'線等によって示される内部リード１０４及び外部リード１０５を切断する面における断面を示す図である。
【００６６】
図２（ａ）において示すように、ダイパッド１０１上に接着剤１０８によって半導体素子１０２が固定されている。また、図１においては図示を省略していたが、金属細線１０６によって、半導体素子１０２と内部リード１０４とが電気的に接続されている。また、外部リード１０５は、ガルウイング形状に屈曲されている。
【００６７】
また、ダイパッド１０１の一方の面が露出面１０１ａとして、平板状に形成された樹脂封止体１０７から露出している。更に、露出面１０１ａの外周部に、樹脂受溝１０９が形成されている。
【００６８】
次に、図２（ｂ）は、図１のb-b'線における断面を示す図である。これは、半導体装置を対角線に沿って切断した断面であり、支持リード１０３を切断する切断面となっている。
【００６９】
図２（ｂ）においては、ダイパッド１０１が支持リード１０３によって支持されている様子が示されている。支持リード１０３は、半導体装置の外端からダイパッド１０１に向かう途中に露出面１０１ａの側に屈曲されており、露出面１０１ａが樹脂封止体１０７から露出するようにダイパッド１０１を支持している。
【００７０】
また、露出面１０１ａのコーナー付近において、樹脂受溝１０９は幅が広いコーナー部溝１０９ａとして形成されていることが示されている。その他の構成要素については図２（ａ）と同様である。
【００７１】
次に、図２（ｃ）は、半導体装置を裏面から見た様子を示す図である。つまり、図２（ａ）において、矢印Ｃの向きに半導体装置を見ている平面図である。
【００７２】
図２（ｃ）においては、樹脂封止体１０７からダイパッド１０１の露出面１０１ａが方形状に露出している様子が示されている。また、露出面１０１ａのコーナー付近に接続された支持リード１０３の一部が樹脂封止体１０７から露出してる。
【００７３】
露出面１０１ａの周縁部には、露出面１０１ａの外周端から一定の距離をもって沿う形状であり且つ途切れる箇所の無い環状の樹脂受溝１０９が形成されている。露出面１０１ａは方形状であるから、樹脂受溝１０９も方形状となる。
【００７４】
更に、露出面１０１ａのコーナー付近においては、樹脂受溝１０９の幅は他の部分よりも広く、コーナー部溝１０９ａとなっている。このことは、コーナー部溝１０９ａの外側の輪郭は直角の角を有する形状であるのに対して、内側の輪郭は露出面１０１ａの内側の方向に膨らんだ形状となっていることによって実現されている。但し、これに限るものではない。
【００７５】
また、樹脂封止体１０７の周囲に外部リード１０５が配列して形成されている。
【００７６】
樹脂封止体１０７を形成する際、ダイパッド１０１の露出面１０１ａが封止金型に押し付けられた状態において樹脂が封止金型に注入される。この際、露出面１０１ａと封止金型の間に樹脂が浸入すると、樹脂薄バリとなる。しかし、樹脂受溝１０９が形成されていることにより、樹脂受溝１０９よりも内側には樹脂が浸入しないようになっている。
【００７７】
特に、ダイパッド１０１におけるコーナー付近においては、他の部分よりも幅の広いコーナー部溝１０９ａとして形成されている。詳しく述べると、コーナー部溝１０９ａの外側の輪郭は直角に屈折しているのに対し、内側の輪郭は、角の部分が内側（露出面１０１ａの中央の側）に向かって広がった形状になっている。これにより、下記に述べる効果が実現される。
【００７８】
ダイパッド１０１のコーナー付近は、封止樹脂の成形圧力によって支持リード１０３が持ち上げられ、封止金型にダイパッド１０１を押し付ける力が弱まりやすいため、露出面１０１ａと封止金型の間に浸入する樹脂の量が多くなりやすい。しかし、コーナー付近において幅の広いコーナー部溝１０９ａが形成されていることにより、他の部分よりも多く浸入する樹脂を確実に受けることができ、樹脂受溝１０９よりも内側に樹脂薄バリが発生するのを防ぐことができる。
【００７９】
また、コーナー付近のみ樹脂受溝１０９の幅を広くしており、半導体装置を実装基板としてのプリント基板等に実装した場合における、露出面１０１ａとプリント基板とを半田等によって接続するための面積の低下は最小限に抑えられている。そのため、露出面１０１ａからプリント基板に対する放熱性の低下も抑制されている。
【００８０】
以上のように、第１の実施形態に係る半導体装置によると、露出面１０１ａに樹脂薄バリが形成されるのを防ぐことができる。また、このため、樹脂薄バリを除去する工程が不要である。
【００８１】
この結果、半導体装置の放熱性を確保できると共に、薬品又はウォータージェット等を用いる樹脂薄バリ除去工程において生じる耐湿性の劣化などの品質劣化を防止することができる。更に、樹脂薄バリ除去工程に必要であった費用が不要となるため、コストダウンが実現できる。
【００８２】
