(57)【要約】【課題】  安定的な垂直構造を有する保護膜を形成することでピクセルの作動不良を防止した薄膜保護膜の提供、及びこれを有する表示基板を提供する。【解決手段】  基板に形成された薄膜の上面に形成され該薄膜を保護する保護膜において、前記保護膜は、前記薄膜と直接コンタクトされエッチングエージェント（ｅｔｃｈｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）によって第１エッチング率を有する第１保護膜と、前記第１保護膜の上面に形成され前記エッチングエージェントに対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する第２保護膜とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された薄膜の上面に形成され該薄膜を保護する保護膜において、
前記保護膜は、前記薄膜と直接コンタクトされエッチングエージェント（ｅｔｃｈｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）によって第１エッチング率を有する第１保護膜と、
前記第１保護膜の上面に形成され前記エッチングエージェントに対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する第２保護膜とを有することを特徴とする薄膜保護膜。
【請求項２】
前記薄膜は、前記第１保護膜の下部に配置され、前記薄膜は第１モリブデン薄膜、アルミニウム薄膜及び第２モリブデン薄膜を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜保護膜。
【請求項３】
前記薄膜は、前記第１保護膜の下部に配置され、前記薄膜は第１クロム薄膜、アルミニウム薄膜及び第２クロム薄膜を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜保護膜。
【請求項４】
前記保護膜を前記エッチングエージェントによってエッチングし、前記薄膜の一部を露出させるコンタクトホールを形成するとき、その縦断面が前記薄膜の上部に近づくほど開口が小さくなるように傾斜して形成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜保護膜。
【請求項５】
前記薄膜と前記第１保護膜との間には前記第２エッチング率を有する第３保護膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜保護膜。
【請求項６】
前記第３保護膜の厚さは、前記第２保護膜の厚さより小さいことを特徴とする請求項５記載の薄膜保護膜。
【請求項７】
前記保護膜を前記エッチングエージェントによってエッチングし、前記薄膜の一部を露出させるコンタクトホールを形成するとき、その縦断面が前記薄膜から前記第３保護膜までは開口が小さくなるように傾斜して形成され、前記第１保護膜から前記第２保護膜までは開口が大きくなるように傾斜して形成されることを特徴とする請求項５記載の薄膜保護膜。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に配置されソース電極、ドレイン電極及びゲート電極有する少なくとも一つの薄膜トランジスタと、
前記ドレイン電極の一部が開口されるコンタクトホールを有し前記薄膜トランジスタを覆いエッチングエージェントによって第１エッチング率を有する第１保護膜と、前記第１保護膜の上面に形成され前記エッチングエージェントに対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する第２保護膜とを含む保護膜とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項９】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は前記第１保護膜の下部に配置され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は第１モリブデン薄膜、アルミニウム薄膜及び第２モリブデン薄膜を有することを特徴とする請求項８記載の表示基板。
【請求項１０】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第１保護膜の下部に配置され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は第１クロム薄膜、アルミニウム薄膜及び第２クロム薄膜を有することを特徴とする請求項８記載の表示基板。
