(57)【要約】      （修正有）【課題】高い周波数の超音波を用い、実装効率を高めることができると共に、大きな半導体チップの実装も可能となる超音波実装方法を提供する。【解決手段】半導体チップ５２を基板５０に超音波接合する超音波実装方法において、超音波振動子１７の超音波振動が伝播されるホーン１５を、金属に比して振動伝播速度の大きなセラミック製とした超音波実装装置を用い、ステージ上に基板５０を配置し、基板５０上に半導体チップ５２を配置し、半導体チップ５２とホーン１５に設けた凸部１５ａを互いに接触させて超音波振動を印加することによって、基板５０に半導体チップ５２を接合する。【選択図】図３
2006135249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装方法において、
超音波振動子の超音波振動が伝播されるホーンを、金属に比して振動伝播速度の大きなセラミック製とした超音波実装装置を用い、
ステージ上に基板を配置し、
該基板上に半導体チップを配置し、
該半導体チップに前記ホーンに設けた凸部を互いに接触させて超音波振動を印加することによって、基板に半導体チップを接合することを特徴とする超音波実装方法。
【請求項２】
超音波振動子の超音波振動が伝播されるホーンを有し、該ホーンの凸部を半導体チップに接触させ、超音波を印加することによって半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装装置において、
前記ホーンを、金属に比して振動伝播速度の大きなセラミックで形成したことを特徴とする超音波実装装置。
【請求項３】
前記凸部の壁部に階段状の段差部を設けたことを特徴とする請求項２記載の超音波実装装置。
【請求項４】
前記超音波振動子と前記ホーンとの接合部に、金属製の前記超音波振動子の振動伝播速度とセラミック製の前記ホーンの振動伝播速度との中間の大きさの振動伝播速度を有する材料からなるスペーサーを介在させたことを特徴とする請求項２または３記載の超音波実装装置。
【請求項５】
前記超音波振動子に、前記ホーンとの接合用の雄ネジが形成され、該雄ネジに銅またははんだ等の柔らかい金属材料からなるコーティング層が形成されていることを特徴とする請求項２〜４いずれか１項記載の超音波実装装置。
【請求項６】
半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装方法において、
超音波振動子の超音波振動が伝播されるホーンを有し、該ホーンに、超音波振動により生じる、１波長毎に現れる同方向へ振動する最大振幅点に対応して２つの凸部が形成された超音波実装装置を用い、
ステージ上に基板を配置し、
該基板上に半導体チップを配置し、
該半導体チップを前記ホーンの２つの凸部間に挟み込み、該２つの凸部から超音波振動を印加することによって、基板に半導体チップを接合することを特徴とする超音波実装方法。
【請求項７】
前記２つの凸部の対向する壁部に、半導体チップの縁部が嵌合可能な段差部が形成され、該段差部に縁部を嵌合させるようにして半導体チップを２つの凸部間に挟み込み、段差面により半導体チップを押圧しつつ超音波を印加することを特徴とする請求項６記載の超音波実装方法。
【請求項８】
前記２つの凸部間に弾性体を介して半導体チップを挟み込むことを特徴とする請求項６記載の超音波実装方法。
【請求項９】
半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装方法において、
超音波振動子の超音波振動が伝播されるステージを有し、該ステージに、超音波振動により生じる、１波長毎に現れる同方向へ振動する最大振幅点に対応して２つの凸部が形成された超音波実装装置を用い、
ステージ上に、前記２つの凸部間に挟み込むようにして基板を配置し、
該基板上に半導体チップを配置し、
該半導体チップを押圧機構により押圧しつつ、前記２つの凸部から基板に超音波振動を印加することによって、基板に半導体チップを接合することを特徴とする超音波実装方法。
【請求項１０】
前記２つの凸部の対向する壁部に、基板の縁部が嵌合可能な段差部が形成され、該段差部に縁部を嵌合させるようにして基板を２つの凸部間に挟み込むことを特徴とする請求項９記載の超音波実装方法。
【請求項１１】
前記２つの凸部の対向する壁部が傾斜面に形成され、基板を該傾斜面間に挟み込むように２つの凸部間に配置することを特徴とする請求項９記載の超音波実装方法。
