(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコンウェーハを高い平坦度に両面鏡面研磨するための研磨方法および研磨用組成物の提供する。【解決手段】研磨布を貼付した上下定盤の間に被研磨物を挟持し圧接しながら、該上下定盤および該被研磨物の少なくとも一方を回転させ、水に分散した酸化珪素粒子よりなる研磨用組成物を供給しながら該被研磨物の両面を研磨する両面研磨装置であって、硬質の研磨布と、被研磨物の目標とする厚みとほぼ同一の厚みに整えた被研磨物保持用キャリアを用い、さらに、酸化珪素粒子の濃度が研磨用組成物全体に対し２重量％以下であり、高い導電率とアルカリ性を示す水性研磨用組成物を供給しながら研磨を行なう両面研磨方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨布を貼付した上下定盤の間に研磨物保持用キャリアにより保持された被研磨物の両面を研磨するにあたり、前記上下定盤の少なくとも一方および該被研磨物を回転させると共に、水に分散した酸化珪素粒子を含有してなる研磨用組成物を供給し、かつ、前記研磨布が硬質研磨布であり、前記研磨物保持用キャリアの厚みが被研磨物の目標とする厚みとほぼ同一の厚みであり、さらに、前記研磨組成物中の酸化珪素粒子の濃度が研磨用組成物全体に対し２重量％以下であって、高い導電率とアルカリ性を呈す水性研磨組成物であることを特徴とする両面研磨方法。
【請求項２】
研磨布の硬度がＪＩＳＫ６２５３に定める測定条件に準拠し、Ａ型デュロメーターを用いて測定した硬度の値で８０以上であることを特徴とする請求項第１項に記載の両面研磨方法。
【請求項３】
被研磨物保持用キャリアの平均厚みが、被研磨物の目標厚みに対し−５μmから＋５μmの範囲にあることを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の両面研磨方法。
【請求項４】
前記水性研磨用組成物が、一次粒子径が７ｎｍないし１５０ｎｍの範囲にある酸化珪素粒子を含有しかつ陽イオンの濃度が酸化珪素粒子１ｋｇあたり１．０モルまたはそれ以上の範囲で、２５℃における導電率が酸化珪素粒子１重量％あたり３０ミリＳ／ｍ以上であり、さらにｐＨが１０．０から１１．５の範囲に調製されていることを特徴とする請求項第１項ないし第３項のいずれかに記載の両面研磨方法。
【請求項５】
被研磨物の一部が研磨布の有効加工面の最外縁部から外側にはみ出すようにして研磨を行なうことを特徴とする請求項第１項ないし第４項のいずれかに記載の両面研磨方法。
【請求項６】
酸化珪素粒子が水に分散した状態で存在した研磨用組成物であって、該酸化珪素粒子の濃度が研磨用組成物全体に対し２重量％以下であって、該研磨用組成物には、更に、陽イオンとしてテトラメチルアンモニウムイオン及び／またはコリンイオンを含み、陰イオンとして炭酸イオン及び／または炭酸水素イオンを含むことを特徴とする水性研磨用組成物。
【請求項７】
酸化珪素粒子の一次粒子径が７ｎｍないし１５０ｎｍの範囲にあり、かつ陽イオンの濃度が酸化珪素粒子１ｋｇあたり１．０モルまたはそれ以上の範囲にあり、２５℃における導電率が、酸化珪素粒子１重量％あたり３０ミリＳ／ｍ以上であり、さらに組成物のｐＨが１０．０から１１．５の範囲に調製されたものであることを特徴とする請求項第６項に記載の水性研磨用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨布を貼付した上下定盤の間に研磨物保持用キャリアに保持されたシリコンウェーハ等の被研磨物を挟持し圧接しながら、該上下定盤の少なくとも一方および該被研磨物を回転させ研磨用組成物を供給しながら該被研磨物の両面を同時に鏡面研磨する両面研磨方法、および研磨に用いる水性研磨用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンウェーハや化合物ウェーハはラッピングもしくはグラインディングにより厚みを整え、酸ないしアルカリエッチングの後、鏡面研磨（ポリッシング）という工程を経て、その片面もしくは両面が鏡面に仕上げられる。この中で、シリコンウェーハのように、以前は片面のみ鏡面研磨を行っていたが、現在は面精度の向上および、ダスト汚染の防止を目的に両面の鏡面研磨が実施されている被研磨物もあり両面鏡面研磨の需要が増大している。
