(57)【要約】      （修正有）【課題】二端子素子を適用したＩＰＳ方式の液晶装置において、表示品位の低下を防止する。【解決手段】液晶表示装置は、データ線、走査線、ＴＦＤ素子、画素電極等を有する素子基板とカラーフィルタ基板間に液晶が封入されてなる。データ線は、サブ画素領域内に櫛歯形状を有する電極部と、相隣接する電極部同士を繋ぐ直線状の本線部を有する。複数の導電部は、それらが並列に接続された配線構成になっている。各電極の間には、画素電極の要素である略ストライプ状の第１乃至第３の透明電極部が形成されている。走査線はＴＦＤ素子に、ＴＦＤ素子は第１乃至第３の透明電極部に夫々電気的に接続されており、各導電部と各透明電極部の間で素子基板と略平行な方向に横電界Ｅが生じて液晶分子の配向が制御される。特に、データ線の電極部が並列接続された回路を構成しているので、配線抵抗を低減でき、横クロストークの発生を防止し、表示品位の低下を防止できる。【選択図】    図４
2006195404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の電極と、
前記第１の電極に接続された二端子素子と、
前記二端子素子に接続された画素電極と、
前記複数の第１の電極と交差し、前記画素電極との間で電界を発生させる複数の第２の電極と、を備え、
前記第２の電極は当該第２の電極から分岐した複数の電極部を有していると共に、前記画素電極は前記複数の電極部間に設けられ、
前記複数の電極部は、並列に接続された回路を形成していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
複数の第１の電極と、
相隣接する前記第１の電極の間に配置された画素電極と、
前記複数の第１の電極と交差し、前記画素電極との間で電界を発生させる複数の第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との交差位置に対応して設けられ前記第１の電極、前記第２の電極及び前記画素電極に接続された三端子素子と、を備え、
前記第２の電極は当該第２の電極から分岐した複数の電極部を有すると共に、前記画素電極は前記複数の電極部間に設けられ、
前記複数の電極部は、並列に接続された回路を形成していることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記電極部は、平面視したときに相互に間隙を隔てて配置されてなる直線状の複数の導電部を有すると共に、前記画素電極は複数の透明導電部を有し、
前記透明導電部の各々は、複数の前記間隙内において前記導電部の各々と略平行に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２の電極はタンタル又はタンタルを主成分とする材料にて形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記電極部は、画素領域内に複数の他の導電部を有し、
前記複数の導電部と前記複数の他の導電部は相対的に略直交しており、
前記第１の電極と対向する前記複数の導電部の一端側及び当該一端側に対向する前記複数の導電部の他端側は、各々前記複数の他の導電部に電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記二端子素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の一部及び前記第１金属膜近傍の前記他の導電部上の一部に対応する位置に形成された第２金属膜とを有し、
当該他の導電部上には絶縁膜が形成されており、前記第２金属膜の一部分は、当該絶縁膜を介して前記他の導電部に対向していることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記透明導電部の各々は、画素領域内において前記第２金属膜の一部上から当該第２金属膜が形成されていない前記他の導電部に対応する位置近傍まで延在していることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式などの液晶装置は、一対の基板間に液晶を封入し、各基板に設けられた透明電極により基板に垂直な方向に電界を印加することにより、液晶分子の配向を制御する。これに対し、近年では、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする方式が知られている。この方式は、横電界方式、ＩＰＳ（In−Plane Switching）方式などと呼ばれ、視角特性に優れていることから最近注目されている。
【０００３】
この種のＩＰＳ方式の液晶装置として、例えば、一対の基板のうち一方の基板には櫛歯状の画素電極と櫛歯状の共通電極とが互いに噛み合うように配置され、他方の対向基板には電極が形成されることなく、両基板間に液晶が封入されてなる液晶装置が知られている（例えば、特許文献１乃至５を参照）。また、これらの特許文献に示される液晶装置では、スイッチング素子として三端子スイッチング素子、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用い、そのＴＦＴ素子はゲート線上に設けられている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２３１７１号公報
【特許文献２】特開２００１−３３０８４９号公報
【特許文献３】特開２０００−２７５６６４号公報
【特許文献４】特開平１０−２２１７０５号公報
【特許文献５】特開平９−２６９４９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の液晶装置では、櫛歯状の画素電極との間で横電界を発生させる共通電極を櫛歯状の形状に形成しているため、当該共通電極の全体の配線抵抗が高くなり、表示品位が低下する虞がある。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、画素電極との間で横電界を発生させる電極の構造を工夫することにより当該電極の抵抗を低減し、表示品位が低下するのを防止することが可能な、二端子素子等を用いたＩＰＳ方式の液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、複数の第１の電極と、前記第１の電極に接続された二端子素子と、前記二端子素子に接続された画素電極と、前記複数の第１の電極と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる複数の第２の電極と、を備え、前記第２の電極は当該第２の電極から分岐した複数の電極部を有していると共に、前記画素電極は前記複数の電極部間に設けられ、前記複数の電極部は、並列に接続された回路を形成している。
【０００８】
