(57)【要約】    【課題】磁気ヘッドの出力は磁気ディスクの環境温度に依存して変化し、特に低温条件では主に磁気記録媒体の保磁力増加によりヘッド出力が大きく減少し、エラーレートが悪化する。    【解決手段】磁気ディスク装置のセンス電流最適化処理は、環境温度を測定する段階(S101,S102)と、磁気ヘッド２３の信頼性の観点から設定されたセンス電流値を上限として、その温度にて最も良好なエラーレート(BER)を示すセンス電流Isを探索する段階(S103〜S108)とを含む。磁気ディスク装置内部にてセンス電流Isの値を変化させながらエラーレートを測定し、最もエラーレート特性が良好になるセンス電流Is_optを選択して新しい設定値とする(S110)。【選択図】図１
2006172638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを記憶する磁気ディスクと、該磁気ディスクに対して少なくともデータの再生を行う磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドと、該磁気ヘッドの環境温度を検出する温度センサと、前記磁気ヘッドの再生信号からエラーレートを測定する制御部とを有し、前記制御部は前記温度センサの出力から環境温度の変化を検出し、エラーレートが最良になるように前記磁気抵抗効果素子のセンス電流を探索して設定することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の信頼性の観点から決まる値であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる値であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記環境温度の変化を検出するタイミングは、電源投入時、前記磁気ヘッドのロード時および特定時間間隔のいずれかであることを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記環境温度の上昇を検出した場合における前記センス電流の探索は、当該環境温度におけるエラーレートを測定し、該エラーレートを初期値とし、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の信頼性の観点から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記初期値のエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものであることを特徴とする請求項２記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記環境温度の上昇を検出した場合における前記センス電流の探索は、当該環境温度におけるエラーレートを測定し、該エラーレートを初期値とし、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記初期値のエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものであることを特徴とする請求項３記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
データを記憶する磁気ディスクと、該磁気ディスクに対して少なくともデータの再生を行う磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドと、該磁気ヘッドの再生信号からエラーレートを測定する制御部とを有し、前記制御部はエラーレートが劣化していることを検出した場合、エラーレートが最良になるように前記磁気抵抗効果素子のセンス電流を探索して設定することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の信頼性の観点から決まる値であることを特徴とする請求項７記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる値であることを特徴とする請求項７記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記エラーレートの劣化を検出した場合における前記センス電流の探索は、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の信頼性から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記劣化したエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものであることを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記エラーレートの劣化を検出した場合における前記センス電流の探索は、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記劣化したエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものであることを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置に係り、特に磁気ヘッドのセンス電流制御機構を有する磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、大容量のデータが記録可能なデバイスとして現在の高度情報化社会においては不可欠であり、データを安定に読み書き（リードライト）できることが要求される。