【請求項１１】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記第１保護膜との間には、前記第２エッチング率を有する第３保護膜が形成されることを特徴とする請求項８記載の表示基板。
【請求項１２】
前記第３保護膜の厚さは、前記第２保護膜の厚さより小さいことを特徴とする請求項１１記載の表示基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜保護膜及びこれを有する表示基板に関し、より詳細にはピクセルの作動不良を防止した薄膜保護膜及びこれを有する表示基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、移動通信端末機、デジタルカメラ、ノートブック、モニターなど多様な電子機器は外部から入力される画像信号に対応して画像を表示する表示装置、例えば、冷陰極線管表示装置ＣＲＴ、液晶表示装置ＬＣＤ、プラズマ表示パネルＰＤＰ、フィールド放射表示装置ＦＥＤ及び電気発光表示装置ＥＬを含む。
【０００３】
これらのうち、液晶表示装置ＬＣＤは、液晶の光学的特性を用いて画像を表示する。液晶表示装置ＬＣＤは他の表示装置に比べて薄くて軽く、低消費電力及び低駆動電圧で作動するという長所を有する。
【０００４】
従来の液晶表示装置は、光の液晶透過率を用いて画像を表示する表示パネルを含み、表示パネルは薄膜トランジスタＴＦＴが配置された第１基板、カラーフィルターが配置された第２基板、及び第１基板と第２基板との間に介在された液晶層を含む。
【０００５】
一般的に、第１基板は薄膜トランジスタＴＦＴを保護する保護膜及び薄膜トランジスタＴＦＴと電気的に連結された画素電極をさらに含む。このとき、薄膜トランジスタＴＦＴと画素電極とを電気的に連結するためには保護膜上に開口（コンタクトホール）が形成されるべきであり、保護膜の開口は、一般的に、エッチングエージェントによって保護膜がエッチングされ形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、エッチングによって開口が形成された保護膜の垂直的な構造が不安定な構造を有する場合、薄膜トランジスタＴＦＴと画素電極との間の電気的な連結関係に問題点が発生する可能性があり、その結果ピクセルの作動不良が発生するという問題が生じる。
【０００７】
従って、本発明はこのような従来の保護膜の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の第１の目的は安定的な垂直構造を有する保護膜を形成することでピクセルの作動不良を防止した薄膜保護を提供することにある。
また、本発明の第２の目的は前記薄膜保護膜を有する表示基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜保護膜は、基板に形成された薄膜の上面に形成され該薄膜を保護する保護膜において、前記保護膜は、前記薄膜と直接コンタクトされエッチングエージェント（ｅｔｃｈｉｎｇ  ａｇｅｎｔ）によって第１エッチング率を有する第１保護膜と、前記第１保護膜の上面に形成され前記エッチングエージェントに対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する第２保護膜とを有することを特徴とする。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板は、基板と、前記基板上に配置されソース電極、ドレイン電極及びゲート電極有する少なくとも一つの薄膜トランジスタと、前記ドレイン電極の一部が開口されるコンタクトホールを有し前記薄膜トランジスタを覆いエッチングエージェントによって第１エッチング率を有する第１保護膜と、前記第１保護膜の上面に形成され前記エッチングエージェントに対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する第２保護膜とを含む保護膜とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る薄膜保護膜及びこれを有する表示基板によれば、第２保護膜が第１保護膜より高いエッチング率を有することで、垂直的に安定的な構造を有する薄膜保護膜の開口が形成され、その結果、開口を通じて薄膜トランジスタと画素電極との間に安定的な電気的連結が可能で、ピクセルの作動不良を防止することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明に係る薄膜保護膜及びこれを有する表示基板を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は本発明の第１の実施例による薄膜保護膜を示す断面図である。図２はエッチングした後の図１の薄膜保護膜を示す断面図である。
