(57)【要約】【課題】フリンジフィールドの影響を受けない液晶分子の数を最小限に抑えることで、液晶分子の配向を更に速く制御できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明による液晶表示装置では好ましくは、共通電極パネルには傾斜部材が形成され、画素電極には切開部が形成され、更にその切開部には複数の溝が形成されている。傾斜部材の稜線は主に画素電極の切開部に対して平行であり、隣接する二つの切開部の間に配置されている。傾斜部材間の谷線は主に画素電極の切開部に対して平行であり、かつその切開部に対向している。切開部の溝の奥行方向はその切開部の方向に対して垂直である。【選択図】図１
2006285252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板の上に形成されている第１電界生成電極、
前記基板の表面に対して傾いた斜面、を含み、前記基板の上に形成されている傾斜部材、
切開部を含み、前記第１電界生成電極と対向している第２電界生成電極、及び、
前記第１電界生成電極と前記第２電界生成電極との間に位置する液晶層、
を有し、
前記第２電界生成電極の切開部には複数の溝が形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１電界生成電極が前記基板の全面を完全に覆っている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記傾斜部材が形成された前記基板の領域の面積が前記第２電界生成電極の面積の半分以上である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記傾斜部材の厚さが0.5μm〜2.0μmである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記斜面の傾斜角が1°〜10゜である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記斜面が曲がっている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記切開部が前記傾斜部材の斜面の裾部と対向している、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記溝の奥行方向が前記切開部の方向に対して垂直である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記溝の奥行が前記傾斜部材の稜線から前記斜面の裾部までの距離の20％乃至100％である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記溝の幅が1μm乃至4μmである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記溝の間隔が1μm乃至4μmである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記溝の幅が前記溝の入口から前記溝の奥部まで均一である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記溝の幅が前記溝の入口から前記溝の奥部に向かって減少している、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記溝の奥行が前記切開部の中央部から前記切開部の両端部に向かって減少している、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記傾斜部材の稜線には少なくとも一つの特異部が形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記特異部が凹部である、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記特異部が凸部である、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記特異部の形状が前記稜線に対して対称である、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記稜線から前記特異部の端までの距離が10μm〜15μmであり、前記稜線に沿った前記特異部の長さが20μm以下である、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記特異部の底面または表面が平坦である、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記特異部の底面または表面が曲がっている、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記特異部が前記稜線の中央部に位置する、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記特異部が前記稜線に二つ以上配置されている、請求項１５に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第１電界生成電極の下に形成されている複数のカラーフィルターをさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第２電界生成電極の下に形成されている複数のカラーフィルターをさらに含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記第１電界生成電極と前記カラーフィルターとの間に形成されているオーバーコート膜をさらに含む、請求項２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記傾斜部材が前記オーバーコート膜と前記第１電界生成電極との間に位置する、請求項２６に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記傾斜部材が前記オーバーコート膜と一体である、請求項２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
第１電界生成基板を形成する段階、
前記第１電界生成基板の上に傾斜部材を形成する段階、
複数の溝を含む切開部、を有する電界生成電極を基板上に形成することで第２電界生成基板を形成する段階、及び、
前記第１電界生成基板と前記第２電界生成基板とを互いに対向させ、前記第１電界生成基板と前記第２電界生成基板との間に液晶層を注入する段階、
を備える液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に関し、特にその表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つである。液晶表示装置は、画素電極や共通電極などの電界生成電極が形成されている二枚の表示パネルと、その間に挟まれている液晶層とを含む。二枚の表示パネル間では透過可能な光の偏光方向が異なる。電界生成電極間に電圧が印加されるとき液晶層では電界が生じ、液晶層に含まれている液晶分子の方向を変化させる。その変化を利用し、液晶層を透過する光の偏光方向が画素ごとに制御される。それにより、各画素の透過率が調節される。こうして、液晶表示装置は表示パネルに映像を表示する。
