(57)【要約】      （修正有）【課題】サブストライプ電極を備えた放射線固体検出器において、第１の導電層の外縁付近に蓄積される残像を効率よく消去可能とする。【解決手段】平板状の第１の導電層２１、記録用光導電層、電荷輸送層、読取用光導電層、多数の線状のエレメントからなるストライプ電極および多数の線状のエレメントからなるサブストライプ電極を備えた第２の導電層を備えてなる放射線固体検出器において、一部が画像検出領域２１ａ内に位置するエレメント４０ａは、非画像検出領域における幅が、画像検出領域２１ａにおける幅よりも広くなるように構成する。また、全てが画像検出領域外に位置するエレメント４０ｂの幅は、エレメント４０ａの画像検出領域２１ａ内における幅よりも広くなるように構成する。【選択図】図２
2006100548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、
前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、
前記記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、
読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、
複数の電荷検出用線状電極と、複数の補助線状電極とを備えた第２の導電層とをこの順に積層してなり、
前記積層方向から見た場合に、前記第１の導電層の外縁から内側に向けて所定の幅の領域を非画像検出領域、前記第１の導電層の前記非画像検出領域を除く領域を画像検出領域とし、
該画像検出領域においては前記電荷検出用線状電極と前記補助線状電極とが交互に配置された放射線固体検出器において、
一部が前記画像検出領域内に位置する前記電荷検出用線状電極は、前記非画像検出領域もしくは前記第１の導電層の外縁近傍における幅が、前記画像検出領域における幅よりも広くなるように構成されていることを特徴とする放射線固体検出器。
【請求項２】
全てが前記画像検出領域外に位置する前記電荷検出用線状電極の幅は、一部が前記画像検出領域内に位置する前記電荷検出用線状電極の前記画像検出領域内における幅よりも広くなるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の放射線固体検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有する放射線固体検出器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を潜像電荷として蓄電部に一旦蓄積し、該蓄積した潜像電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線固体検出器（以下単に検出器ともいう）を使用する放射線画像情報記録読取装置が各種提案されている。この装置において使用される放射線固体検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、検出器に読取光（読取用の電磁波）を照射して読み出す光読出方式のものがある。
【０００３】
本出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線固体検出器として、特許文献１、特許文献２、特許文献３において、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる光（以下記録光という）に対して透過性を有する平板状の第１の導電層、記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第１の導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２の導電層を、この順に積層して成り、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する潜像電荷（静電潜像）を蓄積する検出器を提案している。
【０００４】
そして、上記特許文献２および特許文献３においては、特に、読取光に対して透過性を有する第２の導電層の電極を多数の読取光に対して透過性を有する電荷検出用線状電極からなるストライプ電極とすると共に、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の読取光に対して遮光性を有する補助線状電極を、前記電荷検出用線状電極と交互にかつ互いに平行となるように、第２の導電層内に設けた検出器を提案している。
【０００５】
このように、多数の補助線状電極からなるサブストライプ電極を第２の導電層内に設けることにより、蓄電部とサブストライプ電極との間に新たなコンデンサが形成され、記録光によって蓄電部に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブストライプ電極にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ電極と蓄電部との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブストライプ電極を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させると共に、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができるようになっている。
【特許文献１】特開２０００−１０５２９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２８４０５６号公報