【０００３】
シリコンウェーハ、化合物ウェーハ等の被研磨物の両面を同時に鏡面にする研磨方法において、被研磨物は、その被研磨物の形状に合わせた保持孔を有しかつその外周縁部に、両面研磨装置のインターナルギアおよびサンギアに噛合する外周歯を有するように切断成型されたキャリアにて保持すると共に、合成樹脂発泡体あるいはスウェード調合成皮革等よりなる研磨布を貼付した上下定盤の間に被研磨物を挟持し、研磨剤成分である酸化珪素またはその水和物をコロイド状に分散した懸濁液、所謂コロイダルシリカを含む水性研磨用組成物を定量的に供給しながら押圧回転しつつ研磨を行なう方法が一般的である。
【０００４】
近年シリコンウェーハのサイズが大型化すると同時に、一枚のウェーハからのチップの収率を向上させるために、ウェーハ外縁部の面ダレを極力抑制し、被研磨物の平坦度を向上させ、エッジエクスクルージョンの幅を少なくすることが求められている。具体的には、径が２００−３００ｍｍサイズのシリコンウェーハでエッジエクスクルージョンの幅を２ｍｍ以下に抑えることが求められている。そのため、被研磨物とキャリアの厚みの差を極力少なくすることが多く試みられており、例えば、特許文献１、特許文献２では、被研磨物とキャリアの厚みをほぼ同一にして被研磨物の平坦度を向上させる技術が開示されている。また、特許文献３、特許文献４では研磨中に被研磨物の一部を研磨定盤または、研磨布の有効加工面の最外縁部から外側にはみ出させる（オーバーハング）研磨方法が開示されている。更に特許文献５にはコロイダルシリカを用いた研磨用組成物が開示されている。
【０００５】
更に、本発明者等は、シリコンウェーハ等の半導体材料の両面鏡面研磨において、高い平坦度を得るべく鋭意検討を行ない、硬質の研磨布を用い、かつ被研磨物を挟持する被研磨物保持用キャリアの厚みが該被研磨物の目標とする厚みとほぼ同一の厚みであることが望ましいと考え検討を実施した。しかしながら、研磨布と被研磨物保持用キャリアの最適化のみでは十分な結果が得られず、研磨用組成物の最適化についての検討が必要であることが判明した。
【０００６】
特に、本発明者等は、研磨用組成物中の成分比率に着目し、研磨剤成分たる酸化珪素粒子および塩基性成分の比率を変更することにより好ましい結果を得ることに着目したものである。即ち、シリコンウェーハのポリッシング加工に使用される研磨用組成物は、塩基性成分を含んだ溶液に微細なコロイド状酸化珪素粒子（コロイダルシリカ）を分散した溶液が一般的に使用される。この加工のメカニズムは、その前工程であるラッピング工程で行われるような、例えば硬質な遊離状態のアルミナ系砥粒を用いた加工のメカニズムとは異なるものであって、その成分である塩基性成分の化学的作用、具体的にはシリコンウェーハ等ワークに対する腐食（浸蝕）作用を応用したものである。すなわち、塩基性成分（アルカリ）の持つ腐食性（エッチング性）により、シリコンウェーハ等ワーク表面に薄い軟質の浸蝕層が形成される。その薄層を微細なコロイド状酸化珪素粒子の機械的作用により除去してゆくことにより加工が進むのである。
【０００７】
本発明者等は、従来の研磨用組成物中に含まれるコロイド状酸化珪素粒子（コロイダルシリカ）および塩基性成分のバランスを検討することにより研磨用組成物の最適化が得られることを見出したものである。更に、加工条件の最適化により優れた結果が得られることを見出したものである。
【特許文献１】特開平１１−３４７９２６
【特許文献２】特開２０００−２３５９４１
【特許文献３】特開２００２−１８７０７
【特許文献４】特開平１１−１０５３０
【特許文献５】特開平２−１５８６８４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、シリコンウェーハの両面鏡面研磨において被研磨物を高い平坦度に両面鏡面研磨するための研磨方法および、該研磨方法に用いる研磨用組成物の提供にある。具体的にはエッジエクスクルージョン２ｍｍの条件下で、ＳＦＱＲｍａｘが０．０９μｍ以下を達成するための研磨方法および、該研磨方法に用いる研磨用組成物の提供にある。