【００１３】
図１及び図２を参照すると、本実施例による薄膜保護膜１０１は、基板１０に形成された薄膜２０の上面に形成され薄膜２０を保護する。
【００１４】
本実施例による薄膜２０は、例えば、第１薄膜層２２、第２薄膜層２４及び第３薄膜層２６を含む。
本実施例による第１ないし第３薄膜層２２、２４、２６は金属物質によって成すことができ、例えば、第１ないし第３薄膜層２２、２４、２６はそれぞれモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる。これとは異なり、本実施例による第１ないし第３薄膜層２２、２４、２６をそれぞれクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）から成すこともできる。
【００１５】
本実施例による薄膜保護膜１０１は第１保護膜１１０及び第２保護膜１２０を含み、例えば、非晶質水素化シリコン（ａ−ＳｉＮｘ：Ｈ、ａ−ＳｉＯｘ：Ｈなど）からなる。図１及び図２で、前記第１及び第２保護膜１１０、１２０は互いに異なる窒素含有量を有するａ−ＳｉＮｘ：Ｈを含む。例えば、前記第１保護膜１１０の窒素含有量は前記第２保護膜１２０の窒素含有量より少ない。このとき、前記第１保護膜１１０の窒素含有量が前記第３保護膜１３０の窒素含有量より多くすることができる。また、前記第１及び第２保護膜１１０、１２０がａ−ＳｉＮｘ：Ｈを含むこともできる。
【００１６】
第１保護膜１１０は薄膜２０と直接接触され薄膜２０上に配置され、薄膜２０を外部からの物質的及び化学的影響から保護する。本実施例による第１保護膜１１０はエッチングエージェント３０に対して第１エッチング率を有する。
【００１７】
第２保護膜１２０は第１保護膜１１０の上面に配置され、第１保護膜１１０を補助して薄膜２０を外部から保護する。本実施例による第２保護膜１２０はエッチングエージェント３０に対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する。
【００１８】
本実施例による薄膜保護膜１０１は、例えば、エッチングエージェント３０によってエッチングされ、エッチングされた薄膜保護膜１０１には薄膜２０の一部が露出されるように開口（コンタクトホール）１４０が形成される。
【００１９】
本実施例において、第２保護膜１２０の第２エッチング率が第１保護膜１１０の第１エッチング率より高いので、第２保護膜１２０が第１保護膜１１０より多くエッチングされ、その結果、薄膜保護膜１０１の開口（コンタクトホール）１４０は垂直的に安定的な構造、例えば、断面形状として逆台形の形状を有する。
【００２０】
このとき、エッチングエージェント３０によってエッチングされた開口（コンタクトホール）１４０は、薄膜保護膜１０１の縦断面が薄膜２０の上部に近づくほど開口が小さくなるように傾斜して形成される。
【００２１】
このように、第２保護膜１２０が第１保護膜１１０より高いエッチング率を有することで、第２保護膜１２０が第１保護膜１１０より多くエッチングされ、逆台形の形状のような安定的な構造を有する開口（コンタクトホール）１４０を薄膜保護膜１００上に形成することができる。
【実施例２】
【００２２】
図３は本実施例の第２実施例による薄膜保護膜を示す断面図である。図４はエッチングした後の図３の薄膜保護膜を示す断面図である。
図３及び図４に示すように、本実施例による薄膜保護膜１０１は基板１０に形成された薄膜２０の上面に形成され薄膜２０を保護する。
【００２３】
本実施例による薄膜２０は、例えば、第１薄膜層２２、第２薄膜層２４及び第３薄膜層２６を含む。
【００２４】
本実施例による第１ないし第３薄膜層２２、２４、２６は金属物質によって成すことができ、例えば、第１ないし第３薄膜層２２、２４、２６はそれぞれモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる。これとは異なり、本実施例による第１ないし第３薄膜層２２、２４、２６をそれぞれクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）から成すこともできる。
【００２５】
本実施例による薄膜保護膜１０１は第１保護膜１１０、第２保護膜１２０及び第３保護膜１３０を含む。
【００２６】
第１保護膜１１０は、薄膜２０と直接接触され薄膜２０上に配置され、薄膜２０を外部からの物質的及び化学的影響から保護する。本実施例による第１保護膜１１０はエッチングエージェント３０に対して第１エッチング率を有する。
