(57)【要約】      （修正有）【解決手段】  （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）式（１）の化合物を５質量％以上含む芳香族アミン系硬化剤、2006143775.tif 000018（Ｒ1〜Ｒ3は一価炭化水素基、ＣＨ3Ｓ−又はＣ2Ｈ5Ｓ−）（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）のパーフロロアルキル基含有シリコーンオイルを含む組成物であって、（Ｃ）成分の配合量が（Ａ），（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し５００質量部を超え１，０００質量部以下、２５℃の粘度が１，０００Ｐａ・ｓ以下、該組成物硬化物の線膨張係数がα１＝７〜１２ｐｐｍ、α２＝２０〜５０ｐｐｍである液状エポキシ樹脂組成物。【効果】  本組成物は、消泡性、作業性に優れ、線膨張係数が小さく、吸湿後のリフロー温度が上昇しても不良が発生せず、高温多湿の条件下でも劣化せず、温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供できる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物を５質量％以上含有する芳香族アミン系硬化剤、
【化１】
2006143775.tif 000016
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基、ＣＨ3Ｓ−及びＣ2Ｈ5Ｓ−から選ばれる基である。）
（Ｃ）無機質充填剤、
（Ｄ）下記一般式（２）
【化２】
2006143775.tif 000017
［式中、Ｒ4は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基を示し、ｎは３〜９の整数、ｐ及びｑは各々５０〜５００の整数である。］
で表されるパーフロロアルキル基含有シリコーンオイル
を必須成分とする液状エポキシ樹脂組成物であって、上記（Ｃ）無機質充填剤の配合量が（Ａ）液状エポキシ樹脂と（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤の合計量１００質量部に対して５００質量部を超え１，０００質量部以下であり、２５℃における粘度が１，０００Ｐａ・ｓ以下であり、該組成物の硬化物の線膨張係数がα１＝７〜１２ｐｐｍ、α２＝２０〜５０ｐｐｍであることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
更に、沸点が１３０℃以上２５０℃以下の有機溶剤を（Ａ）液状エポキシ樹脂と（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤の合計量１００質量部に対して５０質量部以下含有する請求項１記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
上記有機溶剤が、エステル系有機溶剤である請求項２記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
上記エステル系有機溶剤が、下記一般式（３）
Ｒ5ＣＯＯ−［Ｒ6−Ｏ］m−Ｒ7                                  （３）  
（式中、Ｒ5、Ｒ7は炭素数１〜６の一価炭化水素基、Ｒ6は炭素数１〜６のアルキレン基である。ｍは０〜３の整数である。）
で表されるエステル系有機溶剤である請求項３記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
（Ａ）液状エポキシ樹脂と（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤との配合当量比［（Ａ）液状エポキシ樹脂のエポキシ当量／（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤のアミン当量］が、０．７以上１．２以下である請求項１乃至４のいずれか１項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｃ）無機質充填剤の平均粒径が半導体装置のリード間隔サイズの１／２以下であり、かつその最大粒径が半導体装置のリード間隔サイズの２／３以下である請求項１乃至５のいずれか１項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
更に、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はアルケニル基含有フェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（４）
ＨaＲ8bＳｉＯ(4-a-b)/2                                      （４）  
