(57)【要約】【課題】フッ化マグネシウムの表面層を有する電子写真用感光体において、電位変動や傷の発生を防止し、耐久性を向上する。【解決手段】  電子写真用感光体表面がわからみた結晶構造のＸ線回折で得られる面方位１１０の反射強度のピーク値に対する、面方位１０１の反射強度の比率が０．８以下とする【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基体上に少なくとも光導電層とフッ化マグネシウムよりなる表面層を有する電子写真用感光体であって、
前記表面層は少なくとも一部に結晶構造を有するとともに、電子写真用感光体表面側からみた結晶構造のＸ線回折で得られる面方位１１０の反射強度のピーク値に対する、面方位１０１の反射強度の比率が０〜０．８であることを特徴とする電子写真用感光体。
【請求項２】
請求項１に記載の電子写真用感光体であって、上記電子写真用感光体表面側からみた結晶構造のＸ線回折で得られる面方位１１０の反射強度のピーク値に対する、面方位１０１の反射強度の比率が０〜０．６であることを特徴とする電子写真用感光体。
【請求項３】
請求項１および２に記載の電子写真用感光体であって、少なくとも光導電層がアモルファスシリコンを主成分としてなることを特徴とする電子写真用感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真用感光体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子写真用感光体に用いる素子部材の１つとして、珪素原子を主成分として含む非単結晶堆積膜、例えば水素及び／又はハロゲンで補償されたアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）堆積膜は高性能、高耐久、無公害な感光体として提案され、そのいくつかは実用化されている。
【０００３】
このようなａ−Ｓｉ電子写真用感光体は、さまざまな要求性能に合わせ、種々の層構成を有するものが提案されている。中でも表面層は、電子写真用感光体の耐磨耗性、電荷保持性、耐環境性、光透過性など、さまざまな特性を得るための重要な層として認識されている。
【０００４】
近年、複写機の高精細化が進むにつれ、画像露光光の短波長化が計画され、表面層に対して、特に短波長の露光光の吸収が少なく、広いバンドギャップを有する特性が要求されるようになってきている。
【０００５】
上記のような特性を満足する材料として、フッ化マグネシウムが電子写真用感光体表面層の材料として注目され、実際に電子写真感光体の表面層をフッ化マグネシウムとした例が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００６】
このフッ化マグネシウムを表面層として用いることで、画像ボケや画像流れの発生が抑えられること、磨耗によっても電位変動がほとんどないことなどの優れた特徴が得られる。
【特許文献１】特開２００３−２９４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら一方で、近年では電子写真装置の高速化に合わせて、カラー化に伴い、より細緻な画像形成を行う高精細化が急速に進むに至り、電子写真用感光体として、より高品質な画像形成が可能な部材が必要となり、画像品位に優れると同時に耐久性にも優れた特性を求められるようになっている。
【０００８】
このような状況の中で、上記したように優れた特性を有するフッ化マグネシウムを表面層に用いた電子写真用感光体であっても、まだ解決すべき課題が残っている。
【０００９】
その一つとして圧傷の問題があげられる。圧傷とは、電子写真用感光体表面が局所的な機械的ストレスを受けることにより、画像上に傷様の白抜けあるいは黒い筋が発生する現象をいう。
【００１０】
圧傷は、電子写真用感光体表面上に傷はつかないにも関わらず、ハーフトーン画像で目立ちやすい。また圧傷は軽微なものは電子写真用感光体を２００℃程度で約１時間加熱することにより画像上には現れなくなるが、市場ではこのような対応は不可能であるとともに、発生を事前に予測することもできない。
【００１１】
また、画像形成を繰り返した場合に前回の画像の残像が生じる、いわゆるゴーストの発生も問題点として挙げられる。これは電子写真用感光体の内部に画像形成により発生した電荷が蓄積されることにより、表面電位の変動を起こすことによって、ゴーストを引き起こすことがわかっている。
【００１２】
これらの問題は、従来にくらべ、より高精細な画像形成ができるように短波長のレーザーを画像露光光として用いる電子写真プロセスにおいて目立つようになってきた。さらに、フルカラーの電子写真装置で一般的に用いられている負帯電の電子写真用感光体にフッ化マグネシウムの表面層を適用した場合、特に顕著に表れる場合がある。
【００１３】
以上のような背景により、フッ化マグネシウムの表面層は更なる性能の向上が求められるようになっている。
【００１４】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、フッ化マグネシウムの結晶の配向性を制御することにより、機械的なストレスに対する耐久性を向上して圧傷の発生を抑制するとともに、ゴーストの発生を効果的に抑制して高品質な画像を長期にわたって形成する電子写真用感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、基体上に少なくとも光導電層とフッ化マグネシウムからなる表面層を有する電子写真用感光体であって、電子写真用感光体の表面側から見たＸ線回折で得られる面方位１０１の反射強度のピーク値の比が面方位１１０の反射強度のピーク値に対して０〜０．８である電子写真用感光体である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子写真用感光体は、圧傷とゴーストの発生を効果的に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の電子写真用感光体の例を模式的に示す断面図である。
【００１８】
図１（ａ）で、本発明の電子写真用感光体１０は、例えばアルミニウム等の導電性材料からできた導電性の基体１３と、その導電性の基体１３の表面上に順次積層された光導電層１２及び表面層１１とからなっている。また、図１（ｂ）ではさらに、導電性の基体１３と光導電層１２の間に下部電荷注入阻止層１４、上部電荷注入阻止層１５が設けられている。
【００１９】
本発明の表面層は、フッ化マグネシウムで形成され、電子写真用感光体表面から見たＸ線回折でえられる面方位１０１の反射強度のピーク値が、面方位１１０の反射強度のピーク値に対して０〜０．８、より好ましくは０〜０．６である。
【００２０】
一般にフッ化マグネシウムの薄膜は結晶性の膜になりやすい性質がある。本発明者は前述の問題点に照らし、フッ化マグネシウムの表面層の結晶の配向性との関連を検討した。
【００２１】
一般に、結晶成長する薄膜はある一定の面方位をもつ単一な結晶構造をもつものが、よい特性を発揮すると期待される。
【００２２】
しかしながら、湾曲した電子写真用感光体の表面上では、単一の面方位をもつ結晶のみを成長させることは現実には難しく、ある比率で他の面方位をもつ結晶成分が混在した物となる場合が多い。