上記の液晶装置は、複数の第１の電極と、その第１の電極に接続されたＴＦＤ素子などの二端子素子と、その二端子素子に接続された画素電極と、複数の第１の電極と交差し、画素電極との間で電界（横電界）を発生させる複数の第２の電極と、を備えて構成される。そして、この液晶装置では、第２の電極は、当該第２の電極から分岐した複数の電極部を有していると共に、画素電極は複数の電極部間に設けられている。このため、この液晶装置では、液晶の駆動時、電極部と画素電極との間に横電界が生じて液晶の配向が制御される。つまり、これにより、二端子素子を適用した横電界方式或いはＩＰＳ方式の液晶装置を構成することができる。好適な例では、第１の電極は走査線又はデータ線とすることができると共に、それに応じて第２の電極はデータ線又は走査線とすることができる。
【０００９】
ところで、このような液晶装置では、第２の電極の配線抵抗が高くなると、当該第２の電極と液晶による時定数（コンデンサＣと抵抗Ｒの積）が高くなり、いわゆる横クロストークが生じて表示品位が低下する虞がある。ここで、横クロストークとは、画素レベルが特定の階調に集中したラインと、そうでないラインとにおいて、同一階調を表示しているにも拘わらず、表示画像上では表示レベルが異なってしまうことをいう。
【００１０】
したがって、このような表示欠陥が生じるのを防止するためには、上記の時定数ＣＲを小さくする必要があり、そのためには第２の電極の配線抵抗を小さくする必要がある。
【００１１】
この点、この液晶装置では、特に、複数の電極部が、並列に接続された回路を形成している。これにより、第２の電極の全体の配線抵抗を下げることができる。その結果、いわゆる横クロストークが生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００１２】
本発明の他の観点では、液晶装置は、複数の第１の電極と、相隣接する前記第１の電極の間に配置された画素電極と、前記複数の第１の電極と交差し、前記画素電極との間で電界を発生させる複数の第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との交差位置に対応して設けられ前記第１の電極、前記第２の電極及び前記画素電極に接続された三端子素子と、を備え、前記第２の電極は当該第２の電極から分岐した複数の電極部を有すると共に、前記画素電極は前記複数の電極部間に設けられ、前記複数の電極部は、並列に接続された回路を形成している。
【００１３】
上記の液晶装置は、複数の第１の電極と、相隣接する第１の電極の間に配置された画素電極と、複数の第１の電極と交差し、画素電極との間で電界（横電界）を発生させる複数の第２の電極と、第１の電極と第２の電極との交差位置に対応して設けられ第１の電極、第２の電極及び画素電極に接続されたＴＦＴ素子などの三端子素子と、を備えて構成される。そして、この液晶装置では、第２の電極は、当該第２の電極から分岐した複数の電極部を有していると共に、画素電極は複数の電極部間に設けられている。このため、この液晶装置では、液晶の駆動時、電極部と画素電極との間に横電界が生じて液晶の配向が制御される。つまり、これにより、三端子素子を適用した横電界方式或いはＩＰＳ方式の液晶装置を構成することができる。好適な例では、第１の電極は走査線又はデータ線とすることができると共に、それに応じて第２の電極はデータ線又は走査線とすることができる。
【００１４】
特に、この液晶装置では、複数の電極部を、並列に接続された回路となるように形成している。これにより、第２の電極の全体の配線抵抗を下げることができる。その結果、いわゆる横クロストークが生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００１５】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記電極部は、平面視したときに相互に間隙を隔てて配置されてなる直線状の複数の導電部を有すると共に、前記画素電極は複数の透明導電部を有し、前記透明導電部の各々は、複数の前記間隙内において前記導電部の各々と略平行に配置されている。
【００１６】
この態様によれば、電極部は、平面視したときに相互に間隙を隔てて配置されてなる直線状の複数の導電部を有している。また、画素電極は複数の透明導電部を有している。そして、その透明導電部の各々は、複数の間隙内において、導電部の各々と略平行に配置されている。これにより、この液晶装置の駆動時、各導電部と、対応する各透明電極部の間で横電界が生じ液晶の配向を制御することができる。
【００１７】
上記の液晶装置の他の態様では、前記第２の電極はタンタル又はタンタルを主成分とする材料にて形成されている。
【００１８】
この態様によれば、第２の電極を高抵抗化材料であるタンタル等にて形成したような場合でも、当該第２の電極の配線抵抗を低減できる。
【００１９】
上記の液晶装置の他の態様では、前記電極部は、画素領域内に複数の他の導電部を有し、前記複数の導電部と前記複数の他の導電部は相対的に略直交しており、前記第１の電極と対向する前記複数の導電部の一端側及び当該一端側に対向する前記複数の導電部の他端側は、各々前記複数の他の導電部に電気的に接続されている。
【００２０】
この態様では、電極部は、画素領域内に複数の他の導電部を有している。そして、複数の導電部と複数の他の導電部は相対的に略直交しており、第１の電極と対向する複数の導電部の一端側及び当該一端側に対向する複数の導電部の他端側は、各々複数の他の導電部に電気的に接続されている。このため、この電極部は、複数の導電部（抵抗体）の各々を並列に接続した回路を形成している。その結果、例えば、１つの導電部の抵抗をＲ１とし、且つ、その複数の導電部の設定数をＮにした場合、この態様では、電極部の抵抗は、Ｒ１を（１／Ｎ）倍した大きさ、即ち（Ｒ１）／Ｎとなる。このため、第２の電極は、全体として、（Ｒ１）／Ｎの抵抗体を複数直列に接続した配線構成となる。よって、タンタルなどによって第２の電極を形成したような場合でも、当該第２の電極の配線抵抗を低減することができる。
【００２１】
上記の液晶装置の他の態様では、前記二端子素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上の一部及び前記第１金属膜近傍の前記他の導電部上の一部に対応する位置に形成された第２金属膜とを有し、少なくとも当該他の導電部上には絶縁膜が形成されており、前記第２金属膜の一部分は、当該絶縁膜を介して前記他の導電部に対向している。
【００２２】
この態様によれば、二端子素子は、例えばタンタルなどからなる第１金属膜と、その第１金属膜上に形成され、例えば酸化タンタルなどからなる絶縁膜と、その絶縁膜上の一部及びその第１金属膜近傍の他の導電部上の一部に対応する位置に形成され、例えばクロムなどからなる第２金属膜とを有している。そして、少なくとも他の導電部上には絶縁膜が形成されており、その第２金属膜の一部分は、当該絶縁膜を介して他の導電部に対向している。これにより、第２金属膜の一部分と他の導電部の間には、絶縁膜を誘電体とする補助容量が形成される。よって、この液晶装置では、画素電極の容量に補助容量が付加されるので、その分、画素電極の容量を実質的に大きくすることができ、表示品位が低下するのを防止できる。
