(57)【要約】【課題】  成形型の外径及び高さに基づいて加熱方式を適宜選択することにより、加熱効率の向上を図ることができるとともに、偏芯精度の向上を図った良品質な光学素子を得ることができる光学素子の成形方法を提供する。【解決手段】  一対の成形型１ａ，１ｂによって光学素子素材８をプレス成形する光学素子の成形方法において、成形型１ａ，１ｂの外径ａと高さｂに基づいて、光学素子素材８を成形型１ａ，１ｂの底面側から加熱する型底面加熱方式、又は光学素子素材８を成形型１ａ，１ｂの側面側から加熱する型側面加熱方式のいずれかを選択する選択工程と、前記選択工程で選択した加熱方式で光学素子素材８を加熱する加熱工程と、前記加熱工程で加熱された光学素子素材８を成形型１ａ，１ｂによってプレス成形するプレス工程と、を含むようにしてある。【選択図】      図３
2006124193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の成形型によって光学素子素材をプレス成形する光学素子の成形方法において、前記成形型の外径と高さに基づいて、前記光学素子素材を前記成形型の底面側から加熱する型底面加熱方式、又は前記光学素子素材を前記成形型の側面側から加熱する型側面加熱方式のいずれかを選択する選択工程と、前記選択工程で選択した加熱方式で前記光学素子素材を加熱する加熱工程と、前記加熱工程で加熱された前記光学素子素材を前記成形型によってプレス成形するプレス工程と、を含むことを特徴とする光学素子の成形方法。
【請求項２】
前記選択工程では、前記成形型の外径よりも高さが小さい場合に、前記型底面加熱方式を選択するとともに、前記成形型の外径よりも高さが大きい場合に、前記型側面加熱方式を選択することを特徴とする請求項１に記載の光学素子の成形方法。
【請求項３】
前記型底面加熱方式により光学素子素材を加熱する場合、前記加熱工程が、前記プレス工程時における成形型温度よりも低い所定温度に前記成形型を加熱する第１加熱工程と、前記所定温度に加熱した成形型を前記プレス工程時の成形型温度まで加熱する第２加熱工程と、を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学素子の成形方法。
【請求項４】
前記第１加熱工程では、前記プレス工程時の成形型温度よりも１０〜４０℃低い所定温度まで所定速度で前記成形型を加熱し、前記第２加熱工程では、前記所定温度から前記プレス工程時の成形型温度まで、前記第１加熱工程よりも遅い速度で前記成形型を加熱することを特徴とする請求項３に記載の光学素子の成形方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カメラ、ビデオ、顕微鏡又はレーザー等の光学機器に使用される球面レンズ、非球面レンズ、プリズム等の高精度な光学素子を精密プレス成形するための光学素子の成形方法に関し、特に、成形品の形状・品質により、成形型の形状を設定して加熱方式を選択し、効率のよい成形を行い、良品質な光学素子を得ることができる光学素子の成形方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光学素子の成形方法及び成形装置として、例えば、特開２００３−９５６７３号で提案されているものがある（特許文献１参照）。この従来の光学素子の成形装置は、上下に対向する一対の金型（成形型）と、各金型の底面（背面）にそれぞれ設置された均熱部材と、圧縮ばねによって各均熱部材にそれぞれ密着する発熱ブロックとを備えた構成となっていた。このような構成からなる従来の光学素子の成形装置では、上下一対の金型によりガラス素材を挟持した状態で発熱ブロックを駆動させ、均熱部材を介してこれら金型を加熱した後、これら金型を相対近接させてガラス素材を加圧成形していた。
