(57)【要約】【課題】  微細な配線パターンを正確かつ安定に形成する方法を提供する。【解決手段】  本発明の配線基板の製造方法は、基体上の成膜領域に表面処理を施す第１の表面処理工程と、前記成膜領域に第１の液体材料を配して配線パターンを形成する配線形成工程と、前記成膜領域に再度表面処理を施す第２の表面処理工程と、前記配線パターンの間隙に第２の液体材料を配して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程とを含む配線層形成工程を有し、前記絶縁膜形成工程における前記第２の液体材料と前記成膜領域との親和性が、前記配線形成工程における第１の液体材料と前記成膜領域との親和性より大きいことを特徴とする。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上の成膜領域に表面処理を施す第１の表面処理工程と、
前記成膜領域に第１の液体材料を配して配線パターンを形成する配線形成工程と、
前記成膜領域に再度表面処理を施す第２の表面処理工程と、
前記配線パターンの間隙に第２の液体材料を配して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と
を含む配線層形成工程を有し、
前記絶縁膜形成工程における前記第２の液体材料と前記成膜領域との親和性が、前記配線形成工程における第１の液体材料と前記成膜領域との親和性より大きいことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の表面処理工程と、前記第２の表面処理工程とで、共通の表面処理手段を用い、
前記第２の表面処理工程における処理時間を、前記第１の表面処理工程における処理時間より長くすることで前記成膜領域の液体材料に対する親和性を調整することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１の表面処理工程と、前記第２の表面処理工程とで、共通の表面処理手段を用い、
前記第２の表面処理工程における処理速度を、前記第１の表面処理工程における処理速度より速くすることで前記成膜領域の液体材料に対する親和性を調整することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記表面処理手段が、前記基体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段であることを特徴とする請求項２又は３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の表面処理工程に先立って前記基体上の成膜領域に下地絶縁膜を形成する下地形成工程を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記下地形成工程が、前記基体上に、当該下地絶縁膜の形成材料を含む液体材料を塗布する工程と、前記基体上に配された液体材料を硬化させて下地絶縁膜を形成する工程と
を含む工程であることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記下地形成工程で基体上に配する液体材料と、前記絶縁膜形成工程で基体上に配する液体材料とが、共通の液体材料であることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線パターンが、銀配線であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線パターンと前記絶縁膜とを覆う層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含み、
前記配線層形成工程と、前記層間絶縁膜形成工程とを繰り返し行うことで、前記基体上に多層配線構造を形成することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜形成工程が、前記配線パターン及び前記絶縁膜を含む基体上の表面領域に第３の液体材料を配して層間絶縁膜を形成する工程であり、
前記配線層形成工程と前記層間絶縁膜形成工程との間に、前記配線パターン及び絶縁膜を含む基体上の表面領域を親液化する第３の親液化工程を有しており、
前記層間絶縁膜形成工程における前記表面領域と前記第３の液体材料との親和性が、前記絶縁膜形成工程における第２の液体材料と前記成膜領域との親和性と同等であることを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁膜形成工程において、前記配線パターンを覆うように前記絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面を前記成膜領域として前記配線層形成工程を繰り返し行うことで、前記基体上に多層配線構造を形成することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記配線層形成工程が、前記配線パターンの表面に液体材料を吐出配置して導体ポストを形成する導体ポスト形成工程を含む工程であることを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記導体ポスト形成工程を含む配線層形成工程において、
前記配線形成工程で、前記成膜領域に配された前記第１の液体材料を仮乾燥させて仮乾燥体を形成し、
前記導体ポスト形成工程では、前記仮乾燥体上に前記第３の液体材料を配して液状ポストを形成した後、前記仮乾燥体と前記液状ポストを加熱して前記配線パターンと導体ポストとを形成することを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の製造方法により得られた配線基板を具備したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器を構成する配線パターンの形成には、例えばフォトリソグラフィ法が用いられている。ところが、フォトリソグラフィ法は、真空装置などの大がかりな設備と複雑な工程を必要とするだけでなく、材料使用効率が数％程度で材料のほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高い。さらに、配線パターンの微細化に限界がある。
【０００３】
そこで、フォトリソグラフィ法に代わるプロセスとして、機能性材料を含む液体を基材に吐出して、配線パターンを直接的に描画形成する方法（液滴吐出方式）が検討されている。この方法は、まず導電性微粒子を分散させた液体を液滴吐出ヘッドから基板に吐出して、液状ラインを形成する。次に、熱処理やレーザー照射により液状ラインを焼成し、配線パターンを形成するものである（例えば、特許文献１参照）。この液滴吐出方式によれば、製造工程が簡略化され、材料使用効率も高いので、製造コストを低減することができる。また、配線パターンを微細化することができる。