【００２３】
そこで本発明者は、さまざまな条件で形成した、いろいろな結晶配向をもつフッ化マグネシウム表面層と電子写真用感光体特性の関係に注目し検討を行った。
【００２４】
その結果、電子写真用感光体表面から見た場合の面方位１１０と面方位１０１（以下単に面方位１１０および面方位１０１と表記する）の成長の度合いと電子写真用感光体特性に相関関係があることを見出した。
【００２５】
すなわち、面方位１１０を主な結晶の成長面とし、面方位１０１の成長比率を小さくすることで圧傷やゴーストの発生を効果的に防止できるものである。
【００２６】
現状では、面方位１１０に対する面方位１０１の成長比率が大きいと、なぜ電子写真用感光体特性が悪化する場合があるのか、明確な理由はわかっていない。しかし、面方位１０１が大きく成長したばあい、さまざまな面方位をもつ結晶が同様に成長する傾向が強く、ランダムな配向になる場合が多いためではないかと推測される。
【００２７】
このような膜では内部構造が複雑になりさまざまな粒界面が形成されると同時に、場合によっては膜内部にボイドが形成されるものと思われるが、こうした現象が圧傷やゴーストの発生につながるものと推測される。
【００２８】
本発明者の検討によれば、条件によって電子写真用感光体表面から見た場合の他の面方位、たとえば面方位１１１、２１０、２１１、２２０などが面方位１１０に対してある程度まで成長する場合もある。しかし、これらは互いに単独で成長する場合があり、これらの面方位の成長によって直ちにランダムな配向性を持つ成長につながるわけではなく、したがって電子写真用感光体特性との顕著な相関関係も見られなかった。また、本発明者が行った検討の中では、メインとなる結晶成長はいずれも面方位１１０であって、他の配向を持つ結晶面の成長がメインとなる条件はなかったが、面方位１１０の反射強度がメインピークとならない場合であっても、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値に対応して電子写真用感光体特性が変化するため、同様な結果が得られると思われる。
【００２９】
以上の知見より、面方位１１０の反射強度のピーク値に対して、面方位１０１の反射強度のピーク値の比を０．８以下、より好ましくは０．６以下とすることで前述の問題を改善しえることを見出し、本発明の完成に至ったものである。
【００３０】
本発明においては、結晶の面方位１１０の反射強度のピーク値に対して、面方位１０１の反射強度のピーク値の比を０．８以下、より好ましくは０．６以下とすることで効果をえることができる。このような表面層を形成する方法としては、これが達成できるならばいずれの方法であっても差し支えなく、例えば、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの公知の方法が採用できる。なかでも組成の制御の容易性、また比較的大面積で均一な堆積膜が得やすいことなどから、フッ素を含むガスを反応性ガスとし、マグネシウムをターゲットとして用いる反応性スパッタリング法が好適である。
【００３１】
この場合、反応性ガスとしてはＦ2（フッ素）のほか、ＮＦ3やＣＦ4なども使用できる。また、これらをＡｒやＮｅ（ネオン）、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｋｒ（クリプトン）等の希ガスで希釈したものを用いることもできる。
【００３２】
また、ターゲットをスパッタリングするためのガスは、ＡｒやＮｅ、Ｋｒ等の希ガスが好適に使用できる。
【００３３】
湾曲した電子写真用感光体の表面上では、単一の面方位をもつ結晶のみを成長させることは現実には難しく、ある比率で他の面方位をもつ結晶成分が混在した物となる場合が多いために下限は特に規定するものではないが、完全に面方位１１０に配向した結晶が得られた場合、面方位１０１の反射強度は０になり、面方位１１０の反射強度のピーク値に対して、面方位１０１の反射強度のピーク値の比が０になりえるがこの場合でも特に問題はないと思われる。
【００３４】
面方位１１０の反射強度のピーク値に対して、面方位１０１の反射強度のピーク値の比を０．８以下とするためには、上記のいずれかの形成方法でおのおの形成条件を変えることで得ることができる。しかしながら、たとえば上記の反応性スパッタリング法を使用する場合、単一の条件で一義的に結晶の配向性が決まるわけではなく、たとえば圧力、基体温度、放電電力、電力周波数、ガス流量等の条件が有機的に作用して結晶成長が変化する。
【００３５】
しかしながら本発明においては、電子写真用感光体表面から見た場合の結晶の面方位１１０の反射強度のピーク値に対して、面方位１０１の反射強度のピーク値の比を０．８以下とすることが肝要であって、これが達成できる形成方法および形成条件であればいずれであっても差し支えない。
【００３６】
なお、本発明において、Ｘ線回折によるおのおのの面方位の反射強度は以下の方法によって行った。
【００３７】
まず、測定する電子写真用感光体を３０ｍｍ角程度の大きさに切り出し、測定用の試料を作成する。これをＸ線回折装置に設置するが、電子写真用感光体表面が湾曲しているため、測定点の表面（以下、測定表面と記す）が基準の測定面に対して概略平行になるように設置する必要がある。
【００３８】
こうして設置した試料の表面に対するＸ線元と検出器（計数管）の角度を測定表面の法線に対して対称になるように連動してスキャンする方法で測定する。この方法は、測定面に対するＸ線の入射角θと、Ｘ線の反射角（すなわち検出器の角度）２θが同時に変化するため、２θ／θスキャン法と呼ばれる。
【００３９】
２θ／θスキャン法では、回折を起こす結晶面は常に測定表面に対して平行で２θの値によって変化しないため、測定面すなわち電子写真用感光体の表面から見た場合の結晶配向性が直接測定できる。
【００４０】
上記の方法による測定には、通常の集中光学系をもちいた粉末Ｘ線回折装置が使用でき、測定上十分な反射強度をえられる一般的なＸ線回折装置であれば、測定上差し支えない。
【００４１】
図２は上記の手順でリガク社製ＲＩＮＴ−１５００Ｘ線回折装置を用い、発散スリット、散乱スリットにともに０．５度、受光スリット０．１５ｍｍとし、スキャン速度＝毎分１度、ステップ角＝０．０２度で測定したＸ線回折の結果の一例である。この例では、表面層の下部層としてアモルファスシリコンで形成された光導電層の影響により、バックグランドに若干のうねりが見られると同時に、基体として使用したアルミニウムの結晶によるとおもわれる反射強度のピークが３８．５度と４４．７度付近に現れている。
【００４２】
図２のような例では、おのおのの面方位の反射強度のピーク値は、測定されたピークからバックグランドの強度を減じることで得られる。
【００４３】
図３にピーク値の算出方法の概略を示す。図３に示した様にバックグランド上から任意の点を抽出してサンプリングし、たとえばスプライン関数等をもちいてフィッティングラインを作成して、反射強度のピークが得られた個所にベースラインを仮想的に形成する。おのおのの角度において、反射強度の測定値から仮想的なベースラインの値を減じることでフッ化マグネシウムの結晶格子による反射強度を得ることができる。
【００４４】
