(57)【要約】【課題】  容器内に収容した液体の残量を正確に知ることのできる半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法を提供する。【解決手段】  本発明の半導体製造装置１００は、液体材料を収容する容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂを含み、該容器から前記液体材料を供給する液体材料供給部と、前記液体材料供給部により供給された前記液体材料を気化させてガスを生成する液体気化部と、前記液体気化部から供給される前記ガスを用いて成膜処理を行う処理部と、前記処理部を排気する排気部と、前記容器の底部に配置され、前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓと、を具備することを特徴とする。【選択図】図３
2006114803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体材料を収容する容器を含み、該容器から前記液体材料を供給する液体材料供給部と、
前記液体材料供給部により供給された前記液体材料を気化させてガスを生成する液体気化部と、
前記液体気化部から供給される前記ガスを用いて処理を行う処理部と、
前記処理部を排気する排気部と、
前記容器の底部に配置され、前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器と、
を具備することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
液体を収容する容器と、
前記容器に接続された液体供給ラインと、
前記液体供給ラインの途中に設けられた流量制御器若しくは流量検出器と、
前記容器の底部に配置され、前記液体の液位を音波により検出する液位検出器と、
前記流量制御器に対する流量設定値若しくは前記流量検出器による流量検出値に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出する液量算出手段と、
前記液量算出手段により算出された前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値により修正する液量修正手段と、
を具備することを特徴とする液量監視装置。
【請求項３】
前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量を前記液位検出値に基づいて導出された値に更新する手段であることを特徴とする請求項２に記載の液量監視装置。
【請求項４】
前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量が既定値になったときに修正を行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の液量監視装置。
【請求項５】
前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用して修正を行うことを特徴とする請求項２に記載の液量監視装置。
【請求項６】
前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量の既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量とを比較して前記修正パラメータを算出することを特徴とする請求項５に記載の液量監視装置。
【請求項７】
液体材料を収容する容器から前記液体材料を送り出して気化させてガスを生成し、前記ガスを処理部に送って処理を行う半導体製造装置の液体材料監視方法であって、
前記容器の底部に前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器を配置し、該液位検出器の液位検出値を用いて前記容器内の前記液体材料の残量を確認することを特徴とする半導体製造装置の液体材料監視方法。
【請求項８】
液体を収容する容器に接続された液体供給ラインを介して前記液体を供給する過程において前記容器内の前記液体を監視する液量監視方法であって、
前記液体供給ラインにおける前記液体の流量に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出し、
前記容器の底部に前記液体の液位を音波により検出する液位検出器を配置し、
前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値に基づいて修正することを特徴とする液量監視方法。
【請求項９】
前記液体使用量若しくは前記液体残量は、前記液位検出値に基づいて導出された値に更新することにより修正されることを特徴とする請求項８に記載の液量監視方法。
【請求項１０】
前記液体使用量若しくは前記液体残量は、既定値になったときに修正されることを特徴とする請求項８又は９に記載の液量監視方法。
【請求項１１】
前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用することにより修正を行うことを特徴とする請求項８に記載の液量監視方法。
【請求項１２】
前記修正パラメータは、既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量との比較により算出されることを特徴とする請求項１１に記載の液量監視方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造装置、液量監視装置、半導体製造装置の液体材料監視方法、及び、液量監視方法に係り、特に、有機液体材料や有機原料溶液を用いて成膜を行う半導体製造装置に適用する場合に好適な液量監視技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液体有機金属や有機金属溶液などの液体材料（原料そのものが液体である場合だけでなく、固体若しくは液体の原料を溶媒に溶解してなる原料溶液である場合を含む。）を気化する原料気化供給系を用いたＣＶＤ半導体製造装置においては、原料容器から液体材料を気化器に供給し、気化器で液体材料を気化してガスを成膜室に導き、成膜室の内部にて基板上に薄膜を形成するように構成されている。この種の装置は例えば以下の特許文献１に記載されている。
【０００３】
