(57)【要約】【課題】  製造プロセスが比較的簡単で製造コストが安価な横電界方式の液晶表示装置等の電気光学装置、その製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】  一対の基板間１０，２０に電気光学物質３０を挟持し、単位画素内に複数のドットを備えてなる電気光学装置であって、一対の基板の一方１０は、相互に交差する第１配線群４１と第２配線群４７とを有し、複数のドットの各々には、一端が第２配線４７と接続された非線形素子４３と、当該非線形素子４３の他端に接続された画素電極４８と、第１配線４１と電気的に導通され、画素電極４８に対向配置された共通電極４２と、が配設され、当該共通電極４２には、その側部を傾斜させた電極傾斜面７１が形成されていることを特徴とする。【選択図】        図３
2006243316.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質を挟持し、単位画素内に複数のドットを備えてなる電気光学装置であって、
前記一対の基板の一方は、相互に交差する第１配線群と第２配線群とを有し、
前記複数のドットの各々には、
一端が前記第２配線と接続された非線形素子と、
当該非線形素子の他端に接続された画素電極と、
前記第１配線と電気的に導通され、前記画素電極に対向配置された共通電極と、
が配設され、
当該共通電極には、その側部を傾斜させた電極傾斜面が形成されていること、
を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記共通電極の下層には下層絶縁膜が形成されており、
当該下層絶縁膜には、その側部を傾斜させた下層傾斜面が形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記共通電極の上層には上層絶縁膜が形成されており、
当該上層絶縁膜には、その側部を傾斜させた上層傾斜面が形成されていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記共通電極が形成された基板面を基準とする、前記電極傾斜面の傾斜角は、前記下層傾斜面の傾斜角よりも小さいこと、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極と前記共通電極との少なくとも一部は、透明導電膜からなること、
を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
一対の基板間に電気光学物質を挟持し、単位画素内に複数のドットを備えてなる電気光学装置の製造方法であって、
相互に交差する第１配線群と第２配線群とを前記一対の基板の一方に形成する工程と、
一端が前記第２配線と接続される非線形素子と、
前記非線形素子の他端と接続される画素電極と、
前記第１配線と電気的に導通し、前記画素電極に対向配置される共通電極と、
を、前記複数のドットの各々に形成する工程と、
を含み、
前記共通電極の側部を傾斜させた電極傾斜面を形成する工程を含むこと、
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記共通電極の下層に下層絶縁膜を形成する工程を含み、
前記電極傾斜面を形成する工程は、前記共通電極と前記下層絶縁膜の側部に傾斜面を一括して形成すること、
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、
前記電極傾斜面を形成する工程は、
前記上層絶縁膜の側部に上層傾斜面と、
前記共通電極の側部に電極傾斜面と、
前記下層絶縁膜の側部に下層傾斜面と、
を一括して形成すること、
を特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極傾斜面を形成する工程は、
前記共通電極及び前記下層絶縁膜のエッチング処理に利用される混合ガスの混合比を調整して行うこと、
を特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、
前記電極傾斜面を形成する工程は、前記共通電極の上層の上層絶縁膜を除去すること、
を特徴とする請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、
前記第１配線群と前記共通電極とを一括して形成する工程を含み、
前記上層絶縁膜を前記第１配線群の上層に形成すること、
を特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、
前記第１配線群と前記共通電極とを一括して形成する工程は、前記共通電極に導通する第１容量電極を形成し、
前記画素電極を形成する工程は、当該画素電極に導通する第２容量電極を形成し、
前記上層絶縁膜が前記第１容量電極及び前記第２容量電極によって挟持されてなる容量素子を形成すること、
を特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、
前記電極傾斜面を形成する工程は、前記第１配線群の端部における前記上層絶縁膜を除去すること、
を特徴とする請求項６乃至請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置およびその製造方法に関し、特に横電界方式の液晶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式などの液晶表示装置は、２枚の基板間に液晶を封入した構成を有しており、各基板に設けた電極で基板面に垂直な方向に電界を印加することによって液晶分子の配向を制御し、光透過率を変調するものである。これに対し、近年では液晶に印加する電界の方向を基板面に略平行な方向とする方式が知られている（例えば特許文献１参照）。この種の液晶表示装置は、横電界方式、あるいはＩＰＳ（In-Plane Switching）方式などと呼ばれている。
【特許文献１】特開２０００−１６２６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の液晶表示装置では、画素を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたＴＦＴ（Thin Film Transistor）駆動方式を採用している。しかしながら、この液晶表示装置ではＴＦＴ素子を形成するために露光、現像、エッチング処理等を含むフォトリソグラフィー工程や成膜工程を多数回繰り返し行う必要があるため、製造プロセスが長くなり、製造コストが高騰するという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、製造プロセスが比較的簡単で製造コストが安価な横電界方式の液晶表示装置等の電気光学装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
本発明者らは、上記の目的を達成すべく、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin Film Diode,以下、ＴＦＤと略記する、２端子型非線形素子）を用いた横電界方式の電気光学装置を既に出願している。この出願の電気光学装置は、ＴＦＤ素子が金属−絶縁層−金属（Metal-Insulator-Metal）、いわゆるＭＩＭ構造を採っているため、ＴＦＴ素子を用いたものに比べてその構造や製造プロセスが単純である。よって、低コストの電気光学装置を実現することができる。また、このような横電界方式の電気光学装置においては、各々が櫛歯状に形成された画素電極及び共通電極を互いにかみ合うように配設させた画素構成が一般的に知られている。
