(57)【要約】  【課題】パッシベーション膜であるプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜と下地絶縁膜、特に、ＴＥＯＳガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン酸化膜との界面の密着性を向上させ、後工程で界面が剥離することを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。  【解決手段】配線が形成された半導体基板の表面の全面にＣＶＤ法によって下地絶縁膜を堆積し、この下地絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によってシリコン窒化膜を堆積するにあたって、下地絶縁膜の表面に窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、プラズマＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の堆積を行う半導体装置の製造方法。【選択図】図１
2006100715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線が形成された半導体基板の表面の全面にＣＶＤ法によって下地絶縁膜を堆積し、該下地絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によってシリコン窒化膜を堆積するにあたって、
前記下地絶縁膜の表面に窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、前記プラズマＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の堆積を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記下地絶縁膜が、ＴＥＯＳと酸素とを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積されたシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記プラズマ照射を、５Ｔｏｒｒ以下の圧力を有するアンモニアガスを含む雰囲気を励起したプラズマを照射することによって行うことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ照射を、２．５Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度で励起したプラズマを照射することによって行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、最終保護膜（以下、「パッシベーション膜」とも言う。）の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置においては、モノシランガス（以下、「ＳｉＨ４ガス」と言う。）、アンモニアガス（以下、「ＮＨ３ガス」と言う。）等を原料ガスとしたプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって堆積されたシリコン窒化膜（以下、プラズマＣＶＤ法によって堆積されたシリコン窒化膜を「Ｐ−ＳｉＮ膜」とも言う。）を、半導体装置の表面を保護する最終保護膜（パッシベーション膜）として使用することは一般的である。
【０００３】
このパッシベーション膜として使用されるＰ−ＳｉＮ膜は、半導体装置の多層配線構造中で、最上層に形成された配線上にＣＶＤ法によって堆積されたシリコン酸化膜（以下、「ＳｉＯ２膜」と言う。）上に、重ねて堆積されるのが一般的である。
Ｐ−ＳｉＮ膜は、膜組成が緻密で、かつ、下地絶縁膜となるＳｉＯ２膜との密着性に優れ、パッシベーション膜として優れた特性を持つことが知られている。
【０００４】
ところで、ＣＶＤ法で絶縁膜を堆積する場合には、下記特許文献１〜３のように、膜種や成膜方法、もしくは下地膜の表面状態によっては、良好な成膜特性を得るために適切な前処理を行うことが必要な場合もある。
【０００５】
特許文献１には、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４Ｓｉ）プラズマＣＶＤ法により半導体基板表面全体に形成された第１の絶縁膜上に、ＴＥＯＳ−Ｏ３（オゾン）系常圧ＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成する際に、第２の絶縁膜の下地依存性を解消して表面モフォロジを良くするとともに、微細な隙間への埋め込み性を改善するために前処理として、周波数の異なる２周波のＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力を印加して窒素ガス（以下、「Ｎ２ガス」と言う。）のプラズマ処理を行う方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、第１のプラズマＣＶＤ膜上に形成したＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜をエッチバックした後、露出した第１のプラズマＣＶＤ膜表面上に第２のプラズマＣＶＤ膜を堆積する際に、第１のプラズマＣＶＤ膜表面上に、反応性イオンエッチングによるエッチバックによって形成された炭素やフッ素系の堆積物を除去するために、前処理として、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガス等を用いたプラズマ照射を行う方法が開示されている。
