(57)【要約】【課題】光機能性を有し、最先端技術に付随する問題点の１以上を克服又は顕著に改善する、デバイスを形成するための改良された方法を提供する。【解決手段】光機能性を有するデバイスの形成方法が提供される。この方法には、基体上にクラッド層及びコアを提供することによって、基体上に光導波路を形成することが含まれる。このクラッド層には、式（ＲＳｉＯ１．５）（式中、Ｒは、置換された又は置換されていない有機基である）の単位を有するポリマーと、光活性成分とを含有している。クラッド層の一部はフォトリソグラフィー的にパターン形成される。光機能性を有するプリント配線板の形成方法も提供される。本発明は、光電子デバイスを形成するための電子工業における特別の応用性を有する。【選択図】図１
2006053556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光機能性を有するデバイスの形成方法であって、
基体上にクラッド層及びコアを提供することを含む、基体上に光導波路を形成する工程、ここで、このクラッド層は、式（ＲＳｉＯ１．５）（式中、Ｒは、置換された又は置換されていない有機基である）の単位を含有するポリマーと、光活性成分とを含有する、並びに、
クラッド層の一部をフォトリソグラフィー的にパターン形成する工程、
を含む方法。
【請求項２】
光導波路を形成する工程が、第一クラッド層を基体の上に形成する工程、コアを第一クラッド層の上に形成する工程、ならびに第二クラッド層を第一クラッド層及びコアの上に形成する工程を含み、
ここで、第一クラッド層及び／又は第二クラッド層がポリマーを含み、さらに
フォトリソグラフィー的パターン形成工程が、第一クラッド層及び／又は第二クラッド層の一部をフォトリソグラフィー的にパターン形成することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ポリマーが、更に、式（Ｒ１ＳｉＯ１．５）（式中、Ｒ１は、置換された又は置換されていない有機基であり、そしてＲとは異なる）の単位を含有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
ポリマーが、更に、式（（Ｒ２）２ＳｉＯ）（式中、Ｒ２は、置換された又は置換されていない有機基である）の単位を含有する、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
フォトリソグラフィー的パターン形成工程が、第一コア層及び／又は第二クラッド層の、化学線への露光及び水性現像液による現像を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
基体がプリント配線板基体である、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
フォトリソグラフィー的パターン形成工程が、第一クラッド層及び／又は第二クラッド層内に開口を形成することを含み、この開口が、光バイア又はコネクター化のための構造を形成する、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
フォトリソグラフィー的パターン形成工程が、導波路に隣接する第一クラッド層及び第二クラッド層内に開口を形成して、下にある表面を露出させることを含み、この方法は、更に、光又は光電子デバイスをこの表面に結合することを含み、光又は光電子デバイスが導波路と光連絡状態にある、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
フォトリソグラフィー的パターン形成工程が、第一クラッド層及び／又は第二クラッド層内に位置決めパターンを形成し、この方法が更に、位置決めパターンを位置決め目的のために使用することを含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
光機能性を有するプリント配線板の形成方法であって、
第一クラッド層をプリント配線板基体の上に形成する工程、
コアを第一クラッド層の上に形成する工程、
第二クラッド層を第一クラッド層及びコアの上に形成する工程、
ここで、第一クラッド層及び／又は第二クラッド層は、式（ＲＳｉＯ１．５）及び（Ｒ１ＳｉＯ１．５）の単位（式中、Ｒ及びＲ１は異なっており、かつ置換されたおよび置換されていない有機基から選択される）を含有するポリマーと、光活性成分とを含有している、さらに
第一クラッド層及び／又は第二クラッド層の一部をフォトリソグラフィー的にパターン形成する工程、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、オプトエレクトロニクスの分野に関する。特に、本発明は、光機能性を有するデバイスの形成方法に関する。更に、本発明は、光機能性を有するプリント配線板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光のパルス系列を使用する信号送信は、高速交信においてますます重要になってきている。例えば、光集積回路（ＯＩＣ）は、高帯域幅光インターコネクトのために重要性を増しつつある。その結果、光コンポーネント、例えば、導波路、フィルター、光インターコネクト、レンズ、回折格子などの集積が、ますます重要になってきている。
【０００３】
プレーナ型光導波路は、コアとコアの周りのクラッドとを含んでおり、クラッドに比較したコアのより高い屈折率に起因する、コア内での光放射伝搬性を有する。埋め込み型又はプレーナ型光導波路は、ボトムクラッド層を基体上に塗布し、コア層をボトムクラッド層の上に塗布し、コア層を１以上のコア構造物にパターン形成し、そしてトップクラッド層をボトムクラッド層及びコア構造物の上に形成することによって、基体上、例えば、バックプレーン又は半導体ウェーハをはじめとするプリント配線板の上に、形成され得る。この導波路コア層は、例えば、標準的フォトリソグラフィー及びパターン形成されたフォトレジストによるエッチングプロセスを使用して又はフォトマスクを通して露光しそして光画像形成性のコア層を現像することによってパターン形成される。
【０００４】
導波路形成におけるフォトリソグラフィー技術の使用は、一般的に、導波路コア構造物の形成に集中されてきた。しかしながら、フォトリソグラフィー技術によって導波路クラッド内に精密な構造物を含有させる能力も望まれている。これは、クラッド内で構造物の形成を可能にすることによって、例えば、導波路コネクター化（例えば、光ファイバーのために）、位置決め精度、光電子デバイス配置及び平面外光旋回（例えば、光バイア形成）の目的に対する、増加した生産可能性の選択肢を提供する。
【０００５】