【０００３】
例えば垂直配向（vertically  aligned）方式を採用した液晶表示装置では、液晶層に対して電界が印加されていないときに液晶分子の長軸が表示パネルの表面に対して垂直であるように液晶分子が配列されている。垂直配向方式の液晶表示装置は、コントラスト比が高くかつ基準視野角が広い等の利点を持つので、広く利用されている。従来の垂直配向方式の液晶表示装置では特に、広視野角を実現するための手段として、電界生成電極に切開部が形成され、または電界生成電極の上に突起が形成されている。これらの切開部または突起が液晶分子の傾斜方向を決定する（フリンジフィールド効果）ので、これらを表示パネル内に多様に配置することで液晶分子の傾斜方向をいろいろな方向に分散させることができる。その結果、基準視野角を広くすることができる。
【特許文献１】特開平2002−169159号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、電界生成電極に切開部を形成する工程では、電界生成電極をパターニングするためにマスクが必要である。更に、カラーフィルターの顔料が電界生成電極の切開部を通じて液晶層に抜け出て液晶層を汚染するおそれがあるので、それを防止するために、カラーフィルターの上にオーバーコート膜を形成しなければならない。その上、電界生成電極に突起や切開部がある垂直配向方式の液晶表示装置は応答速度の更なる向上が困難である。その原因の一つは例えば次の通りである：電界生成電極の切開部または突起は、その周辺の液晶分子の配向に対しては制御能力が高い。しかし、その切開部または突起から遠く離れた液晶分子の配向に対しては制御能力が弱い。
本発明の目的は、電界生成電極のパターンによるフリンジフィールドの影響を受けない液晶分子の数を最小限に抑えることで、液晶分子の配向を更に速く制御できる液晶表示装置、を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による液晶表示装置は、
基板、
その基板の上に形成されている第１電界生成電極、
その基板の表面に対して傾いた斜面、を含み、その基板の上に形成されている傾斜部材、
切開部を含み、第１電界生成電極と対向している第２電界生成電極、及び、
第１電界生成電極と第２電界生成電極との間に位置する液晶層、を有する。この液晶表示装置では特に、第２電界生成電極の切開部に複数の溝が形成されている。好ましくは、第１電界生成電極が上記の基板の全面を完全に覆っている。一方、傾斜部材が形成された基板の領域の面積が第２電界生成電極の面積の半分以上である。好ましくは、傾斜部材の厚さが0.5μm〜2.0μmである。傾斜部材の斜面は好ましくは、傾斜角が1°〜10゜である。更にその斜面が曲がっていても良い。好ましくは、第２電界生成電極の切開部が傾斜部材の斜面の裾部と対向している。
【０００６】
第２電界生成電極の切開部では好ましくは、上記の溝の奥行方向が切開部の方向に対して垂直である。好ましくは、その溝の奥行が傾斜部材の稜線からその斜面の裾部までの距離の20％乃至100％であり、その溝の幅が1μm乃至4μmであり、その溝の間隔が1μm乃至4μmである。その溝の幅は好ましくは、その溝の入口から奥部まで均一である。その他に、その溝の幅がその溝の入口から奥部に向かって減少しても良い。一方、溝の奥行が好ましくは、第２電界生成電極の切開部の中央部から両端部に向かって減少している。
【０００７】
好ましくは、上記の傾斜部材の稜線には少なくとも一つの特異部が形成されている。ここで、特異部は更に好ましくは、凹部または凸部である。特異部の形状は好ましくは傾斜部材の稜線に対して対称である。好ましくは、その稜線から特異部の端までの距離が10μm〜15μmであり、その稜線に沿った特異部の長さが20μm以下である。特異部の底面または表面は平坦であっても、曲がっていても良い。特異部は好ましくは、傾斜部材の稜線の中央部に位置し、更に好ましくは特異部がその稜線に二つ以上配置されている。
【０００８】
本発明による上記の液晶表示装置は好ましくは、第１電界生成電極の下に形成されている複数のカラーフィルターをさらに含む。その他に、第２電界生成電極の下に形成されている複数のカラーフィルターをさらに含んでも良い。本発明による上記の液晶表示装置は好ましくは、第１電界生成電極とカラーフィルターとの間に形成されているオーバーコート膜をさらに含む。その場合、好ましくは、傾斜部材がオーバーコート膜と第１電界生成電極との間に位置する。傾斜部材がオーバーコート膜と一体であっても良い。
【０００９】
本発明による液晶表示装置の製造方法は、
第１電界生成基板を形成する段階、
その第１電界生成基板の上に傾斜部材を形成する段階、
複数の溝を含む切開部、を有する電界生成電極を基板上に形成することで第２電界生成基板を形成する段階、及び、
第１電界生成基板と第２電界生成基板とを互いに対向させ、第１電界生成基板と第２電界生成基板との間に液晶層を注入する段階、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明による液晶表示装置では、第２電界生成電極の切開部とその溝、及び傾斜部材が協働して液晶分子を所定の方向に傾斜させる。特に、切開部、溝、及び傾斜部材のそれぞれにより液晶分子の配向に与えられる影響が互いに高め合うので、液晶の応答速度が更に向上する。従って、本発明による上記の液晶表示装置は特に動画表示に有利である。第２電界生成電極が画素電極である場合は更に、共通電極には切開部が形成されなくても良いので、共通電極のパターニング工程が省略可能である。それにより、静電気の流入などに起因する偏光子の損傷が防止される。一方、画素電極の切開部に形成された複数の溝により、共通電極に切開部がなくても、液晶分子の配向不良が防止される。傾斜部材の稜線に凹部または凸部が形成される場合、その稜線の周辺では、電界の影響を受けない液晶分子の数が最小限に抑えられるので、液晶分子間の衝突などが防止される。その結果、表示の欠陥や残像などが発生しにくいので、本発明による液晶表示装置は高画質である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態による液晶表示装置について説明する。
本発明の実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する二つの電界生成基板100、200（以下、薄膜トランジスタパネルと共通電極パネルという）、及び、これら二つのパネル100、200の間に挟まれている液晶層3を含む（図４参照）。
まず、図１、図２、及び図４を参照しながら、薄膜トランジスタパネル100について詳細に説明する。
【００１２】
