(57)【要約】【課題】  正孔注入層を別途形成しなくても発光効率及び寿命特性が優秀な有機電界発光素子を提供する。【解決手段】  本発明に係る有機電界発光素子は，第１電極３と，発光層９と，第２電極１７とを含む有機電界発光素子であって，第１電極１と発光層９との間に，ビフェニレンジアミン系化合物を含む有機膜７が形成されたことを特徴としている。このように，第１電極３と発光層９との間に正孔輸送特性及び正孔注入特性をともに奏する有機膜７を形成することによって，別途正孔注入層を形成することなく寿命特性を改善することができる。【選択図】    図１
2006005355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と，発光層と，第２電極と，を含む有機電界発光素子において，
前記第１電極と発光層との間に，下記一般式１で表される化合物を含む有機膜が形成されることを特徴とする，有機電界発光素子。
【化１】
2006005355.tif 000014
前記一般式１中，Ｒ１及びＲ２は，互いに独立に，炭素数１〜２０の置換もしくは非置換のアルキル基，または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基であり，
Ｒ３及びＲ４は，互いに独立に，炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基，炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基，ハロゲン原子，ニトロ基，シアノ基，炭素数１〜２０のアルコキシ基からなる群より選択される置換基である。
【請求項２】
前記一般式１で表される化合物は，下記化学式１，２及び３で表される化合物からなる群より選択される１種または２種以上の化合物であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光素子。
【化２】
2006005355.tif 000015
【化３】
2006005355.tif 000016
【化４】
2006005355.tif 000017
【請求項３】
前記一般式１で表される化合物を含む有機膜は，正孔輸送特性及び正孔注入特性をともに有することを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記有機膜の厚みは，５〜２００ｎｍであることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記第１電極と有機膜との間に，ｐ型半導体的性質を有する有機化合物を含むバッファ層がさらに含まれることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記ｐ型半導体的性質を持っている有機化合物は，下記一般式２で表される化合物であることを特徴とする，請求項５に記載の有機電界発光素子。
【化５】
2006005355.tif 000018
前記一般式２中，Ｒは，互いに独立に，水素原子，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数２〜２０のヘテロアリール基，ハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリールアミン基，ニトロ基，シアノ基，ニトリル基，−ＣＯＮＨＲ’，または−ＣＯ２Ｒ’（Ｒ’は，炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基）である。
【請求項７】
前記一般式２で，Ｒは，シアノ基，ニトロ基，−ＣＯＮＨＲ’，または−ＣＯ２Ｒ’であることを特徴とする，請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記バッファ層の厚みは，０．１〜１０ｎｍであることを特徴とする，請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記発光層は，ビスチエニルピリジンアセチルアセトネートイリジウム，ビス（ベンゾチエニルピリジン）アセチルアセトネートイリジウム，ビス（２−フェニルベンゾチアゾール）アセチルアセトネートイリジウム，ビス（１−フェニルイソキノリン）イリジウムアセチルアセトネート，及びトリ（１−フェニルイソキノリン）イリジウムからなる群より選択される１以上の化合物であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，有機電界発光素子に係り，より詳細には，寿命特性が改善された有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は，基本的に，第１電極と第２電極との間に発光層が形成された構造を有している。このような基本構造を有する有機電界発光素子の効率及び寿命特性を向上させるために，第１電極と発光層との間にホール輸送層を形成し，発光層と第２電極との間に電子輸送層を形成する場合がある。
【０００３】
上記正孔輸送層の形成時に芳香族第３級アミンを利用するが，その具体的な例として，ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン），アリーレンジアミン誘導体を利用する方法がある（例えば，特許文献１〜３を参照）。
【０００４】