（式中、Ｒ8は非置換又は置換の脂肪族不飽和基を含有しない一価炭化水素基、ａは０．０１〜０．１、ｂは１．８〜２．２、かつ１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数である。）
で表される１分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、かつ珪素原子に直接結合した水素原子（ＳｉＨ基）の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体からなるシリコーン変性樹脂を含有する請求項１乃至６のいずれか１項記載の液状エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項記載の液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、特に低誘電率層間絶縁膜（ＬｏｗＫ層）を有する半導体装置のポッティング材として好適であり、線膨張係数が小さく高い弾性値を示し、塗布時又は硬化時の消泡性が高くボイド特性に優れ、作業性が良好で、耐湿性の高い硬化物を与え、特にリフロー温度２５０℃以上、特に２６０℃以上の高温熱衝撃に対して優れた封止材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物にて封止された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ製造プロセスの微細化に伴い、配線遅延の問題が顕在化してきている。この配線遅延の問題を緩和させる為の手段としては、配線寄生容量の低減化が有効である。配線寄生容量の低減化をするために、具体的には、より比誘電率の低い（１．１〜３．８）低誘電率層間絶縁膜の開発が精力的に行われており、ＳｉＯＦなどの不純物添加シリコン酸化膜、有機高分子膜、ポーラスシリカなどが低誘電率層間絶縁膜として使用されているが、これらのものは機械的強度や熱伝導率が低下する問題がある。このような低誘電率層間絶縁膜を用いた半導体装置では、半田リフロー時に低誘電率層間絶縁膜と封止材にかかる応力が増大し、封止材と低誘電率層間絶縁膜及び基板の界面で剥離が生じたり、低誘電率層間絶縁膜にクラックが入るといった問題が生じている。
【０００３】
更に、近い将来に鉛含有半田が使用できなくなることから、鉛代替半田が多数開発されている。この種の半田は、溶融温度が鉛含有の半田より高くなることから、リフローの温度も２５０〜２７０℃で検討されており、従来の液状エポキシ樹脂組成物の封止材では、より一層の不良が予想される。このようにリフローの温度が高くなると、従来においては何ら問題のなかったパッケージもリフロー時にクラックが発生したり、チップ界面、基板界面との剥離が発生したり、その後の冷熱サイクルが数百回以上経過すると樹脂又は低誘電率層間絶縁膜、基板、チップ、バンプ部にクラックが発生するという重大な問題が起こるようになった。
【０００４】
また、液状エポキシ樹脂組成物のボイド特性として、液状エポキシ樹脂組成物のスクリーン印刷又はディスペンサー装置による塗布時、真空脱泡工程時又は硬化時の消泡性も求められている。
【０００５】
なお、本発明に関連する公知文献としては、下記のものがある。
【特許文献１】特許第３２３８３４０号公報
【特許文献２】特許第３３５１９７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、作業性に優れ、塗布時及び硬化時の消泡性が高くボイド特性に優れ、線膨張係数が非常に小さく、耐湿信頼性に優れ、かつ強靭性に優れた硬化物を与え、リフローの温度が従来温度２４０℃付近から２６０〜２７０℃に上昇しても不良が発生せず、更にＰＣＴ（１２１℃／２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せず、−６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても樹脂、基板、低誘電率層間絶縁膜に剥離、封止材及び低誘電率層間絶縁膜にクラックが発生しない半導体装置の封止材となり得る液状エポキシ樹脂組成物、及びこの組成物の硬化物で封止された低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、及び（Ｄ）下記一般式（２）
【化１】
2006143775.tif 000002
［式中、Ｒ4は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基を示し、ｎは３〜９の整数、ｐ及びｑは各々５０〜５００の整数である。］
