(57)【要約】【課題】  半導体レーザおよび光検出器の光軸補正を、簡素な構成にて且つ発熱を伴わず、低コストで効率のよく行い得る光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】  ＬＤアクチュエータ３００は、３波長レーザ１０１を支持するＬＤ支持プレート３０１と、ＬＤ支持プレート３０１をＸ方向においてフレームに連結支持する一対の高分子アクチュエータ（高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２）と、ＬＤ支持プレート３０１をＹ方向においてフレームに連結支持する一対の高分子アクチュエータ（高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３）から構成されている。高分子アクチュエータは、導電性高分子材料層と固体電解質層が積層して構成され、両層間にサーボ信号（電位）を印加して導電性高分子材料層にドーパントイオンを脱注入することにより長手方向の寸法が変化する。これにより、３波長レーザ１０１がＸ、Ｙ方向に変位され光軸補正がなされる。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザを少なくとも出射光軸に垂直な方向に変位可能に支持する支持手段を備え、該支持手段は、サーボ電圧の印加によってドーパントイオンが導電性高分子材料に出入りすることにより変位する構造体を具備する、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体レーザは、前記構造体を介して、フレームに接続されている、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記構造体は、前記サーボ電圧の印加によって前記光軸に垂直な一方向に変位する第１の構造体と、前記サーボ電圧の印加によって前記光軸に垂直で且つ前記第１の構造体の変位方向とは異なる方向に変位する第２の構造体とを具備する、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】
光検出器を少なくとも入射光軸に垂直な方向に変位可能に支持する支持手段を備え、該支持手段は、サーボ電圧の印加によってドーパントイオンが導電性高分子材料に出入りすることにより変位する構造体を具備する、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記光検出器は、前記構造体を介して、フレームに接続されている、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記構造体は、前記サーボ電圧の印加によって前記光軸に垂直な一方向に変位する第１の構造体と、前記サーボ電圧の印加によって前記光軸に垂直で且つ前記第１の構造体の変位方向とは異なる方向に変位する第２の構造体とを具備する、
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置に関し、特に、半導体レーザおよび/もしくは光検出器の光軸調整を行う際に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等、様々な光ディスクが商品化され普及している。さらに、最近では、青紫レーザ光を用いて情報を記録再生する次世代ＤＶＤの規格化が進められている。この次世代ＤＶＤは、波長４０５ｎｍ程度の青紫レーザ光を用いて情報を記録再生するものである。レーザ光の短波長化によって、さらなる高密度化を図ることができる。
【０００３】
このように、ディスクの多様化が進むと、異なる種類のディスクに対し記録再生を行い得る、いわゆる互換型の光ピックアップ装置の開発が要求される。この場合、一つのＣＡＮ内に出射波長の異なる複数のレーザ素子を同時に装備するよう構成することができる。こうすると、半導体レーザの配置スペースを削減でき、且つ、各レーザ光について光学系を共用できるようになる。
【０００４】
ところが、かかる互換型の光ピックアップ装置においては、使用レーザ光の切り替え時等に光軸ズレが生じるとの問題がある。このため、半導体レーザおよび光検出器の何れか一方、または両方を位置調整して、レーザ光の光軸ズレを補正する必要がある。
【０００５】
レーザ光の光軸ズレを補正するものとして、たとえば以下の特許文献１に記載の光軸制御装置が公知となっている。かかる装置では、ペルチェ素子を用いたバイモルフ構造によって半導体レーザを支持することにより、半導体レーザの位置調整を行っている。