【０００９】
本発明でいうエッジエクスクルージョンとは、シリコンウェーハの最外側縁部、即ち、エッジ部分での平坦度の不良(面ダレ、ロールオフ)により除去されねばならない部分を言い、その幅が少ないほど一枚のシリコンウェーハからの収率が向上することとなる。また、ＳＦＱＲとはｓｉｔｅ  ｆｒｏｎｔ−ｓｕｒｆａｃｅ  ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｄ  ｌｅａｓｔ  ｓｑｕａｒｅｓ／ｒａｎｇｅをさし、部分的平坦度を現す。ＳＦＱＲｍａｘはシリコンウェーハの全面における最大のＳＦＱＲ値を示すものであり、この数値が０．０９μｍ以下であることは０．０９μｍ以下の線幅を有するデバイスの製造に適していることを示す。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的は、研磨布を貼付した上下定盤の間に研磨物保持用キャリアにより保持された被研磨物の両面を研磨するにあたり、前記上下定盤の少なくとも一方および該被研磨物を回転させると共に、水に分散した酸化珪素粒子を含有してなる研磨用組成物を供給し、かつ、前記研磨布が硬質研磨布であり、前記研磨物保持用キャリアの厚みが被研磨物の目標とする厚みとほぼ同一の厚みであり、さらに、前記研磨組成物中の酸化珪素粒子の濃度が研磨用組成物全体に対し２重量％以下であって、高い導電率とアルカリ性を呈す水性研磨組成物であることを特徴とする両面研磨方法により達成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、具体的にはエッジエクスクルージョン２ｍｍの条件下で、ＳＦＱＲｍａｘが０．０９μｍ以下を達成する両面研磨方法および研磨組成物を提供できるようになった。即ち、従来、達成が難しいと見られていたエッジエクスクルージョン２ｍｍの条件下における平坦度の課題を解決できたのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明になる両面研磨方法おいて、シリコンウェーハのポリッシングは概略以下の如き方法にて行われる。即ち、上下両面に、合成樹脂発泡体、合成皮革あるいは不織布等からなる研磨布を貼付した回転可能な定盤を有する研磨装置に、シリコンウェーハ等の被加工物を載置し前記上下定盤で押圧し、前記定盤及び被加工物の双方あるいは一方を回転することにより、上述の研磨用組成物を用いて、前記被加工物の両面のポリッシングを行なう方法により達成される。シリコンウェーハ等の被加工物は、上記定盤の内側に配置された太陽歯車と、外側に配置されたインターナルギアに噛合して該太陽歯車と、インターナルギアとの回転によって駆動される被研磨物保持用キャリアに把持された状態で回転し遊星運動を行ない、ポリッシング加工が行なわれる。研磨用組成物は定量ポンプ等で定量的に上下両面に行き渡るように供給される。
【００１３】
本発明になる両面研磨方法の肝要は、まず第一に、研磨布として硬質の研磨布を用いることにある。本発明で用いる硬質の研磨布とは、ＪＩＳＫ６２５３に定める測定条件に準拠し、Ａ型デュロメーターを用いて測定した硬度の値が８０以上であり、好ましくは８５以上である。研磨布の材質は特に限定されないが、硬質ポリウレタンを用いることが好ましい。研磨布の硬度が８０以下であるとシリコンウェーハの最外側縁部（エッジ部）が押圧により内周部より僅かに沈み込み、ポリッシング後の形状はエッジ部分にテーパーのついた中凸の形状となり、エッジエクスクルージョン２ｍｍの条件を達成することはできない。
【００１４】
