(57)【要約】【課題】    ステップ  アンド  スキャン方式の投影露光装置において、ショット内スキャン縮小率とレンズ縮小率のズレによるパターン精度の劣化を改善する。【解決手段】    ステップ  アンド  スキャン方式の投影露光装置の投影光学系を構成するレンズにおけるスキャン方向とこれに直交する方向の倍率の補正をそれぞれ独立して制御できるようにする。そして、マスクとウェーハのスキャン相対速度のズレを原因とするショット内スキャン縮小率とスキャン方向のレンズ縮小率との差分を計測してこれを補正する手段を新たに設ける【選択図】    図１
2006114836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリット状の露光光により照明したマスク上のパターンを投影光学系によりウェーハ上に投影する投影露光装置であって、
前記マスクが搭載され、所定のスキャン方向に走査するマスクステージと、
前記ウェーハが搭載され、前記マスクステージと同期して前記スキャン方向に走査するウェーハステージと、
前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向レンズ縮小率を補正するスキャン方向レンズ縮小率補正手段と、
前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向と直交する方向のレンズ縮小率を補正する直交方向レンズ縮小率補正手段と、
を備え、
前記スキャン方向レンズ縮小率補正手段は、前記マスクステージとウェーハステージの走査速度比によって生じる縮小率成分を加味して、レンズの縮小率の補正を行うことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
スリット状の露光光により照明したマスク上のパターンを投影光学系によりウェーハ上に投影する投影露光装置であって、
前記マスクが搭載され、所定のスキャン方向に走査するマスクステージと、
前記ウェーハが搭載され、前記マスクステージと同期して前記スキャン方向に走査するウェーハステージと、
前記ウェーハ上に形成されるアライメントマークを計測するウェーハアライメント手段と、
前記ウェーハアライメント手段の計測値に基いて、前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向レンズ縮小率を補正するスキャン方向レンズ縮小率補正手段と、
前記ウェーハアライメント手段の計測値に基いて、前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向と直交する方向のレンズ縮小率を補正する直交方向レンズ縮小率補正手段と、
前記マスクステージと前記ウェーハステージが１度に露光可能な領域を走査する際の速度比により生じるショット内スキャン縮小率を補正するショット内スキャン縮小率補正手段と、
前記ショット内スキャン縮小率補正手段により決定されたショット内スキャン縮小率と前記スキャン方向レンズ縮小率の差分を計測するスキャン方向縮小率差検知手段と、
を備えることを特徴とする投影露光装置。
【請求項３】
前記スキャン方向縮小率差検知手段によって計測されたショット内スキャン縮小率と前記スキャン方向レンズ縮小率の差分を前記スキャン方向レンズ縮小率補正手段により補正することを特徴とする請求項２記載の投影露光装置。
【請求項４】
前記スキャン方向縮小率差検知手段は、前記スキャン方向レンズ縮小率を可変させながら前記ショット内スキャン縮小率補正手段により決定されたスキャン速度でテストパターンのスキャンを繰り返し、前記テストパターンの投影像のコントラストが最大となる前記スキャン方向レンズ縮小率を算出することを特徴とする請求項２および３記載の投影露光装置。
【請求項５】
前記スキャン方向縮小率差検知手段は、マスクステージに設置されるライン  アンド  スペースパターンのマスクと、前記ウェーハステージの結像位置に設けられ、前記マスク寸法に設計倍率を掛けた同様形状の遮蔽物と、前記遮蔽物を透過した露光光の光強度を測定するセンサーと、を有し、
前記ライン  アンド  スペースの長さ方向直交する方向にスキャンが行われることを特徴とする請求項４記載の投影露光装置。
【請求項６】
スリット状の露光光により照明したマスク上のパターンを投影光学系によりウェーハ上に投影し、かつ前記マスクと前記ウェーハを同期走査させて露光を行う半導体装置の製造方法であって、
前記ウェーハ上に形成されるアライメントマークをもとに前記投影系を構成するレンズ系の前記スキャン方向のレンズ縮小率および前記スキャン方向と直交する方向のレンズ縮小率とを補正する工程と、
レンズ系の倍率の補正がなされた投影光学系における、前記マスクと前記ウェーハの走査速度比によって発生するスキャン縮小率を補正する工程と、