【００２７】
第２保護膜１２０は、第１保護膜１１０の上面に配置され、第１保護膜１１０を補助して薄膜２０を外部から保護する。本実施例による第２保護膜１２０はエッチングエージェント３０に対して第１エッチング率より低いエッチング率である第２エッチング率を有する。このとき、本実施例による第１保護膜１１０の厚さは第２保護膜１２０の厚さに比べて薄いことが望ましい。
【００２８】
第３保護膜１３０は、第１保護膜１２０の上面に配置され、第１保護膜１１０を補助して薄膜２０を外部から保護する。本実施例による第３保護膜１３０はエッチングエージェント３０に対して第１保護膜１１０と同一の第１エッチング率を有する。第３保護膜１３０の厚さは第１保護膜１１０の厚さより薄い。
【００２９】
本実施例による薄膜保護膜１０１は、例えば、エッチングエージェント３０によってエッチングされ、エッチングされた薄膜保護膜１０１には薄膜２０の一部が露出されるように開口（コンタクトホール）１４１が形成される。
【００３０】
本実施例において、第２保護膜１２０の第２エッチング率が第１保護膜１１０及び第３保護膜１３０の第１エッチング率より低いので、第２保護膜１２０が第１保護膜１１０及び第３保護膜１３０より少なくエッチングされる。その結果、薄膜保護膜１００の開口（コンタクトホール）１４１は薄膜２０と接する第１保護膜１１０に若干の深さで形成された溝１１２を除いては、垂直的に安定的な構造を有する。
【００３１】
このとき、エッチングエージェント３０によってエッチングされた開口（コンタクトホール）１４１は、薄膜保護膜１０１の縦断面が薄膜２０から第１保護膜１１０までは開口が小さくなるように傾斜して形成され、第２保護膜１２０から第３保護膜１３０までは開口が大きくなるように傾斜して形成される。
【００３２】
このように、第２保護膜１２０が第１保護膜１１０及び第３保護膜１３０より低いエッチング率を有することにより、第２保護膜１２０が第１保護膜１１０及び第３保護膜１３０より少なくエッチングされ、垂直的に安定的な構造を有する（コンタクトホール）１４１を薄膜保護膜１０１上に形成することができる。
【実施例３】
【００３３】
図５は本発明の第３の実施例による表示基板を示す断面図である。
図５に示すように、本実施例による表示基板６００は、基板２００、薄膜トランジスタＴＦＴ３００、及び保護膜４００を含む。
【００３４】
本実施例による基板２００は、例えば、プレート形状を有し、透明な物質よりなる。
【００３５】
薄膜トランジスタＴＦＴ３００は、基板２００上に少なくとも一つが配置され、ドレイン電極３１０及びソース電極（図示せず）を含み、本実施例によるドレイン電極３１０及びソース電極（図示せず）それぞれは、例えば、第１薄膜層３１２、第２薄膜層３１４及び第３薄膜層３１６を含む。
【００３６】
本実施例による第１ないし第３薄膜層３１２、３１４、３１６は金属物質より成すことができ、例えば、第１ないし第３薄膜層３１２、３１４、３１６はそれぞれモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる。これとは異なり、本実施例による第１ないし第３薄膜層３１２、３１４、３１６をそれぞれクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）から成すこともできる。
【００３７】
本実施例による保護膜４００は第１保護膜４１０及び第２保護膜４２０を含み、薄膜トランジスタＴＦＴ３００を覆って保護する。
【００３８】
第１保護膜４１０は薄膜トランジスタＴＦＴ３００と直接接触され薄膜トランジスタ３００上に配置され、薄膜トランジスタ３００を外部から保護する。本実施例による第１保護膜４１０はエッチングエージェントに対して第１エッチング率を有する。
【００３９】
第２保護膜４２０は第１保護膜４１０の上面に配置され、第１保護膜４１０を補助して薄膜トランジスタ３００を外部から保護する。本実施例による第２保護膜４２０はエッチングエージェントに対して第１エッチング率よりエッチング率である高い第２エッチング率を有する。
【００４０】
本実施例による保護膜４００は、エッチングエージェントによってエッチングされ、エッチングされた保護膜４００には薄膜トランジスタＴＦＴ３００の一部、例えば、ドレイン電極３１０の一部が露出されるように開口（コンタクトホール）４４０が形成される。
【００４１】
本実施例において、第２保護膜４２０の第２エッチング率が第１保護膜４１０の第１エッチング率より高いので、第２保護膜４２０が第１保護膜４１０より多くエッチングされ、その結果、保護膜４００の開口４４０は垂直的に安定的な構造、例えば、断面形状として逆台形の形状を有する。