上記装置においては、液体材料を容器内に収容し、容器に接続された加圧ラインを介して圧力を容器内に加えることにより、容器に接続された液体供給ラインに液体材料を押し出し、流量制御器を介して所定量の液体材料を供給する液体材料供給部が設けられている。この液体材料供給部では、容器内の液体材料の残量を管理し、液体材料がなくなる前に新たな容器に交換する必要がある。このような液体材料供給部の構成例は例えば以下の特許文献２に記載されている。
【０００４】
一般的に、容器内に収容された液体の量を検出するには、フロート式の残量計などの液面センサを用いる方法が知られている。しかしながら、上記のような液体材料では、センサ部の耐薬品性、センサ部への原料付着による検出精度低下、センサ部による原料汚染、液体材料の引火の危険性などの理由により、容器内に設置される一般的な液面センサを用いることができない。このため、以下の特許文献２にも記載されているように、上記装置では、上記流量制御器の流量設定値や流量検出値から容器内の液体材料の残量を推定するようにしている。すなわち、液体材料の流量積算値や液体材料の流量と供給時間の積により液体使用量を算出し、この液体使用量に基づいて容器内の液体残量を求めている。
【特許文献１】特開平７−２６８６３４号公報
【特許文献２】特開２００２−０９５９５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の流量検出値に基づく液体使用量や容器内の液体残量の算出方法では、流量の積算時間が長くなると液体残量の誤差が大きくなるので、早めに容器を交換しなくてはならず、高価な液体材料を無駄に廃棄することとなる場合があり、稼動コストが増大するという問題点がある。また、この方法では容器の収容容積を大きくするほど残量表示の誤差が大きくなるので、容器の大型化による液体材料の廃棄量の低減を図ることも難しい。
【０００６】
一方、上記とは異なり、容器の重量に起因する荷重を検出するロードセルなどを設置し、容器荷重の変化による液体材料の残量測定を行うことも考えられるが、容器は配管などへ接続されるため、容器荷重の検出誤差が大きく、上記と同様に正確な残量表示を行うことができないという問題点がある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、容器内に収容した液体の残量を正確に知ることのできる半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法を実現することにある。また、本発明の他の目的は、液体に対する汚染や耐薬品性の問題を回避できる半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
斯かる実情に鑑み、本発明の半導体製造装置は、液体材料を収容する容器を含み、該容器から前記液体材料を供給する液体材料供給部と、前記液体材料供給部により供給された前記液体材料を気化させてガスを生成する液体気化部と、前記液体気化部から供給される前記ガスを用いて処理を行う処理部と、前記処理部を排気する排気部と、前記容器の底部に配置され、前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出することにより、検出器を液体材料に直接接触させる必要がなくなるから、液体材料の汚染、検出器の耐薬品性の確保、検出器への液体材料付着による検出精度の低下、液体材料の引火などを回避できる。また、液体材料の液位を検出できるため、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。
【００１０】
ここで、液位検出器としては、例えば、音波を容器の底部から内部に侵入させ、液体材料の液面で反射させ、その反射波の検出時間から液体材料の液位を測定するようにしたものを用いることができる。また、液面による音波の１次反射波と２次反射波の検出間隔から液位を測定するようにしてもよい。さらに、液位検出器は、容器の底部に外側から密接した状態で設置されることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の液量監視装置は、液体を収容する容器と、前記容器に接続された液体供給ラインと、前記液体供給ラインの途中に設けられた流量制御器若しくは流量検出器と、前記容器の底部に配置され、前記液体の液位を音波により検出する液位検出器と、前記流量制御器に対する流量設定値若しくは前記流量検出器による流量検出値に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出する液量算出手段と、前記液量算出手段により算出された前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値により修正する液量修正手段と、を具備することを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、液体供給ラインの流量によって液体使用量若しくは液体残量を算出する場合において、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出し、その液位検出値によって液体使用量若しくは液体残量を修正することにより、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。また、上記の液位検出器では、液位の検出可能範囲や高精度に液位を検出できる範囲が液体使用量や液体残量を知る必要のある範囲よりも狭い場合が考えられるが、本発明では所定範囲内で得られた液位検出値により液体使用量や液体残量を修正しておけば、液位の検出可能範囲外或いは高精度検出可能範囲外でも従来よりも正確な液体使用量や液体残量を知ることが可能になる。
【００１３】
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量を前記液位検出値に基づいて導出された値に更新する手段であることが好ましい。この場合には、きわめて簡単な方法で液体使用量若しくは液体残量の精度を向上できる。
【００１４】
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量が既定値になったときに修正を行うことが好ましい。この場合には、液体使用量若しくは液体残量の修正を行う液体使用量や液体残量の値を予め設定しておくので、この既定値を液位検出器の検出可能範囲内或いは高精度検出可能範囲内に設定しておくことにより、修正を確実に行うことができるようになり、また、液位検出値も高精度化されるので、液体使用量若しくは液体残量の修正精度を高めることが可能になる。
【００１５】