薄膜トランジスタパネル100の基板110は透明な絶縁物（好ましくはガラス）から成る。基板110の上には複数のゲート線121と複数の維持電極線131とが形成されている（図１、２、４参照）。ゲート線121は主に薄膜トランジスタパネル100の横方向に延びている。薄膜トランジスタパネル100の縦方向では複数のゲート線121が互いに分離されている。各ゲート線121は複数のゲート電極124と端部129とを有する。ゲート電極124は薄膜トランジスタパネル100の縦方向に拡がった部分であり、薄膜トランジスタパネル100の横方向に一定の間隔で設けられている。ゲート線121の端部129は面積が広く、他の層または外部の駆動回路（図示せず）に接続されている。ゲート線121に対しては端部129を通し、駆動回路からゲート信号が印加される。尚、駆動回路が薄膜トランジスタパネル100に集積化される場合、ゲート線121が駆動回路と直結されても良い。
【００１３】
維持電極線131は主に薄膜トランジスタパネル100の横方向に延びている（図１、２参照）。薄膜トランジスタパネル100の縦方向では各維持電極線131が隣接する二つのゲート線121の間に位置し、特にそれら二つのゲート線121の一方（図１、２では上側のゲート線121）に近い。各維持電極線131は枝133a〜133dの集合と連結部133eとを複数含む。枝の集合は維持電極線131の幹線部から分岐した四つの枝、すなわち、第１維持電極133a、第２維持電極133b、第３維持電極133c、及び第４維持電極133dを含む。第１維持電極133aと第２維持電極133bとは薄膜トランジスタパネル100の横方向では互いに分離され、薄膜トランジスタパネル100の縦方向では各維持電極線131から遠い方のゲート線121に向かって延びている。第１維持電極133aの一端はその維持電極線131の幹線部に接続されている。第１維持電極133aの他端はそのゲート線121の近くに位置してそのゲート線121から分離され、かつ薄膜トランジスタパネル100の横方向に突き出た突出部を有する。一方、第２維持電極133bの一端はその維持電極線131の近くに位置してその維持電極線131から分離され、他端はそのゲート線121の近くに位置してそのゲート線121から分離されている。第３維持電極133cは第１維持電極133aの中央付近から薄膜トランジスタパネル100の縦方向に対して斜めに延び、第２維持電極133bの一端に接続されている。第４維持電極133dは第１維持電極133aの中央付近から薄膜トランジスタパネル100の縦方向に対して斜めに延び、第２維持電極133bの他端に接続されている。第３及び第４維持電極133c、133dは好ましくは、隣接する二つのゲート線121の間の中央を貫く薄膜トランジスタパネル100の横方向に対して対称である。連結部133eは第１維持電極133aの中央から第３及び第４維持電極133c、133dとは逆方向に延び、隣接する第２維持電極133bに連結されている。維持電極線131に対しては所定の電圧（好ましくは、共通電極パネル200の共通電極270に対して印加される共通電圧）が印加される。各維持電極線131は更に、薄膜トランジスタパネル100の横方向に延びる幹線を二本含んでいても良い。
【００１４】
ゲート線121及び維持電極線131は好ましくは、アルミニウム系金属（アルミニウム（Al）やアルミニウム合金）、銀系金属（銀（Ag）や銀合金）、銅系金属（銅（Cu）や銅合金）、モリブデン系金属（モリブデン（Mo）やモリブデン合金）、クロム、チタニウム、またはタンタルから成る。ゲート線121及び維持電極線131は更に好ましくは、物理的性質の異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有する。ここで、一方の導電膜は比抵抗の低い金属（好ましくは、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属）から成り、ゲート線121や維持電極線131での信号遅延や電圧降下を減らす。他方の導電膜は他の物質、特にＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）との物理的、化学的、及び電気的な接触特性に優れた物質（好ましくは、モリブデン系金属、クロム、タンタル（Ta）、またはチタニウム（Ti））から成る。このような導電膜の組み合わせとしては好ましくは、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜との組み合わせ、またはアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜との組み合わせがある。ゲート線121と維持電極線131とは、その他にも多様な金属と導電体とから作られても良い。ゲート線121及び維持電極線131の各側面は好ましくは、基板110の表面に対して約30°〜80゜の角度で傾斜している（図４参照）。
【００１５】
ゲート線121及び維持電極線131はゲート絶縁膜140で覆われている（図４参照）。ゲート絶縁膜140は好ましくは窒化ケイ素（SiNx）から成る。ゲート絶縁膜140の上には複数の線状半導体151が形成されている（図１、２、４参照）。線状半導体151は好ましくは、水素化非晶質シリコン（a−Si：H）または多結晶シリコンから成る。図１、２では、線状半導体151が、隣接する第１維持電極133aと第２維持電極133bとの間に位置し、主に薄膜トランジスタパネル100の縦方向に延びている。各線状半導体151は各ゲート線121とゲート電極124の上で交差している。各交差点では線状半導体151の突出部154がゲート電極124に向かって拡がり、ゲート電極124の全体を覆っている。各線状半導体151は更に各維持電極線131の連結部133eと交差している。各交差点付近では線状半導体151の幅が広くなっている。それにより、各線状半導体151は連結部133eを幅広く覆っている。
【００１６】
線状半導体151の上には複数の線状オーミック接触部材と複数の島状オーミック接触部材165とが形成されている（図４参照）。オーミック接触部材は好ましくは、シリサイドまたはｎ＋水素化非晶質シリコン（リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている水素化非晶質シリコン）から成る。線状オーミック接触部材は主に薄膜トランジスタパネル100の縦方向に延び、線状半導体151のほぼ全体を覆う。各線状オーミック接触部材は特にゲート線121と交差し、各交差点に一つずつ突出部163を有する（図４参照）。島状オーミック接触部材165は線状半導体151の突出部154ごとに一つずつ形成されている。線状オーミック接触部材の突出部163と島状オーミック接触部材165との一対が線状半導体151の各突出部154の上に配置され、特にゲート電極124の上方で所定距離を隔てて対向している。線状半導体151とオーミック接触部材163、165との各側面は好ましくは基板110の表面に対して30°〜80゜の角度で傾斜している。
【００１７】
