(57)【要約】【課題】  気泡を除去して基板に付着するパーティクルを低減させることができる基板処理方法およびその装置を提供することを目的とする。【解決手段】  内槽１１に貯留された処理液に基板を浸漬させると、微小気泡（マイクロバブル）Ｍｂが大量に発生する。基板が浸漬している状態で、窒素ガスノズル２６が処理液面に窒素ガスを供給して、液面にある気泡Ｍｂをその窒素ガスが内槽１１から外槽１２へ導く。窒素ガスが気泡Ｍｂを内槽１１の外部へ導くことで、気泡Ｍｂを内槽１１から除去することができる。また、基板が浸漬している間において気泡Ｍｂが外槽１２へ導かれるので、内槽１１の処理液から基板を引き上げる際に基板に付着するパーティクルを低減させることができる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板に処理を行う基板処理方法において、
槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、前記槽の測方の一方向から処理液面に流体を供給しつつ、処理液面の気泡を前記一方向とは反対方向から外部へ導くことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
処理液により基板に処理を行う基板処理方法において、
槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、処理液面の中央部に流体を供給しつつ、気泡を処理液面の中央部から前記槽の外周方向に向かって外部へ導くことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、
前記流体は不活性ガスであることを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
処理液により基板に処理を行う基板処理方法において、
槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、処理液面に流体を供給しつつ、流体により処理液面にある気泡を消滅させることを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理方法において、
前記流体は、前記槽に貯留されている処理液と同じものであることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理方法において、
処理液面へ供給される処理液は、前記槽から一旦排出された処理液を利用することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理方法において、
前記流体は、処理液の温度よりも高温の不活性ガスであることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する槽と、
前記槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、前記槽の測方の一方向から処理液面に流体を供給しつつ、処理液面の気泡を前記一方向とは反対方向から外部へ導く流体供給機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋をさらに備え、
前記流体供給機構は、前記２つの蓋部材のうち一方の蓋部材に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する槽と、
前記槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、処理液面の中央部に流体を供給しつつ、気泡を処理液面の中央部から前記槽の外周方向に向かって外部へ導く流体供給機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置において、
前記槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋をさらに備え、
前記流体供給機構は、前記２つの蓋部材にそれぞれ設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記流体は不活性ガスであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する槽と、
前記槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、少なくとも対向する２方向から処理液面に流体を供給しつつ、流体により処理液面にある気泡を消滅させる流体供給機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する内槽と、
前記内槽の上部開口から溢れ出た処理液を回収する外槽と、
一端が前記外槽に接続され、前記外槽から処理液を排出する配管と、
前記配管の他端と接続され、前記内槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、前記外槽から排出された処理液を少なくとも対向する２方向から処理液面に供給しつつ、処理液により処理液面にある気泡を消滅させる流体供給機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４に記載の基板処理装置において、
前記槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋をさらに備え、
前記流体供給機構は、前記２つの蓋部材にそれぞれ設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
請求項８から請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記流体供給機構は、流体の吐出角度を調節可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留する内槽と、