米国特許第６，５５５，２８８号には、放射線硬化性エチレン性不飽和基、例えば、アクリレート基又はメタクリレート基でエンドキャップされたフルオロ炭化水素モノマー、オリゴマー、またはポリマー成分から製造されたプレーナ型導波路が開示されている。一つの態様において、米国特許第６，５５５，２８８号には、上側クラッド層が、フォトマスクを通した化学線への露光及び現像によってパターン形成される、プレーナ型導波路の形成が記載されている。上側クラッドがコアの上面及び側面を覆い、下側クラッド及び基体の平面上に伸びているリッジ状構造物が形成される。
【０００６】
種々の欠点が、光コンポーネントを形成する際のアクリレートの使用に付随する。例えば、アクリレートは、光ファイバー及びピグテイル構造物のために現在選択されている材料であるガラスに比べ構造的に及び光学的に異なる不利な点を抱えている。更に、アクリレートは、比較的多量の水分を吸収することが知られており、これは信頼性上の問題を生じさせ得る。更に、アクリレートは、高温度適用において使用するためには一般的に好適ではない。２００℃に近い温度で、ほとんどのアクリレート材料は分解又は解重合し始める。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，５５５，２８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、光機能性を有し、最先端技術に付随する前記の問題点の１以上を克服又は顕著に改善する、デバイスを形成するための改良された方法に対する要求が、当該技術分野において存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様は、光機能性を有するデバイスの形成方法を提供する。この方法には、基体上にクラッド層及びコアを設けることによって、基体上に光導波路を形成する工程が含まれる。このクラッド層は、式（ＲＳｉＯ１．５）（式中、Ｒは、置換された又は置換されていない有機基である）の単位を有するポリマーと、光活性成分とを含有する。クラッド層の一部はフォトリソグラフィー的にパターン形成される。
【００１０】
本発明の第２の態様において、光機能性を有するプリント配線板の形成方法が提供される。この方法は、第一クラッド層をプリント配線板基体の上に形成する工程、コアを第一クラッド層の上に形成する工程、及び第二クラッド層を第一クラッド層及びコアの上に形成する工程を含む。第一クラッド層及び／又は第二クラッド層は、式（ＲＳｉＯ１．５）の単位及び式（Ｒ１ＳｉＯ１．５）の単位（式中、Ｒ及びＲ１は異なっており、かつ置換された又は置換されていない有機基から選択される）を有するポリマーと、光活性成分とを含有する。第一クラッド層の一部及び／又は第２クラッド層はフォトリソグラフィー的にパターン形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明を、添付する図面を参照して説明する。図面において、類似の参照数字は、類似の特徴を表す。
【００１２】
本発明は、光機能性を有するデバイスの形成方法を提供する。このデバイスは、クラッド及びコア構造物を含む光導波路を含んでいる。クラッドは、１以上の光画像形成性層から形成されており、その内部のパターンはフォトリソグラフィー的に作られる。クラッドは、式（ＲＳｉＯ１．５）（式中、Ｒは、置換された又は置換されていない有機基である）の単位を有するハイブリッド有機−無機ポリマーと、光活性成分とを含有する。
【００１３】
特に他に明記しない限り、組成物の成分についての量は、如何なる溶媒も存在しない組成物を基準として、重量パーセンテージで示される。本明細書で使用する場合、用語「ポリマー」は、オリゴマー、ダイマー、トリマー、テトラマーなどを含み、並びにホモポリマー及びより高次のポリマー、即ち、２種以上の異なったモノマー単位から形成されたポリマー、及びヘテロポリマーが包含される。用語「アルキル」は、置換されているか又は置換されておらず、及び鎖内又は鎖上にヘテロ原子を含有していてよい、直鎖、分枝鎖及び環状アルキル基を指す。用語「芳香族」は、置換されているか又は置換されておらず、及び複素環を含有していてよい、芳香族基を指す。用語「ハロゲン」及び「ハロ」は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素を包含する。従って、用語「ハロゲン化」は、フッ化、塩化、臭化及びヨウ化を指す。用語「上に」及び「上方に」は、空間関係を定義する際に互換的に使用され、間に入っている層又は構造物の存在又は不存在を包含する。
【００１４】
本発明を、本発明の代表的な態様に従って、その形成の種々の段階における、光機能性を有するデバイスの断面図を示した図１を参照して説明する。図１Ａに示すように、基体１０２が提供される。典型的な基体は、電子デバイス、例えば、プリント配線板、集積回路及び液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造において使用されるものを包含する。代表的なかかる基体は、エポキシラミネート、ポリイミドフィルム、半導体ウェーハ、例えばケイ素、ヒ化ガリウム及びリン化インジウムウェーハ並びにガラス基体を包含する。基体は、典型的に、その上に１以上の層／構造物、例えば、誘電体材料、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素及びシリコンオキシニトリド、サファイア、エポキシラミネート、ポリイミド、ポリシロキサン並びに金属材料、例えば銅、アルミニウムなどを含む。
【００１５】
ボトムクラッド層１０４が、基体１０２の上に提供される。ボトムクラッド層は、式（ＲＳｉＯ１．５）（式中、Ｒは、置換された又は置換されていない有機基である）の単位を有するポリマーを含有する組成物から形成される。ポリマーは、複数個の官能性末端基を有してよい。組成物は、更に、光活性化の際に、組成物の溶解度を変えるための成分を含有する。
【００１６】
本発明において有用なポリマーとしては、例えば、シルセスキオキサン、かご形シロキサン及びこれらの組み合わせが挙げられる。ポリマーは、組成物中に、１〜９９．５重量％、例えば、６０〜９８．５重量％の量で存在することができる。Ｒの代表的な有機基としては、置換された又は置換されていない、アルキル、アリール及び複素環式基が挙げられる。アルキル基は、例えば、１〜２０個の炭素原子を有する、典型的に１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖、分枝鎖又は環式であってよく、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｔ−アミル、オクチル、デシル、ドデシル、セチル、ステアリル、シクロヘキシル及び２−エチルヘキシルが挙げられる。このアルキル基は、例えば、アルキル鎖内で及び／又はアルキル鎖上でヘテロ原子によって置換されていてもよく、又は非芳香族環式基、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチル、ピペリジニル、テトラヒドロフラニル及びテトラヒドロチオフェニル基であってもよい。代表的なアリール基としては、６〜２０個の炭素原子、例えば、６〜１５個の炭素原子を有するもの、例えば、フェニル、トリル、ベンジル、１−ナフチル、２−ナフチル及び２−フェナントリルが挙げられ、及びヘテロ原子、例えばヒドロキシ及び／又はアミノで置換されていてもよい。複素環式基は、芳香族、例えば、チオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピロール、ホスホール、アルソール及びフランであってもよい。