また，有機電界発光素子は，その駆動電圧などの素子特性が満足すべきレベルに到達できず，アノードとして使われた第１電極と正孔輸送層との間に銅フタロシアニンまたはスターバースト型アミン系化合物を利用することにより正孔注入層を形成する。この際，正孔注入層の膜厚は，一般に，少なくとも１０ｎｍ以上で形成する。
【０００５】
【特許文献１】特開平３−２３１９７０号公報
【特許文献２】米国特許第５，８３７，１６６号明細書
【特許文献３】米国特許第５，０６１，５６９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら，上述したような方法でアノード上部に正孔注入層及び正孔輸送層を順次形成する場合にはその製造工程が長くなる，という問題があった。
【０００７】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，正孔注入層を別途形成しなくても発光効率及び寿命特性が優秀な，新規かつ改良された有機電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，第１電極と発光層と第２電極と，を含む有機電界発光素子において，第１電極と発光層との間に，下記一般式１で表される化合物を含む有機膜が形成されることを特徴とする有機電界発光素子が提供される。
【０００９】
【化１】
2006005355.tif 000003
【００１０】
上記一般式１中，Ｒ１及びＲ２は，互いに独立に，炭素数１〜２０の置換もしくは非置換のアルキル基，または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基である。また，Ｒ３及びＲ４は，互いに独立に，炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基，炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基，ハロゲン原子，ニトロ基，シアノ基，炭素数１〜２０のアルコキシ基からなる群より選択される置換基である。
【００１１】
上記一般式１で表される化合物を含む有機膜は，正孔輸送特性及び正孔注入特性をともに有している。また，この有機膜の厚みは，５〜２００ｎｍであることが好ましい。有機膜の厚みが５ｎｍ未満の場合にはホール輸送特性が低下し，２００ｎｍを超過する場合には駆動電圧が上昇するためである。
【００１２】
また，第１電極と有機膜との間に，ｐ型半導体的性質を持っている有機化合物を含むバッファ層がさらに含まれていてもよい。ここでいうｐ型半導体的性質とは，第１電極であるアノードからの正孔注入を円滑にするとともに，注入された正孔を発光層に移送することができる性質をいう。すなわち，ｐ型半導体的性質を有する有機化合物は，第１電極であるアノードからの正孔注入を円滑にするとともに，注入された正孔を発光層に移送する役割を行うことができる。
【００１３】
ここで，上記ｐ型半導体的性質を持っている有機化合物としては，例えば，下記一般式２で表される化合物がある
【化２】
2006005355.tif 000004
【００１４】
上記一般式２中，Ｒは，互いに独立に，水素原子，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数２〜２０のヘテロアリール基，ハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリールアミン基，ニトロ基，シアノ基，ニトリル基，−ＣＯＮＨＲ’，または−ＣＯ２Ｒ’である。ここで，Ｒ’は，炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基である。
【００１５】
また，上記発光層には，例えば，ビスチエニルピリジンアセチルアセトネートイリジウム，ビス（ベンゾチエニルピリジン）アセチルアセトネートイリジウム，ビス（２−フェニルベンゾチアゾール）アセチルアセトネートイリジウム，ビス（１−フェニルイソキノリン）イリジウムアセチルアセトネート，及びトリ（１−フェニルイソキノリン）イリジウムからなる群より選択される１以上の化合物を使用することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る有機電界発光素子によれば，第１電極と発光層との間に正孔輸送及び正孔注入特性をともに有する有機膜を形成することにより，別途正孔注入層を形成しなくても寿命特性を改善することができる。また，第１電極と有機膜との間にｐ型半導体的性質を持っている有機化合物を含むバッファ層をさらに形成することにより，第１電極からの正孔注入を円滑にするとともに，注入された正孔を発光層に移送することができる。したがって，本発明によれば，有機電界発光素子の駆動電圧をさらに低下させて素子の寿命を延ばすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子は，第１電極と発光層との間に下記一般式１で表されるビフェニレンジアミン単位を有する４，４’−ビフェニレンジアミン化合物を含む単一層構造の有機膜を具備する。この有機膜は，正孔輸送及び正孔注入特性をともに有しており，別途正孔注入層を形成しなくても，有機電解発光素子の寿命及び発光効率特性を優秀にすることができる。この有機膜の厚みは，５〜２００ｎｍが好ましい。有機膜の厚みが５ｎｍ未満の場合にはホール輸送特性が低下し，２００ｎｍを超過する場合には駆動電圧が上昇するため好ましくない。