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用して修正を行うことが好ましい。これによれば、予め算出した修正パラメータの適用により液体使用量若しくは液体残量を修正することにより、液体使用量若しくは液体残量を逐次修正パラメータによって修正していくことができるため、液位検出の頻度を少なくすることができ、また、液位検出による修正パラメータの取得時から時間が経過しても液体使用量若しくは液体残量の精度を或る程度維持することができる。
【００１６】
本発明において、前記液量修正手段は、前記液体使用量若しくは前記液体残量の既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量とを比較して前記修正パラメータを算出することが好ましい。これによれば、変化率の差を修正パラメータとして用いることが可能になるので、時間の経過とともに液体使用量若しくは液体残量のずれが増大するといったことを防止でき、液位検出による修正パラメータの取得時から時間が経過しても、高い精度を維持できる。
【００１７】
次に、本発明の半導体製造装置の液体材料監視方法は、液体材料を収容する容器から前記液体材料を送り出して気化させてガスを生成し、前記ガスを処理部に送って処理を行う半導体製造装置の液体材料監視方法であって、前記容器の底部に前記液体材料の液位を音波により検出する液位検出器を配置し、該液位検出器の液位検出値に基づいて前記容器内の前記液体材料の残量を確認することを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出することにより、検出器を液体材料に直接接触させる必要がなくなるから、液体材料の汚染、検出器の耐薬品性の確保、検出器への液体材料付着による検出精度の低下、液体材料の引火などを回避できる。また、液体材料の液位を検出できるため、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。
【００１９】
ここで、液位検出器としては、例えば、音波を容器の底部から内部に侵入させ、液体材料の液面で反射させ、その反射波の検出時間から液体材料の液位を測定するようにしたものを用いることができる。また、液面による音波の１次反射波と２次反射波の検出間隔から液位を測定するようにしてもよい。さらに、液位検出器は、容器の底部に外側から密接した状態で設置されることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の液量監視方法は、液体を収容する容器に接続された液体供給ラインを介して前記液体を供給する過程において前記容器内の前記液体の残量を監視する液量監視方法であって、前記液体供給ラインにおける前記液体の流量に基づいて液体使用量若しくは前記容器内の液体残量を算出し、前記容器の底部に前記液体の液位を音波により検出する液位検出器を配置し、前記液体使用量若しくは前記液体残量を、前記液位検出器により検出された液位検出値に基づいて修正することを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、液体供給ラインの流量によって液体使用量若しくは液体残量を算出する場合において、容器の底部に配置された液位検出器を用いて液体材料の液位を音波により検出し、その液位検出値によって液体使用量若しくは液体残量を修正することにより、液体材料の使用量或いは容器内の液体材料の残量を正確に知ることが可能になる。また、上記の液位検出器では、液位の検出可能範囲や高精度検出範囲が液体使用量や液体残量を知る必要のある範囲よりも狭い場合が考えられるが、本発明では液位の検出可能範囲内或いは高精度検出可能範囲において液体使用量や液体残量を修正しておけば、液位の検出可能範囲外或いは高精度検出可能範囲外でも従来よりも正確な液体使用量や液体残量を知ることが可能になる。
【００２２】
本発明において、前記液体使用量若しくは前記液体残量は、前記液位検出値に基づいて導出された値に更新することにより修正されることが好ましい。また、前記液体使用量若しくは前記液体残量は、既定値になったときに修正されることが好ましい。さらに、本発明において、前記液体使用量若しくは前記液体残量及び前記液位検出値に基づいて修正パラメータを予め算出し、その後、該修正パラメータを前記液体使用量若しくは前記液体残量に適用することにより修正を行うことが好ましい。この場合に、前記修正パラメータは、既定範囲における前記液体使用量若しくは前記液体残量の変化量と前記液位検出値の変化量との比較により算出されることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、容器内に収容した液体の実際の残量を正確に知ることができ、残量を最小限に抑制することで高価な液体を無駄にすることが少なくなるため、半導体の製造コストを抑制できるという優れた効果を奏し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明に係る半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法の実施形態を図示例と共に説明する。図１は、本実施形態の半導体製造装置１００の全体構成を示す概略構成図である。この半導体製造装置１００は、液体有機金属若しくは有機金属溶液を液体材料とし、この液体材料を気化して供給する液体材料気化供給系を備えたＭＯＣＶＤ装置である。ただし、本発明の半導体製造装置は、ＭＯＣＶＤ装置以外の各種の半導体製造装置、例えば、有機金属原料以外の液体材料を用いたバッチ式、枚葉式などの各種のＣＶＤ装置、或いは、ドライエッチング装置などの各種の半導体製造用装置にも適用できる。
【００２５】
［装置の構成］
半導体製造装置１００は、液体有機金属や有機金属溶液などの液体材料を供給する液体材料供給部１１０と、液体材料供給部１１０から供給された液体材料を気化してガスを生成する気化器（液体気化部）１２０と、気化器１２０から供給されたガスに基づいて成膜を行う処理部１３０と、気化器１２０、処理部１３０及び液体材料供給部１１０を排気するための排気部１４０とを備えている。
【００２６】
液体材料供給部１１０の構成例は、図２に示されている。この液体材料供給部１１０では、溶媒容器Ｘｂに対して不活性ガスなどの加圧ガスを供給する加圧ラインＸａ、有機溶媒を収容する溶媒容器Ｘｂ、及び、溶媒容器Ｘｂから有機溶媒を供給する供給ライン１１０Ｘを含む溶媒供給部と、同様の加圧ラインＡａ、液体有機原料若しくは有機原料溶液を収容する原料容器Ａｂ、及び、原料容器Ａｂから液体材料を供給する供給ライン１１０Ａを含むＡ材料供給部と、同様の加圧ラインＢａ、液体有機原料若しくは有機原料溶液を収容する原料容器Ｂｂ、及び、原料容器Ｂｂから液体材料を供給する供給ライン１１０Ｂを含むＢ材料供給部と、同様の加圧ラインＣａ、液体有機原料若しくは有機原料溶液を収容する原料容器Ｃｂ、及び、原料容器Ｃｂから液体材料を供給する供給ライン１１０Ｃを含むＣ材料供給部とを備えている。なお、本実施形態の場合、上記の溶媒容器や原料容器は通常、０．５〜５０リットル程度の容積を備えたものである。