また、目的とするフッ化マグネシウムの面方位の付近に、基板の種類や下部層の材質に由来する反射強度のピークが現れるような場合には、上述のように、結晶性の基板上に電子写真用感光体の表面層を形成する場合と同条件でフッ化マグネシウム膜を形成し、これを測定して評価すればよい。
【００４５】
が、下部層として光導電層等が一般的なアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと表記）やアモルファス窒化シリコン（以下ａ−ＳｉＮと表記）などから形成される非晶質層で形成された電子写真用感光体の場合には、前述のように電子写真用感光体上で測定した結果を採用して差し支えない。
【００４６】
なお、この際、結晶性基板として、目的とするフッ化マグネシウムの面方位による反射強度のピークの近くに、基板に由来する反射強度のピークが現れないような基板の材質や、面方位を適宜選択しなければならない。
【００４７】
一般に２θ／θスキャン法では、２θが小さい場合に比べて、大きい場合のほうが、感度が下がる傾向になる。また、測定する試料によっては、面方位によって反射強度が得られにくい場合もある。
【００４８】
この場合には、前述のバックグランドを減じる補正のほかに感度の補正が必要になる。
【００４９】
感度の補正を行うためには、フッ化マグネシウムの結晶よりなる粉末の測定を行うことで補正係数を得ることができる。
【００５０】
すなわち任意の粒径のフッ化マグネシウムの粉末を用い、ペレット状に固めた試料を作成する。これを前述の２θ／θスキャンにより測定し、おのおのの面方位における反射強度のピーク値を得る。粉末の試料においてはあらゆる面方位がランダムにほぼ等しい比率で配置たれるため、反射強度のピーク値はそのまま感度の差として現れるので、おのおの面方位の反射強度のピーク値が同一になるように補正係数を決定すればよい。
【００５１】
なお、上記の例では電子写真用感光体を切り出したが、これは測定装置の制限によるためであって、測定装置上の制限がなければ、切り出さなくても測定上は、支障はない。
【００５２】
フッ化マグネシウムは２価の陽イオンであるマグネシウムイオンと１価の陰イオンであるフッ素イオンが結合したイオン性結晶をとるため、理論的な化学量論組成はＭｇＦ2となる。が、本発明のフッ化マグネシウムはこの範囲に限らず、化学量論組成から組成比がずれたものであっても、Ｘ線回折で同定可能な反射強度のピークが得られるものであれば使用できる。
【００５３】
本発明において、表面層の膜厚は、所望の電子写真特性、十分な機械的強度が得られる範囲であれば良い。具体的には、０．０５μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上であることがより好ましい。また、膜厚が厚すぎる場合には残留電位が発生する場合があることに加え、経済性などの観点から３μｍ以下が好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。
【００５４】
本発明では、光導電層１２は、少なくとも光導電性を示すものであって、電子写真用感光体として実用可能な特性を有するものであればいずれのものであっても良い。例えば、光導電層の材料として、有機半導体、セレン、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等が使用できる。
【００５５】
中でも、光導電層としてはａ−Ｓｉが好ましい。これは、光導電層の上に本発明のフッ化マグネシウムの堆積膜形成する際に、後述するが、通常、マグネシウム金属をターゲットとするスパッタ法等による真空プロセスが利用されるので、真空雰囲気での脱ガス等の汚染が少なく、フッ化マグネシウムの堆積膜形成に与える影響が少ないことに加え、光導電層がａ−Ｓｉであると、その硬度が比較的高く、長期にわたり画像形成を繰り返した場合でも耐久性が十分にあることによる。
【００５６】
光導電層としてａ−Ｓｉを採用する場合、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の公知の方法によって形成可能である。
【００５７】
例えばプラズマＣＶＤ法によって光導電層１２を形成するには、基本的には周知のごとくシリコン原子（Ｓｉ）用原料ガスと、水素原子（Ｈ）用原料ガスを、内部を減圧にした反応容器内にガス状態で導入し、該反応容器内にグロー放電を生起させ、導入した原料ガスを分解し、所定の位置に設置されている導電性の基体１３上にａ−Ｓｉからなる層を堆積すればよい。
【００５８】
なお、ａ−Ｓｉの堆積膜はＳｉのみでは未結合手が発生し、層品質、特に光導電性、電荷保持特性等に問題を生じるので、水素原子、ハロゲン原子等を含ませて未結合手を補償しておくことが好ましい。例えば、水素原子を含ませるような場合、その含有量は、シリコン原子と水素原子の和に対して１０原子％以上、特に１５原子％以上であることが好ましく、３０原子％以下、特に２５原子％以下であることが好ましい。
【００５９】
本発明において、Ｓｉ用原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）等のシラン類が好適に使用できる。また、光導電層中に水素原子用原料ガスとして、これらシラン類に加えて、水素ガス（Ｈ2）も好適に使用できる。
【００６０】
本発明では、Ｓｉの未結合手を補償するため、Ｈに加えて、ハロゲン原子（Ｘ）を使用することもできる。ハロゲン原子の例としてフッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）、塩素（Ｃｌ）等が上げられ、これらを導入するための化合物としては、具体的には、フッ素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン化合物を挙げることができる。又ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘導体も使用可能であり、具体的には、例えば、ＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができる。
【００６１】
本発明において、光導電層１２には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１２中に満遍なく均一に分布した状態で含有されていてもよいし、また、層厚方向には不均一な分布状態で含有している部分があってもよい。
【００６２】
伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期表１３族に属する原子（以後「第１３族原子」と略記する）やｎ型伝導特性を与える周期表１５族に属する原子（以後「第１５族原子」と略記する）を用いることができる。
【００６３】
第１３族原子として、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。また、第１５族原子として、具体的には、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。
【００６４】