ところで、本発明者らは、このような画素構成において、基板面からの上記電極の高さが高い場合に、当該電極上に形成された配向膜に液晶の配向を規制するためのラビング処理を行うと、電極の影になる部分が充分にラビングされず、液晶の配向不良が生じ、ひいては光漏れ等の表示不良が生じてしまうという問題を見出した。また、本発明者らは、特に電極上に陽極酸化によって絶縁膜を形成した場合に、当該電極の高さが高くなってしまい、上記の表示不良が顕著に生じてしまうという問題を見出した。
本発明は、このような更なる課題を解決する目的でなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質を挟持し、単位画素内に複数のドットを備えてなる電気光学装置であって、前記一対の基板の一方は、相互に交差する第１配線群と第２配線群とを有し、前記複数のドットの各々には、一端が前記第２配線と接続された非線形素子と、当該非線形素子の他端に接続された画素電極と、前記第１配線と電気的に導通され、前記画素電極に対向配置された共通電極と、が配設され、当該共通電極には、その側部を傾斜させた電極傾斜面が形成されていること、を特徴としている。
【０００７】
ここで、電気光学物質又は電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。したがって、例えば液晶装置や有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置、無機ＥＬ装置に代表される発光装置等を含む概念である。
このように共通電極に電極傾斜面が形成されていることによって、基板面からの共通電極の高さが高い場合であっても、ラビング処理時の当該共通電極の影になる部分がなくなり、共通電極近傍の配向膜に確実にラビング処理を行うことができる。従って、従来において問題となっていた液晶の配向不良を抑制でき、光漏れ等の表示不良を防止できる。
【０００８】
本発明の電気光学装置においては、前記共通電極の下層には下層絶縁膜が形成されており、当該下層絶縁膜には、その側部を傾斜させた下層傾斜面が形成されていること、を特徴としている。
このように、共通電極の下層に下層絶縁膜が形成されている場合であっても、当該下層絶縁膜に下層傾斜面が形成されていることにより、ラビング処理時の共通電極及び下層絶縁膜の影になる部分がなくなり、共通電極近傍の配向膜に確実にラビング処理を行うことができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置においては、前記共通電極の上層には上層絶縁膜が形成されており、当該上層絶縁膜には、その側部を傾斜させた上層傾斜面が形成されていること、を特徴としている。
このように、共通電極の上層に上層絶縁膜が形成されている場合であっても、当該上層絶縁膜に上層傾斜面が形成されていることにより、ラビング処理時の共通電極及び上層絶縁膜の影になる部分がなくなり、共通電極近傍の配向膜に確実にラビング処理を行うことができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置においては、共通電極上の上層に上層絶縁膜が非形成となっていることが好ましい。このようにすれば、上層絶縁膜が形成されていない分だけ基板面からの高さが低くなり、そして、ラビング処理時の当該共通電極の影になる部分がなくなり、共通電極近傍の配向膜に確実にラビング処理を行うことができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置においては、前記共通電極が形成された基板面を基準とする、前記電極傾斜面の傾斜角は、前記下層傾斜面の傾斜角よりも小さいこと、を特徴としている。
このようにすれば、ラビング処理時の共通電極及び下層絶縁膜の影になる部分がなくなると共に、基板面を基準とする傾斜角が基板面から電極傾斜面に向けて徐々に小さくなるので、下層絶縁膜及び共通電極を巨視的に見ると、電極傾斜面及び下層傾斜面がより滑らかに接続された形状を実現できる。
従って、電極傾斜面及び下層傾斜面を単に形成しただけでなく、なめらかな電極傾斜面及び下層傾斜面が形成されるので、共通電極近傍の配向膜へのラビング処理をより確実に行うことができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置においては、前記画素電極と前記共通電極との少なくとも一部は、透明導電膜からなること、を特徴としている。
ここで、画素電極や共通電極の上方の電気光学物質は、当該画素電極と共通電極との間の印加電圧によって、電気光学効果が生じるものとなっている。従って、画素電極及び／又は共通電極の少なくとも一部を透明導電膜によって形成することにより、当該透明導電膜の部分を表示に利用することができ、開口率向上を図ることができる。
ここで、透明導電膜によって形成された画素電極及び／又は共通電極においては、その両端にコンタクト抵抗を低減させる金属膜が形成されていることが好ましい。このようにすれば、コンタクト抵抗を低減させることができ、電圧降下の影響を抑制できる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板間に電気光学物質を挟持し、単位画素内に複数のドットを備えてなる電気光学装置の製造方法であって、相互に交差する第１配線群と第２配線群とを前記一対の基板の一方に形成する工程と、一端が前記第２配線と接続される非線形素子と、前記非線形素子の他端と接続される画素電極と、前記第１配線と電気的に導通し、前記画素電極に対向配置される共通電極と、を、前記複数のドットの各々に形成する工程と、を含み、前記共通電極の側部を傾斜させた電極傾斜面を形成する工程を含むこと、を特徴としている。
このように共通電極に電極傾斜面を形成する工程を有することにより、基板面からの共通電極の高さが高い場合であっても、ラビング処理時の当該共通電極の影になる部分がなくなり、共通電極近傍の配向膜に確実にラビング処理を行うことができる。従って、従来において問題となっていた液晶の配向不良を抑制でき、光漏れ等の表示不良を防止できる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記共通電極の下層に下層絶縁膜を形成する工程を含み、
前記電極傾斜面を形成する工程は、前記共通電極と前記下層絶縁膜の側部に傾斜面を一括して形成すること、を特徴としている。
このようにすれば、下層絶縁膜における下層傾斜面と共通電極における電極傾斜面とを、別工程で各々形成することなく、一括して両者を形成することができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、前記電極傾斜面を形成する工程は、前記上層絶縁膜の側部に上層傾斜面と、前記共通電極の側部に電極傾斜面と、前記下層絶縁膜の側部に下層傾斜面と、を一括して形成すること、を特徴としている。
このようにすれば、上層絶縁膜における上層傾斜面と共通電極における電極傾斜面とを、別工程で各々形成することなく、一括して両者を形成することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記電極傾斜面を形成する工程は、前記共通電極及び前記下層絶縁膜のエッチング処理に利用される混合ガスの混合比を調整して行うこと、を特徴としている。
また、本発明においては、混合ガスを構成する複数のガス種のうち、一のガス種が混合ガスの総流量に占める割合を調整することにより、エッチング処理を行うことが好ましい。また、当該一のガス種は酸素（Ｏ２）であることが好ましく、共通電極を構成する材料は金属或いは金属合金であることが好ましく、下層絶縁膜を構成する材料は金属酸化膜であることが好ましい。