【特許文献１】米国特許第５１３２２４８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では電子機器を構成する回路の高密度化がますます進み、回路を構成する配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要求されている。しかしながら、このような微細な配線パターンを前記の液滴吐出方式による方法によって形成する場合、吐出した液滴が基板に着弾した後濡れ広がってしまうため、微細な配線パターンを正確かつ安定に形成するには適切な表面制御が必要である。本発明の目的は、係る課題を解決し、微細な配線パターンを正確かつ安定に形成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、基体上の成膜領域に表面処理を施す第１の表面処理工程と、前記成膜領域に第１の液体材料を配して配線パターンを形成する配線形成工程と、前記成膜領域に再度表面処理を施す第２の表面処理工程と、前記配線パターンの間隙に第２の液体材料を配して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程とを含む配線層形成工程を有し、前記絶縁膜形成工程における前記第２の液体材料と前記成膜領域との親和性が、前記配線形成工程における第１の液体材料と前記成膜領域との親和性より大きいことを特徴とする配線基板の製造方法を提供する。
この製造方法によれば、微細なパターン形成を行う配線形成工程では、成膜面への液体材料の付着性を確保しつつ過度の濡れ広がりを抑えることで微細な配線パターンを正確に形成することができ、一方、概ねベタ状の膜を形成する絶縁膜形成工程では、成膜面で液体材料が弾かれるのを防止し、均一な膜厚の絶縁膜を形成することができる。したがって、本製造方法によれば、集積度の向上に寄与する微細な配線パターンと、電気的信頼性に優れた絶縁膜とが基体上に形成された配線基板を得ることができる。
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法では、前記第１の表面処理工程と、前記第２の表面処理工程とで、共通の表面処理手段を用い、前記第２の表面処理工程における処理時間を、前記第１の表面処理工程における処理時間より長くすることで前記成膜領域の液体材料に対する親和性を調整することもできる。
あるいは、本発明の配線基板の製造方法では、前記第１の表面処理工程と、前記第２の表面処理工程とで、共通の表面処理手段を用い、前記第２の表面処理工程における処理速度を、前記第１の表面処理工程における処理速度より速くすることで前記成膜領域の液体材料に対する親和性を調整することもできる。
なお、上記表面処理手段による表面状態の制御は、例えば所定の液体材料に対する接触角を測定し、調整することにより行うことができる。
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法では、前記表面処理手段が、前記基体に対して紫外線を照射する紫外線照射手段であることが好ましい。光照射による表面処理によれば、被処理面を均一に親液化することができ、また被処理面の汚染も防止できるため、処理手段として好ましい。
【０００８】
本発明の配線基板の製造方法では、前記第１の表面処理工程に先立って前記基体上の成膜領域に下地絶縁膜を形成する下地形成工程を有することが好ましい。この製造方法によれば、基体の種類やその表面の状態によらず均一な成膜面に対して配線パターンや絶縁膜の形成を行えるようになり、表面処理による表面状態の制御等も容易かつ正確に行えるようになる。
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法では、前記下地形成工程が、前記基体上に、当該下地絶縁膜の形成材料を含む液体材料を塗布する工程と、前記基体上に配された液体材料を硬化させて下地絶縁膜を形成する工程とを含む工程であることが好ましい。この製造方法によれば、基体上に形成される配線パターンや絶縁膜とともに下地絶縁膜を液相法を用いて形成することができ、工程の効率化が図れ、安価に配線基板を製造することができる。特に液滴吐出方式を用いるならば、基体上の所定位置に必要量の液体材料を用いて下地絶縁膜を形成することができるので、材料の利用効率を向上させ、低コスト化に寄与し得る製造方法となる。
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法では、前記下地形成工程で基体上に配する液体材料と、前記絶縁膜形成工程で基体上に配する液体材料とが、共通の液体材料であることが好ましい。この製造方法によれば、材料の共通化による低コスト化を図れ、また下地絶縁膜とその上層側の絶縁膜との良好な密着性を得ることができる。
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法では、前記配線パターンが、銀配線であることが好ましい。配線パターンの形成材料として銀を用いることで、微細なパターンを正確に形成でき、また低抵抗の配線パターンを形成することができる。
【００１２】
本発明の配線基板の製造方法では、前記配線パターンと前記絶縁膜とを覆う層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程を含み、前記配線層形成工程と、前記層間絶縁膜形成工程とを繰り返し行うことで、前記基体上に多層配線構造を形成することもできる。この製造方法によれば、電気的信頼性に優れた配線パターンを多層化し、高密度に集積した配線基板を製造することができ、配線基板を用いた電子機器の小型化や薄型化に大いに寄与する。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法では、前記層間絶縁膜形成工程が、前記配線パターン及び前記絶縁膜を含む基体上の表面領域に第３の液体材料を配して層間絶縁膜を形成する工程であり、前記配線層形成工程と前記層間絶縁膜形成工程との間に、前記配線パターン及び絶縁膜を含む基体上の表面領域を親液化する第３の親液化工程を有しており、前記層間絶縁膜形成工程における前記表面領域と前記第３の液体材料との親和性が、前記絶縁膜形成工程における第２の液体材料と前記成膜領域との親和性と同等であることが好ましい。
多層配線構造を形成するための層間絶縁膜は、前記配線パターンと前記絶縁膜とを覆う概略ベタ状に形成されるので、層間絶縁膜を形成するための液体材料が、前記配線パターン及び絶縁膜上で良好に流動するように表面状態を制御することが好ましい。そこで、先の第２の表面処理工程で成膜領域に付与した液体材料に対する親和性（親液性）と同等の親和性を層間絶縁膜が形成される被処理面にも付与しておくのがよい。
【００１４】
