(57)【要約】【課題】  実装後の割れ等の発生を抑制するためのダミー部を備えると共に、このダミー部に起因して電流量が増加し特性が劣化するようなことのない半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】  半導体レーザ素子２０は、複数の発光部２１の両側にダミー部２２を備えている。サブマウント３０は、半導体レーザ素子２０が設けられている面に、半導体レーザ素子２０の複数の発光部２１とダミー部２２との境界に対応する溝３３を有している。この溝３３により、サブマウント３０のダミー部２２に対応する部分と発光部２１に対応する部分とが電気的に絶縁され、ダミー部２２への通電が抑制されて電流量増加が抑えられる。【選択図】図２
2006135177.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光部を並列に有すると共に、前記複数の発光部の両側にそれぞれダミー部を有するバー状の半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の各発光部に対して電流を注入するための電流注入手段と、
前記半導体レーザ素子を支持すると共に、前記発光部に注入された電流の前記ダミー部への通電を抑制するための通電抑制部を有する支持部材と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記支持部材は、前記通電抑制部として、前記半導体レーザ素子の複数の発光部とダミー部との境界に対応する位置に溝を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記支持部材は、本体部および前記本体部を被覆する金属被覆層を有すると共に、前記通電抑制部として、前記本体部の一部に、前記金属被覆層で被覆されていない露出領域を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記露出領域は、前記半導体レーザ素子の複数の発光部とダミー部との境界に対応する位置に線状に形成されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記露出領域は、前記本体部の前記ダミー部に対応する部分の側面に形成されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体レーザ素子のダミー部を前記支持部材に固定するための固定層または前記半導体レーザ素子のダミー部を前記支持部材へ向けて押える押え治具を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両端に支持部材（サブマウント）との接合強度を高めるためのダミー部を有する半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザの発光領域は、現在、青紫色の短波長領域まで拡大されており、光通信、高密度光記録あるいはディスプレイへの応用が期待されている。このように発光領域が拡大する一方で、動作電流の低減化、低ノイズ化、低コスト化、さらに高出力、高速動作、且つ高温動作時の信頼性などの問題があり、既に半導体レーザが使用されている応用機器においても改善していかなければならない課題が多く残されている。特に、発熱に関連する問題については、半導体レーザの多方面にわたる利用を制限している。この発熱に関する問題は、半導体レーザの単位面積あたりの大きな発生熱と関連しており、熱循環によって接合温度の上昇および応力の発生などの現象が引き起こされる。接合部分の動作温度が上昇するに従って、発光出力、発光効率および半導体レーザの寿命などが低下し、さらに、半導体レーザから生じる光の波長を長波長化させるという問題がある。
【０００３】
これらの問題を引き起こす半導体レーザの発熱を制御する方法として、例えば、半導体レーザ素子をシリコンカーバイト（ＳｉＣ）などのサブマウント（支持部材）上に配設し、更にサブマウントの下面をヒートシンク（放熱部材）に接合する方法が用いられている。
【０００４】
しかし、複数の発光部（チップ）が連なったバー状の半導体レーザ素子の場合には、その形成プロセスに起因する固有の湾曲形状のため、サブマウントに実装した場合に素子自体またはサブマウントとの接合面に割れやひびが生じるおそれがあった。また、半導体レーザ素子とサブマウントとの熱膨張係数に差がある場合にも、実装後の割れ等の発生につながる可能性があった。例えば、図９に示したように、半導体レーザバー１２０よりも熱膨張係数の小さいサブマウント１３０を半導体レーザバー１２０の下側だけに設けると、サブマウント１３０が半導体レーザバー１２０側へ反り、半導体レーザバー１２０が剥がれる方向に応力がかかってしまう。特に、半導体レーザバー１２０Ａの両端は最も負荷がかかりやすく、図１０に示したように両端だけに割れ１２０Ａが発生することも非常に多い。半導体レーザバー１２０Ａは、複数の発光部のうち一つ二つが欠けても不良品となってしまうので、実装後の割れ等は半導体レーザ装置の歩留りを大きく下げる原因となっていた。
【０００５】