前記槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋と、
前記内槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、処理液面に処理液を供給しつつ、処理液により処理液面にある気泡を消滅させる流体供給機構とを備え、
前記流体供給機構は、前記２つの蓋部材に設けられ、複数の吐出口を有する板状ノズルを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の基板処理装置において、
前記内槽の上部開口から溢れ出た処理液を回収する外槽と、
一端が前記外槽に接続され、前記外槽から処理液を排出する配管とをさらに備え、
前記板状ノズルは、前記配管の他端と接続され、前記複数の吐出口から前記内槽の処理液面全体にわたって処理液を供給することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）に対して剥離処理、エッチング処理、洗浄処理等の各種の処理を行う基板処理方法およびその装置に係り、特に、槽に貯留されている処理液に基板を浸漬させて処理を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置で行う処理として、例えば、フォトレジスト等の塗布膜が形成された基板を有機系やアミン系の処理液に浸漬させて塗布膜を除去する剥離処理がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−１００６０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の技術で剥離処理を行う場合には、図１６に示すように剥離処理のための処理液を７０℃にして基板Ｗを浸漬させると、微小気泡（マイクロバブル）Ｍｂが大量に発生する。これらの気泡Ｍｂは下方から上方に向かって移動し、処理液面に留まる。処理液面に気泡Ｍｂが留まることでパーティクルが留まり、基板Ｗを処理液から引き上げる際に気泡Ｍｂに起因するパーティクルが基板Ｗに付着するという問題がある。
【０００４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、気泡を除去して基板に付着するパーティクルを低減させることができる基板処理方法およびその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決するためには、請求項１に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理方法において、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、前記槽の測方の一方向から処理液面に流体を供給しつつ、処理液面の気泡を前記一方向とは反対方向から外部へ導くことを特徴とするものである。
【０００６】
〔作用・効果〕請求項１に係る発明によれば、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、槽の測方の一方向から処理液面に流体を供給する。これにより、処理液面の気泡を前記一方向とは反対方向から外部へ導かれ、気泡が槽から排出されるので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【０００７】
また、請求項２に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理方法において、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、処理液面の中央部に流体を供給しつつ、気泡を処理液面の中央部から前記槽の外周方向に向かって外部へ導くことを特徴とするものである。
【０００８】
〔作用・効果〕請求項２に係る発明によれば、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、処理液面の中央部に流体を供給する。これにより、気泡を処理液面の中央部から槽の外周方向に向かって外部へ導かれ、気泡が槽から排出されるので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【０００９】
なお、前記流体は不活性ガスであることが好ましい（請求項３）。不活性ガスならば、処理液に対して化学反応を起こさずに、気泡を槽の外部へ導くことができる。
【００１０】
また、請求項４に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理方法において、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、処理液面に流体を供給しつつ、流体により処理液面にある気泡を消滅させることを特徴とするものである。
【００１１】
〔作用・効果〕請求項４に係る発明によれば、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、処理液面に流体を供給しているので、流体が気泡に当たることにより、処理液面にある気泡は消滅するので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【００１２】
なお、前記流体は、槽に貯留されている処理液と同じものであることが好ましい（請求項５）。また、処理液面へ供給される処理液は、槽から一旦排出された処理液を利用することが好ましい（請求項６）。さらに、前記流体は、処理液の温度よりも高温の不活性ガスであることが好ましい（請求項７）。処理液の温度よりも高温の不活性ガスならば、その温度より気泡を消滅させやすい。
