(57)【要約】【課題】  流動性が良好で、反りが小さく、耐半田クラック性に優れた、エリア実装型半導体封止用に適したエポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】  （Ａ）ビフェニル型エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｂ）フェノール樹脂がビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂および多官能フェノール樹脂をともに全フェノール樹脂中に重量２０％以上含み、（Ｄ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に対し８５重量％以上、９３重量％以下含むことを特徴とするエリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び基板の片面に半導体素子が搭載されこの半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが前記エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなることを特徴とする半導体装置。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｂ）フェノール樹脂が一般式（２）で表されるフェノール樹脂および一般式（３）で表されるフェノール樹脂をともに全フェノール樹脂中に２０重量％以上含み、（Ｄ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に対し８５重量％以上、９３重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2006143865.tif 000013
（一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよい。）
【化２】
2006143865.tif 000014
（一般式（２）中、Ｒ９、Ｒ１０は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜４の整数、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【化３】
2006143865.tif 000015
（一般式（３）中、Ｒ１１は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄは０〜４の整数、ｅは０〜３の整数。ｋは平均値で、１〜１０の正数。）
【請求項２】
請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、
（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｂ）フェノール樹脂が一般式（２）で表されるフェノール樹脂および一般式（３）で表されるフェノール樹脂をともに全フェノール樹脂中に２０重量％以上含み、（Ｄ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に対し８５重量％以上、９３重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化４】
2006143865.tif 000016
（一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよい。）
【化５】
2006143865.tif 000017
（一般式（２）中、Ｒ９、Ｒ１０は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜４の整数、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【化６】
2006143865.tif 000018
（一般式（３）中、Ｒ１１は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄは０〜４の整数、ｅは０〜３の整数。ｋは平均値で、１〜１０の正数。）
【請求項４】
基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが請求項３記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されていることを特徴とするエリア実装型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものであり、特にプリント配線板や金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、その搭載面側の実質的に片面のみが樹脂封止されたエリア実装型半導体装置に用いられるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、軽量化、高機能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、新規にエリア実装型半導体装置が開発され、従来構造の半導体装置から移行し始めている。エリア実装型半導体装置としては、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡという）、あるいは更に小型化を追求したチップサイズパッケージ（以下、ＣＳＰという）が代表的であるが、これらは従来のクワッドフラットパッケージ（以下、ＱＦＰという）、スモールアウトラインパッケージ（以下、ＳＯＰという）に代表される表面実装型半導体装置では限界に近づいている多ピン化・高速化への要求に対応するために開発されたものである。エリア実装型半導体装置の構造としては、ビスマレイミド・トリアジン（以下、ＢＴという）樹脂／銅箔回路基板に代表される硬質回路基板あるいはポリイミド樹脂フィルム／銅箔回路基板に代表されるフレキシブル回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その素子搭載面、即ち基板の片面のみが樹脂組成物等で成形・封止されている。また基板の素子搭載面の反対面には半田ボールを２次元的に並列して形成し、半導体装置を実装する回路基板との接合を行う特徴を有している。更に素子を搭載する基板としては、上記有機回路基板以外にもリードフレーム等の金属基板を用いる構造も考案されている。
【０００３】