【００１７】
このようにすれば、混合ガスの総流量に占める一のガス種（酸素）の割合が、所定値よりも多い場合には、共通電極のエッチングレートを抑制しながら、共通電極及び下層絶縁膜をエッチングすることが可能となる。これにより、共通電極が形成された基板面を基準とする、電極傾斜面の傾斜角と、下層傾斜面の傾斜角とを略同じにすることができる。
また、混合ガスの総流量に占める一のガス種（酸素）の割合が、所定値よりも少ない場合には、共通電極のエッチングレートを促進させながら共通電極及び下層絶縁膜をエッチングすることが可能となる。また、換言すれば、エッチング処理において共通電極を後退させながら下層絶縁膜をエッチングすることが可能となる。これにより、共通電極が形成された基板面を基準とする、電極傾斜面の傾斜角を、下層傾斜面の傾斜角よりも小さくすることができる。
従って、このように混合ガスの混合比を調整してエッチング処理を行うことにより、同一工程によって、一括的に共通電極と下層絶縁膜の断面形状を異ならせて形成することができる。そして、基板面を基準とする、電極傾斜面の傾斜角や下層傾斜面の傾斜角を容易に制御することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、前記電極傾斜面を形成する工程は、前記共通電極の上層の上層絶縁膜を除去すること、を特徴としている。
ここで、当該共通電極の上層における上層絶縁膜を除き、他の上層絶縁膜にはマスクを形成することで、共通電極における上層絶縁膜のみを除去することが好ましい。これにより、当該上層絶縁膜を限定的に除去することができる。
また、本発明によれば、同一工程によって共通電極に電極傾斜面を形成すると共に、上層絶縁膜を除去することができる。これにより、上層絶縁膜が除去された分だけ基板面からの高さが低くなり、そして、ラビング処理時の当該共通電極の影になる部分がなくなり、共通電極近傍の配向膜に確実にラビング処理を行うことができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、前記第１配線群と前記共通電極とを一括して形成する工程を含み、前記上層絶縁膜を前記第１配線群の上層に形成すること、を特徴としている。
このように第１配線群の上層に上層絶縁膜が形成されることにより、第２配線群は上層絶縁膜を介して第１配線群と交差することとなる。これにより、第１配線群と第２配線群との絶縁性を確実に得ることができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、前記第１配線群と前記共通電極とを一括して形成する工程は、前記共通電極に導通する第１容量電極を形成し、前記画素電極を形成する工程は、当該画素電極に導通する第２容量電極を形成し、前記上層絶縁膜が前記第１容量電極及び前記第２容量電極によって挟持されてなる容量素子を形成すること、を特徴としている。
このようにすれば、第１容量電極のみ、或いは第２容量電極のみ、を別工程で形成する必要がなく、工程を増やすことなく容量素子を形成することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記共通電極の上層に上層絶縁膜を形成する工程を含み、前記電極傾斜面を形成する工程は、前記第１配線群の端部における前記上層絶縁膜を除去すること、を特徴としている。
このようにすれば、第１配線群の各々の端部が露出した状態となるので、当該露出した端子と、ドライバ回路等の周辺回路から延出する回路配線の端子とを、高導電性を維持しつつ接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
〔第１の実施の形態〕
以下、本発明の第１の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）の概略構成図である。本実施形態の液晶表示装置は、ＩＰＳ方式、すなわち横電界方式の液晶表示装置である。従来の垂直駆動方式の液晶表示装置は、２枚の基板間に挟持された液晶に対して、基板面に垂直な方向に駆動電界を与えて液晶分子の配向を制御している。これに対して、横電界方式の液晶表示装置では、電極構造が形成された基板側において、基板面に略平行な方向に駆動電界を発生させて液晶分子の配向を制御している。
なお、以下の各図面においては、各構成要素や部材を見やすくするため、寸法や縮尺を適宜異ならせてある。
【００２３】
（液晶表示装置の構成）
図１は、本実施形態の液晶表示装置の構成を説明するための断面図である。
図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１００は、シール材３を介して貼り合わされた下側基板１０と上側基板２０との間に液晶層（電気光学物質）３０が封入されて構成されている。なお、下側基板１０は、後述する横電界方式の電極構造が形成される側の基板であるから、「電極基板」と呼ぶ場合もある。下側基板１０は、ガラス基板等の透明基板１１を備え、その透明基板１１の内面（液晶層側の面）側に後述する横電界方式の電極構造１が形成されている。また、電極構造１上には配向膜１３が形成されている。一方、上側基板２０は、同様にガラス基板等の透明基板２１を備え、その内面側に基板側からカラーフィルター２２、配向膜２３が順次形成されている。上記の電極構造１により、矢印で示すように横方向の電界Ｅが形成され、その電界Ｅにより液晶層３０内の液晶分子の配向が制御される。
【００２４】
次に、図２及び図３を参照し、下側基板１０上の電極構造について説明する。
図２は１つの画素の平面図、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
液晶表示装置１００においては、下側基板１０上には複数の画素がマトリクス状に形成されており、１つの画素（単位画素）はＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３色の異なる色の表示を行う３つのドット（複数のドット）によって構成されている。
【００２５】
ここで、１つのドットに着目すると、図２に示すように、図中縦方向に共通電極線（第１配線）４１が延在し、図中横方向に信号線（第２配線）４７が延在し、当該共通電極線４１及び信号線４７は、相互に交差するように設けられている。
また、共通電極線４１においては、その途中から分岐して共通電極４２が形成されている。これら共通電極線４１及び共通電極４２は、例えばタンタル（Ｔａ）等の金属から構成されている。更に、共通電極４２は、共通電極線４１から分岐して横方向に延びる延出部４２ａと、当該延出部４２ａからさらに分岐して縦方向に延びる２本の電極枝部４２ｂとを有している。この中で電極枝部４２ｂが主に共通電極として機能する。
【００２６】
また、図２に示すように、１つのドットにおける共通電極線４１と信号線４７の交差部の近傍にはＴＦＤ素子（非線形素子）４３が形成されている。
ＴＦＤ素子４３の概略構成としては、下部電極と上部電極との間に絶縁膜が挟持されたものとなっている。ＴＦＤ素子４３を具体的に説明すると、図３（ａ）に示すように下部電極４４と、下部電極４４の上面を覆う素子絶縁膜４６と、素子絶縁膜４６を介して下部電極４４と対向するように設けられた号線４７及び画素電極４８とによってＴＦＤ素子４３は構成されている。即ち、本実施形態では、信号線４７や画素電極４８がそのままＴＦＤ素子４３の上部電極として機能しているが、信号線４７や画素電極４８と電気的に接続された上部電極を別途設けてもよい。このようなＴＦＤ素子４３は、２つのダイオードが背中合わせに接続された、いわゆるバック・トゥー・バック（Back-to-Back）構造のＴＦＤ素子となっている。