【００１７】
Ｒについての典型は、置換された又は置換されていない、メチル、エチル、プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ベンジル、フェニル、アダマンチル基及びこれらの組み合わせである。
【００１８】
ポリマーは、ランダム型又はブロック型のいずれかの、コポリマー又はより高次のポリマーの形態をとることができる。ポリマーは、例えば、ポリマー基準で、１〜８５重量％、例えば１５〜８０重量％又は２５〜６０重量％又は２５〜５０重量％の範囲内の、それぞれの単位についての割合で、１以上の追加のケイ素含有単位を含有することができる。この追加の単位は、例えば、シルセスキオキサン、かご形シロキサン、シロキサン及びこれらの組み合わせとして表すことができる。例えば、ポリマーは、更に、式（Ｒ１ＳｉＯ１．５）（式中、Ｒ１は、Ｒに関して前記した通りの置換された又は置換されていない有機基である）の単位を含有し得る。Ｒ及びＲ１の一方は、例えば、置換された又は置換されていないアルキル基から選択されることができ、及びＲ及びＲ１の他方は、置換された又は置換されていないアリール基から選択されることができる。ポリマーは、例えば、アルキルシリコンポリマー、例えばメチルシルセスキオキサン単位及びブチルシルセスキオキサン単位を含有するコポリマー、アリールシリコンポリマー、例えばフェニルシルセスキオキサン単位及びトリフルオロメチルフェニルシルセスキオキサン単位を含有するコポリマー又はアラルキルシリコンコポリマー、例えばメチル及びフェニルシルセスキオキサン単位を含有するコポリマーであってもよい。
【００１９】
好適なシロキサンは、例えば、式（（Ｒ２）２ＳｉＯ）（式中、Ｒ２は、置換された又は置換されていない有機基、例えば、アルキル基、例えばメチル、エチル、プロピルなど又はアリール基、例えばフェニル、トリルなどである）の単位を含有する。
【００２０】
前記のように、ポリマーの側鎖基は、任意に置換されていてよい。「置換された」は、１以上の側鎖基上の１以上の水素原子が、他の置換基、例えば、重水素、ハロゲン、例えばフッ素、臭素及び塩素、（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６）ハロアルキル、（Ｃ１〜Ｃ１０）アルコキシ、（Ｃ１〜Ｃ１０）アルキルカルボニル、（Ｃ１〜Ｃ１０）アルコキシカルボニル、（Ｃ１〜Ｃ１０）アルキルカルボニルオキシ、アルキルアミン、アルキル硫黄含有物質などによって置き換わっていることを意味する。ポリマーには、広範囲の繰り返し単位が、ランダム又はブロックのいずれかで含有されていてよい。本発明において有用なポリマー単位は、例えば、５〜１５０の繰り返し単位、典型的に約１０〜３５の繰り返し単位を有することができ、及び本発明において有用なシロキサン単位は、例えば、５〜１５０の繰り返し単位、典型的に約７〜２５の繰り返し単位を有することができる。従って、ポリマーは、分子量が広範囲に変化することができる。典型的に、ポリマーは、約５００〜１５，０００、更に典型的に約１０００〜１０，０００、なお更に典型的に約１０００〜５０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を有する。
【００２１】
ポリマーは、光活性化後に組成物における溶解度変化を可能にする、２以上の官能性末端基を含有し得る。かかる末端基は、例えば、ヒドロキシ、アルコキシ、例えばエトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、カルボキシエステル、アミノ、アミド、エポキシ、イミノ、カルボン酸、無水物、オレフィン、アクリル、アセタール、オルトエステル、ビニルエーテル及びこれらの組み合わせであってよい。官能性末端含有量は、例えば、ポリマー基準で、約０．５〜３５重量％、例えば約１〜１０重量％又は約２〜５重量％であってよい。
【００２２】
組成物は、更に、光活性成分を含有する。光活性成分は、現像液中において乾燥状態で組成物の溶解度を変える。光活性成分は、活性化の際に、典型的に酸又は塩基を発生する。広範囲の種々の光活性成分を本発明において使用することができ、これらに限定されないが、光酸発生剤及び光塩基発生剤が挙げられる。
【００２３】
本発明において有用な光酸発生剤は、光への曝露の際に酸を発生する任意の化合物又は化合物群であってよい。好適な光酸発生剤は公知であり、これらに限定されないが、ハロゲン化トリアジン、オニウム塩、スルホン化エステル、置換されたヒドロキシイミド、置換されたヒドロキシルイミン、アジド、ナフトキノン、例えばジアゾナフトキノン、ジアゾ化合物及びこれらの組み合わせが含まれる。
【００２４】
特に有用なハロゲン化トリアジンとしては、例えば、ハロゲン化アルキルトリアジン、例えばトリハロメチル−ｓ−トリアジンが挙げられる。このｓ−トリアジン化合物は、ある種のメチル−トリハロメチル−ｓ−トリアジンとある種のアルデヒド又はアルデヒド誘導体との縮合反応生成物である。かかるｓ−トリアジン化合物は、米国特許第３，９５４，４７５号及びＷａｋａｂａｙａｓｈｉら、Ｂｕｌｌｅｔｉｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｊａｐａｎ、第４２巻、第２９２４−３０頁（１９６９年）
に開示された手順に従って調製することができる。本発明において有用な他のトリアジン型光酸発生剤は、例えば、米国特許第５，３６６，８４６号に開示されている。
【００２５】
