(57)【要約】【課題】  紫外線レーザによつてスクライブした後、赤外線レーザによる熱応力を作用させるレーザ切断装置があるが、紫外線レーザを照射した時点でのスクライブ線の厚さ方向への伸展は生じず、その後の赤外線レーザによる熱応力の作用によつて厚さ方向に伸展するため、スクライブ線の深さが浅く、切断が良好になされ難い。【解決手段】  脆性材料製の基板１の表面に紫外線レーザの照射による加工点３を連続的に形成してスクライビングするレーザ切断方法において、基板１の加工点３位置の周辺に圧縮応力を作用させてある状態で、基板１と紫外線レーザ１０１ａとに相対移動を与えながら、紫外線レーザ１０１ａを照射させて基板１の表面に加工点３を形成し、加工点３を形成することで基板１の加工点３周辺の圧縮応力を除去させ、スクライブ線１０３を基板１の厚さ方向に伸展させる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
脆性材料製の基板（１）の表面に紫外線レーザ（１０１ａ）の照射による加工点（３）を連続的に形成してスクライビングするレーザ切断方法において、
基板（１）の加工点（３）位置の周辺に予め圧縮応力を作用させてある状態で、基板（１）と紫外線レーザ（１０１ａ）とに相対移動を与えながら、基板（１）の加工点（３）位置に紫外線レーザ（１０１ａ）を照射させて基板（１）の表面に加工点（３）を形成し、加工点（３）を形成することで基板（１）の加工点（３）周辺の圧縮応力を除去させ、スクライブ線（１０３）を基板（１）の厚さ方向に伸展させることを特徴とするレーザ切断方法。
【請求項２】
脆性材料製の基板（１）の表面に紫外線レーザ（１０１ａ）の照射による加工点（３）を連続的に形成してスクライビングするレーザ切断装置において、
基板（１）と、紫外線レーザ（１０１ａ）を発生する紫外線レーザ発振装置（１０１）と、加熱手段（２０１）とを備え、
加熱手段（２０１）によつて基板（１）の加工点（３）位置の周辺を加熱し、基板（１）に熱応力が発生している状態で、基板（１）と紫外線レーザ（１０１ａ）とに相対移動を与えながら、基板（１）の加工点（３）位置に紫外線レーザ（１０１ａ）を照射させて基板（１）の表面に加工点（３）を形成し、加工点（３）を形成した後に基板（１）の加工点（３）周辺の加熱状態を解放させ、スクライブ線（１０３）を基板（１）の厚さ方向に伸展させることを特徴とするレーザ切断装置。
【請求項３】
脆性材料製の基板（１）の表面に紫外線レーザ（１０１ａ）の照射による加工点（３）を連続的に形成してスクライビングするレーザ切断装置において、
基板（１）と、紫外線レーザ（１０１ａ）を発生する紫外線レーザ発振装置（１０１）と、基板（１）の加工点（３）位置の周辺を高温に加熱するための加熱用のレーザ発振装置（２０１）とを備え、
加熱用のレーザ発振装置（２０１）から射出する加熱用のレーザ（２０１ａ）の照射によつて基板（１）の加工点（３）位置の周辺を加熱し、基板（１）に熱応力が発生している状態で、紫外線レーザ発振装置（１０１）から射出する紫外線レーザ（１０１ａ）によつて基板（１）の加工点（３）位置を照射して加工点（３）を形成し、かつ、加熱用のレーザ（２０１ａ）及び紫外線レーザ（１０１ａ）を基板（１）に対して相対的に移動させて基板（１）表面にスクライブ線（１０３）を形成すると共に、
加工点（３）を形成した後に加工点（３）の周辺への加熱用のレーザ（２０１ａ）の照射を終了させて加熱状態を解放させ、スクライブ線（１０３）を基板（１）の厚さ方向に伸展させることを特徴とするレーザ切断装置。
【請求項４】
前記基板（１）の切断が、スクライブ線（１０３）にブレイク力を作用させてなされることを特徴とする請求項２又は３のレーザ切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ切断方法及びその装置に関し、詳しくは、脆性材料製の基板を紫外線レーザによりスクライブするレーザ切断方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザを使用するガラスの切断装置が知られている。