尚、各部の寸法の一例を挙げると、ダイパッド１０１は、一辺が８ｍｍ程度の方形状である。これに対し、樹脂受溝１０９は、ダイパッド１０１の外周端よりも０．１から０．５ｍｍ程度内側に入った位置から形成され、幅は０．１ｍｍから０．５ｍｍ程度である。更に、コーナー部溝１０９ａの幅は、０．２ｍｍから０．５ｍｍ程度となっている。但し、これらの寸法は一例であって、特に限るものではなく、適宜設定すればよい。
【００８３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。
【００８４】
本実施形態の半導体装置は、第１の実施形態の半導体装置と同様に図１に示した平面構成を有している。また、本実施形態の半導体装置の図１におけるa-a'線による断面を図３（ａ）に、b-b'線による断面を図３（ｂ）に示す。更に、本実施形態の半導体装置の裏面図を図３（ｃ）に示す。
【００８５】
図３（ａ）〜（ｃ）に示した構成は、コーナー部溝１０９ａの構成を除いて図２（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置の構成と同様である。このため、同様である構成要素については、図３（ａ）〜（ｃ）において、図２（ａ）〜（ｃ）と同じ符号を付すことにより詳しい説明は省略する。
【００８６】
第２の実施形態の半導体装置において、図３（ｃ）に示すように、樹脂受溝１０９のコーナー部分（コーナー部溝１０９ａ）は面取り形状の平面形状を有している。つまり、第１の実施形態の場合には、コーナー部溝１０９ａの外側の輪郭がほぼ直角に一度屈折している構成であるのに対し、第２の実施形態の場合には、コーナー部溝１０９ａの外側の輪郭は、約４５度に２回屈折する構成である。この結果、コーナー部溝１０９ａの外側の角に相当する部分は、輪郭が直角に屈折している場合よりも一定面積だけ狭くなっており、該面積だけ、樹脂受溝１０９よりも外側に位置する露出面１０１ａの面積が広くなっている。
【００８７】
このように、樹脂封止を行なう際に封止金型に押し当てられる露出面１０１ａにおける、樹脂受溝１０９よりも外側の面積が広くなっていることから、封止形成圧力によって樹脂受溝１０９よりも内側に封止樹脂が浸入するのを抑制する効果が高くなっている。
【００８８】
このため、露出面１０１ａの樹脂受溝１０９よりも内側に樹脂薄バリが形成されるのを防ぐ本発明の効果がより確実に実現される。
【００８９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。
【００９０】
本実施形態の半導体装置は、第１の実施形態の半導体装置と同様に図１に示した平面構成を有している。また、本実施形態の半導体装置の図１におけるa-a'線による断面を図４（ａ）に、b-b'線による断面を図４（ｂ）に示す。更に、本実施形態の半導体装置の裏面図を図４（ｃ）に示す。
【００９１】
図４（ａ）〜（ｃ）に示した構成は、コーナー部溝１０９ａの構成を除いて図２（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置の構成と同様である。このため、同様である構成要素については、図４（ａ）〜（ｃ）において、図２（ａ）〜（ｃ）と同じ符号を付すことにより詳しい説明は省略する。
【００９２】
第３の実施形態の半導体装置において、図４（ｃ）に示すように、樹脂受溝１０９のコーナー部分（コーナー部溝１０９ａ）は曲線によって構成された平面形状を有している。つまり、第１の実施形態の場合には、コーナー部溝１０９ａの外側の輪郭がほぼ直角に一度屈折している構成であるのに対し、第３の実施形態の場合には、コーナー部溝１０９ａの外側の輪郭は、滑らかに丸く曲がった構成である。この結果、コーナー部溝１０９ａの外側の角に相当する部分は、輪郭が直角に屈折している場合よりも一定面積だけ狭くなっており、該面積だけ、樹脂受溝１０９よりも外側に位置する露出面１０１ａの面積が広くなっている。
【００９３】
このように、樹脂封止を行なう際に封止金型に押し当てられる露出面１０１ａにおける、樹脂受溝１０９よりも外側の面積が広くなっていることから、封止形成圧力によって樹脂受溝１０９よりも内側に封止樹脂が浸入するのを抑制する効果が高くなっている。
【００９４】
更に、コーナー部溝１０９ａの外側の輪郭が曲線であるため、封止形成圧力集中を防ぐことができる。封止形成圧力集中は樹脂が露出面１０１ａ上に浸入しやすくなる原因の１つであるため、これを防ぐことによって樹脂の浸入を効果的に抑制することができる。
【００９５】
このため、露出面１０１ａの樹脂受溝１０９よりも内側に樹脂薄バリが形成されるのを防ぐ本発明の効果がより確実に実現される。
【００９６】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。
【００９７】
本実施形態の半導体装置は、第１の実施形態の半導体装置と同様に図１に示した平面構成を有している。また、本実施形態の半導体装置の図１におけるa-a'線による断面を図５（ａ）に、b-b'線による断面を図５（ｂ）に示す。更に、本実施形態の半導体装置の裏面図を図５（ｃ）に示す。
