(57)【要約】 【課題】複数層を有するディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って、層切り替え再生を連続的に行うこと。【解決手段】半導体レーザ４１及び光検出器４４を有し、光ディスクメディア８０のＬ０層に対して信号の記録再生を行う第１の光学系と、半導体レーザ５１及び光検出器５４を有し、光ディスクメディア８０のＬ１層に対して信号の記録再生を行う第２の光学系を備え、Ｌ０層に対して信号の記録再生を行う時は第１の光学系を使用し、Ｌ１層に対して信号の記録再生を行う時は第２の光学系を使用するように切り替えてＬ０層とＬ１層間のフォーカスジャンプを行うことにより、複数層を有するディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って、層切り替え再生を連続的に行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層以上の複数の記録再生層を有する光ディスクメディアにデータを記録再生する光ディスク装置であって、
記録再生対象の記録再生層に対して専用にレーザ光を集光するレーザ光源とこの記録再生層からの反射光を専用に受光する受光素子とを有する光学系を、前記複数の記録再生層に１対１対応で複数個を具備する、
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
２層以上の複数の記録再生層を有する光ディスクメディアにデータを記録再生する光ディスク装置であって、
記録再生対象の記録再生層に対して専用にレーザ光を集光するレーザ光源とこの記録再生層からの反射光を専用に受光する受光素子との組を、前記複数の記録再生層に１対１対応で複数組有する光学系を具備する、
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
前記レーザ光源の前記記録再生対象の記録再生層からの光学距離は、このレーザ光源から出力されるレーザ光が前記記録再生対象の記録再生層に集光される値であり、且つ、前記受光素子の受光面は、前記記録再生対象の記録再生層からの反射光の合焦点位置に配置されることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記レーザ光源と受光素子の組以外の前記光学系を構成する光学部品は、各記録再生層を記録再生する際に共通に用いられることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記レーザ光源と受光素子の組は全て集積光学素子に内蔵されていることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記レーザ光源はモノリシックの複数ビームレーザ素子で、レーザの出射側に近接して配置された光路長変更光学素子を具備し、この複数ビームレーザ素子から出力される複数のレーザビームが前記複数の記録再生層に１対１対応しており、この共通の１個の複数ビームレーザ素子と前記複数の記録再生層に１対１対応する複数の受光素子により前記複数の組が形成されることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項７】
前記レーザ光源はモノリシックの２ビームレーザ素子であり、この共通の１個の２ビームレーザ素子と２層の記録再生層に１対１対応する２個の受光素子とを有することを特徴とする請求項６記載の光ディスク装置。
【請求項８】
前記受光素子は前記複数の記録再生層からの反射光を１対１対応で受光する複数の光電変換層を有する複数層受光素子で、この共通の１個の複数層受光素子と前記複数の記録再生層に１対１対応する複数のレーザ光源により前記複数の組が形成されることを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項９】
前記複数層受光素子は、１層の受光素子を複数個接続部材を用いて積層して成ることを特徴とする請求項８記載の光ディスク装置。
【請求項１０】
