(57)【要約】【課題】  所望の指向性で反射表示が可能な電気光学装置の製造方法と、当該製造方法を利用して製造される電気光学装置を提供する。【解決手段】  相互に対向する第１基板及び第２基板と、当該第１基板及び第２基板によって挟持された電気光学素子と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板又は前記第２基板のうちいずれか一方の基板は、感光性部材と反射部材とからなる光散乱部を有し、当該光散乱部を形成する工程は、露光マスクＭを利用して露光処理を施すことにより、複数の凸部が分布する凸部パターンを前記感光性部材に形成する工程と、前記凸部パターン上に光反射膜を成膜する工程と、を含み、前記露光マスクＭは、露光光Ｌを離散的に遮光又は透光させる離散パターンＰ１と、前記露光光の透光量を連続的に異ならせる連続パターンＰ２と、を同一光路上に有することを特徴とする。【選択図】  図１４
2006220908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向する第１基板及び第２基板と、当該第１基板及び第２基板によって挟持され
た電気光学素子と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板又は前記第２基板のうちいずれか一方の基板は、感光性部材と反射部材と
からなる光散乱部を有し、
当該光散乱部を形成する工程は、
露光マスクを利用して露光処理を施すことにより、複数の凸部が分布する凸部パターン
を前記感光性部材に形成する工程と、
前記凸部パターン上に光反射膜を成膜する工程と、
を含み、
前記露光マスクは、
露光光を離散的に遮光又は透光させる離散パターンと、
前記露光光の透光量を連続的に異ならせる連続パターンと、
を同一光路上に有すること、
を特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記連続パターンは、前記露光マスクの面上の第１領域から第２領域に向けて、前記露
光光の透光量を連続的に異ならせること、
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記連続パターンは、前記露光マスクの面上の第１領域から放射的に、前記露光光の透
光量を連続的に異ならせること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記連続パターンは、前記露光マスクの面上の中央領域から放射的に、前記露光光の透
光量を連続的に異ならせること、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
相互に対向する第１基板及び第２基板と、当該第１基板及び第２基板によって挟持され
た電気光学素子と、を具備する電気光学装置であって、
前記第１基板又は前記第２基板のうちいずれか一方の基板は、感光性部材と反射部材と
からなる光散乱部を具備し、
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の製造方法を利用することによって前記光
散乱部が形成されていること、
を特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気光学装置の一つである液晶装置においては、外光を利用して画像を表示する
反射型の液晶装置や、外光と照明光を共に利用して画像を表示する半透過反射型の液晶装
置が知られている。このような液晶装置の構成として、反射表示を行う部分に凹凸状の表
面を有する樹脂層が形成され、更に、樹脂層を被覆するアルミニウム等の金属膜からなる
反射膜が形成されたものが知られている。このような構成を採用することで、凹凸状の表
面を有する反射膜が形成され、反射膜に光散乱機能を付与することが可能となる。
【０００３】
ここで、凹凸状の表面を有する樹脂層を形成す方法としては、半導体装置や各種電気光
学装置の回路パターンの形成方法として知られているフォトリソグラフィ技術が一般的に
採用されている。これにより、露光マスクを介して感光性樹脂に露光光を照射することに
より、感光部と非感光部との差異によって凹凸状の表面を形成することが可能となる。
近年では、開口パターンの開口部の大きさが異なる２つの露光マスクを用意し、各露光
マスクを用いて順次露光を行うことにより、凹凸状の表面がなだらかに変形させる技術が
知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−１８０６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、反射型や半透過反射型の液晶装置においては、観察者側に対する反射光の指
向性を得ることが必要であると共に、当該液晶装置を容易に形成できる方法が求められて
いた。
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、所望の指向性で反射表示が可能な電気
光学装置の製造方法と、当該製造方法を利用して製造される電気光学装置を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、反射型や半透過反射型の液晶装置において、凹凸状の樹脂膜上に反射膜が
形成された構成を採用すると、光散乱性が向上するものの、反射光が不規則に散乱してし
まうために、観察者側への指向性が得られないことに着目した。そして、本発明者は、そ
の理由として、樹脂膜の凹凸状が均一であると、これに倣って均一な凹凸パターンで反射
膜が形成されてしまい、従って、入射光を均一に散乱させてしまうこととなり、結果的に
指向性を得ることができないことを見出した。また、本発明者は、上記の特許文献では、
複数の露光マスクの各々を用いることによる複数回の露光処理が必要となるだけでなく、
高精度なアライメントを複数回行う必要があり、工程数が増加するという問題があること
を見出した。
そこで、本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
【０００６】
即ち、本発明の電気光学装置の製造方法は、相互に対向する第１基板及び第２基板と、
当該第１基板及び第２基板によって挟持された電気光学素子と、を具備する電気光学装置
の製造方法であって、前記第１基板又は前記第２基板のうちいずれか一方の基板は、感光
性部材と反射部材とからなる光散乱部を有し、当該光散乱部を形成する工程は、露光マス
クを利用して露光処理を施すことにより、複数の凸部が分布する凸部パターンを前記感光
性部材に形成する工程と、前記凸部パターン上に光反射膜を成膜する工程と、を含み、前
記露光マスクは、露光光を離散的に遮光又は透光させる離散パターンと、前記露光光の透
光量を連続的に異ならせる連続パターンと、を同一光路上に有すること、を特徴とする。
【０００７】
ここで、電気光学素子、或いは電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して
光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギ
ーに変換するもの等も含んで総称している。
また、感光性部材は、ポジ型或いはネガ型の感光性を有するものであり、露光量に応じ
て感光性部材の一部を除去したり、残留させたりすることが可能となるものである。
また、離散パターンは、露光光を遮蔽する遮光部と、露光光を透過させる透光部と、か
らなり、露光光が透過することによって複数の凸部を離散的に感光性部材上に形成するも
のである。また、換言すれば、感光性部材上の凸部の位置を規定する原画に相当するもの
である。
また、連続パターンとは、感光性部材の面上において露光光の透過量を連続的に異なら
せる、所謂ハーフトーンのパターンである。従って、露光光を多く透過させる領域と、露
光光を少なく透過させる領域と、また、両領域間で連続的に露光光の透過量を異ならせる
領域とを有するものである。
【０００８】
そして、このような離散パターンと連続パターンとを同一光路上に有する露光マスクを
利用して、感光性部材上に露光処理を施すと、連続的に透光量が異なる露光光が、離散的
な複数の凸部の位置を規定して、感光性部材に照射される。これによって、感光性部材上
に複数の凸部が形成される。ここで、感光性部材がポジ型である場合には、光量が多い部
分の除去量を多くし、光量が少ない部分では少ない除去量で凸部パターンが形成される。
また、感光性部材がネガ型である場合には、光量が少ない部分の除去量を多くし、光量が
多い部分では少ない除去量で凸部パターンが形成される。そして、このように感光性部材
の表面における除去量が多い部分と少ない部分とが形成されることにより、深度（凹凸差
）を感光性部材の表面において部分的に異ならせることが可能となる。
また、本発明においては、露光処理後に現像処理と焼成を行うことが好ましい。これに
よって、凸部の周囲が溶解され、凸部の頂点からその側部に向けて曲面が形成される。
また、本発明においては、凸部パターンを形成した後に、当該凸部パターン上に光反射
膜を形成する工程を有するので、当該光反射膜は凹凸パターンに倣って形成される。
【０００９】
このような一連の処理によって形成された凸部パターンにおいては、感光性部材が多く
除去された部分では急峻な曲面を有する凸部を形成することができる。また、感光性部材
が少なく除去された部分では緩やかな曲面を有する凸部を形成することができる。また、
急峻な曲面を有する凸部と、緩やかな曲面を有する凸部との間には、曲面の曲率が連続的
に異なっている凸部を形成することができる。更に、感光性部材の底面から全ての凸部の
頂点までの高さを均一にして凸部パターンを形成することができる。
【００１０】
更に、本発明においては、当該凸部パターンに倣うように光反射膜を成膜することによ
って光散乱部が形成されるので、本発明の特有の効果を得ることができる。即ち、凸部が
急峻な曲面を有する部分では急峻な反射曲面を形成することができ、また、凸部が緩やか