【００２７】
ここで、ＰＺＴ（Ｐｂ［Ｚｒ１−ｘＴｉｘ］Ｏ３）の誘電薄膜を成膜する場合には、液体材料の一つである上記有機溶媒として酢酸ブチルなどを用いることができ、上記Ａ材料供給部が供給する液体材料としてはＰｂ（ＤＰＭ）２などの有機Ｐｂ原料を用いることができ、上記Ｂ材料供給部が供給する液体材料としてはＺｒ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）４などの有機Ｚｒ原料を用いることができ、上記Ｃ材料供給部が供給する液体材料としてはＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）４などの有機Ｔｉ原料を用いることができる。なお、本発明は上記液体材料に限定されるものではなく、例えば、ＴｉＮを成膜する場合には液体材料としてＴｉＣｌ４を用いるなど、液体であれば種々の材料を用いることができる。
【００２８】
上記の溶媒供給部、Ａ材料供給部、Ｂ材料供給部及びＣ材料供給部においては、それぞれ、上記供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃに開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ，Ｃｈ、開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉ、フィルタＸｊ，Ａｊ，Ｂｊ，Ｃｊ，Ａｐ，Ｂｐ，Ｃｐ、マスフローメータ及び流量制御弁などで構成される流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃ、並びに、開閉弁Ｘｄ，Ａｄ，Ｂｄ，Ｃｄがそれぞれ下流側に向けて順に設けられ、原料混合部１１３に接続されている。また、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａには、逆止弁Ｘｅ，Ａｅ，Ｂｅ，Ｃｅ、開閉弁Ｘｆ，Ａｆ，Ｂｆ，Ｃｆ、及び、開閉弁Ｘｇ，Ａｇ，Ｂｇ，Ｃｇが下流側に向けて順に設けられている。
【００２９】
また、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａにおける上記開閉弁Ｘｆ，Ａｆ，Ｂｆ，Ｃｆと開閉弁Ｘｇ，Ａｇ，Ｂｇ，Ｃｇとの間の部分と、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃにおける上記開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉと上記開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ，Ｃｈとの間の部分とは、開閉弁Ｘｋ，Ａｋ，Ｂｋ，Ｃｋを介して接続されている。さらに、供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃにおける上記開閉弁Ｘｉ，Ａｉ，Ｂｉ，Ｃｉと上記開閉弁Ｘｈ，Ａｈ，Ｂｈ，Ｃｈとの間の部分は、それぞれ開閉弁Ｘｌ，Ａｌ，Ｂｌ，Ｃｌを介して排気ライン１１０Ｄに接続されている。
【００３０】
そして、供給ライン１１０Ｘにおける上記フィルタＸｊと上記流量制御器Ｘｃとの間の部分は、開閉弁Ｘｍ及びＡｎ，Ｂｎ，Ｃｎを介して加圧ラインＡａ，Ｂａ，Ｃａに接続され、また、開閉弁Ｘｍ及びＡｏ，Ｂｏ，Ｃｏを介して供給ライン１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃに接続されている。
【００３１】
上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａの上流部は相互に連結され、開閉弁１１５を介して不活性ガスなどの加圧ガス源に接続されている。また、開閉弁１１５の下流側には圧力計Ｐ２が接続されている。さらに、上記排気ライン１１０Ｄはバイパスライン１１６に接続され、開閉弁１１７を介して原料混合部１１３に接続されている。この原料混合部１１３の下流端は開閉弁１１４を介して気化器１２０に導入される原料供給ライン１１０Ｓに接続されている。また、この原料混合部１１３の上流端は、開閉弁１１１及び流量制御器１１２を介して不活性ガスなどのキャリアガス源に接続されている。さらに、排気ライン１１０Ｄは、開閉弁１１８を介してドレンタンクＤに接続され、このドレンタンクは開閉弁１１９を介して原料供給排気ライン１４０Ｃに接続されている。
【００３２】
図１に示すように、気化器１２０は、液体材料供給部１１０から導出された原料供給ライン１１０Ｓと、不活性ガスなどの噴霧ガスを供給する噴霧ガスライン１２０Ｔとが接続された噴霧ノズル１２１とを有し、この噴霧ノズル１２１で液体材料のミストを加熱された気化器１２０の内部に噴霧することで、液体材料を気化し、原料ガスを生成するように構成されている。気化器１２０はガス供給ライン１２０Ｓに接続され、ガス供給ライン１２０Ｓは、ガス導入弁１３１を介して処理部１３０に接続されている。このガス供給ライン１２０Ｓには、不活性ガスなどのキャリアガスを供給するキャリア供給ライン１３０Ｔが接続され、ガス供給ライン１３０Ｓを介して処理部１３０にキャリアガスを導入できるようになっている。
【００３３】
処理部１３０は、気密な密閉容器によって構成された成膜室１３２を有し、この成膜室１３２は、上記ガス供給ライン１３０Ｓと、Ｏ２，Ｏ３，ＮＯ２などの酸化性の反応ガスを供給する反応ガスライン１３０Ｖとが接続されたガス導入部１３３を備えている。このガス導入部１３３は、原料ガス及び反応ガスを微細な細孔から成膜室１３２の内部に導入するシャワーヘッド構造を備えている。また、成膜室１３２の内部には、上記ガス導入部１３３に対向配置されたサセプタ１３４が設けられ、このサセプタ１３４上に処理対象となる基板Ｗを載置できるように構成されている。なお、圧力計Ｐ１は成膜室１３２の内部の圧力を計測するものである。
【００３４】
排気部１４０は、成膜室１３２に接続された主排気ライン１４０Ａを備えている。この主排気ライン１４０Ａには、下流側に向けて、圧力調整弁１４１、開閉弁１４２、排気トラップ１４３、開閉弁１４４が順次に設けられている。圧力調整弁１４１はその弁開度によって成膜室１３２の内部の圧力を調整する機能を有し、上記圧力計Ｐ１の検出圧力に応じて圧力調整弁１４１の弁開度を制御し、成膜室１３２の内部の圧力を自動的に設定値に調整する自動圧力調整手段を構成している。