【特許文献３】特開２０００−２８４０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記の放射線固体検出器においては、潜像電荷の記録時に平板状の第１の導電層と、ストライプ電極およびサブストライプ電極を備えた第２の導電層との間に高電圧を印加するが、このとき平板状である第１の導電層では、その外縁に電界が集中してしまうため、記録時において放射線固体検出器の記録面内に均一に電界を形成させることが困難である。
【０００７】
放射線固体検出器の記録面内に均一に電界が形成されていない場合、電界強度の違いによってアーティファクトが発生してしまうため、現状では第１の導電層の外縁から内側に向けて所定の幅を非画像検出領域とし、この非画像検出領域よりもさらに内側の領域を画像検出領域とすることで、上記電界集中の影響を回避することが行われている。
【０００８】
また、上記の放射線固体検出器においては、潜像電荷を記録して読み取った後、次の記録に備えて消去光を照射して放射線固体検出器内に残存する残像の消去を行うが、上述のように第１の導電層の外縁には記録時に強い電界が集中しているため、第１の導電層の外縁近傍には画像検出領域に比べて多くの残像が残っている。そのため、残像の消去処理を行っても第１の導電層の外縁近傍では完全に残像を消去することができず、繰り返し使用しているうちに残像が蓄積されてこの残像が画像検出領域まで浸食してきてしまい、画像検出領域内においても残像の影響によるアーティファクトが発生するようになってしまう。
【０００９】
特に読取効率を向上させるべくサブストライプ電極を備えた放射線固体検出器の場合、サブストライプ電極は遮光性を有するためにサブストライプ電極上部には消去光が入射せず、この領域に形成された残像は殆ど消去することができないため、このような放射線固体検出器においては上記の現象が顕著に表れるようになる。
【００１０】
もちろん、非画像検出領域を広くすることによって上記の問題を緩和させることはできるが、放射線固体検出器においてはサイズに対して画像検出領域を広くすることが求められており、この狭額縁化の要求を考慮すると非画像検出領域をあまり広くすることは現実的ではない。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、サブストライプ電極を備えた放射線固体検出器において、第１の導電層の外縁付近に蓄積される残像を効率よく消去可能な放射線固体検出器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による放射線固体検出器は、記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、複数の電荷検出用線状電極と、複数の補助線状電極とを備えた第２の導電層とをこの順に積層してなり、積層方向から見た場合に、第１の導電層の外縁から内側に向けて所定の幅の領域を非画像検出領域、第１の導電層の非画像検出領域を除く領域を画像検出領域とし、画像検出領域においては電荷検出用線状電極と補助線状電極とが交互に配置された放射線固体検出器において、一部が画像検出領域内に位置する電荷検出用線状電極は、非画像検出領域もしくは第１の導電層の外縁近傍における幅が、画像検出領域における幅よりも広くなるように構成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
ここで、「記録光」としては、画像情報を担持する電磁波であって、固体検出器に照射することにより該固体検出器に画像情報を潜像電荷（静電潜像）として記録させ得るものであればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。
【００１４】
また、「読取光」としては、固体検出器に照射することにより該固体検出器に記録されている潜像電荷（静電潜像）に応じた電流を発生させ得る電磁波であればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。
【００１５】
また、「電荷検出用線状電極」とは、読取用光導電層内で発生した電荷対を検出するための電極であり、読取用光導電層内へ読取光を入射させるべく、読取光に対して透過性を有することが望ましいが、線状電極間から入射する読取光により読取用光導電層内に十分な電荷対が発生可能な場合は、電荷検出用線状電極は必ずしも透過性を有する必要はない。
【００１６】
また、「補助線状電極」とは、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための電極であり、読取光に対して遮光性を有することが望ましいが、補助線状電極と読取光照射手段との間に遮光性を有する遮光膜等を設ける場合は、補助線状電極は必ずしも遮光性を有する必要はない。ここで、「遮光性」とは、読取光を完全に遮断して全く電荷対を発生させないものに限らず、その読取光に対する多少の透過性は有していてもそれにより発生する電荷対が実質的に問題とならない程度のものも含むものとする。従って、読取用光導電層に発生する電荷対は全て電荷検出用線状電極を透過した読取光や、線状電極間から入射した読取光によるものとは限らず、補助線状電極を僅かに透過した読取光によっても読取用光導電層において電荷対が発生しうるものとする。
【００１７】
また、「一部が画像検出領域内に位置する電荷検出用線状電極は、非画像検出領域もしくは第１の導電層の外縁近傍における幅が、画像検出領域における幅よりも広くなるように構成されている」とは、画像検出領域における幅よりも画像検出領域外における幅を広くすることによって、画像検出領域における幅と画像検出領域外における幅とが等しい場合に比べて、第１の導電層の外縁近傍における残像の消去効率が実質的に上がっている状態を意味する。具体的には画像検出領域における幅に対して画像検出領域外における幅を１．３倍以上、好ましくは２倍以上とすればよい。