特許文献１に示されるものは、図５に示すようにガラス６０に対して比較的高い吸収性を有する赤外線レーザ７４を楕円形状に整形させて照射し、レーザ照射部の後側近傍を冷媒７５（水性冷却剤）によつて冷却する。すなわち、予め、ガラス６０の切断したい部分に初期クラックを手作業にて作製し、その部分からレーザ７４を照射すると共に、照射部の後側近傍を液体（又は気体）からなる冷媒７５によつて冷却しながら、両者をガラス６０上で走査する。これにより、ガラス６０の内部の熱歪みによつて初期クラックが切断したい方向に進展し、ブラインドクラックを深さ方向に発生させスクライブ線２０４（切り込み線）が形成される。スクライブ線２０４の形成後、ガラス６０の裏面からブレイク力７３を作用させ、ブラインドクラックに曲げモーメントを付与することにより、ガラス６０が切断される。
【０００３】
この種の赤外線レーザの熱応力を利用する装置は、図６に示すように赤外線レーザ発振装置２０１からの赤外線レーザ２０１ａの照射により、脆性材料製の基板であるガラス６０を切断予定線２で切断する。赤外線レーザ発振装置２０１より出射された光２０１ａは、ミラーｍ１に反射され、レンズ２０２によつて集光されて加工点６３に照射される。一般的に、加工点６３に照射される光はデフォーカスしてあり、あまり集光されていない。基板１の切断予定線２の始点には、予め初期クラック２０３を形成してある。
【０００４】
基板１と赤外線レーザ発振装置２０１を含む光学系とに相対移動を与えることにより、加工点６３が切断予定線２上を矢印Ａ方向に移動する。このとき、初期クラック２０３を起点として亀裂が伸展する。
【０００５】
図７において、赤外線レーザ２０１ａが照射されている領域が加工点６３、赤外線レーザ２０１ａの照射によつて亀裂が伸展した切断部（スクライブ線）を２０４、切断部２０４の先端を４とする。加工点３周辺には白抜き矢印の方向に熱応力（赤外線レーザ２０１の照射中心に圧縮応力、切断先端４には引張り応力）がかかつており、そのため加工点６３の移動により、切断部２０４が伸展する。
【０００６】
なお、特許文献１に記載されるもののように、冷媒７５（水性冷却剤）を利用して熱応力を大きくするものの他に、赤外線レーザの照射位置や数を変更することで熱応力を制御するものも知られている。
【０００７】
特許文献２に示されるものは、図５に示す赤外線レーザ７４に代えて、光子エネルギーの高い紫外線レーザを用いるもので、１つの紫外線レーザをレンズで集光し、ガラス内部の分子結合を直接分断することにより、初期クラックを作ることなく、スクライブ線を形成する方法であり、冷媒７５の介在はない。なお、ブレイクには、機械的衝撃ではなく、赤外線レーザを用いている。この方法にあつては、スクライブ線の形成に際して紫外線レーザによつてガラス体を昇華させ、蒸発・飛散させるので、削り屑のような後工程で障害となる塵等を発生させ難い、としている。
【０００８】
すなわち、図８において１０１が紫外線レーザ発振装置、１０２が紫外線用集光レンズ、２０１が赤外線レーザ発振装置、２０２が赤外線用集光レンズ、Ｍ１，ｍ１はそれぞれ紫外線用のミラー及び赤外線用のミラーであり、第１の工程で紫外線レーザ発振装置１０１より出射された光１０１ａは集光レンズ１０２によつて集光される。また、基板１と光学系とが相対移動することにより、加工点３は矢印Ａ方向に移動する。同様に、第２の工程で赤外線レーザ発振装置２０１より出射された光２０１ａは集光レンズ２０２によつて加工点３付近に集光される。
【０００９】
基板が加工される様子について図９を参照して説明する。先ず、図９（Ａ）に示すように紫外線レーザ１０１ａが基板１の一端部に照射され、紫外線レーザ１０１ａの照射によつて加工点３が形成される。Ｐは、基板１からの昇華物質を示す。基板１と光学系とが相対移動することにより、図９（Ｂ）に示すように切断予定線２に沿つて紫外線レーザ１０１ａによりスクライブ線１０３が形成される。第２の工程で、図９（Ｃ）に示すようにスクライブ線１０３の上から赤外線レーザ２０１ａが照射され、引張り応力Ｓが働く。図９（Ｄ）に示すようにスクライブ線１０３の内端に垂直クラック２０５が発生し、基板１が切断される。
【００１０】
