(57)【要約】【課題】セラミックマトリクス複合材料物品を製造する方法を提供する。【解決手段】  本方法は、窒化ホウ素の層（２０）と、ケイ素添加窒化ホウ素の層（３０）と、窒化ケイ素の層（４０）と、炭素の層（５０）とを具備する被覆膜を蒸着することを更に含む。方法は、被覆された繊維トウを複数のセラミック布のプライとして組み立てることを更に含む。方法は、セラミック布のプライを１つの物品型として積み上げることを更に含む。方法は、セラミック微粒子、セラミック前駆物質樹脂及びその組み合わせより成る群から選択された材料と、スラリ鋳造、樹脂トランスファー成形、真空含浸及びその組み合わせより成る群から選択された方法とを使用して、物品型を緻密化することを更に含む。方法は、実質的に連続するマトリクスを有するセラミックマトリクス複合材料物品を形成するために、少なくともケイ素によって、物品型を溶浸することを更に含む。【選択図】図３
2006096659.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック繊維強化セラミックマトリクス複合材料物品を製造する方法において、
複数のセラミック繊維トウ（１０）を提供する工程と；
連続化学気相成長プロセス及び半連続化学気相成長プロセスより成る群から選択されるような化学気相成長を使用して、前記セラミック繊維トウ（１０）に被覆膜を蒸着する工程であって、前記被覆膜は、
前記セラミック繊維トウを被覆するのに十分な厚さを有し、下方に位置する繊維トウに更に高いデボンディング特性を与える窒化ホウ素の層（２０）と、
前記窒化ホウ素の層の上に位置し、前記窒化ホウ素の層を被覆するのに十分な厚さを有し、下方に位置する窒化ホウ素の層に耐酸化性及び耐揮発性を与えるケイ素添加窒化ホウ素の層（３０）と、
前記ケイ素添加窒化ホウ素の層の上に位置し、下方に位置する前記ケイ素添加窒化ホウ素の層を被覆するのに十分な厚さを有し、下方に位置する前記ケイ素添加窒化ホウ素の層及び前記窒化ホウ素の層に耐酸化性及び耐揮発性を与える窒化ケイ素の層（４０）と、
前記窒化ケイ素の層の上に位置し、下方に位置する前記窒化ケイ素の層を被覆するのに十分な厚さを有し、少なくとも被覆された繊維トウを湿潤するケイ素の能力を向上する炭素の層（５０）とを具備する工程と；
前記被覆された繊維トウを複数のセラミック布のプライとして組み立てる工程と；
前記セラミック布のプライを、１つの物品型を形成するように積み上げる工程と；
セラミック微粒子、セラミック前駆物質樹脂及びその組み合わせより成る群から選択された材料と、スラリ鋳造、樹脂トランスファー成形、真空含浸及びその組み合わせより成る群から選択された方法とを使用して、前記物品型を緻密化する工程と；
実質的に連続するマトリクスを有するセラミックマトリクス複合材料物品を形成するために、前記物品型に、少なくともケイ素を溶浸させる工程とから成る方法。
【請求項２】
前記セラミックは、炭化ケイ素である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記化学気相成長を使用して蒸着する工程は、前記連続化学気相成長プロセスを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記化学気相成長を使用して蒸着する工程は、前記半連続科学気相成長プロセスを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記窒化ホウ素の層（２０）は、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍの範囲の厚さを有し、前記ケイ素添加窒化ホウ素の層（３０）は、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍの範囲の厚さを有し、前記窒化ケイ素の層（４０）は、約０．７５μｍ〜約１．２５μｍの範囲の厚さを有し、前記炭素の層（５０）は、約０．０５μｍ〜約３μｍの範囲の厚さを有し、前記被覆膜の各々の層は、約１，４００℃〜約１，５００℃の範囲の温度で蒸着される請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記化学気相成長を使用して蒸着する工程は、前記連続化学気相成長プロセスを更に含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記化学気相成長を使用して蒸着する工程は、前記半連続科学気相成長プロセスを更に含む請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記ケイ素添加窒化ホウ素の層（３０）におけるケイ素の重量％は、約５重量％ケイ素〜約４０重量％ケイ素の範囲である請求項４記載の方法。
【請求項９】