で表されるパーフロロアルキル基含有シリコーンオイルを含有し、かつ（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤として、下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物を硬化剤全体の５質量％以上含むものを用い、（Ｃ）無機質充填剤を（Ａ）液状エポキシ樹脂と（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤の合計量１００質量部に対して５００質量部を超え１，０００質量部以下配合することにより、塗布時、真空脱泡工程時及び硬化時の消泡性が高く、ボイド特性に優れ、また非常に小さい線膨張係数を示し、ＰＣＴ（１２０℃／２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せず、熱衝撃に対して優れており、特に低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置の封止材として有効であることを知見した。
【０００８】
【化２】
2006143775.tif 000003
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基、ＣＨ3Ｓ−及びＣ2Ｈ5Ｓ−から選ばれる基である。）
【０００９】
即ち、上記一般式（１）で表される芳香族アミン系硬化剤は、従来の芳香族アミン系硬化剤に比べ、特定な置換基を持つことにより、比較的早く熱硬化するにもかかわらず、ポットライフが長く、硬化物の機械特性、電気特性、耐熱特性、耐薬品特性に優れるものであり、かつ耐熱衝撃性が著しく向上し、高温多湿下でも優れた特性を得ることが可能となるものである。また、本発明の芳香族アミン系硬化剤は、従来の芳香族アミン系硬化剤に比べ、粘度が低いために組成物の低粘度化が可能となることを知見したものである。
【００１０】
更に、無機質充填剤として、平均粒径が半導体装置のリード間隔サイズの１／２以下、かつその最大粒径が半導体装置のリード間隔サイズの２／３以下である無機質充填剤を特定量用いることにより、線膨張係数が非常に小さい硬化物が得られるため、低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置の封止材としても有効となり得ることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００１１】
従って、本発明は、
（Ａ）液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物を５質量％以上含有する芳香族アミン系硬化剤、
【化３】
2006143775.tif 000004
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基、ＣＨ3Ｓ−及びＣ2Ｈ5Ｓ−から選ばれる基である。）
（Ｃ）無機質充填剤、
（Ｄ）下記一般式（２）
【化４】
2006143775.tif 000005
［式中、Ｒ4は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基を示し、ｎは３〜９の整数、ｐ及びｑは各々５０〜５００の整数である。］
で表されるパーフロロアルキル基含有シリコーンオイル
を必須成分とする液状エポキシ樹脂組成物であって、上記（Ｃ）無機質充填剤の配合量が（Ａ）液状エポキシ樹脂と（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤の合計量１００質量部に対して５００質量部を超え１，０００質量部以下であり、２５℃における粘度が１，０００Ｐａ・ｓ以下であり、該組成物の硬化物の線膨張係数がα１＝７〜１２ｐｐｍ、α２＝２０〜５０ｐｐｍであることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物、及びこの液状エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、塗布時、真空脱泡時及び硬化時の消泡性に優れ、作業性に優れており、線膨張係数が非常に小さく、吸湿後のリフローの温度が従来温度２４０℃付近から２５０〜２７０℃に上昇しても不良が発生せず、更にＰＣＴ（１２０℃／２．１ａｔｍ）などの高温多湿の条件下でも劣化せず、−６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物において、液状エポキシ樹脂（Ａ）は、好ましくは１分子内に３官能基以下のエポキシ基を含有する常温で液状のエポキシ樹脂であればいかなるものでも使用可能であるが、２５℃における粘度が１，０００Ｐａ・ｓ以下、特に１００Ｐａ・ｓ以下のものが好ましく、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェニルグリシジルエーテルなどが挙げられ、これらのうち室温で液状のエポキシ樹脂を使用する。その粘度下限は特に制限されないが、通常０．００１Ｐａ・ｓ以上、特に０．０１Ｐａ・ｓ以上である。なお、本発明において、粘度はブルックフィールド回転粘度計により２５℃における粘度を測定したものである。
【００１４】
また、本発明のエポキシ樹脂は、下記構造式（５），（６）で示されるエポキシ樹脂を侵入性に影響を及ぼさない範囲で含有していてもよい。