【特許文献１】特開２００３−９５６７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上述した従来の光学素子の成形方法では、成形型の寸法、形状に拘わらず、均熱部材を介して各金型の底面部を発熱ブロックにより加熱していた。このため、各金型の外径が大きく高さが低い場合は、各金型により挟持したガラス素材を効率よく加熱することができるが、各金型の外径が小さく高さが高い場合は、ガラス素材が加熱されるまでにかなりの時間が掛かり、生産効率が悪いという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、成形型の外径及び高さに基づいて加熱方式を適宜選択することにより、加熱効率の向上を図ることができるとともに、偏芯精度の向上を図った良品質な光学素子を得ることができる光学素子の成形方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の光学素子の成形方法は、一対の成形型によって光学素子素材をプレス成形する光学素子の成形方法において、前記成形型の外径と高さに基づいて、前記光学素子素材を前記成形型の底面側から加熱する型底面加熱方式、又は前記光学素子素材を前記成形型の側面側から加熱する型側面加熱方式のいずれかを選択する選択工程と、前記選択工程で選択した加熱方式で前記光学素子素材を加熱する加熱工程と、前記加熱工程で加熱された前記光学素子素材を前記成形型によってプレス成形するプレス工程と、を含むようにしてある。
【０００６】
好ましくは、前記選択工程では、前記成形型の外径よりも高さが小さい場合に、前記型底面加熱方式を選択するとともに、前記成形型の外径よりも高さが大きい場合に、前記型側面加熱方式を選択するようにする。
【０００７】
好ましくは、前記型底面加熱方式により光学素子素材を加熱する場合、前記加熱工程が、前記プレス工程時における成形型温度よりも低い所定温度に前記成形型を加熱する第１加熱工程と、前記所定温度に加熱した成形型を前記プレス工程時の成形型温度まで加熱する第２加熱工程と、を含むようにしてある。
【０００８】
好ましくは、前記第１加熱工程では、前記プレス工程時の成形型温度よりも１０〜４０℃低い所定温度まで所定速度で前記成形型を加熱し、前記第２加熱工程では、前記所定温度から前記プレス工程時の成形型温度まで、前記第１加熱工程よりも遅い速度で前記成形型を加熱する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光学素子の成形方法によれば、成形型の外径と高さに基づいて、型底面加熱方式又は型側面加熱方式のいずれかを適宜選択することにより、加熱効率の向上を図ることができるとともに、偏芯精度の向上を図った良品質な光学素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係る光学素子の成形方法について、図面を参照しつつ説明する。まず、図１及び図２に基づいて、本光学素子の成形方法を実施するための成形装置について説明する。図１は本実施形態に係る光学素子の成形方法における型底面加熱方式を実施するための光学素子の成形装置を示す概略断面図である。また、図２は本実施形態に係る光学素子の成形方法における型側面加熱方式を実施するための光学素子の成形装置を示す概略断面図である。
【００１１】
図１において、型底面加熱方式を実施するための光学素子の成形装置は、加熱ステージ、プレスステージ及び冷却ステージの３ステージに区分してある。一対の成形型である上型１ａ，下型１ｂと、スリーブ２と、ガラス素材（光学素子素材）８とからなる型セットを順次搬送し、各ステージにおいて加熱工程→プレス工程→冷却工程を実施するようにしている。
【００１２】
加熱ステージとプレスステージの上下には、上型１ａ，下型１ｂの底面（背面）にそれぞれ接触する上プレート３ａ，下プレート３ｂが配置してある。上プレート３ａには、型底面加熱手段としての上赤外線ヒーター４ａが配置してあり、同じく下プレート３ｂには、型底面加熱手段としての下赤外線ヒーター４ｂが配置してある。
【００１３】
上型１ａを加熱する上赤外線ヒーター４ａには、温度検知手段としての熱電対１０が設けてあり、該熱電対１０が検知した温度に基づいて、図示しない温度調整器が設定温度となるように上赤外線ヒーター４ａの出力を制御している。下型１ｂを加熱する下赤外線ヒーター４ｂについても同様に、温度検知手段としての熱電対１０が設けてあり、該熱電対１０が検知した温度に基づいて、前記温度調整器が設定温度となるように下赤外線ヒーター４ｂの出力を制御している。各熱電対１０は、上ブロック６ａ又は下ブロック６ｂを貫通し、上プレート３ａ又は下プレート３ｂの温度を検知している。
【００１４】
