(57)【要約】【課題】  精度良く形成された電子放出部を備える電子放出素子および電子放出素子の製造方法、並びに電子放出素子を備える電気光学装置、電子機器を提供すること。【解決手段】  電子放出素子１０は、素子基板１１上に、第１の導電膜１２ａと、第２の導電膜１２ｂと、両導電膜１２ａ，１２ｂ間に形成されたギャップ形成膜２０と、第１素子電極１４および第２素子電極１５とを備えている。導電膜１２ａ，１２ｂ間には、ギャップ形成膜２０によって狭小な空間的かつ電気的なギャップ（空隙２２）が形成されており、外縁部１３の近傍の箇所は、導電膜１２ａ，１２ｂ間を伝導する表面電子を放出する電子放出部２１として機能する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の導電膜と、
少なくとも縁部において前記第１の導電膜と空隙を介して重なるように、前記基板上に形成された第２の導電膜と、を備えることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間には、当該導電膜間のギャップを保持するギャップ形成膜が配されていることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子放出素子を備える電気光学装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の電子放出素子を備える電子機器。
【請求項５】
電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法であって、
第１の導電膜を基板上にパターン形成する工程と、
少なくとも一部が前記第１の導電膜と重なるようにギャップ形成膜を形成する工程と、
少なくとも縁部において前記ギャップ形成膜を介して前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜をパターン形成すると共に、前記縁部近傍に前記電子放出部を形成する工程と、を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の導電膜を形成した後に、前記電子放出部におけるギャップ形成膜を除去する工程を有することを特徴とする請求項５に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項７】
前記ギャップ形成膜の除去は、前記第２の導電膜をマスクとしたエッチングによりなされることを特徴とする請求項６に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１ないし第２の導電膜は、液滴吐出法を用いて形成されることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか一項に記載の電子放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子および電子放出素子の製造方法、並びに電子放出素子を備える電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子放出素子として、熱電子放出型のものと冷陰極電子放出型のものが知られている。そして、冷陰極電子放出型の電子放出素子として、電界によって電子を放出させる電界放出型のものや、電極に電流を流して電極表面の伝導帯から電子を放出させる表面伝導型のものが知られている。
このうち表面伝導型の電子放出素子としては、導電性薄膜（導電膜）に通電フォーミングによって電子放出部が形成されたものが知られている。通電フォーミングにより、導電性薄膜には局所的に破壊された微小な欠陥（ナノギャップ）が形成され、この状態で導電性薄膜に電流を流すと、この欠陥から真空準位の電子が漏れ出す性質を利用して、電子放出部とするものである（例えば、特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−３２０６３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のように、導電性薄膜における電子放出部の形成には通電フォーミングが一般的に利用されるが、形成される電子放出部（ナノギャップ）の位置や範囲を厳密に制御することは、重要な技術課題の一つである。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、精度良く形成された電子放出部を備える電子放出素子および電子放出素子の製造方法、並びに電子放出素子を備える電気光学装置、電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子放出素子は、基板上に形成された第１の導電膜と、少なくとも縁部において前記第１の導電膜と空隙を介して重なるように形成された第２の導電膜と、を備えることを特徴とする。