【特許文献１】特開２００１−５６９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、かかる従来技術によれば、ペルチェ素子による発熱を利用することから、光ピックアップ装置内の温度上昇を引き起こし、光ピックアップ装置の特性が劣化するとの問題が生じ得る。また、ペルチェ素子を用いるものであるため、コスト高となり、さらに、構成が大掛かりとなるとの問題も生じる。さらに、発熱による熱変形を利用することから、半導体レーザ等を迅速かつ効率よく変位させることが難しいとの問題も想定される。
【０００７】
そこで、本発明は、簡素な構成にて且つ発熱を伴わず、低コストで効率のよい位置制御を行い得る光ピックアップ装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題に鑑み本発明は、それぞれ以下の特徴を有する。
【０００９】
請求項１の発明は、光ピックアップ装置において、半導体レーザを少なくとも出射光軸に垂直な方向に変位可能に支持する支持手段を備え、該支持手段は、サーボ電圧の印加によってドーパントイオンが導電性高分子材料に出入りすることにより変位する構造体を具備することを特徴とする。
【００１０】
ここで、半導体レーザは、請求項２に記載のように、前記構造体を介して、フレームに接続されるようにすることができる。
【００１１】
また、このとき、前記構造体は、請求項３に記載のように、サーボ電圧の印加によって光軸に垂直な一方向に変位する第１の構造体と、サーボ電圧の印加によって光軸に垂直で且つ第１の構造体の変位方向とは異なる方向に変位する第２の構造体とを具備するよう構成することができる。
【００１２】
請求項４の発明は、光ピックアップ装置において、光検出器を少なくとも入射光軸に垂直な方向に変位可能に支持する支持手段を備え、該支持手段は、サーボ電圧の印加によってドーパントイオンが導電性高分子材料に出入りすることにより変位する構造体を具備することを特徴とする。
【００１３】
ここで、光検出器は、請求項５に記載のように、前記構造体を介して、フレームに接続されるよう構成することができる。
【００１４】
また、このとき、前記構造体は、請求項６に記載のように、サーボ電圧の印加によって光軸に垂直な一方向に変位する第１の構造体と、サーボ電圧の印加によって光軸に垂直で且つ第１の構造体の変位方向とは異なる方向に変位する第２の構造体とを具備するよう構成することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、サーボ電圧の印加によって、半導体レーザまたは光検出器を支持する構造体自身の形状が光軸に垂直な方向に変位する構成であるため、アクチュエータの構成を単純・簡素なものとすることができる。
【００１６】
また、構造体は、発熱や機械的振動が殆ど生じないため、アクチュエータからの熱や振動によって光ピックアップ装置の特性が悪化するといった問題が生じることもなく、さらに、この構造体は、消費電力が小さく、また、駆動時に騒音が殆ど生じないため光ピックアップ装置の低消費電力化、低騒音化を図ることができる。
【００１７】
本発明の特徴は、以下に示す実施の形態の説明により更に明らかとなろう。
【００１８】
なお、上記発明における「構造体」、「第１の構造体」および「第２構造体」は、以下に示す実施の形態では、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２および高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３として示されている。
【００１９】
ただし、以下の実施の形態は、あくまでも、本発明の一つの実施形態であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以下の実施の形態に記載されたものに制限されるものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態につき図面を参照して説明する。
【００２１】
図１に実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す。なお、この光ピックアップ装置は、ＣＤ／ＤＶＤ／次世代ＤＶＤ用の互換型として用いられるものである。また、同図中、再生回路１１およびサーボ回路１２は、光ディスク装置側の構成である。
【００２２】
図示の如く、光ピックアップ装置は、３波長レーザ１０１と、光軸補正素子１０２と、コリメータレンズ１０３と、偏光ＢＳ（ビームスプリッタ）１０４と、ミラー１０５と、開口制限素子１０６と、波面補正素子１０７と、λ／４板１０８と、対物レンズ１０９と、集光レンズ１１０と、光軸補正素子１１１と、光検出器１１２と、対物レンズアクチュエータ２００と、ＬＤアクチュエータ３００と、ＰＤアクチュエータ４００を備えている。
【００２３】
３波長レーザ１０１は、ＣＤ用のレーザ光（波長７８０ｎｍ）、ＤＶＤ用のレーザ光（波長６５０ｎｍ）、次世代ＤＶＤ用のレーザ光（波長４０５ｎｍ）をそれぞれ出射する３つのレーザ素子を同一ＣＡＮ内に収容している。
【００２４】