【００２７】
また、ＴＦＤ素子４３を構成する下部電極４４の一端側には、下部電極４４と交差するように信号線４７が形成されている。一方、下部電極４４の他端側には、下部電極４４と交差するように画素電極４８が形成されている。画素電極４８は、図中下部電極４４と交差する側で横方向に延びる延出部４８ａと、この部分４８ａから分岐して縦方向に延びる２本の電極枝部４８ｂと、下部電極４４と交差する側と反対側で横方向に延びる延出部４８ｃとを有している。この中で電極枝部４８ｂが主に画素電極として機能する。信号線４７および画素電極４８は、例えばクロム（Ｃｒ）等の金属から構成されている。
【００２８】
図２に示すように、共通電極４２の延出部（第１容量電極）４２ａと、画素電極４８の延出部（第２容量電極）４８ｃとの一部は、平面的に重なるように配置されている。この部分では、共通電極４２と画素電極４８ｃとが、例えばタンタル酸化膜等からなる厚い上層絶縁膜４９を介して対向しており、保持容量（容量素子）５０を構成している。また、この部分に比べると面積は小さいが、共通電極４２の電極枝４２ｂの先端と、画素電極４８の延出部４８ａも平面的に一部重なっており、前述の箇所と同様に保持容量（容量素子）５０ｂを構成している。
また、共通電極４２の電極枝部４２ｂ、及び画素電極４８の電極枝部４８ｂは、図中縦方向に延在し、両者は等間隔で対向して配設されている。
【００２９】
また、図３（ａ）に示すように、ＴＦＤ素子４３、信号線４７、共通電極線４１、共通電極４２、画素電極４８等は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、タンタル酸化膜等からなる下地絶縁膜（下層絶縁膜）５１上に形成されている。
また、図３（ｂ）に示すように、共通電極４２の電極枝部４２ｂ、及び画素電極４８の電極枝部４８ｂは、下地絶縁膜５１上に配設されている。また、当該電極枝部４２ｂ、４８ｂを除く部分では、下地絶縁膜５１は除去されており、下側基板１０の表面が露出している。
【００３０】
また、共通電極４２の電極枝部４２ｂの上層には上層絶縁膜４９が設けられている。そして、本実施形態においては、下地絶縁膜５１、電極枝部４２ｂ、及び上層絶縁膜４９の各々の側部に傾斜面が形成されたものとなっている。当該傾斜面は、下地絶縁膜５１の側部に設けられた下層傾斜面７０、電極枝部４２ｂの側部に設けられた電極傾斜面７１、及び上層絶縁膜４９の側部に設けられた上層傾斜面７２からなる。当該傾斜面の各々は、下側基板１０の表面（基板面）を基準として、鋭角の傾きを有するものとなっている。更に、下層傾斜面７０と電極傾斜面７１との接続部、電極傾斜面７１と上層傾斜面７２との接続部、の表面は連続的に接続されており、全体的には滑らかな面を有するものとなっている。このような傾斜面は、平均が４０°〜６０°の角度となるように形成されている。
また、画素電極４８の電極枝部４８ｂと、当該電極枝部４８ｂの下層の下地絶縁膜５１とにおいても、両者の側部には傾斜面が形成されたものとなっている。
【００３１】
次に、本実施形態における各部の膜厚について説明する。
本実施形態においては、下地絶縁膜５１の膜厚を１００ｎｍ、共通電極４２（共通電極線４１を含む）の膜厚を８０ｎｍ、上層絶縁膜４９の膜厚を２００ｎｍ、画素電極４８の膜厚を２００ｎｍとしている。これにより、下地絶縁膜５１、共通電極４２の電極枝部４２ｂ、及び上層絶縁膜４９の合計の膜厚は、４００ｎｍとなっている。また、下地絶縁膜５１と画素電極４８の電極枝部４８ｂの合計の膜厚は、３００ｎｍとなっている。
【００３２】
以上の電極構成において、共通電極線４１を通じて共通電極４２に駆動電圧を印加する一方、信号線４７に所定の走査電圧を印加すると、ＴＦＤ素子４３がオンして画素電極４８に走査電圧が印加される。このようにして、画素電極４８の電極枝部４８ｂと共通電極４２の電極枝部４２ｂとの間で横電界が発生し、例えばともに縦方向に延びる画素電極４８の電極枝４８ｂと共通電極４２の電極枝４２ｂとの間に位置する液晶が横電界Ｅで駆動される。
【００３３】
（液晶表示装置の製造方法）
次に、上記構成の液晶表示装置１００、特に本発明において特徴的な電極構造を持つ下側基板１０の製造方法について図４〜図９を用いて説明する。図４（ａ）〜図９（ａ）は１つのドットの平面図、図４（ｂ）〜図９（ｂ）は断面図であって、同じ図番の図面が同じ工程に対応している。
まず、最初に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板等の透明基板１１を用意し、この透明基板１１上にタンタル酸化膜等からなる下地絶縁膜５１、タンタル膜６０をスパッタ法等により順次成膜する。
ここで、下地絶縁膜５１の膜厚は１００ｎｍとなるように形成する。タンタル膜６０の膜厚は、陽極酸化処理後の膜厚減少を考慮して、当該陽極酸化処理後に８０ｎｍとなるようにこれよりも厚膜で形成する。
【００３４】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術によりタンタル膜６０をパターニングし、図示するような金属パターン６１（導電パターン）を形成する。この金属パターン６１は、後に共通電極線４１や共通電極４２となる第１金属パターン６１ａと、後にＴＦＤ素子４３の下部電極４４となる第２金属パターン６１ｂと、後に除去される第３金属パターン６１ｃとからなる。従って、金属パターン６１を形成することにより、共通電極４２、共通電極線４１、及び下部電極４４を一括して形成することとなる。
また、ここでは、１回目の陽極酸化処理によって、これらの上に一括して絶縁膜を形成するため、この時点では繋がった一つの金属パターンとしておく。
【００３５】
更に、金属パターン６１に対して陽極酸化処理を施し、当該金属パターン６１を覆うようにタンタル酸化膜からなる第１陽極酸化膜４６を形成する。ここで、陽極酸化処理の条件としては、１０〜１２Ｖの電圧に設定することで行われる。これにより、２０〜３０ｎｍの膜厚からなる第１陽極酸化膜４６が金属パターン６１の表面全てに形成される。
【００３６】
次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して第３金属パターン６１ｃのみを除去し、第１金属パターン６１ａと第２金属パターン６１ｂとを非導通にする。
更に、陽極酸化処理を行い、第１金属パターン６１ａのみを覆うようにタンタル酸化膜からなる第２陽極酸化膜４６’を形成する。ここで、陽極酸化処理の条件としては、１００〜２５０Ｖの電圧に設定することで行われる。これにより、１００〜２５０ｎｍの膜厚からなる第２陽極酸化膜４６’が第１金属パターン６１ａのみに形成される。このような第１金属パターン６１ａには、第１陽極酸化膜４６及び第２陽極酸化膜４６’が積層形成され、上層絶縁膜４９を構成するものとなる。
【００３７】
また、上記のように第３金属パターン６１ｃが除去されていることから、第１金属パターン６１ａと第２金属パターン６１ｂとは非導通であるため、従って、第２金属パターン６１ｂには陽極酸化処理が施されず、図５によって形成された第１陽極酸化膜４６のみが形成されたものとなっている。このような第１陽極酸化膜４６は、上記の素子絶縁膜４６を構成するものとなる。
【００３８】
このように図５及び図６に示した工程を施すことにより、第１金属パターン６１ａは、図中縦方向に延在する共通電極線４１と、共通電極４２（延出部４２ａ、電極枝部４２ｂ）となる。また、第２金属パターン６１ｂは、下部電極４４となる。また、これらは下地絶縁膜５１上に形成されることとなる。