この発明の電子放出素子によれば、第２の導電膜の縁部近傍における導電膜間の空隙部分を、電子放出部として機能させることができる。このときの電子放出部の位置や形状は、第１および第２の導電膜のパターン形状や重なり具合によって規定されるため、精度良く形成される。
【０００７】
また、前記電子放出素子において、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との間には、当該導電膜間のギャップを保持するギャップ形成膜が配されていることを特徴とする。
この発明の電子放出素子は、空隙を形成するために必要な第１および第２の導電膜間のギャップが、ギャップ形成膜によって保持されている。かくして、空隙の距離がギャップ形成膜により確実に保持され、優れた電子放出特性を発揮することができる。
【０００８】
本発明の電気光学装置は、前記電子放出素子を備えることを特徴とする。
この発明の電気光学装置は、表示部の画素に対応して形成された電子放出素子を備え、例えば、陽極に塗布された蛍光体に放出電子が当たって表示がなされる。この電気光学装置における電子放出素子は、第１および第２の導電膜のパターン形状や重なり具合によって精度良く形成された電子放出部を備えているため、放出電子の照射精度に優れ、高品質な画像表示が可能である。
【０００９】
本発明の電子機器は、前記電子放出素子を備えることを特徴とする。
この発明の電子機器における電子放出素子は、第１および第２の導電膜のパターンや重なり具合によって精度良く形成された電子放出部を備えているため、放出電子の照射精度に優れており、電子機器として優れた性能を発揮する。
【００１０】
本発明は、電子放出部から電子を放出する電子放出素子の製造方法であって、第１の導電膜を基板上にパターン形成する工程と、少なくとも一部が前記第１の導電膜と重なるようにギャップ形成膜を形成する工程と、少なくとも縁部において前記ギャップ形成膜を介して前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜をパターン形成すると共に、前記縁部近傍に前記電子放出部を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この発明の電子放出素子の製造方法によれば、電子放出部を構成する狭小なギャップ（ナノギャップ）を、ギャップ形成膜の膜厚を利用して容易に形成することができる。また、電子放出部の位置や形状は、第２の導電膜のパターンや、第１の導電膜との重なり具合により、精度よく制御することができる。
【００１１】
また、前記電子放出素子の製造方法において、前記第２の導電膜を形成した後に、前記電子放出部におけるギャップ形成膜を除去する工程を有することを特徴とする。
この発明の電子放出素子の製造方法によれば、電子放出を妨げる要因となるギャップ形成膜が除去されるので、電子放出効率の高い電子放出素子を提供することができる。
【００１２】
また、前記電子放出素子の製造方法において、前記ギャップ形成膜の除去は、前記第２の導電膜をマスクとしたエッチングによりなされることを特徴とする。
この発明の電子放出素子の製造方法によれば、第２の導電膜がエッチングマスクの役目を果たすので、フォトリソグラフィー技術等を用いた別工程が不要であり、製造が容易である。
【００１３】
また、前記電子放出素子の製造方法において、前記第１ないし第２の導電膜は、液滴吐出法を用いて形成されることを特徴とする。
この発明の電子放出素子の製造方法によれば、第１ないし第２の導電膜が液滴吐出法を用いて形成されるので、製造が容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。また、以下の説明で参照する図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺やアスペクト比は実際のものとは異なるように表している。
【００１５】
（第１実施形態）
（電子放出素子の構成）
まずは、図１を参照して第１実施形態に係る電子放出素子の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る電子放出素子の主要部構造を示す概略図であって、（ａ）は一部破断の斜視図、（ｂ）は平面図である。