【００１８】
なお、本発明による固体検出器を使用して放射線画像の記録や読取りを行うに際しては、例えば、上記特許文献２に記載されたような、本発明を適用しない従来の固体検出器を用いた記録方法および読取方法並びにその装置を変更することなく、そのまま利用することができる。
【００１９】
本発明による放射線固体検出器において、全てが画像検出領域外に位置する電荷検出用線状電極の幅は、一部が画像検出領域内に位置する電荷検出用線状電極の画像検出領域内における幅よりも広くなるように構成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による放射線固体検出器によれば、記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、複数の電荷検出用線状電極と、複数の補助線状電極とを備えた第２の導電層とをこの順に積層してなり、積層方向から見た場合に、第１の導電層の外縁から内側に向けて所定の幅の領域を非画像検出領域、第１の導電層の非画像検出領域を除く領域を画像検出領域とし、画像検出領域においては電荷検出用線状電極と補助線状電極とが交互に配置された放射線固体検出器において、一部が画像検出領域内に位置する電荷検出用線状電極は、非画像検出領域もしくは第１の導電層の外縁近傍における幅が、画像検出領域における幅よりも広くなるように構成している。消去光を照射して放射線固体検出器内の残像を消去する場合には主として消去光に対して透過性を有する電荷検出用線状電極上部の残像しか消去されず、補助線状電極上部および両線状電極間についてはほとんど残像が消去されないため、上記のような構成とすることによって、非画像検出領域もしくは第１の導電層の外縁近傍における残像の消去を効率的に行うことが可能となるため、残像の影響によるアーティファクトの発生を防止することができる。
【００２１】
また、全てが画像検出領域外に位置する電荷検出用線状電極の幅を、一部が画像検出領域内に位置する電荷検出用線状電極の画像検出領域内における幅よりも広くなるように構成したことにより、画像検出領域外における残像の消去を効率的に行うことが可能となるため、上記アーティファクトの発生をさらに防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の放射線固体検出器の側面図、図２は上記放射線固体検出器の第１の導電層と第２の導電層（ストライプ電極およびサブストライプ電極）との位置関係を示すための第１の導電層および第２の導電層のみを示した上面図である。
【００２３】
この放射線固体検出器２０は、被写体を透過したＸ線等の放射線の画像情報を担持する記録光（放射線もしくは放射線の励起により発生した光）に対して透過性を有する平板状の第１の導電層２１、この第１の導電層２１を透過した記録光の照射を受けることにより電荷対を発生し導電性を呈する記録用光導電層２２、前記電荷対の内の潜像極性電荷（例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷（上述の例においては正電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層２３、読取光の照射を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する読取用光導電層２４、ストライプ電極２６およびサブストライプ電極２７を備えた第２の導電層２５、読取光に対して透過性を有する支持体１８をこの順に配してなるものである。記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面には、記録用光導電層２２内で発生した画像情報を担持する潜像極性電荷を蓄積する２次元状に分布した蓄電部２９が形成される。
【００２４】
なお、上述したように記録時における第１の導電層２１の外縁への電界集中に起因する残像の影響を回避すべく、図２に示すように第１の導電層２１の外縁（図中長点線表示）から内側に向けて所定の幅を非画像検出領域（図中長点線と短点線との間の領域）とし、この非画像検出領域よりもさらに内側の領域を画像検出領域２１ａ（図中短点線表示）としている。
【００２５】
支持体１８としては、読取光に対して透明なガラス基板等を用いることができる。また、読取光に対して透明であることに加えて、その熱膨張率が読取用光導電層２４の物質の熱膨張率と比較的近い物質を使用するとより望ましい。例えば、読取用光導電層２４としてａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を使用する場合であれば、Ｓｅの熱膨張率が３．６８×１０−５／Ｋ＠４０℃  であることを考慮して、熱膨張率が１．０〜１０．０×１０−５／Ｋ＠４０℃、より好ましくは、４．０〜８．０×１０−５／Ｋ＠４０℃である物質を使用する。熱膨張率がこの範囲の物質としては、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の有機ポリマー材料を使用することができる。これによって、基板としての支持体１８と読取用光導電層２４（Ｓｅ膜）との熱膨張のマッチングがとれ、特別な環境下、例えば寒冷気候条件下での船舶輸送中等において、大きな温度サイクルを受けても、支持体１８と読取用光導電層２４との界面で熱ストレスが生じ、両者が物理的に剥離する、読取用光導電層２４が破れる、あるいは支持体１８が割れる等、熱膨張差による破壊の問題が生じることがない。さらに、ガラス基板に比べて有機ポリマー材料は衝撃に強いというメリットがある。
【００２６】
