(57)【要約】      （修正有）【課題】光半透過部の中に部分的に遮光部を設けたハーフトーン型位相シフトマスクの、位相シフト層パターンの寸法精度を設計寸法により近づけたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。欠陥そのものを修正する手法によらず、良品を製造する。【解決手段】（１）位相シフト層、薄膜金属層、第一レジスト層を積層する。（２）第一レジスト層パターン、（３）薄膜金属層第一パターン８ｂ、（４）位相シフト層パターン３ｂを形成する。（５）第一レジスト層パターンを剥離する。（６）アライメントマーク光透過部以外の全面に遮光層９ａ、（７）第二レジスト層６ａ、（８）第二レジスト層パターン６ｂ、（９）遮光層パターン９ｂ及び薄膜金属層第二パターン８ｃを形成する。第二レジスト層パターン６ｂを剥離する、各工程を具備する。【選択図】図５
2006195126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上の光透過部と、部分的に遮光部を設けた光半透過部（位相シフト部）と、遮光部とで構成されるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、導電性を持つ金属膜をマスクとして、位相シフト部のパターンを形成した後、遮光性を持つ金属膜を積層し、遮光部のパターンを形成することを特徴とする、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）位相シフト層、薄膜金属層が順次に積層された透明基板の薄膜金属層上に第一レジスト層を積層する工程と、
（２）第一レジスト層を所定の形状にパターニングして、光透過部（メインパターン光透過部）及びアライメントマーク光透過部に相当する部分が欠落した形状の第一レジスト層パターンを形成する工程と、
（３）第一レジスト層パターンをマスクにして薄膜金属層をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）及びアライメントマーク光透過部に相当する部分が欠落した形状の薄膜金属層第一パターンを形成する工程と、
（４）第一レジスト層パターンと薄膜金属層第一パターンをマスクにして位相シフト層をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）及びアライメントマーク光透過部に相当する部分が欠落した形状の位相シフト層パターンを形成する工程と、
（５）第一レジスト層パターンを剥離する工程と、
（６）薄膜金属層第一パターンと位相シフト層パターンが形成された透明基板上の、アライメントマーク光透過部以外の全面に遮光層を形成する工程と、
（７）遮光層が形成された透明基板上の全面に第二レジスト層を積層する工程と、
（８）第二レジスト層を所定の形状にパターニングして、光透過部（メインパターン光透過部）及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の第二レジスト層パターンを形成する工程と、
（９）第二レジスト層パターンをマスクにして遮光層及び薄膜金属層第一パターンをエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）、アライメントマーク光透過部、及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の遮光層パターン及び薄膜金属層第二パターンを形成し、第二レジスト層パターンを剥離する工程、
を少なくとも具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、前記薄膜金属層第一パターンの厚さが、電子線描画時のチャージアップの現象を防ぐ導電性を持ち、かつ位相シフト層と合わせた光学濃度が露光光を遮光するために必要な光学濃度を満たさない程度の厚さであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【請求項４】
透明基板上の光透過部と、部分的に遮光部を設けた光半透過部（位相シフト部）と、遮光部とで構成されるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、既に製造したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光膜パターンに欠陥がある際に、
（１）既に製造したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光層パターン及び薄膜金属層第二パターンのうち、少なくとも欠陥が存在する箇所を含む部分を剥離する工程と、
（２）既に形成された位相シフト層パターンが残存している透明基板上の、アライメントマーク光透過部以外の全面に遮光層を形成する工程と、
（３）遮光層が形成された透明基板上の全面に第二レジスト層を積層する工程と、