光軸補正素子１０２は、３波長レーザ１０１から出射されるレーザ光のうち、ＣＤ用レーザ光の光軸を、次世代ＤＶＤ用レーザ光の光軸に整合させる。コリメータレンズ１０３は、光軸補正素子１０２から入射された各波長のレーザ光を平行光に変換する。ここで、コリメータレンズ１０３は、たとえば、各波長のレーザ光に対し色消し効果を実現できるよう、アッベ数と曲率（球面）が調整された複数枚のレンズを貼り合わせて形成されている。
【００２５】
偏光ＢＳ１０４は、その偏光面が３波長レーザ１０１から出射されるレーザ光の偏光面に一致するように調整・配置されている。したがって、コリメータレンズ１０３によって平行光に変換された各波長のレーザ光は、それぞれ偏光ＢＳ１０４をほぼ全透過する。
【００２６】
ミラー１０５は、偏光ＢＳ１０４からのレーザ光の光路を対物レンズ１０９方向に立ち上げる。
【００２７】
開口制限素子１０６は、各ディスクの基板厚に応じてレーザ光の外周を遮光し、これにより、対物レンズ１０９に対する各レーザ光の開口数（ＮＡ）を調整する。すなわち、対物レンズ１０９の開口数は、ディスク毎の基板厚に応じて、あらかじめレーザ光毎に決められている。開口制限素子１０６は、ディスクの基板厚に対応する開口数となるようレーザ光の外周部を遮光し、各レーザ光を適正な有効径にて対物レンズ１０９に入射させる。なお、開口制限素子１０６としては、たとえば、回折素子を用いることができる。この回折素子には、レーザ光の外周部が入射する位置に波長選択性の回折パターンが形成されている。
【００２８】
波面補正素子１０７は、レーザ光の波面状態を補正する。３波長レーザ１０１から出射される各波長のレーザ光は、コリメータレンズ１０３によって全て平行光とされるため、開口制限素子１０６を通過した後も平行光となっている。これに対し、対物レンズ１０９が、たとえば、所定波長のレーザ光にのみ有限系となるよう設計されている場合には、当該波長のレーザ光の波面状態をそれに応じて補正する必要がある。波面補正素子１０７は、かかる場合に、当該波長のレーザ光の波面状態が適正状態となるよう、当該波長のレーザ光に波面補正作用を付与する。
【００２９】
λ／４板１０８は、偏光ＢＳ１０４を全透過したレーザ光（直線偏光）を円偏光に変換する。また、ディスクから反射されたレーザ光（円偏光）を、入射時の偏光方向に直交する直線偏光に変換する。したがって、ディスクから反射されたレーザ光は、偏光ビームＢＳ１０４によってほぼ全反射される。
【００３０】
対物レンズ１０９は、レーザ光をディスク上に収束させる。ここで、対物レンズ１０９は、各波長のレーザ光を記録層上に適正に収束させるよう設計されている。対物レンズアクチュエータ２００は、サーボ回路からのサーボ信号に応じて、対物レンズ１０９を駆動する。
【００３１】
集光レンズ１１０は、偏光ＢＳ１０４によって反射されたレーザ光（ディスクからの反射光）を光検出器１１２上に集光する。光軸補正素子１１１は、３波長レーザ１０１から出射されるレーザ光のうち、ＤＶＤ用レーザ光の光軸を次世代ＤＶＤ用レーザ光の光軸に整合させる。
【００３２】
光検出器１１２は、受光したレーザ光の強度分布から再生ＲＦ信号、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を導出するためのセンサーパターンを有している。各センサーからの信号は、ディスク装置側の再生回路１１に出力され処理される。
【００３３】
再生回路１１は、光検出器１１２から受信したセンサー信号を演算処理して再生ＲＦ信号を導出し、これを復調して再生データを生成する。また、導出した再生ＲＦ信号をサーボ回路１２に適宜供給する。
【００３４】
サーボ回路１２は、再生回路１１から受信した再生ＲＦ信号をもとに、後述の如くサーボ信号を生成し、これをＬＤアクチュエータ３００およびＰＤアクチュエータ４００に出力する。
【００３５】
ＬＤアクチュエータ３００は、３波長レーザ１０１を出射光に垂直な方向に変位可能に支持するとともに、サーボ回路１２からのサーボ信号に応じて、３波長レーザ１０１を当該方向に変位させる。ＬＤアクチュエータ３００の具体的構成については、追って詳述する。
【００３６】
ＰＤアクチュエータ４００は、光検出器１１２を入射光に垂直な方向に変位可能に支持するとともに、サーボ回路１２からのサーボ信号に応じて、光検出器１１２を当該方向に変位させる。ＰＤアクチュエータ４００の具体的構成については、追って詳述する。
【００３７】
図２に、上記ＬＤアクチュエータ３００およびＰＤアクチュエータ４００で用いられ得る高分子アクチュエータの断面構造を示す。図示の如く、高分子アクチュエータは、固体電解質層、導電性高分子材料Ａ、導電性高分子材料Ｂが積層された構造となっている。なお、高分子アクチュエータの平面形状は、同図左右方向に細長いフィルム形状となっている。
【００３８】
以下に、まず、導電性高分子材料Ａ、Ｂの構造および特性について説明する。