【００３９】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクＭを下側基板１０上に形成する。
マスクＭは、下側基板１０の全面に塗布された感光性レジストに、露光・現像が施されて形成されたマスク開口部Ｍａを有している。
当該マスクＭは、共通電極線４１上の上層絶縁膜４９と、下部電極４４上に形成された素子絶縁膜４６と、後に画素電極４８の電極枝部４８ｂが形成される下側電極５１の領域と、後に信号線４７が形成される下側電極５１の領域と、共通電極４２における電極枝部４２ｂの直上の上層絶縁膜４９とを被覆している。
また、マスク開口部Ｍａは、ドット内における光透過領域と、電極枝部４２ｂの直上の上層絶縁膜４９を除く部分と、下側基板１０の周辺部における共通電極線４１の端部に形成された上層絶縁膜４９と、を露出させている。
【００４０】
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクＭを介在させてドライエッチング処理を施す。当該ドライエッチング処理ではエッチングガスとしてＳＦ６とＯ２の混合ガスを用い、ＲＦパワー：１２００〜１５００Ｗ、ガス流量：５００〜９００sccm、圧力：７０〜１２０mTorrのエッチング条件を設定する。また、ＳＦ６とＯ２の混合ガスの混合比の調整は、全流量に対するＯ２ガスが占める割合を調整することにより行われる。そして、当該Ｏ２ガスが占める割合を調整することにより、下地絶縁膜５１、電極枝部４２ｂ、及び上層絶縁膜４９の各々の傾斜角を所望に調整することが可能となる。
このような条件において、ドライエッチング処理を施すと、マスク開口部Ｍａによって開口された部分のみが除去される。
【００４１】
更に、ドライエッチング処理が終了した後には、マスクＭを除去する。マスクＭの除去方法としては、ウエットアッシング法、ドライアッシング法、或いは、ドライアッシング法により硬化したマスクＭの表面を除去（ライトアッシング）した後にウエットアッシング法により全て除去する方法が用いられる。特に、ドライアッシング法や、ライトアッシングを行う方法は、同一チャンバ内でドライエッチング処理に引き続き行うことが可能となるため、工程の簡略化の面で好ましい。ドライアッシング法や、ライトアッシングは、マスクＭをＯ２プラズマに曝すこと行われる。
【００４２】
このような上記のドライエッチング及びアッシングを行うと、図８に示すように、光透過領域に位置する下地絶縁膜５１と、電極枝部４２ｂの下層に位置する下地絶縁膜５１の側部と、電極枝部４２ｂの側部と、電極枝部４２ｂの上層に位置する上層絶縁膜４９の側部と、の各々が一括してエッチングされる。更に、共通電極線４１の端部に形成された上層絶縁膜４９がエッチングされるので、当該端部では共通電極線４１が露出した状態となる。
そして、図８（ｂ）に示すように、電極枝部４２ｂと、当該電極枝部４２ｂの下層の下地絶縁膜５１と、上層絶縁膜４９との各々の側部には傾斜面が形成される。当該傾斜面は、下地絶縁膜５１の側部に設けられた下層傾斜面７０、電極枝部４２ｂの側部に設けられた電極傾斜面７１、及び上層絶縁膜４９の側部に設けられた上層傾斜面７２からなる。当該傾斜面の各々は、下側基板１０の表面（基板面）を基準として、鋭角の傾きを有するものとなっている。更に、下層傾斜面７０と電極傾斜面７１との接続部、電極傾斜面７１と上層傾斜面７２との接続部、の表面は連続的に接続されており、全体的には滑らかな面を有するものとなっている。このような傾斜面は、４０°〜６０°となるように形成されている。
【００４３】
次に、２００ｎｍの膜厚のクロム膜をスパッタ法により成膜した後、図９（ａ）、（ｂ）に示すようにクロム膜のパターニングを行い、信号線４７および画素電極４８を形成する。このとき、共通電極４２と画素電極４８とが平面的に重なる部分において、上層絶縁膜４９を介在させた保持容量５０，５０ｂが形成される。
【００４４】
ここで、画素電極４８の電極枝部４８ｂは、図８におけるドライエッチング処理によって形成された島状の下地絶縁膜５１上に形成される。当該下地絶縁膜５１は、下側基板１０の表面を基準として鋭角の傾きを有するものである。そして、当該下地絶縁膜５１上に、側部が傾斜している電極枝部４８ｂを形成することで、画素電極４８の電極枝部４８ｂと、当該電極枝部４８ｂの下層の下地絶縁膜５１との両者には、滑らかな面を有する傾斜面が形成されたものとなる。
その後、下側基板１０上にポリイミド膜を成膜し、その表面をラビング処理することによって配向膜１３を形成する。以上の工程によって、下側基板１０が完成する。
【００４５】
一方、上側基板２０については、詳細な製造方法の説明を省略するが、ガラス基板等の透明基板２１上にカラーフィルター２２、配向膜２３を形成することによって製造することができる。
そして、完成した下側基板１０と上側基板２０とをシール材を介して貼り合わせ、液晶を封入することによって本実施形態の液晶表示装置１００が完成する。
【００４６】
本実施形態の液晶表示装置１００、及び液晶表示装置１００の製造方法においては、下地絶縁膜５１の側部に下層傾斜面７０、電極枝部４２ｂの側部に電極傾斜面７１、及び上層絶縁膜４９の側部に上層傾斜面７２が各々形成されているので、下側基板１０の表面からの共通電極４２の高さが高い場合であっても、ラビング処理時の当該共通電極４２の影になる部分がなくなり、共通電極４２の近傍の配向膜１３に確実にラビング処理を行うことができる。従って、従来において問題となっていた液晶の配向不良を抑制でき、光漏れ等の表示不良を防止できる。
更に、下層傾斜面７０と電極傾斜面７１との接続部、電極傾斜面７１と上層傾斜面７２との接続部、の表面が連続的に接続され、全体的には滑らかな面を有するものとなっているので、共通電極４２近傍の配向膜１３に確実にラビング処理を行うことができる。
更に、画素電極４８の電極枝部４８ｂと、当該電極枝部４８ｂの下層の下地絶縁膜５１とにおいても、両者の側部には傾斜面が形成されたものとなっているので、画素電極４８の近傍の配向膜１３に確実にラビング処理を行うことができる。
【００４７】
また、液晶表示装置１００の製造方法においては、金属パターン６１を形成することから、共通電極線４１や共通電極４２を一括して形成することができる。また、共通電極線４１上に上層絶縁膜４９を形成し、当該上層絶縁膜４９にマスクＭを被覆してエッチング処理を行っていることから、共通電極線４１上の上層絶縁膜４９を残留させ、当該上層絶縁膜４９によって共通電極線４１と信号線４７とを確実に絶縁させることができる。
【００４８】
また、共通電極４２を形成する工程及び画素電極４８を形成する工程により、共通電極４２の延出部４２ａと、画素電極４８の延出部４８ｃとの一部が平面的に重なるように配置されるので、保持容量５０を容易に形成することができる。従って、保持容量５０を形成するための別工程を省くことができ、工程の簡略化を実現できる。
【００４９】
〔第２の実施の形態〕
以下、本発明の第２の実施の形態について、図面を用いて説明する。
本実施形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、第１の実施形態と異なる点は製造プロセスの変更により画素電極の断面構造が変わったことのみである。従って、以下では図１０〜図１３を用いて異なる部分のみを説明し、共通部分の説明を省略する。また、図１０（ａ）〜図１３（ａ）は画素の平面図、図１０（ｂ）〜図１３（ｂ）は断面図であり、図４（ａ）〜図９（ａ）、図４（ｂ）〜図９（ｂ）と共通の構成要素には同一の符号を付す。