【００３５】
また、排気部１４０には、上記ガス供給ライン１２０Ｓと、主排気ライン１４０Ａとの間に接続されたバイパス排気ライン１４０Ｂが設けられている。このバイパス排気ライン１４０Ｂの上流端は、気化器１２０とガス導入弁１３１との間に接続され、その下流端は、排気トラップ１４３と開閉弁１４４との間に接続されている。バイパス排気ライン１４０Ｂには、下流側に向けて、開閉弁１４６、排気トラップ１４７が順次に設けられている。
【００３６】
排気部１４０には、上記液体材料供給部１１０から導出される上記の原料供給排気ライン１４０Ｃが設けられている。この原料供給排気ライン１４０Ｃは、上記主排気ライン１４０Ａの開閉弁１４４と、排気装置１４５との間に接続されている。排気装置１４５は２段直列構成を有し、例えば、初段部分１４５Ａがメカニカルブースターポンプ、次段部分１４５Ｂがドライポンプで構成される。
【００３７】
図３は、本実施形態の制御系の主要部分の構成を示す概略構成図である。本実施形態では、ＭＰＵ（マイクロプロセシングユニット）などで構成される制御部１００Ｘと、制御部１００Ｘに接続され、制御部１００Ｘに対して各種の操作入力を行うことができるように構成された操作部１００Ｐと、制御部１００Ｘに接続され、装置内の各部に設けられた開閉弁を制御する開閉弁制御部１００Ｙと、制御部１００Ｘに接続され、装置内の各部に設けられた流量制御器を制御し、流量検出器からの信号を受ける流量制御部１００Ｚと、制御部１００Ｘに接続され、装置内に設けられた液位検出器を制御し、液位検出を行う液位測定部１００Ｗとを備えている。
【００３８】
流量制御部１００Ｚは、上記流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃに接続され、これらの流量設定を行うとともに、上記流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから出力される流量検出値を受けるように構成されている。流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃは、例えば、ＭＦＭ（マスフローメータ）などの流量検出器と、高精度流量可変バルブなどの流量調整弁とによって構成することができる。
【００３９】
液位測定部１００Ｗは、上記容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂの底部に外側から密接配置されてなる液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓに接続されている。液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓは、音波により容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂ内の溶媒や液体材料の液位を検出することができるものである。すなわち、これらの液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓは、音波を容器の底壁を介して内部の液体中に導入し、音波が液体中を進行して液面で反射されることにより生ずる反射波を検出することによって、液位を知ることができるように構成されている。なお、液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓの詳細については後述する。
【００４０】
図４は、本実施形態の容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂの構造を示す概略断面図である。この容器は、ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６）などで構成された有底円筒状の胴体１１を備え、この胴体１１の上部開口１１ａの開口縁にフランジ１２を固着（溶接固定）し、このフランジ１２と着脱可能に構成された蓋部１３に、上記加圧ラインＸａ，Ａａ，Ｂａ，Ｃａに接続された加圧管１５、及び、上記供給ライン１１０Ｘ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃに接続された供給管１６を貫通固定し、加圧管１５は胴体１１の上部に開口し、供給管１６は胴体１１の内底部の近傍に開口するように構成したものである。胴体１１の底部１１ｂには円環状の脚部１４が固定されている。この底部１１ｂは外側に向けて凸曲面状に構成されていることが好ましい。
【００４１】
胴体１１の底部１１ｂには、上記液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓを構成する検出器本体１７が固定されている。検出器本体１７は、圧電振動体などで構成される環状の加振部１７Ａと、この加振部１７Ａの内側（中心部）に突出した温度検出部１７Ｂとを有する。そして、検出器本体１７は、グリースやゲルシートなどのゲル状の音響透過剤１８を介して底部１１ｂの外面に密接固定されている。この音響透過剤１８は、加振部１７Ａで発生する超音波を胴体１１内へ高い効率で導入するためのものである。なお、検出器本体１７は、図示しない取付構造によって胴体１１の底部１１ｂに対して着脱可能に取り付けられることが好ましい。この取付構造としては、例えば、胴体１１に対して固定された保持枠と、この保持枠と検出器本体１７との間に介挿された加圧ばねなどの弾性部材とを含むものが挙げられる。
【００４２】
図５は、上記胴体１１の下部（底部１１ｂ側部分）を拡大して示す拡大部分断面図である。検出器本体１７においては、図示しない発振部に設けられた圧電体などに交流電圧を印加することなどにより、所定期間内において加振部１７Ａに振動が誘起される。所定期間が経過すると加振部１７Ａに対する駆動が停止され、加振部１７Ａは自由振動状態とされる。加振部１７Ａの振動は、胴体１１の底部１１ｂに侵入する音波（超音波）ＵＳを生じさせ、底部１１ｂの底壁を通して内部に収容された液体Ｌ中を音波ＵＳが伝播していき、上方にある液面Ｌａに向かう。そして、液面Ｌａで音波ＵＳが反射され、その反射波ＲＳが下方に向けて液体Ｌ中を伝播し、この反射波ＲＳはやがて底壁を通して加振部１７Ａを振動させるので、図示しない受信部に設けられた圧電体などで発生する電位を測定することなどにより反射波ＲＳが検出器本体１７にて検出される。
【００４３】