各線状オーミック接触部材とその近傍のゲート絶縁膜140との上にはデータ線171が一つずつ形成されている（図１、２、４参照）。各データ線171は隣接する第１維持電極133aと第２維持電極133bとの間に位置し、主に薄膜トランジスタパネル100の縦方向に延び、ゲート線121、及び維持電極線131とその連結部133eとほとんど垂直に交差している。ここで、線状オーミック接触部材により、線状半導体151とデータ線171との間は接触抵抗が低い。更に、データ線171の大部分は線状半導体151より幅が広い。従って、線状半導体151に入射した光が電流を発生させることにより線状半導体151と画素電極190との間に生じる寄生容量が、データ線171により抑えられる。一方、各ゲート線121や各維持電極線131との交差点ではデータ線171が線状半導体151と線状オーミック接触部材とのいずれよりも幅が狭いので、表面の形状が滑らかである。それにより、漏れ電流の過剰な集中が回避されるので、そのジュール熱に起因するデータ線171の断線が防止される。各データ線171は、各ゲート線121との交差点からゲート電極124に向かって突き出たソース電極173を含む。各データ線171の端部179は面積が広く、他の層または外部のデータ駆動回路（図示せず）に接続されている。データ線171に対しては端部179を通し、データ駆動回路からデータ電圧が印加される。尚、データ駆動回路が基板110に集積化される場合、データ線171がデータ駆動回路に直結されても良い。
【００１８】
島状オーミック接触部材165とその近傍のゲート絶縁膜140との上にはドレイン電極175が形成されている（図１、２、４参照）。各ドレイン電極175は拡張部177と棒状の端部とを持つ。拡張部177は面積が広く、他の層と接続されている。一方、棒状の端部はゲート電極124の上に位置し、所定距離を隔ててソース電極173に囲まれている。尚、線状半導体151の突出部154は、ソース電極173とドレイン電極175との間など、データ線171及びドレイン電極175のいずれにも覆われずに露出した部分を含む。ゲート電極124、それを覆うゲート絶縁膜140の一部、線状半導体151の突出部154、ソース電極173、及びドレイン電極175が一つの薄膜トランジスタ（Thin  Film  Transistor、ＴＦＴ）を構成する。その薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極173とドレイン電極175との間に露出した線状半導体151の突出部154の一部に形成される。ここで、オーミック接触部材163、165により、線状半導体151の突出部154とソース電極173との間、及び突出部154とドレイン電極175との間はいずれも、接触抵抗が低い。
ゲート線121を覆うゲート絶縁膜140の部分の上には複数の孤立した金属片（isolated  metal  piece）178が形成されている（図１、２、４参照）。各金属片178は特に、第１維持電極133aの端部付近に位置する。
【００１９】
データ線171、ドレイン電極175、及び金属片178は好ましくは、耐熱性金属（好ましくは、モリブデン系金属、クロム、タンタル、若しくはチタニウム）、またはこれらの合金を含む。それらは更に好ましくは、耐熱性金属製の導電膜と低抵抗の導電膜とから成る多層膜構造（図示せず）を有する。その多層膜構造の例としては、クロム製またはモリブデン（合金）製の下部膜とアルミニウム（合金）製の上部膜との二重膜、及びモリブデン（合金）製の下部膜とアルミニウム（合金）製の中間膜とモリブデン（合金）製の上部膜との三重膜がある。データ線171、ドレイン電極175、及び金属片178は、その他にも多様な金属と導電体とから構成されても良い。ゲート線121及び維持電極線131と同様に、データ線171、ドレイン電極175、及び金属片178の各側面が好ましくは、基板110の表面に対して約30°〜80゜の角度で傾いている。
【００２０】
データ線171、ドレイン電極175、金属片178、及びこれらで覆われずに露出している線状半導体151の部分は保護膜180で覆われている（図４参照）。保護膜180は好ましくは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物、有機絶縁物、または低誘電率絶縁物から成る。特に、低誘電率絶縁物から保護膜180が形成される場合、その誘電常数が好ましくは4.0以下である。好ましくは、保護膜180がa−Si：C：O、a−Si：O：Fから成り、プラズマ化学気相蒸着（Plasma  Enhanced  Chemical  Vapor  Deposition、ＰＥＣＶＤ）によって形成される。保護膜180はその他に、感光性を持つ有機絶縁物から形成されても良い。それにより、保護膜180の表面が平坦化される。保護膜180は更に、下部無機膜と上部有機膜との二重膜構造であっても良い。それにより、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、線状半導体151の露出部分を損傷から保護できる。
【００２１】
保護膜180には複数の接触孔182、185が形成されている（図１、２、４参照）。第２接触孔182からはデータ線171の端部179が露出し、第５接触孔185からはドレイン電極175の拡張部177が露出している。保護膜180とゲート絶縁膜140とには、第１接触孔181、第３接触孔183a、及び第４接触孔183bが形成されている。第１接触孔181からはゲート線121の端部129が露出している。第３接触孔183aは維持電極線131の幹線部と第１維持電極133aとの間の分岐点付近に位置し、維持電極線131の一部を露出させている。第４接触孔183bからは第１維持電極133aの先端の突出部が露出している。
【００２２】
保護膜180の上には複数の画素電極190が形成されている（図１、２、４参照）。画素電極190は、ゲート線121とデータ線171とで区切られた矩形状の領域に一つずつ設けられている。その各領域が一つの画素として利用される。画素電極190は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から成る。その他に、アルミニウムまたは銀合金などの反射性に優れた金属から形成されても良い。画素電極190は第５接触孔185を通じてドレイン電極175に接続されている。ゲート線121に対してゲート信号としてゲートオン電圧が印加されるとき、上記の薄膜トランジスタがターンオンし、ドレイン電極175から画素電極190に対してデータ電圧が印加される。そのとき、互いに対向している画素電極190と共通電極270（図４参照）との間には電界が生じる。それにより、画素電極190と共通電極270との間に挟まれた液晶層3では液晶分子31の方向が決定される。ここで、それらの画素電極190、共通電極270、及び液晶層3の一組はキャパシタと等価である（以下、“液晶キャパシタ”という）。上記の薄膜トランジスタがターンオフした後も、液晶キャパシタは印加された電圧を維持する。好ましくは、ストレージキャパシタが液晶キャパシタと並列に接続されている。ストレージキャパシタは好ましくは画素電極190と維持電極線131との間の重なり部分から成り、液晶キャパシタの容量を補ってその電圧維持能力を強化している。
【００２３】