【００５０】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、図４（ａ）〜図６（ａ）、図４（ｂ）〜図６（ｂ）までが上述の第１の実施の形態と同一であり、それ以降の工程のみが異なっている。
従って、まず、図４（ａ）〜図６（ａ）、図４（ｂ）〜図６（ｂ）に示すように、下地絶縁膜５１上に、共通電極線４１、共通電極４２（延出部４２ａ、電極枝部４２ｂ）、下部電極４４、素子絶縁膜４６、及び上層絶縁膜４９を形成する。
次に、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクＭを下側基板１０上に形成する。
マスクＭは、下側基板１０の全面に塗布された感光性レジストに、露光・現像が施されて形成されたマスク開口部Ｍａを有している。
当該マスクＭは、共通電極線４１上の上層絶縁膜４９と、下部電極４４上に形成された素子絶縁膜４６と、後に画素電極４８の電極枝部４８ｂが形成される下側電極５１の領域と、後に信号線４７が形成される下側電極５１の領域とを被覆している。
また、マスク開口部Ｍａは、ドット内における光透過領域と、下側基板１０の周辺部における共通電極線４１の端部に形成された上層絶縁膜４９と、２本の電極枝部４２ｂのうちドットの中央に位置する電極枝部４２ｂ上に形成された上層絶縁膜４９と、を露出させている。また、換言すれば、マスク開口部Ｍａは、２本の電極枝部４２ｂのうちドットの中央に位置する電極枝部４２ｂのみを跨ぐように形成されている。
ここで、ドットの右側に位置する電極枝部４２ｂの直上の上層絶縁膜４９は、マスクＭによって被覆されている。換言すれば、隣接するドットに近い側の電極枝部４２ｂにおいては、その直上の上層絶縁膜４９にマスクＭが被覆されている。
【００５１】
次に、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクＭを介在させてドライエッチング処理を施す。当該ドライエッチング処理の条件としては、第１の実施の形態と同様の条件が採用される。そして、上記と同様に、Ｏ２ガスが占める割合を調整することにより、下地絶縁膜５１、電極枝部４２ｂ、及び上層絶縁膜４９の各々の傾斜角を所望に調整することが可能となる。
このような条件において、ドライエッチング処理を施すと、マスク開口部Ｍａによって開口された部分のみが除去される。
【００５２】
更に、ドライエッチング処理が終了した後には、アッシングによりマスクＭを除去する。上記の処理を行うと、図１１に示すように、光透過領域に位置する下地絶縁膜５１と、ドットの中央に位置する電極枝部４２ｂとが一括してエッチングされる。更に、ドットの右側における下地絶縁膜５１の側部と、電極枝部４２ｂの側部と、上層絶縁膜４９の側部と、の各々が一括してエッチングされる。ここで、ドットの中央の電極枝部４２ｂは、下層の下地絶縁膜５１のマスクとして機能しつつ、後退しながらエッチングされる。これにより、電極枝部４２ｂによってマスキングされた下層の下地絶縁膜５１は、残留することととなる。更に、共通電極線４１の端部に形成された上層絶縁膜４９がエッチングされるので、当該端部では共通電極線４１が露出した状態となる。
そして、図１１（ｂ）に示すように、マスクＭによって被覆された下地絶縁膜５１と、ドットの中央の電極枝部４２ｂによって被覆された下地絶縁膜５１とが残留し、更に、ドットの右側においては、電極枝部４２ｂと、当該電極枝部４２ｂの下層の下地絶縁膜５１と、上層絶縁膜４９との各々の側部に傾斜面が形成される。当該傾斜面は、下地絶縁膜５１の側部に設けられた下層傾斜面７０、電極枝部４２ｂの側部に設けられた電極傾斜面７１、及び上層絶縁膜４９の側部に設けられた上層傾斜面７２からなる。当該傾斜面の各々は、下側基板１０の表面（基板面）を基準として、鋭角の傾きを有するものとなっている。更に、下層傾斜面７０と電極傾斜面７１との接続部、電極傾斜面７１と上層傾斜面７２との接続部、の表面は連続的に接続されており、全体的には滑らかな面を有するものとなっている。このような傾斜面は、４０°〜６０°となるように形成されている。
【００５３】
次に、２００ｎｍの膜厚のクロム膜をスパッタ法により成膜した後、図１２（ａ）、（ｂ）に示すようにクロム膜のパターニングを行う。これにより、当該クロム膜は、延出部４８ａ，４８ｃと、延出部４２ａからドットの内側に膨出している膨出部４２ｃと、ドットの右側に位置する電極枝部４２ｂの先端部４２ｄと、当該電極枝部４２ｂと延出部４２ａとの接続部４２ｅと、共通電極線４１と共通電極線４１と延出部４２ａとの接続部４２ｆと、当該接続部４２ｆから信号線４７に向けて電極枝部４２ｂの長さ分だけ離れた線上部４１ａと、に形成される。
【００５４】
次に、７０ｎｍの膜厚の透明導電膜をスパッタ法により成膜した後、図１２（ａ）、（ｂ）に示すようにクロム膜のパターニングを行う。透明導電膜としては、インジウム錫酸化物膜（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）が好適に選択される。このようなにＩＴＯ膜がパターニングされることにより、当該ＩＴＯ膜は、画素電極４８の電極枝部４８ｂと、共通電極４２の電極枝部４２ｂとして機能することとなる。
具体的には、下地絶縁層５１上における延出部４８ａ，４８ｃの間に形成されたＩＴＯ膜が画素電極４８の電極枝部４８ｂとなる。また、先端部４２ｄと接続部４２ｅとの間、と、膨出部４２ｃから延出部４８ａに向けて伸びると共に延出部４８ａに非接触な部分までの間、が共通電極４２の電極枝部４２ｂとなる。また、線上部４１ａと接続部４２ｆとの間に形成されたＩＴＯ膜は、電極枝部４８ｂと対向配置しており、電極枝部４２ｂと電極枝部４８ｂとの間に生じる電界と同様の電界が電極枝部４８ｂとの間で生じるので、実質的に電極枝部４２ｂと同様の機能を有することとなる。
【００５５】
次に、下側基板１０上にポリイミド膜を成膜し、その表面をラビング処理することによって配向膜１３を形成する。以上の工程によって、下側基板１０が完成する。
一方、上側基板２０については、詳細な製造方法の説明を省略するが、ガラス基板等の透明基板２１上にカラーフィルター２２、配向膜２３を形成することによって製造することができる。
そして、完成した下側基板１０と上側基板２０とをシール材を介して貼り合わせ、液晶を封入することによって本実施形態の液晶表示装置１００が完成する。
【００５６】
本実施形態の液晶表示装置１００、及び液晶表示装置１００の製造方法においては、画素電極４８の電極枝部４８ｂと、共通電極４２の電極枝部４２ｂとが透明導電膜のＩＴＯ膜によって構成されていることから、画素電極４８や共通電極４２の直上で駆動する液晶も表示に寄与させることができ、ＩＴＯ膜を透過する光を表示に利用することができる。従って、ＩＴＯ膜の部分を表示に利用することで、開口率向上を図ることができる。
また、ＩＴＯ膜はタンタル膜と直接接触することで、当該接触面におけるコンタクト抵抗が増加するという特性を有している。そこで、本実施形態においては、上記のようにクロム膜を形成し、当該クロム膜を介してＩＴＯ膜とタンタル膜とを接触させている。これにより、コンタクト抵抗を低減させることができ、電圧降下の影響を抑制できる。
また、ドットの右側において、共通電極４２の電極枝部４２ｂを残留させ、当該電極枝部４２ｂ上にＩＴＯ膜を形成しているが、このようにすることによって電極枝部４２ｂが遮光膜として機能し、隣接するドットの表示への影響を抑制することができる。従って、コントラストの向上を図ることができる。
【００５７】
〔第３の実施の形態〕
以下、本発明の第３の実施の形態について、図面を用いて説明する。