前記スキャン縮小率の補正がなされた走査条件における、前記スキャン縮小率と前記スキャン方向のレンズ縮小率の差分を検知する工程と、
を備え、
前記差分を前記スキャン方向のレンズ縮小率によって補正することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記スキャン縮小率と前記スキャン方向のレンズ縮小率の差分を検知する工程において、前記スキャン方向のレンズ縮小率を可変させながら前記スキャン縮小率の補正がなされたスキャン速度でテストパターンのスキャンを繰り返し、前記テストパターンの投影像のコントラストが最大となるスキャン方向レンズ縮小率を算出し、
前記差分の補正において、再度前記スキャン方向のレンズ縮小率をこのコントラストが最大となるスキャン方向レンズ縮小率となるように補正することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影露光装置および半導体装置の製造方法に関し、特にマスクとウェーハとを投影光学系に対して同期走査して露光を行うステップ  アンド  スキャン方式の走査露光型の投影露光装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置をフォトリソグラフィ技術を用いて製造する際は、マスク上のパターンを投影光学系を介してフォトレジスト等が塗布されたウェーハに一括露光転写するステッパーが用いられていた。  
近年、半導体技術の高集積化が進み、マスク上の大面積のパターンをウェーハ上の各ショット領域に転写することが求められるようになってきた。このため、これらの要求を満たすために、ステップ  アンド  スキャン方式の走査露光装置が種々提案されてきている。
【０００３】
図６は、ステップ  アンド  スキャン方式の走査露光装置の概要を表した模式図である。図６には、露光の様子を説明するための必要な構成要素のみが表されており、他の部分は省略されている。  
スリット状に加工された露光光６０１は、マスクＭを透過して縮小レンズ６０２によって任意のサイズに調整されて、ウェーハＷ上の所定の位置に結像する。マスクＭとウェーハＷとは縮小レンズ６０２の縮小率に対応して、図中に矢印で示すスキャン方向に同期走査され、マスク上のパターンはウェーハＷ上の各ショット（ショットとは１度に露光可能なウェーハ上の領域を表す）領域に逐次露光されていく。
【０００４】
ステップ  アンド  スキャン方式の走査露光装置においては、微細なパターンを高い寸法精度で形成する要求が大きく、さらに、先の工程で形成されたパターンに重ね合わせて転写する際の位置合わせ精度も要求される。このため、パターンの合わせ精度を良くするために、ショット内のマスクパターン焼付け像の縮小率の調整も重要な課題となる。
【０００５】
ステップ  アンド  スキャン方式の投影露光装置は、下地パターンの合わせ精度を良くするために、ショット内のマスクパターン焼付け像の縮小率を調整して下地パターンの大きさに合わせこむ機能を有している。
【０００６】
図７は、ショット内の露光の様子を表す模式図である。図７には、図６に表したマスクＭ上の１ショットに対応する領域と、これに対応するウェーハＷ上の領域が表されている。図示しないマスクスステージとウェーハステージは図中に矢印で示した方向に同期走査されるため、スリット状の露光光７０１は、ショット内を順次スキャンしていく。図６中では便宜上、マスク領域とウェーハ領域には座標格子が記してある。  
図７は、実線で表したマスク上座標格子７０２の方が点線で表したウェーハ上座標格子７０３より大きい場合で、これを縮小率補正機能によって調整する。この縮小率補正機能は、スキャン方向７０４とそれに直交する方向７０５との２方向について独立して調整できるようになっている。  
スキャン方向７０４の縮小率補正は、マスクのスキャン速度とウェーハのスキャン速度との比で調整する。例えば、マスクのスキャン速度がウェーハのスキャン速度に比べて遅い場合には、マスク上のパターンよりスキャン方向に縮小されたパターンがウェーハ上に露光される。逆に、マスクのスキャン速度がウェーハのスキャン速度に比べて速い場合には、マスク上のパターンよりスキャン方向に拡大されたパターンがウェーハ上に露光される。これをショット内スキャン縮小率調整と呼ぶ。  
スキャン方向と直交する方向７０５の縮小率の補正は、図６に表した縮小レンズ６０２の縮小率で調整する。レンズ縮小率補正と呼ぶ。  
このように、２方向の補正を行うことで、縮小率の微細な調整が可能となり、パターンの合わせ精度は向上する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のステップ  アンド  スキャン方式の投影露光装置を用いて、縮小率の補正を行おうとすると、ショット内スキャン縮小率とスキャン方向のレンズ縮小率との差分が発生し、投影像のコントラストが低下してしまうという問題が発生することが分かった。