【００１９】
【化３】
2006005355.tif 000005
【００２０】
上記一般式１中，Ｒ１及びＲ２は，互いに独立に，炭素数１〜２０の置換もしくは非置換のアルキル基，または炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基である。また，Ｒ３及びＲ４は，互いに独立に，炭素数１〜２０の置換または非置換のアルキル基，炭素数６〜２０の置換または非置換のアリール基，ハロゲン原子，ニトロ基，シアノ基，炭素数１〜２０のアルコキシ基からなる群より選択される置換基である。
【００２１】
上記一般式１で表される化合物の例としては，下記化学式１〜３で表される化合物を挙げることができる。
【００２２】
【化４】
2006005355.tif 000006
【００２３】
【化５】
2006005355.tif 000007
【化６】
2006005355.tif 000008
【００２４】
本実施形態の有機電界発光素子はまた，第１電極と有機層との間に，ｐ型半導体的性質を有する有機化合物を含むバッファ層をさらに具備していてもよい。このようなバッファ層の膜厚は，好ましくは，０．１〜１０ｎｍ，より好ましくは，０．５ｎｍの超薄膜に形成される。
【００２５】
上記ｐ型半導体的性質を持っている有機化合物の例としては，下記一般式２で表される化合物を挙げることができる。
【００２６】
【化７】
2006005355.tif 000009
【００２７】
上記一般式２中，Ｒは，互いに独立に，水素原子，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数２〜２０のヘテロアリール基，ハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリールアミン基，ニトロ基，シアノ基，ニトリル基，−ＣＯＮＨＲ’，または−ＣＯ２Ｒ’である。ここで，Ｒ’は，炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基である。
【００２８】
上記一般式２で，Ｒは，シアノ基，ニトロ基，−ＣＯＮＨＲ’，または−ＣＯ２Ｒ’であることが好ましい。これは，ｐ型半導体的特性を最大化するためには電子受容性の置換基を含むことが望ましいからである。
【００２９】
ここでいうｐ型半導体的性質とは，第１電極であるアノードからの正孔注入を円滑にするとともに，注入された正孔を発光層に移送することができる性質をいう。すなわち，ｐ型半導体的性質を有する有機化合物は，第１電極であるアノードからの正孔注入を円滑にするとともに，注入された正孔を発光層に移送する役割を行う。したがって，このような化合物を利用すれば，有機電界発光素子の駆動電圧をさらに低下させて素子の寿命を顕著に延ばすことができる。また，上記ｐ型半導体的性質を有する有機化合物は，第１電極形成材料である金属酸化物と安定した界面を形成する能力を有している。
【００３０】
次に，図１を参照しながら，本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法について説明する。
【００３１】
まず，基板１の上部に第１電極であるアノード用物質をコーティングしてアノード３を形成する。ここで，基板１としては，通常の有機電界発光素子で使用される基板を使用することができるが，透明性，表面平滑性，取扱容易性及び防水性の優秀なガラス基板または透明プラスチック基板が好ましい。また，アノード用物質としては，透明かつ伝導性に優れるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），酸化錫（ＳｎＯ２），酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを使用することができる。
【００３２】
次に，アノード３の上部に，上記一般式１で表される化合物を蒸着して本実施形態に係る有機膜である正孔輸送層（ＨＴＬ）７を形成する。
【００３３】
ここで，アノード３と正孔輸送層７との間に，ｐ型半導体的性質を有する有機化合物を含むバッファ層（ＨＩＬ）５を形成してもよい。この場合に，膜の形成方法は特に制限されないが，例えば，真空熱蒸着などの方法を利用することができる。
【００３４】
次いで，正孔輸送層７の上部に，通常の発光材料を利用して発光層（ＥＭＬ）９を形成する。上記発光材料としては，例えば，ビスチエニルピリジンアセチルアセトネートイリジウム，ビス（ベンゾチエニルピリジン）アセチルアセトネートイリジウム，ビス（２−フェニルベンゾチアゾール）アセチルアセトネートイリジウム，ビス（１−フェニルイソキノリン）イリジウムアセチルアセトネート，トリ（１−フェニルイソキノリン）イリジウムなどを挙げることができる。
【００３５】
発光層９は，上述した材料以外に，通常のホストをさらに含むことができる。ここで，ホストの具体的な例としては，ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ），Ｂａｌｑ（ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｂｉｐｈｅｎｙｏｘｙ  ａｌｕｍｉｎｕｍ），カルバゾール系化合物などを挙げることができる。
【００３６】
発光層９の形成方法は特に制限されないが，例えば，真空蒸着，インクジェットプリンティング，レーザー転写法，フォトリソグラフィ法などの方法を利用することができる。