本発明の配線基板の製造方法では、前記絶縁膜形成工程において、前記配線パターンを覆うように前記絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の表面を前記成膜領域として前記配線層形成工程を繰り返し行うことで、前記基体上に多層配線構造を形成することもできる。この場合、前記絶縁膜形成工程で形成される絶縁膜が、層間絶縁膜を兼ねている構成の配線基板を得ることができる。
【００１５】
本発明の配線基板の製造方法では、前記配線層形成工程が、前記配線パターンの表面に液体材料を吐出配置して導体ポストを形成する導体ポスト形成工程を含む工程であってもよい。すなわち、層間絶縁膜等を介して積層された配線パターンを、上記導体ポストにより電気的に接続した構成についても本発明の製造方法を適用することができる。このような製造方法とすれば、層間の導電接続構造についても液相法を用いて形成することができ、安価に高集積の配線基板を製造することができる。
【００１６】
本発明の配線基板の製造方法では、前記導体ポスト形成工程を含む配線層形成工程において、前記配線形成工程で、前記成膜領域に配された前記第１の液体材料を仮乾燥させて仮乾燥体を形成し、前記導体ポスト形成工程では、前記仮乾燥体上に前記第３の液体材料を配して液状ポストを形成した後、前記仮乾燥体と前記液状ポストを加熱して前記配線パターンと導体ポストとを形成することが好ましい。このような製造方法とするならば、配線パターンと導体ポストとを一体的に形成でき、それらの界面におけるクラックの発生も効果的に防止することができるので、電気的信頼性に優れた多層配線構造の配線基板を高歩留まりに製造することができる。
【００１７】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明に係る製造方法により得られた配線基板を具備したことを特徴とする。この構成によれば、電気的信頼性に優れる配線基板により電気的接続がなされ、優れた信頼性を具備した電子機器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１９】
（液滴吐出装置）
まず、配線基板の製造方法の実施形態で用いる液滴吐出装置について説明する。図１は、液滴吐出装置の一例を示す斜視構成図である。図１に示す液滴吐出装置２０は、基板（基体）１１に対して機能材料を含む液体材料を液滴状にして吐出し配置するものであり、１つ又は複数の吐出ヘッドを具備したキャリッジ１と、キャリッジ１をＸ方向に移動自在に支持するＸ方向ガイド軸２と、Ｘ方向ガイド軸２を回転駆動するＸ方向駆動モータ３とを備えている。基板１１を載置するための載置台４と、載置台４をＹ方向に移動自在に支持するＹ方向ガイド軸５と、Ｙ方向ガイド軸５を回転駆動するＹ方向駆動モータ６とを備えている。前記Ｘ方向ガイド軸２及びＹ方向ガイド軸５は、基台７の所定位置にそれぞれ固定され、基台７の下部には、制御装置８が配設されている。さらに、クリーニング機構部１４及びヒータ１５を備えたものとなっている。
【００２０】
キャリッジ１は、導電性微粒子を含有する分散液等の液体材料をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔で基板に付与することができる複数の吐出ヘッド（吐出ヘッド）を備えている。これら複数の吐出ヘッドの各々から、制御装置８から供給される吐出電圧に応じて個別に前記液体材料を吐出できるようになっている。
キャリッジ１はＸ方向ガイド軸２に固定され、Ｘ方向ガイド軸２には、Ｘ方向駆動モータ３が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転駆動する。そして、Ｘ方向ガイド軸２の回転動作に伴いキャリッジ１が基台７に対してＸ軸方向に移動するようになっている。
【００２１】
ここで、キャリッジ１に装着される吐出ヘッドの詳細について説明する。図２は、吐出ヘッド３０を示す図であり、（ａ）は吐出ヘッド３０の要部を分解的に示す斜視構成図、（ｂ）は吐出ヘッド３０の部分断面構成図である。
吐出ヘッド３０は、図２（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート３２と振動板３３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）３４を介して接合したものである。ノズルプレート３２と振動板３３との間には、仕切部材３４によって複数のキャビティ３５とリザーバ３６とが形成されている。各キャビティ３５とリザーバ３６の内部は液体材料で満たされ、各キャビティ３５は、供給口３７を介してリザーバ３６と連通している。また、ノズルプレート３２には、キャビティ３５から外部へ液体材料を噴射するためのノズル孔３８が縦横に配列されている。一方、振動板３３には、リザーバ３６に液体材料を供給するための導入口３９が形成されている。
【００２２】
また、振動板３３のキャビティ３５に対向する面と反対側の面上には、図２（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）４０が接合されている。この圧電素子４０は、一対の電極４１に挟まれた状態で配設されており、これらの電極４１，４１に通電することで外側（図示上側）に突出するように弾性変形するようになっている。このような構成のもと、圧電素子４０が接合された振動板３３は、圧電素子４０の変形により、圧電素子４０と一体に外側へ撓曲するようになっており、この変形に伴いキャビティ３５の容積が増大する。したがって、キャビティ３５内の容積の増大分に相当する液体材料が、リザーバ３６から供給口３７を介してキャビティ３５に流入する。そして、圧電素子４０への通電を解除すると、圧電素子４０及び振動板３３が元の形状に戻る際の圧力によってキャビティ３５内部の液体材料がノズル孔３８側へ押圧され、ノズル孔３８から基板に向けて液体材料の液滴４２が吐出される。
【００２３】
なお、上記構成を備えた吐出ヘッド３０は、その底面形状が略矩形状のもので、図３に示すようにノズルＮ（ノズル孔３８）が縦に等間隔で整列した状態で矩形状に配置されたものである。そして、本例では、これら各ノズルＮ（Ｎ１，Ｎ２，…）には、それぞれに対応して独立の圧電素子４０が設けられ、各圧電素子４０への制御信号により各ノズルに係る吐出動作をそれぞれ独立に制御できるようになっている。すなわち、このような圧電素子４０に送る電気信号としての吐出波形を制御することにより、各ノズルＮからの液滴の吐出量を調整し、変化させることができるようになっている。ここで、前記吐出波形の制御は制御装置８によるものとすることができ、制御装置８は各ノズルＮからの液滴吐出量を変化させる吐出量調整手段としても機能するようになっている。
なお、吐出ヘッド３０の方式としては、前記の圧電素子４０を用いたピエゾジェット方式に限定されるものではなく、例えばサーマル方式を採用することもでき、その場合には加熱時間の長短を変化させる等の手段により液体材料の吐出量を変化させることができる。