【００３９】
一般に、高分子は、モノマー分子を互いに重合させて、分子の長い鎖を形成することにより生成される。ここで、モノマー分子が、重合時に、隣り同士の分子間で電子の受け渡しを行える性質を有する場合には、生成後の高分子は、導電性高分子となり、つまり、高分子自体が導電性を有することとなる。もっとも、この導電性は、半導体の導電性に近いものとなる。
【００４０】
なお、導電性高分子の形成に適する代表的なモノマー分子として、ピロールやチオフェンがある。これらが重合すると、ポリピロールやポリチオフェンとなる。
【００４１】
上記重合時に、ドーパントと呼ばれる種々のイオンを取り込ませることにより、イオン種の極性に依存して、導電性高分子自体がｐ型やｎ型の特性を持つようになる。この状態で、導電性高分子を電解質溶液に浸し、例えば電解質溶液側を負、導電性高分子層側を正として電位を印加したとすると、取り込まれているドーパントイオンが正極性を持つ場合には、ドーパントイオンが電解質溶液の中に出て行く。また、これとは逆の電位を印加した場合には、ドーパントイオンが導電性高分子内に取り込まれる。なお、ドーパントイオンが負極性を持つ場合には、これとは逆の挙動を示す。
【００４２】
ここで、導電性高分子に出入りするイオンの量は、印加される電位差によって決まる。つまり、所定の電位が印加されると、それと電気化学的に平衡状態になるように導電性高分子内の取り込みイオンの量（数or 電荷量）が一義的に決まる。なお、イオンが取り込まれた（または、出て行った）状態で電位の印加を遮断した場合には、導電性高分子と電解質溶液の間で実質的にはイオンの出入りは起こらない。
【００４３】
ところで、上記のようにして重合時にドーパントイオンを取り込ませると、これによって、導電性高分子の素材自体にドーパントイオンによって確保された（ドーパントイオンと逆の極性を持った）イオンのポケットが形成される。ここで、導電性高分子に取り込まれるドーパントイオンにはさまざまな大きさがある。この大きさを適宜選択することにより、導電性高分子への物理的なもぐり込み速度を制御することができる。
【００４４】
導電性高分子材料への電位印加によってイオンが取り込まれると、導電性高分子材料自体の体積が増加する。逆に、イオンが出て行くと体積は減少する。なお、図２中に示す「導電性高分子材料Ａ」と「導電性高分子材料Ｂ」は、逆極性のドーパントイオンのポケットを持つ材料である。従って、これら２つの材料に同じ電位を印加した場合には、一方は体積増加し、他方は体積減少するようになる。このため、これら２つの材料層を積層方向に配置して可撓性高分子アクチュエータを構成すると、この高分子アクチュエータは、体積減少した方に湾曲するようになる。
【００４５】
図２に示す高分子アクチュエータは、かかる導電性高分子の特性を利用して構成されたものである。なお、同図に示す高分子アクチュエータでは、上記説明中の電解質溶液に代えて固体電解質層が用いられている。
【００４６】
図２に示された７つの積層パターンのうち、(1)〜(3)は、高分子アクチュエータ全体が長手方向に伸縮するタイプの積層パターンを示すものである。なお、本パターンの高分子アクチュエータは、幅方向（長手方向と積層方向に直交する方向）と積層方向の変位が物理的に規制されている。このため、ドーパントイオンの出入りによって導電性高分子材料層Ａ、Ｂの体積が増減すると、これに応じて、高分子アクチュエータが長手方向に伸縮するようになる。
【００４７】
(4)のパターンは、(1)のパターンと同様であるが、(1)の高分子アクチュエータと比べると、上下方向の変位が物理的に規制されていない点が異なっている。この場合、導電性高分子材料Ａの体積増減に応じて、高分子アクチュエータ全体が円弧形状に変形（湾曲）し、これにより、高分子アクチュエータは、その中央部が、上下方向（パターン(4)上に付された矢印方向）に変位する。
【００４８】
(5)(6)のパターンは、互いに逆極性のドーパントイオンのポケットを持つ導電性高分子材料層Ａ、Ｂを積層方向に配置したものである。本パターンの高分子アクチュエータも(4)のパターンと同様、上下方向の変位が物理的に規制されていない。この場合、導電性高分子材料層Ａ、Ｂに同じ電位を印加すると、一方は体積が増加し、他方は体積が減少する。これにより、高分子アクチュエータは、上記(4)のパターンと同様、全体が円弧形状に変形（湾曲）し、これにより、高分子アクチュエータは、(4)のパターンと同様、その中央部が、上下方向（パターン(4)上に付された矢印方向）に変位する。この場合、電性高分子材料層Ａ、Ｂが同時に円弧形状に変形するため、(4)のパターンよりも大きな変位量が得られる。
【００４９】