本発明になる両面研磨方法の第２の肝要は、シリコンウェーハ等の被研磨物の目標とする厚み（仕上がり厚み）とほぼ同一の厚みの被研磨物保持用キャリアを用いることにある。具体的には、該被研磨物保持用キャリアの平均厚みが、前記被研磨物の目標厚みに対し−５μmから＋５μmの範囲にあることが好ましい。更に、被研磨物保持用キャリアの面内の厚みの標準偏差が少ないほうが好ましい。被研磨物保持用キャリアの厚みの標準偏差は５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２μｍ以下である。本発明において、被研磨物保持用キャリアの厚みとは、被研磨物保持用キャリア全面より偏りなくランダムに１２箇所を選定し、その箇所の厚みを測定し、その平均値を厚みとした。また、被研磨物保持用キャリアの厚みの標準偏差とは、１２箇所の厚み測定結果の数値を用いそれにより計算した標準偏差の値を用いた。
【００１５】
本発明において用いる被研磨物保持用キャリアの基材には耐磨耗性と耐久性に優れた材料を用いることと同時に、鉄、銅、ニッケル、クロム等の重金属を含まない材質を用いることが好ましい。具体的には、４Ａ、５Ａ族の金属、樹脂、ＦＲＰなどを挙げることができる。また、被研磨物の端面部分に生じるスクラッチや欠け等を防止するため、被研磨物保持用キャリアの被研磨物保持孔の内縁部に樹脂製の枠を設けることが好ましい。樹脂製の枠の材質は特に限定されるものではないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリサルホン、ポリカーボネートなどの高融点熱可塑性樹脂が使用できる。さらに、上述の熱硬化性樹脂または高融点熱可塑性樹脂と繊維を複合したＦＲＰなども使用できる。ＦＲＰに使用する繊維としては、アラミド繊維、ポリエステル繊維など、有機繊維が好ましいものとして揚げることができる。キャリアは一枚のキャリアに一つ被研磨物を入れるものであってもよいし、あるいは一枚のキャリア複数の被研磨物入れるものであっても良い。
【００１６】
本発明になる両面研磨方法の第３の肝要は、本発明の第一の目的にいう特定の研磨用組成物を使用することにある。本発明の研磨用組成物の要件をはずれる、即ち、例えば、コロイダルシリカの濃度が研磨用組成物全体に対し２重量％以上であったりするとロールオフ現象を惹起し易く、エッジエクスクルージョン２ｍｍの条件を達成することはできない。またｐHの範囲が１０．０から１１．５の範囲を外れたりすると、研磨速度が低下したり、欠点が発生したりして本発明の目的を達成できない。
【００１７】
本発明になる両面研磨方法において、被研磨物の一部が研磨布の有効加工面の最外周部及び／または最内周部から外側にはみ出すようにして研磨を行なうことが有効である。即ち、両面研磨装置の被研磨物の遊星運動の軌跡設定において、被研磨物の外周エッジ部分が、研磨布の有効加工面の最外周部及び／または最内周部から外側にはみ出す（オーバーハングさせる）ようにさせることが有効である。オーバーハングした部分は研磨布との接触の時間が、オーバーハングしない部分よりも少なくなることになり、相対的ポリッシング量が少なくなり、シリコンウェーハのエッジ部分の過剰加工を防止し、ロールオフ現象を回避することができる。かかる条件の設定は被研磨物保持用キャリアの把持孔の位置の設定において調整が可能である。オーバーハングする幅は２０ｍｍないし５０ｍｍ程度とすることが有効である。
【００１８】
本発明になる水性研磨用組成物の肝要は、コロイド状の酸化珪素粒子（コロイダルシリカ）の濃度が研磨用組成物全体に対し２重量％以下であることにある。通常の水性研磨用組成物中のコロイダルシリカは一次粒子径が７ないし１５０ｎｍのものが用いられ、その濃度は５重量％程度であるが、このような高濃度であると、外周部のメカニカルな研磨速度が増大し、外周部の所謂ロールオフが増大する。本発明者等は、この濃度を２重量％以下にまで下げることによってロールオフ（面ダレ）現象が抑制されることを見出したものである。しかしながら、研磨剤の濃度が下がれば当然研磨速度は低下するため、そのままでは好ましくない。そこで本発明者等は研磨用組成物中の他の成分とのバランスを検討し、シリコンウェーハに対するエッチング剤であるアルカリ成分を特定のものに限定し、更にその量を増加させることを試みた。
【００１９】