前記窒化ホウ素の層（２０）は、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍの範囲の厚さを有し、前記ケイ素添加窒化ホウ素の層（３０）は、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍの範囲の厚さを有し、前記窒化ケイ素の層（４０）は、約０．７５μｍ〜約１．２５μｍの範囲の厚さを有し、前記炭素の層（５０）は、約０．０５μｍ〜約３μｍの範囲の厚さを有し、前記被覆膜の各々の層は、約１，４００℃〜約１，５００℃の範囲の温度で蒸着される請求項２記載の方法。
【請求項１０】
請求項８の方法により製造されるセラミックマトリクス複合材料タービンエンジン物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、セラミックマトリクス複合材料に関し、特に、炭化ケイ素繊維強化セラミックマトリクス複合材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
スラスト重量比を増加し、排気ガスを減少し、且つ特定の燃料消費を改善するように、ガスタービンエンジンの効率及び性能を向上するために、ガスタービンエンジンは、より高温で動作するという課題を課されている。そのような高温が、エンジンの高温部分、特に、エンジンのタービン部分の部品を形成する材料の限界に近づき、それを超えるに至ったため、新たな材料の開発が必要になった。
【０００３】
エンジンの動作温度が上昇したために、燃焼器及びタービンエーロフォイルを形成する高温合金を冷却する新たな方法が開発された。例えば、高温燃焼排気ガスの流れの中に位置する部品の表面に、セラミック熱障壁被覆膜（ＴＢＣ）が塗布された。ＴＢＣは、熱伝達率を減少すると共に、下方にある金属を熱から保護し、部品が更に高い温度に耐えられるようにする。それらの改善策は、ピーク温度及び熱勾配を減少するのに有用であった。また、熱能力又は熱保護を改善するために、境膜冷却を実行するように、複数の冷却穴が導入された。同時に、高温合金に代わる材料として、セラミックマトリクス複合材料が開発された。セラミックマトリクス複合材料（ＣＭＣ）は、多くの場合、金属と比較して、温度及び密度の点で優れた利点を有し、そのため、より高い動作温度が望まれるときに選択される材料となった。ＣＭＣには、炭化ケイ素繊維強化セラミックマトリクス部品が含まれる。
【０００４】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）繊維強化セラミックマトリクス複合材料（ＣＭＣ）を製造する周知の方法の１つは、一般に、溶融浸透（ＭＩ）スラリ鋳造と呼ばれる。そのようなスラリ鋳造ＭＩ ＣＭＣ材料を製造する方法の例は、本発明の譲受人に譲渡され、参考として本明細書に内容全体が取り入れられている特許文献１に記載される。
【０００５】
スラリ鋳造ＭＩプロセスは、複数のＳｉＣ繊維のプライを提供することから始まる。ＳｉＣ繊維のプライは、Ｓｉｃ繊維を織ることにより形成されたトウから成り、１つの物品型を形成するように積み上げられる。その後、化学気相成長浸透（ＣＶＩ）バッチプロセスを使用して、窒化ホウ素（ＢＮ）の層とＳｉＣの層とを物品型に塗布することにより、物品型の剛性は増強される。まず、低いが一定である蒸気から成る雰囲気を有するＣＶＩ反応器雰囲気の中で、ホウ素及び窒素を含有する蒸気をＳｉＣ繊維の周囲に低速で流通させ、それにより、ＳｉＣ繊維にＢＮを蒸着することにより、ＢＮの層が物品の表面に蒸着される。通常、ＢＮは、約１，６５２°Ｆ（９００℃）の温度で蒸着される。ＢＮ蒸着の場合、好ましい圧力は、約０．２ｔｏｒｒ〜約２．０ｔｏｒｒの範囲である。第１のＢＮバッチプロセスが完了したならば、第２のＣＶＩバッチプロセスが開始される。低いが一定である蒸気から成る雰囲気を有するＣＶＩ反応器雰囲気の中で、ケイ素及び炭素を含有する蒸気をＳｉＣ繊維の周囲に低速で流通させ、それにより、ＳｉＣ繊維のＢＮ層上にＳｉＣを蒸着することにより、ＳｉＣの層が物品型の表面に蒸着される。通常、ＳｉＣは、約１，８３０°Ｆ（１，０００℃）の温度で蒸着される。ＳｉＣ蒸着の場合、好ましい圧力は、約０．２ｔｏｒｒ〜約２．０ｔｏｒｒの範囲である。蒸着を制御し、従って、蒸着により形成される被覆膜の厚さ及び均一性を制御するために（層内及び層間）、通常、ＢＮ及びＳｉＣは、共に、グラファイトツーリングに複数の開口部又は穴を有するグラファイトツール部分に、ＢＮキャリヤガス及びＳｉＣキャリヤガスを通すことにより、蒸着される。
【０００６】
物品型の剛性増強が完了したならば、物品型は、炭素含有及び／又はＳｉＣスラリによって、部分的に緻密化される。その後、物品型の緻密化を完了し、ＣＭＣを形成するために、ケイ素溶融浸透を使用して、物品型は溶浸される。
【０００７】
スラリ鋳造ＭＩプロセスは、約０．２インチまでの厚さの、相対的に薄いＣＭＣを製造するには実用的なプロセスであるが、バッチＣＶＩプロセスを使用して、それより厚い部品に対し、繊維プレフォーム内部に均一に被覆膜を蒸着しようとする試みは、まだ実現されていない。物品型に均一なＢＮ及びＳｉＣの被覆膜を形成するためには、約１０日間という非常に長期間にわたるバッチ反応器処理が要求される。物品が厚い場合、それより長い時間をかけたとしても、通常のバッチＣＶＩプロセスを使用したのでは、良質のＢＮ及びＳｉＣ被覆膜は容易に実現できない。ＣＶＩ温度を高くすると、被覆膜の均一性が損なわれるため、高いＣＶＩ温度は有効ではない。加えて、一般に、ＣＶＩ被覆膜は、繊維トウの束の周囲に先に蒸着するため、トウの束の内部に多孔構造が形成される結果になる。この多孔構造は、熱伝導率を低下する。