図６は、上記のようにして音波ＵＳを放射し、反射波ＲＳを受信したときの音波の波形を示すグラフである。ここで、音波は実線で一部を省略して示し、音波の包絡線を図示点線で示してある。音波ＵＳの周波数は５０ｋＨｚ〜１ＭＨｚ程度である。図６には、送信波の次に一次受信波、二次受信波が順次に検出されている。送信波を発生させてから一次受信波（一次反射波）が検出されるまでの時間をδｔｉ、一次受信波が検出されてから二次受信波（二次反射波）が検出されるまでの時間をδｔｓとすると、液位（液面の高さ）ＬＨ＝ＶＬ×（δｔｉ−２ｄ／ＶＳ）／２となる。ここで、ＶＬは音波の液体Ｌ中の速度（音速）、ＶＳは音波の胴体１１中の速度（音速）、ｄは胴体１１の底部１１ｂの壁面の厚さである。したがって、δｔｉを測定することで、液位ＬＨを求めることができる。この方法は、液位ＬＨが大きい領域で高い感度を有する。この場合、液面Ｌａが下がることにより、液位ＬＨが小さくなり、一次受信波の検出時間δｔｉがｔｘより小さくなると、送信波自身や検出ノイズ（送信波の残響や液面Ｌａ以外の反射等に起因する音波）との区別ができなくなり、一次受信波の検出ができなくなる。
【００４４】
一方、液位ＬＨ＝ＶＬ×（δｔｓ−２ｄ／ＶＳ）／４となることにより、δｔｓを測定することで、液位ＬＨを求めることもできる。この方法は、液位ＬＨが小さい領域で高い感度を有する。この場合、液面Ｌａが上がることにより液位ＬＨが大きくなり過ぎると、音波の減衰により、二次受信波などの高次の受信波が検出しにくくなる。ここで、上記のいずれの方法でも、上記の音速ＶＬやＶＳを温度検出部１７Ｂによる温度検出値で補正することにより、正確な液位を検出することができる。
【００４５】
上記のように、２つの方法のうちいずれの方法を用いても、或いは、上記の２つの方法を組み合わせて検出しても、液位検出器による液位の検出は、或る上限と下限の間の所定範囲でのみ可能になる。この所定範囲を広げるためには、上記の検出ノイズを減らすことが必要になる。この検出ノイズは、各部での反射波や残響波などにより発生する。
【００４６】
例えば、上記の検出ノイズは、胴体１１の表面で音波が反射されることにより生ずる場合がある。この反射波を減らすためには、胴体１１の内面及び外面の表面粗さを低減することが有効である。すなわち、胴体１１の表面に凹凸が存在すると、その凹凸部分によって反射波が発生し、或いは、この反射波が凹凸間で反響し、これらがノイズとなることにより、液面の検出可能範囲の狭小化や液面の検出精度の低下をもたらす。このため、本実施形態では、胴体１１の表面を表面粗さＲｙ（最大高さ）が１０μｍ以下、好ましくは１．０μｍより小さい値（例えば０．７μｍ程度）になるように形成している。このような容器の内外面の平滑性は、研磨処理（バフ研磨、化学研磨、電解研磨など）によって実現できる。特に、機械研磨と電解研磨とを組み合わせた複合電解研磨を用いることによって、平坦性と平滑性を高次元で両立できる。また、表面の加工変質層による影響を低減するために、研磨後に真空若しくは不活性ガス雰囲気中で焼鈍などの熱処理を施すことが好ましい。
【００４７】
また、図５に示すように、胴体１１の内部を伝播する音波ＴＳの反射波が存在し、この反射波によっても上記の検出ノイズが発生する。特に、胴体１１を円筒材と鏡板との接合により形成する場合、円筒材と鏡板の端部に開先加工を行い、突合せ溶接を行った後に、接合部の外側から肉盛り溶接を行い、外面を研磨により平滑に仕上げる。このように、胴体１１に溶接などによる固着部１１ｘが存在する場合には、固着部１１ｘの組織が周囲と異なることにより、固着部１１ｘで反射波が発生することがある。すなわち、溶接により固着部１１ｘに高熱が加わると、熱影響により組織が変質し、音波ＴＳに対する伝播特性が変化して検出ノイズを増大させる。例えば、ステンレス鋼の場合には、熱により結晶粒界にクロム炭化物が析出するので、音波ＴＳの伝播を乱し、反射波を増大させる要因となる。したがって、本実施形態では、ＴＩＧ（Tungsten Inert Gas Welding）溶接などの熱負荷の大きな溶接方法を用いる代わりに、プラズマ溶接、電子ビーム溶接などの熱負荷の低い溶接方法を用いる。また、溶棒などを使用せずに、母材同士を継ぎ目なく溶接することがさらに好ましい。さらに、溶接部分の変質を防止するために真空減圧下、若しくは不活性ガス雰囲気中で溶接を行うことが望ましい。もちろん、最も好ましいのは、胴体１１の材質を均一化するために、溶接などの接合処理を行わずに胴体１１を一体成形する（胴体１１の上部と底部１１ｂとを接合するのではなく、一体成形品として形成する）ことである。すなわち、容器の底部から内部の液面Ｌａが存在する位置までの胴体１１の壁面の素材が継ぎ目なく、均質に構成されていることが最も好ましい。上記の胴体１１の一体成形は、例えば、絞り加工（深絞り加工）などによって行うことができる。
【００４８】
また、上述のように液位検出器による液位の検出可能範囲が制限されることから、液位検出のみで液量管理を行うことは必ずしも容易ではないが、本実施形態では、液位検出器を用いた液位測定と、流量検出値に基づく液体使用量若しくは液体残量の算出とを組み合わせることにより、液体使用量若しくは液体残量の高精度な監視を可能にしている。これは、液量監視プログラムなどによって実行される後述する液量監視方法により実現される。
【００４９】
［装置の動作］
次に、本実施形態の動作について説明する。本実施形態では、図３に示す制御部１００Ｘにおいて動作プログラムを実行することにより、装置全体を自動的に動作させることができるように構成されている。例えば、動作プログラムはＭＰＵの内部メモリに格納され、この動作プログラムは内部メモリから読み出され、ＣＰＵによって実行される。また、動作プログラムは種々の動作パラメータを有し、操作部１００Ｐからの入力操作により、上記の動作パラメータを適宜に設定できるように構成することが好ましい。
【００５０】
図７は、半導体製造装置１００の各部の動作タイミングを示すタイミングチャートである。ここで、溶媒流量は、図２に示す上記供給ライン１１０Ｘで供給される溶媒の流量であり、上記流量制御器１１０ｘで制御される。また、原料流量は、図２に示す上記供給ライン１１０Ａ，１１０Ｂ，１１０Ｃで供給される液体原料の流量であり、上記流量制御器Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃで制御される。さらに、Ｃ１流量は、図２に示す原料混合部１１３に供給されるキャリアガスの流量であり、上記流量制御器１１２で制御される。このキャリアガスはそのまま上記ガス供給ライン１１０Ｓに導入される。また、Ｃ２流量は、図１に示す噴霧ガスライン１２０Ｔにより供給される噴霧ガス（キャリアガス）の流量であり、図示しない流量制御器で制御される。さらに、ガス導入弁は図１に示す上記ガス導入弁１３１であり、具体的にはその駆動信号を示す。