従来、特許文献１では、例えば一つのチップ内に三つの発光部を含む多ビーム半導体レーザ素子において、両端にダミー部を設け、そのダミー部の幅を各発光部の幅よりも広くすることによりダミー部の電極とサブマウントとの接合面積を広くして、接合強度を高める技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−３１９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された構成では、素子の発光部に電流を注入すると、共通基板などを通じてダミー部にも電流が流れてしまい、電流量増加など、特性の低下を招いてしまうという問題があった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、実装後の割れ等の発生を抑制するためのダミー部を備えると共に、このダミー部に起因して電流量が増加し特性が劣化するようなことのない半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体レーザ装置は、複数の発光部を並列に有すると共に、複数の発光部の両側にそれぞれダミー部を有するバー状の半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の各発光部に対して電流を注入するための電流注入手段と、半導体レーザ素子を支持すると共に、発光部に注入された電流のダミー部への通電を抑制するための通電抑制部を有する支持部材とを備えたものである。
【０００９】
通電抑制部は、具体的には、例えば、支持部材の、半導体レーザ素子の複数の発光部とダミー部との境界に対応する位置に設けられた溝である。
【００１０】
また、支持部材として、本体部を金属被覆層で被覆した構造とする共に、この本体部の一部に金属被覆層で被覆されていない露出領域を設け、これを通電抑制部としてもよい。この露出領域は、半導体レーザ素子の複数の発光部とダミー部との境界に対応する位置に線状に形成されていてもよいし、あるいは、本体部のダミー部に対応する部分の側面に形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体レーザ装置によれば、支持部材に、半導体レーザ素子のダミー部への通電を抑制するための通電抑制部を設けるようにしたので、この通電抑制部により、発光部へ供給された電流のダミー部への通電を抑制し電流量の増加を抑えることができ、特性の低下を防ぐことができる。なお、割れやひびの入った部分に電流が流れると結晶欠陥が伸長してしまう原因となるおそれがあるが、本発明では、支持部材の通電抑制部によりダミー部への通電を抑制することができるので、ダミー部に割れやひびが発生しても、割れやひびの入った部分に電流が流れることがなく、よって結晶欠陥が伸長してしまうようなことがなくなる。
【００１２】
特に、通電抑制部として、半導体レーザ素子の複数の発光部とダミー部との境界に対応する溝を設けるようにすれば、溝を設けるだけの簡単な工程で、確実にダミー部への通電を抑制することができる。
【００１３】
また、特に、半導体レーザ素子のダミー部を支持部材に固定するための固定層または押え治具を設けるようにすれば、実装後も半導体レーザ素子の剥がれる方向でかかっている応力を緩和することができ、長期の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０の全体構成を表すものであり、図２はそのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構造を表したものである。この半導体レーザ装置１０は、レーザプロジェクタの光源などとして用いられるものであり、例えば、半導体レーザ素子２０がサブマウント３０上に配設された構成を有している。サブマウント３０の裏側にはヒートシンク４０が設けられている。半導体レーザ素子２０とサブマウント３０とは溶着層５０により接合され、サブマウント３０とヒートシンク４０とは溶着層６０により接合されている。
【００１６】
半導体レーザ素子２０はバー状に細長く形成されたもので、各々レーザ光ＬＢを発生する複数（例えば図１，図２では８個）の発光部２１を並列に備えている。この半導体レーザ素子２０は、複数の発光部２１の両側にそれぞれダミー部２２が設けられている。これらのダミー部２２を有することにより、この半導体レーザ素子２０では、実装後に端部に割れやひびが発生しても発光部２１への悪影響を抑制することができ、歩留まりを高めることができるようになっている。
【００１７】
ダミー部２２の幅Ｗ２は、割れやひびの発生具合、発光部２１の幅や厚み等によっても異なるが、例えば、一つの発光部２１の幅を例えば２００μｍないし６００μｍ程度とした場合、幅Ｗ２は片側につき発光部２１の例えば１個分ないし５個分程度（両側の合計ではその２倍）であることが好ましい。それよりも短いと十分な効果が得られず、また長すぎると、半導体レーザ素子２０が剥がれようとする方向にかかる応力も強くなり、ダミー部２２を押えるのが難しくなるからである。具体的には、複数の発光部２１の合計幅Ｗ１が例えば１０ｍｍである場合、幅Ｗ２は片側につき例えば１ｍｍないし数ｍｍ（両側の合計ではその２倍）となる。なお、幅Ｗ２は、必ずしも一つの発光部２１の幅の整数倍である必要はなく、例えば発光部２１の１．５個分の幅となるようにしてもよい。