特許文献３に示されるものは、レーザ加工装置の載置台上に加工対象物を載置する工程と、載置台上に設けられた加熱装置により加工対象物を加熱しながら、加熱された加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定線に沿つて加工対象物の内部に変質領域による切断予定部を形成する工程と、変質領域による切断予定部が内部に形成された加工対象物を冷却し、熱応力によるストレスを生じさせて加工対象物を切断する工程とを備えるレーザ加工方法である。
【００１１】
すなわち、図１０において１０１は紫外線レーザ発振装置、１０２は紫外線用集光レンズ、Ｍ１は紫外線用のミラーである。加工対象物である基板１１は基板を加熱する機構をもつたステージ５に載置されている。ステージ５に載置された基板１１は、予め、加熱機構によつて充分に加熱される。次に、紫外線レーザ発振装置１０１から出射された光１０１ａはレンズ１０２により加工点３に集光される。また、加工点３は、基板１と光学系との相対移動により切断予定線２に沿つて矢印Ａ方向に移動する。紫外線レーザ１０１ａによつてスクライビングされた基板１をステージから下ろし、自然冷却する。
【００１２】
図１１は、図１０のＣ−Ｃ線断面図である。集光レンズ１０２を通つた紫外光１０１ａは、加熱された基板１１の中央で焦点を結ぶように集光されて、基板１１の表面が溶融されることなく集光される（図１１（Ａ））。基板１の中央部集光点に改質領域１０４が局所的に形成される（図１１（Ｂ））。基板１１をステージから下ろし、自然冷却を行う。改質領域１０４の先端に引張り応力Ｓが働き、改質領域１０４を起点として亀裂が伸展する（図１１（Ｃ））。基板１の表面から裏面まで亀裂が到達する（図１１（Ｄ））。基板１１が分断される（図１１（Ｅ））。
【特許文献１】特開平９−１５０２８６号公報
【特許文献２】特開平５−３２４２８号公報
【特許文献３】特開２００３−８８９８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
赤外線レーザを用いる切断方法にあつては、スクライブ線の開始部に初期クラック２０３を作り、初期クラックから熱応力によつて亀裂を伸展させるため、加工点６３と亀裂の先端４の位置とが一致せず、そのため切断部２０４の直進性が悪く、切断予定線２に対して蛇行するという問題がある。また、垂直方向の直進性も悪く、斜めに削げるように切断されるという問題もある。更に、加工点６３の圧縮応力に対する相対的引張り応力Ｓを利用するため、圧縮領域のない基板終端部が割り切れない、という問題もある。
【００１４】
特許文献２に示されるもののように紫外線レーザによつてスクライブした後、赤外線レーザによる熱応力を作用させるレーザ切断装置は、基板表面の直進性に改善が見られるものの、紫外線レーザを照射した時点でのスクライブ線の厚さ方向への伸展は生じず、その後の赤外線レーザによる熱応力の作用によつてスクライブ線が厚さ方向に伸展するため、紫外線レーザを照射した時点でのスクライブ線の深さは数μｍ〜数十μｍと浅く、基板の切断が良好になされ難い。垂直方向には斜めに削げる問題も依然として残る。また、加工点３の圧縮応力に対する相対的引張り応力Ｓを利用するため、圧縮領域のない基板終端部が割り切れない、という問題も残る。
【００１５】
特許文献３に示されるもののように加熱中の基板厚さの中央にレーザ光を集光させて変質層１０４を形成し、冷却時の引張り応力によつて基板を分断するレーザ切断装置は、亀裂の起点が変質層中央に保証されないため、直進性に問題がある。特に、基板がガラス等の非結晶体である場合、亀裂が垂直方向に伸展する保証が全くない。更に、熱伝導による加熱には時間がかかるため、生産性の面からも不利である。勿論、紫外線レーザを照射させて基板表面にスクライブ線を形成するものでもない。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１の発明は、脆性材料製の基板１の表面に紫外線レーザの照射による加工点３を連続的に形成してスクライビングするレーザ切断方法において、