【００９８】
図３（ａ）〜（ｃ）に示した構成は、後に説明する点を除いて、図２（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置の構成と同様である。このため、同様である構成要素については、図５（ａ）〜（ｃ）において、図２（ａ）〜（ｃ）と同じ符号を付すことにより詳しい説明は省略する。
【００９９】
第４の実施形態の半導体装置において、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、樹脂受溝１０９は第１の溝１０９ｘと第２の溝１０９ｙからなる２重の溝となっている。このため、溝の容量が大きく、樹脂封止を行なう際の樹脂受溝１０９よりも内側への封止樹脂の浸入を確実に防ぐことができる。ここで、第１の溝１０９ｘ及び第２の溝１０９ｙのうち少なくとも一方について、コーナー付近において溝の幅が他の部分よりも広くなっており、樹脂の浸入が起こりやすいコーナー付近においても樹脂の浸入を確実に防ぐようになっている。
【０１００】
尚、このような２重の溝とすることにより、全体的に幅の広い一重の溝を形成する場合に比べて樹脂の浸入を防ぐ効果が高くなっている。これは、樹脂の浸入が特定の位置において多く発生したような場合にも、２重の樹脂受溝の中間に存在するダイパッドの平坦部分によって、外側の樹脂受溝に浸入した封止樹脂の封止形成圧力を分散することができるからである。
【０１０１】
更に、本実施形態の樹脂受溝１０９（第１の溝１０９ｘと第２の溝１０９ｙ）のコーナー付近の構成について、第３の実施形態の場合と同様に曲線によって形成されている。このことは、第３の実施形態の場合と同様に、樹脂受溝１０９よりも内側に樹脂が浸入するのを抑制する効果を実現する。
【０１０２】
以上のように、本実施形態の半導体装置によると、露出面１０１ａにおける樹脂受溝１０９よりも内側に対する樹脂薄バリの形成が抑止されており、装置の信頼性向上及びコストダウンが実現できる。
【０１０３】
尚、本実施形態の樹脂受溝１０９は第３の実施形態の場合と同様に曲線によって構成したが、これに代えて、第２の実施形態の場合と同様に面取り形状に形成しても良い。
【０１０４】
また、本実施形態においては、第１の溝１０９ｘ及び第２の溝１０９ｙがいずれも途切れのない環状の溝となっている。しかし、これに代えて、例えば２本の溝のうちの内側の溝である第２の溝１０９ｙについてはコーナー付近のみに形成されていても良い。
【０１０５】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。
【０１０６】
本実施形態の半導体装置は、第１の実施形態の半導体装置と同様に図１に示した平面構成を有している。また、本実施形態の半導体装置の図１におけるa-a'線による断面を図６（ａ）に、b-b'線による断面を図６（ｂ）に示す。更に、本実施形態の半導体装置の裏面図を図６（ｃ）に示す。
【０１０７】
図６（ａ）〜（ｃ）に示した構成は、後に説明する点を除いて、図２（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置の構成と同様である。このため、同様である構成要素については、図６（ａ）〜（ｃ）において、図２（ａ）〜（ｃ）と同じ符号を付すことにより詳しい説明は省略する。
【０１０８】
本実施形態の半導体装置と第１の実施形態の半導体装置との相違点は、図６（ａ）に示すように、ダイパッド１０１の外周端面１０１ｂが傾斜していることである。つまり、ダイパッド１０１の外周端面１０１ｂは、ダイパッド１０１の露出面１０１ａの面積が反対側の面（半導体素子の搭載される面）の面積よりも大きくなるテーパー形状に形成されている。
【０１０９】
ここで、外周端面１０１ｂとは、ダイパッド１０１の側面であり、ダイパッド１０１における半導体素子１０２が搭載されている面の外周端と露出面１０１ａの外周端とを接続している面である。
【０１１０】
以上のようになっていることから、図６（ａ）に示すように、樹脂受溝１０９を無視すると、ダイパッド１０１の断面形状は露出面１０１ａ側を長辺とする台形になっている。
【０１１１】
このようにすると、樹脂封止体１０７を形成する際、傾斜している外周端面１０１ｂに対して垂直に加わる封止形成圧力は、ダイパッド１０１を封止金型に押し付ける方向に加わることになる。つまり、封止形成圧力によってダイパッド１０１が封止金型に押し付けられる。これにより、封止樹脂がダイパッド１０１の露出面１０１ａ上に浸入するのを抑制することができる。
【０１１２】
尚、本実施形態の場合と異なり、外周端面１０１ｂが傾斜していない場合、つまり、露出面１０１ａに対して垂直であった場合、外周端面１０１ｂに加わる封止形成圧力は露出面１０１ａに対して平行に働く。この場合、ダイパッド１０１を封止金型に押し付けることはない。
【０１１３】
以上の結果、露出面１０１ａ上に樹脂薄バリが形成されるのを抑制することができ、半導体装置の信頼性向上及びコストダウン等を実現することができる。
