(57)【要約】【課題】  空冷部材のＬＳＩに対する適正な冷却を維持しつつ回路基板の実装密度を高めるように、高密度配線パターン領域上の空間に対する空冷部材の配置に工夫を凝らしてなる電子装置を提供する。【解決手段】  放熱クーラー４０の中心位置Ｏ2をＬＳＩ３０の中心位置Ｏ1に対して実装面２０に沿いＤＩＭＭメモリ６０に近づけるように横方向にずらして当該ＬＳＩ３０上に設置する。【選択図】    図１
2006005229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度配線領域を形成してなる実装面を有する回路基板と、
前記高密度配線領域に実装されるＬＳＩと、
このＬＳＩを介し前記高密度配線領域に対向して位置するように前記ＬＳＩに設けられて当該ＬＳＩを空冷する空冷部材とを備える電子装置において、
前記空冷部材は、前記ＬＳＩを介する前記高密度配線領域への前記対向位置から前記高密度配線領域に沿い前記ＬＳＩに対し横方向にずれて配設されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記空冷部材は、
前記ＬＳＩを介し前記高密度配線領域に対向して位置するように前記ＬＳＩに設けられるヒートシンクと、
このヒートシンク及び前記ＬＳＩを介し前記高密度配線領域に対向して位置するように前記ヒートシンクに設けられるファンとを有し、
このファンにより前記ヒートシンクを空冷することで前記ＬＳＩを冷却するようになっており、
前記ヒートシンク及び前記ファンは、共に一体となって、前記ＬＳＩを介する前記高密度配線領域への前記対向位置から前記高密度配線領域に沿い前記ＬＳＩに対し横方向にずれて配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記空冷部材は、
前記ＬＳＩを介し前記高密度配線領域に対向して位置するように前記ＬＳＩに設けられるヒートシンクと、
このヒートシンク内にはまり込むように設けられるファンとを有し、
このファンにより前記ヒートシンクを空冷することで前記ＬＳＩを冷却するようになっており、
前記ヒートシンク及び前記ファンは、共に一体となって、前記ＬＳＩを介する前記高密度配線領域への前記対向位置から前記高密度配線領域に沿い前記ＬＳＩに対し横方向にずれて配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子装置としては、図５及び図６にて開示されてなる電子装置がある。当該電子装置は、例えば、パーソナルコンピュータに採用されるものであって、回路基板Ｓを備えている。この回路基板Ｓは、プリント基板１０と、このプリント基板１０上に所定の配線パターンでもって形成された実装面２０とを備えている。
【０００３】
また、当該電子装置は、ＬＳＩ３０、放熱クーラー４０、ＰＣＩ拡張素子５０及びＤＩＭＭメモリ６０を備えており、ＬＳＩ３０は、実装面２０のうちのＬＳＩ用配線パターン領域２１に実装されている。
【０００４】
放熱クーラー４０は、ＬＳＩ３０を冷却するものであり、この放熱クーラー４０は、ヒートシンク４１及び空冷ファン４２を備えている。ヒートシンク４１は、基台４１ａと、複数のフィン４１ｂとを備えており、複数のフィン４１ｂは、基台４１ａの表面に並列状に立設されている。
【０００５】
ヒートシンク４１は、上述したＬＳＩ用配線パターン領域２１に対向して位置するようにＬＳＩ３０上に設けられており、このヒートシンク４１の各フィン４１ｂの直上には、空冷ファン４２が支持部材（図示しない）により支持されている。
【０００６】
ＰＣＩ拡張素子５０は、ＰＣＩ拡張基板５１と、ＰＣＩボード５２とを備えている。ここで、ＬＳＩ３０は、多数の接続端子を有するため、実装面２０のうちＬＳＩ用配線パターン領域２１を含む配線パターン領域が高密度に形成されている。従って、このような高密度の配線パターン領域（以下、高密度配線パターン領域２０ａという）には他の電子素子を実装することができない。そこで、ＰＣＩ拡張基板５１は、図５及び図６にて示すごとく、実装面２０のうち高密度配線パターン領域２０ａの左側部位に実装されている。
【０００７】
ＰＣＩボード５２は、長手状に形成されており、このＰＣＩボード５２は、ＰＣＩ拡張基板５１の上端部位に設けたコネクタ５１ａに接続されて、放熱クーラー４０に向けて実装面２０に並行に延出している。なお、ＰＣＩボード５２は、高密度配線パターン領域２０ａの左側部の上方まで延出し、放熱クーラー４０の左側部に当たらないように位置している。
【０００８】
ＤＩＭＭメモリ６０は、実装面２０のうち高密度配線パターン領域２０ａの右側部位に実装されている。