【００５１】
当初は、図７の溶媒流量及びＣ１流量にて示すように、キャリアガスと溶媒のみを気化器１２０に供給し、気化器１２０の流通状態及び気化状態を安定させる（以下、単に「準備期間」という。）。例えば、溶媒流量を１．２ｍｌ／ｍｉｎ（ガス換算で２００ｍｌ／ｍｉｎ）とし、Ｃ１流量を２５０ｍｌ／ｍｉｎとし、Ｃ２流量を５０ｍｌ／ｍｉｎとする。ここで、Ｃ２流量は常時一定とする。この準備期間においては、液体原料は供給されていないので、原料ガスは生成されていない。
【００５２】
次に、図７の原料流量で示すように液体原料を流し、その代わりに、溶媒流量を減少させる（以下、単に「アイドリング期間」という。）。例えば、液体材料を０．５ｍｌ／ｍｉｎとし、溶媒流量を０．７ｍｌ／ｍｉｎとし、Ｃ１流量及びＣ２流量は不変とする。このように、上記の準備期間とこのアイドリング期間とで溶媒と液体材料とを合算した液体総供給量は不変であることが好ましい。このアイドリング期間においては液体原料が供給されているので、原料ガスが気化器１２０内で生成されている。また、このアイドリング期間においては、図１に示すガス導入弁１３１は閉鎖されており、その代わりに開閉弁１４６が開放され、これにより原料ガスはバイパス排気ライン１４０Ｂを介して排気されている。
【００５３】
次に、原料ガスの流量が安定した後に、ガス導入弁１３１を開放し、開閉弁１４６を閉鎖して、原料ガスを成膜室１３２へ導入する（以下、単に「成膜期間」という。）。そして、成膜室１３２内において基板Ｗ上で成膜が行われる。成膜が完了すると（既定の成膜時間が満了すると）、ガス導入弁１３１は閉鎖され、開閉弁１４６が開放されて、再びアイドリング期間に戻る。
【００５４】
次に、液体原料の供給を停止し、上記の準備期間に戻る。そして、この準備期間の後に、再びアイドリング期間、成膜期間、アイドリング期間を繰り返すことによって、複数の成膜処理工程を順次に行うことができる。図７では、２つの成膜処理工程を行った後に処理を終了するように記載してあるが、実際には、成膜処理工程を１回のみ行うだけでもよく、また、連続して３以上の成膜処理工程を行うこともできる。また、アイドリング期間の間に設けられた準備期間は適宜の長さに設定でき、省略することも可能である。例えば、準備期間、アイドリング期間、成膜期間、アイドリング期間、成膜期間、・・・・・（アイドリング期間と成膜期間の任意数の繰り返し）、アイドリング期間、準備期間といった具合である。
【００５５】
上記のような各部の動作タイミングは、上記制御部１００Ｘに予め設定されていてもよく、或いは、操作部１００Ｐに対する操作により適宜に設定されるように構成してもよい。そして、動作タイミングが一旦設定されれば、制御部１００Ｘにより、開閉弁制御部１００Ｙ及び流量制御部１００Ｚを介して装置全体が自動的に制御され、上記の動作手順が実行される。
【００５６】
上記の動作プログラムには、容器Ｘｂ，Ａｂ，Ｂｂ，Ｃｂに収容された溶媒や液体材料の使用量或いは残量を測定するための液量監視プログラムが含まれる。この液量監視プログラムにより、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから上記流量制御部１００Ｚを介して流量検出値（或いは、流量制御値でもよい。）を読み出し、この流量検出値から液体使用量（或いは、容器内の液体残量でもよい。）を算出することができる。また、液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓから上記液位測定部１００Ｗを介して液位検出値を読み出し、この液位検出値から液体使用量若しくは液体残量を測定することもできる。
【００５７】
図８は、液量監視プログラムを用いた制御部の動作手順の一例を示す概略フローチャートである。この液量監視プログラムでは、複数の動作モードのいずれかで液量監視が行われるように構成されている。最初に、この動作モードの設定を操作部１００Ｐにて行うと、その設定された動作モードが記録される（Ｓ１）。また、容器の液体量の初期値を操作部１００Ｐにて入力すると、容器内の液体残量の初期値を入力値とする初期化処理を行う（Ｓ２）。次に、動作モードの設定を読み込み、その設定に応じて第１動作モードＳ１０か第２動作モードＳ２０を選択する（Ｓ３）。なお、液量監視プログラムは、以下に説明する動作モードのうちのいずれか一方の動作モードでのみ動作するように構成されていてもよい。
【００５８】
第１動作モードＳ１０では、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから上記流量制御部１００Ｚを介して流量検出値若しくは流量制御値を読み出し（Ｓ１１）、この流量検出値若しくは流量設定値から液体使用量若しくは液体残量を算出してモニタなどの画面上に表示する（Ｓ１２）。この手順は、液体使用量若しくは液体残量が既定値に到達するまで逐次（或いは所定時間毎）に行われる。液体使用量若しくは液体残量が既定値に到達すると（Ｓ１４）、液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓから上記液位測定部１００Ｗを介して液位検出値を読み出し、この液位検出値から液体使用量若しくは液体残量を測定する（Ｓ１５）。そして、このようにして測定した液体使用量若しくは液体残量で、上記の流量検出値から求めた液体使用量若しくは液体残量を置換し、モニタなどの画面上に表示する（Ｓ１６）。上記の手順は、最終的に液体使用量若しくは液体残量が下限値（容器の交換時期）に達するまで逐次、或いは所定時間毎に繰り返し行われ、最終的に下限値に到達する（Ｓ１３）と、終了処理が行われる（Ｓ３０）。この終了処理は、装置動作の停止処理、或いは、液量の不足を表示や音声などにより報知する報知処理などである。
【００５９】
上記の既定値は、液位検出器による液位検出が容易かつ高精度に行うことのできる範囲に設定することが好ましい。例えば、上記範囲が液位１００〜１５０ｍｍの範囲であるとすれば、この範囲内の液位に対応する液体使用量若しくは液体残量（例えば液位１２０ｍｍ）を上記の既定値とする。これによって、上記範囲を外れた領域（液位が１００ｍｍ未満、或いは、１５０ｍｍ超の領域）では検出ノイズ等により液位検出器による液位検出が実施できない場合、或いは、液位検出の誤差が大きい場合でも、既定値による修正処理により上記領域において従来よりも正確な液量測定を行うことが可能になる。なお、上記の既定値は１つのみ設定されていてもよく、複数設定されていてもよい。