【０１１４】
尚、本実施形態の半導体装置においても、樹脂受溝１０９は第１の実施形態の場合と同様にコーナー付近が幅の広いコーナー部溝１０９ａとなっている。このため、第１の実施形態の半導体装置と同様に、特にコーナー付近において露出面１０１ａの樹脂受溝１０９よりも内側に対する封止樹脂の浸入を防ぐ効果が実現されている。また、樹脂受溝１０９は、第２、第３及び第４の実施形態の場合と同様の構成としても良く、そのようにすると、それぞれの効果を実現することができる。
【０１１５】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。
【０１１６】
図７及び図８（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第一の実施形態に係る半導体装置を説明する図である。
【０１１７】
図７は、本実施形態の半導体装置の平面構成を示す図であり、切り開いて内部の構成を示している。また、図８（ａ）は図７の半導体装置のVIIIa-VIIIa'線による断面、図８（ｂ）は図７の半導体装置のVIIIb-VIIIb'線による断面、図８（ｃ）は図７の半導体装置の裏面図（つまり、図８（ａ）における矢印Ｃの向きから見た様子を示す図）である。
【０１１８】
ここで、図７及び図８（ａ）〜（ｃ）に示した半導体装置は、後に説明する点を除いて図１及び図２（ａ）〜（ｃ）に示した第１の実施形態の半導体装置と同様である。そのため、同様である構成要素については、図７及び図８（ａ）〜（ｃ）において、図１及び図２（ａ）〜（ｃ）と同様の符号を付すことによって詳しい説明は省略する。
【０１１９】
本実施形態の半導体装置と第１の実施形態の半導体装置との相違を以下に説明する。
【０１２０】
本実施形態の半導体装置は、第１の実施形態の半導体装置の構成に加えて、図７に示すように、ダイパッド１０１の外周端に接続された埋没部１１０を有している。また、ダイパッド１０１と埋没部１１０とに跨って、ダイパッド１０１と埋没部１１０とを貫通する孔１１１が形成されている。
【０１２１】
埋没部１１０は、図８（ａ）に示すように、ダイパッド１０１との接続部分において樹脂封止体の内側（半導体素子１０２の搭載されている側）に向かって折り曲げられ、樹脂封止体１０７内に埋め込まれている。このため、図８（ｃ）に示すように、ダイパッド１０１が埋没部１１０と接続しているダイパッド１０１の突起部１０１ｃだけが樹脂封止体１０７から露出する。
【０１２２】
ここで、以上では埋没部１１０とダイパッド１０１とを別個の部材として説明しているが、埋没部１１０はダイパッド１０１の一部であり、ダイパッド１０１の外周端部の一部が延長されているものと考えても良い。更に、そのようなダイパッド１０１の外周端部の一部が樹脂封止体１０７の内側に折り曲げられ、折り曲げられた箇所（折り曲げ線上）に、ダイパッド（この場合には、図７におけるダイパッド１０１と埋没部１１０との両方を合わせてダイパッドと考える）を貫通する孔が形成されていると考える。このように説明することも可能である。このことは以下においても同じである。
【０１２３】
このように、ダイパッド１０１と接続され且つ樹脂封止体１０７に埋め込まれた埋没部１１０が設けられていることにより、ダイパッド１０１と樹脂封止体１０７との密着性が向上している。このため、半導体装置の耐湿性が向上する。
【０１２４】
また、ダイパッド１０１と埋没部１１０に跨って位置すると共にダイパッド１０１と埋没部１１０とを貫通する孔１１１が形成されていることにより、半導体装置の内部に蒸気が発生した場合に蒸気が半導体装置外部に逃げるための経路が確保されている。このため、半導体装置とプリント基板に実装する際等に、半導体装置内に蒸気が発生してダイパッド１０１が変形する（例えば、露出面１０１ａの側に膨らむ等）のを防ぐことができる。このため、半導体装置の実装性が改善されている。
【０１２５】
以上のように、本実施形態の半導体装置によると、耐湿性及び実装性の向上が実現される。
【０１２６】
尚、本実施形態の半導体装置において、図８（ｃ）に示す樹脂受溝１０９については、図２（ｃ）に示す第１の実施形態の半導体装置の樹脂受溝１０９と同様の構成としている。しかし、第２、第３及び第４の実施形態における樹脂受溝１０９と同様の構成とすることもできる。そのようにした場合、それぞれの実施形態において説明したのと同様の効果を実現する。
【０１２７】
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態に係るリードフレーム２００及びリードフレーム２００を用いる半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。尚、本実施形態の半導体装置の製造方法によって、第６の実施形態の半導体装置が製造される。
【０１２８】