(7)のパターンは、互いに逆極性のドーパントイオンのポケットを持つ導電性高分子材料層Ａ、Ｂをそれぞれ交互に配置したものである。本パターンの高分子アクチュエータも(4)(5)(6)のパターンと同様、上下方向の変位が物理的に規制されていない。この場合、導電性高分子材料層Ａ、Ｂに同じ電位を印加すると、高分子アクチュエータは全体として波形状（同図(7)上に示した波形状）に変形する。その結果、高分子アクチュエータは、長手方向および上下方向に伸縮する。
【００５０】
図２には、高分子アクチュエータの構成に加えて、各層に電位を印加するための回路構成を重ねて示してある。印加する電位を増減することにより、各層に取り込まれ、あるいは、各層から放出されるドーパントイオンの量が変化し、これに応じて、高分子アクチュエータの変位量が変化する。
【００５１】
なお、導電性高分子材料を用いた積層構造体およびその製造プロセスについては、たとえば、特開２００３−３４０９８２号公報および特開２００４−８２３９５号公報にも記載されている。
【００５２】
図３は、上記ＬＤアクチュエータ３００の具体的構成を示すものである。
【００５３】
図示の如く、ＬＤアクチュエータ３００は、３波長レーザ１０１を支持するＬＤ支持プレート３０１と、ＬＤ支持プレート３０１を同図Ｘ方向においてフレーム（同図には図示せず）に連結支持する一対の高分子アクチュエータ（高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２）と、ＬＤ支持プレート３０１を同図Ｙ方向においてフレーム（同図には図示せず）に連結支持する一対の高分子アクチュエータ（高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３）から構成されている。高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２と高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３は、たとえば、上記図２の(1)〜(3)のパターンの高分子アクチュエータを蛇腹状に折り曲げて構成することができる。また、上記図２の(7)のパターンの高分子アクチュエータを長手方向に複数延設したものをそれぞれの延設箇所にて全体が蛇腹形状になるように折り曲げて構成することもできる。
【００５４】
なお、ＰＤアクチュエータ４００もＬＤアクチュエータ３００と同様にして構成することができる。この場合、図３のＬＤ支持プレート３０１は、光検出器１１２を支持するプレートに変更され、このプレート上に光検出器１１２が装着される。
【００５５】
図４は、ＬＤアクチュエータ３００とＰＤアクチュエータ４００を光軸方向から見たときの状態を示すものである。
【００５６】
かかる状態において、一対の高分子アクチュエータ（Ｘ）３０２に正方向のサーボ信号（電位）を印加すると、一方が長手方向に伸長し、他方が長手方向に収縮する。また、負方向のサーボ信号（電位）を印加すると、一方が長手方向に収縮し、他方が長手方向に伸長する。これにより、３波長レーザ１０１と光検出器１１２はＸ方向に変位する。なお、一対の高分子アクチュエータ（Ｘ）３０２には、一方が伸長するときは他方が収縮するようサーボ信号が印加される。
【００５７】
同様に、一対の高分子アクチュエータ（Ｙ）３０３に正方向または負方向のサーボ信号（電位）を印加すると、一方が長手方向に伸長または収縮し、他方が長手方向に収縮または伸長する。これにより、３波長レーザ１０１と光検出器１１２はＹ方向に変位する。
【００５８】
図５および図６は、上記ＬＤアクチュエータ３００の他の構成例を示すものである。
【００５９】
この構成例では、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２と高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３が平板形状となっている。かかる高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２と高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３は、たとえば、上記図２の(1)〜(3)のパターンの高分子アクチュエータを用いて構成することができる。
【００６０】
この場合も、上記と同様、一対の高分子アクチュエータ（Ｘ）３０２に正方向または負方向のサーボ信号（電位）を印加すると、一方が長手方向に伸長または収縮し、他方が長手方向に収縮または伸長する。これにより、３波長レーザ１０１と光検出器１１２はＸ方向に変位する。また、一対の高分子アクチュエータ（Ｙ）３０３に正方向または負方向のサーボ信号（電位）を印加すると、一方が長手方向に伸長または収縮し、他方が長手方向に収縮または伸長する。これにより、３波長レーザ１０１と光検出器１１２はＹ方向に変位する。
【００６１】