記録用光導電層２２の物質としては、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）、ＰｂＯ、ＰｂＩ２  等の酸化鉛（II）やヨウ化鉛（II）、Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ２０、Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジット等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が適当である。
【００２７】
電荷輸送層２３の物質としては、例えば第１の導電層２１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２以上、望ましくは１０３以上）ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、あるいはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質が適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコティック液晶等）は光不感性を有するため好ましく、また、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層２３と読取用光導電層２４の容量が小さくなり読取時の信号取り出し効率を大きくすることができる。なお、「光不感性を有する」とは、記録光や読取光の照射を受けても殆ど導電性を呈するものでないことを意味する。
【００２８】
読取用光導電層２４の物質としては、ａ−Ｓｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ，無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine），ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。
【００２９】
記録用光導電層２２の厚さは、記録光を十分に吸収できるようにするには、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましい。
【００３０】
また電荷輸送層２３と読取用光導電層２４との厚さの合計は記録用光導電層２２の厚さの１／２以下であることが望ましく、また薄ければ薄いほど読取時の応答性が向上するので、例えば１／１０以下、さらには１／１００以下等にするのが好ましい。本実施の形態では読取用光導電層２４の厚さを１０μｍとした。
【００３１】
なお、上記各層の材料は、第１の導電層２１に負電荷を、第２の導電層２５に正電荷を帯電させて、記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面に形成される蓄電部２９に潜像極性電荷としての負電荷を蓄積せしめるとともに、電荷輸送層２３を、潜像極性電荷としての負電荷の移動度よりも、その逆極性となる輸送極性電荷としての正電荷の移動度の方が大きい、いわゆる正孔輸送層として機能させるものとして好適なものの一例であるが、これらは、それぞれが逆極性の電荷であっても良く、このように極性を逆転させる際には、正孔輸送層として機能する電荷輸送層を電子輸送層として機能する電荷輸送層に変更する等の若干の変更を行なうだけでよい。
【００３２】
例えば、記録用光導電層２２として上述のアモルファスセレンａ−Ｓｅ、酸化鉛（II）、ヨウ化鉛（II）等の光導電性物質が同様に使用でき、電荷輸送層２３としてＮ−トリニトロフルオレニリデン・アニリン（TNFA）誘電体、トリニトロフルオレノン（ TNF）／ポリエステル分散系、非対称ジフェノキノン誘導体が適当であり、読取用光導電層２４として上述の無金属フタロシアニン、金属フタロシアニンが同様に使用できる。
【００３３】
第１の導電層２１としては、記録光に対して透過性を有するものであればよく、例えば可視光に対して透過性を持たせる場合には、光透過性金属薄膜として周知のネサ皮膜（ＳｎＯ２  ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、あるいはエッチングのし易いアモルファス状光透過性酸化金属であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））等の酸化金属を５０〜２００ｎｍ厚程度、好ましくは１００ｎｍ以上にして用いることができる。また、アルミニウムＡｌ、金Ａｕ、モリブデンＭｏ、クロムＣｒ等の純金属を、例えば２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ程度）の厚さにすることによって可視光に対して透過性を持たせることもできる。なお、記録光としてＸ線を使用し、第１の導電層２１側から該Ｘ線を照射して画像を記録する場合には、第１の導電層２１としては可視光に対する透過性が不要であるから、該第１の導電層２１は、例えば１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕ等の純金属を用いることもできる。
【００３４】
第２の導電層２５は、多数の読取光透過性のエレメント（電荷検出用線状電極）４０をストライプ状に配列して成るストライプ電極２６と多数の読取光遮光性のエレメント（補助線状電極）４１をストライプ状に配列してなるサブストライプ電極２７とを備えている。各エレメント４０，４１は、エレメント４０とエレメント４１とが交互にかつ互いに平行に配置されるように配列されている。なお、ストライプ電極２６とサブストライプ電極２７とは電気的に絶縁されている。サブストライプ電極２７は、記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との略界面に形成される蓄電部２９に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための導電部材である。
