(57)【要約】【課題】真空蒸着装置において、抵抗加熱蒸着法により蒸着物質を蒸発源により加熱するに際し、前記蒸着物質を収容する窪み（キャビティー）部からの前記蒸着物質の漏洩現象を抑制し、安定良く蒸着させること、且つ寿命の低下が防止できることが可能となる蒸着源容器を提供する。【解決手段】蒸着物質を収容する窪み（キャビティー）部２とその両端に電極を連結するクランプ部１を有する蒸着源容器において、クランプ部１の断面積が一定であり、且つクランプ部１がキャビティー部２よりも電気抵抗が高いことを特徴とする薄膜形成用蒸着源容器。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着物質を収容するキャビティー部とその両端に電極を連結するクランプ部を有する蒸着源容器において、クランプ部の断面積が一定であり、且つクランプ部がキャビティー部よりも電気抵抗が高いことを特徴とする蒸着源容器。
【請求項２】
前記クランプ部材質は、前記キャビティー部材質より電気抵抗が大きい材料を用いることを特徴とする請求項１記載の蒸着源容器。
【請求項３】
基板に薄膜を蒸着するための真空処理室と、
前記真空処理室内の上部に設けられた基板支持部と、
前記基板支持部に対向する位置に設置された請求項１〜２に記載の蒸着源容器と、
前記蒸着源容器に電流を流す通電部と、を備えた真空蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着装置における抵抗加熱蒸着に用いる蒸着源容器に関し、加熱により溶融した蒸着物質がキャビティー部より漏洩することを防止し、且つ蒸着源容器の寿命の低下を抑制する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
真空蒸着装置において、抵抗加熱蒸着法は従来から広く利用されている薄膜形成方法である。現在、蒸着源容器は様々な形状があり実用化されている。
【０００３】
図２に真空蒸着装置の構造図を示し、薄膜形成方法について説明する。真空処理室３の電極部１１に蒸着源容器９を連結し、前記蒸着源容器９に蒸着物質１０を収容する。真空処理室３を排気部４にて真空状態にした後、蒸着源容器９に電流導入端子８より電極部１１を通じて電流を加えると、蒸着源容器９が加熱され、蒸着物質１０が溶融する。シャッター７が開くと、溶融した蒸着物質１０の蒸気が真空処理室３内の公転ドーム（基板ホルダー）５にセットされた基板６に付着し、蒸着薄膜が形成される。
【０００４】
図３（ａ）に一般的に用いられる蒸着源容器の構造図を示す。この蒸着源容器９は、蒸着物質を収容する窪み（キャビティー）部１３とその両端に電極を連結するクランプ部１２とを有する。この蒸着源容器を用いて蒸着物質１４を溶融させた場合、図３（ｂ）に示すように、溶融した蒸着物質１４がキャビティー部１３から漏洩し、クランプ部１２まで達する現象が発生する。これは、物質は低温領域にあることがエネルギー的に安定を得られる事に起因し、図３（ｃ）に示すように、クランプ部１２の温度Ｔ３がキャビティー部１３の温度Ｔ２よりも低い為に発生する。この漏洩現象により、キャビティー部１３の蒸着物質１４が減少する為、基板６に所望の膜厚が形成される前に蒸着物質１４がなくなり、膜厚不良の原因となる。この対策として、クランプ部とキャビティー部の境界部の電気抵抗が大きくなるように断面積の小さい部位を形成することが提案されている（例えば特許文献１参照。）。
【０００５】
断面積の小さい部位を形成する方法としては、境界部の板厚を薄くしたり、図４（ａ）に示すような断面積の小さい切り欠き状の部位１５を有する蒸着源容器９がある。この蒸着源容器を用いた場合、図４（ｂ）に示すように、蒸着源容器に電流を流し加熱すると、部位１５は電気抵抗が大きい為にキャビティー部温度Ｔ５よりも高温Ｔ４となる。これにより、溶融した蒸着物質はキャビティー部と小断面積部１５の温度差から漏洩しない。
【特許文献１】特開昭５２−１０２６８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図４に示す構造であると、断面積の小さい部位１５を形成することにより、その部位１５にかかる熱応力が周囲との温度差により大きくなる。結果、断面積が小さい為にその部位１５の劣化が激しく、蒸着源容器の変形の原因となる。この為、蒸着源容器の寿命が短くなるという欠点を要する。
【０００７】