【００１３】
また、請求項８に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する槽と、前記槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、前記槽の測方の一方向から処理液面に流体を供給しつつ、処理液面の気泡を前記一方向とは反対方向から外部へ導く流体供給機構と、を備えることを特徴とするものである。
【００１４】
〔作用・効果〕請求項８に係る発明によれば、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、流体供給機構から槽の測方の一方向から処理液面に流体を供給する。これにより、処理液面の気泡は前記一方向から反対方向から外部へ導かれ、気泡が槽から排出されるので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【００１５】
なお、槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋をさらに備え、流体供給機構は、２つの蓋部材のうち一方の蓋部材に設けることが好ましい（請求項９）。蓋部材に流体供給機構を設ければ、流体供給機構用のスペースを別途設ける必要もなく、また、蓋部材を開の状態にすれば、槽に対して基板の搬入・搬出を行う際に、流体供給機構が邪魔になるということもない。
【００１６】
また、請求項１０に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する槽と、前記槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、処理液面の中央部に流体を供給しつつ、気泡を処理液面の中央部から前記槽の外周方向に向かって外部へ導く流体供給機構と、を備えることを特徴とするものである。
【００１７】
〔作用・効果〕請求項１０に係る発明によれば、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、流体供給機構から処理液面の中央部に流体を供給する。これにより、処理液面の気泡は処理液面の中央部から前記槽の外周方向に向かって外部へ導かれ、気泡が槽から排出されるので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【００１８】
なお、槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋をさらに備え、流体供給機構は、２つの蓋部材にそれぞれ設けられていることが好ましい（請求項１１）。蓋部材に流体供給機構を設ければ、流体供給機構用のスペースを別途設ける必要もなく、また、蓋部材を開の状態にすれば、槽に対して基板の搬入・搬出を行う際に、流体供給機構が邪魔になるということもない。
【００１９】
また、前記流体は不活性ガスがあることが好ましい（請求項１２）。不活性ガスならば、処理液に対して化学反応を起こさずに、気泡を槽の外部へ導くことができる。
【００２０】
また、請求項１３に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する槽と、前記槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、少なくとも対向する２方向から処理液面に流体を供給しつつ、流体により処理液面にある気泡を消滅させる流体供給機構と、を備えることを特徴とするものである。
【００２１】
〔作用・効果〕請求項１３に係る発明によれば、槽に貯留された処理液に基板を浸漬している状態で、流体供給機構から少なくとも対向する２方向から処理液面に流体を供給する。これにより、流体が気泡に当たることにより処理液面にある気泡は消滅するので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【００２２】
また、請求項１４に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する内槽と、前記内槽の上部開口から溢れ出た処理液を回収する外槽と、一端が前記外槽に接続され、前記外槽から処理液を排出する配管と、前記配管の他端と接続され、前記内槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、前記外槽から排出された処理液を少なくとも対向する２方向から処理液面に供給しつつ、処理液により処理液面にある気泡を消滅させる流体供給機構と、を備えることを特徴とするものである。
【００２３】
〔作用・効果〕請求項１４に係る発明によれば、流体供給機構から処理液を少なくとも対向する２方向から処理液面に供給する。これにより、処理液が気泡に当たることにより、処理液面にある気泡は消滅するので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。また、外槽から排出された処理液を再利用しているので、効率的である。
【００２４】
なお、槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋をさらに備え、流体供給機構は、２つの蓋部材にそれぞれ設けられていることが好ましい（請求項１５）。蓋部材に流体供給機構を設ければ、流体供給機構用のスペースを別途設ける必要もなく、また、蓋部材を開の状態にすれば、槽に対して基板の搬入・搬出を行う際に、流体供給機構が邪魔になるということもない。
【００２５】
また、流体供給機構は、流体の吐出角度を調節可能であることが好ましい（請求項１６）。吐出角度の調節が可能であれば、気泡の多い処理液面に向けて確実に流体（処理液）を供給することができる。
【００２６】