【０００８】
ＳｉＣ繊維強化ＣＭＣを製造する別の周知の方法は、プリプレグＭＩとして知られる。プリプレグプライは、プリプレグテープとして成形された複数の一方向ＳｉＣ繊維トウから構成される。プリプレグテープの複数のプライは、切断され、１つの物品型として積層される。その後、物品型は、ケイ素によって溶浸される。そのようなプリプレグＣＭＣ材料を製造するプロセスの例は、本発明の譲受人に譲渡され、参考として本明細書に内容全体が取り入れられている特許文献２及び特許文献３に記載される。ＳｉＣ繊維強化ＣＭＣにおいてプリプレグテープを使用することの問題点は、繊維を織ることにより形成される構造とは異なり、繊維が一方向であることである。そのため、各プライにおいて、１つの方向でのみ、高い引っ張り強さが得られる。プリプレグプロセスは、スラリ鋳造ＭＩプロセスより高い温度の蒸着を利用するので、その結果、被覆膜は、より緻密になり、蒸着サイクル時間は短縮される。しかし、プリプレグプロセスは、１‐Ｄ構造又は２‐Ｄ構造にしか適用できない。
【特許文献１】米国特許第６，２８０，５５０Ｂ１号
【特許文献２】米国特許第６，０２４，８９８号
【特許文献３】米国特許第６，２５８，７３７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来のプリプレグＭＩプロセスの場合のように、分厚いＣＭＣ部品（均一な厚さの繊維被覆膜を有する）をほぼ完全に緻密化できる一方で、従来のスラリ鋳造ＭＩプロセスのように、目的に合わせた強度特性（方向性）の調整を可能にするために、最新の繊維構造を取り入れることも可能にするプロセスが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、セラミック繊維強化ＣＭＣ物品を製造する方法である。方法は、複数のセラミック繊維トウを提供することから始まる。連続又は半連続ＣＶＤプロセスを使用して、セラミック繊維トウに被覆膜が蒸着される。被覆膜は、繊維トウを被覆するのに十分な厚さを有する窒化ホウ素（ＢＮ）の層を含む。ＢＮの層は、その下方に位置する繊維トウに、更に高いデボンディング特性を与える。被覆膜は、ＢＮの層の上に位置し、窒化ホウ素の層を被覆するのに十分な厚さを有するケイ素添加ＢＮの層を更に含む。ケイ素添加ＢＮの層は、その下方に位置する窒化ホウ素の層に、耐酸化性及び耐揮発性を与える。被覆膜は、ケイ素添加ＢＮの層の上に位置し、下方のケイ素添加窒化ホウ素の層を被覆するのに十分な厚さを有する窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の層を更に含む。窒化ケイ素の層は、下方に位置するケイ素添加窒化ホウ素の層及び窒化ホウ素の層に、耐酸化性及び耐揮発性を与える。被覆膜は、窒化ケイ素の層の上に位置し、下方の窒化ケイ素の層を被覆するのに十分な厚さを有する炭素の層を更に含む。炭素の層は、少なくとも被覆された繊維トウを湿潤させるケイ素の能力を向上する。より高いプロセス温度を使用することにより、緻密度の高い被覆膜が得られるので、被覆膜を更に薄くすることができ、それにより、被覆膜形成後、織機における加工が可能になる。織布作業中に、被覆された繊維を保護するために、繊維サイジングが塗布されてもよい。一般に使用される繊維サイジングは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）及びポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）などであり、それらは、通常、繊維トウを溶液にくぐらせることにより塗布される溶液系のポリマーである。被覆されたセラミック繊維トウは、複数のセラミック布のプライとして組み立てられる。セラミック布のプライは、１つの物品型を形成するように積層される。物品型は、セラミック微粒子、セラミック前駆物質樹脂及びその組み合わせより成る群から選択された材料と、スラリ鋳造、樹脂トランスファー成形、真空含浸及びその組み合わせより成る群から選択された方法を使用して緻密化される。その後、少なくともケイ素によって、物品型は溶浸され、ほぼ連続するマトリクスを有するセラミック強化ＣＭＣが形成される。本発明は、本発明の方法により製造されるセラミック繊維強化物品でもある。
【００１１】