弱い求核性アニオンを有するオニウム塩は、本発明において光酸発生剤として使用するために特に適している。かかるアニオンの例は、二価〜七価の金属又は非金属のハロゲン錯体アニオン、例えば、アンチモン、スズ、鉄、ビスマス、アルミニウム、ガリウム、インジウム、チタン、ジルコニウム、スカンジウム、クロム、ハフニウム、銅、ホウ素、リン及びヒ素のハロゲン錯体アニオンである。好適なオニウム塩の例としては、これらに限定されないが、ジアゾニウム塩、例えばジアリール−ジアゾニウム塩並びに周期表の第ＶＡ族、第ＶＢ族、第ＩＩＡ族、第ＩＩＢ族及び第Ｉ族のオニウム塩、例えば、ハロニウム塩、例えばヨードニウム塩、第四級アンモニウム、ホスホニウム及びアルソニウム塩、スルホニウム塩、例えば芳香族スルホニウム塩、スルホキソニウム塩又はセレニウム塩が挙げられる。好適なオニウム塩の例は、例えば、米国特許第４，４４２，１９７号、４，６０３，１０１号、４，６２４，９１２号に開示されている。トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート及びこれらの混合物をはじめとするスルホニウム塩が典型である。
【００２６】
本発明において光酸発生剤として有用であるスルホン化エステルとしては、例えば、スルホニルオキシケトンが挙げられる。好適なスルホン化エステルには、これらに限定されないが、ベンゾイントシレート、ｔ−ブチルフェニルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセテート、２，６−ジニトロベンジルトシレート及びｔ−ブチルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）アセテートが含まれる。かかるスルホン化エステルは、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第４巻、第３，３３７−３４０号（１９９１年）に開示されている。
【００２７】
使用することができる置換されたヒドロキシイミドとしては、例えば、ｎ−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−２，３−ジフェニルマレイミド及び２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ−２，３−ジフェニルマレイミドが挙げられる。好適な置換されたヒドロキシルイミンとしては、例えば、２−（ニトリロ−２−メチルベンジリデン）−（５−ヒドロキシイミノブチルスルホニル）チオフェンが挙げられる。本発明において有用であるアジドとしては、例えば、２，６−（４−アジドベンジリデン）シクロヘキサノンが挙げられる。ナフトキノンには、例えば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンの２，１−ジアゾナフトキノン−４−スルホン酸エステルが含まれ得る。ジアゾ化合物の中では、１，７−ビス（４−クロロスルホニルフェニル）−４−ジアゾ−３，５−ヘプタンジオンが使用され得る。
【００２８】
本発明において有用な光塩基発生剤は、光への曝露の際に塩基を遊離する、任意の化合物又は化合物群であってよい。好適な光塩基発生剤には、これらに限定されないが、ベンジルカルバメート、ベンゾインカルバメート、Ｏ−カルバモイルヒドロキシアミン、Ｏ−カルバモイルオキシム、芳香族スルホンアミド、α−ラクタム、Ｎ−（２−アリルエテニル）アミド、アリールアジド化合物、Ｎ−アリールホルムアミド、４−（オルト−ニトロフェニル）ジヒドロピリジン及びこれらの組み合わせが含まれる。
【００２９】
本発明において有用な、溶解度を変えるための光活性成分の量は、ネガ型材料の場合においては、化学線に露光した際に組成物の溶解度を変え、かつ露光した部分を現像液中に不溶性とするために十分な任意の量である。光活性成分は、典型的に、組成物中に、０．１〜２５重量％、例えば、０．１〜１２重量％の量で存在する。
【００３０】
組成物から形成された構造物の可撓性を改良するための１以上の成分が、組成物中に存在することができる。これらの可撓性改良材料は、典型的に、ヒドロキシ、アミノ、チオール、スルホン酸エステル、カルボン酸エステル、シリルエステル、無水物、アジリジン、メチロールメチル、シリルエーテル、エポキシド、オキセタン、ビニルエーテル、シラノール及びこれらの組み合わせから選択された、複数の官能基を含有している。可撓性改良材料において、官能基は典型的に主鎖材料に結合されている。代表的な主鎖材料としては、置換された及び置換されていないアルキル及びアリール炭化水素、エーテル、アクリレート、ノボラック、ポリイミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリスルホン、ポリケトン、フレレン（ｆｕｌｌｅｒｅｎｅｓ）、ＰＯＳＳケイ素、ナノ粒子及びこれらの組み合わせが挙げられる。官能基は、主鎖上の末端基として及び／又は主鎖に沿った１以上の位置で存在し得る。
【００３１】
可撓性付与成分の例は、式Ｒ３（ＯＨ）ｘ（式中、Ｒ３は、置換された又は置換されていない（Ｃ２〜Ｃ２５）アルキル、（Ｃ７〜Ｃ２５）アリール、（Ｃ８〜Ｃ２５）アラルキル、（Ｃ６〜Ｃ２５）シクロアルキル及びこれらの組み合わせから選択された有機基であり、ｘは２以上でありかつ炭素原子の数を越えない）のポリオールである。ｘが２であるときの、可撓性付与成分の例には、ＨＯＣＨ２−ＣＨＯＨ−（ＣＨ２）ｙ−ＣＨ３（式中、ｙは、例えば、０〜２２であり得る）をはじめとする１，２−ジオールであるグリコール、例えばプロピレングリコール及びブチレングリコールが挙げられる。他の例としては、ＨＯ−（ＣＨ２）ｚ−ＯＨをはじめとするα，ω−ジオールが挙げられ、例えば、式中のｚは２〜２５であり、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール及び１，４−ブタンジオールが挙げられる。ｘが３であるときの例としては、グリセリン及びトリメチロールプロパンが挙げられる。
【００３２】
Ｒ３は、また、式−Ｏ−（ＣＲ４２）ｗ−（式中、ｗは、例えば、１〜１３であり、及びＲ４は、同じか又は異なっており、そして例えば、Ｈ又は式Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、アリール、アラルキル若しくはシクロアルキルの置換された若しくは置換されていない有機基であってよい）のポリエーテルであってよい。可撓性付与成分の例としては、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリブチレンオキシド及びポリテトラヒドロフランのポリエーテルジオールが挙げられる。
【００３３】
可撓性改良成分は、例えば６２〜５０００、例えば６２〜２０００の重量平均分子量を有し得る。この成分は、活性化の前及び後に、乾燥状態において、組成物の可撓性を改良するために有効な量で存在する。具体的な量は、例えば、可撓性改良成分の主鎖及びタイプ並びに官能基の数に依存する。この成分は、例えば、組成物中に０．５〜３５重量％、例えば２〜２０重量％の量で存在し得る。
【００３４】