【請求項１２】
前記２つの凸部間に弾性体を介して基板を挟み込むことを特徴とする請求項９記載の超音波実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを基板に接合する超音波実装方法およびこれに用いる超音波実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを配線基板にフリップチップ接合して搭載する際、半導体チップのバンプ等の電極端子と配線基板のパッド等の電極端子とを当接させ、半導体チップに超音波振動を印加することで、半導体チップと配線基板との電極端子同士を接合（ボンディング）する方法が用いられている。
【０００３】
従来、半導体チップに印加する超音波の周波数は５０ＫＨｚ程度のものが使用されている。
ところで、発明者等は、２００ＫＨｚ程度の高い周波数の超音波を用いた方が高い接合エネルギーが得られ、実装効率を高めることができることを見出している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、超音波実装の場合、超音波振動子からの振動をホーンを介して半導体チップに印加するようにしているが、高い振動エネルギーを伝達するため、ホーンには、超音波振動によって生じる振動の腹（最高振幅点）に対応する位置に所要幅の凸部を設け、この凸部を半導体チップに当接させて振動エネルギーを伝達するようにしている。
ところで、高い周波数の超音波を用いると、それだけ波長が短くなる。したがって、最高振幅点に対応して設ける凸部の幅も必然的に狭いものとせざるを得なくなり、小さな半導体チップの実装しか行えなくなるという新たな課題が生じた。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決すべく成され、その目的とするところは、高い周波数の超音波を用い、実装効率を高めることができると共に、大きな半導体チップの実装も可能となる超音波実装方法およびこれに用いる超音波実装装置を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る超音波実装方法では、半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装方法において、超音波振動子の超音波振動が伝播されるホーンを、金属に比して振動伝播速度の大きなセラミック製とした超音波実装装置を用い、ステージ上に基板を配置し、該基板上に半導体チップを配置し、該半導体チップに前記ホーンに設けた凸部を互いに接触させて超音波振動を印加することによって、基板に半導体チップを接合することを特徴とする。
【０００７】
また本発明に係る超音波実装装置は、超音波振動子の超音波振動が伝播されるホーンを有し、該ホーンの凸部を半導体チップに接触させ、超音波を印加することによって半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装装置において、前記ホーンを、金属に比して振動伝播速度の大きなセラミックで形成したことを特徴とする。
また、前記凸部の壁部に階段状の段差部を設けたことを特徴とする。
また、前記超音波振動子と前記ホーンとの接合部に、金属製の前記超音波振動子の振動伝播速度とセラミック製の前記ホーンの振動伝播速度との中間の大きさの振動伝播速度を有する材料からなるスペーサーを介在させたことを特徴とする。
また、前記超音波振動子に、前記ホーンとの接合用の雄ネジが形成され、該雄ネジに銅またははんだ等の柔らかい金属材料からなるコーティング層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また本発明に係る超音波実装方法は、半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装方法において、超音波振動子の超音波振動が伝播されるホーンを有し、該ホーンに、超音波振動により生じる、１波長毎に現れる同方向へ振動する最大振幅点に対応して２つの凸部が形成された超音波実装装置を用い、ステージ上に基板を配置し、該基板上に半導体チップを配置し、該半導体チップを前記ホーンの２つの凸部間に挟み込み、該２つの凸部から超音波振動を印加することによって、基板に半導体チップを接合することを特徴とする    。
【０００９】