また、請求項１７に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する内槽と、前記槽の上部開口に対して開閉可能な２つの蓋部材を有する開閉蓋と、前記内槽に貯留された処理液に基板を浸漬させた状態で、処理液面に処理液を供給しつつ、処理液により処理液面にある気泡を消滅させる流体供給機構とを備え、前記流体供給機構は、前記２つの蓋部材に設けられ、複数の吐出口を有する板状ノズルを備えることを特徴とするものである。
【００２７】
〔作用・効果〕請求項１７に係る発明によれば、流体供給機構の複数の吐出口から供給される処理液により処理液面にある気泡を消滅させる。これにより、処理液が気泡に当たることにより処理液面にある気泡は消滅するので、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【００２８】
なお、内槽の上部開口から溢れ出た処理液を回収する外槽と、一端が外槽に接続され、外槽から処理液を排出する配管とをさらに備え、板状ノズルは、配管の他端と接続され、複数の吐出口から内槽の処理液面全体にわたって処理液を供給することが好ましい（請求項１８）。また、外槽から排出された処理液を再利用しているので、効率的である。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る基板処理装置およびその装置によれば、基板へのパーティクル付着の原因となる気泡を処理液面から除去できる。また、槽に貯留された処理液から基板を引き上げる際に、気泡に起因するパーティクルの基板への付着を抑制できる。
【実施例１】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
【００３１】
図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は、基板処理装置の処理槽における蓋部材の断面図および気泡が内槽から外槽へ導かれる様子を模式的に表した説明図であり、図３は、搬送機構の概略図である。
【００３２】
実施例１に係る基板処理装置は、後述する実施例２〜実施例５も含めて、フォトレジストなどの塗布膜が形成された基板を有機系やアミン系の処理液に浸漬させて塗布膜を除去する剥離処理を行うものである。
【００３３】
この基板処理装置は、処理槽１０を備えている。この処理槽１０は、処理液を貯留するとともに、基板Ｗを処理液で浸漬させるために基板Ｗを収納する内槽１１と、内槽１１の外部に配設され、内槽１１から溢れた処理液を回収するための外槽１２とを備えている。処理槽１０の上部には、処理槽１０外との雰囲気を遮断したり外部からのパーティクルの混入を防止する開閉蓋１３が配設されている。開閉蓋１３は、内槽１１と外槽１２とを含めて処理槽１０全体を覆う。また、開閉蓋１３は、２つの蓋部材１３ａを備えており、各蓋部材１３ａのそれぞれが、外槽１２に開閉自在に取り付けられている。すなわち、各蓋部材１３ａを図１の２点鎖線のように移動させることで処理槽１０の上部を開放し、各蓋部材１３ａを図１の実線のようにすることで処理槽１０の上部を閉止する。内槽１１に対して基板Ｗを搬入・搬出するときに、各蓋部材１３ａを図１の２点鎖線のように移動させれば、基板Ｗの搬入・搬出を容易に行うことができる。
【００３４】
なお、基板Ｗは径が２００ｍｍのウェハを用いている。内槽１１にある気泡Ｍｂを外槽１２へ導きやすくするために、内槽１１内の処理液面と開閉蓋１３との間の距離、および外槽１２と開閉蓋１３との隙間の距離を広めに設定するのが好ましい。基板Ｗの径が２００ｍｍのウェハを用いて有機系やアミン系の処理液で剥離処理を行う場合には、処理液面と開閉蓋１３との間の距離を２０ｍｍ程度、外槽１２と開閉蓋１３との隙間の距離を１３ｍｍ程度に設定することが好ましい。
【００３５】
内槽１１の底部には、処理液を内槽１１内へ供給する導入口１４が形成されている。外槽１２の底部には、外槽１２から処理液を排出する排出口１５が形成されている。この導入口１４および排出口１５は、循環配管１６によりそれぞれ連通接続されている。循環配管１６には、上流側からポンプ１７、インラインヒータ１９、フィルタ２０、開閉弁２１が順に配設されている。また、排出口１５とポンプ１７との間の循環配管１６には、分岐管２２が配設されており、分岐管２２に配設された開閉弁２３の開閉操作によって外槽１２に貯留された処理液を、排出口１５、循環配管１６および分岐管２２を介して排液する。
【００３６】
インラインヒータ１９は、発熱体であるヒータが耐薬性の高いフッ素樹脂でコーティングされているので、処理液に対する耐性を有しており、循環配管１６を流通する処理液を所定温度（実施例１〜実施例５では７０℃程度）に加熱する。
【００３７】
開閉蓋１３の外槽１２側の側壁には、窒素ガス供給源２４に連通接続された窒素ガス用供給管２５が、図２に示すように形成されている。この窒素ガス用供給管２５は、窒素ガスノズル２６に連通接続されている。窒素ガス用供給管２５に配設された開閉弁２７（図１を参照）の開閉操作によって、窒素ガス供給源２４からの窒素ガスを、窒素ガス用供給管２５を介して窒素ガスノズル２６に供給する。窒素ガスノズル２６は、内槽１１の斜め上方の位置において蓋部材１３ａに設けられており、その吐出口は内槽１１の中央部に向けられており、窒素ガスノズル２６の吐出口の角度を調節する機構（図示省略）を備えている。
【００３８】
搬送機構３１は、図３に示すように、基板Ｗを内槽１１（図１）に対して昇降移動可能に構成されている。昇降機構３１は、鉛直方向に長辺を有する背板３２と、この背板３２の下端部で水平方向に延出された３本の保持部材３３とを備えている。保持部材３３には、上部に基板Ｗの端面を当接支持するための複数の溝が形成されている。
【００３９】