【００２４】
図１に戻り、載置台４は、この液滴吐出装置２０を用いた液滴吐出法に供される基板１１を載置固定するもので、載置された基板１１を所定位置に固定する機構を備えている。載置台４はＹ方向ガイド軸５に支持され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されるとＹ方向ガイド軸５を回転駆動する。そして、Ｙ方向ガイド軸５の回転に伴い、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動するようになっている。
【００２５】
クリーニング機構部１４は、キャリッジ１の吐出ヘッド３０クリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部１４は、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動するようになっている。クリーニング機構部１４の移動も、制御装置８によって制御されている。
【００２６】
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板１１を熱処理する手段であり、基板上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行うようになっている。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置８によって制御されるようになっている。
【００２７】
本実施形態の液滴吐出装置２０において、所定の配線形成領域に分散液を吐出するためには、制御装置８から所定の駆動パルス信号をＸ方向駆動モータ３及び／又はＹ方向駆動モータ６とに供給し、キャリッジ１及び／又は載置台４を移動させることにより、キャリッジ１と基板１１（載置台４）とを相対移動させる。そして、この相対移動の間にキャリッジ１における所定の吐出ヘッド３０に制御装置８から吐出電圧を供給し、当該吐出ヘッド３０から分散液を吐出させる。
【００２８】
本実施形態の液滴吐出装置２０において、キャリッジ１の各吐出ヘッド３０からの液滴の吐出量は、制御装置８から供給される吐出電圧の大きさによって調整できる。また、基板１１に吐出される液滴のピッチは、キャリッジ１と基板１１（載置台４）との相対移動速度、及び吐出ヘッド３０における吐出周波数（吐出電圧供給の周波数）によって決定される。
【００２９】
（配線基板の製造方法）
次に、本発明に係る配線基板の製造方法について、図４及び図５、並びに表１を参照して詳細に説明する。図４及び図５は、実施形態に係る配線基板の製造方法を説明するための断面工程図であり、図５には、図４に続く製造工程が示されている。また表１は、同配線基板の製造方法の工程表である。以下には、表１の左端欄のステップ番号の順に、各工程を説明する。
【００３０】
本実施形態は、図５（ｅ）に示すように、フィルム基板１１上に下地絶縁膜１１０を介して複数層の配線パターン１１６，１１８が積層された多層配線構造を備える配線基板を製造する方法である。また本実施形態の配線基板の製造方法は、後述するように、下地形成工程、第１の表面処理工程、配線形成工程、導体ポスト形成工程、第２の表面処理工程、絶縁膜形成工程、及び層間絶縁膜形成工程を有するものである。
【００３１】
【表１】
2006100399.tif 000002
【００３２】
＜下地形成工程＞
まず、図４（ａ）に示すフィルム基板１１の表面（成膜面）を洗浄する（ステップ１）。具体的には、波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを、フィルム基板１１の表面に３００秒程度照射する。なお、水などの洗浄液を用いてフィルム基板１１を洗浄してもよく、その際超音波を併用することもできる。
【００３３】
次に、フィルム基板１１の表面に下地絶縁膜１１０を形成する前提として、下地絶縁膜１１０の位置制御を行うための枠状絶縁膜１１０ａを描画形成する（ステップ２）。この描画は、液滴吐出方式（インクジェット方式）によって行う。すなわち、先の液滴吐出装置２０を用いて、下地絶縁膜１１０の形成材料である硬化前の樹脂材料（第１の液体材料）を、吐出ヘッド３０のノズルＮから吐出し、下地絶縁膜１１０の形成領域の周縁部に沿う枠状に塗布する。次いで、フィルム基板１１上に塗布された前記樹脂材料を硬化させる（ステップ３）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを４秒程度照射して、枠状絶縁膜の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、下地絶縁膜１１０が形成されるフィルム基板１１上の領域を取り囲む枠状絶縁膜１１０ａが形成される。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、フィルム基板１１上に形成された枠状絶縁膜１１０ａの内側に下地絶縁膜１１０を描画形成する（ステップ４）。この描画も、液滴吐出方式によって行う。具体的には、液滴吐出装置２０の吐出ヘッド３０を枠状絶縁膜１１０ａに囲まれた領域の内側全体に走査させつつ、吐出ヘッド３０のノズルＮから下地絶縁膜１１０の形成材料である硬化前の樹脂材料（第１の液体材料）を吐出する。ここで、吐出された樹脂材料がフィルム基板１１上で流動しても、周縁部に設けられた枠状絶縁膜１１０ａによって堰き止められるので、下地絶縁膜１１０の形成領域を越えて濡れ広がらないようになっている。
次に、吐出された樹脂材料を硬化させる（ステップ５）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを６０秒程度照射して、下地絶縁膜１１０の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、図４（ｂ）に示すように、フィルム基板１１の表面に下地絶縁膜１１０が形成される。
【００３５】
＜第１の表面処理工程＞
次に、下地絶縁膜１１０の表面に配線パターンを形成する前提として、下地絶縁膜１１０の表面の接触角を調整する（ステップ６）。すなわち、配線パターンの成膜領域である下地絶縁膜１１０の表面を、配線パターンの形成に適した状態となるように表面処理を施す。
配線パターンの形成材料を含む液滴を吐出した場合に、下地絶縁膜１１０の表面の接触角が大きすぎると、吐出された液滴が玉状になって弾かれ、所定位置に所定形状の電気配線を形成することが困難になる。一方、下地絶縁膜１１０の表面の接触角が小さすぎると、吐出された液滴が濡れ広がって配線パターンの微細化が困難になる。