前記受光素子は２層の受光素子で、この共通の１個の２層の受光素子と前記複数の記録再生層に１対１対応する２個のレーザ光源を有することを特徴とする請求項９記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置に係り、特に光ディスクにレーザ光を照射すると共に、ディスクからの反射光を受光する光学系に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクの分野においては、多層から構成される光ディスクメディアを認めているフォーマットが一般的であり、その層数は増える傾向にある。例えば、波長６５０ｎｍ帯を光源とするＤＶＤの分野では、片面２層がフォーマット上認められており、波長４０５ｎｍ帯を光源とするブルーレイ（Ｂｌｕ−Ｒａｙ）の分野においても、片面４層がフォーマット上認められている。さらに、古いフォーマットであるＣＤの分野においても、ＣＤ／ＤＶＤを一枚のディスクの片面に張り合わせるといった、一種の片面２層メディアといった新規派生フォーマットが検討されつつある。このように、今後の光ディスクの分野では、片面に複数の層を設けることが一般化する趨勢にある。
【０００３】
図７は従来の２層ディスクメディア対応の光ピックアップに内蔵される光学系を示したブロック図である。光学系は、光源として半導体レーザを、光検出器としては演算機能を作りこんであるＰＤＩＣ（Photo Detector Integrated Circuit ）を想定し、これらを同一パッケージ（以下、ＰＫＧ）に搭載した集積光学素子１、コリメータレンズ２、アナモルフィックプリズム３、λ／４波長板４、ビームエキスパンダ５、対物レンズ６を有して構成され、２層の信号記録再生層を有する光ディスク８０にレーザ光を照射し、その反射光を受光する。
【０００４】
図８は、図７に示した従来の集積光学素子の構造例を示した図である。集積光学素子は、リッド２０の上に形成され、半導体レーザ２１、半導体レーザ２１をマウントしたサブマウント２２、ミラー２３、λ／２波長板３４、グレーティング２４、偏光ビ−ムスプリッタ（ＰＢＳ）２５、ビ−ムスプリッタ（ＢＳ）２６、ミラー２７、ホログラム素子２８、シリンドリカルレンズ２９、再生信号検出用ＰＤＩＣ３０、ＦＡＰＣ用ＰＤ３１を有して構成され、ＰＢＳ２５、ＢＳ２６、ミラー２７は積層プリズム３２内に形成され、グレ−ティング２４及びホログラム素子２８はマルチレンズ３３内に形成されている。
【０００５】
ところで、例えば、波長４０５ｎｍ帯を光源とするブルーレイでは、上記した２層光ディスク８０の１層目、２層目への記録再生において、ビームの焦点位置切り替え（以下、フォーカスジャンプと呼ぶ）を行わなければならず、既にフォーカスジャンプを行う制御方式が各種開発されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
図９はこのフォーカスジャンプについて説明する図である。フォーカスジャンプは、現在、レーザ光が光ディスクメディア８０の第１層（Ｌａｙｅｒ０）に焦点があり、次に第２層（Ｌａｙｅｒ１）に焦点位置を切り替えたい、逆に第２層から第１層へ焦点位置を切り替えたい場合に発生する。すなわち、記録／再生対象層の切り替えの際に発生する。
【０００７】
フォーカスジャンプの方式としてはさまざまな手法が考えられる。例えば、あらかじめ各層での焦点位置を検知しておいて、その後は必要が発生したときにその位置に基づいて例えば対物レンズ８を光軸方向へ移動させる。或いは、必要が発生したとき、対物レンズ８を移動させながら、フォーカスエラー信号から各層の焦点位置を検出し、フォーカスサーボを起動させる。或いは、フォーマットに基づく層間隔に基づき、対物レンズ８の移動距離を求めておき、予めＲＯＭ等の制御信号を用意しておく。必要が発生した際、この制御信号を発生させて対物レンズ８を移動させる等である。
【０００８】
図９は、必要に応じて対物レンズ８を移動させ、フォーカスエラー信号から各層の焦点位置を検出する方法を説明する図である。２層メディア８０は第１層（Ｌａｙｅｒ１）と第２層（Ｌａｙｅｒ０）を有している。対物レンズ８は図中矢印１５０方向に移動可能で、図中、左側はＬａｙｅｒ０に焦点が合い、右側はＬａｙｅｒ１に焦点が合っている。
【０００９】
図１０は上記した２層光ディスクメディア８０の各層に焦点を合わせる際のフォーカスエラー信号を示した波形図で、対物レンズ８の位置の移動に伴ってフォーカスエラー信号が形を変え、いずれも０点を横切るところが合焦点である。なお、対物レンズ８は固定で、２層光ディスクメディア８０を矢印１５０方向に移動させても同様の合焦動作を行うことができる。
【００１０】
図１１は図７に示した集積光学素子１内のＰＤＩＣに搭載されている受光素子の一般的な構成を示した図である。図１１（Ａ）に示すように、基板５１に一層のＣＤ用とＤＶＤ用の受光層５１１が形成されている。図１１（Ｂ）に示すように、ＣＤ用もＤＶＤ用も受光素子の受光面５１２が複数分割され、各分割領域から出力される光電変換信号より再生信号や各種サーボ信号が生成される。