図１において、電子放出素子１０は、素子基板１１上に、第１の導電膜１２ａと、第２の導電膜１２ｂと、導電膜１２ａ，１２ｂ間に形成されたギャップ形成膜２０と、第１素子電極１４および第２素子電極１５とを備えている。また、図１において図示してはいないが、素子基板１１上には、素子電極１４，１５と電気機械的に接続され、駆動信号を印加するための信号線１６，１７（図４参照）が配線されている。また、電子放出素子１０の周囲は、高真空で封止された状態となっている。
【００１６】
素子基板１１としては、ガラス基板やセラミック基板が用いられる。
第１素子電極１４、第２素子電極１５は、それぞれ導電膜１２ａ，１２ｂの一端側において重なるように形成されており、その膜厚は、数百ｎｍから数μｍ程度である。そして、その材料としては、Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｒ等の金属およびこれらの合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明性導電体などを利用することができる。
【００１７】
導電膜１２ａ，１２ｂは、数オングストロームから数千オングストローム程度の膜厚の薄膜であり、共にＸ軸方向に伸長し、第２の導電膜１２ｂは第１の導電膜１２ａよりも幅広に（Ｙ軸方向の寸法が長く）形成されている。また、その材料としては、例えば、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金属や、ＰｄＯ，ＳｎＯ2，Ｉｎ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｓｂ2Ｏ3等の酸化物、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＬａＢ6，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、およびカーボン等が用いられる。
導電膜１２ａ，１２ｂは、それぞれの他端側（素子電極１４，１５が形成されていない側）において、ギャップ形成膜２０を介して重なった状態で形成されている。ここで、ギャップ形成膜２０は絶縁体で形成された極薄膜であり、その膜厚は１〜５０ｎｍ程度である。すなわち、導電膜１２ａ，１２ｂ間には、ギャップ形成膜２０によって狭小な空間的かつ電気的なギャップが形成されており、特に、縁部としての外縁部１３の近傍において、当該ギャップは空隙２２として形成されている。
【００１８】
上述の構成において、例えば、第１素子電極１４を低電位側、第２素子電極１５を高電位側として導電膜１２ａ，１２ｂ間に電圧を印加すると、第１の導電膜１２ａから第２の導電膜１２ｂへと電子の伝導が起こる。このとき、第２の導電膜１２ｂの外縁部１３の近傍において、空隙２２を介して伝導する電子の一部は量子力学的な効果によって真空中に漏れ出し、この電子を放出電子として利用することができる。すなわち、外縁部１３の近傍におけるギャップ（空隙２２）は、電子放出部２１を構成している。
尚、電子放出は、電子放出部２１において空隙２２が形成されず、ギャップ形成膜２０を介している場合であっても発生する。しかし、この場合、電子放出部２１におけるギャップ形成膜２０は伝導電子の放出を妨げる障害として作用し、電子放出効率を低下させる要因となる。すなわち、空隙２２は、電子放出効率を向上させる役割を果たしている。
【００１９】
（電子放出素子の製造工程）
次に、図２、図３を参照して、電子放出素子の製造工程について説明する。図２（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図である。
まず、図２（ａ）に示すように、基板としての素子基板１１上に第１の導電膜１２ａをパターン形成する。具体的には、導電性粒子等を含む機能液を、いわゆる液滴吐出法によりパターン化して配置し、乾燥ないし焼成して形成する。ここで、液滴吐出法とは、図３に示すような液滴吐出ヘッド１１６から機能液を液滴１５０として吐出させることで、基板上に所定の描画を行うものである。
【００２０】
図３は、液滴吐出ヘッドの主要部構造を示す概略斜視図である。図３において、液滴吐出ヘッド１１６は、隔壁１４１…に仕切られて形成された複数のキャビティ１４０…を備え、１つのキャビティ１４０に対して１つのノズル孔１１７が設けられている。ノズル孔１１７は、隔壁１４１…を構成する部材の下面に接着固定されたノズルプレート１４４に形成されている。キャビティ１４０には、１対の隔壁１４１間に位置する供給口１４６を介して、リザーバ１４５から機能液が供給されるようになっている。リザーバ１４５は一定量の機能液を貯留するための液溜めの役割を果たしており、リザーバ１４５へは、供給口孔１４７を介して機能液が供給される。