また、前記２つの凸部の対向する壁部に、半導体チップの縁部が嵌合可能な段差部が形成され、該段差部に縁部を嵌合させるようにして半導体チップを２つの凸部間に挟み込み、段差面により半導体チップを押圧しつつ超音波を印加することを特徴とする。
また、前記２つの凸部間に弾性体を介して半導体チップを挟み込むことを特徴とする。
請求項６記載の超音波実装方法。
【００１０】
また本発明に係る超音波実装方法は、半導体チップを基板に超音波接合する超音波実装方法において、超音波振動子の超音波振動が伝播されるステージを有し、該ステージに、超音波振動により生じる、１波長毎に現れる同方向へ振動する最大振幅点に対応して２つの凸部が形成された超音波実装装置を用い、ステージ上に、前記２つの凸部間に挟み込むようにして基板を配置し、該基板上に半導体チップを配置し、該半導体チップを押圧機構により押圧しつつ、前記２つの凸部から基板に超音波振動を印加することによって、基板に半導体チップを接合することを特徴とする。
【００１１】
また、前記２つの凸部の対向する壁部に、基板の縁部が嵌合可能な段差部が形成され、該段差部に縁部を嵌合させるようにして基板を２つの凸部間に挟み込むことを特徴とする。
また、前記２つの凸部の対向する壁部が傾斜面に形成され、基板を該傾斜面間に挟み込むように２つの凸部間に配置することを特徴とする。
また、前記２つの凸部間に弾性体を介して基板を挟み込むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る超音波実装方法および超音波実装装置では、高い周波数の超音波を用い、実装効率を高めることができると共に、大きな半導体チップの実装も可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
図１はフリップチップ実装装置１０の一例を示す全体の概要図である。
符号１２は超音波接合部である。この超音波接合部１２は、基板が搬入されるステージ１３と、ステージ１３の上方に配置され、下面側で半導体チップを保持し、ステージ１３に対して相対的に接離動可能な接合用ツール１４とを有する。
ステージ１３は、公知のＸＹテーブルからなり、図示されない駆動部により、水平面内において任意の方向に移動可能となっている。またこのＸＹテーブルは、図示されない回転駆動部により、鉛直腺を中心として水平面内で回転可能に構成されている。
【００１５】
接合用ツール１４は公知の超音波接合装置からなり、超音波接合用のホーン１５、このホーン１５を上下動させる、シリンダ機構等からなる加圧装置１６を有する。ホーン１５下面側に半導体チップが吸着保持されるようになっている。
【００１６】
ステージ１３と接合用ツール１４との間に、位置認識用のカメラ装置１８が進入可能に配置されている。カメラ装置１８は、ステージ１３上に搬入された基板と、接合用ツール１４のホーン１５に保持された半導体チップの位置を検出するものであり、ステージ１３を水平移動あるいは水平面内で回転させて基板と半導体チップとの位置合わせをする。
【００１７】
図２は超音波接合部１２のさらなる説明図である。公知の機構であるので簡単に説明する。
２０は加圧機構１６を制御する加圧制御部、２１は超音波発振器、２２は画像処理部、２３はカメラ装置１８を移動させる移動装置、２４は移動装置２３を移動制御する移動制御部、２５はステージ２５の移動・回転を制御するアライメント制御部、２６はメインコントローラである。
【００１８】
カメラ装置１８は、移動制御部２４により移動装置２３が駆動されることにより、ステージ１３に搬入された基板およびホーン１５に吸着保持された半導体チップとの間に進入する。カメラ装置１８からの画像データが画像処理部２２に入力され、基板と半導体チップとの位置ずれが検出され、この位置ずれを矯正するため、アライメント制御部２５によりステージ１３が移動・回転され、基板と半導体チップとの位置合わせがなされる。次いで、カメラ装置１８が後退され。そして、加圧制御部２０によって加圧機構１６が駆動され、ホーン１５が下降され、ホーン１５下面に保持されている半導体チップを基板に所要圧力で押圧し、超音波発振器２１から超音波が半導体チップに印加され、半導体チップが基板に接合されるのである。各制御部の駆動制御は、メインコントローラ２６に設定されている処理プログラムによって全て行われる。
【００１９】
図１において、３５は半導体チップの搬入部である。