図１、２では、各画素電極190の左側の二つの角が、好ましくはゲート線121に対して約45°の角度で面取りされている（図１、２参照）。各画素電極190には更に、中央切開部91、下側切開部92a、及び上側切開部92bが形成されている。中央切開部91は、図１、２では画素電極190の右辺の中央部に形成されている。中央切開部91は好ましくは、画素電極190を二等分する薄膜トランジスタパネル100の横方向に対して対称である。中央切開部91は更に好ましくは、実質的に二等辺三角形状の切り込みである。その一対の対称的な斜辺が特に、薄膜トランジスタパネル100の横方向に対して好ましくは約45°の角度で傾き、画素電極190の右辺から左方に向かって延びている。下側切開部92aは、図１、２では画素電極190の右下角から左上方に、薄膜トランジスタパネル100の横方向に対して好ましくは約45°の角度で斜めに延びている。上側切開部92bは、図１、２では画素電極190の右上角から左下方に、薄膜トランジスタパネル100の横方向に対して好ましくは約45°の角度で斜めに延びている。従って、下側切開部92aと上側切開部92bとは好ましくは互いに直交する。下側切開部92aと上側切開部92bとは更に、画素電極190の中心を貫く薄膜トランジスタパネル100の横方向に対して互いに対称である。特に、下側切開部92aが第４維持電極133dと重なり、上側切開部92bが第３維持電極133cと重なっている（図１、２、４参照）。画素電極190の下半部は下側切開部92aによって二つの領域に分けられ、上半部は上側切開部92bによって二つの領域に分けられている。尚、領域の数または切開部の数は、画素の大きさ、画素電極の横辺と縦辺との間の長さの比、液晶層3の種類や特性などの設計要素に応じて変更されても良い。
【００２４】
画素電極190の左側の二つの角に形成されている斜辺、及び各切開部91、92a、92bの斜辺には、各斜辺の長さ方向に対して垂直な溝61が複数形成されている（図１、２参照）。このような溝61により、液晶分子の配向方向が所望の方向へ容易に制御可能である。尚、溝61による画素の開口率の低減を防止するには、溝61の幅Aが好ましくは1μm〜4μmであり、溝61の間隔Bが好ましくは1μm〜4μmである。更に好ましくは、各溝61の幅Aが溝61の入口から奥部までの間で均一である。好ましくは、各斜辺の中央部から両端部に向かうほど、溝61の奥行Cが減少する。
【００２５】
ゲート線121の端部129を覆う保護膜180の上には第１接触補助部材81が形成され、データ線171の端部179を覆う保護膜180の上には第２接触補助部材82が形成されている（図１、２、４参照）。接触補助部材81、82は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から成る。その他に、アルミニウムまたは銀合金などの反射性に優れた金属から形成されても良い。第１接触補助部材81は第１接触孔181を通じてゲート線121の端部129と接続され、第２接触補助部材82は第２接触孔182を通じてデータ線171の端部179と接続されている。接触補助部材81、82は、ゲート線121の端部129やデータ線171の端部179と外部装置との間の接着を補完し、かつその接着部を保護する。
【００２６】
保護膜180の上には更に、複数の連結橋（over  pass）83が形成されている（図１、２、４参照）。連結橋83は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から成る。その他に、アルミニウムまたは銀合金などの反射性に優れた金属から形成されても良い。連結橋83は、ゲート線121を横切り、そのゲート線121の両側に位置する二つの接触孔183a、183bの間に接続されている。連結橋83の一端が第３接触孔183aを通じて維持電極線131の幹線部に接続され、連結橋83の他端が第４接触孔183bを通じて第１維持電極133aの端の突出部に接続されている。連結橋83は更に、保護膜180を隔てて金属片178と重なっている。維持電極線131、連結橋83、及び金属片178は、次のように、不良なゲート線121、不良なデータ線171、または不良な薄膜トランジスタの各機能の無効化に利用できる：特定のゲート線121と連結橋83との間の交差点にレーザーを照射してそのゲート線121と連結橋83との間に穴を開ける。そのとき、金属片178がレーザーの熱で熔けてその穴に沿って拡がり、そのゲート線121と連結橋83との間を短絡させる。それにより、そのゲート線121が維持電極線131に接続されるので、その電位が共通電圧に固定される。その結果、そのゲート線に対して印加されるゲート信号が無効化される。
【００２７】
次に、図１、図３、及び図４を参照しながら、共通電極パネル200について説明する。
共通電極パネル200の基板210は透明な絶縁物（好ましくはガラス）から成る。基板210の上には遮光部材（ブラックマトリックスともいう）220が形成されている。遮光部材220には好ましくは、複数の開口部225が形成されている（図３参照）。各開口部225は画素の周囲とほとんど同一の矩形状である。各開口部225からは液晶層3を隔てて画素電極190が一つずつ露出している。遮光部材220はその他に、データ線171に沿って延びている線状部分のみを含んでいても良く、薄膜トランジスタと対向する部分をさらに含んでいても良い。遮光部材220は好ましくは、クロム単一膜、またはクロムと酸化クロムとの二重膜から成る。その他に、黒色顔料を含む有機膜から形成されても良い。
【００２８】
基板210と遮光部材220との上には、複数のカラーフィルター230が形成されている。各カラーフィルター230が遮光部材220の開口部225を一つずつ覆っている。ここで、隣接するカラーフィルター230間では周縁が重なっていても良い。その他に、隣接する二つのデータ線171の間に挟まれた薄膜トランジスタパネル100の領域に対向する共通電極パネル200の領域では、データ線171と同じ縦方向に配列されたカラーフィルター230が同じ色に揃えられ、更に、互いに連結されて一つの帯を構成していても良い。各カラーフィルター230の色は基本色の一つである。基本色は好ましくは三原色（赤色、緑色、青色）である。
【００２９】
複数のカラーフィルター230は同じ共通電極270で覆われている（図４参照）。共通電極270は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体から成る。共通電極270に対しては外部から共通電圧が印加される。ここで、共通電極270とカラーフィルター230との間にはオーバーコート膜（図示せず）が形成されていても良い。オーバーコート膜はカラーフィルター230の露出を防止し、かつその表面を平坦にする。
【００３０】
共通電極270の上には、傾斜部材330a、330b、330cの集合が複数形成されている（図１、３、４、参照）。各集合が三つの傾斜部材330a、330b、330cを含む。各傾斜部材330a〜330cは好ましくは誘電体から成り、その誘電常数が好ましくは液晶層3の誘電常数以下である。傾斜部材330a〜330cの各集合が液晶層3を隔てて画素電極190の一つと対向している。各傾斜部材330a〜330cの境界線（すなわち傾斜部材間の谷線）は好ましくは平行台形または鴎（chevron）型である（図示せず）。各傾斜部材330a〜330cの境界線は主辺と副辺とから成る。中央傾斜部材330aの主辺は画素電極190の切開部91〜92bの各斜辺に対して実質的に平行であり、液晶層3を隔てて各斜辺と対向している。下側傾斜部材330bの主辺は画素電極190の下側切開部92aと左下角との各斜辺に対して実質的に平行であり、液晶層3を隔てて各斜辺と対向している。上側傾斜部材330cの主辺は画素電極190の上側切開部92bと左上角との各斜辺に対して実質的に平行であり、液晶層3を隔てて各斜辺と対向している。各傾斜部材330a〜330cの副辺はゲート線121またはデータ線171に対して平行である。中央傾斜部材330aの境界線は、遮光部材220の開口部225の中心を貫く共通電極パネル200の横方向に対して対称であり、下側傾斜部材330bと上側傾斜部材330cとの各境界線はその横方向に対して互いに対称である。一組の傾斜部材330a〜330cの総面積は好ましくは画素電極190の面積の半分以上である。隣接する二つの画素間では傾斜部材330a〜330cが互いに接続されている。