（４）第二レジスト層を所定の形状にパターニングして、光透過部（メインパターン光透過部）及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の第二レジスト層パターンを形成する工程と、
（５）第二レジスト層パターンをマスクにして遮光層をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）、アライメントマーク光透過部、及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の遮光層パターンを形成し、第二レジスト層パターンを剥離する工程、
を少なくとも具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の製造時にステッパー等の露光装置において使用されるハーフトーン型位相シフトマスクに関するものであり、特に、ハーフトーン型位相シフトマスクを構成する位相シフト層パターンの寸法精度を高め、かつ遮光層の光学濃度を上げることのできるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハーフトーン型位相シフトマスクの平面的な構成としては、通常、光透過部と、その光透過部の周りを取り囲む光半透過部（位相シフト部）よりなるが、光半透過部（位相シフト部）の中に部分的に遮光部を設けて、光透過部と光半透過部（位相シフト部）と遮光部より成るハーフトーン型位相シフトマスクも用いられている。
【０００３】
例えば、特開平８−３３４８８５号公報に開示されているように、メインパターン有効領域の外周部分の光半透過部上に遮光部を設けた構造のハーフトーン型位相シフトマスクも提案されている。このようなハーフトーン型位相シフトマスクを用いて、シリコンウエハの表面に設けたレジストにステッパーによってパターンを転写する場合には、本来、レジストに感光してはならない部分に多重に露光されてレジストが感光することを防止することができる。
また、例えば、特開平８−２９２５５０号公報、特開平８−３３４８８６号公報に開示されているように、同じく光透過部と光半透過部（位相シフト部）と遮光部より成るハーフトーン型位相シフトマスクであって、光半透過部のメインパターンの中に部分的に遮光部を設けた構造のハーフトーン型位相シフトマスクも用いられている。
【０００４】
光透過部と、光半透過部（位相シフト部）と、遮光部とで構成される、このようなハーフトーン型位相シフトマスクはトライトーンマスクと称される。
図１は、トライトーンマスクの一例を示す部分断面図である。図１に示すように、このトライトーンマスクは、透明基板（１）上に光透過部（２）、その周りに光半透過部（位相シフト部）（３）、その光半透過部（位相シフト部）（３）を取り囲んで遮光部（４）が形成されたものである。
図１中、トライトーンマスクの左端には、遮光部（４）の領域内にアライメントマーク光透過部（７）が形成されている。
【０００５】
このトライトーンマスクは、光透過部と、その周りを取り囲む光半透過部（位相シフト部）で構成される通常のハーフトーン型位相シフトマスクに比較して、下記のような特徴が挙げられている。
すなわち、光透過部と光半透過部（位相シフト部）で構成される通常のハーフトーン型位相シフトマスクの場合には、例えば、光透過部が大面積になると、光透過部に対応する転写像にゴースト等が発生するといった問題が、このトライトーンマスクでは、その発生を防ぐことができることである。
また、例えば、光透過部の周りを取り囲む光半透過部（位相シフト部）が大面積になると、光透過部を通過した露光光によって、得られる転写像が不鮮明になるといった問題が、このトライトーンマスクでは、その発生を防ぐことができることである。
【０００６】
図２（ａ）〜（ｅ）、及び図３（ａ）〜（ｃ）は、図１に示すトライトーンマスクの製造方法の一例を断面で示す説明図である。
図２（ａ）に示すように、先ず、位相シフト層（３ａ）、遮光層（４ａ）が順次に積層された透明基板（１）の遮光層（４ａ）上に、例えば、電子線レジストを用いた第一レジス
ト層（５ａ）を積層する。次に、図２（ｂ）〜（ｃ）に示すように、電子線露光装置を用いた描画、及び現像処理を行い、図１に示す、光透過部（２）に相当する部分、及びアライメントマーク光透過部（７）に相当する部分が欠落した形状の第一レジスト層パターン（５ｂ）を形成する。
【０００７】
次に、図２（ｄ）に示すように、第一レジスト層パターン（５ｂ）をマスクにして遮光層（４ａ）をエッチングして、前記光透過部（２）及びアライメントマーク光透過部（７）に相当する部分が欠落した形状の遮光層第一パターン（４ｂ）を形成する。
【０００８】
次に、図２（ｅ）に示すように、第一レジスト層パターン（５ｂ）及び遮光層第一パターン（４ｂ）をマスクにして、位相シフト層（３ａ）をエッチングして、前記光透過部（２）及びアライメントマーク光透過部（７）に相当する部分が欠落した形状の位相シフト層パターン（３ｂ）を形成する。
続いて、第一レジスト層パターン（５ｂ）を剥離する。