キャビティ１４０…の上部は振動板１４３となっていて、振動板１４３上には、それぞれのキャビティ１４０に対応して、振動子１４２…が位置する。振動子１４２は、ピエゾ素子と、ピエゾ素子を挟む１対の電極（図示せず）とから成る。この１対の電極に駆動電圧（駆動信号）を印加することで、振動子１４２に対応する箇所の振動板１４３が変形し、キャビティ１４０の内圧が変化して、機能液がノズル孔１１７から液滴１５０となって吐出される。
【００２１】
上述の構成において、液滴吐出ヘッド１１６からの液滴１５０の吐出制御は、駆動信号によりノズル毎に行うことができる。そして、液滴吐出ヘッド１１６を描画基板に対して相対移動可能に構成した液滴吐出装置（図示せず）を用い、当該相対移動の位置制御と吐出制御とを同期して行うことで、基板上への描画が可能となる。このような液滴吐出法によれば、図２（ａ）に示すようなパターン化された第１の導電膜１２ａの形成を、容易に行うことができる。
尚、描画に先立ち、前処理として、配置したいパターンに合わせて親液化および撥液化の表面処理（例えば、Ｏ2プラズマ処理／ＣＦ4プラズマ処理など）を行ったり、バンクと呼ばれる隔壁によりパターンを区画したりすることも可能である。
【００２２】
第１の導電膜１２ａが形成されたら、図２（ｂ）に示すように、第１の導電膜１２ａの端部を覆うようにギャップ形成膜２０をパターン形成する。具体的にはＣＶＤ法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の絶縁体を１〜５０ｎｍ程度積層させて形成する。
【００２３】
次に、図２（ｃ）に示すように、第２の導電膜１２ｂを、第１の導電膜１２ａの形成と同様の手法により形成する。このときハッチングで示す領域Ｓにおいて、第１の導電膜１２ａと第２の導電膜１２ｂとは、空間的且つ電気的なギャップを介して対向した状態となっている。このとき、第２の導電膜１２ｂの外縁部１３近傍の箇所は、表面伝導型の電子放出素子における電子放出部２１として機能する。このように、電子放出部２１の形状や位置は、第２の導電膜１２ｂにおける外縁部１３と第１の導電膜１２ａとの重なりによって、精度よく規定される。
【００２４】
しかし、図２（ｃ）の状態では、電子放出部２１におけるギャップ形成膜２０が、伝導電子の放出を妨げる障害として作用し、電子放出の効率が十分ではない。このため、図２（ｄ）に示すようにギャップ形成膜２０をエッチングで選択除去して、電子放出部２１に空隙２２を形成する。
具体的には、第２の導電膜１２ｂをマスクとして、第２の導電膜１２ｂの外縁よりやや内側の領域までギャップ形成膜２０をエッチングする。ここで、第２の導電膜１２ｂの内側へのエッチングの深さｄは、エッチングの時間によって制御される。エッチング溶液としては、例えば、ギャップ形成膜２０がＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4で形成されている場合には、ＨＦ溶液、ＮＨ4Ｆ溶液などを用いることができる。また、導電膜１２ａ，１２ｂの材料は、このエッチング工程に鑑みて、例えばＰｄやＡｕなど、エッチング液に対して化学的に安定なものを選択する必要がある。
エッチングは、上述のようなウェットエッチングのほか、フッ素系ガス（ＣＦ4等）を用いたドライエッチングを用いることもできる。但し、ドライエッチングは一般に異方性が強く、第２の導電膜１２ｂの内側の領域をエッチングする目的には不向きであるため、空隙２２を形成する場合においては、ウェットエッチングを用いることが好ましい。
【００２５】
最後に、第１素子電極１４、第２素子電極１５等を、スパッタリング法や蒸着法等によりパターン形成し、図１に示す電子放出素子１０が完成する。
上述の製造方法によれば、導電膜１２ａ，１２ｂのパターン制御とマスクレスのエッチングにより、フォトリソグラフィー技術を用いずに簡単に、しかも精度よく電子放出部２１を備える電子放出素子１０を製造することができる。
【００２６】
（電気光学装置の構成）
次に、図４を参照して、電気光学装置の構成について説明する。図４（ａ）は、電気光学装置の主要部構造を示す概略断面図、図４（ｂ）は、素子基板上における電子放出素子の配列を示す概略平面図である。
図４（ａ）において、電気光学装置７０は、電子放出素子１０が配列された素子基板１１と、素子基板１１に対向する表示基板７１とを備えている。素子基板１１と表示基板７１とは、図示しない外枠部材を介して一定間隔に保たれ、両基板１１，７１間の空間７２は、１０-7Ｔｏｒｒ程度の真空状態に封止されている。ここで、真空度を維持させるために、空間７２に対する面に図示しないガス吸着膜を蒸着により形成する場合もある。