【０００９】
一方、上記電子装置において、ＬＳＩ３０の発熱を効果的に冷却するため、例えば、下記特許文献１に開示された電子装置がある。この電子装置においては、放熱クーラー４０は、ＬＳＩ３０の直上のフィン４１ｂに効果的に空気を送るために、ヒートシンク４１の中心位置と空冷ファン４２の回転中心とをずらすように構成されている。
【特許文献１】特開平１０−２６１７４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、放熱クーラー４０は、通常、実装面２０上において、ＬＳＩ３０とともに高密度配線パターン領域２０ａの中央に位置するように実装されているため、この高密度配線パターン領域２０ａ上には、放熱クーラー４０の周辺において、非実装スペースが必然的に形成されている。
【００１１】
しかし、上述のように長手状に形成されたＰＣＩボード５２は高密度配線パターン領域２０ａの左側部上まで延出しているにすぎないため、上記非実装スペースが有効には利用されておらず、当該非実装スペースには、無駄なデッドスペースが必然的に生じる。一方、上述のように、長手状に形成されたＰＣＩボード５２が高密度配線パターン領域２０ａの左側部上まで延出しているにすぎないため、ＰＣＩ拡張基板５１が実装面２０上において高密度配線パターン領域２０ａの左側部から不必要に左方へ離れて実装されることとなる。その結果、実装面２０への各種の電子素子の実装密度が低下する不具合を招く。
【００１２】
そこで、本発明は、以上のようなことに対処するため、回路基板に形成した高密度配線パターン領域のＬＳＩ用配線パターン領域に実装されるＬＳＩと、このＬＳＩを冷却する空冷部材とを備えて、空冷部材のＬＳＩに対する適正な冷却を維持しつつ回路基板の実装密度を高めるように、高密度配線パターン領域上の空間に対する空冷部材の配置に工夫を凝らしてなる電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題の解決にあたり、本発明に係る電子装置は、
高密度配線領域（２０ａ）を形成してなる実装面（２０）を有する回路基板（Ｓ）と、
高密度配線領域に実装されるＬＳＩ（３０）と、
このＬＳＩを介し高密度配線領域に対向して位置するようにＬＳＩに設けられて当該ＬＳＩを空冷する空冷部材（４０）とを備えている。
【００１４】
このような電子装置において、空冷部材は、ＬＳＩを介する高密度配線領域への対向位置から高密度配線領域に沿いＬＳＩに対し横方向にずれて配設されている。
【００１５】
これによれば、例えば、ＰＣＩ拡張素子のように、回路基板の実装面上にて長手状に形成された部位を有する電子素子を実装するにあたっては、空冷部材がＬＳＩに対し横方向にずれて配設されるので、当該長手状に形成された部位を当該空冷部材をずらした分だけさらに高密度配線パターン領域上の空間に延出させるようにすることができる。その結果、ＰＣＩ拡張素子等の電子素子を高密度配線パターン領域にできるだけ近づけるように実装することができるので、ＬＳＩ用配線パターン領域を含む高密度配線パターン領域上の空間を有効に活用することができ、回路基板に対する実装密度を高めることができる。
【００１６】
また、本発明においては、
空冷部材は、ＬＳＩを介し高密度配線領域に対向して位置するようにＬＳＩに設けられるヒートシンク（４１）と、このヒートシンク及びＬＳＩを介し高密度配線領域に対向して位置するようにヒートシンクに設けられるファン（４２）とを有し、
このファンによりヒートシンクを空冷することでＬＳＩを冷却するようになっており、
ヒートシンク及びファンは、共に一体となって、ＬＳＩを介する高密度配線領域への対向位置から高密度配線領域に沿いＬＳＩに対し横方向にずれて配設されてもよい。
【００１７】
また、本発明においては、
空冷部材は、ＬＳＩを介し高密度配線領域に対向して位置するようにＬＳＩに設けられるヒートシンク（４１）と、
このヒートシンク内にはまり込むように設けられるファン（４２）とを有し、
このファンによりヒートシンクを空冷することでＬＳＩを冷却するようになっており、
ヒートシンク及びファンは、共に一体となって、ＬＳＩを介する高密度配線領域への対向位置から高密度配線領域に沿いＬＳＩに対し横方向にずれて配設されている。
【００１８】
これによれば、ファンをヒートシンク内にはまり込むように設けることで、空冷部材の回路基板の実装面に対する垂直方向の高さを低くすることができる。その結果、空冷部材の垂直方向の高さをできるだけ低くしつつ、上述した作用効果を達成することができる。