上下赤外線ヒーター４ａ，４ｂは、それぞれ２本ずつ合計４本を、上プレート３ａ、下プレート３ｂを横切るように並列且つ直線状に配設してある。また、本実施形態では、上下赤外線ヒーター４ａ，４ｂの出力を２０００Ｗの２００Ｖとしてある。さらに、上下赤外線ヒーター４ａ，４ｂは、それぞれ反射鏡５によって上プレート３ａ又は下プレート３ｂに支持してあり、該反射鏡５によって、上下赤外線ヒーター４ａ，４ｂの光を反射して加熱効率を向上させている。
【００１５】
ここで、一対の上型１ａと下型１ｂは、略円筒状のスリーブ２内に挿入してあり、該スリーブ２に型の側面を接触させつつ上下方向に摺動可能となっている。上型１ａを下方へ摺動させる加圧手段として、上ブロック６ａ上に押し棒７が設けてあり、該押し棒７を下降させて上ブロック６ａから上型１ａへ力を伝えプレスを行う。上ブロック６ａは、その両側をそれぞれフック１１に搭載してあり、各フック１１が上下に駆動することにより、上ブロック６ａ及び上プレート３ａを昇降動作させている。
【００１６】
また、下プレート３ｂ上には、上型１ａ，下型１ｂ及びスリーブ２を次の工程に移動搬送するために送り９が設けてある。該送り９を図中の左右方向に移動させることで、上型１ａ，下型１ｂ及びスリーブ２を次の工程の位置へと搬送している。
【００１７】
図２において、型側面加熱方式を実施するための光学素子の成形装置は、上述した図１の光学素子の成形装置と同様に、加熱ステージ、プレスステージ及び冷却ステージの３ステージに区分してあり、上型１ａと下型１ｂをスリーブ２に挿入した型セットを送り９によって順次搬送する構成となっている。
【００１８】
加熱ステージとプレスステージの上下には、上述した図１の光学素子の成形装置と同様に、上プレート３ａ，下プレート３ｂが配置してあり、上プレート３ａには、前記型セットの側面外周を包囲する略円筒状の炉台１２が取り付けてある。該炉台１２には、型側面加熱手段としての赤外線ヒーター４ｃが１本配設してあり、その上部の温度を熱電対１０により検知している。該熱電対１０が検知した温度に基づいて、図示しない温度調整器が設定温度となるように赤外線ヒーター４ｃの出力を制御している。また、赤外線ヒーター４ｃの背面には、赤外線の光を集光するための反射鏡５が固定してある。
【００１９】
上述した図１の光学素子の成形装置と同様に、炉台１２を取り付けた上プレート３ａの両側は、それぞれフック１１に搭載してあり、各フック１１が上下に駆動することにより、炉台１２及び上プレート３ａを昇降動作させている。
【００２０】
また、プレスステージを構成する上プレート３ａの上部には押し棒７が設けてあり、該押し棒７を下降させ、上プレート３ａを介して上型１ａを下方へ押圧することにより、該上型１ａと下型１ｂ間で加熱軟化されたガラス素材８に圧力を加えている。
【００２１】
なお、冷却ステージでは、上述した炉台１２とほぼ同形状、同寸法の略円筒状部材に冷却口１３を設け、前記型セットを構成するスリーブ２の側面外周に冷却窒素を吹き付けて冷却する構成となっている。
【００２２】
次に、本実施形態に係る光学素子の成形方法について、図１〜図５を参照しつつ説明する。図３は本実施形態に係る光学素子の成形方法に使用する型セットの概略断面図、図４Ａ〜Ｄは本実施形態に係る光学素子の成形方法の選択工程において、型底面加熱方式で成形シミュレーションを行った結果を示すグラフ及び説明図である。図５Ａ〜Ｄは本実施形態に係る光学素子の成形方法の選択工程において、型側面加熱方式で成形シミュレーションを行った結果を示すグラフ及び説明図である。
【００２３】
［選択工程］
選択工程では、円柱形状の成形型（上型１ａ，下型１ｂ）の外径（直径）及び中心の高さに基づいて、型底面加熱方式又は型側面加熱方式のいずれかを選択する。なお、図示しないが、上型１ａ，下型１ｂの成形面は、所望の光学素子（レンズ）の光学面形状に対応する凸形状又は凹形状等となっている。
【００２４】
まず、図３に示すような上型１ａ，下型１ｂ、スリーブ２及びガラス素材８からなるモデルを用い、型の外径（直径）ａと中心の高さｂの条件を入力して成形シミュレーションを行う。
【００２５】
例えば、型の外径ａが１０ｍｍで高さｂが２０ｍｍの場合、型の外径ａが２０ｍｍで高さｂが３０ｍｍの場合、型の外径ａが２０ｍｍで高さｂが２０ｍｍの場合、型の外径ａが２０ｍｍで高さｂが１０ｍｍの場合、及び型の外径ａが３０ｍｍで高さｂが２０ｍｍの場合の５パターンについて、型底面加熱方式でガラス素材８を加熱してプレスした場合と、型側面加熱方式でガラス素材８を加熱してプレスした場合との成形シミュレーションをそれぞれ行う。