なお、このように高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２と高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３を平板形状とした場合には、一方のアクチュエータの駆動方向が他方のアクチュエータの幅方向になるため、一方のアクチュエータの駆動を他方のアクチュエータの幅方向の剛性が阻害するのではないかとの危惧が生じる。しかし、光軸補正時の変位量は、精々数十〜数百μｍ程度であるため、他方のアクチュエータの幅方向の剛性によっても、この程度の変位量は十分実現され得る。
【００６２】
図７は、光軸補正時の処理フローを示すものである。なお、同図には、ＬＤ（３波長レーザ１０１）に対する光軸補正処理を示しているが、ＰＤ（光検出器１１２）に対する光軸補正処理も同様にして行われる。
【００６３】
光軸補正処理が開始されると、サーボ回路１２は、変数ＫにＫ＝１を設定した後、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２を駆動して、３波長レーザ１０１の位置を現在位置からＸ方向に±ΔＸの振り幅で変位させる（Ｓ１０２）。さらに、かかる駆動時において、再生ＲＦ信号の振幅値をモニタし、振幅値が最大となる駆動位置Ｌｘmaxを検出する（Ｓ１０３）。そして、３波長レーザ１０１のＸ方向の位置を駆動位置Ｌｘmaxに移動させる（Ｓ１０４）。
【００６４】
次に、サーボ回路１２は、高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３を駆動して、３波長レーザ１０１の位置を現在位置からＹ方向に±ΔＹの振り幅で変位させる（Ｓ１０５）。さらに、かかる駆動時において、再生ＲＦ信号の振幅値をモニタし、振幅値が最大となる駆動位置Ｌｙmaxを検出する（Ｓ１０６）。そして、３波長レーザ１０１のＸ方向の位置を駆動位置Ｌｘmaxに移動させる（Ｓ１０７）。
【００６５】
しかる後、サーボ回路１２は、変数Ｋが閾値Ｋを越えたかを判別し（Ｓ１０８）、越えていなければ、変数Ｋに１を加算した後（Ｓ１０９）、Ｓ１０２に戻り、上述の処理を繰り返す。Ｓ１０２以降の処理は、変数Ｋが閾値Ｋｓを越えるまで繰り返される（Ｓ１０８）。そして、変数Ｋが閾値Ｋｓを越えると、３波長レーザ１０１の位置が光軸ズレのない適正位置に補正されたとして、当該処理を終了する。
【００６６】
図８（ａ）は、レーザ光上に発生する収差の大きさと軸ずれ量（光軸ずれの大きさ）の関係を示すものである。同図の如く、収差の大きさは、光学系に対するレーザ光の軸ずれ量に比例して増大する。したがって、再生ＲＦ信号の振幅値は、光学系に対するレーザ光の軸ずれがないときに最大となり、軸ずれ量が大きくなるに従って小さくなる。
【００６７】
図８（ｂ）は、上記図７の処理フローを実行したときのサーボ動作を示すものである。かかるサーボ動作において、３波長レーザ１０１は、まず、初期位置から、Ｘ方向変位時における再生ＲＦ信号の最大振幅位置Ｌｘmax（同図の△印１の位置）に移動される。次いで、この位置から、Ｙ方向変位時における再生ＲＦ信号の最大振幅位置Ｌｙmax（同図の△印２の位置）に移動される。この状態においては、３波長レーザ１０１は、光軸ずれのない最適位置（同図の◎印の位置）から離れた位置にある。したがって、さらに最大振幅位置Ｌｘmaxへの移動と最大振幅位置Ｌｙmaxへの移動処理が複数回繰り返される。これにより、３波長レーザ１０１は、徐々に、光軸ずれのない最適位置（同図の◎印の位置）へと近付けられる。
【００６８】
以上、本実施の形態によれば、３波長レーザ１０１または光検出器１１２を支持する高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２および高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３自体の形状をサーボ信号（電位）の印加によって変位させる構成であるため、図３または図５に示すように、アクチュエータの構成を極めてシンプルなものとすることができる。
【００６９】
また、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２および高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３は、上記のようにドーパントイオンの脱注入によって駆動変位されるものであるため、発熱や機械的振動が殆ど生じず、よって、熱や振動によって光ピックアップ装置の特性が悪化するといった問題が生じることもない。さらに、この高分子アクチュエータは、消費電力が小さく、また、駆動時に騒音が殆ど生じないため、光ピックアップ装置の低消費電力化、低騒音化を図ることができる。
【００７０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、適宜種々の変更が可能なものである。
【００７１】