本発明は、更に、セラミック繊維強化ＣＭＣ物品を製造する別の方法である。方法は、複数のセラミック繊維トウを提供することから始まる。連続又は半連続ＣＶＤプロセスを使用して、セラミック繊維トウに、被覆膜が蒸着される。被覆膜は、繊維トウを被覆するのに十分な厚さを有する窒化ホウ素（ＢＮ）の層を含む。ＢＮの層は、その下方に位置する繊維トウに、更に高いデボンディング特性を与える。被覆膜は、ＢＮの層の上に位置し、窒化ホウ素の層を被覆するのに十分な厚さを有するケイ素添加ＢＮの層を更に含む。ケイ素添加ＢＮの層は、その下方に位置する窒化ホウ素の層に、耐酸化性及び耐揮発性を与える。被覆膜は、ケイ素添加ＢＮの層の上に位置し、下方のケイ素添加窒化ホウ素の層を被覆するのに十分な厚さを有する窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の層を更に含む。窒化ケイ素の層は、下方に位置するケイ素添加窒化ホウ素の層及び窒化ホウ素の層に、耐酸化性及び耐揮発性を与える。被覆膜は、窒化ケイ素の層の上に位置し、その下の窒化ケイ素の層を被覆するのに十分な厚さを有する炭素の層を更に含む。炭素の層は、少なくとも被覆された繊維トウを湿潤させるケイ素の能力を向上する。より高いプロセス温度を使用することにより、緻密度の高い被覆膜が得られるので、被覆膜を更に薄くすることができ、それにより、被覆膜形成後、織機における加工が可能になる。織布作業中に、被覆された繊維を保護するために、繊維サイジングが塗布されてもよい。一般に使用される繊維サイジングは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）及びポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）などであり、それらは、通常、繊維トウを溶液にくぐらせることにより塗布される溶液系のポリマーである。被覆されたセラミック繊維トウは、複数のセラミック布のプライとして組み立てられる。セラミック布のプライは、１つの物品型を形成するように積層される。物品型は、セラミック微粒子、セラミック前駆物質樹脂及びその組み合わせより成る群から選択された材料と、スラリ鋳造、樹脂トランスファー成形、真空含浸及びその組み合わせより成る群から選択された方法を使用して緻密化される。その後、少なくともケイ素によって、物品型は溶浸され、ほぼ連続するマトリクスを有するセラミック強化ＣＭＣが形成される。本発明は、ガスタービンエンジン部品などの、本発明の方法により製造されたセラミック繊維強化物品でもある。
【００１２】
物品型自体に被覆膜を形成するためには、グラファイトツーリングを使用する必要があったが、本発明においては、物品型に対してＣＶＤ反応器を動作させるのではなく、個別のＳｉＣ繊維トウに対してＣＶＤ反応器を動作させる。その結果、高価な半永久グラファイトツーリングが不要になることは、本発明の１つの利点である。
【００１３】
本発明の別の利点は、物品型を相対的に分厚い構造に組み立てた後に、物品型を被覆するのではなく、既に被覆膜が形成されたＳｉＣ繊維トウをプライの形に織り上げ、被覆されたプライを積み重ねるため、従来のスラリ鋳造ＭＩプロセスで可能であった厚さより厚いＣＭＣ構造を組み立てられることである。
【００１４】
本発明の更に別の利点は、繊維トウに対して、連続又は半連続繊維被覆動作を採用するため、束の中の個別のトウの被覆が容易になり、その結果、トウ内部の多孔構造が減少し、トウ内部に多くの多孔構造を含むＣＭＣ構造と比較して、完成後のＣＭＣ構造の強度及び熱伝導率が向上することである。
【００１５】
本発明の更に別の利点は、繊維被覆プロセスの繊維被覆サイクル時間が短縮されるために、処理費用が低減されることである。
【００１６】
本発明の更に別の利点は、強度、耐久性及び熱伝導率などのＣＭＣ構造の性能を改善するために、スラリ鋳造ＭＩ被覆膜より優れた繊維被覆膜を使用することである。
【００１７】
本発明の更に別の利点は、被覆された繊維を、より分厚い３‐Ｄ構造として織り上げることができ、そのため、積層２‐Ｄ構造より強度の点で優れている物品の組み立てが可能になることである。
【００１８】
本発明のその他の特徴及び利点は、実例を挙げて本発明の原理を示す低コストで、性能が向上された添付の図面と関連させた、以下の好ましい実施形態の更に詳細な説明から明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は、ＳｉＣ繊維強化ＣＭＣ物品を製造する方法であり、方法は、一連の工程を含む。本発明の第１の工程１１０は、複数の炭化ケイ素繊維トウ１０を提供することである。そのような炭化ケイ素繊維トウ１０は、当該技術では知られている。炭化ケイ素繊維トウとは、炭化ケイ素が芯又は基板を包み込んでいるような材料、又は炭化ケイ素が芯又は基板であり、そのような材料が繊維の束、すなわち、トウ１０として織り合わされているような材料である。炭化ケイ素により包み込まれる芯として考えられる他の材料は、炭素及びタングステンである。繊維トウ１０を構成する繊維状材料は、非晶質材料、結晶質材料又はその組み合わせであればよい。結晶質材料は、単結晶又は多結晶のいずれであってもよい。炭化ケイ素を含有する繊維状材料の例には、炭化ケイ素、Ｓｉ‐Ｃ‐Ｏ、Ｓｉ‐Ｃ‐Ｏ‐Ｎ、Ｓｉ‐Ｃ‐Ｂ、又はＳｉ‐Ｃ‐Ｏ‐金属がある。Ｓｉ‐Ｃ‐Ｏ‐金属の場合、様々な金属成分を使用できるが、多くの場合、金属成分は、チタン、ジルコニウム又はホウ素である。当該技術においては、炭化ケイ素を含有する繊維を製造するために、有機前駆物質を使用する方法が知られている。有機前駆物質の使用により、多様な元素を繊維中に導入できる。そのような繊維の例には、NICALONa、HI-NICALONa及びHI-NICALON Sa（横浜市のNippon Carbon Company, Ltd.の登録商標）；TYRANNOa繊維（山口県宇部市のUbe Industries, Ltd．の登録商標）；並びにSYLRAMICa繊維（ミシガン州MidLandのDow Corning Corporationの登録商標）がある。「繊維状材料」は、ファイバー、フィラメント、より糸、繊維束、ヒゲ状結晶、布、フェルト及びその組み合わせを含む。通常、繊維は連続している。