なお、コントローラ１は、蓋部材１３ａ、ポンプ１７、インラインヒータ１９、開閉弁２１，２３，２７、および窒素ガスノズル２６の吐出口の角度を調節する機構などを統括制御する。コントローラ１は、入力部２からの入力データや、メモリ部３に記憶されたプログラムに基づいて各種の命令を出力して、基板処理を制御する。コントローラ１は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されている。入力部２は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。メモリ部３は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。
【００４０】
次に、本実施例１に係る基板処理方法について、図４を参照して説明する。図４は、実施例１に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。
【００４１】
（ステップＳ１）処理液を所定温度に加熱
新たな処理液を処理槽１０に供給する場合には、図示しない処理液供給機構により処理液を内槽１１に供給しつつ、コントローラ１により、開閉弁２３を開放するように操作する。このように操作することで、循環配管１６および分岐管２２を介して外槽１２の排出口１５から排出された処理液を排液し、新たな処理液が内槽１１に供給される。外槽１２の排出口１５から排出された処理液を循環配管１６により循環させて処理液を内槽１１に供給する場合には、コントローラ１により、開閉弁２３を閉止させポンプ１７を作動させて、開閉弁２１を開放するように操作する。このように操作することで、循環配管１６を介して外槽１２の排出口１５から排出された処理液を、循環配管１６および導入口１４を介して内槽１１内へ供給する。また、コントローラ１は、インラインヒータ１９を操作して処理液を所定温度に加熱するように制御する。後述するステップを含めて、コントローラ１からポンプ１７や各開閉弁などへの各種の命令の出力は、入力部２からの入力データや、メモリ部３に記憶されたプログラムに基づいて行われる。
【００４２】
（ステップＳ２）基板を内槽に搬入
搬送機構３１が複数枚の基板Ｗを保持した状態で、搬送機構３１は内槽１１に下降する。これにより、基板Ｗは内槽１１に貯留された処理液に浸漬される。
【００４３】
（ステップＳ３）気泡が発生？
基板Ｗが内槽１１内の処理液に浸漬されると、図２に示すように、処理液と基板Ｗの表面の塗布膜が反応して、微小気泡（マイクロバブル）Ｍｂが大量に発生する。この気泡Ｍｂが発生するまでステップＳ３をループして待機する。
【００４４】
（ステップＳ４）窒素ガスの供給開始
発生した気泡Ｍｂは処理液中の下方から上方に向かって、図２に示すように、処理液面に留まる。コントローラ１は、開閉弁２７を開放するように操作する。このように操作することで、窒素ガス供給源２４からの窒素ガスを、窒素ガス用供給管２５を介して窒素ガスノズル２６に流し、窒素ガスノズル２６は、内槽１１の斜め上方の位置から処理液面に窒素ガスを供給する。また、必要に応じて、窒素ガスノズル２６の吐出口を、図２の２点鎖線のように移動させて吐出口の角度を調節する。このように移動させることで、窒素ガス供給ノズル２６からの窒素ガスの供給箇所を必要に応じて変更することができる。なお、吐出口の角度は図２の２点鎖線に限定されず、図２の紙面から見て奥行き方向に角度を調節してもよい。
【００４５】
（ステップＳ５）気泡を外槽へ導く
図２の矢印に示すように窒素ガスノズル２６が窒素ガスを処理液面に供給すると、窒素ガスは処理液面に沿って内槽１１の中央を経て、窒素ガスノズル２６が配設された箇所に対向した外槽１２側まで流れる。処理液面にある気泡Ｍｂは、その窒素ガスの流れに伴って内槽１１から外槽１２へ導かれ、気泡Ｍｂは内槽１１から除去される。
【００４６】
（ステップＳ６）基板を内槽から搬出
所定時間だけ基板Ｗを内槽１１内の処理液に浸漬させて、塗布膜の剥離処理を終了すると、内槽１１から基板Ｗを保持した搬送機構３１を上昇させる。内槽１１からの基板Ｗの搬出時においても、気泡Ｍｂが内槽１１から除去されず処理液面に留まっている可能性があるので、窒素ガスの供給を続ける。なお、窒素ガスノズル２６の吐出口の角度を調節して吐出口を搬出中の基板Ｗに向けて供給して、基板Ｗ付近の気泡Ｍｂを集中的に外槽１１へ導くように制御することが好ましい。
【００４７】
（ステップＳ７）窒素ガスの供給停止
搬送機構３１により基板Ｗを処理液から引き上げて内槽１１から搬出すれば、コントローラ１は、開閉弁２７を閉止するように操作する。このように操作することで、窒素ガスノズル２６からの窒素ガスの供給を停止する。なお、引き続いて、後続の基板Ｗを処理する場合には、窒素ガスの供給を引き続き行ってもよい。
【００４８】
本実施例１の基板処理装置によれば、内槽１１内の処理液に基板Ｗが浸漬している状態で、窒素ガスノズル２６が処理液面に窒素ガスを供給して、その液面にある気泡Ｍｂを内槽１１から外槽１２へ導く。このように、窒素ガスが気泡Ｍｂを内槽１１の外部へ導くことで、気泡Ｍｂを内槽１１から除去することができる。また、基板Ｗを処理液に浸漬している状態で、気泡Ｍｂが外槽１２へ導かれるので、内槽１１内の処理液から基板Ｗを引き上げる際に、基板Ｗに付着するパーティクルを低減させることができる。
【００４９】
また、窒素ガスのように気体は処理液面に沿って流れるので、気泡Ｍｂを内槽１１から外槽１２へ導きやすい。また、窒素ガスは不活性ガスであるので、処理液に対して化学反応を起こさずに、気泡Ｍｂを外槽１２へ導くことができる。
【００５０】
また、本実施例１では、窒素ガスノズル２６に、角度調節が可能な機構を配設し、コントローラ１が、その機構を操作することで、窒素ガスノズル２６からの窒素ガスの供給箇所の変更を制御している。かかる機構を配設することで、気泡Ｍｂの状況に応じて窒素ガスの供給箇所を変更して気泡Ｍｂを効率良く除去することができる。
【実施例２】
【００５１】