【００１８】
図３は、図１および図２に示した半導体レーザ素子２０の一部を拡大して表したものである。発光部２１は各々一つのレーザチップにより構成されており、例えば、基板７１上に、活性層を含む半導体層７２を有している。ダミー部２２も、発光部２１と同様に、基板７１および半導体層７２の積層構造を有している。なお、半導体レーザ素子２０の構成材料および発振波長などは特に限定されないが、具体的な構成例としては、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）よりなる基板７１上に、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体よりなる半導体層７２を備え、例えば６３０μｍ以上６９０μｍ以下の波長域に発振波長を有する赤色レーザが挙げられる。
【００１９】
なお、ここでいうＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体とは、短周期型周期表における３Ｂ族元素のうちアルミニウム（Ａｌ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と５Ｂ族元素のうちインジウム（Ｉｎ）およびリン（Ｐ）の少なくとも一方とを含む四元系半導体のことであり、例えばＡｌＧａＩｎＰ混晶，ＧａＩｎＰ混晶またはＡｌＩｎＰ混晶などが挙げられる。これらは、必要に応じてケイ素（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などのｎ型不純物、または、マグネシウム（Ｍｇ），亜鉛（Ｚｎ）または炭素（Ｃ）などのｐ型不純物を含有している。
【００２０】
半導体層７２の上には、例えば、各発光部２１およびダミー部２２に対応して、ｐ側電極７３が形成されている。ｐ側電極７３は、例えば、チタン（Ｔｉ）層，白金（Ｐｔ）層および金（Ａｕ）層を半導体層７２の側から順に積層した構成を有している。また、基板７１の裏面には、例えば、各発光部２１およびダミー部２２に対応して、ｎ側電極７４が設けられている。ｎ側電極７４は、例えば、金（Ａｕ）層，金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金層および金（Ａｕ）層を基板７１の側から順に積層した構成を有している。
【００２１】
このような半導体レーザ素子２０は、図２に示したように、ｐ側電極７３（図２では省略、図３参照））が設けられた面を対向させるようにして、溶着層５０によりサブマウント３０に接着されている。発光部２１のｎ側電極７４（図２では省略、図３参照）には、例えば太さが２００μｍの金（Ａｕ）よりなるワイヤ２１Ａの一端部が接合されており、このワイヤ２１Ａを介してｎ側電極７４と後述する電極部材４１とが電気的に接続されている。ただし、ダミー部２２のｎ側電極７４には、通電抑制のため、ワイヤ２１Ａは接合されていないことが望ましい。なお、ワイヤ２１Ａの代わりにリボンを用いてもよい。
【００２２】
図１および図２に示したサブマウント３０は、本体部３１の表面を金属被覆層３２で被覆したものである。本体部３１は、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）またはダイヤモンドなどの通電性の低い材料により構成されていることが好ましい。ダミー部２２を設けることによる電流量増加を抑えることができるからである。ただし、そのことが大きな問題にならない場合には、ダイヤモンド−銅（Ｃｕ）またはＣｕ−Ｗ合金などの導電性材料により構成されていてもよい。金属被覆層３２は、例えば、最表面に金（Ａｕ）層を有する金属多層膜により構成されている。
【００２３】
また、サブマウント３０は、半導体レーザ素子２０が設けられている面に、半導体レーザ素子２０の複数の発光部２１とダミー部２２との境界に対応する溝３３を有している。この溝３３を設けることにより、この半導体レーザ装置１０では、サブマウント３０のダミー部２２に対応する部分と発光部２１に対応する部分とを電気的に絶縁することができ、発光部２１へ供給された電流のダミー部２２への通電を抑制して電流量増加を抑えることができるようになっている。すなわち、溝３３は通電抑制部の一具体例に対応する。なお、溶着層５０は、溝３３を回避して金属被覆層３２上に設けられていることが好ましい。
【００２４】
図１および図２に示したヒートシンク４０は、半導体レーザ素子２０の各発光部２１に対して電流を注入する電流注入手段としての機能も有しており、例えば、銅（Ｃｕ）などの電気的および熱的な伝導性を有する材料により構成され、表面には金（Ａｕ）などよりなる薄膜（図示せず）が被着されている。熱伝導性は、半導体レーザ素子２０から発生する大量の強熱を放出させ、半導体レーザ素子２０を適当な温度に維持するために必要な特性であり、電気伝導性は、電流を半導体レーザ素子２０に効率よく伝導させるために必要な特性である。
【００２５】