【特許文献１】特開平１０−１８８２９３号公報  （第３−７頁、第１−２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来のフォーカスジャンプにおいては、対物レンズ又は光ディスクを光軸方向に変位させながらその反射光をモニタする作業が必要で、ディスクメディアの各層に応じて、適宜、対物レンズを移動しながらフォーカスエラー信号を読み取ることでフォーカスジャンプを達成する。これには、フォーカスサーボを解除し、対物出射光の焦点が光ディスクメディアの各層を全て跨ぐ範囲で対物レンズ又は光ディスクメディアを変位させる動作が必要となり、この作業分の時間が必要となる。即ち、フォーカスジャンプにはフォーカスサーチ作業が不可欠で、この作業にかかる時間がフォーカスジャンプの速度を遅らせ、層切り替え再生を連続に行うことができない要因になる。
【００１２】
一方、予め各層に応じた変位量をプリセットしておき、必要に応じてディスクメディアを光軸方向へ変移させれば、上記したフォーカスサーチの作業時間が短縮されるが、光ディスクメディアには厚みばらつきがあるために移動の微調整が必要となり、やはり層切り替え再生を連続に行うことができない。
【００１３】
本発明は前記事情に鑑み案出されたものであって、本発明の目的は、複数層を有するディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って、層切り替え再生を連続的に行うことができる光ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は上記目的を達成するため、２層以上の複数の記録再生層を有する光ディスクメディアにデータを記録再生する光ディスク装置であって、記録再生対象の記録再生層に対して専用にレーザ光を集光するレーザ光源とこの記録再生層からの反射光を専用に受光する受光素子とを有する光学系を、前記複数の記録再生層に１対１対応で複数個を具備することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、２層以上の複数の記録再生層を有する光ディスクメディアにデータを記録再生する光ディスク装置であって、記録再生対象の記録再生層に対して専用にレーザ光を集光するレーザ光源とこの記録再生層からの反射光を専用に受光する受光素子との組を、前記複数の記録再生層に１対１対応で複数組有する光学系を具備することを特徴とする。
【００１６】
このように本発明では、複数の記録再生層を有する光ディスクメディアを記録再生する場合に、各層に１対１で対応する専用の記録再生光学系を複数個用意し、記録再生対象層へのフォーカスジャンプを対応する記録再生光学系を使用するように切り替えて行うことにより、複数層を有するディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って、層切り替え再生を連続的に行うことができる。
【００１７】
また、各層に１対１で対応するレーザ光源と受光素子以外の光学系を構成する他の部品を共通化することにより、光学系を複雑にすることなく、比較的シンプルな光学系にて上記効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、複数の記録再生層を有するディスクメディアを記録再生する場合に、各層に１対１で対応する専用の記録再生光学系を複数個用意し、記録再生対象層へのフォーカスジャンプを対応する記録再生光学系を使用するように切り替えて行うことにより、複数層を有する光ディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って、層切り替え再生を連続的に行うことができる。
各層に１対１で対応するレーザ光源と受光素子以外の光学系を構成する他の部品を共通化することにより、複数の光学系を用いることなく、比較的シンプルな光学系にて上記効果を得ることができる。
更に各層に１対１で対応するレーザ光源と受光素子を集積光学素子内に収納することにより、光学系を著しく小型、軽量化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
複数層を有するディスクメディアの記録再生対象層へのフォーカスジャンプを高速に行って層切り替え再生を連続的に行う目的を、各層に１対１で対応する専用の記録再生光学系を複数個用意し、記録再生対象層へのフォーカスジャンプを使用する記録再生光学系を対応するものに切り替えて行うことによって実現した。