【００２３】
好適な例では、前記透明導電部の各々は、前記画素領域内において前記第２金属膜の一部上から当該第２金属膜が形成されていない前記他の導電部に対応する位置近傍まで延在するように形成されている。これにより、第１の電極側から、二端子素子を介して透明電極部の各々に所定電位を印加することができ、当該透明電極部の各々と、導電部の各々との間に横電界を発生させることができる。
【００２４】
また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。
【００２６】
[液晶表示装置の構成]
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置である。また、この液晶表示装置１００は、電極が形成された基板側において、当該基板面に略平行な方向に電界を発生させて液晶分子の配向を制御する、ＩＰＳ方式などのいわゆる横電界方式の液晶表示装置である。このため、この液晶表示装置１００では高い視野角を得ることが可能となっている。さらに、この液晶表示装置１００は、バックライトなどの照明装置を用いた透過型の液晶表示装置でもある。
【００２７】
図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなすデータ線３２の要素である電極部３２ｘを通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。
【００２８】
まず、図２を参照して、液晶表示装置１００の断面構成について説明する。そして、その後、素子基板９１の電極及び配線の構成について説明する。本実施形態では、素子基板９１が電極及び配線を有する基板を構成している。
【００２９】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、その内部に、例えばホモジニアス配列された液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。また、この液晶表示装置１００では、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２の間に図示しないスペーサが封入されており、このスペーサにより両基板が一定の間隔に規定されている。
【００３０】
下側基板１の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、データ線３２の要素である、第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄなどを含む１つの電極部３２ｘが形成されている。第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂ、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃ、及び第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄは、それぞれ一定の間隔をおいて下側基板１の内面上に配置されている。電極部３２ｘを含むデータ線３２はタンタル等にて形成されている。なお、データ線３２の表面上には絶縁膜が形成されているが、図２では、便宜上、その絶縁膜の図示は省略している。各サブ画素領域ＳＧの隅の位置付近に対応する下側基板１の内面上には、二端子素子の一例としてのＴＦＤ素子２１が形成されている。また、下側基板１の内面上において、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、及び第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には、それぞれ画素電極１０の要素である第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃが形成されている。第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃにより、１つの画素電極１０が構成される。また、下側基板１の内面上の左右周縁部には走査線３１（「配線」又は「引き回し配線」とも称される）が形成されている。走査線３１はクロムにて形成されている。下側基板１、データ線３２、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０及び走査線３１の内面上には、配向膜１７が形成されている。
【００３１】
一方、上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。そして、着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂは、それぞれサブ画素領域ＳＧ内の電極部３２ｘ及び画素電極１０に対向している。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素領域Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を特定する場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を特定する場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００３２】
また、各サブ画素領域ＳＧの間に対応する上側基板２の内面上には、隣接するサブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素領域ＳＧから他方のサブ画素領域ＳＧへの光の混入を防止するため黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが好ましい。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。
【００３３】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有している。
【００３４】
下側基板１の外面上には、偏光板１４が配置されている一方、上側基板２の外面上には、偏光板１２が配置されている。また、偏光板１４の下側には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００３５】
さて、本実施形態の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図２に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００３６】
（素子基板の電極及び配線構成）