【００３１】
図１、３には各傾斜部材330a〜330cの稜線が太い破線で示されている。中央傾斜部材330aの稜線は主に、画素電極190の中央切開部91と下側切開部92aとの間、及び中央切開部91と上側切開部92bとの間に位置し、各切開部91〜92bの斜辺に対して平行に延びている。下側傾斜部材330bの稜線は主に、画素電極190の下側切開部92aと左下角の斜辺との間に位置し、各斜辺に対して平行に延びている。上側傾斜部材330bの稜線は主に、画素電極190の上側切開部92bと左上角の斜辺との間に位置し、各斜辺に対して平行に延びている。図３に示されている通り、中央傾斜部材330aの稜線は、遮光部材220の開口部225の中心を貫く共通電極パネル200の横方向に対して対称であり、下側傾斜部材330bと上側傾斜部材330cとの各稜線はその横方向に対して互いに対称である。
【００３２】
各傾斜部材330a〜330cは稜線と主辺との間に斜面が形成されている（図４参照）。各斜面では共通電極270からの高さが稜線から主辺にかけて次第に減少する。ここで、稜線の高さが好ましくは約0.5〜2.0μmであり、斜面の傾斜角θ（図４参照）が約1°〜10゜である。傾斜部材330a〜330cの各斜面330は、図１３に示されているように、中間で一度折れ曲がっていても良い。この時、好ましくは、共通電極270の付近では斜面の傾斜角αが10゜以下であり、共通電極270からある程度離れた領域では斜面の傾斜角βが5゜以下である。
【００３３】
好ましくは、傾斜部材330a〜330cの各稜線の中央に凹部Hが形成されている（図３、４参照）。凹部Hは好ましくは、図４に示されているように底の丸い窪みである。凹部Hはその他に、例えば図６の(a)、(b)に示されているような多様な形態であっても良い。更に凹部Hが、例えば図６の(c)、(d)に示されているような凸部Pで代替されても良い。凹部Hまたは凸部P（以下、特異部という）は各稜線に二つ以上設けられても良い。凹部Hの底面は、図６の(a)に示されているように平坦であっても良く、図６の(b)に示されているように折れ曲がっていても良い。同様に、凸部Pの表面は、図６の(c)に示されているように平坦であっても良く、図６の(d)に示されているように折れ曲がっていても良い。特異部H、Pの平面形状は好ましくは、稜線Rに対してほとんど対称な矩形である（図７参照）。その他に、楕円形または多角形であっても良い。好ましくは、稜線Rと特異部H、Pの端との間の距離L1が約10μm〜15μmであり、稜線Rに沿った特異部H、Pの長さL2が約10μm以内である。しかし、特異部H、Pの形態と大きさとはこれらに制限されず、多様に変形されても良い。このような凹部Hまたは凸部Pは好ましくは、共通電極270の上に有機物質を塗布した後、マスクを利用したフォトエッチング工程によって形成される。この時、利用されるマスクは好ましくはスリットまたは半透明膜を含み、それにより、傾斜部材330a〜330cの凹部Hまたは凸部Pと斜面との間で露光量を変化させる。
【００３４】
好ましくは、薄膜トランジスタパネル100では、保護膜180、画素電極190、及び連結橋83の上に第１配向膜11が塗布され、共通電極パネル200では共通電極270と各傾斜部材330a〜330cとの上に第２配向膜21が塗布されている（図４参照）。配向膜11、21は好ましくは垂直配向膜である。二つの表示パネル100、200の各外面には偏光子（図示せず）が備えられている。二つの偏光子間では透過軸が直交している。好ましくは、二つの偏光子の一方では透過軸がゲート線121に対して平行である。尚、液晶表示装置が反射型である場合には二つの偏光子のいずれか一つが省略される。表示パネル100、200と各偏光子との間には更に、位相遅延フィルム（図示せず）が挟まれていても良い。位相遅延フィルムは複屈折性を有するので、液晶層3の複屈折性を補償できる。それにより、液晶層3を透過する光の位相遅延が補償される。位相遅延フィルムとしては好ましくは、負性で、かつ一軸性の光学フィルムが利用される。その他に、二軸性の光学フィルムが利用されても良い。薄膜トランジスタ表示パネル100と共通電極表示パネル200との間には更に、間隔材（図示せず）が形成されていても良い。間隔材は好ましくは絶縁物質から成り、二つの表示パネル100、200の間隔を一定に維持する。液晶表示装置は照明部を備えていても良い。照明部は表示パネル100、200及び液晶層3に対して光を供給する。
【００３５】
本発明の上記の実施形態による液晶表示装置では、液晶層3内の液晶分子の配向が以下のように決定される。
液晶層3は負の誘電率異方性を持ち、特に電界が印加されていない状態の液晶層3内では液晶分子31の長軸が二つの表示パネルの表面に対してほとんど垂直である。従って、照明部から偏光子の一方を通過して液晶層3に入射する光は、偏光子の他方を通過できずに遮断される。共通電極270に対して共通電圧を印加し、かつ画素電極190に対してデータ電圧を印加するとき、共通電極270と画素電極190との間の液晶層3では、表示パネル100、200の表面に対してほとんど垂直な電界が生成される。その電界に応じ、液晶分子31の長軸がその電界の方向に対して垂直な方向に向かって回転する。この時、共通電極270の傾斜部材330a〜330c、及び画素電極190とその切開部91〜92bとの各斜辺により、液晶分子31の傾斜方向が以下のように決定される。
【００３６】
液晶層3内に電界が印加されていない状態では、厳密には、液晶分子31の長軸が傾斜部材330a〜330bによって予め、共通電極パネル200の基板210の表面に対して垂直な方向から傾いている（予備傾斜（pre−tilted）状態）。それにより、液晶層3内に電界が生成される際には液晶分子31の長軸が予備傾斜の方向に更に傾く。ここで、その傾斜方向は特に、画素電極190とその切開部91〜92bとの各斜辺に対して垂直である。一方、画素電極190とその切開部91〜92bとの各斜辺は、液晶層3内の電界を歪曲して水平成分を作りだす。ここで、電界のその水平成分も画素電極190とその切開部91〜92bとの各斜辺に対して垂直である。更に、傾斜部材330a〜330c間には共通電極270に対する高さに差があるので、液晶層3内の等電位線が場所によって変化する。この変化も液晶分子31に対して力を加えてその長軸を傾ける。この力による傾斜方向も、切開部91〜92bと傾斜部材330a〜330cとのそれぞれによって決定される上記の傾斜方向と一致する。これは特に、傾斜部材330a〜330cの誘電常数が液晶層3より小さいとき、顕著である。従って、画素電極190の切開部91〜92bや画素電極190の左角の斜辺から遠い液晶分子31に対しても、傾斜方向を決定する力が十分に強く加えられる。その結果、液晶層3のほぼ全体で液晶分子31の応答が十分に速い。