【００２７】
図４（ｂ）に示すように、素子基板１１は、第１信号線１６、第２信号線１７がマトリクス状に配線され、両信号線１６，１７に沿って形成された第１素子電極１４、第２素子電極１５を備えて電子放出素子１０が画素単位で配設された、いわゆる単純マトリクス型の素子配列を備えている。第１信号線１６と第２信号線１７とは、絶縁体で形成された層間絶縁膜１８によって絶縁され、それぞれ異なる信号が印加される。すなわち、第１信号線１６には、電子放出素子１０を１行（図のＸ軸方向の並び）ずつ順次駆動してゆくための走査信号が印加され、第２信号線１７には、走査信号により選択された行の電子放出素子１０の電子放出を制御するための階調信号が印加されて、画素単位での電子放出が制御される。
【００２８】
図４（ａ）において、表示基板７１は、対向電極７３と、蛍光膜７４と、遮光膜７５とを備えている。遮光膜７５は、画素を区画するように電子放出素子１０の配列に合わせて形成されており、画素間におけるクロストークや蛍光膜７４からの外光反射を低減する役割を果たす。材料としては、黒鉛など、導電性および遮光性のある材料が用いられる。
蛍光膜７４は蛍光体を含んでおり、電子放出素子１０からの放出電子の衝突によって蛍光体が発光することで、画素を点灯させる役割を果たす。電気光学装置７０がカラー表示タイプの場合には、蛍光膜７４は、画素ごとに三原色に対応する蛍光体で分けられて形成される。
対向電極７３には加速電圧（例えば、１０ｋＶ程度）が印加され、蛍光膜７４の蛍光体を励起させるに十分なエネルギーを与えるために、放出電子を加速する役割を果たす。対向電極７３には、例えば、ＩＴＯ等の透明性導電体が用いられる。
【００２９】
上述の構成において、第１信号線１６に印加する走査信号、第２信号線１７に印加する階調信号を制御して電子放出素子１０から電子を放出させ、対向電極７３で加速された放出電子が蛍光膜７４に衝突することで画素が点灯し、所望の画像が表示される。この電気光学装置７０は、先に説明した電子放出素子１０を備えているので、放出電子の照射精度に優れ、精細な画像表示が可能である。
【００３０】
（電子機器）
次に、図５を参照して、電子機器の具体例を説明する。図５は、電子機器の一例を示す概略斜視図である。
図５に示す電子機器としての携帯型情報処理装置７００は、キーボード７０１と、情報処理本体７０３と、電気光学装置７０２と、を備えている。このような携帯型情報処理装置７００のより具体的な例は、ワープロ、パソコンである。この携帯型情報処理装置７００は、先に説明した電子放出素子１０を備えた電気光学装置７０２を搭載しているので、放出電子の照射精度に優れ、高画質の画像を表示することができる。
また、電子放出素子１０を備える電子機器の別の例としては、電子放出素子１０をコヒーレント電子源として使用する様々な機器、例えば、コヒーレント電子ビーム収束装置、電子線ホログラフィー装置、単色化型電子銃、電子顕微鏡、多数本コヒーレント電子ビーム作成装置、電子ビーム露光装置、電子写真プリンタの描画装置などがある。
【００３１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図６、図７を参照して説明する。尚、以下では、先の実施形態と重複する内容については説明を省略し、相違点を中心に説明する。図６は、第２実施形態に係る電子放出素子の主要部構造を示す概略図であって、（ａ）は一部破断の斜視図、（ｂ）は平面図である。図７は、第２実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図である。
【００３２】
図６に示すように、この第２実施形態においては、導電膜１２ａ，１２ｂ間の重なりが小さく形成され、また、第１実施形態のようなギャップ形成膜２０（図１参照）を導電膜１２ａ，１２ｂ間に介することなく、空隙２２が形成されている。このように、導電膜１２ａ，１２ｂの重なりが小さい場合には、ギャップ形成膜２０（図１参照）を介さずとも、空隙２２を保持することが可能である。
このような電子放出素子１０は、第１実施形態に係る製造工程（図２参照）と同様の手順で製造される。すなわち、第１の導電膜１２ａを素子基板１１上に形成し（図７（ａ））、ギャップ形成膜２０を第１の導電膜１２ａの端部を覆うように形成し（図７（ｂ））、第２の導電膜１２ｂを外縁部１３が第１の導電膜１２ａと重なるように形成し（図７（ｃ））、最後にギャップ形成膜２０全体をエッチングして空隙２２を形成する（図７（ｄ））。
【００３３】