たとえば、上記実施の形態では、図４および図６に示す如く、一対の高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２および高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３によって、ＬＤ（３波長レーザ１０１）またはＰＤ（光検出器１１２）を、Ｘ方向およびＹ方向の４方から連結支持するようにしたが、図９（ａ）に示す如く、Ｘ方向およびＹ方向の２方から連結支持し、残りの２方を支持バネにて支持するようにしても良い。
【００７２】
また、図９（ｂ）に示す如く、連結部材にて連結された高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２と高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３を用いてＬＤまたはＰＤを一方から連結支持し、残りの３方を支持バネにて支持するようにしても良い。また、同図（ａ）の変更例１において、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２および高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３の剛性が十分でない場合には、同図（ｃ）に示す如く、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２と高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３にて連結支持した箇所をさらに支持バネにて支持するようにしても良い。さらに、同図（ａ）の変更例１において、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２および高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３の剛性が十分である場合には、同図（ｄ）に示す如く、支持バネによる支持を省略し、高分子ＡＣＴ（Ｘ）３０２と高分子ＡＣＴ（Ｙ）３０３のみによってＬＤまたはＰＤを支持するようにしても良い。なお、同図に示す支持バネとしては、板バネやワイヤー等、種々のバネ部材を用いることができる。
【００７３】
また、上記実施の形態では、再生ＲＦ信号の振幅値が最大となる位置に追い込むようにしてサーボを掛けたが、サーボの掛け方はこれに限定されるものではなく、たとえば、再生データのエラー率をモニタし、これが最小となる位置に追い込むようにしてサーボを掛けても良い。また、ＬＤまたはＰＤをＸ方向、Ｙ方向に個別に変位させる方法に代えて、螺旋状に変位させて最適位置に追い込むようにしても良い。あるいは、数値解析にて最適解を求めるアルゴリズムを利用して、ＬＤまたはＰＤの位置を最適位置に変位させるようにしても良い。
【００７４】
なお、光軸補正サーボは、光ピックアップ装置の組み立て時や、使用レーザ光の切り替え時の他、温度変化時や、経時変化が予測されるとき等に実行され得る。但し、ＬＤの光軸補正は、他の光学系に大きく影響するため、あまり頻繁に行わないのが好ましい。ＬＤの光軸補正は、光ピックアップ装置の組み立て時や、使用レーザ光の切り替え時に制限するのが良い。
【００７５】
また、上記実施形態では、ＬＤアクチュエータ３００とＰＤアクチュエータ４００を配し、ＬＤとＰＤの両方について光軸補正を行うようにしたが、何れか一方のみについて光軸補正を行うようにしても良い。なお、上記のようにＬＤとＰＤの両方について光軸補正を行う場合には、たとえば、ＬＤに対する光軸補正を行った後、ＰＤに対する光軸補正を行う等、各光軸補正を個別に行うようにすれば良い。
【００７６】
本発明の実施の形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す図
【図２】実施の形態に係る高分子アクチュエータの断面構造を示す図
【図３】実施の形態に係るＬＤアクチュエータの構成例を示す図
【図４】実施の形態に係るアクチュエータの動作を説明する図
【図５】実施の形態に係るＬＤアクチュエータの構成例を示す図
【図６】実施の形態に係るアクチュエータの動作を説明する図
【図７】実施の形態に係るサーボ動作時の処理フローを示す図
【図８】実施の形態に係るサーボ動作の具体的実行例を説明する図
【図９】実施の形態に係るアクチュエータの変更例を示す図
【符号の説明】
【００７８】
１０１  ３波長レーザ
１１２  光検出器
３００  ＬＤアクチュエータ
３０１  ＬＤ支持プレート
３０２  高分子ＡＣＴ（Ｘ）
３０３  高分子ＡＣＴ（Ｙ）
４００  ＰＤアクチュエータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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