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。
【００５２】
図５は、実施例２に係る基板処理装置の断面図および気泡が内槽から外槽へ導かれる様子を模式的に表した図であり、図６は、蓋部材内に形成された窒素ガス用供給管の側断面図である。
【００５３】
なお、実施例１と共通する箇所については、同じ符号を付して、その説明を省略し、相違する箇所のみ説明する。内槽１１、外槽１２、搬送機構３１、並びに循環配管１６に配設された各構成については、実施例１と同様の構成である。本実施例２では、窒素ガスを供給する供給系統の形態が、実施例１と相違する。
【００５４】
窒素ガス用供給管２５のうち、蓋部材１３ａに形成された部分の符号を２５ａとし、開閉弁２７付近の符号を２５ｂとする。この供給管２５ａと開閉弁２７付近の供給管２５ｂとは、図５に示すように、フレキシブルチューブ２５ｃを介して連通接続されている。開閉弁２７よりも下流では、開閉弁２７付近の供給管２５ｂは２つに分岐され、それぞれが各フレキシブルチューブ２５ｃを介して各供給管２５ａに連通接続される。本実施例２では、これら２つの供給管２５ａは、図５に示すように、２つの蓋部材１３ａの中央付近に形成されている。
【００５５】
また、これら２つの供給管２５ａには、窒素ガスノズル２６が連通接続されている。この窒素ガス供給ノズル２６は、内槽１１に貯留されていた処理液面の中央部に突出して、各蓋部材１３ａに設けられている。各窒素ガスノズル２６の吐出口は処理液面に向けられており、実施例１と同様に角度を調節する機構を備えることで、吐出口の角度調節が可能となる。
【００５６】
図５の矢印に示すように、各窒素ガス供給ノズル２６が窒素ガスを処理液面へ供給すると、窒素ガスは処理液面に沿って内槽１１の中央から各外槽１２に向かって流れる。すなわち、図５の左側中央付近に配設された各窒素ガスノズル２６から吐出された窒素ガスは左側の外槽１２に向かって流れるとともに、右側中央付近に配設された各窒素ガスノズル２６から吐出された窒素ガスは右側の外槽１２に向かって流れる。処理液面にある気泡Ｍｂは、窒素ガスの流れに伴って内槽１１から外槽１２へ導かれる。そして、気泡Ｍｂは内１１から除去される。
【００５７】
本実施例２に係る基板処理方法および基板処理装置の作用・効果については、窒素ガスおよび気泡Ｍｂの流れが相違する以外は、実施例１と同様である。
【実施例３】
【００５８】
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。
【００５９】
図７は、実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図８は、蓋部材内に形成された処理液用供給管の平面図である。
【００６０】
なお、実施例１，２と共通する箇所については、同じ符号を付して、その説明を省略し、相違する箇所のみ説明する。内槽１１、外槽１２、搬送機構３１については、実施例１と同様の構成である。本実施例３では、窒素ガスを供給する供給系統の替わりに、循環された処理液を供給する供給系統を処理液面への供給に用いている点が、実施例１，２と相違する。
【００６１】
本実施例３では、図７に示すように、インラインヒータ１９とフィルタ２０との間の循環配管１６には、分岐管４１が接続されている。この分岐管４１には処理液用供給管４２が連通接続されており、図７、図８に示すように処理液用供給管４２は外槽１２の上部を取り囲むように蓋部材１３ａに形成されている。この場合には、図８に示すように、内槽１１の３方向に外槽１２を配設しているので、処理液用供給管４２も３方向に蓋部材１３ａに形成されている。
【００６２】
これら処理液用供給管４２には、複数の処理液ノズル４３が形成されている。これら処理液ノズル４３の吐出口は、内槽１１に貯留された処理液面へ向けられており、実施例１，２と同様に角度を調節する機構を備えることで、吐出口の角度調節が可能である。
【００６３】
また、分岐管４１の途中には開閉弁４４が設けられており、この開閉弁４４の操作により、循環配管１６を流れている処理液の一部を分岐管４１および処理液用配管４２を介して処理液ノズル４３へ供給する。そして、処理液ノズル４３は、処理液面のうち３方の周縁に処理液を供給する。
【００６４】
次に、本実施例３に係る基板処理方法について、図９、図１０を参照して説明する。図９は、処理液によって気泡が消滅する様子を模式的に表した説明図であり、図１０は、実施例３に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。
【００６５】
（ステップＴ１）処理液を所定温度に加熱
コントローラ１は、開閉弁２１を開放するように操作するとともに、開閉弁４４を閉止するように操作する。このように操作することで、循環配管１６中を流れる処理液を分岐管４１に流さず、導入口１４を介して内槽１１内へ供給する。また、コントローラ１は、インラインヒータ１９を操作して処理液を所定温度に加熱するように制御する。
【００６６】
（ステップＴ２）基板を内槽に搬入
搬送機構３１が複数枚の基板Ｗを保持した状態で、搬送機構３１は内槽１１に下降する。これにより、基板Ｗは内槽１１に貯留された処理液に浸漬される。
【００６７】
（ステップＴ３）気泡が発生？
基板Ｗが内槽１１内の処理液に浸漬されると、図９に示すように、処理液と基板Ｗの表面の塗布膜が反応して、微小気泡（マイクロバブル）Ｍｂが大量に発生する。この気泡Ｍｂが発生するまでステップＴ３をループして待機する。
【００６８】
（ステップＴ４）処理液の供給開始
発生した気泡Ｍｂは処理液中の下方から上方に向かって、図９に示すように、処理液面に留まる。コントローラ１は、開閉弁４４をも開放するように操作する。このように操作することで、循環配管１６中を流れる処理液の一部を、分岐管４１および処理液用配管４２を介して処理液ノズル４３に供給し、処理液ノズル４３は、処理液面の周縁に処理液を供給する。また、必要に応じて、処理液ノズル４３の吐出口を動かして吐出口の角度を調節する。このように移動させることで、処理液ノズル４３からの処理液の供給箇所を必要に応じて変更することができる。