【実施例１】
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装置の光学系の構成を示したブロック図である。本実施の形態の光学系は、半導体レーザ４１、偏光ビームスプリッタ４２、λ／４波長板４５、対物レンズ４３、光検出器４４を有して成るＬ０層用の第１の光学系と、半導体レーザ５１、偏光ビームスプリッタ５２、λ／４波長板５５、対物レンズ５３、光検出器５４を有して成るＬ１層用の第２の光学系から構成されている。
【００２１】
次に本実施の形態の動作について説明する。第１の光学系の半導体レーザ４１から出射したレーザ光は偏光ビームスプリッタ４２を通過して、λ／４波長板４５でその偏光が直線から円偏に変わり、対物レンズ４３に入射され、対物レンズ４３により光ディスクメディア８０のＬ０層に集光される。光ディスクメディア８０のＬ０層からの反射光は対物レンズ４３によりλ／４波長板４５に入射し、再び直線偏光に転じた後、偏光ビームスプリッタ４２に入射され、この偏光ビームスプリッタ４２により９０度光路が変更されて、光検出器４４の受光面に集光される。
【００２２】
第２の光学系の半導体レーザ５１から出射したレーザ光は偏光ビームスプリッタ５２を通過してλ／４波長板５５でその偏光が直線から円偏に変わり、対物レンズ５３に入射され、対物レンズ５３により光ディスクメディア８０のＬ０層に集光される。光ディスクメディア８０のＬ０層からの反射光は対物レンズ５３によりλ／４波長板５５に入射し、再び直線偏光に転じた後、偏光ビームスプリッタ５２に入射され、この偏光ビームスプリッタ５２により９０度光路が変更されて、光検出器５４の受光面に集光される。
【００２３】
ここで、半導体レーザ４１の光ディスクメディア８０のＬ０層からの光学距離は、この半導体レーザ４１のレーザ光が光ディスクメディア８０のＬ０層に集光される値になるように半導体レーザ４１の光軸上の位置が決められている。同様に、半導体レーザ５１の光ディスクメディア８０のＬ０層からの光学距離は、この半導体レーザ５１のレーザ光が光ディスクメディア８０のＬ１層に集光される値になるように半導体レーザ５１の光軸上の位置が決められている。また、光検出器４４の受光面は光ディスクメディア８０のＬ０層からの反射光の合焦点位置に配置され、光検出器５４の受光面は光ディスクメディア８０のＬ１層からの反射光の合焦点位置に配置する。
【００２４】
本実施の形態によれば、光ディスクメディア８０のＬ０層に対して信号の記録再生を行う第１の光学系と、光ディスクメディア８０のＬ１層に対して信号の記録再生を行う第２の光学系を有しているため、Ｌ０層に対して信号の記録再生を行う時は第１の光学系を使用し、Ｌ１層に対して信号の記録再生を行う時は第２の光学系を使用することによりＬ０層とＬ１層間のフォーカスジャンプを行うことができる。これにより、フォーカスジャンプの必要が生じた時に使用する光学系を光ディスク装置のシステムコントローラ（図示せず）が使用する光学系を切り替えるだけで、Ｌ０層とＬ１層間を相互にフォーカスジャンプすることができ、しかも、対物レンズ４３又は光ディスクメディア８０の移動を必要とするフォーカスサーチ作業を省略できるため、極めて短時間にフォーカスジャンプを行うことができる。それ故、層切り替え再生を連続的に行うことができる。
【００２５】
また、光ディスクメディア８０に厚みばらつきがある場合は対物レンズ４３又は、光ディスクメディア８０を若干移動させる微調整が必要であるが、この微調整に掛かる時間はフォーカスサーチ作業時間に比べて僅かのため、フォーカスジャンプを従来に比べて短時間に行うことができ、それ故、層切り替え再生をほぼ連続的に行うことができる。
【実施例２】
【００２６】
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る光ディスク装置の光学系の構成を示したブロック図である。但し、第１の実施の形態と同様の部分には同一符号を付して説明する。本実施の形態の光学系は、２個の半導体レーザ４１、５１、ビームスプリッタ６１、偏光ビームスプリッタ６２、λ／４波長板６５、対物レンズ６４、ビームスプリッタ６３、２個の光検出器４４、５４を有して構成され、Ｌ０層、Ｌ１層兼用の光学系である。
【００２７】