【化５】
2006143775.tif 000006
【００１５】
ここで、Ｒ9は水素原子、又は炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜３の一価炭化水素基であり、一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基などが挙げられる。また、ｘは１〜４の整数、特に１又は２である。
【００１６】
なお、上記式（６）で示されるエポキシ樹脂を配合する場合、その配合量は、全エポキシ樹脂中２５質量％以上、より好ましくは５０質量％以上、更に好ましくは７５質量％以上であることが推奨される。２５質量％未満であると組成物の粘度が上昇したり、硬化物の耐熱性が低下したりするおそれがある。なお、その上限は１００質量％でもよい。
上記一般式（６）で示されるエポキシ樹脂の例としては、日本化薬社製ＲＥ６００ＮＭ等が挙げられる。
【００１７】
上記液状エポキシ樹脂中の全塩素含有量は、１，５００ｐｐｍ以下、望ましくは１，０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、１００℃で５０％エポキシ樹脂濃度における２０時間での抽出水塩素が１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。全塩素含有量が１，５００ｐｐｍを超え、又は抽出水塩素が１０ｐｐｍを超えると半導体素子の信頼性、特に耐湿性に悪影響を与えるおそれがある。
【００１８】
次に、本発明に使用する芳香族アミン系硬化剤（Ｂ）は、下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物を全芳香族アミン系硬化剤中に５質量％以上含有するものである。
【００１９】
【化６】
2006143775.tif 000007
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基、ＣＨ3Ｓ−及びＣ2Ｈ5Ｓ−から選ばれる基である。）
【００２０】
ここで、Ｒ1〜Ｒ3の一価炭化水素基としては、炭素数１〜６、特に１〜３のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、フェニル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基などを挙げることができる。
【００２１】
一般式（１）で表される芳香族アミン化合物として、具体的には、ジエチルトルエンジアミン、ジメチルチオトルエンジアミン、ジメチルトルエンジアミンなどが挙げられる。
【００２２】
上記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物の配合量は、芳香族アミン系硬化剤全体の５質量％以上、好ましくは１０〜１００質量％、より好ましくは２０〜１００質量％である。一般式（１）で表される芳香族アミン化合物が、硬化剤全体の５質量％未満であると、粘度が上昇したり、ガラス転移温度が低下したり、クラックが発生したりする。
【００２３】
また、上記芳香族アミン化合物以外の硬化剤としては、芳香族ジアミノジフェニルメタン化合物、例えば、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジアミノフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラエチル−４，４’−ジアミノフェニルメタン、２，４−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン等の芳香族アミンであることが好ましい。
【００２４】
上記芳香族アミン系硬化剤の中で、常温で液体のものは、そのまま配合しても問題ないが、固体のものは、そのまま配合すると樹脂粘度が上昇し、作業性が著しく悪くなるため、予めエポキシ樹脂と溶融混合することが好ましく、後述する指定の配合割合で、７０〜１５０℃の温度範囲で１〜２時間溶融混合することが望ましい。混合温度が７０℃未満であると芳香族アミン系硬化剤が十分に相溶しないおそれがあり、１５０℃を超える温度であるとエポキシ樹脂と反応して粘度上昇するおそれがある。また、混合時間が１時間未満であると芳香族アミン系硬化剤が十分に相溶せず、粘度上昇を招くおそれがあり、２時間を超えるとエポキシ樹脂と反応し、粘度上昇するおそれがある。
【００２５】
なお、本発明に用いられる芳香族アミン系硬化剤の総配合量は、液状エポキシ樹脂と芳香族アミン系硬化剤との当量比［（Ａ）液状エポキシ樹脂のエポキシ当量／（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤のアミン当量］が０．７以上１．２以下、好ましくは０．７以上１．１以下、更に好ましくは０．８５以上１．０５以下の範囲であることが推奨される。配合当量比が０．７未満では未反応のアミノ基が残存し、ガラス転移温度が低下、又は密着性が低下するおそれがある。逆に１．２を超えると硬化物が硬く脆くなり、リフロー時又は温度サイクル時にクラックが発生するおそれがある。