次に、図１及び図３を参照して、本実施形態の素子基板９１の電極及び配線の構成について説明する。図３は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。また、図３において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００３７】
図１において、紙面縦方向に適宜の間隔をおいて相隣接する走査線３１ｂの間の領域と、紙面縦方向に延在するデータ線３２とが交差する付近の領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図３において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００３８】
素子基板９１は、ＴＦＤ素子２１、複数の画素電極１０、複数の走査線３１、複数のデータ線３２、ＹドライバＩＣ３３、ＸドライバＩＣ３４、及び複数の外部接続用端子３５などを備えている。
【００３９】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図３において、素子基板９１の張り出し領域３６側の辺９１ａから反対側の辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、辺９１ｄから辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００４０】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００４１】
ＹドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線３１に接続されている。ＹドライバＩＣ３３は、複数の走査線３１の駆動を担う。すなわち、ＹドライバＩＣ３３によって、１垂直走査期間において走査線３１が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された走査線３１には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の走査線３１には、非選択電圧の走査信号が供給される。
【００４２】
ＸドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に接続されている。ＸドライバＩＣ３４は、複数のデータ線３２の駆動を担う。すなわち、ＸドライバＩＣ３４は、ＹドライバＩＣ３３により選択された走査線３１に対応する画素電極１０に対し、表示内容に応じたデータ信号を、それぞれ対応するデータ線３２を介して供給するものである。
【００４３】
複数のデータ線３２は、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に形成されていると共に、各データ線３２は一定の間隔をおいて形成されている。各データ線３２は、サブ画素領域ＳＧ毎に１つの電極部３２ｘを有している。
【００４４】
複数の走査線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に形成されている。一方、各折れ曲がり部分３１ｂは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に額縁領域３８から有効表示領域Ｖ内にかけて形成されている。また、各折れ曲がり部分３１ｂは、適宜の間隔をおいて、対応する各ＴＦＤ素子２１に電気的に接続されており、各ＴＦＤ素子２１は、対応する各画素電極１０に電気的に接続されている。そして、以上に述べた素子基板９１と、カラーフィルタ基板９２とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。
【００４５】
かかる液晶表示装置１００では、ＹドライバＩＣ３３から複数の走査線３１に走査信号が、ＸドライバＩＣ３４から複数のデータ線３２にデータ信号が夫々出力されると、図２に示すように、当該データ線３２の電極部３２ｘと画素電極１０の間で、素子基板９１の基板面に略平行な方向に横電界Ｅが生じて、液晶分子の配向が制御され表示状態が制御される。
【００４６】
（素子基板の構成）
次に、図４乃至図６を参照して、本発明の特徴をなすデータ線３２を含む素子基板９１の構成について説明する。図４（ａ）は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときの１画素分に対応する複数の電極部３２ｘ等を拡大して示す部分平面図である。図４（ａ）において、データ線３２等の表面上には絶縁膜３２３が形成されているが、便宜上、その図示は省略している。また、図４（ａ）において、一点鎖線にて囲まれる領域は、１つのサブ画素領域ＳＧを示している。図４（ｂ）は、１つの電極部３２ｘ等に対応する等価回路を示している。なお、本発明の液晶表示装置１００は高精細パネルであるため、図４（ｂ）の等価回路では、電極部３２ｘの要素である本線部３２ｙ並びに第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆの抵抗は無視し、同じく電極部３２ｘの要素である第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの抵抗は等しいものとしている（後述の図７も略同様）。図５は、図４（ａ）における切断線Ｂ−Ｂ’に沿った部分断面図である。図６は、図４（ａ）における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図であり、特にＴＦＤ素子２１付近の部分断面図である。
【００４７】
下側基板１上には、複数のデータ線３２、複数の走査線３１、複数のＴＦＤ素子２１、複数の画素電極１０、及び補助電極部３３６ａが形成されている。なお、補助電極部３３６ａは、ＴＦＤ素子２１の要素である第２金属膜３３６の一部分（破線領域に囲まれる部分に相当）を用いて構成される。なお、以下では、上記において説明した要素及び構成等は省略又は簡略化して説明する。
【００４８】
各データ線３２は、図４（ａ）に示すように、Ｙ方向に延在している。各データ線３２上には、図示しない絶縁膜３２３が形成されている（なお、図５では、各電極部３２ｘ上にこの絶縁膜３２３が形成されている様子が示されている）。この絶縁膜３２３は、約１５００Å〜２０００Å程度の厚さに形成されている。各データ線３２は、図４（ａ）に示すように、サブ画素領域ＳＧ内に１つの電極部３２ｘと、Ｙ方向に相隣接する電極部３２ｘ同士を接続する、直線状の本線部３２ｙとを備えている。即ち、各データ線３２は、相隣接する複数の電極部３２ｘを本線部３２ｙによって接続した構造を有している。各電極部３２ｘは、Ｙ方向に延在する略ストライプ状の第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄと、Ｘ方向に延在する第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆとを更に備えている。ここで、第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆは、夫々破線にて囲まれる領域である。第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には、夫々間隙４０が形成されている。