【０００８】
図８は、従来の投影露光装置における縮小率の補正の工程を表すフローチャートである。
まず、ショット内スキャン縮小率補正を行う（Ｓ８０１）。  
次に、ウェーハアライメントユニットを用いて、ウェーハ上に設けられたアライメントマークの計測を行う（Ｓ８０２）。  
この計測結果より、レンズの縮小率の補正量を算出する（Ｓ８０３）。  
この算出結果より、レンズの縮小率の補正を行う（Ｓ８０４）。  
露光を開始する（Ｓ８０５）。
【０００９】
図９は、図８に表す補正工程による縮小率の調整について説明した露光イメージ図である。図６に表したスリット状の露光光６０１の幅の部分だけを拡大して、便宜上、マスク領域とウェーハ領域には座標格子を記した。  
図９（ａ）は、点線で表したウェーハ上座標格子９０１の方が実線で表したマスク上座標格子９０２より大きい場合で、これを縮小率補正機能によって図９（ｂ）に表すように双方がぴったり重なるべく調整する。スキャン方向は図中に矢印で示してある。縮小率の補正は、スキャン方向とこれに直交する方向と２段階で行う。  
まず、図９（ｃ）に表すように、スキャン方向の補正を先に説明したショット内スキャン縮小率補正にて行う。スキャン方向と直交する方向（図面の横方向）はスキャン速度の比の影響を受けないため、縮小率は変わらない。  
次に、図９（ｄ）に表すように、スキャン方向と直交する方向の補正を先に説明したレンズ縮小率補正にて行う。レンズの縮小率を補正することにより、スキャン方向の縮小率も補正されるので、図９（ｃ）で行ったショット内スキャン縮小率補正との差分が発生してしまう。このため、縮小率補正後の投影像は、図９（ｂ）のような理想形とは異なる形状となってしまう。
【００１０】
図９は、縮小率の補正と投影像のコントラストの関係を表す図表である。ショット内スキャン縮小率とレンズ縮小率が合致した場合のコントラスト像を図９（ａ）とすると、これらがズレた場合のコントラスト像は図９（ｂ）のようになり、露光スリット内でのパターン投影像がズレながら露光されてしまうことになる。
【００１１】
図１０は、ショット内スキャン縮小率とスキャン方向のレンズ縮小率の差分と投影像のコントラストの関係を表す図表である。具体的には、この差分がゼロの場合のコントラストを１００として、差分を変化させた場合のコントラストの変化をプロットしたものである。ショット内スキャン縮小率とスキャン方向のレンズ縮小率の差分が大きくなるにつれて投影像のコントラストは低下する。このことが、パターンの寸法変動を招き、パターン形状および寸法精度の劣化の原因となる。
【００１２】
従来より、投影露光装置の投影光学系におけるレンズの倍率補正に関する技術は提案されてきた。例えば、特開平１１−３８５６においては、ステップ  アンド  リピート方式またはステップ  アンド  スキャン方式の投影露光装置におけるレンズ倍率とスキュー成分の補正について開示されている。しかし、マスクとウェーハのスキャン相対速度のズレを原因とする倍率差に関しての記載はなく、これらの技術を採用しても本願発明において問題視している上記問題点を十分に解消できるものではない。
【００１３】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、ショット内スキャン縮小率とレンズ縮小率を合わせることにより、ウェーハ上の投影パターンのコントラストを良好に保ち、パターン形状および寸法精度を安定させる投影露光装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【特許文献１】特開平１１−３８５６号公報
【特許文献２】特開平２００１−２３０１９２号公報
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の態様によれば、スリット状の露光光により照明したマスク上のパターンを投影光学系によりウェーハ上に投影する投影露光装置であって、
前記マスクが搭載され、所定のスキャン方向に走査するマスクステージと、
前記ウェーハが搭載され、前記マスクステージと同期して前記スキャン方向に走査するウェーハステージと、
前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向レンズ縮小率を補正するスキャン方向レンズ縮小率補正手段と、
前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向と直交する方向のレンズ縮小率を補正する直交方向レンズ縮小率補正手段とを備え、
前記スキャン方向レンズ縮小率補正手段は、前記マスクステージとウェーハステージの走査速度比によって生じる縮小率成分を加味して、レンズの縮小率の補正を行う投影露光装置を提供する。