磁気ディスク装置はデータが記録された磁気記録媒体（磁気ディスク）と、データを読み書きする磁気ヘッド及び、磁気ヘッドを動かすボイスコイルモータやその他回路から構成されている。磁気ヘッドはデータを書く（ライトする）ライトヘッドと、磁気ディスクに記録されたデータを読む(リードする)リードヘッドからなっている。リードライト特性を表す一つの指標として、エラーレートがある。これはリードしてきたデータの中にどの程度エラーが含まれているかを表したもので、値が小さいほどエラーが少なくリードライト特性が良好であることを示す。一般に、磁気ディスク装置の信頼性を向上させる技術であるSMART（Self Monitoring analysis and reporting technology）機能の中にエラーレートを測定する機能があり、磁気ディスク装置内でエラーレートを測定することが出来る。
【０００３】
従来、磁気ディスク装置は、ＰＣ関連の用途あるいはＲＡＩＤ等の大規模ストレージシステム向けの用途として用いられるのが常であったが、昨今、新しい用途が広がりつつある。例えばカーナビゲーションシステムに搭載されたり、携帯端末（携帯電話、音楽用端末）に搭載されたりすることが増え、豊富な記録容量とアクセスの早さが重宝されている。このような用途の広がりを反映して、磁気ディスク装置は現在より更に幅広い温度範囲で動作することが求められている。
【０００４】
ここで問題となるのは、特に低温時の磁気ディスク装置のパフォーマンスである。環境温度が低くなると、磁気ディスクの保磁力が大きくなり、同じライト条件では相対的に書きにくくなるため、リードライト特性が劣化してしまうことである。この劣化を防ぐために例えば特許文献１に記載されているように、ライト時におけるオーバーシュート電流を調整してライト条件を最適化し、リードライト特性を改善するアイデアが提案されている。しかし、磁気ディスク装置の記録密度の増加に伴いライトヘッド、リードヘッドのトラック幅が大きく減少しており、出力低下や位置決めの困難さを考慮に入れた場合、ライト系の改善だけで特性を確保するのは容易なことではない。
【０００５】
磁気ディスク装置において、リードヘッドに流すセンス電流は、高温時（例えば７０°Ｃ）において、所望の素子寿命が確保できるような値に設定されている。素子寿命は素子の温度上昇に強く依存している。よって環境温度が低い場合、より大きな素子の温度上昇が許容できるため、センス電流をより大きくできる余地が生じる。この観点から、環境温度変化に伴う特性劣化を、センス電流をコントロールして抑制することは一つの効果的な方法と考えられる。これに関連するアイデアの開示として、例えば特許文献２に記載されているように温度に応じて事前に決められたテーブルに基づいてセンス電流を変化させたり、特許文献３に記載されているように、上記テーブルを用いるか、あるいは事前に決められた素子の抵抗と温度の関数としてセンス電流を制御したりする方式がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−５８５２号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５２１１号公報
【特許文献３】特開２００１−２３１０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
任意の環境温度下で最高のリードライト特性を実現するようなセンス電流設定方式は、上記従来技術だけでは実現できない。まず、単純にセンス電流を増加させただけでは出力も増加するがヘッドノイズも増加してしまうという問題がある。更に、昨今の狭トラックリードヘッドにおいて特に問題になっている点として、リードヘッドの入出力特性の非線形性の増加がある。
【０００８】
本発明の目的は、エラーレートの悪化を最小限に止めることができるとともに、より低温まで安定に動作する磁気ディスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ディスク装置においては、データを記憶する磁気ディスクと、該磁気ディスクに対して少なくともデータの再生を行う磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドと、該磁気ヘッドの環境温度を検出する温度センサと、前記磁気ヘッドの再生信号からエラーレートを測定する制御部とを有し、前記制御部は前記温度センサの出力から環境温度の変化を検出し、エラーレートが最良になるように前記磁気抵抗効果素子のセンス電流を探索して設定することを特徴とする。
【００１０】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の信頼性の観点から決まる値である。
【００１１】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる値にすることもできる。
【００１２】
前記環境温度の変化を検出するタイミングは、電源投入時、前記磁気ヘッドのロード時および特定時間間隔のいずれかである。
【００１３】