【００３７】
発光層９の厚みは，１０〜８０ｎｍであることが好ましい。発光層の厚みが１０ｎｍ未満である場合には発光効率及び寿命が低下し，８０ｎｍを超過する場合には駆動電圧が上昇するため，好ましくない。
【００３８】
また，発光層９におけるホストの含有量は，発光層形成材料の総重量（すなわち，ホストとドーパントとの総重量）である１００重量部を基準として８０〜９９重量部であることが好ましい。ホストの含有量が８０重量部未満の場合には，三重項の消光現象が起きて効率が低下し，９９重量部を超過する場合には発光物質が不足して発光効率及び寿命が低下するため，好ましくない。
【００３９】
また，発光層９上にホールブロッキング用の物質を真空蒸着またはスピンコーティングしてホールブロッキング層（ＨＢＬ）１１を選択的に形成することもできる。この際に使用されるホールブロッキング層用物質は特に制限されないが，電子輸送能力を有するとともに発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを有しなければならず，主に，下記の構造式で表示されるＢａｌｑ，ＢＣＰ（2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-9,10-phenanthroline），ＴＰＢＩ（2,2’,2”-(benzene-1,3,5-triyl)-tris(1-phenylbenzimidazole)）などが使用される。ここで，ホールブロッキング層の厚みは，３〜５０ｎｍであることが好ましい。ホールブロッキング層の厚みが３ｎｍ未満である場合には，正孔防止特性が良好でなく発光効率が低下し，５０ｎｍを超過する場合には駆動電圧が上昇するため，好ましくない。
【００４０】
【化８】
2006005355.tif 000010
【００４１】
次に，発光層９上またはホールブロッキング層１１上に，電子輸送層材料が真空蒸着，スピンコーティングなどによりコーティングされることで，電子輸送層（ＥＴＬ）１３が形成される。電子輸送層材料としては特に制限されず，例えば，Ａｌｑ３などを使用することができる。ここで，電子輸送層１３の厚みは，５〜６０ｎｍであることが好ましい。電子輸送層１３の厚みが５ｎｍ未満である場合には寿命特性が低下し，６０ｎｍを超過する場合には駆動電圧が上昇するため，好ましくない。
【００４２】
また，電子輸送層１３上に電子注入層（ＥＩＬ）１５が選択的に積層してもよい。電子注入層形成材料としては，例えば，ＬｉＦ，ＮａＣｌ，ＣｓＦ，Ｌｉ２Ｏ，ＢａＯ，Ｌｉｑなどの物質を使用することができる。ここで，電子注入層１５の厚みは，０．１〜１０ｎｍであることが好ましい。電子注入層１５の厚みが０．１ｎｍ未満である場合には効果的な電子注入層の役割を行えずに駆動電圧が高く，１０ｎｍを超過する場合には絶縁層として作用して駆動電圧が高くなるため，好ましくない。
【００４３】
【化９】
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【００４４】
最後に，電子輸送層１３上または電子注入層１５上に，第２電極であるカソード用金属を真空熱蒸着等して第２電極のカソード１７を形成することにより有機電界発光素子を完成させることができる。
【００４５】
上記カソード用金属としては，例えば，リチウム（Ｌｉ），マグネシウム（Ｍｇ），アルミニウム（Ａｌ），アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ），カルシウム（Ｃａ），マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ），マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを使用することができる。
【００４６】
以上説明したように，本発明に係る有機電界発光素子は，アノード，ホール注入層，ホール輸送層，発光層，電子輸送層，電子注入層，カソードの必要に応じて一層または二層の中間層をさらに形成することもできる。上記一般式１または一般式２で，非置換の炭素数１〜２０のアルキル基の具体的な例としては，例えば，メチル，エチル，プロピル，イソブチル，ｓｅｃ−ブチル，ペンチル，イソアミル，ヘキシルなどを挙げることができる。ここで，上記アルキル基のうち一つ以上の水素原子は，ハロゲン原子，ハライド，ヒドロキシ基，ニトロ基，シアノ基，アミノ基，アミジノ基，ヒドラジン，ヒドラゾン，カルボキシル基，スルホン酸基，リン酸基，炭素数１〜１５の低級アルキル基または炭素数１〜１５の低級アルコキシ基に置換されてもよい。
【００４７】
上記アリール基は，単独または組合わせて使用され，一つ以上の環を含む炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を意味し，上記環は，ペンダント方法で共に付着されるか，または融合されうる。アリール基の例としては，例えば，フェニル，ナフチル，テトラヒドロナフチル，インダン，ビフェニルなどがある。また，アリール基のうち一つ以上の水素原子は，上記炭素数１〜２０のアルキル基の場合と同様に，ハロゲン原子，ハライド，ヒドロキシ基，ニトロ基，シアノ基，アミノ基，アミジノ基，ヒドラジン，ヒドラゾン，カルボキシル基，スルホン酸基，リン酸基，炭素数１〜１５の低級アルキル基，炭素数１〜１５の低級アルコキシ基，または下記化学式４で表される置換基に置換されてもよい。