【００３７】
本発明の上記の実施形態による液晶表示装置では、図１に示されているように、切開部91〜92bの集合と傾斜部材330a〜330cの集合とが、各画素を四つの領域に分けている。各領域では液晶分子31が上記の傾斜方向に傾いているので、画素全体では液晶分子の傾斜方向がほぼ四つの方向に分かれている。このように、液晶分子31の傾斜方向が多様であるので、液晶表示装置の基準視野角が十分に大きい。
【００３８】
ここで、傾斜部材330a〜330cに特異部H、Pが設けられていない場合、傾斜部材330a〜330cの各稜線付近では予備傾斜が存在しない。更に、各稜線の両側に位置する二つの切開部によって生じた電界の間では水平成分が相殺する。従って、各稜線付近では液晶分子31の傾斜方向が容易には決定され得ないだけでなく、頻繁に変動するので、液晶全体の応答が遅れやすい。それに対し、本発明の上記の実施形態による液晶表示装置では、傾斜部材330a〜330cの特異部H、Pが、傾斜部材330a〜330cの稜線付近にある液晶分子の配向状態を変化させる。それにより、稜線付近では液晶分子の傾斜方向の変動が防止される。
【００３９】
本発明の上記の実施形態による液晶表示装置では以上のように、画素電極190の切開部91〜92bと傾斜部材330a〜330cとだけで液晶分子31の傾斜方向が決定されるので、共通電極270に切開部が設けられなくても良い。従って、製造工程から共通電極270に対するパターニング工程が省略されても良い。更に、共通電極270が切開部を持たないので、電荷が共通電極270の特定の位置に蓄積されることがない。それ故、これらの電荷に起因する第２偏光子22の損傷が防止されるので、第２偏光子22の損傷を防止するための静電気放電防止処理が省略可能である。このように、共通電極270の切開部の省略は液晶表示装置の製造に要する工程数を顕著に減少させるので、その製造コストを顕著に低減させ得る。
【００４０】
一方、共通電極270に切開部を形成しない場合、液晶層3内では液晶分子の配向不良が発生するおそれがある。しかし、本発明の上記の実施形態による液晶表示装置では上記の通り、画素電極190の切開部91〜92bに複数の溝61が形成されているので、液晶分子の良好な配向状態が確保される。好ましくは、溝61の奥行C（図１参照）が、各傾斜部材330a〜330cの稜線から斜面の裾部までの長さL3（図４参照）の20％〜100％である。更に、画素電極190の切開部91〜92bが液晶層3を隔てて各傾斜部材330a〜330cの斜面の裾部と対向している。従って、画素電極190に対してデータ電圧が印加されるとき、画素電極190の溝61により、液晶分子31の配向方向が溝61の奥行方向に対して平行である。つまり、図５に示されているように、画素電極190の溝61の周辺では液晶分子31の長軸方向が溝61の奥行方向に対して平行に揃う。画素電極190の各切開部91〜92bに起因する液晶分子31の配向方向は溝61の周辺に位置する液晶分子31の配向方向と同一であるので、液晶分子31全体の配向状態が良好に維持される。特に画素電極190の切開部の両端部では、隣接する二つの画素電極190間に形成される縦方向や横方向の電界に起因するテクスチャーの発生が、複数の溝61により抑えられる。
【００４１】
画素電極190の切開部91〜92bに上記のような複数の溝61が形成される場合は更に、白残像（液晶分子の配向不良に伴って一時的に発生する画面上の白い残像）が低減する。ここで、白残像の評価には、目視評価とオンオフ応答波形を通じた評価とがある。目視評価では白残像が“0：なし、1：弱い、3：中間、5：強い”のような0〜5までの６段階で評価される。オンオフ応答波形を通じた評価では、その応答波形の最高レベルMaxに対する、安定化された後のレベルStaの比Sta／Max×100（％）で白残像が評価される。その評価値が100％に近いほど白残像が少ない。本発明の上記の実施形態による液晶表示装置に対する目視評価では次の結果が得られた：画素電極190に溝61が設けられていない場合には転傾線（ディスクリネーションライン（disclination  line））が固定されていなかった。一方、画素電極190に溝61が形成された場合には、共通電極に切開部を形成した場合と同様に、転傾線が特定位置に固定され、更に評価値が2程度と低かった。更に、オンオフ応答波形を通じた評価でも、画素電極190に溝61を形成することで最初の白色輝度と安定化された後の白色輝度との間では評価値の差が減少し、かつ評価値も100％に近くなった。
【００４２】
以下、本発明の別の実施形態による液晶表示装置について、図８を参照しながら説明する。この実施形態による液晶表示装置は、画素電極190の溝61の形状を除き、上記の実施形態による液晶表示装置と同様である。図８ではそれら同様な構成要素に対して図１〜４に示されている符号と同じ符号を付し、それらの詳細については上記の説明を援用する。
【００４３】
この実施形態による液晶表示装置では上記の実施形態による液晶表示装置とは異なり、画素電極190の溝61の幅が入口から奥部へ向かって減少している（図８参照）。つまり、溝61の入口での幅Dが溝61の奥部での幅Aより大きい。この場合、電界が溝61の奥部より入口で強く形成されるので、液晶分子31の配向方向が更に容易に溝61の奥行方向に揃う。すなわち、液晶分子31の配向制御が更に容易である。
【００４４】
本発明の更に別の実施形態による液晶表示装置について、図９及び図１０を参照しながら詳細に説明する。この実施形態による液晶表示装置では、図１〜４に示されている上記の実施形態による液晶表示装置とは異なり、線状半導体151の平面形状が、データ線171とその下地の線状オーミック接触部材161、163、及びドレイン電極175とその下地のオーミック接触部材165の各平面形状と実質的に同一である。尚、線状半導体151の突出部154は、図１、２、４に示されている線状半導体151の突出部154と同様に、ソース電極173とドレイン電極175との間など、データ線171及びドレイン電極175のいずれにも覆われずに露出した部分を含む。更に、この実施形態による薄膜トランジスタ表示パネル100は金属片178の下地に、島型半導体158と、その上に位置したオーミック接触部材168との二重膜を含む。その二重膜の平面形状は金属片178の平面形状と実質的に同一である。
【００４５】