【００２６】
前記成形シミュレーション時の型の設定温度は、いずれの条件でも同一の成形温度とし、例えば、ガラス素材８のガラス転移点温度とする。また、プレス時間についてもいずれの条件でも同一時間とする。型底面加熱方式で成形シミュレーションを行った結果を図４に、型側面加熱方式で成形シミュレーションを行った結果を図５に示す。
【００２７】
図４に示すように、型底面加熱方式の場合、成形型の中心の高さよりも成形型の外径が大きい成形型を用いたときに効率的な加熱を行うことができる。一方、図５に示すように、型側面加熱方式の場合、成形型の中心の高さよりも成形型の外径が小さい成形型を用いたときに効率的な加熱を行うことができる。
【００２８】
すなわち、成形型の中心の高さよりも成形型の外径が大きい成形型を用いる場合、型底面加熱方式を選択し、成形型の中心の高さよりも成形型の外径が小さい成形型を用いる場合、型側面加熱方式を選択することで、効率的に加熱を行うことができる。なお、成形型の外径は、成形するレンズの外径に対応している。
【００２９】
また、加熱方式の選択方法として以下のような方法もある。成形するレンズの面間偏心精度（一方のレンズ面の光軸と他方のレンズ面の光軸とのずれ量）を良くするためには、成形時に成形型が傾かないように成形型の側面とスリーブの内面との摺動距離を長くする必要がある。例えば、レンズの外径が１０ｍｍ以下で、面間偏心精度が５μｍ以内の高精度製品を成形する場合、成形型の中心の高さを成形型の外径よりも大きくする必要があるため、型側面加熱方式を選択する。一方、レンズの外径が１０ｍｍよりも大きく、面間偏心精度が５μｍよりも大きい比較的高精度ではない製品を成形する場合、成形型の中心の高さを成形型の外径よりも小さくし、すなわち、型底面加熱方式を選択する。
【００３０】
［型底面加熱方式における加熱工程］
上述のように、面間偏心精度が比較的低い（面間偏心精度が５μｍよりも大きい）、又は外径の大きい（１０ｍｍよりも大きい）製品を成形する場合、型底面加熱方式で成形を行う。以下にその具体例を示す。
【００３１】
図１において、ガラス素材８（転移点温度約５００℃）を上下型１ａ，１ｂ間に挟み、上下型１ａ，１ｂをスリーブ２に挿入して型セットを構成する。該型セットは下プレート３ｂに配置され、送り９により加熱ステージ、プレスステージ、冷却ステージに順次搬送される。また、それぞれのステージは、予め定められた設定温度を維持するように制御されている。
【００３２】
加熱ステージは、ガラスを成形する温度５００℃よりも１０℃〜４０℃低い温度に設定され保たれている。送り９により加熱ステージへ前記型セットが搬送されると、図示しない制御部に送り完了の信号が出力され、該制御部が上プレート３ａを下降させて前記型セットを構成する上型１ａの底面に接触させる。これにより、４６０〜４９０℃に加熱されている上プレート３ａの熱が上型１ａに伝わり、該上型１ａが加熱される。一方、下型１ｂは、下赤外線ヒーター４ｂに加熱されている下プレート３ｂの熱により加熱される。
【００３３】
［型底面加熱方式におけるプレス工程］
上述した加熱工程の後、送り９によりプレスステージへ前記型セットが搬送されると、前記制御部に送り完了の信号が出力され、前記加熱ステージの場合と同様に、該制御部が上プレート３ａを下降させて前記型セットを構成する上型１ａの底面に接触させる。プレスステージでは、上下赤外線ヒーター４ａ，４ｂの加熱温度が成形温度の５００℃に設定してあり、上下型１ａ，１ｂを５００℃まで加熱するに十分な時間が経過すると、押し棒７が下降して上ブロック６ａをプレスする。該押し棒７のプレスする圧力は、０．５〜３．０ｋｇｆ／ｍｍ2程度である。上ブロック６ａは、上型１ａの底面に接触している上プレート３ａを押圧するために上型１ａの底面を均一にプレスすることができる。
【００３４】
押し棒７のプレス量は時間で管理されている。該押し棒７は、設定された時間プレスした後、上昇して上ブロック６ａから退避する。その後、直ちに上プレート３ａが上昇して上型１ａの底面から退避する。上プレート３ａの退避が完了すると、前記型セットが送り９により冷却ステージへと搬送される。
【００３５】
［型底面加熱方式における冷却工程］