上記の可撓性付与剤に加えて、式（（Ｒ２）２ＳｉＯ）の単位を有するポリマーを参照して前記したシロキサンをはじめとするシロキサンを使用することができる。
【００３５】
他の添加物が、本発明の組成物中に任意に存在してよく、例えばこれらに限定されないが、表面平坦化剤、湿潤剤、消泡剤、接着促進剤、チキソトロープ剤、充填材、粘度調節剤などが挙げられる。かかる添加物は、塗料組成物の技術分野においてよく知られている。表面平坦化剤、例えば、ダウ・ケミカル社（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ）から入手可能なシルウエット（ＳＩＬＷＥＴ）Ｌ−７６０４シリコーン系油をはじめとするシリコーン系油を、組成物中に使用することができる。本発明の組成物中で、２種以上の添加物を組み合わせることができることが理解される。例えば、湿潤剤をチキソトロピー剤と組み合わせることができる。本発明の組成物中に使用するための、かかる任意の添加物の量は、個々の添加物及び所望の効果に依存し、当業者の能力の範囲内である。かかる他の添加物は、典型的に、５重量％未満、例えば２．５重量％未満の量で組成物中に存在する。
【００３６】
本発明の方法において有用な組成物は、任意に、１以上の有機架橋剤を含有することができる。架橋剤としては、例えば、組成物の成分を三次元方式で連結する材料が挙げられる。ケイ素含有ポリマーと反応する、芳香族又は脂肪族架橋剤が、本発明において使用するために好適である。かかる有機架橋剤は、硬化して、ケイ素含有ポリマーと共に重合したネットワークを形成し、現像剤溶液中において溶解度を低下させる。かかる有機架橋剤は、モノマー又はポリマーであってよい。架橋剤の組み合わせを本発明において成功裏に使用できることが、当業者によって理解される。
【００３７】
本発明において有用な好適な有機架橋剤としては、これらに限定されないが、アミン含有化合物、エポキシ含有材料、少なくとも２個のビニルエーテル基を含有する化合物、アリル置換芳香族化合物及びこれらの組み合わせが挙げられる。典型的な架橋剤としては、アミン含有化合物及びエポキシ含有材料が挙げられる。
【００３８】
本発明において架橋剤として有用なアミン含有化合物としては、これらに限定されないが、メラミンモノマー、メラミンポリマー、アルキロールメチルメラミン、ベンゾグアナミン樹脂、ベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂及びこれらの組み合わせが挙げられる。
【００３９】
好適な有機架橋剤濃度は、架橋剤反応性及び組成物の具体的な適用といった要因によって変化することが、当業者によって理解される。使用するとき、架橋剤（群）は、典型的に、組成物中に、０．１〜５０重量％、例えば０．５〜２５重量％又は１〜２０重量％の量で存在する。
【００４０】
組成物は、任意に１以上の溶媒を含有することができる。かかる溶媒は、組成物の処方の際に及び基体の上に組成物を塗布する際に助けになる。広範囲の種々の溶媒を使用することができる。好適な溶媒としては、これらに限定されないが、グリコールエーテル、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エステル、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、二塩基エステル、炭酸エステル、例えば炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン、エステル、例えば乳酸エチル、酢酸ｎ−アミル及び酢酸ｎ−ブチル、アルコール、例えばｎ−プロパノール、イソプロパノール、ケトン、例えばシクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン及び２−ヘプタノン、ラクトン、例えばγ−ブチロラクトン及びγ−カプロラクトン、エーテル、例えばジフェニルエーテル及びアニソール、炭化水素、例えばメシチレン、トルエン及びキシレン並びに複素環式化合物、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ'−ジメチルプロピレンウレア又はこれらの混合物が挙げられる。
【００４１】
この組成物は、混合物中で、ケイ素含有ポリマー、触媒成分及び他の任意の成分を任意の順序で組み合わせることによって調製することができる。
【００４２】
ボトムクラッド層１０４（並びに記載されている他の導波路層）は、これらに限定されないが、スクリーン印刷、カーテンコーティング、ローラコーティング、スロットコーティング、スピンコーティング、フラッドコーティング、静電スプレー、スプレーコーティング又は浸漬コーティングを含む、任意の技術によって形成することができる。スプレーコーティングによってボトムクラッド層を形成する場合、加熱されたスプレーガンを任意に使用することができる。組成物の粘度は、粘度調節剤、チキソトロピー剤、充填材などによって、それぞれの方法の適用に対する必要条件に適合するように調節することができる。
【００４３】
塗布した基体を、次いで、熱を使用し乾燥させて、層から組成物中の溶媒を実質的に除去する。かかる乾燥は、選択した個々の溶媒に依存し、種々の温度で行うことができる。典型的な乾燥は、２０〜３００℃、例えば３０℃〜２００℃の任意の温度で行い得る。かかる乾燥は、例えば、５秒〜６０分間、オーブン内又はホットプレート上において行うことができる。ボトムクラッド層１０４は、典型的に、約１〜１００μｍ、例えば約１０〜５０μｍの、乾燥状態での厚さまで堆積される。
【００４４】
図１Ｂに関して、次に、ボトムクラッド層１０４をフォトリソグラフィー的に処理して、その中に１以上のパターン１０６を形成する。ボトムクラッド層１０４を、典型的に、所望のパターンを含むフォトマスクを介して化学線に露光し、そのパターンをボトムクラッド層に転写させる。典型的なフォトマスクとしては、例えば、ガラス上のクロムパターン、ポリエチレン上の銀パターン又はポリエステル上のジアゾパターンが挙げられる。放射線は、典型的には１０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２であり、例えば５０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。露光波長は、典型的には２９０〜４５０ｎｍであり、例えば３００〜４００ｎｍである。代替的には、マスクレス露光技術を使用することができる。好適な露光方法としては、例えば、接触画像形成、投映画像形成及び多光子吸収によるレーザ直接描画画像形成を含むレーザ直接描画画像形成（ｌａｓｅｒ  ｄｉｒｅｃｔ  ｗｒｉｔｅ  ｉｍａｇｉｎｇ）が挙げられる。
【００４５】