な曲面を有する部分では緩やかな反射曲面を形成することができる。更に、反射曲面の曲
率が連続的に異なっている光散乱部を実現することができる。また、反射曲面の頂点の高
さは、均一なものとなる。
そして、このような製造方法によって製造される電気光学装置は、観察者の視点からの
距離に応じて散乱特性が異なる光散乱部を有することとなる。具体的には、急峻な曲面を
有する光散乱部からの反射光と、緩やかな曲面を有する光散乱部からの反射光と、反射曲
面の曲率が連続的に異なっている光散乱部からの反射光と、を略同一の方向に反射させる
ことができる。従って、指向性を有する反射光を実現することができ、光散乱部によって
外光の反射光を有効的に反射表示に利用できる。
【００１１】
また、本発明は、同一の露光マスクに対し、離散パターン及び連続パターンを同一光路
上に備えた構成を有することから、１回のみの露光処理によって、露光光の変調と凸部パ
ターンの転写とを同時に一括的に施すことができる。従って、容易な露光処理によって、
上記の特有の効果を得ることができる。
一方、上記特許文献においては、複数の露光処理を行うものであるため、容易に露光処
理を行うことができないばかりか、アライメントを複数回行う必要があるために露光処理
が複雑であった。本発明はこのような多重露光を行う必要もなければ、多重露光の際にア
ライメントのズレが生じることを懸念する必要もない。そして、従来よりも容易な工程で
光散乱部を形成することができる。
【００１２】
また、光散乱部における反射曲面の頂点の高さは均一であるので、当該光散乱部の上方
に位置する電気光学素子の膜厚を均一にすることができる。これにより、電気光学素子の
リタデーションや、セルギャップを均一にすることができる。これによって観察者側から
見て電気光学装置の表示色が不均一になるのを抑制できる。
【００１３】
また、本発明で利用される露光マスクにおいては、離散パターンと連続パターンとから
なる２つのパターンのみが形成されたものである。これまでに、マスクパターン自体の変
調を施す方法が考えられていたが、当該方法ではマスクパターンの製造の負担を低減する
ことができなかった。これに対して本発明で利用される露光マスクにおいては、マスクパ
ターンの製造の負担を低減することができ、更に、柔軟性に富んだパターンの構築が可能
となる。
【００１４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記連続パターンは、前記露光マ
スクの面上の第１領域から第２領域に向けて、前記露光光の透光量を連続的に異ならせる
こと、を特徴とする。
このようにすれば、露光光の透過量を第１領域から第２領域に向けて連続的に異ならせ
ることができ、当該透過量の分布に応じさせて感光性部材に凸部パターンを形成すること
ができる。これにより、凸部の曲面が急峻な部分と、緩やかな部分とを、第１領域及び第
２領域に対応させて形成することができ、更にその領域間に対応させて凸部の曲率が連続
的に異なっている部分を形成することができる。そして、このような凸部パターンに倣う
ように光散乱部を形成することができる。
従って、本発明によれば、上記の製造方法による効果が得られるだけでなく、第１領域
及び第２領域に対応させた指向性で反射光が生じる電気光学装置を実現できる。そして、
反射光を有効的に反射表示に利用できる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記連続パターンは、前記露光マ
スクの面上の第１領域から放射的に、前記露光光の透光量を連続的に異ならせること、を
特徴とする。
このようにすれば、露光光の透過量を第１領域から放射的に、連続的に異ならせること
ができ、当該透過量の分布に応じさせて感光性部材に凸部パターンを形成することができ
る。これにより、凸部の曲面が急峻な部分と、緩やかな部分とを、第１領域からの放射方
向に対応させて形成することができ、更に放射方向に対応させて凸部の曲率が連続的に異
なっている部分を形成することができる。そして、このような凸部パターンに倣うように
光散乱部を形成することができる。
従って、本発明によれば、上記の製造方法による効果が得られるだけでなく、第１領域
からの放射方向に対応させた指向性で反射光が生じる電気光学装置を実現できる。そして
、反射光を有効的に反射表示に利用できる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記連続パターンは、前記露光マ
スクの面上の中央領域から放射的に、前記露光光の透光量を連続的に異ならせること、を
特徴とする。
このようにすれば、露光光の透過量を中央領域から放射的に、連続的に異ならせること
ができ、当該透過量の分布に応じさせて感光性部材に凸部パターンを形成することができ
る。これにより、凸部の曲面が急峻な部分と、緩やかな部分とを、中央領域からの放射方
向に対応させて形成することができ、更に放射方向に対応させて凸部の曲率が連続的に異
なっている部分を形成することができる。そして、このような凸部パターンに倣うように
光散乱部を形成することができる。
従って、本発明によれば、上記の製造方法による効果が得られるだけでなく、中央領域
からの放射方向に対応させた指向性で反射光が生じる電気光学装置を実現できる。そして
、反射光を有効的に反射表示に利用できる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置は、相互に対向する第１基板及び第２基板と、当該第１基
板及び第２基板によって挟持された電気光学素子と、を具備する電気光学装置であって、
前記第１基板又は前記第２基板のうちいずれか一方の基板は、感光性部材と反射部材とか
らなる光散乱部を具備し、先に記載の製造方法を利用することによって前記光散乱部が形
成されていること、を特徴とする。
このようにすれば、上記の製造方法と同様の効果が得られる。そして、観察者の視点か
らの距離に応じて散乱特性が異なる光散乱部を有する電気光学装置を実現できる。具体的
には、急峻な曲面を有する光散乱部からの反射光と、緩やかな曲面を有する光散乱部から
の反射光と、反射曲面の曲率が連続的に異なっている光散乱部からの反射光と、を略同一
の方向に反射させることができる。従って、光散乱部によって外光の反射光を有効的に反
射表示に利用でき、表示特性が優れた電気光学装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置について
説明する。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率な
どは適宜異ならせてある。
【００１９】
（電気光学装置の第１実施形態）
まず、本発明の電気光学装置に係る第１実施形態について説明する。
本実施形態においては、図１〜図７を参照し、電気光学装置の一例である反射型液晶装
置について説明する。
また、当該反射型液晶装置としては、素子基板上の画素電極が反射板を兼ねた内蔵反射
板タイプのアクティブマトリクス方式の反射型液晶装置を例示する。
【００２０】
まず、本発明の製造方法によって製造される反射型液晶装置の構成について説明する。
図１は本実施形態の反射型液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図
であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、反射型液晶装置の画像表
示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回
路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可
能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２１】
（反射型液晶装置）
図１及び図２において、本実施形態の反射型液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板（第
１基板）４０と対向基板（第２基板）２０とがシール材５２によって貼り合わされ、この
シール材５２によって区画された領域内に液晶（電気光学素子）５０が封入、保持された
構成を有している。また、シール材５２の形成領域の内側領域には遮光性材料からなる周
辺見切り５３が形成されている。また、シール材５２の外側領域にはデータ線駆動回路２
０１および実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板４０の一辺に沿って形成され、この一辺に
隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板４０の
残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するた
めの複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも
１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板４０と対向基板２０との間で電気的導通をとるため
の基板間導通材２０６が配設されている。
【００２２】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板４０上
に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）基板とＴＦＴアレイ基板４０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して
電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
なお、反射型液晶装置１００においては、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ
（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや
、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等
が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００２３】
また、反射型液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０に
おいて、ＴＦＴアレイ基板４０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ
）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００２４】
このような構造を有する反射型液晶装置１００の画像表示領域においては、図３に示す
ように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１
００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、
Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている
。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給して
もよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにして
もよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタ
イミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で
印加するように構成されている。画素電極（反射部材）９は、ＴＦＴ３０のドレインに電
気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とす
ることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所
定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定
レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との
間で一定期間保持される。
【００２５】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電
極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例
えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積
容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の
高い反射型液晶装置１００を実現することができる。なお、蓄積容量６０を形成する方法
としては、図３に示すように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの
間に形成する場合、または前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよ
い。
【００２６】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本実施形態に用いたＴＦＴアレイ基板の一つの画素を示す平面図である。図５
は、図４のＡ−Ａ’線における画素の断面図である。図６は、光散乱部の構成を説明する
ための説明図である。図７は、光散乱部によって付与される指向性を説明するための説明
図である。
なお、図４から図６においては、感光性樹脂（感光性部材）を用いて複数の凸部を形成
する場合を例として図示している。
【００２７】
図４において、ＴＦＴアレイ基板４０上には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合
金、または上記の金属膜とチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜との積
層膜から構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９に
対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ電気的に接続されている。また、画素
電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線
３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａおよび走査線３ａに対して接続されている。
すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域
１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール４５およびドレイン電極６ｂ
を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ
３０のチャネル形成用領域１ａ'に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積
容量６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１
ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極１ｆに、走査線３ａと同層の容量線３ｂが
上電極として重なった構造になっている。図４に示すように、このように構成した各画素
１００ａに画素電極９が形成され、それらの表面は平坦ではなく、後述する平面視で円形
或いは略正多角形の複数の反射凸部パターン９ｇがランダムに形成されている。
なお、以下に説明する実施形態においては、「平面視」とはＴＦＴアレイ基板用４０に
対向する一点から、当該ＴＦＴアレイ基板用４０の面上を見た平面を意味するものである
。
【００２８】
図５に示すように、この反射領域のＡ−Ａ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ
基板４０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板４０’の表面に、厚さが
１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜４１が形成され
、この下地保護膜４１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形
成されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜から
なるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが１００ｎｍ〜８０
０ｎｍの走査線３ａがゲート電極として形成されている。半導体膜１のうち、走査線３ａ
に対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ'になっている
。このチャネル形成用領域１ａ'に対して一方側には、低濃度領域１ｂおよび高濃度ソー
ス領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度領域１ｂおよび高濃度ドレ
イン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成され、その中間には、ソース、ドレインのどち
らの領域にも属さない高濃度領域１ｃが形成されている。
【００２９】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリ
コン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン
窒化膜からなる第２層間絶縁膜５が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には厚さが
１００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁
膜４に形成されたコンタクトホール８を介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され
ている。
【００３０】
（光散乱部）
更に、第２層間絶縁膜５の上層には、凸部形成層（感光性部材）７と画素電極（反射部
材）９とが順次積層されてなる光散乱部１０が形成されている。
ここで、凸部形成層７は、例えば、アクリル樹脂等に代表される有機系樹脂等の感光性
樹脂からなるものであり、その表面には、曲面を有する複数の樹脂凸部（凸部）７ａが形
成されている。当該複数の樹脂凸部７ａは、凸部形成層７の平面視において全面に形成さ
れており、樹脂凸部パターン（凸部パターン）７ｇを構成するものである。このような樹
脂凸部パターン７ｇは、後述する製造方法によって形成される。
【００３１】
また、画素電極９は、凸部形成層７の上層に形成された反射性導電膜（光反射膜）であ
る。このような材料としては、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金を採用したり、
或いは、これらの金属膜とチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜との積
層膜を採用したりすることができる。
そして、画素電極９には、凸部形成層７の表面上に樹脂凸部７ａに倣って形成された複
数の反射凸部９ａが形成されている。当該複数の反射凸部９ａは、画素電極９の平面視に
おいて全面に形成されており、反射凸部パターン９ｇを構成するものである。
【００３２】