上述したプレス工程の後、送り９により冷却ステージへ前記型セットが搬送されると、前記制御部に送り完了の信号が出力され、前記加熱ステージ及びプレスステージの場合と同様に、該制御部が上プレート３ａを下降させて前記型セットを構成する上型１ａの底面に接触させる。上プレート３ａ及び下プレート３ｂは、予め設定温度に冷却してあり、上下型１ａ，１ｂの底面から吸熱することで冷却を行う。前記プレスステージと同様、冷却ステージでも押し棒７が上ブロック６ａをプレスしている。
【００３６】
［型側面加熱方式における加熱工程］
一方、面間偏心精度が比較的高く、外径の小さい製品を成形する場合、型側面加熱方式で成形を行う。以下にその具体例を示す。図２において、ガラス素材８（転移点温度約３８０℃の硝材、外径２０ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形状）を上下型１ａ，１ｂ間に挟み、上下型１ａ，１ｂをスリーブ２に挿入して型セットを構成する。該型セットは下プレート３ｂに配置され、上述した型側面加熱方式の場合と同様に、送り９により加熱ステージ、プレスステージ、冷却ステージに順次搬送される。
【００３７】
送り９により加熱ステージへ前記型セットが搬送されると、図示しない制御部に送り完了の信号が出力され、該制御部が上プレート３ａを下降させて、前記型セットを構成する上型１ａの底面に接触させる。これにより、炉台１２が前記型セットの側面外周を包囲し、該炉台１２に設けた赤外線ヒーター４ｃが前記型セットの中心の高さに位置する。その後、熱電対１０と前記温度調節器によって炉台１２の温度が３７０℃〜３５０℃になるよう加熱制御する。
【００３８】
このときの加熱温度及び時間は、予めシミュレーションにより求められた値を用いて算出する。すなわち、所定の温度に該炉台１２を加熱するために、設定温度及び時間を予測する。このようにして前記型セットを所定時間加熱した後、赤外線ヒーター４ｃの温度制御を終了し、上プレート３ａを上昇させて炉台１２を前記型セットより退避させる。退避が完了すると、前記型セットは、送り９により次のプレスステージへ搬送される。
【００３９】
［型側面加熱方式におけるプレス工程］
上述した加熱工程の後、送り９によりプレスステージへ前記型セットが搬送されると、前記制御部に送り完了の信号が出力され、前記加熱ステージの場合と同様に、該制御部が上プレート３ａを下降させて前記型セットを構成する上型１ａの底面に接触させる。そして、赤外線ヒーター４ｃの出力により、炉台１２が設定温度（成形温度）の３８０℃になるよう加熱を行う。設定温度で所定の時間加熱することで、該炉台１２が一定温度に到達し、さらに上下型１ａ，１ｂ、スリーブ２及びガラス素材８が均一に加熱されたものと仮定する。所定の加熱時間が経過すると、押し棒７が下降し、上プレート３ａを押圧する。該上プレート３ａを押圧することで、上型１ａの底面に圧力を伝え、ガラス素材８をプレスする。このようなプレスを所定の時間行い、設定時間が経過した後に該プレスを終了する。その後、上プレート３ａを上昇させて炉台１２を前記型セットより退避させる。退避が完了すると、前記型セットは、送り９により次の冷却ステージへ搬送される。
【００４０】
［型側面加熱方式における冷却工程］
上述したプレス工程の後、送り９により冷却ステージへ前記型セットが搬送されると、前記制御部に送り完了の信号が出力され、前記加熱ステージ及びプレスステージの場合と同様に、該制御部が上プレート３ａを下降させて前記型セットを構成する上型１ａの底面に接触させる。これにより、冷却口１３を設けた前記円筒状部材が前記型セットの側面外周を包囲する。その後、該冷却口１３から冷却窒素が噴出され、該冷却窒素が前記型セットを構成する前記型セットの側面外周に吹き付けられる。これにより、スリーブ２、上下型１ａ，１ｂ及びガラス素材８が冷却され、該ガラス素材８が固化される。なお、このような冷却工程の間、押し棒７により上プレート３ａは加圧されている。所定の冷却時間が経過すると、前記制御部が、冷却窒素の流出を停止させ、上プレート３ａ、及び冷却口１３を設けた前記円筒状部材を上昇させる。
【００４１】