【０００９】
次に、図３（ａ）に示すように、遮光層第一パターン（４ｂ）、及び位相シフト層パターン（３ｂ）が形成された透明基板（１）の全面に第二レジスト層（６ａ）を積層し、例えば、電子線露光装置を用いた描画を行い、続いて、現像処理を行い、図３（ｂ）に示すように、図１に示す、光透過部（２）及び光半透過部（位相シフト部）（３）に相当する部分が欠落した形状の第二レジスト層パターン（６ｂ）を形成する。
【００１０】
次に、図３（ｃ）に示すように、第二レジスト層パターン（６ｂ）をマスクにして、遮光層第一パターン（４ｂ）をエッチングして、前記光透過部（２）、アライメントマーク光透過部（７）、及び光半透過部（位相シフト部）（３）に相当する部分が欠落した形状の遮光層第二パターン（４ｃ）を形成する。
続いて、第二レジスト層パターン（６ｂ）を剥離して、図１に示すトライトーンマスクを得る。
【００１１】
遮光層（４ａ）に用いられる材料としては、クロム（Ｃｒ）が広く用いられている。クロムを遮光層に用いた際の、クロムの厚さは、位相シフト層とクロム層の合計の光学濃度によって決まる。一般に、転写時に求められる遮光部の光学濃度は３から３．５であり、位相シフト層の光学濃度を１．２とした場合、クロム層は１．８から２．３程度の光学濃度を満たす程度の厚さが必要となる。また、転写時の反射光による露光を防ぐために、クロム層の上に酸化クロムなどの低反射層を形成する必要があるので、通常、クロム層は二層膜になっている。
これを満たすために、クロム層の厚さは、４０から５０ｎｍ程度以上が必要である。
位相シフト層（３ａ）に用いられる材料としては、モリブデンシリサイドの化合物、例えば、酸化窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯｘ  Ｎｙ  ）が広く用いられている。酸化窒化モリブデンシリサイドを位相シフト層に用いた際の、酸化窒化モリブデンシリサイドの位相シフト層の必要な厚さは光の波長と透過率によって決まる。波長がＡｒＦで、透過率が６％の場合、厚さは約７０ｎｍ程度である。
【００１２】
クロムの遮光層をエッチングすることで形成したパターンをマスクとして形成した酸化窒化モリブデンシリサイド層のパターン寸法精度と、クロムをマスクとしないで形成した酸化窒化モリブデンシリサイド層のパターン寸法精度を比較すると、クロムの遮光層をエッチングすることで形成したパターンをマスクとした場合の方がパターンの寸法精度が低い。
これは、クロム層のエッチング時のローディング効果によるもので、クロム層の膜厚が厚いほどこの影響が大きいが、ある程度クロム層の膜厚を薄くすることで、この影響を受けないようにすることができる。しかし、クロム層を薄くすると、遮光に必要な光学濃度が
足りなくなるという問題があり、光学濃度を満たして、かつローディング効果の影響を受けないようにするほどクロム層を薄くすることはできない。
【００１３】
従って、前記のように、酸化窒化モリブデンシリサイドを用いた位相シフト層（３ａ）をエッチングによって位相シフト層パターン（３ｂ）に形成する際に、光学濃度を確保した厚さのクロムを用いた、パターンの寸法精度の低い遮光層第一パターン（４ｂ）をマスクにして酸化窒化モリブデンシリサイドを用いた位相シフト層（３ａ）をエッチングすると、得られた位相シフト層パターン（３ｂ）も寸法精度の低いものとなってしまう。
【特許文献１】特開平８−３３４８８５号公報
【特許文献２】特開平８−２９２５５０号公報
【特許文献３】特開平８−３３４８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の請求項1から３は、上記問題を解決するためになされたものであり、光半透過部の中に部分的に遮光部を設けた構造のハーフトーン型位相シフトマスクの、位相シフト層パターンの形成時にマスクとして用いる金属薄膜層を薄くしてエッチング時のローディング効果をなくすことで寸法精度を高め、かつ、遮光部の充分な光学濃度が確保されたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを課題とするものである。
また、本発明の請求項４は、上記ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法により製造したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光部に欠陥が発生した際に、欠陥そのものを修正する手法によらず、良品を製造するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１は、透明基板上の光透過部と、部分的に遮光部を設けた光半透過部（位相シフト部）と、遮光部とで構成されるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、導電性を持つ金属膜をマスクとして、位相シフト部のパターンを形成した後、遮光性を持つ金属膜を積層し、遮光部のパターンを形成することを特徴とする、ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【００１６】