具体的な表面処理方法としては、硬化した下地絶縁膜１１０の表面が撥液性を呈するので、その表面に波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを１５秒程度照射することにより下地絶縁膜１１０表面の撥液性を緩和し、後段の工程で下地絶縁膜１１０上に吐出される配線パターン形成用の液体材料との親和性の程度を調整する。この表面処理は、紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）等との組み合わせによっても調整することが可能である。なお、表面処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理や、基板をオゾン雰囲気に曝す処理が挙げられる。
【００３６】
＜配線形成工程＞
次に、図４（ｃ）に示すように、下地絶縁膜１１０の表面に配線パターンを形成するための液状体パターン１１１を描画形成する（ステップ７）。なお、図４（ｃ）以降の断面工程図では、下地絶縁膜１１０を取り囲む枠状絶縁膜１１０ａは図示を省略している。
上記液状体パターン１１１の描画は、液滴吐出装置２０を用いた液滴吐出方式によって行う。ここで吐出するのは、配線の形成材料である導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（第２の液体材料）である。その導電性微粒子として、銀が好適に用いられる。その他にも、金、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などを用いることができる。
【００３７】
導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えば立体障害や静電反発を誘発するようなポリマーが挙げられる。また、導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上、０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、ノズルの目詰まりが起こりやすく、吐出ヘッド３０による吐出が困難になるからである。また５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。
【００３８】
使用する分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されないが、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、又はエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また、液滴吐出方式への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、特に好ましい分散媒としては水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用できる。
【００３９】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上、２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難になるためである。
また、分散媒の蒸気圧は、０．００１ｍｍＨｇ以上、５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上、６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、液滴吐出方式で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難となるためである。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くなり膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱及び／又は光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００４０】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は、１質量％以上、８０質量％以下であり、導電膜の所望膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくい。
【００４１】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ以上、０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲に入ることが好ましい。液滴吐出方式にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、吐出に供される液体材料のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるためである。
【００４２】
表面張力を調整するため、上記分散液には、下地絶縁膜１１０との接触角を過度に低下させない範囲で、フッ素系、シリコン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、下地絶縁膜１１０への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、塗膜表面での突起物の発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいても差し支えない。
【００４３】
上記分散液の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上、５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
液滴吐出方式にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には、ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また、粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるためである。
【００４４】
本実施形態では、上記分散液の液滴を吐出ヘッド３０から吐出して、配線パターンを形成すべき位置に滴下する。このとき、液だまり（バルジ）が生じないように、続けて吐出する液滴の重なり程度を調整することが望ましい。
以上により、下地絶縁膜１１０の表面に液状体パターン１１１が形成される。
【００４５】