前記環境温度の上昇を検出した場合における前記センス電流の探索は、当該環境温度におけるエラーレートを測定し、該エラーレートを初期値とし、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の信頼性の観点から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記初期値のエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものである。
【００１４】
前記環境温度の上昇を検出した場合における前記センス電流の探索は、当該環境温度におけるエラーレートを測定し、該エラーレートを初期値とし、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記初期値のエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものであっても良い。
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ディスク装置においては、データを記憶する磁気ディスクと、該磁気ディスクに対して少なくともデータの再生を行う磁気抵抗効果素子を含む磁気ヘッドと、該磁気ヘッドの再生信号からエラーレートを測定する制御部とを有し、前記制御部はエラーレートが劣化していることを検出した場合、エラーレートが最良になるように前記磁気抵抗効果素子のセンス電流を探索して設定することを特徴とする。
【００１６】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の信頼性の観点から決まる値である。
【００１７】
前記センス電流の上限は、前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる値にすることもできる。
【００１８】
前記エラーレートの劣化を検出した場合における前記センス電流の探索は、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の信頼性から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記劣化したエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものである。
【００１９】
前記エラーレートの劣化を検出した場合における前記センス電流の探索は、センス電流を所定値だけ増加し、該増加したセンス電流が前記磁気抵抗効果素子の寿命の観点から決まる上限値を超えていないことを確認し、確認できたら前記増加したセンス電流を新たなセンス電流として設定し、新たなセンス電流におけるエラーレートを測定し、該エラーレートと前記劣化したエラーレートを比較し、新たなセンス電流におけるエラーレートが小さくなっている場合には当該センス電流を最適値として設定し且つ当該エラーレートを初期値に変更する処理を繰り返し行うものであっても良い。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、磁気ヘッドの寿命を劣化させることなく、エラーレートの悪化を最小限に止めることができるとともに、より低温まで安定に動作する磁気ディスクを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
環境温度とライト電流Iwを変化させたときのエラーレートの変化を測定した実験結果を図４に示す。リードライトテスタのチャンバー内の温度を変えながら、垂直用ヘッドを用いてエラーレートを測定したものである。この結果より、いずれのライト電流Iwの値の場合でも、確かに環境温度が低くなるとエラーレートが劣化していることがわかる。ここで、リードヘッドの入出力応答関係を示すトランスファーカーブの測定結果を図５と図６に示す。トランスファーカーブとはリードヘッドの入力（磁界）と出力（出力電圧）の関係を示したものであり、線形関係であることが望ましい。図５はリードトラック幅が約200nmと広いものもの、図６は約60nmと狭いリードヘッドのトランスファーカーブの実験結果である。
【００２２】
トラック幅が狭いヘッドでは入力磁界が大きいところで出力が飽和しており、線形になっていないことがわかる。リードヘッドに流すセンス電流を大きくするということは、トランスファーカーブの飽和している部分までリードライトに使用することを意味するため、センス電流を過大にすることはこの観点から望ましくない。ここで、数本のヘッドについて、測定されたエラーレートの実験値と、実験より求められたリードヘッドの飽和度(Saturation)の関係をプロットしたものを図７に示す。この結果より、飽和度が大きくなるとエラーレート(BER)は劣化してしまうことがわかる。
【００２３】
環境温度に対し、リードヘッドの信頼性を満足するセンス電流の最大値を、温度７０°Ｃのときの値Is0で規格化して示したものを図８に示す。例えば環境温度３０°Ｃでは、センス電流は約６０％大きく設定する余地があることがわかる。ここで、この許容されるIsの範囲（矢印で示す）でセンス電流を変化させたとき、飽和度が大きいリードヘッドと小さいリードヘッドそれぞれについて、エラーレートがどのように変化するかを図９に示す。飽和度が小さいヘッドはセンス電流が大きければ大きい方がエラーレートが良好になる傾向になる。つまり信頼性の観点での上限値が最適パフォーマンスを実現する点となる。しかし、飽和度が大きいリードヘッドでは、センス電流の上限値付近では逆にエラーレートが劣化してしまうため、最適なセンス電流は信頼性の観点での上限値とは異なり、最適値が存在することになる。このようなセンス電流の最適値を事前にヘッド毎にテーブル化しておくということは非常に難しい。