露光した後にボトムクラッド層１０４は現像液にさらされ、それにおいて層の一部が除去される。ネガ型材料の場合には、層の未露光領域が除去される。現像液は、水性若しくは非水性現像液又はこれらの組み合わせであってよく、及び任意に、１以上の添加物、例えば消泡剤、界面活性剤などを含んでいてよい。典型的な水性現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの水溶液、並びにテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液が挙げられる。かかる現像液は、典型的に、０．１〜２Ｎ、例えば０．１５〜１Ｎ又は０．２６〜０．７Ｎの濃度で使用される。
【００４６】
典型的な非水性現像液としては、例えば、ケトン、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−オクタノン、２−ヘプタノン及びメチルイソアミルケトン；アルコール、例えばエタノール、イソプロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール及びベンジルアルコール；エステル、例えば酢酸エチル、プロピオン酸エチル及び乳酸エチル；グリコールエーテル、例えばエチレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル；グリコールエーテルエステル、例えばエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート；芳香族化合物、例えばトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなど、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。
【００４７】
現像は、典型的に、２０〜８５℃、例えば２１〜４９℃の温度で行われる。激しい攪拌を伴う現像の時間は、１０分以内、例えば、５分以内、２分以内、１分以内又は３０秒以内であり得る。現像は、例えば、静的現像チャンバー内又はスプレーチャンバー内で行うことができる。典型的なスプレー圧力は、５〜４０ｐｓｉ、例えば１０〜２５ｐｓｉの範囲内である。
【００４８】
現像に続いて、ボトムクラッド層１０４は、最終硬化工程を受けることができる。硬化工程としては、例えばフラッド露光、例えば１〜２ジュール／ｃｍ２の化学線でのフラッド露光が挙げられる。追加的に又は代替的に、導波路を、例えば、約１３０℃〜３００℃の温度で、空気又は不活性雰囲気中において、例えば窒素若しくはアルゴン中において、加熱することができる。
【００４９】
図１Ｃに示すように、次にコア層１０８が、ボトムクラッド層１０４及び基体１０２の露出した部分の上に形成され、及び処理がなされ、図１Ｄに示すように、導波路コア１１０を形成する。コア材料は、得られるコアがボトムクラッド層１０４よりも高い屈折率を有するように選択される。コア層１０８を構成する組成物は、光画像形成性又は非光画像形成性であってよく、及びボトムクラッド層１０４関して前記した材料又は他の公知の材料から選択することができる。従って、コア１１０は、図示するようにフォトリソグラフィー的に生じさせることができる。あるいは、屈折率を変えることによってコアを形成することができ、例えば、コア層から材料を物理的に除去する必要なしに、直接画像形成プロセスで、コア層１０８を化学線に露光することによってコアを形成することができる。
【００５０】
次に、トップクラッド層１１２を、図１Ｅに示すように、ボトムクラッド層１０４及びコア１１０の上に形成させる。例示した方法において、トップクラッド層１１２は光画像形成性である。ボトムクラッド層１０４を参照して前記したものと同じ材料を、トップクラッド層１１２のために使用することができる。トップクラッド層の屈折率は、コア構造物１１０のものよりも低く、及び典型的にボトムクラッドと同じもの又は実質的に同じものである。トップクラッド層１１２は、ボトムクラッド層１０４に関して前記したのと同じ方法でフォトリソグラフィー的に処理され、そうして図１Ｆに図示するように、パターン１１４、１１６を形成させる。
【００５１】
本発明に従った方法によって、クラッド層１０４、１１２の一方又は両方をフォトリソグラフィー的に処理して、クラッド層内にパターンを加工することが可能になる。ボトムクラッド層又はトップクラッド層をフォトリソグラフィー的にパターン形成させない場合には、感光性組成物が使用されている層を、表面全体を化学線に露光することによって光硬化させることができる。熱酸発生剤又は熱塩基発生剤をはじめとする熱活性成分を、光活性成分に置き換えることができ、この場合、層を熱硬化させることができる。
【００５２】
本発明の方法は、導波路クラッドを形成する１以上の層内に、パターンを作ることを可能にする。これらのパターンは、例えば、導波路コネクター化（例えば、光ファイバーのために）、位置決め精度（例えば、位置決め基準）、電子デバイス配置（例えば、デバイスリセス）及び平面外光旋回（例えば、光バイア）の目的のために、使用することができる。クラッド内のパターンが多くの有用な目的を有することが、当業者によって理解される。
【００５３】
本発明の方法は、電子デバイス、例えば、光導波路の形で光機能性を備えるプリント配線板及び集積回路の製造において使用するために特に好適である。
【００５４】
図２は、本発明に従ってクラッド層をフォトリソグラフィー的にパターン形成することによって形成された、代表的な電子デバイス１１８を示す。図１を参照して前記した方法及び材料が、特に他に明記しない限り適用可能である。電子デバイス１１８は、例えば、プリント配線板、半導体デバイス、例えば集積回路又は液晶ディスプレイであってよい。デバイス１１８には、前記のような電子デバイスの基体１０２、例えば、プリント配線板基体、半導体ウェーハ又は液晶ディスプレイ基体が含まれている。ボトムクラッド層１０４が、基体１０２の表面上に形成され、及び１以上のパターンがその中に形成され得る。図示するデバイスにおいて、ボトムクラッド層１０４が、化学線への露光及び現像によって画像形成され、そして位置決めパターン（位置決め基準）１２０、コネクター化リセス１２２及び電子デバイスリセス１２４が、ボトムクラッド層内に形成され得る。位置決めパターン１２０によって、次の処理の間の正確な位置決め、例えば、次のフォトリソグラフィー的処理の間の基体へのホトマスクの位置決め又はレーザアブレーションの間のレーザの位置決めが可能になる。ボトムクラッド層内のコネクター化リセス１２２は、例えば、光信号キャリヤ（例えば、光ファイバー）のような部品を、コア１１０Ａを含むもののような埋め込まれた導波路と接続するコネクター（図示せず）の配置のためのリセスを提供することができる。デバイスリセス１２４は、１以上の電子デバイス（図示せず）を電気的に接続するための、電気リード及び結合パッド１２６を含んでよい、予め形成された金属化構造物を露出している。電子デバイスは、例えば、レーザ又は光検出器をはじめとする光電子デバイスであってもよい。