【実施例４】
【００４２】
図６は本発明の第４の実施例による表示基板を示した断面図である。
図６に示すように、本実施例による表示基板６００は基板２００、薄膜トランジスタＴＦＴ３００、保護膜４００及び画素電極５００を含む。
【００４３】
本実施例による基板２００は、例えば、プレート形状を有し、透明な物質からなる。
【００４４】
薄膜トランジスタＴＦＴ３００は、基板２００上に少なくとも一つが配置され、ドレイン電極３１０、ソース電極３２０及びゲート電極３３０を含む。
【００４５】
本実施例による薄膜トランジスタＴＦＴ３００を具体的に説明すると、まず、基板２００上にゲート電極３３０が配置され、ゲート電極３３０の上部及び基板２００上にはゲート絶縁膜３４０が配置される。ゲート電極３３０の上部に配置されたゲート絶縁膜３４０上にはチャンネル層３５０が配置され、チャンネル層３５０の上部にはドレイン電極３１０及びソース電極３２０が分離され形成される。また、ドレイン電極３１０とチャンネル層３５０との間、及びソース電極３２０とチャンネル層３５０との間にはそれぞれオームコンタクト層（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｌａｙｅｒ）３６０が形成される。
【００４６】
本実施例によるドレイン電極３１０は、例えば、第１ドレイン薄膜層３１２、第２ドレイン薄膜層３１４及び第３ドレイン薄膜層３１６を含み、本実施例によるソース電極３２０は、例えば、第１ソース薄膜層３２２、第２ソース薄膜層３２４及び第３ソース薄膜層３２６を含む。
【００４７】
本実施例による第１ないし第３ドレイン薄膜層３１２、３１４、３１６及び第１ないし第３ソース薄膜層３２２、３２４、３２６は金属物質によって成すことができ、例えば、第１ないし第３ドレイン薄膜層３１２、３１４、３１６及び第１ないし第３ソース薄膜層３２２、３２４、３２６はそれぞれモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる。これとは異なり、本実施例による第１ないし第３ドレイン薄膜層３１２、３１４、３１６及び第１ないし第３ソース薄膜層３２２、３２４、３２６をそれぞれクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）から成すこともできる。
【００４８】
本実施例による保護膜４００は、第１保護膜４１０及び第２保護膜４２０を含み、薄膜トランジスタＴＦＴ３００を覆い保護する。
【００４９】
第１保護膜４１０は、薄膜トランジスタＴＦＴ３００と直接接触され薄膜トランジスタＴＦＴ３００上に配置され、薄膜トランジスタＴＦＴ３００を外部から保護する。本実施例による第１保護膜４１０はエッチングエージェントに対して第１エッチング率を有する。
【００５０】
第２保護膜４２０は、第１保護膜４１０の上面に配置され、第１保護膜４１０を補助して薄膜トランジスタＴＦＴ３００を外部から保護する。本実施例による第２保護膜４２０はエッチングエージェントに対して第１エッチング率より高いエッチング率である第２エッチング率を有する。
【００５１】
本実施例による保護膜４００は、エッチングエージェントによってエッチングされ、エッチングされた保護膜４００には薄膜トランジスタＴＦＴ３００の一部、例えば、ドレイン電極３１０の一部が露出されるように開口（コンタクトホール）４４０が形成される。
【００５２】
本実施例において、第２保護膜４２０の第２エッチング率が第１保護膜４１０の第１エッチング率より高いので、第２保護膜４２０が第１保護膜４１０より多くエッチングされ、その結果、保護膜４００の開口（コンタクトホール）４４０は垂直的に安定的な構造、例えば、断面形状として逆台形の形状を有する。
【００５３】
画素電極５００は、保護膜４００の上部に少なくとも一つが形成され、保護膜４００に形成された開口（コンタクトホール）４４０によってドレイン電極３１０と電気的に連結される。
【００５４】
本実施例による画素電極５００は、透明で導電性のあるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）及びアモルファスインジウム錫酸化物（ａ−ＩＴＯ）などを含むことができる。
【実施例５】
【００５５】
図７は本発明の第５の実施例による表示装置を示す断面図である。
図７を参照すると、本実施例による表示基板６００は基板２００、薄膜トランジスタＴＦＴ３００及び保護膜４００を含む。
【００５６】
本実施例による基板２００は、例えば、プレート形状を有し、透明な物質を含む。
【００５７】