【００２０】
方法の第２の工程１２０は、連続して化学気相成長（ＣＶＤ）を使用して、繊維トウ１０上に被覆膜を蒸着することである。繊維トウ１０の被覆膜は、４つの層２０、３０、４０、５０から成る。各々の層２０、３０、４０、５０は、少なくとも繊維状材料の大部分を露出しないように形成され、各繊維トウ１０の全体が被覆されるのが好ましい。被覆膜は、全体として、少なくとも繊維状材料の大部分を露出させてはならず、各繊維トウ１０の全体が被覆されるのが好ましい。被覆膜の各層２０、３０、４０、５０は、著しく多くの孔を含む多孔質であってはならず、孔が全く存在せず且つ均一であるのが好ましい。複数の被覆膜層２０、３０、４０、５０から成る被覆膜全体も、著しく多くの孔を含む多孔質であってはならず、孔が全く存在せず且つ均一であるのが好ましい。被覆膜は、ＢＮの層２０と、ＢＮの層２０の上に位置するケイ素添加ＢＮの層３０と、ケイ素添加ＢＮの層３０の上に位置するＳｉ３Ｎ４の層４０と、Ｓｉ３Ｎ４の層４０の上に位置する炭素の層５０とを含む。ＢＮの層２０の厚さは、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍである。ＢＮの層２０は、繊維トウ１０を被覆するのに十分な、あらかじめ選択された厚さを有する。下方にある繊維トウ１０のデボンディング特性を向上するために、繊維トウ１０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、約０．４μｍ〜約０．６μｍの厚さであるのが好ましい。ケイ素添加ＢＮ被覆膜は、本発明の譲受人に譲渡され、本明細書に参考として内容全体が取り入れられている米国特許第５，９５２，１００号に詳細に記載される。本発明においては、ケイ素添加ＢＮ層３０におけるケイ素の重量％の範囲は、約５重量％ケイ素〜約４０重量％ケイ素である。好ましい一実施形態では、ケイ素添加ＢＮ層３０におけるケイ素の重量％の範囲は、約５重量％ケイ素〜約２５重量％ケイ素である。ケイ素添加ＢＮの層３０は、ＢＮの層２０を被覆するのに十分な、あらかじめ選択された厚さを有する。下方にあるＢＮの層２０に耐酸化性及び耐揮発性を与えるために、ＢＮの層２０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、厚さは、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍであるのが好ましい。Ｓｉ３Ｎ４の層４０は、ケイ素添加ＢＮの層３０を被覆するのに十分な、あらかじめ選択された厚さを有する。下方にあるケイ素添加ＢＮの層３０及びＢＮの層２０に耐酸化性及び耐揮発性を与えるために、ケイ素添加ＢＮの層３０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、厚さは、約０．７５μｍ〜約１．２５μｍであるのが好ましい。炭素の層５０は、Ｓｉ３Ｎ４の層４０を十分に被覆する。少なくとも、被覆された繊維トウを湿潤するケイ素の能力を向上するために、Ｓｉ３Ｎ４の層４０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、厚さは、約０．０５μｍ〜約３μｍであるのが好ましい。炭素の層５０は、熱分解炭素として蒸着されるのが好ましい。
【００２１】
被覆膜の各々の層２０、３０、４０、５０は、それぞれ異なる目的のために形成される。添加物を含有しないＢＮの層２０は、ＣＭＣに優れた繊維マトリクスデボンディング特性を与えるが、耐酸化／揮発性に関しては劣る。ケイ素添加ＢＮの層３０は、ＢＮとＳｉ３Ｎ４との混合物であると考えることができる。この層は、ＢＮより高い耐酸化／揮発性を与える一方で、相当に高いデボンディング特性を維持し、最後の緻密化プロセス中に、下方に位置する繊維及び被覆膜を溶融ケイ素から保護する。Ｓｉ３Ｎ４の層４０は、ケイ素添加ＢＮの層３０より更に優れた耐酸化／揮発性を与えるが、デボンディング特性には欠ける。しかし、ＢＮ層２０は、被覆膜の基礎を成す層であるので、ＳｉＣ繊維トウ１０は、応力を受けたとき、依然として、マトリクスから適切にデボンドすることが可能である。最上部の炭素層５０は、ケイ素によって湿潤可能であるため、少なくともケイ素によって溶浸されたとき、炭素層は反応して、ＳｉＣを形成する。そのＳｉＣは、被覆された繊維トウと、マトリクス材料との間に十分な接合を形成する。従って、本発明の被覆膜は、被覆膜が、総体的に、ケイ素湿潤可能であり、優れたデボンディング特性を有し、且つ高い耐酸化／揮発性を有するように、被覆膜に対して所望の特性をそれぞれ異なる形で組み合わせた特性を与える異なる４つの層２０、３０、４０、５０を有する。スラリ鋳造ＭＩの場合のように、物品全体に繊維被覆膜を蒸着するのではなく、繊維トウ１０に繊維被覆膜を蒸着することにより、更に高い繊維被覆膜蒸着温度を使用でき、その結果、被覆膜の結晶度が向上し、被覆膜の密度が高くなるため、熱安定性に優れた被覆膜を得ることができる。