【００５５】
コア構造物１１０Ａ及び１１０Ｂが、前記のようにボトムクラッド層１０２の上に形成される。次いで、トップクラッド層１１２が、ボトムクラッド層１０４の一部及びコア構造物１１０Ａ、１１０Ｂの上に形成される。１以上のパターンが、トップクラッド層内に形成されていてもよい。代表的デバイスにおいて、トップクラッド層１１２は、化学線への露光及び現像によって画像形成される。コネクター化スロット１２８及び光バイア１３０をはじめとする構造を、その中に形成することができる。コネクター化スロット１２８は、コネクター、例えば、埋め込まれた導波路１１０Ａに接続するための１以上の光ファイバーを含むコネクターと連結とを一致させるために適合させられ得る。このスロット形状は、単に例示であって、他の形状も想像される。コネクター化スロット１２８及びコネクター化リセス１２２は、コネクターを固定するために設けられ得る。光バイア１３０は、１以上のコア構造物１１０Ｂと光連絡状態になるように形成されることができ、そして導波路への又は導波路からの平面外光路を提供する。特定のクラッドパターンを示したけれども、かかる構造は単に例示であり、他の構造も想像される。
【００５６】
下記の予言的実施例は、本発明の更なる代表的態様を示すことを意図するが、如何なる態様においても本発明の範囲を制限することを意図しない。示された重量パーセンテージは、溶媒を含有する全組成物基準である。
【実施例１】
【００５７】
ボトムクラッド層（光パターン形成された）
４５．００重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、５４．８４重量％のフェニル−メチル−ジメチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で４２．５：４２．５：１５重量％）、０．１５重量％のトリフェニルスルホニウムトシレート及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、２０００ｒｐｍで６インチの二酸化ケイ素被覆シリコンウェーハ上にスピンコートし、空気中においてホットプレート上で、２分間９０℃でソフトベークして、８μｍの厚さにする。アートワークを、この組成物の上に直接置く。このアートワークには、種々の寸法及び形状、例えば十字線、同心円及び９０°角の、位置決め基準を形成するためのパターンが含まれている。８００ｍＪ／ｃｍ２の化学線を、この構成物に適用し、続いて空気中において９０℃で２分間、露光後ベークする。露光したウェーハを、０．７Ｎ水酸化ナトリウム現像液中に浸漬し、３７．８℃（１００°Ｆ）で３０秒間保持する。このウェーハを脱イオン水中で洗浄し、乾燥させる。このウェーハを２００℃に１０分間加熱する。これによって、位置決め基準を有するパターン形成されたボトムクラッド層が形成される。
【００５８】
コア構造物
４５重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、４０重量％のフェニル−メチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で５０：５０重量％）、１０重量％のポリテトラヒドロフラン、４．９９重量％のトリフェニルスルホニウムトシレート及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、２０００ｒｐｍで、クラッド被覆しパターン形成したウェーハ上にスピンコートし、空気中でホットプレート上で、９０℃で２分間ソフトベークして、８μｍの厚さにする。アートワークを、この組成物の上に直接置く。このアートワークには、種々の寸法及び形状のコア、例えば、長さが２〜１４ｃｍ及び幅が５〜１５μｍの、直線の、枝分かれした及び曲線の形状のコアを形成するためのパターンが含まれている。８００ｍＪ／ｃｍ２の化学線を、この構成物に適用し、続いて空気中で９０℃で２分間、露光後ベークをする。露光したウェーハを、０．７Ｎ水酸化ナトリウム現像液中に浸漬し、３７．８℃（１００°Ｆ）で３０秒間保持する。このウェーハを脱イオン水中で洗浄し、乾燥させる。このウェーハを２００℃に１０分間加熱する。こうして、コア構造物が、パターン形成されたボトムクラッド層の上に作られる。
【００５９】
トップクラッド層（光パターン形成された）
アートワーク上のパターンが異なる以外は、ボトムクラッド層を形成する際に使用した同じ材料及び手順を、トップクラッド層のために使用する。アートワークには、幅５０〜１２５０μｍ及び長さ０．５〜３ｃｍの様々な寸法のスロットが含まれている。これによって、光導波路、ボトムクラッド層内の位置決め基準及びトップクラッド層内のスロットを含むデバイスが形成される。
【実施例２】
【００６０】
ボトムクラッド層
３５．００重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、５９．９９重量％のフェニル−メチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で３３：６７重量％）、５重量％のジヒドロキシ末端ポリエチレンオキシド及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、１２００ｒｐｍで６インチの二酸化ケイ素被覆シリコンウェーハ上にスピンコートし、空気中においてホットプレート上で、２分間９０℃でソフトベークして、１１．５μｍの厚さにする。このウェーハを、２００℃で１０分間、空気中においてホットプレート上で最終硬化させる。これによって、ボトムクラッド層が形成される。
【００６１】
コア構造物
３５．００重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、５４．７９重量％のフェニル−メチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で５０：５０重量％）、１０重量％のポリジフェニルシロキサン、０．２０重量％のトリフェニルスルホニウムトシレート及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、３０００ｒｐｍで、クラッド被覆したウェーハ上にスピンコートし、空気中においてホットプレート上で、２分間１１０℃でソフトベークして、８μｍの厚さにする。アートワークを、この組成物の上に直接置く。このアートワークには、種々の寸法及び形状のコア、例えば、長さが２〜１４ｃｍ及び幅が５〜１５μｍの、直線の、枝分かれした及び曲線の形状のコアを形成するためのパターンが含まれている。４３ｍＪ／ｃｍ２の化学線を、この構成物に適用し、続いて空気中において９０℃で３０秒間、露光後ベークをする。露光したウェーハを、０．７Ｎ水酸化ナトリウム現像液中に浸漬し、３７．８℃（１００°Ｆ）で２分間保持する。このウェーハを脱イオン水中で洗浄し、乾燥させる。このウェーハを２００℃に１０分間加熱する。こうして、コア構造物が、ボトムクラッド層の上に作られる。