ヒートシンク４０上には、例えばヒートシンク４０と同一材料よりなる電極部材４１が、例えばネジ４１Ａ，４１Ｂにより固定されている。この電極部材４１には、発光部２１に接合されているワイヤ２１Ａの他端部が接合されており、ヒートシンク４０と同様に、半導体レーザ素子２０の各発光部２１に対して電流を注入する電流注入手段としての機能を有している。ヒートシンク４０と電極部材４１との間には例えばガラスエポキシ材よりなる絶縁板４２が設けられており、ヒートシンク４０と電極部材４１とは電気的に絶縁されている。電極部材４１には、ワイヤ２１Ａおよび半導体レーザ素子２０を保護するため、ヒートシンク４０と同一材料よりなる保護部材４３がネジ４３Ａにより固定されている。
【００２６】
図２に示した溶着層５０，６０は、鉛を含まないはんだ（鉛フリーはんだ）により構成されていることが好ましいが、鉛系はんだにより構成されていてもよい。具体的には、例えば、金（Ａｕ）−スズ（Ｓｎ）はんだ（共晶），銀（Ａｇ）−スズ（Ｓｎ）はんだ（共晶），インジウム（Ｉｎ）等を主成分とする低融点のはんだ，スズ（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）はんだまたはスズ（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）はんだが挙げられる。なお、溶着層５０，６０は同じ材料により構成されていてもよいし、異なる材料により構成されていてもよい。
【００２７】
この半導体レーザ装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００２８】
まず、例えば、上述した材料よりなる基板７１の表側に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法またはＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；電子ビーム蒸着）法により、上述した材料よりなる半導体層７２を形成する。次いで、上述した材料よりなるｐ側電極７３およびｎ側電極７４を形成し、基板７１を所定の大きさに整えて、両端にダミー部２２を有するバー状の半導体レーザ素子２０とする。
【００２９】
また、上述した材料よりなる本体部３１の表面全体を金属被覆層３２で被覆したサブマウント３０を用意し、このサブマウント３０の半導体レーザ素子２０が設けられる面に、例えば真空蒸着法またはめっきにより、金（Ａｕ）層およびスズ（Ｓｎ）層を順に積層することにより、溶着層５０を形成する。
【００３０】
サブマウント３０に溶着層５０を形成したのち、サブマウント３０の溶着層５０が形成された面に、図４に示したように、半導体レーザ素子２０の複数の発光部２１とダミー部２２との境界に対応する溝３３を設ける。溝３３は、例えば、ダイサー（ダイシングソー）のようなダイヤモンドカッターにより形成することができる。
【００３１】
サブマウント３０に溝３３を設けたのち、半導体レーザ素子２０のｐ側電極７３が設けられた側とサブマウント３０の溶着層５０とを対向させ、位置合わせを精度よく行い、サブマウント３０の上に半導体レーザ素子２０を載せる。続いて、このサブマウント３０に対して加熱処理を施すことにより半導体レーザ素子２０をサブマウント３０に溶着させる。
【００３２】
半導体レーザ素子２０をサブマウント３０に溶着させたのち、図２に示したように、サブマウント３０を、溶着層６０を間にしてヒートシンク４０に載せ、加熱処理を施す。最後に、ヒートシンク４０上に絶縁板４２を間にして電極部材４１を固定してワイヤ２１Ａを接合し、そののち、電極部材４１に保護部材４３を取り付ける。これにより、図１および図２に示した半導体レーザ装置１０が完成する。
【００３３】
また、この半導体レーザ装置１０は、例えば、次のようにして製造することもできる。
【００３４】
まず、上述した方法と同様にして、両端にダミー部２２を有するバー状の半導体レーザ素子２０を形成する。また、サブマウント３０を用意し、このサブマウント３０の半導体レーザ素子２０が設けられる面に、上述した方法と同様にして溝３３を設ける。
【００３５】
次いで、サブマウント３０の溝３３を設けた面に、上述した方法と同様にして溶着層５０を形成する。その際、溶着層５０を、例えばマスキングにより、溝３３を回避して形成する。
【００３６】
そののち、上述した方法と同様にして、半導体レーザ素子２０をサブマウント３０に溶着させ、更に、サブマウント３０をヒートシンク４０に溶着させる。最後に、ヒートシンク４０上に絶縁板４２を間にして電極部材４１を固定してワイヤ２１Ａを接合し、電極部材４１に保護部材４３を取り付ける。これにより、図１および図２に示した半導体レーザ装置１０が完成する。
【００３７】
この半導体レーザ装置１０では、各発光部２１のｎ側電極７４とｐ側電極７３との間に所定の電圧が印加されると、半導体層７２の活性層に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が起こる。ここでは、サブマウント３０の半導体レーザ素子２０が設けられている面に、半導体レーザ素子２０の複数の発光部２１とダミー部２２との境界に対応する溝３３が設けられているので、この溝３３により、サブマウント３０のダミー部２２に対応する部分と発光部２１に対応する部分とが電気的に絶縁される。よって、ダミー部２２への通電が抑制されて電流量増加が抑えられる。また、ダミー部２２に割れやひびが発生しても、割れやひびの入った部分に電流が流れることがなく、よって結晶欠陥が伸長してしまうことが防止される。