【００４９】
ここで、図４（ａ）に示す１つの電極部３２ｘｘに着目した場合、当該電極部３２ｘｘの下側に位置する本線部３２ｙの一端側は、当該電極部３２ｘｘの紙面下側に位置する他の電極部３２ｘの第６導電部３２ｆに繋がっていると共に、当該本線部３２ｙの他端側は当該電極部３２ｘｘの第５導電部３２ｅの一端側に繋がっている。当該第５導電部３２ｅの他端側は、第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの一端側に繋がっていると共に、その各第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの他端側は、第６導電部３２ｆの一端側に繋がっている。当該第６導電部３２ｆの他端側は、当該電極部３２ｘｘの上側に位置する本線部３２ｙの一端側に繋がっていると共に、当該本線部３２ｙの他端側は、電極部３２ｘｘの紙面上側に位置する他の電極部３２ｘの第５導電部３２ｅの一端側に繋がっている。
【００５０】
各走査線３１の要素である各折れ曲がり部分３１ｂは、図４（ａ）に示すように、Ｙ方向に適宜の間隔をおいて、Ｘ方向に延在してなる。そして、相隣接する折れ曲がり部分３１ｂの間には、上記した電極部３２ｘがサブ画素領域ＳＧ毎に形成されている。
【００５１】
各画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧ毎に、第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃを有している。第１透明電極部１０ａは、Ｙ方向に延在するストライプ状の第１部分１０ａｂと、Ｌ字状の第２部分１０ａｃ（Ｌ字状の破線領域に相当する部分）とを有している。第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃは、各々Ｙ方向に延在してなるストライプ状の電極である。
【００５２】
具体的には、第１透明電極部１０ａの第１部分１０ａｂは、下側基板１の内面上において、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間の間隙４０内の略中央に、且つ、第６導電部３２ｆの一辺側から第５導電部３２ｅの一辺側にかけて形成されている。上記したように電極部３２ｘ（電極部３２ｘｘも同様）の要素たる、第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆの表面上には絶縁膜３２３が形成されているため、第１部分１０ａｂと第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。第１透明電極部１０ａの第２部分１０ａｂは、表面に絶縁膜３２３が形成された第５導電部３２ｅの一辺側から第２金属膜３３６上にかけてＬ字状に形成されている。このため、第１透明電極部１０ａは、第２金属膜３３６の一部分である補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。第２透明電極部１０ｂは、下側基板１の内面上において、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間の間隙４０内の略中央に、且つ、第６導電部３２ｆの一辺側から第２金属膜３３６上にかけて形成されている。このため、第２透明電極部１０ｂは、第２金属膜３３６の一部分である補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。なお、第２透明電極部１０ｂと第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆとの間には絶縁膜３２３が介在しているため、第２透明電極部１０ｂと第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。第３透明電極部１０ｃは、下側基板１の内面上において、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間の間隙４０内の略中央に、且つ、第６導電部３２ｆの一辺側から第２金属膜３３６上にかけて形成されている。このため、第３透明電極部１０ｃは、第２金属膜３３６の一部分である補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。なお、第３透明電極部１０ｃと第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆとの間には絶縁膜３２３が介在しているため、第３透明電極部１０ｃと第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。
【００５３】
各ＴＦＤ素子２１は、図４（ａ）に示すように、各サブ画素領域ＳＧの隅の位置近傍に、且つ、その付近に位置する各走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ上に形成されている。換言すれば、各ＴＦＤ素子２１は、データ線３２と折れ曲がり部分３１ｂとの交差する位置近傍に形成されている。
【００５４】
ＴＦＤ素子２１は、図６に示すように、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂにより構成される。第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂは、Ｔａ（タンタル）などからなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成されたＴａ２Ｏ５等からなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６は、走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂが用いられる。一方、後者の第２金属膜３３６の一部分は、補助電極部３３６ａとしても用いられる。
【００５５】
ここで、ＴＦＤ素子２１のうち、第１のＴＦＤ素子２１ａは、走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ側からみると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第２のＴＦＤ素子２１ｂは、走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、第１のＴＦＤ素子２１ａとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２１ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２１ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１は、２つのＴＦＤを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００５６】