【００６２】
トップクラッド層（光パターン形成された）
３５．００重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、５７．９９重量％のフェニル−メチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で３３：６７重量％）、５重量％のジヒドロキシ末端ポリエチレンオキシド、０．２重量％のトリフェニルスルホニウムペルフルオロブタンスルホネート及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、１０００ｒｐｍで、ボトムクラッド及びコア構造物を含むウェーハ上にスピンコートし、空気中においてホットプレート上で、２分間９０℃でソフトベークして、１６μｍの厚さにする。アートワークを、この組成物の上に直接置く。このアートワークには、幅５０〜１２５０μｍ及び長さ０．５〜３ｃｍの様々な寸法のスロットを形成するためのパターンが含まれている。３００ｍＪ／ｃｍ２の化学線を、この構成物に適用し、続いて空気中において９０℃で３０秒間、露光後ベークをする。露光したウェーハを、０．７Ｎ水酸化ナトリウム現像液中に浸漬し、３７．８℃（１００°Ｆ）で２分間保持する。このウェーハを脱イオン水中で洗浄し、乾燥させる。このウェーハを、２００℃で１０分間、空気中においてホットプレート上で最終硬化させる。これによって、光導波路及びトップクラッド層内のスロットを含むデバイスが形成される。
【実施例３】
【００６３】
ボトムクラッド層（光パターン形成された）
４５．００重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、５０．８４重量％のフェニル−メチル−ジメチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で３２．５：５２．５：１５重量％）、０．１５重量％のトリフェニルスルホニウムトシレート、４．００重量％のポリテトラメチレンオキシド（ＭＷ１０００）及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、２０００ｒｐｍで６インチの二酸化ケイ素被覆シリコンウェーハ上にスピンコートし、空気中においてホットプレート上で、２分間９０℃でソフトベークして、８μｍの厚さにする。アートワークを、この組成物の上に直接置く。このアートワークには、種々の寸法及び形状、例えば十字線、同心円及び９０°角の、基準を形成するためのパターンが含まれている。５００ｍＪ／ｃｍ２の化学線を、この構成物に適用し、続いて空気中で９０℃で２分間、露光後ベークをする。露光したウェーハを、０．７Ｎ水酸化ナトリウム現像液中に浸漬し、３７．８℃（１００°Ｆ）で３０秒間保持する。このウェーハを脱イオン水中で洗浄し、乾燥させる。このウェーハを２００℃に１０分間加熱する。これによって、位置決め基準を有するパターン形成されたボトムクラッド層が形成される。
【００６４】
コア構造物
３５．００重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、５４．７９重量％のフェニル−メチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で５０：５０重量％）、１０重量％のポリジフェニルシロキサン、０．２０重量％のトリフェニルスルホニウムトシレート及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、３０００ｒｐｍで、クラッド被覆しパターン形成したシリコンウェーハ上にスピンコートし、空気中においてホットプレート上で、２分間１１０℃でソフトベークして、８μｍの厚さにする。アートワークを、この組成物の上に直接置く。このアートワークには、種々の寸法及び形状のコア構造物、例えば、長さが２〜１４ｃｍ及び幅が５〜１５μｍの、直線の、枝分かれした及び曲線の形状のコア構造物を形成するためのパターンが含まれている。４３ｍＪ／ｃｍ２の化学線を、この構成物に適用し、続いて空気中において９０℃で３０秒間、露光後ベークをする。露光したウェーハを、０．７Ｎ水酸化ナトリウム現像液中に浸漬し、３７．８℃（１００°Ｆ）で２分間保持する。このウェーハを脱イオン水中で洗浄し、乾燥させる。このウェーハを２００℃に１０分間加熱する。こうして、コア構造物が、ボトムクラッド層の上に作られる。
【００６５】
トップクラッド層
４５．００重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、５０．９９重量％のフェニル−メチル−ジメチルシルセスキオキサン（ポリマー基準で３２．５：５２．５：１５重量％）、４．００重量％のポリテトラメチレンオキシド（ＭＷ１０００）及び０．０１重量％のダウ・シルウエットＬ−７６０４シリコーン系油を、混合物として組み合わせる。この組成物を、１０００ｒｐｍで、ウェーハ上のボトムクラッド及びコアの上にスピンコートし、空気中においてホットプレート上で、２分間９０℃でソフトベークして、１２μｍの厚さにする。このウェーハを２００℃に１０分間加熱する。これによって、光導波路及びボトムクラッド層内の位置決め基準を含むデバイスが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に従って形成した、光機能性を有する代表的デバイスを、その形成の種々の段階における断面図で示す。
【図２】本発明に従って形成した、光機能性を有する代表的電子デバイスを示す。
【符号の説明】
【００６７】
１０２  基体
１０４  ボトムクラッド層
１０６  パターン
１０８  コア層
１１０  導波路コア
１１２  トップクラッド層
１１４  パターン
１１６  パターン
１１８  電子デバイス
１２０  位置決め基準
１２２  コネクター化リセス
１２４  電子デバイスリセス
１２６  結合パッド
１２８  スロット
１３０  光バイア
【図１】
2006053556.tif 000003
【図２】
2006053556.tif 000004
【外国語明細書】
2006053556000001.pdf
2006053556000002.pdf
2006053556000003.pdf
2006053556000004.pdf