【０００７】
また、特許文献３には、ダマシン法を用いて絶縁膜であるＳｉＯ２膜の配線溝に銅配線を埋め込んだ半導体基板表面上に、銅配線上を覆うキャップ膜としてＰ−ＳｉＮ膜を形成する際に、銅配線表面とキャップ膜との界面における銅シリサイドの形成、および、配線間のＴＤＤＢ（Ｔｉｍｅ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）不良発生を防止するために、キャップ膜を形成する以前に、基板表面に露出したＳｉＯ２膜および銅配線の表面をＮＨ３雰囲気で還元性プラズマ処理を行う方法が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平０８−２０３８９１号公報
【特許文献２】特開平０７−０６６１７９号公報
【特許文献３】特開２００１−０５３０７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の特許文献１〜３に開示される技術はいずれも、パッシベーション膜としてのＰ−ＳｉＮ膜を堆積する場合とは、下地構造が異なる場合や、堆積する膜種が異なる場合について、前処理の必要性を提案したものである。従来、パッシベーション膜としてのＰ−ＳｉＮ膜を堆積する場合、すなわち、配線が形成された半導体基板の全面にＣＶＤ法、特に、プラズマＣＶＤ法によって堆積されたＳｉＯ２膜上に重ねて、Ｐ−ＳｉＮ膜を堆積する場合については、このような前処理の必要性の指摘はなされていなかった。
【００１０】
ところが、本発明者の鋭意検討の結果、パッシベーション膜としてＰ−ＳｉＮ膜を堆積する場合においても、下地絶縁膜に対する密着性の劣化が発生することが見出された。特に、下地絶縁膜となるＳｉＯ２膜がＴＥＯＳガスを原料とするプラズマＣＶＤ法を用いて形成されるＳｉＯ２膜（以下、ＴＥＯＳガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成されるＳｉＯ２膜を、「Ｐ−ＴＥＯＳ膜」とも言う。）である場合には、後工程（洗浄工程）でＰ−ＳｉＮ膜が剥離する等の不良が発生する場合があることが見出された。
【００１１】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、Ｐ−ＳｉＮ膜と下地絶縁膜との界面の密着性を向上させ、後工程で界面が剥離することを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、配線が形成された半導体基板の表面にＣＶＤ法によって下地絶縁膜を堆積し、該下地絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によってシリコン窒化膜を堆積するにあたって、前記下地絶縁膜の表面に窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、前記プラズマＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の堆積を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１３】
本発明においては、前記下地絶縁膜が、ＴＥＯＳと酸素とを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積されたシリコン酸化膜であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明においては、前記プラズマ照射を、５Ｔｏｒｒ以下の圧力を有するアンモニアガスを含む雰囲気を励起したプラズマを照射することによって行うことが好ましい。
【００１５】
さらに、本発明においては、前記プラズマ照射を、２．５Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度で励起したプラズマを照射することによって行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、配線が形成された半導体基板の表面の全面にＣＶＤ法によって堆積される下地絶縁膜の表面にＮ２ガスまたはＮＨ３ガスのプラズマを照射してから、Ｐ−ＳｉＮ膜を堆積することにより、Ｐ−ＳｉＮ膜と下地絶縁膜、特に、Ｐ−ＴＥＯＳ膜との密着性が改善され、膜剥がれ等を防止し、本発明の半導体装置の製造方法で形成される半導体装置の不良発生率を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方法の各工程を表わす一実施形態の断面図である。本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法では、まず、同図（ａ）に示すように、配線１４が形成された半導体基板１０の表面の全面にＣＶＤ法によって下地絶縁膜１６を堆積する。そして、図１（ｂ）に示すように、下地絶縁膜１６の表面にＮ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマを照射してから、図１（ｃ）に示すように、下地絶縁膜１６上にプラズマＣＶＤ法によってシリコン窒化膜１８の堆積を行う。