【００４８】
【化１０】
2006005355.tif 000012
【実施例】
【００４９】
以下，実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明するが，本発明が下記実施例にのみ限定されるものではない。
【００５０】
（実施例１）
アノードは，コーニング社製の１５Ω／ｃｍ２（１２０ｎｍ）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさに切断して，イソプロピルアルコール中及び純水中でそれぞれ５分間超音波洗浄した後，３０分間ＵＶ洗浄及びオゾン洗浄して使用した。
【００５１】
次に，上記基板の上部に化学式２で表される化合物（ホドガヤ（hodogaya）社から購入）を真空蒸着して正孔輸送層を１０ｎｍの厚みに形成した。
【００５２】
さらに，上記正孔輸送層の上部に，ＣＢＰとＩｒｐｐｙ３［ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ］（いずれもＵＤＣ(universal display corporation)社から購入）とを共蒸着して約４０ｎｍの厚みに発光層を形成した。
【００５３】
次に，上記発光層の上部に電子輸送物質であるＡｌｑ３（SUNFINECHEM（サンファインケーム）社から購入）を蒸着して約３０ｎｍの厚みで電子輸送層を形成した。
【００５４】
最後に，上記電子輸送層の上部にＬｉＦ  １ｎｍ（電子注入層）とＡｌ  １００ｎｍ（カソード）とを順次真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極を形成し，有機電界発光素子を製造した。
【００５５】
（実施例２）
正孔輸送層を形成する前に，一般式２で表される化合物（Ｒ＝ＣＮ），すなわち，1,4,5,8,9,12-hexaza-triphenylene-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrileを真空熱蒸着してバッファ層をさらに形成したことを除いては，実施例１と同じ方法で有機電界発光素子を製造した。
【００５６】
（比較例１）
アノードは，コーニング社製の１５Ω／ｃｍ２（１２０ｎｍ）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍ大きさに切断してイソプロピルアルコール中及び純水中でそれぞれ５方間超音波洗浄した後，３０分間ＵＶ洗浄及びオゾン洗浄して使用した。
【００５７】
次に，上記基板の上部に下記化学式５で表されるＴＣＴＡ（４，４’，４’’−ｔｒｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ，SENSIENT(センシエント)社から購入）を蒸着して正孔注入層を約２０ｎｍの厚みに形成した。
【００５８】
【化１１】
2006005355.tif 000013
【００５９】
次いで，上記正孔注入層の上部に，Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ，SUNFINECHEM（サンファインケーム）社から購入）を真空蒸着し，正孔輸送層を６０ｎｍの厚みに形成した。
【００６０】
さらに，上記正孔輸送層の上部にＣＢＰとＩｒｐｐｙ３とを共蒸着して約４０ｎｍの厚みに発光層を形成した。
【００６１】
次に，上記発光層の上部に電子輸送物質であるＡｌｑ３を蒸着して約３０ｎｍの厚みに電子輸送層を形成した。
【００６２】
最後に，上記電子輸送層の上部にＬｉＦ  １ｎｍ（電子注入層）とＡｌ  １００ｎｍ（カソード）とを順次真空蒸着してＬｉＦ／Ａｌ電極を形成し，有機電界発光素子を製造した。
【００６３】
上記実施例１，２及び比較例１によって製造された有機電界発光素子において，寿命特性を調べた。
【００６４】
その結果，比較例１の有機電界発光素子の寿命は５０００ｃｄ／ｍ２で約５００時間であるのに対し，実施例１及び実施例２の有機電界発光素子の寿命はそれぞれ５０００ｃｄ／ｍ２で６００及び７００時間であって，比較例１の場合に比べて寿命特性が改善されるということがわかった。
【００６５】
また，実施例１の有機電界発光素子は駆動電圧５．５Ｖであり，実施例２の有機電界発光素子は駆動電圧４．５Ｖであり，比較例１の有機電界発光素子は駆動電圧５．９Ｖであった。特に，実施例２において，バッファ層を形成すると，ＩＴＯとオーム接触（OHMIC CONTACT）を形成して，低い駆動電圧を得ることが可能であることがわかった。
【００６６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は，有機電界発光素子に適用可能であり，特に，別途正孔注入層を形成することなく寿命特性を改善できる有機電界発光素子に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機電界発光素子の断面を模式的に示した説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
１      基板
３      アノード
５      バッファ層
７      正孔輸送層
９      発光層
１１      ホールブロッキング層
１３      電子輸送層
１５      電子注入層
１７      カソード
【図１】
2006005355.tif 000019