光導電層１２に含有される伝導性を制御する原子の含有量は、１×１０-2原子ｐｐｍ以上、特に５×１０-2原子ｐｐｍ以上、さらには１×１０-1原子ｐｐｍ以上であることが好ましく、また、１×１０4原子ｐｐｍ以下、特に５×１０3原子ｐｐｍ以下、さらには１×１０3原子ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００６５】
伝導性を制御する原子を構造的に導入するには、層形成の際に、第１３族原子導入用原料物質又は第１５族原子導入用原料物質をガス状態で、光導電層１２を形成するための他の原料ガスとともに、反応容器中に導入してやればよい。第１３族原子導入用の原料物質又は第１５族原子導入用の原料物質となり得るものとしては、常温常圧でガス状のもの、又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものを採用することが好ましい。
【００６６】
例えば、導電性を制御する原子としてＢを用いる場合はジボラン（Ｂ2Ｈ6）のほか、ＢＦ3、ＢＣｌ3等のハロゲン化物が使用できる。また、導電性を制御する原子としてＰを用いる場合はフォスフィン（ＰＨ3）等が使用できる。
【００６７】
必要に応じて、これらの伝導性を制御する原子導入用原料物質をＨ2やＨｅ等により希釈して使用してもよい。
【００６８】
さらに本発明においては、光導電層１２に炭素原子、酸素原子又は窒素原子のいずれか１種以上を含有させることも有効である。炭素原子、酸素原子及び窒素原子の含有量（合計）は、シリコン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して、１×１０-5原子％以上、特に１×１０-4原子％以上、さらには１×１０-3原子％以上であることが好ましく、また、シリコン原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して、１０原子％以下、特に８原子％以下、さらには５原子％以下であることが好ましい。炭素原子、酸素原子及び窒素原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されていてもよいし、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部分があってもよい。
【００６９】
これら炭素原子、酸素原子、窒素原子を導入する物質として、メタン（ＣＨ4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、二酸化炭素（ＣＯ2）、酸素（Ｏ2）、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、一酸化窒素（ＮＯ）等が使用できる。
【００７０】
本発明において、光導電層１２の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、経済的効果等の点から適宜決定されるが、１５μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上とすることがより好ましい、また、６０μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以下とすることが更に好ましい。
【００７１】
導電性の基体１３は表面に形成される光導電層１２及び表面層１３を保持し得るものであれば、特に限定されず、いずれのものであってもよい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、及び、これらの合金、例えばＡｌ合金、ステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも光導電層を形成する側の表面を導電処理したものも導電性の基体１３として用いることができる。
【００７２】
本発明において、電子写真用感光体の層構成は上記のほかに光導電層１２の下に下部電荷注入阻止層１４を、また、光導電層１２の上部に上部電荷注入阻止層１５を適宜形成することができる。これらの材料は光導電層１２を構成する材料をベースに形成することが望ましい。例えば、光導電層としてａ−Ｓｉを選択する場合には、一般的に前述のごとく水素原子（Ｈ）やハロゲン原子（Ｘ）によって未結合手を終端し、第１３族元素、第１５族元素などのドーパントを含有させることにより伝導型を制御し、キャリアの注入阻止能を持たせたものが使用できる。特に下部電荷注入阻止層１４は必要に応じて、炭素原子、窒素原子及び酸素原子から選ばれる少なくとも１種の原子を含有させることで応力を調整し、光導電層の密着性向上の機能を持たせることもできる。
【００７３】
また、これらの層に加えて互いの層間で組成を連続的に変化させる中間層を形成しても良い。さらに、これらの層は電子写真用感光体に要求される特性に合わせて適宜選択して形成すれば良い。
【００７４】
次に、光導電層１２としてａ−Ｓｉを採用した場合の光導電層１２の形成方法を、プラズマＣＶＤ法を例にとって説明する。
【００７５】
図４は、本発明で光導電層１２の形成に使用できる堆積膜形成装置の一例の模式図である。
【００７６】
図４に示した装置は、大別して、堆積膜形成容器１００、排気装置２００及び原料ガス供給手段３００より成り立っている。
【００７７】
原料ガス供給手段３００は、ボンベ３０１〜３０５、供給バルブ３０６〜３１０、圧力調整器３１１〜３１５、１次バルブ３１６〜３２０、マスフローコントローラ３２１〜３２５及び２次バルブ３２６〜３３０で構成されている。ボンベ３０１〜３０５には真空処理プロセス用の原料ガスが充填され、供給バルブ３０６〜３１０を介して、圧力調整器３１１〜３１５によって、例えば０．２ＭＰａ程度の圧力に調整される。
【００７８】
堆積膜形成容器１００には、さらに排気配管４０５、スロットルバルブ４０６及び排気バルブ４０７を介して排気装置２００が接続されている。排気装置２００は、メカニカルブースターポンプ２０１とロータリーポンプ２０２より構成されており、堆積膜形成容器１００内部を真空にする。なお、排気装置２００は上記のメカニカルブースターポンプ２０１およびロータリーポンプ２０２に加え、必要に応じて油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプなどを付加することもできる。
【００７９】
図５は、図４の堆積膜形成容器１００の一例を模式的に示した縦断面図である。また、図６は図５の容器を模式的に示した横断面図である。
【００８０】
堆積膜形成容器１００は架台１２１上にベース板１３６及び真空容器１０１を備えている。真空容器１０１内の概略中央には基体１２２を保持するための保持部材１２３が設けられており、保持部材１２３には、基体１２２を内部から加熱できるように、ヒーター１２４が設けられている。また、堆積膜形成装置１００の保持部材１２３上に基体１２２を載置したのち、基体１２２の内部のヒーター１２４がプラズマにさらされないように、基体上部にキャップ１２５を設けている。
【００８１】
真空容器１０１は、上蓋１２６、ベース板１３６とシール部材（図示せず）によって結合され、内部を真空封止可能となっている。真空容器１０１の周りには真空容器１０１と同心円上に複数の電極１２７が設けられ、分岐板１２８を介してマッチングボックス４２３が接続され、さらに高周波導入ケーブル４２２及び高周波電源４２１へと接続されている。
【００８２】