半導体チップは、トレー（図示せず）に多数収納されてチップ供給ステージ３６に供給される。トレー内に収納されている半導体チップは、上下動かつ水平動可能な吸着ノズル３７を備えたチップハンドラ３８によって、１個ずつ吸着ノズル３７に吸着保持されて、チップ反転ステージ４０の載置台４１上に搬入される。
【００２０】
チップ反転ステージ４０は、吸着アーム４２を有している。吸着アーム４２は吸着ノズル４３を有すると共に、反転装置４４により、載置台４１上方に位置する位置とその反対側の位置との間に亘って１８０度反転可能に設けられている。また反転装置４４は、図示しない駆動部により、載置台４１に接近する方向およびホーン１５に接近する方向に往復動可能に設けられている。
【００２１】
半導体チップはバンプが形成された面を上にして載置台４１上に搬入される。載置台４１上に搬入された半導体チップは、吸着アーム４２の吸着ノズル４３に吸着保持され、吸着アーム４２が反転され、さらにホーン１５方向に移動されることにより、ホーン１５下面で吸着保持可能となる。半導体チップはバンプが形成された面を下向きにしてホーン１５に吸着保持されることになる。
なお、吸着ノズル４３を、図示しない機構により、吸着アーム４２に対してその垂直方向に突出入（移動）可能に設けることによって、載置台４１およびホーン１５との間での半導体チップの受け渡しをスムーズに行える。
【００２２】
基板は、図示しない基板搬送コンベヤ等によってステージ１３上に搬入される。
一方、前記のようにして、半導体チップが、半導体チップの搬入部３５によって超音波接合部１２に搬入され、ホーン１５下面に吸着保持される。
そして、ステージ１３に搬入された基板５０とホーン１５に保持された半導体チップ５２との間にカメラ装置１８が進入し、前記のようにして基板５０と半導体チップ５２との位置合わせが行われる。
【００２３】
次いでカメラ装置１８が後退され、半導体チップ５２が吸着保持されたホーン１５が加圧機構１６によって下降され、半導体チップ５２は基板５０上に所要の加圧力で押し付けられる。次いで超音波発振器２１が作動され、ホーン１５から半導体チップ５２に超音波が印加される。これにより、半導体チップ５２のバンプ５２ａが基板５０のパッド（図示せず）に超音波接合されるのである。
【００２４】
図３は上記超音波実装装置１０におけるホーン１５と、超音波振動子１７と、半導体チップ５２と基板５０との関係を示す。図４はその部分拡大図である。ホーン１５の上面と下面には凸部１５ａが形成される。
超音波振動は、ホーン１５中を粗密波として伝播する。この場合に、ホーン１５の両端側に超音波振動の腹（最大振幅点）が生じ、ホーン１５の中間部に複数の最大振幅点と節ができる。この最大振幅点に対応する位置に所要幅の凸部１５ａが形成される。
この超音波振動の最大振幅点は、当然ながら１／２波長ごとに生じる。
【００２５】
粗密波の最大振幅点の位置は、ホーン１５から半導体チップ５２に対して水平方向に最大の振動を与えることができる位置であり、超音波エネルギーを最大限伝達しうる位置であって、この位置に所要幅の凸部１５ａを設けることで半導体チップ５２を効率よく超音波接合できるのである。凸部１５ａの幅は、最大振幅点を前後に挟み、ほぼ均一な振幅値が得られる範囲に対応するものとなる。
【００２６】
超音波振動子１７は圧電素子が組み込まれたチタン合金などの金属からなる。
ホーン１５は、従来はやはりチタン合金などの金属から形成されていた。
部材内を超音波が伝播する速度は部材固有のものであり、材質によって決まってしまう。
ところで伝播速度Ｃと周波数ｆと波長λとの関係はＣ＝ｆ・λの関係にある。
したがって、周波数５０ＫＨｚを２００ＫＨｚの高周波に変更すると、波長は１／４になってしまう。従来、ホーン１５をチタン合金などの金属で形成した場合、周波数５０ＫＨｚの場合には、凸部１５ａの幅を１２ｍｍ程度まで設定することができ、約１２ｍｍの大きさの半導体チップの接合が行えた。しかし、周波数を２００ＫＨｚまで上げると、波長が１／４になる結果、凸部１５ａの幅も１／４程度、すなわち３〜４ｍｍ程度にしか設定できず、大きな半導体チップの実装が不可能となってしまったのである。
【００２７】
そこで、本実施例では、超音波振動子の超音波振動が伝播されるホーン１５を、金属に比して振動伝播速度の大きなセラミックで形成するようにした。
各種金属とセラミックの振動伝播速度（ｍ／ｓｅｃ）を下記に示す。
鉄                      ５９５０
Ａ５０５２              ６１９０