【００２６】
一方、本発明に用いられる無機質充填剤（Ｃ）は、線膨張係数を小さくする目的から、従来より知られている各種の無機質充填剤を添加することができる。無機質充填剤として、具体的には、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッカアルミニウム、チッカ珪素、マグネシア、マグネシウムシリケート、アルミニウムなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリカが低粘度化のため望ましい。なお、これらの無機質充填剤は、シランカップリング剤等で表面処理されたものであってもよいが、表面処理なしでも使用できる。
【００２７】
ここで、本発明の対象とする半導体装置は、リード線のピッチ範囲が３０〜１２０μｍ程度のキャビティ型半導体装置又はＣＯＢ型半導体装置が好ましい。この場合、注入作業性及びリード間ピッチの注入性の向上と低線膨張化の両立を図るため、リード間ピッチに対して平均粒径がピッチの１／２以下、特に１／１００以上３／７以下、とりわけ１／１００以上３／８以下、最大粒径がピッチの２／３以下の無機質充填剤を用いることが好ましい。平均粒径が小さすぎると粘度が上昇し、作業性が著しく劣る場合があり、大きすぎるとフィラーの沈降が発生する場合がある。また、最大粒径がリード間隔サイズの２／３より大きいとリード間に引っかかり、未充填やボイドになるおそれがある。
【００２８】
ここで、本発明において、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による重量平均値（又はメディアン径）等として求めることができ、最大粒径も同様にレーザー光回折法等により求めることができる。また、リード間隔サイズの２／３を超える粒径のものがないことを確認する方法としては、例えば、無機質充填剤と純水を１：９の割合で混合し、超音波処理により凝集物を十分に崩し、これをリード間隔サイズの２／３の目開きフィルターで篩い、無機質充填剤がフィルター上に残らないことを確認する方法が採用される。
【００２９】
無機質充填剤（Ｃ）の配合量としては、エポキシ樹脂と硬化剤の合計１００質量部に対して５００質量部を超え１，０００質量部以下であり、好ましくは７５０〜９５０質量部であり、より好ましくは８００〜９５０質量部の範囲である。５００質量部以下では、線膨張係数が大きくなり、冷熱試験において封止材、低誘電率層間絶縁膜、及び基板の間で応力が大きくなり、クラックの発生、剥離を誘発させる。また１，０００質量部を超えると、粘度が高くなり、作業性に支障をきたしてしまう。
【００３０】
本発明で使用する（Ｄ）成分のパーフロロアルキル基含有シリコーンオイルは、下記一般式（２）で示されるものであり、本発明の液状エポキシ樹脂組成物の塗布時、真空脱泡工程時及び硬化時の消泡性を付与するために配合され、本発明を特徴づける重要な成分である。
【００３１】
【化７】
2006143775.tif 000008
［式中、Ｒ4は独立に炭素数１〜６の一価炭化水素基を示し、ｎは３〜９の整数、ｐ及びｑは各々５０〜５００の整数である。］
【００３２】
上記Ｒ4の炭素数１〜６、好ましくは１〜３の一価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基等のアリール基；ビニル基、アリル基等のアルケニル基などが挙げられ、これらの中でもメチル基が好ましい。上記Ｒ4はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００３３】
パーフルオロアルキル基の鎖長に係るｎは３〜９、好ましくは４〜８の整数であり、ｎが２以下では樹脂組成物への溶解性が高すぎるので（Ｄ）成分が泡膜に付着し難いために消泡効果が認められず、また、１０以上では樹脂組成物への溶解性が悪くなり均一に分散させることができなくなる。
【００３４】
上記ｐ及びｑは各々５０〜５００、好ましくはｐは１００〜４００、ｑは５０〜２００の整数である。ｐが５０未満、又はｑが５００を超えると（Ｄ）成分のシリコーンオイルの樹脂組成物中への溶解性、分散性及び泡膜への拡張性が悪くなるので消泡効果が十分に発揮されない。一方、ｐが５００を超え、又はｑが５０未満であると（Ｄ）成分の表面張力の低下が不十分となり、樹脂組成物への溶解性が高すぎるものとなるので消泡効果が十分に発揮されない。上記ｐ及びｑの値から、（Ｄ）成分のシリコーンオイル中の好適なパーフロロアルキル基含有量（パーフロロアルキル基質量／重量平均分子量）を質量％で表すと９〜９１質量％となる。
【００３５】
この（Ｄ）成分のパーフロロアルキル基含有シリコーンオイルの具体例としては、下記式（７）及び下記式（８）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、式中「Ｍｅ」はメチル基を意味する。
【００３６】
【化８】