真空容器１０１はアルミナなどのセラミックス部材で形成され、高周波電力を真空容器１０１内部に透過する窓部材としての機能も兼ねている。
【００８３】
電極１２７から放射された高周波電力は、真空容器１０１内部に透過され、真空容器１０１内にグロー放電を発生させる。また電極１２７の周りには周囲に高周波が漏洩するのを防止する高周波シールド１２９が設けられている。
【００８４】
ベース板１３６には排気口１３０が、基体１２２を概略中心とする同一円周上に設けられ、これらは集合されたのち排気配管４０５に接続されている。
【００８５】
原料ガス導入管１３１は、排気口１３０の配置円の外側に、やはり基体１２２を概略中心とする同一円周上に設けられ、原料ガス供給路４０４を介して原料ガス供給手段３００に接続される。なお、原料ガス導入管１３１には複数のガス放出穴（図示せず）が設けられ、真空容器１０１内に原料ガスを供給する。
【００８６】
次に図４〜図６に示した装置を用いた堆積膜の形成手順について具体的に説明する。
【００８７】
まず、架台１２１上に設置されたベース板１３６に真空容器１０１を、シール部材（図示せず）を介して固定しておき、予め脱脂洗浄した基体１２２を真空容器１０１内に保持部材１２３を介して設置し、同時にキャップ１２５を設置したのち、上蓋１２６を、シール部材（図示せず）を介して真空容器１０１に設置する。
【００８８】
次に、排気装置２００を運転し、バルブ４０７を開いて真空容器１０１内を排気する。真空計１１１の表示を見ながら、真空容器１０１内の圧力が例えば１Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、ヒーター１２４に電力を供給し、基体１２２を例えば５０〜３５０℃の所定の温度に加熱する。このとき、原料ガス供給手段３００より、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを真空容器１０１に供給して、加熱を不活性ガス雰囲気中で行うようにすることもできる。
【００８９】
次に、原料ガス供給手段３００より堆積膜形成に用いる原料ガスを真空容器１０１に供給する。すなわち、必要に応じ供給バルブ３０６〜３１０、１次バルブ３１６〜３２０、２次バルブ３２６〜３３０を開き、マスフローコントローラ３２１〜３２５に流量設定を行う。各マスフローコントローラの流量が安定したところで、圧力計１１１の表示を見ながらスロットルバルブ４０６を操作し、真空容器１０１内の圧力が所望の圧力になるように調整する。
【００９０】
所定の圧力が得られたところで高周波電源４２１より高周波電力を印加すると同時にマッチングボックス４２３を操作し、真空容器１０１内にプラズマ放電を生起し、その後、速やかに高周波電力を所定の電力に調整して、堆積膜の形成を行う。
【００９１】
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、供給バルブ３０６〜３１０、１次バルブ３１６〜３２０、２次バルブ３２６〜３３０、及びバルブ４０２、４０３を閉じ、原料ガスの供給を終えると同時に、スロットルバルブ４０６を開き、真空容器１０１内を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
【００９２】
以上で、堆積層の形成を終えるが、複数の堆積層（例えば下部電荷注入阻止層と光導電層など）を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。原料ガス流量や、圧力等を光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させて、中間層の形成を行うこともできる。
【００９３】
すべての堆積膜形成が終わったのち、リークバルブ（図示せず）を開き、真空容器１０１内を大気圧として、光導電層を有する基体１２２を取り出す。
【００９４】
次にフッ化マグネシウムよりなる表面層の形成方法を、スパッタリング法を例にとって説明する。
【００９５】
図７は表面層の形成に使用できるスパッタリング法による堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図である。
【００９６】
この堆積膜形成装置は、大別して、反応炉５１００と投入炉５２００からなる。また、反応炉５１００は反応容器５１０８、反応性ガスノズル５１０３、回転軸５１０４、スパッタガス導入管５１０５及びカソード５１０２を含む。
【００９７】
反応容器５１０８はバルブ５１１７を通して排気装置（図示せず）に接続され、内部を真空排気可能としている。基体１２２（上記手順によって、少なくとも光導電層が形成されたもの）は、ホルダー５１１３を介し回転軸５１０４に設置され、回転軸５１０４は回転軸シール５１１９により回転可能に支持され、モーター５１１８と接続される。
【００９８】
反応性ガスノズル５１０３はガス放出孔５１１６を備え、バルブ５１１５を通して、原料ガス供給手段（図示せず）に接続されている。なお、原料ガス供給手段として、上記の図５にて示した原料ガス供給手段３００と同様のものが使用できる。
【００９９】
カソード５１０２は絶縁部材５１０７を介してそれぞれ反応容器５１０８に支持され、その外周はシールド５１１１により、プラズマから隔離されている。また、カソード５１０２は外部から冷却水配管５１３１、５１３２を通してスパッタリング処理中に冷却することができる。
【０１００】
また、カソード５１０２は反応容器５１０８の外部で電源５１０９、に接続される。なお、電源５１０９は例として直流電源を図示したが、これは周期的に印加極性を反転する機能をもつ電源でもよい。また、周波数１０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚ程度の低周波電源、さらに周波数１３．５６ＭＨｚ程度の高周波電源を用いても差し支えない。なお、高周波電源を使用する場合は必要に応じて電源５１０９とカソード５１０２の間に整合器（図示せず）を設けることが望ましい。
【０１０１】
カソード５１０２は、ターゲット５１０６を備え、さらに永久磁石５１２９が、ターゲット５１０６と平行な磁界を形成するように対を成して設置した、いわゆるマグネトロンスパッタリングを行う構成をとっている。
【０１０２】
カソード５１０２近傍にはスパッタガス導入管５１０５が設置され、バルブ５１１０を介して、スパッタガス供給手段（図示せず）に接続され、アルゴン（Ａｒ）等のスパッタリング用のガスを導入する。
【０１０３】
投入炉５２００は、真空容器５２０１、アクチュエータ５２０３及び扉５２０２からなり、真空容器５２０１は、ゲートバルブ５１０１によって反応容器５１０８と連通している。また、真空容器５２０１はバルブ５２０５を介して接続される排気装置（図示せず）によって、反応容器５１０８とは別に真空排気可能となっている。
【０１０４】
アクチュエータ５２０３はシャフト５２０７を真空シール５２０６によって真空容器５２０１に支持されている。シャフト５２０７にはチャッキング機構５２０８が設置され、真空中で基体１２２を保持し、ゲートバルブ５１０１を開きシャフト５２０７を伸縮させることで基体１２２を反応炉５１００と投入炉５２００の間で搬送する。
【０１０５】
また、真空容器５２０１はバルブ５２０４により大気開放可能となっている。