また、図６に示すように、補助電極部３３６ａとデータ線３２の第５導電部３２ｅとは絶縁膜３２３を介して対向している。このため、補助電極部３３６ａと第５導電部３２ｅの間には絶縁膜３２３を誘電体とする補助容量Ｃ１が形成される。また、第１透明電極部１０ａの第２部分１０ａｃ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃの各一辺側は補助電極部３３６ａ上に形成されており、上記したように、第１透明電極部１０ａの第２部分１０ａｃ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃは補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【００５７】
以上の構成を有する素子基板９１では、ＹドライバＩＣ３３から出力された走査信号は、図１及び図３に示すように、本線部分３１ａ、折れ曲がり部分３１ｂ、ＴＦＤ素子２１、及び画素電極１０の順に出力されると共に、ＸドライバＩＣ３４から出力されたデータ信号は、図１、図３及び図４等に示すように、本線部３２ｙ、電極部３２ｘ、本線部３２ｙの順に出力される。これにより、図５に示すように、素子基板９１等の基板面と略平行な方向に横電界Ｅが生じ、液晶層４の液晶分子の配向が制御される。
【００５８】
次に、比較例と比較した本発明の液晶表示装置１００の特有の作用効果について説明する。
【００５９】
比較例として、ＴＦＴ素子を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置の一例では、例えば、素子基板上に、ゲート電極とデータ線が略直交するように形成され、これらの交差部にマトリクス状にＴＦＴ素子が配置され、各サブ画素領域内において櫛歯状の画素電極と櫛歯状の共通電極（共通配線）とが互いに噛み合うように配置されている。即ち、かかる液晶表示装置では、ＴＦＴ素子を適用することとしているため、少なくともゲート線、データ線及び共通電極（共通配線）の３つの配線を設ける必要がある。
【００６０】
これに対し、本発明は、二端子素子の一例としてのＴＦＤ素子２１を、ＩＰＳ方式の液晶表示装置１００に適用しており、さらに、データ線３２が、当該データ線３２と画素電極１０の間で横電界Ｅを生じさせる上記櫛歯状の共通電極に相当する機能と、信号線としての機能とを兼ね備えている。このため、本発明の液晶表示装置１００では、上記比較例に係るゲート線に相当する配線が不要であり、データ線３２と走査線３１の２つの配線だけで上記のＩＰＳ方式を実現できる。よって、比較例に比べて、配線数を少なく構成できる分、画素電極１０の面積を大きくすることができ、開口率の向上を図ることができる。
【００６１】
また、本発明の液晶表示装置１００では、上記の構成により画素電極１０の面積を大きくすることができるが、当該画素電極１０は櫛歯状に類似する形状を有しており、その画素電極１０の面積は、それでもサブ画素領域ＳＧの面積と比較すると小さい。ここで、ＴＦＤ素子２１を有する液晶表示装置では、一般に画素電極の容量が小さくなると、それに起因して表示品位が低下する虞がある。この点、本発明では、ＴＦＤ素子２１の要素である第２金属膜３３６の一部分を補助電極部３３６ａとして機能させ、図６に示すように、当該補助電極部３３６ａとデータ線３２の第５導電部３２ｅの間において、絶縁膜３２３を誘電体とする補助容量Ｃ１を形成することとしている。よって、本発明では、画素電極１０の容量に補助容量Ｃ１が付加されるので、その分、画素電極１０の容量を実質的に大きくすることができ、表示品位が低下するのを防止できる。
【００６２】
また、本発明では、各データ線３２をタンタルにて形成している。ここで、タンタルは、一般にクロムに比べて約２０〜３０倍程度のシート抵抗を有し、タンタルの抵抗値は極めて高い。このため、各データ線３２の配線抵抗は高くなっている。その上、本発明では、タンタルにて形成した各データ線３２の表面上をさらに高抵抗化材料である、厚い絶縁膜３２３を形成することにしているので、各データ線３２の配線抵抗はさらに高くなっている。ここで、各データ線３２の配線抵抗が高くなると、当該各データ線３２と液晶層４による時定数（コンデンサＣと抵抗Ｒの積）が高くなり、いわゆる横クロストークが生じて表示品位が低下する虞がある。なお、横クロストークとは、画素レベルが特定の階調に集中したラインと、そうでないラインとにおいて、同一階調を表示しているにも拘わらず、表示画像上では表示レベルが異なってしまうことをいう。
【００６３】
したがって、このような表示欠陥が生じるのを防止するためには、上記の時定数ＣＲを小さくする必要があり、そのためには各データ線３２の配線抵抗を小さくする必要がある。その方法として、例えば、サブ画素領域ＳＧ毎に形成される電極部３２ｘの構造を工夫して、各データ線３２の配線抵抗を小さくする方法が考えられる。
【００６４】
例えば、各データ線３２の電極部３２ｘを、図７（ａ）に示すように、櫛歯状の形状に形成した場合、その配線抵抗の大きさがどうなるか以下に検討する。図７（ａ）は、１つのサブ画素領域ＳＧ内における、櫛歯状の電極部３２ｘ付近を拡大して示す部分平面図である。なお、図７（ａ）では、本発明と同様の要素については同一の符号を付し、その説明は省略すると共に、データ線３２以外の要素についての図示は省略する。図７（ｂ）は、その電極部３２ｘを含む等価回路を示している。
【００６５】
すなわち、この例では、端子Ｚ１から端子Ｚ２までの電極部３２ｘの抵抗は、第２導電部３２ｂの抵抗Ｒ１と等しくなる。よって、１つのデータ線３２に着目した場合、当該データ線３２はサブ画素領域ＳＧ毎に１つの第２導電部３２ｂ（抵抗Ｒ１）を有することになる。このため、この例における当該データ線３２は、全体として、第２導電部３２ｂ（抵抗Ｒ１）を複数直列に接続した配線構成となり、その配線抵抗は極めて高くなることが理解される。
【００６６】
そこで、本発明では、そのような結果を踏まえて、各データ線３２の配線抵抗を低減するために、電極部３２ｘを次のような構成にしている。即ち、本発明の電極部３２ｘは、図４（ａ）に示すように、Ｙ方向に延在する第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの一端側をＸ方向に延在する第５導電部３２ｅに各々接続すると共に、その第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの他端側（一端側と逆側）をＸ方向に延在する第６導電部３２ｆに各々接続するようにしている。このため、本発明の電極部３２ｘは、第１導電部３２ａ（抵抗Ｒ１）、第２導電部３２ｂ（抵抗Ｒ１）、第３導電部３２ｃ（抵抗Ｒ１）及び第４導電部３２ｄ（抵抗Ｒ１）を夫々並列に接続した配線構成になっている。