2006143775.tif 000009
なお、（Ｄ）成分は、１種単独でも２種以上組み合わせても使用することができる。
【００３７】
（Ｄ）成分の配合量は、上記（Ａ）、（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して、通常、０．０１〜２０質量部の範囲とするのが好ましく、より好ましくは０．５〜５質量部の範囲とするのがよい。（Ｄ）成分の配合量が多すぎると硬化物が硬く脆くなり、リフロー時にクラックが発生するおそれがあり、逆に少なすぎると十分な消泡効果が得られない場合がある。
【００３８】
更に本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、作業性を向上させるため、また粘度を低下させる目的から、沸点が１３０℃以上２５０℃以下の有機溶剤を用いることが好ましい。この有機溶剤の沸点として、より好ましくは１４０℃以上２３０℃以下、更に好ましくは１５０℃以上２３０℃以下である。沸点が１３０℃未満であると、硬化時に溶剤が揮発し、ボイドが発生するおそれがある。また２５０℃を超えると硬化時に溶剤が揮発しきれず、強度の低下や密着性の低下を引き起こすおそれがある。
【００３９】
このような有機溶剤の例としては、２−エトキシエタノール、１，２−プロパンジオール、１，２−エタンジオール、ジエチレングリコール、キシレン、シクロヘキサノン、シクロヘキサノール、ホルムアミド、アセトアミド、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。
【００４０】
より好ましい有機溶剤は、エステル系有機溶剤である。エステル系有機溶剤以外のアルコール系溶剤又は水酸基を有する有機溶剤では、水酸基とアミンが容易に反応し、保存性が悪くなるおそれがある。このような見地から、安全性を考えるとエステル系有機溶剤が好ましく、このようなエステル系有機溶剤としては、下記一般式（３）で表されるエステル系有機溶剤が例示できる。
Ｒ5ＣＯＯ−［Ｒ6−Ｏ］m−Ｒ7                                  （３）
（式中、Ｒ5、Ｒ7は炭素数１〜６の一価炭化水素基、Ｒ6は炭素数１〜６のアルキレン基である。ｍは０〜３の整数である。）
【００４１】
ここで、Ｒ5、Ｒ7の炭素数１〜６の一価炭化水素基としては、上述したＲ1〜Ｒ3と同様のものが例示でき、またＲ6の炭素数１〜６のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、メチルエチレン基、ブチレン基、ペンテン基、ヘキセン基等が挙げられる。
【００４２】
上記式（３）で表されるエステル系有機溶剤の具体例としては、２−エトキシエチルアセテート、２−ブトキシエチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
【００４３】
この有機溶剤の配合量は、組成物中のエポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００質量部に対して０〜５０質量部配合することが好ましく、より好ましくは１〜５０質量部、更に好ましくは１〜２０質量部である。５０質量部を超えると架橋密度が低下し、十分な強度が得られなくなるおそれがある。
【００４４】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、応力を低下させる目的でシリコーンゴム、シリコーンオイルや液状のポリブタジエンゴム、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱可塑性樹脂などを配合してもよい。好ましくは、アルケニル基含有エポキシ樹脂又はフェノール樹脂のアルケニル基と、下記平均組成式（４）で示される１分子中の珪素原子の数が２０〜４００であり、かつ珪素原子に直接結合した水素原子（ＳｉＨ基）の数が１〜５であるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基との付加反応により得られる共重合体からなるシリコーン変性樹脂を配合することが好ましい。
【００４５】
ＨaＲ8bＳｉＯ(4-a-b)/2                                      （４）  
（式中、Ｒ8は非置換又は置換の脂肪族不飽和基を含有しない一価炭化水素基、ａは０．０１〜０．１、ｂは１．８〜２．２、かつ１．８１≦ａ＋ｂ≦２．３を満足する正数である。）
【００４６】
なお、Ｒ8の非置換又は置換の脂肪族不飽和基を含有しない一価炭化水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜８のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基などや、これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原子で置換したフロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基などを挙げることができる。