薄膜トランジスタＴＦＴ３００は、基板２００上に少なくとも一つが配置され、ドレイン電極３１０及びソース電極（図示せず）を含み、本実施例によるドレイン電極３１０及びソース電極（図示せず）それぞれは、例えば、第１薄膜層３１２、第２薄膜層３１４及び第３薄膜層３１６を含む。
【００５８】
本実施例による第１ないし第３薄膜層３１２、３１４、３１６は金属物質によって成すことができ、例えば、第１ないし第３薄膜層３１２、３１４，３１６はそれぞれモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる。これとは異なり、本実施例による第１ないし第３薄膜層３１２、３１４、３１６をそれぞれクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）及びクロム（Ｃｒ）から成すこともできる。
【００５９】
本実施例による保護膜４００は、第１保護膜４１０、第２保護膜４２０及び第３保護膜４３０を含み、薄膜トランジスタＴＦＴ３００を覆って保護する。
【００６０】
第１保護膜４１０は、薄膜トランジスタＴＦＴ３００と直接接触され薄膜トランジスタＴＦＴ３００上に配置され、薄膜トランジスタＴＦＴ３００を外部から保護する。本実施例による第１保護膜４１０はエッチングエージェントに対して第１エッチング率を有する。
【００６１】
第２保護膜４２０は、第１保護膜４１０の上面に配置され、第１保護膜４１０を補助して薄膜トランジスタＴＦＴ３００を外部から保護する。本実施例による第２保護膜４２０はエッチングエージェントに対して第１エッチング率より低いエッチング率である第２エッチング率を有する。このとき、本実施例による第１保護膜４１０の厚さは第２保護膜４２０の厚さに比べて薄いことが望ましい。
【００６２】
第３保護膜４３０は、第１保護膜４２０の上面に配置され、第１保護膜４１０を補助して薄膜トランジスタＴＦＴ３００を外部から保護する。本実施例による第３保護膜４３０はエッチングエージェントに対して第１保護膜４１０と同一の第１エッチング率を有し、前記第１保護膜４１０より厚い。
【００６３】
本実施例による保護膜４００は、エッチングエージェントによってエッチングされ、エッチングされた保護膜４００には薄膜トランジスタＴＦＴ３００の一部、例えば、ドレイン電極３１０の一部が露出されるように開口（コンタクトホール）４４１が形成される。
【００６４】
本実施例において、第２保護膜４２０の第２エッチング率が第１保護膜４１０及び第３保護膜４３０の第１エッチング率より低いので、第２保護膜４２０が第１保護膜４１０及び第３保護膜４３０より小さくエッチングされる。その結果、保護膜４００の開口４４０は薄膜トランジスタＴＦＴ３００と接する第１保護膜４１０の若干の深さで形成された溝４１２を除いては、垂直的に安定的な構造を有する。
【００６５】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施例による薄膜保護膜を示す断面図である。
【図２】エッチングした後の図１の薄膜保護膜を図示した断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例による薄膜保護膜を示す断面図である。
【図４】エッチングした後の図３の薄膜保護膜を示す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例による表示基板を示す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施例による表示基板を示す断面図である。
【図７】本発明の第５の実施例による表示基板を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０、２００    基板
２０      薄膜
３０      エッチングエージェント
１０１      薄膜保護膜
１１０      第１保護膜
１２０      第２保護膜
１３０      第３保護膜
１４０、１４１、４４０、４４１  開口（コンタクトホール）
３００      薄膜トランジスタＴＦＴ
３１０      ドレイン電極
３２０      ソース電極
４００      保護膜
４１０      第１保護膜
４２０      第２保護膜
４３０      第３保護膜
５００      画素電極
６００      表示基板
【図１】
2006114907.tif 000003
【図２】
2006114907.tif 000004
【図３】
2006114907.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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