次に本実施の形態の動作について説明する。半導体レーザ４１から出射したレーザ光はビームスプリッタ６１によりその光路が９０度変更され、更に偏光ビームスプリッタ６２と、λ／４波長板６５を通過して対物レンズ６４に入射され、この対物レンズ６４により光ディスクメディア８０のＬ０層に集光される。光ディスクメディア８０のＬ０層からの反射光は対物レンズ６４によりλ／４波長板６５を通過し偏光ビームスプリッタ６２に入射され、この偏光ビームスプリッタ６２により９０度光路が変更され、更にビームスプリッタ６３によりその光路を９０度変更されて、光検出器４４の受光面に集光される。
【００２８】
半導体レーザ５１から出射したレーザ光はビームスプリッタ６１を通過し、更に偏光ビームスプリッタ６２と、λ／４波長板６５を通過して対物レンズ６４に入射され、この対物レンズ６４により光ディスクメディア８０のＬ１層に集光される。光ディスクメディア８０のＬ１層からの反射光は対物レンズ６４によりλ／４波長板６５を通過し偏光ビームスプリッタ６２に入射され、この偏光ビームスプリッタ６２により９０度光路が変更され、更にビームスプリッタ６３を通過して光検出器５４の受光面に集光される。
【００２９】
ここで、半導体レーザ４１の光ディスクメディア８０のＬ０層からの光学距離は、この半導体レーザ４１のレーザ光が光ディスクメディア８０のＬ０層に集光される値になるように半導体レーザ４１の光軸上の位置が決められている。同様に、半導体レーザ５１の光ディスクメディア８０のＬ０層からの光学距離は、この半導体レーザ５１のレーザ光が光ディスクメディア８０のＬ１層に集光される値になるように半導体レーザ５１の光軸上の位置が決められている。また、光検出器４４の受光面が光ディスクメディア８０のＬ０層からのレーザ光の合焦点位置に配置し、光検出器５４の受光面が光ディスクメディア８０のＬ１層からのレーザ光の合焦点位置に配置する。
【００３０】
本実施の形態によれば、共通の光学系にＬ０層集光用の半導体レーザ４１とＬ１層集光用の半導体レーザ５１及び、Ｌ０層からの反射光を受光する光検出器４４とＬ１層からの反射光を受光する光検出器５４とを有しているため、半導体レーザとそれに対応している光検出器の組を切り替えるだけで、２層の光ディスクメディア８０に対するレーザ光の集光点を切り替えることができる。それ故、対物レンズ６４又は光ディスクメディア８０の移動を必要とするフォーカスサーチ作業を省略できるため、極めて短時間にフォーカスジャンプを行うことができ、層切り替え再生を連続的に行うことができる。しかも、この効果を得るのに、Ｌ０、Ｌ１層記録再生用の光学系がほとんど共通でシンプルに構成でき、光ピックアップ等に搭載するのに極めて有利になる。
【実施例３】
【００３１】
図３は、本発明の第３の実施の形態に係る光ディスク装置の光学系の構成を示したブロック図である。本実施の形態の光学系は、集積光学素子９１、対物レンズ９８を有して構成されている。ここで、集積光学素子９１の構造は従来のそれとほとんど同じであるが（図８参照）、Ａに示した拡大図にあるように、サブマウント９２に２個の半導体レーザ９３と９４が取り付けてあり、半導体レーザ９３又は、半導体レーザ９４から出射されたレーザ光はミラー９５により立ち上げられて、λ／４波長板９７を通して対物レンズ９８に入射されるようになっている。
【００３２】
また、Ｂに示した拡大図にあるように、光ディスクメディア８０からの反射光を受光するＰＤＩＣに搭載される受光素子９６の構造が２層構造で、Ｌ０層からの戻り光を受光する９６０層と、Ｌ１層からの戻り光を受光する９６１層を有している。但し、２個の半導体レーザ９３と９４の取り付け位置が異なるのは、光ディスクメディア８０のＬ０層とＬ１層にそれぞれのレーザ光が集光されるように、その光軸上の位置をずらすためである。
【００３３】
ここで、上記した２個の半導体レーザ９３、９４は、図４に示すようなモノリシック２ビームレーザであっても良い。このモノリシック２ビームレーザはサブマウント９２に２ビーム半導体レーザ（ＬＤ）１００がマウントされ、これら２ビーム半導体レーザ１００の出射側に近接して光路長変更素子１０１が配置されている。光路長変更素子１０１はそれぞれのレーザビームが光ディスクメディア８０のＬ０層とＬ１層に集光されるように、各レーザ光の光路長をずらすためである。
【００３４】
図５は図３に示した２層の受光素子の構成例を示した図である。これは上下に配置した２枚の受光素子（シリコンフォトダイオード）ＳｉＰＤ１、ＳｉＰＤ２をバンプ１０２及びコンタクトホール１０３を介して電気的に接続した構成を有している。
【００３５】