【００６９】
（ステップＴ５）気泡を消滅させる
処理液面の気泡Ｍｂは内槽１１の周縁に留まりやすく、外槽１２へ導き難くなる。そこで、図９の矢印に示すように、処理液を処理液面の周縁に供給すると、供給先の気泡Ｍｂの一部が、図９（ａ）の状態から、図９（ｂ）に示す２点鎖線のように消滅する。消滅した気泡Ｍｂの符号を図９（ｂ）ではＥｘとする。この消滅によって気泡Ｍｂは、内槽１１から除去される。
【００７０】
（ステップＴ６）基板を内槽から搬出
所定時間だけ基板Ｗを内槽１１内の処理液に浸漬させて、塗布膜の剥離処理を終了すると、内槽１１から基板Ｗを保持した搬送機構３１を上昇させる。この搬出時においても、気泡Ｍｂが内槽１１から除去されず処理液面、特に周縁に留まっている可能性があるので、処理液の供給を続ける。なお、処理液ノズル４３の吐出口の角度を調節して、ステップＴ６のときのみ吐出口を搬出中の基板Ｗに向けて供給して、基板Ｗ付近の気泡Ｍｂを集中的に消滅させるように制御することが好ましい。もちろん、吐出口を周縁に向け続けて周縁に留まった気泡Ｍｂを消滅させてもよい。
【００７１】
（ステップＴ７）処理液の供給停止
搬送機構３１により基板Ｗを処理液から引き上げて内槽１１から搬出すれば、コントローラ１は、開閉弁４４を閉止するように操作する。
【００７２】
本実施例３の基板処理装置によれば、内槽１１内の処理液に基板Ｗが浸漬している状態で、処理液ノズル４３が処理液面に処理液を供給して、その液面にある気泡Ｍｂを処理液が消滅させる。処理液が気泡Ｍｂを消滅させることで、気泡Ｍｂを内槽１１から除去することができる。また、基板Ｗが処理液に浸漬している状態で、気泡Ｍｂが消滅するので、内槽１１の処理液から基板Ｗを引き上げる際に基板Ｗに付着するパーティクルを低減させることができる。
【００７３】
また、気泡Ｍｂを消滅させる処理液は、基板Ｗを処理する処理液と同じ液体なので、処理液に対して化学反応を起こさず処理を円滑に行いつつ気泡Ｍｂを消滅させることができる。また、気泡Ｍｂが発生した処理液を循環させると、循環された処理液から気泡Ｍｂが発生し難い。
【００７４】
また、本実施例３では、処理液ノズル４３に、角度調節が可能な機構を配設し、コントローラ１が、その機構を操作することで、処理液ノズル４３からの処理液の供給箇所の変更を制御している。かかる機構を配設することで、気泡Ｍｂの状況に応じて処理液の供給箇所を変更して気泡Ｍｂを効率良く除去することができる。
【実施例４】
【００７５】
次に、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。
【００７６】
図１１は、実施例４に係る基板処理装置の断面図であり、図１２は、蓋部材内に形成された処理液用供給管の平面図である。
【００７７】
なお、実施例１〜実施例３と共通する箇所については、同じ符号を付して、その説明を省略し、相違する箇所のみ説明する。内槽１１、外槽１２、搬送機構３１、並びに循環配管１６に配設された各構成については、実施例３と同様の構成である。本実施例４では、循環された処理液を供給する供給系統の形態が、実施例３と相違する。
【００７８】
本実施例４では、図１１に示すように、各蓋部材１３ａの外槽１２側の側壁には、処理液用供給管４２が対向する２方向に形成されている。また、処理液用供給管４２には各複数の処理液ノズル４３が形成されている。各処理液ノズル４３の吐出口は、処理液面に向けられており、吐出口は実施例１〜実施例３と同様に角度を調節する機構を備えることで、角度調節が可能となる。吐出口を、内槽１１の周縁に向けてもよいし、気泡Ｍｂの箇所に応じて向けてもよい。
【００７９】
図１１の矢印に示すように、処理液ノズル４３が処理液を処理液面へ供給すると、供給先の気泡Ｍｂの一部が消滅する。この消滅によって気泡Ｍｂは内槽１１から除去される。
【００８０】
本実施例４に係る基板処理方法および基板処理装置の作用・効果については、処理液および気泡Ｍｂの流れが相違する以外は、実施例３と同様である。
【実施例５】
【００８１】
次に、図面を参照して本発明の実施例５を説明する。
【００８２】
図１３は、実施例５に係る基板処理装置の断面図であり、図１４は、蓋部材内に形成された処理液用供給管の平面図である。
【００８３】
なお、実施例１〜実施例４と共通する箇所については、同じ符号を付して、その説明を省略し、相違する箇所のみ説明する。内槽１１、外槽１２、搬送機構３１、並びに循環配管１６に配設された各構成については、実施例３，４と同様の構成である。本実施例５では、処理液を供給する供給系統の形態が、実施例３，４と相違する。
【００８４】
本実施例５では、図１３に示す各蓋部材１３ａには、処理液用供給管４２が、図１４に示すように、板状に形成されている。また、図１３に示すように、処理液供給管４２に連通接続された処理液ノズル４３が、各蓋部材１３ａの下面全体に形成されている。各処理液ノズル４３の吐出口は、処理液面に向けられており実施例１〜４と同様に角度を調節する機構を備えることで、角度調節が可能となる。
【００８５】
図１３の矢印に示すように、処理液ノズル４３が処理液を処理液面に供給すると、供給先の気泡Ｍｂの一部が消滅する。この消滅によって気泡Ｍｂは内槽１１から除去される。
【００８６】
本実施例５に係る基板処理方法および基板処理装置の作用・効果については、処理液および気泡Ｍｂの流れが相違する以外は、実施例３，４と同様である。
【００８７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００８８】