これらエリア実装型半導体装置の構造は基板の素子搭載面のみを樹脂組成物で封止し、半田ボール形成面側は封止しないという片面封止の形態をとっている。ごく希に、リードフレーム等の金属基板等では、半田ボール形成面でも数十μｍ程度の封止樹脂層が存在することもあるが、素子搭載面では数百μｍから数ｍｍ程度の封止樹脂層が形成されるため、実質的に片面封止となっている。このため有機基板や金属基板と樹脂組成物の硬化物との間での熱膨張・熱収縮の不整合あるいは樹脂組成物の成形・硬化時の硬化収縮による影響により、これらの半導体装置では成形直後から反りが発生しやすい。また、これらの半導体装置を実装する回路基板上に半田接合を行う場合、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿により半導体装置内部に存在する水分が高温で急激に気化することによる応力で半導体装置にクラックが発生する。さらに、近年、環境問題から従来よりも高融点の無鉛半田の使用が増加しており、この半田の適用により実装温度を従来よりも約２０℃高くする必要があり、実装後の半導体装置の信頼性が現状より著しく低下する問題が生じている。このようなことからエポキシ樹脂組成物のレベルアップによる半導体装置の信頼性の向上要求が加速的に強くなってきており、樹脂の低粘度化と無機充填剤の高充填化が進んでいる。
また、成形時に低粘度で高流動性を維持するために、溶融粘度の低い樹脂の使用（例えば、特許文献１参照。）や、また無機充填材の配合量を高めるために無機充填剤をシランカップリング剤で表面処理する方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）。しかしこれらは種々ある要求特性のいずれかのみを満足するものが多く、実装時の耐クラック性と低粘度化が両立できる手法は未だ見出されておらず、反りが小さく、耐クラック性に優れた樹脂を用いて、更に無機充填剤の配合量を高めて信頼性を満足させ、流動性と硬化性を損なわない更なる技術が求められていた。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−１３０９１９号公報（第２〜１０頁）
【特許文献２】特開平８−２０６７３号公報（第２〜６頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、流動性が良好で、反りが小さく、耐半田クラック性に優れ、特にエリア実装型半導体封止用に適したエポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
［１］  （Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｂ）フェノール樹脂が一般式（２）で表されるフェノール樹脂および一般式（３）で表されるフェノール樹脂をともに全フェノール樹脂中に２０重量％以上含み、（Ｄ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に対し８５重量％以上、９３重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【０００７】
【化７】
2006143865.tif 000002
（一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよい。）
【０００８】
【化８】
2006143865.tif 000003
（一般式（２）中、Ｒ９、Ｒ１０は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜４の整数、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【０００９】
【化９】
2006143865.tif 000004
（一般式（３）中、Ｒ１１は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄは０〜４の整数、ｅは０〜３の整数。ｋは平均値で、１〜１０の正数。）
【００１０】
［２］  第［１］項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
［３］  基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみの封止に用いるものであって、
（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｂ）フェノール樹脂が一般式（２）で表されるフェノール樹脂および一般式（３）で表されるフェノール樹脂をともに全フェノール樹脂中に２０重量％以上含み、（Ｄ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に対し８５重量％以上、９３重量％以下含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【００１１】
【化１０】
2006143865.tif 000005
（一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよい。）
【００１２】
【化１１】
2006143865.tif 000006
（一般式（２）中、Ｒ９、Ｒ１０は水素又は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜４の整数、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数。ｎは平均値で、１〜１０の正数。）
【００１３】
【化１２】
2006143865.tif 000007
（一般式（３）中、Ｒ１１は炭素数１〜４のアルキル基であり、互いに同一でも異なっていてもよい。ｄは０〜４の整数、ｅは０〜３の整数。ｋは平均値で、１〜１０の正数。）
【００１４】
［４］  基板の片面に半導体素子が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側の実質的に片面のみが第［３］項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて封止されていることを特徴とするエリア実装型半導体装置、
である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に従うと、無機充填材の高充填化と高流動性との両立が可能となり、特にエリア実装型の半導体装置においては、低反りと耐半田特性等の高信頼性との両立が可能となるという、顕著な効果が得られるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、（Ａ）一般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｂ）フェノール樹脂が一般式（２）で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂および一般式（３）で表される多官能フェノール樹脂をともに全フェノール樹脂中に重量２０％以上含み、（Ｄ）無機充填剤を全エポキシ樹脂組成物中に対し８５重量％以上、９３重量％以下含むことにより、流動性、が良好で、反りが小さく、更に耐半田クラック性に優れ、特にエリア実装型半導体封止用に適したエポキシ樹脂組成物が得られるものである。