図９（ａ）及び（ｂ）は、リードフレーム２００の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はリードフレーム２００が有する凹凸の様子を示すためのIXb-IXb'線における断面形状を示す図である。
【０１２９】
リードフレーム２００は、ダイパッド１０１と、ダイパッド１０１をコーナー付近において支持する支持リード１０３と、ダイパッド１０１の周囲に配置された内部リード１０４と、内部リード１０４にダムバー１１２を介して連続して形成された外側リード１０５とを備えている。
【０１３０】
また、４方向において配列している複数の外側リード１０５のうち、対向する２方向の配列は内枠１１３に接続され、外側リード１０５の他の２方向の配列及び内枠１１３は外枠１１４に接続されている。外枠１１４には、ガイド孔１１５が設けられている。
【０１３１】
また、ダイパッド１０１の外周端には埋没部１１０が接続され、ダイパッド１０１と埋没部１１０とに跨って位置し且つ貫通する孔１１１が形成されている。
【０１３２】
ダイパッド１０１の一方の面は半導体素子が搭載される面であり、他方の面は、樹脂封止される際に樹脂封止体の外に露出する露出面１０１ａである。ここで、露出面１０１ａには樹脂受溝１０９が形成されており、また、露出面１０１ａのコーナー付近において樹脂受溝１０９は他の部分より幅の広いコーナー部溝１０９ａとなっている。
【０１３３】
また、図９（ｂ）に示されているように、ダイパッド１０１は、リードフレーム２００における内部リード１０４等の形成されている面から露出面１０１ａの側に突出して位置している。これは、支持リード１０３を露出面１０１ａの側に屈曲することによって実現されている。
【０１３４】
また、埋没部１１０は、ダイパッド１０１から露出面１０１ａとは反対側に折り曲げられている。折り曲げの位置は、孔１１１上である。
【０１３５】
次に、リードフレーム２００の製造工程について説明する。
【０１３６】
リードフレーム２００の素材としては、例えば、厚さ０．１５ｍｍ程度のＣｕ合金製薄板を使用する。Ｃｕ合金は熱伝導率が比較的良好であり、このような熱伝導率の良好な素材を用いることによって、ダイパッド１０１からの熱が効率よく伝達されるようにすることができる。但し、Ｃｕ合金以外の材料を用いることも当然可能である。
【０１３７】
まず、素材であるＣｕ合金製薄板に対してエッチング加工を行ない、ダイパッド１０１、支持リード１０３、内部リード１０４、外側リード１０５、埋没部１１０、ダムバー１１２、内枠１１３、外枠１１４及びガイド孔１１５を一体形成する。また、同時に露出面１０１ａに樹脂受溝１０９（コーナー部溝１０９ａを含む）を形成する。この際、コーナー部溝１０９ａは、樹脂受溝１０９の他の部分に比べて幅が広くなるように形成する。更に、ダイパッド１０１と埋没部１１０とに跨る位置に孔１１１も形成する。
【０１３８】
ここで、コーナー部溝１０９ａの幅を樹脂受溝１０９の他の部分よりも幅が広くなるようにするためには、エッチングに使用するマスクの形状をコーナー部溝１０９ａにおいて樹脂受溝１０９の他の部分よりも幅が広くなるようにしておけばよい。コーナー部溝１０９ａの形状を第２の実施形態の場合と同様に面取り形状とする又は第３の実施形態の場合と同様に曲線によって構成する等としても良いが、これらの場合にも、それぞれ形成しようとする形状に応じてエッチングマスクの形状を設定することによって容易に実現できる。
【０１３９】
次に、内部リード１０４の少なくとも一部の領域にメッキを施す。具体的には、内部リード１０４には金属細線が接続され、ダイパッド１０１に搭載される半導体素子と電気的に接続されるが、少なくとも、内部リード１０４の内のこのように金属細線の接続される領域にメッキを施す。
【０１４０】
メッキの種類としては、Ａｇメッキ又はＰｄメッキを用いる。Ｐｄメッキを用いる場合、Ｐｄメッキを施す前に、下地としてＮｉメッキを行なってバリアメタルを形成することにより、Ｐｄメッキに対してリードフレーム２００の素材に含まれるＣｕが拡散するのを防ぐことができる。
【０１４１】
また、前記のＰｄメッキを施した後に、更にＡｕメッキを施すと、半導体装置とプリント基板等に実装する際の半田濡れ性を良好にすることができる。
【０１４２】
尚、この工程の終了した時点においては、リードフレーム２００は、素材であったＣｕ合金製薄板から突出する部分のない平面的な形状を有している。
【０１４３】
次に、支持リード１０３をダイパッド１０１に近い位置（支持リード１０３を区切るように２カ所に入れた線によって示されている）において屈曲し、ダイパッド１０１を露出面１０１ａの側に突出させる。このことを、ダウンセットするという。ダウンセットする量（突出する距離）は、樹脂封止を行なう際に露出面１０１ａを封止金型に押し付けることができるように、封止金型の下型の深さよりも若干大きな値とする。例えば、封止金型の下型の深さが０．４ｍｍである場合に、ダウンセットする量は０．４７ｍｍ程度とする。
【０１４４】