【００３８】
このように本実施の形態の半導体レーザ装置１０では、サブマウント３０の半導体レーザ素子２０が設けられている面に溝３３を設けるようにしたので、簡単な工程により、確実にダミー部２２への通電を抑制することができる。よって、電流量増加を抑え、特性低下を防ぐことができる。なお、割れやひびの入った部分に電流が流れると結晶欠陥が伸長してしまう原因となるおそれがあるが、本実施の形態では、サブマウント３０の溝３３によりダミー部２２への通電を抑制することができるので、ダミー部２２に割れやひびが発生しても、割れやひびの入った部分に電流が流れることがなく、よって結晶欠陥が伸長してしまうようなことがなくなる。
【００３９】
以下、第１の実施の形態の変形例について説明する。これらの変形例は、半導体レーザ素子２０のダミー部２２をサブマウント３０に固定する固定層、またはサブマウント３０へ向けて押える押え治具を設けることにより、長期の信頼性を向上させるようにしたものである。
【００４０】
〔変形例１〕
例えば図５に示したように、ダミー部２２を、樹脂などの絶縁材料よりなる固定層８１でサブマウント３０に固定してしまうことが好ましい。固定層８１を構成する樹脂としては一般的な紫外線硬化型樹脂、または低温で硬化可能な熱硬化型樹脂などが挙げられる。特に高出力の半導体レーザ装置１０に用いる場合には熱に強いものが好ましい。
【００４１】
このような固定層８１は、例えば、第１の実施の形態の製造方法において、半導体レーザ素子２０を配設したサブマウント３０をヒートシンク４０に溶着したのち、半導体レーザ素子２０のダミー部２２に樹脂などの絶縁材料を配置し、紫外線照射または加熱処理を行うことにより形成することができる。
【００４２】
〔変形例２〕
また、例えば図６に示したように、ダミー部２２を板またはバネなどの押え治具８２によりサブマウント３０へ向けて押えるようにすることも好ましい。この押え治具８２は、ヒートシンク４０，電極部材４１または保護部材４３などを支点にしてダミー部２２を押さえ込むようにすることができる。ダミー部２２はレーザ発振には無関係な部分であるから、ダミー部２２のどの位置を押え治具８２で押えるかは特に限定されない。例えば、図６のように上から押さえてもよいし、あるいは横や後ろから押さえてもよい。
【００４３】
押え治具８２は金属により構成されていてもよく、その場合には、例えば低温で接着可能な銀ペーストにより、電極部材４１や保護部材４３等に接合することができる。また、ダミー部２２に流れる電流を抑制するためには、押え治具８２が絶縁材料により構成されていることが好ましい。その場合、例えばネジにより、ヒートシンク４０の上面や側面、電極部材４１や保護部材４３等に固定することができる。
【００４４】
押え治具８２は、変形例１の固定層８１と同様に、例えば、第１の実施の形態の製造方法において、半導体レーザ素子２０を配設したサブマウント３０をヒートシンク４０に溶着したのちに、ネジ止めまたは接着剤などにより配設することができる。
【００４５】
このように変形例１，２では、固定層８１または押え治具８２により、実装後も半導体レーザ素子２０の剥がれる方向でかかっている応力を緩和することができる。よって、長期の信頼性を向上させることができる。
【００４６】
〔第２の実施の形態〕
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０の構成を表したものである。この半導体レーザ装置１０は、サブマウント３０の本体部３１の一部に、金属被覆層３２で被覆されていない線状の露出領域３４を有しており、この露出領域３４によりダミー部２２への通電を抑制するようにしたものである。このことを除いては、この半導体レーザ装置１０は第１の実施の形態と同一の構成を有している。よって、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００４７】
半導体レーザ素子２０およびヒートシンク４０は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００４８】
サブマウント３０の露出領域３４は、半導体レーザ素子２０の複数の発光部２１とダミー部２２との境界に対応する位置に設けられている。この露出領域３４を設けることにより、この半導体レーザ装置１０では、サブマウント３０のダミー部２２に対応する部分と発光部２１に対応する部分とを電気的に絶縁することができ、ダミー部２２への通電を抑制して電流量増加を抑えることができるようになっている。すなわち、ここでは、この露出領域３４が通電抑制部の一具体例に対応している。
【００４９】
金属被覆層３２は、本体部３１のダミー部２２に対応する部分の少なくとも一部を被覆していることが好ましい。本体部３１のダミー部２２に対応する部分全体にわたって金属被覆層３２が除去されていると、製造工程において、本体部３１表面の段差が生じたり、溶着層５０を構成するはんだの濡れ性が十分に得られなくなったりして、半導体レーザ素子２０とサブマウント３０とを溶着層５０を間にして密着させることが難しくなるからである。