【０１０６】
次に図７に示した装置を用いた場合の表面層の形成手順を具体的に説明する。
【０１０７】
まず、反応容器５１０８内に堆積膜形成に必要な金属からなるターゲット５１０６をセットした後、バルブ５１１７を開いて排気装置により反応容器５１０８内部を排気しておく。同時に例えば光導電層を形成した基体１２２を扉５２０２より投入炉５２００内のチャッキング機構５２０８にセットする。次に扉５２０２を閉じ、バルブ５２０５を開いて投入炉５２００内部を排気する。
【０１０８】
反応容器５１０８、投入炉５２００内部がともに十分な真空度、例えば０．１Ｐａ以下になったところで、バルブ５１０１を開き、アクチュエータ５２０３を操作して、シャフト５２０７を伸ばし、基体１２２を反応容器５１０８内のホルダー５１１３に設置し、チャッキング機構５２０８を開放して、基体１２２をホルダー５１１３上に残置する。
【０１０９】
その後、シャフト５２０７を縮めて、チャッキング機構５２０８を投入炉５２００内に戻し、ゲートバルブ５１０１を閉じる。
【０１１０】
次にスパッタガス及び反応性ガスを、それぞれバルブ５１１０、５１１５を開いて、スパッタガス及び反応性ガス供給手段（図示せず）より反応容器５１０８内に供給し、反応容器５１０８に接続された真空計（図示せず）により、所定の圧力になったところで電源よりカソード５１０２に電力を印加してグロー放電を生起させる。
【０１１１】
この際、回転軸５１０４をモーター５１１８により回転させることで、基体１２２の周方向に均一に堆積膜を得ることができる。
【０１１２】
所定の堆積膜が形成されたところで、電源５１０９より電力の供給を止め、堆積膜の形成を終える。
【０１１３】
同時にバルブ５１１０、５１１５を閉じ、反応性ガス、スパッタガスの供給を終え、いったん反応容器５１０８内を例えば０．１Ｐａ以下の圧力まで排気し、ゲートバルブ５１０１を開く。
【０１１４】
ここで、アクチュエータ５２０３を操作し、シャフト５２０７を伸ばしでチャッキング機構５２０８により基体１２２を保持した後、再びシャフト５２０７を縮め、基体１２２が投入炉５２００内に収納されたところで、ゲートバルブ５１０１を閉じる。
【０１１５】
ゲートバルブ５１０１が閉じたことを確認した後、バルブ５２０４を開き、真空容器５２０１内を大気圧とし、扉５２０２を開いて、基体１２２を取り出し、電子写真用感光体の形成を終える。
【０１１６】
なお、上記の電子写真用感光体の形成手順の例では、図４から図６に示したプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置を用いて形成した電子写真用感光体をいったん大気中に取り出し、図７に示したスパッタリング法による堆積膜形成装置に投入したが、この手順には特に規定は無く、例えば両装置を結ぶ真空搬送可能な搬送装置を設置し、真空中で電子写真用感光体の移送を行ってもよい。
【実施例】
【０１１７】
以下、本発明を実施例により説明する。
【０１１８】
（実施例１および比較例１）
上記の手順に従い、基体１３上に下部電荷注入阻止層１４、光導電層１２、上部電荷注入阻止層１５をプラズマＣＶＤ法で形成した後、スパッタリング法でフッ化マグネシウムの表面層１１を形成した。
【０１１９】
本実施例では導電性の基体１３としてφ８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製材料の表面に鏡面加工を施したシリンダーを用いた。
【０１２０】
プラズマＣＶＤ法による形成条件を表１に示す。
【０１２１】
【表１】
2006243367.tif 000002
【０１２２】
本実施例では、表面層の形成条件のうち基板温度を室温（約２０℃）から３００℃の範囲で変化させて形成した。また、ここではカソード５１０２に印加する電力として１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波電力を用いた。
【０１２３】
表面層の形成条件を表２に示す。
【０１２４】
【表２】
2006243367.tif 000003
【０１２５】
なお、表２中のＦ2流量はＡｒで濃度５％に希釈したガス中のＦ2実効流量を記している。
【０１２６】
このようにして形成した電子写真用感光体を、キヤノン製複写機ｉＲ６０００を負帯電システム評価用に改造し、画像露光用レーザーの波長を４０５ｎｍに変更した評価装置を用いて、帯電能、感度、ゴースト、圧傷の評価、を行った。また、以上の評価を行った電子写真用感光体を用いてＸ線回折による結晶配向性の評価を行った。
【０１２７】
それぞれの項目は以下に示す方法で評価した。
【０１２８】
（帯電能）
まず、この複写機に電子写真用感光体を設置し、画像露光（レーザー）を行なった上で、帯電器に−６ｋＶの高電圧を印加してコロナ帯電を行う。この際に電子写真用感光体上に発生する表面電位（すなわち暗部帯電電位）を現像器に相当する位置に表面電位計（ＴＲＥＫ社製  Ｍｏｄｅｌ３３４）のセンサを設置して測定した。帯電能の単位は電圧（Ｖ）で測定される。
【０１２９】
（光感度）
上記複写機に電子写真用感光体を設置し、現像器位置での暗部帯電電位が−４５０Ｖとなるように帯電器に印加する帯電電流を調整する。この帯電電流を維持したまま、現像器位置での明部表面電位が−５０Ｖとなるようにレーザー光の強度を調整して画像露光（レーザー）を行なった。このときのレーザー光の強度を光感度とした。光感度の単位は光量（ｌｕｘ・ｓｅｃ）で測定される。
【０１３０】
（ゴースト）
全面に反射濃度０．５のハーフトーンが印刷された原稿の端部に反射濃度１．１で印刷された直径１０ｍｍの円形紙を貼り付けてゴーストチャートを作成し、このチャートとなる円形紙を貼り付けた方が画像の先端となる方向で原稿台に設置する。
【０１３１】
この原稿を用いて、コピー画像を出力し、ハーフトーン部の反射濃度と、円形紙によるゴースト部の反射濃度をそれぞれ計測しその差分を比較して評価した。
【０１３２】
（圧傷）
表面性試験装置（ＨＥＩＤＯＮ社製）を用いて、直径０．８ｍｍの曲率を持つダイアモンド針に一定の荷重を加えて電子写真用感光体表面上に接触させる。この状態でダイアモンド針を電子写真用感光体の母線方向（長手方向）に５０ｍｍ／分の一定速度で移動させる。移動距離は任意に設定してかまわないが、１０ｍｍ程度が好ましい。
【０１３３】
この操作をダイアモンド針に加える荷重（ｇ）を変えながら繰り返す。この際、電子写真用感光体上の針を接触させる位置を変えることは言うまでもない。
【０１３４】
こうして表面性試験を行った電子写真用感光体の表面を顕微鏡で観察し、引っかき傷が発生していないことを確認した後、前述の電子写真装置に設置し、ハーフトーンが印刷された原稿を用いて、反射濃度が０．５のハーフトーンとなるコピー画像を出力する。以上の手順を評価する電子写真用感光体すべてに行い、おのおのの電子写真用感光体で、圧傷が画像上で認められる最低の荷重を比較して評価した。
【０１３５】
なお、以上の計測において、反射濃度はＧｒｅｔａｇ  Ｍａｃｂｅｔｈ社製反射濃度計Ｄ２００−ＩＩを用いて測定した。
【０１３６】
（結晶配向性）
電子写真用感光体を中央位置で約３０ｍｍ四方の大きさで切り出し、前述の方法でＸ線回折の測定を行い、電子写真用感光体表面側から見た各面方位の反射強度のピーク値を測定した。