本発明は、蒸着物質のキャビティー部からの漏洩を抑制し、且つ蒸着源容器の寿命の低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するため、本発明に係る蒸着源容器は、蒸着物質を収容するキャビティー部とその両端に電極を連結するクランプ部を有する蒸着源容器において、クランプ部の断面積が一定であり、且つクランプ部がキャビティー部よりも電気抵抗が高いことを特徴とする。また、さらに前記クランプ部材質は、前記キャビティー部材質より電気抵抗が大きい材料を用いていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る真空蒸着装置は、基板に薄膜を蒸着するための真空処理室と、前記真空処理室内の上部に設けられた基板支持部と、前記基板支持部に対向する位置に設置された上記に記載の蒸着源容器と、前記蒸着源容器に電流を流す通電部とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る蒸着源容器によると、蒸着物質の漏洩防止効果を保ちつつ、クランプ部の断面積が一定である為、クランプ部での蒸着源容器の劣化抑制が可能となり、蒸着源容器の寿命低下を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態に係る蒸着源容器について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１（ａ）は、蒸着源容器の平面図であり、図１（ｂ）は断面図である。この蒸着源容器９は、蒸着物質を収容する窪み（キャビティー）部２とその両端に電極を連結するクランプ部１とを有し、クランプ部１をキャビティー部２よりも高電気抵抗となる材質で構成する。例えば、蒸着源容器９の材質がタングステンの場合、クランプ部をタングステンよりも高融点・高電気抵抗である炭化タングステンで構成する。図１（ａ）（ｂ）で明らかなように、材料の異なるクランプ部１とキャビティー部２の断面積は一定になっている。
【００１３】
この実施形態によると、図１（ｃ）に示すように、クランプ部１の電気抵抗が大きい為に、クランプ部１の温度Ｔ０はキャビティー部２の温度Ｔ１よりも大きくなる。これにより、蒸着物質１０の漏洩防止効果を保つことが可能であり、且つ、クランプ部１の断面積はキャビティー部２と同一である為、熱応力集中による蒸着源容器の破断・劣化が抑制でき、前記蒸着源容器の寿命の低下を抑制できる。
【００１４】
図２に真空蒸着装置の構造図を示し、薄膜形成方法について説明する。真空処理室３の電極部１１に、クランプ部とキャビティー部の断面積が一定で且つクランプ部材質がキャビティー部材質より電気抵抗が大きい材料を用いた蒸着源容器９を連結し、前記蒸着源容器９に蒸着物質１０を収容する。真空処理室３を排気部４にて真空状態にした後、蒸着源容器９に電流導入端子８より電極部１１を通じて電流を加えると、蒸着源容器９が加熱され、蒸着物質１０が溶融する。シャッター７が開くと、溶融した蒸着物質１０の蒸気が真空処理室３内の公転ドーム（基板ホルダー）５にセットされた基板６に付着し、蒸着薄膜が形成される。本発明の真空蒸着装置によれば、蒸着物質１０の漏洩防止効果を保つことが可能であるため、安定した膜厚制御が可能になり、さらにまた、蒸着源容器の破断・劣化が抑制できるため、真空処理室内の不要なメンテナンスをさけることができ安定稼働した真空蒸着装置が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００１５】
以上説明したように、本発明は、キャビティー部からの蒸着物質の這い上がりを防止し、且つ寿命低下を防止できる蒸着源容器として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係わる蒸着源容器図であり、（ａ）上面図、（ｂ）断面図、（ｃ）温度分布図
【図２】真空蒸着装置構造図
【図３】一般的な蒸着源容器図であり、（ａ）上面図、（ｂ）蒸着物質の漏洩図、（ｃ）温度分布図
【図４】従来技術を用いた蒸着源容器図であり、（ａ）上面図、（ｂ）温度分布図
【符号の説明】
【００１７】
１  クランプ部
２  キャビティー部
３  真空処理室
４  排気部
５  基板支持部
６  基板
７  シャッター
８  電流導入端子
９  蒸着源容器
１０  蒸着物質
１１  電極（通電）部
１２  クランプ部
１３  キャビティー部
１４  溶融蒸着物質
１５  クランプ断面積変更部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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