上記共重合体としては、中でも下記構造のものが望ましい。
【００４７】
【化９】
2006143775.tif 000010
【００４８】
上記式中、Ｒ8は上記と同じであり、Ｒ10は−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＯＣＨ2−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ2−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−又は−Ｏ−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−であり、Ｒ11は水素原子又は炭素数１〜４のメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基である。ｔは４〜１９９、好ましくは１９〜１０９の整数、ｒは１〜１０の整数、ｓは１〜１０の整数である。
【００４９】
上記共重合体をジオルガノポリシロキサン単位が（Ａ）液状エポキシ樹脂１００質量部に対して０〜２０質量部、特には２〜１５質量部含まれるように配合することで応力をより一層低下させることができる。
【００５０】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じ、接着向上用炭素官能性シラン、カーボンブラックなどの顔料、染料、酸化防止剤、その他の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で配合することができる。但し、本発明においては、表面処理剤として使用する以外に接着向上用炭素官能性シラン等としてアルコキシ系シランカップリング剤を添加しないことが好ましい。
【００５１】
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、例えば、液状エポキシ樹脂、芳香族アミン系硬化剤、あるいは液状エポキシ樹脂と芳香族アミン系硬化剤との溶融混合物、それに無機質充填剤、パーフロロアルキル基含有シリコーンオイル、必要に応じて有機溶剤及びその他の添加剤等を同時に又は別々に、必要により加熱処理を加えながら、撹拌、溶解、混合、分散させることにより得ることができる。これらの混合、撹拌、分散等の装置としては、特に限定されるものではないが、撹拌、加熱装置を備えたライカイ機、３本ロール、ボールミル、プラネタリーミキサー、ビーズミル等を用いることができる。またこれら装置を適宜組み合わせて使用してもよい。
【００５２】
なお、本発明において、液状エポキシ樹脂組成物の粘度は、２５℃において１，０００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは７００Ｐａ・ｓ以下であり、特に好ましくは６００Ｐａ・ｓ以下である。２５℃における粘度が１，０００Ｐａ・ｓを超えると作業性が著しく低下する。なお、粘度の下限としては特に限定されるものではないが、２５℃において１０Ｐａ・ｓ以上、特に５０Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。
【００５３】
また、この組成物の成形方法、成形条件は、常法とすることができるが、好ましくは、先に１００〜１２０℃、０．５時間以上、好ましくは０．５〜２時間、その後１３０〜１８０℃、０．５時間以上、好ましくは１〜５時間の条件で熱オーブンキュアを行う。１００〜１２０℃での加熱が０．５時間未満では、硬化後にボイドが発生する場合がある。また１３０〜１８０℃での加熱が０．５時間未満では、十分な硬化物特性が得られない場合がある。
【００５４】
本発明の組成物の硬化物は、ＴＭＡ（熱機械分析装置）により測定した線膨張係数が、α１（温度範囲５０〜８０℃）＝７〜１２ｐｐｍ、好ましくは７〜９ｐｐｍであり、またα２（温度範囲２００〜２３０℃）＝２０〜５０ｐｐｍ、好ましくは２０〜４５ｐｐｍである。線膨張係数α１の値が小さすぎると樹脂粘度が高くなり、大きすぎると応力が高くなり、クラックが発生する。また、線膨張係数α２の値が小さすぎると樹脂粘度が高くなり、大きすぎると応力が大きくなり、クラックが発生する。
【００５５】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体装置、特に低誘電率層間絶縁膜を有する半導体装置の封止材として好適に用いられる。このような半導体装置としては、超高集積化及び超高速化性能が要求されているＵＬＳＩ（超大規模集積回路）が挙げられ、特にＣＰＵ、ＤＲＡＭ、ＡＳＩＣなどが挙げられる。また、低誘電率層間絶縁膜としては、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＣなどの不純物添加シリコン酸化膜、有機高分子膜、ポーラスシリカ、ボラジン−ケイ素ポリマーなどが挙げられ、比誘電率は１．１〜３．８が好ましく、更には１．１〜２．５が好ましい。