また、画素電極９の表面側にはポリイミド膜からなる配向膜４２が形成されている。当
該配向膜４２の表面側には、液晶分子のモードに応じたラビング処理や垂直配向処理が施
されている。例えば、液晶分子が、ＴＮモード、ＳＴＮである場合には配向膜４２にはラ
ビング処理が施されており、また、誘電異方性が負の液晶分子を有するＶＡ（Vertical A
lignment）モードである場合には、垂直配向処理が施されている。
なお、配向膜４２が垂直配向膜である場合には、ポリイミド膜以外にも、無機膜を採用
してもよい。
【００３３】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造（Lightly Doped Drain構造
）を持つが、低濃度領域１ｂに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセ
ット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）を
マスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレ
イン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００３４】
また、本実施形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領
域の間に２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）構造としたが、１個配置したシン
グルゲート構造であってもよく、また、これらの間に３個以上のゲート電極を配置したト
リプルゲート以上の構造であってもよい。ゲート電極を複数個配置した場合、各々のゲー
ト電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲー
ト）、またはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイ
ン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これ
らのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造またはオフセット構造にすれば、さらにオ
フ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００３５】
（対向基板の構成）
図５に示すように、対向基板２０における対向基板側のガラス基板２０’上には、ブラ
ックマトリクス、またはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上
層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側
には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。ここで、遮光膜２３は、ＴＦ
Ｔアレイ基板４０上における画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に形成されてい
る。
【００３６】
（反射光の指向性）
ここで、図６及び図７を参照して、光散乱部１０の詳細な構成と、当該光散乱部１０に
よって付与される反射光の指向性について詳述する。
図６（Ａ）はＴＦＴアレイ基板上４０に形成された光散乱部１０の断面図であり、図６
（Ｂ）は光散乱部の側から見たＴＦＴアレイ基板上４０の平面図であり、図６（Ｃ）は光
散乱部の要部を示す断面図であって、反射光の反射角を説明するための説明図である。図
７は、ＴＦＴアレイ基板上４０に形成された光散乱部１０の断面図であって反射光の指向
性を説明するための説明図である。
【００３７】
なお、図６（Ａ）及び図７は、図６（Ｂ）のＫ−Ｋ’断面を示す断面図である。
また、図６においては、ＴＦＴアレイ基板４０と光散乱部１０（画素電極９及び凸部形
成層７）のみを示しており、ＴＦＴアレイ基板４０と光散乱部１０の間に形成される上記
の各種層膜や半導体１は、ＴＦＴアレイ基板４０上に形成されているものとする。
また、図６においては、画素電極９はマトリクス状の複数の画素毎に、分割されて形成
されているものとする。
【００３８】
図６（Ａ）に示すように、凸部形成層７は、その面内において表面からの深度が異なら
せて形成されている。これにより、凸部形成層７は、当該凸部形成層７の面内に複数の樹
脂凸部７ａが形成された樹脂凸部パターン７ｇを有するものとなる。具体的に説明すると
、樹脂凸部パターン７ｇは、曲率が高くて曲面が急峻な樹脂凸部７ａが形成されている領
域や、曲率が低くて曲面が緩やかな樹脂凸部７ａが形成されている領域や、その曲率が連
続して異なっている領域を有するものとなる。また、樹脂凸部７ａにおける頂点の高さは
全て均一になっている。
【００３９】
なお、本実施形態を含み、以下に説明する実施形態において、「連続」とは凹凸形状の
連続性を意味するものである。従って、画素電極９がマトリクス状の複数の画素毎に形成
されることによって、隣接する画素電極９の間で必ずしも導電性が得られていなくてもよ
く、当該隣接する画素電極９の間において、連続的に異なるように凹凸形状が形成されて
いれば、本実施形態における「連続」という意味を含むものとする。
【００４０】
そして、当該凸部形成層７に倣うように形成された画素電極９においては、当該画素電
極９の面内に複数の反射凸部９ａが形成された反射凸部パターン９ｇを有するものとなる
。具体的に説明すると、反射凸部パターン９ｇは、曲率が高くて曲面が急峻な反射凸部９
ａが形成されている領域や、曲率が低くて曲面が緩やかな反射凸部９ａが形成されている
領域や、その曲率が連続して異なっている領域を有するものとなる。また、反射凸部９ａ
における頂点の高さは全て均一になり、即ち、光散乱部１０における全ての反射凸部９ａ
の頂点高さｈは、全て均一になる。
【００４１】
また、図６（Ｂ）に示すように、反射凸部パターン９ｇはＴＦＴアレイ基板上４０の中
央部Ｃにおける反射凸部９ａの曲率が低く、ＴＦＴアレイ基板上４０の周辺部Ｓにおける
反射凸部９ａの曲率が高く、中央部Ｃから周辺部Ｓに向けて放射的に曲率が連続的に異な
るようになっている。そして、中央部Ｃから周辺部Ｓに向けた放射方向においては、反射
凸部９ａの曲率が徐々に高くなっている。
更に、曲率分布の等高線を引くと、中央部Ｃから同心円状の分布を有しており、即ち、
放射的に曲率が連続的に変化している反射凸部パターン９ｇが形成されたものとなってい
る。
【００４２】
次に、図６（Ｃ）を参照し、光散乱部１０について、鉛直方向に入射する外光の反射角
について説明する。
図６（Ｃ）に示すように、周辺部Ｓの反射凸部９ａに当った外光は反射角θ１で反射し
、中央部Ｃの反射凸部９ａに当った外光は反射角θ２で反射する。ここで、周辺部Ｓの反
射凸部９ａは、曲率が高く急峻な曲面であるのに対して、中央部Ｃの反射凸部９ａは、曲
率が低く緩やかな曲面であるので、反射角の大小関係は、θ１＞θ２となる。また、中央
部Ｃから周辺部Ｓに向けて曲率が連続的に高くなっているので、中央部Ｃから周辺部Ｓに
向けて反射角が徐々に大きくなるように、複数の反射凸部９ａが形成されたものとなって
いる。
【００４３】
これにより、図７に示すように、光散乱部１０は、当該光散乱部１０の全面に当った外
光を、中央部Ｃの略上方側に向けて指向性を持たせて反射させることが可能となる。具体
的には、周辺部Ｓにおける反射光を大きい反射角で中央部Ｃの略上方側に向けて反射させ
ることが可能となり、中央部Ｃにおける反射光を小さい反射角で中央部Ｃの略上方側に反
射させることが可能となる。更に、周辺部Ｓと中央部Ｃの間においては、反射角を徐々に
変化させて、中央部Ｃの略上方側に反射させることが可能となる。このように、光散乱部
１０は、その面内において光散乱特性を連続的に異ならせて変調させることが可能となる
。
【００４４】
上述したように、本実施形態の反射型液晶装置１００においては、光散乱部１０を備え
るので、指向性を有する反射光を実現でき、外光の反射光を有効的に反射表示に利用でき
る。そして、例えば中央部Ｃに向かい合う位置に観察者に視点がある場合に、当該観察者
に向けた指向性を有する反射光を実現することができる。
また、液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板４０及び対向基板２０によって挟持されている
と共に、光散乱部１０における反射凸部９ａの頂点の高さは均一であるので、液晶層５０
の膜厚を均一にすることができる。これにより、液晶層５０のリタデーションや、ＴＦＴ
アレイ基板４０と対向基板２０との間のセルギャップを均一にすることができる。これに
よって観察者側から見て反射型液晶装置１００の表示色が不均一になるのを抑制できる。
【００４５】
（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
次に、本発明の電気光学装置の製造方法に係る第１実施形態について説明する。
本実施形態においては、図８〜図１４を参照し、上記構成の反射型液晶装置（電気光学
装置）１００の製造方法を具体的に説明する。図８〜図１２は、本実施形態のＴＦＴアレ
イ基板４０の製造方法を工程順に示す断面図である。図１３は、凸部形成層７を形成する
ため工程を示す工程フロー図である。図１４は、露光処理に用いられる露光マスクを説明
するための説明図である。
【００４６】
まず、図８（Ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したＴＦＴアレイ基板用の
ガラス基板４０’を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、ＴＦＴ
アレイ基板用のガラス基板４０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護膜４１をプ
ラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスと
しては、例えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合ガスやＴＥＯＳ（テト
ラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）と酸素、またはジシランとアンモニアを用い
ることができる。
【００４７】
次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基
板４０’の全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０
ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えばジシランやモ
ノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレーザア
ニールを施す。その結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経
て結晶化する。
【００４８】
次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５１を介
して半導体膜１をエッチングすることにより、図８（Ｂ）に示すように、島状の半導体膜
１を形成するための半導体膜を各々分離した状態に形成する。
【００４９】
次に、３５０℃以下の温度条件下で、半導体膜１の表面を含むＴＦＴアレイ基板用のガ
ラス基板４０’の全面に、ＣＶＤ法等によりシリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２を
５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えばＴＥＯＳと酸素
ガスとの混合ガスを用いることができる。このゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代え
て、シリコン窒化膜であってもよい。
【００５０】
次に、図示を省略するが、所定のレジストマスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに
不純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構成するための下電極を
形成する（図４および図５参照）。
【００５１】
次に、図８（Ｃ）に示すように、スパッタ法等により、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基
板４０’の全面に、走査線３ａ等を形成するためのアルミニウム、タンタル、モリブデン
等からなる金属膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜
３を１００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジ
ストマスク５５２を形成する。
【００５２】
次に、レジストマスクを介して導電膜３をドライエッチングし、図８（Ｄ）に示すよう
に、走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。
【００５３】
次に、画素ＴＦＴ部および駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査
線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２〜約１０×１０１３／
ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対
して自己整合的に低濃度領域１ｂを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置し、不純
物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル形成用領域１ａ'となる
。
【００５４】
次に、図９（Ａ）に示すように、画素ＴＦＴ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅
の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１
×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領
域１ａ、高濃度領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｄを形成する。
【００５５】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極よ
り幅の広いレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、
オフセット構造のソース領域およびドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａを
マスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域およびドレ
イン領域を形成してもよい。
【００５６】
次に、図９（Ｂ）に示すように、走査線３ａの表面側に、ＣＶＤ法等により、シリコン
酸化膜等からなる層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの
原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。次に、フ
ォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成する。
【００５７】
次に、レジストマスク５５４を介して層間絶縁膜４のドライエッチングを行い、図９（
Ｃ）に示すように、層間絶縁膜４においてソース領域およびドレイン領域に対応する部分
等にコンタクトホールをそれぞれ形成する。
【００５８】
次に、図９（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極
）等を構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン膜、タンタル膜、モリブデ
ン膜、またはこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜、または積層膜からなる金属
膜６をスパッタ法等で１００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ
技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。
【００５９】
次に、レジストマスク５５５を介して金属膜６にドライエッチングを行い、図１０（Ａ
）に示すように、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂを形成する。
【００６０】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、シリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５を、デー
タ線６ａおよびドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法等により１００ｎｍ〜８００ｎｍの
膜厚に形成する。
【００６１】
次に、図１３に示す工程フロー図に基づき、図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）に示すように
第２層間絶縁膜５上に凸部形成層７を形成する。
まず、第２層間絶縁膜５が形成されたＴＦＴアレイ基板４０の表面を洗浄する（ステッ
プＳ１）。
次に、第２層間絶縁膜５上に感光性樹脂（感光性部材）７ｂをスピンコート法で塗布形
成する（ステップＳ２）。
これにより、図１１（Ａ）に示すように第２層間絶縁膜５上の表面形状に倣って感光性
樹脂７ｂが塗布形成される。本実施形態においては、感光性樹脂７ｂとして、アクリル樹
脂等のポジ型の有機系透光性樹脂が採用される。また、具体的な材料として、本実施形態
においてはＰＣ４０５Ｇ（ＪＳＲ社製）を採用している。また、感光性樹脂７ｂの膜厚と
しては、１．２〜２．２μｍ程度となるように、スピンコート法を行う。このような膜厚
を有する感光性樹脂７ｂは、例えば７００〜１０００ｒｐｍの回転数で８．５ｓｅｃのス
ピンコート処理を行うことによって形成可能である。
【００６２】
次に、感光性樹脂７ｂに対してプリベークを行って予備乾燥させる（ステップＳ３）。
ここで、本実施形態のプリベークは、９０℃で１２０ｓｅｃの処理条件で行う。
次に、感光性樹脂７ｂに対して露光処理を施す（ステップＳ４）。
ここで、本実施形態においては、１０００〜３０００ｍｓｅｃの露光時間で処理を行う
。当該露光処理を施すことにより、後述する露光マスクの離散パターンと連続パターンと
を感光性樹脂７ｂに転写し、凸部形成層７を形成することが可能となる。なお、当該露光
処理においては、使用する露光装置が持っている焦点深度を外れた領域にフォーカス位置
を設定して感光性樹脂７ｂの露光を行う。例えば、焦点深度を外す距離としては数十μｍ
程度とするのが望ましい。
【００６３】
次に、凸部形成層７に対して現像処理を施す（ステップＳ５）。
ここで、本実施形態においては、アルカリ濃度０．２〜０．４ｗｔ％（重量％）のＴＭ
ＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）を利用し、５０〜８０ｓｅｃの処理時間
で現像処理を施す。
次に、凸部形成層７に対してブリーチ露光処理を施す（ステップＳ６）。