【００１５】
また、スリット状の露光光により照明したマスク上のパターンを投影光学系によりウェーハ上に投影する投影露光装置であって、
前記マスクが搭載され、所定のスキャン方向に走査するマスクステージと、
前記ウェーハが搭載され、前記マスクステージと同期して前記スキャン方向に走査するウェーハステージと、
前記ウェーハ上に形成されるアライメントマークを計測するウェーハアライメント手段と、
前記ウェーハアライメント手段の計測値に基いて、前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向レンズ縮小率を補正するスキャン方向レンズ縮小率補正手段と、
前記ウェーハアライメント手段の計測値に基いて、前記投影光学系を構成するレンズの前記スキャン方向と直交する方向のレンズ縮小率を補正する直交方向レンズ縮小率補正手段と、
前記マスクステージと前記ウェーハステージが１度に露光可能な領域（１ショット）を走査する際の速度比により生じるショット内スキャン縮小率を補正するショット内スキャン縮小率補正手段と、
前記ショット内スキャン縮小率補正手段により決定されたショット内スキャン縮小率と前記スキャン方向レンズ縮小率の差分を計測するスキャン方向縮小率差検知手段とを備える投影露光装置を提供する。
【００１６】
ここで、前記スキャン方向縮小率差検知手段によって計測されたショット内スキャン縮小率と前記スキャン方向レンズ縮小率の差分を前記スキャン方向レンズ縮小率補正手段により補正する投影露光装置を提供する。
【００１７】
さらに、前記スキャン方向縮小率差検知手段は、前記スキャン方向レンズ縮小率を可変させながら前記ショット内スキャン縮小率補正手段により決定されたスキャン速度でテストパターンのスキャンを繰り返し、前記テストパターンの投影像のコントラストが最大となる前記スキャン方向レンズ縮小率を算出する投影露光装置を提供する。
【００１８】
より詳しくは、  前記スキャン方向縮小率差検知手段は、マスクステージに設置されるライン  アンド  スペースパターンのマスクと、前記ウェーハステージの結像位置に設けられ、前記マスク寸法に設計倍率を掛けた同様形状の遮蔽物と、前記遮蔽物を透過した露光光の光強度を測定するセンサーとを備え、前記ライン  アンド  スペースの長さ方向直交する方向にスキャンが行われる投影露光装置を提供する。
【００１９】
また、本発明の別の態様として  スリット状の露光光により照明したマスク上のパターンを投影光学系によりウェーハ上に投影し、かつ前記マスクと前記ウェーハを同期走査させて露光を行う半導体装置の製造方法であって、
前記ウェーハ上に形成されるアライメントマークをもとに前記投影系を構成するレンズ系の前記スキャン方向のレンズ縮小率および前記スキャン方向と直交する方向のレンズ縮小率とを補正する工程と、
レンズ系の倍率の補正がなされた投影光学系における、前記マスクと前記ウェーハの走査速度比によって発生するスキャン縮小率を補正する工程と、
前記スキャン縮小率の補正がなされた走査条件における、前記スキャン縮小率と前記スキャン方向のレンズ縮小率の差分を検知する工程とを備え、
前記差分を前記スキャン方向のレンズ縮小率によって補正する半導体装置の製造方法を提供する。
【００２０】
また、前記スキャン縮小率と前記スキャン方向のレンズ縮小率の差分を検知する工程において、前記スキャン方向のレンズ縮小率を可変させながら前記スキャン縮小率の補正がなされたスキャン速度でテストパターンのスキャンを繰り返し、前記テストパターンの投影像のコントラストが最大となるスキャン方向レンズ縮小率を算出し、
前記差分の補正において、再度前記スキャン方向のレンズ縮小率をこのコントラストが最大となるスキャン方向レンズ縮小率となるように補正する半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ステップ  アンド  スキャン方式の投影露光装置の投影光学系を構成するレンズにおけるスキャン方向とこれに直交する方向の倍率の補正をそれぞれ独立して制御できるようにする。そして、マスクとウェーハのスキャン相対速度のズレを原因とするショット内スキャン縮小率とスキャン方向のレンズ縮小率との差分を計測してこれを補正する手段を新たに設けることにより、ウェーハ上の投影パターンのコントラストの劣化を防ぐ。これにより、パターンの形状および寸法精度は向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の実施の形態にかかる投影露光装置の概要を表す模式図である。図中には本発明の説明に必要な構成のみを表している。  