【００２２】
ここで使用される用語「炭素」は、黒鉛、粒子、フレーク、ヒゲ状結晶、あるいは非晶質炭素の繊維、単結晶炭素の繊維又は多結晶炭素の繊維、炭化植物繊維、ランプブラック、微細に粉砕された石炭、木炭、並びにレーヨン、ポリアクリロニトリル、及びポリアセチレンなどの炭化ポリマー繊維又はフェルトを含めて、あらゆる形態の炭素元素を含む。
【００２３】
被覆膜の各々の層２０、３０、４０、５０は、低温バッチプロセスではなく、徐々に温度を高めてゆく連続プロセス又は反連続プロセスを使用して蒸着される。被覆膜の各層は、約２，５５０°Ｆ（１，４００℃）〜約２，７３０°Ｆ（１，５００℃）の範囲の温度で蒸着されるのが好ましい。被覆膜の層２０、３０、４０、５０ごとに、繊維トウ１０は、ＣＶＤ反応器を通され、各々のＳｉＣ繊維トウ１０がＣＶＤ反応器を通過するにつれて、被覆膜の各層２０、３０、４０、５０は、各ＳｉＣ繊維トウ１０に別個に連続して蒸着される。各被覆膜層２０、３０、４０、５０の滞留時間は、あらかじめ選択された厚さの被覆膜を形成するのに十分な長さである。好ましい実施形態の場合、この時間は、約４０秒〜約６０秒の範囲であるが、あらかじめ選択される厚さが増減されるのに応じて、これより延長又は短縮される。好ましい実施形態においては、約１２５ｍの繊維トウ１０を、約２．５時間で被覆できる。１つの層２０、３０、４０が蒸着された直後に、別の層３０、４０、５０が蒸着されるように、被覆プロセスは、完全に連続していてもよい。その場合、繊維トウ１０は、ＣＶＤ反応器の第１の部分からＣＶＤ反応器の第２の部分へ移動するが、半連続動作の場合には、繊維トウ１０は、ＣＶＤ反応器の同じ部分を通って戻されることになる。あるいは、層２０、３０、４０ごとに、繊維トウ１０がリールから引き出され、ＣＶＤ反応器に通され、その後、別のリールに巻き取られ、次の被覆膜層３０、４０、５０の蒸着のために同一のＣＶＤ反応器又は異なるＣＶＤ反応器を通って戻されるように、被覆プロセスは、段階的に連続していてもよい。個々の繊維トウ１０は、従来の技術のスラリ鋳造ＭＩ方法の場合のように、布を組み立てた後に被覆されるのではなく、繊維トウ１０をＣＶＤ反応器に通すことにより、本発明の４つの被覆膜層２０、３０、４０、５０によって被覆されるので、各繊維トウ１０の被覆膜は、従来と比べて、より均一になる。また、トウ内部に形成されていた「缶入り」多孔構造（トウ内多孔構造）や、特に部品の厚さが０．２０を超える場合に起こっていたパイル内部及びパイル間の不均一性などの、物品全体に施される被覆膜に固有の問題は、回避される。
【００２４】
方法の次の工程１３０は、被覆された繊維トウを、複数のセラミック布のプライとして組み立てることである。そのような組み立ては、織布、編組及び／又は巻き付けを含めて、当該技術において知られている何らかの方法を使用して実行されればよい。尚、組み立ての方法は、ここで挙げた技術に限定されない。セラミック布の各プライは、後にプライを組み立てて製造される物品の層と同一の大きさ及び同一の形状を有していなければならない。そのような形状及び大きさの設定は、大きなセラミック布プライ片を織り、その後、プライを所望の大きさと形状に切り取るなどの、当該技術において知られている何らかの方法により実行されてもよい。被覆された繊維トウは、プリプレグＭＩ方法の一方向プライに限定されるのではなく、１枚の布に織り上げるのに十分な柔軟性を有する。
【００２５】
本発明の次の工程１４０は、セラミック布のプライを物品型に積み上げることである。セラミック布を物品型に積層する前に、トウは既に被覆されているため、本発明の方法によって、約０．２インチより著しく厚い均一なＣＭＣ物品を製造できるであろう。好ましい一実施形態においては、本発明の方法によって、約１インチまでの厚さの物品を製造できる。本発明の方法により、約１インチを超える厚さを有する物品を製造してもよいが、物品の厚さが約１インチを超えるにつれて、緻密化は、より困難になる。
【００２６】
本発明の次の工程１５０は、セラミック微粒子、セラミック前駆物質樹脂及びその組み合わせより成る群から選択された材料を使用して、物品型を緻密化することである。セラミック微粒子及びセラミック前駆物質樹脂は、共に、当該技術において知られている。スラリ鋳造、樹脂トランスファー成形及び／又は真空含浸などの何らかの実用的なマトリクス緻密化方法が、必要に応じて使用されればよい。そのようなマトリクス緻密化方法は、当該技術において知られている。
【００２７】