本実施形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施形態と同様であり、第１の実施形態と異なる点は製造プロセスの変更により画素電極の断面構造が変わったことのみである。従って、以下では図１４〜図１６を用いて異なる部分のみを説明し、共通部分の説明を省略する。また、図１４（ａ）〜図１６（ａ）は画素の平面図、図１４（ｂ）〜図１６（ｂ）は断面図であり、図４（ａ）〜図９（ａ）、図４（ｂ）〜図９（ｂ）と共通の構成要素には同一の符号を付す。
【００５８】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、図４（ａ）〜図６（ａ）、図４（ｂ）〜図６（ｂ）までが上述の第１の実施の形態と同一であり、それ以降の工程のみが異なっている。
従って、まず、図４（ａ）〜図６（ａ）、図４（ｂ）〜図６（ｂ）に示すように、下地絶縁膜５１上に、共通電極線４１、共通電極４２（延出部４２ａ、電極枝部４２ｂ）、下部電極４４、素子絶縁膜４６、及び上層絶縁膜４９を形成する。
次に、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクＭを下側基板１０上に形成する。
マスクＭは、下側基板１０の全面に塗布された感光性レジストに、露光・現像が施されて形成されたマスク開口部Ｍａを有している。
当該マスクＭは、共通電極線４１上の上層絶縁膜４９と、下部電極４４上に形成された素子絶縁膜４６と、後に画素電極４８の電極枝部４８ｂが形成される下側電極５１の領域と、後に信号線４７が形成される下側電極５１の領域とを被覆している。
マスク開口部Ｍａは、ドット内における光透過領域と、電極枝部４２ｂ上の上層絶縁膜４９と、下側基板１０の周辺部における共通電極線４１の端部に形成された上層絶縁膜４９と、を露出させている。従って、本実施形態においては、共通電極４２における２本の電極枝部４２ｂの直上の上層絶縁膜４９を露出させている。
【００５９】
次に、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクＭを介在させてドライエッチング処理を施す。当該ドライエッチング処理の条件としては、混合ガスの混合比の条件を除き、同様の条件が採用される。そして、ＳＦ６とＯ２の混合ガスの混合比の調整は、全流量に対するＯ２ガスが占める割合を調整することにより行われる。そして、当該Ｏ２ガスが占める割合を調整することにより、下地絶縁膜５１及び電極枝部４２ｂの各々の傾斜角を所望に調整することが可能となる。
このような条件において、ドライエッチング処理を施すと、マスク開口部Ｍａによって開口された部分のみが除去される。
【００６０】
更に、ドライエッチング処理が終了した後には、アッシングによりマスクＭを除去する。上記の処理を行うと、図１５に示すように、光透過領域に位置する下地絶縁膜５１と、電極枝部４２ｂの下層に位置する下地絶縁膜５１の側部と電極枝部４２ｂの側部と、の各々が一括してエッチングされる。また、電極枝部４２ｂの上層に位置する上層絶縁膜４９が除去される。更に、共通電極線４１の端部に形成された上層絶縁膜４９がエッチングされるので、当該端部では共通電極線４１が露出した状態となる。
そして、図１５（ｂ）に示すように、下地絶縁膜５１及び電極枝部４２ｂの各々の側部に傾斜面が形成される。当該傾斜面は、下地絶縁膜５１の側部に設けられた下層傾斜面７０と、電極枝部４２ｂの側部に設けられた電極傾斜面７１とからなる。当該傾斜面の各々は、下側基板１０の表面（基板面）を基準として、鋭角の傾きを有するものとなっている。更に、下層傾斜面７０と電極傾斜面７１との接続部の表面は連続的に接続されており、その断面は、直線状となっている。このような傾斜面は、６０°〜７０°となるように形成されている。
【００６１】
ここで、図１７を参照して、混合ガスの混合比と、タンタル膜（共通電極４２）及びタンタル酸化膜（下地絶縁膜５１）のドライエッチングレートとの関係について説明し、下地絶縁膜５１及び電極枝部４２ｂの各々の傾斜角について説明する。
図１７は、ドライエッチング処理においてＳＦ６とＯ２の混合ガスに含まれるＯ２ガスが占める割合を変化させた場合の、タンタル膜（Ｔａ）及びタンタル酸化膜（ＴａＯｘ）の各々のドライエッチングレート（以下、Ｄ／Ｅレートと称する）を示す図である。
図１７に示すように、タンタル酸化膜のＤ／Ｅレートは、Ｏ２ガスの割合が変化しても、２．５〜３．０（ｎｍ／ｓｅｃ）の範囲の値となり、大きく変動しないことが分かる。一方、タンタル膜のＤ／Ｅレートは、Ｏ２ガスの割合が１６％〜２８％まで変化すると、５．０〜約３．５（ｎｍ／ｓｅｃ）まで減少することがわかる。
従って、タンタル膜及びタンタル酸化膜の両者に対して一括してドライエッチング処理を施す際に、Ｏ２ガスの割合を異ならせることで、タンタル膜及びタンタル酸化膜のエッチング選択性を所望に制御することが可能となる。即ち、Ｏ２ガスの割合を減少させることで積極的にタンタル膜をエッチングすることが可能となり、Ｏ２ガスの割合を増加させることでタンタル膜のエッチングを抑制することが可能となる。
【００６２】
そして、本実施形態においては、タンタル膜からなる電極枝部４２ｂと、タンタル酸化膜からなる下地絶縁膜５１とを一括してエッチングする際に、Ｏ２ガスの割合を増加させて、電極枝部４２ｂのＤ／Ｅレートを抑制しながら、下地絶縁膜５１をエッチングしている。これにより、下層傾斜面７０と電極傾斜面７１との接続部の表面が連続的に接続させた直線状の傾斜面を形成することが可能となり、その傾斜面を６０°〜７０°にすることが可能となる。
【００６３】
次に、２００ｎｍの膜厚のクロム膜をスパッタ法により成膜した後、図１６（ａ）、（ｂ）に示すようにクロム膜のパターニングを行い、信号線４７および画素電極４８を形成する。このとき、共通電極４２と画素電極４８とが平面的に重なる部分において、上層絶縁膜４９を介在させた保持容量５０，５０ｂが形成される。
【００６４】
本実施形態の液晶表示装置１００、及び液晶表示装置１００の製造方法においては、電極枝部４２ｂをエッチングする工程と同一工程において、電極枝部４２ｂに電極傾斜面７１を形成すると共に、上層絶縁膜４９を除去することができる。これにより、上層絶縁膜４９が除去された分だけ下側基板１０の表面から電極枝部４２ｂまでの高さが低くなり、ラビング処理時の電極枝部４２ｂの影になる部分がなくなり、電極枝部４２ｂの近傍の配向膜に確実にラビング処理を行うことができる。
従って、上記の第１の実施の形態における効果が得られるだけでなく、下側基板１０の表面からの高さを低くすることで、配向膜の凹凸段差が生じるのを抑制し、より一層の液晶の配向不良を抑制でき、光漏れ等の表示不良を防止できる。
【００６５】
〔第４の実施の形態〕
以下、本発明の第４の実施の形態について、説明する。
本実施形態の液晶表示装置の基本構成は第３の実施形態と同様であり、第３の実施形態と異なる点は製造プロセスの変更により画素電極の断面構造が変わったことのみである。従って、以下では図１８を用いて異なる部分のみを説明し、共通部分の説明を省略する。また、図１８（ａ）は画素の平面図、図１８（ｂ）は断面図であり、また、図４（ａ）〜図９（ａ）及び図１４（ａ）〜図１６（ａ）、図４（ｂ）〜図９（ｂ）及び図１４（ｂ）〜図１６（ｂ）と共通の構成要素には同一の符号を付す。
【００６６】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、図４（ａ）〜図６（ａ）、図４（ｂ）〜図６（ｂ）までが上述の第１の実施の形態と同一、図１４（ａ）、（ｂ）が上述の第３の実施の形態と同一であり、それ以降の工程のみが異なっている。
従って、まず、図４（ａ）〜図６（ａ）及び図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、下側基板１０上に、各種配線、電極、及び絶縁膜を形成し、その後にマスクＭを形成する。