次に、ダイパッド１０１の外周端に接続された埋没部１１０を、孔１１１上を通る位置において露出面１０１ａと反対側に折り曲げる。これによって、露出面１０１ａを封止金型に押し付けて樹脂封止を行なうことにより、埋没部１１０は樹脂封止体１０７内に埋め込まれる。この結果、ダイパッド１０１と樹脂封止体１０７との密着性が向上するため、半導体装置の耐湿性が改善される。
【０１４５】
また、ダイパッド１０１と埋没部１１０とに跨る位置に孔１１１が形成されていることから、樹脂封止体１０７の内部に蓄積された水分が半導体装置を実装する際に蒸気化されたとしても、半導体装置の外に容易に逃がすことができる。このため、蒸気の圧力によってダイパッド１０１が膨らむなどの変形を起こすことを回避できる。この結果、半導体装置の実装性が向上する。
【０１４６】
以上の工程により、本実施形態の半導体装置に用いるリードフレーム２００を製造することができる。
【０１４７】
次に、以上に説明したリードフレーム２００を用いて半導体装置を製造する方法について、図面を参照して説明する。
【０１４８】
図１０は、ダイボンディング工程の前工程、図１１はダイボンディング工程をそれぞれ説明する工程断面図である。以下、ダイボンディング工程を説明する。
【０１４９】
まず、図１０に示すように、ステージ２０１にリードフレーム２００を設置し、リードフレーム２００有するダイパッド１０１上に、ディスペンサ２０２等を用いて接着剤１０８を塗布する。接着剤１０８は、一例としては、熱硬化性のエポキシ樹脂にＡｇ粉を混合した銀ペーストを含むものが使用できる。
【０１５０】
次に、図１２に示すように、接着剤１０８を塗布したダイパッド１０１上に、コレット２０３を用いて半導体素子１０２を搭載する。次に、ヒートステージ（図示省略）上において加熱することにより、接着剤１０８を硬化させる。
【０１５１】
ここで、半導体素子１０２は、例えば厚さ０．２〜０．４ｍｍ程度のシリコン単結晶として形成されている。また、接着剤１０８を硬化させるための条件は、例えば２００〜２５０℃において３０〜６０秒の加熱を行なう等である。
【０１５２】
続いて、図１２は、ワイヤーボンディング工程を説明する工程断面図であり、垂直に切り開いた様子を示している。以下、ワイヤーボンディング工程を説明する。
【０１５３】
半導体素子１０２を搭載されたリードフレーム２００がワイヤーボンディング装置のヒートステージ２０４に設置する。ここで、図示は省略しているが、ヒートステージ２０４には真空孔が設けられており、ダイパッド１０１を吸引して固定することができる。また、リードフレーム２００におけるワイヤーボンディングを行なう領域の外縁部を、固定治具２０５を用いて固定する。
【０１５４】
このようにリードフレーム２００を固定した状態において、半導体素子１０２上に設けられている金属細線１０６を接続する部分であるボンディングパッド２０６と、内部リード１０４とを金属細線１０６によって電気的に接続する。このようにしてワイヤーボンディングが実施される。ここで、金属細線１０６には、例えば直径２０〜３５μｍのＡｕワイヤーを用いる。
【０１５５】
続いて、図１３は、樹脂封止工程を説明する工程断面図であり、トランスファ成形装置にワイヤーボンディング工程まで終了したリードフレーム２００を設置した様子を垂直に切り開いて示している。
【０１５６】
まず、以下に、トランスファ成形装置の構成を説明する。
【０１５７】
図１３に示すように、トランスファ成形装置には、上型２０７ａと下型２０７ｂとからなる一対の封止金型２０７が備えられている。図示は省略するが、上型２０７ａと下型２０７ｂとはシリンダ装置によって型締めされる。
【０１５８】
上型２０７ａと下型２０７ｂとを組み合わせると、上型キャビティ２０８ａと下型キャビティ２０８ｂとによってキャビティ２０８が形成される。
【０１５９】
上型２０７ａには封止樹脂を供給するためのポット２０９が設けられ、ポット２０９には、シリンダ装置（図示せず）によって進退され且つ成形樹脂を送り込むためのプランジャー２１０が挿入されている。下型２０７ｂのポット２０９と対向する位置にはカル部２１１が配置され、更に、ポット２０９からキャビティ２０８まで封止樹脂を供給するための通路としてランナー部２１２が設けられている。更に詳しくは、ランナー部２１２はポット２０９とは反対側の端において下型キャビティ２０８ｂと接続されており、その接続部はゲート２１３となっている。
【０１６０】
また、下型２０７ｂにおける上型２０７ａとの合わせ面には、ワイヤーボンディング工程まで終了したリードフレーム２００の厚みを逃がすように、逃がし部２１４が形成されている。逃がし部２１４は、リードフレーム２００よりも若干大きい平面形状と、リードフレーム２００よりも若干小さい厚さを有している。
【０１６１】
尚、図１３においてはキャビティ２０８ひとつに相当する部分のみ図示しているが、通常は、トランスファ成形装置には複数のキャビティを備えた封止金型２０７が用いられる等により、同時に複数の樹脂封止体１０７を形成することができるようになっている。