【００６０】
次に、第２動作モードＳ２０について説明する。この場合には、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから上記流量制御部１００Ｚを介して流量検出値（或いは、流量制御値でもよい。以下同様。）を読み出し（Ｓ２１）、この流量検出値から液体使用量を算出して、液体使用量若しくは液体残量を内部メモリ等に記録するとともにモニタなどの画面上に表示する（Ｓ２２）。また、液位検出器Ｘｓ，Ａｓ，Ｂｓ，Ｃｓから上記液位測定部１００Ｗを介して液位検出値を読み出し、この液位検出値は逐次内部メモリ等に記録される（Ｓ２３）。上記の手順Ｓ２１〜Ｓ２３は、既定の測定範囲が終了するまで繰り返し行われ、既定の測定範囲が終了したら（Ｓ２４）、上記の液体使用量若しくは液体残量の記録及び液位検出値の記録に基づいて修正パラメータを算出する（Ｓ２５）。
【００６１】
上記のように修正パラメータを算出した以降は、流量制御器Ｘｃ，Ａｃ，Ｂｃ，Ｃｃから上記流量制御部１００Ｚを介して流量検出値を読み出し（Ｓ２６）、液体使用量若しくは液体残量を算出して（Ｓ２７）、これに上記修正パラメータによる修正処理を施して、モニタ等の画面上に表示を行う（Ｓ２８）。そして、上記の手順を液体残量が下限値に達するまで繰り返し、下限値に達すると、上記と同様の終了処理Ｓ３０に移行する。
【００６２】
上記の修正パラメータは、例えば、流量検出値により求めた液体使用量若しくは液体残量と、液位検出値とを上記既定の測定範囲内において比較することによって得られるパラメータである。具体的には、流量検出値により求めた液体使用量若しくは液体残量の変化量と、液位検出値により測定した液体使用量若しくは液体残量の変化量とを比較して、変化態様の修正を行うパラメータを導出する。例えば、流量検出値により求めた液体使用量若しくは液体残量をＸとし、液位検出値で測定した液体使用量若しくは液体残量をＹとしたとき、ＸとＹの関係が一次関数で表されるとすると、上記既定の測定範囲において変化量の比較を行うことにより、Ｙ＝ａＸ＋ｂの係数ａ及びｂを求め、この係数ａ及びｂを修正パラメータとする。この場合は、それ以降、Ｘを算出した後に修正パラメータａ及びｂを適用してＹ＝ａＸ＋ｂの計算によってＹを求め、このＹを表示する。なお、上記修正パラメータとしては、上記のａのみ、或いは、ｂのみを用いてもよく、また、上記の一次関数の代わりに高次関数を用い、この高次関数を特定するための係数を修正パラメータとしてもよい。
【００６３】
なお、本実施形態の装置において、制御部１００Ｘにより、液位検出値から直接液体使用量若しくは液体残量を求め、これをモニタ等の画面上に表示することも可能である。これは、例えば、操作部１００Ｐに対する操作によって行うように構成することもでき、或いは、自動で逐次（又は定期的に）行うように構成することもできる。このような構成は、液位検出器による液位検出が液量監視上必要とされる全ての範囲に亘って実施可能である場合に特に有効であるが、上記のように一部範囲でのみ液位検出が可能である場合や一部範囲でのみ高精度な液位検出が可能である場合でも、液体使用量若しくは液体残量を直接知ることができる点で好ましい。
【００６４】
以上説明した本実施形態では、従来装置或いは従来方法に較べて、以下の利点を有する。
（１）半導体製造装置において、音波を用いて液位を検出する液位検出器を容器底部に配置し、液体材料と非接触で液位を検出できるように構成したことにより、容器内の液体材料の実際の残量を正確に検出することができ、実際の液面を適時に確認して残量推定値のずれを防止ことなどが可能になるため、高価な液体材料の無駄を低減でき、半導体の製造コストの削減を図ることが可能になる。
【００６５】
（２）液位検出器により容器に収容されている液体材料の液面を検出するので、流量検出値に基づいて液体使用量若しくは液体残量を算出する従来方法に較べて、より確実かつ高い精度で液量を監視することができる。特に、従来方法に較べて累積的な算出誤差を解消することができるため、液体材料の廃棄量を大幅に低減できる。液体材料が高価なものであったり、廃棄処理が困難なものであったりする場合にはコスト上でもきわめて効果が高い。
【００６６】
（３）液位検出器の測定可能範囲や高精度検出範囲が或る程度限定されていても、流量検出値に基づく液体使用量若しくは液体残量の算出を併用することで、広い範囲において液量を監視することが可能になる。すなわち、流量検出値に基づく液体使用量若しくは液体残量の算出誤差を液位検出器による液位検出値による修正処理によって低減するとともに、液位検出器の検出範囲の制限を、流量検出値に基づく液体使用量若しくは液体残量の算出によって補うことができる。
【００６７】
（４）さらに、液体材料に対するセンサ構造による汚染を防止することができ、センサ構造の液体材料による腐食などを避けるための耐薬品性に起因する対策を不要とすることが可能になり、センサ構造への材料の付着による検出精度の低下を防止でき、引火しやすい液体材料（例えば上記の有機溶媒など）に対する安全性の向上を図ることが可能になるなど、液体材料と接触する従来の液面センサに較べて材料品位の向上、材料特性に対する対応の容易化、安全性の向上、検出の高精度化などを図ることが可能になる。
【００６８】
尚、本発明の半導体製造装置、液量監視装置、液体材料監視方法、及び、液量監視方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係る実施形態の半導体製造装置の全体構成を示す概略構成図。
【図２】実施形態の液体材料供給部の構成を示す概略構成図。
【図３】実施形態の制御系の主要部の構成を示す概略構成図。
【図４】実施形態の容器構造を示す縦断面図。
【図５】実施形態の容器底部の拡大部分断面図。
【図６】実施形態の液位検出器の検出波形例を示すグラフ。
【図７】実施形態の各部の動作タイミングを示すタイミングチャート。
【図８】実施形態の液量監視プログラムの手順を示す概略フローチャート。
【符号の説明】
【００７０】
１００…半導体製造装置、１００Ｘ…制御部、１００Ｐ…操作部、１００Ｙ…開閉弁制御部、１００Ｚ…流量制御部、１００Ｗ…液位測定部、１１０…液体材料供給部、１２０…気化器（液体気化部）、１３０…処理部、１４０…排気部、１１…胴体、１１ｂ…底部、Ｌ…液体（液体材料）、Ｌａ…液面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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