【００６７】
その結果、本発明では、端子Ｚ１から端子Ｚ２までの電極部３２ｘの抵抗は、Ｒ１を１／４倍した大きさ、即ち（Ｒ１）／４となる。よって、１つのデータ線３２に着目した場合、当該データ線３２はサブ画素領域ＳＧ毎に（Ｒ１）／４の抵抗体を有することになる。このため、当該データ線３２は、全体として、（Ｒ１）／４の抵抗体を複数直列に接続した配線構成となる。よって、本発明では、タンタルによってデータ線３２を形成したような場合でも、さらにその表面上に厚い絶縁膜３２３を形成したような場合でも、各データ線３２の配線抵抗を低減することができる。よって、本発明では、いわゆる横クロストークが生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００６８】
また、本発明では、各ＴＦＤ素子２１を、各サブ画素領域ＳＧの隅の位置近傍に、且つ、その付近の各走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ上に形成することとしている。これにより、ＴＦＤ素子２１の領域を狭くすることができ、その分、開口率の向上を図ることができる。
【００６９】
[液晶表示装置の製造方法]
次に、図８乃至図１１等を参照して、本発明の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。なお、以下では、必要に応じて、上記した適当な図面を参照されたい。図８は、液晶表示装置１００の製造方法のフローチャートを示す。
【００７０】
先ず、図２及び図５に示されるカラーフィルタ基板９２を既知の方法にて作製する（工程Ｓ１）。
【００７１】
次に、素子基板９１を作製する（工程Ｓ２）。図９は、図８における工程Ｓ２に対応する素子基板の製造方法を示すフローチャートである。図１０及び図１１は、図８における工程Ｐ１〜Ｐ１３に夫々対応する部分平面図である。尚、図１０及び図１１において、一点鎖線にて囲まれる領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示している。
【００７２】
素子基板９１の製造方法について説明する。
【００７３】
まず、図１０（ａ）に示すように、ガラスやプラスチック等の材料からなる下側基板１上に、タンタル膜を成膜し（工程Ｐ１）、当該タンタル膜をエッチングにより図示の形状にパターニングする（工程Ｐ２）。これにより、所定形状にパターニングされたタンタル膜３５０が形成される。また、これにより、本線部３２ｙ及び電極部３２ｘ等が形成される。ここで、電極部３２ｘの要素である第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ、第４導電部３２ｄ、第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆは、１つのサブ画素領域ＳＧ内に形成される。また、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には夫々間隙４０が形成される。また、本線部３２ｙはＹ方向に相隣接する電極部３２ｘの間に形成される。
【００７４】
次に、第１回目の陽極酸化を実行する(工程Ｐ３)。具体的には、図１０（ａ）において、陽極酸化法にて、所定形状にパターニングされたタンタル膜３５０上に、Ｔａ２Ｏ５膜よりなる絶縁膜（図示略）を薄膜状に形成する。
【００７５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第１回目のタンタル膜３５０の分離パターニングを実行する（工程Ｐ４）。具体的には、ＴＦＤ素子２１の要素である第１金属膜３２２が形成される予定の領域に存在するタンタル膜３５０を島状に形成する。これにより、表面に絶縁膜が形成された島状の第１金属膜３２２が形成される。
【００７６】
次に、第２回目の陽極酸化を実行する（工程Ｐ５）。具体的には、図１０（ｂ）において、陽極酸化法にて、表面に絶縁膜が形成された、タンタル膜３５０上に、さらに、Ｔａ２Ｏ５膜よりなる絶縁膜を所定の厚さにて形成する。なお、この工程Ｐ５では、表面に絶縁膜が形成された島状の第１金属膜３２２上には、絶縁膜を形成することはしない。これにより、タンタル膜３５０上に絶縁膜３２３が形成される。好適な例では、絶縁膜３２３の厚さは約１５００Å〜２０００Åとすることができる。
【００７７】
次に、図１０（ｂ）において、タンタル膜３５０を被覆している絶縁膜３２３等に対してアニール処理Ａを実行する（工程Ｐ６）。これにより、絶縁膜３２３を緻密な膜にすることができる。
【００７８】
次に、図１０（ｂ）において、第２回目のタンタル膜３５０の分離パターニングを実行する（工程Ｐ７）。これにより、陽極酸化するために使用していた余分なタンタル膜３５０が除去される。これにより、表面に絶縁膜３２３が形成されたデータ線３２が形成される（図示略、図５を参照）。
【００７９】
次に、図１１（ａ）に示すように、下側基板１上、並びに、表面に絶縁膜が形成された第１金属膜３２２及びデータ線３２の上に図示しないクロム膜を成膜し（工程Ｐ８）、続いて、そのクロム膜をパターニングする（工程Ｐ９）。これにより、本線部分３１ａ（図示略、図１及び図３を参照）、及び折れ曲がり部分３１ｂを有する走査線３１が形成される。また、これにより、その走査線３１の一部をなす第２金属膜３１６、及び、第２金属膜３３６の一部分である補助電極部３３６ａが夫々形成され、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂを含むＴＦＤ素子２１が形成される。
【００８０】
次に、画素電極１０を形成する（工程Ｐ１０）。具体的には、図１１（ｂ）に示すように、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間の間隙４０の略中央に対応する下側基板１上に第１透明電極部１０ａの要素となる第１部分１０ａｂを、表面に絶縁膜３２３が形成された第５導電部３２ｅ上及び第２金属膜３３６上に夫々第１透明電極部１０ａの要素となる、Ｌ字状の第２部分１０ａｃを夫々形成する。これにより、第１透明電極部１０ａの第２部分１０ａｃと第２金属膜３３６とが電気的に接続される。また、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間の間隙４０の略中央に対応する下側基板１上及び第２金属膜３３６上等にストライプ状の第２透明電極部１０ｂを形成する。これにより、第２透明電極部１０ｂと第２金属膜３３６とが電気的に接続される。また、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間の間隙４０の略中央に対応する下側基板１上及び第２金属膜３３６上等にストライプ状の第３透明電極部１０ｃを形成する。これにより、第３透明電極部１０ｃと第２金属膜３３６とが電気的に接続される。