基板１の加工点３位置の周辺に予め圧縮応力を作用させてある状態で、基板１と紫外線レーザ１０１ａとに相対移動を与えながら、基板１の加工点３位置に紫外線レーザ１０１ａを照射させて基板１の表面に加工点３を形成し、加工点３を形成することで基板１の加工点３周辺の圧縮応力を除去させ、スクライブ線１０３を基板１の厚さ方向に伸展させることを特徴とするレーザ切断方法である。
請求項２の発明は、脆性材料製の基板１の表面に紫外線レーザ１０１ａの照射による加工点３を連続的に形成してスクライビングするレーザ切断装置において、
基板１と、紫外線レーザ１０１ａを発生する紫外線レーザ発振装置１０１と、加熱手段（２０１）とを備え、
加熱手段（２０１）によつて基板１の加工点３位置の周辺を加熱し、基板１に熱応力が発生している状態で、基板１と紫外線レーザ１０１ａとに相対移動を与えながら、基板１の加工点３位置に紫外線レーザ１０１ａを照射させて基板１の表面に加工点３を形成し、加工点３を形成した後に基板１の加工点３周辺の加熱状態を解放させ、スクライブ線１０３を基板１の厚さ方向に伸展させることを特徴とするレーザ切断装置である。
請求項３の発明は、脆性材料製の基板１の表面に紫外線レーザ１０１ａの照射による加工点３を連続的に形成してスクライビングするレーザ切断装置において、
基板１と、紫外線レーザ１０１ａを発生する紫外線レーザ発振装置１０１と、基板１の加工点３位置の周辺を高温に加熱するための加熱用のレーザ発振装置２０１とを備え、
加熱用のレーザ発振装置２０１から射出する加熱用のレーザ２０１ａの照射によつて基板１の加工点３位置の周辺を加熱し、基板１に熱応力が発生している状態で、紫外線レーザ発振装置１０１から射出する紫外線レーザ１０１ａによつて基板１の加工点３位置を照射して加工点３を形成し、かつ、加熱用のレーザ２０１ａ及び紫外線レーザ１０１ａを基板１に対して相対的に移動させて基板１表面にスクライブ線１０３を形成すると共に、
加工点３を形成した後に加工点３の周辺への加熱用のレーザ２０１ａの照射を終了させて加熱状態を解放させ、スクライブ線１０３を基板１の厚さ方向に伸展させることを特徴とするレーザ切断装置である。
請求項４の発明は、前記基板１の切断が、スクライブ線１０３にブレイク力を作用させてなされることを特徴とする請求項２又は３のレーザ切断装置である。
【発明の効果】
【００１７】
独立請求項１に係る発明によれば、基板の加工点位置の周辺に圧縮応力を作用させてある状態で、基板と紫外線レーザとに相対移動を与えながら、基板の加工点位置に紫外線レーザを照射させて基板の表面にスクライブ線を形成し、紫外線レーザの照射によつて基板の加工点周辺の圧縮応力を除去させ、スクライブ線を基板の厚さ方向に伸展させる。
【００１８】
しかして、加工点付近の圧縮応力を除去させるだけでスクライブ線の先端に引張り応力が作用し、スクライブ線を垂直方向に伸展させることができる。すなわち、紫外線レーザの照射によつて瞬時に基板の加工点付近が膨張して復元し、膨張した部分の圧縮応力が軽減され、同時にスクライブ線の内端に引張り応力が作用する。このように、紫外線レーザを照射した時点でスクライブ線の深さが深くなり、紫外線レーザを照射後の加工点を直接切断するようになるので、切断部分が蛇行しない。また、基板の加工点付近の膨張はスクライブ線の左右対称に瞬時に生じ、スクライブ線を形成した表面から垂直方向に確実に亀裂が伸展するので、切断面が斜めに削げる加工も良好に防止される。加えて、圧縮応力を除去させるときの引張り応力、及び、常温に戻るときの引張り応力を利用して亀裂を伸展させるので、加工点に先行する部分の圧縮応力を必要としない。このため、基板の終端部分も割り切ることができるという著効が得られる。
【００１９】
独立請求項２に係る発明によれば、先に加熱手段によつて基板の加工点位置の周辺を加熱し、基板に熱応力が発生している状態で、基板と紫外線レーザとに相対移動を与えながら、基板の加工点位置に紫外線レーザを照射させて基板表面にスクライブ線を形成し、紫外線レーザの照射後に基板の加工点周辺の加熱状態を解放させ、スクライブ線を基板の厚さ方向に伸展させる。
【００２０】