【０１６２】
以上のような構成のトランスファ成形装置を用いて、樹脂封止工程は以下のようにして行なわれる。
【０１６３】
まず、トランスファ成形装置の上型２０７ａ及び下型２０７ｂを例えば１８０℃程度に加熱し、逃がし部２１４によりリードフレーム２００を装着して封止金型を型締めする。
【０１６４】
次に、例えば円錐形に打錠された樹脂をポット２０９から供給する。更に、プランジャー２１０を用いて圧力を加えることにより、カル部２１１、ランナー部２１２及びゲート２１３を順に通してキャビティ２０８に樹脂を注入する。
【０１６５】
この後、樹脂が熱硬化されて樹脂封止体１０７が形成されると、上型２０７ａ及び下型２０７ｂは型開きされる。更に、エジェクタ・ピン（図示省略）によって樹脂封止体１０７が離型され、樹脂封止形成されたリードフレーム２００はトランスファ成形装置から外される。
【０１６６】
このようにして、樹脂封止体１０７の内部には、ダイパッド１０１、半導体素子１０２、支持リード１０３、内部リード１０４及び金属細線１０６等が樹脂封止される。
【０１６７】
この際、ダイパッド１０１は下型２０７ｂの深さよりも若干大きくダウンセットされている（図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば外枠１１４の面から露出面１０１ａ側に突出されている）ため、リードフレーム２００を封止金型２０７にセットして型締めすると、露出面１０１ａが下型２０７ｂの底面に押し付けられる。このようにして樹脂を注入するため、露出面１０１ａと下型２０７ｂとの間に樹脂が浸入するのを抑制し、露出面１０１ａが樹脂封止体１０７から露出するように樹脂封止を行なうことができる。
【０１６８】
但し、露出面１０１ａと下型２０７ｂとの間に、少量の樹脂は浸入する。これが樹脂薄バリの形成される原因である。
【０１６９】
図１４に、露出面１０１ａ上に形成される樹脂薄バリを説明する背面図を示す。これは、図９（ａ）に示したリードフレーム２００を用いて図８（ｃ）に示した半導体装置を製造するための樹脂封止工程を終えた状態を示す図であるから、図９（ａ）及び図８（ｃ）と同じ構成要素については図１４において同じ符号を付すことによって詳しい説明は省略する。
【０１７０】
図１４には、露出面１０１ａにおける樹脂受溝１０９の外側に樹脂薄バリ２１５が形成されている様子を示している。露出面１０１ａの外周端から浸入する樹脂は樹脂受溝１０９によって受け止められ、樹脂受溝１０９の内側には浸入してない。特に、露出面１０１ａのコーナー付近においては浸入する樹脂の量が多いが、コーナー部溝１０９ａは他の部分よりも幅が広いコーナー部溝１０９ａとなっているために容量が大きいことにより、樹脂受溝１０９よりも内側に樹脂が浸入することは防がれている。
【０１７１】
この後、外部リード１０５を半田メッキ等によって外装する（図示省略）。但し、外部リード１０５にＰｄメッキが施されている場合には、このような半田メッキ等による外装は不要である。
【０１７２】
続いて、切断装置（図示省略）を用いて、ダムバー１１２を切断する。ダムバー１１２切断後の様子を図１５に示す。但し、図１４がダイパッド１０１の露出面１０１ａの側から見た裏面図であるのに対し、図１５は、その反対側から見た平面図である。
【０１７３】
更に、リード成形装置（図示省略）を用いて、外部リード１０５の先端と内枠１１３又は外枠１１４との接合部分を切断してリードフレーム２００から半導体装置と切り離すと共に、外部リード１０５をガルウイング形状に屈曲形成する。
【０１７４】
以上のようにして、図７及び図８（ａ）〜（ｃ）に示した第６の実施形態に係る半導体装置が製造される。
【０１７５】
尚、第１〜第５の実施形態に係る半導体装置についても、同様の工程によって製造することができる。但し、第１〜第５の実施形態に係る半導体装置には埋没部１１０及び孔１１１は設けられていないから、リードフレームを形成する際にこれらの部分を形成することはなく、また、埋没部１１０を折り曲げる工程も行なわない。
【０１７６】
また、以上の説明において、露出面１０１ａは樹脂封止体１０７から方形状に露出しているとしているが、これに限らず、露出面１０１ａの露出形状が他の形であった場合にも本発明の効果を得ることはできる。そのためには、ダイパッドと支持リードとが接続している位置の近傍における樹脂受溝の幅が、他の部分における樹脂受溝の幅よりも広くなっているようにすればよい。このようにすると、露出面に対する樹脂薄バリの浸入が発生しやすい支持リードとの接続部分付近において、樹脂受溝の容量が大きくなるため、封止樹脂を確実に受け止めて溝より内側に樹脂薄バリが浸入するのを防ぐことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１７７】