本発明の方法の最終工程１６０は、物品の緻密化を完了するために、少なくともケイ素によって物品型を溶浸し、炭化ケイ素ＣＭＣ物品を形成することである。炭化ケイ素の炭素のほぼ全ては、工程１５０のセラミック微粒子及び／又はセラミック前駆物質樹脂から供給される。物品型は、ホウ素添加ケイ素によって溶浸されるのが好ましい。物品型は、５重量％のホウ素添加ケイ素によって溶浸されるのが更に好ましい。
【００２８】
本発明は、また、３‐Ｄ構造を有するＳｉＣ繊維強化ＣＭＣ物品を製造する方法でもあり、方法は、一連の工程を含む。本発明の第１の工程２１０は、複数の炭化ケイ素繊維トウを提供することである。そのような炭化ケイ素繊維トウは、当該技術では知られており、本明細書においても先に説明された。
【００２９】
方法の第２の工程２２０は、連続して化学気相成長（ＣＶＤ）を使用して、繊維トウ１０上に被覆膜を蒸着することである。繊維トウ１０の被覆膜は、４つの層２０、３０、４０、５０から成る。各々の層２０、３０、４０、５０は、少なくとも繊維状材料の大部分を露出しないように形成され、各繊維トウ１０の全体が被覆されるのが好ましい。被覆膜は、全体として、少なくとも繊維状材料の大部分を露出させてはならず、各繊維トウ１０の全体が被覆されるのが好ましい。被覆膜の各層２０、３０、４０、５０は、著しく多くの孔を含む多孔質であってはならず、孔が全く存在せず且つ均一であるのが好ましい。複数の被覆膜層２０、３０、４０、５０から成る被覆膜全体も、著しく多くの孔を含む多孔質であってはならず、孔が全く存在せず且つ均一であるのが好ましい。被覆膜は、ＢＮの層２０と、ＢＮの層２０の上に位置するケイ素添加ＢＮの層３０と、ケイ素添加ＢＮの層３０の上に位置するＳｉ３Ｎ４の層４０と、Ｓｉ３Ｎ４の層４０の上に位置する炭素の層５０とを含む。ＢＮの層０２０の厚さは、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍである。ＢＮの層２０は、繊維トウ１０を被覆するのに十分な、あらかじめ選択された厚さを有する。下方にある繊維トウ１０のデボンディング特性を向上するために、繊維トウ１０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、約０．４μｍ〜約０．６μｍの厚さであるのが好ましい。ケイ素添加ＢＮ被覆膜は、本発明の譲受人に譲渡され、本明細書に参考として内容全体が取り入れられている米国特許第５，９５２，１００号に詳細に記載される。本発明においては、ケイ素添加ＢＮ層３０におけるケイ素の重量％の範囲は、約５重量％ケイ素〜約４０重量％ケイ素である。好ましい一実施形態では、ケイ素添加ＢＮ層３０におけるケイ素の重量％の範囲は、約５重量％ケイ素〜約２５重量％ケイ素である。ケイ素添加ＢＮの層３０は、ＢＮの層２０を被覆するのに十分な、あらかじめ選択された厚さを有する。下方にあるＢＮの層２０に耐酸化性及び耐揮発性を与えるために、ＢＮの層２０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、厚さは、約０．２５μｍ〜約０．７５μｍであるのが好ましい。Ｓｉ３Ｎ４の層４０は、ケイ素添加ＢＮの層３０を被覆するのに十分な、あらかじめ選択された厚さを有する。下方にあるケイ素添加ＢＮの層３０及びＢＮの層２０に耐酸化性及び耐揮発性を与えるために、ケイ素添加ＢＮの層３０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、厚さは、約０．７５μｍ〜約１．２５μｍであるのが好ましい。炭素の層５０は、Ｓｉ３Ｎ４の層４０を十分に被覆する。少なくとも、被覆された繊維トウを湿潤するケイ素の能力を向上するために、Ｓｉ３Ｎ４の層４０を被覆するのに十分であるどのような厚さが採用されてもよいが、厚さは、約０．０５μｍ〜約３μｍであるのが好ましい。炭素の層５０は、熱分解炭素として蒸着されるのが好ましい。
【００３０】
被覆膜の各々の層２０、３０、４０、５０は、それぞれ異なる目的のために形成される。添加物を含有しないＢＮの層２０は、ＣＭＣに優れた繊維マトリクスデボンディング特性を与えるが、耐酸化／揮発性に関しては劣る。ケイ素添加ＢＮの層３０は、ＢＮとＳｉ３Ｎ４との混合物であると考えることができる。この層は、ＢＮより高い耐酸化／揮発性を与える一方で、相当に高いデボンディング特性を維持し、最後の緻密化プロセス中に、下方に位置する繊維及び被覆膜を溶融ケイ素から保護する。Ｓｉ３Ｎ４の層４０は、ケイ素添加ＢＮの層３０より更に優れた耐酸化／揮発性を与えるが、デボンディング特性には欠ける。しかし、ＢＮ層２０は、被覆膜の基礎を成す層であるので、ＳｉＣ繊維トウ１０は、応力を受けたとき、依然として、マトリクスから適切にデボンドすることが可能である。被覆膜の各層は、約１，４００℃（２，５５０°Ｆ）〜約１，５００℃（２，７３０°Ｆ）の範囲の温度で蒸着される。被覆膜の層ごとに、繊維トウは、ＣＶＤ反応器を通され、各々のＳｉＣ繊維トウがＣＶＤ反応器を通過するにつれて、被覆膜の各層は、各ＳｉＣ繊維トウに別個に連続して蒸着される。各被覆膜層の滞留時間は、約４０秒〜約６０秒の範囲である。好ましい一実施形態においては、約１２５ｍの繊維トウを、約２．５時間で被覆できる。１つの層が蒸着された直後に、別の層が蒸着されるように、被覆プロセスは、完全に連続していてもよい。