また、本発明の請求項２は、請求項１記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、
（１）位相シフト層、薄膜金属層が順次に積層された透明基板の薄膜金属層上に第一レジスト層を積層する工程と、
（２）第一レジスト層を所定の形状にパターニングして、光透過部（メインパターン光透過部）及びアライメントマーク光透過部に相当する部分が欠落した形状の第一レジスト層パターンを形成する工程と、
（３）第一レジスト層パターンをマスクにして薄膜金属層をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）及びアライメントマーク光透過部に相当する部分が欠落した形状の薄膜金属層第一パターンを形成する工程と、
（４）第一レジスト層パターンと薄膜金属層第一パターンをマスクにして位相シフト層をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）及びアライメントマーク光透過部に相当する部分が欠落した形状の位相シフト層パターンを形成する工程と、
（５）第一レジスト層パターンを剥離する工程と、
（６）薄膜金属層第一パターンと位相シフト層パターンが形成された透明基板上の、アライメントマーク光透過部以外の全面に遮光層を形成する工程と、
（７）遮光層が形成された透明基板上の全面に第二レジスト層を積層する工程と、
（８）第二レジスト層を所定の形状にパターニングして、光透過部（メインパターン光透過部）及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の第二レジスト層パターンを形成する工程と、
（９）第二レジスト層パターンをマスクにして遮光層及び薄膜金属層第一パターンをエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）、アライメントマーク光透過部、及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の遮光層パターン及び薄膜金属層第二パターンを形成し、第二レジスト層パターンを剥離する工程、
を少なくとも具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【００１７】
また、本発明の請求項３は、請求項１あるいは請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、前記薄膜金属層第一パターンの厚さが、電子線描画時のチャージアップの現象を防ぐ導電性を持ち、かつ位相シフト層と合わせた光学濃度が露光光を遮光するために必要な光学濃度を満たさない程度の厚さであることを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【００１８】
本発明の請求項４は、上記の請求項１ないし請求項３の発明による製造方法により作成されたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、既に製造した遮光膜パターンに欠陥がある際に、
（１）既に製造したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光層パターン及び薄膜金属層第二パターンのうち、少なくとも欠陥が存在する箇所を含む部分を剥離する工程と、
（２）既に形成された位相シフト層パターンが残存している透明基板上の、アライメントマーク光透過部以外の全面に遮光層を形成する工程と、
（３）遮光層が形成された透明基板上の全面に第二レジスト層を積層する工程と、
（４）第二レジスト層を所定の形状にパターニングして、光透過部（メインパターン光透過部）及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の第二レジスト層パターンを形成する工程と、
（５）第二レジスト層パターンをマスクにして遮光層をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）、アライメントマーク光透過部、及び光半透過部（位相シフト部）に相当する部分が欠落した形状の遮光層パターンを形成し、第二レジスト層パターンを剥離する工程、
を少なくとも具備することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、透明基板上に位相シフト層、薄膜金属層、レジストを積層した構造のブランクを用い、転写時に必要な遮光層を位相シフトパターンの形成後に積層するため、位相シフト層のパターンを遮光層をマスクとして形成しない。薄膜金属層は、電子線による描画時のチャージアップを防ぐためにあり、遮光性は必要ないので、エッチング時にローディング効果の影響を受けない程度の厚さにすることができる。