図６は図３に示した２層の受光素子の他の構成例を示した図である。ＧａＮ基板上にｐ−ＧａＮ層、第２のｉ−ＧａｌｎＮ層、ｎ−ＧａＮ層、第１のｉ−ＧａｌｎＮ層、ｐ−ＧａＮ層を積層した構成を有し、第１のｉ−ＧａｌｎＮ層がＬ１層に、第２のｉ−ＧａｌｎＮがＬ０層に対応している。
【００３６】
次に本実施の形態の動作について説明する。集積光学素子９１内の半導体レーザ９３から出射したレーザ光はミラ−９５により立ち上げられ、集積光学素子９１内の光学部品を通してλ／４波長板９７、次いで対物レンズ９８に入射され、この対物レンズ９８により光ディスクメディア８０のＬ０層に集光される。光ディスクメディア８０のＬ０層からの反射光は対物レンズ９８により集積光学素子９１に入射され、集積光学素子９１の光学部品を通ってＰＤＩＣの受光素子９６に入射され、受光素子９６の受光層９６０に集光して光電変換される。
【００３７】
集積光学素子９１の半導体レーザ９４から出射したレーザ光はミラ−９５により立ち上げられ、集積光学素子９１内の光学部品を通してλ／４波長板９７、次いで対物レンズ９８に入射される。この対物レンズ９８により光ディスクメディア８０のＬ１層に集光される。光ディスクメディア８０のＬ１層からの反射光は対物レンズ９８により集積光学素子９１に入射され、集積光学素子９１の光学部品を通ってＰＤＩＣの受光素子９６に入射され、受光素子９６の受光層９６１に集光して光電変換される。
【００３８】
本実施の形態によれば、共通の光学系にＬ０層集光用の半導体レーザ９３とＬ１層集光用の半導体レーザ９４及び、Ｌ０層からの反射光を受光する受光面９６０とＬ１層からの反射光を受光する受光面９６１の２層の受光面を有する受光素子９６を集積光学素子９１内に備えることにより、使用する半導体レーザを切り替えるだけで、２層の光ディスクメディア８０に対するレーザ光の集光点を切り替えることができ、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。特に、Ｌ０、Ｌ１層集光用の半導体レーザ９３、９４を集積光学素子９１に内蔵すると共に、Ｌ０、Ｌ１層受光用の２層の受光素子９６を集積光学素子９１内のＰＤＩＣに形成することにより、光学系の小型軽量化を著しく促進することができる。
【００３９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲において、具体的な構成、機能、作用、効果において、他の種々の形態によっても実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装置の光学系の構成を示したブロック図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る光ディスク装置の光学系の構成を示したブロック図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る光ディスク装置の光学系の構成を示したブロック図である。
【図４】図３に示した２個の半導体レーザの他の実施例を示した図である。
【図５】図３に示した２層の受光素子の詳細実施例を示した図である。
【図６】図３に示した２層の受光素子の他の詳細実施例を示した図である。
【図７】従来の２層メディア対応の光ピックアップに内蔵される光学系を示したブロック図である。
【図８】図７に示した従来の集積光学素子の構造例を示した図である。
【図９】２層光ディスクメディアでのフォーカスジャンプについて説明する図である。
【図１０】図９に示した２層光ディスクメディアの各層に焦点を合わせる際のフォーカスエラー信号を示した図である。
【図１１】図７に示した集積素子内のＰＤＩＣに搭載されている受光素子の一般的な構成を示した図である。
【符号の説明】
【００４１】
４１、５１、９３、９４……半導体レーザ、４２、５２、６２……偏光ビームスプリッタ、４３、５３、６４、９８……対物レンズ、４４、５４……光検出器、４５、５５、６５、９７……λ／４波長板、６１、６３……ビームスプリッタ、８０……光ディスクメディア、９１……集積光学素子、９２……サブマウント、９５……ミラー、９６……受光素子、１００……２ビーム半導体レーザ（ＬＤ）、１０１……光路長変更素子、１０２……バンプ、１０３……コンタクトホール、ＳｉＰＤ１、ＳｉＰＤ２……シリコンフォトダイオード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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