次に、液状体パターン１１１を仮乾燥させて、図４（ｃ）に示すような液状体パターンの仮乾燥体１１２を得る（ステップ８）。この仮乾燥は、少なくとも液状体パターン１１１の表面を乾燥させる程度に行う。具体的には、湿度が低い空気や不活性ガス等のドライエアを、液状体パターン１１１に向かって吹き付ける。ドライエアの温度は、常温（約２５℃）であっても、高温であってもよい。また、ドライエアを吹き付ける代わりに、先の液滴吐出装置２０に設けられた赤外線ランプ等からなるヒータ１５を用いて、赤外線を液状体パターン１１１に対して照射してもよい。このように、仮乾燥の具体的な方法としてドライエアの吹き付けや赤外線の照射を採用することにより、簡単な製造設備及び製造工程によって仮乾燥を行うことができるので、設備コスト及び製造コストの上昇を抑制することができる。また、仮乾燥のため一時的に温度が上昇しても、直ちに常温に戻すことができるので、製造時間を短縮することができる。
【００４６】
＜導体ポスト形成工程＞
次に、図４（ｄ）に示すように、上記仮乾燥体１１２上の一部に、導体ポストとなる液状サブポスト１１３を描画形成する（ステップ９）。この描画も、ステップ７の液状体パターン１１１の描画と同様に、液滴吐出装置２０を用いた液滴吐出方式によって行う。ここで吐出するのは、導体ポストの形成材料である導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液であり、具体的には液状体パターン１１１の描画に用いる液体材料と同じものである。すなわち、液状体パターン１１１を描画した後に、同じ液滴吐出ヘッドを用いて、導体ポストの形成位置に液体材料を吐出すればよい。
【００４７】
導体ポストは、層間絶縁膜を介した配線層間の電気的接続に用いられるので、相応の高さに形成する必要がある。そのためには、液滴吐出方式により多数の液滴を同位置に吐出配置して相当高さの液状ポストを形成する必要がある。ところが、一度に多数の液滴を吐出配置しても、液状ポストの高さを確保することは困難であり、逆にフィルム基板１１上で液状ポストが濡れ広がり、隣接する配線や導体ポストと短絡するおそれがある。そこで、液滴の吐出を複数回に分けて行う。そして、その一回の液滴吐出では、必要な液状ポストの高さより低い液状サブポストを形成する。例えば、一回に１０滴程度の液滴を吐出して、まず第１層の液状サブポスト１１３ｓを描画形成する。
【００４８】
次に、液状サブポスト１１３ｓを仮乾燥させる（ステップ１０）。この仮乾燥は、少なくとも液状サブポスト１１３ｓの表面が乾燥するように行う。その具体的な方法として、ステップ８で液状体パターン１１１を仮乾燥させるのに用いた方法と同様に、ドライエアの吹き付けや赤外線の照射を採用することが望ましい。
【００４９】
その後、ステップ９及びステップ１０を繰り返して行う（ステップ１１）。上記のように第１層の液状サブポスト１１３ｓは仮乾燥されているので、その表面に新たな液滴を吐出しても、下地絶縁膜１１０の表面に広がることはない。そこで、新たに１０滴程度の液滴を吐出すれば、図４（ｆ）に示すように、第１層の液状サブポスト１１３ｓの上に第２層の液状サブポスト１１３ｓを積層することができる。このように、ステップ９及びステップ１０を繰り返して行うことにより、複数層（図示では２層）の液状サブポスト１１３ｓがフィルム基板１１上に積層され、相当高さの液状ポスト１１３を得ることができる。
【００５０】
次に、液状体パターンの仮乾燥体１１２と液状ポスト１１３との本焼成を行う（ステップ１２）。上記した各工程により、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３がいずれも仮乾燥された状態で形成されているので、これらの全体を一括して本焼成する。具体的には、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３が形成されたフィルム基板１１を、１５０℃のホットプレートで３０分程度加熱する。
【００５１】
本焼成は、通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。なお、本焼成の処理温度を１５０℃としたが、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３に含まれる分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して、適当に設定することが望ましい。
【００５２】
このような焼成処理は、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上、５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、１００Ｗ以上、１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００５３】
このような本焼成により、仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３に含まれる分散媒が揮発し、金属微粒子間の電気的接触が確保される。これにより、図５（ａ）に示すように、配線パターン１１６及び導体ポスト１１７が下地絶縁膜１１０上に形成される。
【００５４】
＜第２の表面処理工程＞
次に、配線パターン１１６の形成層に層内絶縁膜１１４（図５（ｂ）参照）を形成する前提として、下地絶縁膜１１０の表面の接触角を調整する（ステップ１３）。先に記載のように、硬化した下地絶縁膜１１０の表面は撥液性を示しており、先の第１の表面処理工程である程度親液化されてはいるものの、配線パターンを形成するために好適な表面特性と、層内絶縁膜の形成に好適な表面特性は異なっており、具体的には、層内絶縁膜１１４を形成するための液体材料は、下地絶縁膜１１０上で良好に流動することが好ましいため、係る液体材料と下地絶縁膜１１０の表面との親和性を高めるべく、下地絶縁膜１１０にさらなる親液性を付与することを目的として、波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを６０秒程度照射する。
【００５５】
＜絶縁膜形成工程＞
続いて、図５（ｂ）に示すように、配線パターン１１６の周囲に層内絶縁膜１１４を描画形成する（ステップ１４）。本発明に係る絶縁膜形成工程である層内絶縁膜１１４の形成も、下地絶縁膜１１０の描画と同様に、液滴吐出装置を用いて行う。ここで、層内絶縁膜の形成材料である液体樹脂材料を、導体ポスト１１７と接触するように吐出すると、樹脂材料が導体ポスト１１７の上端に濡れ上がって、上層の配線パターンとの接続部において導通不良を生じるおそれがある。そこで、導体ポスト１１７及び配線パターン１１６の周囲に隙間を空けて、その外側に樹脂材料を吐出する。
【００５６】
次に、導体ポスト１１６及び配線パターン１１７の周囲の隙間に、波長１７２ｎｍのエキシマＵＶを照射して、親液処理を施す（ステップ１５）。これにより、導体ポスト１１７及び配線パターン１１６の周囲の隙間に親液性が付与される結果、その隙間に前記樹脂材料が流動して配線パターン１１６と接触する。この場合、樹脂材料が配線パターン１１６の表面に一部濡れ上がる場合もあるが、配線パターン１１６上に突設された導体ポスト１１７の上端にまで達することはない。したがって、導体ポスト１１７と、後段の工程で形成される上層の配線パターンとの導通を確保することができる。