チタン合金              ６３１３（Ti-6Al-4V合金）
ジルコニア              ７０３６
サーメット              ９０８６
窒化アルミ            １０１９８
窒化珪素              １０７６４
サイアロン            １１０３２
アルミナ              １１８０４
炭化珪素              １２０１８
単結晶サファイア      １２６２４
本発明では、ジルコニアやサーメットもセラミックに含めるものとする。その他、ムライト、チタニア系セラミック、コージタイト等のセラミックも有効である。
【００２８】
上記のように、セラミックの場合、振動伝播速度が金属の約２倍近いものもあり、したがって、周波数２００ＫＨｚの高周波の超音波を用いる場合であっても、ホーン１５の凸部１５ａの幅を８ｍｍ程度まで大きくすることができ、大きな半導体チップの実装も可能となった。
図５は、ホーンの各種材料と、その振動伝播速度および有効ツールサイズ（凸部の幅）との関係を模式的に示すグラフである。ホーン１５の材質をセラミックとすることで金属とした場合よりツールサイズ（凸部の幅）を大きくできることがわかる。
【００２９】
図６は、上記ホーン１５の凸部１５ａの壁部に階段状の段差部１９を設けた実施例を示す。
図７は、ホーン１５に単に凸部１５ａを設けた場合であるが、凸部１５ａを設けたがゆえに、凸部１５ａの高さ方向（Ｚ方向）に振幅成分が生じ、凸部１５ａがゆがむように変形し（図７（（ｂ））、半導体チップ５２に均一に超音波振動を伝達できない不具合がある。
この点、図６に示すように、凸部１５ａの壁部に段差部１９を設けることによって、ゆがみが段差部１９で吸収され、凸部１５ａ全体のゆがみを減少させる硬化が生じる。
【００３０】
図８は、ホーン１５と超音波振動子１７との接合部にスペーサー２７を介在させた実施例を示す。
このスペーサー２７は、金属製の超音波振動子１７の振動伝播速度とセラミック製のホーン１５の振動伝播速度との中間の大きの振動伝播速度を有する材料のものを用いる。
たとえば、超音波振動子１７にチタン合金、スペーサー２７にサーメット、ホーン１５にアルミナを用いるのである。
金属製の超音波振動子１７とセラミック製のホーン１５とでは、材質によって振動伝播速度が大きく異なり、超音波振動子１７とホーン１５との界面で超音波振動が反射され、超音波の伝達率が低減するおそれがあるが、両者の中間の振動伝播速度を有するスペーサー２７を両者間に介在させることによって、この課題を解決できる。
【００３１】
図９は、超音波振動子１７の、ホーン１５との接合用の雄ネジ１７ａ表面に、銅またははんだ等の柔らかい金属材料からなるコーティング層を形成した実施例を示す。
超音波振動子１７は雄ネジ１７ａをホーン１５の雌ネジ（図示せず）に螺合することによって一体化されるが、雄ネジ１７ａ表面に柔らかい金属のコーティング層を設けておくことによって、異種材料を螺合した際に互いの隙間を埋め、異種材料を互いになじみよく連結することができるようになる。
【００３２】
図１０はさらに他の実施例を示す。
本実施例では、ホーン１５に、超音波振動により生じる、１波長毎に現れる同方向へ振動する最大振幅点Ｐに対応して２つの凸部１５ａ、１５ｂが形成されたものを用いる。
そして、ステージ１３上に基板５０を配置し、基板５０上に半導体チップ５２を配置し、この半導体チップ５２をホーン１５の２つの凸部１５ａ、１５ｂ間に挟み込み、２つの凸部１５ａ、１５ｂから超音波振動を印加することによって、基板５０に半導体チップ５２を接合するのである。
【００３３】
この場合に、半導体チップ５２の背面側はホーン１５に接触させないようにする。凸部１５ａ、１５ｂには同期して振動する（位相が同じ）粗密波げ伝播されるから半導体チップ５２が破壊されるおそれはない。
そして、半波長でなく、１波長分離れた２つの凸部１５ａ、１５ｂで半導体チップ５２を挟み込むようにするのであるから、大きな半導体チップの実装が行える。ホーン１５の材質はセラミックに限定されるものではなく、金属製のものでもよい。
【００３４】
図１１に示す実施例では、図１０に示す凸部１５ａ、１５ｂの対向する壁部を傾斜面２８に形成し、半導体チップ５２を傾斜面２８間に挟み込むように２つの凸部間１５ａ、１５ｂに配置するようにしたものである。これによれば、傾斜面２８を介して半導体チップ５２を基板５０に所定の押圧力で押しながら超音波を付与することができる。なお、傾斜面２８の代わりに、半導体チップ５２の縁部が嵌合可能な段差部（図示せず）を形成し、段差部に縁部を嵌合させるようにして半導体チップ５２を２つの凸部１５ａ、１５ｂ間に挟み込み、段差面により半導体チップ５２を押圧しつつ超音波を印加するようにすることもできる。