【００１９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係る電子装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明に係る電子装置の一実施形態を示している。なお、この電子装置において、図５及び図６の電子装置（以下、従来装置という）の構成素子と同一の構成素子には同一符号を付してある。
【００２１】
本実施形態の電子装置は、その構成を、上記従来装置とは以下の点において異にする。図１及び図２にて示すごとく、放熱クーラー４０は、その中心位置Ｏ2をＬＳＩ３０の中心位置Ｏ1に対して実装面２０に沿いＤＩＭＭメモリ６０に近づけるように横方向にずらして当該ＬＳＩ３０上に設置される。この設置の際、放熱クーラー４０は、空冷ファン４２からの空気がＬＳＩ３０の直上の複数のフィン４１ｂに効果的に送られるようにずらされて設置される。
【００２２】
これに伴い、ＰＣＩ拡張基板５１は、従来装置と比較して、実装面２０のうち高密度配線パターン領域２０ａの左側部位により近づけて実装されている（図１及び図５参照）。
【００２３】
長手状に形成されたＰＣＩボード５２は、ＰＣＩ拡張基板５１の上端部位に設けたコネクタ５１ａに接続されて、ＬＳＩ３０に対しずらして設けられた放熱クーラー４０に向けて実装面２０に並行に延出している。従って、ＰＣＩボード５２は、従来装置と比較して、高密度配線パターン領域２０ａの上方に、さらに延出するようになっている（図１及び図５参照）。
【００２４】
以上のように構成された本実施形態において、電子装置を作動状態にすると、ＬＳＩ３０にはその作動により熱が発生する。このＬＳＩ３０の発熱が所定温度以下になるように、空冷ファン４２が駆動され、ＬＳＩ３０の発熱は、ベース部４１ａを介し複数のフィン４１ｂに伝達されて、空冷ファン４２から送られる空気に放熱されて冷却される。
【００２５】
また、上述のように、放熱クーラー４０は、その中心位置Ｏ2をＬＳＩ３０の中心位置Ｏ1に対してＤＩＭＭメモリ６０に近づけるように横方向にずらして設置されているので、この中心位置のずれ量に基づきＰＣＩボード５２が接続されたＰＣＩ拡張基板５１を高密度配線パターン領域２０ａに近づけるように実装することができる。従って、ＬＳＩ３０を良好に冷却しつつ、ＬＳＩ用配線パターン領域を含む高密度配線パターン領域上の空間を有効に活用して回路基板Ｓに対する実装密度を高めることができる。
【００２６】
なお、本発明の実施にあたり、上記実施形態に限ることなく、次のような種々の変形例が挙げられる。
（１）放熱クーラー４０は、ＬＳＩ３０の中心位置Ｏ1に対し放熱クーラー４０の中心位置Ｏ2をＤＩＭＭメモリ６０に近づけるようにずらして設けられることに限らず、例えば、図３にて示すように放熱クーラー４０の中心位置Ｏ2をＬＳＩ３０の中心位置Ｏ1に対しずらして設けられてもよい。
（２）空冷ファン４２は、フィン４１ｂの直上にて支持部材により支持されていることに限らず、例えば、図４にて示すようにヒートシンク４１内にはまり込むように設けてられてもよい。この結果、放熱クーラー４０のプリント基板１０の実装面２０に対する垂直方向の高さを低くしつつ、ＬＳＩ用配線パターン領域を含む高密度配線パターン領域２０ａ上の空間を有効に活用して回路基板Ｓに対する実装密度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る電子装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】図１の電子装置を側面から見た概略構成図である。
【図３】図１の電子装置に対し、放熱クーラーの配設位置を変更した概略構成図である。
【図４】図１の電子装置に対し、空冷ファンをヒートシンク内にはまり込むようにした概略構成図である。
【図５】従来の電子装置を示す概略構成図である。
【図６】図５の電子装置を側面から見た概略構成図である。
【符号の説明】
【００２８】
２０…実装面、２０ａ…高密度配線パターン領域、３０…ＬＳＩ、４０…放熱クーラー、４１…ヒートシンク、４２…空冷ファン、Ｏ1…中心位置、Ｏ2…中心位置、Ｓ…回路基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006005229.tif 000005
【図４】
2006005229.tif 000006
【図５】
2006005229.tif 000007
【図６】
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