したがって、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法により、高い寸法精度の位相シフトパターンを得ることができる。
【００２０】
また、本発明の請求項４よれば、本発明の方法により作成したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光膜パターンに欠陥がある場合に、欠陥そのものを修正せず、遮光層を再作成するので、材料、工数を無駄にすることなく良品を作成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明を一実施の形態に基づいて以下に説明する。
図４（ａ）〜（ｅ）、及び図５（ａ）〜（ｅ）は、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一実施例を部分断面で示す説明図である。
図４（ａ）に示すように、先ず、位相シフト層（３ａ）、薄膜金属層（８ａ）が順次に積層された透明基板（１）の薄膜金属層（８ａ）上に、例えば、電子線レジストを用いた第一レジスト層（５ａ）を積層する。
位相シフト層（３ａ）及び薄膜金属層（８ａ）は、真空蒸着法或いはスパッタリング法により成膜する。第一レジスト層（５ａ）はスピンコータを用いて形成する。この際、予め電子線レジストが積層されたブランクスを用いてもよい。
【００２２】
位相シフト層（３ａ）の材料としては、モリブデンシリサイドの化合物、例えば、酸化窒化モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＯｘ  Ｎｙ  ）を用いる。その厚さは、
転写に使用する波長と透過率によって決まる。
薄膜金属層（８ａ）の材料としては、例えば、クロムを用いる。その厚さは、チャージアップの現象を回避することができる程度の導電性を持つ厚さでよい。遮光性を持たせるために、光学濃度３以上を満たす厚さにすると、クロムのエッチングの際に発生するローディング効果によりパターン形成精度の低下を招く。クロムのエッチング時のローディング効果は、クロムの膜厚を薄くすると影響が小さくなることが知られている。露光光がＡｒＦで透過率が６％の場合、位相シフト層の光学濃度は１．２２であり、位相シフト層とクロム層を合わせて光学濃度を約２にするためには、低反射膜の酸化クロムと合わせて、一般的に４０ｎｍ以上の厚さが必要であり、この厚さではローディング効果の影響によりパターンの寸法精度が低下する。しかし、光学濃度３以下になる程度にクロム層を薄くすると、ローディング効果の影響が小さくなるため、寸法精度の高いパターンを得ることができる。
【００２３】
次に、図４（ｂ）〜（ｃ）に示すように、電子線露光装置を用いた描画、及び現像処理を行い、図５（ｅ）に示す、光透過部（メインパターン光透過部）（２）及びアライメントマーク光透過部（７）に相当する部分が欠落した形状の第一レジスト層パターン（５ｂ）を形成する。
【００２４】
次に、図４（ｄ）に示すように、第一レジスト層パターン（５ｂ）をマスクにして薄膜金属層（８ａ）をエッチングして、前記光透過部（メインパターン光透過部）（２）及びアライメントマーク光透過部（７）に相当する部分が欠落した形状の薄膜金属層第一パターン（８ｂ）を形成する。薄膜金属層第一パターン（８ｂ）の厚さは光学濃度３以下のローディング効果の影響のない程度の厚さなので、得られる薄膜金属層第一パターン（８ｂ）の寸法精度は高いものとなる。
【００２５】
次に、図４（ｅ）に示すように、第一レジスト層パターン（５ｂ）及び薄膜金属層第一パターン（８ｂ）をマスクにして、位相シフト層（３ａ）をエッチングして、前記光透過部（メインパターン光透過部）（２）及びアライメントマーク光透過部（７）に相当する部分が欠落した形状の位相シフト層パターン（３ｂ）を形成する。ここでマスクとして用いた薄膜金属層第一パターン（８ｂ）の寸法精度は高いので、エッチングにより得られた位相シフト層パターン（３ｂ）の寸法精度は高いものとなる。
続いて、第一レジスト層パターン（５ｂ）を剥離する。
【００２６】
次に、図５（ａ）に示すように、薄膜金属層第一パターン（８ｂ）及び位相シフト層パターン（３ｂ）が形成された透明基板（１）上に遮光層（９ａ）を形成する。この遮光層（９ａ）は、トライトーンマスクにおける本来の遮光層となるものである。
本発明における薄膜金属層第一パターン（８ｂ）の材料としては、例えば、クロムを用いるが、これは主に、描画を行う際のチャージアップの現象を回避しつつ、寸法精度の高い位相シフト層パターン（３ｂ）を形成するためのものであり、光学濃度３以下の厚さであ
るので、本来の遮光層としての性能は不充分である。
【００２７】
遮光層（９ａ）は、ハーフトーン型位相シフトマスクのアライメントマーク光透過部（７）に相当する部分以外に形成する。遮光層（９ａ）は、真空蒸着法或いはスパッタリング法により成膜するが、アライメントマーク光透過部（７）に相当する部分以外に形成する手法としては、例えば、成膜時のマスキングによって行う。遮光層（９ａ）は、転写に必要な光学濃度を充分満たすため厚くしても、位相シフト層のパターン精度に影響しない。