即ち、水性研磨用組成物中に含まれる塩を、陽イオンとしてテトラメチルアンモニウムイオンとコリンイオンもしくはそのどちらか一方を含み、陰イオンとして炭酸イオン及び炭酸水素イオンを含むものとすることで、強酸と弱塩基からなる塩とし、強いｐＨ緩衝作用を持たせることができる。更に、そのイオンの濃度を酸化珪素粒子１ｋｇあたり１．０モルまたはそれ以上の範囲にあり、２５℃における導電率が、酸化珪素粒子１重量％あたり３０ミリＳ／ｍ以上であり、さらに組成物のｐＨが１０．０から１１．５の範囲に調製することで好ましい結果を得ることができる。即ち、このような条件を充足することで、組成物全体のｐＨが１０．０から１１．５の範囲に安定に保たれるようになり、その安定した高いｐＨ領域による強いエッチング性を引き出すことができる。
【００２０】
本発明においては、研磨用組成物溶液の導電率を高くすることにより、研磨速度を著しく向上させることができる。導電率とは液中の電気の通り易さを示す数値であり、単位長さあたりの電気抵抗値の逆数の数値である。本発明においては、導電率を酸化珪素１重量％当りに換算した数値で示す。本発明においては、導電率が３０ミリＳ／ｍ以上であれば研磨速度の向上に対して好ましい。この数値以下であると十分な研磨速度が得られない。
【００２１】
本発明の水性研磨用組成物に用いる酸化珪素粒子は、ヒュームドシリカを水に分散させて製造したもの、テトラメトキシシランを加水分解して製造したもの、水ガラスよりアルカリ金属を除去して製造したものいずれも使用できるが、テトラメトキシシランを加水分解して製造したものが金属汚染の観点から好ましい。また、酸化珪素粒子の一次粒子径は７ｎｍないし１５０ｎｍの範囲にあることが必要であるが、１２ｎｍないし４０ｎｍの範囲であることが好ましい。さらに、酸化珪素粒子の二次粒子径は１２ｎｍないし１５０ｎｍの範囲にあることが好ましく、また、二次粒子径と一次粒子径の比（二次粒子径/一次粒子径）が1なし４の範囲にあることが好ましい。
【００２２】
本発明の水性研磨用組成物の物性を改良するため、界面活性剤、分散剤、沈降防止剤などの添加剤を併用することができる。界面活性剤、分散剤、沈降防止剤としては、水溶性の有機物、無機層状化合物などがあげられる。また、本発明の研磨用組成物は水溶液としているが、有機溶媒を添加してもかまわない。本発明の研磨用組成物は、研磨時にコロイダルシリカ及び、塩基と添加剤と水を混合して調製してもよい。また、一般的には酸化珪素粒子の濃度が１５ないし６５重量％の範囲にある組成物を調製しておき、水あるいは、水と有機溶媒の混合物で希釈して使用することが多い。更に、金属汚染問題の観点から、本発明の水性研磨用組成物にはアルカリ金属を含まないことが好ましく、アルカリ金属の含有量は、研磨時５ｐｐｍ以下であり、より厳しくは1ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【実施例】
【００２３】
以下実施例と比較例をもって、本発明方法を具体的に説明するが、これにより限定を受けるものではない。
本実施例と比較例に用いた研磨装置、研磨条件を表１に示す。研磨装置は、ＤＳＭ-２０Ｂ両面研磨装置（スピードファム社製）を使用した。研磨布はＭＨＳ-１５Ａ及びＳＵＢＡ６００（Ｒｏｄｅｌ社製）を使用した。キャリアはチタン製キャリアを使用した。研磨組成物は調製して使用した。
【００２４】
＜キャリアの製造＞
チタン製キャリア基材の被研磨物孔の周囲にアラミド繊維をエポキシ樹脂で結合したＦＲＰの枠を挿入する。この樹脂枠を挿入したキャリア基材をラッピングで厚み７７８μｍ、厚みの標準偏差０．５５μｍに整えた。ラッピング後、ＤＳＭ−２０Ｂ両面研磨装置にこのキャリア基材を装着し、研磨布にＭＨＳ−１５Ａ、研磨剤に酸化セリウムスラリを用いて、表面のひずみ層を除去する目的でポリッシュを行った。ポリッシュ後の３００ｍｍシリコンウェーハ用キャリアは、厚み７７５μｍ、厚みの標準偏差０．６９μｍであった。同様に２００ｍｍシリコンウェーハ用キャリアを作成し。厚み７２５μｍ、厚みの標準偏差０．７７μｍであった。
＜水性研磨組成物の製造＞
テトラメトキシシランを加水分解して製造したコロイダルシリカを使用し水性研磨組成物を調製した。水性研磨組成物の組成を表２に示す。表２に示す水性組成物すべてに、ヒドロキシエチルセルロースを０．１％になるよう添加した。
＜オーバーハングの条件＞
外周部で最大４０ｍｍ、内周部で最大２０ｍｍ、シリコンウェーハをオーバーハングさせた。