マスクＭおよびウェーハＷは、マスクステージ１０１およびウェーハステージ１０２に搭載されている。マスクステージ１０１とウェーハステージ１０２は、同期走査運動を行い、マスクＭ上に形成される回路パターンが任意の縮小率でウェーハＷ上に逐次露光されていく。  
縮小率は、投影光学系１０３を構成する縮小レンズ１０４によって決定される。ウェーハアライメントユニット１０５は、ウェーハＷ上に設けられたアライメントマーク１０６を計測し、位置合わせおよび縮小レンズ１０４の縮小率補正量の計算を行う。レンズ縮小率補正手段１０７は、算出された縮小率補正量に基いて倍率補正レンズ１０８の倍率を調整する。倍率補正レンズ１０８は、スキャン方向とこれに直交する方向の倍率が独立して調整できるようになっている。
【００２３】
また、マスクステージ１０１とウェーハステージ１０２の同期走査運動は、スキャン制御機構１０９により制御される。マスクステージ１０１とウェーハステージ１０２のスキャン速度の速度比によって、ショット内スキャン縮小率が決定される。  
スキャン方向縮小率差検知手段１１０は、ショット内スキャン縮小率と投影光学系で決定されるスキャン方向の縮小率との差分を計測する。ここで、算出されるスキャン方向の縮小率の差分はレンズ縮小率補正手段１０７に送られ、この差分を倍率補正レンズ１０８のスキャン方向レンズ縮小率によって補正する。
【００２４】
次に、図１に表す投影露光装置を用いた縮小率補正工程について説明する。  
図２は、本発明の実施の形態にかかる投影露光装置における縮小率の補正工程を表すフローチャートである。  
まず、スキャン制御機構１０９を用いて、ショット内スキャン縮小率補正を行う（Ｓ２０１）。  
次に、ウェーハアライメントユニット１０５を用いて、ウェーハＷ上に設けられたアライメントマーク１０６の計測を行う（Ｓ２０２）。  
この計測結果より、縮小レンズ１０４の縮小率の補正量を算出する（Ｓ２０３）。  
この算出結果より、倍率補正レンズ１０８の縮小率の補正を行う（Ｓ２０４）。  
次に、スキャン方向縮小率差検知手段１１０を用いて、ショット内スキャン縮小率と前工程（Ｓ２０４）にて補正された投影光学系１０３のスキャン方向の縮小率との差分を計測する（Ｓ２０５）。  
この計測結果より、縮小レンズ１０４のスキャン方向補正量を算出する（Ｓ２０６）。 
この算出結果より、倍率補正レンズ１０８のスキャン方向の縮小率の補正を行う（Ｓ２０７）。このとき、倍率補正はスキャン方向のみ行い、スキャン方向と直交する方向については行わない。スキャン方向と直交する方向は、ショット内スキャン縮小率の影響を受けないからである。  
露光を開始する（Ｓ２０８）。
【００２５】
このように、本発明の実施の形態にかかる投影露光装置は、縮小レンズにスキャン方向とこれに直交する方向のレンズ縮小率を独立して補正できる機能とショット内スキャン縮小率とスキャン方向のレンズ縮小率の差分を検知する機能とを持たせたため、静止状態で投影光学系のレンズ縮小率を補正した後、再度、このショット内スキャン縮小率に合わせて投影光学系のスキャン方向のレンズ縮小率を補正を行うことが可能となる。  
従来の投影露光装置では、図８（ｄ）のようになっていたショット内スキャン縮小率とレンズ縮小率のズレを補正することが可能となり、図３（ｂ）に表すような理想形の投影像を得ることができるようになる。
【００２６】
次に、図１に表すスキャン方向縮小率差検知手段１１０の構成と縮小率差の算出方法について、説明する。  
図３は、図１に表す投影露光装置における、スキャン方向縮小率検知の様子を表すイメージ図である。図１と同一の構成要素には、同一の符号が付してある。  
スキャン方向縮小率差検知手段１１０は、マスクステージ上に設置されたテストパターン３０１と、ウェーハステージ上の結像位置に設置される遮光物３０２と、この遮光物３０２下に設置されたセンサー３０３とより構成される。
【００２７】
図４は、テストパターン３０１の形状を表す模式図である。  
ライン  アンド  スペース形状は、ライン４０１とスペース４０２幅が露光装置の限界解像寸法に露光倍率を掛けた形状である。マスクステージ１０１にテストパターン３０１を置き、これに露光光３０４を照射する。このパターンを透過した露光光が投影光学系１０３を介して結像するウェーハステージ１０２上に、テストパターン３０１と同様の形状をした遮光物３０２を設置する。遮光物３０２のサイズは、マスク寸法に投影光学系の縮小率を掛けた値である。遮光物３０２の下方にはセンサー３０３が設置され、遮光物を透過してくる露光光の光強度を測定する。
【００２８】
スキャン方向縮小率差の検知は、以下の工程で行われる。  
まず、スキャン動作を行わない静止状態でテストパターン３０１の投影像が遮光物３０２と１：１で重なるように調整する。ライン  アンド  スペースの長さ方向は、図４中に矢印で示す露光装置のスキャン方向と直交する方向に合わせる。  