以下、各成分について詳細に説明する。
【００１７】
本発明で用いられる一般式（１）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂は、低分子量のため溶融粘度が低く、流動性に優れ成形性が良好である。一般式（１）で示されるエポキシ樹脂は２官能であるため、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は架橋密度が低く抑えられ高温での弾性率が低く、半田処理時等の応力緩和に適しており、成形性と耐半田クラック性とを向上できる。
一般式（１）のビフェニル型エポキシ樹脂の内では、作業性、実用性のバランスの取れた４，４’−ジグリシジルビフェニル、あるいは３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジグリシジルビフェニル及びこの両者の溶融混合物等が好ましい。
【００１８】
【化１３】
2006143865.tif 000008
（一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示し、互いに同じであっても異なっていてもよい。）
【００１９】
本発明では、一般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を配合することによる特徴を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用する場合、一般式（１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂は全エポキシ樹脂中の少なくとも３０重量％以上が好ましく、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは８０重量％以上である。下限値未満であれば、結晶性エポキシ樹脂の特徴である流動性が損なわれる恐れがある。併用可能なエポキシ樹脂としては特に限定はしないが、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。併用するエポキシ樹脂は、成形時の溶融粘度が非常に低い結晶性エポキシ樹脂を配合することによる特徴を損なわないよう、極力粘度の低いものを使用することが望ましい。
【００２０】
本発明で用いられる一般式（２）で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂は、フェノール性水酸基間に疎水性で剛直なビフェニレン骨格を有しており、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、Ｔｇを越えた高温域での弾性率が低く、半導体素子、有機基板、及び金属基板との密着性に優れる。また、難燃性にも優れ、架橋密度が低い割には耐熱性が高いという特徴を有している。
一般式（２）のＲ９、Ｒ１０は水素又は炭素数４以下のアルキル基、ａは０〜４の整数、ｂは０〜４の整数、ｃは０〜３の整数、ｎは平均値で０〜１０の数であるが、これらの内では硬化性の点から式（４）の樹脂等が好ましい。ｎが上記上限値を越えると樹脂の粘度が増大し、成形時の樹脂組成物の流動性が劣り、より一層の低吸湿化、低そり化のための無機充填材の高充填化が不可能となるので好ましくない。
【００２１】
【化１４】
2006143865.tif 000009
（式（４）中、ｎは平均値で０〜１０の正数。）
【００２２】
本発明で用いられる一般式（２）で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂は、全フェノール樹脂中に２０重量％以上含まれることが必須である。下限値未満であれば高温時の低弾性化や低吸湿化及び接着性が十分に得られず、また耐燃性が低下する恐れがある。
【００２３】
本発明で用いられる一般式（３）で表される多官能フェノール樹脂は、一分子中に３個以上の水酸基を有しており、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は、汎用のフェノールノボラック樹脂を用いた場合に比べ、架橋密度が高く、高いＴｇとなる特徴があるため、硬化収縮量が少なく、成形後の半導体装置の反り量が小さくなる。一般式（３）で示される多官能フェノール樹脂の内では、硬化性の点から、式（５）で示される樹脂が好ましい。
【００２４】
【化１５】
2006143865.tif 000010
（式（５）中、ｋは平均値で、１〜１０の正数。）
【００２５】
本発明に用いられる一般式（３）で表される多官能フェノール樹脂は、全フェノール樹脂中に２０重量％以上含まれることが必須である。下限値未満であれば、架橋密度が高くならず、硬化収縮量が増大し、成形後の半導体装置の反り量が大きくなり、好ましくない。
【００２６】
本発明では、一般式（２）および一般式（３）のフェノール樹脂を配合することによる特徴を損なわない範囲で、他のフェノール樹脂を併用することができる。併用する場合、一般式（２）および一般式（３）のフェノール樹脂の合計が全フェノール樹脂中の少なくとも４０重量％以上である必須であり、６０重量％以上が好ましく、８０重量％以上がより好ましく、更に好ましくは１００重量％である。上記下限値未満であれば、高温時の低弾性化や低吸湿化及び接着性が十分に得られず、また低反りの特徴も損なわれるおそれがあり、また耐燃性が低下する恐れがある。併用するフェノール樹脂は特に限定しないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。無機充填材の高充填化のためには、エポキシ樹脂と同様に、低粘度のものが好ましい。
本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の当量比としては、好ましくは０．５〜２であり、特に０．７〜１．５がより好ましい。上記範囲を外れると、耐湿性、硬化性などが低下する恐れがあるので好ましくない。
【００２７】
本発明に用いる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであれば良く、一般に半導体封止用材料に用いられているものを使用することができ、特に限定するものではない。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体、トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート等が挙げられ、これらは単独でも併用してもよい。
【００２８】