このように、基板の加工点を含む周辺を予め高温に加熱してある状態で、紫外線レーザを使用して基板表面にスクライブ線を形成するので、加工点付近が常温に戻るだけで疑似冷却状態が醸成され、スクライブ線の先端に引張り応力が作用し、スクライブ線を垂直方向に伸展させることができる。すなわち、紫外線レーザの照射によつて瞬時に基板の加工点付近が膨張して復元し、膨張した部分の圧縮応力が軽減され、同時にスクライブ線の内端に引張り応力が作用する。このように、紫外線レーザを照射後の加工点を直接切断するようになるので、切断部分が蛇行しない。また、基板の加工点付近の膨張はスクライブ線の左右対称に瞬時に生じ、スクライブ線を形成した表面部分から垂直方向に確実に亀裂が伸展するので、切断面が斜めに削げる加工も良好に防止される。加えて、圧縮応力を除去させるときの引張り応力、及び、常温に戻るときの引張り応力を利用して亀裂を伸展させるので、先行部分の圧縮応力を必要としない。このため、基板の終端部分も割り切ることができるという著効が得られる。
【００２１】
独立請求項３に係る発明によれば、請求項２に係る発明と比較して、加熱手段として加熱用のレーザ発振装置から射出する加熱用のレーザを使用するので、加熱用のレーザによつて簡単に基板の加工点位置の周辺を加熱して、請求項２と同様の効果が得られる。
【００２２】
請求項４に係る発明によれば、基板の切断が、スクライブ線にブレイク力を作用させてなされるので、基板の切断が確実になされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１〜図３は、本発明に係るレーザ切断装置の１実施の形態を示す。図１中において
符号１０１は紫外線レーザ発振装置を示し、このレーザ発振装置１０１からは紫外線領域のレーザ１０１ａ（パルスレーザ）が射出する。紫外線レーザ１０１ａは、ミラーＭ１にて反射させた後、集光レンズ１０２によつて集光させ、ガラスにて代表される脆性材料製の基板１の表面付近に集光点が与えられる。紫外線レーザ１０１ａは、基板１に吸収性をもち、その照射によつて基板１を昇華させ、蒸発・飛散させる。紫外線レーザ１０１ａの所定位置への照射によつて基板１を昇華させて生ずるくさび状断面の空間を加工点３とする。
【００２４】
また、符号２０１は加熱手段としての赤外線レーザ発振装置を示し、このレーザ発振装置２０１からは赤外線領域のレーザ２０１ａ（パルスレーザ）が射出する。赤外線レーザ２０１ａは、ミラーｍ１，ｍ２にて反射させた後、基板１の加工点３位置を含んで照射される。赤外線レーザ２０１ａは、基板１に吸収性をもち、その照射によつて基板１を溶融させない程度の高温に加熱する。赤外線レーザ２０１ａによつて基板１を昇温させる領域は、仮想線にて示す切断予定線２に沿い、加工点３となる部分を含んでその周辺である。このように、赤外線レーザ２０１ａは、基板１の加工点３を中心としてその周辺を昇温させる目的で基板１の表面に照射させるものであるため、ミラーｍ２による反射光を基板１に直接照射させることに代えて、図２に示すようにミラーｍ２による反射光を集光レンズ２０２によつて集光させて、基板１の表面付近に集光点を形成し、所定の大きさ・強度に調整して照射することもできる。
【００２５】
一般に、紫外線レーザ１０１ａ及び赤外線レーザ２０１ａは、同軸上に合わせることが困難であるため、紫外線レーザ１０１ａを垂直に入射させ、強く集光させる必要がない赤外線レーザ２０１ａを斜めから入射させている。なお、赤外線レーザ２０１ａは、加工点３位置周辺を加熱する加熱手段であるから、バーナーその他の加熱手段によつて置換することが可能である。但し、赤外線レーザ２０１ａによれば、エネルギーの消費及び損失を少なくして、所定領域を狭くかつ正確に加熱することができると共に、輻射による加熱であるため加熱効率がよいこと、紫外線レーザ１０１ａに追随移動させることが容易なこと等の利点がある。
【００２６】
