(57)【要約】【課題】  ブロウしていないヒューズを正常動作させ、救済率の向上を図ることができる半導体装置を得る。【解決手段】  ガードリングと、ガードリングの内側に設けられた複数のヒューズを有する半導体装置において、複数のヒューズ同士の間にエッチング溝を設ける。そして、エッチング溝内に耐湿性の高い材料を埋め込むことが好ましい。または、ガードリングの下方に、複数のヒューズとガードリングの外側にある内部回路をそれぞれ接続する下層配線を設け、ガードリングの上方に、複数のヒューズと内部回路をそれぞれ接続する上層配線を設ける。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガードリングと、
前記ガードリングの内側に設けられた複数のヒューズと、
前記複数のヒューズ同士の間に設けられたエッチング溝とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記エッチング溝内に耐湿性の高い材料が埋め込まれていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
絶縁膜内に設けられたガードリングと、
前記ガードリングの内側に設けられた複数のヒューズと、
前記ガードリングの下方に設けられ、前記複数のヒューズと前記ガードリングの外側にある内部回路をそれぞれ接続する下層配線と、
前記ガードリングの上方に設けられ、前記複数のヒューズと前記内部回路をそれぞれ接続する上層配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガードリングの内側に設けられた複数のヒューズを有する半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体記憶装置においては、記憶容量の拡大に伴い、冗長（Redundancy）回路を備えることにより数ビットの不良を救済し、歩留まりの向上を図ることが一般に行われている。この冗長回路への切り換え方法として、レーザ照射法により冗長回路の一部であるヒューズを溶断する方法が多く採用されている。
【０００３】
このヒューズの被溶断領域から半導体装置の内部回路に水分が侵入してしまうのを防ぐため、ヒューズの被溶断領域を囲うようにガードリングが設けられる（例えば特許文献１）。
【０００４】
また、１つのガードリング内に１つのヒューズを配置したのではピッチが増加するため、１つのガードリング内に複数本のヒューズを配置する構造が用いられる。
【０００５】
図５は、従来の半導体装置の上面図を示す。図において、ガードリング１１内に２つのヒューズ１２，１３を配置している。そして、ヒューズ１３はエネルギービーム照射法によりブロウされている。
【０００６】
図６は図５のＡ−Ａ´における断面図であり、図７は図５のＢ−Ｂ´における断面図である。図において、半導体基板１４上に絶縁膜１５が形成され、絶縁膜１５内にガードリング１１及びヒューズ１２，１３が設けられている。そして、絶縁膜１５上にパッシベーション膜１６が形成されている。このパッシベーション膜１６には、ヒューズ１２，１３の被溶断領域に対応した領域に開口部１７が設けられている。
【０００７】
ヒューズ１２，１３は、複数の配線及びビアが縦方向に積層した多層配線１８により、下層配線１９に接続される。この下層配線１９は、ガードリング１１の下側に配置され、ガードリング１１の内側から外側に延在している。そして、多層配線２０により内部回路に接続される。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−６９５７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ヒューズのブロウ箇所の周辺は耐湿性が劣化する。そのため、上記従来の半導体装置では、ブロウしたヒューズ１３の切断箇所から水分２１が浸入し、絶縁膜１５を通って、同一ガードリング１１内のヒューズ１２へ水分２１が達し、ブロウしていないヒューズ１２と下層配線１９を接続する多層配線１８のビア部分で断線不良が起こり易くなる。これにより、ブロウしていないヒューズを正常動作させることができず、救済率が劣化するという問題があった。
【００１０】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、ブロウしていないヒューズを正常動作させ、救済率の向上を図ることができる半導体装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体装置は、ガードリングと、ガードリングの内側に設けられた複数のヒューズと、複数のヒューズ同士の間に設けられたエッチング溝とを有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、ブロウしていないヒューズを正常動作させ、救済率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の上面図を示す。図において、ガードリング１１内に、多結晶シリコンからなる所定パターンの２つのヒューズ１２，１３を配置している。そして、ヒューズ１３をエネルギービーム照射法によりブロウしている。
【００１４】
図２は図１のＡ−Ａ´における断面図である。図において、半導体基板１４上に、二酸化シリコン膜やＢＰＳＧ膜等からなる絶縁膜１５が形成されている。この絶縁膜１５内にガードリング１１及びヒューズ１２，１３が設けられている。そして、絶縁膜１５上にパッシベーション膜１６が形成されている。このパッシベーション膜１６には、ヒューズ１２，１３の被溶断領域に対応した領域に開口部１７が設けられている。
【００１５】
ヒューズ１２，１３は、複数の配線及びビアが縦方向に積層した多層配線１８により、それぞれ別個の下層配線１９に接続される。この下層配線１９は、ガードリング１１の下側に配置され、ガードリング１１の内側から外側に延在している。そして、多層配線２０によりガードリングの外側にある内部回路に接続される。即ち、下層配線１９は、ヒューズ１２，１３と内部回路をそれぞれ接続する。
【００１６】
ここで、実施の形態１に係る半導体装置では、ヒューズ１２，１３の間にエッチング溝２２を設ける。このエッチング溝２２の深さは、ヒューズ１２，１３から数層下までである。
【００１７】
これにより、ヒューズ同士を隔離することができ、ブロウしたヒューズ１３からブロウしていないヒューズ１２への水分２１の浸入を防ぐことができる。そして、ブロウしていないヒューズ１２を正常動作させ、救済率の向上を図ることができる。
【００１８】
エッチング溝２２内に耐湿性の高い材料２３を埋め込むことが好ましい。埋め込む材料としては、Ｃｕ，Ａｌ，ＴＥＯＳ等、絶縁膜１５よりも耐湿性の高い材料を用いる。これにより、隙間の無い防湿壁を作ることができ、ブロウしていないヒューズへの水分の浸入をさらに確実に防ぐことができる。
【００１９】
なお、１つのガードリング内に複数のヒューズを配置しているため、１つのガードリング内に１つのヒューズを配置する構造に比べて狭いピッチでヒューズを配置することができ、サイズを縮小化することができる。
【００２０】
上記の例では、ガードリングの内側に２つのヒューズが設けられている場合について説明したが、これに限らず、３以上の複数のヒューズが設けられている場合にも本発明を適用することができる。この場合、複数のヒューズ同士の間にそれぞれ防湿壁を設ける。
【００２１】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の上面図を示す。また、図４は図３のＢ−Ｂ´における断面図である。図１及び２と同様の構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
【００２２】
実施の形態２に係る半導体装置では、ガードリング１１の上方に、ヒューズ１２，１３と内部回路をそれぞれ接続する上層配線２４が設けられている。
【００２３】
このように、下層配線と上層配線の両方を設けて、ヒューズと内部回路の接続経路を２つ設けることで、片方が断線しても、もう一方の接続経路が断線していなければ、対応するヒューズは正常に動作し、救済率の向上を図ることができる。
【００２４】
なお、水分の浸入はヒューズの下層で発生しやすいため、ヒューズからガードリングの上方の上層配線を介して内部回路へ接続させることは有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´における断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す上面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ´における断面図である。
【図５】従来の半導体装置を示す上面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ´における断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ´における断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１１  ガードリング
１２，１３  ヒューズ
１５  絶縁膜
１９  下層配線
２２  エッチング溝
２３  耐湿性の高い材料
２４  上層配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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