【０１３７】
表３に各電子写真用感光体で得られた各面方位の反射強度のピーク値を、面方位１１０、１０１、１１１、２１１、２２０を例にとって示した。これらの面方位は２θの値でそれぞれ、２７．３度、３５．２度、４０．４度、５３．５度、５６．３度付近に現れる。この角度は、測定装置や、試料設置上の調整、試料の状態によって多少のずれが生じるが、いずれも本実施例で形成した電子写真用感光体上の測定では、基体や下部層に由来する反射強度のピークが付近になく、容易に同定できるものである。
【０１３８】
なお、面方位２１０の反射強度のピークも比較的顕著に観測されるが、これは使用したアルミニウムの基体による反射強度のピークが接近して現れ、場合によっては分離が難しいことがあるので除外して差し支えない。
【０１３９】
【表３】
2006243367.tif 000004
【０１４０】
表３において、各面方位の反射強度のピーク値はそれぞれの試料における１１０の反射強度のピーク値に対する比で示している。表３によれば、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値の比が大きくなるにしたがって、各面方位のピーク強度も増加し、結晶がランダムな方向に配向していることがわかる。
【０１４１】
上の評価を行った上で、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値の比を比較し、０．８以下のものを、実施例１、０．８を超えるものを比較例１として整理した結果を表４に示した。
【０１４２】
【表４】
2006243367.tif 000005
【０１４３】
また、表４の結果を帯電能、光感度、ゴーストについては図８に、圧傷については図９に示した。  表４および図８、図９において帯電能、光感度、圧傷、ゴーストの各値はそれぞれ試料６の電子写真用感光体の場合を１．００とした相対比較で示した。この場合、帯電能、圧傷は数値が大きくなるほど優れている。また、光感度、ゴーストは数値が小さくなるほど優れていることを示す。
【０１４４】
上記比較において、各項目の数値は実際の使用において以下の基準で評価した。
【０１４５】
（帯電能）
０．９５以上・・・・・・・非常に優れた帯電能を有する
０．９０〜０．９５・・・・優れた帯電能を有する
０．８０〜０．９０・・・・実用上問題ない帯電能を有する
０．８０未満・・・・・・・帯電能が不足し実用上問題あり
（光感度）
１．００以下・・・・・・・非常に優れた光感度を有する
１．００〜１．１０・・・・優れた光感度を有する
１．１０〜１．３０・・・・実用上問題ない光感度を有する
１．３０未満・・・・・・・光感度が不足し実用上問題あり
（ゴースト）
２．００以下・・・・・・・画像上でまったくゴーストを識別できない
２．００〜３．００・・・・画像上で微かにゴーストを識別できる場合がある
３．００〜４．００・・・・画像上でゴーストが識別できるが軽微で実用上問題なし
４．００を超えるもの・・・画像上ゴーストが顕著で、画像判読に影響有り
（圧傷）
１．００以上・・・・・・・非常に優れた耐久性を有する
０．９５〜１．００・・・・優れた耐久性を有する
０．７５〜０．９５・・・・実用上問題ない耐久性を有する
０．７５未満・・・・・・・圧傷が発生しやすく実用可能な耐久性を得られない。
【０１４６】
なお、表４の「ピーク強度比」は面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値の比を示していており、以下の表においても同様の表記を用いる。
【０１４７】
実施例１および比較例１の電子写真用感光体はいずれも、帯電能、光感度についてはばらつきの範囲内にあり優れた特性が得られたが、面方位１１０の反射強度に対する面方位１０１の反射強度の比が０．８以下のものは、ゴースト、圧傷とも向上している。また、面方位１１０の反射強度に対する面方位１０１の反射強度の比が０．６以下のものでは、ゴースト、圧傷が特に向上しているのがわかる。
【０１４８】
（実施例２および比較例２）
実施例１と同様の条件で下部電荷注入阻止層１４、光導電層１２、上部電荷注入阻止層１５からなる下部層を形成した後、反応性スパッタリング法で表面層を形成した。
【０１４９】
本実施例では実施例１と同様、表面層の形成条件のうち基体温度を室温（約２０℃）から３００℃の範囲で変化させて形成した。なお、ここではカソード５１０２に印加する電力として１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波電源を用いた。
【０１５０】
表面層の形成条件を表５に示す。
【０１５１】
【表５】
2006243367.tif 000006
【０１５２】
なお、表５中のＦ2流量はＡｒで濃度５％に希釈したガス中のＦ2実効流量を記している。
【０１５３】
このようにして形成した電子写真用感光体を、実施例１と同様に評価した。
【０１５４】
表６に各面方位の反射強度のピーク値を示す。
【０１５５】
【表６】
2006243367.tif 000007
【０１５６】
本実施例および比較例の条件では、実施例１の場合に比べ、面方位２２０の反射強度のピーク値が高くなっている。このように、基体温度を変化させても、他の条件により傾向は変化する結果となる。
【０１５７】
上の評価を行った上で、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値の比を比較し、０．８以下のものを、実施例２、０．８を超えるものを比較例２として整理した結果を表７に示した。
【０１５８】
【表７】
2006243367.tif 000008
【０１５９】
また、表７の結果を帯電能、光感度、ゴーストについては図１０に、圧傷については図１１に示した。
【０１６０】
表７および図１０、図１１の結果より、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値に対応して、ゴースト、圧傷の向上が認められた。
【０１６１】
なお、表７の比較において各々の項目は実施例１および比較例１の評価基準に対応する。
【０１６２】
また、表６の結果と合わせると、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位２２０の反射強度のピーク値が、試料１１、試料１２では、試料７に比べて高くなっているにもかかわらず、ゴースト、圧傷の特性は向上している。
【０１６３】
これは、面方位２２０の反射強度が高くても、面方位１０１、１１１、２１１の反射強度は低い場合があり、配向性がランダムな方向になる傾向と一致していないことによるものと思われるが、この場合でも、面方位１１０に対する面方位１０１の反射強度のピーク値の比とゴースト、圧傷との間には相関が認められることがわかる。
【０１６４】
（実施例３および比較例３）
実施例１と同様の条件で下部電荷注入阻止層１４、光導電層１２、上部電荷注入阻止層１５からなる下部層を形成した後、反応性スパッタリング法で表面層を形成した。
【０１６５】
本実施例では原料ガスに加えて水素（Ｈ2）を添加し、その流量を０から２００ｍｌ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）まで変化させた。