図９、１０に示されている薄膜トランジスタパネル100の製造では特に、データ線171、ドレイン電極175、及び金属片178が、線状半導体151とオーミック接触部材161、163、165と共に、一回のフォト工程によって形成される。このフォト工程で使用される感光膜は位置によって厚さが異なる。その感光膜は特に、第１部分とそれより薄い第２部分とを含む。第１部分は、データ線171、ドレイン電極175、及び金属片178の領域に位置し、第２部分は薄膜トランジスタのチャンネル領域に位置する。ここで、感光膜に上記の第１部分と第２部分とを形成する方法としては多様なものがあり得る。例えば、光マスクに、透光領域と遮光領域とに加え、半透明領域を設ける方法がある。半透明領域には好ましくは、スリットパターンまたは格子パターンが設けられている。それらのパターンでは、例えばスリットの幅やスリットの間隔等、パターンの変化がフォト工程に用いられる露光器の分解能より小さい。半透明領域ではその他に、透過率が透光領域と遮光領域との各透過率の中間である薄膜、または、厚さが透光領域と遮光領域との各厚さの中間である薄膜が形成されていても良い。半透明領域の透過率は透光領域と遮光領域との各透過率の中間であるので、感光膜の第１部分を透光領域に対応させ、かつ第２部分を半透明領域に対応させることで、各部分の厚さを変化させ得る。感光膜に第１部分と第２部分とを形成する方法のその他の例としては、その感光膜としてリフロー可能な感光膜を使用する方法がある。まず、透光領域と遮光領域とのみを持つ通常の光マスクを用いてリフロー可能な感光膜をパターニングすることで薄膜トランジスタパネル100の基板110の上に第１部分を形成する。その後、その第１部分をリフローさせ、感光膜が残留していない基板110の領域に感光膜を流し込む。それにより、第１部分より薄い第２部分が基板110の上に形成される。以上のような方法で感光膜に第１部分と第２部分とを形成することにより、データ線171、ドレイン電極175、金属片178、線状半導体151、及びオーミック接触部材161、163、165が一回のフォト工程で形成可能である。従って、図１〜４に示されている実施形態による液晶表示装置の製造工程と比べ、フォト工程が一つ削減可能であるので、製造方法が簡単である。
【００４６】
本発明の他の実施形態による液晶表示装置について、図１１を参照しながら説明する。この実施形態による液晶表示装置は、カラーフィルターを除き、図１〜４に示されている上記の実施形態による液晶表示装置と同様である。図１１ではそれら同様な構成要素に対して図１〜４に示されている符号と同じ符号を付し、それらの詳細については上記の説明を援用する。
【００４７】
この実施形態による液晶表示装置では、図１〜４に示されている液晶表示装置とは異なり、共通電極パネル200に遮光部材220とカラーフィルター230とがなく、薄膜トランジスタパネル100の保護膜180の下に複数のカラーフィルター230R、230G、230Bが形成されている（図１１参照）。各カラーフィルター230R、230G、230Bは、薄膜トランジスタパネル100の縦方向に延び、隣接する二つのデータ線171の間を覆っている。図１１では更に、隣接する二つのカラーフィルター230R、230Bが、両者の間に位置するデータ線171の上部で重なっている。カラーフィルター230R、230G、230B間のこの重なり部分が光を遮断することで、隣接する画素電極190の間では光の漏洩が防止される。このように、カラーフィルター230R、230G、230Bが遮光部材の機能を併せ持つので、共通電極パネル200からは遮光部材が除去されても良い。その結果、共通電極パネル200の製造工程が簡素化される。尚、カラーフィルター230R、230G、230Bの下に層間絶縁膜（図示せず）が更に設けられても良い。図９及び図１０に示されている液晶表示装置でも同様に、共通電極パネル200に代え、薄膜トランジスタパネル100の保護膜180の下にカラーフィルターが設けられても良い。
【００４８】
上記の実施形態のいずれとも更に異なる、本発明の実施形態による液晶表示装置について、図１２を参照しながら説明する。この実施形態による液晶表示装置は、傾斜部材と共通電極とを除き、図１〜４に示されている上記の実施形態による液晶表示装置と同様である。図１２ではそれら同様な構成要素に対して図１〜４に示されている符号と同じ符号を付し、それらの詳細については上記の説明を援用する。
【００４９】
図１２に示されている液晶表示装置では、図１〜４に示されている実施形態と異なり、オーバーコート膜250がカラーフィルター230を覆っている。更に、オーバーコート膜250が加工されて傾斜部材330a〜330cが形成されている。その上、共通電極270が傾斜部材330a〜330cを覆っている。ここで、共通電極270には、図３に示されているような切開部（図示せず）が形成されている。従って、オーバーコート膜250は、特に共通電極270の切開部で、カラーフィルター230を外部から保護すると共に、カラーフィルター230内から外部への色素の流出を防止し、かつカラーフィルタ230の表面を平坦にする。尚、傾斜部材330a、330bがオーバーコート膜250と一体的に形成されるのではなく、オーバーコート膜250の上に積層された別の材料から形成されても良い。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明した。しかし、本発明の技術的範囲は上記の実施形態には限定されない。実際、当業者であれば、この明細書に添付された特許請求の範囲で定義されている本発明の基本概念を利用した種々の変形や改良が可能であろう。従って、それらの変形や改良も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態による液晶表示装置の表示パネルの平面図
【図２】図１に示されている薄膜トランジスタパネルの構造を示す平面図
【図３】図１に示されている共通電極パネルの構造を示す平面図
【図４】図１に示されている三本の折線IV−IV'、IV'−IV''、IV''−IV'''のそれぞれに沿った断面の展開図
【図５】本発明の実施形態による画素電極の切開部に形成された複数の溝と液晶分子の配向方向との間の関係を示す模式図
【図６】本発明の実施形態による傾斜部材に形成されている凹部または凸部を示す斜視図
【図７】図６に示されている凹部または凸部の平面図
【図８】本発明の別の実施形態による液晶表示装置の表示パネルの平面図
【図９】本発明の更に別の実施形態による液晶表示装置の表示パネルの平面図
【図１０】図９に示されている三本の折線X−X'、X'−X''、X''−X'''のそれぞれに沿った断面の展開図
【図１１】本発明の他の実施形態による表示パネルの断面の展開図
【図１２】本発明の更に異なる実施形態による表示パネルの断面の展開図
【図１３】本発明の実施形態による傾斜部材の断面図
【符号の説明】
【００５２】
3  液晶層
31  液晶分子
100  薄膜トランジスタパネル
110  薄膜トランジスタパネルの基板
121  ゲート線
124  ゲート電極
129  ゲート線の端部
131  維持電極線
133a〜d  維持電極
133e  維持電極の連結部
140  絶縁膜
151  線状半導体
154  線状半導体の突出部
171  データ線
173  ソース電極
175  ドレイン電極
177  ドレイン電極の拡張部
178  金属片
179  データ線の端部
180  保護膜
181、182、183a、183b、185  接触孔
190  画素電極
11  第１配向膜
81、82  接触補助部材
83  連結橋
91、92a、92b  画素電極の切開部
61  画素電極の切開部の溝
200  共通電極パネル
210  共通電極パネルの基板
220  遮光部材
230  カラーフィルター
270  共通電極
330a、330b、330c  傾斜部材
21  第２配向膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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