【００５０】
この半導体レーザ装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００５１】
まず、第１の実施の形態と同様にして、複数の発光部２１の両端にダミー部２２を備えた半導体レーザ素子２０を形成する。
【００５２】
また、上述した材料よりなる本体部３１を用意し、この本体部３１の表面を金属被覆層３２で被覆することにより、サブマウント３０を形成する。このとき、本体部３１の半導体レーザ素子２０が設けられる面に、半導体レーザ素子２０の複数の発光部２１とダミー部２２との境界に対応する線状の露出領域３４を設ける。
【００５３】
次いで、このサブマウント３０の半導体レーザ素子２０が設けられる面に、第１の実施の形態と同様にして、溶着層５０を形成する。その際、溶着層５０を、露出領域３４を回避して形成する。
【００５４】
サブマウント３０に溶着層５０を形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、半導体レーザ素子２０とサブマウント３０とを溶着層５０を間にして溶着させる。
【００５５】
半導体レーザ素子２０をサブマウント３０に溶着させたのち、第１の実施の形態と同様にして、サブマウント３０を、溶着層６０を間にしてヒートシンク４０に溶着させる。これにより、本実施の形態の半導体レーザ装置１０が完成する。
【００５６】
本実施の形態の半導体レーザ装置１０の作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００５７】
なお、露出領域３４の形成位置は、ダミー部２２への通電を抑制することができれば特に限定されない。例えば、図８に示したように、露出領域３４が、本体部３１のダミー部２２に対応する部分の側面に形成されていてもよい。本体部３１の側面は、製造工程においてサブマウント３０と半導体レーザ素子２０またはヒートシンク４０との密着性には関係しないので、本体部３１のダミー部２２に対応する部分の側面全体が露出領域３４とされていてもよい。
【００５８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、半導体レーザ素子２０のｐ側電極７３が設けられた面をサブマウント３０に対向させるようにして配設されている場合について説明したが、ｎ側電極７４が設けられた面をサブマウント３０に対向させるようにして配設されていてもよい。
【００５９】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、ＧａＡｓよりなる基板７１上にＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体よりなる半導体層７２を有する赤色レーザを例として説明したが、本発明は、例えばＧａＡｓ系（赤外：７８０ｎｍないし８５０ｎｍ）あるいはＧａＮ系（発振波長４００ｎｍないし５００ｎｍ）などの他の材料系にも適用可能である。
【００６０】
加えて、上記実施の形態では、半導体レーザを例として説明したが、本発明は半導体レーザ以外にも、スーパールミネッセントダイオードなどの他の半導体発光素子にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明による半導体レーザ装置は、例えば、レーザプロジェクタに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の全体構成を表す分解斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った構造を表す断面図である。
【図３】図１および図２に示した半導体レーザ素子の一部を拡大して表す斜視図である。
【図４】図１および図２に示した半導体レーザ装置の製造方法における一工程を表す斜視図である。
【図５】本発明の変形例１に係る半導体レーザ装置の構成を表す断面図である。
【図６】本発明の変形例２に係る半導体レーザ装置の構成を表す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を表す分解斜視図である。
【図８】第２の実施の形態の変形例に係る半導体レーザ装置の構成を表す分解斜視図である。
【図９】従来の半導体レーザ装置の問題点を説明するための断面図である。
【図１０】従来の半導体レーザ装置の問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０…半導体レーザ装置、２０…半導体レーザ素子、２１…発光部、２１Ａ…ワイヤ、２２…ダミー部、３０…サブマウント、３１…本体部、３２…金属被覆層、３３…溝、３４…露出領域、４０…ヒートシンク、４１…電極部材、４２…絶縁板、４３…保護部材、５０，６０…溶着層、７１…基板、７２…半導体層、７３…ｐ側電極、７４…ｎ側電極、８１…固定層、８２…押え治具
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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