（１）上述した各実施例では、基板に形成された塗布膜を除去する剥離処理を例に採って説明したが、処理液と基板とが反応して気泡が発生するものであれば、エッチング処理、洗浄処理等の各種処理にも適用することができる。
【００８９】
（２）上述した各実施例をそれぞれ適宜に組み合わせてもよい。例えば、図１５（ａ）の断面図に示すように、実施例１と実施例２とを組み合わせて、一方の蓋部材１３ａの外槽１２側の側壁に窒素ガスノズル２６ａを配設するとともに、各蓋部材１３ａの中央付近にも窒素ガスノズル２６ｂを配設してもよい。また、例えば、図１５（ｂ）の断面図に示すように、実施例３と実施例４とを組み合わせ、各蓋部材１３ａの外槽１２側の側壁に処理液ノズル４３ａを配設し、各蓋部材１３ａの３方向にも外槽１２の上部を取り囲むように処理液ノズル４３ｂを配設してもよい。
【００９０】
また、例えば、図１５（ｃ）の断面図に示すように、実施例１と実施例３とを組み合わせて、一方の蓋部材１３ａの外槽１２側の側壁に窒素ガスノズル２６を配設するとともに、各蓋部材１３ａの３方向に外槽１２の上部を取り囲むように処理液ノズル４３を配設してもよい。また、図１５（ｄ）の断面図に示すように、実施例２と実施例４とを組み合わせて、各蓋部材１３ａの外槽１２側の側壁に処理液ノズル４３を配設し、各蓋部材１３ａの中央付近に窒素ガスノズル２６を配設してもよい。また、各供給系統の形態については各実施例の形態に限定されず、処理槽１０の設計や気泡の発生状況に応じて、適宜変更することができる。
【００９１】
（３）上述した実施例１，２の窒素ガスを、処理液よりも高温にして処理液面に供給してもよい。実施例１〜実施例５では、処理液が７０℃程度であったので、窒素ガスを例えば１００°程度に加熱する。処理液面にある気泡よりも、液面に供給される窒素ガスが高温であるので、その高温の窒素ガスを処理液面に供給することで、気泡が消滅しやすい。また、窒素ガスは不活性ガスであるので、処理液に対して化学反応を起こさず、処理を円滑に行いつつ気泡を消滅させることができる。
【００９２】
（４）上述した実施例１，２では、気泡を処理槽の外部（外槽１２）へ導くために窒素ガスを用いたが、気泡を処理槽の外部へ導く流体であれば特に限定されない。なお、気体の場合には、処理液面に沿って流れるので、気泡を処理槽の外部へ導きやすい。また、気体の場合には、処理液に対して化学反応を起こさないことを鑑みれば、実施例１，２のように窒素ガスなどに代表される不活性ガスを用いるのが好ましい。例えば、ヘリウムやネオンやアルゴンなどに代表される希ガスは不活性ガスであるので、これらのガスのいずれかを用いて、気泡を処理槽の外部へ導いてもよい。また、変形例（３）でも処理液よりも高温の窒素ガスを用いたが、気泡を消滅させるのであれば、窒素ガスに限定されず処理液よりも高温の気体であればよい。この場合においても、処理液に対して化学反応を起こさないことを鑑みれば、処理液よりも高温の不活性ガスを用いるのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】基板処理装置の処理槽における蓋部材の断面図および気泡が内槽から外槽へ導かれる様子を模式的に表した説明図である。
【図３】搬送機構の概略図である。
【図４】実施例１に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。
【図５】実施例２に係る基板処理装置の断面図および気泡が内槽から外槽へ導かれる様子を模式的に表した説明図である。
【図６】蓋部材内に形成された窒素ガス用供給管の側断面図である。
【図７】実施例３に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図８】蓋部材内に形成された処理液用供給管の平面図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、処理液によって気泡が消滅する様子を模式的に表した説明図である。
【図１０】実施例３に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。
【図１１】実施例４に係る基板処理装置の断面図である。
【図１２】蓋部材内に形成された処理液用供給管の平面図である。
【図１３】実施例５に係る基板処理装置の断面図である。
【図１４】蓋部材内に形成された処理液用供給管の平面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、各実施例を組み合わせたときの基板処理装置の断面図である。
【図１６】微小気泡（マイクロバブル）が大量に発生したときの様子を模式的に表した説明図である。
【符号の説明】
【００９４】
１  …  コントローラ
１０  …  処理槽
１１  …  内槽
１２  …  外槽
１３  …  開閉蓋
１３ａ  …  蓋部材
２６  …  窒素ガスノズル
４３  …  処理液ノズル
Ｗ  …  基板
Ｍｂ  …  気泡
【図１】
2006100717.tif 000003
【図２】
2006100717.tif 000004
【図３】
2006100717.tif 000005
【図４】
2006100717.tif 000006
【図５】
2006100717.tif 000007
【図６】
2006100717.tif 000008
【図７】
2006100717.tif 000009
【図８】
2006100717.tif 000010
【図９】
2006100717.tif 000011
【図１０】
2006100717.tif 000012
【図１１】
2006100717.tif 000013
【図１２】
2006100717.tif 000014
【図１３】
2006100717.tif 000015
【図１４】
2006100717.tif 000016
【図１５】
2006100717.tif 000017
【図１６】
2006100717.tif 000018