【００８１】
次に、図１１（ｂ）において、アニ−ル処理Ｂを実行する（工程Ｐ１１）。アニ−ル処理Ｂ（熱処理Ｂ）は、ＴＦＤ素子２１の特性を仕様で決められた一定の特性にするために行われるものである。次に、図１１（ｂ）において、下側基板１、表面に絶縁膜３２３が形成されたデータ線３２、ＴＦＤ素子２１、走査線３１、及び画素電極１０の上に配向膜１７を形成する（工程Ｐ１２）。次に、その他の構成要素、具体的には、図示しない偏光板１４及びバックライト１５等を取り付ける（工程Ｐ１３）。こうして、図１乃至図３等に示される素子基板９１が製造される。
【００８２】
図８に戻り、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを、図示しないスペーサ及びシール部材３を介して貼り合せ、その両基板間に形成された開口（図示略）より、その内部に液晶を注入して当該開口の封止処理をする（工程Ｓ３）。次に、その他の構成要素を実装することにより、図１及び図２に示される本発明の液晶表示装置１００が製造される。こうして製造された液晶表示装置１００は、上記した本発明の作用効果を得ることができる。
【００８３】
［変形例］
上記の実施形態では、サブ画素領域ＳＧ毎に、画素電極１０と略平行をなす導電部、即ち第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄを設け、且つ、３つの画素電極、即ち第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃを設けた。これらに限らず、本発明では、それらの設定数は設計仕様等に応じて適宜変更することが可能である。
【００８４】
また、上記の実施形態では、画素電極１０を複数の透明電極部、即ち第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃにより構成した。これに限らず、本発明では、画素電極１０を櫛歯状の形状に形成して、当該１つの櫛歯状の画素電極をサブ画素領域ＳＧ毎に形成するように構成しても構わない。
【００８５】
また、上記の実施形態では、データ線３２をタンタルにて形成するようにしたが、これに限らず、本発明では、データ線３２を、タンタルを主成分とする材料、例えばタンタルタングステンなどの材料にて形成してもよい。
【００８６】
また、上記の実施形態では、透過型の液晶表示装置に本発明を適用することとしたが、これに限らず、反射型若しくは半透過反射型の液晶表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００８７】
また、上記の実施形態では、ＴＦＤ素子２１などの二端子素子を本発明に適用することとしたが、これに限らず、ＴＦＴ素子などの三端子素子を本発明に適用しても構わない。
【００８８】
［電子機器］
次に、本発明による液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【００８９】
図１２は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【００９０】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【００９１】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００９２】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図１３を参照して説明する。
【００９３】
まず、本発明に係る液晶表示装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１３（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【００９４】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１３（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【００９５】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図１３（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１３（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の液晶表示装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】図１の切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置の断面図。
【図３】本発明の素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図４】素子基板における１画素分の画素電極等のレイアウトを示す部分平面図及びデータ線の電極部を含む等価回路を示すブロック図。
【図５】図４の切断線Ｂ−Ｂ’に沿った素子基板の部分断面図。
【図６】図５の切断線Ｘ１−Ｘ２に沿ったＴＦＤ素子等の構成を示す拡大断面図
【図７】比較例に係るデータ線の電極部等に対応する部分平面図及び当該電極部を含む等価回路を示すブロック図。
【図８】本発明の液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図９】本発明の素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１０】図９における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１１】図９における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１２】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１３】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【００９７】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ６  着色層、  １０  画素電極、  １７  配向膜、  １８  オーバーコート層、  ２１  ＴＦＤ素子、  ３２  データ線、  ３２ｘ  電極部、  ３２ｙ  本線部、  ３１  走査線、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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