【００１９】
ここで、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射を平行平板型プラズマ装置を用いて実施する場合の処理条件は、例えば、以下の通りである。
反応チャンバ内圧力：４．０Ｔｏｒｒ〜６．０Ｔｏｒｒ
基板温度：３６０℃〜４２０℃
上部電極と下部電極（基板載置電極）との間隔：４００ｍｉｌｓ±４０ｍｉｌｓ
Ｎ２ガス流量：１５００ｓｃｃｍ±１００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス流量：５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍ
【００２０】
上記のようにして、下地絶縁膜１６の表面にＮ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマを照射してから、Ｐ−ＳｉＮ膜１８を堆積することにより、Ｐ−ＳｉＮ膜１８と下地絶縁膜１６との密着性が改善され、後工程での膜剥がれ等を防止し、不良発生率を低減することができる。
【００２１】
なお、図１（ａ）に示す例では、半導体基板１０上にＣＶＤ法により絶縁膜１２を形成し、この絶縁膜１２上にスパッタリング法により金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ技術を用いて、金属膜をパターニングして、配線１４を形成している。しかし、本発明の半導体装置の製造方法においては、配線１４が形成された半導体基板１０表面の全面に下地絶縁膜１６を堆積することができれば、配線１４の形成以前は、いかなる工程を有していても良い。
【００２２】
また、下地絶縁膜１６には、特に限定はないが、本発明の半導体装置の製造方法は、Ｐ−ＳｉＮ膜１８との密着性不良が発生しやすい下地絶縁膜１６、例えばＳｉＨ４ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積されたＳｉＯ２膜、もしくは、ＴＥＯＳと酸素とを原料とするプラズマＣＶＤ法によって堆積されたＳｉＯ２膜等に適用する場合が特に有用である。下地絶縁膜１６とＰ−ＳｉＮ膜１８との密着性不良の発生は、特に、下地絶縁膜１６がＰ−ＴＥＯＳ膜の場合に顕著である。
【００２３】
また、後述する実施例から分るように、プラズマ照射は、後工程での剥がれ等の不良の発生を抑えるために、５．０Ｔｏｒｒ以下の圧力を有するＮＨ３ガスを含むガス雰囲気を励起したプラズマを照射することによって行うのが好ましい。また、プラズマ照射は、２．５Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度で励起したプラズマを照射することによって行うのが好ましい。さらに、プラズマ照射は、３６０℃以上の基板温度で行うことが好ましい。
【００２４】
また、本発明の特徴であるプラズマ照射においては、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスに限らず、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガスを各々単独で用いてもよい。ただし、プラズマ照射処理を短時間で効果的に実施するためには、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスを用いるのが好ましい。
【００２５】
また、本発明の特徴であるプラズマ照射は、パッシベーション膜としてのＰ−ＳｉＮ膜を堆積する場合の前処理としてのみではなく、他の場合にも適用可能である。例えば、半導体装置の製造方法は、半導体装置の配線層間絶縁膜形成の際に、下層の配線上に堆積した第１のＰ−ＴＥＯＳ膜の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法によって平坦化した後に、キャップ膜として第２のＰ−ＴＥＯＳ膜をさらに堆積する場合の前処理としても適用可能である。
【００２６】
従来、半導体基板の全面にプラズマＣＶＤ法によって堆積されたＳｉＯ２膜上に重ねて、同じくプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ２膜を堆積する場合については、前処理の必要性は指摘されていなかった。
【００２７】
なお、平坦化された絶縁膜表面上にプラズマＣＶＤ膜を堆積する点においては、特許文献２に類似しているとも考えられる。しかし、特許文献２において前処理を必要としているのは、先にも述べたように、反応性イオンエッチングによるエッチバックによって形成される、炭素やフッ素系の堆積物が表面に形成されているからである。そのような堆積物が形成されないＣＭＰ法による平坦化を行う場合には、前処理は不要と考えられていた。
【００２８】