以上のように、本実施形態に係る光学素子の成形方法によれば、成形型（上型１ａ，下型１ｂ）の外径が大きく高さが低い形状の場合（偏心精度の規格が厳しくない光学素子の場合）は、図１に示すように、該成形型の底面から加熱を行うことにより加熱効率を良好にし、生産効率の良い成形を行うことができる。また、成形型を成形温度以下の所定温度に一度加熱し、順次成形温度で加熱しながら成形を行うことで、ガラス素材８の温度にばらつきが生じにくくなるため、成形品質を保つことができる。
【００４２】
これと逆に、成形型の外径が小さく高さが高い形状の場合（偏心精度の規格が厳しい光学素子の場合）は、図２に示すように、該成形型の側面から加熱を行うことにより加熱効率を良好にし、生産効率の良い成形を行うことができる。また、成形型を成形温度以下の所定温度に一度加熱し、順次成形温度で加熱しながら成形を行うことで、ガラス素材８の温度にばらつきが生じにくくなるため、成形品質を保つことができる。
【００４３】
さらに、押し棒７と上プレート３ａを固定した従来の構成の場合は、上型１ａがガラスゴブなどのガラス素材８により傾きを生じて、効率良く加熱を行うことができなかったが、上記実施形態の如く、押し棒７と上プレート３ａを分離させたことにより、上型１ａがガラス素材８により傾いた場合でも、上プレート３ａを上型１ａの底面に密着させることができ、効率良く加熱を行うことができる。これに加え、上プレート３ａが、製造誤差等より数ミクロン単位で傾いている場合であっても、押し棒７を分離させたことにより、成形圧を加える際にスムーズな摺動を行うことができる。
【００４４】
なお、本発明に係る光学素子の成形方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、光学素子素材をガラス素材８としたが、これに限らず、光学プラスチック等の樹脂素材を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施形態に係る光学素子の成形方法における型底面加熱方式を実施するための光学素子の成形装置を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態に係る光学素子の成形方法における型側面加熱方式を実施するための光学素子の成形装置を示す概略断面図である。
【図３】本実施形態に係る光学素子の成形方法に使用する型セットの概略断面図である。
【図４Ａ】本実施形態に係る光学素子の成形方法の選択工程において、型底面加熱方式で成形シミュレーションを行った結果を示すグラフである。
【図４Ｂ】上記型底面加熱方式を示す説明図である。
【図４Ｃ】上記型底面加熱方式における成形型の外径＜高さの場合を示す説明図である。
【図４Ｄ】上記型底面加熱方式における成形型の外径＞高さの場合を示す説明図である。
【図５Ａ】本実施形態に係る光学素子の成形方法の選択工程において、型側面加熱方式で成形シミュレーションを行った結果を示すグラフである。
【図５Ｂ】上記型側面加熱方式を示す説明図である。
【図５Ｃ】上記型側面加熱方式における成形型の外径＞高さの場合を示す説明図である。
【図５Ｄ】上記型側面加熱方式における成形型の外径＜高さの場合を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１ａ  上型（成形型）
１ｂ  下型（成形型）
２    スリーブ
３ａ  上プレート
３ｂ  下プレート
４ａ  上赤外線ヒーター
４ｂ  下赤外線ヒーター
４ｃ  赤外線ヒーター
５    反射鏡
６ａ  上ブロック
６ｂ  下ブロック
７    押し棒
８    ガラス素材（光学素子素材）
９    送り
１０  熱電対
１１  フック
１２  炉台
１３  冷却口
ａ    成形型の直径
ｂ    成形型の中心の高さ
【図３】
2006124193.tif 000003
【図４Ｂ】
2006124193.tif 000004
【図４Ｃ】
2006124193.tif 000005
【図４Ｄ】
2006124193.tif 000006
【図５Ｂ】
2006124193.tif 000007
【図５Ｃ】
2006124193.tif 000008
【図５Ｄ】
2006124193.tif 000009
【図１】
2006124193.tif 000010
【図２】
2006124193.tif 000011
【図４Ａ】
2006124193.tif 000012
【図５Ａ】
2006124193.tif 000013