【０１６６】
表面層の形成条件を表８に示す。
【０１６７】
【表８】
2006243367.tif 000009
【０１６８】
なお、表８中のＦ2流量はＮｅで濃度５％に希釈したガス中のＦ2実効流量を記している。
【０１６９】
こうして形成した電子写真用感光体を、実施例１と同様に評価した。
【０１７０】
表９に各面方位の反射強度のピーク値を示す。
【０１７１】
【表９】
2006243367.tif 000010
【０１７２】
本実施例および比較例の条件では、実施例１の場合に比べ、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１１１の反射強度のピーク値の比には大きな変化が見られなかった。上の評価を行った上で、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値の比を比較し、０．８以下のものを実施例３、０．８を超えるものを比較例３として整理した結果を表１０に示した。
【０１７３】
【表１０】
2006243367.tif 000011
【０１７４】
また、表１０の結果を帯電能、光感度、ゴーストについては図１２に、圧傷については図１３に示した。
【０１７５】
表１０および図１０、図１１の結果より、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値に対応して、ゴースト、圧傷の向上が認められた。
【０１７６】
なお、表１０の比較において各々の項目は実施例１および比較例１の評価基準に対応する。
【０１７７】
以上のように、本実施例および比較例では、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１１１の反射強度のピーク値は大きな変化がなかったが、面方位１１０の反射強度のピーク値に対する面方位１０１の反射強度のピーク値に対応して面方位２１１や面方位２２０の配向が進み、結果的にランダムな面成長に近くなったためと思われる。
【図面の簡単な説明】
【０１７８】
【図１】本発明の電子写真用感光体の層構成を模式的に示した図である。
【図２】Ｘ線回折装置による測定値の例である。
【図３】本発明でＸ線回折の反射強度のピーク値を求める方法を模式的に示した図である。
【図４】本発明の電子写真用感光体の光導電層の形成に使用できる堆積膜形成装置の例を模式的に示した構成図である。
【図５】図４の堆積膜形成装置におけるプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成容器の例を模式的に示した縦断面図である。
【図６】図５の堆積膜形成容器を模式的に示した横断面図である。
【図７】本発明の電子写真用感光体の表面層の形成に使用できるスパッタリング法による堆積膜形成容器の例を模式的に示した縦断面図である。
【図８】実施例１および比較例１における帯電能、光感度、ゴーストの結果を示した図である。
【図９】実施例１および比較例１における圧傷の結果を示した図である。
【図１０】実施例２および比較例２における帯電能、光感度、ゴーストの結果を示した図である。
【図１１】実施例２および比較例２における圧傷の結果を示した図である。
【図１２】実施例３および比較例３における帯電能、光感度、ゴーストの結果を示した図である。
【図１３】実施例３および比較例３における圧傷の結果を示した図である。
【符号の説明】
【０１７９】
１０      電子写真用感光体
１１      表面層
１２      光導電層
１３      導電性の基体
１４      下部電荷注入阻止層
１００      堆積膜形成容器
１０１      真空容器
１１１      圧力計
１２１      架台
１２２      基体
１２３      保持部材
１２４      ヒーター
１２５      キャップ
１２６      上蓋
１２７      電極
１２８      分岐板
１２９      高周波シールド
１３０      排気口
１３１      ガス導入管
１３６      ベース板
２００      排気装置
２０１      メカニカルブースターポンプ
２０２      ロータリーポンプ
３００      原料ガス供給手段
３０１〜３０５        原料ガスボンベ
３０６〜３１０        供給バルブ
３１１〜３１５        圧力調整器
３１６〜３２０        １次バルブ
３２１〜３２５        マスフローコントローラ
３２６〜３３０        ２次バルブ
４０１、４０３        バルブ
４０２                配管
４０４                原料ガス供給路
４０５                排気配管
４０６                スロットルバルブ
４０７                排気バルブ
４２１                高周波電源
４２２                高周波導入ケーブル
４２３                マッチングボックス
５１００              反応炉
５１０１              ゲートバルブ
５１０２              カソード
５１０３              反応性ガスノズル
５１０４              回転軸
５１０５              スパッタガス導入管
５１０６              ターゲット
５１０８              反応容器
５１０９              電源
５１１０              バルブ
５１１１              シールド
５１１７              バルブ
５１１６              ガス放出孔
５１１７              バルブ
５１１８              モーター
５１１９              回転軸シール
５１３１、５１３２    冷却水配管
５１２９、５１３０    永久磁石
５２００              投入炉
５２０１              真空容器
５２０２              扉
５２０３              アクチュエータ
５２０４              バルブ
５２０５              バルブ
５２０６              真空シール
５２０７              シャフト
５２０８              チャッキング機構
【図１】
2006243367.tif 000012
【図２】
2006243367.tif 000013
【図３】
2006243367.tif 000014
【図４】
2006243367.tif 000015
【図５】
2006243367.tif 000016
【図６】
2006243367.tif 000017
【図７】
2006243367.tif 000018
【図８】
2006243367.tif 000019
【図９】
2006243367.tif 000020
【図１０】
2006243367.tif 000021
【図１１】
2006243367.tif 000022
【図１２】
2006243367.tif 000023
【図１３】
2006243367.tif 000024