本発明の半導体装置は、放熱性を劣化させることなくダイパッドの露出面における樹脂薄バリの形成を抑止するため耐湿性及び実装信頼性の向上とコストダウンとを実現しており、例えば情報通信機器又は家電機器等にも用いられる半導体装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１７８】
【図１】本発明の第１〜第５の実施形態に係る半導体装置に共通した概略構成を示す平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示し、（ａ）は図１におけるa-a'線による断面図、（ｂ）は図１のb-b'線による断面図、（ｃ）は背面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示し、（ａ）は図１におけるa-a'線による断面図、（ｂ）は図１のb-b'線による断面図、（ｃ）は背面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示し、（ａ）は図１におけるa-a'線による断面図、（ｂ）は図１のb-b'線による断面図、（ｃ）は背面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示し、（ａ）は図１におけるa-a'線による断面図、（ｂ）は図１のb-b'線による断面図、（ｃ）は背面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示し、（ａ）は図１におけるa-a'線による断面図、（ｂ）は図１のb-b'線による断面図、（ｃ）は背面図である。
【図７】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示し、（ａ）は図７におけるVIIIa-VIIIa'線による断面図、（ｂ）は図１のVIIIb-VIIIb'線による断面図、（ｃ）は背面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第７の実施形態に係るリードフレームの概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるXIb-XIb'線による断面図である。
【図１０】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイボンディング工程の前工程を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダイボンディング工程を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるワイヤーボンディング工程を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂封止工程を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法における樹脂封止工程の後に、樹脂薄バリが生じている様子を示す背面図である。
【図１５】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダムバーの切断工程後の様子を示す平面図である。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は、従来例の半導体装置の概略的な構成を示す図であり、（ａ）は（ｂ）におけるXVIa-XVIa'線による断面図、（ｂ）は背面図である。
【符号の説明】
【０１７９】
１０１      ダイパッド
１０１ａ    露出面
１０１ｂ    外周端面
１０１ｃ    突起部
１０２      半導体素子
１０３      支持リード
１０４      内部リード
１０５      外部リード
１０６      金属細線
１０７      樹脂封止体
１０８      接着剤
１０９      樹脂受溝
１０９ａ    コーナー部溝
１０９ｘ    第１の溝
１０９ｙ    第２の溝
１１０      埋没部
１１１      孔
１１２      ダムバー
１１３      内枠
１１４      外枠
１１５      ガイド孔
２００      リードフレーム
２０１      ステージ
２０２      ディスペンサ
２０３      コレット
２０４      ヒートステージ
２０５      固定治具
２０６      ボンディングパッド
２０７      封止金型
２０７ａ    上型
２０７ｂ    下型
２０８      キャビティ
２０８ａ    上型キャビティ
２０８ｂ    下型キャビティ
２０９      ポット
２１０      プランジャー
２１１      カル部
２１２      ライナー部
２１３      ゲート
２１４      逃がし部
２１５      樹脂薄バリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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