次に、設定されたスキャン方向縮小率でスキャン動作を繰り返し、センサー３０３によって遮光物３０２を透過する露光光の光強度を計測する。このとき、図１に表したレンズ縮小率補正手段１０７によって、倍率補正レンズ１０８のスキャン方向の縮小率を少しずつ変化させていく。  
この計測結果より、光強度が最高になる倍率補正レンズ１０８のスキャン方向の縮小率の値を決定する。
【００２９】
ここで説明したスキャン方向縮小差の検知工程においては、テストパターン３０１と遮光物３０２上のパターンが一致した状態でスキャンが行われると、センサー３０３の値が最高値となる。この状態が、ショット内スキャン縮小率と投影光学系のレンズ縮小率が一致したということである。静止状態で調整された倍率補正レンズの縮小率と、スキャン方向縮小率差検知の工程を経て調整された倍率補正レンズの縮小率との差が、ショット内スキャン縮小率とスキャン方向レンズ縮小率の差分となる。したがって、センサー３０３の値が最高値となるように倍率補正レンズのスキャン方向の縮小率を調整することで、ショット内スキャン縮小率とスキャン方向レンズ縮小率の差分を倍率補正レンズにより補正したことになる。
【００３０】
図５は、スキャン方向縮小率差の検知手段によって計測される光強度と、スキャン方向のレンズ縮小率との関係を表す図表である。縦軸に光強度、横軸に倍率補正レンズのスキャン方向の縮小率が表される。  
図５より、倍率補正レンズの縮小率がある値となった時に、光強度は最高値となっているのが分かる。このとき、投影像のコントラストは最高値となる。  
図表中に示した各点（１）〜（３）での、実際のパターンの拡大図を見てみると、本発明の効果が確認できる。
【００３１】
このように、本発明の実施の形態によれば、縮小率の調整を行うことで、ウェーハ上の投影パターンのコントラストを良好に保つことができる。これによって、ウェーハ上のパターン形状および寸法を精度よく安定させることが可能となる。  
また、実際に露光してレジストを観察する必要がなく、調整時間の短縮化およびコストの削減にもなる。  
さらに、これら縮小率補正の一連の工程を自動で行うことで、スループットは格段に向上する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態にかかる投影露光装置の概要を表す模式図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる投影露光装置における縮小率の補正工程を表すフローチャートである。
【図３】図１に表す投影露光装置における、スキャン方向縮小率検知の様子を表すイメージ図である。
【図４】テストパターンの形状を表す模式図である。
【図５】スキャン方向縮小率差の検知手段によって計測される光強度と、スキャン方向のレンズ縮小率との関係を表す図表である。
【図６】従来のステップ  アンド  スキャン方式の走査露光装置の概要を表した模式図
【図７】ショット内の露光の様子を表す模式図である。
【図８】従来の投影露光装置における縮小率の補正の工程を表すフローチャートである。
【図９】図７に表す補正工程による縮小率の調整について説明する露光イメージ図である。
【図１０】ショット内スキャン縮小率とスキャン方向のレンズ縮小率の差分と投影像のコントラストの関係を表す図表である。
【符号の説明】
【００３３】
１０１    マスクステージ
１０２    ウェーハステージ
１０３    投影光学系
１０４、６０２    縮小レンズ
１０５    ウェーハアライメントユニット
１０６    アライメントマーク
１０７    レンズ縮小率補正手段
１０８    倍率補正レンズ
１０９    スキャン制御機構
１１０    スキャン方向縮小率差検知手段
３０１    テストパターン
３０２    遮光物
３０３    センサー
３０４、６０１、７０１    露光光
４０１    ライン
４０２    スペース
７０２、９０２    マスク上座標格子
７０３、９０１    ウェーハ上座標格子
７０４    スキャン方向
７０５    スキャン方向に直行する方向
Ｍ    マスク
Ｗ    ウェーハ
【図１】
2006114836.tif 000003
【図２】
2006114836.tif 000004
【図３】
2006114836.tif 000005
【図６】
2006114836.tif 000006
【図７】
2006114836.tif 000007
【図８】
2006114836.tif 000008
【図９】
2006114836.tif 000009
【図１０】
2006114836.tif 000010
【図４】
2006114836.tif 000011
【図５】
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