その場合、繊維トウは、ＣＶＤ反応器の第１の部分からＣＶＤ反応器の第２の部分へ移動するが、半連続動作の場合には、繊維トウは、ＣＶＤ反応器の同じ部分を通って戻されることになる。あるいは、層ごとに、繊維トウがリールから引き出され、ＣＶＤ反応器に通され、その後、別のリールに巻き取られ、次の被覆膜層の蒸着のために同一のＣＶＤ反応器又は異なるＣＶＤ反応器を通って戻されるように、被覆プロセスは、段階的に連続していてもよい。個々の繊維トウは、従来の技術のスラリ鋳造ＭＩ方法の場合のように、布を組み立てた後に被覆されるのではなく、繊維トウをＣＶＤ反応器に通すことにより、本発明の４層被覆膜によって被覆されるので、各繊維トウの被覆膜は、従来と比べて、より均一になる。また、トウ内部に形成されていた「缶入り」多孔構造（トウ内多孔構造）や、特に部品の厚さが０．２０を超える場合に起こっていたプライ内部及びプライ間の不均一性などの、物品全体に施される被覆膜に固有の問題は、回避される。
【００３１】
本発明の次の工程は、被覆された繊維トウの表面に繊維サイジングを塗布することである。繊維サイジングは、当該技術においてよく知られている。本発明に適用される繊維サイジングは、溶液系ポリマーであるのが好ましい。繊維サイジング溶液に繊維トウをくぐらせることにより、溶液系ポリマーは、被覆されたトウの表面に塗布される。好ましい一実施形態においては、繊維サイジングは、ＰＶＡ溶液、ＰＥＯ溶液及びその組み合わせより成る群から選択される。３‐Ｄ物品型は、常に、機械加工作業を使用して製造されるので、この工程に続く組み立て工程２４０中に、被覆された繊維トウを保護するために、そのような繊維サイジングは必要である。繊維サイジングが塗布されないと、組み立て工程２４０中に、被覆膜層２０、３０、４０、５０が損傷される恐れがある。
【００３２】
方法の次の工程２４０は、被覆された繊維トウを、物品型の複数のセラミック布のプライとして組み立てることである。そのような組み立ては、織布、編組及び／又は巻き付けを含めて、当該技術において知られている何らかの方法を使用して実行されればよい。尚、組み立ての方法は、ここで挙げた方法に限定されない。通常、３‐Ｄプロセスは、３‐Ｄ繊維構造を形成しつつ、被覆された繊維トウを成形マンドレルに織り上げるなどの方法を使用して、ネットに近い単一の構造を製造する。本発明の方法によって、約０．２インチより著しく厚く均一なＣＭＣ物品を製造できる。好ましい一実施形態においては、本発明の方法によって、約１インチまでの厚さの物品を製造してもよい。本発明の方法によって、約１インチを超える厚さを有する物品を製造してもよい。
【００３３】
本発明の次の工程２５０は、セラミック微粒子、セラミック前駆物質樹脂及びその組み合わせより成る群から選択された材料を使用して、物品型を緻密化することである。セラミック微粒子及びセラミック前駆物質樹脂は、当該技術においてよく知られている。スラリ鋳造、樹脂トランスファー成形及び／又は真空含浸などの、何らかの実用的なマトリクス緻密化方法が必要に応じて使用されればよい。そのようなマトリクス緻密化方法は、当該技術においてよく知られている。
【００３４】
本発明の方法の最終工程２６０は、物品の緻密化を完了するために、少なくともケイ素によって物品型を溶浸し、炭化ケイ素ＣＭＣ物品を形成することである。炭化ケイ素の炭素のほぼ全ては、工程２５０のセラミック微粒子及び／又はセラミック前駆物質樹脂から供給される。物品型は、ホウ素添加ケイ素によって溶浸されるのが好ましい。物品型は、５重量％のホウ素添加ケイ素によって溶浸されるのが更に好ましい。
【００３５】
好ましい一実施例を参照して、本発明を説明したが、本発明の範囲から逸脱せずに、様々な変更を実施でき、実施形態の要素が等価の要素と置き換えられてもよいことは、当業者には理解されるであろう。更に、本発明の本質的な範囲から逸脱せずに、特定の状況又は材料を本発明の教示に適合させるために、数多くの変形を実施できるであろう。なお、特許請求の範囲に記載された符号は、理解容易のためであってなんら発明の技術的範囲を実施例に限縮するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明のＳｉＣ繊維強化ＣＭＣ物品を製造する方法を示したフローチャートである。
【図２】本発明のＳｉＣ繊維強化ＣＭＣ物品を製造する別の方法を示したフローチャートである。
【図３】本発明の被覆ＳｉＣ繊維トウを示した横断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０…炭化ケイ素（ＳｉＣ）繊維トウ、２０…ＢＮ（窒化ホウ素）の層、３０…ケイ素添加ＢＮの層、４０…Ｓｉ３Ｎ４の層、５０…炭素の層
【図２】
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【図１】
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【図３】
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