そして、吐出された樹脂材料を硬化させる（ステップ１６）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを４秒程度照射して、層内絶縁膜の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、層内絶縁膜が形成される。
【００５７】
＜層間絶縁膜形成工程＞
次に、図５（ｃ）に示すように、配線パターン１１６と層内絶縁膜１１４とを覆う層間絶縁膜１１５を描画する（ステップ１７）。この描画も、下地絶縁膜１１０の描画と同様に、液滴吐出装置を用いて行う。ここでも、導体ポスト１１７の周囲に隙間を空けて、樹脂材料を吐出することが望ましい。
次に、吐出された樹脂材料を硬化させる（ステップ１８）。具体的には、波長３６５ｎｍのＵＶを６０秒程度照射して、層間絶縁膜の形成材料であるＵＶ硬化性樹脂を硬化させる。これにより、層間絶縁膜１１５が形成される。
【００５８】
次に、図５（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１１５の表面に、上層の配線パターン１１８を形成する。その具体的な方法は、下層の配線パターン１１６を形成するためのステップ６から８の一連の工程と同様である。
次に、図５（ｅ）に示すように、上層側の配線パターン１１８の形成層に層内絶縁膜１１９を形成する。その具体的な方法は、配線パターン１１６の形成層に層内絶縁膜を形成するためのステップ１４から１６の一連の工程と同様である。さらに、ステップ１７及びステップ１８を行うことで、図５（ｅ）に示すように、上層側の配線パターン１１８の表面に層間絶縁膜１２０を形成することができる。
【００５９】
このように、ステップ６から１８の一連の工程を繰り返すことにより、配線パターンをフィルム基板１１上に積層配置することができる。なお、最上層の電気配線の表面には、ステップ１７及びステップ１８と同様の方法により、保護膜を形成すればよい。
以上の工程により、多層配線構造を具備した配線基板を製造することができる。
【００６０】
上述したように、本実施形態の配線基板の製造方法では、液滴吐出方式により液状体パターン１１１を描画形成する工程（ステップ７）に先立って第１の表面処理工程（ステップ６）を行い、層内絶縁膜１１４を形成する絶縁膜形成工程（ステップ１４）に先立って第２の表面処理工程（ステップ１３）を行うようになっている。このように、配線パターン１１６を液滴吐出方式により形成する際の下地絶縁膜１１０の液体材料に対する親和性（親液性；接触角）よりも、層内絶縁膜１１４を形成する際の下地絶縁膜１１０の液体材料に対する親和性（親液性；接触角）を大きくすることで、配線パターン１１６の形成では微細なパターンを正確な幅に形成することができ、層内絶縁膜１１４の形成では下地絶縁膜１１０表面における液体材料の良好な流動性により均一な膜厚の絶縁膜を形成することができる。
【００６１】
本実施形態では、下地絶縁膜１１０と液体材料との親和性を調整するに当たり、下地絶縁膜１１０に照射する紫外光（エキシマＵＶ）の照射時間を異ならせている。すなわち、第１の表面処理工程では照射時間は１５秒程度であるが、第２の表面処理工程では６０秒程度としている。しかし、本発明に係る製造方法における上記表面処理の条件は、紫外光の照射時間に限らず、紫外光の照射強度（パワー）によって調整することもできる。
また本実施形態では、上記液体材料と成膜面との親和性について、表面処理後の接触角に基づき制御しており、極めて簡便に比較的正確な親和性の程度を得ることができる。
【００６２】
また、フィルム基板１１上に形成した液状体パターン１１１を仮乾燥した後、続けて液滴吐出方式により仮乾燥体１１２上の一部に液状ポストを描画形成する工程（ステップ９〜１１）と、液状体パターンの仮乾燥体１１２及び液状ポスト１１３を本焼成する工程（ステップ１２）とを行うようになっている。すなわち、仮乾燥状態の液状体パターンの表面に液状ポストを描画形成するので、両者を界面で融合させることができる。そして、液状体パターン及び液状ポストを一括して本焼成することにより、配線パターンと導体ポストとを一体的に形成することができる。これにより、配線パターン１１６と導体ポスト１１７との界面におけるクラックの発生を防止することができ、導通接続の信頼性に優れた配線パターン１１６を具備した配線基板を得ることができる。
【００６３】
また、本実施形態の配線基板の製造方法では、配線パターンや導体ポスト、各種絶縁膜の形成に液滴吐出方式を採用しているので、材料使用効率を向上させることが可能になり、製造コストを低減することができる。さらに、配線パターンの多層化及び微細化が可能になる。一例を挙げれば、複数の配線パターンのライン×スペースの幅を、従来の５０μｍ×５０μｍから、３０μｍ×３０μｍ程度に微細化することができる。これにより、配線基板の小型化、高集積化を実現でき、その配線基板を採用した電子機器の小型化に寄与する。
【００６４】
なお、本実施形態では多層配線構造の配線基板の製造方法を例示して説明したが、硬質の基板における配線パターン（回路配線）の形成方法として本発明を適用することも可能である。また、本実施形態では配線パターン上に導体ポストを形成する場合について説明したが、配線パターンの電極ランド上に導体ポストを形成する場合も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００６５】
また上記実施形態では、下地絶縁膜１１０上の同層に配線パターン１１６と層内絶縁膜１１４とを形成する場合について説明したが、配線パターン１１６の厚さ等によっては、配線パターン１１６を覆うように層内絶縁膜１１４を形成することもできる。この場合には、層内絶縁膜１１４が層間絶縁膜１１５を兼ねる構成となるので、層間絶縁膜１１５の形成工程を省略することができ、工数の削減による低コスト化を図ることができる。
【００６６】
また、上記実施形態では、製造する配線基板を、基板１１上に下層側配線パターン１１６と上層側配線パターン１１８と、これら配線間を導通させる導体ポスト１１７とを有した２層構造のものとしたが、本発明はこれに限定されることなく、３層構造、あるいは４層以上の構造を有する多層配線構造の配線基板の製造にも適用することができる。また、このような配線基板の製造方法によって得られた配線基板は、例えば半導体素子等を備えて構成される各種の電子機器に用いられるが、このような多層配線基板を備えた各種の電子機器は、全て本発明の電子機器となる。
【００６７】
（電気光学装置）