一般的に、ポジ型の感光性樹脂７ｂは、現像処理後に着色（黄色）が残留する特性を有
している。当該ブリーチ露光処理は、このような着色が残留している感光性樹脂７ｂに対
してＵＶ光を照射し、感光性樹脂７ｂの透明化を図るための処理である。本実施形態では
ＵＶ光の総照射量は３３０ｍＪ程度としている。
次に、凸部形成層７に対して、メルトベーク処理を施す（ステップＳ７）。
当該メルトベーク処理は、凸部形成層７の形状を安定化させるための仮焼きとして行わ
れるものである。当該メルトベーク処理は、１２０℃〜１４０℃、１２０ｓｅｃの条件で
行われる。
次に、凸部形成層７を焼成する（ステップＳ８）。
当該焼成工程は、２２０℃、４０ｍｉｎ〜５０ｍｉｎの条件で行われる。
【００６４】
ここで、上記のステップＳ４の露光処理で利用される露光マスクについて詳述する。
図１４は、露光マスクを説明するための説明図であって、図１４（Ａ）は露光マスクの
断面構造を示す断面図、図１４（Ｂ）及び図１４（Ｃ）は露光マスクに形成された露光パ
ターンを示す平面図、図１４（Ｄ）は透過量の分布を説明するための説明図である。
【００６５】
図１４（Ａ）に示すように、露光マスクＭは、マスク本体ＭＡと、当該マスク本体ＭＡ
上に形成された凸部露光パターン（離散パターン）Ｐ１と、階調露光パターン（連続パタ
ーン）Ｐ２と、からなる。
ここで、マスク本体ＭＡは、硬質ガラス等の透光性材料からなるものであり、凸部転写
パターンＰ１及び階調露光パターンＰ２は、マスク本体ＭＡにおける露光光Ｌの光路上に
積層されたものである。
【００６６】
図１４（Ｂ）に示すように、凸部露光パターンＰ１は、面内において複数の遮光部Ｄが
離散的に分布して形成されたものである。また、遮光部Ｄの形状は、円形或いは略正多角
形となっており、当該遮光部Ｄにおいて露光光Ｌを遮蔽するようになっている。また、遮
光部Ｄを除く他の部分は露光光を透光させる透光部Ｔとなっている。このように、凸部露
光パターンＰ１は、遮光部Ｄと透光部Ｔのみを有することにより、露光光Ｌを透過させた
り、露光光Ｌを遮蔽したり、いずれかを行うものである。従って、中間調の露光量で露光
光を透過させるものではない。このような凸部露光パターンＰ１は、露光光Ｌが透過する
ことにより、上述した複数の樹脂凸部７ａの位置を離散的に感光性樹脂７ｂ上に決定する
ものである。従って、凸部露光パターンＰ１は、樹脂凸部７ａの位置を規定する原画に相
当するものである。
【００６７】
図１４（Ｃ）に示すように、階調露光パターンＰ２は、面内において徐々に露光光Ｌの
透過量を連続的に異ならせる分布を有するものであり、所謂ハーフトーンのパターンであ
る。従って、露光光Ｌを多く透過させる領域と、露光光Ｌを少なく透過させる領域と、ま
た、両領域間で連続的に露光光Ｌの透過量を異ならせる領域とを有するものである。
【００６８】
なお、本実施形態のマスクＭにおいては、マスク本体ＭＡの片面側のみに、凸部露光パ
ターンＰ１と階調露光パターンＰ２とが形成された構成を採用したが、これを限定するこ
となく、一方の面に凸部露光パターンＰ１が形成され、他方の面に階調露光パターンＰ２
が形成された構成を採用してもよい。
【００６９】
ここで、図１４（Ｄ）を参照して、階調露光パターンＰ２の透過量分布について説明す
る。図１４（Ｄ）は、階調露光パターンＰ２の２隅（点Ｘ，Ｘ’）間の透過量分布を示す
図である。また、図１４（Ｄ）における点Ｘ，Ｘ’の各々は、２隅のパターン周辺領域（
第２領域）ＰＳに位置している。また、点Ｘ，Ｘ’の間の線分は、パターン中央領域（第
１領域、中央領域）ＰＣを通っている。
【００７０】
図１４（Ｄ）に示すように、パターン周辺領域ＰＳにおける透過量は１００％となって
おり、また、パターン中央領域ＰＣにおける透過量は１０％となっている。そして、パタ
ーン周辺領域ＰＳからパターン中央領域ＰＣに向けて徐々に（連続的に）透過量が低くな
っている。そして、パターン周辺領域ＰＳ（点Ｘ）、パターン中央領域ＰＣ、パターン周
辺領域ＰＳ（点Ｘ’）の順に、位置（図１４（Ｄ）中の横軸）が連続的に変化するのに応
じて、透過量分布は滑らかな曲線を描くように変化している。即ち、階調露光パターンＰ
２は、透過量の勾配を有するものとなる。更に、透過量分布の等高線を引くと、図１４（
Ｃ）に示すように、パターン中央領域ＰＣから同心円状の透過量分布を有しており、即ち
、放射的に透過量が連続的に変化している階調パターンが形成されたものとなっている。
【００７１】
このような構成を有するマスクＭを利用してステップＳ４の露光処理を施すと共に、上
記のステップＳ５〜Ｓ８の処理を施すことによって、図１１（Ｂ）に示すように第２層間
絶縁膜５上に凸部形成層７が形成される。
具体的に説明すると、凸部露光パターンＰ１における複数の遮光部Ｄが樹脂凸部７ａの
位置を規定すると共に、透過量分布を有する階調露光パターンＰ２が樹脂凸部７ａの深度
を異ならせて樹脂凸部７ａを形成する。そして、階調露光パターンＰ２のうち露光光Ｌの
透過量が高いパターン周辺領域ＰＳ（透過量１００％）では、感光性樹脂７ｂの除去量が
多くなるため、樹脂凸部７ａの深度が大きくなる。また、露光光Ｌの透過量が低いパター
ン中央領域ＰＣ（透過量１０％）では、感光性樹脂７ｂの除去量が小さくなるため、樹脂
凸部７ａの深度が小さくなる。また、階調露光パターンＰ２の透過量分布に応じて、パタ
ーン中央領域ＰＣからパターン周辺領域ＰＳに向けて、かつ、放射状に樹脂凸部７ａの深
度が連続的に大きくなる。
【００７２】
更に、ステップＳ５の現像処理によって、樹脂凸部７ａの周囲が溶解され、樹脂凸部７
ａの頂点からその側部に向けて曲面が形成される。
このように樹脂凸部７ａが形成されることにより、凸部形成層７は、図６（Ａ）に示す
ように複数の樹脂凸部７ａの形状が所定に異ならせて形成された樹脂凸部パターン７ｇを
有するものとなる。更に、当該樹脂凸部パターン７ｇは、曲率が高くて曲面が急峻な樹脂
凸部７ａが形成されている領域（周辺部Ｓ）や、曲率が低くて曲面が緩やかな樹脂凸部７
ａが形成されている領域（中央部Ｃ）や、その曲率が連続して異なっている領域（周辺部
Ｓから中央部Ｃまでの領域）を有するものとなる。
【００７３】
また、凸部露光パターンＰ１の遮光部Ｄは、階調露光パターンＰ２の透過率が低い領域
や高い領域に関係なく、露光光Ｌを遮光するものである。従って、遮光部Ｄの位置に対応
して形成される樹脂凸部７ａは、その側壁が現像処理によって溶解されて曲面を有するも
のの、その頂点は全て同じ高さとなり、樹脂凸部７ａにおける頂点の高さは全て均一とな
る。
【００７４】
ここで、再び図１１に戻り、反射型液晶装置の製造方法について説明する。
上記のように凸部形成層７を形成した後には、図１１（Ｃ）に示すようにフォトリソグ
ラフィ技術を利用して凸部形成層７をドレイン電極６ｂの表面に達するまで開口させて、
コンタクトホール４５を形成する。
【００７５】
次に、図１２（Ａ）に示すように、凸部形成層７及びコンタクトホール４５の表面に、
スパッタリング法等によってアルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、またはチタン、
窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜のような反射性を備えた金属膜（光反射
膜）９ｂを全面に形成する。
【００７６】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用
いて、金属膜９ａをパターニングして画素電極９を形成する。このようにして形成した画
素電極９は、ドレイン電極６ｂと電気的に接続されるとともに、その表面は、樹脂凸部パ
ターン７ｇに倣って形成された反射凸部パターン９ｇが形成されたものとなる。そして、
反射凸部パターン９ｇが形成されることにより、光散乱部１０が形成される。
【００７７】
ここで、反射凸部パターン９ｇは、図７に示すように、曲率が高くて曲面が急峻な反射
凸部９ａが形成されている領域や、曲率が低くて曲面が緩やかな反射凸部９ａが形成され
ている領域や、その曲率が連続して異なっている領域を有するものとなる。また、反射凸
部９ａの頂点の高さは全て均一になり、即ち、光散乱部１０における全ての反射凸部９ａ
の頂点高さｈ（光散乱部１０の頂点高さｈ）は全て均一になる。このような反射凸部パタ
ーン９ｇを有する画素電極９は、上記のように、所定の方向のみに反射光を反射させる指
向性を有するものとなる。
【００７８】
また、画素電極９を形成した後には、その表面上にポリイミドからなる配向膜４２を形
成する。更に、液晶分子のモードに応じて当該配向膜４２にラビング処理を施す。例えば
、液晶分子が、ＴＮモード、ＳＴＮである場合には配向膜４２にラビング処理を施す。ま
た、誘電異方性が負の液晶分子を有するＶＡ（Vertical Alignment）モードである場合に
は、垂直配向処理を施す。
以上の工程を経て、ＴＦＴアレイ基板４０が完成する。
【００７９】
一方、対向基板２０については、ガラス等からなる基板本体２０’を用意し、基板本体
２０’表面の画素間に対応する領域に遮光膜２３を形成した後、スパッタリング法等によ
りＩＴＯ等の透明導電性材料を堆積し、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする
ことにより、基板本体２０’のほぼ全面に共通電極２１を形成する。さらに、共通電極２
１の全面に、配向膜形成用の塗布液を塗布した後、ラビング処理を施すことにより、配向
膜２２を形成し、対向基板２０が製造される。
【００８０】
次に、上記のように製造されたＴＦＴアレイ基板４０と対向基板２０とを、配向膜４２
，２２が互いに対向するようにシール材を介して貼り合わせ、真空注入法などの方法によ
り両基板間の空間に液晶を注入し、液晶層５０を形成する。最後に、こうしてできた液晶
セルの外側に必要に応じて位相差板、偏光板等を貼付し、本実施形態の反射型液晶装置１
００が完成する。
【００８１】
なお、本実施形態においては、凸部形成層７としてポジ型を採用したが、これに限定す