基板１は、ステージ（図示せず）に載置され、先ず、加熱用のレーザ発振装置である赤外線レーザ発振装置２０１から射出する加熱用レーザである赤外線レーザ２０１ａの照射によつて基板１の加工点３位置の周辺を加熱し始め、基板１に局部的な熱応力を発生させる。この熱応力が発生している状態で、紫外線レーザ発振装置１０１から射出する紫外線レーザ１０１ａにより、基板１の加工点３位置を照射する。そして、赤外線レーザ２０１ａ及び紫外線レーザ１０１ａを基板１に関して相対的に移動させて、基板１の表面に紫外線レーザ１０１ａの照射による加工点３を連続的に形成して、凹溝状のスクライブ線１０３を形成する。加工点３位置の周辺への赤外線レーザ２０１ａの照射が終了すれば、加熱状態が解放される。
【００２７】
次に、図２のＤ−Ｄ線断面を示す図３を参照して動作について説明する。Ｄ−Ｄ線は、切断予定線２と直交している。
【００２８】
基板１をステージに載置する状態で、紫外線レーザ１０１ａ及び赤外線レーザ２０１ａを一体として基板１に対して相対移動（図１，図２に示す矢印Ａ方向）を与えながら、基板１の切断予定線２の一端部への照射を開始する。先ず、赤外線レーザ２０１ａの照射により、基板１の加工点３位置付近が溶融を生じない高温に加熱され、図３（Ａ）に模式的に黒塗りで示す台形状の加熱部分１ａに圧縮応力を生ずる。図３（Ａ）に示すように、当初、基板１の一端部には赤外線レーザ２０１ａのみが照射されている。基板１の相対移動により、加熱部分１ａに紫外線レーザ１０１ａが照射され、加工点３の形成によるスクライビングがなされ、図３（Ｂ）に示すように加熱部分１ａにＶ字状の加工点３が連続するＶ字状断面のスクライブ線１０３が形成される。
【００２９】
これにより、スクライブ線１０３の一部となる加工点３が形成された基板１の箇所では加工点３つまり空隙の形成に伴つて瞬時に圧縮応力が解放されて膨張し、スクライブ線１０３の先端（内端）に引張り応力が作用し、図３（Ｃ）に示すようにスクライブ線１０３の先端（内端）から基板１の厚さ方向に亀裂が伸展する。時間の経過により、基板１が自然冷却を受けて収縮変形する間、スクライブ線１０３の先端に引張り応力が作用し続け、図３（Ｄ）に示すように亀裂が更に伸展する。基板１が常温にまで戻り、亀裂の伸展が止まる。このような動作が基板１の他端にまで継続して行われる。
【００３０】
亀裂の伸展長さ（深さ）は、赤外線レーザ２０１ａによる基板１の加熱温度、加熱面積に加えて、基板１の材質、紫外線レーザ１０１ａの照射エネルギー等のスクライビング条件によつて決まる。基板１の厚さにもよるが、図３（Ａ）〜（Ｄ）の動作によつて基板１を完全に分断してもよいし、後工程であるブレイク工程によつてブレイク力を作用させて基板１を分断してもよい。
【００３１】
また、図４に示すように加工点３の後側を冷却する冷却機構６を設け、基板１のスクライビングが終了した部分を追従して冷却することで、温度勾配を急峻にし、亀裂の伸展を促すこともできる。この冷却機構６は、冷媒を吹き出す。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の１実施の形態に係るレーザ切断装置の概略を示す斜視図。
【図２】同じく要部の他の構造例の概略を示す斜視図。
【図３】同じく切断作用を示す図２のＤ−Ｄ線断面図であり、図３（Ａ）は赤外線レーザの照射による基板の加熱部分を示す図、図３（Ｂ）はスクライブ線（加工点）の形成を示す図、図３（Ｃ）は引張り応力の作用を示す図、図３（Ｄ）は垂直クラックの伸展を示す図。
【図４】同じく冷却機構を設けた構造例を示す斜視図。
【図５】従来の切断方法を示す斜視図。
【図６】同じく切断方法を示す斜視図。
【図７】同じく切断方法の作用を示す説明図。
【図８】従来の他の切断方法を示す斜視図。
【図９】同じく切断方法の作用を示す説明図。
【図１０】従来の更に他の切断方法を示す斜視図。
【図１１】同じく切断方法の作用を示す説明図。
【符号の説明】
【００３３】
１：基板
３：加工点
６：冷却機構
１０１：紫外線レーザ発振装置
１０１ａ：紫外線レーザ
１０３：スクライブ線
２０１：赤外線レーザ発振装置（加熱用のレーザ発振装置又は加熱手段）
２０１ａ：赤外線レーザ（加熱用のレーザ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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