上記実施の形態では、積層された配線パターンを具備した配線基板を例示して説明した。そこで、図６を参照して、上記実施形態の配線基板が採用された電気光学装置の一例である液晶モジュールについて説明する。
【００６８】
図６は、ＣＯＦ（Chip On Film）構造の回路基板を具備した液晶モジュールの分解斜視図である。液晶モジュール９０１は、大別すると、カラー表示用の液晶パネル９０２と、液晶パネル９０２に接続される回路基板９０３と、回路基板９０３に実装される液晶駆動用ＩＣ９００とを備えて構成されている。なお必要に応じて、バックライト等の照明装置やその他の付帯機器が、液晶パネル９０２に付設される。
【００６９】
液晶パネル９０２は、シール材９０４によって接着された一対の基板９０５ａ及び基板９０５ｂを有し、これらの基板９０５ｂと基板９０５ｂとの間に形成される間隙、所謂セルギャップに液晶が封入される。つまり、液晶は基板９０５ａと基板９０５ｂとによって挟持されている。これらの基板９０５ａ及び基板９０５ｂは、一般には、例えばガラス、合成樹脂等の透光性材料により形成される。基板９０５ａ及び基板９０５ｂの外側表面には偏光板９０６ａが貼り付けられている。
【００７０】
また、基板９０５ａの内側表面には電極９０７ａが形成され、基板９０５ｂの内側表面には電極９０７ｂが形成されている。これらの電極９０７ａ，９０７ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等の透光性導電材料によって形成されている。基板９０５ａは基板９０５ｂに対して面方向に一部張り出して配置されており、この張り出し部に形成された複数の端子９０８を有している。これらの端子９０８は、基板９０５ａ上に電極９０７ａを形成する際に電極９０７ａとともに形成されるものである。したがって、これらの端子９０８は、例えばＩＴＯによって形成されたものとなっている。これらの端子９０８には、電極９０７ａを基板端部まで延出して形成されたものや、他の導電材（不図示）を介して電極９０７ｂに接続されたものが含まれる。
【００７１】
一方、回路基板９０３には、先の実施形態の製造方法により得られた配線基板が用いられており、配線基板９０９上の所定位置に液晶駆動用ＩＣ９００が実装されている。なお、図示は省略しているが、液晶駆動用ＩＣ９００が実装された領域以外の部位には抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品を実装することもできる。配線基板９０９は、ポリイミド等の可撓性を有するフィルム基板９１１上に、銀等を用いて形成された配線パターン９１２を形成したものとなっている。
【００７２】
また、基板の両短辺の端部から延びる配線パターン９１２，９１２の先端部が配された液晶駆動用ＩＣ９００の実装領域において、各配線パターン９１２の端部には図示略の電極パッドが形成されている。そして、複数の電極パッドに対して、液晶駆動用ＩＣ９００の能動面に形成された複数のバンプ電極が、図示略のＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して電気的に接続されている。この上記ＡＣＦは、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させたものであり、実装された液晶駆動用ＩＣ９００のバンプ電極と配線パターン９１２の電極パッドとの間に介在する上記導電性粒子により両者を電気的に接続するようになっている。
【００７３】
そして、液晶駆動用ＩＣ９００が実装された回路基板９０３が、液晶パネル９０２の基板９０５ａに接続されている。具体的には、回路基板９０３の配線パターン９１２が、図示略のＡＣＦを介して、基板９０５ａの端子９０８と電気的に接続されている。なお、回路基板９０３は可撓性を有するので、自在に折りたたんで省スペース化を実現しうるようになっている。
【００７４】
上記のように構成された液晶モジュール９０１では、回路基板９０３の外側に延びる配線パターン９１２を介して、液晶駆動用ＩＣ９００に信号が入力され、液晶駆動用ＩＣ９００から出力された駆動信号が、液晶パネル側に延びる配線パターン９１２を介して液晶パネル９０２に入力され、液晶パネル９０２の表示駆動が行われるようになっている。
【００７５】
なお、本発明の電気光学装置には、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有する装置の他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換する装置等も含まれている。すなわち、本発明は、上記した液晶表示装置だけでなく、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置や無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの発光装置等に対しても、広く適用することが可能である。例えば、上記実施形態の配線基板を用いた回路基板を有機ＥＬパネルに接続して、有機ＥＬモジュールを構成することも可能である。
【００７６】
（電子機器）
次に、本実施形態の膜形成方法を使用して製造した電子機器につき、図７を用いて説明する。図７は、携帯電話の斜視図である。図７において符号１０００は携帯電話を示し、符号１００１は表示部を示している。この携帯電話１０００の表示部１００１には、先の実施形態の配線基板を備えた電気光学装置が採用されている。したがって、電気的接続の信頼性に優れた小型の携帯電話１０００を提供することができる。
本発明は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の電子機器の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合でも、電気的接続の信頼性に優れた小型の電子機器を提供することができる。
【００７７】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】液滴吐出装置の斜視構成図。
【図２】（ａ）は吐出ヘッドの分解斜視図、（ｂ）は側断面構成図。
【図３】吐出ヘッドの平面構成図。
【図４】実施形態に係る配線基板の製造方法の断面工程図。
【図５】実施形態に係る配線基板の製造方法の断面工程図。
【図６】実施形態に係る配線基板を具備した電気光学装置の一例を示す図。
【図７】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００７９】
１１…基板（フィルム基板、基体）、１１１…液状体パターン、１１２…仮乾燥体、１１３，１１９…層内絶縁膜、１１５，１２０…層間絶縁膜、１１６，１１９…配線パターン、１１７…導体ポスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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