【００３５】
図１２に示す実施例では、図１０に示す凸部１５ａ、１５ｂ間に弾性体２９を介して半導体チップ５２を挟み込むようにしたものである。この弾性体２９を介して凸部１５ａ、１５ｂから半導体チップ５２に超音波を付与することができる。
【００３６】
図１３は、ホーンから超音波を印加するものではなく、ステージ１３に超音波振動子１７を取り付け、ステージ１３に配置した基板５０に超音波振動を印加して、半導体チップ５２を接合するようにしたものである。
本実施例では、ステージ１３に、超音波振動により生じる、１波長毎に現れる同方向へ振動する最大振幅点Ｐに対応して２つの凸部１３ａ、１３ｂを形成した。
そして、ステージ１３上に、２つの凸部１３ａ、１３ｂ間に挟み込むようにして基板５０を配置し、該基板５０上に半導体チップ５２を配置し、半導体チップ５２を適宜な押圧機構（図示せず）により押圧しつつ、２つの凸部１３ａ、１３ｂから基板５０に超音波振動を印加することによって、基板５０に半導体チップ５２を接合するようにするのである。
【００３７】
図１４に示す実施例では、図１３に示す凸部１３ａ、１３ｂの対向する壁部を傾斜面２８に形成し、基板５０を傾斜面２８間に挟み込むように２つの凸部間１３ａ、１３ｂに配置するようにしたものである。これによれば、傾斜面２８を介して基板５０に超音波を付与することができる。なお、傾斜面２８の代わりに、基板５０の縁部が嵌合可能な段差部（図示せず）を形成し、段差部に縁部を嵌合させるようにして基板５０を２つの凸部１３ａ、１３ｂ間に挟み込みようにしてもよい。
【００３８】
図１５に示す実施例では、図１３に示す凸部１３ａ、１３ｂ間に弾性体２９を介して基板５０を挟み込むようにしたものである。この弾性体２９を介して凸部１３ａ、１３ｂから基板５０に超音波を付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実装装置の全体を示す概略図である。
【図２】図１に示す実装装置における超音波実装部のさらなる説明図である。
【図３】ホーンと超音波振動子との関係を示す説明図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【図５】ホーン材料による振動伝播速度と有効ツールサイズとの関係を示すグラフである。
【図６】ホーンの凸部壁面に段差部を設けた説明図である。
【図７】凸部のゆがみを模式的に示す説明図である。
【図８】ホーンと超音波振動子との間にスペーサーを介在させた実施例を示す説明図である。
【図９】超音波振動子の雄ネジにコーティング層を形成する実施例の説明図である。
【図１０】ホーンに凸部を２つ設けた実施例の説明図である。
【図１１】凸部に傾斜面を設けた実施例を示す説明図である。
【図１２】弾性体を介在させて半導体チップを挟み込むようにした実施例の説明図である。
【図１３】ステージに凸部を２つ設けた実施例の説明図である。
【図１４】凸部に傾斜面を設けた実施例を示す説明図である。
【図１５】弾性体を介在させて基板を挟み込むようにした実施例の説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０  フリップチップ実装装置
１２  超音波接合部
１３  ステージ
１４  接合ツール
１５  ホーン
１５ａ、１５ｂ  凸部
１６  加圧機構
１７  超音波振動子
１８  カメラ装置
１９  段差部
２０  加圧制御部
２１  超音波発振器
２２  画像処理部
２３  移動装置
２４  移動制御部
２５  アライメント制御部
２６  メインコントローラ
２７  スペーサー
２８  傾斜面
２９  弾性体
３５  半導体チップの搬入部
３６  チップ供給ステージ
３７  吸着ノズル
３８  チップハンドラ
４０  チップ反転ステージ
４１  載置台
４２  吸着アーム
４３  吸着ノズル
４４  反転装置
５０  基板
５２  半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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