【００２４】
以下に本発明の第１の実施例について図を用いて説明する。図１に磁気ディスク装置の一連の動作のフローチャートを示す。まず特定のタイミングで環境温度の測定を行う(S101)。ここで、特定のタイミングとは、例えば磁気ディスク装置の電源投入時、もしくは磁気ヘッドを磁気ディスク上にロードしたとき、もしくは特定時間間隔毎等にすることができる。環境温度が変化していない場合(Noのケース)は何も動作を起こさず、引き続き特定のタイミングでの環境温度測定に戻る(S101)。環境温度の変化を感知した場合(Yesのケース)、エラーレートを測定し結果をエラーレートの初期値BER_iniとする(S103)。次にセンス電流を初期値IsからΔIsだけ大きくする(S104)。
【００２５】
実際に新しいセンス電流を設定するにあたっては、このセンス電流値がリードヘッドの信頼性の観点から適切な電流の大きさであるか否か確認することが不可欠である。磁気ディスク上、もしくはメモリ上に保持された該環境温度における信頼性の観点から決められた電流の最大値と、新たなセンス電流設定値を比較する(S105)。新たなセンス電流設定値が所定の上限値より小さかった場合（Yesのケース）、実際にセンス電流を設定する(S106)。センス電流を設定後、再びエラーレートを測定し、測定値BER1を得る(S107)。このBER1とBER_minを比較する(S108)。なお、BER_minの初期値としてBER_iniを用いることができる。BER1の方がBER_minより小さくなった場合(Yesのケース)、この測定時に用いたIsをセンス電流の最適値Is_optとし、エラーレートBER1をBER_minに代入する(S109)。
【００２６】
この後、再びセンス電流設定(S104)に戻り、現在のIsの値から更にΔIsだけセンス電流を増やせるかどうか確認(S105)した後、所定の上限値より小さかった場合は新たなセンス電流を設定しエラーレート測定、という一連の処理を繰り返す。新たなセンス電流設定値が所定の上限値より大きくなった場合(Noのケース)、Is_optの値を新しいセンス電流の設定値として(S110)終了する。
【００２７】
以上のような手順を踏むことで、その環境温度において最もエラーレートが良好になり、かつ信頼性条件もクリアしたセンス電流を求めて設定することができ、この結果として磁気ディスク装置の特性を向上し、かつ低温環境下でも安定に動作させることができる。
【００２８】
なお、上記実施例では、新しいセンス電流を設定するにあたっては、このセンス電流値がリードヘッドの信頼性の観点から決められた電流の最大値を超えないように設定しているが、これに限られず新しいセンス電流がリードヘッドの寿命の観点から決められた電流の最大値を超えないように設定しても良いし、リードヘッドの信頼性の観点から決められた電流の最大値と寿命の観点から決められた電流の最大値の両方を超えないように設定するようにしても良い。
【００２９】
図２に上記第１の実施例が適用される磁気ディスク装置のブロック構成図を示す。磁気ディスク装置はヘッドディスクアッセンブリ（ＨＤＡ）２１と回路基板２２から成る。ＨＤＡ２１は磁気ヘッド２３と、これと接続されたリード／ライトＩＣ（Ｒ／Ｗ ＩＣ）２４、磁気ディスク１及びこれを回転させるためのスピンドルモータ（ＳＰ）２６、ヘッドの位置決めを行うボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２５から成る。スピンドルモータ２６は、電界効果型トランジスタ(MOS FET)２９とプリドライバ(PREDR)２８によって制御され、ＶＣＭ２５も同様にプリドライバ２８によって制御される。一方Ｒ／ＷＩＣ２４はリード／ライトＷチャネル(R/W CHA)２７とデータをやり取りする。
【００３０】
磁気ディスク装置制御プログラムもしくはSMART機能等の制御プログラムは、Flash ROM３３もしくは磁気ディスク１上に保存されており、高速な動作が必要なプログラムに関しては起動時に主制御部であるデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）３１上にあるSRAM３２上に一時的に保存されて用いられる。磁気ディスク装置はホストコンピュータ（ＨＯＳＴ）３６に対してはSCSIもしくはFCALもしくはATA等のインターフェースコントローラ(I/F CONT)３０を介してユーザデータをやり取りする。このときバッファ用にDRAM３４が用いられる。ＤＳＰ３１が位置決め系、リードライト系、インターフェース系の制御を統合的に行う。基板部分２２上に磁気ヘッド２３の環境温度を測定するサーミスタ(SM)３７等の温度センサがあり、抵抗変化により温度の変化を測定することができる。
【００３１】
エラーレート測定プログラム、信頼性の観点から得られるセンス電流の上限値のテーブルデータ等はFlash ROM３３上もしくは磁気ディスク１上に格納しておくことができる。また装置内でエラーレートを測定した際のBER1、BER_ini、Is_opt等の測定データや設定量はＤＳＰ３１上のSRAM３２上に一時的に格納して用いることができる。なお、SCSIもしくはFCALもしくはATA等のインターフェースコントローラ３０はＤＳＰ３１内のHDC I/Fに含まれていてもよい。また、DRAM３４、Flash ROM３３、リードライトチャネル２７、サーミスタ３７の機能はDSP３１内に含まれていても良い。水晶発振子（ＱＵ）３５はＤＳＰ３１およびＩ／Ｆコントローラ３０に動作クロックを出力する。