【００３５】
ここで、ストライプ電極２６の各エレメント４０を形成する電極材の材質としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））、アルミニウムまたはモリブデン等を用いることができる。また、サブストライプ電極２７の各エレメント４１を形成する電極材の材質としては、アルミニウム、モリブデンまたはクロム等を用いることができる。
【００３６】
図２に示すように、一部が画像検出領域２１ａ内に位置するエレメント４０ａは、非画像検出領域における幅が、画像検出領域２１ａにおける幅よりも広くなるように構成されている。これにともなって、エレメント４０ａに隣接するエレメント４１ａの非画像検出領域における幅は画像検出領域２１ａにおける幅よりも狭くなるように構成されている。
【００３７】
また、全てが画像検出領域外に位置するエレメント４０ｂの幅は、一部が画像検出領域２１ａ内に位置するエレメント４０ａの画像検出領域２１ａ内における幅よりも広くなるように構成されている。
【００３８】
この検出器２０においては、記録用光導電層２２を挟んで第１の導電層２１と蓄電部２９との間にコンデンサＣ＊ａが形成され、電荷輸送層２３および読取用光導電層２４を挟んで蓄電部２９とストライプ電極２６（エレメント４０）との間にコンデンサＣ＊ｂが形成され、読取用光導電層２４および電荷輸送層２３を介して蓄電部２９とサブストライプ電極２７（エレメント４１）との間にコンデンサＣ＊ｃが形成される。読取時における電荷再配列の際に、各コンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｂ、Ｃ＊ｃに配分される正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｂ、Ｑ＋ｃは、総計Ｑ＋が潜像極性電荷の量Ｑ−と同じで、各コンデンサの容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃに比例した量となる。これを式で示すと下記のように表すことができる。
【００３９】
Ｑ−  ＝Ｑ＋  ＝Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｂ＋Ｑ＋ｃ
Ｑ＋ａ＝Ｑ＋  ×Ｃａ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
Ｑ＋ｂ＝Ｑ＋  ×Ｃｂ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
Ｑ＋ｃ＝Ｑ＋  ×Ｃｃ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
そして、検出器２０から取り出し得る信号電荷量はコンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｃに配分された正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｃの合計（Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｃ）と同じくなり、コンデンサＣ＊ｂに配分された正電荷は信号電荷として取り出せない（詳細は特許文献２参照）。
【００４０】
ここで、ストライプ電極２６およびサブストライプ電極２７によるコンデンサＣ＊ｂ、Ｃ＊ｃの容量について考えてみると、容量比Ｃｂ：Ｃｃは、各エレメント４０、４１の幅の比Ｗｂ：Ｗｃとなる。一方、コンデンサＣ＊ａの容量ＣａとコンデンサＣ＊ｂの容量Ｃｂは、サブストライプ電極２７を設けても実質的に大きな影響は現れない。
【００４１】
この結果、読取時における電荷再配列の際に、コンデンサＣ＊ｂに配分される正電荷の量Ｑ＋ｂをサブストライプ電極２７を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、その分だけ、サブストライプ電極２７を介して検出器２０から取り出し得る信号電荷量をサブストライプ電極２７を設けない場合よりも相対的に大きくすることができる。
【００４２】
本実施の形態による放射線固体検出器においては、一部が画像検出領域２１ａ内に位置するエレメント４０ａについては、非画像検出領域における幅が、画像検出領域２１ａにおける幅よりも広くなるように構成したことにより、非画像検出領域における残像の消去を効率的に行うことが可能となるため、残像の影響によるアーティファクトの発生を防止することができる。
【００４３】
また、全てが画像検出領域外に位置するエレメント４０ｂの幅を、一部が画像検出領域２１ａ内に位置するエレメント４０ａの画像検出領域２１ａ内における幅よりも広くなるように構成したことにより、画像検出領域外における残像の消去を効率的に行うことが可能となるため、上記アーティファクトの発生をさらに防止することができる。
【００４４】
以上、本発明による放射線固体検出器の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限りにおいて、種々変更することが可能である。
【００４５】
例えば、図３に示すように、各エレメントの配列方向においては画像検出領域２１ａ外にはエレメント（補助線状電極）４３を配置せずエレメント（電荷検出用線状電極）４２ｂのみを配置してもよい。さらにこのときのエレメント４２ｂの幅は、画像検出領域２１ａ内のエレメントの配列ピッチに影響を受けることなく広げることが可能である。