【００２８】
次に、図５（ｂ）に示すように、薄膜金属層第一パターン（８ｂ）及び位相シフト層パターン（３ｂ）が形成され、遮光層（９ａ）が設けられた透明基板（１）の全面に第二レジスト層（６ａ）を積層し、例えば、電子線露光装置を用いた描画を行い、続いて、現像処理を行い、図５（ｃ）に示すように、図５（ｅ）に示す、光透過部（メインパターン光透過部）（２）及び光半透過部（位相シフト部）（３）に相当する部分が欠落した形状の第二レジスト層パターン（６ｂ）を形成する。
【００２９】
次に、図５（ｄ）に示すように、第二レジスト層パターン（６ｂ）をマスクにして遮光層（９ａ）及び薄膜金属層第一パターン（８ｂ）をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）（２）、アライメントマーク光透過部（７）、及び光半透過部（位相シフト部）（３）に相当する部分が欠落した形状の遮光層パターン（９ｂ）及び薄膜金属層第二パターン（８ｃ）を形成する。
続いて、第二レジスト層パターン（６ｂ）を剥離し、図５（ｅ）に示す、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクを得る。
【００３０】
上記のように、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法においては、薄膜金属層（８ａ）の材料として光学濃度３以下の薄膜金属、例えば、クロムの薄膜金属を用い、かつ、低反射膜を形成する必要がないため、エッチング時のローディング効果の影響で寸法精度が悪化しないので、得られる薄膜金属層第一パターン（８ｂ）の寸法精度は、膜厚の厚い遮光層第一パターンよりも高いものとなる。
従って、寸法精度の高い薄膜金属層第一パターン（８ｂ）をマスクとして用いたエッチングにより得られる位相シフト層パターン（３ｂ）の寸法精度は高いものとなる。
また、位相シフト層パターン形成後に、光学濃度３以上を満たし、低反射膜をもつ金属薄膜層を形成するので、転写時に必要な性能をもつ遮光層を形成することが可能である。
【００３１】
また、請求項４に係わる発明は、既に製造したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光部に欠陥が発生した際に、欠陥そのものを直接に修正する手法によらず、一旦、遮光層パターン（９ｂ）及び薄膜金属層第二パターン（８ｃ）を透明基板（１）上から剥離し、改めて遮光層を形成し、遮光層パターン（９ｂ'）としてパターニングし、遮光部に欠陥のないハーフトーン型位相シフトマスクを製造するハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法である。
【００３２】
遮光部の欠陥とは、遮光層パターンの黒欠陥や欠落などである。遮光層パターンの黒欠陥は、遮光層パターン（９ｂ）を形成する際に発生した黒欠陥であり、例えば、遮光層パターン（９ｂ）がその平面方向に部分的に延長され突出した状態のものである。これは、遮光層パターン（９ｂ）を形成する際の、例えば、異物の付着、現像時のレジスト残りなどに起因したものである。
【００３３】
また、遮光層パターンの欠落は、ピンホール、断線、パターン脱落などであり、例えば、現像時のレジスト剥がれなどに起因して発生したものである。
特に、遮光層パターンの欠落が、例えば、２μｍ程度と広範囲なものであると、既存の修
正装置での修正は不可能となるので、広範囲にわたる遮光層パターンの欠落の際には、そのハーフトーン型位相シフトマスクは不良品となる。
【００３４】
図６（ａ）〜（ｅ）、及び図７（ａ）〜（ｂ）は、請求項４に係わる発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を部分断面で示す説明図である。図６（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクは、既に製造したハーフトーン型位相シフトマスクであり、図５（ｅ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクを転記したものである。
【００３５】
図６（ａ）に示すように、このハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板（１）上に光透過部（２）、その周りに光半透過部（位相シフト部）（３）、その光半透過部（位相シフト部）（３）を取り囲んで遮光部（４）が形成されたものである。図６中、ハーフトーン型位相シフトマスクの左端には、アライメントマーク光透過部（７）が形成されている。アライメントマーク光透過部（７）は遮光部（４）の領域外にある。
このハーフトーン型位相シフトマスクの位相シフト層パターン（３ｂ）の寸法精度は高く形成されている。また、この遮光部（４）には、上記欠陥が存在している（図示せず）。