【００６７】
次に、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクＭを介在させてドライエッチング処理を施す。当該ドライエッチング処理の条件としては、混合ガスの混合比の条件を除き、同様の条件が採用される。そして、ＳＦ６とＯ２の混合ガスの混合比の調整は、全流量に対するＯ２ガスが占める割合を調整することにより行われる。そして、当該Ｏ２ガスが占める割合を調整することにより、下地絶縁膜５１及び電極枝部４２ｂの各々の傾斜角を所望に調整することが可能となる。
このような条件において、ドライエッチング処理を施すと、マスク開口部Ｍａによって開口された部分のみが除去される。
【００６８】
そして、本実施の形態においては、タンタル膜からなる電極枝部４２ｂと、タンタル酸化膜からなる下地絶縁膜５１とを一括してエッチングする際に、Ｏ２ガスの割合を減少させて、電極枝部４２ｂのＤ／Ｅレートを高くしながら、下地絶縁膜５１をエッチングしている。このようなエッチングを施すと、電極枝部４２ｂが下地絶縁膜５１よりも選択的にエッチングされるので、電極枝部４２ｂが後退しながら、当該電極枝部４２ｂの下層の下地絶縁膜５１がエッチングされる。
【００６９】
このようなエッチング処理を行うことにより、下側基板１０を基準面とすると、電極傾斜面７１の傾斜角は、下層傾斜面７０の傾斜角よりも小さくすることが可能となる。更に、下層傾斜面７０と電極傾斜面７１との接続部に角部を有する傾斜面を形成することが可能となり、その傾斜面を３０°〜６０°にすることが可能となる。
【００７０】
本実施形態の液晶表示装置１００、及び液晶表示装置１００の製造方法においては、下側基板１０の表面から電極枝部４２ｂまでの高さが低くなるだけでなく、電極傾斜面７１の傾斜角が下層傾斜面７０の傾斜角よりも小さくなっているので、下側基板１０から電極傾斜面７１に向けて徐々に傾斜角を小さくすることができ、下層絶縁膜５１及び電極枝部４２ｂを巨視的に見ると、電極傾斜面７１及び下層傾斜面７１がより滑らかに接続された形状を実現できる。そして、ラビング処理時の影になる部分がなくなるだけでなく、滑らかな電極傾斜面７１及び下層傾斜面７０が形成されるので、電極傾斜面７１の近傍の配向膜１３へのラビング処理をより確実に行うことができる。
【００７１】
〔電子機器〕
以下、本発明の電子機器の一実施形態を図１９を用いて説明する。
図１９は上記実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電話機の斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１、受話口７２２、送話口７２３とともに、上記実施形態の液晶表示装置からなる表示部７２４を備えている。
本実施形態によれば、上記実施形態の液晶表示装置が備えられたことで表示特性に優れた表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第２の実施の形態の形態においてはＩＴＯ膜を利用して電極枝部４８ｂ，４２ｂを形成しているが、このような構成を有する電極枝部４８ｂ，４２ｂを第３或いは第４の実施の形態に利用してもよい。
また、例えばＴＦＤ素子、共通電極、画素電極等の形状や配置、膜厚、構成材料、また製造工程における製造条件等の具体的な記載については、上記実施形態に限ることなく、適宜変更が可能である。また、画素電極や共通電極を直線状に形成することに代えて、例えば「く」の字状に屈曲させてもよい。これにより１画素内での配向分割構造が実現でき、更なる広視野角化を図ることができる。
【００７３】
また、本発明は、液晶表示装置のみならず、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールド・エミッション・ディスプレイ装置（電界放出表示装置）などの各種の電気光学装置にも適用が可能である。
【実施例】
【００７４】
次に、実施例について説明する。
本発明者らは、第１、第３、及び第４の実施の形態に示した液晶表示装置について、ラビング処理の配向不良について調査した。
図２０は、従来の液晶表示装置と、第１、第３、及び第４の実施の形態に示した液晶表示装置とにおいて、配向不良を調査した結果を示す図である。
【００７５】
図２０に示すように、従来の液晶表示装置は、電極枝部４２ｂの傾斜角が８０°〜９０°、合計膜厚が４００ｎｍとなっており、配向不良の評価としては「△」であった。また、第１の実施の形態の液晶表示装置は、電極枝部４２ｂの傾斜角が４０°〜６０°、合計膜厚が４００ｎｍとなっており、配向不良の評価としては「○」であった。また、第３の実施の形態の液晶表示装置は、電極枝部４２ｂの傾斜角が６０°〜７０°、合計膜厚が１８０ｎｍとなっており、配向不良の評価としては「◎」であった。また、また、第４の実施の形態の液晶表示装置は、電極枝部４２ｂの傾斜角が３０°〜６０°、合計膜厚が１８０ｎｍとなっており、配向不良の評価としては「◎◎」であった。
なお、図２０において、「皮むき」とは電極枝部４２ｂ上の上層絶縁膜４９を除去したことを意味する。また、「ＤＥ変更皮むき」とは電極枝部４２ｂ上の上層絶縁膜４９を除去すると共に、タンタル膜とタンタル酸化膜のＤ／Ｅレートを変更してタンタル膜の選択性を高めたエッチングを施したことを意味する。
【００７６】
従って、図２０に示すように、傾斜面を形成することによって、従来よりも配向不良の改善を実現できることが明らかになった。更に、下側基板１０上の合計の膜厚を薄くすることによって、より一層の配向不良の改善を実現できることが明らかになった。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態の液晶表示装置の概略構成を示す断面図。
【図２】同、液晶表示装置の１画素の平面図。
【図３】同、液晶表示装置の１画素の断面図。
【図４】同、液晶表示装置の製造プロセスを示す工程図（（ａ）平面図、（ｂ）断面図）。
【図５】同、工程図の続き。
【図６】同、工程図の続き。
【図７】同、工程図の続き。
【図８】同、工程図の続き。
【図９】同、工程図の続き。
【図１０】第２実施形態の製造プロセスを示す工程図（（ａ）平面図、（ｂ）断面図）。
【図１１】同、工程図の続き。
【図１２】同、工程図の続き。
【図１３】同、工程図の続き。
【図１４】第３実施形態の製造プロセスを示す工程図（（ａ）平面図、（ｂ）断面図）。
【図１５】同、工程図の続き。
【図１６】同、工程図の続き。
【図１７】第３実施形態におけるドライエッチング処理条件を説明するための図。
【図１８】第４実施形態の製造プロセスを示す工程図（（ａ）平面図、（ｂ）断面図）。
【図１９】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【図２０】本発明の実施例を説明するための図。
【符号の説明】
【００７８】
１０，２０  基板、  ３０  液晶層（電気光学物質）、  ４１  共通電極線（第１配線）、  ４２  共通電極、  ４３  ＴＦＤ素子（非線形素子）、  ４７  信号線（第２配線）、  ４８  画素電極、  ４９  上層絶縁膜、  ５１  下層絶縁膜、  ７０  下層傾斜面、  ７１  電極傾斜面、  ７２  上層傾斜面、  １００  液晶表示装置（電気光学装置）、  ７２０  携帯電話機（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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