【００４６】
また、各エレメントの長手方向においても画像検出領域２１ａ外にはエレメント（補助線状電極）４３を配置せずエレメント（電荷検出用線状電極）４２ａのみを配置してもよい。ただし、この場合はエレメント４３を外部に電気的に接続させるための極細の配線部を設けてもよいし、エレメント４３の長手方向の長さも完全に画像検出領域２１ａの長さに合わせる必要はなく若干長くなっていてもよい。
【００４７】
さらに、画素ピッチ、各エレメントの幅、エレメント間の間隔について具体的な数値を例示する。まず、画像検出領域外においても電荷検出用線状電極および補助線状電極を配置する場合の例を示す。
【００４８】
図４（ａ）に示すように、画素ピッチを１００μｍとし、画像検出領域２１ａ内でのエレメント（電荷検出用線状電極）４４およびエレメント（補助線状電極）４５の幅を３０μｍ、両エレメント間の間隔を２０μｍ、そして、画像検出領域２１ａ外でのエレメント４４の幅を４５μｍ、エレメント４５の幅を３０μｍ、両エレメント間の間隔を１２．５μｍとしてもよい。
【００４９】
また、図４（ｂ）に示すように、画素ピッチ、画像検出領域２１ａ内でのエレメント（電荷検出用線状電極）４６およびエレメント（補助線状電極）４７の幅、両エレメント間の間隔については図４（ａ）に示す態様と共通とし、画像検出領域２１ａ外でのエレメント４６の幅を５０μｍ、エレメント４７の幅を１０μｍ、両エレメント間の間隔を２０μｍとしてもよい。
【００５０】
また、図４（ｃ）に示すように、画素ピッチ、画像検出領域２１ａ内でのエレメント（電荷検出用線状電極）４８およびエレメント（補助線状電極）４９の幅、両エレメント間の間隔については図４（ａ）に示す態様と共通とし、画像検出領域２１ａ外でのエレメント４８の幅を６０μｍ、エレメント４９の幅を３０μｍ、両エレメント間の間隔を５μｍとしてもよい。
【００５１】
画像検出領域２１ａ外での電荷検出用線状電極の幅が広くなるほど残像の消去を効率的に行うことが可能となるため、上記図４（ａ）から（ｃ）に示す態様の中では図４（ｃ）に示す態様が最も残像の消去効率が高くなる。
【００５２】
次に、画像検出領域外においては電荷検出用線状電極のみ配置する場合の例を示す。
【００５３】
図５（ａ）に示すように、画素ピッチを１００μｍとし、画像検出領域２１ａ内でのエレメント（電荷検出用線状電極）５０およびエレメント（補助線状電極）５１の幅を３０μｍ、両エレメント間の間隔を２０μｍ、そして、画像検出領域２１ａ外でのエレメント５０の幅を５０μｍとしてもよい。
【００５４】
また、図５（ｂ）に示すように、画素ピッチ、画像検出領域２１ａ内でのエレメント（電荷検出用線状電極）５２およびエレメント（補助線状電極）５３の幅、両エレメント間の間隔については図５（ａ）に示す態様と共通とし、画像検出領域２１ａ外でのエレメント５２の幅を８０μｍとしてもよい。
【００５５】
画像検出領域２１ａ外での電荷検出用線状電極の幅が広くなるほど残像の消去を効率的に行うことが可能となるため、上記図５（ａ）および（ｂ）に示す態様の中では図５（ｂ）に示す態様の方が残像の消去効率が高くなる。
【００５６】
また、上記実施の形態による検出器は、記録用光導電層が、記録用の放射線の照射によって導電性を呈するものであるが、本発明による検出器の記録用光導電層は必ずしもこれに限定されるものではなく、記録用光導電層は、記録用の放射線の励起により発せられる光の照射によって導電性を呈するものとしてもよい（特許文献１参照）。この場合、第１の導電層の表面に記録用の放射線を、例えば青色光等、他の波長領域の光に波長変換するいわゆるＸ線シンチレータといわれる波長変換層を積層したものとするとよい。この波長変換層としては、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）等を用いるのが好適である。また、第１の導電層は、記録用の放射線の励起により波長変換層で発せられた光に対して透過性を有するものとする。
【００５７】
さらに、上記実施の形態による検出器は、記録用光導電層と読取用光導電層との間に電荷輸送層を設け、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に蓄電部を形成するようにしたものであるが、電荷輸送層をトラップ層に置き換えたものとしてもよい。トラップ層とした場合には、潜像電荷は、該トラップ層に捕捉され、該トラップ層内またはトラップ層と記録用光導電層の界面に潜像電荷が蓄積される。また、このトラップ層と記録用光導電層の界面に、画素毎に、格別に、マイクロプレートを設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施の形態の放射線固体検出器の側面図
【図２】上記放射線固体検出器の第１の導電層および第２の導電層のみを示した上面図
【図３】その他の態様の放射線固体検出器の第１の導電層および第２の導電層のみを示した上面図
【図４】第２の導電層の各エレメントの幅の具体例を示す上面図
【図５】第２の導電層の各エレメントの幅の具体例を示す上面図
【符号の説明】
【００５９】
２０    放射線固体検出器
２１    第１の導電層
２２    記録用光導電層
２３    電荷輸送層
２４    読取用光導電層
２５    第２の導電層
２６    ストライプ電極
２７    サブストライプ電極
２９    蓄電部
４０    エレメント（電荷検出用線状電極）
４１    エレメント（補助線状電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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