しかし、本発明の発明者による検討によって、このような場合においても、適切な前処理を行わずに第１のＰＥ−ＴＥＯＳ膜上に第２のＰＥ−ＴＥＯＳ膜の堆積を行うと、第１のＰＥ−ＴＥＯＳ膜からの水分放出によって半導体装置の信頼性劣化が発生したり、第１のＰＥ−ＴＥＯＳ膜と第２のＰＥ−ＴＥＯＳ膜との間での剥がれが発生したりする場合があることが判明した。
【００２９】
これに従って、本発明の半導体装置の製造方法を適用して、例えば、第２のＰ−ＴＥＯＳ膜の前処理として、第１のＰ−ＴＥＯＳ膜の表面にＮ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射を行うことによって、第１のＰＥ−ＴＥＯＳ膜からの水分放出による半導体装置の信頼性劣化の発生、および、第１のＰＥ−ＴＥＯＳ膜と第２のＰＥ−ＴＥＯＳ膜との界面での剥がれの発生を防止することができる。
【００３０】
なお、このときのプラズマ照射においても、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合を用いることに限定されず、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガスを単独で用いても良い。
【実施例】
【００３１】
［実施例１］
最初に、図１（ａ）に示す構造を有する半導体装置を形成した。
【００３２】
すなわち、シリコン基板１０上にＣＶＤ法によっての絶縁膜１２を所定の厚みになるように堆積し、この絶縁膜１２上に、スパッタリング法によりＡｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ等のアルミニウム合金膜を堆積し、フォトリソグラフィ技術を用いて、このアルミニウム合金膜をパターニングして、配線１４を形成した。
【００３３】
上述の配線１４が形成された絶縁膜１２の表面全面に、ＴＥＯＳガスおよびＯ２ガスを用いて、２周波のＲＦ電力を用いたプラズマＣＶＤ法による成膜を行って下地絶縁膜１６としてＰ−ＴＥＯＳ膜を所定の膜厚になるように堆積し、図１（ａ）に示す構造を有する半導体装置を得た。
【００３４】
次に、上述の下地絶縁膜１６であるＰ−ＴＥＯＳ膜の表面に、図１（ｂ）に示すように、本発明の特徴であるＮ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射を実施した。
【００３５】
プラズマ照射の処理条件は以下の通りである。
基板温度：３６０℃
圧力：５．５Ｔｏｒｒ
ＲＦ電力１：４２０Ｗ
Ｎ２ガス：１５００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス：４７ｓｃｃｍ
上部電極と下部電極との間隔：４００ｍｉｌｓ
放電時間（照射時間）：７秒間
ただしここで、「基板温度」として示した値は、基板を載置した下部電極の温度である。実際の基板温度は、厳密には、上記の値と異なる可能性がある。
【００３６】
そして、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射実施後、同一反応チャンバ内において、図１（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、下地絶縁膜１６であるＰ−ＴＥＯＳ膜上にＰ−ＳｉＮ膜１８を所定の厚さになるように堆積した。
【００３７】
Ｐ−ＳｉＮ膜１８の具体的な堆積条件は以下の通りである。
基板温度：３６０℃
圧力：５．５Ｔｏｒｒ
ＲＦ電力１：４２０Ｗ
ＳｉＨ４ガス：１３３ｓｃｃｍ
Ｎ２ガス：１５００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス：４７ｓｃｃｍ
【００３８】
［実施例２］
本発明の半導体装置の製造方法を適用して、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射を行って、図２に示す断面構造を有するＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）を６インチのウエハ上に作製した。
すなわち、配線１４が形成された基板上に下地絶縁膜１６であるＰ−ＴＥＯＳ膜を堆積し、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射を行ってから、Ｐ−ＳｉＮ膜１８を堆積した。そして、図示しないレジストパターンをマスクとして、ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、Ｎ２ガスの混合ガスを用いたＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｄｒｙ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）で、配線１４上のＰ−ＳｉＮ膜（パッシベーション膜）１８およびＰ−ＴＥＯＳ膜（下地絶縁膜）１６をエッチングし、開口２２を形成した。
この時、界面の密着性を制御するためのパラメータとして、プラズマ照射の際の圧力、基板温度、ＲＦ電力を変化させてＴＥＧを作製し、下地絶縁膜１６であるＰ−ＴＥＯＳ膜とＰ−ＳｉＮ膜１８との界面の密着性を評価した。
【００３９】
密着性の評価は、以下の２つの方法で行った。