【００３６】
先ず、図６（ｂ）に示すように、既に製造したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光層パターン（９ｂ）及び薄膜金属層第二パターン（８ｃ）をアライメントマーク部分を残して剥離する。アライメントマーク上の金属膜を残す方法としては、マスキングなどを用いる。
次に、図６（ｃ）に示すように、既に形成された位相シフト層パターン（３ｂ）が残存している透明基板（１）上の、アライメントマーク光透過部（７）以外の部分に遮光層を形成する。
遮光層（９ａ）は、真空蒸着法或いはスパッタリング法により成膜するが、アライメントマーク光透過部（７）に相当する部分以外に形成する手法としては、例えば、成膜時にマスキングによって行う。
【００３７】
次に、図６（ｄ）に示すように、遮光層（９ａ）が設けられた透明基板（１）の全面に第二レジスト層（６ａ）を積層し、残したアライメントマークを用いて、アライメントをとり、例えば、電子線露光装置を用いた描画を行い、続いて、現像処理を行い、図６（ｅ）に示すように、図５（ａ）に示す、光透過部（メインパターン光透過部）（２）及び光半透過部（位相シフト部）（３）に相当する部分が欠落した形状の第二レジスト層パターン（６ｂ）を形成する。
【００３８】
次に、図７（ａ）に示すように、第二レジスト層パターン（６ｂ）をマスクにして遮光層（９ａ）をエッチングして、光透過部（メインパターン光透過部）（２）、及び光半透過部（位相シフト部）（３）に相当する部分が欠落した形状の、改めて形成した遮光層パターン（９ｂ'）を形成する。
続いて、第二レジスト層パターン（６ｂ）を剥離し、図７（ｂ）に示す、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクを得る。
【００３９】
上記のように、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法においては、製造したハーフトーン型位相シフトマスクの遮光層パターンに黒欠陥や欠落などの欠陥が存在する場合、欠陥そのものを直接に修正せず、一旦、遮光層パターン（９ｂ）及び薄膜金属層第二パターン（８ｃ）を透明基板（１）上から剥離除去し、製造を継続する。
従って、例えば、既存の修正装置での修正が不可能である２μｍ程度と広範囲な遮光層パターンの欠落を有する、従来は不良品となってしまうハーフトーン型位相シフトマスクであっても、良品として修復し、製造することができるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】トライトーンマスクの一例を示す部分断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示すトライトーンマスクの製造方法の一例を断面で示す説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図１に示すトライトーンマスクの製造方法の一例を断面で示す説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一実施例を部分断面で示す説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一実施例を部分断面で示す説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、請求項４に係わる発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を部分断面で示す説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、請求項４に係わる発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の一例を部分断面で示す説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１・・・透明基板
２・・・光透過部（メインパターン光透過部）
３・・・光半透過部（位相シフト部）
３ａ・・・位相シフト層
３ｂ・・・位相シフト層パターン
４・・・遮光部
４ａ・・・遮光層
４ｂ・・・遮光層第一パターン
４ｃ・・・遮光層第二パターン
５ａ・・・第一レジスト層
５ｂ・・・第一レジスト層パターン
６ａ・・・第二レジスト層
６ｂ・・・第二レジスト層パターン
７・・・アライメントマーク光透過部
８ａ・・・本発明における薄膜金属層
８ｂ・・・本発明における薄膜金属層第一パターン
８ｃ・・・本発明における薄膜金属層第二パターン
９ａ・・・本発明における遮光層
９ｂ・・・本発明における遮光層パターン
９ｂ'・・・請求項４に係わる遮光層パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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