ることなく、ネガ型を採用してもよい。このようなネガ型の感光性樹脂は、ポジ型とは異
なり、非感光の部分が現像処理によって除去される特性を有するので、遮光部Ｔと透光部
Ｄを反転させた凸部露光パターンと、階調を反転させた階調露光パターンＰ２とを利用す
ることにより、上記同様の凸部形成層７を形成することが可能となる。
また、ネガ型の感光性樹脂は、ポジ型と比較して露光処理に起因する変色の虞がないた
め、ブリーチ露光を施さなくてもよい。
【００８２】
上述したように、本実施形態の反射型液晶装置１００の製造方法においては、指向性を
有する反射光で画像表示が可能となる反射型液晶装置１００を実現でき、外光の反射光を
有効的に反射表示に利用できる。また、液晶層５０の膜厚を均一にすることができるため
、液晶層５０のリタデーションや、ＴＦＴアレイ基板４０と対向基板２０との間のセルギ
ャップを均一にすることができる。これによって観察者側から見て反射型液晶装置１００
の表示色が不均一になるのを抑制できる。
【００８３】
また、本実施形態で利用される露光マスクＭは、凸部露光パターンＰ１と、階調露光パ
ターンＰ２とからなる２つのパターンのみが形成されたものである。そして、当該２つの
露光パターンによって樹脂凸部７ａの位置を規定しつつ、露光光Ｌを変調することが可能
となるものである。従って、一からなる露光パターン自体の変調を施す必要が無いので、
露光パターンの製造の負担を低減することができる。また、更に、柔軟性に富んだパター
ンの構築が可能となる。
更に、露光マスクＭのうち、階調露光パターンＰ２のみを異ならせるだけで、多種の指
向性を選択的に凸部形成層７に付与することも可能となる。
【００８４】
（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明の電気光学装置に係る第２実施形態について説明する。
本実施形態の反射型液晶装置（電気光学装置）と、既述の第１実施形態に係る反射型液
晶装置とは、光散乱部の構成のみが相違している。従って、本実施形態では、異なる部分
について詳述し、同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
【００８５】
図１５は、本実施形態に係る反射型液晶装置が具備する光散乱部１１の詳細な構成と、
当該光散乱部１１によって付与される反射光の指向性を説明するための説明図である。
図１５（Ａ）はＴＦＴアレイ基板上４０に形成された光散乱部１１の断面図であり、図
１５（Ｂ）は光散乱部の側から見たＴＦＴアレイ基板上４０の平面図である。
なお、図１５（Ａ）は、図１５（Ｂ）のＬ−Ｌ’断面を示す断面図である。
また、図１５においては、ＴＦＴアレイ基板４０と光散乱部１１（画素電極１９及び凸
部形成層１７）のみを示しており、ＴＦＴアレイ基板４０と光散乱部１１の間に形成され
る上記の各種層膜や半導体１は、ＴＦＴアレイ基板４０上に形成されているものとする。
また、図１５においては、画素電極１９はマトリクス状の複数の画素毎に、分割されて
形成されているものとする。
【００８６】
図１５（Ａ）に示すように、凸部形成層１７においては、その面内において表面からの
深度が異ならせて樹脂凸部パターン１７ｇが形成されている。そして、当該凸部形成層１
７に倣うように形成された画素電極１９においては、反射凸部パターン１９ｇが、曲率が
高くて曲面が急峻な反射凸部１９ａが形成されている領域や、曲率が低くて曲面が緩やか
な反射凸部１９ａが形成されている領域や、その曲率が連続して異なっている領域を有す
るものとなる。また、反射凸部１９ａにおける頂点の高さは全て均一になり、即ち、光散
乱部１１における全ての反射凸部１９ａの頂点高さｈは、全て均一になる。
【００８７】
また、図１５（Ｂ）に示すように、反射凸部パターン１９ｇはＴＦＴアレイ基板上４０
の中央領域よりも左側にずれた偏心部Ｅにおける反射凸部１９ａの曲率が低く、ＴＦＴア
レイ基板上４０の周辺部Ｓにおける反射凸部１９ａの曲率が高く、偏心部Ｅから放射方向
においては、反射凸部１９ａの曲率が徐々に高くなっている。
更に、曲率分布の等高線を引くと、偏心部Ｅから同心円状の分布を有しており、即ち、
放射的に曲率が連続的に変化している反射凸部パターン１９ｇが形成されたものとなって
いる。
【００８８】
これにより、図１５（Ａ）に示すように、光散乱部１１は、当該光散乱部１１の全面に
当った外光を、偏心部Ｅの略上方側に向けて指向性を持たせて反射させることが可能とな
る。具体的には、偏心部Ｅの近傍の領域や周辺部Ｓにおける反射光を偏心部Ｅの略上方側
に向けて反射させることが可能となり、偏心部Ｅにおける反射光を小さい反射角で偏心部
Ｅの略上方側に反射させることが可能となる。更に、偏心部Ｅから放射方向に、反射角を
徐々に変化させて、偏心部Ｅの略上方側に反射させることが可能となる。このように、光
散乱部１１は、その面内において光散乱特性を連続的に異ならせて変調させることが可能
となる。
【００８９】
上述したように、本実施形態の反射型液晶装置１００においては、光散乱部１１を備え
るので、偏心部Ｅの略上方側に反射する、指向性を有する反射光を実現でき、外光の反射
光を有効的に反射表示に利用できる。そして、例えば偏心部Ｅに向かい合う位置に観察者
に視点がある場合に、当該観察者に向けた指向性を有する反射光を実現することができる
。
また、既述の第１実施形態と同様に、光散乱部１１における反射凸部１９ａの頂点の高
さは均一であるので、ＴＦＴアレイ基板４０及び対向基板２０によって挟持される液晶層
５０の膜厚を均一にすることができる。これにより、液晶層５０のリタデーションや、Ｔ
ＦＴアレイ基板４０と対向基板２０との間のセルギャップを均一にすることができる。こ
れによって観察者側から見て反射型液晶装置１００の表示色が不均一になるのを抑制でき
る。
【００９０】
（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明の電気光学装置の製造方法に係る第２実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法と、既述の第１実施形態に係る製造方法とは、露光マスクの階調
露光パターンの構成のみが相違している。従って、本実施形態では、異なる部分について
詳述し、同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
また、本実施形態の製造方法は、既述の第２実施形態に係る反射型液晶装置を製造する
ための方法であるため、当該第２実施形態の反射型液晶装置と照らし合わせて説明する。
また、本実施形態の製造方法においては、凸部形成層１７がポジ型の感光性樹脂によっ
て形成されているものとする。
【００９１】
図１６は、露光処理に用いられる露光マスクを説明するための説明図であって、図１６
（Ａ）は階調露光パターンを示す平面図、図１６（Ｂ）は透過量の分布を説明するための
説明図である。
【００９２】
図１６（Ａ）に示すように、階調露光パターンＰ３は、面内において徐々に露光光Ｌの
透過量を連続的に異ならせる分布を有するものであり、所謂ハーフトーンのパターンであ
る。従って、露光光Ｌを多く透過させる領域と、露光光Ｌを少なく透過させる領域と、ま
た、両領域間で連続的に露光光Ｌの透過量を異ならせる領域とを有するものである。
なお、階調露光パターンＰ３は、露光マスクＭの一部を構成するものであって、図１４
（Ａ）に示した階調露光パターンＰ２に代えてマスク本体ＭＡに形成されたものであり、
凸部露光パターンＰ１と同一光路上に形成されるものである。
【００９３】
ここで、図１６（Ｂ）を参照して、階調露光パターンＰ３の透過量分布について説明す
る。図１６（Ｂ）は、階調露光パターンＰ３の２隅（点Ｘ，Ｘ’）間の透過量分布を示す
図である。また、図１６（Ｂ）における点Ｘ，Ｘ’は、階調露光パターン（連続パターン
）Ｐ３の左右両端に位置すると共に、点Ｘ，Ｘ’からなる線分は階調露光パターンＰ３の
上下間の中央を通っている。また、点Ｘ，Ｘ’の線分は、階調露光パターンＰ３の透過量
が最も少ないパターン偏心領域（第１領域）ＰＥを通っている。また、点Ｘ’はパターン
周辺領域（第２領域）ＰＳに位置し、点Ｘはパターン中間領域（第２領域）ＰＭに位置し
ている。
【００９４】
図１６（Ｂ）に示すように、パターン中間領域ＰＭにおける透過量は５０％となってお
り、パターン偏心領域ＰＥにおける透過量は１０％となっており、また、パターン周辺領
域ＰＳにおける透過量は１００％となっている。そして、パターン中間領域ＰＭ、パター
ン偏心領域ＰＥ、及びパターン周辺領域ＰＳの順に、位置（図１６（Ｂ）中の横軸）が連
続的に変化するのに応じて、透過量分布は滑らかな曲線を描くように変化している。即ち
、階調露光パターンＰ３は、透過量の勾配を有するものとなる。更に、透過量分布の等高
線を引くと、図１６（Ａ）に示すように、パターン偏心領域ＰＥから同心円状の透過量分
布を有しており、即ち、放射的に透過量が連続的に変化している階調パターンが形成され
たものとなっている。
【００９５】
このような階調露光パターンＰ３を有するマスクＭを利用して、図１３におけるステッ
プＳ４の露光処理を施すと共に、ステップＳ５〜Ｓ８の処理を施すと、図１５（Ａ）に示
すように樹脂凸部パターン１７ｇが形成される。
具体的に説明すると、凸部露光パターンＰ１における複数の遮光部Ｄが樹脂凸部１７ａ
の位置を規定すると共に、透過量分布を有する階調露光パターンＰ３が樹脂凸部１７ａの
深度を異ならせて樹脂凸部１７ａを形成する。そして、階調露光パターンＰ３のうち露光
光Ｌの透過量が高いパターン周辺領域ＰＳ（透過量１００％）では、感光性樹脂１７ｂの
除去量が多くなるため、樹脂凸部１７ａの深度が大きくなる。また、露光光Ｌの透過量が
低いパターン偏心領域ＰＥ（透過量１０％）では、感光性樹脂１７ｂの除去量が小さくな
るため、樹脂凸部１７ａの深度が小さくなる。また、露光光Ｌの透過量が中間値であるパ
ターン中間領域ＰＭ（透過量５０％）では、感光性樹脂１７ｂの除去量がパターン周辺領