本発明に用いる、無機充填材としては、一般に半導体封止用材料に用いられているものを使用することができ、特に限定するものではない。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独でも併用してもよい。平均粒径としては、０．５〜３０μｍ、最大粒径としては７５μｍ以下が好ましい。流動性、硬化性等の成形性と耐半田性のバランスから、無機充填材全体の配合量としては、全エポキシ樹脂組成物中に８５重量％以上、９３重量％以下含有することが必須であり、より好ましくは８７重量％以上、９１重量％以下である。下限値未満だと、低吸湿性、低熱膨張性が得られず耐半田性が不十分となったり、反りが大きくなったりする恐れがあるので好ましくない。上限値を超えると流動性が低下し、成型時に充填不良等が生じたり、高粘度化による半導体装置内の金線変形等の不都合が生じたりする恐れがあるので好ましくない。
【００２９】
本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分の他、必要に応じて臭素化エポキシ樹脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。更に、必要に応じて無機充填材をカップリング剤やエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂で予め処理して用いてもよく、処理の方法としては、溶媒を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や、直接無機充填材に添加し、混合機を用いて処理する方法等がある。
【００３０】
本発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分、その他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、ニーダー等の押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。特に本発明のエポキシ樹脂組成物は、エリア実装型半導体装置用に最適である。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例にて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
実施例１
エポキシ樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ４０００Ｋ、融点１０５℃、エポキシ当量１８５）                    ５．８重量部
フェノール樹脂１：ビフェニレン骨格を有するフェノ−ルアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点６５℃、水酸基当量２０３）    ２．２重量部
フェノール樹脂２：多官能フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７５００、軟化点１１０℃、水酸基当量９７）                                      ２．０重量部
トリフェニルホスフィン                                          ０．１重量部
球状溶融シリカ（平均粒径３０μｍ）                            ８９．０重量部
γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン（以下、エポキシシランという）
０．３重量部
カルナバワックス                                                ０．３重量部
カーボンブラック                                                ０．３重量部
を、常温においてミキサーで混合し、７０〜１２０℃で２本ロールにより混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００３２】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。
【００３３】
金線変形率：トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒で、３５２ｐＢＧＡ（基板は厚さ０．５６ｍｍのビスマレイミド・トリアジン樹脂／ガラスクロス基板、半導体装置のサイズは３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ１．１７ｍｍ、半導体素子のサイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍ）を成形し、１７５℃、２時間で後硬化した。室温まで冷却後、軟Ｘ線透視装置で観察し、金線の変形率を（流れ量）／（金線長）の比率で表した。単位は％。
【００３４】
パッケージ反り量：金線変形率の評価と同様にして成形した３５２ｐＢＧＡパッケージを１７５℃、２時間で後硬化した。室温まで冷却後、パッケージのゲートから対角線方向に、表面粗さ計を用いて高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値をパッケージ反り量とした。単位はμｍ。
【００３５】
耐半田性：前記金線変形率の評価と同様にして３５２ｐＢＧＡを成形し、１７５℃、２時間で後硬化してサンプルを得た。各１０個のサンプルを別々に６０℃、相対湿度６０％の環境下で１２０時間と、８５℃、相対湿度６０％の環境下で１６８時間処理し、その後ＩＲリフロ−（２６０℃）で１０秒間処理した。超音波探傷装置を用いて観察し、内部クラック及び各種界面剥離の有無を調べた。不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／１０と表示する。
【００３６】
実施例２〜９、比較例１〜６
表１及び表２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１及び表２に示す。実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。
エポキシ樹脂２：オルソクレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５℃、エポキシ当量１９６）
フェノール樹脂３：フェノ−ルノボラック樹脂（軟化点８０℃、水酸基当量１０５）
【００３７】
【表１】
2006143865.tif 000011
【００３８】
【表２】
2006143865.tif 000012
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明により得られる半導体封止用エポキシ樹脂は、流動性が良好なため金線変形に優れ、また、反り量が小さく、耐半田クラック性に優れている。そのため、プリント配線板や金属リードフレームの片面に半導体素子を搭載し、その搭載面側の実質的に片面のみを樹脂封止されたいわゆるエリア実装型半導体装置に対して、本発明により得られる半導体封止用エポキシ樹脂を適用することで、その信頼性を向上させることが可能である。