まず、図２のＴＥＧの断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察し、サイドスリット２０の有無を観察した。この観察を、ウエハ内の複数箇所において行い、サイドスリット２０発生の割合を不良率として算出した。
次に、図２のＴＥＧに対してスクラブ洗浄を行い、目視で、Ｐ−ＳｉＮ膜１８の剥がれの有無および程度を観察した。
【００４０】
まず、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の圧力を、４．９Ｔｏｒｒ、５．２Ｔｏｒｒ、５．８Ｔｏｒｒ、６．１Ｔｏｒｒと変化させた際の、Ｐ−ＳｉＮ膜１８の目視による剥がれの程度、および断面ＳＥＭ観察による不良率（サイドスリット２０発生率）を、表１に示す。Ｐ−ＳｉＮ膜の成膜膜厚は約５００ｎｍである。
【００４１】
表１において、剥がれの評価が“○”である場合は、目視によって剥がれが観察されないことを示す。“△”および“××”は、いずれも剥がれが観察されたことを示し、“××”は“△”よりも剥がれが顕著であることを示す。
【００４２】
【表１】
2006100715.tif 000003
【００４３】
また、図３にはＮ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の圧力と界面密着性との関係を表わしたグラフを示す。グラフの横軸は、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の圧力、縦軸は、下地絶縁膜１６であるＰ−ＴＥＯＳ膜とＰ−ＳｉＮ膜１８との界面密着性の不良率（サイドスリット２０発生率）を表わす。
表１および図３に示すグラフより、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の圧力を低く設定するほど、不良率が低減することが分った。特に、本発明においては、プラズマ照射を５Ｔｏｒｒ（６７０Ｐａ）以下の圧力で実施することが好適であることが分った。
【００４４】
次に、図４には、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時のＲＦ電力と界面密着性の不良率との関係を表わしたグラフを示す。グラフの横軸は、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時のＲＦ電力、縦軸は、下地絶縁膜１６であるＰ−ＴＥＯＳ膜とＰ−ＳｉＮ膜１８との界面密着性の不良率（サイドスリット２０発生率）を表わす。
図４に示すグラフより、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時のＲＦ電力を高く設定するほど、不良率が低減し、特に、６インチウェハに対して４５０Ｗ以上、すなわち、２．５Ｗ／ｃｍ２以上のＲＦ電力を印加することが好ましいことが分った。
【００４５】
最後に、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の基板温度と界面密着性との関係を表わしたグラフを図５に示す。グラフの横軸は、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の設定温度、縦軸は、下地絶縁膜１６であるＰ−ＴＥＯＳ膜とＰ−ＳｉＮ膜１８との界面密着性の不良率（サイドスリット２０発生率）を表わす。
図５に示すグラフより、Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の設定温度を高く設定するほど、不良率が低減することが分った。特に、設定温度を３６０℃以上としたプラズマ照射条件が好ましいことが分った。
【００４６】
本発明は、基本的に以上のようなものである。
以上、本発明の半導体装置の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方法の各工程を表わす一実施形態の断面図を示す。
【図２】ＴＥＧの一部を示す断面図である。
【図３】Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の圧力と下地絶縁膜であるＰ−ＴＥＯＳ膜とＰ−ＳｉＮ膜との界面密着性の不良率との関係を表わしたグラフを示す。
【図４】Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時のＲＦ電力と下地絶縁膜であるＰ−ＴＥＯＳ膜とＰ−ＳｉＮ膜との界面密着性の不良率との関係を表わしたグラフを示す。
【図５】Ｎ２ガスとＮＨ３ガスとの混合ガスのプラズマ照射時の基板温度と下地絶縁膜であるＰ−ＴＥＯＳ膜とＰ−ＳｉＮ膜との界面密着性の不良率との関係を表わしたグラフを示す。
【符号の説明】
【００４８】
１０  半導体基板（シリコン基板）
１２  絶縁膜
１４  配線
１６  下地絶縁膜
１８  シリコン窒化膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
２０  サイドスリット
２２  開口
【図１】
2006100715.tif 000004
【図２】
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【図３】
2006100715.tif 000006
【図４】
2006100715.tif 000007
【図５】
2006100715.tif 000008