域ＰＳよりも小さく、パターン偏心領域ＰＥよりも高くなるため、樹脂凸部１７ａの深度
は、パターン周辺領域ＰＳよりも浅く、パターン偏心領域ＰＥよりも深くなる。
また、階調露光パターンＰ３の透過量分布に応じて、パターン偏心領域ＰＥからパター
ン周辺領域ＰＳに向けて、パターン偏心領域ＰＥからパターン中間領域ＰＭに向けて、樹
脂凸部１７ａの深度が連続的に大きくなる。また、パターン偏心領域ＰＥから放射状に深
度が連続的に大きくなる。
【００９６】
更に、ステップＳ５の現像処理によって、樹脂凸部１７ａの周囲が溶解され、樹脂凸部
１７ａの頂点からその側部に向けて曲面が形成される。
このように樹脂凸部１７ａが形成されることにより、凸部形成層１７は、図１５（Ａ）
に示すように複数の樹脂凸部１７ａの形状が所定に異ならせて形成された樹脂凸部パター
ン１７ｇを有するものとなる。更に、当該樹脂凸部パターン１７ｇは、曲率が高くて曲面
が急峻な樹脂凸部１７ａが形成されている領域（周辺部Ｓ）や、曲率が低くて曲面が緩や
かな樹脂凸部１７ａが形成されている領域（偏心部Ｅ）や、その曲率が連続して異なって
いる領域（周辺部Ｓから偏心部Ｅまでの領域）を有するものとなる。
【００９７】
また、凸部露光パターンＰ１の遮光部Ｄは、階調露光パターンＰ３の透過率が低い領域
や高い領域に関係なく、露光光Ｌを遮光するものである。従って、遮光部Ｄの位置に対応
して形成される樹脂凸部１７ａは、その側壁が現像処理によって溶解されて曲面を有する
ものの、その頂点は全て同じ高さとなり、樹脂凸部１７ａにおける頂点の高さは全て均一
となる。
更に、樹脂凸部パターン１７ｇの表面形状に倣うように画素電極１９が成膜されること
により、光散乱部１１が形成される。
【００９８】
上述したように、本実施形態の製造方法においては、指向性を有する反射光で画像表示
が可能となる反射型液晶装置を実現でき、外光の反射光を有効的に反射表示に利用できる
。また、液晶層５０の膜厚を均一にすることができるため、液晶層５０のリタデーション
や、ＴＦＴアレイ基板４０と対向基板２０との間のセルギャップを均一にすることができ
る。これによって観察者側から見て反射型液晶装置１００の表示色が不均一になるのを抑
制できる。
【００９９】
（電気光学装置の製造方法の第３実施形態）
次に、本発明の電気光学装置の製造方法に係る第３実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法と、既述の第１実施形態に係る製造方法とは、露光マスクの階調
露光パターンの構成のみが相違している。従って、本実施形態では、異なる部分について
詳述し、同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
【０１００】
図１７は、露光処理に用いられる露光マスクを説明するための説明図であって、図１７
（Ａ）は階調露光パターンを示す平面図、図１７（Ｂ）は透過量の分布を説明するための
説明図である。
【０１０１】
図１７（Ａ）に示すように、階調露光パターン（連続パターン）Ｐ４は、面内において
徐々に露光光Ｌの透過量を連続的に異ならせる分布を有するものであり、所謂ハーフトー
ンのパターンである。
なお、階調露光パターンＰ４は、露光マスクＭの一部を構成するものであって、図１４
（Ａ）に示した階調露光パターンＰ２に代えてマスク本体ＭＡに形成されたものであり、
凸部露光パターンＰ１と同一光路上に形成されるものである。
【０１０２】
ここで、図１７（Ｂ）を参照して、階調露光パターンＰ４の透過量分布について説明す
る。図１７（Ｂ）は、階調露光パターンＰ４の２隅（点Ｘ，Ｘ’）間の透過量分布を示す
図である。また、図１７（Ｂ）における点Ｘ，Ｘ’は、階調露光パターンＰ４の左右両端
に位置しており、階調露光パターンＰ４の透過量が最も多いパターン左領域（第１領域）
ＰＬと、透過量が最も少ないパターン右領域（第２領域）ＰＲとに、各々位置するもので
ある。
【０１０３】
図１７（Ｂ）に示すように、パターン左領域ＰＬにおける透過量は１００％となってお
り、また、パターン右領域ＰＲにおける透過量は１０％となっている。そして、パターン
左領域ＰＬからパターン右領域ＰＲに向けて、透過量は連続して減少するように分布され
ている。更に、透過量分布の等高線を引くと、図１７（Ａ）に示すように、パターン左領
域ＰＬからパターン右領域ＰＲに向けた方向に対して垂直な等高線が形成されたものとな
っている。
【０１０４】
このような階調露光パターンＰ４を有するマスクＭを利用して露光処理を施すことによ
り、パターン左領域ＰＬからパターン右領域ＰＲに向けた透過量の変化量に応じさせて、
樹脂凸部及び樹脂凸部パターンを凸部形成層に形成することができる。即ち、指向性を有
する光散乱部を実現できる。
これにより、パターン左領域ＰＬに対応させて、曲率の高い反射凸部を形成することが
でき、パターン右領域ＰＲに対応させて、曲率の低い反射凸部を形成することができる。
また、パターン左領域ＰＬからパターン右領域ＰＲの間では、連続的に曲率を異ならせた
反射凸部を形成することができる。これにより、光散乱部の面内のうち、パターン右領域
ＰＲに対応する部分の上方に対して、指向性を有する反射光を実現できる。
【０１０５】
なお、上記の実施形態においては、電気光学装置の一例として反射型液晶装置の製造方
法について説明したが、本発明は反射型液晶装置の製造方法を限定するものではなく、反
射表示と透過表示の両方が実現可能となる半透過反射型液晶装置においても、本発明を適
用することができる。当該半透過反射型液晶装置は、反射表示領域及び透過表示領域を備
える構成となっており、既述の凸部形成層及び金属膜が反射表示領域のみに形成された構
成となっている。
このような半透過反射型液晶装置においても、指向性を有する反射表示を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の平面図。
【図２】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の断面図。
【図３】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の等価回路図。
【図４】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の要部を示す平面図。
【図５】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の要部を示す断面図。
【図６】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置における光散乱部の説明図。
【図７】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置における光散乱部の説明図。
【図８】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図９】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１３】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法の工程フロー図。
【図１４】本発明の第１実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法のマスクの説明図。
【図１５】本発明の第２実施形態に係る反射型液晶装置における光散乱部の説明図。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法のマスクの説明図。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る反射型液晶装置の製造方法のマスクの説明図。
【符号の説明】
【０１０７】
７  凸部形成層（感光性部材）、  ７ａ  樹脂凸部（凸部）、  ７ｇ  樹脂凸部パターン
（凸部パターン）、  ９  画素電極（反射部材）、  ９ｂ  金属膜（光反射膜）、  １０
光散乱部、  ２０  対向基板（第２基板）、  ４０  ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、
５０  液晶層（電気光学素子）、  １００  反射型液晶装置（電気光学装置）、  ＰＥ
パターン偏心領域（第１領域）、  ＰＬ  パターン左領域（第１領域）、  ＰＳ  パタ
ーン周辺領域（第２領域）、  ＰＭ  パターン中間領域（第２領域）、  ＰＲ  パターン
右領域（第２領域）、  ＰＣ  パターン中央領域（第１領域、中央領域）、  Ｍ  露光マ
スク、  Ｌ  露光光、  Ｐ１  凸部露光パターン（離散パターン）、  Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４
階調露光パターン（連続パターン）
【図１】
2006220908.tif 000003
【図２】
2006220908.tif 000004
【図３】
2006220908.tif 000005
【図４】
2006220908.tif 000006
【図５】
2006220908.tif 000007
【図６】
2006220908.tif 000008
【図７】
2006220908.tif 000009
【図８】
2006220908.tif 000010
【図９】
2006220908.tif 000011
【図１０】
2006220908.tif 000012
【図１１】
2006220908.tif 000013
【図１２】
2006220908.tif 000014
【図１３】
2006220908.tif 000015
【図１４】
2006220908.tif 000016
【図１５】
2006220908.tif 000017
【図１６】
2006220908.tif 000018
【図１７】
2006220908.tif 000019