【００５６】
このような半導体装置を封止する場合、その封止方法としては、ディスペンス法、ステンシル法、印刷法等が挙げられる。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００５８】
［実施例１〜６、比較例１〜４］
表１に示す成分を３本ロールで均一に混練することにより、１０種の樹脂組成物を得た。これらの樹脂組成物を用いて、以下に示す試験を行った。その結果を表２に示す。
【００５９】
［粘度］
ＢＨ型回転粘度計を用いて４ｒｐｍの回転数で２５℃における粘度を測定した。
【００６０】
［ボイドテスト］
ポリイミド（ＰＩ）膜コートした５ｍｍ×５ｍｍのシリコンチップに５０μｍピッチでリード線を取り付けたＣＯＢ型パッケージ（ＢＴ基板サイズ３０ｍｍ×３０ｍｍ×２ｍｍ）を用い、樹脂組成物をポッティングし、１２０℃／０．５時間＋１６５℃／３時間の条件で硬化させ、ボイドの有無をＣ−ＳＡＭ（日立建機社製）とＳＥＭ（（株）日立製作所製）で確認した。
【００６１】
［減圧脱泡テスト］
ガラス板上に１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．６ｍｍのシリコンチップ４枚を正方形（１ｍｍ間隔）で固定し、これに０．８ｍｍのスペーサーを用いて樹脂組成物をスクリーン印刷した。室温にて減圧脱泡［１０ｍｍＨｇ（３分間）⇔７６０ｍｍＨｇ（０．５分間）］を２サイクル行い、表面のボイド有無及びレベリング性を目視で確認した。なお、レベリング性は、下記基準で評価した。
○：泡の抜けたあとが残らず、表面が平滑である。
△：泡の抜けたあとが若干残っている。
×：泡の抜けた凹凸がある。
【００６２】
［Ｔｇ（ガラス転移温度）、α１（線膨張係数）、α２（線膨張係数）］
樹脂組成物を１２０℃／０．５時間＋１６５℃／３時間の条件で硬化させた５ｍｍ×５ｍｍ×１５ｍｍの硬化物試験片を用いて、ＴＭＡ（熱機械分析装置）により毎分５℃の速さで昇温した時のＴｇを測定した。また、以下の温度範囲の線膨張係数を測定した。α１の温度範囲は５０〜８０℃、α２の温度範囲は２００〜２３０℃である。
【００６３】
［ＰＣＴ剥離テスト］
ＰＩ膜コートした１５ｍｍ×１５ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍ×２ｍｍのＢＴ基板を用いたギャップ１２０μｍのＣＯＢ型パッケージを用い、樹脂組成物をポッティングし、１２０℃／０．５時間＋１６５℃／３時間の条件で硬化させ、３０℃／６５％ＲＨ／１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリフローにて５回処理した後の剥離、更にＰＣＴ（１２１℃／２．１ａｔｍ）の環境下に置き、３３６時間後の剥離をＣ−ＳＡＭ（日立建機社製）で確認した。
【００６４】
［熱衝撃テスト］
ＰＩ膜コートした１５ｍｍ×１５ｍｍのシリコンチップを３０ｍｍ×３０ｍｍ×２ｍｍのＢＴ基板を用いたギャップ１２０μｍのＣＯＢ型パッケージを用い、樹脂組成物をポッティングし、１２０℃／０．５時間＋１６５℃／３時間の条件で硬化させ、３０℃／６５％ＲＨ／１９２時間後に最高温度２６５℃に設定したＩＲリフローにて５回処理した後、−６５℃／３０分、１５０℃／３０分を１サイクルとし、２５０，５００，７５０，１０００サイクル後の剥離、クラックを確認した。
【００６５】
【表１】
2006143775.tif 000011
【００６６】
硬化剤Ａ：ジエチルトルエンジアミン（分子量：１７８）
硬化剤Ｂ：ジメチルチオトルエンジアミン（分子量：２１４．４）
硬化剤Ｃ：ジメチルトルエンジアミン（分子量：１５０）
Ｃ−３００Ｓ：テトラエチルジアミノフェニルメタン（日本化薬社製）
【００６７】
ＲＥ３０３Ｓ−Ｌ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬社製）
エピコート６３０Ｈ：３官能型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製）
【化１０】
2006143775.tif 000012
【００６８】
無機質充填剤：平均粒径１２．５μｍ、最大粒径８０μｍの溶融球状シリカ
シリコーンオイルＡ：下記式で示される化合物
【化１１】
2006143775.tif 000013
【００６９】
ＫＢＭ４０３：シランカップリング剤、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（
信越化学工業製）
カーボンブラック：（電化ブラック、電気化学工業製）
【００７０】
【化１２】
2006143775.tif 000014
溶剤Ａ：２−ブトキシエチルアセテート、沸点１９２℃
溶剤Ｂ：ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、沸点１４
６℃
【００７１】
【表２】
2006143775.tif 000015