【００２５】
実施例と比較例では被研磨物として３００ｍｍシリコンウェーハと２００ｍｍシリコンウェーハを用いた。表１に研磨装置条件を示す。表２に研磨布とキャリアおよびシリコンウェーハの実験水準を示す。表３に水性研磨組成物の水準を示す。実施例と比較例は、表２内の水準１と表３内の水準２を組合せて試験を実施した。３００ｍｍシリコンウェーハは目標厚みを７７５μｍとし、２００ｍｍシリコンウェーハは目標厚みを７２５μｍとし研磨を実施した。研磨後、ＳＦＱＲの最大値（以降ＳＦＱＲと記す）とＧＢＩＲ（ＴＴＶ）を測定した。３００ｍｍシリコンウェーハの測定はＷＡＦＥＲＣＯＭ３００（ラップマスターSFT社製）を使用した。２００ｍｍシリコンウェーハはＵＬＴＲＡ ＧＡＧＥ ９７００（ＡＤＥ社製）を使用した。実施例と比較例の結果を表４および表５に示す。
【００２６】
【表１】
2006205265.tif 000002
【００２７】
【表２】
2006205265.tif 000003
【００２８】
【表３】
2006205265.tif 000004
【００２９】
＜実施例１−８＞
表２に示す水準１Ａの研磨布とキャリアの条件と、表３に示す水準２、１−８の条件を組合せて３００ｍｍシリコンウェーハを研磨した。研磨の結果を表４に示す。表４の結果をみるとＳＦＱＲは０．０９μｍ以下を達成すると同時に、ＧＢＩＲ０．２μｍ以下を達成した。更に、面状態を損なわず、研磨速度０．５μｍ/分以上を達成した。
【００３０】
【表４】
2006205265.tif 000005
【００３１】
＜実施例９−１６＞
実施例９−１６では、表２に示す水準１Ｂの研磨布とキャリアの条件と表３に示す水準２、１−８の条件を組合せて２００ｍｍシリコンウェーハを研磨した。研磨の結果を表５に示す。表５の結果をみるとＳＦＱＲは０．０９μｍ以下を達成すると同時に、ＧＢＩＲ０．２μｍ以下を達成した。更に、面状態を損なわず、研磨速度０．５μｍ/分以上を達成した。
【００３２】
【表５】
2006205265.tif 000006
【００３３】
＜比較例１−１３＞
比較例１−１３の条件と研磨結果を表６に示す。
【００３４】
【表６】
2006205265.tif 000007
【００３５】
比較例１、２は研磨時のシリカ濃度を高くした場合の試験結果である。シリカ濃度を高くすることにより、研磨速度は上昇したが、外周部の磨耗（所謂ロールオフ）が大きくＳＦＱＲとＧＢＩＲは悪化した。比較例３は、導電率を小さくした場合の試験結果である。導電率が小さいため研磨速度は遅く、研磨に長時間を要した。長時間研磨を施したため、外周部の磨耗が増大しＳＦＱＲとＧＢＩＲは悪化した。比較例４はｐＨを上昇させた場合の試験結果である。ｐＨが高いためシリコンウェーハ表面にヘイズが発生した。比較例５、６は２００ｍｍシリコンウェーハ研磨時、比較例１、２と同様、研磨時のシリカ濃度を高くした場合の試験結果である。シリカ濃度を高くすることにより、研磨速度は上昇したが、外周部の磨耗が大きくＳＦＱＲとＧＢＩＲは悪化した。比較例７〜１１は、研磨布にＭＨＳ１５Ａに比べ硬度が低いｓｕｂａ６００を使用し、特許請求の範囲にある水性研磨組成物の種類を変えた試験結果である。硬度が低いｓｕｂａ６００を使用した場合、シリコンウェーハの研磨布への沈み込みが大きいためか、ＳＦＱＲとＧＢＩＲは悪化した。比較例１１，１２，１３は、研磨終点厚み７７５μｍより薄いキャリアを用いた場合の試験結果である。用いたキャリアが薄いため研磨終点付近でキャリアがロールオフのストッパーの役割を果たせず、大きくＳＦＱＲとＧＢＩＲは悪化した。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
上述の通り、本発明のシリコンウェーハの両面鏡面研磨方法および研磨用組成物を用いることにより、シリコンウェーハの両面鏡面において、エッジエクスクルージョン２ｍｍという極めて過酷な前提条件においてＳＦＱＲｍａｘが０．０９μｍ以下を達成することができた。よって一枚のシリコンウェーハからの製品の収率を格段に向上することができた。即ち、半導体関連の実生産においては、その資する所極めて大である。