【００３２】
図３に本発明の第２の実施例による磁気ディスク装置の一連の動作フローチャートを示す。まず特定のタイミングでエラーレートの測定を行い結果をBER_iniとする(S201)。ここで、特定のタイミングとは、ユーザが任意に指定することができる。エラーレートが劣化しているかどうか確認し（S202）、エラーレートが変化していない場合(Noのケース)は何も動作を起こさず、引き続き特定のタイミングでのエラーレート測定に戻る(S201)。エラーレートの劣化を感知した場合(Yesのケース)、センス電流を初期値IsからΔIsだけ大きくする(S203)。実際に新しいセンス電流を設定するにあたっては、このセンス電流値がリードヘッドの信頼性の観点から適切な電流の大きさであるか否か確認することが不可欠である。
【００３３】
磁気ディスク上、もしくはメモリ上に保持された該環境温度における信頼性の観点から決められた電流の最大値と、新たなセンス電流設定値を比較する(S204)。新たなセンス電流設定値が所定の上限値より小さかった場合（Yesのケース）、実際にセンス電流を設定する(S205)。センス電流を設定後、再びエラーレートを測定し、測定値BER1を得る(S206)。このBER1とBER_minを比較する(S207)。なお、BER_minの初期値としてBER_iniを用いることができる。BER1の方がBER_minより小さくなった場合(Yesのケース)、この測定時に用いたIsをセンス電流の最適値Is_optとし、BER1をBER_minに代入する(S208)。
【００３４】
この後、再びセンス電流設定に戻り(S203)、現在のIsの値から更にΔIsだけセンス電流を増やせるかどうか確認(S204)した後、所定の上限値より小さかった場合は新たなセンス電流を設定しエラーレート測定、という一連の処理を繰り返す。新たなセンス電流設定値が所定の上限値より大きくなった場合(Noのケース)、Is_optの値を新しいセンス電流の設定値として(S209)終了する。
【００３５】
以上のような手順を踏むことで、経時変化その他によるエラーレート劣化の影響を最低限にすることができ、かつ信頼性条件もクリアしたセンス電流を求めて設定することができ、この結果として磁気ディスク装置の特性を向上させることができる。
【００３６】
上記第２の実施例が適用される磁気ディスク装置は、上記第１の実施例同様、図２に示されるような磁気ディスク装置である。また、上記第２の実施例においても、新しいセンス電流を設定するにあたっては、このセンス電流値がリードヘッドの信頼性の観点から決められた電流の最大値を超えないように設定しているが、これに限られず新しいセンス電流がリードヘッドの寿命の観点から決められた電流の最大値を超えないように設定しても良いし、リードヘッドの信頼性の観点から決められた電流の最大値と寿命の観点から決められた電流の最大値の両方を超えないように設定するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施例による、環境温度変化をトリガとした最適センス電流探索処理のフローチャートである。
【図２】本発明の実施例が適用される磁気ディスク装置のブロック構成図である。
【図３】第２の実施例による、エラーレート劣化をトリガとした最適センス電流探索処理のフローチャートである。
【図４】環境温度及びライト電流を変化させたときのエラーレートの変化を示す図である。
【図５】リードトラック幅が広いリードヘッドのトランスファーカーブの実験結果例を示す図である。
【図６】リードトラック幅が狭いリードヘッドのトランスファーカーブの実験結果例を示す図である。
【図７】リードヘッドの入出力関係の飽和度と、エラーレートの実験値の相関の一例を示す図である。
【図８】リードヘッドの信頼性条件を満たすセンス電流許容値（高温時の値で規格化）の一例を、磁気ディスク装置の環境温度に対してプロットした図である。
【図９】出力飽和度が大きいヘッドと小さいヘッドについて、センス電流を大きくしていったときのエラーレートの変化の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…磁気ディスク、２１…ヘッドディスクアセンブリ(HDA)、２２…回路基板(PCB)、２３…磁気ヘッド、２４…リード／ライトＩＣ(R/W IC)、２５…ボイスコイルモータ(VCM)、２６…スピンドルモータ(SP)、２７…Ｒ／Ｗチャネル(R/W CHA)、２８…プリドライバ(PREDR)、２９…MOS FET、３０…Ｉ／Ｆコントローラ(I/F CONT)、３１…デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、３２…SRAM、３３…Flash ROM、３４…DRAM、３５…水晶発振子(QC)、３６…ホストコンピュータ(HOST)、３７…サーミスタ(SM)。
【図１】
2006172638.tif 000003
【図２】
2006172638.tif 000004
【図３】
2006172638.tif 000005
【図４】
2006172638.tif 000006
【図５】
2006172638.tif 000007
【図６】
2006172638.tif 000008
【図７】
2006172638.tif 000009
【図８】
2006172638.tif 000010
【図９】
2006172638.tif 000011