上述のように、第２実施形態に係る電子放出素子１０は、少なくとも完成状態において、ギャップ形成膜２０を構成要件とせず、この場合、ギャップ形成膜２０は絶縁体である必要はないので、材料選択の自由度に優れている。但し、導電膜１２ａ，１２ｂおよびギャップ形成膜２０を精度良く重ねて形成する必要があり、第１実施形態の場合に比べて高精度の製造技術を要する。
【００３４】
（変形例１）
次に、第１実施形態の変形例１について、図８を参照して説明する。尚、以下では、先の実施形態と重複する内容については説明を省略し、相違点を中心に説明する。図８は、変形例１に係る電子放出素子の主要部構造を示す平面図である。
【００３５】
図８において、第２の導電膜１２ｂの幅（Ｙ軸方向の長さ寸法）は、第１の導電膜１２ａの幅よりも狭く形成されている。そして、第１の導電膜１２ａと第２の導電膜の外縁部１３との重なり部分は電子放出部２１として機能し、すなわち、電子放出部２１は、平面視方向から見てＣ字状に形成されている。このように、導電膜１２ａ，１２ｂのパターン形状や重なりを変えることで、電子放出部２１の形状等を自由に制御することが可能である。
【００３６】
（変形例２）
次に、第１実施形態の変形例２について、図９を参照して説明する。尚、以下では、先の実施形態と重複する内容については説明を省略し、相違点を中心に説明する。図９は、変形例２に係る電子放出素子の主要部構造を示す平面図である。
【００３７】
図９において、第２の導電膜１２ｂは、平面視方向からみて第１の導電膜１２ａと重なる位置に開口部１９を有して形成されており、開口部１９の近傍は、電子放出部２１として機能する。このように、開口部１９は、第２の導電膜１２ｂにおける縁部の一形態であると捉えることができ、すなわち、本発明における縁部は、外縁部１３に限定されるものではなく、内縁をなす開口部１９であってもよい。
また、図９において、第１の導電膜１２ａは、第２の導電膜１２ｂの外縁部１３との重なりの部分において、幅（Ｙ軸方向の長さ寸法）が狭く形成されている。このように、導電膜１２ａ，１２ｂの幅は局所的に変化していてもよく、さらに言えば、導電膜１２ａ，１２ｂの平面形状は、上述の形状に限定されることはなく、様々な形状をとることができる。
【００３８】
本発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、導電膜は、ＣＶＤ法や蒸着法などによっても形成することができる。また、外縁部１３の形状は直線状に限定されるものではなく、曲線や蛇行形状であってもよい。また、各実施形態の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略したり、図示しない他の構成と組み合わせたりすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）は、第１実施形態に係る電子放出素子の主要部構造を示す一部破断の概略斜視図。（ｂ）は、電子放出素子の主要部構造を示す平面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図。
【図３】液滴吐出ヘッドの主要部構造を示す概略斜視図。
【図４】（ａ）は、電気光学装置の主要部構造を示す概略断面図。（ｂ）は、素子基板上における電子放出素子の配列を示す概略平面図。
【図５】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図６】（ａ）は、第２実施形態に係る電子放出素子の主要部構造を示す一部破断の概略斜視図。（ｂ）は、電子放出素子の主要部構造を示す平面図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態に係る電子放出素子の製造工程における一過程を示す概略断面図。
【図８】変形例１に係る電子放出素子の主要部構造を示す平面図。
【図９】変形例２に係る電子放出素子の主要部構造を示す平面図。
【符号の説明】
【００４０】
１０…電子放出素子、１１…基板としての素子基板、１２ａ…第１の導電膜、１２ｂ…第２の導電膜、１３…縁部としての外縁部、１４…第１素子電極、１５…第２素子電極、１６…第１信号線、１７…第２信号線、１８…層間絶縁膜、１９…縁部としての開口部、２０…ギャップ形成膜、２１…電子放出部、２２…空隙、７０…電気光学装置、７１…表示基板、７２…空間、７３…対向電極、７４…蛍光膜、７５…遮光膜、１１６…液滴吐出ヘッド、７００…電子機器としての携帯型情報処理装置、７０１…キーボード、７０２…電気光学装置、７０３…情報処理本体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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